(57)【要約】【課題】２層構造の走査線を、絶縁膜を介して映像信号線が乗り越える際の、映像信号線の断線を防止する。【解決手段】映像信号線が絶縁膜を介して走査線を乗り越える構成となっている。走査線１０はＡｌＣｕ合金を下層１１とし、ＭｏＣｒ合金を上層１２とする２層構造である。上層/下層の膜厚比を、０．４以上、１．０以下とすることによって、走査線１０の断面において、電池作用によって上層１２のエッチング速度が遅くなって、上層１２の庇部が形成されることを防止する。これによって、走査線１０に生じた庇部に起因して、映像信号線が走査線１０との交差部において断線することを防止する。【選択図】図４
2013080160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列し、前記走査線と前記映像信号線とで囲まれた領域にＴＦＴと画素電極が形成されている表示装置であって、
前記ＴＦＴはボトムゲートタイプのＴＦＴであり、
前記走査線はＡｌを主成分とする合金を下層とし、Ｍｏを主成分とする合金を上層とする２層構造であり、
前記上層／前記下層の膜厚比は、０．４以上、１．０以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記上層／前記下層の膜厚比は、０．６以上、１．０以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記上層はＭｏＣｒ合金であり、前記下層はＡｌＣｕであることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記上層の膜厚は４０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に係り、特に走査線の断面形状に起因する映像信号線の断線を防止できる構成を与える表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置、例えば、液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が設置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、ＴＶ等の大型表示装置から、携帯電話やＤＳＣ（Digital Still Camera）等、色々な分野で用途が広がっている。また、液晶表示装置は、画面を視る角度によって画像が異なるという視野角が問題となるが、この視野角については、IPS（In Plane Switching）方式の液晶表示装置が優れた特性を有している。
【０００４】
液晶表示装置では、走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列している。走査線と映像信号線とで囲まれた領域に画素が形成されている。また、映像信号線が絶縁層を介して走査線の上を乗り越えて延在している。
【０００５】
走査線の断面形状における側部が急峻であったり、逆テーパが形成されていたりすると、走査線を覆う絶縁層が不規則になり、その結果、絶縁層の上に形成される映像信号線が断線をする現象を生ずる。「特許文献１」には、ＴＦＴのチャンネル部を覆うチャネル保護層を絶縁物の２層構造とし、上側のエッチング速度を速くすることによって、チャネル保護層を順テーパとすることによって、チャネル保護層を覆う絶縁層が破壊することを防止することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−８５２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
表示装置における走査線は電気抵抗を小さくするためにＡｌ合金が使用される。使用されるＡｌ合金としては、ＡｌＮｄあるいはＡｌＣｕ等が使用される。ＡｌＣｕのほうが抵抗が小さい。一方、Ａｌはヒロックが生じやすく、このヒロックが絶縁膜を突き破って絶縁破壊を生ずることを防止するために、キャップ層としてＭｏＣｒ等の高融点金属が使用される。以後Ａｌ合金層を下層、キャップ層を上層という。
【０００８】
走査線は、上層と下層をスパッタリング等で形成したあと、フォトリソグラフィを用いてパターニングを行う。フォトリソグラフィ工程において、レジストを現像した後、走査線の上層と下層を同じエッチング液を用いて同時にエッチングする。下層がＡｌＣｕで上層がＭｏＣｒの場合を例にとると、エッチング後、レジストを剥離した後の走査線の断面構造は図１０に示すような構成となっている。
【０００９】
図１０において、下層１１であるＡｌＣｕにテーパが形成されており、上層１２であるＭｏＣｒはＡｌＣｕの上部よりもサイドエッチングの量が少ないので、ＡｌＣｕの上にＭｏＣｒの庇が生じている。走査線１０の上には、例えば、ゲート絶縁膜が形成されるが、上層１２であるＭｏＣｒの庇によって、ゲート絶縁膜１０２の形状が図１１に示すように不規則になる。図１１に示すように、走査線１０の上層１２の庇部１５０の下側に生じたゲート絶縁膜１０２の凹部を差込と称している。図１１は、走査線１０と直角方向に映像信号線２０が走査線１０を乗り越える断面図を示している。
【００１０】
図１１において、庇１５０よりも下側にはゲート絶縁膜１０２が十分に形成されず、いわゆる差込が生じている。ゲート絶縁膜１０２の上に映像信号線２０をスパッタリング等によって形成するが、ゲート絶縁膜１０２に差込が形成されている部分には、映像信号線２０の膜が形成されず、断線を生じてしまう。また、ゲート絶縁膜１０２の差込部分において、映像信号線２０がつながっていたとしても、その部分の映像信号線２０は薄くなるので、電流が流れたときに、熱によって断線してしまう。
【００１１】
このような断線対策として、図１２に示すように、走査線１０を映像信号線２０が乗り越える部分において、映像信号線２０の下層にａ−Ｓｉ層１０３５を形成することによって段差を軽減し、映像信号線２０の断線を防止することが考えられる。図１２において、半導体層１０３はＴＦＴを形成するａ−Ｓｉ層であり、１０３５は映像信号線が走査線を乗り越える部分において、段差を軽減するための、ａ−Ｓｉで形成された半導体台座である。しかし、映像信号線２０と走査線１０の間にａ−Ｓｉ層を形成すると、ａ−Ｓｉ層によって透過率が低下するという問題が生ずる。
【００１２】
本発明の課題は、Ａｌを主たる成分とする下層１１とＭｏを主たる成分とする上層１２から構成される走査線１０あるいはゲート電極において、エッチング後に上層の庇１５０が生ずることを防止し、庇１５０が生ずることによる映像信号線２０の断線を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１４】
（１）走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列し、前記走査線と前記映像信号線とで囲まれた領域にＴＦＴと画素電極が形成されている液晶表示装置であって、前記ＴＦＴはボトムゲートタイプのＴＦＴであり、前記走査線はＡｌを主成分とする合金を下層とし、Ｍｏを主成分とする合金を上層とする２層構造であり、前記上層／前記下層の膜厚比は、０．４以上、１．０以下であることを特徴とする表示装置。
【００１５】
（２）前記上層／前記下層の膜厚比は、０．６以上、１．０以下であることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００１６】
（３）前記上層はＭｏＣｒ合金であり、前記下層はＡｌＣｕであることを特徴とする（１）または（２）に記載の表示装置。
【００１７】
（４）前記上層の膜厚は４０ｎｍ以上であることを特徴とする（３）に記載の表示装置。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、２層構造の走査線を有する表示装置において、走査線の断面において、下層に対して上層の庇部が生ずることを防止することが出来る。これによって、映像信号線と走査線の交差部において、走査線の断面形状に起因する映像信号線の断線を防止することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明が適用される液晶表示装置の断面図である。
【図２】本発明が適用される液晶表示装置の画素部の平面図の例である。
【図３】従来例における２層構造の走査線の断面図である。
【図４】本発明による２層構造の走査線の断面図である。
【図５】２層構造の走査線において、上層の膜厚を変化させた場合の、レジストの端部から上層、あるいは、下層の裾部までの距離を示すグラフである。
【図６】上層／下層の膜厚比が０．６の場合の走査線の断面系形状を示す図である。
【図７】上層／下層の膜厚比が０．７１の場合の走査線の断面系形状を示す図である。
【図８】上層／下層の膜厚比が０．８の場合の走査線の断面系形状を示す図である。
【図９】上層／下層の膜厚比が１．０の場合の走査線の断面系形状を示す図である。
【図１０】従来例における２層構造の走査線の断面図である。
【図１１】従来例の２層構造の走査線を映像信号線が交差する部分において、映像信号線に断線が生ずることを示す断面図である。
【図１２】従来例において、映像信号線の断線を防止するために、走査線と映像信号線との交差部に、段差を軽減するためにａ−Ｓｉによる台座を形成した状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、実施例により本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は本発明が適用される液晶表示装置の断面模式図である。液晶表示装置は、一般にはいわゆる視野角が問題であるが、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置は視野角について優れた特性を有している。ＩＰＳ方式の液晶表示装置も種々の構造が存在するが、図１はいわゆるＩＰＳ−ＬＩＴＥと称されている構造である。図２は、ＩＰＳ−ＬＩＴＥの構成における画素電極までの構造を示す平面図である。本実施例では、ＩＰＳ−ＬＩＴＥを例にとって説明するが、本発明は、ＩＰＳ−ＬＩＴＥに限定されるものではない。
【００２２】
図１において、ＴＦＴ基板１００の上にゲート電極１０１が形成されている。ゲート電極１０１は、図２に示す走査線１０が幅広くなった部分である。走査線１０あるいはゲート電極１０１は、電気抵抗を小さくするために、２層構造になっている。下層１０１１はＡｌを主体とする合金であり、上層１０１２はＭｏを主体とした合金である。Ａｌを主体とする合金はＡｌ成分が９０％以上を占め、Ｍｏを主体とする合金とは、Ｍｏが９０％以上を占める合金である。本実施例では、下層１０１１はＡｌＣｕであり、上層１０１２はＭｏＣｒである。成分は、例えば、ＡｌＣｕにおいてＣｕが２．０％未満、より好ましくは０．４％以上１．０％未満、ＭｏＣｒにおいてＣｒが５．０％未満、より好ましくは２．０％以上３．０％以下である。
【００２３】
ゲート電極１０１あるいは走査線１０の上にはゲート絶縁膜１０２が形成されている。ゲート絶縁膜１０２の上にはａ−Ｓｉによる半導体層１０３が形成され、半導体層１０３の上にはドレイン電極１０４およびソース電極１０５が形成されている。ドレイン電極１０４とソース電極１０５の間にチャンネル部１０３１が形成されており、これによってＴＦＴが形成される。このタイプのＴＦＴは、ゲート電極１０１が半導体層１０３の下側にあるので、ボトムゲートタイプのＴＦＴと呼ばれている。ドレイン電極１０４は、図２に示すように、映像信号線２０が兼用している。ソース電極１０５は画素電極１０６の領域に延在し、透明電極であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）によって形成された画素電極１０６と接続する。図１において画素電極１０６は平面ベタで形成されている。図１において、画素電極１０６と画素電極１０６の間には映像信号線２０が存在している。映像信号線２０、ドレイン電極１０４、ソース電極１０５は同じ工程で同時に形成される。
【００２４】
ＴＦＴ、画素電極１０６および映像信号線２０を覆って無機パッシベーション膜１０７が形成されている。無機パッシベーション膜１０７の上には、スリット１０８１を有する対向電極１０８が形成されている。対向電極１０８は、ＩＴＯによって全面ベタで形成され、画素電極１０６と対向する部分にはスリット１０８１が形成されている。画素電極１０６にＴＦＴを介して映像信号が印加されると、対向電極１０８との間に対向電極１０８のスリット１０８１を通して電気力線が発生し、液晶分子を回転させて、液晶層の透過率を変化させ、画像を形成する。図１におけるＴはＴＦＴ領域、Ｓはソース電極領域、Ｐは画素電極領域、Ｄは映像信号線領域である。
【００２５】
図２は、図１に示すＩＰＳ−ＬＩＴＥの画素電極１０６までを示した平面図である。つまり、図２では、図が複雑になるのを防ぐために、スリットを有する対向電極１０８は記載されていない。なお、図２は図１の断面図と１：１で対応しているものではない。
【００２６】
図２において、走査線１０が横方向に延在し、縦方向に配列している。走査線１０の幅広くなった部分がＴＦＴのゲート電極１０１となっている。また、映像信号線２０が縦方向に延在し、横方向に配列している。映像信号線２０はＴＦＴのドレイン電極１０４を兼ねている。
【００２７】
走査線１０が幅広くなったゲート電極１０１の上にａ−Ｓｉによる半導体層１０３が形成され、この半導体層１０３の一方には映像信号線２０によるドレイン電極１０４が形成され、チャンネル部１０３１を挟んで、ソース電極１０５が形成されている。ソース電極１０５は画素領域に延在し、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）による画素電極１０６と接続する。画素電極１０６は平面ベタで形成されている。画素電極１０６の上には、無機パッシベーション膜を１０７介してスリット１０８１を有する対向電極１０８が形成されている。
【００２８】
ゲート電極１０１および走査線１０（以後走査線１０で代表する）は、２層構造で形成され、パターニング時のエッチングによって上層１２に庇部が生じたりすると、映像信号線２０に断線が発生する機会が増大する。図３は従来例における、図２のＡ−Ａ断面図である。但し、図３では、まだ、レジスト２００を剥離する前の状態を示している。図３において、下層１１はＡｌＣｕであり、上層１２はＭｏＣｒである。
【００２９】
本来は、エッチングレートはＭｏＣｒのほうがＡｌＣｕよりも速い。しかし、エッチング時、下層１１であるＡｌＣｕと上層１２であるＭｏＣｒとの間に電池作用が発生し、ＭｏＣｒのエッチングレートがＡｌＣｕに比べて遅くなる。別な言い方をすると、下層であるＡｌＣｕのうちの、ＭｏＣｒに近い部分のエッチングレートが早くなる。このために、下層１１であるＡｌＣｕに図３のようなテーパが発生し、その結果、上層であるＭｏＣｒによる庇部１５０が生じてしまう。
【００３０】
図３はレジスト２００が付いた状態であるが、レジスト２００の端部から下層１１であるＡｌＣｕの裾までの距離ｄ１のほうがレジスト２００の端部から上層１２であるＭｏＣｒの端部までの距離ｄ２よりも大きくなっている。これは、電池作用によって、ＭｏＣｒのエッチングレートが遅くなっているためと考えられる。
【００３１】
図３において、レジスト２００をＭＥＡ（モノエタノールアミン）にて剥離すると、走査線１０の断面は、図１０に示すような形状となる。この上にゲート絶縁膜１０２を積層すると、庇部１５０において、図１１に示すようないわゆる差込が発生し、その上に映像信号線２０を形成すると、図１１に示すような映像信号線２０の断線を生ずる。
【００３２】
発明者は、このような、電池作用による上層であるＭｏＣｒによる庇部１５０の発生は、下層１１と上層１２の膜厚比を制御することによって防止することが出来ることを発見した。図４は本発明による走査線１０の断面図である。図４も図２のＡ−Ａ断面図に対応する部分であり、レジスト２００を剥離する前の状態である。図４において、下層１１であるＡｌＣｕと上層１２であるＭｏＣｒの膜厚比は１：１である。
【００３３】
上層１１と下層１２をこのような膜厚比とした場合には、電池作用による庇部１５０の発生は防止されている。図４において、レジスト２００の端部からＡｌＣｕの裾部分までの距離ｄ１は、レジストの端部からＭｏＣｒの端部までの距離ｄ２よりも小さい。これは、本来、エッチングレートはＭｏＣｒのほうがＡｌＣｕよりも速いので、本来の性質があらわれているものと考えられる。
【００３４】
一方、ＡｌＣｕとＭｏＣｒとの境界部分では、ＡｌＣｕのエッチングレートは、ＭｏＣｒと同じであり、ＡｌＣｕの裾部分におけるエッチングレートよりも大きい。これは、ＡｌＣｕとＭｏＣｒの境界部分においては、電池作用が発生しており、ＡｌＣｕのエッチングレートが速くなっているためと考えられる。しかし、この効果のために、下層であるＡｌＣｕの断面にテーパが生じ、その上に形成される絶縁膜のカバレッジがよくなり、その上に形成される映像信号線の断線を防止することが出来るという利点を生ずる。
【００３５】
図５は、下層１１であるＡｌＣｕの膜厚を１００ｎｍにして、上層１２であるＭｏＣｒの膜厚を変化させた場合に、図３あるいは図４におけるレジスト２００の端部からの距離を測定したものである。図５において、縦軸はレジスト端部からの後退量であり、単位はμｍである。図５において、丸は、図３あるいは図４におけるｄ２であり、□は、図３あるいは図４におけるｄ１、すなわち、レジスト２００の端部からＡｌＣｕの裾部分までの距離である。
【００３６】
図５において、上層１２であるＭｏＣｒの厚さが４０ｎｍの場合は、レジスト２００端部から上層１２のＭｏＣｒの端部までの距離、すなわち、図３または図４におけるｄ２と、レジスト端部からＡｌＣｕの裾部までの距離、つまり、図３または図４のｄ１が同等である。この場合、上層のＭｏＣｒの庇部１５０は存在するが、図３に示す従来例よりも庇部１５０の量ｗは小さい。この程度の庇であれば、走査線１０の上にゲート絶縁膜１０２を積層した場合の、いわゆる差込の量は小さく、ゲート絶縁膜１０２の上に形成される映像信号線２０の断線は防止することが出来る。
【００３７】
図５において、上層１２であるＭｏＣｒの厚さが大きくなるにしたがって、レジスト２００の端部からＭｏＣｒの端部までの距離、つまり、図３または図４におけるｄ２は大きくなる。一方、下層であるＡｌＣｕにおけるレジスト端部から裾部までの距離、つまり、図３または図４におけるｄ１は、ＭｏＣｒの厚さが８０ｎｍまでは、若干増加するが、８０ｎｍを超えると低下する。
【００３８】
つまり、上層である、ＭｏＣｒの厚さが４０ｎｍをこえると、図３または図４におけるｄ１の大きくなる量がｄ２が大きくなる量よりも大きくなる。したがって、上層１２であるＭｏＣｒによる庇部１５０の量ｗは小さくなる。したがって、走査線１０の上に形成されるゲート絶縁膜１０２の差込の量は小さくなり、ゲート絶縁膜１０２の上に形成される映像信号線２０の断線の確率も小さくなる。
【００３９】
図５において、上層１２であるＭｏＣｒの厚さが１００ｎｍになると、レジスト２００の端部から上層１２であるＭｏＣｒの端部までの距離、つまり、図３または図４におけるｄ２は、大きくなるが、下層であるＡｌＣｕにおけるレジスト端部から裾部までの距離、つまり、図３または図４におけるｄ１は、小さくなる。したがって、上層が１００ｎｍであると、図４に示すように、庇部は無くなる。一方、下層１１であるＡｌＣｕのテーパは維持されるので、映像信号線２０の断線の確率は非常に小さくなる。
【００４０】
図５において、下層１１であるＡｌＣｕの厚さは１００ｎｍで一定であるので、上層／下層の膜厚比は、０．４であれば、上層１２のＭｏＣｒによる庇部の量ｗは許容範囲内にできるといえる。一方、下層１１にＡｌ合金を使用する理由は、Ａｌ合金は抵抗が小さいからである。したがって、上層／下層の膜厚比を大きくしすぎると走査線１０の抵抗が大きくなり、本来の走査線１０の低抵抗化を達成できなくなる。したがって、走査線１０における上層（ＭｏＣｒ）／下層（ＡｌＣｕ）の膜厚比は０．４〜１．０とするのがよい。
【００４１】
図６〜図９は、走査線１０において、上層１２と下層１１の膜厚比を変化させた場合の走査線端部におけるテーパ角度の比較を示す断面写真である。走査線端部のテーパが小さいほど、ゲート絶縁膜を介して走査線を乗り越える映像信号線の断線の確率は小さくなる。つまり、上層の庇の量ｗが小さいほど良いのと同時に、テーパ角度は小さいほどよい。
図６は上層１２であるＭｏＣｒの厚さが６０ｎｍ、下層１１であるＡｌＣｕの厚さが１００ｎｍであり、上層／下層の膜厚比が０．６の場合である。図６において、上層１２のＭｏＣｒの庇部は観測できないほど小さくなっている。そして、下層１１から上層１２にかけてのテーパは６３度である。図６に示すように、走査線１０の上に形成されるゲート絶縁膜１０２は走査線１０の端部においても正常に形成されている。したがって、ゲート絶縁膜１０２の上に形成される映像信号線２０の断線も防止することが出来る。
【００４２】
図７は、上層１２であるＭｏＣｒの厚さが１００ｎｍ、下層１１であるＡｌＣｕの厚さが１４０ｎｍであり、上層／下層の膜厚比が０．７１の場合である。図７において、上層１２のＭｏＣｒの庇部は観測できないほど小さくなっている。図７の下層１１における白い曲線は、写真のノイズによるものであり、ＡｌＣｕの端部を表すものではない。図７において、下層１１から上層１２にかけてのテーパは６２度であり、図６の場合よりも若干小さくなっている。図７に示すように、走査線１０の上に形成されるゲート絶縁膜１０２は走査線１０の端部においても正常に形成されている。したがって、ゲート絶縁膜１０２の上に形成される映像信号線２０の断線も防止することが出来る。
【００４３】
図８は、上層１２であるＭｏＣｒの厚さが８０ｎｍ、下層１１であるＡｌＣｕの厚さが１００ｎｍであり、上層／下層の膜厚比が０．８の場合である。図８において、上層１２のＭｏＣｒの庇部は観測できないほど小さくなっている。図８の下層１１における白い曲線は、写真のノイズによるものであり、ＡｌＣｕの端部を表すものではない。図８において、下層１１から上層１２にかけてのテーパは６１度であり、図７の場合よりも若干小さくなっている。図８に示すように、走査線１０の上に形成されるゲート絶縁膜１０２は走査線１０の端部においても正常に形成されている。したがって、ゲート絶縁膜１０２の上に形成される映像信号線２０の断線も防止することが出来る。
【００４４】
図９は、上層１２であるＭｏＣｒの厚さが１００ｎｍ、下層１１であるＡｌＣｕの厚さが１００ｎｍであり、上層／下層の膜厚比が１．０の場合である。図９において、上層１２のＭｏＣｒの庇部は観測できないほど小さくなっている。図９の下層１１における白い曲線は、写真のノイズによるものであり、ＡｌＣｕの端部を表すものではない。図９において、下層１１から上層１２にかけてのテーパは５７度であり、図６〜図８の場合よりも小さくなっている。図９に示すように、走査線１０の上に形成されるゲート絶縁膜１０２は走査線１０の端部においても正常に形成されている。したがって、ゲート絶縁膜１０２の上に形成される映像信号線２０の断線も防止することが出来る。
【００４５】
図６〜図９に示すように、上層／下層の膜厚比が０．６以上であると、上層１２のＭｏＣｒによる庇部の量ｗは非常に小さくなる。また、走査線１０の断面におけるテーパ角度も６３度以下と、良好な範囲内に抑えることが出来る。また、図５から、上層／下層の膜厚比が０．４以上であれば、庇部の量ｗも実用上問題の無い範囲に抑えることが出来る。したがって、上層／下層の膜厚比の範囲は、０．４〜１．０が良好な範囲であり、より好ましくは、０．６〜１．０の範囲である。
【００４６】
以上のように、走査線１０において、ＭｏＣｒを上層１２とし、ＡｌＣｕを下層１１とした場合を例にとって、庇の量ｗおよびテーパに対する上層／下層の割合について説明した。しかし、以上説明した内容は、上層がＭｏを９０％以上含む合金で、下層がＡｌを９０％以上含む合金によって形成されている場合にも同様に成り立つ。また、以上の説明は、ＩＰＳ−ＬＩＴＥ方式の液晶表示装置を例にとって説明したが、本発明は、ＩＰＳ−ＬＩＴＥに限らず、他のＩＰＳ方式の液晶表示装置、あるいはＩＰＳ以外の液晶表示装置で、ボトムゲート方式のＴＦＴを用いる液晶表示装置についても適用することが出来る。尚、本明細書では、走査線をエッチングする際のエッチング液としてリン酸を主成分として硝酸や酢酸を加えた混酸を使用しているが、特に制限されるものではない。また、本発明は、液晶表示装置以外、有機ＥＬからなる表示装置の他、種々の表示装置に適用できる。また、走査線に限らず、本願発明の思想を逸脱しない範囲で、映像信号線等の他の配線や、配線以外であってもトランジスタの電極等への適用も可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１０…走査線、  １１…走査線下層、  １２…走査線上層、２０…映像信号線、１００…ＴＦＴ基板、  １０１…ゲート電極、  １０２…ゲート絶縁膜、  １０３…半導体層、  １０４…ドレイン電極、  １０５…ソース電極、  １０６…画素電極、  １０７…無機パッシベーション膜、  １０８…対向電極、  １５０…庇部、  ２００…レジスト、  ２５０…断線、  １０１１…ゲート電極下層、  １０１２…ゲート電極上層、  １０３１…チャンネル部、  １０３５…半導体層台座、  １０８１…スリット
【図１】
2013080160.tif 000003
【図２】
2013080160.tif 000004
【図３】
2013080160.tif 000005
【図４】
2013080160.tif 000006
【図５】
2013080160.tif 000007
【図６】
2013080160.tif 000008
【図７】
2013080160.tif 000009
【図８】
2013080160.tif 000010
【図９】
2013080160.tif 000011
【図１０】
2013080160.tif 000012
【図１１】
2013080160.tif 000013
【図１２】
2013080160.tif 000014