(57)【要約】【課題】ウェハのダイシングの品質を維持したまま、ダイシングに掛かる時間を短縮することができるカバーリッド付光導波路のダイシング方法を提供する。【解決手段】光導波路７２が形成されたウェハ７０表面にカバーリッド７３が貼り付けられて作製されるカバーリッド付光導波路のダイシング方法において、同一のダイシングストリート９２を複数回に分けてダイシングするものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路が形成されたウェハ表面にカバーリッドが貼り付けられて作製されるカバーリッド付光導波路のダイシング方法において、
同一のダイシングストリートを複数回に分けてダイシングすることを特徴とするカバーリッド付光導波路のダイシング方法。
【請求項２】
前記ウェハの裏面にダイシング用ダミー基板に貼り付けた後に、初回のダイシング時の切り込み深さが前記カバーリッドの厚さ未満になるように前記カバーリッドをダイシングし、
ダイシングされずに残った前記カバーリッドの一部と、前記ウェハと、前記ダイシング用ダミー基板の一部と、を連続して１回でダイシングする請求項１に記載のカバーリッド付光導波路のダイシング方法。
【請求項３】
ダイシングブレードを毎回変えてダイシングする請求項１又は２に記載のカバーリッド付光導波路のダイシング方法。
【請求項４】
次回のダイシング時に用いるダイシングブレードの厚さを前回のダイシング時に用いたダイシングブレードの厚さよりも薄くする請求項３に記載のカバーリッド付光導波路のダイシング方法。
【請求項５】
前回のダイシング時に用いたダイシングブレードの厚さをｔ1［μｍ］とし、次回のダイシング時に用いるダイシングブレードの厚さをｔ2［μｍ］としたとき、３００μｍ＜（ｔ1−ｔ2）＜５００μｍを満たすように、次回のダイシング時に用いるダイシングブレードを選択する請求項４に記載のカバーリッド付光導波路のダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＦＴＴＨ（Fiber To The Home）を始めとするパッシブ光ネットワーク等に用いる光モジュールのアセンブリング方法のうち、カバーリッド付光導波路のダイシング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光モジュールのアセンブリング工程の一例として、光信号の分岐又は結合を行うための光スプリッタチップ（導波路型光回路；ＰＬＣ）のアセンブリング工程は、光スプリッタチップを作製するためのチップ作製工程と、接続対象となる光ファイバアレイを作製するためのアレイ作製工程と、光スプリッタチップと光ファイバアレイとを光学的に突き合わせ接続（バットカップリング）するカップリング工程と、を備える。
【０００３】
チップ作製工程は、ウェハ７０表面に光スプリッタ回路となる複数の光導波路７２を形成して光スプリッタウェハ７１を作製するウェハプロセス工程と（図７（ａ）参照）、光スプリッタウェハ７１表面にカバーリッド７３を貼り付けてカバーリッド付光スプリッタウェハ７４を作製するリッドボンディング工程と（図７（ｂ）参照）、カバーリッド付光スプリッタウェハ７４をブロック状に切り分けてブロックチップ７５を作製するブロックダイシング工程と（図７（ｃ）参照）、ブロックチップ７５の端面（光の入出射面）を研磨プレート７６を用いて研磨する研磨工程と（図８（ａ）参照）、研磨後のブロックチップ７５を各光導波路７２毎にダイシングして光スプリッタチップ７７を作製するチップダイシング工程と（図８（ｂ）参照）、を含む。
【０００４】
また、アレイ作製工程は、複数本の光ファイバ７８がアレイ状に整列した光ファイバリボン７９をＶ溝チップ８０に実装すると共にリッド８１により光ファイバリボン７９をＶ溝チップ８０に固定して光ファイバアレイ８２を作製する光ファイバアレイアセンブリング工程と（図９（ａ）参照）、光ファイバアレイ８２の端面を研磨フィルム８３を用いて研磨する研磨工程と（図９（ｂ）参照）、を含む。
【０００５】
その後のカップリング工程では、チップ作製工程で得られた光スプリッタチップ７７の光入出力回路８５、８６に、アレイ作製工程で得られた光ファイバアレイ８２と他の光ファイバ８４とを光学的に突き合わせ接続して光伝送路８７が形成される（図１０参照）。
【０００６】
なお、光スプリッタチップ７７とせずに研磨後のブロックチップ７５を光ファイバアレイ８２や光ファイバ８４とそのまま光学的に突き合わせ接続する場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−６８９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
光スプリッタチップ７７は小型であることから、ブロックダイシング工程やチップダイシング工程においてウェハ７０にチッピング等の不良が生じ易いため、これを防止するために前述のカバーリッド７３が貼り付けられる。
【０００９】
図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、カバーリッド７３は紫外線硬化型樹脂等の接着剤８８を介してウェハ７０表面に貼り付けられ、これにより得られたカバーリッド付光スプリッタウェハ７４は固定用ワックス８９を介してダイシング用ダミー基板９０に固定される。
【００１０】
その後、ブロックダイシング工程やチップダイシング工程において、ダイシングブレード９１を用いてダイシングストリート９２に沿ってカバーリッド７３表面からダイシング用ダミー基板９０の一部に至る深さまで一気にダイシングされる。
【００１１】
ところが、カバーリッド７３を貼り付けた場合にはダイシングされるワーク（カバーリッド付光スプリッタウェハ７４やブロックチップ７５）の厚さが厚くなり（通常、２．５ｍｍ程度）、ダイシングブレード９１に加わる加工抵抗が増大する。
【００１２】
この加工抵抗によりダイシングブレード９１が破損するのを防ぐためには、ダイシングブレード９１の厚さを厚くすれば良いが、ダイシングブレード９１の厚さを厚くすると、ダイシング代、即ちダイシングにより削られて失われる部分が増大し、ウェハ７０内のチップ配置数（チップ取得数）が低下して光スプリッタチップ７７の製造歩留が悪化し、光スプリッタチップ７７の単価が高くなってしまう。
【００１３】
また、加工抵抗をできる限り低下させてダイシングの品質を維持（チッピングの発生等を抑制）するためには、ダイシングブレード９１の送り速度を低速（例えば、１ｍｍ／ｓｅｃ〜２ｍｍ／ｓｅｃ程度）にする必要があり、ダイシングに掛かる時間が長くなってしまうという問題もある。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、ウェハのダイシングの品質を維持したまま、ダイシングに掛かる時間を短縮することができるカバーリッド付光導波路のダイシング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この目的を達成するために創案された本発明は、光導波路が形成されたウェハ表面にカバーリッドが貼り付けられて作製されるカバーリッド付光導波路のダイシング方法において、同一のダイシングストリートを複数回に分けてダイシングするカバーリッド付光導波路のダイシング方法である。
【００１６】
前記ウェハの裏面にダイシング用ダミー基板に貼り付けた後に、初回のダイシング時の切り込み深さが前記カバーリッドの厚さ未満になるように前記カバーリッドをダイシングし、ダイシングされずに残った前記カバーリッドの一部と、前記ウェハと、前記ダイシング用ダミー基板の一部と、を連続して１回でダイシングすると良い。
【００１７】
ダイシングブレードを毎回変えてダイシングすると良い。
【００１８】
次回のダイシング時に用いるダイシングブレードの厚さを前回のダイシング時に用いたダイシングブレードの厚さよりも薄くすると良い。
【００１９】
前回のダイシング時に用いたダイシングブレードの厚さをｔ1［μｍ］とし、次回のダイシング時に用いるダイシングブレードの厚さをｔ2［μｍ］としたとき、３００μｍ＜（ｔ1−ｔ2）＜５００μｍを満たすように、次回のダイシング時に用いるダイシングブレードを選択すると良い。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ウェハのダイシングの品質を維持したまま、ダイシングに掛かる時間を短縮することができるカバーリッド付光導波路のダイシング方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に係るブロックダイシング工程における一回目のダイシングの様子を示す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図２】本発明に係るブロックダイシング工程における二回目のダイシングの様子を示す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図３】ダイシング寸法の一例を示す模式図である。
【図４】ブロックチップの端面を８°研磨すると仮定した場合における、一回目のダイシング時の切り込み深さＺ1と、一回目及び二回目に用いるダイシングブレードの厚さｔ1、ｔ2との関係を示す図である。
【図５】本発明に係る研磨工程の様子を示す断面図及びその部分拡大図である。
【図６】研磨工程後のブロックチップの端面を示す断面図である。
【図７】チップ作製工程を示す図であり、（ａ）はウェハプロセス工程の様子を示す図、（ｂ）はリッドボンディング工程の様子を示す図、（ｃ）はブロックダイシング工程の様子を示す図である。
【図８】チップ作製工程の様子を示す図であり、（ａ）は研磨工程の様子を示す図、（ｂ）はチップダイシング工程の様子を示す図である。
【図９】アレイ作製工程の様子を示す図であり、（ａ）は光ファイバアレイアセンブリング工程の様子を示す図、（ｂ）は研磨工程の様子を示す図である。
【図１０】カップリング工程の様子を示す図である。
【図１１】従来技術に係るブロックダイシング工程の様子を示す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図１２】従来技術に係る研磨工程の様子を示す断面図及びその部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００２３】
なお、背景技術及び発明が解決しようとする課題の欄で述べたものと同一の機能を有する部材については同一の符号を付すこととする。
【００２４】
図１（ａ）、（ｂ）、及び図２（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るカバーリッド付光導波路のダイシング方法は、光導波路７２が形成されたウェハ７０表面にカバーリッド７３が貼り付けられて作製されるカバーリッド付光導波路をダイシングする際に、同一のダイシングストリート９２を複数回に分けてダイシングすることを特徴とする。
【００２５】
本明細書では、カバーリッド付光スプリッタウェハ７４やブロックチップ７５等、カバーリッド７３が貼り付けられたワークを総称してカバーリッド付光導波路ということとする。
【００２６】
また、本実施の形態では、一例として、同一のダイシングストリート９２を二回に分けてダイシングする場合を説明するが、３回又はそれ以上に分けてダイシングすることも可能である。
【００２７】
具体的には、先ず、ウェハ７０の裏面にダイシング用ダミー基板９０を貼り付ける。その後、一回目のダイシング時の切り込み深さをカバーリッド７３の厚さ未満になるように調整しつつ、第一のダイシングブレード９１ａを用いてカバーリッド７３の厚さより浅い部分まで溝加工する（図１（ａ）、（ｂ）参照）。
【００２８】
このとき、第一のダイシングブレード９１ａとしては、図示したようなブレード先端がフラット形状のフラットブレード以外にも、ブレード先端がベベル形状のベベルブレードを用いることでダイシングの品質を向上させることができる。
【００２９】
その後、第二のダイシングブレード９１ｂを用いて、一回目のダイシング時に形成された溝１１の部分に二回目のダイシングを実施し、ダイシングされずに残ったカバーリッド７３の一部と、ウェハ７０と、ダイシング用ダミー基板９０の一部と、を連続して１回でダイシングする（図２（ａ）、（ｂ）参照）。なお、ダイシング用ダミー基板９０はダイシング後に除去される。
【００３０】
このように、同一のダイシングストリート９２を複数回に分けてダイシングすることにより、ダイシング時の一回毎の切り込み深さ（ダイシング深さ又はダイシング量）を浅くして加工抵抗を低下させることができるので、ダイシングブレードの送り速度を従来の２倍以上に高速化しても、ダイシングの品質を維持（チッピングの発生等を抑制）することができる。
【００３１】
特に、初回のダイシング時の切り込み深さがカバーリッド７３の厚さ未満になるようにカバーリッド７３をダイシングし（即ち、カバーリッド７３のみを１回以上に分けてダイシングし）、ダイシングされずに残ったカバーリッド７３の一部と、ウェハ７０と、ダイシング用ダミー基板９０の一部と、を連続して１回でダイシングすることが好ましい。従来のダイシング方法ではダイシングブレード９１の先端でチッピングが発生しやすいが、上述のダイシング方法とすることにより、ウェハ７０の表面及び／又は裏面にチッピングが発生することも防止でき、光導波路の信頼性を向上することができる。
【００３２】
つまり、ウェハ７０のダイシングの品質を維持したまま、高速切断を可能とし、ダイシングに掛かる時間を短縮することができる。
【００３３】
また、ダイシング時の加工抵抗を低下させることができるので、ダイシングブレードの厚さを従来技術に係る場合と比べて薄くしてダイシング代を狭くすることができ、ウェハ７０内のチップ配置数（チップ取得数）を増加させて光スプリッタチップ７７の製造歩留を向上させることができる。これにより、光スプリッタチップ７７の単価を安くすることができる。
【００３４】
なお、ブロックダイシング工程やチップダイシング工程の両工程において、同一のダイシングストリート９２を複数回に分けてダイシングすることが好ましい。
【００３５】
また、次回のダイシング時に用いるダイシングブレード（第二のダイシングブレード９１ｂ）の厚さを前回のダイシング時に用いたダイシングブレード（第一のダイシングブレード９１ａ）の厚さよりも薄くすることが好ましい。
【００３６】
具体的には、図３に示すように、前回のダイシング時に用いたダイシングブレード（第一のダイシングブレード９１ａ）の厚さをｔ1［μｍ］とし、次回のダイシング時に用いるダイシングブレード（第二のダイシングブレード９１ｂ）の厚さをｔ2［μｍ］としたとき、３００μｍ＜（ｔ1−ｔ2）＜５００μｍを満たすように、次回のダイシング時に用いるダイシングブレード（第二のダイシングブレード９１ｂ）を選択すると良い。
【００３７】
なお、図３及び図４から分かるように、ブロックチップ７５の端面を８°研磨すると仮定した場合には、（ｔ1−ｔ2）／２＝（１５００＋１０００−Ｚ1）×ｔａｎ８°の関係となる。この場合は、一回目の切り込み深さＺ1を７２０〜１４３０μｍにすると、３００μｍ＜（ｔ1−ｔ2）＜５００μｍを満たすことができる。
【００３８】
この効果を従来技術に係る研磨工程との比較により説明する。
【００３９】
従来のブロックダイシング工程では、一度のダイシングでカバーリッド７３表面からダイシング用ダミー基板９０の一部に至る深さまで一気にダイシングされるため、ブロックチップ７５の端面は直角（垂直）な平坦面となる。
【００４０】
図１２に示すように、ブロックダイシング工程により得られたブロックチップ７５の端面を研磨する際には、例えば、ブロックチップ７５を研磨プレート７６に対して８２°傾けて８°研磨を施すのであるが、ブロックチップ７５の端面が平坦面であると、研磨により除去しなければならない部分９３ａが多く、研磨に時間が掛かる。
【００４１】
これに対し、本実施の形態では、次回のダイシング時に用いるダイシングブレード（第二のダイシングブレード９１ｂ）の厚さを前回のダイシング時に用いたダイシングブレード（第一のダイシングブレード９１ａ）の厚さよりも薄くしているため、図５に示すように、ブロックチップ７５の端面に段差部１２が形成される。
【００４２】
ブロックチップ７５の端面に段差部１２が形成されることで、図６に示すような光スプリッタチップ７７を得るために研磨により除去しなければならない部分９３ｂを従来技術に係る場合と比べて少なくすることができ、研磨に掛かる時間を短縮することができる。
【００４３】
以上説明したように、本発明によれば、ウェハのダイシングの品質を維持したまま、ダイシングに掛かる時間を短縮することができるカバーリッド付光導波路のダイシング方法を提供することができる。
【００４４】
なお、本実施の形態では、光スプリッタチップのアセンブリング工程を一例として本発明について説明したが、その他の光モジュールのアセンブリング工程であっても本発明を適用可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１１  溝
１２  段差部
７０  ウェハ
７１  光スプリッタウェハ
７２  光導波路
７３  カバーリッド
７４  カバーリッド付光スプリッタウェハ
７５  ブロックチップ
７６  研磨プレート
７７  光スプリッタチップ
７８  光ファイバ
７９  光ファイバリボン
８０  Ｖ溝チップ
８１  リッド
８２  光ファイバアレイ
８３  研磨フィルム
８４  光ファイバ
８５  光入出力回路
８６  光入出力回路
８７  光伝送路
８８  接着剤
８９  固定用ワックス
９０  ダイシング用ダミー基板
９１  ダイシングブレード
９１ａ  第一のダイシングブレード
９１ｂ  第二のダイシングブレード
９２  ダイシングストリート
９３ａ  研磨により除去しなければならない部分（従来技術）
９３ｂ  研磨により除去しなければならない部分（本発明）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2013235113.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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