(57)【要約】      （修正有）【課題】配線による凸部が基板表面に生じることを抑制した基板、基板の製造方法、その基板を用いた電子デバイス、その電子デバイスが搭載される電子機器を提供する。【解決手段】第１面４０ａを有する絶縁基板４０と、絶縁基板４０の内部に設けられ且つ絶縁基板４０の厚み方向と交差する方向に延設する延設部１０３と、延設部１０３から第１面４０ａに露出する第１露出部を有する第１ポスト１０１と、延設部１０３から第１面４０ａの第１露出部とは離間した位置に露出する第２露出部を有する第２ポスト１０２と、を含む第１導体部１００と、を備え、第１導体部１００は、シリコンを含む材料から構成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の内部に設けられ且つ前記絶縁基板の厚み方向と交差する方向に延設する延設部と、前記延設部から前記第１面に露出する第１露出部を有する第１ポストと、前記延設部から前記第１面の前記第１露出部とは離間した位置に露出する第２露出部を有する第２ポストと、を含む第１導体部と、を備え、
前記第１導体部は、シリコンを含む材料から構成されていることを特徴とする基板。
【請求項２】
請求項１に記載の基板において、
前記絶縁基板の前記第１面上には第２導体部が設けられ、
平面視で前記第２導体部の少なくとも一部が前記第１導体部に重なって配置されていることを特徴とする基板。
【請求項３】
請求項２に記載の基板において、
前記絶縁基板の前記第１面上には溝が設けられ、
前記第２導体部は前記溝の底面に設けられていることを特徴とする基板。
【請求項４】
請求項３に記載の基板において、
前記第２導体部上に離間して設けられた第３導体部を備え、
平面視で前記第３導体部の少なくとも一部が前記第１導体部および前記第２導体部に重なって配置されていることを特徴とする基板。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の基板において、
前記絶縁基板は、ホウ珪酸ガラスを含むことを特徴とする基板。
【請求項６】
導電性を有する材料により、延設部と、前記延設部から第１方向に突出する第１ポストと、前記第１ポストとは離間した位置で前記延設部から前記第１方向に突出する第２ポストと、を含む第１導体部を形成する工程と、
前記第１導体部に絶縁性部材を載置する工程と、
前記第１導体部を前記絶縁性部材で覆う工程と、
前記絶縁性部材から前記第１ポスト及び前記第２ポストのぞれぞれの一部を露出させ、第１露出部と第２露出部とを形成する工程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の基板の製造方法において、
凹型の溶融型枠内に前記絶縁性部材が載置された前記第１導体部を配置し、前記絶縁性部材を溶融させて前記第１導体部を前記絶縁性部材で覆うことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の基板の製造方法において、
減圧雰囲気中で前記絶縁性部材を溶融することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項９】
請求項６ないし請求項８のいずれか一項に記載の基板の製造方法において、
前記絶縁性部材は、第１絶縁性部材と第２絶縁性部材とを含み、
前記第１絶縁性部材は、前記延設部の前記第１ポストおよび前記第２ポスト上に載置され、
前記第２絶縁性部材は、前記延設部の前記第１ポストおよび前記第２ポストが設けられた面と反対側の面に載置され、
前記第１絶縁性部材および前記第２絶縁性部材の少なくとも一方を溶融させることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項６ないし請求項９のいずれか一項に記載の基板の製造方法において、
前記第１導体部に絶縁性部材を接合する工程は、陽極接合法によって前記第１導体部と前記絶縁性部材とを接合することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の基板の前記第１面には、機能素子と、前記機能素子を覆うキャップ部とが設けられ、
前記キャップ部は、前記第１露出部と前記第２露出部との間の前記第１面に前記キャップ部の周縁部が接合されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子デバイスが搭載されたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、基板の製造方法、電子デバイス、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、加速度センサーやジャイロセンサー等の機能素子に加わる力の大きさや方向を検知する電子デバイスにおいて、その電子デバイスを構成する基板に機能素子などが搭載されているものが知られている。当該基板には、機能素子が搭載された空間を封止するキャップ（例えば、中空の空洞を有する凹形状）と、機能素子に加えられた力を電気信号として、封止された空間の外部に取り出す配線と、が基板に設けられている。例えば、特許文献１には、センサーとしての可動部の周囲に電極配線が設けられた基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−３８７８１号公報（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、機能素子の信号を封止された空間の外部に取り出す配線が基板表面に設けられている場合には、その配線による凸部が基板表面に生じる。機能素子を封止するキャップと基板との間に隙間が生じやすくなり、キャップで封止される空間の気密を保つことができなくなる。これにより、封止された空間に位置する機能素子が外部の水分に晒され劣化する虞があった。また、配線による凸部を少なくするため、配線が重ならない様に設けられるため基板が大型化する課題もあった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］
本適用例に係る基板は、第１面を有する絶縁基板と、絶縁基板の内部に設けられ且つ絶縁基板の厚み方向と交差する方向に延設する延設部と、延設部から第１面に露出する第１露出部を有する第１ポストと、延設部から第１面の第１露出部とは離間した位置に露出する第２露出部を有する第２ポストと、を含む第１導体部と、を備え、第１導体部は、シリコンを含む材料から構成されていることを特徴とする。
【０００７】
このような基板によれば、絶縁基板の内部に設けられ、かつ絶縁基板の厚み方向と交差する方向に延設する延設部と、その延設部から第１面に延伸する第１ポスト及び第２ポストを備え、第１ポストに設けられた第１露出部、及び第２ポストに設けられた第２露出部が絶縁基板の第１面に露出されている。これによって、絶縁基板の表面である第１面に、第１露出部と第２露出部とを電気的に接続する延設部が露出されることなく、第１露出部と第２露出部との間を電気的に接続することができる。従って、このような基板は、第１露出部と第２露出部との間の絶縁基板の第１面に平滑な面を備えることができる。
【０００８】
［適用例２］
上記適用例に係る基板は、絶縁基板の第１面上には第２導体部が設けられ、平面視で第２導体部の少なくとも一部が第１導体部に重なって配置されていることが好ましい。
【０００９】
［適用例３］
上記適用例に係る基板は、絶縁基板の第１面上には溝が設けられ、第２導体部は溝の底面に設けられていることが好ましい。
【００１０】
［適用例４］
上記適用例に係る基板は、第２導体部上に離間して設けられた第３導体部を備え、平面視で第３導体部の少なくとも一部が第１導体部および第２導体部に重なって配置されていることが好ましい。
【００１１】
このような基板によれば、第１導電部と第２導電部との一部が重なる様に配置されている。また、絶縁基板の第１面に露出された第１露出部と第２露出部との間に設けられた溝部に、絶縁基板第２導体部が第１導体部の一部と重なる様に設けられている。また、このような基板によれば、第２導体部の一部と重なる様に第３導体部が設けられている。これによって、第２導体部は、絶縁基板を介して一定の離間距離を保ってその絶縁基板の内部に設けられた第１導体部の延設部と重ねて配置することができる。また、溝部に第２導体部が設けられることで、第１導体部と第２導体部とを重ねて配置する場合でも基板の厚みを抑制することができる。
また、これによって第３導体部は、その一部が、絶縁基板を介して一定の離間距離を保って第１導体部と重なる様に配置することができる。また、第３導体部は、その一部が空隙を保って第２導体部と重なる様に配置することができる。
従って、このような基板は、絶縁基板絶縁基板に複数の導体部を重ねて配線することができ、絶縁基板の第１面上の配線スペースを縮減して基板の大型化を抑制することができる。また、溝部に複数の導体部を重ねて設けることで基板の厚みを抑制することができる。
【００１２】
［適用例５］
上記適用例に係る基板は、絶縁基板にホウ珪酸ガラスを含むことが好ましい。
【００１３】
このような基板によれば、ホウ珪酸ガラスを含む絶縁基板と、絶縁基板内に設けられた第１導体部との熱膨張率が低く、共に近似する。これにより、基板に熱が加えられた場合に、第１導体部と絶縁基板との熱膨張率の違いによって、絶縁基板と、その絶縁基板に覆われる第１導体部との破損を抑制することができる。
【００１４】
［適用例６］
本適用例に係る基板の製造方法は、導電性を有する材料により、延設部と、延設部から第１方向に突出する第１ポストと、第１ポストとは離間した位置で延設部から第１方向に突出する第２ポストと、を含む第１導体部を形成する工程と、第１導体部に絶縁性部材を載置する工程と、第１導体部を絶縁性部材で覆う工程と、絶縁性部材から第１ポスト及び第２ポストのぞれぞれの一部を露出させ、第１露出部と第２露出部とを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
［適用例７］
上記用例に係る基板の製造方法は、凹型の溶融型枠内に絶縁性部材が載置された第１導体部を配置し、絶縁性部材を溶融させて第１導体部を絶縁性部材で覆うことが好ましい。
【００１６】
このような基板の製造方法によれば、第１導電部に載置された絶縁性部材を溶融型枠内で溶融させて第１導電部を覆い、絶縁性部材から第１ポストと第２ポストのそれぞれ一部を露出させて第１露出部と第２露出部とを形成する工程を含む。
これにより、第１ポスト及び第２ポストに載置された絶縁性部材が溶融し、第１導電部が絶縁性部材に覆われる。また、第１ポスト及び第２ポストは、その絶縁性部材を研磨（研削）することで絶縁性部材から露出させることができる。また、絶縁性部材の第１面は、絶縁性部材が研磨（研削）されることでその第１面に第１ポストの一部である第１露出部と、第２ポストの一部である第２露出部とが露出した平滑な面を得ることができる。
従って、このような基板の製造方法は、第１面に露出した第１露出部を有する第１ポストと、第１面に露出した第２露出部を有する第２ポストとが絶縁基板材に覆われた延設部で電気的に接続されるため、第１露出部と第２露出部との間の第１面に平滑な面を備えた基板を得ることができる。
【００１７】
［適用例８］
上記適用例に係る基板の製造方法は、減圧雰囲気中で絶縁性部材を溶融することが好ましい。
【００１８】
このような基板の製造方法によれば、絶縁性部材を減圧雰囲気中で加熱することで、低い融点で溶融させることができる。従って、絶縁性部材を加熱する際に第１導電部の熱膨張による破損を抑制することができる。
【００１９】
［適用例９］
上記用例に係る基板の製造方法は、絶縁性部材に第１絶縁性部材と第２絶縁性部材とを含み、第１絶縁性部材は、延設部の第１ポストおよび第２ポスト上に載置され、第２絶縁性部材は、延設部の第１ポストおよび第２ポストが設けられた面と反対側の面に載置され、第１絶縁性部材および第２絶縁性部材の少なくとも一方を溶融させることが好ましい。
【００２０】
このような基板の製造方法によれば、第１ポスト及び第２ポストに載置される第１絶縁性部材と、延設部に載置される第２絶縁性部材のいずれか一方を溶融させる工程を含む。
これにより、第１導体部は、一方の絶縁性部材を溶融させ、他方の絶縁性部材で溶融させた絶縁性部材の流動を抑制することで、第１導電部が露出することなく絶縁性部材で覆うことができる。
【００２１】
［適用例１０］
上記適用例に係る基板の製造方法は、第１導体部に絶縁性部材を接合する工程は、陽極接合法によって第１導体部と絶縁性部材とを接合することを特徴とする。
【００２２】
このような基板の製造方法によれば、第１ポスト及び第２ポストと、延設部とに載置された絶縁性部材を接合する工程は、陽極接合法を用いる。これにより、導電性材料を用いて形成される第１ポスト、第２ポスト及び延設部に、ホウ珪酸ガラスを含む絶縁性部材が接合される界面（接合面）との間に共有結合が生じ、強固に接合することができる。
【００２３】
［適用例１１］
本適用例に係る電子デバイスは、上述した基板の第１面には、機能素子と、機能素子を覆うキャップ部とが設けられ、キャップ部は、第１露出部と第２露出部との間の第１面にキャップ部の周縁部が接合されていることを特徴とする。
【００２４】
このような電子デバイスによれば、上述した基板に搭載される機能素子を封止するキャップ部を備え、第１露出部と第２露出部との間の第１面と、キャップ部に有する周縁部と、を接合することで機能素子が搭載された空間が封止される。
これにより、キャップ部の周縁部と接合される第１面には、第１露出部と第２露出部とを電気的に接続する配線となる延設部が露出されていないため、その周縁部と第１面とを密接に接合することができる。
また、第１導体部と、第２導体部と、第３導体部とが離間距離を保って一部が重なる様に配置されているため、各導体部間に生じる静電容量（寄生容量）を抑制することができる。従って、基板に搭載される機能素子が封止される空間の気密を保つことができ、封止される機能素子が劣化することを抑制することができる。また、各導体部間の静電容量が抑制されるため、微弱な信号が出力される機能素子を搭載した電子デバイスに当該基板を用いることができる。
【００２５】
［適用例１２］
本適用例に係る電子機器は、上述した電子デバイスが搭載されたことを特徴とする。
【００２６】
このような電子機器によれば、上述した、基板を用いた電子デバイスが搭載されることで、搭載される電子機器の小型化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１実施形態に係る基板の平面を模式的に示す平面図。
【図２】第１実施形態に係る基板の断面を模式的に示す断面図。
【図３】第１実施形態に係る基板の製造方法の工程を示すフローチャート。
【図４】第１実施形態に係る基板の製造方法による基板の加工状態を模式的に示す図。
【図５】第１実施形態に係る基板の製造方法による基板の加工状態を模式的に示す図。
【図６】第２実施形態に係る基板の平面を模式的に示す平面図。
【図７】第２実施形態に係る基板の断面を模式的に示す断面図。
【図８】第２実施形態に係る導体部の離間距離と、静電容量との関係を示すグラフ。
【図９】第２実施形態に係る基板の製造方法の工程を示すフローチャート。
【図１０】第３実施形態に係る基板の平面を模式的に示す平面図。
【図１１】第３実施形態に係る基板の断面を模式的に示す断面図。
【図１２】第３実施形態に係る基板の製造方法の工程を示すフローチャート。
【図１３】第４実施形態に係る電子機器を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載する場合がある。また、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照し、各部の位置関係について説明する。鉛直面内における所定方向をＸ軸方向、鉛直面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向をＺ軸方向とする。また、重力方向を基準として、重力方向を下方向、逆方向を上方向とする。
【００２９】
（第１実施形態）
第１実施形態に係る基板を図１及び図２に示す。図１は、基板１の概略構成を示す図で、基板１を上面（Ｚ軸）方向から見た場合の平面図である。図２（ａ）は、図１に示す線分Ａ−Ａ’において基板１を断面（Ｙ軸）方向から見た場合の断面図である。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す符号Ｂの部分を模式的に拡大した断面図である。なお、図２は、電子デバイス１ａを構成する基板として本実施形態の基板１を用いた場合に、当該基板１に機能素子７０と、それを封止するキャップ部６０とが備えられた場合を示すものである。また、図１は、ウエハー上に複数個取りされる基板１の一例の概略構成を示すものである。図１に示す破線は、基板１を個片に切断する際のダイシングラインＤＬ（切断線）を表す。
【００３０】
（基板の構造）
図１及び図２に示す様に、本実施形態の基板１は、導電性材料の一例としてシリコン基板１０を用いた第１導体部１００と、絶縁性部材の一例としてガラスを用いた絶縁基板４０と、を含んで構成されている。
シリコン基板１０には、例えば、単結晶シリコンやポリシリコンなどを主要材料とした基板が用いられている。絶縁基板４０は、絶縁性部材の一例としてのガラスに、例えばナトリウムなどのアルカリ金属元素を含んだホウ珪酸ガラスが用いられている。
【００３１】
図１及び図２に示す様に第１導体部１００には、第１ポスト１０１と、第２ポスト１０２と、延設部１０３とを備える。第１導体部１００は、シリコン基板１０をエッチングすることによって、延設部１０３から延伸する第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２が形成されている（詳細は、基板の製造方法で説明する。）。
図２（ａ），（ｂ）に示す様に第１導体部１００は、延設部１０３が第１ポスト１０１と第２ポスト１０２との間に備えられ、延設部１０３によって第１ポスト１０１と第２ポスト１０２とが電気的に接続される。本実施形態の第１導体部１００は、延設部１０３に対して直交する様に第１ポスト１０１が第１面４０ａに向かって延伸し、その一部が第１露出部１０１ａとして第１面４０ａに露出させて設けられている。また、延設部１０３に対して直交する様に第２ポスト１０２が第１面４０ａに向かって延伸し、その一部が第２露出部１０２ａとして第１面４０ａに露出させて設けられている。なお、図２（ｃ）に示す様に第１導体部１００は、第１ポスト１０１と第２ポスト１０２とが直接電気的に接続される場合には、その接続される部分を延設部１０３と称す。本実施形態、及び以降の実施形態では、図２（ａ），（ｂ）に示す様に導体部材である延設部１０３が第１ポスト１０１と第２ポスト１０２との間に備える形態を例示して説明する。
【００３２】
図２に示す第１露出部１０１ａには、電極パッド１０１ｂを備えている。また、第２露出部１０２ａには、電極パッド１０２ｂを備えている。なお、電極パッド１０１ｂ，１０２ｂは、例えば、クロム（ｃｒ）又はチタン（Ｔｉ）を下地膜として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）又はこれらの少なくとも一つを含む合金を電極の材料として用いることができる。
【００３３】
図２に示す絶縁基板４０は、第１導体部１００を覆う様に設けられている。絶縁基板４０は、第１導体部１００が形成されたシリコン基板１０と接合された後に、シリコン基板１０及び絶縁基板４０としてのガラス基板が加熱されることでガラス基板（絶縁基板４０）が粘性流動状態となり、第１導体部１００を覆う様に配置される（詳細は、複合基板の製造方法で説明する。）。
絶縁基板４０は、第１面４０ａに露出された電極パッド１０１ｂ（第１ポスト１０１）と、電極パッド１０２ｂとの間に平滑な面を有する接合面４０ｃを備える。接合面４０ｃは、後述する電子デバイス１ａとして基板１を用いる場合にキャップ部６０の周縁部６１と接合される面となる。
【００３４】
図１及び図２に示す基板１は、その用途として電子デバイス１ａを構成する基板として用いることができる。図２に示す基板１は、簡略して図示するセンサー等の機能素子７０が第１面４０ａに搭載され、キャップ部６０によって封止された電子デバイス１ａに用いられた場合の一例を示している。ここでは、電子デバイスを構成する基板として基板１を用いた一例を説明する。
機能素子７０には、電極（不図示）が設けられ、第１面４０ａに露出させて設けられた電極パッド１０１ｂとボンディングワイヤー等の配線（不図示）によって接続されている。基板１に機能素子７０の搭載、及び配線された後に機能素子７０を保護するため、キャップ部６０によって機能素子７０が搭載された空間８０が封止されている。
【００３５】
第１面４０ａには、前述したキャップ部６０と接合される接合面４０ｃを有する。また、接合されるキャップ部６０は、基板１に搭載される機能素子７０を覆うため凹形状で中空の空洞を有し、その凹形状の入り口、即ち開口している端部に周縁部６１を備える。
電子デバイス１ａは、封止された空間８０に設けられた機能素子７０と電気信号を送受する配線として第１導体部１００を用いることができる。よって、接合面４０ｃは、配線が露出して設けられていない平滑な面であるため、周縁部６１と当該接合面４０ｃが接合されることで機能素子７０が搭載される空間８０の気密を保つことができる。
これによって、キャップ部６０と基板１（第１面４０ａ）とが密接に接合され、機能素子７０を保護することができる。また、キャップ部６０の材料として導電性部材であるシリコンを用いることで、ホウ珪酸ガラスを用いた絶縁基板４０（接合面４０ｃ）とキャップ部６０とは陽極接合法によって密接に接合することができる。
【００３６】
（基板の製造方法）
第１実施形態に係る基板の製造方法のフローチャートを図３に示す。図３は、基板１の製造工程の一例を示すフローチャートであり、図４（ａ）〜（ｄ）及び図５（ｅ）〜（ｈ）は、当該基板の製造工程によって加工される基板の断面を模式的に示す断面図である。なお、図４及び図５の断面図は、図１（ａ）の線分Ａ−Ａ’における基板１の断面を模式的に示すものである。
【００３７】
図３に示す様に、基板１の製造方法は、凹部形成工程Ｓ１と、第１ガラス基板接合工程Ｓ２と、分割工程Ｓ３と、第２ガラス基板接合工程Ｓ４と、加熱工程Ｓ５と、研磨工程Ｓ６と、電極パッド形成工程Ｓ７と、切断工程Ｓ８と、を含んでいる。
基板１の製造方法について、図３に示す工程順に図４及び図５を参照しながら説明する。
【００３８】
基板１の形成は、シリコン基板１０に第１導体部１００を形成する工程から開始する。図４（ａ）は、第１導体部１００が形成される前の第１加工面１０ａと、第２加工面１０ｂとを有するシリコン基板１０が準備された状態を示す。
【００３９】
［凹部形成工程Ｓ１］
凹部形成工程Ｓ１は、シリコン基板１０に第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２となる凹部１１を形成する工程である。
図４（ｂ）に示す様に、シリコン基板１０に第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２となる部分を形成するため、例えば、ＳｉＯ2（二酸化ケイ素）を含んでなるマスクパターン（不図示）をフォトリソグラフィー法によって、第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２となるシリコン基板１０の第１加工面１０ａに形成する。次に、当該マスクパターンを形成したシリコン基板１０の第１加工面１０ａを例えば、ＳＦ6（六フッ化硫黄）をエッチングガスとするドライエッチング法によってエッチングを実行して凹部１１を形成する。凹部１１以外の部分が第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２となる。また、第１ポスト１０１と第２ポスト１０２とが接続される部分、即ち、凹部１１の底の部分が延設部１０３となる。
なお、凹部１１を形成した後に、第１加工面１０ａに形成したマスクパターンを剥離する。
【００４０】
［第１ガラス基板接合工程Ｓ２］
第１ガラス基板接合工程Ｓ２は、シリコン基板１０の第１加工面１０ａ側に絶縁基板４０としての第１絶縁性部材であるガラス基板４１ａを載置して接合する工程である。図４（ｃ）に示す様に、第１ガラス基板接合工程Ｓ２は、第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２となるシリコン基板１０の第１加工面１０ａに、例えば厚さ２００マイクロメートルのガラス基板４１ａを陽極接合法によって接合する。なお、絶縁基板４０としてのガラス基板４１ａは、ホウ珪酸ガラスを用いている。
【００４１】
陽極接合法によるシリコン基板１０とガラス基板４１ａとの接合は、導電性を有するシリコン基板１０と、ナトリウムなどのアルカリ金属元素（可動元素）を含むガラス基板４１ａとを、概ね３６０℃の窒素雰囲気中に載置して、概ね８００Ｖの電圧をシリコン基板１０とガラス基板４１ａとに印加することによって接合する。これにより、シリコン基板１０とガラス基板４１ａとは、静電引力により接合される界面に共有結合が生じ強固に接合されるものである。なお、シリコン基板１０及びガラス基板４１ａに加えられる温度と電圧とは、シリコン基板１０及びガラス基板４１ａの厚み等の条件によって適宜変更しても良い。
【００４２】
［分割工程Ｓ３］
分割工程Ｓ３は、シリコン基板１０に形成した第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２と、第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２とが接続される延設部１０３とを１組とする第１導体部１００を形成する工程である。分割工程Ｓ３は、シリコン基板１０の第２加工面１０ｂとしての第３加工面１０ｃに開口部１２を形成してシリコン基板１０を分割する工程である。
図４（ｄ）に示す様に、第３加工面１０ｃの第１ポスト１０１と第２ポスト１０２との間に、例えばＳｉＯ2含んでなるマスクパターン（不図示）をフォトリソグラフィー法によって形成する。即ち、延設部１０３となる第３加工面１０ｃの部分にマスクパターンを形成する。次に、当該マスクパターンを形成した第３加工面１０ｃを、例えばＳＦ6（六フッ化硫黄）をエッチングガスとするドライエッチング法によってエッチングを実行して開口部１２を形成する。なお、開口部１２は、隣接する第１ポスト１０１間、又は隣接する第２ポスト１０２間に形成された凹部１１と連通（貫通）させる様に形成する。
これによって、一組の第１導体部１００となる延設部１０３と、延設部１０３から延伸する第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２とが形成される。
【００４３】
［第２ガラス基板接合工程Ｓ４］
第２ガラス基板接合工程Ｓ４は、シリコン基板１０の第２加工面１０ｂ側に絶縁基板４０としての第２絶縁性部材であるガラス基板４１ｂを接合する工程である。絶縁基板４０としてのガラス基板４１ｂは、ガラス基板４１ａと同様にホウ珪酸ガラスを用いている。図５（ｅ）に示す様に、延設部１０３となるシリコン基板１０の第２加工面１０ｂに、例えば、厚さ２００［μｍ］のガラス基板４１ｂを第１ガラス基板接合工程Ｓ２と同様に陽極接合法によって接合する。
【００４４】
［加熱工程Ｓ５］
加熱工程Ｓ５は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０に接合されたガラス基板４１ａ，４１ｂとを加熱し、第１加工面１０ａ側に接合されたガラス基板４１ａを溶融（融解）させて凹部１１と開口部１２に充填し、第１導体部１００を絶縁基板４０で覆う工程である。
図５（ｆ）に示す様に、加熱工程Ｓ５は、前述の第２ガラス基板接合工程Ｓ４で接合された第１導体部１００と、ガラス基板４１ａ，４１ｂとを溶融型枠９００に載置する。溶融型枠９００は、蓋（不図示）と、ヒーター（不図示）とを備え、第１導体部１００とガラス基板４１ａ，４１ｂとが載置された溶融型枠９００内を密閉して加熱することができる。また、真空ポンプ（不図示）が接続され、溶融型枠９００内を減圧することができる。
【００４５】
加熱工程Ｓ５は、溶融型枠９００内に載置された第１導体部１００とガラス基板４１ａ，４１ｂとをヒーターによって概ね７００℃から８２０℃に加熱する。第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２と接合されたガラス基板４１ａは、加熱されることで溶融して粘性流動状態となる。溶融されたガラス基板４１ａは、溶融型枠９００内が減圧されることによって、凹部１１や開口部１２に充填される。また、溶融したガラス基板４１ａと、加熱されたガラス基板４１ｂの表面とが融合して一体となり絶縁基板４０が形成される。これによって、第１導体部１００を絶縁基板４０（ガラス基板４１ａ，４１ｂ）で覆うことができる。
本実施形態の加熱工程Ｓ５は、減圧（真空）状態でガラス基板４１ａ，４１ｂを加熱することから、大気圧下で加熱する場合よりもガラス基板４１ａ，４１ｂの軟化温度（融点）を低くすることができ、加熱時間を短くすることが可能となる。また、凹部１１の入り角となる部分へのガラス基板４１ａの流動が容易となり、絶縁基板４０内に空隙が生じることを抑制することができる。
なお、第１導体部１００を絶縁基板４０で覆う各工程は、上述した方法に限定することなく、第１加工面１０ａまたは第２加工面１０ｂのいずれか一方にガラス基板４１ａまたはガラス基板４１ｂを載置及び接合して溶融させて第１導体部１００を絶縁基板４０となるガラス基板４１ａ，４１ｂで覆っても良い。
【００４６】
［研磨工程Ｓ６］
研磨工程Ｓ６は、前述の加熱工程Ｓ５によって第１導体部１００が絶縁基板４０で覆われた基板１を研磨する工程である。研磨工程Ｓ６は、図５（ｇ）に示す様に、基板１（絶縁基板４０）を研磨して第１面４０ａに第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２を露出させ、かつ第１面４０ａに有する接合面４０ｃが平滑な面となる様に研磨をする。
研磨工程Ｓ６は、例えば、研磨装置（不図示）等によって、遊離砥粒を含むスラリー（水溶液）を基板１（絶縁基板４０）の研磨をする面である第１面４０ａに介在させ、研磨パッドによって第１面４０ａを研磨する平面研磨によって実行する。
なお、研磨工程Ｓ６は、絶縁基板４０に覆われた第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２を絶縁基板４０の外に露出させることができれば良く、研削等ほかの露出方法を用いても良い。また、絶縁基板４０の第２面４０ｂを前述の研磨工程Ｓ６によって研磨し、基板１の厚みを調整しても良い。
【００４７】
［電極パッド形成工程Ｓ７］
電極パッド形成工程Ｓ７は、前述の研磨工程Ｓ６によって第１面４０ａに露出させた第１ポスト１０１に有する第１露出部１０１ａに電極パッド１０１ｂを形成する工程である。また、絶縁基板４０の第１面４０ａに露出させた第２ポスト１０２に有する第２露出部１０２ａに電極パッド１０２ｂを形成する工程である。
電極パッド形成工程Ｓ７は、図５（ｈ）に示す様に、第１面４０ａに露出させた第１露出部１０１ａ及び第２露出部１０２ａに、例えば、クロム（ｃｒ）又はチタン（Ｔｉ）を下地膜として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）またはこれらを含む合金などの材料を用いて、蒸着法またはスパッタリング法等によって電極パッド１０１ｂ及び電極パッド１０２ｂを形成する。
【００４８】
［切断工程Ｓ８］
切断工程Ｓ８は、ウエハー上に複数個取りされる基板１を個片に切断（分割）する工程である。切断工程Ｓ８は、ダイシング装置（不図示）等によって、ダイシングラインＤＬに沿って個片に切断する。
【００４９】
切断工程Ｓ８が完了することによって、基板１を得ることができる。
なお、上述した凹部形成工程Ｓ１及び分割工程Ｓ３は、シリコン基板１０をエッチングする方法としてドライエッチングに代えて、ウエットエッチングとしてもよい。
【００５０】
上述した第１実施形形態によれば以下の効果が得られる。
このような基板１によれば、絶縁基板４０の第１面４０ａに、第１導体部１００を構成する延設部１０３を露出することなく、第１面４０ａに露出させた第１ポスト１０１に備える第１露出部１０１ａ（電極パッド１０１ｂ）と、第２ポスト１０２に備える第２露出部１０２ａ（電極パッド１０２ｂ）との間を電気的に接続することができる。
また、基板１は、第１露出部１０１ａと第２露出部１０２ａとの間の第１面４０ａに有する接合面４０ｃに、延設部１０３が露出しない平滑な面を備えることができる。
また、基板１は、電子デバイス１ａとして用いられた場合に、基板１に搭載される機能素子７０を封止するキャップ部６０の周縁部６１が接合面４０ｃと接合される。これにより、接合面４０ｃは、配線など露出していない平滑な面を有するため、キャップ部６０の周縁部６１と密接に接合することができ、機能素子７０が封止される空間８０の気密を保つことができる。また、絶縁基板４０の第１面４０ａに備える接合面４０ｃはホウ珪酸ガラスを含み、キャップ部６０は導電性材料であるシリコンを含むため、キャップ部６０の周縁部６１と、接合面４０ｃとは陽極接合法によって接合されることで密接かつ強固に接合することができる。よって、機能素子７０が封止される空間８０の気密を保つことができる。
【００５１】
このような基板１の製造方法によれば、第１ガラス基板接合工程Ｓ２で接合された絶縁基板４０としてのガラス基板４１ａを加熱工程Ｓ５で加熱することによって溶融させて延設部１０３と、第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２を絶縁基板４０で覆うことができる。また、絶縁基板４０が研磨工程Ｓ６によって研磨されることで第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２を露出させた平滑な面を有する第１面４０ａを得ることができる。
【００５２】
従って、このような基板１及び基板１の製造方法は、第１露出部１０１ａと第２露出部１０２ａとの間の絶縁基板４０の第１面４０ａに平滑な面を備える基板１を得ることができる。また、得られた基板１は、電子デバイス１ａを構成する基板１として用いられることで、その基板１に搭載される機能素子７０が封止される空間８０の気密を保つことができ、機能素子７０に水分が侵入することを抑制することができる。
【００５３】
（第２実施形態）
第２実施形態に係る基板を図６及び図７に示す。図６は、第２実施形態に係る基板２の概略構成を示す図で、基板２の上面（Ｚ軸）方向から見た場合の平面図である。図７（ａ）は、図６に示す線分Ｃ−Ｃ’において基板２を断面（Ｙ軸）方向から見た場合の断面図である。また、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す符号Ｄの部分を模式的に拡大した断面図である。なお、図７は、第１実施形態で説明に用いた図２と同様に、電子デバイス２ａを構成する基板として本実施形態の基板２を用いた場合に、当該基板２に機能素子７０と、それを封止するキャップ部６０とが備えられた場合を示すものである。また、図６は、ウエハー上に複数個取りされる基板２の一例の概略構成を示すものである。図６に示す破線は、基板２を個片に切断する際のダイシングラインＤＬ（切断線）を表す。
【００５４】
本実施形態の基板２は、第１実施形態で説明をした基板１と比較して基板２の第１面４０ａに溝部４２が設けられ、溝部４２の底面４２ａを含んで第２導体部２００が配置されている点が異なる。その他の構成等は同様であるため、同様の構成には同じ符号を付し、説明は省略または簡略とする。
【００５５】
（基板の構造）
図６及び図７に示す本実施形態の基板２は、絶縁基板４０と、第１導体部１００と、第２導体部２００とを備えている。
また、第１導体部１００には、延設部１０３と、延設部１０３から延伸する第１ポスト１０１と第２ポスト１０２とを備えている。また、第１面４０ａ側の絶縁基板４０には、溝部４２を備える。
【００５６】
図６及び図７に示す基板２は、第１実施形態で説明をした基板１と同様に、絶縁基板４０内に設けられた延設部１０３と、延設部１０３と直交して第１面４０ａに向かって延伸し、第１面４０ａに露出する第１露出部１０１ａを有する第１ポスト１０１を備える。また、延設部１０３と直交して第１面４０ａに向かって延伸し、第１面４０ａに露出する第２露出部１０２ａを有する第２ポスト１０２を備える。
また、第１面４０ａ側の絶縁基板４０には、第１露出部１０１ａと第２露出部１０２ａとの間に溝部４２が設けられている。また、溝部４２の底面４２ａを含んで第２導体部２００が設けられ、第２導体部２００の一部が第１導体部１００の延設部１０３と離間距離ｄ１を保って重ねて配置されている。
【００５７】
図６及び図７に示す第１導体部１００は、基板１と同様に、第１ポスト１０１に有する第１露出部１０１ａに電極パッド１０１ｂを備え、第２ポスト１０２に有する第２露出部１０２ａに電極パッド１０２ｂを備える。
【００５８】
図６及び図７に示す絶縁基板４０は、基板１と同様に第１導体部１００を覆う様に設けられている。絶縁基板４０には、第１面４０ａ側に溝部４２が設けられている。溝部４２は、第１面４０ａに露出されている第１露出部１０１ａと第２露出部１０２ａとの間、かつ第１面４０ａ側の絶縁基板４０に設けられている。
【００５９】
図６及び図７に示す第２導体部２００は、導電性を有する部材、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）又はこれらを含む合金等の部材で形成されている。第２導体部２００は、上述した溝部４２の底面４２ａを含み溝部４２に設けられている。また、第２導体部２００は、離間距離ｄ１を保ちその一部が延設部１０３と重なる様に配置されている。なお、溝部４２を設けない場合には、第１面４０ａ上に第２導体部２００が設けられる。
【００６０】
ここで第２導体部２００は、その一部が延設部１０３と重なって配置されているため、延設部１０３と第２導体部２００との間に静電容量Ｃｇ（寄生容量）が生じる。静電容量Ｃｇが生じると、第１導体部１００及び第２導体部２００を流れる電気信号（電流）の伝搬に影響を与える虞がある。そこで、本実施形態の基板２では、延設部１０３（第１導体部１００）と、第２導体部２００との離間距離ｄ１を１０［μｍ］以上とすることで静電容量Ｃｇの影響を抑制することとした。延設部１０３と第２導体部２００との間に生じる静電容量Ｃｇは、誘電体の比誘電率をε、真空中の誘電率をε0、延設部１０３と第２導体部２００とが重なる面積をＡ、延設部１０３と第２導体部２００との離間距離をｄ１とした場合に次の数式１で求めることができる。
【００６１】
【数１】
2013239615.tif 000003
【００６２】
数式１を用いて延設部１０３と第２導体部２００との間に生じる静電容量Ｃｇを求めた一例を説明する。
延設部１０３と第２導体部２００との間に位置する誘電体としての絶縁基板４０（ガラス）の比誘電率εを４．６、真空の誘電率ε0を８．８５×１０-12[F／m]とする。また、延設部１０３と第２導体部２００とが重なる面積Ａを１００［μｍ2］、延設部１０３と第２導体部２００との離間距離ｄ１を４０［μｍ］とした場合の延設部１０３と第２導体部２００との間に生じる静電容量Ｃｇは、１０×１０-15[F]となる。
【００６３】
上述した数式１によって求めた延設部１０３と第２導体部２００との間に生じる静電容量Ｃｇと、離間距離ｄ１との関係を図８に示す。
図８は、数式１を用いて延設部１０３と第２導体部２００とが重なる面積Ａを２００［μｍ2］、４００［μｍ2］、６００［μｍ2］、８００［μｍ2］とし、延設部１０３と第２導体部２００との離間距離ｄ１を１［μｍ］から１００［μｍ］とした場合における静電容量Ｃｇを求めた結果を示すものである。
【００６４】
図８に示す様に、面積Ａ１の大きさに拘わらず、離間距離ｄ１が１０［μｍ］より大きく（広く）なると静電容量Ｃｇが低下することが判る。他方、離間距離ｄ１が５［μｍ］より小さく（狭く）なると静電容量Ｃｇが急峻に増加することが判る。そこで、延設部１０３と第２導体部２００との間の離間距離ｄ１は、延設部１０３と第２導体部２００とが重なる面積Ａに拘わることなく、第１導体部１００と第２導体部２００との間に生じる静電容量Ｃｇが小さくなる１０［μｍ］以上とすることとした。これにより溝部４２を設けてその底面４２ａに第２導体部２００を配置することで、第１導体部１００との離間距離ｄ１を短縮し基板２の厚みを抑制することができる。
【００６５】
図７に戻りキャップ部６０が基板２に接合される電子デバイス２ａについて説明をする。基板２は、第１実施形態で説明をした基板１と同様に、その用途として電子デバイス２ａを構成する基板として用いることができる。図７に示す基板２には、簡略して図示するセンサー等の機能素子７０が第１面４０ａに搭載され、キャップ部６０で封止された電子デバイスの一例を示している。基板２は、溝部４２に第２導体部２００が設けられ、第２導体部２００が第１面４０ａに露出していないため、第２導体部２００と重なる様に機能素子７０を搭載（配置）することができる。なお、その他の構成は第１実施形態で説明をした基板１を用いた電子デバイス１ａと同様であるため、説明は省略とする。
【００６６】
（基板の製造方法）
第２実施形態に係る基板の製造方法のフローチャートを図９に示す。図９は、基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【００６７】
図９に示す様に、基板２の製造方法は、第１実施形態で説明をした基板１の製造方法と同様に、凹部形成工程Ｓ１と、第１ガラス基板接合工程Ｓ２と、分割工程Ｓ３と、第２ガラス基板接合工程Ｓ４と、加熱工程Ｓ５と、研磨工程Ｓ６と、電極パッド形成工程Ｓ７と、切断工程Ｓ８と、を含んでいる。なお本実施形態では、研磨工程Ｓ６と電極パッド形成工程Ｓ７との間に、溝形成工程Ｓ１１と、第１配線形成工程Ｓ１２とを含んでいる点が、第１実施形態で説明をした基板１の製造方法と異なる。第１実施形態と異なる工程について説明をし、同一の工程については説明を省略または簡略とする。
【００６８】
本実施形態の基板２の製造方法は、第１ガラス基板接合工程Ｓ２及び第２ガラス基板接合工程Ｓ４で接合した絶縁基板４０としてのガラス基板４１ａ，４１ｂを加熱工程Ｓ５で溶融し、凹部形成工程Ｓ１及び分割工程Ｓ２で形成した第１導体部１００を覆う。さらに、研磨工程Ｓ６によって絶縁基板４０を研磨することで第１面４０ａに第１導体部１００の第１ポスト１０１と、第２ポスト１０２とを露出させる。
【００６９】
また、基板２の製造方法は、研磨工程Ｓ６によって第１面４０ａに第１ポスト１０１に有する第１露出部１０１ａと、第２ポスト１０２に有する第２露出部１０２ａとを露出させる。
【００７０】
次に、前述した基板１の製造方法と異なる溝形成工程Ｓ１１と、第１配線形成工程Ｓ１２について説明をする。
溝形成工程Ｓ１１は、絶縁基板４０の第１面４０ａに露出させた第１露出部１０１ａと第２露出部１０２ａとの間の第１面４０ａ側に溝部４２を形成工程である。溝形成工程Ｓ１１は、溝部４２を形成する部分以外にフォトリソグラフィー法等によって、例えばクロム（ｃｒ）及び金（Ａｕ）を含む薄膜からなるマスクパターンを形成し、ウエットエッチング法等によって絶縁基板４０をエッチングすることで溝部４２を形成する。なお、形成される溝部４２の深さは、絶縁基板４０内に設けられた第１導体部１００の延設部１０３と、溝部４２の底面４２ａとの厚み（距離）が１０［μｍ］以上となる深さとする。前述した第１導体部１００（延設部１０３）と、後述する第１配線形成工程Ｓ１２で形成される第２導体部２００との間に生じる静電容量Ｃｇを抑制するためである。なお、溝部４２を形成することなく第２導体部２００を形成する場合は、当該溝形成工程Ｓ１１を省略してもよい。
【００７１】
第１配線形成工程Ｓ１２は、溝部４２に第２導体部２００を形成する工程である。第１配線形成工程Ｓ１２は、溝部４２が形成された第１面４０ａにフォトリソグラフィー法等によってマスクパターン（不図示）を形成し、例えばクロム（ｃｒ）又はチタン（Ｔｉ）を下地膜として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）またはこれらを含む合金などの材料を用いて、蒸着法またはスパッタリング法等によって第２導体部２００を形成する。第１配線形成工程Ｓ１２は、第２導体部２００の形成後にレジストマスクパターンを除去する。ここで第２導体部２００は、離間距離ｄ１を保って延設部１０３と一部が重なる様に形成される。また、第２導体部２００は、溝部４２の底面４２ａに設けられ、延設部１０３と絶縁基板４０を介して重なっている。
このため、第２導体部２００と延設部１０３との離間距離ｄ１は、溝部４２の底面４２ａと絶縁基板内に設けられている延設部１０３までの絶縁基板４０の厚み、即ち、溝部４２の深さによって決定され、当該の第１配線形成工程Ｓ１２ではスパッタリング法など汎用の配線形成技術で延設部１０３と離間距離ｄ１を保った第２導体部２００の形成が可能である。
【００７２】
基板２の製造方法は、第１配線形成工程Ｓ１２の後に、第１実施形態で説明した基板１の製造方法と同様に電極パッド形成工程Ｓ７を実行し、第１露出部１０１ａ、及び第２露出部１０２ａに電極パッド１０１ｂ及び電極パッド１０２ｂを形成する。また、図示を省略する電極が第２導体部２００に設けられる場合には、その電極パッドも形成する。なお、第２導体部２００と電極パッド１０１ｂ及び１０２ｂとを同じ導体薄膜としても良い。
基板２の製造方法は、電極パッド形成工程Ｓ７の後に、切断工程Ｓ８を実行し、ウエハー上に複数個取りされる基板２を個片に切断（分割）をする。切断工程Ｓ８が完了することによって、基板２を得ることができる。
【００７３】
上述した第２実施形形態によれば以下の効果が得られる。
このような基板２によれば、第１露出部１０１ａと第２露出部１０２ａとの間に設けられた溝部４２に延設部１０３と一部が重なる様に第２導体部２００を配置することができる。また、第２導体部２００は、第１導体部１００の延設部１０３と絶縁基板４０を介して一定の離間距離ｄ１を保ち配置することができる。また、離間距離ｄ１は、１０［μｍ］以上とすることで、第１導体部１００と第２導体部２００とに生じる静電容量Ｃｇ（寄生容量）を抑制することができる。
また、このような基板２は、電子デバイス２ａとして用いられた場合に、溝部４２に第２導体部２００が配置されているため、機能素子７０の搭載位置（配置位置）の自由度が増し、機能素子７０が封止される空間８０の内部で電気信号の送受をする配線として延設部１０３と重ねて配置される第２導体部２００を利用することができる。また、延設部１０３と第２導体部２００との間の静電容量Ｃｇが抑制されるため、微弱な出力信号の機能素子７０が搭載される電子デバイス２ａに当該基板２を用いることができる。
【００７４】
このような基板２の製造方法によれば、スパッタリング法等を用いて延設部１０３と一定の離間距離ｄ１を保って第２導体部２００を形成することができる。また、延設部１０３と第２導体部２００との離間距離ｄ１は、第２導体部２００が形成される溝部４２の深さ、即ち、溝部４２の底面４２ａと延設部１０３との間の絶縁基板４０の厚みによって決定され、第２導体部２００を形成する第１配線形成工程Ｓ１２では、溝部４２の底面４２ａに離間距離ｄ１の制御をすることなく直接第２導体部２００を形成することができる。
【００７５】
従って、このような基板２及び基板２の製造方法は、複数の導体部（配線）を重ねて設けることができ、配線スペースの縮減が可能となり、基板２の大型化を抑制することができる。また、絶縁基板４０に溝部４２を設けることで、延設部１０３に第２導体部２００を重ねて設けた場合でも基板２の厚みを抑制した高密度な配線を備える基板２を得ることができる。また、得られた基板２は、電子デバイス２ａを構成する基板２として用いられることで、機能素子７０が封止される空間８０の内部配線として第２導体部２００を利用することができるため、高密度な配線を要する機能素子７０が搭載される電子デバイス２ａを得ることができる。
【００７６】
（第３実施形態）
第３実施形態に係る基板を図１０及び図１１に示す。図１０は、第３実施形態に係る基板３の概略構成を示す図で、基板３の上面（Ｚ軸）方向から見た場合の平面図である。図１１（ａ）は、図１０に示す線分Ｅ−Ｅ’において基板２を断面（Ｙ軸）方向から見た場合の断面図である。また、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す符号Ｆの部分を模式的に拡大した断面図である。なお、図１１は、図２及び図７と同様に電子デバイスを構成する基板として本実施形態の基板３を用いた場合に、当該基板に機能素子７０と、それを封止するキャップ部６０とが備えられた場合を示すものである。
【００７７】
本実施形態の基板３は、第２実施形態で説明をした基板２と比較して溝部４２に設けられた第２導体部２００と、一部が重なる様に離間距離ｄ２（空隙）を保って第３導体部３００が設けられている点が異なる。その他の構成等は同様であるため、同様の構成には同じ符号を付し、説明は省略または簡略とする。
【００７８】
（基板の構造）
本実施形態の基板３は、絶縁基板４０と、第１導体部１００と、第２導体部２００と、第３導体部３００とを備えている。また、第１導体部１００には、延設部１０３と、延設部１０３から延伸する第１ポスト１０１と、第２ポスト１０２と、を備えている。また、基板３の第１面４０ａ側には、溝部４２を備える。なお、図１０は、ウエハー上に複数個取りされる基板３の一例の概略構成を示す模式図である。図１０及び図１１に示す破線は、基板３を個片に切断する際のダイシングラインＤＬ（切断線）を表す。
【００７９】
図１０及び図１１に示す基板３は、第２実施形態で説明をした基板２と同様に、絶縁基板４０内に設けられた延設部１０３と、延設部１０３と直交し第１面４０ａに向かって延伸し第１面４０ａに露出する第１露出部１０１ａを有する第１ポスト１０１を備える。また、延設部１０３と直交し第１面４０ａに向かって延伸し第１面４０ａに露出する第２露出部１０２ａを有する第２ポスト１０２を備える。また、第１面４０ａには、第１露出部１０１ａと第２露出部１０２ａとの間に溝部４２が設けられている。また、溝部４２の底面４２ａには第２導体部２００が設けられ、第２導体部２００の一部が延設部１０３と離間距離ｄ１を保って重ねて配置されている。また、延設部１０３（第１導体部１００）と、第２導体部２００と一部が重なる様に第３導体部３００が配置されている。
【００８０】
図１０及び図１１に示す第１導体部１００は、基板２と同様に、延設部１０３から延伸する第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２を第１面４０ａに露出する様に設けられている。また、第１面４０ａに露出した第１露出部１０１ａ及び第２露出部１０２ａには、それぞれ電極パッド１０１ｂ及び電極パッド１０２ｂが設けられている。
【００８１】
図１０及び図１１に示す絶縁基板４０は、基板２と同様に第１導体部１００を覆う様に設けられている。絶縁基板４０には、第１面４０ａ側に溝部４２が設けられている。溝部４２は、第１面４０ａに露出される第１露出部１０１ａと第２露出部１０２ａとの間、かつ第１面４０ａ側の絶縁基板４０に設けられている。
【００８２】
図１０及び図１１に示す第２導体部２００は、前述した溝部４２の底面４２ａを含み溝部４２に設けられている。底面４２ａに配置された第２導体部２００は、その一部が第１導体部１００と１０［μｍ］以上の離間距離ｄ１を保って設けられている。前述した第１導体部１００と第２導体部２００との間に生じる静電容量Ｃｇを抑制するためである。
【００８３】
図１０及び図１１に示す第３導体部３００は、その一部が前述の第２導体部２００と重なる様に離間距離（空隙）ｄ２を保って設けられている。第３導体部３００は、第１導体部１００と第２導体部２００との間に生じる静電容量Ｃｇと同様に、第１導体部１００との間、及び第２導体部２００との間に静電容量Ｃｇが生じる。そのため、第３導体部３００は、第２導体部２００と一定の空隙を保って設けられており、その離間距離ｄ２は、２［μｍ］以上としている。
【００８４】
離間距離ｄ２は、第２導体部２００と第３導体部３００との間が空隙であるため、この間の比誘電率εを１として、第２実施形態で上述した数式１で求めることができる。
離間距離ｄ２は、第２導体部２００と第３導体部３００との間に生じる静電容量Ｃｇを第１導体部１００と第２導体部２００との間に生じる静電容量Ｃｇ、１０×１０-15［Ｆ］と略同じとするために２．１７［μｍ］とすればよい。これにより第２導体部２００と第３導体部３００との離間距離ｄ２を２［μｍ］以上とした。
【００８５】
図１０及び図１１に示す基板３は、第１実施形態で説明をした基板１と同様に、その用途として電子デバイス２ａを構成する基板として用いることができる。図１１に示す基板３には、簡略して図示するセンサー等の機能素子７０が第１面４０ａに搭載され、キャップ部６０で封止された電子デバイスの一例を示している。なお、構成は第１実施形態及び第２実施形態で説明をした基板１，２を用いた電子デバイス１ａ，２ａと同様であるため、説明は省略とする。
【００８６】
（基板の製造方法）
第３実施形態に係る基板の製造方法のフローチャートを図１２に示す。図１２は、基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【００８７】
図１２に示す様に、基板３の製造方法は、第１実施形態で説明をした基板１の製造方法と同様に凹部形成工程Ｓ１と、第１ガラス基板接合工程Ｓ２と、分割工程Ｓ３と、第２ガラス基板接合工程Ｓ４と、加熱工程Ｓ５と、研磨工程Ｓ６と、電極パッド形成工程Ｓ７と、切断工程Ｓ８と、を含んでいる。また、基板３の製造方法は基板２の製造方法と同様に、研磨工程Ｓ６の後に、溝形成工程Ｓ１１と、第１配線形成工程Ｓ１２とを含んでいる。なお、基板３の製造方法は、第１配線形成工程Ｓ１２の後に第３導体部３００を形成する第２配線形成工程Ｓ１３が含まれている点が、第２実施形態で説明をした基板２の製造方法と異なる。第１実施形態及び第２実施形態と異なる工程について説明をし、同一の工程については説明を省略または簡略とする。
【００８８】
本実施形態の基板３の製造方法は、第１ガラス基板接合工程Ｓ２及び第２ガラス基板接合工程Ｓ４で接合した絶縁基板４０としてのガラス基板４１ａ，４１ｂを加熱工程Ｓ５で溶融させて凹部形成工程Ｓ１及び分割工程Ｓ２で形成した第１導体部１００を覆う。さらに、基板３を研磨工程Ｓ６によって研磨することで絶縁基板４０の第１面４０ａに第１導体部１００の第１ポスト１０１と、第２ポスト１０２とを露出させる。
また、基板３の製造方法は、研磨工程Ｓ６によって第１面４０ａに露出された第１ポスト１０１の第１露出部１０１ａと、第２ポスト１０２の第２露出部１０２ａとの間に溝部４２を形成する。形成された溝部４２に第１配線形成工程Ｓ１２によって第２導体部２００を形成する。
【００８９】
次に、前述した基板２の製造方法と異なる第２配線形成工程Ｓ１３について説明をする。
第２配線形成工程Ｓ１３は、前述のとおり溝部４２に形成した第２導体部２００に、一部が重なる様に第３導体部３００を形成する工程である。第２配線形成工程Ｓ１３は、第１配線形成工程Ｓ１２で形成された第２導体部２００と、その第２導体部２００が形成されている溝部４２に、例えばポリイミドを塗布して加熱することでポリイミド膜（不図示）を形成する。次に、形成したポリイミド膜の表面（Ｚ軸方向）に、例えばマスクパターン（不図示）を形成し、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）または少なくともこれらを含む合金などの材料を用いて、蒸着法又はスパッタリング法等によって第３導体部３００を形成する。次に、ポリイミド膜のみを剥離除去することで第２導体部２００との間に離間距離（空隙）ｄ２を有する第３導体部３００を形成することができる。なお、第３導体部３００は、当該工程で形成したポリイミド膜の表面に形成することから、ポリイミド膜の厚みによって第２導体部２００との離間距離ｄ２が決定される。そこで、ポリイミド膜の厚みを２［μｍ］以上とすることで、第２導体部２００と第３導体部３００との離間距離ｄ２を２［μｍ］以上とすることができる。
なお、本実施形態の第２配線形成工程Ｓ１３は、ポリイミド膜をいわゆる犠牲層として用いる方法で第３導体部３００を形成する方法を説明したが、この方法に限定されることなくワイヤーボンディング法等によって第２導体部２００と離間距離ｄ２を保った第３導体部３００を形成しても良い。
【００９０】
基板３の製造方法は、第２配線形成工程Ｓ１３の後に、第１実施形態で説明した基板１の製造方法と同様に電極パッド形成工程Ｓ７を実行し、第１露出部１０１ａ、及び第２露出部１０２ａに電極パッド１０１ｂ及び電極パッド１０２ｂを形成する。また、図示を省略する電極が第２導体部２００及び第３導体部３００に設けられる場合には、その電極パッドも形成する。
基板３の製造方法は、電極パッド形成工程Ｓ７の後に、切断工程Ｓ８を実行し、ウエハー上に複数個取りされる基板３を個片に切断（分割）をする。切断工程Ｓ８が完了することによって、基板３を得ることができる。
【００９１】
上述した第３実施形形態によれば以下の効果が得られる。
このような基板３によれば、第３導体部３００は、第２導体部２００及び延設部１０３と重なる様に溝部４２に配置することができる。また、第３導体部３００は、延設部１０３及び第２導体部２００と離間距離ｄ１，ｄ２を保ち配置することができる。また、離間距離ｄ１を１０［μｍ］，離間距離ｄ２を２［μｍ］以上とすることで、延設部１０３と第２導体部２００との間、及び第２導体部２００と第３導体部３００との間に生じる静電容量Ｃｇ（寄生容量）を抑制することができる。
また、このような基板３は、電子デバイス３ａとして用いられた場合に、溝部４２に第２導体部２００及び第３導体部３００が配置されているため機能素子７０の搭載位置（配置位置）の自由度が増し、機能素子７０が封止される空間８０の内部で電気信号の送受をする配線として第２導体部２００及び第３導体部３００を利用することができる。
【００９２】
また、このような基板３の製造方法によれば、第２導体部２００と重なる様にスパッタリング法等を用いて第２導体部２００と一定の離間距離ｄ２を有する第３導体部３００を形成することができる。また、第２導体部２００と第３導体部３００との離間距離ｄ２は、第２導体部２００を覆う様に設けるポリイミド膜の厚みによって決定される。これにより、第２配線形成工程Ｓ１３は、離間距離ｄ２の制御が容易ではないスパッタリング法等を用いても第３導体部３００を形成することができる。
【００９３】
従って、このような基板３及び基板３の製造方法は、複数の導体部（配線）を重ねて配置することで、配線スペースの縮減が可能となり、基板３の大型化を抑制することができる。また、絶縁基板４０に溝部４２を設けることで、延設部１０３（第１導体部１００）、第２導体部２００、第３導体部３００を重ねて設けた場合でも基板３の厚みを抑制した高密度な配線を備える基板３を得ることができる。
また、得られた基板３は、電子デバイス３ａを構成する基板３として用いられることで、機能素子７０が封止される空間８０の内部配線として第２導体部２００及び第３導体部３００を利用することができるため、第２実施形態で説明をした電子デバイス２ａと比べてさらに高密度な配線を要する機能素子７０が搭載される電子デバイス３ａを得ることができる。
【００９４】
（第４実施形態）
本実施形態の電子機器の一例を図１３に示す。図１３は、第１実施形態から第３実施形態で説明をした基板１から３の用途として示した電子デバイス１ａから３ａのいずれか１つが搭載される電子機器の一例である携帯電話機１０００を示す。
【００９５】
電子デバイス１ａから３ａは、その電子デバイス１ａから３ａを構成する基板１から３に備える配線（例えば、第１導体部１００から第３導体部３００）を重ねて配置することができるため、電子デバイス１ａから３ａの小型化が可能である。このことから、小型化が要求される電子機器に搭載される電子デバイス１ａから３ａとして好適である。本実施形態では、例えば、図１３に示す携帯電話機１０００に搭載された場合を説明する。
【００９６】
図１３において、携帯電話機１０００は、液晶表示装置１００１、複数の操作ボタン１００２等を備えている。近年、このような携帯電話機１０００においても手ぶれ補正機能がついたカメラを備えている場合がある。そこで、携帯電話機１０００には、手振れ補正機能等に用いる角速度検知のため、電子デバイス１ａから３ａとしてのジャイロセンサー（図示省略）が内蔵されている。
【００９７】
なお、本実施形態の電子デバイス１ａから３ａとしてのジャイロセンサー等を備える電子機器は、上述の携帯電話機１０００に限らず、携帯型無線電話装置、デジタルスチルカメラ、パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、インクジェット式吐出装置、電子手帳、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【００９８】
上述した第４実施形態によれば、以下の効果が得られる。
このような携帯電話機１０００を例とする電子機器によれば、ジャイロセンサーなど複雑な配線構造が必要な電子デバイス１ａから３ａを構成する基板として上述した基板１から３が用いられることで電子デバイス１ａから３ａの小型化を成し、その電子デバイス１ａから３ａが搭載されることで小型化を成した電子機器を得ることができる。
【符号の説明】
【００９９】
１，２，３…基板、１ａ，２ａ，３ａ…電子デバイス、１０…シリコン基板、４０…絶縁基板、４０ａ…第１面、４０ｂ…第２面、４０ｃ…接合面、４１ａ、４１ｂ…ガラス基板、４２…溝部、６０…キャップ部、７０…機能素子、８０…空間、１００…第１導体部、１０１…第１ポスト、１０２…第２ポスト、１０３…延設部、２００…第２導体部、３００…第３導体部、９００…溶融型枠、１０００…携帯電話機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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