(57)【要約】【課題】チップ面積の増大を抑えつつ半導体集積回路装置の金属配線パターンの寄生抵抗に起因する動作不良を抑制する。【解決手段】配線ＰＴ１に対応する領域に凹部又は凸部を有するダミーＰＴ７を生成し、ダミーＰＴ７を所定値だけ縮小して縮小図形８を生成し、縮小図形８を所定値だけ拡大してダミー配線ＰＴ９を生成し、その外周の辺を一辺とする矩形図形１０を生成し、矩形図形１０を所定値だけ縮小して縮小図形１１を生成し、ダミー配線ＰＴ９から縮小図形１１を論理減算してビア形成用候補ＰＴ１２，１３を生成し、そのうちの矩形図形１３及び多角形図形１２を抽出し、多角形図形１２における一方向に直交する方向に延在する辺１６ａ，１６ｂ，１７を抽出し、その辺１６ａ，１６ｂ，１７を一辺として一方向に延在する矩形図形１８ａ，１８ｂ，１９を生成し、矩形図形１３，１８ａ，１８ｂ，１９内にビア２０を配置する。【選択図】図２０
2013239063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に延在するパターンを含む配線パターンを有する第１の配線層の積層方向に配置される第２の配線層に、前記配線パターンにビアを介して接続するダミー配線パターンを生成するためのダミーパターンの設計方法において、
前記配線パターンに対応する領域に、凹部又は凸部を有するダミーパターンを生成するダミーパターン生成ステップと、
前記ダミーパターンを前記一方向及び前記一方向とは逆方向にそれぞれ第１の値だけ縮小して第１の縮小図形を生成する第１の縮小図形生成ステップと、
前記第１の縮小図形を前記一方向及び前記逆方向にそれぞれ前記第１の値だけ拡大してダミー配線パターンを生成するダミー配線パターン生成ステップと、
前記ダミー配線パターンの外形を抽出して前記ダミー配線パターンの外周の辺を一辺とする第１の矩形図形を生成する第１の矩形図形生成ステップと、
前記第１の矩形図形を前記一方向及び前記逆方向にそれぞれ第２の値だけ縮小して第２の縮小図形を生成する第２の縮小図形生成ステップと、
前記ダミー配線パターンから前記第２の縮小図形を論理減算処理して、２以上のビア形成用候補パターンを生成するビア形成用候補パターン生成ステップと、
前記２以上のビア形成用候補パターンのうち、頂点が４つの第２の矩形図形及び頂点が５つ以上である多角形図形を抽出する多角形図形抽出ステップと、
前記多角形図形における前記一方向に直交する方向に延在する辺を抽出する辺抽出ステップと、
前記辺を一辺として前記一方向に延在する第３の矩形図形を生成する第３の矩形図形生成ステップと、
前記第２の矩形図形内及び前記第３の矩形図形内に前記ビアがそれぞれ配置されたビアセルを生成するビアセル生成ステップと、
を含むことを特徴とするダミーパターンの設計方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線構造を有する半導体集積回路装置におけるダミーパターンの設計方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置は、通常、複数の金属配線層と複数の絶縁層とが交互に積層された多層配線構造を有している。
このような多層配線構造を有する半導体集積回路装置では、金属配線パターンの面積や配置密度の違いによって複数の金属配線層が積層されている領域とそうでない領域とが混在しており、多層配線構造部における厚さのばらつきが生じる。
厚さのばらつきが大きいと、その段差部における絶縁層及び金属配線層の厚さが薄くなる。絶縁層の厚さが薄くなっている部分では絶縁性が悪化するため、積層方向における金属配線層間でショート不良が発生する場合がある。金属配線層の厚さが薄くなっている部分ではその部分の金属配線パターンが断線する場合がある。
そこで、金属配線層上に成膜された絶縁層の表面を、例えばＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing ：化学的機械的研磨)法を用いて平坦化することが行われる。
【０００３】
しかしながら、金属配線層上に成膜された絶縁層の表面の段差が大きいと、平坦化するまでの研磨時間が長くなるので生産性を悪化させる要因となったり、下層の金属配線層を露出させてしまう場合がある。下層の金属配線層が露出した状態で平坦化された絶縁膜上に上層の金属配線層を形成すると、上層の金属配線層と下層の金属配線層とが露出した部分で短絡してしまう場合がある。
【０００４】
そこで、金属配線層に回路構成とは無関係なダミーパターンを設けることにより、その金属配線層における金属配線パターンの配置密度のばらつきをダミーパターンで低減することが行われている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１１５９０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示されているようなダミーパターンは、一般的に、ＤＲＣ（design rule check）を用いたＣＡＤ（Computer aided design）処理により、金属配線パターンが形成されていない領域に、金属配線パターンの密度のばらつきを低減する目的で一律にデータ生成される。
【０００７】
ところで、半導体プロセスの微細化技術の発達により、半導体集積回路の高密度化及び大規模化が進んでいる。これにより、金属配線パターンは、線幅が細く、かつ配線長が長くなる傾向にあり、金属配線パターンの寄生抵抗が回路の遅延に大きな影響を与えており、回路を誤動作させる要因の１つになっている。
また、電源配線用の金属配線パターンの寄生抵抗の効果は電源配線に流れる電流と相まって、個々の回路に供給される電圧の低下を引き起こす。この電圧の低下はＩＲドロップと称され、このＩＲドロップにより、タイミング遅延が発生し、半導体集積回路装置が動作不良を起こす場合がある。回路を安定的に動作させるためには、電源配線及びＧＮＤ配線の線幅をそれぞれできるだけ太くして寄生抵抗を下げることが望ましい。しかしながら、電源配線及びＧＮＤ配線の線幅を太くするとチップ面積が増大し、チップ面積に応じてチップコストが増大してしまうため、現実的に難しいのが実状である。
【０００８】
そこで、本発明は、チップ面積の増大を抑えつつ半導体集積回路装置の金属配線パターンの寄生抵抗に起因する動作不良を抑制することが可能な、ダミーパターンの設計方法、特に、コ字状の凹部又はコ字状の凸部を有するダミーパターンの設計方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明は次のダミーパターンの設計方法を提供する。
一方向に延在するパターンを含む配線パターン（１）を有する第１の配線層の積層方向に配置される第２の配線層に、前記配線パターン（１）にビア（２０）を介して接続するダミー配線パターン（９）を生成するためのダミーパターンの設計方法において、前記配線パターン（１）に対応する領域に、凹部又は凸部を有するダミーパターン（７）を生成するダミーパターン生成ステップと、前記ダミーパターン（７）を前記一方向及び前記一方向とは逆方向にそれぞれ第１の値だけ縮小して第１の縮小図形（８）を生成する第１の縮小図形生成ステップと、前記第１の縮小図形（８）を前記一方向及び前記逆方向にそれぞれ前記第１の値だけ拡大してダミー配線パターン（９）を生成するダミー配線パターン生成ステップと、前記ダミー配線パターン（９）の外形を抽出して前記ダミー配線パターン（９）の外周の辺を一辺とする第１の矩形図形（１０）を生成する第１の矩形図形生成ステップと、前記第１の矩形図形（１０）を前記一方向及び前記逆方向にそれぞれ第２の値だけ縮小して第２の縮小図形（１１）を生成する第２の縮小図形生成ステップと、前記ダミー配線パターン（９）から前記第２の縮小図形（１１）を論理減算処理して、２以上のビア形成用候補パターン（１２，１３）を生成するビア形成用候補パターン生成ステップと、前記２以上のビア形成用候補パターン（１２，１３）のうち、頂点が４つの第２の矩形図形（１３）及び頂点が５つ以上である多角形図形（１２）を抽出する多角形図形抽出ステップと、前記多角形図形（１２）における前記一方向に直交する方向に延在する辺（１６ａ，１６ｂ，１７）を抽出する辺抽出ステップと、前記辺（１６ａ，１６ｂ，１７）を一辺として前記一方向に延在する第３の矩形図形（１８ａ，１８ｂ，１９）を生成する第３の矩形図形生成ステップと、前記第２の矩形図形（１３）内及び前記第３の矩形図形（１８ａ，１８ｂ，１９）内に前記ビア（２０）がそれぞれ配置されたビアセルを生成するビアセル生成ステップと、を含むことを特徴とするダミーパターンの設計方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、特に、コ字状の凹部又はコ字状の凸部を有するダミーパターンの設計方法において、チップ面積の増大を抑えつつ半導体集積回路装置の金属配線パターンの寄生抵抗に起因する動作不良を抑制することが可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図２】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図３】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図４】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図５】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図６】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図７】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図８】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図９】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図１０】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図１１】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図１２】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図１３】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面透視図である。
【図１４】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図１５】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図１６】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図１７】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図１８】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図１９】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図２０】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態を説明するための模式的平面図である。
【図２１】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態の変形例を説明するための模式的平面図である。
【図２２】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態の変形例を説明するための模式的平面図である。
【図２３】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態の変形例を説明するための模式的平面図である。
【図２４】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態の変形例を説明するための模式的平面図である。
【図２５】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態の変形例を説明するための模式的平面図である。
【図２６】本発明のダミーパターンの設計方法の実施の形態の変形例を説明するための模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図１〜図２６を用いて説明する。
なお、図１〜図２６において、紙面左右方向をＸ方向、紙面上下方向をＹ方向とそれぞれ定義する。
【００１３】
＜実施の形態＞
本発明に係るダミーパターンの設計方法の実施の形態について図１〜図２０を用いて説明する。
【００１４】
まず、複数の金属配線パターンからなる第１金属配線層の「第１金属配線層データ」を作成する。
「第１金属配線層データ」には、例えば図１に示す金属配線パターン１のデータが含まれている。
【００１５】
次に、第１金属配線層に対して積層方向に位置する第２金属配線層の「第２金属配線層データ」を作成する。
「第２金属配線層データ」には、例えば図１に示す金属配線パターン２及び金属配線パターン３のデータが含まれている。
【００１６】
一般的に、自動配線処理を行うＣＡＤ（Computer aided design）では、所定の金属配線層では所定の方向のみに配線を行うようにルール化されている場合が多い。この配線方法は、積層間の金属配線層同士の配線ショートの発生を抑制して効率的に配線する方法である。例えば、第１金属配線層ではＸ方向のみに配線を行い、第２金属配線層ではＹ方向のみに配線を行い、第１金属配線層の金属配線パターンと第２金属配線層の金属配線パターンとの立体交差している箇所や重なり合ってビアが配置されている箇所以外は金属配線パターンのないデッドスペースとなっている場合が多い。
なお、このデッドスペースには、通常、ＣＡＤ処理によって、金属配線パターンの密度のばらつきを低減する目的で一律にダミーパターンが生成される。
【００１７】
本発明の実施の形態では、第２金属配線層における、金属配線パターン１に対応する領域が金属配線パターンのないデッドスペースとなっている場合、従来のように一律にダミーパターンを生成するのではなく、金属配線パターン１の形状に基づいてダミーパターンを生成する。
【００１８】
しかしながら、実際には、他の金属配線パターンの形状や配置の影響により、金属配線パターン１と同じ形状でダミーパターンを生成することができない場合がある。例えば、図１は、第２金属配線層の金属配線パターン２がコ字状の凸部４を有する場合について示している。
しかしながら、従来の、ＤＲＣルールに則ったビアの配置ルールでは、このような場合のダミーパターン生成及びそのビアパターン生成に対応できていないため、ＤＲＣエラーが発生する場合がある。
【００１９】
そこで、本発明の実施の形態におけるダミーパターンの設計方法を以下に示す。
【００２０】
図２に示すように、第２金属配線層における金属配線パターン２及び金属配線パターン３を、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ所定量（例えば、第２金属配線層における金属配線パターン同士の最小間隔以上の値）ずつ拡大する。
この拡大処理により、金属配線パターン２は拡大図形５となり、金属配線パターン３は拡大図形６となる。
【００２１】
金属配線パターン１から拡大図形５，６を減算演算処理する、具体的には金属配線パターン１から金属配線パターン１と拡大図形５，６との積層方向の重なり領域を減算演算処理することにより、図３に示す、第２金属配線層におけるダミーパターン７を生成する。なお、図３では、第１金属配線層の金属配線パターン１と第２金属配線層のダミーパターン７との積層方向の位置関係をわかりやすくするために、第２金属配線層の他の金属配線パターン２，３を省略して示している。
【００２２】
図４に示すように、線幅Ｗが所定の範囲内、例えば１０μｍ以上２０μｍ以下の範囲内であるダミーパターン（７）を抽出（選択）する。
図４に示すダミーパターン７は線幅Ｗが所定の範囲内であり、抽出（選択）される。
【００２３】
以降、Ｘ方向に延在するダミーパターンの図形処理とＹ方向に延在するダミーパターンの図形処理をそれぞれ行う。
【００２４】
まず、Ｘ方向に延在するダミーパターンの図形処理について説明する。
【００２５】
図５に示すように、上記工程で線幅Ｗが所定の範囲内、例えば１０μｍ以上２０μｍ以下の範囲内であることから抽出（選択）されたダミーパターン７に対し、Ｘ方向に所定量Δｘ１ずつ、例えば上記所定の範囲の最大線幅（２０μｍ）の半分の値をわずかに上回る値（例えば１０．０１μｍ）ずつ縮小した縮小図形８を生成する。
例えば、Ｘ方向に１０．０１μｍずつ縮小した場合、Ｙ方向に延在する配線パターンの内、線幅が２０μｍ以下の配線パターンはなくなる。
【００２６】
図６に示すように、縮小図形８をＸ方向に所定量Δｘ１ずつ拡大した拡大図形９を生成する。
【００２７】
図７に示すように、線長Ｌが、所定の値以上、例えば線長Ｌ方向の両端にそれぞれ設置するビア配置領域の長さの２倍以上を有する拡大図形（９）を抽出（選択）する。
図７に示す拡大図形９は線長Ｌが所定の値以上であり、抽出（選択）される。拡大図形９は、第２金属配線層における、Ｘ方向に延在するダミー配線パターン９となる。
【００２８】
一般的に、ＤＲＣルールに則ったビアの配置ルールでは、矩形領域にビアを最大数配置できるように、ビアの行数及び列数を決定する。従って、ビアの配置領域は、原則、矩形形状であることが必要とされる。
そこで、上述した第１金属配線層の金属配線パターン１と第２金属配線層のダミー配線パターン９とを積層方向に接続するビアセルの生成方法について説明する。
【００２９】
図８に示すように、抽出（選択）された拡大図形９の外形を抽出し、拡大図形９の外周の辺を一辺とする矩形図形１０を生成する。
【００３０】
図９に示すように、矩形図形１０をＸ方向に所定量Δｘ２ずつ、例えば１０μｍずつ縮小した縮小図形１１を生成する。
【００３１】
図１０に示すように、図７に示すダミー配線パターン９から、図９に示す縮小図形１１を減算演算処理する、具体的にはダミー配線パターン９から、ダミー配線パターン９と縮小図形１１との積層方向の重なり領域を減算演算処理することにより、図１０に示す、第２金属配線層におけるビア形成用候補パターン１２，１３を生成する。
【００３２】
図１１に示すように、ビア形成用候補パターン１２，１３のうち、頂点が４つである矩形図形を抽出（選択）し、ビア配置領域１４とする。本実施の形態では矩形図形であるビア形成用候補パターン１３がビア配置領域１４となる。
【００３３】
図１２に示すように、ビア形成用候補パターン１２，１３のうち、頂点が４つである矩形図形とは異なる図形、即ち、頂点が５つ以上である多角形図形を抽出（選択）する。本実施の形態では多角形図形であるビア形成用候補パターン１２を抽出（選択）する。
【００３４】
図１３に示すように、抽出（選択）した多角形図形であるビア形成用候補パターン１２をＸ方向及びＹ方向にそれぞれ所定量（例えば０．１μｍ）ずつ拡大して、拡大図形１５を生成する。
【００３５】
図１４に示すように、拡大図形１５とビア形成用候補パターン１２とを積層方向に重ね合わせたとき、拡大図形１５の内部にビア形成用候補パターン１２のエッジ（辺）が複数存在する。複数存在するエッジ（辺）のうち、一端側に連接するエッジ（辺）と成す内角の角度（折れ曲がり角度）が９０°であり、かつ、他端側に連接するエッジ（辺）と成す内角の角度（折れ曲がり角度）が９０°である、Ｙ方向に延在するエッジ（辺）１６ａ，１６ｂを抽出する。
【００３６】
図１５に示すように、拡大図形１５とビア形成用候補パターン１２とを積層方向に重ね合わせたとき、拡大図形１５の内部にビア形成用候補パターン１２のエッジ（辺）が複数存在する。複数存在するエッジ（辺）のうち、一端側に連接するエッジ（辺）と成す内角の角度（折れ曲がり角度）が２７０°であり、かつ、他端側に連接するエッジ（辺）と成す内角の角度（折れ曲がり角度）が２７０°である、Ｙ方向に延在するエッジ（辺）１７を抽出する。
【００３７】
上記処理の結果、図１６に示すように、エッジ（辺）１６ａ，１６ｂ及び１７が抽出される。
【００３８】
図１７に示すように、抽出した各エッジ（辺）１６ａ，１６ｂ及び１７に対して、ダミー配線パターン９の内部に位置するように、Ｘ方向に所定の長さΔｘ２（例えば１０μｍ）を有する矩形のビア配置領域１８ａ，１８ｂ及び１９をそれぞれ生成する。
【００３９】
図１８に示すように、上述のビア配置領域１８ａ，１８ｂ及び１９と、前述したビア配置領域１４とを加算演算処理する。
【００４０】
図１９に示すように、ＤＲＣルールに則ったビア配置ルールに基づいて、ビア配置領域１８ａ，１８ｂ，１９及び１４にビア２０がそれぞれ最大数、配置されるように、ビアセルを生成する。
【００４１】
図２０に、第１金属配線層の金属配線パターン１と、第２金属配線層の金属配線パターン２，３及びダミー配線パターン９と、金属配線パターン１とダミー配線パターン９とを積層方向（紙面手前−奥方向）に電気的に接続するビア２０と、の積層方向の位置関係を模式的に示す。
例えば、電流が図２０の右側から左側に流れる場合、電流は、第１金属配線層の金属配線パターン１を流れると共に、ビア２０を介して第２金属配線層のダミー配線パターン９にも流れるので、実質的に電流が流れる金属配線パターンの断面積が大きくなった状態と同じになるため、金属配線パターン抵抗を小さくすることができる。
【００４２】
Ｙ方向に延在するダミー配線パターンの図形処理についても、上述したＸ方向に延在するダミー配線パターンの図形処理に対してＸ方向とＹ方向とを置き換えて同様の処理を行う。
【００４３】
＜変形例＞
上述した実施の形態の変形例について図２１〜図２６を用いて説明する。
上述した実施の形態ではダミー配線パターン９が凹部を有する形状であったのに対し、変形例では凸部を有する形状である点で相違し、それ以外については上述した実施の形態と同じであるため、共通部分についてはその詳細な説明を省略する。なお、図２１は図１４に対応し、図２２は図１５に対応し、図２３は図１６に対応し、図２４は図１７に対応し、図２５は図１８に対応し、図２６は図１９に対応する。
【００４４】
ダミー配線パターン９が、実施の形態では凹部を有する形状であったのに対し、変形例ではダミー配線パターン４９が、凸部を有する形状である点で相違する以外は、上述した図１３までと同様の手順を行う。
【００４５】
図２１に示すように、拡大図形３５とビア形成用候補パターン３２とを積層方向に重ね合わせたとき、拡大図形３５の内部にビア形成用候補パターン３２のエッジ（辺）が複数存在する。複数存在するエッジ（辺）のうち、一端側に連接するエッジ（辺）と成す内角の角度（折れ曲がり角度）が９０°であり、かつ、他端側に連接するエッジ（辺）と成す内角の角度（折れ曲がり角度）が２７０°である、Ｙ方向に延在するエッジ（辺）３６ａ，３６ｂを抽出する。
【００４６】
図２２に示すように、拡大図形３５とビア形成用候補パターン３２とを積層方向に重ね合わせたとき、拡大図形３５の内部にビア形成用候補パターン３２のエッジ（辺）が複数存在する。複数存在するエッジ（辺）のうち、一端側に連接するエッジ（辺）と成す内角の角度（折れ曲がり角度）が９０°であり、かつ、他端側に連接するエッジ（辺）と成す内角の角度（折れ曲がり角度）が９０°である、Ｙ方向に延在するエッジ（辺）３７を抽出する。
【００４７】
上記処理の結果、図２３に示すように、エッジ（辺）３６ａ，３６ｂ及び３７が抽出される。
【００４８】
図２４に示すように、抽出した各エッジ（辺）３６ａ，３６ｂ及び３７に対して、ダミー配線パターン（Ｘ方向拡大図形）４９の内部に位置するように、Ｘ方向に所定の長さΔｘ２（例えば１０μｍ）を有する矩形のビア配置領域３８ａ，３８ｂ及び３９をそれぞれ生成する。
【００４９】
図２５に示すように、上述のビア配置領域３８ａ，３８ｂ及び３９と、前述したビア配置領域１４（図１１参照）とを加算演算処理する。
【００５０】
図２４に示すように、ＤＲＣルールに則ったビア配置ルールに基づいて、ビア配置領域３８ａ，３８ｂ，３９及び１４にビア２０がそれぞれ最大数、配置されるように、ビアセルを生成する。
【００５１】
Ｙ方向に延在するダミー配線パターンの図形処理についても、上述したＸ方向に延在するダミー配線パターンの図形処理に対してＸ方向とＹ方向とを置き換えて同様の処理を行う。
【００５２】
上述した変形例の手順により、凸部を有するダミー配線パターンに対しても、前述した実施の形態と同様に、第１金属配線層の金属配線パターン１と第２金属配線層のダミー配線パターン４９とを積層方向に電気的に接続するビア２０を、ＤＲＣルールに則ったビア配置ルールに基づいて、最適な位置に配置することが可能になる。
【００５３】
なお、ダミー配線パターンが凸部を有するか、凹部を有するかは、前述したように、一のエッジ（辺）とその両端にそれぞれ連接するエッジ（辺）との成す内角の角度（折れ曲がり角度）の組み合わせから判断することができる。
【００５４】
上述した実施の形態及びその変形例の手順により、特に、凹部又は凸部を有するダミー配線パターンの設計方法において、チップ面積の増大を抑えつつ半導体集積回路装置の金属配線パターンの寄生抵抗に起因する動作不良を抑制することが可能になる。
【００５５】
また、上述した実施の形態及びその変形例の手順によれば、ダミー配線パターンの形状、特にダミー配線パターンの凹部形状又は凸部形状に応じて最適なビア配置領域を生成して配置し、このビア配置領域内に、ＤＲＣルールに則ったビア配置ルールに基づいてビア配置を行うため、ＤＲＣエラーの発生を防止することができる。
【００５６】
また、上述した実施の形態及びその変形例の手順によれば、ダミー配線パターンの凹部形状又は凸部形状を構成する各エッジ（辺）の長さ（Ｘ方向の長さ又はＹ方向の長さ）にそれぞれ応じて最適なビア配置領域を生成することができる。
【００５７】
また、上述した実施の形態及びその変形例では金属配線層について説明したが、これに限定させるものではなく、例えばポリシリコン配線層同士、又はポリシリコン配線層と金属配線層とをコンタクト接続（ビア接続に対応する）する場合にも適用可能である。
【００５８】
また、上述した実施の形態及びその変形例において示した設計数値に限定させるものではなく、上述した各設計数値はそれぞれ設計仕様等に合わせて当業者が適宜設定すべきものである。
【符号の説明】
【００５９】
１，２，３＿金属配線パターン
４＿突出部
５，６，１５＿拡大図形
７＿ダミーパターン
８，１１＿縮小図形
９＿ダミー配線パターン
１０＿矩形図形
１２，１３＿ビア形成用候補パターン
１４，１８ａ，１８ｂ，１９＿ビア配置領域
１６ａ，１６ｂ，１７＿エッジ（辺）
２０＿ビア
【図１】
2013239063.tif 000003
【図２】
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【図３】
2013239063.tif 000005
【図４】
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【図５】
2013239063.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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