(57)【要約】【課題】高温環境下でも部分放電開始電圧が高く、可とう性などの機械的特性も良好な絶縁電線およびそれを用いたコイルを提供する。【解決手段】導体上に絶縁塗料を塗布し、焼付けして得られる絶縁皮膜を有し、絶縁皮膜が分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなるものである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体上に絶縁塗料を塗布し、焼付けして得られる絶縁皮膜を有し、前記絶縁皮膜が分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなることを特徴とする絶縁電線。
【請求項２】
前記絶縁皮膜は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以上であり、２５０℃における弾性率が１００ＭＰａ以上である請求項１に記載の絶縁電線。
【請求項３】
前記絶縁皮膜は、３つ以上の芳香環を有すると共に連結基として１つ以上のエーテル結合を有するジアミン成分（Ａ）を、分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）に対して、２モル％以上２０モル％以下の割合で過剰に配合して得られるポリイミド樹脂からなる請求項１又は２に記載の絶縁電線。
【請求項４】
前記テトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）は、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物からなる請求項３に記載の絶縁電線。
【請求項５】
前記ジアミン成分（Ａ）は、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｑ）、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｒ）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ）、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ−Ｍ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＢＡＰＰ）からなる請求項３に記載の絶縁電線。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁電線を用いて形成されたコイル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁電線およびそれを用いたコイルに係り、特に、高温（例えば２２０℃以上）でも部分放電開始電圧が高く、可とう性などの機械的特性も良好な絶縁電線およびそれを用いたコイルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
モータなどの電気機器を構成するコイルには、一般にポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミドなどの樹脂を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）やＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）等の極性溶媒に溶解して得られる絶縁塗料を、導体上に塗布し、焼付けして絶縁皮膜を形成した絶縁電線が使用されている。特に、ポリイミドからなる絶縁皮膜は、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物との主に２成分による反応から得られるポリイミド樹脂からなる絶縁塗料を導体上に塗布し、焼付けして形成される。
【０００３】
例えば、特許文献１では、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ）などのジアミンと、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）などのテトラカルボン酸二無水物とが等しいモル量で混合されて得られるポリイミド塗料を、導体上に塗布し、焼付けして形成された絶縁皮膜を有する絶縁電線が開示されている。
【０００４】
一方、モータなどの電気機器は、小型・軽量で高出力なものが望まれていることから、インバータ制御にて駆動されることが増えつつある。そして、インバータ制御にて駆動されるときのインバータサージによって発生する部分放電のリスクがさらに高まっており、コイルに使用される絶縁電線に対して部分放電に対する耐性の強化が種々検討されている。
【０００５】
この部分放電に対する耐性を向上させる手法として、ポリイミド塗料から形成された絶縁皮膜の誘電率を低下させて絶縁電線間の電界（線間に存在する空気層に加わる電界）を緩和することにより、常温（例えば、２０℃±１５℃）での部分放電を発生しにくくし、耐性を向上させる方法などがある（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平４−２６１４８２号公報
【特許文献２】特開２０１０−６７４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年では、モータの駆動電圧が上昇するに伴って、部分放電が発生するリスクは更に高くなってきているが、これに加えて、高温環境下での使用も想定され、この高温環境下でも部分放電開始電圧が高いことが望まれている。
【０００８】
しかし、上記したような絶縁皮膜の誘電率を低下させる方法では、低誘電率化が樹脂構造に依存することから、耐熱性や可とう性などの機械的特性が低下することがあった。そのため、コイルを成形する際の曲げ加工に耐えうる可とう性などの機械的特性を維持しながら、高温環境下においても高い部分放電開始電圧を得ることは容易ではなかった。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、高温環境下でも部分放電開始電圧が高く、可とう性などの機械的特性も良好な絶縁電線およびそれを用いたコイルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために請求項１の発明は、導体上に絶縁塗料を塗布し、焼付けして得られる絶縁皮膜を有し、前記絶縁皮膜が分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなることを特徴とする絶縁電線である。
【００１１】
請求項２の発明は、前記絶縁皮膜は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以上であり、２５０℃における弾性率が１００ＭＰａ以上である請求項１に記載の絶縁電線である。
【００１２】
請求項３の発明は、前記絶縁皮膜は、３つ以上の芳香環を有すると共に連結基として１つ以上のエーテル結合を有するジアミン成分（Ａ）を、分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物（Ｂ）に対して、２モル％〜２０モル％の割合で過剰に配合して得られるポリイミド樹脂からなる請求項１又は２に記載の絶縁電線である。
【００１３】
請求項４の発明は、前記テトラカルボン酸二無水物（Ｂ）は、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物からなる請求項３に記載の絶縁電線である。
【００１４】
請求項５の発明は、前記ジアミン成分（Ａ）は、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｑ）、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｒ）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ）、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ−Ｍ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＢＡＰＰ）からなる請求項３に記載の絶縁電線である。
【００１５】
請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁電線を用いて形成されたコイルである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、高温環境下でも部分放電開始電圧が高く、可とう性などの機械的特性も良好な絶縁電線およびそれを用いたコイルを提供することが出来る。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の好適な一実施の形態を詳述する。
【００１８】
本発明は、導体上に絶縁塗料を塗布し、焼付けして得られる絶縁皮膜を有し、前記絶縁皮膜が分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなる絶縁電線である。
【００１９】
本発明では、上記したように絶縁皮膜を分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂で構成することで、このイミン結合が架橋成分となるために、低誘電率化による耐熱性や可とう性の低下を抑制することができることを見出した。これにより、コイルを成形する際の曲げ加工に耐えうる可とう性などの機械的特性を維持しながら、高温環境下においても高い部分放電開始電圧を有する絶縁電線を得ることができる。
【００２０】
また本発明は、高温（例えば２２０℃）でも部分放電開始電圧の高い絶縁皮膜（例えば、２２０℃で９５０Ｖｐ以上／５０μｍで、常温（２３℃）の部分放電開始電圧に対し、８５％以上の部分放電開始電圧を有する）が得られると共に、可とう性の良好な絶縁皮膜を有する絶縁電線およびそれを用いたコイルである。
【００２１】
本発明の絶縁皮膜を構成するポリイミド樹脂としては、３つ以上の芳香環を有すると共に連結基として１つ以上のエーテル結合を有するジアミンからなるジアミン成分（Ａ）を、分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物からなるテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）に対して、２モル％以上２０モル％以下の割合で過剰に配合して得られるポリイミド樹脂がよい。
【００２２】
つまり、本発明の絶縁皮膜は、上記したジアミン成分（Ａ）と上記したテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）とがモル比率（モル％）で「（Ａ）／（Ｂ）＝１０２／１００〜１２０／１００」の割合で配合したポリイミド樹脂前駆体により得られるポリイミド樹脂であることがよい。
【００２３】
このような割合でジアミン成分（Ａ）がテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）よりも過剰量となるように配合したポリイミド樹脂前駆体を用いることにより、このようなポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料が塗布された導体を焼付炉にて焼付けした際に、ジアミン成分（Ａ）とテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）とを合成した際に反応しなかった過剰量分のジアミン成分（Ａ）が、導体上に塗布された絶縁塗料を焼付けして絶縁皮膜とする時の熱によってテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）に含まれるカルボニル基とイミン結合し、架橋成分となる。これにより、上述したように、コイルを成形する際の曲げ加工に耐え得る可とう性などの機械的特性を維持しながら、高温環境下においても高い部分放電開始電圧を有する絶縁電線を得ることができる。
【００２４】
上記のポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を用いて形成された分子構造中にイミン結合結合を有する絶縁皮膜は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以上であり、２５０℃における弾性率が１００ＭＰａ以上である。このようなガラス転移温度、弾性率を有することにより、絶縁皮膜が熱によって軟化しにくく、高温環境下において部分放電開始電圧が低下する割合を小さくすることができる。
【００２５】
ジアミン成分（Ａ）のテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）に対する過剰量が２モル％未満であると、イミン結合よりなる架橋成分が少ないために、高温環境下において高い部分放電開始電圧が得られないおそれがある。また、ジアミン成分（Ａ）のテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）に対する過剰量が２０モル％より過剰であると、ポリイミド樹脂の分子量が低下するために、絶縁皮膜の機械的特性の低下につながるおそれがある。また、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を導体上に塗装する際の作業性（塗装作業性）の低下防止の観点から、ジアミン成分（Ａ）の過剰量は上記範囲とすることが好ましい。
【００２６】
ジアミン成分（Ａ）：
ジアミン成分（Ａ）としては、３つ以上の芳香環を有すると共に連結基として１つ以上のエーテル結合を有するジアミンが用いられる。ジアミン成分（Ａ）としては、３つ以上の芳香環を有するジアミンであることが、モノマーの分子量を大きくし、ポリイミド樹脂のイミド基濃度を低減させるのに有効に作用する。また、ジアミン成分（Ａ）が連結基としてエーテル結合を有するジアミンであることが、絶縁皮膜の柔軟性（柔かさ）を向上させるのに有効に作用する。これらの作用により、部分放電開始電圧が高く、可とう性などの機械的特性も良好な絶縁皮膜を得ることができる。このようなジアミン成分（Ａ）としては、例えば、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｑ）、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｒ）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ）、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ−Ｍ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＢＡＰＰ）などのジアミンが挙げられる。これらのジアミンのうち１種を単独で用いるか、もしくは２種以上を併用してもよい。
【００２７】
コスト、低誘電率化の観点から、分子量が大きく繰返し単位当たりのイミド基濃度の低減に有効な効果が得られる２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）をジアミン成分（Ａ）として用いることがより好ましい。
【００２８】
テトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）：
テトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）（以下成分（Ｂ）という）としては、分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物が用いられ、例えば、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）などが挙げられる。
【００２９】
溶剤：
ジアミン成分（Ａ）と成分（Ｂ）とを合成反応させるときに用いる溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）やγ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルイミダゾリジノン（ＤＭＩ）、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノンなどが挙げられ、ポリイミド樹脂前駆体の合成反応を阻害しない溶剤を併用して合成しても良いし、希釈しても良い。また、希釈用途として芳香族アルキルベンゼン類などを併用しても良い。但し、ポリイミド樹脂の溶解性を低下させるおそれがある場合は考慮する必要がある。
【００３０】
ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料：
ジアミン成分（Ａ）を溶剤に溶解し、次いで成分（Ｂ）を配合し、窒素雰囲気下で攪拌することでポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料が得られる。
【００３１】
絶縁電線の製造：
本形態に係る絶縁電線は、断面が丸形状、あるいは四角形状の導体の表面、または他の皮膜上に、上述したポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を塗布・焼付けして分子構造中にイミン結合を有する絶縁皮膜を形成して製造される。
【００３２】
また、分子構造中にイミン結合を有する絶縁皮膜の上層に、潤滑性を付与するための潤滑付与層や耐傷性を付与する耐傷性付与層を形成してもよい。また、分子構造中にイミン結合を有する絶縁皮膜の下層で導体の直上に、導体と当該絶縁皮膜との密着性を向上させるための密着性付与層などを形成してもよい。
【００３３】
導体は、銅導体やアルミ導体などが使用できる。特に、銅導体からなる場合には、主に無酸素銅や低酸素銅などが使用される。なお、導体にはこれに限定されるものではなく、例えば銅の外周にニッケルなどの金属めっきを施した導体も使用可能である。なお、断面が四角形状の導体は、角の部分が所定の曲率で湾曲して尖っていない形状のものも含むものとする。
【実施例】
【００３４】
次に本発明の実施例を比較例と併せて説明する。
【００３５】
【表１】
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【００３６】
（塗料合成法と絶縁電線の作製）
攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコに３つ以上の芳香環と連結基として少なくとも１つ以上のエーテル結合を有するジアミンからなるジアミン成分（Ａ）と溶剤としてＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を配合し、室温、１００ｒｐｍで攪拌させ、ジアミンを溶剤に溶解させた。次いでテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）を配合し、１００ｒｐｍ、窒素雰囲気下で２４ｈｒ攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。
【００３７】
また、得られたポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を、外径が０．８ｍｍの導体上に塗布し、焼付けする工程を数回繰り返して厚さが５０μｍの絶縁皮膜を有する絶縁電線を得た。
【００３８】
（絶縁電線の特性評価）
「部分放電開始電圧」
ＪＩＳＣ３００３に準拠する方法により、ツイストペアの絶縁電線のサンプルを作製した。次に、作製したサンプルの端部から１０ｍｍの位置までの絶縁皮膜を削って導体を露出させて端末処理部を形成した。測定は、恒温恒湿槽中に端末処理部が形成されたサンプルを設置し、各端末処理部に電極を接続し、温度２２０℃の雰囲気の場合と、温度２３℃、湿度５０％の雰囲気の場合のそれぞれで５０Ｈｚの電圧を１０〜３０Ｖ／ｓの割合で昇圧させながら、ツイストペアの絶縁電線に１００ｐＣの放電が１秒間に５０回発生する電圧まで昇圧して行った。これを３回繰返し測定したそれぞれの値の平均値を部分放電開始電圧とした。また、温度２３℃の場合の部分放電開始電圧に対する温度２２０℃の場合の部分放電開始電圧の比率を「残率」（％）とした。
【００３９】
「耐軟化温度」
得られた絶縁電線から１２０ｍｍのサンプルを２本切り出し、片側末端の絶縁皮膜を削った。それぞれを十字に交差し、６．９Ｎ（０．７ｋｇｆ）の荷重をかけた状態で、東特塗料（株）製耐軟化試験機Ｋ７８００に取り付け、電圧を印加した状態で、０．１℃／ｍｉｎの速度で昇温し、絶縁電線間で導通した時の温度を耐軟化温度とした。
【００４０】
「可とう性」
可とう性試験は、「ＪＩＳＣ  ３００３「７．１．１ａ」巻付け」に準拠した方法で絶縁電線を２０％伸長して行った。その後、２０％伸長した絶縁電線を、当該絶縁電線の導体径の１〜１０倍の直径を有する巻き付け棒へ「ＪＩＳＣ  ３００３「７．１．１ａ」巻付け」に準拠した方法で巻き付け、光学顕微鏡を用いて絶縁皮膜に亀裂の発生が見られない最小巻き付け倍径（ｄ）を測定した。
【００４１】
「弾性率（貯蔵弾性率）」
弾性率（貯蔵弾性率）の測定は、各実施例、比較例で使用したポリイミド樹脂からなる絶縁塗料を用いて２５μｍ（厚さ）×５ｍｍ×２０ｍｍのシート状の評価用絶縁皮膜を作製して行った。動的粘弾性測定装置（アイティー計測制御株式会社、ＤＶＡ−２００）を用いて室温から４００℃までを昇温速度１０℃／ｍｉｎで昇温しながら、評価用絶縁皮膜の１００Ｈｚ振動時の貯蔵弾性率を測定した。
【００４２】
「ガラス転移温度」
ガラス転移温度（Ｔｇ）は、上記の貯蔵弾性率測定において、貯蔵弾性率が低下する変曲点の温度をガラス転移温度（Ｔｇ）として測定した。
【００４３】
実施例１：
攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分（Ａ）として２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）５６３．７ｇ（１０２モル％）、溶剤としてＮＭＰ３０００ｇを配合し、室温、１００ｒｐｍで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）として３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）（成分（Ｂ））を４３６．５ｇ（１００モル％）を投入し、室温で２４ｈｒ攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分（Ａ）と成分（Ｂ）のモル比（成分（Ａ）／成分（Ｂ））は１０２／１００である。
【００４４】
次に、外径が０．８ｍｍの導体上に得られた絶縁塗料を塗布し、焼付けすることを繰り返して厚さが５０μｍであり、分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。
【００４５】
実施例２：
攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分（Ａ）として２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）５８２．１ｇ（１１０モル％）、溶剤としてＮＭＰ３０００ｇを配合し、室温、１００ｒｐｍで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）として３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）（成分（Ｂ））を４１８ｇ（１００モル％）投入し、室温で２４ｈｒ攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分（Ａ）と成分（Ｂ）のモル比（成分（Ａ）／成分（Ｂ））は１１０／１００である。
【００４６】
次に、外径が０．８ｍｍの導体上に得られた絶縁塗料を塗布し、焼付けすることを繰り返して厚さが５０μｍであり、分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。
【００４７】
実施例３：
攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分（Ａ）として２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）６０３．１ｇ（１２０モル％）、溶剤としてＮＭＰ３０００ｇを配合し、室温、１００ｒｐｍで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）として３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）（成分（Ｂ））を３９７．０ｇ（１００モル％）を投入し、室温で２４ｈｒ攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分（Ａ）と成分（Ｂ）のモル比（成分（Ａ）／成分（Ｂ））は１２０／１００である。
【００４８】
次に、外径が０．８ｍｍの導体上に得られた絶縁塗料を塗布し、焼付けすることを操り返して厚さが５０μｍであり、分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。
【００４９】
実施例４：
攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分（Ａ）として４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）５４４．２ｇ（１０５モル％）、溶剤としてＮＭＰ３０００ｇを配合し、室温、１００ｒｐｍで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）として３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）（成分（Ｂ））を４５５．８ｇ（１００モル％）を投入し、室温で２４ｈｒ攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分（Ａ）と成分（Ｂ）のモル比（成分（Ａ）／成分（Ｂ））は１０５／１００である。
【００５０】
次に、外径が０．８ｍｍの導体上に得られた絶縁塗料を塗布し、焼付けすることを繰り返して厚さが５０μｍであり、分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。
【００５１】
実施例５：
攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分（Ａ）として２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）６１２．８ｇ（１２５モル％）、溶剤としてＮＭＰ３０００ｇを配合し、室温、１００ｒｐｍで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）として３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）（成分（Ｂ））を３８２．７ｇ（１００モル％）を投入し、室温で２４ｈｒ攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分（Ａ）と成分（Ｂ）のモル比（成分（Ａ）／成分（Ｂ））は１２５／１００である。
【００５２】
次に、外径が０．８ｍｍの導体上に得られた絶縁塗料を塗布し、焼付けすることを繰り返して厚さが５０μｍであり、分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。
【００５３】
比較例１：
攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分（Ａ）として２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）５５８．７ｇ（１００モル％）、溶剤としてＮＭＰ３０００ｇを配合し、室温、１００ｒｐｍで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物として３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）（成分（Ｂ））を４４１．３ｇ（１００モル％）を投入し、室温で２４ｈｒ攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分（Ａ）と成分（Ｂ）のモル比（成分（Ａ）／成分（Ｂ））は１００／１００である。
【００５４】
次に、外径が０．８ｍｍの導体上に得られた絶縁塗料を塗布し、焼付けすることを繰り返して厚さが５０μｍであり、分子構造中にイミン結合を有しないポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。
【００５５】
比較例２：
攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分（Ａ）として２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）５７９．９ｇ（１０５モル％）、溶剤としてＮＭＰ３０００ｇを配合し、室温、１００ｒｐｍで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有しないテトラカルボン酸二無水物成分（Ｂ）として４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）（成分（Ｂ））を４２０．１ｇ（１００モル％）を投入し、室温で２４ｈｒ攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分（Ａ）と成分（Ｂ）のモル比（成分（Ａ）／成分（Ｂ））は１０５／１００である。
【００５６】
次に、外径が０．８ｍｍの導体上に得られた絶縁塗料を塗布、焼付けを繰り返して厚さが５０μｍであり、分子構造中にイミン結合を有しないポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。
【００５７】
実施例１〜５は、２２０℃での部分放電開始電圧が９６０Ｖｐ以上と高く、残率も８５％以上であり、また可とう性も良好である。これに対して比較例１はジアミン成分（Ａ）が成分（В）に対して等しいモル量で配合されているとともに、架橋成分となるイミン結合が絶縁皮膜の分子構造中に存在していないことにより、部分放電開始電圧が９０８Ｖｐと低くなったと考えられる。また比較例２は、成分（Ａ）と成分（Ｂ）のモル比（成分（Ａ）／成分（Ｂ））は１０５／１００であるものの、分子構造中にカルボニル基を有しないテトラカルボン酸二無水物（ＯＤＰＡ）を用いているため、架橋反応が起きず、イミン結合が絶縁皮膜の分子構造中に存在していないことにより、部分放電開始電圧が低くなったと考えられる。