(57)【要約】【課題】画素ごとに所望の電気容量の蓄積容量を備えた電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器を提供すること。【解決手段】本適用例の電気光学装置の製造方法は、蓄積容量１６の一対の電極のうち一方の電極としての下容量電極１６ａを形成する工程と、下容量電極１６ａの外縁部を覆うスペーサー絶縁膜１３を形成する工程と、下容量電極１６ａとスペーサー絶縁膜１３とを覆って誘電体膜１６ｃを形成する工程と、誘電体膜１６ｃを介して下容量電極１６ａと重なり合うように他方の電極としての上容量電極１６ｂを形成する工程と、を備え、スペーサー絶縁膜１３を形成する工程は、下容量電極１６ａを覆う絶縁膜前駆体１３ａを形成する工程と、パターニングされたレジスト７０を用いて、絶縁膜前駆体１３ａと下容量電極１６ａとを選択的にエッチングしてスペーサー絶縁膜１３を形成し、下容量電極１６ａに凹部１６ａｄを形成する工程と、を含む。【選択図】図９
2013235082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、前記画素ごとに対応して設けられた蓄積容量とを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記蓄積容量の一対の電極のうち一方の電極を形成する工程と、
前記一方の電極に凹部を形成する工程と、
前記凹部が形成された前記一方の電極を覆って誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜を介して前記一方の電極と重なり合うように前記一対の電極のうち他方の電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
複数の画素と、前記画素ごとに対応して設けられた蓄積容量とを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記蓄積容量の一対の電極のうち一方の電極を形成する工程と、
前記一方の電極の外縁部を覆うスペーサー絶縁膜を形成する工程と、
前記一方の電極と前記スペーサー絶縁膜とを覆って誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜を介して前記一方の電極と重なり合うように前記一対の電極のうち他方の電極を形成する工程と、を備え、
前記スペーサー絶縁膜を形成する工程は、前記一方の電極を覆う絶縁膜前駆体を形成する工程と、前記絶縁膜前駆体をレジストで覆い、パターニングされた前記レジストを用いて、前記絶縁膜前駆体と前記一方の電極とを選択的にエッチングして、前記スペーサー絶縁膜を形成すると共に、前記一方の電極に凹部を形成する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記一方の電極を形成する工程は、第１電極層に第２電極層を積層して前記一方の電極を形成し、
前記凹部を形成する工程は、前記第２電極層に前記凹部を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１電極層が金属層であり、前記第２電極層が金属窒化物層であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜前駆体及び前記一方の電極のエッチングはドライエッチングを用いて行われ、
前記絶縁膜前駆体のエッチング用処理ガスと、前記一方の電極の前記第２電極層のエッチング用処理ガスとでは成分が異なることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
複数の画素と、
前記画素ごとに対応して設けられた蓄積容量と、を備え、
前記蓄積容量は、一対の電極と、前記一対の電極間に形成された誘電体膜と、
前記一対の電極のうち一方の電極の一部に形成された凹部と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記蓄積容量は、前記一対の電極のうち前記一方の電極の外縁部と他方の電極との間に形成されたスペーサー絶縁膜を含み、
前記凹部は、前記一方の電極の前記スペーサー絶縁膜で覆われていない部分に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記凹部と前記スペーサー絶縁膜の端部との境界部分は、段差がない連続面を構成していることを特徴とする請求項６または７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記一方の電極は、少なくとも第１電極層と前記第１電極層に積層された第２電極層とを含み、
前記凹部は前記第２電極層に形成されていることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１電極層が金属層であり、前記第２電極層が金属窒化物層であることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置、または請求項６乃至１０のいずれか一項に記載された電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、一方の基板に形成された、画素電極と、該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子としてのトランジスターと、他方の基板に形成され該画素電極に対向する対向電極と、一方の基板と他方の基板と間に挟持された電気光学素子としての液晶層とを備えるアクティブ駆動方式の液晶表示装置が知られている。
このような液晶表示装置では、画像情報に基づいた駆動電位がトランジスターを介して選択的に画素電極に与えられる。与えられた駆動電位は画素電極と対向電極との間に挟まれた液晶層からなる液晶容量によって保持される。また、液晶容量に保持された駆動電位のリークを防ぐ目的で、液晶容量とは別に蓄積容量が設けられる。
【０００３】
例えば特許文献１には、下側電極、誘電体膜、上側電極が順に積層され、下側電極の端面を被覆して上側電極との間に介挿されたスペーサー絶縁膜を含む蓄積容量の構成が開示されている。このような蓄積容量によれば、スペーサー絶縁膜によって下側電極の端面と上側電極の端面との層間距離が増大するので、端面リークが生じ難いとしている。
【０００４】
また、例えば特許文献２には、基板に溝（またはトレンチ凹部）を設け、溝の中に少なくとも一部が形成された保持容量素子が開示されている。この保持容量素子によれば、基板上において保持容量素子を形成する領域が小さくなっても、必要な容量値を確保することができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２７６１１８号公報
【特許文献２】特開２００３−１５２０８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１の蓄積容量は、下側電極の外縁がスペーサー絶縁膜で覆われているため、蓄積容量として寄与する電極面積が小さくなり、所望の電気容量を確保するのが難しいという課題がある。この課題を解決するために、上記特許文献２の保持容量素子の構造を採用することが考えられるが、予め基板に溝を形成する工程が増えるので、電気光学装置の製造工程が複雑になり、生産性が低下してしまうという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、複数の画素と、前記画素ごとに対応して設けられた蓄積容量とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記蓄積容量の一対の電極のうち一方の電極を形成する工程と、前記一方の電極に凹部を形成する工程と、前記凹部が形成された前記一方の電極を覆って誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜を介して前記一方の電極と重なり合うように前記一対の電極のうち他方の電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
この方法によれば、一方の電極に凹部を形成することより、蓄積容量として電気的に機能する電極面積を増やすことができるので、平面視で限られた領域に蓄積容量を形成する場合でも所望の電気容量を有する蓄積容量を備えた電気光学装置を製造することができる。
【００１０】
［適用例２］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、複数の画素と、前記画素ごとに対応して設けられた蓄積容量とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記蓄積容量の一対の電極のうち一方の電極を形成する工程と、前記一方の電極の外縁部を覆うスペーサー絶縁膜を形成する工程と、前記一方の電極と前記スペーサー絶縁膜とを覆って誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜を介して前記一方の電極と重なり合うように前記一対の電極のうち他方の電極を形成する工程と、を備え、前記スペーサー絶縁膜を形成する工程は、前記一方の電極を覆う絶縁膜前駆体を形成する工程と、前記絶縁膜前駆体をレジストで覆い、パターニングされた前記レジストを用いて、前記絶縁膜前駆体と前記一方の電極とを選択的にエッチングして、前記スペーサー絶縁膜を形成すると共に、前記一方の電極に凹部を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
この方法によれば、スペーサー絶縁膜を形成する工程では、スペーサー絶縁膜が形成されると共に、一方の電極に凹部が形成される。一方の電極に凹部を形成することにより、蓄積容量として電気的に機能する電極面積を増やすことができる。また、一方の電極の外縁部がスペーサー絶縁膜で覆われるので、蓄積容量の外縁において一方の電極の端面と他方の電極の端面との距離が広がって、一方の電極の端面と他方の電極の端面との間における電気的なリークが低減される。すなわち、平面視で限られた領域に蓄積容量を形成する場合でも、所望の電気容量を有すると共に安定した電気特性を有する蓄積容量を備えた電気光学装置を効率よく製造することができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記一方の電極を形成する工程は、第１電極層に第２電極層を積層して前記一方の電極を形成し、前記凹部を形成する工程は、前記第２電極層に前記凹部を形成するとしてもよい。
この方法によれば、第１電極層には凹部が形成されないので、第１電極層と第２電極層に跨って凹部を形成する場合に比べて、電気的に安定した蓄積容量を形成することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１電極層が金属層であり、前記第２電極層が金属窒化物層であることが好ましい。
この方法によれば、金属窒化物層は、金属層に比べて化学的に安定しているため、例えば、第１電極層の酸化や損傷を第２電極層によって保護することができる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記絶縁膜前駆体及び前記一方の電極のエッチングはドライエッチングを用いて行われ、前記絶縁膜前駆体のエッチング用処理ガスと、前記一方の電極の前記第２電極層のエッチング用処理ガスとでは成分が異なることを特徴とする。
この方法によれば、絶縁膜前駆体をドライエッチングする場合と、一方の電極の第２電極層をドライエッチングする場合とで、それぞれ適切なエッチング用処理ガスを選択できる。同一のエッチング用処理ガスを用いて絶縁膜前駆体と金属窒化物層で構成された第２電極層とをドライエッチングすることは可能であるものの、とりわけ金属窒化物層のドライエッチングにおいて除去し難い残渣が発生するおそれがある。そこで、金属窒化物のドライエッチング時には残渣が発生し難いエッチング用処理ガスを用いることが好ましい。
【００１５】
［適用例６］本適用例に係る電気光学装置は、複数の画素と、前記画素ごとに対応して設けられた蓄積容量と、を備え、前記蓄積容量は、一対の電極と、前記一対の電極間に形成された誘電体膜と、前記一対の電極のうち一方の電極に形成された凹部と、を有することを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、一方の電極に凹部が形成されているので、蓄積容量として電気的に機能する電極面積が増え、平面視で限られた領域に蓄積容量が形成される場合でも所望の電気容量を有する蓄積容量を備えた電気光学装置を提供することができる。
【００１７】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置において、前記蓄積容量は、前記一対の電極のうち前記一方の電極の外縁部と他方の電極との間に形成されたスペーサー絶縁膜を含み、前記凹部は、前記一方の電極の前記スペーサー絶縁膜で覆われていない部分に設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、一方の電極の外縁部がスペーサー絶縁膜で覆われるので、蓄積容量の外縁において一方の電極の端面と他方の電極の端面との距離が広がって、一方の電極の端面と他方の電極の端面との間における電気的なリークが低減される。すなわち、平面視で限られた領域に蓄積容量が形成される場合でも、所望の電気容量を有すると共に安定した電気特性を有する蓄積容量を備えた電気光学装置を提供することができる。
【００１８】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置において、前記凹部と前記スペーサー絶縁膜の端部との境界部分は、段差がない連続面を構成していることが好ましい。
この構成によれば、凹部とスペーサー絶縁膜の端部との境界部分にも誘電体膜を均一に成膜することができる。したがって、該境界部分における段差で誘電体膜が欠損して蓄積容量が電気的に短絡するなどの不具合を低減することができる。
【００１９】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置において、前記一方の電極は、少なくとも第１電極層と前記第１電極層に積層された第２電極層とを含み、前記凹部は前記第２電極層に形成されているとしてもよい。
この構成によれば、第１電極層には凹部が形成されないので、第１電極層と第２電極層とに跨って凹部が形成される場合に比べて、電気的に安定した蓄積容量を備えた電気光学装置を提供することができる。
【００２０】
［適用例１０］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１電極層が金属層であり、前記第２電極層が金属窒化物層であることを特徴とする。
この構成によれば、金属窒化物層は、金属層に比べて化学的に安定しているため、例えば、第１電極層の酸化や損傷が第２電極層によって保護される。
【００２１】
［適用例１１］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置、または上記適用例の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、蓄積容量が限られた領域に形成されていたとしても所望の電気容量を確保可能なことから、小型で電気的に安定した特性を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】液晶装置における画素の配置を示す概略平面図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は液晶装置における画素の構成を示す概略平面図。
【図５】図４（ａ）及び（ｂ）に示すＡ−Ａ’線に沿う画素の概略断面図。
【図６】図４（ｂ）に示すＢ−Ｂ’線に沿う蓄積容量の概略断面図。
【図７】蓄積容量の他の構成例を示す概略断面図。
【図８】蓄積容量の形成方法を示すフローチャー。
【図９】（ａ）〜（ｆ）は蓄積容量の形成方法を示す概略断面図。
【図１０】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２４】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２５】
（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２６】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１及び図２を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図である。図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２７】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。
【００２８】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁沿って配置されたシール材４０を介して貼り合わされ、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２９】
シール材４０の内側に複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅが設けられている。また、シール材４０と画素領域Ｅとの間に画素領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３０】
素子基板１０の端子部に沿った第１の辺部とシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール材４０と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００３１】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００３２】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。
【００３３】
素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、少なくとも基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。
【００３４】
見切り部２１は、図１（ａ）に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３５】
平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３６】
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３７】
画素電極１５を覆う配向膜１８及び共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００３８】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。
【００３９】
次に図２を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４０】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４１】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０の第１ソース・ドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域に電気的に接続されている。
【００４２】
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４３】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４４】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。
【００４５】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。
【００４６】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。
【００４７】
また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００４８】
次に、画素Ｐの平面的な配置と断面構造について、図３〜図７を参照して説明する。図３は液晶装置における画素の配置を示す概略平面図、図４（ａ）及び（ｂ）は液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、図５は図４（ａ）及び（ｂ）に示すＡ−Ａ’線に沿う画素の概略断面図である。また、図６は図４（ｂ）に示すＢ−Ｂ’線に沿う蓄積容量の概略断面図であり、図７は蓄積容量の他の構成例を示す概略断面図である。
【００４９】
図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面的に略四角形の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
【００５０】
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図２に示した走査線３ａが設けられている。走査線３ａは遮光性の導電部材が用いられており、走査線３ａによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００５１】
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図２に示したデータ線６ａと容量線３ｂとが設けられている。データ線６ａや容量線３ｂも遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００５２】
非開口領域は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において格子状にパターニングされた遮光部によっても構成することができる。
【００５３】
格子状の非開口領域の交差部付近には、図２に示したＴＦＴ３０や蓄積容量１６が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。非開口領域におけるＸ方向及びＹ方向に延在する部分の幅や交差部付近の幅をより小さくすれば開口率が向上する。一方で交差部付近にはＴＦＴ３０や蓄積容量１６が設けられるので、それぞれを小型化する必要がある。例えば、ＴＦＴ３０の半導体層を高温ポリシリコンにより構成すれば、アモルファスシリコンで構成する場合に比べて、スイッチング素子としての性能を低下させずに小型化が可能である。これに対して、蓄積容量１６は一対の電極と、一対の電極間に挟まれた誘電体膜とにより構成されるため、一対の電極を設ける領域が小さくなると電気容量も小さくなってしまう。そこで、本実施形態では、蓄積容量１６の一対の電極のうち一方の電極に凹部を形成することにより、有効な電極面積を増やして電気容量を確保している。蓄積容量１６の詳しい構成や形成方法については、後述する。
【００５４】
画素電極１５は外縁部が遮光性の非開口領域に掛かるように開口領域に平面的に重なって配置されている。画素電極１５と前述したＴＦＴ３０とを電気的に接続させるコンタクト部ＣＮＴ４が非開口領域の交差部付近において画素電極１５の外縁部と重なる位置に設けられている。
【００５５】
図４（ａ）は、基材１０ｓ上における走査線３ａが設けられた層から、データ線６ａが設けられた層までの各構成の平面的な配置を示している。図４（ｂ）は、基材１０ｓ上におけるデータ線６ａが設けられた層から、画素電極１５が設けられた層までの各構成の平面的な配置を示している。
【００５６】
図４（ａ）に示すように、画素Ｐは、走査線３ａとデータ線６ａの交差部に設けられたＴＦＴ３０を有している。ＴＦＴ３０は、第１ソース・ドレイン領域３０ｓと、第２ソース・ドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、第１ソース・ドレイン領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間に設けられた接合領域３０ｅと、チャネル領域３０ｃと第２ソース・ドレイン領域３０ｄとの間に設けられた接合領域３０ｆとを有するＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）構造の半導体層３０ａを有している。半導体層３０ａは上記交差部を通過して、走査線３ａと重なるように配置されている。
【００５７】
走査線３ａはデータ線６ａとの交差部において、Ｘ，Ｙ方向に拡張された拡張部を有ししており、当該拡張部において他の部位と比して走査線３ａの幅が広くなっている。当該拡張部の平面形状は四角形となっている。当該拡張部に平面的に重なると共に接合領域３０ｆ及び第２ソース・ドレイン領域３０ｄと重ならない位置に、折れ曲がった形状のゲート電極３０ｇが設けられている。
【００５８】
ゲート電極３０ｇは、Ｙ方向に延在した部分が平面的にチャネル領域３０ｃと重なっている。また、チャネル領域３０ｃと重なった部分から折り曲げられてＸ方向に延在し、互いに対向する部分がそれぞれ走査線３ａの拡張部との間に設けられたコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６によって、電気的に走査線３ａと接続している。また、図４（ａ）に示すように、ゲート電極３０ｇのチャネル領域３０ｃと対向する部位は、コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６のＸ方向における位置から左側にずれて配置されている。
【００５９】
コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６は、平面視でＸ方向が長い矩形状（長方形）であって、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと接合領域３０ｆとに沿って接合領域３０ｆを挟むように両側に設けられている。
【００６０】
データ線６ａは、Ｙ方向に延在すると共に、走査線３ａとの交差部において同じく拡張部を有し、該拡張部において他の部位と比してデータ線６ａの幅が広くなっている。走査線３ａとデータ線６ａの交差部の右側では、データ線６ａから離間した位置に中継電極６ｂが配置されている。また、データ線６ａは、走査線３ａとの交差部において、該拡張部からＸ方向に突出した突出部６ａ１を有している。突出部６ａ１の先端側に設けられたコンタクトホールＣＮＴ１によって第１ソース・ドレイン領域３０ｓと電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ１を含む部分がソース電極３１となっている。一方、第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部にもコンタクトホールＣＮＴ２が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２を含む部分がドレイン電極３２となっている。
【００６１】
図４（ｂ）に示すように、コンタクトホールＣＮＴ２と隣り合ってコンタクトホールＣＮＴ３が設けられている。コンタクトホールＣＮＴ２とコンタクトホールＣＮＴ３とは島状に設けられた中継電極６ｂによって電気的に接続している。画素電極１５に電気的に接続されるコンタクト部ＣＮＴ４は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部における角部の１つに平面的に重なるように設けられている。コンタクトホールＣＮＴ３とコンタクト部ＣＮＴ４とは、蓄積容量１６の一対の電極のうち上容量電極１６ｂによって中継されて電気的に接続されている。
【００６２】
つまり、画素電極１５は、走査線３ａやデータ線６ａと外縁部が重なるように設けられており、本実施形態では走査線３ａと重なる位置に設けられたコンタクトホールＣＮＴ３とコンタクト部ＣＮＴ４とを介してドレイン電極３２に電気的に接続されている。コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２，ＣＮＴ３とコンタクト部ＣＮＴ４の詳しい構造は後述する。
【００６３】
蓄積容量１６は、一対の電極のうち一方の電極としての下容量電極１６ａと、下容量電極１６ａに対向配置された他方の電極としての上容量電極１６ｂとを有している。下容量電極１６ａは、平面視でデータ線６ａと重なりＹ方向に複数の画素Ｐに跨って延在して容量線３ｂとして機能する本線部分と、走査線３ａと重なりＸ方向に突出した突出部１６ａ３とを有している。
【００６４】
一方、上容量電極１６ｂは、画素Ｐごとに独立して島状に設けられている。１つの画素Ｐを囲むようにして当該画素Ｐの上容量電極１６ｂと隣り合う画素Ｐの上容量電極１６ｂとが配置され、遮光性の非開口領域（図３参照）を構成している。
【００６５】
より具体的には、上容量電極１６ｂは、データ線６ａと走査線３ａとの交差部における拡張部と平面的に重なる四角形部分１６ｂ１と、四角形部分１６ｂ１からデータ線６ａに沿ってＹ方向に突出した突出部１６ｂ２と、同じく四角形部分１６ｂ１から走査線３ａに沿って突出した突出部１６ｂ３とを有している。突出部１６ｂ３の一部はコンタクトホールＣＮＴ３と重なる位置まで延出され、コンタクトホールＣＮＴ３とコンタクト部ＣＮＴ４とを電気的に接続させる中継層としても機能している。四角形部分１６ｂ１において、上容量電極１６ｂのＸ方向の幅は突出部１６ｂ２よりも広く、上容量電極１６ｂのＹ方向の幅は突出部１６ｂ３よりも広くなっている。
【００６６】
次に、図５を参照して、画素Ｐの構造について、さらに詳しく説明する。図５に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００６７】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（下地絶縁膜）１１ａが形成され、第１絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜（ポリシリコン）からなり、不純物イオンが注入されて、前述した第１ソース・ドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、第２ソース・ドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造が形成されている。
【００６８】
半導体層３０ａを覆うように第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第２絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域３０ｃに対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。
【００６９】
ゲート電極３０ｇと第２絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第３絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。
【００７０】
そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第３絶縁膜１１ｃを覆うようにＡｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第１ソース・ドレイン領域３０ｓに繋がるソース電極３１ならびにデータ線６ａが形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して第２ソース・ドレイン領域３０ｄに繋がるドレイン電極３２（中継電極６ｂ）が形成される。
【００７１】
次に、データ線６ａ及び中継電極６ｂと第３絶縁膜１１ｃを覆って第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical  Mechanical  Polishing；ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００７２】
第１層間絶縁膜１２を覆うように導電膜が形成され、これをデータ線６ａに沿って複数の画素Ｐに跨るようにパターニングすることにより、下容量電極１６ａが形成される。
【００７３】
下容量電極１６ａのうち、後に形成される誘電体膜１６ｃを介して上容量電極１６ｂと対向する部分の外縁部を覆うようにスペーサー絶縁膜１３が形成される。また、スペーサー絶縁膜１３の形成時に、下容量電極１６ａのうちコンタクト部ＣＮＴ４と重なる部分には柱状の絶縁部１３ｂが形成される。
【００７４】
スペーサー絶縁膜１３及び柱状の絶縁部１３ｂを覆うと共に、下容量電極１６ａを覆って誘電体膜１６ｃが成膜される。誘電体膜１６ｃとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。
【００７５】
平面的に中継電極６ｂと重なる位置に第１層間絶縁膜１２とスペーサー絶縁膜１３と誘電体膜１６ｃとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を被覆すると共に誘電体膜１６ｃを覆う導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、下容量電極１６ａに対向配置され、コンタクトホールＣＮＴ３を介して中継電極６ｂに繋がる上容量電極１６ｂが形成される。
コンタクト部ＣＮＴ４は、下容量電極１６ａ上に形成された柱状の絶縁部１３ｂと、誘電体膜１６ｃを介して柱状の絶縁部１３ｂの頭頂部を含む表面を覆う上容量電極１６ｂによって構成されている。
【００７６】
次に、上容量電極１６ｂと誘電体膜１６ｃとを覆う第２層間絶縁膜１４が形成される。第２層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、表面にコンタクト部ＣＮＴ４の少なくとも頭頂部が露出するように形成される。
【００７７】
第２層間絶縁膜１４を覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクト部ＣＮＴ４を介して上容量電極１６ｂと繋がる画素電極１５が形成される。
【００７８】
上述したように上容量電極１６ｂはコンタクトホールＣＮＴ３及び中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０のドレイン電極３２と電気的に接続すると共に、コンタクト部ＣＮＴ４を介して画素電極１５と電気的に接続している。
【００７９】
下容量電極１６ａの本線部はデータ線６ａの延在方向（Ｙ方向）において複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図２参照）における容量線３ｂとしても機能している。これにより、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２を介して画素電極１５に与えられた電位を下容量電極１６ａと上容量電極１６ｂとの間において保持することができる。
【００８０】
図６に示すように、下容量電極１６ａは、例えば金属材料であるＡｌ（アルミニウム）あるいはその合金などからなる第１電極層１６ａ１と、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層された導電層である第２電極層１６ａ２とが積層されたものである。第２電極層１６ａ２のスペーサー絶縁膜１３によって覆われていない部分に凹部１６ａｄが形成されている。
本実施形態では、Ａｌ（アルミニム）を用いて第１電極層１６ａ１を形成し、ＴｉＮ（窒化チタン）を用いて第２電極層１６ａ２を形成している。第１電極層１６ａ１の厚みはおよそ２００ｎｍ、第２電極層１６ａ２の外縁部の厚みはおよそ３００ｎｍ、凹部１６ａｄの深さはおよそ２００ｎｍ、第２電極層１６ａ２の電極として機能する部分の実質的な厚みはおよそ１００ｎｍである。つまり、外縁部を除く下容量電極１６ａの厚みはおよそ３００ｎｍである。
【００８１】
誘電体膜１６ｃは、第２電極層１６ａ２の凹部１６ａｄとスペーサー絶縁膜１３とを覆うように形成され、その厚みは用いられる材料や単層か多層かの膜構造にも寄るが、およそ２０ｎｍ〜３０ｎｍである。
【００８２】
上容量電極１６ｂを構成する導電膜は、例えば、ＴｉＮを用いることができる。厚みはおよそ３００ｎｍである。
【００８３】
図６では、下容量電極１６ａの第１電極層１６ａ１と第２電極層１６ａ２とは端面が揃った状態で積層されているが、これに限定されるものではない。例えば、図７に示すように、第１電極層１６ａ１の端面を覆って第１電極層１６ａ１に第２電極層１６ａ２を積層した構造としてもよい。
【００８４】
＜電気光学装置の製造方法＞
次に、本実施形態の電気光学装置の製造方法としての液晶装置の製造方法について、図８及び図９を参照して説明する。図８は蓄積容量の形成方法を示すフローチャート、図９（ａ）〜（ｆ）は蓄積容量の形成方法を示す概略断面図である。
本実施形態の電気光学装置の製造方法としての液晶装置１００の製造方法のうち、素子基板１０側におけるＴＦＴ３０や走査線３ａ、データ線６ａなどの信号配線、配向膜１８に関する製造方法、及び対向基板２０側における見切り部２１、平坦化層２２、共通電極２３、配向膜２４に関する製造方法は、前述したように公知の方法を用いることができる。ここでは、液晶装置１００の製造方法のうち、本発明の特徴部分である蓄積容量１６の形成方法について説明する。
【００８５】
図８に示すように、蓄積容量１６の形成方法は、下容量電極形成工程（ステップＳ１）と、スペーサー絶縁膜形成工程（ステップＳ２）と、誘電体膜形成工程（ステップＳ３）と、上容量電極形成工程（ステップＳ４）とを備えている。スペーサー絶縁膜形成工程（ステップＳ２）は、絶縁膜前駆体形成工程（ステップＳ２−１）と、絶縁膜前駆体エッチング工程（ステップＳ２−２）と、下容量電極エッチング工程（ステップＳ２−３）とを含んでいる。
【００８６】
ステップＳ１の下容量電極形成工程では、図９（ａ）に示すように、第１層間絶縁膜１２上に第１電極層１６ａ１と第２電極層１６ａ２とを積層して下容量電極１６ａを形成する。具体的には、Ａｌ（アルミニウム）膜を成膜した後に、ＴｉＮ膜を積層して成膜する。そして、得られた積層膜をパターニングして下容量電極１６ａとする方法が挙げられる。また、先に図７を用いて説明したように、Ａｌ（アルミニウム）膜を成膜した後に一旦パターニングして第１電極層１６ａ１を形成する。そして、第１電極層１６ａ１を覆ってＴｉＮ膜を成膜した後に、第１電極層１６ａ１の端面を覆うようにＴｉＮ膜をパターニングして第２電極層１６ａ２を形成する方法が挙げられる。本実施形態では、Ａｌ膜を厚みがおよそ２００ｎｍとなるように成膜して第１電極層１６ａ１を形成した。第１電極層１６ａ１上にＴｉＮ膜を厚みがおよそ３００ｎｍとなるように成膜して第２電極層１６ａ２を形成した。そして、ステップＳ２−１へ進む。
【００８７】
ステップＳ２−１の絶縁膜前駆体形成工程では、図９（ｂ）に示すように、下容量電極１６ａを覆う絶縁膜前駆体１３ａを形成する。絶縁膜前駆体１３ａは、例えばシリコンの酸化膜や窒化膜、あるいは酸窒化膜を用いることができ、ＣＶＤ法で形成することができる。絶縁膜前駆体１３ａの膜厚は、少なくとも下容量電極１６ａを確実に被覆可能な例えば６００ｎｍ〜８００ｎｍとすることが好ましい。そして、ステップＳ２−２へ進む。
【００８８】
ステップＳ２−２の絶縁膜前駆体エッチング工程では、図９（ｃ）に示すように、絶縁膜前駆体１３ａをレジスト７０で覆い、開口部７０ａを有するようにパターニングする。そして、パターニングされたレジスト７０を用いて絶縁膜前駆体１３ａを選択的にエッチングして、下容量電極１６ａの外縁部を覆い、且つ外縁部以外の下容量電極１６ａが露出するように開口部１３ｃを形成する。図９（ｃ）では図示を省略したが、ステップＳ２−２では、開口部１３ｃを形成するのと同時に柱状の絶縁部１３ｂ（図５参照）も形成する。本実施形態では、酸化シリコンからなる絶縁膜前駆体１３ａをドライエッチング（異方性エッチング）して柱状の絶縁部１３ｂや開口部１３ｃを形成した。エッチング用処理ガスとして、Ｃ4Ｆ8（オクタフルオロシクロブタン）を用いた。そして、ステップＳ２−３へ進む。
【００８９】
ステップＳ２−３の下容量電極エッチング工程では、図９（ｄ）に示すように、パターニング形成されたレジスト７０及びスペーサー絶縁膜１３を用いて下容量電極１６ａのうち第２電極層１６ａ２をエッチングして掘り下げることにより、下容量電極１６ａに凹部１６ａｄを形成する。本実施形態では、厚みがおよそ３００ｎｍのＴｉＮ膜からなる第２電極層１６ａ２をドライエッチングして深さがおよそ２００ｎｍの凹部１６ａｄを形成した。エッチング用処理ガスとして、ＣＦ4（オクタフルオロメタン）とＯ2との混合ガスを用いた。つまり、ドライエッチング工程において、先に絶縁膜前駆体１３ａをドライエッチングし、次にエッチング用処理ガスを変えて第２電極層１６ａ２を続けてドライエッチングした。Ｃ4Ｆ8（オクタフルオロシクロブタン）を用いれば、絶縁膜前駆体１３ａを構成する酸化シリコン膜だけでなく、第２電極層１６ａ２を構成するＴｉＮ膜をもドライエッチングすることが可能である。しかしながら、Ｃ4Ｆ8（オクタフルオロシクロブタン）はプラズマ中でＣＦ2やＣＦ3に分解され、特にＣＦ3がイオン化して加速され、スパッタリングによってＴｉＮ膜をエッチングする際に非水溶性の残渣が生成されて除去するのが困難となる。残渣が残った状態で誘電体膜１６ｃを成膜すると蓄積容量１６としての電気特性（耐圧、容量寿命など）が低下するおそれがある。
【００９０】
これに対して、ＣＦ4とＯ2との混合系エッチング用処理ガスを用いると、プラズマ中では以下のような化学反応が起ると考えられる。
ＣＦ4→ＣＦ2＋Ｆ2
ＴｉＮ＋ＣＦ2＋Ｆ2＋Ｏ2→ＴｉＦｘ＋Ｎ2↑＋ＣＯ2↑
つまり、ＣＦ4とＯ2との混合系エッチング用処理ガスとＴｉＮとの化学反応後には、揮発性の窒素ガスや炭酸ガスが生ずることとなり、化学反応による生成物（残渣）を除去し易い。そして、ステップＳ３へ進む。
【００９１】
ステップＳ３の誘電体膜形成工程では、図９（ｅ）に示すように、下容量電極１６ａの凹部１６ａｄとスペーサー絶縁膜１３とを覆って誘電体膜１６ｃを形成する。前述したように、誘電体膜１６ｃは、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いることができ、例えばスパッタ法を用いてこれらの単層膜や多層膜を形成することができる。なお、誘電体膜１６ｃを形成する前にレジスト７０を除去しておく。そして、ステップＳ４へ進む。
【００９２】
ステップＳ４の上容量電極形成工程では、図９（ｆ）に示すように、誘電体膜１６ｃを介して下容量電極１６ａと対向するように上容量電極１６ｂを形成する。具体的には、誘電体膜１６ｃを覆ってＴｉＮ膜を例えばスパッタ法を用いて厚みがおよそ３００ｎｍとなるように成膜し、これをパターニングして上容量電極１６ｂを形成する。下容量電極１６ａは外縁部がスペーサー絶縁膜１３で覆われているので、上層のＴｉＮ膜をパターニングする際に下容量電極１６ａが外縁側からエッチングされるなどの不具合が生じない。
【００９３】
上記実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）上記実施形態の蓄積容量１６の形成方法によれば、下容量電極１６ａの第２電極層１６ａ２に凹部１６ａｄが形成され、その後、誘電体膜１６ｃ、上容量電極１６ｂが積層形成される。したがって、凹部１６ａｄを形成しない場合に比べて、蓄積容量１６として機能する電極面積を増やすことができる。言い換えれば、蓄積容量１６が形成される非開口領域が狭く（小さく）なっても、所望の電気容量を有する蓄積容量１６を形成することができる。
（２）ステップＳ２のスペーサー絶縁膜形成工程は、絶縁膜前駆体１３ａのドライエッチングに対してエッチング用処理ガスを変えて下容量電極１６ａのうち第２電極層１６ａ２をドライエッチングする。したがって、エッチング用処理ガス（ＣＦ4＋Ｏ2）とＴｉＮ膜との化学反応後の生成物を容易に取り除くことができ、残渣を生じさせずに第２電極層１６ａ２をドライエッチングすることができる。つまり、優れた電気特性を有する蓄積容量１６を形成することができる。
（３）ステップＳ２のスペーサー絶縁膜形成工程において絶縁膜前駆体１３ａと下容量電極１６ａとが連続的にドライエッチングされているため、下容量電極１６ａの凹部１６ａｄとスペーサー絶縁膜１３の開口部１３ｃとの境界部分は連続面で構成され、段差が生じ難い。したがって、誘電体膜形成工程（ステップＳ３）では、当該境界部分で誘電体膜１６ｃの段差による欠損や膜厚ムラなどが生じない。つまり、当該境界部分において下容量電極１６ａと上容量電極１６ｂとが短絡する不良が発生せず、歩留まりよく蓄積容量１６を形成することができる。
（４）下容量電極１６ａの端面はスペーサー絶縁膜１３で覆われているので、上容量電極１６ｂの端面との間の距離が広がって、電気的に端面リークが生じ難い蓄積容量１６を形成することができる。つまり、所望の電気容量を有すると共に、端面リークが生じ難い蓄積容量１６を備えた液晶装置１００を提供することができる。
【００９４】
（第２実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について図１０を参照して説明する。図１０は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００９５】
図１０に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００９６】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００９７】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００９８】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００９９】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１００】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１０１】
このような投射型表示装置１０００によれば、画素Ｐごとに所望の電気容量の蓄積容量１６が形成されていると共に、高い開口率を有する液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として用いているので、表示ムラが低減され且つ明るい表示品位が実現されている。
【０１０２】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法ならびに該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１０３】
（変形例１）蓄積容量１６においてスペーサー絶縁膜１３は必須な構成ではない。例えば、図７に示した蓄積容量１６の構造では、第１電極層１６ａ１の端面が第１電極層１６ａ１に比べて化学的に安定な第２電極層１６ａ２によって覆われているので、端面リークの影響が小さければ、スペーサー絶縁膜１３を削除することができる。蓄積容量１６の一対の電極間の端面リークは、一対の電極間に印加される電位の程度によって発生しないことも有り得るからである。すなわち、スペーサー絶縁膜１３を用いずに例えばレジストによってマスクを構成し、下容量電極１６ａをエッチングして凹部１６ａｄを形成してもよい。
【０１０４】
（変形例２）本発明を適用可能な液晶装置１００は、透過型に限定されない。例えば、光反射性の導電膜を用いて画素電極１５が形成される反射型の液晶装置にも適用できる。また、反射型の液晶装置の場合、素子基板１０の基材１０ｓは透光性を有することに限定されず、遮光性のシリコンなどの半導体ウェハーを用いてもよい。
【０１０５】
（変形例３）本発明を適用可能な電気光学装置は、液晶装置１００に限定されない。例えば、画素Ｐごとに有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を備えた有機ＥＬ装置や画素Ｐごとに電気泳動素子を備えた電気泳動表示装置にも適用することができる。
【０１０６】
（変形例４）上記液晶装置１００を適用可能な電子機器は、上記第２実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１３…スペーサー絶縁膜、１３ａ…絶縁膜前駆体、１６…蓄積容量、１６ａ…一方の電極としての下容量電極、１６ａ１…第１電極層、１６ａ２…第２電極層、１６ａｄ…凹部、１６ｂ…他方の電極としての上容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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