(57)【要約】【課題】反りが抑えられた撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】光を電気信号に変換する画素が形成された画素部を有する撮像素子と、撮像素子の画素部を有する面に対向して設けられ、光を透過させる対向基板とを備える撮像装置の製造方法であって、撮像素子及び対向基板が、加熱されて接合される接合段階を備え、接合段階において、撮像素子及び対向基板の熱膨張係数の違いに応じて、撮像素子及び対向基板の、それぞれの温度が制御される撮像装置の製造方法を提供する。【選択図】図２
2013080825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を電気信号に変換する画素が形成された画素部を有する撮像素子と、前記撮像素子の前記画素部を有する面に対向して設けられ、光を透過させる対向基板とを備える撮像装置の製造方法であって、
前記撮像素子及び前記対向基板が、加熱されて接合される接合段階を備え、
前記接合段階において、前記撮像素子及び前記対向基板の熱膨張係数の違いに応じて、前記撮像素子及び前記対向基板の、それぞれの温度が制御される
撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記接合段階において、前記撮像素子及び前記対向基板のうち、大きい熱膨張係数を有する方の温度を、他方の温度より低くする
請求項１に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記接合段階における、前記撮像素子の温度Ｔ１と、前記対向基板の温度Ｔ２との間に、
α２／α１≦（Ｔ１−Ｔ３）／（Ｔ２−Ｔ３）≦２×α２／α１
（ただし、前記撮像素子の熱膨張係数をα１、前記対向基板の熱膨張係数α２、前記撮像装置が使用される温度をＴ３とする）が成り立つ
請求項２に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記接合段階における、前記撮像素子の温度Ｔ１と、前記対向基板の温度Ｔ２との間に、
α１×（Ｔ１−Ｔ３）＝α２×（Ｔ２―Ｔ３）
（ただし、前記撮像素子の熱膨張係数をα１、前記対向基板の熱膨張係数α２、前記撮像装置が使用される温度をＴ３とする）が成り立つ
請求項２に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項５】
熱で硬化して、前記撮像素子と前記対向基板とを接合する熱硬化性接着剤を、前記対向基板上に形成する接着剤形成段階をさらに備え、
前記接合段階において、前記対向基板の温度は前記熱硬化性接着剤の硬化温度より低く、前記撮像素子の温度は前記熱硬化性接着剤の硬化温度より高い
請求項２から４のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記接合段階において、前記画素部における前記撮像素子の温度と、前記画素部以外の部分における前記撮像素子の温度とが異なる
請求項５に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記接合段階において、前記画素部における前記撮像素子の温度が、前記熱硬化性接着剤が接する部分における前記撮像素子の温度より低い
請求項６に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記接合段階の後に、前記熱硬化性接着剤を加熱して硬化させるベーキング段階をさらに備え、
前記ベーキング段階において、前記撮像素子及び前記対向基板のうち、大きい熱膨張係数を有する方の温度を、他方の温度より低くする
請求項５から７のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記接合段階において、前記撮像素子と、前記対向基板に形成された導電性の導電パターンとが、バンプによって電気的に接続される
請求項２から８のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記対向基板の前記画素部に対向する画素領域の厚さは、前記対向基板の画素領域以外の領域の厚さより薄い請求項２から９のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記対向基板は、前記撮像素子に対向する面の裏面に、凹部を有する請求項１０に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記対向基板は、ローパスフィルタを有する請求項２から１１のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板に形成された導電性の導電パターンに、バンプを介して固体撮像素子を接続した、ＣＯＧ（チップオンガラス）構造の固体撮像装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１  特開平１１−１２１６５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
固体撮像装置が備えるガラス基板及び固体撮像素子の熱膨張係数が、相互に異なることがある。これにより、ガラス基板及び固体撮像素子が接合されてから、加熱あるいは冷却されると、固体撮像装置に反りが発生する。これは、加熱あるいは冷却による膨張量あるいは収縮量が、ガラス基板と固体撮像素子とで異なることによる。すなわち、ガラス基板と固体撮像素子とを加熱して接合すると、接合後に冷却されたときに、ガラス基板及び固体撮像素子のうち、熱膨張係数の大きいものの収縮が大きく、熱膨張係数の小さいもの側に固体撮像装置が反る。
【０００４】
固体撮像装置の反りが大きくなると、固体撮像素子の撮像面全体に均一に光を照射することが困難になる。例えば、反りの大きい固体撮像装置をデジタルカメラに用いると、固体撮像素子の撮像面の周辺部で、焦点ずれ及び撮像面のあおりが発生する。したがって、反りが抑えられた固体撮像装置が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様においては、光を電気信号に変換する画素が形成された画素部を有する撮像素子と、撮像素子の画素部を有する面に対向して設けられ、光を透過させる対向基板とを備える撮像装置の製造方法であって、撮像素子及び対向基板が、加熱されて接合される接合段階を備え、接合段階において、撮像素子及び対向基板の熱膨張係数の違いに応じて、撮像素子及び対向基板の、それぞれの温度が制御される撮像装置の製造方法を提供する。
【０００６】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る撮像装置の模式的な上視図である。
【図２】撮像装置の模式的な断面図である。
【図３】撮像装置の製造方法を示す模式的な断面図である。
【図４】撮像装置の反り量を示すグラフである。
【図５】撮像装置の構成の他の一例を説明する図である。
【図６】撮像装置の構成の、さらに他の一例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【０００９】
図１は、本発明の実施形態に係る撮像装置１００の模式的な上視図である。撮像装置１００は、対向基板１１０、撮像素子１５０、接着剤１０４、及び、複数のバンプ１０２を備える。撮像装置１００は、対向基板１１０と、撮像素子１５０とが、接着剤１０４により接合され、バンプ１０２で電気的に接続されたＣＯＧ構造を有する。バンプ１０２を介して、撮像素子１５０に形成された画素部１５２と、対向基板１１０上に形成された導電性パターン１１２とが、電気的に接続されてよい。これにより、画素部１５２を駆動する信号が導電性パターン１１２及びバンプ１０２を介して画素部１５２に入力される。また、画素部１５２で生成された信号が、バンプ１０２及び導電性パターン１１２を介して読み出されてよい。一例として、撮像装置１００は、デジタルカメラ用の撮像装置である。
【００１０】
撮像素子１５０は、光を電気信号に変換する画素が形成された画素部１５２を有する。画素部１５２は、撮像素子１５０の中央部に形成されてよい。すなわち、撮像素子１５０を上面から見たときに、撮像素子１５０及び画素部１５２の中心が相互に一致してよい。撮像素子１５０は、一例として、Ｓｉ基板上に形成されたＣＣＤである。他の例として、撮像素子１５０は、ＣＭＯＳであってもよい。また、撮像素子１５０は、フォトダイオードに対して配線層と反対側の面から光が入射する裏面照射型のＣＣＤ又はＣＭＯＳであってもよい。撮像素子１５０の、画素部１５２の外側に、画素部１５２を駆動する駆動回路が形成されてもよい。
【００１１】
画素部１５２の外側にバンプ１０２が形成されてよい。一例として、バンプ１０２は撮像素子１５０の二つの短辺に沿って形成される。また、バンプ１０２は、導電性パターン１１２に接して形成されてよい。これにより、バンプ１０２は導電性パターン１１２と撮像素子１５０とを電気的に接続する。バンプ１０２は、金属で形成されてよい。例えば、バンプ１０２は金で形成される。バンプ１０２は、接着剤１０４で覆われて形成されてよい。ただしこれに限られず、バンプ１０２は接着剤１０４の画素部１５２側に、接着剤１０４から離間して形成されてもよい。
【００１２】
対向基板１１０は、光を透過させる基板で形成され、撮像素子１５０に対向して設けられる。一例として、対向基板１１０はガラスで形成される。対向基板１１０は、導電性を有する導電性パターン１１２を有してよい。導電性パターン１１２は、一例として金属で形成される。導電性パターン１１２は、対向基板１１０の、画素部１５２に対向する領域には形成されなくてよい。これにより、画素部１５２に入射する光を導電性パターン１１２が遮ることを防止できる。
【００１３】
導電性パターン１１２は、接着剤１０４が形成された領域と、対向基板１１０の端部との間に、形成されてよい。接着剤１０４が形成された領域における導電性パターン１１２のピッチより、対向基板１１０の端部における導電性パターン１１２のピッチが広くてよい。
【００１４】
図１に示した撮像装置１００では、導電性パターン１１２及びバンプ１０２が、撮像装置１００の二つの短辺にそれぞれ５つずつ形成されているが、これに限られず、導電性パターン１１２及びバンプ１０２は、必要に応じて、形成される位置及び数が変更されてよい。例えば、バンプ１０２及び導電性パターン１１２は、対向基板１１０のいずれか一つの辺に形成されてもよいし、対向基板１１０の３辺又は４辺すべてに形成されてもよい。
【００１５】
接着剤１０４は、撮像素子１５０の４辺に形成される。接着剤１０４は、一例として、熱硬化性接着剤で形成される。接着剤１０４は、画素部１５２上には形成されず、画素部１５２の周囲に形成されてよい。接着剤１０４は遮光性を有する材料で形成されてもよい。これにより、画素部１５２に対して、撮像装置１００の側面方向から入射する光を低減してもよい。
【００１６】
図２は、図１のＡ−Ａ'における断面を示し、撮像装置１００の模式的な断面図である。対向基板１１０は、撮像素子１５０の画素部１５２を有する面に対向して設けられる。これにより、対向基板１１０が画素部１５２を保護してよい。撮像素子１５０と対向基板１１０との間隔は、接着剤１０４によって均一に保持されてよい。
【００１７】
接着剤１０４は、画素部１５２の外側の領域で、撮像素子１５０と対向基板１１０との間に形成されてよい。接着剤１０４は、導電性パターン１１２と撮像素子１５０との間に形成されてよい。接着剤１０４の画素部１５２側における断面は、画素部１５２側に向かって凹型の形状を有してよい。また、接着剤１０４は、撮像素子１５０の端面の一部を覆ってよい。接着剤１０４と撮像素子１５０との接触面積が広くなるので、接着剤１０４、撮像素子１５０、及び、対向基板１１０で囲まれた空間内に、外部からゴミまたは水分などが進入することを防ぐことができる。
【００１８】
図３は、撮像装置１００の製造方法を示す模式的な断面図である。対向基板１１０の撮像素子１５０と対向する面に、接着剤１０４が形成されてよい。対向基板１１０上に形成される接着剤１０４に対応する領域である接着剤形成領域１６４は、撮像素子１５０に形成された画素部１５２に対応する領域である画素領域１６２から離間してよい。これにより、接着剤１０４が、画素部１５２上に形成されないので、画素部１５２に入射する光が接着剤１０４によって遮られることを防止できる。接着剤１０４は、撮像素子１５０の端面を超えて形成されてよい。
【００１９】
撮像素子１５０の画素部１５２が形成された面にバンプ１０２が形成されてよい。バンプ１０２は、対向基板１１０と撮像素子１５０が接合されたときに、対応する導電性パターン１１２に電気的に接続される位置に形成されてよい。バンプ１０２は、接着剤形成領域１６４に形成されてよい。バンプ１０２は、画素部１５２の外側に形成されてよい。
【００２０】
次に、撮像素子１５０及び対向基板１１０が、加熱されて接合される。撮像素子１５０及び対向基板１１０の熱膨張係数の違いに応じて、接合時における撮像素子１５０及び対向基板１１０の、それぞれの温度が制御される。撮像素子１５０及び対向基板１１０のうち、大きい熱膨張係数を有する方の温度を、他方の温度より低くして接合してよい。これにより、撮像素子１５０及び対向基板１１０を、加熱された状態で接合してから冷却したときに、いわゆるバイメタル効果によって反りが発生することを抑えることができる。
【００２１】
例えば、加熱されて接合されるときの、撮像素子１５０の温度Ｔ１と、対向基板１１０の温度Ｔ２との間に、α１×（Ｔ１−Ｔ３）＝α２×（Ｔ２―Ｔ３）（ただし、撮像素子１５０の熱膨張係数をα１、対向基板１１０の熱膨張係数α２、撮像装置１００が使用される温度をＴ３とする）という関係が成立してよい。ここで、Ｔ３は、画素部１５２に入射した光が電気信号に変換されて、導電性パターン１１２から外部に読み出されるときの温度をいう。一例として、Ｔ３は撮像装置１００を搭載したデジタルカメラが使用される温度である。これにより、加熱されて接合される状態から、接合した後に撮像装置１００が使用される温度まで冷却される状態までに、撮像素子１５０が収縮する量と、対向基板１１０が収縮する量とが等しくなる。したがって、撮像装置１００の反りを小さくすることができる。
【００２２】
一例として、撮像素子１５０がシリコンで形成され、対向基板１１０がシリコンよりも熱膨張係数が大きいガラスで形成される場合には、撮像素子１５０は対向基板１１０より高い温度に加熱されてよい。このとき、対向基板１１０は、接着剤１０４が硬化する硬化温度より低い温度に加熱され、撮像素子１５０は接着剤１０４の硬化温度より高い温度に加熱されてもよい。これにより、対向基板１１０上に形成された接着剤１０４が、対向基板１１０と撮像素子１５０とが接合されるまでの間に硬化することを抑制できる。
【００２３】
撮像素子１５０及び対向基板１１０は、加熱された状態で位置合わせをして、張り合わされる。接着剤１０４が硬化されて、撮像素子１５０と対向基板１１０とが接合される。このときバンプ１０２は、撮像素子１５０と導電性パターン１１２とに接触する。これにより、撮像素子１５０と導電性パターン１１２とが、バンプ１０２を介して電気的に接続される。接着剤１０４は、例えば、熱硬化性の接着剤であるが、これに限られず、光と熱により硬化する接着剤であってもよい。
【００２４】
また、別の例として、撮像素子１５０及び対向基板１１０の、一方又は双方は、接着剤形成領域１６４において、画素領域１６２より高い温度に加熱されて、撮像素子１５０及び対向基板１１０が接合されてもよい。一例として、撮像素子１５０及び対向基板１１０の、一方又は双方を加熱するステージの温度分布が制御される。撮像素子１５０及び対向基板１１０が加熱されたときに、接着剤形成領域１６４において、撮像素子１５０及び対向基板１１０のうち、大きい熱膨張係数を有する一方の温度が、他方の温度より低くてよい。
【００２５】
次に、接合された撮像素子１５０と対向基板１１０とが加熱されて、プリベークされてもよい。これにより、接着剤１０４の硬化が進行されてよい。このとき、撮像素子１５０及び対向基板１１０の熱膨張係数の違いに応じて、撮像素子１５０及び対向基板１１０の、それぞれの温度が制御されてよい。例えば、撮像素子１５０及び対向基板１１０のうち、大きい熱膨張係数を有する方の温度を、他方の温度より低くする。さらに、接着剤形成領域１６４において、撮像素子１５０及び対向基板１１０のうち、大きい熱膨張係数を有する方の温度が、他方の温度より低くてよい。これにより、撮像装置１００の反りを小さくすることができる。また、撮像素子１５０及び対向基板１１０の、一方又は双方は、接着剤形成領域１６４において、画素領域１６２より高い温度に加熱されてよい。
【００２６】
次に、撮像装置１００が冷却される。本例においては、加熱されたときの対向基板１１０及び撮像素子１５０の温度が制御されているので、対向基板１１０及び撮像素子１５０が接合されてから冷却されたときに生じる反りが小さくなる。
【００２７】
撮像装置１００の反り量が小さいので、画素部１５２に均一に光を照射することができる。例えば、撮像装置１００をデジタルカメラに用いたときの、画素部１５２における焦点ずれ、及び、画素部１５２のあおりを抑制することができる。
【００２８】
図４は、撮像装置１００の反り量を示すグラフである。横軸は、撮像素子１５０及び対向基板１１０が接合されるときの、撮像素子１５０の温度（Ｔ１）と、対向基板１１０の温度（Ｔ２）との差（Ｔ１−Ｔ２）（℃）である。縦軸は、撮像装置１００が使用される温度（Ｔ３）での、撮像装置１００の画素部１５２が形成された面の反り量（ａ．ｕ．（任意単位））を示す。縦軸のプラス方向は撮像装置１００が撮像素子１５０側に凸に反ることを示し、マイナス方向は撮像装置１００が対向基板１１０側に凸に反ることを示す。すなわち、縦軸のマイナス方向は、図２の状態で上に凸の状態に対応する。
【００２９】
図４に示した一点鎖線は、対向基板１１０が熱膨張率α２＝５．５×１０−６／Ｋの硼珪酸ガラスで形成された場合のシミュレーション結果を示す。点線は、対向基板１１０が熱膨張係数α２＝３．４×１０−６／Ｋの無アルカリガラスで形成された場合のシミュレーション結果を示す。一点鎖線、及び、点線で示したシミュレーションにおいて、撮像素子１５０はシリコン基板で形成され、熱膨張係数α１は３．１×１０−６／Ｋとした。これは、シリコンの２９３Ｋにおける熱膨張係数２．６×１０−６／Ｋと、５００Ｋにおける熱膨張係数３．５×１０−６／Ｋの平均値である。
【００３０】
一点鎖線で示したシミュレーション結果によると、対向基板１１０が硼珪酸ガラスで形成された場合には、撮像素子１５０及び対向基板１１０が接合されるときの撮像素子１５０と対向基板１１０との温度差（Ｔ１−Ｔ２）を９５℃とすると、撮像装置１００が使用される温度（Ｔ３）での、撮像装置１００の画素部１５２が形成された面の反り量が０ａ．ｕ．になる。また、対向基板１１０が硼珪酸ガラスで形成された場合には、撮像素子１５０及び対向基板１１０が接合されるときの撮像素子１５０と対向基板１１０との温度差（Ｔ１−Ｔ２）を６０℃〜１３０℃とすると、撮像装置１００が使用される温度（Ｔ３）での、撮像装置１００の画素部１５２が形成された面の反り量が３０ａ．ｕ．以下になる。
【００３１】
点線で示したシミュレーション結果によると、対向基板１１０が無アルカリガラスで形成された場合には、撮像素子１５０及び対向基板１１０が接合されるときの撮像素子１５０と対向基板１１０との温度差（Ｔ１−Ｔ２）を１０℃とすると、撮像装置１００が使用される温度（Ｔ３）での、撮像装置１００の画素部１５２が形成された面の反り量が０ａ．ｕ．になる。また、対向基板１１０が無アルカリガラスで形成された場合には、撮像素子１５０及び対向基板１１０が接合されるときの撮像素子１５０と対向基板１１０との温度差（Ｔ１−Ｔ２）を０℃〜５０℃とすると、撮像装置１００が使用される温度（Ｔ３）での、撮像装置１００の画素部１５２が形成された面の反り量が３０ａ．ｕ．以下になる。
【００３２】
図４の実線は、撮像素子１５０がシリコン基板で形成され、対向基板１１０が熱膨張率α２＝３．４×１０−６／Ｋの無アルカリガラスで形成された場合の実測結果を示す。実線で示した実測結果においては、一点鎖線及び点線で示したシミュレーション結果に比べて、グラフにおける傾きが小さい。これは、実測においては、対向基板１１０と撮像素子１５０とが接合された後に、接着剤１０４、接着剤１０４と対向基板１１０との界面、及び、接着剤１０４と撮像素子１５０との界面で、クリープ現象による応力緩和が起こり、反り量が小さくなることによると考えられる。
【００３３】
直線で示した実測結果によると、対向基板１１０が無アルカリガラスで形成された場合には、撮像素子１５０及び対向基板１１０が接合されるときの撮像素子１５０と対向基板１１０との温度差（Ｔ１−Ｔ２）を３０℃とすると、撮像装置１００が使用される温度（Ｔ３）での、撮像装置１００の画素部１５２が形成された面の反り量が０ａ．ｕ．になる。また、対向基板１１０が無アルカリガラスで形成された場合には、撮像素子１５０及び対向基板１１０が接合されるときの撮像素子１５０と対向基板１１０との温度差（Ｔ１−Ｔ２）を０℃〜９５℃とすると、撮像装置１００が使用される温度（Ｔ３）での、撮像装置１００の画素部１５２が形成された面の反り量が３０ａ．ｕ．以下になる。
【００３４】
一点鎖線で示した結果において、Ｔ１＝２００℃、かつ、Ｔ２＝７０℃、Ｔ３＝２０℃のときに、（Ｔ１−Ｔ３）／（Ｔ２−Ｔ３）＝３．６であり、α２／α１＝１．７であり、反り量は上述のように３０ａ．ｕ．となる。また、点線で示した結果において、Ｔ１＝１３０℃、Ｔ２＝８０℃、Ｔ３＝２０℃のときに、（Ｔ１−Ｔ３）／（Ｔ２−Ｔ３）＝１．８であり、α２／α１＝１．１であり、反り量は上述のように３０ａ．ｕ．となる。したがって、一点鎖線及び破線で示したシミュレーション結果によると、α２／α１≦（Ｔ１−Ｔ３）／（Ｔ２−Ｔ３）≦２×α２／α１が成立すれば、撮像装置１００が使用される温度（Ｔ３）での、撮像装置１００の画素部１５２が形成された面の反り量は、３０ａ．ｕ．以下となる。
【００３５】
さらに、図４の結果によれば、対向基板１１０と撮像素子１５０とが接合された後に、接着剤１０４、接着剤１０４と対向基板１１０との界面、及び、接着剤１０４と撮像素子１５０との界面で、クリープ現象による応力緩和が起こると、反り量はシミュレーション結果の半分以下になる。したがって、α２／α１≦（Ｔ１−Ｔ３）／（Ｔ２−Ｔ３）≦２×α２／α１が成立すれば、撮像装置１００が使用される温度（Ｔ３）での、撮像装置１００の画素部１５２が形成された面の反り量は、１５ａ．ｕ．以下となる。
【００３６】
以上、対向基板１１０がガラスで形成された場合について説明したが、これに限られない。一例として、対向基板１１０は、ローパスフィルタを有してもよい。このとき、対向基板１１０は、垂直方向のローパスフィルタ、位相板、及び、水平方向のローパスフィルタが積層されて形成されてもよい。あるいは、対向基板１１０は、垂直方向のローパスフィルタ、及び、水平方向のローパスフィルタのいずれか一方で形成されて、他の一方の方向のローパスフィルタ、及び、位相板が対向基板１１０に積層されてもよい。ローパスフィルタは、水晶またはニオブ酸リチウムで形成されてよい。
【００３７】
図５は、撮像装置１００の構成の他の一例を、図１のＡ−Ａ'における断面で、説明する図である。図５において、図１または図２と同一の符号を付した要素は、図１及び図２において説明した要素と同一の機能および構成を有してよい。図５に示した撮像装置１００において、対向基板１１０は、画素部１５２に対向する面の裏面に開口２１２を有する。
【００３８】
開口２１２が形成された領域で、対向基板１１０は、他の領域より薄い。開口２１２は、撮像素子１５０に形成された画素部１５２と同じ大きさであってもよいし、画素部１５２より大きくてもよい。ここで、画素部１５２及び開口２１２の大きさとは、画素部１５２及び開口２１２を図５の上面から見たときの大きさをいう。このとき、開口２１２と、画素部１５２とは、図５の上側から見たときに中心がそろって、画素部１５２と対向する領域の対向基板１１０は、他の領域の対向基板１１０より薄くてよい。これにより、画素部１５２に入射する光は、対向基板１１０が、他の一部より薄い部分を透過するので、画像が対向基板１１０の影響を受けにくい。また、画素部１５２と対向する領域で対向基板１１０が薄いので、対向基板１１０の傷、あるいは、対向基板１１０上の粒子と、画素部１５２との距離が近い。これにより、対向基板１１０の傷、あるいは、対向基板１１０上の粒子によって画素部１５２に生じる影響を、撮像装置１００から出力される信号を電子的に処理して除去することができる。
【００３９】
開口２１２は、対向基板１１０に接着剤１０４が設けられる部分に形成されなくてよい。開口２１２が形成されていない領域では対向基板１１０が、開口２１２が形成された領域より厚いので、接着剤１０４による撮像装置１００の反りが抑えられる。これは、接着剤１０４が撮像素子１５０の端面にも形成されているときには、より効果が大きい。
【００４０】
図６は、撮像装置１００の構成のさらに他の一例を、図１のＡ−Ａ'における断面で、説明する図である。図６において、図１または図２と同一の符号を付した要素は、図１及び図２において説明した要素と同一の機能および構成を有してよい。図６に示した撮像装置１００において、対向基板１１０は、画素部１５２に対向する面に開口３１２を有する。
【００４１】
開口３１２が形成された領域で、対向基板１１０は、他の領域より薄い。開口３１２は、撮像素子１５０に形成された画素部１５２と同じ大きさであってもよいし、画素部１５２より大きくてもよい。ここで、画素部１５２及び開口３１２の大きさとは、画素部１５２及び開口３１２を図６の上面から見たときの大きさをいう。このとき、開口３１２と、画素部１５２とは、図５の上面から見たときに中心がそろって、画素部１５２と対向する領域の対向基板１１０は、他の領域の対向基板１１０より薄くてよい。これにより、画素部１５２に入射する光は、対向基板１１０が、他の一部より薄い一部を透過するので、画像が対向基板１１０の影響を受けにくい。対向基板１１０は、画素部１５２に対向する面に開口３１２を有するので、対向基板１１０と撮像素子１５０とを接合するときに、対向基板１１０が撮像素子１５０に向かって凸に反っていても、画素部１５２と対向基板１１０が接することを防止することができる。
【００４２】
開口３１２は、対向基板１１０に接着剤１０４が設けられる部分に形成されなくてよい。開口３１２が形成されていない領域では対向基板１１０が、開口３１２が形成された領域より厚いので、接着剤１０４による撮像装置１００の反りが抑えられる。
【００４３】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００４４】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【００４５】
１００  撮像装置、１０２  バンプ、１０４  接着剤、１１０  対向基板、１１２  導電性パターン、１５０  撮像素子、１５２  画素部、１６２  画素領域、１６４  接着剤形成領域、２１２  開口、３１２  開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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