(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】第１基材１０ａ上に、異方性導電接着フィルム６５を介してＦＰＣ端子６６と電気的に接続するための接続用パッド６１と、接続用パッド６１の下側に、接続用パッド６１と接して配置された複数のプラグ６４と、を備え、複数のプラグ６４は、溝状に設けられており、複数のプラグ６４のうち隣り合うプラグ６４間の幅は、異方性導電接着フィルム６５に含まれる金属粒子の直径より小さい。【選択図】図５
2013235127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
異方性導電接着フィルムを介して第１電極と電気的に接続するための接続用パッドと、
前記接続用パッドと前記基板との間に、前記接続用パッドと接して配置された複数のプラグと、
を備え、
前記複数のプラグは、平面視で溝状に設けられており、
前記複数のプラグのうち隣り合うプラグ間の幅は、前記異方性導電接着フィルムに含まれる金属粒子の直径と同等又は小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基板と、
複数の画素に対応して前記基板の一方面側に設けられた複数の反射性画素電極と、
前記複数の反射性画素電極と同一の層に設けられた接続用パッドと、
前記接続用パッドと前記基板との間に設けられた配線層と、
前記配線層と前記接続用パッドとを接続する複数のプラグと、を含み、
前記複数のプラグは、前記接続用パッドの一辺に沿って溝状に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記プラグは、定電位供給用の接続パッドと平面的に重なる領域において、配置されていない領域があることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
基板上に、異方性導電接着フィルムに含まれる金属粒子の直径と同等又は小さい隙間の溝状のプラグを形成するプラグ形成工程と、
前記プラグの上層に前記プラグと接するように、前記異方性導電接着フィルムを介して第１電極と電気的に接続するための接続用パッドを形成する接続用パッド形成工程と、
前記異方性導電接着フィルムを介して前記第１電極と前記接続用パッドとを圧着させて、前記第１電極と前記接続用パッドとを電気的に接続する圧着工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に、コンタクトホールを介して画素電極が接続されており、
前記プラグ形成工程は、前記コンタクトホールと同時に前記プラグを形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
液晶装置における外部と接続するための外部接続端子部は、例えば、特許文献１に記載のように反射性を有する画素電極と同層に設けられた接続用パッドと、金属粒子を有するＡＣＦ（異方性導電接着フィルム）と、外部接続用端子とを圧着して、これらを電気的に接続している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１８７２３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、接続用パッドや画素電極の厚みに起因して上層に積層された膜の表面に段差が生じ、コントラストが低下する恐れがある。よって、画素電極と共に接続用パッドの膜厚を薄くすると、接続用パッドに外部接続用端子を圧着接続した際、金属粒子によって接続用パッドが潰されてダメージを受ける（破壊される）恐れがあり、外部接続用端子と接続用パッドとの接続信頼性が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、異方性導電接着フィルムを介して第１電極と電気的に接続するための接続用パッドと、前記接続用パッドと前記基板との間に、前記接続用パッドと接して配置された複数のプラグと、を備え、前記複数のプラグは、平面視で溝状に設けられており、前記複数のプラグのうち隣り合うプラグ間の幅は、前記異方性導電接着フィルムに含まれる金属粒子の直径と同等又は小さいことを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、接続用パッドと基板との間に接続用パッドと接してプラグが設けられているので、異方性導電接着フィルムを介して第１電極と接続用パッドとを圧着接続して電気的に接続する際、接続用パッドとプラグとの両方で応力を受け止めることが可能となる。また、異方性導電接着フィルムに含まれる金属粒子の直径と同等又は小さい溝幅を有する複数のプラグによって金属粒子を受け止めることができる。よって、接続用パッドが破壊されたとしても、その下側に配置されたプラグと第１電極とを確実に電気的に接続させることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、基板と、複数の画素に対応して前記基板の一方面側に設けられた複数の反射性画素電極と、前記複数の反射性画素電極と同一の層に設けられた接続用パッドと、前記接続用パッドと前記基板との間に設けられた配線層と、前記配線層と前記接続用パッドとを接続する複数のプラグと、を含み、前記複数のプラグは、前記接続用パッドの一辺に沿って溝状に形成されていることを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、接続用パッドと接続され、接続用パッドの一辺に沿って溝状に形成された複数のプラグが設けられているので、例えば、異方性導電接着フィルムを介して第１電極と接続用パッドとを圧着接続して電気的に接続する際、接続用パッドとプラグとの両方で応力を受け止めることが可能となる。また、異方性導電接着フィルムに含まれる金属粒子を溝状に設けた複数のプラグによって受け止めることができる。よって、接続用パッドが破壊されたとしても、その下側に配置されたプラグと第１電極とを確実に電気的に接続させることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記プラグは、定電位供給用の接続パッドと平面的に重なる領域において、配置されていない領域があることが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、定電位供給用の接続パッドと平面的に重なる領域において、プラグが配置されていない領域があるので、例えば、圧着接続した際に、隣り合うプラグ同士が接触することによって発生するショート（マイグレーション）を抑えることができる。例えば、電源電圧を印加する接続用パッドの両側に配置される接続用パッドの下側には、プラグを配置しないようにする。よって、電気的な信頼性を向上させることができる。
【００１３】
［適用例４］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に、異方性導電接着フィルムに含まれる金属粒子の直径と同等又は小さい隙間の溝状のプラグを形成するプラグ形成工程と、前記プラグの上層に前記プラグと接するように、前記異方性導電接着フィルムを介して第１電極と電気的に接続するための接続用パッドを形成する接続用パッド形成工程と、前記異方性導電接着フィルムを介して前記第１電極と前記接続用パッドとを圧着させて、前記第１電極と前記接続用パッドとを電気的に接続する圧着工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
本適用例によれば、プラグを形成した上に接続用パッドを形成するので、異方性導電接着フィルムを介して第１電極と接続用パッドとを圧着接続して電気的に接続する際、接続用パッドとプラグとの両方で応力を受け止めることが可能となる。また、異方性導電接着フィルムに含まれる金属粒子の直径と同等又は小さい溝幅を有する複数のプラグによって金属粒子を受け止めることができる。よって、接続用パッドが破壊されたとしても、その下側に配置されたプラグと第１電極とを確実に電気的に接続させることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記基板上に、コンタクトホールを介して画素電極が接続されており、前記プラグ形成工程は、前記コンタクトホールと同時に前記プラグを形成することが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、コンタクトホールと同時にプラグを形成するので、製造工程を新たに追加する必要がなく、かかるコストを抑えることができる。また、コンタクトホールと同等の幅のプラグであれば、同時に同じエッチングレートで形成することができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、上記に記載の電気光学装置を備えているので、電気的に安定した電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図５】外部接続用端子周辺の構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図６】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図７】液晶装置の一部の製造方法を示す模式断面図。
【図８】液晶装置の一部の製造方法を示す模式断面図。
【図９】液晶装置の一部の製造方法を示す模式断面図。
【図１０】液晶装置の一部の製造方法を示す模式断面図。
【図１１】液晶装置の一部の製造方法を示す模式断面図。
【図１２】液晶装置を備えた電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１３】変形例のプラグの配置を示す模式平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２１】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２２】
本実施形態では、電気光学装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２３】
＜電気光学装置としての液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について図１〜図３を参照して説明する。図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２４】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられる。なお、本実施形態のように反射型の液晶装置１００の場合、第１基材１０ａはシリコン基板を用いるようにしてもよい。
【００２５】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２６】
シール材１４の内側には、複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅが設けられている。画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。
【００２７】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００２８】
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光部１８（見切り部）が設けられている。遮光部１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光部１８の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。
【００２９】
データ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１（接続用パッド）に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００３０】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光反射性を有する画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。
【００３１】
画素電極２７は、光反射性の例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）またはこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成することができる。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。このように素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、第１配向膜２８を有している。
【００３２】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光部１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた共通電極３１と、共通電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。
【００３３】
遮光部１８は、図１に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３４】
平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光部１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３５】
共通電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６（図１参照）により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３６】
画素電極２７を覆う第１配向膜２８および共通電極３１を覆う第２配向膜３２は、無機配向膜であって、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。このように対向基板２０は、少なくとも遮光部１８、共通電極３１、第２配向膜３２を含むものである。
【００３７】
このような液晶装置１００は反射型であって、画素Ｐが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側（射出側）に偏光板が配置されて用いられる。
【００３８】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００３９】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４０】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００４１】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４２】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４３】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された共通電極３１との間で一定期間保持される。
【００４４】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と共通電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００４５】
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４６】
図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板の一方である素子基板１０と、これに対向配置される一対の基板の他方である対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板やシリコン基板等によって構成されている。
【００４７】
第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００４８】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａを覆うように形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００４９】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５０】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００５１】
ゲート電極３０ｇ及び下地絶縁層１１ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体層１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５２】
容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００５３】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５１、及びコンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、及びコンタクトホールＣＮＴ５３を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００５４】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａ及び中継層５５が形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００５５】
データ線６ａなどを含む第２層間絶縁層１１ｃ上には、第３層間絶縁層１１ｄが設けられている。第３層間絶縁層１１ｄ上には、画素電極２７が設けられている。画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ５３、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５２、第１容量電極１６ａを介してコンタクトホールＣＮＴ５１に接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜から形成されている。
【００５６】
画素電極２７上には、画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上を覆うように、パッシベーション層１１ｅが設けられている。パッシベーション層１１ｅは、例えば、シリコン酸化膜である。パッシベーション層１１ｅの上層表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の平坦化処理が施されている。
【００５７】
パッシベーション層１１ｅ上には、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が設けられている。第１配向膜２８上には、シール材１４（図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入された液晶層１５が設けられている。
【００５８】
一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って共通電極３１が設けられている。共通電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第２配向膜３２が設けられている。共通電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００５９】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で第１配向膜２８及び第２配向膜３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。以下、図５を参照しながら、外部接続用端子周辺の構造について詳しく説明する。
【００６０】
図５は、液晶装置のうち外部接続用端子周辺の構造を示す模式図である。図５（ａ）は、外部接続用端子の構造を主に示す模式平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、外部接続用端子周辺の構造を、図５を参照しながら説明する。
【００６１】
図５（ａ）に示すように、液晶装置１００の１辺部１０ｂには、１辺部１０ｂに沿って配列した複数の外部接続用端子６１（以下、「接続用パッド６１」と称する。）が設けられている。また、図５（ｂ）に示すように、液晶装置１００の第１基材１０ａ上には、上述したように、シリコン酸化膜などの第２層間絶縁層１１ｃを介して、データ線６ａや中継層５５（図４参照）、中継層６２，６３などが設けられている。
【００６２】
中継層６２は、画素電極２７ａの下側、かつ、中継層５５と同層に設けられた金属膜である。なお、この領域の画素電極２７ａは、例えば、表示領域の外側に配置されたダミー画素電極である。一方、中継層６３は、接続用パッド６１の下側、かつ、中継層５５と同層に設けられた金属膜である。
【００６３】
中継層６２，６３は、窒化チタン膜（ＴｉＮ）とアルミニウム膜（Ａｌ）との積層構造になっている。具体的には、下側にアルミニウム膜からなる第１中継層６２ａ，６３ａが配置され、その上層に窒化チタン膜からなる第２中継層６２ｂ，６３ｂが配置されている。第１中継層６２ａ，６３ａの厚みは、例えば、５００ｎｍである。第２中継層６２ｂ，６３ｂの厚みは、例えば、５０ｎｍである。
【００６４】
中継層６２，６３及び第２層間絶縁層１１ｃ上には、第３層間絶縁層１１ｄが設けられている。中継層６２は、第３層間絶縁層１１ｄに設けられたコンタクトホールＣＮＴ５３を介して、第３層間絶縁層１１ｄ上に設けられた画素電極２７ａと接続されている。
【００６５】
また、中継層６３は、第３層間絶縁層１１ｄに設けられたプラグ６４を介して、第３層間絶縁層１１ｄ上に設けられた接続用パッド６１と接続されている。接続用パッド６１は、画素電極２７ａと同様に、表示領域に設けられた画素電極２７と同層に配置されている。
【００６６】
図５（ａ）に示すように、接続用パッド６１が形成された領域Ｃの複数のプラグ６４は、例えば、１辺部１０ｂと略平行に形成されている。また、言い換えれば、平面視で溝状に形成されている。
【００６７】
プラグ６４の幅Ｄ１は、画素電極２７（２７ａ）と接続されるコンタクトホールＣＮＴ５３の幅Ｄ２と同等の幅であり、例えば、０．５μｍである。隣り合うプラグ６４とプラグ６４との隙間Ｗは、例えば、０．５μｍである。また、プラグ６４の高さは、例えば、５００μｍである。また、コンタクトホールＣＮＴ５３及びプラグ６４は、例えば、タングステン（Ｗ）で構成されている。
【００６８】
接続用パッド６１は、反射性の導電膜で構成されており、例えば、画素電極２７と同様に、チタン膜（Ｔｉ）とアルミニウム膜（Ａｌ）との積層構造になっている。下側に配置されたチタン膜の膜厚は、例えば、３０ｎｍである。上側に配置されたアルミニウム膜の膜厚は、例えば、１００ｎｍである。
【００６９】
接続用パッド６１及び画素電極２７ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄ上の全体を覆うように、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなるパッシベーション層１１ｅが設けられている。パッシベーション層１１ｅの表面は、コントラストを向上させるために平坦化処理が施されている。また、パッシベーション層１１ｅにおける接続用パッド６１の上方には、開口部１１ｅ１が設けられている。また、パッシベーション層１１ｅは、絶縁体なので、電圧ロスを少なくするためにも薄いことが好ましい。
【００７０】
接続用パッド６１は、異方性導電接着フィルム（ＡＣＦ）６５を介してＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）端子６６と液晶パネル１００ａとを電気的に接続するために用いられる。接続用パッド６１の下側に設けられたプラグ６４は、接続用パッド６１と第１電極としてのＦＰＣ端子６６とを圧着接続した際の押圧力を吸収させ、接続用パッド６１の破壊を防ぐために設けられている。
【００７１】
上記した複数のプラグ６４において、隣り合うプラグ６４とプラグ６４との隙間Ｗは、異方性導電接着フィルム６５に含まれる金属粒子の直径と同等、又はそれより幅が狭いことが好ましい。
【００７２】
金属粒子の直径としては、例えば、２〜３μｍである。金属粒子は、例えば、ニッケルである。また、ニッケルの硬さは、ビッカース硬度（ＨＶ）で６３８程度である。プラグ６４の材料であるタングステンの硬さは、ニッケルの硬さより硬く、ビッカース硬度（ＨＶ）で３４３０程度である。
【００７３】
このように、異方性導電接着フィルム（ＡＣＦ）６５を介して接続用パッド６１とＦＰＣ端子６６とを圧着接続する際、接続用パッド６１の下側にプラグ６４を配置することにより、異方性導電接着フィルム６５に含まれる金属粒子に起因して接続用パッド６１を突き破るようなことを防ぐことが可能となり、接続用パッド６１とＦＰＣ端子６６とを電気的に接続させることができる。
【００７４】
＜液晶装置の製造方法＞
図６は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図７〜図１１は、液晶装置の一部の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図６〜図１１を参照しながら説明する。
【００７５】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、ガラス基板やシリコン基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０や配線等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０などを形成する。
【００７６】
ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。具体的には、ＩＴＯ膜などからなる画素電極２７を、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成する。その後、画素電極２７を含む基板上の全体にパッシベーション層１１ｅを形成する。成膜方法としては、例えば、ＣＶＤ法などを用いて形成することができる。また、パッシベーション層１１ｅの上面に生じた凹凸を平坦化するために、ＣＭＰ研磨処理を施す。
【００７７】
ステップＳ１３では、第１配向膜２８を形成する。具体的には、パッシベーション層１１ｅを覆うように第１配向膜２８を形成する。第１配向膜２８の製造方法としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、素子基板１０側が完成する。
【００７８】
次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、共通電極３１を形成する。
【００７９】
ステップＳ２２では、共通電極３１上に第２配向膜３２を形成する。第２配向膜３２の製造方法は、第１配向膜２８と場合と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
【００８０】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。詳しくは、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における画素領域Ｅの周縁部に（画素領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。
【００８１】
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
【００８２】
ステップＳ３３では、液晶注入口（図示せず）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止する。封止には、例えば、樹脂等の封止材が用いられる。次に、外部接続用端子６１周辺の製造方法を、図７〜図１１を参照しながら説明する。なお、上述した製造方法の工程と一部重複する工程も含め、具体的に説明する。
【００８３】
図７に示す工程では、素子基板１０側における第２層間絶縁層１１ｃ上に、中継層６２，６３を形成する。具体的には、まず、周知の方法を用いて、第１基材１０ａ上に平坦化された第２層間絶縁層１１ｃまで形成する。次に、第２層間絶縁層１１ｃ上に、中継層６２，６３を構成する第１中継層６２ａ，６３ａ及び第２中継層６２ｂ，６３ｂの材料を成膜する。第１中継層６２ａ，６３ａの材料は、アルミニウム膜である。第２中継層６２ｂ，６３ｂの材料は、窒化チタン膜である。
【００８４】
成膜方法としては、例えば、ＣＶＤ法などを用いて製造することができる。その後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、アルミニウム膜及び窒化チタン膜をパターニングする。これにより、第２層間絶縁層１１ｃ上に複数の中継層６２，６３が形成される。
【００８５】
図８に示す工程（プラグ形成工程）では、プラグ６４及びコンタクトホールＣＮＴ５３を形成する。具体的には、まず、中継層６２，６３を含む第２層間絶縁層１１ｃ上の全体に、シリコン酸化膜などからなる第３層間絶縁層１１ｄを成膜する。成膜方法としては、例えば、ＣＶＤ法を用いることができる。その後、第３層間絶縁層１１ｄに平坦化処理を施す。
【００８６】
次に、第３層間絶縁層１１ｄに、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてコンタクトホールＣＮＴ５３及びプラグ６４を形成する。なお、プラグ６４のエッチング処理、及びコンタクトホールＣＮＴ５３のエッチング処理のエッチングレートを同じにすることにより、同時に形成する。言い換えれば、プラグ６４を形成するために新たな製造工程を追加することなくプラグ６４を形成することができ、かかる工数を抑えることができる。
【００８７】
次に、基板上の全体に、例えば、ＣＶＤ法を用いてタングステン膜を成膜する。これにより、プラグ６４及びコンタクトホールＣＮＴ５３にタングステン膜が埋め込まれる。その後、ＣＭＰ法を用いて第２層間絶縁層１１ｃ上に平坦化処理を施す。
【００８８】
図９に示す工程（接続用パッド形成工程）では、画素電極２７ａ及び接続用パッド６１を形成する。具体的には、まず、第３層間絶縁層１１ｄ上に、例えば、ＣＶＤ法を用いてチタン（Ｔｉ）膜を成膜する。チタン膜の厚みとしては、例えば、３０ｎｍである。次に、チタン膜上に、例えば、ＣＶＤ法を用いてアルミニウム（Ａｌ）膜を成膜する。アルミニウム膜の厚みとしては、例えば、１００ｎｍである。
【００８９】
次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、チタン膜とアルミニウム膜の積層膜をパターニングする。これにより、画素電極２７ａ及び接続用パッド６１が形成される。
【００９０】
図１０に示す工程では、画素電極２７ａ及び接続用パッド６１を含む第３層間絶縁層１１ｄ上にパッシベーション層１１ｅを形成する。まず、第３層間絶縁層１１ｄ上に、ＣＶＤ法などを用いてシリコン酸化膜などのパッシベーション層１１ｅを成膜する。次に、パッシベーション層１１ｅの表面に生じた凸凹を、例えば、ＣＭＰ研磨処理を施して平坦化する。
【００９１】
次に、接続用パッド６１上に開口部１１ｅ１を形成する。開口部１１ｅ１を形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成することができる。
【００９２】
図１１に示す工程（圧着工程）では、接続用パッド６１とＦＰＣ端子６６とを接続する。具体的には、液晶パネル１００ａ上に、金属粒子６７を有する異方性導電接着フィルム６５とＦＰＣ端子６６とを配置する。その後、例えば、圧着ヘッド（図示せず）を用いてＦＰＣ端子６６及び異方性導電接着フィルム６５を押圧する。これにより、異方性導電接着フィルム６５の中に含有する金属粒子６７が挟み込まれ、接続用パッド６１とＦＰＣ端子６６とが電気的に導通する。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００９３】
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１２を参照して説明する。図１２は、上記した液晶装置を備えた反射型の投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００９４】
図１２に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）１５００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変調素子としての反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００９５】
偏光照明装置１１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００９６】
偏光照明装置１１００から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光（Ｒ）を反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを反射する。
【００９７】
反射した赤色光（Ｒ）は反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１２５０に入射する。一方、反射した緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とは反射ミラー１１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイクロイックミラー１１１５は緑色光（Ｇ）を反射し、青色光（Ｂ）を透過する。反射した緑色光（Ｇ）は液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光（Ｂ）は液晶ライトバルブ１２７０に入射する。
【００９８】
液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１と、ワイヤーグリッド偏光板１２５３とを備えている。
【００９９】
液晶ライトバルブ１２５０は、ワイヤーグリッド偏光板１２５３によって反射した赤色光（Ｒ）がクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射するように配置されている。また、ワイヤーグリッド偏光板１２５３の偏光度を補う補助偏光板１２５４が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光（Ｒ）の入射側に配置され、もう１つの補助偏光板１２５５が赤色光（Ｒ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板１２５４，１２５５を省略することも可能である。
【０１００】
このような反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。
【０１０１】
液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板１２５３，１２６３，１２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１０２】
本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０における反射型の液晶パネル１２５１，１２６１，１２７１として上記実施形態における液晶パネル１００ａが適用されている。
【０１０３】
このような液晶プロジェクター１５００によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に用いているので、電気的な接続を安定させることが可能となり、高い表示品質を有する反射型の液晶プロジェクター１５００を提供できる。
【０１０４】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００、液晶装置１００の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１０５】
（１）本実施形態の液晶装置１００によれば、接続用パッド６１の下側にプラグ６４が設けられているので、異方性導電接着フィルム（ＡＣＦ）６５を介して接続用パッド６１とＦＰＣ端子６６とを圧着接続して電気的に接続する際、接続用パッド６１とプラグ６４との両方で応力を受け止めることが可能となる。また、異方性導電接着フィルム６５に含まれる金属粒子６７の直径と同等又は小さい溝幅を有する複数のプラグ６４によって金属粒子６７を受け止めることができる。よって、接続用パッド６１が破壊されたとしても、その下側に配置されたプラグ６４とＦＰＣ端子６６とを確実に電気的に接続させることができる。
【０１０６】
（２）本実施形態の液晶装置１００によれば、比較的膜厚が薄い画素電極２７と同層の膜で接続用パッド６１を設けたとしても、接続用パッド６１の下側にプラグ６４を設けるため、画素電極２７の強度を上げるために画素電極２７の膜厚を厚くする必要がない。よって、画素電極２７を厚くした場合のように、基板上の表面の凹凸が大きくなることを抑えることが可能となり、コントラストなどの表示品質に悪影響を及ぼすことを抑えることができる。
【０１０７】
（３）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、プラグ６４を形成した上に接続用パッド６１を形成するので、異方性導電接着フィルム６５を介して接続用パッド６１とＦＰＣ端子６６とを圧着接続して電気的に接続する際、接続用パッド６１とプラグ６４との両方で押圧を受け止めることが可能となる。また、異方性導電接着フィルム６５に含まれる金属粒子６７の直径と同等又は小さい溝幅を有する複数のプラグ６４を形成することによって金属粒子６７を受け止めることができる。よって、接続用パッド６１が破壊されたとしても、その下側に配置されたプラグ６４とＦＰＣ端子６６とを確実に電気的に接続させることができる。
【０１０８】
（４）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、コンタクトホールＣＮＴ５３と同時にプラグ６４を形成するので、製造工程を新たに追加する必要がなく、かかるコストを抑えることができる。また、プラグ６４の幅Ｄ１とコンタクトホールＣＮＴ５３の幅Ｄ２とを同じにすることで、工程数を増やすことなく同時に形成することができる。
【０１０９】
（５）本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えているので、電気的に安定した電子機器を提供することができる。
【０１１０】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１１１】
（変形例１）
上記したように、複数のプラグ６４を１辺部１０ｂと略平行に形成することに限定されず、プラグ６４間の隙間Ｗが金属粒子６７の直径と同等又はそれより狭ければよく、例えば、図１３に示す形態でもよい。図１３は、変形例のプラグ１６４の配置構造を示す模式平面図である。
【０１１２】
図１３に示す液晶装置２００は、複数のプラグ１６４の配置が、１辺部１０ｂと略垂直に形成されている。なお、隣り合うプラグ１６４とプラグ１６４との隙間は、例えば、上記した実施形態のプラグ６４とプラグ６４との隙間Ｗと同等である。これによれば、異方性導電接着フィルム６５を介して接続用パッド６１とＦＰＣ端子６６とを圧着接続して電気的に接続する際、接続用パッド６１とプラグ１６４との両方で押圧を受け止めることが可能となる。よって、接続用パッド６１のみの場合と比較して、接続用パッド６１が破壊されることを抑えることができる。これにより、接続用パッド６１とＦＰＣ端子６６とを確実に電気的に接続させることができる。加えて、製造工程を増やすことなく形成することができる。
【０１１３】
（変形例２）
上記したように、外部接続用端子６１の部分に本実施形態のプラグ６４を配置することに限定されず、例えば、上下導通部２６に用いられる銀点パッドの部分や、検査用パッドの部分に用いるようにしてもよい。
【０１１４】
（変形例３）
上記したように、プラグ６４の材料としてタングステンを用いることに限定されず、異方性導電接着フィルムに含まれる金属粒子６７の材料であるニッケルより硬い材料であればよい。
【０１１５】
（変形例４）
上記したように、複数の接続用パッド６１の全ての下側にプラグ６４を配置することに限定されず、例えば、接続用パッド６１の下側にプラグ６４が配置されていない部分があってもよい。具体的には、例えば、電源電圧を印加する接続用パッド６１の両側に配置される接続用パッド６１（定電位供給用の接続パッド）の下側には、プラグ６４を配置しないようにする。このように、プラグ６４を配置しない領域を設けるので、圧着接続した際に、隣り合うプラグ６４同士が接触することによって発生するショート（マイグレーション）を抑えることができる。これにより、電気的な信頼性を向上させることができる。
【０１１６】
（変形例５）
上記した電気光学装置は、液晶装置１００であることに限定されず、例えば、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置、電気泳動装置などにも適用することができる。
【０１１７】
（変形例６）
上記したように、液晶装置１００を投射型表示装置に用いることに限定されず、例えば、スマートフォン、携帯電話機、ヘッドマウントディスプレイ、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、小型プロジェクター、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【符号の説明】
【０１１８】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１０ｂ…１辺部、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｅ…パッシベーション層、１１ｅ１…開口部、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体層、１８…遮光部、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７，２７ａ…画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…共通電極、３２…第２配向膜、３３…平坦化層、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…接続用パッド（外部接続用端子）、６２，６３…中継層、６２ａ，６３ａ…第１中継層、６２ｂ，６３ｂ…第２中継層、６４，１６４…プラグ、６５…異方性導電接着フィルム、６６…第１電極としてのＦＰＣ端子、６７…金属粒子、１００，２００…液晶装置、１００ａ…液晶パネル、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１１１，１１１２，１１１５…ダイクロイックミラー、１１１３，１１１４…反射ミラー、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２５０，１２６０，１２７０…液晶ライトバルブ、１２５１，１２６１，１２７１…液晶パネル、１２５３，１２６３，１２７３…ワイヤーグリッド偏光板、１２５４，１２５５…補助偏光板、１３００…スクリーン、１５００…投射型表示装置（液晶プロジェクター）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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