(57)【要約】【課題】光学性能に優れた露光装置及び基板処理装置を提供すること。【解決手段】マスクに形成されたパターンの露光光による像をシート状の基板に投影して基板を露光する露光装置であって、基板のうち像を投影させる部分を湾曲させるように基板を支持する湾曲形成部が設けられた基板支持装置と、基板の湾曲部分に対応させて露光光の光路長を調整する調整部材とを備える。【選択図】図１
2013218156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに形成されたパターンの露光光による像をシート状の基板に投影して前記基板を露光する露光装置であって、
前記基板のうち前記像を投影させる部分を湾曲させるように前記基板を支持する湾曲形成部が設けられた基板支持装置と、
前記基板の湾曲部分に対応させて前記露光光の光路長を調整する調整部材と
を備える露光装置。
【請求項２】
前記調整部材は、前記露光光の進行方向において前記マスクの下流側に設けられている
請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記像を前記基板に投影する投影光学系を更に備え、
前記調整部材は、前記マスクに近接する第１位置、及び、前記投影光学系における前記第１位置と共役な第２位置のうち少なくとも一方に配置されている
請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記像を前記基板に投影する投影光学系を更に備え、
前記投影光学系は、前記マスクと前記基板との間の中間結像位置で前記露光光を結像させるように形成され、
前記調整部材は、前記露光光の光路において前記中間結像位置を挟む位置に配置されている
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記調整部材は、シリンドリカル面を有する
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記調整部材は、平板状に形成されると共に、前記湾曲部分に対応するように前記露光光の屈折率の分布が形成されている
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記マスクは、シート状に形成され、
前記マスクを取り外し可能に保持する回転体を有するマスク保持装置を更に備える
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記マスクは、平板状に形成されている
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記湾曲形成部は、前記基板を支持する凸部を有する
請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記湾曲形成部は、前記基板を支持する凹部を有する
請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記基板支持装置は、前記基板を案内する案内ローラーを有し、
前記湾曲形成部は、前記案内ローラーの表面の一部である
請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
基板を搬送する基板搬送部と、
前記基板を処理する基板処理部と、を備え、
前記基板処理部は、請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の露光装置を有する
基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ装置などの表示装置を構成する表示素子として、例えば液晶表示素子、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子が知られている。現在、これらの表示素子では、各画素に対応して基板表面に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を形成する能動的素子（アクティブデバイス）が主流となってきている。
【０００３】
近年では、可撓性を有する基板（例えばフィルム部材など）上に表示素子を形成する技術が提案されている。このような技術として、例えばロール・トゥ・ロール方式（以下、単に「ロール方式」と表記する）と呼ばれる手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。ロール方式では、基板供給側の供給用ローラーに巻かれた帯状の基板を送り出すと共に送り出された基板を基板回収側の回収用ローラーで巻き取りながら基板を搬送する。
【０００４】
基板が送り出されてから巻き取られるまでの間、複数の処理装置により、ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート酸化膜、半導体膜、ソース・ドレイン電極等が形成される。その後、表示素子の他の構成要素が基板上に順次形成される。例えば基板上に有機ＥＬ素子を形成する場合には、発光層や陽極、陰極、電気回路などが基板上に順次形成される。これらの構成要素は、例えばマスクを介した露光光で基板を露光する露光装置などを用いて、例えばフォトリソグラフィ法を用いて形成される場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００６／１００８６８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記のようなロール方式においても、帯状の基板に表示素子を高精度に製造可能とする技術が要望されている。このため、光学性能に優れた露光装置が求められている。
【０００７】
そこで、本発明の態様は、光学性能に優れた露光装置及び基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第一の態様に従えば、マスクに形成されたパターンの露光光による像をシート状の基板に投影して基板を露光する露光装置であって、基板のうち像を投影させる部分を湾曲させるように基板を支持する湾曲形成部が設けられた基板支持装置と、基板の湾曲部分に対応させて露光光の光路長を調整する調整部材とを備える露光装置が提供される。
【０００９】
本発明の第二の態様に従えば、基板を搬送する基板搬送部と、基板を処理する基板処理部と、を備え、基板処理部は、本発明の第一の態様に従う露光装置を有する基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の態様によれば、光学性能に優れた露光装置及び基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第一実施形態に係る露光装置の構成を示す図。
【図２】本実施形態に係る調整機構の原理を説明するための図。
【図３】本発明の第二実施形態に係るデバイス製造システムの構成を示す図。
【図４】本実施形態の変形例に係る露光装置の構成を示す図。
【図５】本実施形態の変形例に係る露光装置の構成を示す図。
【図６】本実施形態の変形例に係る露光装置の構成を示す図。
【図７】本実施形態の変形例に係る露光装置の構成を示す図。
【図８】本実施形態の変形例に係る露光装置の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［第一実施形態］  
以下、図面を参照して、本発明の第一実施形態を説明する。  
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの構成を示す図である。  
図１に示すように、露光装置ＥＸは、照明ユニットＩＵと、マスクステージＭＳＴと、投影光学系ＰＬと、基板ステージＳＳＴと、制御装置とを有している。露光装置ＥＸは、マスクＭに形成されたパターンＰの露光光ＥＬＩによる像Ｉｍを、シート状の基板Ｓに投影する。
【００１３】
図１において、直交座標系ＸＹＺは、マスクＭのパターン形成面ＭａがＸＺ面と垂直となるように設定され、基板Ｓの搬送方向（長尺方向）と直交する幅方向がＹ方向に設定されるものとする。なお、その基板Ｓは、予め所定の前処理によって、その表面を改質して活性化したもの、或いは、表面に精密パターニングの為の微細な隔壁構造（凹凸構造）を形成したものでも良い。
【００１４】
基板Ｓとしては、例えば樹脂フィルムやステンレス鋼などの箔（フォイル）を用いることができる。例えば、樹脂フィルムは、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂、などの材料を用いることができる。
【００１５】
基板Ｓは、例えば２００℃程度の熱を受けても寸法が変わらないように熱膨張係数が小さい方が好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくすることができる。無機フィラーの例としては、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素などが挙げられる。また、基板Ｓはフロート法等で製造された厚さ１００μｍ程度の極薄ガラスの単体、或いはその極薄ガラスに上記樹脂フィルムやアルミ箔を貼り合わせた積層体であっても良い。
【００１６】
基板Ｓの幅方向（短尺方向）の寸法は例えば１ｍ〜２ｍ程度に形成されており、長さ方向（長尺方向）の寸法は例えば１０ｍ以上に形成されている。勿論、この寸法は一例に過ぎず、これに限られることは無い。例えば基板ＳのＹ方向の寸法が５０ｃｍ以下であっても構わないし、２ｍ以上であっても構わない。また、基板ＳのＸ方向の寸法が１０ｍ以下であっても構わない。
【００１７】
基板Ｓは、可撓性を有するように形成されている。ここで可撓性とは、基板に自重程度の力を加えても線断したり破断したりすることはなく、該基板を撓めることが可能な性質をいう。また、自重程度の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。また、上記可撓性は、該基板の材質、大きさ、厚さ、又は温度などの環境、等に応じて変わる。なお、基板Ｓとしては、１枚の帯状の基板を用いても構わないが、複数の単位基板を接続して帯状に形成される構成としても構わない。
【００１８】
照明ユニットＩＵは、マスクＭに対して露光光ＥＬＩを照明する。本実施形態では、マスクＭとして、平板上のマスクＭが用いられている。当該マスクＭのパターン形成面（物体面）Ｍａには、所定のパターンＰが形成されている。マスクＭとしては、照明ユニットＩＵからの露光光ＥＬＩを透過する透過型マスクが用いられているが、これに限られず、照明ユニットＩＵからの露光光ＥＬＩを反射する反射型マスクが用いられても良い。
【００１９】
マスクステージＭＳＴは、マスクＭを保持して移動可能である。マスクステージＭＳＴは、パターン形成面Ｍａに沿ってマスクＭを移動させる駆動機構（不図示）を有している。マスクステージＭＳＴがマスクＭを移動させることにより、パターンＰの全体に対して露光光ＥＬＩが走査される。
【００２０】
投影光学系ＰＬは、マスクＭに形成されたパターンＰの像を基板Ｓに投影するレンズ３１〜レンズ３４を有している。投影光学系ＰＬとしては、例えばマスクＭに形成されたパターンＰの像を拡大して投影する拡大光学系（すなわち、投影倍率として拡大倍率を有する光学系）が用いられている。また、投影光学系ＰＬは、中間結像３６を有し、中間結像の倍率が基板Ｓの像に対して縮小倍率となっている。
【００２１】
基板ステージＳＳＴは、投影光学系ＰＬによってパターンＰの像が投影される各投影領域ＰＡを経由するように基板Ｓを搬送する。基板ステージＳＳＴは、基板支持ローラー８０を有している。また、基板ステージＳＳＴは、基板支持ローラー８０をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動させると共に、θＹ方向に回転させる駆動部８１を有している。
【００２２】
基板ステージＳＳＴは、基板支持ローラー８０は、円筒状に形成されており、投影光学系ＰＬによるパターンＰの像の投影領域ＰＡに対応した位置に配置されている。基板支持ローラー８０の外周面は、基板Ｓを支持する支持面８０ａとなっている。なお、基板支持ローラー８０には図示しないエアベアリング機構が設けられており、このエアベアリング機構によって基板Ｓを支持面８０ａ上に非接触に支持する構成としても良い。
【００２３】
本実施形態では、上記構成の露光装置ＥＸのうち投影光学系ＰＬにおいて、投影像（パターンＰの像）の投影位置を、支持面８０ａに支持される基板Ｓの表面Ｓａに沿った方向へ調整可能な調整機構３５が設けられている。調整機構３５は、露光光ＥＬＩのＸ方向における光路長を調整する。
【００２４】
本実施形態のように円筒状に形成された支持面８０ａに支持された基板Ｓの表面Ｓａは円筒面に配置されている。一方、マスクＭは平面状に形成されており、パターンＰは平面状に配置されている。したがって、マスクＭのパターンＰの像Ｉｍを当該基板Ｓの表面Ｓａに投影する場合、支持面８０ａに支持される基板Ｓの表面Ｓａに沿った方向へ像Ｉｍを調整する必要がある。
【００２５】
図２は、像Ｉｍを調整する原理を説明するための図である。  
図２に示すように、曲率半径Ｒの円筒面５１を設定し、当該円筒面５１に接する平面５２を設定した場合、平面５２上のうち接点５３から距離Ｈだけ離れた位置５４から円筒面５１までの距離Ｌは、  
Ｌ＝Ｒ−√（Ｒ２−Ｈ２）  
である。
【００２６】
よって、平面５２のうち接点５３から位置５４までの間を通る光線に距離Ｌに等しい光路差（光路差Ｌ）が生じるように投影光学系ＰＬを構成すれば、円筒面として配置された基板Ｓの表面Ｓａに対して良好な光学性能でパターンＰの像Ｉｍを投影可能となる。そこで、本実施形態では、投影光学系ＰＬに調整機構３５を配置させている。
【００２７】
このような調整機構３５として、本実施形態では、例えば露光光ＥＬＩを透過可能であると共に、曲率方向（Ｘ方向）に光屈折率分布を有する光屈折部材３７が用いられている。光屈折部材３７は、露光光ＥＬＩの進行方向においてマスクＭの下流側に設けられている。当該光屈折部材３７は、投影光学系ＰＬのうち物体面（パターン形成面Ｍａ）と共役位置の近傍に配置されている。この場合、光屈折部材３７のＸ方向の光屈折率分布が上記光路差を有するような光屈折率分布であれば、パターンＰの像面が円筒面を形成することになる。なお、光屈折部材３７は、投影光学系ＰＬのうち当該光屈折部材３７と共役位置である位置３９に配置された構成であっても良い。
【００２８】
以上のように、本実施形態によれば、マスクＭに形成されたパターンＰの露光光ＥＬＩによる像Ｉｍをシート状の基板Ｓに投影して基板Ｓを露光する露光装置ＥＸであって、基板Ｓのうち像Ｉｍを投影させる投影領域ＰＡを湾曲させるように基板Ｓを支持する支持面８０ａが設けられた基板支持ローラー８０と、基板Ｓの湾曲部分に対応させて露光光ＥＬＩの光路長を調整する調整機構３５とを備えるので、当該調整機構３５によって、基板Ｓの形状に対応するようにパターンＰの像Ｉｍを調整することができる。これにより、光学性能に優れた露光装置ＥＸを実現できる。
【００２９】
［第二実施形態］  
次に、本発明の第二実施形態を説明する。  
本実施形態では、上記第一実施形態に記載の露光装置ＥＸを備えるデバイス製造システムについて説明する。図３は、本実施形態のデバイス製造システム（フレキシブル・ディスプレー製造ライン）の一部の構成を示す図である。ここでは、供給ロールＦＲ１から引き出された可撓性の基板Ｓ（シート、フィルム等）が、順次、ｎ台の処理装置Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４，Ｕ５，・・・Ｕｎを経て、回収ロールＦＲ２に巻き上げられるまでの例を示している。
【００３０】
図３において、直交座標系ＸＹＺは、基板Ｓの表面（又は裏面）がＸＺ面と垂直となるように設定され、基板Ｓの搬送方向（長尺方向）と直交する幅方向がＹ方向に設定されるものとする。なお、その基板Ｓは、予め所定の前処理によって、その表面を改質して活性化したもの、或いは、表面に精密パターニングの為の微細な隔壁構造（凹凸構造）を形成したものでも良い。
【００３１】
供給ロールＦＲ１に巻かれている基板Ｓは、ニップされた駆動ローラーＤＲ１によって引き出されて処理装置Ｕ１に搬送されるが、基板ＳのＹ方向（幅方向）の中心はエッジポジションコントローラーＥＰＣ１によって、目標位置に対して±十数μｍ〜数十μｍ程度の範囲に収まるようにサーボ制御される。
【００３２】
処理装置Ｕ１は、印刷方式で基板Ｓの表面に感光性機能液（フォトレジスト、感光性カップリング材、ＵＶ硬化樹脂液等）を、基板Ｓの搬送方向（長尺方向）に関して連続的又は選択的に塗布する塗布装置である。処理装置Ｕ１内には、基板Ｓが巻き付けられる圧胴ローラーＤＲ２、この圧胴ローラーＤＲ２上で、基板Ｓの表面に感光性機能液を一様に塗布する為の塗布用ローラー等を含む塗布機構Ｇｐ１、基板Ｓに塗布された感光性機能液に含まれる溶剤または水分を急速に除去する為の乾燥機構Ｇｐ２等が設けられている。
【００３３】
処理装置Ｕ２は、処理装置Ｕ１から搬送されてきた基板Ｓを所定温度（例えば、数１０℃〜１２０℃程度）まで加熱して、表面に塗布された感光性機能層を安定に定着する為の加熱装置である。処理装置Ｕ２内には、基板Ｓを折返し搬送する為の複数のローラーとエア・ターン・バー、搬入されてきた基板Ｓを加熱する為の加熱チャンバー部ＨＡ１、加熱された基板Ｓの温度を、後工程（処理装置Ｕ３）の環境温度と揃うように下げる為の冷却チャンバー部ＨＡ２、ニップされた駆動ローラーＤＲ３等が設けられている。
【００３４】
処理装置Ｕ３は、処理装置Ｕ２から搬送されてきた基板Ｓの感光性機能層に対して、ディスプレイ用の回路パターンや配線パターンに対応した紫外線のパターニング光を照射する露光装置ＥＸである。処理装置Ｕ３内には、基板ＳのＹ方向（幅方向）の中心を一定位置に制御するエッジポジションコントローラーＥＰＣ、ニップされた駆動ローラーＤＲ４、所定のテンションでＸ方向に搬送される基板Ｓの裏面をエアベアリングの層で平面支持する基板搬送装置ＳＴ、及び、基板Ｓに所定の弛み（あそび）ＤＬを与える為の２組の駆動ローラーＤＲ６、ＤＲ７等が設けられている。
【００３５】
図３の処理装置Ｕ４は、処理装置Ｕ３から搬送されてきた基板Ｓの感光性機能層に対して、湿式による現像処理、無電解メッキ処理等を行なうウェット処理装置である。処理装置Ｕ４内には、Ｚ方向に階層化された３つの処理槽ＢＴ１、ＢＴ２、ＢＴ３と、基板Ｓを折り曲げて搬送する複数のローラーと、ニップされた駆動ローラーＤＲ８等が設けられている。
【００３６】
処理装置Ｕ５は、処理装置Ｕ４から搬送されてきた基板Ｓを暖めて、湿式プロセスで湿った基板Ｓの水分含有量を所定値に調整する加熱乾燥装置であるが、詳細は省略する。その後、幾つかの処理装置を経て、一連のプロセスの最後の処理装置Ｕｎを通った基板Ｓは、ニップされた駆動ローラーＤＲ１を介して回収ロールＦＲ２に巻き上げられる。その巻上げの際も、基板ＳのＹ方向（幅方向）の中心、或いはＹ方向の基板端が、Ｙ方向にばらつかないように、エッジポジションコントローラーＥＰＣ２によって、駆動ローラーＤＲ１と回収ロールＦＲ２のＹ方向の相対位置が逐次補正制御される。
【００３７】
上位制御装置５は、製造ラインを構成する各処理装置Ｕ１〜Ｕｎの運転を統括制御するものであり、各処理装置Ｕ１〜Ｕｎにおける処理状況や処理状態の監視、処理装置間での基板Ｓの搬送状態のモニター、事前・事後の検査・計測の結果に基づくフィードバック補正やフィードフォワード補正等も行なう。
【００３８】
本実施形態で使用される基板Ｓは、例えば、樹脂フィルム、ステンレス鋼等の金属又は合金からなる箔（フォイル）等である。樹脂フィルムの材質は、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂のうち１又は２以上を含む。
【００３９】
基板Ｓは、各種の処理工程において受ける熱による変形量が実質的に無視できるように、熱膨張係数が顕著に大きくないものを選定するのが望ましい。熱膨張係数は、例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合することによって、プロセス温度等に応じた閾値よりも小さく設定されていてもよい。無機フィラーは、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素等でもよい。また、基板Ｓは、フロート法等で製造された厚さ１００μｍ程度の極薄ガラスの単層体であってもよいし、この極薄ガラスに上記の樹脂フィルム、箔等を貼り合わせた積層体であってもよい。
【００４０】
本実施形態のデバイス製造システム１は、デバイス（ディスプレーパネル等）製造のための各種の処理を、基板Ｓに対して繰り返し、或いは連続して実行する。各種の処理が施された基板Ｓは、デバイスごとに分割（ダイシング）されて、複数個のデバイスになる。基板Ｓの寸法は、例えば、幅方向（短尺となるＹ方向）の寸法が１０ｃｍ〜２ｍ程度であり、長さ方向（長尺となるＸ方向）の寸法が１０ｍ以上である。
【００４１】
以上のように、本実施形態によれば、光学性能に優れた露光装置ＥＸが搭載されているので、帯状の基板Ｓに表示素子を高精度に製造可能となる。
【００４２】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態においては、調整機構３５が投影光学系ＰＬのうち物体面（パターン形成面Ｍａ）と共役位置の近傍に配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。
【００４３】
例えば、図４に示すように、調整機構３５を中間結像３６の近傍に配置した構成であっても良い。この場合、調整機構３５としては、上記実施形態と同様、Ｘ方向に光屈折率の分布が形成された光屈折部材３７が配置されている。当該光屈折部材３７は、基板Ｓの表面ＳａにおいてパターンＰの像面が円筒面となるような光路差Ｌが形成されるように、中間結像３６の位置において所定の光路差を発生させる構成である。
【００４４】
また、例えば図５に示すように、調整機構３５として凹シリンドリカルレンズ３８を中間結像３６の近傍に配置した構成であっても良い。この場合、凹シリンドリカルレンズ３８は、基板Ｓの表面ＳａにおいてパターンＰの像面が円筒面となるような光路差Ｌが形成されるように、中間結像３６の位置において所定の光路差を発生させる構成である。
【００４５】
また、例えば図６に示すように、調整機構３５として凹面鏡４３を中間結像３６の近傍に配置した構成であっても良い。図６に示す構成では、投影光学系ＰＬは、ダイクロイックプリズム４１、レンズ３２、凹面鏡４２、凹面鏡４３、レンズ３３及びレンズ３４を有しており、露光光ＥＬＩが第一中間結像３６ａ及び第二中間結像３６ｂの２つの中間結像３６を結ぶように構成されている。この投影光学系ＰＬにおいて、凹面鏡４３は第一中間結像３６ａの近傍に配置されている。
【００４６】
照明ユニットＩＵからの露光光ＥＬＩは、ダイクロイックプリズム４１を介してレンズ３２に入射し、当該レンズ３２を透過する。この露光光ＥＬＩは、凹面鏡４２によって反射され、再度レンズ３２を透過し、中間結像３６の近傍に配置された凹面鏡４３に到達する。
【００４７】
凹面鏡４３に到達した露光光ＥＬＩは、当該凹面鏡４３の近傍で第一中間結像３６ａを形成する。その後、露光光ＥＬＩは、凹面鏡４３によって反射され、レンズ３２を透過し、凹面鏡４２によって反射され、レンズ３２を再度透過して、ダイクロイックプリズム４１を透過する。ダイクロイックプリズム４１を透過した露光光ＥＬＩは、第二中間結像３６ｂを形成する。その後、露光光ＥＬＩは、レンズ３３及びレンズ３４を介して基板Ｓの表面Ｓａの投影領域ＰＡに投影される。
【００４８】
この構成においては、凹面鏡４３は、基板Ｓの表面ＳａにおいてパターンＰの像面が円筒面となるような光路差Ｌが形成されるように、第一中間結像３６ａの位置において所定の光路差を発生させる構成である。なお、図６に示す構成においては、第一中間結像３６ａの近傍のみに調整機構３５（凹面鏡４３）が設けられた構成としたが、これに限られることは無い。例えば、第二中間結像３６ｂの近傍に別途調整機構３５が設けられた構成であってよい。この場合、全ての調整機構３５における調整量の合計値が上記光路差Ｌとなるように、各調整機構３５を設計すれば良い。
【００４９】
また、例えば図７に示すように、１つの中間結像３６に対して複数の調整機構３５を配置させる構成であっても良い。図７に示す構成においては、調整機構３５として、第一光屈折部材３７ａ及び第二光屈折部材３７ｂが設けられている。第一光屈折部材３７ａ及び第二光屈折部材３７ｂは、露光光ＥＬＩの進行方向において中間結像３６を挟む位置に配置されている。なお、図７では、反射型のマスクＭを取り外し可能に保持する回転体５５を有するマスクステージＭＳＴが設けられている。したがって、露光装置ＥＸは、当該マスクステージＭＳＴによって凸形状に保持された反射型のマスクＭのパターンＰを、凸形状の支持面８０ａに支持された基板Ｓの表面Ｓａに投影する構成となっている。この場合、上記光路差Ｌは、平板状のパターンＰを凸形状の基板Ｓの表面Ｓａに投影する場合の光路差Ｌよりも大きくする必要がある。このような場合に、複数の調整機構３５を配置することにより、収差を低減しつつパターンＰの像面を円筒面に形成することができる。なお、図７に示す構成においては、例えば第一光屈折部材３７ａによって中間結像３６の像面が平面になるように光路差を発生させると共に、第二光屈折部材３７ｂによって基板Ｓの表面Ｓａに対応する円筒面が形成されるように光路差を発生させる構成とすることができる。
【００５０】
また、上記実施形態においては、基板Ｓが凸形状に支持された場合の構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば図８に示すように、基板Ｓが凹形状に支持された場合においても、調整機構３５を配置することができる。この場合、調整機構３５は、パターンＰの像面が凹面となるような光路差Ｌを発生させる構成とすれば良い。
【符号の説明】
【００５１】
ＥＸ…露光装置  ＰＬ…投影光学系  ＳＳＴ…基板ステージ  Ｍ…マスク  Ｐ…パターン  ＥＬＩ…露光光  Ｉｍ…像  Ｓ…基板  Ｍａ…パターン形成面  ＰＡ…投影領域  Ｓａ…表面  １…デバイス製造システム  ３５…調整機構  ３６…中間結像  ３６ａ…第一中間結像  ３６ｂ…第二中間結像  ３７…光屈折部材  ３７ａ…第一光屈折部材  ３７ｂ…第二光屈折部材  ３８…凹シリンドリカルレンズ  ３９…位置  ４１…ダイクロイックプリズム  ４３…凹面鏡  ５５…回転体  ８０…基板支持ローラー
【図１】
2013218156.tif 000003
【図２】
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【図３】
2013218156.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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