(57)【要約】【課題】例えば、堆積される膜の膜厚の面内均一性を向上できる成膜装置を提供することを目的とする。【解決手段】１つの実施形態によれば、基板上に膜を堆積するための成膜装置であって、ステージとシャワーヘッドとコンダクタンス調整壁とを有する成膜装置が提供される。ステージは、成膜室内に配されている。ステージには、基板が載置される。ステージは、上下動可能である。シャワーヘッドは、基板より大きな平面幅を有する。シャワーヘッドは、ステージに対向する面に複数の穴を有する。シャワーヘッドは、複数の穴を介して基板の表面に成膜ガスを供給する。コンダクタンス調整壁は、基板の外側でステージの上下動によって成膜ガスのガスコンダクタンスを調整するように、シャワーヘッドの外縁からステージの側へ延びている。シャワーヘッドとコンダクタンス調整壁とは、互いに一体化されている。【選択図】図１
2013067844.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に膜を堆積するための成膜装置であって、
成膜室内に配され、前記基板が載置される上下動可能なステージと、
前記基板より大きな平面幅を有し、前記ステージに対向する面に複数の穴を有し、前記複数の穴を介して前記基板の表面に成膜ガスを供給するシャワーヘッドと、
前記基板の外側で前記ステージの上下動によって前記成膜ガスのガスコンダクタンスを調整するように、前記シャワーヘッドの外縁から前記ステージの側へ延びたコンダクタンス調整壁と、
を備え、
前記シャワーヘッドと前記コンダクタンス調整壁とは、互いに一体化されている
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記コンダクタンス調整壁は、前記基板上に膜を堆積する際に、前記ステージから離間している
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記コンダクタンス調整壁は、前記シャワーヘッドの外縁から前記ステージの載置面に垂直な方向に沿って延びている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記シャワーヘッドは、前記ステージより大きな平面幅を有し、
前記コンダクタンス調整壁は、前記基板上に膜を堆積する際に、前記ステージの側方まで延びている
ことを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記コンダクタンス調整壁は、前記シャワーヘッドの外縁から外側に傾斜しながら前記ステージの側へ延びている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記コンダクタンス調整壁は、前記基板上に膜を堆積する際に、前記ステージの側方まで延びている
ことを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置は、成膜室内の基板を所定の温度に加熱した状態で、シャワーヘッドを介して成膜ガスを成膜室内の基板の表面に供給し、基板上に所定の膜を堆積する。このとき、堆積される膜の膜厚が基板の面内で均一であることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２６０２３０号公報
【特許文献２】特開２００７−１７７３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
１つの実施形態は、例えば、堆積される膜の膜厚の面内均一性を向上できる成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つの実施形態によれば、基板上に膜を堆積するための成膜装置であって、ステージとシャワーヘッドとコンダクタンス調整壁とを有する成膜装置が提供される。ステージは、成膜室内に配されている。ステージには、基板が載置される。ステージは、上下動可能である。シャワーヘッドは、基板より大きな平面幅を有する。シャワーヘッドは、ステージに対向する面に複数の穴を有する。シャワーヘッドは、複数の穴を介して基板の表面に成膜ガスを供給する。コンダクタンス調整壁は、基板の外側でステージの上下動によって成膜ガスのガスコンダクタンスを調整するように、シャワーヘッドの外縁からステージの側へ延びている。シャワーヘッドとコンダクタンス調整壁とは、互いに一体化されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態にかかる成膜装置の構成を示す図。
【図２】第１の実施形態にかかる成膜装置の構成を示す図。
【図３】第２の実施形態にかかる成膜装置の構成を示す図。
【図４】第２の実施形態にかかる成膜装置の構成を示す図。
【図５】第３の実施形態にかかる成膜装置の構成を示す図。
【図６】第４の実施形態にかかる成膜装置の構成を示す図。
【図７】第５の実施形態にかかる成膜装置の構成を示す図。
【図８】第６の実施形態にかかる成膜装置の構成を示す図。
【図９】第７の実施形態にかかる成膜装置の構成を示す図。
【図１０】第８の実施形態にかかる成膜装置の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる成膜装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１の実施形態）
第１の実施形態にかかる成膜装置１について図１を用いて説明する。図１は、成膜装置１の構成を示す断面図である。
【０００９】
成膜装置１は、基板ＷＦの上に所定の膜（例えば、金属膜）を堆積するための装置であり、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置である。成膜装置１は、ステージ１０、駆動部６０、シャワーヘッド２０、コンダクタンス調整壁３０、ガス供給部４０、及び圧力制御部５０を備える。
【００１０】
ステージ１０は、成膜室ＣＨ１内に配されている。ステージ１０の載置面１０ａ上には、基板ＷＦが載置されている。そして、ステージ１０は、基板ＷＦを裏面側から覆うように保持している。ステージ１０は、例えば、真空チャックを有しており、真空チャックを用いて基板ＷＦを裏面側から真空吸着するように保持しても良い。あるいは、ステージ１０は、例えば、静電チャックを有しており、静電チャックを用いて基板ＷＦを裏面側から静電気的に吸着するように保持しても良い。
【００１１】
ステージ１０の平面方向における幅Ｗ１０は、図２（ｂ）に示すように、基板ＷＦの平面方向における幅Ｗｗｆよりも大きい。また、ステージ１０は、載置面１０ａに垂直な方向から見た場合に、基板ＷＦに対応した形状を有している。例えば、基板ＷＦが略円形状である場合、ステージ１０も、略円形状を有している。なお、図２（ｂ）は、ステージ１０及びコンダクタンス調整壁３０をステージ１０の載置面１０ａの側から見た図である。
【００１２】
また、ステージ１０は、加熱部１１を有する。加熱部１１は、成膜処理時に、基板ＷＦの温度が所定の膜の堆積に必要な所定の温度になるように、ステージ１０を介して基板ＷＦを加熱する。具体的には、加熱部１１は、ヒータ１２を有する。ヒータ１２は、ステージ１０を介して基板ＷＦを加熱するように、ステージ１０の内部に配されている。ヒータ１２は、その抵抗により発熱する材料で形成されており、例えばニッケルクロム合金で形成されている。
【００１３】
駆動部６０は、ステージ１０の載置面１０ａ上に基板ＷＦが載置される際に、ステージ１０をシャワーヘッド２０から離れる方向へ駆動する。また、駆動部６０は、ステージ１０の載置面１０ａ上に基板ＷＦが載置された後、成膜処理を開始する前に、図１に示す位置までステージ１０をシャワーヘッド２０に近づく方向へ駆動する。すなわち、駆動部６０は、コンダクタンス調整壁３０とステージ１０との位置関係が予め実験的に決定された目標位置関係になるように、ステージ１０をシャワーヘッド２０に近づく方向へ駆動する。例えば、駆動部６０は、載置面１０ａに沿った方向から透視した場合におけるコンダクタンス調整壁３０とステージ１０との載置面１０ａに垂直な方向の重なりの長さＬＯＶ１３が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ１０をシャワーヘッド２０に近づく方向へ駆動する。
【００１４】
シャワーヘッド２０は、基板ＷＦの表面に成膜ガスを供給する。具体的には、シャワーヘッド２０は、ガス導入室ＣＨ２、拡散プレート２１、拡散室ＣＨ３、及びシャワープレート２２を有する。
【００１５】
ガス導入室ＣＨ２は、外壁１０１の上部１０１ａと拡散プレート２１とにより囲まれて形成されている。ガス導入室ＣＨ２には、ガス供給部４０を介して成膜ガスが導入される。成膜ガスは、基板ＷＦの上に堆積すべき膜の原料を含むガスであり、例えば、基板ＷＦの上に金属の膜を堆積すべき場合、その金属となるべき元素を含むガスである。あるいは、例えば、成膜ガスは、基板ＷＦの上に半導体の膜を堆積すべき場合、その半導体となるべき元素を含むガスである。あるいは、例えば、成膜ガスは、基板ＷＦの上に絶縁体の膜を堆積すべき場合、その絶縁体となるべき元素を含むガスである。
【００１６】
拡散プレート２１は、ガス導入室ＣＨ２と拡散室ＣＨ３とを仕切るとともに、ガス導入室ＣＨ２と成膜室ＣＨ１とを隔てている。拡散プレート２１は、拡散室ＣＨ３を介してガス導入室ＣＨ２と成膜室ＣＨ１とを連通する複数の貫通孔２１ａを有している。拡散プレート２１は、例えば、アルミニウムやニッケルなどの金属を主成分とする材料で形成されている。
【００１７】
拡散室ＣＨ３は、拡散プレート２１とシャワープレート２２とにより囲まれて形成されている。拡散室ＣＨ３は、拡散プレート２１及びシャワープレート２２を介してガス導入室ＣＨ２と成膜室ＣＨ１との間に配されている。拡散室ＣＨ３には、図１に矢印で示すように、拡散プレート２１の複数の貫通孔２１ａを介して成膜ガスがガス導入室ＣＨ２から供給される。
【００１８】
シャワープレート２２は、拡散室ＣＨ３と成膜室ＣＨ１とを仕切るとともに、ガス導入室ＣＨ２と成膜室ＣＨ１とを隔てている。シャワープレート２２は、拡散室ＣＨ３を介してガス導入室ＣＨ２と成膜室ＣＨ１とを連通する複数の貫通孔２２ａを有している。成膜室ＣＨ１には、図１に矢印で示すように、シャワープレート２２の複数の貫通孔２２ａを介して成膜ガスが拡散室ＣＨ３から供給される。シャワープレート２２は、例えば、アルミニウムやニッケルなどの金属を主成分とする材料で形成されている。
【００１９】
シャワーヘッド２０は、複数の貫通孔２１ａ、拡散室ＣＨ３、複数の貫通孔２２ａを介して成膜ガスをガス導入室ＣＨ２から成膜室ＣＨ１内の基板ＷＦの表面に供給する。すなわち、シャワーヘッド２０は、ステージ１０に対向する面における基板ＷＦに対応した領域に複数の貫通孔２２ａを有し（図２（ａ）参照）、複数の貫通孔２２ａを介して基板ＷＦの表面に成膜ガスを供給する。複数の貫通孔２２ａは、例えば、ステージ１０に対向する面における基板ＷＦに対応した領域内で、略一様な間隔で配されている。
【００２０】
シャワーヘッド２０の平面方向における幅Ｗ２０は、図２（ａ）に示すように、基板ＷＦの平面方向における幅Ｗｗｆよりも大きく、かつ、ステージ１０の平面方向における幅Ｗ１０より大きい。なお、図２（ａ）は、シャワーヘッド２０及びコンダクタンス調整壁３０をシャワーヘッド２０のステージ１０に対向する面の側から見た図である。
【００２１】
コンダクタンス調整壁３０は、シャワーヘッド２０と一体で形成されているとともに、シャワーヘッド２０の外縁２０ｅからステージ１０の側へ延びている。すなわち、シャワーヘッド２０とコンダクタンス調整壁３０とは、互いに一体化されている。シャワーヘッド２０とコンダクタンス調整壁３０とは、同じ材料で形成されていてもよく、例えば、アルミニウムやニッケルなどの金属を主成分とする材料で形成されていても良い。また、例えば、コンダクタンス調整壁３０は、シャワーヘッド２０の外縁２０ｅからステージ１０の載置面１０ａに垂直な方向に沿ってステージ１０の側へ延びていてもよい。このとき、コンダクタンス調整壁３０は、シャワーヘッド２０の外縁２０ｅの全体からステージ１０の側へ延びていてもよい。すなわち、コンダクタンス調整壁３０は、ガス流路の上流側と下流側とで略均等な幅を有する略円筒形状であっても良い。
【００２２】
コンダクタンス調整壁３０は、図２（ｂ）に示すように、ステージ１０の載置面１０ａに垂直な方向から見た場合に、基板ＷＦの外側に配されており、基板ＷＦに対応した形状を有している。例えば、基板ＷＦが略円形である場合、コンダクタンス調整壁３０は、略円環形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁３０と基板ＷＦの外周ＷＦｅとの間のギャップＧｗ３を、外周ＷＦｅの全体に渡って略一定にすることができる。
【００２３】
コンダクタンス調整壁３０は、ステージ１０の載置面１０ａに垂直な方向から見た場合に、ステージ１０の外側に配されており、ステージ１０に対応した形状を有している。例えば、ステージ１０が略円形状である場合、コンダクタンス調整壁３０は、略円環形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁３０とステージ１０の外周１０ｅとの間のギャップＧ１３を、外周ＷＦｅの全体に渡って略一定にすることができる。
【００２４】
コンダクタンス調整壁３０の外径ＯＤ３０及び内径ＩＤ３０は、いずれも、ステージ１０の平面方向における幅Ｗ１０より大きくなっている。これにより、載置面１０ａに垂直な方向に沿ってステージ１０が駆動部６０により駆動されても、コンダクタンス調整壁３０は、ギャップＧ１３を介してステージ１０から離間した状態に維持される。
【００２５】
上述のように、駆動部６０は、例えば成膜処理を開始する直前に、載置面１０ａに沿った方向から透視した場合におけるコンダクタンス調整壁３０とステージ１０との載置面１０ａに垂直な方向の重なりの長さＬＯＶ１３が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ１０をシャワーヘッド２０に近づく方向へ駆動する。コンダクタンス調整壁３０は、成膜処理時にステージ１０の側方となる位置まで延びている。すなわち、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁３０の下端３０ｂからシャワーヘッド２０までの距離は、ステージ１０の載置面１０ａからシャワーヘッド２０までの距離よりも大きくなっている。これにより、成膜処理時に、成膜室ＣＨ１におけるシャワーヘッド２０とステージ１０との間の空間ＣＨ１１に導入された成膜ガスが圧力制御部５０へ至る空間ＣＨ１２へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁３０の内壁面３０ａとステージ１０の側面１０ｂとに挟まれた領域７０をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁３０は、基板ＷＦの平面方向における外側（領域７０）で成膜ガスのガスコンダクタンス（流量コンダクタンス）を調整する。このため、コンダクタンス調整壁３０は、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。
【００２６】
また、コンダクタンス調整壁３０は、冷却構造３２を有する。冷却構造３２は、例えば、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁３０を冷却する。冷却構造３２は、例えば、複数の冷却路３１−１〜３１−３をコンダクタンス調整壁３０の内部に有するような構造である。各冷却路３１−１〜３１−３には、冷媒（例えば、冷却水）が流される。これにより、コンダクタンス調整壁３０を冷却することができる。
【００２７】
ガス供給部４０は、ガス供給管４１を有し、ガス供給管４１、所定の配管及び所定の開閉弁を介してガス供給源（図示せず）に接続されている。ガス供給源からガス供給管４１へ成膜ガスが供給される。ガス供給管４１は、ガス導入室ＣＨ２に連通されている。これにより、ガス供給部４０は、図１に矢印で示すように、ガス供給管４１を介して成膜ガスをガス導入室ＣＨ２へ供給する。
【００２８】
圧力制御部５０は、成膜室ＣＨ１の圧力および成膜ガスの排気量を制御する。具体的には、圧力制御部５０は、排気管５１、５３、５４、圧力センサ（図示せず）、圧力コントローラ５２、及び真空ポンプ（図示せず）を有する。圧力センサは、成膜室ＣＨ１内の圧力を検知し、その圧力の値の情報を圧力コントローラ５２へ供給する。圧力コントローラ５２は、排気管５１、５３を介して基板処理室ＣＨ１に接続されているとともに、排気管５４を介して真空ポンプに接続されている。圧力コントローラ５２は、開度を調整可能な調整弁を有し、圧力センサから供給された圧力の値に応じて、成膜室ＣＨ１内の圧力が目標値になるように、調整弁の開度を制御する。これにより、成膜室ＣＨ１の圧力および成膜ガスの排気量が制御される。
【００２９】
ここで、仮に、成膜装置１がコンダクタンス調整壁３０を有しない場合について考える。この場合、シャワーヘッド２０のステージ１０に対向する面における基板ＷＦに対応した領域には、成膜ガスを通過させるための複数の貫通孔２２ａが例えば略一様な間隔で配されているので、成膜処理時に、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの周辺近傍（例えば、３０Ｔｏｒｒ）に比べて中心近傍（例えば、３５Ｔｏｒｒ）で高くなる傾向にある。これにより、堆積される膜の膜厚が基板ＷＦの面内で不均一になる可能性がある。
【００３０】
それに対して、第１の実施形態では、成膜装置１がコンダクタンス調整壁３０を有する。コンダクタンス調整壁３０は、基板ＷＦの外側（領域７０）で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整するように、シャワーヘッド２０の外縁２０ｅからステージ１０の側へ延びている。これにより、成膜処理時に、成膜室ＣＨ１におけるシャワーヘッド２０とステージ１０との間の空間ＣＨ１１に導入された成膜ガスが圧力制御部５０へ至る空間ＣＨ１２へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁３０の内壁面３０ａとステージ１０の側面１０ｂとに挟まれた領域７０をガス流れの抵抗として作用させることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁３０は、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの周辺近傍と中心近傍とで均等（例えば、３５Ｔｏｒｒ）になるように調整することができる。この結果、堆積される膜の膜厚の面内均一性を向上できる。
【００３１】
また、第１の実施形態では、コンダクタンス調整壁３０の内壁面３０ａとステージ１０の側面１０ｂとに挟まれた領域７０をガス流れの抵抗として作用させることができるので、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力を通常のプロセスより高める（例えば、１００Ｔｏｒｒにする）ことが容易である。これにより、Ｍｅｔａｌ−ＣＶＤ高圧プロセス（例えば、Ｗ−ＣＶＤプロセス）などの高圧プロセスによる成膜処理の実現が容易である。
【００３２】
さらに、第１の実施形態では、コンダクタンス調整壁３０の内壁面３０ａとステージ１０の側面１０ｂとに挟まれた領域７０をガス流れの抵抗として作用させることができるので、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスが基板ＷＦの表面近傍に滞留する時間を長くすることができる。これにより、基板ＷＦの上に所定の膜を効率的に堆積することができるので、成膜ガスの使用量を低減でき、省ガスを実現できる。
【００３３】
あるいは、仮に、成膜装置１がコンダクタンス調整壁３０を有せず、かつ、高圧プロセスによる成膜処理を行った場合について考える。この場合、成膜ガスの粘性流としての性質が顕著になるので、成膜処理時に、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの周辺近傍に比べて中心近傍で高くなる傾向が顕著になる。これにより、堆積される膜の膜厚が基板ＷＦの面内で不均一になる可能性が高い。
【００３４】
それに対して、第１の実施形態では、コンダクタンス調整壁３０の内壁面３０ａとステージ１０の側面１０ｂとに挟まれた領域７０をガス流れの抵抗として作用させることができるので、高圧プロセスによる成膜処理を行った場合でも、堆積される膜の膜厚の面内均一性を向上できる。
【００３５】
あるいは、仮に、成膜装置１がコンダクタンス調整壁３０を有せず、かつ、ステージ１０の外周に沿って角度可変型の複数の整流板を配設した場合を考える。この場合、基板ＷＦの近傍に複数の可動部品が配されることになるため、各可動部品がダスト発生源となりやすく、成膜室ＣＨ１内に発生するダストが増大する傾向にある。成膜室ＣＨ１内に発生するダストが増大すると、基板ＷＦにダストが堆積し不良の原因となる可能性がある。
【００３６】
それに対して、第１の実施形態では、成膜装置１がコンダクタンス調整壁３０を有しており、シャワーヘッド２０とコンダクタンス調整壁３０とが互いに一体化されている。これにより、基板ＷＦの近傍に可動部品が配されないので、成膜室ＣＨ１内に発生するダストの増大を抑制できる。この結果、基板ＷＦにダストが堆積することを抑制でき不良の発生を低減できる。
【００３７】
また、第１の実施形態では、コンダクタンス調整壁３０が、例えば、シャワーヘッド２０の外縁２０ｅの全体からステージ１０の載置面１０ａに垂直な方向に沿ってステージ１０の側へ延びている。すなわち、コンダクタンス調整壁３０が例えば略円筒形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁３０の加工が容易であり、コンダクタンス調整壁３０を容易に形成することができる。
【００３８】
また、第１の実施形態では、コンダクタンス調整壁３０が、ステージ１０の載置面１０ａに垂直な方向から見た場合に、基板ＷＦの外側に配されており、基板ＷＦに対応した形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁３０によるコンダクタンスの調整が行われる領域７０の基板ＷＦの外周ＷＦｅからの距離を、外周ＷＦｅの全体に渡って略一定にすることができる。この結果、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの中心からの各放射方向について均等になるように調整することができる。
【００３９】
また、第１の実施形態では、コンダクタンス調整壁３０が冷却構造３２を有する。冷却構造３２は、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁３０を冷却する。これにより、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁３０の温度を膜の堆積が起こる所定の反応温度より低くでき、所定の膜のコンダクタンス調整壁３０の内壁面３０ａへの堆積を低減できるので、堆積される膜の膜厚の面内均一性をさらに向上できる。
【００４０】
具体的には、冷却構造３２は、例えば、複数の冷却路３１−１〜３１−３をコンダクタンス調整壁３０の内部に有するような構造である。各冷却路３１−１〜３１−３には、冷媒（例えば、冷却水）が流される。これにより、簡易な構成で、コンダクタンス調整壁３０を冷却することができる。
【００４１】
なお、駆動部６０は、プロセス条件に応じて、成膜処理のためのステージ１０の目標移動位置を変えてもよい。駆動部６０は、領域７０におけるステージ１０の載置面１０ａに沿った方向のコンダクタンス調整壁３０とステージ１０との重なりの長さＬＯＶ１３をプロセス条件に応じて変えることで、コンダクタンス調整壁３０により調整されるガスコンダクタンスをプロセス条件に応じた値に逐次変更しても良い。
【００４２】
例えば、成膜ガスの目標圧力を第１の圧力とする第１のプロセスで成膜処理を行う場合、駆動部６０は、ステージ１０を第１の位置へ移動する。また、例えば、成膜ガスの目標圧力を第１の圧力より高い第２の圧力とする第２のプロセスで成膜処理を行う場合、駆動部６０は、ステージ１０を第１の位置よりシャワーヘッド２０に近い第２の位置へ移動する。これにより、領域７０におけるステージ１０の載置面１０ａに沿った方向のコンダクタンス調整壁３０とステージ１０との重なりの長さＬＯＶ１３が第１のプロセスの成膜処理時よりも第２のプロセスの成膜処理時において大きくすることができる。この結果、コンダクタンス調整壁３０により調整されるガスコンダクタンスが第１のプロセスの成膜処理時よりも第２のプロセスの成膜処理時において大きくなるように変更することができる。
【００４３】
あるいは、駆動部６０は、成膜中に、コンダクタンス調整壁３０がステージ１０から離間した状態を保ちながら、ステージ１０を、シャワーヘッド２０から離れる方向へ駆動したり、シャワーヘッド２０に近づく方向へ駆動したりしてもよい。すなわち、駆動部６０は、領域７０におけるステージ１０の載置面１０ａに沿った方向のコンダクタンス調整壁３０とステージ１０との重なりの長さＬＯＶ１３を変えることで、コンダクタンス調整壁３０により調整されるガスコンダクタンスを成膜中に動的に変更しても良い。
【００４４】
例えば、成膜処理の開始時から経過時間と、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力における基板ＷＦの周辺近傍と中心近傍との不均一性（例えば、圧力差、圧力の割合など）との関係を示す径時変化情報を予め実験的に取得しておく。また、不均一性の値（例えば、圧力差、圧力の割合など）とガスコンダクタンス調整のための制御値（例えば、ステージ１０の目標移動位置）との関係を示す制御情報も予め実験的に取得しておく。タイマ（図示せず）は、成膜処理が開始すると、成膜処理の開始時から経過時間のカウントを開始する。そして、駆動部６０は、例えば一定周期ごとにタイマを参照して、径時変化情報と制御情報とに基づいて、現在の経過時間に応じたステージ１０の目標移動位置を決定し、その決定した目標移動位置へステージ１０を駆動する。これにより、経過時間ごとに、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。
【００４５】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態にかかる成膜装置１００について図３を用いて説明する。図３は、成膜装置１００の構成を示す断面図である。以下では、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００４６】
第２の実施形態では、コンダクタンス調整壁３０の内壁面３０ａとステージ１０の側面１０ｂとに挟まれた領域７０（図１参照）をガス流れの抵抗として作用させる代わりに、コンダクタンス調整壁１３０の下端１３０ｂとステージ１０の載置面１０ａとに挟まれた領域１７０をガス流れの抵抗として作用させるようにする。
【００４７】
具体的には、成膜装置１００において、シャワーヘッド１２０の平面方向における幅Ｗ１２０は、図４（ａ）に示すように、基板ＷＦの平面方向における幅Ｗｗｆよりも大きく、かつ、ステージ１０の平面方向における幅Ｗ１０より小さい。なお、図４（ａ）は、シャワーヘッド１２０及びコンダクタンス調整壁１３０をシャワーヘッド１２０のステージ１０に対向する面の側から見た図である。シャワープレート１２２が、ステージ１０に対向する面における基板ＷＦに対応した領域に例えば略一様な間隔で複数の貫通孔１２２ａを有している点は第１の実施形態と同様である。
【００４８】
コンダクタンス調整壁１３０の内径ＩＤ１３０は、図４（ｂ）に示すように、基板ＷＦの平面方向における幅Ｗｗｆよりも大きく、かつ、ステージ１０の平面方向における幅Ｗ１０より小さくなっている。図４（ｂ）は、コンダクタンス調整壁１３０及びステージ１０を載置面１０ａの側から透視した図である。これにより、載置面１０ａに垂直な方向に沿って透視した場合に、コンダクタンス調整壁１３０が基板ＷＦに重ならずに、コンダクタンス調整壁１３０がステージ１０の縁部近傍と重なるように構成されている。なお、コンダクタンス調整壁１３０の外径ＯＤ１３０は、図４（ｂ）に示すように、ステージ１０の平面方向における幅Ｗ１０より小さくても良いし、幅Ｗ１０と同じでもよいし、幅Ｗ１０より大きくてもよい。図４（ｂ）には、コンダクタンス調整壁１３０の外径ＯＤ１３０がステージ１０の平面方向における幅Ｗ１０より大きい場合が例示されている。
【００４９】
駆動部６０は、例えば成膜処理を開始する直前に、載置面１０ａに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁１３０の下端１３０ｂとステージ１０との載置面１０ａとのギャップＧ１１３が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ１０をシャワーヘッド１２０に近づく方向へ駆動する。
【００５０】
コンダクタンス調整壁１３０は、成膜処理時にステージ１０の縁部の上方で離間した位置まで延びている。すなわち、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁１３０の下端１３０ｂは、ステージ１０の載置面１０ａに対向しながらステージ１０の載置面１０ａから離れて位置することになる。これにより、成膜処理時に、成膜室ＣＨ１０１におけるシャワーヘッド１２０とステージ１０との間の空間ＣＨ１１１に導入された成膜ガスが圧力制御部５０へ至る空間ＣＨ１１２へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁１３０の下端１３０ｂとステージ１０の載置面１０ａとに挟まれた領域１７０をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁１３０は、基板ＷＦの平面方向における外側（領域１７０）で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整する。このため、コンダクタンス調整壁１３０は、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。
【００５１】
このように、第２の実施形態では、コンダクタンス調整壁１３０の下端１３０ｂとステージ１０の載置面１０ａとに挟まれた領域１７０をガス流れの抵抗として作用させることができるので、基板ＷＦにより近い位置で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整することができる。これにより、基板ＷＦの上に所定の膜を効率的に堆積することができるので、成膜ガスの使用量をさらに低減できる。
【００５２】
また、第２の実施形態では、駆動部６０によりステージ１０をコンダクタンス調整壁１３０の下端１３０ｂへ近づけるように駆動することで領域１７０のガス流路に垂直な方向のギャップＧ１１３をかなり小さくすることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁１３０により調整可能なガスコンダクタンスのレンジを大きく確保することができる。
【００５３】
また、第２の実施形態では、載置面１０ａに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁１３０の長さを低減できるので、冷却構造３２における冷却路３１−１の数を低減できる。
【００５４】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態にかかる成膜装置２００について図５を用いて説明する。図５は、成膜装置２００の構成を示す断面図である。以下では、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００５５】
第３の実施形態では、コンダクタンス調整壁３０を載置面１０ａに垂直な方向に沿って延びた形状（図１参照）にする代わりに、コンダクタンス調整壁２３０を載置面１０ａに垂直な方向よりも外側へ傾斜して延びた形状にする。
【００５６】
具体的には、成膜装置２００において、コンダクタンス調整壁２３０は、シャワーヘッド２２０の外縁から外側に傾斜しながらステージ２１０の側へ延びている。このとき、コンダクタンス調整壁２３０は、シャワーヘッド２２０の外縁の全体からステージ２１０の側へ延びていてもよい。すなわち、コンダクタンス調整壁２３０は、シャワーヘッド２２０の側に比べてステージ２１０の側で幅の広い略円錐台筒形状であっても良い。
【００５７】
ステージ２１０は、コンダクタンス調整壁２３０に対応して傾斜する側面２１０ｂを有する。すなわち、側面２１０ｂは、ガス流路の上流側に比べて下流側でステージ２１０の中心から遠くなるように傾斜している。これにより、載置面１０ａに垂直な方向に沿ってステージ２１０が駆動部６０により駆動されても、コンダクタンス調整壁２３０の内壁面２３０ａとステージ２１０の側面２１０ｂとの隙間のギャップＧ２１３をガス流路に沿って略一様なものに維持することができる。
【００５８】
駆動部６０は、例えば成膜処理を開始する直前に、コンダクタンス調整壁２３０の内壁面２３０ａとステージ２１０の側面２１０ｂとの隙間のギャップＧ２１３が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ２１０をシャワーヘッド２２０に近づく方向へ駆動する。
【００５９】
コンダクタンス調整壁２３０は、成膜処理時にステージ２１０の側方となる位置まで延びている。成膜処理時に、コンダクタンス調整壁２３０の下端２３０ｂからシャワーヘッド２２０までの距離は、ステージ２１０の載置面１０ａからシャワーヘッド２２０までの距離よりも大きくなっている。これにより、成膜処理時に、成膜室ＣＨ１におけるシャワーヘッド２２０とステージ２１０との間の空間ＣＨ１１に導入された成膜ガスが圧力制御部５０へ至る空間ＣＨ１２へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁２３０の内壁面２３０ａとステージ２１０の側面２１０ｂとに挟まれた領域２７０をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁２３０は、基板ＷＦの平面方向における外側（領域２７０）で成膜ガスのガスコンダクタンス（流量コンダクタンス）を調整する。このため、コンダクタンス調整壁２３０は、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。
【００６０】
このように、第３の実施形態では、コンダクタンス調整壁２３０が、シャワーヘッド２２０の外縁から外側に傾斜しながらステージ２１０の側へ延びているとともに、ステージ２１０が、コンダクタンス調整壁２３０に対応して傾斜する側面２１０ｂを有する。これにより、コンダクタンス調整壁２３０によりガスコンダクタンスの調整が行われる領域２７０を通過する成膜ガスの流れをスムーズなものとすることができるので、シャワーヘッド２２０とステージ２１０との間の空間ＣＨ１１に導入された成膜ガスの圧力を安定させることができる。
【００６１】
また、第３の実施形態では、コンダクタンス調整壁２３０が、シャワーヘッド２２０の外縁から外側に傾斜しながらステージ２１０の側へ延びているとともに、ステージ２１０が、コンダクタンス調整壁２３０に対応して傾斜する側面２１０ｂを有するので、駆動部６０によりステージ２１０を載置面１０ａに垂直な方向に移動させる際に、領域２７０のガス流路に垂直な方向のギャップＧ２１３をガス流路に沿って略一様なものに維持することができる。
【００６２】
さらに、第３の実施形態では、駆動部６０によりステージ２１０の側面２１０ｂをコンダクタンス調整壁２３０の内壁面２３０ａへ近づけるように駆動することで領域２７０のガス流路に垂直な方向のギャップＧ２１３をかなり小さくすることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁２３０により調整可能なガスコンダクタンスのレンジを大きく確保することができる。
【００６３】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態にかかる成膜装置３００について図６を用いて説明する。図６は、成膜装置３００の構成を示す断面図である。以下では、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００６４】
第４の実施形態では、コンダクタンス調整壁３０の内壁面３０ａとステージ１０の側面１０ｂとに挟まれた領域７０（図１参照）をガス流れの抵抗として作用させる代わりに、コンダクタンス調整壁３３０の下端３３０ｂとステージ３１０の載置面１０ａとに挟まれた領域３７０をガス流れの抵抗として作用させるようにする。
【００６５】
具体的には、成膜装置３００において、ステージ３１０の平面方向における幅Ｗ３１０は、シャワーヘッド２０の平面方向における幅Ｗ２０より大きい。
【００６６】
コンダクタンス調整壁３３０は、シャワーヘッド２０の外縁２０ｅ（図２（ａ）参照）から外側に傾斜しながらステージ３１０の側へ延びている。このとき、コンダクタンス調整壁３３０は、シャワーヘッド２０の外縁２０ｅの全体からステージ３１０の側へ延びていてもよい。すなわち、コンダクタンス調整壁３３０は、シャワーヘッド２０の側に比べてステージ３１０の側で幅の広い略円錐台筒形状であっても良い。
【００６７】
コンダクタンス調整壁３３０の下端３３０ｂにおける内径ＩＤ３３０は、基板ＷＦの平面方向における幅Ｗｗｆよりも大きく、かつ、ステージ３１０の平面方向における幅Ｗ３１０より小さくなっている。これにより、載置面１０ａに垂直な方向に沿って透視した場合に、コンダクタンス調整壁３３０が基板ＷＦに重ならずに、コンダクタンス調整壁３３０がステージ３１０の縁部近傍と重なるように構成されている。なお、コンダクタンス調整壁３３０の下端３３０ｂにおける外径ＯＤ３３０は、ステージ３１０の平面方向における幅Ｗ３１０より小さくてもよいし、幅Ｗ３１０と略同じでもよいし、幅Ｗ３１０より大きくてもよい。図６には、コンダクタンス調整壁３３０の下端３３０ｂにおける外径ＯＤ３３０がステージ３１０の平面方向における幅Ｗ３１０と略同じである場合が例示されている。
【００６８】
駆動部６０は、例えば成膜処理を開始する直前に、載置面１０ａに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁３３０の下端３３０ｂとステージ３１０との載置面１０ａとのギャップＧ３１３が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ３１０をシャワーヘッド２０に近づく方向へ駆動する。
【００６９】
コンダクタンス調整壁３３０は、成膜処理時にステージ３１０の縁部の上方で離間した位置まで延びている。すなわち、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁３３０の下端３３０ｂは、ステージ３１０の載置面１０ａに対向しながらステージ３１０の載置面１０ａから離れて位置することになる。これにより、成膜処理時に、成膜室ＣＨ１０１におけるシャワーヘッド２０とステージ３１０との間の空間ＣＨ１１１に導入された成膜ガスが圧力制御部５０へ至る空間ＣＨ１１２へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁３３０の下端３３０ｂとステージ３１０の載置面１０ａとに挟まれた領域３７０をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁３３０は、基板ＷＦの平面方向における外側（領域３７０）で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整する。このため、コンダクタンス調整壁３３０は、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。
【００７０】
このように、第４の実施形態では、ステージ３１０の平面方向における幅Ｗ３１０が、シャワーヘッド２０の平面方向における幅Ｗ２０より大きく、コンダクタンス調整壁３３０が、シャワーヘッド２０の外縁２０ｅから外側に傾斜しながらステージ３１０の側へ延びている。これにより、コンダクタンス調整壁３３０によりガスコンダクタンスの調整が行われる領域３７０を通過する成膜ガスの流れをスムーズなものとすることができるので、シャワーヘッド２０とステージ３１０との間の空間ＣＨ１１１に導入された成膜ガスの圧力を安定させることができる。
【００７１】
また、第４の実施形態では、駆動部６０によりステージ３１０をコンダクタンス調整壁３３０の下端３３０ｂへ近づけるように駆動することで領域３７０のガス流路に垂直な方向のギャップＧ３１３をかなり小さくすることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁３３０により調整可能なガスコンダクタンスのレンジを大きく確保することができる。
【００７２】
また、第４の実施形態では、載置面１０ａに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁３３０の長さを低減できるので、冷却構造３２における冷却路３１−１の数を低減できる。
【００７３】
（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態にかかる成膜装置４００について図７を用いて説明する。図７は、成膜装置４００の構成を示す断面図である。以下では、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００７４】
第５の実施形態では、コンダクタンス調整壁３０がシャワーヘッド２０と一体化されている（図１参照）代わりに、コンダクタンス調整壁４３０がステージ４１０と一体化されている。
【００７５】
具体的には、成膜装置４００におけるステージ４１０の平面方向における幅Ｗ４１０は、基板ＷＦの平面方向における幅Ｗｗｆよりも大きく、かつ、シャワーヘッド４２０の平面方向における幅Ｗ４２０より大きい。
【００７６】
コンダクタンス調整壁４３０は、熱伝達遮蔽材４８０を介してステージ４１０と一体で形成されているとともに、ステージ４１０の外縁からシャワーヘッド４２０の側へ延びている。すなわち、ステージ４１０と熱伝達遮蔽材４８０とコンダクタンス調整壁４３０とは、合金接合などにより互いに一体化されている。ステージ４１０とコンダクタンス調整壁４３０とは、同じ材料で形成されていてもよく、例えば、アルミニウムやニッケルなどの金属を主成分とする材料で形成されていても良い。熱伝達遮蔽材４８０は、ステージ４１０及びコンダクタンス調整壁４３０より熱伝導率の低い材料で形成されており、例えば、ＳＵＳ３０４などのステンレスで形成されていても良い。また、例えば、コンダクタンス調整壁４３０は、ステージ４１０の外縁から載置面１０ａに垂直な方向に沿ってシャワーヘッド４２０の側へ延びていてもよい。このとき、コンダクタンス調整壁４３０は、ステージ４１０の外縁の全体からシャワーヘッド４２０の側へ延びていてもよい。すなわち、コンダクタンス調整壁４３０は、ガス流路の上流側と下流側とで略均等な幅を有する略円筒形状であっても良い。
【００７７】
コンダクタンス調整壁４３０は、ステージ４１０の載置面１０ａに垂直な方向から見た場合に、基板ＷＦの外側に配されており、基板ＷＦに対応した形状を有している。例えば、基板ＷＦが略円形である場合、コンダクタンス調整壁４３０は、略円環形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁４３０と基板ＷＦの外周ＷＦｅとの間のギャップＧ４ｗ３を、外周ＷＦｅ（図２（ｂ）参照）の全体に渡って略一定にすることができる。
【００７８】
コンダクタンス調整壁４３０は、ステージ４１０の載置面１０ａに垂直な方向から見た場合に、シャワーヘッド４２０の外側に配されており、シャワーヘッド４２０に対応した形状を有している。例えば、シャワーヘッド４２０が略円形状である場合、コンダクタンス調整壁４３０は、略円環形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁４３０とシャワーヘッド４２０のシャワープレート４２２の側面４２２ａとの間のギャップＧ４１３を、側面４２２ａの全体に渡って略一定にすることができる。
【００７９】
コンダクタンス調整壁４３０の外径ＯＤ４３０及び内径ＩＤ４３０は、いずれも、シャワーヘッド４２０の平面方向における幅Ｗ４２０より大きくなっている。これにより、載置面１０ａに垂直な方向に沿ってステージ４１０が駆動部６０により駆動されても、コンダクタンス調整壁４３０は、ギャップＧ４１３の隙間を介してシャワーヘッド４２０から離間した状態に維持される。
【００８０】
駆動部６０は、例えば成膜処理を開始する直前に、載置面１０ａに沿った方向から透視した場合におけるコンダクタンス調整壁４３０とシャワーヘッド４２０との載置面１０ａに垂直な方向の重なりの長さＬＯＶ４１３が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ４１０をシャワーヘッド４２０に近づく方向へ駆動する。
【００８１】
コンダクタンス調整壁４３０は、成膜処理時にシャワーヘッド４２０の側方となる位置まで延びている。すなわち、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁４３０の上端４３０ｂからステージ４１０の載置面１０ａまでの距離は、シャワーヘッド４２０の下面４２２ｂからステージ４１０の載置面１０ａまでの距離よりも大きくなっている。これにより、成膜処理時に、成膜室ＣＨ４０１におけるシャワーヘッド４２０とステージ４１０との間の空間ＣＨ４１１に導入された成膜ガスが圧力制御部５０へ至る空間ＣＨ４１２へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁４３０の内壁面４３０ａとシャワーヘッド４２０の側面４２２ａとに挟まれた領域４７０をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁４３０は、基板ＷＦの平面方向における外側（領域４７０）で成膜ガスのガスコンダクタンス（流量コンダクタンス）を調整する。このため、コンダクタンス調整壁４３０は、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。
【００８２】
また、コンダクタンス調整壁４３０は、冷却構造３２を有する。冷却構造３２は、例えば、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁４３０を冷却する。冷却構造３２は、例えば、複数の冷却路３１−１〜３１−３をコンダクタンス調整壁４３０の内部に有するような構造である。各冷却路３１−１〜３１−３には、冷媒（例えば、冷却水）が流される。これにより、コンダクタンス調整壁４３０を冷却することができる。
【００８３】
このように、第５の実施形態では、コンダクタンス調整壁４３０は、基板ＷＦの外側（領域４７０）で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整するように、ステージ４１０の外縁からシャワーヘッド４２０の側へ延びている。これにより、成膜処理時に、成膜室ＣＨ４０１におけるシャワーヘッド４２０とステージ４１０との間の空間ＣＨ４１１に導入された成膜ガスが圧力制御部５０へ至る空間ＣＨ４１２へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁４３０の内壁面４３０ａとシャワーヘッド４２０の側面４２２ａとに挟まれた領域４７０をガス流れの抵抗として作用させることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁４３０は、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの周辺近傍と中心近傍とで均等（例えば、３５Ｔｏｒｒ）になるように調整することができる。この結果、堆積される膜の膜厚の面内均一性を向上できる。
【００８４】
また、第５の実施形態では、ステージ４１０とコンダクタンス調整壁４３０とが互いに一体化されている。これにより、基板ＷＦの近傍に可動部品が配されないので、成膜室ＣＨ４０１内に発生するダストの増大を抑制できる。この結果、基板ＷＦにダストが堆積することを抑制でき不良の発生を低減できる。
【００８５】
また、第５の実施形態では、コンダクタンス調整壁４３０が、例えば、ステージ４１０の外縁の全体からステージ４１０の載置面１０ａに垂直な方向に沿ってシャワーヘッド４２０の側へ延びている。すなわち、コンダクタンス調整壁４３０が例えば略円筒形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁４３０の加工が容易であり、コンダクタンス調整壁４３０を容易に形成することができる。
【００８６】
また、第５の実施形態では、コンダクタンス調整壁４３０が、ステージ４１０の載置面１０ａに垂直な方向から見た場合に、基板ＷＦの外側に配されており、基板ＷＦに対応した形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁４３０によるコンダクタンスの調整が行われる領域４７０の基板ＷＦの外周ＷＦｅからの距離を、外周ＷＦｅの全体に渡って略一定にすることができる。この結果、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの中心からの各放射方向について均等になるように調整することができる。
【００８７】
また、第５の実施形態では、コンダクタンス調整壁４３０が冷却構造３２を有する。冷却構造３２は、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁４３０を冷却する。これにより、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁４３０の温度を膜の堆積が起こる所定の反応温度より低くでき、所定の膜のコンダクタンス調整壁４３０の内壁面４３０ａへの堆積を低減できので、堆積される膜の膜厚の面内均一性をさらに向上できる。
【００８８】
また、第５の実施形態では、ステージ４１０とコンダクタンス調整壁４３０とが、熱伝達遮蔽材４８０を介して一体化されている。これにより、コンダクタンス調整壁４３０の冷却構造３２による冷却状態とステージ４１０内の加熱部１１による加熱状態とを互いに熱的に遮断することができるので、冷却構造３２による冷却と加熱部１１による加熱とをそれぞれ効率的に行うことができる。
【００８９】
なお、駆動部６０は、プロセス条件に応じて、成膜処理のためのステージ４１０の目標移動位置を変えてもよい。駆動部６０は、領域４７０におけるステージ４１０の載置面１０ａに沿った方向のコンダクタンス調整壁４３０とシャワーヘッド４２０との重なりの長さＬＯＶ４１３をプロセス条件に応じて変えることで、コンダクタンス調整壁４３０により調整されるガスコンダクタンスをプロセス条件に応じた値に逐次変更しても良い。
【００９０】
あるいは、駆動部６０は、成膜中に、コンダクタンス調整壁４３０がシャワーヘッド４２０から離間した状態を保ちながら、ステージ４１０を、シャワーヘッド４２０から離れる方向へ駆動したり、シャワーヘッド４２０に近づく方向へ駆動したりしてもよい。すなわち、駆動部６０は、領域４７０におけるステージ４１０の載置面１０ａに沿った方向のコンダクタンス調整壁４３０とステージ４１０との重なりの長さＬＯＶ４１３を変えることで、コンダクタンス調整壁４３０により調整されるガスコンダクタンスを成膜中に動的に変更しても良い。
【００９１】
（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態にかかる成膜装置５００について図８を用いて説明する。図８は、成膜装置５００の構成を示す断面図である。以下では、第５の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００９２】
第６の実施形態では、コンダクタンス調整壁４３０の内壁面４３０ａとシャワーヘッド４２０の側面４２２ａとに挟まれた領域４７０（図７参照）をガス流れの抵抗として作用させる代わりに、コンダクタンス調整壁５３０の上端５３０ｂとシャワーヘッド５２０の下面５２２ｂとに挟まれた領域５７０をガス流れの抵抗として作用させるようにする。
【００９３】
具体的には、成膜装置５００において、ステージ５１０の平面方向における幅Ｗ５１０は、基板ＷＦの平面方向における幅Ｗｗｆよりも大きく、かつ、シャワーヘッド５２０の平面方向における幅Ｗ５２０より小さい。シャワープレート５２２が、ステージ５１０に対向する面における基板ＷＦに対応した領域に例えば略一様な間隔で複数の貫通孔を有している点は第５の実施形態と同様である。
【００９４】
コンダクタンス調整壁５３０の内径ＩＤ５３０は、基板ＷＦの平面方向における幅Ｗｗｆよりも大きく、かつ、ステージ５１０の平面方向における幅Ｗ５１０より小さくなっている。これにより、載置面１０ａに垂直な方向に沿って透視した場合に、コンダクタンス調整壁５３０が基板ＷＦに重ならずに、コンダクタンス調整壁５３０がステージ５１０の縁部近傍と重なるように構成されている。なお、コンダクタンス調整壁５３０の外径ＯＤ５３０は、シャワーヘッド５２０の平面方向における幅Ｗ５２０より大きくても良いし、幅Ｗ５２０と同じでもよいし、幅Ｗ５２０より大きくてもよい。図８には、コンダクタンス調整壁５３０の外径ＯＤ５３０がシャワーヘッド５２０の平面方向における幅Ｗ５２０より小さい場合が例示されている。
【００９５】
駆動部６０は、例えば成膜処理を開始する直前に、載置面１０ａに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁５３０の上端５３０ｂとシャワーヘッド５２０の下面５２２ｂとのギャップＧ５１３が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ５１０をシャワーヘッド５２０に近づく方向へ駆動する。
【００９６】
コンダクタンス調整壁５３０は、成膜処理時にシャワーヘッド５２０の縁部の下方で離間した位置まで延びている。すなわち、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁５３０の上端５３０ｂは、シャワーヘッド５２０の下面５２２ｂに対向しながらシャワーヘッド５２０の下面５２２ｂから離れて位置することになる。これにより、成膜処理時に、成膜室ＣＨ５０１におけるシャワーヘッド５２０とステージ５１０との間の空間ＣＨ５１１に導入された成膜ガスが圧力制御部５０へ至る空間ＣＨ５１２へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁５３０の上端５３０ｂとシャワーヘッド５２０の下面５２２ｂとに挟まれた領域５７０をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁５３０は、基板ＷＦの平面方向における外側（領域５７０）で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整する。このため、コンダクタンス調整壁５３０は、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。
【００９７】
このように、第６の実施形態では、コンダクタンス調整壁５３０の下端５３０ｂとシャワーヘッド５２０の下面５２２ｂとに挟まれた領域５７０をガス流れの抵抗として作用させることができるので、基板ＷＦにより近い位置で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整することができる。これにより、基板ＷＦの上に所定の膜を効率的に堆積することができるので、成膜ガスの使用量をさらに低減できる。
【００９８】
また、第６の実施形態では、駆動部６０によりコンダクタンス調整壁５３０の上端５３０ｂをシャワーヘッド５２０の下面５２２ｂへ近づけるようにステージ５１０を駆動することで領域５７０のガス流路に垂直な方向のギャップＧ５１３をかなり小さくすることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁５３０により調整可能なガスコンダクタンスのレンジを大きく確保することができる。
【００９９】
また、第６の実施形態では、載置面１０ａに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁５３０の長さを低減できるので、冷却構造３２における冷却路３１−１の数を低減できる。
【０１００】
（第７の実施形態）
次に、第７の実施形態にかかる成膜装置６００について図９を用いて説明する。図９は、成膜装置６００の構成を示す断面図である。以下では、第５の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【０１０１】
第７の実施形態では、コンダクタンス調整壁４３０を載置面１０ａに垂直な方向に沿って延びた形状（図７参照）にする代わりに、コンダクタンス調整壁６３０を載置面１０ａに垂直な方向よりも外側へ傾斜して延びた形状にする。
【０１０２】
具体的には、成膜装置６００において、コンダクタンス調整壁６３０は、ステージ６１０の外縁から外側に傾斜しながらシャワーヘッド６２０の側へ延びている。このとき、コンダクタンス調整壁６３０は、ステージ６１０の外縁の全体からシャワーヘッド６２０の側へ延びていてもよい。すなわち、コンダクタンス調整壁６３０は、ステージ６１０の側に比べてシャワーヘッド６２０の側で幅の広い略円錐台筒形状であっても良い。
【０１０３】
シャワーヘッド６２０のシャワープレート６２２は、コンダクタンス調整壁６３０に対応して傾斜する側面６２２ａを有する。すなわち、側面６２２ａは、ガス流路の上流側に比べて下流側でシャワーヘッド６２０の中心から遠くなるように傾斜している。これにより、載置面１０ａに垂直な方向に沿ってステージ６１０が駆動部６０により駆動されても、コンダクタンス調整壁６３０の内壁面６３０ａとシャワーヘッド６２０の側面６２２ａとのギャップＧ６１３をガス流路に沿って略一様なものに維持することができる。
【０１０４】
駆動部６０は、例えば成膜処理を開始する直前に、コンダクタンス調整壁６３０の内壁面６３０ａとシャワーヘッド６２０の側面６２２ａとのギャップＧ６１３が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ６１０をシャワーヘッド６２０に近づく方向へ駆動する。
【０１０５】
コンダクタンス調整壁６３０は、成膜処理時にシャワーヘッド６２０の側方となる位置まで延びている。成膜処理時に、コンダクタンス調整壁６３０の上端６３０ｂからステージ６１０の載置面１０ａまでの距離は、シャワーヘッド６２０の下面６２２ｂからステージ６１０の載置面１０ａまでの距離よりも大きくなっている。これにより、成膜処理時に、成膜室ＣＨ４１１におけるシャワーヘッド６２０とステージ６１０との間の空間ＣＨ４０１に導入された成膜ガスが圧力制御部５０へ至る空間ＣＨ４１２へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁６３０の内壁面６３０ａとシャワーヘッド６２０の側面６２２ａとに挟まれた領域６７０をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁６３０は、基板ＷＦの平面方向における外側（領域６７０）で成膜ガスのガスコンダクタンス（流量コンダクタンス）を調整する。このため、コンダクタンス調整壁６３０は、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。
【０１０６】
このように、第７の実施形態では、コンダクタンス調整壁６３０が、ステージ６１０の外縁から外側に傾斜しながらシャワーヘッド６２０の側へ延びているとともに、シャワーヘッド６２０が、コンダクタンス調整壁６３０に対応して傾斜する側面６２２ａを有する。これにより、コンダクタンス調整壁６３０によりガスコンダクタンスの調整が行われる領域６７０を通過する成膜ガスの流れをスムーズなものとすることができるので、シャワーヘッド６２０とステージ６１０との間の空間ＣＨ４１１に導入された成膜ガスの圧力を安定させることができる。
【０１０７】
また、第７の実施形態では、コンダクタンス調整壁６３０が、ステージ６１０の外縁から外側に傾斜しながらシャワーヘッド６２０の側へ延びているとともに、シャワーヘッド６２０が、コンダクタンス調整壁６３０に対応して傾斜する側面６２２ａを有するので、駆動部６０によりステージ６１０を載置面１０ａに垂直な方向に移動させる際に、領域６７０のガス流路に垂直な方向のギャップＧ６１３をガス流路に沿って略一様なものに維持することができる。
【０１０８】
さらに、第７の実施形態では、駆動部６０によりコンダクタンス調整壁６３０の内壁面６３０ａをシャワーヘッド６２０の側面６２２ａへ近づけるように駆動することで領域６７０のガス流路に垂直な方向のギャップＧ６１３をかなり小さくすることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁６３０により調整可能なガスコンダクタンスのレンジを大きく確保することができる。
【０１０９】
（第８の実施形態）
次に、第８の実施形態にかかる成膜装置７００について図１０を用いて説明する。図１０は、成膜装置７００の構成を示す断面図である。以下では、第５の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【０１１０】
第８の実施形態では、コンダクタンス調整壁４３０の内壁面４３０ａとシャワーヘッド４２０の側面４２２ａとに挟まれた領域４７０（図７参照）をガス流れの抵抗として作用させる代わりに、コンダクタンス調整壁７３０の上端７３０ｂとシャワーヘッド７２０の下面７２２ｂとに挟まれた領域７７０をガス流れの抵抗として作用させるようにする。
【０１１１】
具体的には、成膜装置７００において、シャワーヘッド７２０のシャワープレート７２２の平面方向における幅Ｗ７２０は、ステージ７１０の平面方向における幅Ｗ７１０より大きい。
【０１１２】
コンダクタンス調整壁７３０は、ステージ７１０の外縁から外側に傾斜しながらシャワーヘッド７２０の側へ延びている。このとき、コンダクタンス調整壁７３０は、ステージ７１０の外縁の全体からシャワーヘッド７２０の側へ延びていてもよい。すなわち、コンダクタンス調整壁７３０は、ステージ７１０の側に比べてシャワーヘッド７２０の側で幅の広い略円錐台筒形状であっても良い。
【０１１３】
コンダクタンス調整壁７３０の上端７３０ｂにおける内径ＩＤ７３０は、基板ＷＦの平面方向における幅Ｗｗｆよりも大きく、かつ、シャワーヘッド７２０の平面方向における幅Ｗ７２０より小さくなっている。これにより、載置面１０ａに垂直な方向に沿って透視した場合に、コンダクタンス調整壁７３０が基板ＷＦに重ならずに、コンダクタンス調整壁７３０がシャワーヘッド７２０の縁部近傍と重なるように構成されている。なお、コンダクタンス調整壁７３０の上端７３０ｂにおける外径ＯＤ７３０は、シャワーヘッド７２０の平面方向における幅Ｗ７２０より小さくてもよいし、幅Ｗ７２０と略同じでもよいし、幅Ｗ７２０より大きくてもよい。図１０には、コンダクタンス調整壁７３０の上端７３０ｂにおける外径ＯＤ７３０がシャワーヘッド７２０の平面方向における幅Ｗ７２０より小さい場合が例示されている。
【０１１４】
駆動部６０は、例えば成膜処理を開始する直前に、載置面１０ａに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁７３０の上端７３０ｂとシャワーヘッド７２０の下面７２２ｂとのギャップＧ７１３が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ７１０をシャワーヘッド７２０に近づく方向へ駆動する。
【０１１５】
コンダクタンス調整壁７３０は、成膜処理時にシャワーヘッド７２０の縁部の下方で離間した位置まで延びている。すなわち、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁７３０の上端７３０ｂは、シャワーヘッド７２０の下面７２２ｂに対向しながらシャワーヘッド７２０の下面７２２ｂから離れて位置することになる。これにより、成膜処理時に、成膜室ＣＨ５０１におけるシャワーヘッド７２０とステージ７１０との間の空間ＣＨ５１１に導入された成膜ガスが圧力制御部５０へ至る空間ＣＨ５１２へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁７３０の上端７３０ｂとステージ７１０の載置面１０ａとに挟まれた領域７７０をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁７３０は、基板ＷＦの平面方向における外側（領域７７０）で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整する。このため、コンダクタンス調整壁７３０は、基板ＷＦの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板ＷＦの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。
【０１１６】
このように、第８の実施形態では、シャワーヘッド７２０の平面方向における幅Ｗ７２０が、ステージ７１０の平面方向における幅Ｗ７１０より大きく、コンダクタンス調整壁７３０が、ステージ７１０の外縁から外側に傾斜しながらシャワーヘッド７２０の側へ延びている。これにより、コンダクタンス調整壁７３０によりガスコンダクタンスの調整が行われる領域７７０を通過する成膜ガスの流れをスムーズなものとすることができるので、シャワーヘッド７２０とステージ７１０との間の空間ＣＨ５１１に導入された成膜ガスの圧力を安定させることができる。
【０１１７】
また、第８の実施形態では、駆動部６０によりステージ７１０をコンダクタンス調整壁７３０の上端７３０ｂへ近づけるように駆動することで領域７７０のガス流路に垂直な方向のギャップＧ７１３をかなり小さくすることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁７３０により調整可能なガスコンダクタンスのレンジを大きく確保することができる。
【０１１８】
また、第８の実施形態では、載置面１０ａに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁７３０の長さを低減できるので、冷却構造３２における冷却路３１−１の数を低減できる。
【０１１９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１２０】
１、１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００  成膜装置、１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、７１０  ステージ、１１  加熱部、１２  ヒータ、２０、１２０、４２０、５２０、６２０、７２０  シャワーヘッド、２１  拡散プレート、２２、１２２、４２２、５２２、６２２、７２２  シャワープレート、３０、１３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０、７３０  コンダクタンス調整壁、  ３１−１〜３１−３  冷却路、３２  冷却構造、４０  ガス供給部、４１  ガス供給管、５０  圧力制御部、５１、５３、５４  排気管、５２  圧力コントローラ、６０  駆動部、７０、１７０、２７０、３７０、４７０、５７０、６７０、７７０  領域、４８０  熱伝達遮蔽材、ＣＨ１、ＣＨ１０１、ＣＨ４０１、ＣＨ５０１  成膜室、ＣＨ２  ガス導入室、ＣＨ３  拡散室、ＣＨ１１、ＣＨ１２、ＣＨ１１１、ＣＨ１１２、ＣＨ４１１、ＣＨ４１２、ＣＨ５１１、ＣＨ５１２  空間。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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