(57)【要約】【課題】揮発性メモリからなる内部メモリのデータの読み込み先が不揮発性メモリからなる外部メモリであるモードと、前記内部メモリのデータの読み込み先が外部装置であるモードとの間で動作モードを切り替える電子機器において、当該電子機器の構成を簡素にすること。【解決手段】モード用の記憶領域の論理値に応じて前記マスターモードと、スレーブモードとを切り替え、電源の投入時には、前記内部メモリのモード用の記憶領域が初期状態であることからマスターモードを選択し、これにより前記外部メモリからモード用の論理値を含むデータが内部メモリに読み出されるように装置が構成される。従って、前記各モードを切り替えるためのスイッチや端子を設ける必要が無いので、装置の部品点数を抑えて簡素化することができる。【選択図】図１
2013149138.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器本体と、揮発性メモリからなる内部メモリを有する制御部と、この制御部に接続される不揮発性メモリからなる外部メモリと、を備え、電源の投入に基づいて制御部が前記外部メモリから読み出して前記内部メモリに書き込んだデータに基づいて前記電子機器本体を制御する電子機器において、
前記内部メモリのデータの読み込み先が前記外部メモリであるマスターモードと、前記内部メモリのデータの読み込み先が前記制御部に接続される外部装置であるスレーブモードと、の間で動作モードを切り替えるための切り替え回路部と、
前記内部メモリに割り当てられる記憶領域であって、電源投入に基づく当該記憶領域の初期状態に対応する論理値であるマスターモード用の論理値と、このマスターモード用の論理値とは異なる論理値であるスレーブモード用の論理値と、のいずれか一方が前記外部メモリから読み出されて書き込まれるモード用の記憶領域と、
前記外部メモリに割り当てられ、前記マスターモード用の論理値と前記スレーブモード用の論理値との一方が外部装置により書き込まれる記憶領域であって、マスターモードに切り換えられているときには当該記憶領域に書き込まれているモード用の論理値が前記内部メモリのモード用の記憶領域に読み出されるモード用の記憶領域と、を備え、
前記切り替え回路部は、内部メモリのモード用の記憶領域の論理値に応じて動作モードをマスターモードまたはスレーブモードに切り替え、電源の投入時には、前記内部メモリのモード用の記憶領域が初期状態であることからマスターモードを選択し、これにより前記外部メモリからモード用の論理値を含むデータが内部メモリに読み出されることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
マスターモード用の論理値は、「０」であることを特徴とする請求項１記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、揮発性メモリからなる内部メモリのデータの読み込み先が不揮発性メモリからなる外部メモリであるモードと、前記内部メモリのデータの読み込み先が外部装置であるモードとの間で動作モードを切り替える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディジタル処理を用いた周波数シンセサイザは、電圧制御発振器を含むアナログ回路とＰＬＬループの一部においてディジタル処理を行うディジタル処理部とからなる回路部分と、この回路部分を制御する制御装置をなすマイクロコントローラと、を備えている。マイクロコントローラの役割としては、運転初期の周波数の立ち上げ時における周波数引き込みを制御すること、ディジタル／アナログ変換器の最大出力値をはじめ種々のパラメータを設定すること、などが挙げられる。
【０００３】
図７は、前記マイクロコントローラ及びその周囲の装置を示すブロック図である。図中１０１は当該マイクロコントローラ、１０２はマイクロコントローラ１０１に接続した外部の不揮発性メモリ（外部メモリ）、例えばＥＥＰＲＯＭである。１０３は接続回路であり、マイクロコントローラ１０１の外部のホストコンピュータ（外部コンピュータ）１０４を当該マイクロコントローラ１０１に接続する。１０５はマイクロコントローラ１０１に設けられるＩＣであり、ワークメモリであるレジスタ１０６を含む。前記パラメータは、外部メモリ１０２に外部コンピュータ１０４から書き込まれる。マイクロコントローラ１０１は外部メモリ１０２から前記パラメータを前記レジスタ１０６に読み出し、読み出されたパラメータが前記周波数シンセサイザをなす回路部１００に出力されて制御される。
【０００４】
メーカー側では、上記周波数シンセサイザの調整時に外部メモリ１０２に標準のパラメータを書き込んで装置を動作させ、外部コンピュータ１０４によりレジスタ１０６の前記パラメータの書き換えを行いながら装置の動作を確認する。それによって、個々の製品毎に最適なパラメータ（固有情報）を決定し、その決定した値に前記外部メモリ１０２のパラメータを書き換えた後、ユーザに製品を引き渡す。
【０００５】
ところで、この引き渡し後にユーザがパラメータを自由に設定できるようにすると、製品に動作の不具合が起こったり、所望の性能が得られなくなるおそれがある。それを防ぐために上記マイクロコントローラ１０１は、前記レジスタ１０６のパラメータの読み込み先を外部メモリ１０２とし、外部コンピュータ１０４からの前記パラメータの書き換えを禁止するマスターモードと、前記パラメータの読み込み先を外部コンピュータ１０２とするスレーブモードとを互いに切り替えて実行できるように構成される。つまり、前記ユーザが通常使用する場合にはマスターモードに設定され、メーカーが上記のように設定を行う場合にはスレーブモードに設定される。
【０００６】
このようなモードの切り替えを行うために従来は、例えば図７に示すようにＩＣ１０５の外部に設けられるスイッチ１０７の切り替えにより、ＩＣ１０５のモード切り替え用の端子１０８に印加される電圧が変化し、それによってＩＣ１０５に設けられるモード切り替え用回路１０９が、上記のモードの切り替えを行うように構成されていた。しかし、このような構成とする場合、モード切り替えを行うための専用の端子１０８及びスイッチ１０７を設ける必要があるので、周波数シンセサイザを構成する部品点数が多くなってしまう。また、このようにモード切り替え用ＩＣ１０５の外部から各モードが切り替え可能であると、例えばユーザによる前記パラメータの改ざんが容易に行われてしまうおそれがある。
【０００７】
特許文献１には、ＬＣＤパネルの２つの表示領域について、各表示領域に接続されるドライバに含まれるレジスタに書き込まれる設定値によってドライバの動作が決定され、一方のドライバが他方のドライバに電力を供給する表示装置について記載されている。しかし、上記のようにメモリとレジスタとの間でのデータ送信を制御するものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２１６１１３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、揮発性メモリからなる内部メモリのデータの読み込み先が不揮発性メモリからなる外部メモリであるモードと、前記内部メモリのデータの読み込み先が外部装置であるモードとの間で動作モードを切り替える電子機器において、当該電子機器の構成を簡素にする技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の電子機器は、電子機器本体と、揮発性メモリからなる内部メモリを有する制御部と、この制御部に接続される不揮発性メモリからなる外部メモリと、を備え、電源の投入に基づいて制御部が前記外部メモリから読み出して前記内部メモリに書き込んだデータに基づいて前記電子機器本体を制御する電子機器において、
前記内部メモリのデータの読み込み先が前記外部メモリであるマスターモードと、前記内部メモリのデータの読み込み先が前記制御部に接続される外部装置であるスレーブモードと、の間で動作モードを切り替えるための切り替え回路部と、
前記内部メモリに割り当てられる記憶領域であって、電源投入に基づく当該記憶領域の初期状態に対応する論理値であるマスターモード用の論理値と、このマスターモード用の論理値とは異なる論理値であるスレーブモード用の論理値と、のいずれか一方が前記外部メモリから読み出されて書き込まれるモード用の記憶領域と、
前記外部メモリに割り当てられ、前記マスターモード用の論理値と前記スレーブモード用の論理値との一方が外部装置により書き込まれる記憶領域であって、マスターモードに切り換えられているときには当該記憶領域に書き込まれているモード用の論理値が前記内部メモリのモード用の記憶領域に読み出されるモード用の記憶領域と、を備え、
前記切り替え回路部は、内部メモリのモード用の記憶領域の論理値に応じて動作モードをマスターモードまたはスレーブモードに切り替え、電源の投入時には、前記内部メモリのモード用の記憶領域が初期状態であることからマスターモードを選択し、これにより前記外部メモリからモード用の論理値を含むデータが内部メモリに読み出されることを特徴とする。
例えば前記マスターモード用の論理値は、「０」である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の電子機器は、モード用の記憶領域の論理値に応じて内部メモリのデータの読み込み先を外部メモリとするマスターモードと、前記読み込み先を外部装置とするスレーブモードとの間で切り替え、電源の投入時には、前記内部メモリのモード用の記憶領域が初期状態であることからマスターモードを選択し、これにより前記外部メモリからモード用の論理値を含むデータが内部メモリに読み出されるように構成される。従って、各モードを切り替えるためのスイッチや端子を設ける必要が無いので、装置の部品点数を抑えて簡素化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の電子機器の一例である周波数シンセサイザのブロック図である。
【図２】前記周波数シンセサイザの作用を示す説明図である。
【図３】前記周波数シンセサイザの作用を示す説明図である。
【図４】前記周波数シンセサイザの作用を示す説明図である。
【図５】前記周波数シンセサイザの作用を示す説明図である。
【図６】前記周波数シンセサイザの動作のフローチャートである。
【図７】周波数シンセサイザに適用される従来の電子機器のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の電子機器を周波数シンセサイザに適用した実施の形態について説明する。図１において１は前記電子機器をなす周波数シンセサイザであり、この周波数シンセサイザ１は電子機器本体であるシンセサイザ回路部１０と、このシンセサイザ回路部１０を制御する制御部であるマイクロコントローラ２と、を備えている。図１は周波数シンセサイザ１の調整及び後述のモードの切り替えを行うために、マイクロコントローラ２に外部装置であるパーソナルコンピュータ（外部コンピュータ）５を接続した状態を示している。
【００１４】
シンセサイザ回路部１０は、図示していないが、一例としては電圧制御発振器と、電圧制御発振器の出力をアナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）変換するＡ／Ｄ変換器、Ａ／Ｄ変換して得られたディジタル信号を処理するディジタル信号処理回路部、この処理部で処理された信号をＤ／Ａ変換器などを備えた構成を一例として挙げることができる。具体例としては本件出願人が既に出願した特開２００７−２９５５３７号を挙げることができる。
【００１５】
マイクロコントローラ２は、データ変換用ＩＣ１１、モード切り替え用ＩＣ２１、Ｉ2Ｃバス１２を備えており、これらＩＣ１１、２１は互いにＩ2Ｃバス１２により接続されている。図中、このＩ2Ｃバス１２を構成するＳＣＬ（シリアルクロック）、ＳＤＡ（シリアルデータ）の各信号線を示している。
【００１６】
マイクロコントローラ２は、前記外部コンピュータ５を接続するための接続端子１３を備え、この接続端子１３を介して前記データ変換用ＩＣ１１に外部コンピュータ５がＵＳＢにより接続される。前記データ変換用ＩＣ１１は前記ＵＳＢと、前記Ｉ２Ｃバス１２との間で信号を変換し、これらバス間でデータの送受信を行うための回路を含んでいる。また、マイクロコントローラ２は接続端子１４を備えている。この接続端子１４を介してＩ2Ｃバス１２に例えばＥＥＰＲＯＭである不揮発性メモリ（外部メモリ）３１が接続される。
【００１７】
前記外部メモリ３１について説明する。外部メモリ３１は、周波数シンセサイザ１に固有のパラメータ群（固有情報とする）を記憶する固有情報記憶領域３２と、マイクロコントローラ２が実行する動作モードを指定するためのモード用論理値を記憶するモード用記憶領域３３とを夫々備える。前記固有情報としてはディジタル処理における演算式の係数、ディジタル／アナログ変換器の最大出力値などのパラメータがある。前記モード用論理値は、１または０のパラメータである。
【００１８】
外部メモリ３１にはパスワードが設定されており、外部コンピュータ５から適切なパスワードを入力しない限り各記憶領域３２、３３へのアクセスは禁止され、適切なパスワードを入力することにより当該外部コンピュータ５からこれら各記憶領域３２、３３の情報の書き換えが可能になる。この書き換えは、後述のマスターモード、スレーブモードの各実行時に行うことができる。
【００１９】
マイクロコントローラ２は、背景技術の項目でも説明したマスターモードとスレーブモードとを互いに切り替えて実行する。マスターモードは、周波数シンセサイザ１を通常運転させるためのモードであり、前記外部メモリ３１の固有情報記憶領域３２に記憶される前記固有情報と、モード用記憶領域３３に記憶されるモード用論理値とが、前記モード切り替え用ＩＣ２１に含まれるレジスタ２５に読み出され、前記レジスタ２５に記憶されるこれらのデータを外部コンピュータ５から書き換えることが禁止される。スレーブモードは周波数シンセサイザ１の調整時に行われるモードであり、レジスタ２５の各データの読み出し先が外部コンピュータ５になる。つまり、ユーザは、外部コンピュータ５からレジスタ２５にアクセスして、各記憶領域３２、３３のデータを書き換えることができる。
【００２０】
モード切り替え用ＩＣ２１には、切り替え回路２２、マスター回路２３、スレーブ回路２４及びワークメモリとして機能する揮発性メモリであるレジスタ２５が設けられている。切り替え回路２２は前記Ｉ2Ｃバス１２に接続され、この切り替え回路２２に、マスター回路２３、スレーブ回路２４、レジスタ２５が夫々接続される。また、マスター回路２３、スレーブ回路２４は夫々レジスタ２５に接続されている。
【００２１】
レジスタ２５において、図中に００〜０Ｅで示す各アドレス（固有情報記憶領域２６とする）には前記固有情報が記憶され、この記憶された固有情報がシンセサイザ回路部１０に出力されて当該回路部１０を制御する。また、レジスタ２５において、図中に０Ｆで示すアドレス（モード用記憶領域２７とする）には前記モード用論理値として０または１が記憶される。
【００２２】
切り替え回路２２は、レジスタ２５のモード用記憶領域２７に記憶されているモード用論理値に基づいて、マスター回路２３、スレーブ回路２４のうちいずれかを動作させるように構成されており、前記モード用論理値が０のときにはマスター回路２３を、１のときにはスレーブ回路２４を夫々動作させる。
【００２３】
マスター回路２３は上記のように外部メモリ３１の固有情報記憶領域３２、モード用記憶領域３３に夫々記憶される固有情報、モード用論理値をレジスタ２５の固有情報記憶領域２６、モード用記憶領域２７に夫々読み出す。つまりマスター回路２３は上記のマスターモードを実行するための回路である。スレーブ回路２４は、上記のように外部コンピュータ５からレジスタ２５へのアクセスを可能にするための回路である。つまりスレーブ回路２４は、上記のスレーブモードを実行するための回路である。即ち、レジスタ２５のモード用記憶領域２７に記憶されているモード用論理値が０のときにはマイクロコントローラ２はマスターモードを実行し、１のときにはスレーブモードを実行する。
【００２４】
図中１５は、マイクロコントローラ２の電源のオン、オフを切り替えるスイッチである。前記電源オフの状態から電源オンにした直後はレジスタ２５に記憶されている固有情報及びモード用論理値は初期状態である０になっており、マイクロコントローラ２はマスターモードを実行する。
【００２５】
続いて、図２〜図５のマイクロコントローラ２の動作状態を示す模式図及び図６のフローチャートを参照しながら、周波数シンセサイザ１を出荷する前の調整作業を例にとって説明する。先ず、電源がオフの状態のマイクロコントローラ２に外部メモリ３１を接続する。この外部メモリ３１の固有情報記憶領域３２には予め周波数シンセサイザ１の標準の固有情報が書き込まれ、モード用記憶領域３３にはモード用論理値として「１」が書き込まれている。
【００２６】
装置の調整者によって電源スイッチ１５が操作されてマイクロコントローラ２の電源が投入されると（ステップＳ１）、レジスタ２５のモード用記憶領域２７のモード用論理値は初期化されて「０」となっているので、切り替え回路２２はマスター回路２３を起動させると共にスレーブ回路２４の動作を停止させた状態にして（ステップＳ２）、マスターモードが実行され、図２に示すように、外部メモリ３１の固有情報記憶領域３２の固有情報がレジスタ２５の固有情報記憶領域２６に読み出されると共に外部メモリ３１のモード用記憶領域３３のモード用論理値、つまり「１」がレジスタ２５のモード用記憶領域２７に読み出される（ステップＳ３）。このとき外部コンピュータ５からレジスタ２５の領域２６、２７の各情報の書き換えは禁止されている。
【００２７】
モード用記憶領域２７にモード用論理値として１が書き込まれることで、図３に示すように切り替え回路２２はマスター回路２３の動作を停止させると共にスレーブ回路２４を動作させる（ステップＳ４、Ｓ５）。これによって、マイクロコントローラ２の動作がマスターモードからスレーブモードに切り替わり、外部コンピュータ５からレジスタ２５の領域２６、２７の各データの書き換えが可能になる。
【００２８】
その後、周波数シンセサイザ１の動作確認のための試運転が行われ、調整者は、外部コンピュータ５からレジスタ２５の固有情報を適宜変更し、最適な固有情報を決定する。その後、調整者は図４に示すように外部コンピュータ５から外部メモリ３１に格納される固有情報を、そのように決定した固有情報に書き換え、さらに外部メモリ３１に格納されるモード用論理値を「１」から「０」に書き換えて、マイクロコントローラ２の電源を落とし、装置の調整を終える。
【００２９】
調整後の周波数シンセサイザ１の通常使用時の動作について説明する。上記のステップＳ１〜Ｓ３のユーザによる電源投入、レジスタ２５が初期化されていることによるマスターモードの実行、外部メモリ３１のデータのレジスタ２５への読み込みが順次行われる。このとき図５に示すように外部メモリ３１からレジスタ２５に読み込まれるモード用論理値は「０」であるため、このモード用論理値が読み込まれた後もマスターモードが継続して実行され、外部コンピュータ５からレジスタ２５の各領域２６、２７の情報の書き換えが禁止される（ステップＳ４、Ｓ６）。
【００３０】
固有情報の再設定を行う場合には、外部コンピュータ５から外部メモリ３１にアクセスし、記憶されるモード用論理値を「０」から「１」に書き換え、マイクロコントローラ２の電源をオフにする。電源を再投入することで、上記のステップＳ１〜Ｓ５に従ってスレーブモードが実行され、レジスタ２５のデータが書き換え可能になる。
【００３１】
上記の実施形態のマイクロコントローラ２においては、外部メモリ３１にモード用論理値が記憶され、マイクロコントローラ２の電源投入時にこのモード用論理値がレジスタ２５に読み込まれ、このモード用論理値に基づいて切り替え回路２２がマスター回路２３とスレーブ回路２４とのうちのいずれかの回路を動作させる。従って、これらのマスターモードとスレーブモードとの間で切り替えを行うにあたり、背景技術の項目に示したような、モード切り替えＩＣ２５におけるモードの切り替えを行うための電圧を印加する端子や、モードを切り替えるために当該端子に印加する電圧を切り替えるスイッチを設ける必要が無くなる。従って、マイクロコントローラ２の構成を簡素化し、装置の製造コストの低減を図ることができる。また、外部メモリ３１にアクセスするために既述のようにパスワードを設定することで、ＩＣの外部に前記スイッチを設けてモードを切り替える構成に比べて、レジスタ内のデータの改ざんが防げるという利点がある。
【００３２】
ところで、電源投入に基づく内部メモリのモード用の記憶領域の初期状態に対応する論理値（マスターモード用の論理値）とは、内部メモリが初期化されているため「０」とすることが装置構成上得策であるが、本発明はこれに限るものではない。例えば電子機器の電源を投入した後、操作スイッチをオンにすることにより、内部のデバイスにより当該モード用の記憶領域に論理値「１」を書き込み、この論理値をマスターモード用の論理値とした場合にも、本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３３】
１                  周波数シンセサイザ
１０                シンセサイザ回路部
２                  マイクロコントローラ
２１                モード切り替え用ＩＣ
２２                切り替え回路
２３                マスター回路
２４                スレーブ回路
２５                レジスタ
３１                外部メモリ
【図１】
2013149138.tif 000003
【図２】
2013149138.tif 000004
【図３】
2013149138.tif 000005
【図４】
2013149138.tif 000006
【図５】
2013149138.tif 000007
【図６】
2013149138.tif 000008
【図７】
2013149138.tif 000009