(57)【要約】【課題】  安定動作が可能であり、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置およびその駆動方法を提供する。【解決手段】    可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置において、かかる可変抵抗素子のセット（低抵抗化）とリセット（高抵抗化）を交互に複数回行うイニシャライズ動作を行うに際し、複数のビット線からなるビット線群の中から、第１ビット線と第２ビット線を、夫々１又は複数本選択し、ソース線をフローティングとした状態で、第１ビット線に第１電圧ＶＡを、第２ビット線に第２電圧ＶＢを印加する電圧印加動作を複数回実行する。このとき、かかる複数回の電圧印加により、ビット線群の全てのビット線が第１ビット線として一度、且つ、第２ビット線として一度選択されるように、個々の電圧印加動作における第１ビット線と第２ビット線を選択する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの入出力端子を有し、当該二端子間に正負両極性の電圧を選択的に印加することで当該二端子間の電気抵抗を高抵抗状態と低抵抗状態の間で変化させることができる可変抵抗素子と、二つの入出力端子と一つの制御端子を有する選択トランジスタとを備え、前記可変抵抗素子の前記入出力端子の一方端と前記選択トランジスタの前記入出力端子の一方端とを接続してなる二つの入出力端子を有するメモリセルを、複数、行及び列方向に夫々マトリクス状に配列してなるメモリセルアレイと、
同一行に配列された前記メモリセルの前記選択トランジスタの前記制御端子同士を接続する、行方向に延伸するワード線と、
同一列に配列された前記メモリセルの前記入出力端子の一方端同士を接続する、列方向に延伸するビット線と、
少なくとも同一行に配列された前記メモリセルの前記入出力端子の他方端同士を接続するソース線と、
制御回路と、を備え、
前記制御回路は、一または複数の前記ワード線、及び、複数の前記ビット線からなるビット線群により選択される複数の前記メモリセルの夫々に対し、
前記メモリセルの前記可変抵抗素子の前記入出力端子間に第１の極性の電圧パルスを印加する第１動作、及び、前記メモリセルの前記可変抵抗素子の前記入出力端子間に前記第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧パルスを印加する第２動作が、ともに１度ずつ実行されるように選択された前記ビット線群の前記ビット線に電圧を印加する初期化動作の実行を制御し、
前記初期化動作において、
前記制御回路は、
前記ビット線群を構成する前記ビット線の中から、一または複数の第１ビット線、及び、一または複数の第２ビット線を選択し、前記ソース線がフローティングの状態で、前記第１ビット線に第１電圧を印加するとともに、前記第２ビット線に前記第１電圧と異なる第２電圧を印加する電圧印加動作を、複数回実行し、
前記複数回の前記電圧印加動作の実行の結果、前記ビット線群を構成する全ての前記ビット線が前記第１ビット線として一度選択され、前記ビット線群を構成する全ての前記ビット線が前記第２ビット線として一度選択されるように、個々の前記電圧印加動作における前記第１ビット線および前記第２ビット線の選択を制御することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記電圧印加動作において、
前記第１電圧が印加された前記第１ビット線に接続する前記メモリセルの前記高抵抗状態の前記可変抵抗素子の抵抗が低抵抗化し、
前記第２電圧が印加された前記第２ビット線に接続する前記メモリセルの前記低抵抗状態の前記可変抵抗素子の抵抗が高低抵抗化することを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記電圧印加動作において、
前記制御回路は、前記ビット線群のうち、隣接する前記ビット線の一方を前記第１ビット線、他方を前記第２ビット線として選択することを特徴とする請求項１又は２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記電圧印加動作において、
前記制御回路は、前記ビット線群を構成する前記ビット線のうち、前記第１ビット線および前記第２ビット線のいずれにも選択されなかった一または複数の前記ビット線を第３ビット線として選択し、前記第１電圧と前記第２電圧の印加中に、前記第１電圧と前記第２電圧の印加から遅れて、前記第３ビット線に第３電圧を印加することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
前記制御回路は、
一の前記ワード線、及び、一の前記ビット線を選択し、選択された前記ビット線および前記ソース線に所定の電圧を印加して、選択された一の前記メモリセルに対して前記第１動作または前記第２動作を実行する選択書き換え動作を制御し、
前記選択書き換え動作を実行する動作モードと、前記初期化動作を実行する動作モードとを、切り替え可能に構成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
前記第１電圧が、前記第２電圧よりも高く、
前記初期化動作における前記電圧印加動作において、前記第２電圧を基準として選択された前記ワード線に印加される電圧が、
前記選択書き換え動作における前記第１動作において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ワード線に印加される電圧に、前記第１電圧と前記第２電圧の間の電圧差の絶対値を２で割った中間値を加算した電圧よりも高く、
前記選択書き換え動作における前記第２動作において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ワード線に印加される電圧に、前記中間値を加算した電圧よりも低いことを特徴とする請求項５に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
前記第１動作が、選択された前記メモリセルの前記可変抵抗素子を前記低抵抗状態に変化させる動作であり、
前記第１電圧と前記第２電圧との電圧差の絶対値が、前記選択書き換え動作における前記第１動作において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ビット線に印加される電圧の絶対値以上であることを特徴とする請求項５又は６に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
前記第１電圧と前記第２電圧との電圧差の絶対値が、前記選択書き換え動作における前記第１動作において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ビット線に印加される電圧の絶対値と、前記選択書き換え動作における前記第２動作において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ビット線に印加される電圧の絶対値との和よりも小さいことを特徴とする請求項５〜７の何れか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
前記第２電圧が、接地電圧であることを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】
二つの入出力端子を有し、当該二端子間に正負両極性の電圧を選択的に印加することで当該二端子間の電気抵抗を高抵抗状態と低抵抗状態の間で変化させることができる可変抵抗素子と、二つの入出力端子と一つの制御端子を有する選択トランジスタとを備え、前記可変抵抗素子の前記入出力端子の一方端と前記選択トランジスタの前記入出力端子の一方端とを接続してなる二つの入出力端子を有するメモリセルを、複数、行及び列方向に夫々マトリクス状に配列してなるメモリセルアレイの駆動方法であって、
前記メモリセルアレイは、
同一行に配列された前記メモリセルの前記選択トランジスタの前記制御端子同士が、行方向に延伸するワード線に接続され、
同一列に配列された前記メモリセルの前記入出力端子の一方端同士が、列方向に延伸するビット線に接続され、
少なくとも同一行に配列された前記メモリセルの前記入出力端子の他方端同士が、ソース線に接続され、
一または複数の前記ワード線、及び、複数の前記ビット線からなるビット線群により選択される複数の前記メモリセルの夫々に対し、前記メモリセルの前記可変抵抗素子の前記入出力端子間に第１の極性の電圧パルスを印加する第１工程、及び、前記メモリセルの前記可変抵抗素子の前記入出力端子間に前記第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧パルスを印加する第２工程が、ともに１度ずつ実行されるように選択された前記ビット線群の前記ビット線の夫々に電圧を印加する初期化工程を有し、
前記初期化工程において、
前記ビット線群を構成する前記ビット線の中から、一または複数の第１ビット線、及び、一または複数の第２ビット線を選択し、前記ソース線がフローティングの状態で、前記第１ビット線に第１電圧を印加するとともに、前記第２ビット線に前記第１電圧と異なる第２電圧を印加する電圧印加工程を、複数回実行し、
前記複数回の前記電圧印加工程の実行の結果、前記ビット線群を構成する全ての前記ビット線が前記第１ビット線として一度選択され、前記ビット線群を構成する全ての前記ビット線が前記第２ビット線として一度選択されるように、個々の前記電圧印加工程における前記第１ビット線および前記第２ビット線を選択することを特徴とする駆動方法。
【請求項１１】
前記電圧印加工程において、
前記第１電圧の印加により、前記第１電圧が印加された前記第１ビット線に接続する前記メモリセルの前記高抵抗状態の前記可変抵抗素子の抵抗を低抵抗化させ、
前記第２電圧の印加により、前記第２電圧が印加された前記第２ビット線に接続する前記メモリセルの前記低抵抗状態の前記可変抵抗素子の抵抗を高低抵抗化させることを特徴とする請求項１０に記載の駆動方法。
【請求項１２】
前記電圧印加工程において、
前記ビット線群のうち、隣接する前記ビット線の一方を前記第１ビット線、他方を前記第２ビット線として選択することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の駆動方法。
【請求項１３】
前記電圧印加工程において、
前記ビット線群のうち、前記第１ビット線および前記第２ビット線のいずれにも選択されなかった一または複数の前記ビット線を第３ビット線として選択し、前記第１電圧と前記第２電圧の印加中に、前記第１電圧と前記第２電圧の印加から遅れて、前記第３ビット線に第３電圧を印加することを特徴とする請求項１０〜１２の何れか一項に記載の駆動方法。
【請求項１４】
一の前記ワード線、及び、一の前記ビット線を選択し、選択された前記ビット線および前記ソース線に所定の電圧を印加して、選択された一の前記メモリセルに対して前記第１工程または前記第２工程を実行する選択書き換え工程を実行する工程を有することを特徴とする請求項１０〜１３の何れか一項に記載の駆動方法。
【請求項１５】
前記第１電圧が、前記第２電圧よりも高く、
前記初期化工程における前記電圧印加工程において、前記第２電圧を基準として選択された前記ワード線に印加される電圧が、
前記選択書き換え工程における前記第１工程において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ワード線に印加される電圧に、前記第１電圧と前記第２電圧の間の電圧差の絶対値を２で割った中間値を加算した電圧よりも高く、
前記選択書き換え工程における前記第２工程において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ワード線に印加される電圧に、前記中間値を加算した電圧よりも低いことを特徴とする請求項１４に記載の駆動方法。
【請求項１６】
前記第１工程が、選択された前記メモリセルの前記可変抵抗素子を前記低抵抗状態に変化させる工程であり、
前記第１電圧と前記第２電圧との電圧差の絶対値が、前記選択書き換え工程における前記第１工程において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ビット線に印加される電圧の絶対値以上であることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の駆動方法。
【請求項１７】
前記第１電圧と前記第２電圧との電圧差の絶対値が、前記選択書き換え工程における前記第１工程において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ビット線に印加される電圧の絶対値と、前記選択書き換え工程における前記第２工程において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ビット線に印加される電圧の絶対値との和よりも小さいことを特徴とする請求項１４〜１６の何れか一項に記載の駆動方法。
【請求項１８】
前記第２電圧が、接地電圧であることを特徴とする請求項１０〜１７の何れか一項に記載の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体記憶装置およびその駆動方法に関し、より詳しくは、電圧パルスの印加によりメモリセルの可変抵抗素子の抵抗状態として記憶されている情報の書き換えを行う半導体記憶装置およびその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラッシュメモリに代わる新型の不揮発性半導体記憶装置が広く研究されている。中でも遷移金属酸化物等の可変抵抗体膜に電圧を印加することで抵抗変化が起きる現象を利用したＲＲＡＭ（登録商標）は、微細化限界の点でフラッシュメモリに比べ有利であり、また高速のデ−タ書き換えが可能であることから研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
以降、可変抵抗素子の抵抗状態を低抵抗化し、メモリセルに流れる電流を大きくする動作をセット（書き込み）、可変抵抗素子の抵抗状態を高抵抗化し、メモリセルに流れる電流を小さくする動作をリセット（消去）と称する。セット、リセットの定義は、勿論、この逆であっても構わない。また、このセット、リセットを合わせて、書き換えと称することにする。
【０００４】
かかるＲＲＡＭを安定して動かす工夫として、商品利用前に所定の書き換え動作を行っておくことが提案されている。特に、非特許文献１において、セットとリセットを交互に複数回行うこと（以下において、「イニシャライズ動作」又は「初期化動作」という）で、可変抵抗素子の高抵抗状態と低抵抗状態の抵抗値が安定することが指摘されている。
【０００５】
このように、イニシャライズ動作により、抵抗変化後の抵抗値のばらつきが改善される。これにより、書込み動作が安定し、誤書込みや素子の破壊を防ぐことができ、ＲＲＡＭの信頼性を向上させることができる。
【０００６】
一方、ＲＲＡＭを用いるメモリセルアレイの構成としては、特許文献１に示される、メモリセルの可変抵抗素子にセル選択用のトランジスタを直列に接続することで、選択されたメモリセルの可変抵抗素子に記憶された情報の書き換え・読み出しを行う際に非選択のメモリセルに流れるリーク電流及び回り込み電流を制限することのできる１Ｔ１Ｒ型のメモリセルアレイが従来用いられてきた。
【０００７】
図１３に従来用いられてきたＲＲＡＭのセルアレイ構成を示す。メモリセルアレイ２００において、可変抵抗素子としてＲ１１〜Ｒｎ１、Ｒ１２〜Ｒｎ２、・・・、Ｒ１ｍ〜Ｒｎｍが、また、セル選択用のトランジスタとしてＱ１１〜Ｑｎ１、Ｑ１２〜Ｑｎ２、・・・、Ｑ１ｍ〜Ｑｎｍ（ｎ、ｍは自然数）が、夫々、列方向（図１３の横方向）と行方向（図１３の縦方向）にマトリクス状に配列している。個々のメモリセルにおいて、可変抵抗素子の一端とトランジスタの一端が接続され、また、同一列に配列されるメモリセルの可変抵抗素子の他端は、夫々、列方向に延伸するビット線ＢＬ１〜ＢＬｍに接続され、同一行に配列されるメモリセルのトランジスタの他端は、全メモリセル共通のコモン線ＣＭＬに接続され、同一行に配列されるメモリセルのトランジスタのゲート端子には、夫々、行方向に延伸するワード線ＷＬ１〜ＷＬｎが接続されている。
【０００８】
外部からは、書き換え電圧を与える電源線Ｖ１及びＶ２が供給され、ビット線ＢＬ１〜ＢＬｍには電源線Ｖ１の電圧が、コモン線ＣＭＬには電源線Ｖ２の電圧が、夫々、書き換え電圧印加回路２０１のトランジスタを介して印加される。また、共通電圧印加回路２０２のトランジスタを介して、ビット線ＢＬ１〜ＢＬｍとコモン線ＣＭＬが短絡され、コモン線側からビット線に電圧を印加することで、ビット線及び当該ビット線に接続する可変抵抗素子間の配線の寄生容量の影響により以前の書き換え電圧状態となっているビット線を充放電することが可能になっている。
【０００９】
図１３の可変抵抗素子Ｒ１１の書き換え時のタイミングチャートを図１４に示す。
【００１０】
時刻ｔ１でワード線ＷＬ１をセット時は電圧ＶＷＬＳ（代表値２．０Ｖ）、リセット時であれば電圧ＶＷＬＲ（代表値２．７Ｖ）に立ち上げた後、時刻ｔ２でφ０，φ１１，φ２２〜φ２ｍを立ち上げる。即ち、書き換え電圧印加回路２０１のトランジスタを介して電源線Ｖ１の電圧を選択されたビット線ＢＬ１に、また電源線Ｖ２の電圧をコモン線ＣＭＬに印加し、さらに初期化回路２０２のトランジスタを介して、コモン線ＣＭＬと同じ電圧を非選択のビット線ＢＬ２〜ＢＬｍに印加する。このとき、電源線Ｖ１及びＶ２の電圧は、同じ電圧ＶＰＲＥ（代表値１．５Ｖ）であり、この結果、コモン線ＣＭＬと全ビット線ＢＬ１〜ＢＬｍは電圧ＶＰＲＥにプリチャージされる。
【００１１】
その後、時刻ｔ４〜ｔ５の間、電源線Ｖ１及びＶ２に書き換え電圧パルスを印加する。すなわち、セット時には、電源線Ｖ１を電圧ＶＳＥＴ（代表値３Ｖ）に、電源線Ｖ２をＧＮＤに変化させ、Ｒ１１、Ｑ１１を介して、選択されたビット線ＢＬ１からコモン線ＣＭＬに向かって電流を流す。一方、リセット時には、電源線Ｖ１をＧＮＤに、電源線Ｖ２を電圧ＶＲＳＴ（代表値３Ｖ）に変化させ、Ｑ１１、Ｒ１１を介して、コモン線ＣＭＬから選択されたビット線ＢＬ１に向かって電流を流す。
【００１２】
ここで、上記のワード線電圧ＶＷＬＳおよびＶＷＬＲの設定方法について補足する。
【００１３】
遷移金属酸化物を可変抵抗体として用いたＲＲＡＭの場合、セット（低抵抗化）動作では、十分な電界を印加することで安定に低抵抗化するので、図１３において、可変抵抗素子Ｒ１１とトランジスタＱ１１の直列回路で構成されるメモリセルの両端には、ビット線ＢＬ１およびコモン線ＣＭＬを介して比較的高電圧を印加することが好ましい。しかしながら、一方で、抵抗変化後の抵抗値のばらつきを抑えるため、可変抵抗素子Ｒ１１に流れる電流量は小さく制限することが好ましい。つまり、高電圧の書き換え電圧に対して書き換え電流を小さく制限するため、トランジスタＱ１１のゲート‐ソース間の電位差Ｖｇｓを低めに、即ちＶＷＬＳを低く設定する。
【００１４】
一方、リセット（高抵抗化）動作では、安定動作のためには電流を多く流すことが好ましい。しかしながら、一方で、過剰な電界を印加すると逆に低抵抗化してしまうため、メモリセルの両端には、比較的低電圧を印加することが好ましい。つまり、低電圧の書き換え電圧に対して大きな書き換え電流を得るため、トランジスタＱ１１のゲート‐ソース間の電位差Ｖｇｓを高めに、即ちＶＷＬＲを高く設定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００２−１５１６６１号公報
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】W-Y Chang他、"Unipolar resistive switching characteristics of ZnO thin films for nonvolatile memory applications", Appl. Phys. Lett. 92, 022110, 2008年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
上記のイニシャライズ動作を効果的とするには、１０００回以上のセットとリセットを交互に繰り返すことが望ましい。しかしながら、これを１ビットずつ、１メモリセル毎に処理していては現実的な時間ではイニシャライズ動作が終了しないという問題がある。
【００１８】
特に、ＲＲＡＭの特徴である高集積性を活かした１Ｇｂｉｔ以上のメモリセルアレイにおいて、従来の回路構成でイニシャライズ動作を実行することは困難である。例えば、１００Ｍｂｉｔを有するメモリセルアレイのイニシャライズ動作を行うとして、一回のセット及びリセットに要する時間を１μｓｅｃとして、１０００サイクル実行するとした場合、１０００［サイクル］×１０８［ｂｉｔ］×１０−６［ｓｅｃ］≒２８［ｈｏｕｒ］が必要となる。さらに、セットとリセットで書き換え電圧パルスの極性が異なるバイポーラ動作においては、上記の処理時間に加え、配線の充放電時間が数μｓｅｃ程度、各サイクル毎に必要となる。
【００１９】
そこで、本発明は、イニシャライズ動作に要する時間を短縮しながら、使用するメモリセルアレイ全体に予めイニシャライズ処理を施すことのできる駆動方法を提供し、これにより安定動作が可能な不揮発性半導体記憶装置を実現することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するための本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、二つの入出力端子を有し、当該二端子間に正負両極性の電圧を選択的に印加することで当該二端子間の電気抵抗を高抵抗状態と低抵抗状態の間で変化させることができる可変抵抗素子と、二つの入出力端子と一つの制御端子を有する選択トランジスタとを備え、前記可変抵抗素子の前記入出力端子の一方端と前記選択トランジスタの前記入出力端子の一方端とを接続してなる二つの入出力端子を有するメモリセルを、複数、行及び列方向に夫々マトリクス状に配列してなるメモリセルアレイと、
同一行に配列された前記メモリセルの前記選択トランジスタの前記制御端子同士を接続する、行方向に延伸するワード線と、
同一列に配列された前記メモリセルの前記入出力端子の一方端同士を接続する、列方向に延伸するビット線と、
少なくとも同一行に配列された前記メモリセルの前記入出力端子の他方端同士を接続するソース線と、
制御回路と、を備え、
前記制御回路は、一または複数の前記ワード線、及び、複数の前記ビット線からなるビット線群により選択される複数の前記メモリセルの夫々に対し、前記メモリセルの前記可変抵抗素子の前記入出力端子間に第１の極性の電圧パルスを印加する第１動作、及び、前記メモリセルの前記可変抵抗素子の前記入出力端子間に前記第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧パルスを印加する第２動作が、ともに１度ずつ実行されるように選択された前記ビット線群の前記ビット線に電圧を印加する初期化動作の実行を制御し、
前記初期化動作において、前記制御回路は、前記ビット線群を構成する前記ビット線の中から、一または複数の第１ビット線、及び、一または複数の第２ビット線を選択し、前記ソース線がフローティングの状態で、前記第１ビット線に第１電圧を印加するとともに、前記第２ビット線に前記第１電圧と異なる第２電圧を印加する電圧印加動作を、複数回実行し、
前記複数回の前記電圧印加動作の実行の結果、前記ビット線群を構成する全ての前記ビット線が前記第１ビット線として一度選択され、前記ビット線群を構成する全ての前記ビット線が前記第２ビット線として一度選択されるように、個々の前記電圧印加動作における前記第１ビット線および前記第２ビット線の選択を制御することを特徴とする。
【００２１】
上記特徴の本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、更に、
前記電圧印加動作において、
前記第１電圧が印加された前記第１ビット線に接続する前記メモリセルの前記高抵抗状態の前記可変抵抗素子の抵抗が低抵抗化し、
前記第２電圧が印加された前記第２ビット線に接続する前記メモリセルの前記低抵抗状態の前記可変抵抗素子の抵抗が高低抵抗化することが好ましい。
【００２２】
上記特徴の本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、更に、
前記電圧印加動作において、
前記制御回路は、前記ビット線群のうち、隣接する前記ビット線の一方を前記第１ビット線、他方を前記第２ビット線として選択することが好ましい。
【００２３】
上記特徴の本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、更に、
前記電圧印加動作において、
前記制御回路は、前記ビット線群を構成する前記ビット線のうち、前記第１ビット線および前記第２ビット線のいずれにも選択されなかった一または複数の前記ビット線を第３ビット線として選択し、前記第１電圧と前記第２電圧の印加中に、前記第１電圧と前記第２電圧の印加から遅れて、前記第３ビット線に第３電圧を印加することが好ましい。
【００２４】
上記特徴の本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、更に、
前記制御回路は、一の前記ワード線、及び、一の前記ビット線を選択し、選択された前記ビット線および前記ソース線に所定の電圧を印加して、選択された一の前記メモリセルに対して前記第１動作または前記第２動作を実行する選択書き換え動作を制御し、
前記選択書き換え動作を実行する動作モードと、前記初期化動作を実行する動作モードとを、切り替え可能に構成されていることが好ましい。
【００２５】
上記特徴の本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、更に、
前記第１電圧が、前記第２電圧よりも高く、
前記初期化動作における前記電圧印加動作において、前記第２電圧を基準として選択された前記ワード線に印加される電圧が、前記選択書き換え動作における前記第１動作において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ワード線に印加される電圧に、前記第１電圧と前記第２電圧の間の電圧差の絶対値を２で割った中間値を加算した電圧よりも高く、前記選択書き換え動作における前記第２動作において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ワード線に印加される電圧に、前記中間値を加算した電圧よりも低いことが好ましい。
【００２６】
上記特徴の本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、更に、
前記第１動作が、選択された前記メモリセルの前記可変抵抗素子を前記低抵抗状態に変化させる動作であり、
前記第１電圧と前記第２電圧との電圧差の絶対値が、前記選択書き換え動作における前記第１動作において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ビット線に印加される電圧の絶対値以上であることが好ましい。
【００２７】
上記特徴の本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、更に、前記第１電圧と前記第２電圧との電圧差の絶対値が、前記選択書き換え動作における前記第１動作において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ビット線に印加される電圧の絶対値と、前記選択書き換え動作における前記第２動作において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ビット線に印加される電圧の絶対値との和よりも小さいことが好ましい。
【００２８】
上記特徴の本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、更に、前記第２電圧が、接地電圧であることが好ましい。
【００２９】
上記目的を達成するための本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の駆動方法は、二つの入出力端子を有し、当該二端子間に正負両極性の電圧を選択的に印加することで当該二端子間の電気抵抗を高抵抗状態と低抵抗状態の間で変化させることができる可変抵抗素子と、二つの入出力端子と一つの制御端子を有する選択トランジスタとを備え、前記可変抵抗素子の前記入出力端子の一方端と前記選択トランジスタの前記入出力端子の一方端とを接続してなる二つの入出力端子を有するメモリセルを、複数、行及び列方向に夫々マトリクス状に配列してなるメモリセルアレイの駆動方法であって、
前記メモリセルアレイは、
同一行に配列された前記メモリセルの前記選択トランジスタの前記制御端子同士が、行方向に延伸するワード線に接続され、
同一列に配列された前記メモリセルの前記入出力端子の一方端同士が、列方向に延伸するビット線に接続され、
少なくとも同一行に配列された前記メモリセルの前記入出力端子の他方端同士が、ソース線に接続され、
一または複数の前記ワード線、及び、複数の前記ビット線からなるビット線群により選択される複数の前記メモリセルの夫々に対し、前記メモリセルの前記可変抵抗素子の前記入出力端子間に第１の極性の電圧パルスを印加する第１工程、及び、前記メモリセルの前記可変抵抗素子の前記入出力端子間に前記第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧パルスを印加する第２工程が、ともに１度ずつ実行されるように選択された前記ビット線群の前記ビット線の夫々に電圧を印加する初期化工程を有し、
前記初期化工程において、前記ビット線群を構成する前記ビット線の中から、一または複数の第１ビット線、及び、一または複数の第２ビット線を選択し、前記ソース線がフローティングの状態で、前記第１ビット線に第１電圧を印加するとともに、前記第２ビット線に前記第１電圧と異なる第２電圧を印加する電圧印加工程を、複数回実行し、
前記複数回の前記電圧印加工程の実行の結果、前記ビット線群を構成する全ての前記ビット線が前記第１ビット線として一度選択され、前記ビット線群を構成する全ての前記ビット線が前記第２ビット線として一度選択されるように、個々の前記電圧印加工程における前記第１ビット線および前記第２ビット線を選択することを特徴とする。
【００３０】
上記特徴の本発明に係る駆動方法は、更に、前記電圧印加工程において、
前記第１電圧の印加により、前記第１電圧が印加された前記第１ビット線に接続する前記メモリセルの前記高抵抗状態の前記可変抵抗素子の抵抗を低抵抗化させ、
前記第２電圧の印加により、前記第２電圧が印加された前記第２ビット線に接続する前記メモリセルの前記低抵抗状態の前記可変抵抗素子の抵抗を高低抵抗化させることが好ましい。
【００３１】
上記特徴の本発明に係る駆動方法は、更に、前記電圧印加工程において、
前記ビット線群のうち、隣接する前記ビット線の一方を前記第１ビット線、他方を前記第２ビット線として選択することが好ましい。
【００３２】
上記特徴の本発明に係る駆動方法は、更に、前記電圧印加工程において、
前記ビット線群のうち、前記第１ビット線および前記第２ビット線のいずれにも選択されなかった一または複数の前記ビット線を第３ビット線として選択し、前記第１電圧と前記第２電圧の印加中に、前記第１電圧と前記第２電圧の印加から遅れて、前記第３ビット線に第３電圧を印加することが好ましい。
【００３３】
上記特徴の本発明に係る駆動方法は、更に、
一の前記ワード線、及び、一の前記ビット線を選択し、選択された前記ビット線および前記ソース線に所定の電圧を印加して、選択された一の前記メモリセルに対して前記第１工程または前記第２工程を実行する選択書き換え工程を実行する工程を有することが好ましい。
【００３４】
上記特徴の本発明に係る駆動方法は、更に、
前記第１電圧が、前記第２電圧よりも高く、
前記初期化工程における前記電圧印加工程において、前記第２電圧を基準として選択された前記ワード線に印加される電圧が、前記選択書き換え工程における前記第１工程において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ワード線に印加される電圧に、前記第１電圧と前記第２電圧の間の電圧差の絶対値を２で割った中間値を加算した電圧よりも高く、前記選択書き換え工程における前記第２工程において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ワード線に印加される電圧に、前記中間値を加算した電圧よりも低いことが好ましい。
【００３５】
上記特徴の本発明に係る駆動方法は、更に、
前記第１工程が、選択された前記メモリセルの前記可変抵抗素子を前記低抵抗状態に変化させる工程であり、
前記第１電圧と前記第２電圧との電圧差の絶対値が、前記選択書き換え工程における前記第１工程において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ビット線に印加される電圧の絶対値以上であることが好ましい。
【００３６】
上記特徴の本発明に係る駆動方法は、更に、前記第１電圧と前記第２電圧との電圧差の絶対値が、前記選択書き換え工程における前記第１工程において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ビット線に印加される電圧の絶対値と、前記選択書き換え工程における前記第２工程において、前記ソース線に印加される電圧を基準として選択された前記ビット線に印加される電圧の絶対値との和よりも小さいことが好ましい。
【００３７】
上記特徴の本発明に係る駆動方法は、更に、前記第２電圧が、接地電圧であることが好ましい。
【発明の効果】
【００３８】
本発明の不揮発性半導体装置および駆動方法によれば、一又は複数のワード線、及び、複数のビット線からなるビット線群により選択される複数のメモリセルに対してイニシャライズ動作を行う際に、かかるビット線群の中から、一又は複数の第１ビット線、及び、一又は複数の第２ビット線を選択し、ソース線をフローティングとした状態で、第１ビット線に第１電圧を、第２ビット線に第２電圧を印加する。
【００３９】
これにより、「第１ビット線‐第１ビット線に接続するメモリセル‐ソース線‐第２ビット線に接続するメモリセル‐第２ビット線」の電流経路が形成される。第１電圧及び第２電圧の印加により、第１ビット線に接続するメモリセルと、第２ビット線に接続するメモリセルのうち、何れか一方がセット（低抵抗化）方向に電圧が印加され、他方がリセット（高抵抗化）方向に電圧が印加されるように、各メモリセルに電圧が印加される。
【００４０】
かかる第１電圧及び第２電圧を印加する電圧印加動作を、第１ビット線と第２ビット線を選択し直しながら複数回に分けて行い、ビット線群を構成する全てのビット線が、第１ビット線として一度選択され、第２ビット線として一度選択されるように、個々の電圧印加動作における第１ビット線と第２ビット線を選択する。この結果、ビット線群により選択される複数のメモリセルについて、セットとリセットが夫々一度ずつ実行されることとなり、イニシャライズ動作の１サイクルが完了する。
【００４１】
このとき、ソース線をフローティングとした状態で第１電圧と第２電圧の印加を行うため、ソース線の充放電に要する時間を考慮する必要はなく、複数のメモリセルに対し一括して、イニシャライズ動作を高速に行うことができる。
【００４２】
図１５に、２５６ビットの可変抵抗素子に対し、セットとリセットで極性が逆の電圧パルスを印加して、イニシャライズ動作を行った後の高抵抗状態の抵抗値の累積確率分布を示す。図１５から、イニシャライズのサイクル数を増やすことで、同一素子における抵抗変化後の高抵抗状態と低抵抗状態の抵抗値のばらつきが改善されるほか、素子間の抵抗値のばらつきも改善されることが分かる。好適には、１０００サイクル以上のイニシャライズ動作を実行することにより、信頼性の高い不揮発性半導体装置を提供することができる。
【００４３】
なお、かかるイニシャライズ動作において、抵抗値の変動は必ずしも伴わない。図１６に、図１５においてイニシャライズの初期サイクルで特に抵抗値変化が乏しかった２つの素子の抵抗変化の様子を示す。図１６に示すように、これらの素子は初期１０サイクルでは抵抗値はほとんど変動していない。しかしながら、セット電圧パルス及びリセット電圧パルスを交互に与え続けることによって徐々に抵抗値が変動し始める。
【００４４】
図１６から、抵抗値に変化がみられない場合でも、イニシャライズ動作による効果が蓄積していることを確認できる。可変抵抗素子の抵抗変化は可変抵抗体を構成する金属酸化膜中の酸素が移動することで生じると考えられているところ、かかる蓄積効果は、金属酸化膜中の酸素が、セット電圧パルス及びリセット電圧パルスによる電気的ストレスで再分布することを示唆している。
【００４５】
すなわち、イニシャライズ動作は膜中酸素全体の分布を変化させる一方、抵抗値に関与するのは界面付近およびフォーミング処理により形成されるフィラメント近辺の酸素のみであるため、イニシャライズ動作により酸素が再分布しても抵抗値の変化として現れない場合がある。しかしながら、このような場合でも、繰り返し電圧パルスを印加することで、抵抗変化に寄与する酸素の再分布が起こり、安定した抵抗変化を期待できる。
【００４６】
図１７に、２つの電極１１、１２間に可変抵抗体としての金属酸化膜１３を狭持してなる可変抵抗素子において、フォーミング処理により形成されるフィラメントの状態を示す。ここで、フィラメントは、金属酸化膜中の酸素欠損によって形成される電気伝導パスである。図１７に示すように、金属酸化膜の成膜時の酸素分布の偏りにより、フォーミング処理後の酸素欠損１４の分布状態もばらついており、図１７（Ａ）のように酸素欠損１４がほぼ一次元的に連なるように理想的なフィラメントパスが形成されている場合と、図１７（Ｂ）のように酸素欠損同士が複雑に干渉し合うフィラメントパスが形成されている場合がある。図１７（Ａ）の場合は、電圧パルス印加の初回から十分な抵抗変化を示す一方、図１７（Ｂ）の場合は抵抗変化が起こりにくい。しかしながら、図１７（Ｂ）に示すフィラメントの状態であっても、電圧パルスの印加を繰り返すことにより酸素の再分布が行われ、図１７（Ａ）と同様の抵抗変化を示すことができると考えられる。
【００４７】
つまり、電気的ストレスの印加により金属酸化膜中の酸素の再分布が誘起されることが上記のイニシャライズ動作の本質であり、イニシャライズ動作において、実際に抵抗値が変動するか否かは本質的ではないといえる。
【００４８】
以上、本発明の不揮発性半導体記憶装置とその駆動方法によれば、メモリセルアレイのイニシャライズ動作に要する時間が短縮され、安定動作が可能で、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の概略構成を示す回路ブロック図。
【図２】本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイの構成の一例を示す回路構成図。
【図３】本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置において、イニシャライズ動作時の駆動方法の一例を示すタイミングチャート。
【図４】イニシャライズ動作時にメモリセル間に流れる電流経路を示す図。
【図５】イニシャライズ動作時にメモリセル間に流れる電流経路を示す図。
【図６】イニシャライズ動作の各シークエンスにおいて各ビット線に印加される電圧とメモリセルの抵抗状態との関係を示す表
【図７】本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイの構成の一例を示す回路構成図。
【図８】本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置において、イニシャライズ動作時の駆動方法の一例を示すタイミングチャート。
【図９】イニシャライズ動作時にメモリセル間に流れる電流経路を示す図。
【図１０】イニシャライズ動作時にメモリセル間に流れる電流経路を示す図。
【図１１】イニシャライズ動作時にメモリセル間に流れる電流経路を示す図。
【図１２】イニシャライズ動作の各シークエンスにおいて各ビット線に印加される電圧とメモリセルの抵抗状態との関係を示す表
【図１３】従来の可変抵抗素子を用いた不揮発性半導体記憶装置（ＲＲＡＭ）の回路構成図。
【図１４】従来の不揮発性半導体記憶装置における可変抵抗素子の書き換え時のタイミングチャート。
【図１５】イニシャライズ動作後の高抵抗状態の抵抗値の累積確率分布を示すグラフ。
【図１６】イニシャライズ動作時における可変抵抗素子の抵抗変化の様子を示すグラフ。
【図１７】可変抵抗素子のフォーミング処理により形成されるフィラメントの状態を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
〈第１実施形態〉
本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置（以下、「本発明装置１」と称す）の概略の構成を示す回路ブロック図を図１に示す。図１に示すように、本発明装置１は、夫々、メモリセルアレイ１００、制御回路１０４、電圧発生回路１０５、ワード線デコーダ１０６、及び、ビット線デコーダ１０７を備えてなる。
【００５１】
メモリセルアレイ１００は、可変抵抗素子とトランジスタを直列に接続したメモリセルを行及び列方向に夫々複数マトリクス状に配置されてなり、列方向に延伸するビット線により同一列に属するメモリセルが接続され、行方向に延伸するワード線により同一行に属するメモリセル同士が相互に接続される。
【００５２】
図２に、メモリセルアレイ１００とその周辺回路の回路構成図を示す。本発明装置１は、書き換え電圧印加回路１０１、共通電圧印加回路１０２、及び、初期化電圧印加回路１０３を有している。
【００５３】
メモリセルアレイ１００は、可変抵抗素子（記憶素子）としてＲ１１〜Ｒｎ１、Ｒ１２〜Ｒｎ２、・・・、Ｒ１ｍ〜Ｒｎｍが、また、メモリセル選択用のトランジスタとしてＱ１１〜Ｑｎ１、Ｑ１２〜Ｑｎ２、・・・、Ｑ１ｍ〜Ｑｎｍが、夫々、行方向（図２の縦方向）と列方向（図２の横方向）にマトリクス状に配列して構成されている。個々のメモリセルにおいて、可変抵抗素子の一方端とトランジスタの入出力端子の一方端が接続され、可変抵抗素子とトランジスタが直列接続された２つの入出力端子を有するメモリセルが構成されている。かかるメモリセルの２つの入出力端子のうち、可変抵抗素子側の一方の入出力端子が、列方向に延伸するビット線ＢＬ１〜ＢＬｍの何れかに接続され、同一列に配列されたメモリセル同士の接続がされ、トランジスタ側の他方の入出力端子が、行方向に延伸して同一行に配列されたメモリセル同士を接続するｎ本の配線（ソース線）を介して、共通のコモン線ＣＭＬに接続されている。同一行に配列されたメモリセルのトランジスタの制御端子同士は、夫々、ワード線ＷＬ１〜ＷＬｎに接続されている。
【００５４】
可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒｎｍは、例えば遷移金属酸化物等で構成される可変抵抗体の両端に電極を担持してなる素子である。可変抵抗体の材料としてはＡｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｖ、Ｚｎ、Ｎｂの各酸化物もしくは酸窒化物、或いは、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯＸ）等を用いることができる。本実施形態では、低抵抗化と高抵抗化で極性が逆の電圧パルスを印加して書き換えを行う、所謂バイポーラ型の素子を想定する。
【００５５】
なお、これらの金属酸化物を可変抵抗体材料として用いる場合、可変抵抗素子の製造直後の初期抵抗は非常に高く、電気的ストレスによって高抵抗状態と低抵抗状態を切り替え可能な状態にするためには、使用前に、通常の書き換え動作に用いる電圧パルスより電圧振幅が大きく、かつパルス幅が長い電圧パルスを製造直後の初期状態の可変抵抗素子に印加し、抵抗スイッチングがおきる電流パスを形成しておく。かかる電圧印加処理は、フォーミング処理と呼ばれている。そして、フォーミング処理によって形成される電流パス（フィラメントパスと呼ばれる）がその後の素子の電気特性を決定することが知られている。本発明装置１では、電圧発生回路１０５が、かかるフォーミング処理に必要な電圧を生成し、制御回路１０４が、ワード線デコーダ１０６、及び、ビット線デコーダ１０７を制御することにより、フォーミング処理の実行を制御する構成となっている。
【００５６】
制御回路１０４は、メモリセルアレイ１００のセット、リセット、読み出しの各メモリ動作の制御、及び、フォーミング処理の制御を行う。具体的には、制御回路１０４はアドレス線から入力されたアドレス信号、データ線から入力されたデータ入力、制御信号線から入力された制御入力信号に基づいて、電圧発生回路１０５、ワード線デコーダ１０６、及び、ビット線デコーダ１０７を制御し、メモリセルの各メモリ動作及びフォーミング処理を制御する。なお、図１に示す例では、制御回路１０４は、図示しないが一般的なアドレスバッファ回路、データ入出力バッファ回路、制御入力バッファ回路としての機能を具備している。さらに、制御回路１０４は、複数のメモリセルのイニシャライズ（初期化）動作を制御する。
【００５７】
電圧発生回路１０５は、制御回路１０４により制御され、セット、リセット、読み出しの各メモリ動作、及び、イニシャライズ動作において、動作対象のメモリセルを選択するために必要な所定の電圧を発生して、初期化電圧印加回路１０３、共通電圧印加回路１０２、ワード線デコーダ１０６、及び、ビット線デコーダ１０７に供給する。
【００５８】
ワード線デコーダ１０６は、セット、リセット、読み出しの各メモリ動作において、動作対象のメモリセルがアドレス線に入力され指定されると、当該アドレス線に入力されたアドレス信号に対応するワード線を選択し、選択されたワード線と非選択のワード線に、夫々選択ワード線電圧と非選択ワード線電圧を各別に印加する。また、イニシャライズ動作において、イニシャライズ対象のメモリセルに接続する一又は複数のワード線に、選択ワード線電圧を印加する。
【００５９】
ビット線デコーダ１０７は、セット、リセット、読み出しの各メモリ動作において、動作対象のメモリセルがアドレス線に入力され指定されると、当該アドレス線に入力されたアドレス信号に対応するビット線を選択し、選択されたビット線に、メモリ動作に必要な電圧を印加する。なお、図２の書き換え電圧印加回路１０１が、ビット線デコーダ１０７の一部を構成しており、アドレス信号に応じて、書き換え電圧印加回路１０１の各トランジスタのゲートに入力される電圧信号φ１１〜φ１２が切り替えられることで、書き換え電源線Ｖ１ａまたはＶ１ｂから供給される電圧が、選択されたビット線に印加される。
【００６０】
なお、制御回路１０４、電圧発生回路１０５、ワード線デコーダ１０６、及び、ビット線デコーダ１０７の詳細な回路構成、デバイス構造、並びに、製造方法については、公知の回路構成を用いて実現可能であり、公知の半導体製造技術を用いて作製が可能であるので説明を割愛する。
【００６１】
メモリセルアレイ１００内のメモリセルの通常の書き換え及び読み出し動作時において、動作対象の一のメモリセルを、一のワード線、及び、一のビット線を選択することによって選択し、選択されたワード線、及び、選択されたビット線とコモン線（ソース線）に所定の電圧を各別に印加することにより、選択されたメモリセルの可変抵抗素子に記憶された情報の書き換え又は読み出しを行うことができる。
【００６２】
このとき、選択されたメモリセルの書き換えを行う場合、書き換え対象のメモリセルに記憶したい情報に応じて、セット（第１動作）またはリセット（第２動作）の何れかを選択的に実行する。以下において、この動作について、適宜「選択書き換え動作」という。
【００６３】
かかる選択書き換え動作では、代表的な例では、セット動作の場合、選択されたメモリセルの入出力端子間に１．５Ｖ〜２．５Ｖのセット電圧ＶＳＥＴが、１０ｎｓｅｃ〜５０ｎｓｅｃのパルス幅で印加されるように、選択されたメモリセルに接続するビット線及びソース線に電圧を印加し、選択されたメモリセルのトランジスタの制御端子にワード線を介して電圧ＶＷＬＳ（例えば、ソース線に印加される電圧を基準として＋０．５Ｖ）を印加して、可変抵抗素子に流れる電流をトランジスタで制限しながら可変抵抗素子を低抵抗化させる。
【００６４】
一方、リセット動作の場合、選択されたメモリセルの入出力端子間に−１．０Ｖ〜−１．５Ｖのリセット電圧ＶＲＳＴが、５０ｎｓｅｃ〜１００ｎｓｅｃのパルス幅で印加されるように、選択されたメモリセルに接続するビット線及びソース線に電圧を印加する。このとき、選択されたメモリセルのトランジスタの制御端子にはワード線を介してセット動作の場合よりも高い電圧ＶＷＬＲ（例えば、ソース線に印加される電圧を基準として＋１．２Ｖ）を印加して、トランジスタによる電流制限を極力行わない状態で、可変抵抗素子を高抵抗化させることが好ましい。
【００６５】
ここで、セット動作とリセット動作では、極性が逆の電圧パルスが可変抵抗素子間に印加されるように設定している。すなわち、可変抵抗素子は、所謂バイポーラ型の素子である。このような電圧設定で動作する可変抵抗素子の例としては、スパッタ成膜した厚さ３ｎｍの酸化ハフニウム（ＨｆＯＸ）膜を可変抵抗体とし、Ｔａ電極とＴｉＮ電極間に狭持したものが挙げられる。本実施形態では、セット動作およびリセット動作でソース線に印加する電圧を同一（例えば、接地電圧ＧＮＤ）とし、ソース線の電圧に対して正の電圧をビット線に印加してセット動作を行い、ソース線の電圧に対して負の電圧をビット線に印加してリセット動作を行う構成とする。
【００６６】
なお、可変抵抗素子に流れる電流は、上述したとおり、トランジスタのゲート‐ソース間の電位差Ｖｇｓにより制御される。本実施形態において、リセット動作ではビット線にソース線よりも低電圧を印加するため、トランジスタの可変抵抗素子と接続する側の入出力端子がトランジスタのソースとなる。したがって、リセット動作におけるトランジスタのゲート‐ソース間の電位差Ｖｇｓは、ソース線の電圧を基準としてトランジスタの制御端子に印加される電圧よりも高い。
【００６７】
つまり、セット及びリセット動作でソース線に印加する電圧を同じとして、ソース線の電圧に対して正の電圧をビット線に印加してセット動作を行い、ソース線の電圧に対して負の電圧をビット線に印加してリセット動作を行う構成とすることで、ワード線に印加する電圧を低くしつつ、効率よく選択書き換え動作を実行することができる。
【００６８】
図２より、本発明装置１は、上述した従来構成の半導体記憶装置（図１３）において、初期化電圧印加回路１０３を更に備えるものとなっている。初期化電圧印加回路１０３は、書き換え電源線Ｖ１ａとＶ１ｂを有し、ビット線ＢＬ１〜ＢＬｍのうち、半数の奇数番目のビット線ＢＬ２ｉ−１（但し、ｉ＝１〜［ｍ／２］）が書き換え電源線Ｖ１ａと、半数の偶数番目のビット線ＢＬ２ｉが書き換え電源線Ｖ１ｂと接続している。本実施形態では、かかる書き換え電源線Ｖ１ａとＶ１ｂには第１電圧ＶＡと第２電圧ＶＢの何れかが、電圧発生回路１０５から供給され、イニシャライズ動作が行われる。一方、選択書き換え動作では、書き換え対象のメモリセルに接続するビット線が書き換え電源線Ｖ１ａとＶ１ｂのどちらと接続しているかに応じて、少なくとも書き換え対象のメモリセルに接続するビット線と接続している方の書き換え電源線を介して必要な電圧が供給される。
【００６９】
本発明装置１は、イニシャライズ動作を行う動作モードと、選択書き換え動作を行う動作モードとの間で、制御モードを切り替えられるように構成されている。イニシャライズ動作が完了すると、選択書き換え動作を実行する動作モードに切り替わる。制御回路１０４が、かかる制御モードに応じて、書き換え電源線Ｖ１ａとＶ１ｂに供給される電圧を変更する制御を行う。
【００７０】
以下に、図２に示すメモリセルアレイ１００において、イニシャライズ動作を行うための本発明装置１の駆動方法を説明する。ただし、以下では、簡単のため、ＢＬ１〜ＢＬ６までの６本のビット線を選択し、共通のワード線ＷＬ１に接続する６つの可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１６を含むメモリセルに対し、一括してイニシャライズ動作を行う場合を説明する。ここで、メモリセルアレイ１００は、フォーミング処理直後の状態であり、全ての可変抵抗素子が低抵抗状態にある場合を考える。
【００７１】
図３に、かかるイニシャライズ動作時のタイミングチャートを、一例として示す。図中、時刻ｔｉとｔｉ＋１の間の間隔は、２００ｎｓｅｃ程度である。
【００７２】
先ず、図３の時刻ｔ１でワード線ＷＬ１を所定の電圧ＶＷＬＩ（ここでは、２．５Ｖ）に立ち上げた後、時刻ｔ２でφ１１〜φ１６、φ３１とφ３２を立ち上げる。このとき、書き換え電源線Ｖ１ａとＶ１ｂともに、接地電圧ＧＮＤが供給されている状態である。φ２０〜φ２ｍは立ち下げた状態を維持する。
【００７３】
次に、イニシャライズ動作の第１のシークエンス（電圧印加工程）として、書き換え電源線Ｖ１ａに第１電圧ＶＡ（例えば、３Ｖ）、書き換え電源線Ｖ１ｂに第２電圧ＶＢ（例えば、０Ｖ（ＧＮＤ））を印加する。具体的には、時刻ｔ４〜時刻ｔ５の期間、書き換え電源線Ｖ１ａの電圧をＧＮＤ（第２電圧ＶＢ）から第１電圧ＶＡに上昇させる。これにより、時刻ｔ４〜時刻ｔ５の期間、ビット線ＢＬ１、ＢＬ３、ＢＬ５に第１電圧ＶＡが、ビット線ＢＬ２、ＢＬ４、ＢＬ６に第２電圧ＶＢが印加される。このとき、ソース線（コモン線ＣＭＬ）の電位は、φ２０〜φ２ｍが立ち下がっていることにより、不定状態である。
【００７４】
この結果生じる電流経路の概略図を図４に示す。かかる電圧印加により、ビット線ＢＬ１から、可変抵抗素子Ｒ１１、トランジスタＱ１１、ソース線（コモン線ＣＭＬ）、トランジスタＱ１２、及び、可変抵抗素子Ｒ１２を経由し、ビット線ＢＬ２へ流れ込む電流経路が生成される。同様に、図示しないが、ビット線ＢＬ３から、可変抵抗素子Ｒ１３、トランジスタＱ１３、ソース線（コモン線ＣＭＬ）、トランジスタＱ１４、及び、可変抵抗素子Ｒ１４を経由し、ビット線ＢＬ４へ流れ込む電流経路、並びに、ビット線ＢＬ５から、可変抵抗素子Ｒ１５、トランジスタＱ１５、ソース線（コモン線ＣＭＬ）、トランジスタＱ１６、及び、可変抵抗素子Ｒ１６を経由し、ビット線ＢＬ２へ流れ込む電流経路が生成される。
【００７５】
この結果、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５には、セット（低抵抗化）方向に電圧が印加され、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６には、リセット（高抵抗化）方向に電圧が印加される。今、Ｒ１１〜Ｒ１６は低抵抗状態にあるので、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６を有するメモリセルのリセット動作が開始され、高抵抗状態に変化する。一方、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５は、低抵抗状態の素子にさらにセット方向に電圧を印加しても、抵抗状態は変化せず、低抵抗状態を維持する。
【００７６】
次に、第１のシークエンスの実行後、第２のシークエンス（電圧印加工程）として、書き換え電源線Ｖ１ａに第２電圧ＶＢ、書き換え電源線Ｖ１ｂに第１電圧ＶＡを印加する。具体的には、時刻ｔ６〜時刻ｔ７の期間、書き換え電源線Ｖ１ｂの電圧をＧＮＤ（第２電圧ＶＢ）から第１電圧ＶＡに上昇させる。これにより、時刻ｔ６〜時刻ｔ７の期間、ビット線ＢＬ２、ＢＬ４、ＢＬ６に第１電圧ＶＡが、ビット線ＢＬ１、ＢＬ３、ＢＬ５に第２電圧ＶＢが印加される。このとき、ソース線（コモン線ＣＭＬ）の電位は、φ２０〜φ２ｍが立ち下がっていることにより、不定状態である。
【００７７】
この結果生じる電流経路の概略図を図５に示す。かかる電圧印加により、ビット線ＢＬ２から、可変抵抗素子Ｒ１２、トランジスタＱ１２、ソース線（コモン線ＣＭＬ）、トランジスタＱ１１、及び、可変抵抗素子Ｒ１１を経由し、ビット線ＢＬ１へ流れ込む電流経路が生成される。同様に、図示しないが、ビット線ＢＬ４から、可変抵抗素子Ｒ１４、トランジスタＱ１４、ソース線（コモン線ＣＭＬ）、トランジスタＱ１３、及び、可変抵抗素子Ｒ１３を経由し、ビット線ＢＬ３へ流れ込む電流経路、並びに、ビット線ＢＬ６から、可変抵抗素子Ｒ１６、トランジスタＱ１６、ソース線（コモン線ＣＭＬ）、トランジスタＱ１５、及び、可変抵抗素子Ｒ１５を経由し、ビット線ＢＬ５へ流れ込む電流経路が生成される。
【００７８】
この結果、第２のシークエンスでは、第１のシークエンスとは逆に、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５には、リセット（高抵抗化）方向に電圧が印加され、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６には、セット（低抵抗化）方向に電圧が印加される。時刻ｔ６では、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５は低抵抗状態にあり、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６は高抵抗状態にある。
【００７９】
このとき、高抵抗状態の可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６に印加電圧ＶＡ−ＶＢの殆どが印加され、可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１６に電流は殆ど流れない。ソース線の電位は、第２電圧ＶＢに近い電圧に低下する。ここで、第１電圧と第２電圧の電圧差ＶＡ−ＶＢが、セット動作に必要な電圧よりも高ければ、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６を有するメモリセルのセット動作が開始され、数ナノ秒後には低抵抗状態に変化する。この結果、上記の電流経路に電流が流れ、ソース線の電位はＶＡとＶＢの間の中間電位に上昇する。ソース線を介して低抵抗状態の可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５に、リセット方向に電流が流れ込むことにより、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５を有するメモリセルのリセット動作が開始され、数十ナノ秒〜数百ナノ秒で高抵抗状態に変化する。
【００８０】
ここで、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５のリセット動作が行われているとき、低抵抗状態の可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６にも同じリセット電流が流れる。したがって、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５と、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６には、ともに同じ電圧が印加されている。しかし、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６にはセット方向に電流が流れるため、リセット動作は起こらず、低抵抗化はされない。第１電圧と第２電圧の電圧差ＶＡ−ＶＢが、リセット動作を行うために可変抵抗素子間に印加することが必要な電圧（ここでは、０．６Ｖ程度）の２倍より高電圧であれば、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５は高抵抗状態に変化できる。
【００８１】
上記の第１のシークエンスと第２のシークエンスにより、イニシャライズ動作の１サイクルが終了する。
【００８２】
その後、時刻ｔ８〜時刻ｔ９において、再び第１のシークエンスを実行し、書き換え電源線Ｖ１ａの電圧をＧＮＤ（第２電圧ＶＢ）から第１電圧ＶＡに上昇させる。これにより、ビット線ＢＬ１、ＢＬ３、ＢＬ５に第１電圧ＶＡが、ビット線ＢＬ２、ＢＬ４、ＢＬ６に第２電圧ＶＢが印加される。時刻ｔ８では、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５は高抵抗状態にあり、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６は低抵抗状態にある。
【００８３】
このとき、高抵抗状態の可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５に印加電圧ＶＡ−ＶＢの殆どが印加され、可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１６に電流は殆ど流れない。ソース線の電位は、第２電圧ＶＢに近い電圧に低下する。この結果、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５を有するメモリセルのセット動作が開始され、数ナノ秒後には可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５が低抵抗状態に変化した後、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６を有するメモリセルのリセット動作が開始され、数十ナノ秒〜数百ナノ秒で可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６が高抵抗状態に変化する。
【００８４】
このように、第１のシークエンスと第２のシークエンスにより、全ての選択されたメモリセルについて、リセット動作とセット動作が１回ずつ実行され、第１のシークエンスと第２のシークエンスを交互に繰り返すことで、イニシャライズ動作を効率よく、高速に行うことができる。
【００８５】
上記の第１のシークエンスと第２のシークエンスによる電圧印加手順をビット線ＢＬ１〜ＢＬ６毎に表にしたものを図６（ａ）に、各シークエンス後のメモリセルの可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１６の抵抗状態を、メモリセルが接続するビット線毎に表にしたものを図６（ｂ）に示す。図６から、全てのビット線ＢＬ１〜ＢＬ６が、第１及び第２のシークエンスを通して、第１電圧Ｖ１を印加するビット線（第１ビット線）として一度選択され、且つ、第２電圧Ｖ２を印加するビット線（第２ビット線）として一度選択されていることが分かる。
【００８６】
つまり、本実施形態のイニシャライズ動作の駆動方法では、ソース線を中間ノードとして、２つのメモリセルが直列に接続されるメモリ回路を形成し、かかるメモリ回路の両端と接続する２本のビット線の一方の第１ビット線に第１電圧ＶＡを、他方の第２ビット線に第２電圧ＶＢを印加する。このように構成することで、かかる２つのメモリセルのうち、一方のメモリセルにリセット方向に電圧が印加され、他方のメモリセルにはセット方向に電圧が印加される。この結果、低抵抗状態の可変抵抗素子がリセットされて高抵抗状態に変化する動作と、高抵抗状態の可変抵抗素子がセットされ低抵抗状態に変化する動作を、同一のシークエンスで実行することができる。
【００８７】
ここで、第１電圧と第２電圧の電圧差ＶＡ−ＶＢは、上述の選択書き換え動作におけるセット電圧ＶＳＥＴ以上であれば、高抵抗状態の可変抵抗素子を低抵抗状態に変化させることができる。ただし、かかる電圧差ＶＡ−ＶＢは、直列に接続された低抵抗状態のメモリセルを介して印加されるため、低抵抗状態のメモリセルの可変抵抗素子及びトランジスタにより生じる電圧降下分を考慮して、セット電圧ＶＳＥＴよりも高めに設定しておくことが好ましい。
【００８８】
ここで、上記第１及び第２のシークエンスにおいて、メモリ回路の一方の高抵抗状態の可変抵抗素子がセットされ、低抵抗状態に変化することで、上述の通り、ソース線の電位はＶＡとＶＢの間の中間電位（〜（ＶＡ＋ＶＢ）／２）に上昇する。この状態でも、メモリ回路の２つのトランジスタがオン状態を保つように、イニシャライズ動作対象として選択されたメモリセルに接続するワード線には、ＶＷＬＩとして、（ＶＡ＋ＶＢ）／２にトランジスタの閾値電圧を加えた電圧より高電圧を印加する。
【００８９】
また、高抵抗状態の可変抵抗素子を低抵抗化（セット）する場合には、上述の通り、変化後の抵抗値のばらつきを抑えるため、メモリセルのトランジスタにより可変抵抗素子に流れる電流を制限しながら、低抵抗状態に変化させる。しかしながら、本実施形態の駆動方法では、かかるメモリ回路内に２つのトランジスタが直列に接続されているため、２つのトランジスタによる電圧降下が大きくなり、低抵抗化対象の可変抵抗素子に十分な電圧を印加できない場合がある。
【００９０】
さらに、低抵抗状態の可変抵抗素子を高抵抗化（リセット）する場合は、上述の通り、トランジスタによる電流制限を行わないことが好ましい。しかしながら、本実施形態の駆動方法では、かかるメモリ回路内の２つのトランジスタ、及び、高抵抗化対象でない可変抵抗素子が負荷になっているため、２つのトランジスタによる電圧降下が大きくなり、高抵抗化対象の可変抵抗素子に十分な電圧を印加できない場合がある。
【００９１】
このため、低抵抗化（セット）及び高抵抗化（セット）対象の可変抵抗素子に抵抗変化に十分な電圧が印加されるように、ワード線に印加する電圧ＶＷＬＩ、及び、第１電圧ＶＡを設定することが好ましい。
【００９２】
具体的には、上述の通り、２本のビット線の一方に第１電圧ＶＡを、他方に第２電圧ＶＢを印加したとき、初めのうちは印加電圧ＶＡ−ＶＢの殆どが高抵抗状態の可変抵抗素子に印加され、電流は流れない。セット動作が完了し、高抵抗状態の可変抵抗素子が低抵抗化されると、低抵抗化に伴い電流が流れ始めるとともに、ソース線の電位が（ＶＡ＋ＶＢ）／２に上昇する。この場合において、可変抵抗素子に流れる電流を制限するためには、イニシャライズ動作対象として選択されたメモリセルに接続するワード線には、上述の選択書き換え動作におけるセット動作において選択されたメモリセルに接続するワード線にソース線を基準として印加される電圧ＶＷＬＳに（ＶＡ＋ＶＢ）／２を加えた程度の電圧を、ＶＷＬＩとして印加するとよい。ただし、上述の通り、本実施形態の駆動方法では、メモリ回路内に２つのトランジスタが直列に接続されているため、低抵抗化対象の可変抵抗素子に十分な電圧を印加できるように、ワード線に印加する電圧を選択書き換え動作におけるセット動作時より高めに設定し、２つのトランジスタによる電圧降下を低減しておくことが好ましい。
【００９３】
さらに、本実施形態の駆動方法では、メモリ回路を構成する一方の可変抵抗素子が低抵抗化し、ソース線の電位が（ＶＡ＋ＶＢ）／２に上昇した後、他方の可変抵抗素子の高抵抗化が開始される。このため、イニシャライズ動作対象として選択されたメモリセルに接続するワード線には、上述の選択書き換え動作におけるリセット動作において選択されたメモリセルに接続するワード線にソース線を基準として印加される電圧ＶＷＬＲに（ＶＡ＋ＶＢ）／２を加えた程度の電圧を、ＶＷＬＩとして印加するとよい。さらに、リセット動作では、電流制限を極力行わず、可変抵抗素子を高抵抗化させることが好ましいため、ＶＷＬＩはより高めに設定することが好ましい。ただし、本実施形態の駆動方法では、かかるメモリ回路の両端にセット電圧以上の高電圧が印加されるため、高抵抗化対象でない可変抵抗素子に過剰な電圧が印加されることで、素子が破壊される虞がある。この対策として、イニシャライズ動作対象として選択されたメモリセルに接続するワード線に印加される電圧ＶＷＬＩを、選択書き換え動作におけるリセット動作時よりも低めに設定し、低抵抗状態の可変抵抗素子に分圧される電圧を低減することが好ましい。
【００９４】
つまり、イニシャライズ動作対象として選択されたメモリセルに接続するワード線に印加される電圧ＶＷＬＩは、下記の数１を満たすように設定されることが好ましい。
【００９５】
［数１］
ＶＷＬＳ＋（ＶＡ＋ＶＢ）／２  ＜  ＶＷＬＩ  ＜  ＶＷＬＲ＋（ＶＡ＋ＶＢ）／２
又は、第２電圧ＶＢを基準として、
ＶＷＬＳ＋（ＶＡ−ＶＢ）／２  ＜  ＶＷＬＩ−ＶＢ＜  ＶＷＬＲ＋（ＶＡ−ＶＢ）／２
【００９６】
以上、ＢＬ１〜ＢＬ６の６本のビット線を選択し、ワード線ＷＬ１に接続する６つの可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１６を含むメモリセルに対し、一括してイニシャライズ動作を行う場合を説明した。しかしながら、ＢＬ１〜ＢＬｍの全てのビット線を選択し、同一行に属するメモリセルに対して一括してイニシャライズ動作を行うことも可能である。ワード線ＷＬ１を選択する場合、第１のシークエンスを実行することで、ビット線ＢＬ１、ＢＬ３、ＢＬ５・・・ＢＬ（ｍ−１）に第１電圧を、ビット線ＢＬ２、ＢＬ４、ＢＬ６・・・ＢＬｍに第２電圧を印加し、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）に低抵抗状態が書き込まれ、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍに高抵抗状態が書き込まれる。その後、第２のシークエンスを実行することで、ビット線ＢＬ１、ＢＬ３、ＢＬ５・・・ＢＬ（ｍ−１）に第２電圧を、ビット線ＢＬ２、ＢＬ４、ＢＬ６・・・ＢＬｍに第１電圧を印加し、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）に高抵抗状態が書き込まれ、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍに低抵抗状態が書き込まれる。第１のシークエンスと第２のシークエンスを実行するだけで、ｍ個の素子に一度にイニシャライズ動作の１サイクルが行われる。
【００９７】
この結果、１メモリセル毎にイニシャライズ動作を行う場合と比べると、処理時間が単純換算で２／ｍに短縮され、大容量のメモリであるほど効果的となる。また、本発明の駆動方法では、ソース線（コモン線）に何ら電圧を加えない（フローティング状態とする）ため、負荷の大きいソース線の充放電時間を考慮する必要はない。
【００９８】
これに対し、イニシャライズ動作の方法としては、全てのビット線ＢＬ１〜ＢＬｍを選択し、第１のシークエンスにおいて可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１ｍのセット動作を一括して行い、その後、第２のシークエンスにおいて可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１ｍのリセット動作を一括して行う方法が考えられるが、図１３においてソース線（コモン線ＣＭＬ）の立ち上げ、立ち下げを伴うため、各シークエンスの間にソース線を一定の電圧にプリチャージする工程が必要になり、動作が非常に遅くなるという問題があった。
【００９９】
これに対し、本発明装置１及びその駆動方法では、ソース線をフローティング状態のままリセット動作とセット動作を行うため、イニシャライズに要する時間を大幅に短縮できる。
【０１００】
また、上述の通り、第１及び第２のシークエンスにおいて、一方の高抵抗状態の可変抵抗素子がセット動作により低抵抗状態に変化した後、他方の可変抵抗素子のリセット動作が開始されるものであるため、各ビット線に印加される第１電圧と第２電圧の電圧差は、選択書き換え動作におけるセット電圧ＶＳＥＴとリセット電圧ＶＲＳＴの和までは必要とされず、最低限セット電圧ＶＳＥＴ以上であれば、ワード線に印加する電圧ＶＷＬＩを調整することで、動作可能である。
【０１０１】
本実施形態では、初期化電圧印加回路１０３の書き換え電源線Ｖ１ａが、奇数番目のビット線ＢＬ２ｉ−１（但し、ｉ＝１〜［ｍ／２］）と接続し、書き換え電源線Ｖ１ｂが、偶数番目のビット線ＢＬ２ｉと接続していることにより、第１電圧ＶＡが印加される第１ビット線と第２電圧ＶＢが印加される第２ビット線とが、常に隣接するビット線同士となるように選択される。これにより、第１電圧Ｖ１及び第２電圧Ｖ２を印加した際に形成される複数の電流経路（図４、図５参照）において、ソース線（コモン線ＣＭＬ）上を電流が流れる電流経路が最短となるため、ソース線による負荷の影響を低減できる。
【０１０２】
さらに、かかる複数の電流経路同士が、ソース線上において合流することはないため、ソース線に流れる電流量が最小となり、ソース線による負荷の影響を低減できる。
【０１０３】
〈第２実施形態〉
上記第１実施形態では、本発明装置１が、２本の書き換え電源線Ｖ１ａとＶ１ｂを有する初期化電圧印加回路１０３を備え、かかる書き換え電源線Ｖ１ａとＶ１ｂの夫々が、１つおきにビット線と接続しているものを例示した。しかしながら、本発明は、かかる初期化電圧印加回路１０３の構成に限定されるものではない。
【０１０４】
特に、本発明装置１では、リセット動作に必要な電圧はソース線（コモン線ＣＭＬ）を介して印加されるため、ソース線の負荷が大きい場合、十分な電圧を高抵抗化対象の可変抵抗素子に印加できない場合がある。結果、十分なリセット電流を可変抵抗素子に流すことができず、高抵抗化が困難な場合がある。本実施形態では、この場合の解決方法の一例を示す。
【０１０５】
図７に、本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置（以下、「本発明装置２」と称す）において用いられるメモリセルアレイ１００とその周辺回路の回路構成図を示す。本発明装置２は、初期化電圧印加回路１０３の構成が本発明装置１と異なっている。記憶装置全体としての構成は、図１に示す回路ブロック図と同様であり、詳細な説明を割愛する。
【０１０６】
初期化電圧印加回路１０３は、３本の書き換え電源線Ｖ１ａ、Ｖ１ｂ、Ｖ１ｃを有し、夫々、異なる電圧をビット線ＢＬ１〜ＢＬｍに印加できるように構成されている。書き換え電源線Ｖ１ａは、ビット線ＢＬ１、ＢＬ４・・・ＢＬ（ｍ−２）と接続し、書き換え電源線Ｖ１ｂは、ビット線ＢＬ２、ＢＬ５・・・ＢＬ（ｍ−１）と接続し、書き換え電源線Ｖ１ｃは、ビット線ＢＬ３、ＢＬ６・・・ＢＬｍと接続している。つまり、書き換え電源線Ｖ１ａ、Ｖ１ｂ、及びＶ１ｃの夫々は、２つおきのビット線と接続している。
【０１０７】
図７の回路構成で、本発明のイニシャライズ動作を行う場合の駆動方法について説明する。この場合、イニシャライズ動作は、３つのシークエンス（電圧印加工程）からなる。
【０１０８】
図８に、かかるイニシャライズ動作時のタイミングチャートを示す。図中、時刻ｔｉとｔｉ＋１の間の間隔は、１００ｎｓｅｃ程度である。ここで、メモリセルアレイ１００は、フォーミング処理直後の状態であり、全ての可変抵抗素子が低抵抗状態にあるとする。
【０１０９】
先ず、図８の時刻ｔ１でワード線ＷＬ１を所定の電圧ＶＷＬＩ（ここでは、２．５Ｖ）に立ち上げた後、時刻ｔ２でφ１１〜φ１６、φ３１〜φ３３を立ち上げる。このとき、書き換え電源線Ｖ１ａ、Ｖ１ｂ、Ｖ１ｃともに、接地電圧ＧＮＤが供給されている状態である。φ２０〜φ２ｍは立ち下げた状態を維持する。
【０１１０】
次に、イニシャライズ動作の第１のシークエンスとして、書き換え電源線Ｖ１ａに第１電圧ＶＡ（例えば、３Ｖ）、書き換え電源線Ｖ１ｂに第２電圧ＶＢ（例えば、０Ｖ（ＧＮＤ））を印加する。具体的には、時刻ｔ４〜時刻ｔ６の期間、書き換え電源線Ｖ１ａの電圧をＧＮＤ（第２電圧ＶＢ）から第１電圧ＶＡに上昇させる。これにより、時刻ｔ４〜ｔ６の期間、ビット線ＢＬ１、ＢＬ４・・・ＢＬ（ｍ−２）に第１電圧ＶＡが、ビット線ＢＬ２、ＢＬ５・・・ＢＬ（ｍ−１）に第２電圧ＶＢが印加される。このとき、ソース線（コモン線ＣＭＬ）の電位は、φ２０〜φ２ｍが立ち下がっていることにより、不定状態である。
【０１１１】
この結果生じる電流経路の概略図を、特に可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１３を有するメモリセルに流れる電流について、図９の実線に示す。かかる電圧印加により、ビット線ＢＬ１から、可変抵抗素子Ｒ１１、トランジスタＱ１１、ソース線（コモン線ＣＭＬ）、トランジスタＱ１２、及び、可変抵抗素子Ｒ１２を経由し、ビット線ＢＬ２へ流れ込む電流経路が生成される。
【０１１２】
さらに、時刻ｔ５〜時刻ｔ６において、書き換え電源線Ｖ１ｃの電圧をＧＮＤ（第２電圧ＶＢ）から第３電圧ＶＣ（例えば、３Ｖ）に上昇させることで、ビット線ＢＬ３、ＢＬ６・・・ＢＬｍに第３電圧ＶＣを印加する。この結果生じる電流経路の概略図を、特に可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１３を有するメモリセルに流れる電流について、図９の点線に示す。ビット線ＢＬ３から、可変抵抗素子Ｒ１３、トランジスタＱ１３、ソース線（コモン線ＣＭＬ）、トランジスタＱ１２、及び、可変抵抗素子Ｒ１２を経由し、ビット線ＢＬ２へ流れ込む電流経路が生成される。
【０１１３】
この結果、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）には、セット（低抵抗化）方向に電圧が印加され、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）には、リセット（高抵抗化）方向に電圧が印加される。今、Ｒ１１〜Ｒ１ｍは低抵抗状態にあるので、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）を有するメモリセルのリセット動作が開始され、高抵抗状態に変化する。一方、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）、及び、可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍは、低抵抗状態の素子にさらにセット方向に電圧を印加しても、抵抗状態は変化せず、低抵抗状態を維持する。
【０１１４】
次に、第１のシークエンスの実行後、第２のシークエンスとして、書き換え電源線Ｖ１ｂに第１電圧ＶＡ、書き換え電源線Ｖ１ｃに第２電圧ＶＢを印加する。具体的には、時刻ｔ７〜時刻ｔ９の期間、書き換え電源線Ｖ１ｂの電圧をＧＮＤ（第２電圧ＶＢ）から第１電圧ＶＡに上昇させる。これにより、時刻ｔ７〜時刻ｔ９の期間、ビット線ＢＬ２、ＢＬ５・・・ＢＬ（ｍ−１）に第１電圧ＶＡが、ビット線ＢＬ３、ＢＬ６・・・ＢＬｍに第２電圧ＶＢが印加される。このとき、ソース線（コモン線ＣＭＬ）の電位は、φ２０〜φ２ｍが立ち下がっていることにより、不定状態である。
【０１１５】
この結果生じる電流経路の概略図を、特に可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１３を有するメモリセルに流れる電流について、図１０の実線に示す。かかる電圧印加により、ビット線ＢＬ２から、可変抵抗素子Ｒ１２、トランジスタＱ１２、ソース線（コモン線ＣＭＬ）、トランジスタＱ１３、及び、可変抵抗素子Ｒ１３を経由し、ビット線ＢＬ３へ流れ込む電流経路が生成される。
【０１１６】
この結果、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）には、セット（低抵抗化）方向に電圧が印加され、可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍには、リセット（高抵抗化）方向に電圧が印加される。時刻ｔ７では、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）、及び、可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍは低抵抗状態にあり、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）は高抵抗状態にある。
【０１１７】
このとき、高抵抗状態の可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）に印加電圧ＶＡ−ＶＢの殆どが印加され、可変抵抗素子に電流は殆ど流れない。ソース線の電位は、第２電圧ＶＢに近い電圧に低下する。ここで、第１電圧と第２電圧の電圧差ＶＡ−ＶＢが、セット動作に必要な電圧よりも高ければ、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）を有するメモリセルのセット動作が開始され、数ナノ秒後には低抵抗状態に変化する。この結果、時刻ｔ８において可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）の低抵抗化が完了し、上記の電流経路に電流が流れ、ソース線の電位はＶＡとＶＢの間の中間電位に上昇する。
【０１１８】
さらに、時刻ｔ８〜時刻ｔ９において、書き換え電源線Ｖ１ａの電圧をＧＮＤ（第２電圧ＶＢ）から第３電圧ＶＣに上昇させることで、ビット線ＢＬ１、ＢＬ４・・・ＢＬ（ｍ−２）に第３電圧ＶＣを印加する。この結果生じる電流経路の概略図を、特に可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１３を有するメモリセルに流れる電流について、図１０の点線に示す。ビット線ＢＬ１から、可変抵抗素子Ｒ１１、トランジスタＱ１１、ソース線（コモン線ＣＭＬ）、トランジスタＱ１３、及び、可変抵抗素子Ｒ１３を経由し、ビット線ＢＬ３へ流れ込む電流経路が生成される。つまり、時刻ｔ８〜時刻ｔ９において、可変抵抗素子Ｒ１３に流れる電流は、図１０の実線と点線で表される電流の和となる。
【０１１９】
かかる電流が、低抵抗状態の可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍに、リセット方向に電流が流れ込むことにより、可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍのリセット動作が開始され、数十ナノ秒〜数百ナノ秒で高抵抗状態に変化する。この結果、時刻ｔ９において可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍの低抵抗化が完了する。一方、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）、及び、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）は、低抵抗状態の素子にさらにセット方向に電圧を印加しても、抵抗状態は変化せず、低抵抗状態を維持する。
【０１２０】
次に、第２のシークエンスの実行後、第３のシークエンスとして、書き換え電源線Ｖ１ｃに第１電圧ＶＡ、書き換え電源線Ｖ１ａに第２電圧ＶＢを印加する。具体的には、時刻ｔ１０〜時刻ｔ１２の期間、書き換え電源線Ｖ１ｃの電圧をＧＮＤ（第２電圧ＶＢ）から第１電圧ＶＡに上昇させる。これにより、時刻ｔ１０〜時刻ｔ１２の期間、ビット線ＢＬ３、ＢＬ６・・・ＢＬｍに第１電圧ＶＡが、ビット線ＢＬ１、ＢＬ４・・・ＢＬ（ｍ−２）に第２電圧ＶＢが印加される。このとき、ソース線（コモン線ＣＭＬ）の電位は、φ２０〜φ２ｍが立ち下がっていることにより、不定状態である。
【０１２１】
この結果生じる電流経路の概略図を、特に可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１３を有するメモリセルに流れる電流について、図１１の実線に示す。かかる電圧印加により、ビット線ＢＬ３から、可変抵抗素子Ｒ１３、トランジスタＱ１３、ソース線（コモン線ＣＭＬ）、トランジスタＱ１１、及び、可変抵抗素子Ｒ１１を経由し、ビット線ＢＬ１へ流れ込む電流経路が生成される。
【０１２２】
この結果、可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍには、セット（低抵抗化）方向に電圧が印加され、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）には、リセット（高抵抗化）方向に電圧が印加される。時刻ｔ１０では、可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍは高抵抗状態にあり、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）、及び、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）は低抵抗状態にある。
【０１２３】
このとき、高抵抗状態の可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍに印加電圧ＶＡ−ＶＢの殆どが印加され、可変抵抗素子に電流は殆ど流れない。ソース線の電位は、第２電圧ＶＢに近い電圧に低下する。ここで、第１電圧と第２電圧の電圧差ＶＡ−ＶＢが、セット動作に必要な電圧よりも高ければ、可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍを有するメモリセルのセット動作が開始され、数ナノ秒後には低抵抗状態に変化する。この結果、この結果、時刻ｔ１１において可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍの低抵抗化が完了し、上記の電流経路に電流が流れ、ソース線の電位はＶＡとＶＢの間の中間電位に上昇する。
【０１２４】
さらに、時刻ｔ１１〜時刻ｔ１２において、書き換え電源線Ｖ１ｂの電圧をＧＮＤ（第２電圧ＶＢ）から第３電圧ＶＣに上昇させることで、ビット線ＢＬ２、ＢＬ５・・・ＢＬ（ｍ−１）に第３電圧ＶＣを印加する。この結果生じる電流経路の概略図を、特に可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１３を有するメモリセルに流れる電流について、図１１の点線に示す。ビット線ＢＬ２から、可変抵抗素子Ｒ１２、トランジスタＱ１２、ソース線（コモン線ＣＭＬ）、トランジスタＱ１１、及び、可変抵抗素子Ｒ１１を経由し、ビット線ＢＬ１へ流れ込む電流経路が生成される。つまり、時刻ｔ１１〜時刻ｔ１２において、可変抵抗素子Ｒ１１に流れる電流は、図１１の実線と点線で表される電流の和となる。
【０１２５】
かかる電流が、低抵抗状態の可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）に、リセット方向に電流が流れ込むことにより、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−１）のリセット動作が開始され、数十ナノ秒〜数百ナノ秒で高抵抗状態に変化する。この結果、時刻ｔ１２において可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）の低抵抗化が完了する。一方、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）、及び、可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍは、低抵抗状態の素子にさらにセット方向に電圧を印加しても、抵抗状態は変化せず、低抵抗状態を維持する。
【０１２６】
上記の第１乃至第３のシークエンスにより、イニシャライズ動作の１サイクルが終了する。以降、時刻ｔ３〜時刻ｔ１２までのサイクルが繰り返される。
【０１２７】
時刻ｔ１３〜時刻ｔ１５（図示しないが、時刻ｔ４〜時刻ｔ６に相当する）において、再び第１のシークエンスを実行し、書き換え電源線Ｖ１ａの電圧をＧＮＤ（第２電圧ＶＢ）から第１電圧ＶＡに上昇させる。これにより、ビット線ＢＬ１、ＢＬ４・・・ＢＬ（ｍ−２）に第１電圧ＶＡが、ビット線ＢＬ２、ＢＬ５・・・ＢＬ（ｍ−１）に第２電圧ＶＢが印加される。このとき、ソース線（コモン線ＣＭＬ）の電位は、φ２０〜φ２ｍが立ち下がっていることにより、不定状態である。
【０１２８】
この結果、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）には、セット（低抵抗化）方向に電圧が印加され、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）には、リセット（高抵抗化）方向に電圧が印加される。時刻ｔ１３では、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）は高抵抗状態にあり、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）、及び、可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍは低抵抗状態にある。
【０１２９】
このとき、高抵抗状態の可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）に印加電圧ＶＡ−ＶＢの殆どが印加され、可変抵抗素子に電流は殆ど流れない。ソース線の電位は、第２電圧ＶＢに近い電圧に低下する。ここで、第１電圧と第２電圧の電圧差ＶＡ−ＶＢが、セット動作に必要な電圧よりも高ければ、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）を有するメモリセルのセット動作が開始され、数ナノ秒後には低抵抗状態に変化する。この結果、時刻ｔ１４において可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）の低抵抗化が完了し、上記の電流経路に電流が流れ、ソース線の電位はＶＡとＶＢの間の中間電位に上昇する。
【０１３０】
さらに、時刻ｔ１４〜時刻ｔ１５において、書き換え電源線Ｖ１ａの電圧をＧＮＤ（第２電圧ＶＢ）から第３電圧ＶＣに上昇させることで、ビット線ＢＬ１、ＢＬ４・・・ＢＬ（ｍ−２）に第３電圧ＶＣを印加する。この結果生じる電流経路は、図９に示した通りである。図９では、特に可変抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１３を有するメモリセルに流れる電流が示されているが、可変抵抗素子Ｒ１２に流れる電流は、第１電圧ＶＡが印加されたビット線ＢＬ１からソース線（コモン線ＣＭＬ）及びトランジスタＱ１２を介して可変抵抗素子Ｒ１２に流れ込む電流（図９の実線）と、第３電圧ＶＣが印加されたビット線ＢＬ３からソース線（コモン線ＣＭＬ）及びトランジスタＱ１２を介して可変抵抗素子Ｒ１２に流れ込む電流（図９の点線）との和となる。
【０１３１】
かかる電流が、低抵抗状態の可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）に、リセット方向に電流が流れ込むことにより、可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−１）のリセット動作が開始され、数十ナノ秒〜数百ナノ秒で高抵抗状態に変化する。この結果、時刻ｔ１５において可変抵抗素子Ｒ１２、Ｒ１５・・・Ｒ１（ｍ−２）の低抵抗化が完了する。一方、可変抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１４・・・Ｒ１（ｍ−２）、及び、可変抵抗素子Ｒ１３、Ｒ１６・・・Ｒ１ｍは、低抵抗状態の素子にさらにセット方向に電圧を印加しても、抵抗状態は変化せず、低抵抗状態を維持する。
【０１３２】
このようにイニシャライズ動作を行うことで、１メモリセル毎にイニシャライズ動作を行う場合と比べると、処理時間が単純換算で３／ｍに短縮される。また、ソース線（コモン線）に何ら電圧を加えない（フローティング状態とする）ため、負荷の大きいソース線の充放電時間を考慮する必要はない。
【０１３３】
上記の第１乃至第３のシークエンスによる電圧印加手順をビット線毎に表にしたものを図１２（ａ）に、各シークエンス後のメモリセルの可変抵抗素子の抵抗状態を、メモリセルが接続するビット線毎に表にしたものを図１２（ｂ）に示す。図１２から、全てのビット線が、第１乃至第３のシークエンス全体を通して、第１電圧Ｖ１を印加するビット線（第１ビット線）として一度選択され、且つ、第２電圧Ｖ２を印加するビット線（第２ビット線）として一度選択されていることが分かる。第１電圧ＶＡが印加される第１ビット線と第２電圧ＶＢが印加される第２ビット線の本数は、同数であることが好ましい。
【０１３４】
このように第１ビット線と第２ビット線の選択を行うことで、第１乃至第３のシークエンスにより、全ての選択されたメモリセルについて、リセット動作とセット動作が１回ずつ実行され、第１乃至第３のシークエンスを繰り返し実行することで、イニシャライズ動作を効率よく、高速に行うことができる。
【０１３５】
本発明装置２及びその駆動方法では、第１ビット線および第２ビット線の何れにも選択されないビット線（第３ビット線）を選択し、第１ビット線に第１電圧ＶＡ、及び、第２ビット線に第２電圧ＶＢの印加中に、かかる第３ビット線に第３電圧ＶＣを遅れて印加している。第３電圧ＶＣの印加により、高抵抗化（リセット）対象の低抵抗状態の可変抵抗素子に流すリセット電流を増大させ、ソース線（コモン線ＣＭＬ）の負荷が大きい場合であっても、十分な電流を高抵抗化対象の可変抵抗素子に供給することができる。
【０１３６】
したがって、第３電圧ＶＣを印加するビット線の本数を増やすことで、より大きなリセット電流が得られる。例えば、本実施形態の駆動方法では、第３電圧を印加するビット線の本数は、第１電圧を印加するビット線の本数と同数となっているが、本発明装置２における書き換え電源線とビット線の接続法を変更し、第３電圧を印加するビット線の本数を、第１電圧を印加するビット線の本数の２倍とすることで、より大きなリセット電流を期待できる。ただし、イニシャライズ動作に要する処理時間は４／ｍに増加する。
【０１３７】
なお、第３電圧ＶＣの電圧値については、第１電圧が第２電圧よりも高電圧（ＶＡ＞ＶＢ）とした場合、ＶＣ＞（ＶＡ＋ＶＢ）／２であればリセット電流増大の効果が得られる。しかしながら、第３電圧ＶＣとして、第１電圧ＶＡと同じ電圧を印加するのが好適である。
【０１３８】
以上、本発明装置１、２及びその駆動方法に依れば、メモリセルアレイのイニシャライズ動作に要する時間が短縮され、安定動作が可能で、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を実現することができる。
【０１３９】
〈別実施形態〉
以下に、別実施形態につき説明する。
【０１４０】
〈１〉上記実施形態では、不揮発性半導体記憶装置が、書き換え電圧印加回路１０３を備え、書き換え電源線Ｖ１ａ〜Ｖ１ｃの何れかを介して選択されたビット線に第１電圧ＶＡ又は第２電圧ＶＢの何れかを印加する構成となっているが、本発明において、必ずしもこのような書き換え電圧印加回路１０３の構成は必要ではない。制御回路１０４が、第１電圧ＶＡを印加する第１ビット線と第２電圧ＶＢを印加する第２ビット線を、イニシャライズ動作対象として選択されたメモリセルに接続するビット線群の中から選択できるように構成されている限り、その構成は問わない。
【０１４１】
〈２〉上記実施形態では、メモリセルアレイ１００が、ソース線に対して正の電圧を選択されたビット線に印加されることで、メモリセルのセット動作が行われ、ソース線に対して負の電圧を選択されたビット線に印加されることで、メモリセルのリセット動作が行われる構成である。しかしながら、これは逆であってもよい。その場合、イニシャライズ動作において、第１電圧ＶＡが第２電圧ＶＢより低電圧（ＶＡ＜ＶＢ）としたとき、第１電圧が印加される第１ビット線に接続するメモリセルの可変抵抗素子がセット動作により低抵抗化され、第２電圧が印加される第２ビット線に接続するメモリセルの可変抵抗素子がリセット動作により高抵抗化されることとなる。この場合において、第２実施形態において、第３ビット線を選択する場合は、第３電圧ＶＣとして、ＶＣ＜（ＶＡ＋ＶＢ）／２を満足する電圧を第３ビット線に印加する。第３電圧ＶＣとして、第１電圧と同じ電圧を印加するのが好適である。
【０１４２】
〈３〉上記実施形態では、一本のワード線を選択し、複数のビット線に接続するメモリセルに対して一括してイニシャライズ動作を行う例を説明したが、複数本のワード線を選択してイニシャライズ動作を行うこともできる。
【０１４３】
〈４〉上記実施形態では、メモリセルアレイが、メモリセルの２つの入出力端子のうち、可変抵抗素子側の一方の入出力端子をビット線ＢＬ１〜ＢＬｍに接続し、トランジスタ側の他方の入出力端子をソース線（コモン線ＣＭＬ）に接続して、メモリセルアレイが構成されているが、これは逆であってもよい。メモリセルアレイが、メモリセルのトランジスタ側の一方の入出力端子をビット線ＢＬ１〜ＢＬｍに接続し、可変抵抗素子側の他方の入出力端子をソース線（コモン線ＣＭＬ）に接続したメモリセルアレイであっても、本発明のイニシャライズ動作を行うことができる。
【０１４４】
〈５〉本発明のイニシャライズ方法は、バイポーラ型の可変抵抗素子を備えたメモリセルアレイに対して好適に行うことができる。ここで、可変抵抗素子の構成としては、バイポーラ型の抵抗変化を示す素子であれば足り、可変抵抗体や電極の材料、或いは素子のサイズ等により本発明が制限されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【０１４５】
本発明は、半導体記憶装置に利用可能であり、特に、大容量で信頼性の高い不揮発性メモリに利用することができる。
【符号の説明】
【０１４６】
１：  本発明に係る半導体記憶装置
１１、１２：  電極
１３：  可変抵抗体（金属酸化膜）
１４：  酸素欠損
１００、２００：  メモリセルアレイ
１０１、２０１：  書き換え電圧印加回路
１０２、２０２：  共通電圧印加回路
１０３：  初期化電圧印加回路
１０４：  制御回路
１０５：  電圧発生回路
１０６：  ワード線デコーダ
１０７：  ビット線デコーダ
ＢＬ１〜ＢＬｍ：  ビット線
ＣＭＬ：  コモン線
Ｑ１１〜Ｑｎｍ：  セル選択トランジスタ
Ｒ１１〜Ｒｎｍ：  可変抵抗素子
Ｖ１ａ〜Ｖ１ｃ：  書き換え電源線
Ｖ２：  プリチャージ電源線
ＶＡ：  第１電圧
ＶＢ：  第２電圧
ＶＣ：  第３電圧
ＷＬ１〜ＷＬｎ：  ワード線
φ０、φ１１〜φ１ｍ、φ２１〜φ２ｍ、φ３１〜φ３３：  切替信号 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年3月19日(2013.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【特許文献１】特開２０１２−３８４０８号公報