(57)【要約】      （修正有）【課題】極性反転駆動を行う際、極性反転に伴って、画素電極に導通する保持容量を切り換えることのできる電気光学装置、および電子機器を提供する。【解決手段】電気光学装置において、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間では、第１保持容量８０ａが画素電極９ａに導通状態となるので、第１電極８１、第１誘電体層８６（第１絶縁材料／シリコン酸化膜／ＳｉＯ2）、第２誘電体層８７（第２絶縁材料／シリコン窒化膜／ＳｉＮ）、および第２電極８２に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。これに対して、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間では、第２保持容量８０ｂが画素電極９ａに導通状態となるので、第４電極８４、第４誘電体層８９（第１絶縁材料／シリコン酸化膜／ＳｉＯ2）、第３誘電体層８８（第２絶縁材料／シリコン窒化膜／ＳｉＮ）、および第３電極８３に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。【選択図】図３
2013080104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通電極との間で電気光学物質層を駆動する画素電極、該画素電極の電位を保持する保持容量部、および前記画素電極に対応して設けられた画素トランジスターを備えた画素を有し、前記画素電極の電位が前記共通電極の電位より高い第１期間と前記画素電極の電位が前記共通電極の電位より低い第２期間とが実行される電気光学装置であって、
前記保持容量部は、
第１電極、該第１電極に対向し、当該第１電極の電位より低い電位が印加される第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に第１絶縁材料により形成された第１誘電体層、および前記第１誘電体層と前記第２電極との間に第２絶縁材料により形成された第２誘電体層を備えた第１保持容量と、
第３電極、該第３電極に対向し、当該第３電極の電位より高い電位が印加される第４電極、前記第３電極と前記第４電極との間に前記第２絶縁材料により形成された第３誘電体層、および前記第３誘電体層と前記第４電極との間に前記第１絶縁材料により形成された第４誘電体層を備えた第２保持容量と、
前記第１期間では前記第１保持容量と前記画素電極とを導通状態とする一方、前記第２保持容量と前記画素電極とを非導通状態とし、前記第２期間では前記第１保持容量と前記画素電極とを非導通状態とする一方、前記第２保持容量と前記画素電極とを導通状態とするスイッチング回路と、
を有していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１電極および前記第３電極は各々、前記スイッチング回路を介して前記画素電極に電気的に接続し、
前記第２電極および前記第４電極は各々、前記共通電極と同一の電位が印加されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記スイッチング回路は、前記第１電極と前記画素電極との間に電気的に接続された第１導電型トランジスターと、前記第３電極と前記画素電極との間に電気的に接続され、前記第１導電型トランジスターと導電型が異なる第２導電型トランジスターと、を備え、
前記第１期間と前記第２期間とにおいて電位が異なる制御信号が前記第１導電型トランジスターの制御電極および前記第２導電型トランジスターの制御電極に印加されることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記制御信号は、前記画素トランジスターの画素電極側ソースドレイン電極から印加される信号であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１誘電体層と前記第４誘電体層とは異なる層に位置し、
前記第２誘電体層と前記第３誘電体層とは異なる層に位置することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１誘電体層と前記第４誘電体層とは同一の層に位置し、
前記第２誘電体層と前記第３誘電体層とは同一の層に位置することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１絶縁材料は、シリコン酸化物であり、
前記第２絶縁材料は、シリコン窒化物であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記画素電極、前記保持容量部、および前記画素トランジスターが形成された素子基板と、前記素子基板と対向基板との間に前記電気光学物質層としての液晶層を保持する対向基板と、を有していることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、例えば液晶装置では、共通電極との間で電気光学物質層を駆動する画素電極、および画素電極に対応して設けられた画素トランジスターを備えた画素を有している。また、液晶装置では、画素電極に対して保持容量部を設け、かかる保持容量部によって画素電極の電位を保持することにより、表示画像におけるコントラストの向上やフリッカーの低減が図られている。
【０００３】
一方、保持容量部の容量値を増大させることを目的に、複数の保持容量を並列に接続した構造が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２８４７２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、本願発明者は、複数の保持容量を構成するにあたって、図１１（ａ）に示すように、共通電位Ｖcomが印加される第１電極９９ａの下層側に、画素電極９ａに電気的接続する第２電極９９ｂを設ける一方、第１電極９９ａと第２電極９９ｂとの間に第１誘電体層９９ｅを設け、第１電極９９ａの上層側に、画素電極９ａに電気的接続する第３電極９９ｃを設ける一方、第１電極９９ａと第３電極９９ｃとの間に第２誘電体層９９ｆを設けた構造を検討している。また、第１誘電体層９９ｅについては、第１電極９９ａの側に接するシリコン窒化膜９９ｇと第２電極９９ｂの側に接するシリコン酸化膜９９ｈとの二層構造とし、第２誘電体層９９ｆについては、第１電極９９ａの側に接するシリコン酸化膜９９ｉと第３電極９９ｃの側に接するシリコン窒化膜９９ｊとの二層構造とすることを検討している。
【０００６】
かかる構成によれば、第１電極９９ａと第２電極９９ｂとの間に構成された第１保持容量９９ｓと、第１電極９９ａと第３電極９９ｃとの間に構成された第２保持容量９９ｔとでは、第１電極９９ａからみたときのシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の順序が逆になっているので、画素電極９ａに印加される画像信号の極性を反転させる駆動方式を採用した場合でも、保持容量全体の電気特性が極性によって変化することがないという利点がある。
【０００７】
しかしながら、図１１（ａ）に示す構造では、第１保持容量９９ｓおよび第２保持容量９９ｔのうち、特性が低い方の保持容量によって保持容量部全体の特性が支配されるという問題点ある。より具体的には、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜のうち、シリコン酸化膜の方が高電位になった状態での電圧−電流特性は図１１（ｂ）に線Ｌ１で示す通りであり、耐電圧はＶａである。これに対して、シリコン窒化膜の方が高電位になった状態での電圧−電流特性は図１１（ｂ）に線Ｌ２で示す通りであり、耐電圧がＶｂまで低下してしまう。その結果、保持容量部の耐電圧は、図１１（ｂ）に線Ｌ２で示す特性で規定されてしまうという問題点ある。
【０００８】
それ故、複数の保持容量のうち、電気光学装置の動作に連動して最適な保持容量を選択して利用できれば、耐電圧等の特性を向上することができるが、かかる構成は未だ案出されていない。なお、図１１（ａ）に示す構成は、本願発明に対する参考例であり、従来技術ではない。
【０００９】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、極性反転駆動を行う際、極性反転に伴って、画素電極に導通する保持容量を切り換えることのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、共通電極との間で電気光学物質層を駆動する画素電極、該画素電極の電位を保持する保持容量部、および前記画素電極に対応して設けられた画素トランジスターを備えた画素を有し、前記画素電極の電位が前記共通電極の電位より高い第１期間と前記画素電極の電位が前記共通電極の電位より低い第２期間とが実行される電気光学装置であって、前記保持容量部は、第１電極、該第１電極に対向し、当該第１電極の電位より低い電位が印加される第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に第１絶縁材料により形成された第１誘電体層、および前記第１誘電体層と前記第２電極との間に第２絶縁材料により形成された第２誘電体層を備えた第１保持容量と、第３電極、該第３電極に対向し、当該第３電極の電位より高い電位が印加される第４電極、前記第３電極と前記第４電極との間に前記第２絶縁材料により形成された第３誘電体層、および前記第３誘電体層と前記第４電極との間に前記第１絶縁材料により形成された第４誘電体層を備えた第２保持容量と、前記第１期間では前記第１保持容量と前記画素電極とを導通状態とする一方、前記第２保持容量と前記画素電極とを非導通状態とし、前記第２期間では前記第１保持容量と前記画素電極とを非導通状態とする一方、前記第２保持容量と前記画素電極とを導通状態とするスイッチング回路と、を有していることを特徴とする。
【００１１】
本発明では、画素電極の電位が共通電極の電位より高い第１期間では、第１保持容量が画素電極に導通状態となるので、第１電極、第１誘電体層（第１絶縁材料）、第２誘電体層（第２絶縁材料）、および第２電極に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。これに対して、画素電極の電位が共通電極の電位より低い第２期間では、第２保持容量が画素電極に導通状態となるので、第４電極、第４誘電体層（第１絶縁材料）、第３誘電体層（第２絶縁材料）、および第３電極に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。従って、画素電極の電位が共通電極の電位より高い第１期間、および画素電極の電位が共通電極の電位より低い第２期間のいずれにおいても、第１絶縁材料が位置する方が高電位で、第２絶縁材料が位置する方が低電位となる。それ故、第１期間および第２期間のいずれにおいても、保持容量部では、耐電圧が高い電圧−電流特性が実現されることになる。
【００１２】
本発明において、前記第１電極および前記第３電極は各々、前記スイッチング回路を介して前記画素電極に電気的に接続し、前記第２電極および前記第４電極は各々、前記共通電極と同一の電位が印加される構成を採用することができる。
【００１３】
本発明において、前記スイッチング回路は、前記第１電極と前記画素電極との間に電気的に接続された第１導電型トランジスターと、前記第３電極と前記画素電極との間に電気的に接続され、前記第１導電型トランジスターと導電型が異なる第２導電型トランジスターと、を備え、前記第１期間と前記第２期間とにおいて電位が異なる制御信号が前記第１導電型トランジスターの制御電極および前記第２導電型トランジスターの制御電極に印加される構成を採用することができる。かかる構成によれば、画素トランジスターの製造工程の一部あるいは全部を利用して第１導電型トランジスターおよび第２導電型トランジスターを形成することができ、工程数を削減することができる。
【００１４】
本発明において、前記制御信号は、前記画素トランジスターの画素電極側ソースドレイン電極から印加される信号である構成を採用してもよい。
【００１５】
本発明において、前記第１誘電体層と前記第４誘電体層とは異なる層に位置し、前記第２誘電体層と前記第３誘電体層とは異なる層に位置する構成を採用することができる。
【００１６】
本発明において、前記第１誘電体層と前記第４誘電体層とは同一の層に位置し、前記第２誘電体層と前記第３誘電体層とは同一の層に位置することが好ましい。かかる構成によれば、誘電体層を形成するための工程数を減らすことができる。
【００１７】
本発明において、前記第１絶縁材料は、例えばシリコン酸化物であり、前記第２絶縁材料は、例えばシリコン窒化物である。
【００１８】
本発明において、前記画素電極、前記保持容量部、および前記画素トランジスターが形成された素子基板と、前記素子基板と対向基板との間に前記電気光学物質層としての液晶層を保持する対向基板と、を有している構成を採用でき、この場合、電気光学装置は液晶装置として構成されることになる。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置（液晶装置）に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の保持容量部の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の平面構造を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の断面構造を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１の変形例に係る電気光学装置の画素の断面構造を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の保持容量部の構成を示すブロック図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の画素の断面構造を示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態２の変形例に係る電気光学装置の画素の断面構造を示す説明図である。
【図１０】本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。
【図１１】本発明の参考例に係る電気光学装置の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の実施の形態として、各種の電気光学装置のうち、アクティブマトリクス型の液晶装置に本発明を適用した例を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００２２】
［実施の形態１］
（電気光学装置の構成）
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、本形態の電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有する液晶装置であり、かかる液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースドレイン領域のうち、データ線側ソースドレイン領域にはデータ線６ａが電気的に接続され、画素電極側ソースドレイン領域には画素電極９ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されている。このようにして、電気光学装置１００では、複数の画素１００ａの各々に対応して複数の画素電極９ａおよび複数の画素トランジスター３０が形成されている。
【００２３】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には、図２に示す走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像信号Ｓ１、Ｓ２・・Ｓｎを各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号Ｇ１、Ｇ２・・Ｇｎを各走査線３ａに順次供給する。
【００２４】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層（電気光学物質層）を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量部７０が付加されている。本形態では、保持容量部７０を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線７ａが形成されており、容量線７ａには、共通電位Ｖcomが印加されている。
【００２５】
また、本形態では、図３等を参照して後述するように、保持容量部７０には、第１保持容量８０ａと、第２保持容量８０ｂと、第１保持容量８０ａおよび第２保持容量８０ｂのうちのいずれの保持容量を画素電極９ａと導通させるかを切り換えるスイッチング回路９０とが設けられている。
【００２６】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２７】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１５２によって貼り合わされており、シール材１５２は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１５２は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１５２によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１５２には、液晶注入口１５２ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１５２ｃは、液晶材料の注入後、封止材１５８によって封止されている。
【００２８】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１５２も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２９】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子電極１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００３０】
図３等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００３１】
また、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１５２とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００３２】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００３３】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２２が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、額縁部分２９ａの内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１５２の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１５２とは重なっていない。
【００３４】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１５２より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１０６が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極２５は、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線に導通している。基板間導通用電極１０６と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１０６、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１５２は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１５２は、略四角形である。但し、シール材１５２は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極２５、１０６を避けて内側を通るように設けられている。
【００３５】
なお、素子基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置１００の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００３６】
かかる構成の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。かかる透過型の電気光学装置１００の場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本形態では、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。これに対して、共通電極２１をＩＴＯやＩＺＯ等の透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。電気光学装置１００が反射型である場合、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３７】
その際、液晶層５０では、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置１００からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。なお、階調表示を行うにあたっては、画像信号Ｓ１、Ｓ２・・Ｓｎとしてデジタル信号を用い、画素１００ａの選択期間中におけるパルスの数やパルスのデューティ比によって画像信号に応じたコントラストをもつ光を出射させてもよい。
【００３８】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることできる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３９】
本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置である場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００４０】
（保持容量部の構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の保持容量部７０の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、保持容量部７０の構成を示すブロック図および制御信号の説明図である。
【００４１】
図３（ａ）において、本形態の電気光学装置１００においては、画素電極９ａを駆動するにあたって、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間と、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間とが実行される。本形態においては、共通電極２１の電位を基準としたときの画素電極９ａの極性が１フレーム毎に反転する。例えば、共通電極２１の電位は＋７Ｖで一定であるのに対して、画素電極９ａの電位は＋１２Ｖ（第１期間）と＋２Ｖ（第２期間）とに切り換わり、共通電位Ｖcomからみたときの極性が判定する。
【００４２】
また、本形態では、保持容量部７０には、２つの保持容量（第１保持容量８０ａおよび第２保持容量８０ｂ）が設けられているとともに、画素電極９ａにおける極性の反転に連動して２つの保持容量（第１保持容量８０ａおよび第２保持容量８０ｂ）のうち、いずれの保持容量を画素電極９ａと導通させるかを切り換えるスイッチング回路９０が設けられている。ここで、第１保持容量８０ａおよび第２保持容量８０ｂは、同一の静電容量を有している。
【００４３】
かかる保持容量部７０において、第１保持容量８０ａは、第１電極８１と、第１電極８１に対向する第２電極８２と、第１電極８１と第２電極８２との間に第１絶縁材料により形成された第１誘電体層８６と、第１誘電体層８６と第２電極８２との間に第２絶縁材料により形成された第２誘電体層８７とを備えている。すなわち、第１保持容量８０ａでは、第１電極８１、第１誘電体層８６、第２誘電体層８７、および第２電極８２がこの順に重なっている。また、第１保持容量８０ａにおいて、第１電極８１は、スイッチング回路９０を介して画素電極９ａに電気的に接続し、第２電極８２は容量線７ａに導通している。
【００４４】
第２保持容量８０ｂは、第３電極８３と、第３電極８３に対向する第４電極８４と、第３電極８３と第４電極８４との間に第２絶縁材料により形成された第３誘電体層８８と、第３誘電体層８８と第４電極８４との間に第１絶縁材料により形成された第４誘電体層８９とを備えている。すなわち、第２保持容量８０ｂでは、第３電極８３、第３誘電体層８８、第４誘電体層８９、および第４電極８４がこの順に重なっている。また、第２保持容量８０ｂにおいて、第３電極８３は、スイッチング回路９０を介して画素電極９ａに電気的に接続し、第４電極８４は容量線７ａに導通している。
【００４５】
本形態において、第１保持容量８０ａの第１誘電体層８６および第２保持容量８０ｂの第４誘電体層８９を構成する第１絶縁材料はシリコン酸化物であり、第１保持容量８０ａの第２誘電体層８７および第２保持容量８０ｂの第３誘電体層８８を構成する第２絶縁材料はシリコン窒化物である。
【００４６】
また、保持容量部７０において、スイッチング回路９０は、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間では、第１保持容量８０ａと画素電極９ａとを導通状態とする一方、第２保持容量８０ｂと画素電極９ａとを非導通状態とする。従って、第２電極８２は、第１電極８１の電位より低い電位が印加されることになる。
【００４７】
これに対して、スイッチング回路９０は、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間では、第１保持容量８０ａと画素電極９ａとを非導通状態とする一方、第２保持容量８０ｂと画素電極９ａとを導通状態とする。従って、第４電極８４は、第３電極８３の電位より高い電位が印加されることになる。
【００４８】
このような構成の保持容量部７０を構成するにあたって、スイッチング回路９０は、第１電極８１と画素電極９ａとの間に電気的に接続された第１導電型トランジスター９１ｎと、第３電極８３と画素電極９ａとの間に電気的に接続された第２導電型トランジスター９１ｐとを有している。第１導電型トランジスター９１ｎと第２導電型トランジスター９１ｐとは導電型が相違している。より具体的には、本形態において、第１導電型トランジスター９１ｎはｎ型の電界効果型トランジスターであり、ソースが第１電極８１に導通し、ドレインは画素電極９ａに導通している。また、第２導電型トランジスター９１ｐはｐ型の電界効果型トランジスターであり、ソースが第３電極８３に導通し、ドレインは画素電極９ａに導通している。
【００４９】
ここで、第１導電型トランジスター９１ｎのゲート（制御電極）および第２導電型トランジスター９１ｐのゲート（制御電極）には、図３（ｂ）に示すように、第１期間と第２期間とにおいて極性が反転する制御信号Ｖinが印加される。より具体的には、第１導電型トランジスター９１ｎのゲートおよび第２導電型トランジスター９１ｐのゲートは制御信号線３ｓに導通しており、制御信号線３ｓから制御信号Ｖinが供給される。ここで、制御信号Ｖinは、第１期間では極性が＋であり、第２期間では極性が−である。
【００５０】
このため、第１期間では第１導電型トランジスター９１ｎがオン状態となり、第２導電型トランジスター９１ｐがオフ状態となる。従って、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間では、第１保持容量８０ａは画素電極９ａに導通状態となる一方、第２保持容量８０ｂは画素電極９ａに非導通状態となる。それ故、第１期間において、第１保持容量８０ａでは、矢印Ｉａで示すように、第１電極８１、第１誘電体層８６（第１絶縁材料／シリコン酸化膜／ＳｉＯ2）、第２誘電体層８７（第２絶縁材料／シリコン窒化膜／ＳｉＮ）、および第２電極８２に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。
【００５１】
これに対して、第２期間では第１導電型トランジスター９１ｎがオフ状態となり、第２導電型トランジスター９１ｐがオン状態となる。従って、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間では、第１保持容量８０ａは画素電極９ａに非導通状態となる一方、第２保持容量８０ｂは画素電極９ａに導通状態となる。それ故、第２期間において、第２保持容量８０ｂでは、矢印Ｉｂで示すように、第４電極８４、第４誘電体層８９（第１絶縁材料／シリコン酸化膜／ＳｉＯ2）、第３誘電体層８８（第２絶縁材料／シリコン窒化膜／ＳｉＮ）、および第３電極８３に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。
【００５２】
すなわち、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間、および画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間のいずれにおいても、第１絶縁材料（シリコン酸化膜／ＳｉＯ2）が位置する方が高電位で、第２絶縁材料（シリコン窒化膜／ＳｉＮ）が位置する方が低電位となる。それ故、第１期間および第２期間のいずれにおいても、保持容量部７０では、図１１（ｂ）に示す電流−電圧特性のうち、耐電圧が高い電圧−電流特性が実現されることになる。
【００５３】
（画素の具体的構成例）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１００ａの平面構造を示す説明図であり、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１００ａの断面構造を示す説明図であり、図４のＦ−Ｆ′線に沿って素子基板を切断したときの断面図である。なお、図４（ａ）では、各層を以下の線
下層側の遮光層１１ａ＝細い実線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａおよび制御信号線３ｓ＝太い実線
ドレイン電極４ａおよび第１電極８１＝二点鎖線
第２電極８２および第３電極８３＝細くて長い破線
第４電極８４＝細い一点鎖線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ、６ｃ、６ｄ＝太い一点鎖線
容量線７ａおよび中継電極７ｂ＝細い実線
画素電極９ａ＝太くて長い破線
で示してある。また、図４では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。また、図４では、遮光層１１ａは概ね、容量線７ａと重なっているので、図示を省略してある。
【００５４】
図４に示すように、素子基板１０の一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域等を利用して形成されている。素子基板１０には容量線７ａが形成されており、かかる容量線７ａには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線７ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。また、本形態では、走査線３ａに平行して制御信号線３ｓが延在している。
【００５５】
図５に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面側（一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、配向膜１６および保持容量部７０を主体として構成されている。
【００５６】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等からなる遮光層１１ａが形成されており、遮光層１１ａは、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射することを防止する。なお、遮光層１１ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層１１ａを導通させた構成とする。
【００５７】
遮光層１１ａの上層側には、透光性の絶縁膜４０が形成されており、かかる絶縁膜４０の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜４０は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。
【００５８】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｄを備えているとともに、チャネル領域１ｄの両側にデータ線側ソースドレイン領域１ｂおよび画素電極側ソースドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、データ線側ソースドレイン領域１ｂおよび画素電極側ソースドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｄの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｄとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。本形態において、画素トランジスター３０はｎ型（第１導電型）の電界効果型トランジスターであり、データ線側ソースドレイン領域１ｂおよび画素電極側ソースドレイン領域１ｃにはｎ型の不純物が導入されている。
【００５９】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、例えば、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層と、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層との２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。
【００６０】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｃと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介して画素電極側ソースドレイン領域１ｃに導通している。
【００６１】
ドレイン電極４ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してデータ線側ソースドレイン領域１ｂに導通し、中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００６２】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４３が形成されており、かかる層間絶縁膜４３の上層側には、容量線７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。容量線７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ａを介して中継電極６ｂに導通している。容量線７ａは、データ線６ａや走査線３ａと重なるように延在しており、遮光層としても機能している。
【００６３】
容量線７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４４には、層間絶縁膜４４を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４４ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４４ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介して画素電極側ソースドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００６４】
画素電極９ａの上層側にはポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
【００６５】
図２（ｂ）に示すように、対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１、および配向膜２２を主体として構成されている。本形態において、配向膜２２は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
【００６６】
（保持容量部７０の構成）
再び図４および図５において、素子基板１０の一方面１０ｓ側には、図３を参照して説明した保持容量部７０が構成されている。保持容量部７０は、画素トランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｃから延在した半導体層１ｆ、１ｇを備えており、かかる半導体層１ｆ、１ｇを利用して、図３を参照して説明した第１導電型トランジスター９１ｎおよび第２導電型トランジスター９１ｐが構成されている。ここで、第１導電型トランジスター９１ｎおよび第２導電型トランジスター９１ｐは、画素トランジスター３０の製造工程の一部または全体を利用して形成されており、画素トランジスター３０と略同様な構造を有している。より具体的には、半導体層１ｆ、１ｇの上層側にはゲート絶縁層２が形成され、かかるゲート絶縁層２の上層側には、走査線３ａと同時形成された制御信号線３ｓの一部が制御電極（ゲート電極）として形成されている。本形態において、制御信号線３ｓは、走査線３ａと同時形成された導電膜からなり、走査線３ａと同一の層に形成されている。また、第１導電型トランジスター９１ｎおよび第２導電型トランジスター９１ｐは各々、チャネル領域１ｓ、１ｔの両側にソース領域１ｉ、１ｊおよびドレイン領域１ｈ、１ｋを備えている。また、第１導電型トランジスター９１ｎおよび第２導電型トランジスター９１ｐは、画素トランジスター３０と同様、ＬＤＤ構造を有している。ここで、第１導電型トランジスター９１ｎはｎ型であり、ソース領域１ｉおよびドレイン領域１ｈはｎ型の不純物が導入された領域である。第２導電型トランジスター９１ｐはｐ型であり、ソース領域１ｊおよびドレイン領域１ｋはｐ型の不純物が導入された領域である。
【００６７】
第１導電型トランジスター９１ｎおよび第２導電型トランジスター９１ｐにおいて、第１導電型トランジスター９１ｎのドレイン領域１ｈおよび第２導電型トランジスター９１ｐのドレイン領域１ｋは、画素トランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｃに導通し、その結果、画素電極９ａに導通している。かかる構造を実現するにあたって、本形態では、画素電極側ソースドレイン領域１ｃから延在した半導体層１ｆのうち、画素電極側ソースドレイン領域１ｃから連続する領域にｎ型の不純物を導入することにより、ドレイン領域１ｈが形成されている。また、画素電極側ソースドレイン領域１ｃから延在した半導体層１ｇのうち、ドレイン領域１ｈから連続する領域にｐ型の不純物を導入することにより、ドレイン領域１ｋが形成されている。かかる構造の場合、ドレイン領域１ｈとドレイン領域１ｋの間にはｐｎ接合が形成されるが、本形態では、ｐｎ接合には順方向の電流が流れるため、ｐｎ接合が障壁として作用することはない。なお、ドレイン領域１ｈおよびドレイン領域１ｋを画素電極側ソースドレイン領域１ｃおよび画素電極９ａに導通させるにあたっては、例えば、ドレイン電極４ａをドレイン領域１ｈおよびドレイン領域１ｋに導通させる構造を採用してもよい。
【００６８】
また、保持容量部７０では、層間絶縁膜４１の上層に、ドレイン電極４ａと同時形成された電極４ｂ、４ｃが形成されており、かかる電極４ｂ、４ｃの上層には、シリコン酸化膜からなる第１誘電体層８６、およびシリコン窒化膜からなる第２誘電体層８７がこの順に積層されている。また、第２誘電体層８７の上層には電極５ａ、５ｂが形成されている。さらに、電極５ｂの上層には、シリコン窒化膜からなる第３誘電体層８８、およびシリコン酸化膜からなる第４誘電体層８９がこの順に積層され、第４誘電体層８９の上層には電極８ａが形成されている。このように本形態では、第１誘電体層８６と第４誘電体層８９とは、いずれも同一の膜厚を有するシリコン酸化物（第１絶縁材料）から形成されているが、異なる層に設けられている。また、第２誘電体層８７と第３誘電体層８８とは、いずれも同一の膜厚を有するシリコン窒化物（第２絶縁材料）から形成されているが、異なる層に設けられている。ここで、電極５ａ、５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。また、電極８ａも、電極５ａ、５ｂと同様、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。
【００６９】
さらに、電極５ａおよび電極８ａの上層には層間絶縁膜４２が形成されており、層間絶縁膜４２の上層には、データ線６ａおよび中継電極７ｂと同時形成された中継電極６ｃ、６ｄが形成されている。そして、容量線７ａは、層間絶縁膜４３に形成されたコンタクトホール４３ｂ、４３ｃを介して中継電極６ｃ、６ｄに導通している。
【００７０】
ここで、第１導電型トランジスター９１ｎの上層側では、電極４ｂが層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ｂを介して第１導電型トランジスター９１ｎのソース領域１ｉに導通し、図３を参照して説明した第１電極８１を構成している。また、中継電極６ｃは、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４２ｃを介して電極５ａに導通している。その結果、電極５ａは、中継電極６ｃを介して容量線７ａに導通し、図３を参照して説明した第２電極８２を構成している。このようにして、下層側から上層側に向かって、電極４ｂ（第１電極８１）、第１誘電体層８６、第２誘電体層８７、および電極５ａ（第２電極８２）がこの順に重なって第１保持容量８０ａが構成されている。
【００７１】
また、第２導電型トランジスター９１ｐの上層側では、第１誘電体層８６および第２誘電体層８７を貫通するコンタクトホール８０ｆを介して電極４ｃと電極５ｂとが導通しており、電極４ｃは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ｃを介して第２導電型トランジスター９１ｐのソース領域１ｊに導通している。従って、電極５ｂは、電極４ｃを介して第２導電型トランジスター９１ｐのソース領域１ｊに導通し、図３を参照して説明した第３電極８３を構成している。また、中継電極６ｄは、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４２ｄを介して電極８ａに導通している。その結果、電極８ａは、中継電極６ｄを介して容量線７ａに導通し、図３を参照して説明した第４電極８４を構成している。このようにして、下層側から上層側に向かって、電極５ｂ（第３電極８３）、第３誘電体層８８、第４誘電体層８９、および電極８ａ（第４電極８４）がこの順に重なって第２保持容量８０ｂが構成されている。
【００７２】
かかる形態によれば、画素トランジスター３０の製造工程の一部あるいは全部を利用して第１導電型トランジスター９１ｎおよび第２導電型トランジスター９１ｐを形成することができ、工程数を削減することができる。
【００７３】
なお、本形態では、中継電極６ｃ、６ｄを別々に設けたが、一体の電極であってもよい。また、第１保持容量８０ａおよび第２保持容量８０ｂを構成するにあたって、第１電極８１と第２電極８２との間や、第３電極８３と第４電極８４との間にエッチングストッパー層を設ける等、図３（ａ）に示す構成を実現できれば、電極等のレイアウト等を種々変更してもよい。
【００７４】
［実施の形態１の変形例］
図６は、本発明の実施の形態１の変形例に係る電気光学装置１００の画素１００ａの断面構造を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００７５】
実施の形態１では、第１誘電体層８６と第４誘電体層８９とが異なる層に設けられ、第２誘電体層８７と第３誘電体層８８とは異なる層に設けられていた。これに対して、本形態では、図６に示すように、第１誘電体層８６と第４誘電体層８９とは同一の層に設けられた第１絶縁材料（シリコン酸化物）により形成され、第２誘電体層８７と第３誘電体層８８とは、同一の層に設けられた第２絶縁材料（シリコン窒化物）により形成されている。
【００７６】
より具体的には、保持容量部７０では、層間絶縁膜４１の上層に、ドレイン電極４ａと同時形成された電極４ｂ、４ｄ、４ｅが形成されており、電極４ｂの上層には、シリコン酸化膜からなる第１誘電体層８６、およびシリコン窒化膜からなる第２誘電体層８７がこの順に積層されている。また、電極４ｄ、４ｅの上層には、第１誘電体層８６と同時形成されたシリコン酸化膜からなる第４誘電体層８９、および第２誘電体層８７と同時形成されたシリコン窒化膜からなる第３誘電体層８８がこの順に積層されている。また、第２誘電体層８７の上層には電極５ａが形成され、第３誘電体層８８の上層には、電極５ａと同時形成された電極５ｂが形成されている。
【００７７】
さらに、電極５ａ、５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、層間絶縁膜４２の上層には、データ線６ａおよび中継電極７ｂと同時形成された中継電極６ｃ、６ｄが形成されている。そして、容量線７ａは、層間絶縁膜４３に形成されたコンタクトホール４３ｂ、４３ｃを介して中継電極６ｃ、６ｄに導通している。
【００７８】
ここで、第１導電型トランジスター９１ｎの上層側では、電極４ｂが層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ｂを介して第１導電型トランジスター９１ｎのソース領域１ｉに導通し、図３を参照して説明した第１電極８１を構成している。また、中継電極６ｃは、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４２ｃを介して電極５ａに導通している。その結果、電極５ａは、中継電極６ｃを介して容量線７ａに導通し、図３を参照して説明した第２電極８２を構成している。このようにして、下層側から上層側に向かって、電極４ｂ（第１電極８１）、第１誘電体層８６、第２誘電体層８７、および電極５ａ（第２電極８２）がこの順に重なって第１保持容量８０ａが構成されている。
【００７９】
また、第２導電型トランジスター９１ｐの上層側では、第１誘電体層８６および第２誘電体層８７を貫通するコンタクトホール８０ｆを介して電極４ｄと電極５ｂとが導通しており、電極４ｄは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ｃを介して第２導電型トランジスター９１ｐのソース領域１ｊに導通している。従って、電極５ｂは、電極４ｃを介して第２導電型トランジスター９１ｐのソース領域１ｊに導通し、図３を参照して説明した第３電極８３を構成している。また、中継電極６ｄは、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４２ｄを介して電極４ｅに導通している。その結果、電極４ｅは、中継電極６ｄを介して容量線７ａに導通し、図３を参照して説明した第４電極８４を構成している。このようにして、上層側から下層側に向かって、電極５ｂ（第３電極８３）、第３誘電体層８８、第４誘電体層８９、および電極４ｅ（第４電極８４）がこの順に重なって第２保持容量８０ｂが構成されている。
【００８０】
かかる形態によれば、第１誘電体層８６と第４誘電体層８９とは、同一の層に形成されたシリコン酸化物（第１絶縁材料）によって同時形成され、第２誘電体層８７と第３誘電体層８８とは、同一の層に形成されたシリコン窒化物（第２絶縁材料）によって同時形成される。それ故、成膜工程の数を減らすことができ、また、第１保持容量８０ａと第２保持容量８０ｂとは、各層の位置等も同一であるため、電気的特性を同等とすることができる。
【００８１】
［実施の形態２］
（容量保持部７０の構成）
図７は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の保持容量部７０の構成を示すブロック図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００８２】
図７において、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、画素電極９ａを駆動するにあたって、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間と、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間とが実行される。本形態においては、共通電極２１の電位を基準としたときの画素電極９ａの極性が１フレーム毎に反転する。例えば、共通電極２１の電位は±０Ｖで一定であるのに対して、画素電極９ａの電位は＋５Ｖ（第１期間）と−５Ｖ（第２期間）とに切り換わり、共通電位Ｖcomからみたときの極性が判定する。また、本形態でも、実施の形態１と同様、保持容量部７０には、２つの保持容量（第１保持容量８０ａおよび第２保持容量８０ｂ）が設けられているとともに、画素電極９ａにおける極性の反転に連動して２つの保持容量（第１保持容量８０ａおよび第２保持容量８０ｂ）のうち、いずれの保持容量を画素電極９ａと導通させるかを切り換えるスイッチング回路９０が設けられている。ここで、第１保持容量８０ａおよび第２保持容量８０ｂは、同一の静電容量を有している。
【００８３】
本形態でも、実施の形態１と同様、第１保持容量８０ａは、第１電極８１と、第１電極８１に対向する第２電極８２と、第１電極８１と第２電極８２との間に第１絶縁材料により形成された第１誘電体層８６と、第１誘電体層８６と第２電極８２との間に第２絶縁材料により形成された第２誘電体層８７とを備えている。かかる第１保持容量８０ａにおいて、第１電極８１は、スイッチング回路９０を介して画素電極９ａに電気的に接続し、第２電極８２は容量線７ａに導通している。
【００８４】
第２保持容量８０ｂは、第３電極８３と、第３電極８３に対向する第４電極８４と、第３電極８３と第４電極８４との間に第２絶縁材料により形成された第３誘電体層８８と、第３誘電体層８８と第４電極８４との間に第１絶縁材料により形成された第４誘電体層８９とを備えている。かかる第２保持容量８０ｂにおいて、第３電極８３は、スイッチング回路９０を介して画素電極９ａに電気的に接続し、第４電極８４は容量線７ａに導通している。
【００８５】
本形態において、第１保持容量８０ａの第１誘電体層８６および第２保持容量８０ｂの第４誘電体層８９を構成する第１絶縁材料はシリコン酸化物であり、第１保持容量８０ａの第２誘電体層８７および第２保持容量８０ｂの第３誘電体層８８を構成する第２絶縁材料はシリコン窒化物である。
【００８６】
また、保持容量部７０において、スイッチング回路９０は、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間では、第１保持容量８０ａと画素電極９ａとを導通状態とする一方、第２保持容量８０ｂと画素電極９ａとを非導通状態とする。従って、第２電極８２は、第１電極８１の電位より低い電位が印加されることになる。これに対して、スイッチング回路９０は、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間では、第１保持容量８０ａと画素電極９ａとを非導通状態とする一方、第２保持容量８０ｂと画素電極９ａとを導通状態とする。従って、第４電極８４は、第３電極８３の電位より高い電位が印加されることになる。
【００８７】
このような構成の保持容量部７０を構成するにあたって、スイッチング回路９０は、ｎ型の第１導電型トランジスター９１ｎと、ｐ型の第２導電型トランジスター９１ｐとを有している。第１導電型トランジスター９１ｎにおいて、ソースは第１電極８１に導通し、ドレインは画素電極９ａおよび画素トランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｃに導通している。第２導電型トランジスター９１ｐにおいて、ソースは第３電極８３に導通し、ドレインは画素電極９ａおよび画素トランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｃに導通している。
【００８８】
ここで、第１導電型トランジスター９１ｎのゲート（制御電極）および第２導電型トランジスター９１ｐのゲート（制御電極）には、制御信号線３ｓが接続されており、制御信号線３ｓは、画素電極９ａおよび画素トランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｃに導通している。このため、第１導電型トランジスター９１ｎではゲートがドレインに導通し、第２導電型トランジスター９１ｐではゲートがドレインに導通している。従って、第１導電型トランジスター９１ｎおよび第２導電型トランジスター９１ｐはダイオードとして機能する。
【００８９】
より具体的には、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間では、第１導電型トランジスター９１ｎがオン状態となり、第２導電型トランジスター９１ｐがオフ状態となる。その結果、第１保持容量８０ａは画素電極９ａに導通状態となる一方、第２保持容量８０ｂは画素電極９ａに非導通状態となる。それ故、第１期間において、第１保持容量８０ａでは、矢印Ｉａで示すように、第１電極８１、第１誘電体層８６（第１絶縁材料／シリコン酸化膜／ＳｉＯ2）、第２誘電体層８７（シリコン窒化膜／ＳｉＮ）、および第２電極８２に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。
【００９０】
これに対して、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間では、第１導電型トランジスター９１ｎがオフ状態となり、第２導電型トランジスター９１ｐがオン状態となる。その結果、第１保持容量８０ａは画素電極９ａに非導通状態となる一方、第２保持容量８０ｂは画素電極９ａに導通状態となる。それ故、第２期間において、第２保持容量８０ｂでは、矢印Ｉｂで示すように、第４電極８４、第４誘電体層８９（第１絶縁材料／シリコン酸化膜／ＳｉＯ2）、第３誘電体層８８（第２絶縁材料／シリコン窒化膜／ＳｉＮ）、および第３電極８３に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。
【００９１】
すなわち、実施の形態１と同様、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間、および画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間のいずれにおいても、第１絶縁材料（シリコン酸化膜／ＳｉＯ2）が位置する方が高電位で、第２絶縁材料（シリコン窒化膜／ＳｉＮ）が位置する方が低電位となる。それ故、第１期間および第２期間のいずれにおいても、保持容量部７０では、図１１（ｂ）に示す電流−電圧特性のうち、耐電圧が高い電圧−電流特性が実現されることになる。
【００９２】
（画素の具体的構成例）
図８は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の画素１００ａの断面構造を示す説明図である。なお、以下に説明する断面の基本構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００９３】
図８に示すように、本形態でも実施の形態１において図５を参照して説明した構成と同様、第１導電型トランジスター９１ｎの上層側では、電極４ｂ（第１電極８１）、第１誘電体層８６、第２誘電体層８７、および電極５ａ（第２電極８２）がこの順に重なって第１保持容量８０ａが構成されている。また、第２導電型トランジスター９１ｐの上層側では、下層側から上層側に向かって、電極５ｂ（第３電極８３）、第３誘電体層８８、第４誘電体層８９、および電極８ａ（第４電極８４）がこの順に重なって第２保持容量８０ｂが構成されている。
【００９４】
また、制御信号線３ｓは、画素トランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域に導通しているとともに、その一部によって第１導電型トランジスター９１ｎのゲート電極および第２導電型トランジスター９１ｐのゲート電極が構成されている。
【００９５】
［実施の形態２の変形例］
図９は、本発明の実施の形態２の変形例に係る電気光学装置１００の画素１００ａの断面構造を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００９６】
図９に示すように、本形態でも実施の形態１の変形例において図６を参照して説明した構成と同様、第１導電型トランジスター９１ｎの上層側では、下層側から上層側に向かって、電極４ｂ（第１電極８１）、第１誘電体層８６、第２誘電体層８７、および電極５ａ（第２電極８２）がこの順に重なって第１保持容量８０ａが構成されている。また、第２導電型トランジスター９１ｐの上層側では、上層側から下層側に向かって、電極５ｂ（第３電極８３）、第３誘電体層８８、第４誘電体層８９、および電極４ｅ（第４電極８４）がこの順に重なって第２保持容量８０ｂが構成されている。
【００９７】
また、制御信号線３ｓは、画素トランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域に導通しているとともに、その一部によって第１導電型トランジスター９１ｎのゲート電極および第２導電型トランジスター９１ｐのゲート電極が構成されている。
【００９８】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、電気光学装置として、透過型の液晶装置を例示したが、反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。
【００９９】
［他の電気光学装置］
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（Field Emission Display）、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【０１００】
［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図１０は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図であり、図１０（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図である。
【０１０１】
図１０（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、液晶パネルとして透過型の液晶パネルを用いた例であるのに対して、図１０（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、液晶パネルとして反射型の液晶パネルを用いた例である。但し、以下に説明するように、投射型表示装置１１０、１０００はいずれも、光源部１３０、１０２１と、光源部１３０、１０２１から互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）と、光合成光学系により合成された光を投射する投射光学系１１８、１０２９とを有している。また、投射型表示装置１１０、１０００においては、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）を備えた光学ユニット２００が用いられている。
【０１０２】
（投射型表示装置の第１例）
図１０（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えている。
【０１０３】
光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。
【０１０４】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【０１０５】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【０１０６】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【０１０７】
なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【０１０８】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【０１０９】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【０１１０】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【０１１１】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【０１１２】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【０１１３】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【０１１４】
（投射型表示装置の第２例）
図１０（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。
【０１１５】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【０１１６】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。
【０１１７】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。
【０１１８】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【０１１９】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。
【０１２０】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１２１】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１２２】
３ｓ・・制御信号線、７ａ・・容量線、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、３０・・画素トランジスター、５０・・液晶層（電気光学物質層）、７０・・保持容量部、８０ａ・・第１保持容量、８０ｂ・・第２保持容量、８１・・第１電極、８２・・第２電極、８３・・第３電極、８４・・第４電極、８６・・第１誘電体層、８７・・第２誘電体層、８８・・第３誘電体層、８９・・第４誘電体層、９０・・スイッチング回路、９１ｎ・・第１導電型トランジスター、９１ｐ・・第２導電型トランジスター、１００・・電気光学装置
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図３】
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【図７】
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