(57)【要約】【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】製造されたパッケージを、トレイ１１の上面１９に形成されたポケット１６に収納して搬送する際に、基部２３と、突出部２４とを含み、突出部２４がポケット１６内に入り込むときも、基部２３がトレイ１１の上面１９と接触しないように配置された接触部材２１を上方から接触させる。そして、パッケージ検出センサ２２が検出した検出値に基づいて、ポケット１６にパッケージが正常に収納されているか否かを検出する。【選択図】図１
2013098237.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体装置を製造する工程、
（ｂ）製造された半導体装置を収納するための凹部が上面に形成された搬送容器を準備する工程、
（ｃ）製造された半導体装置を前記搬送容器の前記凹部に収納する工程、
（ｄ）前記凹部に前記半導体装置が収納された前記搬送容器を搬送路に沿って搬送する工程、
（ｅ）前記搬送路に上下動可能に設けられた接触部材を、前記搬送路に沿って搬送されている前記搬送容器に上方から接触させる工程、
（ｆ）前記搬送容器に上方から接触している前記接触部材の高さ位置を第１の検出部により検出する工程、
（ｇ）前記第１の検出部が前記高さ位置を検出した検出値に基づいて、搬送されている前記搬送容器の前記凹部に前記半導体装置が正常に収納されているか否かを検出する工程、
を有し、
前記接触部材は、基部と、前記基部から下方に突出した突出部とを含み、
前記基部と前記突出部とは、前記突出部が前記凹部内に入り込むときも、前記基部が前記搬送容器の上面と接触しないように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記接触部材は、前記搬送路を搬送されている前記搬送容器に前記突出部が接触する位置よりも搬送方向上流側かつ上方の位置で前記搬送方向を水平に横切る軸を回転軸として、回動可能に設けられており、
前記突出部の下面が下に凸の曲面であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記凹部が上面に形成されたとともに、前記突出部が前記凹部上に位置していることを検出するための被検出部が、前記凹部に対応して形成された前記搬送容器を準備し、
（ｈ）第２の検出部により前記被検出部を検出することで、前記突出部が前記凹部上に位置しているか否かを検出する工程を有し、
前記（ｇ）工程では、前記（ｈ）工程で、前記突出部が前記凹部上に位置していることを検出したときに、前記第１の検出部が前記高さ位置を検出した前記検出値に基づいて、搬送されている前記搬送容器の前記凹部に前記半導体装置が正常に収納されているか否かを検出することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
（ａ）半導体装置を収納するための凹部が上面に形成された搬送容器を準備する工程、
（ｂ）半導体装置を前記搬送容器の前記凹部に収納する工程、
（ｃ）前記凹部に前記半導体装置が収納された前記搬送容器を搬送路に沿って搬送する工程、
（ｄ）前記搬送路に上下動可能に設けられた接触部材を、前記搬送路に沿って搬送されている前記搬送容器に上方から接触させる工程、
（ｅ）前記搬送容器に上方から接触している前記接触部材の高さ位置を第１の検出部により検出する工程、
（ｆ）前記第１の検出部が前記高さ位置を検出した検出値に基づいて、搬送されている前記搬送容器の前記凹部に前記半導体装置が正常に収納されているか否かを検出する工程、
を有し、
前記接触部材は、基部と、前記基部から下方に突出した突出部とを含み、
前記基部と前記突出部とは、前記突出部が前記凹部内に入り込むときも、前記基部が前記搬送容器の上面と接触しないように配置されていることを特徴とする半導体装置の検出方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の検出方法において、
前記接触部材は、前記搬送路を搬送されている前記搬送容器に前記突出部が接触する位置よりも搬送方向上流側かつ上方の位置で前記搬送方向を水平に横切る軸を回転軸として、回動可能に設けられており、
前記突出部の下面が下に凸の曲面であることを特徴とする半導体装置の検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置の検出方法に関し、特に、半導体装置を搬送する際に、搬送される半導体装置を検出する検出工程、および、その検出工程を含む半導体装置の製造工程に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程のうち、いわゆる後工程では、半導体ウェハからのチップの切断、チップを実装したパッケージの組立および検査などが行われる。この後工程では、工程間でパッケージを搬送する際、または、半導体装置の製造工程後、製品の出荷の際に、トレイに形成された複数のポケットの各々にパッケージを収納した状態で搬送する。また、工程間の搬送および出荷の際に、トレイに形成された各々のポケットにパッケージを収納した状態で、トレイを複数枚積み重ねて搬送または出荷することがある。さらに、各工程内で使用される装置（例えば検査装置）では、ポケットにパッケージが収納された状態で複数枚積み重ねられたトレイが搬送されてきた後、そのトレイを１枚ごとに切り出し、切り出されたトレイからパッケージを取り出してその工程の作業を行うことがある。
【０００３】
このような工程間もしくは工程後におけるパッケージの搬送の際、または、工程内における装置の使用の際に、パッケージがポケット内に正常に収納されていない場合には、トレイを複数枚積み重ねる際、または、装置内でトレイからパッケージを取り出す際に、パッケージに損傷を与え、半導体装置の性能を低下させる原因となる。そこで、パッケージの収納状態が正常か否かを検出する検出工程が行われる。このような検出工程として、例えば以下のような技術が知られている。
【０００４】
特開平１１−１０６０４７号公報（特許文献１）には、パレット表面を基準とした高さ方向の変位量を検出する反射式変位センサと、パレット内に半導体製品を収納するポケットと一対に設けられた位置決めマークを検出する位置決めセンサとを備えた検出装置により、位置決めマーク検出と同期してポケット位置における変位量を検出する技術が記載されている。
【０００５】
特開２００３−１６７０２０号公報（特許文献２）には、収納トレイの収納ポケットに収納された部品の浮きの有無を検出する際に、各収納ポケットにおいて光軸が交差するように複数の光電センサを配置し、各収納ポケットについて、少なくとも２方向から部品の浮きの有無を検出する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１０６０４７号公報
【特許文献２】特開２００３−１６７０２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者の検討によれば、次のことが分かった。
【０００８】
パッケージを収納するトレイには、製造時に、または製造後の経年変化により、反りまたは歪みが発生することがある。本発明者による調査の結果、従来技術では、反りまたは歪みによるトレイの上面の高さ位置の変位量が、パッケージの高さ位置の変位量よりも大きいときは、パッケージの高さ位置の変位量を検出できないことが分かった。したがって、パッケージの高さ位置の変位量がそれほど大きくない場合については、パッケージの高さ位置の変位量を、反りや歪みによるトレイの上面の高さ位置の変位量と区別して検出することができない。
【０００９】
また、パッケージの高さ位置の変位量がトレイごとに等しい場合でも、パッケージの最上点の高さ位置とトレイの上面の最上点の高さ位置との位置関係がトレイごとに異なるため、トレイごとに収納状態の検出結果が異なる。そのため、本来検出すべき収納状態の不良を検出できず、搬送工程およびその後の各工程において、パッケージが損傷を受けるなど、半導体装置の性能が低下するおそれがある。
【００１０】
本発明の目的は、半導体装置の性能を向上させることができる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１３】
代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、パッケージを製造した後、製造されたパッケージを、トレイの上面に形成されたポケットに収納して搬送する際に、基部と、突出部とを含み、突出部がポケット内に入り込むときも、基部がトレイの上面と接触しないように配置された接触部材を上方から接触させ、ポケットにパッケージが正常に収納されているか否かを検出する。
【００１４】
また、代表的な実施の形態による半導体装置の検出方法は、パッケージを、トレイの上面に形成されたポケットに収納して搬送する際に、基部と、突出部とを含み、突出部がポケット内に入り込むときも、基部がトレイの上面と接触しないように配置された接触部材を上方から接触させ、ポケットにパッケージが正常に収納されているか否かを検出する。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１６】
代表的な実施の形態によれば、半導体装置の性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態１の検出装置の構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】実施の形態１の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む側面図である。
【図３】実施の形態１の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む正面図である。
【図４】トレイの構成を模式的に示す斜視図である。
【図５】パッケージの構成を模式的に示す斜視図である。
【図６】実施の形態１の検出工程中の検出装置の状態を、パッケージ検出センサの波形とともに示す側面図である。
【図７】実施の形態１の半導体装置の製造工程で製造される半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図８】実施の形態１の半導体装置の製造工程の一部を示す製造プロセスフロー図である。
【図９】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１０】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１１】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１２】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１３】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１４】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１５】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１６】比較例１の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む正面図である。
【図１７】比較例２の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む正面図である。
【図１８】比較例２の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む側面図である。
【図１９】比較例３の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む正面図である。
【図２０】比較例３の検出装置が検出するパッケージ上面の高さ位置の変位量を、実施の形態１の検出装置が検出するパッケージ上面の高さ位置の変位量と比較して模式的に示す図である。
【図２１】実施の形態１の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む正面図である。
【図２２】実施の形態２の検出工程中の検出装置の状態を、パッケージ検出センサの波形とともに示す側面図である。
【図２３】実施の形態３の検出装置の構成を模式的に示す斜視図である。
【図２４】実施の形態３の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む正面図である。
【図２５】トレイの構成を模式的に示す斜視図である。
【図２６】実施の形態３の検出工程中の検出装置の状態を、ポケットマーク検出センサの波形とともに示す平面図である。
【図２７】実施の形態３の検出工程中の検出装置の状態を、ポケットマーク検出センサの波形およびパッケージ検出センサの波形とともに示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２０】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００２１】
（実施の形態１）
＜半導体装置の検出工程＞
本発明の一実施の形態である半導体装置の検出工程を、図面を参照して説明する。本実施の形態の半導体装置の検出工程は、半導体装置を収納したトレイを搬送する搬送工程において、半導体装置の収納状態を検出装置により検出する工程である。
【００２２】
なお、以下では、トレイが搬送される搬送路上に検出装置が設けられており、トレイが搬送される搬送工程において半導体装置（パッケージ）の収納状態を検出する検出工程について説明する。しかしながら、各製造工程を行う装置内に検出装置が組み込まれており、各装置内における工程を行う前または行った後、半導体装置（パッケージ）の収納状態を検出する検出工程であってもよい。
【００２３】
図１は、実施の形態１の検出装置の構成を模式的に示す斜視図である。図２は、実施の形態１の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む側面図である。図３は、実施の形態１の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む正面図である。図４は、トレイの構成を模式的に示す斜視図である。図５は、パッケージの構成を模式的に示す斜視図である。
【００２４】
搬送装置１０は、半導体装置（パッケージ）を搬送する搬送容器であるトレイ１１を搬送するためのものである。搬送装置１０は、トレイ１１が搬送される搬送路１２を搬送方向ＣＤ上流側に向かって左右両側から規定するガイドレール１２ａ、１２ｂ、ガイドレール１２ａ、１２ｂに沿って移動可能に設けられたスライダ１３、および、ガイドレール１２ａ、１２ｂに沿ってスライダ１３を移動駆動する駆動機構１４を有する。また、ガイドレール１２ａ、１２ｂにより規定された搬送路１２には、後述する検出装置２０が設けられている。
【００２５】
なお、図１の斜視図では、図面を見易くするために、左右両側のガイドレール１２ａ、１２ｂのうち一方（ガイドレール１２ａ）のみを図示し、他方（ガイドレール１２ｂ）の図示を省略している。
【００２６】
また、以下では、スライダ１３による搬送方法を例示して説明するが、本発明は、スライダ１３による搬送方法以外の搬送方法、例えばコロ搬送またはベルト搬送による搬送方法にも適用可能である。また、以下では、トレイ１１が直接スライダ１３に保持される場合を例示して説明するが、本発明は、トレイ（第１のトレイ）が別のトレイ（第２のトレイ）に保持され、第１のトレイを保持した第２のトレイがスライダ１３に保持される場合にも適用可能である。
【００２７】
スライダ１３の中心部には、上面から下面にかけて貫通する開口部１５が形成されており、開口部１５の上面側には、段差部１５ａが形成されている。この開口部１５にトレイ１１が落とし込まれ、落とし込まれたトレイ１１が段差部１５ａにより保持されることで、トレイ１１がスライダ１３に保持される。
【００２８】
図４に示されるように、トレイ１１には、半導体装置であるパッケージ３０（図２参照）を収納するためのポケット１６が設けられている。ポケット１６は、トレイ１１の上面１９に形成された凹部からなる。トレイ１１には、複数のポケット１６が搬送方向ＣＤに沿って配列してなるポケット列１７が、搬送方向ＣＤを水平に横切る方向に沿って複数列形成されている。図４では、ポケット列１７が水平面内で搬送方向ＣＤと直交する方向に沿って２列形成された例を示す。
【００２９】
図５に示されるように、パッケージ３０は、例えばＱＦＰ（Quad Flat Package）である。パッケージ３０は、直方体の形状をした樹脂（封止体）３１で覆われており、この樹脂３１の四側面からリード３２が突出している。リード３２は、Ｌ字型に曲げられた構造をしている。なお、パッケージ３０の詳細な構造については、半導体装置の製造の工程の説明中において、後述する。
【００３０】
検出装置２０は、接触部材２１およびパッケージ検出センサ（第１の検出部）２２を有する。接触部材２１は、搬送路１２に上下動可能に設けられており、搬送路１２に沿って搬送されているトレイ１１に上方から接触するように設けられている。すなわち、接触部材２１は、例えば接触部材２１の自重により、トレイ１１の上面１９の凹凸形状に追従するように上下動する。パッケージ検出センサ２２は、搬送路１２に沿って搬送されているトレイ１１に接触する接触部材２１の高さ位置を検出する。
【００３１】
接触部材２１は、基部２３と、基部２３から下方に突出した突出部２４とを含み、突出部２４は、接触部材２１が下方に移動したときに突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込めるように配置されている。そして、基部２３と突出部２４とは、突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込むときも、基部２３の最下点がトレイ１１の上面１９と接触しないように配置されている。
【００３２】
具体的には、図３に示されるように、水平面内で搬送方向を横切る方向に沿った、突出部２４の幅寸法Ｗ１を、水平面内で搬送方向に横切る方向に沿った、ポケット１６の幅寸法Ｗ２よりも小さくする。これにより、接触部材２１が下方に移動したときに突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込める。また、突出部２４が最も下方に移動しているとき、すなわち、突出部２４の最下点がポケット１６の底面１８に接触しているときも、基部２３の最下点の高さ位置ＨＢがトレイ１１の上面１９の高さ位置Ｈ１よりも高くなるようにする。これにより、ポケット１６に収納されているパッケージ３０の最上点の高さ位置を直接検出することができるため、トレイ１１に反りまたは歪みが発生した場合でも、パッケージ３０の収納状態を精度良く検出することができる。
【００３３】
なお、図２１を用いて後述するように、突出部２４がポケット１６の底面１８に接触しているときの基部２３の最下点の高さ位置ＨＢが、トレイ１１に反りまたは歪みが発生し、湾曲したトレイ１１の上面１９の最上点の高さ位置Ｈ１´よりも高くなるように配置することが好ましい。
【００３４】
検出装置２０は、上下動可能であればよいが、必ずしもトレイ１１の上面１９に垂直な方向に移動するものに限られない。したがって、図２に示されるように、搬送路１２を搬送されているトレイ１１またはポケット１６に収納されているパッケージ３０に突出部２４が接触する位置ＣＰよりも搬送方向ＣＤ上流側かつ上方の位置で、搬送方向ＣＤを水平に横切る軸を回転軸２５として回動可能に設けられていることが好ましい。トレイ１１またはパッケージ３０に突出部２４が接触する位置ＣＰよりも搬送方向ＣＤ下流側かつ上方の位置に回転軸２５があると、摩擦力により突出部２４がパッケージ３０に押し付けられ、パッケージ３０に損傷を与えるおそれがある。一方、トレイ１１またはパッケージ３０に突出部２４が接触する位置ＣＰよりも搬送方向ＣＤ上流側かつ上方の位置に回転軸２５があると、摩擦力により突出部２４がパッケージ３０に押し付けられることを防止でき、パッケージ３０に損傷を与えることを防止できる。
【００３５】
さらに、突出部２４の下面が下に凸の曲面であることが好ましい。これにより、突出部２４とパッケージ３０の上面との間の摩擦力を小さくすることができ、パッケージ３０に損傷を与えることを防止できる。
【００３６】
接触部材２１には、接触部材２１の上下動と連動して移動可能な遮光板２６が設けられていることが好ましく、かつ、パッケージ検出センサ２２として、発光素子２７と、受光素子２８とからなる透過センサであることが好ましい。このとき、遮光板２６は、接触部材２１の上下動と連動して発光素子２７と受光素子２８との間を遮光するように移動するものとする。これにより、接触部材２１の高さ位置の変位量に応じて遮光板２６が発光素子２７からの光の一部を遮光する光量が変化し、受光素子２８が受光する光量が変化することで、接触部材２１の高さ位置の変位量を検出することができる。発光素子２７としてＬＥＤ（Light Emission Diode）などを用いることができ、受光素子２８として例えばリニアイメージセンサを用いることができる。
【００３７】
なお、図３の正面図では、図面を見易くするために、パッケージ検出センサ２２、遮光板２６、発光素子２７、受光素子２８の図示を省略している。
【００３８】
また、パッケージ検出センサ２２として、受光量が、基準値よりも大きいときはＯＮ値を出力し、基準値よりも小さいときはＯＦＦ値を出力するか、あるいは、受光量が、基準値よりも小さいときはＯＮ値を出力し、基準値よりも大きいときはＯＦＦ値を出力するような、出力信号を２値で出力可能なものが好ましい。このようなパッケージ検出センサ２２によれば、基準値を適切に設定することで、パッケージの収納状態を精度よく検出することができる。
【００３９】
図１に示す例では、遮光板２６と接触部材２１とは一体で回転軸２５を中心として回動可能に設けられている。回転軸２５に平行な方向に沿って遮光板２６を挟むように、ＬＥＤ（発光素子）２７およびリニアイメージセンサ（受光素子）２８が設けられている。ＬＥＤ（発光素子）２７およびリニアイメージセンサ（受光素子）２８は、接触部材２１に連動して回動する遮光板２６の移動に伴って受光量の変化が最大となるように配置されている。
【００４０】
なお、基部２３、突出部２４、遮光板２６を含め、接触部材２１は、例えばステンレス（ＳＵＳ）などの金属板からなるものとすることができる。
【００４１】
次に、実施の形態１の検出工程について説明する。
【００４２】
図６は、実施の形態１の検出工程中の検出装置の状態を、パッケージ検出センサの波形（パッケージ検出センサ波形）とともに示す側面図である。
【００４３】
まず、ポケット１６が上面１９に形成されたトレイ１１を準備し、準備したトレイ１１のポケット１６にパッケージ３０を収納する。次に、ポケット１６にパッケージ３０が収納されたトレイ１１を、スライダ１３の段差部１５ａに保持する。次に、段差部１５ａにトレイ１１が保持されたスライダ１３を駆動機構１４（図１参照）により移動駆動することで、パッケージ３０が収納されたトレイ１１を搬送方向ＣＤに沿って搬送する。トレイ１１を搬送する際、接触部材２１の突出部２４を、搬送されているトレイ１１に上方から接触させる。そして、突出部２４によりトレイ１１に上方から接触している接触部材２１の高さ位置をパッケージ検出センサ２２により検出し、パッケージ検出センサ２２が検出した検出値（出力信号）に基づいて、搬送されているトレイ１１のポケット１６にパッケージ３０が正常に収納されているか否かを検出する。
【００４４】
ここで、図６に示すように、トレイ１１において、ポケット１６ａにはパッケージ３０が正常に収納されており、ポケット１６ｂにはパッケージ３０が収納されておらず、ポケット１６ｃには、パッケージ３０が収納されているものの、収納状態が正常でないものとする。
【００４５】
なお、図６では、搬送方向ＣＤに沿って、ポケット１６ａの前方側（搬送方向ＣＤ下流側）のトレイ１１の上面１９の領域をＡ１とし、ポケット１６ａの領域をＡ２とし、ポケット１６ａの後方側（搬送方向ＣＤ上流側）であってポケット１６ｂの前方側のトレイ１１の上面１９の領域をＡ３とする。また、ポケット１６ｂの領域をＡ４とし、ポケット１６ｂの後方側であってポケット１６ｃの前方側のトレイ１１の上面１９の領域をＡ５とする。また、ポケット１６ｃの領域をＡ６とし、ポケット１６ｃの後方側のトレイ１１の上面１９の領域をＡ７とする。また、パッケージ検出センサ２２の波形（パッケージ検出センサ波形）について、Ａ１〜Ａ７の領域のそれぞれが突出部２４の下方を通過する期間、すなわち、突出部２４がＡ１〜Ａ７の領域上に位置する期間を、それぞれＰ１〜Ｐ７とする。
【００４６】
本実施の形態では、例えば、トレイ１１の上面１９の高さ位置Ｈ１よりも低く、かつ、正常に収納されているパッケージ３０の上面の高さ位置Ｈ２よりも高い、基準高さ位置ＳＨ１が、予め設定されている。そして、パッケージ検出センサ２２は、突出部２４の最下点の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ１よりも高いときは、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＮ値になり、突出部２４の最下点の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ１よりも低いときは、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になるように、設定されている。
【００４７】
ポケット１６ａが突出部２４の下方を通過する際は、突出部２４がトレイ１１の上面１９である領域Ａ１、Ａ３に接触する期間、すなわち、図６の波形におけるＰ１、Ｐ３の期間では、トレイ１１の上面１９の高さ位置Ｈ１が基準高さ位置ＳＨ１よりも高いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＮ値になる。一方、突出部２４の最下点がポケット１６ａ内に入り込み、ポケット１６ａに収納されているパッケージ３０の上面に接触する期間、すなわち、図６の波形におけるＰ２の期間では、パッケージ３０の上面の高さ位置Ｈ２が基準高さ位置ＳＨ１よりも低いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になる。
【００４８】
次いで、ポケット１６ｂが突出部２４の下方を通過する際は、突出部２４がトレイ１１の上面１９である領域Ａ３、Ａ５に接触する期間、すなわち、図６の波形におけるＰ３、Ｐ５の期間では、トレイ１１の上面１９の高さ位置Ｈ１が基準高さ位置ＳＨ１よりも高いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＮ値になる。一方、突出部２４の最下点がポケット１６ｂ内に入り込み、パッケージ３０が収納されていないポケット１６ｂの底面１８に接触する期間、すなわち、図６の波形におけるＰ４の期間では、ポケット１６ｂの底面１８の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ１よりも低いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になる。
【００４９】
次いで、ポケット１６ｃが突出部２４の下方を通過する際は、突出部２４がトレイ１１の上面１９である領域Ａ５、Ａ７に接触する期間、すなわち、図６の波形におけるＰ５、Ｐ７の期間では、トレイ１１の上面１９の高さ位置Ｈ１が基準高さ位置ＳＨ１よりも高いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＮ値になる。また、突出部２４の最下点がポケット１６ｃ内に入り込み、正常に収納されていないパッケージ３０の上面に接触する期間、すなわち、図６の波形におけるＰ６の期間のうち、パッケージ３０の上面の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ１よりも低いＰ６−１の期間では、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になる。一方、図６の波形におけるＰ６の期間のうち、パッケージ３０の上面の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ１よりも高いＰ６−２の期間では、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＮ値になる。
【００５０】
このように、高さ位置Ｈ１よりも低く、高さ位置Ｈ２よりも高い基準高さ位置ＳＨ１を設定しておくことで、パッケージ３０の収納状態が正常でないポケット１６ｃを、パッケージ３０が正常に収納されているポケット１６ａ、および、パッケージ３０が収納されていないポケット１６ｂから、区別して検出することができる。
【００５１】
また、パッケージ検出センサ２２の出力が周期的にＯＮ値になる期間（図６の波形におけるＰ１、Ｐ３、Ｐ５、Ｐ７の期間）では、突出部２４がトレイ１１の上面１９に接触していることを検出することができる。そして、パッケージ検出センサ２２の出力が周期的にＯＮ値になる期間以外の期間（図６の波形におけるＰ２、Ｐ４、Ｐ６の期間）では、突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込んでいることを検出することができる。つまり、パッケージ検出センサ２２の出力により、トレイ１１の上面１９のうち、ポケット１６が形成されている部分が突出部２４の下方を通過している時点、すなわち、突出部２４がポケット１６上に位置する時点を検出することができる。
【００５２】
なお、スライダ１３であって、トレイ１１の搬送方向ＣＤ下流側または上流側の部分ＡＳ１、ＡＳ２が、突出部２４の下方を通過する期間、すなわち、図６の波形におけるＰＳ１、ＰＳ２の期間において、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になるように、基準高さ位置ＳＨ１は、スライダ１３の上面の高さ位置Ｈ３よりも高く設定されている。
【００５３】
＜半導体装置の製造工程＞
次に、前述の検出工程を含む本実施の形態の半導体装置の製造工程を、図面を参照して説明する。図７は、実施の形態１の半導体装置の製造工程で製造される半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。図８は、実施の形態１の半導体装置の製造工程の一部を示す製造プロセスフロー図である。図９〜図１５は、実施の形態１の半導体装置の製造工程中の断面図である。なお、図５のＡ−Ａ線の断面が、図７および図１３〜図１５に対応する。
【００５４】
本実施の形態の製造工程で製造される半導体装置は、一例として、以下に説明するように構成されている。
【００５５】
図７に示されるように、半導体装置であるパッケージ３０は、チップ（半導体チップ）３３を有する。チップ３３は、金属の薄板であるタブ３２ａ上にダイボンド剤を介して接合されている。チップ３３は、例えば主面３３ａが上方に向けて搭載され、例えば裏面３３ｂがダイボンド剤を介してタブ３２ａと接合されている。チップ３３の表面電極である複数のパッド３３ｃの各々は、タブ３２ａの周囲に配置された複数のインナリード３２ｂの各々と、ワイヤ３４によって電気的に接続されている。また、チップ３３、複数のワイヤ３４、タブ３２ａおよび複数のインナリード３２ｂは、封止用樹脂を硬化させて形成した封止体３１によって覆われることで、樹脂封止されている。さらに、各インナリード３２ｂと一体で繋がった複数の外部端子であるアウタリード３２ｃは、封止体３１の側面から外部に突出しており、これらアウタリード３２ｃは曲げ成形されている。
【００５６】
チップ３３として、図１１を用いて後述するように、例えばＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）などの回路素子や配線が形成されたものを用いることができる。また、チップ３３として、例えばメモリチップやマイコンチップを用いることができ、メモリチップとして、例えば、ＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）を用いることができる。ただし、チップ３３の種類は、特に限定されるものではなく、ＭＩＳＦＥＴ以外のダイオード等の各種の回路素子が形成されたものでもよく、ＳＤＲＡＭ以外の各種のメモリチップであってもよく、また、メモリチップおよびマイコンチップ以外の各種の半導体チップであってもよい。
【００５７】
本実施の形態の半導体装置の製造工程は、以下のように行うことができる。
【００５８】
予め、上記した各種のチップ（半導体チップ）３３が形成された半導体ウェハ３６を準備する（図８のステップＳ１）。以下では、ステップＳ１として、ｎチャネル型のＭＩＳＦＥＴと、ｐチャネル型のＭＩＳＦＥＴが形成された半導体ウェハ３６を準備する例について説明する。
【００５９】
まず、半導体基板４１の主面（表面）に素子分離溝４２を形成し、素子分離溝４２の内部に素子分離膜４３を形成する。次に、素子分離膜４３により分離されたｎ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域４４Ａおよびｐ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域４４Ｂに、ｐ型不純物（例えば、ホウ素など）を含有するｐ型ウェル領域ＰＷ、およびｎ型不純物(例えば、リンやヒ素など）を含有するｎ型ウェル領域ＮＷを形成する（図９）。
【００６０】
次に、ｎ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域４４Ａおよびｐ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域４４Ｂに、パターニングされたゲート電極ＧＥおよびゲート絶縁膜ＧＩを形成する。この際、ゲート電極ＧＥの側壁上に、側壁絶縁膜として、例えば酸化シリコン膜などからなるサイドウォールスペーサＳＷを形成してもよい。そして、ｎ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域４４Ａのソース・ドレイン領域ＳＤにリン（Ｐ）またはヒ素（Ａｓ）などのｎ型の不純物をイオン注入し、ｐ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域４４Ｂのソース・ドレイン領域ＳＤにホウ素（Ｂ）などのｐ型の不純物をイオン注入する。このような工程を行うことにより、ｎ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域４４Ａにおいて、ｎチャネル型のＭＩＳＦＥＴＱ１が形成され、ｐ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域４４Ｂにおいて、ｐチャネル型のＭＩＳＦＥＴＱ２が形成される（図１０）。この際、ソース・ドレイン領域ＳＤに隣接してエクステンション領域ＥＸを形成してもよい。
【００６１】
次に、半導体基板４１の主面（表面）全面上に層間絶縁膜４５を形成し、層間絶縁膜４５にコンタクトホールＣＮＴを形成し、コンタクトホールＣＮＴ中にプラグＰＧを形成する。そして、さらにその上に絶縁膜４６を形成し、絶縁膜４６に配線溝を形成し、配線溝に配線Ｍ１を形成する（図１１）。このような工程を行うことにより、例えばｎチャネル型のＭＩＳＦＥＴＱ１と、ｐチャネル型のＭＩＳＦＥＴＱ２と配線Ｍ１が形成された半導体チップが多数形成された半導体ウェハ３６を準備することができる。
【００６２】
次に、半導体ウェハ３６のダイシングを行う（図８のステップＳ２）。このステップＳ２では、図１２に示されるように、半導体ウェハ３６をダイシングライン３７に沿って切断して個々のチップ（半導体チップ）３３に個片化する。その際、ダイシングは、ダイシングテープ３８が貼り付けられたウェハリング３９内に半導体ウェハ３６が固定された状態で行われる。したがって、ダイシングによる半導体ウェハ３６の個片化が終了した後も、各チップ３３はダイシングテープ３８上に固定された状態となっている。
【００６３】
次に、ダイボンディングを行う（図８のステップＳ３）。このステップＳ３では、図１３に示されるように、個片化によって形成されたチップ３３を、図１２に示す状態の半導体ウェハ３６からピックアップし、ピックアップしたチップ３３をタブ３２ａ上に移送し、移送したチップ３３をタブ３２ａ上に搭載する。その際、チップ３３の主面３３ａが上方を向くようにタブ３２ａ上に搭載し、裏面３３ｂを、ダイボンド剤を介してタブ３２ａと接合する。このステップＳ３については、１枚の半導体ウェハ３６から個片化によって形成されたチップ３３全てに対してのピックアップが終了するまで繰り返す。
【００６４】
次に、ワイヤボンディングを行う（図８のステップＳ４）。このステップＳ４では、図１４に示されるように、チップ３３の複数のパッド３３ｃの各々を、複数のインナリード３２ｂの各々と、ワイヤ３４によって電気的に接続する。なお、チップ３３が図１１を用いて説明したＭＩＳＦＥＴからなるときは、パッド３３ｃは、例えばチップ３３の配線Ｍ１に電気的に接続されている。
【００６５】
次に、樹脂モールドを行う（図８のステップＳ５）。このステップＳ５では、図１５に示されるように、チップ３３、複数のワイヤ３４、タブ３２ａおよび複数のインナリード３２ｂを、封止用樹脂からなる封止体３１によって覆う樹脂封止を実施する。
【００６６】
次に、メッキ（図８のステップＳ６）を行い、その後、マーク（図８のステップＳ７）を行う。ステップＳ６では、封止体３１から露出する複数のアウタリード３２ｃに外装めっきを被覆する。また、ステップＳ７では、封止体３１の表面に所望のマークを付す。
【００６７】
次に、リード切断・成形を行う（図８のステップＳ８）。このステップＳ８では、アウタリード３２ｃを個々に切断するとともに、アウタリード３２ｃを曲げ成形することによって、図７を用いて説明したような、パッケージ（半導体装置）３０が製造される。
【００６８】
その後、テスティングを行う（図８のステップＳ９）。このステップＳ９では、パッケージ（半導体装置）３０の電気的特性検査（最終検査）を実施する。例えば、タブ３２ａ上に搭載されたチップ３３の導通状態を確認するための検査を行う。
【００６９】
本実施の形態では、ステップＳ８の工程まで製造されたパッケージ（半導体装置）３０を、前述したトレイ１１のポケット１６に収納し、パッケージ（半導体装置）３０が収納されたトレイ１１を、ステップＳ９を行う検査装置（図示せず）へ搬送する搬送工程において、前述した半導体装置の検出工程を行うことができる。
【００７０】
その後、スキャナ（最終外観）を行う（図８のステップＳ１０）。このステップＳ１０では、パッケージ（半導体装置）３０の最終の外観検査を行う。
【００７１】
本実施の形態では、ステップＳ９の工程まで製造されたパッケージ（半導体装置）３０が収納されたトレイ１１を、ステップＳ１０を行う検査装置（図示せず）へ搬送する搬送工程において、前述した半導体装置の検出工程を行うことができる。
【００７２】
その後、製品出荷を行う（図８のステップＳ１１）。このステップＳ１１では、ステップＳ１０の工程まで製造されたパッケージ（半導体装置）３０が収納されたトレイ１１を搬送する搬送工程において、前述した半導体装置の検出工程を行うことができる。
【００７３】
＜パッケージの収納状態の検出に与えるトレイの反りの影響について＞
図１６は、比較例１の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む正面図である。比較例１の検出装置は、実施の形態１の検出装置における接触部材とパッケージ検出センサに代え、トレイの上方の領域を挟んで対向するように設けられた発光素子と受光素子からなる検出センサが設けられたものである。
【００７４】
図１６において、搬送装置１０、トレイ１１、搬送路１２、ガイドレール１２ａ、１２ｂ、スライダ１３、駆動機構１４、開口部１５、段差部１５ａ、ポケット１６、底面１８、上面１９、パッケージ３０の各部材または各部分は、実施の形態１で同一の符号を付して説明した各部材または各部分と同一である。
【００７５】
一方、比較例１では、実施の形態１の検出装置２０（図１参照）に代え、検出センサ１２２が設けられている。図１６に示されるように、検出センサ１２２は、発光部１２７と受光部１２８とからなり、搬送方向を水平に横切る方向に沿って、トレイ１１の上方の領域を挟んで対向するように設けられている。発光部１２７は、水平方向に沿って直進する光、例えば赤外レーザ光を発光する発光素子が、上下方向に沿って複数配列されたものである。受光部１２８は、それぞれが、複数の発光素子の各々とトレイ１１の上方の空間を挟んで対向するように設けられた受光素子が、上下方向に沿って配列されたものである。
【００７６】
比較例１では、トレイ１１が検出センサ１２２の下方を通過する際に、発光部１２７からの光を受光部１２８の受光素子により受光した光量の合計、または、発光部１２７からの光を受光した受光素子のうち最も低い位置の受光素子の位置に応じて、検出センサ１２２が検出信号を出力するように設定されている。
【００７７】
図１７は、比較例２の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む正面図である。図１８は、比較例２の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む側面図である。比較例２の検出装置では、実施の形態１の検出装置における接触部材に代え、トレイの上面全面に接触する接触部材が設けられている。
【００７８】
図１７および図１８において、搬送装置１０、トレイ１１、搬送路１２、ガイドレール１２ａ、１２ｂ、スライダ１３、駆動機構１４、開口部１５、段差部１５ａ、ポケット１６、底面１８、上面１９、パッケージ３０の各部材または各部分は、実施の形態１で同一の符号を付して説明した各部材または各部分と同一である。
【００７９】
また、比較例２の検出装置２２０は、接触部材２２１およびパッケージ検出センサ２２２を有する。パッケージ検出センサ２２２は、実施の形態１で説明したパッケージ検出センサ２２と同様のものとする。接触部材２２１は、トレイ１１の搬送方向ＣＤを水平に横切る軸を回転軸２２５として回動可能に設けられている。しかし、接触部材２２１は、水平面内で搬送方向を横切る方向に沿っていずれの位置においても、接触部材２２１の最下点の高さ位置が等しくなるように設けられている。そのため、接触部材２２１の最下点が、ポケット１６内に入り込むことはできない。また、実施の形態１と同様に、遮光板２２６が、接触部材２２１とともに回転軸２２５を中心として回動可能に設けられており、遮光板２２６がパッケージ検出センサ２２２を遮光することによる光量の変化により、接触部材２２１の高さ位置の変位量を検出する。
【００８０】
比較例２では、実施の形態１と同様に、トレイ１１が接触部材２２１の下方を通過する際の接触部材２２１の高さ位置に応じて、検出装置２２０が検出信号を出力するように設定されている。
【００８１】
図１９は、比較例３の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む正面図である。図２０は、比較例３の検出装置が検出するパッケージ上面の高さ位置の変位量を、実施の形態１の検出装置が検出するパッケージ上面の高さ位置の変位量と比較して模式的に示す図である。比較例３の検出装置では、実施の形態１の検出装置における接触部材とパッケージ検出センサに代え、反射式変位センサが設けられている。
【００８２】
図１９において、搬送装置１０、トレイ１１、搬送路１２、ガイドレール１２ａ、１２ｂ、スライダ１３、駆動機構１４、開口部１５、段差部１５ａ、ポケット１６、底面１８、上面１９、パッケージ３０の各部材または各部分は、実施の形態１で同一の符号を付して説明した各部材または各部分と同一である。
【００８３】
一方、比較例３では、実施の形態１の検出装置２０（図１参照）に代え、反射式変位センサ３２２が設けられている。図１９に示されるように、反射式変位センサ３２２は、発光素子３２７、受光素子３２８からなる。発光素子３２７は、下方に向けて光、例えば赤外レーザ光を発光する。受光素子３２８は、発光素子３２７からの光が被検出物に反射された反射光を受光する。被検出物の高さ位置の変位量に応じた反射光の入射角の変化に伴って、受光素子３２８の受光位置または受光量が変わることを利用して、被検出物の高さ位置の変位量を検出する。
【００８４】
比較例３では、トレイ１１が反射式変位センサ３２２の下方を通過する際に、反射式変位センサ３２２が検出した高さ位置に応じて、反射式変位センサ３２２が検出信号を出力するように設定されている。
【００８５】
しかし、比較例１から比較例３のうちいずれの検出装置においても、パッケージ３０を収納するトレイ１１には、前述したように、反りまたは歪みが発生することがある。本発明者の解析によると、図１６、図１７および図１９に示されるように、反りまたは歪みにより湾曲したトレイ１１の上面１９の最上点の高さ位置Ｈ１´が、ポケット１６に収納されているものの、収納状態が正常でないパッケージ３０の最上点の高さ位置ＨＰ１よりも高くなった場合には、パッケージ３０の収納状態の不良を検出できないことが分かった。さらに、反りまたは歪みにより湾曲したトレイ１１の上面１９の最上点の高さ位置Ｈ１´が、予め設定された基準高さ位置を超えた場合には、パッケージ３０の収納状態にかかわらず検出信号が出力されるため、パッケージ３０の収納状態の不良を検出できないことが分かった。
【００８６】
図２０に示されるように、例えば、収納状態が正常であるパッケージ３０ａの上面の高さ位置（正常な高さ位置）ＨＰ０（図６を用いて前述したＨ２に等しい）に対し、収納状態が正常でないパッケージ３０の上面の最上点の高さ位置がＨＰ１である場合を考える。比較例３では、パッケージ３０の上面の特定の部分、例えば中央部に光を照射するため、収納状態が正常であるパッケージ３０ａの上面の高さ位置ＨＰ０に対し、パッケージ３０の上面の特定の部分、例えば中央部の高さ位置ＨＰ２を検出することしかできない。したがって、比較例３では、反射式変位センサ３２２により検出された高さ位置ＨＰ２の正常な高さ位置ＨＰ０に対する変位量（ＨＰ２−ＨＰ０）は、パッケージ３０の上面の最上点の高さ位置ＨＰ１の正常な高さ位置ＨＰ０に対する変位量（ＨＰ１−ＨＰ０）よりも小さく、パッケージ３０の上面の高さ位置の変位量を、精度よく検出することができない。
【００８７】
さらに、比較例３では、反射式変位センサ３２２を用いるため、パッケージ３０の表面状態の差異、例えば樹脂封止の際に使用したモールド金型の差異、パッケージ３０の表面の汚れの有無、パッケージ３０表面におけるマーク印字の有無などにより、パッケージ３０の上面の高さ位置が誤って検出されるおそれがある。
【００８８】
さらに、トレイ１１に発生する反り量または歪み量は、トレイ１１ごとに異なため、パッケージ３０の最上点の高さ位置ＨＰ１と湾曲したトレイ１１の上面１９の最上点の高さ位置Ｈ１´（図１６、図１７、図１９参照）との位置関係がトレイ１１ごとに異なる。そのため、比較例１から比較例３の検出装置では、パッケージ３０の高さ位置のポケット１６の底面１８の高さ位置に対する変位量が等しくても、パッケージ３０の収納状態の検出結果がトレイ１１ごとに異なることが分かった。
【００８９】
このように、比較例１から比較例３のうちいずれにおいても、反りまたは歪みによりトレイ１１が湾曲している場合には、本来検出されるべき収納状態の不良が検出されないことがある。したがって、ポケット１６に正常に収納されていないパッケージ３０が、搬送工程およびその後の各工程において、他の部材との接触、またはトレイ１１からの落下などにより損傷を受けることで、半導体装置の性能が低下するおそれがある。
【００９０】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
図２１は、実施の形態１の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む正面図である。なお、図２１では、トレイに反りまたは歪みが発生している場合について示す。
【００９１】
図１から図３を用いて説明したように、本実施の形態では、接触部材２１は、接触部材２１が下方に移動したときに突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込めるように配置されており、突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込むときも、基部２３の最下点がトレイ１１の上面１９と接触しないように配置されている。これにより、トレイ１１に反りまたは歪みが発生した場合でも、パッケージ３０の収納状態を精度良く検出することができる。
【００９２】
また、図２１に示されるように、突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込む際の基部２３の最下点の高さ位置ＨＢが、トレイ１１に反りまたは歪みが発生し、湾曲したトレイ１１の上面１９の最上点の高さ位置Ｈ１´よりも高くなるようにする。これにより、トレイ１１に反りまたは歪みが発生し、トレイ１１が湾曲し、反りまたは歪みにより湾曲したトレイ１１の上面１９の最上点における高さ位置Ｈ１´が、収納状態が正常でないパッケージ３０のうち最上点における高さ位置ＨＰ１よりも高くなった場合でも、パッケージ３０が正常に収納されていないことを検出できる。
【００９３】
比較例３では、反射式変位センサ３２２により検出された高さ位置ＨＰ２の正常な高さ位置ＨＰ０に対する変位量（ＨＰ２−ＨＰ０）は、パッケージ３０の上面の最上点の高さ位置ＨＰ１の正常な高さ位置ＨＰ０に対する変位量（ＨＰ１−ＨＰ０）よりも小さく、パッケージ３０の上面の高さ位置の変位量を、精度よく検出することができない。一方、実施の形態１の検出装置では、パッケージ３０の上面の最上点の高さ位置ＨＰ１の正常な高さ位置ＨＰ０に対する変位量（ＨＰ１−ＨＰ０）を検出することができる。比較例３で反射式変位センサ３２２がパッケージ３０の上面の中央部で高さ位置ＨＰ２を検出するものである場合、変位量（ＨＰ１−ＨＰ０）は、変位量（ＨＰ２−ＨＰ０）の２倍になる。従って、実施の形態１によれば、パッケージ３０の上面の高さ位置の変位量を、従来よりも精度よく検出することができる。
【００９４】
また、実施の形態１では、反射式変位センサ３２２を用いる比較例３に比べ、パッケージ３０の表面状態の差異、例えば樹脂封止の際に使用したモールド金型の差異、パッケージ３０の表面の汚れの有無、パッケージ３０表面におけるマーク印字の有無などにより、パッケージ３０の上面の高さ位置が誤って検出されることを防止できる。
【００９５】
さらに、トレイ１１に発生する反り量または歪み量は、トレイ１１ごとに異なるため、パッケージ３０の最上点の高さ位置ＨＰ１と湾曲したトレイ１１の上面１９の最上点の高さ位置Ｈ１´（図１６、図１７、図１９参照）との位置関係がトレイ１１ごとに異なる。しかし、本実施の形態では、突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込めるように配置されており、ポケット１６に収納されているパッケージ３０の最上点の高さ位置ＨＰ１を直接検出することができるため、反りまたは歪みにより湾曲したトレイ１１の上面１９の最上点における高さ位置Ｈ１´が、トレイ１１ごとに異なる場合でも、パッケージ３０の収納状態を精度良く検出することができる。
【００９６】
このように、本実施の形態によれば、反りまたは歪みによりトレイ１１が湾曲している場合でも、本来検出されるべきパッケージ３０の収納状態の不良が検出されないことを防止することができる。したがって、ポケット１６に正常に収納されていないパッケージ３０が、搬送工程およびその後の各工程において、他の部材との接触、またはトレイ１１からの落下などにより損傷を受けることを防止することができ、半導体装置の性能を向上させることができる。
【００９７】
（実施の形態２）
実施の形態１では、パッケージの収納状態が正常でないポケットを、パッケージが正常に収納されているポケット、および、パッケージが収納されていないポケットから、区別して検出した。それに対して、実施の形態２では、パッケージが収納されていないポケットを、パッケージが正常に収納されているポケットから、区別して検出する。
【００９８】
本実施の形態では、実施の形態１の検出装置と同様の検出装置２０を用いることができるため、検出装置２０についての説明を省略する。
【００９９】
次に、実施の形態２の検出工程について説明する。
【０１００】
図２２は、実施の形態２の検出工程中の検出装置の状態を、パッケージ検出センサの波形（パッケージ検出センサ波形）とともに示す側面図である。
【０１０１】
実施の形態２でも、実施の形態１と同様に、まず、ポケット１６が上面１９に形成されたトレイ１１を準備し、準備したトレイ１１のポケット１６にパッケージ３０を収納する。次に、ポケット１６にパッケージ３０が収納されたトレイ１１を、スライダ１３の段差部１５ａに保持する。次に、段差部１５ａにトレイ１１が保持されたスライダ１３を駆動機構１４（図１参照）により駆動することで、パッケージ３０が収納されたトレイ１１を搬送方向ＣＤに沿って搬送する。トレイ１１を搬送する際、接触部材２１の突出部２４を、搬送されているトレイ１１に上方から接触させる。そして、突出部２４によりトレイ１１に上方から接触している接触部材２１の高さ位置をパッケージ検出センサ２２により検出し、パッケージ検出センサ２２が検出した検出値（出力信号）に基づいて、搬送されているトレイ１１のポケット１６にパッケージ３０が正常に収納されているか否かを検出する。
【０１０２】
ここで、図２２に示すように、トレイ１１において、ポケット１６ａにはパッケージ３０が正常に収納されており、ポケット１６ｂにはパッケージ３０が収納されておらず、ポケット１６ｃには、パッケージ３０が正常に収納されているものとする。
【０１０３】
なお、図２２では、搬送方向ＣＤに沿って、ポケット１６ａの前方側（搬送方向ＣＤ下流側）のトレイ１１の上面１９の領域をＢ１とし、ポケット１６ａの領域をＢ２とし、ポケット１６ａの後方側（搬送方向ＣＤ上流側）であってポケット１６ｂの前方側のトレイ１１の上面１９の領域をＢ３とする。また、ポケット１６ｂの領域をＢ４とし、ポケット１６ｂの後方側であってポケット１６ｃの前方側のトレイ１１の上面１９の領域をＢ５とする。また、ポケット１６ｃの領域をＢ６とし、ポケット１６ｃの後方側のトレイ１１の上面１９の領域をＢ７とする。また、パッケージ検出センサ２２の波形（パッケージ検出センサ波形）について、Ｂ１〜Ｂ７の領域のそれぞれが突出部２４の下方を通過する期間、すなわち、突出部２４がＢ１〜Ｂ７の領域上に位置する期間を、それぞれＱ１〜Ｑ７とする。
【０１０４】
本実施の形態では、例えば、正常に収納されているパッケージ３０の上面の高さ位置Ｈ２よりも低く、かつ、パッケージ３０が収納されていないポケット１６ｂの底面１８の高さ位置Ｈ４よりも高い、基準高さ位置ＳＨ２が、予め設定されている。そして、パッケージ検出センサ２２は、突出部２４の最下点の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ２よりも低いときは、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＮ値になり、突出部２４の最下点の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ２よりも高いときは、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になるように、設定されている。
【０１０５】
ポケット１６ａが突出部２４の下方を通過する際は、突出部２４がトレイ１１の上面１９である領域Ｂ１、Ｂ３に接触する期間、すなわち、図２２の波形におけるＱ１、Ｑ３の期間では、トレイ１１の上面１９の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ２よりも高いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になる。また、突出部２４の最下点がポケット１６ａ内に入り込み、ポケット１６ａに収納されているパッケージ３０の上面に接触する期間、すなわち、図２２の波形におけるＱ２の期間でも、パッケージ３０の上面の高さ位置Ｈ２が基準高さ位置ＳＨ２よりも高いため、パッケージ検出センサ２２の出力はＯＦＦ値になる。
【０１０６】
次いで、ポケット１６ｂが突出部２４の下方を通過する際は、突出部２４がトレイ１１の上面１９である領域Ｂ３、Ｂ５に接触する期間、すなわち、図２２の波形におけるＱ３、Ｑ５の期間では、トレイ１１の上面１９の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ２よりも高いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になる。一方、突出部２４の最下点がポケット１６ｂ内に入り込み、パッケージ３０が収納されていないポケット１６ｂの底面１８に接触する期間、すなわち、図２２の波形におけるＱ４の期間では、ポケット１６ｂの底面１８の高さ位置Ｈ４が基準高さ位置ＳＨ２よりも低いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＮ値になる。
【０１０７】
次いで、ポケット１６ｃが突出部２４の下方を通過する際は、突出部２４がトレイ１１の上面１９である領域Ｂ５、Ｂ７に接触する期間、すなわち、図２２の波形におけるＱ５、Ｑ７の期間では、トレイ１１の上面１９の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ２よりも高いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になる。また、突出部２４の最下点がポケット１６ｃ内に入り込み、ポケット１６ｃに収納されているパッケージ３０の上面に接触する期間、すなわち、図２２の波形におけるＱ６の期間でも、パッケージ３０の上面の高さ位置Ｈ２が基準高さ位置ＳＨ２よりも高いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になる。
【０１０８】
このように、高さ位置Ｈ２よりも低く、高さ位置Ｈ４よりも高い基準高さ位置ＳＨ２を設定しておくことで、パッケージ３０が収納されていないポケット１６ｂを、パッケージ３０が正常に収納されているポケット１６ａ、１６ｃから、区別して検出することができる。
【０１０９】
なお、スライダ１３であって、トレイ１１の搬送方向ＣＤ下流側または上流側の部分ＢＳ１、ＢＳ２が、突出部２４の下方を通過する期間、すなわち、図２２の波形におけるＱＳ１、ＱＳ２の期間において、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＮ値になるように、基準高さ位置ＳＨ２は、スライダ１３の上面の高さ位置Ｈ３よりも高く設定されている。
【０１１０】
また、本実施の形態でも、実施の形態１の半導体装置の製造工程と同様の製造工程（図７〜図１５参照）を行うことができるため、半導体装置の製造工程についての説明を省略する。
【０１１１】
本実施の形態でも、実施の形態１と同様に、接触部材２１は、接触部材２１が下方に移動したときに突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込めるように配置されており、突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込むときも、基部２３の最下点がトレイ１１の上面１９と接触しないように配置されている。これに加え、本実施の形態では、基準高さ位置ＳＨ２を適切に設定することで、トレイ１１に反りまたは歪みが発生した場合でも、ポケット１６にパッケージ３０が収納されていないことを精度よく検出できる。そして、ポケット１６にパッケージ３０が収納されていなかったことによる誤動作を防止することができるため、製造工程を安定して行うことができ、製造される半導体装置の性能を向上させることができる。
【０１１２】
（実施の形態３）
実施の形態１では、パッケージ検出センサの出力により、突出部がポケット上に位置している時点を検出した。それに対して、実施の形態３では、実施の形態１を構成する部材および部分に加え、トレイにポケットマークを設けるとともに、検出装置にポケットマーク検出センサを設け、ポケットマーク検出センサの出力により、突出部がポケット上に位置している時点を検出する。
【０１１３】
＜半導体装置の検出工程＞
図２３は、実施の形態３の検出装置の構成を模式的に示す斜視図である。図２４は、実施の形態３の検出装置の構成を模式的に示す一部断面を含む正面図である。図２５は、トレイの構成を模式的に示す斜視図である。
【０１１４】
本実施の形態では、搬送装置１０ａには、トレイ１１ａおよびスライダ１３ａに、ポケット１６に対応したポケットマーク５０、貫通孔５１が形成されており、検出装置２０ａには、ポケットマーク検出センサ（第２の検出部）５２が設けられている。一方、スライダ１３ａのうち貫通孔５１以外の部分、搬送装置１０ａのうちスライダ１３ａ以外の部分、トレイ１１ａのうちポケットマーク５０以外の部分、および、検出装置２０ａのうちポケットマーク検出センサ５２以外の部分については、実施の形態１と同様である。すなわち、搬送路１２、ガイドレール１２ａ、１２ｂ、駆動機構１４、開口部１５、段差部１５ａ、ポケット１６、底面１８、上面１９、接触部材２１、パッケージ検出センサ２２、基部２３、突出部２４、回転軸２５、遮光板２６、発光素子２７、受光素子２８、パッケージ３０の各部材または各部分は、実施の形態１で同一の符号を付して説明した各部材または各部分と同一である。
【０１１５】
なお、図２３の斜視図では、図面を見易くするために、左右両側のガイドレール１２ａ、１２ｂのうち一方（ガイドレール１２ａ）のみを図示し、他方（ガイドレール１２ｂ）の図示を省略している。また、図２４の正面図では、図面を見易くするために、パッケージ検出センサ２２、遮光板２６、発光素子２７、受光素子２８の図示を省略している。
【０１１６】
本実施の形態でも、突出部２４の幅寸法Ｗ１を、水平面内で搬送方向に横切る方向に沿った、ポケット１６の幅寸法Ｗ２よりも小さくすることで、突出部２４は、接触部材２１が下方に移動したときに突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込めるように配置されている。そして、突出部２４がポケット１６の底面１８に接触しているときも、基部２３の最下点の高さ位置ＨＢがトレイ１１ａの上面１９の高さ位置Ｈ１よりも高くなるようにすることで、突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込むときも、基部２３の最下点がトレイ１１ａの上面１９と接触しないように配置されている。
【０１１７】
スライダ１３ａの中心部には、上面から下面にかけて貫通する開口部１５が形成されており、開口部１５の上面側には、段差部１５ａが形成されている。この段差部１５ａにトレイ１１ａが落とし込まれ、落とし込まれたトレイ１１ａが段差部１５ａにより保持されることで、トレイ１１ａがスライダ１３ａに保持される。そして、後述するように、トレイ１１ａに形成された貫通孔からなるポケットマーク５０と、平面視で重なる位置に、貫通孔５１が形成されている。
【０１１８】
図２５に示されるように、トレイ１１ａには、複数のポケット１６が搬送方向ＣＤに沿って配列してなるポケット列１７が、搬送方向ＣＤを水平に横切る方向に沿って複数列形成されている。そして、トレイ１１ａを上面から下面まで貫通する貫通孔からなるポケットマーク５０が、複数のポケット１６の各々に対応する位置に形成されている。ポケットマーク５０は、突出部２４がポケット１６上に位置していることを検出するためのものである。図２５では、ポケット列１７が水平面内で搬送方向ＣＤと直交する方向に沿って２列形成されており、複数のポケットマーク５０の各々が、水平面内で搬送方向ＣＤと直交する方向に沿って、複数のポケット１６の各々の近くに形成された例を示す。
【０１１９】
ポケットマーク検出センサ５２として、発光素子５３と受光素子５４とを有する透過センサを用いることができる。発光素子５３と受光素子５４とは、一方が搬送路１２の上方に設けられ、他方が搬送路１２の下方に設けられている。ポケットマーク検出センサ５２は、発光素子５３からの光が、あるポケット１６に対応して形成されたポケットマーク５０、貫通孔５１を通過して受光素子５４に受光された時に、突出部２４がそのポケット１６上に位置していることが検出できるように、設けられている。
【０１２０】
なお、貫通孔に代えて例えば凹部または凸部からなるポケットマーク５０がトレイ１１ａの上面１９に形成されていてもよく、透過センサに代えて例えば反射式変位センサからなるポケットマーク検出センサ５２により凹部または凸部を検出してもよい。あるいは、貫通孔に代えて上面の一部分の色を周囲の部分の色と異ならせたポケットマーク５０がトレイ１１ａの上面１９に形成されていてもよく、透過センサに代えて例えばＣＣＤカメラからなるポケットマーク検出センサ５２によりトレイ１１ａの上面１９の色の変化を検出してもよい。
【０１２１】
また、実施の形態１と同様に、回転軸２５は、搬送路１２を搬送されているトレイ１１ａまたはポケット１６に収納されているパッケージ３０に突出部２４が接触する位置よりも搬送方向ＣＤ上流側かつ上方の位置で、搬送方向ＣＤを水平に横切る軸であることが好ましく、突出部２４の下面が下に凸の曲面であることが好ましい。これにより、パッケージ３０に損傷を与えることを防止できる。
【０１２２】
次に、実施の形態３の検出工程について説明する。
【０１２３】
図２６は、実施の形態３の検出工程中の検出装置の状態を、ポケットマーク検出センサの波形（ポケットマーク検出センサ波形）とともに示す平面図である。図２７は、実施の形態３の検出工程中の検出装置の状態を、ポケットマーク検出センサの波形（ポケットマーク検出センサ波形）およびパッケージ検出センサの波形（パッケージ検出センサ波形）とともに示す側面図である。
【０１２４】
まず、ポケット１６およびポケットマーク５０が上面１９に形成されたトレイ１１ａを準備し、準備したトレイ１１ａのポケット１６にパッケージ３０を収納する。次に、ポケット１６にパッケージ３０が収納されたトレイ１１ａを、スライダ１３ａの段差部１５ａに保持する。次に、段差部１５ａにトレイ１１ａが保持されたスライダ１３ａを駆動機構１４により駆動することで、パッケージ３０が収納されたトレイ１１ａを搬送方向ＣＤに沿って搬送する。トレイ１１ａを搬送する際、接触部材２１の突出部２４を、搬送されているトレイ１１ａに上方から接触させる。そして、突出部２４によりトレイ１１ａに上方から接触している接触部材２１の高さ位置をパッケージ検出センサ２２により検出し、パッケージ検出センサ２２が検出した検出値（出力信号）に基づいて、搬送されているトレイ１１ａのポケット１６にパッケージ３０が正常に収納されているか否かを検出する。また、本実施の形態では、上記に加え、ポケットマーク検出センサ５２によりポケットマーク５０を検出することで、突出部２４がポケット１６上に位置しているか否かを検出する。
【０１２５】
図２６および図２７に示すように、トレイ１１ａにおいて、ポケット１６ａにはパッケージ３０が正常に収納されており、ポケット１６ｂにはパッケージ３０が収納されておらず、ポケット１６ｃには、パッケージ３０が収納されているものの、収納状態が正常でないものとする。これは、実施の形態１のポケット１６ａ、１６ｂ、１６ｃの収納状態と同様である。
【０１２６】
なお、図２６および図２７では、搬送方向ＣＤに沿って、ポケット１６ａの前方側（搬送方向ＣＤ下流側）のトレイ１１ａの上面１９の領域をＣ１とし、ポケット１６ａの領域をＣ２とし、ポケット１６ａの後方側（搬送方向ＣＤ上流側）であってポケット１６ｂの前方側のトレイ１１ａの上面１９の領域をＣ３とする。また、ポケット１６ｂの領域をＣ４とし、ポケット１６ｂの後方側であってポケット１６ｃの前方側のトレイ１１ａの上面１９の領域をＣ５とする。また、ポケット１６ｃの領域をＣ６とし、ポケット１６ｃの後方側のトレイ１１ａの上面１９の領域をＣ７とする。また、ポケットマーク検出センサ５２の波形（ポケットマーク検出センサ波形）およびパッケージ検出センサ２２の波形（パッケージ検出センサ波形）について、Ｃ１〜Ｃ７の領域のそれぞれが突出部２４の下方を通過する期間、すなわち、突出部２４がＣ１〜Ｃ７の領域上に位置する期間を、それぞれＲ１〜Ｒ７とする。
【０１２７】
まず、図２６を参照し、ポケットマーク検出センサ５２によるポケットマーク５０の検出工程について説明する。
【０１２８】
本実施の形態では、発光素子５３からの光がトレイ１１ａに形成されたポケットマーク５０、および、スライダ１３ａに形成された貫通孔５１を通過して受光素子５４に受光されたときは、ポケットマーク検出センサ５２の出力がＯＮ値になるように、設定されている。そして、発光素子５３からの光が受光素子５４に受光されないときは、ポケットマーク検出センサ５２の出力がＯＦＦ値になるように、設定されている。また、ポケットマーク検出センサ５２は、発光素子５３からの光が、あるポケット１６に対応して形成されたポケットマーク５０、貫通孔５１を通過して受光素子５４に受光された時に、突出部２４がそのポケット１６上に位置していることが検出できるように、設けられている。従って、ポケットマーク検出センサ５２の出力がＯＮ値になる期間、すなわち、図２６の波形におけるＲ２−２、Ｒ４−２、Ｒ６−２の期間では、ポケット１６が突出部２４の下方を通過している、すなわち、突出部２４がポケット１６上に位置している。
【０１２９】
なお、搬送方向ＣＤに沿った各ポケット１６の幅寸法とそのポケット１６に対応して形成されるポケットマーク５０の幅寸法を適切に設定することで、ポケットマーク検出センサ５２の出力がＯＮ値になる期間の始期および終期と、突出部２４がポケット１６上に位置している期間の始期および終期とを一致させることも可能である。
【０１３０】
次に、図２７を参照し、ポケットマーク５０の検出工程を行うとともに、パッケージ３０の検出工程を行うことについて説明する。
【０１３１】
本実施の形態でも、実施の形態１と同様に、例えば、トレイ１１ａの上面１９の高さ位置Ｈ１よりも低く、かつ、正常に収納されているパッケージ３０の上面の高さ位置Ｈ２よりも高い、基準高さ位置ＳＨ１が、予め設定されている。そして、パッケージ検出センサ２２は、突出部２４の最下点の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ１よりも高いときは、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＮ値になり、突出部２４の最下点の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ１よりも低いときは、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になるように、設定されている。
【０１３２】
ポケット１６ａが突出部２４の下方を通過する際は、突出部２４がトレイ１１ａの上面１９である領域Ｃ１、Ｃ３に接触する期間、すなわち、図２７の波形におけるＲ１、Ｒ３の期間では、トレイ１１ａの上面１９の高さ位置Ｈ１が基準高さ位置ＳＨ１よりも高いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＮ値になる。一方、突出部２４の最下点がポケット１６ａ内に入り込み、ポケット１６ａに収納されているパッケージ３０の上面に接触する期間、すなわち、図２７の波形におけるＲ２の期間では、パッケージ３０の上面の高さ位置Ｈ２が基準高さ位置ＳＨ１よりも低いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になる。
【０１３３】
ただし、本実施の形態では、図２７の波形におけるＲ２の期間のうち、Ｒ２−２の期間では、ポケットマーク検出センサ５２の出力がＯＮ値になる。そして、Ｒ２−２の期間でのみ、パッケージ検出センサ２２が検出した検出値に基づいて、パッケージ３０の収納状態を検出する。
【０１３４】
次いで、ポケット１６ｂが突出部２４の下方を通過する際は、突出部２４がトレイ１１ａの上面１９である領域Ｃ３、Ｃ５に接触する期間、すなわち、図２７の波形におけるＲ３、Ｒ５の期間では、トレイ１１ａの上面１９の高さ位置Ｈ１が基準高さ位置ＳＨ１よりも高いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＮ値になる。一方、突出部２４の最下点がポケット１６ｂ内に入り込み、パッケージ３０が収納されていないポケット１６ｂの底面１８に接触する期間、すなわち、図２７の波形におけるＲ４の期間では、ポケット１６ｂの底面１８の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ１よりも低いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になる。
【０１３５】
ただし、本実施の形態では、図２７の波形におけるＲ４の期間のうち、Ｒ４−２の期間では、ポケットマーク検出センサ５２の出力がＯＮ値になる。そして、Ｒ４−２の期間でのみ、パッケージ検出センサ２２が検出した検出値に基づいて、パッケージ３０の収納状態を検出する。
【０１３６】
次いで、ポケット１６ｃが突出部２４の下方を通過する際は、突出部２４がトレイ１１ａの上面１９である領域Ｃ５、Ｃ７に接触する期間、すなわち、図２７の波形におけるＲ５、Ｒ７の期間では、トレイ１１ａの上面１９の高さ位置Ｈ１が基準高さ位置ＳＨ１よりも高いため、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＮ値になる。また、突出部２４の最下点がポケット１６ｃ内に入り込み、正常に収納されていないパッケージ３０の上面に接触する期間、すなわち、図２７の波形におけるＲ６の期間のうち、パッケージ３０の上面の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ１よりも低いＲ６−１、Ｒ６−２−１の期間では、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になる。一方、図２７の波形におけるＲ６の期間のうち、パッケージ３０の上面の高さ位置が基準高さ位置ＳＨ１よりも高いＲ６−２−２、Ｒ６−３の期間では、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＮ値になる。
【０１３７】
ただし、本実施の形態では、図２７の波形におけるＲ６の期間のうち、Ｒ６−２−１、Ｒ６−２−２の期間、すなわちＲ６−２の期間では、ポケットマーク検出センサ５２の出力がＯＮ値になる。そして、Ｒ６−２の期間でのみ、パッケージ検出センサ２２が検出した検出値に基づいて、パッケージ３０の収納状態を検出する。
【０１３８】
このように、パッケージ検出センサ２２の波形を、ポケットマーク検出センサ５２の波形と組み合わせることで、パッケージ３０の収納状態が正常でないポケット１６ｃを、パッケージ３０が正常に収納されているポケット１６ａ、および、パッケージ３０が収納されていないポケット１６ｂから、より精度よく区別して検出することができる。
【０１３９】
なお、スライダ１３ａであって、トレイ１１ａの搬送方向ＣＤ下流側または上流側の部分ＣＳ１、ＣＳ２が、突出部２４の下方を通過する期間、すなわち、図２７の波形におけるＲＳ１、ＲＳ２の期間において、パッケージ検出センサ２２の出力がＯＦＦ値になるように、基準高さ位置ＳＨ１は、スライダ１３ａの上面の高さ位置Ｈ３よりも高く設定されている。
【０１４０】
また、本実施の形態でも、実施の形態１の半導体装置の製造工程と同様の製造工程（図７〜図１５参照）を行うことができるため、半導体装置の製造工程についての説明を省略する。
【０１４１】
本実施の形態でも、実施の形態１と同様に、接触部材２１は、接触部材２１が下方に移動したときに突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込めるように配置されており、突出部２４の最下点がポケット１６内に入り込むときも、基部２３の最下点がトレイ１１ａの上面１９と接触しないように配置されている。これにより、トレイ１１ａに反りまたは歪みが発生した場合でも、パッケージ３０の収納状態を精度良く検出することができる。そして、ポケット１６に正常に収納されていないパッケージ３０が、搬送工程およびその後の各工程において、他の部材との接触、またはトレイ１１ａからの落下などにより損傷を受けることを防止することができ、半導体装置の性能を向上させることができる。
【０１４２】
上記の効果に加え、本実施の形態では、パッケージ検出センサ２２による検出工程を、ポケットマーク検出センサ５２による検出工程と組み合わせる。これにより、突出部２４がポケット１６上に位置する時点を精度よく検出することができるため、パッケージ３０の収納状態が正常でないポケット１６ｃを、パッケージ３０が正常に収納されているポケット１６ａ、および、パッケージ３０が収納されていないポケット１６ｂから、より精度よく区別して検出することができる。
【０１４３】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１４４】
例えば、実施の形態１から実施の形態３では、半導体装置を検出する検出工程に適用する例について説明したが、本発明は、半導体装置を検出する検出工程に適用する例に限定されるものではなく、例えばセラミックコンデンサなど各種の電子部品を搬送容器に収納して搬送する際に、搬送容器の凹部に電子部品が正常に収納されているか否かを検出する検出工程に適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１４５】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置の検出方法に適用して有効である。
【符号の説明】
【０１４６】
１０、１０ａ  搬送装置
１１、１１ａ  トレイ
１２  搬送路
１２ａ、１２ｂ  ガイドレール
１３、１３ａ  スライダ
１４  駆動機構
１５  開口部
１５ａ  段差部
１６、１６ａ〜１６ｃ  ポケット
１７  ポケット列
１８  底面
１９  上面
２０、２０ａ  検出装置
２１  接触部材
２２  パッケージ検出センサ
２３  基部
２４  突出部
２５  回転軸
２６  遮光板
２７  発光素子（ＬＥＤ）
２８  受光素子（リニアイメージセンサ）
３０、３０ａ  パッケージ
３１  樹脂（封止体）
３２  リード
３２ａ  タブ
３２ｂ  インナリード
３２ｃ  アウタリード
３３  チップ
３３ａ  主面
３３ｂ  裏面
３３ｃ  パッド
３４  ワイヤ
３６  半導体ウェハ
３７  ダイシングライン
３８  ダイシングテープ
３９  ウェハリング
４１  半導体基板
４２  素子分離溝
４３  素子分離膜
４４Ａ  ｎ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域
４４Ｂ  ｐ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域
４５  層間絶縁膜
４６  絶縁膜
５０  ポケットマーク
５１  貫通孔
５２  ポケットマーク検出センサ
５３  発光素子
５４  受光素子
ＣＤ  搬送方向
ＣＮＴ  コンタクトホール
ＣＰ  位置
ＧＥ  ゲート電極
ＧＩ  ゲート絶縁膜
ＨＢ、ＨＰ０〜ＨＰ２、Ｈ１〜Ｈ４、Ｈ１´  高さ位置
ＰＧ  プラグ
Ｑ１、Ｑ２  ＭＩＳＦＥＴ
ＳＤ  ソース・ドレイン領域
ＳＨ１、ＳＨ２  基準高さ位置
ＳＷ  サイドウォールスペーサ
Ｗ１、Ｗ２  幅寸法 
【図１】
2013098237.tif 000003
【図２】
2013098237.tif 000004
【図３】
2013098237.tif 000005
【図４】
2013098237.tif 000006
【図５】
2013098237.tif 000007
【図６】
2013098237.tif 000008
【図７】
2013098237.tif 000009
【図８】
2013098237.tif 000010
【図９】
2013098237.tif 000011
【図１０】
2013098237.tif 000012
【図１１】
2013098237.tif 000013
【図１２】
2013098237.tif 000014
【図１３】
2013098237.tif 000015
【図１４】
2013098237.tif 000016
【図１５】
2013098237.tif 000017
【図１６】
2013098237.tif 000018
【図１７】
2013098237.tif 000019
【図１８】
2013098237.tif 000020
【図１９】
2013098237.tif 000021
【図２０】
2013098237.tif 000022
【図２１】
2013098237.tif 000023
【図２２】
2013098237.tif 000024
【図２３】
2013098237.tif 000025
【図２４】
2013098237.tif 000026
【図２５】
2013098237.tif 000027
【図２６】
2013098237.tif 000028
【図２７】
2013098237.tif 000029