(57)【要約】【課題】導電部がはみ出してしまうことを防止することができる光源装置および光源装置の製造方法を提供すること。【解決手段】光源装置１は、素子で発光した光を出射するエミッタ面と、該光を前記エミッタ面に導く光導波路と、電極とを有する発光素子と、配線部を有する支持基板と、前記発光素子と、前記支持基板とを接合するシリコーン含有分子接合膜と、前記配線部と前記電極とを電気的に接続し、導電性ペーストで形成された導電部とを備え、前記シリコーン含有分子接合膜の延在によって、前記エミッタ面側の端部が閉塞された溝を有し、前記導電部は、前記溝内に設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子で発光した光を出射するエミッタ面と、該光を前記エミッタ面に導く光導波路と、電極とを有する発光素子と、
配線部を有する支持基板と、
前記発光素子と、前記支持基板とを接合するシリコーン含有分子接合膜と、
前記配線部と前記電極とを電気的に接続し、導電性ペーストで形成された導電部とを備え、
前記シリコーン含有分子接合膜の延在によって、前記エミッタ面側の端部が閉塞された溝を有し、
前記導電部は、前記溝内に設けられていることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記支持基板上に成膜され、前記発光素子と前記支持基板とを接合する接合面を備えた前記シリコーン含有分子接合膜と、前記シリコーン含有分子接合膜が前記支持基板上に形成した前記溝内に前記導電性ペーストを充填した前記導電部と、を備え、前記発光素子と前記支持基板とが接合されたものである請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
エネルギーを付与することにより接着性を発現する前記シリコーン含有分子接合膜を有する請求項２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記シリコーン含有分子接合膜は、分枝部において化学式「Ｒ−Ｓｉ−Ｘ３」で表わされる単位構造を有し、連結部において化学式「Ｒ２−Ｓｉ−Ｘ２」で表わされる単位構造を有し、末端部において化学式「Ｒ３−Ｓｉ−Ｘ」で表わされる単位構造を有する分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものである請求項１ないし３のいずれかに記載の光源装置。
［式中、各Ｒは、それぞれ独立して、メチル基、フェニル基または水酸基を表し、Ｘはシロキサン残基を表す。］
【請求項５】
前記エミッタ面は、前記発光素子の側面の中央よりも前記支持基板側に配置されている請求項１ないし４のいずれかに記載の光源装置。
【請求項６】
前記支持基板の前記発光素子と反対側に設けられ、前記支持基板を介して前記発光素子を冷却する冷却手段を有する請求項１ないし５のいずれかに記載の光源装置。
【請求項７】
前記溝の少なくとも一部は、前記光導波路に沿って設けられている請求項１ないし６のいずれかに記載の光源装置。
【請求項８】
前記溝の少なくとも一部において、前記シリコーン含有分子接合膜が被覆しない領域を有する請求項１ないし７のいずれかに記載の光源装置。
【請求項９】
素子で発光した光を出射するエミッタ面と、該光を前記エミッタ面に導く光導波路と、電極とを有する発光素子と、
配線部を有する支持基板と、
前記発光素子と、前記支持基板とを接合するシリコーン含有分子接合膜と、
前記配線部と前記電極とを電気的に接続する導電部とを備える光源装置の製造方法であって、
前記支持基板上に、前記配線部を形成する工程と、
前記支持基板上に、前記シリコーン含有分子接合膜を形成する工程と、
前記シリコーン含有分子接合膜の前記導電部を形成する部位に、その端部が閉塞した溝を形成する工程と、
前記シリコーン含有分子接合膜にエネルギーを付与することにより、前記シリコーン含有分子接合膜の表面および表面付近に接着性を発現させるとともに、前記溝内に導電性ペーストを供給する工程と、
前記溝の前記端部が前記エミッタ面側に位置するように、前記シリコーン含有分子接合膜を介して前記支持基板上に前記発光素子を配置し、加熱し、前記導電性ペーストから前記導電部を形成して該導電部により前記配線部と前記電極とを電気的に接続するとともに、前記発光素子と前記支持基板とを前記シリコーン含有分子接合膜を介して接合する工程とを有することを特徴とする光源装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれかに記載の光源装置を有することを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源装置、光源装置の製造方法および画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザー等の発光素子を有する光源装置が知られている。この光源装置は、配線部を有する支持基板と、支持基板上に設けられ、光を出射するエミッタ面と、光を発生し、その光を前記エミッタ面に導く光導波路と、電極とを有する発光素子とを備えている（例えば、特許文献１参照）。また、支持基板と発光素子とを接合する際、支持基板の配線部と、発光素子の電極とは、銀ペーストや半田等で形成される導電部により電気的に接続される。
【０００３】
ところで、配線部を銀ペースト等により光導波路のパターンに対応させて形成することがある。この配線部は、発光素子のエミッタ面の近傍まで延在している。
また、発光素子は、熱の影響を受け易いので、支持基板の下側に、発光素子を冷却する冷却手段を設けている。そして、その冷却効果を高めるため、エミッタ面を下方、すなわち、支持基板の近傍に配置している。
【０００４】
しかしながら、このような従来の光源装置では、支持基板と発光素子とを接合する際、銀ペーストがエミッタ面側の端部からはみ出してしまうことがある。そして、エミッタ面が支持基板の近傍に位置しているので、そのはみ出した銀ペーストがエミッタ面の一部または全部を覆ってしまうという問題がある。
また、支持基板と発光素子との間において、銀ペーストが導電部を形成したい領域からはみ出してしまい、そのはみ出した銀ペーストにより、回路の短絡等の不具合が生じることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２７５７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、導電部がはみ出してしまうことを防止することができる光源装置、光源装置の製造方法および画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の光源装置は、素子で発光した光を出射するエミッタ面と、該光を前記エミッタ面に導く光導波路と、電極とを有する発光素子と、
配線部を有する支持基板と、
前記発光素子と、前記支持基板とを接合するシリコーン含有分子接合膜と、
前記配線部と前記電極とを電気的に接続し、導電性ペーストで形成された導電部とを備え、
前記シリコーン含有分子接合膜の延在によって、前記エミッタ面側の端部が閉塞された溝を有し、
前記導電部は、前記溝内に設けられていることを特徴とする。
【０００８】
これにより、発光素子と支持基板とがシリコーン含有分子接合膜を介して接合される際、シリコーン含有分子接合膜の溝を形成する壁部により、導電性ペーストがはみ出してしまうことを防止することができる。これによって、導電性ペーストが発光素子のエミッタ面を覆ってしまうことを防止することができ、また、導電性ペーストによる回路の短絡を防止することができる。
また、シリコーン含有分子接合膜が、前記壁部を兼ねるので、専用の壁部を設ける場合に比べて、構成を簡素化することができる。
【０００９】
本発明の光源装置では、前記支持基板上に成膜され、前記発光素子と前記支持基板とを接合する接合面を備えた前記シリコーン含有分子接合膜と、前記シリコーン含有分子接合膜が前記支持基板上に形成した前記溝内に前記導電性ペーストを充填した前記導電部と、を備え、前記発光素子と前記支持基板とが接合されたものであることが好ましい。
これにより、発光素子と支持基板とがシリコーン含有分子接合膜を介して接合される際、導電性ペーストがはみ出してしまうことをより確実に防止することができる。
【００１０】
本発明の光源装置では、エネルギーを付与することにより接着性を発現する前記シリコーン含有分子接合膜を有することが好ましい。
これにより、発光素子と支持基板とをより強固に接合することができる。
本発明の光源装置では、前記シリコーン含有分子接合膜は、分枝部において化学式「Ｒ−Ｓｉ−Ｘ３」で表わされる単位構造を有し、連結部において化学式「Ｒ２−Ｓｉ−Ｘ２」で表わされる単位構造を有し、末端部において化学式「Ｒ３−Ｓｉ−Ｘ」で表わされる単位構造を有する分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものであることが好ましい。
［式中、各Ｒは、それぞれ独立して、メチル基、フェニル基または水酸基を表し、Ｘはシロキサン残基を表す。］
これにより、シリコーン含有分子接合膜は、特に優れた膜強度を発揮するものとなり、また、発光素子と支持基板とをより強固に接合することができる。
【００１１】
本発明の光源装置では、前記エミッタ面は、前記発光素子の側面の中央よりも前記支持基板側に配置されていることが好ましい。
これにより、支持基板の発光素子と反対側に冷却手段を設けた場合、その冷却手段により、より確実に光導波路やエミッタ面を冷却することができる。
本発明の光源装置では、前記支持基板の前記発光素子と反対側に設けられ、前記支持基板を介して前記発光素子を冷却する冷却手段を有することが好ましい。
これにより、発光素子を冷却することができ、これによって、発光素子を効率良く発光させることができる。
【００１２】
本発明の光源装置では、前記溝の少なくとも一部は、前記光導波路に沿って設けられていることが好ましい。
これにより、容易かつ確実に、光導波路に沿って導電部を形成することができる。
本発明の光源装置では、前記溝の少なくとも一部において、前記シリコーン含有分子接合膜が被覆しない領域を有することが好ましい。
これにより、シリコーン含有分子接合膜に溝を容易に形成することができる。
【００１３】
本発明の光源装置の製造方法は、素子で発光した光を出射するエミッタ面と、該光を前記エミッタ面に導く光導波路と、電極とを有する発光素子と、
配線部を有する支持基板と、
前記発光素子と、前記支持基板とを接合するシリコーン含有分子接合膜と、
前記配線部と前記電極とを電気的に接続する導電部とを備える光源装置の製造方法であって、
前記支持基板上に、前記配線部を形成する工程と、
前記支持基板上に、前記シリコーン含有分子接合膜を形成する工程と、
前記シリコーン含有分子接合膜の前記導電部を形成する部位に、その端部が閉塞した溝を形成する工程と、
前記シリコーン含有分子接合膜にエネルギーを付与することにより、前記シリコーン含有分子接合膜の表面および表面付近に接着性を発現させるとともに、前記溝内に導電性ペーストを供給する工程と、
前記溝の前記端部が前記エミッタ面側に位置するように、前記シリコーン含有分子接合膜を介して前記支持基板上に前記発光素子を配置し、加熱し、前記導電性ペーストから前記導電部を形成して該導電部により前記配線部と前記電極とを電気的に接続するとともに、前記発光素子と前記支持基板とを前記シリコーン含有分子接合膜を介して接合する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
これにより、発光素子と支持基板とがシリコーン含有分子接合膜を介して接合される際、シリコーン含有分子接合膜の溝を形成する壁部により、導電性ペーストがはみ出してしまうことを防止することができる。これによって、導電性ペーストが発光素子のエミッタ面を覆ってしまうことを防止することができ、また、導電性ペーストによる回路の短絡を防止することができる。
また、シリコーン含有分子接合膜が、前記壁部を兼ねるので、専用の壁部を設ける場合に比べて、製造工程を削減することができ、また、構成を簡素化することができる。
本発明の画像形成装置は、本発明の光源装置を有することを特徴とする。
これにより、前記本発明の効果を有する画像形成装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の光源装置の第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示す光源装置のＡ−Ａ線での断面図である。
【図３】図１に示す光源装置の発光素子のＢ−Ｂ線での断面図である。
【図４】図１に示す光源装置の支持基板、発光素子の光導波路および接合膜を示す斜視図である。
【図５】図１に示す光源装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】図１に示す光源装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の光源装置の第２実施形態を示す平面図である。
【図８】本発明の画像形成装置をプロジェクターに適用した場合の実施形態を摸式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の光源装置、光源装置の製造方法および画像形成装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の光源装置の第１実施形態を示す斜視図、図２は、図１に示す光源装置のＡ−Ａ線での断面図、図３は、図１に示す光源装置の発光素子のＢ−Ｂ線での断面図、図４は、図１に示す光源装置の支持基板、発光素子の光導波路および接合膜を示す斜視図、図５および図６は、図１に示す光源装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００１７】
なお、以下では、図１〜図６中の左側を「左」、右側を「右」、上側を「上」、下側を「下」とし説明を行う。また、図１では、発光素子３の光導波路３９を破線で示す。また、図１では、発光素子３の電極３８、支持基板２の配線部、プリズム４１、レンズ４２等の図示を省略する。
図１および図２に示すように、光源装置１は、支持基板２と、支持基板２上に設けられた発光素子３と、支持基板２下、すなわち支持基板２の発光素子３と反対側に設けられ、支持基板２を介して発光素子３を冷却する冷却手段８とを有している。発光素子３と支持基板２との間には、発光素子３と支持基板２とを接合する接合面を備えた接合膜７が介在しており、この接合膜７により、発光素子３と支持基板２とが接合されている。接合膜７としては、シリコーン含有分子接合膜を用いている。なお、接合膜７については、後で詳述する。
【００１８】
まず、発光素子３について説明する。なお、本実施形態では、発光素子３として、代表的に、ＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）のスーパールミネッセントダイオード（Super Luminescent Diode、以下「ＳＬＤ」とも言う）を用いた場合について説明する。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することができる。
【００１９】
図２および図３に示すように、発光素子３は、電極３７と、絶縁層３６と、コンタクト層３５と、クラッド層３４と、活性層３３と、クラッド層３２と、基板３１と、電極３８とが、図３中上側に向って積層された積層体を有している。この発光素子３は、電極３７
基板３１としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板等を用いることができる。
【００２０】
クラッド層３２は、基板３１下に形成されている。クラッド層３２としては、例えば、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰ層等を用いることができる。なお、基板３１とクラッド層３２との間に、図示しないバッファー層が形成されていてもよい。バッファー層としては、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層等を用いることができる。
活性層３３は、クラッド層３２下に形成されている。活性層３３は、発光素子３において支持基板２側に設けられている。すなわち、活性層３３は、発光素子３のうち、厚さ方向の中間よりも下側（基板３１側とは反対側）に設けられている。これにより、光を出射する後述するエミッタ面３０１ａ、３０１ｂは、発光素子３の側面の中央よりも支持基板２側に配置される。これにより、冷却手段８により、より確実に、発光素子３の光導波路３９、エミッタ面３０１ａ、３０１ｂを冷却することができる。これによって、発光素子３を効率良く発光させることができる。
【００２１】
活性層３３は、クラッド層３２とクラッド層３４とに挟まれている。活性層３３は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とで構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。すなわち、クラッド層３２とクラッド層３４とで挟まれた活性層３３は、例えば、積層構造体を構成している。
この活性層３３の形状は、図示の構成では、例えば直方体（立方体を含む）等である。
【００２２】
活性層３３の一部は、活性層３３の電流経路となる利得領域３３１を構成している。利得領域３３１は、光を発生することができ、この光は、利得領域３３１内で利得を受けることができる。
利得領域３３１の形状は、本実施形態では、平面視、すなわち発光素子３の積層方向から見たとき、長方形（正方形を含む）の一辺を除去してなる形状（以下、「コの字状」とも言う）、すなわち、直線を同一方向に、２回、９０°屈曲させてなる形状をなしている。なお、利得領域３３１の形状は、後述する光導波路３９の形状でもある。
【００２３】
また、利得領域３３１は、本実施形態では、１つ設けられている。なお、利得領域３３１の数は、これに限定されず、例えば、２つ以上でもよい。
クラッド層３４は、活性層３３下に形成されている。クラッド層３４としては、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＩｎＰ層などを用いることができる。
例えば、ｐ型のクラッド層３４、不純物がドーピングされていない活性層３３、およびｎ型のクラッド層３２により、ｐｉｎダイオードが構成される。クラッド層３２およびクラッド層３４の各々は、活性層３３よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層３３は、光を増幅する機能を有する。クラッド層３４およびクラッド層３２は、活性層３３を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。
【００２４】
コンタクト層３５は、クラッド層３４下に形成されている。コンタクト層３５としては、電極３７とオーミックコンタクトする層を用いることができる。コンタクト層３５は、例えば第２導電型の半導体で構成される。コンタクト層３５としては、例えばｐ型ＧａＡｓ層等を用いることができる。
絶縁層３６は、利得領域３３１の下方以外のコンタクト層３５下に形成されている。すなわち、絶縁層３６は、利得領域３３１の下方に開口を有し、その開口ではコンタクト層３５の表面が露出している。絶縁層３６としては、例えば、ＳｉＮ層、Ｓｉ
Ｏ２層、ポリイミド層等を用いることができる。
【００２５】
電極３７は、露出しているコンタクト層３５下に形成されている。電極３７は、コンタクト層３５を介して、クラッド層３４と電気的に接続されている。電極３７は、発光素子３を駆動するための一方の電極である。電極３７としては、例えば、コンタクト層３５側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層した積層体等を用いることができる。この電極３７の形状、すなわち電極３７とコンタクト層３５との接触部の形状は、平面視で、利得領域３３１と同一の形状、すなわち、長方形の一辺を除去してなる形状をなしている。この電極３７とコンタクト層３５との接触部の形状によって、電極３７、３８間の電流経路が決定され、その結果、利得領域３３１の平面視での形状が決定される。
【００２６】
電極３８は、基板３１上に形成されている。電極３８は、その電極３８とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板３１）と接していることができる。電極３８は、基板３１を介して、クラッド層３２と電気的に接続されている。電極３８は、発光素子３を駆動するための他方の電極である。電極３８としては、例えば、基板３１側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層した積層体等を用いることができる。この電極３８の形状は、平面視で、利得領域３３１と同一の形状、すなわち、長方形の一辺を除去してなる形状をなしている。また、電極３８は、平面視で、利得領域３３１と重なるように配置されている。なお、クラッド層３２と基板３１との間に、図示しない第２コンタクト層を設け、ドライエッチング等によりその第２コンタクト層のクラッド層３２側を露出させ、電極３８を第２コンタクト層下に設けることもできる。これにより、片面電極構造を得ることができる。第２コンタクト層としては、例えば、ｎ型ＧａＡｓ層等を用いることができる。
【００２７】
なお、電極３７および電極３８は、それぞれ、全面に形成されていてもよいことは、言うまでもない。
また、発光素子３は、さらに、光透過性を有する窓部３０を有している。この窓部３０は、図２に示すように、前記電極３７と、絶縁層３６と、コンタクト層３５と、クラッド層３４と、活性層３３と、クラッド層３２と、基板３１と、電極３８との積層体の図２中右側、すなわち光の出射側に形成されている。この窓部３０としては、例えば、ＺｎＯ層等を用いることができる。
【００２８】
発光素子３では、電極３７と電極３８との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層３３の利得領域３３１において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、光は、利得領域３３１内を進行し、その間に光強度が増幅され、利得領域３３１の一方の端面から窓部３０に入射し、その窓部３０の利得領域３３１の前記一方の端面に対応する部位の表面、すなわち、エミッタ面（出射面）３０１ａから出射する。同様に、前記光は、利得領域３３１の他方の端面から窓部３０に入射し、その窓部３０の利得領域３３１の前記他方の端面に対応する部位の表面、すなわち、エミッタ面（出射面）３０１ｂから出射する。
【００２９】
なお、活性層３３の利得領域３３１と、クラッド層３２および３４の利得領域３３１に対応する部位とにより、光を発生し、その光をエミッタ面に導く光導波路３９が構成される。
図１および図２に示すように、支持基板２は、基板本体２０と、基板本体２０上に形成された配線部２１とを有している。
【００３０】
基板本体２０の発光素子３のエミッタ面３０１ａ、３０１ｂの近傍には、溝２０１が形成されている。光源装置１は、２つのプリズム４１と、光を集光する２つのレンズとを有しており、溝２０１内のエミッタ面３０１ａ、３０１ｂに対応する位置に、それぞれ、プリズム４１が挿入されており、各プリズム４１の上方には、それぞれ、レンズ４２が設けられている。
これにより、エミッタ面３０１ａ、３０１ｂから出射した光は、それぞれ、対応するプリズム４１により上方に曲げられ、対応するレンズ４２により集光する。
【００３１】
基板本体２０の構成材料としては、特に限定されず、例えば、Ｓｉ等の半導体や、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂｅ、Ａｕや、これらの化合物（例えば、ＡｌＮ、ＢｅＯなど）や合金（例えばＣｕＭｏなど）等を挙げることができる。また、これらの例示を組み合わせたもの、例えば銅（Ｃｕ）層とモリブデン（Ｍｏ）層の積層体等で、支持基板２を構成することもできる。
【００３２】
また、配線部２１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、Ｃｕやその合金等を用いることができる。
また、図２および図４に示すように、光源装置１は、配線部２１と電極３７とを電気的に接続し、導電性ペーストで形成された導電部６を有している。
導電部６の形状は、本実施形態では、平面視で、利得領域３３１と同一の形状、すなわち、長方形の一辺を除去してなる形状をなしている。また、導電部６は、平面視で、利得領域３３１と重なるように配置されている。すなわち、導電部６は、光導波路３９に沿って設けられている。
【００３３】
なお、導電部６を形成する導電性ペーストとしては、特に限定されず、例えば、銀ペースト等を用いることができる。
接合膜７は、溝７１を有している。この場合、溝７１の少なくとも一部において、接合膜７が被覆しない領域を有していてもよい。すなわち、この溝７１は、無底のものでもよく、また、有底のものでもよいが、本実施形態では、無底のものである。これにより、接合膜７に溝７１を容易に形成することができる。
【００３４】
また、溝７１は、少なくとも支持基板２の導電部６を形成する部位に形成されている。本実施形態では、溝７１は、光導波路３９に沿って形成され、エミッタ面３０１ａ、３０１ｂの近傍まで延在し、そのエミッタ面３０１ａ、３０１ｂ側の端部は、閉塞している。なお、溝７１の各端部は、すべて閉塞している。
前記導電部６は、この溝７１内に形成されている。この場合、後述するように、接合膜７は、発光素子３と支持基板２とが接合される前に、支持基板２上に形成されたものであり、導電部６は、発光素子３と支持基板２とが接合される前に、支持基板２上の溝７１内に導電性ペーストとして形成されたものである。そして、支持基板２上に形成された接合膜７にエネルギーを付与することにより接合膜７の表面および表面付近に発現した接着性により、接合膜７と発光素子３とが接着されている。
【００３５】
これにより、発光素子３と支持基板２とが接合膜７を介して接合される際、接合膜７の溝７１を形成する壁部により、導電性ペーストがはみ出してしまうことを防止することができる。これによって、導電性ペーストが発光素子３のエミッタ面３０１ａ、３０１ｂを覆ってしまうことを防止することができ、また、導電性ペーストによる回路の短絡を防止することができる。
【００３６】
また、接合膜７が、前記壁部を兼ねるので、専用の壁部を設ける場合に比べて、構成を簡素化することができ、また、製造工程を削減することができる。
また、光源装置１は、前述したように、支持基板２下、すなわち支持基板２の発光素子３と反対側に設けられ、支持基板２を介して発光素子３を冷却する冷却手段８を有している。これにより、発光素子３の発熱を防止または抑制することができ、発光素子３を効率良く発光させることができる。
この冷却手段８としては、特に限定されず、例えば、ヒートシンク、送風機、水冷式の冷却装置、ペルチェ素子等が挙げられる。
【００３７】
次に、光源装置１の製造方法の一例について説明する。
まず、支持基板２の基板本体２０と、発光素子３とを用意する。基板本体２０としては、例えば、Ｓｉ基板等を用いることができる。
次に、図５（ａ）に示すように、基板本体２０の上面を加熱し、その基板本体２０の上面に酸化膜２３を形成する。
【００３８】
次に、図５（ｂ）に示すように、酸化膜２３の上面に電解めっき用の下地膜５１を形成する。この下地膜５１としては、例えば、酸化膜２３側からＴｉＷ層、Ｃｕ層の順序で積層した積層体等を用いることができる。
次に、図５（ｃ）に示すように、下地膜５１の上面にレジスト膜５２を形成し、下地膜５１の上面の配線部２１を形成する領域のレジスト膜５２を除去する。すなわち、下地膜５１の上面の配線部２１を形成する領域以外を覆うようにレジスト膜５２のパターニングを行う。
【００３９】
次に、図５（ｄ）に示すように、レジスト膜５２をマスクとして、電界めっきを行い、下地膜５１上に、配線部２１を形成する。
次に、図５（ｅ）に示すように、レジスト膜５２を除去する。また、下地膜５１ののうち、その上面に配線部２１が形成されていない領域をエッチングする。これにより、支持基板２が得られる。
【００４０】
エッチング方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
次に、図５（ｆ）に示すように、支持基板２の上面、すなわち、酸化膜２３の上面および配線部２１の上面に、接合膜７の構成材料であるシリコーン材料を含有する液状材料を供給し、液状被膜を形成する。
【００４１】
前記液状材料を付与する方法としては、例えば、浸漬法、液滴吐出法（例えば、インクジェット法）、スピンコート法、ドクターブレード法、バーコート法、刷毛塗り等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
この液状材料は、シリコーン材料を含有するものであるが、シリコーン材料単独で、液状をなし目的とする粘度範囲である場合、シリコーン材料をそのまま液状材料として用いることができる。また、シリコーン材料単独で、固形状または高粘度の液状をなす場合には、液状材料として、シリコーン材料の溶液または分散液を用いることができる。
【００４２】
シリコーン材料を溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、例えば、アンモニア、水、過酸化水素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
【００４３】
また、次工程において、シリコーン材料中に含まれる水酸基同士を脱水縮合反応させることにより液状被膜を硬化させる際に、この脱水縮合反応を促進させるための触媒が、液状材料中に添加されていてもよい。この触媒としては、特に限定されないが、例えば、テトラブチルオルソチタネート、テトライソプロピルオルソチタネートのようなチタン系触媒、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）のようなアルミ系触媒、および、リン酸、メタリン酸、ポリリン酸のようなリン酸系触媒等が挙げられる。
シリコーン材料は、液状材料中に含まれ、次工程において、この液状材料を乾燥および／または硬化させることにより形成される接合膜７の主材料となるものである。
【００４４】
なお、以下では、支持基板２上に設けられた液状被膜（液状材料）を乾燥および／または硬化させること、すなわち、液状被膜（液状材料）中に含まれるシリコーン材料を硬化させるとともに、液状被膜（液状材料）中に溶媒または分散媒が含まれる場合には、脱溶媒または脱分散媒により液状被膜（液状材料）を乾燥させることを、単に「液状被膜（液状材料）の乾燥・硬化」と言うこともある。
【００４５】
ここで、「シリコーン材料」としては、特に限定されないが、本発明では、液状材料中に含まれ、次工程において、この液状材料を乾燥・硬化させることにより形成される接合膜７の主材料となるものであり、分枝部において化学式「Ｒ−Ｓｉ−Ｘ３」で表わされる単位構造を有し、連結部において化学式「Ｒ２−Ｓｉ−Ｘ２」で表わされる単位構造を有し、末端部において化学式「Ｒ３−Ｓｉ−Ｘ」で表わされる単位構造を有する分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものが好適に用いられる。
［式中、各Ｒは、それぞれ独立して、メチル基、フェニル基または水酸基を表し、Ｘはシロキサン残基を表す。］
以下では、化学式「Ｒ−Ｓｉ−Ｘ３」を一般式（化学式）（１）、化学式「Ｒ２−Ｓｉ−Ｘ２」を一般式（化学式）（２）、化学式「Ｒ３−Ｓｉ−Ｘ」を一般式（化学式）（３）と言う。
【００４６】
なお、シロキサン残基とは、酸素原子を介して隣接する構造単位が有するケイ素原子に結合しており、シロキサン結合を形成している置換基のことを表す。具体的には、−Ｏ−（Ｓｉ）構造（Ｓｉは隣接する構造単位が有するケイ素原子）となっている。
このようにシリコーン材料すなわちポリオルガノシロキサン骨格が、分枝状をなしていることにより、次工程において、液状材料中に含まれるこの化合物の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜７が形成されることから、得られる接合膜７は特に膜強度と耐光性に優れたものとなる。なお、３官能性シリコーン分子（化学式「Ｒ−Ｓｉ−Ｘ３」）を基本構成単位とするシリコーン材料は、２官能性シリコーン分子（化学式「Ｒ２−Ｓｉ−Ｘ２」）と１官能性シリコーン分子（化学式「Ｒ３−Ｓｉ−Ｘ２」）よりも硬い。さらに、２官能性シリコーン分子を基本構成単位とするシリコーン材料は、１官能性シリコーン分子よりも硬い。
【００４７】
また、シリコーン材料は、その分子量が、１×１０４以上、１×１０６以下のものであるのが好ましく、１×１０５以上、１×１０６以下のものであるのがより好ましい。分子量をかかる範囲内に設定することにより、液状材料の粘度を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
また、シリコーン材料は、その化合物中、すなわち、連結部または末端部において、上記一般式（２）、上記一般式（３）で表わされる単位構造をなすことにより、シラノール基を複数有するものとなる。これにより、次工程［２］において、液状被膜を乾燥・硬化させて接合膜７を得る際に、シリコーン材料中に残存しているシラノール基に含まれる水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜７の膜強度がさらに優れたものとなる。
【００４８】
また、支持基板２として、前述したように、その接合面（表面）から水酸基が露出しているものを用いた場合には、シリコーン材料中に残存している水酸基と、支持基板２が備える水酸基とが結合することから、シリコーン材料を物理的な結合ばかりでなく、化学的な結合によっても支持基板２に結合させることができる。その結果、接合膜７は、支持基板２の接合面に対して、強固に結合したものとなる。
【００４９】
また、シリコーン材料は、その化合物中において、上記一般式（１）、上記一般式（２）および上記一般式（３）で表わされる単位構造が備える、Ｒのうちの少なくとも１つは、フェニル基であるのが好ましい。これにより、シラノール基の反応性がより向上するため、隣接するシリコーン材料が有する水酸基同士の結合がより円滑に行われるようになる。また、接合膜７中にフェニル基が含まれる構成とすることにより、形成される接合膜７をより膜強度に優れたものとし得るという利点も得られる。
【００５０】
さらに、上記一般式（１）、上記一般式（２）および上記一般式（３）で表わされる単位構造が備えるＲのうちのフェニル基でないＲはメチル基となっている。基Ｒがメチル基である化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、後工程において、接合膜７にエネルギーを付与することにより、メチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜７に確実に接着性を発現させることができる。
【００５１】
また、前記シリコーン材料は、比較的柔軟性に富む材料である。そのため、後工程において、接合膜７を介して支持基板２に発光素子３を接合する際に、支持基板２と発光素子３との間に生じる熱膨張に伴う応力を確実に緩和することができる。これにより、最終的に得られる光源装置１において、支持基板２、発光素子３と、接合膜７との界面で剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【００５２】
さらに、前記シリコーン材料は、耐薬品性に優れているため、薬品類等に長期にわたって曝されるような部材の接合に際して効果的に用いることができる。具体的には、例えば、樹脂材料を浸食し易い有機系インクが用いられる工業用インクジェットプリンタの液滴吐出ヘッドを製造する際に、接合膜７を用いて接合すれば、その耐久性を確実に向上させることができる。また、前記シリコーン材料は、耐熱性にも優れていることから、高温下に曝されるような部材の接合に際しても効果的に用いることができる。さらに、耐光性に優れ、紫外線等による劣化に強い特性を有する。
【００５３】
また、前記シリコーン材料は、上述した分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものに、ポリエステル樹脂が脱水縮合反応することにより得られた「ポリエステル変性シリコーン材料」であってもよい。
なお、本明細書中において、「ポリエステル樹脂」とは、トリメチロールプロパンとテレフタル酸とがエステル化反応することにより得られた化合物をいい、１分子中に少なくとも２つの水酸基を備えるものが好適に用いられる。
【００５４】
このようなポリエステル樹脂を、前述したシリコーン材料と縮合反応させると、ポリエステル樹脂が有する水酸基とシリコーン材料が有するシラノール基（水酸基）とが脱水縮合反応し、これにより、シリコーン材料にポリエステル樹脂が連結されたポリエステル変性シリコーン材料が得られる。
なお、テレフタル酸とトリメチロールプロパンとをエステル化反応させる際の、それぞれの含有量は、テレフタル酸が有するカルボキシル基よりもトリメチロールプロパンが有する水酸基よりも多くなるように設定する。これにより、合成されるポリエステル樹脂は、その１分子中において、少なくとも２つの水酸基を備えるものとなる。
以上のことを考慮してテレフタル酸とトリメチロールプロパンとから得られるポリエステル樹脂としては、例えば、下記一般式（４）で表わされる化合物が挙げられる。
【００５５】
【化１】
2013239592.tif 000003
【００５６】
このようなポリエステル樹脂は、その分子中に、テレフタル酸に由来するフェニレン基が含まれることとなる。かかる構成のポリエステル樹脂を含有するポリエステル変性シリコーン材料を用いて接合膜７を形成すると、形成される接合膜７は、ポリエステル樹脂中にフェニレン基が含まれることに起因して、特に優れた膜強度を発揮するものとなる。
また、このようなポリエステル樹脂をポリエステル変性シリコーン材料が備えていると、ポリエステル変性シリコーン材料は、通常、螺旋構造をなしているポリオルガノシロキサン骨格から、ポリエステル樹脂が露出するような状態で存在していることとなる。そのため、次工程において、液状被膜を乾燥・硬化させて接合膜７を得る際に、隣接するポリエステル変性シリコーン材料が備えるポリエステル樹脂同士が互いに接触する機会が増大することとなる。その結果、隣接するポリエステル変性シリコーン材料中において、ポリエステル樹脂同士が絡まり合ったり、これらが備える水酸基同士が脱水縮合して化学的に結合したりするため、得られる接合膜７の膜強度をより確実に向上させることができる。
【００５７】
また、支持基板２として、前述したように、その接合面（表面）から水酸基が露出しているものを用いた場合には、ポリエステル樹脂に残存している水酸基と、支持基板２が備える水酸基とが脱水縮合反応により結合することから、ポリエステル変性シリコーン材料を物理的な結合ばかりでなく、化学的な結合によっても支持基板２に結合させることができる。その結果、接合膜７は、支持基板２の接合面に対して、強固に結合されたものとなる。さらに、ポリエステル樹脂が備えるケトン基と、支持基板２が備える水酸基との間で水素結合が生じることから、かかる結合によっても、接合膜７は、支持基板２の接合面に対して、強固に接合されたものとなる。
【００５８】
また、前記シリコーン材料は、上述した分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものに、エポキシ樹脂が付加反応することにより得られた「エポキシ変性シリコーン材料」であってもよい。
なお、本明細書中において、「ポリエステル樹脂」とは、その末端にエポキシ基を備える化合物をいい、エポキシ基を備えるモノマー、オリゴマーまたはポリマーの何れであっても良く、１分子中に少なくとも２つのエポキシ基を備えるものが好適に用いられる。
【００５９】
このようなエポキシ樹脂を、シリコーン材料に付加反応させると、エポキシ樹脂が有するエポキシ基とシリコーン材料が有するシラノール基（水酸基）とが付加反応し、これにより、シリコーン材料にエポキシ樹脂が連結されたエポキシ変性シリコーン材料が得られる。
また、エポキシ樹脂は、その分子中に、フェニレン基を有しているのが好ましい。かかる構成のエポキシ樹脂を含有するエポキシ変性シリコーン材料を用いて接合膜７を形成すると、形成される接合膜７は、エポキシ樹脂中にフェニレン基が含まれることに起因して、特に優れた膜強度を発揮するものとなる。
【００６０】
さらに、エポキシ樹脂は、その分子構造が直鎖型の構造をなすものであるのが好ましい。ここで、エポキシ樹脂が連結するシリコーン材料は、通常、その主骨格であるポリオルガノシロキサン骨格が螺旋構造をなしている。そのため、このシリコーン材料に連結するエポキシ樹脂は、螺旋状をなすシリコーン材料から露出（突出）するような状態で存在することになる。そのため、エポキシ樹脂の分子構造が直鎖型のものであると、次工程において、液状被膜を乾燥・硬化させて接合膜７を得る際に、隣接するエポキシ変性シリコーン材料が備えるエポキシ樹脂同士が互いに接触する機会を増大させることができる。その結果、エポキシ変性シリコーン材料中において、エポキシ樹脂同士が絡まり合ったり、これらが備えるエポキシ基同士が開環重合して化学的に結合したりするため、得られる接合膜７の膜強度を確実に向上させることができる。
【００６１】
また、支持基板２として、前述したように、その接合面（表面）ら水酸基が露出しているものを用いた場合には、エポキシ変性シリコーン材料が備えるエポキシ樹脂が直鎖型のものであると、エポキシ樹脂に残存しているエポキシ基と、支持基板２が備える水酸基との間での付加反応の反応率が向上することから、エポキシ変性シリコーン材料を物理的な結合ばかりでなく、化学的な結合によっても支持基板２により確実に結合させることができる。その結果、接合膜７は、支持基板２の接合面に対して、より強固に結合されたものとなる。
以上のことを考慮すると、エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましく用いられ、具体的には、下記一般式（５）で表わされるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が挙げられる。
【００６２】
【化２】
2013239592.tif 000004
［式中、ｎは、０または１以上の整数を表す。］
【００６３】
なお、ビスフェノール型エポキシ樹脂は、耐薬品性に優れているため、エポキシ樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂を備える接合膜７は、薬品類等に長期にわたって曝されるような部材の接合に効果的に用いられる。また、ビスフェノール型エポキシ樹脂は、耐熱性にも優れていることから、高温下に曝されるような部材の接合に際しても効果的に用いられる。
【００６４】
なお、液状材料中には、エポキシ変性シリコーン材料の他に、添加剤が含まれていても良い。このような添加剤としては、例えば、各種アミン化合物や、各種酸化合物が挙げられる。かかる添加剤が含まれていると、エポキシ樹脂が備えるエポキシ基に対して、この添加剤が結合することとなり、この添加剤中に２以上のアミノ基やカルボキシル基が含まれていると、添加剤を介してエポキシ基同士を結合できるようになる。そのため、上述したエポキシ基同士の結合がより生じ易くなるため、得られる接合膜７の膜強度をより確実に向上させることができる。
【００６５】
これらの中でも、添加剤としては、カルボキシル基を含む酸化合物であるのが好ましい。これにより、次工程において、液状被膜を乾燥・硬化させて得られる接合膜７中に、ケトン基が含まれることとなる。そのため、支持基板２として、前述したように、その接合面（表面）から水酸基が露出しているものを用いた場合、接合膜７が備えるケトン基と、支持基板２が備える水酸基との間で水素結合が生じることから、かかる結合によって、接合膜７は、第支持基板２の接合面に対して、より強固に接合されたものとなる。
【００６６】
次に、支持基板２上に供給された液状材料、すなわち、液状被膜を乾燥および／または硬化させる。すなわち、液状材料中に溶媒または分散媒が含まれる場合には、液状被膜を乾燥させるとともに、液状被膜中に含まれるシリコーン材料を硬化させる。これにより、図５（ｆ）に示すように、支持基板２上に接合膜７が形成される。
液状被膜を乾燥・硬化させる方法としては、特に限定されないが、液状被膜を加熱する方法が好ましく用いられる。かかる方法によれば、液状被膜を加熱するという単純な方法で、液状被膜の乾燥・硬化を容易かつ確実に行うことができる。
【００６７】
次に、図６（ａ）に示すように、接合膜７の上面にレジスト膜５３を形成し、支持基板２の上面の導電部６を形成する領域のレジスト膜５３を除去する。すなわち、支持基板２の導電部６を形成する領域以外を覆うようにレジスト膜５３のパターニングを行う。
次に、図６（ｂ）に示すように、レジスト膜５３をマスクとして、エッチングする。これにより、支持基板２の上面の導電部６を形成する領域の接合膜７が除去され、溝７１が、形成される。
【００６８】
次に、図６（ｃ）に示すように、さらにレジスト膜５３を形成し、支持基板２の上面の溝２０１を形成する領域のレジスト膜５３を除去する。すなわち、支持基板２の溝２０１を形成する領域以外を覆うようにレジスト膜５３のパターニングを行う。
そして、レジスト膜５３をマスクとして、エッチングし、レジスト膜５３を除去する。これにより、支持基板２に、溝２０１が形成される。
【００６９】
次に、図６（ｄ）に示すように、支持基板に形成された接合膜７の表面に対してエネルギーを付与する。
接合膜７にエネルギーを付与すると、この接合膜７では、表面付近の分子結合（例えば、Ｓｉ−ＣＨ３結合や、Ｓｉ−Ｐｈｅ）の一部が切断し、表面が活性化されることに起因して、表面付近に発光素子３に対する接着性が発現する。
このような状態の支持基板２は、発光素子３と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
【００７０】
ここで、本明細書中において、表面が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜７の表面の分子結合の一部、具体的には、例えば、シリコーン材料が備えるメチル基やフェニル基の一部が切断されて、接合膜７中に終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜７が「活性化された」状態と言うこととする。
【００７１】
接合膜７に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、例えば、接合膜７にプラズマを接触させる（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜７にエネルギー線を照射する方法、接合膜７を加熱する方法、接合膜７に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜７をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。これにより、接合膜７の表面を効率よく活性化させることができる。
これらの中でも、接合膜７に対するエネルギーの付与は、特に、接合膜７にプラズマを接触させる方法を用いるのが好ましい。
なお、本工程では、図６（ｄ）に示すように、接合膜７のみならず、発光素子３の絶縁層３６に対してもプラズマを接触させることが好ましい。
【００７２】
次に、図６（ｅ）に示すように、溝７１内に導電性ペースト６１を供給する。
次に、図６（ｆ）に示すように、接合膜７と発光素子３とが密着するように、支持基板２と発光素子３とを重ね合わせる。そして、加熱し、接合膜７を介して、支持基板２と発光素子３とを接合する。この際、導電性ペースト６１により導電部６が形成される。以上のようにして、光源装置１が製造される。
【００７３】
＜第２実施形態＞
図７は、本発明の光源装置の第２実施形態を示す平面図である。
なお、以下では、図７中の左側を「左」、右側を「右」、上側を「上」、下側を「下」とし説明を行う。また、図７では、発光素子３については、光導波路３９のみを二点鎖線で示し、支持基板発光素子３の電極３８、プリズム４１およびレンズ４２等の図示を省略する。
【００７４】
以下、第２実施形態について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図７に示すように、第２実施形態の光源装置１は、１２個の光導波路３９を有している。この光導波路３９は、行列状に配置されている。
この光源装置１によれば、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
以上説明したような光源装置１の用途は、特に限定されず、例えば、画像形成装置等に好適に適用することができる。
【００７５】
＜プロジェクターの実施形態＞
次に、本発明の画像形成装置をプロジェクター（投射型表示装置）に適用した場合の実施形態について説明する。
図８は、本発明の画像形成装置をプロジェクターに適用した場合の実施形態を摸式的に示す図である。
【００７６】
図８に示すプロジェクター３００は、前述した光源装置１と、インテグレータレンズ３０２および３０３を有する照明光学系と、色分離光学系（導光光学系）と、赤色に対応した（赤色用の）液晶ライトバルブ８４と、緑色に対応した（緑色用の）液晶ライトバルブ８５と、青色に対応した（青色用の）液晶ライトバルブ８６と、赤色光のみを反射するダイクロイックミラー面８１１および青色光のみを反射するダイクロイックミラー面８１２が形成されたダイクロイックプリズム（色合成光学系）８１と、投射レンズ（投射光学系）８２とを備えている。
色分離光学系は、ミラー３０４、３０６、３０９、青色光および緑色光を反射する（赤色光のみを透過する）ダイクロイックミラー３０５、緑色光のみを反射するダイクロイックミラー３０７、青色光のみを反射するダイクロイックミラー３０８、集光レンズ３１０、３１１、３１２、３１３および３１４を有している。
【００７７】
液晶ライトバルブ８５は、液晶パネル１６と、液晶パネル１６の入射面側に接合された第１の偏光板（図示せず）と、液晶パネル１６の出射面側に接合された第２の偏光板（図示せず）とを有している。液晶ライトバルブ８４および８６も、液晶ライトバルブ８５と同様の構成をなしている。これら液晶ライトバルブ８４、８５および８６の各液晶パネル１６は、それぞれ、図示しない駆動回路にそれぞれ接続されている。
なお、このプロジェクター３００では、液晶ライトバルブ８４、８５、８６および駆動回路により、光源装置１から出射した光を画像情報に基づいて変調する変調装置の主要部が構成され、投射レンズ８２により、その変調装置により変調された光を投射する投射装置の主要部が構成される。
【００７８】
次に、プロジェクター３００の作用を説明する。
まず、光源装置１から出射した白色光（白色光束）は、インテグレータレンズ３０２および３０３を透過する。この白色光の光強度（輝度分布）は、インテグレータレンズ３０２および３０３により均一化される。
インテグレータレンズ３０２および３０３を透過した白色光は、ミラー３０４で図８中左側に反射し、その反射光のうちの青色光（Ｂ）および緑色光（Ｇ）は、それぞれダイクロイックミラー３０５で図８中下側に反射し、赤色光（Ｒ）は、ダイクロイックミラー３０５を透過する。
【００７９】
ダイクロイックミラー３０５を透過した赤色光は、ミラー３０６で図８中下側に反射し、その反射光は、集光レンズ３１０により整形され、赤色用の液晶ライトバルブ８４に入射する。
ダイクロイックミラー３０５で反射した青色光および緑色光のうちの緑色光は、ダイクロイックミラー３０７で図８中左側に反射し、青色光は、ダイクロイックミラー３０７を透過する。
【００８０】
ダイクロイックミラー３０７で反射した緑色光は、集光レンズ３１１により整形され、緑色用の液晶ライトバルブ８５に入射する。
また、ダイクロイックミラー３０７を透過した青色光は、ダイクロイックミラー３０８で図８中左側に反射し、その反射光は、ミラー３０９で図８中上側に反射する。前記青色光は、集光レンズ３１２、３１３および３１４により整形され、青色用の液晶ライトバルブ８６に入射する。
【００８１】
このように、光源装置１から出射した白色光は、色分離光学系により、赤色、緑色および青色の三原色に色分離され、それぞれ、対応する液晶ライトバルブ８４、８５および８６に導かれ、入射する。
この際、液晶ライトバルブ８４の液晶パネル１６の各画素は、赤色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路により、スイッチング制御（オン／オフ）され、また、液晶ライトバルブ８５の液晶パネル１６の各画素は、緑色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路により、スイッチング制御され、また、液晶ライトバルブ８６の液晶パネル１６の各画素は、青色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路により、スイッチング制御される。
【００８２】
これにより、赤色光、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ８４、８５および８６で変調され、赤色用の画像、緑色用の画像および青色用の画像がそれぞれ形成される。
前記液晶ライトバルブ８４により形成された赤色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ８４からの赤色光は、入射面８１３からダイクロイックプリズム８１に入射し、ダイクロイックミラー面８１１で図８中左側に反射し、ダイクロイックミラー面８１２を透過して、出射面８１６から出射する。
【００８３】
また、前記液晶ライトバルブ８５により形成された緑色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ８５からの緑色光は、入射面８１４からダイクロイックプリズム８１に入射し、ダイクロイックミラー面８１１および８１２をそれぞれ透過して、出射面８１６から出射する。
また、前記液晶ライトバルブ８６により形成された青色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ８６からの青色光は、入射面８１５からダイクロイックプリズム８１に入射し、ダイクロイックミラー面８１２で図８中左側に反射し、ダイクロイックミラー面８１１を透過して、出射面８１６から出射する。
【００８４】
このように、前記液晶ライトバルブ８４、８５および８６からの各色の光、すなわち液晶ライトバルブ８４、８５および８６により形成された各画像は、ダイクロイックプリズム８１により合成され、これによりカラー画像が形成される。この画像は、投射レンズ８２により、所定の位置に設置されているスクリーン３２０上に投影（拡大投射）される。
以上説明したプロジェクター３００によれば、前述した光源装置１を有しているので、高品位な画像を表示することができる。
【００８５】
以上、本発明の光源装置、光源装置の製造方法および画像形成装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【符号の説明】
【００８６】
１…光源装置  ２…支持基板  ２０…基板本体  ２０１…溝  ２１…配線部  ２２…導電部  ２３…酸化膜  ３…発光素子  ３０…窓部  ３０１ａ、３０１ｂ…エミッタ面  ３１…基板  ３２、３４…グラッド層  ３３…活性層  ３３１…利得領域  ３５…コンタクト層  ３６…絶縁層  ３７、３８…電極  ３９…光導波路  ４１…プリズム  ４２…レンズ  ５１…下地層  ５２、５３…レジスト膜  ６…導電部  ６１…導電性ペースト  ７…接合膜  ７１…溝  ８…冷却手段  １６…液晶パネル  ８１…ダイクロイックプリズム  ８１１、８１２…ダイクロイックミラー面  ８１３〜８１５…入射面  ８１６…出射面  ８２…投射レンズ  ８４〜８６…液晶ライトバルブ  ３００…プロジェクター  ３０２、３０３…インテグレータレンズ  ３０４、３０６、３０９…ミラー  ３０５、３０７、３０８…ダイクロイックミラー  ３１０〜３１４…集光レンズ  ３２０…スクリーン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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