(57)【要約】【課題】光の干渉による色ムラや表示ムラが低減され、明るい表示品質が得られる液晶装置、液晶装置の製造方法、この液晶装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置は、素子基板１０と、素子基板１０と対向配置された透光性の対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層５０と、素子基板１０の液晶層５０側に形成された光反射性の複数の画素電極１５と、対向基板２０の液晶層５０側に形成された導電性の第１透光性膜２２ａと、第１透光性膜２２ａの液晶層５０側に形成され、第１透光性膜２２ａよりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性膜２２ｂと、第２透光性膜２２ｂの液晶層５０側に形成され、第２透光性膜２２ｂよりも屈折率が大きい導電性の第３透光性膜２２ｃと、を備え、複数の画素電極１５を有する画素領域における液晶層５０の厚みｄが、所定の値ｄ0に対して±１０％以内となっている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された透光性の第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１基板の前記液晶層側に形成された複数の画素電極と、
前記第２基板の前記液晶層側に形成された導電性の第１透光性膜と、
前記第１透光性膜の前記液晶層側に形成され、前記第１透光性膜よりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性膜と、
前記第２透光性膜の前記液晶層側に形成され、前記第２透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第３透光性膜と、を備え、
前記複数の画素電極を有する画素領域における前記液晶層の厚みが、所定の値に対して±２０％以内となっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記複数の画素電極は、光反射性を有しており、
前記画素領域における前記液晶層の厚みが、所定の値に対して±１０％以内となっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記シール材は、前記第１基板と前記第２基板との間において、切れ目が無く額縁状に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１透光性膜と前記第３透光性膜は、膜厚がおよそ２０ｎｍのＩＴＯ膜からなり、
前記第２透光性膜は、膜厚がおよそ５０ｎｍの酸化シリコン膜からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第３透光性膜の前記液晶層側に形成された酸化シリコンからなる無機配向膜を有することを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
第１基板と透光性の第２基板との間に液晶層が挟持された液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板上に複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、
前記第２基板上に導電性の第１透光性膜を形成する第１透光性膜形成工程と、
前記第１透光性膜上に前記第１透光性膜よりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性膜を形成する第２透光性膜形成工程と、
前記第２透光性膜上に前記第２透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第３透光性膜を形成する第３透光性膜形成工程と、
前記第１基板の前記複数の画素電極を形成した側または前記第２基板の前記第３透光性膜を形成した側にシール材を額縁状に配置するシール材配置工程と、
前記第１基板または前記第２基板に配置された前記シール材の内側に液晶を付与する液晶付与工程と、
前記第１基板と前記第２基板とを、前記第１基板の前記複数の画素電極を形成した側と前記第２基板の前記第３透光性膜を形成した側とが対向するように、減圧下で前記シール材を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、を備え、
前記貼り合わせ工程は、前記複数の画素電極を有する画素領域における前記液晶層の厚みを所定の値に対して±２０％以内として前記シール材を硬化させることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記画素電極形成工程は、光反射性を有する前記複数の画素電極を形成し、
前記貼り合わせ工程は、前記画素領域における前記液晶層の厚みを所定の値に対して±１０％以内として前記シール材を硬化させることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置の製造方法として、半導体基板と透明基板との間に液晶が充填された反射型液晶表示素子の製造方法であって、透明基板に第１の屈折率を有する第１の透明膜を形成し、第１の透明膜上に第１の透明膜よりも小さい第２の屈折率を有する第２の透明膜を形成し、第２の透明膜上に第２の屈折率よりも大きい第３の屈折率を有する第３の透明膜を形成する方法が開示されている（特許文献１）。
【０００３】
特許文献１の反射型液晶表示素子の製造方法では、第３の透明膜の形成に際して、酸素ガスとアルゴンガスの混合ガスに対する酸素ガスの流量比を０．８〜５％の範囲内としている。これにより、ＩＴＯ膜を用いて形成された第１の透明膜における不足した酸素を供給して、第１〜第３の透明膜からなる透明電極層の光透過率を９８％以上とすることができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１７８７７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の製造方法を用いて、透明基板に多層構造の透明膜層を形成したとしても、半導体基板と該透明基板とを液晶を挟んで貼り合わせたときに、液晶層の厚みがばらつくと、液晶層を透過する光の位相にもばらつきが生ずるため、光の干渉による色ムラや表示ムラが生ずるおそれがあるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例の液晶装置は、第１基板と、前記第１基板と対向配置された透光性の第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板の前記液晶層側に形成された複数の画素電極と、前記第２基板の前記液晶層側に形成された導電性の第１透光性膜と、前記第１透光性膜の前記液晶層側に形成され、前記第１透光性膜よりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性膜と、前記第２透光性膜の前記液晶層側に形成され、前記第２透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第３透光性膜と、を備え、前記複数の画素電極を有する画素領域における前記液晶層の厚みが、所定の値に対して±２０％以内となっていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、第２基板に互いに異なる屈折率を有する第１〜第３透光性膜が積層されているので、導電性の第１または第３透光性膜だけを備える場合に比べて、第２基板を透過する光の透過率を高めることができる。さらに、画素領域における液晶層の厚みが所定の値に対して±２０％以内とされているので、液晶層の厚みばらつきにより液晶層を透過する光の位相がばらつくことが低減される。ゆえに、異なる屈折率を有する透光性膜の界面で反射した光の干渉による色ムラや表示ムラが抑制されると共に明るい表示が可能な液晶装置を提供することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例の液晶装置において、前記複数の画素電極は、光反射性を有しており、前記画素領域における前記液晶層の厚みが、所定の値に対して±１０％以内となっていることが好ましい。
第２基板側から入射して液晶層を透過した光は、画素電極によって反射して再び液晶層を透過するので、光路長が少なくとも２倍となることから、液晶層の厚みばらつきによる光の位相ばらつきも大きくなる。
この構成によれば、液晶層の厚みを所定の値に対して±１０％以内とすることで、光の干渉による色ムラや表示ムラが抑制されると共に明るい表示が可能な反射型の液晶装置を提供することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例の液晶装置において、前記シール材は、前記第１基板と前記第２基板との間において、切れ目が無く額縁状に配置されていることが好ましい。
この構成によれば、額縁状のシール材の一部を切り欠いて液晶の注入口とする場合に比べて、注入口付近における液晶層の厚みむらを回避して、所望の液晶層の厚みを実現できる。
【００１１】
［適用例４］上記適用例の液晶装置において、前記第１透光性膜と前記第３透光性膜は、膜厚がおよそ２０ｎｍのＩＴＯ膜からなり、前記第２透光性膜は、膜厚がおよそ５０ｎｍの酸化シリコン膜からなることを特徴とする。
この構成によれば、可視光波長領域に亘って第２基板を透過する光の安定的な透過率を確保できる。
【００１２】
［適用例５］上記適用例の液晶装置において、前記第３透光性膜の前記液晶層側に形成された酸化シリコンからなる無機配向膜を有することが好ましい。
この構成によれば、酸化シリコンからなる無機配向膜は、ＩＴＯ膜からなる第３透光性膜よりも屈折率が小さく第３透光性膜との界面での光の反射を抑制することができる。
【００１３】
［適用例６］本適用例の液晶装置の製造方法は、第１基板と透光性の第２基板との間に液晶層が挟持された液晶装置の製造方法であって、前記第１基板上に複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、前記第２基板上に導電性の第１透光性膜を形成する第１透光性膜形成工程と、前記第１透光性膜上に前記第１透光性膜よりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性膜を形成する第２透光性膜形成工程と、前記第２透光性膜上に前記第２透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第３透光性膜を形成する第３透光性膜形成工程と、前記第１基板の前記複数の画素電極を形成した側または前記第２基板の前記第３透光性膜を形成した側にシール材を額縁状に配置するシール材配置工程と、前記第１基板または前記第２基板に配置された前記シール材の内側に液晶を付与する液晶付与工程と、前記第１基板と前記第２基板とを、前記第１基板の前記複数の画素電極を形成した側と前記第２基板の前記第３透光性膜を形成した側とが対向するように、減圧下で前記シール材を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、を備え、前記貼り合わせ工程は、前記複数の画素電極を有する画素領域における前記液晶層の厚みを所定の値に対して±２０％以内として前記シール材を硬化させることを特徴とする。
【００１４】
この方法によれば、第２基板に互いに異なる屈折率を有する第１〜第３透光性膜が積層形成されるので、第２基板に導電性の第１または第３透光性膜だけを形成する場合に比べて、第２基板を透過する光の透過率を高めることができる。さらに、画素領域における液晶層の厚みが所定の値に対して±２０％以内としてシール材を硬化させるので、液晶層の厚みばらつきにより液晶層を透過する光の位相がばらつくことが低減される。ゆえに、異なる屈折率を有する透光性膜の界面で反射した光の干渉による色ムラや表示ムラが抑制されると共に明るい表示が可能な液晶装置を製造することができる。
【００１５】
［適用例７］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記画素電極形成工程は、光反射性を有する前記複数の画素電極を形成し、前記貼り合わせ工程は、前記画素領域における前記液晶層の厚みを所定の値に対して±１０％以内として前記シール材を硬化させることが好ましい。
この方法によれば、液晶層の厚みを所定の値に対して±１０％以内としてシール材を硬化させるので、光の干渉による色ムラや表示ムラが抑制されると共に明るい反射型の液晶装置を製造することができる。
【００１６】
［適用例８］本適用例の電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、異なる屈折率を有する透光性膜の界面で反射した光の干渉が低減され色ムラや表示ムラが抑制されると共に明るい表示が可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】液晶装置における画素の詳細構造を示す概略断面図。
【図４】液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は液晶装置の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ｆ）〜（ｈ）は液晶装置の製造方法を示す概略断面図。
【図７】実施例および比較例の構成と評価結果を示す表。
【図８】実施例における対向基板の光の透過率を示すグラフ。
【図９】比較例１における対向基板の光の透過率を示すグラフ。
【図１０】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１１】変形例の液晶装置の構造を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１９】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２０】
（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２１】
＜液晶装置＞
本実施形態の液晶装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３は液晶装置における画素の詳細構造を示す概略断面図である。
【００２２】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された第１基板としての素子基板１０および第２基板としての対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。
【００２３】
素子基板１０は、例えば透明な石英基板やガラス基板、あるいは不透明なシリコン基板などを用いることができ、対向基板２０よりも一回り大きく、切れ目なく額縁状に配置されたシール材４０を介して対向基板２０と接合されている。シール材４０によって囲まれた領域に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。
本実施形態における一対の基板間への液晶の封入（充填）は、一対の基板のうちの一方の基板にシール材４０を額縁状に配置し、配置されたシール材４０を土手として、その内側に所定量の液晶を滴下する。そして、減圧下で一方の基板と他方の基板と貼り合わせるＯＤＦ（One  Drop  Fill）方式が採用されている。
シール材４０は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２４】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、見切り部２１の内側が画素領域Ｅとなっている。画素領域Ｅには、マトリックス状に画素Ｐが複数配置されている。画素領域Ｅは、表示に寄与する有効な複数の画素Ｐを囲むように配置された複数のダミー画素を含んでいるとしてもよい。なお、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が設けられている。
【００２５】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０と該１辺部との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００２６】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光反射性を有する画素電極１５およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、複数の画素電極１５を覆う配向膜１８とが形成されている。画素電極１５は、例えばＡｌ（アルミニウム）などの光反射性を有する金属材料あるいはその合金を用いて形成することができる。
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射して光リーク電流が流れ、不適切なスイッチング動作となることを防ぐ遮光構造が採用されている。
なお、図１（ｂ）では図示を省略したが、画素電極１５と配向膜１８との間に、画素電極１５を覆う絶縁膜が形成されている。
【００２７】
対向基板２０は、透明な例えば石英基板やガラス基板などが用いられており、液晶層５０側の表面には、見切り部２１と、見切り部２１を覆うように形成された共通電極層２２と、少なくとも画素領域Ｅに亘って共通電極層２２を覆うように設けられた絶縁膜２３と、絶縁膜２３を覆う配向膜２４とが設けられている。
【００２８】
見切り部２１は、図１（ａ）に示すように平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００２９】
共通電極層２２は、可視光波長範囲に亘って高い透過率（言い換えれば、低い反射率）で光が対向基板２０を透過できるように、屈折率が異なる透光性膜が積層された構造が採用されており、詳しくは後述する。
共通電極層２２は、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３０】
絶縁膜２３は、透光性を有しており、例えば酸化シリコンなどの無機材料を用いて形成されている。
【００３１】
素子基板１０側の配向膜１８および対向基板２０側の配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されており、本実施形態では、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法（斜め蒸着法や斜めスパッタ法）を用いて成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子が配向膜面に対して所定の方向にプレチルトを有して略垂直配向する無機配向膜が採用されている。
【００３２】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、走査線３ａに対して平行する容量線３ｂとを有する。
【００３３】
走査線３ａとデータ線６ａとにより区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３４】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００３５】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極層２２との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極層２２との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００３６】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００３７】
このような液晶装置１００は反射型であって、画素Ｐが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側（射出側でもある）に反射型偏光素子が配置されて用いられる。
【００３８】
図３に示すように、素子基板１０の液晶層５０側には、複数の光反射性を有する画素電極１５と、画素電極１５を覆う絶縁膜１７と、絶縁膜１７を覆う配向膜１８とが形成されている。画素電極１５は前述したように、例えばＡｌ（アルミニウム）などの光反射性を有する金属材料あるいはその合金を用いて形成することができる。絶縁膜１７は、例えば透光性を有する酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて形成することができる。絶縁膜１７の厚みはおよそ１００ｎｍ〜６００ｎｍである。配向膜１８は、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜することにより形成することができる。配向膜１８の厚みはおよそ７５０ｎｍである。
【００３９】
素子基板１０に対向配置された対向基板２０の液晶層５０側には、順に第１透光性膜２２ａ、第２透光性膜２２ｂ、第３透光性膜２２ｃ、絶縁膜２３、配向膜２４が形成されている。積層形成された第１透光性膜２２ａと第２透光性膜２２ｂと第３透光性膜２２ｃとによって共通電極層２２が構成されている。
【００４０】
第１透光性膜２２ａおよび第３透光性膜２２ｃは、それぞれ導電性を有しており、例えばＩＴＯ膜などを用いて形成することができる。第２透光性膜２２ｂは絶縁性を有しており、例えば酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて形成することができる。第１透光性膜２２ａと第３透光性膜２２ｃは、第２透光性膜２２ｂよりも屈折率が大きくなるように導電性を有する透光性膜の材料が選ばれる。
最も液晶層５０に近い第３透光性膜２２ｃが所謂共通電極として機能し、前述した上下導通部１０６に電気的に接続されている。なお、画素領域Ｅよりも外側において、絶縁性の第２透光性膜２２ｂに例えばコンタクトホールを設けて導電性の第１透光性膜２２ａと第３透光性膜２２ｃとを電気的に接続させ、共通電極として電気抵抗をさらに低下させてもよい。
【００４１】
このような液晶装置１００において、透明な対向基板２０側から入射した光は、画素電極１５によって反射する。また、異なる屈折率を有する対向基板２０の基材と第１透光性膜２２ａとの界面や、同じく異なる屈折率を有する第２透光性膜２２ｂと第３透光性膜２２ｃとの界面で反射する。図３に示すように画素電極１５で反射した反射光をＬ１とし、異なる屈折率を有する透光性膜の界面で反射した反射光をＬ２とすると、反射光Ｌ１と反射光Ｌ２とでは、液晶装置１００に入射した後の光路の長さが異なることは明白である。ここで言うところの光路の長さ（以降、光路長と呼ぶ）とは、光が透過する物質の厚みと屈折率の積として求めることができる。
【００４２】
長さが異なる光路を経由した反射光Ｌ１と反射光Ｌ２とが同一方向に射出したとき、光の位相が同じであれば、反射光Ｌ１の実際の光強度は入射光に対して著しく低下することはない。その一方で、入射光の波長をλとするとき、反射光Ｌ１と反射光Ｌ２の光の位相がλ／２ずれる、つまり光の位相が互いに逆転すると、反射光Ｌ１と反射光Ｌ２との干渉によって反射光Ｌ１の実際の光強度が著しく低下するおそれがある。
【００４３】
それゆえに、本実施形態では、対向基板２０の基材と第１透光性膜２２ａとの界面で反射した光と、第２透光性膜２２ｂと第３透光性膜２２ｃとの界面で反射した光との間で光の位相の差が生じないように、第１透光性膜２２ａ、第２透光性膜２２ｂ、第３透光性膜２２ｃのそれぞれの膜厚が設定されている。なお、第１透光性膜２２ａと第２透光性膜２２ｂとの界面や、第３透光性膜２２ｃと絶縁膜２３との界面においても反射光が生ずるが、屈折率が高い層（第１透光性膜２２ａや第３透光性膜２２ｃ）から低い層（第２透光性膜２２ｂや絶縁膜２３）へ入射して低い層（第２透光性膜２２ｂや絶縁膜２３）の界面で反射した反射光の方が弱いので、この場合、絶縁膜２３の光路長は無視できる。
【００４４】
共通電極層２２を備えた対向基板２０を透過する光の透過率を最大化するためには、上記のように異なる透光性膜の界面で反射した光に位相の差が生じて互いに干渉し光強度が弱められないように、屈折率と膜厚とによって求められる各透光性膜の光路長を定める必要があり、以下の数式（１）および（２）を満足させることで実現することができる。
ｎ１×ｄ１＋ｎ２×ｄ２＝λ／４・・・・（１）
ｎ２×ｄ２＋ｎ３×ｄ３＝λ／４・・・・（２）
ｎ１は第１透光性膜２２ａの屈折率、ｄ１は第１透光性膜２２ａの膜厚、ｎ２は第２透光性膜２２ｂの屈折率、ｄ２は第２透光性膜２２ｂの膜厚、ｎ３は第３透光性膜２２ｃの屈折率、ｄ３は第３透光性膜２２ｃの膜厚である。
【００４５】
各透光性膜の屈折率ｎ１，ｎ２，ｎ３は、光の波長に依存する。例えば、入射光の波長λを５５０ｎｍとすると、ＩＴＯ膜を用いて第１、第３透光性膜２２ａ，２２ｃを形成すれば、屈折率ｎ１，ｎ３はおよそ２．０となる。同様に、酸化シリコンを用いて第２透光性膜２２ｂを形成すれば、屈折率ｎ２はおよそ１．４６となる。ゆえに、上記数式（１）および（２）を満たすには、例えば第１透光性膜２２ａと第３透光性膜２２ｃの膜厚をおよそ３０ｎｍとすると、第２透光性膜２２ｂの膜厚はおよそ５０ｎｍとなる。なお、可視光波長領域（光の波長が４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において万遍なく高い透過率を確保するには、短波長域での光の干渉による透過率の低下を考慮して、導電性の第１透光性膜２２ａと第３透光性膜２２ｃの膜厚を３０ｎｍよりも薄くすることが望ましい。
【００４６】
一方、対向基板２０側から入射した入射光は画素電極１５によって反射され液晶層５０を往復する（少なくとも２回透過する）ことになるので、液晶層５０の厚みｄが画素領域Ｅ内においてばらつくと、反射光Ｌ１の光の位相も画素領域Ｅ内において場所によって変化する。反射光Ｌ１の位相のばらつきの程度によって、色ムラや表示ムラが生ずるおそれがある。また、反射光Ｌ１の光の位相のばらつきは、反射光Ｌ２との光の干渉にも影響し、色ムラや表示ムラに繋がるおそれがある。それゆえに、本実施形態では、液晶層５０の厚みｄを所定の値ｄ0に対して±１０％以内となるようにして、色ムラや表示ムラが生ずることを防いでいる。
ここで言うところの所定の値ｄ0とは、光学設計上の液晶層５０の厚みが好ましいが、個々の液晶装置１００における例えば画素領域Ｅの中央部分の液晶層５０の実際の厚みとしてもよい。
【００４７】
＜液晶装置の製造方法＞
次に、本実施形態の液晶装置１００の製造方法について、図４〜図６を参照して説明する。図４は液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図５（ａ）〜（ｅ）および図６（ｆ）〜（ｈ）は液晶装置の製造方法を示す概略断面図である。なお、図６（ｆ）〜（ｈ）では、図１（ｂ）と同様に素子基板１０において画素電極１５を覆う絶縁膜１７の図示を省略している。
【００４８】
図４に示すように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、素子基板側において、素子基板１０にＴＦＴ３０や信号配線などを形成する素子形成工程（ステップＳ１）と、画素電極形成工程（ステップＳ２）と、絶縁膜形成工程（ステップＳ３）と、配向膜形成工程（ステップＳ４）と、シール材配置工程（ステップＳ５）とを有している。また、対向基板側において、第１透光性膜形成工程（ステップＳ６）と、第２透光性膜形成工程（ステップＳ７）と、第３透光性膜形成工程（ステップＳ８）と、絶縁膜形成工程（ステップＳ９）と、配向膜形成工程（ステップＳ１０）とを有している。さらに、これらの工程を経た素子基板１０と対向基板２０とを用いた、液晶付与工程としての液晶滴下工程（ステップＳ１１）と、貼り合わせ工程（ステップＳ１２）とを有している。
なお、素子基板側のステップＳ１〜ステップＳ５は、公知の方法を採用できるので、詳細の説明は省略し、対向基板側のステップＳ６から説明してゆく。
【００４９】
ステップＳ６の第１透光性膜形成工程では、図５（ａ）に示すように、見切り部２１が形成された対向基板２０に見切り部２１を覆うように第１透光性膜２２ａを形成する。具体的には、ＩＴＯ膜を用いて第１透光性膜２２ａを形成する。ＩＴＯ膜の成膜方法としては、真空蒸着、スパッタなどの方法を採用できる。ＩＴＯ膜の厚みは例えばおよそ２０ｎｍである。
【００５０】
ステップＳ７の第２透光性膜形成工程では、図５（ｂ）に示すように、第１透光性膜２２ａに第２透光性膜２２ｂを積層形成する。具体的な第２透光性膜２２ｂの形成方法としては、ＣＶＤ法によりＴＥＯＳ（Tetra・Ethyl・Ortho・Silicate）を用いて酸化シリコン膜（ＮＳＧ（Non・dope・Silicate・Glass）膜）からなる第２透光性膜２２ｂを形成する方法、あるいはスパッタ法により酸化シリコン膜からなる第２透光性膜２２ｂを形成する方法を挙げることができる。第２透光性膜２２ｂの厚みは例えばおよそ５０ｎｍである。なお、第２透光性膜２２ｂは、第１透光性膜２２ａよりも屈折率が小さければよいので、酸化シリコン膜（ＮＳＧ（Non・dope・Silicate・Glass）膜）に限らず、酸化シリコン膜にボロン（Ｂ）がドープされたＢＳＧ（Boro-Silicata・Glass）膜やボロン（Ｂ）とリン（Ｐ）とがドープされたＢＰＳＧ（Boron Phosphor Silicate Glass）膜を採用することもできる。
【００５１】
ステップＳ８の第３透光性膜形成工程では、図５（ｃ）に示すように、第２透光性膜２２ｂに第３透光性膜２２ｃを積層形成する。具体的には、第１透光性膜２２ａと同様に、ＩＴＯ膜を用いて第３透光性膜２２ｃを形成する。第３透光性膜２２ｃの厚みは第１透光性膜２２ａと同じでおよそ２０ｎｍである。これにより、第１透光性膜２２ａ、第２透光性膜２２ｂ、第３透光性膜２２ｃからなる共通電極層２２が形成される。
【００５２】
ステップＳ９の絶縁膜形成工程では、図５（ｄ）に示すように、第３透光性膜２２ｃに絶縁膜２３を積層形成する。絶縁膜２３の形成方法としては、第２透光性膜２２ｂと同様にＣＶＤ法やスパッタ法により例えば酸化シリコン膜からなる絶縁膜２３を形成する方法が挙げられる。絶縁膜２３の厚みは例えばおよそ１００ｎｍである。
【００５３】
ステップＳ１０の配向膜形成工程では、図５（ｅ）に示すように、絶縁膜２３の表面に配向膜２４を形成する。配向膜２４の形成方法としては、例えば酸化シリコンを蒸着源として対向基板２０の液晶層５０側の面に斜め蒸着して成膜する方法が挙げられる。蒸着源から蒸発した酸化シリコンは対向基板２０に到達すると、柱状の結晶体（カラムと呼ぶ）となって成長する。カラムは対向基板２０と蒸着源とがなす蒸着角度による蒸着方向に沿った方向に成長してゆく。配向膜２４はこのようなカラムの集合体であって、膜厚は例えばおよそ７５０ｎｍである。なお、素子基板１０における配向膜１８の形成（ステップＳ４）も配向膜２４と同じように形成される。配向膜１８の膜厚は配向膜２４と同じでおよそ７５０ｎｍである。
【００５４】
ステップＳ１１の液晶滴下工程は、図６（ｆ）に示すように、ＴＦＴ３０や画素電極１５を含む画素回路と配向膜１８が形成され、スペーサー４１を含むシール材４０が額縁状に配置された素子基板１０に対して、シール材４０の内側にノズル６０から所定量の液晶５０ａを滴下する。液晶５０ａは、次の貼り合わせ工程（ステップＳ１２）において素子基板１０と対向基板２０とを所定の間隔をおいて貼り合わせてなる液晶層５０の体積を考慮して所定量が滴下される。なお、図６（ｆ）では、シール材４０の内側の部分に接する程度に液晶５０ａを行き渡らせているが、これに限定されるものではなく、シール材４０で囲まれた領域のほぼ中央に所定量の液晶５０ａを滴下すればよい。
【００５５】
ステップＳ１２の貼り合わせ工程では、図６（ｇ）に示すように、液晶５０ａが滴下された素子基板１０と、対向基板２０とを減圧下で対向配置させる。図６（ｈ）に示すように、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、シール材４０を硬化させる。これにより、素子基板１０と対向基板２０とをスペーサー４１によって規定される所定の間隔をおいて接着させる。所定の間隔つまり液晶層５０の厚みｄを計測する方法としては液晶層５０のリタデーションを測定し、液晶の屈折率から厚みｄを求める方法が挙げられる。
なお、液晶５０ａは一対の基板を貼り合わせる前に脱気しておくことが好ましい。また、シール材４０の硬化は、本工程において完全に行う必要はない。本実施形態では、シール材４０として紫外線と熱併用硬化型のエポキシ系接着剤を用い、貼り合わせ工程では減圧下で上記所定の間隔を保ちつつ紫外線を照射することによってシール材４０を仮硬化させ、常圧下で熱と紫外線の両方を用いて本硬化させている。
【００５６】
次に、具体的な実施例と比較例とを挙げて、本実施形態における作用・効果について図７〜図９を参照して説明する。図７は実施例および比較例の構成と評価結果を示す表、図８は実施例における対向基板の光の透過率を示すグラフ、図９は比較例１における対向基板の光の透過率を示すグラフである。
【００５７】
図７に示すように、実施例、比較例１、比較例２における対向基板２０の各薄膜の構成は、次のとおりである。比較例１は実施例に対して対向基板の構成と液晶層の厚みを異ならせたものであり、比較例２は実施例に対して液晶層の厚みを異ならせたものである。
（実施例）
第１透光性膜２２ａ（ＩＴＯ膜）、膜厚は２０ｎｍ、屈折率はおよそ２．０、
第２透光性膜２２ｂ（ＳｉＯ2膜）、膜厚は５０ｎｍ、屈折率はおよそ１．４６、
第３透光性膜２２ｃ（ＩＴＯ膜）、膜厚は２０ｎｍ、屈折率はおよそ２．０、
共通電極層２２の光路長は、入射光の波長λが５５０ｎｍのときにおよそ１５３ｎｍとなる。
絶縁膜２３（ＳｉＯ2膜）、膜厚は１００ｎｍ、
無機配向膜としての配向膜２４（ＳｉＯ2のカラム集合体）、膜厚は７５０ｎｍ、
液晶層５０はＯＤＦ方式で一対の基板間に封止されており、その厚みｄは、２．１μｍ±０．２μｍの範囲である。つまり、所定の値ｄ0（２．１μｍ）に対して±１０％以内となっている。
【００５８】
（比較例１）
第１透光性膜（ＩＴＯ膜）、膜厚は１４０ｎｍ、屈折率はおよそ２．０、
共通電極としての第１透光性膜の光路長は、入射光の波長λが５５０ｎｍのときにおよそ２８０ｎｍとなる。
第２透光性膜や第３透光性膜は形成されていない。
絶縁膜や無機配向膜は、実施例と同じである。
また、液晶層は、真空注入方式で注入口から一対の基板間に液晶を注入して封止されており、その厚みｄは、２．１μｍ±０．３μｍの範囲である。つまり、所定の値ｄ0（２．１μｍ）に対して±１５％以内となっている。
【００５９】
（比較例２）
第１透光性膜（ＩＴＯ膜）、膜厚は２０ｎｍ、屈折率はおよそ２．０、
第２透光性膜（ＳｉＯ2膜）、膜厚は５０ｎｍ、屈折率はおよそ１．４６、
第３透光性膜（ＩＴＯ膜）、膜厚は２０ｎｍ、屈折率はおよそ２．０、
絶縁膜や無機配向膜は、実施例と同じである。
また、液晶層は、真空注入方式で注入口から一対の基板間に液晶を注入して封止されており、その厚みｄは、２．１μｍ±０．３μｍの範囲である。つまり、所定の値ｄ0（２．１μｍ）に対して±１５％以内となっている。
【００６０】
なお、比較例１、比較例２における素子基板の構成は、実施例の素子基板１０と同じである。
【００６１】
図８に示すように、実施例の対向基板２０における光の透過率は、可視光波長領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において、９７％以上の高い値を示している。また、青色光の波長領域（４００ｎｍ〜５００ｎｍ）、緑色光の波長領域（５００ｎｍ〜６００ｎｍ）、赤色光の波長領域（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）のうち、緑色光と赤色光の波長領域では、９９％以上でほぼフラットな透過率特性を示している。なお、比較例２においても、対向基板の構成は、実施例と同じであるため同様な透過率特性を示す。したがって、実施例と比較例２の対向基板の透過性の評価は○である。なお、各透光性膜の膜厚がねらい値に対して±１０％程度ばらついたとしても、図８に示すような透過率特性をほぼ実現できる。
【００６２】
また、実施例は、液晶層５０の厚みｄが２．１μｍ±０．２μｍの範囲であるため、前述したように液晶層５０を透過する光の位相ばらつきが抑えられ、例えば、後述する投射型表示装置の液晶ライトバルブとして用いた場合には、色ムラや表示ムラが目立つことなく明るい表示品質が実現されている。したがって、実施例の色ムラ、表示ムラの評価は○である。後述する投射型表示装置を用いた液晶ライトバルブ（液晶装置）の色ムラや表示ムラの具体的な評価方法としては、例えば、最も視感度が高い緑色の表示をさせて、その色ムラを評価したり、中間調の表示をさせて表示ムラを評価する方法が挙げられる。
【００６３】
これに対して、図９に示すように、比較例１の対向基板における光の透過率は、緑色光の波長領域（５００ｎｍ〜６００ｎｍ）において９９％以上の値を示すものの、青色光の波長領域（４００ｎｍ〜５００ｎｍ）では、光の波長が短くなるほど透過率が低下し、４００ｎｍでおよそ９２％となっている。また、赤色光の波長領域（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）では、光の波長が長くなるほど透過率が低下し、７００ｎｍでおよそ９６％となっている。つまり、実施例に比べて、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）で透過率特性がフラットではなく、青色光と赤色光の波長領域で透過率が低下している。したがって、比較例１の対向基板の透過性の評価は×である。
【００６４】
また、比較例１は、液晶層５０の厚みが２．１μｍ±０．３μｍの範囲であるため、前述したように液晶層５０を透過する光における位相のばらつきが実施例に比べて大きくなり、例えば、後述する投射型表示装置の液晶ライトバルブとして用いた場合には、色ムラや表示ムラが目立つので評価は×である。とりわけ、注入口付近の液晶層の厚みばらつきが大きく、注入口付近での色ムラが実施例に比べて目立つ。
【００６５】
比較例２の対向基板の透過性の評価は、対向基板の構成が実施例と同じであるため、○である。しかしながら、液晶層５０の厚みばらつきは実施例よりも大きく、所定の値ｄ0（２．１μｍ）に対して±１５％以内となっている。対向基板の構成が実施例と同じであるため、光の干渉に与える影響は比較例１に比べて小さくなっているものの、注入口付近の液晶層５０の厚みばらつきが完全には解消されていないので、色ムラや表示ムラの評価は△である。
【００６６】
以上に述べた前記実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶装置１００は、対向基板２０を透過する光が異なる屈折率を有する透光性膜の各界面で反射したときに生ずる位相のずれが打ち消されるように、共通電極層２２を構成する第１透光性膜２２ａ、第２透光性膜２２ｂ、第３透光性膜２２ｃの屈折率（膜形成材料）と膜厚とが設定されている。加えて、液晶層５０の厚みｄが所定の値ｄ0（２．１μｍ）に対して±１０％以内となっているので、液晶層５０を透過する光Ｌ１の位相ばらつきが抑えられ、例えば、後述する投射型表示装置の液晶ライトバルブとして用いた場合には、色ムラや表示ムラが目立つことなく明るい表示品質が得られる液晶装置１００を提供することができる。
（２）液晶装置１００の製造方法によれば、液晶層５０はＯＤＦ方式によって一対の基板間に封止されている。したがって、注入口から液晶を注入して封止する真空注入方式に比べて、注入口付近で厚みがばらつくような現象が発生せず、少なくとも画素領域Ｅに亘って厚みばらつきが抑制された液晶層５０を構成することができる。つまり、液晶層５０の厚みｄを容易に所定の値ｄ0（２．１μｍ）に対して±１０％以内とすることができ、液晶層５０の厚みばらつきが光の干渉に影響を及ぼすことが低減される。よって、例えば、後述する投射型表示装置の液晶ライトバルブとして用いた場合に、色ムラや表示ムラが目立つことなく明るい表示品質が得られる液晶装置１００を製造することができる。
（３）液晶装置１００の対向基板２０における共通電極層２２は、導電性の第１透光性膜２２ａと第３透光性膜２２ｃがＩＴＯ膜を用いて形成され、膜厚がそれぞれ２０ｎｍに設定されている。また、これらの間に第２透光性膜２２ｂがＩＴＯ膜よりも屈折率が小さい酸化シリコンを用いて形成され、膜厚が５０ｎｍに設定されている。さらに、第３透光性膜２２ｃと液晶層５０との間には、第３透光性膜２２ｃよりも屈折率が小さい、酸化シリコンからなる絶縁膜２３と配向膜２４とが形成されている。したがって、対向基板２０における各薄膜の界面における光の反射率が低減され、対向基板２０の透過率特性が可視光波長領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）に亘って９７％以上でフラットになっている。よって、液晶装置１００を、後述する投射型表示装置の液晶ライトバルブとして用いた場合には、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）の色光間でばらつくことなく安定した光の反射特性が得られる。
【００６７】
（第２実施形態）
次に、本実施形態の電子機器について、図１０を参照して説明する。図１０は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００６８】
＜投射型表示装置＞
図１０に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変調素子としての反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００６９】
偏光照明装置１１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００７０】
偏光照明装置１１００から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光（Ｒ）を反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを反射する。
反射した赤色光（Ｒ）は反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１２５０に入射する。一方、反射した緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とは反射ミラー１１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイクロイックミラー１１１５は緑色光（Ｇ）を反射し、青色光（Ｂ）を透過する。反射した緑色光（Ｇ）は液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光（Ｂ）は液晶ライトバルブ１２７０に入射する。
【００７１】
液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板１２５３とを備えている。
液晶ライトバルブ１２５０は、ワイヤーグリッド偏光板１２５３によって反射した赤色光（Ｒ）がクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射するように配置されている。また、ワイヤーグリッド偏光板１２５３の偏光度を補う補助偏光板１２５４が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光（Ｒ）の入射側に配置され、もう１つの補助偏光板１２５５が赤色光（Ｒ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板１２５４，１２５５を省略することも可能である。
このような反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。
【００７２】
液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板１２５３，１２６３，１２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００７３】
本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０における反射型の液晶パネル１２５１，１２６１，１２７１として上記第１実施形態における反射型の液晶装置１００が適用されている。
【００７４】
このような投射型表示装置１０００によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に用いているので、色ムラや表示ムラが低減され明るい画像を投射可能な反射型の投射型表示装置１０００を提供できる。
【００７５】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置１００および該液晶装置１００の製造方法ならびに該液晶装置１００を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００７６】
（変形例１）透光性膜の界面における光の反射が低減された共通電極層２２を有する対向基板２０を備えた液晶装置１００は、画素電極１５が光反射性を有する反射型に限定されない。素子基板１０の基材を透明な石英基板やガラス基板とし、画素電極１５を透光性のＩＴＯ膜などを用いて構成した透過型の液晶装置にも適用することができる。なお、透過型の液晶装置の場合、反射型に比べて入射光が液晶層５０を透過する回数が減少（基本的には１回）するので、液晶層５０の厚みばらつきは反射型に比べて大きくても光の干渉に与える影響が小さい。したがって、液晶層５０の厚みｄを所定の値ｄ0に対して±２０％以内としても、光の干渉に起因する色ムラや表示ムラが低減された透過型の液晶装置を実現できる。
【００７７】
（変形例２）共通電極層２２を有する対向基板２０を備えた液晶装置１００の構造は、これに限定されない。図１１は変形例の液晶装置の構造を示す概略断面図である。例えば、図１１に示すように、変形例の液晶装置１５０は、対向基板２０のシール材４０と重なる部分に凹部２０ａが形成されている。共通電極層２２は、複数の画素電極１５に対応する対向基板２０の面に形成されているだけでなく、上記凹部２０ａにも形成されている。このような対向基板２０と素子基板１０とをスペーサー４１を含むシール材４０を用いて貼り合わせ、その隙間に液晶を充填すると、液晶層の厚みｄ1は、上記実施形態の液晶装置１００の液晶層５０の厚みｄよりも対向基板２０に凹部２０ａを形成した分だけ薄く（小さく）なる。つまり、同じ径を有するスペーサー４１を用いてより厚みが薄い（小さい）液晶層を構成することができる。液晶層の厚みｄ1と同じ径のスペーサーを用いる場合に比べて、スペーサーの径のばらつきによる液晶層の厚みばらつきを抑えることができる。
【００７８】
（変形例３）対向基板２０の共通電極層２２の構成は、異なる屈折率の透光性膜が積層された３層構造に限定されない。例えば、該３層構造に、第３透光性膜２２ｃよりも屈折率が小さい絶縁性の第４透光性膜と、第４透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第５透光性膜とを加えた構成としてもよい。より具体的には、ＩＴＯ膜を用いて第３透光性膜２２ｃを形成し、膜厚を４０ｎｍとする。酸化シリコンを用いて第４透光性膜を形成し、膜厚を５０ｎｍとする。さらに、ＩＴＯ膜を用いて第５透光性膜を形成し、膜厚を２０ｎｍとすることで、可視光波長領域で透過率特性がフラットで高い透過率が得られる。
【００７９】
（変形例４）本発明の共通電極層２２が適用される液晶装置１００の配向膜１８，２４は、無機配向膜に限定されない。例えば、ポリイミド樹脂からなる有機配向膜を用いてもよい。
【００８０】
（変形例５）液晶装置１００を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００８１】
１０…第１基板としての素子基板、１５…画素電極、２０…第２基板としての対向基板、２２…共通電極層、２２ａ…第１透光性膜、２２ｂ…第２透光性膜、２２ｃ…第３透光性膜、２４…無機配向膜としての配向膜、４０…シール材、５０…液晶層、５０ａ…液晶、１００，１５０…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ…画素領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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