(57)【要約】【課題】本発明によれば、例えば、記憶装置の交換時期を判定し、通知する手段を備えたリソグラフィー装置を提供する。【解決手段】リソグラフィー装置は、基板の処理を行う構成要素を含み、構成要素を制御する制御回路と、制御回路を介して、構成要素のシーケンスを制御する第１制御部９ａと、制御回路または第１制御部９ａから出力された、構成要素の動作に関する記録情報を一時的に保存するバッファメモリ１３と、バッファメモリ１３に保存された記録情報を蓄積する記録装置１４と、バッファメモリ１３から記録装置１４に移行させる際にバッファメモリ１３に保存されている記録情報の量に基づいて、記録情報が記録装置１４に書き込まれる速度の遅延を判定して外部に通知する第２制御部９ｂとを有することを特徴とする。【選択図】図１
2013235929.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理を行う構成要素を含むリソグラフィー装置であって、
前記構成要素を制御する制御回路と、
前記制御回路を介して、前記構成要素のシーケンスを制御する第１制御部と、
前記制御回路または前記第１制御部から出力された、前記構成要素の動作に関する記録情報を一時的に保存するバッファメモリと、
前記バッファメモリに保存された前記記録情報を蓄積する記録装置と、
前記バッファメモリから前記記録装置に移行させる際に前記バッファメモリに保存されている前記記録情報の量に基づいて、前記記録情報が前記記録装置に書き込まれる速度の遅延を判定して外部に通知する第２制御部と、
を有することを特徴とするリソグラフィー装置。
【請求項２】
前記第２制御部は、前記バッファメモリに保存されている前記記録情報の量と、任意に設定された閾値とを比較することによって、前記遅延を判定することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィー装置。
【請求項３】
前記第２制御部は、前記通知を、画面への表示、特定のファイルへの記録、またはネットワーク回線による開示の少なくともいずれか１つにより実行させることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィー装置。
【請求項４】
リソグラフィー装置の記録装置の交換時期判定方法であって、
基板の処理を行う構成要素から出力された、前記構成要素の動作に関する記録情報をバッファメモリに一時的に保存する工程と、
前記バッファメモリに保存された前記記録情報を前記記録装置に蓄積する工程と、
前記バッファメモリから前記記録装置に移行させる際に前記バッファメモリに保存されている前記記録情報の量に基づいて、前記記録情報の前記記録装置に書き込まれる速度の遅延を判定して外部に通知する工程と、
を含むことを特徴とする交換時期判定方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
その露光した基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィー装置及びその記録装置の交換時期判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置などのリソグラフィー装置は半導体デバイスや液晶表示装置などの製造工程に含まれるリソグラフィー工程において基板上に所望のパターンを形成する。例えば、露光装置は、原版（レチクルやマスク）のパターンを、投影光学系を介して感光性の基板（表面にレジスト層が形成されたウエハやガラスプレートなど）に転写する。インプリント装置および露光装置などを含む半導体製造装置は多数の制御ユニットを有し、その制御ユニットでは複数のユニット制御プログラム、および全体シーケンスを制御する制御プログラムなどが並行して動作し装置を制御する。これら制御プログラムは、制御に関する各ユニットの動作状況や計測情報、シーケンス情報など多種大量のログデータを出力する。これらのログデータは装置ホストコンピュータに通知されるデータを含んでおり、装置の稼動に必須である。通常、制御装置は記憶装置を備えており上記ログデータを記憶装置に書き込み、記憶する。特許文献１では、露光装置において、ログ情報を外部の記憶装置に出力するデータ出力制御方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−０８３７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、一般的に使用される半導体製造装置は、長期間、例えば１０年以上２４時間連続して駆動させることがあり、その間各種ログデータは記憶装置に書き込まれ続けている。記憶装置、例えばハードディスクに故障が発生したり、あるいは長期間の使用で寿命となってしまった場合には、ハードディスクユニットを交換する必要がある。しかし、従来の技術では故障、寿命を予期することができず、予期しない装置停止を招き、生産性を著しく低下させることがあった。また、半導体製造装置の記憶装置内のログデータの量が増え、一定量を超えると記憶装置のパフォーマンスが半導体製造装置の許容範囲を超えてしまい生産性が低下することがあった。
【０００５】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、例えば、記憶装置の交換時期を判定し、通知する手段を備えたリソグラフィー装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、基板の処理を行う構成要素を含み、構成要素を制御する制御回路と、制御回路を介して、構成要素のシーケンスを制御する第１制御部と、制御回路または第１制御部から出力された、構成要素の動作に関する記録情報を一時的に保存するバッファメモリと、バッファメモリに保存された記録情報を蓄積する記録装置と、バッファメモリから記録装置に移行させる際にバッファメモリに保存されている記録情報の量に基づいて、記録情報が記録装置に書き込まれる速度の遅延を判定して外部に通知する第２制御部とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、例えば、記憶装置の交換時期を判定し、通知する手段を備えたリソグラフィー装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体露光装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る制御プログラムの構成を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る通知手段の流れを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１０】
まず、本発明の一実施形態に係るリソグラフィー装置の構成について説明する。このリソグラフィー装置は、半導体デバイスや液晶表示装置などの製造工程のうちのリソグラフィー工程にて使用される装置であり、本実施形態では基板（被処理基板）であるウエハやガラスプレートに対して露光処理を施す露光装置とする。図１は、本実施形態に係る露光装置１の構成を示す概略図である。なお、図１において、投影光学系の光軸に平行にＺ軸を取り、該Ｚ軸に垂直な平面内で走査露光時のウエハの走査方向にＹ軸を取り、該Ｙ軸に直交する非走査方向にＸ軸を取って説明する。この露光装置１は、まず、照明光学系２と、レチクル３を保持するレチクルステージ４と、投影光学系５と、ウエハ６を保持するウエハステージ７と、制御部８とを備える。
【００１１】
照明光学系（照明系）２は、例えば、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、または絞りなどの光学素子を含み、不図示の光源から照射された光を調整してレチクル３を照明する。光源としては、例えばパルス光源（レーザー）を使用する。使用可能なレーザーは、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーや、波長約１５３ｎｍのＦ２エキシマレーザーなどである。なお、レーザーの種類は、エキシマレーザーに限定されず、ＹＡＧレーザーなどを使用しても良く、レーザーの個数も限定されない。また、光源にレーザーが使用される場合には、レーザー光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系や、コヒーレントなレーザーをインコヒーレント化するインコヒーレント光学系を使用することが望ましい。さらに、使用可能な光源は、パルス光源に限定されるものではなく、一または複数の水銀ランプやキセノンランプなどの連続光源も使用可能である。
【００１２】
レチクル３は、例えば石英ガラス製の原版であり、転写されるべきパターン（例えば回路パターン）が形成されている。レチクルステージ４は、レチクル３を保持しつつ、ＸＹ軸方向に移動可能とする。投影光学系５は、照明光学系２からの照射光で照明されたレチクル３上のパターンを所定の倍率（例えば１／２〜１／５）でウエハ６上に投影露光する。投影光学系５としては、複数の光学要素のみから構成される光学系や、複数の光学要素と少なくとも１枚の凹面鏡とから構成される光学系（カタディオプトリック光学系）が採用可能である。または、投影光学系５として、複数の光学要素と少なくとも１枚のキノフォームなどの回折光学要素とから構成される光学系や、全ミラー型の光学系なども採用可能である。
【００１３】
ウエハ６は、表面上にレジストが塗布された、例えば単結晶シリコンからなる基板である。ウエハステージ（基板保持部）７は、ウエハ６を載置、および保持しつつ、ＸＹ軸方向に移動可能とする。
【００１４】
制御部８は、露光装置１の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。この制御部８は、例えばコンピュータなどで構成され、露光装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。なお、制御部８は、露光装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、露光装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００１５】
制御部８は、主制御部９と、制御回路と、バッファメモリ（バッファ）１３と、記憶装置１４と、表示部１５とを有する。主制御部９は、シーケンス制御プログラム９ａ（第１制御部）およびログ書き込みプログラム９ｂ（第２制御部）を有し、制御回路は、ユニット制御プログラム１０ａ、１１ａ、１２ａを各々有する。本実施形態において、第１〜第３の制御回路１０、１１、１２は、それぞれ、照明光学系２、レチクルステージ４、ウエハステージ７に接続され、各ユニット制御プログラム１０ａ、１１ａ、１２ａがそれぞれの機構を制御する。シーケンス制御プログラム９ａは、各ユニット制御プログラム１０ａ、１１ａ、１２ａに指令を出し、露光制御シーケンスを制御する。表示部１５は、ユーザーなど装置の外部に情報を開示する指令を出す機能を有する。なお、本実施形態においては、３つの制御回路１０、１１、１２を有する露光装置を一例として記載したが、これに限定されず、制御回路の個数は、１つ以上あれば良い。
【００１６】
ログ書き込みプログラム９ｂは、図２に示すように、多数の制御プログラムが生成したログデータを記録情報として、受信するよう構成される。ログ書き込みプログラム９ｂの制御に従い、受信されたログデータはメモリ上のバッファ１３に一時的に保存され、その後、記憶装置１４に書き込まれる。ログ書き込みプログラム９ｂには、バッファカウンタが設置され、バッファ内のログデータ量としてバッファカウンタ値１３ａを検出する。
【００１７】
通常、バッファ１３に蓄積したログの量はＣＰＵリソースの負荷に依存し量が変化するが、記憶装置１４のパフォーマンスが低下すると徐々にバッファ１３に蓄積するログデータ量が増加する。そこで、ログデータ量に対して閾値１３ｂを設定し、ログデータ量が閾値１３ｂ以上になった場合に、ユーザーに通知するよう制御する。この通知を画面に表示することにより、バッファ１３に蓄積したログデータ量が閾値１３ｂを超えたこと、すなわち、記憶装置１４のパフォーマンスが低下したことを知ることができる。また、記憶装置１４は、寿命や故障の前には、パフォーマンスが低下することが想定され、ログデータのバッファ量と閾値１３ｂとを比較することにより、記憶装置１４の交換時期が近づいてきていることも知ることができる。また、記憶装置１４が露光装置１として適したパフォーマンスの範囲外となり生産性が低下している状況を知ることができる。
【００１８】
以上のようなシステムにより、記憶装置１４のパフォーマンス低下を検知することが可能になり、記憶装置１４が故障する前に、記憶装置１４を計画的に交換し予期せぬ生産性の低下を防ぐことが可能となる。また、本実施形態においては、ユーザーが任意の閾値１３ｂを設定すること、すなわち遅延の許容範囲の設定をすることができる。そのため、パフォーマンスの低下を検知した際にすぐに記憶装置１４を交換するといった選択肢のみならず、生産性に影響がない範囲で記憶装置１４を継続して使用するような柔軟な運用も可能になる。なお、バッファ１３、記憶装置１４、表示部１５は制御部８内に（共通の筐体内に）構成してもよいし、制御部８とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００１９】
次に、本実施形態のリソグラフィー装置におけるログデータの書き込み動作について説明する。露光シーケンスが実行されると、各ユニット制御プログラム１０ａ、１１ａ、１２ａ及びシーケンス制御プログラム９ａは、露光の各種条件やユニットの位置情報、位置合わせ情報、露光量、シーケンス進行状況などの大量のログデータを生成する。ログデータは、まず各制御プログラムから、ログ書き込みプログラム９ｂへ送信される。他の制御プログラムの起動が優先されるため、ログ書き込みプログラム９ｂは記憶装置１４への書き込み処理を、他の制御プログラムがＩ／Ｏ待ちなどで動作していない時間に実行する。そのため、各ユニット制御プログラムから出力したログデータは、ログ書き込みプログラム９ｂから直接記憶装置１４に書き込まれることはなく、一旦、バッファ１３に書き込まれ、保持される。ログ書き込みプログラム９ｂは、ログデータ量を管理するため、バッファ１３に書き込んだ際に、バッファカウンタは書き込んだログデータのサイズを既存のバッファカウンタ値１３ａに加算する。ログ書き込みプログラム９ｂは、ＣＰＵに対する負荷が低下すると、バッファ１３からログデータを読み出し、記憶装置１４に移行する。その後、ログ書き込みプログラム９ｂは、記憶装置１４内のログデータと重複するバッファ１３内のログデータを削除すると共に、削除したログデータサイズをバッファカウンタ値１３ａから差し引く。
【００２０】
次に、図３に示すフローチャートを用いて、本実施形態のリソグラフィー装置における記憶装置１４のパフォーマンスの低下の判定方法およびその交換時期判定方法を説明する。まず、記憶装置１４のパフォーマンスが劣化していないと判断される時に、初期設定としてバッファカウンタ値１３ａの最大値を記憶する（ステップＳ３００）。ここで、バッファカウンタ値１３ａは、各制御プログラムが生成する単位時間あたりのログデータ量と、ログ書き込みプログラム９ｂが動作する時間および、ログ書き込みプログラム９ｂが記憶装置１４にログデータを書き込む単位時間あたりの量により変化する。各制御プログラムが生成する単位時間あたりのログデータ量およびログ書き込みプログラム９ｂに割り当てられる時間は、シーケンス制御プログラム９ａによる制御状況により変化するが、通常大きな変化ではない。また、記憶装置１４にログデータを書き込む単位時間あたりの量についても、記憶装置１４のパフォーマンスに変化がない限りあまり変わらない。ところが、記憶装置１４のパフォーマンスが落ちてくると、生成されるログデータと割り当てられるＣＰＵ時間に変化がないため、バッファカウンタ値１３ａは増加する。そこで、初期設定としてバッファカウンタ値１３ａの最大値が記憶される。
【００２１】
続いて、設定されたバッファカウンタ値１３ａの最大値に対し、許容する閾値（バッファ閾値）１３ｂを設定する（ステップＳ３０１）。バッファカウンタの最大値は、例えば、生産ロット毎に記憶しておき一日の各ロットの最大値を平均して求めてもよい。一例として、基準の値から、１５０％に設定しておくことも可能である。このバッファ閾値１３ｂは、制御プログラムの速度の遅延の許容範囲を指定して設定することができる。例えば、許容する閾値１３ｂをより大きく設定すれば、より低下したパフォーマンスを許容することになる。
【００２２】
続いて、ログ書き込みプログラム９ｂはログデータを記憶装置１４に書き込む（ステップＳ３０２）。そして、バッファカウンタ値１３ａが、設定した閾値１３ｂを超えたかどうかが判定される（ステップＳ３０３）。バッファカウンタ値１３ａが、設定した閾値１３ｂを超えていない場合はステップＳ３０２に戻る。バッファカウンタ値１３ａが、設定した閾値１３ｂを超えていた場合は、ステップＳ３０４に進む。ログ書き込みプログラム９ｂは、バッファカウンタ値１３ａが、設定した閾値１３ｂを超えた旨のメッセージ、または記憶装置１４の交換時期が近い旨のメッセージを、操作画面に表示する（ステップＳ３０４）。この表示を確認することにより、記憶装置１４のパフォーマンスの低下を判断することができる。この通知手段は上記手段に限定されず、特定のファイルにメッセージを残すことにより、後から確認することも可能であり、またネットワーク回線による開示、例えば電子メールのような手段で通知することも可能である。
【００２３】
以上のように、本実施形態によれば、記憶装置１４のパフォーマンスが低下していることを、検知することが可能となる。そして、予め交換用の記憶装置１４を準備し、装置の生産性に対する影響が少ないと予想される時期に装置を停止し、記憶装置１４の交換を行うことができる。またさらに、バッファ閾値１３ｂを任意に設定することが可能であるため、多少パフォーマンスが低下しても、遅延の許容範囲とみなし、使用する事も可能である。
【００２４】
（他の実施形態）
上記実施形態では、リソグラフィー装置として露光装置を一例に説明したが、本発明のリソグラフィー装置は、これに限定されず、例えばインプリント装置や荷電粒子線描画装置などとすることもできる。まず、インプリント装置は、基板上の未硬化樹脂をモールド（型）により成形して硬化させて、基板上に硬化した樹脂のパターンを形成する装置である。また、荷電粒子線描画装置は、パターニング手段として含まれる電子光学系を介し、荷電粒子線でパターンを基板上に描画する装置である。ともに上記実施形態の構成を適用すれば、上記実施形態と同様の作用、効果を奏する。
【００２５】
（デバイスの製造方法）
次に、本発明の一実施形態のデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイスなど）の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００２６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００２７】
９ａ    第１制御部
９ｂ    第２制御部
１３    バッファ
１４    記憶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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