(57)【要約】【課題】一面側に電極を有する第１の部材、第２の部材を備え、第１の部材の一面と第２の部材の一面とを対向させ、両部材の電極を接合してなる電極接合体において、金属層を介して両部材の電極間を接続するにあたって、当該金属層中にボイドが発生するのを極力防止する。【解決手段】第１の電極３０が配置された第１の部材１０と、第２の電極４０が配置された第２の部材２０と、金属よりなる金属粒子５０ａが溶媒に含有されてなるスラリー５０）と、を用意し、第１の電極３０上に、スラリー５０ｂを乾燥させて溶媒を除去することで金属粒子５０ａが凝集してなる金属層５０を形成し、第１の部材１０の一面１１と第２の部材２０の一面２１とを対向させ、第１の電極３０と第２の電極４０とが金属層５０を介して接触した状態で両電極３０、４０を加圧、加熱して、金属層５０中の金属粒子５０ａを結晶化させ、両電極３０、４０の接合を行う。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１１）に金属よりなる第１の電極（３０）が配置された第１の部材（１０）と、一面（２１）に金属よりなる第２の電極（４０）が配置された第２の部材（２０）と、を備え、
前記第１の電極と前記第２の電極との両電極が接触するように、前記第１の部材の一面と前記第２の部材の一面とを対向させ、前記両電極を接合してなる電極接合体の製造方法において、
前記第１の電極が配置された前記第１の部材と、前記第２の電極が配置された前記第２の部材と、金属よりなる金属粒子（５０ａ）が溶媒に含有されてなるスラリー（５０ｂ）と、を用意する用意工程と、
前記第１の電極上に、前記スラリーを乾燥させて前記溶媒を除去することで前記金属粒子が凝集してなる金属層（５０）を形成する金属層形成工程と、
前記第１の部材の一面と前記第２の部材の一面とを対向させ、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記金属層を介して接触した状態で前記両電極が押し合う方向に加圧しながら、加熱して、前記金属層中の前記金属粒子を結晶化させることにより、前記両電極の接合を行う接合工程と、
を備えることを特徴とする電極接合体の製造方法。
【請求項２】
前記用意工程では、前記第１の電極の表面自体に凹部（３３）を設けておき、
前記金属層形成工程では、前記凹部よりはみ出さないように前記凹部内に前記金属層を配置させることを特徴とする請求項１に記載の電極接合体の製造方法。
【請求項３】
前記金属粒子は、前記第１の電極および前記第２の電極とは異種金属よりなるものであることを特徴とする請求項１または２に記載の電極接合体の製造方法。
【請求項４】
前記金属層形成工程の前、または、前記接合工程中に、前記両電極の表面に存在する金属酸化膜を除去する酸化膜除去工程を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電極接合体の製造方法。
【請求項５】
前記金属層形成工程は、前記スラリーを、板材（６０）の一面（６１）に、前記第１の電極の配置パターンに対応するパターンにて印刷する印刷工程と、
前記板材上の前記スラリーを乾燥させて前記溶媒を除去し、前記金属粒子が凝集してなる前記金属層とする乾燥工程と、
前記板材の一面を前記第１の部材の一面に押し付けて、前記金属層を前記第１の電極の表面に転写した後、前記金属層から前記板材を取り外す転写工程と、
を行うものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電極接合体の製造方法。
【請求項６】
前記金属層形成工程は、前記スラリーを、前記第１の電極の表面に直接印刷する印刷工程と、
前記第１の電極上の前記スラリーを乾燥させて前記溶媒を除去し、前記金属粒子が凝集してなる前記金属層とする乾燥工程と、
を行うものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電極接合体の製造方法。
【請求項７】
一面（１１）に金属よりなる第１の電極（３０）が配置された第１の部材（１０）と、一面（２１）に金属よりなる第２の電極（４０）が配置された第２の部材（２０）と、を備え、
前記第１の電極と前記第２の電極との両電極が対向するように、前記第１の部材の一面と前記第２の部材の一面とが対向しており、
前記両電極は、金属よりなる金属粒子（５０ａ）が結晶化してなる金属層（５０）を介して接合されており、
前記第１の電極は、表面に凹部（３３）を有するものであり、前記凹部よりはみ出さないように前記凹部内に前記金属層が配置されていることを特徴とする電極接合体。
【請求項８】
前記金属層は、前記第１の電極および前記第２の電極とは異種金属よりなるものであり、
前記第１の電極と前記金属層との界面、および、前記第２の電極と前記金属層との界面にて、それぞれの界面を構成する異種金属同士が固溶してなる、または合金を形成してなる第３の層が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の電極接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一面側に電極を有する第１の部材、第２の部材を備え、第１の部材の一面と第２の部材の一面とを対向させ、両部材の電極を接合してなる電極接合体、および、そのような電極接合体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の電極接合体としては、一面に金属よりなる第１の電極が配置された第１の部材と、一面に金属よりなる第２の電極が配置された第２の部材と、を備え、第１の電極と第２の電極との両電極が接触するように、第１の部材の一面と第２の部材の一面とを対向させ、両電極を接合してなるものが一般的である。
【０００３】
ここで、一般には、両電極上にバンプを形成し、当該バンプ同士を固相接合することで、両電極の接合を行っていた。これに対して、小型化や接合性向上等のために、バンプを用いない接合方法として、たとえば、特許文献１に記載のように、金属粒子を有機溶媒に溶解させたペーストを両電極間に介在させて、この状態で加熱して溶媒を除去して凝集体とすることで接合を行う方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１１６６１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の方法の場合、溶媒を含んだペーストを両電極間に配置するため、溶媒が除去された後で、両電極間に介在する金属粒子の凝集体中にボイドが残る可能性があり、接続性の点で問題が生じる。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、一面側に電極を有する第１の部材、第２の部材を備え、第１の部材の一面と第２の部材の一面とを対向させ、両部材の電極を接合してなる電極接合体において、金属層を介して両部材の電極間を接続するにあたって、当該金属層中にボイドが発生するのを極力防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１１、２１）側に電極（３０、４０）を有する第１の部材（１０）、第２の部材（２０）を備え、第１の部材の一面（１１）と第２の部材の一面（２１）とを対向させ、両部材の電極を接合してなる電極接合体の製造方法において、
第１の電極（３０）が配置された第１の部材と、第２の電極（４０）が配置された第２の部材と、金属よりなる金属粒子（５０ａ）が溶媒に含有されてなるスラリー（５０ｂ）と、を用意する用意工程と、第１の電極上に、スラリーを乾燥させて溶媒を除去することで金属粒子が凝集してなる金属層（５０）を形成する金属層形成工程と、第１の部材の一面と第２の部材の一面とを対向させ、第１の電極と第２の電極とが金属層を介して接触した状態で両電極が押し合う方向に加圧しながら、加熱して、金属層中の金属粒子を結晶化させることにより、両電極の接合を行う接合工程と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明の製造方法によれば、第１の電極（３０）上に、溶媒を含まない金属粒子（５０ａ）が凝集してなる金属層（５０）を設けておき、この金属層を介して両電極（３０、４０）を接合するようにしているから、金属層を介して両部材（１０、２０）の電極（３０、４０）間を接続するにあたって、金属層中におけるボイドの発生を極力防止することができる。
【０００９】
ここで、さらに、請求項２に記載の発明のように、用意工程では、第１の電極の表面自体に凹部（３３）を設けておき、金属層形成工程では、凹部よりはみ出さないように凹部内に金属層を配置させれば、接合工程の加圧時に当該金属層の外周部にて金属粒子の逃げを抑制し、金属層全体で、金属粒子に対する均一な加圧が可能になる、という効果が得られる。
【００１０】
請求項７に記載の発明では、一面（１１）に金属よりなる第１の電極（３０）が配置された第１の部材（１０）と、一面（２１）に金属よりなる第２の電極（４０）が配置された第２の部材（２０）と、を備え、第１の電極と第２の電極との両電極が対向するように、第１の部材の一面と第２の部材の一面とが対向しており、両電極は、金属よりなる金属粒子（５０ａ）が結晶化してなる金属層（５０）を介して接合されており、第１の電極は、表面に凹部（３３）を有するものであり、凹部よりはみ出さないように凹部内に金属層が配置されていることを特徴とする電極接合体（Ｓ２）が提供される。
【００１１】
本発明の電極接合体によれば、金属層を介して第１の電極と第２の電極とを加圧しながら加熱して接合するときにおいて、当該加圧時に金属層の外周部にて金属粒子の逃げを抑制することができるので、金属層全体で、金属粒子に対して均一な加圧を行うのに適した構成が実現される。
【００１２】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第1実施形態にかかる電極接合体の概略断面構成を示す図である。
【図２】第1実施形態にかかる電極接合体の製造方法の全体の流れを示す工程図である。
【図３】第1実施形態にかかる電極接合体の製造方法における金属層形成工程の第1の例を示す工程図である。
【図４】第1実施形態にかかる電極接合体の製造方法における金属層形成工程の第２の例を示す工程図である。
【図５】本発明の第２実施形態にかかる電極接合体の製造方法を示す工程図である。
【図６】本発明の第３実施形態にかかる電極接合体の製造方法の要部を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる電極接合体Ｓ１について、図１を参照して述べる。この電極接合体Ｓ１は、部材間の電極の接合が行われた構成を有する電子装置等に広く適用されるものである。
【００１６】
本実施形態の電極接合体Ｓ１は、大きくは、一面１１に金属よりなる第１の電極３０が配置された第１の部材１０と、一面２１に金属よりなる第２の電極４０が配置された第２の部材２０と、を備え、第１の電極３０と第２の電極４０とが対向するように、第１の部材１０の一面１１と第２の部材２０の一面２１とが対向しており、両電極３０、４０は、結晶化金属よりなる金属層５０を介して接合された構成を備えている。
【００１７】
第１の部材１０は、本実施形態では、セラミック基板、プリント基板、半導体基板さらには金属基板などの基板よりなる。ここでは、第１の部材１０の一面１１には、下地電極３１、３２が設けられ、この下地電極３１、３２の表面上にＣｕ（銅）よりなる第１の電極３０が設けられている。
【００１８】
ここで、第１の電極３０の下地電極３１、３２は、第１の部材１０の一面１１側から、Ａｌ（アルミニウム）よりなるベース電極３１、Ｔｉ（チタン）またはＴｉＯ（酸化チタン）よりなるバリア層３２が順に積層されたものとして構成されている。そして、第１の電極３０は、バリア層３２の表面に形成されている。
【００１９】
第２の部材２０は、本実施形態ではシリコン半導体等により構成される半導体チップよりなる。ここでは、第２の部材２０の一面２１には、下地電極４１、４２が設けられ、この下地電極４１、４２の表面上にＣｕよりなる第２の電極４０が設けられている。
【００２０】
ここで、第２の電極４０の下地電極４１、４２は、第２の部材２０の一面２１側から、Ａｌよりなるベース電極４１、ＴｉまたはＴｉＯよりなるバリア層４２が順に積層されたものとして構成されている。そして、第２の電極４０は、バリア層４２の表面に形成されている。
【００２１】
これら、第１の電極３０および第１の電極３０のベース電極３１、バリア層３２と、第２の電極４０および第２の電極４０のベース電極４１、バリア層４２とは、スパッタ、蒸着、めっき等の方法により形成されている。
【００２２】
金属層５０は、金属よりなる金属粒子が結晶化してなるものである。本実施形態では、この金属層５０を構成するための金属粒子は、第１の電極３０および第２の電極４０とは異種金属よりなるものであり、具体的には、Ａｇ（銀）またはＡｕ（金）等よりなる。そして、この金属粒子が加熱、加圧によって結晶化することで金属層５０を構成しているのである。
【００２３】
そして、本実施形態の場合、図１に示されるように、第１の電極３０と金属層５０との界面にて、第１の電極３０と金属層５０とが固溶してなる、または合金を形成してなる第３の層５１が形成される。一方、第２の電極４０と金属層５０との界面においても、第２の電極４０と金属層５０とが固溶してなる、または合金を形成してなる第３の層５２が形成される。
【００２４】
具体的には、第３の層５１、５２は、ＣｕとＡｇの固溶体または合金、あるいは、ＣｕとＡｕの固溶体または合金よりなる。そして、この第３の層５１、５２の形成により、接合性が十分に確保されている。
【００２５】
次に、本実施形態の電極接合体Ｓ１の製造方法について、図２および図３を参照して述べる。なお、これら図２および図３は、上記した図１に対応した断面にて製造方法中の各工程の状態を示しており、各電極３０、４０に付随する第１の部材１０および第２の部材２０は省略してある。
【００２６】
まず、本実施形態の製造方法においては、用意工程として、第１の電極３０が配置された第１の部材１０と、第２の電極４０が配置された第２の部材２０と、図３（ａ）に示されるような金属よりなる上記金属粒子５０ａが溶媒に含有されてなるスラリー５０ｂと、を用意する。
【００２７】
金属粒子５０ａは、上記金属層５０を形成するためのものであり、ＡｇやＡｕなどよりなる粉末状の微小粒子である。そして、スラリー５０ｂとしては、通常用いられる有機溶媒等の溶媒を用い、この金属粒子５０ａを当該溶媒に均一に分散したものとして構成されている。
【００２８】
また、本実施形態においては、金属粒子５０ａは、粒子表面を大きくして融点を下げるようにしたものを用いる。具体的には、粒径がサブミクロン（たとえば数十μｍ）以下であり、より微小なものとしてナノメートルオーダー（粒径が１μｍ未満）のものであってもよい。
【００２９】
そして、本製造方法では、図２（ｂ）に示されるように、金属層形成工程によって、第１の電極３０上に、スラリー５０ｂを乾燥させて溶媒を除去することで金属粒子５０ａが凝集してなる金属層５０を形成する。
【００３０】
このとき、金属層形成工程の具体的な方法として、図３に示される第１の例を行う。この第１の例としての金属層形成工程では、まず、図３（ａ）に示されるように、スラリー５０ｂを、板材６０の一面６１に、第１の電極３０の配置パターンに対応するパターンにて印刷する（印刷工程）。
【００３１】
この板材６０としては、ガラスやシリコンあるいは樹脂等よりなるものが挙げられる。また、この印刷には、スクリーン印刷やインクジェット法などが採用される。次に、図３（ｂ）に示されるように、板材６０上のスラリー５０ｂを加熱等により乾燥させて、スラリー５０ｂ中の溶媒を除去することにより、金属粒子５０ａが凝集してなる金属層５０とする（乾燥工程）。
【００３２】
次に、図３（ｃ）に示されるように、板材６０の一面６１を第１の部材１０の一面１１に押し付けて、金属層５０を第１の電極３０の表面に転写した後、金属層５０から板材６０を取り外す（転写工程）。この転写工程の終了に伴い、第１の例としての金属層形成工程が完了し、図２（ｂ）に示される状態とされる。
【００３３】
こうして、第１の電極３０上に金属層５０を形成した後、図２（ｃ）に示される接合工程を行う。この接合工程では、第１の部材１０の一面１１と第２の部材２０の一面２１とを対向させ、第１の電極３０と第２の電極４０とが金属層５０を介して接触した状態とする。
【００３４】
そして、この状態で、両電極３０、４０が押し合う方向に加圧しながら、加熱を行い、金属層５０中の金属粒子５０ａを結晶化させる。これにより、両電極３０、４０が金属層５０を介して接合される。つまり、最終的には金属層５０は、金属粒子５０ａが結晶化してなるものとして構成される。
【００３５】
このとき、本実施形態では、金属粒子５０ａは、両電極３０、４０とは異種金属よりなるものであるから、接合工程時の加熱により、上記した界面にて第３の層５１、５２が形成される。こうして、接合工程が終了し、図２（ｄ）に示されるように、本実施形態の電極接合体Ｓ１ができあがる。
【００３６】
以上のように、本実施形態によれば、一面１１に金属よりなる第１の電極３０が配置された第１の部材１０と、一面２１に金属よりなる第２の電極４０が配置された第２の部材２０と、を備え、これら両電極３０、４０が接触するように、第１の部材１０の一面１１と第２の部材２０の一面２１とを対向させ、両電極３０、４０を接合してなる電極接合体の製造方法が提供される。
【００３７】
そして、本製造方法では、第１の部材１０と、第２の部材２０と、金属粒子５０ａが溶媒に含有されてなるスラリー５０ｂとを用意する用意工程、第１の電極３０上に、スラリー５０ｂを乾燥させて溶媒を除去することで上記金属層５０を形成する金属層形成工程、第１の部材１０の一面１１と第２の部材２０の一面２１とを対向させ、第１の電極３０と第２の電極４０とが金属層５０を介して接触した状態で両電極３０、４０が押し合う方向に加圧、加熱して、金属粒子５０ａを結晶化させることにより、両電極３０、４０の接合を行う接合工程、を備えている。
【００３８】
このような、本実施形態の製造方法によれば、第１の電極３０上に、溶媒を含まない金属粒子５０ａが凝集してなる金属層５０を設けておき、この金属層５０を介して両電極３０、４０を接合するようにしているから、金属層５０を介して第１の電極３０と第２の電極４０との間を接続するにあたって、金属層５０中におけるボイドの発生を極力防止することができる。
【００３９】
また、上述したが、本製造方法では、金属粒子５０ａは、第１の電極３０および第２の電極４０とは異種金属よりなるものとしているため、各電極３０、４０と金属層５０とのそれぞれの界面にて上記固溶体または合金よりなる第３の層５１、５２が形成され、接合性が十分に確保される。
【００４０】
特に、本実施形態では、サブミクロン未満の金属粒子５０ａとすることで、金属粒子５０ａが、より低温で溶融しやすくなるため、上記した固溶体や合金よりなる第３の層５１、５２の形成が容易になるという利点がある。
【００４１】
なお、本実施形態の上記製造方法における金属層形成工程は、上記第１の例では、スラリー５０ｂを板材６０の一面６１に印刷する印刷工程と、板材６０上のスラリー５０ｂを乾燥させて金属層５０とする乾燥工程と、金属層５０を第１の電極３０の表面に転写する転写工程と、を行うものであったが、この金属層形成工程は、図４に示される第２の例により行ってもよい。
【００４２】
この第２の例では、まず、図４（ａ）に示されるように、スラリー５０ｂを、第１の電極３０の表面に直接印刷する。その後、図４（ｂ）に示されるように、第１の電極３０上のスラリー５０ｂを、加熱等により乾燥させて溶媒を除去することにより、金属粒子５０ａが凝集してなる金属層５０とする。これが第２の例であり、この第２の例によっても、ボイド発生を極力防止した金属層５０が形成される。
【００４３】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる電極接合体Ｓ２は、図５に示される製造方法により製造されるものであり、本実施形態の電極接合体Ｓ２の最終的な構造は、図５（ｄ）に示されるものである。
【００４４】
なお、この図５においては、本製造方法における各工程の状態を断面的に示しており、各電極３０、４０に付随する第１の部材１０および第２の部材２０は省略してある。まず、本電極接合体Ｓ２の構成について、上記第１実施形態の電極接合体Ｓ１との相違点を中心に述べる。
【００４５】
本電極接合体Ｓ２は、図５（ｄ）に示されるように、第１の電極３０の表面において、第２の電極４０と対向する部位に凹部３３が備えられており、この凹部３３よりはみ出さないように凹部３３内に金属層５０が配置されている。なお、ここでも、金属層５０と両電極３０、４０とが異種金属よりなることから、金属層５０と各電極３０、４０との界面には、各界面を構成する異種金属同士が固溶してなる、または合金を形成してなる上記第３の層５１、５２が形成されている。
【００４６】
本実施形態の電極接合体Ｓ２の製造方法について、上記第１実施形態との相違点を中心に述べる。図５（ａ）に示されるように、本実施形態では、上記用意工程において、第１の電極３０の表面自体に凹部３３を設ける。
【００４７】
ここでは、第１の電極３０は、上記第１実施形態と同様、ベース電極３１とバリア層３２とが積層された下地電極３１、３２の上に形成されている。そして、凹部３３の外側にて、ベース電極３１とバリア層３２との間に絶縁層３４を介在させ、絶縁層３４の厚さ分の段差を形成することにより、凹部３３を構成している。
【００４８】
この絶縁層３４は、電気的な絶縁性を有する無機材料または有機材料、たとえばＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯ２（酸化シリコン）、ポリイミド等の樹脂よりなるものであり、スパッタ、蒸着、塗布等の手法により成膜される。
【００４９】
次に、本実施形態では、金属層形成工程において、図５（ｂ）に示されるように、凹部３３よりはみ出さないように凹部３３内に金属層５０を配置させる。この金属層５０の形成は、上記第１実施形態における第１の例に示した方法で行ってもよいし、第２の例に示した方法で行ってもよい。
【００５０】
次に、図５（ｃ）に示されるように、接合工程において、第１の部材１０の一面１１と第２の部材２０の一面２１とを対向させ、第１の電極３０と第２の電極４０とが金属層５０を介して接触した状態で両電極３０、４０が押し合う方向に加圧しながら、加熱する。これにより、金属層５０中の金属粒子５０ａを結晶化させることにより、両電極３０、４０の接合を行う。
【００５１】
こうして、接合工程が終了し、図５（ｄ）に示されるように、本実施形態の電極接合体Ｓ２ができあがる。ここで、本実施形態においても、金属粒子５０ａは、両電極３０、４０とは異種金属よりなるものとしているため、接合工程時に、上記第３の層５１、５２が形成され、接合性が十分に確保される。
【００５２】
ところで、本実施形態の上記製造方法によれば、用意工程では、第１の電極３０の表面自体に凹部３３を設けておき、金属層形成工程では、凹部３３よりはみ出さないように凹部３３内に金属層５０を配置するようにしている。
【００５３】
そのため、接合工程の加圧時に、金属層５０の外周部にて金属粒子５０ａの逃げが凹部３３により抑制される。つまり、当該加圧の力によって、金属層５０の外周部にて金属粒子５０ａが外方に拡がろうとするのを、凹部３３の内壁が留めることになる。このことから、当該加圧時において金属層５０全体で、金属粒子５０ａに対する均一な加圧が可能になり、本実施形態の電極接合体Ｓ２における接合性の向上が期待できる。
【００５４】
また、本実施形態によれば、が対向するように、第１の部材１０、第２の部材２０の一面１１、２１同士が対向し、第１の電極３０と第２の電極４０とは、金属粒子５０ａが結晶化してなる金属層５０を介して接合されており、第１の電極３０は、表面に凹部３３を有し、この凹部３３よりはみ出さないように凹部３３内に金属層５０が配置されている電極接合体Ｓ２が提供される。そして、この電極接合体Ｓ２によれば、金属層５０全体で、金属粒子５０ａに対して均一な加圧を行うのに適した構成が実現できる。
【００５５】
なお、凹部３３の形成方法としては、上記絶縁層３４による段差形成を利用したものに限定されるものではない。たとえば、第１の部材１０の本体、ここでは基板のベースにエッチングやプレス等によって直接くぼみを設け、このくぼみ上に第１の電極３０を積層してやれば、第１の電極３０の表面自体に、上記くぼみ形状を継承した凹部３３を形成することができる。
【００５６】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態は、上記第１実施形態の製造方法を一部変形したものであり、この本実施形態の製造方法について、図６を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００５７】
なお、図６においては、第１の電極３０側について示してあるが、第２の電極４０側についても同様の製造方法を採用できることはもちろんである。また、図６においても、第１の電極３０に付随する上記第１の部材１０は省略してある。
【００５８】
図６（ａ）に示されるように、用意される第１および第２の部材１０、２０において各電極３０、４０の表面には、当該電極３０、４０を構成する金属が酸化することにより、金属酸化膜（たとえば酸化銅の膜）３０ａが形成される。
【００５９】
ここにおいて、この金属酸化膜３０ａが存在した状態のままで、接合工程を行った場合には、各電極３０、４０と金属層５０との界面の接合を金属酸化膜３０ａが阻害するため、結果的に、両電極３０、４０間の接合性が低下してしまうことは明らかである。
【００６０】
そこで、本実施形態の製造方法では、上記金属層形成工程の前、または、上記接合工程中に、両電極３０、４０の表面に存在する金属酸化膜３０ａを除去する酸化膜除去工程を行うようにしている。
【００６１】
具体的に、この金属層形成工程前に行う場合の酸化膜除去工程としては、図６（ｂ）に示される研磨などの物理的方法や、図６（ｃ）に示されるプラズマ照射などの化学的方法が挙げられる。たとえば、研磨工程としては、金属層５０の形成前に、砥石等の研磨材１００によって両電極３０、４０の表面を研磨することで金属酸化膜３０ａを除去する方法が挙げられる。また、プラズマ照射では、蟻酸や水素ガスなどを用いてプラズマを照射し、金属酸化膜３０ａを除去する方法が挙げられる。
【００６２】
また、接合工程中に行う場合の酸化膜除去工程としては、図示しないが、たとえば、接合時に金属層５０を介して第１の電極３０と第２の電極４０とが摺り合わせられるように、当該両電極３０、４０に超音波振動を印加する方法が挙げられる。この超音波振動を用いた方法によれば、当該超音波振動による両電極３０、４０と金属層５０との摺動によって、両電極３０、４０の表面に存在する金属酸化膜３０ａが除去される。
【００６３】
また、接合工程中に行う場合の酸化膜除去工程としては、図示しないが、たとえば水素ガスなどの還元雰囲気下における接合を行うことで、当該酸化膜３０ａを還元して除去する方法を採用してもよい。
【００６４】
ところで、本実施形態の製造方法では、上記金属層形成工程の前、または、上記接合工程中に、両電極３０、４０の表面に存在する金属酸化膜３０ａを除去する酸化膜除去工程を備えているから、両電極３０、４０の表面に金属酸化膜３０ａが存在して接合性が低下することを、極力防止できる。
【００６５】
なお、本実施形態の製造方法は、両電極３０、４０の表面に存在する金属酸化膜３０ａを除去する酸化膜除去工程を行うものであるから、上記第１実施形態の製造方法だけでなく、上記第２実施形態の製造方法に対しても、組み合わせて適用できることは言うまでもない。
【００６６】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、第１の電極３０、第２の電極４０はＣｕよりなるものであったが、それ以外にも、たとえばＣｕ合金、あるいは、適宜選択された他の金属よりなるものであってもよい。また、各電極３０、４０と金属層５０とでは、同一金属よりなるもの、たとえばＡｕよりなるものであってもよい。
【００６７】
また、上記各実施形態では、基板が第１の部材１０、半導体チップが第２の部材２０であったが、これとは逆に、半導体チップが第１の部材１０、基板が第２の部材２０であってもよい。
【００６８】
さらに、上記各実施形態では、第１の部材１０は基板、第２の部材２０は半導体チップであったが、それ以外にも、第１の部材１０および第２の部材２０は、配線基板、半導体チップ、リードフレームなどから選択されるものであればよい。さらには第１の部材１０および第２の部材２０ともに、たとえばともに配線基板でもよいし、ともに半導体チップでもよいし、ともにリードフレームでもよい。
【００６９】
また、上記各実施形態では、第１の部材１０および第２の部材２０と各電極３０、４０との間に、下地電極３１、３２、４１、４２が介在していたが、この下地電極は省略された構成であってもよい。たとえば、第１の部材１０の直上、第２の部材１０の直上に、それぞれ、Ｃｕ等よりなる第１の電極３０、第２の電極４０が形成されている構成を採用してもよい。
【００７０】
さらには、第１の部材１０および第２の部材２０がリードフレーム等の場合には、たとえばＣｕ等よりなるリードフレームの表面自体が、Ｃｕ等よりなる第１の電極３０や第２の電極４０であってもよい。つまり、当該リードフレームのうちの表面のうち金属層５０を介して接続される部分が、各電極３０、４０とされた構成を採用してもよい。
【００７１】
また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよいことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００７２】
１０    第１の部材
１１    第１の部材の一面
２０    第２の部材
２１    第２の部材の一面
３０    第１の電極
３３    凹部
４０    第２の電極
５０    金属層
５０ａ  金属粒子
５０ｂ  スラリー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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