(57)【要約】【課題】本発明は、電極交換などの修理が容易である非移送式中空型プラズマトーチを提供する。【解決手段】本発明は、非移送式中空型プラズマトーチに関する。本発明のプラズマトーチは、絶縁物体を介して結合された後方トーチ部及び前方トーチ部を備える。絶縁物体は絶縁体で形成され、プラズマ発生に必要なガスが注入され、注入されたガスが移動することができる貫通孔が形成されている。後方トーチ部は、絶縁物体の一側に設置され絶縁物体の貫通孔に結合され、内設された後方電極を囲む磁気コイルを具備する。なお、前方トーチ部は、後方トーチ部と対向するように絶縁物体の他側に設置され絶縁物体の貫通孔に結合され、内設された前方電極を囲む磁気コイルがないため、絶縁物体からの脱着が容易である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ発生に必要なガスが注入されるガス注入空間を具備する絶縁物体と、前記絶縁物体の一側に設置される後方トーチハウジング及び前記後方トーチハウジングの内部に一端部が位置され、他端部が前記ガス注入空間と結合される管状の後方電極を備える後方トーチ部と、前記絶縁物体の他側に設置される前方トーチハウジング及び前記前方トーチハウジングを貫通して設置され、一端部が前記ガス注入空間と結合される管状の前方電極を備える前方トーチ部と、前記後方電極の前記一端部に脱着可能に形成される蓋部とを備える、プラズマトーチ。
【請求項２】
前記後方トーチハウジングにのみ巻かれる磁気コイルを更に備える、請求項１に記載のプラズマトーチ。
【請求項３】
前記後方トーチハウジングは、前記絶縁物体に分離可能に結合される、請求項１に記載のプラズマトーチ。
【請求項４】
前記前方トーチハウジングは、前記絶縁物体に分離可能に結合される、請求項１に記載のプラズマトーチ。
【請求項５】
前記絶縁物体は管状で形成され、前記前方トーチハウジング及び前記後方トーチハウジングは前記絶縁物体の延長方向の両側部に位置される、請求項１に記載のプラズマトーチ。
【請求項６】
前記後方電極は、前記後方トーチハウジングに分離可能に結合される、請求項１に記載のプラズマトーチ。
【請求項７】
前記前方電極は、前記前方トーチハウジングに分離可能に結合される、請求項１に記載のプラズマトーチ。
【請求項８】
前記前方トーチを冷却させるために、前記前方トーチハウジングの内部に第１の冷却流体を出入りさせる前方トーチ冷却部及び前記後方トーチを冷却させるために、前記後方トーチハウジングの内部に第２の冷却流体を出入りさせる後方トーチ冷却部のうち少なくともいずれか一つを備える、請求項１に記載のプラズマトーチ。
【請求項９】
前記前方トーチ部及び前記後方トーチ部は、同芯軸上に一列に配列され、前記前方トーチ部及び前記後方トーチ部の対向端部は、互いに所定間隔離隔するように形成される、請求項１に記載のプラズマトーチ。
【請求項１０】
前記前方電極及び前記後方電極は、同芯軸上に一列に配列され、前記前方電極及び前記後方電極の対向端部は、互いに所定間隔離隔するように形成される、請求項９に記載のプラズマトーチ。
【請求項１１】
前記前方トーチ部及び前記後方トーチ部の対向端部は、前記ガス注入空間の内部に突出するように形成される、請求項９に記載のプラズマトーチ。
【請求項１２】
前記前方電極及び前記後方電極の対向端部は、前記ガス注入空間の内部に突出するように形成される、請求項１１に記載のプラズマトーチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非移送式中空型プラズマトーチに関するものであり、より詳しくは、電極交換などの修理作業を容易に行うことができる修理が容易な非移送式中空型プラズマトーチに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマトーチは、電極（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ）間でプラズマアーク柱（ｐｌａｓｍａ  ａｒｃ  ｃｏｌｕｍｎ）を発生させて維持する装置であって、これが応用される工程に反応熱及び反応ガスを供給することによって、結果的に反応物がイオン化及び解離され、反応を促進させる役割を果たす。
【０００３】
多くのプラズマトーチは、プラズマアーク柱が電極間で生成され、電極間に注入されたガスの流速及び流量によって維持される構造を有するようになり、用いられるガスとしては、圧縮空気、酸素、蒸気など応用される分野によって多様に用いられ、これらは有機物が多く含まれている有害廃棄物の処理に好ましい。
【０００４】
このような中空型プラズマトーチは、温度が非常に高く、汚染源にならず、運転が容易であり、プラズマの温度及び速度が運転電流、気体流量、及び流速の調整によって調節されるという長所を有しており、流すガスの圧力は、低真空から高気圧まで多様に用いられる。
【０００５】
それ以外の主な要素としては、プラズマトーチの電圧及び電流条件を満たす電源（ｐｏｗｅｒ  ｓｕｐｐｌｙ）と、水（冷媒）と、プラズマガスとをトーチに供給し、流れを制御するガスシステム（ｗａｔｅｒ／ｇａｓ  ｓｙｓｔｅｍ）、前方電極、及び中空型後方電極の寿命を延長することができる冷却ラインで構成される。
【０００６】
プラズマトーチは、アーク柱を通じて電流が流れる時、プラズマアーク柱の電気的な抵抗によって電気エネルギーが熱エネルギーに変換されて加熱され、加熱されたプラズマ温度は２０，０００Ｋ以上まで得ることができるものであり、このようなプラズマトーチは、既存の燃焼方式の熱源よりも超高温及び大熱量を得ることができる。
【０００７】
なお、プラズマと接している電極表面のアークルート（ａｒｃ  ｒｏｏｔ）における温度は、電極の融点より高いため、アークルートを回転移動させるか、或いは効率的な冷却によって電極の浸食を最小限にする必要がある。プラズマトーチは、化学反応における固体を加熱して融解させるか、或いは固体又は液体を加熱して蒸発させるか、或いは分子をイオン化及び解離させることに用いることができ、このような作業は、高温及びその化学反応に耐える耐火炉で行われる。
【０００８】
このような従来のプラズマトーチは、絶縁性の絶縁物体を介して結合された前方トーチ部と後方トーチ部とが結合されて設置される。前方トーチ部及び後方トーチ部には、それぞれ磁気コイルが巻かれていることもある。従来のプラズマトーチは、使用によって、電極の寿命を終えた場合、絶縁物体を介して結合された前方トーチ部と後方トーチ部とを分解して電極の交換作業を遂行する。
【０００９】
しかしながら、前方トーチ部及び後方トーチ部に効率的な冷却のための冷却チャネルが構成されており、またそれぞれ磁気コイルが巻かれているため、電極を交換するためにプラズマトーチを絶縁物体、前方トーチ部、後方トーチ部に分解するのに非常に長時間必要となる問題点を有している。
【００１０】
なお、プラズマトーチは、数百ｋｇ以上の重量及び高温度での使用条件を考慮すると、電極の交換は非常に困難な作業である。
【００１１】
また、プラズマトーチは、後方トーチに内設された後方電極の場合、使用によって損傷が発生する部分は、全体から上端部に該当する部分であるが、後方電極の交換の際、全体を交換しなければならないため、後方電極の交換によるコストが多く発生する問題点を有している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従って、本発明の目的は、電極交換などの修理が容易である非移送式中空型プラズマトーチを提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、カートリッジの形態で前方トーチを容易に交換することができる修理が容易な非移送式中空型プラズマトーチを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
１．プラズマ発生に必要なガスが注入されるガス注入空間を具備する絶縁物体と、前記絶縁物体の一側に設置される後方トーチハウジング及び前記後方トーチハウジングの内部に一端部が位置され、他端部が前記ガス注入空間と結合される管状の後方電極を備える後方トーチ部と、前記絶縁物体の他側に設置される前方トーチハウジング及び前記前方トーチハウジングを貫通して設置され、一端部が前記ガス注入空間と結合される管状の前方電極を備える前方トーチ部と、前記後方電極の前記一端部に脱着可能に形成される蓋部とを備える、プラズマトーチ。
【００１５】
２．前記項目１において、前記後方トーチハウジングにのみ巻かれる磁気コイルを更に備える、プラズマトーチ。
【００１６】
３．前記項目１において、前記後方トーチハウジングは、前記絶縁物体に分離可能に結合される、プラズマトーチ。
【００１７】
４．前記項目１において、前記前方トーチハウジングは、前記絶縁物体に分離可能に結合される、プラズマトーチ。
【００１８】
５．前記項目１において、前記絶縁物体は管状で形成され、前記前方トーチハウジング及び前記後方トーチハウジングは前記絶縁物体の延長方向の両側部に位置される、プラズマトーチ。
【００１９】
６．前記項目１において、前記後方電極は、前記後方トーチハウジングに分離可能に結合される、プラズマトーチ。
【００２０】
７．前記項目１において、前記前方電極は、前記前方トーチハウジングに分離可能に結合される、プラズマトーチ。
【００２１】
８．前記項目１において、前記前方トーチを冷却させるために、前記前方トーチハウジングの内部に第１の冷却流体を出入りさせる前方トーチ冷却部及び前記後方トーチを冷却させるために、前記後方トーチハウジングの内部に第２の冷却流体を出入りさせる後方トーチ冷却部のうち少なくともいずれか一つを備える、プラズマトーチ。
【００２２】
９．前記項目１において、前記前方トーチ部及び前記後方トーチ部は、同芯軸上に一列に配列され、前記前方トーチ部及び前記後方トーチ部の対向端部は、互いに所定間隔離隔するように形成される、プラズマトーチ。
【００２３】
１０．前記項目９において、前記前方電極及び前記後方電極は、同芯軸上に一列に配列され、前記前方電極及び前記後方電極の対向端部は、互いに所定間隔離隔するように形成される、プラズマトーチ。
【００２４】
１１．前記項目９において、前記前方トーチ部及び前記後方トーチ部の対向端部は、前記ガス注入空間の内部に突出するように形成される、プラズマトーチ。
【００２５】
１２．前記項目１１において、前記前方電極及び前記後方電極の対向端部は、前記ガス注入空間の内部に突出するように形成される、プラズマトーチ。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によるプラズマトーチは、電極交換などの修理を容易に遂行することができる。すなわち、前方トーチ部が磁気コイルのないカートリッジ形態であるため、電極の交換の際に絶縁物体から前方トーチ部のみを分離して容易に交換することができる。
【００２７】
なお、後方トーチ部に内設された後方電極は、管部及び管部の一端に結合された蓋部が結合された構造を有するため、後方電極の交換の際に浸食が発生する蓋部のみを分離して交換することによって、後方電極の交換によるコストの発生を最小限にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】プラズマトーチを示す断面図である。
【図２】プラズマトーチの分解断面図である。
【図３】図１の後方トーチ部から後方電極が分離された状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下の説明では、本発明の実施形態を理解するのに必要な部分のみが説明され、それ以外の部分の説明は、本発明の要旨から逸脱しないように省略されたものであることを留意しなければならない。
【００３０】
以下において説明される本明細書及び特許請求の範囲において用いられる用語及び単語は、通常的且つ辞典的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者は、本発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義し得るという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味及び概念で解釈されなければならない。従って、本明細書に記載された実施形態及び図面に示された構成は、本発明の好ましい実施形態に過ぎず、本発明の技術的思想を全て代表するものではないため、出願時において、これらに代わり得る多様な均等物及び変更例があり得ることを理解すべきである。
【００３１】
以下において、図面を参照し、本発明の実施形態をさらに詳しく説明する。
【００３２】
図１は、本発明の実施形態に係るプラズマトーチを示す断面図である。図２は、本発明の実施形態に係るプラズマトーチの分解断面図である。なお、図３は、図１の後方トーチ部から後方電極が分離された状態を示す断面図である。
【００３３】
図１乃至図３を参照すると、本発明の実施形態に係るプラズマトーチ１００は、絶縁物体３０を介して両側に結合され設置された後方トーチ部１０と前方トーチ部２０とを備える。絶縁物体３０は、絶縁体で形成され、プラズマの発生に必要なガスが注入されるガス注入空間として貫通孔３４が形成されている。後方トーチ部１０は、絶縁物体３０の一側に設置される後方トーチハウジング及び前記後方トーチハウジングの内部に一端部が位置され、他端部が前記ガス注入空間と結合される管状の後方電極を備える。なお、前方トーチ部２０は、前記絶縁物体の他側に設置される前方トーチハウジング及び前記前方トーチハウジングを貫通して設置され、一端部が前記ガス注入空間と結合される管状の前方電極を備える。
【００３４】
このような本実施形態に係るプラズマトーチ１００について詳しく説明すると、以下のとおりである。
【００３５】
絶縁物体３０は、絶縁体ブロック３９とガス注入口３３とを備える。絶縁体ブロック３９は、その内部にガス注入空間である貫通孔３４が形成され、例えば管状で形成され得る。この場合、後方トーチ部１０及び前方トーチ部２０は、前記絶縁物体３０の延長方向の両側部に設置される。この時、絶縁体ブロック３９は、良好な絶縁性を有するテフロン（登録商標）素材で製造され得る。ガス注入口３３は、絶縁体ブロック３９の測面を通じて貫通孔３４にガスを注入する。この時、ガスとしては、圧縮空気、酸素、蒸気など応用される分野によって多様なガスが用いられ得る。
【００３６】
後方トーチ部１０は、後方電極ハウジング１５と、後方電極１９と、磁気コイル１４と、後方トーチ冷却部１６とを備える。
【００３７】
後方電極ハウジング１５は、一方が開放された管状であって、開放部１５ｂが形成される部分が絶縁物体３０の一側に分離可能に結合される。例えば、ボルト３１などを用いて締結され得る。
【００３８】
後方電極１９は、一方が開放された管状であって、後方電極ハウジング１５に内設され後方電極ハウジング１５との間に密閉された空間１５ａを形成し、開放部１９ｃが形成された部分が絶縁物体３０の貫通孔３４に結合される。
【００３９】
この時、後方電極１９は、後方電極ハウジング１５に分離可能に結合されることが好ましい。図３を参照すると、後方電極１９は、後方電極ハウジング１５の開放部１５ｂに挿入され安定的に固定されるように、開放部１９ｃが形成された一端に近い外側面に係止片１１が形成されている。係止片１１によって後方電極ハウジング１５に挟まれた後方電極１９は、後方電極リング１２を介して、ボルト１３で後方電極ハウジング１５に締結される。後方電極ハウジング１５と後方電極１９との間には、密閉された空間１５ａが形成され、後方電極１９の開放部１９ｃは、後方電極ハウジング１５の開放部１５ｂの方を通じて外部に露出される。後方トーチ部１０は、絶縁物体３０に締結される後方電極１９の開放部１９ｃの方が絶縁物体３０の貫通孔３４に結合されるようにボルト３１で締結される。
【００４０】
後方電極１９は、両方が開放された管部１９ａと、管部１９ａの一方の開放部１９ｄに結合且つ分離が可能な伝導性を有する蓋部１９ｂとを備える。従って、後方電極１９の交換の際、浸食が発生される蓋部１９ｂのみを管部１９ａから分離して交換することができる。もちろん、管部１９ａは、蓋部１９ｂが結合されていない他方の開放部１９ｃが絶縁物体３０の貫通孔３４に結合される。
【００４１】
このように本実施形態に係る後方トーチ部１０に内設された後方電極１９は、管部１９ａ及び管部１９ａの一端に蓋部１９ｂが結合された構造を有するため、後方電極１９の交換の際に浸食が発生する蓋部１９ａのみを分離して交換することによって、後方電極１９の交換によるコストの発生を最小限にすることができる。
【００４２】
磁気コイル１４は、後方電極ハウジング１５の外部に後方電極用ソレノイド状の引込線を巻回させ、後方電極１９の中空内に磁場を発生するようにし、一方の末端は、電源（図示しない）に接続され、他方の末端は、後方電極ハウジング１５に結合されて後方電極１９と電気的に接続される。すなわち、後方電極１９の集中的な電流によるプラズマアークが１箇所に集中することを防ぐために、後方電極１９の周囲に磁気コイル１４をソレノイド状に巻回させ、自己誘導磁場（ｓｅｌｆ−ｉｎｄｕｃｅｄ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ）の原理を取り入れた。なお、プラズマアーク電流による方位角方向の磁場と、ソレノイド状で設置された磁気コイル１４に流れる電流とにより発生される軸方向磁場の合成による回転磁場によってプラズマトーチ１００のアークを回転させることで、電極表面でアークの集中による浸食を防止し、熱損傷を低減させる。
【００４３】
一方、磁場を形成するためには、プラズマトーチ１００の電源以外に別途の磁場形成用電源が必要であったが、本実施形態では、磁場形成のための更なる電源なしにプラズマトーチ１００の主電源のみでも磁場を形成することができる。
【００４４】
なお、既存のプラズマトーチは、磁場を調節する電源調節装置が別途に設置されなければならないが、本実施形態に係るプラズマトーチ１００は、アークの強度に応じて磁場の強度が自己調節される長所を有している。
【００４５】
後方トーチ部１０は、後方電極１９を始めとした後方トーチ部１０の過熱を防止するために後方電極１９の周囲を囲んでいる後方トーチ冷却部１６を具備することができる。密閉された空間１５ａに冷却水を注入する冷却水注入口１７と、後方電極１９を冷却した冷却水を回収する冷却水排出口１８とを備える。冷却水注入口１７と冷却水排出口１８とは、後方電極ハウジング１５の密閉された空間１５ａに結合される。例えば、冷却水注入口１７と冷却水排出口１８とは、後方電極ハウジング１５の開放部１５ｂの反対側に結合され得る。前方トーチ部２０は、前方電極ハウジング２５と、前方電極２９と、前方トーチ冷却部２６とを備える。
【００４６】
前方電極ハウジング２５は、両方が開放された管状であって、一方の開放部２５ｂが形成された部分が絶縁物体３０の他側に分離可能に結合される。例えば、ボルト３２などを用いて締結され得る。前方トーチ部２０は、磁気コイルを備えていないため、絶縁物体３０に締結された前方電極ハウジング２５を分離することによって、絶縁物体３０から前方トーチ部２０を簡単に分離することができる。
【００４７】
前方電極２９は、両方が開放された管状であって、前方電極ハウジング２５を貫通するように内設され、前方電極ハウジング２５との間に密閉された空間２５ａを形成する。なお、前方電極２９は、一方が前方電極ハウジング２５の一方の開放部２５ｂを通じて絶縁物体３０の貫通孔３４に結合され、他方は前方電極ハウジング２５の他方の開放部２５ｃを通じて外に露出する。
【００４８】
この時に、前方電極２９は、前方電極ハウジング２５に分離可能に結合されることが好ましい。図１及び図２を参照すると、前方電極２９は前方電極ハウジング２５の一方の開放部２５ｂに挿入され安定的に固定され得るように、絶縁物体３０に結合される開放部２９ａに近い外側面に係止片２１が形成されている。係止片２１によって前方電極ハウジング２５に挟まれた前方電極２９は、前方電極リング２２を介してボルト２３で前方電極ハウジング２５に締結される。前方電極ハウジング２５と前方電極２９との間には、密閉された空間２５ａが形成され、前方電極２９の他方の開放部２９ｂは、前方電極ハウジング２５の他方の開放部２５ｃを通じて外部に露出する。前方トーチ部２０は、前方電極２９の開放部２９ａが絶縁物体３０の貫通孔３４に結合されるようにボルト３２で締結される。前方電極２９の係止片２１が形成された前方電極２９の開放部２９ａの方が絶縁物体３０の貫通孔３４に結合されるように前方トーチ部２０が絶縁物体３０に締結される。
【００４９】
前方トーチ部２０は、前方電極２９を始めとした前方トーチ部２０の過熱を防止するために前方電極２９の周囲を囲んでいる前方トーチ冷却部２６を具備することができる。ガス注入口３３から投入される反応ガスが暖流（ｔｕｒｂｕｌｅｎｃｅ）を形成し、前方電極２９は冷却され、全体の熱効率を改善させる。前方トーチ冷却部２６は、密閉された空間２５ａに冷却水を注入する冷却水注入口２７と、前方電極２９を冷却した冷却水を回収する冷却水排出口２８とを備える。冷却水注入口２７と冷却水排出口２８とは、前方電極ハウジング２５の密閉された空間２５ａに接続される。例えば、冷却水注入口２７と冷却水排出口２８とは、絶縁体ブロック３９に近い前方電極ハウジング２５の側面に結合され得る。
【００５０】
このような本実施形態によって、プラズマトーチ１００は、後方電極ハウジング１５と前方電極ハウジング２５とが絶縁体ブロック３９を介して結合され、後方電極ハウジング１５と前方電極ハウジング２５とがボルト３１、３２のような分離可能な締結手段によって絶縁体ブロック３９に締結される場合には、交換などの修理作業を容易に遂行することができる。特に、本実施形態の前方トーチ部２０は、磁気コイルのないカートリッジ形態であるため、電極交換の際にボルト３２を外して絶縁物体３０から前方トーチ部２０のみを分離して簡単に交換することができる。併せて、プラズマトーチ１００の性能及び修理や交換の容易性から、好ましくは、前方トーチ部２０及び後方トーチ部１０は、同芯軸上に一列に配列され得、前方トーチ部２０及び後方トーチ部１０の対向端部は、互いに所定間隔離隔するように形成され得る。より好ましくは、前方トーチ部２０及び後方トーチ部１０の対向端部は、貫通孔３４の内部に突出するように形成され得る。
【００５１】
なお、後方電極１９及び前方電極２９が絶縁体ブロック３９を介して電気的及び機械的に結合され、好ましくは、前方電極２９及び後方電極１９は、同芯軸上に一列に配列される。この場合、前方電極２９及び後方電極１９の対向端部は、互いに所定間隔離隔するように形成され得る。より好ましくは、前方電極２９及び後方電極１９の対向端部は、貫通孔３４の内部に突出するように形成され得る。
【００５２】
後方電極１９及び前方電極２９は、後方トーチ冷却部１６及び前方トーチ冷却部２６によって冷却されるため、高い温度による後方電極１９及び前方電極２９の磨耗を最小限にして、プラズマトーチ１００の寿命を延長することができる。
【００５３】
一方、本実施形態に係るプラズマトーチ１００の構成金属は、後方電極１９、前方電極２９などを除けば、基本的にステンレススチール（ｓｔａｉｎｌｅｓｓ  ｓｔｅｅｌ）で構成されており、これは、機械的強度及び耐腐蝕性に優れ、熱伝導度が銅に比較して低いため、プラズマトーチ１００の外部への熱損失を減少させ、磁場の透過性に優れた特徴がある。
【００５４】
絶縁体ブロック３９と後方電極ハウジング１５及び絶縁体ブロック３９と前方電極ハウジング２５、後方電極リング１２と後方電極１９及び前方電極リング２２と前方電極２９などの結合部の間は、パッキン・シールを用いてシールさせることによってガスの流出入を防ぐ。
【００５５】
このような本実施形態に係るプラズマトーチ１００の作用関係を説明すると、以下のとおりである。
【００５６】
ガス注入口３３を通じてガスが流入し、ガスの流れによって前方電極２９が位置する内部空間のガス圧力は低くなる。放電部位、すなわち、前方電極２９が位置する内部空間のガス圧力が低くなるため、低い電圧でプラズマアークが開始され、維持される。
【００５７】
プラズマトーチ１００は、後方電極１９の周辺には、自己誘導磁場用ソレノイド状の磁気コイル１４が設置されており、磁場が自動的に形成されるため、後方電極１９の表面でアークの集中による浸食を抑制し、熱損傷を低減させることができる。
【００５８】
そして、実施形態に係るプラズマトーチ１００の修理作業は、以下のとおり遂行され得る。
【００５９】
先ず、前方トーチ部２０は、磁気コイルを備えていないため、ボルト３２を外してカートリッジ形態で簡単に絶縁物体３０から前方トーチ部２０を分離して交換することができる。
【００６０】
後方トーチ部１０の後方電極１９は、管部１９ａに蓋部１９ｂが結合された構造を有する。したがって、ボルト３１を外して絶縁物体３０から後方トーチ部１０を分離し、次いで、ボルト１３を外して後方電極リング１２を介して結合された後方電極ハウジング１５に結合された後方電極１９を分離した後、後方電極１９の管部１９ａに結合された蓋部１９ｂを分離して新たな蓋部１９ｂに交換することができる。
【００６１】
一方、本明細書及び図面に開示された実施形態は、理解を助けるために特定例を提示したものに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。ここに開示された実施形態の他にも本発明の技術的思想に基づく他の変更例が実施可能であるということは、本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者には自明である。
【符号の説明】
【００６２】
１０：後方トーチ部
１１：係止片
１２：後方電極リング
１４：磁気コイル
１５：後方電極ハウジング
１６：後方トーチ冷却部
１７：冷却水注入口
１８：冷却水排出口
１９：後方電極
２０：前方トーチ部
２５：前方電極ハウジング
２６：前方トーチ冷却部
２７：冷却水注入口
２８：冷却水排出口
２９：前方電極
３０：絶縁物体
３３：ガス注入口
３４：貫通孔
３９：絶縁体ブロック
１００：プラズマトーチ
【図１】
2013235833.tif 000003
【図２】
2013235833.tif 000004
【図３】
2013235833.tif 000005