(57)【要約】【課題】配線基板の反りを抑制し、熱による不具合の発生を防止することができ、かつ配線基板に簡単に接合することのできる補助部材の製造方法を提供すること。【解決手段】本体４１Ａを用意し、本体４１Ａの不要部分を除去することにより、本体４１Ａを所望形状に加工する第１の工程と、第１の工程にて所望形状に加工された本体４１Ａ（４１）の一方の面側に接着剤を塗布し、本体４１Ａの形状に対応した形状の接着層４２を形成する第２の工程とを有し、本体４１Ａと接着層４２とによって補強部材４が構成される。【選択図】図６
2013080806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板の前記一方の面および前記他方の面の少なくとも１つの面に接合される補強部材の製造方法であって、
前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の本体を用意し、前記本体の不要部分を除去することにより、前記本体を所望形状に加工する第１の工程と、
前記第１の工程にて所望形状に加工された前記本体の一方の面側に接着剤を塗布し、前記本体の形状に対応した形状の接着層を形成する第２の工程とを有し、
前記本体と前記接着層とによって前記補強部材が構成されることを特徴とする補強部材の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程では、前記接着剤をスクリーン印刷によって前記本体に塗布することにより前記接着層を形成する請求項１に記載の補強部材の製造方法。
【請求項３】
基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板の前記一方の面および前記他方の面の少なくとも１つの面に接合される補強部材の製造方法であって、
前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の本体を用意する第１の工程と、
前記本体の一方の面側に接着剤を塗布することにより、所望形状の接着層を形成する第２の工程と、
前記本体の不要部分を除去し、前記本体を前記接着層に対応した形状に加工する第３の工程とを有し、
前記本体と前記接着層とによって前記補強部材が構成されることを特徴とする補強部材の製造方法。
【請求項４】
前記第１の工程では、前記接着剤をスクリーン印刷によって前記本体に塗布することにより前記接着層を形成する請求項３に記載の補強部材の製造方法。
【請求項５】
前記接着剤には、前記配線基板の熱を前記本体に伝達する熱伝導材料が含まれている請求項１ないし４のいずれかに記載の補強部材の製造方法。
【請求項６】
前記接着剤は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成物で構成されている請求項３に記載の補強部材の製造方法。
【請求項７】
前記接着層は、絶縁性を有している請求項１ないし６のいずれかに記載の補強部材の製造方法。
【請求項８】
前記本体は、金属材料で構成されている請求項１ないし７のいずれかに記載の補強部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、補強部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使用される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型化かつ多ピン化が進んできている。
【０００３】
半導体パッケージはその小型化に伴って、従来のようなリードフレームを使用した形態のパッケージでは、小型化に限界がきているため、最近では回路基板上にチップを実装したものとして、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）や、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と言った、エリア実装型の新しいパッケージ方式が提案されている。
【０００４】
ＢＧＡやＣＳＰ等の新しいパッケージに用いられるインターポーザは、一般に、繊維基材に樹脂組成物を含浸してなる基板に導体パターンや導体ポストが形成されてなる。
【０００５】
このようなインターポーザは、チップとの熱膨張係数差が大きい。また、インターポーザは、通常、チップよりも大面積となるため、チップと接触していない部分の面積が大きい。このようなチップと接触していない部分は、剛性が極めて低く、前述したようなチップとインターポーザの熱膨張差に起因して、常温ではチップを外側にして反りやすく、電気的接続の信頼性を低下させるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２７０７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、配線基板の反りを抑制し、熱による不具合の発生を防止することができ、かつ配線基板に簡単に接合することのできる補助部材の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記（１）〜（８）の本発明により達成される。
（１）  基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板の前記一方の面および前記他方の面の少なくとも１つの面に接合される補強部材の製造方法であって、
前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の本体を用意し、前記本体の不要部分を除去することにより、前記本体を所望形状に加工する第１の工程と、
前記第１の工程にて所望形状に加工された前記本体の一方の面側に接着剤を塗布し、前記本体の形状に対応した形状の接着層を形成する第２の工程とを有し、
前記本体と前記接着層とによって前記補強部材が構成されることを特徴とする補強部材の製造方法。
【０００９】
（２）  前記第２の工程では、前記接着剤をスクリーン印刷によって前記本体に塗布することにより前記接着層を形成する上記（１）に記載の補強部材の製造方法。
【００１０】
（３）  基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板の前記一方の面および前記他方の面の少なくとも１つの面に接合される補強部材の製造方法であって、
前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の本体を用意する第１の工程と、
前記本体の一方の面側に接着剤を塗布することにより、所望形状の接着層を形成する第２の工程と、
前記本体の不要部分を除去し、前記本体を前記接着層に対応した形状に加工する第３の工程とを有し、
前記本体と前記接着層とによって前記補強部材が構成されることを特徴とする補強部材の製造方法。
【００１１】
（４）  前記第１の工程では、前記接着剤をスクリーン印刷によって前記本体に塗布することにより前記接着層を形成する上記（３）に記載の補強部材の製造方法。
【００１２】
（５）  前記接着剤には、前記配線基板の熱を前記本体に伝達する熱伝導材料が含まれている上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の補強部材の製造方法。
【００１３】
（６）  前記接着剤は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成物で構成されている上記（３）に記載の補強部材の製造方法。
【００１４】
（７）  前記接着層は、絶縁性を有している上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の補強部材の製造方法。
【００１５】
（８）  前記本体は、金属材料で構成されている上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の補強部材の製造方法。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の補強部材の製造方法によれば、補強部材を簡単に製造することができる。また、補強部材が接着層を有しているため、配線基板に簡単に貼り付けることができる。配線基板は、補強部材により補強されるため、全体の剛性が増す。
【００１７】
特に、補強部材の本体が熱伝導性に優れる部材（例えば、金属材料等）で構成されている場合には、配線基板等で発生した熱を本体から効率的に放熱することができる。このように放熱性に優れていることにより、配線基板の昇温を抑えるこることができるので、この点でも、配線基板の反りを抑制または防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る補強部材の製造方法によって製造された補強部材を用いた半導体パッケージを模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体パッケージを示す上面図である。
【図３】図１に示す半導体パッケージを示す下面図である。
【図４】図１に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図５】図１に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図６】図１に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図７】図１に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。
【図８】図１に示す半導体パッケージを備える半導体装置を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る補強部材の製造方法の一例を示す図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る補強部材の製造方法の一例を示す図である。
【図１１】第４実施形態の半導体パッケージを模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図面に基づき、本発明の補強部材の製造方法の好適な実施形態について説明する。
【００２０】
＜第１実施形態＞
（半導体パッケージ）
まず、本発明の補強部材の製造方法によって製造された補強部材を用いた半導体パッケージについて説明する。
【００２１】
図１は、本発明の第１実施形態に係る補強部材の製造方法によって製造された補強部材を用いた半導体パッケージを模式的に示す断面図、図２は、図１に示す半導体パッケージを示す上面図、図３は、図１に示す半導体パッケージを示す下面図、図４〜図７は、図１に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１〜図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図１〜図７では、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【００２２】
図１に示すように、半導体パッケージ１は、配線基板２と、この配線基板２上に搭載された半導体素子３と、第１補強部材（補強部材）４と、第２補強部材（補強部材）５とを有する。
【００２３】
このような半導体パッケージ１によれば、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板２の両面が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。特に、第１補強部材４および第２補強部材５の熱膨張係数が配線基板２（具体的には後述する基板２１）よりも小さいため、半導体素子３が配線基板２の全面に亘って設けられているのと同様に、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【００２４】
また、配線基板２自体の剛性を高める必要がなく、配線基板２の厚さを薄くすることができるので、配線基板２の厚さ方向での熱伝導性を高めることができる。そのため、半導体パッケージ１は、半導体素子３からの熱を配線基板２を介して逃すことができる。したがって、半導体パッケージ１は、優れた放熱性を発揮することができる。また、第１補強部材４および第２補強部材５の構成材料を適宜選択することにより、半導体パッケージ１の放熱性を高めることもできる。
【００２５】
このようなことから、半導体素子３および配線基板２の昇温を抑えるこることができるので、この点でも、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【００２６】
以下、半導体パッケージ１の各部を順次詳細に説明する。
［配線基板］
配線基板２は、半導体素子３を支持する基板であり、例えば、その搭載した半導体素子３と後述するようなマザーボード２００との電気的接続を中継する中継基板（インターポーザ）である。また、配線基板２は、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。
【００２７】
配線基板２は、基板２１と、導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４と、導体ポスト２３１、２３２、２３３と、伝熱ポスト２４と、ソルダーレジスト２５、２６とを有している。
【００２８】
なお、本実施形態では、導体パターン２２１は、基板２１の一方の面側に設けられた第１導体パターンを構成し、導体パターン２２４は、基板２１の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンを構成する。
【００２９】
基板２１は、複数（本実施形態では３層）の絶縁層２１１、２１２、２１３で構成されている。より具体的には、基板２１は、絶縁層２１１、絶縁層２１２、絶縁層２１３がこの順で積層されて構成されている。なお、基板２１を構成する絶縁層の数は、これに限定されず、１または２層であってもよいし、４層以上であってもよい。
【００３０】
各絶縁層２１１、２１２、２１３は、絶縁性を有する材料で構成されている。具体的には、各絶縁層２１１、２１２、２１３は、基材（繊維基材）と、その基材に含浸された樹脂組成物とで構成されている。
【００３１】
基材は、各絶縁層２１１、２１２、２１３の芯材として用いられるものである。このような基材を有することにより、基板２１の剛性を高めることができる。
【００３２】
基材としては、例えば、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維で構成されたガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維、ポリベンゾオキサゾール樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等が挙げられる。これらの中でも、かかる基材としては、ガラス繊維基材が好ましい。これにより、基板２１の剛性を高めるとともに、基板２１の薄型化を図ることができる。さらに、基板２１の熱膨張係数も小さくすることができる。
【００３３】
このようなガラス繊維基材を構成するガラスとしては、例えば、Ｅガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、Ｈガラス、石英ガラス（Ｑガラス）等が挙げられる。これらの中でもＴガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の熱膨張係数を小さくすることができ、それによって基板２１の熱膨張係数を小さくすることができる。
【００３４】
また、絶縁層２１１、２１２、２１３が基材を含む場合、絶縁層２１１、２１２、２１３における基材の含有率は、それぞれ、３０〜７０ｗｔ％であることが好ましく、４０〜６０ｗｔ％であることがより好ましい。これにより、これらの絶縁層のひび割れ等の破損を確実に防ぎつつ、各絶縁層の電気絶縁性および熱膨張係数を十分に低いものとすることができる。なお、絶縁層２１１、２１２、２１３のうちの少なくとも１層は、基材を含まずに樹脂組成物のみで構成されていてもよい。
【００３５】
このような基材に含浸される樹脂組成物は、樹脂材料が含まれている。かかる樹脂材料としては、熱硬化性樹脂が好適に用いられる。
【００３６】
前記熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、シアネート樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂等が挙げられる。
【００３７】
これらの中でも、特に、シアネート樹脂が好ましい。これにより、基板２１の熱膨張係数を十分に小さくすることができる。さらに、基板２１の電気特性（低誘電率、低誘電正接等）を優れたものとすることができる。
【００３８】
また、前記樹脂組成物は、フィラーを含むのが好ましい。すなわち、絶縁層２１１、２１２、２１３は、それぞれ、フィラーを含むことが好ましい。これにより、絶縁層２１１、２１２、２１３の熱膨張係数を低くすることができる。
前記フィラーとしては、各種無機フィラーまたは有機フィラーが挙げられる。
【００３９】
無機フィラー（無機充填材）としては、例えば、シリカ、アルミナ、ベーマイト、ケイ藻土、酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、金属フェライト等の酸化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物、炭酸カルシウム（軽質、重質）、炭酸マグネシウム、ドロマイト、ドーソナイト等の炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、硫酸アンモニウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、タルク、マイカ、クレー、ガラス繊維、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト等のケイ酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、カーボンブラック、グラファイト、炭素繊維等の炭素、その他鉄粉、銅粉、アルミニウム粉、亜鉛華、硫化モリブデン、ボロン繊維、チタン酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛が挙げられる。
【００４０】
また、有機フィラーとしては、合成樹脂粉末が挙げられる。この合成樹脂粉末としては、例えば、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル、アクリル樹脂、アセタール樹脂、ポリエチレン、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリスルホン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、フッ素樹脂、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等の各種熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂の粉末、またはこれらの樹脂の共重合体の粉末が挙げられる。また、有機フィラーの他の例としては、芳香族または脂肪族ポリアミド繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエステル繊維、アラミド繊維等が挙げられる。
【００４１】
前述したようなフィラーの中でも、無機フィラーを用いるのが好ましい。これにより、絶縁層２１１、２１２、２１３の熱膨張係数を効果的に低めることができる。また、絶縁層２１１、２１２、２１３の伝熱性を高めることもできる。
【００４２】
特に、無機フィラーの中でも、シリカが好ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。
【００４３】
無機フィラーの平均粒子径は、特に限定されないが、０．０５〜２．０μｍが好ましく、特に０．１〜１．０μｍが好ましい。これにより、絶縁層２１１、２１２、２１３中で、無機フィラーは、より均一に分散することができ、絶縁層２１１、２１２、２１３の物理的強度および絶縁性を特に優れたものとすることができる。
【００４４】
なお、上記無機フィラーの平均粒子径は、例えば、粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により測定することができる。また、本明細書において、平均粒子径とは、体積基準での平均粒子径を指す。
【００４５】
絶縁層２１１、２１２、２１３における無機充填材の含有量は、それぞれ、特に限定されないが、基材を除く樹脂組成物を１００ｗｔ％としたときに、３０〜８０ｗｔ％が好ましく、特に４５〜７５ｗｔ％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、絶縁層２１１、２１２、２１３は、熱膨張係数が十分に低く、吸湿性が特に低いものとなる。
【００４６】
また、前記樹脂組成物は、前述した熱硬化性樹脂の他、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂含んでいてもよい。
【００４７】
また、前記樹脂組成物は、必要に応じて、顔料、染料、酸化防止剤等の上記成分以外の添加物を含んでいてもよい。
【００４８】
また、絶縁層２１１、２１２、２１３は、互いに同じ材料で構成されていてもよいし、互いに異なる材料で構成されていてもよい。
【００４９】
上述したような複数の層で構成された基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、３０μｍ以上８００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。
【００５０】
このような基板２１の絶縁層２１１の上面には、導体パターン２２１が形成されている。また、絶縁層２１１と絶縁層２１２との間には、導体パターン２２２が介挿されている。また、絶縁層２１２と絶縁層２１３との間には、導体パターン２２３が介挿されている。また、絶縁層２１３の下面には、導体パターン２２４が形成されている。
【００５１】
この導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４は、それぞれ、複数の配線を有する回路として機能するものである。
【００５２】
導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４の構成材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金等の各種金属および各種合金が挙げられる。中でも、かかる構成材料としては、銅および銅系合金を用いるのが好ましい。銅および銅系合金は、電気伝導率が比較的高いものである。そのため、配線基板２の電気的特性を良好なものとすることができる。また、銅および銅系合金は熱伝導性にも優れるので、配線基板２の放熱性を向上させることもできる。
【００５３】
また、導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４の平均厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
【００５４】
また、絶縁層２１１には、その厚さ方向に貫通するビアホールが形成され、そのビアホール内に導体ポスト（ビアポスト）２３１が設けられている。この導体ポスト２３１は、絶縁層２１１をその厚さ方向に貫通しており、導体ポスト２３１を介して導体パターン２２１と導体パターン２２２とが導通している。
【００５５】
同様に、絶縁層２１２には、その厚さ方向に貫通する導体ポスト（ビアポスト）２３２が設けられている。この導体ポスト２３２は、絶縁層２１２をその厚さ方向に貫通しており、導体ポスト２３２を介して導体パターン２２２と導体パターン２２３とが導通している。
【００５６】
また、絶縁層２１３には、その厚さ方向に貫通する導体ポスト（ビアポスト）２３３が設けられている。この導体ポスト２３３は、絶縁層２１３をその厚さ方向に貫通しており、導体ポスト２３３を介して導体パターン２２３と導体パターン２２４とが導通している。
【００５７】
また、絶縁層２１１の上面には、所定部位に貫通孔を有するソルダーレジスト２５が形成されており、前記貫通孔から導体パターン２２１の接続用電極部が露出している。この露出した部分には、金属バンプ３１が接合されており、この金属バンプ３１を介して半導体素子３と導体パターン２２１とが導通している。
【００５８】
ソルダーレジスト２５は、絶縁性を有しており、導体パターン２２１の不要部への半田の付着を防止したり、埃、熱、湿気などから導体パターン２２１を保護したり、導体パターン２２１間の電気絶縁性を維持したりする目的で形成されている。このようなソルダーレジスト２５の構成材料としては、絶縁性を有していれば、特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂を主材料とする熱硬化性レジスト等を用いることができる。また、例えば、ＰＳＲ４０００／ＡＵＳ３０８、ＡＵＳ７０３（太陽インキ製造製）およびＳＲ−７２００Ｇ（日立化成工業製）の商品名で市販されているものを用いることもできる。
【００５９】
ソルダーレジスト２５の形成方法は、特に限定されず、例えば、熱硬化性レジストを塗布して硬化させたのち、レーザーを照射することによって貫通孔を形成してもよいし、感光性液状レジストをスクリーン印刷し、露光、硬化させる方法でもよい。
【００６０】
また、絶縁層２１３の下面には、所定部位に貫通孔を有するソルダーレジスト２６が形成されており、前記貫通孔から導体パターン２２４の接続用電極部が露出している。この露出した部分には、金属バンプ７１が接合されている。この金属バンプ７１は、半導体パッケージ１を例えば後述するようなマザーボードに対して電気的に接続するためのものである。
【００６１】
本実施形態では、金属バンプ７１は、略球状をなしている。なお、金属バンプ７１の形状は、これに限定されない。
【００６２】
金属バンプ７１の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、錫−鉛系、錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−ビスマス系、錫−アンチモン系、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀−銅系等の各種ろう材（半田）を用いることができる。
【００６３】
また、基板２１には、その厚さ方向に貫通する複数のビアホールが形成され、その各ビアホールに伝熱ポスト２４が設けられている。
【００６４】
この各伝熱ポスト２４は、基板２１全体をその厚さ方向に貫通しており、上端がソルダーレジスト２５の上面から露出するとともに、下端がソルダーレジスト２６の下面から露出している。そして、伝熱ポスト２４は、その上端が第１補強部材４に接触し、下端が第２補強部材５に接触している。
【００６５】
この各伝熱ポスト（熱伝導部）２４は、前述した基板２１（絶縁層）よりも高い伝熱性を有する。これにより、第１補強部材４から伝熱ポスト２４を介して第２補強部材５へ熱を効率的に伝達することができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【００６６】
また、この各伝熱ポスト２４は、基板２１をその厚さ方向に貫通するものであるため、公知の導体ポストと同様に、簡単かつ高精度に形成することができる。
【００６７】
また、各伝熱ポスト２４は、中空であってもよいし、中実であってもよい。また、各導体ポスト２４の横断面形状としては、特に限定されず、例えば、円形、楕円形、多角形等が挙げられる。また、伝熱ポスト２４の数は、特に限定されず、任意であるが、配線基板２の機械的強度を損ねない程度に、できるだけ多くするのが好ましい。
【００６８】
各伝熱ポスト２４は、電気信号の伝送に寄与しないものである。これにより、第１補強部材４から伝熱ポスト２４を介して第２補強部材５へ熱をより効率的に伝達することができる。
【００６９】
本実施形態では、複数の伝熱ポスト２４は、配線基板２を平面視したときに、配線基板２の外周部に沿って互いに間隔を隔てて並設されている。特に、複数の伝熱ポスト２４は、配線基板２を平面視したときに、配線基板２の外周部に沿って周方向に等間隔で並設されているのが好ましい。これにより、配線基板２の温度分布をより均一化することができる。
【００７０】
また、複数の伝熱ポスト２４は、配線基板２を平面視したときに、前述した導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４に重ならないように設けられている。これにより、伝熱ポスト２４の形成が簡単となるとともに、伝熱ポスト２４と導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４との短絡を防止することができる。
【００７１】
このような各伝熱ポスト２４の構成材料としては、前述した基板２１（絶縁層）よりも高い伝熱性を有するものであれば、特に限定されないが、金属材料を用いるのが好ましい。
【００７２】
かかる金属材料としては、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金等の各種金属および各種合金が挙げられる。中でも、かかる金属材料としては、伝熱性に優れる観点から銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金を用いるのが好ましい。これにより、配線基板２の放熱性を向上させることもできる。
【００７３】
また、伝熱ポスト２４の構成材料は、前述した導体ポスト２３１〜２３３の構成材料と異なっていてもよいが、導体ポスト２３１〜２３３の構成材料と同じであるのが好ましい。これにより、伝熱ポスト２４を導体ポスト２３１〜２３３の形成と同時に一括して形成することができる。そのため、半導体パッケージ１の製造が簡単化され、また、半導体パッケージ１を安価なものとすることができる。
【００７４】
［半導体素子］
半導体素子３は、例えば、集積回路素子（ＩＣ）であり、より具体的には、例えば、ロジックＩＣ、メモリおよび受発光素子等である。
【００７５】
この半導体素子３は、前述した配線基板２の基板２１の上面（一方の面）に接合され、第１導体パターンである導体パターン２２１に電気的に接続されている。
【００７６】
具体的には、半導体素子３は、その下面に、図示しない複数の端子が設けられており、その各端子が金属バンプ３１を介して、配線基板２の導体パターン２２１の前記接続用電極部（端子）に電気的に接続されている。これにより、半導体素子３と配線基板２の導体パターン２２１とが電気的に接続されている。
【００７７】
金属バンプ３１の構成材料としては、特に限定されないが、前述した金属バンプ７１と同様、例えば、錫−鉛系、錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−ビスマス系、錫−アンチモン系、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀−銅系等の各種ろう材（半田）を用いることができる。
【００７８】
また、半導体素子３は、接着層３２を介して、配線基板２の上面に接着（接合）されている。この接着層３２は、接着性および絶縁性を有する材料で構成され、例えば、アンダーフィル材の硬化物で構成されている。アンダーフィル材としては、特に限定されず、公知のアンダーフィル材を用いることができるが、後述する絶縁材８１を形成するための半田接合用レジストと同様のものを用いることもできる。
【００７９】
［第１補強部材］
第１補強部材（スティフナー）４は、前述した配線基板２の基板２１の上面（一方の面）の、半導体素子３が接合されていない部分に接合されている。この第１補強部材４は、本体４１と、本体４１の下面に設けられ、本体４１と配線基板２とを接合する接着層４２とを有している。
【００８０】
本体４１は、基板２１よりも熱膨張係数が小さい。これにより、基板２１の熱膨張を抑えることができる。また、本体４１は、板状をなしている。これにより、第１補強部材４の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【００８１】
本体４１の基板２１と反対側の面（すなわち上面）は、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と同一面上またはそれよりも基板２１側（すなわち下側）に位置しているのが好ましい。これにより、半導体パッケージ１の製造に際し、第１補強部材４の設置後に半導体素子３を設置する場合、半導体素子３の設置が容易となる。
【００８２】
本実施形態では、本体４１の上面と、半導体素子３の上面とが同一面上に位置している。これにより、半導体パッケージ１を薄型化しつつ、配線基板２の反りを効果的に抑制または防止することができる。また、本体４１の上面上に他の構造体（例えば、基板、半導体素子、ヒートシンク等）を設ける場合、その構造体の設置を安定的に行うことができる。
なお、本体４１および半導体素子３を封止樹脂でモールドしてもよい。
【００８３】
また、図２に示すように、本体４１は、半導体素子３の周囲を囲むように設けられている。本実施形態では、本体４１は、半導体素子３を囲むように環状（より具体的には四角環状）をなしている。これにより、第１補強部材４による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【００８４】
また、本体４１は、半導体素子３との間の距離（本体４１の内周面４１１と半導体素子３の外周面３３との間の距離）が半導体素子３の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、本体４１および半導体素子３の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。また、後述する接着層３２を介した半導体素子３から本体４１への伝熱を効率的かつ均一に生じさせることができる。
【００８５】
また、本体４１は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、半導体素子３および本体４１が一体的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
【００８６】
また、本体４１の構成材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料等を用いることができるが、金属材料を用いるのが好ましい。本体４１が金属材料で構成されていると、本体４１の放熱性を高めることができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【００８７】
かかる金属材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、放熱性および低熱膨張を実現する観点から、Ｆｅを含む合金を用いるのが好ましい。
【００８８】
かかるＦｅを含む合金としては、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｐｔ系合金、Ｆｅ−Ｐｄ合金等が挙げられ、特に、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を用いるのが好ましい。
【００８９】
このような金属材料は、放熱性に優れるだけでなく、熱膨張係数が低く、かつ、一般的な半導体素子３の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する。そのため、半導体素子３および本体４１が一体的に配線基板２を補強することができる。
【００９０】
Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、ＦｅおよびＮｉを含むものであれは、特に限定されず、ＦｅおよびＮｉの他に、残部（Ｍ）として、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
【００９１】
より具体的には、Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、例えば、Ｆｅ−３６Ｎｉ合金（インバー）、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金（４２アロイ）等のＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−３２Ｎｉ−５Ｃｏ合金（スーパーインバー）、Ｆｅ−２９Ｎｉ−１７Ｃｏ合金（コバール）、Ｆｅ−３６Ｎｉ−１２Ｃｏ合金（エリンバー）等のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−２８Ｍｏ−２Ｆｅ合金等のＮｉ−Ｍｏ−Ｆｅ合金等が挙げられる。また、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金は、例えば、ＫＶ−２、ＫＶ−４、ＫＶ−６、ＫＶ−１５、ＫＶ−２５等のＫＶシリーズ（ＮＥＯＭＡＸマテリアル社製）、Ｎｉｖａｒｏｘ等の商品名で市販されている。また、Ｆｅ−Ｎｉ合金は、例えば、ＮＳ−５、Ｄ−１（ＮＥＯＭＡＸマテリアル社製）等の商品名で市販されている。また、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔｉ合金は、例えば、Ｎｉ−Ｓｐａｎ  Ｃ−９０２（大同スペシャルメタル社製）、ＥＬ−３（ＮＥＯＭＡＸマテリアル社製）等の商品名で市販されている。
【００９２】
また、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金としては、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒを含むものであれば特に限定されないが、例えば、Ｆｅ−５４Ｃｏ−９．５Ｃｒ（ステンレスインバー）等のＦｅ−Ｃｏ−Ｃｒ合金が挙げられる。なお、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金は、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒの他に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
【００９３】
また、Ｆｅ−Ｃｏ系合金としては、ＦｅおよびＣｏを含むものであれば特に限定されず、ＦｅおよびＣｏの他に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
【００９４】
また、Ｆｅ−Ｐｔ系合金としては、ＦｅおよびＰｔを含むものであれば特に限定されず、ＦｅおよびＰｔの他に、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
【００９５】
また、Ｆｅ−Ｐｄ系合金としては、ＦｅおよびＰｄを含むものであれば、特に限定されず、ＦｅおよびＰｄの他に、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
【００９６】
特に、本体４１の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と本体４１との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【００９７】
また、本体４１と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と本体４１との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【００９８】
上述したような熱膨張係数の観点から、本体４１を構成する金属材料がＦｅ−Ｎｉ系合金である場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｎｉの含有量が３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｎｉの含有量が３５ｗｔ％以上４５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、本体４１の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。この場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｆｅの含有量が５０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｆｅの含有量が５５ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。
【００９９】
また、本体４１を構成する金属材料がＦｅ−Ｎｉ系合金である場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が８５ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのが好ましく、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が９０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのがより好ましい。すなわち、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であるのが好ましく、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、本体４１の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。
【０１００】
また、本体４１の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数や、配線基板２の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。
【０１０１】
接着層４２は、本体４１の下面に設けられており、本体４１に対応した平面視形状をなしている。すなわち、接着層４２は、本体４１の下面の全域に設けられており、かつ本体４１の平面視にて、本体４１とほぼ同一の形状をなしている。
【０１０２】
このような接着層４２は、本体４１を配線基板２に接合する機能を有しており、熱伝導材料を含む接着剤で構成されている。これにより、接着層としての機能を充分に発揮しつつ、熱伝導性に優れる接着層４２が得られる。そのため、配線基板２からの熱を効率的に本体４１に伝達することができ、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０１０３】
また、接着層４２は、絶縁性を有している。これにより、導体パターン２２１と本体４１との短絡を防止することができ、半導体パッケージ１の信頼性が向上する。
【０１０４】
前記接着剤としては、各種熱可塑性樹脂、各種熱硬化性樹脂が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリアミド（例：ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６−１２、ナイロン６−６６）、熱可塑性ポリイミド、芳香族ポリエステル等の液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
【０１０５】
また、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル（不飽和ポリエステル）樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
【０１０６】
中でも、前記接着剤としては、熱硬化性樹脂（特に硬化前に液状をなすもの）を用いるのが好ましく、フェノール樹脂、エポキシ樹脂を用いるのがより好ましい。かかるエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂等が挙げられる。また、フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。これにより、本体４１と配線基板２とを強固に接着することができるとともに、接着層４２の熱膨張係数を効果的に抑えることができる。
【０１０７】
前記接着剤に含まれる熱伝導性材料としては、特に限定されないが、無機フィラー（無機充填材）であるのが好ましい。これにより、接着層４２の熱伝導性をより高めることができる。
【０１０８】
このような無機フィラーとしては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属、シリカ、アルミナ、ベーマイト、ケイ藻土、酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、金属フェライト等の酸化物、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ガリウム、窒化チタン等の窒化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物、炭酸カルシウム（軽質、重質）、炭酸マグネシウム、ドロマイト、ドーソナイト等の炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、硫酸アンモニウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、タルク、マイカ、クレー、ガラス繊維、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト等のケイ酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、カーボンブラック、グラファイト、炭素繊維等の炭素、その他鉄粉、銅粉、アルミニウム粉、亜鉛華、硫化モリブデン、ボロン繊維、チタン酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛が挙げられる。なお、無機フィラーとして導電性を有するものを用いた場合、必要に応じて、接着層４２の接する部位に絶縁処理を施す。
【０１０９】
中でも、無機フィラーとしては、絶縁性および熱伝導性に優れるという観点から、シリカ、アルミナ、ケイ藻土、酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、金属フェライト等の酸化物、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ガリウム、窒化チタン等の窒化物が好ましい。
【０１１０】
また、接着層４２の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、０．０１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下程度である。
【０１１１】
［第２補強部材］
第２補強部材（スティフナー）５は、配線基板２の基板２１の下面（他方の面）に接合されている。この第２補強部材５は、前述した第１補強部材４と同様に、基板２１よりも熱膨張係数が小さい本体５１と、本体５１の上面に設けられた接着層５２とを有している。
【０１１２】
本体５１は、板状をなしている。これにより、第２補強部材５の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
【０１１３】
また、図３に示すように、本体５１は、配線基板２（基板２１）の外周部（導体パターン２２４よりも外側）に沿って設けられた部分（枠部）５１１と、金属バンプ７１同士の間に設けられた部分５１２とを有している。本体５１の部分５１１と配線基板２（基板２１）との接合により、本体５１が配線基板２を効果的に補強することができる。また、本体５１の部分５１２と配線基板２との接合により、本体５１の剛性が高められる。
【０１１４】
より具体的に説明すると、本体５１は、前述した各金属バンプ７１に非接触で各金属バンプ７１を囲むように形成された複数の開口部５１３を有する。これにより、本体５１が配線基板２の下面に占める面積の割合を大きくすることができる。その結果、本体５１による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
【０１１５】
ここで、本実施形態では、各開口部５１３は、平面視にて、円形をなしている。なお、各開口部５１３の平面視形状は、これに限定されず、例えば、楕円形、多角形等であってもよい。
【０１１６】
また、各開口部５１３は、各金属バンプ７１に対応して（一対一で対応して）設けられている。これにより、本体５１の剛性の均一化を図ることができる。また、本体５１の放熱性も向上させることができる。
【０１１７】
また、本体５１は、各金属バンプ７１との間の距離（すなわち、平面視における開口部５１３の壁面と金属バンプ７１の外周面との間の距離）が金属バンプ７１の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、本体５１および各金属バンプ７１の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。
【０１１８】
また、前述した本体４１と同様、本体５１は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、本体５１が効果的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
【０１１９】
また、本体５１の構成材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、前述した本体４１の構成材料と同様のものを用いることができ、例えば、金属材料、セラミックス材料等を用いることができるが、金属材料を用いるのが好ましい。本体５１が金属材料で構成されていると、本体５１の放熱性を高めることができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０１２０】
かかる金属材料としては、特に限定されないが、放熱性および低熱膨張を実現する観点から、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を用いるのが好ましい。Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、前述した本体４１と同様のものを用いることができる。
【０１２１】
特に、本体５１の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と本体５１との熱膨張係数差を小さくし、本体５１が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０１２２】
また、本体５１と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と本体５１との熱膨張係数差を小さくし、本体５１が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
【０１２３】
また、本体５１と本体４１との熱膨張係数差の絶対値は、２ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、０ｐｐｍ／℃であるのがさらに好ましい。これにより、本体５１と本体４１との熱膨張係数差を小さくし、これらの熱膨張差に起因する配線基板２の反りを防止することができる。
【０１２４】
このような観点から、本体５１の構成材料は、本体４１の構成材料と同種または同じであるのが好ましい。
【０１２５】
また、本体５１の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数や、配線基板２の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。
【０１２６】
接着層５２は、本体５１の上面に設けられており、本体５１に対応した平面視形状をなしている。すなわち、接着層５２は、本体５１の上面の全域に設けられており、かつ本体５１の平面視にて、本体５１とほぼ同一の形状をなしている。
【０１２７】
接着層５２は、本体５１を配線基板２に接合する機能を有しており、熱伝導材料を含む接着剤で構成されている。これにより、接着層としての機能を充分に発揮しつつ、熱伝導性に優れる接着層５２が得られる。そのため、配線基板２からの熱を効率的に本体５１に伝達することができ、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
【０１２８】
また、接着層５２は、絶縁性を有している。これにより、導体パターン２２４と本体５１との短絡を防止することができ、半導体パッケージ１の信頼性が向上する。
【０１２９】
このような接着層５２を構成する接着剤としては、接着層４２と同様の材料を用いることができる。
【０１３０】
第２補強部材５と各金属バンプ７１との間には、絶縁材８１が設けられている。これにより、第２補強部材５（特に本体５１）と各金属バンプ７１との接触を防止することができる。そのため、半導体パッケージ１の信頼性を優れたものとしつつ、第２補強部材５の剛性および放熱性を高めることができる。
【０１３１】
また、絶縁材８１は、金属バンプ７１の周囲を囲むように形成され、かつ、各金属バンプ７１に接合されている。これにより、絶縁材８１は、金属バンプ７１を補強している。このような絶縁材８１は、絶縁性を有し、樹脂材料を含んで構成されている。このような絶縁材８１は、特に限定されないが、例えば、熱硬化性を有する半田接合用樹脂により形成されるのが好ましい。
【０１３２】
このような半田接合用樹脂（以下、「硬化性フラックス」とも言う）は、半田接合時にフラックスとして作用し、次いで加熱することにより、硬化して半田接合部の補強材として作用する。また、かかる半田接合用樹脂は、半田接合の際に、半田接合面および半田材料の酸化物などの有害物を除去し、半田接合面を保護するとともに、半田材料の精錬を行って、強度の大きい良好な接合を可能にする。さらに、半田接合用樹脂は、半田接合後に洗浄などにより除去する必要がなく、そのまま加熱することにより、三次元架橋した樹脂となり、半田接合部の補強材として作用する。
【０１３３】
かかる半田接合用樹脂は、例えば、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）および該樹脂の硬化剤（Ｂ）を含んで構成することができる。
【０１３４】
フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）としては、特に制限はないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、多価フェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂などを挙げることができる。
【０１３５】
また、硬化性フラックスにおいて、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）の含有量は、硬化性フラックス全体の２０〜８０重量％であることが好ましく、２５〜６０重量％であることがより好ましい。樹脂（Ａ）の含有量が２０重量％未満であると、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去する作用が低下し、半田接合性が不良となるおそれがある。樹脂（Ａ）の含有量が８０重量％を超えると、十分な物性を有する硬化物が得られず、接合強度と信頼性が低下するおそれがある。
【０１３６】
また、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）のフェノール性ヒドロキシル基は、その還元作用により、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去するので、半田接合のフラックスとして効果的に作用する。
【０１３７】
また、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）の硬化剤（Ｂ）としては、例えば、エポキシ化合物、イソシアネート化合物などを挙げることができる。エポキシ化合物およびイソシアネート化合物としては、例えば、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系、レゾルシノール系などのフェノールベースのエポキシ化合物、イソシアネート化合物や、飽和脂肪族、環状脂肪族、不飽和脂肪族などの骨格をベースとして変性されたエポキシ化合物、イソシアネート化合物などを挙げることができる。
【０１３８】
また、硬化剤（Ｂ）の配合量は、硬化剤のエポキシ基、イソシアネート基などの反応性の官能基が、樹脂（Ａ）のフェノール性ヒドロキシル基の０．５〜１．５当量倍であることが好ましく、０．８〜１．２当量倍であることがより好ましい。硬化剤の反応性の官能基がヒドロキシル基の０．５当量倍未満であると、十分な物性を有する硬化物が得られず、補強効果が小さくなって、接合強度と信頼性が低下するおそれがある。硬化剤の反応性の官能基がヒドロキシル基の１．５当量倍を超えると、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去する作用が低下し、半田接合性が不良となるおそれがある。
【０１３９】
このような半田接合用樹脂（硬化性フラックス）は、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）と該樹脂の硬化剤（Ｂ）の反応により、良好な物性を有する硬化物が形成されるために、半田接合後に洗浄によりフラックスを除去するが必要なく、硬化物により半田接合部が保護されて、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度と信頼性の高い半田接合が可能となる。
【０１４０】
なお、前述したような半田接合用樹脂は、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）と該樹脂の硬化剤（Ｂ）の他に、硬化性酸化防止剤（Ｃ）、微結晶状態で分散するフェノール性ヒドロキシル基を有する化合物（Ｄ）および該化合物の硬化剤（Ｅ）、溶剤（Ｆ）、硬化触媒、密着性や耐湿性を向上させるためのシランカップリング剤、ボイドを防止するための消泡剤、あるいは液状または粉末の難燃剤等を含んでいてもよい。
【０１４１】
以上説明したように構成された半導体パッケージ１によれば、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板２の両面が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。特に、第１補強部材４および第２補強部材５の熱膨張係数が配線基板２よりも小さいため、半導体素子３が配線基板２の全面に亘って設けられているのと同様に、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。そのため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【０１４２】
また、配線基板２の厚さを薄くすることができるので、配線基板２の厚さ方向での熱伝導性を高めることができる。そのため、半導体パッケージ１は、半導体素子３からの熱を配線基板２を介して逃すことができ、放熱性に優れる。また、第１補強部材４および第２補強部材５の構成材料を適宜選択することにより、半導体パッケージ１の放熱性を高めることもできる。
【０１４３】
このようなことから、半導体素子３および配線基板２の昇温を抑えることができるので、この点でも、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
【０１４４】
また、半導体パッケージ１によれば、第１補強部材４が絶縁性を有する接着層４２を有しているため、本体４１と導体パターン２２１との短絡を防止しつつ、第１補強部材４を配線基板２に簡単に接合することができる。第２補強部材５についても同様である。そのため、後述するように、半導体パッケージ１の製造が簡単となる。
【０１４５】
（半導体パッケージの製造方法）
以上説明したような半導体パッケージ１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【０１４６】
以下、図４ないし図７に基づき、半導体パッケージ１の製造方法の一例を簡単に説明する。半導体パッケージ１の製造方法は、［１］配線基板２、第１補強部材４および第２補強部材５を製造（容易）する工程Ａと、［２］配線基板２に第１、第２補強部材４、５を接合する工程Ｂと、［３］配線基板２に半導体素子３を搭載する工程Ｃとを有している。なお、工程Ｂ、Ｃは、順番が逆であってもよい。すなわち工程Ｃの後に、工程Ｂを行ってもよい。
【０１４７】
［１］工程Ａ
（配線基板２の製造）
［１−Ａ］
まず、図４（ａ）に示すように、絶縁層２１２Ａの両面に金属層２２２Ａ、２２３Ａが設けられてなる積層体（例えば銅張り積層板）を用意する。
【０１４８】
ここで、絶縁層２１２Ａは、前述した配線基板２の絶縁層２１２を形成するためのものである。また、金属層２２２Ａは、前述した配線基板２の導体パターン２２２を形成するためのものである。また、金属層２２３Ａは、前述した配線基板２の導体パターン２２３を形成するためのものである。
【０１４９】
［１−Ｂ］
次に、図４（ｂ）に示すように、絶縁層２１２Ａおよび金属層２２２Ａ、２２３Ａからなる積層体に貫通孔（ビアホール、スルーホール）を形成する。これにより、絶縁層２１２が得られる。貫通孔の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、レーザーを照射することにより形成することができる。
【０１５０】
［１−Ｃ］
次に、図４（ｃ）に示すように、所定の貫通孔内に導体ポスト２３２を形成する。また、所定の貫通孔内に伝熱ポスト２４２を形成する。導体ポスト２３２および伝熱ポスト２４２の形成方法としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、導電性ペーストを充填する方法、無電解めっきにより埋め込む方法、電解めっきにより埋め込む方法等を用いることができる。特に、導体ポスト２３２および伝熱ポスト２４２をそれぞれ中空状に形成する場合には、電解めっきが好適に用いられる。
【０１５１】
［１−Ｄ］
次に、図４（ｄ）に示すように、金属層２２２Ａ、２２３Ａをそれぞれパターンニングすることにより、導体パターン２２２、２２３を形成する。かかるパターンニングの方法としては、特に限定されないが、エッチングが好適に用いられる。
【０１５２】
以上のようにして、絶縁層２１２、導体パターン２２２、２２３、導体ポスト２３２および伝熱ポスト２４２が形成される。
【０１５３】
［１−Ｅ］
次に、図４（ｅ）に示すように、導体パターン２２２上に、絶縁層２１１Ａおよび金属層２２１Ａを絶縁層２１１Ａ側に接するように設ける。同様に、導体パターン２２３上に、絶縁層２１３Ａおよび金属層２２４Ａを絶縁層２１３Ａ側に接するように設ける。
【０１５４】
ここで、絶縁層２１１Ａは、例えば、プリプレグであって、前述した配線基板２の絶縁層２１１を形成するためのものであり、前述した絶縁層２１１の樹脂組成物の未硬化物（半硬化物）が基材に含浸してなるものである。同様に、絶縁層２１３Ａは、例えば、プリプレグであって、前述した配線基板２の絶縁層２１３を形成するためのものであり、前述した絶縁層２１３の樹脂組成物の未硬化物（半硬化物）が基材に含浸してなるものである。
【０１５５】
［１−Ｆ］
次に、図５（ａ）に示すように、金属層２２１Ａ、２２４Ａをそれぞれパターンニングすることにより、導体パターン２２１、２２４を形成する。かかるパターンニングの方法としては、前述した工程［１−Ｄ］と同様の方法を用いることができる。次いで、絶縁層２１１Ａおよび導体パターン２２１からなる積層体に、貫通孔（ビアホール）を形成するとともに、絶縁層２１３Ａおよび導体パターン２２４からなる積層体に、貫通孔（ビアホール）を形成する。
【０１５６】
［１−Ｇ］
次に、図５（ｂ）に示すように、貫通孔内に導体ポスト２３１、２３３を形成する。導体ポスト２３１、２３３の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、導電性ペーストを充填する方法、無電解めっきにより埋め込む方法、電解めっきにより埋め込む方法等を用いることができる。
【０１５７】
［１−Ｈ］
次に、導体パターン２２１を覆うようにソルダーレジスト２５のためのソルダーレジストを塗布した後、パターニングすることによりソルダーレジスト２５を形成する。同様に、導体パターン２２４を覆うようにソルダーレジスト２６のためのソルダーレジストを塗布した後、パターニングすることによりソルダーレジスト２６を形成する。その後、図５（ｃ）に示すように、ソルダーレジスト２５および絶縁層２１１が積層してなる積層体に貫通孔を形成するとともに、ソルダーレジスト２６および絶縁層２１３が積層してなる積層体に貫通孔を形成する。
【０１５８】
［１−Ｉ］
次に、図５（ｄ）に示すように、貫通孔内に、伝熱ポスト２４１、２４３を形成する。伝熱ポスト２４１、２４３の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、導電性ペーストを充填する方法、無電解めっきにより埋め込む方法、電解めっきにより埋め込む方法等を用いることができる。
以上より、配線基板２を得る。
【０１５９】
（第１補強部材４の製造）
［１’−Ａ］第１の工程
まず、図６（ａ）に示すように、板状の本体４１Ａを用意する。この本体４１Ａは、第１補強部材４の本体４１を形成するためのものであり、例えば金属材料で構成されている。
【０１６０】
次に、図６（ｂ）に示すように、本体４１Ａの不要部分を除去して本体４１Ａを所望形状に加工する。不要部分を除去する方法としては、特に限定されず、例えば、打ち抜き加工、ドライエッチング、ウェットエッチング等の各種エッチング加工、レーザー照射加工などを用いることができるが、これらの中でも特にウェットエッチングを用いることが好ましい。ウェットエッチング処理によれば、本体４１Ａに対して、より微細で精度のよい加工を行うことができる。
これにより、第１補強部材４の本体４１が得られる。
【０１６１】
［１’−Ｂ］第２の工程
次に、図６（ｃ）に示すように、本体４１（所望形状に加工された本体４１Ａ）の下面に、例えば無機フィラーを含む接着剤を塗布し、本体４１の形状に対応した、すなわち本体４１の平面視形状とほぼ同一の形状の接着層４２を得る。接着層４２を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、所望形状をなすシート状の接着剤を本体４１の下面にラミネートする方法であってもよいし、スクリーン印刷等の各種印刷方法によって形成してもよいが、これらの中でも、スクリーン印刷を用いるのが好ましい。これにより、本体４１の形状に対応した接着層４２を簡単に形成することができる。
以上のようにして、第１補強部材４が得られる。
【０１６２】
上記のような製造方法によれば、第１補強部材４を簡単かつ精度よく製造することができる。また、後述するように、接着層４２によって、配線基板２に簡単に接合することができるため、半導体パッケージ１の製造が簡単となる。
【０１６３】
（第２補強部材５の製造）
第２補強部材５は、第１補強部材４と同様にして製造することができるため、その説明を省略する。
【０１６４】
［２］工程Ｂ
まず、前記工程Ａにて製造した配線基板２と、支持基材９１を剥離した第１、第２補強部材４、５を用意する。次に、図７（ａ）に示すように、第１補強部材４を、接着層４２を配線基板２側にして配線基板２の上面に貼り付けるとともに、第２補強部材５を、接着層５２を配線基板２側にして配線基板２の下面に貼り付け、その後、接着層４２、５２を硬化（完全硬化）する。これにより、第１、第２補強部材４、５が配線基板２に接合される。第１、第２補強部材４、５の貼り付けは、例えば、真空プレス、ラミネート等によって行うことができる。
【０１６５】
［３］工程Ｃ
［３−Ａ］
次に、図７（ｂ）に示すように、配線基板２の上面に、アンダーフィル材を塗布した後、半導体素子３を金属バンプ３１を介して半田リフローにより接合する。なお、この場合、アンダーフィル材として前述した絶縁材８１と同じようなフラックス活性のある樹脂を用いる。また、半導体素子３を搭載し、フラックスあるいは半田ペースト等を用いてリフローにより半導体素子３を配線基板２に接合させた後、通常のキャピラリーアンダーフィル材を配線基板２と半導体素子３との間に充填・硬化させることもできる。
【０１６６】
［３−Ｂ］
次に、図７（ｃ）に示すように、第２補強部材５の貫通孔内（配線基板２の下面）に、絶縁材８１Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）７１Ａを半田リフローにより半田接合する。これにより、金属バンプ７１および絶縁材８１が形成される。かかる半田接合は、特に限定されないが、配線基板２の下面に各金属バンプ７１が当接するように配置し、その状態で、例えば２００〜２８０℃×１０〜６０秒間加熱することにより行うことができる。
【０１６７】
このようにして得られた絶縁材８１は、前述したように金属バンプ７１の周囲を囲むように形成される。このとき、絶縁材８１Ａは、半田接合時にフラックスとして機能し、且つ、金属バンプ７１との界面張力により半田接合部周辺をリング状に補強する形状で硬化する。
以上のようにして、半導体パッケージ１が得られる。
【０１６８】
（半導体装置）
次に、半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
【０１６９】
図８は、図１に示す半導体パッケージを備える半導体装置を模式的に示す断面図である。
【０１７０】
図８に示すように、半導体装置１００は、マザーボード（基板）２００と、このマザーボード２００に搭載された半導体パッケージ１とを有している。
【０１７１】
このような半導体装置１００においては、半導体パッケージ１の金属バンプ７１がマザーボード２００の端子（図示せず）に接合されている。これにより、半導体パッケージ１とマザーボード２００とが電気的に接続され、これらの間で電気的信号の伝送が行われる。また、この接合部を介して、半導体パッケージ１の熱をマザーボード２００へ逃すことができる。
【０１７２】
以上説明したような半導体装置１００によれば、前述したような放熱性および信頼性に優れた半導体パッケージ１を備えるので、信頼性に優れる。
【０１７３】
＜第２実施形態＞
図９は、本発明の第２実施形態に係る補強部材の製造方法の一例を示す図である。なお、以下では、説明の便宜上、図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図９では、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０１７４】
以下、第２実施形態の補強部材の製造方法について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１７５】
第２実施形態の補強部材の製造方法は、本体を所望形状に加工するタイミングが異なる以外は、前述した第１実施形態とほぼ同様である。なお、第１、第２補強部材の製造方法は、互いに同様であるため、以下では、第１補強部材の製造方法について代表して説明し、第２補強部材の製造方法については、その説明を省略する。
【０１７６】
（第１補強部材の製造方法）
［１］第１の工程
まず、図９（ａ）に示すように、板状の本体４１Ａを用意する。この本体４１Ａは、第１補強部材４の本体４１を形成するためのものであり、例えば金属材料で構成されている。
【０１７７】
［２］第２の工程
次に、図９（ｂ）に示すように、本体４１Ａの下面に接着剤を塗布することにより、所望の形状の接着層４２を得る。接着層４２を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、所望形状をなすシート状の接着剤を本体４１の下面にラミネートする方法であってもよいし、スクリーン印刷等の各種印刷方法によって形成してもよいが、これらの中でも、スクリーン印刷を用いるのが好ましい。これにより、所望形状の接着層４２を簡単に形成することができる。
【０１７８】
［３］第３の工程
次に、図９（ｃ）に示すように、本体４１Ａの不要部分を除去して本体４１Ａを接着層４２に対応した、すなわち、接着層４２の平面視形状とほぼ同一の形状に加工する。不要部分を除去する方法としては、特に限定されず、例えば、打ち抜き加工、ドライエッチング、ウェットエッチング等の各種エッチング加工、レーザー照射加工などを用いることができるが、これらの中でも特にウェットエッチングを用いることが好ましい。ウェットエッチング処理によれば、本体４１Ａに対して、より微細で精度のよい加工を行うことができる。また、ウェットエッチングによれば、接着層４２をマスクとして利用することがでるため、簡単かつ確実に、本体４１Ａを接着層４２に対応した形状に加工することができる。
これにより、第１補強部材４が得られる。
【０１７９】
＜第３実施形態＞
図１０は、本発明の第３実施形態に係る補強部材の製造方法の一例を示す図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図１０では、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０１８０】
以下、第３実施形態の補強部材の製造方法について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１８１】
第３実施形態の補強部材の製造方法は、支持基材に支持された本体を用意する以外は、前述した第１実施形態とほぼ同様である。なお、第１、第２補強部材の製造方法は、互いに同様であるため、以下では、第１補強部材の製造方法について代表して説明し、第２補強部材の製造方法については、その説明を省略する。
【０１８２】
（第１補強部材の製造方法）
［１］第１の工程
まず、図１０（ａ）に示すように、シート状の支持基材９１と、支持基材９１の下面（一方の面）に支持された板状の本体４１Ａとを有するシート材９を用意する。支持基材９１は、例えば、ＰＥＴ等で構成された樹脂フィルムの上面に粘着層を形成したもの、すなわち、一般的に知られる転写シートや保護シート（ブルーフィルム）等を用いることができる。また、本体４１Ａは、第１補強部材４の本体４１を形成するためのものであり、例えば金属材料で構成されている。シート材９は、これらを貼り合わせることにより得られる。
【０１８３】
次に、図１０（ｂ）に示すように、本体４１Ａの不要部分を除去して本体４１Ａを所望形状に加工する。不要部分を除去する方法としては、前述した第１実施形態と同様の方法を用いることができる。
これにより、第１補強部材４の本体４１が得られる。
【０１８４】
［２］第２の工程
次に、図１０（ｃ）に示すように、本体４１（所望形状に加工された本体４１Ａ）の下面に、例えば無機フィラーを含む接着剤を塗布し、本体４１の形状に対応した、すなわち本体４１の平面視形状とほぼ同一の形状の接着層４２を得る。接着層４２を形成する方法としては、前述した第１実施形態と同様の方法を用いることができる。
【０１８５】
以上のようにして、支持基材９１に支持された第１補強部材４が得られる。このように、支持基材９１を有することにより、第１補強部材４の配線基板２への貼り付けがより容易となるとともに、第１補強部材４（本体４１）の表面を保護することができる。なお、支持基材９１は、配線基板２への貼り付けが完了した後に、第１補強部材４から剥離すればよい。
【０１８６】
＜第４実施形態＞
（半導体パッケージ）
図１１は、第４実施形態の半導体パッケージを模式的に示す断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図１１では、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
【０１８７】
以下、第４実施形態の半導体パッケージについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１８８】
第４実施形態の半導体パッケージは、第１、第２補強部材の接着層がソルダーレジストを兼ねている以外は、前述した第１実施形態とほぼ同様である。
【０１８９】
図１１に示すように、半導体パッケージ１の配線基板２は、第１実施形態の配線基板２からソルダーレジスト２５、２６を省略した構成となっている。そして、配線基板２が有する絶縁層２１１の上面に第１補強部材４の接着層４２が接合している。また、絶縁層２１３の下面に第２補強部材５の接着層５２が接合している。これら接着層４２、５２は、共に絶縁性を有しており、配線基板２を保護するソルダーレジストとしても機能している。
【０１９０】
なお、配線基板２の上面のうち、第１補強部材４と重ならない場所、すなわち、第１補強部材４の内側であって、半導体素子３が搭載される領域には、接着層４２が形成されない。しかしながら、このような領域には、接着層３２が形成されおり、この接着層３２がソルダーレジストを兼ねている。
【０１９１】
同様に、配線基板２の下面のうち、第２補強部材５と重ならない場所、すなわち、第２補強部材の内側であって、金属バンプ７１が接合される領域には、接着層５２が形成されない。しかしながら、このような領域には、絶縁材８１が塗布されており、この絶縁材８１がソルダーレジストを兼ねている。
【０１９２】
このような構成とすることにより、第１実施形態と比較して、部品点数を削減することができるため、製造コストおよび製造工程の削減、装置の小型化（薄型化）を図ることができる。
【０１９３】
以上、本発明の補強部材の製造方法を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、接着体を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１９４】
また、前述した実施形態では、半導体パッケージは、第１補強部材と第２補強部材とを有しているが、第１補強部材および第２補強部材のうちのいずれか一方を省略してもよい。
【０１９５】
また、前述した実施形態では、配線基板に伝熱ポストが形成されているが、伝熱ポストは、省略してもよい。
【符号の説明】
【０１９６】
１            半導体パッケージ
２            配線基板
２１          基板
２１１        絶縁層
２１１Ａ      絶縁層
２１２        絶縁層
２１２Ａ      絶縁層
２１３        絶縁層
２１３Ａ      絶縁層
２２１        導体パターン
２２１Ａ      金属層
２２２        導体パターン
２２２Ａ      金属層
２２３        導体パターン
２２３Ａ      金属層
２２４        導体パターン
２２４Ａ      金属層
２３１        導体ポスト
２３２        導体ポスト
２３３        導体ポスト
２４          伝熱ポスト
２４１        伝熱ポスト
２４２        伝熱ポスト
２４３        伝熱ポスト
２５          ソルダーレジスト
２６          ソルダーレジスト
３            半導体素子
３１          金属バンプ
３２          接着層
３３          外周面
４            第１補強部材
４１          本体
４１Ａ        本体
４１１        内周面
４２          接着層
５            第２補強部材
５１          本体
５１１        部分
５１２        部分
５１３        開口部
５２          接着層
７１          金属バンプ
７１Ａ        金属ボール
８１          絶縁材
８１Ａ        絶縁材
９            シート材
９１          支持基材
１００        半導体装置
２００        マザーボード
【図１】
2013080806.tif 000003
【図２】
2013080806.tif 000004
【図３】
2013080806.tif 000005
【図４】
2013080806.tif 000006
【図５】
2013080806.tif 000007
【図６】
2013080806.tif 000008
【図７】
2013080806.tif 000009
【図８】
2013080806.tif 000010
【図９】
2013080806.tif 000011
【図１０】
2013080806.tif 000012
【図１１】
2013080806.tif 000013