(57)【要約】【課題】表皮効果の影響によるクリップの抵抗の増大を抑制しつつ、半導体装置の信頼性を維持することを目的とする。【解決手段】貫通孔２１５やくし部を設けてクリップ２００の表面積を増大することで、表皮効果の影響によるクリップ２００の抵抗の増大を抑制するとともに、クリップ２００の側面に開口部２１６を設けることにより、貫通孔２１５内やクリップ２００下部における封止樹脂の空気の抱き込みによる気泡やボイドの発生を防止することができるので、製品品質の信頼性を高めることができる。【選択図】図２
2013051295.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッド及び１または複数のリードからなるリードフレームと、
前記ダイパッドに搭載された半導体素子と、
前記リードと電気的に接続されて前記半導体素子が備える電極と、
少なくとも１対の前記リードと前記電極とを電気的に接続するクリップと、
前記クリップの電極側端部が前記電極から離れる方向に折り曲げられた屈曲部と、
前記折り曲げ部の一部を含む前記クリップに形成される１または複数の貫通孔と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記クリップの前記リード側の端部と前記貫通孔との間に形成される前記半導体素子と平行な平坦部をさらに有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体素子を載置するための第一パッド部を有するドレインリードと、
前記第一パッド部に載置され、表面に第一電極及び第二電極を備える半導体素子と、
第二パッド部を有するソースリードと、
第三パッド部を有するゲートリードと、
前記第一電極と前記第二パッド部とを電気的に接続するクリップと、
前記クリップのドレインリード側端部が前記第一電極から離れる方向に曲げられた第一屈曲部と、
前記第一屈折部の少なくとも一部を含み前記クリップに形成される１または複数の貫通孔と、
前記第二電極と前記第三パッド部とを電気的に接続するワイヤと、
前記半導体素子，前記ワイヤ及び前記クリップを封止する樹脂成型体と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記第一電極及び前記クリップが接合される素子接合部の第二パッド部側端部に前記クリップが前記第一電極から離れる方向に曲げられた第二屈曲部をさらに有することを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記クリップ及び前記第二パッド部が接合されるリード接合部と前記第二屈曲部との間に形成される前記半導体素子と平行な前記クリップの平坦部をさらに有し、前記貫通孔が前記第一屈折部の少なくとも一部を含んで前記ドレインリード側端部と前記平坦部との間に形成されることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体素子を載置するための第一パッド部を有するドレインリードと、
前記第一パッド部に載置され、表面に第一電極及び第二電極を備える半導体素子と、
第二パッド部を有するソースリードと、
第三パッド部を有するゲートリードと、
前記第一電極と前記第二パッド部とを電気的に接続するクリップと、
前記半導体素子及び前記ソースリードから離間される前記クリップの中央部と、
前記中央部と接続されて前記第一電極と電気的に接続する１または複数の前記クリップの第一くし部と、
前記中央部と接続されて前記第二パッド部と電気的に接続する１または複数の前記クリップの第二くし部と、
前記第二電極と前記第三パッド部とを電気的に接続するワイヤと、
前記半導体素子，前記ワイヤ及び前記クリップを封止する樹脂成型体と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記第一くし部及び前記第二くし部のそれぞれが、前記中央部をはさんで左右に形成され、左右を一対とし、少なくとも前記第一くし部が二対以上設けられることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記中央部に前記半導体素子と平行な平坦部をさらに有することを特徴とする請求項６または請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項２または請求項５または請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子を前記第一パッド部に載置する工程と、
前記クリップに形成された前記平坦面を真空吸着して前記クリップを移動させ、前記第一電極及び前記第二パッド部上に前記クリップを載置する工程と、
前記第一電極と前記第二パッド部とを前記クリップにて電気的に接続する工程と、
前記第二電極と前記第三パッド部とを前記ワイヤにて電気的に接続する工程と、
前記半導体素子，前記クリップ及び前記ワイヤを樹脂封止する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記樹脂封止する工程において、樹脂を前記ドレインリード側から注入することを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子とリードがクリップによって接続された構造を有する半導体装置とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やノート型ＰＣなどといった移動型通信機器の普及にともない、それらに使用される電池回路用部品等の半導体部品には、低消費電力化などの要求が高まってきている。
【０００３】
それらの半導体部品に内蔵される半導体素子自体の内部抵抗を下げる為に、半導体素子を薄くしたりサイズを大きくしていた。さらに素子表面の電極部分に出来るだけ低抵抗で大きな接続材料を接着させて、半導体素子とリードとの接続部の低抵抗化が図られている。
【０００４】
また、一方でＰＣなどに使用されるＣＰＵは、消費電力を低減するために低電圧化，高速化・高集積化の為に大電流化、及び高速負荷変動応答の要求が高まってきている。さらにＣＰＵ以外でもシステム全体の消費電力の低減を行うために、電源は低電圧化、多出力化の傾向になっている。そのため、電源系の増加や、機器内での電源装置の占める割合が大きくなってきており、電源装置の小型化の要求も強まってきている。
【０００５】
このような電源装置に関しては、一般に同期整流タイプの降圧型ＤＣ−ＤＣコンバーターが使用されている。ＤＣ−ＤＣコンバーターの小型化には、動作周波数を上げて電源回路に組み込まれているコンデンサやコイルを小型化する方法がある。
【０００６】
動作周波数が上がることで、用いられるスイッチング素子の高速スイッチング動作が要求されるが、追従が出来ていないのが現状である。
これは、素子表面の電極とリードとを接続するクリップ等の板状の接続部材における表皮効果が原因となっている。表皮効果では、電流の周波数が上がると導体の実効断面積が減少する。つまり、交流電流が導体を流れると電磁界が発生するが、その大きさは導体の中心部が最も強く、表面部分が弱くなるため、周波数が高くなると電流が主に導体の表面部分を流れるようになる。そのため、電流の流通経路の断面積が減少し、抵抗が増加するため高速スイッチング動作が困難になっていた。
【０００７】
表皮効果の影響を低減するために、従来の半導体装置は、半導体素子とリードとを接続するクリップに貫通孔を設けているものがあった（例えば、特許文献１参照）。
以下、図７を用いて従来の半導体装置の構成を説明する。
【０００８】
図７は、従来の半導体装置の構成を示す図である。
図７において、従来の半導体装置では、半導体素子１０６とリード１０７とを接続するクリップ１００には素子接合部１０１とリード接合部１０２との間に延在するビーム部１０９を有しており、これらは一体に形成されている。さらに、クリップ１００には素子接合部１０１からビーム部１０９を含めてリード接合部１０２に至るまで、連続した貫通孔１０５が設けられている構造となっている。クリップ１００に貫通孔１０５が設けられることで、単に板状または帯状のクリップで接続する場合に比べ表面積を増大させることができる。その結果、クリップ１００を流れる電流の周波数が高くなり、表皮効果によって電流が主に導体の表面部分を流れるようになった場合であっても、電流の流通経路の抵抗を低減でき、高速スイッチングが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−４４３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来の構成では、特性面における表皮効果の影響に対する抵抗の低減に効果を有するが、反面、素子接合部１０１及びリード接合部１０２の貫通孔１０５の内壁の接合部分などにおいて成形樹脂に気泡や未充填が発生することがあった。つまり、貫通孔１０５がクリップ１００及び半導体素子１０６またはリード１０７に囲まれ、開口部が貫通孔１０５上部及びビーム部１０９方向にしかないため、半導体装置の樹脂封止の際に、樹脂の流通経路が限定され、貫通孔１０５内において樹脂の気泡や未充填部分が生じていた。そのため、従来の半導体装置では、この気泡や未充填に起因する温度サイクル時における接合信頼性の低下や、熱抵抗の劣化とそれに伴う発熱による許容損失の増大などの特性・信頼性面の課題を有していた。
【００１１】
本発明は、上述の従来の課題を解決するもので、表皮効果の影響によるクリップの抵抗の増大を抑制しつつ、半導体装置の信頼性を維持することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、ダイパッド及び１または複数のリードからなるリードフレームと、前記ダイパッドに搭載された半導体素子と、前記リードと電気的に接続されて前記半導体素子が備える電極と、少なくとも１対の前記リードと前記電極とを電気的に接続するクリップと、前記クリップの電極側端部が前記電極から離れる方向に折り曲げられた屈曲部と、前記折り曲げ部の一部を含む前記クリップに形成される１または複数の貫通孔とを有することを特徴とする。
【００１３】
また、前記クリップの前記リード側の端部と前記貫通孔との間に形成される前記半導体素子と平行な平坦部をさらに有することが好ましい。
また、本発明の半導体装置は、半導体素子を載置するための第一パッド部を有するドレインリードと、前記第一パッド部に載置され、表面に第一電極及び第二電極を備える半導体素子と、第二パッド部を有するソースリードと、第三パッド部を有するゲートリードと、前記第一電極と前記第二パッド部とを電気的に接続するクリップと、前記クリップのドレインリード側端部が前記第一電極から離れる方向に曲げられた第一屈曲部と、前記第一屈折部の少なくとも一部を含み前記クリップに形成される１または複数の貫通孔と、前記第二電極と前記第三パッド部とを電気的に接続するワイヤと、前記半導体素子，前記ワイヤ及び前記クリップを封止する樹脂成型体とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、前記第一電極及び前記クリップが接合される素子接合部の第二パッド部側端部に前記クリップが前記第一電極から離れる方向に曲げられた第二屈曲部をさらに有することが好ましい。
【００１５】
また、前記クリップ及び前記第二パッド部が接合されるリード接合部と前記第二屈曲部との間に形成される前記半導体素子と平行な前記クリップの平坦部をさらに有し、前記貫通孔が前記第一屈折部の少なくとも一部を含んで前記ドレインリード側端部と前記平坦部との間に形成されることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の半導体装置は、半導体素子を載置するための第一パッド部を有するドレインリードと、前記第一パッド部に載置され、表面に第一電極及び第二電極を備える半導体素子と、第二パッド部を有するソースリードと、第三パッド部を有するゲートリードと、前記第一電極と前記第二パッド部とを電気的に接続するクリップと、前記半導体素子及び前記ソースリードから離間される前記クリップの中央部と、前記中央部と接続されて前記第一電極と電気的に接続する１または複数の前記クリップの第一くし部と、前記中央部と接続されて前記第二パッド部と電気的に接続する１または複数の前記クリップの第二くし部と、前記第二電極と前記第三パッド部とを電気的に接続するワイヤと、前記半導体素子，前記ワイヤ及び前記クリップを封止する樹脂成型体とを有することを特徴とする。
【００１７】
また、前記第一くし部及び前記第二くし部のそれぞれが、前記中央部をはさんで左右に形成され、左右を一対とし、少なくとも前記第一くし部が二対以上設けられても良い。
また、前記中央部に前記半導体素子と平行な平坦部をさらに有することが好ましい。
【００１８】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、前記半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子を前記第一パッド部に載置する工程と、前記クリップに形成された前記平坦面を真空吸着して前記クリップを移動させ、前記第一電極及び前記第二パッド部上に前記クリップを載置する工程と、前記第一電極と前記第二パッド部とを前記クリップにて電気的に接続する工程と、前記第二電極と前記第三パッド部とを前記ワイヤにて電気的に接続する工程と、前記半導体素子，前記クリップ及び前記ワイヤを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする。
【００１９】
また、前記樹脂封止する工程において、樹脂を前記ドレインリード側から注入することが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように、板状のクリップとなる接続部材に貫通孔やくし部を設けて表面積を増大されたクリップを配置することで、表皮効果の影響によるクリップの抵抗の増大を抑制するとともに、クリップの側面側に開口部を設けることにより、貫通孔内やクリップ下部における封止樹脂の空気の抱き込みによる気泡や未充填の発生を防止することができるので、製品品質の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の半導体装置の構成を例示する図
【図２】本発明の実施の形態１における半導体装置の内部構造を示す上面図
【図３】本発明の実施の形態１における半導体装置の内部構造を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態２における半導体装置の内部構造を示す上面図
【図５】本発明の実施の形態２における半導体装置の内部構造を示す側面図
【図６】本発明の半導体装置の製造方法を示すフロー図
【図７】従来の半導体装置の構成を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の半導体装置は、半導体素子の少なくとも１つの電極をクリップを介してリードに接続するものであり、クリップには、電極側のクリップの端部を折り曲げて折曲部を形成し、電極とクリップとの接続領域及び折曲部の少なくとも一部を含む領域に１つ以上の貫通孔を設けることを特徴とする。さらに、リードとの接続領域と電極との接続領域との間の貫通孔が形成されていない領域に平坦部を設けることがより好ましい。
【００２３】
以下、図１を用いて本発明の半導体装置におけるクリップの構成を説明する。
図１は本発明の半導体装置の構成を例示する図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ’断面図であり、樹脂を透視した構成を示している。
【００２４】
本発明の半導体装置は、図１に示すように、少なくとも１つの電極１０を備える半導体素子１１と、半導体素子１１を搭載するダイパッドとリードとを備えるリードフレーム１２と、電極１０とリードとを電気的に接続するクリップ１３と、半導体素子１１を封止する樹脂１６とから構成される。本発明の半導体装置の特徴は、クリップ１３に１つ以上の貫通孔１４と、半導体素子１１上部のクリップ１３を端部近傍の折り曲げ部１５で折り曲げて形成した屈曲部１０４とを設け、貫通孔１４がクリップ１３と電極１０との接続領域から折り曲げ部１５を超えて屈曲部１０４の一部まで形成されていることである。
【００２５】
このように、クリップ１３に貫通孔１４を形成することにより、クリップ１３の表面積を増大させて電流流通経路を拡大し、表皮効果を低減して電気抵抗を低減することができる。また、貫通孔１４が形成された領域に折曲部１０４を形成することにより、樹脂成型の際に、折り曲げることによって露出したクリップ１３の折曲部１０４の裏面側からも貫通孔１４内に樹脂が流入するため、貫通孔１４内における樹脂の気泡や未充填を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２６】
さらに、クリップ１３の半導体素子１１との接続領域からリードとの接続領域までの間に平坦部１７を設け、平坦部１７には貫通孔１４を設けない構成としても良い。従来の半導体装置においては、クリップの素子接合部からビーム部及びリード接合部にかけて貫通孔が設けられているため、クリップ上面の平坦面面積が小さく、クリップを半導体素子上に搭載する際に真空吸着といった一般的な手法によるピックアップ動作がうまく行えず、クリップの落下や位置ずれといった加工不良が発生するという製造工程での課題も有していた。これに対して、クリップ１３に貫通孔１４を設けない平坦部１７を形成することにより、クリップ１３を平坦部１７で真空吸着することができ、半導体素子１１へのクリップ１３装着時にクリップ１３の落下や位置ずれを防止し、加工不良を低減させることができる。また、平坦部１７の形成のためにクリップ１３を折り曲げ部１８で曲げ加工して屈曲部２１４する際に、貫通孔１４の形成領域で曲げ加工を行うことにより、樹脂成型の際に、折曲部１０４からだけでなく、この折曲部２１４からも貫通孔１４内に樹脂が流入し、より樹脂の気泡や未充填を抑制することができる。
【００２７】
以上の半導体装置において、複数の電極を有する場合、クリップ１３で接続する電極以外の電極は、ワイヤ等任意のボンディングを行うことができる。また、電極の数も任意であり、少なくともクリップ１３で接続する電極を含めば良い。また、ダイパッドはリードと独立していても良いし、１つのリード上に形成されても良い。
【００２８】
以下、ソース端子，ドレイン端子，ゲート端子の３端子から成る電池回路用半導体装置を例に各実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
まず、図２，図３を用いて、実施の形態１における半導体装置の構成について説明する。
【００２９】
図２は本発明の実施の形態１における半導体装置の内部構造を示す上面図であり、樹脂を透視して示している。図３は本発明の実施の形態１における半導体装置の内部構造を示す断面図であり、図２のＹ−Ｙ’断面図である。図２、図３において、図１と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
【００３０】
図２，図３に示すように、半導体装置はドレインリード２０７とソースリード２０８、ゲートリード２０９、半導体素子１０６、クリップ２００、ワイヤ２０１及びエポキシ系熱可塑性の樹脂成型体２１０により構成されている。各リードはＣｕまたはＣｕを主成分とする合金の素材にＡｇめっきが施されており、それぞれ、半導体素子１０６のドレイン電極と接続する第一パッド部２０２、ソース電極と接続する第二パッド部２０３、ゲート電極と接続する第三パッド部２０４を有している。それぞれのパッド部分からはドレインリード２０７とソースリード２０８及びゲートリード２０９が延在され、樹脂成型体２１０から突出してリード端子を構成している。半導体素子１０６は、ソース、ゲート及びドレインより構成されるＭＯＳ−ＦＥＴタイプが用いられる。また、エポキシ系熱可塑性の樹脂成型体２１０から突出した各リードには外装メッキとしてプリント基板との実装に適したＡｕやＳｎなどのめっきが施されている。
【００３１】
半導体素子１０６の表面には、第一電極２０５と該第一電極２０５と絶縁分離された第二電極２０６が形成されている。第一電極２０５は半導体素子の表面の大部分を占めており、第一電極２０５はソース電極、第二電極２０６はゲート電極、半導体素子１０６の裏面側の電極（図示せず）はドレイン電極となっている。
【００３２】
第一パッド部２０２は半導体素子１０６の裏面側の電極と高融点半田やＡｇペーストといった導電性接合剤を介して接合されている。第二パッド部２０３と半導体素子１０６上の第一電極２０５とは、高融点半田やＡｇペーストといった導電性接合剤を介してクリップ２００により電気的に接続されている。第三パッド２０４と第二電極２０６とは、ＡｕやＣｕ等のワイヤ２０１にて電気的に接続されている。
【００３３】
クリップ２００は、半導体素子１０６の第一電極２０５と接続される素子接合部２１１と、ソースリード２０８の第二パッド部２０３に接合されるリード接合部２１２と、曲げ加工により形成された凸部２１３からなり、Ｃｕ材にて形成されている。また、クリップ２００のドレインリード２０７側端部には、上方へ曲げ加工された屈曲部１０４を有し、該屈曲部１０４から凸部２１３の第一電極２０５側まで、１または複数の貫通孔２１５が設けられている。
【００３４】
クリップ２００の貫通孔２１５はドレイン端子側と凸部２１３側で屈曲され、例えば、成形樹脂に含まれるフィラー径が０．０８ｍｍ〜０．３７ｍｍの場合、高さが、前記半導体素子上面から０．３７ｍｍ以上の貫通孔２１５の開口部２１６を有している。この開口部２１６の値は、成形樹脂に含まれるフィラーの最大径を考慮し、成形樹脂が開口部２１６を阻害されることなく流動できる大きさを下限値とし、上限値はクリップ２００の屈曲部１０４が凸部２１３を超えない範囲とする。
【００３５】
かかる構成によれば、クリップ２００の凸部２１３の下部に空間が形成され、且つ、クリップ２００の貫通孔２１５がドレインリード２０７側と凸部２１３側で屈曲されることで、半導体素子１０６との素子接合部２１１周辺のクリップ２００が開口されるため、樹脂流動経路が貫通孔２１５上部以外に開口部２１６からも確保され、トランスファーモールドによる樹脂成形時の封止樹脂の流動が阻害されることなく貫通孔２１５の内部まで確実に充填されるので、成形樹脂の空気の抱き込みによる気泡や未充填の発生が抑制される。それにより、気泡や未充填に起因する温度サイクル時における接合信頼性の低下や、熱抵抗の劣化とそれに伴う発熱による許容損失の増大などの特性・信頼性を向上することできる。さらに、凸部２１３の上部に貫通孔２１５を形成せず、全域に平坦面を形成することにより、クリップ２００を半導体素子１０６上に搭載する際の真空吸着によるピックアップ動作を容易に行うことができ、組立搬送中のクリップ２００の落下や搭載時の位置ずれといった加工不良の発生を防ぐことができる。
【００３６】
また、貫通孔２１５を素子接合部２１１に設けることでクリップ２００の表面積を増大できるので、表皮効果の影響による抵抗の増大を抑制できる。
なお、本実施の形態の図２において、貫通孔２１５の形状を矩形としているが、楕円形状としても良く、クリップ２００の表面積を増大させるための貫通孔であれば、その形状は任意である。
（実施の形態２）
次に、図４，図５を用いて実施の形態２における半導体装置の構造について説明する。
【００３７】
図４は本発明の実施の形態２の半導体装置の内部構造を示す上面図である。図５は本発明の実施の形態２における半導体装置の内部構造を示す側面図であり、図５（ａ）は図４におけるＺ方向から見た半導体装置の内部構造を示す透視側面図、図５（ｂ）は図４におけるＺ’方向から見た半導体装置の内部構造を示す透視側面図である。図４及び図５において、図２および図３と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
【００３８】
図４において、クリップ３００はＣｕ材で形成され、半導体素子１０６からソースリード２０８までの略中央部が凸状に形成された凸部１０８を有し、素子接合部３１１及びリード接合部３１２が凸部１０８から左右にくし状に延在され、第一電極２０５及び第二パッド部２０３に高融点半田やＡｇペーストといった導電性接合剤により接合されている。つまり、クリップ３００は、第一電極２０５上から第二パッド部２０３上にかけて半導体素子１０６及びソースリード２０８と間隔を空けて形成された中央部３０１と、中央部３０１から延在されて第一電極２０５と接続する素子接合部３１１を備える第一くし部３０２と、中央部３０１から延在されて第二パッド部２０３と接続するリード接合部３１２を備える第二くし部３０３とから構成される。さらに第一くし部３０２は第一電極２０５との接続を考慮し、左右対称または左右非対称に設けてもよい。
【００３９】
かかる構成によれば、前記クリップ３００の素子接合部３１１を備える第一くし部３０２がくし型の形状を成しており、表面積を増大できるので、表皮効果の影響による抵抗の増大を抑制できる。さらに、素子接合部３１１とリード接合部３１２を除くクリップ３００が中央部３０１が突出する凸形状を成しており、下部に空間が形成されているため、トランスファーモールドによる樹脂成形時の封止樹脂の流動が阻害されることなく、クリップ３００の下部まで確実に充填されるので、成形樹脂の空気の抱き込みによる気泡や未充填の発生がない。そのため、気泡や未充填に起因する温度サイクル時における接合信頼性の低下や、熱抵抗の劣化とそれに伴う発熱による許容損失の増大などの特性・信頼性を向上することができる。さらに、クリップ３００の中央に設けられた凸部１０８の上面に一様な平坦面を形成することにより、クリップ３００を半導体素子１０６上に搭載する際の真空吸着によるピックアップ動作を容易に行うことができ、クリップ３００の落下や位置ずれといった加工不良の発生を防ぐことができる。
【００４０】
上述の実施の形態１及び実施の形態２において、ドレインリード２０７とソースリード２０８及びゲートリード２０９は材質をＣｕまたＣｕを主成分とする合金としたがＦｅやＦｅを主成分とする合金などでも良く、また、めっき皮膜をＡｇめっきとしているが、Ｐｄめっき、Ａｕめっき、でも有効である。
【００４１】
また、クリップの材質としてＣｕ材としたが、必要な導電率や熱伝導率を確保できれば、Ａｌやクラッド材といった材質でも有効である。
次に、図２，図６を用いて本発明の半導体装置の製造方法について説明する。ここでは、実施の形態１の図２を例に説明するが、実施の形態２の図４に係る半導体装置も製造方法は同様である。
【００４２】
図６は本発明の半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
図６に示すように、まず、シリコンウエハにパワー系ＭＯＳ−ＦＥＴを形成した後、ダイシング工程にて個片にカットされた半導体素子を作製する（ステップＳ１）。
【００４３】
次に、ドレインリード２０７の第一パッド部２０２に、半導体素子１０６を高融点半田やＡｇペーストなどの導電性接合剤を用いて搭載接合する（ステップＳ２）。
次に、半導体素子１０６の第二電極２０６と第三パッド２０４をＡｕやＣｕ等のワイヤ２０１により接続する（ステップＳ３）。
【００４４】
続いて、凸部２１３の上面の平坦面を真空吸着コレットにて吸着し、クリップ２００を半導体素子１０６の第一パッド部２０２とソースリード２０８の第二パッド部２０３に接続させ、高融点半田やＡｇペーストなどの導電性接合剤を用いて接合する（ステップＳ４）。クリップ３００の搭載は凸部２１３上面に設けた比較的広い平坦面により、真空吸着によるピックアップ動作を容易に行うことができ、搬送中のクリップ落下や、搭載後の位置ずれの発生を防止することができる。また、ワイヤボンディングとクリップ接合は、どちらの工程を先に行っても構わないが、クリップ接合剤を硬化する際に溶剤などの揮発により、第二電極２０６と第三パッド部２０４のボンディング面が汚染され、ワイヤボンディング不良が発生する可能性が考えられるので、ワイヤボンディングを先に行うのが好ましい。
【００４５】
次に、上記で組み立てられた集合体をトランスファーモールドの金型内に載置し、金型のドレインリード２０７側より封止樹脂を注入し、樹脂成型体２１０を形成する（ステップＳ５）。
【００４６】
その後、メッキ工程（ステップＳ６）、マーキング工程（ステップＳ７）、検査工程（ステップＳ８）を経て、半導体装置が完成する。
以上のように、本発明の半導体装置の製造方法では、表面積を増大させたクリップを用いて抵抗を低減させながら、クリップの吸着時のクリップの落下を防止すると共に、クリップ搭載を精度よく行えるので加工不良をなくすことができる。また、クリップ２００の形状を考慮し、ドレインリード２０７側から封止樹脂を注入することにより、クリップ２００に設けた貫通孔２１５の屈曲部１０４に形成された開口部２１６及び凸部２１３または１０８（図５（ｂ）参照）の下部の空間を封止樹脂が阻害されることなく流動できるので、空気の抱き込みによる気泡や樹脂の未充填の発生を防止することができ、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、表皮効果の影響によるクリップの抵抗の増大を抑制しつつ、半導体装置の信頼性を維持することができ、半導体素子とリードがクリップによって接続された構造を有する半導体装置とその製造方法等に有用である。
【符号の説明】
【００４８】
１０    電極
１１    半導体素子
１２    リードフレーム
１３    クリップ
１４    貫通孔
１５    折り曲げ部
１６    樹脂
１７    平坦部
１８    折り曲げ部
１００    クリップ
１０１    素子接合部
１０２    リード接合部
１０４    屈曲部
１０５    貫通孔
１０６    半導体素子
１０７    リード
１０８    凸部
１０９    ビーム部
２００    クリップ
２０１    ワイヤ
２０２    第一パッド部
２０３    第二パッド部
２０４    第三パッド部
２０５    第一電極
２０６    第二電極
２０７    ドレインリード
２０８    ソースリード
２０９    ゲートリード
２１０    樹脂成型体
２１１    素子接合部
２１２    リード接合部
２１３    凸部
２１４    屈曲部
２１５    貫通孔
２１６    開口部
３００    クリップ
３０１    中央部
３０２    第一くし部
３０３    第二くし部
３１１    素子接合部
３１２    リード接合部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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