(57)【要約】【課題】積層型半導体装置の組み立て歩留を向上する。【解決手段】一つの実施形態によれば、積層型半導体装置は、配線基板、中継端子、半導体チップ、第１のボンディングワイヤ、及び第２のボンディングワイヤが設けられる。配線基板は、第１主面上に接続端子が設けられる。中継端子は、接続端子と離間し、配線基板の第１主面上に設けられる。半導体チップは、接続端子及び中継端子と離間し、配線基板の第１主面上に積層される。第１のボンディングワイヤは、半導体チップに設けられるチップ端子と中継端子を接続する。第２のボンディングワイヤは、中継端子と接続端子を接続する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面上に接続端子が設けられた配線基板と、
前記接続端子と離間し、前記配線基板の第１主面上に設けられた中継端子と、
前記接続端子及び前記中継端子と離間し、前記配線基板の第１主面上に積層された半導体チップと、
前記半導体チップに設けられるチップ端子と前記中継端子を接続する第１のボンディングワイヤと、
前記中継端子と前記接続端子を接続する第２のボンディングワイヤと、
を具備することを特徴とする積層型半導体装置。
【請求項２】
第１主面上に接続端子が設けられた配線基板と、
前記配線基板の第１主面上に設けられ、一端が前記接続端子上に前記接続端子と接するように設けられた中継配線と、前記接続端子及び前記中継配線上に設けられ、前記中継配線の他端に開口部が設けられた有機絶縁膜とを有する中継部材と、
前記接続端子及び前記中継配線と離間し、前記配線基板の第１主面上に積層された半導体チップと、
前記半導体チップに設けられるチップ端子と前記開口部により露呈された中継配線を接続するボンディングワイヤと、
を具備することを特徴とする積層型半導体装置。
【請求項３】
前記有機絶縁膜は、ポリイミド、ポリベンゾシクロブテン、ポリフロロカーボン、或いはポリアリルエーテルから構成されることを特徴とする請求項２に記載の積層型半導体装置。
【請求項４】
配線基板上に半導体チップを積層形成する工程と、
前記半導体チップ上に第１の有機絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の有機絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、
前記第１の有機絶縁膜及び前記導電膜上に第２の有機絶縁膜を形成し、前記導電膜上の前記第２の有機絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部により露呈された前記導電膜と前記半導体チップに設けられたチップ端子、及び前記開口部により露呈された前記導電膜と前記配線基板に設けられた接続端子をそれぞれボンディングワイヤで接続する工程と、
を具備することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
配線基板上に半導体チップを積層形成する工程と、
前記配線基板上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜上に有機絶縁膜を形成し、前記導電膜上の前記有機絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部により露呈された前記導電膜と前記半導体チップに設けられたチップ端子、及び前記開口部により露呈された前記導電膜と前記配線基板に設けられた接続端子をそれぞれボンディングワイヤで接続する工程と、
を具備することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記導電膜は、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、或いはオフセット印刷法を用いて形成されることを特徴とする請求項４又は５に記載の積層型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、積層型半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の小型化、高密度実装化などを実現する手法として、１つのパッケージ内に複数の半導体チップを積層し、樹脂等の封止材で封止された積層型半導体装置が各種電子機器に多用されている。積層型半導体装置は、チップ端子間、チップ端子と配線基板に設けられる接続端子の間、接続端子間等をそれぞれボンディングワイヤで接続している。
【０００３】
積層型半導体装置では、積層される半導体チップの数の増加、或いはチップ端子と接続端子間の距離が増大するとボンディングワイヤのワイヤ流れやアンダーループが発生するという問題点がある。ワイヤ流れやアンダーループが発生すると積層型半導体装置の組み立て歩留が低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−８８０８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、組み立て歩留を向上することができる積層型半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一つの実施形態によれば、積層型半導体装置は、配線基板、中継端子、半導体チップ、第１のボンディングワイヤ、及び第２のボンディングワイヤが設けられる。配線基板は、第１主面上に接続端子が設けられる。中継端子は、接続端子と離間し、配線基板の第１主面上に設けられる。半導体チップは、接続端子及び中継端子と離間し、配線基板の第１主面上に積層される。第１のボンディングワイヤは、半導体チップに設けられるチップ端子と中継端子を接続する。第２のボンディングワイヤは、中継端子と接続端子を接続する。
【０００７】
他の実施形態によれば、積層型半導体装置の製造方法は、第１乃至５の工程が含まれる。第１の工程は、配線基板上に半導体チップを積層形成する。第２の工程は、半導体チップ上に第１の有機絶縁膜を形成する。第３の工程は、第１の有機絶縁膜上に導電膜を形成する。第４の工程は、第１の有機絶縁膜及び導電膜上に第２の有機絶縁膜を形成し、導電膜上の第２の有機絶縁膜をエッチングして開口部を形成する。第５の工程は、開口部により露呈された導電膜と半導体チップに設けられたチップ端子、及び開口部により露呈された導電膜と配線基板に設けられた接続端子をそれぞれボンディングワイヤで接続する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る積層型半導体装置を示す断面図である。
【図２】図１の領域Ａの拡大断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る積層型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る積層型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図５】第１の実施形態に係る積層型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図６】第１の実施形態に係る積層型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る積層型半導体装置を示す断面図である。
【図８】図７の領域Ｂの拡大断面図である。
【図９】第２の実施形態に係る積層型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１０】第２の実施形態に係る積層型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１１】第３の実施形態に係る積層型半導体装置を示す断面図である。
【図１２】図１１の領域Ｃの拡大断面図である。
【図１３】第３の実施形態に係る積層型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１４】第３の実施形態に係る積層型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置について、図面を参照して説明する。図１は積層型半導体装置を示す断面図である。図２は図１の領域Ａの拡大断面図である。本実施形態では、半導体チップ上に中継部材を配置してワイヤ流れやアンダーループを抑制している。
【００１１】
図１に示すように、積層型半導体装置９０は、配線基板１上に半導体チップ２乃至５が４層積層され、封止材６で封止されたＢＧＡ（ball grid array）型半導体装置である。積層型半導体装置９０には、配線基板１、半導体チップ２乃至５、封止材６、シート７ａ乃至７ｄ、及びボンディングワイヤ１０ａ乃至１０ｆが設けられる。積層型半導体装置９０は、例えば携帯電話用機器などに使用される。
【００１２】
配線基板１は、第１主面（半導体チップ側）上に接続端子８ａ乃至８ｅが設けられる。配線基板１は、第１主面と相対向する第２主面上に外部端子１２ａ及び外部端子１２ｂを含む球状の複数の外部端子が設けられる。接続端子８ａはビア１１ａを介して外部端子１２ａに接続される。接続端子８ｅはビア１１ｂを介して外部端子１２ｂに接続される。配線基板１は、例えばガラスエポキシ基板が積層形成される多層基板である。
【００１３】
半導体チップ２は、シート７ａを介して配線基板１の第１主面上に載置される。シート７ａは、半導体チップ２を配線基板１に固着する。半導体チップ３は、シート７ｂを介して半導体チップ２の第１主面上に載置される。シート７ｂは、半導体チップ３を半導体チップ２に固着する。半導体チップ４は、シート７ｃを介して半導体チップ３の第１主面上に載置される。シート７ｃは、半導体チップ４を半導体チップ３に固着する。半導体チップ５は、シート７ｄを介して半導体チップ４の第１主面上に載置される。シート７ｄは、半導体チップ５を半導体チップ４に固着する。
【００１４】
半導体チップ２にはチップ端子９ａ及び９ｅが設けられる。半導体チップ２の第１主面上には、中継部材１３が設けられる。中継部材１３は、半導体チップ２乃至５が積層形成された後に半導体チップ２の第１主面上に形成されたものである。半導体チップ３にはチップ端子９ｂが設けられる。半導体チップ５にはチップ端子９ｃ及びチップ端子９ｄが設けられる。
【００１５】
接続端子８ａとチップ端子９ｃは、ボンディングワイヤ１０ｄで接続される。接続端子８ｃとチップ端子９ａは、ボンディングワイヤ１０ｃで接続される。接続端子８ｄとチップ端子９ｅは、ボンディングワイヤ１０ｅで接続される。接続端子８ｅとチップ端子９ｄは、ボンディングワイヤ１０ｆで接続される。
【００１６】
中継部材１３は接続端子８ｂとチップ端子９ｂの接続において、ボンディングワイヤのワイヤ流れやアンダーループを抑制するために設けられたものである。具体的には、図２に示すように、中継部材１３は、有機絶縁膜２１、中継端子２２、有機絶縁膜２３から構成される。有機絶縁膜２１は、半導体チップ２の第１主面上に設けられる。中継端子２２は、有機絶縁膜２１上に設けられる。有機絶縁膜２３は、中継端子２２及び有機絶縁膜２１上に設けられる。中継端子２２上の有機絶縁膜２３は、エッチングされ開口部２４が形成される。有機絶縁膜２１及び有機絶縁膜２３は、ポリイミドから構成される。中継端子２２は、Ｃｕ（銅）からなる金属膜（導電膜）から構成される。
【００１７】
チップ端子９ｂと中継端子２２は、ボンディングワイヤ１０ｂで接続される。中継端子２２と接続端子８ｂは、ボンディングワイヤ１０ａで接続される。中継端子２２を介して接続端子８ｂとチップ端子９ｂの間をボンディングワイヤで接続すると、ボンディングワイヤのワイヤ流れやアンダーループが抑制される。また、隣接するボンディングワイヤ１０ｄ及びボンディングワイヤ１０ｃとの間隔を安定して保つことができ、ワイヤタッチなどを防止することができる。このため、積層型半導体装置９０の組み立て歩留を向上することができる。
【００１８】
接続端子８ａ乃至８ｅ、半導体チップ２乃至５、チップ端子９ａ乃至９ｅ、ボンディングワイヤ１０ａ乃至１０ｆ、及び配線基板１の第１主面側は、封止材６で封止される。封止材６には、例えばエポキシ樹脂が用いられる。
【００１９】
次に、積層型半導体装置の製造方法について図３乃至６を参照して説明する。図３乃至６は積層型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００２０】
まず、配線基板１の第１主面上に半導体チップ２乃至５を積層形成する。この時点では、中継部材１３は形成されていない。
【００２１】
図３に示すように、有機絶縁膜２１はスクリーン印刷法を用いて形成している。具体的には、溶剤などで所定の粘度に調整されたポリイミドをスクレッパー３２から滴下してスクリーンマスク３１上にペースト３４として載置する。次に、スキージ３３をスクリーンマスク３１に押し当て、スキージ３３を横方向に移動させてスクリーン印刷を行う。スクリーン印刷により有機絶縁膜２１が半導体チップ２の第１主面上に形成される。
【００２２】
スクリーン印刷された有機絶縁膜２１は、レベリング（泡出し）及び加熱（例えば、１８０℃、６０分加熱）を実施して固化する。有機絶縁膜２１を厚膜化する場合は、スクリーン印刷及び焼結を複数回繰り返すのが好ましい。ここでは、スクリーン印刷法を用いて有機絶縁膜２１を形成しているが、代わりに塗布法などを用いて有機絶縁膜２１を形成してもよい。
【００２３】
次に、図４に示すように、中継端子２２（Ｃｕ（銅）からなる金属膜）は、インクジェット法を用いて形成する。具体的には、有機皮膜で覆われたＣｕ（銅）ナノ粒子を溶媒で所定の粘度に調整されたものをノズル３６から放出し、Ｃｕ（銅）からなる金属膜を有機絶縁膜２１上に形成する。
【００２４】
ＣＯ２レーザ或いは赤外線ランプなどにより局所加熱して、有機皮膜や溶媒を分解及び放出させてＣｕ（銅）からなる金属膜を焼結して中継端子２２を形成する。有機皮膜で覆われたＣｕ（銅）ナノ粒子の粒径は小さい方が好ましい。その理由は、粒径が小さいほどＣＯ２レーザ或いは赤外線ランプなどによる温度上昇が促進され、他の部分の温度上昇を抑制することができるからである。ここでは、インクジェット法を用いて中継端子２２（Ｃｕ（銅）からなる金属膜）を形成しているが、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法などを用いて中継端子２２（Ｃｕ（銅）からなる金属膜）を形成してもよい。
【００２５】
続いて、図５に示すように、有機絶縁膜２３はスクリーン印刷法を用いて、中継端子２２及び有機絶縁膜２１上に形成している。具体的には、溶剤などで所定の粘度に調整された感光性ポリイミドを図３で示した方法と同様に、図示していないがスクレッパー３２から滴下してスクリーンマスク３１上にペースト３４として載置する。次に、スキージ３３をスクリーンマスク３１に押し当て、スキージ３３を横方向に移動させてスクリーン印刷を行う。スクリーン印刷により有機絶縁膜２３が中継端子２２及び有機絶縁膜２１上に形成される。
【００２６】
そして、図６に示すように、中継端子２２上に設けられる開口部２４形成領域の有機絶縁膜２３（感光性ポリイミド）に光を照射する。光照射により有機絶縁膜２３（感光性ポリイミド）は光分解される。現像液を用いて光分解された有機絶縁膜２３（感光性ポリイミド）を現像処理した後、ポストベークを実施して有機絶縁膜２３を固化する。その結果、開口部２４を有する有機絶縁膜２３が形成される。
【００２７】
ここでは、スクリーン印刷法を用いて有機絶縁膜２３を形成しているが、代わりに塗布法などを用いて有機絶縁膜２３を形成してもよい。これ以降の工程は、周知の技術を用いて行われるので説明を省略する。
【００２８】
上述したように、本実施形態の積層型半導体装置では、配線基板１、半導体チップ２乃至５、封止材６、シート７ａ乃至７ｄ、及びボンディングワイヤ１０ａ乃至１０ｆが設けられる。半導体チップ２の第１主面上には、有機絶縁膜２１、中継端子２２、有機絶縁膜２３から構成される中継部材１３が設けられる。チップ端子９ｂと中継端子２２は、ボンディングワイヤ１０ｂで接続される。中継端子２２と接続端子８ｂは、ボンディングワイヤ１０ａで接続される。
【００２９】
このため、ボンディングワイヤのワイヤ流れやアンダーループを抑制することができる。また、隣接するボンディングワイヤとの間隔を安定して保つことができ、ワイヤタッチなどを防止することができる。したがって、積層型半導体装置の組み立て歩留を向上することができる。
【００３０】
なお、本実施形態では、積層基板１上に載置される半導体チップ２（積層型半導体装置での１番目の半導体チップ）上に中継部材１３を配置しているが必ずしもこれに限定されるものではない。ｎ番目（ただし、ｎは２以上）の半導体チップ上に中継部材を配置してもよい。有機絶縁膜２１及び有機絶縁膜２３にポリイミド膜を用いているが、代わりにポリベンゾシクロブテン、ポリフロロカーボン、或いはポリアリルエーテル等の有機絶縁膜を用いてもよい。中継端子２２をＣｕ（銅）からなる金属膜を用いているが、代わりにＡｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｎｉ（ニッケル）等の金属膜、導電性ＣＮＴ（カーボンナノチューブ）膜、ＩＴＯやＺｎＯ等の透明導電膜などを用いてもよい。
【００３１】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る積層型半導体装置について、図面を参照して説明する。図７は積層型半導体装置を示す断面図である。図８は図７の領域Ｂの拡大断面図である。本実施形態では、配線基板上に中継部材を配置してワイヤ流れやアンダーループを抑制している。
【００３２】
以下、実施例１と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
【００３３】
図７に示すように、積層型半導体装置９１は、配線基板１上に半導体チップ２乃至５が４層積層され、封止材６で封止されたＢＧＡ（ball grid array）型半導体装置である。積層型半導体装置９１には、配線基板１、半導体チップ２乃至５、封止材６、シート７ａ乃至７ｄ、ボンディングワイヤ１０ｅ、ボンディングワイヤ１０ｆ、ボンディングワイヤ１０ｇ、ボンディングワイヤ１０ｈ、及びボンディングワイヤ１０ｊが設けられる。積層型半導体装置９１は、例えば携帯電話用機器などに使用される。
【００３４】
配線基板１は、第１主面（半導体チップ側）上に接続端子８ａ、接続端子８ｄ、接続端子８ｅ、接続端子８ｆ、及び中継部材４１が設けられる。接続端子８ｆとチップ端子９ｂは、ボンディングワイヤ１０ｊで接続される。中継部材４１は、半導体チップ２乃至５が積層形成された後に配線基板１の第１主面上に形成されたものである。
【００３５】
中継部材４１は接続端子８ａとチップ端子９ｃの接続において、ボンディングワイヤのワイヤ流れやアンダーループを抑制するために設けられたものである。具体的には、図８に示すように、中継部材４１は、中継端子５１、有機絶縁膜５２から構成される。中継端子５１は、配線基板１の第１主面上に設けられる。有機絶縁膜２３は、中継端子５１及び配線基板１上に設けられる。中継端子５１上の有機絶縁膜５２は、エッチングされ開口部５３が形成される。有機絶縁膜５２は、ポリイミドから構成される。中継端子５１は、Ｃｕ（銅）からなる金属膜から構成される。
【００３６】
チップ端子９ｃと中継端子５１は、ボンディングワイヤ１０ｈで接続される。中継端子５１と接続端子８ａは、ボンディングワイヤ１０ｇで接続される。中継端子５１を介して接続端子８ａとチップ端子９ｃの間をボンディングワイヤで接続すると、ボンディングワイヤのワイヤ流れやアンダーループが抑制される。また、隣接するボンディングワイヤ１０ｊとの間隔を安定して保つことができ、ワイヤタッチなどを防止することができる。このため、積層型半導体装置９１の組み立て歩留を向上することができる。
【００３７】
次に、積層型半導体装置の製造方法について図９及び図１０を参照して説明する。図９及び図１０は積層型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００３８】
図９に示すように、中継端子５１（Ｃｕ（銅）からなる金属膜）は、インクジェット法を用いて形成する。具体的には、第１の実施形態の図４で示す方法と同様に、有機皮膜で覆われたＣｕ（銅）ナノ粒子を溶媒で所定の粘度に調整されたものをノズル３６から放出し、Ｃｕ（銅）からなる金属膜を有機絶縁膜５１上に形成する。ＣＯ２レーザ或いは赤外線ランプなどにより局所加熱して、有機皮膜や溶媒を分解及び放出させてＣｕ（銅）からなる金属膜を焼結して中継端子５１を形成する。
【００３９】
次に、図１０に示すように、有機絶縁膜５２はスクリーン印刷法を用いて、中継端子５１及び配線基板１上に形成している。具体的には、溶剤などで所定の粘度に調整された感光性ポリイミドを第１の実施形態の図５で示した方法と同様に、図示していないがスクレッパー３２から滴下してスクリーンマスク３１上にペースト３４として載置する。次に、スキージ３３をスクリーンマスク３１に押し当て、スキージ３３を横方向に移動させてスクリーン印刷を行う。スクリーン印刷により有機絶縁膜５２が中継端子５１及び配線基板１上に形成される。
【００４０】
中継端子５１上に設けられる開口部５３形成領域の有機絶縁膜５２（感光性ポリイミド）に光を照射する。光照射により有機絶縁膜５２（感光性ポリイミド）は光分解される。現像液を用いて光分解された有機絶縁膜５２（感光性ポリイミド）を現像処理した後、ポストベークを実施して有機絶縁膜５２を固化する。
【００４１】
その結果、図８に示すように、開口部５３を有する有機絶縁膜５２が形成される。これ以降の工程は、周知の技術を用いて行われるので説明を省略する。
【００４２】
上述したように、本実施形態の積層型半導体装置では、配線基板１、半導体チップ２乃至５、封止材６、シート７ａ乃至７ｄ、ボンディングワイヤ１０ｅ、ボンディングワイヤ１０ｆ、ボンディングワイヤ１０ｇ、ボンディングワイヤ１０ｈ、及びボンディングワイヤ１０ｊが設けられる。配線基板１は、第１主面（半導体チップ側）上に接続端子８ａ、接続端子８ｄ、接続端子８ｅ、接続端子８ｆ、及び中継部材４１が設けられる。中継部材４１は、中継端子５１、有機絶縁膜５２から構成される。チップ端子９ｃと中継端子５１は、ボンディングワイヤ１０ｈで接続される。中継端子５１と接続端子８ａは、ボンディングワイヤ１０ｇで接続される。
【００４３】
このため、ボンディングワイヤのワイヤ流れやアンダーループを抑制することができる。また、隣接するボンディングワイヤとの間隔を安定して保つことができ、ワイヤタッチなどを防止することができる。したがって、積層型半導体装置の組み立て歩留を向上することができる。
【００４４】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係る積層型半導体装置について、図面を参照して説明する。図１１は積層型半導体装置を示す断面図である。図１２は図１１の領域Ｃの拡大断面図である。本実施形態では、配線基板上に中継配線を配置してボンディングワイヤを削減している。
【００４５】
以下、実施例１と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
【００４６】
図１１に示すように、積層型半導体装置９２は、配線基板１上に半導体チップ２乃至５が４層積層され、封止材６で封止されたＢＧＡ（ball grid array）型半導体装置である。積層型半導体装置９２には、配線基板１、半導体チップ２乃至５、封止材６、シート７ａ乃至７ｄ、ボンディングワイヤ１０ｅ、ボンディングワイヤ１０ｆ、ボンディングワイヤ１０ｇ、及びボンディングワイヤ１０ｈが設けられる。積層型半導体装置９２は、例えば携帯電話用機器などに使用される。
【００４７】
配線基板１は、第１主面（半導体チップ側）上に接続端子８ａ、接続端子８ｄ、接続端子８ｅ、接続端子８ｆ、及び中継部材４２が設けられる。接続端子８ｆとチップ端子９ｃは、ボンディングワイヤ１０ｊで接続される。中継部材４２は、半導体チップ２乃至５が積層形成された後に配線基板１の第１主面上に形成されたものである。
【００４８】
中継部材４２は接続端子８ａとチップ端子９ｃの接続において、ボンディングワイヤのワイヤ流れやアンダーループを抑制し、ボンディングワイヤの本数を削減するために設けられたものである。
【００４９】
具体的には、図１２に示すように、中継部材４２は、中継配線５４、有機絶縁膜５５から構成される。中継配線５４は、一端が接続端子８ａ上に中継配線５４と接するように配置され、中央部及び他端が配線基板１の第１主面上に配置される。有機絶縁膜５５は、中継配線５４、中継配線５４、及び配線基板１上に設けられる。他端の中継配線５４上の有機絶縁膜５５は、エッチングされ開口部５６が形成される。有機絶縁膜５５は、ポリイミドから構成される。中継配線５４は、Ｃｕ（銅）からなる金属膜から構成される。
【００５０】
チップ端子９ｃと開口部５６で露呈された中継配線５４は、ボンディングワイヤ１０ｈで接続される。中継配線５４を介して接続端子８ａとチップ端子９ｃの間をボンディングワイヤで接続すると、ボンディングワイヤのワイヤ流れやアンダーループが抑制される。ボンディングワイヤの本数を削減することができる。また、隣接するボンディングワイヤ１０ｊとの間隔を安定して保つことができ、ワイヤタッチなどを防止することができる。このため、積層型半導体装置９２の組み立て歩留を向上することができる。
【００５１】
次に、積層型半導体装置の製造方法について図１３及び図１４を参照して説明する。図１３及び図１４は積層型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００５２】
図１３に示すように、中継配線５４（Ｃｕ（銅）からなる金属膜）は、インクジェット法を用いて形成する。具体的には、第１の実施形態の図４で示す方法と同様に、有機皮膜で覆われたＣｕ（銅）ナノ粒子を溶媒で所定の粘度に調整されたものをノズル３６から放出し、Ｃｕ（銅）からなる金属膜を接続端子８ａ及び配線基板１上に形成する。プレベークを実施して溶媒を放出した後、接続端子８ａ上の中継配線５４に、例えば押圧子を押し当てて加熱及び加圧を加え、中継配線５４を焼結して中継配線５４と接続端子８ａの間を接続する。なお、焼結と同時に中継配線５に超音波を付加すると、更に中継配線５４と接続端子８ａの間の接続を強固することができる（接触抵抗の低減化）。
【００５３】
ここでは、中継配線５４は比較的線幅が狭い（数μｍ〜数十μｍ）ものとしているが、中継配線５４が比較的線幅が広い場合はメタルマスクをマスクとしてスパッタ法や蒸着法を用いて中継配線５４を形成してもよい。
【００５４】
次に、図１４に示すように、有機絶縁膜５５はスクリーン印刷法を用いて、中継配線５４、接続端子８ａ、及び配線基板１上に形成する。具体的には、溶剤などで所定の粘度に調整された感光性ポリイミドを第１の実施形態の図５で示した方法と同様に、図示していないがスクレッパー３２から滴下してスクリーンマスク３１上にペースト３４として載置する。次に、スキージ３３をスクリーンマスク３１に押し当て、スキージ３３を横方向に移動させてスクリーン印刷を行う。スクリーン印刷により有機絶縁膜５５が中継配線５４、接続端子８ａ、及び配線基板１上に形成される。
【００５５】
中継配線５４上に設けられる開口部５６形成領域の有機絶縁膜５５（感光性ポリイミド）に光を照射する。光照射により有機絶縁膜５５（感光性ポリイミド）は光分解される。現像液を用いて光分解された有機絶縁膜５５（感光性ポリイミド）を現像処理した後、ポストベークを実施して有機絶縁膜５５を固化する。
【００５６】
その結果、図１２に示すように、開口部５６を有する有機絶縁膜５５が形成される。これ以降の工程は、周知の技術を用いて行われるので説明を省略する。
【００５７】
上述したように、本実施形態の積層型半導体装置では、配線基板１、半導体チップ２乃至５、封止材６、シート７ａ乃至７ｄ、ボンディングワイヤ１０ｅ、ボンディングワイヤ１０ｆ、ボンディングワイヤ１０ｇ、及びボンディングワイヤ１０ｈが設けられる。配線基板１は、第１主面（半導体チップ側）上に接続端子８ａ、接続端子８ｄ、接続端子８ｅ、接続端子８ｆ、及び中継部材４２が設けられる。中継部材４２は、中継配線５４、有機絶縁膜５５から構成される。中継配線５４は、一端が接続端子８ａ上に中継配線５４と接するように配置され、中央部及び他端が配線基板１の第１主面上に配置される。  チップ端子９ｃと開口部５６で露呈された中継配線５４は、ボンディングワイヤ１０ｈで接続される。
【００５８】
このため、ボンディングワイヤのワイヤ流れやアンダーループを抑制することができる。ボンディングワイヤの本数を削減することができる。また、隣接するボンディングワイヤとの間隔を安定して保つことができ、ワイヤタッチなどを防止することができる。したがって、積層型半導体装置の組み立て歩留を向上することができる。
【００５９】
なお、第３の実施形態では、接続端子に接続される中継配線５４を有する中継部材４２を配線基板１上に配置しているが必ずしもこれに限定されるものではない。チップ端子に接続される中継配線を有する中継部材を半導体チップ上に配置してもよい。
【００６０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６１】
１  配線基板
２〜５  半導体チップ
６  封止材
７ａ〜７ｄ  シート
８ａ〜８ｆ  接続端子
９ａ〜９ｅ  チップ端子
１０ａ〜１０ｈ、１０ｊ  ボンディングワイヤ
１１ａ、１１ｂ  ビア
１２ａ、１２ｂ  外部端子
１３、４１、４２  中継部材
２１、２３、５２、５５  有機絶縁膜
２２、５１  中継端子
２４、５３、５６  開口部
３１  スクリーンマスク
３２  スクレッパー
３３  スキージ
３４  ペースト
３６  ノズル
５４  中継配線
９０、９１、９２  積層型半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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