(57)【要約】【課題】工程数を増やしたり、逆テーパ形成用の専用用途のフォトレジストを使用したりすること無く、任意のテーパを形成することが可能なレジストパターンの製造方法を提供する。【解決手段】可撓性の基板１の表面にフォトレジスト層２を形成した基体１００を加熱して半硬化させ、弧状に湾曲させた後にパターニングマスク３を用いて露光処理を行い、可溶層５と非可溶層６を形成してから基体１００の加熱による硬化処理を行い、その後に現像処理を行って可溶層５を除去することでフォトレジスト層２に開口部２０を形成し、可溶層５の基板１とフォトレジスト層２が接する面の面積が可溶層５の表面の面積と比較して大きくなるようにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性基板の表面に形成されたレジスト層にパターニングマスクを用いて、前記レジスト層を所望のパターンに露光するレジストパターンの製造方法において、
前記レジスト層が表面に形成された前記可撓性基板の一部または全部の領域を弧状に湾曲させた状態で、前記パターニングマスクを介して前記レジスト層を露光し、現像液に可溶する可溶層と可溶しない非可溶層を前記レジスト層に形成する露光工程と、
前記可溶層を除去し、前記非可溶層の表面面積が、前記可撓性基板と前記非可溶層とが接触している面の面積より大きくなる前記非可溶層を形成する現像工程と、
を有することを特徴とするレジストパターンの製造方法。
【請求項２】
前記レジスト層はポジ型のレジストであり、
前記可撓性基板の表面に形成された前記レジスト層が凸状になるように湾曲させる
ことを特徴とする請求項１に記載のレジストパターンの製造方法。
【請求項３】
前記レジスト層はネガ型のレジストであり、
前記可撓性基板の表面に形成された前記レジスト層が凹状になるように湾曲させる
ことを特徴とする請求項１に記載のレジストパターンの製造方法。
【請求項４】
前記パターニングマスクは前記レジスト層の表面より上方に配置する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のレジストパターンの製造方法。
【請求項５】
前記可撓性基板は透過性を有し、
前記パターニングマスクは前記可撓性基板の裏面よりも下方に配置する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のレジストパターンの製造方法。
【請求項６】
前記露光工程で用いられる光源は平行光である
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のレジストパターンの製造方法。
【請求項７】
前記露光工程で用いられる光源は点光源である
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のレジストパターンの製造方法。
【請求項８】
可撓性基板の表面に形成されたレジスト層にパターニングマスクを用いて、前記レジスト層を所望のレジストパターンに露光し、該レジストパターンを用いて半導体素子を製造する製造方法において、
前記レジスト層が表面に形成された前記可撓性基板の一部または全部の領域を弧状に湾曲させた状態で、前記パターニングマスクを介して前記レジスト層を露光し、現像液に可溶する可溶層と可溶しない非可溶層を前記レジスト層に形成する露光工程と、
前記可溶層を除去し、前記非可溶層の表面面積が、前記可撓性基板と前記非可溶層とが接触している面の面積より大きくなる前記非可溶層である前記レジストパターンを形成する現像工程と、
前記レジストパターンの表面上と、前記レジストパターンが形成されてない領域に金属層を形成する金属層配置工程と、
前記レジストパターンと、該レジストパターンの表面に形成された前記金属層とを取り除くリフトオフ工程と、
前記金属層の上方に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路やセンサなどのリフトオフパターニングに利用されるフォトレジスト膜のパターンを任意の可撓性基板上に製造する方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リフトオフ法とは、基板表面に形成したフォトレジスト膜に露光用のパターニングマスクを配置して露光、現像処理を行い基板に所望のパターンを形成した後に、絶縁体や導電体などを蒸着によって基板表面に付着させ、レジスト剥離液に浸透させることでフォトレジスト表面に付着した蒸着物とフォトレジストを同時に除去し、所望のパターンを形成する方法である。
【０００３】
従来の製造方法を図７に示す。図７においてはフォトレジスト材料にポジ型のフォトレジストを用いて説明するが、ポジ型のフォトレジストがパターニングマスクにて感光された領域が可溶性に変質するのに対して、ネガ型のフォトレジストは感光された領域が非可溶性に変質するという違いを除いて、ネガ型のフォトレジストを用いても同様に形成できるものである。
【０００４】
初めに図７（ａ）に示されるように、基板１の表面にフォトレジスト層２を形成した基体１０５に加熱処理を行うことでフォトレジスト層２を半硬化させる。次に図７（ｂ）に示されるように一部に開口部を設けたパターニングマスク３を基体１０５の表面に接触または離間した位置に配置しパターニングマスク３を介して平行光４を当てる。平行光４はパターニングマスク３の開口部以外では遮断されるためフォトレジストは感光されない。パターニングマスク３の開口部を通った平行光４はフォトレジスト層２を感光し、感光領域を現像液に可溶な可溶層５へと変質させる。一方、感光されない領域を非可溶層６とする。
【０００５】
次に図７（ｃ）に示されるように、基体１０５を現像液に浸漬させて可溶層５を除去し可溶層５があった領域を開口部２０とするレジストパターンを形成する。次に、図７（ｄ）に示されるように、基体１０５の全域に所望の材料を蒸着法などの堆積法によって堆積層３０を形成する。最後に、図７（ｅ）に示されるように、基板１をレジスト剥離液などの溶液に浸漬させて、フォトレジスト層２の非可溶層６を除去するとともに、非可溶層６の表面に堆積した堆積層３０を剥離（リフトオフ）させる。このようにして開口部２０の表面のみに堆積物が堆積した堆積層３１を形成することができる。
【０００６】
しかし、図７（ｅ）に示すように、従来の方法では現像後のフォトレジストパターンである非可溶層６の側壁は、基板１に対して垂直または台形形状のテーパが形成されやすく、堆積物が基板１の表面と非可溶層６の表面及びに側壁に連続的に堆積するため、基体１０５をレジスト剥離液に浸漬させた際に、レジスト剥離液がフォトレジストに浸透しにくくなり、リフトオフがされにくい。また、リフトオフ後の堆積層３１の両端においては、バリと呼ばれる残留した堆積物が付着した形状となりやすい。このバリは半導体製造時において電気的不良などの要因となる。前述のバリが形成されない方法としては、フォトレジストの側壁が逆テーパとなるように形成し、堆積物がフォトレジスト表面と基板表面とで離間して堆積するような方法がある。
【０００７】
逆テーパを形成する方法としては、加熱工程の際に逆テーパを形成するように組成に改良が施されたフォトレジストを用いる方法（例えば、特許文献１及びに特許文献２）や図
８に示すように種類の異なるフォトレジスト層４０およびフォトレジスト層４１を２層形成し、上層のフォトレジスト層４１が下層のフォトレジスト層４０を覆う庇形状とする方法がある。（例えば、特許文献３）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特公昭６２−０４７２９７（第３頁、第１Ｄ図）
【特許文献２】特開昭５７−０３０８２９（第２頁、第２図）
【特許文献３】特開昭５６−０９１４３４（第２頁、第４図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、改良されたフォトレジスト材料を用いる方法においては基板表面への濡れ性が必ずしも合うとは限らず、濡れ性を良くするために基板の表面改質処理の洗浄工程や薬液処理、プラズマ照射などが必要となり工程が増えてしまう。
また、フォトレジスト膜を２層形成する工程においても、フォトリソグラフィの工程を２回行うこととなり、工程数が増加すると共に下層と上層のレジスト膜の選択比の選定が必要となるため使用範囲が限定的になる恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し目的を達成するため、本発明のパターン形成方法は、下記記載の構成を採用するものである。
【００１１】
本発明のレジストパターンの製造方法は、レジスト層が表面に形成された可撓性基板の一部または全部の領域を弧状に湾曲させた状態で、パターニングマスクを介してレジスト層を露光し、現像液に可溶する可溶層と可溶しない非可溶層をレジスト層に形成する露光工程と、可溶層を除去し、非可溶層の表面面積が、可撓性基板と非可溶層とが接触している面の面積より大きくなる非可溶層を形成する現像工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
また、レジスト層はポジ型のレジストであり、可撓性基板の表面に形成されたレジスト層が凸状になるように湾曲させることを特徴とする。あるいは、レジスト層はネガ型のレジストであり、可撓性基板の表面に形成された前記レジスト層が凹状になるように湾曲させることを特徴とする。
【００１３】
また、パターニングマスクはレジスト層の表面より上方に配置することを特徴とする。あるいは、可撓性基板は透過性を有し、パターニングマスクは可撓性基板の裏面よりも下方に配置することを特徴とする。
【００１４】
また、露光工程で用いられる光源は平行光であることを特徴とする。あるいは、点光源であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の半導体素子を製造する製造方法は、レジスト層が表面に形成された可撓性基板の一部または全部の領域を弧状に湾曲させた状態で、パターニングマスクを介してレジスト層を露光し、現像液に可溶する可溶層と可溶しない非可溶層を前記レジスト層に形成する露光工程と、可溶層を除去し、非可溶層の表面面積が、可撓性基板と非可溶層とが接触している面の面積より大きくなる非可溶層であるレジストパターンを形成する現像工程と、レジストパターンの表面上と、レジストパターンが形成されてない領域に金属層を形成する金属層配置工程と、レジストパターンと、レジストパターンの表面に形成された金属層とを取り除くリフトオフ工程と、金属層の上方に半導体層を形成する半導体層形成工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
可撓性基板を凸状または凹状に湾曲させてフォトレジストを露光するため、工程数を増やすこと無く容易に現像後のフォトレジストの形状を逆テーパに形成することが可能である。また、特別なフォトレジスト材を選定する必要がなく、既存のポジ型又はネガ型のフォトレジスト材を利用することが可能であり、フォトレジスト材料を選定する自由度が増える。
さらに、基板を湾曲させる際に、弧の大きさを変化させることで容易に逆テーパの角度を調整することができるため、基板内の任意の位置に任意の逆テーパ角を設けることが可能となる。
【００１７】
また、このような逆テーパ形状のレジストパターンを作成できるので、レジスト剥離液がフォトレジストに浸透しやすくなり、リフトオフが容易に行える。また、リフトオフ後の堆積層にバリが無くなり、この製造方法を用いて半導体素子を製造した場合には、バリを起因とする電気的不良が発生しにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態におけるフォトレジストパターンの形成工程を示す説明図である。
【図２】第２の実施形態におけるフォトレジストパターンの形成工程を示す説明図である。
【図３】第３の実施形態におけるフォトレジストパターンの形成工程を示す説明図である。
【図４】第４の実施形態におけるフォトレジストパターンの形成工程を示す説明図である。
【図５】第５の実施形態におけるフォトレジストパターンの形成工程を示す説明図である。
【図６】第１の実施形態における半導体素子の形成工程を示す説明図である。
【図７】従来技術のリフトオフ工程を示す説明図である。
【図８】従来技術のフォトレジストパターンの形成工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明のパターン形成を実施する際の最良の形態を、図面を用いて詳細に説明する。
【００２０】
［第１の実施形態］
図１は第１の実施形態の工程を（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）の順に示す図である。図１（ａ）に示すように可撓性をもった基板１の表面の一部または全域にポジ型のフォトレジストをスピンコートやスプレーコート、ディップなどのコーティング技術やスクリーン印刷法により塗布してフォトレジスト層２を形成する。これを基体１００とする。次に形成したフォトレジスト層２は液状であるため、基体１００を加熱処理し、フォトレジスト層２を半硬化させる。
【００２１】
次に図１（ｂ）に示すように基体１００を表面が凸状になるように弧状に湾曲させて保持する。この基体１００を湾曲させる方法には例えば、湾曲した保持具に沿って基体１００を貼り付けた後、基体１００の端部を固定させて保持する方法がある。また、基体１００がロールツーロール方式により搬送される場合には、ローラーまたは回転ドラムの弧を利用して湾曲させてもよい。この時の湾曲の大きさがフォトレジスト層２のテーパ形状を決定し、湾曲が大きければ大きいほど現像後のフォトレジスト層２の側壁は基板に対して急斜面となる。
【００２２】
次に図１（ｃ）に示すようにフォトレジスト層２の表面に接触または表面から上方に離間した位置に一部が開口したパターニングマスク３を配置しパターニングマスク３を介して基体１００の表面に平行光４を当て、パターニングマスク３の開口部を通過した光がフォトレジスト層２を感光して、感光領域は現像液に可溶な可溶層５を形成し、感光されない領域は現像液に非可溶な非可溶層６を形成する。
【００２３】
次に図１（ｄ）に示すように基体１００を平坦に戻す。これにより可溶層５はフォトレジスト層２の基板１と接する面の面積がフォトレジスト層２の表面の面積に比べて大きな面積となる形状を形成する。次に必要に応じて加熱工程を通して非可溶層６の硬化処理を行う。なお、加熱工程における非可溶層６の硬化処理については、図１（ｃ）に示す露光工程後に基体１００を湾曲させた状態で加熱工程を通してもよい。その場合、非可溶層６を完全に硬化させてしまうと基体１００を平坦に戻した際に、テーパ形状が形成されにくくなる可能性がある。そのため、非可溶層６を湾曲させた状態のまま硬化処理を行う場合には、完全な硬化ではなく半硬化の状態が好ましい。
【００２４】
次に図１（ｅ）に示すように、基体１００の現像処理を行うと可溶層５が現像液中に溶け出し、フォトレジスト層２に開口部２０を有した逆テーパ形状のレジストパターンを実現することができる。このようにして形成したレジストパターンを用いて、蒸着法などによる堆積層の形成とリフトオフ工程を行うと、バリの発生しない任意のパターンを精度よく形成することが可能となる。
【００２５】
［第２の実施形態］
図２は第２の実施形態の工程を（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）の順に示す図である。図２（ａ）と図２（ｂ）の工程までは、先の図１（ａ）と図１（ｂ）の工程と同じである。本実施形態では、可撓性基板が光透過性を有していることとパターニングマスク３の配置位置が、先の実施形態と異なっている。先の実施形態の工程のうち、図１（ｃ）では、パターニングマスク３は、フォトレジスト層２の上部に配置したが、本実施形態では、図２（ｃ）で図示するように、パターニングマスク３の配置位置が基板１の裏面に接触、または裏面より下方に離間して配置されており、パターニングマスク３の開口部を通過した平行光４がフォトレジスト層２を感光するように基板７に透過性の基材を使用している。
【００２６】
図２（ｃ）において露光工程を行った基体１０１は、図１（ｄ）及び図１（ｅ）と同様に図２（ｄ）において基体１０１を平坦にした後に加熱工程を通してフォトレジスト層２の硬化処理を行い、図２（ｅ）において現像を行うことで可溶層５を除去し逆テーパのレジストパターンを実現することができる。このように透過性を有する可撓性基板を用いることによりパターニングマスクを裏面側に配置することが出来るため、自由度が増える。
【００２７】
［第３の実施形態］
図３は第３の実施形態の工程を（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）順に示す図である。図３（ａ）に示すように基板１の表面の一部または全域にネガ型のフォトレジストをスピンコートやスプレーコート、ディップなどのコーティング技術や印刷により形成し、フォトレジスト層８を作る。次に形成したフォトレジスト層８は液状であるため、基体１０１を加熱しフォトレジスト層８の半硬化処理を行う。
【００２８】
次に図３（ｂ）に示すように基体１０１を表面が凹状になるように弧状に湾曲させて保持する。この基体１０１を湾曲させる方法には、先の実施形態で記述したとおりの方法を用いることができる。また、先の実施形態と同様、湾曲時の曲げの大きさがフォトレジストのテーパ形状を決定し、湾曲が大きければ大きいほど現像後のフォトレジスト層８の側
壁は基板１に対して急斜面となる。
【００２９】
次に図３（ｃ）に示すようにフォトレジスト層８の表面に接触または表面から上方に離間した位置に一部が開口したパターニングマスク３を配置してパターニングマスク３を介して基体１０１の表面に平行光４を当て、パターニングマスク３の開口部を通過した光がフォトレジスト層８を感光して、感光領域は現像液に非可溶な非可溶層１０を形成し、感光されない領域は現像液に可溶な可溶層９を形成する。
【００３０】
次に図３（ｄ）に示すように基体１０１を平坦に戻す。これにより可溶層９におけるフォトレジスト層８の基板１と接する面の面積がフォトレジスト層８の表面の面積に比べて大きな面積となる形状を形成する。次に、必要に応じて加熱工程を通してフォトレジスト層８の非可溶層１０の硬化処理を行う。
【００３１】
最後に図３（ｅ）に示すように基体１０１の現像処理を行うと、可溶層９が現像液中に溶け出し、逆テーパの形状を形成したレジストパターンを実現することができる。このようにしてポジ型のフォトレジスト材だけではなくネガ型のフォトレジスト材においてもリフトオフに適した逆テーパ形状の側壁をもったレジストパターンを形成することが可能となるため、特定のフォトレジスト材に限定されず選定の自由度が大幅に向上する。
【００３２】
［第４の実施形態］
図４は第４の実施形態の工程を（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）の順に示す図である。図４（ａ）と図４（ｂ）の工程までは、図３（ａ）と図３（ｂ）の工程と同じである。本実施形態では、可撓性基板が光透過性を有していることとパターニングマスク３の配置位置が、第３の実施形態と異なっている。第３の実施形態の工程のうち、図３（ｃ）のパターニングマスク３の配置位置は、フォトレジスト層８の上部に配置したが、本実施形態では、図４（ｃ）で図示するように、基板７の裏面に接触または裏面から下方に離間して配置されており、パターニングマスク３の開口部を通過した平行光４がフォトレジスト層８を感光するように基板に透過性の基板７を使用している。
【００３３】
図４（ｃ）において露光工程を行った基体１０３は、図３（ｄ）及び図３（ｅ）と同様に図４（ｄ）において基体１０７を平坦に戻した後に加熱して非可溶層１０の硬化処理を行い、図４（ｅ）において現像処理を行うことで可溶層９を除去し逆テーパ形状のレジストパターンを実現することができる。このように透過性を有する可撓性基板を用いることによりパターニングマスク３の配置を基板７の裏面側にも配置することが可能となるため、自由度が増える。
【００３４】
［第５の実施形態］
図５は第５の実施形態の工程を（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）の順に示す図である。図５は図１の工程のうち、露光工程における光源が放射状に発光する点光源であることが異なる。図５（ａ）と図５（ｂ）の工程までは、図１（ａ）と図１（ｂ）の工程と同じである。図５（ｃ）において放射光１１が、パターニングマスク３の開口部から基体１０４に入射するため、図５（ｄ）に示すように、可溶層５におけるフォトレジスト層２と基板１が接する面の面積とフォトレジスト層２の表面の面積の比は第１の実施形態と比較して大きくなり、図５（ｄ）に図示するように、非可溶層６の側壁をより急な斜面の形状とすることができる。また、この放射光１１は、第４の実施形態の場合にも用いることができる。第４の実施形態の露光工程である図４（ｃ）で、この放射光１１を用いた場合でも、図４（ｄ）の非可溶層１０の側壁をより急な斜面の形状に作ることができる。
【実施例】
【００３５】
本発明のレジストパターンの製造方法を用いて半導体素子を製造した。以下、半導体素
子の製造方法の一例として、ボトムゲート・トップコンタクト型の電界効果トランジスタの製造工程を説明する。図６（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ），（ｆ）に製造工程を順に示す。電界効果トランジスタの形成工程を説明する上で使用する逆テーパ形状のレジストパターンの形成方法は、前述の実施形態のいずれであっても構わないが、フォトレジストを形成する表面の表面状態により適宜選定することが好ましい。
【００３６】
図６（ａ）に示すように、基板１に先の実施形態のいずれかの方法によりフォトレジスト層２を形成した基体１００の表面に真空蒸着法を用いて金属層３１を形成する。ここで図示はしていない加熱された蒸着源から飛散した金属が離間して置かれた基体１００に堆積されるが、フォトレジスト層２が逆テーパ形状となっているために、フォトレジスト層２の側壁及び、フォトレジスト層２の陰になる基板１の表面には堆積されにくくなる。金属層３１の形成方法としてスパッタリング法などが挙げられるがそれに限定されるものではない。
【００３７】
次に図６（ｂ）に示すように、金属層３１が形成された基体１００を図示しないフォトレジスト剥離液に浸漬しリフトオフを行う。フォトレジスト層２は剥離液中に溶解し、その結果フォトレジスト層２の表面に形成された金属層３１がフォトレジスト層２とともに基体１００から剥離され基板１の表面に直接堆積した金属層３１によるゲート電極３２が形成される。
【００３８】
一般的に形成された各層の表面形状は下層の表面形状をトレースしやすいため、各層の表面は意図した形状でない限り平坦であることが好ましい。ゲート電極３２の表面に凹凸やバリが存在すると、その上に形成する各層の表面形状が安定しなくなり半導体素子の特性に致命的な影響を与える可能性がある。本実施形態で製造したレジストパターンを用いることで、ゲート電極３２の表面の凹凸やバリをなくすことができるため、半導体素子の特性が安定する効果がある。
【００３９】
次に図６（ｃ）に示すように、基板１及びゲート電極３２を覆うように誘電体層３３を形成する。誘電体層３３の形成法としては、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコートやスプレーコート、印刷法などが挙げられるがそれに限定されるものではない。本実施例では誘電体層３３を基板１の全面に形成したが、ゲート電極３２の形成方法と同様にフォトレジストによるパターニングをした後にリフトオフ工程により形成しても良い。
【００４０】
次に図６（ｄ）に示すように、誘電体層３３の上に先の実施形態のいずれかの方法を用いて、逆テーパ形状のフォトレジスト層２を複数個形成する。このように逆テーパ形状のフォトレジスト層２を複数個形成する場合には、弧状に湾曲させて露光する工程を基板１の位置をずらして複数回行うことが必要である。その後、図６（ａ）と同様に基体１００の表面に金属層３４を形成する。
【００４１】
次に図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト層２及びフォトレジスト層２の表面に堆積した金属層３４をリフトオフ工程によって剥離し、ソース電極３５及びドレイン電極３６を形成する。
【００４２】
最後に図６（ｆ）に示すように、ゲート電極３２の上方で且つソース電極３５及びドレイン電極３６の一部を覆うように半導体層となるチャネル層３７を形成し、電界効果トランジスタが作製できる。チャネル層３７の形成方法としては、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコートやスプレーコート、印刷法などが挙げられるがそれに限定されるものではない。また、ゲート電極３２の形成方法と同様にフォトレジストによるパターニングをした後にリフトオフ工程により形成しても良い。
【００４３】
電界効果トランジスタにおいて、ソース電極３５及びドレイン電極３６はチャネル層３７を流れるキャリア（電子または正孔）の注入や取出しを行い、トランジスタ特性を決める上で重要な要素である。ソース電極３５またはドレイン電極３６のいずれかにバリが発生すると、その間に形成するチャネル層３７の形状が安定しないばかりかトランジスタが正常に動作しないおそれもある。このことは電界効果トランジスタの特性にかかわらず、あらゆる半導体素子の特性についても同様に言える。本実施形態における製造方法を利用することによって、バリの発生を抑えた電極を形成することが可能となるため、作製した半導体素子の特性の安定化、向上の効果がある。
【符号の説明】
【００４４】
１  基板
２，８，４０，４１  フォトレジスト層
３  パターニングマスク
４  平行光
５，９  可溶層
６，１０  非可溶層
１１  放射光
２０  開口部
３０，３１  堆積層
３２  金属層
３３  誘電体層
３４  ソース電極
３５  ドレイン電極
３６  チャネル層
１００,１０１，１０２，１０３，１０４  基体
【図１】
2013235959.tif 000003
【図２】
2013235959.tif 000004
【図３】
2013235959.tif 000005
【図４】
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【図５】
2013235959.tif 000007
【図６】
2013235959.tif 000008
【図７】
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【図８】
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