(57)【要約】【課題】破砕型の無機フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて製造した樹脂封止型高耐圧半導体装置でありながら、高い高温高湿バイアス耐量（ＴＨＢ耐量）を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を提供する。【解決手段】以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子１２０を樹脂封止してなる樹脂封止型高耐圧半導体装置１００。（ａ）エポキシ樹脂（ｂ）アミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤（ｃ）破砕型の無機フィラー【選択図】図１
2013239598.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止してなることを特徴とする樹脂封止型高耐圧半導体装置。
（ａ）エポキシ樹脂
（ｂ）アミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤
（ｃ）破砕型の無機フィラー
【請求項２】
４００Ｖ以上の耐圧特性を有することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型高耐圧半導体装置。
【請求項３】
前記エポキシ樹脂組成物が、硬化剤をさらに含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂封止型高耐圧半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂封止型高耐圧半導体装置が、
前記エポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる樹脂成形体と、
前記樹脂成形体の内部に収納され、前記樹脂成形体から端部が突出するリードフレームと、
前記樹脂成形体の内部に収納され、前記リードフレームに実装されてなる半導体素子とを備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂封止型高耐圧半導体装置。
【請求項５】
前記リードフレームとして、
少なくとも２つのリードと、
前記少なくとも２つのリードのうち１つのリードと一体に形成されてなるダイパッドとを有するリードフレームを備え、
前記半導体素子として、
前記ダイパッドに実装されてなる半導体素子を備えることを特徴とする請求項４に記載の樹脂封止型高耐圧半導体装置。
【請求項６】
前記リードフレームとして、
少なくとも３つのリードと、
前記少なくとも３つのリードのうち１つのリードと一体に形成されてなる第１ダイパッドと、
前記少なくとも３つのリードのうち前記１つのリードとは異なる別のリードと一体に形成されてなる第２ダイパッドとを有するリードフレームとを備え、
前記半導体素子として、
前記第１ダイパッドに実装されてなる第１半導体素子と、
前記第２ダイパッドに実装されてなる第２半導体素子とを備えることを特徴とする請求項４に記載の樹脂封止型高耐圧半導体装置。
【請求項７】
前記リードフレームとして、
少なくとも２つのリードと、
前記少なくとも２つのリードのうち１つのリードと一体に形成されてなるダイパッドとを有するリードフレームを備え、
前記半導体素子として、
前記ダイパッドにおける所定の第１領域に実装されてなる第１半導体素子と、
前記ダイパッドにおける前記第１領域とは異なる所定の第２領域に絶縁フィルムを介して実装されてなる第２半導体素子とを備えることを特徴とする請求項４に記載の樹脂封止型高耐圧半導体装置。
【請求項８】
前記リードフレームとして、
少なくとも２つのリードと、
前記少なくとも２つのリードのうち１つのリードと一体に形成されてなるダイパッドとを有するリードフレームを備え、
前記半導体素子として、
前記ダイパッドに実装されてなる第１半導体素子と、
前記第１半導体素子の上に絶縁フィルムを介して実装されてなる第２半導体素子とを備えることを特徴とする請求項４に記載の樹脂封止型高耐圧半導体装置。
【請求項９】
前記第１半導体素子が、高電圧スイッチング素子からなり、
前記第２半導体素子が、高耐圧半導体素子を有し、前記高電圧スイッチング素子に供給する制御信号を供給する制御用集積回路からなることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の樹脂封止型高耐圧半導体装置。
【請求項１０】
以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止してなる樹脂封止型高耐圧半導体装置よりも、高い高温高湿バイアス耐量を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の樹脂封止型高耐圧半導体装置。
（ａ）エポキシ樹脂
（ｂ）アミン系硬化促進剤
（ｃ）破砕型の無機フィラー
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型高耐圧半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び熱伝導性フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置が知られている（例えば、特許文献１及び２参照。）。そして、従来の樹脂封止型半導体装置においては、熱伝導性フィラーとして、球状化が容易で、高充填時においても優れた流動性が得られるアルミナ粉末などが用いられている。また、硬化促進剤として、イミダゾール類などのアミン系硬化促進剤、トリアリールホスフィン類などのリン系硬化促進剤が用いられている。樹脂封止の方法としては、トランスファー成形などの成型法を用いている。
【０００３】
従来の樹脂封止型半導体装置によれば、良好な成形性を備え、かつ、熱伝導性に優れた樹脂封止型半導体装置となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１８４５４４号公報
【特許文献２】特開２００７−０７７２３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、本発明の発明者らの研究によれば、樹脂封止型半導体装置のうち高電圧を印加する用途に用いる樹脂封止型高耐圧半導体装置（以下、樹脂封止型高耐圧半導体装置という。）においては、使用中に多大な熱が発生するため、熱伝導性フィラーとして破砕型の無機フィラーを用いることが好ましいことが分かった。破砕型の無機フィラーは溶融型の無機フィラーよりも高い熱伝導性を有するからである。そして、本発明の発明者らの研究によれば、破砕型の無機フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて製造した樹脂封止型高耐圧半導体装置は、高い高温バイアス耐量（以下、ＢＴ耐量ということもある。）を有することが分かった。
【０００６】
しかしながら、本発明の発明者らのさらなる研究によれば、破砕型の無機フィラーは溶融型の無機フィラーに比べて不純物イオンを多く含有するため、破砕型の無機フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて製造した樹脂封止型高耐圧半導体装置は、溶融型の無機フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて製造した樹脂封止型高耐圧半導体装置よりも高温高湿バイアス耐量（以下、ＴＨＢ耐量ということもある。）が低いという問題があることが分かった。
【０００７】
なお、高温高湿バイアス試験において発生する不良モードには、主に、電解腐食破壊モードと絶縁破壊モードの２つのモードがある。このうち、電解腐食破壊モードは、高温高湿バイアス試験（以下、ＴＨＢ試験という。）において、エポキシ樹脂組成物内のイオン不純物、エポキシ樹脂組成物の吸湿、電圧印加などの影響によって、半導体素子の電極が電解腐食して半導体素子の破壊（電解腐食破壊）に至る不良モードである。また、絶縁破壊モードは、ＴＨＢ試験において、エポキシ樹脂組成物内のイオン不純物、エポキシ樹脂組成物の吸湿、電圧印加などの影響によって、分割したリードフレーム間に存在するエポキシ樹脂組成物が絶縁破壊することにより半導体素子の破壊（絶縁破壊）に至る不良モードである。
【０００８】
そこで、本発明は、上記した従来の問題を解決するためになされたもので、破砕型の無機フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて製造した樹脂封止型高耐圧半導体装置でありながら、高いＴＨＢ耐量を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の発明者らは、上記した目的を達成するため鋭意努力を重ねた結果、硬化促進剤としてアミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤の両方を含有するエポキシ樹脂組成物を用いることに思い至った。
【００１０】
すなわち、（トランスファー成形時における）良好な成形性を確保する観点からは、リン系硬化促進剤の場合よりもエポキシ樹脂組成物の粘度を低くできるアミン系硬化促進剤を用いるのが好ましい半面、アミン系硬化促進剤はリン系硬化促進剤よりも不純物イオンを多く含有するため電解腐食破壊や絶縁破壊が起こり易くなり、ＴＨＢ耐量が低くなってしまう。その一方、ＴＨＢ耐量を高くする観点からは、アミン系硬化促進剤よりも不純物イオンの含有率の低いリン系硬化促進剤を用いるのが好ましい半面、リン系硬化促進剤はアミン系硬化促進剤の場合よりもエポキシ樹脂組成物の粘度が高くなるため、良好な成形性を確保することが困難となる。従って、硬化促進剤として、アミン系硬化促進剤又はリン系硬化促進剤をそれぞれ単独で含有するエポキシ樹脂組成物を用いた場合には、良好な成形性と高いＴＨＢ耐量とを両立することができない。
【００１１】
これに対して、硬化促進剤としてアミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤の両方を含有するエポキシ樹脂組成物を用いた場合には、良好な成形性と高いＴＨＢ耐量とを両立可能となる。
【００１２】
［１］本発明の樹脂封止型高耐圧半導体装置は、以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止してなることを特徴とする。
（ａ）エポキシ樹脂
（ｂ）アミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤
（ｃ）破砕型の無機フィラー
【００１３】
［２］本発明は、樹脂封止型高耐圧半導体装置が４００Ｖ以上の耐圧特性を有する場合に特に効果がある。
【００１４】
［３］本発明の樹脂封止型高耐圧半導体装置は、前記エポキシ樹脂組成物が、硬化剤をさらに含有するものであってもよい。
【００１５】
［４］本発明の樹脂封止型高耐圧半導体装置は、前記樹脂封止型高耐圧半導体装置が、前記エポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる樹脂成形体と、前記樹脂成形体の内部に収納され、前記樹脂成形体から端部が突出するリードフレームと、前記樹脂成形体の内部に収納され、前記リードフレームに実装されてなる半導体素子とを備えるものであってもよい。
【００１６】
［５］本発明の樹脂封止型高耐圧半導体装置は、前記リードフレームとして、少なくとも２つのリードと、前記少なくとも２つのリードのうち１つのリードと一体に形成されてなるダイパッドとを有するリードフレームを備え、前記半導体素子として、前記ダイパッドに実装されてなる半導体素子を備えるものであってもよい。
【００１７】
［６］本発明の樹脂封止型高耐圧半導体装置は、前記リードフレームとして、少なくとも３つのリードと、前記少なくとも３つのリードのうち１つのリードと一体に形成されてなる第１ダイパッドと、前記少なくとも３つのリードのうち前記１つのリードとは異なる別のリードと一体に形成されてなる第２ダイパッドとを有するリードフレームとを備え、前記半導体素子として、前記第１ダイパッドに実装されてなる第１半導体素子と、前記第２ダイパッドに実装されてなる第２半導体素子とを備えるものであってもよい。
【００１８】
［７］本発明の樹脂封止型高耐圧半導体装置は、前記リードフレームとして、少なくとも２つのリードと、前記少なくとも２つのリードのうち１つのリードと一体に形成されてなるダイパッドとを有するリードフレームを備え、前記半導体素子として、前記ダイパッドにおける所定の第１領域に実装されてなる第１半導体素子と、前記ダイパッドにおける前記第１領域とは異なる所定の第２領域に絶縁フィルムを介して実装されてなる第２半導体素子とを備えるものであってもよい。
【００１９】
［８］本発明の樹脂封止型高耐圧半導体装置は、前記リードフレームとして、少なくとも２つのリードと、前記少なくとも２つのリードのうち１つのリードと一体に形成されてなるダイパッドとを有するリードフレームを備え、前記半導体素子として、前記ダイパッドに実装されてなる第１半導体素子と、前記第１半導体素子の上に絶縁フィルムを介して実装されてなる第２半導体素子とを備えるものであってもよい。
【００２０】
［９］本発明の樹脂封止型高耐圧半導体装置は、前記第１半導体素子が、高電圧スイッチング素子からなり、前記第２半導体素子が、高耐圧半導体素子を有し、前記高電圧スイッチング素子に供給する制御信号を供給する制御用集積回路からなるものであってもよい。
【００２１】
［１０］本発明の樹脂封止型高耐圧半導体装置は、以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止してなる樹脂封止型高耐圧半導体装置よりも、高い高温高湿バイアス耐量を有する。
（ａ）エポキシ樹脂
（ｂ）アミン系硬化促進剤
（ｃ）破砕型の無機フィラー
【発明の効果】
【００２２】
本発明の樹脂封止型高耐圧半導体装置は、以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止してなる樹脂封止型高耐圧半導体装置であるため、以下のような効果を有する。
（ａ）エポキシ樹脂
（ｂ）アミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤
（ｃ）破砕型の無機フィラー
【００２３】
すなわち、本発明によれば、破砕型の無機フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて製造した樹脂封止型高耐圧半導体装置でありながら、高いＴＨＢ耐量を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を提供することが可能となる。
【００２４】
また、本発明によれば、以下のような効果も得られる。すなわち、硬化促進剤としてアミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤の両方を含有するエポキシ樹脂組成物を用いた場合には、アミン系硬化促進剤又はリン系硬化促進剤のみを単独で含有するエポキシ樹脂組成物を用いた場合よりも多量の破砕型の無機フィラーを含有させることが可能となる。この理由は、硬化促進剤としてアミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤の両方を含有するエポキシ樹脂組成物を用いた場合には、前述の通り、アミン系硬化促進剤のみを単独で含有する場合よりもエポキシ樹脂組成物の不純物イオンの含有量を少なくできることから、破砕型の無機フィラーの含有量を増やすことに起因して不純物イオンの含有量が増加してしまうことを抑制できるからであり、また、硬化促進剤としてアミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤の両方を含有するエポキシ樹脂組成物を用いた場合には、前述の通り、リン系硬化促進剤のみを単独で含有する場合よりもエポキシ樹脂組成物の粘度を低くできることから、破砕型の無機フィラーの含有量を増やすことに起因してエポキシ樹脂組成物の粘度が増加してしまうこと抑制できるからである。
【００２５】
このため、本発明によれば、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、吸湿量をより低くして、電解腐食破壊や絶縁破壊を起こし難くすることが可能となるため、これによってもＴＨＢ耐量を高くすることが可能となる。
【００２６】
また、本発明によれば、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、より一層熱伝導性に優れた樹脂封止型高耐圧半導体装置を構成することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置１００を説明するために示す図である。
【図２】試験例１の結果を示す図である。
【図３】試験例２の結果を示す図である。
【図４】試験例３の結果を示す図である。
【図５】試験例４の結果を示す図である。
【図６】変形例１に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置２００を説明するために示す図である。
【図７】変形例２に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置３００を説明するために示す図である。
【図８】変形例３に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置４００を説明するために示す図である。
【図９】変形例４に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置５００を説明するために示す図である。
【図１０】変形例５に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置６００を説明するために示す図である。
【図１１】変形例６に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置７００を説明するために示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の樹脂封止型高耐圧半導体装置について、図に示す実施形態に基づいて説明する。
【００２９】
１．実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置
図１は、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置１００を説明するために示す図である。図１（ａ）は樹脂封止型高耐圧半導体装置１００を構成するリードフレーム１１０の平面図であり、図１（ｂ）はリードフレーム１１０に半導体素子１２０を実装したときの平面図であり、図１（ｃ）はリードフレーム１１０及び半導体素子１２０にワイヤーボンディングを施したときの平面図であり、図１（ｄ）は樹脂封止型高耐圧半導体装置１００の斜視図である。
【００３０】
実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置１００は、ＩＣモジュールであって、以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子１２０を樹脂封止してなる樹脂封止型高耐圧半導体装置である。
（ａ）エポキシ樹脂
（ｂ）アミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤
（ｃ）破砕型の無機フィラー
【００３１】
具体的には、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置１００は、図１に示すように、エポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる樹脂成形体１４０と、樹脂成形体１４０の内部に収納され、樹脂成形体１４０から端部が突出するリードフレームと、樹脂成形体１４０の内部に収納され、リードフレーム１１０に実装されてなる半導体素子とを備える。
【００３２】
そして、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置１００においては、リードフレームとして、５つのリード１１１〜１１５と、５つのリード１１１〜１１５のうち１つのリード１１５と一体に形成されてなるダイパッド１１８とを有するリードフレーム１１０を備え、半導体素子として、ダイパッド１１８に実装されてなる半導体素子１２０を備える。
【００３３】
半導体素子１２０は、高耐圧半導体素子を含む集積回路（ＩＣ）からなる。
【００３４】
リード１１１は、制御信号出力端子を構成し、金ワイヤー１３０を介して半導体素子１２０の制御信号出力電極と接続されている。リード１１２は、ドレイン端子を構成し、金ワイヤー１３０を介して半導体素子１２０内の高耐圧半導体素子のドレイン電極と接続されている。リード１１３は、信号検出端子を構成し、金ワイヤー１３０を介して半導体素子１２０内の信号検出電極と接続されている。
【００３５】
リード１１４は、集積回路用電源電圧供給端子を構成し、金ワイヤー１３０を介して半導体素子１２０の集積回路用電源電圧供給電極と接続されている。リード１１５は、接地端子を構成し、リード１１５と一体に形成されてなるダイパッド１１８を介して半導体素子１２０のチップ裏面側と接続され、ダイパッド１１８及び金ワイヤー１３０を介して半導体素子１２０の接地電極と接続されている。
【００３６】
樹脂成形体１４０には、実装用のユーティリティ孔１４２が形成されている。
【００３７】
実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置１００（及び半導体素子１２０）は、４００Ｖ以上の耐圧特性を有する。
【００３８】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、トリヒドロキシベンゼントリグリシジルエーテル、２，５−ジ−ｔ−ブチル−ハイドロキノンジグリシジルエーテル、トリフェノールメタントリグリシジルエーテル等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。これらエポキシ樹脂の中でも、軟化点あるいは融点が低く、所定の条件下で液状もしくは流動性を有し、成形温度近傍で低粘度となるエポキシ樹脂を用いることが流動性の点から好ましい。
【００３９】
アミン系硬化促進剤としては、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデセン−７等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００４０】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン等のトリアリールホスフィン類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００４１】
破砕型の無機フィラーとしては、結晶シリカ、アルミナ、窒化硅素、窒化アルミニウムなどを破砕して得られる無機フィラーを用いる。
【００４２】
破砕型の無機フィラーの含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の７０〜９５重量％の範囲に設定することが好ましい。すなわち、７０重量％未満では、充分な熱伝導性を得ることが困難となる傾向がみられ、９５重量％を超えると、流動性が低下し、パッケージ内のワイヤー流れ、ダイパッドシフト、リードピンの変形、さらにはボイドの発生が多発する傾向がみられるからである。
【００４３】
実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置においては、エポキシ樹脂、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、破砕型の無機フィラーに加えて、硬化剤や通常用いられる各種添加剤が必要に応じて適宜配合される。
【００４４】
この場合、硬化剤は、上記エポキシ樹脂の硬化剤としての作用を奏するものであり、特に限定するものではなく１分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般や酸無水物等などがある。例えば、上記フェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマーとしては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビフェニル型ノボラック樹脂、トリフェニルメタン型樹脂、ナフトールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、フェノール樹脂、ナフトール樹脂、テルペンフェノール樹脂等があげられ、これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、常温で液状もしくは流動性を有し、成形温度近傍で低粘度となる硬化剤を用いることが流動性の点から好ましい。
【００４５】
また、各種添加剤としては、例えば、難燃剤、離型剤、密着性付与剤等があげられる。
【００４６】
難燃剤としては、ノボラック型ブロム化エポキシ樹脂や金属水酸化物等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００４７】
離型剤としては、高級脂肪酸、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、例えば、カルナバワックスやポリエチレン系ワックス等が用いられ、これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００４８】
密着性付与剤としては、特に限定するものではなく各種シランカップリング剤を用いることができ、なかでも２個以上のアルコキシ基を有するものが好適に用いられる。具体的には、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００４９】
以上のような構成を有する実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置によれば、破砕型の無機フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて製造した樹脂封止型高耐圧半導体装置でありながら、高いＴＨＢ耐量を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を提供することが可能となる。
【００５０】
また、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置によれば、多量の破砕型の無機フィラーを含有させることが可能となることから、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、吸湿量をより低くして、電解腐食破壊や絶縁破壊を起こし難くすることが可能となるため、これによってもＴＨＢ耐量を高くすることが可能となる。また、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、より一層熱伝導性に優れた樹脂封止型高耐圧半導体装置を構成することも可能となる。
【００５１】
［試験例］
以下、試験例により本発明をさらに詳細に説明する。
【００５２】
１．試料の調製
（１）試料１（電解腐食破壊評価用試料／実施例）
基本的には、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置と同様の構造を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を試料１とした。但し、トランスファー成形を行う際に用いるエポキシ樹脂組成物としては、以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いた。
【００５３】
エポキシ樹脂：エポキシ樹脂Ａ
硬化促進剤：アミン系硬化促進剤Ａ及びリン系硬化促進剤Ａ
破砕型の無機フィラー：破砕型の無機フィラーＡ
硬化剤：硬化剤Ａ
難燃剤：難燃剤Ａ
離型剤：離型剤Ａ
密着性付与剤：密着性付与剤Ａ
【００５４】
（２）試料２（電解腐食破壊評価用試料／比較例）
基本的には、試料１と同様の構造を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を試料２とした。但し、トランスファー成形を行う際に用いるエポキシ樹脂組成物としては、以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いた。
【００５５】
エポキシ樹脂：エポキシ樹脂Ａ
硬化促進剤：アミン系硬化促進剤Ａ及びアミン系硬化促進剤Ｂ
破砕型の無機フィラー：破砕型の無機フィラーＡ
硬化剤：硬化剤Ａ
難燃剤：難燃剤Ａ
離型剤：離型剤Ａ
密着性付与剤：密着性付与剤Ａ
但し、エポキシ樹脂組成物中に添加する破砕型の無機フィラーの量は、試料１の場合よりも少量とした。
【００５６】
（３）試料３（絶縁破壊評価用試料／実施例）
【００５７】
試料１からワイヤーボンディングを削除した構造を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を試料３とした。
【００５８】
（４）試料４（絶縁破壊評価用試料／比較例）
【００５９】
試料２からワイヤーボンディングを削除した構造を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を試料４とした。
【００６０】
２．試験方法
（１）試験例１（ＴＨＢ試験１／電解腐食破壊評価）
温度８５℃、湿度８５％に条件設定された恒温恒湿槽・ＴＨＢ試験機に、試料１を９個投入するとともに試料２を８個投入し、試料１及び２のそれぞれについて、半導体素子１２０内の高耐圧半導体素子がオフするように、集積回路である半導体素子１２０を動作させた状態で、リード１１５（接地端子）に０Ｖの電位、リード１１２（ドレイン端子）に４５０Ｖの電位を印加し、５００時間静置した。その後、試料が破壊しているかどうかを、電気的特性確認によって判断し、破壊していた試料を不良品として、恒温恒湿槽・ＴＨＢ試験機から取り出した。
【００６１】
一方、電気的特性確認によって破壊していない試料については良品として、同じ条件でさらに５００時間（累積１０００時間）静置した。その後、試料が破壊しているかどうかを、電気的特性確認によって判断し、破壊していた試料を不良品として、恒温恒湿槽・ＴＨＢ試験機から取り出した。
一方、電気的特性確認によって破壊していない試料については良品として、同様の条件で累積静置時間が３５００時間になるまでＴＨＢ試験を繰り返した。
【００６２】
なお、不良品と判定された試料については、エポキシ樹脂組成物を薬品解体により除去して、試料が電解腐食破壊モードにより破壊されているかどうかを目視で確認した。
【００６３】
（２）試験例２（ＴＨＢ試験２／絶縁破壊評価）
温度８５℃、湿度８５％に条件設定された恒温恒湿槽・ＴＨＢ試験機に、試料３を９個投入するとともに試料４を８個投入し、試料３及び４のそれぞれについて、リード１１１（制御信号出力端子）、リード１１３（信号検出端子）、リード１１４（集積回路用電源電圧供給端子）及びリード１１５（接地端子）に０Ｖの電位、リード１１２（ドレイン端子）に８１０Ｖの電位を印加し、５００時間静置した。その後、各試料について、分割されたリードフレーム間に存在するエポキシ樹脂組成物が絶縁破壊しているかどうかを、絶縁耐圧試験機によって判断し、絶縁破壊していた試料を不良品として、恒温恒湿槽・ＴＨＢ試験機から取り出した。
【００６４】
一方、絶縁耐圧試験機による確認によって絶縁破壊していない試料については良品として、同じ条件でさらに５００時間（累積１０００時間）静置した。その後、試料が絶縁破壊しているかどうかを、絶縁耐圧試験機によって判断し、絶縁破壊していた試料を不良品として、恒温恒湿槽・ＴＨＢ試験機から取り出した。
一方、絶縁耐圧試験機による確認によって絶縁破壊していない試料については良品として、同様の条件で累積静置時間が３５００時間になるまでＴＨＢ試験を繰り返した。
【００６５】
（３）試験例３（ＢＴ試験１／電解腐食破壊評価）
温度１５０℃に条件設定された恒温槽・ＢＴ試験機に、試料１を９個投入するとともに試料２を８個投入し、試料１及び２のそれぞれについて、半導体素子１２０内の高耐圧半導体素子がオフするように、集積回路である半導体素子１２０を動作させた状態で、リード１１５（接地端子）に０Ｖの電位、リード１１２（ドレイン端子）に４５０Ｖの電位を印加し、５００時間静置した。その後、試料が破壊しているかどうかを、電気的特性確認によって判断し、破壊していた試料を不良品として、恒温槽・ＢＴ試験機から取り出した。
【００６６】
一方、電気的特性確認によって破壊していない試料については良品として、同じ条件でさらに５００時間（累積１０００時間）静置した。その後、試料が破壊しているかどうかを、電気的特性確認によって判断し、破壊していた試料を不良品として、恒温槽・ＢＴ試験機から取り出した。
【００６７】
一方、電気的特性確認によって破壊していない試料については良品として、同様の条件で累積静置時間が３５００時間になるまでＢＴ試験を繰り返した。
【００６８】
なお、不良品と判定された試料については、エポキシ樹脂組成物を薬品解体により除去して、試料が電解腐食破壊モードにより破壊されているかどうかを目視で確認した。
【００６９】
（４）試験例４（ＢＴ試験２／絶縁破壊評価）
温度１５０℃に条件設定された恒温槽・ＢＴ試験機に、試料３を９個投入するとともに試料４を８個投入し、試料３及び４のそれぞれについて、リード１１１（制御信号出力端子）、リード１１３（信号検出端子）、リード１１４（集積回路用電源電圧供給端子）及びリード１１５（接地端子）に０Ｖの電位、リード１１２（ドレイン端子）に８１０Ｖの電位を印加し、５００時間静置した。その後、試料において、分割されたリードフレーム間に存在するエポキシ樹脂組成物が絶縁破壊しているかどうかを、絶縁耐圧試験機によって判断し、絶縁破壊していた試料を不良品として、恒温槽・ＢＴ試験機から取り出した。
【００７０】
一方、絶縁耐圧試験機による確認によって絶縁破壊していない試料については良品として、同じ条件でさらに５００時間（累積１０００時間）静置した。その後、試料が絶縁破壊しているかどうかを、絶縁耐圧試験機によって判断し、絶縁破壊していた試料を不良品として、恒温槽・ＢＴ試験機から取り出した。
【００７１】
一方、絶縁耐圧試験機による確認によって絶縁破壊していない試料については良品として、同様の条件で累積静置時間が３５００時間になるまでＢＴ試験を繰り返した。
【００７２】
３．試験結果
図２は、試験例１の結果を示す図である。図３は、試験例２の結果を示す図である。図４は、試験例３の結果を示す図である。図５は、試験例４の結果を示す図である。
【００７３】
試験例１〜２の結果、図２からは、試料１（実施例）が、試料２（比較例）よりも高いＴＨＢ耐量（電解腐食破壊評価）を有することが分かった。また、図３からは、試料３（実施例）が、試料４（比較例）よりも高いＴＨＢ耐量（絶縁破壊評価）を有することが分かった。
試験例３〜４の結果、図４からは、試料１（実施例）及び試料２（比較例）はともに高いＢＴ耐量（電解腐食破壊評価）を有することが分かった。また、図５からは、試料３（実施例）及び試料４（比較例）はともに高いＢＴ耐量（絶縁破壊評価）を有することが分かった。
【００７４】
［変形例１］
図６は、変形例１に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置２００を説明するために示す図である。図６（ａ）は樹脂成形体の図示を省略したときの樹脂封止型高耐圧半導体装置２００の平面図であり、図６（ｂ）は樹脂成形体の図示を省略したときの樹脂封止型高耐圧半導体装置２００の側面図であり、図６（ｃ）は樹脂封止型高耐圧半導体装置２００の斜視図である。
【００７５】
変形例１に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置２００は、ＭＯＳＦＥＴであって、図６に示すように、エポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる樹脂成形体２４０と、樹脂成形体２４０の内部に収納され、樹脂成形体から端部が突出するリードフレームと、樹脂成形体２４０の内部に収納され、前記リードフレームに実装されてなる半導体素子とを備える。
【００７６】
そして、変形例１に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置２００においては、リードフレームとして、３つのリード２１１〜２１３と、３つのリード２１１〜２１３のうち１つのリード２１２と一体に形成されてなるダイパッド２１４とを有するリードフレーム２１０を備え、半導体素子として、ダイパッド２１４に実装されてなる半導体素子２２０を備える。
【００７７】
半導体素子２２０は、ＭＯＳＦＥＴ素子からなる。リード２１１は、ソース端子を構成し、金ワイヤー２３０を介して半導体素子２２０のソース電極と接続されている。リード２１２は、ドレイン端子を構成し、リード２１２と一体に形成されてなるダイパッド２１４を介して半導体素子２２０のドレイン電極と接続されている。リード２１３は、ゲート端子を構成し、金ワイヤー２３０を介して半導体素子２２０のゲート電極と接続されている。
【００７８】
樹脂成形体は、実施形態の場合と同様に、以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる。
（ａ）エポキシ樹脂
（ｂ）アミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤
（ｃ）破砕型の無機フィラー
【００７９】
このように、変形例１に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置２００は、半導体装置の種類が実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置とは異なるが、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置１００と同様の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなるため、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置と同様にＴＨＢ試験における不良の発生確率を低減させることができる。
【００８０】
すなわち、破砕型の無機フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて製造した樹脂封止型高耐圧半導体装置でありながら、高いＴＨＢ耐量を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を提供することが可能となる。
【００８１】
また、多量の破砕型の無機フィラーを含有させることが可能となることから、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、吸湿量をより低くして、電解腐食破壊や絶縁破壊を起こし難くすることが可能となるため、これによってもＴＨＢ耐量を高くすることが可能となる。また、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、より一層熱伝導性に優れた樹脂封止型高耐圧半導体装置を構成することも可能となる。
【００８２】
［変形例２］
図７は、変形例２に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置３００を説明するために示す図である。図７（ａ）は樹脂成形体の図示を省略したときの樹脂封止型高耐圧半導体装置３００の平面図であり、図７（ｂ）は樹脂成形体の図示を省略したときの樹脂封止型高耐圧半導体装置３００の側面図であり、図７（ｃ）は樹脂封止型高耐圧半導体装置３００の斜視図である。
【００８３】
変形例２に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置３００は、サイリスターであって、図７に示すように、エポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる樹脂成形体３４０と、樹脂成形体３４０の内部に収納され、樹脂成形体から端部が突出するリードフレームと、樹脂成形体３４０の内部に収納され、リードフレームに実装されてなる半導体素子とを備える。
【００８４】
そして、変形例２に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置３００においては、リードフレームとして、３つのリード３１１〜３１３と、３つのリード３１１〜３１３のうち１つのリード３１２と一体に形成されてなるダイパッド３１４とを有するリードフレーム３１０を備え、半導体素子として、ダイパッド３１４に実装されてなる半導体素子３２０を備える。
【００８５】
半導体素子３２０は、サイリスター素子からなる。リード３１１は、カソード端子を構成し、金ワイヤー３３０を介して半導体素子３２０のカソード電極と接続されている。リード３１２は、アノード端子を構成し、リード３１２と一体に形成されてなるダイパッド３１４を介して半導体素子３２０のアノード電極と接続されている。リード３１３は、ゲート端子を構成し、金ワイヤー３３０を介して半導体素子３２０のゲート電極と接続されている。
【００８６】
樹脂成形体は、実施形態の場合と同様に、以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる。
（ａ）エポキシ樹脂
（ｂ）アミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤
（ｃ）破砕型の無機フィラー
【００８７】
このように、変形例２に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置３００は、半導体装置の種類が実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置とは異なるが、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置１００と同様の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなるため、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置と同様にＴＨＢ試験における不良の発生確率を低減させることができる。
【００８８】
すなわち、破砕型の無機フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて製造した樹脂封止型高耐圧半導体装置でありながら、高いＴＨＢ耐量を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を提供することが可能となる。
【００８９】
また、多量の破砕型の無機フィラーを含有させることが可能となることから、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、吸湿量をより低くして、電解腐食破壊や絶縁破壊を起こし難くすることが可能となるため、これによってもＴＨＢ耐量を高くすることが可能となる。また、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、より一層熱伝導性に優れた樹脂封止型高耐圧半導体装置を構成することも可能となる。
【００９０】
［変形例３］
図８は、変形例３に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置４００を説明するために示す図である。図８（ａ）は樹脂成形体の図示を省略したときの樹脂封止型高耐圧半導体装置４００の平面図であり、図８（ｂ）は樹脂成形体の図示を省略したときの樹脂封止型高耐圧半導体装置４００の側面図であり、図８（ｃ）は樹脂封止型高耐圧半導体装置４００の斜視図である。
【００９１】
変形例３に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置４００は、ｐｎダイオードであって、図８に示すように、エポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる樹脂成形体４４０と、樹脂成形体４４０の内部に収納され、樹脂成形体から端部が突出するリードフレームと、樹脂成形体４４０の内部に収納され、リードフレームに実装されてなる半導体素子とを備える。
【００９２】
そして、変形例３に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置４００においては、リードフレームとして、２つのリード４１１〜４１２と、２つのリード４１１〜４１２のうち１つのリード４１１と一体に形成されてなるダイパッド４１４とを有するリードフレーム４１０を備え、半導体素子として、ダイパッド４１４に実装されてなる半導体素子４２０を備える。
【００９３】
半導体素子４２０は、ｐｎダイオード素子からなる。リード４１１は、アノード端子を構成し、リード４１１と一体に形成されてなるダイパッド４１４を介して半導体素子４２０のアノード電極と接続されている。リード４１２は、カソード端子を構成し、金ワイヤー４３０を介して半導体素子４２０のカソード電極と接続されている。
【００９４】
樹脂成形体は、実施形態の場合と同様に、以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる。
（ａ）エポキシ樹脂
（ｂ）アミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤
（ｃ）破砕型の無機フィラー
【００９５】
このように、変形例３に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置４００は、半導体装置の種類が実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置とは異なるが、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置１００と同様の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなるため、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置と同様にＴＨＢ試験における不良の発生確率を低減させることができる。
【００９６】
すなわち、破砕型の無機フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて製造した樹脂封止型高耐圧半導体装置でありながら、高いＴＨＢ耐量を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を提供することが可能となる。
【００９７】
また、多量の破砕型の無機フィラーを含有させることが可能となることから、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、吸湿量をより低くして、電解腐食破壊や絶縁破壊を起こし難くすることが可能となるため、これによってもＴＨＢ耐量を高くすることが可能となる。また、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、より一層熱伝導性に優れた樹脂封止型高耐圧半導体装置を構成することも可能となる。
【００９８】
［変形例４］
図９は、変形例４に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置５００を説明するために示す図である。図９（ａ）は樹脂封止型高耐圧半導体装置５００を構成するリードフレーム５１０の平面図であり、図９（ｂ）はリードフレーム５１０に半導体素子５２０、５２１を実装したときの平面図であり、図９（ｃ）はリードフレーム５１０及び半導体素子５２０、５２１にワイヤーボンディングを施したときの平面図であり、図９（ｄ）は樹脂封止型高耐圧半導体装置５００の斜視図である。
【００９９】
変形例４に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置５００は、マルチチップモジュールであって、図９に示すように、エポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる樹脂成形体５４０と、樹脂成形体５４０の内部に収納され、樹脂成形体から端部が突出するリードフレームと、樹脂成形体５４０の内部に収納され、リードフレームに実装されてなる半導体素子とを備える。
【０１００】
そして、変形例４に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置５００においては、リードフレームとして、６つのリード５１１〜５１６と、６つのリード５１１〜５１６のうち１つのリード５１１と一体に形成されてなる第１ダイパッド５１８と、６つのリード５１１〜５１６のうち上記した１つのリード５１１とは異なる別のリード５１６と一体に形成されてなる第２ダイパッド５１９とを有するリードフレーム５１０を備え、半導体素子として、第１ダイパッド５１８に実装されてなる第１半導体素子５２０と、第２ダイパッド５１９に実装されてなる第２半導体素子５２１とを備える。
【０１０１】
２つの半導体素子のうち、第１半導体素子５２０が高電圧スイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）からなり、第２半導体素子５２１が、高耐圧半導体素子を有し、高電圧スイッチング素子に制御信号を供給する制御用集積回路（ＩＣ）からなる。
【０１０２】
樹脂成形体５４０には、実装用のユーティリティ孔５４２が形成されている。
【０１０３】
樹脂成形体は、実施形態の場合と同様に、以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる。
（ａ）エポキシ樹脂
（ｂ）アミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤
（ｃ）破砕型の無機フィラー
【０１０４】
このように、変形例４に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置５００は、半導体装置の種類が実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置とは異なるが、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置１００と同様の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなるため、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置と同様にＴＨＢ試験における不良の発生確率を低減させることができる。
【０１０５】
すなわち、破砕型の無機フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて製造した樹脂封止型高耐圧半導体装置でありながら、高いＴＨＢ耐量を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を提供することが可能となる。
【０１０６】
また、多量の破砕型の無機フィラーを含有させることが可能となることから、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、吸湿量をより低くして、電解腐食破壊や絶縁破壊を起こし難くすることが可能となるため、これによってもＴＨＢ耐量を高くすることが可能となる。また、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、より一層熱伝導性に優れた樹脂封止型高耐圧半導体装置を構成することも可能となる。
【０１０７】
［変形例５］
図１０は、変形例５に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置６００を説明するために示す図である。図１０（ａ）は樹脂封止型高耐圧半導体装置６００を構成するリードフレーム６１０の平面図であり、図１０（ｂ）はリードフレーム６１０に絶縁フィルム６４０及び半導体素子６２０、６２１を実装したときの平面図であり、図１０（ｃ）はリードフレーム６１０及び半導体素子６２０、６２１にワイヤーボンディングを施したときの平面図であり、図１０（ｄ）は樹脂封止型高耐圧半導体装置６００の斜視図である。
【０１０８】
変形例５に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置６００は、マルチチップモジュールであって、図１０に示すように、エポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる樹脂成形体６５０と、樹脂成形体６５０の内部に収納され、樹脂成形体から端部が突出するリードフレームと、樹脂成形体６５０の内部に収納され、リードフレームに実装されてなる半導体素子とを備える。
【０１０９】
そして、変形例５に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置６００においては、リードフレームとして、６つのリード６１１〜６１６と、６つのリード６１１〜６１６のうち１つのリード６１６と一体に形成されてなるダイパッド６１８とを有するリードフレーム６１０を備え、半導体素子として、ダイパッド６１８における所定の第１領域に実装されてなる第１半導体素子６２０と、ダイパッド６１８における第１領域とは異なる所定の第２領域に絶縁フィルム６４０を介して実装されてなる第２半導体素子６２１とを備える。
【０１１０】
２つの半導体素子のうち、第１半導体素子６２０が高電圧スイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）からなり、第２半導体素子６２１が、高耐圧半導体素子を有し、高電圧スイッチング素子に制御信号を供給する制御用集積回路（ＩＣ）からなる。
【０１１１】
樹脂成形体６５０には、実装用のユーティリティ孔６５２が形成されている。
【０１１２】
樹脂成形体は、実施形態の場合と同様に、以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる。
（ａ）エポキシ樹脂
（ｂ）アミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤
（ｃ）破砕型の無機フィラー
【０１１３】
このように、変形例５に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置６００は、半導体装置の種類が実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置とは異なるが、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置１００と同様の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなるため、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置と同様にＴＨＢ試験における不良の発生確率を低減させることができる。
【０１１４】
すなわち、破砕型の無機フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて製造した樹脂封止型高耐圧半導体装置でありながら、高いＴＨＢ耐量を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を提供することが可能となる。
【０１１５】
また、多量の破砕型の無機フィラーを含有させることが可能となることから、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、吸湿量をより低くして、電解腐食破壊や絶縁破壊を起こし難くすることが可能となるため、これによってもＴＨＢ耐量を高くすることが可能となる。また、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、より一層熱伝導性に優れた樹脂封止型高耐圧半導体装置を構成することも可能となる。
【０１１６】
［変形例６］
図１１は、変形例６に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置７００を説明するために示す図である。図１１（ａ）は樹脂封止型高耐圧半導体装置７００を構成するリードフレーム７１０の平面図であり、図１１（ｂ）はリードフレーム７１０に半導体素子７２０、絶縁フィルム７４０及び半導体素子７２１を実装したときの平面図であり、図１１（ｃ）はリードフレーム７１０及び半導体素子７２０、７２１にワイヤーボンディングを施したときの平面図であり、図１１（ｄ）は樹脂封止型高耐圧半導体装置７００の斜視図である。
【０１１７】
変形例６に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置７００は、マルチチップモジュールであって、図１１に示すように、エポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる樹脂成形体７５０と、樹脂成形体７５０の内部に収納され、樹脂成形体から端部が突出するリードフレームと、樹脂成形体７５０の内部に収納され、リードフレームに実装されてなる半導体素子とを備える。
【０１１８】
そして、変形例６に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置７００においては、リードフレームとして、６つのリード７１１〜７１６と、６つのリード７１１〜７１６のうち１つのリード７１６と一体に形成されてなるダイパッド７１８とを有するリードフレーム７１０を備え、半導体素子として、ダイパッド７１８に実装されてなる第１半導体素子７２０と、前記第１半導体素子７２０の上に絶縁フィルム７４０を介して実装されてなる第２半導体素子７２１とを備える。
【０１１９】
２つの半導体素子のうち、第１半導体素子７２０が高電圧スイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）からなり、第２半導体素子７２１が、高耐圧半導体素子を有し、高電圧スイッチング素子に制御信号を供給する制御用集積回路（ＩＣ）からなる。
【０１２０】
樹脂成形体７５０には、実装用のユーティリティ孔７５２が形成されている。
【０１２１】
樹脂成形体は、実施形態の場合と同様に、以下の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなる。
（ａ）エポキシ樹脂
（ｂ）アミン系硬化促進剤及びリン系硬化促進剤
（ｃ）破砕型の無機フィラー
【０１２２】
このように、変形例６に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置７００は、半導体装置の種類が実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置とは異なるが、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置１００と同様の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を硬化させたものからなるため、実施形態に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置と同様にＴＨＢ試験における不良の発生確率を低減させることができる。
【０１２３】
すなわち、破砕型の無機フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて製造した樹脂封止型高耐圧半導体装置でありながら、高いＴＨＢ耐量を有する樹脂封止型高耐圧半導体装置を提供することが可能となる。
【０１２４】
また、多量の破砕型の無機フィラーを含有させることが可能となることから、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、吸湿量をより低くして、電解腐食破壊や絶縁破壊を起こし難くすることが可能となるため、これによってもＴＨＢ耐量を高くすることが可能となる。また、より多量の破砕型の無機フィラーを含有させることにより、より一層熱伝導性に優れた樹脂封止型高耐圧半導体装置を構成することも可能となる。
【０１２５】
以上、本発明を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
【０１２６】
（１）上記変形例４〜６に係る樹脂封止型高耐圧半導体装置（マルチチップモジュール）においては、第１半導体素子としてＭＯＳＦＥＴを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。ＭＯＳＦＥＴに代えてＩＧＢＴ、ダイオード、ＩＣなどを用いることもできる。また、３つ以上の半導体素子を搭載することもできる。
【０１２７】
（２）上記変形例３においては、半導体素子としてｐｎダイオードを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。ｐｎダイオードに代えてショットキーバリアダイオードなどを用いることもできる。
【０１２８】
（３）上記実施形態及び各変形例においては、ＩＣモジュール、ＭＯＳＦＥＴ、サイリスター、ｐｎダイオード、マルチチップモジュールを例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。ＩＧＢＴ、ＧＴＯ、トライアック、ブリッジダイオードなどに本発明を適用することもできる。
【０１２９】
（４）上記実施形態及び各変形例においては、リードと半導体素子等を接続する手段として金ワイヤーを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。他の金属ワイヤー、板状の接続子などを用いることもできる。
【０１３０】
（５）上記実施形態において記載した成分（エポキシ樹脂、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、破砕型の無機フィラー、硬化剤、難燃剤、離型剤、密着性付与剤など）は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。
【符号の説明】
【０１３１】
１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００…樹脂封止型高耐圧半導体装置、１１０，２１０，３１０，４１０，５１０，６１０，７１０…リードフレーム、１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，２１１，２１２，２１３，３１１，３１２，３１３，４１１，４１２，５１１，５１２，５１３，５１４，５１５，５１６，６１１，６１２，６１３，６１４，６１５，６１６，７１１，７１２，７１３，７１４，７１５，７１６…リード、１１８，２１４，３１４，４１４，５１８，５１９，６１８，７１８…ダイパッド、１３０，２３０，３３０，４３０，５３０，６３０，７３０…金ワイヤー、１４０，２４０，３４０，４４０，５４０，６５０，７５０…樹脂成型体、１４２，５４２，６５２，７５２…実装用ユーティリティ孔、１２０，２２０，３２０，４２０…半導体素子、５２０，６２０，７２０…第１半導体素子、５２１，６２１，７２１…第２半導体素子、６４０，７４０…絶縁フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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