(57)【要約】【課題】信頼性を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ１１は面１１ａに形成された接続パッド１２を有し、配線リード１３は接続パッド１２に接続され、面１１ａに略平行に延在した領域１３ａを含んでいる。樹脂１４は半導体チップ１１と配線リード１３の一部を覆っている。半導体チップ２１は面２１ａに形成された接続パッド２２を有し、半導体チップ１１上に設けられている。配線リード２３は接続パッド２２に接続され、面２１ａに略平行および略垂直に延在した領域２３ａ、２３ｂを有している。樹脂２４は半導体チップ２１と配線リード２３の領域２３ａの一部を覆っている。基板４１は面４１ａに形成された接続端子を有し、面４１ａ上に半導体チップ１１、２１が配置され、接続端子に配線リード１３、２３が接続されている。樹脂４３は基板４１、半導体チップ１１、２１、および配線リード１３、２３を覆っている。【選択図】  図１
2013008819.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面および前記第１の面に形成された第１の接続パッドを有する第１の半導体チップと、
前記第１の接続パッドに接続され、少なくとも前記第１の面に略平行に延在した第１の領域を含む第１の配線リードと、
前記第１の半導体チップおよび前記第１の配線リードの少なくとも一部を覆う第１の樹脂と、
第２の面および前記第２の面に形成された第２の接続パッドを有し、前記第１の半導体チップ上に設けられた第２の半導体チップと、
前記第２の接続パッドに接続され、前記第２の面に略平行に延在した第２の領域と、前記第２の面に略垂直に延在した第３の領域とを有する第２の配線リードと、
前記第２の半導体チップおよび前記第２の配線リードの少なくとも第２の領域の一部を覆う第２の樹脂と、
第３の面および前記第３の面に形成された接続端子を有し、前記第３の面上に前記第１および第２の半導体チップが配置されるとともに、前記接続端子に前記第１の配線リード及び前記第２の配線リードが接続された基板と、
前記基板、前記第１および第２の半導体チップ、および前記第１および第２の配線リードを覆う第３樹脂と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の接続パッドが形成される前記第１の面および前記第２の接続パッドが形成される前記第２の面は、前記基板の前記第３の面に対向することを特徴する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１および第２の接続パッドは、前記第１および第２の半導体チップの各辺に沿って複数形成され、前記第１および第２の配線リードは、前記第１および第２の接続パッドに対応して複数形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積装置。
【請求項４】
前記第２の面に平行な方向における前記第２の樹脂のサイズが、前記第１の面に平行な方向における前記第１の樹脂のサイズより大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積装置。
【請求項５】
前記基板と前記第１の半導体チップの間に、チップオンチップモジュールが配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積装置。
【請求項６】
第１の基板上に、配線リードのパターンを形成する工程と、
第１の半導体チップを前記第１の基板上に載置し、前記第１の半導体チップの第１の面に形成された接続パッドと前記第１の基板上に形成された配線リードのパターンとを接続する工程と、
前記配線リードの一部及び前記第１の半導体チップを第１の樹脂で覆う工程と、
前記配線リードを前記第１の基板から剥離し、前記第１の半導体チップ、前記配線リードおよび前記第１の樹脂を有する半導体チップ積層ユニットを形成する工程と、
前記配線リードを折り曲げ、前記第１の面に略平行に延在する第１の領域と、前記第１の面に略垂直に延在する第２の領域とを有するように前記配線リードを成形する工程と、
第２の基板上に載置された第２の半導体チップ上に前記半導体チップ積層ユニットを載置する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記接続パッドを前記第１の半導体チップの各辺に沿って複数形成し、前記配線リードを前記接続パッドに対応して複数形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体集積装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の基板上にチップオンチップモジュールを載置した後に、前記チップオンチップモジュール上に前記第２の半導体チップを載置することを特徴とする請求項６に記載の半導体集積装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半導体チップを積層した３次元実装の半導体装置（ＭＣＰ：Multi Chip Package）が知られている。
【０００３】
従来、この種の半導体装置は、半導体チップを基板にマウントし、半導体チップの接続パッドと基板の接続端子間に金ワイヤをボンディングし、この半導体チップの上にスペーサを介して次の半導体チップをマウントし、次の半導体チップの接続パッドと基板の接続端子間に金ワイヤをボンディングする工程を繰り返し、全ての半導体チップを積層した後に、全体を樹脂でモールドすることにより製造されていた。
【０００４】
然しながら、この種の半導体装置には、上に積層される半導体チップほど接続するワイヤが長くなるので、ワイヤ位置の制御精度が低下する問題がある。全体を樹脂でモールドする際にワイヤの流れ出しが発生し、ワイヤ同士が接触して短絡不良が発生する恐れがある。
【０００５】
また、高価な金ワイヤを用いることおよび積層する半導体チップの数だけ同じ工程を繰り返しているので、半導体装置の製造に多大な費用と時間を要するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−４１４５５号公報
【特許文献２】特開２０１０−１１８３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、信頼性を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一つの実施形態によれば、半導体装置では、第１の半導体チップは第１の面および前記第１の面に形成された第１の接続パッドを有している。第１の配線リードは前記第１の接続パッドに接続され、少なくとも前記第１の面に略平行に延在した第１の領域を含んでいる。第１の樹脂は前記第１の半導体チップおよび前記第１の配線リードの少なくとも一部を覆っている。第２の半導体チップは第２の面および前記第２の面に形成された第２の接続パッドを有し、前記第１の半導体チップ上に設けられている。第２の配線リードは前記第２の接続パッドに接続され、前記第２の面に略平行に延在した第２の領域と、前記第２の面に略垂直に延在した第３の領域とを有している。第２の樹脂は前記第２の半導体チップおよび前記第２の配線リードの少なくとも第２の領域の一部を覆っている。基板は第３の面および前記第３の面に形成された接続端子を有し、前記第３の面上に前記第１および第２の半導体チップが配置されるとともに、前記接続端子に前記第１の配線リード及び前記第２の配線リードが接続されている。第３樹脂は前記基板、前記第１および第２の半導体チップ、および前記第１および第２の配線リードを覆っている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置を示す断面図。
【図２】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。
【図３】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。
【図４】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。
【図５】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。
【図６】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。
【図７】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。
【図８】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。
【図９】本発明の実施例１に係る別の半導体装置を示す断面図。
【図１０】本発明の実施例２に係る半導体装置を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１１】
本発明の実施例について、図１を参照して説明する。図１は本実施例の半導体装置を示す断面図である。図１に示すように、本実施例の半導体装置１０は、半導体チップ１１、２１、３１がパッケージ基板４１上に積層された３次元実装の半導体装置（ＭＣＰ）である。半導体チップ１１、２１、３１は、例えばＮＡＮＤ型の不揮発性半導体メモリである。
【００１２】
半導体チップ（第１の半導体チップ）１１は主面（第１の面）１１ａの各辺に沿って形成された接続パッド（第１の接続パッド）１２を有している。
【００１３】
配線リード（第１の配線リード）１３は、ハンダ層（図示せず）を介して接続パッド１２に接続され、少なくとも主面１１ａに略平行に延在した領域（第１の領域）１３ａを含んでいる。配線リード１３は、例えば厚さ１５μｍ、幅３０μｍ乃至４０μｍの板状の銅箔である。
【００１４】
層間樹脂（第１の樹脂）１４は、半導体チップ１１および配線リード１３の領域１３ａの少なくとも一部を覆っている。層間樹脂１４は、例えばエポキシ樹脂である。
【００１５】
半導体チップ１１と、半導体チップ１１の主面１１ａの各辺に沿って形成された接続パッド１２と、接続パッド１２に接続され、主面１１ａに略平行に延在した領域１３ａを含む配線リード１３と、半導体チップ１１と配線リード１３の一部を覆う層間樹脂１４を総称して半導体チップ積層ユニット１５と称する。後述する半導体チップ２１、３１についても同様である。
【００１６】
半導体チップ（第２の半導体チップ）２１は半導体チップ１１上に設けられ、主面（第２の面）２１ａの各辺に沿って形成された接続パッド（第２の接続パッド）２２を有している。
【００１７】
配線リード（第２の配線リード）２３は、ハンダ層を介して接続パッド２２に接続され、主面２１ａに略平行に延在した領域（第２の領域）２３ａと、主面２１ａに略垂直に延在した領域（第３の領域）２３ｂを有している。
【００１８】
層間樹脂（第２の樹脂）２４は、半導体チップ２１および配線リード２３の領域２３ａの少なくとも一部を覆っている。
【００１９】
半導体チップ３１についても同様であるが、以下に説明する。半導体チップ１１と半導体チップ２１の関係は、半導体チップ２１と半導体チップ３１の関係にも当てはまる。
【００２０】
半導体チップ３１は半導体チップ２１上に設けられ、主面３１ａの各辺に沿って形成された接続パッド３２を有している。
【００２１】
配線リード３３は、ハンダ層を介して接続パッド３２に接続され、主面３１ａに略平行に延在した領域３３ａと、主面３１ａに略垂直に延在した領域３３ｂを有している。
【００２２】
層間樹脂３４は、半導体チップ３１および配線リード３３の領域３３ａの少なくとも一部を覆っている。
【００２３】
パッケージ基板４１は、例えば内部に多層配線を含むガラスエポキシ基板である。パッケージ基板４１の主面（第３の面）４１ａに接続端子（図示せず）形成され、主面４１ａと対向する面にハンダボール４２が形成されている。接続端子は多層配線により引き出され、ハンダボール４２に接続されている。
【００２４】
パッケージ基板４１の主面４１ａに半導体チップ積層ユニット１５が載置され、半導体チップ積層ユニット１５の上に半導体チップ積層ユニット２５が載置され、半導体チップ積層ユニット２５の上に半導体チップ積層ユニット３５が載置されている。
【００２５】
パッケージ基板４１の接続端子に配線リード１３、２３、３３が接続されている。半導体チップ積層ユニット１５、２５、３５の間に接着剤を設けてもよい。
【００２６】
モールド樹脂（第３の樹脂）４３はパッケージ基板４１、半導体チップ１１、２１、３１および配線リード１３、２３、３３を一体に覆っている。モールド樹脂４３は、例えば層間樹脂１４、２４、３４と同じエポキシ樹脂である。
【００２７】
本実施例の半導体装置１０は、半導体チップとパッケージ基板間の接続導体の剛性を高めて、組み立てに起因する不良の発生を防止し、信頼性を向上させるように構成されている。
【００２８】
接続体として、銅箔をパターニングして形成した配線リードを用い、配線リードの一部を層間樹脂で覆うことにより、金ワイヤより高い剛性を得ている。
【００２９】
後述するように、半導体チップ積層ユニットは複数の半導体チップを一括処理する方法で製造することができる。得られた半導体チップ積層ユニットをピックアップしてパッケージ基板にマウントし、その場で配線リードを一括して折り曲げてフォーミングし、パッケージ基板の接続パッドにボンディングすることができる。
【００３０】
そのためには、配線リードを予め等間隔で並べておくことが望ましい。配線リードのフォーミングおよびボンディングは、辺毎に行うこともできる。
【００３１】
これにより、配線リード同士の接触による短絡不良が発生しにくくなり、信頼性の高い半導体装置を製造することが可能になる。
【００３２】
次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。図２乃至図８は半導体装置１０の製造工程を順に示す図である。
【００３３】
図２（ａ）に示すように、例えばガラスのような平滑で平坦な基板５１を用意する。基板５１は円形であるが、四角形でも構わない。
【００３４】
次に、図２（ｂ）−１および図２（ｂ）−２に示すように、基板５１上に紫外線照射により接着力が弱くなる性質を有する接着剤５２を介して、例えば銅を主成分とする金属箔５３（以後、単に銅箔５３という）を貼り付ける。図２（ｂ）−２は図２（ｂ）−１のＡ−Ａ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図である。
【００３５】
接着剤５２は、ＵＶ剥離シートとも呼ばれている。銅箔５３の厚さは、例えば１５μｍ程度が適当である。
【００３６】
次に、図３（ａ）−１に示すように、銅箔５３上にレジストを塗布し、露光、現像、エッチングして、基板５１上に格子状に複数の配線パターン５４を形成する。
【００３７】
図３（ａ）−２は配線パターン５４を拡大して示す図である。図３（ａ）−３は配線パターン５４の要部を示す図である。
【００３８】
図３（ａ）−２および図３（ａ）−３に示すように、配線パターン５４はボンディングパッド５５と、ボンディングパッド５５から引き出された配線リード５６を有している。
【００３９】
ボンディングパッド５５は、接続される半導体チップの主面の各辺に沿って形成された複数の接続パッドに対応している。
【００４０】
次に、図３（ｂ）−１および図３（ｂ）−２に示すように、スクリーン印刷法により基板５１上のボンディングパッド５５に一括処理でハンダペースト５７を塗布する。図３（ｂ）−３は図３（ｂ）−２のＢ−Ｂ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図である。
【００４１】
次に、図４（ａ）−１および図４（ａ）−２に示すように、配線パターン５４のボンディングパッド５５と半導体チップ５８の接続パッド５９を位置合わせして、配線パターン５４上に半導体チップ５８を載置する。
【００４２】
図４（ａ）−１は、基板５１の配線パターン５４上に半導体チップ５８が途中まで載置された状態を示している。
【００４３】
ボンディングパッド５５と接続パッド５９の位置合わせは、例えば基板５１側から可視光カメラでボンディングパッド５５と接続パッド５９の位置をモニターしながら行うことができる。または、半導体チップ５８側から赤外線カメラでモニターしながら行うことができる。
【００４４】
次に、図４（ｂ）−１および図４（ｂ）−２に示すように、全ての配線パターン５４上に半導体チップ５８が載置された後に、リフロー処理を行う。ハンダペースト５７が融解して、ボンディングパッド５５と接続パッド５９がハンダ５７ａで接続される。
【００４５】
基板５１上の半導体チップ５８は全て一括で配線パターン５４と接続されるため、ボンディング工程を短時間で行うことができる。
【００４６】
次に、図５（ａ）−１および図５（ａ）−２に示すように、半導体チップ５８より大きい開口６０ａを有するスクリーンマスク６０を用意する。基板５１の配線パターン５４に接合された半導体チップ５８と開口６０ａを位置合わせして、基板５１上にスクリーンマスク６０を載置する。図５（ａ）−２は、基板５１上にスクリーンマスク６０が載置された状態を示す断面図である。
【００４７】
次に、図５（ｂ）−１および図５（ｂ）−２に示すように、スクリーンマスク６０の開口６０ａに層間樹脂６１を充填し、硬化させる。または、この後の工程での応力に十分な剛性を有する程度に半硬化させた状態にしても良い。
【００４８】
図５（ｂ）−２は、スクリーンマスク６０の開口６０ａに層間接着剤６１が充填、硬化された状態を示す断面図である。
【００４９】
次に、図６（ａ）−１および図６（ａ）−２に示すように、基板５１からスクリーンマスク６０を除去する。これにより、一括して基板５１上には半導体チップ５８と、半導体チップ５８の主面５８ａの各辺に沿って形成された接続パッド５９と、接続パッド５９に接続され、主面５８ａに略平行に延在した領域を含む配線リード５６と、半導体チップ５８と配線リード５６の一部を覆う層間樹脂６１を有する半導体チップ積層ユニット６２が得られる。
【００５０】
次に、基板５１側から紫外線を照射して、基板５１と配線パターン５４間の接着剤５２（図示せず）の接着力を弱める。これにより、基板５１から配線パターン５４を剥離することが容易になる。
【００５１】
次に、図６（ｂ）−１および図６（ｂ）−２に示すように、吸着コレット６３を用いて基板５１から半導体ユニット６２を取り出す。図６（ｂ）−１は、基板５１から半導体チップ積層ユニット６２が途中まで取り出された状態を示している。
【００５２】
次に、図７（ａ）−１および図７（ａ）−２に示すように、基板５１から取り出された第１の半導体チップ積層ユニット６２をパッケージ基板６４上に格子状に載置し、配線リード５６を一括して過熱・加圧し、パッケージ基板６４の接続端子（図示せず）にボンディングする。
【００５３】
この段階で、第１の半導体チップ積層ユニット６２は、図１に示す半導体チップ積層ユニット１５に相当し、配線リード５６は配線リード１３に相当する。
【００５４】
半導体ユニット６２は、パッケージ基板６４の一辺に平行なＸ方向にピッチＰ１で配列され、Ｘ方向に直行するＹ方向にピッチＰ２で配列されている。Ｘ方向に隣り合う半導体ユニット６２の間が、Ｘ方向にピッチＰ１で配列されたダイシングライン６４ａである。同様に、Ｙ方向に隣り合う半導体ユニット６２の間が、Ｙ方向にピッチＰ２で配列されたダイシングライン６４ｂである。
【００５５】
次に、図７（ａ）−２に示すように、第１の半導体チップ積層ユニット６２上に第２の半導体チップ積層ユニット６２を載置する。
【００５６】
次に、図７（ｂ）に示すように、ボンディングツール６５を用いて配線リード５６を辺毎に一括して折り曲げてフォーミングした後、過熱・加圧してパッケージ基板６４の接続端子にボンディングする。
【００５７】
この段階で、第２の半導体チップ積層ユニット６２は、図１に示す半導体チップ積層ユニット２５に相当し、配線リード５６は配線リード２３に相当する。
【００５８】
次に、図８（ａ）に示すように、第２の半導体チップ積層ユニット６２上に第３の半導体チップ積層ユニット６２を載置し、ボンディングツール６５を用いて配線リード５６を辺毎に一括して折り曲げてフォーミングした後、過熱・加圧してパッケージ基板６４の接続端子にボンディングする。
【００５９】
この段階で、第３の半導体チップ積層ユニット６２は、図１に示す半導体チップ積層ユニット３５に相当し、配線リード５６は配線リード３３に相当する。
【００６０】
これにより、図８（ｂ）に示すように、３つの半導体チップ積層ユニット６２がパッケージ基板６４上に積層して載置される。
【００６１】
次に、パッケージ基板６４および３つの半導体チップ積層ユニット６２をモールド樹脂で覆った後、パッケージ基板６４にハンダボールを形成する。
【００６２】
ハンダボールを形成したパッケージ基板６４は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージとなるが、パッケージ基板６４に予めランドが形成されているＬＧＡ（Land Grid Array）パッケージとしても構わない。
【００６３】
次に、ブレードを用いてダイシングライン６４ａ、６４ｂに沿ってモールド樹脂およびパッケージ基板６４を切断する。これにより、図１に示す半導体装置１０が得られる。
【００６４】
以上説明したように、本実施例では、基板５１上に格子状に複数の配線パターン５４を形成し、各配線パターン５４上に半導体チップ５８を載置し、半導体チップ５８および配線リード５６の一部を層間樹脂６１で覆うことにより、一括して複数の半導体チップ積層ユニット６２を形成している。
【００６５】
そして、パッケージ基板６４上に格子状に複数の半導体チップ積層ユニット６２を積層して載置し、樹脂でモールド覆した後、ブレードを用いて分割することにより、一括して複数の半導体装置１０を形成している。
【００６６】
その結果、配線リード５６は十分な剛性を有するので、樹脂でモールドする際に配線リード５６同士が接触する短絡不良が未然に防止され、組み立て不良の発生を低減することができる。従って、信頼性を向上させた半導体装置が得られる。
【００６７】
ここでは、積層する半導体チップが３個の場合につて説明したが、その数には特に制限はなく、必要な数だけ積層することができる。
【００６８】
半導体チップが不揮発性メモリ回路である場合について説明したが、その他の素子、例えばロジック回路でも構わない。また、半導体チップは互いに異なっていても構わない。
【００６９】
接着剤５２がＵＶ剥離シートである場合について説明したが、加熱により接着力が低下する性質を有する接着剤（熱剥離シート）を用いることもできる。
【００７０】
層間樹脂とパッケージ樹脂が同じである場合について説明したが、異なっていても構わない。異なる場合は、層間樹脂として、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などを使用することができる。
【００７１】
各半導体チップ積層ユニットにおいて、各半導体チップの主面と略平行な方向の層間樹脂のサイズが等しい場合について説明したが、異なっていても構わない。図９は上側に積層される半導体チップ積層ユニットの層間樹脂のサイズが順に大きくなる半導体装置を示す図である。
【００７２】
図９に示すように、半導体装置８０では、半導体チップ積層ユニット８１、８２、８３において、半導体チップ１１、２１、３１の主面と略平行な方向の層間樹脂８４、８５、８６のサイズが順に大きくなっている。層間樹脂８４、８５、８６が織り成す形状は、逆三角形状である。
【００７３】
半導体チップ１１および配線リード１３の領域１３ａの一部が層間樹脂８４で覆われている。半導体チップ２１および配線リード２３の領域２３ａの一部が層間樹脂８４より大きいサイズを有する層間樹脂８５で覆われている。半導体チップ３１および配線リード３３の領域３３ａの一部が層間樹脂８５より大きいサイズを有する層間樹脂８６で覆われている。
【００７４】
層間樹脂のサイズが等しい場合、上に積層されるほど配線リードが層間樹脂で覆われる比率が小さくなるので、配線リードが不安定になり、故障に至る恐れが生じる。
【００７５】
層間樹脂のサイズを順に大きくすることにより、積層する位置に係らず配線リードが層間樹脂で覆われる比率をある値以上に保つことができる。これにより、配線リードが安定し、故障に至る恐れが低減される利点がある。
【００７６】
半導体装置８０は、積層される半導体チップの数が比較的多い場合に適した構造である。
【実施例２】
【００７７】
本発明の実施例２に係る半導体装置について図１０を用いて説明する。図１０は本実施例の半導体装置を示す断面図である。本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
【００７８】
本実施例が実施例１と異なる点は、パッケージ基板と半導体チップ積層ユニットの間にチップオンチップモジュールを実装したことにある。
【００７９】
即ち、図１０に示すように、本実施例の半導体装置９０はパッケージ基板４１上にチップオンチップ（Chip On Chip）モジュール９１（以後、ＣＯＣモジュール９１と記す）が実装されている。
【００８０】
ＣＯＣモジュール９１は、パッケージ基板４１上に載置された半導体チップ９２と、パンプ９３を介して半導体チップ９２上に積層された半導体チップ９４を有している。半導体チップ９２、９４は、例えばＮＡＮＤ型の不揮発性半導体メモリのコントローラチップである。
【００８１】
半導体チップ９４はフリップチップで、バンプ９３は半導体チップ９４上に形成されている。半導体チップ９２上に形成された接続パッド（図示せず）、あるいはバンプとバンプ９３を位置合わせして、半導体チップ９２上に半導体チップ９４がフリップチップ接続されている。
【００８２】
半導体チップ９２の接続パッドとパッケージ基板４１の接続端子（図示せず）の間がワイヤ９５により、ワイヤボンディングされている。
【００８３】
半導体チップ９４上に接着剤９６を介して半導体チップ積層ユニット９７が載置されている。半導体チップ積層ユニット９７上に半導体チップ積層ユニット９８、９９が順に載置されている。
【００８４】
半導体チップ積層ユニット９７、９８、９９の層間樹脂１０１、１０２、１０３のサイズを順に大きくしているのは、実施例１に示す層間樹脂８４、８５、８６と同様であり、その説明は省略する。
【００８５】
配線リード１３、２３、３３は、少なくともＣＯＣモジュール９１の高さ分だけ長くなるが、配線リード１３、２３、３３が層間樹脂１０１、１０２、１０３で覆われる比率をある値以上に維持することは可能である。
【００８６】
これにより、組み立て時に配線リード１３、２３、３３が不安定化して、故障に至る恐れは十分に低減されているので、更に集積度の高い半導体装置を得る事が可能である。
【００８７】
以上説明したように、本実施例では、パッケージ基板４１と半導体ユニットの間にＣＯＣモジュール９１が実装されている。少なくともＣＯＣモジュール９１の高さ分だけ配線リード１３、２３、３３が長くなっても信頼性は十分に確保されている。更に集積度の高い半導体装置が得られる利点がある。
【００８８】
ここでは、ＣＯＣモジュールとして、半導体チップ９２上に半導体チップ９４がフリップチップ接続されている場合について説明したが、パッケージ基板４１に直接フリップチップ接続された半導体チップでも構わない。
【００８９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９０】
１０、８０、９０  半導体装置
１１、２１、３１、５８、９２、９４  半導体チップ
１２、２２、３２、５９  接続パッド
１３、２３、３３、５６  配線リード
１４、２４、３４、６１、８４、８５、８６、１０１、１０２、１０３  層間樹脂
１５、２５、３５、６２、８１、８２、８３、９７、９８、９９  半導体チップ積層ユニット
４１、６４  パッケージ基板
４２  ハンダボール
４３  モールド樹脂
５１  基板
５２、９６  接着剤
５３  銅箔
５４  配線パターン
５５  ボンディングパッド
５７  ハンダペースト
５７ａ  ハンダ
６０  スクリーンマスク
６０ａ  開口
６３  吸着コレット
６４ａ、６４ｂ  ダイシングライン
６５  ボンディングツール
９１  ＣＯＣモジュール
９３  バンプ
９５  ワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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