(57)【要約】【課題】視認性を向上させることが可能な表示装置等を提供する。【解決手段】表示装置は、発光素子を含み、少なくとも一部に光透過領域を有する複数の画素と、入射光の透過率を制御可能な透過率制御素子とを備えている。光透過領域を有する画素内の発光素子における発光状態（発光時または非発光時）に応じた光透過率制御が実現される。【選択図】図９
2013003480.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を含み、少なくとも一部に光透過領域を有する複数の画素と、
入射光の透過率を制御可能な透過率制御素子と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記透過率制御素子は、入射光の透過動作と、入射光の吸収動作または反射動作とを切換可能な素子である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記透過率制御素子は、前記発光素子の発光時および非発光時の各々のときに、前記透過動作と前記吸収動作または反射動作とを切換可能となっている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記透過率制御素子が、前記発光素子に対して対向配置されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記透過率制御素子が、前記発光素子に対して並設されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記透過率制御素子が、複数の画素に対して１つの割合で配設されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記透過率制御素子が、全ての画素に対して共通化された１つだけ設けられている
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記透過率制御素子が、水平ライン単位または垂直ライン単位で配設されている
請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記透過率制御素子が、前記画素ごとに配設されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記透過率制御素子と前記発光素子との間で、少なくとも一部の電極が共通化されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記透過率制御素子が、エレクトロクロミック素子またはエレクトロウェッティング素子である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記画素は、前記発光素子と駆動素子とを含む画素回路を有し、
前記画素回路において、前記駆動素子の半導体層および電極層ならびに配線層のうちの少なくとも一部が、光透過性材料を用いて構成されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記発光素子が、有機ＥＬ素子である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
発光素子を含み、少なくとも一部に光透過領域を有する複数の画素と、
入射光の透過率を制御可能な透過率制御素子と
を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光素子を有する表示装置、およびそのような表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＡＲ（Augmented Reality：拡張現実）技術が盛んに検討されている。このＡＲ技術とは、現実の環境（の一部）に対して付加情報（電子情報）としてバーチャル（仮想的）な物体を合成提示することを特徴とする技術であり、バーチャルリアリティ（仮想現実：ＶＲ）と対比をなす技術である。ＡＲ技術では、現実環境中の特定の物体に関する説明や関連情報を含ませ、説明対象となる実物体近くに提示されることが多い。このため、ＡＲを実現するための技術として、使用者が対象を観察する位置などの現実環境の情報を取得するための技術が、基礎技術として重要視されている。
【０００３】
また、最近では、スマートフォンやタブレットと呼ばれる、比較的大型な表示装置（ディスプレイ）を備えた電子機器が商品化されている。このような電子機器に搭載された撮像素子（カメラ）によって現実環境を取り込んだ後にディスプレイに映し出し、その画面上にバーチャルな物体を合成表示することにより、手軽にＡＲを実現することが可能となってきている。
【０００４】
このようなＡＲにおけるリアリティ（臨場感）をより高める手法の１つとして、例えば、裏面側を視認可能な（光透過領域を有する画素を備えた）表示装置（いわゆる透明ディスプレイ）が挙げられる。この透明ディスプレイでは、上記したように撮像素子により取り込んだ映像ではなく、ディスプレイを通した実際の現実環境を視認することができる。このため、その現実環境に関する電子情報をディスプレイ上に映し出すことで、より臨場感の高いＡＲを実現することが可能となる。
【０００５】
このような透明ディスプレイとしては、以下の透明材料（光透過性材料）を半導体材料や配線材料として用いた有機ＥＬ表示装置が挙げられる（例えば、非特許文献１参照）。この有機ＥＬ表示装置では、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）において、酸化物半導体（例えば、アルミニウム（Ａｌ）および錫（Ｓｎ）を添加したＺｎ（鉛）−Ｉｎ（インジウム）−Ｏ（酸素））を半導体材料として用いている。また、配線材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウム錫）を用いている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Doo-Hee Cho et.al，“Al and Sn-doped Zinc Indium Oxide Thin film Transistors for AMOLED Back-Plane”，SID2009 proceedings，p.280-283
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、このような透明ディスプレイを、上記したようにＡＲ用のディスプレイとして用いる場合、その臨場感の更なる向上を図るため、視認性を向上させることが望まれる。
【０００８】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、視認性を向上させることが可能な表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の表示装置は、発光素子を含み、少なくとも一部に光透過領域を有する複数の画素と、入射光の透過率を制御可能な透過率制御素子とを備えたものである。
【００１０】
本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。
【００１１】
本開示の表示装置および電子機器では、入射光の透過率を制御可能な透過率制御素子が設けられていることにより、光透過領域を有する画素内の発光素子における発光状態（発光時または非発光時）に応じた光透過率制御が実現される。
【発明の効果】
【００１２】
本開示の表示装置および電子機器によれば、入射光の透過率を制御可能な透過率制御素子を設けるようにしたので、光透過領域を有する画素内の発光素子における発光状態に応じた光透過率制御を実現することができる。よって、そのような光透過領域を有する画素を備えた表示装置における視認性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の一例を表すブロック図である。
【図２】図１に示した各画素内のサブピクセル構造例を表す模式図である。
【図３】図２に示した各サブピクセルの内部構成例を表す回路図である。
【図４】図３に示したサブピクセルの平面構成例を比較例１とともに表す図である。
【図５】図１に示した表示パネルの断面構成例を表す模式図である。
【図６】比較例２に係る表示パネルの断面構成例を表す模式図である。
【図７】比較例２に係る画素における発光時および非発光時の視認状態を模式的に表す平面図である。
【図８】図５に示した透過率制御素子における光透過状態および光吸収状態について説明するための模式図である。
【図９】第１の実施の形態の画素における発光時および非発光時の視認状態を模式的に表す平面図である。
【図１０】第２の実施の形態に係る表示パネルの断面構成例を表す模式図である。
【図１１】図１０に示した透過率制御素子における光透過状態および光反射状態について説明するための模式図である。
【図１２】第２の実施の形態の画素における発光時および非発光時の視認状態を模式的に表す平面図である。
【図１３】第３の実施の形態に係る表示パネルの断面構成例を表す模式図である。
【図１４】図１３に示した透過率制御素子における光吸収状態について説明するための模式断面図である。
【図１５】図１３に示した透過率制御素子における光透過状態について説明するための模式断面図である。
【図１６】変形例１，２に係る各サブピクセルの内部構成例を透過率制御素子とともに表す回路図である。
【図１７】変形例１，２に係る表示パネルにおける透明領域および非透明領域の配置例を表す模式図である。
【図１８】変形例３，４に係る各画素内のサブピクセル構造例を表す模式図である。
【図１９】変形例３の画素における発光時および非発光時の視認状態を模式的に表す平面図である。
【図２０】実施の形態および変形例の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２１】実施の形態および変形例の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２２】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２３】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２４】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２５】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（光の透過・吸収を行うエレクトロクロミック素子を用いた例）
２．第２の実施の形態（光の透過・反射を行うエレクトロクロミック素子を用いた例）
３．第３の実施の形態（エレクトロウェッティング素子を用いた例）
４．第１〜第３の実施の形態に共通の変形例
変形例１（水平ライン単位で透過率制御素子を配置した例）
変形例２（サブピクセル（画素）単位で透過率制御素子を配置した例）
変形例３，４（各サブピクセルに対して透過率制御素子を並設させた例）
５．モジュールおよび適用例
６．その他の変形例
【００１５】
＜第１の実施の形態＞
［表示装置１の構成］
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の概略構成をブロック図で表したものである。この表示装置１は、表示パネル１０（表示部）および駆動回路２０（駆動部）を備えており、後述するように画素の少なくとも一部が光透過領域（透明領域）となっていることにより、裏面側を視認可能となっている（いわゆる透明ディスプレイとして機能するようになっている）。
【００１６】
（表示パネル１０）
表示パネル１０は、複数の画素１１がマトリクス状に配置された画素アレイ部１３を有しており、外部から入力される映像信号２０Ａおよび同期信号２０Ｂに基づいて、アクティブマトリクス駆動により画像表示を行うものである。各画素１１は、後述する複数の色（ここでは３色）に対応する複数のサブピクセル（各色用のサブ画素）を含んで構成されている。
【００１７】
画素アレイ部１３は、行状に配置された複数の走査線ＷＳＬと、列状に配置された複数の信号線ＤＴＬと、走査線ＷＳＬに沿って行状に配置された複数の電源線ＤＳＬとを有している。これらの走査線ＷＳＬ、信号線ＤＴＬおよび電源線ＤＳＬの一端側はそれぞれ、後述する駆動回路２０に接続されている。また、上記した各画素１１は、各走査線ＷＳＬと各信号線ＤＴＬとの交差部に対応して、行列状に配置（マトリクス配置）されている。なお、図１では、以下説明する複数の色に対応する複数の信号線（各色用の信号線）ＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂを、簡略化して１つの信号線ＤＴＬとして示している。
【００１８】
この画素アレイ部１３にはまた、そのほぼ全面に、入射光の透過率（光透過率）を制御可能な透過率制御素子１５が配設されている。すなわち、透過率制御素子１５は、ここでは、画素アレイ部１３内の全ての画素１１に対して共通化された１つだけ設けられている。換言すると、透過率制御素子１５の解像度が、画素１１の解像度よりも低くなっている（透過率制御素子１５が、複数の画素１１（ここでは全ての画素１１）に対して１つの割合で配設されている）。また、本実施の形態では、透過率制御素子１５は、各画素１１（後述する有機ＥＬ素子１２）に対して対向配置（積層配置）されている。この透過率制御素子１５は、ここでは、入射光の透過動作と入射光の吸収動作とを切換可能な素子である。詳細には、後述する有機ＥＬ素子１２の発光時および非発光時（消光時）の各々のときに、そのような透過動作と吸収動作とを切換可能となっている。このような透過率制御素子１５は、ここでは、後述するエレクトロクロミック（Electro Chromic：ＥＣ）素子からなる。
【００１９】
図２は、各画素１１の内部構成（サブピクセル構造）の一例を、平面図で模式的に表したものである。
【００２０】
各画素１１は、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３原色のサブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにより構成されている。すなわち、各画素１１は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する３つのサブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂからなるサブピクセル構造となっている。ここでは、各画素１１内において、３つのサブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１ＢＷが水平ライン方向（Ｈライン方向）に沿って一列に並んで配置されている。ただし、各画素１１内での各サブピクセルル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの配置構成はこの例には限られず、他の配置構成であってもよい。
【００２１】
なお、図２中には図示していないが、サブピクセル１１Ｒには、信号線ＤＴＬｒ、走査線ＷＳＬおよび発光制御線ＤＳＬが接続されている。サブピクセル１１Ｂには、信号線ＤＴＬｂ、走査線ＷＳＬおよび発光制御線ＤＳＬが接続されている。サブピクセル１１Ｇには、信号線ＤＴＬｇ、走査線ＷＳＬおよび発光制御線ＤＳＬが接続されている。すなわち、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂには、各色に対応する信号線ＤＴＬｒ，ＤＴＬｂ，ＤＴＬｇがそれぞれ個別に接続されている一方、走査線ＷＳＬおよび電源線ＤＳＬは共通して接続されている。
【００２２】
図３は、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの内部構成（回路構成）の一例を表したものである。各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ内には、有機ＥＬ素子１２（発光素子）および画素回路１４が設けられている。
【００２３】
画素回路１４は、書き込み（サンプリング用）トランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２および保持容量素子Ｃｓを用いて構成されている。すなわち、この画素回路１４は、いわゆる「２Ｔｒ１Ｃ」の回路構成となっている。ここで、書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２はそれぞれ、例えば、ｎチャネルＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）により形成されている。なお、ＴＦＴの種類は特に限定されるものではなく、例えば、逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）であってもよいし、スタガー構造（いわゆるトップゲート型）であってもよい。
【００２４】
画素回路１４では、書き込みトランジスタＴｒ１のゲートが走査線ＷＳＬに接続され、ドレインが信号線ＤＴＬ（ＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂ）に接続され、ソースが、駆動トランジスタＴｒ２のゲートおよび保持容量素子Ｃｓの一端に接続されている。駆動トランジスタＴｒ２のドレインは電源線ＤＳＬに接続され、ソースは、保持容量素子Ｃｓの他端および有機ＥＬ素子１２のアノードに接続されている。有機ＥＬ素子１２のカソードは、例えば水平ライン方向に沿って延在する配線上の固定電位ＶＳＳ（例えば、接地電位）に設定されている。
【００２５】
ここで、本実施の形態のサブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂでは、例えば図４（Ａ），（Ｂ）に示したように、その少なくとも一部の領域が光透過領域（図４（Ｂ）中の破線で示した領域）となっている。具体的には、詳細は後述するが、サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ内の画素回路１２において、駆動素子（書き込みトランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２および保持容量素子Ｃｓ）の半導体層および電極層や配線層のうちの少なくとも一部が、光透過性材料（透明材料）を用いて構成されている。これにより、サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂでは、例えば７７％程度の高開口率を示すことが可能となっている。これに対して、図４（Ｃ）に示した比較例１に係るサブピクセル１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂ（上記した駆動素子の半導体層に非透明材料であるシリコン（Ｓｉ）を用いると共に、電極層および配線層に非透明金属を用いた従来例）では、例えば３６％程度の低い開口率となっている。すなわち、少なくとも一部に透明材料を用いて構成されたサブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂでは、非透明材料だけを用いて構成されたサブピクセル１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂと比べて高い開口率が実現されており、裏面側の視認が可能となっている。
【００２６】
図４は、表示パネル１０の断面構成例を模式的に表したものである。この表示パネル１０は、表示装置１の前面（表面）側から背面（裏面）側へ向かって、ＴＦＴ基板４、画素間絶縁膜５１、有機層５２、電極層５３、平坦化膜５４および透過率制御素子１５をこの順に有している。
【００２７】
ＴＦＴ基板４は、表示装置１の前面側から背面側へ向かって、基板４１と、電極層４２１、ゲート電極４２２および配線層４２３Ａと、金属層４２３Ｂと、ゲート絶縁膜４３と、酸化物半導体層４４と、保護層４６と、電極層４５１および配線層４５２と、電極層４７１および金属層４７２と、保護層４８とをこの順に有している。このＴＦＴ基板４は、前述した駆動素子（書き込みトランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２および保持容量素子Ｃｓ）等が形成されてなる基板である。
【００２８】
基板４１は、光透過性を有する基板であり、例えばガラス材料や樹脂材料などからなる。なお、この基板４１上に、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ2）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）等からなるバッファ層を予め設けておき、基板４１から駆動素子への汚染物質の浸入を防止するようにしてもよい。
【００２９】
電極層４２１は、保持容量素子Ｃｓを構成する一方の電極であり、ゲート電極４２２は、ここでは書き込みトランジスタＴｒ１のゲート電極であり、配線層４２３Ａは、画素回路１４内の配線等を構成するものである。これらの電極層４２１、ゲート電極４２２および配線層４２３Ａはそれぞれ、基板４１上に形成されており、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯ（Indium Zink Oxide：酸化インジウム亜鉛），ＡＺＯ（Aluminum Zink Oxide：酸化亜鉛アルミニウム）等の透明酸化物半導体や、透明炭素等の光透過性材料からなる。このような材料からなる電極層４２１、ゲート電極４２２および配線層４２３Ａは、例えばスパッタ法などにより形成することができる。
【００３０】
金属層４２３Ｂは、配線層４２３Ａ上で電気的に接続されるように形成されており、例えば信号線ＤＴＬ等の配線全体の抵抗（配線抵抗）を下げるためのものである。このような金属層４２３Ｂとしては、例えば、配線層４２３Ａ側の金属層（モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），マンガン（Ｍｎ）等）と、その上層の金属層（アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）等）との積層構造を用いることが可能である。
【００３１】
ゲート絶縁膜４３は、電極層４２１、ゲート電極４２２、配線層４２３Ａおよび金属層４２３Ｂを覆うように設けられており、例えばプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）法により形成されたＳｉＯ2からなる。ただし、その代替として、例えばＳｉ3Ｎ4や、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）あるいはそれらの積層膜を用いてもよい。
【００３２】
酸化物半導体層４４は、例えばＩｎ，Ｇａ（ガリウム），Ｚｎ，Ｓｎなどの元素の複合酸化物からなり、例えば、ＤＣスパッタ法やＲＦスパッタ法などを用いて形成することが可能である。特に、堆積速度の観点からは、ＤＣスパッタ法を用いることが望ましい。
【００３３】
保護層４６は、酸化物半導体層４４における書き込みトランジスタＴｒ１等のチャネル領域上に設けられており、チャネル保護膜として機能するものである。この保護層４６は、例えばＰＥＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ等からなる。
【００３４】
電極層４５１は、保持容量素子Ｃｓにおける他方の電極、書き込みトランジスタＴｒ１におけるソース・ドレイン電極および有機ＥＬ素子１２におけるアノード電極（画素電極）等を構成するものである。配線層４５２は、画素回路１４内の配線等を構成するものである。これらの電極層４５１および配線層４５２もまた、例えば前述した透明酸化物半導体や透明炭素等の光透過性材料からなる。
【００３５】
電極層４７１は、電極層４５１のうちの書き込みトランジスタＴｒ１におけるソース・ドレイン領域上に設けられ、金属層４７２は、配線層４５２上に設けられている。これらの電極層４７１および金属層４７２はそれぞれ、ソース・ドレイン電極や配線の電気抵抗を下げるためのものであり、例えばＡｌ，Ｃｕ等からなる。
【００３６】
保護層４８は、保持容量素子Ｃｓ、書き込みトランジスタＴｒ１および配線等を覆うように設けられており、いわゆるパッシベーション膜として機能するものである。この保護層４８は、例えば、スパッタ法やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）法により形成されたＡｌ2Ｏ3や、スパッタ法やＰＥＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4、あるいはそれらの積層膜など、ガスバリア性の高い材料からなる。
【００３７】
画素間絶縁膜５１は、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにおける有機ＥＬ素子１２同士を分離するように設けられており、例えばポリイミドやアクリル等の有機系の絶縁材料からなる。このような画素間絶縁膜５１は、例えばスピンコート法やスリットコート法、ダイコート法などを用いて形成することが可能である。
【００３８】
有機層５２は、例えば、発光層と、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層（いずれも図示せず）とが積層された構造となっている。
【００３９】
電極層５３は、有機ＥＬ素子１２におけるカソード電極（共通電極）を構成するものであり、有機層５２および画素間絶縁膜５１上を覆うように設けられている。この電極層５３もまた、例えば前述した透明酸化物半導体や透明炭素等、あるいは薄膜の金属層からなる光透過性材料からなる。なお、この電極層５３、有機層５２および電極層４５１により、有機ＥＬ素子１２が形成されるようになっている。
【００４０】
平坦化膜５４は、電極層５３上を覆うように設けられており、例えば、上記した画素間絶縁膜５１と同様の材料（ポリイミドやアクリル等の有機系の絶縁材料）からなる。
【００４１】
透過率制御素子１５は、表示装置１の前面側から背面側へ向かって、透明電極１５１Ｃ、ＥＣ材料層１５２Ｃ、誘電体膜１５３、ＥＣ材料層１５２Ａおよび透明電極１５１Ａをこの順に有している。このような積層構造により、エレクトロクロミック（ＥＣ）素子からなる透過率制御素子１５が形成されるようになっている。
【００４２】
透明電極１５１Ｃ，１５１Ａはそれぞれ、エレクトロクロミック素子の駆動用電極（カソード電極およびアノード電極）として機能するものであり、例えば前述した透明酸化物半導体や透明炭素等の光透過性材料からなる。なお、これらの透明電極１５１Ｃ，１５１Ａはそれぞれ、例えば互いに直交する櫛形状となっている。
【００４３】
ＥＣ材料層１５２Ｃは、カソーディックなエレクトロクロミック材料（ＥＣ材料）である、酸化タングステン（ＷＯ3），酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5），酸化モリブデン（ＭｏＯ3）等からなり、電子ビーム蒸着法やスパッタ法などを用いて形成することが可能である。
【００４４】
ＥＣ材料層１５２Ａは、アノーディックなＥＣ材料である、酸化ニッケル（ＮｉＯ），酸化イリジウム（ＩｒＯ），酸化コバルト（ＣｏＯ）等からなり、電子ビーム蒸着法やスパッタ法などを用いて形成することが可能である。
【００４５】
誘電体膜１５３は、例えば金属酸化物である酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等の誘電体や多孔性高分子などからなる。
【００４６】
（駆動回路２０）
図１に示した駆動回路２０は、画素アレイ部１３（表示パネル１０）を駆動する（表示駆動を行う）ものである。具体的には、画素アレイ部１３における複数の画素１１を順次選択しつつ、選択された画素１１内の各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに対して映像信号２０Ａに基づく映像信号電圧を書き込むことにより、複数の画素１１に対する表示駆動を行っている。すなわち、駆動回路２０は、映像信号２０Ａに基づいて各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに対する表示駆動を行うようになっている。また、駆動回路２０は、上記した透過率制御素子１５を駆動する機能も有している。この駆動回路２０は、映像信号処理回路２１、タイミング生成回路２２、走査線駆動回路２３、信号線駆動回路２４、電源線駆動回路２５および制御素子駆動回路２６を有している。
【００４７】
映像信号処理回路２１は、外部から入力されるデジタルの映像信号２０Ａに対して所定の映像信号処理を行うと共に、そのような映像信号処理後の映像信号２１Ａを信号線駆動回路２４に出力するものである。この所定の映像信号処理としては、例えば、ガンマ補正処理やオーバードライブ処理などが挙げられる。
【００４８】
タイミング生成回路２２は、外部から入力される同期信号２０Ｂに基づいて制御信号２２Ａを生成し出力することにより、走査線駆動回路２３、信号線駆動回路２４、電源線駆動回路２５および制御素子駆動回路２６がそれぞれ、連動して動作するように制御するものである。
【００４９】
走査線駆動回路２３は、制御信号２２Ａに従って（同期して）複数の走査線ＷＳＬに対して選択パルスを順次印加することにより、複数の画素１１を順次選択するものである。具体的には、書き込みトランジスタＴｒ１をオン状態に設定するときに印加する電圧Ｖonと、書き込みトランジスタＴｒ１をオフ状態に設定するときに印加する電圧Ｖoffとを選択的に出力することにより、上記した選択パルスを生成するようになっている。ここで、電圧Ｖonは、書き込みトランジスタＴｒ１のオン電圧以上の値（一定値）となっており、電圧Ｖoffは、書き込みトランジスタＴｒ１のオン電圧よりも低い値（一定値）となっている。
【００５０】
信号線駆動回路２４は、制御信号２２Ａに従って（同期して）、映像信号処理回路２１から入力される映像信号２１Ａに対応するアナログの映像信号を生成し、各信号線ＤＴＬ（ＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂ）に印加するものである。具体的には、この映像信号２１Ａに基づく各色用のアナログの映像信号電圧を、各信号線ＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂに対して個別に印加する。これにより、走査線駆動回路２３により選択された画素１１内の各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに対して、映像信号の書き込みを行うようになっている。なお、映像信号の書き込みとは、補助容量素子Ｃｓに対して上記映像信号電圧をプログラムし、駆動トランジスタＴｒ２のゲート−ソース間に所定の電圧を印加することを意味している。
【００５１】
電源線駆動回路２５は、制御信号２２Ａに従って（同期して）複数の電源線ＤＳＬに対して制御パルスを順次印加することにより、各画素１１内の各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにおける有機ＥＬ素子１２の発光（点灯）動作および非発光（消光，消灯）動作の制御を行うものである。言い換えると、上記制御パルスの幅（パルス幅）を調整することにより、各画素１１内の各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにおける発光期間および非発光期間（消光期間）の長さを制御する（ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御を行う）ようになっている。
【００５２】
制御素子駆動回路２６は、後述する駆動電圧（駆動電圧Ｖｄ１等）を透過率制御素子１５における透明電極１５１Ａ，１５１Ｃ間に印加する駆動動作を行うことにより、透過率制御素子１５の動作の制御（入射光の透過動作と入射光の吸収動作との切換制御）を行う回路である。
【００５３】
［表示装置１の作用・効果］
（１．基本動作）
この表示装置１では、図１〜図３に示したように、駆動回路２０が、表示パネル１０（画素アレイ部１３）内の各画素１１（各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ）に対し、映像信号２０Ａおよび同期信号２０Ｂに基づく表示駆動を行う。これにより、図５に示したように、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ内の有機ＥＬ素子１２へ駆動電流が注入され、有機層５２内の発光層において正孔と電子とが再結合し、発光が起こる。そして、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂでは、この有機層５２（発光層）からの発光光Ｌout１が、表示光として前面側（基板４１側）へ出射されると共に、発光光Ｌout２が背面側（透過率制御素子１５側）へ出射される。このようにして、表示パネル１０において、映像信号２０Ａに基づく画像表示がなされる。
【００５４】
ここで図３を参照すると、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂでは、以下のようにして映像信号の書き込み動作が行われる。まず、信号線ＤＴＬの電圧が映像信号電圧となっており、かつ電源線ＤＳＬの電圧が電圧ＶＨ（「Ｈ（ハイ）」状態）となっている期間中に、走査線駆動回路２３が、走査線ＷＳＬの電圧を電圧Ｖoffから電圧Ｖonに上げる。これにより、書き込みトランジスタＴｒ１がオン状態となるため、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電位Ｖｇが、このときの信号線ＤＴＬの電圧に対応する映像信号電圧へと上昇する。その結果、補助容量素子Ｃｓに対して映像信号電圧が書き込まれ、保持される。
【００５５】
このとき、有機ＥＬ素子１２のアノード電圧は、この段階ではまだ、有機ＥＬ素子１２における閾値電圧Ｖelとカソード電圧Ｖca（＝ＶＳＳ）とを足し合わせた電圧値（Ｖel＋Ｖca）よりも小さく、有機ＥＬ素子１２はカットオフ状態となっている。すなわち、この段階では、有機ＥＬ素子１２のアノード−カソード間には電流が流れない（有機ＥＬ素子１２が発光しない）。したがって、駆動トランジスタＴｒ２から供給される電流Ｉｄは、有機ＥＬ素子１２のアノード−カソード間に並列に存在する素子容量（図示せず）へと流れ、この素子容量が充電される。
【００５６】
次に、信号線ＤＴＬおよび電源線ＤＳＬの電圧がそれぞれ、映像信号電圧および電圧ＶＨ（「Ｈ」状態）のまま保持されている期間中に、走査線駆動回路２３が、走査線ＷＳＬの電圧を電圧Ｖonから電圧Ｖoffへと下げる。これにより、書き込みトランジスタＴｒ１がオフ状態となるため、駆動トランジスタＴｒ２のゲートがフローティングとなる。すると、この駆動トランジスタＴｒ２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定に保持された状態で、駆動トランジスタＴｒ２のドレイン−ソース間に電流Ｉｄが流れる。その結果、この駆動トランジスタＴｒ２のソース電位Ｖｓが上昇すると共に、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電位Ｖｇもまた、保持容量素子Ｃｓを介した容量カップリングにより、連動して上昇する。これにより、有機ＥＬ素子１２のアノード電圧が、この有機ＥＬ素子１２における閾値電圧Ｖelとカソード電圧Ｖcaとを足し合わせた電圧値（Ｖel＋Ｖca）よりも大きくなる。よって、有機ＥＬ素子１２のアノード−カソード間には、補助容量素子Ｃｓに保持された映像信号電圧、すなわち駆動トランジスタＴｒ２におけるゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流Ｉｄが流れ、有機ＥＬ素子１２が所望の輝度で発光する。
【００５７】
次に、駆動回路２０は、所定の期間が経過したのち、有機ＥＬ素子１２の発光期間を終了させる。具体的には、電源線駆動回路２５が、電源線ＤＳＬの電圧を電圧ＶＨから電圧ＶＬへと下げる（「Ｈ」状態から「Ｌ（ロー）」状態へと移行させる）。すると、駆動トランジスタＴｒ２のソース電位Ｖｓが下降していく。これにより、有機ＥＬ素子１２のアノード電圧が、この有機ＥＬ素子１２における閾値電圧Ｖelとカソード電圧Ｖcaとを足し合わせた電圧値（Ｖel＋Ｖca）よりも小さくなり、アノード−カソード間に電流Ｉｄが流れなくなる。その結果、これ以降は有機ＥＬ素子１２が消光する（消光期間へと移行する）。このようにして、電源線ＤＳＬに対して印加する制御パルスの幅（ここでは、「Ｈ」状態の期間の長さ）に応じて、各画素１１内の各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにおける発光期間の長さを制御することが可能となっている。
【００５８】
なお、その後は、駆動回路２０は、これまで説明した発光動作および消光動作がフレーム期間（１垂直期間、１Ｖ期間）ごとに周期的に繰り返されるように、表示駆動を行う。また、それと共に、駆動回路２０は、例えば１水平期間（１Ｈ期間）ごとに、電源線ＤＳＬに印加する制御パルスおよび走査線ＷＳＬに印加する選択パルスをそれぞれ、行方向に走査させる。以上のようにして、表示装置１における表示動作（駆動回路２０による表示駆動）がなされる。
【００５９】
（２．透過率制御素子１５の作用）
次に、本実施の形態の表示装置１における特徴的部分の１つである透過率制御素子１５の作用について、比較例（比較例２）と比較しつつ詳細に説明する。
【００６０】
（比較例２）
まず、図６に示した比較例２に係る表示パネル（表示パネル２００）では、本実施の形態とは異なり、透過率制御素子１５が設けられていない。具体的には、表示パネル２００では、平坦化膜５４上において、透過率制御素子１５の代わりに封止基板２０２（カバーガラス等）が設けられている。
【００６１】
したがってこの比較例２では、画素２０１内の各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ（有機ＥＬ素子１２）における発光時（図７（Ａ））および非発光時（図７（Ｂ））にはそれぞれ、例えば図７（Ａ），（Ｂ）に示したような視認状態となる。すなわち、まず図７（Ａ）に示した発光時には、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂからの発光光（発光光Ｌout１，Ｌout２）が、表面側（ユーザ側）および裏面側の双方に出射される。一方、図７（Ｂ）に示した非発光時には、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂから発光光が出射されないため、例えば外光の透過状態となる。
【００６２】
ここで、この比較例２では、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂが常に光の透過状態となっていることに起因して、視認性が低下してしまうという問題がある。具体的には、例えば通常の表示用途の場合に、図７（Ｂ）に示した非発光時においても、外光（裏面側からの透過光等）の存在によって黒表示状態が得られないことになり、視認性の向上が妨げられてしまう。また、ＡＲ用途の場合においても、例えば光量（外光）の多い屋外で用いる場合等には、図７（Ａ）に示した発光時において視認性が著しく低下してしまうおそれがある。
【００６３】
（本実施の形態の作用）
これに対して本実施の形態の表示パネル１０では、図１および図５に示したように、入射光の透過率を制御可能な透過率制御素子１５が設けられている。これにより以下詳述するように、光透過領域を有する画素１１内の有機ＥＬ素子１２における発光状態（発光時または非発光時）に応じた光透過率制御が実現される。
【００６４】
まず、この透過率制御素子１５では、図８（Ａ）に示したように、透明電極１５１Ａ，１５１Ｃ間に駆動電圧Ｖｄ１が印加されていないときには、ＥＣ材料層１５２Ａ，１５２Ｃがそれぞれ、光透過性を示す。このため、透過率制御素子１５全体としても光透過性を示すことになり、有機ＥＬ素子１２から背面側へ出射された発光光Ｌout２および外光等が透過可能となる（透明（光透過）状態となる）。
【００６５】
一方、図８（Ｂ）に示したように、透明電極１５１Ａ，１５１Ｃ間に駆動電圧Ｖｄ１が印加されているときには、ＥＣ材料層１５２Ａ，１５２Ｃがそれぞれ着色され、光透過性を示さなくなる。このため、透過率制御素子１５全体としても光透過性を示さなくなり、発光光Ｌout２および外光等が透過できなくなる（着色（光吸収）状態となる）。
【００６６】
このようにして透過率制御素子１５では、駆動電圧Ｖｄ１の印加の有無に応じて、入射光（発光光Ｌout２および外光等）の透過動作と入射光の吸収動作とが切換可能となっている。このことを利用して本実施の形態では、このような透過動作と吸収動作との切換制御を、有機ＥＬ素子１２の発光時および非発光時の各々のときに行う。
【００６７】
したがって本実施の形態では、画素１１内の各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ（有機ＥＬ素子１２）における発光時および非発光時においてそれぞれ、上記した透過率制御素子１５における光透過状態および光吸収状態との組み合わせにより、例えば図９（Ａ）〜（Ｄ）に示したような視認状態となる。
【００６８】
具体的には、まず図９（Ａ）に示したように、有機ＥＬ素子１２の発光時において透過率制御素子１５が光透過状態となっているときには、比較例２における図７（Ａ）の場合と同様の視認状態となる。すなわち、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂからの発光光（発光光Ｌout１，Ｌout２）が、表示装置１の表面側および裏面側の双方に出射される。
【００６９】
また、図９（Ｂ）に示したように、有機ＥＬ素子１２の非発光時において透過率制御素子１５が光透過状態となっているときには、比較例２における図７（Ｂ）の場合と同様の視認状態となる。すなわち、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂから発光光が出射されないため、例えば外光の透過状態となる。
【００７０】
一方、図９（Ｃ）に示したように、有機ＥＬ素子１２の非発光時において透過率制御素子１５が光吸収状態となっているときには、以下のような視認状態となる。すなわち、図９（Ｂ）の場合と同様に、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂから発光光が出射されないものの、透過率制御素子１５が光吸収状態となっているため、外光等が透過できない。したがって、図９（Ｃ）に示したように黒表示状態が実現されることになり、例えば通常の表示用途の場合における視認性が、図７（Ｂ）および図９（Ｂ）の場合と比べて向上する。
【００７１】
また、図９（Ｄ）に示したように、有機ＥＬ素子１２の発光時において透過率制御素子１５が光吸収状態となっているときには、以下のような視認状態となる。すなわち、図９（Ａ）の場合と同様に、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂからの発光光が表面側および裏面側の双方に出射されるものの、透過率制御素子１５が光吸収状態となっているため、裏面側への発光光Ｌout２および外光等が透過できない（背面側が黒くなる）。したがって、図９（Ｄ）に示したように、例えばＡＲ用途の際に外光が強い場合等においても、図７（Ａ）および図９（Ａ）の場合と比べて視認性が向上する。
【００７２】
以上のように本実施の形態では、入射光の透過率を制御可能な透過率制御素子１５を設けるようにしたので、光透過領域を有する画素１１内の有機ＥＬ素子１２における発光状態に応じた光透過率制御を実現することができる。よって、そのような光透過領域を有する画素１１を備えた表示装置１における視認性を向上させる（例えば、裏面側の視認性を確保しつつ、情報表示の際の視認性も向上させる）ことが可能となる。したがって、この表示装置１を、例えばＡＲ用のディスプレイとして用いた場合には、その臨場感を向上させることが可能となる。
【００７３】
また、透過率制御素子１５が、画素アレイ部１３内の全ての画素１１に対して共通化された１つだけ設けられているようにしたので、表示パネル１０および制御素子駆動回路２６の構成（駆動するための配線等）を簡素化することが可能となる。
【００７４】
続いて、本開示の他の実施の形態（第２，第３の実施の形態）について説明する。なお、上記第１の実施の形態と同一の構成要素については同一符号を付し、その説明を適宜省略する。
【００７５】
＜第２の実施の形態＞
［表示パネル１０Ａの構成］
図１０は、第２の実施の形態に係る表示パネル（表示パネル１０Ａ）の断面構成例を模式的に表したものである。本実施の形態の表示パネル１０Ａは、第１の実施の形態の表示パネル１０において、透過率制御素子１５の代わりに透過率制御素子１５Ａを設けたものに対応しており、他の構成は同様となっている。
【００７６】
透過率制御素子１５Ａは、表示装置１の前面側から背面側へ向かって、透明電極１５１Ｃ、ＥＣ材料層１５２Ｃ、誘電体膜１５３、バッファ層１５４、触媒層１５５および調光ミラー層１５６をこの順に有している。すなわち、この透過率制御素子１５Ａは、透過率制御素子１５において、ＥＣ材料層１５２Ａおよび透明電極１５１Ａの代わりに、バッファ層１５４、触媒層１５５および調光ミラー層１５６を設けた構成となっている。
【００７７】
このような構成により本実施の形態の透過率制御素子１５Ａでは、後述するように、透過率制御素子１５とは異なり、入射光の透過動作と入射光の反射動作とを切換可能なエレクトロクロミック素子となっている。すなわち、この透過率制御素子１５Ａでは、有機ＥＬ素子１２の発光時および非発光時の各々のときに、そのような透過動作と反射動作とを切換可能となっている。
【００７８】
ここで、バッファ層１５４は、例えばＡｌ等からなる。触媒層１５５は、例えばパラジウム（Ｐｄ）等からなる。調光ミラー層１５６は、例えばマグネシウム（Ｍｇ）−ニッケル（Ｎｉ）系合金等からなり、透明電極１５１Ｃに対する対向電極（カソード電極）としても機能するようになっている。したがって、この調光ミラー層１５６と透明電極１５１Ｃとはそれぞれ、例えば互いに直交する櫛形状となっている。
【００７９】
［表示パネル１０Ａの作用・効果］
この透過率制御素子１５Ａでは、図１１（Ａ）に示したように、制御素子駆動回路２６によって透明電極１５１Ｃと調光ミラー層１５６との間に駆動電圧Ｖｄ２が印加されているときには、調光ミラー層１５６が光透過性を示す。このため、透過率制御素子１５Ａ全体としても光透過性を示すことになり、有機ＥＬ素子１２から背面側へ出射された発光光Ｌout２および外光等が透過可能となる（透明（光透過）状態となる）。
【００８０】
一方、図１１（Ｂ）に示したように、透明電極１５１Ｃと調光ミラー層１５６との間に駆動電圧Ｖｄ２が印加されていないときには、調光ミラー層１５６が光反射性を示すようになる（光透過性を示さなくなる）。このため、透過率制御素子１５Ａ全体としても光反射性を示すようになり（光透過性を示さなくなり）、発光光Ｌout２および外光等が表示装置１の前面側へと反射される結果、裏面側へ透過できなくなる（鏡（光反射）状態となる）。
【００８１】
このようにして透過率制御素子１５Ａでは、駆動電圧Ｖｄ２の印加の有無に応じて、入射光（発光光Ｌout２および外光等）の透過動作と入射光の反射動作とが切換可能となっている。このことを利用して本実施の形態では、このような透過動作と反射動作との切換制御を、有機ＥＬ素子１２の発光時および非発光時の各々のときに行う。
【００８２】
したがって本実施の形態では、画素１１Ａ内の各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ（有機ＥＬ素子１２）における発光時および非発光時においてそれぞれ、上記した透過率制御素子１５における光透過状態および光反射状態との組み合わせにより、例えば図１２（Ａ）〜（Ｄ）に示したような視認状態となる。
【００８３】
具体的には、まず図１２（Ａ）に示したように、有機ＥＬ素子１２の発光時において透過率制御素子１５Ａが光透過状態となっているときには、第１の実施の形態における図９（Ａ）の場合と同様の視認状態となる。すなわち、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂからの発光光（発光光Ｌout１，Ｌout２）が、表示装置１の表面側および裏面側の双方に出射される。
【００８４】
また、図１２（Ｂ）に示したように、有機ＥＬ素子１２の非発光時において透過率制御素子１５Ａが光透過状態となっているときには、図９（Ｂ）の場合と同様の視認状態となる。すなわち、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂから発光光が出射されないため、例えば外光の透過状態となる。
【００８５】
一方、図１２（Ｃ）に示したように、有機ＥＬ素子１２の非発光時において透過率制御素子１５Ａが光反射状態となっているときには、以下のような視認状態となる。すなわち、図１２（Ｂ）の場合と同様に、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂから発光光が出射されないものの、透過率制御素子１５Ａが光反射状態となっているため、裏面側からの外光等が透過できない。一方で、前面側からの入射光（外光）は、透過率制御素子１５Ａが光反射状態となっているため、前面側に反射される。
【００８６】
また、図１２（Ｄ）に示したように、有機ＥＬ素子１２の発光時において透過率制御素子１５Ａが光反射状態となっているときには、以下のような視認状態となる。すなわち、図１２（Ａ）の場合と同様に、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂからの発光光が表面側および裏面側の双方に出射されるものの、透過率制御素子１５Ａが光反射状態となっているため、裏面側への発光光Ｌout２は前面側へ反射され、発光強度が高まる。一方、前面側からの外光は反射されるものの発光強度が高まっているため、視認性が向上する。したがって、図１２（Ｄ）に示したように、例えばＡＲ用途の際に外光が強い場合等においても、図７（Ａ）および図１２（Ａ）の場合と比べて視認性が向上する。
【００８７】
以上のように本実施の形態では、透過率制御素子１５Ａを設けるようにしたので、第１の実施の形態と同様に、光透過領域を有する画素１１を備えた表示装置１における視認性を向上させる（例えば、周囲が暗い環境下で光反射状態とすることにより、裏面側に抜けてしまう発光光Ｌout等を前面側に取り出すことができ、視認性を向上させる）ことが可能となる。したがって、この表示装置１を、例えばＡＲ用のディスプレイとして用いた場合には、その臨場感を向上させることが可能となる。
【００８８】
＜第３の実施の形態＞
［表示パネル１０Ｂの構成］
図１３は、第３の実施の形態に係る表示パネル（表示パネル１０Ｂ）の断面構成例を模式的に表したものである。本実施の形態の表示パネル１０Ｂは、第１の実施の形態の表示パネル１０において、透過率制御素子１５の代わりに透過率制御素子１６を設けると共に封止基板５５を更に設けたものに対応しており、他の構成は同様となっている。
【００８９】
透過率制御素子１６は、表示装置１の前面側から背面側へ向かって、透明電極１６１Ａと、疎水性絶縁膜１６２および隔壁１６５と、無極性液体１６３と、極性液体１６４と、透明電極１６１Ｂとをこの順に有している。
【００９０】
このような構成により本実施の形態の透過率制御素子１６では、後述するように、透過率制御素子１５，１５Ａとは異なり、入射光の透過動作と入射光の吸収動作とを切換可能なエレクトロウェッティング素子となっている。すなわち、この透過率制御素子１６では、有機ＥＬ素子１２の発光時および非発光時の各々のときに、そのような透過動作と吸収動作とを切換可能となっている。
【００９１】
透明電極１６１Ａ，１６１Ｂはそれぞれ、エレクトロウェッティング素子の駆動用電極として機能するものであり、例えば前述した透明酸化物半導体や透明炭素等の光透過性材料からなる。なお、これらの透明電極１６１Ａ，１６１Ｂはそれぞれ、例えば互いに直交する櫛形状となっている。
【００９２】
隔壁１６５は、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにおける疎水性絶縁膜１６２、無極性液体１６３および極性液体１６４をそれぞれ分離するための壁部であり、例えばポリイミドやアクリル等の有機系の絶縁材料からなる。
【００９３】
疎水性絶縁膜１６２は、極性液体１６４に対して疎水性（撥水性）を示す（より厳密には無電界下において無極性液体１６３に親和性を示す）と共に、電気的絶縁性に優れた性質を有する材料からなるものである。具体的には、フッ素系の高分子であるポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、あるいはシリコーンなどが挙げられる。
【００９４】
無極性液体１６３は、ほとんど極性を有さず、かつ、電気絶縁性を示す液体材料であり、非透明性を示す（光透過性を示さない）ようになっている。このような無極性液体１６３としては、例えばデカン、ドデカン、ヘキサデカンもしくはウンデカンなどの炭化水素系材料のほか、着色したオイル（シリコンオイル等）などが好適である。
【００９５】
極性液体１６４は、極性を有する液体材料であり、透明性（光透過性）を示すようになっている。このような極性液体１６４としては、例えば水のほか、塩化カリウムや塩化ナトリウムなどの電解質を溶解させた水溶液が好適である。ここで、この極性液体１６４に対して電圧が印加されると、疎水性絶縁膜１６２（隔壁１６５の内表面）に対する濡れ性（極性液体１６４と内表面との接触角）が、無極性液体１６３と比べて大きく変化するようになっている。
【００９６】
封止基板５５は、表示パネル１０Ｂ全体を封止するための基板（カバーガラス等）であり、透明基板からなる。
【００９７】
［表示パネル１０Ｂの作用・効果］
この透過率制御素子１６では、図１４に示したように、透明電極１６１Ａ，１６１Ｂ間に駆動電圧Ｖｄ３が印加されていないときには、無極性液体１６３と極性液体１６４との界面が、平面状となる。このため、非透明性を示す無極性液体１６３が各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂのほぼ全体に配置される結果、透過率制御素子１６全体として光透過性を示さなくなり、発光光Ｌout２および外光等が透過できなくなる（着色（光吸収）状態となる）。
【００９８】
一方、図１５に示したように、透明電極１６１Ａ，１６１Ｂ間に駆動電圧Ｖｄ３が印加されているときには、上記したように、極性液体１６４の濡れ性が極性液体１６３と比べて大きく変化することにより、無極性液体１６３と極性液体１６４との界面が、背面側への凸形状となる。このため、非透明性を示す無極性液体１６３が各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの一部分にのみ配置される結果（図１５中の破線の矢印参照）、透過率制御素子１６全体として光透過性を示すようになり、発光光Ｌout２および外光等が透過可能となる（透明（光透過）状態となる）。
【００９９】
このようにして透過率制御素子１６では、駆動電圧Ｖｄ３の印加の有無に応じて、入射光（発光光Ｌout２および外光等）の透過動作と入射光の吸収動作とが切換可能となっている。このことを利用して本実施の形態では、このような透過動作と吸収動作との切換制御を、有機ＥＬ素子１２の発光時および非発光時の各々のときに行う。
【０１００】
したがって本実施の形態では、画素内の各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ（有機ＥＬ素子１２）における発光時および非発光時においてそれぞれ、上記した透過率制御素子１６における光透過状態および光吸収状態との組み合わせにより、例えば第１の実施の形態における図９（Ａ）〜（Ｄ）に示したものと同様の視認状態となる。
【０１０１】
これにより本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。すなわち、光透過領域を有する画素を備えた表示装置１における視認性を向上させる（例えば、裏面側の視認性を確保しつつ、情報表示の際の視認性も向上させる）ことが可能となる。したがって、この表示装置１を、例えばＡＲ用のディスプレイとして用いた場合には、その臨場感を向上させることが可能となる。
なお、反射動作
【０１０２】
また、本実施の形態では、透過率制御素子１６をエレクトロウェッティング素子により構成するようにしたので、応答速度を比較的早くすることが可能となる。
【０１０３】
なお、本実施の形態では、入射光の透過動作と入射光の吸収動作とが切換可能なエレクトロウェッティング素子を透過率制御素子１６として用いた場合について説明したが、これには限られない。すなわち、例えば、入射光の透過動作と入射光の反射動作とが切換可能なエレクトロウェッティング素子を、透過率制御素子として用いるようにしてもよい。
【０１０４】
＜変形例＞
続いて、上記第１〜第３の実施の形態に共通の変形例（変形例１〜４）について説明する。なお、各実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【０１０５】
［変形例１］
図１６（Ａ）は、変形例１に係る各サブピクセル（サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ）の内部構成例（回路構成例）を、透過率制御素子１５（または透過率制御素子１５Ａ，１６）とともに表したものである。本変形例では、上記各実施の形態とは異なり、透過率制御素子１５等が複数の画素１１に対して１つの割合で配設されており、特にここでは、水平ライン単位で透過率制御素子１５等が配置されている。
【０１０６】
具体的には、ここでは、透過率制御素子１５等と有機ＥＬ素子１２との間で、少なくとも一部の電極（ここではカソード電極を構成する固定電位線ＶＳＳ）が共通化されている。ただし、水平ライン単位で透過率制御素子１５等が配設されている場合において、これらの間の電極が共通化されていなくてもよい。なお、図中のＤＬは、透過率制御素子１５等の駆動線を表している。
【０１０７】
このような構成により本変形例では、例えば図１７（Ａ）に示したように、表示パネル１０，１０Ａ，１０Ｂにおいて、例えばＡＲ用途の際のアプリケーション等に応じて、水平ライン単位での透明領域（光透過領域）１０−１と不透明領域（光非透過領域）１０−２とを構築することができるようになる。また、カソード配線を透過率制御素子１５等の電極と共有することにより、配線数を減らして駆動回路を簡易化することが可能となる。なお、水平ライン単位の代わりに、例えば垂直ライン単位で透過率制御素子１５等を配設するようにしてもよい。
【０１０８】
［変形例２］
図１６（Ｂ）は、変形例２に係る各サブピクセル（サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ）の内部構成例（回路構成例）を、透過率制御素子１５等とともに表したものである。本変形例では、上記各実施の形態および変形例１とは異なり、サブピクセル（画素）単位で透過率制御素子１５等が配置されている。
【０１０９】
具体的には、ここでは、透過率制御素子１５等と有機ＥＬ素子１２との間で、少なくとも一部の電極（ここではカソード電極を構成する固定電位線ＶＳＳ）が共通化されている。ただし、サブピクセル単位で透過率制御素子１５等が配設されている場合において、これらの間の電極が共通化されていなくてもよい。また、ここでは、透過率制御素子１５等をサブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ単位で選択的に駆動するためのトランジスタ（選択トランジスタ）Ｔｒ３および走査線ＷＳＬ２が設けられると共に、透過率制御素子１５等の両端間の電位を保持するための保持容量素子Ｃｓ２が設けられている。なお、図１６（Ｂ）中のＶＳＳ１，ＶＳＳ２はそれぞれ、固定電位線である。
【０１１０】
したがって本変形例では、例えば図１７（Ｂ）に示したように、表示パネル１０，１０Ａ，１０Ｂにおいて、例えばＡＲ用途の際のアプリケーション等に応じて、サブピクセル（画素）単位での透明領域１０−１と不透明領域１０−２とを構築することができるようになる。具体的には、例えば、文字の輪郭領域を強調して表示するといったことなども可能となる。また、カソード配線を透過率制御素子１５等の電極と共有することにより、配線数を減らして駆動回路を簡易化することが可能となる。
【０１１１】
［変形例３，４］
図１８（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ、変形例３，４に係る各画素（画素１１−１，１１−２）の内部構成（サブピクセル構造）の一例を、平面図で模式的に表したものである。これらの変形例３，４の画素１１−１，１１−２ではそれぞれ、上記各実施の形態の画素１１，１１Ａとは異なり、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに対して透過率制御素子１５等が並設されている。
【０１１２】
具体的には、図１８（Ａ）に示した変形例３の画素１１−１では、各画素１１−１内において、３つのサブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと１つの透過率制御素子１５等とが、マトリクス状（２×２の行列状）に配置（いわゆる田の字配列）されている。
【０１１３】
また、図１８（Ｂ）に示した変形例４の画素１１−２では、各画素１１−２内において、３つのサブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと１つの透過率制御素子１５等とが、水平ライン方向に沿って一列に並んで配置されている。
【０１１４】
なお、サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと透過率制御素子１５等とにおいて、電極の一部を互いに共通化することが可能であり、またそれぞれインクジェット印刷やフレキソ印刷などを用いて形成することが可能である。
【０１１５】
このような構成により、これらの変形例３，４では、例えば図１９（Ａ）〜（Ｄ）に示した変形例３のようにして、画素１１−１，１１−２における発光時および非発光時の視認状態が得られる。すなわち、画素１１−１内の各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ（有機ＥＬ素子１２）における発光時および非発光時においてそれぞれ、透過率制御素子１５等における光透過状態および光吸収状態（または光反射状態）との組み合わせにより、上記各実施の形態と同様の視認状態となる。
【０１１６】
したがって、これらの変形例３，４においても、上記各実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。すなわち、光透過領域を有する画素を備えた表示装置１における視認性を向上させることが可能となる。したがって、この表示装置１を、例えばＡＲ用のディスプレイとして用いた場合には、その臨場感を向上させることが可能となる。
【０１１７】
＜モジュールおよび適用例＞
続いて、図２０〜図２５を参照して、上記実施の形態および変形例で説明した表示装置１の適用例について説明する。上記実施の形態等の表示装置１は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、この表示装置１は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１１８】
（モジュール）
表示装置１は、例えば、図２０に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板３１の一辺に、封止用基板３２から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、駆動回路２０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【０１１９】
（適用例１）
図２１は、表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００が表示装置１により構成されている。
【０１２０】
（適用例２）
図２２は、表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が表示装置１により構成されている。
【０１２１】
（適用例３）
図２３は、表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が表示装置１により構成されている。
【０１２２】
（適用例４）
図２４は、表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、この表示部６４０が表示装置１により構成されている。
【０１２３】
（適用例５）
図２５は、表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、表示装置１により構成されている。
【０１２４】
＜その他の変形例＞
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本開示の技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
【０１２５】
例えば、上記実施の形態等では、透過率制御素子の一例として、エレクトロクロミック素子やエレクトロウェッティング素子を用いて構成した場合について説明したが、これには限られず、他の素子を用いて透過率制御素子を構成してもよい。また、上記実施の形態等では、発光素子の一例として有機ＥＬ素子を挙げて説明したが、有機ＥＬ素子以外の発光素子（例えば、無機ＥＬ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）等）を用いるようにしてもよい。
【０１２６】
また、上記実施の形態等では、下面発光型（いわゆるボトムエミッション型）の表示パネルを例に挙げて説明したが、これには限られず、例えば、表示パネルが上面発光型（いわゆるトップエミッション型）のものであってもよい。
【０１２７】
更に、上記実施の形態等では、透過率制御素子において、光透過率を２段階（透過または非透過）で制御する（切り換える）場合について説明したが、これには限られず、光透過率を多段階に制御する（切り換える）ようにしてもよい。
【０１２８】
加えて、上記実施の形態等では、表示装置１がアクティブマトリクス型である場合について説明したが、アクティブマトリクス駆動のための画素回路１４の構成は、上記実施の形態等で説明したものに限られない。すなわち、画素回路１４の構成は、上記実施の形態等で説明した「２Ｔｒ１Ｃ」の回路構成には限られず、例えば必要に応じて、容量素子やトランジスタ等を画素回路１４に追加したり置き換えたりするようにしてもよい。その場合、画素回路１４の変更に応じて、上述した走査線駆動回路２３、信号線駆動回路２４および電源線駆動回路２５の他に、必要な駆動回路を追加するようにしてもよい。
【０１２９】
また、上記実施の形態等では、走査線駆動回路２３、信号線駆動回路２４、電源線駆動回路２５および制御素子駆動回路２６における駆動動作を、タイミング生成回路２２が制御する場合について説明したが、他の回路がこれらの駆動動作を制御するようにしてもよい。また、このような走査線駆動回路２３、信号線駆動回路２４、電源線駆動回路２５および制御素子駆動回路２６に対する制御は、ハードウェア（回路）で行われるようにしてもよいし、ソフトウェア（プログラム）で行われるようにしてもよい。
【０１３０】
更に、上記実施の形態等では、書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２等がそれぞれ、ｎチャネルトランジスタ（例えば、ｎチャネルＭＯＳ型のＴＦＴ）により形成されている場合について説明したが、この場合には限られない。すなわち、書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２等がそれぞれ、ｐチャネルトランジスタ（例えば、ｐチャネルＭＯＳ型のＴＦＴ）により形成されていてもよい。
【０１３１】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
発光素子を含み、少なくとも一部に光透過領域を有する複数の画素と、
入射光の透過率を制御可能な透過率制御素子と
を備えた表示装置。
（２）
前記透過率制御素子は、入射光の透過動作と、入射光の吸収動作または反射動作とを切換可能な素子である
上記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記透過率制御素子は、前記発光素子の発光時および非発光時の各々のときに、前記透過動作と前記吸収動作または反射動作とを切換可能となっている
上記（２）に記載の表示装置。
（４）
前記透過率制御素子が、前記発光素子に対して対向配置されている
上記（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の表示装置。
（５）
前記透過率制御素子が、前記発光素子に対して並設されている
上記（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の表示装置。
（６）
前記透過率制御素子が、複数の画素に対して１つの割合で配設されている
上記（１）ないし（５）のいずれか１項に記載の表示装置。
（７）
前記透過率制御素子が、全ての画素に対して共通化された１つだけ設けられている
上記（６）に記載の表示装置。
（８）
前記透過率制御素子が、水平ライン単位または垂直ライン単位で配設されている
上記（６）に記載の表示装置。
（９）
前記透過率制御素子が、前記画素ごとに配設されている
上記（１）ないし（５）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１０）
前記透過率制御素子と前記発光素子との間で、少なくとも一部の電極が共通化されている
上記（１）ないし（９）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１１）
前記透過率制御素子が、エレクトロクロミック素子またはエレクトロウェッティング素子である
上記（１）ないし（１０）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１２）
前記画素は、前記発光素子と駆動素子とを含む画素回路を有し、
前記画素回路において、前記駆動素子の半導体層および電極層ならびに配線層のうちの少なくとも一部が、光透過性材料を用いて構成されている
上記（１）ないし（１１）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１３）
前記発光素子が、有機ＥＬ素子である
上記（１）ないし（１２）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１４）
表示装置を備え、
前記表示装置は、
発光素子を含み、少なくとも一部に光透過領域を有する複数の画素と、
入射光の透過率を制御可能な透過率制御素子と
を備えた電子機器。
【符号の説明】
【０１３２】
１…表示装置、１０，１０Ａ，１０Ｂ…表示パネル、１０−１…透明領域、１０−２…不透明領域、１１，１１Ａ，１１−１，１１−２…画素、１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ…サブピクセル、１２…有機ＥＬ素子、１３…画素アレイ部、１４…画素回路、１５，１５Ａ，１６…透過率制御素子、１５１Ａ，１５１Ｃ…透明電極、１５２Ａ，１５２Ｃ…ＥＣ材料層、１５３…誘電体膜、１５４…バッファ層、１５５…触媒層、１５６…調光ミラー層、１６１Ａ，１６１Ｂ…透明電極、１６２…疎水性絶縁膜、１６３…無極性液体、１６４…極性液体、１６５…隔壁、２０…駆動回路、２０Ａ，２１Ａ…映像信号、２０Ｂ…同期信号、２１…映像信号処理回路、２２…タイミング生成回路、２２Ａ…制御信号、２３…走査線駆動回路、２４…信号線駆動回路、２５…電源線駆動回路、２６…制御素子駆動回路、４…ＴＦＴ基板、４１…基板、４２１…電極層、４２２…ゲート電極、４２３Ａ…配線層、４２３Ｂ…金属層、４３…ゲート絶縁膜、４４…酸化物半導体層、４５１…電極層、４５２…配線層、４６１…電極層、４６２…金属層、４７１…電極層、４７２…金属層、４８…保護層、５１…画素間絶縁膜、５２…有機層、５３…電極層、５４…平坦化膜、５５…封止基板、ＷＳＬ，ＷＳＬ１，ＷＳＬ２…走査線、ＤＴＬ，ＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂ…信号線、ＤＳＬ…電源線、ＤＬ…駆動線、Ｔｒ１…書き込みトランジスタ、Ｔｒ２…駆動トランジスタ、Ｔｒ３…トランジスタ、Ｃｓ，Ｃｓ１，Ｃｓ２…保持容量素子、Ｉｄ…電流、Ｖｇ…ゲート電位、Ｖｓ…ソース電位、Ｖｇｓ…ゲート−ソース間電圧、Ｖｄ１，Ｖｄ２，Ｖｄ３…駆動電圧、ＶＳＳ，ＶＳＳ１，ＶＳＳ２…固定電位、Ｌout１，Ｌout２…発光光。
【図１】
2013003480.tif 000003
【図２】
2013003480.tif 000004
【図３】
2013003480.tif 000005
【図４】
2013003480.tif 000006
【図５】
2013003480.tif 000007
【図６】
2013003480.tif 000008
【図７】
2013003480.tif 000009
【図８】
2013003480.tif 000010
【図９】
2013003480.tif 000011
【図１０】
2013003480.tif 000012
【図１１】
2013003480.tif 000013
【図１２】
2013003480.tif 000014
【図１３】
2013003480.tif 000015
【図１４】
2013003480.tif 000016
【図１５】
2013003480.tif 000017
【図１６】
2013003480.tif 000018
【図１７】
2013003480.tif 000019
【図１８】
2013003480.tif 000020
【図１９】
2013003480.tif 000021
【図２０】
2013003480.tif 000022
【図２１】
2013003480.tif 000023
【図２２】
2013003480.tif 000024
【図２３】
2013003480.tif 000025
【図２４】
2013003480.tif 000026
【図２５】
2013003480.tif 000027