(57)【要約】      （修正有）【課題】脂、水、またはその他の流体を偏光子のチャネルに進入させない、処理、格納、固定等が容易な偏光子を提供する。【解決手段】偏光子１０は、端部１３ａ−ｄで境を隔てられた第１の表面を有し、標準領域１２とリブ修正領域１１ａとを含む。標準領域は、標準的な特性を有するリブを含む。標準領域は、入射光を偏光する。リブ修正領域は、標準領域の少なくとも一部と端部との間に、基板の端部の少なくとも一部沿いに設けられる。リブ修正領域は、標準的な特性とは異なる特性を有するように修正された、修正リブを含む。【選択図】図１
2013218294.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏光子であって、
（ａ）端部で境を隔てられた第１の表面を有する基板と、
（ｂ）前記基板の前記第１の表面の大部分の上に設けられた、平行且つ細長いリブのアレイと、
（ｃ）標準領域とリブ修正領域とを有する前記リブのアレイと、
（ｄ）標準的な特性を持つリブを含み、入射光を偏光するよう構成されている前記標準領域と、
（ｅ）（ｉ）前記端部と前記標準領域の少なくとも一部分との間に、前記基板の前記端部の少なくとも一部沿いに設けられ、（ｉｉ）前記リブ修正領域の毛細作用が前記標準領域の毛細作用より実質的に小さくなるように、前記標準的な特性とは異なる特性を有するように修正された修正リブを含む前記リブ修正領域と
を備える偏光子。
【請求項２】
前記リブ修正領域は、互いに溶合された隣接するリブを含む、請求項１に記載の偏光子。
【請求項３】
（ａ）前記リブ修正領域のリブと前記標準領域のリブは、（ｉ）前記基板に形成されて、前記基板から延びる基板リブと、（ｉｉ）前記基板リブの上に設けられた金属線と分割された誘電リブとを含み、
（ｂ）前記標準領域の金属線は、隣接する基板リブの上に設けられた隣接する線同士が物理的に分離されている分離した線を含み、
（ｃ）前記リブ修正領域の金属線は、互いに溶合された隣接する複数の金属線を含む、請求項１に記載の偏光子。
【請求項４】
（ａ）前記標準領域のリブは、金属線、誘電リブ、またはこれらの組み合わせを、基板リブの上に含み、
（ｂ）前記リブ修正領域のリブは、側面および上面に他のリブ材料が実質的に存在しない基板リブを含む、請求項１に記載の偏光子。
【請求項５】
（ａ）前記リブ修正領域の偏光コントラストは１０未満であり、前記標準領域の偏光コントラストは４０を超えており、
（ｂ）コントラストは、所望の偏光透過率（Ｔｐ）を望ましくない偏光透過率（Ｔｓ）で除算して得られる値として定義される、請求項１から４のいずれか一項に記載の偏光子。
【請求項６】
（ａ）前記標準領域のリブ間の間隙は空気を含み、前記間隙には実質的にポリマーが含まれておらず、
（ｂ）前記リブ修正領域のリブ間の間隙はポリマーを含む、請求項１に記載の偏光子。
【請求項７】
偏光子の製造方法であって、
基板の表面の実質的な部分の上に、平行且つ細長いリブのアレイを含む偏光子を提供する段階と、
前記基板の端部の少なくとも一部に沿っている前記リブを修正して、標準領域とは異なる特性を有する修正領域を形成することで、前記修正領域の毛細作用が、前記標準領域の毛細作用より実質的に小さくなるようにする段階と
を備える、偏光子の製造方法。
【請求項８】
前記修正する段階は、前記リブの金属部分を溶融する段階を有する、請求項７に記載の偏光子の製造方法。
【請求項９】
前記修正する段階は、除去を行い、前記基板の前記端部の少なくとも一部に沿ってリブ無し領域を形成する段階を有する、請求項７に記載の偏光子の製造方法。
【請求項１０】
前記修正する段階は、
（ａ）前記リブの上にレジストを塗布する段階と、
（ｂ）前記標準領域から前記レジストを除去する段階と
を有する、請求項７に記載の偏光子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は概して偏光子に係る。
【背景技術】
【０００２】
ワイヤグリッド偏光子をはじめとする偏光子は、通常、基板上に長細いリブを有している。通常、リブおよびリブ間の間隔は、入射光の波長より格段に短い。例えば、可視光用の偏光子のリブの幅、および、リブ間の間隔は、７０ナノメートル程度である。しかし通常のリブの長さは、数ミリメートルまたは数センチメートルというように非常に長い。
【０００３】
従ってこれら偏光子は、長く、幅の狭いチャネルを有する。流体は、毛細作用を利用してこれらチャネルへと運ばれる。流体は、偏光子の性能の実質的な劣化を引き起こす場合がある。流体は、通常、実は人間の手により運ばれる。処理中に、人間の手に普通に存在している脂が偏光子のチャネルに侵入して、偏光子の性能を劣化させうるのである。このほかにも、ホルダの端部沿いに流体が溜まることで（または、格納中に凝縮することで）、流体が侵入する場合もある。この凝縮物は、偏光子の性能を劣化させる可能性がある。脂、水、またはその他の流体が偏光子のチャネルに侵入しないように、偏光子の処理、固定、または格納を行うことができると好適である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
脂、水、またはその他の流体を偏光子のチャネルに進入させない、処理、格納、固定等が容易な偏光子を提供すると好適であると認識されている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態は、有用性の向上を達成した偏光子を提供する。偏光子は、端部で境を隔てられた第１の表面を有する基板と、基板の第１の表面の大部分の上に設けられ、標準領域とリブ修正領域とに分けられる、平行且つ細長いリブのアレイとを含む。標準領域は、標準的な特性を有するリブを含んでよい。標準領域は、入射光を偏光するよう構成されている。リブ修正領域は、端部と標準領域の少なくとも一部分との間に、基板の端部の少なくとも一部沿いに設けられている。リブ修正領域は、標準的な特性とは異なる特性を有するように修正された修正リブを含む。
【０００６】
本発明の別の実施形態は、有用性の向上を達成した偏光子の製造方法を提供する。製造方法は、基板の表面の実質的な部分の上に、平行且つ細長いリブのアレイを含む偏光子を提供する段階と、基板の端部の少なくとも一部に沿っているリブを修正する段階とを備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１ａとを含む偏光子の平面概略図である。
【図２】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１ｂ−ｃとを含む偏光子の平面概略図である。
【図３】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１ｄとを含む偏光子の平面概略図である。
【図４】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１ｅ−ｆとを含む偏光子の平面概略図である。
【図５】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１とを含む偏光子の断面概略図である。
【図６】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１とを含む偏光子の断面概略図である。
【図７】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１とを含む偏光子の断面概略図である。
【図８】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１と推移領域８４とを含む偏光子の断面概略図である。
【図９】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１とを含む偏光子の断面概略図であり、標準領域１２は、基板リブ９３、金属配線９２、および、分割された誘電リブ９４を含むリブを含み、リブ修正領域１１は、基板リブ９３、金属配線９１、および、分割された誘電リブ９４を含むリブを含む。
【図１０】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１とを含む偏光子の断面概略図であり、標準領域１２は、基板リブ９３、金属配線９２、および、分割された誘電リブ９４を含むリブを含み、リブ修正領域１１は、基板リブ９３、金属配線１０１、および、分割された誘電リブ９４を含むリブを含む。
【図１１】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１とを含む偏光子の断面概略図であり、標準領域１２は、基板リブ９３および金属配線９２を含むリブを含み、リブ修正領域１１は、基板リブ９３および金属配線１０１を含むリブを含む。
【図１２】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１とを含む偏光子の断面概略図であり、標準領域１２は、基板リブ９３および金属配線９２を含むリブを含み、リブ修正領域１１は、他のリブ材料を実質的に含まない上部面１２１および側面１２２を持つ基板リブ９３を含むリブを含む。
【図１３】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１とを含む偏光子の断面概略図であり、標準領域１２は、基板リブ９３および誘電リブ９４を含むリブを含み、リブ修正領域１１は、他のリブ材料を実質的に含まない上部面１２１および側面１２２を持つ基板リブ９３を含むリブを含む。
【図１４】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１とを含む偏光子の断面概略図であり、標準領域１２は、基板リブ９３、金属配線９２、および、誘電リブ９４を含むリブを含み、リブ修正領域１１は、他のリブ材料を実質的に含まない上部面１２１および側面１２２を持つ基板リブ９３を含むリブを含む。
【図１５】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１とを含む偏光子の断面概略図であり、標準領域１２は、実質的に矩形の断面形状を有するリブを含み、リブ修正領域１１は、不規則な断面形状を有するリブを含む。
【図１６】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１とを含む偏光子の断面概略図であり、リブ修正領域１１においては、溶融したリブが隣接するリブと接着されて、基板から離れている状態を示す。
【図１７】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１とを含む偏光子の断面概略図であり、リブ修正領域１１においては、リブの間１７３に材料１７１が設けられている。
【図１８】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ修正領域１１とを含む偏光子の断面概略図であり、リブ修正領域１１においては、リブの間１７３とリブの上部１８１とに材料１７１が設けられている。
【図１９】本発明の一実施形態における偏光子の断面概略図であり、標準領域の手前にリブ修正領域が設けられている。
【図２０】本発明の一実施形態における、リブを修正する前の偏光子の断面概略図である。
【図２１】本発明の一実施形態における、標準領域１２とリブ無し領域２１１とを含む偏光子の断面概略図であり、リブ無し領域２１１全体にわたりリブの全体リブ構造を除去したものである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜定義＞
本明細書において「リブ修正領域」という用語は、偏光子の、リブが修正されている領域のことを指す。修正方法の例には、隣接するリブ動詞を溶融する、リブの高さを低くする、リブの幅を広くする、リブの形状を変更する、一部のリブを除去する、リブ間に材料を設けることで、「リブ修正領域」のリブが、標準領域のリブと実質的に異なるようにする、などがある。本明細書において「リブ無し領域」という用語は、偏光子の、リブが実質的に除去された領域のことを指す。本明細書において「実質的に」という用語は、動作、特性、特徴、状態、構造、物品、または結果の程度が完全であるか、または略完全であることを意味している。例えば、物体が「実質的に」封じ込まれている、という記載は、物体が、完全に封じ込まれている、または略完全に封じ込まれていることを意味する。場合によっては、絶対的に完全なレベルから逸脱してよい許容範囲が、個々の具体例に応じて変化しうる。しかし、一般的にいうと、完全にどの程度近いかは、絶対的な完全のレベルが得られる場合と大体同じのレベルである。「実質的に」という表現は、動作、特性、特徴、状態、構造、物品、または結果の程度が完全に欠如している、または略完全に欠如している、という否定的な文脈でも同様に利用可能である。
【０００９】
以下で図面に示される例示的な実施形態について説明を行うが、ここで利用される具体的な言語は、同じものを記載するために利用される。しかし、本発明の範囲は、意図されているものに限定はされない点を理解されたい。ここに例示する本発明の特性の変更例およびさらなる変形例、並びに、ここに例示する本発明の原理の追加的用途は、本開示を読んだ当業者であれば想到するものであり、本発明の範囲に含まれるものとする。
【００１０】
図１から図１９に示すように、偏光子は、第１の表面５４が端部１３で境を隔てられた基板５３を含み、基板５３の第１の表面５４の一部に、平行な細長いリブ５１のアレイが設けられ、中央の標準領域１２とリブ修正領域１１とが含まれている。標準領域１２は、標準的な特性を有するリブ５１ａ−ｅを含み、入射光を偏光するよう構成されていてよい。標準領域のリブ５１ａ−ｅは、基板の第１の面５４の大部分をカバーしていてよい。標準領域１２は、単一の分割されていない領域であってよい。
【００１１】
リブ修正領域１１は、端部１３と標準領域１２の少なくとも一部との間に、基板５３の端部１３の少なくとも一部に沿って設けられてよい。リブ修正領域１１は、標準的な特性を修正された結果、異なる特性を有するリブ５１ｇ−ｒを含んでよい。
【００１２】
リブ修正領域１１の異なる特性によって、リブ修正領域１１の毛細作用は、標準領域１２の毛細作用より実質的に低いものとなる。例えばリブ修正領域１１のリブ５１ｇ−ｒは、標準領域１２のリブ５１ａ−ｅよりも丸く、幅が広く、短くてよい。リブ修正領域１１のリブ５１ｇ−ｒは、互いに溶合されたり、部分的に除去されたり、不規則な形状に形成されたりしてよい。リブ修正領域１１のリブ５１ｇ−ｒは、リブ間に材料が設けられていてよい。これらの修正を施すことで、毛細作用が低下する。
【００１３】
図１に示すように、偏光子１０の端部１３は、偏光子１０の周囲の回りに４つの部分１３ａ−ｄを含んでよい。各部分は、端部の２つの隅で隔てられた、端部１３の実質的にまっすぐな部分であってよい。リブ修正領域１１ａは、端部１３全体に沿ったものであってよく、または、偏光子１０の周囲全体に沿ったものであってよい。別の実施形態では、リブ修正領域１１は、例えば端部１３の２０％から６０％の間といった、端部１３の一部のみに設けられてもよい。別の実施形態では、リブ修正領域によって、基板の端部１３の少なくとも５０％から標準領域１２が引き離されていてもよい。リブ修正領域１１は、端部の単一の部分沿いに設けられてもよいし、端部の複数の部分沿いに設けられていてもよい。
【００１４】
図２に示すように、偏光子２０のリブ修正領域１１は、偏光子２０のそれぞれ反対側に位置する、端部１３の２つの別の部分１３ａおよび１３ｃに沿って延びる２つのリブ修正流域１１ｂ−ｃを含んでよい。２つの部分１３ａおよび１３ｃは、標準領域のリブのアレイに垂直であってよい。
【００１５】
リブ修正領域１１は、一実施形態では少なくとも１マイクロメートルである距離Ｄｅ、別の実施形態では少なくとも１０マイクロメートルである距離Ｄｅ、別の実施形態では少なくとも１００マイクロメートルである距離Ｄｅ、別の実施形態では少なくとも１ミリメートルである距離Ｄｅ、または、別の実施形態では少なくとも５ミリメートルである距離Ｄｅ分だけ、端部１３から実質的に端部に垂直な方向に延びていてよい。リブ修正領域は、別の実施形態では、端部に実質的に垂直な方向に、内部へと端部から１マイクロメートルから１ミリメートルの間の距離Ｄｅ分延びていてよい。この距離Ｄｅの長さは、偏光子の処理方法および偏光領域の有用な用途に応じて変化させることができる。
【００１６】
図２では、偏光子２０のそれぞれ反対側であって、端部１３の２つの異なる部分１３ａおよび１３ｃ沿いに設けられた２つのリブ修正領域１１ｂ−ｃの距離Ｄｅが示されているが、この距離に関する上述した説明は、本明細書で記載するどの実施形態にも適用可能であることを理解されたい。例えばこの距離Ｄｅは、図１に示すような、リブ修正領域が偏光子１０の端部１３の周り全体に延びているような場合にも適用可能であるし、図３から図４に示すような、１つの端部の１つの部分の一部についてのみリブ修正領域が設けられている場合にも適用可能である。
【００１７】
図３に示すように、偏光子３０のリブ修正領域１１は、端部１３の部分１３ｅの一部に対して設けられていてもよく、この部分は、端部の２つの隅の間の端部１３の実質的にまっすぐな部分として定義される。リブ修正領域１１は、一実施形態では、部分の少なくとも５０％に相当してよく、
【数１】
2013218294.tif 000003
別の実施形態では、部分の少なくとも７０％に相当してよく、
【数２】
2013218294.tif 000004
別の実施形態では部分の少なくとも９０％に相当してよく、
【数３】
2013218294.tif 000005
または、別の実施形態では部分の５０％および９０％の間に相当してよい。
【数４】
2013218294.tif 000006
図４に示すように、偏光子４０のリブ修正領域１１ｅ−ｆは、端部１３の複数の部分の一部のみに沿って設けられてもよい。
【００１８】
図１から図４に示すように、標準領域１２は、基板５３の第１の表面５４のリブ修正領域１１を実質的に超える領域をカバーしてもよい。標準領域１２は、一実施形態では、基板５３の第１の表面５４のリブ修正領域１１の少なくとも１０倍の領域をカバーしてもよいし、別の実施形態では、基板５３の第１の表面５４のリブ修正領域１１の少なくとも１００倍の領域をカバーしてもよい。
【００１９】
図１から図４に示すように、リブ修正領域１１および標準領域１２は、あわせると、基板５３の第１の表面の実質的全体をカバーしてよい。または、基板５３の第１の表面５４に別の領域が存在してもよい。
【００２０】
図５の偏光子５０に示すように、異なる特性としてリブの高さが含まれてもよい。リブ修正領域１１は、標準領域１２のリブ５１ａより実質的に短いリブ５１ｇを有している（ｈ１＜ｈ２）。一実施形態では、リブ修正領域１１の全てのリブ５１ｇは、標準領域１２の全てのリブ５１ａより短くてよく、
【数５】
2013218294.tif 000007
または、別の実施形態では、少なくとも５０％短くてよい。
【数６】
2013218294.tif 000008
図５に示されていない推移領域８４（図８を参照して後述する）が、リブ修正領域１１と標準領域１２との間に設けられてもよい。推移領域８４のリブ５１ｆは、リブ修正領域１１のリブ５１ｇよりも高いが、標準領域１２のリブ５１ａよりは低くてよい。
【００２１】
図６の偏光子６０に示すように、別の特性としてリブの幅ｗが含まれてもよい。リブ修正領域１１のリブ５１ｈは、標準領域１２のリブ５１ａより実質的に広い幅を有してよい（ｗ１＞ｗ２）。リブ修正領域１１の全てのリブ５１ｈは、一実施形態では、標準領域１２の全てのリブ５１ａより少なくとも２５％幅が広くてよく、
【数７】
2013218294.tif 000009
別の実施形態では、少なくとも５０％幅が広くてよい。
【数８】
2013218294.tif 000010
図６に示されていない推移領域８４（図８を参照して後述する）が、リブ修正領域１１と標準領域１２との間に設けられてもよい。推移領域８４のリブ５１ｆは、リブ修正領域１１のリブ５１ｈよりも狭いが、標準領域１２のリブ５１ａよりは広い幅を有してよい。リブの幅は、リブの高さｈに垂直な方向における測定値として定義される。
【００２２】
図７の偏光子７０に示されているように、リブ修正領域１１は、互いに溶合された隣接するリブ５１ｉを含んでよい。リブ５１ｉは、熱エネルギー（熱）により溶融または溶合することができる。これは、偏光子７０の端部１３にレーザまたは熱線を向けることで行うことができる。溶融または溶合処理は、図１６の偏光子１６０に示されるように、溶合されたリブ５１ｑを、隣接するリブと接着させる（例としては、標準領域１２内の隣接するリブ、または、移領域８４における隣接するリブであってよい）。溶合または溶融されたリブ５１ｉは、図１６を参照して後述するように基板５３から分離されてよい。
【００２３】
図８の偏光子８０に示すように、推移領域８４は、リブ修正領域１１と標準領域１２との間に存在していてよい。推移領域８４のリブ５１ｆは、リブ修正領域１１と標準領域１２との間の過渡的特性を有していてよい。リブ修正領域１１の異なる特性が幅である場合には、推移領域８４のリブ５１ｆが、リブ修正領域１１のリブ５１ｊと標準領域１２のリブ５１ａとの間の中間の幅を有していてよい。リブ修正領域１１の異なる特性が高さである場合には、推移領域８４のリブ５１ｆが、リブ修正領域１１のリブ５１ｊと標準領域１２のリブ５１ａとの間の中間の高さを有していてよい。リブ修正領域１１の異なる特性が形状である場合には、推移領域８４のリブ５１ｆが、リブ修正領域１１のリブ５１ｊと標準領域１２のリブ５１ａとの間の中間の形状を有していてよい。標準領域１２のリブ５１ａとリブ修正領域１１との間の様々な異なる特性を組み合わせることができ、推移領域８４が、これらの組み合わせられた異なる特性の全てに基づいた、中間的な特性を有するリブ５１を含んでもよい。
【００２４】
図９から図１４の偏光子に示されているように、リブ修正領域１１および標準領域１２両方のリブ５１は、基板５３に形成され、基板５３から延びる基板リブ９３を含んでよい。図９から図１０に示すように、偏光子９０および１００は、金属線９１または１０１および９２を含んでよい。分割された誘電リブ９４が、基板リブ９３の上に設けられてよい。図９から図１０は、金属線９１の上に誘電リブ９４を設ける場合を示しているが、この順序を逆にして、金属線９１を誘電リブ９４の上に設けてもよい。基板リブ９３は、米国特許第６、１２２、１０３号明細書に詳述されており、誘電リブ９４は、米国特許出願第１３／０７５、４７０号明細書に詳述されているので、これらの文献を両方ともここに参照として組み込む。
【００２５】
異なる特性とは、リブの幅ｗの差（ｗ３＞ｗ４）、および、高さの差（ｈ４＞ｈ３）のうち少なくともいずれかであってよい。リブの幅は、リブの最大幅として定義されてよく、この最大値は、基板リブ９３、金属線９１または１０１および９２、または、分割された誘電リブ９４のものである。リブ修正領域１１の金属線９１は、部分的または全体的に溶融され、異なる特性を生じさせてよい。図１０の偏光子１００は、リブ修正領域１１の互いに溶合された金属線１０１を含んでよく、標準領域１２の金属線９２は、別々の金属線９２を含んでよい（物理的に互いに分離している隣接する基板リブ９３上に設けられている隣接している金属線９２、ということ）。金属線１０１は、図１６に示す構造のように、隣接する線またはリブに接着されて、基板から分離する場合がある。
【００２６】
図９から図１０のリブ中央線Ｃ１１−１２が示すように、分割された誘電リブ９４の大部分は、リブ修正領域１１および標準領域１２の両方において、下にある基板リブ９３と実質的に位置合わせされていてよい。図１０に示すように、誘電リブ９４の材料を選択して（例えば、融点の高い材料を選択して）、リブ修正領域１１の金属線１０１を溶かすべく注意深く加熱することで、金属線１０１が溶けて互いに溶合された後にも、分割された誘電リブ９４は基板リブ９３と実質的に位置合わせされた状態とすることができる（Ｃ１１）。
【００２７】
図１１の偏光子１１０に示すように、リブ修正領域１１のリブ５１ｎには、基板リブ９３の上の金属線１０１が含まれてよい。標準領域１２のリブ５１ｃには、基板リブ９３の上の金属線９２が含まれてよい。金属線１０１および９２の上面および側面は、他の材料層は形成されておらず、せいぜい耐食材料からなる非常に薄い被膜が設けられているだけである（非常に薄いとは、例えば、１ｎｍ未満、５ｎｍ未満、または、１０ｎｍ未満の薄層を意味する）。リブ修正領域の金属線１０１は、隣接する金属線またはリブに接着されて、図１６を参照して後述するように基板５３から分離されてよい。
【００２８】
図１２から図１４に示す偏光子１２０、１３０、および１４０に示すように、リブ修正領域１１のリブ５１ｏは、実質的に他のリブ材料がない側面１２２と上面１２１とを有する基板リブ９３を含んでいてよい。図１２に示すように、標準領域１２のリブ５１ｃは、基板リブ９３の上部に設けられた金属線９２を含んでよい。図１３に示すように、標準領域１２のリブ５１ｄは、基板リブ９３の上に設けられた誘電リブ９４を含んでいてよい。図１４に示すように、標準領域１２のリブ５１ｂは、基板リブ９３の上にいずれかの順序で設けられた金属線９２と誘電リブ９４とを含んでよい。
【００２９】
図１５の１つの偏光子１５０に示すように、異なる特性がリブの形状であってもよい。リブ修正領域１１のリブ５１ｐは、不規則な断面形状を有してよく（正方形、矩形、円形、楕円系、三角形等の規則的な形状ではなく）、標準領域１２のリブ５１ｅは、実質的に矩形の断面形状を有してよい。
【００３０】
図１６の偏光子１６０に示すように、リブ修正領域のリブ５１ｑは、互いに溶合されたリブ５１ｑを含んでもよい。溶解されたリブ５１ｑは、隣接するリブに付着して（例えば標準領域のリブ５１ａまたは推移領域８４のリブ５１ｆと）、基板から分離されてもよい。熱処理によって、リブ修正領域１１のリブ５１ｑが、基板から剥がすことができる。
【００３１】
図１７から図１８の偏光子１７０および１８０に示すように、標準領域１２のリブ５１ａの間の間隙１７２は、空気を含んでよく、実質的に材料（例えばレジストまたはポリマー）がない状態であってよい。リブ修正領域１１のリブ５１ｒの間の間隙１７３は、ポリマーまたはレジスト１７２といった材料を含んでよい。ポリマーまたはレジスト１７２は、光または熱に晒されると溶解される、または溶解されない材料であってよい。材料１７１は、図１７に示すように、リブ修正領域１１のリブ５１ｒの間の間隙１７３を部分的に充填してもよい。材料１７１は、図１８に示すように、リブ修正領域１１のリブ５１ｒの間の間隙１７３を完全に充填してもよい。材料１７１は、図１８に示すように、リブ修正領域のリブ５１ｒの上面１８１を部分的にまたは完全にカバーしてもよい。
【００３２】
リブ修正領域１１のリブを修正することで、リブ修正領域１１の偏光力は、低減したり、なくなったりする場合がある。所望の偏光透過率（Ｔｐ）を望ましくない偏光透過率（Ｔｓ）で除算した結果として定義される偏光コントラストは、偏光子の有効偏光力の指標である。リブ修正領域１１の偏光コントラストは、一実施形態では１０に満たない。標準領域１２の偏光コントラストは、一実施形態では４０を超えていてもよく、別の実施形態では１００を超えていてもよく、別の実施形態では１０００を超えていてもよく、別の実施形態では１０，０００を超えていてもよい。
【００３３】
ここで記載した様々な偏光子は、クランプ等のマウントに固定されてもよい。クランプは、リブ修正領域１１全てまたはその一部をカバーしていてよい。クランプは、標準領域１２をカバーしたり固定してしまったりすることを防ぐために設けられてよく、これにより、標準領域全体を偏光に利用可能とすることができる。リブ修正領域１１を設けることで、クランプの端部沿いに溜まった凝縮物が、標準領域１２の金属線の間から出ないようにすることができる。
【００３４】
図８から図１８のリブ修正領域１１は、標準領域１２のリブ５１ａ−ｃのアレイに平行な端部１３の部分沿いに延びているリブ修正１１として描かれている（図１に示す端部１３ｂおよび１３ｄの部分等）。これらの図面は、本発明を簡単に示したものであるが、端部１３の部分に沿って延びるリブ修正領域１１を、標準領域のリブのアレイに垂直とすることが重要になる場合もある（例えば図２に示すような、端部１３ａおよび１３ｃの部分に沿って延びるリブ修正領域１１ｂ−ｃのように）。図１９に示す偏光子１９０は、この後者のバージョンを示している。リブ修正領域１１を、図２および図１９に示すように、標準領域１２のリブのアレイに垂直に端部１３の部分に沿って設けることで、標準領域１２の金属線５１の間のチャネルに流体が入り込まないようにする障壁として機能させることができるようになるので好適であると思われる。
【００３５】
＜製造方法＞
本明細書に記載する、標準領域１２と修正領域（リブ修正領域１１またはリブ無し領域２１１）とを有する様々な偏光子の製造方法を説明する。先ず、基板の表面の実質的な部分をカバーするよう、平行且つ細長いリブのアレイを含む偏光子を設ける（図２０の偏光子２００参照のこと）。第２に、基板の端部の少なくとも一部に沿ったリブを修正して、標準領域１２とは異なる性質を有する修正領域を形成して（リブ修正領域１１またはリブなし領域２１１）、修正領域の毛細作用を、標準領域１２の毛細作用より実質的に低くなるようにする。
【００３６】
一実施形態では、修正には、端部に実質的に垂直な方向に、１マイクロメートルから１ミリメートルの間の距離分、内部に向かう方向にリブを修正することが含まれる。別の実施形態では、修正には、基板の端部の距離の少なくとも３０％の距離に相当するリブを修正することが含まれてよい。
【００３７】
一実施形態では、熱エネルギーを利用して、基板の端部に沿ったリブの一部を溶かすこともできる。熱エネルギーはリブの金属部分を溶かすことができる。熱エネルギーは、レーザまたは熱線であってよい。図７−図８、図１０−図１１では、リブ修正領域１１のリブ５１の一部が溶融されていてもよいことが示唆されている。リブ５１は、基板５３の融点より実質的に低い融点を有する材料を含んでよく、これにより、リブ５１、または、リブ５１の部分が溶けても、基板５３を溶融させないようにする、または溶融を最小限に留めることができるようになる。例えばリブ５１にアルミニウムを含ませたり、基板５３にガラスを含ませたりしてよい。
【００３８】
別の実施形態では、修正に、リブの上に材料を載せて、修正領域１１の上の材料のみを活性化して、標準領域１２から、活性化されていない材料を除去することが含まれてよい。材料はレジストであってよい。レジストは、熱、および、電磁エネルギー（例えば紫外光等）のうちの少なくとも１つにより活性化することができる。例えば、ネガレジストをリブの上に設けることができる。修正領域１１内のレジストの活性化は、レジストの重合、または、架橋であってよい。不活性化領域（標準領域１２）のレジストは、現像液により除去することができ、修正領域１１の重合されたレジストは維持される。
【００３９】
別の実施形態では、修正が、リブの上に材料を載せて、標準領域１２の材料を劣化させ、劣化した材料を標準領域１２から除去することを含んでよい。材料はレジストであってよい。レジストは、熱、および、電磁エネルギー（例えば紫外光等）のうちの少なくとも１つにより劣化させてよい。例えば、ポジレジストをリブの上に設けることができる。標準領域１２のレジストの活性化により、例えば、長鎖高分子の化学結合を断ち切ることで、溶解可能にして、レジストを劣化させることができる。劣化しなかった領域（修正領域１１）のレジストは維持され、標準領域１２の劣化したレジストは現像液により除去することができる。
【００４０】
別の実施形態では、リブの全てまたは一部を、例えば高電力レーザを利用することで、除去してよい。こうすることで、リブの一部を除去することができ（図１２から図１４参照）、または、リブ構造全体を除去したり、なくしたりすることで、リブ無し領域２１１を生成することができる（図２１の偏光子２１０参照）。リブ無し領域全体のリブ構造全体を除去してもよいし、リブ無し領域の少なくとも７５％を除去してもよい。
【００４１】
上述した構成は、本発明の原理の用途の例示にすぎない点に留意されたい。本発明の精神および範囲を逸脱せずに、いくつ物変形例および代替的な構成が可能である点を了承されたい。本発明は、図面に示されており、その詳細を現在のところ最も実践的で好適な本発明の実施形態を参照して示してきたが、当業者であれば、ここで述べた本発明の原理および思想から逸脱せずにいくつもの変形例を想到することができることは明らかである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【外国語明細書】
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