(57)【要約】【課題】実装の際に、電極と電気的に接続される配線の引き回しを簡易にすることができる発光装置を提供する。【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第１電極１２０、第２電極１２２、および第３電極１２４は、積層体１３０の基板１０２側とは反対側の面上に位置し、第１活性層１０６は、第１電極１２０と第２電極１２２とによって電流が注入されて第１の光を発生し、第２活性層１１２は、第２電極１２２と第３電極１２４とによって電流が注入されて第２の光を発生し、 積層体１３０の積層方向と直交する法線を有する側面１３０ａに含まれる第１活性層１０６の側面１０６ａおよび第２活性層１１２の側面１１２ａには、第１の光または第２の光を出射する出射部１５１，１５６，１７１，１７６が設けられている。【選択図】図１
2013235987.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に、第１クラッド層、第１活性層、第２クラッド層、第３クラッド層、第２活
性層、第４クラッド層、の順で積層された積層体と、
前記第１クラッド層と電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層および前記第３クラッド層と電気的に接続された第２電極と、
前記第４クラッド層に電気的に接続された第３電極と、
を含み、
前記第１電極、前記第２電極、および前記第３電極は、前記積層体の前記基板側とは反
対側の面上に位置し、
前記第１活性層は、前記第１電極と前記第２電極とによって電流が注入されて第１の光
を発生し、
前記第２活性層は、前記第２電極と前記第３電極とによって電流が注入されて第２の光
を発生し、 
前記積層体の積層方向と直交する法線を有する側面に含まれる前記第１活性層の側面お
よび前記第２活性層の側面には、前記第１の光または前記第２の光を出射する出射部が設
けられている、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第１活性層は、電流が注入されて前記第１の光を発生する第１利得領域を有し、
前記第１利得領域は、
前記第１活性層の第１側面に設けられた第１出射部から前記第１活性層の第２側面に設
けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１利得部分と、
前記第１反射部から前記第１活性層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯
状の形状を有する第２利得部分と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有
する第３利得部分と、
を備え、
前記第２活性層は、電流が注入されて前記第２の光を発生する第２利得領域を有し、
前記第２利得領域は、
前記第２活性層の第４側面に設けられた第３出射部から前記第２活性層の第５側面に設
けられた第３反射部まで延出する帯状の形状を有する第４利得部分と、
前記第３反射部から前記第２活性層の第６側面に設けられた第４反射部まで延出する帯
状の形状を有する第５利得部分と、
前記第４反射部から前記第４側面に設けられた第４出射部まで延出する帯状の形状を有
する第６利得部分と、
を備え、
前記第１側面および前記第４側面は、前記積層体の前記積層方向と直交する法線を有す
る側面の一部を構成し、
前記第１出射部から出射される前記第１の光、前記第２出射部から出射される前記第１
の光、前記第３出射部から出射される前記第２の光、および前記第４出射部から出射され
る前記第２の光は、同じ方向に出射される、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置
。
【請求項３】
前記第１利得領域および前記第２利得領域は、前記積層体の前記積層方向から見て、コ
の字型の形状を有する、ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１の光の波長は、４３５ｎｍ以上４８５ｎｍ以下であり、
前記第２の光の波長は、４８５ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である、ことを特徴とする請求
項２または３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記積層体の前記積層方向から見て、前記第１利得領域と前記第２利得領域とは、重な
っていない、ことを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１利得領域の前記第２利得部分は、該第２利得部分が分断された間隙部を有し、
前記第２利得領域の前記第４利得部分は、前記積層体の前記積層方向から見て、前記間
隙部を通って設けられている、請求項２ないし５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１利得領域は、前記積層体の前記積層方向から見て、前記第２利得領域および前
記第１側面に囲まれている、ことを特徴とする請求項２ないし５のいずれか１項に記載の
発光装置。
【請求項８】
前記第２電極は、前記積層体の前記積層方向から見て、前記第１利得領域よりも大きな
面を有して前記第１利得領域を覆い、
前記第３電極は、前記積層体の前記積層方向から見て、前記第２利得領域よりも大きな
面を有して前記第２利得領域を覆い、
前記第１利得領域は、前記第２電極の前記第２利得領域側の端部の下方に位置し、
前記第２利得領域は、前記第３電極の前記第１利得領域側の端部の下方に位置している
、ことを特徴とする請求項２ないし７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の発光装置と、
前記発光装置から出射された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
【請求項１０】
基板と、
前記基板に、第１クラッド層、第１活性層、第２クラッド層、第３クラッド層、第２活
性層、第４クラッド層、の順で積層された積層体と、
前記第１クラッド層と電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層および前記第３クラッド層と電気的に接続された第２電極と、
前記第４クラッド層に電気的に接続された第３電極と、
を含み、
前記第１電極、前記第２電極、および前記第３電極は、前記積層体の前記基板側とは反
対側の面上に位置し、
前記第１活性層は、前記第１電極と前記第２電極とによって電流が注入されて第１の光
を発生し、
前記第２活性層は、前記第２電極と前記第３電極とによって電流が注入されて第２の光
を発生する、 ことを特徴とするスーパールミネッセントダイオード。
【請求項１１】
請求項１０に記載のスーパールミネッセントダイオードと、
前記スーパールミネッセントダイオードから出射された光を、画像情報に応じて変調す
る光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクターに関
する。
【背景技術】
【０００２】
スーパールミネッセントダイオード（Ｓｕｐｅｒ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄ
ｅ、以下「ＳＬＤ」ともいう）は、通常の発光ダイオード同様にインコヒーレント性を示
し、かつ広帯域なスペクトル形状を示しながら、光出力特性では半導体レーザー同様に単
一の素子で数百ｍＷ程度までの出力を得ることが可能な半導体発光素子である。
【０００３】
ＳＬＤは、例えばプロジェクターの光源として用いられる。例えば、赤色光を出射する
ＳＬＤ、緑色光を出射するＳＬＤ、および青色光を出射するＳＬＤの各々を、ライドバル
ブの直下に配置し、マイクロレンズを用いて光の放射角の制御（集光、平行化、等）と均
一照明とを同時に行う方式のプロジェクターが提案されている。このようなプロジェクタ
ーでは、光学系の共通化を図り、プロジェクターの小型化や低コスト化を図るため、３色
の光源のうち２色以上の光源を同一基板状に形成することが望まれる。
【０００４】
例えば特許文献１には、同一の基板上に２つの波長の半導体レーザーを形成する技術が
開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２９９７５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような技術を用いれば、青、緑の２色の半導体レーザーまたはＳＬＤを同一基板
上に形成することができる。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載された発光装置では、活性層に電流を注入するための
ｎ側電極およびｐ側電極が、活性層および基板を挟んで発光装置の両側に形成されている
。そのため、発光装置を実装する際に、電極と電気的に接続される配線の引き回しが複雑
になったり、実装コストが掛かったりするという問題があった。
【０００８】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、実装の際に、電極と電気的に接続される
配線の引き回しが簡易である発光装置を提供することにある。また、本発明のいくつかの
態様に係る目的の１つは、実装の際に、電極と電気的に接続される配線の引き回しが簡易
であるスーパールミネッセントダイオードを提供することにある。また、本発明のいくつ
かの態様に係る目的の１つは、上記発光装置または上記スーパールミネッセントダイオー
ドを含むプロジェクターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る発光装置は、
基板と、
前記基板に、第１クラッド層、第１活性層、第２クラッド層、第３クラッド層、第２活
性層、第４クラッド層、の順で積層された積層体と、
前記第１クラッド層と電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層および前記第３クラッド層と電気的に接続された第２電極と、
前記第４クラッド層に電気的に接続された第３電極と、
を含み、
前記第１電極、前記第２電極、および前記第３電極は、前記積層体の前記基板側とは反
対側の面上に位置し、
前記第１活性層は、前記第１電極と前記第２電極とによって電流が注入されて第１の光
を発生し、
前記第２活性層は、前記第２電極と前記第３電極とによって電流が注入されて第２の光
を発生し、 
前記積層体の積層方向と直交する法線を有する側面に含まれる前記第１活性層の側面お
よび前記第２活性層の側面には、前記第１の光または前記第２の光を出射する出射部が設
けられている。
【００１０】
このような発光装置によれば、実装の際に、電極と電気的に接続される配線の引き回し
を簡易にすることができる。
【００１１】
本発明に係る発光装置において、
前記第１活性層は、電流が注入されて前記第１の光を発生する第１利得領域を有し、
前記第１利得領域は、
前記第１活性層の第１側面に設けられた第１出射部から前記第１活性層の第２側面に設
けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１利得部分と、
前記第１反射部から前記第１活性層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯
状の形状を有する第２利得部分と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有
する第３利得部分と、
を備え、
前記第２活性層は、電流が注入されて前記第２の光を発生する第２利得領域を有し、
前記第２利得領域は、
前記第２活性層の第４側面に設けられた第３出射部から前記第２活性層の第５側面に設
けられた第３反射部まで延出する帯状の形状を有する第４利得部分と、
前記第３反射部から前記第２活性層の第６側面に設けられた第４反射部まで延出する帯
状の形状を有する第５利得部分と、
前記第４反射部から前記第４側面に設けられた第４出射部まで延出する帯状の形状を有
する第６利得部分と、
を備え、
前記第１側面および前記第４側面は、前記積層体の前記積層方向と直交する法線を有す
る側面の一部を構成し、
前記第１出射部から出射される前記第１の光、前記第２出射部から出射される前記第１
の光、前記第３出射部から出射される前記第２の光、および前記第４出射部から出射され
る前記第２の光は、同じ方向に出射されてもよい。
【００１２】
このような発光装置によれば、第２利得部分により、第１出射部と第２出射部との間の
距離を調整することができる。さらに、第４利得部分により、第３出射部と第４出射部と
の間の距離を調整することができる。
【００１３】
本発明に係る発光装置において、
前記第１利得領域および前記第２利得領域は、前記積層体の前記積層方向から見て、コ
の字型の形状を有していてもよい 。
【００１４】
このような発光装置によれば、第１利得領域の、第１出射部と第２出射部との間の距離
を調整することができる。さらに、第２利得領域の、第３出射部と第４出射部との間の距
離を調整することができる 。
【００１５】
本発明に係る発光装置において、
前記第１の光の波長は、４３５ｎｍ以上４８５ｎｍ以下であり、
前記第２の光の波長は、４８５ｎｍ以上５７０ｎｍ以下であってもよい。
【００１６】
このような発光装置によれば、第１の光を青色光とし、第２の光を緑色光とすることが
できる。これにより、発光装置を、プロジェクターの青色光源および緑色光源として用い
ることができる。そのため、３つの光源を用いる場合に比べて、光源の数を削減すること
ができる。したがって、光源から出射された光が入射するレンズアレイ（マイクロレンズ
アレイ）等の光学系の数を削減することができる。その結果、より確実に低コスト化を図
ることができる。
【００１７】
本発明に係る発光装置において、
前記積層体の前記積層方向から見て、前記第１利得領域と前記第２利得領域とは、重な
っていなくてもよい。
【００１８】
このような発光装置によれば、光の損失が生じることを抑制できる。例えば、平面視に
おいて、第１利得領域と第２利得領域とが重なっていると、重なり部分において、光の損
失が生じる場合がある。
【００１９】
本発明に係る発光装置において、
前記第１利得領域の前記第２利得部分は、該第２利得部分が分断された間隙部を有し、
前記第２利得領域の前記第４利得部分は、前記積層体の前記積層方向から見て、前記間
隙部を通って設けられていてもよい。
【００２０】
このような発光装置によれば、実装の際に、電極と電気的に接続される配線の引き回し
を簡易にすることができる。
【００２１】
本発明に係る発光装置において、
前記第１利得領域は、前記積層体の前記積層方向から見て、前記第２利得領域および前
記第１側面に囲まれていてもよい。
【００２２】
このような発光装置によれば、第２利得領域の全長を、第１利得領域の全長よりも長く
することができる。例えば、第１利得領域に生じる第１の光が青色光であり、第２利得領
域に生じる第２の光が緑色光である場合に、利得の小さい緑色光の利得領域の全長を大き
くすることができ、緑色光の強度および発光効率を高くすることができる。このような発
光装置をプロジェクターに用いる場合、視感度の大きい緑色光の強度および発光効率を高
くすることができるため、より高い電力効率でより高輝度なプロジェクターを実現するこ
とができる。 
【００２３】
本発明に係る発光装置において、
前記第２電極は、前記積層体の前記積層方向から見て、前記第１利得領域よりも大きな
面を有して前記第１利得領域を覆い、
前記第３電極は、前記積層体の前記積層方向から見て、前記第２利得領域よりも大きな
面を有して前記第２利得領域を覆い、
前記第１利得領域は、前記第２電極の前記第２利得領域側の端部の下方に位置し、
前記第２利得領域は、前記第３電極の前記第１利得領域側の端部の下方に位置していて
もよい。
【００２４】
このような発光装置によれば、より確実に、第１出射部と第３出射部との間の距離を小
さくし、第２出射部と第４出射部との間の距離を小さくすることができる。これにより、
より確実に、第１出射部および第３出射部から出射された光を、１つの集光レンズに入射
させ、第２出射部および第４出射部から出射された光を、１つの集光レンズに入射させる
ことができる。したがって、発光装置をプロジェクターの光源として用いた場合に、マイ
クロレンズの数を削減することができる。
【００２５】
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光装置と、
前記発光装置から出射された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
【００２６】
このようなプロジェクターによれば、光学系の数やライトバルブの数を削減することが
できる。これにより、低コスト化を図ることができる。
【００２７】
本発明に係るスーパールミネッセントダイオードは、
基板と、
前記基板に、第１クラッド層、第１活性層、第２クラッド層、第３クラッド層、第２活
性層、第４クラッド層、の順で積層された積層体と、
前記第１クラッド層と電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層および前記第３クラッド層と電気的に接続された第２電極と、
前記第４クラッド層に電気的に接続された第３電極と、
を含み、
前記第１電極、前記第２電極、および前記第３電極は、前記積層体の前記基板側とは反
対側の面上に位置し、
前記第１活性層は、前記第１電極と前記第２電極とによって電流が注入されて第１の光
を発生し、
前記第２活性層は、前記第２電極と前記第３電極とによって電流が注入されて第２の光
を発生する。
【００２８】
このようなスーパールミネッセントダイオードによれば、実装の際に、電極と電気的に
接続される配線の引き回しを簡易にすることができる。
【００２９】
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係るスーパールミネッセントダイオードと、
前記スーパールミネッセントダイオードから出射された光を、画像情報に応じて変調す
る光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
【００３０】
このようなプロジェクターによれば、光学系の数やライトバルブの数を削減することが
できる。これにより、低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図。
【図２】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図３】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図４】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図５】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図６】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】本実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図９】本実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１０】本実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１１】本実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す断面斜視図。
【図１２】本実施形態の第３変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１３】本実施形態に係る光源モジュールを模式的に示す平面図。
【図１４】本実施形態に係る光源モジュールを模式的に示す断面図。
【図１５】本実施形態に係る光源モジュールを模式的に示す断面図。
【図１６】本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す斜視図。
【図１７】本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
【図１８】本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に
説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するもので
はない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない
。
【００３３】
１．  発光装置
まず、本実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本
実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る
発光装置１００を模式的に示す平面図である。図３は、本実施形態に係る発光装置１００
を模式的に示す図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。図４は、本実施形態に係る発光装
置１００を模式的に示す平面図である。図５は、本実施形態に係る発光装置１００を模式
的に示す平面図である。なお、便宜上、図４では、発光装置１００の第１活性層１０６を
含む断面を平面図として示し、図５では、発光装置１００の第２活性層１１２を含む断面
を平面図として示している。また、図１〜５では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸
、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。
【００３４】
以下では、発光装置１００がＳＬＤである場合について説明する。ＳＬＤは、半導体レ
ーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止
することができる。そのため、スペックルノイズを低減することができる。
【００３５】
発光装置１００は、図１〜図５に示すように、基板１０２と、積層体１３０と、第１電
極１２０と、第２電極１２２と、第３電極１２４と、を含む。さらに、発光装置１００は
、絶縁層１１６を含むことができる。
【００３６】
基板１０２としては、例えば、絶縁性基板、半導体基板、導電性基板などを用いる。よ
り具体的には、基板１０２としては、絶縁性のサファイア基板を用いる。
【００３７】
積層体１３０は、基板１０２上に形成されている。積層体１３０は、基板１０２に、第
１クラッド層１０４、第１活性層１０６、第２クラッド層１０８、第３クラッド層１１０
、第２活性層１１２、第４クラッド層１１４の順で積層された構造を有することができる
。第１クラッド層１０４、第１活性層１０６、第２クラッド層１０８、第３クラッド層１
１０、第２活性層１１２、第４クラッド層１１４は、Ｚ軸方向に積層されている。
【００３８】
積層体１３０は、第１部分１３２、第２部分１３４、および第３部分１３６を有するこ
とができる。第１部分１３２は、基板１０２と第１電極１２０との間に位置し、第１クラ
ッド層１０４を備えている。第２部分１３４は、基板１０２と第２電極１２２との間に位
置し、第１クラッド層１０４、第１活性層１０６、第２クラッド層１０８、および第３ク
ラッド層１１０を備えている。第３部分１３６は、基板１０２と第３電極１２４との間に
位置し、第１クラッド層１０４、第１活性層１０６、第２クラッド層１０８、第３クラッ
ド層１１０、第２活性層１１２、および第４クラッド層１１４を備えている。
【００３９】
図２に示す例では、積層体１３０の平面形状（Ｚ軸方向から見た形状）は、長方形であ
る。積層体１３０は、積層体１３０の積層方向（Ｚ軸方向）に平行な（積層方向に直交す
る法線を有する）側面１３０ａ，１３０ｂを有することができる。
【００４０】
積層体１３０の第２部分１３４には、開口部３０，３２が形成されている。図１および
図２に示す例では、開口部３０，３２は、第２電極１２２にも形成されている。開口部３
０，３２は、例えば、第２電極１２２から第１クラッド層１０４まで延出している。
【００４１】
積層体１３０の第３部分１３６には、開口部３４，３６が形成されている。図１および
図２に示す例では、開口部３４，３６は、第３電極１２４にも形成されている。開口部３
４，３６は、例えば、第３電極１２４から第３クラッド層１１０まで延出している。
【００４２】
開口部３０，３２，３４，３６の内部は、空洞であってもよいし、開口部３０，３２，
３４，３６の内部に、反射膜（詳細は後述）が充填されていてもよい。開口部３０，３２
，３４，３６の平面形状は、特に限定されないが、図２に示す例では、三角形である。
【００４３】
第１クラッド層１０４は、基板１０２上に形成されている。第１クラッド層１０４とし
ては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＮ層やＡｌＧａＮ層などを用いる。
【００４４】
第１活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に形成されている。第１活性層１０６は
、例えば、ウェル層とバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸
（ＭＱＷ）構造を有する。ウェル層としては、例えば、ＩｎＧａＮ層を用いる。バリア層
としては、例えば、ＧａＮ層や、ウェル層よりもＩｎ組成の小さいＩｎＧａＮ層、または
第１クラッド層１０４よりもＡｌ組成の小さいＡｌＧａＮ層などを用いる。
【００４５】
第１活性層１０６は、図４に示すように、第１側面１０６ａ、第２側面１０６ｂ、およ
び第３側面１０６ｃを有している。第１側面１０６ａは、積層体１３０の側面１３０ａの
一部を構成している。図４に示す例では、第１側面１０６ａは、第１活性層１０６の＋Ｘ
軸方向側の面（＋Ｘ軸方向を向く面）である。第２側面１０６ｂは、開口部３０の一部を
規定している。第３側面１０６ｃは、開口部３２の一部を規定している。第２側面１０６
ｂおよび第３側面１０６ｃは、第１側面１０６ａに対して傾斜している。第１側面１０６
ａは、劈開によって形成された劈開面であってもよい。第２側面１０６ｂおよび第３側面
１０６ｃは、エッチングによって形成されたエッチング面であってもよい。
【００４６】
第１活性層１０６の一部は、第１利得領域１４０を構成している。第１利得領域１４０
は、電流が注入されて第１の光を発生させることができ、第１の光は、第１利得領域１４
０内を、利得を受けつつ導波することができる。第１利得領域１４０は、第１利得部分１
４２と、第２利得部分１４４と、第３利得部分１４６と、備えている。
【００４７】
第１利得部分１４２は、平面視において、第１側面１０６ａから第２側面１０６ｂまで
延出している。第１利得部分１４２は、積層体１３０の積層方向から見て（以下、「平面
視において」ともいう）、所定の幅を有し、第１利得部分１４２の延出方向に沿った帯状
かつ直線状の長手形状を備えている。第１利得部分１４２は、第１側面１０６ａとの接続
部分に設けられた第１端面１５１と、第２側面１０６ｂとの接続部分に設けられた第２端
面１５２と、を有する。
【００４８】
なお、第１利得部分１４２の延出方向とは、例えば、平面視において、第１端面１５１
の中心と第２端面１５２の中心とを通る直線の延出方向である。また、第１利得部分１４
２（と第１利得部分１４２を除いた部分と）の境界線の延出方向であってもよい。
【００４９】
同様に、他の利得部分においても、延出方向とは、例えば、平面視において、２つの端
面の中心を通る直線の延出方向である。また、利得部分（と利得部分を除いた部分と）の
境界線の方向であってもよい。
【００５０】
第１利得部分１４２は、平面視において、第１側面１０６ａの垂線Ｐ１に対して角度α
１で傾いて第１側面１０６ａと接続している。言い換えれば、第１利得部分１４２の延出
方向は、垂線Ｐ１に対してα１の角度を有しているといえる。角度α１は、鋭角であって
、臨界角より小さい角度である。
【００５１】
第１利得部分１４２は、平面視において、第２側面１０６ｂの垂線Ｐ２に対して角度α
２で傾いて第２側面１０６ｂと接続している。言い換えれば、第１利得部分１４２の延出
方向は、垂線Ｐ２に対してα２の角度を有しているといえる。
【００５２】
第２利得部分１４４は、平面視において、第２側面１０６ｂから第３側面１０６ｃまで
延出している。第２利得部分１４４は、平面視において、所定の幅を有し、第２利得部分
１４４の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を備えている。第２利得部分１４４
は、第２側面１０６ｂとの接続部分に設けられた第３端面１５３と、第３側面１０６ｃと
の接続部分に設けられた第４端面１５４と、を有する。第２利得部分１４４の延出方向は
、平面視において、例えば、第１側面１０６ａと平行である。
【００５３】
なお、「第２利得部分１４４の延出方向は、第１側面１０６ａと平行」とは、製造ばら
つき等を考慮し、平面視において、第１側面１０６ａに対する第２利得部分１４４の傾き
角が±１°以内である、ということを意味している。
【００５４】
第２利得部分１４４の第３端面１５３は、第２側面１０６ｂにおいて、第１利得部分１
４２の第２端面１５２と重なっている。図示の例では、第２端面１５２と第３端面１５３
とは、重なり面１５８において、完全に重なっている。
【００５５】
第２利得部分１４４は、平面視において、第２側面１０６ｂの垂線Ｐ２に対して角度α
２で傾いて第２側面１０６ｂと接続している。言い換えれば、第２利得部分１４４の延出
方向は、垂線Ｐ２に対してα２の角度を有しているといえる。すなわち、第１利得部分１
４２の垂線Ｐ２に対する角度と、第２利得部分１４４の垂線Ｐ２に対する角度とは、製造
ばらつきの範囲で同じである。角度α２は、例えば、鋭角であって、臨界角以上である。
これにより、第２側面１０６ｂは、第１利得領域１４０に発生する光を、全反射させるこ
とができる。
【００５６】
なお、「角度θ１と角度θ２とは、製造ばらつきの範囲で同じ」とは、エッチング等の
製造ばらつきを考慮し、両角度の差が例えば±２°程度以内である、ということを意味し
ている。
【００５７】
第２利得部分１４４は、平面視において、第３側面１０６ｃの垂線Ｐ３に対して角度α
３で傾いて第３側面１０６ｃと接続している。言い換えれば、第２利得部分１４４の延出
方向は、垂線Ｐ３に対してα３の角度を有しているといえる。
【００５８】
第２利得部分１４４の延出方向の長さは、第１利得部分１４２の延出方向の長さ、およ
び第３利得部分１４６の延出方向の長さよりも大きい。第２利得部分１４４の延出方向の
長さは、第１利得部分１４２の延出方向の長さと、第３利得部分１４６の延出方向の長さ
と、の和以上であってもよい。なお、「第２利得部分１４４の延出方向の長さ」とは、第
３端面１５３の中心と、第４端面１５４の中心と、の間の距離ともいえる。他の光導波路
についても同様に、延出方向の長さとは、２つの端面の中心間の距離ともいえる。
【００５９】
第３利得部分１４６は、平面視において、第３側面１０６ｃから第１側面１０６ａまで
延出している。第３利得部分１４６は、平面視において、例えば、所定の幅を有し、第３
利得部分１４６の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を備えている。第３利得部
分１４６は、第３側面１０６ｃとの接続部分に設けられた第５端面１５５と、第１側面１
０６ａとの接続部分に設けられた第６端面１５６と、を有する。
【００６０】
第３利得部分１４６の第５端面１５５は、第３側面１０６ｃにおいて、第２利得部分１
４４の第４端面１５４と重なっている。図示の例では、第４端面１５４と第５端面１５５
とは、重なり面１５９において、完全に重なっている。
【００６１】
第３利得部分１４６は、平面視において、第３側面１０６ｃの垂線Ｐ３に対して角度α
３で傾いて第３側面１０６ｃと接続している。言い換えれば、第３利得部分１４６の延出
方向は、垂線Ｐ３に対してα３の角度を有しているといえる。すなわち、第２利得部分１
４４の垂線Ｐ３に対する角度と、第３利得部分１４６の垂線Ｐ３に対する角度とは、製造
ばらつきの範囲で同じである。角度α３は、例えば、鋭角であって、臨界角以上である。
これにより、第３側面１０６ｃは、第１利得領域１４０に発生する光を、全反射させるこ
とができる。
【００６２】
第３利得部分１４６は、平面視において、垂線Ｐ１に対して角度α１で傾いて第１側面
１０６ａと接続している。言い換えれば、第３利得部分１４６の長手方向は、垂線Ｐ１に
対してα１の角度を有しているといえる。すなわち、第１利得部分１４２と第３利得部分
１４６とは、平面視において、同じ向きで第１側面１０６ａと接続しており、互いに平行
である。より具体的には、第１利得部分１４２の延出方向と、第３利得部分１４６の延出
方向とは、互いに平行である。これにより、第１端面１５１から出射される第１の光２０
と、第６端面１５６から出射される第１の光２０とは、同じ方向に出射されることができ
る。
【００６３】
以上のとおり、角度α２，α３を臨界角以上とし、角度α１を臨界角より小さくするこ
とにより、第１側面１０６ａの反射率を、第２側面１０６ｂの反射率および第３側面１０
６ｃの反射率より低くすることができる。これにより、第１側面１０６ａに設けられた第
１端面１５１は、第１利得領域１４０に発生する光を出射させる第１出射部（第１出射部
１５１）となることができる。第１側面１０６ａに設けられた第６端面１５６は、第１利
得領域１４０に発生する光を出射させる第２出射部（第２出射部１５６）となることがで
きる。第２側面１０６ｂに設けられた端面１５２，１５３の重なり面１５８は、第１利得
領域１４０に発生する光を反射させる第１反射部（第１反射部１５８）となることができ
る。第３側面１０６ｃに設けられた端面１５４，１５５の重なり面１５９は、第１利得領
域１４０に発生する光を反射させる第２反射部（第２反射部１５９）となることができる
。
【００６４】
すなわち、第１利得部分１４２は、第１出射部１５１から第１反射部１５８まで延出し
ている。第２利得部分１４４は、第１反射部１５８から第２反射部１５９まで延出してい
る。第３利得部分１４６は、第２反射部１５９から第２出射部１５６まで延出している。
したがって、第１利得領域１４０は、平面視において、コの字型（角部を有するＵ字型）
形状を有していると言うことができる 。
【００６５】
なお、図示の例では、出射部１５１，１５６および反射部１５８，１５９は、その表面
が露出しているが、例えば、第１側面１０６ａ（出射部１５１，１５６）を反射防止膜で
覆い、第２側面１０６ｂおよび第３側面１０６ｃ（反射部１５８，１５９）を反射膜で覆
ってもよい。これにより、第１利得領域１４０に発生する光が、反射部１５８，１５９に
おいて、全反射しないような入射角度、屈折率等の条件下においても、第１利得領域１４
０に発生する光の波長帯における第１側面１０６ａの反射率を、第２側面１０６ｂの反射
率および第３側面１０６ｃの反射率より低くすることができる。また、第１側面１０６ａ
を反射防止膜で覆うことにより、第１利得領域１４０に発生する光を、第１端面１５１と
第６端面１５６との間で直接的に多重反射させることを低減できる。この結果、直接的な
共振器を構成させないことができるため、第１利得領域１４０に発生する光のレーザー発
振を抑制することができる。
【００６６】
反射膜および反射防止膜としては、例えば、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、Ａｌ２Ｏ３層
、ＴｉＮ層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜を用いることができ
る。また、側面１０６ｂ，１０６ｃをエッチングによって形成されたＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒ
ｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）として、高い反射率を得てもよい。
【００６７】
さらに、角度α１は、０°より大きい角度であることができる。これにより、第１端面
１５１と第６端面１５６との間で、第１利得領域１４０に発生する光を、直接的に多重反
射させないことができる。その結果、直接的な共振器を構成させないことができるため、
第１利得領域１４０に発生する光のレーザー発振を抑制または防止することができる。
【００６８】
なお、図示はしないが、角度α１は、０°であってもよい。すなわち、利得部分１４２
，１４６の延出方向は、平面視において、垂線Ｐ１と平行であってもよい。このような形
態では、上述のように、第１側面１０６ａを反射防止膜で覆うことにより、第１端面１５
１と第６端面１５６との間で、第１利得領域１４０に発生する光を、直接的に多重反射さ
せないことができる。
【００６９】
第２クラッド層１０８は、図１および図３に示すように、第１活性層１０６上に形成さ
れている。第２クラッド層１０８としては、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＧａＮ
層やＡｌＧａＮ層などを用いる。
【００７０】
例えば、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない第１活性層１
０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１
クラッド層１０４および第２クラッド層１０８の各々は、第１活性層１０６よりも禁制帯
幅が大きく、屈折率が小さい層である。第１活性層１０６は、第１電極１２０と第２電極
１２２とによって電流が注入されて第１の光を発生させ、かつ第１の光を増幅しつつ導波
させる機能を有する。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８は、第１活性層
１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能（光の漏れ
を抑制する機能）を有する。
【００７１】
発光装置１００は、第１電極１２０と第２電極１２２との間に、ｐｉｎダイオードの順
バイアス電圧を印加する（電流を注入する）と、第１活性層１０６に第１利得領域１４０
を生じ、第１利得領域１４０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により
発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、電流が注入され
る第１利得領域１４０内で光の強度が増幅される。
【００７２】
例えば、図４に示すように、第１利得部分１４２に生じ、第２側面１０６ｂ側に向かう
第１の光１０は、第１利得部分１４２内で増幅された後、第１反射部１５８において反射
して、第３側面１０６ｃに向かって第２利得部分１４４内を進行する。そして、さらに第
２反射部１５９において反射して、第３利得部分１４６内を進行して第６端面１５６から
第１の光２０として出射される。このとき、利得部分１４４，１４６内においても光強度
が増幅される。同様に、第３利得部分１４６に生じ、第３側面１０６ｃ側に向かう第１の
光は、第３利得部分１４６内で増幅された後、第２反射部１５９において反射して、第２
側面１０６ｂに向かって第２利得部分１４４内を進行する。そして、さらに第１反射部１
５８において反射して、第１利得部分１４２内を進行して第１端面１５１から第１の光２
０として出射される。このとき、利得部分１４２，１４４内においても光強度が増幅され
る。
【００７３】
なお、第１利得部分１４２に発生する光には、直接、第１端面１５１から第１の光２０
として出射されるものもある。同様に、第３利得部分１４６に発生する光には、直接、第
６端面１５６から第１の光２０として出射されるものもある。これらの光も同様に各利得
部分１４２，１４４内において強度が増幅される。
【００７４】
第３クラッド層１１０は、図１および図３に示すように、第２クラッド層１０８上に形
成されている。第３クラッド層１１０としては、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＧ
ａＮ層やＡｌＧａＮ層などを用いる。
【００７５】
第２活性層１１２は、第３クラッド層１１０上に形成されている。第２活性層１１２は
、例えば、ウェル層とバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸
（ＭＱＷ）構造を有する。ウェル層としては、例えば、ＩｎＧａＮ層を用いる。バリア層
としては、例えば、ＧａＮ層や、ウェル層よりもＩｎ組成の小さいＩｎＧａＮ層、または
第１クラッド層１０４よりもＡｌ組成の小さいＡｌＧａＮ層などを用いる。なお、第１活
性層１０６および第２活性層１１２のウェル層を構成するＩｎＧａＮ層は、そのＩｎ組成
が互いに異なることにより、第１活性層１０６において発生する第１の光の波長と、第２
活性層１１２において発生する第２の光の波長が互いに異なっていてもよい 。
【００７６】
第２活性層１１２は、図５に示すように、第４側面１１２ａ、第５側面１１２ｂ、およ
び第６側面１１２ｃを有している。第４側面１１２ａは、積層体１３０の側面１３０ａの
一部を構成している。図５に示す例では、第４側面１１２ａは、第２活性層１１２の＋Ｘ
軸方向側の面（＋Ｘ軸方向を向く面）である。第５側面１１２ｂは、開口部３４の一部を
規定している。第６側面１１２ｃは、開口部３６の一部を規定している。第５側面１１２
ｂおよび第６側面１１２ｃは、第４側面１１２ａに対して傾斜している。第４側面１１２
ａは、劈開によって形成された劈開面であってもよい。第５側面１１２ｂおよび第６側面
１１２ｃは、エッチングによって形成されたエッチング面であってもよい。
【００７７】
第２活性層１１２の一部は、第２利得領域１６０を構成している。第２利得領域１６０
は、電流が注入されて第２の光を発生させることができ、第２の光は、第２利得領域１６
０内を、利得を受けつつ導波することができる。第２利得領域１６０は、第４利得部分１
６２と、第５利得部分１６４と、第６利得部分１６６と、備えている。
【００７８】
第４利得部分１６２は、平面視において、第４側面１１２ａから第５側面１１２ｂまで
延出している。第４利得部分１６２は、平面視において、所定の幅を有し、第４利得部分
１６２の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を備えている。第４利得部分１６２
は、第４側面１１２ａとの接続部分に設けられた第１端面１７１と、第５側面１１２ｂと
の接続部分に設けられた第２端面１７２と、を有する。
【００７９】
第４利得部分１６２は、平面視において、第４側面１１２ａの垂線Ｑ１に対して角度β
１で傾いて第４側面１１２ａと接続している。言い換えれば、第４利得部分１６２の延出
方向は、垂線Ｑ１に対してβ１の角度を有しているといえる。角度β１は、鋭角であって
、臨界角より小さい角度である。
【００８０】
第４利得部分１６２は、平面視において、第５側面１１２ｂの垂線Ｑ２に対して角度β
２で傾いて第５側面１１２ｂと接続している。言い換えれば、第４利得部分１６２の延出
方向は、垂線Ｑ２に対してβ２の角度を有しているといえる。
【００８１】
第５利得部分１６４は、平面視において、第５側面１１２ｂから第６側面１１２ｃまで
延出している。第５利得部分１６４は、平面視において、所定の幅を有し、第５利得部分
１６４の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を備えている。第５利得部分１６４
は、第５側面１１２ｂとの接続部分に設けられた第３端面１７３と、第６側面１１２ｃと
の接続部分に設けられた第４端面１７４と、を有する。第５利得部分１６４の延出方向は
、平面視において、例えば、第４側面１１２ａと平行である。
【００８２】
なお、「第５利得部分１６４の延出方向は、第４側面１１２ａと平行」とは、製造ばら
つき等を考慮し、平面視において、第４側面１１２ａに対する第５利得部分１６４の傾き
角が±１°以内である、ということを意味している。
【００８３】
第５利得部分１６４の第３端面１７３は、第５側面１１２ｂにおいて、第４利得部分１
６２の第２端面１７２と重なっている。図示の例では、第２端面１７２と第３端面１７３
とは、重なり面１７８において、完全に重なっている。
【００８４】
第５利得部分１６４は、平面視において、第５側面１１２ｂの垂線Ｑ２に対して角度β
２で傾いて第５側面１１２ｂと接続している。言い換えれば、第５利得部分１６４の延出
方向は、垂線Ｑ２に対してβ２の角度を有しているといえる。すなわち、第４利得部分１
６２の垂線Ｑ２に対する角度と、第５利得部分１６４の垂線Ｑ２に対する角度とは、製造
ばらつきの範囲で同じである。角度β２は、例えば、鋭角であって、臨界角以上である。
これにより、第５側面１１２ｂは、第２利得領域１６０に発生する光を、全反射させるこ
とができる。
【００８５】
第５利得部分１６４は、平面視において、第６側面１１２ｃの垂線Ｑ３に対して角度β
３で傾いて第６側面１１２ｃと接続している。言い換えれば、第５利得部分１６４の延出
方向は、垂線Ｑ３に対してβ３の角度を有しているといえる。
【００８６】
第５利得部分１６４の延出方向の長さは、第４利得部分１６２の延出方向の長さ、およ
び第６利得部分１６６の延出方向の長さよりも大きい。第５利得部分１６４の延出方向の
長さは、第４利得部分１６２の延出方向の長さと、第６利得部分１６６の延出方向の長さ
と、の和以上であってもよい。
【００８７】
第６利得部分１６６は、平面視において、第６側面１１２ｃから第４側面１１２ａまで
延出している。第６利得部分１６６は、平面視において、例えば、所定の幅を有し、第６
利得部分１６６の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を備えている。第６利得部
分１６６は、第６側面１１２ｃとの接続部分に設けられた第５端面１７５と、第４側面１
１２ａとの接続部分に設けられた第６端面１７６と、を有する。
【００８８】
第６利得部分１６６の第５端面１７５は、第６側面１１２ｃにおいて、第５利得部分１
６４の第４端面１７４と重なっている。図示の例では、第４端面１７４と第５端面１７５
とは、重なり面１７９において、完全に重なっている。
【００８９】
第６利得部分１６６は、平面視において、第６側面１１２ｃの垂線Ｑ３に対して角度β
３で傾いて第６側面１１２ｃと接続している。言い換えれば、第６利得部分１６６の延出
方向は、垂線Ｑ３に対してβ３の角度を有しているといえる。すなわち、第５利得部分１
６４の垂線Ｑ３に対する角度と、第６利得部分１６６の垂線Ｑ３に対する角度とは、製造
ばらつきの範囲で同じである。角度β３は、例えば、鋭角であって、臨界角以上である。
これにより、第６側面１１２ｃは、第２利得領域１６０に発生する光を、全反射させるこ
とができる。
【００９０】
第６利得部分１６６は、平面視において、垂線Ｑ１に対して角度β１で傾いて第４側面
１１２ａと接続している。言い換えれば、第６利得部分１６６の長手方向は、垂線Ｑ１に
対してβ１の角度を有しているといえる。すなわち、第４利得部分１６２と第６利得部分
１６６とは、平面視において、同じ向きで第４側面１１２ａと接続しており、互いに平行
である。より具体的には、第４利得部分１６２の延出方向と、第６利得部分１６６の延出
方向とは、互いに平行である。これにより、第１端面１７１から出射される光２２と、第
６端面１７６から出射される光２２とは、同じ方向に出射されることができる。
【００９１】
以上のとおり、角度β２，β３を臨界角以上とし、角度β１を臨界角より小さくするこ
とにより、第４側面１１２ａの反射率を、第５側面１１２ｂの反射率および第６側面１１
２ｃの反射率より低くすることができる。これにより、第４側面１１２ａに設けられた第
１端面１７１は、第２利得領域１６０に発生する光を出射させる第３出射部（第３出射部
１７１）となることができる。第４側面１１２ａに設けられた第６端面１７６は、第２利
得領域１６０に発生する光を出射させる第４出射部（第４出射部１７６）となることがで
きる。第５側面１１２ｂに設けられた端面１７２，１７３の重なり面１７８は、第２利得
領域１６０に発生する光を反射させる第３反射部（第３反射部１７８）となることができ
る。第６側面１１２ｃに設けられた端面１７４，１７５の重なり面１７９は、第２利得領
域１６０に発生する光を反射させる第４反射部（第４反射部１７９）となることができる
。
【００９２】
すなわち、第４利得部分１６２は、第３出射部１７１から第３反射部１７８まで延出し
ている。第５利得部分１６４は、第３反射部１７８から第４反射部１７９まで延出してい
る。第６利得部分１６６は、第４反射部１７９から第４出射部１７６まで延出している。
従って、第２利得領域１６０は、平面視において、コの字型（角部を有するＵ字型）形状
を有していると言うことができる。
【００９３】
なお、出射部１７１，１７６は、上述した出射部１５１，１５６と同様に、反射防止膜
で覆われていてもよい。また、反射部１７８，１７９は、上述した反射部１５８，１５９
と同様に、反射膜で覆われていてもよい。これにより、第２利得領域１６０に発生する光
が、反射部１７８，１７９において、全反射しないような入射角度、屈折率等の条件下に
おいても、第２利得領域１６０に発生する光の波長帯における第４側面１１２ａの反射率
を、第５側面１１２ｂの反射率および第６側面１１２ｃの反射率より低くすることができ
る。また、第４側面１１２ａを反射防止膜で覆うことにより、第２利得領域１６０に発生
する光を、第１端面１７１と第６端面１７６との間で直接的に多重反射させることを低減
できる。この結果、直接的な共振器を構成させないことができるため、第２利得領域１６
０に発生する光のレーザー発振を抑制することができる。
【００９４】
さらに、角度β１は、０°より大きい角度であることができる。これにより、第１端面
１７１と第６端面１７６との間で、第２利得領域１６０に発生する光を、直接的に多重反
射させないことができる。その結果、直接的な共振器を構成させないことができるため、
第２利得領域１６０に発生する光のレーザー発振を抑制または防止することができる。
【００９５】
なお、図示はしないが、角度β１は、０°であってもよい。すなわち、利得部分１６２
，１６６の延出方向は、平面視において、垂線Ｑ１と平行であってもよい。このような形
態では、上述のように、第４側面１１２ａを反射防止膜で覆うことにより、第１端面１７
１と第６端面１７６との間で、第２利得領域１６０に発生する光を、直接的に多重反射さ
せないことができる。
【００９６】
第４クラッド層１１４は、図１および図３に示すように、第２活性層１１２上に形成さ
れている。第４クラッド層１１４としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＮ
層やＡｌＧａＮ層などを用いる。
【００９７】
例えば、ｎ型の第４クラッド層１１４、不純物がドーピングされていない第２活性層１
１２、およびｐ型の第３クラッド層１１０により、ｐｉｎダイオードが構成される。第３
クラッド層１１０および第４クラッド層１１４の各々は、第２活性層１１２よりも禁制帯
幅が大きく、屈折率が小さい層である。第２活性層１１２は、第２電極１２２と第３電極
１２４とによって電流が注入されて第２の光を発生させ、かつ第２の光を増幅しつつ導波
させる機能を有する。第３クラッド層１１０および第４クラッド層１１４は、第２活性層
１１２を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能（光の漏れ
を抑制する機能）を有する。
【００９８】
発光装置１００は、第２電極１２２と第３電極１２４との間に、ｐｉｎダイオードの順
バイアス電圧を印加する（電流を注入する）と、第２活性層１１２に第２利得領域１６０
を生じ、第２利得領域１６０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により
発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、電流が注入され
る第２利得領域１６０内で光の強度が増幅される。
【００９９】
例えば、図５に示すように、第４利得部分１６２に生じ、第５側面１１２ｂ側に向かう
第２の光１２は、第４利得部分１６２内で増幅された後、第３反射部１７８において反射
して、第６側面１１２ｃに向かって第５利得部分１６４内を進行する。そして、さらに第
４反射部１７９において反射して、第６利得部分１６６内を進行して第６端面１７６から
第２の光２２として出射される。このとき、利得部分１６４，１６６内においても光強度
が増幅される。同様に、第６利得部分１６６に生じ、第６側面１１２ｃ側に向かう第２の
光は、第６利得部分１６６内で増幅された後、第４反射部１７９において反射して、第４
側面１１２ａに向かって第５利得部分１６４内を進行する。そして、さらに第３反射部１
７８において反射して、第４利得部分１６２内を進行して第１端面１７１から第２の光２
２として出射される。このとき、利得部分１６２，１６４内においても光強度が増幅され
る。
【０１００】
なお、第４利得部分１６２に発生する光には、直接、第１端面１７１から第２の光２２
として出射されるものもある。同様に、第６利得部分１６６に発生する光には、直接、第
６端面１７６から第２の光２２として出射されるものもある。これらの光も同様に各利得
部分１６２，１６４内において強度が増幅される。
【０１０１】
第１活性層１０６において生じる第１の光の波長は、例えば、４３５ｎｍ以上４８５ｎ
ｍ以下である。この場合、第１の光は、青色光として出射される。第２活性層１１２にお
いて生じる第２の光の波長は、例えば、４８５ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である。この場合
、第２の光は、緑色光として出射される。
【０１０２】
なお、第１の光の波長と第２の光の波長とは、同じであってもよい。例えば、第１の光
の波長および第２の光の波長は、６１０ｎｍ以上７５０以下であり、第１の光および第２
の光は、赤色光であってもよい。この場合、活性層１０６，１１２は、例えば、ＩｎＧａ
Ｐウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量
子井戸（ＭＱＷ）構造を有することができる。
【０１０３】
第１利得領域１４０と第２利得領域１６０とは、図２に示すように平面視において、重
なっていない。図２に示す例では、第１利得領域１４０は、平面視において、第２利得領
域１６０および第１活性層１０６の第１側面１０６ａに囲まれている。第１利得領域１４
０の第１出射部１５１および第２出射部１５６は、第２利得領域１６０の第３出射部１７
１と第４出射部１７６の間に位置している。平面視において、第１出射部１５１の中心と
第３出射部１７１の中心との間の距離Ｄ１は、例えば、４０μｍ程度である。同様に、平
面視において、第２出射部１５６の中心と第４出射部１７６の中心との間の距離Ｄ２は、
例えば、４０μｍ程度である。
【０１０４】
第１出射部１５１から出射される第１の光２０、第２出射部１５６から出射される第１
の光２０、第３出射部１７１から出射される第２の光２２、および第４出射部１７６から
出射される第２の光２２は、同じ方向に出射されることができる。発光装置１００では、
角度α１（図４参照）および角度β１（図５参照）を、第１の光２０および第２の光２２
が同じ方向に出射されるように、調整することができる。
【０１０５】
絶縁層１１６は、図１および図３に示すように、積層体１３０の上面および側面を覆っ
て形成されている。絶縁層１１６は、図１に示すように、積層体１３０の側面１３０ａを
避けて形成されている。絶縁層１１６としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯＮ層を用いる
。
【０１０６】
絶縁層１１６には、図３に示すように、貫通孔１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃが形成さ
れている。貫通孔１１６ａは、積層体１３０の第１部分１３２上に位置している。貫通孔
１１６ｂは、積層体１３０の第２部分１３４上に位置している。貫通孔１１６ｃは、積層
体１３０の第３部分１３６上に位置している。
【０１０７】
貫通孔１１６ｂの平面形状は、例えば、第１利得領域１４０の平面形状と同じである。
例えば、貫通孔１１６ｂの平面形状によって、電極１２０，１２２間の電流経路が決定さ
れ、その結果、第１利得領域１４０の平面形状が決定される。また、貫通孔１１６ｃの平
面形状は、例えば、第２利得領域１６０の平面形状と同じである。例えば、貫通孔１１６
ｃの平面形状によって、電極１２２，１２４間の電流経路が決定され、その結果、第２利
得領域１６０の平面形状が決定される。
【０１０８】
第１電極１２０は、第１クラッド層１０４と電気的に接続されている。第１電極１２０
は、積層体１３０の基板１０２側とは反対側の面上に位置している。図３に示す例では、
第１電極１２０は、積層体１３０の第１部分１３２の上面１３２ａ上に位置している。上
面１３２ａは、例えば、貫通孔１１６ａが設けられることにより、積層体１３０において
露出した部分を有している。第１電極１２０は、図３に示すように、上面１３２ａに接し
ている部分と、上面１３２ａ上に形成された絶縁層１１６に接している部分と、を有して
いてもよい。
【０１０９】
なお、図示の例では、上面１３２ａは、第１クラッド層１０４によって構成されている
が、上面１３２ａは、第１クラッド層１０４と第１電極１２０との間に設けられた第１コ
ンタクト層（図示せず）によって構成されていてもよい。第１コンタクト層は、第１電極
１２０とオーミックコンタクトすることができる。
【０１１０】
第１電極１２０は、図１および図２に示すように、２つ設けられ、図２に示すように平
面視において、２つの第１電極１２０の間に、第２電極１２２および第３電極１２４が設
けられている。第１電極１２０の平面形状は、特に限定されないが、図２に示す例では、
平行四辺形である。第１電極１２０の幅（Ｙ軸方向の大きさ）は、例えば、１００μｍ〜
２００μｍ程度である。
【０１１１】
第１電極１２０は、第１活性層１０６に電流を注入するための一方の電極である。第１
電極１２０としては、例えば、積層体１３０側からＴｉ層、Ａｌ層、Ａｕ層の順序で積層
したものなどを用いる。
【０１１２】
第２電極１２２は、第２クラッド層１０８および第３クラッド層１１０と電気的に接続
されている。第２電極１２２は、積層体１３０の基板１０２側とは反対側の面上に位置し
ている。図３に示す例では、第２電極１２２は、積層体１３０の第２部分１３４の上面１
３４ａ上に位置している。上面１３４ａは、例えば、貫通孔１１６ｂが設けられることに
より、積層体１３０において露出した部分を有している。第２電極１２２は、図３に示す
ように、上面１３４ａに接している部分と、上面１３４ａ上に形成された絶縁層１１６に
接している部分と、を有していてもよい。
【０１１３】
なお、図示の例では、上面１３４ａは、第２クラッド層１０８および第３クラッド層１
１０によって構成されているが、上面１３４ａは、クラッド層１０８，１１０と第２電極
１２２との間に設けられた第２コンタクト層（図示せず）によって構成されていてもよい
。第２コンタクト層は、第２電極１２２とオーミックコンタクトすることができる。
【０１１４】
第２電極１２２は、図２に示すように平面視において、第１利得領域１４０よりも大き
な面１２２ａを有して第１利得領域１４０を覆っている。面１２２ａは、第２電極１２２
の上面である。第１利得領域１４０は、図３に示すように、第２電極１２２の第２利得領
域１６０側の端部１２３の下方に位置している。すなわち、第１利得領域１４０は、図２
に示すように平面視において、第２電極１２２の第２利得領域１６０側の端部１２３と重
なっている。
【０１１５】
第２電極１２２は、平面視において、第１利得領域１４０に沿って第１利得領域１４０
を覆っている。第２電極１２２の幅（利得部分１４２，１４６に沿う部分のＹ軸方向の大
きさ、利得部分１４４に沿う部分のＸ軸方向の大きさ）は、例えば、１００μｍ〜２００
μｍ程度である。第２電極１２２は、平面視において、第３電極１２４および積層体１３
０の側面１３０ａによって囲まれて設けられている。
【０１１６】
第２電極１２２は、第１活性層１０６に電流を注入するための他方の電極である。さら
に、第２電極１２２は、第２活性層１１２に電流を注入するための一方の電極である。第
２電極１２２としては、例えば、積層体１３０側からＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順序で積
層したものなどを用いる。
【０１１７】
第３電極１２４は、第４クラッド層１１４と電気的に接続されている。第３電極１２４
は、積層体１３０の基板１０２側とは反対側の面上に位置している。図３に示す例では、
第３電極１２４は、積層体１３０の第３部分１３６の上面１３６ａ上に位置している。上
面１３６ａは、例えば、貫通孔１１６ｃが設けられることにより、積層体１３０において
露出した部分を有している。第３電極１２４は、図３に示すように、上面１３６ａに接し
ている部分と、上面１３６ａ上に形成された絶縁層１１６に接している部分と、を有して
いてもよい。
【０１１８】
なお、図示の例では、上面１３６ａは、第４クラッド層１１４によって構成されている
が、上面１３６ａは、第４クラッド層１１４と第３電極１２４との間に設けられた第３コ
ンタクト層（図示せず）によって構成されていてもよい。第３コンタクト層は、第３電極
１２４とオーミックコンタクトすることができる。
【０１１９】
第３電極１２４は、図２に示すように平面視において、第２利得領域１６０よりも大き
な面１２４ａを有して第２利得領域１６０を覆っている。面１２４ａは、第３電極１２４
の上面である。第２利得領域１６０は、図３に示すように、第３電極１２４の第１利得領
域１４０側の端部１２５の下方に位置している。すなわち、第２利得領域１６０は、図２
に示すように平面視において、第３電極１２４の第１利得領域１４０側の端部１２５と重
なっている。
【０１２０】
第３電極１２４は、平面視において、第２利得領域１６０に沿って第２利得領域１６０
を覆っている。第３電極１２４の幅（利得部分１６２，１６６に沿う部分のＹ軸方向の大
きさ、利得部分１６４に沿う部分のＸ軸方向の大きさ）は、例えば、１００μｍ〜２００
μｍ程度である。
【０１２１】
第３電極１２４は、第２活性層１１２に電流を注入するための他方の電極である。第３
電極１２４としては、例えば、積層体１３０側からＴｉ層、Ａｌ層、Ａｕ層の順序で積層
したものなどを用いる。
【０１２２】
積層体１３０の積層方向からみて、図２および図３に示すように、第２電極１２２の幅
方向の中心と、貫通孔１１６ｂおよび第１利得領域１４０の幅方向の中心とは互いにずれ
ていてもよい。同様に、第３電極１２４の幅方向の中心と、貫通孔１１６ｃおよび第２利
得領域１６０の幅方向の中心とは互いにずれていてもよい。 
【０１２３】
本実施形態に係る発光装置１００は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装
置、計測装置などの光源に適用されることができる。
【０１２４】
本実施形態に係る発光装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【０１２５】
発光装置１００によれば、第１電極１２０、第２電極１２２、および第３電極１２４は
、積層体１３０の基板１０２側とは反対側の面上に位置している。すなわち、発光装置１
００では、積層体１３０の一方側に電極１２０，１２２，１２４が形成されている。その
ため、発光装置１００を実装する際に、電極１２０，１２２，１２４に電気的に接続され
る配線の引き回しを簡易にすることができる。より具体的には、発光装置１００は、配線
が形成された実装基板を積層体１３０の一方側に配置し、配線と電極１２０，１２２，１
２４とが電気的に接続するように、発光装置１００を実装基板に実装することができる。
【０１２６】
さらに、発光装置１００では、積層体１３０の一方側に電極１２０，１２２，１２４が
形成されているため、基板材料の自由度を高くすることができる。基板の両側に電極があ
る発光装置の場合には、ＧａＮ基板やシリコン（１１１）基板などの導電性を有する基板
に限られるが、発光装置１００によれば、例えば、基板１０２として、サファイア基板な
どの絶縁性基板を用いることができる。
【０１２７】
さらに、発光装置１００では、第１活性層１０６および第２活性層１１２が同一の基板
１０２上に形成されている。第１活性層１０６の第１側面１０６ａおよび第２活性層１１
２の第４側面１１２ａは、積層体１３０の側面１３０ａに含まれている。そのため、第１
側面１０６ａに設けられた第１出射部１５１と、第４側面１１２ａに設けられた第３出射
部１７１と、の間の距離Ｄ１を小さくすることができる。同様に、第１側面１０６ａに設
けられた第２出射部１５６と、第４側面１１２ａに設けられた第４出射部１７６と、の間
の距離Ｄ２を小さくすることができる。これにより、出射部１５１，１７１から出射され
た光２０，２２を、１つの集光レンズ（マイクロレンズ）に入射させることができる。同
様に、出射部１５６，１７６から出射された光２０，２２を、１つの集光レンズに入射さ
せることができる。したがって、発光装置１００では、発光装置１００をプロジェクター
の光源として用いた場合に、集光レンズの数を削減することができ、低コスト化を図るこ
とができる。
【０１２８】
以上のように、発光装置１００では、低コスト化を図りつつ、実装の際に、電極と電気
的に接続される配線の引き回しが簡易で、かつ、基板材料の自由度を高くすることができ
る。
【０１２９】
発光装置１００によれば、第１利得領域１４０は、第１出射部１５１を有する第１利得
部分１４２と、第２出射部１５６を有する第３利得部分１４６と、第１利得部分１４２お
よび第３利得部分１４６に接続された第２利得部分１４４と、を備えている。第２利得領
域１６０は、第３出射部１７１を有する第４利得部分１６２と、第４出射部１７６を有す
る第６利得部分１６６と、第４利得部分１６２および第６利得部分１６６に接続された第
５利得部分１６４と、を備えている。そのため、第２利得部分１４４により、出射部１５
１，１５６間の距離を調整することができる。また、第５利得部分１６４により、出射部
１７１，１７６間の距離を調整することができる。これにより、発光装置１００では、発
光装置１００をプロジェクターの光源として用いた場合に、例えば、集光レンズの大きさ
に合わせて、容易に出射部１５１，１５６間の距離、および出射部１７１，１７６間の距
離を調整することができる。
【０１３０】
発光装置１００によれば、第１の光の波長を、４３５ｎｍ以上４８５ｎｍ以下とし、第
２の光の波長を、４８５ｎｍ以上５７０ｎｍ以下とすることができる。すなわち、第１の
光は、青色光とし、第２の光は、緑色光とすることができる。これにより、発光装置１０
０を、プロジェクターの青色光源および緑色光源として用いることができる。そのため、
３つの光源を用いる場合に比べて、光源の数を削減することができる。したがって、光源
から出射された光が入射するレンズアレイ（マイクロレンズアレイ）の数を削減すること
ができる。その結果、より確実に低コスト化を図ることができる。
【０１３１】
発光装置１００によれば、平面視において、第１利得領域１４０と第２利得領域１６０
とは、重なっていない。そのため、発光装置１００では、光の損失が生じることを抑制で
きる。例えば、平面視において、第１利得領域と第２利得領域とが重なっていると、重な
り部分において、光の損失が生じる場合がある。
【０１３２】
発光装置１００によれば、第１利得領域１４０は、平面視において、第２利得領域１６
０および第１側面１０６ａに囲まれている。これにより、第２利得領域１６０の全長を、
第１利得領域１４０の全長よりも長くすることができる。例えば、第１利得領域１４０に
生じる第１の光は、青色光であり、第２利得領域１６０に生じる第２の光は、緑色光であ
る。ここで、緑色光を生じる第２利得領域１６０を備えている第２活性層１１２は、青色
光を生じる第１利得領域１４０を備えている第１活性層１０６と比較して、基板１０２と
の間に大きな歪が生じる場合がある。そして、このような歪により、第２活性層１１２に
は、圧電効果による大きな電界（ピエゾ電界）がかかり、電子と正孔との発光再結合確率
が低下してしまうことがある。すなわち、緑色光の利得は、青色光よりも小さくなる場合
がある。発光装置１００では、上述のとおり、第２利得領域１６０の全長を、第１利得領
域１４０の全長よりも長くすることができる。このため、第２利得領域１６０に生じる第
２の光が緑色光である場合、利得の小さい緑色光の利得領域の全長を他の色よりも大きく
することができ、緑色光の強度および発光効率を高くすることができる。したがって、こ
のような発光装置１００をプロジェクターに用いる場合、視感度の大きい緑色光の強度お
よび発光効率を高くすることができるため、より高い電力効率でより高輝度なプロジェク
ターを実現することができる 。
【０１３３】
発光装置１００によれば、第１利得領域１４０は、第２電極１２２の第２利得領域１６
０側の端部１２３の下方に位置し、第２利得領域１６０は、第３電極１２４の第１利得領
域１４０側の端部１２５の下方に位置している。そのため、より確実に、第１出射部１５
１と第３出射部１７１との間の距離Ｄ１を小さくすることができる。同様に、第２出射部
１５６と第４出射部１７６との間の距離Ｄ２を小さくすることができる。これにより、よ
り確実に、出射部１５１，１７１から出射された光を、１つの集光レンズに入射させるこ
とができる。同様に、出射部１５６，１７６から出射された光を、１つの集光レンズに入
射させることができる。したがって、発光装置１００では、発光装置１００をプロジェク
ターの光源として用いた場合に、マイクロレンズの数を削減することができ、より確実に
低コスト化を図ることができる。
【０１３４】
２．  発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図６および図７は、本実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図で
あって、図３に対応している。
【０１３５】
図６に示すように、基板１０２上に、第１クラッド層１０４、第１活性層１０６、第２
クラッド層１０８、第３クラッド層１１０、第２活性層１１２、第４クラッド層１１４を
、この順でエピタキシャル成長させる。これにより、積層体１３１を形成することができ
る。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇ
ａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌ
ｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いる。
【０１３６】
図７に示すように、積層体１３１を、パターニングして、第１部分１３２、第２部分１
３４、および第３部分１３６を有する積層体１３０を形成する。パターニングは、例えば
、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により行われる。
【０１３７】
図３に示すように、積層体１３０上に絶縁層（図示ぜず）を成膜し、該絶縁層をパター
ニングして、貫通孔１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃが設けられた絶縁層１１６を形成する
。絶縁層は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法により成膜される。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチ
ング技術により行われる。
【０１３８】
次に、第１部分１３２上、第２部分１３４上、および第３部分１３６上に、それぞれ、
第１電極１２０、第２電極１２２、および第３電極１２４を形成する。この工程では、ま
ず、フォトリソグラフィー技術により、フォトレジストをパターニングし、電極を形成す
る領域の上面のみ露出させ、開口部３０，３２，３４，３６を含む電極を形成しない領域
の上面はフォトレジストで覆われるようにする。次に、真空蒸着法などにより全面に導電
層を蒸着する。そして、電極を形成しない領域の導電層は、レジストとともに除去（リフ
トオフ）する。電極１２０，１２２，１２４を形成する順序は、特に限定されない。導電
型が同じ層と接続する電極発光装置１００の例では、電極１２０と電極１２４は、同時に
形成されてもよい。
【０１３９】
以上の工程により、本実施形態に係る発光装置１００を製造することができる。
【０１４０】
発光装置１００の製造方法によれば、低コスト化を図りつつ、実装の際に、電極と電気
的に接続される配線の引き回しが簡易で、かつ、基板材料の自由度を高くすることができ
る発光装置１００を形成することができる。
【０１４１】
３．  発光装置の変形例
３．１．  第１変形例に係る発光装置
次に、本実施形態の第１変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する
。図８は、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す平面図である。
図９は、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す図８のＩＶ−ＩＶ
線断面図である。なお、図８および図９では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ
軸、Ｚ軸を図示している。
【０１４２】
以下、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００において、本実施形態に係る発光
装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細
な説明を省略する。
【０１４３】
発光装置１００の例では、図２に示すように、第１電極１２０は、２つ設けられ、平面
視において、２つの第１電極１２０の間に、利得領域１４０，１６０（電極１２２，１２
４）が設けられていた。
【０１４４】
これに対し、発光装置２００では、図８に示すように平面視において、第１電極１２０
は、第１利得領域１４０（第２電極１２２）および積層体１３０の側面１３０ａに囲まれ
て設けられている。
【０１４５】
発光装置２００によれば、発光装置１００に比べて、例えば、利得領域１４０，１６０
の長さを保ちつつ、Ｙ軸方向の大きさを小さくすることができる。すなわち、発光装置２
００によれば、利得領域１４０，１６０の全長を保ちつつ、小型化を図ることができる。
【０１４６】
３．２．  第２変形例に係る発光装置
次に、本実施形態の第２変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する
。図１０は、本実施形態の第２変形例に係る発光装置３００を模式的に示す平面図である
。図１１は、本実施形態の第２変形例に係る発光装置３００を模式的に示す断面斜視図で
あって、図１０に示す破線で囲まれた領域Ａの拡大図である。なお、図１０および図１１
では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。
【０１４７】
以下、本実施形態の第２変形例に係る発光装置３００において、本実施形態に係る発光
装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細
な説明を省略する。
【０１４８】
発光装置１００の例では、図２に示すように平面視において、第１利得領域１４０は、
第２利得領域１６０および第１活性層１０６の第１側面１０６ａに囲まれていた。
【０１４９】
これに対し、発光装置３００では、図１０および図１１に示すように、第１利得領域１
４０の第２利得部分１４４は、第２利得部分１４４が分断された間隙部３４０を有し、第
２利得領域１６０の第４利得部分１６２は、平面視において、間隙部３４０を通って設け
られている。
【０１５０】
間隙部３４０の上方には、第２電極１２２は、形成されていない。すなわち、第２電極
１２２の、第２利得部分１４４の上方の部分は、分断されており、該分断された部分には
、平面視において第３電極１２４が設けられている。
【０１５１】
発光装置３００によれば、発光装置１００と同様に、実装の際に、電極と電気的に接続
される配線の引き回しを簡易にすることができる。また、基板材料の自由度を高くするこ
とができる。
【０１５２】
なお、図示はしないが、第４利得部分１６２ではなく、第２利得領域１６０の第６利得
部分１６６が、平面視において、間隙部３４０を通って設けられていてもよい。
【０１５３】
３．３．  第３変形例に係る発光装置
次に、本実施形態の第３変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する
。図１２は、本実施形態の第３変形例に係る発光装置４００を模式的に示す平面図である
。なお、図１２では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している
。
【０１５４】
以下、本実施形態の第３変形例に係る発光装置４００において、本実施形態に係る発光
装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細
な説明を省略する。
【０１５５】
発光装置１００の例では、図２に示すように、第１利得領域１４０は、１つ設けられ、
第２利得領域１６０は、１つ設けられていた。
【０１５６】
これに対し、発光装置４００では、図１２に示すように、第１利得領域１４０は、複数
設けられ、第２利得領域１６０は、複数設けられている。図示の例では、第１利得領域１
４０は、２つ設けられ、Ｙ軸に沿って配列されている。第２利得領域１６０は、２つ設け
られ、Ｙ軸に沿って配列されている。
【０１５７】
第１利得領域１４０の数に応じて、第２電極１２２および開口部３０，３２は、複数設
けられている。第２利得領域１６０の数に応じて、第３電極１２４および開口部３４，３
６は、複数設けられている。図示の例では、第１電極１２０は、３つ設けられ、３つの第
１電極１２０のうちの１つは、２つの第２利得領域１６０の間に設けられている。
【０１５８】
発光装置４００によれば、発光装置１００に比べて、高出力化を図ることができる。
【０１５９】
４．  光源モジュール
次に、本実施形態に係る光源モジュールについて、図面を参照しながら説明する。図１
３は、本実施形態に係る光源モジュール５００を模式的に示す平面図である。図１４は、
本実施形態に係る光源モジュール５００を模式的に示す図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線断面図
である。図１５は、本実施形態に係る光源モジュール５００を模式的に示す図１３のＸＶ
−ＸＶ線断面図である。なお、便宜上、図１３では、発光装置４００および実装基板５１
０を簡略化し、レンズアレイ５２０および放熱板５３０を省略して図示している。また、
図１４では、発光装置４００および実装基板５１０を簡略化して図示している。また、図
１５では、レンズアレイ５２０および放熱板５３０を省略して図示している。また、図１
３〜図１５では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。
【０１６０】
光源モジュール５００は、図１３〜図１５に示すように、実装基板５１０と、レンズア
レイ（マイクロレンズアレイ）５２０と、放熱板５３０と、本発明に係る発光装置と、を
含むことができる。以下の例では、本発明に係る発光装置として発光装置４００を含む光
源モジュール５００について説明する。
【０１６１】
実装基板５１０には、発光装置４００が実装される。実装基板５１０は、図１５に示す
ように、支持基板５１１と、絶縁層５１２と、配線５１３，５１４，５１５と、を有する
ことができる。
【０１６２】
支持基板５１１としては、例えば、シリコン基板を用いる。支持基板５１１は、発光装
置４００に対向する面５１１ａを有している。
【０１６３】
絶縁層５１２は、支持基板５１１の面５１１ａに形成されている。絶縁層５１２として
は、例えば、ＳｉＯ２層を用いる。
【０１６４】
絶縁層５１２には、配線５１３，５１４，５１５が設けられている。配線５１３は、接
合部材５１６を介して、第１電極１２０と電気的に接続されている。配線５１４は、接合
部材５１６を介して、第２電極１２２と電気的に接続されている。配線５１５は、接合部
材５１６を介して、第３電極１２４と電気的に接続されている。配線５１３，５１４，５
１５は、平面視において、それぞれ電極１２０，１２２，１２４の形状と対応する形状を
有していてもよい。配線５１３，５１４，５１５によって、電極１２０，１２２，１２４
の各々に、個別に電流を注入することができる。
【０１６５】
電極１２０，１２２，１２４の幅は、上述のとおり、１００μｍ〜２００μｍ程度であ
る。そのため、電極１２０，１２２，１２４と接合部材５１６との接触面積を十分に確保
することができる。これにより、接合時に固化する前の接合部材５１６が電極１２０，１
２２，１２４からはみ出すことを防止することができる。また、電極１２０，１２２，１
２４と配線５１３，５１４，５１５との接合強度を高くすることができる。配線５１３，
５１４，５１５の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、金が挙げられる。接合部材
５１６の材質としては、例えば、銀ペーストが挙げられる。
【０１６６】
図１５に示すように、発光装置４００の絶縁層１１６と、実装基板５１０の絶縁層５１
２と、の間に接合部材５１７が設けられていてもよい。接合部材５１７によって、絶縁層
１１６と絶縁層５１２とは、接合されていてもよい。これにより、発光装置４００と実装
基板５１０との接合強度を高めることができる。接合部材５１７の材質としては、例えば
、ポリシルセスキオキサン（ＰＳＱ）が挙げられる。
【０１６７】
発光装置４００は、実装基板５１０に実装されている。発光装置４００は、ジャンクシ
ョンダウンの状態で実装されている。すなわち、発光装置４００は、基板１０２側ではな
く、ｐｉｎジャンクションを有する積層体１３０側を、実装基板５１０側（図１４の下側
）に向けて実装されている。これにより、発光装置４００に電流を注入した際に生じた熱
は、基板１０２を介さず、熱伝導率の高い実装基板５１０および放熱板５３０を介して、
速やかに放出されることができる 。
【０１６８】
発光装置４００は、図１３および図１４に示すように、複数設けられている。図示の例
では、発光装置４００は、３つ設けられ、Ｘ軸に沿って配列されている。
【０１６９】
レンズアレイ５２０は、図１４に示すように、実装基板５１０に支持されている。レン
ズアレイ５２０の材質は、例えば、ガラスである。レンズアレイ５２０は、透過面（光の
入射面）５２１と、反射面５２２と、集光レンズ（マイクロレンズ）５２４と、を有する
ことができる。
【０１７０】
透過面５２１は、図１４に示すように、第１の光２０および第２の光２２の出射方向が
側面１３０ａに垂直な場合、発光装置４００から出射された光２０，２２の光軸と直交し
ている。また、反射面５２２は、透過面５２１と４５°の角度をなして設けられている。
透過面５２１には反射防止膜が形成され、反射面５２２には反射膜が形成されていること
ができる。これにより、透過面５２１および反射面５２２における光損失を小さくするこ
とができる。
【０１７１】
発光装置４００から出射された光は、図１４に示すように、透過面５２１を透過して反
射面５２２で反射することができる。なお、第１の光２０および第２の光２２の出射方向
が側面１３０ａに垂直でない場合は、透過面５２１において屈折させることにより光軸の
方向を側面１３０ａに垂直な方向に変え、反射面５２２において反射することができる。
反射面５２２で反射されることにより、光の進行方向は集光レンズ５２４側に向けられる
。
【０１７２】
集光レンズ５２４は、複数設けられている。集光レンズ５２４は、出射部１５１，１７
１、および出射部１５６，１７６に対応して、二次元的に配列されている。集光レンズ５
２４の少なくとも一部は、平面視において、透過面５２１および反射面５２２と重なる位
置に設けられている。さらに集光レンズ５２４は、出射部１５１，１７１と透過面５２１
を近接させることにより、図１３に示すように平面視において、出射部１５１，１７１と
重なる位置、および出射部１５６，１７６と重なる位置に設けることができる。これによ
り、集光レンズ５２４を大きくすることなく、例えば、青色光である第１の光２０と、緑
色光である第２の光２２とが入射されることができる。集光レンズ５２４に入射した光は
、放射角を制御（集光、平行化、または放射角を小さくする、等）されることにより、重
畳（一部重畳）されることができる。これにより、均一性よく、例えば液晶ライトバルブ
を照射することができる。
【０１７３】
放熱板５３０は、実装基板５１０の、発光装置４００を実装する側の面に対して反対側
の面に設けられている。放熱板５３０は、実装基板５１０に接合されていてもよい。放熱
板５３０の材質としては、例えば、銅、モリブテン、窒化アルミニウム、酸化ホウ素が挙
げられる。放熱板５３０によって、発光装置４００の放熱性を向上させることができる。
【０１７４】
光源モジュール５００によれば、積層体１３０の一方側に電極１２０，１２２，１２４
が形成されている発光装置４００を含むことができる。そのため、電極１２０，１２２，
１２４と電気的に接続される配線５１３，５１４，５１５の引き回しを簡易にすることが
できる。また、実装工程を容易にすることができるため、実装ＴＡＴ（ｔｕｒｎ  ａｒｏ
ｕｎｄ  ｔｉｍｅ）の向上や実装コストの低減を図ることができる。
【０１７５】
光源モジュール５００によれば、１つの集光レンズ５２４には、例えば、青色光である
第１の光２０と、緑色光である第２の光２２とが入射される。そのため、光源モジュール
５００をプロジェクターの光源として用いた場合に、レンズアレイの数を削減することが
でき、低コスト化を図ることができる。
【０１７６】
５．  プロジェクター
次に、本実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図１
６は、本実施形態に係るプロジェクター６００を模式的に示す斜視図である。図１７は、
本実施形態に係るプロジェクター６００を模式的に示す図である。なお、便宜上、図１６
では、筐体６１２、ヒートシンク６１４、ファン６１６，６１８を省略し、光源モジュー
ル５００を簡略化して図示している。また、図１７では、光源モジュール５００を簡略化
して図示している。
【０１７７】
プロジェクター６００は、図１６および図１７に示すように、第１光源モジュール６０
２ＧＢと、第２光源モジュール６０２Ｒと、透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）６
０４ＧＢ，６０４Ｒと、投射レンズ（投射装置）６０８と、を含む。さらに、プロジェク
ター６００は、ダイクロイックプリズム（色光合成手段）６０６と、筐体６１２と、ヒー
トシンク６１４と、吸気ファン６１６と、排気ファン６１８と、を含むことができる。
【０１７８】
筐体６１２は、光源モジュール６０２ＧＢ，６０２Ｒ、液晶ライトバルブ６０４ＧＢ，
６０４Ｒ、ダイクロイックプリズム６０６、およびヒートシンク６１４を収容することが
できる。
【０１７９】
第１光源モジュール６０２ＧＢは、光源モジュール５００によって構成されている。図
示の例では、第１光源モジュール６０２ＧＢは、２つの光源モジュール５００を並列する
ことによって構成されている。第１光源モジュール６０２ＧＢは、緑色光および青色光を
出射することができる。より具体的には、出射部１５１，１５６から出射される第１の光
２０（図１３参照）は、青色光であり、出射部１７１，１７６から出射される第２の光２
２（図１３参照）は、緑色光である。出射部１５１，１５６，１７１，１７６から出射さ
れた光２０，２２は、上述のように、レンズアレイ５２０によって集光される。
【０１８０】
第２光源モジュール６０２Ｒは、光源モジュール５００によって構成されている。図示
の例では、第２光源モジュール６０２Ｒは、２つの光源モジュール５００を並列すること
によって構成されている。第２光源モジュール６０２Ｒは、赤色光を出射することができ
る。より具体的には、出射部１５１，１５６から出射される第１の光２０（図１３参照）
、および出射部１７１，１７６から出射される第２の光２２（図１３参照）は、赤色光で
ある。出射部１５１，１５６，１７１，１７６から出射された光２０，２２は、上述のよ
うに、レンズアレイ５２０によって集光される。なお、第２光源モジュール６０２Ｒは、
第１クラッド層、第１活性層、第２クラッド層のみを積層した積層体１３０と、第１クラ
ッド層と電気的に接続された第１電極と、第２クラッド層に接続された第２電極のみを有
し、第１の光１０，２０のみを発生する発光装置、およびその発光装置を用いた光源モジ
ュールから構成されていてもよい。
【０１８１】
光源モジュール６０２ＧＢ，６０２Ｒは、ヒートシンク６１４に設けられている。ヒー
トシンク６１４の材質は、例えば、銅、アルミニウムである。ヒートシンク６１４によっ
て、光源モジュール６０２ＧＢ，６０２Ｒの放熱性を向上させることができる。
【０１８２】
吸気ファン６１６および排気ファン６１８は、筐体６１２に設けられている。吸気ファ
ン６１６および排気ファン６１８によって、光源モジュール６０２ＧＢ，６０２Ｒの放熱
性を向上させることができる。
【０１８３】
各光源モジュール６０２ＧＢ，６０２Ｒから出射された光（レンズアレイによって放射
角が制御された光）は、各液晶ライトバルブ６０４ＧＢ，６０４Ｒに入射する。各液晶ラ
イトバルブ６０４ＧＢ，６０４Ｒは、入射した光をそれぞれ画像情報に応じて変調する。
そして、投射レンズ６０８は、液晶ライトバルブ６０４ＧＢ，６０４Ｒによって形成され
た像を拡大してスクリーン６１０に投射する。図１７に示す例では、投射レンズ６０８は
、筐体６１２に設けられている。
【０１８４】
ダイクロイックプリズム６０６は、液晶ライトバルブ６０４ＧＢ，６０４Ｒから出射さ
れた光を合成して投射レンズ６０８に導くことができる。
【０１８５】
より具体的には、各液晶ライトバルブ６０４ＧＢ，６０４Ｒによって変調された色光は
、ダイクロイックプリズム６０６に入射する。このプリズムは、２つの直角プリズムを貼
り合わせて形成され、その内面に青色光および緑色光を反射する誘電体多層膜が配置され
ている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形
成される。そして、合成された光は、投射光学系である投射レンズ６０８によりスクリー
ン６１０上に投射され、拡大された画像が表示される。
【０１８６】
プロジェクター６００によれば、青色光および緑色光を出射することができる第１光源
モジュール６０２ＧＢと、赤色光を出射することができる第２光源モジュール６０２Ｒと
、を含むことができる。そのため、赤色光を出射する光源モジュール、緑色光を出射する
光源モジュール、および青色光を出射する光源モジュールを含むプロジェクターに比べて
、レンズアレイの数や液晶ライトバルブの数を削減することができる。これにより、プロ
ジェクター６００では、低コスト化を図ることができる。
【０１８７】
プロジェクター６００によれば、液晶ライトバルブ６０４ＧＢ，６０４Ｒの直下に光源
モジュール６０２ＧＢ，６０２Ｒを配置し、集光レンズ５２４を用いて集光と均一照明と
を同時に行うことができる。そのため、例えば、光源モジュール６０２ＧＢ，６０２Ｒと
液晶ライトバルブ６０４ＧＢ，６０４Ｒとの間の光学系における損失を小さくすることが
できる。したがって、消費電力を小さくすることができ、小型で環境にやさしいプロジェ
クター６００を実現することができる。
【０１８８】
なお、図１７に示す例では、プロジェクター６００は、光源モジュール６０２ＧＢ，６
０２Ｒ、液晶ライトバルブ６０４ＧＢ，６０４Ｒ、ダイクロイックプリズム６０６、投射
レンズ６０８を、１つずつ有していた。これに対し、図１８に示すように、プロジェクタ
ー６００は、光源モジュール６０２ＧＢ，６０２Ｒ、液晶ライトバルブ６０４ＧＢ，６０
４Ｒ、ダイクロイックプリズム６０６、投射レンズ６０８を、２つずつ有していてもよい
。これにより、３Ｄ表示が可能となる。
【０１８９】
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以
外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このような
ライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラー
デバイス（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）が挙げられる。ま
た、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
【０１９０】
また、光源からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの
画像を表示させる走査型の画像表示装置（プロジェクター）の光源装置にも、光源モジュ
ール６０２ＧＢ，６０２Ｒを適用することが可能である。
【０１９１】
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例
えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１９２】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び
結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施
の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実
施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することが
できる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
【符号の説明】
【０１９３】
１０…第１の光、１２…第２の光、２０…第１の光、２２…第２の光、３０，３２，３４
，３６…開口部、１００…発光装置、１０２…基板、１０４…第１クラッド層、１０６…
第１活性層、１０６ａ…第１側面、１０６ｂ…第２側面、１０６ｃ…第３側面、１０８…
第２クラッド層、１１０…第３クラッド層、１１２…第２活性層、１１２ａ…第４側面、
１１２ｂ…第５側面、１１２ｃ…第６側面、１１４…第４クラッド層、１１６…絶縁層、
１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃ…貫通孔、１２０…第１電極、１２０ａ…上面、１２２…
第２電極、１２２ａ…上面、１２３…端部、１２４…第３電極、１２４ａ…上面、１２５
…端部、１３０…積層体、１３０ａ，１３０ｂ…側面、１３１…積層体、１３２…第１部
分、１３２ａ…上面、１３４…第２部分、１３４ａ…上面、１３６…第３部分、１３６ａ
…上面、１４０…第１利得領域、１４２…第１利得部分、１４４…第２利得部分、１４６
…第３利得部分、１５１…第１端面（第１出射部）、１５２…第２端面、１５３…第３端
面、１５４…第４端面、１５５…第５端面、１５６…第６端面（第２出射部）、１５８…
重なり面（第１反射部）、１５９…重なり面（第２反射部）、１６０…第２利得領域、１
６２…第４利得部分、１６４…第５利得部分、１６６…第６利得部分、１７１…第１端面
（第３出射部）、１７２…第２端面、１７３…第３端面、１７４…第４端面、１７５…第
５端面、１７６…第６端面（第４出射部）、１７８…重なり面（第３反射部）、１７９…
重なり面（第４反射部）、２００，３００…発光装置、３４０…間隙部、４００…発光装
置、５００…モジュール、５１０…実装基板、５１１…支持基板、５１１ａ…面、５１２
…絶縁層、５１３，５１４，５１５…配線、５１６…接合部材、５１７…接合部材、５２
０…レンズアレイ、５２１…透過面、５２２…反射面、５２４…集光レンズ、５３０…放
熱板、６００…プロジェクター、６０２ＧＢ，６０２Ｒ…光源モジュール、６０４ＧＢ，
６０４Ｒ…液晶ライトバルブ、６０６…ダイクロイックプリズム、６０８…投射レンズ、
６１０…スクリーン、６１２…筐体、６１４…ヒートシンク、６１６…吸気ファン、６１
８…排気ファン
【図１】
2013235987.tif 000003
【図２】
2013235987.tif 000004
【図３】
2013235987.tif 000005
【図４】
2013235987.tif 000006
【図５】
2013235987.tif 000007
【図６】
2013235987.tif 000008
【図７】
2013235987.tif 000009
【図８】
2013235987.tif 000010
【図９】
2013235987.tif 000011
【図１０】
2013235987.tif 000012
【図１１】
2013235987.tif 000013
【図１２】
2013235987.tif 000014
【図１３】
2013235987.tif 000015
【図１４】
2013235987.tif 000016
【図１５】
2013235987.tif 000017
【図１６】
2013235987.tif 000018
【図１７】
2013235987.tif 000019
【図１８】
2013235987.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月8日(2013.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ＳＬＤは、例えばプロジェクターの光源として用いられる。例えば、赤色光を出射するＳＬＤ、緑色光を出射するＳＬＤ、および青色光を出射するＳＬＤの各々を、ライドバルブの直下に配置し、マイクロレンズを用いて光の放射角の制御（集光、平行化、等）と均一照明とを同時に行う方式のプロジェクターが提案されている。このようなプロジェクターでは、光学系の共通化を図り、プロジェクターの小型化や低コスト化を図るため、３色の光源のうち２色以上の光源を同一基板上に形成することが望まれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
第２利得部分１４４の延出方向の長さは、第１利得部分１４２の延出方向の長さ、および第３利得部分１４６の延出方向の長さよりも大きい。第２利得部分１４４の延出方向の長さは、第１利得部分１４２の延出方向の長さと、第３利得部分１４６の延出方向の長さと、の和以上であってもよい。なお、「第２利得部分１４４の延出方向の長さ」とは、第３端面１５３の中心と、第４端面１５４の中心と、の間の距離ともいえる。他の利得部分についても同様に、延出方向の長さとは、２つの端面の中心間の距離ともいえる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
なお、第１利得部分１４２に発生する光には、直接、第１端面１５１から第１の光２０として出射されるものもある。同様に、第３利得部分１４６に発生する光には、直接、第６端面１５６から第１の光２０として出射されるものもある。これらの光も同様に各利得部分１４２，１４６内において強度が増幅される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
例えば、図５に示すように、第４利得部分１６２に生じ、第５側面１１２ｂ側に向かう第２の光１２は、第４利得部分１６２内で増幅された後、第３反射部１７８において反射して、第６側面１１２ｃに向かって第５利得部分１６４内を進行する。そして、さらに第４反射部１７９において反射して、第６利得部分１６６内を進行して第６端面１７６から第２の光２２として出射される。このとき、利得部分１６４，１６６内においても光強度が増幅される。同様に、第６利得部分１６６に生じ、第６側面１１２ｃ側に向かう第２の光は、第６利得部分１６６内で増幅された後、第４反射部１７９において反射して、第５側面１１２ｂに向かって第５利得部分１６４内を進行する。そして、さらに第３反射部１７８において反射して、第４利得部分１６２内を進行して第１端面１７１から第２の光２２として出射される。このとき、利得部分１６２，１６４内においても光強度が増幅される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
なお、第４利得部分１６２に発生する光には、直接、第１端面１７１から第２の光２２として出射されるものもある。同様に、第６利得部分１６６に発生する光には、直接、第６端面１７６から第２の光２２として出射されるものもある。これらの光も同様に各利得部分１６２，１６６内において強度が増幅される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
次に、第１部分１３２上、第２部分１３４上、および第３部分１３６上に、それぞれ、第１電極１２０、第２電極１２２、および第３電極１２４を形成する。この工程では、まず、フォトリソグラフィー技術により、フォトレジストをパターニングし、電極を形成する領域の上面のみ露出させ、開口部３０，３２，３４，３６を含む電極を形成しない領域の上面はフォトレジストで覆われるようにする。次に、真空蒸着法などにより全面に導電層を蒸着する。そして、電極を形成しない領域の導電層は、レジストとともに除去（リフトオフ）する。電極１２０，１２２，１２４を形成する順序は、特に限定されない。導電型が同じ層と接続する電極を有する発光装置１００の例では、電極１２０と電極１２４は、同時に形成されてもよい。