(57)【要約】【課題】高パルスエネルギーのレーザ光に対する耐性を向上する。【解決手段】ファラデーローテータは、所定領域に所定磁束密度の磁場を形成するように構成された磁場形成部と、前記所定領域に配置されたファラデー素子と、前記ファラデー素子の一方の主平面側に配置され、前記ファラデー素子との間でオプティカルコンタクト面を形成し、所定波長の光を透過する第１排熱部材と、を備えてもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定領域に所定磁束密度の磁場を形成するように構成された磁場形成部と、
前記所定領域に配置されたファラデー素子と、
前記ファラデー素子の一方の主平面側に配置され、前記ファラデー素子との間でオプティカルコンタクト面を形成し、所定波長の光を透過する第１排熱部材と、
を備えるファラデーローテータ。
【請求項２】
前記ファラデー素子は、ＩｎＳｂ結晶、Ｇｅ結晶、ＣｄＣｒ２Ｓ４結晶、ＣｏＣｒ２Ｓ４結晶、およびＨｇ１−ｘＣｄｘＴｅ結晶のいずれかである、請求項１記載のファラデーローテータ。
【請求項３】
前記第１排熱部材は、前記ファラデー素子よりも熱伝導率が高い材料を含む、請求項１記載のファラデーローテータ。
【請求項４】
前記第１排熱部材は、ダイヤモンドを含む、請求項１記載のファラデーローテータ。
【請求項５】
前記ファラデー素子の他方の主平面側に配置され、前記ファラデー素子との間でオプティカルコンタクト面を形成し、前記所定波長の光を透過する第２排熱部材をさらに備える、請求項１記載のファラデーローテータ。
【請求項６】
前記磁場形成部は、貫通孔が設けられた中空の磁石であり、
前記ファラデー素子は、前記貫通孔内部に配置される、
請求項１記載のファラデーローテータ。
【請求項７】
前記ファラデー素子を前記磁場形成部が形成した磁力線の方向に沿って移動させるように構成された移動機構をさらに備える、請求項６記載のファラデーローテータ。
【請求項８】
前記第１排熱部材を冷却するように構成された冷却機構をさらに備える、請求項１記載のファラデーローテータ。
【請求項９】
所定領域に所定磁束密度の磁場を形成するように構成された磁場形成部と、
前記所定領域に配置されたファラデー素子と、
前記ファラデー素子の一方の主平面に形成された、第１反射防止膜と、
前記第１反射防止膜の、前記ファラデー素子とは反対側に配置され、前記第１反射防止膜とオプティカルコンタクト面を形成し、所定波長の光を透過する第１排熱部材と、
を備えるファラデーローテータ。
【請求項１０】
前記第１排熱部材における前記ファラデー素子側の主平面と反対側の主平面に位置し、前記第１排熱部材に形成された、第２反射防止膜をさらに備える、請求項９記載のファラデーローテータ。
【請求項１１】
前記ファラデー素子の他方の主平面に形成された、第３反射防止膜と、
前記第３反射防止膜の、前記ファラデー素子とは反対側に配置され、前記第３反射防止膜とオプティカルコンタクト面を形成し、前記所定波長の光を透過する第２排熱部材と、
をさらに備える、請求項９記載のファラデーローテータ。
【請求項１２】
前記第２排熱部材における前記ファラデーローテータ側の主平面と反対側の主平面に形成された、第４反射防止膜をさらに備える、請求項１１記載のファラデーローテータ。
【請求項１３】
請求項１記載のファラデーローテータと、
前記ファラデーローテータの上流側に配置され、第１偏光方向の光を通過させるように構成された第１偏光子と、
前記ファラデーローテータの下流側に配置され、第２偏光方向の光を通過させるように構成された第２偏光子と、
を備え、
前記ファラデーローテータは、前記第１偏光子を介して入射した第１レーザ光の偏光方向および前記第２偏光子を介して前記第１レーザ光と反対側から入射した第２レーザ光の偏光方向を、それぞれ前記第１レーザ光の光路を中心とした所定回転方向へ実質的に４５°回転させるように構成され、
前記第２偏光子に対する前記第１レーザ光の入射面は、前記第１偏光子に対する前記第１レーザ光の入射面に対して前記所定回転方向へ実質的に４５°傾いている、
光アイソレータ。
【請求項１４】
請求項９記載のファラデーローテータと、
前記ファラデーローテータの上流側に配置され、第１偏光方向の光を通過させるように構成された第１偏光子と、
前記ファラデーローテータの下流側に配置され、第２偏光方向の光を通過させるように構成された第２偏光子と、
を備え、
前記ファラデーローテータは、前記第１偏光子を介して入射した第１レーザ光の偏光方向および前記第２偏光子を介して前記第１レーザ光と反対側から入射した第２レーザ光の偏光方向を、それぞれ前記第１レーザ光の光路を中心とした所定回転方向へ実質的に４５°回転させるように構成され、
前記第２偏光子に対する前記第１レーザ光の入射面は、前記第１偏光子に対する前記第１レーザ光の入射面に対して前記所定回転方向へ実質的に４５°傾いている、
光アイソレータ。
【請求項１５】
所定波長のレーザ光を出力するマスタオシレータと、
前記マスタオシレータから出力されるレーザ光の光路上に配置された１つ以上の増幅器と、
前記マスタオシレータから出力されるレーザ光の光路上であって前記１つ以上の増幅器のうち少なくとも１つの増幅器の上流側に配置された、少なくとも１つの請求項１３記載の光アイソレータと、
を備えるレーザ装置。
【請求項１６】
所定波長のレーザ光を出力するマスタオシレータと、
前記マスタオシレータから出力されるレーザ光の光路上に配置された１つ以上の増幅器と、
前記マスタオシレータから出力されるレーザ光の光路上であって前記１つ以上の増幅器のうち少なくとも１つの増幅器の上流側に配置された、少なくとも１つの請求項１４記載の光アイソレータと、
を備えるレーザ装置。
【請求項１７】
請求項１５記載のレーザ装置と、
チャンバと、
前記チャンバに取り付けられ、前記チャンバ内にターゲット物質を供給するように構成されたターゲット供給システムと、
前記レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を前記チャンバ内の所定の領域に集光するように構成された集光光学素子と、
を備える、極端紫外光生成装置。
【請求項１８】
請求項１６記載のレーザ装置と、
チャンバと、
前記チャンバに取り付けられ、前記チャンバ内にターゲット物質を供給するように構成されたターゲット供給システムと、
前記レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を前記チャンバ内の所定の領域に集光するように構成された集光光学素子と、
を備える、極端紫外光生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ファラデーローテータ、光アイソレータ、レーザ装置、および極端紫外光生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第８０９３５７１号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１０／００７８５７７号明細書
【特許文献３】米国特許第７９１６３８８号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の一態様によるファラデーローテータは、所定領域に所定磁束密度の磁場を形成するように構成された磁場形成部と、前記所定領域に配置されたファラデー素子と、前記ファラデー素子の一方の主平面側に配置され、前記ファラデー素子との間でオプティカルコンタクト面を形成し、所定波長の光を透過する第１排熱部材と、を備えてもよい。
【０００６】
本開示の他の態様によるファラデーローテータは、所定領域に所定磁束密度の磁場を形成するように構成された磁場形成部と、前記所定領域に配置されたファラデー素子と、前記ファラデー素子の一方の主平面に形成された第１反射防止膜と、前記第１反射防止膜の、前記ファラデー素子とは反対側に配置され、前記第１反射防止膜とオプティカルコンタクト面を形成し、所定波長の光を透過する第１排熱部材と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、実施の形態にかかるファラデーローテータの構成を概略的に示す。
【図２】図２は、図１に示されるファラデーローテータをレーザ光の光路を含む面で切断した際の断面構成を概略的に示す。
【図３】図３は、図１および図２に示されるファラデー素子にＩｎＳｂ結晶基板を用いた場合に旋光度θを４５°とするためのファラデー素子の厚さと磁束密度Ｂとの関係（破線Ｃ１）、および、破線Ｃ１に示される各計測点でのファラデー素子のＣＯ２レーザ光（波長１０．６μｍ）の光に対する透過率を示す。
【図４】図４は、図１および図２に示されるファラデーローテータを備えたファラデー光アイソレータの構成を概略的に示す。
【図５】図５は、図４に示されるファラデー光アイソレータを備えるレーザ装置の構成を概略的に示す。
【図６】図６は、ＣＯ２ガスレーザ用として好適なファラデー光アイソレータの構成例を概略的に示す。
【図７】図７は、図６における偏光子とファラデーローテータとの配置関係を概略的に示す。
【図８】図８は、実施の形態にかかる旋光度調節機構および冷却機構を備えるファラデーローテータ装置の構成例を概略的に示す。
【図９】図９は、実施の形態の第１例によるレーザ光の光路を含み且つ冷却水チラーからアーム部先端までの流路の一部を含む面で切断した際のファラデー素子の保持構造を示す。
【図１０】図１０は、図９におけるＸ−Ｘ断面を示す。
【図１１】図１１は、実施の形態の第２例によるレーザ光の光路を含み且つ冷却水チラーからアーム部先端までの流路の一部を含む面で切断した際のファラデー素子の保持構造を示す。
【図１２】図１２は、図１１におけるＸＩＩ−ＸＩＩ断面を示す。
【図１３】図１３は、実施の形態の第３例によるレーザ光の光路を含み且つ冷却水チラーからアーム部先端までの流路の一部を含む面で切断した際のファラデー素子の保持構造を示す。
【図１４】図１４は、図１３におけるＸＩＶ−ＸＩＶ断面を示す。
【図１５】図１５は、実施の形態の第４例によるレーザ光の光路を含み且つ冷却水チラーからアーム部先端までの流路の一部を含む面で切断した際のファラデー素子の保持構造を示す。
【図１６】図１６は、図１１におけるＸＶＩ−ＸＶＩ断面を示す。
【図１７】図１７は、例示的なレーザ生成プラズマ式ＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図１８】図１８は、図１７に示されるＥＵＶ光生成装置にファラデー光アイソレータを含むレーザ装置が適用されたＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図１９】図１９は、ＥＵＶ光生成装置の設置例を概略的に示す。
【図２０】図２０は、高速軸流型増幅器の構成を概略的に示す。
【図２１】図２１は、スラブ型増幅器の構成を概略的に示す。
【図２２】図２２は、３軸直交型増幅器の概略構成を示す。
【図２３】図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線における断面図を示す。
【図２４】図２４は、マスタオシレータに適用され得るＣＯ２ガスレーザの構成を概略的に示す。
【図２５】図２５は、マスタオシレータに適用され得る量子カスケードレーザの構成を概略的に示す。
【実施の形態】
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示の一例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
以下の説明では、下記目次の流れに沿って説明する。
目次
１．概要
２．用語の説明
３．ファラデー光アイソレータ
３．１  ファラデーローテータ
３．２  ファラデー素子の特性
３．３  ファラデー光アイソレータ
３．３．１  構成
３．３．２  動作
３．４  作用
４．ファラデー光アイソレータを備えるレーザ装置
４．１  構成
４．１．１  ＣＯ２ガスレーザ用ファラデー光アイソレータ
４．２  動作
４．３  作用
５．旋光度調節機構と冷却機構とを備えるファラデーローテータ装置
５．１  構成
５．２  動作
５．３  作用
６  ファラデー素子の保持構造
６．１  ファラデー素子とダイヤモンドウィンドウとがオプティカルコンタクト面を形成する場合
６．１．１  ファラデー素子の片面にダイヤモンドウィンドウが配置された場合（第１例）
６．１．２  ファラデー素子の両面にそれぞれダイヤモンドウィンドウが配置された場合（第２例）
６．１．３  熱シミュレーション
６．２  ファラデー素子とダイヤモンドウィンドウとの間に膜を挟む場合
６．２．１  ファラデー素子の片側にダイヤモンドウィンドウが配置された場合（第３例）
６．２．２  ファラデー素子の対向する２面にそれぞれダイヤモンドウィンドウが配置された場合（第４例）
７．レーザ装置とともに用いられるＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置
７．１  例示的なＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置
７．１．１  構成
７．１．２  動作
７．２  ファラデー光アイソレータを含むレーザ装置とともに用いられるＥＵＶ光生成装置
７．２．１  構成
７．２．２  動作
７．２．３  作用
８．ＥＵＶ光生成装置の設置例
９．その他
９．１  増幅器（ＰＡ）の実施形態
９．１．１  高速軸流型増幅器
９．１．２  スラブ型増幅器
９．１．３  ３軸直交型増幅器
９．２  発振器（ＭＯ）の実施形態
９．２．１  ＣＯ２ガスレーザ
９．２．２  分布帰還型レーザ
【００１０】
１．概要
実施の形態の概要について、以下に説明する。
以下の実施の形態は、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置用の高出力レーザ装置及びそのレーザ装置に搭載される光アイソレータに関する。
【００１１】
ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置用のドライバレーザ装置（以下、単にレーザ装置という）は、高パルスエネルギーのレーザ光を高い繰返し周波数で出力することが求められる。そこで、レーザ装置は、高繰返し周波数で高パルスエネルギーのレーザ光を出力するマスタオシレータ（ＭＯ）と、そのレーザ光を増幅する１つ以上のパワー増幅器（ＰＡ）とを備えるように構成されることがある。このようなレーザ装置は、ＭＯＰＡと呼ばれる。
【００１２】
このようなＭＯＰＡでは、ターゲットからの戻り光とパワー増幅器の自励発振とを抑制する必要がある。そこで、レーザ光の光路上に光アイソレータを設置することが考えられる。しかしながら、高出力のレーザ装置が用いられた場合、光アイソレータが破損することがある。そこで、高パルスエネルギーのレーザ光にも耐え得る光アイソレータが求められる。
【００１３】
２．用語の説明
つぎに、本開示において使用される用語を、以下のように定義する。
「光路」とは、レーザ光が通過する経路である。「光路長」とは、実際に光が通過する距離と、光が通過した媒質の屈折率の積であってよい。「ビーム断面」とは、レーザ光の進行方向に対して垂直な面において一定以上の光強度となる領域であってよい。「光軸」とは、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の略中心を通る軸であってもよい。
【００１４】
レーザ光の光路において、レーザ光の生成源側を「上流」とし、レーザ光の到達目標側を「下流」とする。「ビーム拡大」とは、レーザ光が光路に沿って下流へ向かうに連れてビーム断面が徐々に広がることをいう。このようにビーム拡大するレーザ光は、拡大ビームとも称される。「ビーム縮小」とは、レーザ光が光路に沿って下流へ向かうに連れてビーム断面が徐々に小さくなることをいう。このようにビーム縮小するレーザ光は、縮小ビームとも称される。
【００１５】
「所定繰返し周波数」とは、略所定の繰返し周波数であればよく、必ずしも一定の繰返し周波数でなくてもよい。「バースト運転」とは、所定繰返し周波数でパルス状のレーザ光またはパルス状のＥＵＶ光を出力させる期間と、レーザ光またはＥＵＶ光を出力させない期間とを交互に繰り返す運転であってよい。
【００１６】
本開示では、レーザ光の進行方向がＺ方向と定義される。また、このＺ方向と垂直な一方向がＸ方向と定義され、Ｘ方向およびＺ方向と垂直な方向がＹ方向と定義される。レーザ光の進行方向がＺ方向であるが、説明において、Ｘ方向とＹ方向は言及するレーザ光の位置によって変化する場合がある。例えば、レーザ光の進行方向（Ｚ方向）がＸ−Ｚ平面内で変化した場合、進行方向変化後のＸ方向は進行方向の変化に応じて向きを変えるが、Ｙ方向は変化しない。一方、レーザ光の進行方向（Ｚ方向）がＹ−Ｚ平面内で変化した場合、進行方向変化後のＹ方向は進行方向の変化に応じて向きを変えるが、Ｘ方向は変化しない。なお、理解のために各図では、図示されている光学素子のうち、最上流に位置する光学素子に入射するレーザ光と、最下流に位置する光学素子から出射するレーザ光とのそれぞれに対して、座標系が適宜図示される。また、その他の光学素子に対して入射するレーザ光の座標系は、必要に応じて適宜図示される。
【００１７】
反射型の光学素子に対する「入射面」とは、光学素子に入射するレーザ光の光軸と該光学素子によって反射したレーザ光の光軸との双方を含む面と定義される。透過型の光学素子に対する「入射面」とは、光学素子に入射するレーザ光の光軸と該光学素子を透過したレーザ光の光軸との双方を含む面と定義される。「Ｓ偏光」とは、上記のように定義される入射面に対して垂直な方向の直線偏光状態であるとする。一方、「Ｐ偏光」とは、光路に直交し、且つ入射面に対して平行な方向の直線偏光状態であるとする。
【００１８】
「増幅波長領域」とは、増幅領域をレーザ光が通過したときに増幅可能な波長帯域であってよい。この「増幅波長領域」は、「増幅ライン」と称されてもよい。
「ドロップレット」とは、溶融したターゲット物質の液滴であってよい。その場合、その形状は、表面張力によって略球形であってよい。「拡散ターゲット」とは、ターゲット物質のプリプラズマとフラグメントとの少なくとも一方を含む状態であってよい。「プリプラズマ」とは、プラズマ状態またはプラズマと原子や分子との混合状態と定義される。「フラグメント」とは、ターゲット物質が分裂して変容したクラスタ、マイクロドロップレット等の微粒子またはそれらが混在する微粒子群と定義される。
「プラズマ生成領域」とは、ターゲット物質のプラズマが生成される空間として予め設定された３次元空間であってよい。
「オブスキュレーション領域」とは、ＥＵＶ光の影となる３次元領域である。このオブスキュレーション領域を通過するＥＵＶ光は、通常、露光装置においては使用されない。
【００１９】
３．ファラデー光アイソレータ
まず、本開示の実施の形態にかかるファラデー光アイソレータを説明するにあたり、それに用いられるファラデーローテータについて、図面を用いて詳細に説明する。
【００２０】
３．１  ファラデーローテータ
図１は、実施の形態にかかるファラデーローテータ１００の構成を概略的に示す。図２は、図１に示されるファラデーローテータ１００をレーザ光Ｌ１またはＬ２の光軸を含む面で切断した際の断面構成を概略的に示す。
【００２１】
図１および図２に示されるように、ファラデーローテータ１００は、リング状磁石１０１および１０２と、ファラデー素子１１０とを備えてもよい。リング状磁石１０１および１０２は、少なくとも所定の領域に略一様な磁場Ｈを形成するように構成された磁場形成部であってよい。各リング状磁石１０１および１０２は、たとえば永久磁石であってよい。ただし、これに限定されず、超電導磁石や電磁石コイルや超伝導電磁石コイルなどの磁場発生部材が用いられてもよい。たとえば永久磁石には、２Ｔ（テスラ）程度までの磁束密度の磁場Ｈを形成することが可能なものが存在する。また、超電導磁石には、５Ｔ程度の磁束密度の磁場Ｈを形成することが可能なものが存在する。本実施の形態では、これらが用いられてもよいが、これらに限られるものではない。また、磁場形成部は、２つの部材より構成されているものに限られず、単一の磁場発生部材で構成されていてもよいし、３つ以上の磁場発生部材で構成されていてもよい。
【００２２】
各リング状磁石１０１および１０２には、たとえば磁極の配列方向と平行な方向に部材を貫通する円筒状の貫通孔が設けられた円筒状の永久磁石が用いられているとする。これらリング状磁石１０１および１０２は、それぞれに設けられた円筒状の貫通孔が連続した１つの貫通孔を形成するように組み合わされてもよい。組み合わされたリング状磁石１０１および１０２は、連続する貫通孔内部に磁極の配列方向と略平行な一様の磁場Ｈを形成してもよい。以下、説明の都合上、貫通孔の中心を通り、且つ貫通孔内部の磁場Ｈの方向と平行な方向を軸Ａｘとする。
【００２３】
ファラデー素子１１０には、たとえばＩｎＳｂ結晶、Ｇｅ結晶、ＣｄＣｒ２Ｓ４結晶、ＣｏＣｒ２Ｓ４結晶、Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴｅ結晶などの結晶材料のいずれかが用いられてよい。このファラデー素子１１０は、円盤状の結晶基板であってよい。ファラデー素子１１０は、その主平面が軸Ａｘに対して実質的に垂直となるように、リング状磁石１０１および１０２によって形成される貫通孔内部に配置されてもよい。
【００２４】
レーザ光Ｌ１は、図１中、リング状磁石１０１および１０２によって形成される貫通孔内へ、軸Ａｘと平行なＺ方向へ入射してもよい。その場合、レーザ光Ｌ１は、ファラデー素子１１０の主平面に実質的に垂直に入射し得る。磁場Ｈにより、ファラデー素子１１０内部では、ファラデー素子１１０に入射したレーザ光Ｌ１の偏光方向が軸Ａｘを中心とした回転方向Ｒ１に角度θ回転してもよい。以下、この角度θを旋光度θという。
【００２５】
図１および図２に示される構成では、たとえばＺ方向にファラデーローテータ１００に入射するレーザ光Ｌ１の偏光がＹ方向の直線偏光であるとすると、このレーザ光Ｌ１がファラデー素子１１０を透過すると、偏光方向はＹ方向から回転方向Ｒ１に旋光度θ傾いた方向となる。
【００２６】
また、ファラデー素子１１０は、Ｚ方向とは反対方向のｚ方向から入射したレーザ光Ｌ２の偏光方向を、Ｚ方向から入射したレーザ光Ｌ１と同一の回転方向Ｒ１に、同一の旋光度θで回転させるという特性を有する。したがって、ファラデーローテータ１００に入射するレーザ光Ｌ２の偏光がｙ方向から回転方向Ｒ１に角度θ回転した方向の直線偏光であった場合、レーザ光Ｌ２がファラデー素子１１０を透過することによって、回転方向Ｒ１にさらに旋光度θ回転した方向となる。すなわち、ファラデー素子１１０を通過後のレーザ光Ｌ２の偏光方向は、ｙ方向から回転方向Ｒ１に角度２θ傾いた方向となる。
【００２７】
３．２  ファラデー素子の特性
ファラデー素子１１０の旋光度θは、以下の式（１）によって求めることができる。
θ＝Ｖ×Ｈ×Ｌ    ・・・（１）
Ｖ：ベルデ定数
Ｈ：磁場の強さ
Ｌ：結晶中の光路長
【００２８】
上記式（１）において、ベルデ定数Ｖは、ファラデー素子１１０に用いられた結晶材料に固有の値であり、且つ光の波長と温度にも依存する。また、結晶中の光路長Ｌは、この結晶材料の屈折率と結晶基板の厚さによって定まる値である。
【００２９】
たとえば上述した結晶材料のなかでは、ＩｎＳｂ結晶が最もベルデ定数が高い。そのため、旋光度を大きくしたい場合はファラデー素子１１０の結晶材料としてＩｎＳｂ結晶を用いることが好ましい。ただし、ＩｎＳｂ結晶は特定の波長（たとえばＣＯ２ガスレーザの発振波長（１０．６μｍ（マイクロメートル）））の光に対する透過率が他の結晶材料と比較して低い。透過光量を大きくするには、ＩｎＳｂ結晶基板の厚さを薄くするとよい。その場合、磁束密度Ｂを高くすることで、必要な旋光度θを得ることができる。なお、素子（基板）の厚さとは、基板の主平面の法線に沿った長さ方向の寸法であってよい。
【００３０】
ここで、図１および図２に示されるファラデー素子１１０の特性について説明する。図３は、ファラデー素子１１０にＩｎＳｂ結晶基板を用いた場合に旋光度θを４５°とするためのファラデー素子１１０の厚さと磁束密度Ｂとの関係（破線Ｃ１）を示す。また、図３は、破線Ｃ１に示される各計測点（ファラデー素子１１０の厚さおよび磁束密度Ｂ）でのファラデー素子１１０のＣＯ２レーザ光（波長１０．６μｍ）の光に対する透過率（実線Ｃ２）を示す。以下の表１は、図３の基となった各データを示す。
【００３１】
【表１】
2013218286.tif 000003
【００３２】
図３および表１に示されるように、ファラデー素子１１０の厚さを薄くするほど、ファラデー素子１１０のＣＯ２レーザ光（波長１０．６μｍ）の光に対する透過率を高めることができる。ただし、ファラデー素子１１０の厚さを薄くした場合、必要十分な旋光度θ（＝４５°）を得るための磁束密度Ｂは高くなる。以上のような特性を踏まえた上で、設計条件等に応じて、ファラデー素子１１０の材料および厚さ、ならびに磁場形成部の種類および構成が決定されるとよい。
【００３３】
３．３  ファラデー光アイソレータ
上記のような構成を備えるファラデーローテータ１００は、たとえば特定の光の通過を抑制する光アイソレータに用いることができる。以下に、ファラデーローテータ１００を備えたファラデー光アイソレータを例に挙げて説明する。
【００３４】
３．３．１  構成
図４は、図１および図２に示されるファラデーローテータ１００を備えたファラデー光アイソレータ３１０の構成を概略的に示す。図４に示されるように、ファラデー光アイソレータ３１０は、ファラデーローテータ１００と、偏光子１２０および１３０とを備えてもよい。
【００３５】
偏光子１２０は、ファラデーローテータ１００に対して上流側に配置されてもよい。偏光子１３０は、ファラデーローテータ１００に対して下流側に配置されてもよい。偏光子１２０および１３０は、それぞれ面１２０ａおよび１３０ａを備えてもよい。偏光子１２０および１３０それぞれは、面１２０ａおよび１３０ａにＳ偏光で入射した光を高反射率で反射し、Ｐ偏光で入射した光を高透過率で透過してよい。これら面１２０ａおよび１３０ａの各法線は、それぞれファラデーローテータ１００の軸Ａｘに対して傾いていてもよい。この傾きの角度は、たとえば４５°であってもよい。
【００３６】
ファラデーローテータ１００の貫通孔内部には、ファラデー素子１１０を透過した光の偏光方向を４５°（旋光度θ＝４５°）回転させるための磁場Ｈがリング状磁石１０１および１０２（図１または図２参照）によって形成されていてもよい。下流側の偏光子１３０の面１３０ａの入射面は、上流側に配置された偏光子１２０の面１２０ａの入射面に対して、光路を中心とした回転方向Ｒ１に角度φ傾いていてもよい。この角度φは、４５°であってよい。なお、ここでは、説明の簡略化のため、面１２０ａの入射面内にＹ軸があるものとする。その場合、１３０ａの入射面は、Ｙ軸に対して回転方向Ｒ１に角度φ（＝４５°）傾いている。
【００３７】
３．３．２  動作
図４に示されるファラデー光アイソレータ３１０では、たとえば上流側から偏光子１２０に入射したレーザ光Ｌ１１のうち、面１２０ａに対してＰ偏光のレーザ光Ｌ１２が透過され、Ｓ偏光のレーザ光が反射され得る。したがって、偏光子１２０を透過したレーザ光Ｌ１２の偏光は、Ｙ方向の直線偏光となる。このレーザ光Ｌ１２は、Ｚ方向からファラデーローテータ１００に入射してもよい。その結果、ファラデーローテータ１００から下流側へは、偏光方向がＹ方向から回転方向Ｒ１に角度φ（＝４５°）傾いたレーザ光Ｌ１３が出射し得る。このレーザ光Ｌ１３は、偏光子１３０に入射してもよい。ここで、上述したように、面１３０ａの入射面は、Ｙ方向から回転方向Ｒ１に角度φ（＝４５°）傾いていてもよい。その場合、偏光子１３０に入射したレーザ光Ｌ１３は、偏光子１３０を高透過率で透過し得る。偏光子１３０を透過したレーザ光Ｌ１３は、下流側の増幅器やＥＵＶ光生成用のチャンバなどへ導かれてもよい。
【００３８】
また、下流側の偏光子１３０には、これの下流側に配置された増幅器が自励発振することで生じたＡＳＥ（Ａｍｌｉｆｉｅｄ  Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）光や、チャンバ内のターゲット物質でレーザ光３１が反射することで生じた戻り光などが、下流側から入射し得る。これらＡＳＥ光や戻り光を、以下、レーザ光Ｌ２１とする。レーザ光Ｌ２１は、ランダム偏光の光や円偏光の光であったり、任意方向の直線偏光の光や楕円偏光の光であったりする。ここでは、説明の簡略化のため、レーザ光Ｌ２１の偏光状態を円偏光とする。
【００３９】
偏光子１３０は、入射したレーザ光Ｌ２１のうち、面１３０ａに対してＰ偏光のレーザ光Ｌ２２は透過し、Ｓ偏光のレーザ光は反射し得る。したがって、偏光子１３０を下流側から上流側に透過したレーザ光Ｌ２２の偏光状態は、ｙ方向から回転方向Ｒ１に角度φ（＝４５°）傾いた方向となる。ここで、ｙ方向は、Ｙ方向と実質的に一致していてよい。このレーザ光Ｌ１２は、Ｚ方向と反対側のｚ方向からファラデーローテータ１００に入射してもよい。その結果、ファラデーローテータ１００から上流側へは、偏光方向がＹ方向から回転方向Ｒ１に角度φ＋θ（＝９０°）傾いたレーザ光Ｌ２３が出射し得る。このレーザ光Ｌ２３は、偏光子１３０の面１２０ａにＳ偏光で入射し得る。そのため、レーザ光Ｌ２３は、面１２０ａによって高反射率で反射され得る。反射されたレーザ光Ｌ２３は、たとえば、ビームダンパ等を配置して吸収してもよいし、光センサなどを配置してエネルギーや光強度をモニタしてもよい。
【００４０】
３．４  作用
以上のような構成とすることで、上流側から光アイソレータへ入射したレーザ光Ｌ１１を高透過させつつ、下流側から光アイソレータへ入射したレーザ光Ｌ２１が上流側へ通過することを抑制し得る光アイソレータが実現され得る。
【００４１】
４．ファラデー光アイソレータを備えるレーザ装置
つぎに、上述したファラデー光アイソレータ３１０を備えるレーザ装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【００４２】
４．１  構成
図５は、ファラデー光アイソレータ３１０を備えるレーザ装置３００の構成を概略的に示す。図５に示されるように、レーザ装置３００は、マスタオシレータ３０１と、ファラデー光アイソレータ３１０−１〜３１０−ｎと、増幅器３２０−１〜３２０−ｎと、電源３２１−１〜３２１−ｎと、レーザコントローラ３０２とを備えてもよい。各ファラデー光アイソレータ３１０−１〜３１０−ｎは、上述したファラデー光アイソレータ３１０と同様の基本構成であってよい。なお、レーザ装置３００は、少なくとも１つのファラデー光アイソレータ３１０を備えていればよい。以下の説明において、ファラデー光アイソレータ３１０−１〜３１０−ｎを区別しない場合、その符号を３１０とする。同様に、増幅器３２０−１〜３２０−ｎおよび電源３２１−１〜３２１−ｎを区別しない場合、それらの符号をそれぞれ３２０および３２１とする。
【００４３】
マスタオシレータ３０１は、たとえば増幅器３２０で増幅し得る波長のパルス状のレーザ光Ｌ１１−１を出力してもよい。マスタオシレータ３０１がシングル縦モードで発振する場合、レーザ光Ｌ１１−１の波長は、たとえば１０．６μｍであってよい。また、マスタオシレータ３０１がマルチ縦モード発振する場合、これらの縦モードのうち少なくとも１つは、増幅器３２０で増幅し得る波長帯域のいずれかに含まれているとよい。以下では、マスタオシレータ３０１が波長１０．６μｍのシングル縦モードで発振する場合を例示する。これは、マスタオシレータ３０１がマルチ縦モードで発振する場合を排除するものではない。また、マスタオシレータ３０１から出力されるレーザ光Ｌ１１−１の偏光状態は、所定方向の直線偏光であってよい。ただし、これに限られず、レーザ光Ｌ１１−１は、所定方向の直線偏光成分を含む円偏光や楕円偏光の光であってもよい。なお、所定方向とは、図４に示されるＹ方向であってよい。
【００４４】
複数の増幅器３２０−１〜３２０−ｎは、レーザ光の光路上に直列に配置されてもよい。各ファラデー光アイソレータ３１０−１〜３１０−ｎは、各増幅器３２０−１〜３２０−ｎの上流側の光路上にそれぞれ配置されてもよい。
【００４５】
各ファラデー光アイソレータ３１０−１〜３１０−ｎには、上流のマスタオシレータ３０１または増幅器３２０−１〜３２０−ｋからレーザ光Ｌ１１−１〜Ｌ１１−ｎが入力されてもよい。各ファラデー光アイソレータ３１０−１〜３１０−ｎは、入射したレーザ光Ｌ１１−１〜Ｌ１１−ｎをそれぞれレーザ光Ｌ１４−１〜Ｌ１４−ｎとして透過させてもよい。各ファラデー光アイソレータ３１０−１〜３１０−ｎを透過した各レーザ光Ｌ１４−１〜Ｌ１４−ｎは、各ファラデー光アイソレータ３１０−１〜３１０−ｎの下流側の光路上にそれぞれ配置された増幅器３２０−１〜３２０−ｎに入射してもよい。以下の説明において、レーザ光Ｌ１１−１〜Ｌ１１−ｎを区別しない場合、それらの符号をＬ１１とする。同様に、レーザ光Ｌ１４−１〜Ｌ１４−ｎを区別しない場合、それらの符号をＬ１４とする。
【００４６】
増幅器３２０は、たとえばＣＯ２ガスを主な増幅媒体として含んでもよい。以下、増幅器３２０が備える増幅媒体が、ＣＯ２レーザガスと称される。各増幅器３２０には、各電源３２１から電力が供給されてもよい。増幅器３２０は、供給された電力を用いて、図示しない電極対の間のＣＯ２レーザガス内に放電を起こしてもよい。その放電によってＣＯ２レーザガスが励起されることで、増幅器３２０内を通過するレーザ光Ｌ１４が増幅され得る。なお、最終段の増幅器３２０−ｎから出力された増幅後のレーザ光は、レーザ光３１としてレーザ装置３００から出力されてもよい。
【００４７】
各ファラデー光アイソレータ３１０は、上流側から入射したレーザ光Ｌ１１を高透過率で通過させ、下流側から入射した光の通過を抑制してもよい。下流側からの光には、上述したように、たとえば増幅器３２０から出力されるＡＳＥ光や、下流側の構成で反射した戻り光などが存在し得る。
【００４８】
レーザコントローラ３０２は、マスタオシレータ３０１に、レーザ発振するタイミングを与えてもよい。このタイミングは、トリガ信号として与えられてもよい。トリガ信号は、所定の繰返し周波数でマスタオシレータ３０１に入力されてもよい。それにより、マスタオシレータ３０１からレーザ光Ｌ１１−１が実質的に所定繰返し周波数で出力されてもよい。
【００４９】
また、レーザコントローラ３０２は、各電源３２１を駆動することで、各増幅器３２０に電力を供給してもよい。これにより、各増幅器３２０内のＣＯ２レーザガス内に放電が生じて、増幅器３２０内部のＣＯ２レーザガスが励起されてもよい。
【００５０】
４．１．１  ＣＯ２ガスレーザ用ファラデー光アイソレータ
ここで、ＣＯ２ガスレーザ用として好適なファラデー光アイソレータ３１０の構成例について、例を挙げて説明する。図６は、ＣＯ２ガスレーザ用として好適なファラデー光アイソレータ３１０Ａの構成例を概略的に示す。図７は、図６における偏光子１３１および１３２との配置関係を概略的に示す。
【００５１】
図６に示されるように、ファラデー光アイソレータ３１０Ａは、偏光フィルタ１２０Ａおよび１３０Ａと、ファラデーローテータ１００とを含んでもよい。ファラデー光アイソレータ３１０Ａの上流側には、増幅器３２０Ａが配置されてもよい。ただし、これに限らず、増幅器３２０Ａの代わりに、マスタオシレータ３０１が配置されてもよい。ファラデー光アイソレータ３１０Ａの下流側には、増幅器３２０Ｂが配置されてもよい。増幅器３２０Ａおよび３２０Ｂは、図５に示される増幅器３２０−１〜３２０−ｎのいずれかであってよい。
【００５２】
偏光フィルタ１２０Ａは、ファラデーローテータ１００の上流側に配置されてもよい。偏光フィルタ１３０Ａは、ファラデーローテータ１００の下流側に配置されてもよい。偏光フィルタ１２０Ａは、少なくとも２つの偏光子１２１および１２２を含んでもよい。偏光フィルタ１３０Ａは、少なくとも２つの偏光子１３１および１３２を含んでもよい。各偏光子１２１、１２２、１３１および１３２は、反射型の偏光板であってもよい。
【００５３】
ファラデー光アイソレータ３１０Ａには、たとえばＹ方向の直線偏光のレーザ光が上流側の増幅器３２０Ａ（マスタオシレータ３０１であってもよい）から入射してもよい。上流側の偏光フィルタ１２０Ａの偏光子１２１は、このレーザ光Ｌ１１がＳ偏光で入射するように、光路に対して傾いて配置されてもよい。偏光フィルタ１２０Ａの他の偏光子１２２は、偏光子１２１で反射されたレーザ光Ｌ１１がＳ偏光で入射するように、光路に対して傾いて配置されてもよい。その場合、図６に示される構成例では、偏光子１２１および１２２の各入射面がＸＺ平面に平行となるように各偏光子がレーザ光Ｌ１１の光路に対して傾く。このような構成によれば、偏光フィルタ１２０Ａは、Ｙ方向の直線偏光のレーザ光Ｌ１１を高透過率で透過し、それ以外の偏光状態の光の通過を抑制することができる。偏光子１２２で反射されたレーザ光Ｌ１１は、Ｙ方向の直線偏光のレーザ光Ｌ１２としてファラデーローテータ１００に入射してもよい。
【００５４】
ファラデーローテータ１００は、上流側から入射したレーザ光Ｌ１２の偏光方向を旋光度θ回転させて、レーザ光Ｌ１３として出射してもよい。旋光度θは、４５°であってよい。その場合、レーザ光Ｌ１３の偏光方向は、Ｙ方向に対して回転方向Ｒ１（図１参照）に旋光度θ（＝４５°）傾いた方向となる。
【００５５】
下流側の偏光フィルタ１３０Ａの偏光子１３１は、レーザ光Ｌ１３が偏光子１３１へＳ偏光で入射するように、光路に対して傾いて配置されてもよい。レーザ光Ｌ１３の偏光方向は、上述したように、Ｙ方向に対して回転方向Ｒ１に旋光度θ（＝４５°）傾いた方向である。したがって、偏光子１３１の入射面がＸＺ平面に対して傾く角度φは、回転方向Ｒ１（図１参照）に旋光度θ（＝４５°）傾く角度であってよい。その場合、図７に示されるように、Ｘ方向が水平方向であるとすると、偏光子１３１に入射したレーザ光Ｌ１３は、水平方向に対して斜め４５°上方へはね上げられるように反射され得る。ただし、これに限らず、図７に示される方向とは１８０°反対の方向へレーザ光Ｌ１３が反射されるように偏光子１３１が配置されてもよい。偏光フィルタ１３０Ａの他の偏光子１３２は、偏光子１３１で反射されたレーザ光Ｌ１３がＳ偏光で入射するように、光路に対して傾いて配置されてもよい。その際、偏光子１３２は、レーザ光Ｌ１３をＺ方向と平行な方向へ反射するように配置されてもよい。偏光子１３２で反射されたレーザ光Ｌ１３は、レーザ光Ｌ１４としてファラデー光アイソレータ３１０Ａから出射され、下流側の増幅器３２０Ｂに入射してもよい。
【００５６】
一方、ファラデー光アイソレータ３１０Ａには、下流側からＡＳＥ光や戻り光などのレーザ光Ｌ２１が入射する場合がある。偏光フィルタ１３０Ａの偏光子１３２は、入射したレーザ光Ｌ２１のうちＳ偏光の成分のレーザ光Ｌ２１を反射し得る。このＳ偏光のレーザ光Ｌ２１の偏光方向は、上述した配置関係から、たとえばｙ方向（＝Ｙ方向）に対して回転方向Ｒ１に角度φ（＝旋光度θ＝４５°）傾いた方向である。したがって、偏光子１３２で反射されたレーザ光Ｌ２１は、Ｓ偏光で偏光子１３１に入射する。その結果、レーザ光Ｌ２１は、偏光子１３１によってレーザ光Ｌ２２として高反射率で反射され得る。
【００５７】
偏光子１３１で反射されたレーザ光Ｌ２２は、ファラデーローテータ１００に入射してよい。ファラデーローテータ１００は、入射したレーザ光Ｌ２２の偏光方向を、光路を中心とした回転方向Ｒ１に旋光度θ（＝４５°）回転してもよい。その結果、ファラデーローテータ１００から出射するレーザ光Ｌ２３の偏光方向は、ｙ方向（＝Ｙ方向）に対して回転方向Ｒ１に角度φ＋θ（＝９０°）傾いた方向となる。このレーザ光Ｌ２３の偏光方向は、Ｘ方向である。したがって、レーザ光Ｌ２３は、上流側の偏光フィルタ１２０Ａの偏光子１２２にＰ偏光で入射し得る。そのため、レーザ光Ｌ２３のほとんどが偏光子１２２を透過し得る。また、偏光子１２２を反射した微弱のレーザ光Ｌ２３は、Ｐ偏光で偏光子１２１に入射し得るが、その多くは透過してもよい。その結果、レーザ光Ｌ２３の多くの成分は偏光フィルタ１２０Ａによって上流側への透過が抑制される。
【００５８】
４．２  動作
つづいて、図５に示されるレーザ装置３００の動作を、図面を用いて詳細に説明する。図５に示されるレーザ装置３００では、レーザコントローラ３０２がマスタオシレータ３０１を所定の繰り返し周波数でレーザ発振させてもよい。また、レーザコントローラ３０２は、マスタオシレータ３０１からレーザ光Ｌ１１−１が出力されていない期間においても、電源３２１−１〜３２１−ｎから増幅器３２０−１〜３２０−ｎへ放電電力を供給して、ＣＯ２レーザガスを励起させてもよい。
【００５９】
マスタオシレータ３０１から出力されたレーザ光Ｌ１１−１は、ファラデー光アイソレータ３１０−１をレーザ光Ｌ１４−１として通過してもよい。レーザ光Ｌ１４−１は、増幅器３２０−１に入射し、増幅器３２０−１内を通過することによって増幅されてもよい。
【００６０】
増幅器３２０−１から出力された増幅後のレーザ光Ｌ１１−２は、ファラデー光アイソレータ３１０−２をレーザ光Ｌ１４−２として通過してもよい。レーザ光Ｌ１４−２は、増幅器３２０−２に入射し、増幅器３２０−２内を通過することによってさらに増幅されてもよい。同様に、増幅器３２０−ｋから出力されたレーザ光Ｌ１１−ｋは、ファラデー光アイソレータ３１０−ｋをレーザ光Ｌ１４−ｋとして通過してもよい。レーザ光Ｌ１４−ｋは、増幅器３２０−ｋに入射し、増幅器３２０−ｋ内を通過することによってさらに増幅されてもよい。
【００６１】
その後、最終段の増幅器３２０−ｎから出力された増幅後のレーザ光は、レーザ光３１として、レーザ装置３００から出力されてもよい。
【００６２】
４．３  作用
以上のような構成によれば、増幅器３２０で発生したＡＳＥ光が他の増幅器３２０内へ入射するのを、ファラデー光アイソレータ３１０によって抑制されるので、増幅器３２０の自励発振が抑制され得る。さらに、下流側に配置された構成からの戻り光が増幅器３２０内へ入射するのをファラデー光アイソレータ３１０によって抑制されるので、戻り光によるマスタオシレータ３０１の破損や増幅器３２０の自励発振が抑制され得る。
【００６３】
なお、上述した構成では、ファラデー光アイソレータ３１０は、最終出力端に近い側の増幅器３２０の光路上に設置されるとよい。最終出力端に近い側の増幅器３２０間にファラデー光アイソレータ３１０が設置されることによって、戻り光を増幅する増幅器３２０の数が少なくなるので、効果的に自励発振の抑制を達成することができる。
【００６４】
５．旋光度調節機構と冷却機構とを備えるファラデーローテータ装置
図１に示されるファラデーローテータ１００は、旋光度θを調節するための旋光度調節機構やファラデー素子１１０を冷却するための冷却機構とともに用いられてもよい。以下、旋光度調節機構および冷却機構を備えるファラデーローテータ装置の構成例を、図面を用いて詳細に説明する。
【００６５】
５．１  構成
図８は、旋光度調節機構１４０および冷却機構１５０を備えるファラデーローテータ装置２００の構成例を概略的に示す。図８に示されるように、ファラデーローテータ装置２００は、ファラデーローテータ１００Ａと、旋光度調節機構１４０と、冷却機構１５０と、コントローラ１６０とを備えてもよい。また、レーザ光の光路は不活性ガス（希ガスまたは窒素ガス）で満たされていてもよい。
【００６６】
ファラデーローテータ１００Ａは、２つのリング状磁石１０１および１０２と、ファラデー素子１１０と、ダイヤモンドウィンドウ１１１と、素子ホルダ１１２とを含んでもよい。ファラデー素子１１０は、ダイヤモンドウィンドウ１１１の下流側の主平面に接合されていてもよい。ただし、これに限らず、ファラデー素子１１０は、ダイヤモンドウィンドウ１１１の上流側の主平面に接合されていてもよい。また、ダイヤモンドウィンドウ１１１におけるファラデー素子１１０が接合される主平面は、ファラデー素子１１０の主平面よりもひと回り大きいとよい。
【００６７】
ダイヤモンドウィンドウ１１１とファラデー素子１１０との接合面は、オプティカルコンタクト面であってもよい。なお、ファラデー素子１１０は、結晶基板でなくてもよい。たとえばダイヤモンドウィンドウ１１１の主平面にエピタキシャル成長により形成された結晶膜であってもよい。また、ダイヤモンドウィンドウ１１１の代わりに、所定波長（たとえば１０．６μｍ）の光に対して透明な他の部材が用いられてもよい。その際、ファラデー素子１１０よりも熱伝導率が高い材料よりなる部材が用いられるとよい。
【００６８】
素子ホルダ１１２は、円筒状のアーム部１１３と、このアーム部１１３の一方の端に設けられたベース部１１４とを含んでもよい。アーム部１１３およびベース部１１４には、これらを貫通する貫通孔１１２ａが設けられていてもよい。ファラデー素子１１０が接合されたダイヤモンドウィンドウ１１１は、アーム部１１３がある側の他方の側の端の貫通孔１１２ａ内部に保持されてもよい。
【００６９】
アーム部１１３の外径は、リング状磁石１０１および１０２によって形成される貫通孔１０１ａの内径よりもひと回り小さいとよい。アーム部１１３のダイヤモンドウィンドウ１１１を保持する端は、たとえば貫通孔１０１ａ内に、貫通孔１０１ａの内壁に触れないように、下流側から挿入されていてもよい。その際、貫通孔１１２ａの中心軸と平行な線は、貫通孔１０１ａの中心を通り且つその開口方向と平行な線（軸Ａｘ）と平行または一致してもよい。また、ダイヤモンドウィンドウ１１１に保持されたファラデー素子１１０は、貫通孔１０１ａ内の深さ方向中央付近に位置してもよい。
【００７０】
旋光度調節機構１４０は、移動機構１４１と、移動ステージ１４２とを含んでもよい。移動ステージ１４２は、素子ホルダ１１２のベース部１１４を保持してもよい。移動機構１４１は、コントローラ１６０からの制御にしたがって、移動ステージ１４２を軸Ａｘに沿って移動させてもよい。それにより、素子ホルダ１１２に保持されたファラデー素子１１０の貫通孔１０１ａ内部での位置が、軸Ａｘに沿って変化してもよい。その結果、ファラデー素子１１０の位置する場所に応じて磁場Ｈの磁束密度Ｂが相違して、旋光度θが調節されてもよい。なお、コントローラ１６０は、不図示のセンサで検出された値やレーザコントローラ３０２などの上位コントローラからの指示にしたがって、移動機構１４１を制御してもよい。
【００７１】
冷却機構１５０は、温度コントローラ１５１と、冷却水チラー１５２と、冷却水路１５３と、温度センサ１５４とを含んでもよい。冷却水チラー１５２は、冷却水路１５３へ冷却水を送出し、また、冷却水路１５３から帰還した冷却水を再度冷却して、冷却水路１５３へ送出してもよい。冷却水路１５３は、素子ホルダ１１２のベース部１１４からアーム部１１３のダイヤモンドウィンドウ１１１保持部付近までの流路１５３ａを含んでもよい。また、冷却水路１５３は、アーム部１１３のダイヤモンドウィンドウ１１１を保持部付近で、ダイヤモンドウィンドウ１１１の周囲を囲む流路１５３ｂを含んでもよい。さらに、冷却水路１５３は、ダイヤモンドウィンドウ１１１の周囲を囲む流路１５３ｂを流れた冷却水を冷却水チラー１５２まで帰還させる流路１５３ｃを含んでもよい。
【００７２】
冷却水路１５３へ供給された冷却水は、ダイヤモンドウィンドウ１１１の周囲を囲む流路１５３ｂを流れ得る。それにより、ダイヤモンドウィンドウ１１１が周囲から略均一に冷却され、その結果、ダイヤモンドウィンドウ１１１に接合されたファラデー素子１１０が略均等に冷却され得る。なお、素子ホルダ１１２における少なくともアーム部１１３もしくはアーム部１１３におけるダイヤモンドウィンドウ１１１を保持する部分には、熱伝導率の高い非磁性材料が用いられているとよい。この材料は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの金属材料であってもよい。
【００７３】
温度センサ１５４は、素子ホルダ１１２におけるダイヤモンドウィンドウ１１１を保持する部分付近の温度、または、ダイヤモンドウィンドウ１１１の温度を検出してもよい。温度センサ１５４は、検出結果を温度コントローラ１５１へ入力してもよい。温度コントローラ１５１は、温度センサ１５４から入力された検出結果およびコントローラ１６０からの指示にしたがって、冷却水チラー１５２が冷却水路１５３へ供給する冷却水の流量および冷却水チラー１５２による冷却水の冷却温度を制御してもよい。
【００７４】
５．２  動作
図８に示される構成において、コントローラ１６０は、温度コントローラ１５１に所定の目標温度（例えば室温）を設定してもよい。
【００７５】
コントローラ１６０は、移動機構１４１を制御して移動ステージ１４２を移動させることで、ファラデー素子１１０に印加される磁場Ｈの磁束密度Ｂを変化させて、旋光度θが４５°となるように調節してもよい。また、リング状磁石１０１および１０２の代わりに超伝導磁石などの電流制御が可能な電磁石コイルが用いられた場合、コントローラ１６０は、図示しない電流供給部を制御して貫通孔１０１ａ内部に形成される磁場Ｈの磁束密度Ｂを変化させてもよい。
【００７６】
コントローラ１６０は、ファラデーローテータ装置２００を含むファラデー光アイソレータ３１０を下流側から通過したレーザ光（戻り光やＡＳＥ光）のエネルギーや光強度を検出し、この検出結果に基づいて、検出されるエネルギーや光強度が小さくなるように、移動機構１４１を制御してもよい。その他の方法としては、コントローラ１６０は、たとえばファラデーローテータ１００Ａの下流側に配置された偏光子１３０（たとえば図４参照）でレーザ光Ｌ１３が反射された光のエネルギーや強度を検出し、そのエネルギーや光強度が小さくなるように移動機構１４１を制御する方法が考えられる。さらには、コントローラ１６０は、たとえば偏光子１３０を透過したレーザ光Ｌ１３のエネルギーや光強度を検出し、この検出結果に基づいて、検出されるエネルギーや光強度が大きくなるように移動機構１４１を制御する方法が考えられる。ただし、これらに限定されるものではない。
【００７７】
５．３  作用
以上のような構成および動作によれば、ファラデー素子１１０がダイヤモンドウィンドウ１１１に接合されているため、レーザ光が透過する際にファラデー素子１１０において発生する熱を、ダイヤモンドウィンドウ１１１を介して素子ホルダ１１２へ放熱することができてもよい。その際、ファラデー素子１１０とダイヤモンドウィンドウ１１１との接合面をオプティカルコンタクト面とすることで、放熱効率をより高めることができる。
【００７８】
また、素子ホルダ１１２の特にダイヤモンドウィンドウ１１１を保持する部分を冷却する冷却機構１５０を備えることで、ファラデー素子１１０の温度をより低く保つことができてもよい。さらに、コントローラ１６０は、温度センサ１５４で検出された値に基づいて冷却機構１５０を制御することで、ファラデー素子１１０の温度を安定させることができてよい。その結果、旋光度θを安定させることができる。
【００７９】
さらに、ファラデー素子１１０の貫通孔１０１ａ内部での位置を制御する旋光度調節機構１４０を備えることで、ファラデー素子１１０に印加される磁場Ｈの磁束密度Ｂを最適な磁束密度に調節することができてよい。その結果、旋光度θをより安定させることができてよい。
【００８０】
６．ファラデー素子の保持構造
つぎに、図８に示されるファラデーローテータ装置２００におけるファラデー素子１１０の保持構造について、以下にその具体例を挙げて説明する。
【００８１】
６．１  ファラデー素子とダイヤモンドウィンドウとがオプティカルコンタクト面を形成する場合
まず、ファラデー素子とダイヤモンドウィンドウとが直接接合してオプティカルコンタクト面を形成する場合を、いくつか例示する。
【００８２】
６．１．１  ファラデー素子の片面にダイヤモンドウィンドウが配置された場合（第１例）
まず、第１例として、ファラデー素子１１０の片面がダイヤモンドウィンドウ１１１とのオプティカルコンタクト面を形成する場合を説明する。図９および図１０は、第１例によるファラデー素子１１０の保持構造を概略的に示す。なお、図９は、レーザ光Ｌ１２の光路を含み且つ冷却水チラー１５２からアーム部１１３先端までの流路の一部を含む面で切断した際の保持構造を示す。図１０は、図９におけるＸ−Ｘ断面を示す。
【００８３】
図９および図１０に示されるように、アーム部１１３の先端部は、ダイヤモンドウィンドウ１１１の外周部が嵌め込まれる溝が形成されるよう構成されていてもよい。ダイヤモンドウィンドウ１１１とファラデー素子１１０との接合面がレーザ光Ｌ１２に対して下流側に位置してもよい。ファラデー素子１１０とダイヤモンドウィンドウ１１１との接合面は、上述したように、オプティカルコンタクト面であるとよい。
【００８４】
冷却水路１５３における流路１５３ａは、アーム部１１３におけるダイヤモンドウィンドウ１１１を保持する部分で、流路１５３ｂに接続されてもよい。流路１５３ｂは、ダイヤモンドウィンドウ１１１の外囲部よりも外の領域において、ダイヤモンドウィンドウ１１１の周囲に沿って設けられてもよい。冷却水チラー１５２への流路１５３ｃは、流路１５３ｂと流路１５３ａとの接続部分の反対側で流路１５３ｂに接続してもよい。
【００８５】
６．１．２  ファラデー素子の両面にそれぞれダイヤモンドウィンドウが配置された場合（第２例）
つぎに、第２例として、ファラデー素子１１０の対向する２面がそれぞれダイヤモンドウィンドウ１１１および１１５とのオプティカルコンタクト面を形成する場合を説明する。図１１および図１２は、第２例によるファラデー素子１１０の保持構造を概略的に示す。なお、図１１は、レーザ光Ｌ１２の光路を含み且つ冷却水チラー１５２からアーム部１１３先端までの流路の一部を含む面の断面を示す。図１２は、図１１におけるＸＩＩ−ＸＩＩ断面を示す。
【００８６】
図１１および図１２に示されるように、アーム部１１３の先端部は、ダイヤモンドウィンドウ１１１および１１５の外周部がそれぞれ嵌め込まれる溝が形成されるよう構成されていてもよい。ダイヤモンドウィンドウ１１１は、ファラデー素子１１０における上流側の主平面と接合していてもよい。ダイヤモンドウィンドウ１１５は、ファラデー素子１１０における下流側の主平面と接合していてもよい。それぞれの接合面は、オプティカルコンタクト面であってよい。その他の構造は、図９および図１０に示される保持構造と同様であってよい。
【００８７】
６．１．３  熱シミュレーション
ここで、上述の第１例および第２例による保持構造それぞれについて、熱シミュレーションを行った結果を説明する。なお、熱シミュレーションでは、ファラデー素子１１０にＩｎＳｂ結晶基板を用い、その厚さを０．２ｍｍとした。また、ダイヤモンドウィンドウ１１１および１１５の厚さをそれぞれ０．２ｍｍとし、冷却機構１５０のターゲット温度を２０℃とした。レーザ光Ｌ１２のビーム径を３ｍｍとし、レーザ光Ｌ１２のダイヤモンドウィンドウ１１１への照射出力を１５０Ｗ（ワット）とした。また、ファラデー素子１１０にダイヤモンドウィンドウを接合しない場合も、参考として熱シミュレーションを行った。
【００８８】
熱シミュレーションした結果では、ファラデー素子１１０にダイヤモンドウィンドウを接合しない場合、ファラデー素子１１０の中心部の温度が８００℃程度まで上昇した。これに対し、ファラデー素子１１０の片面にダイヤモンドウィンドウ１１１を接合した第１例では、ファラデー素子１１０の中心部の温度が３９℃程度に抑えられた。また、ファラデー素子１１０の対向する２面にダイヤモンドウィンドウ１１１および１１５を接合した第２例では、ファラデー素子１１０の中心部の温度を３５℃程度までさらに抑えられた。
【００８９】
以上のように、熱伝導性が高く且つＣＯ２レーザ光（波長１０．６μｍ）を高透過率で透過するダイヤモンドウィンドウ１１１（および１１５）とファラデー素子１１０とをオプティカルコンタクとによって接合してもよい。これにより、ファラデー素子１１０の熱を、ダイヤモンドウィンドウ１１１（および１１５）を介して、効果的に排熱できてもよい。
【００９０】
また、上記熱シミュレーションにおいて、レーザ光Ｌ１２のダイヤモンドウィンドウ１１１への照射出力を３ｋＷとした場合でも、第２例による保持構造では、ファラデー素子１１０の中心部の温度を３５℃程度まで抑えられた。このことから、ファラデー素子１１０の両面にダイヤモンドウィンドウ１１１および１１５を接合した保持構造は、３ｋＷの比較的高い出力のレーザ光Ｌ１２に対しても、ファラデー光アイソレータとして機能することが分かる。なお、この熱シミュレーションでは、ダイヤモンドウィンドウ１１１および１１５の厚さをそれぞれ０．４ｍｍとし、ファラデー素子１１０の厚さを０．１ｍｍとし、ビーム径を１０ｍｍとした。
【００９１】
６．２  ファラデー素子とダイヤモンドウィンドウとの間に膜を挟む場合
つぎに、ファラデー素子とダイヤモンドウィンドウとの間に膜を介在させる場合を、いくつか例示する。
【００９２】
６．２．１  ファラデー素子の片側にダイヤモンドウィンドウが配置された場合（第３例）
まず、第３例として、ファラデー素子１１０の上流側の主平面に反射防止膜（ＡＲコート）を施し、その膜とダイヤモンドウィンドウ１１１とを接合した場合を説明する。図１３および図１４は、第３例によるファラデー素子１１０の保持構造を概略的に示す。なお、図１３は、レーザ光Ｌ１２の光路を含み且つ冷却水チラー１５２からアーム部１１３先端までの流路の一部を含む面の断面を示す。図１４は、図１３におけるＸＩＶ−ＸＩＶ断面を示す。
【００９３】
図１３および図１４に示されるように、ダイヤモンドウィンドウ１１１は、図９および図１０に示される保持構造と同様の構造によって、アーム部１１３の先端に保持されてもよい。ただし、ダイヤモンドウィンドウ１１１とファラデー素子１１０との間には、レーザ光Ｌ１２を高透過率で透過させるための反射防止膜１１７が介在してもよい。反射防止膜１１７とダイヤモンドウィンドウ１１１との接合面は、それぞれオプティカルコンタクト面であってもよい。
【００９４】
また、ダイヤモンドウィンドウ１１１におけるファラデー素子１１０が配された側と反対側の主平面には、レーザ光Ｌ１２を高透過率で透過させるための反射防止膜１１６が施されてもよい。さらに、ファラデー素子１１０におけるダイヤモンドウィンドウ１１１が配された側と反対側の主平面には、レーザ光Ｌ１２を高透過率で透過させるための反射防止膜１１８が施されてもよい。
【００９５】
６．２．２  ファラデー素子の対向する２面にそれぞれダイヤモンドウィンドウが配置された場合（第４例）
つぎに、第４例として、ファラデー素子１１０の２つの主平面にそれぞれダイヤモンドウィンドウ１１１および１１５が配置され、これらの間にそれぞれ反射防止膜を介在させた場合を説明する。図１５および図１６は、第４例によるファラデー素子１１０の保持構造を概略的に示す。なお、図１５は、レーザ光Ｌ１２の光路を含み且つ冷却水チラー１５２からアーム部１１３先端までの流路の一部を含む面の断面を示す。図１６は、図１５におけるＸＶＩ−ＸＶＩ断面を示す。
【００９６】
図１５および図１６に示されるように、ダイヤモンドウィンドウ１１１および１１５は、図１１および図１２に示される保持構造と同様の構造によって、アーム部１１３の先端に保持されてもよい。ただし、ダイヤモンドウィンドウ１１１とファラデー素子１１０との間には、レーザ光Ｌ１２を高透過率で透過させるための反射防止膜１１７が介在してもよい。また、ファラデー素子１１０とダイヤモンドウィンドウ１１５との間には、レーザ光Ｌ１２を高透過率で透過させるための反射防止膜１１８が介在してもよい。各反射防止膜と各ダイヤモンドウィンドウとの接合面は、オプティカルコンタクト面であってよい。
【００９７】
また、ダイヤモンドウィンドウ１１１におけるファラデー素子１１０が配された側と反対側の主平面には、レーザ光Ｌ１２を高透過率で透過させるための反射防止膜１１６が施されてもよい。さらに、ダイヤモンドウィンドウ１１５におけるファラデー素子１１０が配された側と反対側の主平面には、レーザ光Ｌ１２を高透過率で透過させるための反射防止膜１１９が施されてもよい。
【００９８】
以上のように、ダイヤモンドウィンドウ１１１および１１５とファラデー素子１１０との間、およびダイヤモンドウィンドウ１１１および１１５の表面に、それぞれ反射防止膜１１６、１１７、１１８および１１９を設けることで、レーザ光Ｌ１２のフレネル反射を抑制することができてよい。その結果、レーザ光Ｌ１２のファラデーローテータ１００Ａによるロスを低減することができてもよい。
【００９９】
７．レーザ装置とともに用いられるＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置
つぎに、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置について、いくつか例を挙げて説明する。
【０１００】
７．１  例示的なＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置
まず、例示的なＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置について、以下に図面を用いて詳細に説明する。
【０１０１】
７．１．１  構成
図１７は、例示的なレーザ生成プラズマ式ＥＵＶ光生成装置（以下、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置と称する）１０００の構成を概略的に示す。ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１０００は、レーザ装置３と共に用いることができる（ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システムと称する）。図１７に示し、かつ以下に詳細に説明するように、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１０００は、チャンバ２を含むことができる。チャンバ２内は好ましくは真空である。あるいは、チャンバ２の内部にＥＵＶ光の透過率が高いガスが存在していてもよい。また、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１０００は、ターゲット供給システム（例えばドロップレット生成器２６）を更に含むことができる。ターゲット供給システムは、例えばチャンバ２の壁に取り付けられていてもよい。ターゲット供給システムは、ターゲットの材料となるスズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのいずれかの組合せを含むことができるが、ターゲットの材料はこれらに限定されない。
【０１０２】
チャンバ２には、その壁を貫通する少なくとも１つの孔が設けられている。その貫通孔はウィンドウ２１によって塞がれていてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。回転楕円面形状のミラーは、第１の焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成位置（プラズマ生成領域２５）又はその近傍に位置し、その第２の焦点がＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１の設計によって定められたＥＵＶ光の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するよう配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、その貫通孔２４をレーザ光３１が通過することができる。
【０１０３】
再び図１７を参照に、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１０００は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含むことができる。また、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１０００は、ターゲットセンサ４を含むことができる。
【０１０４】
更に、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１０００は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを空間的に接続する接続部２９を含むことができる。接続部２９内部にはアパーチャを備えた壁２９１を含むことができ、そのアパーチャが第２の焦点位置にあるように壁２９１を設置することができる。
【０１０５】
更に、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１０００は、ビームデリバリーシステム３４、レーザ集光光学系２２、ターゲット回収器２８なども含むことができる。
【０１０６】
７．１．２  動作
図１７を参照に、レーザ装置３から出力されたレーザ光３１は、ビームデリバリーシステム３４を経てウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。レーザ光３１は、レーザ装置３から少なくとも１つのレーザビーム経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ集光光学系２２で反射されて少なくとも１つのターゲットに照射されてもよい。
【０１０７】
ドロップレット生成器２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力してもよい。ターゲット２７には、少なくとも１つのレーザ光３１が照射される。レーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光が発生する。なお、１つのターゲット２７に、複数のレーザ光が照射されてもよい。
【０１０８】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム全体の制御を統括することができる。ＥＵＶ光生成制御システム５はターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージ情報等を処理することができる。ＥＵＶ光生成制御システム５はまた、例えばターゲット２７を射出するタイミングの制御、及びターゲット２７の射出方向の制御の少なくとも１つを行うことができる。ＥＵＶ光生成制御システム５は更に、例えばレーザ装置３のレーザ発振タイミングの制御、レーザ光３１の出力エネルギーの制御、進行方向の制御、及び集光位置変更の制御の少なくとも１つを行うことができる。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加することもできる。
【０１０９】
７．２  ファラデー光アイソレータを含むレーザ装置とともに用いられるＥＵＶ光生成装置
つぎに、図１７に示されるＥＵＶ光生成装置１０００に、上述したファラデー光アイソレータ３１０を含むレーザ装置が適用された場合を、図面を参照して詳細に説明する。
【０１１０】
７．２．１  構成
図１８は、図１７に示されるＥＵＶ光生成装置１０００にファラデー光アイソレータ３１０を含むレーザ装置３００Ａが適用されたＥＵＶ光生成装置１０００Ａの構成を概略的に示す。図１８に示されるように、ＥＵＶ光生成装置１０００Ａは、図１７に示されるＥＵＶ光生成装置１０００と同様の構成を備えてもよい。ただし、レーザ装置３がレーザ装置３００Ａに置き換えられてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成制御部５１と、基準クロック生成器５２と、ターゲット制御部５３と、ターゲット生成ドライバ５４と、遅延回路５５とを含んでもよい。
【０１１１】
レーザ装置３００Ａは、図５に示されたレーザ装置３００と同様の構成を備えてもよい。ただし、レーザ装置３００Ａは、最終段の増幅器３２０−ｎから出力されたレーザ光３１のビーム径を拡大するリレー光学系３３０をさらに含んでもよい。
【０１１２】
レーザ装置３００Ａから出力されたレーザ光３１は、ビームデリバリーシステム３４を経て、チャンバ２へ入射してもよい。ビームデリバリーシステム３４は、レーザ光３１を高反射率で反射し得る２つの高反射ミラー３４１および３４２を含んでもよい。
【０１１３】
チャンバ２は、間仕切り８０によって２つの空間に区切られていてもよい。間仕切り８０には、レーザ光３３が通過するための貫通孔８１が設けられてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ミラーホルダ８２を用いて間仕切り８０に固定されてもよい。この際、間仕切り８０の貫通孔８１を通過したレーザ光３１がＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４を通過するように、ＥＵＶ集光ミラー２３が間仕切り８０に対して保持されてもよい。
【０１１４】
間仕切り８０によって区切られた２つの空間のうち、レーザ光３１に対して上流側の空間には、レーザ集光光学系２２に代えて、レーザ集光光学系７０が設けられてもよい。レーザ集光光学系７０は、軸外放物面ミラー７１と高反射ミラー７３とを含んでもよい。軸外放物面ミラー７１で反射されたレーザ光３１は、プラズマ生成領域２５に焦点を持つレーザ光３３となってもよい。高反射ミラー７３は、レーザ光３３をプラズマ生成領域２５に向けて反射してもよい。軸外放物面ミラー７１および高反射ミラー７３は、ミラーホルダ７２および７４によって移動ステージ７５に固定されてもよい。ミラーホルダ７４は、自動アオリ機能を備えていてもよい。移動ステージ７５には、移動機構７６が設けられてもよい。移動機構７６は、移動ステージ７５を、ＸＹＺ方向に移動可能であってもよい。チャンバ２には、プラズマ生成領域２５を通過したレーザ光３３を吸収するビームダンパ８４が設けられてもよい。ビームダンパ８４は、支柱８３によってチャンバ２の内壁に固定されていてもよい。ビームダンパ８４および支柱８３は、ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２のオブスキュレーション領域内に配置されているとよい。
【０１１５】
７．２．２  動作
つづいて、図１８に示されるＥＵＶ光生成装置１０００Ａの動作を説明する。ＥＵＶ光生成装置１０００Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５の制御にしたがって動作してもよい。
【０１１６】
ＥＵＶ光生成制御部５１は、露光装置制御部６１などの外部装置から、ＥＵＶ光２５２の生成を要求するＥＵＶ光生成信号と、ＥＵＶ光２５２の生成位置を指定する情報とを受信してもよい。
【０１１７】
ターゲット生成ドライバ５４は、ＥＵＶ光生成制御部５１からの制御信号にしたがって、ドロップレット生成器２６へ駆動信号を送信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５１は、ドロップレット生成器２６から出力されたターゲット２７がレーザ光３３の照射タイミングにおいて所望の位置に到達するように、ターゲット生成ドライバ５４に制御信号を送信してもよい。
【０１１８】
ドロップレット生成器２６から出力されたターゲット２７が所定位置を通過すると、ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の所定位置の通過タイミングを検出してもよい。ターゲットセンサ４による検出結果は、通過タイミング検出信号として、ターゲット制御部５３を経由して遅延回路５５に入力されてもよい。
【０１１９】
遅延回路５５は、ターゲット２７がレーザ光３３に照射されるように、通過タイミング検出信号を基準とした遅延時間を設定してもよい。これにより、レーザ装置３００Ａには、通過タイミング検出信号に対して遅延時間分遅れたタイミングで、レーザ発振を行なうトリガ信号が入力されてもよい。遅延回路５５が設定する遅延時間は、ＥＵＶ光生成制御部５１によって保持されていてもよい。
【０１２０】
トリガ信号が遅延回路５５を介してレーザ装置３００Ａに入力されると、レーザ装置３００Ａからレーザ光３１が出力されてもよい。このレーザ光３１は、２つの高反射ミラー３４１および３４２を経由して、ウィンドウ２１を介してチャンバ２内に進入してもよい。チャンバ２内に入射したレーザ光３１は、レーザ集光光学系７０の軸外放物面ミラー７１および高反射ミラー７３を経由して、プラズマ生成領域２５のターゲット２７にレーザ光３３として集光されてもよい。
【０１２１】
ターゲット２７にレーザ光３３が集光されると、ターゲット２７がプラズマ化し得る。このプラズマからは、ＥＵＶ光２５２を含む光２５１が放射し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、光２５１のうちＥＵＶ光２５２を選択的に反射してもよい。反射されたＥＵＶ光２５２は、接続部２９内の中間焦点（ＩＦ）２９２に一旦集光した後、露光装置６内に進入してもよい。
【０１２２】
７．２．３  作用
以上のＥＵＶ光生成装置１０００Ａに、ファラデー光アイソレータ３１０を備えたレーザ装置３００Ａを組み合わせることで、増幅器３２０の自励発振やチャンバ２からの戻り光などによるレーザ装置３００Ａの破損を低減することができてよい。その結果、安定したＥＵＶ光２５２の生成ができてよい。
【０１２３】
なお、ファラデー光アイソレータ３１０は、レーザ光Ｌ１１のパルスエネルギーがたとえば３ｋＷ以下である光路上に配置されてもよい。レーザ光Ｌ１１のパルスエネルギーがたとえば３ｋＷ以上となる光路上には、ファラデー光アイソレータ３１０の代わりに、たとえば可飽和吸収体（ＳＦ６ガス、ＣＯ２ガスセル等）を用いて構成された光アイソレータが配置されてもよい。
【０１２４】
８．ＥＵＶ光生成装置の設置例
つぎに、上述したファラデー光アイソレータ３１０を含むレーザ装置が適用されたＥＵＶ光生成装置の設置例を、図面を用いて詳細に説明する。図１９は、ＥＵＶ光生成装置１０００Ｂの設置例を概略的に示す。なお、図１９では、ＥＵＶ光生成制御システム５が省略され、チャンバ２の構成が簡略化されて図示されている。その他の不図示の構成については、図１７または図１８に示される構成と同様であってよい。また、図１９では、説明の都合上、便宜的に偏光子によって反射された光の進行方向を、この偏光子に入射した光の光路の延長方向として図示している。
【０１２５】
図１９に示されるように、ＥＵＶ光生成装置１０００Ｂは、レーザ装置３００Ｂとともに用いられてもよい。レーザ装置３００Ｂは、マスタオシレータ３０１とビームデリバリーユニットＢＤＵ１〜ＢＤＵ３と、増幅器３２０ａ〜３２０ｃとを備えてもよい。ＥＵＶ光生成装置１０００Ｂは、ビームデリバリーシステム３４と、チャンバ２とを含んでもよい。
【０１２６】
ビームデリバリーユニットＢＤＵ１は、高反射ミラーＭ１１、Ｍ１２およびＭ１３と、偏光ビームスプリッタＢ１１と、偏光子Ｂ１２と、ファラデーローテータ１００ａと、λ／４板Ｕ１１とを含んでもよい。マスタオシレータ３０１からは、図１９の紙面に対して垂直な偏光方向のレーザ光Ｌ１１ａが出力されてもよい。このレーザ光Ｌ１１ａは、高反射ミラーＭ１１で反射されることで、偏光ビームスプリッタＢ１１にＳ偏光で入射してもよい。その場合、レーザ光Ｌ１１ａは、偏光ビームスプリッタＢ１１によってレーザ光Ｌ１２ａとして高反射率で反射され得る。反射されたレーザ光Ｌ１２ａは、ファラデーローテータ１００ａに入射してもよい。ファラデーローテータ１００ａは、レーザ光Ｌ１２ａの偏光方向を、光路を中心とした回転方向へ４５°回転させてもよい。回転方向は、たとえばレーザ光Ｌ１２ａの進行方向上流側から見て時計回りの方向であってもよい。
【０１２７】
偏光方向が回転されたレーザ光Ｌ１２ａは、レーザ光１３ａとして、ファラデーローテータ１００ａから出射してもよい。このレーザ光Ｌ１３ａは、偏光子Ｂ１２に入射してもよい。偏光子Ｂ１２は、偏光方向がレーザ光Ｌ１３ａの進行方向上流側から見て時計回りに４５°傾いた光を高反射率で反射するように配置されていてもよい。その場合、レーザ光Ｌ１３ａは、偏光子Ｂ１２によってレーザ光Ｌ１４ａとして高反射率で反射され得る。
【０１２８】
偏光子Ｂ１２で反射されたレーザ光Ｌ１４ａは、光学リターダとしてのλ／４板Ｕ１１に入射してもよい。λ／４板Ｕ１１は、レーザ光Ｌ１４ａの偏光方向を、レーザ光Ｌ１４ａの進行方向上流側から見て反時計回りに４５°回転させてもよい。その結果、λ／４板Ｕ１１からは、図１９の紙面に対して垂直な偏光方向のレーザ光Ｌ１５ａが出射し得る。
【０１２９】
レーザ光Ｌ１５ａは、増幅器３２０ａに入射してもよい。増幅器３２０ａは、２つの入出射ウィンドウと増幅領域とを含んでもよい。一方の入出射ウィンドウから入射したレーザ光Ｌ１５ａは、増幅器３２０ａ内の増幅領域を通過する際に増幅され、その後、他方の入出射ウィンドウから出力されてもよい。他方の入出射ウィンドウから出射したレーザ光Ｌ１５ａの光路は、高反射ミラーＭ１２によって折り返されてもよい。その結果、高反射ミラーＭ１２で反射されたレーザ光Ｌ１５ａは、他方の入出射ウィンドウから再び増幅器３２０ａ内に進入し、増幅領域を通過することで増幅されてもよい。
【０１３０】
２度増幅されたレーザ光Ｌ１５ａは、一方の入出射ウィンドウから出射し、λ／４板Ｕ１１に入射してもよい。λ／４板Ｕ１１は、レーザ光Ｌ１５ａの偏光方向を、レーザ光Ｌ１５ａの進行方向上流側から見て反時計回りに４５°回転させてもよい。その結果、λ／４板Ｕ１１からは、レーザ光Ｌ１４ａと同じ偏光方向のレーザ光Ｌ１６ａが出射してもよい。
【０１３１】
λ／４板Ｕ１１から出射したレーザ光Ｌ１６ａは、偏光子Ｂ１２によってレーザ光Ｌ１７ａとして高反射率で反射され得る。このレーザ光Ｌ１７ａは、ファラデーローテータ１００ａに入射してもよい。ファラデーローテータ１００ａは、レーザ光Ｌ１７ａの偏光方向を、レーザ光Ｌ１７ａの進行方向上流側から見て反時計回りに４５°回転させてもよい。この回転方向は、レーザ光Ｌ１２ａに対する回転方向と同一方向であってよい。その結果、ファラデーローテータ１００ａからは、図１９の紙面に対して平行な偏光方向のレーザ光Ｌ１８ａが出射し得る。
【０１３２】
ファラデーローテータ１００ａから出射したレーザ光Ｌ１８ａは、偏光ビームスプリッタＢ１１にＰ偏光で入射してもよい。偏光ビームスプリッタＢ１１は、Ｐ偏光のレーザ光Ｌ１８ａを、レーザ光Ｌ１９ａとして高透過率で透過し得る。その後、レーザ光Ｌ１９ａは、高反射ミラーＭ１３で反射されることで、レーザ光Ｌ１１ｂとしてビームデリバリーユニットＢＤＵ１から出射し、ビームデリバリーユニットＢＤＵ２に入射してもよい。
【０１３３】
ビームデリバリーユニットＢＤＵ２は、高反射ミラーＭ２１およびＭ２２と、λ／２板Ｕ２１とを含んでもよい。ビームデリバリーユニットＢＤＵ２に入射したレーザ光Ｌ１１ｂは、高反射ミラーＭ２１で反射されて、λ／２板Ｕ２１に入射してもよい。λ／２板Ｕ２１は、レーザ光Ｌ１１ｂの偏光方向を、レーザ光Ｌ１１ｂの進行方向上流側から見て時計回りに９０°回転させてもよい。その結果、λ／２板Ｕ２１からは、図１９の紙面と垂直な偏光方向のレーザ光Ｌ１２ｂが出射し得る。
【０１３４】
レーザ光Ｌ１２ｂは、増幅器３２０ｂに入射してもよい。増幅器３２０ｂは、増幅器３２０ａと同様の構成であってよい。増幅器３２０ｂに入射したレーザ光Ｌ１２ｂは、増幅器３２０ｂ内部で増幅されてもよい。その後、増幅器３２０ｂから出射した増幅後のレーザ光Ｌ１２ｂは、高反射ミラーＭ２２で反射されることで、レーザ光Ｌ１１ｃとしてビームデリバリーユニットＢＤＵ２から出射し、ビームデリバリーユニットＢＤＵ３に入射してもよい。
【０１３５】
ビームデリバリーユニットＢＤＵ３は、高反射ミラーＭ３１およびＭ３２と、偏光子Ｂ３１およびＢ３２と、ファラデーローテータ１００ｃと、λ／４板Ｕ３１とを含んでもよい。ビームデリバリーユニットＢＤＵ３に入射したレーザ光Ｌ１１ｃは、高反射ミラーＭ３１で反射されて、偏光子Ｂ３１にＳ偏光で入射してもよい。その場合、レーザ光Ｌ１１ｃは、偏光子Ｂ３１によってレーザ光Ｌ１２ｃとして高反射率で反射され得る。反射されたレーザ光Ｌ１２ｃは、ファラデーローテータ１００ｃに入射してもよい。ファラデーローテータ１００ｃは、レーザ光Ｌ１２ｃの偏光方向を、光路を中心とした回転方向へ４５°回転させてもよい。回転方向は、たとえばレーザ光Ｌ１２ｃの進行方向上流側から見て時計回りの方向であってもよい。
【０１３６】
偏光方向が回転されたレーザ光Ｌ１２ｃは、レーザ光１３ｃとして、ファラデーローテータ１００ｃから出射してもよい。このレーザ光Ｌ１３ｃは、偏光子Ｂ３２に入射してもよい。偏光子Ｂ３２は、偏光方向がレーザ光Ｌ１３ｃの進行方向上流側から見て時計回りに４５°傾いた光を反射するように配置されていてもよい。その場合、レーザ光Ｌ１３ｃは、偏光子Ｂ３２によってレーザ光Ｌ１４ｃとして高反射率で反射され得る。
【０１３７】
偏光子Ｂ３２のミラーで反射されたレーザ光Ｌ１４ｃは、光学リターダとしてのλ／４板Ｕ３１に入射してもよい。λ／４板Ｕ３１は、レーザ光Ｌ１４ｃの偏光方向を、レーザ光Ｌ１４ｃの進行方向上流側から見て反時計回りに４５°回転させてもよい。その結果、λ／４板Ｕ３１からは、図１９の紙面に対して垂直な偏光方向のレーザ光Ｌ１５ｃが出射し得る。
【０１３８】
レーザ光Ｌ１５ｃは、増幅器３２０ｃに入射してもよい。増幅器３２０ｃは、増幅器３２０ａと同様の構成であってよい。増幅器３２０ｃに入射したレーザ光Ｌ１５ｃは、増幅器３２０ｃ内部で増幅されてもよい。その後、増幅器３２０ｃから出射した増幅後のレーザ光Ｌ１５ｃは、高反射ミラーＭ３２で反射されることで、レーザ光３１としてレーザ装置３００Ｂから出射してもよい。レーザ装置３００Ｂから出射したレーザ光３１は、たとえば高反射ミラー３４１を含むビームデリバリーシステム３４を経由して、チャンバ２に入射してもよい。
【０１３９】
９．その他
９．１  増幅器（ＰＡ）の実施形態
ここで、上述した実施の形態における増幅器３２０の構成例を、以下にいくつかの例を挙げて説明する。
【０１４０】
９．１．１  高速軸流型増幅器
図２０は、高速軸流型増幅器１３２０の構成を概略的に示す。図２０に示されるように、高速軸流型増幅器１３２０は、放電管４１１と、入射ウィンドウ４１２と、出射ウィンドウ４１３と、２つの電極４１４および４１５と、ＲＦ電源４１６と、ガス管４１７と、熱交換器４１８と、送風機４１９と、を備えてもよい。増幅対象のレーザ光Ｌ１４は、入射ウィンドウ４１２から入射し、放電管４１１内を通過して、出射ウィンドウ４１３から出射してもよい。放電管４１１内では、ガス管４１７および送風機４１９によって、ガス状の増幅媒体が循環していてもよい。放電管４１１を挟む位置に配置された２つの電極４１４および４１５にＲＦ電源４１６からＲＦ電圧が印加されることで、放電管４１１内の増幅媒体が励起され得る。それにより、放電管４１１内部を通過するレーザ光３１が増幅され得る。なお、放電により増幅媒体に蓄積される熱は、ガス管４１７上に配置された熱交換器４１８によって放熱されてもよい。
【０１４１】
９．１．２  スラブ型増幅器
図２１は、スラブ型増幅器２３２０の構成を概略的に示す。なお、図２１では、内部構成を示すため、スラブ型増幅器２３２０の外部筐体（気密容器）の図示を省略する。図２１に示されるように、スラブ型増幅器２３２０は、入力側ウィンドウ５１１と、互いに対向する２つの放電電極５１５および５１６と、２つの凹面ミラー５１３および５１４と、出力側ウィンドウ５１２と、を備えてもよい。一方の放電電極５１６はたとえば接地されていてもよい。他方の放電電極５１５には、たとえばＲＦ電源５１８からＲＦ電圧が印加されてもよい。この２つの放電電極５１５および５１６の間には、ガス状の増幅媒体が充填されていてもよい。放電電極５１５へ電圧を印加することで、放電電極５１５および５１６の間の空間に、放電領域５１７が形成され得る。放電領域５１７では、放電により増幅媒体が励起されていてもよい。レーザ光Ｌ１４は、入力側ウィンドウ５１１を介してスラブ型増幅器２３２０に入射してもよい。２つの凹面ミラー５１３および５１４は、入射したレーザ光Ｌ１４を反射してもよい。反射されたレーザ光Ｌ１４は、放電領域５１７内を往復してもよい。レーザ光Ｌ１４は、放電領域５１７を通過する際にエネルギーを付与されて増幅され得る。その後、増幅されたレーザ光Ｌ１４は、出力側ウィンドウ５１２より出力されてもよい。２つの放電電極５１５および５１６内には、不図示の冷却装置から供給された冷却媒体５１９が流れる流路が形成されていてもよい。冷却装置から供給された冷却媒体５１９は、放電電極５１５および５１６内の不図示の内部流路を通過する際に、放電電極５１５および５１６内の、放電によって蓄積された熱を奪い、その後、排水５２０として放電電極５１５および５１６から流出してもよい。
【０１４２】
９．１．３  ３軸直交型増幅器
図２２は、３軸直交型増幅器３３２０の概略構成を示す。図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線における断面図を示す。図２２および図２３に示すように、３軸直交型増幅器３３２０は、チャンバ６１１と、入射ウィンドウ６１２と、出射ウィンドウ６１３と、対向する２つの電極６１４および６１５と、クロスフローファン６１７と、熱交換器６２２と、を備えてもよい。チャンバ６１１内部には、ガス状の増幅媒体が充填されていてもよい。２つの電極６１４および６１５は、ＲＦ電源６２１に接続されていてもよい。ＲＦ電源６２１を用いて２つの電極６１４および６１５間にＲＦ電圧が印加されることで、２つの電極６１４および６１５間の増幅媒体が励起され得る。これにより、２つの電極６１４および６１５間の空間に、増幅領域６１６が形成され得る。入射ウィンドウ６１２を介して入射したレーザ光Ｌ１４は、２つの電極６１４および６１５間の増幅領域６１６を通過する際に増幅され、その後、出射ウィンドウ６１３から出射してもよい。クロスフローファン６１７は、チャンバ６１１外部または内部に設けられた回転軸６１９を介してモータ６１８と連結されていてもよい。モータ６１８を駆動してクロスフローファン６１７を回転させることで、チャンバ６１１内部で増幅媒体が循環し得る。放電によって増幅媒体に蓄積された熱は、循環過程において熱交換器６２２を通過する際に、熱交換器６２２によって奪われてもよい。
【０１４３】
９．２  発振器（ＭＯ）の実施形態
つぎに、上述した実施の形態におけるマスタオシレータ３０１の構成例を、以下にいくつかの例を挙げて説明する。
【０１４４】
９．２．１  ＣＯ２ガスレーザ
図２４は、マスタオシレータ３０１に適用され得るＣＯ２ガスレーザ３０１Ａの構成を概略的に示す。図２４に示されるように、ＣＯ２ガスレーザ３０１Ａは、２つの共振器ミラー７０１および７０５と、チャンバ７０２と、偏光ビームスプリッタ７０３と、ポッケルスセル７０４とを含んでもよい。チャンバ７０２、偏光ビームスプリッタ７０３およびポッケルスセル７０４は、２つの共振器ミラー７０１および７０５が形成する共振器内の光路上に順番に配置されてもよい。チャンバ７０２内には、ＣＯ２ガスを主たる増幅媒体として含むレーザガスが充填されていてもよい。
【０１４５】
ＣＯ２ガスレーザ３０１Ａは、図示しない電源等からエネルギーの供給を受け、増幅器３２０が持つ増幅波長領域に含まれる波長のレーザ光Ｌ１１−１を出力し得る。そのため、ＣＯ２ガスレーザ３０１Ａがマスタオシレータ３０１として用いられることで、レーザ装置３００の増幅効率を向上させることができてよい。なお、ＣＯ２ガスレーザ３０１Ａから出力されたレーザ光Ｌ１１−１は、高反射ミラーＭ１で反射された後、ファラデー光アイソレータ３１０および増幅器３２０に順次光路に沿って入射し、その後、レーザ光Ｌ３１としてレーザ装置３００から出射してもよい。
【０１４６】
９．２．２  分布帰還型レーザ
図２５は、マスタオシレータ３０１に適用され得る量子カスケードレーザ３０１Ｂの構成を概略的に示す。量子カスケードレーザ３０１Ｂは、図２５に示されるような分布帰還型（ＤＦＢ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  ｆｅｅｄｂａｃｋ）レーザであってもよい。図２５に示されるように、量子カスケードレーザ３０１Ｂは、活性層８０２付近にグレーティング８０４が形成された構成を備えてもよい。たとえば、グレーティング８０４は、活性層８０２の下または上に形成されてもよい。このような構成を備えた量子カスケードレーザ３０１Ｂでは、その反射率が最大になる波長が一般に次の式（２）で表現され得る。
λ＝λｂ±δλ      ・・・（２）
【０１４７】
式（２）において、λｂ＝２ｎΛ／ｍはブラッグ反射する波長、Λはグレーティングの周期、ｍは回折次数を表す。また、選択波長幅２δλはグレーティング８０４の溝深さやレーザの共振器長等によって決定される値である。このグレーティング８０４による選択波長幅２δλが量子カスケードレーザ３０１Ｂの共振器長による縦モードを１本選択するように設計することにより、量子カスケードレーザ３０１Ｂがシングル縦モードで発振し得る。このシングル縦モードの発振波長およびシングル縦モードの制御では、量子カスケードレーザ３０１Ｂの温度がペルチェ素子８０５等によって制御されてもよい。これにより、量子カスケードレーザ３０１Ｂの発振波長を増幅器３２０の増幅領域の１つの増幅波長領域に安定化させることができてよい。この結果、レーザ光Ｌ１４の効率的な増幅ができてよい。
【０１４８】
また、本実施の形態において、グレーティング８０４の選択波長幅２δλが複数の増幅波長領域を選択できる波長選択幅となるように、活性層８０２の上または下にグレーティング８０４を形成してもよい。また、量子カスケードレーザ３０１Ｂの共振器長による縦モードの波長間隔ＬＦＳＲを０．０２０６μｍとしてもよい。このような構成とすることで、量子カスケードレーザ３０１Ｂをマルチ縦モードで発振させることができてよい。たとえば、７本（複数）の増幅器３２０の増幅波長領域で同時に発振することが可能な量子カスケードレーザ３０１Ｂを作製できる。この場合の縦モード制御は、量子カスケードレーザ３０１Ｂの温度をペルチェ素子８０５等で高精度に温度制御することによって行ってよい。この構成によれば、外部共振器中にエタロンやグレーティングを配置する必要がなく、コンパクトで、高出力で、且つ発振レーザ光のスペクトルを容易に安定化することができてよい。
【０１４９】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１５０】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１５１】
１００、１００Ａ  ファラデーローテータ
１０１、１０２  リング状磁石
１１０  ファラデー素子
１１１、１１５  ダイヤモンドウィンドウ
１１２  素子ホルダ
１１３  アーム部
１１４  ベース部
１１６〜１１９  反射防止膜
１４０  旋光度調節機構
１４１  移動機構
１４２  移動ステージ
１５０  冷却機構
１５１  温度コントローラ
１５２  冷却水チラー
１５３  冷却水路
１５３ａ〜１５３ｃ  流路
１５４  温度センサ
１６０  コントローラ
１２０、１３０、１２１、１２２、１３１、１３２  偏光子
１２０ａ、１３０ａ  面
１２０Ａ、１３０Ａ  偏光フィルタ
２００  ファラデーローテータ装置
３００、３００Ａ、３００Ｂ  レーザ装置
３０１  マスタオシレータ
３０２  レーザコントローラ
３１０、３１０−１〜３１０−ｎ、３１０Ａ  ファラデー光アイソレータ
３２０、３２０−１〜３２０−ｎ、３２０Ａ、３２０Ｂ  増幅器
３２１、３２１−１〜３２１−ｎ  電源
１０００、１０００Ａ、１０００Ｂ  ＥＵＶ光生成装置
Ｈ  磁場
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ１１、Ｌ１１−１〜Ｌ１１−ｎ、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４、Ｌ１４−１〜Ｌ１４−ｎ、Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、３１、３３  レーザ光
【図１】
2013218286.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2013218286.tif 000025
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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