(57)【要約】【課題】最上層にヒ素を含む半導体積層をドライエッチングして半導体メサを形成する工程を含む光半導体素子の製造方法であって、製造時の歩留まりの低下を抑制することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】本発明の光半導体素子の製造方法は、半導体積層１１を半導体基板１上に形成する工程Ｓ１と、コンタクト層９の表面９Ｓの一部を覆うようにコンタクト層９の表面９Ｓ上にマスク層１５を形成する工程Ｓ３と、半導体積層１１のコンタクト層９の表面９Ｓを酸素含有雰囲気に暴露するＳ５と、半導体積層１１を加熱する工程Ｓ７ａと、マスク層１５を用いて半導体積層１１をドライエッチング法によってエッチングすることにより、半導体積層１１に半導体メサＭを形成する工程Ｓ９とを備える。半導体積層１１のコンタクト層９は、ヒ素を含み、加熱工程Ｓ７ａでは、半導体積層１１を２５０℃以上の温度まで加熱する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体層からなる半導体積層を半導体基板上に形成する半導体積層形成工程と、
前記半導体積層の最上層の表面の一部を覆うように当該最上層の当該表面上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記半導体積層の前記最上層の前記表面を、酸素含有雰囲気に暴露する暴露工程と、
前記暴露工程の後に、前記半導体積層を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程の後に、前記マスク層を用いて前記半導体積層をドライエッチング法によってエッチングすることにより、前記半導体積層に半導体メサを形成するドライエッチング工程と、を備え、
前記半導体積層の前記複数の半導体層の前記最上層は、ヒ素を含み、
前記加熱工程では、前記半導体積層を２５０℃以上の温度まで加熱することを特徴とする光半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記暴露工程の後かつ前記加熱工程の前に、前記半導体積層を減圧雰囲気下で保持する減圧工程をさらに備え、
前記減圧工程の終了時から前記ドライエッチング工程の終了時までの間、前記半導体積層は減圧雰囲気下で保持されることを特徴とする請求項１に記載の光半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記加熱工程は、前記半導体積層を、窒素雰囲気下、アルゴン雰囲気下、又は、ヘリウム雰囲気下で保持した状態で行われることを特徴とする請求項１に記載の光半導体素子の製造方法。
【請求項４】
複数の半導体層からなる半導体積層を半導体基板上に形成する半導体積層形成工程と、
前記半導体積層の最上層の表面の一部を覆うように当該最上層の当該表面上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記半導体積層の前記最上層の前記表面を、酸素含有雰囲気に暴露する暴露工程と、
前記暴露工程の後に、前記半導体積層の前記最上層の前記表面上にエッチング液を供給するエッチング液供給工程と、
前記エッチング液供給工程の後に、前記マスク層を用いて前記半導体積層をドライエッチング法によってエッチングすることにより、前記半導体積層に半導体メサを形成するドライエッチング工程と、
を備え、
前記半導体積層の前記複数の半導体層の前記最上層は、ヒ素を含み、
前記エッチング液供給工程で用いられる前記エッチング液は、アンモニア水、硫酸水、又は、バッファードフッ酸を含むことを特徴とする光半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記ドライエッチング工程では、ヨウ化水素（ＨＩ）を含むガス、又は、塩素を含むガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、前記半導体積層をエッチングすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、半導体メサを有する半導体レーザ素子の製造方法が記載されている。この製造方法は、半導体基板上に形成された半導体積層構造を準備する工程と、半導体積層構造の表面の一部をマスクしてから当該半導体積層構造をエッチングすることにより所定形状の半導体メサを形成する工程と、半導体基板が載置されたサセプタを回転させながら当該サセプタ上に各原料ガスを供給することにより、半導体メサの両側に埋め込み成長層を形成する工程と、を備えている。このような半導体レーザ素子の製造方法によれば、半導体メサに対して良好な結晶埋め込み成長を行うことができることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−３０６６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体レーザ素子等の半導体メサを有する光半導体素子を製造する際には、一般的に、上記特許文献１に記載されているように、半導体基板上に半導体レーザ素子等のための半導体積層を有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）等のエピタキシャル成長法で形成した後に、その半導体積層の表面の一部を覆うように当該表面上にストライプ状のマスク層を形成する。そして、このマスク層を用いて半導体積層を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法等によってドライエッチングすることにより、半導体積層に半導体メサを形成する。
【０００５】
しかしながら、半導体積層の最上層がヒ素（Ａｓ）を含んだ層（例えば、ＩｎＧａＡｓ層）である場合、上述のような従来の製造方法で半導体メサを形成すると以下のような問題が発生し得ることを、本発明者は見出した。
【０００６】
即ち、一般的に、半導体積層上へマスク層を形成する工程と、このマスク層を用いて半導体積層をドライエッチングして当該半導体積層の半導体メサを形成する工程とは別々の装置を用いて実施されるため、これらの工程の間において、半導体積層の最上面の表面は大気雰囲気等の酸素含有雰囲気に暴露されることが多い。その場合、当該最上層中のヒ素と酸素含有雰囲気中の酸素（Ｏ２）とが反応し、最上層の表面上にヒ素酸化物が不均一な態様で形成されることを、発明者は見出した。具体的には、最上層の表面上に、例えば粒子状のヒ素酸化物が形成されることを、発明者は見出した。
【０００７】
このような状態で半導体メサを形成するために半導体積層をドライエッチングすると、半導体積層のうち、当該ヒ素酸化物によって覆われた領域がエッチングされ難くなる。そのため、半導体メサを形成するために本来であればドライエッチングによって半導体積層が除去されるべき領域に、当該ヒ素酸化物の下方に残存した半導体積層の一部からなる残渣部が、例えば柱状に形成されてしまうことを、発明者は見出した。
【０００８】
このような残渣部は、半導体積層から分離して汚染源となったり、半導体メサを埋め込む埋め込み層を成長させる際に当該埋め込み層の異常成長の原因となったりする。そのため、このような残渣部が存在すると、半導体レーザ素子等の光半導体素子の製造時の歩留まりが低下してしまう。上記特許文献１には、このような残渣部や、それに起因した歩留まりの低下については記載されていない。
【０００９】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、最上層にヒ素を含む半導体積層をドライエッチングして半導体メサを形成する工程を含む光半導体素子の製造方法であって、製造時の歩留まりの低下を抑制することが可能な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の課題を解決するため、本発明に係る光半導体素子の製造方法は、複数の半導体層からなる半導体積層を半導体基板上に形成する半導体積層形成工程と、この半導体積層の最上層の表面の一部を覆うように最上層の表面上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、半導体積層の最上層の表面を、酸素含有雰囲気に暴露する暴露工程と、暴露工程の後に、半導体積層を加熱する加熱工程と、加熱工程の後に、上記マスク層を用いて半導体積層をドライエッチング法によってエッチングすることにより、半導体積層に半導体メサを形成するドライエッチング工程と、を備え、半導体積層の複数の半導体層の前記最上層は、ヒ素を含み、加熱工程では、半導体積層を２５０℃以上の温度まで加熱することを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る光半導体素子の製造方法によれば、暴露工程において半導体積層の最上層内のヒ素と酸素雰囲気中の酸素とが反応して当該最上層の表面に不均一な態様でヒ素酸化物が形成されても、加熱工程において半導体積層を２５０℃以上の温度まで加熱すれば、当該ヒ素酸化物の一部又は全部を除去することが可能であることを本発明者は見出した。これにより、ドライエッチング工程で半導体積層に半導体メサを形成する際に、当該ヒ素酸化物の下方に半導体積層が残存して残渣部が形成されることを抑制することができる。その結果、光半導体素子の製造時において、当該残渣部に起因して歩留まりが低下することを抑制することができる。
【００１２】
さらに、本発明に係る光半導体素子の製造方法は、暴露工程の後かつ加熱工程の前に、半導体積層を減圧雰囲気下で保持する減圧工程をさらに備え、減圧工程の終了時からドライエッチング工程の終了時までの間、半導体積層は減圧雰囲気下で保持されることが好ましい。これにより、加熱工程において半導体積層の最上層の表面上のヒ素酸化物が除去された後からドライエッチング工程が終了するまでの間に、当該最上層の表面上に再びヒ素酸化物が形成されることを抑制することができる。その結果、光半導体素子の製造時において、当該残渣部に起因して歩留まりが低下することを、さらに抑制することができる。
【００１３】
また、本発明に係る光半導体素子の製造方法では、加熱工程は、半導体積層を、窒素雰囲気下、アルゴン雰囲気下、又は、ヘリウム雰囲気下で保持した状態で行われることが好ましい。これにより、加熱工程において半導体積層の最上層の表面上のヒ素酸化物が除去された後に、当該最上層の表面上に再びヒ素酸化物が形成されることを抑制することができる。その結果、光半導体素子の製造時において、当該残渣部に起因して歩留まりが低下することを、さらに抑制することができる。
【００１４】
上述の課題を解決するため、本発明の他の態様に係る光半導体素子の製造方法は、複数の半導体層からなる半導体積層を半導体基板上に形成する半導体積層形成工程と、半導体積層の最上層の表面の一部を覆うように最上層の表面上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、半導体積層の最上層の表面を、酸素含有雰囲気に暴露する暴露工程と、暴露工程の後に、半導体積層の最上層の表面上にエッチング液を供給するエッチング液供給工程と、エッチング液供給工程の後に、上記マスク層を用いて半導体積層をドライエッチング法によってエッチングすることにより、半導体積層に半導体メサを形成するドライエッチング工程と、を備え、半導体積層の複数の半導体層の最上層は、ヒ素を含み、エッチング液供給工程で用いられる上記エッチング液は、アンモニア水、硫酸水、又は、バッファードフッ酸を含むことを特徴とする。
【００１５】
本発明の他の態様に係る光半導体素子の製造方法によれば、暴露工程において半導体積層の最上層内のヒ素と酸素雰囲気中の酸素とが反応して当該最上層の表面に不均一な態様でヒ素酸化物が形成されても、エッチング液供給工程においてアンモニア水、硫酸水、又は、バッファードフッ酸を含むエッチング液を半導体積層の最上層の表面上に供給すれば、当該ヒ素酸化物の一部又は全部を除去することが可能であることを本発明者は見出した。これにより、ドライエッチング工程で半導体積層に半導体メサを形成する際に、当該ヒ素酸化物の下方に半導体積層が残存して残渣部が形成されることを抑制することができる。その結果、光半導体素子の製造時において、当該残渣部に起因して歩留まりが低下することを抑制することができる。
【００１６】
さらに、本発明の上述のいずれかの態様に係る光半導体素子の製造方法において、ドライエッチング工程では、ヨウ化水素（ＨＩ）を含むガス、又は、塩素を含むガス（たとえば塩素Ｃｌ２、四塩化珪素ＳｉＣｌ４、三塩化ホウ素ＢＣｌ３のうち少なくとも1つのガスを含むガス）を用いた反応性イオンエッチング法によって、半導体積層をエッチングすることが好ましい。
【００１７】
ヒ素酸化物は、ヨウ化水素（ＨＩ）を含むガス、又は、塩素を含むガスを用いた反応性イオンエッチング法によるドライエッチングではエッチングされ難い。そのため、ドライエッチング工程直前において半導体積層の最上層の表面にヒ素酸化物が存在していると、ドライエッチング工程後にヒ素酸化物の下方に半導体積層が残存して残渣部が特に形成され易くなる。しかし、本発明の上述のいずれかの態様に係る光半導体素子の製造方法においては、加熱工程又はエッチング液供給工程においてヒ素酸化物の一部又は全部を除去することが可能である。そのため、ドライエッチング工程でヨウ化水素（ＨＩ）を含むガス、又は、塩素を含むガスを用いた反応性イオンエッチング法によって半導体積層をエッチングする場合、残渣部に起因して歩留まりが低下することを抑制するという本発明に係る光半導体素子の製造方法による効果が特に有効に発揮される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、最上層にヒ素を含む半導体積層をドライエッチングして半導体メサを形成する工程を含む光半導体素子の製造方法であって、製造時の歩留まりの低下を抑制することが可能な製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】半導体積層形成工程を説明するための断面図である。
【図３】マスク層形成工程の一例を説明するための断面図である。
【図４】マスク層形成工程の一例を説明するための断面図である。
【図５】マスク層形成工程及び暴露工程を説明するための断面図である。
【図６】実施例１のコンタクト層９の表面９Ｓの走査型電子顕微鏡像を示す図である。
【図７】実施例１、２及び比較例１のヒ素酸化物の個数の大気雰囲気暴露時間依存性の測定結果を示す図である。
【図８】加熱工程の一例を説明するための断面図である。
【図９】実施例３〜６及び比較例２〜４のヒ素酸化物の除去率の半導体積層加熱温度依存性の測定結果を示す図である。
【図１０】実施例５における、ヒ素除去率と加熱工程Ｓ７ａでの加熱時間との関係についての測定結果を示す図である。
【図１１】ドライエッチング工程を説明するための断面図である。
【図１２】反応性イオンエッチング装置の断面構造の模式図である。
【図１３】埋め込み層形成工程を説明するための断面図である。
【図１４】電極形成工程を説明するための断面図である。
【図１５】第２実施形態の減圧工程及び加熱工程Ｓ７ａを説明するための断面図である。
【図１６】第２実施形態の加熱工程を説明するための断面図である。
【図１７】第４実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を示すフローチャートである。
【図１８】エッチング液供給工程を説明するための断面図である。
【図１９】エッチング液供給工程を説明するための断面図である。
【図２０】ドライエッチング工程後に形成された残渣部の測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、実施の形態に係る光半導体素子の製造方法について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、可能な場合には同一要素には同一符号を用いる。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。
（第１実施形態）
【００２１】
まず、第１実施形態に係る光半導体素子の製造方法として、半導体レーザ素子の製造方法について説明する。図１は、本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を示すフローチャートである。
【００２２】
図１に示すように、本実施形態の半導体レーザ素子の製造方法においては、半導体積層を形成する半導体積層形成工程Ｓ１と、半導体積層の最上層の表面上にマスク層を形成するマスク層形成工程Ｓ３と、半導体積層の最上層の表面を、酸素含有雰囲気に暴露する暴露工程Ｓ５と、半導体積層を加熱する加熱工程Ｓ７ａと、半導体積層をドライエッチングするドライエッチング工程Ｓ９と、埋め込み層を形成する埋め込み層形成工程Ｓ１１と、電極を形成する電極形成工程Ｓ１３と、が主として行われる。以下、これらの各工程について詳細に説明する。
【００２３】
（半導体積層形成工程）
初めに、半導体基板上に半導体積層を形成する半導体積層形成工程Ｓ１が行われる。図２は、半導体積層形成工程を説明するための断面図である。半導体積層形成工程Ｓ１においては、図２に示すように、半導体基板１の主面上に、光半導体素子（本実施形態では半導体レーザ素子）の機能を発揮するための複数の半導体層を有する半導体積層１１を形成する。具体的には、半導体基板１の主面上に、例えば有機金属気相成長法等のエピタキシャル成長法によって、下部クラッド層３、活性層５、上部クラッド層７、及び、コンタクト層９をこの順にエピタキシャル成長させる。
【００２４】
半導体基板１は、第１導電型（例えばｎ型）の半導体基板であり、例えばＳｎ（錫）がドープされたＩｎＰ基板等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板である。下部クラッド層３は、第１導電型の半導体層であり、例えばＳｉがドープされたＩｎＰ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層である。活性層５は、例えば、ＭＱＷ（多重量子井戸）構造やＳＱＷ（単一量子井戸）構造を有する。活性層５は、例えば、ＧａＩｎＡｓＰやＡｌＧａＩｎＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる。上部クラッド層７は、例えば第２導電型（第１導電型がｎ型の場合、ｐ型）の半導体層であり、例えばＺｎがドープされたＩｎＰ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層である。
【００２５】
コンタクト層９は、後述の上部電極２５（図１４参照）と半導体積層１１とのオーミック接触を実現するための半導体層である。コンタクト層９は半導体積層１１の最上層を構成する。また、コンタクト層９は、ヒ素（Ａｓ）を含む第２導電型の半導体層であり、例えばＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる。
【００２６】
（マスク層形成工程、暴露工程）
続いて、マスク層形成工程Ｓ３が行われる。マスク層形成工程Ｓ３では、半導体積層１１の最上層であるコンタクト層９の表面９Ｓの一部を覆うように当該コンタクト層９の当表面９Ｓ上にマスク層を形成する。暴露工程Ｓ５では、半導体積層１１の最上層であるコンタクト層９の表面９Ｓを、酸素含有雰囲気に暴露する。
【００２７】
図３及び図４は、マスク層形成工程の一例を説明するための断面図であり、図５は、マスク層形成工程及び暴露工程を説明するための断面図である。マスク層形成工程Ｓ３では、まず図３に示すように、半導体積層１１の最上層であるコンタクト層９の表面９Ｓ上の全面に、例えばプラズマ気相成長法によって、マスク層１５を形成する。マスク層１５を構成する材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化酸化シリコン（ＳｉＯＮ）等の絶縁材料を用いることができる。
【００２８】
次に、図３に示すように、マスク層１５上に所定形状にパターニングされたフォトレジスト層１７を形成する。フォトレジスト層１７は、後述の半導体メサＭ（図１３参照）に対応した形状を有しており、具体的には、半導体基板１の主面と平行な一方向（図３の紙面に垂直な方向）に沿って伸びるストライプ形状を有している。
【００２９】
続いて、図４に示すように、フォトレジスト層１７を用いてコンタクト層９の表面９Ｓが露出するまでマスク層１５をエッチングすることにより、マスク層１５を半導体基板１の主面と平行な一方向（図４の紙面に垂直な方向）に沿って伸びるストライプ形状に加工する。マスク層１５のエッチングは、例えば、エッチングガスとしてＣＦ４ガスを用いた反応性イオンエッチング法によって行うことができる。
【００３０】
次に、図５に示すように、マスク層１５をエッチングするのに使用した反応性イオンエッチング装置等の装置内にある半導体積層１１を、酸素含有雰囲気としての大気雰囲気中に取り出し、フォトレジスト層１７を除去する。このようにして、半導体積層１１の最上層であるコンタクト層９の表面９Ｓの一部を覆うマスク層１５を形成すると共に、コンタクト層９の表面９Ｓのうちマスク層１５によって覆われていない領域を酸素含有雰囲気に暴露する。なお、酸素含有雰囲気とは、大気雰囲気のような酸素分圧が１６０ｈＰａ以上の雰囲気を意味する。
【００３１】
このように、コンタクト層９の表面９Ｓのうちマスク層１５によって覆われていない領域を酸素含有雰囲気に暴露すると、図５に示すように、半導体積層１１の最上層であるコンタクト層９中のヒ素と酸素含有雰囲気中の酸素（Ｏ２）とが反応し、コンタクト層９の表面９Ｓ上にヒ素酸化物１９が不均一な態様で形成されることを、発明者は見出した。具体的には、コンタクト層９の表面９Ｓ上に、粒子状のヒ素酸化物１９が形成されることを、発明者は見出した。
【００３２】
このようなヒ素酸化物１９の形成について、実施例及び比較例の測定結果を用いて説明する。実施例１、２として、上述の半導体積層形成工程Ｓ１、マスク層形成工程Ｓ３、及び、暴露工程Ｓ５に基づいて作成した半導体基板１、半導体積層１１、及び、マスク層１５からなる試料を準備した。コンタクト層９を構成する半導体材料として、ＩｎＧａＡｓを用いた。マスク層形成工程Ｓ３では、エッチングガスとしてＣＦ４ガスを用いた反応性イオンエッチング法によってマスク層１５のエッチングを行った。暴露工程Ｓ５では、コンタクト層９の表面９Ｓを大気雰囲気に暴露した。大気雰囲気への暴露時間は、実施例１では１９時間、実施例２では２４時間とした。比較例１として、暴露工程Ｓ５を行わない点以外は実施例１、２と同様である試料を準備した。
【００３３】
図６は、実施例１のコンタクト層９の表面９Ｓの走査型電子顕微鏡像を示す図である。図６に示すように、暴露工程Ｓ５後において実施例１のコンタクト層９の表面９Ｓには、直径が約１μｍの粒子状物質が観察された。当該粒子状物質を走査型電子顕微鏡に設けられたエネルギー分散型Ｘ線分析装置で組成分析したところ、当該粒子状物質はヒ素（Ａｓ）の酸化物であることが判明した。
【００３４】
また、実施例１、２及び比較例１について、大気雰囲気への暴露時間とヒ素酸化物の個数との関係について測定を行った。図７は、実施例１、２及び比較例１のヒ素酸化物の個数の大気雰囲気暴露時間依存性の測定結果を示す図である。図７の縦軸は、コンタクト層９の表面９Ｓの１ｍｍ２の領域当たりで観察されたヒ素酸化物の個数を示し、横軸は、コンタクト層９の表面９Ｓを大気雰囲気に暴露した時間を示している。
【００３５】
図７に示すように、コンタクト層９の表面９Ｓの１ｍｍ２の領域当たりのヒ素酸化物の個数は、比較例１（コンタクト層９の表面９Ｓの大気雰囲気への暴露時間が０時間）では０個であったが、当該暴露時間が長くなる程、増加した。具体的には、実施例１（当該暴露時間が１９時間）では、コンタクト層９の表面９Ｓの１ｍｍ２の領域当たりのヒ素酸化物の個数は、１０個であり、実施例２（当該暴露時間が２４時間）では、当該個数は１４個であった。
【００３６】
（加熱工程）
暴露工程Ｓ５の後に、加熱工程Ｓ７ａが行われる。加熱工程Ｓ７ａでは、半導体積層１１を２５０℃以上の温度まで加熱する。
【００３７】
図８は、加熱工程の一例を説明するための断面図である。加熱工程Ｓ７ａでは、図８に示すように、ホットプレート１８を用いて半導体積層１１を２５０℃以上の温度まで加熱する。具体的には、ホットプレート１８上に半導体基板１、半導体積層１１、及び、マスク層１５からなる構造物を載せ、ホットプレート１８を加熱することによって、半導体積層１１を２５０℃以上の温度まで加熱する。本実施形態においては、半導体積層１１の加熱は、大気雰囲気等の酸素含有雰囲気中で行う。
【００３８】
このような加熱工程Ｓ７ａを行うことにより、図８に示すように、コンタクト層９の表面９Ｓ上に形成されたヒ素酸化物１９（図５参照）を除去することが可能であることを、発明者は見出した。これは、半導体積層１１を２５０℃以上の温度まで加熱することにより、ヒ素酸化物１９が昇華するため、ヒ素酸化物１９が除去されると考えられる。
【００３９】
加熱工程Ｓ７ａにおける半導体積層１１の加熱温度は、５００℃以下とすることが好ましい。当該加熱温度を５００℃以下とすることにより、半導体積層１１の最上層であるコンタクト層９からヒ素が抜けてしまうことを抑制することが可能となるためである。
【００４０】
このようなヒ素酸化物１９の除去について、実施例及び比較例の測定結果を用いて説明する。実施例３〜６として、上述の半導体積層形成工程Ｓ１、マスク層形成工程Ｓ３、及び、暴露工程Ｓ５、加熱工程Ｓ７ａに基づいて作成した半導体基板１、半導体積層１１、及び、マスク層１５からなる試料を準備した。コンタクト層９を構成する半導体材料、及び、マスク層形成工程Ｓ３におけるマスク層１５のエッチング方法は、実施例１、２と同様とした。暴露工程Ｓ５では、コンタクト層９の表面９Ｓを大気雰囲気に２４時間以上暴露した。加熱工程Ｓ７ａでは、ホットプレート１８を用いて、大気雰囲気中において、半導体積層１１を加熱した。実施例３、４、５、６の加熱温度は、この順にそれぞれ２５０℃、２７５℃、３００℃、３７５℃とした。また、比較例２〜４を準備した。比較例２〜４は、加熱工程Ｓ７ａの代わりに、大気雰囲気中において半導体積層１１を２５０℃未満の温度で加熱する低温加熱工程を行うこと以外の点については、実施例３〜６と同様とした。当該低温加熱工程における比較例２〜４の加熱温度は、この順にそれぞれ１００℃、１５０℃、２００℃とした。
【００４１】
図９は、実施例３〜６及び比較例２〜４のヒ素酸化物の除去率の半導体積層加熱温度依存性の測定結果を示す図である。図９の縦軸は、加熱工程Ｓ７ａ又は低温加熱工程直前におけるコンタクト層９の表面９Ｓ上に存在するヒ素酸化物１９の数を基準とした加熱工程Ｓ７ａ又は低温加熱工程後の実施例３〜６及び比較例２〜４のヒ素酸化物１９の除去率を示し、図９の横軸は、加熱工程Ｓ７ａ又は低温加熱工程における実施例３〜６及び比較例２〜４の半導体積層１１の加熱温度を示している。
【００４２】
図９に示されるように、比較例２〜４においては、低温加熱工程後のヒ素酸化物１９の除去率は、ほぼ０であった。それに対して、実施例４〜６においては、加熱工程Ｓ７ａ後のヒ素酸化物１９の除去率は、この順にそれぞれ９％、１７％、及び、５２％であった。これにより、加熱工程Ｓ７ａにおいて半導体積層１１を２５０℃以上の温度に加熱することにより、ヒ素酸化物１９の少なくとも一部を除去することが可能であることが分かった。
【００４３】
次に、実施例５について、ヒ素除去率と加熱工程Ｓ７ａにおける半導体積層１１の加熱時間の関係について測定を行った。具体的には、実施例５（加熱工程Ｓ７ａにおいて半導体積層１１を３００℃まで加熱）の試料について、３００℃での加熱時間を変化させた場合のヒ素除去率の測定を行った。
【００４４】
図１０は、実施例５における、ヒ素除去率と加熱工程Ｓ７ａでの加熱時間との関係についての測定結果を示す図である。図１０の縦軸は、実施例５における加熱工程Ｓ７ａ直前のヒ素酸化物１９の数を基準とした加熱工程Ｓ７ａ後のヒ素除去率を示しており、横軸は、加熱工程Ｓ７ａで半導体積層１１を加熱した時間（半導体積層１１を３００℃に保った時間）を示している。
【００４５】
図１０に示すように、加熱時間が５分の場合、実施例５におけるヒ素酸化物１９の除去率は１７％となり、加熱時間が３０分の場合、実施例５におけるヒ素酸化物１９の除去率は３８％となった。これより、ヒ素酸化物１９をより多く除去する観点から、加熱工程Ｓ７ａにおける半導体積層１１の加熱時間は５分以上であることが好ましく、３０分以上であることがさらに好ましいことが分かった。
【００４６】
（ドライエッチング工程）
加熱工程Ｓ７ａの後に、ドライエッチング工程Ｓ９が行われる。ドライエッチング工程Ｓ９では、マスク層１５を用いて半導体積層１１をドライエッチング法によってエッチングすることにより、半導体積層１１に半導体メサを形成する。
【００４７】
図１１は、ドライエッチング工程を説明するための断面図である。図１１に示すように、ドライエッチング工程Ｓ９では、マスク層１５を用いて、ドライエッチング法によって半導体積層１１及び半導体基板１をエッチングすることにより、半導体積層１１及び半導体基板１に半導体メサＭを形成する。このように本実施形態では、ドライエッチング工程Ｓ９において半導体基板１の厚さ方向の中間位置まで半導体積層１１及び半導体基板１をエッチングしているが、半導体積層１１の厚さ方向の中間位置まで半導体積層１１をエッチングしてもよい。この場合、半導体メサＭは半導体積層１１にのみ形成される。
【００４８】
半導体メサＭは、半導体基板１の厚さ方向（半導体基板１の主面と直交する方向）に突出すると共に半導体基板１の主面と平行な一方向（図１１の紙面に垂直な方向）に沿って伸びるストライプ形状を有している。
【００４９】
ドライエッチング工程Ｓ９で用いられるドライエッチング法としては、例えば反応性イオンエッチング法を用いることができる。
【００５０】
本実施形態で用いることができる反応性イオンエッチング法の一例について、図１２を参照しながら詳細に説明する。図１２は、反応性イオンエッチング装置の断面構造の模式図である。本実施形態の反応性イオンエッチング装置は、誘導結合型反応性イオンエッチング装置５０である。誘導結合型反応性イオンエッチング装置５０は、エッチング対象試料（本実施形態の場合、半導体基板１上に形成され、表面の一部がマスク層１５によってマスクされた半導体積層１１）に反応性イオンエッチングを行う真空チャンバ５３を備えている。真空チャンバ５３の内部には、高周波放電を発生させるための下部電極５５と、上部電極５７が互いに対向して設けられている。上部電極５７は接地されている。
【００５１】
また、エッチング対象試料である半導体積層１１は、下部電極５５と上部電極５７に挟まれるように、下部電極５５上に設けられている。下部電極５５には冷却機構が設けられており、これによってエッチング対象試料を冷却することができる。また、高周波電源５８は、整合回路７７を介して下部電極５５に接続されている。高周波電源５８によって、下部電極５５に高周波電力（バイアス電力）が印加される。バイアス電力を供給することにより、下部電極５５に印加される直流バイアスを調整することができる。真空チャンバ５３の側面には、誘導コイル５９が巻かれている。誘導結合プラズマ電源６１は、整合回路７９を介して誘導コイル５９に接続されている。誘導結合プラズマ電源６１によって誘導コイル５９に高周波電力（ＩＣＰ電力）が供給される。ＩＣＰ電力が誘導コイルに供給されることにより、誘導結合プラズマが生成される。
【００５２】
また、真空チャンバ５３には、内部にエッチングガスを供給するためのガス供給管６３と、エッチングガスを外部に排出するための排気管７１とが設けられている。ガス供給管６３を通して、真空チャンバ５３の内部にエッチングガス６７が所定の混合比で供給される。また、排気管７１には真空ポンプが接続されており、真空チャンバ５３の内部を所定の真空度に保つことが可能となっている。真空チャンバ５３には、内部にエッチングガスを供給するためのガス供給管が２つ設けられていてもよく、その場合、２種類のガスが混合された混合ガスを、エッチングガスとして真空チャンバ５３内に供給することができる。
【００５３】
エッチング対象試料である半導体積層１１をエッチングする際は、真空チャンバ５３内にエッチングガス６７を供給する。すると、下部電極５５および上部電極５７間の高周波電界によって誘導結合プラズマ７３が生成される。誘導結合プラズマ７３中のイオン７５やラジカル７６は、誘導コイル５９によって生成されたバイアス電界によって加速され、エッチング対象試料である半導体積層１１に到達する。
【００５４】
ドライエッチング工程Ｓ９で用いられるドライエッチング法として反応性イオンエッチング法を採用する場合、例えば、エッチングガスの流量が６０ｓｃｃｍ、真空チャンバ５３内の圧力１．５Ｐａ、ＩＣＰ電力が４００Ｗ、バイアス電力が１５０Ｗという条件下において半導体積層１１のドライエッチングを行うことができる。
【００５５】
（埋め込み層形成工程）
ドライエッチング工程Ｓ９の後に、埋め込み層形成工程Ｓ１１が行われる。図１３は、埋め込み層形成工程を説明するための断面図である。
【００５６】
埋め込み層形成工程Ｓ１１では、図１３に示すように、例えば有機金属気相成長法等のエピタキシャル成長法によって、マスク層１５を用いて半導体メサＭを埋め込むように半導体基板１上かつ半導体メサＭの側面上の領域に半導体材料からなる埋め込み層２１を形成する。埋め込み層２１は、例えば、半絶縁性半導体材料からなり、そのような半絶縁性半導体材料としては、例えば、ＦｅがドープされたＩｎＰ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を挙げることができる。
【００５７】
（電極形成工程）
ドライエッチング工程Ｓ９の後に、電極形成工程Ｓ１３が行われる。図１４は、電極形成工程を説明するための断面図である。
【００５８】
図１４に示すように、電極形成工程Ｓ１３では、例えばマスク層１５を除去した後に、プラズマ気相成長法によって埋め込み層２１上に、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の絶縁材料からなる絶縁層２３を形成し、半導体積層１１のコンタクト層９と接するように半導体積層１１上及び絶縁層２３上に金属材料からなる上部電極２５を真空蒸着法等によって形成する。また、半導体基板１の裏面を研磨して半導体基板１を薄くした後に、半導体基板１の裏面上に金属材料からなる下部電極２７を真空蒸着法等によって形成する。その後、へき開等によってチップ化を行うことにより、半導体レーザ素子１００が得られる。
【００５９】
上述のような本実施形態に係る光半導体素子の製造方法によれば、暴露工程Ｓ５において半導体積層１１の最上層であるコンタクト層９内のヒ素と酸素雰囲気中の酸素とが反応してコンタクト層９の表面９Ｓに不均一な態様でヒ素酸化物１９が形成されても（図５参照）、加熱工程Ｓ７ａにおいて半導体積層１１を２５０℃以上の温度まで加熱すれば、当該ヒ素酸化物１９の一部又は全部を除去することが可能である（図８参照）。これにより、ドライエッチング工程Ｓ９で半導体積層１１に半導体メサＭを形成する際に、当該ヒ素酸化物１９の下方に半導体積層１１が残存して残渣部が形成されることを抑制することができる（図８及び図１１参照）。その結果、光半導体素子の製造時において、当該残渣部に起因して歩留まりが低下することを抑制することができる。
【００６０】
また、上述のような本実施形態に係る光半導体素子の製造方法において、ドライエッチング工程Ｓ９では、ヨウ化水素（ＨＩ）を含むガス、又は、塩素を含むガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、半導体積層１１をエッチングすることが以下の理由により好ましい（図１１参照）。
【００６１】
即ち、ヒ素酸化物１９は、ヨウ化水素（ＨＩ）を含むガス、又は、塩素を含むガスを用いた反応性イオンエッチング法によるドライエッチングではエッチングされ難い。そのため、ドライエッチング工程Ｓ９直前において半導体積層１１の最上層であるコンタクト層９の表面９Ｓにヒ素酸化物が存在していると、ドライエッチング工程Ｓ９後にヒ素酸化物１９の下方に半導体積層１１が残存して残渣部が特に形成され易くなる（図５、図８、及び、図１１参照）。しかし、本実施形態に係る光半導体素子の製造方法においては、加熱工程Ｓ７ａにおいてヒ素酸化物１９の一部又は全部を除去することが可能である（図８参照）。そのため、埋め込み層形成工程Ｓ１１でヨウ化水素（ＨＩ）を含むガス、又は、塩素を含むガスを用いた反応性イオンエッチング法によって半導体積層１１をエッチングする場合、残渣部に起因して歩留まりが低下することを抑制するという本実施形態に係る光半導体素子の製造方法による効果が特に有効に発揮される。
【００６２】
なお、ドライエッチング工程Ｓ９において反応性イオンエッチング法によって半導体積層１１をエッチングする場合、エッチングガスとしては、上述のヨウ化水素（ＨＩ）を含むガス及び塩素を含むガスの他に炭化水素を含む混合ガスを用いることができる。
【００６３】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る光半導体素子の製造方法について説明する。第２実施形態以降については、第１実施形態と異なる部分について主として説明し、説明を省略する部分は第１実施形態と同様である。
【００６４】
第２実施形態の光半導体素子の製造方法は、暴露工程Ｓ５の後かつ加熱工程Ｓ７ａの前に、半導体積層１１を減圧雰囲気下で保持する減圧工程をさらに備える点、及び、加熱工程Ｓ７ａの内容の点において、第１実施形態の光半導体素子の製造方法と異なる。
【００６５】
図１５は、本実施形態の減圧工程及び加熱工程Ｓ７ａを説明するための断面図である。図１５に示すように、減圧工程では、半導体積層１１は、真空チャンバ８１内に保持される。真空チャンバ８１には、内部の気体を排出するための排気管８３が設けられている。排気管８３には真空ポンプが接続されており、当該真空ポンプによって真空チャンバ８１の内部の気体を排気する。これにより、半導体積層１１を減圧雰囲気下で保持することができる。半導体積層１１が保持される減圧雰囲気の真空度は、好ましくは、５００Ｐａ以下である。
【００６６】
減圧工程の後、加熱工程Ｓ７ａが行われる。加熱工程Ｓ７ａでは、減圧工程で得られた減圧雰囲気下で半導体積層１１を加熱する点において、第１実施形態の加熱工程Ｓ７ａと異なる。半導体積層１１の加熱方法や加熱条件は、第１実施形態の加熱工程Ｓ７ａにおける場合と同様である。
【００６７】
本実施形態に係る光半導体素子の製造方法によれば、第１実施形態に係る光半導体素子の製造方法における場合と同様の理由に基づき、光半導体素子の製造時において、当該残渣部に起因して歩留まりが低下することを抑制することができる。
【００６８】
さらに、本実施形態に係る光半導体素子の製造方法は、暴露工程Ｓ５の後かつ加熱工程Ｓ７ａの前に半導体積層１１を減圧雰囲気下で保持する減圧工程をさらに備える上に、加熱工程Ｓ７ａでは、減圧工程で得られた減圧雰囲気下で半導体積層１１を加熱するため、加熱工程Ｓ７ａにおいて半導体積層１１の最上層であるコンタクト層９が酸化することを抑制することができる。
【００６９】
また、本実施形態に係る光半導体素子の製造方法においては、減圧工程の終了時からドライエッチング工程Ｓ９の終了時までの間、半導体積層１１は減圧雰囲気下で保持されることが好ましい（図５、図１１、及び、図１５参照）。これにより、加熱工程Ｓ７ａにおいてコンタクト層９の表面９Ｓ上のヒ素酸化物１９が除去された後からドライエッチング工程Ｓ９が終了するまでの間に、コンタクト層９の表面９Ｓ上に再びヒ素酸化物が形成されることを抑制することができる。その結果、光半導体素子の製造時において、残渣部に起因して歩留まりが低下することを、さらに抑制することができる。
【００７０】
減圧工程の終了時からドライエッチング工程Ｓ９の終了時までの間、半導体積層１１を減圧雰囲気下で保持するには、例えば、真空チャンバ８１と、ドライエッチング工程Ｓ９でドライエッチングを行う装置のチャンバ（例えば、誘導結合型反応性イオンエッチング装置５０の真空チャンバ５３（図１２参照））とを接続し、加熱工程Ｓ７ａ終了後に半導体積層１１を、大気雰囲気に暴露することなく当該ドライエッチングを行う装置のチャンバ内に移動し、ドライエッチング工程Ｓ９工程を行うことにより、実現することができる。
【００７１】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る光半導体素子の製造方法について説明する。第３実施形態の光半導体素子の製造方法は、加熱工程Ｓ７ａの内容の点において、第１実施形態の光半導体素子の製造方法と異なる。
【００７２】
図１６は、本実施形態の加熱工程を説明するための断面図である。図１６に示すように、本実施形態の加熱工程Ｓ７ａでは、半導体積層１１は、真空チャンバ８１内に保持される。真空チャンバ８１には、内部にガス８７を供給するためのガス供給管８５と、内部の気体を排出するための排気管８３が設けられている。排気管８３には真空ポンプが接続されている。この当該真空ポンプによって真空チャンバ８１の内部の気体を排気した後に、ガス供給管８５からガス８７を真空チャンバ８１内に供給することにより、半導体積層１１をガス８７雰囲気下に保持する。そして、半導体積層１１がガス８７雰囲気下に保持された状態で、加熱工程Ｓ７ａを行う。これにより、大気雰囲気以外の雰囲気下で、加熱工程Ｓ７ａを実行することが可能となる。
【００７３】
本実施形態に係る光半導体素子の製造方法によれば、第１実施形態に係る光半導体素子の製造方法における場合と同様の理由に基づき、光半導体素子の製造時において、当該残渣部に起因して歩留まりが低下することを抑制することができる。
【００７４】
また、本実施形態に係る光半導体素子の製造方法において、ガス８７が窒素、アルゴン、又は、ヘリウムであること、即ち、半導体積層１１を窒素雰囲気下、アルゴン雰囲気下、又は、ヘリウム雰囲気下で保持した状態で加熱工程Ｓ７ａを行うことが好ましい。これにより、加熱工程Ｓ７ａにおいてコンタクト層９の表面９Ｓ上のヒ素酸化物１９が除去された後に、コンタクト層９の表面９Ｓ上に再びヒ素酸化物が形成されることを抑制することができる（図５、図１１、及び、図１６参照）。その結果、光半導体素子の製造時において、当該残渣部に起因して歩留まりが低下することを、さらに抑制することができる。
【００７５】
また、本実施形態に係る光半導体素子の製造方法において、ガス８７がアルシン（ＡｓＨ３）等のヒ素化合物であるガスであること、即ち、半導体積層１１をアルシン（ＡｓＨ３）等のヒ素化合物であるガスの雰囲気下で保持した状態で加熱工程Ｓ７ａを行うことが好ましい。これにより、加熱工程Ｓ７ａにおいて半導体積層１１の最上層であるコンタクト層９からヒ素が抜けてしまうことを抑制することができる。
【００７６】
また、本実施形態に係る光半導体素子の製造方法において、半導体積層１１の最上層がコンタクト層９のようにリン（Ｐ）を含む化合物からなる場合、ガス８７がホスフィン（ＰＨ３）等のリン化合物であるガスであること、即ち、半導体積層１１をホスフィン（ＰＨ３）等のリン化合物であるガスの雰囲気下で保持した状態で加熱工程Ｓ７ａを行うことが好ましい。これにより、加熱工程Ｓ７ａにおいて半導体積層１１の最上層からリン（Ｐ）が抜けてしまうことを抑制することができる。
【００７７】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態に係る光半導体素子の製造方法について説明する。図１７は、第４実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を示すフローチャートである。図１７に示すように、本実施形態の光半導体素子の製造方法は、第１実施形態の加熱工程Ｓ７ａに代えてエッチング液供給工程Ｓ７ｂが行われる点において、第１実施形態光半導体素子の製造方法と異なる。
【００７８】
図１８及び図１９は、エッチング液供給工程を説明するための断面図である。図１８に示すように、エッチング液供給工程Ｓ７ｂでは、半導体積層１１の最上層であるコンタクト層９の表面９Ｓ上にエッチング液３３を供給する。エッチング液３３は、アンモニア水、硫酸水、又は、バッファードフッ酸、又は、これらのいずれかを含む溶液である。
【００７９】
その後、エッチング液３３を除去することにより、図１９に示すように、ヒ素酸化物１９を除去することが可能であることを、発明者は見出した。これは、ヒ素酸化物がエッチング液３３によってエッチングされたためと考えられる。
【００８０】
エッチング液供給工程Ｓ７ｂにおいては、エッチング液３３によって半導体積層１１の最上層であるコンタクト層９はエッチングされなくてもよいし、コンタクト層９の一部がエッチングされてもよい。
【００８１】
このようなヒ素酸化物１９の除去について行われた実験について説明する。半導体積層形成工程Ｓ１、マスク層形成工程Ｓ３、及び、暴露工程Ｓ５に基づいて複数の試料を準備した後に、エッチング液３３としてアンモニア水（濃度  １ｗｔ%）を用いてエッチング液供給工程Ｓ７ｂを行った試料、硫酸水（濃度  ９６ｗｔ%）を用いてエッチング液供給工程Ｓ７ｂを行った試料、バッファードフッ酸を用いてエッチング液供給工程Ｓ７ｂを行った試料、及び、エッチング液供給工程Ｓ７ｂを行わなかった試料のそれぞれについて、その後にドライエッチング工程Ｓ９を行い、当該工程後に形成された残渣部の数を測定した。
【００８２】
図２０はそのような測定の結果を示す図である。図２０に示すように、エッチング液供給工程Ｓ７ｂなしの場合（エッチング液供給工程なしの場合）、ドライエッチング工程Ｓ９後に形成される残渣部の数は、１ｍｍ２の領域当たり３２４０個であった。それに対して、エッチング液３３としてアンモニア水を用いた場合、バッファードフッ酸を用いた場合、及び、硫酸水としての濃硫酸を用いた場合、ドライエッチング工程Ｓ９後に形成される残渣部の数は、１ｍｍ２の領域当たり、それぞれ６４個、３５３個、９８３個であった。
【００８３】
これにより、エッチング液供給工程Ｓ７ｂを行うことにより、ヒ素酸化物１９を除去することが可能であり、その結果、ドライエッチング工程Ｓ９後に形成される残渣部の数を減少させることが可能であること、及び、エッチング液３３としては特にアンモニア水が好ましいことが分かった。
【００８４】
本実施形態係る光半導体素子の製造方法によれば、暴露工程Ｓ５において半導体積層１１の最上層であるコンタクト層９内のヒ素と酸素雰囲気中の酸素とが反応してコンタクト層９の表面９Ｓに不均一な態様でヒ素酸化物１９が形成されても、エッチング液供給工程Ｓ７ｂにおいてアンモニア水、硫酸水、又は、バッファードフッ酸を含むエッチング液３３を半導体積層１１のコンタクト層９の表面９Ｓ上に供給すれば、当該ヒ素酸化物１９の一部又は全部を除去することが可能である（図５、図１８、及び、図１９参照）。これにより、ドライエッチング工程Ｓ９で半導体積層１１に半導体メサＭを形成する際に、当該ヒ素酸化物１９の下方に半導体積層１１が残存して残渣部が形成されることを抑制することができる。その結果、光半導体素子の製造時において、当該残渣部に起因して歩留まりが低下することを抑制することができる。
【００８５】
ヒ素酸化物１９を有効に除去する観点から、エッチング液３３としてアンモニア水を用いる場合、アンモニア水の濃度は、１ｗｔ％以上であることが好ましく、エッチング液３３として硫酸水を用いる場合、硫酸水の濃度は、９６ｗｔ％以上であることが好ましい。
【００８６】
また、本実施形態係る光半導体素子の製造方法においては、第１実施形態に係る光半導体素子の製造方法における場合と同様の理由に基づき、ドライエッチング工程Ｓ９では、ヨウ化水素（ＨＩ）を含むガス、又は、塩素を含むガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、半導体積層１１をエッチングすることが好ましい（図１１参照）。
【００８７】
本発明は上述の実施形態に限定されず、様々な変形態様が可能である。
【００８８】
例えば、上述の実施形態１〜４は、半導体レーザ素子の製造方法であるが、半導体光変調器や半導体受光素子等の光半導体素子を製造することもできる。本発明によって半導体光変調器を製造する場合、半導体積層形成工程Ｓ１において活性層５に代えて半導体材料からなる光導波層を形成すればよい。
【符号の説明】
【００８９】
１・・・半導体基板、９・・・コンタクト層、９Ｓ・・・コンタクト層の表面、１１・・・半導体積層、Ｍ・・・半導体メサ、Ｓ１・・・半導体積層形成工程、Ｓ３・・・マスク形成工程、Ｓ５・・・暴露工程、Ｓ７ａ・・・加熱工程、Ｓ９・・・ドライエッチング工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図６】
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