(57)【要約】【課題】太陽電池の各製造プロセスにおける基板の位置決め精度を向上する技術を提供する。【解決手段】ある態様の太陽電池の製造方法は、太陽電池用基板の所定の領域にイオン注入されたイオン注入パターンの少なくとも一部からなる位置決め用パターンを検出する検出工程（Ｓ１２）と、太陽電池用基板に対する所定のプロセスを実行する際に、検出した位置決め用パターンに基づいて該プロセスを実行するプロセス部と該太陽電池用基板との相対的な位置決めを行う位置決め工程（Ｓ１６）と、を含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池用基板の所定の領域にイオン注入されたイオン注入パターンの少なくとも一部からなる位置決め用パターンを検出する検出工程と、
太陽電池用基板に対する所定のプロセスを実行する際に、検出した前記位置決め用パターンに基づいて該プロセスを実行するプロセス部と該太陽電池用基板との相対的な位置決めを行う位置決め工程と、
を含む太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記イオン注入パターンは、太陽電池のコンタクト電極と対応する第１パターンと、前記位置決め用パターンとして用いられる第２パターンと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記位置決め用パターンは、前記イオン注入パターンのうち非繰り返しパターンとなっている部分であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記検出工程において、前記太陽電池用基板に分布する不純物の濃度の違いに基づいて前記位置決め用パターンを検出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記検出工程において、前記太陽電池用基板に分布する不純物の種類の違いに基づいて前記位置決め用パターンを検出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項６】
太陽電池用の基板に対してイオン注入する際に用いられるマスクであって、
前記マスクは、所定のマスクパターンを備え、
前記所定のマスクパターンは、太陽電池セルのコンタクト電極と対応する第１マスクパターンと、基板の位置決め用パターンを形成するために用いられる第２マスクパターンと、を含むことを特徴とする太陽電池製造用マスク。
【請求項７】
太陽電池用基板の所定の領域にイオン注入されたイオン注入パターンの少なくとも一部からなる位置決め用パターンの情報を取得する取得部と、
太陽電池用基板に対する所定のプロセスを実行する際に、取得した前記位置決め用パターンに基づいて該プロセスを実行するプロセス部と該太陽電池用基板との相対的な位置決めを行う位置決め部と、
前記太陽電池用基板の所定の領域に対して所定のプロセスを実行するプロセス部と、
を備える太陽電池製造システム。
【請求項８】
前記プロセス部は、前記イオン注入パターンの少なくとも一部と重畳するように電極を形成することを特徴とする請求項７に記載の太陽電池製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池の製造方法、太陽電池製造用マスク及び太陽電池製造システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池の製造では、基板を複数の工程において順次処理する際に、各工程において基板の位置合わせを行うのが一般的である。例えば、特許文献１には、基板に予め形成された基準マークに基づいて、基板の所定の領域にイオンビームによる不純物の注入を行う技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１１−５２５３０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基板に予め形成された基準マークの位置をカメラ等の認識手段で検出し、その位置に基づいて各工程における基板の処理領域を決定する場合、各工程での検出誤差が累積される。そのため、基板の位置決め精度には更なる改善の余地がある。
【０００５】
本発明のある態様の例示的な目的のひとつは、太陽電池の各製造プロセスにおける基板の位置決め精度を向上する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明のある態様の太陽電池の製造方法は、太陽電池用基板の所定の領域にイオン注入されたイオン注入パターンの少なくとも一部からなる位置決め用パターンを検出する検出工程と、太陽電池用基板に対する所定のプロセスを実行する際に、検出した位置決め用パターンに基づいて該プロセスを実行するプロセス部と該太陽電池用基板との相対的な位置決めを行う位置決め工程と、を含む。
【０００７】
本発明の別の態様は、太陽電池製造用マスクである。この太陽電池製造用マスクは、太陽電池用の基板に対してイオン注入する際に用いられるマスクであって、所定のマスクパターンを備える。所定のマスクパターンは、太陽電池セルのコンタクト電極と対応する第１マスクパターンと、基板の位置決め用パターンを形成するために用いられる第２マスクパターンと、を含む。
【０００８】
本発明のさらに別の態様は、太陽電池製造システムである。この太陽電池製造システムは、太陽電池用基板の所定の領域にイオン注入されたイオン注入パターンの少なくとも一部からなる位置決め用パターンの情報を取得する取得部と、太陽電池用基板に対する所定のプロセスを実行する際に、取得した位置決め用パターンに基づいて該プロセスを実行するプロセス部と該太陽電池用基板の相対的な位置決めを行う位置決め部と、位置決めされた基板の所定の領域に対して所定のプロセスを実行するプロセス部と、を備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、太陽電池の各製造プロセスにおける基板の位置決め精度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施の形態に係る製造システムの一部の概略構成を模式的に示した図である。
【図２】本実施の形態に係るイオン注入装置の構成を模式的に示した図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は、本実施の形態に係るイオン注入方法による、基板内での不純物濃度の変化を説明するための模式図である。
【図４】本実施の形態に係るイオン注入装置に用いられる太陽電池製造用マスクの一例を示す上面図である。
【図５】本実施の形態に係る基板の位置決め方法の概略を説明するためのフローチャートである。
【図６】図４のＡ領域の拡大図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、位置決め用パターンの変形例を形成する太陽電池製造用マスクの要部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、以下に述べる構成は例示であり、本発明の範囲を何ら限定するものではない。
【００１２】
太陽電池や、ＬＥＤ等の半導体素子の製造において、基板に対して複数のプロセスを実行する場合、各プロセスにおいて基板の正確な位置合わせが必要である。例えば、太陽電池の製造においては、エミッタの一部に不純物濃度の高いコンタクト領域を形成し、このコンタクト領域の位置に合わせて基板の表面に印刷装置などでフィンガー（櫛歯）電極を形成する技術が考案されている。このように基板の一部に選択的にイオンを注入し、不純物濃度の高いコンタクト領域を形成する手法（選択エミッタともいう。）として、フォトリソグラフィ、印刷、ハードマスクなどの各手法を用いることができる。これらの手法により、イオン注入が不要な箇所をマスキングした後に、イオン注入が行われることで、マスキングがされてない部分に対応した選択的なイオン注入パターンが基板の所定の領域に形成される。
【００１３】
このようなイオン注入パターンと、その後に形成されるフィンガー電極とは、互いの位置を精度良く合わせる必要がある。通常、両者の位置を合わせる手法としては、ウェハ基板に予めレーザ等を用いて形成された位置決め用マーキングや、基板コーナー部等のエッジを利用し、イオン注入装置、印刷装置各々でこのマーキングや基板エッジをＣＣＤカメラ等を用いて検知することで、両者の位置精度を確保する手法が考えられる。
【００１４】
しかしながら、このような手法の場合、イオン注入装置、印刷装置の各々にマーキングを認識する機構が必要となり、製造システム全体のコストが上昇する。また、両装置において、マーキング位置からイオン注入パターン、及びマーキング位置からフィンガー電極パターンまでの相対位置を整合させる必要がある。加えて、それぞれの装置で発生する誤差はそのまま重畳され、両パターンの重ね合わせ精度に影響を及ぼし、品質低下の要因となる。
【００１５】
そこで、本発明者は、これらの課題を鑑みて以下の態様に想到した。
【００１６】
本実施の形態に係る太陽電池の製造方法は、基板の所定の領域にイオン注入されたイオン注入パターンの少なくとも一部からなる位置決め用パターンを検出する検出工程と、基板に対する所定のプロセスを実行する際に、検出した位置決め用パターンに基づいてそのプロセスにおける基板の位置決めを行う位置決め工程と、を含む。
【００１７】
この態様によると、基板に予めレーザ等を用いて位置決め用のマーキングを形成しなくても、イオン注入パターンを利用することで、基板の位置決めが可能となる。特に、太陽電池の製造工程において、基板へのイオン注入工程がある場合、イオン注入工程で形成されたイオン注入パターンを位置決めに利用することで、製造に無駄な工程がなくなる。例えば、レーザマーキングなどの本来は製品の性能に寄与しない部分の基板への形成や、イオン注入工程におけるレーザマーキングの検出などを省力できる。
【００１８】
また、位置決め工程は、イオン注入パターンに基づいてその後のプロセスにおける基板の位置決めをするため、基板の所定の位置を基準に各工程における基板の処理領域を決定する場合と比較して、位置決め誤差の累積が抑えられる。その結果、基板の位置決め精度が向上する。
【００１９】
図１は、本実施の形態に係る製造システムの一部の概略構成を模式的に示した図である。図１では、太陽電池の製造工程のうち、主としてイオン注入とフィンガー電極（以下、「コンタクト電極」と称する）の形成とを行う装置構成を示している。
【００２０】
図１に示す太陽電池製造システム１０は、複数のプロセス装置として、イオン注入装置１００及び印刷装置２００を備えている。
【００２１】
イオン注入装置１００は、基板の所定の領域にイオン注入されたイオン注入パターンを形成する。イオン注入装置１００の構成の詳細については後述する。イオン注入装置１００によりイオン注入パターンが形成されている基板は、搬送ロボットなどを介して印刷装置２００に搬送される。
【００２２】
印刷装置２００は、搬送されてきた基板に形成されているイオン注入パターンの少なくとも一部からなる位置決め用パターンを検出する検出部２０２と、検出した位置決め用パターンの情報を取得する取得部２０４と、基板に対する所定のプロセスとしてコンタクト電極を形成する際に、取得した位置決め用パターンに基づいてコンタクト電極を形成する基板の位置決めを行う位置決め部２０６と、位置決めされた基板の所定の領域に対してコンタクト電極を形成するプロセス部２０８と、を備える。
【００２３】
検出部２０２は、例えば、ＣＣＤカメラが用いられる。また、位置決め部２０６は、取得部２０４から送られてくる制御信号に基づいて、印刷する電極パターンとイオン注入パターンとが整合するように基板の位置決めを行う。位置決め部２０６としては、ロボットアームのようなマニピュレータやＸＹステージを適用できる。なお、検出部２０２は、印刷装置２００とは別の装置に設けてもよい。例えば、イオン注入装置１００に検出部２０２を設け、検出した位置決め用パターンの情報を、基板を収容する搬送トレイの記憶手段（メモリチップ等）に記憶させたり、装置間を結ぶオンライン通信手段にて、その情報を後工程の印刷装置２００の取得部２０４で取得させるようにしたりしてもよい。
【００２４】
また、上述の説明では、基板側の位置を調整することで基板の位置決めを行っているが、所定のプロセスを実行するプロセス部と基板との相対的な位置決めを行うことができれば、この構成に限られない。例えば、基板を常に所定の位置で停止し、取得した基板の位置決め用パターンに基づいてプロセス部を適宜移動させることで、基板とプロセス部との相対的な位置決めを行ってもよい。あるいは、取得した基板の位置決め用パターンに基づいて基板とプロセス部とを共に移動させ、基板とプロセス部との相対的な位置決めを行ってもよい。具体的には、例えば、印刷装置２００の内部のプロセス部２０８として印刷スクリーンの位置を調整することで、基板とプロセス部との相対的な位置決めを行ってもよい。
【００２５】
次に、イオン注入装置、及び、位置決め用パターンを含むイオン注入パターンについて説明する。
【００２６】
図２は、本実施の形態に係るイオン注入装置１００の構成を模式的に示した図である。図２に示すように、イオン注入装置１００は、本実施の形態に係る位置決め用パターンを含むイオン注入パターンを基板に形成するための装置である。基板は搬送容器に収容された状態で搬送される。イオン注入装置１００は、搬送ロボット１０２から搬送された搬送容器を一時的に収容し、かつ、大気から真空への連結をするための粗引き機構と窒素等によるベント機構とを有するロードロックチャンバ（以下、適宜「ＬＣ」と称する。）１０４と、真空状態又はそれに近い状態に維持され、各々イオン注入源１２２，１２４を有するプロセスチャンバ（以下、適宜「ＰＣ」と称する。）１０８ａ，１０８ｃと、その前後に配置され、内部にマスク駆動機構を有し、真空状態又はそれに近い状態に維持できる３つのバッファチャンバ（以下、適宜「ＢＣと称する」）１０６，１０８ｂ，１１０と、真空チャンバの外部へ搬送容器を排出する際に、一時的に搬送容器を留め置き、真空から大気への連結をするための、窒素等によるベント機構を有するアンロードロックチャンバ（以下、適宜「ＵＬＣ」と称する。）１１２とを備える。
【００２７】
ここでＢＣ１０６，１０８ｂ，１１０は、真空連結による影響を緩和し、ＰＣ１０８ａとＰＣ１０８ｃの圧力安定を目的として設置されるため、ＬＣ、ＰＣのサイズの工夫、マスク駆動機構の他への配置変えにより、省略することも可能である。
【００２８】
また、イオン注入装置１００は、前工程から搬送ロボット１０２が運んできた搬送容器が載置される載置部１１４と、前述の搬送容器を載置部１１４から各チャンバに向けて搬送する搬送部１１５とを備える。前工程としては、基板の表面に凹凸（テクスチャ）構造を形成する工程が挙げられる。この工程は、太陽電池における光の吸収を高めるべく基板表面での光の散乱を実現するために行われる工程である。搬送部１１５は、例えば、ベルト駆動システムによって実現される。本実施の形態に係る搬送部１１５は、イオン注入装置１００の内部を搬送容器が直線的かつ連続的に移動できるように設けられている。
【００２９】
図２に示すイオン注入装置１００では、搬送容器は載置部１１４に置かれる。載置部１１４に載置された搬送容器は、搬送部１１５によりＬＣ１０４に送出される。ＬＣ１０４に搬送容器が搬入されると、載置部１１４との間のゲートバルブ１１６が閉じられ、ＬＣ１０４に接続されたラフィングポンプにより、ＬＣ１０４が所定の粗引き真空度に達すると、ＢＣ１０６との間のゲートバルブ１１８が開かれる。そして、搬送容器がＢＣ１０６へ送出された後に、ゲートバルブ１１８は閉じられ、ＬＣ１０４は次の搬送容器の搬入のために、窒素等でベントされる。
【００３０】
ＢＣ１０６の内部は、ターボ分子ポンプ（以下、適宜「ＴＭＰ」と称する。）１１９により常時高真空に維持されているため、ＢＣ１０６に搬入された搬送容器は瞬時に高真空の雰囲気に到達する。ＢＣ１０６が所定の真空度に達すると、イオン注入が行われる真空チャンバ１０８との間に設けられているゲートバルブ１２０が開かれ、ＢＣ１０６から真空チャンバ１０８の内部へ搬送容器がベルトに乗って搬送され、その後ゲートバルブ１２０は閉じられる。
【００３１】
真空チャンバ１０８は、途中にゲートバルブが配置されておらず、高真空で連結された３つの処理室としてＰＣ１０８ａ，ＢＣ１０８ｂ，ＰＣ１０８ｃで構成されている。ＰＣ１０８ａ，１０８ｃには、各々異なる条件でセッティング可能なイオン注入源１２２，１２４が配置されている。また、ＰＣ１０８ａ，ＢＣ１０８ｂ，ＰＣ１０８ｃに対応した３つのＴＭＰ１２６，１２８，１３０が設けられている。ＴＭＰ１２６，１２８，１３０は、真空チャンバ１０８を真空状態にすることができる。
【００３２】
図３（ａ）〜図３（ｃ）は、本実施の形態に係るイオン注入方法による、基板内での不純物濃度の変化を説明するための模式図である。以下では、太陽電池用の基板１１がｐ型シリコンウェハ（図３（ａ））の場合について説明するが、もちろんｎ型シリコンウェハの場合や、他の種類の半導体基板の場合であってもよい。
【００３３】
真空チャンバ１０８のＰＣ１０８ａに搬送された基板１１に対して、イオン注入源１２２は、ｎ型の不純物を含むＰＨ３ガス等をアーク放電や高周波放電によりイオン化し、これを電界加速した後、基板１１の表面全体に対してイオン注入する。これにより、図３（ｂ）に示すように、基板１１の表面全体にｎ層１１ｂが形成される。
【００３４】
その後、基板１１を収容する搬送容器は、ＢＣ１０８ｂを経てＰＣ１０８ｃに搬送される。ＰＣ１０８ｃには、イオン注入源１２４と基板１１との間に太陽電池製造用マスクが配置されている。
【００３５】
図４は、本実施の形態に係るイオン注入装置に用いられる太陽電池製造用マスクの一例を示す上面図である。太陽電池製造用マスク２０（以下、適宜「マスク２０」と称する。）は、太陽電池用の基板１１に対してイオン注入する際に用いられ、所定のマスクパターン２２を備える。イオン注入源１２４は、ｎ型の不純物を含むＰＨ３ガス等をアーク放電や高周波放電によりイオン化し、これを電界加速した後、マスク２０のマスクパターン２２を通過したイオンにより、基板１１の表面の所定の領域に対してイオン注入する。これにより、図３（ｃ）に示すように、基板１１の表面の所定の領域に、ｎ層１１ｂよりも不純物濃度が高いｎ＋層１１ｃが形成される。このようなエミッタ構造は、選択エミッタ層と呼ばれるものであり、太陽電池製造の後工程において形成されるコンタクト電極と基板１１との接触抵抗の低減に寄与する。
【００３６】
２段階の注入工程が終了すると、ゲートバルブ１３２が開かれ、搬送容器が次のＢＣ１１０に搬送された後、ゲートバルブ１３２が閉じられる。ＢＣ１１０には、所定の真空度を実現するためのＴＭＰ１３４が設けられている。ゲートバルブ１３２が閉じられると、ＢＣ１１０とＵＬＣ１１２との間にあるゲートバルブ１３５が開かれ、搬送容器は、ＵＬＣ１１２に搬送され、ゲートバルブ１３５が閉じられる。その後、ＵＬＣ１１２は窒素等によりベントされ、続いてゲートバルブ１３６が開かれ、搬送容器は、大気中に搬出される。搬送容器が大気搬出されると、ゲートバルブ１３６は再び閉じられ、次の搬送容器を搬出するために、ＵＬＣ１１２はラフィングポンプにより粗引きされる。イオン注入装置１００の下流側には、イオン注入が行われた基板１１を保持している搬送容器を、その後の工程に搬送するための搬送ロボット１３８が配置されている。そして、イオン注入装置１００から搬送されてきた搬送容器は、順次搬送ロボット１３８に収容され、後工程である印刷装置２００に運ばれる。
【００３７】
なお、図２に示すイオン注入装置１００では、一方のイオン注入源で基板の全面にイオン注入し、他方のイオン注入源と固定されている太陽電池製造用マスクとで基板の所定の領域にイオン注入を行っているが、例えば、一つのイオン注入源と進退可能な移動式の太陽電池製造用マスクとを組み合わせて、全面イオン注入と部分的なイオン注入を実現してもよい。
【００３８】
上述のように、イオン注入装置１００は、マスク２０のマスクパターンに応じた、他の領域よりも不純物濃度の高いイオン注入パターンを基板に形成することができる。このイオン注入パターンは、不純物の濃度が他の領域に対して高いため、その周囲の領域と異なる状態である。そのため、前述のＣＣＤカメラで基板表面を撮影することで、不純物の濃度の違いに基づくパターンを画像として捉えることができる。これにより、位置決め用パターンが検出される。なお、基板に分布する不純物の濃度の違いを検出できる装置や手法であれば特にＣＣＤカメラに限定されない。また、反射防止膜等、基板表面の膜の存在等により、ＣＣＤカメラによるイオン注入パターンとその他の領域との判別が困難な場合は、赤外線やその他照明光の光源、波長や強度の調整、拡散反射法の利用等、照射方法を調整してパターンの鮮明度を向上させてもよい。
【００３９】
また、イオン注入パターンとその他の領域において不純物の種類が異なる場合や、パターン間に段差がある場合等も同様の手法が利用できる。この場合も、検出部２０２は、基板に分布する不純物の種類の違いや形状差を検出できる装置であれば特にＣＣＤカメラに限定されない。
【００４０】
図５は、本実施の形態に係る基板の位置決め方法の概略を説明するためのフローチャートである。上述のように、イオン注入装置１００により基板の所定の領域に、他の領域よりも不純物濃度の高いイオン注入パターンを形成する（Ｓ１０）。その後、基板をアニール処理する工程や、反射防止膜を形成する工程等が行われる。次に、基板１１の表面をＣＣＤカメラなどの検出装置により撮影し、イオン注入パターンの少なくとも一部からなる位置決め用パターンを検出する（Ｓ１２）。太陽電池製造用マスクが図４に示すようなマスクパターンの場合、基板全面を撮影することで、イオン注入パターン全体を位置決め用パターンとして利用できる。また、太陽電池製造用マスクのパターンの形状によっては、基板の一部を撮影することで、位置決め用パターンを検出できる。図６は、図４のＡ領域の拡大図である。図６に示す領域のマスクパターン２２ａは、図４に示すマスクパターン２２のうち非繰り返しパターンとなっている部分である。これにより、イオン注入パターンの全体を検出しなくても、基板の位置決めができる。また、撮影する領域が狭くて済むため、カメラの小型化、画像処理の軽減が図られる。
【００４１】
次に、イオン注入装置１００の後工程装置である印刷装置２００は、位置決め用パターンの情報を取得し（Ｓ１４）、その位置決め用パターンに基づいて基板の位置決めを行い（Ｓ１６）、イオン注入パターンと重畳するようにコンタクト電極を形成する（Ｓ１８）。これにより、基板１１のコンタクト領域に対して、コンタクト電極を重ね合わせて形成する際の位置合わせ精度が向上する。
【００４２】
上述のように、イオン注入パターンの少なくとも一部からなる位置決め用パターンに基づいて、コンタクト電極を形成する際の基板の位置決めが行われるため、基板の所定の領域に対するコンタクト電極形成の際の位置合わせの誤差が低減される。
【００４３】
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、位置決め用パターンの変形例を形成する太陽電池製造用マスクの要部を示す図である。いずれの太陽電池製造用マスクの要部も、図４に示すマスクのＡ領域に対応する領域を拡大したものである。
【００４４】
図７（ａ）に示す太陽電池製造用マスク３０（以下、適宜「マスク３０」と称する。）は、図４に示すマスク２０と同様に、太陽電池用の基板に対してイオン注入する際に用いられる。マスク３０は、太陽電池セルのコンタクト電極と対応する第１マスクパターン３０ａと、基板の位置決め用パターンを形成するために用いられる第２マスクパターン３０ｂと、を含む。第２マスクパターン３０ｂは、第１マスクパターン３０ａよりも基板の縁部側に形成されたドット状のパターンである。このような第２マスクパターン３０ｂを有するマスク３０を用いることで、イオン注入工程において、コンタクト電極と対応するイオン注入パターンだけでなく、位置決め用パターンも同時に形成できる。
【００４５】
図７（ｂ）に示す太陽電池製造用マスク４０は、太陽電池セルのコンタクト電極と対応する第１マスクパターン４０ａと、基板の位置決め用パターンを形成するために用いられる第２マスクパターン４０ｂと、を含む。第２マスクパターン４０ｂは、第１マスクパターン４０ａの一つのスリット４０ａ１と連なり、スリット４０ａ１と交差する方向に形成されている小スリットである。
【００４６】
図７（ｃ）に示す太陽電池製造用マスク５０は、太陽電池セルのコンタクト電極と対応する第１マスクパターン５０ａと、基板の位置決め用パターンを形成するために用いられる第２マスクパターン５０ｂと、を含む。第２マスクパターン５０ｂは、第１マスクパターン５０ａの一つのスリット５０ａ１が切り欠かれて短くなっている部分に形成されたドット状のパターンである。
【００４７】
図４、図７（ａ）〜図７（ｃ）に示す各マスクにより形成されるイオン注入パターンは、太陽電池のコンタクト電極と対応する第１パターンと、位置決め用パターンとして用いられる第２パターンと、を含むことになる。第１パターンと第２パターンはイオン注入パターンとして一体的であり、第２パターンに基づいてその後の電極印刷プロセスにおける位置決めを行うことで、第１パターンの位置も精度よく決まる。そのため、イオン注入により不純物の濃度が高くなった、基板のコンタクト領域に対して、印刷装置２００などによりコンタクト電極を重ね合わせて形成する際の位置合わせの精度が向上する。
【００４８】
なお、第２マスクパターンは、第１マスクパターンとは完全に別のパターンであってもよいが、第１マスクパターンの一部を包含したパターンであってもよい。
【００４９】
以上、本発明を上述の実施の形態を参照して説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、実施の形態の構成を適宜組み合わせたものや置換したものについても本発明に含まれるものである。また、当業者の知識に基づいて実施の形態における太陽電池の製造方法、太陽電池製造用マスク、太陽電池製造システムなどにおいて各種の設計変更等の変形を実施の形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうる。
【符号の説明】
【００５０】
１０  太陽電池製造システム、  １１  基板、  ２０  太陽電池製造用マスク、  ２２，２２ａ  マスクパターン、  ３０  太陽電池製造用マスク、  ３０ａ  第１マスクパターン、  ３０ｂ  第２マスクパターン、  ４０  太陽電池製造用マスク、  ４０ａ  第１マスクパターン、  ４０ｂ  第２マスクパターン、  ５０  太陽電池製造用マスク、  ５０ａ  第１マスクパターン、  ５０ｂ  第２マスクパターン、  １００  イオン注入装置、  １２２，１２４  イオン注入源、  ２００  印刷装置、  ２０２  検出部、  ２０４  取得部、  ２０６  位置決め部、  ２０８  プロセス部。
【図１】
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【図２】
2013172035.tif 000004
【図３】
2013172035.tif 000005
【図４】
2013172035.tif 000006
【図５】
2013172035.tif 000007
【図６】
2013172035.tif 000008
【図７】
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