(57)【要約】      （修正有）【課題】固体素子が損傷しにくい、固体素子を有するデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】第一基板１を準備する第一基板準備工程と、前記第一基板１上に剥離層２を形成する剥離層形成工程と、前記剥離層２が形成された前記第一基板１の前記剥離層２上に第二基板３を剥離可能に形成する第二基板形成工程と、前記第二基板３及び前記剥離層２が形成された前記第一基板１の前記第二基板２上に固体素子４を形成する固体素子形成工程と、前記固体素子４、前記第二基板３、及び前記剥離層２が形成された前記第一基板１の前記第二基板３及び前記剥離層２のいずれか一方又は両方に外力を加えることで、前記第二基板３から前記剥離層２及び前記第一基板１を剥離する剥離工程と、を備えることを特徴とする固体素子４を有するデバイスの製造方法。【選択図】図１
2013080857.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板を準備する第一基板準備工程と、
前記第一基板上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、
前記剥離層が形成された前記第一基板の前記剥離層上に第二基板を剥離可能に形成する第二基板形成工程と、
前記第二基板及び前記剥離層が形成された前記第一基板の前記第二基板上に固体素子を形成する固体素子形成工程と、
前記固体素子、前記第二基板、及び前記剥離層が形成された前記第一基板の前記第二基板及び前記剥離層のいずれか一方又は両方に外力を加えることで、前記第二基板から前記剥離層及び前記第一基板を剥離する剥離工程と、
を備えることを特徴とする固体素子を有するデバイスの製造方法。
【請求項２】
第二基板を準備する第二基板準備工程と、
前記第二基板上に剥離層を剥離可能に形成する剥離層形成工程と、
前記剥離層が形成された前記第二基板の前記剥離層上に第一基板を形成する第一基板形成工程と、
前記第一基板及び前記剥離層が形成された前記第二基板上に固体素子を形成する固体素子形成工程と、
前記固体素子、前記剥離層、及び前記第一基板が形成された前記第二基板の前記第二基板及び前記剥離層のいずれか一方又は両方に外力を加えることで、前記第二基板から前記剥離層及び前記第一基板を剥離する剥離工程と、
を備えることを特徴とする固体素子を有するデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体素子を有するデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、固体素子を有するデバイスを製造する場合には、デバイスの基板としてリジッドであるガラス基板が用いられていた。しかしながら、重量や耐衝撃性の点を考慮するとガラス基板は必ずしも固体素子を有するデバイスに用いるものとして適切なものではない。そこで、近年、ガラス基板にかえてフレキシブルであるプラスチック基板も用いられつつある。一方で、プラスチック基板は、ガラス基板に対して撓みやすいといった問題を有しており、このプラスチック基板を、そのまま従来プロセスに適用することで固体素子を有するデバイスを精度よく作製することは困難とされてきた。
このような状況下、撓みにくいガラス基板上に剥離層を介して固体素子を形成し、剥離層にレーザー光の照射を行って剥離を生じさせ、剥離した固体素子をプラスチック基板に転写する方法がある（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記のような方法では、ガラス基板上に固体素子が形成された状態で剥離層にレーザー光の照射を行うため固体素子に損傷が生じるという問題があった。また、剥離層にレーザー光の照射を行って剥離層を破壊することによって剥離するため、プラスチック基板に剥離層が残り、その残った剥離層の影響で固体素子が損傷するという問題があった。
本発明は、固体素子が損傷しにくい、固体素子を有するデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る固体素子を有するデバイスの製造方法は、第一基板を準備する第一基板準備工程と、第一基板上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、剥離層が形成された第一基板の剥離層上に第二基板を剥離可能に形成する第二基板形成工程と、第二基板及び剥離層が形成された第一基板の第二基板上に固体素子を形成する固体素子形成工程と、固体素子、第二基板、及び剥離層が形成された第一基板の第二基板及び剥離層のいずれか一方又は両方に外力を加えることで、第二基板から剥離層及び第一基板を剥離する剥離工程と、を有することを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る固体素子を有するデバイスの製造方法は、第二基板を準備する第二基板準備工程と、第二基板上に剥離層を剥離可能に形成する剥離層形成工程と、剥離層が形成された第二基板の剥離層上に第一基板を形成する第一基板形成工程と、第一基板及び剥離層が形成された第二基板上に固体素子を形成する固体素子形成工程と、固体素子、剥離層、及び第一基板が形成された第二基板の第二基板及び剥離層のいずれか一方又は両方に外力を加えることで、第二基板から剥離層及び第一基板を剥離する剥離工程と、を有することを特徴とする。
【０００７】
この発明によれば、第二基板からの剥離層の剥離後に剥離層が第二基板に残りにくいため、固体素子が損傷することを抑えることができるという効果を得ることができる
【発明の効果】
【０００８】
本発明の固体素子を有するデバイスの製造方法においては、第二基板からの剥離層の剥離後に剥離層が第二基板に残りにくいため、固体素子が損傷することを抑えることができるという効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の固体素子を有するデバイスの製造方法の一例を示す工程図である。
【図２】本発明の固体素子を有するデバイスの製造方法の一例を示す工程図である。
【図３】本発明の固体素子を有するデバイスの製造方法の一例を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の固体素子を有するデバイスの製造方法について詳細に説明する。
【００１１】
本発明の固体素子を有するデバイスの製造方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、本発明では、固体素子を有するデバイスの基板が第二基板、第二基板を支持する基板が第一基板である。
図１(1a)〜(1e)は、固体素子を有するデバイスの製造方法の一例を示す工程図である。
まず、第一基板１を準備する（第一基板準備工程）（図１(1a)）。次に、第一基板１上に剥離層２を形成する（剥離層形成工程）（図１(1b)）。次いで、剥離層２が形成された第一基板１の剥離層２上に第二基板３を剥離可能に形成する（第二基板形成工程）（図１(1c)）。次いで、第二基板３及び剥離層２が形成された第一基板１の第二基板３上に固体素子４を形成する（固体素子形成工程）（図１(1d)）。このとき、固体素子形成工程に加熱工程を有していてもよい。次いで、固体素子４、第二基板３、及び剥離層２が形成された第一基板１の第二基板３及び剥離層２のいずれか一方又は両方に外力を加えることで、第二基板３から剥離層２及び第一基板１を剥離する（剥離工程）（図１(1e)）。このとき外力は、特に限定はないが、機械や人間によって加えられる力等を挙げられる。
【００１２】
図２(2a)〜(2e)は、固体素子を有するデバイスの製造方法の一例を示す工程図である。
まず、第二基板３を準備する（第二基板準備工程）（図２(2a)）。次に、第二基板３上に剥離層２を剥離可能に形成する（剥離層形成工程）（図２(2b)）。次いで、剥離層２が形成された第二基板３の剥離層２上に第一基板１を形成する（第一基板形成工程）（図２(2c)）。次いで、第一基板１及び剥離層２が形成された第二基板３上に固体素子４を形成する（固体素子形成工程）（図２(2d)）。このとき、固体素子形成工程に加熱工程を有していてもよい。次いで、固体素子４、第一基板１、及び剥離層２が形成された第二基板３の第二基板３及び剥離層２のいずれか一方又は両方に外力を加えることで、第二基板３から剥離層２及び第一基板１を剥離する（剥離工程）（図２(2e)）。このとき外力は、特に限定はないが、機械や人間によって加えられる力等を挙げられる。
【００１３】
本実施形態によれば、第二基板と剥離層は剥離可能に粘着しているだけであることで、第二基板からの剥離層の剥離後に剥離層が第二基板に残りにくいため、残った剥離層による段差が生じにくい。そのため、製造中やデバイスの使用中にその段差に外力が加わって第二基板が変形することを抑えられるので、固体素子が損傷することを抑えることができるという効果を得ることができる。また、固体素子形成工程において加熱工程を有し剥離層に寸法安定性が高い粘着剤を用いる場合に、固体素子が損傷しにくいという効果を有する。
【００１４】
図３(3a)〜(3e)は、固体素子を有するデバイスの製造方法の一例を示す工程図である。
第一基板１の両側に剥離層２と第二基板３を設ける点以外は図１と同様である。
【００１５】
本実施形態によれば、外からの力が加わっても第二基板が外からの力を吸収するため第一基板に外からの力が加わりにくくなることで、第一基板が損傷することを抑えることができ、第一基板を繰り返し再利用することができるという効果を有する。
【００１６】
＜第一実施形態＞
以下、本発明の固体素子を有するデバイスの製造方法における第一実施形態について説明する。
【００１７】
本発明の固体素子を有するデバイスの製造方法の第一実施形態は、第一基板１を準備する第一基板準備工程と、第一基板上に剥離層２を形成する剥離層形成工程と、剥離層２が形成された第一基板１の剥離層２上に第二基板３を剥離可能に形成する第二基板形成工程と、第二基板及び剥離層２が形成された第一基板１の第二基板３上に固体素子４を形成する固体素子形成工程と、固体素子４、第二基板３、及び剥離層２が形成された第一基板１の第二基板３及び剥離層２のいずれか一方又は両方に外力を加えることで、第二基板３から剥離層２及び第一基板１を剥離する剥離工程と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
１．第一基板準備工程
第一基板準備工程は、第一基板を準備するものである。
【００１９】
１−１．第一基板
第一基板１は、下記の第二基板３を支持するものである。そのため、第一基板１は、リジッドであることが好ましい。どの程度リジッドであるかは、一般にその厚みに大きく依存する。そこで、第一基板１の厚みは、その厚みが０．５ｍｍ以上であることが好ましく、より好ましくは、０．７ｍｍ以上である。基板の厚みが０．５ｍｍ以上、さらには０．７ｍｍ以上であれば、一般的な材料において、第二基板３を支持して、固体素子形成工程等で第二基板３が撓むことを妨げることが可能な程度にリジッドであると考えられるためである。第一基板１の材料としては、第二基板３を支持することができれば特に限定はないが、金属、セラミック、又はガラスを挙げることができる。金属としては、鉄、銅、又は金などの単体の金属、ステンレス等の合金などを挙げることができる。セラミックとしては、炭化ケイ素、又は窒化ホウ素等を挙げることができる。ガラスとしては、無アルカリガラスや石英ガラス等を挙げることができる。
【００２０】
第一基板の大きさは、第二基板を支持することができれば特に限定はないが、製造中のハンドリングがしやすくなるため、第二基板より大きいことが好ましい。
【００２１】
２．剥離層形成工程
剥離層形成工程は、第一基板上に剥離層を形成するものである。
【００２２】
２−１．剥離層
剥離層２は、第一基板１と第二基板３に粘着するものである。剥離層２としては、第一基板１と第二基板３に粘着することができれば特に限定は無い。無機系粘着剤としては、シリコーン系粘着剤、セラミック系粘着剤等が挙げられる。有機系粘着剤としては、ポリマー系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。無機系―有機系ハイブリッド粘着剤としては、シリコーンポリマー系粘着剤等が挙げられる。なお、無機系粘着剤及び有機系粘着剤を混合させた粘着剤等も用いることができる。
【００２３】
固体素子形成工程が加熱工程を有する場合、寸法安定性が高い粘着剤を用いることが好ましい。寸法安定性が高い粘着剤を用いることで、加熱による第二基板の寸法変化を抑えることが可能になる。本発明での「寸法安定性が高い」とは、大きさが１５０ｍｍ□の基板において、１５０度の加熱を３時間行ったときに、寸法の変動幅が５μｍ以下である場合を意味する。寸法安定性の高い粘着剤としては、特に限定はないが、ケイ素の置換基を変化させるだけで剥離層と第二基板の界面の特性を用意に制御できるためシリコーンポリマー接着剤を用いることが好ましく、ガラス及びプラスチックに対して上記粘着力が適度にあるポリジメチルシロキサンを用いることがさらに好ましい。
【００２４】
本発明の固体素子を有するデバイスの製造方法は、特に固体素子形成工程において加熱工程を有し剥離層に寸法安定性が高い粘着剤を用いる場合に、固体素子が損傷しにくいという顕著な効果を有する。それは下記の理由である。本発明の固体素子を有するデバイスの製造方法は、第二基板と剥離層は剥離可能に粘着しているだけであることで、第二基板からの剥離層の剥離後に剥離層が第二基板に残りにくいため、残った剥離層による段差が生じにくい。そのため、製造中やデバイスの使用中にその段差に外力が加わって第二基板が変形することを抑えられるので、固体素子が損傷することを抑えることができるという効果がある。それに加えて、固体素子形成工程において加熱工程を有し剥離層に寸法安定性が高い粘着剤を用いる場合には、加熱工程の際に寸法安定性が高い粘着剤によって第二基板の寸法変化を抑えることができるため、第二基板が変形することを顕著に抑えることができるからである。
【００２５】
剥離層の形成方法は、例えば、剥離層にポリジメチルシロキサンを用いる場合は、ポリジメチルシロキサンを溶媒に溶かして基板に塗布し乾燥させて溶媒を除去する方法、架橋硬化させる方法があるなど、剥離層に用いる粘着剤の種類によって異なるため、特に限定はない。
【００２６】
後述する第二基板及び剥離層の間の粘着力は、第二基板と剥離層が剥離可能な程度の粘着力であれば特に限定はない。本発明において、「剥離可能」とは、９０°剥離試験（剥離速度は、３００ｍｍ／ｍｉｎ）で、１Ｎ／２５ｍｍ以下であることを意味する。粘着力が弱すぎると製造工程中に剥離し第二基板が損傷する可能性が高まり、粘着力が強すぎると剥離工程で剥離層が損傷し第二基板に剥離層が残る可能性が高まるため、粘着力は、９０°剥離試験（剥離速度は、３００ｍｍ／ｍｉｎ）で、０．００１Ｎ／２５ｍｍ〜０．１Ｎ／２５ｍｍであることが好ましく、０．００５Ｎ／２５ｍｍ〜０．０５Ｎ／２５ｍｍであることがより好ましく、０．０１Ｎ／２５ｍｍ〜０．０３Ｎ／２５ｍｍであることがさらに好ましい。通常は、第二基板と同じ大きさに剥離層を形成するが、上記の粘着力を調整するために、剥離層をパターン状に形成しても良い。
【００２７】
３．第二基板形成工程
第二基板形成工程は、剥離層２が形成された第一基板１の剥離層２上に第二基板３を剥離可能に形成するものである。
【００２８】
３−１．第二基板
第二基板３は、固体素子４を有するデバイスの基板として用いられるものである。
第二基板３の材料としては、軽量であり外部からの衝撃にも強くフレキシブルであることで固体素子を有するデバイスの基板として好適であるため、プラスチックであれば特に限定はない。プラスチックとしては、ポリエチレン、ポロプロピレン、エチレン−プレピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリプチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられる。また、これらのうち１種、又は２種以上を積層したものでもよい。また、用途に照らして適宜選択することができる。
【００２９】
第二基板の大きさは、例えば、本発明の製造方法で作成した固体素子を有するデバイスが小型の携帯電話に用いられるときには第二基板は小さくし、大型のテレビに用いられるときには第二基板は大きくする等のように、用途によって適宜選択することができるため、特に限定されない。また、第二基板の厚さも、用途によって適宜選択することができるため、特に限定はないが、薄すぎると強度が不足する恐れがあり、厚すぎると軽量やフレキシブルといったプラスチックの利点が損なわれる恐れがあるため、１０μｍ〜１ｍｍであることが好ましく、３０μｍ〜５００μｍであることがより好ましく、５０μｍ〜２００μｍであることがさらに好ましい。
【００３０】
第二基板は、第一基板の両側に剥離層を介して形成されてもよい。第二基板を第一基板の両側に剥離層を介して形成することにより、第一基板が製造工程において損傷することを防げ、第一基板を再利用できる回数が増加するという効果を得ることができる。さらに、固体素子の製造工程に加熱工程を有する場合は、第一基板の両側に剥離層を介して第二基板を形成することで、第一基板の固体素子を形成する方向の片側だけに剥離層を介して第二基板を有しているときよりも、寸法変化を小さくすることができるという効果がある。その効果は、加熱による剥離層及び第二基板の寸法変化の影響が、第一基板の片側だけでなく両側に加わることで相殺されるためであると考えられる。なお、「第一基板の両側」とは、第一基板の剥離層等を積層する面の側とその面と反対にある側のことを意味している。
【００３１】
４．固体素子形成工程
固体素子形成工程は、第二基板３及び剥離層２が形成された第一基板１の第二基板３上に固体素子４を形成するものである。
【００３２】
４−１．固体素子
固体素子４は、特に限定はされないが、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、有機半導体素子、酸化物半導体素子、その他の薄膜半導体素子、当該半導体素子を含んで構成される薄膜回路、太陽電池やイメージセンサ等に用いられる光電変換素子、スイッチング素子、メモリ、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体等の記録媒体、磁気記録ヘッド、コイル、インダクタ、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルタ、反射膜、ダイクロックミラー、偏光素子等の光学薄膜、半導体薄膜、超伝導薄膜、磁性薄膜、金属多層薄膜、金属セラミック多層薄膜、金属半導体多層薄膜、セラミック半導体多層薄膜、有機薄膜と他の物質の多層薄膜等が挙げられる。本発明の製造方法は固体素子の損傷を少なくすることができるため、損傷に敏感である有機半導体素子に好適に用いることができる。
【００３３】
固体素子は、その一般的な方法で製造することができ、特に限定はされない。
【００３４】
固体素子形成工程は、加熱工程を有していてもよい。
【００３５】
５．剥離工程
剥離工程は、固体素子４、第二基板３、及び剥離層２が形成された第一基板１の第二基板３及び剥離層２のいずれか一方又は両方に外力を加えることで、第二基板３及び剥離層２の間で剥離層２及び第一基板１を剥離するものである。
【００３６】
５−１．剥離
外力は、特に限定はないが、機械や人間によって加えられる力等を挙げられる。
固体素子４、第二基板３、及び剥離層２が形成された第一基板１の第二基板３に外力を加える場合、第二基板３から固体素子４の形成方向に第二基板３の所定の場所で外力を加えることで第二基板３及び剥離層２の間で剥離層２及び第一基板１を剥離する。また、固体素子４、第二基板３、及び剥離層２が形成された第一基板１の第二基板３に外力を加える場合には、固体素子４に対して第二基板３から固体素子４の形成方向に外力を加えた結果、その外力が第二基板３に伝わり第二基板３及び剥離層２の間で剥離する場合も含んでいる。固体素子４、第二基板３、及び剥離層２が形成された第一基板１の剥離層２に外力を加える場合、剥離層２から第一基板１の形成方向に剥離層１の所定の場所で外力を加えることで第二基板３及び剥離層２の間で剥離層２及び第一基板１を剥離する。また、固体素子４、第二基板３、及び剥離層２が形成された第一基板１の剥離層２に外力を加える場合には、剥離層２に粘着している第一基板１に対して剥離層２から第一基板１の形成方向に外力を加えた結果、その外力が剥離層２に伝わり第二基板３及び剥離層２の間で剥離する場合も含んでいる。この場合は、第一基板１及び剥離層２の間で剥離してしまうことがないように、第二基板３及び剥離層２の間の粘着力が第一基板及び剥離層２の間の粘着力よりも弱いことが好ましい。なお、外力に第二基板３と平行方向の力の成分が入っていてもよい。
固体素子４、第二基板３、及び剥離層２が形成された第一基板１の第二基板３に外力を加える場合及び固体素子４、第二基板３、及び剥離層２が形成された第一基板１の剥離層２に外力を加える場合の両方によって剥離してもよい。
【００３７】
＜第二実施形態＞
以下、本発明の固体素子を有するデバイスの製造方法における第二実施形態について説明する。
【００３８】
本発明の固体素子を有するデバイスの製造方法の第二実施形態は、第二基板３を準備する第二基板準備工程と、第二基板３上に剥離層２を剥離可能に形成する剥離層形成工程と、剥離層２が形成された第二基板３の剥離層２上に第一基板１を形成する第一基板形成工程と、第一基板１及び剥離層２が形成された第二基板３上に固体素子４を形成する固体素子形成工程と、固体素子４、剥離層２、及び第一基板１が形成された第二基板３の第二基板３及び剥離層２のいずれか一方又は両方に外力を加えることで、第二基板３から剥離層２及び第一基板１を剥離する剥離工程と、を備えることを特徴とする。
【００３９】
第二実施形態は、第一実施形態の第一基板と第二基板の工程の順序が入れ替わったものであり、その他の点は同じである。従って、上記した第一実施形態の説明と同じであるため詳細は省略する。
【００４０】
６．用途
本発明の固体素子を有するデバイスの製造方法により製造される固体素子を有するデバイスの用途としては、例えば、液晶表示装置、電気泳動表示装置、有機ＥＬ表示装置等を挙げることができる。
【実施例】
【００４１】
以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
［実施例１］
厚さが０．７ｍｍであり、大きさが１５０ｍｍ□である無アルカリガラスを準備した。次に、このガラスの上に、ポリジメチルシロキサン（信越化学社製、ＫＥ−１０６）が１００ｇ、キシレンが１００ｇからなるポリジメチルシロキサン溶液を塗布し乾燥させることで、厚さが１ｕｍであり、大きさが１５０ｍｍ□であるポリジメチルシロキサンを得た。次に、このポリジメチルシロキサンの上に、厚さが１００ｕｍであり、大きさが１５０ｍｍ□であるポリエチレンナフタレート（帝人デュポン社製、Ｑ６５Ｆ）を形成した。次いで、このポリエチレンナフタレートの上に、１５０℃で３時間加熱する工程とその他の工程は一般的な工程によって、トップゲート・ボトムコンタクト型構造であり、有機半導体がポリチオフェンである有機半導体素子を形成した。このとき、ポリジメチルシロキサン及びポリエチレンナフタレートの寸法変化量は±３．５ｕｍであった。次いで、ポリジメチルシロキサンとポリエチレンナフタレートの間でポリジメチルシロキサン及び無アルカリガラスを人間の手によって剥離した。この剥離したときに、ポリエチレンナフタレートにポリジメチルシロキサンが付着していることは確認できなかった。このとき、ポリジメチルシロキサンとポリエチレンナフタレートの間の粘着力は、９０°剥離試験（剥離速度は、３００ｍｍ／ｍｉｎ）で、０．０１Ｎ／２５ｍｍであった。
作製した有機半導体素子の電流―電圧特性を剥離前後で測定した。ソース及びドレイン電圧−５０Ｖ、ゲート電圧を２０Ｖ〜−５０Ｖで変化させて真空中、遮光下で測定した結果、剥離前後ともに半導体素子の移動度は０．１ｃｍ2 ／Ｖｓであった。従って、剥離によって、有機半導体素子は損傷しなかったことが確認された。
【００４２】
［実施例２］
上記実施例１の厚さが１００ｕｍであり、大きさが１５０ｍｍ□であるポリエチレンナフタレートの代わりに、厚さが１００ｕｍであり、大きさが１５０ｍｍ□であるポリエチレンテレフタレート（帝人デュポン社製、ＫＥＬ８６Ｗ）を用いたこと以外は実施例１と同様に有機半導体素子を作製した。
ポリジメチルシロキサン及びポリエチレンテレフタレートの寸法変化量は±５．０ｕｍであった。ポリジメチルシロキサンとポリエチレンテレフタレートの間でポリジメチルシロキサン及び無アルカリガラスを人間の手によって剥離したときに、ポリエチレンテレフタレートにポリジメチルシロキサンが付着していることは確認できなかった。また、ポリジメチルシロキサンとポリエチレンテレフタレートの間の粘着力は、９０°剥離試験（剥離速度は、３００ｍｍ／ｍｉｎ）で、０．０２Ｎ／２５ｍｍであった。
作製した有機半導体素子の電流―電圧特性を剥離前後で測定した。ソース及びドレイン電圧−５０Ｖ、ゲート電圧を２０Ｖ〜−５０Ｖで変化させて真空中、遮光下で測定した結果、剥離前後ともに半導体素子の移動度は０．０８ｃｍ2 ／Ｖｓであった。従って、剥離によって、有機半導体素子は損傷しなかったことが確認された。
【００４３】
［実施例３］
上記実施例１の無アルカリガラスの片側だけでなく両側に、厚さが１ｕｍであり、大きさが１５０ｍｍ□であるポリジメチルシロキサン及び厚さが１００ｕｍであり、大きさが１５０ｍｍ□であるポリエチレンナフタレートを形成したこと以外は実施例１と同様に有機半導体素子を作製した。
ポリジメチルシロキサン及びポリエチレンナフタレートの寸法変化量は±２．９ｕｍであった。ポリジメチルシロキサンとポリエチレンナフタレートの間でポリジメチルシロキサン及び無アルカリガラスを人間の手によって剥離したときに、ポリエチレンナフタレートにポリジメチルシロキサンが付着していることは確認できなかった。また、ポリジメチルシロキサンとポリエチレンナフタレートの間の粘着力は、９０°剥離試験（剥離速度は、３００ｍｍ／ｍｉｎ）で、０．０１Ｎ／２５ｍｍであった。
作製した有機半導体素子の電流―電圧特性を剥離前後で測定した。ソース及びドレイン電圧−５０Ｖ、ゲート電圧を２０Ｖ〜−５０Ｖで変化させて真空中、遮光下で測定した結果、剥離前後ともに半導体素子の移動度は０．１ｃｍ2 ／Ｖｓであった。従って、剥離によって、有機半導体素子は損傷しなかったことが確認された。
【符号の説明】
【００４４】
１  …  第一基板
２  …  剥離層
３  …  第二基板
４  …  固体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
2013080857.tif 000005