(57)【要約】【課題】簡易な構成で視感度特性に近似した分高感度特性を得ることができる光センサを提供すること。【解決手段】光センサ１００は、フォトダイオードＰＤ１及びＰＤ３を有する。フォトダイオードＰＤ１は、カソードが電極Ｎ１と接続され、感度曲線のピークが可視領域に存在し、受光した光の強度に応じた大きさの逆電流である電流Ｉ１を出力する、フォトダイオードＰＤ３は、感度曲線のピークが赤外領域に存在し、カソードがフォトダイオードＰＤ１のアノード及び電極Ｎ２と接続され、アノードが電極Ｐ２と接続され、受光した光の強度に応じた大きさの逆電流である電流Ｉ３を出力する。電流Ｉ３は、赤外領域において、電流Ｉ１よりも大きな電流値を有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
負極が第１の電極と接続され、受光した光の強度に応じた大きさの逆電流である第１の電流信号を出力する、感度曲線のピークが可視領域に存在する第１の受光素子と、
負極が前記第１の受光素子の正極及び第２の電極と接続され、正極が第３の電極と接続され、受光した光の強度に応じた大きさの逆電流である第２の電流信号を出力する、感度曲線のピークが赤外領域に存在する第２の受光素子と、を備え、
前記第２の電流信号は、赤外領域において、前記第１の電流信号よりも大きな電流値を有する、
光センサ。
【請求項２】
前記第１の受光素子は、第１のフォトダイオードであり、
前記第２の受光素子は、第２のフォトダイオードである、
請求項１に記載の光センサ。
【請求項３】
前記第１のフォトダイオードは、前記第２のフォトダイオードよりも面積が小さい、
請求項２に記載の光センサ。
【請求項４】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された、前記第１導電型とは反対の第２の導電型の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の一部に形成された、前記第１導電型の第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に形成された、前記第２導電型の第３の半導体層と、を備え、
前記第１のフォトダイオードは、前記第２の半導体層と前記第３の半導体層からなるｐｎ接合を用いて構成されるｐｎ接合フォトダイオードであり、
前記第２のフォトダイオードは、前記半導体基板と前記第１の半導体層からなるｐｎ接合を用いて構成されるｐｎ接合フォトダイオードである、
請求項３に記載の光センサ。
【請求項５】
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とは、電気的に短絡される、
請求項４に記載の光センサ。
【請求項６】
前記半導体基板、前記第１乃至３の半導体層はシリコンにより構成される、
請求項４に記載の光センサ。
【請求項７】
前記第１のフォトダイオード及び前記第２のフォトダイオード上には、赤外線反射膜が形成される、
請求項４に記載の光センサ。
【請求項８】
前記赤外線反射膜は、ポリシリコンにより構成される、
請求項７に記載の光センサ。
【請求項９】
前記赤外領域は、波長が７６０ｎｍ以上の波長範囲である、
請求項１に記載の光センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光センサに関し、例えば感度補正機能を有する光センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、様々な機器にフォトダイオードなどを用いた光センサが搭載されている。光センサで光の照度を検知することにより、例えばカメラの絞りなどの機器の作動状態を調整することが可能である。この際、光センサの光感度は、機器を操作する人間の視感度に合わせる必要がある。
【０００３】
ところが、フォトダイオードなどの半導体で構成される受光素子は、一般に赤外線などの可視光以外の波長領域の光にも強い感度を有する。そのため、フォトダイオードなどを用いた光センサでは、人間の視感度に合わせるための視感度補正が行われる。
【０００４】
例えば、フォトダイオードの受光部上に赤外線の反射率が高い保護膜を形成することにより、赤外線に対する光感度を抑制する視感度補正手法が提案されている（特許文献１）。また、受光用のフォトダイオードの出力から補正用フォトダイオードの出力を差し引く演算を行うことにより、視感度補正を行う手法も提案されている（特許文献２）。同様に、並列に接続した２つのフォトダイオードの出力電流を、増幅回路、演算回路を用いて演算を行い、分光感度特性を制御する受光素子が提案されている（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−７９４９４号公報
【特許文献２】特開２００６−３５１６１６号公報
【特許文献３】特開２００４−６６９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、発明者は、上述の手法には、以下に示す問題点があることを見出した。特許文献１にあるように赤外線の反射率が高い保護膜を設けたとしても、赤外波長領域の光を１００％反射できるわけではない。つまり、保護膜のみでは、視感度に十分近い分光感度特性を実現できない。また、特許文献２及び３のように、演算により視感度に近い分光感度特性を得る手法では、演算回路が必要である。このため、特許文献１のような構成と比べて、チップ面積が増大し、製造コストも増大してしまう。
【０００７】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施の形態によれば、光センサは、負極が第１の電極と接続され、第１の電流信号を出力する、感度曲線のピークが可視領域に存在する第１の受光素子と、負極が前記第１の受光素子の正極及び第２の電極と接続され、正極が第３の電極と接続され、第２の電流信号を出力する、感度曲線のピークが赤外領域に存在する第２の受光素子と、を備え、前記第２の電流信号は、赤外領域において、前記第１の電流信号よりも大きな電流値を有するものである。
【発明の効果】
【０００９】
一実施の形態によれば、簡易な構成で視感度特性に近似した分光感度特性を得ることができる光センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１にかかる光センサ１００の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】実施の形態１にかかる光センサ１００におけるフォトダイオードＰＤ１〜ＰＤ３の接続関係を示す回路図である。
【図３】実施の形態１にかかる光センサ１００におけるフォトダイオードＰＤ１及びＰＤ３の接続関係を示す等価回路図である。
【図４Ａ】実施の形態１にかかる光センサ１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図４Ｂ】実施の形態１にかかる光センサ１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図４Ｃ】実施の形態１にかかる光センサ１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図４Ｄ】実施の形態１にかかる光センサ１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図４Ｅ】実施の形態１にかかる光センサ１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図５】実施の形態１にかかる光センサ１００に可視光が照射される場合の電流の流れを示す光センサ１００の回路図である。
【図６】実施の形態１にかかる光センサ１００に赤外光が照射される場合の電流の流れを示す光センサ１００の回路図である。
【図７】実施の形態１にかかる光センサ１００の分光特性を示すグラフである。
【図８】実施の形態２にかかる光センサ２００の構成を模式的に示す断面図である。
【図９】実施の形態２にかかる光センサ２００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図１０】実施の形態２にかかる光センサ２００の分光特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。
【００１２】
実施の形態１
まず、実施の形態１にかかる光センサ１００について説明する。図１は、実施の形態１にかかる光センサ１００の構成を模式的に示す断面図である。光センサ１００では、ｐ型シリコン基板１上に、ｎ型シリコン層２が積層される。ｎ型シリコン層２上には、ｎ型シリコン層３とｐ型シリコン層４とが、離間して形成される。ｎ型シリコン層３上には、ｎ型シリコン層５が形成される。ｐ型シリコン層４の上には、ｎ型シリコン層６が形成される。
【００１３】
なお、ｎ型シリコン層２、ｎ型シリコン層３及びｎ型シリコン層５は、物理的に異なる層ではなく、連続した一体の層として構成される。以下では、説明の都合上、ｎ型シリコン層２、ｎ型シリコン層３及びｎ型シリコン層５を、それぞれ分けて記載する。
【００１４】
ｎ型シリコン層５及び６上には、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜７が形成される。なお、ｎ型シリコン層３及びｎ型シリコン層５と、ｐ型シリコン層４及びｎ型シリコン層６と、の間は、開口部１０により離間されている。酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜７は、開口部１０を埋め込むように形成される。酸化シリコン（ＳｉＯ２）７膜上には、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜８が形成される。窒化シリコン（ＳｉＮ）膜８上には、エポキシ樹脂膜９が形成される。本構成では、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜７の厚みは、例えば１０ｎｍである。窒化シリコン（ＳｉＮ）膜８の厚みは、例えば８０ｎｍである
【００１５】
光センサ１００では、ｎ型シリコン層６とｐ型シリコン層４との間のｎｐ接合により、可視領域のフォトダイオードＰＤ１が構成される。ｐ型シリコン層４とｎ型シリコン層２との間のｐｎ接合により、可視と赤外の中間領域に感度を有するフォトダイオードＰＤ２が構成される。ｎ型シリコン層２とｐ型シリコン基板１との間のｎｐ接合により、赤外領域のフォトダイオードＰＤ３が構成される。なお、ここでいう赤外領域とは、波長７６０ｎｍ以上の波長領域を指す。なお、可視領域のフォトダイオードＰＤ１とは、感度曲線のピークが可視領域に存在するフォトダイオードであることを意味する。可視と赤外の中間領域に感度を有するフォトダイオードＰＤ２とは、感度曲線のピークが可視と赤外の中間領域に感度を有するフォトダイオードであることを意味する。赤外領域のフォトダイオードＰＤ３とは、感度曲線のピークが赤外領域に存在するフォトダイオードであることを意味する。
【００１６】
光センサ１００は、開口部１０を挟んで、２つの領域Ａ１及びＡ２に分けることができる。領域Ａ１は、ｐ型シリコン層４が形成されていない領域である。つまり、領域Ａ１には、赤外領域のフォトダイオードＰＤ３の一部のみが存在する。領域Ａ２は、ｐ型シリコン層４が形成されている領域である。つまり、領域Ａ２には、可視領域のフォトダイオードＰＤ１及び可視と赤外の中間領域に感度を有するフォトダイオードＰＤ２と、赤外領域のフォトダイオードＰＤ３の一部と、が存在する。つまり、光センサ１００では、赤外領域のフォトダイオードＰＤ３の面積は、可視領域のフォトダイオードＰＤ１及び可視と赤外の中間領域に感度を有するフォトダイオードＰＤ２の面積よりも大きいことが理解できる。
【００１７】
なお、光センサ１００では、ｐ型シリコン層４とｎ型シリコン層６とは、短絡される。従って、実質的には、光センサ１００は、フォトダイオードＰＤ１及びＰＤ３を有する光センサとして機能する。
【００１８】
図２は、実施の形態１にかかる光センサ１００におけるフォトダイオードＰＤ１〜ＰＤ３の接続関係を示す回路図である。フォトダイオードＰＤ１のカソードは、電極Ｎ１と接続される。フォトダイオードＰＤ１のアノードは、電極Ｐ１と接続される。
【００１９】
フォトダイオードＰＤ２のアノードは、電極Ｐ１と接続される。フォトダイオードＰＤ２のカソードは、電極Ｎ２と接続される。なお、電極Ｐ１と電極Ｎ２との間は、短絡されている。フォトダイオードＰＤ３のカソードは、電極Ｎ２と接続される。フォトダイオードＰＤ３のアノードは、電極Ｐ２と接続される。
【００２０】
図３は、実施の形態１にかかる光センサ１００におけるフォトダイオードＰＤ１及びＰＤ３の接続関係を示す等価回路図である。図２において、電極Ｐ１と電極Ｎ２との間は、短絡されている。よって、図２に示す回路は、フォトダイオードＰＤ２を削除した等価回路として取り扱うことができる。よって、図３に示すように、フォトダイオードＰＤ１及びＰＤ３のみが存在する回路として取り扱えばよい。
【００２１】
続いて、光センサ１００の製造方法について説明する。図４Ａ〜４Ｅは、実施の形態１にかかる光センサ１００の製造工程を模式的に示す断面図である。まず、例えば結晶成長により、ｐ型シリコン基板１上にｎ型シリコン層２を成長させる（図４Ａ）。
【００２２】
ｎ型シリコン層２上の一部領域に、例えばリソグラフィにより、フォトレジスト２１を形成する。そして、フォトレジスト２１をマスクとして、例えばイオン注入により、ｐ型シリコン層４を形成する（図４Ｂ）。
【００２３】
フォトレジスト２１を除去した後、例えば全面にイオン注入を行うことにより、ｐ型シリコン層４の上部に、ｎ型シリコン層６を形成する。なお、上述のように、説明の都合上、ｎ型シリコン層２のうち、ｐ型シリコン層４に対応する領域をｎ型シリコン層３、ｎ型シリコン層６に対応する領域をｎ型シリコン層５と称する（図４Ｃ）。
【００２４】
ｎ型シリコン層５及び６上に、例えばリソグラフィにより、ｎ型シリコン層５とｎ型シリコン層６の境界近傍に開口を有するフォトレジスト２２を形成する。そして、フォトレジスト２２をマスクとして、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などのドライエッチングを行う。これにより、開口部のｐ型シリコン層４、ｎ型シリコン層３、５及び６が除去され、開口部１０が形成される（図４Ｄ）。
【００２５】
フォトレジスト２２を除去した後、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、開口部１０を埋め込むように、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜７を堆積させる。そして、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜７上に窒化シリコン（ＳｉＮ）膜８を堆積させる（図４Ｅ）。
【００２６】
その後、エポキシ樹脂膜９や、電極Ｐ１、Ｐ２、Ｎ１及びＮ２（図示せず）を接続するための工程を経て、光センサ１００を作製することができる。
【００２７】
続いて、光センサ１００の動作について説明する。図５は、実施の形態１にかかる光センサ１００に可視光が照射される場合の電流の流れを示す光センサ１００の回路図である。
【００２８】
光センサ１００に可視光が照射されると、フォトダイオードＰＤ１のカソードからアノードへ、電流Ｉ１が流れる。しかし、フォトダイオードＰＤ３は可視光に対する感度が小さいので、ほとんど電流が流れない。よって、電極Ｎ２には、フォトダイオードＰＤ１から外部へ流れだす方向で、電流Ｉ１が流れる。
【００２９】
図６は、実施の形態１にかかる光センサ１００に赤外光が照射される場合の電流の流れを示す光センサ１００の回路図である。光センサ１００に赤外光が照射されると、フォトダイオードＰＤ１のカソードからアノードへ、電流Ｉ１が流れる。また、フォトダイオードＰＤ３のカソードからアノードへ、電流Ｉ３が流れる。上述のように、フォトダイオードＰＤ３の面積は、フォトダイオードＰＤ１の面積よりも大きい。そのため、同じ照度の赤外光を受光する場合には、フォトダイオードＰＤ３に流れる電流Ｉ３は、電流Ｉ１よりも大きな電流となる。よって、電極Ｎ２には、外部からフォトダイオードＰＤ３へ流れ込む方向で、電流（Ｉ３−Ｉ１）が流れる。
【００３０】
つまり、光センサ１００は、照射される光が可視光であるか赤外光であるかによって、電極Ｎ２に流れる電流の方向が逆転する。
【００３１】
図７は、実施の形態１にかかる光センサ１００の分光特性を示すグラフである。図７の縦軸は光センサ１００の光の相対感度を示し、横軸は光の波長を示す。図７では、光センサ１００の分光特性を線Ｌ１、視感度曲線をＬ１１、ＰＤ１とＰＤ３とが同じ面積の場合の光センサの分光特性を比較例として線Ｌ１２にて表示している。相対感度は、電極Ｎ２における電流の大きさを計測することで求めることが可能である。図７では、光センサ１００において、電極Ｎ２から外部へ電流Ｉ１が流れ出す場合（図５）の相対感度の符号を＋、外部から電極Ｎ２へ電流（Ｉ３−Ｉ１）が流れ込む場合（図６）の相対感度の符号を−としている。
【００３２】
光の波長が１０００ｎｍ近傍の赤外領域では、光センサ１００には、電流（Ｉ３−Ｉ１）が流れる。このとき、図７に示すように、相対感度の符号は−となるため、赤外領域における相対感度は負の値となる。その結果、光センサ１００の分光特性（線Ｌ１）を、比較例の分光特性（線Ｌ１２）よりも視感度曲線（線Ｌ１１）に近づけることができる。
【００３３】
よって、光センサ１００に赤外線が含まれる光が照射されても、光センサ１００の赤外線に対する感度が抑制できる。これにより、光センサの光感度を、赤外線を感知できない人間の視感度に近似させることができる。
【００３４】
以上、本構成によれば、フォトダイオードを２個用いた簡易な構成により、視感度に近似した光感度を有する光センサを提供することができる。これにより、赤外線を遮断する層や、回路規模の大きな演算回路を用いることなく、視感度に近似した光感度を有する光センサを実現できる。よって、視感度に近似した光感度を有する光センサを、より安価かつ容易に製造することが可能となる。また、演算回路の設計開発が不要であるので、開発ＴＡＴ（Turn Around Time）や設計ＴＡＴを短縮できる。
【００３５】
実施の形態２
次に、実施の形態２にかかる光センサ２００について説明する。実施の形態２にかかる光センサ２００は、実施の形態１にかかる光センサ１００の変形例である。図８は、実施の形態２にかかる光センサ２００の構成を模式的に示す断面図である。
【００３６】
光センサ２００は、光センサ１００の窒化シリコン（ＳｉＮ）膜８を除去し、ポリシリコン膜１１及び酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜１２を追加した構成を有する。ポリシリコン膜１１は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜７上に形成される。酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜１２は、ポリシリコン膜１１上に形成される。酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜１２上には、エポキシ樹脂膜９が形成される。本構成では、ポリシリコン膜１１の厚みは、例えば６３ｎｍである。これにより、ポリシリコン膜１１は、赤外光を十分に反射することができる。光センサ２００のその他の構成は、光センサ１００と同様であるので、説明を省略する。
【００３７】
続いて、光センサ２００の製造方法について説明する。開口部１０の形成まで（図４Ａ〜４Ｄ）は、光センサ１００と同様であるので、説明を省略する。以下、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜７の形成以降について説明する。図９は、実施の形態２にかかる光センサ２００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【００３８】
フォトレジスト２２を除去した後、例えばＣＶＤ法により、開口部１０を埋め込むように、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜７を堆積させる。次いで、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜７上にポリシリコン膜１１を堆積させる（図４Ｅ）。そして、例えばＣＶＤ法により、ポリシリコン膜１１上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜１２を堆積させる（図９）。その後、光センサ１００と同様の工程を経て、光センサ２００を作製することができる。
【００３９】
光センサ２００は、ポリシリコン膜１１により、フォトダイオードＰＤ１及びＰＤ３に入射する赤外光の光強度を小さくすることができる。よって、光センサ２００に赤外光が照射されたときに、電極Ｎ２に現れる信号強度（すなわち、電流の大きさ）を低減することができる。その結果、光センサ２００では、光センサ１００と比べて、赤外光に対する感度を低減することができる。
【００４０】
図１０は、実施の形態２にかかる光センサ２００の分光特性を示すグラフである。図１０の縦軸は光センサ２００の光の相対感度を示し、横軸は光の波長を示す。図１０では、光センサ２００の分光特性を線Ｌ２で表示している。また、図１０では図７と同様に、視感度曲線をＬ１１、光センサ１００の分光特性を線Ｌ１で表示している。
【００４１】
光センサ２００は、赤外光の影響を低減することができるので、図１０に示すように、  赤外領域の相対感度を、光センサ１００に比べて、より小さくすることができる。その結果、光センサ１００の分光特性（線Ｌ２）を、光センサ１００の分光特性（線Ｌ１）よりも、より視感度曲線（線Ｌ１１）に近づけることができる。
【００４２】
以上、本構成によれば、赤外線を反射する膜を設けた簡易な構成により、更に視感度に近似した光感度を有する光センサを提供することができる。これにより、実施の形態１と同様に、回路規模の大きな演算回路を用いることなく、視感度に近似した光感度を有する光センサを実現できる。よって、視感度に近似した光感度を有する光センサを、より安価かつ容易に製造することが可能となる。また、演算回路の設計開発が不要であるので、開発ＴＡＴ（Turn Around Time）や設計ＴＡＴを短縮できる。
【００４３】
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述の実施の形態では、光センサがフォトダイオードを有する場合について説明したが、これは例示に過ぎない。すなわち、フォトトランジスタなどの他の半導体受光素子を有する光センサとして構成することも可能である。
【００４４】
上述の実施の形態では、光センサの半導体層はシリコンにより構成されているが、これは例示に過ぎない。よって、光センサの半導体層は、シリコン以外の単結晶半導体や化合物半導体混晶を用いて構成することが可能である。
【００４５】
上述の実施の形態では、光センサの酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜７及び１２の一方又は両方を、適宜窒化シリコン（ＳｉＮ）膜や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜などの別の絶縁膜に置換することも可能である。また、光センサの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜８を、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜などの別の絶縁膜に置換することもかのうである。光センサのエポキシ樹脂膜９を、他の樹脂膜などの別の絶縁膜に置換することが可能である。
【００４６】
光センサ２００のポリシリコン膜１１は、赤外線を反射できるならば、適宜ポリシリコン以外の組成を有する膜に置換することができる。また、ポリシリコン膜１１が形成される位置は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜７と酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜１２との間に限られず、ｎ型シリコン層６の上部に形成することにより、好適に赤外光を反射し、フォトダイオードＰＤ１及びＰＤ３に入射する赤外光を低減することが可能である。
【００４７】
上述では、半導体積層構造を有する光センサについて説明したが、可視領域のフォトダイオードＰＤ１及び赤外領域のフォトダイオードＰＤ３を形成し、図２に示す接続関係とできるならば、他の積層構造を適用することが可能である。また、図２に示す接続関係とできるならば、可視領域のフォトダイオードＰＤ１及び赤外領域のフォトダイオードＰＤ３は、縦積以外の配置とすることも可能である。さらに、上述では、主に可視光に感度を有する光センサについて説明したが、紫外領域に感度を有するフォトダイオードＰＤ１及び赤外領域のフォトダイオードＰＤ３を設計、形成すれば、紫外領域を検知する光センサが実現可能であることはいうまでもない。
【００４８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は既に述べた実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００４９】
１  ｐ型シリコン基板
２、３、５、６  ｎ型シリコン層
４  ｐ型シリコン層
７、１２  酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜
８  窒化シリコン（ＳｉＮ）膜
９  エポキシ樹脂膜
１０  開口部
１１  ポリシリコン膜
２１、２２  フォトレジスト
１００、２００  光センサ
Ｎ１、Ｎ２、Ｐ１、Ｐ２  電極
ＰＤ１〜ＰＤ３  フォトダイオード
【図１】
2013239583.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
2013239583.tif 000009
【図４Ｅ】
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【図５】
2013239583.tif 000011
【図６】
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【図７】
2013239583.tif 000013
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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