(57)【要約】【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、液体を介して露光光で基板の複数のショット領域を順次露光する。露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面側の露光光の光路が液体で満たされるように液体の液浸空間を形成する液浸部材と、基板を保持して移動可能なステージと、基板上の残留液体発生領域を液浸空間の液体が通過するように液浸部材とステージとを相対的に移動する制御装置と、を備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光で基板の複数のショット領域を順次露光する露光装置であって、
露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、前記射出面側の前記露光光の光路が前記液体で満たされるように前記液体の液浸空間を形成する液浸部材と、
前記基板を保持して移動可能なステージと、
前記基板上の残留液体発生領域を前記液浸空間の液体が通過するように前記液浸部材と前記ステージとを相対的に移動する制御装置と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記基板上の残留液体発生領域を前記液浸空間の液体が通過することによって、前記基板上の残留液体が除去される請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記基板上の残留液体発生領域を前記液浸空間の液体が通過するように、前記液浸部材に対して前記ステージを移動する残留液体除去動作を付加する請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記残留液体除去動作は、前記液浸空間の液体が前記基板上のみ移動するように行われる請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御装置は、前記基板の全てのショット領域の露光完了後に前記残留液体除去動作を付加する請求項３又は４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記複数のショット領域のうち最後のショット領域の露光の終了後、前記制御装置は、前記基板のエッジに沿って前記液浸空間の液体が移動するように、前記ステージの移動を制御する請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記制御装置は、前記複数のショット領域のうち第１ショット領域の後に露光される第２ショット領域の露光終了後、次に露光される第３ショット領域の露光が開始されるまでの間に、前記残留液体除去動作を付加する請求項３〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
液体を介して露光光で基板の複数のショット領域を順次露光する露光装置であって、
露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、前記射出面側の前記露光光の光路が前記液体で満たされるように前記液体の液浸空間を形成する液浸部材と、
前記基板を保持して移動可能なステージと、
前記複数のショット領域のうち第１ショット領域よりも後に露光される第２ショット領域の露光終了後、次に露光される第３ショット領域の露光が開始されるまでの間に、前記液浸空間の液体が前記基板のエッジからはみ出ないように前記液浸部材に対して前記ステージを移動して、前記第１ショット領域の露光において前記基板に発生した残留液体を前記液浸空間で除去する制御装置と、を備える露光装置。
【請求項９】
前記複数のショット領域のうち最後のショット領域の露光終了後、前記制御装置は、前記基板のエッジに沿って前記液浸空間の液体が移動するように、前記ステージの移動を制御する請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記複数のショット領域のそれぞれは、前記露光光に対して前記基板を走査方向に移動しながら露光される請求項７〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第２ショット領域と前記第３ショット領域とは、前記走査方向と交差する非走査方向に隣接しており、
前記第２ショット領域は、前記走査方向と平行な第１方向に移動しながら露光され、
前記第３ショット領域は、前記第１方向と逆向きの第２方向に移動しながら露光される請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第２ショット領域と前記第１方向側の前記基板のエッジとの距離は、前記第２ショット領域と前記第２方向側の前記基板のエッジとの距離よりも短く、
前記第２ショット領域の露光は、前記液浸空間の液体が前記第１方向側の前記基板のエッジが近づくように行われる請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第３ショット領域は、前記第２ショット領域の、前記非走査方向と平行な第３方向側に隣接しており、
前記制御装置は、前記第２ショット領域の露光終了後、前記第３ショット領域の露光開始前に、前記液浸空間の液体が前記第３方向と逆向きの第４方向に移動するように前記基板ステージの移動を制御する請求項１１又は１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第２ショット領域の露光終了後から前記第３ショット領域の露光開始前までの期間における前記ステージの移動距離が、前記第３ショット領域の露光終了後から次に露光される第４ショット領域の露光開始前までの期間における前記ステージの移動距離よりも長い請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第２ショット領域の露光終了後から前記第３ショット領域の露光開始前までの期間における前記走査方向に関する前記ステージの移動距離が、前記第３ショット領域の露光終了後から次に露光される第４ショット領域の露光開始前までの期間における前記走査方向に関する前記ステージの移動距離よりも長い請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記第３ショット領域と前記第４ショット領域とは、前記走査方向と交差する非走査方向に隣接している請求項１４又は１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記第２ショット領域は、前記走査方向に関する位置が前記第１ショット領域と異なる請求項７〜１６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記第２ショット領域は、前記走査方向と交差する非走査方向に関する位置が前記第１ショット領域と異なる請求項７〜１６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記第１ショット領域の露光中、前記第１ショット領域の露光前、及び第１ショット領域の露光後の少なくとも一つの少なくとも一部の期間において、前記液浸空間の液体が前記基板のエッジからはみ出る請求項７〜１８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記第２、第３ショット領域の露光において、前記液浸空間の液体が前記基板のエッジからはみ出ない請求項７〜１９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記ステージは、基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記基板の周囲に配置される部材とを有し、
前記液浸空間の液体が前記基板のエッジからはみ出ないことは、前記液浸空間が前記基板と前記部材との間隙を跨がないことを含む請求項２０に記載の露光装置。
【請求項２２】
請求項１〜２１のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２３】
液体を介して露光光で基板の複数のショット領域を順次露光する露光方法であって、
露光光が射出される射出面を有する光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材を用いて、前記射出面側の前記露光光の光路が前記液体で満たされるように前記液体の液浸空間を形成することと、
前記基板を移動しながら前記複数のショット領域を露光することと、
前記基板上の残留液体発生領域を前記液浸空間の液体が通過するように前記液浸部材と前記基板とを相対的に移動することと、を含む露光方法。
【請求項２４】
液体を介して露光光で基板の複数のショット領域を順次露光する露光方法であって、
露光光が射出される射出面を有する光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材を用いて、前記射出面側の前記露光光の光路が前記液体で満たされるように前記液体の液浸空間を形成することと、
前記基板を移動しながら前記複数のショット領域を露光することと、
前記複数のショット領域のうち第１ショット領域よりも後に露光される第２ショット領域の露光終了後、次に露光される第３ショット領域の露光が開始されるまでの間に、前記液浸空間の液体が前記基板のエッジからはみ出ないように前記液浸部材に対して前記ステージを移動して、前記第１ショット領域の露光において前記基板に発生した残留液体を前記液浸空間で除去することと、を含む露光方法。
【請求項２５】
請求項２３又は２４に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２６】
コンピュータに、液体を介して露光光で基板の複数のショット領域を順次露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
露光光が射出される射出面を有する光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材を用いて、前記射出面側の前記露光光の光路が前記液体で満たされるように前記液体の液浸空間を形成することと、
前記基板を移動しながら前記複数のショット領域を露光することと、
前記基板上の残留液体発生領域を前記液浸空間の液体が通過するように前記液浸部材と前記基板とを相対的に移動することと、を実行させるプログラム。
【請求項２７】
コンピュータに、液体を介して露光光で基板の複数のショット領域を順次露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
露光光が射出される射出面を有する光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材を用いて、前記射出面側の前記露光光の光路が前記液体で満たされるように前記液体の液浸空間を形成することと、
前記基板を移動しながら前記複数のショット領域を露光することと、
前記複数のショット領域のうち第１ショット領域よりも後に露光される第２ショット領域の露光終了後、次に露光される第３ショット領域の露光が開始されるまでの間に、前記液浸空間の液体が前記基板のエッジからはみ出ないように前記液浸部材に対して前記ステージを移動して、前記第１ショット領域の露光において前記基板に発生した残留液体を前記液浸空間で除去することと、を実行させるプログラム。
【請求項２８】
請求項２６又は２７に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００９／００４６２６１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液浸露光装置において、例えば基板上に液体が残留すると、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で基板の複数のショット領域を順次露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面側の露光光の光路が液体で満たされるように液体の液浸空間を形成する液浸部材と、基板を保持して移動可能なステージと、基板上の残留液体発生領域を液浸空間の液体が通過するように液浸部材とステージとを相対的に移動する制御装置と、を備える露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、液体を介して露光光で基板の複数のショット領域を順次露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面側の露光光の光路が液体で満たされるように液体の液浸空間を形成する液浸部材と、基板を保持して移動可能なステージと、複数のショット領域のうち第１ショット領域よりも後に露光される第２ショット領域の露光終了後、次に露光される第３ショット領域の露光が開始されるまでの間に、液浸空間の液体が基板のエッジからはみ出ないように液浸部材に対してステージを移動して、第１ショット領域の露光において基板に発生した残留液体を液浸空間で除去する制御装置と、を備える露光装置が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、第１、第２の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、液体を介して露光光で基板の複数のショット領域を順次露光する露光方法であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材を用いて、射出面側の露光光の光路が液体で満たされるように液体の液浸空間を形成することと、基板を移動しながら複数のショット領域を露光することと、基板上の残留液体発生領域を液浸空間の液体が通過するように液浸部材と基板とを相対的に移動することと、を含む露光方法が提供される。
【００１０】
本発明の第５の態様に従えば、液体を介して露光光で基板の複数のショット領域を順次露光する露光方法であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材を用いて、射出面側の露光光の光路が液体で満たされるように液体の液浸空間を形成することと、基板を移動しながら複数のショット領域を露光することと、複数のショット領域のうち第１ショット領域よりも後に露光される第２ショット領域の露光終了後、次に露光される第３ショット領域の露光が開始されるまでの間に、液浸空間の液体が基板のエッジからはみ出ないように液浸部材に対してステージを移動して、第１ショット領域の露光において基板に発生した残留液体を液浸空間で除去することと、を含む露光方法が提供される。
【００１１】
本発明の第６の態様に従えば、第４、第５の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の第７の態様に従えば、コンピュータに、液体を介して露光光で基板の複数のショット領域を順次露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光光が射出される射出面を有する光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材を用いて、射出面側の露光光の光路が液体で満たされるように液体の液浸空間を形成することと、基板を移動しながら複数のショット領域を露光することと、基板上の残留液体発生領域を液浸空間の液体が通過するように液浸部材と基板とを相対的に移動することと、を実行させるプログラムが提供される。
【００１３】
本発明の第８の態様に従えば、コンピュータに、液体を介して露光光で基板の複数のショット領域を順次露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光光が射出される射出面を有する光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材を用いて、射出面側の露光光の光路が液体で満たされるように液体の液浸空間を形成することと、基板を移動しながら複数のショット領域を露光することと、複数のショット領域のうち第１ショット領域よりも後に露光される第２ショット領域の露光終了後、次に露光される第３ショット領域の露光が開始されるまでの間に、液浸空間の液体が基板のエッジからはみ出ないように液浸部材に対してステージを移動して、第１ショット領域の露光において基板に発生した残留液体を液浸空間で除去することと、を実行させるプログラムが提供される。
【００１４】
本発明の第９の態様に従えば、第７、第８の態様のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。
【図３】第１実施形態に係る液浸部材の一例を下方から見た図である。
【図４】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図５】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図６】第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図７】第２実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図８】第２実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図９】基板ステージの一例を示す図である。
【図１０】デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１８】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１９】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。
【００２０】
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材（計測器）Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置を計測する計測システム４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、液浸空間ＬＳを形成する液浸部材５と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置６と、制御装置６に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置７とを備えている。
【００２１】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。
【００２２】
基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。
【００２３】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００２４】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材８のガイド面８Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面８ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。マスクステージ１は、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。本実施形態において、マスクステージ１は、その駆動システムの作動により、ガイド面８Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２５】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態において、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２６】
投影光学系ＰＬは、露光光ＥＬが射出される射出面１２を有する終端光学素子１３を含む。射出面１２は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する。終端光学素子１３は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い光学素子である。投影領域ＰＲは、射出面１２から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１２は、−Ｚ方向を向いており、ＸＹ平面と平行である。なお、−Ｚ方向を向いている射出面１２は、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。なお、射出面１２は、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。本実施形態において、終端光学素子１３の光軸は、Ｚ軸と平行である。本実施形態において、射出面１２から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。
【００２７】
基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）を含むＸＹ平面内を移動可能である。計測ステージ３は、計測部材（計測器）Ｃを搭載した状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）を含むＸＹ平面内を移動可能である。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、ベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面９ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。
【００２８】
基板ステージ２及び計測ステージ３は、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システム１０の作動により移動する。駆動システム１０は、基板ステージ２に配置された可動子２Ｃと、計測ステージ３に配置された可動子３Ｃと、ベース部材９に配置された固定子９Ｍとを有する。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、駆動システム１０の作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、駆動システム１０は、平面モータを含まなくてもよい。例えば、駆動システム１０が、リニアモータを含んでもよい。
【００２９】
基板ステージ２は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部と、第１保持部の周囲に配置され、カバー部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部とを有する。カバー部材Ｔは、第１保持部に保持された基板Ｐの周囲に配置される。第１保持部は、基板Ｐの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、基板Ｐを保持する。本実施形態において、第１保持部に保持された基板Ｐの上面と、第２保持部に保持されたカバー部材Ｔの上面とは、実質的に同一平面内に配置される。なお、第１保持部に保持された基板Ｐの上面と、第２保持部に保持されたカバー部材Ｔの上面とは、同一平面内に配置されなくてもよい。なお、基板Ｐの上面に対してカバー部材Ｔの上面が傾斜してもよいし、カバー部材Ｔの上面が曲面を含んでもよい。
【００３０】
計測システム４は、干渉計システムを含む。干渉計システムは、マスクステージ１の計測ミラーに計測光を照射して、そのマスクステージ１の位置を計測するユニットと、基板ステージ２の計測ミラー及び計測ステージ３の計測ミラーに計測光を照射して、その基板ステージ２及び計測ステージ３の位置を計測するユニットとを含む。
【００３１】
なお、計測システム４が、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているようなエンコーダシステムを含んでもよい。また、基板ステージ２が、エンコーダシステムで計測されるスケール（格子、計測部材）を有してもよい。
【００３２】
基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置６は、計測システム４の計測結果に基づいて、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。
【００３３】
次に、本実施形態に係る液浸部材５について説明する。図２は、本実施形態に係る液浸部材５の一例を示すＸＺ平面と平行な側断面図、図３は、液浸部材５を下側（−Ｚ側）から見た図である。
【００３４】
本実施形態において、液浸部材５は、終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置される。液浸部材５は、射出面１２側の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液体ＬＱの液浸空間ＬＳを形成する。
【００３５】
液浸部材５は、下面２３を有する。下面２３は、射出面１２と対向する位置を含むＸＹ平面内を移動可能な物体が対向可能である。
【００３６】
射出面１２と対向する位置を含むＸＹ平面内を移動可能な物体は、射出面１２と対向可能な物体を含み、投影領域ＰＲに配置可能な物体を含む。本実施形態において、その物体は、基板ステージ２（カバー部材Ｔ）、基板ステージ２（第１保持部）に保持された基板Ｐ、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ)の少なくとも一つを含む。基板Ｐの露光において、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域だけが液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。
【００３７】
以下の説明においては、射出面１２と対向する物体が基板Ｐであることとする。なお、上述のように、射出面１２と対向可能な物体は、基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方でもよいし、基板Ｐ、基板ステージ２、及び計測ステージ３とは別の物体でもよい。また、基板ステージ２のカバー部材Ｔと基板Ｐとを跨ぐように液浸空間ＬＳが形成される場合もあるし、基板ステージ２と計測ステージ３とを跨ぐように液浸空間ＬＳが形成される場合もある。
【００３８】
本実施形態において、液浸部材５の一部は、終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置される。また、液浸部材５の一部は、射出面１２から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置される。
【００３９】
本実施形態において、液浸部材５は、環状の部材である。本実施形態において、液浸部材５の一部は、終端光学素子１３の周囲に配置される。また、本実施形態において、液浸部材５の一部は、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置される。
【００４０】
なお、液浸部材５は、環状の部材でなくてもよい。例えば液浸部材５が終端光学素子１３及び光路Ｋの周囲の一部に配置されていてもよい。また、液浸部材５が、終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置されていなくてもよい。例えば、液浸部材５が、射出面１２と基板Ｐとの間の光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置され、終端光学素子１３の周囲に配置されていなくてもよい。また、液浸部材５が、射出面１２と基板Ｐとの間の光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置されていなくてもよい。例えば、液浸部材５が、終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面１２と物体との間の光路Ｋの周囲に配置されていなくてもよい。
【００４１】
終端光学素子１３は、基板Ｐと間で液体ＬＱを保持可能である。基板Ｐが対向する射出面１２は、基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。また、液浸部材５は、基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。基板Ｐが対向する下面２３は、基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。液浸空間ＬＳは、終端光学素子１３及び液浸部材５と基板Ｐとの間に保持される液体ＬＱによって形成される。一方側の射出面１２及び下面２３と、他方側の基板Ｐの上面との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。
【００４２】
例えば基板Ｐの露光において、液浸部材５は、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。
【００４３】
本実施形態において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、下面２３と基板Ｐの上面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。液浸空間ＬＳの外側（界面ＬＧの外側）は、気体空間である。
【００４４】
本実施形態において、液浸部材５は、射出面１２が面する孔（開口）２０を有する。射出面１２から射出された露光光ＥＬは、開口２０を通過して基板Ｐに照射可能である。
【００４５】
本実施形態において、下面２３の少なくとも一部は、ＸＹ平面とほぼ平行である。なお、下面２３の少なくとも一部が、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
【００４６】
本実施形態において、液浸部材５は、液浸空間ＬＳを形成するための液体ＬＱを供給する供給口３１と、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの少なくとも一部を回収する回収口３３とを備えている。
【００４７】
供給口３１は、光路Ｋに面するように配置される。供給口３１は、液浸部材５の内部に形成された供給流路を介して、液体ＬＱを供給可能な液体供給装置と接続される。供給口３１は、液体供給装置からの液体ＬＱを射出面１２側の光路Ｋに供給する。
【００４８】
回収口３３は、下面２３が対向する物体と対向するように配置される。回収口３３は、液浸部材５の内部に形成された回収流路を介して、液体ＬＱを回収（吸引）可能な液体回収装置と接続される。回収口３３は、液浸部材５と基板Ｐとの間の空間の液体ＬＱの少なくとも一部を回収（吸引）する。
【００４９】
本実施形態において、液浸部材５は、多孔部材３４を備える。多孔部材３４は、液体ＬＱが流通可能な複数の孔(openingsあるいはpores)を有する。多孔部材３４は、例えばメッシュフィルタを含む。メッシュフィルタは、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材である。
【００５０】
本実施形態において、多孔部材３４は、プレート状の部材である。多孔部材３４は、基板Ｐが対向可能な下面３４Ｂと、液浸部材５に形成された回収流路に面する上面３４Ａと、上面３４Ａと下面３４Ｂとを結ぶように形成された複数の孔とを有する。本実施形態において、回収口３３は、多孔部材３４の孔を含む。多孔部材３４の孔（回収口３３）を介して回収された液体ＬＱは、回収流路を流れる。
【００５１】
本実施形態においては、多孔部材３４を介して実質的に液体ＬＱのみが回収され、気体の回収が制限されている。制御装置６は、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱが多孔部材３４の孔を通過して回収流路に流入し、気体は通過しないように、多孔部材３４の下面３４Ｂ側の圧力（下面２３と基板Ｐの上面との間の空間の圧力）と上面３４Ａ側の圧力（回収流路の圧力）との差を調整する。なお、多孔部材を介して液体のみを回収する技術の一例が、例えば米国特許第７２９２３１３号明細書等に開示されている。
【００５２】
なお、多孔部材３４を介して液体ＬＱ及び気体の両方が回収（吸引）されてもよい。また、多孔部材２３を設けなくてもよい。
【００５３】
本実施形態においては、供給口３１からの液体ＬＱの供給と並行して、回収口３３からの液体ＬＱの回収が行われることによって、一方側の終端光学素子１３及び液浸部材５と、他方側の基板Ｐとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成される。本実施形態において、液浸空間ＬＳは、供給口３１から供給された液体ＬＱによって形成される。
【００５４】
本実施形態において、液浸部材５の下面２３は、開口２０の周囲に配置され、液体ＬＱを回収しない下面２３Ｂと、下面２３Ｂの周囲に配置され、液体ＬＱを回収可能な多孔部材３４の下面３４Ｂとを含む。液体ＬＱは、下面２３Ｂを通過することができない。下面２３Ｂは、基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。
【００５５】
本実施形態において、液体ＬＱを回収可能な下面３４Ｂは、下面２３の周縁部に配置される。下面２３（基板Ｐの上面）と平行なＸＹ平面内において、下面３４Ｂは、環状である。液体ＬＱを回収不可能な下面２３Ｂは、下面３４Ｂの内側に配置される。本実施形態において、界面ＬＧは、下面３４Ｂと基板Ｐの上面との間に配置される。
【００５６】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法について説明する。
【００５７】
液浸部材５から離れた基板交換位置において、露光前の基板Ｐを基板ステージ２（第１保持部）に搬入（ロード）する処理が行われる。また、基板ステージ２が液浸部材５から離れている期間の少なくとも一部において、計測ステージ３が終端光学素子１３及び液浸部材５と対向するように配置される。制御装置６は、供給口３１からの液体ＬＱの供給と回収口３３からの液体ＬＱの回収とを行って、計測ステージ３上に液浸空間ＬＳを形成する。
【００５８】
露光前の基板Ｐが基板ステージ２にロードされ、計測ステージ３を用いる計測処理が終了した後、制御装置６は、終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２（基板Ｐ）とが対向するように、基板ステージ２を移動する。終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２（基板Ｐ）とが対向する状態で、供給口３１からの液体ＬＱの供給と並行して回収口３３からの液体ＬＱの回収が行われることによって、射出面１２側の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように、終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳが形成される。
【００５９】
制御装置６は、基板Ｐの露光処理を開始する。制御装置６は、基板Ｐ上に液浸空間ＬＳが形成されている状態で、照明系ＩＬから露光光ＥＬを射出する。照明系ＩＬはマスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭからの露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び射出面１２と基板Ｐとの間の液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。これにより、基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して射出面１２から射出された露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。
【００６０】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置６は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。
【００６１】
図４は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの一例を示す図である。なお、図４においては、基板Ｐの周囲に配置されるカバー部材Ｔは円環状である。なお、カバー部材Ｔの外形は、例えば四角形でもよい。本実施形態において、基板ステージ２の第１保持部に保持された基板Ｐと第２保持部に保持されたカバー部材Ｔとの間に、間隙Ｇが形成される。
【００６２】
本実施形態においては、基板Ｐに露光対象領域であるショット領域Ｓがマトリクス状に複数配置されている。制御装置６は、基板ステージ２（第１保持部）に保持されている基板Ｐの複数のショット領域Ｓを液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで順次露光する。複数のショット領域Ｓのそれぞれは、露光光ＥＬ（投影領域ＰＲ）に対して基板ＰをＹ軸方向に移動しながら露光される。
【００６３】
例えば基板Ｐの第１のショット領域Ｓを露光するために、制御装置６は、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板Ｐ（第１のショット領域Ｓ）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して第１のショット領域Ｓに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１のショット領域Ｓに投影され、その第１のショット領域Ｓが射出面１２から射出された露光光ＥＬで露光される。第１のショット領域Ｓの露光が終了した後、制御装置６は、次の第２のショット領域Ｓの露光を開始するために、液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ＰをＸＹ平面内においてＸ軸と交差する方向（例えばＸ軸方向、あるいはＸＹ平面内においてＸ軸及びＹ軸方向に対して傾斜する方向等）に移動し、第２のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。その後、制御装置６は、第２のショット領域Ｓの露光を開始する。
【００６４】
制御装置６は、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳが形成されている状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射される位置（投影領域ＰＲ）に対して基板ＰをＹ軸方向に移動しながら基板Ｐのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光後、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳが形成された状態で、次のショット領域が露光開始位置に配置されるように、ＸＹ平面内においてＹ軸方向と交差する方向（例えばＸ軸方向、あるいはＸＹ平面内においてＸ軸及びＹ軸方向に対して傾斜する方向等）に基板Ｐを移動する動作とを繰り返しながら、基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
【００６５】
以下の説明において、ショット領域を露光するために、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳが形成されている状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射される位置（投影領域ＰＲ）に対して基板Ｐ（ショット領域）をＹ軸方向に移動する動作を適宜、スキャン移動動作、と称する。また、あるショット領域の露光後、次のショット領域を露光するために、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳが形成されている状態で、次のショット領域が露光開始位置に配置されるように、ＸＹ平面内においてＹ軸方向と交差する方向に基板Ｐを移動する動作を適宜、ステップ移動動作、と称する。スキャン移動動作とステップ移動動作とを繰り返しながら、基板Ｐの複数のショット領域Ｓが順次露光される。なお、スキャン移動動作は、専らＹ軸方向の等速移動である。またステップ移動動作は、加減速度移動を含む。例えば、Ｘ軸方向に隣接する２つのショット領域間のステップ移動動作は、Ｙ軸方向の加減速移動、及びＸ軸方向の加減速移動を含む。
【００６６】
制御装置６は、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓの露光条件に基づいて、駆動システム１０を制御して、基板Ｐ（基板ステージ２）を移動する。複数のショット領域Ｓの露光条件は、例えば露光レシピと呼ばれる露光制御情報によって規定される。露光制御情報は、記憶装置７に記憶されている。制御装置６は、その記憶装置７に記憶されている露光条件に基づいて、所定の移動条件で基板Ｐを移動しながら、複数のショット領域Ｓを順次露光する。基板Ｐ（物体）の移動条件は、基板Ｐ（物体）の移動速度、加速度、移動距離、移動方向、及び光路Ｋ（液浸空間ＬＳ）に対するＸＹ平面内における移動軌跡の少なくとも一つを含む。
【００６７】
本実施形態において、制御装置６は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図４中、例えば矢印Ｓｒに示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ２を移動しつつ投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓを露光光ＥＬで順次露光する。
【００６８】
本実施形態においては、マトリクス状に複数配置されているショット領域Ｓのうち、最も−Ｙ側の第１グループＬ１のショット領域Ｓが最初に露光される。本実施形態において、グループとは、Ｘ軸方向に配置される複数のショット領域Ｓの群をいう。本実施形態において、第１グループＬ１のショット領域Ｓのうち、最も−Ｘ側に配置されているショット領域Ｓａが最初に露光される。その後、ショット領域Ｓａに対してＸ軸方向に配置されている複数のショット領域Ｓが順次露光される。
【００６９】
第１グループＬ１のショット領域Ｓの露光後、第１グループＬ１の＋Ｙ側に配置されている第２グループＬ２のショット領域Ｓが露光される。その後、第３、第４、第５、第６、第７、第８グループＬ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７、Ｌ８のショット領域Ｓが順次露光される。本実施形態において、第８グループＬ８のショット領域Ｓのうち、最も−Ｘ側に配置されているショット領域Ｓｃが最後に露光される。
【００７０】
以下、上述の処理が繰り返され、複数の基板Ｐが順次露光される。
【００７１】
基板Ｐの液浸露光により、基板Ｐ上に液体ＬＱが残留する可能性がある。以下の説明において、基板Ｐ上に残留する液体ＬＱを適宜、残留液体ＬＱｒ、と称する。また、基板Ｐにおいて残留液体ＬＱｒが発生している領域を適宜、残留液体発生領域Ａｚｒ、と称する。
【００７２】
残留液体発生領域Ａｚｒは、実際に残留液体ＬＱｒが発生している領域、及び残留液体ＬＱｒが発生する可能性がある領域の少なくとも一方を含む。
【００７３】
実際に残留液体ＬＱｒが発生している領域は、例えば基板Ｐ上の残留液体ＬＱｒを検出可能なセンサを用いて特定することができる。センサは、例えば検出光を照射してその検出光を受光することにより残留液体ＬＱｒを光学的に検出する光学センサを含む。また、センサは、例えば基板Ｐの温度を検出し、その検出結果に基づいて残留液体ＬＱｒを検出する温度センサを含んでもよい。
【００７４】
残留液体ＬＱｒが発生する可能性がある領域は、例えば基板Ｐ（基板ステージ２）の移動条件、基板ステージ２の構造、基板Ｐの表面情報（例えば液体ＬＱに対する接触角）等を参照したシミュレーションにより特定することができる。また、残留液体ＬＱｒが発生する可能性がある領域は、実験により特定することができる。
【００７５】
なお、残留液体発生領域Ａｚｒは、基板Ｐ上の領域のみならず、基板Ｐ上の位置（例えば干渉計システム４により規定される座標系における座標位置）を含む。
【００７６】
残留液体ＬＱｒは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐの表面（上面）の一部の領域に接触した後、その一部の領域から液浸空間ＬＳが退いても、その一部の領域に存在し続ける液体ＬＱを含む。また、残留液体ＬＱｒは、回収口３３から回収しきれずに基板Ｐ上に存在し続ける液体ＬＱを含む。また、残留液体ＬＱｒは、液浸空間ＬＳから飛散して基板Ｐの上面に付着した液体ＬＱを含む。また、残留液体ＬＱｒは、液体ＬＱの滴を含む。
【００７７】
残留液体ＬＱｒは、基板Ｐのショット領域Ｓの露光中に発生する可能性がある。また、残留液体ＬＱｒは、ショット領域Ｓの露光前に発生する可能性もある。また、残留液体ＬＱｒは、ショット領域Ｓの露光後に発生する可能性もある。
【００７８】
例えば、投影領域ＰＲ（液浸空間ＬＳ）に対して基板Ｐが移動軌跡Ｓｒで移動する期間の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出る可能性がある。例えば、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、基板ステージ２のカバー部材Ｔと基板Ｐとを跨ぐように液浸空間ＬＳが形成される可能性がある。換言すれば、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、基板Ｐとカバー部材Ｔとの間隙Ｇの上に液浸空間ＬＳが形成される可能性がある。
【００７９】
例えば、基板Ｐのエッジ近傍のショット領域Ｓの露光において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出る可能性がある。例えば図４において、基板Ｐのエッジ近傍に配置されている第１グループＬ１のショット領域Ｓｅ１の露光中の少なくとも一部の期間において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出る可能性がある。また、ショット領域Ｓｅ１の露光前の少なくとも一部の期間、あるいは露光後の少なくとも一部の期間において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出る可能性がある。また、第１グループＬ１のショット領域Ｓｅ２の露光中、露光前、及び露光後の少なくとも一部の期間において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出る可能性がある。また、第２グループＬ２のショット領域Ｓｅ３、Ｓｅ４の露光中、露光前、及び露光後の少なくとも一部の期間において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出る可能性がある。
【００８０】
液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出たり、液浸空間ＬＳが間隙Ｇの上を通過したりすることによって、基板Ｐのエッジ近傍の上面の一部の領域（エッジ領域）に残留液体ＬＱｒが発生する可能性がある。すなわち、基板Ｐの上面のエッジ領域の少なくとも一部が残留液体発生領域Ａｚｒとなる可能性がある。
【００８１】
本実施形態においては、基板Ｐの露光において、基板Ｐ上の残留液体発生領域Ａｚｒを液浸空間ＬＳの液体ＬＱが通過するように液浸部材５と基板ステージ２とが相対的に移動される。基板Ｐ上の残留液体発生領域Ａｚｒを液浸空間ＬＳの液体ＬＱが通過することによって、基板Ｐ上の残留液体ＬＱｒが除去される。
【００８２】
本実施形態においては、制御装置６は、基板Ｐの複数のショット領域Ｓの露光において、基板Ｐ上の残留液体発生領域Ａｚｒを液浸空間ＬＳの液体ＬＱが通過するように、液浸部材５に対して基板ステージ２を移動する残留液体除去動作を付加する。
【００８３】
以下、図５を参照して、第１の残留液体除去動作の一例について説明する。なお、以下の説明においては、液浸部材５は実質的に静止しており、基板Ｐ（基板ステージ２）が液浸部材５に対して移動することとする。
【００８４】
例えば、第２グループＬ２のショット領域Ｓｅ４の露光中、ショット領域Ｓｅ４の露光前、及びショット領域Ｓｅ４の露光後の少なくとも一部の期間において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出る可能性がある。なお、上述したように、ショット領域Ｓｅ１、Ｓｅ２の露光中、露光前、及び露光後の少なくとも一部の期間において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出る可能性がある。その結果、図５に示すように、基板Ｐの上面のエッジ領域に残留液体ＬＱｒが発生する可能性がある。例えば第１グループＬ１のショット領域Ｓｅ１に残留液体ＬＱｒが発生する可能性がある。
【００８５】
本実施形態において、制御装置６は、複数のショット領域Ｓのうち、ショット領域Ｓｅ４の後に露光されるショット領域Ｓ２３の露光終了後、次に露光されるショット領域Ｓ２４の露光が開始されるまでの間に、第１の残留液体除去動作を付加する。
【００８６】
本実施形態において、ショット領域Ｓ２３、Ｓ２４は、第３グループＬ３である。すなわち、ショット領域Ｓ２３は、Ｙ軸方向（走査方向）に関する位置が、ショット領域Ｓｅ４と異なる。また、ショット領域Ｓ２４も、Ｙ軸方向（走査方向）に関する位置が、ショット領域Ｓｅ４と異なる。
【００８７】
また、ショット領域Ｓ２３は、Ｘ軸方向（非走査方向）に関する位置がショット領域Ｓｅ４と異なる。本実施形態において、ショット領域Ｓ２３は、ショット領域Ｓｅ４よりも−Ｘ側に配置される。また、ショット領域Ｓ２４も、Ｘ軸方向（非走査方向）に関する位置がショット領域Ｓｅ４と異なる。本実施形態において、ショット領域Ｓ２４は、ショット領域Ｓｅ４よりも−Ｘ側に配置される。
【００８８】
ショット領域Ｓ２３とショット領域Ｓ２４とは、Ｘ軸方向に隣接する。ショット領域Ｓ２３は、＋Ｙ方向に移動しながら露光される。ショット領域Ｓ２４は、−Ｙ方向に移動しながら露光される。＋Ｙ方向は、−Ｙ方向と逆向きの方向である。
【００８９】
例えば、図５に示すように、制御装置６は、基板Ｐ上の残留液体発生領域Ａｚｒを液浸空間ＬＳの液体ＬＱが通過するように、液浸部材５に対して基板ステージ２を移動する。本実施形態においては、制御装置６は、第３グループＬ３のショット領域Ｓ２３の露光終了後、残留液体発生領域Ａｚｒを含む第１グループＬ１のショット領域Ｓｅ１を液浸空間ＬＳの液体ＬＱが通過するように、液浸部材５に対して基板ステージ２を移動する。
【００９０】
基板Ｐ上の残留液体発生領域Ａｚｒを液浸空間ＬＳの液体ＬＱが通過することによって、残留液体発生領域Ａｚｒから残留液体ＬＱが除去される。例えば、基板Ｐ上の残留液体発生領域Ａｚｒを液浸空間ＬＳの液体ＬＱが通過することによって、基板Ｐ上の残留液体ＬＱｒは、液浸空間ＬＳに取り込まれる。残留液体ＬＱｒは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触することにより、その液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱの一部となる。その液浸空間ＬＳが残留液体発生領域Ａｚｒから退く（移動する）ことによって、残留液体発生領域Ａｚｒから残留液体ＬＱｒが消失する。
【００９１】
制御装置６は、ショット領域Ｓ２３の露光終了後、基板Ｐ上の残留液体発生領域Ａｚｒを液浸空間ＬＳの液体ＬＱが通過するように液浸部材５に対して基板ステージ２を移動する動作を含む第１の残留液体除去動作を行った後、ショット領域Ｓ２４の露光を開始する。
【００９２】
本実施形態において、第１の残留液体除去動作は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板上のみ移動するように行われる。図５に示す例において、制御装置６は、複数のショット領域Ｓのうちショット領域Ｓｅ４よりも後に露光されるショット領域Ｓ２３の露光終了後、次に露光されるショット領域Ｓ２４の露光が開始されるまでの間に、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出ないように液浸部材５に対して基板ステージ２を移動して、ショット領域Ｓｅ４の露光において基板Ｐに発生した残留液体ＬＱｒを液浸空間ＬＳで除去する。
【００９３】
液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出ないことは、液浸空間ＬＳが基板Ｐとカバー部材Ｔとの間隙Ｇを跨がないことを含む。すなわち、本実施形態において、第１の残留液体除去動作は、液浸空間ＬＳが基板Ｐとカバー部材Ｔとを跨がないように行われる。換言すれば、第１の残留液体除去動作は、液浸空間ＬＳが間隙Ｇ上に形成されないように行われる。
【００９４】
また、制御装置６は、ショット領域Ｓ２３及びショット領域Ｓ２４の露光において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出ないように、液浸部材５に対して基板ステージ２を移動する。
【００９５】
なお、第１の残留液体除去動作において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出てもよい。換言すれば、第１の残留液体除去動作において、液浸空間ＬＳが間隙Ｇ上に形成されてもよいし、基板Ｐとカバー部材Ｔとを跨いでもよい。例えば、第１の残留液体除去動作における基板ステージ２の移動速度を、ショット領域Ｓｅ４の露光における基板ステージ２の移動速度よりも低くすることによって、第１の残留液体除去動作において残留液体ＬＱｒを発生させることなく、ショット領域Ｓｅ４の露光において発生した残留液体ＬＱｒを液浸空間ＬＳで除去することができる。
【００９６】
本実施形態においては、ショット領域Ｓ２３と−Ｙ方向側の基板Ｐのエッジとの距離は、ショット領域Ｓ２３と＋Ｙ方向側の基板Ｐのエッジとの距離よりも短い。また、ショット領域Ｓ２３の露光は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが−Ｙ方向側の基板Ｐのエッジに近づくように行われる。これにより、ショット領域Ｓ２３を＋Ｙ方向に移動しながら露光した後、基板ステージ２の移動方向を逆向きにすることなく、且つ、基板ステージ２の移動距離を長くすることなく、液浸空間ＬＳを基板Ｐのエッジ近傍の残留液体発生領域Ａｚｒに移動することができる。
【００９７】
本実施形態においては、第１の残留液体除去動作において、制御装置６は、ショット領域Ｓ２３の露光終了後からショット領域Ｓ２４の露光開始前までの期間における基板ステージ２の移動距離が、ショット領域Ｓ２４の露光終了後から次に露光されるショット領域Ｓ２５の露光開始前までの期間における基板ステージ２の移動距離よりも長くなるように、基板ステージ２を制御する。
【００９８】
また、本実施形態においては、第１の残留液体除去動作において、制御装置６は、ショット領域Ｓ２３の露光終了後からショット領域Ｓ２４の露光開始前までの期間におけるＹ軸方向（走査方向）に関する基板ステージ２の移動距離が、ショット領域Ｓ２４の露光終了後から次に露光されるショット領域Ｓ２５の露光開始前までの期間におけるＹ軸方向（走査方向）に関する基板ステージ２の移動距離よりも長くなるように、基板ステージ２を制御する。
【００９９】
本実施形態において、ショット領域Ｓ２４とショット領域Ｓ２５とは、Ｘ軸方向に隣接している。
【０１００】
本実施形態において、ショット領域Ｓの露光開始は、そのショット領域Ｓに対して露光光ＥＬの照射を開始することを含む。また、ショット領域Ｓの露光開始は、そのショット領域Ｓが露光開始位置に配置されることを含む。ショット領域Ｓの露光開始位置は、そのショット領域ＳのＹ軸方向に関する一端部（露光光ＥＬの照射が開始される端部）と投影領域ＰＲとの位置が合致する位置を含む。
【０１０１】
本実施形態において、ショット領域Ｓの露光終了は、そのショット領域Ｓに対して露光光ＥＬの照射が終了することを含む。また、ショット領域Ｓの露光終了は、そのショット領域Ｓが露光終了位置に配置されることを含む。ショット領域Ｓの露光開始位置は、そのショット領域ＳのＹ軸方向に関する他端部（露光光ＥＬの照射が終了される端部）と投影領域ＰＲとの位置が合致する位置を含む。
【０１０２】
なお、本実施形態においては、ショット領域Ｓｅ４の露光中、露光前、及び露光後の少なくとも一部において発生した残留液体ＬＱｒを除去する場合を例にして説明したが、ショット領域Ｓｅ４とは異なるショット領域Ｓの露光中、露光前、及び露光後の少なくとも一部において発生した残留液体ＬＱｒを除去する場合も同様である。
【０１０３】
図６は、最後のショット領域Ｓｃの露光が終了した状態の一例を示す。本実施形態において、制御装置６は、基板Ｐの全てのショット領域Ｓの露光完了後に、第２の残留液体除去動作を付加する。
【０１０４】
制御装置６は、複数のショット領域Ｓのうち最後のショット領域Ｓｃの露光の終了後、基板Ｐのエッジに沿って液浸空間ＬＳの液体ＬＱが移動するように、基板ステージ２の移動を制御する。これにより、第１の残留液体除去動作において除去しきれなかった残留液体ＬＱｒが基板Ｐの上面のエッジ領域に存在していたとしても、第２の残留液体除去動作によって、その残留液体ＬＱｒが除去される。
【０１０５】
第２の残留液体除去動作においては、液浸空間ＬＳが基板Ｐとカバー部材Ｔとに跨った状態で、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジに沿って移動するように基板Ｐの移動が制御されてもよい。また、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのみに接触し、カバー部材Ｔには接触しないように（液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出ないように）、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジに沿って移動するように基板Ｐの移動が制御されてもよい。
【０１０６】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板Ｐ上の残留液体発生領域Ａｚｒを液浸空間ＬＳの液体ＬＱが通過するように液浸部材５と基板ステージ２とを相対的に移動するようにしたので、基板Ｐにおいて残留液体ＬＱｒが発生することが抑制される。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。
【０１０７】
また、残留液体除去動作において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐのエッジからはみ出ないように液浸部材５に対して基板ステージ２を移動することにより、その残留液体除去動作において残留液体ＬＱｒが発生することが抑制される。
【０１０８】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１０９】
図７及び図８は、ショット領域Ｓｅ４の露光中、露光前、及び露光後の少なくとも一部において発生した残留液体ＬＱｒを除去するための第１の残留液体除去動作の一例を説明するための図である。
【０１１０】
本実施形態において、制御装置６は、複数のショット領域Ｓのうちショット領域Ｓｅ４の後に露光されるショット領域Ｓ１１の露光終了後、次に露光されるショット領域Ｓ１２の露光が開始されるまでの間に、残留液体除去動作を付加する。
【０１１１】
本実施形態において、ショット領域Ｓ１１、Ｓ１２は、第２グループＬ２である。すなわち、ショット領域Ｓｅ４と、ショット領域Ｓ１１、Ｓ１２とは、同じグループである。
【０１１２】
ショット領域Ｓ１２は、ショット領域Ｓ１１の、−Ｘ方向側に隣接している。制御装置６は、ショット領域Ｓ１１の露光終了後、ショット領域Ｓ１２の露光開始前に、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐに対して＋Ｘ方向に移動するように、基板ステージ２の移動を制御する。これにより、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが基板Ｐ上の残留液体発生領域Ａｚｒを通過する。本実施形態において、液浸部材５は実質的に静止しており、制御装置６は、基板ステージ２を−Ｘ方向に移動する。なお、ショット領域Ｓ１１の露光終了後、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが残留液体発生領域Ａｚｒを通過するように、基板ステージ２が＋Ｙ方向に移動しつつ−Ｘ方向に移動してもよい。換言すれば、基板ステージ２は、Ｘ軸（又はＹ軸）に対して傾斜するようにＸＹ平面内を移動してもよい。
【０１１３】
ショット領域Ｓ１１の露光後、第基板Ｐ上の残留液体発生領域Ａｚｒを液浸空間ＬＳの液体ＬＱが通過する動作を含む第１の残留液体除去動作が終了した後、図８に示すように、ショット領域Ｓ１２の露光が行われる。
【０１１４】
なお、本実施形態において、ショット領域Ｓ１１、Ｓ１２の露光において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、基板Ｐのエッジからはみ出さない。
【０１１５】
なお、第１の残留液体除去動作において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、基板Ｐのエッジからはみ出さない。なお、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、基板Ｐのエッジからはみ出してもよい。
【０１１６】
最後のショット領域Ｓｃの露光の終了後、制御装置６は、第２の残留液体除去動作を実行してもよい。
【０１１７】
以上説明したように、本実施形態においても、残留液体ＬＱｒの発生を抑制することができる。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１１８】
なお、上述したように、制御装置６は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置６は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置７は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置７には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
【０１１９】
なお、制御装置６に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。
【０１２０】
記憶装置７に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）６が読み取り可能である。記憶装置７には、制御装置６に、露光光が射出される光学部材の射出面と基板との間の露光光の光路に満たされた第１液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置の制御を実行させるプログラムが記録されている。
【０１２１】
記憶装置７に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置６に、  露光光が射出される射出面を有する光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材を用いて、射出面側の前記露光光の光路が液体で満たされるように液体の液浸空間を形成することと、基板を移動しながら複数のショット領域を露光することと、基板上の残留液体発生領域を液浸空間の液体が通過するように液浸部材と基板とを相対的に移動することと、を実行させてもよい。
【０１２２】
また、記憶装置７に記憶されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置６に、露光光が射出される射出面を有する光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材を用いて、射出面側の露光光の光路が液体で満たされるように液体の液浸空間を形成することと、基板を移動しながら複数のショット領域を露光することと、複数のショット領域のうち第１ショット領域よりも後に露光される第２ショット領域の露光終了後、次に露光される第３ショット領域の露光が開始されるまでの間に、液浸空間の液体が基板のエッジからはみ出ないように液浸部材に対してステージを移動して、第１ショット領域の露光において基板に発生した残留液体を液浸空間で除去することと、を実行させてもよい。
【０１２３】
記憶装置７に記憶されているプログラムが制御装置６に読み込まれることにより、基板ステージ２、計測ステージ３、及び液浸部材５等、露光装置ＥＸの各種の装置が協働して、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成された状態で、基板Ｐの液浸露光等、各種の処理を実行する。
【０１２４】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１３の射出面１２側（像面側）の光路Ｋが液体ＬＱで満たされているが、投影光学系ＰＬが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているような、終端光学素子１３の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系でもよい。
【０１２５】
なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱが水であることとしたが、水以外の液体でもよい。液体ＬＱは、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）等の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱが、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等のフッ素系液体でもよい。また、液体ＬＱが、種々の流体、例えば、超臨界流体でもよい。
【０１２６】
なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐが、半導体デバイス製造用の半導体ウエハを含むこととしたが、例えばディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等を含んでもよい。
【０１２７】
なお、上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）であることとしたが、例えばマスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）でもよい。
【０１２８】
また、露光装置ＥＸが、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光する露光装置（スティッチ方式の一括露光装置）でもよい。また、スティッチ方式の露光装置が、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置でもよい。
【０１２９】
また、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているような、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置でもよい。また、露光装置ＥＸが、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナー等でもよい。
【０１３０】
また、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、図９に示すように、露光装置ＥＸが２つの基板ステージ２００１、２００２を備えている場合、射出面１２と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージの第１保持部に保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージの第１保持部に保持された基板の少なくとも一つを含む。
【０１３１】
また、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。
【０１３２】
なお、露光装置ＥＸが、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置でもよいし、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置でもよいし、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置でもよい。
【０１３３】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているような、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしてもよい。
【０１３４】
上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが投影光学系ＰＬを備えることとしたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射する露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。
【０１３５】
また、露光装置ＥＸが、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているような、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）でもよい。
【０１３６】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、上述の各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１３７】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１０に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１３８】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０１３９】
２…基板ステージ、３…計測ステージ、５…液浸部材、６…制御装置、７…記憶装置、１２…射出面、１３…終端光学素子、Ａｚｒ…残留液体発生領域、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明系、Ｋ…光路、ＬＱ…液体、ＬＱｒ…残留液体、Ｐ…基板、Ｓ…ショット領域、Ｔ…カバー部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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