(57)【要約】      （修正有）【課題】段階的熱膨張パラメータを有する熱分散部を使用した集積回路（ＩＣ）デバイスの製造方法と、該ＩＣデバイスを組み込んだシステムを提供する。【解決手段】ダイ１０８と、第１の熱膨脹率（ＣＴＥ）を有する第１の層１３６と、前記第１のＣＴＥより大きな第２のＣＴＥを有する第２の層１４０とを有し、前記ダイが前記第１の層１３６に接続されている熱分散部１１２と、前記熱分散部１１２の第２の層１４０に接続されたヒートシンク１２０と、を備える【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイと、
第１の熱膨脹率（ＣＴＥ）を有する第１の層と、前記第１のＣＴＥより大きな第２のＣＴＥを有する第２の層とを有し、前記ダイが前記第１の層に接続されている熱分散部と、
前記熱分散部の第２の層に接続されたヒートシンクと、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記熱分散部は、前記第１の層と第２の層間に配置され、前記第１のＣＴＥおよび第２のＣＴＥ間の中間の大きさの第３のＣＴＥを有する第３の層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
電子部品は第３のＣＴＥを有し、前記第１のＣＴＥは前記第３のＣＴＥと一致することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ヒートシンクは第３のＣＴＥを有し、前記第２のＣＴＥは前記第３のＣＴＥと一致することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記熱分散部は、複数のネジで前記ヒートシンクに接続されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記熱分散部は、熱負荷の印加時に、熱分散部が複数のネジで前記ヒートシンクに接続されていることによって生ずる反りに対抗する反りを呈するように構成されることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記熱分散部は、はんだ層によって前記ヒートシンクに接続されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第１のＣＴＥは前記ダイの第３のＣＴＥと一致し、前記第２のＣＴＥは前記ヒートシンクの第４のＣＴＥと一致することを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第１のＣＴＥは約４〜７ｐｐｍ／℃の範囲にあり、前記第２のＣＴＥは約１４〜２８ｐｐｍ／℃の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
熱分散部の、第１の熱膨張率（ＣＴＥ）を有する第１の層を準備するステップと、
前記熱分散部の、前記第１のＣＴＥより小さな第２のＣＴＥを有する第２の層を前記第１の層に接続するステップと、
ダイを前記第２の層に接続するステップと、
ヒートシンクを前記第１の層に接続するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記第２の層を前記第１の層に接続するステップは、
前記第１の層上に前記第２の層を形成するステップを備えることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の層上に前記第２の層を形成するステップは、
蒸着プロセスにより前記第１の層上に前記第２の層を蒸着するステップを備えることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の層を前記第１の層に接続するステップは、
前記第２の層を前記第１の層に取付けるステップを備えることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の層を前記第１の層に取付けるステップは、
前記第１の層上で前記第２の層をローラで伸ばして、前記第１の層に前記第２の層を積層するステップを備えることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の層を前記第１の層に取付けるステップは、
充填材料を用いて、前記第２の層を前記第１の層にろう付けするステップを備えることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の層と前記第２の層間に、１層または複層の中間層を接続するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記ヒートシンクを前記第１の層に接続するステップは、
前記ヒートシンクを、複数のネジで前記熱分散部を含むパッケージに接続するステップを備えることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
前記ヒートシンクを前記第１の層に接続するステップは、
前記ヒートシンクを前記第１の層にはんだ付けするステップを備えることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
無線周波数（ＲＦ）信号を提供するトランシーバと、
前記トランシーバからの前記ＲＦ信号を受信して無線用に増幅する電力増幅モジュールと、
段階的熱膨張パラメータを有してダイおよびヒートシンクに接続された熱分散部を有し、前記トランシーバまたは前記電力増幅モジュール内に配置される集積回路（ＩＣ）デバイスと、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２０】
前記熱分散部は、
前記ダイに接続され、第１の熱膨張率（ＣＴＥ）を有する第１の層と、
前記ヒートシンクに接続され、前記第１のＣＴＥより大きな第２のＣＴＥを有する第２の層と、
を備えることを特徴とする請求項１９に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、広くは集積回路分野に関し、具体的には集積回路に使用される段階的熱膨張パラメータを有する熱分散部に関する。
【背景技術】
【０００２】
高出力マイクロエレクトロニクスパッケージは、高密度の熱エネルギーを放散する。該パッケージの基材には金属製の熱分散部が使用されており、該パッケージは、ネジでヒートシンクに取付けられることが多い。この金属製熱分散部をネジでヒートシンクに取付けることによって、熱分散部がヒートシンクに固定される。プレートは、その周囲の複数の場所で固定されると中央部に反りが生じ、その結果、接していることが望ましい点において、熱分散部がヒートシンクから分離し得る。この反りのために、非常に高熱流束の部分の熱経路を切断するエアギャップが形成され得る。これによって動作温度が上がり、製品不良のリスクも上昇し得る。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
以下の詳細な説明と添付図面とによって実施形態は容易に理解されるであろう。説明を容易にするために、同じ符号は同じ構成要素を示す。実施形態は例示として示されるものであり、添付図面の形状を限定するものではない。
【０００４】
【図１】図１（ａ）、図１（ｂ）はそれぞれ、種々の実施形態による集積回路（ＩＣ）デバイスの横断面斜視図および側面図である。
【０００５】
【図２】図２（ａ）、図２（ｂ）はそれぞれ、種々の実施形態によるＩＣデバイスの横断面斜視図および側面図である。
【０００６】
【図３】種々の実施形態によるＩＣデバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【０００７】
【図４】種々の実施形態によるＩＣデバイスを備えるシステムの例を示す。
【詳細な説明】
【０００８】
本開示の実施形態によって、段階的熱膨張パラメータを有する熱分散部が提供される。こうしたパラメータによって、熱分散部とダイ（ｄｉｅ）およびヒートシンクとの接続が容易になり得る。さらに、これらのパラメータによって、ダイからヒートシンクへの熱エネルギー移動を可能にする低熱抵抗の強固な熱チャンネルの存在が容易になり得る。こうした熱分散部を有する集積回路（ＩＣ）デバイスの製造方法と、該ＩＣデバイスを組み込んだシステムが開示される。
【０００９】
以下の詳細な説明では、本明細書の一部を成す添付図面を参照する。図面中、同じ符号は同じ部品を示し、本開示の主題が実施された実施形態が例示として示される。他の実施形態を用いることも可能であり、また、構造や論理的な変更が本開示の範囲を逸脱することなく可能であることは理解されるべきである。従って、以下の詳細な説明は限定的な意味で捉えられるものではなく、実施形態の範囲は、添付の請求項およびその均等物によって画定されるものである。
【００１０】
本開示の目的のために、「ＡおよびまたはＢ」は、（Ａ）、（Ｂ）または（ＡおよびＢ）を意味する。本開示の目的のために、「Ａ、ＢおよびまたはＣ」は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（ＡおよびＢ）、（ＡおよびＣ）、（ＢおよびＣ）または（Ａ、ＢおよびＣ）を意味する。
【００１１】
以下の説明では、「ある実施形態では」または「実施形態では」が使用されるが、これらはそれぞれ、１つまたは複数の同じであっても異なっていてもよい実施形態を指す。また、本開示の実施形態に関して使用される「備える」、「含む」、「有する」などは同意語である。また、「接続された」は、直接接続、間接接続あるいは間接的な伝達を指す。
【００１２】
「接続された」とその派生語も本明細書で使用されるが、この「接続された」は、以下の１つまたは複数を指す。すなわち、２つ以上の要素が直接物理的または電気的に接触しているか、あるいは、２つ以上の要素が互いに間接的に接触し、さらには互いに協働もしくは相互作用しているか、あるいは、互いに接続しているとされる要素間に、１つまたは複数の他の要素が接続されている、ことを意味する。
【００１３】
図１（ａ）および図１（ｂ）はそれぞれ、種々の実施形態による集積回路（ＩＣ）デバイス１００の横断面斜視図および側面図である。ＩＣデバイス１００は、熱分散部１１２と接続した１つまたは複数のダイ１０８を有するマイクロエレクトロニクスパッケージ（以下、「パッケージ」）１０４を備えていてもよい。ダイ１０８は、熱分散部１１２の層１３６と接続されていてもよい。一部の実施形態では、ダイ１０８はダイヤモンドまたは他のタブ（ｔａｂ）と接続され、その組立部が層１３６と接続されていてもよい。
【００１４】
図１（ａ）と図１（ｂ）の配置を前提として、層１３６は「最上層１３６」とも呼ばれ得る。ダイ１０８は、その中に集積回路を有しており、広範な半導体素材の任意のもので構成されてもよい。一部の実施形態では、ダイ１０８は、例えば電界効果トランジスタを含むモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）であってもよく、これに限定されないが、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）または窒化ガリウム（ＧａＮ）などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料で形成されてもよい。
【００１５】
パッケージ１０４は、熱分散部１１２の周囲に設けられたリング（ｒｉｎｇ）１１６をさらに含んでいてもよい。リング１１６に、リッド（ｌｉｄ）１１８（図１（ｂ）に示す）の取付機構を設けてもよい。リング１１６は、これに限定されないが、セラミック、コバール、銅などの材料で構成されてもよい。
【００１６】
ＩＣデバイス１００は、パッケージ１０４に接続されたヒートシンク１２０をさらに含んでいてもよい。より具体的には、ヒートシンク１２０は、熱分散部１１２の層１４０と接続されてもよい。図１（ａ）と図１（ｂ）の配置を前提として、層１４０６は「最下層１４０」とも呼ばれ得る。ヒートシンク１２０は、これに限定されないが、銅、アルミニウム、グラファイト発泡体、複合材料などの熱伝導材料で構成されてもよい。
【００１７】
ヒートシンク１２０は、複数のネジ１２４でパッケージ１０４に接続されてもよい。他の実施形態では、ヒートシンク１２０とパッケージ１０４との接続には、これに限定されないが、クランプ、リベット、はんだなどの他の取付機構を用いてもよい。ネジ１２４は、パッケージ１０４のコーナー部に配置されてもよい。一部の実施形態では、熱分散部１１２とヒートシンク１２０の間に、放熱材料（ＴＩＭ）が配置されてもよい。該ＴＩＭには、これに限定されないが、熱グリース、熱伝導性ゲルパッド、あるいは、例えばインジウムシムなどのシムが含まれ得る。
【００１８】
図１（ｂ）の矢印１２８で示されるように、作動中のダイ１０８からの熱は、熱分散部１１２を通ってヒートシンク１２０に移動し得る。ダイ１０８からヒートシンク１２０までの熱チャンネル全体を低熱抵抗とすることにより、ダイ１０８の作動に伴って発生する高密度の熱エネルギーの放散が促進され得る。パッケージ１０４をネジ１２４でヒートシンク１２０に接続する場合、パッケージ１０４のコーナー部をヒートシンク１２０に固定すると、パッケージ１０４の中央部１３２が上向きに反り得る。この上向きの反りによって、パッケージ１０４とヒートシンク１２０間にエアギャップが生じ、ダイ１０８直下の高熱流速に繋がる熱チャンネルを切断し得る。
【００１９】
本発明の種々の実施形態によって、この顕著な上向きの反りに対抗する熱分散部１１２が提供される。特に、ある実施形態では、熱分散部１１２は、段階的熱膨張率（ＣＴＥ）などの段階的熱膨張パラメータを有するように構成される。本明細書での「段階的熱膨張パラメータ」とは、例えばダイ１０８が接続される最上層１３６の表面などの第１の主面から、例えばヒートシンク１２０が接続される最下層１４０の表面などの第２の主面まで、熱分散部１１２のパラメータが段階的に増加または減少することを意味する。
【００２０】
例えば、熱分散部１１２は、例えば第１のＣＴＥなどの第１の熱膨張パラメータを有する層１３６（「最上層１３６」とも呼ぶ）と、例えば第２のＣＴＥなどの第２の熱膨張パラメータを有する層１４０（「最下層１４０」とも呼ぶ）と、を有していてもよい。一部の実施形態では、第２のＣＴＥは第１のＣＴＥより大きくてもよい。一部の実施形態では、例えば、第１のＣＴＥは約４〜７ｐｐｍ／℃であり、第２のＣＴＥは約１４〜２８ｐｐｍ／℃であってもよい。
【００２１】
熱分散部１１２に熱負荷がかかると、最下層１４０は、最上層１３６に比べて大きく膨張し得る。これによって、パッケージ１０４のコーナー部をヒートシンク１２０に固定したことで生じる上向きの反りに、部分的または全面的に対抗する中央部１３２の下向きの反りが生じ得る。
【００２２】
段階的熱膨張パラメータによって生じる中央部１３２の下向きの反りによって、中央部１３２における熱分散部１１２とヒートシンク１２０間の圧力が上昇し得る。これによって、ダイ１０８からヒートシンク１２０までの熱チャンネル全体が好適な低熱抵抗を有し得る。これによって次には、ダイ１０８の作動温度が下がる。
【００２３】
一部の実施形態では、中央部１３２における接触圧の上昇によって、ＴＩＭの使用量を少なくするか、あるいは全く使用しないこともでき得る。ＴＩＭの使用量を低減あるいは０とすることによって、高出力用途でのＴＩＭ使用に伴う信頼性の問題を低減あるいは解消し得る。
【００２４】
一部の実施形態では、最上層１３６と最下層１４０の厚みはそれぞれ、０．００５インチ〜０．０１５インチおよび０．０１５インチ〜０．０５０インチであってもよい。一部の実施形態では、熱分散部１１２の複数の層の相対的な厚みを調整して、中央部１３２の下向きの反りを好適なものにできる。
【００２５】
種々の実施形態では、最上層１３６と最下層１４０は、これに限定されないが、銅、アルミニウム、グラファイト発泡体、タングステン、モリブデン、複合材料（例えば、銅−タングステン擬合金、アルミニウムシリコンカーバイド、ダイヤモンドと銅−銀合金マトリックス、酸化ベリリウムとベリリウムマトリックス、銅モリブデン等）などの熱伝導材料で構成されてもよい。
【００２６】
一部の実施形態では、最上層１３６と最下層１４０の材料および厚みは、所望の反りが得られるように選択され得る。例えば、小さな反りが好適な実施形態では、最上層１３６は、剛性が銅に比べて約３倍大きいタングステンの比較的厚い層とし、最下層１４０は、銅の比較的薄い層とすることができる。
【００２７】
一部の実施形態では、最上層１３６のＣＴＥをダイ１０８のＣＴＥに一致させ、最下層１４０のＣＴＥをヒートシンク１２０のＣＴＥに一致させてもよい。１つのＣＴＥが別のものと一致するかどうかは、接触面積に依存し得る。ＣＴＥを一致させるには、面積が増えるほど、それらを互いにより近似させる必要があり得る。本明細書では、第１のＣＴＥが第２のＣＴＥの５ｐｐｍ／℃以内であれば、第１のＣＴＥは第２のＣＴＥに一致すると考えられる。隣接する要素間のＣＴＥを一致させることによって、これらの要素間の接続信頼性が向上し得る。
【００２８】
一部の実施形態では、例えば、ろう接合部などの２つの隣接する要素間の界面でのＣＴＥが一致することが望ましいものであり得る。一部の実施形態では、所望の界面ＣＴＥを得るために、隣接する要素／層のＣＴＥは、界面ＣＴＥに達しなくてもあるいは通り越してもよい。
【００２９】
熱分散部１１２は、それぞれの熱膨張パラメータを有する２つの層を有するように示されているが、他の実施形態では、最上層１３６と最下層１４０間に、１層または複層の中間層を備えていてもよい。これらの中間層は、それぞれの膨張パラメータを有していてもよい。一部の実施形態では、これらの中間層によって、最上層１３６の熱膨張パラメータから最下層１４０の熱膨張パラメータまでの段階的な推移が促進され得る。熱膨張パラメータが段階的に推移することによって、熱サイクルによって生じ得る中間層応力が低減され得る。
【００３０】
すべての実施形態において、熱分散部１１２の複数の層は明確に区別されなくてもよい。例えば、層１３６と層１４０は、これに限定されないが、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、イオン注入、アニーリング等の製造方法によって、同じまたは同様な材料で構成されてもよく、しかしながら、互いに異なるそれぞれの熱膨張パラメータを有していてもよい。
【００３１】
段階的熱膨張パラメータを有する熱分散部１１２を提供する実施形態について説明したが、他の実施形態では、同様な段階的パラメータを有する他の要素が付加的またはその代わりに提供されてもよい。一部の実施形態では、例えば、ヒートシンク１２０が段階的熱膨張パラメータを有していてもよく、それは、ヒートシンク１２０の底面に別のヒートシンクが取付けられる場合に有用であり得る。
【００３２】
種々の実施形態では、熱分散部１１２およびまたはヒートシンク１２０に電気的相互接続が提供されてもよい。この電気的相互接続によって、ダイ１０８を互いに電気的に接続してもよく、およびまたは、ダイ１０８と、ＩＣデバイス１００の外部、例えばＩＣデバイス１００が接続された回路基板上に設けられた１つまたは複数の電気部品とを電気的に接続してもよい。
【００３３】
図２（ａ）および図２（ｂ）はそれぞれ、種々の実施形態によるＩＣデバイスの横断面透視図および側面図である。ＩＣデバイス１００と同様に、ＩＣデバイス２００は、第１の表面でダイ２０８に接続され、第２の表面でヒートシンク２２０に接続された熱分散部２１２を有するパッケージ２０４を備えていてもよい。熱分散部２１２は、上記に説明したものと同様の、それぞれの熱膨張パラメータを有する層２３６および層２４０（それぞれ「最上層２３６」および「最下層２４０」とも呼ぶ）を含んでいてもよい。
【００３４】
ＩＣデバイス１００と異なり、ＩＣデバイス２００は、ネジではなく、はんだ層２４４によってヒートシンク２２０に接続されてもよい。最下層２４０のＣＴＥをヒートシンク２２０のそれに少なくとも部分的に一致させることによって、はんだ層２４４の使用が可能となり得る。はんだ層２４４によって、ダイ２０８とヒートシンク２２０間に、好適な安定性と熱伝導性とが提供され得る。
【００３５】
はんだ層２４４は、パッケージ２０４の底面の実質的な部分を被覆してもよい。一部の実施形態では、はんだ層２４４は、パッケージ２０４の全底面を被覆してもよい。
【００３６】
図３は、一部の実施形態による製造方法３００を示すフローチャートである。製造方法３００を用いて、ＩＣデバイス１００または２００は製造され得る。
【００３７】
製造方法３００は、熱分散部の第１の層を準備するステップ（ブロック３０４）を備えていてもよい。該第１の層は、例えば最下層１４０または２４０であってもよい。一部の実施形態では、第１の層を準備するステップは、第１の層の材料の熱膨張特性を変えるステップを備えていてもよい。これは、これに限定されないが、ＣＶＤ、イオン注入、アニーリング等の方法で行なわれ得る。
【００３８】
製造方法３００は、第２の層を前記第１の層に接続して熱分散部を形成するステップ（ブロック３０８）をさらに備えていてもよい。該第２の層は、例えば最上層１３６または２３６であってもよい。本実施形態では、前記第１の層を最下層とし第２の層を最上層としたが、他の実施形態では、最上層として第１の層を備え、最下層として第２の層を備えていてもよい。
【００３９】
これに限定されないが、ＣＶＤ、物理的気相蒸着（ＰＶＤ）およびまたは原子層蒸着（ＡＬＤ）などの蒸着プロセスによって、前記第２の層を第１の層上に直接形成して、第２の層を第１の層に接続してもよい。他の実施形態では、第２の層を第１の層に取付けてこれらを接続してもよい。高強度、高温充填材料を第１の層上にローラで伸ばして高温・高圧化等で積層し、第２の層と第１の層とを互いにろう付けして、第２の層を第１の層に取付けてもよい。
【００４０】
種々の実施形態では、第２の層の材料の熱膨張特性は、これに限定されないが、イオン注入、アニーリング、ＣＶＤ等の方法で変えられる。
【００４１】
種々の実施形態では、第１の層と第２の層間に、１層または複層の中間層を形成してもよい。この場合、上記と同様な方法で、隣接する層を互いに接続してもよい。
【００４２】
製造方法３００は、ダイを熱分散部に接続するステップ（ブロック３１２）をさらに備えていてもよい。上記のように、ダイと熱分散部をパッケージと呼んでもよい。ダイは、機械的接続および電気的接続が得られる方法で、熱分散部に接続されてもよい。一部の実施形態では、カップリング機構が、機械的接続機能および電気的接続機能を供し得る。他の実施形態では、機械的接続機能を供し得るカップリング機構と、電気的接続機能を供し得るカップリング機構とがある。
【００４３】
製造方法３００は、パッケージをヒートシンクに接続するステップ（ブロック３１６）をさらに備えていてもよい。製造方法３００を用いてＩＣデバイス１００を製造する実施形態では、ブロック３１６の接続ステップは、複数のネジを用いてパッケージをヒートシンクに接続するステップを備えていてもよい。製造方法３００を用いてＩＣデバイス２００を製造する実施形態では、ブロック３１６の接続ステップは、パッケージをはんだ層を用いてヒートシンクに接続するステップを備えていてもよい。他の実施形態では、他のタイプの接続方式が用いられてもよい。
【００４４】
これまで説明したＩＣデバイス（例えばＩＣデバイス１００または２００）の実施形態、およびこうしたＩＣデバイスを備える装置は、他の種々の装置およびシステムに組み込まれ得る。例となるシステム４００のブロック図を図７に示す。図示のように、システム４００は、一部の実施形態では無線周波数（ＲＦ）ＰＡモジュールであり得る電力増幅器（ＰＡ）モジュール４０２を備える。システム４００は、図示のように、ＰＡモジュール４０２に接続されたトランシーバ４０４を備えていてもよい。ＰＡモジュール４０２は、ＩＣデバイス（例えばＩＣデバイス１００または２００）を備え、増幅、スイッチング、ミキシング等の広範な働きを行い得る。種々の実施形態では、ＩＣデバイス（例えばＩＣデバイス１００または２００）は、付加的または代替的にトランシーバ４０４に含まれて、例えば上方変換（アップコンバート）などを得てもよい。
【００４５】
ＰＡモジュール４０２は、トランシーバ４０４から、ＲＦ入力信号（ＲＦｉｎ）を受信し得る。ＰＡモジュール４０２は、該ＲＦ入力信号（ＲＦｉｎ）を増幅してＲＦ出力信号（ＲＦｏｕｔ）を出力し得る。図４で、それぞれＴｘ−ＲＦｉｎおよびＴｘ−ＲＦｏｕｔで示されるＲＦ入力信号（ＲＦｉｎ）およびＲＦ出力信号（ＲＦｏｕｔ）は共に、送信チェーンの一部であり得る。
【００４６】
前記増幅されたＲＦ出力信号（ＲＦｏｕｔ）は、アンテナスイッチモジュール（ＡＳＭ）４０６に与えられてもよく、このモジュールによって、アンテナ構造４０８経由で、ＲＦ出力信号（ＲＦｏｕｔ）の無線（ＯＴＡ）送信が実現される。また、ＡＳＭ４０６は、アンテナ構造４０８経由でＲＦ信号を受信し、その受信ＲＦ信号（Ｒｘ）を受信チェーンに沿ってトランシーバ４０４につなぎ得る。
【００４７】
種々の実施形態では、アンテナ構造４０８は、例えば、ダイポールアンテナ、モノポールアンテナ、パッチアンテナ、ループアンテナ、マイクロストリップアンテナ、あるいはＲＦ信号のＯＴＡ送信／受信に好適な任意の他の形式のアンテナを含む指向性アンテナおよびまたは全方向性アンテナの１つまたは複数を含んでいてもよい。
【００４８】
システム４００は、電力増幅を含む任意のシステムであってもよい。種々の実施形態では、システム４００がＩＣデバイス１００または２００を備えることは、システム４００が高ＲＦ出力および周波数における電力増幅に使用される場合は特に有用であり得る。システム４００は、例えば、陸上および衛星通信、レーダーシステムおよびおそらく種々の産業および医学用途におけるいずれか１つまたは複数に対して好適であり得る。より具体的には、種々の実施形態では、システム４００は、レーダー装置、衛星通信装置、モバイルコンピューティングデバイス（例えば電話、タブレット、ラップトップ等）、基地局、ラジオ放送あるいはテレビ増幅システムから選択された１つであってもよい。
【００４９】
説明の目的で実施形態を例示し記載したが、同じ目的を実現するように意図された、広範な代替となるおよびまたは均等な実施形態あるいは実施によって、本開示の範囲を逸脱することなくこれらの実施形態を置換できる。本出願は、本明細書で議論した実施形態に対するいかなる適応や変形もカバーするように意図される。従って、本明細書に記載された実施形態は、請求項とその均等物によってのみ限定されることは明らかである。
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図１】
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