(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳ法を用いて振動板及びこの振動板の周囲に配置された電極を備えた振動子を基板上に形成するにあたり、振動板と電極との間の隙間寸法を揃えると共に、振動板と電極との間の隙間領域を速やかに形成すること。【解決手段】第２のポリシリコン膜４２を第１の犠牲膜６１上に形成した後、この第２のポリシリコン膜４２に対してエッチングして振動板１０を形成する。次いで、この振動板１０を覆うように、第３の犠牲膜６３及び第３のポリシリコン膜４３を下側からこの順番で積層する。この時、第３の犠牲膜６３について、ＡＬＤ法を用いて成膜することにより、当該第３の犠牲膜６３は、膜厚寸法ｔが極めて均一となり、またフッ化水素水溶液に速やかに溶解する膜になる。【選択図】図１
2013239899.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動板とこの振動板を振動させるために当該振動板の周囲に配置された電極とを備えた振動子をベース基板上に形成する方法において、
第１の導電膜を前記ベース基板上に形成すると共に、この第１の導電膜に対してパターニングして、前記振動板の側面を下方側から支持するための振動板基部及び前記電極を下方側から支持するための電極基部を各々形成する工程と、
前記第１の導電膜を覆うように、下層側犠牲膜及び第２の導電膜を下側からこの順番で積層する工程と、
前記第２の導電膜に対してパターニングして、前記振動板とこの振動板から前記振動板基部の上方側に向かって伸びる支持梁とを各々形成する工程と、
次いで、前記第２の導電膜を覆うように、アルミニウム及び酸素を含む上層側犠牲膜を成膜する工程と、
前記振動板の側周面に前記上層側犠牲膜を残したまま、前記電極基部を露出させると共に、前記支持梁を上下に貫通する貫通口を介して前記振動板基部を露出させるために、前記下層側犠牲膜及び前記上層側犠牲膜を各々エッチングする工程と、
続いて、前記上層側犠牲膜を覆うように第３の導電膜を形成して、この第３の導電膜に対してパターニングすることにより、前記電極を形成すると共に、前記貫通口を介して前記振動板基部及び前記支持梁を互いに接続するための支持柱を形成する工程と、
しかる後、フッ化水素を用いて前記上層側犠牲膜をエッチングすることにより、前記上層側犠牲膜の膜厚分だけ前記振動板と前記電極とを互いに離間させる工程と、を含み、
前記上層側犠牲膜を成膜する工程は、互いに反応する第１のガスと第２のガスとを順番に前記ベース基板に対して供給する工程であることを特徴とする振動子の製造方法。
【請求項２】
前記上層側犠牲膜の膜厚寸法は、１０ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の振動子の製造方法。
【請求項３】
前記支持柱を形成する工程の後、前記下層側犠牲膜をエッチングすることにより、前記振動板を前記ベース基板から浮かせる工程を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の振動子の製造方法。
【請求項４】
前記振動子は、前記ベース基板上に縦横に多数形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の振動子の製造方法。
【請求項５】
前記ベース基板及び前記下層側犠牲膜は、夫々シリコン基板及びシリコン酸化膜であり、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜は、各々ポリシリコン膜であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の振動子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜処理及びエッチング処理を組み合わせたＭＥＭＳ技術を用いて、振動板及びこの振動板の周囲に配置された電極を備えた振動子を基板上に形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
成膜処理及びエッチング処理を組み合わせたＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）技術を用いて、ポリシリコン（Ｓｉ）により構成された振動子をシリコン基板上に形成する手法が知られている。この振動子は、例えばディスク状の振動板と、この振動板の周囲に配置された一対の入力電極及び一対の出力電極とを備えており、入力電極に電気信号を入力すると、当該入力電極と振動板との間の静電結合により振動板が振動し、この振動に対応する出力信号が同様に出力電極との間の静電結合を介して取り出される。従って、これら電極と振動板との間には、隙間寸法が例えば１００ｎｍ以下の極めて狭い隙間領域が各々介在している。
【０００３】
このような振動子を形成する方法を簡単に説明すると、始めにシリコン基板の表面に、例えば絶縁膜、導電膜、犠牲膜及びポリシリコン膜を下側からこの順番で積層すると共に、このポリシリコン膜に対してドライエッチングを行って振動板を形成する。次いで、この振動板を覆うように、例えば酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）などからなる犠牲膜を前記隙間寸法に対応する膜厚分だけ成膜した後、この犠牲膜の上層側に別のポリシリコン膜を成膜する。続いて、振動板の周囲に電極が配置されるように、上層側のポリシリコン膜に対してドライエッチングを行う。その後、例えばフッ酸（ＨＦ）を用いたウエットエッチングにより犠牲膜を除去（溶解）することによって、振動板がシリコン基板から浮いた状態になり、また電極と振動板との間に隙間領域が形成される。このような振動子は、シリコン基板上に縦横に多数形成されており、既述のウエットエッチング処理を終えた後、例えばダイシングにより個片化される。尚、振動板や電極は、実際には互いに絶縁されながら、前記導電膜により各々支持されているが、ここでは説明を省略している。
【０００４】
この時、既述の犠牲膜は、例えば低圧ＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法あるいはプラズマＣＶＤ法によって、加熱された基板に対して成膜ガスを供給することにより成膜される。しかし、このような成膜手法では、基板の加熱温度やガス流量（濃度）が炉内でばらつくため、犠牲膜の膜厚について、基板の面内において例えば±４％程度の均一性しか得られない。そのため、犠牲膜の膜厚のばらつきに応じて、電極と振動板との間の隙間寸法が不均一になるので、各々の振動子の特性がばらついてしまう。また、基板上に形成される多数の振動子のうちある一つの振動子についても、例えば振動板及び入力電極の間の隙間寸法と、振動板及び出力電極の間の隙間寸法とでは、ばらつきが生じてしまうおそれがある。更に、犠牲膜のウエットエッチングに費やす時間の分だけ生産性の低下に繋がってしまう。
【０００５】
特許文献１には、アルミニウムを用いて半導体支持構造基板を形成する時に、ＡＬＤ法により酸化アルミニウム層を犠牲層として形成する技術について記載されている。また、特許文献２には、Ｈｉｇｈ−ｋ膜５としてハフニウムアルミネートやジルコニウムアルミネートを用いる技術について記載されている。しかし、これら特許文献１、２には、既述の課題については検討されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００８−５３８８１０（段落００４９〜００５１）
【特許文献２】特開２００６−６０１５５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、成膜処理及びエッチング処理を組み合わせたＭＥＭＳ法を用いて振動板及びこの振動板の周囲に配置された電極を備えた振動子を基板上に形成するにあたり、振動板と電極との間の隙間寸法を揃えることができると共に、振動板と電極との間の隙間領域を速やかに形成できる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の振動子の製造方法は、
振動板とこの振動板を振動させるために当該振動板の周囲に配置された電極とを備えた振動子をベース基板上に形成する方法において、
第１の導電膜を前記ベース基板上に形成すると共に、この第１の導電膜に対してパターニングして、前記振動板の側面を下方側から支持するための振動板基部及び前記電極を下方側から支持するための電極基部を各々形成する工程と、
前記第１の導電膜を覆うように、下層側犠牲膜及び第２の導電膜を下側からこの順番で積層する工程と、
前記第２の導電膜に対してパターニングして、前記振動板とこの振動板から前記振動板基部の上方側に向かって伸びる支持梁とを各々形成する工程と、
次いで、前記第２の導電膜を覆うように、アルミニウム及び酸素を含む上層側犠牲膜を成膜する工程と、
前記振動板の側周面に前記上層側犠牲膜を残したまま、前記電極基部を露出させると共に、前記支持梁を上下に貫通する貫通口を介して前記振動板基部を露出させるために、前記下層側犠牲膜及び前記上層側犠牲膜を各々エッチングする工程と、
続いて、前記上層側犠牲膜を覆うように第３の導電膜を形成して、この第３の導電膜に対してパターニングすることにより、前記電極を形成すると共に、前記貫通口を介して前記振動板基部及び前記支持梁を互いに接続するための支持柱を形成する工程と、
しかる後、フッ化水素を用いて前記上層側犠牲膜をエッチングすることにより、前記上層側犠牲膜の膜厚分だけ前記振動板と前記電極とを互いに離間させる工程と、を含み、
前記上層側犠牲膜を成膜する工程は、互いに反応する第１のガスと第２のガスとを順番に前記ベース基板に対して供給する工程であることを特徴とする。
【０００９】
前記振動子の製造方法については、具体的には以下のように構成しても良い。
前記上層側犠牲膜の膜厚寸法は、１０ｎｍ〜１００ｎｍである構成。
前記支持柱を形成する工程の後、前記下層側犠牲膜をエッチングすることにより、前記振動板を前記ベース基板から浮かせる工程を行う構成。
前記振動子は、前記ベース基板上に縦横に多数形成されている構成。
前記ベース基板及び前記下層側犠牲膜は、夫々シリコン基板及びシリコン酸化膜であり、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜は、各々ポリシリコン膜である構成。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、振動板及びこの振動板の周囲に配置された電極を備えた振動子をベース基板上に形成するにあたり、これら振動板と電極との間に、アルミニウムと酸素とを含む犠牲膜を成膜している。この時、犠牲膜をＡＬＤ法により成膜しているので、当該犠牲膜は、面内に亘って膜厚が揃い、且つフッ化水素に容易に溶解する。そのため、振動子を形成した後、ウエットエッチングにより犠牲膜を除去することによって、振動板と電極との間の隙間寸法のばらつきを抑えることができる。従って、ベース基板上に縦横に多数の振動子を形成する場合であっても、各々の振動子の特性を揃えることができる。また、例えば酸化シリコン膜と比べて、フッ化水素に対する前記犠牲膜の溶解速度が速いので、犠牲膜のウエットエッチング処理に要する時間を抑えることができ、従って振動子を速やかに製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明のディスク振動子の一例を示す斜視図である。
【図２】前記ディスク振動子を示す平面図である。
【図３】前記ディスク振動子を示す縦断面図である。
【図４】前記ディスク振動子を支持する支持梁を示す一部拡大斜視図である。
【図５】前記ディスク振動子の製造方法を示す斜視図である。
【図６】前記ディスク振動子の製造方法を示す斜視図である。
【図７】前記ディスク振動子の製造方法を示す斜視図である。
【図８】前記ディスク振動子の製造方法を示す縦断面図である。
【図９】前記ディスク振動子の製造方法を示す縦断面図である。
【図１０】前記ディスク振動子の製造方法を示す縦断面図である。
【図１１】前記ディスク振動子の製造方法を示す説明図である。
【図１２】前記ディスク振動子の製造方法を示す説明図である。
【図１３】前記ディスク振動子の製造方法を示す説明図である。
【図１４】前記ディスク振動子の製造方法を示す縦断面図である。
【図１５】前記ディスク振動子の製造方法を示す縦断面図である。
【図１６】前記ディスク振動子の製造方法を示す縦断面図である。
【図１７】前記ディスク振動子の製造方法を示す説明図である。
【図１８】前記ディスク振動子の製造方法を示す説明図である。
【図１９】前記ディスク振動子の製造方法を示す説明図である。
【図２０】前記ディスク振動子の製造方法を示す説明図である。
【図２１】前記ディスク振動子の製造方法を示す説明図である。
【図２２】前記ディスク振動子の製造方法を示す説明図である。
【図２３】前記ディスク振動子の製造方法を示す説明図である。
【図２４】前記ディスク振動子の製造方法を示す説明図である。
【図２５】前記ディスク振動子の製造方法を示す平面図である。
【図２６】前記ディスク振動子について実験した結果を示す特性図である。
【図２７】前記ディスク振動子の犠牲膜を成膜する装置の一例を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の振動子の製造方法の実施の形態の一例について、図１〜図２５を参照して説明する。この製造方法について詳述する前に、始めに振動子の構成について簡単に説明すると、この振動子は、図１〜図４に示すように、例えばポリシリコンからなるディスク（円板）状の振動板１０と、この振動板１０の周囲に配置されると共に各々ポリシリコンにより構成された複数例えば４つの電極２０とを備えており、例えばシリコンなどのベース基板１上に形成されている。これら電極２０により、振動板１０は、ワイングラスモードで共振（振動）するように構成されている。そして、振動子は、後述するように、平面で見た時の振動板１０と電極２０との間の隙間寸法ｈが面内に亘って揃うように構成されている。続いて、この振動子の具体的な構成について説明する。尚、図３は、図１におけるＡ−Ａ線にて振動子を切断した様子を示している。
【００１３】
振動板１０の外周側には、当該振動板１０をベース基板１（詳しくは後述の第１のポリシリコン膜４１）から浮いた状態で支持するための支持部３０が設けられており、この支持部３０は、振動板１０の周方向に沿って複数箇所例えば４カ所に等間隔に配置されている。従って、前記電極２０は、互いに隣接する支持部３０、３０間に各々位置するように、振動板１０を前後方向（図２中Ｘ方向）及び左右方向（図２中Ｙ方向）から各々挟み込むように配置されている。これら振動板１０や電極２０の下方側におけるベース基板１には、酸化シリコン（Ｓｉ−Ｏ）膜３と、窒化シリコン（Ｓｉ−Ｎ）膜４と、が下側からこの順番で積層されている。
【００１４】
窒化シリコン膜４の上方側には、振動板１０、支持部３０及び電極２０の形状に対応するようにパターニングされた導電膜５が形成されており、支持部３０の各々は、当該支持部３０の下方側の導電膜５によって支持されている。即ち、支持部３０の各々は、図３にも示すように、振動板１０の側周面から外周側に向かって水平に伸び出す支持梁３１と、この支持梁３１の先端部を上下方向に貫通する貫通口３２にいわば嵌合するように配置された支持柱３３とを備えている。そして、各々の支持柱３３の下端部と導電膜５とを互いに接続することによって、支持部３０は、振動板１０を外周側から支持すると共に、これら振動板１０と導電膜５とを当該支持部３０を介して互いに導通させている。これら導電膜５及び支持部３０についても、各々ポリシリコンにより構成されている。導電膜５において、支持柱３３の下端部と接続される部位は、振動板基部をなす。
【００１５】
支持部３０の下方側における導電膜５の側壁面には、図１及び図２に示すように、互いに隣接する電極２０、２０同士の間の領域を介して当該導電膜５から外周側に向かって伸びる引き出し電極６の一端側が接続されている。この引き出し電極６は、後述するように、振動板１０を振動させる時に、当該振動板１０に直流のバイアス電圧を印加するためのポートをなしている。
【００１６】
振動板１０の周囲には、概略箱型形状の電極２０が当該振動板１０の周方向に互いに等間隔に離間するように４箇所に配置されており、各々の電極２０は、振動板１０に対して隙間領域Ｓを介して各々臨むように（振動板１０と接触しないように）形成されている。この隙間領域Ｓの寸法ｈ（平面で見た時の振動板１０と電極２０との間の離間寸法）は、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍとなっている。各々の電極２０は、振動板１０及び支持部３０に対して絶縁されながら、当該電極２０の下方側における導電膜５によって支持されている。電極２０の下方側における導電膜５は、各々電極基部をなす。
【００１７】
これら４つの電極２０は、２つの電極２０、２０が平面で見た時に前後方向において振動板１０を介して互いに対向すると共に、残りの２つの電極２０、２０が左右方向において振動板１０を介して互いに対向するように配置されている。これら互いに対向する電極２０、２０のうち、左右方向に配置された電極２０、２０を各々第１の電極２１、２１と呼ぶと共に、前後方向に配置された電極２０、２０を各々第２の電極２２、２２と呼ぶと、第１の電極２１、２１は、図２に示すように、振動板１０の上方領域において当該振動板１０から上方側に離間するように形成された梁部１０ａにより、互いに接続されている。また、これら第１の電極２１、２１には、図２に示すように、第１の電極２１、２１の上面側に接続された例えばワイヤなどの導電路２３により、当該第１の電極２１、２１に対して入力信号を入力する入力ポート２４が接続されている。
【００１８】
第２の電極２２、２２は、振動板１０側における上端部が上方側に向かって各々伸び出すと共に、当該上端部が振動板１０の中央側に向かって水平に延伸するように各々形成されている。これら第２の電極２２、２２の例えば上面側には、ワイヤなどの導電路２３の一端側が接続されており、この導電路２３の他端側は、振動板１０の振動を検出する（取り出す）ための出力ポート２５が接続されている。従って、第１の電極２１、２１は、各々入力電極をなし、第２の電極２２、２２は、各々出力電極をなしている。
【００１９】
このように構成されたディスク振動子において、振動板１０に直流のバイアス電圧を印加しながら、第１の電極２１、２１に入力信号を入力すると、第１の電極２１、２１と振動板１０との間の静電結合により、振動板１０は、ワイングラスモードで振動する。具体的には、振動板１０は、前後方向に膨張すると共に左右方向に収縮する動作と、前後方向に収縮すると共に左右方向に膨張する動作と、を所定の周波数で繰り返す。そして、この振動は、振動板１０と第２の電極２２、２２との間の静電結合によって、当該第２の電極２２、２２により出力信号として取り出される。
【００２０】
以上説明したディスク振動子をＭＥＭＳ法により製造する方法の一例について、図５〜図２５を参照して説明する。図５及び図８に示すように、始めに、例えばＣＶＤ法を用いて、酸化シリコン膜３と窒化シリコン膜４とを下側からこの順番でベース基板１上に積層する。尚、ディスク振動子は、後述の図２５に示すように、ベース基板１上に縦横に多数形成されるが、以降においてはある一つの振動子について説明する。また、図５〜図２５については、一部描画を簡略化している。
【００２１】
次に、多結晶シリコンからなる第１のポリシリコン膜（第１の導電膜）４１をＣＶＤ法により窒化シリコン膜４上に形成した後、この第１のポリシリコン膜４１にリンを拡散させる。そして、この第１のポリシリコン膜４１上に、振動板１０、支持部３０、電極２０及び引き出し電極６に対応するようにパターニングした図示しないレジスト膜を形成して、図６及び図９に示すように、このレジスト膜を介して第１のポリシリコン膜４１をドライエッチングする。その後、レジスト膜を除去することにより、第１のポリシリコン膜４１からなる導電膜５を露出させる。
【００２２】
続いて、図７及び図１０に示すように、第１のポリシリコン膜４１の上層側に、例えば酸化シリコンからなる第１の犠牲膜（下層側犠牲膜）６１と、多結晶シリコンからなる第２のポリシリコン膜（詳しくは多結晶シリコン膜を形成した後リンをドープさせた膜）４２と、例えば酸化シリコンからなる第２の犠牲膜６２とを下側からこの順番で例えばＣＶＤ法により積層する。そして、この第２の犠牲膜６２の上層側に、貫通口３２を備えた支持梁３１と、振動板１０との形状に対応するようにパターニングした図示しないレジスト膜を積層し、図１１〜図１３に示すように、このレジスト膜を介して第２の犠牲膜６２及び第２のポリシリコン膜４２をドライエッチングする。その後、レジスト膜を剥離する。第２のポリシリコン膜４２は、第２の導電膜をなす。尚、第１の犠牲膜６１及び第２の犠牲膜６２の膜厚は、各々数百ｎｍ程度である。
【００２３】
次いで、以上の工程において形成された第２の犠牲膜６２及び第２のポリシリコン膜４２からなる構造体を覆うように、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、酸化シリコンからなる第３の犠牲膜（上層側犠牲膜）６３をギャップ酸化膜として成膜する。具体的には、図１４に示すように、２０Ｐａ程度の真空雰囲気において、５０℃〜４００℃この例では２５０℃に加熱されたベース基板１に対して、アルミニウムを含む第１のガス例えばＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガスを供給する。この第１のガスは、ベース基板１の表面（詳しくは第１の犠牲膜６１、第２のポリシリコン膜４２及び第２の犠牲膜６２の各々の露出面）に亘って、原子層や分子層が１層あるいは複数層吸着して、吸着層７１が形成される。
【００２４】
続いて、ベース基板１が置かれる雰囲気から前記第１のガスを排気した後、第２のガス例えばＨ２Ｏ（水）ガスをベース基板１に供給すると、図１５に示すように、ベース基板１上の吸着層７１が酸化されて、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３：酸化アルミニウム）からなる酸化層７２が形成される。こうして第１のガスと第２のガスを交互に切り替えながら多数回に亘って酸化層７２を積層すると、図１６に示すように、膜厚寸法ｔが１０ｎｍ〜１００ｎｍの第３の犠牲膜６３が形成される。このようにＡＬＤ法により第３の犠牲膜６３を成膜すると、水平面（第１の犠牲膜６１の表面や第２の犠牲膜６２の表面）及び垂直面（第２のポリシリコン膜４２の側周面及び第２の犠牲膜６２の側周面）に亘って、膜厚の均一性が±１％程度もの極めて平滑な第３の犠牲膜６３が得られる。従って、第３の犠牲膜６３は、面内に亘って膜厚が揃う。尚、ＡＬＤ法により第３の犠牲膜６３を成膜する成膜装置については、従前の装置が用いられるため、後で説明する。
【００２５】
次に、図１７〜図１９に示すように、図示しないレジスト膜を介して犠牲膜６１〜６３をドライエッチングして、貫通口３２及び電極２０の各々の下方側における導電膜５（第１のポリシリコン膜４１）を露出させる。この時、第２のポリシリコン膜４２の上面側における貫通口３２の周囲の第２の犠牲膜６２及び第３の犠牲膜６３については、既述の支持柱３３と支持梁３１とを互いに接触させるために、当該貫通口３２の開口寸法よりも一回り大きく開口するするように（貫通口３２の周囲において第２のポリシリコン膜４２が露出するように）エッチングする。その後、レジスト膜を除去する。
【００２６】
そして、図２０〜図２１に示すように、多結晶シリコンからなる第３のポリシリコン膜４３をベース基板１上に形成して、第３のポリシリコン膜４３にリンをドープする。この第３のポリシリコン膜４３は、既述の貫通口３２の内部領域などの露出面に沿うように形成される。従って、第３のポリシリコン膜４３と貫通口３２の下方側の導電膜５及び電極２０の下方側の導電膜５とは、各々互いに接触（導通）する。また、第３のポリシリコン膜４３と振動板１０との間には、既述の第３の犠牲膜６３が介在しているので、これら第３のポリシリコン膜４３と振動板１０とは、当該第３の犠牲膜６３の膜厚寸法ｔの分だけ互いに離間する。しかる後、電極２０、支持柱３３及び梁部１０ａ以外の領域が開口する図示しないレジスト膜を形成して、図２２〜図２４に示すように、第３のポリシリコン膜４３をドライエッチングする。
【００２７】
続いて、例えばフッ化水素水溶液などのエッチング液に、ベース基板１上に形成された構造体を当該ベース基板１と共に浸漬すると、このエッチング液が第３のポリシリコン膜４３の下方側や支持梁３１の周囲に回り込んでいく。この時、第３の犠牲膜６３は、通常であれば（例えばＣＶＤ法により成膜した場合には）、前記エッチング液に溶解しないセラミックスであるアルミナにより構成されているが、ＡＬＤ法により成膜しているので、このエッチング液に極めて容易に且つ速やかに溶解する。従って、このウエットエッチングにより、既述の図１〜図４に示したように、犠牲膜６１〜６３が除去される。こうして第３の犠牲膜６３の膜厚寸法ｔの分だけ、電極２０と振動板１０とが互いに離間すると共に、振動板１０が第１のポリシリコン膜４１から浮いた状態となって支持柱３３を介して支持される。また、梁部１０ａについては、第２の犠牲膜６２及び第３の犠牲膜６３の膜厚分だけ振動板１０から浮いた状態となる。ここで、第３の犠牲膜６３の膜厚寸法が既述のように極めて薄いので、電極２０と振動板１０との間の領域にはエッチング液が回り込みにくくなっている。しかし、この第３の犠牲膜６３をエッチングされやすいＡＬＤ膜により構成していることから、当該第３の犠牲膜６３が速やかにエッチングされて、スループットの低下が抑えられる。
その後、図２５に示すように、各振動子を区画するダイシングライン７３に沿ってベース基板１を切断することにより、各々の振動子が個片化される。
【００２８】
上述の実施の形態によれば、ディスク振動子をベース基板１上に形成するにあたり、振動板１０と電極２０との間に成膜する第３の犠牲膜６３として、ＡＬＤ法によって形成したアルミナ膜を用いている。そのため、この第３の犠牲膜６３は、ベース基板１の面内において膜厚寸法ｔが極めて均一となり、しかもフッ化水素水溶液に速やかに溶解する。従って、ある一つの振動子では振動板１０と電極２０との間の隙間寸法ｈのばらつきが極めて小さく抑えられ、また各々の振動子間においても前記隙間寸法ｈが揃う。即ち、振動子は、既述のように振動板１０と電極２０との間の静電結合により、当該振動板１０の振動（入力信号の入力）とこの振動の取り出し（出力信号の出力）が行われる。従って、ある振動子について、振動板１０及び第１の電極２１、２１間の隙間寸法ｈと、振動板１０及び第２の電極２２、２２の隙間寸法ｈとが違っていると、例えば入力信号に対応したレベルの出力信号が得られなくなってしまう。また、隙間寸法ｈが振動子間でばらつくと、例えば得られる出力信号の出力レベルが各々の振動子の間でばらついてしまう。しかし、第３の犠牲膜６３をＡＬＤ法により形成することによって、多数の振動子を形成する場合であっても、各々の振動子の特性を設定通りの値に揃えることができる。
【００２９】
この時、ＡＬＤ法を適用して成膜するにあたり、膜厚が数百ｎｍ程度もの厚膜である第１の犠牲膜６１や第２の犠牲膜６２ではなく、膜厚寸法ｔが１００ｎｍ以下もの極めて薄膜で且つ膜厚寸法ｔについて高い均一性が求められる第３の犠牲膜６３を対象としているので、生産性の低下やコストアップ（ガスの使用量の増加など）を抑えることができる。また、ＡＬＤ法により第３の犠牲膜６３を成膜しているので、貫通口３２の内部などの極めて狭い領域に対しても良好に薄膜を埋め込むことができる。
また、例えば酸化シリコン膜と比べて、第３の犠牲膜６３のフッ化水素水溶液に対する溶解速度が速いので、当該第３の犠牲膜６３のウエットエッチングに要する時間を短縮することができ、従って振動子を速やかに製造することができる。言い換えると、第３の犠牲膜６３としてＡＬＤ法により成膜したアルミナ膜を用いることにより、第３の犠牲膜６３として酸化シリコン膜を用いた場合よりも生産性を高めることができる。
【００３０】
ここで、フッ化水素水溶液に対する各膜のエッチング速度を比較した結果を図２６に示す。図２６は、窒化シリコン（Ｓｉ−Ｎ）膜、熱酸化膜（シリコン層を熱酸化させて得られる膜）、ＴＥＯＳ膜（オルトケイ酸テトラエチル：Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)４を基板上に塗布して、その後熱処理して得られる膜）、ＨＴＯ膜（例えば８００℃程度の高温にて減圧ＣＶＤ法で得られる膜）及び既述の第３の犠牲膜６３について、各々５％のフッ化水素水溶液に浸漬した時のエッチングレートを示している。その結果、第３の犠牲膜６３は、他の酸化シリコン膜よりも３倍以上もの速いエッチングレートとなっていた。
【００３１】
以下に、既述の第３の犠牲膜６３をＡＬＤ法を用いて成膜するための装置の一例について、図２７を参照して簡単に説明する。図２７中８１はベース基板１を載置するための載置台、８２はこの載置台８１を収納して成膜処理を行うための真空容器である。載置台８１の上方側には、当該載置台８１に対向するようにガス供給部８３が設けられており、このガス供給部８３の内部には、既述の第１のガス及び第２のガスが互いに混ざり合わずに載置台８１に対して吐出できるように図示しないガス流路が形成されている。また、ガス供給部８３に夫々第１のガス及び第２のガスを供給するための第１の供給路８４及び第２の供給路８５には、夫々窒素ガスを供給するためのパージガス供給路８６が介設されており、第１のガス及び第２のガスを切り替える時には、窒素ガスをパージガスとして真空容器８２内に供給し、当該真空容器８２内の雰囲気を置換できるように構成されている。尚、図２７中８７は搬送口、８８は真空ポンプである。また、載置台８１には図示しないヒーターが設けられているが、ここでは描画を省略している。
【００３２】
このような装置において既述の第３の犠牲膜６３を成膜する場合には、載置台８１にベース基板１を載置した後、真空容器８２内を真空引きして成膜処理に適した処理圧力に設定する。次いで、第１のガスをベース基板１に供給し、既述の吸着層７１を形成した後、真空容器８２内に窒素ガスを供給して当該真空容器８２内の雰囲気を置換する。続いて、第２のガスをベース基板１に供給して酸化層７２を形成し、同様に真空容器８２内の雰囲気を窒素ガスで置換する。こうして多数回に亘って順次ガスを切り替えることにより、第３の犠牲膜６３が成膜される。
【００３３】
以上述べたように、ＡＬＤ法により膜厚寸法ｔが均一で且つフッ化水素水溶液に可溶な第３の犠牲膜６３を成膜するためには、成膜温度（ベース基板１の加熱温度）については５０℃〜４００℃、成膜時の処理圧力を１Ｐａ〜１００Ｐａに夫々設定しても良いし、第１のガス及び第２のガスとして夫々ジメチルエチルアミンアレイン（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｙｌａｍｉｎｅａｌａｎｅ）やジメチルアルミニウムハイドレート（Ｄｉｍｅｔｈｙｌａｌｕｍｉｎｕｍ  ｈｙｄｒｉｄｅ）及びオゾンなどを用いても良い。
【００３４】
また、第３の犠牲膜６３について、ＡＬＤ法により成膜したアルミニウムと酸素とを含むアルミナ膜として説明したが、これらアルミニウムや酸素以外にも、不純物レベルで他の元素例えばＣ（炭素）やＨ（水素）などを含んでいても良いし、あるいは例えば３％程度まで前記他の元素を混入させても良い。即ち、この程度の不純物レベルであれば、既述のようにフッ化水素水溶液に対して良好なウエットエッチングレートが得られる。また、第３の犠牲膜６３の膜厚寸法ｔとしては、薄すぎると振動板１０と電極２０との間の隙間寸法ｈを確保しにくくなり、一方厚すぎると当該第３の犠牲膜６３の成膜に長時間必要となり生産性が低下すると共に、振動板１０と電極２０との間の静電結合が得られにくくなることから、１０ｎｍ〜１００ｎｍ好ましくは３０ｎｍ〜８０ｎｍである。更に、第１の犠牲膜６１及び第２の犠牲膜６２について、各々酸化シリコン膜により構成したが、第３の犠牲膜６３と同様にＡＬＤ法により成膜したアルミナ膜を用いても良い。
【００３５】
また、円形の振動板１０について説明したが、振動板１０は、楕円や四角形状あるいは三角形状などであっても良い。更に、ベース基板１としては、シリコンに代えて窒化膜やポリイミド膜などを用いても良いし、ポリシリコン膜４１〜４３としては、他の導電膜例えばアルミニウムや銅などの金属膜あるいはＳｉＧｅ（シリコンーゲルマニウム化合物）などを用いても良い。更にまた、犠牲膜６１〜６３を除去する時に用いるエッチング剤としては、フッ化水素水溶液に代えて、フッ化水素の蒸気（気体）を用いても良い。
【符号の説明】
【００３６】
１  ベース基板
１０  振動板
２０〜２２  電極
３０  支持部
３１  支持梁
３３  支持柱
４１〜４３  ポリシリコン膜
６１〜６３  犠牲膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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