(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることが可能な有機ＥＬ装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】反射膜４１（４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ）、画素電極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）、発光層２６、及び対向電極２５を有し、反射膜４１と対向電極２５との間で光を共振させる発光素子２７（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）と、画素電極２４上に発光領域を規定する開口部１０１，１０２，１０３を有する絶縁膜５６と、を備え、反射膜４１の周縁は、平面的に開口部１０１，１０２，１０３より内側に配置されている。【選択図】図４
2013165014.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１反射膜、第１画素電極、第１発光層、及び対向電極を有し、前記第１反射膜と前記対向電極との間で第１色の光を共振させる第１画素と、
前記第１画素電極上に発光領域を規定する第１開口部を有する絶縁膜と、
を備え、
前記第１反射膜の周縁における少なくとも一部は、平面的に前記第１開口部より内側に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１開口部の長辺側に沿う前記第１反射膜の部分は、平面的に前記第１開口部より内側に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１反射膜の少なくとも一部は、平面的に前記絶縁膜の傾斜面と平面的に重ならないことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
第２反射膜、第２画素電極、第２発光層、及び前記対向電極を有し、前記第２反射膜と前記対向電極との間で前記第１色より長波長側の色である第２色の光を共振させる第２画素と、
前記第２画素電極上に発光領域を規定する第２開口部を有する前記絶縁膜と、
を備え、
前記第１反射膜の周縁と前記第１開口部との隙間は、前記第２反射膜の周縁と前記第２開口部との隙間に比べて広くなるように形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項４に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１反射膜における前記第１発光層と反対側に、平面的に前記第１反射膜の形状より大きく前記第１反射膜より低い反射性を有する第１低反射膜を備え、
前記第２反射膜における前記第２発光層と反対側に、平面的に前記第２反射膜の形状より大きく前記第２反射膜より低い反射性を有する第２低反射膜を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１反射膜と前記第１低反射膜とは、第１容量回路の一部を構成し、
前記第２反射膜と前記第２低反射膜とは、第２容量回路の一部を構成することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振構造を有する有機ＥＬ装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、陽極（画素電極）と陰極（対向電極）との間に発光材料からなる発光層が挟持された構造を有している。具体的には、例えば、特許文献１に記載のように、陽極上に発光領域を画定する開口部を有する隔壁が設けられている。
【０００３】
また、特許文献２に記載のように、陽極における発光層とは反対側に金属反射膜を設け、発光層において発光した光を反射膜と陰極との間で往復させ、ピーク強度が高く幅が狭いスペクトルを有する光を取り出す構造が知られている。このような、光共振構造を設けることにより、発光の色再現性を向上させることができる。
【０００４】
有機ＥＬ装置の製造方法としては、例えば、反射膜上に陽極を形成し、その上に各色に応じて光路長を変えるために透明導電膜を積層する。そして、その上に発光層、陰極を順次形成する。これにより、各色ごとに最適な光路長となるように構成することが可能となり、色再現性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１８８６５３号公報
【特許文献２】特開２００７−１０８２４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、開口部の内側の領域にある発光層と、開口部の周縁の隔壁上にある発光層とでは、光学距離が異なり共振波長が変わることから、最適な光路長（共振）の値がずれてしまい、開口部（発光領域）の周縁において異なる色が発光するという課題がある。つまり、表示品質が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、第１反射膜、第１画素電極、第１発光層、及び対向電極を有し、前記第１反射膜と前記対向電極との間で第１色の光を共振させる第１画素と、前記第１画素電極上に発光領域を規定する第１開口部を有する絶縁膜と、を備え、前記第１反射膜の周縁における少なくとも一部は、平面的に前記第１開口部より内側に配置されていることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、第１開口部の近傍で発生する共振波長からずれた光が出射されるのを低減できる。また換言すると、反射膜の周縁における少なくとも一部が第１開口部より内側に配置されているので、発光領域の一部と陰極との距離、及び発光領域の中央と陰極との距離を略同一にすることが出来る。よって、光学距離（光路長）を同じにすることが可能となり、開口部の周縁における少なくとも一部と開口部の中央部との色を同じにすることができる。これにより、発光部と周辺部との色の混在を抑えることが可能となり、色の純度を上げることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第１開口部の長辺側に沿う前記第１反射膜の部分は、平面的に前記第１開口部より内側に配置されていることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、発光色として色が目立ちやすい発光領域の長辺側に沿う反射膜の部分が第１開口部より内側に配置されているので、発光領域の中央部と色を同じにすることができると共に発光色として色を目立たせることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第１反射膜の少なくとも一部は、平面的に前記絶縁膜の傾斜面と平面的に重ならないことが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、絶縁膜の傾斜面と第１反射膜の一部とを平面的に重ならないように配置するので、絶縁膜の傾斜面上に形成された発光層と、傾斜面と重ならない領域の発光層との位置が変わることによる、発光色が異なることを防ぐことができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、第２反射膜、第２画素電極、第２発光層、及び前記対向電極を有し、前記第２反射膜と前記対向電極との間で前記第１色より長波長側の色である第２色の光を共振させる第２画素と、前記第２画素電極上に発光領域を規定する第２開口部を有する前記絶縁膜と、を備え、前記第１反射膜の周縁と前記第１開口部との隙間は、前記第２反射膜の周縁と前記第２開口部との隙間に比べて広くなるように形成されていることが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、平面的に第１反射膜の周縁と第１開口部との隙間の方が広いので、第１開口部より発光する光の色が混色することを抑えることができる。例えば、第１開口部より発光する光の色は青色である。第２開口部より発光する光の色は緑色や赤色である。つまり、比較的見難い発光色（青色）の色を鮮明に表示することが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第１反射膜における前記第１発光層と反対側に、平面的に前記第１反射膜の形状より大きく前記第１反射膜より低い反射性を有する第１低反射膜を備え、前記第２反射膜における前記第２発光層と反対側に、平面的に前記第２反射膜の形状より大きく前記第２反射膜より低い反射性を有する第２低反射膜を備えることが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、第１反射膜と比較して低い反射性を有する第１低反射膜を第１反射膜の下方に配置することにより、平面的に第１反射膜の周囲に第１低反射膜を備えることが可能となり、第１低反射膜より下方からの光が第１開口部に入射することを防ぐことができる。言い換えれば、第１低反射膜を、絶縁膜の傾斜面と平面的に重なる領域に亘って配置する。よって、表示品質を向上させることができる。なお、第２反射膜側も同様である。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第１反射膜と前記第１低反射膜とは、第１容量回路の一部を構成し、前記第２反射膜と前記第２低反射膜とは、第２容量回路の一部を構成することが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、反射膜と低反射膜とを利用して容量回路を形成することができる。具体的には、反射膜と低反射膜との間の絶縁膜を誘電体膜として容量回路を構成する。
【００２０】
［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。
【００２１】
本適用例によれば、開口領域内から発光させることが可能となり、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】有機ＥＬ装置の構造を示す模式平面図。
【図４】有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図５】有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてスマートフォンを示す模式図。
【図６】変形例の有機ＥＬ装置の構造を示す模式平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２４】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２５】
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置は、トップエミッション構造で説明する。
【００２６】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数のデータ線１３と、データ線１３に並行に延びる複数の電源線１４とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線１２とデータ線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。データ線１３は、データ線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。
【００２７】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介してデータ線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）とが設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む画素電極２４と、対向電極２５と、この画素電極２４と対向電極２５との間に挟持された発光機能層２６（第１発光層、第２発光層を含む）とが設けられている。
【００２８】
有機ＥＬ装置１１は、画素電極２４と対向電極２５と発光機能層２６とにより構成される発光素子２７（第１画素、第２画素）を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００２９】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときのデータ線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から画素電極２４に電流が流れ、更に、発光機能層２６を介して対向電極２５に電流が流れる。ここで、ＴＦＴ素子２３のソースとドレインの間の導通状態、即ち、ＴＦＴ素子２３のチャネルの導通状態は、ＴＦＴ素子２３のゲートの電位により制御される。発光機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００３０】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３１】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板としての第１基材３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３２】
実表示領域３２ａ内には、光が出射されるサブ画素３４がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤：第２色）、Ｇ（緑：第２色）、Ｂ（青：第１色）各色を発光する構成となっている。
【００３３】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００３４】
第１基材３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００３５】
図３は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式平面図である。図４は、図３に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図３及び図４を参照しながら説明する。なお、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。
【００３６】
図４に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）（第１画素、第２画素を含む）が第１基材３１の面上に配列された構成となっている。なお、第１基材３１上に設けられた配線や回路、それらが形成されている層などの図示は省略する。
【００３７】
各発光素子２７（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）は、複数の色彩（赤色、緑色、青色）のいずれかに対応した波長の光を発生する要素である。本実施形態では、発光素子２７Ｒは赤色光を出射し、発光素子２７Ｇは緑色光を出射し、発光素子２７Ｂは青色光を出射するような構造でもよいし、各発光素子２７が白色光を出射するような構造でもよい。
【００３８】
本実施形態の有機ＥＬ装置１１は、上記したように、各発光素子２７にて発生した光が第１基材３１とは反対側に向かって進行するトップエミッション構造である。従って、ガラスなどの光透過性を有する板材の他、セラミックスや金属のシートなど不透明な板材を第１基材３１として採用することができる。
【００３９】
図３に示すように、第１基材３１上には、配置位置の異なる反射膜４１（４１Ｒ（第２反射膜），４１Ｇ（第２反射膜），４１Ｂ（第１反射膜））が各発光素子２７（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）に対応して配置されている。反射膜４１は、光反射性を有する材料によって形成される。材料としては、例えば、アルミニウムや銀、又はアルミニウムや銀を主成分とする合金などが挙げられる。
【００４０】
また、反射膜４１（４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ）の下方には、アレイ基板５２に設けられた金属膜からの反射光を発光素子２７側に入射させないための低反射膜５５（５５Ｒ（第２低反射膜），５５Ｇ（第２低反射膜），５５Ｂ（第１低反射膜））が設けられている。低反射膜５５は、反射膜４１よりも反射性の低い材料で構成されている。低反射膜５５の材料としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、銅（Ｓｕ）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）などが挙げられる。低反射膜５５は、反射膜４１の領域より一回り大きく形成されている。具体的には、例えば、平面的に後述する絶縁膜５６の形成領域と重なる領域に亘って設けられている。
【００４１】
そして、これらの反射膜４１（４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ）や低反射膜５５（５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ）を覆うように、絶縁層４２が設けられている。なお、絶縁層４２中に反射膜４１を配置することから、絶縁層４２の上面が凸凹することが考えられる。よって、絶縁層４２の上面は、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）などの研磨法を利用して平坦化されていることが好ましい。これにより、反射膜４１の厚みの差に起因する絶縁層４２上の凸凹を平坦にすることができる。絶縁層４２としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの有機樹脂によって形成されている。
【００４２】
このような構造において、反射膜４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの配置位置を変えることにより、反射膜４１の上面（表面）の位置（断面位置）を各色ごとに相違させることができる。つまり、各開口部（発光領域）１０１（第２開口部），１０２（第２開口部），１０３（第１開口部）で要求される発光波長に最適な共振を生じるように光路長が最適化された、光共振構造が採用されている。
【００４３】
絶縁層４２上には、発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂが設けられている。発光素子２７の各々は、画素電極２４と、発光機能層２６と、対向電極２５とを有する。画素電極２４は、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）、またはＺｎＯ2のような透明酸化物導電材料から形成される。本実施形態では、画素電極２４はＩＴＯで形成される。
【００４４】
また、画素電極２４（２４Ｒ（第２画素電極），２４Ｇ（第２画素電極），２４Ｂ（第１画素電極））を囲むように絶縁膜５６が設けられている。言い換えれば、画素電極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）上に、絶縁膜５６によって囲まれた開口部（発光領域）１０１，１０２，１０３が設けられている。
【００４５】
絶縁膜５６は、例えば、開口部１０１，１０２，１０３を規定する絶縁膜であり、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などの無機蒸着材料で構成されている。絶縁膜５６の厚みは、例えば、２０ｎｍである。絶縁膜５６は、断面に見て傾斜面を有する台形状である。本実施形態の開口部１０１，１０２，１０３は、絶縁膜５６によって囲まれた領域である。また換言すると、開口部１０１，１０２，１０３では発光機能層２６に電流が流れて発光し、開口部１０１，１０２，１０３以外の領域では、画素電極２４と対向電極２５の間が絶縁膜５６により絶縁されることになる。上述した反射膜４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの周縁は、絶縁膜５６によって囲まれた開口部１０１，１０２，１０３の周縁より内側に配置される。
【００４６】
具体的には、反射膜４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの周縁（外周）は、平面的に開口部１０１，１０２，１０３の周縁と同じ位置であってもよいが、斜め光などの影響が考えられるため、周縁より内側に配置されていることが好ましい。また、絶縁膜５６の形成精度に応じて開口部１０１，１０２，１０３と反射膜４１との平面的な隙間を設けることが好ましい。
【００４７】
発光機能層２６は、画素電極２４及び絶縁膜５６を覆うようにして形成される。詳述すると、発光機能層２６は、複数の発光素子２７に亘って連続して形成されている。発光機能層２６の特性は、複数の発光素子２７について共通である。なお、発光機能層２６は、例えば、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層（第１発光層、第２発光層）と、電子輸送層と、電子注入層とを含むものとする。
【００４８】
発光層は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。画素電極２４と対向電極２５との間に電圧を印加することによって、発光機能層２６（発光層）には、正孔輸送層から正孔が、また、電子輸送層から電子が注入され、発光層においてこれらが再結合したときに発光が行われる。本実施形態では、例えば、白色光を発する。
【００４９】
対向電極２５は、発光機能層２６を覆うように形成される。言い換えれば、対向電極２５は、複数の発光素子２７に亘って連続して形成されている。対向電極２５は、その表面に達した光の一部を透過するとともに他の一部を反射する性質（すなわち半透過反射性）を持った半透過反射層として機能する。
【００５０】
また、対向電極２５は、マグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）、又はこれらを主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）で形成される。本実施形態においては、マグネシウム及び銀を発光機能層２６上に共蒸着させて対向電極２５を形成する。
【００５１】
本実施形態における有機ＥＬ装置１１では、反射膜４１と対向電極２５との間で発光機能層２６が発する光を共振させる共振器構造が形成される。すなわち、発光機能層２６が発する光は反射膜４１と対向電極２５との間で往復し、共振によって特定の波長の光が強められて対向電極２５を透過して観察側（図４における上方）に進行する（トップエミッション方式）。
【００５２】
発光素子２７Ｒでは発光機能層２６で発した白色光のうち赤色が強められ、発光素子２７Ｇでは緑色が強められ、発光素子２７Ｂでは青色が強められるように、各発光領域における反射膜４１（４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ）の膜厚が調整される。
【００５３】
対向電極２５上には、無機材料からなるパッシベーション層（図示せず）が形成される。パッシベーション層は、発光素子２７に対する水や外気の浸入を防ぐための保護膜である。また、パッシベーション層は、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料から形成される。
【００５４】
複数の発光素子２７が形成された素子基板（例えば、第１基材３１〜対向電極２５）上には、カラーフィルター基板６１が対向配置される。カラーフィルター基板６１は、ガラスなどの光透過性を有する材料で形成される。カラーフィルター基板６１のうち第１基材３１との対向面には、カラーフィルター６２（６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ）及び遮光膜６３が形成される。
【００５５】
遮光膜６３は、各発光素子２７に対応して開口６４が形成された遮光性の膜体である。開口６４内には、カラーフィルター６２（６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ）が形成される。
【００５６】
発光素子２７Ｒに対応する開口６４内には、赤色光を選択的に透過させる赤色用カラーフィルター６２Ｒが形成されている。発光素子２７Ｇに対応する開口６４内には、緑色光を選択的に透過させる緑色用カラーフィルター６２Ｇが形成されている。発光素子２７Ｂに対応する開口６４内には、青色光を選択的に透過させる青色用カラーフィルター６２Ｂが形成されている。
【００５７】
カラーフィルター６２及び遮光膜６３が形成されたカラーフィルター基板６１は、封止層６５を介して第１基材３１と貼り合わされる。封止層６５は、透明の樹脂材料、例えば、エポキシ樹脂などの硬化性樹脂から形成される。
【００５８】
このように、平面的に開口部１０１，１０２，１０３の周縁より反射膜４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂの外周が内側に配置されているので、開口部１０１〜１０３の近傍で発生する共振波長からずれた光が出射されるのを低減できる。具体的には、開口部１０１〜１０３内における反射膜４１の外周と対向電極２５との距離、及び開口部１０１〜１０３における反射膜４１の中央と対向電極２５との距離を略同一にすることが出来る。よって、光学距離（光路長）を同じにすることが可能となり、開口部１０１〜１０３の周縁と開口部１０１〜１０３の中央部との色を同じにすることができる。これにより、開口部１０１〜１０３内における色の混在を抑えることが可能となり、色の純度を上げることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。
【００５９】
＜電子機器の構成＞
図５は、上記した有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてスマートフォンを示す模式図である。以下、有機ＥＬ装置を備えたスマートフォンの構成を、図５を参照しながら説明する。
【００６０】
図５に示すように、スマートフォン７１は、表示部７２及びアイコン７３を有している。表示部７２は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１１によって、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した有機ＥＬ装置１１は、上記スマートフォン７１の他、携帯電話機、ヘッドマウントディスプレイ、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、小型プロジェクター、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００６１】
以上詳述したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１１、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００６２】
（１）本実施形態の有機ＥＬ装置１１によれば、絶縁膜５６で囲まれた開口部１０１〜１０３の周縁より反射膜４１（４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ）の外周が内側になるように配置されるので、つまり、絶縁膜５６の傾斜面と反射膜４１とを平面的に重ならないように配置するので、開口部１０１〜１０３の近傍で発生する共振波長からずれた光が出射されるのを低減できる。具体的には、開口部１０１〜１０３の周縁と対向電極２５との距離、及び開口部１０１〜１０３の中央と対向電極２５との距離を同じにすることが出来る。よって、これらの領域の光学距離（光路長）を同じにすることが可能となり、開口部１０１〜１０３の周縁と開口部１０１〜１０３の中央部との色を同じにすることができる。これにより、開口部１０１〜１０３とその周辺領域との色の混在を抑えることが可能となり、色の純度を上げることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。
【００６３】
（２）本実施形態の有機ＥＬ装置１１によれば、反射膜４１（４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ）と比較して低い反射性を有する低反射膜５５（５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ）を反射膜４１の下方に配置することにより、平面的に反射膜４１の周囲に低反射膜５５を配置することが可能となり、低反射膜５５より下方からの反射光が発光素子２７側に入射することを防ぐことができる。具体的には、低反射膜５５を、絶縁膜５６（絶縁膜５６の傾斜面）と平面的に重なるように配置する。よって、表示品質を向上させることができる。
【００６４】
（３）本実施形態によれば、開口部１０１〜１０３（発光領域）内から発光させることが可能となり、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００６５】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００６６】
（変形例１）
上記したように、反射膜４１（４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ）の外周は、平面的に開口部１０１〜１０３の全周より内側になるような配置であることに限定されず、例えば、図６に示すような配置関係でもよい。図６は、有機ＥＬ装置の変形例の構成を示す模式平面図である。
【００６７】
図６に示す有機ＥＬ装置１１１は、開口部１０１〜１０３の長辺側に沿う反射膜１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂの辺が、開口部１０１〜１０３より内側になるように配置されている。また、開口部１０１〜１０３の短辺側に沿う反射膜１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂの辺は、開口部１０１〜１０３より外側に配置されている。これによれば、発光色として色が目立ちやすい発光領域（開口部１０１〜１０３）の長辺側に沿う反射膜１４１の辺が開口部１０１〜１０３より内側に配置されているので、発光領域の中央部と周辺との色を同じにすることができると共に発光色として色を目立たせることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００６８】
（変形例２）
上記したように、反射膜４１の外周と絶縁膜５６の開口部１０１〜１０３との平面的な隙間は、各発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂにおいて同等であることに限定されず、例えば、青色の発光素子２７Ｂにおける開口部１０３と反射膜４１Ｂとの平面的な隙間が、その他の色の発光素子２７Ｒ，２７Ｇより広くなるように設定してもよい。つまり、見難い青色の光を鮮明に表示することが可能となり、表示品質をさせることができる。
【００６９】
（変形例３）
上記したように、反射膜４１の下方に低反射膜５５を配置していることに限定されず、低反射膜５５を配置しない構成であってもよい。これによれば、反射膜４１より下側の金属膜からの反射光の影響が少ない場合に適用することが好ましく、表示品質を従来の構成より向上させることができる。
【００７０】
（変形例４）
上記したように、絶縁層４２の上面を平坦化していることに限定されず、例えば、反射膜４１などを形成しても表示品質に影響がないようであれば、絶縁層４２の上面を平坦化せずに形成するようにしてもよい。
【００７１】
（変形例５）
上記したように、反射膜４１と低反射膜５５との間に絶縁層を配置することに限定されず、例えば、誘電体層を配置するようにしてもよい。これによれば、反射膜４１（第１反射膜、第２反射膜）と誘電体層と低反射膜５５（第１低反射膜、第２低反射膜）とによって電気容量（第１電気容量、第２電気容量）を構成することができる。なお、電気容量を構成しない場合、反射膜４１と低反射膜５５とを積層して形成するようにしてもよい。また、この積層された膜を電気容量の一方の電極として使用するようにしてもよい。
【００７２】
（変形例６）
上記したように、有機ＥＬ装置１１にカラーフィルター６２を含めているが、カラーフィルター６２を除いた有機ＥＬ装置に適用するようにしてもよい。
【００７３】
（変形例７）
上記したように、反射膜４１の配置位置を変えて光路長を調整することに限定されず、例えば、画素電極２４の厚みで光路長を調整してもよいし、発光層や正孔注入層などの厚みで光路長を調整するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１１，１１１…有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…データ線、１４…電源線、１５…データ線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子、２４…画素電極、２５…対向電極、２６…発光機能層、２７，２７Ｂ，２７Ｇ，２７Ｒ…発光素子、３１…第１基材、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４１，４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ，１４１，１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂ…反射膜、４２…絶縁層、５１…素子基板、５２…アレイ基板、５５…低反射膜、５６…絶縁膜としてのバンク、６１…カラーフィルター基板、６２…カラーフィルター、６２Ｂ…青色用カラーフィルター、６２Ｇ…緑色用カラーフィルター、６２Ｒ…赤色用カラーフィルター、６３…遮光膜、６４…開口、６５…封止層、７１…スマートフォン、７２…表示部、７３…アイコン、１０１，１０２，１０３…開口部（発光領域）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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