(57)【要約】【課題】熱センサと加熱素子とを内蔵する集積回路を提供する。【解決手段】集積回路の熱センサは、集積回路の温度を感知し、該感知された温度と基準温度とを互いに比較して、比較信号を出力し、集積回路を加熱するための加熱素子は、比較信号に基づいてイネーブルまたはディセーブルされる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路の温度を感知する段階と、
感知された温度と基準温度とを互いに比較し、比較信号を生成させる段階と、
前記比較信号に基づいて、前記集積回路を加熱する加熱素子をイネーブルさせる段階と、
を含む集積回路を加熱する方法。
【請求項２】
前記集積回路の前記温度を感知する熱センサと前記加熱素子は、前記集積回路に内蔵されることを特徴とする請求項１に記載の集積回路を加熱する方法。
【請求項３】
前記集積回路の前記温度を感知する熱センサは、前記集積回路に内蔵され、前記加熱素子は、前記集積回路がマウントされた印刷回路基板に形成されることを特徴とする請求項１に記載の集積回路を加熱する方法。
【請求項４】
前記集積回路の前記温度を感知する熱センサは、前記集積回路がマウントされた印刷回路基板に形成され、前記加熱素子は、前記集積回路に内蔵されることを特徴とする請求項１に記載の集積回路を加熱する方法。
【請求項５】
熱センサと加熱素子とを内蔵する集積回路において、
前記熱センサは、前記集積回路の温度を感知し、該感知された温度と基準温度とを互いに比較して、比較信号を出力し、前記集積回路を加熱するための前記加熱素子は、前記比較信号に基づいてイネーブルまたはディセーブルされることを特徴とする集積回路。
【請求項６】
前記熱センサと前記加熱素子は、前記集積回路の外部から入力された少なくとも１つの制御信号に応答してイネーブルまたはディセーブルされることを特徴とする請求項５に記載の集積回路。
【請求項７】
印刷回路基板と、
前記印刷回路基板にマウントされた集積回路と、を含み、
前記集積回路は、
前記集積回路の温度を感知し、該感知された温度と基準温度とを互いに比較して、比較信号を出力する熱センサと、
前記熱センサから出力された前記比較信号に基づいて、前記集積回路を加熱する加熱素子と、
を含むことを特徴とする電子装置。
【請求項８】
前記電子装置は、自動車の電子制御ユニットまたはカーナビゲーションシステムであることを特徴とする請求項７に記載の電子装置。
【請求項９】
印刷回路基板と、
前記印刷回路基板にマウントされた集積回路と加熱素子と、を含み、
前記集積回路は、
前記集積回路の温度を感知し、該感知された温度と基準温度とを互いに比較し、比較信号を出力する熱センサを含み、
前記加熱素子は、前記熱センサから出力された前記比較信号に応答して、前記集積回路を加熱することを特徴とする電子装置。
【請求項１０】
前記集積回路は、
前記比較信号に基づいてクロック信号をマスキングするマスク回路と、
前記マスク回路の出力に接続されたインバータチェーンと、
をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低温で集積回路を加熱する技術に係り、特に、低温で集積回路の温度を感知し、該感知結果によって、前記集積回路を加熱することができる方法と、該方法を行う装置とに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の動作は、集積回路の内部温度または周辺温度の影響を受ける。すなわち、集積回路の性能と動作信頼性とは、温度に左右される。通信システムまたはコンピュータシステムに具現された集積回路からの放出熱を管理するためのさまざまな方法と装置とが研究されている。一般的に、通信システムまたはコンピュータシステムで発生した熱は、ヒートシンク（ｈｅａｔ  ｓｉｎｋ）という受動素子を通じて空気中に放出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第７，７１４，５９９号公報
【特許文献２】韓国特許出願公開第２００９／００２５０２７号公報
【特許文献３】韓国特許出願公開第２００８／００８２０５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする技術的な課題は、低温で集積回路の温度を感知し、該感知結果によって、前記集積回路を加熱することができる方法と、該方法を行う装置とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
集積回路を加熱する方法は、集積回路の温度を感知する段階と、感知された温度と基準温度とを互いに比較し、比較信号を生成させる段階と、前記比較信号に基づいて、前記集積回路を加熱する加熱素子をイネーブルさせる段階と、を含む。
前記集積回路の前記温度を感知する熱センサと前記加熱素子とは、前記集積回路に内蔵される。
前記集積回路の前記温度を感知する熱センサは、前記集積回路に内蔵され、前記加熱素子は、前記集積回路がマウントされた印刷回路基板に形成される。
【０００６】
前記集積回路の前記温度を感知する熱センサは、前記集積回路がマウントされた印刷回路基板に形成され、前記加熱素子は、前記集積回路に内蔵される。
熱センサと加熱素子とを内蔵する集積回路において、前記熱センサは、前記集積回路の温度を感知し、該感知された温度と基準温度とを互いに比較して、比較信号を出力し、前記集積回路を加熱するための前記加熱素子は、前記比較信号に基づいてイネーブルまたはディセーブルされる。
前記熱センサと前記加熱素子とは、前記集積回路の外部から入力された少なくとも１つの制御信号に応答してイネーブルまたはディセーブルされる。
【０００７】
電子装置は、印刷回路基板と、前記印刷回路基板にマウントされた集積回路と、を含み、前記集積回路は、前記集積回路の温度を感知し、該感知された温度と基準温度とを互いに比較して、比較信号を出力する熱センサと、前記熱センサから出力された前記比較信号に基づいて、前記集積回路を加熱する加熱素子と、を含む。
前記電子装置は、自動車の電子制御ユニットまたはカーナビゲーションシステムである。
【０００８】
電子装置は、印刷回路基板と、前記印刷回路基板にマウントされた集積回路と加熱素子と、を含み、前記集積回路は、前記集積回路の温度を感知し、該感知された温度と基準温度とを互いに比較し、比較信号を出力する熱センサを含み、前記加熱素子は、前記熱センサから出力された前記比較信号に応答して、前記集積回路を加熱する。
前記集積回路は、前記比較信号に基づいてクロック信号をマスキングするマスク回路と、前記マスク回路の出力に接続されたインバータチェーンと、をさらに含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の集積回路を加熱する方法と、前記方法を行う装置は、低温で加熱素子を通じて集積回路の内部温度を基準温度まで迅速に上昇させることができる。したがって、前記方法と前記装置は、低温で動作する集積回路の安全性を保証することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態による集積回路を加熱する方法を説明するフローチャートである。
【図２】図１の方法を行う集積回路を示すブロック図である。
【図３】図２に示された加熱素子の一実施形態を示す図である。
【図４】図１の方法を行う集積回路システムの一実施形態を示す図である。
【図５】図１の方法を行う集積回路システムの他の実施形態を示す図である。
【図６】図１の方法を行う集積回路システムのさらに他の実施形態を示す図である。
【図７】図１の方法を行う集積回路システムのさらに他の実施形態を示す図である。
【図８】図１の方法を行う集積回路システムのさらに他の実施形態を示す図である。
【図９】図１の方法を行う電子装置を含む自動車を示す図である。
【図１０】図１の方法を行う電子装置を含む携帯用装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付した図面を参照して、本発明を詳しく説明する。
図１は、本発明の実施形態による集積回路を加熱する方法を説明するフローチャートである。図１を参照すると、熱センサは、集積回路の内部温度または周辺温度をリアルタイムで感知または検出する（ステップＳ１０）。熱センサは、感知された温度Ｔｃと基準温度Ｔｒｅｆとを互いに比較し、比較信号を生成させる（ステップＳ２０）。
【００１２】
感知された温度Ｔｃが、基準温度Ｔｒｅｆよりも低い時、例えば、集積回路の内部温度または周辺温度が、相対的に低温である時、熱センサは、加熱素子をイネーブルさせるための比較信号を出力する。
したがって、感知された温度Ｔｃが、基準温度Ｔｒｅｆと同じか、高くなるまで、加熱素子は、オン（ｏｎ）状態を保持する（ステップＳ３０）。しかし、感知された温度Ｔｃが、基準温度Ｔｒｅｆと同じか、高い時、例えば、集積回路の内部温度または周辺温度が、相対的に高いか、または加熱素子によって、集積回路が加熱された時、加熱素子は、オフ（ｏｆｆ）状態を保持するか、またはオン状態からオフ状態に転換する（ステップＳ４０）。
【００１３】
ここで、熱センサは、集積回路の内部温度または周辺温度を感知することができるあらゆる種類のセンサを意味し、温度センサとも呼ばれる。また、熱センサは、集積回路の内部温度または周辺温度を感知し、該感知された温度と基準温度とを比較し、比較信号を生成することができる半導体装置、例えば、熱管理ユニット（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｕｎｉｔ、ＴＭＵ）を意味することもできる。
【００１４】
例えば、熱センサとして、ＰＣＢ  ＣＭＯＳ熱センサ、集積されたＣＭＯＳ温度センサ、フラッシュＡＤＣ基盤（ｆｌａｓｈ  ａｎａｌｏｇ−ｔｏ−ｄｉｇｉｔａｌ−ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ（ＡＤＣ）−ｂａｓｅｄ）温度センサ、ＴＤＣ基盤（ｔｉｍｅ−ｔｏ−ｄｉｇｉｔａｌ−ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ−ｂａｓｅｄ）温度センサ、接触式温度センサ（ｃｏｎｔａｃｔ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｓｅｎｓｏｒ）、非接触式温度センサ（ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｓｅｎｓｏｒ）、または抵抗温度検出器（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ、ＲＴＤ）などが使われる。前記集積回路は、チップまたはシステムオンチップ（Ｓｙｓｔｅｍ−ｏｎ  Ｃｈｉｐ、ＳｏＣ）を意味する。
【００１５】
図２は、図１の方法を行う集積回路のブロック図を示す。図２を参照すると、熱センサ２２と加熱素子２４とは、集積回路１０に内蔵される。
集積回路１０は、集積回路１０の動作を制御することができるＣＰＵ２０、熱センサ２２、加熱素子２４、電圧レギュレータ２６、位相同期ループ２７、及び制御ピン２８を含む。集積回路１０は、プロセッサ、アプリケーションプロセッサ、モバイルアプリケーションプロセッサ、または集積されたマルチメディアプロセッサとして具現可能である。
【００１６】
また、集積回路１０は、パッケージにパッケージングされうる。パッケージは、ＰｏＰ（Ｐａｃｋａｇｅ  ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡｓ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙｓ）、ＣＳＰｓ（Ｃｈｉｐ  ＳｃａｌｅＰａｃｋａｇｅｓ）、ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｌｅａｄｅｄ  Ｃｈｉｐ  Ｃａｒｒｉｅｒ）、ＰＤＩＰ（Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｄｕａｌ  Ｉｎ−ｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）、ＣＥＲＤＩＰ（ＣＥＲａｍｉｃ  Ｄｕａｌ  Ｉｎ−ｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＭＱＦＰ（ｐｌａｓｔｉｃ  Ｍｅｔｒｉｃ  Ｑｕａｄ  ＦｌａｔＰａｃｋ）、ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ  Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋ）、ＳＯＩＣ（Ｓｍａｌｌ−Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＳＳＯＰ（ＳｈｒｉｎｋＳｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ  Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ  ）、ＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  Ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ−Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）、またはＷＳＰ（Ｗａｆｅｒ−ｌｅｖｅｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ  Ｓｔａｃｋ  Ｐａｃｋａｇｅ）などとして具現可能である。
【００１７】
前述したように、熱センサ２２は、集積回路１０の温度を感知し、該感知された温度と基準温度とを互いに比較し、比較信号ＥＮを生成する。熱センサ２２は、基準温度をプログラムすることができるメモリ（図示せず）またはレジスタ（図示せず）を含みうる。
実施形態によって、基準温度は、制御ピン２８を通じて入力されたデータによってプログラムされうる。さらに他の実施形態によって、基準温度は、ヒューズ、アンチヒューズ、または動的リアルタイム再プログラミング素子（ｄｙｎａｍｉｃ  ｒｅａｌ−ｔｉｍｅ  ｒｅ−ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ）のようなヒュージング素子（図示せず）を用いてプログラムされうる。
【００１８】
加熱素子２４は、比較信号ＥＮに基づいてイネーブルまたはディセーブルされる。例えば、加熱素子２４は、電圧レギュレータ２６から出力された電圧ＶＤＤと比較信号ＥＮとのうちの少なくとも１つに基づいてイネーブルまたはディセーブルされる。例えば、電圧レギュレータ２６は、加熱素子２４に供給される電圧ＶＤＤを自ら生成することもでき、外部から入力された電圧をレギュレーティング（ｒｅｇｕｌａｔｉｎｇ）して電圧ＶＤＤを生成することもできる。例えば、電圧レギュレータ２６は、電力管理ユニット（Ｐｏｗｅｒ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｕｎｉｔ、ＰＭＵ）の機能を行える。また、電圧レギュレータ２６から出力された電圧ＶＤＤは、ＣＰＵ２０の動作電圧としても供給される。例えば、比較信号ＥＮに応答してイネーブルされた加熱素子２４は、電圧ＶＤＤとクロック信号ＣＬＫとのうちの少なくとも１つを用いて集積回路１０を加熱することができる。
【００１９】
図２では、説明の便宜上、１つの熱センサ２２と１つの加熱素子２４のみが示されているが、集積回路１０に集積される熱センサ２２と加熱素子２４の個数と配線方法は、集積回路１０の設計によって多様に変更されうる。例えば、加熱素子２４は、ジュール加熱過程を通じて電気信号、例えば、電圧または電流を熱に変換する素子を意味する。
実施形態によって、加熱素子２４は、集積回路１０の内部または集積回路１０の上にパターニングまたはルーティングされうる。他の実施形態によって、加熱素子２４は、正の温度係数または負の温度係数を有する物質として具現されることもある。
【００２０】
図２に示したように、加熱素子２４は、電圧ＶＤＤまたは電圧ＶＤＤに関連した電流によって熱を発生する物質を意味することもできる。また、加熱素子２４は、電圧ＶＤＤまたは前記電流によって動作する回路、例えば、直列接続された複数のインバータのように、動作によって熱を発生させる回路の集合を意味する。
熱センサ２２と加熱素子２４とのうちの少なくとも１つは、制御ピン２８を通じて入力された少なくとも１つの制御信号によってイネーブルまたはディセーブルされうる。
【００２１】
図３は、図２に示された加熱素子の一実施形態を示す。図２と図３とを参照すると、加熱素子２４は、比較信号ＥＮによってＰＬＬ２７から出力されたクロック信号ＣＬＫをマスクすることができるマスク回路２４−１と、インバータチェーンとを含む。インバータチェーンは、直列接続された複数のインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶｎ（ｎは、自然数）を含む。
マスク回路２４−１は、ＡＮＤゲートとして具現可能である。電圧ＶＤＤは、各素子２４−１、及びＩＮＶ１〜ＩＮＶｎに供給される。比較信号ＥＮが、ハイレベルである時、マスク回路２４−１から出力されたクロック信号ＣＬＫは、直列接続された複数のインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶｎに順次に供給され、これにより、熱が発生する。この際、ＰＬＬ２７は、加熱素子２４に供給されるクロック信号ＣＬＫを生成する用途として使われる。
【００２２】
図４は、図１の方法を行う集積回路システムの一実施形態を示す。図４を参照すると、集積回路システム１００は、集積回路１１０、電圧生成回路１２０、及び制御回路１３０を含む。実施形態によって、集積回路システム１００は、印刷回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ、ＰＣＢ）を意味する。ＰＣＢは、多様な電子回路に使用または内蔵されうる。
集積回路１１０は、ＣＰＵ２０、熱センサ２２、加熱素子２４、制御ピン２８、及びＰＬＬ２７を含む。熱センサ２２は、集積回路１１０の温度を感知し、該感知された温度と基準温度とを互いに比較し、比較信号ＥＮを生成させる。
【００２３】
加熱素子２４は、比較信号ＥＮに基づいてイネーブルまたはディセーブルされる。例えば、加熱素子２４は、電圧生成回路１２０から出力された電圧ＶＤＤと比較信号ＥＮとに基づいてイネーブルまたはディセーブルされる。また、図３を参照して説明したように、加熱素子２４は、比較信号ＥＮとクロック信号ＣＬＫとに基づいて集積回路１１０を加熱することができる。
【００２４】
電圧生成回路１２０は、別途の集積回路、例えば、電力管理集積回路（Ｐｏｗｅｒ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ、ＰＭＩＣ）として具現可能である。この際、電圧ＶＤＤは、ＣＰＵ２０に供給されうる。比較信号ＥＮに応答してイネーブルされた加熱素子２４は、電圧ＶＤＤとクロック信号ＣＬＫとのうちの少なくとも１つを用いて集積回路１０を加熱することができる。
熱センサ２２と加熱素子２４とのうちの少なくとも１つは、制御ピン２８を通じて入力された少なくとも１つの制御信号によってイネーブルまたはディセーブルされうる。制御回路１３０は、少なくとも１つの制御信号を生成することができる。
【００２５】
図３と図４とを参照すると、マスク回路２４−１は、加熱素子２４のイネーブルまたはディセーブルを制御することができる制御信号によって、比較信号ＥＮとクロック信号ＣＬＫとをマスクすることができる。例えば、マスク回路２４−１が、制御信号、比較信号ＥＮ、及びクロック信号ＣＬＫを受信するＡＮＤゲートとして具現され、制御信号と比較信号ＥＮのそれぞれが、ハイ（ｈｉｇｈ）レベルである時、クロック信号ＣＬＫは、インバータＩＮＶ１に供給されうる。
【００２６】
図５は、図１の方法を行う集積回路システムの他の実施形態を示す。集積回路システム２００は、集積回路２１０と加熱素子２２０とを含む。例えば、集積回路システム２００は、ＰＣＢを意味する。例えば、加熱素子２２０は、ＰＣＢ２００にマウントまたは具現可能である。
集積回路２１０は、ＣＰＵ２０、熱センサ２２、及び電圧レギュレータ２６を含む。熱センサ２２は、集積回路２１０の温度を感知し、該感知された温度と基準温度とを互いに比較し、比較信号ＥＮを生成させる。
【００２７】
集積回路２１０の外部に具現された加熱素子２２０は、比較信号ＥＮに基づいてイネーブルまたはディセーブルされる。例えば、比較信号ＥＮに基づいてイネーブルされた加熱素子２２０は、電圧生成回路（図示せず）から出力された電圧を用いて集積回路２１０を加熱することができる。熱センサ２２と加熱素子２２０のそれぞれは、制御回路２３０から出力された制御信号ＣＴ１、ＣＴ２のそれぞれに応答してイネーブルまたはディセーブルされる。
【００２８】
加熱素子２２０が、図３に示された加熱素子２４として具現され、マスク回路２４−１が、制御信号ＣＴ２、比較信号ＥＮ、及びクロック信号ＣＬＫを受信するＡＮＤゲートとして具現され、制御信号ＣＴ２と比較信号ＥＮのそれぞれが、ハイレベルである時、クロック信号ＣＬＫは、インバータＩＮＶ１に供給されうる。前述したように、加熱素子２２０は、ＰＣＢ２００の一部として具現可能である。
【００２９】
図６は、図１の方法を行う集積回路システムのさらに他の実施形態を示す。図６を参照すると、集積回路システム３００は、集積回路３１０、加熱素子３２０、及び電圧生成回路３３０を含む。例えば、集積回路システム３００は、ＰＣＢを意味する。集積回路３１０は、ＣＰＵ２０と熱センサ２２とを含む。
熱センサ２２は、集積回路３１０の温度を感知し、該感知された温度と基準温度とを互いに比較し、比較信号ＥＮを生成させる。集積回路３１０の外部に具現された加熱素子３２０は、比較信号ＥＮに基づいてイネーブルまたはディセーブルされる。例えば、比較信号ＥＮに基づいてイネーブルされた加熱素子３２０は、電圧生成回路３３０から出力された電圧ＶＤＤを用いて集積回路３１０を加熱することができる。
【００３０】
熱センサ２２と加熱素子３２０のそれぞれは、制御回路から出力された制御信号のそれぞれに応答してイネーブルまたはディセーブルされる。加熱素子３２０が、図３に示された加熱素子２４として具現され、マスク回路２４−１が、加熱素子３２０に入力される制御信号、比較信号ＥＮ、及びクロック信号ＣＬＫを受信するＡＮＤゲートとして具現され、制御信号ＣＴ２と比較信号ＥＮのそれぞれが、ハイレベルである時、クロック信号ＣＬＫは、インバータＩＮＶ１に供給されうる。
【００３１】
図７は、図１の方法を行う集積回路システムのさらに他の実施形態を示す。図７を参照すると、集積回路システム４００は、集積回路４１０と熱センサ４２０とを含む。例えば、集積回路システム４００は、ＰＣＢを意味する。
熱センサ４２０は、集積回路４１０の周辺温度を感知し、該感知された温度と基準温度とを互いに比較し、比較信号ＥＮを生成させる。集積回路４１０は、ＣＰＵ２０、加熱素子２４、電圧レギュレータ２６、及びＰＬＬ２７を含む。
【００３２】
集積回路４１０の内部に具現された加熱素子２４は、比較信号ＥＮに基づいてイネーブルまたはディセーブルされる。実施形態によって、比較信号ＥＮに基づいてイネーブルされた加熱素子２４は、電圧生成回路２６から出力された電圧ＶＤＤを用いて集積回路４１０を加熱することができる。他の実施形態によって、加熱素子２４は、クロック信号ＣＬＫを用いて集積回路４１０を加熱することができる。熱センサ４２０と加熱素子２４のそれぞれは、制御回路から出力された制御信号のそれぞれに応答してイネーブルまたはディセーブルされる。図２から図７を参照して説明したように、加熱素子２４、２２０、または３２０の個数と配置方法は、多様に変形されうる。
【００３３】
図８は、図１の方法を行う集積回路システムのさらに他の実施形態を示す。図８を参照すると、集積回路システム１０１は、集積回路１１１、電圧生成回路１２０、クロックソース１２２、及び制御回路１３０を含む。実施形態によって、集積回路システム１０１は、ＰＣＢを意味し、該ＰＣＢは、多様な電子回路に使用または内蔵されうる。
集積回路１１１は、ＣＰＵ２０、熱センサ２２、加熱素子２４、制御ピン２８、ＰＬＬ１１３、及び選択回路１１５を含む。
【００３４】
選択回路１１５は、選択信号ＳＥＬによって互いに異なるクロックソース１１３、１２２のそれぞれから出力されたソースクロック信号ＣＬＫ１、ＣＬＫ２を選択的に加熱素子２４に供給することができる。すなわち、比較信号ＥＮによってイネーブルされた加熱素子２４は、選択回路１１５から出力されたクロック信号ＣＬＫによって集積回路１１１を加熱することができる。例えば、ＣＰＵ２０は、熱センサ２２から出力された情報に基づいて選択信号ＳＥＬを生成することができる。ＰＬＬ１１３は、図４のＰＬＬ２７と同様に加熱素子２４に供給されるクロック信号ＣＬＫ１を生成することができる。
集積回路１０または各集積回路システム１００、２００、３００、４００、または１０１は、前述したパッケージにパッケージングされうる。
【００３５】
図９は、図１の方法を行う電子装置を含む自動車を示す。図９を参照すると、自動車５００は、電子制御ユニット（ＥＣＵ）５００を含む。ＥＣＵ５００は、集積回路１０または集積回路システム１００、２００、３００、４００、または１０１を含みうる。
ＥＣＵ５１０は、ＥＣＭ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ／Ｅｎｇｉｎｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｍｏｄｕｌｅ）、ＰＣＭ（Ｐｏｗｅｒｔｒａｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｍｏｄｕｌｅ）、ＴＣＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｍｏｄｕｌｅ）、ＢＣＭ（Ｂｒａｋｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｍｏｄｕｌｅ）、ＣＣＭ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｍｏｄｕｌｅ）、ＣＴＭ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｔｉｍｉｎｇ  Ｍｏｄｕｌｅ）、ＧＥＭ（Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍｏｄｕｌｅ）、ＢＣＭ（Ｂｏｄｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｍｏｄｕｌｅ）、及び／またはＳＣＭ（Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｍｏｄｕｌｅ）を含みうる。
【００３６】
例えば、自動車５００が寒い地方にあり、ＥＣＵ５１０が動作する時、動作途中で、熱センサ２２は、集積回路１０または集積回路システム１００、２００、３００、４００、または１０１の温度を感知し、該感知結果によって、加熱素子２４、２２０、または３２０を動作させて集積回路１０または集積回路システム１００、２００、３００、４００、または１０１の温度を基準温度まで迅速に上昇させることができる。
集積回路１０または集積回路システム１００、２００、３００、４００、または１０１は、カーナビゲーションシステムに内蔵されることもある。
【００３７】
図１０は、図１の方法を行う電子装置を含む携帯用装置を示す。図１０に示された携帯用装置６００は、下位ハウジング（ｌｏｗｅｒ  ｈｏｕｓｉｎｇ）６０１、集積回路または集積回路システム６１０、ディスプレイパネル６０３、タッチスクリーン（ｔｏｕｃｈｓｃｒｅｅｎ）６０５、及び上位ハウジング（ｕｐｐｅｒ  ｈｏｕｓｉｎｇ）６０７を含む。
集積回路または集積回路システム６１０は、熱センサ２２と加熱素子２４とを含む集積回路１０または集積回路システム１００、２００、３００、４００、または１０１を意味する。上位ハウジング６０７は、イメージセンサ６０９を含む。
【００３８】
携帯用装置６００は、携帯電話、スマートフォン、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）ＰＣ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ＥＤＡ（Ｅｎｔｅｒｐｒｉｓｅ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルスチルカメラ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｔｉｌｌ  Ｃａｍｅｒａ）、デジタルビデオカメラ（Ｄｉｇｉｔａｌ  ＶｉｄｅｏＣａｍｅｒａ）、ＰＭＰ（Ｐｏｒｔａｂｌｅ  Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  Ｐｌａｙｅｒ）、ＰＤＮ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｎａｖｉｇａｔｉｏｎ  ＤｅｖｉｃｅまたはＰｏｒｔａｂｌｅＮａｖｉｇａｔｉｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ）、携帯用ゲームコンソール（ｈａｎｄｈｅｌｄ  ｇａｍｅ  ｃｏｎｓｏｌｅ）、またはイーブック（ｅ−ｂｏｏｋ）として具現可能である。
【００３９】
本発明の概念による集積回路１０または集積回路システム１００、２００、３００、４００、または１０１を含む電子装置は、図９と図１０において例示的に説明したもの以外に、あらゆる電子装置に使われる。特に、南極、北極、または寒い地方で使われるあらゆる電子装置に適用されうる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、集積回路と、該集積回路を含む電子装置とに使用可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１０、１１０、１１１、２１０、３１０、及び４１０：集積回路
２０：ＣＰＵ
２２、４２０：熱センサ
２４、２２０、３２０：加熱素子
２６：電圧レギュレータ
２７、１１３：位相同期ループ
１２０、３３０：電圧生成回路
１３０、２３０：制御回路
５１０：ＥＣＵ
６００：携帯用装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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