(57)【要約】【課題】絶縁性および拡散反射率のいずれにも優れるＬＥＤパッケージおよびそれに用いる絶縁反射基板の提供。【解決手段】表面に絶縁層を有する金属基板と、絶縁層上に設けられる金属配線層と、絶縁層上の一部および金属配線層上の一部に設けられる多孔質層とを有し、金属基板がバルブ金属基板であり、絶縁層がバルブ金属の陽極酸化皮膜であり、多孔質層の空隙率が１０％以上であり、多孔質層が平均粒子径が０．１μｍ以上である無機粒子と無機系結着剤とを含有し、無機系結着剤がリン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種である絶縁反射基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に絶縁層を有する金属基板と、
前記絶縁層上に設けられる金属配線層と、
前記絶縁層上の一部および前記金属配線層上の一部に設けられる多孔質層とを有し、
前記金属基板が、バルブ金属基板であり、
前記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、
前記多孔質層の空隙率が、１０％以上であり、
前記多孔質層が、平均粒子径が０．１μｍ以上である無機粒子と無機系結着剤とを含有し、
前記無機系結着剤が、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種である絶縁反射基板。
【請求項２】
前記バルブ金属が、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマスおよびアンチモンからなる群から選択される少なくとも１種の金属である請求項１に記載の絶縁反射基板。
【請求項３】
前記多孔質層の空隙率が、１０〜５０％である請求項１または２に記載の絶縁反射基板。
【請求項４】
前記無機粒子の平均粒子径が、０．１〜５μｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載の絶縁反射基板。
【請求項５】
前記金属基板がアルミニウム基板であり、前記絶縁層がアルミニウムの陽極酸化皮膜である請求項１〜４のいずれか１項に記載の絶縁反射基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の絶縁反射基板と、前記絶縁反射基板の表面に実装されたＬＥＤ発光素子とを有するＬＥＤパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に用いられる絶縁反射基板に関するものであり、詳しくは発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という。）に用いることができる絶縁反射基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ＬＥＤは、蛍光灯と比較して、電力使用量が１／１００、寿命が４０倍（４００００時間）と言われている。このような省電力かつ長寿命という特徴が、環境重視の流れの中でＬＥＤが採用される重要な要素となっている。
特に白色ＬＥＤは、演色性に優れ、蛍光灯に比べて電源回路が簡便であるというメリットもあることから、照明用光源としての期待が高まっている。
近年、照明用光源として要求される発光効率の高い白色ＬＥＤ（３０〜１５０Ｌｍ／Ｗ）も続々と登場し、実用時における光の利用効率の点では、蛍光灯（２０〜１１０Ｌｍ／Ｗ）を逆転している。
これにより、蛍光灯に代わり白色ＬＥＤの実用化の流れが一気に高まり、液晶表示装置のバックライトや照明用光源として白色ＬＥＤが採用されるケースも増えつつある。
【０００３】
このような白色ＬＥＤに使用できる基板として、特許文献１には、「少なくとも、絶縁層と、該絶縁層と接して設けられる金属層とを有する光反射基板において、３２０ｎｍ超〜７００ｎｍ波長光の全反射率が５０％以上であって、且つ、３００ｎｍ〜３２０ｎｍ波長光の全反射率が６０％以上であることを特徴とする、光反射基板。」が開示されている（［請求項１］［請求項１２］）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１５０８１０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者は、特許文献１に記載された光反射基板について検討を行った結果、十分な絶縁性および反射率を有しているものの、アルミニウム基板の表面形状によってはＬＥＤの拡散反射率が低減する場合があり、蛍光灯代替ＬＥＤ灯具としては使用し難い場合があることを明らかとした。
【０００６】
そこで、本発明は、絶縁性および拡散反射率のいずれにも優れるＬＥＤパッケージおよびそれに用いる絶縁反射基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、特定の無機系結着剤を用い、特定の空隙率を有する多孔質層を設けることにより、優れた絶縁性と拡散反射率を両立できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（６）を提供する。
【０００８】
（１）  表面に絶縁層を有する金属基板と、
絶縁層上に設けられる金属配線層と、
絶縁層上の一部および金属配線層上の一部に設けられる多孔質層とを有し、
金属基板が、バルブ金属基板であり、
絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、
多孔質層の空隙率が、１０％以上であり、
多孔質層が、平均粒子径が０．１μｍ以上である無機粒子と無機系結着剤とを含有し、
無機系結着剤が、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種である絶縁反射基板。
【０００９】
（２）  バルブ金属が、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマスおよびアンチモンからなる群から選択される少なくとも１種の金属である（１）に記載の絶縁反射基板。
【００１０】
（３）  多孔質層の空隙率が、１０〜５０％である（１）または（２）に記載の絶縁反射基板。
【００１１】
（４）  無機粒子の平均粒子径が、０．１〜５μｍである（１）〜（３）のいずれかに記載の絶縁反射基板。
【００１２】
（５）  金属基板がアルミニウム基板であり、絶縁層がアルミニウムの陽極酸化皮膜である（１）〜（４）のいずれかに記載の絶縁反射基板。
【００１３】
（６）  （１）〜（５）のいずれかに記載の絶縁反射基板と、絶縁反射基板の表面に実装されたＬＥＤ発光素子とを有するＬＥＤパッケージ。
【発明の効果】
【００１４】
以下に説明するように、本発明によれば、絶縁性および拡散反射率のいずれにも優れるＬＥＤパッケージおよびそれに用いる絶縁反射基板を提供することができる。
また、本発明のＬＥＤパッケージは、拡散反射率が高いことから、蛍光灯代替ＬＥＤ灯具に好適に用いることができるため有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の絶縁反射基板の好適な実施形態の一例を示す模式的な図面であり、図１（Ａ）は上面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＩＢ−ＩＢ線における断面図である。
【図２】図２は、本発明の絶縁反射基板の製造過程におけるＶ字加工を説明するための模式的な図面であり、図２（Ａ）は上面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面図である。
【図３】図３は、本発明のＬＥＤパッケージの好適な実施形態の一例を示す模式的な図面であり、図３（Ａ）は上面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
［絶縁反射基板］
以下に、本発明の絶縁反射基板について詳細に説明する。
本発明の絶縁反射基板は、表面に絶縁層を有する金属基板と、上記絶縁層上に設けられる金属配線層と、上記絶縁層上の一部および上記金属配線層上の一部に設けられる多孔質層とを有し、上記金属基板がバルブ金属基板であり、上記絶縁層がバルブ金属の陽極酸化皮膜であり、上記多孔質層の空隙率が１０％以上であり、上記多孔質層が平均粒子径０．１μｍ以上の無機粒子と無機系結着剤とを含有し、上記無機系結着剤がリン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種である絶縁反射基板である。
次に、本発明の絶縁反射基板の構成について、図１を用いて説明する。
【００１７】
図１は、本発明の絶縁反射基板の好適な実施形態の一例を示す模式的な上面図および断面図である。
図１に示すように、本発明の絶縁反射基板１０は、表面に絶縁層２を有する金属基板１と、絶縁層２上に設けられる金属配線層３と、絶縁層２上の一部および金属配線層３上の一部に設けられる多孔質層７とを有する。
また、図１（Ｂ）の断面図に示すように、多孔質層７は、無機粒子４と無機系結着剤５と微小空隙６を含有するものである。
次に、本発明の絶縁反射基板を構成する金属基板、絶縁層、金属配線層および多孔質層の材料や形成方法等について説明する。
【００１８】
〔金属基板〕
本発明の絶縁反射基板に用いられる金属基板は、バルブ金属からなる基板である。
ここで、バルブ金属とは、陽極酸化により金属表面がその金属の酸化物の皮膜で覆われる特性を有し、更にその酸化皮膜が、電流を一方方向にのみ流して逆方向には非常に流しにくい特性を有する金属のことであり、その具体例としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
これらのうち、ＬＥＤパッケージに用いられるＬＥＤ光源の主波長である紫外〜可視光領域の波長に対する反射性に優れ、加工性および強度にも優れ、リサイクルも容易であるという理由から、アルミニウム基板であるのが好ましい。
【００１９】
本発明の絶縁反射基板に好適に用いられるアルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；等を用いることもできる。
ここで、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、１０質量％以下であるのが好ましい。
このようなアルミニウム基板は、組成や調製方法（例えば、鋳造方法等）等については特に限定されず、特許文献１（国際公開第２０１０／１５０８１０号）の［００３１］〜［００５１］段落に記載された組成、調製方法等を適宜採用することができる。
【００２０】
本発明においては、上記金属基板の厚みは特に特に限定されず、ユーザーの希望等により適宜変更することができるが、例えば、上記アルミニウム基材の厚みは、０．１〜２．０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１５〜１．５ｍｍであるのがより好ましく、０．２〜１．０ｍｍであるのがさらに好ましい。
【００２１】
〔絶縁層〕
本発明の絶縁反射基板に用いられる絶縁層は、上記金属基板（バルブ金属基板）の表面に設けられる層であって、上述したバルブ金属の陽極酸化皮膜である。
上記絶縁層は、上記バルブ金属基板とは別のバルブ金属基材の陽極酸化皮膜であってもよいが、絶縁層の形成欠陥を防ぐ観点から、上記バルブ金属基板の一部（表面）に後述する陽極酸化処理を施すことによってバルブ金属基板上に形成される陽極酸化皮膜であるのが好ましい。
【００２２】
本発明においては、上記絶縁層の厚さは、ＬＥＤパッケージの絶縁性がより良好となる理由から、１〜２００μｍであるのが好ましく、２０〜１５０μｍであるのが好ましく、４０〜１００μｍであるのがより好ましい。
【００２３】
また、本発明においては、上記陽極酸化処理により形成される絶縁層中のマイクロポアについて、特開２０１１−１３２５８６号公報の［００３５］〜［００３６］段落および図２に記載された規則化度が２０％以上であるのが好ましく、４０％以上であるのがより好ましく、７０％以上であるのが特に好ましい。
マイクロポアの規則化度が上記範囲であると、本発明の絶縁反射基板の全反射特性が向上する。
【００２４】
〔金属配線層〕
本発明の絶縁反射基板に用いられる金属配線層は、上記絶縁層上に設けられ、後述する本発明のＬＥＤパッケージが具備するＬＥＤ発光素子に電力を供給するための配線層である。
上記金属配線層の材料は、電気を通す素材（以下、「金属素材」ともいう。）であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられ、これらを１種単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。これらのうち、電気抵抗が低い理由からＣｕを用いるのが好ましい。
また、上記金属配線層は、これらの材料を用いた多層構造であってもよく、例えば、最下層からＡｇ層、Ｎｉ層およびＡｕ層をこの順で設ける態様が好適に挙げられる。
【００２５】
上記金属配線層の厚さは、目的や用途に応じて所望の厚さとすればよいが、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、０．５〜１００μｍが好ましく、５〜６０μｍがより好ましく、１０〜４０μｍが特に好ましい。
また、上記金属配線層が多層構造である場合、最下層（例えば、Ａｇ層）の厚みは、上記絶縁層の表面形状（例えば、微細な凹凸等）を考慮して、金属配線層全体の厚みの５０％以上であるのが好ましく、７０〜８０％であるのがより好ましい。具体的には、１０〜５０μｍであるのが好ましく、１５〜４０μｍであるのがより好ましい。
同様に、上記金属配線層が多層構造である場合、最上層（例えば、Ａｕ層）の厚みは、ワイヤボンディング性を考慮して、０．０５〜０．５μｍであるのが好ましく、０．１〜０．４μｍであるのがより好ましい。
【００２６】
〔多孔質層〕
本発明の絶縁反射基板に用いられる多孔質層は、上記絶縁層上の一部および上記金属配線層上の一部に設けられる光拡散反射層である。
ここで、上記多孔質層が設けられる「絶縁層上の一部」とは、上記金属配線層や後述する本発明のＬＥＤパッケージが具備するＬＥＤ発光素子の実装領域等に影響を受けるため特に限定されないが、配線設計等の観点から、図１（Ａ）に示すように、上記絶縁層の表面の４０〜９０％程度であるのが好ましい。
同様に、上記多孔質層が設けられる「金属配線層の一部」とは、上記金属配線層のパターニング等に影響を受けるため特に限定されないが、図１（Ａ）に示すように、上記絶縁層の表面の１〜５％程度であるのが好ましい。
また、上記多孔質層は、後述する特定粒径の無機粒子と特定の無機系結着剤とを含有し、無機系結着剤によって互いの一部が結着した多数の無機粒子からなる集合体であって、多数の無機粒子の粒子間などに微小空隙が形成された特定の空隙率を有する多孔質体である。
【００２７】
このような多孔質層を光拡散反射層として用いることにより、絶縁性および拡散反射率のいずれにも良好となる。
これは、上記多孔質層が、図１（Ｂ）に示すように、その表面が無機粒子による適度な大きさの凹凸形状を有しており、内部の空隙が光の反射・散乱に寄与するためであると考えられる。
【００２８】
本発明においては、上記多孔質層の空隙率は、１０％以上であり、１０〜７０％であるのが好ましく、１０〜５０％であるのがより好ましく、２０〜４０％であるのが更に好ましい。
空隙率が上記範囲であると、上記多孔質層の表面（主に無機粒子）に適度な大きさの凹凸形状が形成され、また、可撓性が保持され、ＬＥＤ発光素子を実装する際の取扱性等が良好となる。
ここで、空隙率は、幾何学法により測定した全空隙率をいうが、本発明においては、嵩密度をアルキメデス法により算出し、真密度を気相置換法（ピクノメータ法）により測定し、得られた結果を下記式（１）に代入した値を空隙率としている。
空隙率（％）＝{１−（嵩密度／真密度）｝×１００・・・（１）
【００２９】
また、本発明においては、上記多孔質層の表面の算術平均粗さＲａは、正反射を抑制し、拡散反射をより向上させる観点から、０．５〜３μｍであるのが好ましく、０．５〜１．０μｍであるのが好ましい。
ここで、算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１:2001に記載された表面性状パラメータのことをいい、本発明においては、触針式の表面粗さ計（例えば、ＳＵＲＦＣＯＭ４８０Ａ、ＡＣＣＲＥＴＥＣＨ(東京精密)社製）を用いて測定することができる。
【００３０】
更に、本発明においては、上記多孔質層の厚さは、その内部の空隙の存在を確保する観点から、１０〜１００μｍであるのが好ましく、３０〜８０μｍであるのがより好ましい。
ここで、上記多孔質層の膜厚の測定方法は、以下に示す通りである。
まず、多孔質層を設けた基板を折り曲げて作製した破断面を超高分解能走査型電子顕微鏡（例えば、Ｓ−４０００、日立製作所社製）によって観察して撮影する。なお、観察倍率は、膜厚等により適宜調整して行う。具体的には、倍率１００〜１００００倍であるのが好ましい。また、観察範囲は、断面長として１００μｍ以上の部分を観察するものとする。
次いで、上記方法で得られた画像データ（写真）の多孔質部分について、観察範囲の中で任意の１０箇所の膜厚を測定し、その平均値を上記多孔質層の膜厚とする。
【００３１】
＜無機粒子＞
上記多孔質層が有する無機粒子の平均粒子径は、０．１μｍ以上であり、０．１μｍ〜１５μｍであるのが好ましく、０．１μｍ〜５μｍであるのがより好ましく、０．５〜２μｍであるのが更に好ましい。
上記無機粒子の平均粒子径が０．１μｍ以上であると、後述する無機系結着剤により結着する際に粒子間に適切な空隙を確保することができる。
また、上記無機粒子の平均粒子径が５μｍ以下であると、上記多孔質層と上記絶縁層との密着性が良好となる。
ここで、平均粒子径とは、上記無機粒子の粒子径の平均値をいい、本発明においては、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて測定された５０％体積累積径（Ｄ５０）をいう。
また、本発明においては、上記無機粒子は、１０％体積累積径（Ｄ１０）と９０％体積累積径（Ｄ９０）との差が小さく、粒度分布が揃っているのが好ましい。
【００３２】
上記無機粒子は特に限定されず、例えば、従来公知の金属酸化物、金属水酸化物、炭酸塩、硫酸化物などを用いることができ、中でも、金属酸化物を用いるのが好ましい。
上記無機粒子としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化チタン、酸化亜鉛、二酸化ケイ素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物；水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウムなどの水酸化物；炭酸カルシウム（軽質炭酸カルシウム、重質炭酸カルシウム、極微細炭酸カルシウムなど）、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウムなどの炭酸塩；  硫酸カルシウム、硫酸バリウムなどの硫酸化物；また、その他に、カルシウムカーボネート、方解石、大理石、石膏、カオリンクレー、焼成クレー、タルク、セリサイト、光学ガラス、ガラスビーズなどが挙げられる。
この中でも、後述する無機系結着剤との親和性が良好となる理由から、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、水酸化アルミニウムが好ましく、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウムがより好ましい。
【００３３】
本発明においては、上記無機粒子は、２種類以上の粒子や、２種類以上の平均粒子径を有する粒子を併用してもよい。
なお、平均粒子径の異なる２種以上の無機粒子を併用（混合）する場合や、これらの無機粒子で別々の多孔質層を形成する場合は、無機粒子の平均粒子径は、主成分（５０質量％超）の無機粒子の平均粒子径をいう。
種類や平均粒子径の異なる粒子を併用することにより、上記多孔質層の強度の向上や、上記多孔質層と上記絶縁層との密着強度の向上を図ることができる。
【００３４】
また、本発明においては、上記無機粒子の形状は特に限定はされず、例えば、球状、多面体状（例えば、２０面体状、１２面体状等）、立方体状、４面体状、表面に凹凸状ないし凸状の突起を複数有する形状（以下、「コンペイトウ形状」ともいう。）、板状、針状等いずれであってもよい。
これらのうち、断熱性に優れる理由から、球状、多面体状、立方体状、４面体状、コンペイトウ形状が好ましく、入手が容易で断熱性により優れる理由から、球状であるのがより好ましい。
【００３５】
更に、本発明においては、ＬＥＤパッケージの正反射率の観点から、屈折率が１．５〜１．８の無機粒子を用いることが好ましい。
上記屈折率を満たす無機粒子としては、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、大理石、石膏、カオリンクレー、タルク、セリサイト、光学ガラス、ガラスビーズなどが挙げられる。
【００３６】
＜無機系結着剤＞
上記多孔質層が有する無機系結着剤は、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種（以下、本段落においては「リン酸アルミニウム等」という。）である。
ここで、一般的に、無機粒子を結着させるためには、焼結を行うことが知られているが、特定の空隙を確保するためには、焼結の進行を制御する必要があった。
これに対し、本発明においては、リン酸アルミニウム等を無機系結着剤として用いることにより、所定の空隙率を有する多孔質層を焼結せずに形成することができる。また、形成される多孔質層は、経年変化にも強く、更に、形成時に無機系結着剤が上記絶縁層とも反応するため、上記絶縁層との密着性も良好となる。
これは、リン酸アルミニウム等が、結着の初期において糊に似た挙動を示し、また、後述する比較例で使用した有機バインダー（エポキシ樹脂）よりも無機粒子同士の空隙を保持する力が強いためであると考えられる。
【００３７】
（リン酸アルミニウム）
上記リン酸アルミニウムは、狭義のリン酸アルミニウムだけではなく、リン酸アルミニウムの他に、例えば、メタリン酸アルミニウム、オルトリン酸アルミニウム、ポリリン酸アルミニウム等が挙げられる。
また、上記リン酸アルミニウムとしては、市販のリン酸と市販の硫酸アルミニウム（または、水酸化アルミニウム、塩化アルミニウム、および、これらの混合物）とを水の存在下で反応させて得ることができる。さらに、塩化アルミニウムは水酸化アルミニウムの反応を触媒的に進行させる役割を有すると考えられるため、上記反応においては、水酸化アルミニウムと塩化アルミニウムの両方を添加することが好ましく、塩化アルミニウムの量が水酸化アルミニウムの量に対して、５〜１０％であることが好ましい。なお、反応物の中和が必要な場合は水酸化ナトリウム溶液を用いることができ、硫酸アルミニウムは、硫酸とアルミナとを反応させて製造してもよい。
【００３８】
本発明においては、上記リン酸アルミニウムと共に、リン酸塩化合物を用いてもよい。
上記リン酸塩化合物としては、水に不溶性であれば特に限定されず、その具体例としては、リン酸マグネシウム、リン酸カルシウム、リン酸亜鉛、リン酸バリウム、リン酸アルミニウム、リン酸ガリウム、リン酸ランタン、リン酸チタニウム、リン酸ジルコニウム等が挙げられる。
また、上記リン酸塩化合物を上記リン酸アルミニウムと併用する場合、５０質量％以上がリン酸アルミニウムであるのが好ましい。
【００３９】
（ケイ酸ナトリウム）
上記ケイ酸ナトリウムは、ケイ酸ソーダまたは水ガラスとも呼ばれるものであり、メタケイ酸のナトリウム塩であるＮａ2ＳｉＯ3が一般的だが、その他に、Ｎａ4ＳｉＯ4、Ｎａ2Ｓｉ2Ｏ5、Ｎａ2Ｓｉ4Ｏ9なども用いることができる。
メタケイ酸のナトリウム塩は、二酸化ケイ素を炭酸ナトリウムまたは水酸化ナトリウムと融解して得ることができる。
【００４０】
（塩化アルミニウム）
上記塩化アルミニウムは、無水塩化アルミニウム、塩化アルミニウム６水和物、ポリ塩化アルミニウム（水酸化アルミニウムを塩酸に溶解させて生成する塩基性塩化アルミニウムの重合体）のいずれであってもよい。
【００４１】
上記多孔質層には、上記無機粒子と無機系結着剤以外に、他の化合物を含有してもよい。他の化合物としては、例えば、分散剤、反応促進剤等が挙げられ、また、これらと、上記無機粒子と無機系結着剤との反応生成物等も挙げられる。
【００４２】
［絶縁反射基板の製造方法］
以下に、本発明の絶縁反射基板の製造方法（以下、単に「本発明の製造方法」ともいう。）について詳細に説明する。
本発明の製造方法は特に限定されないが、例えば、上記金属基板に対して陽極酸化処理を施して上記絶縁層を形成する陽極酸化処理工程、上記絶縁層の上に上記金属配線層を形成する配線形成工程、ならびに、上記絶縁層および上記金属配線層の各層の一部上に上記多孔質層を形成する多孔質層形成工程をこの順に有する方法により製造することができる。
また、本発明の製造方法においては、絶縁反射基板を用いたＬＥＤパッケージの組立工程や実装方法、装置の観点から、所望によりスルーホール加工、ルーティング加工、Ｖ字加工などの各種加工工程を有していてもよい。
次に、本発明の製造方法が有する上述した各処理工程について説明する。
【００４３】
〔陽極酸化処理工程〕
上記陽極酸化処理工程は、上記金属基板に対して陽極酸化処理を施し、上記絶縁層を陽極酸化皮膜として形成する工程である。
上記陽極酸化処理は特に限定されず、従来行われている方法で行うことができる。
上記陽極酸化処理に用いられる溶液としては、具体的には、例えば、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸、等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４４】
また、上記陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１〜８０質量％、液温５〜７０℃、電流密度０．５〜６０Ａ／ｄｍ2、電圧１〜１００Ｖ、電解時間１５秒〜５０分であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜層量となるように調整される。
【００４５】
硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、上記金属基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよい。上記金属基板に直流を印加する場合においては、電流密度は、１〜６０Ａ／ｄｍ2であるのが好ましく、５〜４０Ａ／ｄｍ2であるのがより好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、上記金属基板の一部に電流が集中していわゆる「焼け」が生じないように、陽極酸化処理の開始当初は、５〜１０Ａ／ｄｍ2の低電流密度で電流を流し、陽極酸化処理が進行するにつれ、３０〜５０Ａ／ｄｍ2またはそれ以上に電流密度を増加させるのが好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、上記金属基板に、電解液を介して給電する液給電方式により行うのが好ましい。
【００４６】
陽極酸化処理のその他の詳細については、特許文献１（国際公開第２０１０／１５０８１０号）の［００９１］〜［００９４］段落に記載されている。
【００４７】
〔配線形成工程〕
上記配線形成工程は、上記絶縁層の上に上記金属配線層を形成する工程である。
上記金属配線層の形成方法としては、例えば、上述した金属素材および液体成分（例えば、溶媒、樹脂成分など）を含有する金属インクをインクジェット印刷法、スクリーン印刷法等により上記絶縁層上にパターン印刷する方法等が挙げられる。
このような形成方法により、上記絶縁層の表面に多くの工程を必要とせずに簡易にパターンを有する配線層を形成することができる。
【００４８】
また、その他の上記金属配線層の形成方法としては、例えば、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理の他、スパッタリング処理、蒸着処理、金属箔の真空貼付処理、接着層を設けての接着処理等が挙げられる。
【００４９】
〔多孔質層形成工程〕
上記多孔質層形成工程は、上記絶縁層および上記金属配線層の各層の一部上に上記多孔質層を形成する工程であり、例えば、後述する塗膜形成処理および乾燥処理を施す工程であるのが好ましい。
【００５０】
＜塗膜形成処理＞
上記塗膜形成処理は、上記絶縁層および上記金属配線層の各層上の所定の位置に、平均粒子径が０．１μｍ以上である無機粒子とリン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種の無機系結着剤とを含有する塗布液を塗布して塗膜を形成する工程である。
【００５１】
（塗布液）
上記塗布液は、上記無機粒子と上記無機系結着剤とを含有する溶液であれば特に限定されないが、上記無機粒子と上記無機系結着剤とを含有するスラリーであるのが好ましい。
また、上記塗布液中の上記無機系結着剤の含有量は、上記無機粒子１００質量部に対して５〜５０質量部であるのが好ましい。
【００５２】
本発明においては、上記無機系結着剤として上記リン酸アルミニウムを用いる場合、上記塗布液は、リン酸、水酸化アルミニウムおよび水を含有する混合液を利用し、この混合液中でリン酸と水酸化アルミニウムを液中で反応させることによりリン酸アルミニウムを生成させた反応溶液を用いることができる。なお、リン酸アルミニウムが生成していることは、赤外分光光度計で形成した多孔質層の表面を分析すれば容易に確認することができる。
同様に、上記無機系結着剤として上記塩化アルミニウムを用いる場合、上記塗布液は、塩酸、水酸化アルミニウムおよび水を含有する混合液を利用し、この混合液中で塩酸と水酸化アルミニウムを液中で反応させることにより塩化アルミニウムを生成させた反応溶液を用いることができる。なお、塩化アルミニウムが生成していることは、赤外分光光度計で形成した多孔質層の表面を分析すれば容易に確認することができる。
ここで、反応式に従う化学量論比で混合液を調整すると、反応が進むとともに液の粘度が急激に上昇するため、予め若干過剰の水を添加しておくことが望ましい。
また、形成される多孔質層の微小空隙中にリン酸根または塩酸根が残存することは基板の腐食等を引き起こすため、化学量論比よりも若干過剰の水酸化アルミニウムを添加しておくことが望ましい。
【００５３】
（塗布方法）
上記塗布液の塗布方法は特に限定されず、種々の方法を用いることができるが、例えば、バーコーター塗布、回転塗布、スプレー塗布、カーテン塗布、ディップ塗布、エアーナイフ塗布、ブレード塗布、ロール塗布等を挙げることができる。
【００５４】
＜乾燥処理＞
上記乾燥処理は、上記塗膜形処理で形成した上記塗膜を乾燥させることにより、空隙率が１０％以上である上記多孔質層を形成する工程である。
ここで、上記塗膜の乾燥条件は特に限定されず、一般的に用いられる方法を選択できるが、リン酸アルミニウムにより無機粒子が結着する反応を進めるために焼成（加熱乾燥）することが好ましい。
また、上記乾燥の温度は、１００〜３００℃が好ましく、１５０〜２８０℃であるのがより好ましく、２００〜２５０℃であるのがさらに好ましい。
水分を除去する観点から１００℃以上が好ましく、また、リン酸と水酸化アルミニウムの反応を進めて結着させるには１５０℃以上が好ましく、さらに、得られたリン酸アルミニウムに残存する吸着水を完全に除去する観点から２００℃以上が好ましい。
また、上記金属基板にアルミニウム基板を用いる場合には、軟化を抑制する観点から、３００℃以下であるのが好ましく、さらに、長時間の加熱処理におけるアルミニウム基板の強度変化の観点から、２５０℃以下で処理する事が望ましい。
乾燥時間に関しては１０分〜６０分が好ましく、２０分〜４０分がより好ましい。短時間では反応の進行が不十分であり、長時間になると乾燥温度との関係でアルミニウム基板の強度変化をきたす虞がある。６０分以上では製造コスト的にも好ましくない。
また、上記焼成（加熱乾燥）をする場合に、上記塗布液は水分を含む液のため、焼成前に、リン酸アルミニウムが生成反応や結着反応を起こさない１００℃以下の温度で乾燥させてもよい。
【００５５】
〔加工工程〕
上記加工工程は、上述したように、絶縁反射基板を用いたＬＥＤパッケージの組立工程や実装方法、装置の観点から所望により施される工程であり、例えば、スルーホール加工、ルーティング加工、Ｖ字加工等が挙げられる。
これらの加工工程は、上記陽極酸化処理工程の前；上記陽極酸化処理工程、上記配線形成工程および上記多孔質層形成工程の各工程間；上記多孔質層形成工程の後のいずれにおいても施すことができる。
【００５６】
＜スルーホール加工＞
上記スルーホール加工は特に限定されず、例えば、特許文献１（国際公開第２０１０／１５０８１０号）の［００８４］、［００８５］、［００８７］および［０１４４］段落等に記載されている加工方法を適宜採用することができる。
【００５７】
＜ルーティング加工＞
上記ルーティング加工は特に限定されず、例えば、特許文献１（国際公開第２０１０／１５０８１０号）の［００８４］、［００８６］および［００８７］段落ならびに［図１１］等に記載されている加工方法を適宜採用することができる。
【００５８】
＜Ｖ字加工＞
上記Ｖ字加工は、例えば、図２に示すように、ダイサー８等を用いて、基板の厚み方向に切断しない程度に切り込み(切り欠き)９を入れるための加工である。
【００５９】
［ＬＥＤパッケージ］
以下に、本発明のＬＥＤパッケージについて詳細に説明する。
本発明のＬＥＤパッケージは、上述した本発明の反射基板と、その表面に実装されたＬＥＤ発光素子とを有するＬＥＤパッケージである。
次に、本発明のＬＥＤパッケージの構成について、図３を用いて説明する。
【００６０】
図３に示すように、ＬＥＤパッケージ２０は、絶縁反射基板１０の表面（絶縁層２）上に実装されたＬＥＤ１１を有する。
なお、ＬＥＤ１１は、図示しない蛍光粒子を混入した透明樹脂でモールドされており、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層３を有する本発明の絶縁反射基板１０にワイヤボンディングされている。
【００６１】
本発明においては、上記ＬＥＤ発光素子は、基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。
半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。
【００６２】
また、上記透明樹脂の材質は、熱硬化性樹脂が好ましい。
上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
また、透明樹脂は、青色ＬＥＤを保護するため硬質のものが好ましい。
また、透明樹脂は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。
また、透明樹脂は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも１種を混合することもできる。
【００６３】
更に、上記蛍光粒子は、青色ＬＥＤからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。
蛍光粒子としては、具体的には、例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、βサイアロン系蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体；Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系元素で主に付活される有機錯体；等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６４】
一方、本発明のＬＥＤパッケージは、紫外〜青色ＬＥＤとそれを吸収し可視光領域で蛍光を発する蛍光発光体とを用いた蛍光体混色型白色系ＬＥＤパッケージとしても使用することができる。
これらの蛍光発光体が青色ＬＥＤからの青色光を吸収して蛍光（黄色系蛍光）を生じ、この蛍光と青色ＬＥＤの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。
上述した方式は、青色ＬＥＤ光源チップと黄色蛍光体１種とを組み合わせたいわゆる「擬似白色発光型」であるが、このほかにも、例えば紫外〜近紫外ＬＥＤ光源チップと赤色／緑色／青色蛍光体等を数種組み合わせた「紫外〜近紫外光源型」、及び、赤色／緑色／青色３光源で白色発光させる「ＲＧＢ光源型」、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットとして本発明のＬＥＤパッケージを使用することができる。
【００６５】
本発明のＬＥＤパッケージにおいて、本発明の反射基板にＬＥＤ発光素子を実装する方法は加熱による実装を伴うが、半田リフローを含めての熱圧着、およびフリップチップによる実装方法では、均一かつ確実な実装を施す観点から、最高到達温度は２２０〜３５０℃が好ましく、２４０〜３２０℃がより好ましく、２６０〜３００℃が特に好ましい。
これらの最高到達温度を維持する時間としては、同観点から２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。
【００６６】
また、ワイヤボンディングでの実装時の温度としては、確実な実装を施す観点から、８０〜３００℃が好ましく、９０〜２５０℃がより好ましく、１００〜２００℃が特に好ましい。加熱時間としては、２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。
【実施例】
【００６７】
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
【００６８】
〔絶縁反射基板の作製〕
＜実施例１＞
（絶縁層を有する金属基板の作製）
アルミニウム板（１０５０材、厚み０．８ｍｍ、日本軽金属社製）に、水酸化ナトリウム濃度が２７質量％であり、アルミニウムイオンが濃度６．５質量％である、温度７０℃の水溶液をスプレー管から２０秒間吹き付けた。その後、ニップローラで液切りし、更に、後述する水洗処理を行った後、ニップローラで液切りした。
水洗処理は、自由落下カーテン状の液膜により水洗処理する装置を用いて水洗し、更に、扇状に噴射水が広がるスプレーチップを８０ｍｍ間隔で有する構造を有するスプレー管を用いて５秒間水洗処理した。
上記水洗処理の後、デスマット処理を行った。デスマット処理に用いる酸性水溶液は、硫酸１％水溶液を用い、液温３５℃でスプレー管から５秒間吹き付けて行った。その後、ニップローラで液切りした。
次いで、これらの処理を施した後の基板を陽極とし、陽極酸化処理装置を用いて陽極酸化処理を施した。電解液としては、７０ｇ／Ｌ硫酸水溶液に硫酸アルミニウムを溶解させてアルミニウムイオン濃度を５ｇ／Ｌとした電解液（温度２０℃）を用いた。また、陽極酸化処理は、基板がアノード反応する間の電圧を２５Ｖとなるように定電圧の電解条件とし、最終的な陽極酸化皮膜の厚みが６０μｍとなるまで施し、アルミニウムの陽極酸化皮膜を絶縁層として表面に有するアルミニウム基板（以下、「陽極酸化アルミニウム基板」ともいう。）を作製した。
その後、ニップローラで液切りし、更に、上記の水洗処理に用いたのと同様の構造のスプレー管を用いて水洗処理を行った後、ニップローラで液切りした。
【００６９】
（金属配線層の形成）
作製した陽極酸化アルミニウム基板にスパッタ装置を用いてＣｕ層を形成した。具体的には、１．２Ｐａの条件で２５分間スパッタを施すことにより、厚み０．７ｕｍのＣｕ層を形成した。
次いで、このＣｕ層を陰極として、硫酸銅液中で電解メッキにより、更にＣｕを厚膜化した。具体的には、硫酸銅溶液としてＣｕ濃度を１００ｇ／Ｌに調液したものを用い、４０℃で電流密度１Ａ／ｄｍ2となる条件で処理し、膜厚が２０ｕｍとなるよう調整した。
次いで、水洗し乾燥した後、フイルムレジスト(フォテック、日立化成社製)を貼り合せ、図１に示す金属配線層３のパターンとなるように露光し、アルカリ現像処理して不要となるＣｕ部分を露出させた。
その後、アンモニア濃度５％、塩化アンモニウム２２６ｇ／Ｌの組成に調製したアンモニア水(液温：５０℃)に浸漬することで、露出したＣｕ部分のみを溶解除去した。なお、アンモニア水による溶解処理は、陽極酸化皮膜へのダメージを低減させるため、２分間浸漬と水洗とを５回程度繰り返すことで露出したＣｕ部分の残存が無いように処理した。
【００７０】
（多孔質層の形成）
以下に示す組成のバインダー液Ａ１００ｇに、無機粒子としてＡＬ−１６０ＳＧ−３（平均粒子径：０．５２μｍ、昭和電工社製）を１００ｇ添加し、撹拌することにより、多孔質層形成溶液を調製した。
調製した多孔質層形成溶液を金属配線層を形成した基板上に塗布して塗膜を形成した後に、１８０℃で５分間乾燥させることにより、基板上に多孔質層が形成された絶縁反射基板を作製した。
なお、多孔質層におけるリン酸アルミニウム（無機系結着剤）の存在は、赤外分光法（ＩＲ）により確認した。
＜バインダー液Ａの組成＞
・リン酸８５％        (和光純薬)  ４８ｇ
・水酸化アルミニウム(和光純薬)    １１ｇ
・水                              ４１ｇ
【００７１】
＜実施例２＞
多孔質層形成溶液に用いる無機粒子をＡＳ−４０（平均粒子径：１２μｍ、昭和電工社製）に代えた以外は、実施例１と同様の方法で、絶縁反射基板を作製した。
【００７２】
＜実施例３＞
多孔質層形成溶液に用いる無機粒子をＡＳ−４０（平均粒子径：１２μｍ、昭和電工社製）に代え、その配合量を２００ｇに変えた以外は、実施例１と同様の方法で、絶縁反射基板を作製した。
【００７３】
＜実施例４＞
バインダー液Ａの組成中、水を添加量を２０ｇに変えた以外は、実施例１と同様の方法で、絶縁反射基板を作製した。
【００７４】
＜実施例５＞
（絶縁層を有する金属基板の作製）
０．５ｍｍの厚みのチタン板(添川理化学社製)を陽極とし、陽極酸化処理装置を用いて陽極酸化処理を施した。
ここで、チタン板は予めトリクロロエチレンで脱脂したものを用いた。
また、陽極酸化処理は、２５ｇ／Ｌのリン酸、３５ｇ／Ｌの硫酸、１０ｇ／Ｌの過酸化水素水の混合用液水溶液を電解液（温度２０℃）として用い、基板が３Ａ／ｄｍ2の定電流で２５０Ｖの電圧となるまで実施した。陽極酸化皮膜の厚みは８μｍとなった。
このようにしてチタンの陽極酸化皮膜を絶縁層として表面に有するチタン基板（以下、「陽極酸化チタン基板」ともいう。）を作製した。
【００７５】
（金属配線層の形成）
作製した陽極酸化チタン基板の表面にインクジェット装置（ＤＭＰ−２８３１、富士フイルム社製）を用いて銀ナノ粒子インク（ＸＡ−４３６、藤倉化学社製）の希釈液を図１に示す金属配線層３のパターンで打滴することでＡｇ配線(配線幅：１００μｍ)を形成させた。
【００７６】
（多孔質層の形成）
実施例１と同様の方法で多孔質層を形成し、基板上に多孔質層が形成された絶縁反射基板を作製した。
【００７７】
＜実施例６＞
金属配線層を以下に示す形成方法に代えた以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁反射基板を作製した。
（金属配線層の形成）
作製した陽極酸化アルミニウム基板の表面にインクジェット装置（ＤＭＰ−２８３１、富士フイルム社製）を用いて銀ナノ粒子インク（ＸＡ−４３６、藤倉化学社製）の希釈液を図１に示す金属配線層３のパターンで打滴することでＡｇ配線(配線幅：１００μｍ)を形成させた。
【００７８】
＜実施例７＞
多孔質層形成溶液に用いる無機粒子を水酸化アルミニウム（ＢＦ０１３、平均粒子径：１．２μｍ、日本軽金属社製）に代えた以外は、実施例１と同様の方法で、絶縁反射基板を作製した。
【００７９】
＜実施例８＞
多孔質層を以下に示す形成方法に代えた以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁反射基板を作製した。
（多孔質層の形成）
富山化学社製の３号ケイ酸ソーダ原液（比重１．４）と水とを質量比１：１になるように混合したバインダー液Ｂ１００ｇに、無機粒子としてＡＬ−１６０ＳＧ−３（平均粒子径：０．５２μｍ、昭和電工社製）を１００ｇ添加し、撹拌することにより、多孔質層形成溶液を調製した。
調製した多孔質層形成溶液を金属配線層を形成した基板上に塗布して塗膜を形成した後に、１８０℃で５分間乾燥させることにより、基板上に多孔質層が形成された絶縁反射基板を作製した。
なお、多孔質層におけるケイ酸アルミニウム（無機系結着剤）の存在は、赤外分光法（ＩＲ）により確認した。
【００８０】
＜実施例９＞
多孔質層を以下に示す形成方法に代えた以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁反射基板を作製した。
（多孔質層の形成）
以下に示す組成のバインダー液Ｃ１００ｇに、無機粒子としてＡＬ−１６０ＳＧ−３（平均粒子径：０．５２μｍ、昭和電工社製）を１００ｇ添加し、撹拌することにより、多孔質層形成溶液を調製した。
調製した多孔質層形成溶液を金属配線層を形成した基板上に塗布して塗膜を形成した後に、１８０℃で５分間乾燥させることにより、基板上に多孔質層が形成された絶縁反射基板を作製した。
なお、多孔質層における塩化アルミニウム（無機系結着剤）の存在は、赤外分光法（ＩＲ）により確認した。
＜バインダー液Ｃの組成＞
・塩酸８５％        (和光純薬)    ４６．９ｇ
・水酸化アルミニウム(和光純薬)    １１ｇ
・水                              ９０ｇ
【００８１】
＜比較例１＞
バインダー液Ａの組成中、水を添加しなかった以外は、実施例１と同様の方法で、絶縁反射基板を作製した。
【００８２】
＜比較例２＞
多孔質層を以下に示す形成方法に代えた以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁反射基板を作製した。
（多孔質層の形成）
低粘度エポキシ樹脂（Ｚ−１、日新レンジ社製）１０ｇに、無機粒子としてＡＬ−１６０ＳＧ−３（平均粒子径：０．５２μｍ、昭和電工社製）を１００ｇ添加し、撹拌することにより、多孔質層形成組成物を調製した。
調製した多孔質層形成組成物を金属配線層を形成した基板上に塗布して塗膜を形成した後に、１８０℃で５分間乾燥させることにより、基板上に多孔質層が形成された絶縁反射基板を作製した。
【００８３】
＜比較例３＞
多孔質層を以下に示す形成方法に代えた以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁反射基板を作製した。
（多孔質層の形成）
アルミナゾル５２０（平均粒子径：２０ｎｍ、固形分濃度：２０％、日産化学社製）４１ｇと、リン酸８５％（和光純薬社製）４８ｇと、水酸化アルミニウム（和光純薬社製）１１ｇとを混合した多孔質層形成溶液を調製した。
調製した多孔質層形成溶液を金属配線層を形成した基板上に塗布して塗膜を形成した後に、１８０℃で５分間乾燥させることにより、基板上に多孔質層が形成された絶縁反射基板を作製した。
なお、多孔質層におけるリン酸アルミニウム（無機系結着剤）の存在は、赤外分光法（ＩＲ）により確認した。
【００８４】
＜比較例４＞
多孔質層を形成しなかった以外は、実施例１と同様の条件により、絶縁反射基板を作製した。
【００８５】
作製した各絶縁反射基板の多孔質層の空隙率は、嵩密度をアルキメデス法により算出し、真密度を気相置換法（ピクノメータ法）により測定し、得られた結果を上記式（１）に代入した値を算出した。この結果を下記第１表に示す。
また、多孔質層の表面について、ＪＩＳ Ｂ０６０１:2001に記載された算術平均粗さＲａを測定した。具体的には、触針式の表面粗さ計（ＳＵＲＦＣＯＭ４８０Ａ、ＡＣＣＲＥＴＥＣＨ(東京精密)社製）を用いて、Ｒａを測定した。この結果を下記第１表に示す。
【００８６】
【表１】
2013065847.tif 000003
【００８７】
〔評価〕
作製した各絶縁反射基板について、以下に示す方法により、絶縁性（耐電圧）、反射特性（反射率）および発光効率を測定した。これらの結果を下記第２表に示す。
【００８８】
＜絶縁性＞
作製した各絶縁反射基板について、ＪＩＳ Ｃ２１１０規格の方法に従い、絶縁破壊電圧（耐電圧）（ｋＶ）を計測した。
【００８９】
＜反射特性＞
作製した各絶縁反射基板について、Ｘ−ｒｉｔｅ社製ＳＰ−６０型積分球光度計を用いて、４００〜７００ｎｍの正反射率（ＳＰＩＮモードの全平均）および拡散反射率（ＳＰＥＸモードの全平均）を測定した。
【００９０】
＜発光効率＞
作製した各絶縁反射基板の表面に青色ＬＥＤ発光素子をワイヤボンディング法により実装し、青色ＬＥＤ発光素子とを接続した。
青色ＬＥＤ発光素子を実装した後、表面に黄色蛍光体を含有した封止材を設けることで、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
作製した各擬似白色型ＬＥＤパッケージについて、１０Ｖの電圧で駆動した際の電流（Ａ）と、色度Ｘ値＝０．３３での光束量（ｌｍ）とを測定し、下記式から初期の発光効率（ｌｍ／Ｗ）を算出した。同様の測定を１０Ｖの電圧を付加して大気中で１０００時間連続点灯させた後に行い、下記式から経時の発光効率（ｌｍ／Ｗ）を算出した。
発光効率（１ｍ／Ｗ）＝光束量（ｌｍ）／（電流（Ａ）×１０（Ｖ））
【００９１】
【表２】
2013065847.tif 000004
【００９２】
第１表および第２表に示す結果から、多孔質層を有していない比較例４で作製した絶縁反射基板は、絶縁性に優れ、正反射率も十分高いものの、拡散反射率がやや劣り、その結果、発光効率も若干低くなることが分かった。
また、所定の無機系結着剤を用いずに調製した多孔質層を有する比較例２で作製した絶縁反射基板は、比較例４よりも拡散反射率は向上するが、長期間の点灯によりエポキシ樹脂層が劣化し、経時の発光効率が低下することが分かった。
また、所定の無機系結着剤を用いた場合であっても、空隙率の小さい比較例１や無機粒子の小さい比較例３で作製した絶縁反射基板は、比較例４よりも拡散反射率は若干向上するが不十分であることが分かった。
【００９３】
これに対し、所定の無機系結着剤を用いて調製した多孔質層を有する実施例１〜９で作製した絶縁反射基板は、絶縁性および拡散反射率のいずれにも優れ、初期および経時の発光効率も高いことが分かった。
特に、実施例５と実施例６との対比から、金属基板としてアルミニウム基板を用い、絶縁層としてアルミニウムの陽極酸化皮膜を用いた実施例６の方が、絶縁性がより良好となることが分かった。
また、実施例１〜４の対比から、平均粒子径が０．１〜５μｍの範囲内にある無機粒子を用いた実施例１および４の方が、経時の発光効率が高いことが分かった。
【符号の説明】
【００９４】
１  金属基板
２  絶縁層
３  金属配線層
４  無機粒子
５  無機系結着剤
６  微小空隙
７  多孔質層
８  ダイサー
９  切り込み(切り欠き)
１０  絶縁反射基板
１１  ＬＥＤ
２０  ＬＥＤパッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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