(57)【要約】【課題】欠陥の種類に応じて、複数の加工方式の中からの最適な加工方式の設定と加工条件の設定をして、基板の欠陥修正が可能なリペア装置を提供する。【解決手段】リペア装置１は、複数の波長のレーザ光を出射するレーザ光源１４と、基板１１を観察するための観察光学系２３と、２つのレーザ照射光学系１５，１６と、レーザ光が入射する光路を、２つのレーザ照射光学系のいずれかに切り替える光路切替部１７と、観察光学系２３からの光を受けて基板１１を撮像する撮像部１３と、撮像部１３において撮像して得られた画像から画像処理により、基板１１の欠陥部を検出する欠陥検出部５４ａと、欠陥部の加工領域毎に、加工方式と加工条件を設定する設定部５１ａと、加工領域毎に設定された加工方式と加工条件に基づいて基板１１に対して加工を行うように、レーザ光源１４と光路切替部１７を制御する制御部５１を有する。【選択図】図１
2013226588.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の波長のレーザ光を出射するレーザ光源装置と、
前記レーザ光により欠陥修正される基板を観察するための観察光学系と、
少なくとも２つのレーザ照射光学系と、
前記レーザ光が入射する光路を、前記少なくとも２つのレーザ照射光学系のいずれかに切り替えるレーザ光路切替部と、
前記観察光学系からの光を受けて前記基板を撮像する撮像部と、
前記撮像部において撮像して得られた画像から画像処理により、前記基板の欠陥部を検出する欠陥検出部と、
前記欠陥部の加工領域毎に、加工方式と加工条件を設定する加工条件設定部と、
前記加工領域毎に設定された前記加工方式と前記加工条件に基づいて前記基板に対して加工を行うように、前記レーザ光源装置と前記レーザ光路切替部を制御する制御部と、
を有することを特徴とするリペア装置。
【請求項２】
前記加工領域を、前記欠陥部の画像を解析する画像処理により、前記加工領域毎に前記加工方式を決定する加工方式決定部を有し、
前記加工条件設定部には、前記加工領域毎に前記加工方式決定部で決定された前記加工方式が設定されることを特徴とする請求項１に記載のリペア装置。
【請求項３】
前記加工方式決定部は、前記加工領域を、前記欠陥部の画像を解析する画像処理により、前記レーザ光による第１のエネルギーで加工する第１の加工領域と、前記レーザ光による前記第１のエネルギーよりも高い第２のエネルギーで加工する第２の加工領域に分類することによって、前記第１及び前記第２の加工領域のそれぞれについての前記加工方式を決定することを特徴とする請求項２に記載のリペア装置。
【請求項４】
前記第１の加工領域は、面加工方式により加工される領域であり、前記第２の加工領域は、集光点加工方式により加工される領域であることを特徴とする請求項３に記載のリペア装置。
【請求項５】
前記集光点加工方式により加工される領域を入力するためのグラフィカルユーザインターフェースを生成して表示部に表示するGUI表示部を有することを特徴とする請求項４に記載のリペア装置。
【請求項６】
前記集光点加工方式により加工される領域を入力するための第１のグラフィカルユーザインターフェースと、前記面加工方式により加工される領域を入力するための第２のグラフィカルユーザインターフェースとを生成して表示部に表示するGUI表示部を有することを特徴とする請求項４に記載のリペア装置。
【請求項７】
複数の波長のレーザ光を出射するレーザ光源装置からのレーザ光により基板の欠陥部を修正するリペア方法であって、
前記レーザ光により欠陥修正される基板を撮像する撮像部において撮像して得られた画像から画像処理により、前記基板の欠陥部を検出し、
検出された前記欠陥部の加工領域毎に、加工方式と加工条件を設定し、
前記加工領域毎に設定された前記加工方式と前記加工条件に基づいて前記基板に対して加工を行うように、前記レーザ光源装置と、前記レーザ光が入射する光路を少なくとも２つのレーザ照射光学系のいずれかに切り替えるレーザ光路切替部とを制御する、
ことを特徴とするリペア方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リペア装置及びリペア方法に関し、特に、レーザ光を利用して基板の欠陥を修正するリペア装置及びリペア方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザ光を利用して基板の欠陥を修正するリペア装置がある。リペア装置は、製造工程で製造された各種基板のパターンの欠陥修正などに利用される。修正される基板は、所謂フラットパネルディスプレイ（FPD）基板、半導体ウエハ、プリント基板などである。所謂フラットパネルディスプレイ（FPD）基板には、例えば、液晶ディスプレイ（LCD：Liquid Crystal Display）基板、プラズマディスプレイパネル（PDP：Plasma Display Panel）基板、有機EL（Electroluminescence）ディスプレイ基板、等がある。
【０００３】
リペア装置で修正される欠陥には、レジストパターン、エッチングパターンなどのパターニングプロセス後の、配線パターンの短絡不良などの欠陥がある。リペア装置は、レーザ光を照射することにより、短絡部分を切断することができる。
【０００４】
また、リペア装置には、スリット投影方式、レーザ光を点で集光させる方式など、種々の加工方式のリペア装置がある。例えば、余分なレジスト膜を切断するために、切断部分の形状に応じた断面形状を有するレーザ光を修正部分に照射して、任意の形状で欠陥を修正することのできる面加工方式のリペア装置がある。
【０００５】
そのような面加工方式のリペア装置には、レーザ光の断面形状を切断部分の形状に合わせるために、複数の微小ミラーがマトリックス状に配列されたデジタルミラーデバイス（Digital Mirror Device：以下、DMDと略す）ユニット等の空間光変調素子が用いたものがある。複数の微小ミラーの一部の角度を制御して、レーザ光源からのレーザ光をDMDに照射することによって、レーザ光の断面形状を所望の形状に整形することができる。面加工方式のリペア装置は、レーザ光を面形状で照射するため、レーザ耐力の低い物質を除去あるいは切断する場合に用いられる。
【０００６】
また、レーザ耐力の高い金属等の異物を除去する場合には、高いエネルギーを照射させるために、集光点でレーザ光を修正部分に照射して、欠陥を修正することのできる集光点加工方式のリペア装置もある。
【０００７】
欠陥には、所定のパターン形状からはみ出したレジスト部分などの面加工方式のリペア装置で修正可能な欠陥と、金属等の異物で集光点加工方式のリペア装置で修正可能な欠陥がある。従来は、面加工方式と集光点加工方式のリペア装置のそれぞれの装置において、検査者が欠陥部の状態を見て、修正を行っている。
【０００８】
このようなリペア装置に関連する技術としては、例えば、特開２００７−１０９９８１号公報に開示されているように、モニタに欠陥部を表示させて作業者が欠陥修正が必要か否かを判定し、修正が必要と判断された欠陥について、作業者が加工条件などを設定する欠陥修正の技術がある。
【０００９】
また、特開２０１１−８５８２１号公報には、基板上のパターンについて取得された欠陥画像と参照画像の差分情報と、予め登録された領域情報とから欠陥を検出し、検出した欠陥に基づいて修正方法を決定する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−１０９９８１号公報
【特許文献２】特開２０１１−８５８２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、上述した面加工方式のリペア装置と集光点加工方式のリペア装置のように、加工方式の異なるリペア装置は別個の装置であり、従来は、検査者が欠陥箇所をモニタに表示させて、欠陥を判定し、その欠陥に応じてそれぞれの装置へ搬送して欠陥修正を行うため、製造工程のタクトタイムが長くなるという問題があった。
【００１２】
上記の特開２００７−１０９９８１号公報及び特開２０１１−８５８２１号公報に開示の装置では、それぞれの装置が実行可能な加工方式は一種類に限定されており、それぞれの装置は、上述したような面加工方式と集光点加工方式といったような複数の加工方式の中から最適な加工方式を選択して、実行することはできない。従って、各リペア装置において修正可能な欠陥の種類は、限定されてしまい、製造工程のタクトタイムが長くなってしまう。
【００１３】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、欠陥の種類に応じて、複数の加工方式の中からの最適な加工方式の設定と加工条件の設定をして、基板の欠陥修正が可能なリペア装置及びリペア方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一態様によれば、複数の波長のレーザ光を出射するレーザ光源装置と、前記レーザ光により欠陥修正される基板を観察するための観察光学系と、少なくとも２つのレーザ照射光学系と、前記レーザ光が入射する光路を、前記少なくとも２つのレーザ照射光学系のいずれかに切り替えるレーザ光路切替部と、前記観察光学系からの光を受けて前記基板を撮像する撮像部と、前記撮像部において撮像して得られた画像から画像処理により、前記基板の欠陥部を検出する欠陥検出部と、前記欠陥部の加工領域毎に、加工方式と加工条件を設定する加工条件設定部と、前記加工領域毎に設定された前記加工方式と前記加工条件に基づいて前記基板に対して加工を行うように、前記レーザ光源装置と前記レーザ光路切替部を制御する制御部と、を有するリペア装置を提供することができる。
【００１５】
本発明の一態様によれば、複数の波長のレーザ光を出射するレーザ光源装置からのレーザ光により基板の欠陥部を修正するリペア方法であって、前記レーザ光により欠陥修正される基板を撮像する撮像部において撮像して得られた画像から画像処理により、前記基板の欠陥部を検出し、検出された前記欠陥部の加工領域毎に、加工方式と加工条件を設定し、前記加工領域毎に設定された前記加工方式と前記加工条件に基づいて前記基板に対して加工を行うように、前記レーザ光源装置と、前記レーザ光が入射する光路を少なくとも２つのレーザ照射光学系のいずれかに切り替えるレーザ光路切替部とを制御するリペア方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、欠陥の種類に応じて、複数の加工方式の中からの最適な加工方式の設定と加工条件の設定をして、基板の欠陥修正が可能なリペア装置及びリペア方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態に係わるリペア装置の構成図である。
【図２】本発明の実施の形態に係わる、欠陥部を含む基板１１の部分拡大画像の例を示す図である。
【図３】図２の画像に対応する参照画像RIの例を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態に係わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施の形態に係わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。
【図６】本発明の実施の形態に係わる、欠陥画像から欠陥部が抽出され、欠陥部の面加工領域と集光点加工領域が設定されるまでを説明するための図である。
【図７】本発明の実施の形態に係わる、設定部５１ａに設定される加工方式及び加工条件の例を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態の変形例１に関わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施の形態の変形例１に関わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。
【図１０】変形例１に係わる集光点加工領域入力GUIの例を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態の変形例２に関わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。
【図１２】本発明の実施の形態の変形例２に関わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。
【図１３】変形例２に係わる面加工領域入力GUIの例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。  
（全体構成）
図１は、本実施の形態に係わるリペア装置の構成図である。
【００１９】
リペア装置１は、リペア対象である基板１１を載置するXYステージ１２と、基板１１を撮像する撮像部１３と、レーザ光を出射するレーザ光源１４と、レーザ光源１４から出射されたレーザ光を導く第１の光学系１５と、レーザ光源１４から出射されたレーザ光を導く第２の光学系１６と、レーザ光源１４からのレーザ光を第１の光学系１５と第２の光学系１６のいずれか一方へ出射するように切り換える第１の光路切替部１７と、第１の光学系１５に配置されてレーザ光の断面形状を任意の形状に変更可能な２次元空間変調器１８と、第１の光学系１５と第２の光学系１６のいずれか一方からのレーザ光を出力するように切り換える第２の光路切替部１９と、第２の光路切替部１９からのレーザ光を基板１１に導く第３の光学系２０と、撮像部１３により基板１１を撮像するために照明光を出射する照明光源２１と、照明光源２１からの照明光を基板１１へ導く第４の光学系２２と、照明光の反射光を撮像部１３へ導く第５の光学系２３と、制御装置２４とを有して構成されている。
【００２０】
制御装置２４は、上述したレーザ光源１４、光路切替部１７、等を制御する、中央処理装置（CPU）及びメモリ装置を有する装置であり、例えば、パーソナルコンピュータである。制御装置２４の構成については、後述する。
【００２１】
リペア対象である基板１１は、ここでは、液晶ディスプレイ基板である所謂フラットパネルディスプレイ（FPD）基板である。基板１１上には、フォト工程、エッチング工程などにより、レジストパターン、エッチングパターン等が形成される。  
XYステージ１２は、制御装置２４の制御の下で、基板１１を、XY方向に移動する基板移動装置である。図示しない検査装置により基板１１に対して欠陥検査が行われ、欠陥の存在する位置情報が制御装置２４に与えられる。XYステージ１２は、制御装置２４の制御の下で、基板１１を移動させる。
【００２２】
XYステージ１２の上方には、対物レンズ切替ユニット３１が配設されている。対物レンズ切替ユニット３１は、複数（ここでは２つ）の対物レンズ３２を有し、制御装置２４の制御の下で、使用する対物レンズ３２が選択されてレーザ光を基板１１に入射させる。
【００２３】
撮像部１３は、CCD等の固体撮像素子であり、対物レンズ３２を通った基板１１からの光を、ダイクロイックミラー３３、３４と結像レンズ３５を含む第５の光学系２３を介して受ける。第５の光学系２３は、レーザ光により欠陥修正される基板を観察するための観察光学系である。撮像部１３は、観察光学系からの光を受けて基板１１を撮像する撮像部である。
【００２４】
照明光源２１からの照明光は、コレクタレンズ３６，ダイクロイックミラー３３及び対物レンズ３２を含む第４の光学系２２を介して、基板１１へ導かれ、基板１１を照明する。基板１１の光学像は、撮像部１３の撮像面に、その照明光が照射された基板１１からの反射光により形成される。すなわち、照明光は、ダイクロイックミラー３３により、反射されて基板１１へ導かれ、基板１１の反射光は、ダイクロイックミラー３３、３４を透過して、結像レンズ３５により撮像部１３へ導かれる。
【００２５】
レーザ光源１４は、YAGレーザ発信器を含み、複数の波長のレーザ光を生成して出射可能な多波長レーザ光源装置である。レーザ光源１４は、制御装置２４の制御の下で、ここでは、波長２６６ｎｍ、波長３５５ｎｍ、波長５３２ｎｍ、及び波長１０６４ｎｍの４つの波長のうちから１つのレーザ光を選択的に出射する。レーザ光源１４は、欠陥の種類あるいは加工方式に応じて選択されて設定された波長、パワー等で、レーザ光を出射する。
【００２６】
第１の光学系１５は、欠陥箇所の形状に合わせて欠陥を修正する面加工方式の欠陥修正のためのレーザ光を照射するレーザ照射光学系である。第１の光学系１５は、レンズ４１、光ファイバ４２、レンズ４３、ミラー４４及び２次元空間変調器１８を含む。  
第２の光学系１６は、欠陥箇所を点で修正する集光点加工方式の欠陥修正のためのレーザ光レーザ光を照射するレーザ照射光学系である。第２の光学系１６は、レンズ４５と光ファイバ４６を含む。
【００２７】
第１の光路切替部１７は、スライド可能なミラー４７を含むミラースライダである。第１の光路切替部１７は、制御装置２４の制御の下で、レーザ光源１４からのレーザ光を第１の光学系１５と第２の光学系１６のいずれか一方へ出射するように切り換えるレーザ光路切替機構を構成する。すなわち、第１の光路切替部１７は、レーザ光が入射する光路を、少なくとも２つのレーザ照射光学系１５，１６のいずれかに切り替えるレーザ光路切替部を構成する。
【００２８】
図１において実線で示すように、レーザ光を反射可能なミラー４７が、レーザ光源１４から出射されるレーザ光の光路上から外れるように移動すると、レーザ光は直進して、第１の光学系１５へ出射される。また、図１において点線で示すように、ミラー４７が、レーザ光源１４から出射されるレーザ光の光路上に移動すると、レーザ光はミラー４７で反射して、第２の光学系１６へ出射される。なお、ミラー４７をレーザ光の光路上から外れるように移動すると、レーザ光が第２の光学系１６へ出射され、ミラー４７をレーザ光の光路上に移動すると、レーザ光は第１の光学系１５へ出射されるようにしてもよい。
【００２９】
第１の光学系１５へ出射されたレーザ光は、レンズ４１を通り、光ファイバ４２の一方の端面に入射する。レーザ光は、光ファイバ４２の作用により光ファイバ４２内を伝送し、光ファイバ４２の他方の端面から出射され、レンズ４３を通ってミラー４４で反射される。
【００３０】
光ファイバ４２の他方の端面からのレーザ光は、レンズ４３により拡大されてミラー４４に出射される。よって、ファイバ４２の他方の端面は、レンズ４３とミラー４４により、レーザパワー分布が均一化された面光源となる。
【００３１】
ミラー４４からのレーザ光は、２次元空間変調器１８に入射される。２次元空間変調器１８は、後述する結像レンズ５０の前側焦点位置に配置される。  
２次元空間変調器１８は、空間光変調素子であり、ここでは、角度が変更可能な微小ミラーを備えるDMD（デジタルマイクロミラーデバイス）が複数２次元マトリックス状に配列されたDMDユニットである。DMDは、駆動用メモリーセルの上部に、例えば角度±１０度と０度（水平）にデジタル制御可能な微小ミラーを備えている。
【００３２】
DMDは、各微小ミラーと駆動用メモリーセルとの間のギャップに働く電圧差によって起こる静電引力によって角度±１０度と０度（水平）に高速で切り換えられるものであり、例えば、特開２０００−２８９３７号公報に開示されている。この微小ミラーの回転は、例えばストッパにより角度±１０度に制限され、駆動用メモリーセルのオン状態で角度±１０度に回転し、オフ状態で水平角度である０度に復帰する。なお、この微小ミラーは、例えば数μｍ〜数十μｍのオーダの矩形状に半導体製造技術を用いて形成されたマイクロミラーであり、駆動用メモリーセル上に２次元に配列することでDMDユニットが構成される。
【００３３】
第２の光路切替部１９は、スライド可能なミラー４８を含むミラースライダである。第２の光路切替部１９は、制御装置２４の制御の下で、第１の光学系１５と第２の光学系１６のいずれか一方からのレーザ光を第３の光学系２０へ出射するように切り換えるレーザ光路切替機構を構成する。図１において実線で示すように、レーザ光を反射可能なミラー４８が、２次元空間変調器１８からのレーザ光の光路上から外れるように移動すると、２次元空間変調器１８からのレーザ光は、第３の光学系２０へ出射される。また、図１において点線で示すように、ミラー４８が、２次元空間変調器１８からのレーザ光の光路上に移動すると、２次元空間変調器１８からのレーザ光はミラー４８により遮られ、第２の光学系１６からのレーザ光が、ミラー４８で反射されて、第３の光学系２０へ出射される。
【００３４】
第３の光学系２０は、ミラー４９、結像レンズ５０，ダイクロイックミラー３４及び対物レンズ３２を含む。  
上述したDMDユニットの基準反射面（各DMDの角度が０度の反射面）にレーザ光が入射した場合、ミラー４９にレーザ光は入射せず、各微小ミラーがオン状態で角度±１０度に傾いたとき、ミラー４９へレーザ光が入射するように、第１の光学系１５，第２の光路切替部１９及び第３の光学系２０は、配置される。なお、DMDユニットは、基準反射面の傾斜角を調整可能な支持台に取り付けられていることが好ましい。  
また、DMDユニットである２次元空間変調器１８に入射したレーザ光は、例えば駆動用メモリーセルをオン状態にしたときに、ミラー４９へ入射し、結像レンズ５０、ダイクロイックミラー３３、３４及び対物レンズ３２を介して、基板１１上に縮小投影される。さらに、駆動用メモリーセルをオフ状態にすれば、２次元空間変調器１８からのレーザ光は、ミラー４９に入射せず、基板１１に照射されない。
【００３５】
よって、面加工方式による欠陥修正を行う場合は、２次元空間変調器１８によって所望の断面形状に形成されたレーザ光は、第２の光路切替部１９を直進して、ミラー４９で反射されて、結像レンズ５０に入射する。結像レンズ５０から出射したレーザ光は、ダイクロイックミラー３４により反射され、対物レンズ３２によって基板１１上に、２次元空間変調器１８の反射面が縮小投影されることによって、基板１１を所望の形状で修正して加工する。
【００３６】
また、第２の光学系１６からのレーザ光がミラー４８で反射されると、レーザ光がミラー４９へ入射するように、第２の光学系１６，第２の光路切替部１９及び第３の光学系２０は、配置される。  
よって、集光点加工方式による欠陥修正を行う場合には、レーザ光は、レンズ４５を介して光ファイバ４６の一方の端面に入射する。光ファイバ４６の他方の端面では、レーザ光は、レーザパワー分布が均一化された面光源となっている。さらに、光ファイバ４６の他方の端面は、結像レンズ５０の前側焦点位置に配設される。光ファイバ４６の他方の端面から出射したレーザ光は、ミラー４８とミラー４９で反射されて、結像レンズ５０に入射する。結像レンズ５０から出射したレーザ光は、ダイクロイックミラー３４により反射され、対物レンズ３２によって基板１１上に集光して、基板１１を点の形状で修正して加工する。
【００３７】
なお、第２の光学系１６の光ファイバ４６の他方の端面に、ピンホール装置を設けて、このピンホール装置のピンホール径を有するレーザ光が、基板１１上に縮小投影されるようにしてもよい。さらに、ピンホール装置のピンホール径は、可変であってもよい。このような構成によれば、集光点加工方式の加工サイズは、そのピンホール径に依存するので、制御部５１により、ピンホール径を制御することにより、集光点加工方式の加工サイズを、欠陥に応じた加工サイズとすることができる。
【００３８】
さらになお、第２の光学系１６の光ファイバ４６の代わりに、凹レンズを配置して、レーザ光源４６から出射されたレーザ光の平行光線をその凹レンズにより開口数NAを有する状態で、結像レンズ５０に入射させるようにしてもよい。結像レンズ５０により再び平行光線となったレーザ光は、対物レンズ３２により基板１１上に集光する。その場合、その凹レンズの焦点距離を調整して、焦点位置を基板１１の手前で集光させて、レーザ光が基板１１上で有る程度の大きさを有するようにしてもよいし、結像レンズ５０の手前側焦点位置にピンホール装置を配置するようにして、そのピンホール装置のピンホール径を有するレーザ光が基板１１上に縮小投影されるようにしてもよい。凹レンズを用いることは、消耗品である光ファイバを使用しなくても良くなるというメリットがある。
【００３９】
観察光学系である第５の光学系２３の一部は、ダイクロイックミラー３４によって、第３の光学系２０と重なっている。すなわち、観察光学系は、第３の光学系２０の一部と同じ光軸上に位置している。基板１１からの反射光が結像レンズ３５により撮像部１３の撮像面上に結像することによって、撮像部１３は、基板１１を撮像する。表示部５９には、基板１１のライブ画像が表示される。
【００４０】
なお、上述した面加工方式では、２次元空間変調器１８を用いているが、２次元空間変調器１８の位置に配置された所定形状のマスクパターンあるいはスリットを用いてもよい。例えば、レーザ光源１４から出射されたレーザ光をビームエキスパンダにより拡大してマスクパターンあるいはスリットに入射させる。レーザ光は、マスクパターンあるいはスリットの形状に応じた断面形状を有して、基板１１上に照射される。この場合、ビームエキスパンダでレーザ光のビーム径を広げる代わりに、光ファイバの端面からのレーザ光をマスクパターンあるいはスリットに投影して、レーザ光のビーム径を広げるようにしてもよい。
（制御装置の構成）
制御装置２４は、制御部５１と、レシピ格納部５２と、ステージ制御部５３と、画像処理部５４と、対物レンズ切替制御部５５と、スライダ制御部５６と、レーザ形状制御部５７と、レーザ光源１４を制御するレーザ制御部５８と、表示部５９と、入力装置６０とを含む。
【００４１】
制御部５１は、中央処理装置（CPU）及びメモリ装置を含み、メモリ装置に記憶されたプログラム及びデータを用いて、後述する処理を実行する。制御部５１には、外部の検査装置から、欠陥修正する基板１１についての、欠陥位置情報が入力される。  
制御部５１は、加工領域及び加工条件が設定される設定部５１ａを含む。設定部５１ａは、欠陥部の加工領域毎に、加工方式と加工条件を設定する加工条件設定部を構成する。
【００４２】
制御部５１は、記憶されたプログラムをCPUにより実行して、レシピ格納部５２に格納された各種情報を用いて、設定部５１ａに加工領域及び加工条件を設定して、ステージ制御部５３、画像処理部５４、対物レンズ切替制御部５５、スライダ制御部５６、レーザ形状制御部５７及びレーザ制御部５８を制御する処理を実行する。すなわち、制御部５１は、加工領域毎に設定された加工方式と加工条件に基づいて基板１１に対して加工を行うように、レーザ光源１４と第１の光路切替部１７を制御する。
【００４３】
レシピ格納部５２は、欠陥修正時に使用する各種情報を格納するメモリ装置である。各種情報には、リペア対象である基板についての、参照画像情報、加工禁止領域情報、微細加工領域情報、加工方式領域情報、レーザ光出力設定情報、対物レンズ設定情報等、各加工方式実行時に必要な情報が含まれる。
【００４４】
参照画像情報は、欠陥部を有さない基板１１を撮像して得られた撮像画像などの画像情報であり、欠陥部の検出をするときに参照される参照画像RIの画像情報である。  
加工禁止領域情報は、基板１１において、全てのあるいは一部の加工方式による加工が禁止される領域の情報である。  
微細加工領域情報は、基板１１において、微細加工される領域の情報である。
【００４５】
加工方式領域情報は、加工方式が設定されている領域の情報であり、例えば、後述する自動処理の場合に、面加工方式により加工される面加工領域の情報と、集光点加工方式により加工される集光点加工領域の情報である。
【００４６】
レーザ光出力設定情報は、各加工方式の実行時にレーザ光源１４から出射されるレーザ光の波長、周波数、ショット数等の情報である。  
対物レンズ設定情報は、加工方式毎に使用される対物レンズ、及び微細加工時に使用される対物レンズの情報である。  
以上の他にも、各種情報が、レシピ格納部５２に予め記憶されている。
【００４７】
ステージ制御部５３は、基板１１の欠陥の位置にレーザ光を照射するように、XYステージ１２を制御する。ステージ制御部５３は、制御部５１から位置情報が入力され、入力された位置情報に基づいて、撮像部１３により欠陥部が撮像されて表示部５９に表示されるように、XYステージ１２を制御する。
【００４８】
画像処理部５４は、撮像部１３からの画像信号を入力して、リペア対象である基板１１の欠陥部を画像処理により検出する欠陥検出部５４ａを含み、基板１１の画像を表示するための画像信号を表示部５９に出力する。欠陥検出部５４ａは、撮像部１３において撮像して得られた画像から画像処理により、基板１１の欠陥部を検出する。
【００４９】
対物レンズ切替制御部５５は、対物レンズ切替ユニット３１を制御して、加工方式等に応じて、あるいは検査者からの指示に応じて、対物レンズ３２を切り替える。  
スライダ制御部５６は、ミラー４７，４８の位置を変更するように、第１及び第２の光路切替部１７、１９を制御する。
【００５０】
レーザ形状制御部５７は、修正する欠陥部の形状あるいはレーザ光照射領域の形状に合わせたレーザ光の反射光をミラー４９へ出射するように、制御部５１からの情報に基づいて２次元空間変調器１８を制御する。  
レーザ制御部５８は、レーザ光源１４を制御して、レーザ光の出力と、出力するレーザ光の波長等を制御する。
【００５１】
表示部５９は、基板１１のライブ画像を表示すると共に、修正の領域等の入力あるいは設定を行うグラフィカルユーザインターフェース（以下、GUIと略す）を提供する。表示部５９に表示されるGUIの画像は、制御部５１により生成され、表示されるGUIの画像の中には、撮像部１３により撮像して得られた基板１１の画像が含まれる。  
入力装置６０は、検査者が、制御部５１に対して各種指示を入力するための、キーボード、マウスなどの操作器である。
（リペア処理）
次に、リペア装置１のリペア処理について説明する。  
リペア装置１には、図示しない検査装置からの欠陥位置情報が入力され、リペア装置１は、その欠陥位置情報に基づいて、リペア処理を実行する。図示しない検査装置は、例えば、撮像装置により基板１１を撮像して、画像処理により欠陥を検出し、検出した欠陥の基板上の位置情報を生成して出力する装置である。
【００５２】
以下、基板画像の例を用いて、制御部５１の動作を説明するが、まず、基板画像の例について説明する。  
図２は、欠陥部を含む基板１１の部分拡大画像の例を示す図である。ここでは、図２の画像は、フォト工程後の基板１１の画像である。図２に示すように、欠陥部を含む基板１１の部分拡大画像（以下、欠陥画像という）DIには、基板１１の表面上に形成された複数の配線パターン１０１の画像と、欠陥部１０２の画像とが含まれている。欠陥部１０２は、金属などの異物１０３を含むレジスト膜１０４である。また、基板１１上には、配線パターン間の導通部１０５も形成されている。  
図３は、図２の画像に対応する参照画像RIの例を示す図である。上述したように、参照画像RIは、レシピ格納部５２に記憶されている。参照画像RIと欠陥画像DIの差分画像から、欠陥部１０２を検出することができる。  
なお、後述するように、図３において、４つの導通部１０５間の領域FRAが、微細加工領域である。
【００５３】
図４と図５は、制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。以下、図４と図５により、リペア装置１のリペア処理について説明する。また、図６は、欠陥画像から欠陥部が抽出され、欠陥部の面加工領域と集光点加工領域が設定されるまでを説明するための図である。
【００５４】
制御部５１内のメモリ装置には、図示しない検査装置から入力された基板１１の１つ又は複数の欠陥位置情報が格納され、制御部５１は、そのメモリ装置から欠陥位置情報を１つずつ読み出し、読み出された欠陥位置情報に基づいて、撮像部１３の撮像範囲をその欠陥位置へ、すなわちその欠陥位置情報に対応する位置を含む範囲へ、移動させる（ステップ（以下Sと略す）1）。より具体的には、制御部５１は、その欠陥位置情報に基づいてステージ制御部５３を制御して、撮像部１３によって基板１１の欠陥位置が撮像されるようにXYステージ１２を駆動する。
【００５５】
制御部５１は、画像処理部５４を制御して、撮像部１３から出力される画像信号を画像処理部５４に取り込むことによって、基板１１を撮像する（S2）。S2の処理により、欠陥画像DIが取得される。
【００５６】
続いて、制御部５１は、画像処理部５４内の欠陥検出部５４ａにより、欠陥画像DIから欠陥部１０２の検出を行う（S3）。図６に示すように、欠陥画像DIから、欠陥部画像DDIが抽出される。
【００５７】
欠陥部１０２の検出は、欠陥画像DIと参照画像RIとの差分を取ることによって行うことができる。例えば、図２に示すような欠陥画像DIと図３に示すような参照画像RIとからパターンマッチングにより、欠陥部１０２が抽出され、欠陥が検出される。なお、欠陥部１０２の抽出は、パターンマッチングの他にも、隣接画像比較などの画像処理技術を用いて行うようにしてもよい。
【００５８】
欠陥画像DIは、外部からの欠陥位置情報に基づいて得られるが、検査装置において検出された欠陥が、検査精度により欠陥でない場合もある。よって、制御部５１は、S3で欠陥が検出されない場合もある。  
そこで、制御部５１は、欠陥部が存在するか否かすなわち欠陥が検出されたか否かを判定し、欠陥画像内に欠陥部が存在しない場合は（S4:NO）、処理は、後述するS20へ移行する。
【００５９】
制御部５１は、欠陥画像内に欠陥部が存在する場合は（S4:YES）、検出された欠陥部の加工方式を決定する（S5）。S5の処理が、加工領域を、欠陥部１０２の画像を解析する画像処理により、加工領域毎に加工方式を決定する加工方式決定部を構成する。S5において決定された加工領域毎の加工方式は、設定部５１ａに設定される。ここでは、S5において、加工領域を、欠陥部１０２の画像を解析する画像処理により、レーザ光による低エネルギーで加工する面加工領域と、レーザ光による高エネルギーで加工する集光点加工領域に分類することによって、面加工領域及び集光点加工領域のそれぞれについての加工方式が決定される。
【００６０】
加工方式は、検出された欠陥部１０２の画像から得られたあるいは画像についての各種情報から、決定される。制御部５１は、検出された欠陥部１０２の画像を解析し、欠陥部１０２の輝度、輝度分散、色、形状、面積などから欠陥の種類を判定し、さらに、欠陥部の存在する領域の情報とから、欠陥部１０２の加工方式を決定する。
【００６１】
図６の例では、S3で抽出された欠陥部１０２を含む欠陥部画像DDIから、異物１０３の画像を含む欠陥部画像DDI1と、レジスト膜１０４の画像を含む欠陥部画像DDI2が生成されている。図６の欠陥部画像DDI1とDDI2の場合、例えば、欠陥画像DIにおいて異物１０３の部分の画素の輝度値は所定の値以下となるため、異物１０３の部分（欠陥部画像DDI1において丸いやや濃い影の部分）は、高いエネルギーで加工される部分として分類される。
【００６２】
同様に、例えば、欠陥画像DIにおいてレジスト膜１０４の部分の画素の輝度値は所定の値以上であるため、レジスト膜１０４の部分（欠陥部画像DDI2においてリング状の薄い影の部分）は、低いエネルギーで加工される部分として分類される。
【００６３】
ここでは、高いエネルギーで加工される部分（以下、高エネルギー加工部という）は、例えば黒欠陥の領域であり、集光点加工方式により加工される。低いエネルギーで加工される部分（以下、低エネルギー加工部という）は、例えばレジスト膜欠陥の領域であり、面加工方式により加工される。  
上述した例では、加工方式の決定は、欠陥画像DIの画像データの輝度に基づいて行われているが、輝度だけでなく、上述した輝度分散、色、形状、面積、欠陥部の位置情報などから判定してもよい。
【００６４】
さらにまた、ここでは、欠陥部１０２を高エネルギー加工部と低エネルギー加工部の２つの部分に分類しているが、所定の条件では、加工が不要な部分（以下、加工不要部という）として分類するようにしてもよい。例えば、黒欠陥は、加工不要部と分類されるようにしてもよい。
【００６５】
制御部５１は、欠陥部１０２の加工方式を決定した後、欠陥画像DI内に高エネルギー加工部が存在するか否かを判定する（S6）。図６の例では、欠陥部画像DDI1の異物１０３が高エネルギー加工部であるので、集光点加工方式で加工される部分が存在すると判定される。  
なお、高エネルギー加工部が存在しない場合（S6:NO）、処理は、S10へ移行する。
【００６６】
高エネルギー加工部が存在する場合（S6:YES）、制御部５１は、集光点加工方式で加工される領域（以下、集光点加工領域という）の情報を設定部５１ａに設定する（S7）。集光点加工領域は、集光点の軌跡（すなわち移動範囲）として決定される。
【００６７】
図６に示すように、集光点加工領域画像RA1は、参照画像RIと欠陥部画像DDI1とから決定される。集光点加工領域画像RA1において、白抜きの部分（白色の部分）が、焦点加工方式により加工される集光点加工領域を示す。すなわち、集光点加工領域は、異物１０３の部分において配線パターン１０１の部分を除いた領域である。よって、S7では、図６の白抜きの部分を走査する軌跡が、集光点加工領域として設定される。
【００６８】
続いて、制御部５１は、レーザショット条件を設定部５１ａに設定する（S8）。レーザショット条件は、レーザ加工条件であり、集光点加工方式におけるレーザ光の波長、周波数、ショット数などである。制御部５１は、レシピ格納部５２に予め記憶されている、集光点加工方式に対応するレーザショット条件を、読み出して、設定部５１ａに設定する。
【００６９】
図７は、設定部５１ａに設定される加工方式及び加工条件の例を示す図である。各欠陥部の加工領域毎に、加工方式と、加工領域情報と、波長、周波数、ショット数、パワー、光路などの加工条件情報とが、設定される。図７は、欠陥位置番号が「１」の欠陥部において、欠陥領域番号が「１−１」の加工領域について、加工方式が「高エネルギー加工方式」で、その加工領域が「（Xa,Ya）、（Xb,Yb）、・・・」で、波長が「２６６ｎｍ」で、あること等、を示している。
【００７０】
そして、制御部５１は、欠陥領域番号が「１−１」について設定部５１ａに設定された加工方式、加工領域、及び各種加工条件に基づいて、集光点加工を実行する（S9）。具体的には、制御部５１が、ステージ制御部５３、対物レンズ切替制御部５５、スライダ制御部５６、レーザ制御部５８を駆動しかつ制御することによって、集光点加工方式による修正が実行される。
【００７１】
集光点加工方式の場合、レーザ光が第２の光学系１６を通ってミラー４９に到達するように、制御部５１はスライダ制御部５６を制御して、第１及び第２の光路切替部１７、１９を切り替える。対物レンズ切替制御部５５において集光点加工方式に対応する対物レンズが選択されるように、制御部５１は、対物レンズ切替制御部５５を制御する。
【００７２】
また、制御部５１は、設定部１５ａに設定された集光点加工領域（集光点の軌跡）の情報に基づいて、ステージ制御部５３を制御してXYステージ１２を駆動する。  
さらに、制御部５１は、設定部１５ａに設定されたレーザ加工条件に基づいて、レーザ制御部５８を制御して、設定された波長、周波数、ショット数などで、レーザ光を出射するようにレーザ光源１４を駆動する。
【００７３】
次に、制御部５１は、欠陥画像DI内に低エネルギー加工部が存在するか否かを判定する（S10）。図６の欠陥部画像DDI2に示すような低エネルギー加工部が存在する場合（S10:YES）、制御部５１は、微細加工部が存在するか否かを判定する（S11）。なお、低エネルギー加工部が存在しない場合（S10:NO）、処理は、S20へ移行する。
【００７４】
微細加工部の位置及び領域の情報は、微細加工領域情報である微細加工領域画像FRIとして、レシピ格納部５２に記憶されている。よって、制御部５１は、レシピ格納部５２から微細加工領域画像FRIを読み出すことによって、欠陥部画像DDI2に微細加工領域が含まれているかを判定することができる。
【００７５】
ここでは、図３の十字形の領域FRAが微細加工領域である。よって、低エネルギー加工部が微細加工領域を含む場合は、制御部５１は、集光点加工領域を設定する（S12）。この集光点加工領域は、微細加工領域画像FRIと欠陥部画像DDI1とから決定され、集光点加工領域画像RA2において、白抜きの部分（白色の部分）が、集光点加工方式により加工される集光点加工領域を示す。すなわち、集光点加工領域は、レジスト膜１０４の部分中の微細加工部分の領域である。
【００７６】
よって、微細加工部が存在する場合（S11:YES）、制御部５１は、図６の集光点加工領域画像RA2に示すような集光点加工領域を設定する（S12）。S12の処理は、上記のS7と同様の処理である。なお、低エネルギー加工部が存在しない場合（S11:NO）、処理は、S15へ移行する。
【００７７】
続いて、制御部５１は、レーザショット条件を設定する（S13）。S13の処理は、上記のS8と同様の処理である。 
図７に示すように、欠陥位置番号が「１」の欠陥部において、欠陥領域番号が「１−２」の加工領域について、加工方式が「高エネルギー加工方式」であることが設定されている。さらに、欠陥領域番号が「１−２」の加工領域について、加工領域、波長等の加工条件も設定される。
【００７８】
そして、制御部５１は、欠陥領域番号が「１−２」について設定部５１ａに設定された加工方式、加工領域、及び加工条件に基づいて、集光点加工を実行する（S14）。S14の処理は、上記のS9と同様の処理である。
【００７９】
次に、制御部５１は、欠陥画像DI内に面加工部が存在するか否かを判定する（S15）。図６の例では、欠陥部画像DDI2のレジスト膜１０４が低エネルギー加工部であるので、面加工方式で加工される部分が存在すると判定される。  
なお、面加工部が存在しない場合（S15:NO）、処理は、S20へ移行する。
【００８０】
面加工部が存在する場合（S15:YES）、制御部５１は、面加工方式で加工される領域（以下、面加工領域という）を設定する（S16）。面加工領域は、S3で検出された欠陥部の形状及び位置に基づいて決定され、設定される。なお、面加工部が存在しない場合（S15:NO）、処理は、S20へ移行する。
【００８１】
面加工領域は、参照画像RIと欠陥部画像DDI2とから決定されるが、面加工方式における加工禁止領域情報があれば、加工禁止領域情報も加味して決定される。例えば、上記の微細加工領域FRAを含む矩形部が面加工方式における加工禁止領域情報として設定されて、レシピ格納部５２に記憶されているとき、制御部５１は、参照画像RIと欠陥部画像DDI2と加工禁止領域情報とから、面加工領域を決定して、設定部５１ａに設定する。図６では、面加工領域は、参照画像RIと欠陥部画像DDI2と加工禁止領域情報とから決定され、面加工領域画像RA3において、白抜きの部分（白色の部分）が、面加工方式により加工される面加工領域を示す。
【００８２】
次に、制御部５１は、設定した面加工領域にのみレーザ光を照射するように、２次元空間変調器１８の設定を行う（S17）。その結果、面加工領域画像RA3の面加工領域にのみレーザ光が照射されるように、各DMDの角度は制御される。
【００８３】
続いて、制御部５１は、レーザショット条件を設定する（S18）。レーザショット条件は、面加工方式におけるレーザ光の波長、周波数、ショット数などである。制御部５１は、面加工方式に対応する、レシピ格納部５２に予め記憶されているレーザショット条件を、読み出して、設定部５１ａに設定する。
【００８４】
図７に示すように、欠陥位置番号が「１」の欠陥部において、欠陥領域番号が「１−３」の加工領域について、加工方式が「低エネルギー加工方式」であることが設定されている。さらに、欠陥領域番号が「１−３」の加工領域について、加工領域、波長等の加工条件も設定される。
【００８５】
そして、制御部５１は、欠陥領域番号が「１−３」について設定部５１ａに設定された加工方式、加工領域、及び加工条件に基づいて、面加工を実行する（S19）。具体的には、制御部５１が、ステージ制御部５３、対物レンズ切替制御部５５、スライダ制御部５６、レーザ制御部５８を駆動しかつ制御することによって、面加工方式による修正が実行される。
【００８６】
面加工方式の場合、レーザ光が第１の光学系１５を通ってミラー４９に到達するように、制御部５１はスライダ制御部５６を制御して、第１及び第２の光路切替部１７、１９を切り替える。対物レンズ切替制御部５５において面加工方式に対応する対物レンズが選択されるように、制御部５１は、対物レンズ切替制御部５５を制御する。
【００８７】
さらに、制御部５１は、設定部１５ａに設定されたレーザ加工条件に基づいて、レーザ制御部５８を制御して、設定された波長、周波数、ショット数などで、レーザ光を出射するようにレーザ光源１４を駆動する。
【００８８】
以上により、１つの欠陥位置情報に基づいて得られた欠陥画像についての欠陥修正処理が行われるので、制御部５１は、未処理の欠陥位置情報が未だ存在するか否かを判定する（S20）。制御部５１は、欠陥修正する基板１１について入力された全ての欠陥位置情報について、上記の処理を実行するが、未処理の欠陥位置情報があれば（S20:YES）、処理は、S1に移行して、未処理の欠陥位置情報を読み出して、その読み出した欠陥位置情報に基づいて、撮像範囲を次の欠陥位置へ移動する。
【００８９】
欠陥修正する基板１１について入力された全ての欠陥位置情報について、上記の処理が実行されると（S20:NO）、処理は、終了する。
【００９０】
なお、上記の例では、高エネルギー加工部の欠陥修正及び微細加工部の欠陥修正は、集光点加工方式で行われているが、高倍率での面加工方式により行うようにしてもよい。その場合、制御部５１は、対物レンズ切替制御部５５を制御して、高倍率の対物レンズを第３の光学系２０に配置して、第１の光学系１５を通ったレーザ光を基板１１に照射するように、スライダ制御部５６を制御して、第１及び第２の光路切替部１７、１９を切り替える。
【００９１】
また、上記の例では、微細加工部の有無は、レシピ格納部５２に予め格納されている微細加工領域画像FRIに基づいて判定しているが、欠陥領域の面積、幅等の情報に基づいて判定するようにしてもよい。
【００９２】
さらに、上記の例では、集光点加工方式では、XYステージ１２を駆動して、基板１１を移動させて、設定された加工軌跡に沿って、ライン状加工を行っているが、加工ヘッドあるいは第３の光学系２０内のミラー４９を動かすことによって、ライン状加工を行うようにしてもよい。
【００９３】
以上のように、上述した実施の形態によれば、欠陥の種類に応じて、複数の加工方式の中からの最適な加工方式の設定と加工条件の設定をして、欠陥修正が可能なリペア装置及びリペア方法を実現することができる。
（変形例１）
以上の例では、制御部５１は、検出した欠陥部を、加工方式に応じた加工領域に分類して、加工を行うように各種制御部等を制御するが、本変形例１のリペア装置では、高エネルギー加工部については、作業者である検査者に加工領域を設定させるようにしたものである。
【００９４】
図８及び図９は、本変形例１に関わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。図８及び図９において、図４及び図５と同じ処理については、説明は同じ符号を付し、説明は省略する。また、ここでは、微細加工部の処理は、省略する。
【００９５】
S1からS5までの処理の後、欠陥部が存在する場合（S5:YES）、制御部５１は、面加工部が存在するか否かを判定し（S15）、面加工部が存在する場合は、上述したS16からS19の処理を実行する。
【００９６】
面加工部が存在しない場合（S15:NO）あるいは面加工方式の実行（S19）の後、制御部５１は、集光点加工領域を検査者に入力させるためのGUIである集光点加工領域入力GUIを表示する（S31）。よって、制御部５１は、集光点加工方式により加工される領域を入力するためのGUIを生成して表示部５９に表示するGUI表示部を構成する。
【００９７】
図１０は、集光点加工領域入力GUIの例を示す図である。図１０に示すGUIは、制御部５１により生成されて、表示部５９の画面上に表示される。検査者は、表示部５９に表示された集光点加工領域入力GUI上に、入力装置６０のマウスなどを用いて集光点加工領域を入力する。
【００９８】
集光点加工領域入力GUIは、撮像部１３により得られたライブの基板１１の画像を表示する基板画像表示部１１１と、操作内容表示部１１２と、加工条件入力部１１３と、「OK」ボタン１１４と、「キャンセル」ボタン１１５とを含む。
【００９９】
基板画像表示部１１１には、撮像部１３により得られたライブの基板１１の画像が表示される。操作内容表示部１１２には、検査者に、集光点加工のための設定操作を促すメッセージが表示されている。加工条件入力部１１３には、レシピ格納部５２に格納されている集光点加工方式に対応するレーザショット条件が表示され、検査者は、必要であればレーザショット条件を変更することができる。
【０１００】
例えば、図１０に示すように、検査者は、入力装置６０を用いて、基板画像表示部１１１に表示された基板１１の画像上に、レーザ光を当てる始点Spと終点Epとを指定する。例えば、入力装置６０のマウスの左ボタンを押して始点Spを指定し、右ボタンを押して終点Epを指定する。
【０１０１】
また、検査者は、条件入力部１１３に表示されているレーザショット条件を変更したい場合は、入力装置６０のキーボードを用いて、変更する条件を選択して変更値を入力する。レーザショット条件を変更する必要がない場合は、条件入力部１１３の条件値は変更されない。  
検査者は、集光点加工領域の指定及び必要なレーザショット条件の変更が終了すると、指定終了を指示するためのボタンである「OK」ボタン１１４をマウスでクリックする。また、検査者は、集光点加工を行わない場合、キャンセルを指示するためのボタンである「キャンセル」ボタン１１５をマウスでクリックする。
【０１０２】
制御部５１は、集光点加工領域が入力されたか否かを判定する（S32）。制御部５１は、「OK」ボタン１１４がクリックされると集光点加工領域が入力されたと判定し、「キャンセル」ボタン１１５がクリックされると集光点加工領域が入力されないと判定する、
「OK」ボタン１１４がクリックされると（S32:YES）、制御部５１は、集光点加工領域の情報、すなわち始点Spと終点Epの位置情報、を設定部５１ａに設定する（S7）。さらに、制御部５１は、レシピ格納部５２に格納されたあるいは変更されたレーザショット条件を設定部５１ａに設定する（S8）。そして、制御部５１は、指定された集光点加工を実行する（S9）。よって、始点Spと終点Epの位置間に、設定されたレーザショット条件で、レーザ光が照射される。図１０に示すように、始点Spと終点Epの位置間の点線で示す加工軌跡LR1に沿ってレーザ光による集光点加工が行われる。
【０１０３】
以上のように、本変形例１のリペア装置によれば、作業者である検査者は、高エネルギー加工部については加工領域を設定して、高エネルギー加工を行うことができる。
（変形例２）
上述した変形例１のリペア装置では、高エネルギー加工部については、作業者である検査者に加工領域を設定させるが、本変形例２のリペア装置では、低エネルギー加工部と高エネルギー加工部の両方について、作業者である検査者に加工領域を設定させるようにしたものである。
【０１０４】
図１１及び図１２は、本変形例２に関わる制御部５１の処理の例を示すフローチャートである。図１１及び図１２において、図４及び図５と同じ処理については、説明は同じ符号を付し、説明は省略する。また、ここでは、微細加工部の処理は、省略する。  
S1からS5までの処理の後、欠陥部が存在する場合（S5:YES）、制御部５１は、面加工領域を検査者に入力させるためのGUIである面加工領域入力GUIを表示する（S33）。
【０１０５】
図１3は、面加工領域入力GUIの例を示す図である。図１3に示すGUIは、制御部５１により生成されて、表示部５９の画面上に表示される。検査者は、表示部５９に表示された面加工領域入力GUI上に、入力装置６０のマウスなどを用いて面加工領域を入力する。
【０１０６】
面加工領域入力GUIは、撮像部１３により得られたライブの基板１１の画像を表示する基板画像表示部１２１と、操作内容表示部１２２と、加工条件入力部１２３と、「OK」ボタン１２４と、「キャンセル」ボタン１２５と、コマンド指定部１２６とを含む。
【０１０７】
基板画像表示部１２１には、撮像部１３により得られたライブの基板１１の画像が表示される。操作内容表示部１２２には、検査者に、面加工のための設定操作を促すメッセージが表示されている。加工条件入力部１２３には、レシピ格納部５２に格納されている面加工方式に対応するレーザショット条件が表示され、検査者は、必要であればレーザショット条件を変更することができる。
【０１０８】
コマンド指定部１２６には、面領域を指定する場合に利用できる図形描画のためのコマンドのアイコンが複数表示されている。例えば、円、楕円、四角などの文字を含むアイコンの中から、所望の図形に対応するアイコンを検査者がマウスで指定して、所定の操作入力をすると、任意の位置に、円、楕円などの図形を、基板画像表示部１２１を描画させることができるので、検査者は、これらのアイコンを利用して、面領域を指定することができる。
【０１０９】
例えば、図１３に示すように、検査者は、入力装置６０のマウスを操作して、コマンド指定部１２６を利用して面領域を指定して、薄い影で示したレジスト膜１０４の部分を面加工領域として指定する。
【０１１０】
また、検査者は、条件入力部１２３に表示されているレーザショット条件を変更したい場合は、入力装置６０のキーボードを用いて、変更する条件を選択して変更値を入力する。レーザショット条件を変更する必要がない場合は、条件入力部１２３の条件値は変更されない。  
検査者は、面加工領域の指定及び必要なレーザショット条件の変更が終了すると、指定終了を指示するためのボタンである「OK」ボタン１２４をマウスでクリックする。また、検査者は、集光点加工を行わない場合は、キャンセルを指示するためのボタンである「キャンセル」ボタン１２５をマウスでクリックする。
【０１１１】
制御部５１は、面加工領域が入力されたか否かを判定する（S34）。制御部５１は、「OK」ボタン１２４がクリックされると面加工領域が入力されたと判定し、「キャンセル」ボタン１２５がクリックされると面加工領域が入力されないと判定する、
「OK」ボタン１２４がクリックされると（S34:YES）、制御部５１は、面加工領域の情報、すなわちレーザ光を当てる面の領域の情報、を設定部５１ａに設定する（S16）。そして、制御部５１は、設定した面加工領域にのみレーザ光を照射するように、２次元空間変調器１８の設定を行う（S17）。
【０１１２】
さらに、制御部５１は、レシピ格納部５２に格納されたあるいは変更されたレーザショット条件を設定部５１ａに設定する（S18）。そして、制御部５１は、指定された面加工を実行する（S19）。よって、指定された面加工領域に、設定されたレーザショット条件で、レーザ光が照射される。図１３に示すように、レジスト膜１０４の部分にレーザ光による面加工が行われる。S19の処理の後、制御部５１は、S31〜S9の処理を実行する。よって、制御部５１は、面加工方式により加工される領域を入力するためのGUIと、集光点加工方式により加工される領域を入力するためのGUIを生成して表示部５９に表示するGUI表示部を構成する。
【０１１３】
以上のように、本変形例２のリペア装置によれば、作業者である検査者は、高エネルギー加工部及び低エネルギー加工部のそれぞれについて、加工方式と加工領域を設定して、高エネルギー加工と低エネルギー加工を行うことができる。
【０１１４】
以上のように、上述した実施の形態及びその各変形例によれば、欠陥の種類に応じて、複数の加工方式の中からの最適な加工方式の設定と加工条件の設定をして、基板の欠陥修正が可能なリペア装置及びリペア方法を実現することができる。
【０１１５】
リペア対象の基板上の欠陥には様々な種類が存在し、それぞれの欠陥修正に最適な加工方式及び加工条件で加工を行う必要があり、上述した実施の形態及びその各変形例によれば、欠陥の種類に応じて、最適な加工方式及び加工条件と加工条件を設定して、基板の欠陥修正を１台の装置で実現することができる。
【０１１６】
なお、上述した実施の形態及びその各変形例では、１つの加工方式が１つの加工領域ごとに異なるように設定されている。これは、例えば、金属などを含むレジスタ不良領域全体に面加工方式でレーザ光を照射した後に、残された金属を集光点方式でレーザ光を照射して除去したところ、欠陥箇所の周囲にレジストが飛散してしまうという問題が発生する場合があるからである。
【０１１７】
しかし、基板、異物の材質、レジスト材料等のリペア対象の条件によっては、同じ加工領域に複数の加工方式による加工を行っても問題のない場合もある。よって、１つの加工領域に複数の加工方式を設定あるいは指定できるようにしてもよい。
【０１１８】
本明細書における各「部」は、実施の形態の各機能に対応する概念的なもので、必ずしも特定のハードウエアやソフトウエア・ルーチンに１対１には対応しない。従って、本明細書では、以下、実施の形態の各機能を有する仮想的回路ブロック（部）を想定して実施の形態を説明した。また、本実施の形態における各手順の各ステップは、その性質に反しない限り、実行順序を変更し、複数同時に実行し、あるいは実行毎に異なった順序で実行してもよい。
【０１１９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。
【符号の説明】
【０１２０】
１  リペア装置、１１  基板、１２  XYステージ、１３  撮像部、１４  レーザ光源、１５  第１の光学系、１６  第２の光学系、１７  第１の光路切替部、１８  ２次元空間変調器、１９  第２の光路切替部、２０  第３の光学系、２１  照明光源、２２  第４の光学系、２３  第５の光学系、２４  制御装置、３１  対物レンズ切替ユニット、３２  対物レンズ、３３、３４  ダイクロイックミラー、３５  結像レンズ、３６  コレクタレンズ、４１  レンズ、４２  光ファイバ、４３  レンズ、４４  ミラー、４５  レンズ、４６  光ファイバ、４７、４８、４９  ミラー、５０  結像レンズ、５１  制御部、５１ａ  設定部、５２  レシピ格納部、５３  ステージ制御部、５４  画像処理部、５４ａ  欠陥検出部、５５  対物レンズ切替制御部、５６  スライダ制御部、５７  レーザ形状制御部、５８  レーザ制御部、５９  表示部、６０  入力装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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