(57)【要約】【課題】  重ね合わせ精度の点で有利な描画装置を提供する。【解決手段】  描画装置は、複数の荷電粒子線を基板に対して射出する荷電粒子光学系と、前記荷電粒子光学系の動作を制御する制御部と、を備える。前記制御部は、前記荷電粒子光学系の軸に対する各荷電粒子線の傾斜のデータと前記基板の表面の起伏のデータとにより決まる前記パターンの歪みを補償するように前記動作を制御する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線で基板にパターンを描画する描画装置であって、
前記複数の荷電粒子線を前記基板に対して射出する荷電粒子光学系と、
前記荷電粒子光学系の動作を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記荷電粒子光学系の軸に対する各荷電粒子線の傾斜のデータと前記基板の表面の起伏のデータとにより決まる前記パターンの歪みを補償するように前記動作を制御する、
ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記歪みは、前記基板に既に形成されているパターンに対する歪みである、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記荷電粒子光学系の軸に対する各荷電粒子線の傾斜のデータと前記基板の表面の起伏のデータとにより決まる前記表面上の各荷電粒子線の位置に基づいて、前記荷電粒子光学系に与える描画データを変更する、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記荷電粒子光学系は、前記複数の荷電粒子線をそれぞれ偏向して前記基板上で走査する複数の偏向器を含み、
前記制御部は、前記荷電粒子光学系の軸に対する各荷電粒子線の傾斜のデータと前記基板の表面の起伏のデータとにより決まる前記表面上の各荷電粒子線の位置に基づいて、前記複数の偏向器に対する指令を変更する、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の描画装置。
【請求項５】
前記起伏を計測する計測器を備える、ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の荷電粒子線を用いる描画装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体プロセスのｎ番目のレイヤー(ｎは自然数)のデバイスパターンに対して、（ｎ＋１）番目のレイヤーのデバイスパターンを電子線により描画する場合、ｎ番目のレイヤーと（ｎ＋１）番目のレイヤーとのデバイスパターンの位置合わせが描画前に行われる。この位置合わせ（重ね合せ）のために、アライメント計測が行われる。アライメント計測では、ウエハ上に既に描画されている複数のアライメントマークの位置を、オフアクシスのアライメントスコープ等を用いて計測し、その計測値に基づいて、ウエハ上に描画されている全ショット（または一部のショット）の位置を求める。このようにして、ｎ番目のレイヤーが形成されたウエハ上の各ショットの位置を求めた上で、各ショットを電子線による描画位置に移動させて、ｎ番目のレイヤーで描画したパターンに対して（ｎ＋１）番目のレイヤーのデバイスパターンを重ねて描画する。
【０００３】
鉛直方向においてウエハ表面の位置が目標位置からずれても水平方向においてウエハ表面上の電子線の位置が目標位置からずれないためには、ウエハに対して垂直に電子線が入射するのが望ましい。この垂直性のことを、（像側）テレセントリック光学系にちなんで、テレセン性とも呼び、また、垂直性の度合いのことをテレセン度とも呼ぶこととする。
【０００４】
複数の電子線を用いる描画装置においては、各電子線のテレセン度が低いと、重ね合わせ精度が低下しうる。特許文献１では、テレセン度が低いために描画されるバターンが歪む問題点を挙げ、その解決策としてずれ分を計測し、それを補正する描画システムを提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１０９２３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に示されるように、テレセン性を考慮した方法の提案はあるものの、ウエハを描画する場合にウエハの平坦度（平面度）を考慮した記載の提案はこれまで存在していない。本出願の発明者は、調査したところ、ウエハの実際の平坦度が１μｍ程度であることが判った。この平坦度（１μｍとする）とテレセン度（ここでは１ｍＲａｄとする）との積は１ｎｍとなり、よって、ウエハ上で１ｎｍ程度電子線がずれうることになる。描画装置に要求される重ね合わせ精度は、例えば最小線幅の１／４程度が必要とされる（例えば、線幅が２０ｎｍなら５ｎｍ程度）。このとき、上述した平坦度（によるデフォーカス量）とテレセン度との積の数値例１ｎｍは、無視できない量といえる。
【０００７】
ウエハの平坦性は、焦点深度が浅い液浸露光装置などの場合では、ＣＭＰプロセス等でウエハを平坦化することで、ショット内での平坦度を１μｍ以下の値としている。しかしながら、ウエハの平坦度を改善するには半導体製造のトータルコストが増大する。
【０００８】
一方、複数の電子線を用いる描画装置において、各電子線のテレセン度の規格を厳しくする、例えば０．５ｍＲａｄ以下にすることは、可能だとしても、描画装置の部品コストまたは調整コストの増大につながる。その結果、やはり半導体製造のトータルコストを増大させてしまう。
【０００９】
本発明は、例えば、重ね合わせ精度の点で有利な描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、複数の荷電粒子線で基板にパターンを描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線を前記基板に対して射出する荷電粒子光学系と、前記荷電粒子光学系の動作を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記荷電粒子光学系の軸に対する各荷電粒子線の傾斜のデータと前記基板の表面の起伏のデータとにより決まる前記パターンの歪みを補償するように前記動作を制御する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば、重ね合わせ精度の点で有利な描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態における描画方法を示すフロー図。
【図２】描画装置を示す図。
【図３】ベースラインの計測を説明する図。
【図４】電子線の偏向動作を説明する図。
【図５】電子線のテレセン度のマップを示す図。
【図６】ウエハの平坦度の情報を示す図。
【図７】ウエハ面上で発生する位置ずれ量を示す図。
【図８】テレセン度とウエハの平坦度と位置ずれ量との関係を示す図。
【図９】描画データの補正ステップを示すフロー図。
【図１０】データグリッドとビームグリッドとの関係を示す図。
【図１１】ビームグリッド上のデータとデータグリッド上の描画範囲との関係を示す図。
【図１２】描画データを補正した結果の一例を示す図。
【図１３】第４実施形態の描画方法を示すフロー図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
〔第１実施形態〕
本発明は、複数の荷電粒子線で基板にパターンを描画する描画装置に適用可能であるが、複数の電子線を用いる描画装置に適用した例について説明する。図２は、複数の電子線を用いる描画装置の構成を示す概略図である。図２において、電子源１から放射される電子線は、電子線のビーム形状を整形する光学系２を介して、電子源１の像３を形成する。像３からの電子線は、コリメータレンズ４によって略平行の電子線とされる。略平行の電子線はアパーチャアレイ５を通過する。アパーチャアレイ５は、複数の開口を有し、電子線を複数の電子線に分割する。アパーチャアレイ５で分割された複数の電子線は、静電レンズが複数形成された静電レンズアレイ６により、像３の中間像を形成する。中間像面には、静電型偏向器であるブランカーが複数形成されたブランカーアレイ７が配置されている。
【００１４】
中間像面の下流には、２段の対称磁気ダブレットレンズ８１，８２で構成された電子光学系（荷電粒子光学系）８が配置され、複数の中間像がウエハ(基板)９上に投影される。電子光学系８は、Ｚ方向の軸を有し、複数の電子線を基板に対して射出する。Ｚ方向は、電子光学系８の軸に平行な方向である。ブランカーアレイ７で偏向された電子線は、ブランキングアパーチャＢＡによって遮断されるため、ウエハ９には照射されない。一方、ブランカーアレイ７で偏向されなかった電子線は、ブランキングアパーチャＢＡによって遮断されないため、ウエハ９に照射される。下段のダブレットレンズ８２内には、複数の電子線を同時にＸ，Ｙ方向の目標とする描画位置に変位させるための偏向器１０、及び、複数の電子線のフォーカスを同時に調整するフォーカスコイル１２が配置されている。ウエハステージ１３はウエハ９を保持し、電子光学系８の軸と直交するＸＹ方向に移動可能である。ウエハステージ１３上にはウエハ９を固着するための静電チャック１５が設置されている。また、ウエハ９の照射面位置における電子線の形状の測定は、ナイフエッジを含む検出器１４により行われる。スティグメータ１１は、電子光学系８の非点収差を調整する。
【００１５】
ウエハステージ１３はステップアンドリピート動作又はスキャン動作により移動し、移動と同時に電子線を偏向させながらウエハ９上の複数のショット領域に電子線によってパターンが描画される。電子線を偏向させながらウエハ９上にパターンを描画するにあたって、ウエハステージ１３に対する電子線の基準位置を計測する必要がある。電子線の基準位置の計測は、オフアクシスのアライメントスコープと電子線を用いて次の様に行われる。図３は、図２に示す描画装置のウエハ９周辺の拡大図である。
【００１６】
図３の３Ａにおいて、ウエハステージ１３の上には基準マーク台２０が設置されており、その基準マーク台２０には、基準マーク２１が形成されている。この基準マーク２１の画像をオフアクシスのアライメントスコープ２２にて検出し、アライメントスコープ制御部Ｃ２にて画像信号の処理を行い、アライメントスコープ２２の光軸に対する基準マーク２１の位置を特定する。このとき、ウエハステージ１３上に設置されたミラー２３ａを含む干渉計２３ｂによって計測されたウエハステージ１３の位置Ｐ１を、主制御部Ｃ１を介してメモリＭに記憶する。干渉計２３ｂは、ウエハステージ１３のＺ方向及び電子光学系８の軸に直交するＸ、Ｙ方向におけるウエハステージ１３の位置を検出する検出器の一つである。
【００１７】
図３の３Ｂに示すように、ウエハステージ制御部Ｃ１により基準マーク２１を電子線による描画位置に移動させ、ウエハステージ位置検出部Ｃ４を用いて電子線による基準マーク２１の位置の検出を行う。ウエハステージ制御部Ｃ１は、基準マーク２１の位置を、電子線による描画位置の近傍に移動させる。主制御部Ｃ１は、電子線を用いて、基準マーク台２０に形成されている基準マーク２１の位置Ｐ２を計測する。第１実施形態ではウエハステージ１３をスキャン駆動しながら、基準マーク２１から反射した２次電子を電子線検出器２４で検出することにより位置Ｐ２を特定している。位置Ｐ１と位置Ｐ２を検出した際のウエハステージ１３の位置（座標位置）の差から、主制御部Ｃ１は、アライメントスコープ２２によるウエハ上での計測位置と、電子線によるウエハ上での描画位置との差であるベースラインＢＬを計測する。主制御部Ｃ１、アライメント光学系制御部Ｃ２、電子光学系制御部Ｃ３等は、電子光学系の動作を制御する制御部Ｃを構成している。
【００１８】
図４を用いて電子線の偏向動作を説明する。ここではＸ方向を主偏向方向、Ｙ方向を副偏向方向とする。電子線はＸ方向にｍ本、Ｙ方向にｎ本配置されているとする。まず、各電子線の描画エリア５００の左上の描画グリッド５０１に電子線が照射されるようにＸ，Ｙ方向の偏向器１０、ウエハステージ１３が制御される。ここでブランカーアレイ７が駆動され、描画データによって描画グリッド５０１ごとに定められた所定の時間だけ電子線が照射されて描画が行われる。電子線はＸ方向の偏向器１０によって基板上で主偏向（Ｘ）方向に順次走査され、それに伴い描画グリッドの描画が次々と行われる。
【００１９】
一行分の描画が終了すると電子線はＸ方向の左端に戻り、次の行における描画が開始される。このときウエハステージ１３は副偏向（Ｙ）方向に等速で移動している。Ｙ方向の偏向器１０はウエハステージ１３の移動に追従して偏向量を調整し、一行分の描画が終了すると電子線のＹ方向の位置は、次の行の描画のため初期位置に戻る。したがって、Ｙ方向の偏向器１０は一行分のグリッド幅の偏向ができるようになっている。これを繰り返すことで、描画エリア５００の全体に亙って描画を行うことができる。電子線描画装置では、描画のための電子線の減衰をさけるために描画環境を真空にする必要がある。そのためウエハ９の平面度の計測を描画装置内で行う場合には、平面度の計測も真空中で行う必要がある。ウエハ９の平面度の計測方法は、光による三角測量（斜入射＋像ずれ方式）や静電容量センサー等を使用する方法が考えられる。この計測方法を真空中で行うことができれば限定する必要はない。
【００２０】
図１は第１実施形態における描画方法のフローを示した図である。まず、Ｓ１０で、複数の電子線それぞれのテレセン度を、描画を行う前に計測しておく。ここで、テレセン度は、各電子線の垂直性の度合いを意味し、電子光学系８の軸に対する各電子線の傾斜の度合い（傾斜角）を示す。
【００２１】
Ｓ２０で、主制御部Ｃ１は、Ｓ１０で計測されたテレセン度のデータをマップとしてデータベース化し、メモリＭに格納しておく。Ｓ２０におけるテレセン度のマップの具体例について説明する。図５は、ウエハ９上のあるショット領域Ｓ１における複数の電子線のテレセン度のマップを示した図である。 図５では、Ｘ方向にｍ本、Ｙ方向にｎ本の合計ｍｎ本の電子線それぞれのテレセン度のマップを示している。 例えば電子線ｅｉｊのテレセン度は（θｘ_ｉｊ、θｙ_ｉｊ）である。θｘ_ｉｊ、θｙ_ｉｊは、それぞれ電子線ｅｉｊのＸ方向、Ｙ方向のテレセン度である。隣接しあう電子線の間隔は、図４の描画エリア５００の幅と同一であり、Ｘ方向でＬｘ、Ｙ方向でＬｙとする。
【００２２】
図１のＳ３０でウエハ９がウエハステージ１３の上に搬送され、まずアライメントできるようにするためのプリアライメントが行われる。次にＳ４０でウエハ９に対してアライメントがオフアクシスのアライメントスコープ２２を用いて行われる。本実施形態では、Ｓ４０でグローバルアライメントが行われる。
【００２３】
Ｓ５０で、ウエハ９の平坦度または表面形状（表面の起伏）、すなわちウエハ９の表面上の各点（各計測点）のＺ方向における位置が計測される。この計測は、必要な計測精度が得られるものであれば、公知のいかなる計測器によってもよい。図６はウエハ９の平坦度を模式的に示した図である。便宜的にベクトルの方向で平坦度の方向を示し、ベクトルの大きさで平坦度の大きさを示している。平坦度は、複数の電子線の間隔Ｌｘ,Ｌｙと同一ピッチで求められており、ショット領域Ｓ１における電子線ｅｉｊに対応する部分の平坦度はΔＺ_ｉｊである。なお、本実施形態では、平坦度の制御分解能は電子線の間隔と同一としたが、電子線のビーム間隔と同じピッチで平坦度を計測する必要はない。ウエハ９の平坦度の計測は電子線のビーム間隔よりも粗いピッチで計測しておき、ビーム間隔で内挿したものを使用してもよい。
【００２４】
図１のＳ６０で、主制御部Ｃ１は、メモリＭに格納されているテレセン度のマップとＳ１４０で計測された平坦度のデータとに基づいて、ウエハ９の表面上における電子線の位置ずれ量を求める。図７は、各電子線のテレセン度と平坦度との積の値から求められた、ウエハ９の表面上で発生する位置ずれ量を示す図である。例えば、電子線ｅｉｊの描画位置の補正量となる位置ずれ量は（ｄｘ_ｉｊ、ｄｙ_ｉｊ）で表わされる。 ただし、ｉ＝１，・・，ｎ、ｊ＝１，・・，ｍ。
【００２５】
電子線のテレセン度とウエハ９の平坦度とからウエハ９上の位置ずれ量（ｄｘ_ｉｊ、ｄｙ_ｉｊ）を具体的に求める方法について説明する。図８は、３本の電子線のテレセン度と、ウエハ９の平坦度と、各電子線の描画位置の位置ずれ量との関係を示す図である。ここでは簡単にＸ方向のみの位置ずれについて説明する。各電子線をｅｉ、電子線のビーム間隔をＬｘ、電子線ｅｉのテレセン度をθｉ（反時計まわりをプラスとする）、ウエハ９の平坦度のずれ量をΔＺ（紙面下をプラスとする）、描画位置のずれ量をｄｘｉとする。なお、図８において、各電子線ｅｉのベストフォーカス面での位置ずれは、補正済みであるとしている。ベストフォーカス面の決定方法は、ＲＭＳ最小という観点から、ウエハ面のデータに対して最小二乗近似をして求める方法、極端にデフォーカスする箇所をなくすという観点では、ウエハ面の各データとの差分の最大値が最小となる面を決定する方法など各種ある。
【００２６】
図８において、電子線ｅ１は、テレセン度が＋θ１であり、ウエハ９のベストフォーカス面から＋ΔＺの位置で描画されている。電子線ｅ１のウエハ９上での描画位置のずれ量ｄｘ１は、下式１で表わされる。
ｄｘ１＝θ１×ΔＺ・・・（１）
【００２７】
電子線ｅ３では、テレセン度が＋θ３、ウエハ９のベストフォーカス面から−ΔＺの位置で描画されている。したがって、電子線ｅ３のウエハ９上での描画位置のずれ量ｄｘ３は、下式２で表わされる。
ｄｘ３＝−θ３×ΔＺ・・・（２）
【００２８】
電子線ｅ２はテレセン度θ２も小さく、ウエハ９の平坦度もベストフォーカス付近であるために、ウエハ９上での描画位置のずれ量ｄｘ２は小さい。図８ではＸ方向における描画位置のずれ量について説明したが、Ｙ方向についても同様の方法でウエハ上の描画位置のずれ量を求めることができる。
【００２９】
図１のＳ７０で、主制御部Ｃ１は、Ｓ６０で求められた描画位置のずれ量を是正するように予め生成された描画データを補正し変更する。図９にＳ７０の描画データの補正ステップの詳細なフロー図を示す。複数の電子線ｅ１１〜ｅｎｍを一括して、１つの偏向器で制御する場合に、複数の電子線の偏向を個別に制御することはできない。したがって、複数の電子線に関して個別に描画位置のずれ量を算出して描画データを補正することにより、描画誤差を低減することが必要である。
【００３０】
Ｓ７１で、主制御部Ｃ１は、複数の電子線のうちの１つを選択する。次にＳ７２で、主制御部Ｃ１は、選択された電子線の描画位置を是正するのに必要な描画位置のずれ量を求める。本実施形態では、特に同一の電子線のＸ方向の偏向範囲Ｌｘ、Ｙ方向の偏向範囲Ｌｙ内においては、シフト量、偏向による回転誤差、倍率誤差は一意に決定すると仮定する。
【００３１】
図１０は選択された１つの電子線（例えばｅ１１）におけるブランカデータすなわちデータグリッド３００とウエハ９上に実際に描画されたときのビームグリッド３０１を示している。図１０中の矢印は電子線ｅ１１を偏向させることにより、データグリッド３００上のデータがビームグリッド３０１上に描画される例を示している。電子線ｅ１１の偏向していない場合の原点Ｏはビームグリッド３０１上の座標Ｏ’に描画される。なお、原点Ｏから座標Ｏ’へのシフト量は、前述の電子線のテレセン度とウエハ９の平坦度との積から計算される描画位置のずれ量であり、（ｄｘ_１１,ｄｙ_１１）に相当している。原点Ｏは偏向範囲Ｌｘ、Ｌｙにおいて左上に示しているが、偏向範囲Ｌｘの中心においてもよい。描画データを補正しない場合には、データグリッド３００上のあるデータＰがそのままビームグリッド３０１上で座標Ｐ’に描画されるため、所望のパターン（この場合３×３のホールパターン）は描画できない。 
【００３２】
ビームグリッド３０１における座標Ｐ’（ｘ’,ｙ’)は、式３で表わされる。ここで、電子線のシフト成分をｄｘ，ｄｙ、電子線の偏向に伴う倍率成分をｍｘ、ｍｙ 、回転成分をθｘ、θｙとする。
【数１】
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【００３３】
一般にｘ’,ｙ’は、式４のようにｘ,ｙの一次式で表わされる。なお、式４はｘ,ｙの一次式に限ることはなく、ｘ，ｙの多項式で表わすこともできる。
ｘ’＝ａ１ｘ＋ｂ１ｙ＋ｄｘ
ｙ’＝ａ２ｘ＋ｂ２ｙ＋ｄｙ…（４）
【００３４】
シフト成分ｄｘ、ｄｙは、電子線(ｅｉｊ)のテレセン度とウエハ９の平坦度ΔＺとから計算される描画位置のずれ量であり、下式５で表わされる。
ｄｘ＝ｄｘ＿ｉｊ
ｄｙ＝ｄｙ＿ｉｊ・・・（５）
【００３５】
電子線のテレセン度とウエハ９の平坦度とに起因する上記のシフト成分（ｄｘ_ｉｊ,ｄｙ_ｉｊ）以外に、電子線（ｅｉｊ）自体が持つシフト量をゼロにすることは困難な場合がある。電子線（ｅｉｊ）自体が持つシフト量を（ｄｘＯ_ｉｊ,ｄｙＯ_ｉｊ）とすれば、描画位置のシフトずれ量ｄｘ,ｄｙは、それぞれを合算して、式６で表わされる。
ｄｘ＝ｄｘ０＿ｉｊ＋ｄｘ＿ｉｊ
ｄｙ＝ｄｙ０＿ｉｊ＋ｄｙ＿ｉｊ…（６）
【００３６】
図９に戻り、Ｓ７３で、主制御部Ｃ１は、上記式４などで表わされる描画位置のずれ量を用いて描画データを補正して変更する。図１１は、ビームグリッド３０１上のデータＰ’と元のデータグリッド３００との位置関係を示す図である。簡単のために、ビームグリッド３０１の３×３のデータはすべてデューティー比１の電子線強度のデータとする。例えば、データグリッド３００上のデータＰ１は、ウエハ上でのビームグリッド３０１のデータＰ１’に描画される。データＰ１’は元のデータグリッドの描画領域にすべて入っているため、描画データをデューティー比１の電子線強度で描画する。
【００３７】
一方、データグリッド上のデータＰ２は、ウエハ上でのビームグリッドのデータＰ２’に描画されるが、元の描画パターンの描画される領域と描画されない領域をまたいでいる。この場合には、データＰ２’の領域内にある元のデータグリッド上の周辺データの面積の割合からデューティー比を計算して補正する。例えば、描画領域が６０％で描画されない領域が４０％であれば、描画データをデューティー比０．６の電子線強度に補正する。描画データを周辺データから補間する方法としては、ビームグリッド３０１上の任意の座標Ｐ’(ｘ’，ｙ’)に対して、Ｐ’のまわりの元のデータグリッド３００における周辺４画素の線形補間を行ってもよい。また、周辺１６画素を用いて、バイキュービック補間を行うことで、描画データを補正してもよい。図１２は、ビームグリッド３０１における描画データを補正した結果の一例を示す。電子線ｅ１１に対して、データグリッド３００の描画データからビームグリッド３０１の描画データを電子線の強度を補正しながら求めている。
【００３８】
図９のＳ７３の描画データの補正は、Ｓ７４でのすべての電子線に対して描画データが補正されたか判断されて判断結果がＮＯであればＳ７１に戻ってＳ７２〜Ｓ７３が繰り返される。例えば、電子線ｅ１１とは別の電子線ｅ１２に対しては、テレセン度とウエハ９の平坦度から求められる描画位置のずれ量は、ｄｘ_１２、ｄｙ_１２となり、電子線ｅ１１のずれ量とは異なる。したがって、電子線ｅ１２に対しても同様に描画位置のシフト成分ｄｘ_１２、ｄｙ_１２を用いて、ビームグリッド３０１の描画データを補正する。こうして、すべての電子線ｅ１１〜ｅｎｍにおいて描画データを補正する。
【００３９】
図１に戻って、Ｓ８０で、主制御部Ｃ１は、補正された描画データに基づいてパターンを描画する。Ｓ９０で、パターンを描画されたウエハが搬出されて描画フローは終了する。
【００４０】
以上説明したように、本実施形態では、電子線のテレセン度とウエハ９の平坦度とを考慮したシフト成分、偏向による回転誤差や倍率誤差を補正することができ、描画精度を向上させることができる。本実施形態では、複数の電子線を一括して偏向しており、テレセン度とウエハ９の平坦度とに基づく描画位置のずれ量に基づいて描画データのシフト成分を補正し、補正された描画データに基づいて描画を行っている。複数の電子線それぞれに偏向器が備えられている場合には、上記位置ずれ量を電子線ごとに設置された偏向器に対する指令を変更することにより補償することができる。
【００４１】
また、複数の電子線をいくつかのサブアレイに分割して、サブアレイ単位で偏向器がある場合では、サブアレイ領域内におけるウエハ９の平坦度が一様とみなし、サブアレイごとに偏向器を制御して描画を行ってもよい。図１においてウエハ９の平坦度の計測は、ウエハ９の全面を一度に行った場合を示したが、本発明はそれに限定する必要は無い。例えば、あるショット領域を描画する前にその描画対象のショット領域のみの平坦度を計測して、当該ショット領域の描画データを補正し、描画を行うことができる。本実施形態では、Ｓ４０のアライメントをグローバルアライメントとしたが、本発明はこれに限定する必要はなく、例えば各ショット領域の描画前にアライメントを行う、ダイバイダイアライメントを行うことでも本発明の目的は達成できる。
【００４２】
以上に述べた方法により描画を行うことで、複数の荷電粒子線を用いる描画装置において、各荷電粒子線のテレセン性及びウエハ９の平面度の規格がともに緩い安価なプロセスを使用しても高精度な重ね合わせ性能が可能となる。このことで、ＣｏＯ（Cost of Ownership）が高い描画装置、描画プロセスを提供することができる。
【００４３】
〔第２実施形態〕
ウエハ９の平坦度の情報は、描画する時のウエハ９の平坦度を予測することができるのなら、描画装置外の計測器を用いて求めることもできる。その場合は電子線の減衰を考えなくてよいので、ウエハ９の平坦度の計測を大気中で行うことができ、例えば、エアーフォーカス等の方法でウエハ９の平坦度を計測することが可能となる。
【００４４】
〔第３実施形態〕
第３実施形態では、ウエハの下地層に形成されたパターンの目標位置からのずれ（ディストーション）が予めわかっていればその分を考慮して描画を行う。第３実施形態を図１３のフローで説明する。Ｓ１２０でテレセン度のマップを事前に作成する一方で、Ｓ１１０で下地のディストーションを事前に計測しておく。Ｓ１３０でウエハ９がウエハステージ１３の上に搬送され、Ｓ１４０でウエハアライメント、フォーカス計測を実施して、ウエハ９の６軸データ（Ｘ、Ｙ、Ｚ、α、β、γ）が計測される。計測されたウエハ９の６軸データのうちのＺに関するデータがウエハ９の平坦度のデータである。次にＳ１５０で、主制御部Ｃ１は、第１実施形態で説明したテレセン度のマップとウエハ９の平坦度のデータとを用いて求められた描画位置のずれ量と、Ｓ１１０で計測されたディストーションに伴う描画位置のずれ量と、を考慮して描画データを補正して描画を行う。具体的には、主制御部Ｃ１は、Ｓ１５０で、テレセン度のマップとウエハ９の平坦度のデータを用いて求めたずれ量と、ディストーションに伴うずれ量を合算し、合算されたずれ量に基づいて、描画データを補正する。
【００４５】
［物品の製造方法］
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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