(57)【要約】【課題】  銀の半導体へのマイグレーションを有効に防止して、信頼性の高い半導体発光素子を得ることを目的とする。【解決手段】  第１導電型半導体層と、第２導電型半導体層とを少なくとも有し、前記第１導電型半導体層に接続された第１電極と、前記第２導電型半導体層に接続された第２電極とを備え、前記第１電極と前記第２電極とは前記第１導電型半導体層の同一面側に配置されて構成される半導体発光素子であって、前記第２電極は、銀合金または銀を含む第１金属膜と、前記第１金属膜を被覆し、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金またはアルミニウムを含む第２金属膜と、前記第２金属膜上にアルミニウム、導電性金属、金を主成分とする金合金または金、の順に積層されてなる、上面視では前記第２金属膜よりも小面積の第３金属膜と、が積層されている半導体発光素子に関する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層と、第２導電型半導体層とを少なくとも有し、前記第１導電型半導体層に接続された第１電極と、前記第２導電型半導体層に接続された第２電極とを備え、前記第１電極と前記第２電極とは前記第１導電型半導体層の同一面側に配置されて構成される半導体発光素子であって、
前記第２電極は、銀合金または銀を含む第１金属膜と、
前記第１金属膜を被覆し、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金またはアルミニウムを含む第２金属膜と、
前記第２金属膜上にアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金またはアルミニウム、導電性金属、金を主成分とする金合金または金、の順に積層されてなる、上面視では前記第２金属膜よりも小面積の第３金属膜と、
が積層されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記第２金属膜と前記第３金属膜との接合面以外の前記第２金属膜は、最表面に酸化アルミニウム膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第２金属膜と前記第３金属膜との接合面は、酸化アルミニウム層よりもアルミニウム層の方が表面積が広いことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第１金属膜は、第２金属膜で完全に覆われていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１金属膜の外周よりも外側の第２金属膜は、２μｍ乃至７μｍであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第第２導電型半導体層と、前記第２金属膜と、および、前記第３金属膜の一部と、を覆う保護膜または誘電体多層膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第２電極の第３金属膜と、前記第１電極とは、同一の材料で形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第２電極上に、更に第２金属バンプが形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子に関し、より詳細には、半導体発光素子における電極の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、フリップチップタイプの窒化物半導体発光素子において、ｐ電極として、オーミックコンタクトをとるための電極材料として銀合金または銀からなる構成が利用されている。銀合金または銀は、半導体発光素子の発光層で生じた光を効率よく反射させることから、高輝度の半導体発光素子を実現することができる。
しかし、ｐ側の電極材料として銀を用いた場合には、外部等との接続のために銀電極表面の一部が露出されているため、マイグレーションが発生、促進され、発光強度および寿命の低下等を招くという問題があった。
【０００３】
そこで、銀電極表面の露出を防止するために、銀を含まない電極材料によって銀電極を完全に被覆したり、銀電極と銀を含まない電極材料と銀電極との間に複数の貫通孔を有するＳｉＯ２膜を配置し、この貫通孔を通じて銀を含まない電極と銀電極との電気的接続を行ったりして、銀のマイグレーションを防止する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１６８８２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、銀を含まない電極材料によって銀電極を被覆した場合、電極形成後の熱処理またはその熱処理条件等により、銀を含まない電極材料中に銀電極の銀が拡散するという問題が生じていた。特に、銀を含まない電極材料として、アルミニウムが記載されているが、現実的にはアルミニウムを使用することはできないと考えられていた。それは、実装基板側との接合に使用される金バンプ等との金属接合が極めて不良となるためである。
【０００６】
また、銀を含まない電極材料と銀電極との間にＳｉＯ２膜を配置した場合、貫通孔により電気的な接続を確保しているとはいえ、両者の接触抵抗が上昇するという問題が生じていた。
さらに、ＳｉＯ２膜による物理的な遮断によって、銀を含まない電極材料への銀のマイグレーションが抑えられるとしても、窒化物半導体層への銀のマイグレーションを有効に防止するまでには至っておらず、依然として銀のマイグレーションに起因する発光強度の低下、発光素子の寿命の低下を抑制することができないという問題が生じていた。
【０００７】
そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたものである。つまり、本発明は窒化物半導体層上に高反射効率を有する銀合金または銀を有する電極が接触して形成されている場合において、銀の窒化物半導体へのマイグレーションを有効に防止することにより、信頼性の高い半導体発光素子を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発明者らは、銀合金または銀からなる電極の銀のマイグレーションについて鋭意研究を行った結果、銀合金または銀からなる電極における銀のマイグレーションが、他の電極材料や半導体と接触すること、接触状態で熱処理することまたは接触状態で通電することなどにより生じるのみならず、通電時の電界強度や、半導体発光素子の周辺のわずかな水分や湿度が銀に対して作用することにより、銀のマイグレーションが生じやすいことが知られている。したがって、発明者らは、通電時の電界強度を緩和し、また銀合金または銀からなる電極を水分および湿度から隔離することにより、劇的に銀のマイグレーションを回避することができることを見出し、本発明の完成に至った。
【０００９】
本発明は、第１導電型半導体層と、第２導電型半導体層とを少なくとも有し、前記第１導電型半導体層に接続された第１電極と、前記第２導電型半導体層に接続された第２電極とを備え、前記第１電極と前記第２電極とは前記第１導電型半導体層の同一面側に配置されて構成される半導体発光素子であって、前記第２電極は、銀合金または銀を含む第１金属膜と、前記第１金属膜を被覆し、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金またはアルミニウムを含む第２金属膜と、前記第２金属膜上にアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金またはアルミニウム、導電性金属、金を主成分とする金合金または金、の順に積層されてなる、上面視では前記第２金属膜よりも小面積の第３金属膜と、が積層されている半導体発光素子に関する。マイグレーション防止膜としてアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金またはアルミニウムを含む第２金属膜を用いる。これらは、反射率が高いという特性も併せ持つ。つまり、半導体発光素子の発光層から放出された光が第２金属膜と第２導電型半導体層との界面で効率よく反射され、発光ロスを最小限に抑えることができ、低消費電力および高発光効率の半導体発光素子を得ることができる。特に第１電極と対向する領域で電流密度が高くなるため、相対的に発光強度も高くなり、よりその効果を多く得ることが出来る。さらに、第３金属膜を形成することにより実装基板側のバンプ等との接合が極めて良好となる。これにより、第１金属膜に用いる銀合金または銀のマイグレーションを防止することができ、信頼性の高い半導体発光素子を得ることができる。
【００１０】
前記第２金属膜と前記第３金属膜との接合面以外の前記第２金属膜は、最表面に酸化アルミニウム膜が形成されている。これにより、多岐に渡る半導体発光素子の製造工程における電極損傷を抑制したり、発光装置に使用した際の様々な環境に対し堅牢な構造を得ることができたりという効果がある。
前記第２金属膜と前記第３金属膜との接合面は、酸化アルミニウム層よりもアルミニウム層の方が表面積が広いことが好ましい。これにより第２金属膜と第３金属膜との接合をより強固にすることができるからである。より好ましくは酸化アルミニウムを介在せずに第２金属膜のアルミニウムと第３金属膜のアルミニウムとが接合されていることである。
前記第１金属膜は、第２金属膜で完全に覆われていることが好ましい。これにより銀のマイグレーションをより抑制することができるからである。
前記第１金属膜の外周よりも外側の第２金属膜は、１μｍ乃至８μｍであることが好ましい。これは前記第１金属膜の外周から、第２金属膜の外周までの最短距離が１μｍ乃至８μｍであることを意味する。できる限り、第２金属膜と第２導電型半導体層との接触部分は小面積であることが好ましいが、より有効に銀のマイグレーションを抑制することができるからである。
前記第第２導電型半導体層と、前記第２金属膜と、および、前記第３金属膜の一部と、を覆う保護膜または誘電体多層膜が形成されている。これにより、半導体発光素子の製造工程における電極損傷を抑制することができたり、リークの発生を抑制することができたりするからである。
【００１１】
前記第２電極の第３金属膜と、前記第１電極とは、同一の材料で形成されていることをことが好ましい。同一の材料とは、単層の場合だけでなく、複数の層が積層されている場合は複数の層のそれぞれが同一の材料であることを意味する。より好ましくは、前記第２電極の第３金属膜と、前記第１電極とは、同一の厚みで形成されていることをことが好ましい。同一の材料とは、単層の場合だけでなく、複数の層が積層されている場合は複数の層のそれぞれが同一の厚みであることを意味する。
前記第２電極上に、更に第２金属バンプが形成されていることが好ましい。この第２金属バンプがバンプとして機能し、実装基板側との接合との接合をより強固にすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体発光素子によれば、第１金属膜に使用される銀のマイグレーションを抑制することができる。また、高発光効率の半導体発光素子を提供することもできる。さらに実装基板側の金バンプ等との接合が極めて良好となる。以上のように信頼性の高い半導体発光素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態における半導体発光素子の概略平面図である。
【図２】実施の形態における半導体発光素子の概略断面図（一部）である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る半導体発光素子及びその製造方法を、実施の形態及び実施例を用いて説明する。だたし、本発明は、この実施の形態及び実施例に限定されない。
図１は、実施の形態における半導体発光素子の概略平面図である。図２は、実施の形態における半導体発光素子の概略断面図（一部）である。説明の便宜上、断面図において、第２電極は第２導電型半導体層の中央に配置している。また、説明の便宜上、現物と図面の縮尺は一致しない。
本明細書において、上面と記載している箇所は、電極が形成されている側を指す。半導体発光素子からの光は電極が形成されている側と反対の側から主に放出される。
【００１５】
本発明の半導体発光素子１００は、第１導電型半導体層１０と、第２導電型半導体層３０とを少なくとも有している。通常、前記半導体発光素子１００は前記第１導電型半導体層１０および前記第２導電型半導体層３０との間に発光層２０が配置されている。前記半導体発光素子１００は、前記第１導電型半導体層１０に接続された第１電極４０と、前記第２導電型半導体層３０に接続された第２電極５０とを備え、前記第１電極４０と前記第２電極５０とは前記第１導電型半導体層１０の同一面側に配置されている。明細書において、前記第１導電型半導体層１０および前記第２導電型半導体層３０および前記発光層２０、又は、前記第１導電型半導体層１０および前記第２導電型半導体層３０を単に「半導体層」と記載する場合がある。
前記半導体発光素子１００は、大きさは特に限定されず、たとえば、上面視において一辺が１ｍｍのものや１．４ｍｍのような略正方形のものだけでなく、縦７００μｍ横３５０μｍのような略長方形のものであってもよい。
【００１６】
上面視において、露出されている前記第１導電型半導体層１０は、前記第２導電型半導体層３０の一部をエッチング等により除去されたものである。１つの半導体発光素子１００では、露出した前記第１導電型半導体層１０の面積と、前記第２導電型半導体層３０の面積とは、例えば、１：１０〜５０程度とすることが好ましい。この露出された前記第１導電型半導体層１０の表面には、前記第１電極４０が形成されている。前記第２導電型半導体層３０の表面には、前記第２電極５０が形成されている。したがって、前記第１電極４０と前記第２電極５０とは、上面視において、同一面に配置されている。
【００１７】
ここで、前記第１導電型とは、ｐ型またはｎ型を指し、前記第２導電型とは、第１導電型とは異なる導電型、つまりｎ型またはｐ型を示す。好ましくは、前記第１導電型半導体層１０がｎ型を示し、前記第２導電型半導体層３０がｐ型を示す。前記第１導電型半導体層１０および前記第２導電型半導体層３０は、通常、基板７０の上に形成されているが、基板７０が除去されたものでもよい。
【００１８】
前記第２電極５０は、前記第２導電型半導体層側３０から順に第１金属膜５２、第２金属膜５４、第３金属膜５６が積層されている。前記第１金属膜５２は、銀合金または銀が含まれている。前記第２金属膜５４は、前記第１金属膜５２を被覆し、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金またはアルミニウムが含まれている。前記第３金属膜５６は、前記第２金属膜５４上にアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金またはアルミニウム、導電性金属、金を主成分とする金合金または金、の順に積層されている。上面視では前記第３金属膜５６は前記第２金属膜５４よりも小面積である。
前記第２電極５０上に、更に第２金属バンプ５８が形成されていてもよい。前記第２金属バンプ５８は、上面視において、略円形である。
上面視において、前記第１電極４０は４個／列で４列配置されており、前記第２電極５０の前記第３金属膜５６は前記第１電極４０を挟みこむように５列配置されている。前記第３金属膜５６の５列のうち、外側の各１列は、内側の３列よりも約半分の大きさしか有していない。前記第３金属膜５６の一列は２または３以上、複数に分かれていてもよいが分かれていなくてもよい。
前記第１金属膜５２は、前記第２導電型半導体層３０の上面の一部を覆っている。前記第１金属膜５２は、前記第２導電型半導体層３０の上面の８０％以上を覆っていることが好ましく、９０％以上、より好ましくは９５％以上覆っているのがよい。前記半導体層から放出された光が前記第２電極５０、特に前記第１金属膜５２に照射され、反射され、前記半導体層側に光が取り出される。これにより半導体発光素子１００の発光強度の向上を図ることができる。
【００１９】
前記第２金属膜５４と前記第３金属膜５６との接合面以外の前記第２金属膜５４は、その最表面に酸化アルミニウム５５が形成されている。前記酸化アルミニウム５５の厚みは、３ｎｍ〜１００ｎｍ程度であることが好ましい。前記第２金属膜５４と前記第３金属膜５６との接合面以外としているが、前記第２金属膜５４と前記第２導電型半導体層３０との接合面、前記第２金属膜５４と前記第１金属膜５２との接合面も当然に除かれる。
前記第２金属膜５４のアルミニウムと前記第３金属膜５６のアルミニウムとの接合面は、酸化アルミニウム層よりもアルミニウム層の方が表面積が広いことが好ましい。より好ましくは酸化アルミニウムが介在せずに前記第２金属膜５４のアルミニウムと前記第３金属膜５６のアルミニウムとが接合されていることである。
前記第２金属膜５４の厚みは０．５μｍ〜８μｍ程度であることが好ましい。
【００２０】
前記第１金属膜５２は、前記第２金属膜５４で完全に覆われていることが好ましい。よって、前記第１金属膜５２は、前記第２金属膜５４と前記第２導電型半導体層３０とで挟まれている。
前記第１金属膜５２の外周よりも外側の前記第２金属膜５４は、１μｍ乃至８μｍであることが好ましい。前記第１金属膜５２は前記第２金属膜５４で覆われており、前記第２金属膜５４の厚みは０．５μｍ〜８μｍである。また、水平方向（前記第２導電型半導体層３０と平行な方向）において前記第１金属膜５２より１μｍ乃至８μｍの外側に前記第２金属膜が配置される。これにより前記第１金属膜５２からの銀のマイグレーションを抑制している。
前記第２導電型半導体層３０と、前記第２金属膜５４と、および、前記第３金属膜５６と、を覆うように、前記半導体発光素子１００には保護膜６０または誘電体多層膜が形成されていることが好ましい。前記第３金属膜５６は露出部分全面を覆っている必要はなく、たとえば側面のみ覆っているのでも良い。
【００２１】
前記第１電極４０は、その材料および膜厚は限定されるものではなく、通常、電極として用いることができる導電性材料の単層膜または積層膜により形成することができる。なお、前記第１電極４０は、水平方向において前記第２導電型半導体層３０との距離を離して配置されていることが好ましい。それらの距離は、得ようとする前記半導体発光素子１００の大きさ、前記第１電極４０および前記第２電極５０の材料、大きさおよび配置等によって適宜調整することができる。前記第１電極４０と前記第２導電型半導体層３０との水平方向の最短距離は、例えば、０．５μｍ程度以上であればよく３〜１０μｍ程度が好ましい。
【００２２】
前記第２電極５０は、前記第２導電型半導体層３０上に直接接触しており、オーミック接続されていることが好ましい。ここでオーミック接続とは、当該分野で通常用いられている意味であり、例えば、その電流−電圧特性が直線または略直線となる接合を指す。また、デバイス動作時の接合部での電圧降下および電力損失が無視できるほど小さいことを意味する。
【００２３】
前記第２電極５０上、つまり、前記第３金属膜５６上に形成された前記第２金属バンプ５８は１個または２個以上の複数個形成されている。前記第２金属バンプ５８はバンプとしての機能を有し、実装基板側との接合を容易にしている。
また、前記第１電極４０上に第１金属バンプ４８を形成することが好ましい。前記第１金属バンプ４８は１個が好ましいが、２個以上の複数個形成されていてもよい。前記第１金属バンプ４８はバンプとしての機能を有し、実装基板側との接合を容易にしている。
前記第１金属バンプ４８と前記第２金属バンプ５８とは、基板７０に対し同一高さになるように形成されていることが好ましい。つまり、前記第１金属バンプ４８は、前記第２金属バンプ５８に比べて、前記第１導電型半導体層１０がエッチングされた分、前記発光層２０、前記第２導電型半導体層３０、前記第２電極５０の分だけ、余分に厚みを有している。前記第１金属バンプ４８と前記第２金属バンプ５８とを前記基板７０に対し同一高さになるように形成するには、サーフェイスプレーナーを用いて高さ調整をすることで形成することができる。このようにすることで平坦上の実装基板と強固に接合することができるからである。ただし、前記第１金属バンプ４８と前記第２金属バンプ５８とを同じ高さにしてもよい。つまり、前記第１金属バンプ４８は、前記第２金属バンプ５８に比べて、前記第１導電型半導体層１０がエッチングされた分、前記発光層２０、前記第２導電型半導体層３０、前記第２電極５０の分だけ、前記基板７０から低くなっている。実装基板側に高さの異なる金属バンプを配置することなどにより実装することができるからである。
【００２４】
（半導体発光素子の各構成要素）
（半導体層、基板）
以下、半導体発光素子の各構成要素について説明する。
上述したように、前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層は一般的に基板上に形成されている。
前記基板としては、例えば、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ等の公知の絶縁性基板および導電性基板を用いることができる。なかでも、サファイア基板が好ましい。前記絶縁性基板は、最終的に取り除いてもよいし、取り除かなくてもよい。
【００２５】
前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層および前記発光層（半導体層）としては、特に限定されるものではないが、窒化物半導体、例えば、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の窒化ガリウム系化合物半導体が好適に用いられる。前記半導体層は、単層構造でもよいが、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合またはＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造またはダブルへテロ構造等の積層構造であってもよく、超格子構造や、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であってもよい。また、前記半導体層はｎ型、ｐ型のいずれかの不純物がドーピングされていてもよい。前記半導体層は、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）等の公知の技術により形成することができる。前記半導体層の膜厚は特に限定されるものではなく、種々の膜厚のものを適用することができる。
【００２６】
前記半導体層の積層構造としては、例えば、次の（１）〜（５）に示すものが挙げられる。
（１）ＧａＮよりなるバッファ層（膜厚：２０ｎｍ）、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ側コンタクト層（４μｍ）、アンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる単一量子井戸構造の発光層（３ｎｍ）、Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなるｐ型クラッド層（０．２μｍ）、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層（０．５μｍ）。
【００２７】
（２）ＡｌＧａＮからなるバッファ層（膜厚：約１０ｎｍ）、アンドープＧａＮ層（１μｍ）、Ｓｉを４．５×１０１８／ｃｍ３含むＧａＮからなるｎ側コンタクト層（５μｍ）、アンドープＧａＮからなる下層（３００ｎｍ）と、Ｓｉを４．５×１０１８／ｃｍ３含むＧａＮからなる中間層（３０ｎｍ）と、アンドープＧａＮからなる上層（５ｎｍ）との３層からなるｎ側第１多層膜層（総膜厚：３３５ｎｍ）、アンドープＧａＮ（４ｎｍ）とアンドープＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ（２ｎｍ）とが繰り返し交互に１０層ずつ積層されてさらにアンドープＧａＮ（４ｎｍ）が積層された超格子構造のｎ側第２多層膜層（総膜厚：６４ｎｍ）、アンドープＧａＮからなる障壁層（２５ｎｍ）とＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる井戸層（３ｎｍ）とが繰り返し交互に６層ずつ積層されてさらにアンドープＧａＮからなる障壁層（２５ｎｍ）が積層された多重量子井戸構造の発光層（総膜厚：１９３ｎｍ）、Ｍｇを５×１０１９／ｃｍ３含むＡｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ（４ｎｍ）とＭｇを５×１０１９／ｃｍ３含むＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎ（２．５ｎｍ）とが繰り返し５層ずつ交互に積層されてさらにＭｇを５×１０１９／ｃｍ３含むＡｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ（４ｎｍ）が積層された超格子構造のｐ側多層膜層（総膜厚：３６．５ｎｍ）、Ｍｇを１×１０２０／ｃｍ３含むＧａＮからなるｐ側コンタクト層（１２０ｎｍ）。
【００２８】
（３）ＡｌＧａＮからなるバッファ層（膜厚：約１０ｎｍ）アンドープＧａＮ層（１μｍ）、Ｓｉを４．５×１０１８／ｃｍ３含むＧａＮからなるｎ側コンタクト層（５μｍ）、アンドープＧａＮからなる下層（３００ｎｍ）と、Ｓｉを４．５×１０１８／ｃｍ３含むＧａＮからなる中間層（３０ｎｍ）と、アンドープＧａＮからなる上層（５ｎｍ）との３層からなるｎ側第１多層膜層（総膜厚：３３５ｎｍ）、アンドープＧａＮ（４ｎｍ）とアンドープＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ（２ｎｍ）とが繰り返し交互に１０層ずつ積層されてさらにアンドープＧａＮ（４ｎｍ）が積層された超格子構造のｎ側第２多層膜層（総膜厚：６４ｎｍ）、アンドープＧａＮからなる障壁層（２５ｎｍ）とＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる井戸層（３ｎｍ）とＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎからなる第１の障壁層（１０ｎｍ）とアンドープＧａＮからなる第２の障壁層（１５ｎｍ）が繰り返し交互に６層ずつ積層されて形成された多重量子井戸構造の発光層（総膜厚：１９３ｎｍ）（繰り返し交互に積層する層は３層〜６層の範囲が好ましい）、Ｍｇを５×１０１９／ｃｍ３含むＡｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ（４ｎｍ）とＭｇを５×１０１９／ｃｍ３含むＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎ（２．５ｎｍ）とが繰り返し５層ずつ交互に積層されてさらにＭｇを５×１０１９／ｃｍ３含むＡｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ（４ｎｍ）が積層された超格子構造のｐ側多層膜層（総膜厚：３６．５ｎｍ）、Ｍｇを１×１０２０／ｃｍ３含むＧａＮからなるｐ側コンタクト層（１２０ｎｍ）。
【００２９】
なお、このうち、ｎ側に設けるアンドープＧａＮからなる下層（３００ｎｍ）を、下からアンドープＧａＮからなる第1の層（１５０ｎｍ）、Ｓｉを５×１０１７／ｃｍ３含むＧａＮからなる第２の層（１０ｎｍ）およびアンドープＧａＮからなる第３の層（１５０ｎｍ）からなる３層構造の下層とすることで、発光素子の駆動時間経過に伴うＶfの変動を抑えることが可能となる。
【００３０】
さらに、ｐ側多層膜層とｐ側コンタクト層との間に、ＧａＮまたはＡｌＧａＮ（２００ｎｍ）で形成してもよい。この層は、アンドープで形成され、隣接する層からのＭｇの拡散により、ｐ型を示す。この層を設けることで、発光素子の静電耐圧が向上する。この層は、静電保護機能を別途設けた発光装置に用いる場合にはなくてもよいが、発光素子外部に静電保護素子など、静電保護手段を設けない場合には、静電耐圧を向上させることができるので設けることが好ましい。
【００３１】
（４）バッファ層、アンドープＧａＮ層、Ｓｉを６．０×１０１８／ｃｍ３含むＧａＮからなるｎ側コンタクト層、アンドープＧａＮ層（以上が総膜厚６ｎｍのｎ型窒化物半導体層）、Ｓｉを２．０×１０１８／ｃｍ３含むＧａＮ障壁層とＩｎＧａＮ井戸層とを繰り返し５層ずつ交互に積層された多重量子井戸の発光層（総膜厚：１００ｎｍ）、Ｍｇを５．０×１０１８／ｃｍ３含むＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層（膜厚：１３０ｎｍ）。
【００３２】
さらに、ｐ型窒化物半導体層の上にＩｎＧａＮ層（３０〜１０ｎｍ、好ましくは５ｎｍ）を有してもよい。これにより、このＩｎＧａＮ層が電極と接するｐ側コンタクト層となる。このようにＭｇがドープされていない層であっても、隣接するｐ型半導体層よりも相対的に膜厚が薄ければ、ｐ電極を形成するｐ型窒化物半導体層として機能する。
【００３３】
（５）バッファ層、アンドープＧａＮ層、Ｓｉを１．３×１０１９／ｃｍ３含むＧａＮからなるｎ側コンタクト層、アンドープＧａＮ層（以上が総膜厚６ｎｍのｎ型窒化物半導体層）、Ｓｉを３．０×１０１８／ｃｍ３含むＧａＮ障壁層とＩｎＧａＮ井戸層とを繰り返し７層ずつ交互に積層された多重量子井戸の発光層（総膜厚：８０ｎｍ）、Ｍｇを２．５×１０２０／ｃｍ３含むＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層。このｐ型窒化物半導体層の上には、ｐ側コンタクト層として、ＩｎＧａＮ層（３０〜１０ｎｍ、好ましくは５ｎｍ）を形成してもよい。
【００３４】
これらの半導体層によって構成される半導体発光素子は、上面視が、通常、四角形または略これに近い形状であり、第１導電型半導体層は、１つの半導体発光素子の一部の領域において、第２導電型半導体層および発光層、任意に第１半導体層の深さ方向の一部が除去されて、その表面が露出している。
（電極）
【００３５】
前記第２電極は、前記第２導電型半導体層側から順に第１金属膜、第２金属膜、第３金属膜が積層されている。前記第１金属膜は、銀合金または銀が含まれている。この「含まれている」の意味は、銀を少なくとも８５％含むことを意味する。前記第２金属膜は、前記第１金属膜を被覆し、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金またはアルミニウムが含まれている。この「含まれている」の意味は、アルミニウムを少なくとも８５％含むことを意味する。前記第３金属膜は、前記第２金属膜上にアルミニウム、導電性金属、金を主成分とする金合金または金、の順に積層されており、上面視では前記第２金属膜よりも小面積である。
前記第１金属膜は、前記第２導電型半導体層にオーミック接続されて効率的な電流の投入を図るとともに、発光層からの光を効率よく反射させることを意図するものである。
【００３６】
前記第１金属膜は、銀の単層膜であってもよいし、銀合金の単層膜であってもよいし、銀または銀合金を最下層に含む積層膜であってもよい。
前記銀合金としては、銀と、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｉｒ、Ｇａ、Ｎｄ、ＲｕおよびＲｅからなる群から選択される１種または２種以上の電極材料と、の合金が挙げられる。なお、前記Ｎｉは銀とは合金化されにくいが、銀膜中にＮｉ元素を含むものであってもよい。
【００３７】
前記第１金属膜は、前記第２導電型半導体層側から前記第２金属膜側にかけて、その組成に傾斜があってもよい。例えば、前記第２導電型半導体層側においては銀膜または銀と１％程度までの銀以外の元素とを含む合金等であってもよく、前記第２金属膜側においては銀と５％程度までの銀以外の元素とを含む合金等であってもよい。
最下層以外の膜は、銀または銀合金であってもよいし、銀または銀合金を含まない電極材料により形成されていてもよい。また、最下層以外の膜は、これら電極材料およびＮｉを含む群から選択される１種または２種以上の金属または合金の単層膜または２層以上の積層膜、銀と実質的に反応しない金属膜等であることが好ましい。
【００３８】
前記第１金属膜の好ましい例としては、銀の単層膜であり、さらに、銀と実質的に反応しない金属（上）／銀または銀合金（下）の２層構造、貴金属（上）／銀または銀合金（下）の２層構造、貴金属（上）／銀と実質的に反応しない金属（中）／銀または銀合金（下）の３層構造、貴金属２層（上）／銀と実質的に反応しない金属（中）／銀または銀合金（下）の４層構造等がより好ましい。ここでの貴金属は白金族系金属または金等が挙げられ、なかでもＰｔおよび金が好ましい。
【００３９】
銀と実質的に反応しない金属としては、１０００℃以下の温度で銀と実質的に反応しない金属、具体的には、ニッケル（Ｎｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）等が挙げられる。なかでも、Ｎｉが好ましい。
【００４０】
前記第１金属膜の膜厚は特に限定されないが、例えば、銀または銀合金単層の場合は前記発光層からの光を有効に反射させることができる膜厚、具体的には、２０ｎｍ〜１μｍ程度、５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度、好ましくは１００ｎｍ程度が挙げられる。積層構造の場合は、総膜厚が、５０ｎｍ〜５μｍ程度、５０ｎｍ〜１μｍ程度が挙げられ、この程度の範囲内で、それに含まれる銀または銀合金膜を適宜調整することができる。また、積層構造の場合は、銀または銀合金膜とその上に積層される膜とは、同一工程でパターニングすることによって同一の形状であってもよいが、最下層の銀または銀合金膜をその上に積層される膜（好ましくは、銀と反応しない金属膜）で被覆することが好ましい。これにより、銀と反応しない金属膜の上に、第１金属膜の一部としてどのような電極材料が形成されても、銀または銀合金膜とは直接接触しないために、銀との反応を阻止することができる。
【００４１】
前記第１金属膜は、積層状態によって、例えば、銀の単層膜の直上にニッケル膜が配置する場合などにおいて、少なくとも半導体層との界面において結晶化されていてもよい。前記第１金属膜の結晶化によって、半導体層とのより良好なオーミック性を確保することができる。ここで、結晶化とは、例えば、断面を透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）により観察する方法、走査型電子顕微鏡法（ＳＥＭ）により観察する方法、電子回折パターンを測定する方法、超薄膜評価装置で観察する方法等によって、結晶粒の界面が視認できることを意味する。この場合の結晶粒は、例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の径（長さ、高さまたは幅）を有しているものとして視認し得ることが好ましい。
【００４２】
前記第１金属膜を、前記半導体層との界面において結晶化する方法は、公知の方法、例えば、蒸着法、スパッタ法、イオンビームアシスト蒸着法等の方法により前記第１金属膜を形成した後、大気雰囲気下または窒素雰囲気下で、１０〜３０分間程度、３００〜６００℃程度の温度範囲で熱処理する方法が挙げられる。
【００４３】
前記第２金属膜は、前記第１金属膜を完全または略完全に被覆しており、さらに、前記第２導電型半導体層の上面に一部が接触（または被覆）していることが好ましい。完全にまたは略完全に被覆するとは、前記第２金属膜に対して、積極的に前記第１金属膜を露出させるような加工を施さないことを指す。よって、前記第１金属膜の上面のすべておよび側面の全面を実質的に被覆されていることがより好ましい。
【００４４】
なお、前記第２電極は、上述したように、前記発光層からの光を効率よく反射させることを意図するものであるため、前記第２導電型半導体層および前記第１金属膜との関係を満たす限り、前記第１金属膜とともに、前記第２導電型半導体層上の略全面に、広い面積で形成されることが好ましい。これにより、発光層からの光を高効率で取り出すことが可能となる。
【００４５】
前記第２金属膜は、前記第１金属膜を被覆し、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金またはアルミニウムが含まれている。このアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金は、アルミニウムを９０％以上含有しているものを意味するが、アルミニウムを９５％以上含有していることがより好ましい。例えば、Ａｌが９８％含有され、Ｃｕが２％含有されているＡｌＣｕである。
【００４６】
前記第２金属膜は、アルミニウムの１層である必要はなく、２層以上の複数層とすることもできる。例えば、前記ＡｌＣｕ／Ｗ／Ｔｉや、Ａｌ／Ｗ／Ｔｉ膜などの３層構造膜等が好ましい。
また、銀と実質的に反応しない金属を、前記第２金属膜と前記第１金属膜との界面に配置することが好ましい。
【００４７】
また、これら電極の上にワイヤボンディングなど、他の端子との接続のために通常用いられる導電性材料、例えば、金、白金等を第２金属膜の上面（接続領域）に配置させることが好ましい。さらに、後述する保護膜または誘電体多層膜との密着性の良好な材料を前記第２金属膜の上面に配置させることが好ましい。
前記第２金属膜の膜厚は、特に限定されるものではなく、具体的には、総膜厚が０．５μｍ〜４．０μｍ程度となる範囲で適宜調整することが好ましい。
【００４８】
前記第３金属膜は、パッド電極としての機能を果たすものが好ましい。そのため前記第３金属膜は、前記第２金属膜の上面の一部に配置される。前記半導体発光素子に形成される前記第３金属膜は１個である必要はなく、２個以上の複数個有することが好ましい。また前記第３金属膜は、上面視において、長方形や正方形及びこれらの角が丸みをおびたもの、円形、楕円形状など種々の形状をとることができる。たとえば、一辺が１４００μｍの正方形の半導体発光素子であれば、前記第３金属膜は一辺が１２００〜１３５０μｍ、もう一辺が１０〜３００μｍの略長方形とすることができる。また、直径が１０μｍ〜１００μｍの略円形や、長径が２０μｍ〜１５０μｍ、短径１０μｍ〜１３０μｍの略楕円形とすることもできる。
前記第３金属膜は、前記第２金属膜上にアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金またはアルミニウム、導電性金属、金を主成分とする金合金または金、の順に積層されている。これらの金属は、互いに拡散されていてもよい。
【００４９】
ここで導電性金属は、特に限定されず、例えば、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ランタン（Ｌａ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、スズ（Ｓｎ）等の金属、合金、ＩＴＯ、ＺｎＯ２、ＳｎＯ等の導電性酸化物膜の単層膜又は積層膜等が挙げられる。また、金を主成分とする金合金は、金を５０％以上含有するものをいい、好ましくは８０％以上である。より好ましくは、金：スズが８０：２０である。
【００５０】
前記第１電極は、前記第１導電型半導体層上に形成される。
前記第１電極は前記第２電極の前記第３金属膜と同一材料であることが好ましい。
前記第１電極は、パッド電極としての機能を果たすものが好ましい。そのため前記第１電極は、前記第２導電型半導体層の上面の一部に配置される。前記半導体発光素子に形成される前記第１電極は１個である必要はなく、２個以上の複数個有することが好ましい。また前記第１電極は、上面視において、長方形や正方形及びこれらの角が丸みをおびたもの、円形、楕円形状など種々の形状をとることができる。たとえば、直径が１０μｍ〜１００μｍの略円形や、長径が２０μｍ〜１５０μｍ、短径１０μｍ〜１３０μｍの略楕円形とすることもできる。第１電極は第３金属膜よりも小さいことが好ましい。
【００５１】
前記第１電極は、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金またはアルミニウム、導電性金属、金を主成分とする金合金または金、の順に積層されている。これらの金属は、互いに拡散されていてもよい。
ここで導電性金属は、特に限定されず、例えば、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ランタン（Ｌａ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、スズ（Ｓｎ）等の金属、合金、ＩＴＯ、ＺｎＯ２、ＳｎＯ等の導電性酸化物膜の単層膜又は積層膜等が挙げられる。また、金を主成分とする金合金は、金を５０％以上含有するものをいい、好ましくは８０％以上である。より好ましくは金：スズが８０：２０である。
【００５２】
（保護膜、誘電体多層膜）
前記第２の金属膜の表面を被覆する保護膜または誘電体多層膜を備えていることが好ましい。前記保護膜または前記誘電体多層膜は、例えば、前記第２金属膜の外周の一部または全部を被覆し、前記第１および第２半導体層の上面および／または側面の一部または全部を被覆するように形成されていることがより好ましい。また、前記保護膜または前記誘電体多層膜は、前記第３金属膜の側面も被覆するように形成されていることが好ましい。
前記保護膜は、酸化物膜（ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３）および窒化物膜を用いることが好ましく、窒化物膜がより好ましい。窒化物膜としては、代表的には、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＯｘＮｙ等の単層膜または積層膜が挙げられる。なかでも、ＳｉＮの単層膜等が好ましい。このように、電極を被覆する保護膜に、窒化物膜を用いることにより、窒素原子が水分または湿気を捉え、銀および銀合金からなる電極への水分または湿気を有効に防止すると考えられ、銀のマイグレーションを防止することができる。
ただし、前記第２金属膜で前記第１金属膜のマイグレーションを防止しているため、前記保護膜はＳｉＯ２であってもよい。これにより簡易に前記半導体発光素子を製造することができる。
なお、前記保護膜または前記誘電体多層膜は、電極を完全に被覆している必要はなく、電極が他の端子との接続のために必要な領域を除いて被覆されていることが好ましい。前記保護膜または前記誘電体多層膜の膜厚は、例えば、４００〜１０００ｎｍ程度が適当である。
【００５３】
（実装基板）
前記半導体発光素子は、通常、フリップチップ実装（フェイスダウン実装）により、実装基板に実装され、半導体発光装置を構成する。
前記実装基板は、少なくとも前記半導体発光素子の電極に対向する面に配線が施され、任意に前記保護素子等が形成されていてもよく、フリップチップ実装された前記半導体発光素子を固定・支持する。前記実装基板は、前記半導体発光素子と熱膨張係数がほぼ等しい材料、例えば、窒化物半導体発光素子に対して窒化アルミニウムが好ましい。これにより、前記実装基板と前記半導体発光素子との間に発生する熱応力の影響を緩和することができる。また、静電保護素子等の機能を付加することができ、安価であるシリコンを用いてもよい。配線のパターンは、特に限定されるものではないが、例えば、正負一対の配線パターンが絶縁分離されて互いに一方を包囲するように形成されることが好ましい。
前記実装基板をリード電極に接続する際には、前記半導体発光素子に対向する面からリード電極に対向する面にかけて導電部材により配線が施されていてもよい。
【実施例１】
【００５４】
実施例１にかかる半導体発光素子を図１及び図２に示す。ただし、実施の形態と重複する部分は、説明を省くことがある。
この半導体発光素子１００は、縦１．４ｍｍ、横１．４ｍｍの大きさを有する。
この半導体発光素子１００は、サファイア基板７０の上に、Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなるバッファ層（図示せず）、ノンドープＧａＮ層（図示せず）が積層され、その上に、第１導電型半導体層（ｎ型半導体層）１０として、ＳｉドープＧａＮよりなるｎ側コンタクト層、ＧａＮ層（４ｎｍ）とＩｎＧａＮ層（２ｎｍ）とを交互に１０回積層させた超格子のｎ型クラッド層が積層され、さらにその上に、ＧａＮ層（２５ｎｍ）とＩｎＧａＮ層（３ｎｍ）とが交互に３〜６回積層された多重量子井戸構造の発光層２０、第２導電型半導体層（ｐ型半導体層）３０として、ＭｇドープＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層（４ｎｍ）とＭｇドープＩｎＧａＮ層（２ｎｍ）とが交互に１０回積層された超格子のｐ型クラッド層、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ側コンタクト層がこの順に積層されて構成される。
【００５５】
第１導電型半導体層（ｎ型半導体層）１０の一部の領域においては、その上に積層された発光層２０および第２導電型半導体層（ｐ型半導体層）３０が除去され、さらに第１導電型半導体層（ｎ型半導体層）１０自体の厚さ方向の一部が除去されて露出しており、その露出した第１導電型半導体層（ｎ型半導体層）１０上に第１電極（ｎ電極）４０が形成されている。
【００５６】
第２導電型半導体層（ｐ型半導体層）３０上には、第２電極（ｐ電極）５０が形成されている。第２電極５０は、第２導電型半導体層３０側から第１金属膜５２、第２金属膜５４、第３金属膜５６の順に形成されている。
上面視において、第１電極４０は４個／列で４列配置されており、第２電極５０の第３金属膜５６は第１電極４０の列を挟むように５列配置されている。第３金属膜５６の５列のうち、外側の各１列は、内側の３列よりも約半分の大きさしか有していない。第３金属膜５６の一列は２つに分かれている。さらに第３金属膜５６上に第２金属バンプ５８が一列８〜９個形成されている。また、１つの第１電極４０上に１つの第１金属バンプ４８が形成されている。
第１金属膜５２は、第２導電型半導体層３０側からＡｇ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｒｕの順に、各膜厚１００ｎｍで積層されている。第１金属膜は、第２導電型半導体層３０の上面の約９０％を覆っている。
【００５７】
第２金属膜５４は、第１金属膜５２側からＡｌＣｕ／Ｒｕ／Ｔｉの順に、２０００ｎｍ／１００ｎｍ／３ｎｍで積層されている。第２金属膜５４は、第１金属膜５２を完全に被覆している。第１金属膜５２の外周から第２金属膜５４の外周までの距離（厚み）は、約４〜４．５μｍである。
第３金属膜５６は、第２金属膜５４側からＡｌＣｕＳｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの順に、５００ｎｍ／１５０ｎｍ／５０ｎｍ／４５０ｎｍで積層されている。第３金属膜５６は、第２金属膜５４上の一部に５列形成されている。外側２列のうちの１つの第３金属膜５６は、縦６００μｍ横９０μｍである。内側３列の第３金属膜５６は、縦１３００μｍ横１８０μｍである。
第２金属膜５４と第３金属膜５６との接合部分において、第２金属膜５４はエッチング等でＡｌＣｕを露出するように形成している。これにより、第２金属膜５４と第３金属膜５６との接合部分は、第２金属膜５４のＡｌＣｕと第３金属膜５６のＡｌＣｕＳｉとで接合されている。これにより第２金属膜５４と第３金属膜５６との接合を強固にすることができる。
【００５８】
第１電極４０と第３金属膜５６とは同一の積層構造を成し、および、同一の厚みを有している。これは第１電極４０と第３金属膜５６とを同一の工程で積層するためである。
第３金属膜５６で覆われている部分以外の第２金属膜５４は、その表面に酸化アルミニウム５５が形成されている。第３金属膜５６と第２金属膜５４との界面において酸化アルミニウムが形成されていないほうが密着性の観点から好ましい。
【００５９】
第２金属バンプ５８は、Ａｕ／Ｓｎが８０：２０の重量比で形成されている。第２金属バンプ５８は、直径７０μｍである。
第１金属バンプ４８は、Ａｕ：Ｓｎが８０：２０の重量比で形成されている。第１金属バンプ４８は、直径６０μｍである。第２金属バンプ５８と第１金属バンプ４８は同一の積層構造を成している。
第１導電型半導体層１０及び第２導電型半導体層３０、第２金属膜５４、第３金属膜５６の表面は保護膜６０で覆われている。保護膜６０は、ただし、第３金属膜５６、第１電極４０は保護膜６０で覆っていない構成を採ることもできる。保護膜６０はＳｉＯ２からなる。保護膜６０の厚みは４００ｎｍである。
第３金属膜５６と接合されていない第２金属膜５４の表面に酸化アルミニウム５５を形成することで保護膜６０との密着性を高めることができる。保護膜６０と第２金属膜５４がともに酸化物だからである。特に、第２金属膜５４の側面に酸化アルミニウム５５を形成しているため、保護膜６０との密着性を高めることができる。
【実施例２】
【００６０】
実施例２にかかる半導体発光素子について説明する。実施例２にかかる半導体発光素子は、第２電極の積層構造が異なる以外は実施例１とほぼ同一であるため、重複部分の説明を省略する。
第１金属膜５２は、第２導電型半導体層３０側からＡｇ／Ｒｕの順に、膜厚１００ｎｍ／２００ｎｍで積層されている。
第２金属膜５４は、ＡｌＣｕの単膜で２０００ｎｍである。
第３金属膜５６は、第２金属膜５４側からＡｌＣｕＳｉ／Ｎｉ／Ａｕの順に、５００ｎｍ／２００ｎｍ／４５０ｎｍで積層されている。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明の半導体発光素子は、バックライト光源、ディスプレイ、照明、車両用ランプ等の各種光源を構成する半導体発光素子に好適に利用することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１０  第１導電型半導体層
２０  発光層
３０  第２導電型半導体層
４０  第１電極
５０  第２電極
５２  第１金属膜
５４  第２金属膜
５６  第３金属膜
６０  保護膜
７０  基板
１００  半導体発光素子
【図１】
2013243241.tif 000003
【図２】
2013243241.tif 000004