(57)【要約】【課題】２個のＩＧＢＴと１個のダイオードを備える半導体装置であって、半導体装置を平面視したときの設置スペースを従来の半導体装置よりも縮小できる構造の半導体装置を開示する。【解決手段】半導体装置２は、第１ＩＧＢＴ１０と、第１ＩＧＢＴ１０上に配置されているダイオード３０と、ダイオード３０上に配置されている第２ＩＧＢＴ２０と、第１ＩＧＢＴ１０のエミッタ電極１２、第２ＩＧＢＴ２０のエミッタ電極２２、及び、ダイオード３０のアノード電極３４に接続されている第１リードフレーム４０と、第１ＩＧＢＴ１０のコレクタ電極１６、第２ＩＧＢＴ２０のコレクタ電極２６、及び、ダイオード３０のカソード電極３２に接続されている第２リードフレーム５０と、を備えている。【選択図】図１
2013051272.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ＩＧＢＴと、
前記第１ＩＧＢＴ上に配置されているダイオードと、
前記ダイオード上に配置されている第２ＩＧＢＴと、
前記第１ＩＧＢＴのエミッタ電極、前記第２ＩＧＢＴのエミッタ電極、及び、前記ダイオードのアノード電極に接続されている第１リードフレームと、
前記第１ＩＧＢＴのコレクタ電極、前記第２ＩＧＢＴのコレクタ電極、及び、前記ダイオードのカソード電極に接続されている第２リードフレームと、を備えている、
半導体装置。
【請求項２】
前記第１リードフレームは、外部配線が接続される第１端子を備えており、
前記第２リードフレームは、外部配線が接続される第２端子を備えており、
前記第１端子と前記第２端子は、同一の方向に伸びると共に対向している、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１ＩＧＢＴと前記第２ＩＧＢＴは、それぞれ、半導体基板と、前記半導体基板の一方の表面に配置されるエミッタ電極と、前記半導体基板の他方の表面に配置されるコレクタ電極と、を備えており、
前記ダイオードは、半導体基板と、前記半導体基板の一方の表面に配置されるカソード電極と、前記半導体基板の他方の表面に配置されるアノード電極と、を備えており、
前記第１リードフレームは、前記第１ＩＧＢＴのエミッタ電極と前記ダイオードのアノード電極の間に配置されると共に前記第１ＩＧＢＴのエミッタ電極と前記ダイオードのアノード電極とに接続される第１部分と、前記第２ＩＧＢＴのエミッタ電極に接続される第２部分と、前記第１部分と前記第２部分を接続する第３部分と、を備えており、
前記第２リードフレームは、前記第２ＩＧＢＴのコレクタ電極と前記ダイオードのカソード電極の間に配置されると共に前記第２ＩＧＢＴのコレクタ電極と前記ダイオードのカソード電極とに接続される第４部分と、前記第１ＩＧＢＴのコレクタ電極に接続される第５部分と、前記第４部分と前記第５部分を接続する第６部分と、を備えている、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。特に、２個のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）と１個のダイオードを備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、２個のＩＧＢＴに対して１個のダイオード（フライホイールダイオード）を備える半導体装置が開示されている（特許文献１の図４、図５等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１６４８００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の半導体装置では、２個のＩＢＧＴは、放熱板上に横方向に並べて配置されている。２個のＩＧＢＴ上には素子間接続導体が接合され、その素子間接続導体上にダイオードが接合されている。ダイオードは、横方向に並べて配置された２個のＩＧＢＴの間に配置されている。特許文献１の半導体装置では、２個のＩＧＢＴを横方向に並べて配置できる分の設置スペースが必要となる。
【０００５】
本明細書では、２個のＩＧＢＴと１個のダイオードを備える半導体装置であって、半導体装置を平面視したときの設置スペースを従来の半導体装置よりも縮小できる構造の半導体装置を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書で開示する半導体装置は、第１ＩＧＢＴと、第１ＩＧＢＴ上に配置されているダイオードと、ダイオード上に配置されている第２ＩＧＢＴと、第１ＩＧＢＴのエミッタ電極、第２ＩＧＢＴのエミッタ電極、及び、ダイオードのアノード電極に接続されている第１リードフレームと、第１ＩＧＢＴのコレクタ電極、第２ＩＧＢＴのコレクタ電極、及び、ダイオードのカソード電極に接続されている第２リードフレームと、を備えている。
【０００７】
上記の半導体装置では、第１ＩＧＢＴ上にダイオードを配置し、そのダイオード上に第２ＩＧＢＴが配置されている。そのため、２個のＩＧＢＴと１個のダイオードを横方向に並べて配置する従来の半導体装置と比べて、半導体装置を平面視したときの設置スペースを縮小することができる。
【０００８】
上記の半導体装置では、第１リードフレームは、外部配線が接続される第１端子を備えており、第２リードフレームは、外部配線が接続される第２端子を備えており、第１端子と第２端子は、同一の方向に伸びると共に対向していてもよい。
【０００９】
上記の構成によると、第１端子と第２端子とは、同一方向に伸びると共に対向した位置関係を維持している。そのため、第１端子と第２端子に逆向きに電流が流れると、互いに逆向きの磁界が生じる。それら逆向きの磁界が互いに打ち消しあうことによって、寄生インダクタンスの低減を図ることができる。
【００１０】
上記の半導体装置では、第１ＩＧＢＴと第２ＩＧＢＴは、それぞれ、半導体基板と、半導体基板の一方の表面に配置されるエミッタ電極と、半導体基板の他方の表面に配置されるコレクタ電極と、を備えていてもよい。ダイオードは、半導体基板と、半導体基板の一方の表面に配置されるカソード電極と、半導体基板の他方の表面に配置されるアノード電極と、を備えていてもよい。第１リードフレームは、第１ＩＧＢＴのエミッタ電極とダイオードのアノード電極の間に配置されると共に第１ＩＧＢＴのエミッタ電極とダイオードのアノード電極とに接続される第１部分と、第２ＩＧＢＴのエミッタ電極に接続される第２部分と、第１部分と第２部分を接続する第３部分と、を備えていてもよい。第２リードフレームは、第２ＩＧＢＴのコレクタ電極とダイオードのカソード電極の間に配置されると共に第２ＩＧＢＴのコレクタ電極とダイオードのカソード電極とに接続される第４部分と、第１ＩＧＢＴのコレクタ電極に接続される第５部分と、第４部分と第５部分を接続する第６部分と、を備えていてもよい。
【００１１】
上記の構成によると、第１リードフレームの第１部分と第２部分によって、第２ＩＧＢＴとダイオードが挟まれる。そのため、第２ＩＧＢＴとダイオードの縦方向の寸法は、第１リードフレームの形状（第３部分の寸法）によって決まる。また、第２リードフレームの第４部分と第５部分とによって、ダイオードと第１ＩＧＢＴが挟まれる。そのため、第１ＩＧＢＴとダイオードの縦方向の寸法は、第２リードフレームの形状（第６部分の寸法）によって決まる。第１リードフレームと第２リードフレームは、精度よく形成することができるため、半導体装置の縦方向の寸法精度を向上させることができる。また、第１リードフレームの弾性力を利用して第２ＩＧＢＴとダイオードとを圧接し、第２リードフレームの弾性力を利用してダイオードと第１ＩＧＢＴとを圧接する構成を採用すると、各電極とリードフレームを接続するためのハンダを不要とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施例の半導体装置を模式的に示す断面図。
【図２】第１実施例の半導体装置の回路図。
【図３】第１実施例の半導体装置の電流の流れを示す断面図。
【図４】第１実施例の半導体装置の電流の流れを示す断面図。
【図５】第２実施例の半導体装置を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（第１実施例）
図１に示すように、本実施例の半導体装置２は、第１ＩＧＢＴ１０と、第２ＩＧＢＴ２０と、ダイオード３０と、第１リードフレーム４０と、第２リードフレーム５０と、モールド樹脂６０と、第３リードフレーム７０と、第４リードフレーム８０と、を備える。この半導体装置２では、第１ＩＧＢＴ１０の上にダイオード３０が配置され、そのダイオード３０の上に第２ＩＧＢＴ２０が配置されている。モールド樹脂６０は、第１ＩＧＢＴ１０、第２ＩＧＢＴ２０、ダイオード３０の外周部に形成されている。第１リードフレーム４０は、第２ＩＧＢＴ２０とダイオード３０を挟むように配置されている。第２リードフレーム５０は、ダイオード３０と第１ＩＧＢＴ１０を挟むように配置されている。
【００１４】
第１ＩＧＢＴ１０は、縦型のＩＧＢＴである。第１ＩＧＢＴ１０は、半導体基板１１の表面（図中の上面）にエミッタ電極１２及びゲート電極パッド１４を備え、半導体基板１１の裏面（図中の下面）にコレクタ電極１６を備える。半導体基板１１には、図示しない半導体素子構造が形成されている。エミッタ電極１２は、半導体基板１１の表面側に形成されたエミッタ領域（図示省略）に接触している。半導体基板１１の表面側の外周縁付近（エミッタ領域の外周側の領域）には、図示しない耐圧構造が形成されている。耐圧構造は、例えば、リサーフ構造、ＦＬＲ（Field Limiting Ring）構造等を用いることができる。ゲート電極パッド１４は、半導体基板１１の表面側に形成されたゲート電極（図示省略）に電気的に接続されている。コレクタ電極１６は、半導体基板１１の裏面側に形成されたコレクタ領域（図示省略）に接触している。第２ＩＧＢＴ２０も、第１ＩＧＢＴ１０と同様の構成を有している。即ち、第２ＩＧＢＴ２０も、半導体基板２１の表面にエミッタ電極２２とゲート電極パッド２４を備え、半導体基板２１の裏面にコレクタ電極２６を備える。第２ＩＧＢＴ２０でも、半導体基板２１に半導体素子構造が形成され、その表面側の外周縁付近に図示しない耐圧構造が形成されている。第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０は、スイッチング素子として機能する。なお、本実施例の第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０はＳｉ製である。
【００１５】
ダイオード３０は、縦型のダイオード素子である。ダイオード３０は、半導体基板３１の表面（図中の上面）にカソード電極３２を備え、裏面（図中の下面）にアノード電極３４を備える。半導体基板３１には、図示しない半導体素子構造が形成されている。カソード電極３２は、半導体基板３１の表面側（図１の上面側）に形成されたカソード領域（図示省略）に接触している。アノード電極３４は、半導体基板３１の裏面側（図１の下面側）に形成されたアノード領域（図示省略）に接触している。半導体基板３１の裏面側の外周縁付近（アノード領域の外周側の領域）には、図示しない耐圧構造が形成されている。耐圧構造は、例えば、リサーフ構造、ＦＬＲ（Field Limiting Ring）構造等を用いることができる。本実施例のダイオード３０はＳｉＣ製である。ダイオード３０を平面視した際の面積は、第１ＩＧＢＴ１０（第２ＩＧＢＴ２０）を平面視した際の面積より小さい。
【００１６】
第１リードフレーム４０は、板状の導電性部材を曲げて形成した部材である。第１リードフレーム４０は、第１部分４２、第２部分４４、第３部分４６を有する。第１部分４２は、第１ＩＧＢＴ１０のエミッタ電極１２とダイオード３０のアノード電極３４の間に配置される。第１部分４２は、その裏面（図中の下面）が第１ＩＧＢＴ１０のエミッタ電極１２に接続されるとともに、その表面（図中の上面）がダイオード３０のアノード電極３４に接続されている。第２部分４４は、その裏面（図中の下面）が第２ＩＧＢＴ２０のエミッタ電極２２に接続されている。第２部分４４の表面（図中の上面）は露出している。第３部分４６は、第１部分４２と第２部分４４とを接続する。本実施例では、第１リードフレーム４０の弾性力によって、第１部分４２と第２部分４４とで、第２ＩＧＢＴ２０とダイオード３０とを挟持できるように、第１リードフレーム４０の各部４２、４４、４６の寸法が設定されている。また、第１リードフレーム４０は、図示しない外部配線と接続される第１端子４８を備えている。第１端子４８は、第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０を流れる電流を外部配線に供給するための端子である。第１端子４８は、第１リードフレーム４０の第２部分４４の一端に接続され、半導体装置２の側面（図１の左側面）から引出されている。
【００１７】
第２リードフレーム５０も、板状の導電性部材を曲げて形成した部材である。第２リードフレーム５０は、第４部分５２、第５部分５４、第６部分５６を有している。第４部分５２は、第２ＩＧＢＴ２０のコレクタ電極２６とダイオード３０のカソード電極３２の間に配置される。第４部分５２は、その表面（図中の上面）が第２ＩＧＢＴ２０のコレクタ電極２６に接続されるとともに、その裏面（図中の下面）がダイオード３０のカソード電極３２に接続されている。第５部分５４は、その表面（図中の上面）が第１ＩＧＢＴ１０のコレクタ電極１６に接続されている。第５部分５４の裏面（図中の下面）は露出している。第６部分５６は、第４部分５２と第５部分５４とを接続する。第６部分５６は、第１リードフレーム５０の第３部分４６とは反対側の位置に配置されている。本実施例では、第２リードフレーム５０の弾性力によって、第４部分５２と第５部分５４とで第１ＩＧＢＴ１０とダイオード３０とを挟持できるように、第２リードフレーム５０の各部５２，５４，５６の寸法が設定されている。また、第２リードフレーム５０は、図示しない外部配線と接続される第２端子５８を備えている。第２端子５８は、外部配線から第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０に電流を供給するための端子である。第２端子５８は、第２リードフレーム５０の第４部分５２及び第６部分５６に接続され、半導体装置２の側面（図１の左側面）から引出されている。図１より明らかなように、第１端子４８と第２端子５８は、半導体装置２の同一の面（図１の左側面）から引出され、同一の方向（図中左方向）に伸びるとともに、対向した位置関係を維持している。
【００１８】
ここで、図１に示されるように、本実施例では、第１リードフレーム４０の第１部分４２と第２部分４４によって、第２ＩＧＢＴ２０とダイオード３０と第２リードフレーム５０の第４部分５２が挟持される。また、第２リードフレーム５０の第４部分５２と第２部分５４によって、ダイオード３０と第１ＩＧＢＴ１０と第１リードフレーム４０の第１部分４２が挟持される。そのため、半導体装置２の縦方向の寸法は、第１リードフレーム４０の第３部分４６の寸法及び第２リードフレーム５０の第６部分５６の寸法によって決まる。第１リードフレーム４０と第２リードフレーム５０は、精度よく形成することができるため、半導体装置２の縦方向の寸法精度を向上させることができる。
【００１９】
また、上述の通り、本実施例の半導体装置２は、第１リードフレーム４０の弾性力を利用して、第２ＩＧＢＴ２０とダイオード３０と第２リードフレーム５０の第４部分５２との間に圧縮力を作用させる。また、第２リードフレーム５０の弾性力を利用して、ダイオード３０と第１ＩＧＢＴ１０と第１リードフレーム４０の第１部分４２との間に圧縮力を作用させる。これらによって、各電極とリードフレーム４０、５０との間の電気的接続が確保され、各電極とリードフレームを接続するためのハンダを不要とすることができる。
【００２０】
また、本実施例では、各電極は、第１リードフレーム４０又は第２リードフレーム５０に電気的に接続されている。第１リードフレーム４０及び第２リードフレーム５０は、板状の導電部材を曲げて形成されているため、ボンディングワイヤによって各電極を電気的に接続する場合とは異なり、配線のループ部分が無い。そのため、ボンディングワイヤで各電極を電気的に接続する場合に比べて、配線長を短くすることができる。その結果、寄生インダクタンスを小さくすることができる。
【００２１】
また、第１リードフレーム４０の第２部分４４の表面と、第２リードフレーム５０の第５部分５４の裏面はともに外部に露出している。そのため、半導体装置２では、第２ＩＧＢＴ２０の熱を第２部分４４から放熱し、第１ＩＧＢＴ１０の熱を第５部分５４から放熱することができる。これによって、半導体装置２の冷却性を向上することができる。
【００２２】
第３リードフレーム７０は、板状の導電性部材である。第３リードフレーム７０は、一端が第１ＩＧＢＴ１０のゲート電極パッド１４に接続されており、他端が図示しない外部配線に接続されている。第３リードフレーム７０は、第１ＩＧＢＴ１０のゲート電極にゲート信号（ゲート電圧）を供給するためのリードフレームである。第４リードフレーム８０は、第３リードフレーム７０と同様の部材である。第４リードフレーム８０は、一端が第２ＩＧＢＴ２０のゲート電極パッド２４に接続されており、他端が図示しない外部配線に接続されている。第４リードフレーム８０は、第２ＩＧＢＴ２０のゲート電極にゲート信号（ゲート電圧）を供給するためのリードフレームである。なお、ゲート電極パッド１４、２４に接続される部材は、リードフレーム７０、８０に代えて、ボンディングワイヤ等の他の導電性部材であってもよい。
【００２３】
モールド樹脂６０は、第１ＩＧＢＴ１０、第２ＩＧＢＴ２０及びダイオード３０の外周部に形成されている。モールド樹脂６０は、エポキシ、ポリイミド等の電気絶縁性材料で形成されている。モールド樹脂６０は、第１ＩＧＢＴ１０、第２ＩＧＢＴ２０の表面外周部及びダイオード３０の裏面外周部に逃げ部６２を備えている。すなわち、逃げ部６２は、第１ＩＧＢＴ１０、第２ＩＧＢＴ２０、及び、ダイオード３０にそれぞれ形成された耐圧構造の部分に形成されている。逃げ部６２を備えることにより、第１ＩＧＢＴ１０の耐圧構造と第１リードフレーム４０の第１部分４２との間にモールド樹脂６０が配置され、ダイオード３０の耐圧構造と第１リードフレーム４０の第１部分４２との間にモールド樹脂６０が配置され、第２ＩＧＢＴ２０の耐圧構造と第２部分４４との間にモールド樹脂６０が配置される。これによって、リードフレーム４０、５０を流れる電流が耐圧構造に影響を及ぼすことを防止することができる。なお、モールド樹脂６０は、各リードフレーム４０、５０、７０、８０間の電気絶縁性が確保することができる幅及び厚さを有している。
【００２４】
次いで、図２を参照して、第１ＩＧＢＴ１０、第２ＩＧＢＴ２０、ダイオード３０の各要素の回路構成を説明する。本実施例の半導体装置２では、ダイオード３０は、２個のＩＧＢＴ１０、２０に対して逆並列に接続されている。また、第１ＩＧＢＴ１０と第２ＩＧＢＴ２０は並列に接続されている。第１ＩＧＢＴ１０のエミッタ電極１２と、第２ＩＧＢＴ２０のエミッタ電極２２と、ダイオード３０のアノード電極３４は、第１リードフレーム４０に接続されている。第１ＩＧＢＴ１０のコレクタ電極１６と、第２ＩＧＢＴ２０のコレクタ電極２６と、ダイオード３０のカソード電極３２は、第２リードフレーム５０に接続されている。本実施例の半導体装置２では、第１ＩＧＢＴ１０と第２ＩＧＢＴ２０が並列に接続されている。このため、仮に一方のＩＧＢＴが故障によって動作しない場合であっても、他方のＩＧＢＴが動作することで、出力を低減させて半導体装置２の駆動を継続することができる。
【００２５】
次いで、図３を参照して、第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０をオンする場合の電流の流れを説明する。第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０に電流を流すためには、第１端子４８を接地線に接続し、第２端子５８を電源線に接続する。その状態で、第３リードフレーム７０及び第４リードフレーム８０にゲート信号を供給すると、第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０がオン状態となり、第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０を電流が流れる。第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０を流れた電流は、第１端子４８を通って外部配線に供給される。即ち、図３の矢印に示すように電流が流れる。この際、電流はダイオード３０を流れない。第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０をオンする場合、対向する第１端子４８と第２端子５８に逆向きに電流が流れる。その結果、互いに逆向きの磁界が生じる。それら逆向きの磁界が互いに打ち消しあうことによって、寄生インダクタンスの低減を図ることができる。なお、第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０をオンからオフに切り換える場合は、、第３リードフレーム７０及び第４リードフレーム８０へのゲート信号の供給を停止する。これによって、第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０がオン状態からオフ状態に切り換わり、第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０を電流が流れなくなる。
【００２６】
次いで、図４を参照して、半導体装置２のダイオード３０に電流（例えば、還流電流）が流れる場合の電流の流れを説明する。第１端子４８に印加される電圧が第２端子５８に印加される電圧よりも高くなると、ダイオード３０がオン状態となり、ダイオード３０に電流が流れる。この場合は、外部配線から第１端子４８に電流が供給され、第１端子４８に供給された電流は、第１リードフレーム４０を介してダイオード３０を流れ、ダイオード３０から第２リードフレーム５０に流れる。第２リードフレーム５０に流れた電流は、第２端子５８を通って外部配線に供給される。即ち、図４の矢印に示すように電流が流れる。なお、ダイオード３０に電流が流れる場合は、第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０には電流は流れない。ダイオード３０に電流が流れるときも、対向する第１端子４８と第２端子５８に逆向きに電流が流れる。その結果、寄生インダクタンスの低減を図ることができる。
【００２７】
以上、本実施例の半導体装置２について説明した。本実施例の半導体装置２では、第１ＩＧＢＴ１０上にダイオード３０を配置し、そのダイオード３０上に第２ＩＧＢＴ２０が配置されている。そのため、２個のＩＧＢＴと１個のダイオードを横方向に並べて配置する従来の半導体装置と比べて、半導体装置を平面視したときの設置スペースを縮小することができる。
【００２８】
また、本実施例の半導体装置２では、第１ＩＧＢＴ１０と第２ＩＧＢＴ２０の間に挟まれているダイオード３０がＳｉＣ製である。一般的に、ＳｉＣ製のダイオードは、Ｓｉ製のダイオードと比べて耐熱性に優れる。そのため、ダイオード３０の上下に配置されている２個のＩＧＢＴ１０、２０の熱によってダイオード３０が破壊され難い。
【００２９】
（第２実施例）
図５を参照して、第２実施例について、第１実施例と異なる点を中心に説明する。図５に示すように、本実施例の半導体装置１０２は、第１リードフレーム１４０及び第２リードフレーム１５０の構造が第１実施例とは異なる。なお、図５では、ゲート電極パッド１４、２４に接続される導電性部材の図示を省略している。本実施例でも、第１リードフレーム１４０は、第１部分１４２、第２部分１４４、及び第３部分１４６を備え、第２リードフレーム１５０は、第４部分１５２、第５部分１５４、及び第６部分１５６を備える。本実施例では、第１リードフレーム１４０の第３部分１４６と第２リードフレームの第６部分１５６とが同じ側に配置されている点が第１実施例と異なる。本実施例では、図５に示すように、第３部分１４６と第６部分１５６とは一部が対向している。
【００３０】
また、図５には、第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０をオンする場合の電流の流れが矢印で示されている。本実施例では、第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０をオンする場合、対向する第１端子１４８と第２端子１５８に逆向きに電流が流れるとともに、対向する第３部分１４６と第６部分１５６にも逆向きの電流が流れる。その結果、第１端子１４８と第２端子１５８の間と、第３部分１４６と第６部分１５６の間のそれぞれにおいて、互いに逆向きの磁界が生じる。それら逆向きの磁界が互いに打ち消しあうことによって、寄生インダクタンスの低減を図ることができる。なお、図５の半導体装置１０２のダイオードに電流が流れる場合の電流の流れは、上記の図４の場合とほぼ同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００３１】
本発明の変形例を以下に列挙する。
（１）上記の各実施例では、第１端子４８と第２端子５８は、同一の方向に伸びると共に対向している。これに代えて、第１端子４８と第２端子が異なる方向に伸びるように構成してもよい。
（２）上記の各実施例では、第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０はいずれも縦型のＩＧＢＴである。これに代えて、第１ＩＧＢＴ１０及び第２ＩＧＢＴ２０を横型のＩＧＢＴとしてもよい。この変形例の場合も、第１ＩＧＢＴ１０上にダイオード３０を配置し、そのダイオード３０上に第２ＩＧＢＴ２０を配置する。また、第１リードフレーム４０によって、第１ＩＧＢＴ１０のエミッタ電極１２、第２ＩＧＢＴ２０のエミッタ電極２２、及びダイオード３０のアノード電極３４を接続するとともに、第２リードフレーム５０によって、第１ＩＧＢＴ１０のコレクタ電極１６、第２ＩＧＢＴ２０のコレクタ電極２６、及びダイオード３０のカソード電極３２を接続する。
（３）上記の各実施例において、第１リードフレーム４０の第２部分４４の表面と、第２リードフレーム５０の第５部分５４の裏面の少なくとも一方に、放熱フィンを備えてもよい。この場合、第１ＩＧＢＴ１０と第２ＩＧＢＴ２０の冷却性が向上する。また、放熱フィンに代えて、冷却水を通す流路等、任意の冷却器を備えてもよい。
（４）上記の各実施例において、半導体装置２は、第１ＩＧＢＴ１０の温度を測定するための温度センサを備えてもよい。この際、温度センサは、第１ＩＧＢＴ１０のエミッタ電極１２上に配置されることが好ましい。半導体装置２のうち、第１ＩＧＢＴ１０のエミッタ電極１２が最も高温になり易い部分であるためである。
【００３２】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３３】
２：半導体装置
１０：第１ＩＧＢＴ
１２：エミッタ電極
１４：ゲート電極
１６：コレクタ電極
２０：第２ＩＧＢＴ
２２：エミッタ電極
２４：ゲート電極
２６：コレクタ電極
３０：ダイオード
３２：カソード電極
３４：アノード電極
４０、１４０：第１リードフレーム
４２、１４２：第１部分
４４、１４４：第２部分
４６、１４６：第３部分
４８、１４８：第１端子
５０、１５０：第２リードフレーム
５２、１５２：第４部分
５４、１５４：第５部分
５６、１５６：第６部分
５８、１５８：第２端子
６０：第３リードフレーム
７０：第４リードフレーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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