(57)【要約】【課題】ＥＵＶ光の反射光の放射を低減する吸収層積層方式の遮光領域を有する反射型マスクにおいて、ＥＢ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有するアライメント信号を得ることができる反射型マスクを提供する。【解決手段】基板と、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する第１の吸収層で形成された吸収体パターンと、ＥＵＶ光の反射光の放射を低減する遮光領域と、電子ビームによるアライメント露光に用いられるアライメントマークと、を少なくとも備え、上記遮光領域が、第１の吸収層の上に第２の吸収層を積層して設けられた反射型マスクであって、上記アライメントマークが、第２の吸収層をエッチングして遮光領域に形成されており、第２の吸収層の厚みが、ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いことを特徴とする。【選択図】  図１
2013065739.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の主面上に形成され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に前記ＥＵＶ光を吸収する第１の吸収層で形成された吸収体パターンと、前記吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、前記ＥＵＶ光を遮光するための遮光領域と、前記吸収体パターンを形成するための電子ビームによるアライメント露光に用いられるアライメントマークと、を少なくとも備え、前記遮光領域が、前記第１の吸収層の上に第２の吸収層を積層して設けられたＥＵＶ露光用の反射型マスクであって、
前記アライメントマークが、前記第２の吸収層をエッチングして前記遮光領域に形成されており、
前記アライメントマークを構成する前記第２の吸収層の厚みが、前記アライメントマークを前記電子ビームで検出できる厚みであり、前記ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いことを特徴とする反射型マスク。
【請求項２】
前記第２の吸収層の厚みが、前記第１の吸収層の厚みと同じかまたは前記第１の吸収層の厚みよりも厚いことを特徴する請求項１に記載の反射型マスク。
【請求項３】
前記第２の吸収層の厚みが、６０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の反射型マスク。
【請求項４】
前記アライメントマークを構成する層の断面形状が、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の反射型マスク。
【請求項５】
基板と、前記基板の主面上に形成され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に前記ＥＵＶ光を吸収する第１の吸収層と、前記第１の吸収層の上に積層した第２の吸収層と、を少なくとも備えたＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスであって、
前記第２の吸収層の厚みが、前記第２の吸収層をエッチングしてアライメントマークを形成したときに、前記アライメントマークを電子ビームで検出できる厚みであり、前記ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いことを特徴とする反射型マスクブランクス。
【請求項６】
前記第２の吸収層の厚みが、前記第１の吸収層の厚みと同じかまたは前記第１の吸収層の厚みよりも厚いことを特徴する請求項５に記載の反射型マスクブランクス。
【請求項７】
前記第２の吸収層の厚みが、６０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の反射型マスクブランクス。
【請求項８】
請求項４に記載の反射型マスクの製造方法であって、
請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の反射型マスクブランクスを用い、前記第２の吸収層上に前記転写パターン領域と前記アライメントマークを作成するための第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンをマスクにして前記第２の吸収層をエッチングして前記転写パターン領域と前記アライメントマークを同時に形成し、
次に、前記第１のレジストパターンを剥離後、前記基板の主面上に第２のレジストを塗布し、前記アライメントマークを基準にして電子ビーム露光し、前記第１の吸収層上に前記吸収体パターンを作成するための第２のレジストパターンを形成し、
前記第２のレジストパターンをマスクにして前記第１の吸収層をエッチングして前記吸収体パターンを形成し、次に、前記第２のレジストパターンを剥離する反射型マスクの製造方法において、
前記アライメントマークを構成する層の断面形状を、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状に作成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項９】
前記第１の吸収層上に、前記第２の吸収層のエッチング時のエッチング停止層、前記第２の吸収層、前記第２の吸収層のエッチング時にマスクとなるマスク層がこの順に設けられていることを特徴とする請求項８に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項１０】
前記第１の吸収層および前記第２の吸収層がＴａ膜であり、前記エッチング停止層および前記マスク層がＴａＯ2膜であることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の反射型マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：以後、ＥＵＶと記す）を用いてマスクパターンをウェハ上に転写するためのＥＵＶ露光用の反射型マスクに関し、さらに詳しくは、マスクパターン形成時におけるアライメント露光が容易な反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化に伴い、現在、ＡｒＦエキシマレーザを用いた光学式の投影露光装置により、フォトマスクを用いてウェハ上にパターン転写する露光方法が行なわれている。これらの光学式の投影露光装置による露光方法では、いずれ解像限界に達するため、電子線描画装置による直描やインプリントリソグラフィやＥＵＶリソグラフィのような新しいパターン形成方法が提案されている。
【０００３】
これらの新しいリソグラフィ技術の中でも、紫外線露光の短波長化の極限と見なされているＥＵＶ露光は、エキシマレーザよりもさらに短波長である波長１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光を用い、マスクパターンを通常１／４程度に縮小してウェハ上のレジストに転写する露光技術であり、半導体デバイス用の次世代リソグラフィ技術として注目されている。ＥＵＶ露光においては、短波長のために屈折光学系が使用できないため、反射光学系が用いられ、マスクとしては反射型マスクが提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
このＥＵＶ露光用反射型マスク（以後、反射型マスクとも記す）は、ＥＵＶ光を反射する多層膜構造の反射層と、この反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層で形成され、露光装置を用いてウェハなどの被転写体に転写されるべきパターン（以下、吸収体パターンと称する）とを、少なくとも備えたマスクである。
【０００５】
図１３は、このような従来のＥＵＶ露光用反射型マスクの一例を示す断面図である。図１３に示すＥＵＶ露光用反射型マスク１３０は、基板１３１上に多層膜構造でＥＵＶ光を反射する反射層１３２を有し、反射層１３２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１３５からなる吸収体パターンが形成された構造となっている。反射型マスクに入射したＥＵＶ光は、反射層１１２では反射され、吸収層１３５では吸収され、反射されたＥＵＶ光によりウェハ上に縮小転写パターンが形成される。なお、反射層１３２上には反射層を保護するキャッピング層１３３やマスクパターン形成時の反射層１３２へのエッチングダメージを防止するためのバッファ層１３４が設けられていてもよい。また、吸収層１３５上には、検査時の検出感度を上げるために反射防止層１３６が設けられていてもよい。
【０００６】
図８は、反射型マスクを用いたＥＵＶ露光の概念図である。図８に示すように、ＥＵＶ露光では、ＥＵＶ光８１は反射型マスク８０面に対し垂直な方向から数度（例えば、６度）傾いた方向から入射される。従って、吸収層１１５パターンの膜厚が厚いと、パターン自身の影が生じ、露光時に転写されたパターンのエッジ部分がぼけるなどのシャドーイングと呼ばれる現象により鮮明な転写像が得られなくなるため、パターン形成上、吸収層１１５の厚さは薄い方がより好ましい。この点から、吸収層１１５は、露光光の波長に対し、吸収係数が大きい方が有利であり、吸収層１１５の膜厚は、露光光であるＥＵＶ光８１を十分に吸収できる厚さであって、かつ可能な限り薄い方が望ましい。
【０００７】
しかしながら、吸収層１１５の厚さを薄くした場合、以下のような露光フィールド境界部におけるレジストのオーバー露光の問題が生じる。
ＥＵＶ露光では、フォトマスクのステッパー露光と同様に、反射型マスク８０上のパターン領域を、図８に示すように、反射型マスク８０上に設置されるブレード８２によって矩形状の露光フィールド８４に区切り、ステップアンドリピート方式によりウェハ８３に多面付け露光される。ここで、上述のように、吸収層１１５の膜厚を薄くした場合には、吸収層１１５から放射される反射光の強度が高まり、ブレード８２境界近傍に相当する露光フィールド８４外周の重なり部において、ウェハ８３上のレジストが多重露光により、オーバー露光されてしまう。
【０００８】
図９は、ＥＵＶ露光による上記の問題点の説明図であり、ウェハ８３上に４つの露光フィールドが転写された状態を例示している。図９に示すように、ウェハ上のフィールド境界周辺では、露光時の隣り合うショットにより２重あるいは４重に露光が重なり合ってフィールド重なり部８６となって多重露光されるために、レジストが不適切に感光しレジストダメージが生じる。例えば、ポジ型レジストを用いた場合、１回の露光ショットでは適正露光であっても、フィールド８４が重なり合う部分のレジストは多重露光によりオーバー露光となり、レジスト現像後にレジストの膜減りの問題やパターン仕上がり寸法の変動の問題が生じる。
【０００９】
上記の露光フィールド境界での遮光の問題を解決するために、マスクの転写パターン領域の周辺に遮光領域を設けた反射型マスクが提案されている（特許文献２参照）。ここで、上記の転写パターン領域とは、ウェハなどの被転写体に転写される露光フィールドに対応した反射型マスク上のパターン領域のことであり、上記の遮光領域とは、前記転写パターン領域の周囲に設けられたＥＵＶ光の反射を低減させた領域のことであり、遮光領域を設けることにより、ウェハ上で隣り合う露光フィールドの境界部におけるレジストのオーバー露光を防止する。
【００１０】
特許文献２には、遮光領域を設けたＥＵＶ露光用反射型マスクの代表的な例として、図１０に示すように２つの方式が開示されている。
【００１１】
図１０（ａ）に示す反射型マスク１００ａは、転写パターン領域１０７の周囲の遮光領域１０８の吸収層を２段構造に積層（以後、吸収層積層方式とも言う）した反射型マスクであり、第１の吸収層１０５の上に、第２の吸収層１０６を設けて遮光領域１０８としている。なお、第１の吸収層１０５の表面には、反射型マスクの欠陥検査をより精度良く行うために、反射防止層(不図示)が設けられていても良い。また、反射層１０２の表面には、通常、反射層を保護するためのキャッピング層１０３が設けられており、キャッピング層１０３と吸収層１０５の間には、吸収層加工時のエッチングから反射層を保護するためのバッファ層１０４が設けられていてもよい。
【００１２】
図１０（ｂ）に示す反射型マスク１００ｂは、転写パターン領域１０７の周囲の遮光領域１０８の反射層１０２をエッチング加工で除去した反射層加工方式の反射型マスクである。なお、本方式においても、上述の図１０（ａ）に示す例と同様に、吸収層１０５からなる転写パターンの上には、反射型マスクの欠陥検査をより精度良く行うために、反射防止層が設けられていても良い。また、反射層１０２の表面には、通常、反射層を保護するためのキャッピング層１０３が設けられており、キャッピング層１０３と吸収層１０５の間には、吸収層加工時のエッチングから反射層を保護するためのバッファ層１０４が設けられていてもよい。
【００１３】
図１０（ａ）に示すような吸収層を積層構造にした吸収層積層方式の反射型マスクを製造する場合、図１１および図１２に示すように、２つの方法が提案されている。
【００１４】
図１１に示す第１の方法は、吸収層をあらかじめ積層しておき、積層した第２の吸収層１１４と転写パターンとなる第１の吸収層１１３を連続してパターンエッチングし（図１１（ａ））、その後吸収体パターン１１３ａ部の上部の第２の吸収層１１４をエッチング除去して、転写パターン領域１１５と遮光領域１１６を形成する（図１１（ｂ））方法である。この方法の場合、エッチングすべき対象の膜厚が厚くなるので、エッチング時のレジストダメージによるパターン劣化や、吸収体膜厚の制限、上部第２の吸収層を除去する際の反射層１１２のダメージなど、さまざまな問題が発生している。
【００１５】
図１２に示す第２の方法は、転写パターン領域１１５となる積層した第２の吸収層１１４を除去（図１２（ａ））した後に、転写パターン領域１１５にある第１の吸収層１１３をエッチングして吸収体パター１１３ａンを作成する（図１２（ｂ））方法である。この方法の場合には、第２の吸収層１１４を除去する際の洗浄プロセスで使用した硫酸イオンなどが基板上に残留することなどにより、吸収体パターン作成時のレジストプロセスが影響を受け、寸法精度に悪影響を及ぼすことが問題となる。
【００１６】
しかし、近年の洗浄プロセスおよびレジストの改善などにより、反射型マスクでは、図１１に示す前者の第１の方法よりも図１２に示す後者の第２の方法が有望な製造方法となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開昭和６３−２０１６５６号公報
【特許文献２】特開２００９−２１２２２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
ここで、図１２に示す上述の第２の方法を使用して反射型マスクを作る際には、上層の第２の吸収層１１４をパターンニングする際に、同時にアライメントマーク（不図示）を作成し、このアライメントマークを基準にして転写パターン領域に吸収体パターンを電子ビーム(ＥＢ)により露光し、レジストパターンを形成することになる。
【００１９】
しかしながら、電子ビームによりアライメント露光をおこなう際には、表面にレジスト（１５０ｎｍ程度の厚み）を塗布するため、アライメントパターンのエッジは滑らかになり、ＥＢアライメント露光時のＥＢスキャンでアライメントパターンのエッジを捉えることができず、ＥＢアライメント露光をすることができないという問題が生じていた。そのため、図１２に示すような従来の吸収層積層方式の反射型マスクの製造方法においては、位置精度良く、吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを形成することが困難であるという問題があった。
【００２０】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に設けられ、ＥＵＶ光の反射光の放射を低減し遮光するための吸収層積層方式の遮光領域を有するＥＵＶ露光用の反射型マスクにおいて、ＥＢ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有するアライメント信号を得ることができ、アライメント露光が容易で、位置精度良く吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを形成することができる反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１の発明に係る反射型マスクは、基板と、前記基板の主面上に形成され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に前記ＥＵＶ光を吸収する第１の吸収層で形成された吸収体パターンと、前記吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、前記ＥＵＶ光を遮光するための遮光領域と、前記吸収体パターンを形成するための電子ビームによるアライメント露光に用いられるアライメントマークと、を少なくとも備え、前記遮光領域が、前記第１の吸収層の上に第２の吸収層を積層して設けられたＥＵＶ露光用の反射型マスクであって、前記アライメントマークが、前記第２の吸収層をエッチングして前記遮光領域に形成されており、前記アライメントマークを構成する前記第２の吸収層の厚みが、前記アライメントマークを前記電子ビームで検出できる厚みであり、前記ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いことを特徴とするものである。
【００２２】
本発明の請求項２の発明に係る反射型マスクは、請求項１に記載の反射型マスクにおいて、前記第２の吸収層の厚みが、前記第１の吸収層の厚みと同じかまたは前記第１の吸収層の厚みよりも厚いことを特徴するものである。
【００２３】
本発明の請求項３の発明に係る反射型マスクは、請求項１または請求項２に記載の反射型マスクにおいて、前記第２の吸収層の厚みが、６０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることを特徴とするものである。
【００２４】
本発明の請求項４の発明に係る反射型マスクは、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の反射型マスクにおいて、前記アライメントマークを構成する層の断面形状が、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状であることを特徴とするものである。
【００２５】
本発明の請求項５の発明に係る反射型マスクブランクスは、基板と、前記基板の主面上に形成され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に前記ＥＵＶ光を吸収する第１の吸収層と、前記第１の吸収層の上に積層した第２の吸収層と、を少なくとも備えたＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスであって、前記第２の吸収層の厚みが、前記第２の吸収層をエッチングしてアライメントマークを形成したときに、前記アライメントマークを電子ビームで検出できる厚みであり、前記ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いことを特徴とするものである。
【００２６】
本発明の請求項６の発明に係る反射型マスクブランクスは、請求項５に記載の反射型マスクブランクスにおいて、前記第２の吸収層の厚みが、前記第１の吸収層の厚みと同じかまたは前記第１の吸収層の厚みよりも厚いことを特徴するものである。
【００２７】
本発明の請求項７の発明に係る反射型マスクブランクスは、請求項５または請求項６に記載の反射型マスクブランクスにおいて、前記第２の吸収層の厚みが、６０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることを特徴とするものである。
【００２８】
本発明の請求項８の発明に係る反射型マスクの製造方法は、請求項４に記載の反射型マスクの製造方法であって、請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の反射型マスクブランクスを用い、前記第２の吸収層上に前記転写パターン領域と前記アライメントマークを作成するための第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンをマスクにして前記第２の吸収層をエッチングして前記転写パターン領域と前記アライメントマークを同時に形成し、次に、前記第１のレジストパターンを剥離後、前記基板の主面上に第２のレジストを塗布し、前記アライメントマークを基準にして電子ビーム露光し、前記第１の吸収層上に前記吸収体パターンを作成するための第２のレジストパターンを形成し、前記第２のレジストパターンをマスクにして前記第１の吸収層をエッチングして前記吸収体パターンを形成し、次に、前記第２のレジストパターンを剥離する反射型マスクの製造方法において、前記アライメントマークを構成する層の断面形状を、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状に作成することを特徴とするものである。
【００２９】
本発明の請求項９の発明に係る反射型マスクの製造方法は、請求項８に記載の反射型マスクの製造方法において、前記第１の吸収層上に、前記第２の吸収層のエッチング時のエッチング停止層、前記第２の吸収層、前記第２の吸収層のエッチング時にマスクとなるマスク層がこの順に設けられていることを特徴とするものである。
【００３０】
本発明の請求項１０の発明に係る反射型マスクの製造方法は、請求項８または請求項９に記載の反射型マスクの製造方法において、前記第１の吸収層および前記第２の吸収層がＴａ膜であり、前記エッチング停止層および前記マスク層がＴａＯ2膜であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００３１】
本発明のＥＵＶ露光用の反射型マスクによれば、ＥＵＶ露光における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性を高め、ウェハへの露光時に多重露光によるレジストの膜減りやパターン寸法仕上がり精度の低下を防止した吸収層積層方式の遮光領域を備え、高い位置精度で高解像の転写パターンを形成することが可能となる。
【００３２】
本発明のＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスによれば、十分な遮光性を有する吸収層積層方式の遮光領域を備え、位置精度の良い高解像の吸収体パターンを有するＥＵＶ露光用の反射型マスクを得ることができる。
【００３３】
本発明のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法によれば、吸収層積層方式の遮光領域を有するＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造において、ＥＢ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有するアライメント信号を得ることができ、アライメント露光が容易で、位置精度良く吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】遮光領域を有する本発明の反射型マスクにおける第１の実施形態を示す概略断面図および平面図である。
【図２】遮光領域を有する本発明の反射型マスクにおける第２の実施形態を示す概略断面図である。
【図３】遮光領域を有する本発明の反射型マスクにおける他の実施形態を示す概略断面図である。
【図４】本発明の反射型マスクブランクスにおける実施形態の一例を示す概略断面図である。
【図５】本発明の反射型マスクにおけるアライメントマークの作用効果を説明する図である。
【図６】従来の反射型マスクにおけるアライメントマークの問題点を説明する図である。
【図７】図２に示す遮光領域を有する本発明の反射型マスクの製造工程を示す断面模式図である。
【図８】ＥＵＶ露光の概念図である。
【図９】ＥＵＶ露光によるフィールドが重なり合う部分における多重露光の問題点の説明図である。
【図１０】従来の遮光領域を有する反射型マスクの断面構造を示す模式図である。
【図１１】吸収層積層方式の反射型マスクを製造する場合における第１の製造方法の部分説明図である。
【図１２】吸収層積層方式の反射型マスクを製造する場合における第２の製造方法の部分説明図である。
【図１３】従来のＥＵＶ露光用反射型マスクの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明のＥＵＶ露光用の反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法について、図面を参照しながら実施形態を説明する。
【００３６】
＜反射型マスク＞
（第１の実施形態）
図１は、遮光領域を有する本発明の反射型マスク１０の第１の実施形態を示す図であり、図１（ａ）は概略断面図であり、マスクパターン側から見た平面図である図１（ｂ）のＡ−Ａ線における断面図を示す。図１に示すように、反射型マスク１０の一方の主面（表面）上には、転写パターン領域２１と遮光領域２２が形成されている。ここで、転写パターン領域２１は、ウェハなどの被転写体に転写される露光フィールドに対応した反射型マスク１０上のパターン領域であり、遮光領域２２は、転写パターン領域２１の周辺に設けられたＥＵＶ光の反射を低減させた領域で、ＥＵＶ露光時に多重露光となる領域に設けられている。例えば、外形６インチ角の反射型マスクにおいて、転写パターン領域２１の面積は１００ｍｍ×１３０ｍｍ程度であり、遮光領域２２の幅は概ね３ｍｍ〜２５ｍｍ程度である。なお、遮光領域２２よりもさらに外側は、露光時にブレードを用いて遮光することができる。
【００３７】
図１（ａ）に示すように、本実施形態の反射型マスク１０は、基板１１の一方の主面（表面）上にＥＵＶ光を反射する多層の反射層１２と、その反射層１２上にＥＵＶ光を吸収する第１の吸収層１３で形成された吸収体パターン１３ａと、吸収体パターン１３ａによって形成された転写パターン領域２１の周囲に、ＥＵＶ光の反射光の放射を低減し遮光するための遮光領域２２と、吸収体パターン１３ａを形成するための電子ビームによるアライメント露光に用いられるアライメントマーク１５と、を少なくとも備えている。遮光領域２２は、第１の吸収層１３の上に第２の吸収層１４を積層して設けられており、上記アライメントマーク１５は、第２の吸収層１４をエッチングして遮光領域２２に形成されており、上記のアライメントマーク１５を構成する第２の吸収層１４の厚みは、アライメント露光の観点を優先し、電子ビームでアライメントマークを検出できる厚みであり、ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くするものである。
【００３８】
本発明において、レジストを塗布した第２の吸収層に設けるアライメントマークのエッジを電子ビームで検出できる第２の吸収層の厚みは、６０ｎｍ以上あればよい。
一方、吸収層を積層して遮光領域を形成した反射型マスクにおいては、通常、第１の吸収層と第２の吸収層が合計で１００ｎｍ程度の吸収層厚みがあれば、十分な遮光効果を得ることができる。したがって、本発明において、上記のＥＵＶ光を遮光するのに必要な第２の吸収層の厚みは、１００ｎｍから第１の吸収層の厚み（ｎｍ）を引いた数値以上の厚みとするものである。
【００３９】
吸収層を積層した遮光領域を備えた反射型マスクにおいては、通常、マスクパターン転写時に位相効果を得て解像力を上げるために、第１の吸収層は、６０ｎｍ〜７０ｎｍの厚みとしている。
【００４０】
本発明の反射型マスクにおいて、電子ビームによりコントラストを有するアライメント信号が得られアライメント露光が可能であるならば、第２の吸収層の厚みは第１の吸収層の厚みよりも薄くてもよいが、アライメント露光をさらに確実に容易にするには、第２の吸収層の厚みは、第１の吸収層の厚みと同じかまたは第１の吸収層の厚みよりも厚いことがより好ましい。
【００４１】
本発明の反射型マスクにおいて、第２の吸収層に設けるアライメントマークのエッジを電子ビームで検出するには、上記のように第２の吸収層の膜厚は６０ｎｍ以上あればよく、一方、第２の吸収層の膜厚が２００ｎｍを超えるとエッチング加工がしにくくなる。したがって、本発明の反射型マスクの第２の吸収層の厚みは、６０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、より好ましくは８０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である。
【００４２】
本発明において、アライメントマークの形状としては特に制限はなく、電子ビーム描画用に通常用いられるアライメントマーク形状が適用できる。例えば、十字形状マークなどを用いることができる。
【００４３】
（本発明の作用効果）
次に、第２の吸収層１４の厚みが、アライメントマークを電子ビームで検出できる厚みであり、ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚い本発明の反射型マスクにおいて、電子ビーム露光による吸収体パターン形成用のアライメントマークの作用効果について、従来の反射型マスクのアライメントマークと比較して、図面を用いて説明する。
【００４４】
吸収層を積層して遮光領域を形成したＥＵＶ露光用の反射型マスクにおいては、第１の吸収層と第２の吸収層が合計で１００ｎｍ程度の吸収層厚みがあれば、十分な遮光効果を得ることができるが、マスクパターン転写時に位相効果を得て転写パターンの解像力を上げるために、下層の第１の吸収層は、通常、６０ｎｍ〜７０ｎｍ程度の厚みとするため、上部の第２の吸収層の厚みは、従来、３０ｎｍ〜５０ｎｍ程度としている。
【００４５】
図６は、比較として、従来の反射型マスクにおけるアライメントマークを説明する図である。図６（ａ）は、吸収層積層方式の反射型マスクの製造方法において、第２の吸収層６４にアライメントマーク６５を形成した製造途中段階の反射型マスクの断面模式図である。上記のように、従来、第２の吸収層６４の厚みは、第１の吸収層６３の厚みよりも小さく形成されている。
【００４６】
図６（ｂ）は、アライメントマークを形成後の次の工程において、吸収体パターン作成用の電子ビーム用レジストを塗布した時、図６（ａ）に示すアライメントマーク領域Ｍ２の拡大断面図である。電子ビームによりアライメント露光をおこなう際には、基板表面にレジスト（１５０ｎｍ程度の厚み）が塗布される。第２の吸収層６４の厚みが小さいので、上記の第２の吸収層の厚み３０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の段差では、図６（ｂ）に示すように、吸収体パターン加工用のレジストを塗布した際、アライメントマーク６５上のレジスト６６はなだらかなスロープとなる。
【００４７】
図６（ｃ）は、レジスト６６形成後の電子ビームによるアライメント時のアライメントマーク６５の２次電子の強度プロファイル６７である。ＥＢアライメント露光時のＥＢスキャンで、２次電子の強度が弱いので、アライメントマークのパターンエッジを検出できず、アライメントをすることができない。
【００４８】
一方、図５は、本発明の反射型マスクにおけるアライメントマークの作用効果を説明する図である。図５（ａ）は、上記の吸収層積層方式の反射型マスクの製造方法において、第２の吸収層１４にアライメントマーク１５を形成した状態を示す反射型マスクの製造途中の断面模式図である。上記のように、本発明においては、第２の吸収層１４の厚みは、アライメント露光の観点を優先し、レジストを介して電子ビームでアライメントマークのエッジを検出できる厚みであり、ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚い。図５（ａ）では、第２の吸収層１４の厚みは、第１の吸収層１３の厚みよりも大きい場合を例示している。
【００４９】
図５（ｂ）は、アライメントマークを形成後の次の工程において、吸収体パターン作成用の電子ビーム用レジストを塗布した時、図５（ａ）に示すアライメントマーク領域Ｍ１の拡大断面図である。第２の吸収層１４の厚みが大きいので、アライメントマーク１５上のレジスト（第１のレジスト）５６は急峻なスロープとなる。
【００５０】
図５（ｃ）は、レジスト５６形成後の電子ビームによるアライメント時のアライメントマーク１５の２次電子の強度プロファイル５７である。アライメントマーク上のレジストが急峻なスロープとなることにより、レジスト５６を介して電子ビームでアライメントマーク１５のエッジを検出し、きわめて明確なアライメント信号が得られるようになる。
【００５１】
本発明は、吸収層積層方式の反射型マスクにおいて、電子ビームにより吸収体パターンのアライメント露光を行うために、上部の第２の吸収層をＥＵＶ露光時に必要とされる遮光領域としての膜厚以上に厚くし、ＥＢアライメント露光時のアライメントが容易にできるようにするものである。すなわち、上部の第２の吸収層の厚みを、ＥＵＶ露光時の遮光性の観点からだけではなく、ＥＢアライメント露光の観点から十分に厚くし、ＥＢアライメント露光が容易にできるようにしている。ＥＵＶ光の吸収効率は、吸収層の厚みが増すに従って上昇するため、遮光領域となる上部の第２の吸収層を厚くする分には、ＥＵＶ露光に悪影響はない。
【００５２】
また、遮光領域以外の第２の吸収層はエッチング除去されるので、マスクパターンの転写特性に障害は生じない。ただし、上部の第２の吸収層をあまり厚くしすぎると、エッチング加工がしにくくなるので、上部の第２の吸収層の厚みは、膜厚２００ｎｍ以下が好ましい。一方、アライメントマークのエッジを検出するには膜厚６０ｎｍ以上あればよいので、上部の第２の吸収層の厚みは、膜厚６０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、さらにより好ましくは膜厚８０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲とすると、エッチング加工しやすく、十分なＥＵＶ光の吸収効率を達成でき、アライメント露光しやすい反射型マスク構造となる。
【００５３】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の遮光領域を有する反射型マスクの第２の実施形態を示す概略断面図である。図２において、図１と同じ部位と材料を示す場合には、図１と同じ符号を用いている。図２に示すように、反射型マスク２０の一方の主面（表面）上には、転写パターン領域２１と遮光領域２２が形成されている。ここで、転写パターン領域２１は、ウェハなどの被転写体に転写される露光フィールドに対応した反射型マスク２０上のパターン領域であり、遮光領域２２は、転写パターン領域２１の周辺に設けられたＥＵＶ光の反射を低減させた領域で、ＥＵＶ露光時に多重露光となる領域に設けられている。
【００５４】
図２に示すように、本実施形態の反射型マスク２０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する多層の反射層１２と、その反射層１２上にＥＵＶ光を吸収する第１の吸収層１３で形成された吸収体パターン１３ａと、吸収体パターン１３ａによって形成された転写パターン領域２１の周囲に、ＥＵＶ光の反射光の放射を低減するための遮光領域２２と、吸収体パターン１３ａを形成するための電子ビームによるアライメント露光に用いられるアライメントマーク１５と、を少なくとも備えている。遮光領域２２は、第１の吸収層１３の上に第２の吸収層１４を積層して設けられており、上記アライメントマーク１５は、第２の吸収層１４をエッチングして遮光領域２２に形成されており、上記のアライメントマーク１５を構成する第２の吸収層１４の厚みを、電子ビームでアライメントマークを検出できる厚みで、ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くするものであり、アライメントマークを構成する層の断面形状が、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状をなすものである。
【００５５】
本実施形態では、第２の吸収層１４の厚みを、電子ビームでアライメントマークを検出できる厚みで、ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くすることによる効果に加えて、アライメントマークを構成する層の断面形状を逆台形状とすることにより、吸収体パターン作成用の電子ビーム用レジストを塗布した時、アライメントマーク１５上のレジスト断面はより急峻なスロープとなり、電子ビームによるアライメント時に明確なアライメント信号を得ることができ、電子ビームによるアライメント露光がさらに容易となる。
【００５６】
本実施形態において、断面形状が逆台形状のアライメントマークは、断面が表面側より基板面側に向けて連続的に狭くなっている逆台形状のみならず、断面の表面側が広く基板面側が狭いＴ字型をなす逆台形状のアライメントマークも含むものである。断面がＴ字型のアライメントマークも、そのマーク上に塗布したレジスト断面は急峻なスロープとなり、電子ビームによるアライメント露光が可能となる。
【００５７】
本発明の反射型マスクは、従来の反射型マスクの構成要素、材料を適用することが可能であるが、以下に説明する。
【００５８】
（基板）
本発明の反射型マスク１０の基板１１としては、パターン位置精度を高精度に保持するために低熱膨張係数を有し、高反射率および転写精度を得るために平滑性、平坦度が高く、マスク製造工程の洗浄などに用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましく、石英ガラス、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系の低熱膨張ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどのガラス基板、さらにはシリコンを用いることもできる。マスクブランクスの平坦度としては、例えば、パターン領域において５０ｎｍ以下が求められている。
【００５９】
（反射層）
多層の反射層１２は、ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を高い反射率で反射する材料が用いられ、ＭｏとＳｉからなる多層膜が多用されており、例えば、２．７４ｎｍ厚のＭｏと４．１１ｎｍのＳｉを各４０層積層した多層膜よりなる反射層が挙げられる。それ以外には、特定の波長域で高い反射率が得られる材料として、Ｒｕ／Ｓｉ、Ｍｏ／Ｂｅ、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜およびＳｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜なども用いることができる。ただし、材料によって最適な膜厚は異なる。ＭｏとＳｉからなる多層膜の場合、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気下でＳｉ膜を成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気下でＭｏ膜を成膜し、これを１周期として、３０〜６０周期、好ましくは４０周期積層されて、多層の反射層が得られる。上記のように、ＥＵＶ光を高い反射率で反射させるために、１３．４ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０度で入射したときの多層の反射層１２の反射率は、通常、６０％以上を示すように設定されている。
【００６０】
（吸収層）
マスクの転写領域２１において吸収体パターン１３ａを形成し、ＥＵＶ光を吸収する第１の吸収層１３、および遮光領域２２を形成する第２の吸収層１５の材料としては、Ｔａ、ＴａＢ、ＴａＢＮなどのＴａを主成分とする材料、Ｃｒ、Ｃｒを主成分としＮ、Ｏ、Ｃから選ばれる少なくとも１つの成分を含有する材料などが、膜厚３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の範囲、より好ましくは５０ｎｍ〜８５ｎｍの範囲で用いられる。
【００６１】
（他の構成要素）
本発明の反射型マスクは、上記の構成要素に加えて、他の構成要素が用いられていてもよい。図３は、他の構成要素を加えた本発明の反射型マスクの例である。図３に示すように、本発明の反射型マスク３０は、吸収体パターン１３ａを形成する第１の吸収層１３が必ずしも多層の反射層１２に直接に接していなくてもよい。第１の吸収層１３をパターン状にドライエッチングする時に下層の多層の反射層１２に損傷を与えるのを防止するために、通常、反射層１２と第１の吸収層１３との間にバッファ層１７が設けられる。さらに必要に応じて、多層の反射層１２の上に反射層の酸化防止などのために、キャッピング層（保護層とも称する）１６が設けられる。また、マスク検査時の検査光の反射コントラストを上げるために、第１の吸収層１３の上に反射防止層１８を設ける場合もある。以下に、上記の他の構成要素の材料について説明する。
【００６２】
（キャッピング層）
多層の反射層１２の反射率を高めるには屈折率の大きいＭｏを最上層とするのが好ましいが、Ｍｏは大気で酸化され易くて反射率が低下するので、酸化防止やマスク洗浄時における保護のための保護膜として、スパッタリング法などによりＳｉやＲｕを成膜し、キャッピング層１６を設けることがある。例えば、キャッピング層１６としてＳｉは反射膜１２の最上層に１１ｎｍの厚さに設けられる。Ｒｕをキャッピング層とした場合には、後述のバッファ層を用いない構造とすることができる。
【００６３】
（バッファ層）
ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を吸収する第１の吸収層１３をドライエッチングなどの方法でパターンエッチングするときに、下層の多層の反射層１２に損傷を与えるのを防止するために、必要に応じてＣｒＮなどを用いてバッファ層１７が設けられる。
【００６４】
（反射防止層）
また、マスクパターン検査時の検出感度を上げるために、第１の吸収層１３上に検査光（波長２５０ｎｍ）に対して低反射とした反射防止層１８を設ける場合もある。反射防止層１８の材料としては、例えば、タンタルの窒化物（ＴａＮ）、酸化物（ＴａＯ）、酸窒化物（ＴａＮＯ）、タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＮ）、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）などが挙げられ、膜厚５ｎｍ〜３０ｎｍ程度の範囲で用いられる。本発明において、反射防止層１８は、第２の吸収層１４をエッチングするときに、下層の第１の吸収層１３が損傷するのを防止するエッチング停止層としての機能を兼ねるのが好ましい。
【００６５】
（導電層）
ＥＵＶ露光用の反射型マスクでは、マスクを露光装置に設置する場合、通常、マスクのパターンと反対側の主面（裏面）上に設けた導電層を用いて静電チャックで行われる。導電層１９の材料としては、導電性を示す金属や金属窒化物などの薄膜を設けたものであり、例えば、クロム（Ｃｒ）や窒化クロム（ＣｒＮ）などを厚さ２０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度に成膜して用いられる。
【００６６】
上記の本発明のＥＵＶ露光用の反射型マスクによれば、ＥＵＶ露光における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性を高め、ウェハへの露光時に多重露光によるレジストの膜減りやパターン仕上がり精度の低下を防止した吸収層積層方式の遮光領域を備え、高い位置精度で高解像の転写パターンを形成することが可能となる。
次に、本発明のＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスについて説明する。
【００６７】
＜反射型マスクブランクス＞
図４は、吸収層積層方式の遮光領域を備えた本発明の反射型マスクの作成に用いる本発明の反射型マスクブランクスの一例としての断面模式図である。図４において、図１と同じ部位と材料を示す場合には、図１と同じ符号を用いている。図４に示すように、本発明の反射型マスクブランクス４０は、基板１１と、基板の主面上に形成され、ＥＵＶ光を反射する多層膜よりなる反射層１２と、反射層１２上にＥＵＶ光を吸収する第１の吸収層１３と、第１の吸収層１３の上に積層した第２の吸収層１４と、を少なくとも備え、第２の吸収層１４の厚みが、第２の吸収層１４をエッチングしてアライメントマークを形成したときに、該アライメントマークを電子ビームで検出できる厚みであり、ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いマスクブランクスである。
【００６８】
本発明において、第２の吸収層に設けるアライメントマークのエッジをレジストを介して電子ビームで検出できる第２の吸収層の厚みは、６０ｎｍ以上あればよい。
一方、吸収層を積層して遮光領域を形成した反射型マスクにおいては、通常、第１の吸収層と第２の吸収層が合計で１００ｎｍ程度の吸収層厚みがあれば、十分な遮光効果を得ることができる。したがって、本発明において、上記のＥＵＶ光を遮光するのに必要な第２の吸収層の厚みは、１００ｎｍから第１の吸収層の厚み（ｎｍ）を引いた数値以上の厚みとするものである。
【００６９】
吸収層積層方式の遮光領域を備えた反射型マスクの作成に用いる反射型マスクブランクスにおいては、通常、マスクパターン転写時に位相効果を得て解像力を上げるために、下層の第１の吸収層は、６０ｎｍ〜７０ｎｍの厚みとしている。
【００７０】
本発明の反射型マスクブランクスにおいて、電子ビームによりアライメント露光が可能であるならば、第２の吸収層の厚みは第１の吸収層の厚みよりも薄くてもよいが、アライメント露光をさらに確実に容易にするには、第２の吸収層の厚みは、第１の吸収層の厚みと同じかまたは第１の吸収層の厚みよりも厚いことがより好ましい。
【００７１】
上記の本発明の反射型マスクブランクスにおいて、第２の吸収層に設けるアライメントマークのエッジを検出するには、第２の吸収層の膜厚は６０ｎｍ以上あればよく、一方、第２の吸収層の膜厚が２００ｎｍを超えるとエッチング加工がしにくくなる。したがって、本発明の反射型マスクブランクスの第２の吸収層の厚みは、６０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、より好ましくは８０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である。
【００７２】
図４に示す反射型マスクブランクス４０の構成要素である基板１１、反射層１２、第１の吸収層１３、第２の吸収層１４は、上記の反射型マスク１０と同じなので、説明を省略する。また、本発明の反射型マスクブランクスは、上記の構成要素に加えて、上記の反射型マスク１０で述べたような他の構成要素が用いられていてもよい。他の構成要素は、上記の反射型マスク１０と同じなので、説明は省略する。
【００７３】
本発明の反射型マスクブランクス４０は、第２の吸収層１４の厚みを、第２の吸収層１４をエッチングしてアライメントマークを形成したときに、該アライメントマークを電子ビームで検出できる厚みであり、ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くすることにより、上記の反射型マスクで説明したように、アライメントマーク作成後に吸収体パターン作成用の電子ビーム用レジストを塗布した時、第２の吸収層１４の厚みが大きいので、アライメントマーク上のレジストは急峻なスロープとなり、電子ビームによるアライメント時のアライメントマークの２次電子の強度が大きくなり、アライメントが容易になる。
【００７４】
本発明の反射型マスクブランクスによれば、十分な遮光性を有する吸収層積層方式の遮光領域を備え、位置精度の良い高解像の吸収体パターンを有する反射型マスクを得ることが可能となる。
次に、本発明の第１のＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法について説明する。
【００７５】
＜反射型マスクの製造方法＞
（第１の実施形態の反射型マスクの製造方法）
図１に示す本発明の第１の実施形態のＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法は、従来の製造方法が適用できるので、以下に要旨のみを述べる。
【００７６】
図４に示す反射型マスクブランクスの第２の吸収層上に転写パターン領域とアライメントマークを作成するための第１のレジストパターンを形成し、第１のレジストパターンをマスクにして第２の吸収層をエッチングして転写パターン領域とアライメントマークを同時に形成し、次に、第１のレジストパターンを剥離後、基板の主面上に第２のレジストを塗布し、アライメントマークを基準にして電子ビーム露光し、第１の吸収層上に吸収体パターンを作成するための第２のレジストパターンを形成し、次に、第２のレジストパターンをマスクにして第１の吸収層をエッチングして転写パターン領域に吸収体パターンを形成し、次いで、第２のレジストパターンを剥離し、反射型マスクを得る。
【００７７】
第１の実施形態の反射型マスクの製造方法によれば、吸収層積層方式の遮光領域を有するＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造において、ＥＢ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、上記のアライメントマークを構成する第２の吸収層の厚みを、電子ビームで検出できる厚みとし、ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くすることにより、十分なコントラストを有するアライメント信号を得ることができ、アライメント露光が容易で、位置精度良く吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを形成することができ、高精度の反射型マスクの製造が可能となる。
【００７８】
（第２の実施形態の反射型マスクの製造方法）
次に、図２に示すように、アライメントマークを構成する層の断面形状が、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状をなす本発明のＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法について説明する。
【００７９】
図７は、図２に示す遮光領域を有する本発明の反射型マスクの製造工程の一例を示す断面模式図である。図７において、図２および図４と同じ部位と材料を示す場合には、同じ符号を用いている。なお、本発明の製造方法における反射型マスクの各構成要素、材料は、上記の反射型マスクに記載した内容と同様であるので、説明は省略する。
【００８０】
先ず、ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス４０を準備する（図７（ａ））。反射型マスクブランクス４０は、図４に示す反射型マスクブランクスである。
【００８１】
次に、第２の吸収層１４上に転写パターン領域とアライメントマークを作成するための第１のレジストパターン７１を形成し（図７（ｂ））、第１のレジストパターン７１をマスクにして第２の吸収層１４をドライエッチングして転写パターン領域２１とアライメントマーク１５を同時に形成する（図７（ｃ））。本発明においては、第２の吸収層１４をドライエッチングにおいて、上記アライメントマーク１５の第２の吸収層の断面形状を、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状に作成するものである。
【００８２】
次に、第１のレジストパターン７１を剥離後、基板の主面上に第２のレジストを塗布し、アライメントマーク１５を基準にして電子ビーム露光し、第１の吸収層１３上に吸収体パターンを作成するための第２のレジストパターン７２を形成する（図７（ｄ））。
【００８３】
次に、第２のレジストパターン７２をマスクにして第１の吸収層１３をエッチングして転写パターン領域２１に吸収体パターン１３ａを形成し、次いで、第２のレジストパターン７２を剥離し、反射型マスク２０を得る（図７（ｅ））。
【００８４】
本発明のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法によれば、吸収層積層方式の遮光領域を有するＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造において、ＥＢ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、上記のアライメントマークを構成する第２の吸収層の厚みを、電子ビームで検出できる厚みとし、ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くし、アライメントマークを構成する層の断面形状を、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状とすることにより、十分なコントラストを有するアライメント信号を得ることができ、アライメント露光が容易で、位置精度良く吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを形成することができ、高精度の反射型マスクの製造が可能となる。
以下、実施例により、本発明をさらに詳しく述べる。
【実施例】
【００８５】
（実施例１）
基板として、光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板を用い、その一方の主面（表面）上に、イオンビームスパッタ法により、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層してＭｏとＳｉの多層膜よりなる反射層を形成した後、最表面のＭｏ膜の上にＳｉ膜を１１ｎｍ成膜してキャッピング層を形成した。
【００８６】
次に、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＣｒターゲットを用いてＮ2雰囲気下で、上記のキャッピング層の上に、バッファ層としてＣｒＮ膜を１０ｎｍの厚さに成膜した。
【００８７】
次に、上記のＣｒＮ膜上に、第１の吸収層として、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＮ膜を４０ｎｍの厚さで形成した。次いで、上記のＴａＮ膜上に、マスク検査時の検査光の反射コントラストを上げるために、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＯ2膜を１５ｎｍの厚さで形成し、反射防止層とした。反射防止層のＴａＯ2膜は、第１の吸収層の上に設けた第２の吸収層をエッチングするときに、下層の第１の吸収層が損傷するのを防止するエッチング停止層としての機能を兼ねるものである。
【００８８】
次に、上記のＴａＯ2膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＮ膜を１００ｎｍの厚さで形成して第２の吸収層とし、反射型マスクブランクスとした。
【００８９】
次に、上記の反射型マスクブランクスの第２の吸収層を形成するＴａＮ膜の上に、電子ビーム用レジストを塗布し、電子ビーム描画装置を用いて、転写パターン領域とアライメントマークを形成するためのレジストパターンを形成した。ここで、アライメントマークを形成するためのレジストパターンは、５ｕｍのライン幅を有する平面形状が十字形のパターンとした。
【００９０】
次いで、前記レジストパターンの開口部から露出する第２の吸収層を形成するＴａＮ膜をＣｌ2ガスでドライエッチングして、転写パターン領域と十字形状アライメントマークを同時に形成した。
【００９１】
次に、第１のレジストパターンを剥離し、基板の主面上に第２の電子ビーム用レジストを塗布し、上記のアライメントマークを基準にして電子ビーム露光し、第１の吸収層上に吸収体パターンを作成するための第２のレジストパターンを形成した。電子ビーム露光においては、第２の吸収層の厚みを第１の吸収層の厚みよりも大きくし、電子ビームでアライメントマークを検出できる厚みとし、ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くしているので、アライメントマーク上のレジストは急峻なスロープとなり、明確なアライメント信号が得られた。
【００９２】
次に、第２のレジストパターンをマスクにして、反射防止層を形成するＴａＯ2膜をＣＦ4ガスでドライエッチングし、次いで、第１の吸収層のＴａＮ膜をＣｌ2ガスでドライエッチングし、バッファ層ＣｒＮ膜を露出させた。
【００９３】
次いで露出したバッファ層のＣｒＮ膜をＣｌ2と酸素との混合ガスでドライエッチングしてキャッピング層を露出させ、転写パターン領域に吸収体パターンを形成し、次いで、第２のレジストパターンを剥離し、十分な遮光性を有する吸収層積層方式の遮光領域を備え、位置精度の良い高解像の吸収体パターンを有するＥＵＶ露光用の反射型マスクを得た。
【００９４】
（実施例２）
基板として、光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板を用い、その一方の主面（表面）上に、イオンビームスパッタ法により、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層してＭｏとＳｉの多層膜よりなる反射層を形成した後、最表面のＭｏ膜の上にＲｕ膜を２．５ｎｍ成膜してキャッピング層を形成した。Ｒｕ膜はバッファ層を兼ねるものである。
【００９５】
次に、上記のＲｕ膜上に、第１の吸収層として、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、Ｔａ膜を３５ｎｍの厚さで形成した。
【００９６】
次いで、上記のＴａ膜上に、マスク検査時の検査光の反射コントラストを上げるために、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＯ2膜を１５ｎｍの厚さで形成し、反射防止層とした。反射防止層のＴａＯ2膜は、第１の吸収層の上に設けた第２の吸収層をエッチングするときに、下層の第１の吸収層が損傷するのを防止するエッチング停止層としての機能を兼ねるものである。
【００９７】
次に、上記のＴａＯ2膜上に、第２の吸収層として、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気下で、Ｔａ膜を９０ｎｍの厚さで形成した。さらに、第２の吸収層Ｔａ膜の上に、エッチングマスク層としてＴａＯ2膜を２０ｎｍの厚さで形成し、反射型マスクブランクスとした。上記のエッチングマスク層ＴａＯ2膜は、アライメントマークを構成する一部となり、第２の吸収層の断面形状を逆台形状に形成するために用いるものである。ＴａＯ2膜は、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気下で成膜した。
【００９８】
次に、上記のエッチングマスク層を形成するＴａＯ2膜の上に電子ビーム用レジストを塗布し、電子ビーム描画装置を用いて、転写パターン領域とアライメントマークを形成するための第１のレジストパターンを形成した。ここで、アライメントマークを形成するためのレジストパターンは、５ｕｍのライン幅を有する平面形状が十字形のパターンとした。
【００９９】
次に、上記のレジストパターンの開口部から露出するエッチングマスク層ＴａＯ2膜をＣＦ4ガスでドライエッチングした。次いで、第２の吸収層を形成するＴａ膜を低バイアスパワーのＣｌ2ガスプラズマでドライエッチングし、ＴａＯ2膜とＴａ膜よりなるアライメントマークを構成する層の断面形状がＴ字型をなす逆台形状のアライメントマークを転写パターン領域と同時に形成した。
【０１００】
次に、第１のレジストパターンを剥離し、基板の主面上に第２の電子ビーム用レジストを塗布し、上記のアライメントマークを基準にして電子ビーム露光し、第１の吸収層上に吸収体パターンを作成するための第２のレジストパターンを形成した。本実施例においては、電子ビーム露光において、アライメントマークを構成する第２の吸収層の厚みが第１の吸収層の厚みよりも大きく、電子ビームでアライメントマークを検出できる厚みとし、ＥＵＶ光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いのに加えて、アライメントマークを構成する層の断面がＴ字型をなす逆台形状をなすので、アライメントマーク上のレジストはさらに急峻なスロープとなり、明確なアライメント信号が得られた。
【０１０１】
次に、第２のレジストパターンをマスクにして、反射防止層を形成するＴａＯ2膜をＣＦ4ガスでドライエッチングし、次いで、第１の吸収層のＴａ膜をＣｌ2ガスでドライエッチングし、キャッピング層Ｒｕ膜を露出させ、転写パターン領域に吸収体パターンを形成した。
【０１０２】
次いで、第２のレジストパターンを剥離し、十分な遮光性を有する吸収層積層方式の遮光領域を備え、位置精度の良い高解像の吸収体パターンを有するＥＵＶ露光用の反射型マスクを得た。
【符号の説明】
【０１０３】
１０、２０、３０  反射型マスク
１１  基板
１２  反射層
１３  第１の吸収層
１３ａ  吸収体パターン
１４  第２の吸収層
１５  アライメントマーク
１６  キャッピング層
１７  バッファ層
１８  反射防止層
１９  導電層
２１  転写パターン領域
２２  遮光領域
４０  反射型マスクブランクス
５６  レジスト（第１のレジスト）
５７  ２次電子強度プロファイル
６１  基板
６２  反射層
６３  第１の吸収層
６４  第２の吸収層
６５  アライメントマーク
６６  レジスト
６７  ２次電子強度プロファイル
７１  レジストパターン
８０  反射型マスク
８１  ＥＵＶ光
８２  ブレード
８３  ウェハ
８４  フィールド
８５  転写パターン
８６  フィールド重なり部
１００ａ、１００ｂ、１１０、１３６  反射型マスク
１０１、１１１、１３１  基板
１０２、１１２、１３２  反射層
１０３、１３３  キャッピング層
１０４、１３４  バッファ層
１０５、１１３  第１の吸収層
１０６、１１４  第２の吸収層
１０７、１１５  転写パターン領域
１０８、１１６  遮光領域
１３５  吸収層
１３６  反射防止層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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