(57)【要約】【課題】半導体チップの一面側に再配線を設け、この再配線を介して外部接続を行うようにした半導体装置において、狭ピッチ化に対応した微細な再配線を低コストで形成する。【解決手段】第１のサポート材１００に半導体チップ１０の他面１２側を支持させ、第２のサポート材２００に接合用金属層３０を印刷して形成し、第２のサポート材２００を介して接合用金属層３０を電極パッド２０に転写し、第３のサポート材３００に再配線４０を印刷して形成し、第３のサポート材３００を介して再配線４０を電極パッド２０上の接合用金属層３０に転写した後、再配線４０がモールド樹脂６０より露出するように、半導体チップ１０をモールド樹脂６０で封止し、次に、再配線４０のうちモールド樹脂６０より露出する部位にバンプ５０を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１１）と他面（１２）とが表裏の関係にある半導体チップ（１０）と、
前記半導体チップの一面に配置された電極パッド（２０）と、
前記電極パッド上に設けられ、一端側が前記電極パッド上に位置し他端側が前記半導体チップの外郭よりはみ出すように延びる再配線（４０）と、
前記電極パッドと前記再配線の一端側との間に介在し、当該両者を接続する接合用金属層（３０）と、
前記再配線上に設けられ外部と接続されるバンプ（５０）と、
前記バンプが露出するように前記半導体チップを封止するモールド樹脂（６０）と、を備える半導体装置の製造方法において、
第１のサポート材（１００）の一面（１０１）に前記半導体チップの他面側を支持させるチップ支持工程と、
第２のサポート材（２００）の一面（２０１）に、前記電極パッドの配置パターンに対応するパターンにて前記接合用金属層を印刷して形成する第１の印刷工程と、
前記第１のサポート材に支持された状態の前記半導体チップの一面側を、前記第２のサポート材の一面側に押し付けて、前記接合用金属層を前記電極パッドに転写した後、前記接合用金属層から前記第２のサポート材を取り外す第１の転写工程と、
第３のサポート材（３００）の一面（３０１）に、前記再配線を印刷して形成する第２の印刷工程と、
前記第１のサポート材に支持された状態の前記半導体チップの一面側を、前記第３のサポート材の一面側に押し付けて、前記再配線を前記電極パッド上の前記接合用金属層に転写した後、前記半導体チップの他面側から前記第１のサポート材を取り外すことで、前記半導体チップを前記第３のサポート材に支持させる第２の転写工程と、
前記半導体チップを前記モールド樹脂で封止することにより、前記半導体チップの一面側にて前記再配線が前記モールド樹脂より露出しつつ、前記再配線が当該再配線の他端側にて前記モールド樹脂に支持されるようにする封止工程と、
その後、前記再配線から前記第３のサポート材を取り外す取り外し工程と、
次に、前記再配線のうち前記モールド樹脂より露出する部位に前記バンプを形成するバンプ形成工程と、
を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記バンプ形成工程では、第４のサポート材（４００）に前記バンプを印刷して形成しておき、前記第４のサポート材を介して前記バンプを前記再配線に転写することにより、前記バンプの形成を行うようにしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記チップ支持工程では、前記第１のサポート材の一面は、矩形をなすものであり、
この第１のサポート材の一面にて、複数個の前記半導体チップを当該矩形に対応した矩形の格子状に配置するようにしたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの一面側に再配線を設け、この再配線を介して外部接続を行うようにした半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、この種の半導体装置は、一面と他面とが表裏の関係にある半導体チップと、半導体チップの一面に配置された電極パッドと、電極パッド上に設けられ、一端側が電極パッド上に位置し他端側が半導体チップの外郭よりはみ出すように延びる再配線と、電極パッドと再配線の一端側との間に介在し、当該両者を接続する接合用金属層と、再配線上に設けられ外部と接続されるバンプと、バンプが露出するように半導体チップを封止するモールド樹脂と、を備える。
【０００３】
このような半導体装置の製造方法では、接合用金属層および再配線をメッキで製造したり、特許文献１に記載されているように、再配線としてリードフレームを用い、これを接合用金属層で接続したりすることによって、再配線を形成するようにしていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１６７６２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、再配線や金属層を形成するためのメッキはウェットプロセスであり、製造コストの低減にとって好ましくない。また、リードフレームで再配線を形成する場合、リードフレームはエッチングによりパターニングされるが、板厚の制約等により再配線の微細化、つまり狭ピッチ化の実現に対して制約となり、好ましくない。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体チップの一面側に再配線を設け、この再配線を介して外部接続を行うようにした半導体装置において、狭ピッチ化に対応した微細な再配線を低コストで形成できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１１）と他面（１２）とが表裏の関係にある半導体チップ（１０）と、半導体チップの一面に配置された電極パッド（２０）と、電極パッド上に設けられ、一端側が電極パッド上に位置し他端側が半導体チップの外郭よりはみ出すように延びる再配線（４０）と、電極パッドと再配線の一端側との間に介在し、当該両者を接続する接合用金属層（３０）と、再配線上に設けられ外部と接続されるバンプ（５０）と、バンプが露出するように半導体チップを封止するモールド樹脂（６０）と、を備える半導体装置の製造方法において、以下の各工程を行うことを特徴とする。
【０００８】
すなわち、本発明の製造方法においては、第１のサポート材（１００）の一面（１０１）に半導体チップの他面側を支持させるチップ支持工程と、第２のサポート材（２００）の一面（２０１）に、電極パッドの配置パターンに対応するパターンにて接合用金属層を印刷して形成する第１の印刷工程と、第１のサポート材に支持された状態の半導体チップの一面側を、第２のサポート材の一面側に押し付けて、接合用金属層を電極パッドに転写した後、接合用金属層から第２のサポート材を取り外す第１の転写工程と、第３のサポート材（３００）の一面（３０１）に、再配線を印刷して形成する第２の印刷工程と、第１のサポート材に支持された状態の半導体チップの一面側を、第３のサポート材の一面側に押し付けて、再配線を前記電極パッド上の接合用金属層に転写した後、半導体チップの他面側から第１のサポート材を取り外すことで、半導体チップを第３のサポート材に支持させる第２の転写工程と、半導体チップをモールド樹脂で封止することにより、半導体チップの一面側にて再配線がモールド樹脂より露出しつつ、再配線が当該再配線の他端側にてモールド樹脂に支持されるようにする封止工程と、その後、再配線から第３のサポート材を取り外す取り外し工程と、次に、再配線のうちモールド樹脂より露出する部位にバンプを形成するバンプ形成工程と、を行うことを特徴としている。
【０００９】
本発明の製造方法によれば、めっきよりも低コストであり、リードフレームエッチングよりも微細パターンを形成できる印刷、転写によって、接合用金属層および再配線を形成することができるので、狭ピッチ化に対応した微細な再配線を低コストで形成することができる。
【００１０】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の概略的な断面構成を示す図である。
【図２】上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す工程図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の半導体チップの一面側を示す概略平面図である。
【図３】図２に続く製造方法を示す工程図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の半導体チップの一面側を示す概略平面図である。
【図４】図３に続く製造方法を示す工程図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の半導体チップの一面側を示す概略平面図である。
【図５】図４に続く製造方法を示す工程図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の半導体チップの一面側を示す概略平面図である。
【図６】図５に続く製造方法を示す工程図であり、（ａ）、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）は（ｂ）中の半導体チップの一面側を示す概略平面図である。
【図７】図６に続く製造方法を示す工程図であり、（ａ）、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）は（ｂ）中の半導体チップの一面側を示す概略平面図である。
【図８】（ａ）は従来のめっきによる再配線形成方法における複数個の半導体チップの支持状態を示す概略平面図、（ｂ）は上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における複数個の半導体チップの支持状態を示す概略平面図である。
【図９】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の概略的な断面構成を示す図である。
【図１０】上記第２実施形態にかかる半導体装置の製造方法の要部を示す工程図である。
【図１１】本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の概略的な断面構成を示す図である。
【図１２】本発明の第４実施形態にかかる半導体装置の概略的な断面構成を示す図である。
【図１３】上記第４実施形態にかかる半導体装置の製造方法の要部を示す工程図である。
【図１４】本発明の他の実施形態にかかる半導体装置の概略的な断面構成を示す図である。
【図１５】本発明の他の実施形態にかかる半導体装置の概略的な断面構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１３】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置Ｓ１について、図１を参照して述べる。この半導体装置Ｓ１は、たとえば自動車に搭載されるＥＣＵの構成要素等に適用されるものである。
【００１４】
本実施形態の半導体装置Ｓ１は、大きくは、一面１１と他面１２とが表裏の関係にある半導体チップ１０を備え、この半導体チップ１０の一面１１に配置された電極パッド２０に接合用金属層３０を介して再配線４０を接続し、さらに、この再配線４０に外部との接続用のバンプ５０を接続し、当該バンプ５０が露出するようにモールド樹脂６０により半導体チップ１０を封止してなるものである。
【００１５】
半導体チップ１０は、一面１１と他面１２とが表裏の関係にあるものである。この半導体チップ１０は、シリコン半導体などの半導体よりなる板状のものであり、このような半導体チップ１０は、半導体プロセスにより形成されるものである。本実施形態では、たとえば、半導体チップ１０は、ＩＣチップ、センサチップや回路チップなどとして構成され、典型的には矩形板状をなしている。
【００１６】
電極パッド２０は、半導体チップ１０の一面１１に配置されており、半導体チップ１０の電気的な取り出し部として構成されている。本実施形態では、この電極パッド２０は、たとえばＣｕ（銅）やアルミなどの導体金属よりなるもので、スパッタや蒸着などの方法により成膜されるものである。
【００１７】
接合用金属層３０は、電極パッド２０と再配線４０の一端側との間に介在し、これら両者２０、４０を接続するものである。本実施形態では、この接合用金属層３０は、金属ペーストを用いて印刷を行い、これを硬化することにより形成されるものであり、たとえばＣｕやＡｇなどより構成されている。
【００１８】
ここで、電極パッド２０と再配線４０とは、接合用金属層３０を介して電気的に接続されるものであるが、電極パッド２０とこれに接続されている再配線４０とについては、電気的な接続の用をなさないものでもよい。つまり、電極パッド２０からこれに接続されている再配線４０を介して、放熱が行われるように構成され、当該両者に電気信号は流れないものであってもよい。
【００１９】
再配線４０は、一端側が接合用金属層４０を介して電極パッド２０上に位置し、他端側が半導体チップ１０の外郭よりはみ出すように延びる配線層として構成されるものである。本実施形態では、この再配線４０は、金属ペーストを用いて印刷を行い、これを硬化することにより形成されるものであり、たとえばＣｕやＡｇなどの導体金属より構成されている。
【００２０】
ここで、再配線４０は、狭ピッチである半導体チップ１０の電極パッド２０が外部との接続を行いやすくなるように、電極パッド２０側の一端側から半導体チップ１０の外郭まで他端側を延ばすように形成されている。
【００２１】
バンプ５０は、再配線４０上に設けられ外部と接続されるものである。このバンプ５０は、金属ペーストを硬化あるいは焼成したり、はんだボール法を用いたりすることにより形成されるもので、たとえば、ＣｕやＡｇ、Ａｕあるいは、はんだなどの導体材料より構成されている。また、ここでは、バンプ５０は、外方に向かって縮径する円錐状をなしている。
【００２２】
ここで、上記した電極パッド２０と接合用金属層３０との間、接合用金属層３０と再配線４０との間、および再配線４０とバンプ５０との間では、互いの間で物理的な接触が行われ、当該接触する両部材間で金属の固相結合が形成されている。これにより、これら電極パッド２０と接合用金属層３０との間、接合用金属層３０と再配線４０との間、および再配線４０とバンプ５０との間は接続されている。
【００２３】
モールド樹脂６０は、半導体チップ１０の他面１２側および側面を封止しており、これにより、再配線４０における半導体チップ１０側とは反対側の表面、および、バンプ５０が、モールド樹脂６０より露出されている。
【００２４】
また、半導体チップ１０の一面１１側において、各再配線４０の間はモールド樹脂６０で埋められて封止されている。また、再配線４０のうち半導体チップ１０の外郭よりはみ出している他端側は、モールド樹脂６０に支持されている。このモールド樹脂６０は、エポキシ樹脂などのモールド材料よりなるものであり、金型成形やディスペンス法等を用いて成形されるものである。
【００２５】
このような半導体装置Ｓ１においては、バンプ５０を、図示しない外部の配線部材や配線基板等に接続することにより、当該バンプ５０を介して、半導体チップ１０と外部との電気的なやりとりが行われるようになっている。
【００２６】
次に、図２〜図７を参照して、本実施形態の半導体装置Ｓ１の製造方法について述べる。なお、本製造方法は、１個の半導体チップ１０について以下の各工程を行っていくものであってもよいが、ここでは、複数個の半導体チップ１０を一括して処理していく例を挙げる。まず、本製造方法では、半導体プロセスにより、電極パッド２０を有する半導体チップ１０を形成することで、半導体チップ１０を用意する。
【００２７】
そして、図２に示されるように、チップ支持工程では、第１のサポート材１００の一面１０１に半導体チップ１０の他面１２側を支持させる。ここでは、ウェハより切り出された複数個の半導体チップ１０を、第１のサポート材１００に支持させている。
【００２８】
この第１のサポート材１００は、半導体チップ１０が支持される一面１０１に密着性を持つ板状のものよりなり、この密着力により半導体チップ１０が第１のサポート材１００に固定される。ここで、この密着力は、後工程では、加熱や紫外線照射などにより低減されるものであり、これによって、半導体チップ１０は第１のサポート材１００から取り外されるようになっている。
【００２９】
一方で、図２に示されるように、第１の印刷工程では、第２のサポート材２００の一面２０１に、電極パッド２０の配置パターンに対応するパターンにて接合用金属層３０を印刷して形成する。
【００３０】
ここで、この第２のサポート材２００、および後述する第３のサポート材３００、第４のサポート材４００は、たとえばガラスやシリコンなどの板よりなり、これら第２〜第４の各サポート材２００〜４００において印刷が行われる一面２０１、３０１、４０１は、酸化チタンや酸化銅などの酸化膜などにより構成されている。これにより、これら第２〜第４の各サポート材２００〜４００においては、印刷物との密着性が小さくなり、印刷物からの取り外しが容易とされる。
【００３１】
なお、本実施形態では、この第１の印刷工程、および以下の印刷を含む各工程においては、ＣｕやＡｇなどを含む金属ペーストをスクリーン印刷やインクジェットなどにより印刷を行い、当該印刷後は加熱等により印刷物を硬化させて各部材３０、４０、５０を形成するものである。
【００３２】
そして、図２、図３に示される第１の転写工程を行う。この第１の転写工程では、第１のサポート材１００に支持された状態の半導体チップ１０の一面１１側を、第２のサポート材２００の一面２０１側に押し付けて、接合用金属層３０を電極パッド２０に転写する。続いて、接合用金属層３０から第２のサポート材２００を取り外す。ここまでが第１の転写工程である。
【００３３】
ここで、本実施形態の第１の転写工程における転写は、電極パッド２０と接合用金属層３０とを押し付け合った状態にて、これらを加熱および加圧することにより行われる。これにより、電極パッド２０と接合用金属層３０との間で金属の固相結合が形成され、これら両者２０、３０間が電気的および機械的に接続される。こうして、電極パッド２０に接続された状態で接合用金属層３０が形成される。
【００３４】
次に、図４に示されるように、第２の印刷工程では、第３のサポート材３００の一面３０１に、再配線４０を印刷して形成する。この印刷についても、上記接合用金属層３０の印刷と同様の手法を採用することができる。
【００３５】
次に、図４、図５に示される第２の転写工程を行う。この第２の転写工程では、第１のサポート材１００に支持された状態の半導体チップ１０の一面１１側を、第３のサポート材３００の一面３０１側に押し付けて、再配線４０を電極パッド２０上の接合用金属層３０に転写する。続いて、半導体チップ１０の他面１２側から第１のサポート材１００を取り外す。これにより、半導体チップ１０を第３のサポート材３００に支持させる。ここまでが、第２の転写工程である。
【００３６】
ここで、本実施形態の第２の転写工程における転写も、接合用金属層３０と再配線４０とを押し付け合った状態にて、これらを加熱および加圧することにより行われる。これにより、接合用金属層３０と再配線４０との間で金属の固相結合が形成され、これら両者３０、４０間が電気的および機械的に接続される。こうして、接合用金属層３０に接合された状態で再配線４０が形成される。
【００３７】
次に、図６（ａ）に示される封止工程を行う。この封止工程では、金型成形やディスペンス法などにより、半導体チップ１０をモールド樹脂６０で封止する。このとき、半導体チップ１０の一面１１側にて再配線４０がモールド樹脂６０より露出しつつ、再配線４０が当該再配線４０の他端側にてモールド樹脂６０に支持された状態となるように、封止を行うようにする。
【００３８】
その後、図６（ｂ）に示される取り外し工程を行う。この取り外し工程では、再配線４０から第３のサポート材３００を取り外す。こうして、図６（ｂ）、（ｃ）に示されるように、半導体装置Ｓ１におけるバンプ５０接続前の構成ができあがる。
【００３９】
次に、図７に示されるバンプ形成工程を行う。このバンプ形成工程では、再配線４０のうちモールド樹脂より露出する部位にバンプ５０を形成する。このバンプ５０は、はんだボール法などにより形成されたはんだバンプであってもよいが、ここでは、印刷、焼成によりバンプ５０を形成する。
【００４０】
具体的に、図７（ａ）に示されるように、本実施形態のバンプ形成工程では、第４のサポート材４００にバンプ５０を印刷して形成しておく。続いて、図７（ｂ）に示されるように、第４のサポート材４００を介してバンプ５０を再配線４０に転写する。
【００４１】
ここで、このバンプ形成工程における転写も、再配線４０とバンプ５０とを押し付け合った状態にて、これらを加熱および加圧することにより行われる。これにより、再配線４０とバンプ５０との間で金属の固相結合が形成され、これら両者４０、５０間が電気的および機械的に接続される。こうして、再配線４０に接続された状態でバンプ５０が形成される。
【００４２】
ここで、図７の例では、第４のサポート材４００は、印刷される一面４０１側にバンプ５０形状に凹んだキャビティ４０２を有している。そして、このキャビティ４０２内に印刷物が充填され、これを焼成することによりバンプ５０とする。そのため、第４のサポート材４００においては、一面４０１だけでなく、このキャビティ４０２の内面にも上記酸化膜を形成し、バンプ５０の剥離性を確保している。
【００４３】
なお、このバンプ５０の形成については、図７のようなキャビティ４０２を有する第４のサポート材４００を用いるものではなく、一面４０１が平坦な第４のサポート材４００を用いてもよい。この場合、上記接合用金属層３０や再配線４０におけるサポート材と同様、第４のサポート材４００の平坦な一面４０１上に印刷を行ってバンプ５０を形成し、これを転写するという方法を採用すればよい。
【００４４】
このバンプ５０形成直後は、複数個の半導体チップ１０がモールド樹脂６０によって連結されている状態のワークが構成されているが、続いて、このワークを、ダイシングカットなどによって、個々のチップ単位に分割する。これにより、本実施形態の半導体装置Ｓ１ができあがる。
【００４５】
このように、本実施形態の製造方法では、チップ支持工程と第１の印刷工程とを行い、次に、第１の転写工程を行った後、第２の印刷工程を行い、続いて、第２の転写工程を行い、その後、封止工程を行った後、取り外し工程を行い、次に、バンプ形成工程を行うようにしている。
【００４６】
ところで、従来、めっきやリードフレームで再配線を形成していたところ、本実施形態によれば、めっきよりも低コストであり、リードフレームエッチングよりも微細パターンを形成できる印刷、転写により、接合用金属層３０および再配線４０を形成することができる。
【００４７】
そのため、本実施形態の製造方法によれば、従来に比べて安価な製造コストを実現しつつ、狭ピッチ化に対応した微細な再配線４０を適切に形成することができる。そして、高密度実装や小型化に適した半導体装置Ｓ１を実現することができる。
【００４８】
また、本実施形態では、バンプ形成工程では、第４のサポート材４００にバンプ５０を印刷して形成しておき、第４のサポート材４００を介してバンプ５０を再配線４０に転写することにより、バンプ５０の形成を行っている。このように、バンプ５０も印刷で形成することで、製造ラインの簡素化、更なる低コスト化を図ることができる。
【００４９】
ここで、チップ支持工程における第１のサポート材１００による複数個の半導体チップ１０の支持方法について、図８を参照して、更に述べることとする。
【００５０】
従来のめっきによる再配線形成の場合、複数個の半導体チップ１０を円形のウェハ形状に合わせた形状で配置して、各工程を行うようにしているので、図８（ａ）に示されるように、半導体チップ１０を支持するサポート材Ｋも、当該ウェハに合わせた円形板のものが採用されている。
【００５１】
しかし、本実施形態では、図８（ｂ）に示されるように、チップ支持工程では、第１のサポート材１００の一面１０１を、矩形をなすものとし、この第１のサポート材１００の一面１０１にて、複数個の半導体チップ１０を当該矩形に対応した矩形の格子状に配置する。これによれば、上記円形のサポート材Ｋに比べて、スペース的に効率良く、多数の半導体チップ１０を配置できるという利点がある。
【００５２】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる半導体装置Ｓ２について、図９を参照して述べる。本実施形態の半導体装置Ｓ２は、上記第１実施形態の半導体装置Ｓ１に比べて、半導体チップ１０にヒートシンク７０を取り付けた点が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
【００５３】
このヒートシンク７０は、熱伝導性に優れた接着材７１、たとえばＡｇペーストやはんだ等よりなる接着材７１を介して半導体チップ１０の他面１２側に接続されている。このヒートシンク７０は、たとえばＣｕやアルミニウム等よりなる板材よりなり、ここでは、半導体チップ１０よりも大きな矩形板状をなしている。
【００５４】
また、ヒートシンク７０はモールド樹脂６０で封止されているが、このヒートシンク７０のうち半導体チップ１０側の板面とは反対側の板面は、モールド樹脂６０より露出している。これにより、半導体チップ１０に発生する熱が、半導体チップ１０の他面１２側からヒートシンク７０を介して放熱されるようになっている。
【００５５】
次に、本半導体装置Ｓ２の製造方法について、図１０を参照して述べる。まず、図１０（ａ）に示されるように、多連状態のヒートシンク７０を用意する。そして、図１０（ｂ）に示されるように、このヒートシンク７０に対して、印刷等により、上記接着材７１を配置する。
【００５６】
そして、図１０（ｃ）に示されるように、接着材７１を介して、ヒートシンク７０の上に半導体チップ１０を、半導体チップ１０の他面１２側にて搭載する。次に、図１０（ｄ）に示されるように、治具Ｍを用いて、半導体チップ１０をヒートシンク７０側に押し付けるように加圧し、この状態で加熱等により接着材７１を硬化させる。これにより、ヒートシンク７０と半導体チップ１０とが接続される。
【００５７】
続いて、ダイシングカット等により、多連状態のヒートシンク７０を、個々の半導体チップ１０の単位に分割する。これにより、図１０（ｅ）に示されるように、ヒートシンク７０付きの半導体チップ１０ができあがる。
【００５８】
その後は、チップ支持工程において、ヒートシンク７０を介して、半導体チップ１０の他面１２側を上記第１のサポート材１００の一面１０１に支持させる。これにより、半導体チップ１０が第１のサポート材１００に支持された状態となる。
【００５９】
その後は、上記第１実施形態に示した製造方法と同様に、第１の印刷工程、第１の転写工程、第２の印刷工程、第２の転写工程、封止工程、取り外し工程、バンプ形成工程の各工程を行い、必要に応じて、上記同様のダイシングカット工程を行うことにより、本実施形態の半導体装置Ｓ２ができあがる。
【００６０】
このように、本実施形態によっても、印刷、転写により、接合用金属層３０および再配線４０を形成することができるから、従来に比べて安価な製造コストを実現しつつ、狭ピッチ化に対応した微細な再配線４０を適切に形成することができる。
【００６１】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかる半導体装置Ｓ３について、図１１を参照して述べる。ここでは、本半導体装置Ｓ３と上記第１実施形態の半導体装置Ｓ１との相違点を中心に述べることとする。
【００６２】
本実施形態の半導体装置Ｓ３は、複数個のバンプ５０の一部を放熱用のバンプ５０として構成したものである。図１１の例では、３個示されているバンプ５０のうち中央の１個が他の２個よりも体積および表面積が大きいバンプ５０とされており、これが放熱用のバンプ５０として構成されている。
【００６３】
この放熱用バンプ５０については、電極パッド２０および接合用金属層３０を介して半導体チップ１０と電気的に接続されていてもよいが、半導体チップ１０からの熱を放熱できればよいので、当該放熱用のバンプ５０は半導体チップ１０と電気的に接続されていなくてもよい。
【００６４】
たとえば、放熱用のバンプ５０が接続される電極パッド２０を、半導体チップ１０内の電気回路から独立したダミーのパッドとしてもよい。そして、このダミーとしての電極パッド２０が接合用金属層３０、再配線４０を介して、放熱用のバンプ５０に接続されることにより、放熱経路が構成される。
【００６５】
このような本実施形態の半導体装置Ｓ３によれば、半導体チップ１０の一面１１側からの放熱性が向上するという利点がある。また、このような構成は、上記バンプ形成工程において放熱用バンプ５０を他のバンプ５０よりも大きいものとして印刷すれば容易に形成することができる。
【００６６】
なお、本実施形態は、複数個のバンプ５０の一部を放熱用のバンプ５０として構成し、この放熱用のバンプ５０を残りの電気接続用のバンプ５０よりも大きくした構成とするものであるから、上記第１実施形態以外に上記第２実施形態とも組み合わせて適用できることは言うまでもない。
【００６７】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態にかかる半導体装置Ｓ４について、図１２を参照して述べる。ここでは、本半導体装置Ｓ４と上記第１実施形態の半導体装置Ｓ１との相違点を中心に述べることとする。
【００６８】
図１２に示されるように、本実施形態の半導体装置Ｓ４は、再配線４０におけるモールド樹脂６０より露出する表面のうちバンプ５０が接続される部位以外の部位を、電気絶縁性を有する被覆層８０により被覆したものである。ここでは、被覆層８０は、さらに再配線４０間に位置するモールド樹脂６０の表面も被覆している。
【００６９】
ここで、被覆層８０には開口部８１が設けられており、この開口部８１を介して、その下の再配線４０が露出するようになっている。そして、バンプ５０は、開口部８１に露出する再配線４０に対して当該開口部８１を介して接続されている。
【００７０】
このような被覆層８０は、無機や有機の絶縁材料、たとえばシリコン窒化膜、シリコン酸化膜あるいはポリイミド膜等よりなる。また、このような被覆層８０は、スパッタ、蒸着、スピンコートなどの成膜法、あるいは、成形されたシートの貼り付け等により形成されている。
【００７１】
本実施形態の半導体装置Ｓ４においては、この被覆層８０によって再配線４０が被覆されることにより、再配線４０間の電気絶縁性が確保されている。そのため、当該再配線３０間のピッチが狭ピッチ化されていったとしても、当該再配線３０間の短絡を極力防止することができる。
【００７２】
この本実施形態の半導体装置Ｓ４の製造方法について、図１３を参照して、被覆層８０の形成工程を中心に述べる。本実施形態の製造方法においては、上記第１実施形態と同様に、上記第３のサポート材３００を取り外す取り外し工程（上記図６参照）までを行うことにより、本半導体装置Ｓ４におけるバンプ６０接続前の構成を形成する。
【００７３】
この状態が図１３（ａ）に示されており、この状態では、モールド樹脂６０から再配線４０における半導体チップ１０とは反対側の面が露出している。次に、図１３（ｂ）に示されるように、モールド樹脂６０の表面上および当該露出する再配線４０の上に、上記したような各成膜法やシートの貼り付け等の手法により、開口部８１を有する被覆層８０を形成する。
【００７４】
続いて、上記第１実施形態と同様に第４のサポート材４００を用いたバンプ形成工程を行うことにより、図１３（ｃ）に示されるように、被覆層８０の開口部８１から露出する再配線４０に対して、バンプ５０を接続する。その後は、必要に応じて、上記第１実施形態と同様にダイシングカット等によるワークの分割を行うことにより、本実施形態の半導体装置Ｓ４ができあがる。
【００７５】
なお、本実施形態は、モールド樹脂６０より露出する再配線４０のうちバンプ５０との接続部位以外の部位を、被覆層８０で被覆した構成とするものであるから、上記第１実施形態以外に上記第２実施形態または上記第３実施形態とも組み合わせて適用できることは言うまでもない。
【００７６】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態の半導体装置Ｓ１〜Ｓ４においては、半導体チップ１０は１個であったが、図１４に示されるように、半導体装置としては複数個の半導体チップ１０を備えるものであってもよい。
【００７７】
図１４の例では、上記各実施形態の半導体チップ１０と同様の第１の半導体チップ１０を有し、その第１の半導体チップ１０の隣に第２の半導体チップ１５を配置したものである。ここで、第２の半導体チップ１５は、第１の半導体チップ１０と同様、一面１６と他面１７とが表裏の関係にあるものである。
【００７８】
そして、この第２の半導体チップ１５についても、第１の半導体チップ１０と同様、一面１６側にて電極パッド２０、接合用金属層３０、再配線４０、バンプ５０が順次接続され、また、モールド樹脂６０で封止されている。
【００７９】
この図１４に示される半導体装置の製造方法については、チップ支持工程において、第１のサポート材１００により両半導体チップ１０、１５を支持する。そうすれば、その後の工程については、上記第１実施形態に示した製造方法と同様に行うことで、図１４の半導体装置を製造できることは明らかである。
【００８０】
また、図１５に示されるように、半導体装置としては半導体チップ１０以外に、他の電子部品１を備えるものであってもよい。この他の電子部品としては、チップコンデンサや抵抗素子等の表面実装部品が挙げられる。図１５に示される例では、モールド樹脂６０内部において、半導体チップ１０の隣に、他の電子部品としてのチップコンデンサ１が配置されている。
【００８１】
このチップコンデンサ１は、再配線４０に対して導電性接合材２を介して電気的および機械的に接続されている。この導電性接合材２としては、たとえば、はんだや導電性接着剤等が挙げられる。このチップコンデンサ１の取り付けは、たとえば上記第１実施形態の製造方法において、上記第２の転写工程（上記図５参照）後であって上記封止工程（上記図６参照）前に行えばよい。
【００８２】
この場合、第２の転写工程終了後、第３のサポート材３００に支持された状態の再配線４０に対して、導電性接合材２を介してチップコンデンサ１を搭載し、固定する。その後は、封止工程にて、半導体チップ１０とともに、チップコンデンサ１をモールド樹脂６０で封止する。その後は、上記同様に、取り外し工程、バンプ形成工程、ダイシングカット等を行うことにより、図１５に示される半導体装置ができあがる。
【００８３】
また、上記各実施形態では、バンプ形成工程において、印刷、焼成またははんだボール法により、バンプ５０を形成するものとしたが、バンプ５０については、これらの形成方法に限定されるものではなく、その他にも適宜種々の方法を採用してもよい。また、バンプ５０の形状についても、上記した円錐状に限定されるものではない。
【００８４】
また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００８５】
１０    半導体チップ
１１    半導体チップの一面
１２    半導体チップの他面
２０    電極パッド
３０    接合用金属層
４０    再配線
５０    バンプ
６０    モールド樹脂
１００  第１のサポート材
１０１  第１のサポート材の一面
２００  第２のサポート材
２０１  第２のサポート材の一面
３００  第３のサポート材
３０１  第３のサポート材の一面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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