(57)【要約】【課題】本発明は、アルカリ水溶液に対して十分な耐性を有する被めっき層形成用組成物、および、めっきの均一性に優れた金属層を有する積層体の製造方法、を提供することを目的とする。【解決手段】熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基と、カルボキシル基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基、クロロシリル基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、（メタ）アクリルアミド基、アリル基、スチリル基、マレイミド基、およびシンナモイル基からなる群より選択される少なくとも一種の架橋性基とを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基と、カルボキシル基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基、クロロシリル基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、（メタ）アクリルアミド基、アリル基、スチリル基、マレイミド基、およびシンナモイル基からなる群より選択される少なくとも一種の架橋性基とを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物。
【請求項２】
前記官能基が、加熱、酸の供給または輻射線の照射により、カルボン酸、スルホン酸またはスルフィン酸を生じる官能基である、請求項１に記載の被めっき層形成用組成物。
【請求項３】
前記官能基が、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される基を有する、請求項１または２に記載の被めっき層形成用組成物。
【化１】
2013028772.tif 000034
（一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表す。なお、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3のうち、２つまたはすべてが結合して環を形成してもよく、さらに−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＣＯ−基、または−ＮＲ4−基を介して環を形成してもよい。Ｒ4は、水素原子またはアルキル基を表す。＊は、結合位置を示す。）
【化２】
2013028772.tif 000035
（一般式（２）中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表し、Ｒ5およびＲ6の少なくとも一つはアリール基を表す。なお、Ｒ5およびＲ6は、結合して環を形成してもよい。＊は、結合位置を示す。）
【化３】
2013028772.tif 000036
（一般式（３）中、Ｒ7は、水素原子または置換基を有してもよいアルキル基を表す。Ｒ8は、置換基を有してもよいアルキル基を表す。なお、Ｒ7およびＲ8は、結合して環を形成してもよい。＊は、結合位置を示す。）
【化４】
2013028772.tif 000037
（一般式（４）中、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表す。なお、Ｒ9およびＲ10は、結合して環を形成してもよい。＊は、結合位置を示す。）
【請求項４】
さらに、架橋剤を含む請求項１〜３のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物。
【請求項５】
基板、および、前記基板上に、請求項１〜４のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物を用いて形成される被めっき層、を有する積層体。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物を用いて、基板上に被めっき層を形成する工程（Ａ）と、
前記工程（Ａ）後に、前記被めっき層とアルカリ水溶液とを接触させる工程（Ｂ）と、
前記工程（Ｂ）後に、加熱、酸の供給または輻射線の照射を行い、前記官能基を疎水性から親水性に変換する工程（Ｃ）と、
前記工程（Ｃ）後に、前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程（Ｄ）と、
前記工程（Ｄ）後に、前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記被めっき層上に金属層を形成する工程（Ｅ）と、
を含む金属層を有する積層体の製造方法。
【請求項７】
前記金属層をパターン状にエッチングして、パターン状金属層を形成する工程（Ｈ）をさらに備える、請求項６に記載の金属層を有する積層体の製造方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の製造方法より得られる金属層を有する積層体。
【請求項９】
請求項８に記載の積層体を含む配線基板。
【請求項１０】
一般式（Ｄ）で表されるユニット、および、一般式（Ａ）で表されるユニットを含むポリマー。
【化５】
2013028772.tif 000038
（一般式（Ｄ）中、Ｒ12およびＲ13〜Ｒ15は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。Ｌ4は、単結合または二価の有機基を表す。Ｒ16は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、またはアリール基を表す。
一般式（Ａ）中、Ｒ11は、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。Ｌ1は、単結合または二価の有機基を表す。Ｙは、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される官能基を表す。
【化６】
2013028772.tif 000039
（一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表す。なお、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3のうち、２つまたはすべてが結合して環を形成してもよく、さらに−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＣＯ−基、または−ＮＲ4−基を介して環を形成してもよい。Ｒ4は、水素原子またはアルキル基を表す。＊は、結合位置を示す。）
【化７】
2013028772.tif 000040
（一般式（２）中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表し、Ｒ5およびＲ6の少なくとも一つはアリール基を表す。なお、Ｒ5およびＲ6は、結合して環を形成してもよい。＊は、結合位置を示す。）
【化８】
2013028772.tif 000041
（一般式（３）中、Ｒ7は、水素原子または置換基を有してもよいアルキル基を表す。Ｒ8は、置換基を有してもよいアルキル基を表す。なお、Ｒ7およびＲ8は、結合して環を形成してもよい。＊は、結合位置を示す。）
【化９】
2013028772.tif 000042
（一般式（４）中、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表す。なお、Ｒ9およびＲ10は、結合して環を形成してもよい。＊は、結合位置を示す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被めっき層形成用組成物、当該組成物を用いた金属層を有する積層体の製造方法、および当該組成物に有用な新規ポリマーに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、絶縁性基板の表面に金属パターンによる配線を形成した金属配線基板が、電子部品や半導体素子に広く用いられている。
かかる金属配線基板の製造方法としては、主に、「サブトラクティブ法」が使用される。このサブトラクティブ法とは、基板表面に形成された金属層上に、活性光線の照射により感光する感光層を設け、この感光層をパターン露光し、その後現像してレジスト像を形成し、次いで、金属層をエッチングして金属パターンを形成し、最後にレジストを剥離する方法である。
【０００３】
この方法により得られる金属パターンにおいては、基板表面に凹凸を設けることにより生じるアンカー効果により、基板と金属層との間の密着性を発現させている。そのため、得られた金属パターンを金属配線として使用する際、金属パターンの基板界面部の凹凸に起因して、高周波特性が悪くなるという問題点があった。また、基板表面に凹凸化処理するためには、クロム酸などの強酸で基板表面を処理する必要があるため、基板との密着性に優れた金属パターンを得るためには、煩雑な工程が必要であるという問題点があった。
【０００４】
この問題を解決する手段として、特許文献１には、基板上に、架橋性基と相互作用性基を有するポリマーの層（被めっき層）を形成し、さらに該被めっき層をアルカリ水溶液で処理し、その後該被めっき層にめっきを施す方法が開示されている。特許文献１によれば、該方法によって、基板の表面を粗面化することなく、基板と金属層との間の密着性に優れ、かつ、めっきの均一性が高い金属層を形成することができる旨が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−７７５０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一方、近年、電子機器の小型化、高機能化の要求に対応するため、プリント配線板などにおいては配線のより一層の微細化および高集積化が進んでいる。それに伴って、金属層を形成する際のめっき処理におけるめっきムラをより抑制することが重要な課題となってきている。金属層にめっきムラがある場合、該金属層をパターニングして微細配線を形成する際に、均一な厚みの微細配線などが得難く、プリント配線板自体の性能が低下するといった懸念が生じる。
【０００７】
本発明者らが、特許文献１に開示されているめっき方法について検討したところ、該方法で得られるめっき層（金属層）のめっき層厚の均一性は、必ずしも昨今要求されるレベルには達していないことが明らかになった。
【０００８】
また、生産性などの観点から、通常、めっき処理の際に使用されるめっき液は、複数の被めっき層に対して連続して使用される。そのため、めっき液の使用時に、めっき液自体が汚染されずに長期間にわたって液安定性が保たれることが重要である。
一方、特許文献１に記載されているめっき方法を実施し、その際に使用されるめっき液の液安定性について検討を行ったところ、めっき液中に不溶物が発生し、その液安定性は必ずしも十分とは言えなかった。
【０００９】
本発明者らは、上記の問題点についてさらに検討を行ったところ、被めっき層のアルカリ水溶液処理時に、被めっき層中のポリマー成分が分解・溶出し、これが原因でめっきムラの発生や、めっき液の液安定性の低下が引き起こされていることを見出した。
【００１０】
本発明は、上記実情を鑑みて、アルカリ水溶液に対して十分な耐性を有し、めっき処理の際にめっきムラの発生およびめっき液の汚染が抑制される被めっき層を形成し得る被めっき層形成用組成物を提供することを目的とする。
また、本発明は、該被めっき層形成用組成物を用いた、めっきムラの発生およびめっき液の汚染が抑制され、密着性に優れる金属層を有する積層体の製造方法を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、親疎水性を変換することができる官能基およびアルカリ水溶液に対する耐性の高い架橋性基を有するポリマーを用いることで、アルカリ水溶液に対する耐性を向上させるとともに、めっき触媒に対する親和性を確保することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
（１）  熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基と、カルボキシル基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基、クロロシリル基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、（メタ）アクリルアミド基、アリル基、スチリル基、マレイミド基、およびシンナモイル基からなる群より選択される少なくとも一種の架橋性基とを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物。
【００１３】
（２）  前記官能基が、加熱、酸の供給または輻射線の照射により、カルボン酸、スルホン酸またはスルフィン酸を生じる官能基である、（１）に記載の被めっき層形成用組成物。
（３）  前記官能基が、後述する一般式（１）〜（４）のいずれかで表される基を有する、（１）または（２）に記載の被めっき層形成用組成物。
（４）  さらに、架橋剤を含む（１）〜（３）のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物。
【００１４】
（５）  基板、および、前記基板上に、（１）〜（４）のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物を用いて形成される被めっき層、を有する積層体。
（６）  （１）〜（４）のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物を用いて、基板上に被めっき層を形成する工程（Ａ）と、
前記工程（Ａ）後に、前記被めっき層とアルカリ水溶液とを接触させる工程（Ｂ）と、
前記工程（Ｂ）後に、加熱、酸の供給または輻射線の照射を行い、前記官能基を疎水性から親水性に変換する工程（Ｃ）と、
前記工程（Ｃ）後に、前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程（Ｄ）と、
前記工程（Ｄ）後に、前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記被めっき層上に金属層を形成する工程（Ｅ）と、
を含む金属層を有する積層体の製造方法。
【００１５】
（７）  前記金属層をパターン状にエッチングして、パターン状金属層を形成する工程（Ｈ）をさらに備える、（６）に記載の金属層を有する積層体の製造方法。
（８）  （６）または（７）に記載の製造方法より得られる金属層を有する積層体。
（９）  （８）に記載の積層体を含む配線基板。
（１０）  後述する一般式（Ｄ）で表されるユニット、および、後述する一般式（Ａ）で表されるユニットを含むポリマー。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、アルカリ水溶液に対して十分な耐性を有し、めっき処理の際にめっきムラの発生およびめっき液の汚染が抑制される被めっき層を形成し得る被めっき層形成用組成物を提供できる。
また、本発明によれば、該被めっき層形成用組成物を用いた、めっきムラの発生およびめっき液の汚染が抑制され、密着性に優れる金属層を有する積層体の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ本発明の積層板の製造方法の第１の実施態様における各製造工程を順に示す模式的断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は、それぞれ本発明の積層体の製造方法の第２の実施態様における各製造工程を順に示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の被めっき層形成用組成物、および金属層を有する積層体の製造方法について説明する。
まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
【００１９】
本発明においては、被めっき層形成用組成物が、熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基（以後、極性変換基とも称する）、およびアルカリ水溶液に対する耐性の高い特定の架橋性基（以後、単に、特定の架橋性基とも称する）を有するポリマーを含む点に特徴がある。また、金属層を有する積層体の製造方法において、アルカリ水溶液に接触させた後に該官能基の極性を変換する工程を設けた点に特徴がある。
上述したように、従来公知の被めっき層ではアルカリ水溶液に対する耐性が十分とはいえず、アルカリ水溶液に接触させた際に被めっき層中のポリマーの一部またはほとんどが分解・溶出しまう。また、仮に、アルカリ水溶液に対する耐性を高めるために、より疎水性の被めっき層を形成した場合、該被めっき層ではめっき触媒液やめっき液などに対する親和性が低く、十分な密着性を示す金属層を得ることができない。
【００２０】
それに対して、本発明では、アルカリ水溶液に対する耐性の高い特定の架橋性基を導入すると共に、アルカリ水溶液との接触を行う際には、被めっき層中の極性変換基の極性を疎水性にしておき、被めっき層の疎水性を高め、アルカリ水溶液に対する耐性を付与する。アルカリ水溶液との接触後には、極性変換基の極性を所定の処理により疎水性から親水性へ変換し、被めっき層をより親水性にして、その後のめっき触媒液やめっき液などに対する親和性を高める。結果として、めっき液の汚染を抑制しつつ、めっきムラの少ない金属層を有する積層体を得ることができる。
以下では、まず、被めっき層形成用組成物について詳述する。
【００２１】
＜被めっき層形成用組成物＞
被めっき層形成用組成物は、極性変換基と特定の架橋性基とを有するポリマーを含有する。該組成物より形成される被めっき層は、後述するように、加熱、酸の供給または輻射線の照射によって、極性変換基の親疎水性が疎水性から親水性へと変化し、結果として被めっき層の親疎水性も親水性から疎水性へと変化する。つまり、被めっき層は、加熱、酸の供給または輻射線の照射によって、水との接触角が低下する濡れ性変化層である。
まず、該組成物中に含有されるポリマーの態様について詳述し、その後該組成物の態様について詳述する。
【００２２】
［極性変換基および架橋性基を有するポリマー］
ポリマーは、極性変換基と特定の架橋性基とを有する。
まず、極性変換基について詳述し、その後架橋性基について詳述する。
【００２３】
（極性変換基）
極性変換基は、熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基である。該基としては、公知の官能基を使用することができるが、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、加熱、酸の供給または輻射線の照射により、カルボン酸基、スルホン酸基、またはスルフィン酸基を生じる官能基であることが好ましく、カルボン酸基またはスルホン酸基を生じる官能基であることがより好ましく、金属層の密着性がより優れる点で、カルボン酸基を生じる官能基であることがさらに好ましい。
極性変換基としては、（Ａ）熱または酸により疎水性から親水性に変化する官能基（以後、極性変換基Ａとも称する）と、（Ｂ）輻射線（光）により疎水性から親水性に変化する官能基（以後、極性変換基Ｂとも称する）が挙げられ、以下でそれぞれについて詳述する。
【００２４】
（Ａ）極性変換基Ａ
極性変換基Ａとしては、文献記載の公知の官能基を挙げることができる。例えば、アルキルスルホン酸エステル基、ジスルホン基、スルホンイミド基（特開平１０−２８２６７２号公報に記載）、アルコキシアルキルエステル基（ＥＰ０６５２４８３、ＷＯ９２／９９３４に記載）、ｔ−ブチルエステル基、その他、シリルエステル基、ビニルエステル基などの文献記載の酸分解性基で保護されたカルボン酸エステル基（Ｈ．Ｉｔｏら著、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，ｖｏｌ．２１，ｐｐ．１４７７に記載）などを挙げることができる。
【００２５】
また、角岡正弘著、「表面」ｖｏｌ．１３３（１９９５），ｐ．３７４に記載のイミノスルホネート基、角岡正弘著、Ｐｏｌｙｍｅｒ  ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，Ｊａｐａｎ  ｖｏｌ．４６（１９９７），ｐ．２０４５に記載のβケトンスルホン酸エステル類、特開昭６３−２５７７５０号のニトロベンジルスルホネート化合物、特開２００１−１１７２２３公報記載の官能基も挙げることができる。
【００２６】
これらのなかでも、極性変換効率がより優れる点で、一般式（１）で表される基（例えば、３級のカルボン酸エステル基）、一般式（２）で表される基（例えば、アリールアルキルエステル基）、一般式（３）で表される基（例えば、アルコキシアルキルエステル基）、または一般式（４）で表される基（例えば、２級のアルキルスルホン酸エステル基）が好ましく挙げられる。なかでも、めっきムラがより抑制され、金属層との密着がより優れる点で、一般式（１）または一般式（２）で表される基がより好ましく、一般式（１）で表される基がさらに好ましい。
以下に、それぞれの基について詳述する。
【００２７】
極性変換基Ａの好ましい態様として、下記一般式（１）で表される基を有する態様が挙げられる。＊は、結合位置を示す。
【００２８】
【化１】
2013028772.tif 000002
【００２９】
一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基、または、置換基を有してもよいアリール基を表す。
アルキル基の炭素数は、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、炭素数１〜２２個が好ましく、炭素数１〜８個がより好ましい。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられる。
アリール基としては、例えば、炭素環式アリール基（芳香族炭化水素基）と複素環式アリール基（芳香族複素環基）が含まれる。炭素環式アリール基としては、本発明の効果がより優れる点で、炭素数６〜１９個（例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基）の基が好ましく挙げられる。また、複素環式アリール基としては、本発明の効果がより優れる点で、炭素数３〜２０およびヘテロ原子数１〜５（例えば、ピリジル基、フリル基、ベンゼン環が縮環したキノリル基、ベンゾフリル基、チオキサントン基、カルバゾール基）の基が好ましく挙げられる。
【００３０】
なお、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3のうち、２つまたはすべてが結合して環を形成してもよい。形成される環の種類は特に制限されないが、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、脂肪族炭化水素環が好ましく、特に４〜６員環が好ましい。
さらに、形成される環は、−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＣＯ−基、または−ＮＲ4−基を介して環を形成してもよい。なお、Ｒ4は、水素原子またはアルキル基（好ましくは、炭素数８個以下。例えば、メチル基、エチル基、プロピル基など）を表す。
【００３１】
上記アルキル基またはアリール基が置換基を有する場合、本発明の効果を損なわない限り、置換基の種類は特に制限されない。例えば、メチル基、エチル基等のアルキル基（好ましくは、炭素数１〜２０）；フェニル基、ナフチル基等のアリール基（好ましくは、炭素数６〜１６）；スルホンアミド基、Ｎ−スルホニルアミド基、アセトキシ基等のアシルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜６）；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜６）；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、t−ブチルアミノ基等のアルキルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜８）；塩素、臭素等のハロゲン原子；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜７）；シアノ基；ｔ−ブチルカーボネート等の炭酸エステル基が挙げられる。
【００３２】
なお、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の好適態様としては、極性変換の効率がより優れ、金属層との密着力がより優れる点で、Ｒ1が炭素数１〜８のアルキル基で、Ｒ2が炭素数１〜８のアルキル基で、Ｒ3が炭素数１〜８のアルキル基、炭素数６〜１９の炭素環式アリール基、炭素数１〜６のアルキル基を有する炭素数６〜１９の炭素環式アリール基、炭素数１〜６のアルコキシ基を有する炭素数６〜１９の炭素環式アリール基、炭素数３〜２０の複素環式アリール基、または炭素数１〜６のアルキル基を有する炭素数３〜２０の複素環式アリール基である態様が挙げられる。
また、Ｒ2とＲ3とが結合して４〜６員環の脂肪族炭化水素環を形成してもよい。
【００３３】
極性変換基Ａの好ましい態様として、下記一般式（２）で表される基を有する態様が挙げられる。＊は、結合位置を示す。
【００３４】
【化２】
2013028772.tif 000003
【００３５】
一般式（２）中、Ｒ5およびＲ6は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表し、Ｒ5およびＲ6の少なくとも一つはアリール基を表す。
アルキル基の定義および好適範囲は、上述したＲ1、Ｒ2、およびＲ3で表されるアルキル基と同義である。アリール基の種類としては、上述したＲ1、Ｒ2、およびＲ3で表されるアリール基が挙げられる。また、アルキル基およびアリール基に置換してもよい置換基の種類も上述した通りである。
なお、Ｒ5およびＲ6は、結合して環を形成してもよい。形成される環の種類としては、上述したＲ1、Ｒ2、およびＲ3で形成される環が挙げられる。
【００３６】
なお、Ｒ5およびＲ6の好適態様としては、極性変換の効率がより優れ、金属層との密着力がより優れる点で、Ｒ5が炭素数１〜８のアルキル基、炭素数６〜１９の炭素環式アリール基、炭素数１〜６のアルキル基を有する炭素数６〜１９の炭素環式アリール基、炭素数１〜６のアルコキシ基を有する炭素数６〜１９の炭素環式アリール基、炭素数３〜２０の複素環式アリール基、または、炭素数１〜６のアルキル基を有する炭素数３〜２０の複素環式アリール基であり、Ｒ6が炭素数６〜１９の炭素環式アリール基、炭素数１〜６のアルキル基を有する炭素数６〜１９の炭素環式アリール基、炭素数１〜６のアルコキシ基を有する炭素数６〜１９の炭素環式アリール基、炭素数３〜２０の複素環式アリール基、または炭素数１〜６のアルキル基を有する炭素数３〜２０の複素環式アリール基である態様が挙げられる。
なお、Ｒ5とＲ６とが結合して４〜６員環の脂肪族炭化水素環を形成してもよい。
【００３７】
極性変換基Ａの好ましい態様として、下記一般式（３）で表される基を有する態様が挙げられる。＊は、結合位置を示す。
【００３８】
【化３】
2013028772.tif 000004
【００３９】
一般式（３）中、Ｒ7は、水素原子または置換基を有してもよいアルキル基を表す。アルキル基の定義および好適範囲は、上述したＲ1、Ｒ2、およびＲ3で表されるアルキル基と同義である。アルキル基に置換してもよい置換基の種類も上述した通りである。
Ｒ8は、置換基を有してもよいアルキル基を表す。アルキル基の定義および好適範囲は、上述したＲ1、Ｒ2、およびＲ3で表されるアルキル基と同義である。アルキル基に置換してもよい置換基の種類も上述した通りである。
なお、Ｒ7およびＲ8は、結合して環を形成してもよい。形成される環の種類としては、上述したＲ1、Ｒ2、およびＲ3で形成される環が挙げられる。
【００４０】
なお、Ｒ7およびＲ8の好適態様としては、経時安定性、アルカリ耐性がより優れる点で、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン基等の電子吸引性基で置換されたアルキル基であることが好ましい。
また、Ｒ7およびＲ8の他の好適態様としては、Ｒ7が炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜６アルコキシ基を有する炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基を有する炭素数１〜８のアルキル基、またはハロゲン基を有する炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ8が炭素数１〜8のアルキル基、炭素数１〜６アルコキシ基を有する炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基を有する炭素数１〜８のアルキル基、またはハロゲン基を有する炭素数１〜８のアルキル基である態様が挙げられる。
なお、Ｒ7とＲ8とが結合して４〜６員環の脂肪族炭化水素環を形成してもよい。
【００４１】
極性変換基Ａの好ましい態様として、下記一般式（４）で表される基を有する態様が挙げられる。＊は、結合位置を示す。
【００４２】
【化４】
2013028772.tif 000005
【００４３】
一般式（４）中、Ｒ9およびＲ10は、置換基を有してもよいアルキル基、または、置換基を有してもよいアリール基を表す。アルキル基としては、本発明の効果がより優れる点で、炭素数１〜２５が好ましく、炭素数１〜８がより好ましい。より具体的には、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基などの直鎖状、分岐状または環状のアルキル基が挙げられる。
アリール基の種類としては、上述したＲ1、Ｒ2、およびＲ3で表されるアリール基が挙げられる。
【００４４】
なお、Ｒ9およびＲ10は、結合して環を形成してもよい。形成される環の種類としては、上述したＲ1、Ｒ2、およびＲ3で形成される環が挙げられる。
【００４５】
上記アルキル基またはアリール基が置換基を有する場合、本発明の効果を損なわない限り、置換基の種類は特に制限されず、例えば、上述したＲ1、Ｒ2、およびＲ3で表されるアルキル基またはアリール基に置換される置換基などが例示される。
【００４６】
Ｒ9およびＲ10の好適態様としては、経時安定性の点で、アルコキシ基、カルボニル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ハロゲン基等の電子吸引性基で置換されたアルキル基、または、シクロヘキシル基、ノルボルニル基等の環状アルキル基が特に好ましい。物性値としては、重クロロホルム中、プロトンＮＭＲにおける２級メチン水素のケミカルシフトが４．４ｐｐｍよりも低磁場に現れる化合物が好ましく、４．６ｐｐｍよりも低磁場に現れる化合物がより好ましい。このように、電子吸引性基で置換されたアルキル基が特に好ましいのは、熱分解反応時に中間体として生成していると思われるカルボカチオンが電子吸引性基により不安定化し、分解が抑制されるためであると考えられる。具体的には、−ＣＨＲ9Ｒ10の構造としては、下記式で表される構造が特に好ましい。
【００４７】
【化５】
2013028772.tif 000006
【００４８】
なお、極性変換基は、上述した一般式（１）〜（４）のいずれかで表される基以外の基を有していてもよい。例えば、一般式（１）〜（４）中の＊にさらに連結基−Ｌ−が結合していてもよい。
連結基としては特に制限されず、例えば、２〜４価の連結基が挙げられる。例えば、１から６０個までの炭素原子、０個から１０個までの窒素原子、０個から５０個までの酸素原子、１個から１００個までの水素原子、および０個から２０個までの硫黄原子から成り立つ基が挙げられる。より具体的な連結基としては、下記の構造単位、および、それらが組み合わさって構成される基が挙げられる。
なお、これらの連結基は置換基を有していてもよい。置換基の種類は特に制限されないが、例えば、上述したＲ1、Ｒ2、およびＲ3で表されるアルキル基またはアリール基に置換される置換基などが例示される。
【００４９】
【化６】
2013028772.tif 000007
【００５０】
（Ｂ）極性変換基Ｙ
極性変換基Ｙとしては公知の官能基を使用することができ、例えば、７００ｎｍ以下の光照射を行うことにより親疎水性が変化する官能基を使用することができる。このように、７００ｎｍ以下の光照射により極性変換する官能基は、赤外線などの長波長露光や熱によらず、所定の波長の光照射により直接に、分解、開環または二量化反応が生じることで、高感度で疎水性から親水性が変化することを特徴とする。
該官能基としては、例えば、特開２００４−１７５０９８号公報に記載の一般式（ａ）〜（ｉ）で表される官能基を用いることができる。
【００５１】
極性変換基の具体例を以下に示す。
【００５２】
【化７】
2013028772.tif 000008
【００５３】
【化８】
2013028772.tif 000009
【００５４】
【化９】
2013028772.tif 000010
【００５５】
【化１０】
2013028772.tif 000011
【００５６】
【化１１】
2013028772.tif 000012
【００５７】
（架橋性基）
ポリマーに含まれる架橋性基は、後述するアルカリ水溶液に対する耐性の高い架橋性基であり、具体的には、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、ヒドロキシル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基、クロロシリル基、１級アミノ基（−ＮＨ2）、２級アミノ基（−ＮＨＲa。なお、Ｒaは置換基（好ましくは、炭化水素基）を表す。）、３級アミノ基（−ＮＲbＲc。なお、ＲbおよびＲcは置換基（好ましくは、炭化水素基）を表す。）、エポキシ基、オキセタニル基、（メタ）アクリルアミド基、アリル基、スチリル基、マレイミド基、およびシンナモイル基からなる群より選択される少なくとも一種である。これらの架橋性基を有することで、アルカリ水溶液に対する耐性の高い被めっき層を得ることができ、めっき処理時のめっきムラやめっき液の汚染が抑制される。
なかでも、めっきムラの発生をより抑制できる点で、エポキシ基、オキセタニル基、ヒドロキシル基またはアルコキシシリル基が好ましい。
【００５８】
なお、アルコキシシリル基とは、アルコキシ基を有するシリル基である。言い換えると、ケイ素原子にアルコキシ基が結合した基（−Ｓｉ−ＯＲd（Ｒd：アルキル基）を意味する。具体的には、トリアルコキシシリル基、アルキルジアルコキシシリル基などが挙げられる。アセトキシシリル基とは、ケイ素原子にアセトキシ基が結合した基を意味する。クロロシリル基とは、ケイ素原子に塩素原子が結合した基を意味する。
【００５９】
なお、架橋性基としてアクリロオイルオキシ基またはメタアクリロイルオキシ基を使用すると、アルカリ水溶液に対する耐性が低い被めっき層が形成され、結果としてめっきムラの発生や、めっき液の汚染が進行する。
【００６０】
上記極性官能基および架橋性基を有するポリマーの骨格の種類は特に制限されないが、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ノボラック樹脂、クレゾール樹脂、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、スチレン樹脂などが挙げられる。なかでも、材料の入手性や、成膜性などの点で、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂が好ましい。
【００６１】
（極性変換基および特定の架橋性基を有するポリマーの好適態様）
極性変換基および特定の架橋性基を有するポリマーの好適態様としては、極性変換基を有するユニットとして、以下の一般式（Ａ）で表されるユニットを含むポリマーが挙げられる。ポリマーが一般式（Ａ）で表されるユニットを有する場合、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる。
【００６２】
【化１２】
2013028772.tif 000013
【００６３】
一般式（Ａ）中、Ｒ11は、水素原子、または、炭素数１〜４の置換若しくは無置換のアルキル基を表す。アルキル基としては、メチル基、エチル基などが挙げられる。
一般式（Ａ）中、Ｌ1は、単結合または二価の有機基を表す。二価の有機基としては、置換若しくは無置換の二価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８。例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、置換若しくは無置換の二価の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２。例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、単結合、芳香族炭化水素基が好ましい。
【００６４】
一般式（Ａ）中、Ｙは、上述した極性変換基を表す。なかでも、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される基であることが好ましい。
【００６５】
上記一般式（Ａ）で表されるユニットの好適態様の一つとして、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、以下の一般式（Ａ−１）で表されるユニットが挙げられる。
【００６６】
【化１３】
2013028772.tif 000014
【００６７】
一般式（Ａ−１）中、Ｒ11およびＹの定義は上述の通りである。
Ｌ2は、単結合、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エステル基、またはフェニレン基を表す。Ｌ3は、単結合、または、脂肪族炭化水素基を表す。なお、Ｌ2がアミド基またはエステル基の場合、Ｌ3は脂肪族炭化水素基を表す。
【００６８】
ポリマー中における一般式（Ａ）で表されるユニット（または、一般式（Ａ−１）で表されるユニット）の含有量は特に制限されないが、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、全ポリマーユニット中、１０〜９５モル％が好ましく、５５〜９０モル％がより好ましい。
【００６９】
極性変換基および特定の架橋性基を有するポリマーの他の好適態様としては、架橋性基を有するユニットとして、以下の一般式（Ｂ）で表されるユニットを含むポリマーが挙げられる。ポリマーが一般式（Ｂ）で表されるユニットを有する場合、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる。
【００７０】
【化１４】
2013028772.tif 000015
【００７１】
一般式（Ｂ）中、Ｒ12は、水素原子、または、炭素数１〜４の置換若しくは無置換のアルキル基を表す。アルキル基としては、メチル基、エチル基などが挙げられる。
一般式（Ｂ）中、Ｌ4は、単結合または二価の有機基を表す。該有機基の定義は、Ｌ1で表される有機基の定義と同義である。
一般式（Ｂ）中、Ｚは、カルボキシル基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基、クロロシリル基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、アリル基、スチリル基、マレイミド基、シンナモイル基、または一般式（Ｃ）で表される基を表す。
【００７２】
【化１５】
2013028772.tif 000016
【００７３】
一般式（Ｃ）中、Ｒ13〜Ｒ15は、それぞれ独立して、水素原子、または炭素数１〜４の置換若しくは無置換のアルキル基を表す。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基などが挙げられる。
【００７４】
一般式（Ｃ）中、Ｒ16は、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜８）、アルケニル基（好ましくは炭素数１〜８）、アルキニル基（好ましくは炭素数１〜８）、またはアリール基を表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、アルキル基、アリール基がより好ましい。
【００７５】
上記一般式（Ｂ）で表されるユニットの好適態様の一つとして、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、以下の一般式（Ｂ−１）で表されるユニットが挙げられる。
【００７６】
【化１６】
2013028772.tif 000017
【００７７】
一般式（Ｂ−１）中、Ｒ12およびＺの定義は上述の通りである。
Ｌ5は、単結合、アミド基、エステル基、またはフェニル基を表す。Ｌ6は、単結合、または−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−結合で介されていてもよい脂肪族炭化水素基を表す。なお、Ｚがカルボキシル基の場合、Ｌ5、Ｌ6は、ともに単結合であってもよい。
【００７８】
極性変換基および架橋性基を有するポリマーの合成方法は特に制限されず、公知の方法（例えば、ラジカル重合、カチオン重合など）を使用できる。例えば、極性変換基を有するモノマーと、架橋性基を有するモノマーとを共重合させる方法が挙げられる。使用される架橋性基を有するモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
【００７９】
【化１７】
2013028772.tif 000018
【００８０】
【化１８】
2013028772.tif 000019
【００８１】
使用される架橋性基を有するモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
【００８２】
【化１９】
2013028772.tif 000020
【００８３】
また、架橋性基としてエチレン付加重合性不飽和基が使用される場合、例えば、特開２００９−００７５４０号公報などに記載の方法を参照してポリマーを合成することができる。
【００８４】
極性変換基と架橋性基とを有するポリマーの好ましい様態としては、上記極性変換基を有するモノマーと上記架橋性基を有するモノマーを共重合することで合成したポリマーが挙げられる。具体例を以下に示すが、これらのポリマーに限定される訳ではない。なお、下記に示すポリマー中の繰り返し単位に併記された数値は、各ユニットのモル％を示す。
【００８５】
【化２０】
2013028772.tif 000021
【００８６】
【化２１】
2013028772.tif 000022
【００８７】
【化２２】
2013028772.tif 000023
【００８８】
被めっき層形成用組成物中における上記ポリマーの含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、２〜５０質量％が好ましく、５〜３０質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、被めっき層の層厚の制御がしやすい。
【００８９】
（溶剤）
被めっき層形成用組成物は、必要に応じて、溶剤を含んでいてもよい。
使用できる溶剤としては、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール系溶剤；酢酸等の酸；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶剤；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート等のエステル系溶剤；ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のカーボネート系溶剤が挙げられる。
また取り扱いやすさから沸点が５０℃〜１５０℃の溶剤が好ましい。なお、これらの溶剤は単一で使用してもよいし、混合して使用してもよい。
【００９０】
（架橋剤）
被めっき層形成用組成物は、必要に応じて、上述した架橋性基と反応する反応性官能基を有する架橋剤を含有していてもよい。架橋剤が含まれることにより、上述したポリマー中の架橋性基との間で化学結合が形成され、被めっき層のアルカリ水溶液に対する耐性がより向上する。
【００９１】
使用される架橋剤としては、山下信二編「架橋剤ハンドブック」に掲載されているような従来公知のものを用いることができる。
より具体的には、架橋剤は、通常、架橋性基と反応する反応性官能基を２個以上有し、２〜６個有することが好ましい。
反応性官能基としては、例えば、水酸基、イソシアネート基、カルボン酸基、エポキシ基、カルボン酸無水物基、１級アミノ基、２級アミノ基、アルコキシシリル基、ハロゲン化ベンジル基などが挙げられる。
【００９２】
ポリマー中の架橋性基と架橋剤中の反応性官能基との好ましい組み合わせとしては、例えば、（架橋性基，反応性官能基）＝（カルボキシル基，一級または二級アミノ基）、（カルボキシル基，アジリジン基）、（カルボキシル基，イソシアネート基）、（カルボキシル基，エポキシ基）、（カルボキシル基，ハロゲン化ベンジル基）、（一級または二級アミノ基，イソシアネート基）、（一級、二級、または三級アミノ基，ハロゲン化ベンジル基）、（一級アミノ基，アルデヒド類）、（イソシアネート基，一級または二級アミノ基）、（イソシアネート基，イソシアネート基）、（イソシアネート基，水酸基）、（イソシアネート基，エポキシ基）、（水酸基，イソシアネート基）、（水酸基，ハロゲン化ベンジル基）、（水酸基，カルボン酸無水物基）、（水酸基，エポキシ基）、（水酸基，アルコキシシリル基）、（エポキシ基，一級または二級アミノ基）、（エポキシ基，カルボン酸無水物基）、（エポキシ基，水酸基）、（エポキシ基，エポキシ基）、（オキセタニル基，エポキシ基）、（アルコキシシリル基，アルコキシシリル基）などが挙げられる。なかでも、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、（架橋性基，反応性官能基）＝（エポキシ基，アミノ基）、（エポキシ基，エポキシ基）、（三級アミノ基，ハロゲン化ベンジル基）、（水酸基，イソシアネート基）、（オキセタニル基，エポキシ基）、（アルコキシシリル基、アルコキシシリル基）が、より好ましい組み合わせである。
【００９３】
使用される架橋剤としては、例えば、以下の架橋剤が挙げられる。
【００９４】
【化２３】
2013028772.tif 000024
【００９５】
被めっき層形成用組成物中における架橋剤の使用量としては、通常、架橋性基のモル数に対して、０．０１〜５０当量が好ましく、０．０１〜１０当量がより好ましく、０．５〜３当量が更に好ましい。架橋剤の使用量が上記範囲内の場合、後述するめっき触媒液やめっき液が浸透しやすくなる。
【００９６】
（光酸発生剤）
被めっき層形成用組成物は、必要に応じて、光酸発生剤を含有していてもよい。被めっき層形成用組成物中に光酸発生剤が含有される場合、後述する工程（Ｃ）において、光照射によって被めっき層中に酸を供給することができる。
【００９７】
使用される光酸発生剤としては公知の化合物（例えば、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤など）を使用することができる。例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩などのオニウム塩化合物などが挙げられる。
【００９８】
被めっき層形成用組成物中における光酸発生剤の含有量は特に制限されないが、組成物の全固形分に対して、０．００１〜４０質量％程度が好ましく、０．０１〜２０質量％がより好ましく、０．１〜５質量％がさらに好ましい。上記範囲内であれば、後述する工程（Ｃ）において、官能基の極性変換がより効率よく進行する。
【００９９】
（その他任意成分）
被めっき層形成用組成物は、上述した成分以外に、必要に応じて、界面活性剤、可塑剤、重合禁止剤、硬化を進めるための重合開始剤、硬化促進剤、ゴム成分（例えば、ＣＴＢＮ）、難燃化剤（例えば、りん系難燃化剤）、希釈剤、チキソトロピー化剤、顔料、消泡剤、レべリング剤、カップリング剤などを含有していてもよい。
また、被めっき層形成用組成物は、本発明の効果を阻害しない範囲で、特開２００９−７５４０号公報、または特開２０１０‐２４８４６４号公報に記載の重合性基と触媒吸着性基を有するポリマーを含有していてもよい。
【０１００】
＜積層体の製造方法の第１の実施態様＞
本発明の積層体の製造方法の第１の実施態様は、基板の表面上に被めっき層を形成する工程（Ａ）と、被めっき層をアルカリ水溶液に接触させる工程（Ｂ）と、所定の処理を行って、被めっき層中の官能基を疎水性から親水性に変換する工程（Ｃ）と、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程（Ｄ）と、めっき処理を行う工程（Ｅ）とを備える。
以下に、図面を参照しつつ、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。まず、工程（Ａ）に関して詳述する。
【０１０１】
＜工程（Ａ）：被めっき層形成工程＞
工程（Ａ）は、基板の表面に、上記被めっき層形成用組成物を用いて被めっき層を形成する工程である。該工程を行うことにより、後述するめっき触媒などが付与される被めっき層が形成される。
より具体的には、本工程では、図１（Ａ）に示すように、基板１０を用意し、図１（Ｂ）に示すように、基板１０の表面に被めっき層１２を形成する。
【０１０２】
本工程で形成される被めっき層は、後述するように、加熱、酸の供給または輻射線の照射によって、極性変換基の親疎水性が疎水性から親水性へと変化し、結果として被めっき層の親疎水性もより親水性へと変化する。つまり、好ましくは疎水性被めっき層から親水性被めっき層へと変化する。なお、後述するように、被めっき層はアルカリ水溶液との接触後に親水性を示すため、後述するめっき触媒またはその前駆体を効率よく吸着する。つまり、被めっき層は、めっき触媒（またはその前駆体）の良好な受容層として機能する。その結果、被めっき層の表面に形成される金属層との優れた密着性が得られる。
以下では、まず、本工程で使用される材料（基板など）について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
【０１０３】
（基板）
基板は、後述する各層を支持するための部材であり、従来知られているいずれの基板（例えば、樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、金属基板など。好ましくは、絶縁性基板。）を使用することができる。より具体的には、金属板（例えば、アルミニウム、亜鉛、銅等）、プラスチックフィルム（例えば、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリイミド、エポキシ樹脂、等）、上記の如き金属がラミネートまたは蒸着されたプラスチックフィルム等が挙げられる。
【０１０４】
また、基板は、その内部、または、片面若しくは両面に金属配線を有していてもよい。金属配線は、基板の表面に対してパターン状に形成されていてもよいし、全面に形成されていてもよい。代表的には、エッチング処理を利用したサブストラクティブ法で形成されたものや、電解めっきを利用したセミアディティブ法で形成したものが挙げられ、いずれの工法で形成されたものを用いてもよい。
金属配線を構成する材料としては、例えば、銅、銀、錫、パラジウム、金、ニッケル、クロム、タングステン、インジウム、亜鉛、またはガリウムなどが挙げられる。
【０１０５】
（工程（Ａ）の手順）
基板に被めっき層を形成する方法は、特に制限されず公知の方法を採用できる。例えば、被めっき層形成用組成物を基板上に塗布し、被めっき層を形成する方法（塗布方法）、該被めっき層形成用組成物より形成される被めっき層のフィルムを直接基板上にラミネートする方法などが挙げられる。なかでも、被めっき層の膜厚制御が容易である点から、塗布方法が好ましい。
以後、塗布方法の態様について詳述する。
【０１０６】
被めっき層形成用組成物を基板上に塗布する方法は特に限定されず、公知の方法（例えば、スピンコート、デップコート、ダブルロールコータ、スリットコータ、エアナイフコータ、ワイヤーバーコータなど）を用いることができる。
取り扱い性や製造効率の観点からは、被めっき層形成用組成物を基板上に塗布して、必要に応じて乾燥処理を施して含まれる溶剤を除去し、被めっき層を形成する態様が好ましい。
【０１０７】
被めっき層の厚みは特に制限されないが、金属層の密着性がより優れる点から、０．０２〜５．０μｍが好ましく、０．０５〜２．０μｍがより好ましい。
被めっき層中におけるポリマーの含有量は特に制限されないが、金属層の密着性がより優れる点から、被めっき層全量に対して、１０〜１００質量％であることが好ましく、５０〜１００質量％であることがより好ましい。
【０１０８】
（被めっき層の好適態様）
被めっき層の工程態様として、上述した被めっき層に対してさらに硬化処理を施すこと（工程（Ｇ））が好ましい。言い換えると、上記被めっき層は、極性変換基と架橋性基とを有するポリマーを架橋反応により硬化させて得られる層であることが好ましい。該態様の場合、架橋性基を介して層の硬化が進行し、被めっき層自体の膜強度が高くなると共に疎水性も高まり、アルカリ水溶液に対する耐性が向上する。
以後、工程（Ｇ）の態様について詳述する。
【０１０９】
硬化工程（工程（Ｇ））は、本工程（Ａ）の後であって、後述する工程（Ｄ）の前に実施することが好ましい。より具体的には、工程（Ａ）と工程（Ｂ）との間、工程（Ｂ）と工程（Ｃ）との間、または、工程（Ｃ）と工程（Ｄ）の間である。工程（Ｄ）の前に実施することによって、工程（Ｄ）で使用されるめっき触媒液や、工程（Ｅ）で使用されるめっき液に対する被めっき層の耐性を高めることができる。
なお、他の工程での被めっき層の溶出や分解を抑制できる点で、工程（Ａ）と工程（Ｂ）との間に工程（Ｇ）を実施することが好ましい。
【０１１０】
工程（Ｇ）におけるポリマーの架橋方法はポリマー中の架橋性基の種類によって適宜最適な方法が選択されるが、例えば、架橋性基同士を反応させる方法や、架橋剤を使用する方法が挙げられる。
【０１１１】
架橋性基同士を反応させる方法は、架橋性基同士の付加反応や縮合反応を介して被めっき層中に架橋構造を形成する方法である。例えば、架橋性基が−ＮＣＯである場合、熱をかけることにより自己縮合反応を進行させ、被めっき層中に架橋構造を形成することができる。
【０１１２】
架橋剤を使用する方法は、ポリマー中の架橋性基と、上述した該架橋性基と反応する反応性官能基を有する架橋剤の反応性官能基とを反応させ、被めっき層中に架橋構造を形成する方法である。
【０１１３】
硬化処理の種類としては、使用されるポリマーおよび架橋剤などの種類によって異なり、適宜最適な処理方法が選択されるが、通常、加熱処理または露光処理が実施される。
加熱処理を行う場合、極性変換基の分解抑制、生産性などの点より、加熱温度としては、５０〜２００℃が好ましく、８０〜１５０℃がより好ましい。処理時間としては、２〜６０分が好ましく、５〜３０分がより好ましい。
露光処理を行う場合、照射する光の種類は特に制限されないが、紫外光または可視光などが好適に使用される。照射エネルギーとしては、生産性などの点より、１００〜１００００ｍＪが好ましく、５００〜５０００ｍＪがより好ましい。
【０１１４】
＜工程（Ｂ）：アルカリ水溶液接触工程＞
工程（Ｂ）は、上記工程（Ａ）の後に、被めっき層とアルカリ水溶液とを接触させる工程である。該工程を実施することにより、被めっき層上の有機吸着物が除去され、結果としてめっきの均一性が向上する。また、被めっき層の濡れ性が上がることで、後述するめっき触媒の浸透が促進される。
以下では、まず、本工程で使用される材料（アルカリ水溶液など）について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
【０１１５】
（アルカリ水溶液）
工程（Ｂ）で用いるアルカリ水溶液は、ｐＨがアルカリ性であれば特にその種類は限定されない。
アルカリ水溶液のｐＨは、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、１０〜１４が好ましく、１２〜１４がより好ましい。
【０１１６】
アルカリ水溶液に使用される溶媒は、通常、水が使用される。また、必要に応じて、有機溶媒（メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶剤、酢酸、ヒドロキシ酢酸、アミノカルボン酸などの酸、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド系溶剤、アセトニトリル、プロピロニトリルなどのニトリル系溶剤、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶剤、グリコール系溶剤など）を併用してもよい。
【０１１７】
アルカリ水溶液としては、その種類は特に制限されず、例えば、水酸化リチウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸リチウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、炭酸水素リチウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液、炭酸水素カリウム水溶液、水酸化カルシウム水溶液、水酸化ストロンチウム水溶液、水酸化バリウム水溶液、炭酸カルシウム水溶液、炭酸ストロンチウム水溶液、炭酸バリウム水溶液などが挙げられる。
アルカリ成分（無機塩基）の含有量は、ｐＨが上記範囲になるような範囲に調整されることが好ましい。
【０１１８】
アルカリ水溶液には、界面活性剤が添加されていてもよい。使用される界面活性剤の種類は特に制限されないが、例えば、アニオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤が挙げられる。
【０１１９】
より具体的には、アニオン性界面活性剤としては、例えば、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルまたはアルケニルエーテル硫酸塩、アルキルまたはアルケニル硫酸塩、アルキルまたはアルケニルエーテルカルボン酸塩、アミノ酸型界面活性剤、Ｎ−アシルアミノ酸型界面活性剤、アルキルまたはアルケニルリン酸エステルまたはその塩等が挙げられる。
【０１２０】
ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルまたはアルケニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、高級脂肪酸アルカノールアミドまたはそのアルキレンオキサイド付加物、ショ糖脂肪酸エステル、アルキルグリコキシド、脂肪酸グリセリンモノエステル、アルキルアミンオキサイド等が挙げられる。
【０１２１】
カチオン系界面活性剤としては、例えば、アルキルカチオン系界面活性剤、アミド型４級カチオン系界面活性剤、エステル型４級カチオン系界面活性剤等が挙げられる。両性界面活性剤としては、例えば、カルボキシル型両性界面活性剤、スルホベタイン型両性界面活性剤等が挙げられる。
【０１２２】
（工程（Ｂ）の手順）
被めっき層とアルカリ水溶液との接触方法は特に制限されず、公知の方法が使用される。例えば、アルカリ水溶液を被めっき層上に塗布する方法（スプレー塗布、スピンコート、印刷法など）や、アルカリ水溶液に被めっき層を有する基板を浸漬する方法（ディップ浸漬）などが挙げられ、処理の簡便さ、処理時間の調整の容易さから、ディップ浸漬、スプレー塗布が好ましい。
【０１２３】
接触の際のアルカリ水溶液の液温は特に制限されないが、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、３０℃〜９０℃の範囲が好ましく、５０℃〜７０℃の範囲がより好ましい。
被めっき層とアルカリ水溶液との接触時間は、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、５秒〜３０分の範囲が好ましく、３０秒〜２５分の範囲がより好ましく、１〜２０分の範囲がさらに好ましい。
また、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、アルカリ水溶液との接触後、被めっき層に付着したアルカリ水溶液を純水等で洗浄することが好ましい。
【０１２４】
＜工程（Ｃ）：極性変換工程＞
工程（Ｃ）は、上記工程（Ｂ）の後に、加熱、酸の供給または輻射線の照射を行って、極性変換基を疎水性から親水性に変換する工程である。より具体的には、該処理を行うことにより、処理後の被めっき層の水との接触角が、処理前の被めっき層の水との接触角より低下する。つまり、該処理によって、水との接触角が低下するように被めっき層の親疎水性が変化する。
該工程を実施することにより、被めっき層が疎水性から親水性へと変換され、めっき触媒またはその前駆体に対する親和性が向上する。また、後述する触媒付与工程で使用されるめっき触媒液、および、めっき工程で使用されるめっき液の浸透性が向上し、結果として金属層の密着性が向上する。
本工程で実施される処理は、被めっき層中の極性変換基の種類によって適宜最適な処理が実施される。以下に、それぞれの手順について詳述する。
なお、以下の極性変換処理は、必要に応じて、パターン状に実施してもよい。つまり、画像様に加熱、酸の供給または輻射線の照射を行って、被めっき層表面に親水性領域および疎水性領域のパターンを形成してもよい。
【０１２５】
（加熱処理）
加熱処理の条件は特に制限されないが、加熱温度としては、被めっき層の耐熱性および極性変換基の良好な極性変換効率の点から、１００〜２５０℃が好ましく、１５０〜２００℃がより好ましい。加熱時間としては、生産性および極性変換基の良好な極性変換効率の点から、１分〜１時間時間が好ましく、５分〜３０分がより好ましい。
なお、加熱処理の際に使用される装置としては、公知の装置（例えば、送風乾燥機、オーブン、赤外線乾燥機、加熱ドラムなど）を用いることができる。
【０１２６】
（酸供給処理）
酸の供給を行う方法は特に制限されないが、例えば、被めっき層を酸性溶液と接触させる方法や、被めっき層中に光酸発生剤を含有させ、加熱処理または露光処理により光酸発生剤から酸を発生させる方法が挙げられる。
【０１２７】
酸性溶液を使用する場合は、酸性溶液のｐＨは特に制限されないが、極性変換基の良好な極性変換効率の点から、３以下が好ましく、１以下がより好ましい。
酸性溶液中の酸性成分の種類は特に制限されないが、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸など公知の酸が使用できる。
酸性溶液中における酸の含有量は、極性変換基の良好な極性変換効率の点から、５〜５０質量％程度が好ましく、１０〜４０質量％がより好ましい。
また、酸性溶液の中の溶媒の種類は特に制限されないが、例えば、水または有機溶媒が使用される。
【０１２８】
酸性溶液と被めっき層とを接触させる方法は特に制限されないが、酸性溶液を被めっき層上に塗布する方法や、被めっき層を有する基板を酸性溶液中に浸漬する方法などが挙げられる。
酸性溶液と被めっき層との接触時間は特に制限されないが、生産性および極性変換基の良好な極性変換効率の点から、１分〜１時間が好ましく、５分〜３０分がより好ましい。
接触時の酸性溶液の液温は特に制限されないが、生産性および極性変換基の良好な極性変換効率の点から、３０〜９５℃が好ましく、４０〜９０℃がより好ましい。
【０１２９】
光酸発生剤を使用する場合、使用される光酸発生剤としては公知の化合物（例えば、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤など）を使用することができる。
被めっき層中における光酸発生剤の含有量は、被めっき層の全固形分に対して、０．００１〜４０質量％程度が好ましく、０．０１〜２０質量％がより好ましく、０．１〜５質量％がさらに好ましい。
被めっき層中に光酸発生剤を供給する方法は特に制限されず、例えば、上述した被めっき層形成用組成物中に光酸発生剤を加え、被めっき層を形成する方法が挙げられる。
【０１３０】
なお、被めっき層中の光酸発生剤より酸を発生させる方法は特に制限されないが、通常、加熱処理または露光処理により行われる。
加熱処理の条件としては、上述した条件が好ましく挙げられる。また、露光処理の条件としては、後述する輻射線照射処理の条件が挙げられる。
【０１３１】
（輻射線照射処理）
使用される輻射線の種類は特に制限されず、極性変換基の種類に応じて最適な波長範囲の輻射線が使用される。なかでも、極性変換基の極性変換をより効率的に行う点から、紫外光または可視光を使用することが好ましい。
照射時間は、極性変換基の反応性および光源の種類などにより異なるが、生産性の点から、１０秒〜５時間が好ましい。露光エネルギーとしては、１０〜８０００ｍＪ程度が好ましく、１００〜３０００ｍＪがより好ましい。
【０１３２】
なお、上記加熱、酸の供給、および輻射線照射処理は、２以上の処理を工程（Ｃ）で実施してもよい。
【０１３３】
上述した処理を実施することにより被めっき層中の極性変換基の親疎水性が変化し、結果として被めっき層の親疎水性が親水性から疎水性に変化することが好ましい。つまり、好ましくは親水性被めっき層から疎水性被めっき層へと変化する。
通常、極性変換前の被めっき層は疎水性を示し、その水接触角は、アルカリ水溶液に対する耐性がより優れる点から、７０°以上が好ましく、８０°以上がより好ましい。なお、上限は特に制限されないが、通常、１２０°以下が多い。
一方、極性変換後の被めっき層は通常親水性を示し、その水接触角は、めっき触媒などに対する親和性がより優れる点から、７０°未満が好ましく、５０°以下がより好ましい。
なお、変換された極性変換基がカルボン酸基、スルホン酸基、またはスルフィン酸基である場合、極性変換後の被めっき層は、アルカリ性のめっき液を用いた場合は、これらの酸基が中和されて塩を生成することで、さらに親水性が増し、めっき液の浸透をより促進できる。
【０１３４】
なお、本明細書においては、水接触角が７０°以上である被めっき層を疎水性被めっき層と、７０°未満である被めっき層を親水性被めっき層と呼ぶ。
水接触角の測定方法としては、滴下した水の頂点と基板との２点の接点を用いる接線法を用いる。
【０１３５】
＜工程（Ｄ）：触媒付与工程＞
工程（Ｄ）は、工程（Ｃ）で得られた被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程である。
本工程においては、親水性を示す被めっき層（親水性被めっき層）にめっき触媒またはその前駆体が付与される。特に、親水性に変換された極性変換基がカルボン酸基、スルホン酸基、またはスルフィン酸基である場合、これらの基が付与されためっき触媒またはその前駆体を効率よく付着（吸着）する。
まず、本工程で使用される材料（めっき触媒またはその前駆体など）について詳述し、その後該工程の手順について詳述する。
【０１３６】
（めっき触媒またはその前駆体）
めっき触媒またはその前駆体は、後述するめっき工程における、めっき処理の触媒や電極として機能するものである。そのため、使用されるめっき触媒またはその前駆体の種類は、めっき処理の種類により適宜決定される。
なお、用いられるめっき触媒またはその前駆体は、めっきの均一性をより高める点で、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。
以下で、無電解めっきまたはその前駆体などについて詳述する。
【０１３７】
無電解めっき触媒としては、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属（Ｎｉよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの）などが挙げられる。より具体的には、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏなどが挙げられる。中でも、触媒能の高さから、Ａｇ、Ｐｄが特に好ましい。
無電解めっき触媒として、金属コロイド（金属粒子）を用いてもよい。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤または荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。
【０１３８】
無電解めっき触媒前駆体としては、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、被めっき層へ付与した後、無電解めっき液への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよいし、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき液に浸漬し、無電解めっき液中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。
【０１３９】
無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いて被めっき層に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるものであれば特に制限はなく、Ｍ(ＮＯ3)n、ＭＣｌn、Ｍ2/n(ＳＯ4)、Ｍ3/n(ＰＯ4)（Ｍは、ｎ価の金属原子を表す）などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、例えば、Ａｇイオン、Ｃｕイオン、Ａｌイオン、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｐｄイオンが挙げられ、中でも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数および触媒能の点で、Ａｇイオン、Ｐｄイオンが好ましい。
【０１４０】
本工程において、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒として、上述した以外の０価金属を使用することもできる。
【０１４１】
上記めっき触媒またはその前駆体は、これらを溶媒に分散または溶解させた溶液（以後、適宜めっき触媒液とも称する）の形態で使用されることが好ましい。つまり、めっき触媒液には、めっき触媒またはその前駆体が含まれる。
めっき触媒液を通常溶媒を含んでおり、溶媒の種類としては有機溶剤および／または水が用いられる。通常、水が主成分として使用される。めっき触媒液が有機溶剤を含有することで、被めっき層に対するめっき触媒液の浸透性が向上し、被めっき層に効率よくめっき触媒またはその前駆体を吸着させることができる。
【０１４２】
めっき触媒液に用いられる有機溶剤としては、被めっき層に浸透しうる溶剤であれば特に制限はないが、具体的には、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、２−（１−シクロヘキセニル）シクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブなどを用いることができる。
【０１４３】
（工程（Ｄ）の手順）
めっき触媒またはその前駆体を被めっき層に付与する方法は、特に制限されない。
例えば、めっき触媒またはその前駆体を含有するめっき触媒液（金属を適当な分散媒に分散した分散液、または、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液）を調製し、めっき触媒液を被めっき層上に塗布する方法、または、めっき触媒液中に被めっき層が形成された基板を浸漬する方法などが挙げられる。
被めっき層とめっき触媒液との接触時間は、３０秒〜１０分程度であることが好ましく、３分〜５分程度であることがより好ましい。
接触時のめっき触媒液の温度は、２０〜６０℃程度であることが好ましく、３０〜５０℃程度であることがより好ましい。
【０１４４】
＜工程（Ｅ）：めっき工程＞
工程（Ｅ）は、上記工程（Ｄ）にてめっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、金属層（めっき層）を被めっき層上に形成する工程である。より具体的には、本工程を実施することにより、図１（Ｃ）に示すように、被めっき層１２上に金属層１４が設けられ、積層体１６が得られる。
【０１４５】
本工程において行われるめっき処理の種類は、無電解めっき、電解めっき等が挙げられ、上記工程において、被めっき層に付与されためっき触媒またはその前駆体の機能によって、選択することができる。
なかでも、形成される金属層の密着性向上の点から、無電解めっきを行うことが好ましい。また、所望の層厚の金属層を得るために、無電解めっきの後に、更に電解めっきを行うことがより好ましい態様である。
以下、本工程において好適に行われるめっきについて説明する。
【０１４６】
（無電解めっき）
無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された基板を水洗して、被めっき層から余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行う。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。なお、無電解めっき浴としては、入手のしやすさの点から、アルカリ性の無電解めっき浴（ｐＨが９〜１４程度が好ましい）を使用する場合が好ましい。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与された基板を、無電解めっき浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な前駆体（金属塩など）を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させる。この場合には、無電解めっき浴中において、めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
【０１４７】
なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。触媒活性化液は、無電解めっき触媒前駆体（主に金属イオン）を０価金属に還元できる還元剤を溶解した液で、液全体に対する該還元剤の濃度が０．１〜５０質量％が好ましく、１〜３０質量％がより好ましい。還元剤としては、公知の還元剤（例えば、水素化ホウ素ナトリウムまたはジメチルアミンボランなどのホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、次亜リン酸など）を使用できる。
浸漬の際には、無電解めっき触媒またはその前駆体が接触する被めっき層表面付近の無電解めっき触媒またはその前駆体の濃度を一定に保つ上で、攪拌または揺動を加えながら浸漬することが好ましい。
【０１４８】
一般的な無電解めっき浴の組成としては、例えば、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。
【０１４９】
めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶媒である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。
【０１５０】
無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、例えば、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、なかでも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物が選択される。
【０１５１】
無電解めっきにより得られる金属層の層厚は、めっき浴の金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、または、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、０．１μｍ以上が好ましく、０．２〜２μｍがより好ましい。
ただし、無電解めっきによる金属層を導通層として、後述する電解めっきを行う場合は、少なくとも０．１μｍ以上の層が均一に付与されていることが好ましい。
また、めっき浴への浸漬時間としては、１分〜６時間程度であることが好ましく、１分〜３時間程度であることがより好ましい。
【０１５２】
（電解めっき（電気めっき））
本工程おいては、上記工程において付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対して、電解めっきを行うことができる。
また、前述の無電解めっきの後、形成された金属層を電極とし、更に、電解めっきを行ってもよい。これにより基板との密着性に優れた無電解めっき層をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつ金属層を容易に形成することができる。このように、無電解めっきの後に、電解めっきを行うことで、金属層を目的に応じた厚みに形成しうるため、金属層を種々の応用に適用するのに好適である。
【０１５３】
電解めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電解めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。
【０１５４】
また、電解めっきにより得られる金属層の層厚は、めっき浴中に含まれる金属濃度、または、電流密度などを調整することで制御することができる。
なお、一般的な電気配線などに適用する場合、金属層の層厚は、導電性の観点から、０．５μｍ以上であることが好ましく、１〜３０μｍがより好ましい。
【０１５５】
＜工程（Ｈ）：パターン形成工程＞
パターン形成工程は、必要に応じて設けられる工程で、めっき工程で得られた金属層をパターン状にエッチングして、パターン状金属層を形成する工程である。本工程において、基板表面全体に形成された金属層の不要部分をエッチングで取り除くことで、所望のパターン状の金属層を生成することができる。
より具体的には、図１（Ｄ）に示すように、本工程においては、金属層の不要部を除去することにより、パターン状金属層１８が、被めっき層１２上に形成される。
【０１５６】
このパターンの形成には、如何なる手法も使用することができ、具体的には一般的に知られているサブトラクティブ法（金属層上にパターン状のマスクを設け、マスクの非形成領域をエッチング処理した後、マスクを除去して、パターン状の金属層を形成する方法）、セミアディティブ法（金属層上にパターン状のマスクを設け、マスクの非形成領域に金属層を形成するようにめっき処理を行い、マスクを除去し、エッチング処理して、パターン状の金属層を形成する方法）が用いられる。
【０１５７】
サブトラクティブ法とは、形成された金属層上にレジスト層を設けパターン露光、現像により金属層パターン部と同じパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてエッチング液で金属層を除去し、パターン状の金属層を形成する方法である。
レジストとしては如何なる材料も使用でき、ネガ型、ポジ型、液状、フィルム状のものが使用できる。また、エッチング方法としては、プリント配線基板の製造時に使用されている方法が何れも使用可能であり、湿式エッチング、ドライエッチング等が使用可能であり、任意に選択すればよい。作業の操作上、湿式エッチングが装置などの簡便性の点で好ましい。エッチング液として、例えば、塩化第二銅、塩化第二鉄等の水溶液を使用することができる。
【０１５８】
セミアディティブ法とは、形成された金属層上にレジスト層を設け、パターン露光、現像により非金属層パターン部と同じパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして電解めっきを行い、レジストパターンを除去した後にクイックエッチングを実施し、金属層をパターン状に除去することで、パターン状金属層を形成する方法である。
レジスト、エッチング液等はサブトラクティブ法と同様な材料が使用できる。また、電解めっき手法としては上記記載の手法が使用できる。
【０１５９】
なお、金属層の除去と同時に、公知の手段（例えば、ドライエッチング）などによって、被めっき層を合わせて除去してもよい。
【０１６０】
上記製造方法で得られた積層体（表面金属層材料）は、最外層に金属層を有しており、種々の用途に使用することができる。例えば、ＦＰＣ、ＣＯＦ、ＴＡＢ、マザーボード、パッケージインターポーザー基板等の種々の用途に適用することができる。なかでも、プリント配線基板などの配線基板として使用することが好ましい。
また、必要に応じて、パターン状金属層上にさらに絶縁層を設けてもよい。絶縁層としては公知の材料を使用することができ、例えば、公知の層間絶縁膜、ソルダーレジストなどが挙げられる。
なお、パターン状金属層を有する積層体（金属パターン材料）は、上述した基板として使用して、さらに被めっき層および金属層を積層してもよい。
【０１６１】
＜積層体の製造方法の第２の実施態様＞
本発明の積層体の製造方法の第２の実施態様は、基板上に絶縁層を形成する工程（Ｆ）と、絶縁層上に被めっき層を形成する工程（Ａ’）と、被めっき層をアルカリ水溶液に接触させる工程（Ｂ）と、所定の処理を行って、被めっき層中の極性変換基を疎水性から親水性に変換させる工程（Ｃ）と、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程（Ｄ）と、めっき処理を行う工程（Ｅ）とを備える。
該第２の実施態様と上述した第１の実施態様との主な相違点は、工程（Ｆ）の点である。以下では、図２を参照しながら、主に工程（Ｆ）の手順について詳述しつつ、本実施態様について説眼する。なお、図２において、図１に示す各構成要素と、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、説明は省略する。
【０１６２】
＜工程（Ｆ）：絶縁層形成工程＞
工程（Ｆ）は、基板の表面に絶縁層を形成する工程である。該工程を行うことにより、絶縁性がより担保される。
より具体的には、本工程では、図２（Ａ）に示すように、基板１０を用意し、図２（Ｂ）に示すように、表面上に絶縁層２０を形成する。
まず、本工程で使用される材料（絶縁層など）について詳述し、その後本工程の手順について詳述する。
【０１６３】
（絶縁層）
絶縁層を構成する材料は特に制限されず、例えば、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂などの公知の絶縁性樹脂が挙げられる。
より具体的には、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。
【０１６４】
絶縁層の厚みは、積層体の使用目的に応じて適宜選択されるが、絶縁性担保の点から、１０〜１５０μｍが好ましく、３０〜５０μｍがより好ましい。
【０１６５】
［工程（Ｆ）の手順］
絶縁層の形成方法は特に制限されない。例えば、絶縁性樹脂を含有する絶縁性樹脂組成物を基板上に塗布して、必要に応じて加熱処理または露光処理を行い、絶縁層を形成する方法（塗布法）や、絶縁性樹脂を含有する絶縁層を基板上にラミネートする方法などが挙げられる。
【０１６６】
なお、絶縁性樹脂組成物中には溶媒が含まれていてもよい。乾燥の容易性、作業性の観点からは、沸点が高すぎない溶媒が好ましく、沸点４０〜１５０℃程度のものを選択するのが好ましい。具体的には、シクロヘキサノン、メチルエチルケトンなどを使用することができる。
なお、絶縁性樹脂組成物中の固形分の濃度は、取扱い性の点から、２〜５０質量％が好ましい。
【０１６７】
工程（Ｆ）の後、得られた絶縁層上に被めっき層を形成する工程（Ａ’）を実施する。工程の手順は、上述した工程（Ａ）と同じである。該工程を実施することにより、図２（Ｃ）に示すように、絶縁層２０上に被めっき層１２が形成される。
【０１６８】
次に、上述した工程（Ｂ）を実施して、被めっき層上の有機吸着物を除去した後、上述した工程（Ｃ）を実施して被めっき層の親疎水性を変換する。
次に、上述した工程（Ｄ）を実施して、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する。
【０１６９】
さらに、その後工程（Ｅ）を実施することにより、金属層を被めっき層上に形成する。より具体的には、本工程を実施することにより、図２（Ｄ）に示すように、被めっき層１２上に金属層１４が設けられ、積層体１６が得られる。
【０１７０】
その後、必要に応じて、工程（Ｈ）を実施して、パターン状金属層を得る。より具体的には、図２（Ｅ）に示すように、本工程においては、金属層１４の不要部を除去することにより、パターン状金属層１８が、被めっき層１２上に形成される。
【実施例】
【０１７１】
以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
まず、実施例で使用されるポリマーの合成方法について詳述する。
【０１７２】
（合成例１：ポリマーＡ）
５００ｍＬの３つ口フラスコを窒素置換し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下ＰＥＧＭＥＡと呼ぶ）（２７．６ｇ）を入れ、６０℃に昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート（５．１９ｇ）、ｔ−ブチルアクリレート（３４．３ｇ）、Ｖ−６０１（１．０５ｇ）、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（６４．５ｇ）の混合液を４時間かけて滴下した。滴下終了後、３時間反応を行い、ポリマーＡの３０ｗｔ％溶液（１３１．６ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット：極性変換基ユニット＝１２：８８（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でＭｗ＝１０．８万（Ｍｗ／Ｍｎ＝４．０）であった。
【０１７３】
（合成例２：ポリマーＢ）
５００ｍＬの３つ口フラスコを窒素置換し、ＰＥＧＭＥＡ（１４．１ｇ）を入れ、６０℃に昇温し、その中に、ＯＸＥ−３０（大阪有機化学工業製）（２．７８ｇ）、ｔ−ブチルアクリレート（１７．４ｇ）、Ｖ−６０１（０．２７７ｇ）、およびＰＥＧＭＥＡ（３３ｇ）の混合液を４時間かけて滴下した。滴下終了後、３時間反応を行い、ポリマーＢの３０ｗｔ％溶液（６７．２ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット：極性変換基ユニット＝１０：９０（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でＭｗ＝９．２万（Ｍｗ／Ｍｎ＝３．５）であった。
【０１７４】
（合成例３：ポリマーＣ）
２Ｌの三口フラスコにｔ−ブチルメチルエーテル（６００ｇ）、水（３３０ｇ）、２−ブチルアミノエタノール（２００ｇ）を入れ、氷浴にて冷却した。反応溶液の内温２０℃以下になるように調節して、そこへ２−ブロモイソ酪酸ブロミド（９８ｇ）を滴下した。その後、反応溶液の内温を室温（２５℃）まで上昇させて２時間反応させた。反応終了後、蒸留水（３００ｍＬ）を追加して反応を停止させた。その後、t−ブチルメチルエーテル層を蒸留水（３００ｍＬ）で４回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、t−ブチルメチルエーテル層を留去することで原料Ａ（９１ｇ）を得た。
次に、１Ｌの三口フラスコに原料Ａ（９１ｇ）、ジメチルアミノピリジン（４．２ｇ）、アセトン（３００ｍＬ）を入れて、さらにメタクリル酸無水物（５３ｇ）を滴下した。その後、加熱還流下で４時間反応させた。反応終了後、酢酸エチル（１Ｌ）、蒸留水（３００ｍＬ）を反応溶液に追加した。その後、酢エチ層を蒸留水（３００ｍＬ）で２回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、酢酸エチルを留去し、さらにカラムクロマトグラフィーにてモノマーＡ（５０ｇ）を精製して得た。
【０１７５】
【化２４】
2013028772.tif 000025
【０１７６】
５００ｍＬの三口フラスコに、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（１６．２ｇ）を入れ、窒素気流下、６５℃まで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーＡ（１０．４３ｇ）、ｔ−ブチルアクリレート（１２．６７ｇ）、Ｖ−６０１（和光純薬製）（０．２４ｇ）のＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（３８ｇ）溶液を、４時間かけて滴下した。滴下終了後、更に反応溶液を３時間撹拌した。その後、反応溶液にＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（１５４ｇ）を足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に４−ヒドロキシＴＥＭＰＯ（東京化成製）（０．０５ｇ）およびＤＢＵ（５０ｇ）を加え、室温で１２時間反応を行った。その後、反応溶液に７０質量％メタンスルホン酸水溶液４９ｇ加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマーＣ（重量平均分子量６．５万）を１５ｇ得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット：極性変換基ユニット＝１２：８８（ｍｏｌ比）であった。
【０１７７】
（合成例４：ポリマーＤ）
５００ｍＬの３つ口フラスコを窒素置換し、ＰＥＧＭＥＡ（１７ｇ）を入れ、６０℃に昇温した。その中に、アクリル酸（１．７３ｇ）、ｔ−ブチルアクリレート（２２．５６ｇ）、Ｖ−６０１（０．４６ｇ）、およびＰＥＧＭＥＡ（３９．７ｇ）の混合液を４時間かけて滴下した。滴下終了後、３時間反応を行い、ポリマーＤの３０ｗｔ％溶液（８１．６ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット：極性変換基ユニット＝１２：８８（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でＭｗ＝１５．２万（Ｍｗ／Ｍｎ＝３．５）であった。
【０１７８】
（合成例５：ポリマーＥ）
５００ｍＬの３つ口フラスコを窒素置換し、ＰＥＧＭＥＡ（17.7ｇ）を入れ、６０℃に昇温した。その中に、ヒドロキシルエチルアクリレート（２．７９ｇ）、ｔ−ブチルアクリレート（２２．５６ｇ）、Ｖ−６０１（０．６９ｇ）、およびＰＥＧＭＥＡ（４１．４ｇ）の混合液を２時間かけて滴下した。滴下終了後、３時間反応を行い、ポリマーＥの３０ｗｔ％溶液（８４．５ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット：極性変換基ユニット＝１２：８８（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でＭｗ＝１７．５万（Ｍｗ／Ｍｎ＝３．７）であった。
【０１７９】
（合成例６：ポリマーＦ）
５００ｍＬの３つ口フラスコを窒素置換し、ＰＥＧＭＥＡ（３３．３ｇ）を入れ、７０℃に昇温した。その中に、メタクリル酸３−（トリメトキシシリル）プロピル（５．９６ｇ）、ｔ−ブチルアクリレート（２２．５６ｇ）、Ｖ−６０１（０．６９ｇ）、およびＰＥＧＭＥＡ（３３．３ｇ）の混合液を２時間かけて滴下した。滴下終了後、３時間反応を行い、ポリマーＦの３０ｗｔ％溶液（９５ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット：極性変換基ユニット＝１２：８８（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でＭｗ＝９．２万（Ｍｗ／Ｍｎ＝５．２）であった。
【０１８０】
（合成例７：ポリマーＧ）
５００ｍＬの３つ口フラスコを窒素置換し、ＰＥＧＭＥＡ（３０．３ｇ）を入れ、７０℃に昇温した。その中に、ジメチルアミノエチルアクリレート（３．４４ｇ）、ｔ−ブチルアクリレート（２２．５６ｇ）、Ｖ−６０１（０．６９ｇ）、およびＰＥＧＭＥＡ（３０．３ｇ）の混合液を２時間かけて滴下した。滴下終了後、３時間反応を行い、ポリマーＧの３０ｗｔ％溶液（８６．７ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット：極性変換基ユニット＝１２：８８（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でＭｗ＝１３万（Ｍｗ／Ｍｎ＝３．９）であった。
【０１８１】
（合成例８：ポリマーＨ）
５００ｍＬの三口フラスコに２−フェニル−２−プロパノール（和光純薬製）（２５ｇ）、トリエチルアミン（３０ｇ）、テトラヒドロフラン（１５０ｍＬ）を入れて氷浴にて冷却をした。反応溶液の内温１０℃以下になるように調節して、そこへ塩化アクリロイル（２５ｇ）を滴下した。その後、内温を室温（２５℃）まで上昇させて５時間反応させた。反応終了後、酢酸エチル３００ｍＬ、蒸留水１００ｍＬ追加した。その後、酢エチ層を飽和重曹水１００ｍＬで洗浄後、飽和食塩水１００ｍＬで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製しモノマーＢ（１０ｇ）を得た。
【０１８２】
【化２５】
2013028772.tif 000026
【０１８３】
５００ｍＬの３つ口フラスコを窒素置換し、ＰＥＧＭＥＡ（７．７ｇ）を入れ、６５℃に昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート（１．０ｇ）、モノマーＢ（１０．０ｇ）、Ｖ−６０１（０．１１ｇ）、およびＰＥＧＭＥＡ（１８．１ｇ）の混合液を４時間かけて滴下した。滴下終了後、４時間反応を行い、ポリマーＨの３０ｗｔ％溶液（３７ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット：極性変換基ユニット＝１２：８８（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でＭｗ＝１２．１万（Ｍｗ／Ｍｎ＝４.０）であった。
【０１８４】
（合成例９：ポリマーＩ）
５００ｍＬの三口フラスコに４−メトキシ−α−メチルベンジルアルコール(ALDRICH製)（２５ｇ）、トリエチルアミン（２６ｇ）、テトラヒドロフラン（１５０ｍＬ）を入れて氷浴にて冷却をした。反応溶液の内温１０℃以下になるように調節して、そこへ塩化アクリロイル（２２．３ｇ）を滴下した。その後、内温を室温（２５℃）まで上昇させて５時間反応させた。反応終了後、酢酸エチル３００ｍＬ、蒸留水１００ｍＬを追加した。その後、酢エチ層を飽和重曹水１００ｍＬで洗浄後、飽和食塩水１００ｍＬで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製しモノマーＣ（２０ｇ）を得た。
【０１８５】
【化２６】
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【０１８６】
５００ｍＬの３つ口フラスコを窒素置換し、トルエン（７．７ｇ）を入れ、６５℃に昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート（０．９４ｇ）、モノマ−Ｃ（１０．０ｇ）、Ｖ−６０１（０．１９ｇ）、およびトルエン（１７．７ｇ）の混合液を４時間かけて滴下した。滴下終了後、４時間反応を行い、ポリマーＩの３０ｗｔ％溶液（３６．７ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット：極性変換基ユニット＝１２：８８（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ＝７．６万（Ｍｗ／Ｍｎ＝４．２）であった。
【０１８７】
（合成例１０：ポリマーＪ）
５００ｍＬの三口フラスコに、アクリル酸（１７．９９ｇ）、１０−カンファースルホン酸（６ｍｇ）、ヘキサン（１００ｍＬ）を入れた。反応溶液の内温３０℃以下になるように調節して、そこへイソブチルビニルエーテル（２５ｇ）を滴下した。その後、室温（２５℃）で３時間反応させた。反応終了後、商品名キョーワード１０００(協和化学工業株式会社製)、商品名キョーワード２００(協和化学工業株式会社製)を用いて吸着処理を行い、ヘキサンを減圧留去し、モノマーＧ（４２ｇ）を得た。
【０１８８】
【化２７】
2013028772.tif 000028
【０１８９】
５００ｍＬの３つ口フラスコを窒素置換し、ＰＥＧＭＥＡ（４．６ｇ）を入れ、７０℃に昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート（１．０２ｇ）、モノマーＧ（９．１ｇ）、Ｖ−６０１（０．２０８ｇ）、およびＰＥＧＭＥＡ（１１．５ｇ）の混合液を２時間かけて滴下した。滴下終了後、３時間反応を行い、アセトニトリルで再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマーＪ（６ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット：極性変換基ユニット＝１２：８８（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でＭｗ＝６．２万（Ｍｗ／Ｍｎ＝２．９）であった。
【０１９０】
（合成例１１：ポリマーＫ）
５００ｍＬの三口フラスコに、シクロヘキサノール（１５ｇ）、ピリジン（１２．５ｇ）、アセトニトリル（１００ｍＬ）を入れて氷浴にて冷却をした。反応溶液の内温１０℃以下になるように調節して、そこへアセトニトリル（５０ｍＬ）に溶かしたｐ−スチレンスルホニルクロリド（２０ｇ）を滴下した。その後、内温を室温（２５℃）まで上昇させて５時間反応させた。反応終了後、酢酸エチル３００ｍＬ、蒸留水１００ｍＬを追加した。その後、酢エチ層を飽和重曹水１００ｍＬで洗浄後、飽和食塩水１００ｍＬで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製しモノマーＤ（２０ｇ）を得た。
【０１９１】
【化２８】
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【０１９２】
５００ｍＬの３つ口フラスコを窒素置換し、ＰＥＧＭＥＡ（１０．７ｇ）を入れ、５５℃に昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート（０．８５ｇ）、モノマーＤ（１４．４ｇ）、Ｖ−６５（０．１１ｇ）、およびＰＥＧＭＥＡ（２４．９ｇ）の混合液を２時間かけて滴下した。滴下終了後、３時間反応を行い、ポリマーＫの３０ｗｔ％溶液（５０．８ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット：モノマーＤユニット＝１０：９０（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でＭｗ＝８．６万（Ｍｗ／Ｍｎ＝３．８）であった。
【０１９３】
（合成例１２：ポリマーＬ）
５００ｍＬの三口フラスコにＮ−ヒドロキシフタルイミド（１５ｇ）、ピリジン（８．７ｇ）、アセトニトリル（１００ｍＬ）を入れて氷浴にて冷却をした。反応溶液の内温１０℃以下になるように調節して、そこへアセトニトリル（５０ｍＬ）に溶かしたｐ−スチレンスルホニルクロリド（２０ｇ）を滴下した。その後、反応溶液の内温を室温（２５℃）まで上昇させて５時間反応させた。反応終了後、反応溶液に酢酸エチル３００ｍＬ、蒸留水１００ｍＬを追加した。その後、酢エチ層を飽和重曹水１００ｍＬで洗浄後、飽和食塩水１００ｍＬで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製し、モノマーＦ（２２ｇ）を得た。
【０１９４】
【化２９】
2013028772.tif 000030
【０１９５】
５００ｍＬの３つ口フラスコを窒素置換し、ＰＥＧＭＥＡ（６．５ｇ）を入れ、６０℃に昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート（０．４３ｇ）、モノマーＦ（８．８９ｇ）、Ｖ−６５（０．０５５ｇ）、およびＰＥＧＭＥＡ（１５．２ｇ）の混合液を４時間かけて滴下した。滴下終了後、３時間反応を行い、ポリマーＬの３０ｗｔ％溶液（３０ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット：モノマーＦユニット＝１０：９０（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でＭｗ＝７．２万（Ｍｗ／Ｍｎ＝３．０）であった。
【０１９６】
（合成例１３：比較ポリマー１）
５００ｍＬの３つ口フラスコを窒素置換し、ＰＥＧＭＥＡ（１０ｇ）を入れ、６０℃に昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート（１．７１ｇ）、メタクリル酸イソブチル（１２．５１ｇ）、Ｖ−６０１（０．１８４ｇ）、およびＰＥＧＭＥＡ（２３．２ｇ）の混合液を４時間かけて滴下した。滴下終了後、４時間反応を行い、比較ポリマー１の３０ｗｔ％溶液（４７．６ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット：メタクリル酸イソブチルユニット＝１２：８８（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ＝８．８万（Ｍｗ／Ｍｎ＝３．５）であった。
なお、該比較ポリマー１中には、極性変換基が含まれない。
【０１９７】
（合成例１４：比較ポリマー２）
１０００ｍｌの三口フラスコに、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（３５ｇ）を入れ、窒素気流下、７５℃まで加熱した。そこへ、２−ヒドロキシエチルアクリレート（東京化成製）（６．６０ｇ）、ｔ−ブチルアクリレート（２９．１ｇ）、Ｖ−６０１（和光純薬製）（０．６５ｇ）のＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド３５ｇ溶液を、２．５時間かけて滴下した。滴下終了後、反応溶液を８０℃まで加熱し、更に３時間撹拌した。その後、室温まで、反応溶液を冷却した。
上記の反応溶液に、ジターシャリーブチルハイドロキノン（０．２９ｇ）、ジブチルチンジラウレート（０．２９ｇ）、カレンズＡＯＩ（昭和電工（株）製）（１８．５６ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（１９ｇ）を加え、５５℃、４時間反応を行った。その後、反応溶液にメタノールを３．６ｇ加え、更に１．５時間反応を行った。反応終了後、酢酸エチル：ヘキサン＝１：１で再沈を行い、固形物を取り出し、比較ポリマー２（３２ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、アクリロニトリルオキシユニット：極性変換基ユニット＝２０：８０（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ＝７．２（Ｍｗ／Ｍｎ＝２．４）であった。
なお、該比較ポリマー２中には、特定の架橋性基が含まれない。
【０１９８】
（合成例１５：比較ポリマー３）
１０００ｍｌの三口フラスコに、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（３５ｇ）を入れ、窒素気流下、７５℃まで加熱した。そこへ、２−ヒドロキシエチルアクリレート（東京化成製）（６．６０ｇ）、２−シアノエチルアクリレート（２８．４ｇ）、Ｖ−６０１（和光純薬製）（０．６５ｇ）のＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド３５ｇ溶液を、２．５時間かけて滴下した。滴下終了後、反応溶液を８０℃まで加熱し、更に３時間撹拌した。その後、室温まで、反応溶液を冷却した。
上記の反応溶液に、ジターシャリーブチルハイドロキノン（０．２９ｇ）、ジブチルチンジラウレート（０．２９ｇ）、カレンズＡＯＩ（昭和電工（株）製）（１８．５６ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（１９ｇ）を加え、５５℃、４時間反応を行った。その後、反応溶液にメタノールを３．６ｇ加え、更に１．５時間反応を行った。反応終了後、酢酸エチル：ヘキサン＝１：１で再沈を行い、固形物を取り出し、比較ポリマー３（３２ｇ）を得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、アクリロニトリルオキシユニット：シアノ基ユニット＝２０：８０（ｍｏｌ比）であった。また、重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ＝６．２（Ｍｗ／Ｍｎ＝２．３）であった。
なお、該比較ポリマー３中には、極性変換基および特定の架橋性基が含まれない。
【０１９９】
（合成例１６：比較ポリマー４）
５００ｍＬの３つ口フラスコを窒素置換し、ＰＥＧＭＥＡ（３０ｇ）、ｔ−ブチルアクリレート（１２．８ｇ）、およびＶ−６０１（０．３５ｇ）を入れ、６０℃に昇温し、５時間反応させ、比較ポリマー４の３０ｗｔ％溶液（４３ｇ）を得た。重量平均分子量は、ポリスチレン換算でＭｗ＝８．０万（Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１）であった。
なお、該比較ポリマー４中には、特定の架橋性基が含まれない。
【０２００】
上記合成例１〜１６で合成した各種ポリマーの構造式を以下にまとめて示す。
【０２０１】
【化３０】
2013028772.tif 000031
【０２０２】
【化３１】
2013028772.tif 000032
【０２０３】
＜実施例１＞
（工程（Ａ））
厚さ１８μｍの銅膜を片面に有する基板に、味の素ファインテクノ社製エポキシ系絶縁膜ＧＸ−１３（膜厚４０μｍ）を、真空ラミネーターにより０．２ＭＰａの圧力で１００〜１１０℃の条件により接着し、基板上に絶縁層を形成した。
【０２０４】
（被めっき層形成用組成物の調製）
上記で得られたポリマーＡの３０ｗｔ％溶液（３ｇ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（以下、ＭＦＧと略す）（７ｇ）を混合攪拌し、被めっき層形成用組成物Ｘを調製した。
【０２０５】
（被めっき層の形成）
調製された被めっき層形成用組成物Ｘを、被めっき層の厚さが１μｍになるように、絶縁層上にスピンコート法により塗布し、１５０℃で３０分間乾燥、硬化し、被めっき層を形成した。
得られた被めっき層の水に対する接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、型式：ＤＭ５００）を用いて測定したところ、８９°であり、疎水性であった。
【０２０６】
（工程（Ｂ））
クリーナーコンディショナー９０２（アトテックジャパン社製）（脱脂剤）に水酸化ナトリウムを加え、水酸化ナトリウムの濃度が４質量％になるように調製した。調製した液（ｐＨ：１３．６）に、工程（Ａ）で得られた被めっき層付き基板を６０℃にて１０分間浸漬し、その後純水で２回洗浄した。
なお、上記工程（Ｂ）の後に、アルカリ処理前後の被めっき層の残膜率を測定したところ、膜厚はほとんど変化していないことが確認された。アルカリ耐性は、以下の基準で評価した。結果を表１に示す。
「◎」被めっき層の膜厚がほとんど変化しなかった。  （残膜率９５％以上）
「○」被めっき層の大部分が残存していた。          （残膜率５０％以上９５％未満）
「△」被めっき層の一部が残存していた。            （残膜率２５％以上５０％未満）
「×」被めっき層がほぼ消失していた。              （残膜率２５％未満）
なお、被めっき層残膜率の測定方法としては、アルカリ処理前後（工程（Ｂ）前後）の被めっき層を有する基板を基板平面に対して垂直に切断し、断面をＳＥＭにより観察し、被めっき層の厚みを測定した。１つのサンプルにつき、３点を測定した平均値を用い、アルカリ処理前後の膜厚から残膜率（％）｛（アルカリ処理後の被めっき層の厚み／アルカリ処理前の被めっき層の厚み）×１００｝を測定した。
また上記工程（Ｂ）の後に、被めっき層の水に対する接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、型式：ＤＭ５００）を用いて測定したところ、アルカリ処理前後で接触角が変化していなかった。
【０２０７】
（工程（Ｃ））
工程（Ｂ）で得られた基板を、硫酸４０ｗｔ％を含む水溶液からなる酸処理水溶液（液温：９０℃）中に、攪拌を加えながら３０分間浸漬し、親水化処理を行なった。その後、基板を酸処理水溶液から取り出し、５０℃温水にて３分浸漬処理を行なった。
【０２０８】
ＡＴＲ−赤外分光光度計を用いて酸処理後の被めっき層のＩＲスペクトルを測定したところ、１３６７ｃｍ-1の極性変換基（三級エステル基）由来のピークが消失していることが確認され、新たに１７１０ｃｍ-1にカルボン酸基由来のピークが確認された。すなわち極性変換基が親水性基（カルボン酸基）へと変換していることが確認された。また酸処理後の被めっき層の水に対する接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、型式：ＤＭ５００）を用いて測定したところ３９°であり、被めっき層の接触角が低下していることが確認された。
以上より、酸処理によりカルボキシル基が生成し、被めっき層が親水化していることが確認された。
【０２０９】
（（Ｄ）工程）
（Ｃ）工程で得られた基板を、スルカップＡＣＬ−００９（上村工業株式会社製）の５ｗｔ％水溶液（液温：５０℃）に５分間浸漬し、浸漬後に純水にて２回洗浄した。その後、上記処理が施された基板を、Ｐｄ触媒付与液であるアクチベーターネオガント８３４（アトテックジャパン社製）に室温にて５分間浸漬し、浸漬後純水にて２回洗浄した。
【０２１０】
（（Ｅ）工程）
（無電解めっき）
次に、上記処理が施された基板を、Ｐｄ還元剤であるレデューサーネオガントＷＡ（アトテックジャパン社製）に３６℃にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。なお、上記処理を施すことにより被めっき層には、平均粒径１ｎｍのパラジウム粒子（無電解めっき触媒）が付与された。
その後、基板を、無電解めっき液であるプリントガントＰＶ（アトテックジャパン社製）（ｐＨ：１２．８、含有金属イオン：銅イオン、ニッケルイオン、還元剤：ホルムアルデヒド、還元剤の量：０．４５質量％（液全量に対して））に室温にて３０分浸漬して、被めっき層上に金属層（めっき層）を作製した。得られた金属層（無電解銅めっき層）の厚みは０．５μｍであった。
【０２１１】
（電解めっき）
得られた無電解銅めっき層付き基板に対し、以下のようにして、電気めっきを行った。電解めっき液として、水１２８３ｇ、硫酸銅５水和物１３５ｇ、９８％濃硫酸３４２ｇ、３６％濃塩酸０．２５ｇ、ＥＴ−９０１Ｍ（ロームアンドハース）３９.６ｇの混合溶液を用い、ホルダーを取り付けた基板と銅板を電源に接続し、３Ａ／ｄｍ2にて４５分間電解銅めっき処理を行い、約２０μｍの金属層を有する基板を得た。
【０２１２】
［評価：面状評価］
上記無電解めっき後の積層体を１００枚用意し、基板平面に対して垂直に切断した断面をＳＥＭにより観察し、金属層（めっき層）の厚みを測定した。めっき層厚の最大値と最小値の差をめっき層厚のばらつきとし、めっき層厚バラつきが１００ｎｍ以上の場合を不良と判定した。不良率（％）｛（不良と判断された枚数／１００）×１００｝を算出し、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。実用上、「◎」「○」であることが好ましい。
「◎」：不良率が０％以上５％未満のもの
「○」：不良率が５％以上１０％未満のもの
「△」：不良率が１０％以上２０％未満のもの
「×」：不良率が２０％以上のもの
「××」：めっきが析出しなかったもの
【０２１３】
［評価：めっき浴汚染性評価］
上記無電解めっきにおいて、無電解めっき液中に析出した銅粉の有無を評価した。結果を表１に示す。実用上、「○」であることが好ましい。
「○」：１００枚めっき時にも無電解めっき液中に銅粉の析出が認められなかった。
「△」：５０枚〜９９枚めっき時に無電解めっき液中に銅粉が析出した。
「×」：１枚〜４９枚めっき時に無電解めっき液中に銅粉が析出した。
【０２１４】
［評価：密着性評価］
電解銅めっき処理後の金属層付き基板に、１８０℃にて１時間の熱処理を施した。その後、得られた金属層に５ｍｍの間隔を開けて、平行に１３０ｍｍの切り込みを入れ、その端部をカッターにて切り込みを入れ１０ｍｍ立ち上げた。引張試験機（(株)エー・アンド・ディー製、ＲＴＭ−１００）を用いて、剥がした金属層端部をつかんで９０°ピール強度を測定した（引張速度１０ｍｍ／ｍｉｎ）。結果を表１に示す。実用上、「○」「△」であることが好ましい。
評価基準は以下の通りである。
「○」：ピール強度が０．６０ｋＮ／ｍ以上である
「△」：ピール強度が０．３０ｋＮ／ｍ以上０．６０ｋＮ／ｍ未満である
「×」：ピール強度が０．１０ｋＮ／ｍ以上０．３０ｋＮ／ｍ未満である
「××」：めっきが析出せず、金属層が得られなかった。
【０２１５】
＜実施例２＞
ポリマーＡの３０ｗｔ％溶液の代わりにポリマーＢの３０ｗｔ％溶液を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表１にまとめて示す。
【０２１６】
＜実施例３＞
ポリマーＡの代わりにポリマーＣを使用し、被めっき層の形成を以下の手順に変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表１にまとめて示す。
【０２１７】
［被めっき層の形成］
ポリマーＣ（１ｇ）、ＭＦＧ（９ｇ）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ２９５９（０．０５ｇ）を混合攪拌し、被めっき層形成用組成物を調製した。
調製された被めっき層形成用組成物を、被めっき層の厚さが１μｍになるように、絶縁層上にスピンコート法により塗布し、１５０℃で２０分間乾燥した。その後、ＵＶ露光機（型番：（株）三永電機製作所製  型番：ＵＶＦ−５０２Ｓ、ランプ：ＵＸＭ−５０１ＭＤ）を用い、１０ｍＷ／ｃｍ2の照射パワー（ウシオ電機（株）製紫外線積算光量計ＵＩＴ１５０−受光センサーＵＶＤＳ２５４で照射パワー測定）にて５００秒間、露光し硬化させ、被めっき層を形成した。
【０２１８】
＜実施例４＞
被めっき層形成用組成物Ｘの代わりに、ポリマーＤの３０ｗｔ％溶液（４ｇ）、架橋剤として１，４−ブチレングリコールジグリシジルエーテル（０．１２ｇ）、およびＭＦＧ（６ｇ）を混合攪拌して得られる被めっき層形成用組成物を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表１にまとめて示す。
【０２１９】
＜実施例５＞
被めっき層形成用組成物Ｘの代わりに、ポリマーＥの３０ｗｔ％溶液（４ｇ）、架橋剤としてトリレン−２，４−ジイソシアナート（０．２０ｇ）、およびＭＦＧ（６ｇ）を混合攪拌して得られる被めっき層形成用組成物を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表１にまとめて示す。
【０２２０】
＜実施例６＞
被めっき層形成用組成物Ｘの代わりに、ポリマーＦの３０ｗｔ％溶液（４ｇ）、架橋剤としてテトラメトキシシラン（０．１６ｇ）、およびＭＦＧ（６ｇ）を混合攪拌して得られる被めっき層形成用組成物を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表１にまとめて示す。
【０２２１】
＜実施例７＞
被めっき層形成用組成物Ｘの代わりに、ポリマーＧの３０ｗｔ％溶液（４ｇ）、架橋剤として１，４−ビス（クロロメチル）ベンゼン（０．１０ｇ）、およびＭＦＧ（６ｇ）を混合攪拌して得られる被めっき層形成用組成物を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表１にまとめて示す。
【０２２２】
＜実施例８＞
ポリマーＡの３０ｗｔ％溶液の代わりにポリマーＨの３０ｗｔ％溶液を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表１にまとめて示す。
【０２２３】
＜実施例９＞
ポリマーＡの３０ｗｔ％溶液の代わりにポリマーＩの３０ｗｔ％溶液を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表１にまとめて示す。
【０２２４】
＜実施例１０＞
ポリマーＡの代わりにポリマーＪを使用し、被めっき層の形成を以下の手順に変更し、さらに上記工程（Ｃ）の代わりに下記工程（Ｃ１）を実施した以外は、実施例１と同様の手順に従って積層体を製造した。評価結果を表１にまとめて示す。
【０２２５】
［被めっき層の形成］
ポリマーＪ（１ｇ）、ＴＨＦ（９ｇ）、トリメチルヘキサメチレンジアミン（３０ｍｇ）を混合攪拌し、被めっき層形成用組成物を調製した。
調製された被めっき層形成用組成物を、被めっき層の厚さが１μｍになるように、絶縁層上にスピンコート法により塗布し、８０℃で３０分間乾燥し、被めっき層を形成した。
【０２２６】
［工程（Ｃ１）］
工程（Ｂ）で得られた基板を１５０℃で３０分熱ベークした。
ＡＴＲ−赤外分光光度計を用いて熱処理後の被めっき層のＩＲスペクトルを測定したところ、１１４１ｃｍ-1の極性変換基（アセタール基）由来のピークが消失していることが確認され、新たに１７１０ｃｍ-1にカルボン酸基由来のピークが確認された。すなわち極性変換基が親水性基（カルボン酸基）へと変換していることが確認された。また酸処理後の被めっき層の水に対する接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、型式：ＤＭ５００）を用いて測定したところ４０°であり、被めっき層の接触角が低下していることが確認された。
以上より、加熱処理によりカルボン酸基が生成し、被めっき層が親水化していることが確認された。
【０２２７】
＜実施例１１＞
ポリマーＡの代わりにポリマーＫを用い、被めっき層の形成を以下の手順に変更し、工程（Ｃ）の代わりに以下の工程（Ｃ２）を実施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果は表１にまとめて示す。
【０２２８】
［被めっき層の形成］
ポリマーＫの３０ｗｔ％溶液（３ｇ）、ＴＨＦ（７ｇ）を混合攪拌し、被めっき層形成用組成物を調製した。
調製された被めっき層形成用組成物を、被めっき層の厚さが１μｍになるように、絶縁層上にスピンコート法により塗布し、８０℃で２０分間乾燥し、被めっき層を形成した。
【０２２９】
（工程（Ｃ２））
工程（Ｂ）で得られた基板を、１５０℃で３０分間熱ベークした。ＡＴＲ−赤外分光光度計を用いて熱処理後の被めっき層のＩＲスペクトルを測定したところ、１３６７ｃｍ-1の極性変換基（三級エステル基）由来のピークが消失していることが確認され、新たに１７１０ｃｍ-1にカルボン酸基由来のピークが観測され、さらに１０３０ｃｍ-1および１０００ｃｍ-1にスルホン酸基の吸収が観測された。すなわち極性変換基が親水性基（カルボン酸基とスルホン酸基）へと変換していることが確認された。熱べーク後の被めっき層の接触角は５０°であり、被めっき層が親水化していることが確認された。
以上より、熱ベークによりスルホン酸基、カルボン酸基が生成し、被めっき層が親水化していることが確認された。
【０２３０】
＜実施例１２＞
ポリマーＡの代わりにポリマーＬを使用し、被めっき層の形成を以下の手順に変更し、さらに上記工程（Ｃ）の代わりに下記工程（Ｃ３）を実施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、多層基板を製造した。各種測定結果を表１にまとめて示す。
【０２３１】
［被めっき層の形成］
ポリマーＬの３０ｗｔ％溶液（３ｇ）、ＴＨＦ（７ｇ）を混合攪拌し、被めっき層形成用組成物を調製した。
調製された被めっき層形成用組成物を、被めっき層の厚さが１μｍになるように、絶縁層上にスピンコート法により塗布し、８０℃で２０分間乾燥して、被めっき層を形成した。
【０２３２】
［工程（Ｃ３）］
工程（Ｂ）で得られた基板を、１５０ＵＶ露光機（型番：（株）三永電機製作所製  型番：ＵＶＦ−５０２Ｓ、ランプ：ＵＸＭ−５０１ＭＤ）を用い、１０ｍＷ／ｃｍ2の照射パワー（ウシオ電機（株）製紫外線積算光量計ＵＩＴ１５０−受光センサーＵＶＤＳ２５４で照射パワー測定）にて１００秒間露光した後、９０℃で５分間加熱を行った。
ＡＴＲ−赤外分光光度計を用いて熱処理後の被めっき層のＩＲスペクトルを測定したところ、１３６７ｃｍ-1の極性変換基（三級エステル基）由来のピークが消失していることが確認され、新たに１７１０ｃｍ-1にカルボン酸基由来のピークが観測され、さらに１０３０ｃｍ-1および１０００ｃｍ-1にスルホン酸基の吸収が観測された。すなわち極性変換基が親水性基（カルボン酸基とスルホン酸基）へと変換していることが確認された。熱べーク後の被めっき層の接触角は５２°であり、被めっき層が親水化していることが確認された。
以上より、熱ベークによりスルホン酸基、カルボン酸基が生成し、被めっき層が親水化していることが確認された。
【０２３３】
＜実施例１３＞
被めっき層の形成を以下の手順に変更し、さらに上記工程（Ｃ）の代わりに下記工程（Ｃ４）を実施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、多層基板を製造した。各種測定結果を表１にまとめて示す。
【０２３４】
［被めっき層の形成］
ポリマーＡの３０ｗｔ％溶液（３ｇ）、ＴＨＦ（７ｇ）、トリフェニルスルホニウムトリフラート０．１５ｇを混合攪拌し、被めっき層形成用組成物を調製した。
調製された被めっき層形成用組成物を、被めっき層の厚さが１μｍになるように、絶縁層上にスピンコート法により塗布し、１００℃で２０分間乾燥させ、被めっき層を形成した。
【０２３５】
［工程（Ｃ４）］
上記被めっき層に対し、ＵＶ露光機（型番：（株）三永電機製作所製  型番：ＵＶＦ−５０２Ｓ、ランプ：ＵＸＭ−５０１ＭＤ）を用い、１０ｍＷ／ｃｍ2の照射パワー（ウシオ電機（株）製紫外線積算光量計ＵＩＴ１５０−受光センサーＵＶＤＳ２５４で照射パワー測定）にて１００秒間露光した。ＡＴＲ−赤外分光光度計を用いて露光、熱処理後の被めっき層のＩＲスペクトルを測定したところ、１３６７ｃｍ-1の極性変換基（三級エステル基）由来のピークが消失していることが確認され、新たに１７１０ｃｍ-1にカルボン酸基由来のピークが確認された。すなわち極性変換基が親水性基（カルボン酸基）へと変換していることが確認された。また酸処理後の被めっき層の水に対する接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、型式：ＤＭ５００）を用いて測定したところ４８°であり、被めっき層の接触角が低下していることが確認された。
【０２３６】
＜比較例１＞
ポリマーＡの３０ｗｔ％溶液の代わりに比較ポリマー１の３０ｗｔ％溶液を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果は表１にまとめて示す。
【０２３７】
＜比較例２＞
ポリマーＡの３０ｗｔ％溶液の代わりに比較ポリマー２（０．９ｇ）を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果は表１にまとめて示す。
【０２３８】
＜比較例３＞
ポリマーＡの３０ｗｔ％溶液の代わりに比較ポリマー３（０．９ｇ）を用い、工程（Ｃ）を実施しなかった以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果は表１にまとめて示す。
なお、（Ｂ）工程後の被めっき層の水に対する接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、型式：ＤＭ５００）を用いて測定したところ、３８°であり、アルカリ処理により被めっき層が親水化されていることが確認されたため、工程（Ｃ）は実施しなかった。
【０２３９】
＜比較例４＞
ポリマーＡの３０ｗｔ％溶液の代わりに比較ポリマー４の３０ｗｔ％溶液を用いた以外は、実施例１３と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果は表１にまとめて示す。
【０２４０】
＜比較例５＞
工程（Ｃ）を行わなかった以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果は表１にまとめて示す。
【０２４１】
【表１】
2013028772.tif 000033
【０２４２】
表１より、本発明の被めっき層形成用組成物を用いて製造した積層体は、めっきムラが少なく、めっき時のめっき浴の汚染性も抑制されていることが分かる。また、金属層の密着性にも優れていた。
さらに、水接触角の値から、本発明の被めっき層形成用組成物を用いて形成した被めっき層は、極性変換工程によって疎水性から親水性に変化していることが確認された。
【０２４３】
すなわち本発明では、アルカリ水溶液に対する耐性の高い特定の架橋性基を導入すると共に、アルカリ水溶液との接触を行う際には、被めっき層中の極性変換基の極性を疎水性にしておき、被めっき層の疎水性を高め、アルカリ水溶液に対する耐性を付与する。アルカリ水溶液との接触後には、極性変換基の極性を所定の処理により疎水性から親水性へ変換し、被めっき層をより親水性にして、その後のめっき触媒液やめっき液などに対する親和性を高める。結果として、めっき液の汚染を抑制しつつ、めっきムラの少ない金属層を有する積層体を得ることができる。
【０２４４】
実施例１、実施例２、実施例５、実施例６、実施例８、および実施例９の結果から分かるように、架橋性基がエポキシ基、オキセタニル基、ヒドロキシル基またはアルコキシシリル基であり、極性変換基が上記一般式（１）または（２）で表される基である場合、めっきムラがより抑制されることが確認された。
また、実施例１１および１２と、他の実施例との比較より、極性変換基が一般式（１）〜（３）のいずれかで表される基の場合、金属層の密着性がより優れることが確認された。
【０２４５】
一方、極性変換基を有さない比較ポリマー１を使用した比較例１では、めっき層自体が析出しなかった。
所定の架橋性基を有さない比較ポリマー２（アクリロイルオキシ基含有ポリマー）を使用した比較例２では、めっきムラおよびめっき浴汚染性に劣っていた。
特許文献１に記載の比較ポリマー３を使用した比較例３では、めっきムラおよびめっき浴汚染性に劣っていた。
架橋性基を有さない比較ポリマー４を使用した比較例４では、めっきムラおよびめっき浴汚染性に劣っていた。
実施例１と同じポリマーＡを用いた場合であっても、工程（Ｃ）（極性変換工程）を行わなかった比較例５では、めっきが析出しなかった。
【０２４６】
＜実施例１４＞
実施例１で得られた金属層を有する積層体に対し１８０℃／１時間の熱処理を行なった後、該積層体の金属層表面に、ドライレジストフィルム（日立化成（株）製；ＲＹ３３１５、膜厚１５μｍ）を真空ラミネーター（（株）名機製作所製：ＭＶＬＰ−６００）で７０℃、０．２ＭＰａでラミネートした。次いで、ドライレジストフィルムがラミネートされた積層体に、ＪＰＣＡ−ＥＴ０１に定める櫛型配線（ＪＰＣＡ−ＢＵ０１−２００７準拠）が形成できるガラスマスクを密着させ、レジストを中心波長４０５ｎｍの露光機にて７０ｍＪの光エネルギーを照射した。露光後の積層体に、１％Ｎａ2ＣＯ3水溶液を０．２ＭＰａのスプレー圧で噴きつけ、現像を行なった。その後、積層体の水洗・乾燥を行い、金属膜上に、サブトラクティブ法用のレジストパターンを形成した。
レジストパターンを形成した積層体を、ＦｅＣｌ3／ＨＣｌ水溶液（エッチング液）に温度４０℃で浸漬することによりエッチングを行い、レジストパターンの非形成領域に存在する金属層を除去した。その後、３％ＮａＯＨ水溶液を０．２ＭＰａのスプレー圧で積層体上に噴き付けることで、レジストパターンを膨潤剥離し、１０％硫酸水溶液で中和処理を行い、水洗することで櫛型配線（パターン状金属膜）を得た。得られた配線は、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／７５μｍであった。
【０２４７】
さらに、パターン状銅金属層を有する積層体に対して、ソルダーレジスト（ＰＦＲ８００；太陽インキ製造（株）製）を１１０℃、０．２ＭＰａの条件で真空ラミネートし、中心波長３６５ｎｍの露光機にて４２０ｍＪの光エネルギーを照射した。
次いで、積層体を８０℃／１０分間の加熱処理を施した後、ＮａＨＣＯ3：１０％水溶液を、スプレー圧２ｋｇ／ｍ2で積層体表面に付与することで現像し、乾燥した。その後、再度、中心波長３６５ｎｍの露光機にて１０００ｍＪの光エネルギーを、積層体に対して照射した。最後に１５０℃／１ｈｒの加熱処理を行ない、ソルダーレジストで被覆された配線基板を得た。
【符号の説明】
【０２４８】
１０：基板
１２：被めっき層
１４：金属層
１６：積層体
１８：パターン状金属層
２０：絶縁層
【図１】
2013028772.tif 000043
【図２】
2013028772.tif 000044