(57)【要約】【課題】ＩＣドライバが接続された表示装置において、特に最外部に位置するＩＣ用端子とＩＣドライバの接続の信頼性を向上させる。【解決手段】ＴＦＴ基板１００の端子領域には、ＩＣ用端子１１０とフレキシブル配線基板用端子１３０が形成されている。ＩＣ用端子１１０は所定のピッチで複数形成されている。最外部のＩＣ用端子１１０は図示しない保護絶縁膜をエッチングする際のローディング効果によって、他のＩＣ用端子１１０に比べて信頼性が低下する。これを防止するために、最外部のＩＣ用端子１１０の外側にダミー端子１２０を形成し、最外部のＩＣ用端子１１０のローディング効果を他のＩＣ用端子と同様にする。これによって最外部のＩＣ用端子１１０の信頼性の低下を防止する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成された表示領域と端子領域を有するＴＦＴ基板の端子領域にＩＣドライバが接続された表示装置であって、
前記端子領域には、ＩＣドライバと接続するためのＩＣ用端子が形成され、
前記ＩＣドライバは前記ＩＣ用端子と接続するためのバンプを有し、
前記ＩＣ用端子は所定のピッチによって複数形成され、前記複数のＩＣ用端子の最外部に位置するＩＣ用端子の外側には、表示領域の配線とは接続しないダミー端子が形成されており、前記最外部に位置するＩＣ用端子の内側には、前記ダミー端子が形成されていないことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記ダミー端子には前記ＩＣドライバの前記バンプが接続していないことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記ダミー端子は、少なくとも絶縁膜に形成されたスルーホールを含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記ダミー端子は、前記スルーホールを覆うＩＴＯを含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ダミー端子は、前記スルーホールには端子金属が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記ＩＣ用端子間のピッチと、前記最外部のＩＣ用端子と前記ダミー端子とのピッチは異なることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記最外部のＩＣ用端子と前記ダミー端子とのピッチは１０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣドライバをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）によって接続する場合の、接続の信頼性を向上させた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にブラックマトリクスあるいはオーバーコート膜等が形成された対向基板が設置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、ＴＶ等の大型表示装置から、携帯電話やＤＳＣ（Digital Still Camera）等、色々な分野で用途が広がっている。液晶表示パネルに外部から電力や信号を供給するために、ＴＦＴ基板の端子部にフレキシブル配線基板を接続している。また、小型の液晶表示装置においては、ＩＣドライバをＣＯＧによってＴＦＴ基板に直接接続することが行われている。そして、フレキシブル配線基板をＴＦＴ基板に接続する場合も、ＩＣドライバをＣＯＧによってＴＦＴ基板に接続する場合も、ＡＳＣ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）が用いられることが多い。ＡＳＣは樹脂フィルム中に導電性の粒子を有し、この導電性粒子がＴＦＴ基板に形成された端子部とフレキシブル配線基板、あるいは、ＩＣドライバとの導通を取っている。
【０００４】
端子は、表示領域から延在してきたゲート線あるいはドレイン線の部分において、保護膜であるゲート絶縁膜あるいはパッシベーション膜にスルーホールを形成し、その部分を導電性金属酸化物によって覆うことによって形成されている。「特許文献１」には、端子のスルーホールとスルーホールとの間に導電性ビーズが存在する場合、この導電性ビーズがスルーホールに存在する導電性ビーズとフレキシブル配線基板との接続を妨げることを防止するために、端子と端子の間にダミーのスルーホールを形成する構成が記載されている。すなわち、端子と端子の間にダミーのスルーホールを形成することによって、導電性ビーズがこのダミーのスルーホールに入り込んで、端子における導電性ビーズの導通を阻害することを防止することが出来る。したがって、「特許文献１」に記載のダミーのスルーホールは、各端子の両側に形成することが必須である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２２１５４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
小型の液晶表示装置においては、ＩＣドライバをＣＯＧによってＴＦＴ基板に直接接続することが行われている。ＣＯＧはＴＦＴ基板に形成された端子にＡＳＣを介してＩＣドライバのバンプを圧着する接続方法である。図１５および図１６は、ゲート配線が端子まで延在したゲート端子金属を端子として用いる場合の平面図および断面図である。図１５は、ゲート線を端子金属として用いたゲート端子金属の例である。ドレイン線を端子金属として用いる場合もあるが、以下の説明では、ゲート線を端子金属として用いた例を説明し、以後断らない限りゲート端子金属を単に端子金属と呼ぶ。
【０００７】
表示領域から延在したゲート線はゲート絶縁膜および無機パッシベーション膜によって覆われている。端子部において、ゲート絶縁膜、無機パッシベーション膜等の保護膜をエッチングによってスルーホールを形成し、端子金属を露出させる。そしてこの露出した部分をＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等金属酸化物導電膜によって覆い、ＩＣドライバのバンプと接続して導通をとる。
【０００８】
図１５において、スルーホールの幅は、最外部の幅ｗ２が内側のスルーホールの幅ｗ１よりも大きくなっている。これはローディング効果とよばれており、スルーホールの存在に密度の疎密があると、スルーホールの存在が疎の部分においてエッチングが早く進む現象である。つまり、最外部のスルーホールでは、片側にスルーホールが存在していないので、保護膜のエッチングが早くなり、スルーホールの幅が大きくなる。
【０００９】
図１６は図１５のＥ−Ｅ断面図である。図１５において、端子金属はＡｌ合金の上にキャップメタルが配置された構造になっている。キャップメタルはＭｏＣｒあるいはＭｏＷによって形成されており、仮に水分や酸素がＩＴＯのピンホール等を通して侵入してきても、下層のＡｌ合金を保護することが出来る。なお、Ａｌ合金はＡｌＣｕあるいはＡｌＮｄ等によって形成され、導電率は高いが、水分等に対する安定性は低い。
【００１０】
図１６において、端子金属の部分において、保護膜であるゲート絶縁膜および無機パッシベーション膜にスルーホールが形成されている。スルーホールの幅は最外部の端子の幅ｗ２が内側の端子の幅ｗ１よりも大きい。さらに、スルーホールをエッチングするさい、キャップ金属もエッチング液によって若干エッチングされる。最外部の端子においては、エッチング速度が速いために、保護膜である絶縁膜のみでなく、端子金属のキャップメタルもエッチングされる。
【００１１】
スルーホールが形成されたあと、端子金属は図示しないＩＴＯ等によって被覆されるが、ＩＴＯにピンホール等が存在すると、水分や酸素が浸入する。最外部の端子のように、キャップメタルが絶縁物のエッチング液によって除去されてしまうと、Ａｌ合金がむき出しになり、ＩＴＯのピンホールから侵入した水分等によってＡｌ合金が侵され、導通不良を引き起こす。
【００１２】
つまり、従来のＩＣドライバ用端子部の構成では、最外部における端子の信頼性が問題となっていた。本発明の課題は、最外部の端子の信頼性を他の部分の端子の信頼性と同等とすることによって、液晶表示装置等の表示装置の信頼性を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は上記課題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１４】
（１）ＴＦＴを含む画素がマトリクス状に形成された表示領域と端子領域を有するＴＦＴ基板の端子領域にＩＣドライバが接続された表示装置であって、前記端子領域には、ＩＣドライバと接続するためのＩＣ用端子が形成され、前記ＩＣドライバは前記ＩＣ用端子と接続するためのバンプを有し、前記ＩＣ用端子は所定のピッチによって複数形成され、前記複数のＩＣ用端子の最外部に位置するＩＣ用端子の外側には、表示領域の配線とは接続しないダミー端子が形成されており、前記最外部に位置するＩＣ用端子の内側には、前記ダミー端子が形成されていないことを特徴とする表示装置。
【００１５】
（２）前記ダミー端子には前記ＩＣドライバの前記バンプが接続していないことを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００１６】
（３）前記ダミー端子は、少なくとも絶縁膜に形成されたスルーホールを含むことを特徴とする（２）に記載の表示装置。
【００１７】
（４）前記ダミー端子は、前記スルーホールを覆うＩＴＯを含むことを特徴とする（３）に記載の表示装置。
【００１８】
（５）前記ダミー端子は、前記スルーホールには端子金属が形成されていることを特徴とする（４）に記載の表示装置。
【００１９】
（６）前記ＩＣ用端子間のピッチと、前記最外部のＩＣ用端子と前記ダミー端子とのピッチは異なることを特徴とする（２）に記載の表示装置。
【００２０】
（７）前記最外部のＩＣ用端子と前記ダミー端子とのピッチは１０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする（６）に記載の表示装置。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、最外部のＩＣ用端子の外側にダミー端子を形成し、最外部のＩＣ用端子に対しても他のＩＣ用端子と同じローディング効果とするので、最外部のＩＣ用端子に対して、他のＩＣ用端子と同様な信頼性を保つことが出来る。したがって、表示装置の信頼性を向上することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明が適用される液晶表示装置の平面図である。
【図２】ＩＣドライバの裏面斜視図である。
【図３】液晶表示パネルにＩＣドライバを接続した平面図である。
【図４】図１のＡ部の詳細平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ断面図である。
【図６】図３のＢ部詳細図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ断面図である。
【図８】図１のＡ部の詳細平面図の他の例である。
【図９】図８のＣ−Ｃ断面図である。
【図１０】図１のＡ部の詳細平面図のさらに他の例である。
【図１１】図１０のＤ−Ｄ断面図である。
【図１２】ＩＣ用端子の配列の他の例に本発明を適用した例を示す平面図である。
【図１３】ＩＣ用端子の配列のさらに他の例に本発明を適用した例を示す平面図である。
【図１４】ドレイン線を端子金属に使用した場合の断面図である。
【図１５】従来例のＩＣ用端子における問題点を示す平面図である。
【図１６】図１５のＥ−Ｅ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２４】
図１は本発明が適用される液晶表示装置の例である。図１は例えば、携帯電話等に使用される液晶表示装置である。図１における表示領域１６０において、ＴＦＴや画素電極を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板１００にシール材１５０を介してカラーフィルタ等を有する対向基板２００が接着している。ＴＦＴ基板１００と対向電極２００との間には、図示しない液晶層が挟持されている。
【００２５】
ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成されており、ＴＦＴ基板１００が１枚となっている部分は、ドライバＩＣ１０等を接続するＩＣ用端子１１０、外部回路と接続するフレキシブル配線基板用端子１３０等が形成される端子領域となっている。ＩＣ用端子１１０の外側にはダミー端子１２０が形成されている。
【００２６】
ＩＣ用端子１１０にはＩＣ１０のバンプ２０が接続される。図２は、ＩＣ１０を裏面から見た斜視図である。ＩＣ１０の底面には、ＴＦＴ基板１００のＩＣ用端子１１０に対応してバンプ２０が形成されている。図３は、ＩＣ１０を図１に示すＩＣ用端子１１０に接続した状態を示す液晶表示装置の平面図である。図１３において、ＴＦＴ基板１００のＩＣ用端子１１０にはＩＣ１０が接続しており、ＩＣの外側にはダミー端子１２０が形成されている。ダミー端子１２０にはＩＣ１０のバンプ２０は接続されていない。
【００２７】
図４は、図１におけるＡ部を示す平面図である。図４において、最外部のＩＣ用端子１１０の外側にダミー端子１２０が配置している。最外部のＩＣ用端子１１０の内側にはピッチｐによって連続してＩＣ用端子１１０が形成されている。上列のＩＣ用端子１１０には表示領域１６０から配線が延在しており、下列のＩＣ用端子１１０にはフレキシブル配線基板用端子１３０方向に向かって配線が延在している。一方、ダミー端子１２０の端子金属３０は表示領域１６０あるいはフレキシブル配線基板用端子１３０側に延在する配線は存在していない。ダミー端子１２０は、配線接続の役割を有していないからである。
【００２８】
図４において、端子金属３０および配線は図示しないゲート絶縁膜および無機パッシベーション膜によって保護されている。ＩＣ用端子１１０において、ゲート絶縁膜および無機パッシベーション膜はエッチングによってスルーホール６０が形成されている。スルーホール６０を覆って透明導電膜であるＩＴＯ７０が形成されている。ＩＴＯ７０は無機パッシベーション膜の端部の上にまで形成されている。ＩＴＯ７０は、端子金属３０が水分等によって腐食されることを防止する。
【００２９】
図５は、図４のＡ−Ａ断面図である。図５において、端子金属３０は、ＴＦＴ基板１００の上に、Ａｌ合金３１とキャップ金属３２の積層体として形成されている。Ａｌ合金３１は例えば、ＡｌＣｕあるいはＡｌＮｄ合金によって形成され、厚さは１００ｎｍ〜３００ｎｍである。キャップメタル３２は例えば、ＭｏＣｒあるいはＭｏＷによって形成され、厚さは４０ｎｍ〜８０ｎｍである。
【００３０】
端子金属３０の上にはゲート絶縁膜４０および無機パッシベーション膜５０に対するスルーホール６０が形成され、このスルーホール６０を覆ってＩＴＯ７０が形成されている。図５において、最外部のＩＣ用端子１１０の外側にはダミー端子１２０が形成されている。ダミー端子１２０の断面構造は、ＩＣ用端子１１０と同様である。最外部のＩＣ用端子１１０の外側にダミー端子１２０が存在しているので、最外部のＩＣ用端子１１０に対するエッチングにおけるローディング効果は他のＩＣ用端子１１０におけるローディング効果と同じである。したがって、最外部におけるＩＣ用端子１１０のスルーホール６０の径もスルーホール６０におけるキャップメタル３２の状態も他のＩＣ用端子１１０と同様にすることが出来る。
【００３１】
図４および図５において、ＩＣ用端子１１０のピッチはｐであるが、最外部のＩＣ用端子１１０とダミー端子１２０とのピッチはｄである。ダミー端子１２０は最外部のＩＣ用端子１１０のローディング効果を同じにするものであるから、ｄとｐは同じであることが理想であるが、ｄとｐはかならずしも同じである必要は無い。ｄの大きさは、１０μｍ〜１００μｍの範囲に設定することが出来る。１０μｍは、現在の製造プロセスの精度に起因する大きさであり、１００μｍを超えると、ローディング効果を均一にするという目的が十分に達成できないからである。
【００３２】
図６は、図３における領域Ｂの拡大平面図である。ＩＣ１０の外側にダミー端子１２０が存在している。ダミー端子１２０は島状に形成された端子金属３０の上にゲート絶縁膜４０および無機パッシベーション膜５０にスルーホール６０が形成され、スルーホール６０の上をＩＴＯ７０が覆っている構成である。
【００３３】
図７は図６のＢ−Ｂ断面図である。図７において、ＴＦＴ基板１００に形成されたＩＣ用端子１１０とＩＣ１０のバンプ２０とがＡＳＣ９０によって接続している。ＡＳＣ９０中の導電性粒子９１によって、ＩＣ用端子１１０とＩＣ１０のバンプ２０とが電気的導通をとっている。図７に示すように、ＩＣ１０のバンプ２０は、ダミー端子１２０とは接続していない。ダミー端子１２０は、最外部のＩＣ用端子１１０のローディング効果を制御する役割をもつものであり、電気的な導通は必要ないからである。
【００３４】
ダミー端子１２０は、最外部のＩＣ用端子１１０のローディング効果を制御するものであるから、ＩＣ用端子１１０と同じ形状である必要はない。すなわち、保護膜である、ゲート絶縁膜４０および無機パッシベーション膜５０にスルーホール６０を形成するときに、最外部のＩＣ用端子１１０の外側にダミー端子１２０のスルーホール６０を同時に形成するようにすればよい。図８は、ダミー端子１２０に端子金属３０が存在しない例である。ダミー端子１２０は、電気的な接続を取るものではないので、スルーホール６０の下に端子金属３０が存在する必要は無い。
【００３５】
図９は図８のＣ−Ｃ断面図である。図９において、ダミー端子１２０のスルーホール６０の下には端子金属３０は存在していない。ただし、ＩＣ用端子１１０と同様に、ダミー端子１２０のスルーホール６０を覆ってＩＴＯ７０が存在している。図８および図９における最外部のＩＣ用端子１１０とダミー端子１２０とのピッチはｄであり、１０μｍ〜１００μｍである。
【００３６】
図１０はダミー端子１２０をさらに単純化し、端子金属３０とＩＴＯ７０を省略し、スルーホール６０のみを形成した場合である。ローディング効果はゲート絶縁膜４０および無機パッシベーション膜５０にスルーホール６０を形成する場合に問題となるものであるから、ゲート絶縁膜４０および無機パッシベーション膜５０のエッチング時にダミー端子１２０としてスルーホール６０を形成することによってダミー端子１２０の役割を果たすことが出来る。
【００３７】
図１１は、図１０のＤ−Ｄ断面図である。図１１において、ダミー端子１２０にはスルーホール６０が形成されているのみである。図１０および図１１において、ＩＣ用端子１１０のピッチはｐであり、最外部のＩＣ用端子とダミー端子１２０のピッチはｄであり、ｄの値は１０μｍ〜１００μｍである。
【００３８】
図４、８、１０の例は、ＩＣ用端子１１０を並列に配置した例である。図４、８、１０等の端子配置で説明したダミー端子１２０の効果は、ＩＣ用端子１１０が他の配列をとる場合にも同様である。図１２は、ＩＣ用端子１１０がいわゆる千鳥配置をとる場合である。この場合もＩＣ用端子間のピッチはｐであり、最外部のＩＣ用端子とダミー端子のピッチはｄである。ダミー端子１２０の構成は、端子金属３０に配線が接続されておらず、島状の形状である他は、ＩＣ用端子１１０の端子構造と同様である。図１２の例もダミー端子１２０には、ＩＣ１０のバンプ２０は接続されない。
【００３９】
なお、ダミー端子１２０の端子構成は、図１２の場合に限らず、図８で説明したように、端子金属３０が存在しない構成、図１０のように、端子金属３０、ＩＴＯ７０のいずれも存在せず、スルーホール６０のみが存在する場合でもよい。
【実施例２】
【００４０】
実施例１では、ダミー端子１２０は最外部のＩＣ用端子１１０の外側に形成され、ＩＣ１０を接続した場合には、ＩＣ１０のバンプ２０はダミー端子１２０には接続しない構成である。一方、ＩＣ１０の標準品を使用する場合、ＴＦＴ基板１００に形成されたＩＣ用端子１１０は、ＩＣ１０のバンプ２０全てと接続をする必要が無い場合もある。すなわち、ＩＣ１０のバンプ２０の最外部でなく、内側の複数のバンプ２０と対応する箇所において、ＴＦＴ基板１００のＩＣ用端子１１０を形成しない場合がある。このような場合、ＩＣ用端子１１０を形成しない部分における端部のＩＣ用端子１１０はローディング効果が異なることになり、図１５および図１６で説明したような問題が起こりうる。図１３は、この問題を対策する、ＴＦＴ基板１００におけるＩＣ用端子110およびダミー端子１２０の配置例である。
【００４１】
図１３において、両側には、複数のＩＣ用端子１１０がピッチｐで配列しているが、間隔ｑには、ＩＣ用端子１１０は存在しない。そうすると、ＩＣ用端子１１０の存在しない領域と接する端部に存在するＩＣ用端子１１０のローディング効果が他のＩＣ用端子１１０におけるローディング効果と異なることになる。なお、図１３におけるように、ＩＣ用端子１１０の存在しない領域と接する端部に存在するＩＣ用端子１１０も最外部のＩＣ用端子と呼ぶ。
【００４２】
このようなローディング効果違いによる最外部のＩＣ用端子１１０の信頼性の低下を防止するために、本実施例では、最外部のＩＣ用端子１１０の外側にダミー端子１２０を形成している。このダミー端子１２０の構成は、図４で説明したのと同様である。ダミー端子１２０は、図１３における左側の最外部のＩＣ用端子１１０の外側にも右側の最外部のＩＣ用端子１１０の外側にも形成されている。本実施例におけるダミー端子１２０にはＩＣ１０のバンプ２０は接続される。ＩＣ用端子１１０のピッチはｐであり、最外部のＩＣ用端子１１０とダミー端子１２０のピッチはｄである。ｄは１０μｍから１００μｍである。理由は実施例１で説明したのと同様である。
【００４３】
また、図１３におけるダミー端子１２０も、図８あるいは図１０の端子構造でもよい。ダミー端子１２０の存在は、最外部のＩＣ用端子１１０のローディング効果を制御するのが目的だからである。
【００４４】
実施例１および実施例２におけるダミー端子１２０のスルーホール６０の径は、図４、８、１０、１２、１３等では、明記してないが、一般には、ＩＣ用端子１１０のスルーホール６０の径よりも大きい。ダミー端子１２０は最外に位置しているので、ローディング効果の違いによってスルーホール６０の径が大きくなるからである。また、ダミー端子１２０において、ローディング効果の違いによって、エッチングが過大になることによって、端子金属３０のキャップメタル３２が一部消失する場合もある。しかし、表示装置の特性には問題は無い。
【００４５】
以上の説明では、ゲート線を端子金属３０として用いた例を説明した。しかし、本発明は、ドレイン線を端子金属３０として用いた場合にも適用することが出来る。図１４はドレイン線を端子金属３０として用いた場合の端子の断面図である。図１４において、ＴＦＴ基板１００の上にゲート絶縁膜４０が形成され、ゲート絶縁膜４０の上に端子金属８０が形成されている。この場合の端子金属８０は、ドレイン線と同じ構成であり、Ａｌ合金３１の下にベースメタル８３が形成され、Ａｌ合金の上にキャップメタル８２が形成されている。Ａｌ合金８１は例えば、ＡｌＣｕあるいはＡｌＮｄ等によって形成され、厚さは６０〜２００ｎｍである。ベースメタル８３は例えば、ＭｏＣｒあるいはＭｏＷによって形成され、厚さは２０〜４０ｎｍである。キャップメタル８２は例えば、ＭｏＣｒあるいはＭｏＷによって形成され、厚さは４０〜８０ｎｍ程度である。
【００４６】
このような端子金属８０を覆って無機パッシベーション膜５０が形成され、端子金属８０の部分の無機パッシベーション膜５０に対してスルーホール６０が形成される。このスルーホール６０を覆ってＩＴＯ７０が形成される。スルーホール６０を形成するとき、最外部のＩＣ用端子１１０がローディング効果の差によって他のＩＣ用端子１１０のスルーホール６０よりも大きく形成されること、あるいは、端子金属８０のキャップメタル８２が無機パッシベーション膜５０のエッチング時に消失して、Ａｌ合金８１が露出する場合があることは、ゲート線による端子金属３０の場合と同様である。したがって、最外部のＩＣ用端子１１０の外側にダミー端子１２０を形成することによって、全部のＩＣ用端子１１０の信頼性を向上させることが出来る。
【００４７】
なお、図４、図８、図１０、図１２、図１３等から明らかなように、本願発明の構成では、最外部のＩＣ用端子１１０の内側にはダミー端子１２０は形成されていない。
【００４８】
以上の説明は液晶表示装置に本発明を適用する場合について主に行ってきた。しかし、本発明は、液晶表示装置のみでなく、有機ＥＬ表示装置についても適用することが出来る。有機ＥＬ表示装置は、スイッチング素子としてのＴＦＴや発光素子としての有機ＥＬ層を有する画素がマトリクス状に形成された素子基板（ＴＦＴ基板）に、有機ＥＬ素子を水分等から保護するために封止基板（対向基板）が、封止材を介して接着している。そして、素子基板（ＴＦＴ基板）には、ＩＣドライバを接続するためのＩＣ用端子が形成されている。したがって、ＩＣドライバを接続する基本的な構成は液晶表示装置と同様であり、以上で述べた本発明は有機ＥＬ表示装置にも適用することが出来る。
【符号の説明】
【００４９】
１０…ＩＣ、  ２０…バンプ、  ３０…端子金属、  ３１…Ａｌ合金、  ３２…キャップメタル、  ４０…ゲート絶縁膜、  ５０…無機パッシベーション膜、  ６０…スルーホール、  ７０…ＩＴＯ、  ８０…ドレイン線端子金属、  ８１…Ａｌ合金、  ８２…キャップメタル、  ８３…ベースメタル、  ９０…ＡＳＣ、  ９１…導電性粒子、  １００…ＴＦＴ基板、  １１０…ＩＣ用端子、  １２０…ダミー端子、  １３０…フレキシブル配線基板用端子、  １５０…シール材、  １６０…表示領域、  ２００…対向基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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