(57)【要約】【課題】  小型化高周波化に対応させ、耐衝撃性能の優れた表面実装型圧電発振器を提供する。【解決手段】  平面視矩形状の収納部と複数の配線部が形成された絶縁性のベース１と、集積回路素子２と、平面視矩形状の圧電振動素子３とを有する表面実装型圧電発振器であって、ベースの収納部の一短辺側で圧電振動素子の一短辺と接合する保持台と、ベースの収納部の他短辺側の一部で、保持台と同じ高さかそれより低い圧電振動素子の他短辺用の第１枕台と、ベースの収納部の両長辺側の一部で、第１枕台と同じ高さかそれより低い圧電振動素子の両長辺用の第２枕台と第３枕台とを有しており、前記ベースの収納部の他短辺側と両長辺側のうち第１枕台と第２枕台と第３枕台が形成されていない他の領域には、各枕台より低い位置に形成された集積回路素子用の第１配線部、第２配線部、第３配線部が形成されてなる。【選択図】  図１
2013239790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視矩形状の収納部が構成され、前記収納部に複数の配線部が形成された絶縁性のベースと、
前記ベースの配線部の一部と電気的に接続される集積回路素子と、
前記集積回路素子と同じ収納部に収納されるとともに前記集積回路素子の上部に配置され、前記ベースの配線部の他の一部と導電性接合材を介して電気的に接続される平面視矩形状の圧電振動素子とを有する表面実装型圧電発振器であって、
前記ベースの収納部には、
前記ベースの収納部の一短辺側に前記圧電振動素子の一短辺と接合される圧電振動素子用の配線部が形成された保持台と、
前記ベースの収納部の一短辺側に対向する他短辺側の一部に、前記保持台と同じ高さかそれより低い前記圧電振動素子の一短辺に対向する他短辺用の第１枕台と、
前記ベースの収納部の一長辺側の一部に、前記第１枕台と同じ高さかそれより低い前記圧電振動素子の一長辺用の第２枕台と、
前記ベースの収納部の一長辺側に対向する他長辺側の一部に、前記第２枕台と同じ高さの前記圧電振動素子の一長辺に対向する他長辺用の第３枕台とを有しており、
前記ベースの収納部の他短辺側のうち前記第１枕台が形成されていない他短辺側の他の領域には、前記第１枕台より低い位置に形成された集積回路素子用の第１配線部が形成されており、
前記ベースの収納部の一長辺側のうち前記第２枕台が形成されていない一長辺側の他の領域には、前記第２枕台より低い位置に形成された集積回路素子用の第２配線部が形成され、
前記ベースの収納部の他長辺側のうち前記第３枕台が形成されていない他長辺側の他の領域には、前記第３枕台より低い位置に形成された集積回路素子用の第３配線部が形成されてなることを特徴とする表面実装型圧電発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性のベース上に圧電振動素子と集積回路素子が実装された表面実装型圧電発振器に関するものであって、特に表面実装型圧電発振器のパッケージ構造を改善するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動板等の圧電振動素子を用いた圧電発振器は、安定して精度の高い発振周波数を得ることができるため、電子機器等の基準周波数源として多種の分野で使用されている。表面実装型圧電発振器では、特許文献１にも示すように、絶縁性のベースとしてセラミック多層基板を用い、当該ベースの収納部に発振回路用の集積回路素子を配置するとともに、当該集積回路素子の上方に水晶振動板を支持固定し、蓋により気密封止を行ったものである。このような構成はＣ−ＭＯＳ等のインバータ増幅器（発振用増幅器）を内蔵したワンチップの集積回路素子のカスタム化により比較的部品点数が少なく、シンプルな構成であり、低コスト化に寄与している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２９１７４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この様な表面実装型圧電発振器では落下などの衝撃が加わると、圧電振動素子が撓んで集積回路素子と接触して圧電振動素子自身を破損させたり、ベースと集積回路素子の配線部分を傷つけたりするという問題があった。これは表面実装型圧電発振器が小型化低背化されるか、あるいは高周波化により薄型化された圧電振動子を用いるとより顕著な問題となってくる。
【０００５】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、小型化高周波化に対応させながら、耐衝撃性能の優れたより信頼性の高い表面実装型圧電発振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の特許請求項１に示すように、平面視矩形状の収納部が構成され、前記収納部に複数の配線部が形成された絶縁性のベースと、前記ベースの配線部の一部と電気的に接続される集積回路素子と、前記集積回路素子と同じ収納部に収納されるとともに前記集積回路素子の上部に配置され、前記ベースの配線部の他の一部と導電性接合材を介して電気的に接続される平面視矩形状の圧電振動素子とを有する表面実装型圧電発振器であって、前記ベースの収納部には、前記ベースの収納部の一短辺側に前記圧電振動素子の一短辺と接合される圧電振動素子用の配線部が形成された保持台と、前記ベースの収納部の一短辺側に対向する他短辺側の一部に、前記保持台と同じ高さかそれより低い前記圧電振動素子の一短辺に対向する他短辺用の第１枕台と、前記ベースの収納部の一長辺側の一部に、前記第１枕台と同じ高さかそれより低い前記圧電振動素子の一長辺用の第２枕台と、前記ベースの収納部の一長辺側に対向する他長辺側の一部に、前記第２枕台と同じ高さの前記圧電振動素子の一長辺に対向する他長辺用の第３枕台とを有しており、前記ベースの収納部の他短辺側のうち前記第１枕台が形成されていない他短辺側の他の領域には、前記第１枕台より低い位置に形成された集積回路素子用の第１配線部が形成されており、前記ベースの収納部の一長辺側のうち前記第２枕台が形成されていない一長辺側の他の領域には、前記第２枕台より低い位置に形成された集積回路素子用の第２配線部が形成され、前記ベースの収納部の他長辺側のうち前記第３枕台が形成されていない他長辺側の他の領域には、前記第３枕台より低い位置に形成された集積回路素子用の第３配線部が形成されてなることを特徴とする。
【０００７】
上記構成により、前記ベースの収納部には、前記ベースの収納部の一短辺側に前記圧電振動素子の一短辺と接合される圧電振動素子用の配線部が形成された保持台と、前記ベースの収納部の一短辺側に対向する他短辺側の一部に、前記保持台と同じ高さかそれより低い前記圧電振動素子の一短辺に対向する他短辺用の第１枕台と、前記ベースの収納部の一長辺側の一部に、前記第１枕台と同じ高さかそれより低い前記圧電振動素子の一長辺用の第２枕台と、前記ベースの収納部の一長辺側に対向する他長辺側の一部に、前記第２枕台と同じ高さの前記圧電振動素子の一長辺に対向する他長辺用の第３枕台とを有していることで、表面実装型圧電発振器では落下などの衝撃が加わると、最初に自由端である圧電振動素子の他短辺が第１枕台に接触し、さらに圧電振動素子の２つの長辺（一長辺と他長辺）に撓みが生じても、第２枕台と第３枕台に接触させることで、この撓みがさらに拡大することが抑制できる。その結果、圧電振動素子と集積回路素子とが接触することがなくなり、圧電振動素子自身を破損させない。
【０００８】
また、前記ベースの収納部の他短辺側のうち前記第１枕台が形成されていない他短辺側の他の領域には、前記第１枕台より低い位置に形成された集積回路素子用の第１配線部が形成されており、前記ベースの収納部の一長辺側のうち前記第２枕台が形成されていない一長辺側の他の領域には、前記第２枕台より低い位置に形成された集積回路素子用の第２配線部が形成され、前記ベースの収納部の他長辺側のうち前記第３枕台が形成されていない他長辺側の他の領域には、前記第３枕台より低い位置に形成された集積回路素子用の第３配線部が形成されているので、前記第１乃至第３の配線部は前記第１乃至第３の枕台により圧電振動素子が直接接触することがなくなるため、第１乃至第３の配線部を傷つけることが一切なくなる。しかも前記第１乃至第３の配線部は、前記第１乃至第３の枕台に隣接するベースの収納部の他短辺側、あるいは一長辺側、他長辺側に沿って形成されているので、各配線部の形成に伴ってベースの収納部の面積を不要に拡大することがない。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように、本発明は、小型化高周波化に対応させながら、耐衝撃性能の優れたより信頼性の高い表面実装型圧電発振器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施例を示した封止前の表面実装型圧電発振器の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った封止後の表面実装型圧電発振器の断面図である。
【図３】図１の集積回路素子を搭載し圧電振動素子を搭載する前のベースの平面図である。
【図４】本発明の変形例を示す集積回路素子を搭載し圧電振動素子を搭載する前のベースの平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明による好ましい実施形態につきセラミック多層基板のベースを用いた表面実装型水晶発振器（表面実装型圧電発振器）を例にとり図面とともに説明する。図１乃至図４は本発明の実施例を示し、図１は本発明の実施例を示した封止前の表面実装型圧電発振器の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図３は図１の集積回路素子を搭載し圧電振動素子を搭載する前のベースの平面図である。図４は変形例を示す集積回路素子を搭載し圧電振動素子を搭載する前のベースの平面図である。
【００１２】
表面実装型水晶発振器６は、上部のみが開口した凹部を有する絶縁性のセラミック多層基板からなるベース１と、ベース１の凹部の内底面１１１に収納される集積回路素子２と、同じくベース１の凹部の集積回路素子の上部に収納される圧電振動素子３と、ベースの開口部に接合される蓋４とからなる。この表面実装型水晶発振器では、ベース１と蓋４とが後述する封止材５を用いて加熱溶融接合されて気密封止され、表面実装型水晶発振器６が構成されている。
【００１３】
セラミック多層基板のベース１は全体として直方体で、最下層であるアルミナ等の絶縁性のセラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板の底部１１と、この底部１１上に積層した下部中間層のセラミック材料の平面視枠形状の堤部１２と、この底部１２上に積層した上部中間層のセラミック材料の平面視枠形状の堤部１３と、最上層のセラミック材料の平面視枠形状の堤部１４とから構成され、平面視矩形状で断面視凹形の収納部１０を有する箱状体に形成されている。収納部１０の周囲には堤部（側壁部）１２，１３，１４が形成されており、堤部１４の上面（端面）は平坦に形成されている。収納部１０は平面視矩形状であり第１の収納部１０ａ（下部収納部）と第２の収納部１０ｂ（上部収納部）からなり、それぞれ集積回路素子２と圧電振動素子３が収納される。なお、セラミック多層基板として本形態のように４層構造のベースに限定されるものではなく、ベースの収納部の構造に応じて単層や２層や３層の構成でもよく、５層以上で構成してもよい。
【００１４】
セラミック多層基板のベース１の最上層である堤部１４の上面（端面）は平坦であり、後述する蓋４との接合領域（金属膜）１４ａである。この接合領域１４ａは、タングステンあるいはモリブデン等のメタライズ材料からなるメタライズ層と、このメタライズ層に積層されたニッケル層と、このニッケル層に積層された金層とから構成される。タングステンあるいはモリブデンは厚膜印刷技術を活用してメタライズ技術によりセラミック焼成時に一体的に形成され、メタライズ層上にニッケル層、金層の順でメッキ形成される。
【００１５】
ベース１の外周壁の四隅には上下方向に伸長する複数のキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。当該キャスタレーションはベースの外周壁に対して円弧状の切り欠きが上下方向に形成された構成である。なお、接合領域１４ａはベースの堤部１２，１３，１４を上下に貫通接続する導電ビアＶ２やキャスタレーションＣ２上部に形成された図示しない配線パターンのいずれか少なくとも一方により、ベース底面側に形成された図示しない搭載用外部端子パッドに電気的に導出されている。当該搭載用外部端子パッドをアース接続することにより、後述する金属製の蓋が接合領域１４ａ、導電ビアやキャスタレーション上部の配線パターン等を介して接地され、表面実装型水晶発振器の電磁気的なシールド効果を得ることができる。
【００１６】
ベース１の内部において、下方面には前記堤部（側壁部）１２，１３により構成され、集積回路素子２を収納する平面視略矩形状の第１の収納部１０ａが形成されている。第１の収納部１０ａは、前記堤部（側壁部）１２により構成された集積回路素子の本体を収納する部分（内底面１１１）と、前記堤部（側壁部）１３により構成されるとともに一部の堤部（側壁部）１２の上面部が露出した下中段部１２１に接続される集積回路素子のワイヤを収納する部分とから構成されている。また第１の収納部１０ａの上方には前記堤部（側壁部）１４により構成された平面視矩形状の第２の収納部１０ｂが形成されている。
【００１７】
第２の収納部１０ｂの一短辺１０１ｂ側には、前記堤部（側壁部）１３の一部の上面部が露出して上中段部１３１として構成された後述する圧電振動素子の一短辺３Ａと接合される圧電振動素子用の配線部（第４内部端子パッドＮＴ７，ＮＴ８）が形成された保持台１０ｃが形成されており、第２の収納部の他短辺１０２ｂ側の一部（本形態では中央部分のみ）には、同じ上中段部として構成された後述する圧電振動素子の他短辺３Ｂ用の第１枕台１０ｄが第１の収納部１０ａを介して保持台１０ｃと対向位置に形成されている。第２の収納部の一長辺１０３ｂ側の一部（本形態では中央部分のみ）には、同じ上中段部として構成された後述する圧電振動素子の一長辺３Ｃ用の第２枕台１０ｅが形成されており、第２の収納部の他長辺１０４ｂ側の一部（本形態では中央部分のみ）には、同じ上中段部として構成された後述する圧電振動素子の他長辺３Ｄ用の第３枕台１０ｆが第１の収納部１０ａを介して第２枕台１０ｅと対向位置に形成されている。これら第２枕台１０ｅ，１０ｆは、一長辺１０３ｂと他長辺１０４ｂのうち前記保持台１０ｃの第２の収納部１０ｂ側の端部までの距離と第１枕台１０ｄの第２の収納部１０ｂ側の端部までの距離が均等になる約1/2の位置に形成している。また、これらの第１枕台１０ｄと第２枕台１０ｅと第３枕台１０ｆとは同じ高さで構成されているが、保持台１０ｃに対して圧電振動素子用の配線部（第４内部端子パッドＮＴ７，ＮＴ８）の厚みの分だけ低く形成されている。なお、第２枕台１０ｅと第３枕台１０ｆとは、第１枕台１０ｄに対して低く構成してもよい。
【００１８】
また上述の各枕台（第１枕台１０ｄ、第２枕台１０ｅ、第３枕台１０ｆ）として、第２の収納部の各辺（他短辺１０２ｂ、一長辺１０３ｂ、他長辺１０４ｂ）に一つだけ構成したものを開示しているが、第２の収納部の各辺（他短辺１０２ｂ、一長辺１０３ｂ、他長辺１０４ｂ）に２つ以上に分割して構成してもよい。この時より好ましくは第２の収納部の各辺（他短辺１０２ｂ、一長辺１０３ｂ、他長辺１０４ｂ）に対して等間隔で分割することで落下衝撃時の応力を均等に分散させるうえでより望ましい。図４では例えば第1枕台を他短辺１０２ｂの１/４の位置で３分割に構成した。
【００１９】
セラミック多層基板のベース１の堤部（側壁部）１２の上面（前記第１の収納部１０ａの下中段部１２１）には、後述する集積回路素子２と接続される集積回路素子用の配線部（複数の矩形状の内部端子パッドＮＴとこれらを延出する配線パターンＨ）が並んで形成されている。つまり第２の収納部の他短辺側１０２ｂのうち第１枕台１０ｄが形成されていない他短辺側の他の領域（本形態では両端部）には、第１枕台より低い位置である下中段部１２１の上面に形成された集積回路素子用の第１配線部（第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と、これらをそれぞれ延出する第２配線パターンＨ３，Ｈ４）が形成され、第２の収納部の一長辺側１０３ｂのうち第２枕台１０ｅが形成されていない一長辺側の他の領域（本形態では保持台１０ｃ側）には、第２枕台より低い位置である下中段部１２１の上面に形成された集積回路素子用の第２配線部（第３内部端子パッドＮＴ５と、これを延出する第３配線パターンＨ５）が形成され、第２の収納部の他長辺側１０４ｂのうち第３枕台１０ｆが形成されていない他長辺側の他の領域（本形態では保持台１０ｃ側）には、第３枕台より低い位置である下中段部１２１の上面に形成された集積回路素子用の第３配線部（第３内部端子パッドＮＴ６と、これを延出する第３配線パターンＨ６）が形成されている。
【００２０】
より具体的には図３に示すように、セラミック多層基板のベース１の堤部（側壁部）１２の上面（前記第１の収納部１０ａの下中段部１２１）の内部端子パッドＮＴとして、後述する圧電振動素子３と電気的に接続されかつ集積回路素子２の第１パッド２１，２２と接続される２つの第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と、後述する集積回路素子２の第２パッド２３，２４と接続される２つの第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と、後述する集積回路素子２の第３パッド２５，２６と接続される２つの第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６とが形成されている。また後述する集積回路素子２の交流出力である第２パッド２３と接続される第２内部端子パッドＮＴ３（交流出力用の内部端子パッド）と、集積回路素子２のアースである第２パッド２４と接続される第２内部端子パッドＮＴ４（グランド用の内部端子パッド）については、第１の収納部１０ａのうちベース１の一短辺側１０１に対向する他短辺側１０２に形成されている。セラミック多層基板のベース１の堤部（側壁部）１２の上面（前記第１の収納部１０ａの下中段部１２１）の配線パターンＨとして、第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２をそれぞれ延出する第１配線パターンＨ１，Ｈ２と、第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４をそれぞれ延出する第２配線パターンＨ３，Ｈ４と、第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６をそれぞれ延出する第３配線パターンＨ５，Ｈ６とが形成されている。
【００２１】
セラミック多層基板のベース１の最下層である底部１１の下面には、外部部品や外部機器と接続される複数の搭載用外部端子パッドが形成されている。またこれらの各搭載用外部端子パッドは図示しない導電ビアやキャスタレーション上部に形成された図示しない配線パターンのいずれか少なくとも一方により、第１の収納部１０ａの下中段部１２１に形成された各々の配線パターンＨの一つに電気的に導出されている。なお、搭載用外部端子パッドの一部は、後述する集積回路素子２の交流出力と接続される第２内部端子パッドＮＴ３（交流出力用の内部端子パッド）と接続され、最終的に交流出力外部端子として構成されている。
【００２２】
セラミック多層基板のベース１の堤部（側壁部）１３の上面（前記第２の収納部１０ｂの上中段部１３１）には、後述する圧電振動素子３の端部を保持搭載する保持台１０ｃが形成されており、その上面には後述する圧電振動素子３の励振電極と接続される第４内部端子パッドＮＴ７，ＮＴ８が形成されている。より具体的には、後述する圧電振動素子３の一方の励振電極３１と接続される第４内部端子パッドＮＴ７は、第１配線パターンＨ１と堤部１３を貫通接続する図示しない導電ビアにより電気的に導出されているとともに、後述する圧電振動素子３の他方の励振電極３２と接続される第２内部端子パッドＮＴ８は、第１配線パターンＨ２と堤部１３を貫通接続する図示しない導電ビアにより電気的に導出されている。また後述する圧電振動素子３の各接続電極３３，３４と接合される第４内部端子パッドＮＴ７，ＮＴ８（圧電振動素子用の内部端子パッド）については、第２の収納部１０ｂのうちベース１の一短辺側１０１に形成されている。
【００２３】
以上のような構成のベース１は周知のセラミック積層技術やメタライズ技術を用いて形成され、前記各内部端子パッド、搭載用外部端子パッド、および配線パターンは前述の接合領域１４ａ形成と同様にタングステンあるいはモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成された構成である。
【００２４】
第１の収納部１０ａに搭載される集積回路素子２は、平面視矩形状でＣ−ＭＯＳ等のインバータ増幅器（発振用増幅器）を内蔵したワンチップの集積回路素子であり、圧電振動素子３とともに発振回路を構成する。図３に示すように、集積回路素子２のパッドは、例えば矩形状で形成されており、集積回路素子の第１辺２Ａの中央付近に形成された２つの第１パッド２１，２２と、第１辺２Ａの端部付近（対向する角部付近）に形成された２つの第３パッド２５，２６と、第１辺２Ａに対向する第２辺２Ｂの端部付近（対向する角部付近）に形成された２つの第２パッド２３，２４とが形成されている。これらのパッドのうち第１パッド２１，２２は後述する圧電振動素子３の励振電極と電気的に接続され、第２パッドのうちの一方の第２パッド２３は交流出力となるように構成され、他方の第２パッド２４はアースとして構成されている。集積回路素子２は、例えば集積回路素子２の底面側をベース２の第１の収納部１０ａの内底面１１１とダイボンディング接合（機械的な接合）されるとともに、金等の金属ワイヤＷを介して、集積回路素子２の上面側の複数のパッド２１〜２６とベース１に形成された内部端子パッドＮＴ１〜ＮＴ６とを例えばワイヤボンディング接合（電気的に接合）されている。
【００２５】
集積回路素子２の上方には所定の間隔を持って圧電振動素子３が搭載される。圧電振動素子３は一短辺３Ａとこれに対向する他短辺３Ｂ、一長辺３Ｃとこれに対向する他長辺３Ｄとを有する平面視矩形状のＡＴカット水晶振動板である。圧電振動素子３の表裏面には、対向した状態で励振電極３１，３２が形成され、励振電極３１，３２の延出端部には圧電振動素子３の上側主面と下側主面とが端面を介して共通接続する接続電極３３，３４が形成されている。これらの電極は、例えば、クロムまたはニッケルの下地電極層と、銀または金の中間電極層と、クロムまたはニッケルの上部電極層とから構成された積層薄膜、クロムやニッケルの下地電極層と、銀または金の上部電極層とから構成された積層薄膜である。これら各電極は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。
【００２６】
圧電振動素子３とベース１との接合は、例えばペースト状であり銀フィラー等の金属微小片を含有するシリコーン系の導電樹脂接着剤（導電性接合材）Ｓを用いている。図１に示すように、導電性樹脂接着剤Ｓは、前記第４内部端子パッドＮＴ７、および第４内部端子パッドＮＴ８の上面に塗布されるとともに、導電性樹脂接着剤Ｓを圧電振動素子３と保持台１０ｃの間に介在させ硬化させることで、お互いを電気的機械的に接合している。以上により、ベース１の第１の収納部１０ａ（内底面１１１や下中段部１２１の上面に形成された内部端子パッドＮＴと配線パターンＨ、集積回路素子２、金属ワイヤＷなど）から圧電振動素子３の一端部の隙間を設けながら、圧電振動素子３の対向する他端部を前記ベースの保持台１０ｃに接合して、ベース１の第２の収納部１０ｂの内部で片持ち保持される。この時、圧電振動子３の他短辺３Ｂの一部と第１枕台１０ｄ、圧電振動素子３の一長辺３Ｃの一部と第２枕台１０ｅ、圧電振動素子３の他長辺３Ｄの一部と第３枕台１０ｆとがそれぞれ重畳するように配置されている。
【００２７】
ベース１を気密封止する蓋４は、例えば、コバール等からなるコア材に金属ろう材（封止材）が形成された構成であり、この金属ろう材からなる封止材５がベース１の接合領域（金属膜）１４ａと接合される構成となる。金属製の蓋の平面視外形はセラミックベースの当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。
【００２８】
収納部１０に集積回路素子２と圧電振動素子３が格納されたベース１の接合領域１４ａに対して金属製の蓋４にて被覆し、金属製の蓋４の封止材５とベースの接合領域１４ａを溶融硬化させ、気密封止を行うことで表面実装型水晶発振器６の完成となる。
【００２９】
上記実施形態により、表面実装型水晶発振器６では落下などの衝撃が加わると、最初に自由端である圧電振動素子３の他短辺３Ｂが第１枕台１０ｄに接触し、さらに圧電振動素子３の２つの長辺（一長辺１０３ｂと他長辺１０４ｂ）に撓みが生じても、第２枕台１０ｅと第３枕台１０ｆに接触させることで、この撓みがさらに拡大することが抑制できる。その結果、圧電振動素子３と集積回路素子２とが接触することがなくなり、圧電振動素子３自身を破損させない。このような圧電振動素子３の撓みの問題は、薄型化された高周波向けの圧電振動素子で顕著な問題となり、これらの不具合を改善する上で特に有効である。
【００３０】
また、第１配線部（第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と、これらをそれぞれ延出する第２配線パターンＨ３，Ｈ４）と、第２配線部（第３内部端子パッドＮＴ５と、これを延出する第３配線パターンＨ５）と、第３配線部（第３内部端子パッドＮＴ６と、これを延出する第３配線パターンＨ６）とは、第１枕台１０ｄと第２枕台１０ｅと第３枕台１０ｆにより圧電振動素子３が直接接触することがなくなるため、第１配線部（第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と、これらをそれぞれ延出する第２配線パターンＨ３，Ｈ４）と、第２配線部（第３内部端子パッドＮＴ５と、これを延出する第３配線パターンＨ５）と、第３配線部（第３内部端子パッドＮＴ６と、これを延出する第３配線パターンＨ６）を傷つけることが一切なくなる。特に集積回路素子２の上面側の複数のパッド２１〜２６とベース１に形成された内部端子パッドＮＴ１〜ＮＴ６とを金属ワイヤＷを介してワイヤボンディング接合（電気的に接合）したものでは、その金属ワイヤＷを破損することが一切なくなる。第１配線部（第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と、これらをそれぞれ延出する第２配線パターンＨ３，Ｈ４）と、第２配線部（第３内部端子パッドＮＴ５と、これを延出する第３配線パターンＨ５）と、第３配線部（第３内部端子パッドＮＴ６と、これを延出する第３配線パターンＨ６）は、第１枕台１０ｄと第２枕台１０ｅと第３枕台１０ｆに隣接するベースの第２の収納部１０ｂの一短辺１０１ｂ側、あるいは一長辺１０３ｂ側、他長辺１０４ｂ側に沿って形成されているので、各配線部の形成に伴ってベースの第２の収納部１０ｂの面積を不要に拡大することがない。
【００３１】
以上により、表面実装型水晶発振器６の小型化高周波化に対応させながら、耐衝撃性能の優れたより信頼性の高いものとすることができる。
【００３２】
なお、本発明の実施形態では、導電性接合材として、シリコーン系の導電樹脂接着剤を例にしているが、他の導電性樹脂接着剤でもよく、金属バンプや金属メッキバンプのバンプ材、ろう材等を用いてもよい。また、集積回路素子とベースとの電気的接続構成は、ワイヤバンプを用いた構成に限らず、金属バンプを用いたフリップチップボンディング構成であってもよい。また、金属ろう材による封止を例にしたが、これに限定されるものではなく、シーム封止、ビーム封止（例えば、レーザビーム、電子ビーム）やガラス封止等でも適用することができる。
【００３３】
本発明は、その思想または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、表面実装型圧電振動発振器に適用できる。
【符号の説明】
【００３５】
１、７  ベース
２  集積回路素子
３  圧電振動素子
４  蓋
５  封止材
６、８  表面実装型水晶発振器
Ｓ  導電樹脂接着剤（導電性接合材）
Ｗ  金属ワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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