(57)【要約】【課題】基板の上のインプリント材から型を離型するのに有利な技術を提供する。【解決手段】基板の上のインプリント材を型で成形して硬化させ、硬化したインプリント材と前記型とを離すことで前記基板にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記型を保持して移動する保持部と、前記基板を保持して移動するステージと、前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記基板のショット領域のうち外周ショット領域に前記インプリント処理を行う際には、前記外周ショット領域に対して供給されたインプリント材のうち前記基板の半径方向に沿って最も外側の部分の少なくとも一部が前記型と最後に離れるように、前記保持部及び前記ステージの少なくとも一方を制御することを特徴とするインプリント装置を提供する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上のインプリント材を型で成形して硬化させ、硬化したインプリント材と前記型とを離すことで前記基板にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記型を保持して移動する保持部と、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記基板のショット領域のうち外周ショット領域に前記インプリント処理を行う際には、前記外周ショット領域に対して供給されたインプリント材のうち前記基板の半径方向に沿って最も外側の部分の少なくとも一部が前記型と最後に離れるように、前記保持部及び前記ステージの少なくとも一方を制御することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記外周ショット領域に前記インプリント処理を行う際には、前記外周ショット領域の前記基板の中心側の内側領域から前記基板の外周側の外側領域に向かって前記インプリント材と前記型とが離れるように、前記保持部及び前記ステージの少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記外周ショット領域に前記インプリント処理を行う際には、前記基板の中心から前記基板の半径方向に沿って前記インプリント材と前記型とが離れるように、前記保持部及び前記ステージの少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記外周ショット領域に前記インプリント処理を行う際には、前記保持部を鉛直方向に対して傾けることで、前記インプリント材と前記型とが離れるように、前記保持部を制御することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記外周ショット領域に前記インプリント処理を行う際には、前記基板の中心と前記外周ショット領域の中心とを結んだ線と前記基板の外周との交点における接線の上に位置する軸を回転軸として前記型が回転するように、前記保持部を傾けることを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記外周ショット領域に前記インプリント処理を行う際には、前記基板の中心から前記基板の半径よりも遠い距離に位置する軸を回転軸として前記型が回転するように、前記保持部を傾けることを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記外周ショット領域に前記インプリント処理を行う際には、前記ステージを鉛直方向に対して傾けることで、前記インプリント材と前記型とが離れるように、前記ステージを制御することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
基板の上のインプリント材を型で成形して硬化させ、硬化したインプリント材と前記型とを離すことで前記基板にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記型を保持して移動する保持部と、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記基板のショット領域のうち外周ショット領域に前記インプリント処理を行う際には、前記外周ショット領域の前記基板の中心側の内側領域から前記基板の外周側の外側領域に向かって前記型と前記インプリント材とを離すように、前記保持部及び前記ステージの少なくとも一方を制御することを特徴とするインプリント装置。
【請求項９】
基板の上のインプリント材を型で成形して硬化させ、硬化したインプリント材と前記型とを離すことで前記基板にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記型を保持して移動する保持部と、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記基板のショット領域のうち外周ショット領域に供給されたインプリント材と前記型とを離す制御を、前記基板のショット領域のうち前記外周ショット領域以外のショット領域に供給されたインプリント材と前記型とを離す制御と変えて、前記保持部及び前記ステージの少なくとも一方を制御することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを転写するステップと、
前記パターンが転写された前記基板を加工するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして注目されている。インプリント技術とは、微細なパターン（凹凸パターン）が形成されたモールド（型）を原版として、シリコンウエハやガラスプレートなどの基板の上にパターンを転写（形成）する技術である。
【０００３】
インプリント技術を用いたインプリント装置では、基板の上に樹脂（インプリント材）を供給し、かかる樹脂を介して基板にモールドを押し付け、その状態で樹脂を硬化させる。そして、硬化した樹脂からモールドを離型（剥離）することで、基板の上にモールドのパターンを転写する。この際、モールドの離型にかかる力を低減させて、基板の上に転写したパターン（樹脂のパターン）の破損を防止する必要がある。そこで、樹脂からモールドを離型する際にモールドを傾けることで、モールドの離型にかかる力を低減させる技術が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１８３７３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般的に、基板の上の対象ショット領域（即ち、これからインプリント処理を行うショット領域）には、これまでの工程で形成された回路層や製造プロセスにおける膜などが存在する。インプリント装置では、基板の外周を含むショット領域（モールドのパターン面の面積よりも小さい面積のショット領域）に対してもインプリント処理を行うが、かかるショット領域には、上述した回路層や膜の端部が存在することになる。このような回路層や膜の端部では基板に対する接着力が弱くなるため、基板の外周を含むショット領域では、モールドを離型する際に、回路層や膜、或いは、樹脂が基板から剥離してしまうことがある。また、基板の外周を含むショット領域では、かかるショット領域の上の硬化した樹脂がモールドに引っ張られ、基板がチャックから浮き上がり、モールドの離型を正常に行うことができないこともある。
【０００６】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板の上のインプリント材から型を離型するのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板の上のインプリント材を型で成形して硬化させ、硬化したインプリント材と前記型とを離すことで前記基板にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記型を保持して移動する保持部と、前記基板を保持して移動するステージと、前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記基板のショット領域のうち外周ショット領域に前記インプリント処理を行う際には、前記外周ショット領域に対して供給されたインプリント材のうち前記基板の半径方向に沿って最も外側の部分の少なくとも一部が前記型と最後に離れるように、前記保持部及び前記ステージの少なくとも一方を制御することを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、基板の上のインプリント材から型を離型するのに有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】基板の上のショット領域のレイアウト及び外周ショット領域の断面を示す図である。
【図３】従来技術における外周ショット領域に対するインプリント処理を説明するための図である。
【図４】本実施形態における外周ショット領域に対するインプリント処理を説明するための図である。
【図５】モールドを傾ける方向について詳細に説明するための図である。
【図６】外周ショット領域の上の樹脂からモールドを離型する際のモールドの回転中心及び回転軸の一例を示す図である。
【図７】本実施形態における外周ショット領域に対するインプリント処理を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１００の構成を示す図である。インプリント装置１００は、基板の上のインプリント材を型で成形して硬化させ、硬化したインプリント材から型を離型することで基板にパターンを転写するインプリント処理を行う。インプリント装置１００は、本実施形態では、型としてモールド１を使用し、インプリント材として紫外線硬化型の樹脂３を使用する。
【００１３】
インプリント装置１００は、モールドヘッド１０と、構造体１１と、紫外光源１２と、照明光学系１３と、ステージ定盤１４と、ステージ１５と、樹脂供給部１７と、制御部１８とを有する。
【００１４】
モールドヘッド１０は、構造体１１に取り付けられ、モールド１を保持して移動する保持部である。モールドヘッド１０は、モールド１を真空吸着又は静電吸着するモールドチャックやモールド１を移動させるための移動機構を含む。モールドヘッド１０は、基板２の上の硬化していない樹脂３にモールド１を押し付け（接触させ）、基板２の上の硬化した樹脂３からモールド１を離型（剥離）する機能を有する。
【００１５】
紫外光源１２及び照明光学系１３は、基板２の上の樹脂３を硬化させるための紫外線を照射する照射装置を構成する。但し、インプリント材として熱硬化型の樹脂を使用する場合には、紫外光源１２及び照明光学系１３は、熱硬化型の樹脂を加熱する加熱装置に置換される。ここでは、紫外光源１２から紫外線を照射することによって樹脂３を硬化させているが、樹脂３の種類に応じて、光源から照射する光の波長を決めることができる。
【００１６】
ステージ定盤１４には、基板２を保持して移動するステージ１５が載置されている。ステージ１５は、基板２を真空吸着する基板チャック１６や基板２を移動させるための移動機構を含む。
【００１７】
樹脂供給部１７は、樹脂３を吐出するノズルを含むディスペンサヘッドで構成され、基板２に樹脂３を供給する。樹脂供給部１７から樹脂３を供給しながらステージ１５を移動（スキャン移動やステップ移動）させることで、基板２の上（ショット領域）に樹脂３を塗布することが可能となる。
【００１８】
制御部１８は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の動作（インプリント処理）を制御する。換言すれば、制御部１８は、インプリント装置１００の各部を統括的に制御して、即ち、インプリント処理を行う。具体的には、制御部１８は、モールドヘッド１０を移動させ、基板２の上の樹脂３にモールド１を押し付けた状態で、紫外光源１２及び照明光学系１３からの紫外線を照射して樹脂３を硬化させる。そして、制御部１８は、モールドヘッド１０を移動させ、基板２の上の硬化した樹脂３からモールド１を離型することで、基板２の上にモールド１のパターンを転写する。
【００１９】
図２（ａ）は、基板２の上のショット領域のレイアウトを示す図である。本実施形態では、基板２の有効面積（パターンが転写される領域の面積）を最大にするために、基板２の内側のショット領域ＳＲｂだけではなく、基板２の外周２ａを含む外周ショット領域ＳＲａにもインプリント処理を行う。但し、本実施形態では、基板２の外周２ａを含んでいなくても、基板２の半径方向に沿って最も外側に位置するショット領域であれば、外周ショット領域ＳＲａとみなすものとする。例えば、外周ショット領域ＳＲａは、モールド１のパターン面の全面が基板２の内側に存在するが、その位置が基板２の外周２ａに近いショット領域なども含むものとする。
【００２０】
例えば、図２（ｃ）に斜線で示したように、外周２ａを含むショット領域を外周ショット領域ＳＲａとしてもよい。また、図２（ｄ）に斜線で示したように、外周２ａを含んでいなくても、基板方向に沿って外側にあるショット領域を外周ショット領域ＳＲａとしてもよい。また、図２（ｃ）と図２（ｄ）の両方を含んだショット領域を外周ショット領域と呼んでもよい。
【００２１】
図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す外周ショット領域ＳＲａの断面を示す図である。基板２の上には、これまでの工程で形成された回路層や製造プロセスにおける膜などの下地層４が存在し、基板２の外周２ａの近傍、即ち、外周ショット領域ＳＲａには、図２（ｂ）に示すように、下地層４の端部が存在する。
【００２２】
ここで、図３を参照して、従来技術における外周ショット領域ＳＲａに対するインプリント処理について説明する。まず、図３（ａ）に示すように、外周ショット領域ＳＲａに樹脂３を供給し、かかる外周ショット領域ＳＲａがモールド１の下（モールド１の押印位置）に位置するように、基板２を位置決めする。次いで、図３（ｂ）に示すように、外周ショット領域ＳＲａの上の樹脂３にモールド１を押し付け、樹脂３とモールド１とが接触した状態で紫外線を照射して樹脂３を硬化させる。次に、外周ショット領域ＳＲａの上の硬化した樹脂３からモールド１を離型する。この際、モールド１をＺ軸方向（鉛直方向）に移動させると、モールド１の離型によって生じる力が下地層４の端部に集中し、図３（ｃ）に示すように、下地層４が基板２から剥離してしまうことがある。その結果、モールド１のパターンを外周ショット領域ＳＲａの上に転写することができなくなる。また、基板２は基板チャック１６に真空吸着されているが、モールド１の離型によって生じる力が基板チャック１６の吸着力を超えると、基板２（の端部）が基板チャック１６から浮き上がり、モールド１の離型を正常に行うことができないこともある。
【００２３】
そこで、本実施形態では、外周ショット領域ＳＲａにインプリント処理を行う際に、制御部１８は、下地層４が基板２から剥離したり、基板２が基板チャック１６から浮き上がったりしないように、モールド１の離型を制御する。制御部１８は、モールド１が樹脂３から最後に離型する部分が外周ショット領域ＳＲａに対して供給された樹脂３のうち基板２の半径方向に沿って最も外側の部分の少なくとも一部となるように、モールドヘッド１０及びステージ１５の少なくとも一方を制御する。
【００２４】
図４を参照して、本実施形態における外周ショット領域ＳＲａに対するインプリント処理について具体的に説明する。まず、図４（ａ）に示すように、外周ショット領域ＳＲａに樹脂３を供給し、かかる外周ショット領域ＳＲａがモールド１の下に位置するように、基板２を位置決めする。次いで、図４（ｂ）に示すように、外周ショット領域ＳＲａの上の樹脂３にモールド１を押し付け、樹脂３とモールド１とが接触した状態で紫外線を照射して樹脂３を硬化させる。次に、外周ショット領域ＳＲａの上の硬化した樹脂３を離型する。この際、図４（ｃ）に示すように、モールドヘッド１０を介して、モールド１を基板２の表面（基板チャック１６の吸着面）、即ち、Ｚ軸方向（鉛直方向）に対して傾けて離型する。
【００２５】
図４（ｃ）に示すようなモールド１の離型では、外周ショット領域ＳＲａにおいて、樹脂３とモールド１とが基板２の中心側の内側領域から基板２の外周側の外側領域に向かって（即ち、基板２の内側から外側に向かって）離型を開始する。換言すれば、モールド１の離型によって生じる力は、基板２の内側領域から外側領域に向かって進行する。そして、下地層４の端部４ａの上に位置する樹脂３の部分（基板２の半径方向に沿って最も外側の部分）３ａからモールド１が最後に離型することで、モールド１の離型が終了する。
【００２６】
これにより、外周ショット領域ＳＲａの上の樹脂３からモールド１を離型する際に、樹脂３とモールド１とが接触（密着）している面積を低減することができるため、モールド１の離型によって下地層４や基板２にかかる力を小さくすることができる。従って、外周ショット領域ＳＲａのインプリント処理において、下地層４が基板２から剥離したり、基板２が基板チャック１６から浮き上がったりすることを抑えることができる。その結果、モールド１の離型を正常に行うことが可能となり、モールド１のパターンが外周ショット領域ＳＲａの上に転写される。
【００２７】
図５を参照して、外周ショット領域ＳＲａに対するインプリント処理において、モールド１を傾ける方向について詳細に説明する。図５（ａ）乃至図５（ｃ）のそれぞれは、モールド１と外周ショット領域ＳＲａとの位置関係を示しており、外周ショット領域ＳＲａにおける樹脂３の供給領域を斜線で表している。外周ショット領域ＳＲａの面積に対して、モールド１（のパターン面）の面積が大きいため、外周ショット領域ＳＲａからモールド１の一部がはみ出した状態でインプリント処理が行われる。なお、外周ショット領域ＳＲａにおいて、樹脂３は、一般的に、基板２の外周２ａから数ミリメートル内側の領域まで供給される。
【００２８】
例えば、図５（ａ）を参照するに、矢印Ｓに示すように、基板２の中心から基板２の半径方向に向かってモールド１が離型するように、モールド１を傾ける。具体的には、基板２の外周２ａに沿った円弧状の樹脂３の端部Ａと端部Ｂとを結んだ線Ｌ１に垂直な方向にモールド１を傾けて、樹脂３からモールド１を離型する。
【００２９】
また、図５（ｂ）を参照するに、矢印Ｓに示すように、モールド１（のパターン面）の一方の短辺１ａから他方の短辺１ｂに向かってモールド１が離型するように、モールド１を傾けてもよい。同様に、図５（ｃ）を参照するに、矢印Ｓに示すように、モールド１（のパターン面）の一方の長辺１ｃから他方の長辺１ｄに向かってモールド１が離型するように、モールド１を傾けてもよい。更には、基板２の中心とモールド１の中心とを結んだ線に沿った方向に、モールド１を傾けてもよい。
【００３０】
但し、外周ショット領域ＳＲａの上の樹脂３からモールド１を離型する際に、モールド１を傾ける方向を一方向に限定する必要はなく、モールド１の離型が基板２の内側領域から外側領域に向かって進行する必要もない。モールド１が外周ショット領域ＳＲａの上の樹脂３から最後に離型する部分が、かかる樹脂３のうち基板２の半径方向に沿って最も外側の部分の少なくとも一部を含んでいればよい。
【００３１】
図６は、外周ショット領域ＳＲａに対するインプリント処理において、外周ショット領域ＳＲａの上の樹脂３からモールド１を離型する際のモールド１の回転中心及び回転軸の一例を示す図である。図６（ａ）及び図６（ｃ）は、基板２の外周２ａにおける接線を回転軸としてモールド１を傾ける場合を示している。具体的には、基板２の中心と外周ショット領域ＳＲａの中心ＣＰとを結んだ線Ｌ２と基板２の外周２ａとの交点ＩＰにおける接線ＴＬの上に位置する軸を回転軸としてモールド１が回転するように、モールドヘッド１０を傾ける。なお、モールド１の回転軸は、モールド１のパターン面に設定してもよいし、基板２の上の外周ショット領域ＳＲａに設定してもよい。また、回転軸の基板平面上の位置を、図６（ａ）及び図６（ｃ）に示す回転軸の位置よりも基板２の内側方向に設定すると、モールド１を傾けて離型する際に、モールド１と基板２とが干渉してしまう。従って、図６（ｂ）、図６（ｄ）及び図６（ｅ）に示すように、基板２の接線よりも基板２の外側に回転軸を設定するとよい。基板２の中心から、基板２の半径よりも遠い距離に位置する軸を回転軸に設定する。例えば、図６（ｃ）に示す接線ＴＬを基板２の中心から基板２の半径方向に向かって平行移動させた線Ｌ３の上に位置する軸を回転軸としてモールド１が回転するように、モールドヘッド１０を傾けるとよい。
【００３２】
また、図６（ｂ）に示すように、基板チャック１６の高さが基板２の表面の高さとほぼ同じになるような場合もある。このような場合には、図６（ｅ）に示すように、モールド１のパターン面の最外周位置、又は、その外側を回転中心としてモールド１が回転するように、モールドヘッド１０を傾けるとよい。これは、基板チャック１６に限定されず、ステージ１５の上に載置されるセンサやマーク類を含む構造物に置換することができる。
【００３３】
また、外周ショット領域ＳＲａの上の樹脂３からモールド１を離型する際に、モールド１を傾けるのではなく、アクチュエータや流体の圧力によってモールド１を変形させ、樹脂３との接触面、即ち、パターン面を湾曲させてもよい。例えば、モールド１とモールドチャックとの間にキャビティ（密閉した空間）を形成し、かかるキャビティに配管を介して空気を供給及び排気することで、モールド１のパターン面を湾曲（変形）させることが可能である。このような場合にも、モールド１が外周ショット領域ＳＲａの上の樹脂３から最後に離型する部分が、かかる樹脂３のうち基板２の半径方向に沿って最も外側の部分の少なくとも一部となるようにすればよい。
【００３４】
モールド１の離型におけるモールド１の上述した制御は、インプリント処理を行うためのインプリントレシピを作成する際に計算してインプリント装置１００に記憶させてもよいし、インプリント処理や離型動作ごとに計算してもよい。また、モールド１を樹脂３に押し付けた際に生じる基板２からの反力のバランスを検出するセンサをモールドチャックなどに設け、かかるセンサの検出結果に基づいて、モールド１の制御を計算してもよい。
【００３５】
また、基板２の上の全てのショット領域に対して、モールド１と基板２とを相対的に傾けながらモールド１を離型する必要はない。外周ショット領域Ｓｂａを除くショット領域、例えば、基板２の内側のショット領域ＳＲｂ（図２（ａ）参照）については、モールド１と基板２とを相対的に傾けることなく（即ち、モールド１と基板２とが平行を維持するように）、モールド１を離型させればよい。
【００３６】
本実施形態のインプリント装置１００によれば、モールド１を離型する際に、基板２の外周２ａの近傍に存在する下地層４が剥離したり、基板２が基板チャック１６から浮き上がったりすることを抑えることができる。従って、インプリント装置１００は、基板２の内側のショット領域ＳＲｂだけではなく、外周ショット領域ＳＲａに対しても、良好なインプリント処理を行うことができる。
【００３７】
これまでは、モールド１を離型する際に、基板２に対してモールド１を傾ける場合について説明したが、図７に示すように、モールド１に対して基板２を傾けてもよい。具体的には、図７（ａ）に示すように、外周ショット領域ＳＲａに樹脂３を供給し、かかる外周ショット領域ＳＲａがモールド１の下に位置するように、基板２を位置決めする。次いで、図７（ｂ）に示すように、外周ショット領域ＳＲａの上の樹脂３にモールド１を押し付け、樹脂３とモールド１とが接触した状態で紫外線を照射して樹脂３を硬化させる。次に、外周ショット領域ＳＲａの上の硬化した樹脂３を離型する。この際、図７（ｃ）に示すように、ステージ１５を介して、基板２をモールド１のパターン面、即ち、Ｚ軸方向（鉛直方向）に対して傾けて離型する。但し、上述したように、モールド１が樹脂３から最後に離型する部分が外周ショット領域ＳＲａに対して供給された樹脂３のうち基板２の半径方向に沿って最も外側の部分の少なくとも一部となるようにする。
【００３８】
図７（ｃ）に示すようなモールド１の離型でも、外周ショット領域ＳＲａにおいて、樹脂３とモールド１とが基板２の中心側の内側領域から基板２の外周側の外側領域に向かって（即ち、基板２の内側から外側に向かって）離型を開始する。換言すれば、モールド１の離型によって生じる力は、基板２の内側領域から外側領域に向かって進行する。そして、下地層４の端部４ａの上に位置する樹脂３の部分（基板２の半径方向に沿って最も外側の部分）３ａからモールド１が最後に離型することで、モールド１の離型が終了する。
【００３９】
また、外周ショット領域ＳＲａの上の樹脂３からモールド１を離型する際に、基板２を傾けるのではなく、アクチュエータや流体の圧力によって基板２や基板チャック１６を変形させ、基板２を湾曲させてもよい。例えば、基板２と基板チャック１６との間にキャビティ（密閉した空間）を形成し、かかるキャビティに配管を介して空気を供給及び排気することで、基板２を湾曲（変形）させることが可能である。また、基板２を真空吸着する吸着面が湾曲した基板チャックを用いてもよい。このような場合にも、モールド１が外周ショット領域ＳＲａの上の樹脂３から最後に離型する部分が、かかる樹脂３のうち基板２の半径方向に沿って最も外側の部分の少なくとも一部となるようにすればよい。
【００４０】
外周ショット領域ＳＲａを除くショット領域にインプリント処理によりパターンを転写し、モールド１を離型する場合は、外周ショット領域ＳＲａと同様に樹脂３とモールド１とを離してもよいし、異なっていてもよい。また、外周ショット領域ＳＲａの上の樹脂３からモールド１を離型させる際は、樹脂が基板から剥離しないような離型を優先して行い、外周ショット領域を除くショット領域は離型の速さや離型の効率がよい方法を優先して行うことができる。例えば、図２（ｃ）や図２（ｄ）に斜線で示したショット領域と斜線で示していないショット領域とで離型の方法を変えることができる。このように、外周ショット領域ＳＲａと外周ショット領域ＳＲａを除くショット領域（外周ショット領域以外のショット領域）とで離型の方法を変えることで良好なインプリント処理を行うことができる。
【００４１】
以下、物品としてのデバイス（半導体デバイス、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１００を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本実施形態では、モールドを離型する際に、モールド又は基板を鉛直方向に対して傾けているが、モールド及び基板の双方を鉛直方向に対して傾けてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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