(57)【要約】【課題】貫通配線を形成するために必要な金属膜を、基板内部に設けられた微細孔の全域にわたって、安定的に形成することを可能とする、貫通配線基板の製造方法を提供する【解決手段】基板１０１の内部に微細孔１０１Ｈを形成する工程Ａと、光触媒性を有する金属酸化膜１０２を微細孔の内壁面１０１ｃに形成する工程Ｂと、基板１０１を無電解めっき液に浸漬する工程Ｃと、基板１０１の外部から基板を通して金属酸化膜１０２に励起光を照射し、金属酸化膜１０２上に金属膜１０３を析出させる工程Ｄと、を少なくとも有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の内部に微細孔を形成する工程Ａと、
光触媒性を有する金属酸化膜を前記微細孔の内壁面に形成する工程Ｂと、
前記基板を無電解めっき液に浸漬する工程Ｃと、
前記基板の外部から該基板を通して前記金属酸化膜に励起光を照射し、前記金属酸化膜上に金属膜を析出させる工程Ｄと、を少なくとも有することを特徴とする貫通配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記微細孔は、前記基板の厚さ方向と異なる方向に延びる部位を含むように形成することを特徴とする請求項１に記載の貫通配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記微細孔を、前記基板の内部を貫通するように形成することを特徴とする請求項１または２に記載の貫通配線基板の製造方法。
【請求項４】
基板と、該基板の内部に形成された微細孔と、該微細孔の内壁面に形成された光触媒性を有する金属酸化膜と、を備えた基板に対して励起光を照射し、該金属酸化膜上に金属膜を析出させるための金属膜形成装置であって、
無電界めっき液を収納する容器と、前記無電解めっき液に浸漬されるように前記基板を載置する機構と、前記基板に対して励起光を照射する光源と、を備え、前記容器の内面は鏡面であることを特徴とする金属膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機能素子が内在した電子デバイスと実装基板とを中継する、貫通配線基板の製造方法および貫通配線基板を構成する金属膜の形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話器等の電子機器の高機能化に伴い、電子機器を構成する電子デバイス（半導体ＩＣやセンサ等）の高機能化が求められている。高機能化の実現に向けて、電子デバイス自身の回路を高集積化することに加えて、電子デバイスを高密度に集積するための技術開発が進められている。
【０００３】
電子デバイスの高集積化を実現する技術の一例として、貫通配線基板（インターポーザー基板）を用いたシステムインパッケージ（ＳｉＰ）が提案されている。貫通配線基板は、基板の内部を貫通する貫通孔を設け、その貫通孔の内部にめっき法を用いてめっき金属を析出させ、貫通配線を形成する（特許文献１）。めっき法を用いる場合には、予め、貫通孔の内壁面にめっき金属が析出する起点となる金属膜（めっきシード膜）を形成する必要がある。
【０００４】
また、貫通配線は、溶融金属充填法を用いて形成することもできる。溶融金属充填法を用いる場合、貫通孔の内部に溶融した金属を流入させ固化することで、貫通孔の内部に貫通配線が形成される。この時、溶融金属と貫通孔との濡れ作用や、溶融金属が固化した後の密着性を維持するために、貫通孔の内壁面に金属膜を形成する必要がある（特許文献２）。
以上のように、めっき法や溶融金属充填法を用いて貫通配線を形成する場合には、貫通孔の内壁面に金属膜を形成する必要がある。この貫通孔の内部に形成する金属膜は、スパッタリング法や真空蒸着法を用いて形成することができる。
【０００５】
ところで、基板に貫通配線を高密度に形成するためには、各貫通孔のアスペクト比を高くする必要がある。すなわち、各貫通孔をより細く形成することで、貫通配線を微細化する必要がある。
【０００６】
しかしながら、前述のスパッタリング法や真空蒸着法を用いて高アスペクト比の貫通孔に金属膜を形成しようとすると、飛散する金属粒子が貫通孔の開口部を通って貫通孔内の奥側まで届きにくい。そのため、貫通孔内の奥側において金属膜を堆積させることが難しい。
【０００７】
したがって貫通孔内の奥側においては、金属膜が形成されなかったり、貫通孔の開口部付近よりも薄く形成されたりする。そうすると、貫通孔の奥側において、貫通配線が正常に形成されない事態となる。したがって、貫通孔の開口部から奥側までの全域にわたって、貫通配線を形成することが難しい。これは、貫通孔の内壁面に沿って膜状に形成する貫通配線においても、貫通孔の内部空間をめっき金属で充填させて形成する貫通配線においても、共通した問題である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−９５８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は以上のような点を考慮してなされたものであり、貫通配線を形成するために必要な金属膜を、基板内部に設けられた微細孔の全域にわたって、安定的に形成することを可能とする、貫通配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
また、本発明は、微細孔の内壁面に形成された金属酸化膜に対して励起光を照射し、この金属酸化膜上に金属膜を析出させるための金属膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１に係る貫通配線基板の製造方法は、基板の内部に微細孔を形成する工程Ａと、光触媒性を有する金属酸化膜を前記微細孔の内壁面に形成する工程Ｂと、前記基板を無電解めっき液に浸漬する工程Ｃと、前記基板の外部から該基板を通して前記金属酸化膜に励起光を照射し、前記金属酸化膜上に金属膜を析出させる工程Ｄと、を少なくとも有することを特徴とする。
【００１２】
請求項１の製造方法によれば、光触媒性を有する金属酸化膜を微細孔の内壁面に形成し、この金属酸化膜に基板を通して励起光を照射して活性化させる。これにより、高アスペクト比の微細孔や複雑な形状の微細孔であっても、微細孔の全域にわたって、金属酸化膜を活性化させ、金属膜を析出させることが可能となる。したがって、貫通配線を容易に形成することができる。
【００１３】
本発明の請求項２に係る貫通配線基板の製造方法は、請求項１において、前記微細孔は、前記基板の厚さ方向と異なる方向に延びる部位を含むように形成することを特徴とする。
【００１４】
請求項２の製造方法によれば、基板の厚さ方向と異なる方向に延びる部位を含むように形成することにより、基板の主面同士を自由なレイアウトの貫通配線を用いて接続することができる。
【００１５】
本発明の請求項３に係る貫通配線基板の製造方法は、請求項１または２において、前記微細孔を、前記基板の内部を貫通するように形成することを特徴とする。
【００１６】
請求項３の製造方法によれば、微細孔の両端が開口した貫通孔であるため、無電解めっき液に基板を浸漬させた際に、微細孔内を無電解めっき液で容易に満たすことができる。したがって、微細孔内の全域にわたって金属膜を析出させ易くなり、貫通配線を容易に形成することができる。
【００１７】
本発明の請求項４に係る金属膜形成装置は、基板と、該基板の内部に形成された微細孔と、該微細孔の内壁面に形成された光触媒性を有する金属酸化膜と、を備えた基板に対して励起光を照射し、該金属酸化膜上に金属膜を析出させるための金属膜形成装置であって、無電界めっき液を収納する容器と、前記無電解めっき液に浸漬されるように前記基板を載置する機構と、前記基板に対して励起光を照射する光源と、を備え、前記容器の内面は鏡面であることを特徴とする。
【００１８】
請求項４の金属膜形成装置によれば、容器の内面が鏡面であるため、容器内に入射した励起光を容器内において乱反射させることができる。このため、金属酸化膜に対して多方向から励起光が照射され、一方向から照射するよりも広範囲にわたって金属酸化膜を活性化することができる。したがって、微細孔の全域にわたって容易に金属膜を形成することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る貫通配線基板の製造方法によれば、光触媒性を有する金属酸化膜を微細孔の内壁面に形成し、この金属酸化膜に基板を通して励起光を照射して活性化させる。これにより、高アスペクト比の微細孔や複雑な形状の微細孔であっても、微細孔の全域にわたって、金属酸化膜を活性化させることができる。したがって、微細孔の内壁面の全域にわたって金属膜を析出させることが可能となり、貫通配線を容易に形成することができる。
【００２０】
また、本発明に係る金属膜形成装置の構成によれば、無電解めっきを収容する容器の内面が鏡面であるため、容器内に入射した励起光を容器内において乱反射させることができる。このため、金属酸化膜に対して多方向から励起光が照射され、一方向から照射するよりも広範囲にわたって金属酸化膜を活性化することができる。したがって、微細孔の全域にわたって容易に金属膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第一実施形態に係る貫通配線基板の厚み方向における断面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）第一実施形態の変形例１、２に係る貫通配線基板の断面図である。
【図３】（ａ）第一実施形態の変形例３に係る貫通配線基板の斜視図である。（ｂ）第一実施形態の変形例３に係る貫通配線基板の断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）第一実施形態に係る貫通配線基板の製造工程を説明する図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）第一実施形態に係る貫通配線基板の製造工程を説明する図である。
【図６】第一実施形態に係る貫通配線基板の製造工程を説明する図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）反応液の容器に関する実施例1、２について説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
【００２３】
＜第一実施形態＞
【００２４】
［貫通配線基板の構成］
本発明の第一実施形態に係る、貫通配線基板１００の構成について説明する。図１は、貫通配線基板１００の断面図である。貫通配線基板１００は、基板１０１と、基板１０１の内部を貫通する貫通孔１０１Ｈと、基板を構成する主面１０１ａ、１０１ｂの各々のうち、貫通孔１０１Ｈの開口端近傍の領域、および貫通孔の内壁面１０１ｃの全域に形成された金属酸化膜１０２と、金属酸化膜１０２上に形成された金属膜１０３と、を有する。
【００２５】
基板１０１は単一の材料により構成される。基板１０１を構成する材料としては、例えば、ガラスやシリコン等が挙げられる。基板１０１は、後述する工程Ｄ（金属酸化膜の励起）に用いる光Ｌ２（金属酸化膜としてＴｉＯ２を用いるとすれば、波長域は０．４２［μｍ］以下）を透過可能な材料である。更に、後述する工程Ａ（微細孔の形成）に用いる光Ｌ１（波長域が０．３〜２［μｍ］）を透過可能な材料であると良い。
【００２６】
貫通孔１０１Ｈは、基板の一方の主面１０１ａと他方の主面１０１ｂとを結ぶように、基板１０１の内部を貫通するものである。あるいは、基板の主面と側面、側面と側面同士を結ぶように貫通していてもよい。貫通孔１０１Ｈは、基板１０１の厚さ方向Ｔと異なる方向に延びる部位を含んでいてもよい。
【００２７】
なお、貫通孔１０１Ｈの深さ方向と垂直な断面は、円形、楕円形、三角形、四角形、矩形等のいかなる形状であってもよい。貫通孔１０１Ｈの短手方向の断面積は、貫通孔１０１Ｈの内部に形成される配線層が、所望の設計ルールにしたがい、かつ所望の導電性（抵抗値）を有するように、適宜設定される。
【００２８】
金属酸化膜１０２は、酸化シリコン、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化鉄、金微粒子を含有する酸化チタン等の種々の金属酸化物を合成したものである。また、金属酸化膜１０２は、基板を構成する主面１０１ａ、１０１ｂの各々のうち、貫通孔１０１Ｈの開口端近傍の領域、および貫通孔の内壁面１０１ｃの全域に、均一な膜厚で形成されている。
【００２９】
金属膜１０３は、銅や金などにより構成され、配線層として機能させる膜である。また、金属膜１０３は、めっき法を用いて金属膜１０３上に配線を形成するためのめっきシード層として、あるいは溶融金属を充填する際に溶融金属の濡れ作用を向上させたりするための膜としても機能する。
【００３０】
以上説明したように、第一実施形態に係る貫通配線基板１００の構成によれば、金属膜１０３は、貫通孔の内壁面１０１ｃに形成された金属酸化膜１０２を介して設けられている。この金属酸化膜１０２は、基板１０１に金属膜１０３を強固に密着させる密着膜としても機能する。さらに、金属膜１０３の成分が拡散移動して基板１０１に侵入するのを防ぐバリア膜としても機能する。したがって、金属膜１０３が基板１０１から剥離するのを防ぐとともに、金属膜１０３に含有される金属元素が基板１０１の内部へ熱拡散するのを防ぐことができる。
【００３１】
なお、図１に示した貫通配線基板１００を構成する、貫通孔１０１Ｈの形状は一例である。貫通孔１０１Ｈの形状に関する、変形例１〜３について、図２（ａ）、（ｂ）及び図３（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【００３２】
［変形例１］
図２（ａ）は、変形例１に係る貫通配線基板２００の断面図である。貫通配線基板２００は、基板２０１と、基板２０１の内部を貫通する貫通孔２０１Ｈと、基板を構成する主面２０１ａ、２０１ｂの各々のうち、貫通孔２０１Ｈの開口端近傍の領域、および貫通孔２０１Ｈの内壁面の全域に形成された金属酸化膜２０２と、金属酸化膜２０２の表面を覆う金属膜２０３と、を有する。図２（ａ）に示すように、貫通配線基板２００を構成する貫通孔２０１Ｈの形状としては、基板２０１の内部において三方向に分岐し、分岐した三つの貫通孔２０１Ｈが、それぞれ一方または他方の主面２０１ａ、２０１ｂにおいて開口した形状であってもよい。図２（ａ）においては、貫通孔２０１Ｈが三方向に分岐している場合の例を示しているが、貫通孔２０１Ｈは四方向以上に分岐していてもよい。
【００３３】
［変形例２］
図２（ｂ）は、変形例２に係る貫通配線基板３００の断面図である。貫通配線基板３００は、基板３０１と、基板３０１の内部を貫通する貫通孔３０１Ｈと、基板を構成する主面３０１ａ、３０１ｂの各々のうち、貫通孔３０１Ｈの開口端近傍の領域、および貫通孔３０１Ｈの内壁面の全域に形成された金属酸化膜３０２と、金属酸化膜３０２の表面を覆う金属膜３０３と、を有する。図２（ｂ）に示すように、貫通配線基板３００を構成する貫通孔３０１Ｈの形状としては、基板３０１の内部において、基板の主面３０１ａ、３０１ｂに対して斜めの方向に延びる部位を含む形状であってもよい。また、貫通孔３０１Ｈの形状としては、図２（ｂ）に示す形状に限られることはなく、基板３０１の内部において自由な方向に延びる形状であってもよい。
【００３４】
［変形例３］
図３（ａ）は、変形例３に係る貫通配線基板４００の斜視図である。ここでは、貫通配線基板４００のうち、貫通孔４０１Ｈ内部に設けられた配線層の形状が明示されるように、基板４０１を透明化している。図３（ａ）に示すように、貫通孔４０１Ｈの形状は、基板４０１の内部において螺旋をなす形状となっている。
【００３５】
図３（ｂ）は、図３（ａ）において、貫通配線基板４００をＧ―Ｇ線によって切断した場合の断面図である。貫通孔４０１Ｈの内部において金属酸化膜４０２を構成する、部位４０２ａと部位４０２ｂ、部位４０２ｂと部位４０２ｃ、部位４０２ｃと部位４０２ｄ、部位４０２ｄと部位４０２ｅ、部位４０２ｅと部位４０２ｆが、それぞれ連通している。また、貫通孔４０１Ｈの内部において配線層４０３を構成する、部位４０３ａと部位４０３ｂ、部位４０３ｂと部位４０３ｃ、部位４０３ｃと部位４０３ｄ、部位４０３ｄと部位４０３ｅ、部位４０３ｅと部位４０３ｆが、それぞれ連通している。貫通孔４０１Ｈの内部において、配線層４０３および金属酸化膜４０２を除いた領域は、空洞となっている。
【００３６】
図３（ａ）、（ｂ）に示すような形状は、例えば、次に述べる４つのステップを経て形成することができる。すなわち、一つ目のステップとして、基板４０１を厚み方向に貫通する貫通孔４０１Ｈを設ける。次に、二つ目のステップとして、貫通孔の内壁面４０１ｃに、一様な厚さの金属酸化膜４０２を形成する。次に、三つ目のステップとして、形成された金属酸化膜４０２のうち、金属膜４０３を成長させる予定の部分以外を選択的に除去する。そして、四つ目のステップとして、残った金属酸化膜４０２上に、金属膜４０３を形成する。これらの四つのステップを経ることにより、基板の一方の主面４０１ａと同様に、基板の内壁面４０１ｃにも、金属酸化膜４０２、金属膜４０３が、順に積層された構造となる。
【００３７】
なお、貫通配線基板４００を構成する貫通孔４０１Ｈの形状としては、図３（ａ）に示すように、基板４０１の内部において螺旋をなす形状であってもよいし、他の形状であってもよい。
【００３８】
［貫通配線基板の製造方法］
図４（ａ）〜（ｄ）、図５（ａ）〜（ｃ）、および図６は、第一実施形態に係る貫通配線基板１００の製造工程図である。第一実施形態に係る貫通配線基板１００の製造方法について、図４（ａ）〜（ｄ）、図５（ａ）〜（ｃ）、および図６を用いて説明する。
【００３９】
まず、基板１０１Ａの内部に微細孔１０１Ｈを形成する（工程Ａ）。微細孔１０１Ｈは、次に述べる二つのステップを経て形成することができる。すなわち、一つ目のステップとして、図４（ａ）に示すように、基板１０１の内部における微細孔１０１Ｈを形成する予定の部位に、レーザー光Ｌ１を照射し、集光することにより、この部位をエッチング耐性の弱い構造に改質させる。その結果として、工程Ａの処理後の基板１０１は、改質した部位１０１Ａと改質していない部位１０１Ｂとで構成される。
【００４０】
そして、図４（ｂ）に示すように、二つ目のステップとして、レーザー光Ｌ１を用いて改質した部位１０１Ａを、エッチング処理を行って除去することにより、基板１０１の内部に微細孔１０１Ｈを形成する。ここで行うエッチング処理は、ウェットエッチング方式によるものであることが好ましい。エッチング液については特に限定されず、例えば１％以下のフッ酸を用いるのが最も好ましいが、その他の酸や塩基性を有するものであってもよい。
【００４１】
なお、工程Ａにおいて用いるレーザー光Ｌ１は、パルス時間幅がピコ秒オーダー以下のパルス幅を有するレーザー光であることが好ましく、例えば、チタンサファイアレーザーなどを用いることができる。レーザー光Ｌ１の波長は、例えば０．３〜２［μｍ］とする。レーザー光Ｌ１は、基板１０１に対して透明な波長を使用することが必要である。より具体的には、基板１０１に対する透過率が60％以上のレーザー光であることが好ましい。
【００４２】
次に、図４（ｄ）に示すように、微細孔の内壁面１０１ｃに、光触媒性を有する金属酸化膜１０２を形成する（工程Ｂ）。金属酸化膜１０２の形成は、例えば液相析出法を用いて行うことができる。具体的には、金属フルオロ錯体とホウ酸を含む水溶液中に、微細孔１０１Ｈを形成した基板１０１を浸漬させ、微細孔１０１Ｈの内部をこの水溶液で満たす。そして、金属フルオロ錯体が加水分解されて生じる光触媒性を有する金属酸化物を、微細孔の内壁面１０１ｃに析出させる。これにより、金属酸化物からなる金属酸化膜１０２が、微細孔の内壁面１０１ｃに形成される。
【００４３】
図４（ｃ）に示すように、予め基板の両方の主面１０１ａ、１０１ｂにレジスト膜Ｒをパターン形成しておくことにより、微細孔の内壁面１０１ｃに金属酸化膜１０２を形成すると同時に、基板の主面１０１ａと１０１ｂにも金属酸化膜１０２をパターン形成することができる。
【００４４】
次に、工程Ｂを経た基板１０１（図５（ａ））に対して、金属酸化膜１０２上に、金属膜１０３を析出させる。金属膜１０３を析出させるために、金属膜形成装置１０を使用する。金属膜形成装置１０は、無電界めっき液（反応液）１２を収容する容器１１と、容器１１内において、基板１０１を無電界めっき液１２に浸漬して載置する機構（載置機構）１３と、基板１０１に対して励起光Ｌ２を照射する光源１４と、を備えている。そして、容器の内面１１ｃは、光源１４から放射された励起光Ｌ２を乱反射させるために鏡面となっている。光源１４は、広範囲に対して照射可能なランプ光源である。あるいは、基板内の一部だけを選択的に照射したい場合は、レーザー光であっても良い。無電界めっき液１２は、後述する励起光Ｌ２が透過可能な程度に透明である。
【００４５】
金属膜形成装置１０の構成によれば、無電界めっき液１２を収容する容器の内面１１ｃが鏡面であるため、容器１１内に入射した励起光Ｌ２を内面１１ｃにおいて乱反射させることができる。したがって、金属酸化膜１０２に対して、多方向から励起光Ｌ２を照射することができる。その結果として、金属酸化膜１０２が微細孔の内壁面１０１ｃの全体にわたって活性化され、活性化された金属酸化膜１０２上に金属膜１０３を析出させることができる。
【００４６】
金属膜１０３の析出は、次に述べる二つのステップを経て行うことができる。すなわち、一つ目のステップとして、図５（ｂ）に示すように、載置機構１３を用いて、容器１１内に基板１０１を配し、基板１０１を無電界めっき液１２に浸漬させるとともに、微細孔１０１Ｈの内部を無電界めっき液１２で満たす（工程Ｃ）。
【００４７】
続いて、二つ目のステップとして、容器１１の外部に配された光源１４から、容器１１内に配された基板１０１に向けて、励起光Ｌ２を照射させる。照射させた励起光Ｌ２は、無電界めっき液１２および基板１０１を透過し、金属酸化膜１０２に到達する。金属酸化膜１０２は光触媒性を有するため、励起光Ｌ２が照射されることにより活性化し、金属酸化膜１０２上の無電解めっき液１２との接触面に、金属が析出する。その結果として、図５（ｃ）に示すように、金属酸化膜１０２上に金属膜１０３が形成される（工程Ｄ）。金属膜１０３は、それ自体が配線層として機能する。よって、以上の工程を経ることにより、本発明に係る貫通配線基板１００を得ることができる。
【００４８】
さらに、工程Ｄにおいて形成された金属膜１０３をめっきシード膜として利用し、金属膜１０３上にめっき金属を析出させることにより、配線１０４を形成してもよい（図６）。めっき金属の析出は、無電解めっき法、または電解めっき法を適用して行うことができる。また、溶融金属を充填することによって、配線１０４を形成してもよい。この場合において、金属膜１０３は、溶融金属の濡れ作用を促進させるための金属膜として機能する。
【００４９】
なお、第一実施形態においては、微細孔１０１Ｈが基板１０１内部を貫通する貫通孔であって、基板の両方の主面１０１ａ、１０１ｂ同士を結ぶように形成する場合を、一例として説明した。しかしながら、微細孔１０１Ｈが基板１０１を貫通していない場合、すなわち、微細孔が開口端を一つのみ有している場合についても、本発明を適用することができる。
【００５０】
以上説明したように、第一実施形態に係る貫通配線基板の製造方法によれば、光触媒性を有する金属酸化膜を、微細孔の内壁面全体にわたって形成することができる。さらに、基板に向けて照射される励起光を、微細孔の開口部を通して照射するだけではなく、基板を通して金属酸化膜に対して多方向から照射することができる。
【００５１】
したがって、高アスペクト比の微細孔や、複雑な形状の微細孔であっても、微細孔の全域にわたって金属酸化膜を活性化させることができる。そして、無電界めっき液を用いることにより、この金属酸化膜を介して、微細孔の内壁面の全域にわたって金属膜を析出させることができる。微細孔に析出した金属膜をめっきシード膜として利用することにより、微細孔の内部にめっき金属配線を形成することができる。また、溶融金属には濡れ作用が働くので、これを利用して溶融金属充填を容易に行うことができる。
【００５２】
特に、微細孔内に金属を充填して形成する貫通配線の場合においては、微細孔内の奥側において発生する空洞（ボイド）を防止することができる。
【００５３】
なお、図５（ｂ）、（ｃ）に示した、工程ＣおよびＤの処理に用いる無電解めっき装置１０の構成は、一例である。無電解めっき装置１０の構成に関する、実施例１、２について、図５（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【００５４】
［実施例１］
図７（ａ）は、実施例１に係る無電解めっき装置２０の断面図である。図４（ａ）に示すように、無電解めっき装置２０は、載置機構２３に付設され、面状に広がる光源２４との対向面に対して平行に延びる回転軸２５と、回転軸２５の回転を制御する手段（回転手段）２６とを備えている。その他の構成については、第一実施形態と同様である。
【００５５】
無電解めっき装置２０の構成によれば、回転手段２６によって制御された回転軸２３の回転に連動して、載置機構２３を回転させることができる。そして、載置機構２３とともに、載置機構２３に載置された貫通配線基板も同時に、回転軸２３を中心として回転させることができる。
【００５６】
したがって、回転軸２３を中心として回転する貫通配線基板に対して励起光を照射することにより、回転軸２３と平行な貫通配線基板の全側面に対して、励起光を均等に入射させることができる。そして、他方面から励起光を均等に入射させることにより、基板の内部において複数個所に形成された金属酸化膜の全体に対して均一な量の励起光を照射することができる。そのため、金属酸化膜の全体を均一に活性化することができ、貫通配線基板を無電解めっき液に浸漬させた際に、微細孔の内壁面の全域にわたって、活性化した金属酸化膜上にめっき金属膜を均一に析出させることができる。
【００５７】
なお、光源２４の位置が固定され、貫通配線基板が回転（自転）する構成を、実施例１として挙げたが、貫通配線基板の励起光の受光面が、光源２４の位置に対して相対的に変化する構成であれば、実施例１と同等の効果を得ることができる。すなわち、貫通配線基板の位置が固定され、光源２４が貫通配線基板の周りを回転（公転）するような構成であっても、実施例１と同等の効果を得ることができる。
【００５８】
［実施例２］
図７（ｂ）は、実施例２に係る金属膜形成装置３０の断面図である。図７（ｂ）に示すように、金属膜形成装置３０は、複数の位置に光源３４を備えている。その他の構成については、第一実施形態と同様である。
【００５９】
金属膜形成装置３０の構成によれば、光源３４を備えた複数の位置から、貫通配線基板を構成する金属酸化膜に対して、励起光を照射することができる。この構成によれば、一つの位置から照射するよりも広い範囲の領域に形成された金属酸化膜に対して、同時に励起光を照射することができる。そのため、金属酸化膜の全体を活性化することができ、貫通配線基板を無電解めっき液３２に浸漬させた際に、活性化した金属酸化膜上に金属膜を析出させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、例えば携帯電話やデジタルカメラ、ノートパソコン等、小型で高密度な電子部品を必要とする電子装置に適用することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１０・・・金属膜形成装置、１１・・・容器、１１ｃ・・・内壁面、
１２・・・無電解めっき膜、１３・・・載置機構、１４・・・光源、
１００・・・貫通配線基板、１０１・・・基板、１０１Ｈ・・・貫通孔（微細孔）、
１０１ｃ・・・内壁面、１０２・・・金属酸化膜、１０３・・・金属膜、
Ｌ２・・・励起光、Ｔ・・・厚み方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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