(57)【要約】【課題】収差の影響を低減するのに有利な荷電粒子光学系を提供する。【解決手段】荷電粒子光学系３は、荷電粒子線１３の第１クロスオーバ１２を生成する荷電粒子銃と、第１クロスオーバ１２から発散した荷電粒子線１３から複数の第２クロスオーバ１４を形成するレンズアレイ１１とを有する。ここで、レンズアレイ１１は、該レンズアレイ１１に含まれるレンズ１１ａの光軸２８と該レンズ１１ａに入射する荷電粒子線１３の主光線とが一致するように形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線の第１クロスオーバを生成する荷電粒子銃と、前記第１クロスオーバから発散した荷電粒子線から複数の第２クロスオーバを形成するレンズアレイとを有する荷電粒子光学系であって、
前記レンズアレイは、該レンズアレイに含まれるレンズの光軸と該レンズに入射する荷電粒子線の主光線とが一致するように形成されている、
ことを特徴とする荷電粒子光学系。
【請求項２】
前記レンズアレイを構成する１つの電極は、前記第１クロスオーバを通過する荷電粒子線が前記荷電粒子銃の光軸となす角度に依存する前記第１クロスオーバにおける収差量に基づく量だけ、前記光軸を回転対称軸とする球面上の点をずらして得られる非球面形状である、ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子光学系。
【請求項３】
前記レンズアレイに含まれる複数のレンズは、前記複数の第２クロスオーバが前記荷電粒子銃の光軸に垂直な方向において等間隔に配列されるように、配置されている、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の荷電粒子光学系。
【請求項４】
前記レンズアレイの前側に配置され、前記レンズアレイに含まれるレンズの光軸とは同軸の軸を有する開口が形成されたアパーチャアレイを有する、ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の荷電粒子光学系。
【請求項５】
複数の荷電粒子線を物体に入射させる荷電粒子線装置であって、
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の荷電粒子光学系としての第１光学系と、
前記第１光学系から入射した複数の荷電粒子線から前記物体に入射させる複数の荷電粒子線を生成する荷電粒子光学系としての第２光学系と、を含む、
ことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項６】
前記第２光学系は、前記第１光学系から入射した複数の荷電粒子線をコリメートする光学素子を含む、ことを特徴とする請求項５に記載の荷電粒子線装置。
【請求項７】
前記第１光学系が交換ユニットとして構成されている、ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の荷電粒子線装置。
【請求項８】
前記荷電粒子線装置は、前記複数の荷電粒子線で前記物体に描画を行う描画装置を含む、ことを特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載の荷電粒子線装置。
【請求項９】
前記荷電粒子線装置は、顕微鏡である、ことを特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載の荷電粒子線装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の荷電粒子線装置を用いて物体に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた物体を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子光学系に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビームなどの荷電粒子線の偏向走査およびブランキングを制御することで基板に描画を行う描画装置が知られている。この描画装置は、線幅が０．１μｍ以下の４ＧＤＲＡＭ以降のメモリデバイスの生産などにおいて、光露光方式に代わるパターン形成技術の１つとして採用され得る。このような描画装置の中でも、複数の電子ビームで並行してパターンを描画するマルチビーム方式の描画装置が存在する。このマルチ式描画装置は、製造コストの上昇要因の１つであるマスク（原版）が不要であり、またプログラマブルに各電子ビームを制御できるため多品種少量のデバイス製造に向いているなど、実用上多くの利点を有する。
【０００３】
このマルチ式描画装置では、電子銃から発せられた電子ビームは、レンズアレイを通過して後側の光学系に入射し、軌道を制御されつつ基板上に投影される。ここで、レンズアレイは、電子ビームを複数のビームに分割し、当該複数の電子ビームを後側の光学系の複数の屈折点にそれぞれ集束して入射させる。その場合、レンズアレイは、描画に影響を与えるような収差を発生させ得る。そこで、特許文献１は、レンズアレイにおける各レンズの光軸を、各レンズに入射する電子ビームの主光線と平行となるようにして収差を低減している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４４８４８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、特許文献１に示す装置は、１点（理想的な点上のクロスオーバ）から電子ビームが発散する理想的な電子源を前提としている。しかしながら、実際のクロスオーバは、１点にはならないため、特許文献１の構成で収差を低減させるのには限界がある。
【０００６】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、収差の影響を低減するのに有利な荷電粒子光学系を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、荷電粒子線の第１クロスオーバを生成する荷電粒子銃と、第１クロスオーバから発散した荷電粒子線から複数の第２クロスオーバを形成するレンズアレイとを有する荷電粒子光学系であって、レンズアレイは、該レンズアレイに含まれるレンズの光軸と該レンズに入射する荷電粒子線の主光線とが一致するように形成されている、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、収差の影響を低減するのに有利な荷電粒子光学系を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。
【図２】一実施形態に係る第１光学系の構成を示す図である。
【図３】レンズアレイを構成する第２電極の形状を示す図である。
【図４】レンズアレイを構成する各電極の位置関係を示す図である。
【図５】レンズアレイの構成を示す図である。
【図６】描画装置における交換単位を示す図である。
【図７】従来の光学系の構成を示す図である。
【図８】変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１１】
まず、本発明の一実施形態に係る荷電粒子線装置と、この荷電粒子線装置が備える荷電粒子光学系との構成について説明する。特に、ここで説明する荷電粒子線装置は、複数の電子ビーム（荷電粒子線）を偏向（走査）させ、かつ電子ビームのブランキング（照射のＯＦＦ）を個別に制御することで基板（物体）に描画を行うマルチビーム方式の描画装置とする。なお、荷電粒子線は、本実施形態のような電子線に限定されず、イオン線などの他の荷電粒子線であってもよい。
【００１２】
図１は、本実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。また、以下の各図では、基板に対する電子ビームの照射方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。さらに、以下の各図では、図１と同一構成のものには同一の符号を付す。描画装置１は、電子銃２を含む第１光学系３と、この第１光学系３から射出した複数の電子ビームから基板上に投影される複数の電子ビームを生成する第２光学系４と、基板を保持する基板ステージ５と、制御部６とを備える。ここで、「光学系」とは、荷電粒子光学系の意であり、以下同様である。また、電子ビームの減衰および高電圧による放電を回避または低減するため、制御部６を除く上記構成要素は、不図示の真空排気部により高真空とされた空間内に設置される。例えば、第１光学系３および第２光学系４は、高い真空度に保たれた電子光学鏡筒内に設置される。また、基板ステージ５は、電子光学鏡筒内の真空度と同程度またはそれ以上の真空度に保たれたチャンバー内に設置される。また、本実施形態における被処理基板としての基板７は、例えば単結晶シリコンからなるウエハであり、表面上には感光性を有するレジストが塗布されている。
【００１３】
第１光学系３は、電子源（荷電粒子源）８、制御電極９およびアノード電極１０からなる電子銃（荷電粒子銃）２と、レンズアレイ１１とを含む。電子銃２は、電子源８への熱の印加や制御電極９およびアノード電極１０による電界の印加により、電子ビームを放出し、第１クロスオーバ１２を形成する。図中、第１クロスオーバ１２から放出された電子ビーム１３の軌跡を点線で示している。電子ビーム１３は、レンズアレイ１１により複数の第２クロスオーバ１４を形成する。電子源８としては、例えば、ＬａＢ６、ＢａＯ／Ｗ(ディスペンサカソード)などのいわゆる熱電子型の電子源を採用し得る。レンズアレイ１１は、電子源８に向かって凹形の３枚の多孔電極（第１電極２４、第２電極２５、第３電極２６）とし得る。このレンズアレイ１１は、第２電極には負の電位が与えられ、第１・第３電極は接地される、いわゆるアインツェル型の静電レンズアレイとし得る。ここで、電子銃２を構成する光学系は、回転対称形状をしているため、電子銃２により形成される電界の分布も回転対称となる。したがって、電子銃２またはその電界分布の回転対称の軸を第１光学系３の光軸とする。また、第２光学系４にも光軸が存在する。描画装置１は、第１光学系の光軸と第２光学系の光軸とが一致するように構成されている。なお、第１光学系３の詳細については、後述する。
【００１４】
第２光学系４は、第１光学系３から照射された電子ビーム１３から基板７上に投影される電子ビームを生成する投影光学系を含む。この第２光学系４は、コリメーターレンズ１５、アパーチャアレイ１６、第１集束レンズアレイ１７、投影アパーチャアレイ１８、ブランキング偏向器アレイ１９、走査偏向器アレイ２０、ストップアパーチャアレイ２１および第２集束レンズアレイ２２を含み得る。コリメーターレンズ１５は、第１光学系３のレンズアレイ１１により複数に分割された電子ビーム１３を受け、屈折点から平行ビーム（所望の大きさを持った面積ビーム）を生成する静電レンズである。なお、コリメーターレンズ１５は、電磁レンズであってもよい。アパーチャアレイ１６は、マトリクス状に配列された複数の円形状の開口を有する開口部材であり、コリメーターレンズ１５からほぼ垂直に入射した複数の電子ビーム１３を整形する。第１集束レンズアレイ１７は、３枚の多孔電極からなり、中間電極には負の電位が印加されて、上下電極は接地されるアインツェル型の静電レンズアレイとし得る。この第１集束レンズアレイ１７は、アパーチャアレイ１６により整形された電子ビーム１３を投影アパーチャアレイ１８上に個別に集束させる。投影アパーチャアレイ１８は、電子ビーム１３をさらに多数の小ビームに分割する。この投影アパーチャアレイ１８は、ＮＡ（収束半角）を規定する役割も持たせるために、第１集束レンズアレイ１７の瞳面（第１集束レンズアレイ１７の前側焦点面）に設置される。ブランキング偏向器アレイ１９は、複数の小ビームに個別に対応する偏向電極を含む偏向器をマトリクス状に有し、複数の小ビームのブランキング動作を個別に実施する。ここで、ある小ビームの照射をＯＮとするには、制御部６は、その小ビームに対応した偏向電極には電圧を印加せず、第３クロスオーバ２３の形成位置を、ストップアパーチャアレイ２１の開口部内の位置とする。一方、ある小ビーム１３の照射をＯＦＦとするには、制御部６は、偏向電極に電圧を印加して電子ビーム１３を偏向させる。偏向された小ビームは、ストップアパーチャアレイ２１により遮断され、基板７上に到達しない。走査偏向器アレイ２０は、複数の電子ビーム１３に個別に対応する対向電極を含む偏向器をマトリクス状に有し、基板ステージ５に載置された基板７の表面上において電子ビームをＸ、Ｙ軸方向に走査する。この走査偏向器アレイ２０に含まれる各偏向器は、Ｘ、Ｙ各軸方向について２段の偏向を行うために、それぞれ４段の対向電極で構成されうる。さらに、第２集束レンズアレイ２２は、ストップアパーチャアレイ２１を通過した小ビームを基板７の表面上に結像させる対物レンズであり、その結像倍率は、１００分の１倍程度に設定され得る。これによれば、投影アパーチャアレイ１８における電子ビーム１３ａのスポット径がＦＷＨＭ（半値全幅）で２μｍであるのに対し、基板７の表面上でのスポット径は、その１００分の１に縮小され、ＦＷＨＭで２０ｎｍ程度となる。
【００１５】
基板ステージ５は、基板７を、例えば静電気力により保持しつつ、少なくともＸ、Ｙ軸方向に移動（駆動）可能であり、その位置は、不図示の干渉計（レーザー測長器）などにより実時間で計測される。
【００１６】
制御部６は、描画装置１の描画に関わる各構成要素の動作を制御する各種制御回路と、各制御回路を統括する主制御部３０とを有する。各制御回路として、まず、レンズ制御回路３１は、レンズアレイ１１、コリメーターレンズ１５、第１集束レンズアレイ１７および第２集束レンズアレイ２２の動作を制御する。描画パターン発生回路３２は、描画パターンを生成し、ビットマップ変換回路３３は、その描画パターンをビットマップデータに変換する。ブランキング指令生成回路３４は、このビットマップデータに基づいてブランキング指令情報を生成する。偏向信号発生回路３５は、偏向信号を生成し、この偏向信号を不図示の偏向アンプ部に送信する。この偏向アンプ部は、偏向信号に基づいて走査偏向器アレイ２０の動作を制御する。さらに、不図示のステージ制御回路は、主制御部３０からの指令に基づいて、基板ステージ５位置が目標値となるように基板ステージ５のアクチュエータを制御する。このステージ制御回路は、パターン描画中は、基板７（基板ステージ５）をＹ軸方向に連続的にスキャン（移動）させる。このとき、走査偏向器アレイ２０は、基板ステージ５の位置を基準として、基板７の表面上の電子ビーム（小ビーム）をＸ軸方向に走査させる。そして、ブランキング偏向器アレイ１９は、基板７上で目標線量が得られるように電子ビーム（小ビーム）のブランキングを実施する。
【００１７】
次に、本実施形態に係る第１光学系３について詳説する。まず、比較のために従来の光学系について説明する。図７は、従来の光学系７０の構成を示す図である。なお、図７において、図１に示す構成と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。光学系７０は、第１クロスオーバ１２が１点であることを前提とする。また、電子源８、第１クロスオーバ１２、制御電極９、電子源８から放出された電子ビーム１３、およびアノード電極１０は、光軸７２を軸とする回転対称である。さらに、レンズアレイ７１は、３枚の多孔電極（第１電極７３、第２電極７４、第３電極７５）からなるアインツェル型の静電レンズアレイである。まず、電子銃から発した電子ビーム１３は、レンズアレイ７１に入射する。このレンズアレイ７１の第１電極７３は、アパーチャ機能を有するため、電子ビーム１３は、その開口部（孔部）のみを通過する。そして、レンズアレイ７１を通過して分割された各電子ビーム１３は、レンズ機能により集束し、レンズ７１ａごとに第２クロスオーバ１４を形成する。このとき、各レンズ７１ａに入射する電子ビーム１３の主光線は、各レンズ７１ａの光軸７６と一致するようにしている。しかしながら、実際には、電子銃は、図７に示すように球面収差を主とする収差を有するため、第１クロスオーバ１２は、点状にはなっていない。そのため、各レンズ７１ａに入射する電子ビーム１３の主光線は、各レンズ７１ａの光軸７６とは一致しない（許容できないずれを有している）。その結果、第２クロスオーバ１４の位置は、図７に示すように、光学系７０の光軸７２の法線方向において等間隔とはなっていない。図７の例では、レンズアレイ７１の第２電極７４に形成されている複数の開口部の互いの間隔が等しい場合、第２クロスオーバ１４の形成位置の間隔（第１間隔ｄ１、第２間隔ｄ２）は、ｄ１＞ｄ２となる。基板７上における複数の電子ビームの位置は、等間隔であることが望ましいところ、上記ｄ１＞ｄ２の関係では、その実現が難しい。
【００１８】
これに対して、本実施形態の第１光学系３では、レンズアレイ１１の構成を以下のようにしている。図２は、本実施形態に係る第１光学系３の構成を示す図である。通常、電子源８から放出された電子ビーム１３が形成する第１クロスオーバ１２は、球面収差により実際には１点（点状）にならない。具体的には、実際の第１クロスオーバ１２の形成位置は、放出された電子ビーム１３と光学系３の光軸２７とのなす（開き）角度に依存し、角度が大きくなるにつれて電子源８側に近づく。そこで、本実施形態では、球面収差による電子ビーム１３の照射角度のずれを考慮して、レンズアレイ１１の各レンズ１１ａの光軸２８を、各レンズ１１ａに入射する電子ビーム１３の主光線と実質的に一致させるようにする。さらに、複数の第２クロスオーバ１４が第１光学系３の光軸２７の法線方向において実質的に均等な間隔ｄ配列されるように、各レンズ１１ａの位置（開口部位置）を設定している。
【００１９】
図３は、レンズアレイ１１を構成する第２電極２５の形状を示す図（断面図、および平面図）である。ここで、電子銃において第１クロスオーバ１２に電子ビーム１３が集束するときの球面収差によるＺ軸方向収差量ΔσｚおよびＸ軸方向収差量Δσｘは、球面収差係数をＣｓ、光軸２７と電子ビームとがなす角度をαとすると、以下の式（１）、（２）で表される。
Δσｚ＝−Ｃｓ×α２      （１）
Δσｘ＝−Ｃｓ×α３      （２）
電子ビーム１３は、電子銃２による第１クロスオーバ１２から発散してレンズアレイ１１に入射する。そこで、レンズアレイ１１の形状は、収差量ΔσｚおよびΔσｘに基づいて以下のようにして決定することができる。
【００２０】
図４は、レンズアレイ１１を構成する第１電極２４〜第３電極２６の位置関係を示す図である。第１電極２４から第３電極２６に適切な電位Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３をそれぞれ与えることで、レンズアレイ１１は、静電レンズとして機能する。例えば、Ｖ１＝Ｖ３＝ＧＮＤ電位、Ｖ２＝負電位とすれば、レンズアレイ１１は、凸レンズとして機能するアインツェル型の静電レンズとなる。本実施形態では、第１電極２４〜第３電極２６は、それぞれ、上記の球面収差に基づいて決められた非球面形状を有している。その形状・サイズは、例えば、図４に示すように、それぞれ、半径Ｌ１・Ｌ２・Ｌ３の球面上の各点の位置をＺ軸方向に−Ｃｓ×α２だけ、Ｘ軸方向に−Ｃｓ×α３だけずらして得られる。また、第１電極２４〜第３電極２６は、それらの回転対称軸と第１光学系３（電子銃）の光軸２７とがそれぞれ一致するように構成（配置）されている。さらに、開口部４０、４１、４２それぞれの回転対称軸と、それらに入射する電子ビーム１３の主光線とが実質的に一致するように構成されている。よって、各レンズ１１ａの光軸２８と電子ビーム１３の主光線とが一致するため、レンズアレイによる像面湾曲量は、無視し得る値とし得る。なお、図４に示すように、レンズアレイ１１の前側に、さらに電流制限部４３（アパーチャアレイ）を設置する構成もあり得る。この電流制限部４３は、第１電極２４〜第３電極２６と同様の形状であり、開口部４０、４１、４２に対応し、光軸２８とは同軸の軸を有する開口部４４を含む。この電流制限部４３により、第１電極２４に入射する電子ビームを削減して第１電極２４の温度上昇を低減することができる。なお、当該温度上昇の影響が小さい場合には、第１電極２４が電流制限部４３の役割を兼ねてもよい。
【００２１】
図５は、第１電極２４〜第３電極２６の電位を上記のように設定したときの各レンズ１１ａの前側焦点位置、主面および後側焦点位置を示す図である。ここで、レンズアレイ１１内の１つのレンズ１１ａについて、レンズの焦点距離をｆ、レンズの前側焦点位置から主面までの距離をａ、またレンズの主面から後側焦点位置までの距離をｂとすると、以下の式（３）に示す関係が成り立つ。
１／ｆ＝１／ａ＋１／ｂ      （３）
なお、レンズの焦点距離ｆは、第１電極２４〜第３電極２６のそれぞれに与える電位により決定される。また、レンズの前側焦点位置は、第１クロスオーバ１２の形成位置であり、一方、レンズの後側焦点位置は、第２クロスオーバ１４の形成位置である。ここで、上記のとおり、複数の第２クロスオーバ１４の位置は、第１光学系３の光軸２７に対する法線の方向において均等な間隔を有することが望ましい。しかしながら、従来の構成は、このように複数の第２クロスオーバ１４を均等な間隔で配置できないため、例えば、後側の第２光学系４の煩雑な調整を必要とし得る。本実施形態は、そのような調整を必要としない点で有利といえる。
【００２２】
このように、複数の第２クロスオーバ１４が等間隔で配置されるように、本実施形態では、レンズアレイ１１の複数の開口部４０（４１、４２）の間隔を電子銃の収差量に応じて異ならせる。例えば、図５に示すように、レンズアレイ１１の第２電極２５において、ある２つの開口部４１同士の間隔Δｄ１と、それらより第１光学系３の光軸２７から離れた領域に形成された２つの開口部４１同士の間隔Δｄ２との間に、Δｄ１＜Δｄ２の関係を満足させる。具体的には、第２電極２５の開口部４１の位置は、角度αと式（３）とによって決まる第２クロスオーバ１４の形成位置が光軸２７の法線の方向において均等な間隔ｄをもって配列されるように決定され得る。一方、第１電極２４と第３電極２６との開口部４０、４２の形成位置は、３つの電極２４、２５、２６の間隔に基づき、第２電極２５の開口部４１の回転対称軸、すなわち各レンズ１１ａの光軸２８を開口部４０、４２の回転対称軸とする位置として決定され得る。
【００２３】
図６は、描画装置１における第１光学系３の交換単位を示す図である。通常、作業者が描画装置において第１光学系３を組み込む場合、電子銃とレンズアレイ７１との位置関係には、緻密な調整が要求される。そこで、本実施形態では、図６の破線枠５０に示すように、電子銃とレンズアレイ１１とを含む第１光学系３をユニット化し、交換単位としている。第１光学系３を構成する電子銃およびレンズアレイ１１は、描画装置１内に組み込まれる前に、予め位置調整された状態でユニット化される。そして、作業者は、すでに位置調整された第１光学系３のユニット（交換ユニット）を描画装置１内に設置することで、描画装置を容易に組み立てる（製造する）ことができる。
【００２４】
以上のように第１光学系３においてレンズアレイ１１を構成することで、電子銃の球面収差による影響が低減され、描画装置１に設置されて使用されたときに、複数の第２クロスオーバ１４は、第１光学系３の光軸２７の法線の方向において等間隔に配列される。これにより、コリメーターレンズ１５にてコリメートされた複数の電子ビーム１３は、光軸に実質的に平行に、かつ該法線方向において実質的に等間隔になる。したがって、第１光学系３を備えた描画装置１は、後側の第２光学系４に電子銃の球面収差による影響を低減するための構成（例えば、偏向器アレイを含む調整機構など）を設けなくてもよい。よって、そのような描画装置１は、描画精度の点で有利となり得る。
【００２５】
以上のように、本実施形態によれば、電子銃の収差による影響を低減し得る。または、描画装置の調整の簡略化の点で有利となり得る。
【００２６】
なお、第１光学系３を構成するレンズアレイ１１は、アインツェル型の静電レンズに限らず、レンズアレイとして機能する他の型式のレンズアレイとしてもよい。また、レンズアレイ１１の形状は、電子銃の球面収差だけではなく他の収差による影響をも低減するような構成または形状としてもよい。例えば、第２光学系４により生じる収差、または、第１光学系３と第２光学系４との位置関係により生じる収差等が既知であれば、そのような収差の影響をも低減するような構成または形状としてもよい。
【００２７】
（他の実施形態）
上記実施形態にて電子線描画装置１を例示して説明した荷電粒子線装置は、電子線描画装置に限らず、電子顕微鏡やイオン線加工装置などの他の荷電粒子線装置にも適用可能である。例えば、上記実施形態の構成を適用した電子顕微鏡は、電子線描画装置の場合と同様、電子銃の収差による影響を低減するのに有利である。
【００２８】
（物品の製造方法）
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００２９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。例えば、複数のクロスオーバ１４から発散する複数の荷電粒子線をコリメートする光学素子として、図１におけるコリメーターレンズ１５の替わりに、図８における複数の偏向器７７を配置してもよい。
【符号の説明】
【００３０】
２      電子銃
３      第１光学系
８      電子源
１１    レンズアレイ
１１ａ  レンズ部
１２    第１クロスオーバ
１３    電子ビーム
１４    第２クロスオーバ
２８    光軸
【図１】
2013165234.tif 000003
【図２】
2013165234.tif 000004
【図３】
2013165234.tif 000005
【図４】
2013165234.tif 000006
【図５】
2013165234.tif 000007
【図６】
2013165234.tif 000008
【図７】
2013165234.tif 000009
【図８】
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