(57)【要約】【課題】良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画が可能な荷電粒子線描画装置を提供する【解決手段】荷電粒子線描画装置は、単位領域ごとに、１ショットあたりの荷電粒子線の照射量を設定する照射量設定部３８２と、照射量設定部３８２によって設定された照射量に基づいて、荷電粒子線の最大ショットサイズを設定する最大ショットサイズ設定部３８４と、単位領域において荷電粒子線のショットサイズが最大ショットサイズ設定部３８４で設定された最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、荷電粒子線のショットサイズを設定するパターン分割部３８６と、照射量設定部３８２によって設定された照射量およびパターン分割部３８６によって設定されたショットサイズに基づいて、荷電粒子線をショットする描画部と、を含む。【選択図】図３
2013008710.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被照射物の被照射面を複数の単位領域に分割し、前記単位領域ごとに荷電粒子線の照射量を変化させながらショットすることによって、前記被描画面にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記単位領域ごとに、１ショットあたりの前記荷電粒子線の照射量を設定する照射量設定部と、
前記照射量設定部によって設定された前記照射量に基づいて、前記荷電粒子線の最大ショットサイズを設定する最大ショットサイズ設定部と、
前記単位領域において前記荷電粒子線のショットサイズが前記最大ショットサイズ設定部で設定された前記最大ショットサイズ以下になるように前記パターンを分割して、前記荷電粒子線のショットサイズを設定するパターン分割部と、
前記照射量設定部によって設定された前記照射量および前記パターン分割部によって設定された前記ショットサイズに基づいて、前記荷電粒子線をショットする描画部と、
を含む、荷電粒子線描画装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記描画部は、
前記荷電粒子線を発生させる荷電粒子線源と、
第１開口部を有する第１アパーチャーと、
第２開口部を有する第２アパーチャーと、
前記荷電粒子線源からの前記荷電粒子線が、前記第１開口部を、前記照射量設定部によって設定された前記照射量に対応する時間通過するように、前記荷電粒子線を偏向する第１偏向器と、
前記第１アパーチャーと前記第２アパーチャーとの間に配置され、前記第１開口部を通過した前記荷電粒子線を偏向して、前記第２開口部を通過した前記荷電粒子線が前記パターン分割部によって設定された前記ショットサイズと対応する形状となるように前記荷電粒子線を成形する第２偏向器と、
を有する、荷電粒子線描画装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記最大ショットサイズ設定部は、ＣＤリニアリティ誤差が所与の値以下となるように前記最大ショットサイズを設定する、荷電粒子線描画装置。
【請求項４】
被照射物の被照射面を複数の単位領域に分割し、前記単位領域ごとに荷電粒子線の照射量を変化させながらショットすることによって、前記被描画面にパターンを描画する荷電粒子線描画方法であって、
前記単位領域ごとに、１ショットあたりの前記荷電粒子線の照射量を設定する照射量設定工程と、
前記照射量設定工程によって設定された前記照射量に基づいて、前記荷電粒子線の最大ショットサイズを設定する最大ショットサイズ設定工程と、
前記単位領域において前記荷電粒子線のショットサイズが前記最大ショットサイズ設定工程で設定された前記最大ショットサイズ以下になるように前記パターンを分割して、前記荷電粒子線のショットサイズを設定するパターン分割工程と、
前記照射量設定工程によって設定された前記照射量および前記パターン分割工程によって設定された前記ショットサイズに基づいて、前記荷電粒子線をショットする描画工程と、
を含む、荷電粒子線描画方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記最大ショットサイズ設定工程では、ＣＤリニアリティ誤差が所与の値以下となるように前記最大ショットサイズを設定する、荷電粒子線描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線描画装置および荷電粒子線描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子線描画装置は、電子線等の荷電粒子線を用いて、被描画物に半導体集積回路パターン等の微細パターンを描画する装置である。
【０００３】
例えば、特許文献１には、荷電粒子線描画装置の１つとして、可変成形型（可変面積型）荷電粒子線描画装置が開示されている。特許文献１に記載の可変成形型荷電粒子線描画装置は、電子線を、第１のアパーチャーの開口および第２のアパーチャーの可変成形開口に通過させ、電子線形状（ビーム形状）を任意の形状に成形している。これにより、１ショットあたりの描画面積を可変にできるため、スループットがよい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−４３０７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、荷電粒子線描画装置を用いて被描画物に荷電粒子線をショットした後の現像・エッチング工程において、感光材料に対する現像レベル（現像の強さ）の面内ばらつきや、被描画物に対するエッチングの強さの面内ばらつきなどが生じる場合がある。
【０００６】
この結果、荷電粒子線描画装置が、同じ線幅となるような設定線幅、すなわち、同じビーム形状および同じ照射量でショットしたにも関わらず、現像・エッチング工程後では、被描画物に形成されるパターンの線幅が領域によって異なってしまう場合がある。以下、図面を参照しながら詳細に説明する。
【０００７】
図１３は、被描画物Ｓの被描画面Ｓａの現像・エッチングレベルの面内分布の一例を示す図である。ここで、被描画面Ｓａの現像・エッチングレベルの面内分布とは、例えば、被描画物Ｓの被描画面Ｓａにおける現像のされやすさ、およびエッチングのされやすさの程度の分布を示すものである。被描画面Ｓａは、Ａ点を含む領域ａ、Ｂ点を含む領域ｂ、およびＣ点を含む領域ｃを有しており、領域ａ，ｂ，ｃごとに現像・エッチングレベルが異なっている。
【０００８】
図１４は、被描画面Ｓａ内のＡ点、Ｂ点、Ｃ点における現像・エッチングレベルを示す現像・エッチングレベルＬａ，Ｌｂ，Ｌｃと、荷電粒子線の入射エネルギーＥの分布を示すグラフである。図１４において、現像・エッチングレベルＬａ，Ｌｂ，Ｌｃは、Ａ点が最も現像・エッチングレベルが低く、Ｂ点、Ｃ点の順で現像・エッチングレベルが高くなっていることを示している。また、図１４において、入射エネルギーＥの分布と、各現像・エッチングレベルＬａ、Ｌｂ、Ｌｃとは、２つの交点で交わっており、この２つの交点間の長さが、解像される線幅（以下「解像線幅」ともいう）を示す。
【０００９】
図１４に示すように、各点Ａ，Ｂ，Ｃにおける入射エネルギーＥが同じであっても、現像・エッチングレベルＬａ，Ｌｂ，Ｌｃが異なるため、Ａ点、Ｂ点、Ｃ点における解像線幅は、互いに異なっていることがわかる。すなわち、荷電粒子線描画装置が、同じ設定線幅でショットしても、現像・エッチングレベルの面内ばらつきによって、被描画面Ｓａに形成されるパターンの線幅が領域によって異なってしまう。
【００１０】
この現像・エッチングレベルの面内ばらつきを、現像・エッチング工程で補正することは困難である。そのため、現像・エッチングレベルの面内ばらつきを、例えば、荷電粒子線の照射量（入射エネルギー）によって補正する。その方法を以下に説明する。
【００１１】
図１５は、荷電粒子線の照射量を領域ａ，ｂ，ｃごとに補正したときのＡ点、Ｂ点、Ｃ点における解像線幅を示すグラフである。図１５に示すように、荷電粒子線の照射量を領域ａ，ｂ，ｃごとに補正して照射している。具体的には、現像・エッチングレベルの最も低いＡ点は、照射量を最も多くし（入射エネルギーＥａ）、Ｂ点は、照射量をＡ点よりも少なくし（入射エネルギーＥｂ）、現像・エッチングレベルの最も高いＣ点は、照射量を最も少なくした（入射エネルギーＥｃ）。これにより、現像・エッチングレベルＬａ、Ｌｂ、Ｌｃが異なっていても同じ解像線幅を得ることができる。
【００１２】
この荷電粒子線の照射量の補正は、例えば、あらかじめ被描画面Ｓａに対する現像・エッチングレベルの面内ばらつきのデータを取得し、荷電粒子線描画装置が、当該データに基づいて、被描画面Ｓａに照射される荷電粒子線の１ショットあたりの照射量（以下「ショット照射量」ともいう）を領域ごとに変化させることにより行うことができる。
【００１３】
一方、半導体素子の微細化によりマスク一枚あたりのショット数が増加している。また、微細化により感光材料の低感度化が進んでいる。そのため、荷電粒子線描画装置は、高電流密度化の方向に進んでいる。
【００１４】
しかしながら、このような高電流密度条件では、荷電粒子線のビーム面積（ショットサイズ）が大きいほど、クーロン効果によりビームぼけが発生し、被照射物Ｓに形成された線幅の設計線幅に対する誤差が大きくなる、すなわち、ＣＤリニアリティ誤差が大きくなる。
【００１５】
このＣＤリニアリティ誤差は、上述した現像・エッチングレベルをショット照射量で補正する場合にも問題となる。以下、詳細に説明する。
【００１６】
図１６は、解像レベルが荷電粒子線の入射エネルギーの５０％（Ｄｏｓｅ＝Ｉｓｏ−ｆｏｃａｌ  ｄｏｓｅ）である場合のＣＤリニアリティ誤差の様子を示したグラフである。ここで、解像レベルとは、パターンが解像されるエネルギーの程度を示すものである。解像レベルは、入射エネルギーが大きくなる、すなわちショット照射量が大きくなると低くなり、入射エネルギーが小さくなる、すなわちショット照射量が小さくなると高くなる。また、図１６において、入射エネルギーＥの分布と、解像レベルとは、２つの交点で交わっており、この２つの交点間の長さが、解像線幅を示す。すなわち、同じ入射エネルギー分布の場合、解像レベルが高くなると解像線幅は小さくなり、解像レベルが低くなると解像線幅は大きくなる。また、Ｉｓｏ−ｆｏｃａｌ  ｄｏｓｅとは、荷電粒子線のフォーカスが変化しても解像線幅が変化しない照射量である。
【００１７】
ここで、荷電粒子線にクーロン効果が生じると、ビーム面積（ショットサイズ）が大きいほどビームぼけが大きくなる。そのため、図１６に示すように、設計線幅が大きい、すなわち、ショットサイズが大きいほど、台形近似した入射エネルギー分布の端の傾きが大きい。図１６の例では、ＣＤリニアリティ誤差がなくなるように、装置を設定している。
【００１８】
図１７、図１８は、図１６の例に示す場合（Ｄｏｓｅ＝Ｉｓｏ−ｆｏｃａｌ  ｄｏｓｅ）から、ショット照射量を変化させたときの様子を示すグラフである。図１７は、図１６の例よりもショット照射量を大きくした場合（Ｄｏｓｅ＞Ｉｓｏ−ｆｏｃａｌ  ｄｏｓｅ、解像レベルが入射エネルギーの５０％未満）である。図１８は、図１６の例よりもショット照射量を小さくした場合（Ｄｏｓｅ＜Ｉｓｏ−ｆｏｃａｌ  ｄｏｓｅ、解像レベルが入射エネルギーの５０％を超える場合）である。
【００１９】
図１７に示すように、ショット照射量を大きくした場合、設計線幅が大きい（ショットサイズが大きい）ほど、解像線幅が設計線幅よりも大きくなり、解像線幅の設計線幅に対する誤差がより大きくなる。すなわち、ＣＤリニアリティ誤差が大きくなるといえる。図１８に示すように、ショット照射量を小さくした場合、設計線幅が大きい（ショットサイズが大きい）ほど、解像線幅が設計線幅よりも小さくなり、解像線幅の設計線幅に対する誤差が大きくなる。すなわち、ＣＤリニアリティ誤差が大きくなるといえる。
【００２０】
このように、高電流密度条件において、例えば、現像・エッチングレベルの面内ばらつきをショット照射量によって補正するためにショット照射量を変化させると、ＣＤリニアリティ誤差が発生または大きくなってしまう場合がある。
【００２１】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画が可能な荷電粒子線描画装置および荷電粒子線描画方法を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
（１）本発明に係る荷電粒子線描画装置は、
被照射物の被照射面を複数の単位領域に分割し、前記単位領域ごとに荷電粒子線の照射量を変化させながらショットすることによって、前記被描画面にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記単位領域ごとに、１ショットあたりの前記荷電粒子線の照射量を設定する照射量設定部と、
前記照射量設定部によって設定された前記照射量に基づいて、前記荷電粒子線の最大ショットサイズを設定する最大ショットサイズ設定部と、
前記単位領域において前記荷電粒子線のショットサイズが前記最大ショットサイズ設定部で設定された前記最大ショットサイズ以下になるように前記パターンを分割して、前記荷電粒子線のショットサイズを設定するパターン分割部と、
前記照射量設定部によって設定された前記照射量および前記パターン分割部によって設定された前記ショットサイズに基づいて、前記荷電粒子線をショットする描画部と、
を含む。
【００２３】
このような荷電粒子線描画装置によれば、最大ショットサイズ設定部が、１ショットあたりの荷電粒子線の照射量に基づいて、荷電粒子線の最大ショットサイズを設定し、パターン分割部が、単位領域内において荷電粒子線のショットサイズが設定された最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、荷電粒子線のショットサイズを設定する。これにより、ＣＤリニアリティ誤差を所定の値以下とすることができ、かつ、スループットの低下を最小限に抑制することができる。したがって、良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画ができる。
【００２４】
（２）本発明に係る荷電粒子線描画装置において、
前記描画部は、
前記荷電粒子線を発生させる荷電粒子線源と、
第１開口部を有する第１アパーチャーと、
第２開口部を有する第２アパーチャーと、
前記荷電粒子線源からの前記荷電粒子線が、前記第１開口部を、前記照射量設定部によって設定された前記照射量に対応する時間通過するように、前記荷電粒子線を偏向する第１偏向器と、
前記第１アパーチャーと前記第２アパーチャーとの間に配置され、前記第１開口部を通過した前記荷電粒子線を偏向して、前記第２開口部を通過した前記荷電粒子線が前記ショットサイズ設定部によって設定された前記ショットサイズに対応する形状となるように前記荷電粒子線を成形する第２偏向器と、
を有してもよい。
【００２５】
このような荷電粒子線描画装置によれば、良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画ができる。
【００２６】
（３）本発明に係る荷電粒子線描画装置において、
前記最大ショットサイズ設定部は、ＣＤリニアリティ誤差が所与の値以下となるように前記最大ショットサイズを設定してもよい。
【００２７】
このような荷電粒子線描画装置によれば、良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画ができる。
【００２８】
（４）本発明に係る荷電粒子線描画方法は、
被照射物の被照射面を複数の単位領域に分割し、前記単位領域ごとに荷電粒子線の照射量を変化させながらショットすることによって、前記被描画面にパターンを描画する荷電粒子線描画方法であって、
前記単位領域ごとに、１ショットあたりの前記荷電粒子線の照射量を設定する照射量設定工程と、
前記照射量設定工程によって設定された前記照射量に基づいて、前記荷電粒子線の最大ショットサイズを設定する最大ショットサイズ設定工程と、
前記単位領域において前記荷電粒子線のショットサイズが最大ショットサイズ設定工程で設定された前記最大ショットサイズ以下になるように前記パターンを分割して、前記荷電粒子線のショットサイズを設定するパターン分割工程と、
前記照射量設定工程によって設定された前記照射量および前記パターン分割工程によって設定された前記ショットサイズに基づいて、前記荷電粒子線をショットする描画工程と、
を含む。
【００２９】
このような荷電粒子線描画方法は、最大ショットサイズ設定工程において、１ショットあたりの荷電粒子線の照射量に基づいて、荷電粒子線の最大ショットサイズを設定し、パターン分割工程において、単位領域内において荷電粒子線のショットサイズが設定された最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、荷電粒子線のショットサイズを設定する。これにより、ＣＤリニアリティ誤差を所定の値以下とすることができ、かつ、スループットの低下を最小限に抑制することができる。したがって、良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画ができる。
【００３０】
（５）本発明に係る荷電粒子線描画方法において、
前記最大ショットサイズ設定工程では、ＣＤリニアリティ誤差が所与の値以下となるように前記最大ショットサイズを設定してもよい。
【００３１】
このような荷電粒子線描画方法によれば、良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画ができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本実施形態に係る荷電粒子線描画装置を示す機能ブロック図。
【図２】本実施形態に係る荷電粒子線描画装置の一部を模式的に示す斜視図。
【図３】本実施形態に係る荷電粒子線描画装置のデータ転送部を示す機能ブロック図。
【図４】本実施形態に係る荷電粒子線描画装置の動作の一例を示すフローチャート。
【図５】被照射面の分割の一例を示す平面図。
【図６】被描画物を模式的に示す断面図。
【図７】最大ショットサイズをショット照射量によらず一定にした場合のショット照射量とＣＤリニアリティ誤差の関係の一例を示すグラフ。
【図８】最大ショットサイズをショット照射量ごとに設定した場合のショット照射量とＣＤリニアリティ誤差の関係の一例を示すグラフ。
【図９】ＣＤリニアリティ確認用パターンが形成された被描画物を模式的に示す平面図。
【図１０】ＣＤリニアリティ確認用パターンから求めた設計線幅とＣＤリニアリティ誤差の関係を示すグラフ。
【図１１】ＣＤリニアリティ確認用パターンから求めた設計線幅とＣＤリニアリティ誤差の関係を示すグラフ。
【図１２】ＣＤリニアリティ確認用パターンから求めた設計線幅とＣＤリニアリティ誤差の関係を示すグラフ。
【図１３】被描画物の被描画面の現像・エッチングレベルの面内分布の一例を示す図。
【図１４】現像・エッチングレベルＬａ，Ｌｂ，Ｌｃと、荷電粒子線の入射エネルギーの分布を示すグラフ。
【図１５】荷電粒子線の照射量を領域ごとに補正したときの解像線幅を示すグラフ。
【図１６】解像レベルが入射エネルギーの５０％の場合のＣＤリニアリティ誤差の様子を示したグラフ。
【図１７】解像レベルが入射エネルギーの５０％未満の場合のＣＤリニアリティ誤差の様子を示したグラフ。
【図１８】解像レベルが入射エネルギーの５０％より大きい場合のＣＤリニアリティ誤差の様子を示したグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３４】
１．  荷電粒子線描画装置の構成
まず、本実施形態に係る荷電粒子線描画装置の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る荷電粒子線描画装置１００を示す機能ブロック図である。
【００３５】
荷電粒子線描画装置１００は、被描画物Ｓの被描画面Ｓａを複数の単位領域に分割し、単位領域ごとに電子線Ｌの照射量を変化させながらショットすることによって、被描画面Ｓａにパターンを描画する。荷電粒子線描画装置１００は、図１に示すように、描画部１００Ａと、制御部１００Ｂと、を含む。
【００３６】
まず、描画部１００Ａについて説明する。描画部１００Ａは、電子銃（荷電粒子線源）２と、ブランカー（第１偏向器）４と、照射レンズ６と、第１アパーチャー８と、成形偏向器（第２偏向器）１０と、成形レンズ１２と、第２アパーチャー１４と、縮小レンズ１６と、対物レンズ１８と、位置決め偏向器２０と、ステージ２２と、を含む。
【００３７】
電子銃２、ブランカー４、照射レンズ６、第１アパーチャー８、成形偏向器１０、成形レンズ１２、第２アパーチャー１４、縮小レンズ１６、対物レンズ１８、および位置決め偏向器２０は、鏡筒１Ａに収容されている。また、ステージ２２および被描画物Ｓは、試料室１Ｂに収容されている。
【００３８】
電子銃（荷電粒子線源）２は、電子線Ｌを発生させる。ここでは、荷電粒子線源の一例として、電子線を発生させる電子銃を示したが、荷電粒子線源は、イオン化した原子等の電荷を帯びた粒子を発生させることができれば、特に限定されない。この電子銃２から放出される電子線Ｌは、高い電流密度を有している。電子線Ｌの電流密度は、例えば、１０Ａ／ｃｍ２以上である。
【００３９】
ブランカー（第１偏向器）４は、電子銃２からの電子線Ｌが、第１アパーチャー８の第１開口部９を、後述する照射量設定部３８２（図３参照）によって設定されたショット照射量（１ショットあたりの電子線Ｌの照射量）に対応する時間通過するように、電子線Ｌを偏向する。すなわち、ブランカー４は、電子線Ｌのショット照射量を調整することができる。具体的には、ブランカー４は、ブランカー制御部３０からの制御信号に基づいて電子線Ｌを偏向して、電子線Ｌが第１アパーチャー８の第１開口部９を通過する時間を調整する（ブランキング）。これにより、ブランカー４は、ショット照射量を調整することができる。ブランカー４を通過して第１開口部９に向かって進行する電子線Ｌは、照射レンズ６を介して、第１アパーチャー８に照射される。
【００４０】
第１アパーチャー８は、第１開口部９を有し、第２アパーチャー１４は、第２開口部１５を有する。開口部９，１５は、電子線Ｌを成形するための貫通孔である。開口部９，１５の平面形状は、例えば、正方形である。なお、開口部９，１５の平面形状は、特に限定されず、長方形、円形、楕円形、多角形等であってもよい。
【００４１】
成形偏向器（第２偏向器）１０は、第１アパーチャー８と第２アパーチャー１４の間に配置されている。成形偏向器１０は、成形偏向器駆動部３２からの制御信号に基づいて、第１開口部９を通過した電子線Ｌを偏向させる。成形偏向器１０によって偏向された電子線Ｌは、成形レンズ１２を介して、第２アパーチャー１４に照射される。
【００４２】
成形レンズ１２は、第１アパーチャー８の第１開口部９によって形成された開口像を、第２アパーチャー１４の第２開口部１５上に結像する。当該開口像の第２アパーチャー１４上での位置は、成形偏向器１０により変えることができる。
【００４３】
荷電粒子線装置１００では、第１アパーチャー８、成形偏向器１０、成形レンズ１２、第２アパーチャー１４によって、電子線Ｌを成形して、ショット形状（被描画面Ｓａに照射される電子線Ｌの断面形状）およびショットサイズ（被描画面Ｓａに照射される電子線Ｌの断面積）を調整することができる。以下、第１アパーチャー８、成形偏向器１０、成形レンズ１２、第２アパーチャー１４を用いた電子線Ｌの成形方法について説明する。
【００４４】
図２は、第１アパーチャー８、成形偏向器１０、成形レンズ１２、第２アパーチャー１４を模式的に示す斜視図である。
【００４５】
電子銃２から放出された電子線Ｌは、ブランカー４、照射レンズ６を介して、第１アパーチャー８に照射される。第１アパーチャー８に照射された電子線Ｌは、第１開口部９によって成形される。図示の例では、第１開口部９を通過した電子線Ｌの断面形状は、正方形である。第１開口部９を通過した電子線Ｌは、成形偏向器１０によって偏向される。偏向された電子線Ｌは、成形レンズ１２を介して、第２アパーチャー１４に照射される。そして、電子線Ｌは、第２開口部１５の少なくとも一部を通過することによって、さらに成形される。成形偏向器１０によって電子線Ｌの進行方向を制御することにより、第２アパーチャー１４上での電子線Ｌの照射領域を制御することができる。これにより、ショット形状およびショットサイズを制御することができる。このように、荷電粒子線描画装置１００は、第１開口部９および第２開口部１５に電子線Ｌを通過させることにより、任意のショット形状および任意のショットサイズの電子線Ｌを被照射物Ｓに照射することができる。すなわち、荷電粒子線描画装置１００は、可変成形型荷電粒子線描画装置である。
【００４６】
なお、荷電粒子線描画装置１００において、ショットサイズは、例えば、被描画面Ｓａにおける電子線Ｌの照射領域の面積と等しく、ショット形状は、例えば、被描画面における電子線Ｌの照射領域の形状に等しい。ショット形状は、例えば、長方形（正方形を含む）である。また、荷電粒子線描画装置１００では、成形偏向器１０によって、ショット形状を構成する短辺（長方形の短辺）の長さを変化させることによってショットサイズを変化させている。すなわち、荷電粒子線描画装置１００では、設定線幅に応じて、当該短辺を変化させている。
【００４７】
縮小レンズ１６は、図１に示すように、第２アパーチャー１４の第２開口部１５を通過した電子線Ｌを縮小する。また、対物レンズ１８は、縮小レンズ１６から射出された電子線Ｌの焦点を合わせる。
【００４８】
位置決め偏向器２０は、位置決め偏向器駆動部３４からの制御信号に基づいて、被描画物Ｓへの電子線Ｌの照射位置を変えることができる。
【００４９】
ステージ２２は、ステージ駆動部３６からの制御信号に基づいて移動し、被描画物Ｓを所定の位置に移動させる。ステージ２２の移動距離は、レーザー測長器（図示しない）によって監視されており、レーザー測長器の測長結果に基づいて、ステージ２２（被描画物Ｓ）の位置は正確に制御される。
【００５０】
次に、制御部１００Ｂについて説明する。制御部１００Ｂは、ブランカー制御部３０と、成形偏向器駆動部３２と、位置決め偏向器駆動部３４と、ステージ駆動部３６と、データ転送部３８と、制御ＣＰＵ４０と、記憶部４２と、を含む。
【００５１】
制御ＣＰＵ４０は、荷電粒子線描画装置１００全体の動作を制御している。また、制御ＣＰＵ４０は、ステージ駆動部３６にステージ駆動のための制御信号を出力する。
【００５２】
記憶部４２は、被描画面Ｓａに描画するパターンの情報を含むパターンデータを記憶している。
【００５３】
データ転送部３８は、制御ＣＰＵ４０からのパターンデータを受けてブランカー制御部３０、成形偏向器駆動部３２、位置決め偏向器駆動部３４にそれぞれ制御信号を与える。
【００５４】
図３は、データ転送部３８を示す機能ブロック図である。
【００５５】
データ転送部３８は、図３に示すように、第１データ転送部３８ａと、第２データ転送部３８ｂと、を有している。また、第２データ転送部３８ｂは、照射量設定部３８２と、最大ショットサイズ設定部３８４と、パターン分割部３８６と、を有している。
【００５６】
第１データ転送部３８ａは、被照射面Ｓａを複数の単位領域に分割し、制御ＣＰＵ４０から供給されたパターンデータに基づいて、パターンを単位領域ごとに分割する。第１データ転送部３８ａは、この単位領域ごとのパターンの情報を、単位領域パターンデータＩ３８ａとして出力する。単位領域パターンデータＩ３８ａは、照射量設定部３８２およびパターン分割部３８６に入力される。
【００５７】
照射量設定部３８２は、単位領域ごとに、１ショットあたりの電子線Ｌの照射量（ショット照射量）を設定する。照射量設定部３８２は、設定した単位領域ごとのショット照射量を、ショット照射量情報Ｉ３８２として出力する。ショット照射量情報Ｉ３８２は、最大ショットサイズ設定部３８４、およびブランカー制御部３０に入力される。
【００５８】
最大ショットサイズ設定部３８４は、照射量設定部３８２によって設定された単位領域ごとのショット照射量に基づいて、電子線Ｌの最大ショットサイズを設定する。最大ショットサイズ設定部３８４は、設定した最大ショットサイズを、最大ショットサイズ情報Ｉ３８４として出力する。最大ショットサイズ情報Ｉ３８４は、パターン分割部３８６に入力される。
【００５９】
パターン分割部３８６は、単位領域内においてショットサイズが最大ショットサイズ設定部３８４によって設定された最大ショットサイズ以下となるようにパターンを分割して、電子線Ｌのショットサイズを設定する。また、パターン分割部３８６は、単位領域内におけるショット位置を設定する。パターン分割部３８６は、設定したショットサイズをショットサイズ情報Ｉ３８６ａとして出力し、設定したショット位置をショット位置情報Ｉ３８６ｂとして出力する。ショットサイズ情報Ｉ３８６ａは、成形偏向器駆動部３２に入力される。ショット位置情報Ｉ３８６ｂは、位置決め偏向器駆動部３４に入力される。
【００６０】
ブランカー制御部３０は、ショット照射量情報Ｉ３８２に基づいて、ブランカー４を制御するための制御信号（制御電圧）を生成する。当該制御信号は、ブランカー４に入力される。
【００６１】
成形偏向器駆動部３２は、ショットサイズ情報Ｉ３８６ａに基づいて、成形偏向器１０を駆動させるための制御信号（制御電圧）を生成する。当該制御信号は、成形偏向器１０に入力される。
【００６２】
位置決め偏向器駆動部３４は、ショット位置情報Ｉ３８６ｂに基づいて、位置決め偏向器２０を駆動させるための制御信号（制御電圧）を生成する。当該制御信号は、位置決め偏向器２０に入力される。
【００６３】
なお、制御部１００Ｂは、専用回路により実現して上述した処理や制御を行うようにしてもよい。また、制御部１００Ｂは、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）が記憶部等に記憶された制御プログラムを実行することによりコンピューターとして機能し、上述した処理や各種制御を行うようにしてもよい。
【００６４】
２．  荷電粒子線描画方法
次に、本実施形態に係る荷電粒子線描画方法について、図面を参照しながら説明する。図４は、本実施形態に係る荷電粒子線描画方法の一例を示すフローチャートである。本実施形態に係る荷電粒子線描画方法の一例として、本実施形態に係る荷電粒子線描画装置１００を用いた場合について説明する。以下、図１〜図３に示す荷電粒子線描画装置１００および図４に示すフローチャートを参照しながら説明する。
【００６５】
（１）照射量設定部３８２が、１ショットあたりの電子線Ｌの照射量（ショット照射量）を設定する（照射量設定工程Ｓ１０）。
【００６６】
まず、制御ＣＰＵ４０は、記憶部４２に記憶されていたパターンデータを第１データ転送部３８ａに供給する。第１データ転送部３８ａは、被照射面Ｓａを複数の単位領域に分割（仮想的に分割）し、制御ＣＰＵ４０から供給されたパターンデータに基づいて、パターンを当該単位領域ごとに分割する。
【００６７】
図５に被照射面Ｓａの分割の一例を示す。図５に示すように、第１データ転送部３８ａは、被描画面Ｓａを、複数の単位領域Ｓａ１，Ｓａ２，Ｓａ３、・・・，ＳａＮに分割する。第１データ転送部３８ａは、図示の例では、被描画面Ｓａを６４の正方形状の単位領域Ｓａ１〜ＳａＮに分割しているが、単位領域の形状および数は特に限定されない。単位領域の形状および数は、例えば、ユーザーが任意に設定することができ、あらかじめ第１データ転送部３８ａに設定される。第１データ転送部３８ａは、パターンＰを、単位領域Ｓａ１〜ＳａＮに対応するように分割する。第１データ転送部３８ａは、分割した単位領域Ｓａ１〜ＳａＮの各々に対応するパターンデータ（単位領域パターンデータ）Ｉ３８ａを作成する。すなわち、図示の例では、第１データ転送部３８ａは、６４の単位領域パターンデータＩ３８ａを作成する。
【００６８】
第１データ転送部３８ａは、単位領域パターンデータＩ３８ａを、照射量設定部３８２およびパターン分割部３８６に出力する。ここでは、第１データ転送部３８ａは、まず、第１領域Ｓａ１の単位領域パターンデータＩ３８ａを、照射量設定部３８２およびパターン分割部３８６に出力する。
【００６９】
また、制御ＣＰＵ４０は、被描画物Ｓに最適なショット照射量情報を出力する。被描画物Ｓに最適なショット照射量情報は、例えば、被描画物Ｓの材質等により決まる値である。被描画物Ｓに対して最適なショット照射量は、あらかじめ制御ＣＰＵ４０に設定される。当該ショット照射量情報は、第１データ転送部３８ａを介して、照射量設定部３８２に入力される。
【００７０】
照射量設定部３８２は、当該ショット照射量情報および被描画面Ｓａにおける現像・エッチングレベルの面内分布データに基づいて、第１領域Ｓａ１のショット照射量を設定する。被描画面Ｓａにおける現像・エッチングレベルの面内分布データは、例えば、あらかじめ第２データ転送部３８ｂの記憶部３８３に記憶されている。
【００７１】
ここで、被描画面Ｓａにおける現像・エッチングレベルの面内分布データとは、例えば、被描画物Ｓの被描画面Ｓａにおける現像のされやすさ、およびエッチングのされやすさの程度の分布を示すものである。以下に、詳細に説明する。
【００７２】
図６は、被描画物Ｓを模式的に示す断面図である。なお、ここに示す被描画物Ｓの構造は、一例であってこれに限定されない。被描画物Ｓは、図６に示すように、例えば、ガラス等からなる透過性基板Ｓ−１と、透過性基板Ｓ−１上に形成され、クロム等の金属からなる金属層Ｓ−２と、金属層Ｓ−２上に形成されたレジスト層Ｓ−３と、を含んで構成されている。この被描画物Ｓの被描画面Ｓａ（レジスト層Ｓ−３の上面）に、電子線Ｌによってパターンが描画（露光）される。そして、電子線Ｌによって露光された領域が、現像によって除去される。次に、このレジスト層Ｓ−１をマスクとして、金属層Ｓ−２をエッチングすることによって、被描画物Ｓにパターンが形成される。このときのレジスト層Ｓ−３の現像のされやすさ、および金属層Ｓ−２のエッチングのされやすさは、例えば、被描画面Ｓａ内において分布を有する。この分布が被描画面Ｓａにおける現像・エッチングレベルの面内分布である。
【００７３】
被描画面Ｓａにおける現像・エッチングレベルの面内分布データは、例えば、被描画物Ｓに対してあらかじめテスト描画を行うことにより取得する。具体的には、まず、テスト用の被描画物を準備する。テスト用の被描画物は、例えば、被描画物Ｓと同じ材質、同じ層構造のものである。次に、荷電粒子線描画装置１００がショット照射量を一定にして、テスト用の被描画物にパターンを描画する。テスト用の被描画物に描画するパターンは、例えば、被描画物Ｓに描画するパターンと同じパターンである。そして、そのテスト用の被描画物を現像、エッチングする。その結果、テスト用の被描画物に形成されたパターンの線幅を測定する。そして、測定された線幅の設定線幅に対するずれ量（誤差）を求め、被描画面Ｓａにおける現像・エッチングレベルの面内分布データを算出する。
【００７４】
照射量設定部３８は、この現像・エッチングレベルの面内分布データに基づいて、被描画面Ｓａにおける現像・エッチング強さの面内ばらつきを補正するようなショット照射量を設定する。これにより、被描画面Ｓａにおける現像・エッチングレベルの面内ばらつきの影響を低減することができる。
【００７５】
照射量設定部３８は、設定した第１領域Ｓａ１のショット照射量を、第１領域Ｓａ１のショット照射量情報Ｉ３８２として出力する。第１領域Ｓａ１のショット照射量情報Ｉ３８２は、最大ショットサイズ設定部３８４およびブランカー制御部３０に入力される。
【００７６】
（２）次に、最大ショットサイズ設定部３８４が、照射量設定部３８２によって設定されたショット照射量に基づいて、電子線Ｌの最大ショットサイズを設定する（最大ショットサイズ設定工程Ｓ１２）。
【００７７】
最大ショットサイズ設定部３８４は、第１領域Ｓａ１のショット照射量情報Ｉ３８２に基づいて、第１領域Ｓａ１における最大ショットサイズを設定する。最大ショットサイズ設定部３８４は、ショット照射量に応じた最大ショットサイズを設定する。これにより、スループットの低下を抑制しつつ、ＣＤリニアリティ精度の高い描画が可能となる。以下、その理由について説明する。
【００７８】
可変成形型荷電粒子線描画装置では、ショットサイズが大きいほど、スループットが向上する。すなわち、最大ショットサイズが大きいほど、スループットは向上する。しかしながら、ショットサイズが大きいほど、クーロン効果によりビームぼけが大きくなり、形成されたパターンの設定線幅に対する誤差が大きくなる、すなわち、ＣＤリニアリティの誤差が大きくなる。ここで、ＣＤリニアリティとは、被描画物Ｓに形成されるパターンの線幅の設定線幅に対する誤差の線形性をいい、この線形性のずれ（誤差）をＣＤリニアリティ誤差という。
【００７９】
ＣＤリニアリティ誤差は、クーロン効果により生じるため、ショット照射量によっても変化する。そのため、最大ショットサイズ設定部３８４が、ショット照射量に応じた最大ショットサイズを設定することにより、スループットの低下を抑制しつつ、ＣＤリニアリティ精度の高い描画が可能となる。
【００８０】
図７は、最大ショットサイズをショット照射量によらず一定にした場合のショット照射量とＣＤリニアリティ誤差の関係の一例を示すグラフである。図７では、同じ設定線幅でショット照射量を変えた３つの場合を示している。具体的には、ショット照射量（Ｄｏｓｅ）が、Ｄｏｓｅ＞Ｉｓｏ−ｆｏｃａｌ  ｄｏｓｅの場合、Ｄｏｓｅ＝Ｉｓｏ−ｆｏｃａｌ  ｄｏｓｅの場合、Ｄｏｓｅ＜Ｉｓｏ−ｆｏｃａｌ  ｄｏｓｅの場合である。図７の例では、ショット照射量がＩｓｏ−ｆｏｃａｌ  ｄｏｓｅ（解像レベル＝５０％）のときにＣＤリニアリティ誤差がなくなるように設定されている。
【００８１】
また、設計線幅が最大ショットサイズ以下の場合は、設計線幅に対応するショットサイズで１回ショットされるが、設計線幅が最大ショットサイズより大きい場合は、１ショットあたりの大きさを最大ショットサイズ以下にして、複数回ショットされる。
【００８２】
図７に示すように、最大ショットサイズをショット照射量によらず一定にすると、最大ショットサイズのときのＣＤリニアリティ誤差ｅが、ショット照射量がＤｏｓｅ＞Ｉｓｏ−ｆｏｃａｌ  ｄｏｓｅの場合およびショット照射量がＤｏｓｅ＜Ｉｓｏ−ｆｏｃａｌ  ｄｏｓｅの場合に大きくなってしまうことがわかる。
【００８３】
図８は、最大ショットサイズをショット照射量ごとに設定した場合のショット照射量とＣＤリニアリティ誤差の関係の一例を示すグラフである。図８の例でも、図７の例と同様にショット照射量（Ｄｏｓｅ）を設定している。図８の例では、最大ショットサイズのときのＣＤリニアリティ誤差ｅが所与の値以下となるように、ショット照射量ごとに最大ショットサイズを設定した。
【００８４】
図８に示すように、ショット照射量に応じた最大ショットサイズを設定することにより、ＣＤリニアリティ誤差を所定の値以下に設定することが可能となり、かつ、スループットの低下を最小限に抑制することができることがわかる。
【００８５】
以上のことから、最大ショットサイズ設定部３８４が、ショット照射量に応じた最大ショットサイズを設定することにより、スループットの低下を抑制しつつ、ＣＤリニアリティ精度の高い描画が可能となることがわかる。
【００８６】
最大ショットサイズ設定部３８４は、ショット照射量と最大ショットサイズの対応関係に基づいて、第１領域Ｓａ１の最大ショットサイズを、ＣＤリニアリティ誤差が所与の値以下となるように設定する。当該対応関係は、例えば、あらかじめ最大ショットサイズ設定部３８４に記憶されている。
【００８７】
ここで、ショット照射量と最大ショットサイズの対応関係の求め方について説明する。
【００８８】
図９は、ＣＤリニアリティ確認用パターンＰ１〜Ｐ３が形成された被描画物Ｓを模式的に示す平面図である。図９に示すように、ＣＤリニアリティ確認用パターンＰ１〜Ｐ３の各々は、互いに異なる設定線幅であって、同じショット照射量でショットされて形成された複数（図示の例では４本）のラインで構成されている。また、ＣＤリニアリティ確認用パターンＰ１〜Ｐ３は、それぞれ異なるショット照射量で形成されている。具体的には、ＣＤリニアリティ確認用パターンＰ１が最もショット照射量が多く、ＣＤリニアリティ確認用パターンＰ３が最もショット照射量が少ない。
【００８９】
図９に示すようなＣＤリニアリティ確認用パターンＰ１〜Ｐ３の線幅をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）等で測定する。その測定結果から、ショット照射量ごとにＣＤリニアリティ誤差を求める。
【００９０】
図１０は、ＣＤリニアリティ確認用パターンＰ１から求めた設計線幅とＣＤリニアリティ誤差の関係を示すグラフである。図１１は、ＣＤリニアリティ確認用パターンＰ２から求めた設計線幅とＣＤリニアリティ誤差の関係を示すグラフである。図１２は、ＣＤリニアリティ確認用パターンＰ３から求めた設計線幅とＣＤリニアリティ誤差の関係を示すグラフである。
【００９１】
図１０〜図１２に示す設計線幅とＣＤリニアリティ誤差の関係から、ＣＤリニアリティ誤差が、要求される精度内のＣＤリニアリティ誤差となるように、ショット照射量ごとに最大ショットサイズを決定する。なお、図１１に示すように、設計線幅を変えてもＣＤリニアリティ誤差が生じない場合は、例えば、第１アパーチャー８の第１開口部９と第２アパーチャー１４の第２開口部１５で形成される最大のショットサイズを最大ショットサイズとする。
【００９２】
このようにして、ショット照射量と最大ショットサイズの対応関係を求めることができる。なお、このようにして求めたショット照射量と最大ショットサイズの対応関係を線形または、多項式で補間することにより、より詳細なショット照射量と最大ショットサイズの対応関係を求めてもよい。
【００９３】
最大ショットサイズ設定部３８４は、設定した第１領域Ｓａ１における最大ショットサイズを、最大ショットサイズ情報Ｉ３８４として出力する。最大ショットサイズ情報Ｉ３８４は、パターン分割部３８６に入力される。
【００９４】
（３）次に、パターン分割部３８６が、第１領域Ｓａ１においてショットサイズが最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、電子線Ｌのショットサイズを設定する（パターン分割工程Ｓ１４）。
【００９５】
パターン分割部３８６は、第１領域Ｓａ１において、ショットサイズが最大ショットサイズ設定部３８４で設定された第１領域Ｓａ１における最大ショットサイズ以下となるようにパターンＰを分割して、第１領域Ｓａ１におけるショットサイズおよびショット位置を設定する。
【００９６】
具体的には、第１領域Ｓａ１のパターンが最大ショットサイズ以下の場合、パターン分割部３８６は、当該パターンに対応するショットサイズおよびショット位置を設定する。また、第１領域Ｓａ１のパターンが最大ショットサイズより大きい場合、パターン分割部３８６は、当該パターンを最大ショットサイズ以下に分割して、分割されたパターンの各々に対応するショットサイズおよびショット位置を設定する。すなわち、この場合、第１領域Ｓａ１に対して、複数のショットが行われる。パターン分割部３８６は、例えば、第１領域Ｓａ１のパターンをショット数が少なくなるように分割する。このようにして、パターン分割部３８６は、パターンＰを、ショットごとに分割する。
【００９７】
パターン分割部３８６は、設定したショットサイズをショットサイズ情報Ｉ３８６ａとして、成形偏向器駆動部３２に出力する。また、パターン分割部３８６は、設定したショット位置をショット位置情報Ｉ３８６ｂとして、位置決め偏向器駆動部３４に出力する。
【００９８】
（４）次に、描画部１００Ａが、照射量設定部３８２で設定されたショット照射量およびパターン分割部３８６で設定されたショットサイズおよびショット位置に基づいて、電子線Ｌをショットする（描画工程Ｓ１６）。
【００９９】
データ転送部３８から出力されたショット照射量情報Ｉ３８２、ショットサイズ情報Ｉ３８６ａ、ショット位置情報Ｉ３８６ｂを受けて、描画部１００Ａが電子線Ｌをショットする。
【０１００】
具体的には、制御ＣＰＵ４０が、第１領域Ｓａ１の位置情報をステージ駆動部３６に出力する。ステージ駆動部３６は、この位置情報に基づいて、ステージ２２を移動させるための制御信号を生成する。ステージ２２は、この制御信号に基づいて、被描画物Ｓを所定の位置に移動させる。
【０１０１】
また、ブランカー制御部３０は、ショット照射量情報Ｉ３８２に基づいて、ブランカー４を制御するための制御信号（制御電圧）を生成する。ブランカー制御部３０は、この制御信号をブランカー４に出力する。ブランカー４は、この制御信号に基づいて、電子銃２からの電子線Ｌが、第１アパーチャー８の第１開口部９を、照射量設定部３８２によって設定されたショット照射量に対応する時間通過するように、電子線Ｌを偏向する。
【０１０２】
また、成形偏向器駆動部３２は、ショットサイズ情報Ｉ３８６ａに基づいて、成形偏向器３２を制御するための制御信号（制御電圧）を生成する。成形偏向器１０は、この制御信号に基づいて、第１アパーチャー８の第１開口部９を通過した電子線Ｌを偏向して、第２アパーチャー１４の第２開口部１５を通過した電子線Ｌがパターン分割部３８６によって設定されたショットサイズに対応する形状となるように電子線Ｌを成形する。
【０１０３】
また、位置決め偏向器駆動部３４は、ショット位置情報Ｉ３８６ｂに基づいて、位置決め偏向器３４を制御するための制御信号（制御電圧）を生成する。位置決め偏向器２０は、この制御信号に基づいて、電子線Ｌを偏向する。これにより、照射量設定部３８２で設定されたショット照射量、パターン分割部３８６で設定されたショットサイズおよびショット位置で、電子線Ｌが被描画面Ｓａにショットされ、第１領域Ｓａ１のパターンが被描画面Ｓａに描画される。
【０１０４】
（５）荷電粒子線描画装置１００は、第２領域Ｓａ２に対しても、第１領域Ｓａ１と同様に、照射量設定工程Ｓ１０、最大ショットサイズ設定工程Ｓ１２、パターン分割工程Ｓ１４、描画工程Ｓ１６を行う（工程Ｓ１８でＮｏの場合）。荷電粒子線描画装置１００は、第３領域Ｓａ３、・・・、第ｎ領域ＳａＮに対しても、同様に、照射量設定工程Ｓ１０、最大ショットサイズ設定工程Ｓ１２、パターン分割工程Ｓ１４、描画工程Ｓ１６を行う。
【０１０５】
なお、第２領域Ｓａ２に対する処理は、第１領域Ｓａ１に対する処理が終了してから行われてもよいし、第１領域Ｓａ１に対する処理が終了する前に順次処理が進められてもよい。その他の領域Ｓａ３〜ＳａＮに対する処理についても同様である。
【０１０６】
荷電粒子線描画装置１００は、すべての領域Ｓａ１〜ＳａＮに対して、工程Ｓ１０〜Ｓ１６を行うと（工程Ｓ１８でＹｅｓの場合）、処理を終了する。以上の工程により、被描画物ＳにパターンＰを描画することができる。
【０１０７】
本実施形態に係る荷電粒子線描画装置および本実施形態に係る荷電粒子線描画方法は、例えば、以下の特徴を有する。
【０１０８】
本実施形態に係る荷電粒子線描画装置１００によれば、最大ショットサイズ設定部３８４が、１ショットあたりの電子線Ｌの照射量に基づいて、電子線Ｌの最大ショットサイズを設定し、パターン分割部３８６が、単位領域Ｓａ１〜ＳａＮにおいて電子線Ｌのショットサイズが設定された最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、電子線Ｌのショットサイズを設定する。これにより、ＣＤリニアリティ誤差を所定の値以下とすることができ、かつ、スループットの低下を最小限に抑制することができる。したがって、良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画ができる。
【０１０９】
本実施形態に係る荷電粒子線描画装置１００によれば、照射量設定部３８が、被描画面Ｓａの現像・エッチングレベルの面内分布データに基づいて、単位領域Ｓａ１〜ＳａＮごとにショット照射量を設定し、被描画面Ｓａにおける現像・エッチングレベルの面内ばらつきを補正することができる。これにより、被描画面Ｓａにおける現像・エッチングレベルの面内ばらつきの影響を低減し、高精度な描画を行うことができる。
【０１１０】
本実施形態に係る荷電粒子線描画方法は、最大ショットサイズ設定工程Ｓ１２において、１ショットあたりの電子線Ｌの照射量に基づいて、電子線Ｌの最大ショットサイズを設定し、パターン分割工程Ｓ１４において、単位領域Ｓａ１〜ＳａＮにおいて電子線Ｌのショットサイズが設定された最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、電子瀬Ｌのショットサイズを設定する。これにより、ＣＤリニアリティ誤差を所定の値以下とすることができ、かつ、スループットの低下を最小限に抑制することができる。したがって、良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画ができる。
【０１１１】
なお、上述した実施形態は一例であって、これらに限定されるわけではない。
【０１１２】
例えば、荷電粒子線描画装置１００では、照射量設定部３８２は、ショット照射量情報および被描画物Ｓの被描画面における現像・エッチング強さの面内分布データに基づいて、ショット照射量を設定したが、ショット照射量は、その他のパラメーターを用いて設定されてもよい。
【０１１３】
なお、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１１４】
Ｌ  電子線、Ｓ  被描画物、Ｓａ  被描画面、Ｓ−１  基板、Ｓ−２  金属層、
Ｓ−３  レジスト層、１Ａ  鏡筒、１Ｂ  試料室、２  電子銃、
４  ブランカー（第１偏向器）、６  照射レンズ、８  第１アパーチャー、
９  第１開口部、１０  成形偏向器（第２偏向器）、１２  成形レンズ、
１４  第２アパーチャー、１５  第２開口部、１６  縮小レンズ、１８  対物レンズ、
２０  位置決め偏向器、２２  ステージ、３０  ブランカー制御部、
３２  成形偏向器駆動部、３４  位置決め偏向器駆動部、３６  ステージ駆動部、
３８  データ転送部、３８ａ  第１データ転送部、３８ｂ  第２データ転送部、
４０  制御ＣＰＵ、４２  記憶部、１００  荷電粒子線描画装置、１００Ａ  描画部、
１００Ｂ  制御部
【図１】
2013008710.tif 000003
【図２】
2013008710.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2013008710.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
2013008710.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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