(57)【要約】【課題】液晶のパネル面内の流れによって、液晶中の各種浮遊物がパネル周辺等に淀むことで発生する、微小輝点不良を抑制し、高画質で安定した液晶表示装置を提供する。【解決手段】第１の基板５と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板５’と、前記第１の基板５と前記第２の基板５’との間に配置される液晶材料１と、前記第１の基板５の上に配置された第１の配向膜４と、前記第２の基板５’の上に配置された第２の配向膜４’とを有し、前記第１及び第２の配向膜が高分子化合物からなることを特徴とする液晶表示装置において、前記第１の基板と第２の基板を貼り合わせるために設けられたシール材３と、前記シール材３と表示領域との間に、液晶の流動を妨げる消波構造２を設けたことを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板との周辺部がシール材によって接着され、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶が挟持され、前記第１の基板および前記第２の基板は前記液晶に対する配向膜を有した液晶表示装置であって、
前記シール材と前記表示領域の間に構造体を設け、
前記構造体の高さは、前記構造体の近傍における液晶層厚の９５％以下であり、
前記構造体の前記第１の基板の主面と平行な面で切った断面は、前記表示領域側に複数の凹部を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記凹部は、円弧状であり、前記円弧の半径をＲとし、前記凹部の開口部の径をＤとしたとき、２Ｒ＞Ｄであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記凹部は、開口部がＤである３角形であり、前記凹部の深さをＬとしたとき、Ｌ＞Ｄであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記構造体と前記シール材は離間していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
表示領域を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板との周辺部がシール材によって接着され、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶が挟持され、前記第１の基板および前記第２の基板は前記液晶に対する配向膜を有した液晶表示装置であって、
前記シール材と前記表示領域の間に構造体を設け、
前記構造体の高さをＨは、前記構造体の近傍における液晶層厚をＳとしたとき、
０．４≦Ｈ/Ｓ≦０．９５であり
前記構造体の前記第１の基板の主面と平行な面で切った断面は、前記表示領域側に複数の凹部を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記構造体の高さをＨは、前記構造体の近傍における液晶層厚をＳとしたとき、
０．５≦Ｈ/Ｓ≦０．９であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
表示領域を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板との周辺部がシール材によって接着され、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶が挟持され、前記第１の基板および前記第２の基板は前記液晶に対する配向膜を有した液晶表示装置であって、
前記シール材と前記表示領域の間に構造体を設け、
前記構造体は複数の柱状であり、
前記構造体の高さをＨは、前記構造体の近傍における液晶層厚をＳとしたとき、
０．４≦Ｈ/Ｓ≦０．９５であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記構造体の高さをＨは、前記構造体の近傍における液晶層厚をＳとしたとき、
０．５≦Ｈ/Ｓ≦０．９０であることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
表示領域を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板との周辺部がシール材によって接着され、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶が挟持され、前記第１の基板および前記第２の基板は前記液晶に対する配向膜を有した液晶表示装置であって、
前記シール材と前記表示領域の間に構造体を設け、
前記構造体の高さは、前記構造体の近傍における液晶層厚の９５％以下であり、
前記消波構造の前記第１の基板の主面と平行な面で切った断面は、前記表示領域側において、多孔質構造の断面と類似することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
前記多孔質構造の多孔質部に前記液晶が含浸している領域を有することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記液晶表示装置はＩＰＳ（In−Plane Switching）方式の表示装置であることを特徴とする請求項１から１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記配向膜は偏光した光によって高分子化合物の一部が切断されることにより液晶配向規制力を付与されることを特徴とする請求項１から１１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微小輝点不良を発生しない高画質で安定した液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は表示品質が高く、且つ薄型、軽量、低消費電力などといった特長からその用途を広げており、携帯電話用モニター、デジタルスチルカメラ用モニターなどの携帯向けモニターからデスクトップパソコン用モニター、印刷やデザイン向けモニター、医療用モニターさらには液晶テレビなど様々な用途に用いられている。この用途拡大に伴い、液晶表示装置には更なる高画質化、高品質化が求められており、特に高透過率化による高輝度化、低消費電力化が強く求められている。また液晶表示装置の普及に伴い、低コスト化に対しても強い要求がある。
【０００３】
通常、液晶表示装置の表示は一対の基板間に挟まれた液晶層の液晶分子に電界を印加することにより液晶分子の配向方向を変化させ、それにより生じた液晶層の光学特性の変化により行われる。電界無印加時の液晶分子の配向方向は、ポリイミド薄膜の表面にラビング処理を施した配向膜により規定されている。従来、画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子を備えたアクティブ駆動型液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の基板のそれぞれに電極を設け、液晶層に印加する電界の方向が基板面に対してほぼ垂直になる、所謂縦電界になるように設定され、液晶層を構成する液晶分子の光旋光性を利用して表示を行う。
【０００４】
縦電界方式の代表的な液晶表示装置として、ツイステッドネマチック（ＴＮ：Twisted Nematic）方式や垂直配向（ＶＡ：Vertical Alignment）方式が知られている。ＴＮ方式やＶＡ方式の液晶表示装置においては視野角が狭いことが大きな課題の一つである。そこで、広視野角化を達成する表示方式としてＩＰＳ（In-Plane Switching）方式やＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式が知られている。ＩＰＳ方式およびＦＦＳ方式は、一対の基板の一方に櫛歯状の電極を形成し、発生する電界が当該基板面にほぼ平行な成分を有する、所謂横電界方式の表示方式であり、液晶層を構成する液晶分子を基板とほぼ平行な面内で回転動作させ、液晶層の複屈折性を用いて表示を行う。液晶分子の面内スイッチングにより従来のＴＮ方式に比べて視野角が広く低負荷容量である等の利点があり、ＴＮ方式に代わる新たな液晶表示装置として有望視され、近年急速に進歩している。
【０００５】
これら各種方式の液晶表示素子には、ポリイミドが用いられることが多い。その形成方法は、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を各種溶媒に溶かして、基板上にスピン塗布または印刷によって塗布し、基板を200℃以上の高温で加熱することで、溶媒を除去すると共に、ポリアミド酸をポリイミドにイミド化閉環反応させる。この時の膜厚100ｎｍ程度の薄膜である。このポリイミド薄膜表面をラビング布により表面を一定方向に擦ることで、表面のポリイミド高分子鎖をその方向に配向させ、表面高分子の異方性の高い状態を実現する。
【０００６】
しかしながら、ラビングによる静電気や異物の発生、基板表面の凹凸によるラビングの不均一等の問題があり、ラビング布との接触を必要としない、偏光した光を用いて分子配向を制御する光配向法が開発されている。液晶配向膜の光配向法には、アゾ色素のように偏光した紫外線を照射することで分子内の幾何学的配置が変化する光異性化型、偏光方向の分子のみ光架橋させる光二量体化型、偏光方向に並んでいる高分子鎖のみ切断分解し、垂直な方向の高分子鎖を残留させる光分解型がある（「技術文献１」）。
しかしながら、これら光配向膜を用いた液晶表示装置はラビング配向膜を用いた場合と比べて開発の歴史が浅く、実用上の液晶表示装置として数年以上にわたる長期間の表示品質については十分な知見がない。すなわち、製造初期の段階では顕在化していない画質の不良と光配向膜固有の問題との関係についてはほとんど報告されていない。
【０００７】
また、今日の液晶表示素子では液晶層の厚みを一定に保つために柱状スペーサと呼ばれる突起を基板上に複数配置することが多く、この柱状スペーサと対向基板上の配向膜との接触による膜削れ、その削れ物が凝集することによる微小輝点の発生が問題となっている。その対策として、例えば〔特許文献１〕では対向する配向膜を接触部分を凸形状にして柱状スペーサとの接触面積を小さくして、膜削れ量を減らす方法が提案されている。
【０００８】
また、その他液晶表示素子の構成物、例えば配向膜中のＮＭＰ（N-methylpyrrolidone）等の残留溶媒、配向膜の下に形成される各種平坦化層やカラーフィルタ等を構成するレジストの不純物、或いはこれら構成物を形成する際のプロセス起因の残留物や汚染物等が液晶層に溶出または拡散浮遊し、長期間の間にパネル周辺等、特定位置に集まることで、その近傍の液晶表示素子の保持率等を低下させ、その位置近傍で表示不良を発生させる。これら液晶中の浮遊物を特定位置にまで運ぶためには液晶自身の流れが作用しているが、どのような液晶の流れが液晶パネル中に発生し、それが各種浮遊物を運ぶのかについては、十分な検討がなされていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−１６４７５０号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】長谷川雅樹、平洋一：ポリイミドの光分解によるネマチック液晶のホモジニアス配向：第20回液晶討論会予稿集、232〜233頁、1994年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、液晶のパネル面内の流れによって、液晶中の各種浮遊物がパネル周辺等に淀むことで発生する、微小輝点不良を抑制した高画質で安定した液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は以上のような課題を解決するものであり、主な手段は次のとおりである。
【００１３】
（１）表示領域を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板との周辺部がシール材によって接着され、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶が挟持され、前記第１の基板および前記第２の基板は前記液晶に対する配向膜を有した液晶表示装置であって、前記シール材と前記表示領域の間に構造体を設け、前記構造体の高さは、前記構造体の近傍における液晶層厚の９５％以下であり、前記構造体の前記第１の基板の主面と平行な面で切った断面は、前記表示領域側に複数の凹部を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
【００１４】
（２）表示領域を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板との周辺部がシール材によって接着され、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶が挟持され、前記第１の基板および前記第２の基板は前記液晶に対する配向膜を有した液晶表示装置であって、前記シール材と前記表示領域の間に構造体を設け、前記構造体の高さをＨは、前記構造体の近傍における液晶層厚をＳとしたとき、０．４？Ｈ/Ｓ？０．９５であり前記構造体の前記第１の基板の主面と平行な面で切った断面は、前記表示領域側に複数の凹部を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
【００１５】
（３）表示領域を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板との周辺部がシール材によって接着され、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶が挟持され、前記第１の基板および前記第２の基板は前記液晶に対する配向膜を有した液晶表示装置であって、前記シール材と前記表示領域の間に構造体を設け、前記構造体は複数の柱状であり、前記構造体の高さをＨは、前記構造体の近傍における液晶層厚をＳとしたとき、０．４≦Ｈ/Ｓ≦０．９５であることを特徴とする液晶表示装置。
【００１６】
（４）表示領域を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板との周辺部がシール材によって接着され、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶が挟持され、前記第１の基板および前記第２の基板は前記液晶に対する配向膜を有した液晶表示装置であって、前記シール材と前記表示領域の間に構造体を設け、前記構造体の高さは、前記構造体の近傍における液晶層厚の９５％以下であり、前記消波構造の前記第１の基板の主面と平行な面で切った断面は、前記表示領域側において、多孔質構造を有することを特徴とする液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、液晶表示素子中の液晶層を一定間隔に保つためのスペーサと配向膜との接触による膜削れや、その他液晶表示素子の構成物由来の液晶層中の浮遊物が、長期間の液晶表示装置の使用によって引き起こされる液晶流れによって、局所的に凝集することを防止し、引いてはそのような凝集が引き金となって発生する微小輝点不良を防止し、長期間の高品質を維持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の液晶表示装置の、消波構造付近の模式図である。
【図２】本発明によるＩＰＳ方式液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式図である。
【図３】本発明に関わる液晶表示装置の概略構成の平面の一例を示す模式ブロック図である。
【図４】本発明に関わる液晶表示装置の作製手順のフロー図である。
【図５】本発明の実施例１で得られた配向膜の特性を示した表である。
【図６】本発明の実施例２の液晶表示装置の、消波構造付近の模式図である。
【図７】本発明の実施例２で得られたラビング配向処理した配向膜の液晶パネルの表示特性を示した表である。
【図８】本発明の実施例２で得られた光配向処理した配向膜の液晶パネルの表示特性を示した表である。
【図９】本発明の実施例３の液晶表示装置の、消波構造付近の模式図である。
【図１０】本発明の実施例３で得られた配向膜の液晶パネルの寿命特性を示した表である。
【図１１】本発明の実施例４の液晶表示装置の、消波構造付近の模式図である。
【図１２】本発明の実施例４で得られた配向膜の特性を示した表である。
【図１３】本発明の実施例５の液晶表示装置の、消波構造付近の模式図。
【図１４】本発明の液晶表示装置の、実施例５および６の消波構造を作製するための、樹脂描画装置の概略模式図である。
【図１５】本発明の実施例５で得られた配向膜の液晶パネルの表示特性を示した表である。
【図１６】本発明の実施例６で得られた配向膜の液晶パネルの寿命特性を示した表である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２０】
最初に、本発明の液晶表示装置の基本的素子構造について、図表を用いて説明する図３（ｂ）には、本発明の液晶表示装置の部分的素子構造の断面の一例を示した。本発明の液晶表示装置は、液晶表示装置の外周部（パネルエッジ）に設けられたシール材(108)の近傍に形成された消波構造(2)を用いていることが特徴である。消波構造は、液晶の流動を妨げる構造をいう。具体的な構造は、後に実施例で例示するが、このような構造物を設けることで、液晶表示素子を実環境で使用する際の温度変化が原因となって引き起こされる液晶層（ＬＣ）の局所的流動に対して、消波構造(2)が流動抵抗となり、流動発生を抑制する。
【００２１】
このようにすることで、パネル表示部に設けられた柱状スペーサ(110)が対向する配向膜(108)と接触することによって発生する配向膜削れが、液晶流動によってパネルエッジに輸送されることを抑制させる。これはまた、その他の液晶表示素子の構成物由来の液晶層中の浮遊物が、同様に液晶流動でパネルエッジに輸送されることを抑止する。本発明の液晶表示装置は、これまで報告されている各種部材やプロセスをそのまま用いることが可能である。
【００２２】
また、このような各種浮遊物の液晶流動は、液晶表示素子中の液晶分子を電場で膜面内方向に回転させるＩＰＳ方式の液晶表示装置においては、その表示駆動中の液晶分子の回転によっても促進されるため、本発明の消波構造は特に有効である。
【００２３】
以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明の技術的範囲は以下の実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００２４】
最初に、本発明の液晶表示装置用の配向膜を作製した一例について図表を用いて説明する。図１には、本発明の消波構造を有する液晶表示素子のパネルエッジ近傍の構造を示した。図１（ａ）はそのパネル平面方向から見た消波構造、図１（ｂ）はそのパネル厚み方向からみた消波構造を示している。本発明の消波構造は、液晶パネルの各種使用環境の温度変化や運搬時の振動等によって誘起される液晶の局所的流動を、特にパネルエッジ近傍で抑制するための流動抵抗となるべき消波構造である。
【００２５】
図１（ａ）において、消波構造(2)は、シール材(3)のパネル中央部内側の液晶材料(1)が充填されている領域に対して、長さＤの間口あるいは開口を有する半径Ｒの円形凹面形状を有している。図１(ａ)において、凹部と凹部の最短距離がＥである。ここで、長さＤと半径Ｒ、および、長さＥと半径Ｒ後に示すように特定範囲にあることが望ましい。
【００２６】
図１（ｂ）において、消波構造(2)は、基板(5)及びその上部に形成された下地層(4)の上に形成されており、シール材(3)に接している。この上に、対向する基板(5’)、その上部に形成された下地層(4’)が形成されている。ここで、下地層(4)と下地層(4’)との距離Ｓと消波構造(2)の高さＨとの関係を見ると、前者が液晶セルのスペースでるのに対して、Ｓ＞Ｈの関係を保っている。ここで、Ｈは消波構造の先端で測定し、Ｓは、消波構造の高さＨを測定した位置における液晶層の層厚である。
【００２７】
ＳとＨの関係を調査した結果では、Ｈ/Ｓの値が、０．４乃至０．９５の時に効果があり、０．５乃至０．９の時により効果が顕著であった。また、図１(ａ)における消波構造の凹部が重ならないようにするためには、Ｅが０よりも大きくする必要がある。一方、消波構造における凹部が離れすぎていると、消波構造の効果が出にくいので、Ｅは半径Ｒの２倍以下とする必要がある。すなわち、０＜Ｅ≦２Ｒである。
【００２８】
図１には示していないが、液晶パネルの画素表示部分には、その液晶セルのスペースを一定に保つスペーサ構造が設けられており、その間隔をパネル表示部全面にわたって一定に保つためには、パネルエッジ部分の封止部は若干間隔を狭めて封止されることが望ましい。なお、ここでは特に図示していないが、その構造形成過程において、接触したシール材が消波構造(2)の上部に拡がってもよい。
【００２９】
かかる特定形状の消波構造(2)を形成する材料には、感光性樹脂を用いることが可能であり、液晶パネルを形成する別の構造物、例えば後に説明するような液晶スペーサを形成するための材料や手順を用いることができる。また、その消波構造自身の熱伝導率を向上させるために、各種微粒子、例えばカーボン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化マグネシウム等を分散させた樹脂を用いることも可能である。
【００３０】
図２は、本発明によるＩＰＳ方式液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式図である。アクティブマトリクス基板（106）は、ガラス基板（601）などの絶縁基板の表面に、走査信号線ＧＬおよび共通化配線と、それらを覆う第１の絶縁層（602）が形成されている。第１の絶縁層（602）の上には、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層（603）、映像信号線ＤＬ、および画素電極ＰＸと、それらを覆う第２の絶縁層（604）が形成されている。
【００３１】
半導体層（603）は、走査信号線ＧＬの上に配置されており、走査信号線ＧＬのうちの半導体層（603）の下部に位置する部分がＴＦＴ素子Ｔｒのゲート電極として機能する。また、半導体層（603）は、たとえば、第１のアモルファスシリコンからなる能動層（チャネル形成層）の上に、第１のアモルファスシリコンとは不純物の種類や濃度が異なる第２のアモルファスシリコンからなるソース拡散層およびドレイン拡散層が積層された構成になっている。またこのとき、映像信号線ＤＬの一部分および画素電極ＰＸの一部分は、それぞれ、半導体層（603）に乗り上げており、当該半導体層（603）に乗り上げた部分がＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極およびソース電極として機能する。
【００３２】
ところで、ＴＦＴ素子Ｔｒのソースとドレインは、バイアスの関係、すなわちＴＦＴ素子Ｔｒがオンになったときの画素電極ＰＸの電位と映像信号線ＤＬの電位との高低の関係によって入れ替わる。しかしながら、本明細書における以下の説明では、映像信号線ＤＬに接続している電極をドレイン電極といい、画素電極に接続している電極をソース電極という。第２の絶縁層（604）の上には、表面が平坦化された第３の絶縁層（605）が形成されている。
【００３３】
第３の絶縁層（605）の上には、共通電極ＣＴと、共通電極ＣＴおよび第３の絶縁層（605）を覆う配向膜（606）が形成されている。共通電極ＣＴは、第１の絶縁層（602）、第２の絶縁層（604）、および第３の絶縁層（605）を貫通するコンタクトホールＣＨ（スルーホール）を介して共通化配線と接続している。また、共通電極ＣＴは、たとえば、平面における画素電極ＰＸとの間隙Ｐｇが７μｍ程度になるように形成されている。
【００３４】
配向膜（606）は以下の実施例に記載された高分子材料が塗布され、表面に液晶配向能を付与するための表面処理（ラビング処理等）が施されている。一方、対向基板７は、ガラス基板（701）などの絶縁基板の表面に、ブラックマトリクス（702）およびカラーフィルタ（703Ｒ，703Ｇ，703Ｂ）と、それらを覆うオーバーコート層（704）が形成されている。ブラックマトリクス（702）は、たとえば、表示領域ＤＡに画素単位の開口領域を設けるための格子状の遮光膜である。
【００３５】
また、カラーフィルタ（703Ｒ，703Ｇ，703Ｂ）は、たとえば、バックライト（105）からの白色光のうちの特定の波長領域（色）の光のみを透過する膜であり、液晶表示装置がＲＧＢ方式のカラー表示に対応している場合は、赤色の光を透過するカラーフィルタ（703Ｒ）、緑色の光を透過するカラーフィルタ（703Ｇ）、および青色の光を透過するカラーフィルタ（703Ｂ）が配置される（ここでは一つの色の画素について代表して示している）。
【００３６】
また、オーバーコート層（704）は、表面が平坦化されている。オーバーコート層（704）の上には、複数の柱状スペーサ（110）および配向膜（705）が形成されている。柱状スペーサ（110）は、たとえば、頂上部が平坦な円錐台形（台形回転体ということもある）である。また、配向膜（705）は、たとえば、ポリイミド系樹脂で形成されており、表面に液晶配向能を付与するための表面処理（ラビング処理等）が施されている。
【００３７】
また、図２の方式の液晶表示パネル（101）における液晶層ＬＣの液晶分子（111）は、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴの電位が等しい電界無印加時には、ガラス基板（601），（701）の表面にほぼ平行に配向された状態であり、配向膜（606），（705）に施されたラビング処理で規定された初期配向方向に向いた状態でホモジニアス配向している。そして、ＴＦＴ素子Ｔｒをオンにして映像信号線ＤＬに加えられている階調電圧を画素電極ＰＸに書き込み、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの間の電位差が生じると、図中に示したような電界（112）（電気力線）が発生し、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの電位差に応じた強度の電界（112）が液晶分子（111）に印加される。
【００３８】
このとき、液晶層ＬＣが持つ誘電異方性と電界（112）との相互作用により、液晶層ＬＣを構成する液晶分子（111）は電界（112）の方向にその向きを変えるので、液晶層ＬＣの屈折異方性が変化する。またこのとき、液晶分子（111）の向きは、印加する電界（112）の強度（画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの電位差の大きさ）によって決まる。したがって、液晶表示装置では、たとえば、共通電極ＣＴの電位を固定しておき、画素電極ＰＸに加える階調電圧を画素毎に制御して、それぞれの画素における光透過率を変化させることで、映像や画像の表示を行うことができる。
【００３９】
図３（ａ）は、液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。液晶表示パネル（101）の表示領域ＤＡは、多数の画素の集合で構成されており、表示領域ＤＡにおいて１つの画素が占有する領域は、たとえば、隣接する２本の走査信号線ＧＬと隣接する２本の映像信号線ＤＬとで囲まれる領域に相当する。また、液晶表示パネル（101）は、アクティブマトリクス基板（106）と対向基板（107）の表面に配向膜（606）および（705）を形成し、それら配向膜の間に液晶層ＬＣ（液晶材料）を配置した構造になっている。また、ここでは特に図示していないが、配向膜（606）とアクティブマトリクス基板（106）の間、または配向膜（705）と対向基板（107）の間に、適宜中間層（例えば位相差板や色変換層、光拡散層等の光学的中間層）を設けてもよい。
【００４０】
また、それぞれの画素における液晶層ＬＣの厚さ（セルギャップということもある）を均一化するための柱状スペーサ（110）が複数設けられている。このとき、アクティブマトリクス基板（106）と対向基板（107）とは、表示領域ＤＡの外側に設けられた環状のシール材（108）で接着されており、シール材(106)と表示領域ＤＡの間には消波構造(2)が設けられており、液晶層ＬＣは、アクティブマトリクス基板（106）側の配向膜（606）、対向基板（107）側の配向膜（705）、およびシール材（108）、消波構造(2)で囲まれた空間に密封されている。また、対向配置させた一対の偏光板（109ａ），（109ｂ）を有する。また、特には図示していないが、表示点灯させるバックライトや導光板、表示駆動回路、電源、或いは位相差フィルムや表面反射防止フィルム等を具備している。
【００４１】
次に、本発明の液晶表示装置の作製手順について図表を用いて説明する。図４には、本発明の液晶表示装置の作製手順フローの一例を示した。基板には、例えば事前に表面研磨洗浄した無アルカリガラスを用いることができる。これ以外には通常のホウケイガラスやプラスチック、或いは金属薄板等を組み合わせたもの、或いは液晶表示装置を点灯させるための光源の光を導光するための光学的構造を、適宜使用することも可能である。但し、少なくとも表示させる側の基板は透明基板である必要がある。基板は第１の基板用と第２の基板用の２組を用意する。
【００４２】
第１の基板用には、カラーフィルタ（CF）パターン形成、平坦化膜形成、或いはブラックマトリクス形成、透明電極形成等の薄膜形成プロセスを経て、第１の基板(107)とする。第１の基板(107)上には、各種感光性樹脂を用いて柱状スペーサ(110)を形成する。その高さは液晶セルとしてのスペーサに求められる寸法とし、例えば１μｍから１０μｍの範囲から選ばれており、望ましくは３μｍから５μｍの範囲から選ばれている。
【００４３】
その面内の幅は対向する受け台座部材の幅以上とすることが望ましく、例えば１μｍから３０μｍから選ばれており、望ましくは８μｍから２０μｍの範囲から選ばれている。ここで、柱状スペーサ(110)の平面形状が正方形や長方形、多角形でもよく、あるいは円形または長円形でもよい。また、複数の凹凸を含む形状でもよい。また、柱状スペーサ(110)の断面形状は、順テーパ状となっていることが望ましいが、垂直または逆テーパであってもよい。
【００４４】
この上に第１の配向膜(705)を形成する。配向膜材料にはこれまで知られている各種高分子材料から適宜選ぶことができるが、その代表的な材料はポリイミドである。最初に、目的のポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を溶媒に溶かして、溶液を調製する。次に配向膜を形成する下地基板の上にスピンコート、フレクソ印刷、インクジェット印刷等の湿式方法により、溶液を塗布する。次に塗布した溶液の膜厚が表面張力や下地の凹凸により著しく平坦性が乱されないように予備乾燥する。このような状態にして、基板温度を200℃以上の高温にして、ポリアミド酸の分子構造を熱変化させてイミド化焼成する。ここでは、「非特許文献１」に記載されているＣＢＤＡ−ＯＤＡ系のポリイミドを用いた。その構造式を（化１）に示した。
【００４５】
【化１】
2013235147.tif 000003
【００４６】
また、ここでは、ラビング法で配向規制力を付与した場合と、偏光した紫外線を照射することでポリイミドを光切断する光配向法で配向規制力付与を付与した場合の、２種類の液晶表示素子を作製した。第２の基板用には、TFT回路、電極形成等のプロセスを経て、第２の基板(106)とする。ここでは図示しないが、この上に透明電極を形成して画素部分のみパターニングするが、詳細は省略する。この上に消波構造(2)を形成する。この上に、第２の配向膜(606)を、第１の配向膜(705)と同様の手法で形成させる。このようにして薄膜化された第２の配向膜(606)には同様に配向機能を付与する。
【００４７】
次に、第２の配向膜(606)上に液晶材料(1)を滴下し、第１の配向膜(705)の基板と貼り合わせてセル組する。用いる液晶材料や貼り合わせ用の樹脂等は、通常の液晶表示装置製造時に用いられるものを利用することができる。また、セル組した後に液晶を真空封入することも可能である。この後、偏光板、位相差板等の光学フィルムを貼り付け、バックライトや駆動回路電源、フレーム、反射防止膜、等の部材を組み合わせてモジュール化し、付属部品と合わせて、液晶表示装置とする。
【００４８】
次に、このような消波構造を有する液晶表示素子が、長期間にわたり、微小輝点不良を防止可能な、より高品質な液晶表示装置であることを確認する手順について説明する。柱状スペーサ(110)を介して貼り合わせられた液晶表示素子においては、その貼り合わせ過程において、柱状スペーサ(110)が対向する配向膜(106)と擦れ合わされつつ、一定間隔を保持するように作製されるため、その途中で配向膜(106)が摩耗し、その削れ残渣が柱状スペーサ(110)外周に付着する。このような削れ残渣は、長期間液晶表示素子を使用している間に、液晶パネル中で局所的な温度分布（例えば、バックライトや駆動電源等の熱と、使用外部環境との温度差）が原因となって、液晶を局所流動させ、削れ残渣もその流れに乗って、少しずつ移動する。特に、パネルエッジ近傍では、流れがエッジに近づくと、エッジのシール材で反射したり、シール材に沿って流れた後にパネル中央側に戻るような渦を形成するため、実効的に流動ベクトルを消失させるため、削れ残渣はシール材よりも、少しパネル中央側に片寄った位置で残留、蓄積される。
【００４９】
このような長期間の液晶表示装置の使用によって引き起こされる残渣が局所的に凝集する度合いは、以下の方法によって見積もることができる。まず、試料となる液晶表示装置から液晶パネル部分を取り外し、電極配線等は除去して、パネル表面に装着されている光学フィルムや偏光フィルムだけが残った状態のパネルとする。この状態で、使用環境の温度変化によって残渣が局所的に凝集する過程を加速度的に引き起こすために、ヒートショック試験槽（例えば日立空調SE、ES-206EX）に前記パネルを装着し、所定のヒートショック試験を施す。ここでヒートショック試験とは、槽内の温度を高温と低温の間で、急速に切り替えることが可能な恒温槽のことであり、例えば-35℃と+85℃の間を5分以内で温度切替を行い、その温度状態を数十分間保持した状態を1回の温度サイクルとして、何度も温度サイクルをパネルに与えるものである。
【００５０】
このような温度変化によって、パネル中の液晶材料(1)が撹拌され、製造初期は配向膜全面に均一に分散していた残渣がヒートサイクルの加熱、冷却で局所的に流動する過程が反復され、パネルエッジに近づくと流動ベクトルを失い残渣が局所的に凝集する。このような凝集した残渣は、その近傍の液晶の配向乱れを引き起こし、微小輝点不良の原因となる。このような凝集は、パネルを一定温度に保持しただけでは発生せず、温度サイクルの切替時の温度差やその変化速度に応じた液晶材料(1)の撹拌速度に対応しており、温度差が大きい程、変化速度が速い程、より急速に凝集化する。ここでは、一例としてパネルを垂直保持で、-35℃と+85℃の間を5分以内で温度切替を行い、その温度状態を数十分間保持した状態を1回の温度サイクルを標準試験条件とし、100サイクルごとにパネルを取出して、目視によって微小輝点の密集状態が確認できた時間を試験寿命とした。試験の都合上、5000サイクルでも凝集が確認されなかった場合は、打切りとした。
【００５１】
本実施例では、対角15インチの液晶表示素子を作製し、このヒートショック試験によって、微小輝点密集の発生時間を評価した。比較として、本発明の消波構造を持たない以外は同一の構造を有する液晶表示素子も作製した。一つの仕様のパネルは５パネル作製して、同じヒートショック試験を行った。比較として作製した液晶表示素子においては、100から300サイクルの間に、左右下コーナ部を起点としてエッジから5から15mmの範囲に、微小輝点が密集した領域が生まれ、試験サイクルを延ばすと、微小輝点が密集した領域もパネルエッジに沿って拡がり、1000サイクルを越えると、４つのエッジすべてに微小輝点の密集した領域が広がった。以下、微小輝点密集が確認され始めたサイクル数をｔｐ、５パネルのすべてで微小輝点密集が確認されたサイクル数をｔｑとする。
【００５２】
図５の表１（ａ）にはラビング法での、図５の表１（ｂ）には光配向法での、いくつかの間口Ｄ、半径Ｒの消波構造を設けた場合の微小輝点密集が確認されたサイクル数ｔｐ、ｔｑを示した。表１（ａ）を見ると、Ｄ＝5.0μｍとした場合、Ｒ＝2.5μｍ（ちょうど消波構造の凹部が半円となる）では、消波構造を設けなかった場合と微小輝点密集の発生寿命に差異は見られなかった。Ｒを少し大きくすると、寿命は大きく伸び、Ｒ＝3.5μｍとするだけでもｔｐ＝1000サイクル、ｔｑ＝2900サイクルとなった。Ｒ＝5.5μｍでは打切り時間である5000サイクルまでに微小輝点密集は観察されなかった。
【００５３】
また、Ｄ＝10.0μｍの場合、Ｒ＝5.0μｍ（ちょうど消波構造の凹部が半円となる）では、消波構造を設けなかった場合と微小輝点密集の発生寿命に差異は見られず、Ｒ＝10.0μｍでは打切り時間である5000サイクルまでに微小輝点密集は観察されなかった。また、Ｄ＝15.0μｍの場合、Ｒ＝7.5μｍ（ちょうど消波構造の凹部が半円となる）では、消波構造を設けなかった場合と微小輝点密集の発生寿命に差異は見られず、Ｒ＝15.5μｍでは打切り時間である5000サイクルまでに微小輝点密集は観察されなかった。これらのことから、間口Ｄよりも半径Ｒを大きくすると、微小輝点密集の発生を抑制する効果が見られ、特に２Ｒ＞Ｄとすると効果が著しいことがわかった。表１（ｂ）にも同様の傾向が見て取れ、光配向法で作製した場合にも同様の効果が得られた。
【００５４】
念のため、液晶表示素子としての表示特性、例えば電圧−輝度特性、電圧保持率、残像等を測定したが、これらについては消波構造の有無は全く差異がなかった。
このように、本発明の液晶表示装置のごとく、図１で示される消波構造をパネルエッジ近傍に設けることにより、長期間にわたり、微小輝点不良を防止可能な、より高品質な液晶表示装置とすることができることが確認された。
【実施例２】
【００５５】
次に、別の消波構造を用いて本発明の液晶表示装置を作製した一例について図表を用いて説明する。図６には、本発明の消波構造を有する液晶表示素子のパネルエッジ近傍の構造を示した。図６（ａ）はそのパネル平面方向から見た消波構造、図６（ｂ）はそのパネル厚み方向からみた消波構造を示している。図６（ａ）を見ると、消波構造(2)は、シール材(3)のパネル中央部内側の液晶材料(1)が充填されている領域に対して、長さＤの間口を有する奥行きＬの二等辺三角形形状を有している。ここで、長さＤと奥行きＬは、後に示すように特定範囲にあることが望ましい。
【００５６】
図６（ｂ）において、消波構造(2)は、基板(5)及びその上部に形成された下地層(4)の上に形成されており、シール材(3)に接している。この上に、対向する基板(5’)、その上部に形成された下地層(4’)が形成されている。ここで、下地層(4)と下地層(4’)との距離Ｓと消波構造(2)の高さＨとの関係を見ると、前者が液晶セルのスペースであるのに対して、Ｓ＞Ｈの関係を保っている。また、ＳとＨの好ましい関係は、実施例１で説明したのと同様な関係となっていることがよい。
【００５７】
図７の表２（ａ）にはラビング法での、図８の表２（ｂ）には光配向法での、実施例１と同様にして、微小輝点密集が確認されるまでの寿命を測定した結果を示した。間口Ｄを5.0、10.0、15.0μｍと変え、それぞれについて奥行きＬをＤ/2から5Ｄ程度の範囲で変えた消波構造を形成して、一つの仕様のパネルは５パネル作製して、同じヒートショック試験を行った。表２（ａ）を見ると、いずれの場合も、ＬがＤ以上となると、微小輝点密集の出現寿命が長くなる傾向を示した。
【００５８】
また、Ｌが長くなるにつれて、試験の上限である5000サイクルまでに５パネルすべてで微小輝点密集が発生しない場合があったが、間口Ｄが小さい程、長寿命の傾向にあった。但し、今回の条件の中では試験の上限である5000サイクルまでに１パネルも微小輝点密集が発生しないようなＤとＬの組み合わせは見出せなかった。表２（ｂ）にも同様の傾向が見て取れ、光配向法で作製した場合にも同様の効果が得られた。
【００５９】
念のため、液晶表示素子としての表示特性、例えば電圧−輝度特性、電圧保持率、残像等を測定したが、これらについては消波構造の有無は全く差異がなかった。このように、本発明の液晶表示装置のごとく、図６で示される消波構造をパネルエッジ近傍に設けることにより、長期間にわたり、微小輝点不良を防止可能な、より高品質な液晶表示装置とすることができることが確認された。
【実施例３】
【００６０】
次に、さらに別の消波構造を用いて本発明の液晶表示装置を作製した一例について図表を用いて説明する。図９には、本発明の消波構造を有する液晶表示素子のパネルエッジ近傍の構造を示した。図９（ａ）はそのパネル平面方向から見た消波構造、図９（ｂ）はそのパネル厚み方向からみた消波構造を示している。ここでは、消波構造(2)はシール材(3)と平行に形成された矩形形状をしている。液晶層の厚みＳと消波構造の高さＨの関係は、実施例１における関係と同様である。すなわち、Ｈ/Ｓの値は、０．４乃至０．９５のが好ましく、より好ましくは０．５乃至０．９である。
【００６１】
図９に示すように、本実施例における消波構造の厚さはＴであり、シール材(3)とは間隔はＫである。ここでは、Ｓ＝4μｍの液晶パネルを作製し、消波構造の高さＨは3.6、2.8、2、1.2μｍの４通りを選び、それぞれのＨに対して、厚さＴは5、10、15、20μｍ、間隔Ｋは5、10、15、20μｍとしたものを試作した。なお、一定の間隔のシールを作製するのは通常の樹脂描画では困難なので、感光性樹脂で高さＳの壁をパネルエッジに平行に形成したものを補助とした。その他の作製条件は実施例１と同様とし、同じくヒートショック試験を施して、微小輝点密集が発生する寿命を測定した。
【００６２】
図１０の表３（ａ）にはラビング法での、図１０の表３（ｂ）には光配向法での結果を示した。表３（ａ）を見ると、実施例１で述べた通り、消波構造を持たない時の微小輝点密集が出始めるサイクルｔｐは100サイクル、５台目で微小輝点密集が出るサイクルｔｑは300サイクルであったが、ここでの試作品で、ほとんどは波消構造を持たない時と同様の寿命を示した。ただ一つ、Ｈ＝2μｍの場合は微小輝点密集寿命が異なり、表３に示すように、ｔｐは200サイクル、ｔｑは400から600サイクルに寿命が延びることがわかった。表３（ｂ）にも同様の傾向が見て取れ、光配向法で作製した場合にも同様の効果が得られた。
【００６３】
念のため、液晶表示素子としての表示特性、例えば電圧−輝度特性、電圧保持率、残像等を測定したが、これらについては消波構造の有無は全く差異がなかった。このように、本発明の液晶表示装置のごとく図９で示されるように、消波構造とシール部との間に一定の間隔を設けることにより、微小輝点不良の発生を防止可能な、より高品質な液晶表示装置とすることができることが確認された。
、
【実施例４】
【００６４】
次に、別の消波構造を用いて本発明の液晶表示装置を作製した一例について図表を用いて説明する。図１１には、本発明の消波構造を有する液晶表示素子のパネルエッジ近傍の構造を示した。図１１（ａ）はそのパネル平面方向から見た消波構造、図１１（ｂ）はそのパネル厚み方向からみた消波構造を示している。図１１（ａ）に示すように、ここでは半径Ｒの柱状形状をした消波構造(2)をその中心間隔Ｗで配置し、その中心を結ぶ線が角度60°の正三角形となるように配置し、シール材(3)に対しては消波構造(2)は平行に複数配置され、かつパネル中心に向かっては複数列配置している。
【００６５】
ここでは列の数は10列とした。これまでの実施例と同様、ここでシール材(3)に対して平行な配置とは、パネルエッジに対して平行であることと同義である。また、消波構造(2)のうち最もシール材(3)と近いものの距離Ｋ＝10μｍ離れた位置を、シール材の描画領域とした。また、図１１（ｂ）に示すように、液晶層の厚みはＳ＝4μｍ、消波構造の高さをＨ＝3.6μｍとした。ここではＷ＝30μｍの時、Ｒ＝10、7.5、5μｍと変えた液晶パネルについて、実施例１同様にヒートショック試験を行い、微小輝点密集の発生寿命を評価した。
【００６６】
図１２の表４（ａ）にはラビング法での、図１２の表４（ｂ）には光配向法での結果を示した。表４（ａ）を見ると、実施例１で述べた通り、消波構造を持たない時の微小輝点密集が出始めるサイクルｔｐは100サイクル、５台目で微小輝点密集が出るサイクルｔｑは300サイクルであったが、Ｒ＝5μｍではこれと変わらない寿命であったのに対して、Ｒ＝10、7.5μｍでは長寿命化の傾向を示した。表４（ｂ）にも同様の傾向が見て取れ、光配向法で作製した場合にも同様の効果が得られた。
念のため、液晶表示素子としての表示特性、例えば電圧−輝度特性、電圧保持率、残像等を測定したが、これらについては消波構造の有無は全く差異がなかった。このように、本発明の液晶表示装置のごとく、図１１で示されるように、消波構造として複数の柱状形状構造を設けることにより、微小輝点不良の発生を防止可能な、より高品質な液晶表示装置とすることができることが確認された。
【実施例５】
【００６７】
次に、別の消波構造を用いて本発明の液晶表示装置を作製した一例について図表を用いて説明する。図１３には、本発明の消波構造を有する液晶表示素子のパネルエッジ近傍の構造を示した。図１３において、シール材に隣接した消波構造の液晶側は、多孔質構造を基板５の主面と平行な面で切った場合の断面と類似する構成となっている。図１３（ａ）、図１３（ｂ）では、異なる形状の多孔質構造の断面図となっている。
【００６８】
これまでの実施例で示した消波構造は一定の形状を有する構造とするため、実施例１で示したように感光性樹脂により、所定の形状を作製していた。しかしながら、この方法ではそのパターニングのための露光が必要となり、特に所定の高さを保つためのプロセス条件が必要であった。より簡便な手法により、液晶パネル中の局所的な対流を抑制できる波消構造を提供するために、よりパネル中心側にシール材(3)と平行に描画された線状の波消構造(2)を同様の手法で描画し、その内部に図１３（ａ）のような複数の気泡や図１３（ｂ）のような網目の気道が自己形成されるようにすることが可能である。なお、図１３(ａ)、１３（ｂ）は、ガラス基板の主面と平行な面で切った消波構造２の断面図である。
【００６９】
このような多孔質な消波構造をシール材と共に、一括してパネルエッジに形成するための作製手順の一例を以下に説明する。シール材(3)には通常の部材、例えばエポシキアクリル系の樹脂を用いることができるが、これに隣接する多孔質な消波構造(2)には、例えばエポキシ系樹脂に各種発泡剤、例えばアゾ系の発泡剤であるN,N'-ジニトロソペンタメチレンテトラミン、アゾジカルボンアミドを添加したものを用いることができる。発泡剤を事前にエポキシ樹脂に用いられている溶媒に混合溶解したものをエポキシ樹脂と混合したものを消波構造用樹脂とする。
【００７０】
これら２種類の樹脂を、図１４に示すような先端を接合させたニードル(7,7’)と２つのシリンジ(6,6’)、それらを固定するシリンジホルダ(9)の各シリンジに充填し、液晶表示装置のセル組の段階で、パネルエッジに描画する。このような特殊なニードルを用いると、全体としては従来のシール幅の間に2種類の構造を有するものを形成することが可能である。このような方法で２種類の樹脂を同時に描画し、内側を発泡剤入りの樹脂とすると、液晶表示装置の上下の基板を組合せ、樹脂を加熱硬化させる段階で発泡剤からガスが発生して、多孔質な樹脂部分として消波構造(2)が形成される。このようなシール材(3)と消波構造(2)を形成した後、液晶を通常の真空封入プロセスによって充填し、封入口を後封止することで、液晶表示装置は完成する。
【００７１】
図１５の表５（ａ）にはラビング法での、図１５の表５（ｂ）には光配向法での、エポキシ樹脂に対する発泡剤溶液の混合比（wt%）を変えた場合の、ヒートショック試験での微小輝点発生寿命を示した。表５（ａ）を見ると、実施例１で述べた通り、消波構造を持たない時の微小輝点密集が出始めるサイクルｔｐは100サイクル、５台目で微小輝点密集が出るサイクルｔｑは300サイクルであったが、混合比0.1wt%から発生サイクルが伸びる傾向を示し、10wt%でｔｐ＝3500サイクル、ｔｑ＝打切りと、長寿命化の傾向を示した。表５（ｂ）にも同様の傾向が見て取れ、光配向法で作製した場合にも同様の効果が得られた。
【００７２】
念のため、液晶表示素子としての表示特性、例えば電圧−輝度特性、電圧保持率、残像等を測定したが、これらについては消波構造の有無は全く差異がなかった。このように、本発明の液晶表示装置のごとく、図１３で示されるように、多孔質構造の消波構造を設けることにより、微小輝点不良の発生を防止可能な、より高品質な液晶表示装置とすることができることが確認された。
【実施例６】
【００７３】
次に、別の配向膜材料を用いて本発明の液晶表示装置を作製した一例について図表を用いて説明する。実施例５では、多孔質な消波構造を得るために、発泡剤溶液を適宜添加したエポキシ樹脂を用いたが、ここでは発泡剤溶液の代わりに、液晶パネルに用いる液晶材料そのものをエポキシ樹脂に添加することを試みた。このようにすることで、樹脂内部に液晶材料との相分離網目構造が自然に形成され、それを液晶表示素子として液晶材料と接することで、程良く液晶材料が網目構造に含浸した状態が実現できる。いくつかの混合比で液晶材料とエポキシ樹脂を混合したものを、実施例５に示した方法でシール材と共にパネルエッジに描画して、上下基板を貼り合わせて、液晶表示素子を得、同様にヒートショック試験を行った。
【００７４】
図１６の表６（ａ）にはラビング法での、図１６の表６（ｂ）には光配向法での結果を示した。表６（ａ）を見ると、実施例１で述べた通り、消波構造を持たない時の微小輝点密集が出始めるサイクルｔｐは100サイクル、５台目で微小輝点密集が出るサイクルｔｑは300サイクルであったが、混合比1wt%から発生サイクルが伸びる傾向を示し、10wt%でｔｐ＝4000サイクル、ｔｑ＝打切りと、長寿命化の傾向を示した。表６（ｂ）にも同様の傾向が見て取れ、光配向法で作製した場合にも同様の効果が得られた。
【００７５】
念のため、液晶表示素子としての表示特性、例えば電圧−輝度特性、電圧保持率、残像等を測定したが、これらについては消波構造の有無は全く差異がなかった。このように、本発明の液晶表示装置のごとく、図１３で示されるように、多孔質構造の消波構造を設けることにより、かつ液晶材料を消波構造の内部に十分含浸させることにより、微小輝点不良の発生を防止可能な、より高品質な液晶表示装置とすることができることが確認された。
【００７６】
以上の各実施例では、消波構造を第２の基板上に形成している。しかし、消波構造は第1に形成してもよい。また、消波構造は、第１の基板あるいは第２の基板に形成される柱状スペーサと同時に形成することが出来る。この時、柱状スペーサと消波構造の高さの違いは、例えば、ハーフトーン露光方法を用いて規定することが出来る。
【符号の説明】
【００７７】
1…液晶材料
2…消波構造
3…シール材
4,4’…下地層
5,5’…基板
6,6’…シリンジ
7,7’…ニードル
8…シリンジホルダ
101…液晶表示パネル
102…第１の駆動回路
103…第２の駆動回路
104…制御回路
105…バックライト
106…アクティブマトリクス基板
107…対向基板
108…シール材
109ａ，109ｂ…偏光板
110…柱状スペーサ
111…液晶分子
112…電界（電気力線）
601…ガラス基板
602…第１の絶縁層
603…（ＴＦＴ素子の）半導体層
604…第２の絶縁層
605…第３の絶縁層
606…配向膜
607…ソース電極
608…導電層
609…突起形成部材
609ａ…（突起形成部材の）半導体層
609ｂ…（突起形成部材の）導電層
701…ガラス基板
702…ブラックマトリクス
703Ｒ，703Ｇ，703Ｂ…カラーフィルタ
704…オーバーコート層
705…配向膜
ＧＬ…走査信号線
ＤＬ…映像信号線
Ｔｒ…ＴＦＴ素子
ＰＸ…画素電極
ＣＴ…共通電極
ＣＬ…共通化配線
ＬＣ…液晶層（液晶材料）
【図１】
2013235147.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
2013235147.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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