(57)【要約】【課題】下方のレジストが、種々の要因によって劣化する。【解決手段】半導体装置形成方法は、半導体装置を形成する基板上に、下層レジスト、金属層および上層レジストがこの順序で配された加工対象を準備する準備段階と、上層レジストにパターンを形成する上層パターン形成段階と、上層レジストのパターンを金属層に転写する金属層転写段階と、下層レジストが被覆層により被覆された状態において、金属層のパターンに光を照射して近接場光を発生させることにより、金属層のパターンよりも微細なパターンを下層レジストに形成する下層パターン形成段階と、下層レジストのパターンを基板上に転写する基板転写段階とを備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を形成する基板上に、下層レジスト、金属層および上層レジストがこの順序で配された加工対象を準備する準備段階と、
前記上層レジストにパターンを形成する上層パターン形成段階と、
前記上層レジストのパターンを前記金属層に転写する金属層転写段階と、
前記下層レジストが被覆層により被覆された状態において、前記金属層のパターンに光を照射して近接場光を発生させることにより、前記金属層の前記パターンよりも微細なパターンを前記下層レジストに形成する下層パターン形成段階と、
前記下層レジストの前記パターンを前記基板上に転写する基板転写段階と
を備える半導体装置形成方法。
【請求項２】
前記被覆層は、前記金属層転写段階において前記金属層の窪みの底に残された残存金属層である請求項１に記載の半導体装置形成方法。
【請求項３】
前記下層パターン形成段階の前に、前記残存金属層を酸化させる工程をさらに備える請求項２に記載の半導体装置形成方法。
【請求項４】
前記下層パターン形成段階における露光は、ＡｒＦエキシマレーザの光が用いられると共に、前記金属層はＡｌにより形成される請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置形成方法。
【請求項５】
前記被覆層は、前記準備段階において前記下層レジストと前記金属層との間に配された保護層であって、
前記保護層は、前記金属層転写段階において前記金属層の前記パターンに含まれる開口から露出する請求項１に記載の半導体装置形成方法。
【請求項６】
前記金属層転写段階において、前記金属層にはエッチングにより前記開口が形成され、
前記保護層は前記金属層のエッチングに対して耐腐食性を有する請求項５に記載の半導体装置形成方法。
【請求項７】
前記下層パターン形成段階における露光はＡｒＦエキシマレーザの光が用いられると共に、前記金属層はＡｌにより形成され、前記保護層は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮのいずれかにより形成される請求項６に記載の半導体装置形成方法。
【請求項８】
前記上層レジストはネガレジストであって、前記保護層は有機溶剤に溶ける樹脂である請求項７に記載の半導体装置形成方法。
【請求項９】
前記準備段階において、前記基板と前記保護層との間に、前記下層パターン形成段階で用いられる光に対して負の誘電率を有する金属により形成されたスーパーレンズ層がさらに配される請求項５から８のいずれか１項に記載の半導体装置形成方法。
【請求項１０】
前記スーパーレンズ層の金属は前記金属層の金属と同一材料である請求項９に記載の半導体装置形成方法。
【請求項１１】
前記上層レジストおよび前記下層レジストは同じ波長に対して感光する請求項１から１０のいずれか１項に記載の半導体装置形成方法。
【請求項１２】
前記上層レジストおよび前記下層レジストは同じ材料により形成される請求項１１に記載の半導体装置形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パターニングされた金属層によって発生させた近接場光によりレジストを露光する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
［特許文献１］  特開２００８−９８２６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、金属層の下方に配置されたレジストが、種々の要因によって劣化するといった課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様においては、半導体装置を形成する基板上に、下層レジスト、金属層および上層レジストがこの順序で配された加工対象を準備する準備段階と、前記上層レジストにパターンを形成する上層パターン形成段階と、前記上層レジストのパターンを前記金属層に転写する金属層転写段階と、前記下層レジストが被覆層により被覆された状態において、前記金属層のパターンに光を照射して近接場光を発生させることにより、前記金属層の前記パターンよりも微細なパターンを前記下層レジストに形成する下層パターン形成段階と、前記下層レジストの前記パターンを前記半導体基板に転写する基板転写段階とを備える半導体装置形成方法を提供する。
【０００５】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】半導体装置形成方法を説明する工程図である。
【図２】半導体装置形成方法を説明する工程図である。
【図３】半導体装置形成方法を説明する工程図である。
【図４】半導体装置形成方法を説明する工程図である。
【図５】半導体装置形成方法を説明する工程図である。
【図６】半導体装置形成方法を説明する工程図である。
【図７】半導体装置形成方法を説明する工程図である。
【図８】半導体装置形成方法を説明する工程図である。
【図９】半導体装置形成方法を説明する工程図である。
【図１０】半導体装置形成方法を説明する工程図である。
【図１１】下層レジスト１２の上面に保護層３０を形成する半導体装置形成方法を説明する図である。
【図１２】下層レジスト１２の上面に保護層３０を形成する半導体装置形成方法を説明する図である。
【図１３】下層レジスト１２の上面に保護層３０を形成する半導体装置形成方法を説明する図である。
【図１４】金属層１４と下層レジスト１２との間にスーパーレンズ層３２を設けた半導体装置形成方法を説明する図である。
【図１５】金属層１４と下層レジスト１２との間にスーパーレンズ層３２を設けた半導体装置形成方法を説明する図である。
【図１６】金属層１４と下層レジスト１２との間にスーパーレンズ層３２を設けた半導体装置形成方法を説明する図である。
【図１７】スーパーレンズ層３２及び保護層３０の有無を変えて調べた近接場光の強度である。
【図１８】円形状の開口２２２のパターンを説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【０００８】
図１から図１０は、半導体装置形成方法を説明する工程図である。図１に示すように、まず、準備段階において、基板１０の一方の面に、下層レジスト１２と、金属層１４と、上層レジスト１６とが、この順で半導体装置を形成する積層されて配された加工対象を準備する。
【０００９】
基板１０は、半導体装置を形成する基板であればよく、例えば、シリコン等の半導体材料、ＧａＡｓ等の化合物半導体材料、ガラス等の絶縁材料によって構成される。尚、この準備段階で、半導体装置が基板１０に形成されていてもよい。
【００１０】
下層レジスト１２は、例えば、半導体装置の一部を構成する配線層をパターニングする。下層レジスト１２は、基板１０の一面に密着して形成される。下層レジスト１２を構成する材料の一例は、１９３ｎｍの光によって感光されるＡｒＦポジレジストである。ＡｒＦポジレジストの一例は、脂環アクリレート樹脂、主脂環系材料等である。下層レジスト１２の厚みの一例は、１５ｎｍから１００ｎｍであって、好ましくは１５ｎｍから２０ｎｍである。下層レジスト１２は、スピンコートまたは吹きつけ等によって、基板１０の一面の全面に塗布された後、プリベークによって仮硬化される。
【００１１】
金属層１４は、下端に近接場光を発生させて、下層レジスト１２を露光する。金属層１４は、下層レジスト１２の一面に密着して形成されている。金属層１４は、１９３ｎｍ光に対して表面プラズモンを効率よく発生させるアルミニウム（＝Ａｌ）によって構成される。金属層１４を構成するアルミニウム（＝Ａｌ）は、真空蒸着によって形成される。尚、金属層１４は、基板１０が低温または非加熱の状態で蒸着することが好ましい。金属層１４は、アルミニウム以外の金属によって構成してもよい。金属層１４を構成する材料は、下層レジスト１２を露光する光の波長によって表面プラズモンを効率よく発生させる材料が好ましい。金属層１４の厚みの一例は、５０ｎｍから１００ｎｍである。
【００１２】
上層レジスト１６は、金属層１４をパターニングする。上層レジスト１６は、金属層１４の一面に密着して形成されている。上層レジスト１６を構成する材料の一例は、下層レジスト１２と同一材料のＡｒＦポジレジストである。即ち、上層レジスト１６は、下層レジスト１２と同じ波長の光に対して感光する。尚、上層レジスト１６及び下層レジスト１２を異なる材料によって構成してもよい。上層レジスト１６の厚みの一例は、１００ｎｍである。上層レジスト１６は、スピンコートまたは吹きつけ等によって下層レジスト１２の一面に塗布された後、プリベークによって仮硬化される。
【００１３】
次に、図２に示すように、上層パターン形成段階において、位相シフトマスク５０を介して、ＡｒＦエキシマレーザから出力された１９３ｎｍの波長のレーザ光５４を上層レジスト１６に照射して、位相シフト法により上層レジスト１６をリソグラフィーする。位相シフトマスク５０は、透過部５１と、位相シフト部５２と、遮光部５３とを有する。透過部５１、位相シフト部５２、及び、遮光部５３は、紙面表裏方向に延びる長方形状に形成されている。透過部５１、位相シフト部５２、及び、遮光部５３は、幅方向に周期的に配置されている。位相シフト部５２は、透過部５１に対して、光の位相をシフトさせる。遮光部５３は、透過部５１と、位相シフト部５２との間に配置され、レーザ光５４を遮光する。透過部５１、位相シフト部５２、及び、遮光部５３の幅の一例は、対象のパターンの約４倍である。これにより、上層レジスト１６が、位相シフトマスク５０の透過部５１及び位相シフト部５２による一次回折光によって、透過部５１及び位相シフト部５２よりも微細なパターンで露光される。この後、位相シフトマスク５０を除去する。尚、位相シフト法に代えて、水等の液体を介在させて露光する液浸を、上層レジスト１６の露光方法として適用してもよい。
【００１４】
この後、図３に示すように、上層レジスト１６をパドル現像する。パドル現像では、ＴＭＡＨ（＝水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）またはアセトン等の有機溶剤が、表面張力によって上層レジスト１６の一面の全面に塗布される。これにより、透過部５１及び位相シフト部５２による一次回折光によって露光された領域の上層レジスト１６が除去される。この結果、紙面表裏方向に延びる線状の開口２０を含むパターンが上層レジスト１６に形成される。上層レジスト１６の開口２０の幅は、例えば、４５ｎｍから１００ｎｍである。尚、２本の開口２０が並列して形成されるが、以下の説明においては、１本のみを表示して説明する。
【００１５】
次に、図４に示すように、金属層転写段階において、上層レジスト１６のパターンをマスクとして、塩素系ガスによる反応性イオンエッチングによって金属層１４をパターニングする。これにより、上層レジスト１６のパターンが金属層１４に転写される。ここで、下層レジスト１２が、金属層１４のエッチング領域から露出する前に、エッチングが停止される。これにより、金属層１４に未貫通の窪み２２が形成される。従って、金属層１４の一部が、残存金属層として窪み２２の底に残り、この残存金属層が下層レジスト１２を被覆して保護する被覆層２４として機能する。被覆層２４の厚みの一例は、数ｎｍである。尚、被覆層２４を構成する残存金属層を、後述する下層パターン形成段階の前に、酸化させてもよい。これにより、被覆層２４は、Ａｌ２Ｏ３によって構成される。
【００１６】
次に、図５に示すように、Ｏ２プラズマを用いたアッシングによって、上層レジスト１６を除去する。ここで、下層レジスト１２は、窪み２２に残存している被覆層２４によって被覆されている。これにより、Ｏ２プラズマによる下層レジスト１２の破損が抑制される。
【００１７】
次に、図６に示すように、下層パターン形成段階において、ＡｒＦエキシマレーザから出力された１９３ｎｍの波長の偏光であるレーザ光５４を、マスクとして機能する金属層１４に照射する。レーザ光５４の偏光方向は、窪み２２の幅方向である。金属層１４の窪み２２の幅は、レーザ光５４の波長よりも小さい。従って、被覆層２４の厚みが、レーザ光５４を透過可能な厚みであっても、金属層１４の窪み２２は、レーザ光５４をほとんど伝搬させない。これにより、窪み２２の下方の領域の下層レジスト１２は、伝搬光によってはほとんど露光しない。
【００１８】
一方、表面プラズモンが、偏光のレーザ光５４によって、金属層１４の窪み２２の側壁に形成される。これにより、金属層１４の下端であって、窪み２２の両側のエッジから近接場光６０が発生する。この近接場光６０は、急激に減衰する光である。従って、近接場光６０は、窪み２２のエッジの近傍の領域の下層レジスト１２へと局所的に入射する。この急激に減衰する近接場光６０により、当該領域の下層レジスト１２を構成する分子の各電子が、異なる位相、異なる振幅、異なる方向に振動する。これにより、当該分子が、化学反応を起こして、当該領域が感光する。この結果、近接場光６０によって露光された露光領域６２が、窪み２２の両側のエッジの下方の領域の下層レジスト１２に、例えば、約１０ｎｍの幅で形成される。尚、金属層１４をアルミニウム以外の金属によって構成する場合、近接場光６０の強度を強くするため、表面プラズモン共鳴を生じさせる波長の偏光により金属層１４を照射することが好ましい。
【００１９】
次に、図７に示すように、金属層１４を酸性あるいは塩基性溶剤によるウエットエッチング、もしくは塩素系ガスによるドライエッチングによって除去する。塩素系ガスの一例は、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４である。
【００２０】
次に、図８に示すように、下層パターン形成段階において、下層レジスト１２をＴＭＡＨ等によってパドル現像する。下層レジスト１２は、ポジ型なので、露光領域６２が除去される。これにより、下層レジスト１２には、金属層１４の窪み２２を含むパターンよりも微細な開口２６を含むパターンが形成される。この結果、基板１０の一部が開口２６から露出する。
【００２１】
次に、図９に示すように、基板転写段階において、下層レジスト１２と、開口２６から露出した基板１０の面とに、蒸着によって、配線層２８を形成する。配線層２８は、アルミニウム等の導電性材料によって構成される。
【００２２】
次に、図１０に示すように、下層レジスト１２とともに、下層レジスト１２の一面に形成された配線層２８をアセトン等の有機溶剤により除去する。これにより、下層レジスト１２のパターンが、基板１０の一面上の配線層２８に転写される。この結果、パターニングされて紙面表裏方向に延びる線状に延びる配線層２８であって、半導体装置の一部を構成する配線層２８が形成される。例えば、配線層２８の配線の幅は１０ｎｍであって、配線間隔は２０ｎｍから３０ｎｍである。
【００２３】
上述したように、本実施形態では、金属層転写段階において、被覆層２４として一部が残るように金属層１４をエッチングする。この被覆層２４が存在して、下層レジスト１２が金属層１４によって覆われている状態で、Ｏ２プラズマによって上層レジスト１６を除去する。これにより、下層レジスト１２が、Ｏ２プラズマによって除去されないので、下層レジスト１２の破損を抑制できる。
【００２４】
図１１から図１３は、下層レジスト１２の上面に保護層３０を形成する半導体装置形成方法を説明する図である。図１１に示すように、まず、準備段階において、基板１０の一方の面に、下層レジスト１２と、保護層３０と、金属層１４と、上層レジスト１６とを、この順で積層して加工対象を準備する。
【００２５】
保護層３０は、上層レジスト１６の現像時などにおいて、下層レジスト１２を保護する。保護層３０は、下層レジスト１２の一面に密着して形成されている。保護層３０は、下層レジスト１２と金属層１４と間に配されている。保護層３０は、近接場光６０を透過する材料であって、金属層１４のエッチングガスに対して耐腐食性を有する材料からなる。保護層３０の一例は、ＳｉＯ２である。保護層３０の厚みは、近接場光６０の到達距離よりも短い。保護層３０の厚みの一例は、数ｎｍから１０ｎｍである。保護層３０は、スピンコートまたは蒸着によって形成される。保護層３０は、ＳｉＯ２以外の材料で構成してもよく、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＰＭＭＡ（＝ポリメタクリル酸メチル）等によって構成してもよい。
【００２６】
次に、図１２に示すように、上層パターン形成段階において、上述と同様の方法によって、上層レジスト１６をパターニングする。この後、金属層転写段階において、上層レジスト１６をマスクとして、塩素系ガスによる反応性イオンエッチングによって、アルミニウムからなる金属層１４をパターニングする。これにより、上層レジスト１６のパターンが金属層１４に転写される。この結果、開口１２２が金属層１４に形成され、保護層３０が開口１２２から露出する。
【００２７】
次に、図１３に示すように、Ｏ２プラズマを用いたアッシングによって、上層レジスト１６を除去する。ここで、下層レジスト１２は、保護層３０によって覆われているので、Ｏ２プラズマによって除去されない。この後、下層パターン形成段階において、ＡｒＦエキシマレーザから出力された１９３ｎｍの波長の偏光であるレーザ光５４を、マスクとして機能する金属層１４に照射する。金属層１４の下端であって、開口１２２の両側のエッジの下方に近接場光６０が発生する。ここで、保護層３０は、数ｎｍと薄いので、近接場光６０は、下層レジスト１２に達する。これにより、開口１２２のエッジの下方の領域の下層レジスト１２は、近接場光６０によって露光される。
【００２８】
次に、酸性あるいは塩基性溶剤によるウエットエッチング、もしくは塩素系ガスによるドライエッチングによって金属層１４を除去した後、フッ化アンモニウム液のウエットエッチングまたはフッ素系ガスのドライエッチングによって保護層３０を除去する。下層レジスト１２をパドル現像する。これにより、図８に示す状態となる。この後、図９及び図１０に示す工程を経て、配線層２８が形成される。
【００２９】
上述したように、本実施形態では、下層レジスト１２が保護層３０によって覆われた状態で、上層レジスト１６をＯ２プラズマにより除去する。これにより、下層レジスト１２の破損を抑制できる。
【００３０】
図１４から図１６は、金属層１４と下層レジスト１２との間にスーパーレンズ層３２を設けた半導体装置形成方法を説明する図である。図１４に示すように、まず、準備段階において、基板１０の一方の面に、下層レジスト１２と、スーパーレンズ層３２と、保護層３０と、金属層１４と、上層レジスト１６とを、この順で積層して加工対象を準備する。
【００３１】
スーパーレンズ層３２は、金属層１４の開口１２２のエッジに発生する近接場光６０を、幅方向における開口１２２の中央へと集光する。スーパーレンズ層３２は、下層レジスト１２の一面に密着して形成されている。スーパーレンズ層３２は、基板１０及び下層レジスト１２と、保護層３０との間に形成されている。スーパーレンズ層３２は、下層パターン形成段階で用いられる光、例えば、ＡｒＦエキシマレーザから出力される１９３ｎｍのレーザ光５４に対して負の誘電率を有する材料からなる。スーパーレンズ層３２は、例えば、アルミニウムからなる。即ち、スーパーレンズ層３２を構成する金属は、金属層１４を構成する金属と同一材料である。スーパーレンズ層３２の厚みの一例は、１０ｎｍである。スーパーレンズ層３２は、低温または非加熱状態での蒸着によって形成される。
【００３２】
保護層３０は、スーパーレンズ層３２の一面に密着して形成されている。保護層３０は、例えば、２．０の屈折率を有するＳｉＮによって構成される。保護層３０の厚みの一例は、１０ｎｍである。尚、保護層３０は、省略してもよい。
【００３３】
次に、上述した上層パターン形成段階及び金属層パターン形成段階を実行して、図１５に示すように、金属層１４に開口１２２を形成する。これにより、開口１２２から保護層３０が露出する。この後、上層レジスト１６を除去する。
【００３４】
次に、図１６に示すように、下層パターン形成段階において、ＡｒＦエキシマレーザから出力された１９３ｎｍの波長の偏光であるレーザ光５４を、マスクとして機能する金属層１４に照射する。これにより、金属層１４の開口１２２の下端のエッジから近接場光６０が出力する。この近接場光６０は、保護層３０及びスーパーレンズ層３２を介して、下層レジスト１２に入射する。ここで、スーパーレンズ層３２は、レーザ光５４に対して、負の誘電率を有する。従って、スーパーレンズ層３２は、入射する方向と同じ方向に近接場光６０を屈折させる。これにより、開口１２２の両側のエッジから発生した２個所の近接場光６０は、開口１２２の内側の下方の下層レジスト１２を露光する。
【００３５】
この後、金属層１４、保護層３０及びスーパーレンズ層３２を除去した後、配線層２８を形成する。
【００３６】
上述したように、本実施形態では、下層レジスト１２が保護層３０によって覆われた状態で、上層レジスト１６をＯ２プラズマにより除去する。これにより、下層レジスト１２の破損を抑制できる。
【００３７】
近接場光６０が、スーパーレンズ層３２を介して、下層レジスト１２を露光する。これにより、金属層１４の開口１２２の両側のエッジから発生する２個の近接場光６０が互いに近づくので、露光領域６２の間隔を小さくすることができる。この結果、配線層２８の各配線の間隔を小さくすることができるので、半導体装置の小型化を実現できる。
【００３８】
スーパーレンズ層３２の一面に保護層３０を設けることによって、近接場光６０のサイドローブを抑制することができる。ここでいうサイドローブとは、開口１２２のエッジの下方にできる近接場光６０のピークの両側に発生する光の強度ピークのことである。尚、開口１２２の幅が小さい場合、各近接場光６０の両側のサイドピークのうち、開口１２２の中心側のピークは、隣接する近接場光６０の重複する場合がある。
【００３９】
次に、スーパーレンズ層３２に関するシミュレーションについて説明する。図１７は、スーパーレンズ層３２及び保護層３０の有無を変えて調べた近接場光の強度である。具体的には、図１６と同様にスーパーレンズ層３２及び保護層３０がある場合、図１６の形態から保護層３０を省略してスーパーレンズ層３２がある場合、図１６の形態からスーパーレンズ層３２及び保護層３０を省略してその両方がない場合のそれぞれについて、１９３ｎｍの光による下層レジスト１２の上面から１０ｎｍの深さの近接場光の強度を調べた。
【００４０】
図１７において、縦軸は近接場光の強度を示す。横軸は、金属層１４の幅方向の位置を示す。横軸において、４００ｎｍは、金属層１４の開口１２２の中心を示す。金属層１４の開口１２２の幅は１００ｎｍ、金属層１４の厚みは１００ｎｍ、スーパーレンズ層３２の厚みは２０ｎｍとして、ＦＤＴＤ（Finite-difference time-domain）法によって近接場光の強度を調べた。
【００４１】
図１７に示すように、スーパーレンズ層３２及び保護層３０がない場合に比べて、スーパーレンズ層３２がある場合の方が近接場光６０の両側のピークが、開口１２２の中央に寄って、両側のピークの間隔が小さくなっていることがわかる。更に、スーパーレンズ層３２がある場合において、保護層３０を設けることによって、両側のピークの間隔がより小さくなっていることがわかる。これにより、配線層２８の配線と配線との間の間隔を小さくすることができるので、半導体装置をより小型化することができる。また、スーパーレンズ層３２及び保護層３０を設けることによって、開口１２２の中央、即ち、横軸において４００ｎｍの位置に形成されるピークであるサイドローブがほとんど消えていることがわかる。
【００４２】
上述した各実施形態における各構成の材料、形状、厚み及び開口の幅等の数値は適宜変更してよい。また、各実施形態の一部を組み合わせてもよい。レジスト材料、レジスト材料のポジ型とネガ型の変更、露光用の光、エッチング液及びエッチングガス等の組み合わせは適宜変更してよい。
【００４３】
例えば、上層レジスト１６をネガレジストによって構成してもよい。ネガレジストの一例は、化学増幅型のＡｒＦネガレジストである。この場合、保護層３０は、有機溶剤に溶ける樹脂によって構成することが好ましい。
【００４４】
上述の実施形態では、線状のパターンを例にあげたが、円形状または正方形状等の他の形状のパターンを形成してもよい。図１８は、円形状の開口２２２のパターンを説明する平面図である。金属層１４に形成されるパターンとなる円形状の開口２２２の直径の一例は、４５ｎｍである。このパターンに偏光を照射すると、円形状の開口２２２の偏光方向の両端に近接場光６０が生成される。この場合、最終的に得られるパターンの一例は、４０ｎｍの間隔で配置される直径２０ｎｍの２個の楕円形状である。
【００４５】
上述の実施形態では、配線層２８を形成することを目的とするパターンを形成したが、配線層２８を切断するためのパターンを形成することを目的としてもよい。
【００４６】
上述の実施形態では、ＡｒＦエキシマレーザによってレジストを露光したが、他のレーザによって露光してもよい。他のレーザとして、２４８ｎｍの波長のレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ、１５７ｎｍの波長のレーザ光を出力するＦ２レーザ、６３２．８ｎｍの波長のレーザ光を出力するＨｅＮｅレーザ、 ３６５ｎｍの波長のｉ線をあげることができる。尚、ｉ線によって露光する場合には、金属層１４をＡｇによって構成することが好ましい。ＨｅＮｅによって露光する場合には、金属層１４はＡｕまたはＣｕによって構成することが好ましい。
【００４７】
上述の実施形態では、上層レジスト１６を除去した後、近接場光６０を発生させたが、上層レジスト１６を残した状態で、近接場光６０を発生させて下層レジスト１２を露光してもよい。
【００４８】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００４９】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【００５０】
１０  基板
１２  下層レジスト
１４  金属層
１６  上層レジスト
２０  開口
２２  窪み
２４  被覆層
２６  開口
２８  配線層
３０  保護層
３２  スーパーレンズ層
５０  位相シフトマスク
５１  透過部
５２  位相シフト部
５３  遮光部
５４  レーザ光
６０  近接場光
６２  露光領域
１２２  開口
２２２  開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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