(57)【要約】【課題】基板を基板テーブル上に、低応力または応力がない状態で位置決めする。【解決手段】パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するように配置されたリソグラフィ装置であって、リソグラフィ装置は、基板を保持するように構築された基板テーブルと、基板を基板テーブル上に位置決めするように配置されたグリッパと、を備える。グリッパは、基板をその上面においてクランプするように配置された真空クランプを有する。一実施形態では、真空クランプは、基板頂面の周縁外側帯の少なくとも一部をクランプするように配置される。グリッパを用いて、基板をリソグラフィ装置の基板テーブル上に位置決めすることを含む基板ハンドリング方法も提供される。かかる方法は、グリッパの真空クランプを用いて基板をその上面においてクランプすることを含む。【選択図】図１
2013098551.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するリソグラフィ装置であって、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板を前記基板テーブル上に位置決めするグリッパと、を備え、
前記グリッパは、前記基板をその上面においてクランプする真空クランプを有する、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記真空クランプは、前記基板頂面の周縁外側帯の少なくとも一部をクランプする、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記真空クランプは、２つの同心円状シールと、前記シール間に形成される真空チャンバと、を有する、請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記真空クランプは、前記基板頂面の前記周縁外側帯の少なくとも一部をクランプする真空チャンバと、前記真空チャンバと同心円状で、前記基板面の中心領域の少なくとも一部をクランプする更なる真空チャンバと、を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記さらなる真空チャンバは、複数の真空インレット管を有し、
前記リソグラフィ装置は、前記基板の平坦度を測定するセンサと、前記測定された平坦度に応じて前記真空インレット管のそれぞれへの真空の印加を制御する真空印加コントローラと、を有する、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記真空クランプは、剛性グリッパフレームと、前記基板面に接触する少なくとも１つの柔軟グリッパ部と、を有し、前記柔軟グリッパ部は、前記剛性グリッパフレームに対して可動である、請求項１から５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記真空クランプは、２つの同心円状の軟性シールと、前記軟性シール間に形成された真空チャンバ内に真空を供給する真空供給オリフィスと、前記真空供給オリフィスの両側の前記真空チャンバ内の環状突起部と、を有し、前記突起部は、前記基板がグリッパによってクランプされると前記真空チャンバの残りの部分への真空供給を実質的に遮断するように形成される、請求項１から６のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記真空クランプは、前記真空チャンバ内に形成された接触構造を含み、前記接触構造は、前記グリッパによってグリップされると前記基板との接触を確立する、請求項１から７のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記真空クランプは、外側シールを形成する環状軟性シールを有し、前記接触構造は、環状であって前記軟性環状軟性シールと同心円状であり、前記環状軟性シールと前記接触構造との間の前記真空チャンバ内へと真空供給オリフィスが設けられる、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記真空クランプは、グリッパフレームと、前記グリッパフレームから延在して真空チャンバを形成する環状シールと、を有する、請求項１から９のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記環状シールは、環状レーザーブレードを有する、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記環状シールは、環状ナイフと、前記環状ナイフを前記グリッパフレームに接続するバネ構造と、を有する、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
グリッパを用いて、前記基板をリソグラフィ装置の基板テーブル上に位置決めすることを含み、
前記位置決めすることは、前記グリッパの真空クランプを用いて前記基板をその上面においてクランプすることを含む、基板ハンドリング方法。
【請求項１４】
前記基板頂面の周縁外側帯の少なくとも一部をクランプすることを含む、請求項１３に記載の基板ハンドリング方法。
【請求項１５】
基板をハンドリングするための基板ハンドラであって、
前記基板をグリップし、前記基板を基板テーブル上に位置決めするグリッパを備え、
前記グリッパは、前記基板をその上面においてクランプする真空クランプを有する、基板ハンドラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置、基板ハンドリング方法および基板ハンドラに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  現行のウェーハハンドラシステムは、基板（例えばウェーハ）を基板テーブルコンパートメント（例えばウェーハステージコンパートメント）内に運ぶ。基板は、ハンドラのグリッパによって、基板テーブルの上方に位置決めされ、基板テーブルから出ているピンがウェーハを引き取る。グリッパが戻されると、ピンは下に移動し、ウェーハはウェーハテーブル上にロードされる。
【０００４】
[0004]  ウェーハがウェーハテーブル上にロードされると、ウェーハテーブルのバールとウェーハとの間の摩擦によってウェーハ内に応力が導入される。これらの応力は、ウェーハ変形および間接的に投影誤差を引き起こしうる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
[0005]  基板を基板テーブル上に、低応力または応力がない状態で位置決めすることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
[0006]  本発明の一実施形態では、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するように配置されたリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、基板を保持するように構築された基板テーブルと、基板を基板テーブルから持ち上げるように配置されたグリッパと、を含み、グリッパは、基板をその上面においてクランプするように配置された真空クランプを含む。
【０００７】
[0007]  本発明の別の実施形態では、グリッパを用いて、基板をリソグラフィ装置の基板テーブル上に位置決めすることを含む基板ハンドリング方法が提供される。かかる方法は、グリッパの真空クランプを用いて基板をその上面においてクランプすることを含む。
【０００８】
[0008]  本発明の更に別の実施形態では、基板をハンドリングするための基板ハンドラが提供される。基板ハンドラは、基板をグリップし、基板を基板テーブル上に位置決めするように構成されたグリッパを含み、グリッパは、基板をその上面においてクランプするように配置された真空クランプを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
[0009]  本発明の実施形態を、ほんの一例として、添付概略図を参照しながら説明する。図中、対応する参照記号は対応する部分を示す。
【図１】[0010]  図１は、本発明の一実施形態が設けられうるリソグラフィ装置を示す。
【図２Ａ】[0011]  図２Ａは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図２Ｂ】[0011]  図２Ｂは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図２Ｃ】[0011]  図２Ｃは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図３Ａ】[0012]  図３Ａは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図３Ｂ】[0012]  図３Ｂは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図４】[0013]  図４は、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図５Ａ】[0014]  図５Ａは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図５Ｂ】[0014]  図５Ｂは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図６Ａ】[0015]  図６Ａは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図６Ｂ】[0015]  図６Ｂは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図７】[0016]  図７は、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図８Ａ】[0017]  図８Ａは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図８Ｂ】[0017]  図８Ｂは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図９】[0018]  図９は、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図１０Ａ】[0019]  図１０Ａは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図１０Ｂ】[0019]  図１０Ｂは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図１１】[0020]  図１１は、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図１２Ａ】[0021]  図１２Ａは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図１２Ｂ】[0021]  図１２Ｂは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図１３Ａ】[0022]  図１３Ａは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【図１３Ｂ】[0022]  図１３Ｂは、本発明の実施形態によるグリッパの一部の概略部分断側面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[0023]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射または任意の他の適切な放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたサポート構造またはパターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴを含む。このリソグラフィ装置はさらに、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴまたは「基板サポート」を含む。このリソグラフィ装置はさらに、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
【００１１】
[0024]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１２】
[0025]  サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えてよい。
【００１３】
[0026]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付与されたパターンは、例えばそのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しなくてもよいことに留意されたい。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応する。
【００１４】
[0027]  パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。
【００１５】
[0028]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、或いは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらの任意の組合せを含むあらゆる種類の投影システムを包含すると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えてよい。
【００１６】
[0029]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば透過型マスクを採用しているもの）である。或いは、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば上述したようなタイプのプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００１７】
[0030]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルまたは「基板サポート」（および／または２つ以上のマスクテーブルまたは「マスクサポート」）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルまたはサポートを並行して使うことができ、すなわち予備工程を１つ以上のテーブルまたはサポート上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルまたはサポートを露光用に使うこともできる。
【００１８】
[0031]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、例えば水といった比較的高い屈折率を有する液体によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）と投影システムの間といったリソグラフィ装置内の別の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加するために用いることができる。本明細書にて使用される「液浸」という用語は、基板のような構造体を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを単に意味するものである。
【００１９】
[0032]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が水銀ランプである場合、放射源はリソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２０】
[0033]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含んでもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。
【００２１】
[0034]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射し、パターニングデバイスによってパターンが付けられる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２の位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、２Ｄエンコーダまたは静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示しない）を使い、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して、例えばマスクライブラリからの機械的な取り出しの後またはスキャン中に、正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の移動も、第２の位置決めデバイスＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらはスクライブラインアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２２】
[0035]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
１．ステップモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴまたは「マスクサポート」と、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」とを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」は、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それにより別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
２．スキャンモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴまたは「マスクサポート」と、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」を同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴまたは「マスクサポート」に対する基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴまたは「マスクサポート」を基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」を動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２３】
[0036]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２４】
[0037]  図２Ａ〜図１２Ｂは、その一部が図２に示されるウェーハといった基板Ｗをグリップするように配置された各グリッパ本体ＧＲＰの一部の様々な実施形態を示す。基板Ｗは、その頂面においてグリップされる。それに加えて、グリッパは、基板をその上面においてクランプする真空クランプを含む。結果として、基板と基板テーブルとの間に空間を作るように基板テーブルから上方向に基板を押す従来の格納可能なピンを除きうる。この空間によって、グリッパが基板をその下面においてグリップできる。したがって、基板テーブルは、質量と剛性の点で改良されうる。さらに、ピンと基板との局所的接触の結果として起こりうるサーマルスポット効果を防ぎうる。
【００２５】
[0038]  一実施形態では、真空クランプは、基板をその外縁に沿ってクランプするように配置される。基板の頂面の、基板の除外領域とも呼ばれる周縁外側帯（の少なくとも一部）をクランプすることによって、基板上の構造またはパターンへの任意の影響（例えば損傷）が防止されうる。さらに、クランプが基板表面の周縁部分または周縁部分のセグメントに接触すると、グリッパからの熱負荷の結果としての基板上への局所的サーマルスポット効果が防止されうる。基板上の熱的効果が起きた場合には、基板の縁に接触している結果、そのより大局的な性質の影響がより少なく、また、例えば適切なモデリングによってより容易に補償されうる。さらに、基板は、基板内にほとんど機械的な応力が伴うことなく基板テーブル上に位置決めされうる。これは、基板をその縁に沿ってクランプすることによって、重力を受けることによる基板のある程度の湾曲により基板の中心から開始し、基板を基板テーブル上（例えば基板テーブル上のバール）に配置でき、続けて、中心からその縁に向かって環状に基板を接触させて、それにより基板が低い機械的応力量でバール上に配置されうるからである。さらに、クランプが接触する基板の縁は、通常、バールによって支持されていないので、クランプによって基板にかかる任意の応力は、基板が基板テーブル（の例えばバール）上に位置決めされる場合でも、基板の縁は比較的自由であるので、より自由に緩和されうる。
【００２６】
[0039]  なお、本文書では、真空との用語には、任意のレベルの負圧（under-pressure）、即ち、基板の周囲に印加された周囲圧力未満の任意の圧力レベルを含むとして理解される。
【００２７】
[0040]  図２Ａは、基板Ｗの外縁に沿ってクランプするように配置された真空クランプの一実施形態を示す。グリッパＧＲＰは、真空チャンバ内に印加される負圧ｐｖを用いて基板Ｗの外縁上に環状真空を与える真空チャンバと、真空チャンバの半径方向内側および外側の同心環状シールＳＬと、を含む。基板Ｗの頂面上へのシールＳＬの封止を与えるように、予負荷力Ｆｐｒｅが、基板Ｗとの接触を確立する際にグリッパに印加されうる。一方のシールＳＬ、例えば外側シールＳＬは、グリップされた場合のウェーハにおける応力を減少するように、もう一方のシールよりもＺ方向において低い剛性を示しうる。
【００２８】
[0041]  図２Ｂは、図２Ａに示されたものと同様のグリッパを示す。しかし、更なる真空チャンバｐｖ１が、図２Ａによる実施形態の真空チャンバｐｖ２と同心円状に設けられている。グリッパが基板Ｗとの接触を確立すると、シールが基板に接触するように更なる（中心の）真空チャンバが予負荷を与うる。次に、真空が外側真空チャンバｐｖ２に印加され、中心チャンバｐｖ１における真空は解放されて予負荷が除去される。予負荷は、基板表面とシールＳＬとの間に良い接触を確立することで漏洩を防ぎうる。更に基板の持ち上げの際の予負荷真空は、基板テーブルから基板を持ち上げることを支援しうる。更なる真空チャンバ内の真空がグリッパの保持力を増加しうるのでグリッパの高加速度も対処されうる。さらに、基板を解放する場合、更なる真空チャンバに過圧が印加され、それによりウェーハをより高速に解放し、基板の中心が、最初に、その上に基板がロードされる基板テーブルに接触するようにされうる。したがって、負圧が、基板を基板テーブル上に位置決めする前に更なる真空チャンバに印加されると、負圧は、基板を基板テーブル上に位置決めする際には過圧に変化され、それにより基板形状が正規化されうる。
【００２９】
[0042]  図２Ｃは、図２Ｂに示されるものと同様のグリッパを示すが、更なる真空チャンバｐｖ１には、基板の様々な部分に局所的な力を印加するために複数の空気ベアリングが設けられている。真空は、ｐｖ１において印加されうる。空気ベアリングは、更なる真空チャンバ内に真空を印加する際に基板がグリッパを接触することを防止するために、基板をある距離に保ちうる。それに加えて、圧力がＡＩＢにおいて印加されうる。１つのセンサまたは複数のセンサが設けられて、基板の平坦度を測定しうる。各真空印加管における局所的圧力のレベルは、基板の平坦度を増加するように適応されうる。１つのセンサまたは複数のセンサは、グリッパＧＲＰ上に設けられてよく、したがって、基板の頂面への距離を測定する。或いは、１つのセンサまたは複数のセンサは、基板の底面への距離を測定するように配置されてもよい。その場合、１つのセンサまたは複数のセンサは、例えばリソグラフィ装置または関連機器の静止部分に設けられてよく、グリッパは平坦度を測定するためにセンサ上に位置決めされる。なお、図２Ｂを参照して説明したように、過圧および負圧の印加は、図２Ｃによる実施形態にも同様に適用されうる。
【００３０】
[0043]  図３Ａは、図２Ａに示されたものと同様のグリッパを示し、かかるグリッパは、剛性グリッパフレームＧＰＦと、本例ではベアリングＢＲＧを用いて、剛性グリッパフレームに対して柔軟である１つ以上の柔軟真空クランプセグメントＶＣＳと、を含む。真空供給オリフィスが、グリッパフレームＧＰＦおよび真空クランプセグメントＶＣＳを通り延在する。柔軟性によって、グリッパＧＲＰは基板頂面をグリップするための形状に自身を形成できる。弾性によって、基板は、基板表面の一部が依然としてグリッパフレームに対して大きい間隙を有する場合であってもグリップされうる。比較的低い真空レベルで十分でありうる。真空クランプセグメントＶＣＳの真空接触領域の寸法によって、所望のクランプ力を提供しうる。真空クランプセグメントＶＣＳの質量が低いほど、基板の表面上の真空クランプセグメントの持ち上げおよび／または振動を防ぐために、真空接触領域は大きくてよい。
【００３１】
[0044]  図３Ｂは、本実施例においてはベローズＢＬＷである軟性シールを含む柔軟グリッパの別の実施形態を示す。本実施例におけるベローズの代わりに、本文書に記載される他の実施形態においても、垂直方向に柔軟性を有する任意の他のシールを適用してよい。グリッパには、真空供給オリフィスＶＳＯの両側に環状突起部ＡＰＴが設けられている。クランプされると、突起部は、軟性シール（ベローズＢＬＷ）間の真空チャンバ（の一部）への真空の供給をほぼ閉じる。突起部によって画定された接触領域が与えられうる。
【００３２】
[0045]  図４に、グリッパの別の実施形態が示される。グリッパは、グリッパフレームＧＰＦと、グリッパフレームから延在して真空チャンバを形成する環状シールＳＬと、を含む。真空インレットオリフィスが、例えばグリッパフレームＧＰＦの中心に設けられうる。環状シールは、垂直方向に高い剛性を示してよく、それによりグリッパによってグリップされた場合の高いグリップ力と、垂直方向における基板の正確な位置決めを可能にしうる。
【００３３】
[0046]  図５Ａおよび図５Ｂは、それぞれ、基板の表面に接触するシールＳＬの一部の図を示す。図５Ａに示されるように、図４に示されたグリッパのシールのような環状シールは、例えば鋭い縁を有するリングナイフを形成しうる。図５Ｂに示されるように、図４に示されたグリッパのシールのような環状シールは、丸みが付けられた縁を形成しうる。リングナイフおよび丸みが付けられた縁は共に、基板（例えばそのレジストまたはトップコート層）への衝撃を最小限にすることを目的としている。丸みが付けられた縁を使用すると、比較的大きい表面接触が適用されるので、接触圧力が減少、したがって変形／陥没が減少される。リングナイフは、最小の表面で基板に接触し、場合により、基板のレジストまたはトップコート層の小さい領域内に食い込む。グリッパと基板との間に小さい側方運動がある場合、リングナイフはその位置に停止しうるので、生成される粒子は少ない。環状シールの接触によって残された残留溝（ある場合には）を覆うために、機械的なシールが適用されてもよい。図６Ａに、環状ナイフを形成するシールＳＬを有するグリッパの一例が示される。一方で、図６Ｂに、丸みが付けられた縁を有するシールＳＬを有するグリッパの一例が示される。
【００３４】
[0047]  図７は、環状突起部といった突起部ＰＲＴによって形成される専用接触構造を有するグリッパの一例を極めて概略的に示す。専用接触構造は、基板の正確に画定される位置決めを可能とし、グリッパによる基板の移動時の高い側方剛性を与えうる。図８Ａ、図８Ｂ、および図９を参照して、かかる専用接点を含むグリッパの実施形態を以下に説明する。
【００３５】
[0048]  図８Ａおよび図８Ｂは、グリッパフレームＧＰＦが２つの同心円状軟性シールＳＬと、その間にある環状突起部ＰＲＴによって形成される接触構造と、を含む実施形態を示す。環状突起部の両側には、各真空供給オリフィスＶＳＯが真空チャンバにつながる。図８Ｂに示されるように、基板が真空吸引力の結果として環状突起部に接触すると、基板の正確に画定された位置決めが与えられる。なお、図８Ａおよび図８Ｂに示されるように、真空チャンバ内に同心円状の更なる真空チャンバが設けられてもよい。この更なる真空チャンバは、それ自身の真空供給オリフィスを有する。基板上に曲げ力を導入するように、様々なレベル（圧力）の真空を、各真空供給オリフィスＶＳＯを介して印加しうる。例えば、突起部ＰＲＴの半径方向内側および外側の真空チャンバの一部には、様々な真空圧力レベルを備えるか、または、真空チャンバの真空供給オリフィスおよび更なる真空チャンバの真空オリフィスが、様々な真空圧力レベルを備えうる。同心円状の真空供給チャンバは、図２Ｂを参照して説明したものと同様に適用されうる。
【００３６】
[0049]  図９には、少し簡略化した実施形態が示される。ここでは、接触構造が、真空チャンバと、この真空チャンバ内で同心円状の更なる真空チャンバと、の間のシールとして機能するように、第２の（内側の）軟性シールと、真空チャンバの真空供給オリフィスのうち内側の１つが省略されている。
【００３７】
[0050]  図１０Ａは、グリッパフレームＧＰＦと、レーザーブレード構造ＲＺＢによって形成された環状シールと、を含むグリッパの極めて概略的な図を示す。真空チャンバは、レーザーブレード構造ＲＺＢによって封止される。レーザーブレード構造は、半径方向に柔軟性を与えて基板変形を減少させる一方で、並進方向では高い剛性を与える。図１０Ｂにおける概略平面図に示されるように、ｘ方向に並進するとき、点線が付けられた領域内に特定されたレーザーブレードの領域は、動作方向において高い剛性を示す。レーザーブレード構造は、クランプされている基板の外縁から、パターン構造が存在しうるまたは投影されうる基板表面の内側領域への静電放電を防止または減少しうる導電性材料を含みうる。
【００３８】
[0051]  図１１に示された実施形態によって、図１０Ａおよび図１０Ｂを参照して説明したものと同様の効果が得られうる。この実施形態では、シールは環状ナイフＫＮＦによって形成される。本実施例では環状リーフバネＬＦＳであるバネ構造が、グリッパ本体と環状ナイフＫＮＦを相互に接続し、環状ナイフＫＮＦの半径方向の柔軟性ＲＡＣを与える。図１２Ａおよび図１２Ｂに、バネ構造の別の実施形態が示される。本実施形態では、バネ構造は、垂直方向の柔軟性ＶＥＣを可能にするバネを含む。グリッパフレームＧＰＦ上またはその中において、環状ガター構造ＡＧＳ（例えば半球形状）が形成される一方で、環状ナイフＫＮＦの側面には、環状ガター構造（例えば半球形状）と補完的である補完的構造ＣＳが形成され、補完的構造は環状ガター構造によって受容可能となる。これにより、環状ナイフＫＮＦは、リーフバネが圧縮されても（図１２Ｂに示されるように）半径方向の柔軟性ＲＡＣを示しうる。図１３Ａに、バネ構造の一例を採用するさらに別の実施形態が示される。本実施形態では、バネ構造は、グリッパフレームＧＰＦを真空クランプサブフレームＶＣＳに接続するリーフバネＬＦＳによって形成される。図１３Ａにおける実施形態では、真空クランプサブフレームは２つの同心円状の環状シールを含む。これらのシールは、環状ナイフまたは環状突起部によって形成される。その一方で、図１３Ｂに示される実施形態では、一方のシールは、突起部または環状ナイフによって形成され、本実施例では外側環状シールである他方は、ベローズによって形成される。図１３Ａおよび図１３Ｂにおける両実施形態では、弾性真空供給管ＶＳＴを用いて真空チャンバに真空が供給される。図１３Ａおよび図１３Ｂにおける両実施形態では、真空クランプサブフレームは、単一の環状部分によって形成され、基板への応力を減少しうる複数の（例えば４、６または８個の）セグメントを含みうる。
【００３９】
[0052]  真空クランプは、基板の平らな頂面の周縁部分に当てられうる。しかしながら、真空クランプは、基板の表面の、より中心に近い領域上の任意のパターンの妨害が最小限となるように基板の湾曲縁部にも当てられうる。
【００４０】
[0053]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のインスペクション方法および装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００４１】
[0054]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００４２】
[0055]  本明細書において使用される「放射」および「ビーム」という用語は、（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長またはおよそこれらの値の波長を有する）紫外線（ＵＶ）、および、（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）極端紫外線（ＥＵＶ）を含むあらゆる種類の電磁放射、並びにイオンビームまたは電子ビームといった粒子ビームを包含している。
【００４３】
[0056]  「レンズ」という用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指しうる。
【００４４】
[0057]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明の実施形態は、上に開示された方法を記述する１つまたは複数のシーケンスの機械可読命令を含むコンピュータプログラム、または、かかるコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態を取りうる。
【００４５】
[0058]  上記説明は、限定ではなく例示的あることを意図している。したがって、当業者であれば、以下に記載される特許請求の範囲から逸脱することなく本発明に変更を行いうることは明らかであろう。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【外国語明細書】
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