(57)【要約】      （修正有）【課題】銅と比較してシリコンをより選択的に除去することで、シリコンビア内の銅の突き出し量を大きくできる研磨方法を提供する。【解決手段】平均一次粒子径が４０ｎｍ以下、かつ平均二次粒子径が７０ｎｍ以下である砥粒、及び炭酸カリウム、炭酸水素カリウムなどの塩基性化合物を含有した研磨用組成物を用いて、シリコンの研磨速度が銅の研磨速度の２５倍以上となるようにすることで、銅と比較してシリコンをより高い選択性で研磨し、シリコン貫通ビア内の銅の突き出し量を大きくする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅及びシリコンを含有する研磨対象物を、研磨用組成物を用いて研磨する研磨方法であって、
前記研磨用組成物は、平均二次粒子径が７０ｎｍ以下である砥粒、及び塩基性化合物を含有し、前記研磨用組成物によるシリコンの研磨速度が前記研磨用組成物による銅の研磨速度の２５倍以上であることを特徴とする研磨方法。
【請求項２】
前記砥粒の平均一次粒子径が４０ｎｍ以下である、請求項１に記載の研磨方法。
【請求項３】
前記砥粒の平均二次粒子径の値（単位ｎｍ）をＡ、前記砥粒の９０％粒子径を前記砥粒の１０％粒子径で除して得られる値（無次元）をＢとしたときに式：Ｃ  ≡  ０．０１５  ＊  Ａ  ＋  Ｂ  で定義されるＣの値が３以下である、請求項１又は２に記載の研磨方法。
【請求項４】
前記塩基性化合物が炭酸カリウム又は炭酸水素カリウムである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅及びシリコンを含有する研磨対象物を研磨する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体を三次元に実装するための技術としてシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）構造が注目をされている。シリコン貫通ビアは一般に、シリコン基板を厚さ方向に貫通する孔の形をしており、銅で充填されている。シリコン貫通ビア構造の形成プロセスには、例えば特許文献１に記載されているような方法で、シリコン基板の表面と、シリコン貫通ビア内の銅の表面とを同時に研磨する工程が含まれることがある。
【０００３】
シリコン貫通ビア内の銅をコンタクトプラグとして利用するケースでは、銅の表面がシリコン基板の表面よりも持ち上がっていることが有利な場合がある。そのようなシリコン貫通ビア構造を形成するためには、シリコン貫通ビア内の銅と比較して選択的にシリコン基板の表面を除去することが重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２２２７１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで本発明の目的は、銅と比較してシリコンをより高い選択性で除去することが可能な研磨方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の一態様では、銅及びシリコンを含有する研磨対象物を、研磨用組成物を用いて研磨する研磨方法が提供される。前記研磨用組成物は、平均二次粒子径が７０ｎｍ以下である砥粒、及び塩基性化合物を含有する。前記研磨用組成物によるシリコンの研磨速度は前記研磨用組成物による銅の研磨速度の２５倍以上である。
【０００７】
前記砥粒の平均一次粒子径は４０ｎｍ以下であることが好ましい。
前記砥粒の平均二次粒子径の値（単位ｎｍ）をＡ、前記砥粒の９０％粒子径を前記砥粒の１０％粒子径で除して得られる値（無次元）をＢとしたときに、式：Ｃ  ≡  ０．０１５  ＊  Ａ  ＋  Ｂ  で定義されるＣの値は３以下であることが好ましい。
【０００８】
前記塩基性化合物は炭酸カリウム又は炭酸水素カリウムであることが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、銅と比較してシリコンをより高い選択性で除去することが可能な研磨方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態に係る研磨方法で研磨する前の研磨対象物の表面を示す断面図、（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る研磨方法で研磨した後の研磨対象物の表面を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施形態を説明する。
本実施形態の研磨方法では、研磨用組成物を用いて、露出した銅面及びシリコン面を有する研磨対象物が化学機械研磨される。図１（ａ）に示す研磨対象物１０は、ビア１１を有するシリコン基板１２と、ビア１１に充填された銅からなる導体部１３とを備え、露出した銅面及びシリコン面を有する。導体部１３を形成する銅は純銅であってもよいし、銅合金であってもよい。ビア１１の壁面にはバリアメタル膜１４が設けられており、導体部１３の銅原子がシリコン基板１２に拡散するのを防止する。バリアメタル膜１４は、例えば、タンタル、窒化タンタル又は窒化チタンから形成される。
【００１２】
本実施形態の研磨方法による化学機械研磨は、例えば、図１（ａ）に示す研磨対象物１０のシリコン面を主に除去することにより、図１（ｂ）に示すように主に銅からなる凸部を研磨対象物１０の表面に形成する目的で行われる。こうして形成される凸部はコンタクトプラグとしての利用が可能である。
【００１３】
本実施形態の研磨方法による化学機械研磨は、研磨パッドが貼り付けられた研磨定盤を有する一般的な研磨装置を用いて行うことができる。
本実施形態の研磨方法による化学機械研磨の際の研磨圧力、すなわち研磨対象物に対する研磨パッドの接触圧力は３〜１００ｋＰａであることが好ましく、より好ましくは１０〜４０ｋＰａである。
【００１４】
本実施形態の研磨方法による化学機械研磨の際の研磨定盤の回転数は２０〜１０００ｒｐｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜５００ｒｐｍである。
本実施形態の研磨方法による化学機械研磨の際に研磨パッドに供給される研磨用組成物の量、すなわち研磨用組成物の供給速度は５０〜２０００ｍＬ／分であることが好ましく、より好ましくは１００〜５００ｍＬ／分である。
【００１５】
本実施形態の研磨方法による化学機械研磨の際に使用される研磨用組成物は、砥粒及び塩基性化合物を含有している。このような研磨用組成物は、砥粒及び塩基性化合物を水などの溶媒に混合することにより調製される。
【００１６】
砥粒は、研磨対象物の表面を機械的に研磨する働きをする。研磨用組成物中に含まれる砥粒の具体例としては、コロイダルシリカやフュームドシリカなどのシリカのほか、アルミナ、セリア、ジルコニア、炭化ケイ素、炭酸カルシウム、ダイヤモンドなどが挙げられる。中でもシリカ、特にコロイダルシリカを使用した場合には、研磨用組成物を用いて研磨後の研磨対象物の表面のスクラッチ数が減少するという有利な効果がある。
【００１７】
砥粒の平均一次粒子径は３ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは５ｎｍ以上である。砥粒の平均一次粒子径が３ｎｍ以上である場合、さらに言えば５ｎｍ以上である場合には、特にシリコンの十分な研磨速度が得られやすいという有利な効果がある。なお、砥粒の平均一次粒子径の値は、ＢＥＴ法により測定される砥粒の比表面積に基づいて算出することができる。
【００１８】
また、砥粒の平均一次粒子径は４０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１５ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以下である。砥粒の平均一次粒子径が４０ｎｍ以下である場合、さらに言えば２０ｎｍ以下、１５ｎｍ以下又は１０ｎｍ以下である場合には、特に銅の研磨速度が低下することにより、研磨用組成物によるシリコンの研磨選択性が向上するという有利な効果がある。
【００１９】
砥粒の平均二次粒子径は５ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上である。砥粒の平均二次粒子径が５ｎｍ以上である場合、さらに言えば１０ｎｍ以上である場合には、特にシリコンの十分な研磨速度が得られやすいという有利な効果がある。なお、砥粒の平均二次粒子径の値は、動的光散乱法により測定される体積基準の粒度分布から求めることができる。
【００２０】
また、砥粒の平均二次粒子径は７０ｎｍ以下であることが必要であり、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以下である。砥粒の平均二次粒子径が７０ｎｍを超える場合には、特に銅の研磨速度が高くなるために、研磨用組成物によるシリコンの研磨選択性が十分には得られない。砥粒の平均二次粒子径が７０ｎｍ以下である場合、さらに言えば５０ｎｍ以下又は３０ｎｍ以下である場合には、特に銅の研磨速度が低下することにより、研磨用組成物によるシリコンの研磨選択性が向上するという有利な効果がある。
【００２１】
砥粒の９０％粒子径（Ｄ９０）を砥粒の１０％粒子径（Ｄ１０）で除して得られる値（Ｄ９０／Ｄ１０）は２．４以下であることが好ましく、より好ましくは２．２以下である。ここでいう１０％粒子径は、砥粒の全粒子の積算体積の１０％以上になるまで粒子径の小さい順に粒子の体積を積算したときに最後に積算される粒子の粒子径に等しい。また、９０％粒子径は、砥粒の全粒子の積算体積の９０％以上になるまで粒子径の小さい順に粒子の体積を積算したときに最後に積算される粒子の粒子径に等しい。Ｄ９０／Ｄ１０の値が２．４以下である場合、さらに言えば２．２以下である場合には、特に銅の研磨速度が低下することにより、研磨用組成物によるシリコンの研磨選択性が向上するという有利な効果がある。なお、砥粒の１０％粒子径及び９０％粒子径の値は、動的光散乱法により測定される体積基準の粒度分布から求めることができる。
【００２２】
砥粒の平均二次粒子径の値（単位ｎｍ）及びＤ９０／Ｄ１０の値（無次元）をそれぞれＡ及びＢとしたときに式：Ｃ  ≡  ０．０１５  ＊  Ａ  ＋  Ｂ  で定義されるＣの値は１．２以上であることが好ましく、より好ましくは１．５以上、さらに好ましくは１．７以上、特に好ましくは、１．９以上である。また、Ｃの値は３以下であることが好ましく、より好ましくは２．７以下、さらに好ましくは、２．５以下である。Ｃの値が上記の範囲内にある場合には、銅の研磨速度に対するシリコンの研磨速度の比が大きくなることにより、研磨用組成物によるシリコンの研磨選択性が向上するという有利な効果がある。
【００２３】
砥粒の形状は球形であってもよいし、非球形であってもよい。非球形状の例としては、中央部にくびれを有するいわゆる繭形状や、表面に複数の突起を有する金平糖形状、ラグビーボール形状などが挙げられる。非球形状の砥粒は、一次粒子の会合体であってもよい。
【００２４】
研磨用組成物中の砥粒の含有量は０．０１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上である。砥粒の含有量が０．０１質量％以上である場合、さらに言えば０．１質量％以上又は１質量％以上である場合には、特にシリコンの十分な研磨速度が得られやすいという有利な効果がある。
【００２５】
また、研磨用組成物中の砥粒の含有量は５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは３質量％以下である。砥粒の含有量が５質量％以下である場合、さらに言えば３質量％以下である場合には、研磨用組成物中の砥粒の分散安定性が向上するという有利な効果がある。加えて、研磨用組成物を用いて研磨後の研磨対象物の表面に付着残留する砥粒の数が減少するという有利な効果もある。
【００２６】
研磨用組成物中に含まれる塩基性化合物は、研磨対象物の表面を化学的に研磨する働きをする。塩基性化合物の具体例としては、無機アルカリ、アミン、第４級アンモニウム塩などが挙げられる。無機アルカリの具体例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、硫酸塩、硝酸塩などのアルカリ金属塩が挙げられる。アミンの具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、エチレンジアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、１，２−ジアミノプロパン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミンなどが挙げられる。第４級アンモニウム塩の具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、炭酸テトラメチルアンモニウム、炭酸テトラエチルアンモニウム、炭酸水素テトラメチルアンモニウム、炭酸水素テトラエチルアンモニウムなどが挙げられる。中でも無機アルカリを使用した場合には、銅の研磨速度が低下することにより、研磨用組成物によるシリコンの研磨選択性が向上するという有利な効果がある。無機アルカリの中でもカリウム塩、特に炭酸カリウム又は炭酸水素カリウムを使用した場合には、シリコンの研磨速度が向上することにより、研磨用組成物によるシリコンの研磨選択性がさらに向上するという有利な効果がある。炭酸カリウム又は炭酸水素カリウムの使用によりシリコンの研磨速度が向上する理由は、炭酸イオン又は炭酸水素イオンの存在により研磨用組成物中の砥粒が緩やかな凝集を生じるためと推察される。
【００２７】
研磨用組成物中の塩基性化合物の含有量は０．００１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．１５質量％以上、さらに好ましくは２質量％以上である。塩基性化合物の含有量が０．００１質量％以上である場合、さらに言えば０．１５質量％以上又は２質量％以上である場合には、特にシリコンの十分な研磨速度が得られやすいという有利な効果がある。
【００２８】
また、研磨用組成物中の塩基性化合物の含有量は６質量％以下であることが好ましい。塩基性化合物の含有量が６質量％以下である場合には、研磨用組成物中の砥粒の分散安定性が向上するという有利な効果がある。
【００２９】
研磨用組成物のｐＨは、８．５以上であることが好ましく、より好ましくは１０以上である。また、研磨用組成物のｐＨは１１．５以下であることが好ましく、より好ましくは１１以下である。研磨用組成物のｐＨが上記の範囲内にある場合には、特にシリコンの十分な研磨速度が得られやすいという有利な効果がある。
【００３０】
研磨用組成物のｐＨを所望の値に調整するためにｐＨ調整剤を使用してもよい。ｐＨ調整剤は酸及びアルカリのいずれであってもよく、また無機及び有機の化合物のいずれであってもよい。先に説明した塩基性化合物をｐＨ調整剤として使用することも可能である。
【００３１】
研磨用組成物による銅の研磨速度は１８ｎｍ／分以下であることが好ましく、より好ましくは１５ｎｍ／分以下である。
研磨用組成物によるシリコンの研磨速度は３００ｎｍ／分以上であることが好ましく、より好ましくは３５０ｎｍ／分以上である。ただし、研磨用組成物によるシリコンの研磨速度は、研磨用組成物による銅の研磨速度の２５倍以上であることが必要であり、好ましくは３０倍以上である。
【００３２】
本実施形態によれば以下の作用及び効果が得られる。
・  本実施形態の研磨方法では、平均二次粒子径が７０ｎｍ以下である砥粒、及び塩基性化合物を含有した研磨用組成物が用いられ、これにより、シリコンの研磨速度が銅の研磨速度よりも十分に高くなるように、具体的にはシリコンの研磨速度が銅の研磨速度の２５倍以上となるようにしている。そのため、本実施形態の研磨方法によれば、銅と比較してシリコンをより高い選択性で除去することができる。
【００３３】
・  本実施形態の研磨方法で使用される研磨用組成物は酸化剤及びキレート剤を含んでいない。研磨用組成物に酸化剤又はキレート剤を加えた場合には、銅の研磨速度が上昇するとともにシリコンの研磨速度が低下し、研磨用組成物によるシリコンの研磨選択性が十分に得られないおそれがある。この点、研磨用組成物が酸化剤及びキレート剤を含有しない場合には、研磨用組成物によるシリコンの研磨選択性が向上するという有利な効果がある。
【００３４】
前記実施形態は次のように変更されてもよい。
・  前記実施形態の研磨方法で使用される研磨用組成物は、二種類以上の砥粒を含有してもよい。例えば、材質や製法の異なる砥粒を組み合わせて用いてもよい。あるいは、粒子形状の異なる砥粒を組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
・  前記実施形態の研磨方法で使用される研磨用組成物は、二種類以上の塩基性化合物を含有してもよい。
・  前記実施形態の研磨用組成物は、酸化剤を含有してもよい。酸化剤の具体例としては、次亜塩素酸、亜塩素酸、過塩素酸、臭素酸、これらの酸のアルカリ金属塩のほか、硝酸、過硫酸、過ヨウ素酸、これらの酸の塩、過酸化水素水などが挙げられる。ただし、先にも述べたとおり、酸化剤を加えることによって研磨用組成物によるシリコンの研磨選択性が低下するおそれがあるため、研磨用組成物中の酸化剤の含有量は０．０１質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．００１質量％以下であり、酸化剤を実質的に含まないことが最も好ましい。
【００３６】
・  前記実施形態の研磨用組成物は、キレート剤を含有してもよい。キレート剤の具体例としては、アミノカルボン酸及び有機ホスホン酸が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の具体例としては、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムなどが挙げられる。有機ホスホン酸系キレート剤の具体例としては、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１，−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸などが挙げられる。ただし、先にも述べたとおり、キレート剤を加えることによって研磨用組成物によるシリコンの研磨選択性が低下するおそれがあるため、研磨用組成物中のキレート剤の含有量はできるだけ少ないことが好ましく、キレート剤を実質的に含まないことが最も好ましい。
【００３７】
・  前記実施形態の研磨方法で使用される研磨用組成物には、必要に応じて防カビ剤などの添加剤を添加してもよい。
・  前記実施形態の研磨方法で使用される研磨用組成物は、研磨用組成物の原液を水で希釈することにより調製されてもよい。
【００３８】
・  前記実施形態の研磨方法で使用される研磨用組成物は、一剤型であってもよいし、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。
次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。
【００３９】
コロイダルシリカ及び塩基性化合物を水に混合して実施例１〜８及び比較例１〜５の研磨用組成物を用意した。コロイダルシリカ、塩基性化合物及び酸化剤を水に混合して比較例６の研磨用組成物を用意した。各研磨用組成物の詳細を表１に示す。
【００４０】
【表１】
2013165235.tif 000002
表１の“コロイダルシリカ”欄内の“形状”欄には、各研磨用組成物で使用したコロイダルシリカの粒子形状を示す。同欄中の“繭形”、“球形”、及び“異形”はそれぞれ、コロイダルシリカの粒子形状が繭形状、球形状、及び繭形以外の非球形状であったことを表す。比較例１，２の研磨用組成物で使用したコロイダルシリカは、具体的には、各シリカ粒子の表面にサイズのより小さいシリカ粒子が担持した形状を有していた。粒子形状の確認には株式会社日立製作所の走査型電子顕微鏡“Ｓ４７００”を使用した。
【００４１】
表１の“コロイダルシリカ”欄内の“平均一次粒子径”欄及び“平均二次粒子径”欄にはそれぞれ、各研磨用組成物で使用したコロイダルシリカの平均一次粒子径及び平均二次粒子径を示す。平均一次粒子径は、Micromeritics社製の比表面積測定装置“Flowsorb II 2300”を用いて測定されるコロイダルシリカの比表面積から算出した。平均二次粒子径の測定には日機装株式会社の動的光散乱装置“ＵＰＡ−ＵＴ１５１”を使用した。
【００４２】
表１の“コロイダルシリカ”欄内の“Ｄ９０”欄及び“Ｄ１０”欄にはそれぞれ、各研磨用組成物で使用したコロイダルシリカの９０％粒子径及び１０％粒子径を示す。９０％粒子径及び１０％粒子径の測定には日機装株式会社の動的光散乱装置“ＵＰＡ−ＵＴ１５１”を使用した。
【００４３】
表１の“コロイダルシリカ”欄内の“Ｄ９０／Ｄ１０”欄には、各研磨用組成物で使用したコロイダルシリカの９０％粒子径を同じコロイダルシリカの１０％粒子径で除して得られる値を示す。
【００４４】
表１の“コロイダルシリカ”欄内の“Ｃ値”欄には、各研磨用組成物で使用したコロイダルシリカの平均二次粒子径の値（単位ｎｍ）及びＤ９０／Ｄ１０の値（無次元）をそれぞれＡ及びＢとしたときに式：Ｃ  ≡  ０．０１５  ＊  Ａ  ＋  Ｂ  で定義されるＣの値を示す。
【００４５】
表１の“コロイダルシリカ”欄内の“含有量”欄には、各研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量を示す。
表１の“塩基性化合物”欄内の“名称”欄には、各研磨用組成物で使用した塩基性化合物の名称を示す。同欄中の“Ｋ２ＣＯ３”は炭酸カリウムを表す。
【００４６】
表１の“塩基性化合物”欄内の“含有量”欄には、各研磨用組成物で使用した塩基性化合物の含有量を示す。
表１の“酸化剤”欄内の“名称”欄には、各研磨用組成物で使用した酸化剤の名称を示す。同欄中の“Ｈ２Ｏ２”は過酸化水素を表す。
【００４７】
表１の“酸化剤”欄内の“含有量”欄には、各研磨用組成物で使用した酸化剤の含有量を示す。
表１の“ｐＨ”欄には、各研磨用組成物のｐＨを示す。
【００４８】
表１の“銅の研磨速度”欄には、３２ｍｍ四方に切断した銅ブランケットウェーハの表面を、各研磨用組成物を用いて表２に記載の条件で研磨したときの銅の研磨速度を示す。銅の研磨速度の値は、METTLER TOLEDO社の精密天秤“ＡＧ−２８５”を使用して測定される研磨前後の各ウェーハの重量の差を研磨時間（１分間）で除することにより求めた。
【００４９】
表１の“シリコンの研磨速度”欄には、３２ｍｍ四方に切断したシリコンウェーハの表面を、各例の研磨用組成物を用いて表２に記載の条件で研磨したときのシリコンの研磨速度を示す。シリコンの研磨速度の値は、METTLER TOLEDO社の精密天秤“ＡＧ−２８５”を使用して測定される研磨前後の各ウェーハの重量の差を研磨時間（１０分間）で除することにより求めた。
【００５０】
表１の“シリコンの研磨速度／銅の研磨速度”欄には、各例の研磨用組成物について上記したようにして求められるシリコンの研磨速度を銅の研磨速度で除することにより得られる値を示す。
【００５１】
【表２】
2013165235.tif 000003
表１に示すように、実施例１〜８の研磨用組成物を使用した場合には、銅の研磨速度が１８．２ｎｍ／分以下と比較的小さい一方で、シリコンの研磨速度はその２５倍以上であった。
【００５２】
これに対して、平均二次粒子径が７０ｎｍを超える砥粒を含有した比較例１〜５の研磨用組成物を使用した場合には、主に銅の研磨速度が増大した。また、過酸化水素を含有した比較例６の研磨用組成物を使用した場合には、銅の研磨速度が増大するとともにシリコンの研磨速度が低下した。その結果、比較例１〜６の研磨用組成物の場合はいずれも、シリコンの研磨速度が銅の研磨速度の２５倍未満であった。
【００５３】
最後に、以上の記載から把握できる技術的思想について以下に記載する。
・  前記研磨用組成物は酸化剤を含有していない、請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨方法。
【００５４】
・  前記研磨用組成物はキレート剤を含有していない、請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨方法。
【符号の説明】
【００５５】
１０…研磨対象物、１１…ビア、１２…シリコン基板、１３…導体部、１４…バリアメタル膜。
【図１】
2013165235.tif 000004