(57)【要約】【課題】発光素子搭載面の反射率が高く、また発光装置としたときの銀発色による光の損失が少なく、光の取出し効率が高い発光素子搭載用基板を提供する。【解決手段】基板本体２と、基板本体２に形成された銀または銀合金を主体とする銀反射層６と、銀反射層６の全面を覆うように形成された、ガラスを主体としセラミックス粉末を含有するガラスセラミックス焼結体で構成される被覆層７を有する発光素子搭載用基板１であって、前記被覆層は、アルミナ系セラミックス粉末を実質的に含有せず、かつガラスとの屈折率の差が０．４以上の高屈折率セラミックスの粉末の１種以上を含むセラミックス粉末を含有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子が搭載される搭載面を有する基板本体と、
前記基板本体の前記搭載面に形成された銀または銀合金を主体とする金属層と、
前記金属層の全面を覆うように形成された、ガラスを主体としセラミックス粉末を含有するガラスセラミックス焼結体で構成される被覆層を有する発光素子搭載用基板であって、
前記被覆層は、アルミナ系のセラミックス粉末を実質的に含有せず、かつ前記ガラスとの屈折率の差が０．４以上の高屈折率セラミックスの粉末の１種以上を含むセラミックス粉末を含有することを特徴とする発光素子搭載用基板。
【請求項２】
前記ガラス中のＡｌ２Ｏ３の含有量が、酸化物基準のモル％表示で２％未満である請求項１記載の発光素子搭載用基板。
【請求項３】
前記基板本体の前記搭載面において、前記金属層の上に前記被覆層が形成された領域の光反射率が９４％以上である、請求項１または２記載の発光素子搭載用基板。
【請求項４】
前記被覆層に含まれる銀の濃度が、Ａｇ２Ｏに換算して０．５質量％以下である請求項１〜３のいずれか１項記載の発光素子搭載用基板。
【請求項５】
前記被覆層に含まれる前記高屈折率セラミックス粉末の含有量が、０．８体積％以上２０体積％以下である請求項１〜４のいずれか１項記載の発光素子搭載用基板。
【請求項６】
前記被覆層は、前記ガラスの粉末と前記セラミックス粉末とを含むペーストの印刷層の焼成により形成された層であり、該被覆層に含まれる前記セラミックス粉末の総含有量は、１５体積％以上４０体積％以下である請求項１〜５のいずれか１項記載の発光素子搭載用基板。
【請求項７】
前記被覆層は、前記ガラスの粉末と前記セラミックス粉末とを含むグリーンシートの焼成により形成された層であり、該被覆層に含まれる前記セラミックス粉末の総含有量は、４０体積％以上５０体積％未満である請求項１〜５のいずれか１項記載の発光素子搭載用基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項記載の発光素子搭載用基板と、
前記発光素子搭載用基板の前記搭載面の搭載部に搭載される発光素子と
を有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
前記被覆層の表面の一部または全部がシリコーン樹脂により封止されてなる請求項８記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子搭載用基板および発光装置に係り、特に、光取り出し効率の高い発光素子搭載用基板、およびこれを用いた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光ダイオード（ＬＥＤ）のような発光素子の高輝度化、白色化に伴い、照明、各種ディスプレイ、大型液晶ＴＶのバックライト等として、発光素子を用いた発光装置が使用されている。一般に、発光素子を搭載する発光素子搭載用基板には、素子から発せられる光を効率よく反射する高反射性が求められるため、基板表面に反射層（光反射層）を施す試みがなされている。そして、反射層として、高い反射率を有する銀を主体とする反射層（以下、銀反射層と記す。）が用いられている。
【０００３】
しかし、銀は腐食されやすいため、露出状態で放置すると、銀反射層の表面で酸化や硫化が生じて反射率が低下し、十分な光取り出し効率が得られない。そこで、銀反射層の腐食を防止するため、表面を被覆層で覆う方法が提案されている。近年、封止性が高く、かつ焼成時に変形が生じにくく、表面平坦度が高い被覆層を形成できる材料として、セラミックス粉末を含有させたガラス材料が検討されている（例えば、特許文献１参照。）。被覆層を、ガラス粉末とセラミックス粉末との混合物の焼結体（以下、ガラスセラミックス焼結体ということがある。）により構成することで、表面平坦度が高められる。また、発光素子から被覆層に入射した光の反射方向を分散させることができ、配光特性のばらつきも低減できる。
【０００４】
しかしながら、銀反射層の表面にガラスセラミックス焼結体からなる被覆層を設けた構造では、銀反射層だけの場合に比べて反射率が大きく低下するという問題があった。
【０００５】
また、銀反射層の表面に、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）系セラミックス粉末を含むガラスセラミックス焼結体の被覆層を設けた場合、以下に示す理由で、被覆層に変色が生じる結果、発光装置としての光度（輝度）が低下するという問題があった。すなわち、焼成過程で、銀反射層からアルミナ系セラミックス粉末を含有する被覆層に銀イオンが拡散・移行（マイグレーション）し、移行した銀イオンが被覆層の表面から露出する現象が生じる。そして、このような被覆層の上に発光素子を搭載し、シリコーン樹脂等の封止層を形成した場合、被覆層表面に露出した高濃度の銀イオン（Ａｇ＋）が、封止層に含有される白金触媒等と接触することで還元されてＡｇ０となり、凝集してコロイド粒子化し、被覆層とシリコーン樹脂等の封止層との界面で発色する、いわゆる銀発色と呼ばれる現象が発生する。その結果、反射率が低下して発光装置としての輝度が低下するおそれがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２２８６７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであって、発光素子搭載面の反射率が高く、また発光装置としたときの銀発色による光の損失が少なく、光の取出し効率が高い発光素子搭載用基板と、その基板を用いた発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発光素子搭載用基板は、発光素子が搭載される搭載面を有する基板本体と、前記基板本体の前記搭載面に形成された銀または銀合金を主体とする金属層と、前記金属層の全面を覆うように形成された、ガラスを主体としセラミックス粉末を含有するガラスセラミックス焼結体で構成される被覆層を有する発光素子搭載用基板であって、前記被覆層は、アルミナ系のセラミックス粉末を実質的に含有せず、かつガラスとの屈折率の差が０．４以上の高屈折率セラミックスの粉末の１種以上を含むセラミックス粉末を含有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の発光素子搭載用基板において、前記ガラス中のＡｌ２Ｏ３の含有量は、酸化物基準のモル％表示で２％未満であることが好ましい。また、前記基板本体の前記搭載面において、前記金属層の上に前記被覆層が形成された領域の光反射率は、９４％以上であることが好ましい。また、前記被覆層に含まれる銀の濃度は、Ａｇ２Ｏに換算して０．５質量％以下であることが好ましい。
【００１０】
さらに、本発明の発光素子搭載用基板において、前記被覆層に含まれる前記高屈折率セラミックスの粉末の含有量は、０．８体積％以上２０体積％以下であることが好ましい。そして、前記被覆層は、前記ガラスの粉末と前記セラミックス粉末とを含むペーストの印刷層の焼成により形成された層であり、該被覆層に含まれる前記セラミックス粉末の総含有量は、１５体積％以上４０体積％以下であることが好ましい。また、前記被覆層は、前記ガラスの粉末と前記セラミックス粉末とを含むグリーンシートの焼成により形成された層であり、該被覆層に含まれる前記セラミックス粉末の総含有量は、４０体積％以上５０体積％未満であることが好ましい。
【００１１】
本発明の発光装置は、前記本発明の発光素子搭載用基板と、この発光素子搭載用基板の前記搭載面の搭載部に搭載される発光素子とを有することを特徴とする。また、本発明の発光装置は、前記被覆層の表面の一部または全部がシリコーン樹脂により封止されてなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の発光素子搭載用基板によれば、銀または銀合金を主体とする金属層への気体または液体の侵入を抑制して酸化や硫化を防止できるうえに、金属層から被覆層への銀イオンの移行・拡散を防止して、被覆層表面での銀イオンの凝集およびコロイド粒子化を防止することができ、銀発色による反射率の低下を防ぐことができる。
さらに、被覆層が、高屈折率セラミックス粉末を含むセラミックス粉末を含有しているので、銀または銀合金を主体とする金属層の上に被覆層を形成したことによる反射率の低下を抑えて高い反射率を達成できるうえに、発光素子搭載部の平坦性が向上された発光素子搭載用基板とすることができる。さらに、基板上前記金属層とその上に設けられる被覆層とを、同時に焼成して形成できるので、工程の負荷を抑えることができる。
【００１３】
本発明の発光装置では、上記した発光素子搭載用基板を用いることで、搭載面の反射率が高く、かつ反射率が低下しにくいので、長期間高い発光輝度を維持できる。また、発光素子の傾きや損傷が抑制されるので、配向特性のばらつきのない良好な発光を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の発光素子搭載用基板の実施形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の発光装置の実施形態の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００１６】
＜発光素子搭載用基板＞
図１は、本発明の発光素子搭載用基板の実施形態の一例を示す断面図である。発光素子搭載用基板１は、略平板状の基板本体２を有している。基板本体２は、一方の主面が、ＬＥＤ素子のような発光素子の搭載される搭載面２ａとなっている。搭載面２ａには、発光素子と電気的に接続される素子接続端子３が設けられている。また、基板本体２の他方の主面は、発光素子の搭載されない非搭載面２ｂとされており、この非搭載面２ｂには、外部回路と電気的に接続される外部電極端子４が設けられている。そして、基板本体２の内部には、素子接続端子３と外部電極端子４とを電気的に接続する貫通導体５が設けられている。なお、本明細書において、「略平板状の基板本体」とは、上側の主面と下側の主面、すなわち搭載面２ａと非搭載面２ｂがともに目視レベルで平板形状と認識できるレベルの平坦面である基板本体をいう。以下同様に、略を付けた表記は、特に断らない限り、目視レベルで認識できるレベルのことをいう。
【００１７】
さらに、基板本体２の熱抵抗を低減するために、基板本体２の内部にサーマルビア（図示を省略する。）を埋設できる。サーマルビアは、例えば、後述する発光素子の搭載部より小さい柱状のものであり、非搭載面２ｂから、基板本体２の厚さ方向の中間の位置まで配設するのが好ましい。このような配置とすることで、搭載面２ａ全体、特に搭載部の平坦度を向上でき、熱抵抗を低減し、また発光素子を搭載したときの傾きも抑制できる。
【００１８】
基板本体２の搭載面２ａの略中央部には、発光素子から放射される光を反射させるための銀または銀合金を主体とする金属層である銀反射層（中央部反射層）６が設けられている。なお、この銀または銀合金を主体とする金属層は、上記したように反射層であることが好ましいが、反射層には限定されず、例えば導電機能を有する導電層であってもよい。
【００１９】
そして、前記銀反射層６の上に、その全表面（上面および側面）を覆うように被覆層７が設けられており、被覆層７の一部が、発光素子が搭載される搭載部１０となっている。また、基板本体２の搭載面２ａの周辺部にも、銀または銀合金を主体とする銀反射層（周辺部反射層）６が設けられており、この銀反射層６の上にもその全表面を覆うように、被覆層７が設けられている。銀反射層（中央部反射層および周辺部反射層）６の表面を覆うように設けられた被覆層７は、いずれも、ガラス粉末焼結体（以下、単にガラスというときがある。）を主体とし、アルミナ系のセラミックス粉末を実質的に含有せず、かつガラスとの屈折率の差が０．４以上の高屈折率セラミックス粉末の１種以上を含むセラミックス粉末を含有するガラスセラミックス焼結体により構成されている。なお、本明細書において「アルミナ系のセラミックス粉末」とは、化学成分としてアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を５０質量％以上含有するセラミックス粉末をいう。
【００２０】
このような被覆層７を銀反射層６の全表面を覆うように設けることで、銀反射層６への気体または液体の侵入を抑制して銀反射層６の酸化や硫化を防止できるうえに、銀反射層６から被覆層７への銀イオンの移行・拡散を防止して、被覆層７表面での銀イオンの凝集およびコロイド粒子化を防止することができ、銀発色による反射率の低下を防ぐことができる。
なお、被覆層７を構成するガラス粉末焼結体において、Ａｌ２Ｏ３の含有量を酸化物基準のモル％表示で２％未満にすることで、被覆層７への銀イオンの拡散をより良好に抑制でき、被覆層７表面の反射率の低下をよりいっそう防止できる。
【００２１】
本発明の実施形態の発光素子搭載用基板１において、基板本体２は略平板状の部材であるが、発光素子の搭載部１０が一段下の位置となるように、凹部（キャビティ）が形成された部材とすることもできる。基板本体２を構成する材料は特に限定されないが、前記した被覆層７の形成工程で変形しないものが好ましく、無機材料が好ましく用いられる。無機材料の中でも、アルミナ、低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ。以下、ＬＴＣＣと示す。）、窒化アルミニウム等は、熱伝導性、放熱性、強度、および製造コスト等の点で優れており、好ましく用いられる。特に、高反射性、製造の容易性、易加工性、経済性等の観点から、基板本体２を構成する無機材料としてはＬＴＣＣが好ましい。基板本体２を構成するガラスセラミックス焼結体の原料組成、焼結条件等については、後述する発光素子搭載用基板の製造方法において説明する。
【００２２】
前記した素子接続端子３、外部電極端子４および貫通導体５の構成材料は、通常発光素子搭載用基板に用いられる配線導体と同様の構成材料であれば、特に制限なく使用できる。素子接続端子３、外部電極端子４および貫通導体５の構成材料として、具体的には、銅、銀、金等の金属を主体とする導電性金属材料が挙げられる。なお、「金属を主体とする」とは、この金属材料により単なる金属層（例えば、銅の金属層、銀の金属層、金の金属層）を形成する場合には、その金属成分を７０質量％以上含むことを意味する。高い反射性能を付与する金属層とする場合には、銀からなる金属材料、銀と白金からなる金属材料、または銀とパラジウムからなる金属材料が好ましく用いられる。なお、このときの銀の含有量は９５質量％以上が好ましい。これらの金属材料については、後述する発光素子搭載用基板の製造方法で具体的に説明する。素子接続端子３および外部電極端子４の厚さは、５〜１５μｍとすることが好ましい。
【００２３】
また、素子接続端子３や外部電極端子４の表面には、この層を酸化や硫化から保護し、かつボンディングワイヤ等を接続する際のはんだの濡れ性やボンディング特性を向上させるために、導電性保護層（図示を省略する。）が設けられることが好ましい。導電性保護層としては、前記導電性金属層を保護する機能を有する導電性材料で構成されていれば、特に制限されない。具体的には、ニッケルメッキ、クロムメッキ、銀メッキ、ニッケル／銀メッキ、金メッキ、ニッケル／金メッキ等からなる層が挙げられる。素子接続端子３等の形成方法についても、発光素子搭載用基板の製造方法において説明する。
【００２４】
銀反射層６は、例えば、銀、銀パラジウム合金または銀白金合金等の銀合金からなる層である。銀反射層６は高反射率を有することが好ましく、特に銀層とすることが好ましい。銀反射層６は、銀または前記銀合金の粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを、スクリーン印刷等の方法により基板本体２の搭載面２ａの所定の位置に印刷し、焼成することにより形成できる。
【００２５】
被覆層７は、下層の銀反射層６を酸化や硫化等の腐食から保護するための層であり、ガラスを主体としセラミックス粉末を含有するガラスセラミックス焼結体により構成されている。なお、「ガラスを主体とする」とは、ガラスが５０体積％を超える割合で含有されていることをいう。被覆層７に含有されるセラミックス粉末は、アルミナ系のセラミックス粉末を実質的に含まず、ガラスとの屈折率の差が０．４以上の高屈折率セラミックス粉末の１種または２種以上を含む。
【００２６】
被覆層７を構成するガラスは、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２を２０〜８５％、Ｂ２Ｏ３を０〜４０％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯから選ばれる少なくとも１種を０〜５０％、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏから選ばれる少なくとも１種を０〜１６％含有するガラス粉末を焼成してなる焼結体であることが好ましい。
【００２７】
以下、前記ガラス粉末の成分について説明する。なお、以下では、特に断らない限り組成はモル％表示のものとし、単に％と表記する。
【００２８】
ＳｉＯ２はガラスのネットワークフォーマとなるものであり、化学的耐久性、とくに耐酸性を高くするために必須の成分である。ＳｉＯ２の含有量が２０％未満であると、耐酸性が不十分となるおそれがある。一方、ＳｉＯ２の含有量が８５％を超えると、ガラスの軟化点（Ｔｓ）やガラス転移点（Ｔｇ）が過度に高くなるおそれがある。
【００２９】
Ｂ２Ｏ３はガラスのネットワークフォーマとなるものであり、４０％以下の範囲で添加してもよい。Ｂ２Ｏ３の含有量が４０％を超えると、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性が低下するおそれもある。Ｂ２Ｏ３の含有量は、好ましくは１２％以上である。
ガラス粉末におけるＡｌ２Ｏ３の含有割合は、２％未満にすることが好ましい。２％未満にすることで、被覆層７への銀イオンの拡散をより良好に抑制でき、被覆層７表面での銀発色による反射率の低下をよりいっそう防止できる。
【００３０】
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯは、ＴｓやＴｇを低下させると共に、ガラスの安定性を高めるために、合計した含有量が５０％を超えない範囲で添加してもよい。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの含有量の合計が５０％を超えると、耐酸性が低下するおそれがある。また、銀発色が生じやすくなるおそれがある。
【００３１】
Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏは、ＴｓやＴｇを低下させるために、合計した含有量が１６％を超えない範囲で添加できる。Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏの含有量の合計が１６％を超えると、化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがあり、電気絶縁性も低下するおそれがある。
【００３２】
被複層７の構成成分としてＡｌ２Ｏ３を用いた場合、銀発色が生じやすくなるおそれがある。すなわち、ガラス中でＡｌ３＋は非架橋酸素を引きつけて４配位の［ＡｌＯ４］の形をとり、中心のＡｌは負の電荷を帯びた形になる。この電荷補償のため、正の電荷を持つＡｇ＋（銀イオン）を引きつける形をとるため、銀イオンはこのような４配位アルミニウムのカウンターカチオンとして安定に存在することになり、銀反射層６からガラスを含む被覆層７への拡散・移行が進むと考えられる。したがって、Ａｌ２Ｏ３を含有しないガラス組成とすることで、銀イオンのガラスセラミックス焼結体中への拡散を抑制でき、被覆層７表面の銀発色を防止できる。
【００３３】
なお、被覆層７の形成に用いるガラス粉末（以下、被覆層用ガラス粉末というときがある。）は、必ずしも上記成分のみからなるものに限定されず、本発明の目的を損なわない範囲で他の成分を含有できる。他の成分を含有する場合、その合計した含有量は１０％以下であることが好ましい。なお、本発明の実施形態ではガラス粉末は鉛酸化物を含有していない。
また、被覆層用ガラス粉末は、上記含有比率を有するものに限定されず、これとは異なる含有比率を有するガラス粉末を用いることもできる。
【００３４】
被覆層用ガラス粉末は、上記したようなガラス組成を有するガラスを溶融法によって製造し、乾式粉砕法や湿式粉砕法によって粉砕することにより得ることができる。湿式粉砕法の場合、溶媒として水を用いることが好ましい。粉砕は、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕機を用いて行うことができる。
【００３５】
被覆層用ガラス粉末の５０％粒径（Ｄ５０）は０．５μｍ以上４μｍ以下であることが好ましい。なお、本明細書において、Ｄ５０は、レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置を用いて測定したものをいう。被覆層用ガラス粉末のＤ５０が０．５μｍ未満のとき、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難になるとともに、粉末化に要する時間が長くなりすぎるおそれもある。一方、被覆層用ガラス粉末のＤ５０が４μｍを超えると、Ｔｓの上昇や焼結不足が発生するおそれがある。粒径の調整は、例えば粉砕後に必要に応じて分級することにより行うことができる。被覆層用ガラス粉末の最大粒径は２０μｍ以下であることが好ましい。最大粒径が２０μｍを超えると、ガラス粉末の焼結性が低下し、焼結体中に未溶解成分が残留して、被覆層７の反射性を低下させるおそれがある。被覆層用ガラス粉末の最大粒径は、より好ましくは１０μｍ以下である。
【００３６】
被覆層７に含有される高屈折率セラミックスの粉末としては、例えば、チタニア粉末、ジルコニア粉末、安定化ジルコニア粉末等が挙げられる。ガラスの屈折率が１．５程度であるのに対して、チタニアの屈折率は約２．７、ジルコニアの屈折率は約２．２であり、ガラスの屈折率より０．４以上高い屈折率を有している。これらの高屈折率セラミックス粉末のＤ５０は０．５μｍ以上４μｍ以下が好ましい。被覆層７を構成するガラスセラミックス焼結体中の高屈折率セラミックス粉末の含有量は、０．８体積％以上２０体積％以下であることが好ましい。高屈折率セラミックス粉末の含有量を０．８体積％以上とすることで、被覆層７の反射率を向上させることができる。また、高屈折率セラミックス粉末の含有量を２０体積％以下とすることで、均一な組成のガラスセラミックス焼結体を得ることができる。
【００３７】
被覆層７は、これらの高屈折率セラミックス粉末以外に、シリカ（ＳｉＯ２）やセリア（ＣｅＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等のセラミックス粉末を含有できる。これらのセラミックス粉末のＤ５０も、高屈折率セラミックス粉末と同様に、０．５μｍ以上４μｍ以下であることが好ましい。なお、前記したように、被覆層７は、アルミナ粉末のようなアルミナ系セラミックス粉末を実質的に含まない。
【００３８】
被覆層７に含まれるセラミックス粉末の含有量の合計（総含有量）の好ましい範囲は、被覆層７の形成方法により異なる。被覆層７が、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むペーストの印刷層を焼成することにより形成された層である場合、被覆層７に含まれるセラミックス粉末の総含有量は、１５体積％以上４０体積％以下であることが好ましい。また、被覆層７が、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むグリーンシートの焼成により形成された層である場合、被覆層７に含まれるセラミックス粉末の総含有量は、４０体積％以上５０体積％未満であることが好ましい。いずれの形成方法による場合も、被覆層７に含まれるセラミックス粉末の総含有量が下限値以上である場合には、被覆層７の表面平坦度が向上し、放熱性が高められる。また、前記セラミックス粉末の総含有量が上限値以下である場合には、均一な組成のガラスセラミックス焼結体を得ることができる。
【００３９】
被覆層７の厚さは、５〜３０μｍであることが好ましい。５μｍ未満であると、被覆性が不十分になるおそれがあるため、５μｍ以上であることが好ましい。３０μｍを超えると放熱性を阻害し、発光効率が低下してしまうおそれがある。
【００４０】
被覆層７の形成方法は、５〜３０μｍの厚さの層を平坦に形成できる方法であれば特に限定されるものではない。例えば、ガラス粉末と前記高屈折率セラミックス粉末の１種以上を含むセラミックス粉末との混合物のペーストを、スクリーン印刷等により印刷し、焼成して形成できる。また、ガラス粉末と前記高屈折率セラミックス粉末の１種以上を含むセラミックス粉末との混合物から作製されたグリーンシートを、所定の部分に配置し焼成して形成できる。被覆層７の形成方法は、発光素子搭載用基板１の製造方法で説明する。
【００４１】
本発明の実施形態の発光素子搭載用基板１によれば、銀反射層６の全面を覆うように、ガラスセラミックス焼結体からなる被覆層７が設けられているので、銀反射層６への気体または液体の侵入を抑制して銀反射層６の酸化や硫化を防止できるうえに、被覆層７にはアルミナ系のセラミックス粉末が実質的に含有されていないので、銀反射層６から被覆層７への銀イオンの移行・拡散が防止され、被覆層７の表面または内部での銀イオンの凝集およびコロイド粒子化を防止できる。また、被覆層７には、高屈折率セラミックス粉末の１種以上が含有されているので、銀反射層６上に被覆層７を設けたことによる反射率の低下を抑えて、９４％以上の高い反射率を達成できる。
【００４２】
実施形態の発光素子搭載用基板１において、銀反射層６からの銀イオンの移行・拡散により、被覆層７に含有されている銀の濃度は、Ａｇ２Ｏに換算して０．５質量％以下であることが好ましく、０．２質量％以下であることがより好ましい。
【００４３】
さらに、実施形態の発光素子搭載用基板１によれば、銀反射層６とその上に設けられる被覆層７とを同時に焼成して形成できるので、工程の負荷を抑えることができる。
【００４４】
＜発光素子搭載用基板の製造方法＞
ＬＴＣＣからなる基板本体２を有する発光素子搭載用基板１は、例えば、以下に示すように、（Ａ）基板用グリーンシート作製工程、（Ｂ）導体ペースト層形成工程、（Ｃ）積層工程、（Ｄ）反射層用銀ペースト層形成工程、（Ｅ）未焼成被覆層形成工程、および（Ｆ）焼成工程を備えた方法により製造できる。なお、製造に用いる部材については、完成品の部材と同一の符号を付して説明する。
【００４５】
（Ａ）基板用グリーンシート作製工程
まず、基板用グリーンシートを形成する。基板用グリーンシートは、基板用ガラス粉末と基板用セラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調整し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで得ることができる。
【００４６】
基板用ガラス粉末は、必ずしも限定されるものではないものの、Ｔｇが５５０℃以上７００℃以下のものが好ましい。Ｔｇが５５０℃未満の場合、後述する脱脂が困難となるおそれがある。一方、Ｔｇが７００℃を超える場合、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。
【００４７】
このような基板用ガラス粉末としては、酸化物基準のモル％表示で、例えば、ＳｉＯ２を５７％以上６５％以下、Ｂ２Ｏ３を１３％以上１８％以下、ＣａＯを９％以上２３％以下、Ａｌ２Ｏ３を３％以上８％以下、Ｋ２ＯとＮａ２Ｏから選ばれる１種以上を合計で０．５％以上６％以下含有するものが好ましい。
【００４８】
基板用ガラス粉末は、上記したようなガラス組成を有するガラスを溶融法によって製造し、乾式粉砕法や湿式粉砕法によって粉砕することにより得ることができる。湿式粉砕法の場合には、溶媒として水またはエチルアルコールを用いることが好ましい。粉砕は、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕機を用いて行うことができる。なお、基板用ガラス粉末は、必ずしも上記成分のみからなるものに限定されず、Ｔｇ等の諸特性を満たす範囲で他の成分を含有することもできる。他の成分を含有する場合、その合計した含有量は１０％以下であることが好ましい。
【００４９】
基板用ガラス粉末のＤ５０は０．５〜２μｍであることが好ましい。基板用ガラス粉末のＤ５０が０．５μｍ未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難であるばかりでなく、均一に分散させることが困難となる。一方、基板用ガラス粉末のＤ５０が２μｍを超える場合、Ｔｓの上昇や焼結不足が発生するおそれがある。粒径の調整は、例えば粉砕後に必要に応じて分級することにより行うことができる。
【００５０】
基板用セラミックス粉末としては、従来からＬＴＣＣ基板の製造に用いられるものを用いることができ、例えば、アルミナ粉末、ジルコニア粉末、またはアルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物を好適に用いることができる。基板用セラミックス粉末のＤ５０は、例えば０．５〜４μｍであることが好ましい。
【００５１】
このような基板用ガラス粉末と基板用セラミックス粉末とを、例えば、ガラス粉末が３０質量％以上５０質量％以下、セラミックス粉末が５０質量％以上７０質量％以下となるように配合し混合することにより、ガラスセラミックス組成物を得ることができる。
【００５２】
また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得ることができる。バインダーとしては、例えば、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いることができる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を用いることができる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、ブタノール等の芳香族系またはアルコール系の有機溶剤を用いることができる。さらに、分散剤やレベリング剤を使用することも可能である。
【００５３】
このスラリーをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで、基板用グリーンシートを製造する。次いで、こうして得られた基板用グリーンシートを、打ち抜き型あるいはパンチングマシーンを使用して所定の寸法角に切断し、同時に所定位置に層間接続用のビアホールを打ち抜き形成する。さらに、必要に応じて、基板用グリーンシートの所定の位置に、サーマルビア用のホールを打ち抜き形成する。
【００５４】
（Ｂ）導体ペースト層形成工程
各基板用グリーンシートの所定の位置に導体ペースト層を形成することにより、未焼成素子接続端子３、未焼成外部電極端子４を形成する。また、前記したビアホール内に導体ペーストを充填することによって、未焼成貫通導体５を形成する。さらに、必要に応じて、前記工程で形成されたサーマルビア用のホール内に金属ペーストを充填することによって、未焼成サーマルビアを形成する。
【００５５】
導体ペースト層および導体ペースト充填層の形成方法としては、導体ペーストをスクリーン印刷により塗布し、またはホール内に充填する方法が挙げられる。形成される導体ペースト層の膜厚は、最終的に得られる素子接続端子３、外部電極端子４等の膜厚が所定の膜厚となるように調整される。また、未焼成サーマルビアとなる金属ペースト充填層の形成方法としては、金属ペーストをスクリーン印刷によりホール内に充填する方法が挙げられる。
【００５６】
未焼成素子接続端子３、未焼成外部電極端子４および未焼成貫通導体５の形成に用いる導体ペーストとしては、例えば、銅、銀、金等を主体とする導体金属の粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを使用できる。なお、上記導体金属粉末としては、銀粉末、銀と白金からなる金属粉末または銀とパラジウムからなる金属粉末が好ましく用いられる。未焼成サーマルビアの形成に用いる金属ペーストとしては、前記した銀を主体とする金属粉末を、エチルセルロース等のビヒクル、および必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを使用できる。
【００５７】
（Ｃ）積層工程
未焼成素子接続端子３、未焼成外部電極端子４および未焼成貫通導体５等が形成された基板用グリーンシートの複数枚を、位置合わせしつつ重ね合わせ、熱圧着により一体化する。こうして、未焼成基板本体２が得られる。
【００５８】
（Ｄ）反射層用銀ペースト層形成工程
未焼成基板本体２の搭載面２ａの所定の位置に、反射層用銀ペーストをスクリーン印刷等の方法により印刷し、未焼成銀反射層６を形成する。反射層用銀ペーストとしては、銀、銀パラジウム合金または銀白金合金等の銀合金の粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものが用いられる。
【００５９】
（Ｅ）未焼成被覆層形成工程
前記工程で未焼成基板本体２の搭載面２ａに形成された未焼成銀反射層６の全面を覆うように、前記した被覆層用ガラス粉末と被覆層用セラミックス粉末との混合物に、エチルセルロース等のビヒクルと必要に応じて溶剤等を添加してペースト状とした被覆層用ガラスペーストを、スクリーン印刷等の方法により印刷し、未焼成被覆層７を形成する。
【００６０】
また、未焼成被覆層７は、グリーンシートを配置することで形成することもできる。すなわち、被覆層用ガラス粉末と被覆層用セラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調整し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させて被覆層用グリーンシートを作製する。そして、この被覆層用グリーンシートを、未焼成銀反射層６の全面を覆うように配置することで、未焼成被覆層７を形成する。
【００６１】
形成される未焼成被覆層７の厚さは、最終的に得られる被覆層７の厚さとなるように調整することが好ましい。
【００６２】
（Ｆ）焼成工程
前記（Ｅ）工程で未焼成被覆層７が形成された未焼成基板本体２に対して、必要に応じてバインダー等を脱脂後、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるための焼成を行って発光素子搭載用基板１とする。
【００６３】
脱脂は、例えば５００℃以上６００℃以下の温度で１時間以上１０時間以下保持する。こうして、グリーンシートおよび各層に含まれる樹脂等のバインダーを分解・除去する脱脂を行う。その後、例えば、８５０〜９００℃の温度で２０分〜６０分保持することにより、グリーンシートを構成するガラスセラミックス組成物を焼成する。この焼成により、基板本体２の内部および表面に形成された導体ペースト、金属ペースト、銀ペーストおよびガラスペースト等も同時に焼成され、基板本体２の所定の位置に、素子接続端子３、外部電極端子４、貫通導体５、銀反射層６および被覆層７をそれぞれ形成することができる。
【００６４】
脱脂温度が５００℃未満もしくは脱脂時間が１時間未満の場合、バインダー等を十分に除去することが困難になる。一方、脱脂温度を６００℃程度、脱脂時間を１０時間程度とすれば、十分にバインダー等を除去することができ、これを超えると、かえって生産性等が低下するおそれがある。
【００６５】
また、焼成は、基板本体２の緻密な構造の獲得と生産性を考慮して、８００℃〜９３０℃の温度範囲で適宜時間を調整できる。具体的には、８５０℃以上９００℃以下の温度で２０分以上６０分以下保持することが好ましく、特に８６０℃以上８８０℃以下の温度が好ましい。焼成温度が８００℃未満では、基板本体２が緻密な構造のものとして得られないおそれがある。一方、焼成温度は９３０℃を超えると、基板本体２が変形するなど生産性等が低下するおそれがある。また、焼成温度が８８０℃を超えると、銀反射層６等が過度に軟化するために所定の形状を維持できなくなるおそれがある。
【００６６】
このようにして発光素子搭載用基板１が得られるが、焼成後、必要に応じて素子接続端子３および外部電極端子４の全体を被覆するように、ニッケルメッキ、クロムメッキ、銀メッキ、ニッケル／銀メッキ、金メッキ、ニッケル／金メッキ等の、通常発光素子搭載用基板１において導体保護用に用いられる導電性保護層をそれぞれ形成できる。これらのうちでも、ニッケル／金メッキが好ましく用いられる。ニッケル／金メッキは、例えば、ニッケルメッキ層はスルファミン酸ニッケル浴等を使用して、金メッキ層はシアン化金カリウム浴等を使用して、それぞれ電解メッキによって形成できる。
【００６７】
以上、本発明の発光素子搭載用基板１について説明したが、本発明の趣旨に反しない限度において、また必要に応じて、その構成を適宜変更できる。
【００６８】
＜発光装置＞
次に、本発明の発光装置について説明する。本発明の発光装置２０は、例えば図２に示すように、前記発光素子搭載用基板１の搭載面２ａに設けられた被覆層７の搭載部１０に、ＬＥＤ素子等の発光素子１１が搭載されたものである。発光素子１１は、被覆層７の上に接着剤を用いて固定され、その図示しない電極がボンディングワイヤ１２によって接続端子３に電気的に接続されている。そして、発光素子１１やボンディングワイヤ１２を覆うように、モールド樹脂からなる封止層１３が設けられて発光装置２０が構成されている。
【００６９】
封止層１３を構成するモールド樹脂としては、耐光性、耐熱性の点で優れているため、シリコーン樹脂が好ましく用いられる。このようなモールド樹脂に、白金、チタン等の触媒を添加することにより、モールド樹脂の速やかな硬化が可能となる。
【００７０】
封止用のモールド樹脂に蛍光体等を混合または分散させることにより、発光装置２０として得られる光を、所望の発光色に適宜調整できる。すなわち、蛍光体を封止層１３に混合、分散させることにより、発光素子１１から放射される光によって励起された蛍光体が可視光を発光し、この可視光と発光素子１１から放射される光とが混色して、発光装置２０として所望の発光色を得ることができる。蛍光体の種類は特に限定されるものではなく、発光素子１１から放射される光の種類や目的とする発光色に応じて適宜選択される。なお、蛍光体を配置するには、上記のようにして封止層１３に混合・分散させる方法に限らず、例えば封止層１３の上に蛍光体の層を設けるようにすることも可能である。
【００７１】
本発明の発光装置２０においては、前記発光素子搭載用基板１を用いることで、搭載部１０の反射率が高く、かつ反射率が低下しにくいので、長期間高い発光輝度が得られる。また、搭載部１０の平坦度に優れ、熱抵抗の小さい発光素子搭載用基板１を用いることで、発光素子１１の過度な温度上昇を抑制し、配向特性のばらつきのない高輝度の発光を得ることができる。
【００７２】
このような発光装置２０は、例えば携帯電話や大型液晶ディスプレイ等のバックライト、自動車用あるいは装飾用の照明、その他の光源として好適に用いることができる。
【実施例】
【００７３】
以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されない。
【００７４】
実施例１〜３、比較例１〜３
＜反射率測定用基板の製造＞
被覆層用ガラスセラミックス組成物を調製した。
まず、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏの各成分が表１上段に示す組成（モル％）となるように、ガラス原料を調合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて１５００〜１６００℃で６０分間溶融させた後、溶融状態のガラスを流し出し冷却した。得られたガラスを、アルミナ製ボールミルにより２０〜６０時間粉砕して被覆層用ガラス粉末を得た。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
【００７５】
得られた被覆層用ガラス粉末の平均粒径Ｄ５０を、レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置（島津製作所社製、商品名：ＳＡＬＤ２１００）を用いて測定した。いずれの組成のガラス粉末も、Ｄ５０は１〜３μｍの範囲内であった。
【００７６】
次に、上記の被覆層用ガラス粉末と表１に示すセラミックス粉末とを、同表中段に示す組成（体積％）となるように配合し混合して、被覆層用ガラスセラミックス組成物を調製した。
なお、セラミックス粉末としては、以下のものを使用した。
ジルコニア（ＺｒＯ２）粉末；
第一稀元素化学社製、商品名：ＨＳＴ−３Ｆ、Ｄ５０＝０．５μｍ
チタニア（ＴｉＯ２）粉末；
東洋チタニウム社製、商品名：ＨＴ１３１１、Ｄ５０＝０．６μｍ
シリカ（ＳｉＯ２）粉末；
電気化学工業社製、商品名：ＦＢ−３ＳＤＣ、Ｄ５０＝３．４μｍ
アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末；
昭和電工社製、商品名：ＡＬ−４７Ｈ、Ｄ５０＝２．１μｍ
【００７７】
次いで、実施例１〜２および比較例１においては、得られた被覆層用ガラスセラミックス組成物５０ｇに、有機溶剤（トルエン、キシレン、２−プロパノール、２−ブタノールを質量比４：２：２：１で混合したもの）１５ｇ、可塑剤（フタル酸ジ−２−エチルヘキシル）２．５ｇ、バインダーとしてのポリビニルブチラール（デンカ社製、商品名：ＰＶＫ＃３０００Ｋ）５ｇ、さらに分散剤（ビックケミー社製、商品名：ＢＹＫ１８０）０．５ｇを配合し、混合してスラリーを調製した後、このスラリーをＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗布し乾燥させ、焼成後の厚さが５０μｍの被覆層用グリーンシートを作製した。
【００７８】
また、実施例３および比較例２〜３においては、前記被覆層用ガラスセラミックス組成物と樹脂成分とを６０：４０の質量比で配合し、磁器乳鉢中で１時間混練を行い、さらに三本ロールにて３回分散を行って、被覆層用ガラスペーストを調製した。ここで、樹脂成分は、エチルセルロースとαテレピネオールとを８５：１５の質量比で調合し分散したものを使用した。なお、被覆層用グリーンシートおよび被覆層用ガラスペーストは、同一組成のものを、後述する発光素子搭載用基板の製造においても使用した。
【００７９】
次に、基板本体用グリーンシートを製造した。まず、ＳｉＯ２が６０．４ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３が１５．６ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３が６ｍｏｌ％、ＣａＯが１５ｍｏｌ％、Ｋ２Ｏが１ｍｏｌ％、Ｎａ２Ｏが２ｍｏｌ％となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて１６００℃で６０分間溶融させた後、溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスを、アルミナ製ボールミルによりエチルアルコールを溶媒として４０時間粉砕して、基板本体用のガラス粉末を得た。
【００８０】
この基板本体用ガラス粉末が３５質量％、アルミナ粉末（昭和電工社製、商品名：ＡＬ−４５Ｈ）が４０質量％、ジルコニア粉末（第一稀元素化学工業社製、商品名：ＨＳＹ−３Ｆ−Ｊ）が２５質量％となるように配合し、混合することにより基板本体用ガラスセラミックス組成物を得た。このガラスセラミックス組成物５０ｇに、有機溶剤（トルエン、キシレン、２−プロパノール、２−ブタノールを質量比４：２：２：１で混合したもの）１５ｇ、可塑剤（フタル酸ジ−２−エチルヘキシル）２．５ｇ、バインダーとしてのポリビニルブチラール（デンカ社製、商品名：ＰＶＫ＃３０００Ｋ）５ｇ、さらに分散剤（ビックケミー社製、商品名：ＢＹＫ１８０）０．５ｇを配合し、混合してスラリーを調製した。
【００８１】
このスラリーをＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗布し乾燥させ、焼成後の厚さが０．１５ｍｍとなる基板本体用グリーンシートを製造した。なお、この基板本体用グリーンシートは、同様に製造されたものを、後述する発光素子搭載用基板の製造においても使用した。
【００８２】
次いで、得られた基板本体用グリーンシート６枚を重ね合わせ、熱圧着により一体化した後、片面に反射層用銀ペーストをスクリーン印刷法によって印刷した。なお、反射層銀ペーストは、銀粉末（大研化学工業社製、商品名：Ｓ４００−２）とビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比８５：１５の割合で配合し、固形分が８５質量％となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で１時間混練を行い、さらに三本ロールにて３回分散を行うことにより得た。
【００８３】
こうして形成された銀ペースト層の上に、実施例１〜２および比較例１においては、前記した被覆層用グリーンシートを重ねて圧着し、未焼成基板を得た。また、実施例３および比較例２〜３においては、銀ペースト層の上に、前記した被覆層用ガラスペーストをスクリーン印刷法によって塗布して、未焼成基板を得た。
【００８４】
次いで、上記で得られた未焼成基板を５５０℃で５時間保持して樹脂成分を分解・除去した後、８７０℃に３０分間保持して焼成を行った。こうして、反射率測定用の基板を製造した。
【００８５】
＜反射率の測定＞
こうして実施例１〜３および比較例１〜３でそれぞれ得られた反射率測定用基板において、銀反射層の上に被覆層が形成された領域の反射率を測定した。測定においては、可視光の全域（波長４００〜７００ｎｍ）における反射率を、オーシャンオプティクス社製の分光器ＵＳＢ２０００と小型積分球ＩＳＰ−ＲＦを用いて測定した。リファレンスには硫酸バリウムを使用し、硫酸バリウムを塗布した面の反射率を１００％として算定した。反射率の測定結果を表１に示す。
【００８６】
【表１】
2013239546.tif 000003
【００８７】
表１から明らかなように、アルミナ粉末を含有せず、かつ高屈折率セラミックス粉末であるジルコニア（ＺｒＯ２）粉末とチタニア（ＴｉＯ２）粉末の１種以上を含むガラスセラミックス焼結体からなる被覆層を有する実施例１〜３の基板では、被覆層が形成された領域の反射率が９５％以上となっており、高い反射率を達成できることがわかる。
それに対して、比較例１および２の基板では、被覆層が高屈折率セラミックス粉末を含有するが、アルミナ粉末も含有するので、高い反射率が得られていない。また、比較例３の基板では、被覆層が高屈折率セラミックス粉末を含有しないので、反射率が十分に高くないことがわかる。
【００８８】
実施例４〜６、比較例４〜６
＜発光素子搭載用基板の製造＞
まず、導電性銀粉末（大研化学工業社製、商品名：Ｓ５５０）とビヒクルとしてのエチルセルロースを、質量比８５：１５の割合で配合し、固形分が８５質量％となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で１時間混練を行い、さらに三本ロールにて３回分散を行って、導体ペースト（導体用銀ペースト）を調製した。
【００８９】
次いで、前記した反射率測定用基板の製造におけると同様に作製された基板本体用グリーンシートの未焼成貫通導体に相当する部分に、孔空け機を用いて直径０．３ｍｍの貫通孔を形成した。そして、この貫通孔に前記導体ペーストをスクリーン印刷法により充填して未焼成貫通導体を形成するとともに、所定の位置に同じ導体ペーストをスクリーン印刷して、未焼成接続端子および未焼成外部電極端子をそれぞれ形成した。
【００９０】
次いで、前記未焼成貫通導体、未焼成接続端子等が形成された基板本体用グリーンシートの６枚を重ね合わせ、熱圧着により一体化した後、搭載面の中央部に、反射層用銀ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、未焼成銀反射層を形成した。なお、反射層用銀ペーストは、前記実施例１〜３および比較例１〜３で使用した反射層用銀ペーストと同一組成で同様に調製されたものを使用した。
【００９１】
そして、この未焼成銀反射層の上に、実施例４〜５および比較例４においては、実施例１〜２および比較例１で使用したものと同じ被覆層用グリーンシートを重ねて圧着し、未焼成発光素子搭載用基板とした。また、実施例６および比較例５〜６においては、実施例３および比較例２〜３で使用したものと同じ被覆層用ガラスペーストをスクリーン印刷法によって塗布し、未焼成発光素子搭載用基板とした。
【００９２】
次いで、上記で得られた未焼成発光素子搭載用基板を５５０℃で５時間保持して樹脂成分を分解・除去した後、８７０℃に３０分間保持して焼成を行い、発光素子搭載用基板を製造した。
【００９３】
＜Ａｇイオン濃度の測定＞
こうして実施例４〜６および比較例４〜６でそれぞれ得られた発光素子搭載用基板の被覆層に含まれる銀イオン（Ａｇ＋）の濃度（質量％）を、被覆層表面の任意の１０μｍ×１０μｍ領域において、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｒｏｂｅ  Ｍｉｃｒｏ  Ａｎａｌｙｚｅｒ（ＥＰＭＡ）を用いて二次元濃度マッピング分析で測定した。測定結果を、Ａｇ２Ｏに換算した値として表２に示す。
【００９４】
＜発光装置の光束量経時変化の測定＞
次に、実施例４〜６および比較例４〜６で得られた各発光素子搭載用基板に、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子を搭載して、図２に示す発光装置を作製した。すなわち、被覆層の搭載部上にＬＥＤ素子（昭和電工社製、商品名：ＧＱ２ＣＲ４６０Ｚ）１個をダイボンド材（信越化学工業社製、商品名：ＫＥＲ−３０００−Ｍ２）により固定し、その電極をボンディングワイヤによって素子接続端子に電気的に接続した。さらに封止剤を用いてモールド封止層を形成した。なお、封止剤としては、封止用シリコーン樹脂（信越化学工業社製、商品名：ＳＣＲ−１０１６Ａ）を使用した。
【００９５】
次いで、こうして得られた発光装置に、電圧／電流発生器（アドバンテスト社製、商品名：Ｒ６２４３）を用いて３５ｍＡを印加し、ＬＥＤ素子を発光させた。そして、発光初期（０時間後）と、温度８０％、湿度８０％の環境で４８時間放置後、および同じ環境で９６時間放置後のそれぞれの時点で、発光装置から得られる光の全光束量（ルーメン）を測定した。全光束量の測定は、積分球（直径６インチ）内に発光装置を設置し、全光束測定装置（スペクトラコープ社製、商品名：ＳＯＬＩＤＬＡＭＢＤＡ・ＣＣＤ・ＬＥＤ・ＭＯＮＩＴＯＲ・ＰＬＵＳ）を用いて行った。測定結果を表２に示す。
なお、表２では、実施例４〜６および比較例４〜６のそれぞれの発光初期（０時間後）における光束量の測定値を１００とし、４８時間後および９６時間後の各光束量の測定値を、前記０時間後における光束量の測定値を基準とした相対値として表記した。
【００９６】
【表２】
2013239546.tif 000004
【００９７】
表２から明らかなように、アルミナ粉末を含有せず、かつ高屈折率セラミックス粉末であるジルコニア（ＺｒＯ２）粉末とチタニア（ＴｉＯ２）粉末の１種以上を含むガラスセラミックス焼結体からなる被覆層を有する実施例４〜６の発光素子搭載用基板では、被覆層に含まれる銀イオン濃度がＡｇ２Ｏに換算して０．５質量％以下に抑えられており、シリコーン樹脂封止後の発光装置の経時的な輝度（全光束量）の低下がほとんど生じていない。
【００９８】
それに対して、比較例４および５の発光素子搭載用基板では、被覆層がアルミナ粉末を含有するので、被覆層に含まれる銀イオン濃度が高くなっており、銀反射層から被覆層に移行・拡散した銀（イオン）が、被覆層中に高い濃度で存在する。そして、シリコーン樹脂封止後の発光装置では、全光束量が経時的に低下しており、銀発色等により輝度が大きく低下していることがわかる。
【００９９】
さらに、比較例６の発光素子搭載用基板では、被覆層がアルミナ粉末を含有しないので、被覆層中のＡｇ濃度は低く、シリコーン樹脂封止後の発光量の経時的低下もほとんどないが、被覆層が高屈折率セラミックス粉末を含有しないので、前記比較例３と同様に発光素子搭載用基板として十分に高い反射率は得られない。
【符号の説明】
【０１００】
１…発光素子搭載用基板、２…基板本体、３…素子接続端子、４…外部電極端子、５…貫通導体、６…銀反射層、７…被覆層、１０…搭載部、１１…発光素子、１２…ボンディングワイヤ、１３…封止層、２０…発光装置。
【図１】
2013239546.tif 000005
【図２】
2013239546.tif 000006