(57)【要約】【課題】多重露光撮影画像において暗電流に起因するシェーディングを低減する。【解決手段】撮像装置１は、２次元状に配置された複数の画素を有する固体撮像素子３と、複数のフレームの画像信号を順次得るように、かつ、前記複数のフレームの画像信号のうち、少なくとも１つのフレームの画像信号における画素信号の読み出し順序と、他のフレームの画像信号における画素信号の読み出し順序とが異なるように、固体撮像素子３を制御する制御部４と、固体撮像素子３からの前記複数のフレームの画像信号による複数枚の画像を合成して多重露光撮影画像を生成する合成部１３ａと、を備える。【選択図】図１
2013165460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元状に配置された複数の画素を有する固体撮像素子と、
複数のフレームの画像信号を順次得るように、かつ、前記複数のフレームの画像信号のうち、少なくとも１つのフレームの画像信号における画素信号の読み出し順序と、他のフレームの画像信号における画素信号の読み出し順序とが異なるように、前記固体撮像素子を制御する制御部と、
前記固体撮像素子からの前記複数のフレームの画像信号による複数枚の画像を合成して多重露光撮影画像を生成する合成部と、
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記複数の画素のうちの同一行の画素に関する画素信号の読み出しタイミングが同一であるとともに、前記複数の画素のうちの異なる行の画素に関する画素信号の読み出しタイミングが異なるように、前記固体撮像素子を制御することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つのフレームの画像信号における画素信号の読み出し順序と、前記他のフレームの画像信号における画素信号の読み出し順序とが、逆であることを特徴とする請求項１又は２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つのフレームの数と前記他のフレームの数との差が０又は１であることを特徴とする請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】
前記合成部は、前記複数枚の画像を加算することによって、前記多重露光撮影画像を生成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項６】
前記合成部は、前記複数枚の画像の平均をとることによって、前記多重露光撮影画像を生成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多重露光撮影画像を得る撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＣＭＯＳ型等の固体撮像素子を有し、この固体撮像素子により撮像された複数枚の画像を合成して、多重露光撮影画像を得る撮像装置が提供されている（例えば、下記特許文献１）。
【０００３】
このような撮像装置では、合成すべきいずれのフレームの画像を得る際においても、そのフレームの画像信号における画素信号の読み出し順序が同一であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１２８７４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述したような従来の撮像装置では、多重露光撮影画像において、暗電流に起因するシェーディングが発生してしまい、その画質が低下してしまう。この点については、後に、本発明と比較される比較例の説明において詳述する。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、多重露光撮影画像において暗電流に起因するシェーディングを低減することができる撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための手段として、以下の各態様を提示する。第１の態様による撮像装置は、２次元状に配置された複数の画素を有する固体撮像素子と、複数のフレームの画像信号を順次得るように、かつ、前記複数のフレームの画像信号のうち、少なくとも１つのフレームの画像信号における画素信号の読み出し順序と、他のフレームの画像信号における画素信号の読み出し順序とが異なるように、前記固体撮像素子を制御する制御部と、前記固体撮像素子からの前記複数のフレームの画像信号による複数枚の画像を合成して多重露光撮影画像を生成する合成部と、を備えたものである。
【０００８】
第２の態様による撮像装置は、前記第１の態様において、前記制御部は、前記複数の画素のうちの同一行の画素に関する画素信号の読み出しタイミングが同一であるとともに、前記複数の画素のうちの異なる行の画素に関する画素信号の読み出しタイミングが異なるように、前記固体撮像素子を制御するものである。
【０００９】
第３の態様による撮像装置は、前記第１又は第２の態様において、前記少なくとも１つのフレームの画像信号における画素信号の読み出し順序と、前記他のフレームの画像信号における画素信号の読み出し順序とが、逆であるものである。
【００１０】
第４の態様による撮像装置は、前記第３の態様において、前記少なくとも１つのフレームの数と前記他のフレームの数との差が０又は１であるものである。
【００１１】
第５の態様による撮像装置は、前記第１乃至第４のいずれかの態様において、前記合成部は、前記複数枚の画像を加算することによって、前記多重露光撮影画像を生成するものである。
【００１２】
第６の態様による撮像装置は、前記第１乃至第４のいずれかの態様において、前記合成部は、前記複数枚の画像の平均をとることによって、前記多重露光撮影画像を生成するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、多重露光撮影画像において暗電流に起因するシェーディングを低減することができる撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施の形態による撮像装置としての電子カメラを示す概略ブロック図である。
【図２】図１中の固体撮像素子の概略構成を示す回路図である。
【図３】図１中の固体撮像素子の画素を示す回路図である。
【図４】図１中の固体撮像素子の動作例を示すタイミングチャートである。
【図５】図１に示す撮像装置で得られる１枚のフレームの画像信号の暗電流レベルを模式的に示す図である。
【図６】図１に示す電子カメラで得られる多重露光撮影画像の暗電流レベルを模式的に示す図である。
【図７】比較例による電子カメラで得られる多重露光撮影画像の暗電流レベルを模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明による撮像装置について、図面を参照して説明する。
【００１６】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の一実施の形態による撮像装置としての電子カメラ１を示す概略ブロック図である。電子カメラ１には、被写体像を結像する光学系としての撮影レンズ２が装着される。この撮影レンズ２は、レンズ制御部２ａによってフォーカスや絞りが駆動される。この撮影レンズ２の像空間には、固体撮像素子３の撮像面が配置される。
【００１７】
固体撮像素子３は、撮像制御部４の指令によって駆動され、被写体像を示す画像信号を出力する。この画像信号は、信号処理部５によって黒レベルクランプ処理等の信号処理が行われた後、Ａ／Ｄ変換部６によりＡ／Ｄ変換され、メモリ７に一旦蓄積される。メモリ７は、バス８に接続される。バス８には、レンズ制御部２ａ、タイミングジェネレータ等で構成された撮像制御部４、マイクロプロセッサ９、液晶表示パネル等の表示部１０、記録部１１、画像圧縮部１２及び画像処理部１３なども接続される。本実施の形態では、画像処理部１３は、後述する合成部１３ａとしての機能も担う。上記マイクロプロセッサ９には、レリーズ釦などの操作部９ａが接続される。また、上記記録部１１には記録媒体１１ａが着脱自在に装着される。なお、例えば、撮像制御部４、信号処理部５及びＡ／Ｄ変換部６は、固体撮像素子３と同一のチップに搭載してもよい。
【００１８】
図２は、図１中の固体撮像素子３の概略構成を示す回路図である。固体撮像素子３は、ＣＭＯＳ型の固体撮像素子として構成されている。固体撮像素子３は、２次元マトリクス状に配置された複数の画素２０と、画素２０から信号を出力するための周辺回路とを有している。図では区別していないが、大部分の画素２０は、入射光を光電変換して入射光に応じた信号を生成する有効画素であるが、残りの画素（例えば、有効画素が配置されている有効画素領域の上下左右に配置された画素）は、黒レベルの信号を生成するオプチカルブラック画素（ＯＢ画素）となっている。本実施の形態では、前記ＯＢ画素は、有効画素と同一の構成を持ちながら光電変換部が遮光されたものである。
【００１９】
図２において、横に４行縦に４行の１６個の画素を示している。しかし、本実施の形態では、画素数はそれよりもはるかに多くなっている。もっとも、本発明では、画素数は特に限定されるものではない。
【００２０】
周辺回路は、垂直走査回路２１、水平走査回路２２、これらと接続されている駆動信号線２３，２４、画素２０からの信号を受け取る垂直信号線２５、垂直信号線２５と接続される定電流源２６及び相関二重サンプリング回路（ＣＤＳ回路）２７、ＣＤＳ回路２７から出力される信号を受け取る水平信号線２８、出力アンプ２９等からなる。
【００２１】
垂直走査回路２１及び水平走査回路２２は、電子カメラ１の撮像制御部４からの指令に基づいて駆動信号を出力する。各画素２０は、垂直走査回路２１から出力される駆動信号を所定の駆動信号線２３から受け取って駆動され、画素信号を垂直信号線２５に出力する。垂直走査回路２１から出力される駆動信号は複数あり、それに伴い駆動配線２３も複数ある。これらについては後述する。
【００２２】
画素２０から出力された信号は、ＣＤＳ回路２７にて所定のノイズ除去が施される。そして、水平走査回路２２の駆動信号により水平信号線２８及び出力アンプ２９を介して外部に信号が出力される。
【００２３】
図３は、図１中の固体撮像素子３の画素２０を示す回路図である。各画素２０は、入射光に応じた電荷を生成し蓄積する光電変換部としてのフォトダイオード４１と、前記電荷を受け取って前記電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部としてのフローティング容量部４２と、フォトダイオード４１からフローティング容量部４２へ電荷を転送する転送部としての転送トランジスタ４３と、フローティング容量部４２の電圧に応じた信号を出力する増幅部としての画素アンプ４４と、フローティング容量部４２の電圧をリセットするリセット部としてのリセットトランジスタ４５と、当該画素２０を選択するための選択部としての選択トランジスタ４６とを有している。なお、図３において、ＶＤＤは電源であり、２３４は電源ＶＤＤに接続するための電源配線である。
【００２４】
画素２０の転送トランジスタ４３のゲート電極は、画素行ごとに共通に接続されて、垂直走査回路２１から駆動配線２３のうちの配線２３１を介して駆動信号φＴＧが供給される。画素２０の選択トランジスタ４６のゲート電極は、画素行毎に共通に接続されて、垂直走査回路２１から駆動配線２３のうちの配線２３２を介して駆動信号φＳが供給される。画素２０のリセットトランジスタ４５のゲート電極は、画素行毎に共通に接続されて、垂直走査回路２１から駆動配線２３のうちの配線２３３を介して駆動信号φＲが供給される。
【００２５】
図４は、固体撮像素子３の動作例を示すタイミングチャートである。なお、各画素２０に含まれるトランジスタはＮＭＯＳトランジスタであり、ハイレベル（ハイ）の駆動信号を受けてオン状態とされる。
【００２６】
まず、期間Ｔ２１において、全行のφＴＧがハイにされ、全画素２０の転送トランジスタ４３がオンにされる。このとき、全行のφＲがハイにされて全画素２０のリセットトランジスタ４５がオンにされているので、期間Ｔ２１において、全画素２０のフォトダイオード４１及びフローティング容量部４２がリセットされる。期間Ｔ２１は、いわゆるグローバルリセットの期間である。全行のφＴＧは、期間Ｔ２１後にローにされ、画素２０の転送トランジスタ４３がオフにされる。
【００２７】
期間Ｔ２１の後の期間Ｔ２２において、メカニカルシャッタ（図示せず）が開かれる。この期間Ｔ２２が露光期間となる。
【００２８】
次いで、期間Ｔ２３において、１行目のφＳがハイにされる。これにより、１行目の選択トランジスタ４６がオンにされ、１行目の行選択が開始され、１行目の画素アンプ４４によるソースフォロワ読み出しが開始される。
【００２９】
期間Ｔ２３の開始時点から所定期間経過した後に期間Ｔ３１が開始される。期間Ｔ３１では、１行目のφＲがローにされて１行目のリセットトランジスタ４５がオフにされ、１行目のフローティング容量部４２のリセットが終了される。期間Ｔ３１の開始時点から期間Ｔ３２の開始時点までの間に、１行目のダークレベル（フローティング容量部４２のリセット状態に対応して１行目の画素アンプ４４から出力される信号）が、画素アンプ４４から垂直信号線２５を介してＣＤＳ回路２７にクランプ（保存）される。
【００３０】
期間Ｔ３２において、１行目のφＴＧがハイにされて１行目の転送トランジスタ４３がオンにされる。これにより、１行目の画素２０のフォトダイオード４１に蓄積されていた信号電荷が、当該画素２０のフローティング容量部４２に転送される。そして、期間Ｔ３２の終了時に、１行目のφＴＧがローにされて１行目の転送トランジスタ４３がオフにされる。期間Ｔ３２の終了時点から期間Ｔ３１の終了時点（期間Ｔ２３の終了時点）までの間に、１行目のフローティング容量部４２に転送された電荷による電位変動が画素アンプ４４から垂直信号線２５を介してＣＤＳ回路２７にクランプされる。すなわち、フォトダイオード４１の信号読出しが行われる。そして、ＣＤＳ回路２７によって、この信号と先のダークレベルとの差分信号が取得される。
【００３１】
その後、期間Ｔ２３の終了時点（期間Ｔ３１の終了時点）において、１行目のφＲがハイにされて１行目のリセットトランジスタ４５がオンにされ、１行目のフローティング容量部４２のリセットが開始されるとともに、１行目のφＳがローにされて１行目の選択トランジスタ４６がオフにされ、１行目の行選択が終了される。
【００３２】
次に、水平帰線期間を経て次の２行目の選択動作の期間Ｔ２４へと移行する。１行目の選択動作の期間Ｔ２３の開始時点から２行目の選択動作の期間Ｔ２４の開始時点までの期間が、１水平期間である。２行目以降も１行目と同様な動作が最終行（Ｎ行）まで繰り返されるので、ここではその説明は省略する。このようにして、すべての行から信号が読み出されると、１フレームの画像信号の読み出しを終了する。
【００３３】
図４に示す動作例では、前記画像信号のうち１行目の画素２０の画素信号に含まれる暗電流レベルは、期間Ｔ２１の終了時点から１行目の選択期間Ｔ２３における１行目の転送トランジスタ４３のオン期間Ｔ２３の開始時点までの時間に、比例する。また、前記画像信号のうち２行目の画素２０の画素信号に含まれる暗電流レベルは、期間Ｔ２１の終了時点から２行目の選択期間Ｔ２４における２行目の転送トランジスタ４３のオン期間の開始時点までの時間に、比例する。同様に、前記画像信号のうちｎ行目の画素２０の画素信号に含まれる暗電流レベルは、期間Ｔ２１の終了時点からｎ行目の選択期間におけるｎ行目の転送トランジスタ４３のオン期間の開始時点までの時間に、比例する。
【００３４】
図４に示す動作例では、各行の選択期間における転送トランジスタ４３のオン期間の開始時点は、１行目からＮ行目まで、時間ΔＴ（１水平期間と同じ時間）ずつ遅れていく。したがって、前記画像信号のうちｎ行目の画素２０の画素信号に含まれる暗電流レベルは、ａを係数とすると、ΔＤ＋ａ・（ｎ−１）・ΔＴとなる。ここで、ΔＤは、前記画像信号のうち最初に読み出される行の画素２０（図４に示す動作例では、１行目の画素２０）の画素信号に含まれる暗電流レベルである。このΔＤは、前記ＯＢ画素の信号に相当するものであり、その信号に基づいて補正により除去可能である。図５（ａ）は、１行目からＮ行目までその順に読み出す図４に示す動作例の場合の、１枚のフレームの画像信号の暗電流レベルを模式的に示す図である。
【００３５】
ここで、図４に示す動作例の場合と各行の読み出し順序を逆にした動作例（以下、「図４とは逆順の動作例」と呼ぶ。）を考える。すなわち、図４とは逆順の動作例では、図４において、１行目をＮ行目に置き換え、２行目をＮ−１行目に置き換え、・・・、Ｎ−１行目を２行目に置き換え、Ｎ行目を１行目に置き換える。すなわち、図４とは逆順の動作例では、各行の選択期間における転送トランジスタ４３のオン期間の開始時点は、Ｎ行目から１行目まで、時間ΔＴ（１水平期間と同じ時間）ずつ遅れていく。したがって、図４とは逆順の動作例では、図４に示す動作例と同様にして得られる画像信号のうち、ｎ行目の画素２０の画素信号に含まれる暗電流レベルは、ΔＤ＋ａ・（Ｎ−ｎ）・ΔＴとなる。図５（ａ）は、図４とは逆順の動作例の場合の、１枚のフレームの画像信号の暗電流レベルを模式的に示す図である。
【００３６】
なお、先の説明からわかるように、図４に示す動作例と図４とは逆順の動作例とでは、画像信号における画素信号の読み出し順序が異なっている。そして、これらの動作例では、同一行の画素２０に関する画素信号の読み出しタイミングが同一であるとともに、異なる行の画素２０に関する画素信号の読み出しタイミングが異なっている。
【００３７】
次に、本実施の形態による電子カメラ１の動作の一例について、説明する。本実施の形態による電子カメラ１では、操作部９ａによって、多重露光撮影モード、及び、その際に多重露光する画像の枚数（以下、「多重枚数」と呼ぶ。）を、設定することができるようになっている。なお、多重枚数は、特に限定されないし、また、所定枚数に予め固定しておいてもよい。
【００３８】
操作部９ａにより多重露光撮影モード及び多重枚数が設定され、更に、操作部９ａにより多重露光撮影の開始が指令されると、マイクロプロセッサ９は、レンズ制御部２ａに指令して撮影レンズ２のフォーカスや絞りを調整させ、撮像制御部４を駆動して、各フレームの画像信号の読み出しについて前述した図４に示す動作又は前述した図４とは逆順の動作を行わせることで、多重枚数のフレームの画像信号の読み出しを順次行わせる。この画像信号は、各フレーム毎に、信号処理部５によって黒レベルクランプ処理（前記ΔＤを取り除く処理）等の信号処理が行われた後、Ａ／Ｄ変換部６によりＡ／Ｄ変換され、メモリ７に一旦蓄積される。
【００３９】
そして、多重枚数のフレームの画像信号の読み出しを順次行う際に、撮像制御部４は、多重枚数のうちの少なくとも１枚のフレームの画像信号の読み出しを図４に示す動作で行わせ、他の少なくとも１枚のフレームの画像信号の読み出しを図４とは逆順の動作を行わせる。このとき、多重露光撮影画像において暗電流に起因するシェーディングをより低減するためには、図４に示す動作で読み出すフレームの枚数と図４とは逆順の動作で読み出すフレームの枚数との差は、０又は１であることが好ましい。すなわち、多重枚数が偶数の場合には、図４に示す動作で読み出すフレームの枚数と図４とは逆順の動作で読み出すフレームの枚数とが同数であることが好ましく、多重枚数が奇数の場合には、両者の枚数ができるだけ同数に近いことが好ましい。
【００４０】
その後、マイクロプロセッサ９は、メモリ７に蓄積された多重枚数のフレームの画像信号による多重枚数の画像を合成して多重露光撮影画像を生成する合成部１３ａとしての機能を、画像処理部１３に行わせ、生成した多重露光撮影画像をメモリ７に蓄積させる。合成部１３ａは、例えば、多重枚数の画像を画素毎に加算すること（以下、「加算処理」と呼ぶ。）によって、多重露光撮影画像を生成してもよいし、多重枚数の画像を画素毎に平均する（加算して多重枚数で除算する）こと（以下、「平均処理」と呼ぶ。）によって、多重露光撮影画像を生成してもよい。これらの処理において、所定の係数を乗算してもよい。
【００４１】
合成部１３ａによる多重露光撮影画像の生成後、マイクロプロセッサ９は、操作部９ａの指令に基づき、必要に応じて画像処理部１３や画像圧縮部１２にて所望の処理を行い、表示部１０に多重露光撮影画像を表示させたり、記録部１１に処理後の多重露光撮影画像を出力させ記録媒体１１ａに記録する。
【００４２】
図６（ａ）は、本実施の形態において、多重枚数を２枚とし、１枚目のフレームの画像信号の読み出しを図４に示す動作で行い、２枚目のフレームの画像信号の読み出しを図４とは逆順の動作で行った場合の、加算処理により得られた多重露光撮影画像の暗電流レベルを模式的に示す図である。この多重露光撮影画像の暗電流レベルは、図５（ａ）に示す暗電流レベルからΔＤを差し引いたもの｛ａ・（ｎ−１）・ΔＴ｝と、図５（ｂ）に示す暗電流レベルからΔＤを差し引いたもの｛ａ・（Ｎ−ｎ）・ΔＴ｝とを加算したもの｛ａ・（Ｎ−１）・ΔＴ｝となる。この暗電流レベルは、ｎに依存しないことから、いずれの行の暗電流レベルも同一であることがわかる。
【００４３】
図６（ｂ）は、本実施の形態において、多重枚数を２枚とし、１枚目のフレームの画像信号の読み出しを図４に示す動作で行い、２枚目のフレームの画像信号の読み出しを図４とは逆順の動作で行った場合の、平均処理により得られた多重露光撮影画像の暗電流レベルを模式的に示す図である。この多重露光撮影画像の暗電流レベルは、図５（ａ）に示す暗電流レベルからΔＤを差し引いたもの｛ａ・（ｎ−１）・ΔＴ｝と、図５（ｂ）に示す暗電流レベルからΔＤを差し引いたもの｛ａ・（Ｎ−ｎ）・ΔＴ｝とを平均したもの｛ａ・（Ｎ−１）・ΔＴ｝／２となる。この暗電流レベルは、ｎに依存しないことから、いずれの行の暗電流レベルも同一であることがわかる。
【００４４】
このように、本実施の形態では、得られた多重露光撮影画像の暗電流レベルがいずれの行についても同一であるため、この多重露光撮影画像において暗電流に起因するシェーディングが発生せず、多重露光撮影画像の画質を向上することができる。
【００４５】
本実施の形態による電子カメラ１と比較される比較例による電子カメラについて、説明する。この比較例による電子カメラは、本実施の形態による電子カメラ１において、多重枚数のフレームの画像信号の読み出しを順次行う際に、撮像制御部４は、全ての多重枚数のフレームの画像信号の読み出しを図４に示す動作で行わせるように、変更し、他の点は本実施の形態による電子カメラ１と同一にしたものである。
【００４６】
図７（ａ）は、この比較例において、多重枚数を２枚とした場合の、加算処理により得られた多重露光撮影画像の暗電流レベルを模式的に示す図である。この多重露光撮影画像の暗電流レベルは、図５（ａ）に示す暗電流レベルからΔＤを差し引いたもの｛ａ・（ｎ−１）・ΔＴ｝と、図５（ａ）に示す暗電流レベルからΔＤを差し引いたもの｛ａ・（ｎ−１）・ΔＴ｝とを加算したもの２×｛ａ・（ｎ−１）・ΔＴ｝となる。この暗電流レベルは、ｎに依存してしまい、行毎に変動する。このように、この多重露光撮影画像においては、暗電流に起因するシェーディングが発生してしまい、その画質が低下してしまう。図７（ａ）の場合、暗電流レベルは、ｎに大きく依存してしまい、行毎の変動量が、ワンショットの画像の暗電流の場合比べて大きく異なることがわかる。
【００４７】
図７（ｂ）は、この比較例において、多重枚数を２枚とした場合の、平均処理により得られた多重露光撮影画像の暗電流レベルを模式的に示す図である。この多重露光撮影画像の暗電流レベルは、図５（ａ）に示す暗電流レベルからΔＤを差し引いたもの｛ａ・（ｎ−１）・ΔＴ｝と、図５（ａ）に示す暗電流レベルからΔＤを差し引いたもの｛ａ・（ｎ−１）・ΔＴ｝とを平均したもの｛ａ・（ｎ−１）・ΔＴ｝／２となる。この暗電流レベルも、やはりｎに依存してしまい、行毎に変動する。このように、この多重露光撮影画像においては、暗電流に起因するシェーディングが発生してしまい、その画質が低下してしまう。図７（ｂ）の場合、多重露光撮影画像の暗電流レベルの行毎の変動量は、ワンショットの画像の行毎の変動量と同一であるが、平均処理を行うことでランダムノイズが２−１／２に低減されるので、暗電流レベルの変動（暗電流に起因するシェーディング）が目立ってしまう。
【００４８】
図７（ａ）及び図７（ｂ）を図６（ａ）及び図６（ｂ）と比較することからも、本実施の形態によれば、多重露光撮影画像において暗電流に起因するシェーディングを低減することができることを、理解できる。
【００４９】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されるものではない。
【００５０】
例えば、前記実施の形態では、画素信号の読み出し順序は、行の並びの順（上から下又は下から上）になっていたが、行の並びとは異なる順序でもよい。
【００５１】
また、前記実施の形態では、多重枚数のうちの少なくとも１枚のフレームの画像信号における画素信号の読み出し順序と、他の少なくとも１枚のフレームの画像信号における画素信号の読み出し順序とが、逆であったが、本発明では、両者の順序は必ずしも逆に限らず、両者の順序が異なっていればよい。この場合であっても、それなりにシェーディング低減効果が得られる。
【００５２】
さらに、本発明では、ＣＭＯＳ型固体撮像素子に限らず、他のＸ−Ｙアドレス型固体撮像素子を用いてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１  電子カメラ
３  固体撮像素子
４  撮像制御部
１３ａ  合成部
２０  画素
【図１】
2013165460.tif 000003
【図２】
2013165460.tif 000004
【図３】
2013165460.tif 000005
【図４】
2013165460.tif 000006
【図５】
2013165460.tif 000007
【図６】
2013165460.tif 000008
【図７】
2013165460.tif 000009