(57)【要約】【課題】半導体光素子の共振器中央付近の発熱を外部へ効果的に放熱する。【解決手段】半導体光素子１００Ａは、半導体基板１と、半導体基板１の上方に積層されたクラッド層及び活性層を含む半導体積層部の少なくとも一部により構成される光導波路と、少なくとも光導波路の下方であって半導体基板１の内部に形成した溝に埋め込まれた、半導体基板１を形成する材料よりも熱伝導性が高い材料により形成したＡｌＮ埋込部１８と、ｐ電極１５と、ｐ電極１５の下面に設けられた酸化シリコン膜１４と、酸化シリコン膜１４と半導体積層部との間に、絶縁性材料であって、半導体積層部を形成する材料よりも熱伝導性が高い材料により形成したＡｌＮ膜１３を有する。【選択図】図１
2013243169.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に積層されたクラッド層及び活性層を含む半導体積層部の少なくとも一部により構成される光導波路と、
少なくとも前記光導波路の下方であって前記半導体基板の内部に形成した溝に埋め込まれた、前記半導体基板を形成する材料よりも熱伝導性が高い材料により形成した熱伝導部と、を有する
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体光素子であって、
前記半導体基板の上面に設けられたエッチング停止層をさらに有し、
前記半導体基板の内部に形成した溝は、前記半導体基板の下面から前記エッチング停止層までのエッチングにより形成される
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体光素子であって、
ｎ電極をさらに有し、
前記熱伝導部の上面は前記エッチング停止層と接し、前記熱伝導部の下面は前記ｎ電極と接する
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の半導体光素子であって、
前記溝の側面及び前記エッチング停止層に接するように形成されたｎ電極をさらに有し、
前記溝の側面は垂直となるように形成され、
前記熱伝導部は、前記ｎ電極が形成された後に、前記溝の内部に埋め込まれる
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記熱伝導部は、アルミニウム、窒素、シリコン、炭素、酸素、亜鉛、チタニウム、ニオブのいずれかを含む化合物、金、銀、銅、プラチナ、チタニウム、クロム、モリブデン、タングステン、ニッケルの金属のうちいずれか又はこれらの組み合わせからなる材料を用いて形成される
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記熱伝導部と前記活性層との間隔が２０μｍ以下である
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体光素子であって、
ｐ電極と、
前記ｐ電極の下面に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜と前記半導体積層部との間に、絶縁性材料であって、前記半導体積層部を形成する材料よりも熱伝導性が高い材料により形成した絶縁性熱伝導部と、をさらに有する
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項８】
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に積層されたクラッド層及び活性層を含む半導体積層部の少なくとも一部により構成される光導波路と、
ｐ電極と、
前記ｐ電極の下面に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜と前記半導体積層部との間に、絶縁性材料であって、前記半導体積層部を形成する材料よりも熱伝導性が高い材料により形成した絶縁性熱伝導部と、を有する
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の半導体光素子であって、
前記絶縁性熱伝導部の少なくとも一部は、前記活性層を低容量化するために形成された活性層分離溝の中に埋め込まれる
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記絶縁性熱伝導部の上面の少なくとも一部に設けられた、電気的に絶縁された放熱電極と、
前記半導体基板を支持する支持部と、
前記支持部上に設けられた電極と前記放熱電極とを接続するワイヤと、をさらに有する
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記絶縁性熱伝導部は、アルミニウム、窒素、シリコン、炭素、酸素、亜鉛、チタニウム、ニオブのいずれかを含む化合物のうちいずれか又はこれらの組み合わせからなる材料を用いて形成される
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の半導体光素子を備えたことを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光素子及び光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体光素子に電流を注入して光を出力させると、半導体光素子の発光部位からの発熱による温度上昇によって光出力が不安定になることがある。そこで、下記の特許文献１に記載の発明では、化学的及び熱的に安定な膜を出射端面に用いることで、出射端面の劣化を抑制して半導体光素子を安定動作させる技術を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２６４３３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の半導体光素子では出射端面付近の放熱性を向上することができるものの、共振器の中央付近では放熱性を向上させることができない。現に半導体光素子において、放熱時の熱流路を計算すると、共振器中央付近の発熱が大きく、そして共振器中央付近からの発熱が等方的に拡散していることが判る。したがって、半導体光素子を広い温度範囲においても安定的に動作させるためには、共振器中央付近の発熱を効果的に放熱させることが重要となる。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するために為されたものであり、その目的は、半導体光素子の内部の発熱を外部へ効果的に放熱することができる半導体光素子及び光モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体光素子は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に積層されたクラッド層及び活性層を含む半導体積層部の少なくとも一部により構成される光導波路と、少なくとも前記光導波路の下方であって前記半導体基板の内部に形成した溝に埋め込まれた、前記半導体基板を形成する材料よりも熱伝導性が高い材料により形成した熱伝導部と、を有することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の一態様では、前記半導体光素子が、前記半導体基板の上面に設けられたエッチング停止層をさらに有し、前記半導体基板の内部に形成した溝は、前記半導体基板の下面から前記エッチング停止層までのエッチングにより形成されることとしてもよい。
【０００８】
また、本発明の一態様では、前記半導体光素子が、ｎ電極をさらに有し、前記熱伝導部の上面は前記エッチング停止層と接し、前記熱伝導部の下面は前記ｎ電極と接することとしてもよい。
【０００９】
また、本発明の一態様では、前記半導体光素子が、前記溝の側面及び前記エッチング停止層に接するように形成されたｎ電極をさらに有し、前記溝の側面は垂直となるように形成され、前記熱伝導部は、前記ｎ電極が形成された後に、前記溝の内部に埋め込まれることとしてもよい。
【００１０】
また、本発明の一態様では、前記熱伝導部は、アルミニウム、窒素、シリコン、炭素、酸素、亜鉛、チタニウム、ニオブのいずれかを含む化合物、金、銀、銅、プラチナ、チタニウム、クロム、モリブデン、タングステン、ニッケルの金属のうちいずれか又はこれらの組み合わせからなる材料を用いて形成されることとしてもよい。
【００１１】
また、本発明の一態様では、前記熱伝導部と前記活性層との間隔が２０μｍ以下であることとしてもよい。
【００１２】
また、本発明の一態様では、前記半導体光素子が、ｐ電極と、前記ｐ電極の下面に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜と前記半導体積層部との間に、絶縁性材料であって、前記半導体積層部を形成する材料よりも熱伝導性が高い材料により形成した絶縁性熱伝導部と、をさらに有することとしてもよい。
【００１３】
本発明に係る半導体光素子は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に積層されたクラッド層及び活性層を含む半導体積層部の少なくとも一部により構成される光導波路と、ｐ電極と、前記ｐ電極の下面に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜と前記半導体積層部との間に、絶縁性材料であって、前記半導体積層部を形成する材料よりも熱伝導性が高い材料により形成した絶縁性熱伝導部と、を有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の一態様では、前記絶縁性熱伝導部の少なくとも一部は、前記活性層を低容量化するために形成された活性層分離溝の中に埋め込まれることとしてもよい。
【００１５】
また、本発明の一態様では、前記半導体光素子が、前記絶縁性熱伝導部の上面の少なくとも一部に設けられた、電気的に絶縁された放熱電極と、前記半導体基板を支持する支持部と、前記支持部上に設けられた電極と前記放熱電極とを接続するワイヤと、をさらに有することとしてもよい。
【００１６】
また、本発明の一態様では、前記絶縁性熱伝導部は、アルミニウム、窒素、シリコン、炭素、酸素、亜鉛、チタニウム、ニオブのいずれかを含む化合物のうちいずれか又はこれらの組み合わせからなる材料を用いて形成されることとしてもよい。
【００１７】
本発明に係る光モジュールは、前記半導体光素子を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、半導体光素子の内部の発熱を外部に逃がす熱流路を設けることで、半導体光素子の内部の発熱を外部へ効果的に放熱することができる。これにより、半導体光素子を広い温度範囲で安定的に動作させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施形態に係る半導体光素子の断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体光素子の製造工程を説明する図である。
【図４】第１の実施形態に係る半導体光素子の製造工程を説明する図である。
【図５】第１の実施形態に係る半導体光素子の製造工程を説明する図である。
【図６】第１の実施形態に係る半導体光素子の製造工程を説明する図である。
【図７】第１の実施形態に係る半導体光素子の製造工程を説明する図である。
【図８】第１の実施形態に係る半導体光素子の製造工程を説明する図である。
【図９】第１の実施形態に係る半導体光素子の製造工程を説明する図である。
【図１０】第１の実施形態に係る半導体光素子の製造工程を説明する図である。
【図１１】第２の実施形態に係る半導体光素子の製造工程を説明する図である。
【図１２】第２の実施形態に係る半導体光素子の製造工程を説明する図である。
【図１３】第２の実施形態に係る半導体光素子の断面図である。
【図１４】第３の実施形態に係る半導体光素子の断面図である。
【図１５】本実施形態に係る半導体光素子を搭載した光モジュールＭの一例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための実施の形態（以下、実施形態という）を、図面に従って説明する。なお、本発明の実施形態を説明した各図において同一の符号が付された部材は同一又は同一機能を有する部材であることを示しており、説明の簡便のため繰り返しの説明は省略する。
【００２１】
［第１の実施形態］
まず、図１〜図１０を参照しながら、本発明の第１の実施形態に係る半導体光素子について説明する。ここで、図１は、第１の実施形態に係る半導体光素子の断面図であり、図２は、第１の実施形態に係る半導体光素子の平面図である。そして図３〜図１０は、第１の実施形態に係る半導体光素子の製造工程を説明する図である。
【００２２】
なお、第１の実施形態に係る半導体光素子は、本発明をリッジ導波路型半導体光素子に適用したものであり、リッジ導波路型半導体光素子の発振波長を１．３μｍ程度とした場合の構成例を示している。以下、第１の実施形態に係る半導体光素子の構成の詳細について説明する。
【００２３】
まず、図１及び図２における各符号について説明する。図１及び図２において、１はｎ型ＩｎＰ（インジウムリン）からなる半導体基板であり、２はｎ型ＩｎＧａＡｓＰからなるエッチング停止層、３はｎ型ＩｎＰからなるバッファ層、４はｎ型ＩｎＰからなるクラッド層、５はｎ型ＩｎＡｌＡｓ（インジウムアルミニウムヒ素）層、６はＩｎＧａＡｌＡｓ（インジウムガリウムアルミニウムヒ素）井戸層とＩｎＧａＡｌＡｓ障壁層からなるＩｎＧａＡｌＡｓ系歪多重量子井戸構造活性層、７はｐ型ＩｎＡｌＡｓ層、８はｐ型ＩｎＰからなるクラッド層、１０はｐ型ＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウムヒ素）からなるコンタクト層である。なお、クラッド層８とコンタクト層１０との間には、膜厚３０ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰ（インジウムガリウムヒ素リン）からなるヘテロ障壁低減層を設けてもよい。
【００２４】
図１及び図２において、１３はＡｌＮ膜、１４は酸化シリコン膜、１５はｐ電極、１６はパッド電極、１７は素子上部側に設けられた放熱電極、１８はＡｌＮ膜、１９はｎ電極、２０はサブマウント側に設けられた放熱電極、２１は放熱電極１７と放熱電極２０とを接続するワイヤ、２２はハンダ、２３はサブマウント電極、２４はサブマウントである。
【００２５】
第１の実施形態に係る半導体光素子では、少なくとも半導体基板１の内部であって光導波路の下方部分に、半導体基板１を構成する材料よりも熱伝導性が高い材料から構成される熱伝導部であるＡｌＮ埋込部１８が設けられている。ここで、ＡｌＮ埋込部１８の上面はエッチング停止層２に接しており、ＡｌＮ埋込部１８の下面はｎ電極１９に接するように構成されている。こうして、活性層６からの発熱をＡｌＮ埋込部１８、ｎ電極１９、ハンダ２２、サブマウント電極２３を介してサブマウント２４に流すような熱流路を形成している。
【００２６】
また、第１の実施形態に係る半導体光素子では、静電容量低減のための容量低減溝を埋めるように絶縁性があり且つ熱伝導性が高い材料から構成される絶縁型熱伝導層であるＡｌＮ膜１３が形成されている。例えば、絶縁型熱伝導層の熱伝導性は、半導体基板、活性層、クラッド層を構成する材料よりも熱伝導性が高いこととしてよい。ここで図２に示されるように、ＡｌＮ膜１３はＡｌＮ膜１３よりも上部に配置される酸化シリコン膜１４、ｐ電極１５、パッド電極１６、放熱電極１７の少なくとも下方の面をカバーする大きさで形成されている。そして、ＡｌＮ膜１３の上面に接するように放熱電極１７を設け、活性層６からの発熱をＡｌＮ膜１３、放熱電極１７、ワイヤ２１、放熱電極２０を介してサブマウント２４に流すような熱流路を形成している。
【００２７】
［第１の実施形態に係る半導体光素子の製造工程］
次に、第１の実施形態に係る半導体光素子の製造工程の一例について図３〜図１０を参照しながら説明する。
【００２８】
まず、図３に示すように、ｎ型ＩｎＰ（インジウムリン）からなる半導体基板１を用意し、周知の有機金属気相成長法を用いて、その上部に膜厚５０ｎｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰからなるエッチング停止層２、膜厚５０００ｎｍのｎ型ＩｎＰからなるバッファ層３、膜厚５００ｎｍのｎ型ＩｎＰからなるクラッド層４、膜厚３０ｎｍのｎ型ＩｎＡｌＡｓ（インジウムアルミニウムヒ素）層５、膜厚５ｎｍのＩｎＧａＡｌＡｓ（インジウムガリウムアルミニウムヒ素）井戸層と膜厚８ｎｍのＩｎＧａＡｌＡｓ障壁層からなるＩｎＧａＡｌＡｓ系歪多重量子井戸構造活性層６、膜厚３０ｎｍのｐ型ＩｎＡｌＡｓ層７、膜厚１６００ｎｍのｐ型ＩｎＰからなるクラッド層８、膜厚２００ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウムヒ素）からなるコンタクト層１０を順次成長させる。ここで、クラッド層８とコンタクト層１０の間には、膜厚３０ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰ（インジウムガリウムヒ素リン）からなるヘテロ障壁低減層を設けてもよい。
【００２９】
その後、図４に示すように、歪多重量子井戸構造活性層６までのエッチングと、有機金属気相成長法を用いて、光ガイド領域１１を形成する。なお、図４は、製造工程における半導体光素子の上面図である。
【００３０】
なお、第１の実施形態においては、歪多重量子井戸構造活性層６にＩｎＧａＡｌＡｓ系材料を使用したが、ＩｎＧａＡｓＰ系材料を使用しても構わない。
【００３１】
次に、図５に示すように、周知のフォトリソグラフィ技術（フォトレジスト膜をマスクにしたエッチング技術）を用いてＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層１０の底部をｐ型ＩｎＰからなるクラッド層８の中途部までエッチングする。これにより中央部に、１．５μｍの幅を有するリッジ状のｐ型ＩｎＰからなるリッジ導波路１２が形成される。
【００３２】
次に、図６に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて静電容量低減のための容量低減溝（活性層分離溝）を形成し、この溝を埋めるように膜厚２００ｎｍのＡｌＮ膜１３を堆積する。
【００３３】
ここで図７に示すとおり、製造工程における半導体光素子を上面から見た場合に、ＡｌＮ膜１３は光ガイド領域１１の上面を覆うように配置する。その後、ＣＶＤ法で膜厚３００ｎｍの酸化シリコン膜１４を堆積した後、フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングにより、リッジ導波路１２の上面の一部に設けられた酸化シリコン膜１４を除去し、リッジ導波路１２の上面の一部を露出させる。
【００３４】
次に、図８に示すように、リッジ導波路１２に電気的に接続されるｐ電極１５、及びワイヤボンディングのためのパッド電極１６を形成し、同時にＡｌＮ膜１３の上面の一部に放熱のための放熱電極１７を形成する。この際ｐ電極１５及びパッド電極１６と、放熱のための放熱電極１７とは、電気的に絶縁される。
【００３５】
次に、図９に示すように、半導体基板１を研磨した後、フォトリソグラフィ技術を用いて半導体基板１にエッチングを行い放熱のための溝を形成する。エッチングは時間とともに進行し溝が深くなっていくが、エッチング選択比の異なるエッチング停止層２によって、溝の深さは制御される。
【００３６】
次に、図１０に示すように、半導体基板１に形成された溝にＡｌＮ埋込部１８を堆積した後に、ｎ電極１９を形成する。
【００３７】
その後、半導体基板１を共振器長２００ｕｍのバー状に劈開し、この共振器端面に多層反射膜を形成した後、幅４００μｍの半導体光素子にチップ化しすることにより、図１及び図２に示すような発振波長１．３μｍ帯のリッジ導波路型半導体光素子が完成する。なお、サブマウント２４にマウントした際に、放熱電極１７とサブマウント側の放熱電極２０をＡｕワイヤ２１で接続し、放熱性を高めている。
【００３８】
以上の第１の実施形態に係る半導体光素子に電流注入を行った結果、素子温度１００℃において、しきい値電流１５ｍＡで連続レーザ発振し、波長１３１５ｎｍに発振スペクトルが観測された。ＤＣ電流を印加したとき、Ｉ−Ｌカーブの自己発熱による光出力飽和電流値は１１５ｍＡを達成し、１００℃まで十分なＩ−Ｌ直線性が得られた。更に放熱性の向上により、特性の温度依存性が小さくなっており、−２０℃と１００℃間におけるスロープ効率の温度依存性は、２．０ｄＢと非常に小さな値を達成した。
【００３９】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体光素子について図１１〜図１３を参照しながら説明する。第２の実施形態に係る半導体光素子は、第１の実施形態に係る半導体光素子とは、半導体基板１の内部に設けられる熱伝導層の形状及びｎ電極１９の構成が異なっている。以下、第２の実施形態に係る半導体光素子の構成について、その製造工程とともに説明する。
【００４０】
ここで、第２の実施形態に係る半導体光素子の製造工程は、第１の実施形態に係る半導体光素子の製造工程のうち、図３〜図８で説明した工程までは同じであるため説明を省略する。以下、第１の実施形態に係る半導体光素子と異なる点について、図１１〜図１３を参照しながら説明する。
【００４１】
次に、図１１に示すように、図８までの工程を終えた半導体基板１を研磨した後、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術を用いてエッチッグ側面が垂直となるような溝を形成する。ドライエッチングによる溝形成は、エッチングレートに準じて時間制御を行い、エッチング停止層２までの厚さが２０ｎｍとなるようにする。その後ウェットエッチングにてエッチング停止層２までエッチングを行う。
【００４２】
次に、図１２に示すように、半導体基板１に形成された溝の面に沿ってｎ電極１９を形成し、残った溝の空間には半導体光素子の応力集中を低減し、半導体基板１を構成する材料よりも熱伝導性の高い材料であるＡｌＮを用いてＡｌＮ埋込部２５を堆積する。このＡｌＮ埋込部２５はＩｎＰと同程度の熱膨張係数を持つため応力集中の低減の効果がある上に、熱伝導度が高いため放熱効果の役割も果たす。また、熱膨張係数がＩｎＰに近く、ＩｎＰよりも熱伝導性の高い材料であれば、ＡｌＮ以外の材料を用いても構わない。
【００４３】
その後、半導体基板１を共振器長２００ｕｍのバー状に劈開し、この共振器端面に多層反射膜を形成した後、幅４００μｍの半導体光素子にチップ化しすることにより、図１３に示すような発振波長１．３μｍ帯のリッジ導波路型半導体光素子が完成する。尚、サブマウント２４にマウントした際に、放熱電極１７とサブマウント側の放熱電極２０をＡｕワイヤ２１で接続し、放熱性を高めている。
【００４４】
上記半導体光素子に電流注入を行った結果、素子温度１００℃において、しきい値電流１４ｍＡで連続レーザ発振し、波長１３１５ｎｍに発振スペクトルが観測された。ＤＣ電流を印加したとき、Ｉ−Ｌカーブの自己発熱による光出力飽和電流値は１２０ｍＡを達成し、１００℃まで十分なＩ−Ｌ直線性が得られた。更に放熱性の向上により、特性の温度依存性が小さくなっており、−２０℃と１００℃間におけるスロープ効率の温度依存性は、１．９ｄＢと非常に小さな値を達成した。
【００４５】
［第３の実施形態］
上記の第１及び第２の実施形態では、本発明をリッジ導波路型半導体光素子に適用した例を説明したが、本発明は埋め込み導波路型半導体光素子に対しても同様に適用することができる。そこで、以下には第３の実施形態として、本発明を埋め込み導波路型半導体光素子に適用した例について説明する。
【００４６】
図１４には、第３の実施形態に係る半導体光素子の断面図を示した。図１４に示される半導体光素子では、半導体基板１の内部に設けられた、半導体基板の材料であるＩｎＰよりも熱伝導性が高い材料（ここではＡｌＮ）から構成される熱伝導体であるＡｌＮ埋込部１８を第１の実施形態と同じ態様で構成したが、第２の実施形態と同じ態様で構成することとしても構わない。
【００４７】
第３の実施形態に係る半導体光素子においても、クラッド層の両脇の埋込層の上部に、絶縁性があり且つ熱伝導性が高い材料から構成される絶縁型熱伝導層であるＡｌＮ膜１３が形成されている。ここで図１４に示されるように、ＡｌＮ膜１３の上面に接するように放熱電極１７を設け、活性層６からの発熱をＡｌＮ膜１３、放熱電極１７、ワイヤ２１、放熱電極２０を介してサブマウント２４に流すような熱流路を形成している。
【００４８】
［変形例］
また、上記の実施形態では、酸化シリコン膜１４とｐ電極１５とは反対側の面で接する絶縁型熱伝導層（例えばＡｌＮ膜１３）の材料にＡｌＮを用いた例を説明したが、ＡｌＮに代えてアルミニウム、窒素、シリコン、炭素、酸素、亜鉛、チタニウム、ニオブのいずれかを含む化合物等を用いてもよい。
【００４９】
また、上記の実施形態では、半導体基板１の内部に設けられた熱伝導部（例えばＡｌＮ埋込部１８）の材料にＡｌＮを用いた例を説明したが、ＡｌＮに代えてアルミニウム、窒素、シリコン、炭素、酸素、亜鉛、チタニウム、ニオブのいずれかを含む化合物、金、銀、銅、プラチナ、チタニウム、クロム、モリブデン、タングステン、ニッケル等の金属のうちいずれか又はこれらの組み合わせを用いてもよい。
【００５０】
上記の実施形態では、本発明をリッジ導波路型半導体光素子や埋め込み導波路型半導体光素子に適用した例について説明したが、本発明を、回折格子を形成した分布帰還型レーザ（ＤＦＢレーザ）等の光素子に適用してもよいのはもちろんである。
【００５１】
［光モジュールへの適用例］
本発明の実施形態に係る半導体光素子１００（１００Ａ〜Ｃのいずれか、又は他の実施形態としてもよい）を、光モジュールＭに搭載した実施例を図１５に示す。図１５に示されるように、光モジュールＭは、半導体光素子１００、半導体光素子１００からの後方出射光を受光するフォトダイオード１０１、半導体光素子１００の温度を計測するサーミスタ１０２、ドライバＩＣ１０３、ドライバＩＣ１０３にデータ入力する信号線１０４、ドライバＩＣ１０３に駆動電力を供給する電力線１０６を備える。半導体光素子１００からの前方出射光が光出力１０５となる。なお、この光モジュールＭは、光学的動特性を評価した結果、緩和振動周波数２６ＧＨｚを得た。
【００５２】
もちろん、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、この分野の通常の知識を有する当業者によって多様な変更、変形又は置換が可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００５３】
１  半導体基板、２  エッチング停止層、３  バッファ層、４  クラッド層、５  ｎ型ＩｎＡｌＡｓ層、６  歪多重量子井戸構造活性層、７  ｐ型ＩｎＡｌＡｓ層、８  クラッド層、１０  コンタクト層、１１  光ガイド領域、１２  リッジ導波路、１３  ＡｌＮ膜、１４  酸化シリコン膜、１５  ｐ電極、１６  パッド電極、１７  放熱電極、１８  ＡｌＮ埋込部、１９  ｎ電極、２０  放熱電極、２１  ワイヤ、２２  ハンダ、２３  サブマウント電極、２４  サブマウント、２５  ＡｌＮ埋込部、Ｍ  光モジュール、１００（１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ）  半導体光素子、１０１  フォトダイオード、１０２  サーミスタ、１０３  ドライバＩＣ、１０４  信号線、１０５  光出力、１０６  電力線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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