(57)【要約】      （修正有）【課題】出力信号のＳＮ比を向上させ、且つ、低コストで製造できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】発光素子２１が固着された第１のリード１３と、第１の金属ワイヤ２３を介して発光素子に接続された第２のリード１４と、発光素子の放射する光を検知する受光素子２５が固着された第３のリード１５と、第２の金属ワイヤ２７を介して受光素子に接続された第４のリード１６と、成型体１０と、を備える。成型体は、その内部に発光素子と受光素子とを封じ、透光部９と、遮光部５と、を含む。透光部は、成型体の第１の主面側において、発光素子が固着された第１のリードの表面と、受光素子が固着された第３のリードの表面と、を覆う。遮光部は、第１のリード〜第４のリードのそれぞれの裏面を覆い、受光素子が感度を有する光を吸収する部材を含有する。そして、第１のリード〜第４のリードは、第１の主面側にそれぞれのボンディング面を有する。【選択図】図２
2013065717.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のリードと、
前記第１のリードに固着された発光素子と、
第１の金属ワイヤを介して前記発光素子に電気的に接続された第２のリードと、
前記発光素子の放射する光を検知する受光素子が固着された第３のリードと、
第２の金属ワイヤを介して前記受光素子に電気的に接続された第４のリードと、
前記発光素子と前記受光素子とを封じる成型体であって、
その第１の主面側において、前記第１のリードの前記発光素子が固着された表面と、前記第２のリードの前記第１の金属ワイヤがボンディングされた表面と、前記第３のリードの前記受光素子が固着された表面と、前記第４のリードの前記第２の金属ワイヤがボンディングされた表面と、を覆う透光部と、
前記第１の主面とは反対の第２の主面側において、前記第１のリードの裏面と、前記第２のリードの裏面と、前記第３のリードの裏面と、前記第４のリードの裏面と、をそれぞれ覆い、前記受光素子が感度を有する光を吸収する部材を含有する遮光部と、
前記透光部の前記第１の主面側を覆い、前記発光素子が放射する光を反射する部材を含有する反射部と、
を含む成型体と、
を備え、
前記第１のリード、前記第２のリード、前記第３のリード、および前記第４のリードは、前記第１の主面側にそれぞれのボンディング面を有する半導体装置。
【請求項２】
第１のリードと、
前記第１のリードに固着された発光素子と、
第１の金属ワイヤを介して前記発光素子に電気的に接続された第２のリードと、
前記発光素子の放射する光を検知する受光素子が固着された第３のリードと、
第２の金属ワイヤを介して前記受光素子に電気的に接続された第４のリードと、
前記発光素子と前記受光素子を封じる成型体であって、
その第１の主面側において、前記第１のリードの前記発光素子が固着された表面と、前記第２のリードの前記第１の金属ワイヤがボンディングされた表面と、前記第３のリードの前記受光素子が固着された表面と、前記第４のリードの前記第２の金属ワイヤがボンディングされた表面と、を覆う透光部と、
前記第１の主面とは反対の第２の主面側において、前記第１のリードの裏面と、前記第２のリードの裏面と、前記第３のリードの裏面と、前記第４のリードの裏面と、をそれぞれ覆い、前記受光素子が感度を有する光を吸収する部材を含有する遮光部と、
を含む成型体と、
を備え、
前記第１のリード、前記第２のリード、前記第３のリード、および前記第４のリードは、前記第１の主面側にそれぞれのボンディング面を有する半導体装置。
【請求項３】
前記第１のリード、前記第２のリード、前記第３のリード、および前記第４のリードは、前記成型体の内部にモールドされ、
前記第１のリード、前記第２のリード、前記第３のリード、および前記第４のリードのそれぞれのボンディング面が、前記成型体の前記第１の主面側に露出した請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記成型体は複数のチャネルを有し、前記複数のチャネルのそれぞれは、前記発光素子および前記受光素子のペアを含む請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
複数のリードが設けられた金属プレートに枠体をモールドする工程と、
前記枠体の内側に露出した、前記複数のリードのうちの第１のリードの表面に発光素子を固着し、前記複数のリードのうちの第２のリードの表面と、前記発光素子と、に第１の金属ワイヤをボンディングし、前記複数のリードのうちの第３のリードの表面に受光素子を固着し、前記複数のリードのうちの第４のリードの表面と、前記受光素子と、に第２の金属ワイヤをボンディングする工程と、
前記複数のリードの表面側から前記枠体の内側に透明樹脂を充填し、前記発光素子と、前記第１の金属ワイヤと、前記受光素子と、前記第２の金属ワイヤと、を覆う工程と、
前記複数のリードの表面側から前記枠体の内部に、前記発光素子が放射する光を反射する部材を含有した樹脂を充填し、前記透明樹脂の表面を覆う工程と、
前記複数のリードの裏面側において、前記第１のリードの裏面と、前記第２のリードの裏面と、前記第３のリードの裏面と、前記第４のリードの裏面と、をそれぞれ覆い、前記受光素子が感度を有する光を遮蔽する樹脂をモールドする工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高性能化および低コスト化は、常に求められる課題である。例えば、発光素子と受光素子とを含み、１次側と２次側を電気的に絶縁するフォトカプラでは、受光素子の出力である２次信号のＳＮ比（Signal to Noise ratio)を向上させることが望まれる。そして、受光素子が出力する光電流のＳＮ比を向上させるためには、発光素子が放射する光信号を効率良く受光素子に入射させ、且つ、ノイズ成分である暗電流を低減する必要がある。
【０００３】
しかしながら、発光素子と受光素子とを共に封じる樹脂パッケージの製造過程において、そのような構成を低コストで実現することは難しい。そこで、出力信号のＳＮ比を向上させ、且つ、製造コストを低減できる半導体装置およびその製造方法が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３５１８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
実施形態は、出力信号のＳＮ比を向上させ、且つ、低コストで製造できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る半導体装置は、第１のリードと、前記第１のリードに固着された前記発光素子と、第１の金属ワイヤを介して前記発光素子に電気的に接続された第２のリードと、前記発光素子の放射する光を検知する受光素子が固着された第３のリードと、第２の金属ワイヤを介して前記受光素子に電気的に接続された第４のリードと、成型体と、を備える。前記成型体は、その内部に前記発光素子と前記受光素子とを封じ、透光部と、遮光部と、を含む。前記透光部は、前記成型体の第１の主面側において、前記発光素子が固着された前記第１のリードの表面と、前記第１の金属ワイヤがボンディングされた前記第２のリードの表面と、前記受光素子が固着された前記第３のリードの表面と、前記第２の金属ワイヤがボンディングされた前記第４のリードの表面と、を覆う。前記遮光部は、前記第１の主面とは反対の第２の主面側において、前記第１のリードの裏面と、前記第２のリードの裏面と、前記第３のリードの裏面と、前記第４のリードの裏面と、をそれぞれ覆い、前記受光素子が感度を有する光を吸収する部材を含有する。そして、前記第１のリード、前記第２のリード、前記第３のリード、および前記第４のリードは、前記第１の主面側にそれぞれのボンディング面を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態に係る半導体装置を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は底面図である。
【図２】一実施形態に係る半導体装置の断面を示す模式図であり、（ａ）は、図１（ａ）に示すIIa−IIa断面を示し、（ｂ）は、図１（ｂ）に示すIIb−IIb断面を示している。
【図３】一実施形態に係るリードフレームを示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図４】一実施形態に係る半導体装置の製造過程を示す模式図であり、（ａ）〜（ｃ）は、枠体の成型過程を模式的に示す断面図である。
【図５】図４に続く製造過程を示す模式図であり、（ａ）は、発光素子および受光素子が枠体の内側にボンディングされた状態を示す断面図、（ｂ）は、その平面図である。
【図６】図５に続く製造過程を示す模式図であり、（ａ）は、発光素子および受光素子を覆う透明樹脂がポッティングされた状態を示す断面図、（ｂ）は、その平面図である。
【図７】図６に続く製造過程を示す模式図であり、（ａ）は、透明樹脂の表面を覆う樹脂がポッティングされた状態を示す断面図、（ｂ）は、その平面図である。
【図８】図７に続く製造過程を示す模式図であり、（ａ）および（ｂ）は、遮光部の成型過程を模式的に示す断面図である。
【図９】図８に続く製造過程を示す模式図であり、（ａ）は、個々の半導体装置が分離された状態を示す断面図、（ｂ）は、その平面図である。
【図１０】一実施形態の変形例に係る半導体装置を模式的に示す底面図であり、（ａ）〜（ｃ）は、それぞれチャネル数が異なる例を示す。
【図１１】一実施形態の別の変形例に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。図１（ａ）は、半導体装置の上面を示す平面図、図１（ｂ）は正面図、図２（ｃ）は側面図、図１（ｄ）は底面図である。半導体装置は、例えば、フォトカプラ１００であり、発光素子と受光素子とを備える。フォトカプラ１００は、電気的に絶縁された１次側と２次側との間において、１次側から２次側へ信号を伝達する。
【００１０】
実施形態に係るフォトカプラ１００では、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、例えば、直方体の樹脂からなる成型体１０に発光素子と受光素子とが封じられる。成型体１０は、発光素子および受光素子を収容する枠体３と、遮光部５と、を含む。
【００１１】
図１（ｄ）に示すように、成型体１０の第１の主面である底面１０ａの側において、枠体３の内側に反射部７が設けられる。また、底面１０ａには、１次側のリード１３および１４と、２次側のリード１５および１６のボンディング面を露出させる。
【００１２】
図２は、フォトカプラ１００の構造を模式的に示す断面図である。図２（ａ）は、図１（ａ）に示すIIa−IIa断面を示し、図２（ｂ）は、図１（ｂ）に示すIIb−IIb断面を示している。
【００１３】
図２（ａ）に示すように、成型体１０の内部には、例えば、発光素子であるＬＥＤ２１と、受光素子であるシリコンフォトダイオード（Photo diode：ＰＤ）２５と、が配置される。シリコンＰＤ２５は、ＬＥＤ２１の放射する光を検知し、それに対応する光電流を出力する。
【００１４】
図２（ｂ）に示すように、枠体３の内側において、ＬＥＤ２１は、リード１３（第１のリード）の表面に固着される。そして、ＬＥＤ２１は、第１の金属ワイヤ２３を介してリード１４（第２のリード）に電気的に接続される。一方、シリコンＰＤ２５は、リード１５（第３のリード）の表面に固着され、第２の金属ワイヤ２７を介してリード１６（第４のリード）に電気的に接続される。
【００１５】
そして、図１（ａ）に示すように、成型体１０の底面１０ａの側において、ＬＥＤ２１が固着されたリード１３の表面と、金属ワイヤ２３がボンディングされたリード１４の表面と、シリコンＰＤが固着されたリード１５の表面と、金属ワイヤ２７がボンディングされたリード１６の表面と、を覆う透光部９が設けられる。さらに、底面１０ａの側において透光部９の表面を覆う反射部７が設けられる。
一方、成型体１０の第２の主面である上面１０ｂの側には、リード１３の裏面と、リード１４の裏面と、リード１５の裏面と、リード１６の裏面と、枠体３の上面と、を覆う遮光部５が設けられる。
【００１６】
透光部９は、ＬＥＤ２１の放射する光を透過する透明樹脂からなり、例えば、シリコーンまたはエポキシ樹脂が用いられる。ここで、透明とは、光を１００％透過する場合に限らず、その一部を吸収する場合も含む。
反射部７は、ＬＥＤ２１が放射する光を反射する部材を含有する樹脂からなり、例えば、酸化チタンの微粒子を含むシリコーンまたはエポキシ樹脂、所謂、白樹脂を用いる。そして、反射部７は、ＬＥＤ２１から放射された信号光を反射し、シリコンＰＤ２５に入射させる。これにより、シリコンＰＤ２５から出力される光電流の信号強度を高くすることができる。
【００１７】
遮光部５は、シリコンＰＤが感度を有する光を吸収する部材を含む樹脂である。例えば、カーボンを含有するエポキシ樹脂、所謂、黒樹脂を用いることができる。これにより、成型体１０の外側からシリコンＰＤに入射する光を遮光し、暗電流を低減する。すなわち、反射部７と、遮光部５を設けることにより、シリコンＰＤ２５が出力する光電流のＳＮ比を向上させることができる。
【００１８】
枠体３には、例えば、遮光部５と同じ黒樹脂を用いることができる。これにより、外部からシリコンＰＤ２５に入射する光を遮光する効果を高め、暗電流をさらに低減することができる。また、枠体３に反射部７と同じ白樹脂を用いることにより、シリコンＰＤ２５に入射するＬＤＥ２１の光量を増やし、信号強度を高めても良い。
【００１９】
フォトカプラ１００は、底面１０ａの側を、例えば、回路基板に向けて実装する。したがって、本実施形態では、上面１０ｂの側に遮光部５を設けることにより、外部の光を遮断してシリコンＰＤの暗電流を低下させ、２次側の出力信号のＳＮ比を向上させることができる。さらに、枠体３にも、黒樹脂を用いることにより、外部の光を完全に遮断しＳＮ比を向上させる。
【００２０】
例えば、遮光部５に、黒樹脂に代えて白樹脂を用いる構造も考えられる。すなわち、白樹脂も外部から入射する光を反射し、暗電流を低減する効果を有する。しかしながら、白樹脂は、外部から入射する光の全てを反射する訳ではなく、一部を透過する。そして、シリコンＰＤ２５により検知された透過光は、暗電流として出力され２次側の出力信号のＳＮ比を劣化させる。したがって、本実施形態のように、黒樹脂からなる遮光部５を設け、シリコンＰＤ２５が感度を有する光を吸収させる方が好ましい。
【００２１】
成型体１０の裏面に露出するリード１３、１４、１５および１６の表面は、ボンディング面であり、例えば、ハンダを用いて回路基板の配線に接続される。本実施形態では、リード１３、１４、１５および１６が成型体１０の内部にモールドされ、それぞれのボンディング面が成型体１０の底面１０ａの側に露出するが、この形態に限られる訳ではない。
【００２２】
例えば、図１１（ａ）示すフォトカプラ２００のように、成型体１０からリード１３〜１６が外部に延在するように設けることもできる。この場合も、成型体１０の上面１０ｂの側に遮光部５を設け、枠体３の内側に透光部９と反射部７とを設ける。これにより、２次側の出力信号のＳＮ比を向上させることができる。
【００２３】
しかしながら、フォトカプラ２００では、成型体１０を形成した後に、リード５３〜５６（リード５４、５５は図示せず）が折り曲げられ、それぞれのボンディング面５３ａ〜５６ａが、成型体１０の底面１０ａと同一面、もしくは、底面１０ａよりも下方に位置するように加工される。このため、リードの折り曲げ用の金型が必要となり、その費用が製造コストに上乗せされる。このため、フォトカプラ２００では、フォトカプラ１００よりも製造コストが高くなるデメリットがある。
【００２４】
一方、図１１（ｂ）に示すフォトカプラ３００のように、反射部７を省略することもできる。すなわち、フォトカプラ３００を実装する回路基板が、ＬＥＤ２１の光を反射する素材であれば、回路基板の表面で反射された信号光がシリコンＰＤに入射する。このため、反射部７が無くても信号強度を向上させることができる。また、回路基板の表面に、ＬＥＤ２１の光を反射するパターンが設けられる場合も同様である。
【００２５】
次に、図３〜図９を参照して、フォトカプラ１００の製造過程を説明する。図３は、リードフレーム３１の構成を示す模式図である。図４（ａ）〜図９（ｂ）は、各工程におけるリードフレーム３１の断面図、および、平面図である。
【００２６】
図３（ａ）は、リードフレーム３１を裏面３１ｂの側から見た平面図である。リードフレーム３１は、接続部３３から左右に複数のリードが延在する形状に設けられる。接続部３３から延在する複数のリードは、それぞれリード１３，１４、１５および１６に対応する。そして、複数の接続部３３が並列に設けられ、リード１３とリード１６とが対向し、リード１４とリード１５が対向する。
【００２７】
図３（ｂ）は、リードフレーム３１の正面図である。同図に示すように、リードフレーム３１は折り曲げ加工される。また、接続部３３は、図示しない部分でつながっており一体に形成される。このような、リードフレーム３１は、例えば、銅合金からなる金属プレートをプレス加工することにより形成することができる。
【００２８】
次に、リードフレーム３１に枠体３を成型する。枠体３は、例えば、インジェクションモールド法を用いて形成する。図４（ａ）〜図４（ｃ）は、その過程を模式的に示す断面図である。
【００２９】
まず、図４（ａ）に示すように、リードフレーム３１の表面３１ａを下金型３７に向けてセットする。続いて、図４（ｂ）に示すように、リードフレームの裏面３１ｂの側から上金型３５を被せて型締めする。
【００３０】
次に、図４（ｃ）に示すように、型締めされた金型の間に溶融した樹脂を注入し、キャビティ３９の内部に充填する。注入される樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂であり、カーボンの微粉末を含む。
【００３１】
続いて、上金型３５および下金型３７の温度を上昇させ、注入した樹脂を硬化させる。その後、上金型３５および下金型３７を冷却し、金型を開いてリードフレーム３１を取り出して枠体３の成型を完了する。
【００３２】
次に、枠体３の内側に露出したリード１３の表面にＬＥＤ２１を固着し、リード１５の表面にシリコンＰＤ２５を固着する。図５（ａ）は、発光素子および受光素子が枠体の内側にボンディングされた状態を示すリードフレーム３１の断面図であり、図５（ｂ）は、その平面図である。ＬＥＤ２１およびシリコンＰＤ２５は、それぞれ、例えば、導電ペーストを用いて各リード表面に接着することができる。
【００３３】
続いて、ＬＥＤ２１の電極およびリード１４の表面に金属ワイヤ２３をボンディングし、ＬＥＤ２１とリード１４とを電気的に接続する。これにより、１次側のリード１３および１４を介してＬＥＤ２１に駆動電流を供給し、信号光を放射させることができる。一方、シリコンＰＤ２５の電極およびリード１６に金属ワイヤ２７をボンディングし、シリコンＰＤ２５の電極とリード１６とを電気的に接続する。これにより、ＬＥＤ２１の信号光を検知したシリコンＰＤ２５の光電流を、２次側リード１５および１６に出力させることができる。
【００３４】
また、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、リードフレーム３１と枠体３とが一体に成型され、リード１３〜１６が枠体３に固定される。これにより、ＬＥＤ２１およびシリコンＰＤ２５のダイボンディング、また、それらとリード間のワイヤボンディングが容易となり、製造効率を向上させることができる。
【００３５】
次に、リードフレーム３１の表面３１ａの側から枠体３の内側に透明樹脂をポッティングし、透光部９を形成する。図６（ａ）は、ＬＥＤ２１およびシリコンＰＤ２５を覆う透明樹脂がポッティングされた状態を示す断面図である。図６（ｂ）は、リードフレーム３１の表面３１ａの側から見た平面図である。
【００３６】
ポッティングは、所定量の透明樹脂を、例えば、ディスペンサを用いて、枠体３の内側に充填することにより実施する。透明樹脂は、例えば、所定の粘度に調整した液状のシリコーンであり、ＬＥＤ２１と、金属ワイヤ２３と、シリコンＰＤ２５と、金属ワイヤ２７と、を覆うように充填される。この際、図６（ａ）に示すように、透光部９が枠体３の内側の中央で盛り上がるように透明樹脂の粘度を調整し、その高さが枠体３の底面１０ａよりも低くなるようにする。
【００３７】
次に、リードフレーム３１の表面３１ａの側から枠体３の内側に樹脂をポッティングし、透光部９の表面を覆う反射部７をする。図７（ａ）は、反射部７（透明樹脂）の表面を覆う反射樹脂がポッティングされた状態を示す断面図である。そして、図７（ｂ）は、リードフレーム３１の表面３１ａの側から見た平面図である。
【００３８】
枠体３の内側にポッティングされる樹脂は、ＬＥＤ２１の放射する光を反射する部材を含む。例えば、酸化チタンの微粒子を含有する白樹脂を用いる。図７（ｂ）に示すように、白樹脂は透光部９の全体を覆い、図７（ａ）に示すように、その表面が、枠体３の底面１０ａと同じ高さか、それよりも低い位置となるように形成する。
【００３９】
次に、リード１３、１４、１５および１６のそれぞれの裏面を覆う遮光部５を成型する。図８（ａ）および図８（ｂ）は、遮光部５の成型過程を模式的に示す断面図である。
【００４０】
まず、図８（ａ）に示すように、下金型４７に枠体３の底面１０ａを向けてリードフレーム３１をセットし、上金型４５と下金型４７とを型締めする。
【００４１】
次に、上金型４５と下金型４７との間のキャビティ４５ａに溶融した樹脂を注入して、その内部を充填する。注入された樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂であり、カーボンの微粉末を含有する。続いて、上金型４５および下金型４７を加熱して樹脂を硬化させ、その後、上金型４５および下金型４７を冷却し、両金型を開く。そして、リードフレーム３１を取り出し、遮光部５の成型を完了する。
【００４２】
次に、図９（ａ）に示すように、成型体１０の上面１０ｂにダイシングテープ４９を貼着し、例えば、底面１０ａの側からダイシングブレードを用いて切断し、個々のフォトカプラ１００に分離する。
【００４３】
例えば、図９（ｂ）に示すように、ＬＥＤ２１およびシリコンＰＤ２５のペアを１つずつ含む単位で分割し、１チャネルのフォトカプラ１００を形成する。同図に示すように、枠体３に沿って格子状に切断し、対向する２辺に沿ってリード１３〜１６が露出するように形成する。
【００４４】
図１０（ａ）は、フォトカプラ１００を示し、図１０（ｂ）および図１０（ｃ）は、変形例に係るフォトカプラ１１０および１２０をそれぞれ模式的に示している。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）に示すように、フォトカプラ１００〜１２０では、それぞれチャネル数が異なる。
【００４５】
図１０（ｂ）に示すフォトカプラ１１０は、２つのＬＥＤ２１とシリコンＰＤ２５とのペアを含み、２チャネルの信号伝送が可能である。図１０（ｃ）に示すフォトカプラ１２０は、４つのＬＥＤ２１とシリコンＰＤ２５とのペアを含み、４チャネルの信号伝送を行うことができる。
【００４６】
本実施形態では、リードフレーム３１を切断する際のダイシングのピッチを変更することにより、チャネル数の異なるこれらのフォトカプラ１００〜１２０を容易に形成することができる。また、そのチャネル数を任意に設定することが可能である。すなわち、単一の金型を用いて任意のチャネル数のフォトカプラを製造することができる。これにより、金型の作製費用を抑制することができる。また、製造工程における、金型の載せ替えが不要となり、製造効率を向上させることができる。
【００４７】
例えば、図１１（ａ）に示すフォトカプラ２００では、個々のフォトカプラの形状に合わせたキャビティを有する金型を用意し、それぞれ独立した成型体を形成する。そして、成型体を相互につなぐリードを切断することにより、個々のフォトカプラに分離する。このため、それぞれの製品毎に金型を製作する必要があり、製造コストを増加させる。
【００４８】
これに対し、本実施形態に係るフォトカプラ１００では、１つの金型で複数の製品に対応できることから、製造コストを大幅に低減することができる。
【００４９】
また、図１１（ａ）に示すフォトカプラ２００では、前述したように、リード整形用の金型を用いる。そして、製品の種類に合わせて複数の金型を用意する必要がある。これに対し、本実施形態では、リードフレーム３１のプレス加工時に、リードの曲げ加工も同時に行うことができる。したがって、リード整形用の金型を用意する必要がなく、製造コストを低減することが可能である。
【００５０】
さらに、本実施形態では、１つのリードフレームにより、フォトカプラを製造することができる。例えば、発光素子と受光素子とを相互に対向させて光結合の効率を高くする構成のフォトカプラがある。その場合は、少なくとも２つのリードフレームを用いる。また、発光素子と受光素子とを３次元配置するために、その製造工程が複雑となる。これに対し、本実施形態では、発光素子と受光素子とを、１つのリードフレームの同一面に配置するので、製造過程が簡便となり製造コストを低減できる。
【００５１】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５２】
３・・・枠体、  ５・・・遮光部、  ７・・・反射部、  ９・・・透光部、  １０・・・成型体、  １０ａ・・・底面、  １０ｂ・・・上面、  １３〜１６・・・リード、  ２１・・・ＬＥＤ、  ２３、２７・・・金属ワイヤ、  ２５・・・シリコンフォトダイオード（ＰＤ）、  ３１・・・リードフレーム、  ３１ａ・・・表面、  ３１ｂ・・・裏面、  ３３・・・接続部、  ３５、４５・・・上金型、  ３７、４７・・・下金型、  ３９、４５ａ・・・キャビティ、  ４９・・・ダイシングテープ、  ５３ａ、５６ａ・・・ボンディング面、  ５３、５６・・・リード、  １００、１１０、１２０、２００、３００・・・フォトカプラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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