(57)【要約】【課題】アンダーフィル樹脂硬化物に気泡を含まない、高信頼性のフリップチップ実装用配線基板を大規模な装置を必要とすることなく得る。【解決手段】半導体チップ１がフリップチップ実装される配線基板１００ａと、フリップチップ実装される半導体チップ１と配線基板１００ａとの間隙に狭持されるアンダーフィル樹脂硬化物９と一方の端を接し、周辺雰囲気と他方の端を接するように、配向基板１００ａに設けられた給熱用伝熱構造５０と、を有する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップがフリップチップ実装される配線基板と、
フリップチップ実装される前記半導体チップと前記配線基板との間隙に狭持されるアンダーフィル樹脂硬化物と一方の端を接し、周辺雰囲気と他方の端を接するように、前記配線基板に設けられた給熱用伝熱構造と、
を有するフリップチップ実装用配線基板。
【請求項２】
給熱用伝熱構造の一方の端がアンダーフィル樹脂硬化物の内部と接すること
を特徴とする請求項１に記載のフリップチップ実装用配線基板。
【請求項３】
給熱用伝熱構造の少なくとも一部が、配線基板内の電気配線を兼ねていること
を特徴とする請求項１または２に記載のフリップチップ実装用配線基板。
【請求項４】
給熱用伝熱構造が配線基板表面に形成された配線パターンであること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のフリップチップ実装用配線基板。
【請求項５】
周辺雰囲気と接した給熱用伝熱構造の他方の端は、半田ボールを介して前記周辺雰囲気と接すること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のフリップチップ実装用配線基板。
【請求項６】
給熱用伝熱構造が、ビア、配線基板内部の配線パターン、半田ボールからなること
を特徴とする請求項５に記載のフリップチップ実装用配線基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のフリップチップ実装用配線基板を用いた半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板とこれを用いた半導体モジュールに関するものであり、詳しくはフリップチップ実装用配線基板及びこれを用いた半導体モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の小型携帯機器の高機能化に伴い、これらに搭載される半導体チップの高集積化、実装の狭ピッチ化の要求が高まっている。これらの要求を満足するために開発された高密度実装技術の１つにフリップチップ実装がある。
【０００３】
フリップチップ実装は、半導体チップの回路面を配線基板側に向け、半導体チップの回路面にアレイ状に配列したバンプと呼ばれる突起状の端子を配線基板面のパッド電極に接続するもので、ワイヤボンディング実装に比べ実装面積が小さくできる。また入出力端子となるバンプを半導体チップ全面に形成することができるため、ワイヤボンディング実装の半導体チップのように周辺に入出力端子を形成する必要がなく、半導体チップ自体も小さくすることができるという特長を有している。
【０００４】
フリップチップ実装では、半導体チップと配線基板との接合強度を高めるために、多くの場合、配線基板と半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂が充填される。
【０００５】
このアンダーフィル樹脂は、一般にエポキシ樹脂等からなる熱硬化性の液状樹脂であり、配線基板と半導体チップとの間隙に充填する際に気泡を含みやすい。そのため、長期の信頼性試験において、この気泡に起因するクラックが発生することがあり、水分が侵入して腐食を生じる場合もある。
【０００６】
この課題に対して、アンダーフィル樹脂を配線基板と半導体チップとの間隙に充填後、たとえば０．５ＭＰａという大気圧よりも高い圧力下でアンダーフィル樹脂をガラス転移温度以上に加熱し、硬化させることにより、アンダーフィル樹脂内に気泡が生じた場合でも気泡を樹脂内に分散させ、消滅させる方法が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１６７１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、大気圧より高い圧力下で、ガラス転移温度以上に加熱してアンダーフィル樹脂を硬化した場合であっても、完全には気泡を消滅することができず、また加圧容器内でアンダーフィル樹脂の硬化を行なわなければならないため製造に大規模な装置を要するという問題がある。
【０００９】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、加圧容器等の大規模な装置を必要とせず、アンダーフィル樹脂の硬化物内に気泡が残存することを確実に抑制し、信頼性の高いフリップチップ実装用配線基板を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のフリップチップ実装用配線基板は、半導体チップがフリップチップ実装される配線基板と、フリップチップ実装される半導体チップと配線基板との間隙に狭持されるアンダーフィル樹脂硬化物と一方の端を接し、周辺雰囲気と他方の端を接するように、配線基板に設けられた給熱用伝熱構造と、を有するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のフリップチップ実装用配線基板では、フリップチップ実装を行なった半導体チップと配線基板との間隙に充填したアンダーフィル樹脂へ給熱用伝熱構造から直接に熱が供給されるため、アンダーフィル樹脂と給熱用伝熱構造との接触箇所から外方に向けて、徐々に混入した気泡を押出しながら、アンダーフィル樹脂の硬化が進行する。
【００１２】
その結果、アンダーフィル樹脂硬化物への気泡の残存が確実に抑制されるため、気泡に起因した腐食等が生じ難く、高信頼性のフリップチップ実装用配向基板を、大規模な装置を用いなくても得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１に係るフリップチップ実装用配線基板を用いた半導体モジュールの断面模式図である。
【図２】本発明の実施の形態1に係るフリップチップ実装用配線基板の製造工程を示す断面模式図である。
【図３】アンダーフィル樹脂の硬化時間とアンダーフィル樹脂の硬化率の関係を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係るフリップチップ実装用配線基板を用いた半導体モジュールの断面模式図である。
【図５】本発明の実施の形態３に係るフリップチップ実装用配線基板を用いた半導体モジュールの断面模式図である。
【図６】本発明の実施の形態４に係る給熱用伝熱構造に配線パターンを形成したフリップチップ実装用配線基板の上面模式図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係るフリップチップ実装用配線基板を用いた半導体モジュールの断面模式図である。
【図８】本発明の実施の形態５に係るフリップチップ実装用配線基板を用いた半導体モジュールの断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
実施の形態の説明及び各図において、同一の符号を付した部分は、同一又は相当する部分を示すものである。
【００１５】
また、実施の形態において、半導体チップとは、半導体基板上に形成した半導体回路を切り出した状態のものを言い、１個または複数個の半導体チップ及び必要に応じてその他の電子部品を配線基板に実装したものを半導体モジュールと呼ぶ。
【００１６】
実施の形態１．
＜フリップチップ実装用配線基板及び半導体モジュールの構成＞
図１を用いて、本発明の実施の形態１のフリップチップ実装用配線基板及び半導体モジュールの構成を説明する。図１は、本発明の実施の形態１に係るフリップチップ実装用配線基板を用いた半導体モジュールの断面模式図である。なお、図１の半導体モジュールでは、ＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージを採用した場合を一例として示しているが、その他のパッケージ方式を採用しても良いことは言うまでもない。
【００１７】
フリップチップ実装用配線基板１００を構成する配線基板１００ａは、セラミック基材２を複数枚積層した構造をしており、各々のセラミック基材２の間に配線パターン３が形成されている。隣接するセラミック基材２の各配線パターン３の相互間は、ビア４で電気的に接続されている。フリップチップ実装用配線基板１００を構成する配線基板１００ａの表面のうち上面には、半導体チップ1を実装するための実装パッド５、半導体モジュール２００の端子となる半田ボール８を配置するためのＢＧＡパッド６が形成され、それぞれ下層のセラミック基材２の配線パターン３にビア４を介して接続されている。
【００１８】
フリップチップ実装用配線基板１００を構成する配線基板１００ａの下面から上面にかけて、各層の配線パターン３とビア４が連結して、直径２００μｍの給熱用伝熱構造５０が形成される。すなわち、フリップチップ実装用配線基板１００は、半導体チップ１をフリップチップ実装するための配線基板１００ａと、配線パターン３とビア４から形成される給熱用伝熱構造５０とを備えている。本実施の形態では、下面から上面にかけて直線的に給熱用伝熱構造５０が形成されているが、給熱用伝熱構造５０の形状は、特に限定するものではなく、下面から上面にかけて途切れることなく連続していればよく、必ずしも直線的に形成されている必要はない。
【００１９】
次に、上記で説明したフリップチップ実装用配線基板１００を用いた半導体モジュール２００の構成と製造方法について説明する。フリップチップ実装用配線基板１００の上面の実装パッド５とＢＧＡパッド６上に、スクリーン印刷法を用いて半田ペーストが塗布され、フラックスが供給される。この半田ペーストを塗布した実装パッド５上に、裏面にバンプ７を形成した半導体チップ１が半田ペーストもしくはフラックスの粘着力で仮固定される。次に、ＢＧＡパッド６上に、半田ボール８が搭載され、半田ペーストもしくはフラックスの粘着力で仮固定される。仮固定された半導体チップ１と半田ボール８とがリフロー法によりフリップチップ実装用配線基板１００に実装される。
【００２０】
本実施の形態においては、半導体チップ１にガリウムヒ素（ＧａＡｓ）半導体チップ（チップサイズ２ｍｍ×２ｍｍ×０．３ｍｍ）を用いたが、特に限定するものではなく、珪素半導体チップ等の他の半導体チップも用いることができる。
【００２１】
半導体チップ１の接続を安定化し信頼性を高めるために、フリップチップ実装された半導体チップ１とフリップチップ実装用配線基板１００との間隙には、エアパルス式ディスペンサーを用い、１００℃に加熱した状態で、半導体チップ１の一辺に沿って一列に吐出してアンダーフィル樹脂が充填され、さらに、アンダーフィル樹脂を充填した半導体モジュール２００を熱風循環式乾燥炉に入れ、１５０℃、３０分加熱してアンダーフィル樹脂を硬化して、アンダーフィル樹脂硬化物９としている。本実施の形態においては、アンダーフィル樹脂はエポキシ樹脂を用い、フィラーとして０．３〜１０μｍのシリカ粉末を５０％添加して用いた。
【００２２】
以上のように、フリップチップ実装用配線基板１００を用いた半導体モジュール２００においては、フリップチップ実装用配線基板１００を構成する給熱用伝熱構造５０の上面側、すなわち一方の端は、半導体チップ１の中央直下部分、つまりアンダーフィル樹脂硬化物９の外周部分を含まない内部と接している。また、給熱用伝熱構造５０の下面側、すなわち他方の端は、周辺雰囲気と接している。
【００２３】
本実施の形態においては、アンダーフィル樹脂としてエポキシ樹脂を用いたが、特に限定するものではなく、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化が可能な樹脂を用いることができる。また粘度調整等を目的として、フィラーを添加することができ、そのサイズ、添加量は目標とする粘度に応じて調整して用いることができる。さらに、アンダーフィル樹脂の硬化温度は、用いる樹脂の種類等に応じて硬化時間とともに調整することができる。
【００２４】
＜フリップチップ実装用配線基板の製造方法＞
図２を用いてフリップチップ実装用配線基板の製造方法を説明する。図２は、本発明の実施の形態1に係るフリップチップ実装用配線基板の製造工程を示す断面模式図である。
【００２５】
図２（ａ）〜（ｃ）に沿って、フリップチップ実装用配線基板１００の製造方法を説明する。セラミック粉末と有機樹脂バインダからなるセラミックグリーンシート１０に金型パンチング法によりビア穴が形成される（図２（ａ））。次にスクリーン印刷法により、導電性ペーストを印刷して、配線パターン３、ビア４を形成し、同時に給熱用伝熱構造の一部５０ａを形成する（図２（ｂ））。
【００２６】
配線パターン３、ビア４等を形成したセラミックグリーンシート１０を積層し、加圧することで各シートを一体化し、その後必要な大きさに切断後焼成して多層のセラミック基板を得る。この工程により、各シートに形成していた給熱用伝熱構造の一部５０ａが連結され、フリップチップ実装用配線基板１００の下面から上面まで連続した給熱用伝熱構造５０が形成される。さらに、このセラミック基板表裏面に３〜５μｍのニッケル（Ｎｉ）メッキと０．１〜０．３μｍの金（Ａｕ）メッキを施し、フリップチップ実装用配線基板１００を得た（図２（ｃ））。
【００２７】
本実施の形態においては、セラミックグリーンシート１０に金型パンチング法によりビア穴を形成したが、特に限定するものではなく、レーザ加工等によってもビア穴を形成することができる。
【００２８】
＜アンダーフィル樹脂の硬化過程＞
フリップチップ実装を行なった半導体チップ１とフリップチップ実装用配線基板１００との間隙に充填したアンダーフィル樹脂の硬化過程を図３を用いて詳細に説明する。図３はアンダーフィル樹脂の硬化時間とアンダーフィル樹脂の硬化率の関係を示す図である。実線は、充填されたアンダーフィル樹脂の中央部分のアンダーフィル樹脂の硬化率の経時変化を、破線は外周部分のアンダーフィル樹脂の硬化率の経時変化を示している。ここで、充填されたアンダーフィル樹脂の中央付近とは、フリップチップ実装用配線基板１００の面方向において、図１に示すように、半導体チップ１の中央付近に対応した部分のアンダーフィル樹脂を指す。また、外周部分とは、フリップチップ実装用配線基板１００の面方向において、半導体チップ１の外周付近に対応した部分のアンダーフィル樹脂を示す。
【００２９】
アンダーフィル樹脂を半導体チップ１とフリップチップ実装用配線基板１００との間隙に充填した後、前述のように熱風循環式乾燥炉に半導体モジュール２００を入れ、１５０℃に加熱してアンダーフィル樹脂を硬化させる。この時、図１に示すように、アンダーフィル樹脂は、半導体チップ１とフリップチップ実装用配線基板１００とに囲まれているので１５０℃に到達するまでに時間を要し、すぐには硬化を開始しない。一方、フリップチップ実装用配線基板１００の裏面が加熱されると、給熱用伝熱構造５０が即座にその熱をフリップチップ実装用配線基板１００の表面に伝え、給熱用伝熱構造５０に接するアンダーフィル樹脂の中央部分を強く加熱する。
【００３０】
すなわち、フリップチップ実装用配線基板１００が備える給熱用伝熱構造５０の下面側は熱風循環式乾燥炉内の周辺雰囲気と接しているので、効率良く熱が供給される。この熱は、給熱用伝熱構造５０本体を介して、給熱用伝熱構造５０の上面側に伝導される。給熱用伝熱構造５０の上面側はアンダーフィル樹脂と接しているので、給熱用伝熱構造５０本体を介して伝導された熱は、アンダーフィル樹脂に効率良く伝わることとなる。
【００３１】
従って、図３に示すように、アンダーフィル樹脂の硬化の初期段階においては、アンダーフィル樹脂の硬化率は外周部分より中央部分の方が高くなり、中央部分が先に硬化率１００％（完全硬化状態）に達する（図３の０〜ｔ１の期間）。硬化時間がさらに長くなると、外周部分の硬化率も高くなり、ｔ２で硬化率１００％となり、アンダーフィル樹脂の全体が完全硬化することを示している。
【００３２】
アンダーフィル樹脂には、充填時に外気等の気泡が混入することが考えられ、また硬化反応に伴った気泡が発生することが考えられる。しかし、給熱用伝熱構造５０を有することで、アンダーフィル樹脂をその中央部分から先に硬化することができる。すなわち、アンダーフィル樹脂の硬化は、中央部分から外周部分に向かって順に進展していくことになる。この時、気泡は、アンダーフィル樹脂の硬化に伴って、中央部分から外周部分へと押し出され、全体が完全硬化した時にはアンダーフィル樹脂硬化物９内には気泡は残存せず、外部へ排出される。
【００３３】
本発明の実施の形態１で得た半導体モジュール２００を、アンダーフィル樹脂硬化物９を含む位置で基板面に平行に切断して平面研磨し、実体顕微鏡観察（ｎ＝５）を行なったところ、本実施の形態で用いた半導体チップ１の下部に直径１０μｍ以上の気泡は観察されなかった。従って、本実施の形態により、アンダーフィル樹脂硬化物９に気泡が含まれることが抑制され、信頼性の高い半導体モジュール２００を、大規模な装置を必要とすることなく得ることができた。
【００３４】
本実施の形態においては、給熱用伝熱構造５０の直径は２００μｍとしたが、これに限定されるものではなく、アンダーフィル樹脂を中央部分から硬化できる熱を供給することができ、かつ他の配線パターン３、ビア４等の形成の障害とならない大きさであれば適用することができ、直径１５０μｍ〜３００μｍが好ましい。
【００３５】
本実施の形態においては、セラミック基材２からなる多層のフリップチップ実装用配線基板１００を用いたが、特に限定するものではなく、ガラス−エポキシ樹脂複合材のような、有機材料を用いた配線基板を用いることもできる。また、半導体チップ１を実装するバンプ７の直径は０．１ｍｍとしたが、特に限定するものではなく、実装する半導体チップ１の端子数とチップ面積等に基づき、適した直径のバンプ７を用いることができる。
【００３６】
本実施の形態においては、熱風循環式乾燥炉を用いてアンダーフィル樹脂の硬化を行なったが、加熱方法は特に限定するものではなく、ホットプレート等により加熱し、アンダーフィル樹脂を硬化することもできる。ホットプレートの加熱面付近が周辺雰囲気となって、この周辺雰囲気を介してフリップチップ実装用配線基板１００を加熱することで、給熱用伝熱構造５０へ入る熱が大きくなり、アンダーフィル樹脂を容易に中央部分から硬化することができ、気泡が含まれることが抑制されたアンダーフィル樹脂硬化物９を得ることができる。なお、ホットプレートのような加熱機器で直接にフリップチップ実装用配線装置１００の備える給熱用伝熱構造５０を加熱しても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００３７】
実施の形態２．
実施の形態１においては、給熱用伝熱構造５０は、セラミック基材２間に形成された電気配線用の配線パターン３やビア４から独立して、専用の伝熱用の経路を確保している構成を示したが、本実施の形態においては、給熱用伝熱構造５１がセラミック基材２間の電気配線である配線パターン３やビア４を共用し、一部の配線パターン３やビア４を給熱用伝熱構造５１の少なくとも一部として兼用している点が異なっている。
【００３８】
図４を用いて本実施の形態の半導体モジュール２０１の構成を説明する。図４は本発明の実施の形態２に係るフリップチップ実装用配線基板１０１を用いた半導体モジュールの断面模式図である。給熱用伝熱構造５１が配線基板１０１ａを貫通して、導電性ペーストで形成されている。フリップチップ実装用配線基板１０１は、この配線基板１０１ａと給熱用伝熱構造５１とから構成されている。しかし実施の形態１の給熱用伝熱構造５０と比べ、本実施の形態の給熱用伝熱構造５１は途中において、配線パターン３、ビア４の一部を電気配線と共用している。
【００３９】
本実施の形態の半導体チップ１とフリップチップ実装用配線基板１０１との間隙にアンダーフィル樹脂を充填し、１５０℃の熱風循環式乾燥炉内でアンダーフィル樹脂を硬化させ、半導体モジュール２０１を作製したところ、アンダーフィル樹脂の中央部分から硬化が進行し、それに伴って、アンダーフィル樹脂内に含まれていた気泡が外部に排出され、気泡の残存が抑制されたアンダーフィル樹脂硬化物９が得られた。
【００４０】
本実施の形態により、アンダーフィル樹脂硬化物９には直径１０μｍ以上の気泡が含まれることが抑制され、信頼性の高い半導体モジュール２０１を大規模な装置を必要とすることなく得ることができた。
【００４１】
実施の形態３．
実施の形態３においては、フリップチップ実装用配線基板１０２の裏面において、給熱用伝熱構造５２に半田ボール８を形成されており、半田ボール８を介して熱を給熱用伝熱構造５２に取り込む点において実施の形態１と異なっている。また本実施の形態においては、基板表面に実装した半導体チップ９を保護するため、リッド１１が形成され、半田フィレット１４を用いてリッド用パッド１３に固定されている点が異なっているが、その他の点においては、実施の形態１と同様である。
【００４２】
図５を用いて本実施の形態の半導体モジュール２０２の構成を説明する。図５は実施の形態３に係るフリップチップ実装用配線基板１０２を用いた半導体モジュール２０２の断面模式図である。実施の形態１と同様に、配線基板１０２ａを貫通して給熱用伝熱構造５２が形成されており、フリップチップ実装用配線基板１０２は、この配線基板１０２ａと給熱用伝熱構造５２とから構成されている。このフリップチップ実装用配線基板１０２の裏面において、半田ボール８が給熱用伝熱構成５２に接続して形成されている。この半導体モジュール２０２をホットプレート上に設置して加熱し、アンダーフィル樹脂を硬化させたところ、アンダーフィル樹脂の中央部分から硬化が進行し、それに伴って、アンダーフィル樹脂内に残っていた気泡が外部に排出された。
【００４３】
本実施の形態により、アンダーフィル樹脂硬化物９には直径１０μｍ以上の気泡が含まれることが抑制され、信頼性の高い半導体モジュール２０２を、大規模な装置を必要とすることなく得ることができた。
【００４４】
実施の形態４．
実施の形態４においては、給熱用伝熱構造５３がフリップチップ実装用配線基板１０３の表面に平行方向に形成されている点が実施の形態１と異なっているが、その他の点においては、実施の形態１と同様である。
【００４５】
図６、図７を用いて本実施の形態の半導体モジュール２０３の構成を説明する。図６は、本発明の実施の形態４に係る給熱用伝熱構造に配線パターンを形成したフリップチップ実装用配線基板の上面模式図であり、図７は、本発明の実施の形態４に係るフリップチップ実装用配線基板を用いた半導体モジュールの断面模式図である。
【００４６】
配線基板１０３ａ表面に、導電性ペーストを用いて、半導体チップ１の実装領域の外部からアンダーフィル樹脂を加熱したい部分まで、給熱用伝熱構造５３が形成されている。また給熱用伝熱構造５３のうち、加熱したい部分と熱を給熱用伝熱構造５３に取り込む部分を除きオーバーコートガラス１４で覆われている。具体的には給熱用伝熱構造５３は、半導体チップの中央の直下付近から、半導体チップより０．３ｍｍだけ外側まで形成され、オーバーコートガラス１４により、給熱用伝熱構造５３の両端０．１ｍｍを除いて覆われている。フリップチップ実装用配線基板１０３は、この配線基板１０３ａとこの給熱用伝熱構造５３とから構成されている。
【００４７】
半導体チップ１は、図６に示された実装パッド５上に実装され、図７に示すように、半導体チップ１とフリップチップ実装用配線基板１０３との間隙にアンダーフィル樹脂を充填し、熱風循環式乾燥炉を用いて加熱した場合に、半導体チップ１の周辺部分で熱を給熱用伝熱構造５３に取り込み、オーバーコートガラス１４で覆われた給熱用伝熱構造５３の一部分を経て、アンダーフィル樹脂の中央部分を優先的に加熱し、硬化させる。
【００４８】
アンダーフィル樹脂の硬化に伴い、気泡は徐々に外部に排出され、本実施の形態により、アンダーフィル樹脂硬化物には直径１０μｍ以上の気泡が含まれることが抑制され、信頼性の高い半導体モジュール２０３を大規模な装置を必要とすることなく得ることができた。
【００４９】
実施の形態５.
実施の形態４においては、フリップチップ実装用配線基板１０３表面に給熱用伝熱構造５３を形成したが、本実施の形態においては、半田ボール８から熱を取り込み、セラミック基材２間のフリップチップ実装用配線基板１０４内部の配線パターン３、ビア４を経て、アンダーフィル樹脂の中央部分に熱を供給している点が異なるが、その他の点においては実施の形態４と同じである。
【００５０】
図８を用い本実施の形態の半導体モジュール２０４の構成を説明する。図８は、本発明の実施の形態５に係るフリップチップ実装用配線基板を用いた半導体モジュールの断面模式図である。
【００５１】
実施の形態４においては、配線基板１０３ａ表面に給熱用伝熱構造５３を形成し、その一部をオーバーコートガラス１４で覆ったが、本実施の形態の給熱用伝熱構造５４は、半田ボール８、配線基板１０４ａ内部の配線パターン３、ビア４を介して熱をアンダーフィル樹脂に供給する構成である。フリップチップ実装用配線基板１０４は、この配線基板１０４ａと給熱用伝熱構造５４とから構成されており、表面に実装パッド５等の他に給熱用伝熱構造を形成する面積的な余裕がない場合に有効である。
【００５２】
アンダーフィル樹脂の硬化に伴い、気泡は徐々に外部に排出され、本実施の形態により、アンダーフィル樹脂硬化物９には直径１０μｍ以上の気泡が含まれることが抑制され、信頼性の高い半導体モジュール２０４を大規模な装置を必要とすることなく得ることができた。
【符号の説明】
【００５３】
１  半導体チップ、２  セラミック基材、３  配線パターン、４  ビア、５  実装パッド、６  ＢＧＡパッド、７  バンプ、８  半田ボール、９  アンダーフィル樹脂硬化物、１０  セラミックグリーンシート、１１  リッド、１２  リッド用パッド、１３  半田フィレット、１４    オーバーコートガラス、５０〜５４  給熱用伝熱構造、５０ａ  給熱用伝熱構造の一部、１００  フリップチップ実装用配線基板、１００ａ  配線基板、１０１  フリップチップ実装用配線基板、１０１ａ  配線基板、１０２  フリップチップ実装用配線基板、１０２ａ  配線基板、１０３  フリップチップ実装用配線基板、１０３ａ  配線基板、１０４  フリップチップ実装用配線基板、１０４ａ  配線基板、２００〜２０４  半導体モジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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