(57)【要約】【課題】厚みの薄い被処理基板をウェット洗浄したときの接触や張り付きをより効果的に剥がして乾燥することにより、乾燥不良の発生を抑制する。【解決手段】複数条の基板挿入溝部のそれぞれに周縁部が挿入された状態で複数枚収納された浸漬処理後の被処理基板４１を乾燥槽内に入れて乾燥させる被処理基板の乾燥装置であって、乾燥槽内に乾燥用気体を吹き付ける吹付部９を備え、吹付部９は、乾燥槽内に収容された複数枚の被処理基板４１に対して、被処理基板４１の側端面方向から被処理基板間４１に乾燥用気体を吹き付けるように配置されている。【選択図】図７Ａ
2013239645.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数条の基板挿入溝部のそれぞれに周縁部が挿入された状態で複数枚収納された浸漬処理後の被処理基板を乾燥槽内に入れて乾燥させる被処理基板の乾燥装置であって、
前記乾燥槽内に乾燥用気体を吹き付ける吹付部を備え、前記吹付部は、前記乾燥槽内に収容された前記複数枚の被処理基板に対して、前記被処理基板の側端面方向から前記被処理基板間に前記乾燥用気体を吹き付けるように配置されていることを特徴とする被処理基板の乾燥装置。
【請求項２】
請求項１に記載の被処理基板の乾燥装置であって、
前記被処理基板は、前記複数条の基板挿入溝部を備えた搬送キャリア内に収納され、
前記搬送キャリアの側面部に、前記吹付部からの前記乾燥用気体が前記複数枚の被処理基板間に吹き付けられるように開口部が設けられていることを特徴とする被処理基板の乾燥装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の被処理基板の乾燥装置であって、
前記吹付部は、前記被処理基板に対して前記乾燥用気体を斜め上方から斜め下方に向けて吹き付ける方向に配置されていることを特徴とする被処理基板の乾燥装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の被処理基板の乾燥装置であって、
前記乾燥槽内に前記乾燥用気体を吹き付ける別の吹付部をさらに備え、前記別の吹付部は、前記乾燥槽内に収容された前記複数枚の被処理基板に対して、前記被処理基板の上端面方向から下方向に向かって前記被処理基板間に前記乾燥用気体を吹き付けるように配置されていることを特徴とする被処理基板の乾燥装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の被処理基板の乾燥装置であって、
前記乾燥用気体が温風の空気であることを特徴とする被処理基板の乾燥装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の被処理基板の乾燥装置であって、
前記乾燥用気体が温風の不活性ガスであることを特徴とする被処理基板の乾燥装置。
【請求項７】
請求項６に記載の被処理基板の乾燥装置であって、
前記不活性ガスが窒素ガスであることを特徴とする被処理基板の乾燥装置
【請求項８】
複数条の基板挿入溝部のそれぞれに周縁部が挿入された状態で複数枚収納された浸漬処理後の被処理基板を乾燥槽内に入れて乾燥させる被処理基板の乾燥方法であって、
前記乾燥槽内に収容された前記複数枚の被処理基板に対して、前記乾燥槽内に設けられている吹付部から乾燥用気体を吹き付ける吹付工程を含み、
前記吹付工程では、前記乾燥用気体を前記被処理基板の側端面方向から前記複数枚の被処理基板間に吹き付けることを特徴とする被処理基板の乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶型太陽電池セルの製造方法に係り、複数条の基板挿入溝部のそれぞれに周縁部が挿入された状態で複数枚収納された浸漬処理後の被処理基板を乾燥槽内に入れて乾燥させる被処理基板の乾燥装置及び乾燥方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板等の被処理基板は、その製造過程において、薬液処理、洗浄処理、乾燥処理等の各工程を経る。この場合、板状の被処理基板（以下、単に基板ともいう。）は、複数枚まとめて搬送キャリアに収納され、この搬送キャリア単位で自動搬送システムによって各工程間を搬送されるのが一般的である。すなわち、薬液処理工程では、薬液槽の上方から搬送キャリアごと薬液内に浸漬され、洗浄処理工程では、洗浄槽の上方から搬送キャリアごと洗浄液内に浸漬され、乾燥処理工程では、乾燥槽の上方から搬送キャリアごと乾燥槽内に搬入されるようになっている。
【０００３】
ここで、乾燥装置については、基板を収納したカセットに上方から温風を吹き付ける乾燥装置が特許文献１に開示されている。また、基板保持部上に載置された基板に対して上方よりドライエアを吹き付けることで基板を乾燥させる乾燥装置が特許文献２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１１４０９５号公報
【特許文献２】特開２００４−２６５９０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
最近の結晶型太陽電池セルに用いる半導体基板は、シリコン材料の使用量を低減する観点から厚みをより薄くする検討がされている。
【０００６】
結晶型太陽電池セルの製造プロセスでは、一般的な半導体製造プロセスと同様に、酸やアルカリ薬液によるウェット洗浄処理が行われる。従って、ウェット洗浄後に水洗で薬液を除去した後、特許文献１や特許文献２に記載されている乾燥装置にて、被処理基板である半導体基板の乾燥を行う必要がある。
【０００７】
しかしながら、結晶型太陽電池セル用の基板を上述のように薄くすると、ウェット洗浄処理時に搬送キャリア内で基板自体が撓んだり、曲がったりすることによって、搬送キャリア内で隣接する基板同士が接触して張り付いて（重なって）しまう。特に、薬液槽または水洗槽内から搬送キャリアを引き上げる際に、隣接した基板の間を処理液が下方に抜けるのに伴って、処理液の張力によって隣接する基板同士を引き付ける力が働き、それによって基板が撓むことで基板同士が接触する、若しくは張り付く現象が発生する。
【０００８】
図１０（ａ）〜（ｄ）は、基板を液面から引き上げるときの様子を示しており、図１０（ａ）〜（ｃ）は、縦断面の状態、図１０（ｄ）は横断面の状態で図示している。
【０００９】
基板を液面から引き上げる場合、図１０（ａ）に示すように、基板１０１の上端部１０１ａが液面１０２ａから上方に引き上げられるときに、図１０（ｂ）に示すように、隣接する基板１０１間に介在していた処理液１０２が基板１０１間を下方に流れ、その処理液の表面張力によって、隣接する基板１０１同士が互いに近づく方向に引き付けられ、図１０（ｃ）に示すように、基板１０１が互いの方向に傾いて接触する、若しくは図１０（ｄ）に示すように張り付く、といった現象が発生する。特に、処理液の抜けにくい基板中央部Ｐを基点として接触若しくは張り付きが発生し易い状態となっている。そして、このように基板１０１同士が接触する（若しくは張り付く）と、その間に処理液１０２が残留し、不良の発生原因となるといった問題があった。すなわち、洗浄水が残留して乾燥不良となった場合には、一般にウォーターマークと呼ばれる染み欠陥が発生する。
【００１０】
本発明はかかる問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、厚みの薄い半導体基板等の被処理基板をウェット洗浄したときの接触や張り付きをより効果的に剥がして乾燥することにより、乾燥不良の発生を抑制することのできる被処理基板の乾燥装置及び乾燥方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明に係る被処理基板の乾燥装置は、複数条の基板挿入溝部のそれぞれに周縁部が挿入された状態で複数枚収納された浸漬処理後の被処理基板を乾燥槽内に入れて乾燥させる被処理基板の乾燥装置であって、前記乾燥槽内に乾燥用気体を吹き付ける吹付部を備え、前記吹付部は、前記乾燥槽内に収容された前記複数枚の被処理基板に対して、前記被処理基板の側端面方向から前記被処理基板間に前記乾燥用気体を吹き付けるように配置されていることを特徴としている。
【００１２】
本発明によれば、乾燥用気体を被処理基板の側端面方向から複数枚の被処理基板間に吹き付けるようにすることで、薄い被処理基板であっても、浸漬処理によって張り付いた（重なった）被処理基板同士を剥がすことが可能となる。
【００１３】
また、本発明に係る被処理基板の乾燥装置では、前記被処理基板は、前記複数条の基板挿入溝部を備えた搬送キャリア内に収納され、前記搬送キャリアの側面部に、前記吹付部からの前記乾燥用気体が前記複数枚の被処理基板間に吹き付けられるように開口部が設けられた構成としている。
【００１４】
この構成によれば、被処理基板を搬送キャリア内に収納して行うことで、多数枚の被処理基板をまとめて一度に乾燥できるため、乾燥処理作業が容易となる。
【００１５】
また、本発明に係る被処理基板の乾燥装置では、前記吹付部は、前記被処理基板に対して前記乾燥用気体を斜め上方から斜め下方に向けて吹き付ける方向に配置された構成としてもよい。
【００１６】
この構成によれば、乾燥用気体を斜め上方から斜め下方に向けて吹き付けることにより、被処理基板を乾燥させるときに、乾燥用気体に下向きのベクトルを持たせることができ、被処理基板の表面に付着した液を下方にきって落とすことが可能となる。
【００１７】
また、本発明に係る被処理基板の乾燥装置では、前記乾燥槽内に乾燥用気体を吹き付ける別の吹付部をさらに備え、前記別の吹付部は、前記乾燥槽内に収容された前記複数の被処理基板に対して、前記被処理基板の上端面方向から前記被処理基板間に前記乾燥用気体を吹き付けるように配置された構成としている。
【００１８】
この構成によれば、乾燥用気体を斜め上方から斜め下方に向けての吹き付けに加え、上方から下方への吹き付けを併せて行うことで、密着した被処理基板をより確実に引き剥がし、かつ、乾燥速度を早める（すなわち、乾燥時間を短縮する）ことができる。
【００１９】
また、本発明に係る被処理基板の乾燥装置では、前記乾燥用気体として温風の空気を用いた構成としてもよい。この構成によれば、乾燥用気体に空気を用いることで、乾燥コストを低減することができる。
【００２０】
また、本発明に係る被処理基板の乾燥装置では、前記乾燥用気体として温風の不活性ガスを用いた構成としてもよい。この構成によれば、乾燥用気体に不活性ガスを用いることで、被処理基板上の乾燥不良シミの一つである微小酸化膜の発生を抑制することができる。
【００２１】
また、本発明に係る被処理基板の乾燥装置では、前記不活性ガスとして窒素ガスを用いた構成としてもよい。この構成によれば、乾燥用気体に窒素ガスを用いることで、被処理基板上の乾燥不良シミの一つである微小酸化膜の発生を抑制することができる。
【００２２】
また、本発明に係る被処理基板の乾燥方法は、複数条の基板挿入溝部のそれぞれに周縁部が挿入された状態で複数枚収納された浸漬処理後の被処理基板を乾燥槽内に入れて乾燥させる被処理基板の乾燥処理方法であって、前記乾燥槽内に収容された前記複数の被処理基板に対して、前記乾燥槽内に設けられている吹付部から乾燥用気体を吹き付ける吹付工程を含み、前記吹付工程では、前記乾燥用気体を前記被処理基板の側端面方向から前記被処理基板間に吹き付けることを特徴としている。
【００２３】
本発明によれば、乾燥用気体を被処理基板の側端面方向から被処理基板間に吹き付けるようにすることで、薄い被処理基板であっても、浸漬処理によって張り付いた（重なった）被処理基板同士を剥がすことが可能となる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、乾燥用気体を被処理基板の側端面方向から被処理基板間に吹き付けるようにすることで、薄い被処理基板であっても、浸漬処理によって張り付いた被処理基板同士をより効果的に剥がして乾燥することにより、乾燥不良の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態１に係る被処理基板の浸漬処理方法を実施するための浸漬処理装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】実施形態に係る搬送ロボットの外観斜視図である。
【図３】実施形態に係る搬送ロボットの正面図である。
【図４Ａ】実施形態に係る搬送キャリアの斜視図である。
【図４Ｂ】実施形態に係る搬送キャリアの平面図である。
【図５Ａ】図４ＢのＡ−Ａ線断面図である。
【図５Ｂ】図４ＢのＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】被処理基板の斜視図である。
【図７Ａ】乾燥槽内に吹付部を備えた本実施形態の乾燥装置の配置構成の構成例１を示す説明図である。
【図７Ｂ】乾燥槽内に吹付部を備えた本実施形態の乾燥装置の配置構成の構成例２を示す説明図である。
【図７Ｃ】乾燥槽内に吹付部を備えた本実施形態の乾燥装置の配置構成の構成例３を示す説明図である。
【図８Ａ】半導体基板の浸漬処工程を説明する図である。
【図８Ｂ】半導体基板の浸漬処工程を説明する図である。
【図８Ｃ】半導体基板の浸漬処工程を説明する図である。
【図８Ｄ】半導体基板の浸漬処工程を説明する図である。
【図８Ｅ】半導体基板の浸漬処工程を説明する図である。
【図８Ｆ】半導体基板の浸漬処工程を説明する図である。
【図８Ｇ】半導体基板の浸漬処工程を説明する図である。
【図９】基板挿入溝部周辺の一部拡大図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、被処理基板を処理液から垂直に引き上げるときに隣接する基板が張り付く様子を説明するための概略縦断面図、（ｄ）は、被処理基板を処理液から垂直に引き上げるときの隣接する基板の様子を示す概略横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２７】
図１ないし図５Ｂは、実施形態に係る被処理基板の乾燥方法を実施するための乾燥装置を含む浸漬処理装置全体の構成を示しており、図１は装置全体の構成図、図２は搬送ロボットの外観斜視図、図３は搬送ロボットの正面図、図４は搬送キャリアの斜視図、図５Ａは図４のＡ−Ａ線断面図、図５Ｂは図４のＢ−Ｂ線断面図である。また、図６は被処理基板の斜視図である。
【００２８】
実施形態１の浸漬処理装置は、被処理基板である半導体基板を浸漬処理する装置であって、図１に示すように、全体が構造躯体１内に組み付けられており、構造躯体１内には、例えば２台の搬送ロボットＡ１，Ｂ１が備えられている。構造躯体１の床面1ｂに配置される処理槽は、実施形態１では、エッチング処理槽３、第１洗浄槽４、第２洗浄槽５、温水槽６、後述する吹付部９（図７Ａ参照）を備えた乾燥槽７の５槽からなり、これら各槽３〜７が、搬送ロボットＡ１，Ｂ１の搬送方向（図１中Ｙ方向）に沿って所定の間隔で配置されている。また、構造躯体１の前後（図１では左右両側）に投入ベルト部２と排出ベルト部８とを配置することで、前工程と次工程とのインターフェースをとっている。エッチング処理槽３では、フッ化水素酸（ＨＦ）によるエッチング処理を常温で約１０秒間行う。第１洗浄槽４では、粗水洗を常温で約３００秒間行う。第２洗浄槽５では、仕上げ水洗を常温で３００秒間行う。温水槽６では、乾燥時の熱割れを抑制するために約６０度の温水で３００秒間洗浄する。乾燥槽７では、吹付部９から半導体基板に約１００度の乾燥用気体（空気や不活性ガス等）を吹き付けて蒸発乾燥を約３００秒間行う。
【００２９】
図２及び図３は、搬送ロボットの外観斜視図及び正面図である。
【００３０】
搬送ロボットＡ１，Ｂ１は、図１ないし図３に示すように、構造躯体１の天面１ａに設けられたレール部材１ｃに支持される形で、搬送方向Ｙに沿って往復移動可能に設けられており、図示しない駆動機構部により上下動可能な支持体１０によって全体が支持されている。この支持体１０の下部にはロボット本体部１１が取り付けられており、このロボット本体部１１の下面には、搬送方向Ｙに一定の間隔を存して一対の支持杆１２ａ，１２ｂが設けられている。また、一方の支持杆１２ｂは、油圧シリンダ等の伸縮杆によって上下伸縮可能に構成されている。
【００３１】
支持杆１２ａの下端部には、図２中Ｘ方向に水平かつ平行に延びたキャリアアーム１３ａが支持されており、このキャリアアーム１３ａに、水平方向Ｘに一定の間隔を存して複数個（この例では２個）のキャリア用チャック１４ａが設けられている。
【００３２】
一方、支持杆１２ｂを構成する伸縮杆の伸縮ロッド１２ｂ１の先端部（下端部）には、図２中Ｘ方向に水平かつ平行に延びたキャリアアーム１３ｂが支持されており、このキャリアアーム１３ｂに、水平方向Ｘに一定の間隔を存して複数個（この例では２個）のキャリア用チャック１４ｂが設けられている。各キャリア用チャック１４ａ，１４ｂは、チャック杆１４ａ１，１４ｂ１と、チャック爪１４ａ２，１４ｂ２とからなり、正面視Ｌ字状に形成されている。
【００３３】
また、キャリアアーム１３ａに設けられた２個のキャリア用チャック１４ａと、キャリアアーム１３ｂに設けられた２個のキャリア用チャック１４ｂとは、それぞれチャック爪１４ａ２，１４ｂ２を内側に向けてＹ方向に対向するように配置されている。
【００３４】
このように配置されたキャリア用チャック１４ａ，１４ｂは、各キャリアアーム１３ａ，１３ｂを図示しない駆動機構部により回転駆動することにより、図２及び図３に実線で示す状態から、チャック爪１４ａ２，１４ｂ２を開く方向に（図３に二点鎖線で示す状態まで）開閉可能（図３中Ｒ方向に回動可能）な構造となっている。
【００３５】
図４Ａ，図４Ｂ，図５Ａ，図５Ｂは、半導体基板を収納する搬送キャリアの構成を示しており、図４Ａは斜視図、図４Ｂは平面図、図５Ａは図４ＢのＡ−Ａ線断面図、図５Ｂは図４ＢのＢ−Ｂ線断面図である。
【００３６】
半導体基板を収納する搬送キャリア３１は、上部が開口した略箱体形状に形成されており、この搬送キャリア３１の上面開口部３２から、一定の間隔を存して複数枚の半導体基板が収納されるようになっている。搬送キャリア３１の左右側壁３１ａの上端部には、外側方向に水平に延設されたレール条の係止部３３がそれぞれ形成されている。搬送ロボットＡ１，Ｂ１は、この左右一対の係止部３３を一対のキャリア用チャック１４ａ，１４ｂで両外側から掴むことによって搬送キャリア３１を保持し、この状態で搬送キャリア３１を搬送方向Ｙに搬送するようになっている。
【００３７】
また、搬送キャリア３１の前後の側壁３１ｂは、左右の側壁３１ａの両端部を連結する桟状に形成されており、その上部３１ｂ１と下部３１ｂ２とが開口されている。
【００３８】
この前後の側壁３１ｂの内壁面には、図４及び図５Ａに示すように、搬送キャリア３１の搬送方向Ｙに沿って一定の間隔Ｔ１１（＝Ｗ１３＋Ｗ１４）を存して複数状のリブ片３４ａが形成されており、隣接するリブ片３４ａ間が、半導体基板を収納保持するための基板挿入溝部３５ａとなっている。また、搬送キャリア３１の底壁面３１ｃにも、搬送方向Ｙに沿って一定の間隔Ｔ１１（＝Ｗ１３＋Ｗ１４）を存して複数状のリブ片３４ｂが形成されており、隣接するリブ片３４ｂ間が、半導体基板を収納保持するための基板挿入溝部３５ｂとなっている。
【００３９】
すなわち、前後の側壁３１ｂに形成されたリブ片３４ａは、搬送キャリア３１の搬送方向Ｙと直交するＸ方向に対峙して対を成しており、さらにこの一対のリブ片３４ａは、底壁面３１ｃに形成されたリブ片３４ｃとも対を成している。すなわち、一対のリブ片３４ａとこれに対を成す底壁面３１ｃのリブ片３４ｃとは、図４Ｂに示すように、平面視でＸ方向に直線上に並ぶように形成されている。
【００４０】
従って、隣接するリブ片３４ａ間の基板挿入溝部３５ａ及びリブ片３４ｂ間の基板挿入溝部３５ｂも、Ｘ方向に対峙して対を成す一対の基板挿入溝部３５ａとこれに対を成す底壁面３１ｃの基板挿入溝部３５ｂとが、図４Ｂに示すように、平面視でＸ方向に直線上に並ぶように形成されている。半導体基板は、前後の側壁３１ｂの内壁面に形成された一対の基板挿入溝部３５ａと、底壁面３１ｃに形成されたこれに対を成す基板挿入溝部３５ｂとによって、前後の縁部と下端縁部とが収納保持されるようになっている。
【００４１】
図６は、半導体基板の一例を示す斜視図である。この半導体基板４１は、主に結晶太陽電池に用いられるもので、一辺が１５．６ｃｍで各角部に切欠き部を設けた８角形状となっており、その厚みは、１００〜１５０μｍとなっている。従来の結晶太陽電池用の基板の厚みは３００μｍ程度であったが、近年シリコン材料の使用量を低減する検討が進んでいることで基板の厚みが前述のように薄くなってきている。すなわち、最近の半導体基板４１は、厚みが薄くなり、基板１枚の重さが軽くなるとともに曲りやすい傾向にある。ここで、半導体基板４１の幅（上下方向及び左右方向の幅）をＷ１（＝１５．６ｃｍ）とし、厚みをＴ１（＝１００〜１５０μｍ）として表記する。
【００４２】
このような半導体基板４１の寸法に基づき、搬送キャリア３１の内部寸法は次のように設定されている。
【００４３】
すなわち、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、搬送キャリア３１内部の底壁３１ｃから開口上端部までの高さＨ１は、半導体基板４１の幅Ｗ１とほぼ同じ１５．６ｃｍとなっており、搬送方向Ｙと直交する前後の側壁３１ｂ間の寸法Ｗ１１は、半導体基板４１の幅Ｗ１より若干広く、例えば１６．０ｃｍとなっている。また、リブ片３４ａ，３４ｂの突出長さは例えば４ｍｍとなっている。従って、前後の側壁３１ｂに形成されたリブ片３４ａの対向先端部間の幅Ｗ１２は、半導体基板４１の幅Ｗ１より若干狭い１５．２ｃｍとなっている。これにより、基板挿入溝部３５ａ，３５ｂに挿入された半導体基板４１は、基板挿入溝部３５ａ，３５ｂ内で前側の側壁３１ｂ方向または後ろ側の側壁３１ｂ方向に一杯まで横ずれしたとしても、周縁部がリブ片３４ａ，３４ｂから外れて隣の基板挿入溝部３５ａ，３５ｂ側に倒れ込でしまうことはない。すなわち、挿入された基板挿入溝部３５ａ，３５ｂから半導体基板４１が外れることはない。
【００４４】
また、基板挿入溝部３５ａ，２５ｂのＹ方向の幅Ｗ１３は２ｍｍとなっており、リブ片３４ａ，３４ｂのＹ方向の幅Ｗ１４は３ｍｍとなっている。すなわち、基板挿入溝部３５ａ，３５ｂの幅Ｗ１３は、半導体基板４１の厚みＴ１より十分に広く形成されている。この例では、基板挿入溝部３５ａ，３５ｂの幅W１３は、半導体基板４１の厚みＴ１の約１３〜２０倍の幅に形成されている。そのため、半導体基板４１は、基板挿入溝部３５ａ，３５ｂ内で搬送方向Ｙに若干倒れる（傾斜する）ことになるが、その傾斜角度は最大でも約０．００７°未満であり、後述する実施形態１の傾斜角度４°等に比べて十分に小さく、基板挿入溝部３５ａ，３５ｂ内においては、搬送方向Ｙに若干倒れたとしても、ほぼ垂直に挿入されていると言える範疇のものである。
【００４５】
また、搬送キャリア３１の搬送方向Ｙの内壁幅Ｗ１５は、収納する半導体基板４１の枚数によって異なり、例えば３０枚収納可能である場合には、約１５．３ｃｍ（＝Ｔ１１×３０＋３ｍｍ）となる。
【００４６】
なお、図示は省略しているが、搬送キャリア３１の底壁には、処理液を搬送キャリア３１内部に流入させるための多数の貫通孔が形成されていてもよい。
【００４７】
なお、図３に実線で示す状態のキャリア用チャック１４ａ，１４ｂのチャック爪１４ａ２，１４ｂ２間の幅Ｗ２６は、搬送キャリア３１の搬送方向Ｙの外壁幅Ｗ１６より若干幅広に形成されており、チャック杆１４ａ１，１４ｂ１間の内幅Ｗ２７は、搬送キャリア３１に形成された係止部３３の両先端間幅Ｗ１７より若干幅広に形成されている。このように、キャリア用チャック１４ａ，１４ｂと搬送キャリア３１との間に若干の隙間を設けておくことで、搬送キャリア３１を傾斜させるときの遊びを確保し、傾斜動作をスムーズに行えるようにしている。
【００４８】
図７Ａは、乾燥槽７内に吹付部９を備えた本実施形態の乾燥装置の配置構成の一例（構成例１）を示している。
【００４９】
構成例１の乾燥装置は、乾燥槽７内に乾燥用気体を吹き付ける吹付部９を備えている。この吹付部９は、乾燥槽７内に収容された複数枚の半導体基板４１に対して、半導体基板４１の両側端面方向から半導体基板４１間に乾燥用気体を吹き付けるように、２台が対向配置されている。すなわち、吹付部９は、乾燥槽７内に収納された搬送キャリア３１の前後の側壁３１ｂの上下の開口部３１ｂ１，３１ｂ２を介して横方向から乾燥用気体を吹き付けるように配置されている。
【００５０】
この構成により、乾燥用気体を半導体基板４１の側端面方向から複数枚の半導体基板４１間に吹き付けるようにすることで、薄い半導体基板４１であっても、浸漬処理によって張り付いた半導体基板４１同士を剥がすことが可能となる。
【００５１】
なお、吹付部９の構成については、半導体基板の浸漬処理の分野では従来周知の構成であり、例えば特許文献１，２に記載の機構構造を本発明の吹付部９に適用することも可能である。すなわち、本発明は、吹付部９自体の構成ではなく、その配置構成に特徴を有している。また、吹き付ける乾燥用気体の条件についても、特許文献１，２に記載の条件と同様でよい。従って、ここでは吹付部９自体の構成等についての説明は省略する。
【００５２】
図７Ｂは、乾燥槽７内に吹付部９を備えた本実施形態の乾燥装置の配置構成の他の例（構成例２）を示している。
【００５３】
構成例２では、２台の吹付部９が、乾燥槽７内に収容された複数枚の半導体基板４１に対して、乾燥用気体を斜め上方から斜め下方に向けて吹き付ける方向に配置されている。すなわち、半導体基板４１の対角線方向にほぼ沿って吹き付けるように配置されている。
【００５４】
この構成によれば、乾燥用気体を斜め上方から斜め下方に向けて吹き付けることにより、半導体基板４１を乾燥させるときに、乾燥用気体に下向きのベクトルを持たせることができ、半導体基板４１の表面に付着した液を物理的な力で下方に落とすことができるので、張り付いた半導体基板４１同士をより効果的に剥がすことができるとともに、蒸発のみによる乾燥よりも早く乾燥させることができる。
【００５５】
図７Ｃは、乾燥槽７内に吹付部９を備えた本実施形態の乾燥装置の配置構成の他の例（構成例３）を示している。
【００５６】
構成例３では、乾燥槽７内に収容された複数枚の半導体基板４１に対して、半導体基板４１の側端面方向から半導体基板４１間に乾燥用気体を吹き付ける２台の吹付部９ａに加え、乾燥槽７内に収容された複数枚の半導体基板４１に対して、半導体基板４１の上端面方向から下方向に向かって半導体基板４１間に乾燥用気体を吹き付ける別の１台の吹付部９ｂを配置した構成としている。
【００５７】
この構成によれば、乾燥用気体を横方向からの吹き付けに加え、上方から下方への吹き付けを併せて行うことで、張り付いた半導体基板４１をより確実に引き剥がし、かつ、乾燥速度を早める（すなわち、乾燥時間を短縮する）ことができる。
【００５８】
なお、構成例３では、図７Ａに示す構成例１の吹付部９との組み合わせとして説明しているが、図７Ｂに示す構成例２の吹付部９との組み合わせであってもよい。
【００５９】
なお、本実施形態では、乾燥用気体として温風の空気を用いた構成とすることができる。乾燥用気体に空気を用いることで、別途、乾燥用のガスを用いる必要がないので、乾燥コストを低減することができる。
【００６０】
また、乾燥用気体として温風の不活性ガスを用いた構成としてもよい。具体的には、不活性ガスとして窒素ガスを用いることがコスト面や人体への影響などの危険度等を考慮すると好適である。この構成によれば、乾燥用気体として不活性ガスを用いることで、被処理基板上の乾燥不良シミの一つである微小酸化膜の発生を抑制することができる。
【００６１】
次に、上記構成の乾燥装置を使用した半導体基板の浸漬処理方法について、図７Ａないし図７Ｃに示す配置構成図、図８Ａないし図８Ｇに示す処理工程図、及び図９に示す基板挿入溝部３５周辺の一部拡大図を参照して説明する。
【００６２】
まず、前工程より、半導体基板４１が複数枚収納された搬送キャリア３１が投入ベルト部２により搬送されて待機位置６０（図１参照）で停止する。
【００６３】
次に、左側の搬送ロボットＡ１を待機位置６０まで移動し、支持体１０を下方向に移動させてロボット本体部１１全体を降下させ、搬送キャリア用チャック１４ａ，１４ｂにより搬送キャリア３１の係止部３３を両側から掴み込むと、今度は、そのままの状態で支持体１０を上方向に移動させてロボット本体部１１全体を上昇させ、搬送キャリア３１を水平に持ち上げる。
【００６４】
次に、搬送ロボットＡ１を搬送方向Ｙに移動させて、ロボット本体部１１全体（具体的には、搬送キャリア３１）をエッチング処理槽３の上部まで移動すると（図８Ａ参照）、搬送キャリア３１を水平に保った状態で（すなわち、半導体基板４１をエッチング処理槽３の液面に対して垂直に保った状態で）、支持体１０を所定の速度で降下させ、搬送キャリア３１全体を所定の速度で処理液内に浸漬させて、エッチング処理槽３の底面に設けられている簀の子状の載置台３ａ上に載置する（図８Ｂ参照）。
【００６５】
すなわち、搬送キャリア３１の降下工程（浸漬工程）では、半導体基板４１を処理液の表面に対して垂直に保持しているので、半導体基板４１を処理液内に沈めていくときの処理液の抵抗を最小限に留めることができ、これにより半導体基板４１の浮き上がりや、浮き上がりによる破損、エッチング処理槽３内への落下等を防止することができる。
【００６６】
この後、エッチング処理槽３での処理を終了すると、図８Ｃの引き上げ工程に移行する。このとき、図８Ｄに示すように、搬送ロボットＡ１の一方の支持杆１２ｂの油圧シリンダを動作させて伸縮杆を縮退させ（上方に移動させ）、搬送キャリア３１を、投入ベルト部２側（図中左側）へ所定角度θ傾斜させる。ここで、所定角度θは、４°以上４５°以下、より好ましくは４°以上１０°以下の範囲内の任意の角度に設定されている。このとき、半導体基板４１の処理面は、右側に位置するように搬送キャリア３１に収納されている。すなわち、半導体基板４１の傾斜上面が処理面となるように収納されている。この場合、各半導体基板４１は、図９に一部を拡大して示すように、処理面とは反対側の傾斜下面側の周縁部全体が、基板挿入溝部３５内において傾斜下方側のリブ片３４に当接して支持されることから、全ての半導体基板４１が一定の距離Ｌ１（Ｗ１３＋Ｗ１４−Ｔ１＝４．９〜４．８５ｍｍ）を保って同方向かつ平行に傾斜することになる。
【００６７】
そして、この傾斜状態において、図８Ｅ及び図８Ｆに示すように、支持体１０を上方向に移動させてロボット本体部１１全体を所定の速度で上昇させ、搬送キャリア３１（すなわち、半導体基板４１）を傾斜状態のまま処理液内から上方に引き上げる。
【００６８】
このように、上昇工程（引き上げ工程）では、半導体基板４１を傾斜させてエッチング処理槽３内より上昇させることで、半導体基板４１の処理面と反対側の面に、処理液による下方への押圧力が働く。そのため、隣接する半導体基板４１間の距離は、常に距離Ｌ１で一定に保たれることになる。これにより、傾けないで垂直に引き上げるときの問題点、すなわち、半導体基板４１の上端部４１ｂが液面から上方に引き上げられるときに、隣接する半導体基板４１間を下方に流れるエッチング液（処理液）の表面張力によって、隣接する半導体基板４１同士が互いに近づく方向に引き付けられ、互いの方向に傾いて接触する（若しくは、張り付く）といった現象を抑制することができる。特に、半導体基板４１同士の接触や張り付きが発生し易いのは上昇時（引き上げ時）であるから、その上昇工程（引き上げ工程）時に半導体基板４１を傾斜させておくことで、半導体基板４１の浮き上がりや、浮き上がりによる破損等を確実に防止することができる。
【００６９】
この後、図８Ｇに示すように、搬送ロボットＡ１の一方の支持杆１２ｂの油圧シリンダを動作させて伸縮杆を伸長させ（下方に移動させ）、搬送キャリア３１を再び水平状態に保持すると、この状態で搬送ロボットＡ１を搬送方向Ｙに移動させて、ロボット本体部１１全体（具体的には、搬送キャリア３１）を隣の第１洗浄槽４の上部まで移動する。
【００７０】
この後の第１洗浄槽４から温水槽６までの処理は、上記したエッチング処理槽３での処理と同様であり、図８Ａ〜図８Ｇと同様の処理動作を行うことによって、第１洗浄槽４による粗水洗での洗浄工程、第２洗浄槽５での仕上げ水洗処理、及び、温水槽６での温水洗浄処理を行う。
【００７１】
最後に、乾燥槽７による乾燥工程を行う。
【００７２】
乾燥工程では、処理液を使用しないので、図８Ａ〜図８Ｇのような処理動作は行わず、乾燥槽７の上方から半導体基板４１を水平に保ったまま降下させ、乾燥後は、半導体基板４１を水平に保ったまま上昇させる。このとき、乾燥槽７内では、図７Ａまたは図７Ｂまたは図７Ｃのいずれかの状態で乾燥処理が行われる。
【００７３】
すなわち、図７Ａでは、乾燥槽７内に収容された複数枚の半導体基板４１に対して、２台の吹付部９により、半導体基板４１の両側端面から横方向に向かって半導体基板４１間に乾燥用気体を吹き付ける。
【００７４】
また、図７Ｂでは、乾燥槽７内に収容された複数枚の半導体基板４１に対して、２台の吹付部９により、半導体基板４１の両側端面上部から斜め下方に向かって半導体基板４１間に乾燥用気体を吹き付ける。
【００７５】
また、図７Ｃでは、乾燥槽７内に収容された複数枚の半導体基板４１に対して、２台の吹付部９ａにより、半導体基板４１の両側端面から横方向に向かって半導体基板４１間に乾燥用気体を吹き付けるとともに、別の１台の吹付部９ｂにより、半導体基板４１の上端面方向から下方向に向かって半導体基板４１間に乾燥用気体を吹き付ける。
【００７６】
これらの乾燥処理により、薄い半導体基板４１であっても、浸漬処理によって張り付いた半導体基板４１同士を剥がして乾燥することができる。
【００７７】
このようにして、乾燥工程まで終了すると、搬送ロボットＢ１によって搬送キャリア３１を搬送ベルト部８まで搬送してベルト上に載置し、次の工程に搬送する。なお、搬送ロボットＢ１は、第１洗浄槽４による洗浄処理以降の工程を担当する。すなわち、搬送ロボットＡ１，Ｂ１は、第１洗浄槽４において、搬送キャリア３１の受け渡しを行う。
【００７８】
なお、上記実施形態では、半導体基板４１を搬送キャリア３１に収納して搬送する構成として説明しているが、搬送キャリア３１の無い場合にも適用可能である。例えば、ロボットアームで半導体基板４１を直接保持して処理する装置や、半導体基板４１を載せるリフタを各槽内に備えた装置などでは、搬送キャリアを用いる必要がない。
【００７９】
また、今回開示した実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。従って、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。
【符号の説明】
【００８０】
１  構造躯体
２  投入ベルト部
１ａ  天面
１ｂ  床面
１ｃ  レール部材
３  エッチング処理槽
４  第１洗浄槽
５  第２洗浄槽
６  温水槽
７  乾燥槽
８  排出ベルト部
９，９ａ，９ｂ  吹付部
１０  支持体
１１  ロボット本体部
１２ａ  支持杆
１２ｂ  支持杆
１２ｂ１  伸縮ロッド
１３ａ，１３ｂ  キャリアアーム
１４ａ，１４ｂ  キャリア用チャック
１４ａ１，１４ｂ１  チャック杆
１４ａ２，１４ｂ２  チャック爪
３１  搬送キャリア
３１ａ  側壁（左右の側壁）
３１ｂ  側壁（前後の側壁）
３１ｂ１  上部（開口）
３１ｂ２  下部（開口）
３１ｃ  底壁
３２  上面開口部
３３  係止部
３４ａ，３４ｂ  リブ片
３５ａ，３５ｂ  基板挿入溝部
４１  半導体基板（被処理基板）
Ａ１，Ｂ１  搬送ロボット
【図１】
2013239645.tif 000003
【図２】
2013239645.tif 000004
【図３】
2013239645.tif 000005
【図４Ａ】
2013239645.tif 000006
【図４Ｂ】
2013239645.tif 000007
【図５Ａ】
2013239645.tif 000008
【図５Ｂ】
2013239645.tif 000009
【図６】
2013239645.tif 000010
【図７Ａ】
2013239645.tif 000011
【図７Ｂ】
2013239645.tif 000012
【図７Ｃ】
2013239645.tif 000013
【図８Ａ】
2013239645.tif 000014
【図８Ｂ】
2013239645.tif 000015
【図８Ｃ】
2013239645.tif 000016
【図８Ｄ】
2013239645.tif 000017
【図８Ｅ】
2013239645.tif 000018
【図８Ｆ】
2013239645.tif 000019
【図８Ｇ】
2013239645.tif 000020
【図９】
2013239645.tif 000021
【図１０】
2013239645.tif 000022