(57)【要約】【課題】特殊な材料を用いずに、汎用性が高い方法で、レジストパターンの残存を防止しながら、微細な回路パターンを高精度に形成できるプリント配線板の製造方法、及び該方法で製造されたプリント配線板の提供。【解決手段】絶縁基材１１上に設けられたシード層１２上に、同じ組成の単一の層からなるレジストパターン１４を形成し、シード層１２上のレジストパターン１４が形成されていない部位をめっきして、金属層１５を形成した後、レジストパターン１４を除去して、回路パターン１６を形成して、プリント配線板１とするに際し、レジストパターン１４を、その長手方向に対して垂直な断面において、底面１４ａの幅Ｗａよりも、上面１４ｂの幅Ｗｂを広くする。【選択図】図１
2013098424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に回路パターンを備えたプリント配線板の製造方法であって、
基材上に、同じ組成の単一の層からなるレジストパターンを形成する工程と、
前記基材上の前記レジストパターンが形成されていない部位をめっきして、金属層を形成する工程と、
金属層形成後の前記基材上から前記レジストパターンを除去して、回路パターンを形成する工程と、を有し、
前記レジストパターンが、その長手方向に対して垂直な断面において、底面よりも上面の方が、幅が広いことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記レジストパターンを形成する工程において、前記基材上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層を、２０ｍＷ／ｃｍ２以上の光量で露光、及び現像して、前記レジストパターンを形成することを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記レジストパターンを形成する工程が、前記基材上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層を露光及び現像して、前記レジストパターンを形成する工程を有し、前記露光前又は露光後の前記フォトレジスト層を、基材側及び基材とは反対側の両側から異なる温度で加熱することを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記基材上に形成されたフォトレジスト層を、露光前に前記異なる温度で加熱することを特徴とする請求項３に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記異なる温度で加熱しながら、前記基材上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層を露光及び現像することを特徴とする請求項３に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記基材上に形成されたフォトレジスト層を、露光後で且つ現像前に前記異なる温度で加熱することを特徴とする請求項３に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
基材上に回路パターンを備えたプリント配線板であって、
前記回路パターンは、その長手方向に対して垂直な断面において、底面よりも上面の方が、幅が狭くされ、上面の幅と底面の幅との差が、高さの１／２以下であり、且つ前記回路パターンの側面が、前記基材の表面に対して垂直な方向と、１°以上の角度をなしていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項８】
前記回路パターンが、前記断面において、上面の幅と底面の幅との差が、高さの１／４以下であり、且つ前記回路パターンの側面が、前記基材の表面に対して垂直な方向と、２°以上の角度をなしていることを特徴とする請求項７に記載のプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィにより、微細な回路パターンを高精度に形成できるプリント配線板の製造方法、及び該方法で製造されたプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路パターンを備えたプリント配線板の製造方法としては、図１０に示すセミアディティブ法が知られている。
セミアディティブ法では、まず、図１０（ａ）に示すように、絶縁基材１１上にシード層１２を設け、シード層１２上にフォトレジスト層１３を設ける。シード層１２は、薄い金属層からなり、後述するめっき時の通電層となる。また、フォトレジスト層１３は、液状レジスト組成物の塗布、電着、ドライフィルムレジストの貼付等により設けることができ、アルカリ可溶型のドライフィルムレジストを用いたものが好適である。
次いで、所望のレジストパターンを形成するためのフォトマスクをフォトレジスト層１３上に配置し、露光及び現像を行い、図１０（ｂ）に示すように、レジストパターン９４を形成する。
次いで、図１０（ｃ）に示すように、シード層１２上のレジストパターン９４が形成されていない部位、すなわち、レジストパターン９４の開口部９４０をめっきして、金属層９５を形成する。
次いで、図１０（ｄ）に示すように、レジストパターン９４を除去する。
次いで、図１０（ｅ）に示すように、金属層９５が形成されずに露出したシード層１２を除去する。シード層１２は、通常、ウェットエッチングで除去するが、この時同時に、金属層９５も表面側から一部が一様に除去されることがあるが、この除去量を見込んでフォトマスク上の回路幅を設定しておく。これにより、回路パターン９６が形成されたプリント配線板９が得られる。プリント配線板９は、この後必要に応じて表面に保護層を形成し、端子部のめっき、電子部品の実装が施される。
【０００３】
近年、電子機器や電子部品の小型化に伴い、プリント配線板も小型化が必要となり、回路パターンの一層の微細化が求められている。そこで、上記の製造方法においては、レジストパターン９４の形成から除去に到る、回路パターン９６の形成過程を、より微細に且つ高精度に行うことが必要になってきている。特に、レジストパターン９４の除去は重要であり、その除去が不完全であると、シード層１２の除去が不完全になって、その結果、得られたプリント配線板は、回路間の絶縁特性や絶縁耐圧特性が劣化したり、回路幅のばらつきによって、回路インピーダンスを精度よく制御することが困難になってしまう。
【０００４】
レジストパターン９４は、その種類に応じた方法で除去され、例えば、ドライフィルムレジストを用いた場合、図１１（ａ）に示すように、水酸化ナトリウム水溶液等の剥離液で、矢印Ｃで示すように膨潤させ、図１１（ｂ）に示すように、隣接部との界面において界面剥離を生じさせて、矢印Ａ方向に移動させることで、除去できる。
【０００５】
しかし、図１０に示す回路ピッチＰが、回路パターン９６の、その長手方向に対して垂直な断面における高さ（絶縁基材１１の表面からの、回路パターン９６の上面９６ｂの高さ）の数倍程度にまで微細化された場合、例えば、回路パターン９６のアスペクト比（［回路（パターン）の高さ］／［回路（パターン）の幅］）が１／２以上のような場合には、回路パターン９６間に剥離したレジストパターン９４が挟まって残存してしまうなど、いずれの方法でもレジストパターン９４の完全な除去が困難になり、これはドライフィルムレジストを用いた場合に顕著である。
【０００６】
さらに、微細なレジストパターン９４が、金属層９５の形成過程で剥離するのを防止するために、レジストパターン９４（フォトレジスト層１３）とシード層１２との密着力を高めることが必要であり、この場合、現像後のレジストパターン９４は、図１２（ａ）に示すように、底面側の部分が除去されずに残って幅広部（裾引き部９９）となった裾引き形状となることが多い。この場合、レジストパターン９４は、図１２（ｂ）に示すように、剥離液で膨潤させても裾引き部９９が金属層９５に引っ掛かり、矢印Ａ方向への移動が困難になり、除去が一層困難になってしまう。これは、例えば、回路パターン９６の前記高さが１０μｍ程度の場合に、レジストパターン９４の幅が３０μｍ以下程度になると顕著である。
【０００７】
これに対して、界面活性能だけでなく、レジストパターン９４の架橋点に対する破壊能を有する、モノエタノールアミンやトリエタノールアミン等のアミン系剥離剤を用いる方法が開示されている。この方法は、図１３（ａ）に示すように、レジストパターン９４の膨潤と分解を並行して行い、図１３（ｂ）に示すように、分解片９４’を除去するようにすることで、レジストパターン９４の除去を容易にするものである。
しかし、アミン系剥離剤を用いた場合でも、図１３（ｃ）に示すように、裾引き部９９に由来する分解片９４’が金属層９５に引っ掛かり、その除去が困難になることが多い。
【０００８】
このような、レジストパターン９４の残存を防止できる手法として、図１４（ａ）及び図１５（ａ）に示すように、レジストパターンを、その長手方向に対して垂直な断面において、底面よりも上面の方が、幅が広い形状（逆台形状）とする方法が開示されている（特許文献１参照）。この方法によれば、図１４（ｂ）及び図１５（ｂ）に示すように、レジストパターン９４の剥離方向（図中の矢印Ａの方向）に向けて、隣り合う金属層９５の間隔が広くなるので、レジストパターン９４は裾引き部９９の有無によらず、残存部を残すことなく容易に除去できる。これは、アミン系剥離剤を用いた場合も同様である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−２１２２７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、特許文献１に記載のような、断面が逆台形状のレジストパターンは、簡便且つ安価に形成することが困難であるという問題点があった。特許文献１で具体的に開示されている方法は、特定の成分からなる複数層のフォトレジスト層を露光及び現像するというものであり、レジスト組成物に汎用性がなく、フォトレジスト層を複数層積層するために、製造工程も複雑であり、高コストであるという問題点があった。このように、従来のプリント配線板の製造方法では、特殊な材料や工程が不要で、レジストパターンの残存を防止できる実用的な方法が無いのが実情であった。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、特殊な材料を用いずに、汎用性が高い方法で、レジストパターンの残存を防止しながら、微細な回路パターンを高精度に形成できるプリント配線板の製造方法、及び該方法で製造されたプリント配線板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、
本発明は、基材上に回路パターンを備えたプリント配線板の製造方法であって、基材上に、同じ組成の単一の層からなるレジストパターンを形成する工程と、前記基材上の前記レジストパターンが形成されていない部位をめっきして、金属層を形成する工程と、金属層形成後の前記基材上から前記レジストパターンを除去して、回路パターンを形成する工程と、を有し、前記レジストパターンが、その長手方向に対して垂直な断面において、底面よりも上面の方が、幅が広いことを特徴とするプリント配線板の製造方法を提供する。
かかる製造方法によれば、レジストパターンが前記断面において、底面よりも上面の方が、幅が広いので、裾引き部の有無によらず、レジストパターンを基材上に残存させることなく容易に除去でき、その結果、プリント配線板は、回路パターンが微細であっても、回路間の絶縁特性や絶縁耐圧特性の劣化が防止され、回路幅のばらつきも防止されて、回路インピーダンスを精度よく制御することが容易となる。また、かかる製造方法は、レジストパターンを、特殊な材料を用いずに同じ組成の単一の層からなるものとするので、汎用性が高い。
【００１３】
本発明のプリント配線板の製造方法においては、前記レジストパターンを形成する工程において、前記基材上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層を、２０ｍＷ／ｃｍ２以上の光量で露光、及び現像して、前記レジストパターンを形成することが好ましい。
かかる製造方法によれば、前記レジストパターンをより安定して形成できる。
【００１４】
本発明のプリント配線板の製造方法においては、前記レジストパターンを形成する工程が、前記基材上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層を露光及び現像して、前記レジストパターンを形成する工程を有し、前記露光前又は露光後の前記フォトレジスト層を、基材側及び基材とは反対側の両側から異なる温度で加熱することが好ましい。
そして、かかる製造方法においては、前記基材上に形成されたフォトレジスト層を、露光前に前記異なる温度で加熱することが好ましい。
また、かかる製造方法においては、前記異なる温度で加熱しながら、前記基材上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層を露光及び現像してもよい。
また、かかる製造方法においては、前記基材上に形成されたフォトレジスト層を、露光後で且つ現像前に前記異なる温度で加熱してもよい。
かかる製造方法によれば、前記レジストパターンをより安定して形成できる。
【００１５】
また、本発明は、基材上に回路パターンを備えたプリント配線板であって、前記回路パターンは、その長手方向に対して垂直な断面において、底面よりも上面の方が、幅が狭くされ、上面の幅と底面の幅との差が、高さの１／２以下であり、且つ前記回路パターンの側面が、前記基材の表面に対して垂直な方向と、１°以上の角度をなしていることを特徴とするプリント配線板を提供する。
かかるプリント配線板は、前記回路パターンの底面及び上面の幅、並びに側面の角度が上記のように設定されていることで、回路パターンが微細であっても、回路間の絶縁特性や絶縁耐圧特性の劣化が防止され、回路幅のばらつきも防止されて、回路インピーダンスを精度よく制御することが容易となる。
そして、かかるプリント配線板においては、前記回路パターンが、前記断面において、上面の幅と底面の幅との差が、高さの１／４以下であり、且つ前記回路パターンの側面が、前記基材の表面に対して垂直な方向と、２°以上の角度をなしていることが好ましい。
かかるプリント配線板は、上記効果により優れたものとなる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、特殊な材料を用いずに、汎用性が高い方法で、レジストパターンの残存を防止しながら、微細な回路パターンを高精度に形成できるプリント配線板の製造方法、及び該方法で製造されたプリント配線板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る製造方法を説明するための概略断面図である。
【図２】本発明の第一の実施形態における、レジストパターンが設けられた基材を例示する概略斜視図である。
【図３】本発明の第一の実施形態における、レジストパターンの側面の他の形状を例示する概略断面図である。
【図４】本発明の第一の実施形態における、アミン系剥離剤によるレジストパターンの除去を模式的に示す概略断面図である。
【図５】本発明の第一の実施形態における、回路パターンの側面の他の形状を例示する概略断面図である。
【図６】本発明の第一の実施形態において、裾引き形状のレジストパターンの除去を模式的に例示する概略断面図である。
【図７】本発明の第一の実施形態における、アミン系剥離剤による裾引き形状のレジストパターンの除去を模式的に示す概略断面図である。
【図８】本発明の第二の実施形態における、露光前のフォトレジスト層の加熱方法を模式的に例示する概略断面図である。
【図９】本発明の第二の実施形態における、露光前のフォトレジスト層の他の加熱方法を模式的に例示する概略断面図である。
【図１０】従来のセミアディティブ法によるプリント配線板の製造方法を説明する概略断面図である。
【図１１】レジストパターンの除去を模式的に説明する概略断面図である。
【図１２】裾引き形状のレジストパターンを模式的に説明する概略断面図である。
【図１３】従来のアミン系剥離剤によるレジストパターンの除去を模式的に説明する概略断面図である。
【図１４】断面が逆台形状のレジストパターンの除去を模式的に説明する概略断面図である。
【図１５】断面が逆台形状で裾引き形状のレジストパターンの除去を模式的に説明する概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明に係るプリント配線板の製造方法は、基材上に回路パターンを備えたプリント配線板の製造方法であって、基材上に、同じ組成の単一の層からなるレジストパターンを形成する工程（以下、「レジストパターン形成工程」と略記する）と、前記基材上の前記レジストパターンが形成されていない部位をめっきして、金属層を形成する工程（以下、「金属層形成工程」と略記する）と、金属層形成後の前記基材上から前記レジストパターンを除去して、回路パターンを形成する工程（以下、「回路パターン形成工程」と略記する）と、を有し、前記レジストパターンが、その長手方向に対して垂直な断面において、底面よりも上面の方が、幅が広い（以下、このような形状を、後述する裾引き部を有するものも含めて「逆台形状」と略記する）ことを特徴とする。本発明は、セミアディティブ法の適用に好適である。本発明によれば、特に材料が限定されることなく、同じ組成の単一の層からなるレジストパターンを逆台形状とするので、汎用性が高く、レジストパターンの残存が防止でき、微細な回路パターンを高精度に形成できる。以下、本発明について、工程ごとに詳細に説明する。
【００１９】
＜第一の実施形態＞
図１は、本発明の第一の実施形態に係る製造方法を説明するための概略断面図である。
本実施形態に係る製造方法は、基材上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層を露光及び現像して、レジストパターンを形成するフォトリソグラフィ工程において、レジスト層の露光時における光量を２０ｍＷ／ｃｍ２以上に限定することで、断面が逆台形状のレジストパターンを形成する工程を有する。
【００２０】
［レジストパターン形成工程］
本実施形態では、まず、基材上に、同じ組成の単一の層からなるレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程を行う。
レジストパターン形成工程においては、まず、図１（ａ）に示すように、絶縁基材１１上にシード層１２を設け、シード層１２上にフォトレジスト層１３を設ける。この操作は、従来と同様の方法で行うことができる。なお、本明細書において、シード層１２が設けられた絶縁基材１１を、以下、単に「基材」と言うことがある。
【００２１】
絶縁基材１１の形状は、フィルム状、シート状又は薄板状であることが好ましい。
絶縁基材１１の厚さは、１０〜５０μmであることが好ましい。
絶縁基材１１を構成する材質は、柔軟性を有するものが好ましく、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂であることが好ましく、具体的には、ポリイミド、エポキシ樹脂、液晶ポリマー、ガラスエポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、アラミド樹脂、ポリテトラフルオロエチレン等が例示できる。
絶縁基材１１を構成する材質は、一種でもよいし、二種以上でもよい。二種以上である場合、その組み合わせ及び比率は、目的に応じて任意に調節できる。
絶縁基材１１は、単層でもよいし、二層以上の複数層でもよい。複数層である場合、すべての層が同じでもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同じでもよい。ここで、「層が異なる」とは、層の材質及び厚さの少なくとも一方が、互いに異なることを指す。
【００２２】
シード層１２は、薄い導電層であり、後述するめっき時の通電層となるものである。
シード層１２の材質は、金属等の導電性を有するものであればよく、具体的には、ニッケル、クロム、ニッケル・クロム合金、銅等が例示できる。
シード層１２の厚さは、０．２〜３．０μmであることが好ましい。
シード層１２は、蒸着法、スパッタリング法、無電解めっき法、またはこれらの方法によって得た薄膜上にめっきを施して厚膜化する方法等、その材質に応じて適した方法で、絶縁基材１１上に設ければよい。
シード層１２は、単層でもよいし、二層以上の複数層でもよい。複数層である場合、すべての層が同じでもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同じでもよい。ここで、「層が異なる」とは、絶縁基材１１の場合と同様である。
【００２３】
フォトレジスト層１３は、同じ組成の単一の層からなり、公知のものでよく、その構成成分は特に限定されない。そして、ネガ型レジスト及びポジ型レジストのいずれでもよいが、ネガ型レジストであることが好ましい。
フォトレジスト層１３の厚さは、後述する所望の厚さの金属層を形成できるように、適宜調節すればよいが、通常は、１０〜５０μｍであることが好ましい。
フォトレジスト層１３は、例えば、シード層１２上にレジスト組成物を塗布及び乾燥させる方法、電着、ドライフィルムレジストの貼付等により設けることができ、アルカリ可溶型のドライフィルムレジストを用いたものが好適である。
【００２４】
レジストパターン形成工程においては、次いで、目的とする回路パターンに対応した所望のレジストパターンを形成するためのフォトマスクを、フォトレジスト層１３上に配置し、前記フォトマスクを介してフォトレジスト層１３に対して露光及び現像を行い、図１（ｂ）に示すように、レジストパターン１４を形成する。レジストパターン１４は、フォトレジスト層１３の構成を反映し、同じ組成の単一の層からなる。なお、本発明において「同じ組成」とは、組成に明確な偏りがないことを指す。
【００２５】
レジストパターン１４は、その長手方向に対して垂直な断面において、底面（絶縁基材１１側の、シード層１２との接触面）１４ａよりも上面（絶縁基材１１とは反対側の面）１４ｂの方が、幅が広い逆台形状である。ここで、前記断面における底面１４ａの幅はＷａ、上面１４ｂの幅はＷｂであり、Ｗｂ＞Ｗａである。
なお、レジストパターン１４が設けられた基材の概略斜視図を図２に例示する。レジストパターン１４の長手方向とは、図２の矢印Ｂの方向を指し、図１は、この矢印Ｂの方向に対して垂直な、Ｉ−Ｉ線における断面図に該当する。
【００２６】
レジストパターン１４の前記断面における形状として、ここでは、底面１４ａから上面１４ｂへ向けて、その幅Ｗが漸次広くなるものを示しているが、本発明においてはこれに限定されず、底面１４ａから上面１４ｂへ向けて、その幅Ｗが広くなっていない領域があってもよいが、このような領域はレジストパターン１４の高さ方向において５０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。
【００２７】
また、レジストパターン１４の前記断面における形状として、ここでは、レジストパターン１４の側面１４ｃが平面状であるものを示しているが、本発明においてはこれに限定されず、図３（ａ）に示すような、側面１４ｃがレジストパターン１４の内側から外側へ向けて膨出する凸面状であるもの、これとは逆の図３（ｂ）に示すような凹面状であるもの、あるいはこれら凸面状又は凹面状を一部に有するものでもよい。
【００２８】
レジストパターン１４の前記断面においては、レジストパターン１４の側面１４ｃと、シード層１２（絶縁基材１１、基材）の表面に対して垂直な方向とのなす角度（レジストパターンの側面１４ｃの傾斜角）θｗが、１°以上であることが好ましく、２°以上であることがより好ましい。このようにすることで、後述するように、レジストパターン１４を残存させずに、より容易に除去できる。
【００２９】
前記断面形状を有するレジストパターン１４は、フォトレジスト層１３を、２０ｍＷ／ｃｍ２以上の光量で露光してから現像することで形成できる。その理由は定かではないが、このような光量で露光することにより、フォトレジスト層１３は、光源に近い位置にあるその上面１３ｂに近い部位ほど速やかに光化学反応が進行し、それと共に光透過率が低下して、フォトレジスト層１３の底面１３ａに近い部位ほど到達する光量が減少し、光化学反応が進行し難くなるためではないかと推測される。活性光の光量と照射時間との積、すなわち活性光の照射量が同じであっても、光量が２０ｍＷ／ｃｍ２より少なくなると、レジストパターン１４の前記断面形状を逆台形状にはできない。
【００３０】
露光時に照射する活性光は、２００〜４１０ｎｍの波長域に強いピークを有する紫外光であることが好ましい。
【００３１】
現像は、フォトレジスト層１３の種類に応じて公知の方法で行えばよく、例えば、アルカリ可溶型のドライフィルムレジストを用いた場合には、濃度が２〜１０重量％で３０〜６０℃の炭酸ナトリウム水溶液に浸漬し、洗浄する方法が挙げられる。
【００３２】
［金属層形成工程］
本実施形態では、次いで、図１（ｃ）に示すように、シード層１２（基材）上のレジストパターン１４が形成されていない部位、すなわちレジストパターン１４の開口部１４０をめっきして、金属層１５を形成する金属層形成工程を行う。
金属層１５の材質としては、銅、銅合金が例示できる。
金属層１５の厚さは、最終的に得たい回路パターンの高さにもよるが、例えば、シード層１２の厚さとの合計値が５〜３０μmとなるように調節することが好ましい。
金属層１５は、公知のめっき法で形成すればよく、例えば、銅からなる金属層１５であれば、硫酸銅めっき、ピロリン酸銅めっき、青化銅めっき等の電解銅めっきが例示でき、これらの中では、環境負荷が小さく特性が良好なめっき層を得られる点から、硫酸銅めっきが好ましい。
【００３３】
レジストパターン１４の形状を反映して、金属層１５は、その長手方向に対して垂直な断面において、底面（絶縁基材１１側の、シード層１２との接触面）１５ａよりも上面（絶縁基材１１とは反対側の面）１５ｂの方が、幅が狭い順台形状である。ここで、前記断面における底面１５ａの幅はＴａ、上面１５ｂの幅はＴｂであり、Ｔａ＞Ｔｂである。
なお、金属層１５の長手方向は、レジストパターン１４の長手方向と一致するため、金属層１５の長手方向に対して垂直な断面は、レジストパターン１４の長手方向に対して垂直な断面と平行である。
【００３４】
レジストパターン１４の除去の容易性の観点からは、前記幅ＴａとＴｂとの差は、大きいほど好ましいが、回路パターンの特性を考慮すると、この差は大きくなり過ぎないことが必要である。すなわち、前記幅ＴａとＴｂとの差は、前記断面における金属層１５及びシード層１２の高さの合計値（絶縁基材１１の表面からの、金属層１５の上面１５ｂの高さ）Ｈｔの１／２以下である（［Ｔａ−Ｔｂ］≦Ｈｔ／２）ことが好ましく、１／４以下である（［Ｔａ−Ｔｂ］≦Ｈｔ／４）ことがより好ましい。このようにすることで、次工程においてレジストパターン１４を、基材上に残存させることなく、より容易に除去できると共に、後述するように、特性がより良好な回路パターンを形成できる。
【００３５】
［回路パターン形成工程］
本実施形態では、次いで、金属層１５形成後の前記基材上からレジストパターン１４を除去して、回路パターンを形成する回路パターン形成工程を行う。
回路パターン形成工程においては、まず、レジストパターン１４を除去するが、除去方法は公知の方法でよく、レジストパターン１４の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、アルカリ可溶型のドライフィルムレジストを用いた場合には、濃度が１〜５重量％で４０〜６５℃の水酸化ナトリウム水溶液を剥離液として用い、図１（ｄ）に示すように、レジストパターン１４を膨潤させ、レジストパターン１４と、隣接部との界面において界面剥離を生じさせることで、図１（ｅ）に示すように、レジストパターン１４を除去する方法が挙げられる。図１（ｃ）に示すように、金属層１５は、レジストパターン１４の形状を反映して順台形状であり、レジストパターン１４の剥離方向（図中の矢印Ａの方向）に向けて、隣り合う金属層１５の間隔が広くなるので、矢印Ｃで示すように、レジストパターン１４が膨潤すると、その応力によって、レジストパターン１４は金属層１５の側面１５ｃに沿って容易に動き、矢印Ａの方向に移動して極めて容易に剥離する。その結果、基材上にはレジストパターン１４が残存することが無い。
【００３６】
なお、ここでは、剥離液として水酸化ナトリウム水溶液を用いて、レジストパターンを除去する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、その他の除去方法でも同様に、基材上にはレジストパターン１４が残存することが無い。例えば、アミン系剥離剤を用いた場合では、図４（ａ）に示すように、レジストパターン１４の膨潤と分解が並行して進行し、図４（ｂ）に示すように、分解片１４’が容易に除去されて、基材上にはレジストパターン１４が残存することが無い。なお、図４（ａ）においては、レジストパターン１４の分解を亀裂として記載している。これは、以降の図面においても同様である。
【００３７】
回路パターン形成工程においては、次いで、金属層１５が形成されずに露出したシード層１２を除去する。
シード層１２は、ウェットエッチング等、公知の方法で除去すればよい。ウェットエッチングとしては、０．５〜１５重量％の硫酸と、０．１〜３重量％の過酸化水素水とを混合した硫酸−過酸化水素系エッチング液；０．３〜１０重量％の硝酸と、０．１〜３重量％の過酸化水素水とを混合した硝酸−過酸化水素系エッチング液等を用いたものが例示できる。シード層１２の除去では、同時に金属層１５も表面側から一部が一様に除去されることがあるが、必要に応じて、この除去量を見込んでフォトマスク上の回路幅を設定しておけばよい。
【００３８】
このように余分なシード層１２を除去することで、図１（ｆ）に示すように、回路パターン１６が形成されたプリント配線板１が得られる。プリント配線板１は、この後必要に応じて表面に保護層を形成し、端子部のめっき、電子部品の実装が施される。
【００３９】
金属層１５（レジストパターン１４）の形状を反映して、回路パターン１６は、その長手方向に対して垂直な断面において、底面（絶縁基材１１との接触面）１６ａよりも上面（絶縁基材１１とは反対側の面）１６ｂの方が、幅が狭い順台形状である。ここで、前記断面における底面１６ａの幅はＬａ、上面１４ｂの幅はＬｂであり、Ｌａ＞Ｌｂである。
なお、回路パターン１６の長手方向は、金属層１５の長手方向と一致する。
【００４０】
前記幅ＬａとＬｂとの差は、回路パターン１６の前記断面における高さ（絶縁基材１１の表面からの、回路パターン１６の上面１６ｂの高さ）Ｈｌの１／２以下である（［Ｌａ−Ｌｂ］≦Ｈｌ／２）ことが好ましく、１／４以下である（［Ｌａ−Ｌｂ］≦Ｈｌ／４）ことがより好ましい。このようにすることで、回路パターンをより容易に微細化できる。また、回路幅がより均一になるので、回路インピーダンスを精度よく制御することが容易となる。さらに、回路間のギャップが狭くなり過ぎず、回路間の絶縁特性及び絶縁耐圧特性がより向上する。このような形状の回路パターン１６は、上記の好ましい形状の金属層１５から得られる。
【００４１】
回路パターン１６の前記断面においては、回路パターン１６の側面１６ｃと、絶縁基材１１（シード層１２、基材）の表面に対して垂直な方向とのなす角度（回路パターンの側面１６ｃの傾斜角）θｌが、１°以上であることが好ましく、２°以上であることがより好ましい。このような形状の回路パターン１６は、上記の好ましい形状のレジストパターン１４（金属層１５）から得られる。なお、「［Ｌａ−Ｌｂ］＝Ｈｌ／２」、「［Ｌａ−Ｌｂ］＝Ｈｌ／４」である場合のθｌは、それぞれ１４．０°、７．１°である。
【００４２】
回路パターン１６の前記断面における形状として、ここでは、底面１６ａから上面１６ｂへ向けて、その幅Ｌが漸次狭くなるものを示しているが、これは、レジストパターン１４の前記断面の形状を反映するからである。したがって、レジストパターン１４の場合と同様に、回路パターン１６の前記断面における形状は、底面１６ａから上面１６ｂへ向けて、その幅Ｌが狭くなっていない領域があってもよいが、このような領域は、回路パターン１６の高さ方向において５０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。
【００４３】
また、回路パターン１６の前記断面における形状として、ここでは、回路パターン１６の側面１６ｃが平面状であるものを示しているが、レジストパターン１４の場合と同様に、図５（ｂ）に示すような、側面１６ｃが回路パターン１６の内側から外側へ向けて膨出する凸面状であるもの、これとは逆の図５（ａ）に示すような凹面状であるもの、あるいはこれら凸面状又は凹面状を一部に有するものでもよい。ただし、このような側面形状の領域は、回路パターン１６の高さ方向において５０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。
【００４４】
本実施形態においては、例えば、レジストパターン１４が、前記断面において、底面１４ａ側の部分が除去されずに残って裾引き部となった裾引き形状であっても、同様の効果を奏する。図６は、このような裾引き形状のレジストパターンが形成された場合の、回路パターン形成工程におけるレジストパターンの除去を模式的に示す概略断面図である。
図６（ａ）に示すように、裾引き部２９が形成されたレジストパターン２４は、上記のレジストパターン１４と同様に、前記断面において逆台形状であると言えるので、裾引き部２９の存在にも関わらず、図６（ｂ）に示すように、容易に矢印Ａ方向に移動して除去される。その結果、図６（ｃ）に示すように、基材上にはレジストパターン２４が残存することが無い。
これは、その他の除去方法でも同様であり、例えば、アミン系剥離剤を用いた場合でも、図７（ａ）に示すように、レジストパターン２４の膨潤と分解が並行して進行し、図７（ｂ）に示すように、分解片２４’が容易に除去されて、図７（ｃ）に示すように、基材上にはレジストパターン２４が残存することが無い。
【００４５】
本実施形態においては、フォトレジスト層を、２０ｍＷ／ｃｍ２以上の光量で露光すること以外は、従来と同様の方法でプリント配線板を製造できる。したがって、特殊な材料を用いずに、フォトレジスト層を同じ組成の単一の層から構成するなど、汎用性が高い方法で、レジストパターンの残存を防止しながら、微細な回路パターンを高精度に形成できる。
【００４６】
＜第二の実施形態＞
本発明の第二の実施形態に係る製造方法は、基材上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層を露光及び現像して、レジストパターンを形成するフォトリソグラフィ工程において、露光前又は露光後のフォトレジスト層を、基材側及び基材とは反対側の両側から異なる温度で加熱することで、断面が逆台形状のレジストパターンを形成する工程を有する。すなわち、本実施形態は、フォトレジスト層の露光時における活性光の光量を２０ｍＷ／ｃｍ２以上に限定するのに代えて、活性光の光量を限定せずに、露光前又は露光後のフォトレジスト層を、基材側及び基材とは反対側の両側から異なる温度で加熱する点以外は、第一の実施形態と同様である。
ここで、「フォトレジスト層を基材側から加熱する」とは、フォトレジスト層を基材が配置されている側から加熱することを指し、「フォトレジスト層を基材とは反対側から加熱する」とは、上記とは反対に、フォトレジスト層を基材が配置されていない側から加熱することを指す。
【００４７】
上記のように異なる温度でフォトレジスト層を加熱することで、断面が逆台形状のレジストパターンを形成できる理由は定かではないが、加熱温度が異なることで、この加熱によってフォトレジスト層で生じる架橋反応の程度に差が生じ、その結果、露光時の光透過率にも差が生じて、架橋反応がより進行していた部位ほど光化学反応が進行し難くなり、フォトレジスト層の厚さ方向において、現像前の光化学反応の程度に差が生じるためではないかと推測される。
【００４８】
［形成済みフォトレジスト層の露光前の加熱］
本実施形態において、露光前のフォトレジスト層を上記のように異なる温度で加熱する場合には、例えば、第一の実施形態で、図１（ａ）を参照して説明したように、絶縁基材１１上にシード層１２を設け、シード層１２上にフォトレジスト層１３を設けた後、このフォトレジスト層１３を、絶縁基材１１側及び絶縁基材１１とは反対側の両側から異なる温度で加熱すればよい。図８は、この時の加熱方法を模式的に示す概略断面図であり、フォトレジスト層１３を、絶縁基材１１側から温度Ｔａで、絶縁基材１１とは反対側から温度Ｔｂで、それぞれ加熱する場合を示している。フォトレジスト層１３がネガ型であり、露光時の活性光の照射を絶縁基材１１とは反対側（フォトレジスト層１３側）から行う場合には、Ｔｂ＞Ｔａとする。このように露光前に加熱することで、フォトレジスト層１３は、露光前の段階ですでに架橋度に差が生じ、その結果、厚さ方向において、現像前の光化学反応の程度に差が生じると推測される。この方法は、プリベーク（ポストアプライベーク（ＰＡＢ））の変形例と言える。
【００４９】
フォトレジスト層１３は、いずれの温度においても、熱源を接触させて直接的に加熱してもよいし、熱源を接触させずに間接的に加熱してもよい。直接的に加熱する方法としては、加熱ロールを用いる方法が例示できる。
【００５０】
なお、ここでは、絶縁基材１１を温度Ｔａで加熱している様子を示しているが、絶縁基材１１が薄ければ、通常は絶縁基材１１を温度Ｔａで加熱すれば、フォトレジスト層１３も絶縁基材１１側から温度Ｔａで加熱される。フォトレジスト層１３の加熱温度が絶縁基材１１の加熱温度と同じにならない場合には、その場合のフォトレジスト層１３の加熱温度Ｔａ’が、Ｔｂ＞Ｔａ’となるように調節すればよい。
【００５１】
上記のように加熱した後は、フォトレジスト層の露光時の光量を２０ｍＷ／ｃｍ２以上に限定しないこと以外は、第一の実施形態と同様の方法でレジストパターン形成工程を行い、図１（ｂ）に示すものと同様のレジストパターン１４を形成する。そして、以降は、第一の実施形態と同様の方法で金属層形成工程及び回路パターン形成工程を行い、図１（ｆ）に示すものと同様の回路パターン１６が形成されたプリント配線板１を得る。
【００５２】
［フォトレジスト層形成時の加熱］
本実施形態においては、基材側及び基材とは反対側の両側から異なる温度で加熱しながら、基材上にフォトレジスト層を形成してもよい。この方法は、例えば、ドライフィルムレジストを用いてフォトレジスト層を形成する場合に好適である。図９は、この時の加熱方法を模式的に示す概略断面図であり、一対の第一の加熱ロール８１及び第二の加熱ロール８２を備えたロール式ラミネータ８を用いた加熱方法を説明するものである。
【００５３】
ここでは、絶縁基材１１に設けられたシード層１２上にドライフィルムレジスト１３’を配置し、これらを一体に、第一の加熱ロール８１及び第二の加熱ロール８２間を通過させて、矢印Ｄ方向に移動させる。これにより、絶縁基材１１とは反対側から第二の加熱ロール８２により温度Ｔｂで加熱することで、ドライフィルムレジスト１３’をシード層１２上にラミネートすると同時に、形成されたフォトレジスト層１３を温度Ｔｂで加熱する。さらにこの時、フォトレジスト層１３を、絶縁基材１１側から第一の加熱ロール８１により温度Ｔａで加熱する。これにより、異なる温度Ｔａ及びＴｂで加熱しながら、基材上にフォトレジスト層１３を形成できる。ここでＴａ及びＴｂは、図８の場合と同様である。このように露光前に加熱することで、図８の場合と同様に、フォトレジスト層１３は、露光前の段階ですでに架橋度に差が生じ、その結果、厚さ方向において、現像前の光化学反応の程度に差が生じると推測される。この方法も、プリベーク（ポストアプライベーク（ＰＡＢ））の変形例と言える。
【００５４】
上記のように加熱した後は、フォトレジスト層の露光時の光量を２０ｍＷ／ｃｍ２以上に限定しないこと以外は、第一の実施形態と同様の方法でレジストパターン形成工程を行い、図１（ｂ）に示すものと同様のレジストパターン１４を形成する。そして、以降は、第一の実施形態と同様の方法で金属層形成工程及び回路パターン形成工程を行い、図１（ｆ）に示すものと同様の回路パターン１６が形成されたプリント配線板１を得る。
【００５５】
［フォトレジスト層の露光後の加熱］
本実施形態において、露光後のフォトレジスト層を上記のように異なる温度で加熱する場合には、例えば、第一の実施形態で、図１（ａ）を参照して説明したように、絶縁基材１１上にシード層１２を設け、シード層１２上にフォトレジスト層１３を設けた後、光量を２０ｍＷ／ｃｍ２以上に限定しないこと以外は、第一の実施形態と同様の方法でフォトレジスト層１３に対して露光を行い、この露光後のフォトレジスト層１３を、絶縁基材１１側及び絶縁基材１１とは反対側の両側から異なる温度で加熱すればよい。この時の加熱方法は、加熱に供するものが露光前のフォトレジスト層ではなく露光後のフォトレジスト層である点を除けば、図８を参照して説明した方法と同様である。このように露光後に加熱することで、フォトレジスト層１３は、露光直後の段階で架橋度に差が生じていなくても、この加熱によって架橋度に差が生じ、その結果、厚さ方向において、現像前の光化学反応の程度に差が生じると推測される。この方法は、ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）の変形例と言える。
【００５６】
上記のように加熱した後は、第一の実施形態と同様の方法でレジストパターン形成工程を行い、図１（ｂ）に示すものと同様のレジストパターン１４を形成する。そして、以降は、第一の実施形態と同様の方法で金属層形成工程及び回路パターン形成工程を行い、図１（ｆ）に示すものと同様の回路パターン１６が形成されたプリント配線板１を得る。
【００５７】
本実施形態は、第一の実施形態と同様の効果を奏するものであり、露光前又は露光後のフォトレジスト層を、基材側及び基材とは反対側の両側から異なる温度で加熱すること以外は、従来と同様の方法でプリント配線板を製造でき、特殊な材料を用いずに、汎用性が高い方法で、レジストパターンの残存を防止しながら、微細な回路パターンを高精度に形成できる。
【実施例】
【００５８】
以下、具体的実施例により、本発明についてさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
【００５９】
［実施例１］
第一の実施形態で図１を参照して説明した方法により、プリント配線板を製造した。
絶縁基材としてポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製「カプトンＥＮ」、厚さ２５μｍ）を用い、その上に、シード層として厚さ０．２μｍのニッケル薄膜及び厚さ２μｍの銅薄膜をこの順にスパッタリング法で成膜した。
次いで、図９に示したものと同様のロール式ラミネータを用い、絶縁基材側に配置された第一の加熱ロール、及び絶縁基材とは反対側に配置された第二の加熱ロールの温度をいずれも１１０℃とし、これら加熱ロールの送り速度を１．０m／分として、アクリル系ネガドライフィルムレジスト（旭化成社製「ＳＵＮＦＯＲＴ  ＵＦＧ−２５２」）を前記銅薄膜上にラミネートすることで、フォトレジスト層を設けた。
次いで、回路の幅が２０μ、回路間のスペースが２０μｍ、回路のピッチが４０μｍである回路パターンを形成するためのフォトマスクを介して、活性光の光量を２１．０ｍＷ／ｃｍ２、活性光の照射時間を５．０秒とした条件で露光を行い、さらに現像を行い、厚さ（高さ）２５μｍのレジストパターンを形成した。
なお、ここで照射した活性光は、超高圧水銀ランプから得られたものであり、その光源光のスペクトルは３６５ｎｍ、すなわち水銀（Ｈｇ）のｉ線近傍に強いピークを有し、さらに３６５ｎｍを含む広帯域に渡ってブロードな発光特性を有するものである。
次いで、電解銅めっき浴（メルテックス社製「ＣＬＸ」）を用いて硫酸銅めっきを行うことで、金属層として銅層を形成し、シード層及び金属層の合計の厚さ（高さ）を２０μｍとした。
次いで、得られたものに、濃度が３．０重量％で温度が５０℃の水酸化ナトリウム水溶液をスプレーして、レジストパターンを剥離させ、除去した。
次いで、硫酸−過酸化水素系の銅ソフトエッチング液を用いて、回路間で露出しているシード層である銅薄膜を除去した後、硝酸−過酸化水素系のニッケルエッチング液を用いて、シード層であるニッケル薄膜を除去することで、回路パターンを形成し、プリント配線板を得た。
次いで、形成した回路パターンをエポキシ系樹脂に埋没させ、この樹脂を硬化させた後、回路パターンの長手方向に対して垂直な断面における回路パターンの形状を観察したい部位において、プリント配線板を切断し、露出した断面を研磨した後、回路パターンの前記断面における形状を、光学顕微鏡を用いて観察した。回路パターンの前記断面における底面の幅（Ｌａ）、上面の幅（Ｌｂ）及び高さ（Ｈｌ）の測定値を表１に示す。また、これら測定値から算出した、回路パターンの前記断面における側面の傾斜角（θｌ）を表１に示す。
【００６０】
［実施例２〜３、比較例１］
表１に示すように、活性光の照射量が実施例１の１０５．０ｍＪ／ｃｍ２か又はその近傍の値となるように、活性光の光量及び照射時間を変更したこと以外は、実施例１と同様にプリント配線板を製造した。結果を表１に示す。
【００６１】
【表１】
2013098424.tif 000003
【００６２】
実施例１〜３では、前記断面において、いずれも裾引き部の無い順台形状の回路パターンを形成でき、レジストパターンの残存が認められなかった。これに対し、比較例１では、裾引き部が無かったものの、レジストパターンの残存が一部で認められた。表１から明らかなように、実施例１〜３の回路パターンでは、側面の傾斜角が２°以上となっており、断面が好ましい形状であったのに対し、比較例１の回路パターンでは、側面の傾斜角が０．６°となっており、断面を順台形状とする効果が不十分であった。
このように、露光時の活性光の照射量が同じであっても、光量を調節することで、レジストパターン及び回路パターンの断面形状を順台形状に調節できること、レジストパターンを残存させずに、容易に除去できるように調節できることが確認できた。
【００６３】
［実施例４］
第二の実施形態で図１を参照して説明した方法により、プリント配線板を製造した。
絶縁基材としてポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製「カプトンＥＮ」、厚さ２５μｍ）を用い、その上に、シード層として厚さ０．２μｍのニッケル薄膜及び厚さ２μｍの銅薄膜をこの順にスパッタリング法で成膜した。
次いで、図９に示したものと同様のロール式ラミネータを用い、絶縁基材側に配置された第一の加熱ロールの温度Ｔａを１１０℃、絶縁基材とは反対側に配置された第二の加熱ロールの温度Ｔｂを１２５℃とし、これら加熱ロールの送り速度を１．０m／分として、アクリル系ネガドライフィルムレジスト（旭化成社製「ＳＵＮＦＯＲＴ  ＵＦＧ−２５２」）を前記銅薄膜上にラミネートすることで、異なる温度で加熱しながら、フォトレジスト層を設けた。
次いで、回路の幅が２０μ、回路間のスペースが２０μｍ、回路のピッチが４０μｍである回路パターンを形成するためのフォトマスクを介して、活性光の光量を１０．１ｍＷ／ｃｍ２、活性光の照射時間を１０．４秒（すなわち、活性光の照射量を１０５．０ｍＪ／ｃｍ２）とした条件で露光を行い、さらに現像を行い、厚さ（高さ）２５μｍのレジストパターンを形成した。
次いで、電解銅めっき浴（メルテックス社製「ＣＬＸ」）を用いて硫酸銅めっきを行うことで、金属層として銅層を形成し、シード層及び金属層の合計の厚さ（高さ）を２０μｍとした。
次いで、得られたものに、濃度が３．０重量％で温度が５０℃の水酸化ナトリウム水溶液をスプレーして、レジストパターンを剥離させ、除去した。
次いで、硫酸−過酸化水素水系の銅ソフトエッチング液を用いて、回路間で露出しているシード層である銅薄膜及びニッケル薄膜を除去し、回路パターンを形成し、プリント配線板を得た。
次いで、形成した回路パターンをエポキシ系樹脂に埋没させ、この樹脂を硬化させた後、回路パターンの長手方向に対して垂直な断面における回路パターンの形状を観察したい部位において、プリント配線板を切断し、露出した断面を研磨した後、回路パターンの前記断面における形状を、光学顕微鏡を用いて観察した。回路パターンの前記断面における底面の幅（Ｌａ）、上面の幅（Ｌｂ）及び高さ（Ｈｌ）の測定値を表２に示す。また、これら測定値から算出した、回路パターンの前記断面における側面の傾斜角（θｌ）を表２に示す。
【００６４】
［実施例５〜６、実験例１］
表２に示すように、絶縁基材側に配置された第一の加熱ロールの温度Ｔａ、及び絶縁基材とは反対側に配置された第二の加熱ロールの温度Ｔｂを変更したこと以外は、実施例４と同様にプリント配線板を製造した。結果を表２に示す。表２には、比較例１の結果もあわせて記載している。
【００６５】
【表２】
2013098424.tif 000004
【００６６】
実施例４〜６では、前記断面において、いずれも裾引き部の無い順台形状の回路パターンを形成でき、レジストパターンの残存が認められなかった。表２から明らかなように、実施例４〜６の回路パターンでは、側面の傾斜角が２°以上となっており、断面が好ましい形状であった。これに対し、上記のように比較例１では、裾引き部が無かったものの、レジストパターンの残存が一部で認められ、回路パターンの側面の傾斜角が０．６°となっており、断面を順台形状とする効果が不十分であった。実験例１では、アクリル系ネガドライフィルムレジストの前記銅薄膜上への密着不良が発生し、回路パターンを形成できなかった。
このように、露光時の活性光の照射量が同じであっても、フォトレジスト層の加熱方法を調節することで、レジストパターン及び回路パターンの断面形状を順台形状に調節できること、レジストパターンを残存させずに、容易に除去できるように調節できることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、電子機器及び電子部品、特に小型のプリント配線板を備えた電子機器及び電子部品の製造に利用可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１・・・プリント配線板、１１・・・絶縁基材、１２・・・シード層、１３・・・フォトレジスト層、１４，２４・・・レジストパターン、１４ａ・・・レジストパターンの底面、１４ｂ・・・レジストパターンの上面、１４０・・・レジストパターンの開口部、１５・・・金属層、１６・・・回路パターン、１６ａ・・・回路パターンの底面、１６ｂ・・・回路パターンの上面、１６ｃ・・・回路パターンの側面、Ｗａ・・・レジストパターンの底面の幅、Ｗｂ・・・レジストパターンの上面の幅、Ｌａ・・・回路パターンの底面の幅、Ｌｂ・・・回路パターンの上面の幅、Ｈｌ・・・回路パターンの高さ、θｌ・・・回路パターンの側面と絶縁基材の表面に対して垂直な方向とのなす角度
【図１】
2013098424.tif 000005
【図２】
2013098424.tif 000006
【図３】
2013098424.tif 000007
【図４】
2013098424.tif 000008
【図５】
2013098424.tif 000009
【図６】
2013098424.tif 000010
【図７】
2013098424.tif 000011
【図８】
2013098424.tif 000012
【図９】
2013098424.tif 000013
【図１０】
2013098424.tif 000014
【図１１】
2013098424.tif 000015
【図１２】
2013098424.tif 000016
【図１３】
2013098424.tif 000017
【図１４】
2013098424.tif 000018
【図１５】
2013098424.tif 000019