(57)【要約】【課題】型のパターン部の周辺部に付着した付着物を除去するのに有利なクリーニング方法を提供する。【解決手段】このクリーニング方法は、凹凸パターンが形成されたパターン部７ａを有する型７に付着した付着物２２を除去するものである。特に、このクリーニング方法は、型７と、基板２０上に塗布された光硬化性樹脂２１とを押し付けるに際し、パターン部７ａの形成面におけるパターン部７ａの外周部７ｃに対応する基板２０上の位置に、光硬化性樹脂２１を塗布する工程と、型７と光硬化性樹脂２１とを押し付ける工程と、光硬化性樹脂２１を硬化させる工程と、型７と光硬化性樹脂２１とを引き離す工程と、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸パターンが形成されたパターン部を有する型に付着した付着物を除去するクリーニング方法であって、
前記型と、基板上に塗布された光硬化性樹脂とを押し付けるに際し、前記パターン部の形成面における前記パターン部の外周部に対応する前記基板上の位置に、前記光硬化性樹脂を塗布する工程と、
前記型と前記光硬化性樹脂とを押し付ける工程と、
前記光硬化性樹脂を硬化させる工程と、
前記型と前記光硬化性樹脂とを引き離す工程と、
を含むことを特徴とするクリーニング方法。
【請求項２】
前記パターン部は、前記基板に向かう凸型の形状を有し、
前記外周部は、前記パターン部の側壁部を含むことを特徴とする請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項３】
前記基板は、その表面上に、前記光硬化性樹脂に対する静的接触角が異なる少なくとも２つ以上の領域を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のクリーニング方法。
【請求項４】
前記領域は、前記基板上に塗布された前記光硬化性樹脂の液膜の底面端部が位置する第１領域と、前記液膜の底面中央部が位置する第２領域とを含み、
前記第１領域での前記静的接触角は、前記第２領域での前記静的接触角よりも大きい、ことを特徴とする請求項３に記載のクリーニング方法。
【請求項５】
前記第２領域は、前記外周部と前記光硬化性樹脂との密着力よりも、前記光硬化性樹脂との密着力の方が大きくなる密着層で形成されることを特徴とする請求項４に記載のクリーニング方法。
【請求項６】
前記基板は、その表面上に、前記外周部と前記光硬化性樹脂との密着力よりも、前記光硬化性樹脂との密着力の方が大きくなる密着層を有することを特徴とする請求項１または２に記載のクリーニング方法。
【請求項７】
前記基板は、その表面上に、前記光硬化性樹脂との接触面積を大きくするための凹凸部を有することを特徴とする請求項１または２に記載のクリーニング方法。
【請求項８】
前記基板は、被処理基板とは異なるクリーニング基板であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のクリーニング方法。
【請求項９】
前記クリーニング基板は、その表面上に、前記光硬化性樹脂が塗布される領域を複数有することを特徴とする請求項８に記載のクリーニング方法。
【請求項１０】
基板上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させ、前記基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
請求項１ないし９のいずれか１項に記載のクリーニング方法を採用し、前記型に付着した付着物を除去することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載のインプリント装置を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クリーニング方法、それを用いたインプリント装置および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上の未硬化樹脂を型（モールド）で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板（ウエハ）上のインプリント領域であるショットに紫外線硬化樹脂（インプリント材、光硬化性樹脂）を塗布する。次に、この樹脂（未硬化樹脂）を型により成形する。そして、紫外線を照射して樹脂を硬化させたうえで引き離すことにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。
【０００３】
この基板上にパターンを形成するに際し、型は、基板の上方で近接した位置に配置されている。このとき、基板上には未硬化樹脂が塗布されている。したがって、この未硬化樹脂が時間と共に徐々に蒸発すると、型に付着する場合がある。通常、型に形成されたパターン部（凹凸パターン）は、インプリント処理ごとに未硬化樹脂に押し付けられるため、蒸発した樹脂成分がパターン部に堆積することは少ない。しかしながら、型におけるパターン部の周辺部は、インプリント処理時に直接基板上の未硬化樹脂と接触しないため、インプリント処理を繰り返すに伴い、この周辺部に蒸発した樹脂成分が徐々に堆積する可能性が高い。この堆積した樹脂成分は、パーティクルの発生源となり、パターン欠陥を引き起こす恐れがある。一方、型は、インプリント処理時にパターン部のみを基板上の未硬化樹脂に接触させるように、パターン部が基板に向かって凸型となるような形状を有する。したがって、インプリント処理時に基板上の未硬化樹脂が型のパターン部の側面にはみ出し、そのままパターン部の側壁部に付着することもあり得る。この場合も、インプリント処理を繰り返すに伴い、パターン部の側壁部に未硬化樹脂の付着物が堆積し、パーティクルの発生源となる恐れがある。これに対して、特許文献１は、インプリント工程中に型に付着したパーティクルを除去する工程を含むインプリント方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２６６８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示すインプリント方法では、型のパターン部に付着したパーティクルを除去することはできるが、上記のようなパターン部の周辺部に付着した付着物などを除去することは難しい。
【０００６】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、型のパターン部の周辺部に付着した付着物を除去するのに有利なクリーニング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、凹凸パターンが形成されたパターン部を有する型に付着した付着物を除去するクリーニング方法であって、型と、基板上に塗布された光硬化性樹脂とを押し付けるに際し、パターン部の形成面におけるパターン部の外周部に対応する基板上の位置に、光硬化性樹脂を塗布する工程と、型と光硬化性樹脂とを押し付ける工程と、光硬化性樹脂を硬化させる工程と、型と光硬化性樹脂とを引き離す工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、型のパターン部の周辺部に付着した付着物を除去するのに有利なクリーニング方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】第１実施形態に係るクリーニング方法を説明するための図である。
【図３】未硬化樹脂が塗布されたクリーニング基板を示す平面図である。
【図４】第２実施形態に係るクリーニング方法を説明するための図である。
【図５】第３実施形態に係るクリーニング方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。
【００１１】
（インプリント装置）
まず、本発明のクリーニング方法を説明するにあたり、このクリーニング方法を採用するインプリント装置について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。このインプリント装置は、半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用され、被処理基板であるウエハ上（基板上）の未硬化樹脂をモールド（型）で成形し、ウエハ上に樹脂のパターンを形成する装置である。なお、ここでは光硬化法を採用したインプリント装置とする。また、以下の各図においては、ウエハ上の樹脂に対して紫外線を照射する照明系の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。インプリント装置１は、まず、光照射部２と、モールド保持機構３と、基板ステージ４と、塗布部５と、制御部６とを備える。
【００１２】
光照射部２は、インプリント処理の際に、モールド７に対して紫外線を照射する。この光照射部２は、不図示であるが、光源と、該光源から出射された紫外線をインプリントに適切な光に調整するための照明光学系とを含む。光源は、例えばハロゲンランプである。また、照明光学系は、レンズ、アパーチャ、あるいは照射か遮光かを切り替えるためのシャッターなどを含む。
【００１３】
モールド７は、外周が略矩形の平板部材であり、ウエハ８に対向する面の略中央部には回路パターンなどの凹凸パターンが３次元状に形成されたパターン部７ａを含む。このパターン部７ａの外形は、インプリント処理時にパターン部７ａのみがウエハ８上に塗布された未硬化樹脂に接触するように、ウエハ８に向かって凸型となる形状である。また、モールド７の材質は、石英など、紫外線を透過させることが可能な材料である。
【００１４】
モールド保持機構３は、真空吸着力や静電力によりモールド７を引きつけて保持するモールドチャック１０と、不図示のモールド駆動機構とを含む。モールドチャック１０（モールド保持機構３）は、光照射部２の光源から出射された紫外線がウエハ８に向けて照射されるように、内側の中心部に開口領域１１を有する。また、モールドチャック１０は、不図示であるが、開口領域１１の外周に位置するモールド７の外縁（外周部表面）を引きつける吸着部を含む。この吸着部は、例えば、外部に設置された不図示の真空排気装置に接続されており、この真空排気装置により吸着圧が調整され、吸着のＯＮ／ＯＦＦが切り替えられる。モールド駆動機構は、具体的には、モールド７とウエハ８上の樹脂との押し付けまたは引き離しを選択的に行うように、モールド７をＺ軸方向に移動させる機構である。このモールド駆動機構に採用するアクチュエータとしては、例えば、リニアモータやエアシリンダなどが採用可能である。なお、インプリント装置１における押し付けおよび引き離し動作は、上述のようにモールド７をＺ軸方向に移動させることで実現してもよいが、基板ステージ４をＺ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。また、モールド保持機構３は、パターン部７ａとウエハ８上の未硬化樹脂とが密着するように姿勢を変化させたり、位置合わせをしたりする倍率補正機構を備えてもよい。さらに、モールド保持機構３は、モールド７とウエハ８上の樹脂との引き離しの際にモールド７をウエハ８に向かって凸状に撓ませることで、引き離しをスムーズに実現させるための変形機構などを備えてもよい。
【００１５】
ウエハ８は、例えば単結晶シリコンからなる被処理体であり、この被処理面には、モールド７に形成されたパターンにより成形される紫外線硬化樹脂（以下「樹脂」という）が塗布される。また、基板ステージ（基板保持部）４は、ウエハ８を例えば真空吸着により保持し、かつ、少なくともＸＹ平面内で移動可能とする。この移動には、ＸＹ軸方向での精密な位置決めのためのほか、ウエハ８の表面の姿勢制御も含まれる。基板ステージ４を駆動するためのアクチュエータとしては、例えばリニアモータが採用可能である。また、基板ステージ４の位置は、この基板ステージ４の側壁部に設置されたミラー１２と、後述のフレーム１７に支持された干渉計（レーザー測長器）１３とで構成される測長システムにより計測される。
【００１６】
塗布部５は、ウエハ８上に樹脂（未硬化樹脂）を塗布する。この塗布部５は、未硬化樹脂を貯留するタンク１４と、このタンク１４から供給された未硬化樹脂を吐出するノズル１５と備える。特に、本実施形態で採用する樹脂は、紫外線を受光することにより硬化する性質を有する光硬化性樹脂（インプリント材）であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。
【００１７】
制御部６は、インプリント装置１の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部６は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどに従って各構成要素の制御を実行する。本実施形態の制御部６は、少なくともモールド保持機構３および基板ステージ４の動作を制御する。なお、制御部６は、インプリント装置１の他の部分と一体で構成してもよいし、インプリント装置１の他の部分とは別の場所に設置してもよい。
【００１８】
また、インプリント装置１は、装置全体を支持し、また基板ステージ４の基準平面を形成する定盤１６と、モールド保持機構３や塗布部５などを保持するフレーム１７とを有する。フレーム１７は、床面からの振動を除去する除振器１８を介して定盤１６に支持される。さらにインプリント装置１は、フレーム１７に支持されたアライメントスコープ１９を備える。アライメントスコープ１９は、ウエハ８の位置決めに際し、ウエハ８上に形成された複数のアライメントマークの位置を順に計測する。
【００１９】
次に、インプリント装置１によるインプリント処理について説明する。まず、制御部６は、不図示の基板搬送装置により基板ステージ４にウエハ８を載置および固定させ、基板ステージ４を塗布部５の塗布位置へ移動させる。その後、塗布部５は、塗布工程としてウエハ８の所定のショット（被処理領域）に樹脂（未硬化樹脂）を塗布する。次に、制御部６は、処理対象のショットがモールド７の直下に位置するように、基板ステージ４を移動させる。次に、制御部６は、このショットとモールド７との位置合わせ、および不図示の倍率補正機構によるモールド７の倍率補正などを実施した後、モールド駆動機構を駆動させ、ウエハ８上の樹脂にモールド７を押し付ける（押型工程）。ここで、制御部６は、押し付けの完了を、モールド保持機構３内に設置された不図示の荷重センサからの出力信号に基づいて判断する。この押し付けにより、樹脂は、モールド７に形成されたパターン部７ａに充填される。この状態で、光照射部２は、硬化工程としてモールド７の背面（上面）から紫外線を照射し、モールド７を透過した紫外線により樹脂を硬化させる。そして、樹脂が硬化した後、制御部６は、モールド駆動機構を再駆動させ、モールド７をウエハ８から引き離す（離型工程）。これにより、ウエハ８上のショットの表面には、パターン部７ａに倣った３次元形状の樹脂の層が形成される。インプリント装置１は、このようなインプリント処理を、全てのショットに対してステップ・アンド・リピート方式にて逐次実施する。また、インプリント装置１は、このインプリント処理を実施したウエハ８を装置外へ搬出し、次の処理対象となるウエハ８がある場合には、装置内に搬入する。
【００２０】
（第１実施形態）
次に、上記インプリント装置１にて採用可能な本発明の第１実施形態に係るクリーニング方法について説明する。通常、ショットに塗布された未硬化樹脂は、塗布された瞬間から蒸発が始まる。一方、接触前のモールド７は、この未硬化樹脂に近接した位置に配置されている。したがって、この蒸発した樹脂成分は、その大半がモールド７のパターン部設置面に付着する可能性が高い。特に、パターン部７ａの周辺部、例えば、パターン部設置面におけるパターン部７ａ以外の面は、インプリント処理時に直接未硬化樹脂と接触しないため、インプリント処理を繰り返すに伴い、この周辺部に蒸発した樹脂成分が徐々に堆積する可能性が高い。また、パターン部７ａは、上記のとおりウエハ８に向かって凸型となる形状を有するため、インプリント処理時に未硬化樹脂がパターン部７ａの側面にはみ出し、パターン部７ａの側壁部に付着して堆積することもあり得る。結果的に、この堆積した樹脂成分は、パーティクルの発生源となる恐れがある。そこで、本実施形態では、パターン部７ａの周辺部に付着した付着物（堆積物）を以下に示すようなクリーニング方法により除去する。
【００２１】
図２は、本実施形態に係るクリーニング方法を時系列で説明する図であり、図２（ａ）〜図２（ｃ）は、それぞれ、モールド７と本実施形態にて採用するクリーニング基板２０との断面を示している。クリーニング基板２０は、クリーニング処理時、すなわち、特にパターン部７ａの側壁部７ｂ、およびパターン部７ａの周辺部７ｃに付着した付着物を除去する処理にて使用する基板である。パターンが成形されるウエハ８上にてクリーニング処理を実施すると付着物により樹脂のパターンに欠陥が生じる可能性があるため、本実施形態のクリーニング基板２０は、被処理基板であるウエハ８とは異なるものとしている。クリーニング基板２０の形状は、ウエハ８の形状と同等とするのが好適であるが、その材質は、単結晶シリコンに限定するものではなく、その他の材質でも構わない。ここで、クリーニング処理前または処理後のクリーニング基板２０は、例えば、インプリント装置１内に専用の収容部（保持部）を設置して収容しておいてもよいし、通常時は装置外で保管し、クリーニング処理時にインプリント装置１内に搬入して使用してもよい。または、複数のウエハ８を収容可能なＦＯＵＰなどを採用する場合には、通常時は、例えばその収容段の１つにクリーニング基板２０を収容させておいてもよい。
【００２２】
まず、制御部６は、インプリント処理済みのモールド７に対してクリーニング処理を開始すると、通常のウエハ８に対するインプリント処理時と同様に、クリーニング基板２０を基板ステージ４に載置し、塗布部５のノズル１５の直下に移動させる。次に、制御部６は、塗布部５によりクリーニング基板２０の表面上に未硬化樹脂を塗布させる。
【００２３】
図３は、樹脂（未硬化樹脂）２１が塗布されたクリーニング基板２０の左上部を示す平面図である。クリーニング基板２０上に塗布された樹脂２１の平面形状は、モールド７の周辺部７ｃの平面形状（平面位置）に対応する矩形である。また、図３において点線の矩形で示すように、クリーニング基板２０は、その表面上に樹脂２１を塗布可能とする領域を複数有する。すなわち、１つの樹脂２１の塗布領域は、１回のクリーニング処理に適用する場所であり、塗布領域をその都度変更することにより、１つのクリーニング基板２０にて複数回のクリーニング処理が可能である。一方、図２（ａ）に示すように、クリーニング基板２０上に塗布される樹脂２１の高さ（液膜高さ）Ｈ１は、モールド７のパターン部７ａの高さ（Ｚ軸方向の段差）Ｈ２よりも高い状態とする。
【００２４】
次に、制御部６は、図２（ｂ）に示すように、モールド７をクリーニング基板２０上に塗布された樹脂２１に押し付ける。このとき、制御部６は、パターン部７ａがクリーニング基板２０に接触しないように、モールド保持機構３または基板ステージ４を制御する。次に、制御部６は、この周辺部７ｃ（側壁部７ｂも含む）に樹脂２１が充填された状態で紫外線の照射により樹脂２１を硬化させる。次に、制御部６は、樹脂２１の硬化後、図２（ｃ）に示すように、クリーニング基板２０上の樹脂２１からモールド７を引き離す。これにより、周辺部７ｃ（または側壁部７ｂ）に付着していた付着物２２は、クリーニング基板２０上の樹脂２１に取り込まれるので、モールド７から付着物２２を除去することができる。なお、このクリーニング処理は、１つのショットに対する１回のインプリント処理が終了したモールド７に対して、その都度実施することが望ましいが、複数のショットに対する複数回（例えば２、３回）のインプリント処理後に実施してもよい。
【００２５】
ここで、通常モールド７のパターン部７ａの表面には、インプリント処理時の引き離しを容易とするために、予め離型剤が塗布される。本実施形態では、さらにパターン部７ａの側壁部７ｂおよび周辺部７ｃに対しても予め離型剤を塗布することが望ましい。この離型剤の塗布により、樹脂２１に対する周辺部７ｃ（側壁部７ｂ）の静的接触角は、クリーニング基板２０の表面の静的接触角よりも高くなる。さらには、離型剤の塗布により、樹脂２１と周辺部７ｃ（側壁部７ｂ）との密着力は、樹脂２１とクリーニング基板２０の表面との密着力よりも小さくなる。したがって、クリーニング処理時の引き離しの際に、パターン部７ａの側壁部７ｂおよび周辺部７ｃとクリーニング基板２０上の樹脂２１とが離れやすくなるため、モールド７から付着物２２をより除去しやすくなる。
【００２６】
以上のように、本実施形態のクリーニング方法によれば、インプリント処理済みのモールド７を装置外に搬出することなく、モールド７におけるパターン部７ａの周辺部７ｃ（側壁部７ｂ）に付着した付着物２２を除去することができる。これは、モールド７に対するクリーニング処理時間の短縮となるため、スループットの向上にも有利である。
【００２７】
なお、本実施形態では、クリーニング基板２０に周辺部７ｃの平面形状に合わせて樹脂２１を塗布するものとしているが、例えば、周辺部７ｃのみならず、パターン部７ａに対応する領域にも樹脂を塗布してもよい。これによれば、モールド７のパターン形成面の全面に樹脂が押し付けられることになり、周辺部７ｃ（側壁部７ｂ）だけでなく、パターン部７ａのクリーニングも同時に実施できる。
【００２８】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係るクリーニング方法について説明する。本実施形態のクリーニング方法は、第１実施形態に係るクリーニング基板２０において、クリーニング基板２０の表面と、その表面に塗布される樹脂２１との密着性を向上させるものである。図４は、図２に対応した、本実施形態に係るクリーニング基板を説明するための断面図である。まず、図４（ａ）は、第１例として、本実施形態に係るクリーニング基板２３の構成を示す図である。クリーニング基板２３は、その表面上に、樹脂２１との密着性を高める密着層３１が塗布されている。この密着層３１は、予め密着剤を塗布して形成させておくことが望ましい。なお、この密着剤の材質は、上記のように樹脂２１との密着性を向上させることができるものであれば、特に限定するものではない。このように、密着層３１を形成させておくことで、さらには、密着層３１と上記実施形態にて説明した離型剤とを併用することで、クリーニング処理中のエラーの発生を、より抑制することができる。
【００２９】
一方、図４（ｂ）は、第２例として、本実施形態に係るクリーニング基板２４の構成を示す図である。このクリーニング基板２４は、その表面上に凹凸部２５を有し、クリーニング基板２４と樹脂２１との接触面積を大きくさせることで、樹脂２１との密着性を高める。さらに、この凹凸部２５上に、樹脂２１に対して親液性の高い材料を塗布しておくことも望ましい。これにより、第１例と同様に樹脂２１との密着性を高めつつ、図２（ａ）に示す樹脂２１の高さＨ１を好適に設定する（高くする）ことができる。なお、凹凸部２５は、クリーニング基板２４の表面上に掘られたものでなくとも、例えば、ミクロンオーダーの表面粗さを有する凹凸面であっても同様の効果を奏する。
【００３０】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係るクリーニング方法について説明する。本実施形態のクリーニング方法は、第１実施形態に係るクリーニング基板２０において、樹脂２１の高さＨ１を好適に設定するためのものである。図５は、図２に対応した、本実施形態に係るクリーニング基板を説明するための断面図である。まず、図５（ａ）は、比較例として、樹脂２１に対する表面の静的接触角が小さいクリーニング基板２６を示す図である。図５（ａ）に示すように、クリーニング基板２６の表面の静的接触角が小さい場合には、樹脂２１の塗布量を増加させても、樹脂２１の高さＨ１をモールド７のパターン部７ａの高さＨ２よりも高くすることが難しい。そこで、本実施形態では、樹脂２１の高さＨ１を所望の高さとすることができるように、クリーニング基板を以下のような構成とする。
【００３１】
図５（ｂ）は、本実施形態に係るクリーニング基板２７の構成を示す図である。このクリーニング基板２７は、その表面上に樹脂２１に対する静的接触角がクリーニング基板２７の表面よりも高い第１領域２８を有する。この第１領域２８は、例えば、図５（ｂ）に示すように、クリーニング基板２７の表面上に樹脂２１を塗布したときに、その液膜の底面端部が位置する部分に形成し得る。図５（ｃ）は、第１領域２８の位置を破線（太線）で記したクリーニング基板２７の左上部を示す平面図である。第１領域２８の形成に際しては、まず、クリーニング基板２７の表面全体に、第２実施形態の第１例（図４（ａ））に示すような密着層２９を形成する。次に、密着層２９の表面のうち、上記のように樹脂２１の液膜の底面端部が位置する部分を一定の幅でエッチングする。そして、エッチングにて削られた部分に、樹脂２１に対する静的接触角がクリーニング基板２７の表面よりも高く、かつ、密着層２９の表面よりも高い材料を充填する。すなわち、この材料を樹脂２１の性質に合わせて適宜選択することで、樹脂２１の高さＨ１を所望の高さに設定することができる。一方、この場合、クリーニング基板２７における、樹脂２１の液膜の底面中央部に位置し、第１領域２８が形成されていない領域（第２領域３０）は、密着層２９の表面状態をそのまま維持しているため、樹脂２１との密着性が保たれる。
【００３２】
なお、上記実施形態では、インプリント装置１は、クリーニング処理に際して被処理基板であるウエハ８とは異なる各クリーニング基板を採用した。ここで、ウエハ８の表面上に、上記実施形態のような樹脂２１を塗布したと仮定する。このとき、インプリント装置１が、樹脂２１の高さＨ１と比べてパターン部７ａの高さＨ２が低いモールド７を適用している場合には、上記のようなクリーニング基板を別途使用せず、ウエハ８上にクリーニング処理専用の領域を設置することもあり得る。これによれば、クリーニング処理に際し、クリーニング基板の搬送時間も短縮できるため、さらにスループットを向上させることができる。
【００３３】
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００３５】
７    モールド
７ａ  パターン部
７ｃ  外周部
２０  クリーニング基板
２１  紫外線硬化樹脂
２２  付着物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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