(57)【要約】【課題】適宜繰り返し行われるキャリブレーションに要する時間を短縮する。【解決手段】半導体装置は、入力コマンドに応じ、出力ドライバーのインピーダンスを調整するキャリブレーションを、設定値を用いて行うキャリブレーション回路と、温度センサーと、前記出力ドライバーの温度特性情報を記憶する記憶回路と、前記温度センサーからの検出信号と前記記憶回路から読み出した前記温度特性情報とに基づいて前記設定値を変更する設定信号を生成し、前記キャリブレーション回路へ出力する設定回路と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力コマンドに応じ、出力ドライバーのインピーダンスを調整するキャリブレーションを、設定値を用いて行うキャリブレーション回路と、
温度センサーと、
前記出力ドライバーの温度特性情報を記憶する記憶回路と、
前記温度センサーからの検出信号と前記記憶回路から読み出した前記温度特性情報とに基づいて前記設定値を変更する設定信号を生成し、前記キャリブレーション回路へ出力する設定回路と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記温度特性情報は、第１の温度条件下で測定した前記出力ドライバーのインピーダンスから求めた第１の特性値と、前記第１の温度とは異なる第２の温度条件下で測定した前記出力ドライバーのインピーダンスから求めた第２の特性値と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の特性値と前記第２の特性値とが、製造時に行われる高温試験及び低温試験の際にそれぞれ測定された前記出力ドライバーのインピーダンスから求めたものであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記設定回路は、前記出力ドライバーのインピーダンスに関する温度依存性情報を保持し、前記第１の特性値と前記第２の特性値と前記温度依存性情報とに基づいて、前記検出信号が示す温度に対応する設定値を求め、当該設定を表す信号を前記設定信号として出力することを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記温度依存性情報は、前記第１の温度を表す第１の温度情報、前記第２の温度を表す第２の温度情報、及び前記出力ドライバーの直流特性の温度依存性情報を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記記憶回路は、複数のヒューズを記憶素子として用いるヒューズ回路であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記温度特性情報は、更に設計上の最適値に基づく第３の特性値を含むことを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、出力ドライバーのインピーダンスを調整するキャリブレーション回路を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
関連する半導体装置は、予め、出力ドライバーのインピーダンス値に対応する制御値を、段階的な複数の温度に関連付けてパラメータテーブルに登録しておき、検出した周囲の温度に基づいてパラメータテーブルからいずれかの制御値を読み出して、出力ドライバーのインピーダンスを設定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１０１１４３号公報（図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
出力ドライバーのインピーダンスは、温度のみならずそれ以外の様々な要因によっても変化し得る。それゆえ、出力ドライバーのインピーダンス調整（ＺＱキャリブレーションという）は、適宜繰り返し行われることが望ましい。
【０００５】
しかしながら、関連する半導体装置は、キャリブレーション回路を備えておらず、温度に基づいて出力ドライバーのインピーダンスを調整するのみで、その他の要因によるインピーダンスの変化に対応することができない。
【０００６】
一方、適宜キャリブレーションを繰り返すキャリブレーション回路を備えた別の関連する半導体装置も存在するが、ＺＱキャリブレーションの開始時に使用される初期値が、設計上の最適値に固定されており、周囲の状況によってはＺＱキャリブレーションの収束に長時間を要することがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施の形態に係る半導体装置は、入力コマンドに応じ、出力ドライバーのインピーダンスを調整するキャリブレーションを、設定値を用いて行うキャリブレーション回路と、温度センサーと、前記出力ドライバーの温度特性情報を記憶する記憶回路と、前記温度センサーからの検出信号と前記記憶回路から読み出した前記温度特性情報とに基づいて前記設定値を変更する設定信号を生成し、前記キャリブレーション回路へ出力する設定回路と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、温度センサーからの検出信号に基づいて、キャリブレーション回路の設定値を変更する設定信号を生成するようにしたことで、周囲温度に応じた適切な設定値を用いてキャリブレーションを開始することができ、その収束までに要する時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の技術思想の一例を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の概略構成を示すブロック図である。
【図３】図１の半導体装置に含まれるキャリブレーション回路及びその周辺回路を示すブロック図である。
【図４】図３の周辺回路に含まれる出力回路の一構成例を示すブロック図である。
【図５】図４の出力回路に含まれる出力ドライバーの一構成例を示す回路図である。
【図６】図３のキャリブレーション回路の一構成例を示すブロック図である。
【図７】図３のキャリブレーション回路及びその周辺回路の動作を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の課題を解決する技術思想（コンセプト）の代表的な一例は、以下に示される。但し、本願の請求内容はこの技術思想に限られず、本願の請求項の記載の内容であることはいうまでもない。
【００１１】
図１に、本発明の技術思想の一例を示す。図示の半導体装置１０は、出力ドライバー１１、キャリブレーション回路１２、温度センサー１３、記憶回路１４、及び設定回路１５を有している。
【００１２】
出力ドライバー１１は、入力される制御信号に応じてそのインピーダンスを変更する。換言すると、出力ドライバー１１のインピーダンスは、制御信号により調整することができる。
【００１３】
キャリブレーション回路１２は、外部から入力されるコマンドに応じて、出力ドライバー１１のインピーダンスに関するキャリブレーション（調整）を行う。
【００１４】
温度センサー１３は、（出力ドライバー１１の）周囲の温度を測定し、測定結果（温度）を表す検出信号を出力する。
【００１５】
記憶回路１４は、出力ドライバー１１のインピーダンスに関する温度特性情報を記憶する。温度特性情報は、出力ドライバー１１に含まれる出力トランジスタの直流（ＤＣ）特性から求められる第１及び第２の特性値を含む。第１および第２の特性値は、半導体装置１０の製造時に行われる互いに異なる第１及び第２の温度条件下での電気的試験（高温試験及び低温試験）の結果から得ることができる。
【００１６】
設定回路１５は、温度センサー１３からの検出信号と記憶回路１４から読み出した温度特性情報とに基づいて、キャリブレーション回路１２がキャリブレーションを開始する際に試用する設定値を設定する設定信号を生成する。設定信号生成のため、設定回路１５は、出力ドライバー１１の電気的特性の温度依存性に関する情報を保持している。設定回路１５は、保持する温度依存性情報に基づき、第１及び第２の測定値から温度センサー１３が検出した検出温度に適した設定値を求める。そして、求めた設定値を表す設定信号をキャリブレーション回路１２へ出力する。
【００１７】
キャリブレーション回路１２は、入力コマンドに応じて、設定回路１５からの設定信号を取得し、設定信号が示す設定値をキャリブレーション開始の際の初期値として利用する。
【００１８】
以上の構成において、キャリブレーション開始の際にキャリブレーション回路１２に取り込まれる設定値（初期値）は、温度センサー１３により検出された周囲の温度を反映したものとなる。その結果、キャリブレーション開始時の初期値は、キャリブレーションの結果である収束値から大きくかけ離れた値となっていないので、比較的短い時間でキャリブレーションを完了することができる。
【００１９】
次に、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
図２に本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の一構成例を示す。図２の半導体装置２０は、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）である。この半導体装置２０は、内部クロック発生回路２０１、コマンドデコーダ２０２、制御回路２０３、モードレジスタ２０４、ロウアドレスバッファ２０５、カラムアドレスバッファ・バーストカウンタ２０６、ロウデコーダ２０７、メモリセルアレイ２０８、センスアンプ２０９、カラムデコーダ２１０、データ制御回路２１１、ラッチ回路２１２、ＤＬＬ（Dray Locked Loop）２１３、ＤＱ（データ信号）入出力回路２１４、ＤＱＳ（データストローブ信号）入出力回路２１５、及びＺＱ（Zero Quotient）キャリブレーション回路２１６を備えている。
【００２１】
ＺＱキャリブレーション回路２１６は、外部端子であるＺＱ端子２１７に接続されている。ＺＱ端子２１７には、所定の抵抗値（例えば、２４０Ω）を持つ外部抵抗素子が接続される。
【００２２】
ＤＱ（データ信号）入出力回路２１４は、複数の外部端子（ＤＱ１〜ＤＱｎ）に夫々接続され、内部のデータを外部へ出力する出力ドライバー（複数の出力トランジスタ）と、外部のデータを内部へ入力する入力レシーバー（複数の入力トランジスタ）を含む。ＤＱＳ入出力回路２１５も同様に構成される。
【００２３】
出力ドライバーは、例えば、ドレインが、外部端子（ＤＱｉ）に共通に接続される複数のＰＭＯＳトランジスタ（プルアップ側ドライバー）とＮＭＯＳトランジスタ（プルダウン側ドライバー）とを有する。後述するキャリブレーションでは、これらのＭＯＳトランジスタのオン抵抗を半導体装置外部に設けた抵抗素子のインピーダンス（抵抗値）に合致させる。これは、導通しているトランジスタの数（ＴＡＰ値）を変更することにより行う。
【００２４】
後述するように、ＺＱキャリブレーション２１６は、プルアップ側ドライバー及びプルアップドライバーのレプリカ回路（図６のプルアップ回路ＰＵＲ１，ＰＵＲ２及びプルダウン回路ＰＤＲ）を有している。即ち、プルアップ側ドライバーのレプリカ回路は、複数のＰＭＯＳトランジスタを含み、プルアップ側ドライバーと同一に構成される。また、プルダウン側ドライバーのレプリカ回路は、複数のＮＭＯＳトランジスタを含み、プルダウン側ドライバーと同一に構成される。
【００２５】
尚、ＺＱキャリブレーション回路２１６は、ＤＱ入出力回路２１４とＤＱＳ入出力回路２１５をそれぞれキャリブレーションする。一つのＤＱＳ入出力回路２１５と複数のＤＱ入出力回路２１４は、セットである。ＤＱＳ入出力回路２１５の出力ドライバーのインピーダンス値と、複数のＤＱ入出力回路２１４にそれぞれ対応する複数の出力ドライバーのインピーダンス値とがミスマッチングであれば、ＤＱ入出力回路２１４が出力するデータを入力するその他の半導体装置のレシーバはそれらデータを精度良くラッチすることができない。
【００２６】
半導体装置２０において、ＺＱキャリブレーション回路２１６以外の部分は、本発明に直接関係がないのでその詳細な説明を省略する。以下、主として、ＺＱキャリブレーション回路２１６及びその周辺回路について説明する。なお、周辺回路は、図２には示されていない。
【００２７】
図３に、ＺＱキャリブレーション回路２１６及びその周辺回路を示す。
【００２８】
周辺回路には、温度センサー３０１、ヒューズ回路（記憶回路）３０２及びこれらとＺＱキャリブレーション回路２１６との間に接続されるＺＱデフォルトＴＡＰ調整回路（設定回路）３０３が含まれる。
【００２９】
温度センサー３０１は、最近のＤＲＡＭには、セルフリフレッシュ周期に温度依存性を持たせたり、温度情報を外部へ出力するために搭載されているので、それを利用することができる。
【００３０】
ヒューズ回路３０２は、記憶素子としてヒューズを利用するものである。このヒューズ回路３０２も、ＤＲＡＭに搭載されて欠陥補償に用いられるものや、各種情報を格納するために搭載されているものを利用することができる。
【００３１】
出力回路３０４は、図２のＤＱ入出力回路２１４に含まれるものである。出力回路３０４は、例えば、図４に示されるように、出力制御回路４０１、スルーレート制御回路４０２、出力ドライバー４０３、スルーレート設定回路４０４、及びソース電位調整回路４０５を含む。
【００３２】
出力制御回路４０１は、ＺＱキャリブレーション回路２１６からのＺＱコード（ＺＱＰ及びＺＱＮ）に基づいて、出力データＰ，Ｎに応じたオン信号ＰｏｎＡ，ＮｏｎＡを出力する。
【００３３】
スルーレート制御回路４０２は、スルーレート設定回路４０４からのスルーレート設定信号ＣＰ，ＣＮとソース電位調整回路４０５からのソース電位調整信号ＶＰ，ＶＮとに基づいて、オン信号ＰｏｎＡ，ＮｏｎＡの波形及びレベルを調整し、オン信号ＰｏｎＢ，ＮｏｎＢとして出力する。なお、スルーレート制御回路４０２、スルーレート設定回路４０４、及びソース電位調整回路４０５は、本発明とは関係がない。
【００３４】
出力ドライバー４０３は、例えば、図５に示すように、プルアップ側トランジスタＰＵ及びプル段側トランジスタＰＤを含む。プルアップ側トランジスタＰＵ及びプル段側トランジスタＰＤは、それぞれ複数のＰＭＯＳトランジスタ５１１〜５１５及びＮＭＯＳトランジスタ５２１〜５２５で構成される。
【００３５】
出力ドライバー４０３は、導通するトランジスタの数（ＴＡＰ値）を変更することによそのインピーダンス（オン抵抗）が変化する。即ち、キャリブレーション回路からのＺＱコード（ＺＱＰ及びＺＱＮ）は、駆動されるトランジスタの数を決定する。なお、図１の出力ドライバー１１は、出力制御回路４０１と出力ドライバー４０３とを組み合わせたものを表している。
【００３６】
ＺＱキャリブレーション回路２１６は、例えば、図６に示すように構成される。即ち、ＺＱキャリブレーション回路２１６は、プルアップ回路ＰＵＲ１、ＰＵＲ２と、プルダウン回路ＰＤＲと、プルアップ回路ＰＵＲ１，ＰＵＲ２の動作を制御するカウンタ６０１と、プルダウン回路ＰＤＲの動作を制御するカウンタ６０２と、カウンタ６０１，６０２をそれぞれ制御するコンパレータ６０３，６０４と、カウンタ６０１，６０２の動作を制御するシーケンス制御部６０５とを備えている。
【００３７】
プルアップ回路ＰＵＲ１，ＰＵ２は、それぞれ図５のプルアップ側ドライバＰＵと同一に構成され、プルダウン回路ＰＤＲは、プルダウン側ドライバＰＤと同一に構成される。
【００３８】
この構成で、まず、プルアップ回路ＰＵＲ１と外部抵抗ＲＥとによって電源電圧を分圧した電圧、即ち、ＺＱ端子に表れる電圧と、基準電圧Ｖｒｅｆとを比較する。そして、ＺＱ端子電圧が基準電圧に一致するように、プルアップ回路ＰＵＲ１のインピーダンス（即ち、導通しているトランジスタの数）を調節する。ＺＱ端子電圧が基準電圧に一致したとき、プルアップ回路ＰＵＲ１のインピーダンスは外部抵抗ＲＥに等しい。このときのカウンタ６０１の出力が、プルアップ側ＺＱコードＺＱＰとして用いられる。
【００３９】
プルアップ回路ＰＵＲ１の調整が済むと、同時にプルアップＰＵＲ２も調整も終了する。即ち、プルアップＰＵＲ２のインピーダンスも外部抵抗ＲＥに等しい。このプルアップＰＵＲ２を用いて、次に、プルダウン回路ＰＤＲのインピーダンスの調節を行う。原理は上記と同じである。プルダウン回路ＰＤＲのインピーダンスが、プルアップ回路ＰＵＲ２のインピーダンスと等しくなるように調整される。プルダウン回路ＰＤＲのインピーダンスとプルアップ回路ＰＵＲ２のインピーダンスが等しいときのカウンタ６０１の出力が、プルダウン側ＺＱコードＺＱＮとして用いられる。
【００４０】
プルアップ側ＺＱコードＺＱＰとプルダウン側ＺＱコードＺＱＮとを合わせて、図３では、ＺＱコードＺＱＣで表している。なお、図３における［ｎ：１］は、ｎ（ｎ:自然数）ビット情報であることを表している。他のコードについても同様である。
【００４１】
図３に戻ると、ＺＱキャリブレーション回路２１６には、ＺＱデフォルトＴＡＰ調整回路３０３から調整デフォルト情報ＺＱＤＥＦＭが供給されている。この調整デフォルト情報ＺＱＤＥＦＭは、ＺＱキャリブレーション回路２１６のカウンタ６０１，６０２の設定値（初期値）として利用される。初期値が適切であれば、キャリブレーションは短時間で終了し、不適切であれば長時間を要し、所定時間内に完了することができない場合も生じる。
【００４２】
ＺＱデフォルトＴＡＰ調整回路３０３において、より適切な調整デフォルト情報ＺＱＤＥＦＭを生成するため、ヒューズ回路３０２は、高温試験時最適値情報ＺＱＨＴＣと低温試験時最適値情報ＺＱＬＴＣを温度特性情報として記憶している。また、ヒューズ回路３０２は、設計上の最適値情報ＺＱＤＥＦＣを温度特性情報の一つとして記憶している。
【００４３】
ここで、最適値情報とは、出力ドライバーのＤＣ（直流）特性が仕様上の最適値となるＺＱコードを意味する。高温試験時最適値情報ＺＱＨＴＣは、半導体装置製造時のウエハ高温試験（例えば、６０℃）の際に得た試験結果から求められたＺＱコードである。低温試験時最適値情報ＺＱＬＴＣは、半導体装置製造時のウエハ低温試験（例えば、−２０℃）の際に得た試験結果から求められたＺＱコードである。
【００４４】
ウエハ試験では、動作補償のため、通常の使用環境よりも厳しい条件下での試験が行われる。例えば、高温試験（第１の温度条件下試験）と低温試験（第２の温度条件下試験）である。これらの高温試験及び低温試験が行われる際に、オンするトランジスタの数（ＴＡＰ値）を変化させ、各ＴＡＰ値に応じた出力回路のＤＣ特性を測定する。そして、その測定結果から、出力ドライバーのインピーダンス（オン抵抗Ｒｏｎ）を計算し、仕様における中央値が得られるＴＡＰ値（第１の特性値及び第２の特性値）を求める。高温試験及び低温試験のそれぞれにおいて、ＴＡＰ値を求め、それを表すＺＱコードを温度特性情報としてヒューズ回路３０２に書き込む（ヒューズのトリミングを行う）。
【００４５】
なお、本実施の形態では温度特性情報を記憶する記憶回路としてヒューズ回路３０２を用いたが、他の構成の記憶回路を用いてもよい。
【００４６】
出力バッファに用いられるトランジスタのＤＣ特性の温度依存性は、設計時に確認されるため既知である。これを利用すれば、高温試験から求めたＴＡＰ値（第１の特性値）及び低温試験から求めたＴＡＰ値（第２の特性値）、及び仕様におけるセンター値（第３の特性値：これも既知）とから、種々の温度における適切なＴＡＰ値を求めることができる。このとき、各種補間法を用いることができる。
【００４７】
ＺＱデフォルトＴＡＰ調整回路３０３は、ＴＡＰ値調整に必要なＤＣ特性の温度依存性情報、高温及び低温試験時の温度情報（第１の温度情報及び第２の温度情報）等を記憶部に記憶している。
【００４８】
ＺＱデフォルトＴＡＰ調整回路３０３は、温度センサー３０１からの検出温度情報ＴＡを受け、ヒューズ回路３０２からの高温試験時最適値情報ＺＱＨＴＣ及び低温試験時最適値情報ＺＱＬＴＣを読み出し、検出温度情報ＴＡが示す温度に適したＴＡＰ値（設定値）を求める。そして、求めたＴＡＰ値を表す調整デフォルト情報ＺＱＤＥＦＭを保持する。ＺＱデフォルトＴＡＰ調整回路３０３は、この動作を常時或いは周期的に行って、保持する調整デフォルト情報ＺＱＤＥＦＭの値が現在の温度に対応したものとなるように更新する。
【００４９】
ＺＱキャリブレーション回路２１６は、コマンドデコーダ２０２からの外部コマンドに従い、あるいは制御回路２０３の制御下において動作する。例えば、ＺＱキャリブレーション回路２１６は、コマンドの入力を受けて、ＺＱデフォルトＴＡＰ調整回路３０３から調整デフォルト情報ＺＱＤＥＦＭを設定信号として受け取り、それに基づいてカウンタ６０１，６０２の値を設定してキャリブレーションを行う。
【００５０】
図７に、ＺＱキャリブレーション回路２１６の動作波形図を示す。
【００５１】
設計上の最適値情報ＺＱＤＥＦＣは、電源がオンされたときに発行されるコマンドＰＯＮＲＳＴに応じて、ＺＱキャリブレーション回路２１６に取り込まれ、ＺＱコードＺＱＣとして、出力回路３０４へ出力される。これは、製造途中のテストなどにおいて、未だ高温試験時最適値情報ＺＱＨＴＣ及び低温試験時最適値情報ＺＱＬＴＣがヒューズ回路３０２に未だ書き込まれていない場合などに必要となる。
【００５２】
起動後、ＺＱデフォルトＴＡＰ調整回路３０３は、温度センサー３０１からの検出温度情報ＴＡと、高温試験時最適値情報ＺＱＨＴＣ及び低温試験時最適値情報ＺＱＬＴＣとから調整デフォルト情報ＺＱＤＥＦＭを生成する。
【００５３】
その後、ＺＱキャリブレーション回路２１６は、キャリブレーション開始を指示するコマンドＩＮＩＴが入力されると、調整デフォルト情報ＺＱＤＥＦＭが示す設定値をカウンタ６０１，６０２に初期値としてセットし、キャリブレーションを開始する。
【００５４】
ＺＱキャリブレーション回路２１６から出力されるＺＱコードＺＱＣは、図７において、ＺＱＤＥＦＭ，ＡＡ，・・・，ＥＥ，ＦＦ，ＧＧと変化し、最終的にＺＱＣＡＬＦに収束する。
【００５５】
以上のように、本発明によれば、周囲温度に応じて調整したＺＱデフォルトＴＡＰ調整情報が示すＴＡＰ値を、キャリブレーション開始時の初期値として用いるので、キャリブレーション収束までの時間を短縮することができる。
【００５６】
以上、本発明についていくかの実施の形態に即して説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されることなく種々の変形・変更が可能である。
【００５７】
本派の技術思想は、出力トランジスタのインピーダンスを調整する回路を有する半導体装置に適用できる。更に、図面で開示した各回路ブロック内の回路形式、その他の制御信号を生成する回路は、実施の形態に開示する回路形式に限られない。
【００５８】
本発明の半導体装置の技術思想は、様々な半導体装置に適用することができる。例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＭＰＵ（Micro Control Unit）、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＡＳＳＰ（Application Specific Standard Product）、メモリ（Memory）等の半導体装置全般に、本発明を適用することができる。このような本発明が適用された半導体装置の製品形態としては、例えば、ＳＯＣ（システムオンチップ）、ＭＣＰ（マルチチップパッケージ）やＰＯＰ（パッケージオンパッケージ）などが挙げられる。これらの任意の製品形態、パッケージ形態を有する半導体装置に対して本発明を適用することができる。
【００５９】
また、トランジスタは、電界効果トランジスタ（Field Effect Transistor; FET）であればよく、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）以外にもＭＩＳ（Metal-Insulator Semiconductor）、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の様々なＦＥＴに適用できる。更に、装置の一部にバイポーラ型トランジスタを有してもよい。
【００６０】
更に、ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ型チャネルＭＯＳトランジスタ）は、第１導電型のトランジスタ、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ型チャネルＭＯＳトランジスタ）は、第２の導電型のトランジスタの代表例である。
【００６１】
また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせがないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって等業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
【符号の説明】
【００６２】
１０    半導体装置
１１    出力ドライバー
１２    キャリブレーション回路
１３    温度センサー
１４    記憶回路
１５    設定回路
２０    半導体装置
２０１    内部クロック発生回路
２０２    コマンドデコーダ
２０３    制御回路
２０４    モードレジスタ
２０５    ロウアドレスバッファ
２０６    カラムアドレスバッファ・バーストカウンタ
２０７    ロウデコーダ
２０８    メモリセルアレイ
２０９    センスアンプ
２１０    カラムデコーダ
２１１    データ制御回路
２１２    ラッチ回路
２１３    ＤＬＬ（Dray Locked Loop）
２１４    ＤＱ（データ信号）入出力回路
２１５    ＤＱＳ（データストローブ信号）入出力回路
２１６    ＺＱ（Zero Quotient）キャリブレーション回路
３０１    温度センサー
３０２    ヒューズ回路
３０３    ＺＱデフォルトＴＡＰ調整回路
３０４    出力回路
４０１    出力制御回路
４０２    スルーレート制御回路
４０３    出力ドライバー
４０４    スルーレート設定回路
４０５    ソース電位調整回路
５１１〜５１５    ＰＭＯＳトランジスタ
５２１〜５２５    ＮＭＯＳトランジスタ
６０１，６０２    カウンタ
６０３，６０４    コンパレータ
６０５    シーケンス制御部
【図１】
2013051464.tif 000003
【図２】
2013051464.tif 000004
【図３】
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【図４】
2013051464.tif 000006
【図５】
2013051464.tif 000007
【図６】
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【図７】
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