(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエーハのエッジを検出する際の誤認識を防止可能な保護膜塗布装置を提供する。【解決手段】粘着テープを介して被加工物Ｗを吸引保持する回転可能なスピンナテーブル４８と、スピンナテーブル４８で吸引保持された被加工物Ｗの上面に保護膜となる液状樹脂を塗布する保護膜塗布手段６６と、保護膜塗布手段６６によって被加工物Ｗの上面に保護膜を形成する際に被加工物の外周に付着した液状樹脂の液滴及び／又は気泡を均す平坦化手段７４と、を具備し、平坦化手段７４は、弾性のある柔軟な材質から形成された接触部と、接触部の先端を被加工物の外周に接触させる作用位置と離間させる退避位置との間に選択的に位置付ける位置付け手段とを含み、保護膜塗布手段６６によって被加工物の上面に保護膜を形成後、退避位置から作用位置へと平坦化手段の接触部を位置付けた状態でスピンナテーブル４８を回転させて被加工物の外周に付着した液滴及び／気泡を均す。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状フレームの開口に装着された粘着テープ上に貼着された円板状の被加工物の上面に保護膜を塗布する保護膜塗布装置であって、
該粘着テープを介して被加工物を吸引保持する吸引保持面を有する回転可能なスピンナテーブルと、
該スピンナテーブルで吸引保持された被加工物の上面に保護膜となる液状樹脂を塗布する保護膜塗布手段と、
該保護膜塗布手段によって被加工物の上面に保護膜を形成する際に被加工物の外周に付着した該液状樹脂の液滴及び／又は気泡を均す平坦化手段と、を具備し、
該平坦化手段は、弾性のある柔軟な材質から形成された接触部と、該接触部の先端を被加工物の外周に接触させる作用位置と離間させる退避位置との間に選択的に位置付ける位置付け手段とを含み、
該保護膜塗布手段によって被加工物の上面に保護膜を形成後、該退避位置から該作用位置へと該平坦化手段の該接触部を位置付けた状態で該スピンナテーブルを回転させて、被加工物の外周に付着した液滴及び／気泡を均すことを特徴とする保護膜塗布装置。
【請求項２】
前記平坦化手段の前記接触部は、ブラシ、布又はヘラによって構成されることを特徴とする請求項１記載の保護膜塗布装置。
【請求項３】
前記平坦化手段の前記接触部は、前記作用位置において被加工物の上面と被加工物の外周から５ｍｍ以下の幅で接触することを特徴とする請求項１又は２記載の保護膜塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハの表面に水溶性樹脂の保護膜を塗布する保護膜塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等の複数のデバイスが分割予定ライン（ストリート）によって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイヤウエーハ等のウエーハは、加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
【０００３】
ウエーハの分割には、ダイサーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイアモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ３０μｍ程度とした切削ブレードを、３００００ｒｐｍ程度の高速で回転させつつウエーハへ切り込ませることでウエーハを切削し、個々のデバイスへと分割する。
【０００４】
一方、近年では、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームをウエーハに照射することでレーザー加工溝を形成し、ブレーキング装置でウエーハに外力を付与してレーザー加工溝に沿ってウエーハを割断して個々のデバイスへと分割する方法が提案されている（例えば、特開平１０−３０５４２０号公報参照）。
【０００５】
レーザー加工装置によるレーザー加工溝の形成は、ダイサーによるダイシング方法に比べて加工速度を早くすることができるとともに、サファイアやＳｉＣ等の硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。また、加工溝を例えば１０μｍ以下等の狭い幅とすることができるので、ダイシング方法で加工する場合に対してウエーハ１枚当たりのデバイス取り量を増やすことができる。
【０００６】
ウエーハにレーザー加工を施すために、ダイシングテープに貼着したウエーハをチャックテーブル上に保持した状態でウエーハに対して吸収性を有するパルスレーザビームを照射する。この際、ウエーハの外周縁を超えてレーザービームが照射されると、ダイシングテープが加熱されて溶融し、チャックテーブルの被加工物保持領域（吸引保持領域）に付着する。
【０００７】
ダイシングテープの溶融物がチャックテーブルの被加工物保持領域に付着すると、負圧を吸引するための空孔が目詰まりしたり、被加工物保持領域の表面精度が低下するという問題がある。
【０００８】
このため、被加工物保持領域に付着したダイシングテープの溶融物を砥石によって削ぎ落とすことが必要となり、場合によってはチャックテーブルを交換しなくてはならない。
【０００９】
そこで、ウエーハの外周の３点以上を撮像してウエーハの中心位置を検出し、中心座標からウエーハの外周位置を算出してレーザービームがウエーハの外周を越えて照射されることがないようにするといった方法が取られている（例えば、特開２００８−５３３４１号公報参照）。
【００１０】
ところが、ウエーハにパルスレーザビームを照射すると、パルスレーザビームが照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生する。このデブリがデバイス表面に付着するとデバイスの品質を低下させるという問題が生じる。
【００１１】
そこで、例えば特開２００４−３２２１６８号公報には、このようなデブリによる問題を解消するために、ウエーハの加工面にＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）、ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）等の水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆し、この保護膜を通してウエーハにパルスレーザビームを照射するようにしたレーザー加工装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特開２００８−５３３４１号公報
【特許文献３】特開２００４−３２２１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、保護膜をウエーハの表面に被覆する際に、水溶性樹脂を吐出するノズルから水溶性樹脂の液滴及び／又は気泡がどうしても発生するが、それらの異物がウエーハのエッジ近辺のテープ上に付着すると、ウエーハのエッジを検出する際に誤認識を招き、ウエーハの範囲を誤って検出してしまうという問題がある。
【００１４】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハのエッジを検出する際の誤認識を防止可能な保護膜塗布装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によると、環状フレームの開口に装着された粘着テープ上に貼着された円板状の被加工物の上面に保護膜を塗布する保護膜塗布装置であって、該粘着テープを介して被加工物を吸引保持する吸引保持面を有する回転可能なスピンナテーブルと、該スピンナテーブルで吸引保持された被加工物の上面に保護膜となる液状樹脂を塗布する保護膜塗布手段と、該保護膜塗布手段によって被加工物の上面に保護膜を形成する際に被加工物の外周に付着した該液状樹脂の液滴及び／又は気泡を均す平坦化手段と、を具備し、該平坦化手段は、弾性のある柔軟な材質から形成された接触部と、該接触部の先端を被加工物の外周に接触させる作用位置と離間させる退避位置との間に選択的に位置付ける位置付け手段とを含み、該保護膜塗布手段によって被加工物の上面に保護膜を形成後、該退避位置から該作用位置へと該平坦化手段の該接触部を位置付けた状態で該スピンナテーブルを回転させて、被加工物の外周に付着した液滴及び／気泡を均すことを特徴とする保護膜塗布装置が提供される。
【００１６】
好ましくは、平坦化手段の接触部は、ブラシ、布又はヘラによって構成される。好ましくは、平坦化手段の接触部は、作用位置において被加工物の上面とその外周から５ｍｍ以下の幅で接触する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の保護膜塗布装置によると、保護膜塗布後、平坦化手段によって円板状の被加工物周囲の粘着テープ上に付着した異物を弾性のある柔軟な材質から形成された接触部を接触させて均すため、ウエーハの外周エッジを検出する際の誤認識を防止することができる。
【００１８】
また、平坦化手段の接触部は柔軟な材質であるため、粘着テープに接触させる際の高さ方向の許容範囲が広くとれ、高精度な制御を必要としない。更に、平坦化手段を粘着テープに接触させたままスピンナテーブルを回転させることでウエーハ全周に渡って液状樹脂の平坦化が可能であるため、全周の平坦化が比較的容易に実現可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の保護膜塗布装置を備えたレーザー加工装置の斜視図である。
【図２】ダイシングテープを介して環状フレームに支持されたウエーハの斜視図である。
【図３】レーザビーム照射ユニットのブロック図である。
【図４】保護膜塗布装置の一部破断斜視図である。
【図５】環状フレーム押さえ手段の側面図である。
【図６】液状樹脂を塗布している状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図７】ウエーハ上に保護膜が塗布された状態の保護膜被覆装置の斜視図である。
【図８】図８（Ａ）は撮像ユニットによる撮像画像を示す図、図８（Ｂ）は撮像画像に対して二値化処理を施した図である。
【図９】平坦化手段で被加工物の外周及び外周近辺の粘着テープ上に塗布された液状樹脂を平坦化している様子を示す保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は平坦化手段の上昇位置を示す一部断面側面図、図１０（Ｂ）は平坦化手段の作用位置を示す一部断面側面図である。
【図１１】保護膜塗布装置の他の実施形態を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の保護膜塗布装置を具備し、ウエーハにレーザー加工を施すことのできるレーザー加工装置２の外観を示している。
【００２１】
レーザー加工装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示手段６が設けられている。
【００２２】
図２に示すように、加工対象の半導体ウエーハＷの表面においては、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とが直交して形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された領域に多数のデバイスＤが形成されている。
【００２３】
ウエーハＷは粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周縁部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、ウエーハＷはダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となり、図１に示したウエーハカセット８中にウエーハが複数枚（例えば２５枚）収容される。ウエーハカセット８は上下動可能なカセットエレベータ９上に載置される。
【００２４】
ウエーハカセット８の後方には、ウエーハカセット８からレーザー加工前のウエーハＷを搬出するとともに、加工後のウエーハをウエーハカセット８に搬入する搬出入手段１０が配設されている。
【００２５】
ウエーハカセット８と搬出入手段１０との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域１２が設けられており、仮置き領域１２にはウエーハＷを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段１４が配設されている。
【００２６】
仮置き領域１２に搬出されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されて保護膜塗布装置３０に搬送される。保護膜塗布装置３０では、後で詳細に説明するようにウエーハＷの加工面に保護膜が塗布される。
【００２７】
加工面に保護膜が塗布されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されてチャックテーブル１８上に搬送され、チャックテーブル１８に吸引されるとともに、複数の固定手段（クランプ）１９によりフレームＦが固定されることでチャックテーブル１８上に保持される。
【００２８】
チャックテーブル１８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウエーハＷのレーザー加工すべきストリートを検出するアライメント手段２０が配設されている。
【００２９】
アライメント手段２０は、ウエーハＷの表面を撮像する撮像手段２２を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザー加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段２２によって取得された画像は、表示手段６に表示される。
【００３０】
アライメント手段２０の左側には、チャックテーブル１８に保持されたウエーハＷに対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２４が配設されている。レーザビーム照射ユニット２４のケーシング２６中には後で詳細に説明するレーザビーム発振手段等が収容されており、ケーシング２６の先端にはレーザビームを加工すべきウエーハ上に集光する集光器２８が装着されている。
【００３１】
レーザビーム照射ユニット２４のケーシング２６内には、図３のブロック図に示すように、レーザビーム発振手段３４と、レーザビーム変調手段３６が配設されている。
【００３２】
レーザビーム発振手段３４としては、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器を用いることができる。レーザビーム変調手段３６は、繰り返し周波数設定手段３８と、レーザビームパルス幅設定手段４０と、レーザビーム波長設定手段４２を含んでいる。
【００３３】
レーザビーム変調手段３６を構成する繰り返し周波数設定手段３８、レーザビームパルス幅設定手段４０及びレーザビーム波長設定手段４２は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。
【００３４】
次に、本発明実施形態に係る保護膜塗布装置３０について図４乃至図１０を参照して詳細に説明する。まず図４を参照すると、保護膜塗布装置３０の一部破断斜視図が示されている。
【００３５】
保護膜塗布装置３０は、スピンナテーブル機構４４と、スピンナテーブル機構４４を包囲して配設された洗浄水受け機構４６を具備している。スピンナテーブル機構４４は、スピンナテーブル４８と、スピンナテーブル４８を回転駆動する電動モータ５０と、電動モータ５０を上下方向に移動可能に支持する支持機構５２とから構成される。
【００３６】
スピンナテーブル４８は多孔性材料から形成された吸着チャック４８ａを具備しており、吸着チャック４８ａが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナテーブル４８は、吸着チャック４８ａにウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック４８ａ上にウエーハを吸引保持する。
【００３７】
スピンナテーブル４８は、電動モータ５０の出力軸５０ａに連結されている。支持機構５２は、複数の（本実施形態においては３本）の支持脚５４と、支持脚５４にそれぞれ連結され電動モータ５０に取り付けられた複数（本実施形態においては３本）のエアシリンダ５６とから構成される。
【００３８】
このように構成された支持機構５２は、エアシリンダ５６を作動することにより、電動モータ５０及びスピンナテーブル４８を上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、下降位置である作業位置に位置付け可能である。
【００３９】
洗浄水受け機構４６は、洗浄水受け容器５８と、洗浄水受け容器５８を支持する３本（図４には２本のみ図示）の支持脚６０と、電動モータ５０の出力軸５０ａに装着された円板状のカバー部材６２とから構成される。
【００４０】
洗浄水受け容器５８は、円筒状の外側壁５８ａと、底壁５８ｂと、内側壁５８ｃとから構成される。底壁５８ｂの中央部には、電動モータ５０の出力軸５０ａが挿入される穴が設けられており、内側壁５８ｃはこの穴の周辺から上方に突出するように形成されている。また、底壁５８ｂには廃液口５９が設けられており、この廃液口５９にドレンホース６４が接続されている。
【００４１】
保護膜塗布装置３０は、スピンナテーブル４８に保持された加工前の半導体ウエーハに液状樹脂を塗布する保護膜塗布手段６６を具備している。保護膜塗布手段６６は、スピンナテーブル４８に保持された加工前のウエーハの加工面に向けて液状樹脂を吐出する吐出ノズル６８と、吐出ノズル６８を支持する概略Ｌ形状のアーム７０とを含んでいる。
【００４２】
保護膜塗布手段６６は、アーム７０に支持された吐出ノズル６８をスピンナテーブル４８に支持されたウエーハＷの中心部に対応する液状樹脂吐出位置と、スピンナテーブル４８から外れた図４に示す退避位置との間で揺動する正転・逆転可能な電動モータ７２とを含んでいる。吐出ノズル６８はアーム７０を介して図示しない液状樹脂供給源に接続されている。
【００４３】
保護膜塗布装置３０は更に、保護膜塗布手段６６によってウエーハＷの上面に液状樹脂を塗布する際にウエーハＷの外周に付着した液状樹脂の液滴及び／気泡を均す平坦化手段７４を備えている。
【００４４】
平坦化手段７４は、Ｌ形状のアーム７６と、アーム７６の先端に装着された接触部としてのブラシ７８と、ブラシ７８をウエーハＷの外周に接触させる作用位置と図４に示した退避位置とに選択的に位置付ける位置付けユニット８０とから構成される。
【００４５】
位置付けユニット８０は、例えばモータ及びエアシリンダの組み合わせから構成される。平坦化手段７４の接触部は、ブラシ７８に替えて弾性のある柔軟な材質から形成された布又はヘラによって構成してもよい。
【００４６】
スピンナテーブル４８には、環状フレームＦを押さえる４個の振り子式の環状フレーム押さえ手段４９が配設されている。環状フレーム押さえ手段４９は、図５に示すように、スピンナテーブル４８に固定された支持部８２と、支持部８２に回動可能に取り付けられた振り子体（クランプ）８４を含んでいる。振り子体８４は振り子軸８９を介して支持部８２に回動可能に取り付けられている。９２は振り子軸８９の抜けを防止するスナップリングである。
【００４７】
振り子体８４は例えば鉄等の強磁性体から形成されており、錘部８６と、錘部８６と一体的に形成された環状フレームＦを押さえる爪部８８とから構成される。支持部８２には永久磁石から構成された錘固定部９０が取り付けられている。
【００４８】
振り子体８４は、スピンナテーブル４８の回転速度が所定速度以下の時には、錘固定部９０の磁力が振り子体８４の遠心力に打ち勝って錘部８６が錘固定部９０に吸着されて固定され、爪部８８は図５に示す解放位置に位置付けられ、スピンナテーブル４８の回転速度が所定速度より速い時には、振り子体８４の遠心力が錘固定部９０の磁力に打ち勝って錘部８６が錘固定部９０から外れて爪部８８が環状フレームＦを押さえる押さえ位置に位置付けられるように、錘固定部９０の磁力と振り子体８４の強磁性体の種類及びその質量が設定されている。
【００４９】
振り子体８４は、その全体が強磁性体から形成される必要はなく、錘固定部９０の磁力により吸着される錘部８６の一部が強磁性体から形成されていればよい。本実施形態では前記所定速度を１０００ｒｐｍに設定した。
【００５０】
以下、このように構成された保護膜塗布装置３０の作用について説明する。ウエーハ搬送手段１６の旋回動作によって加工前の半導体ウエーハＷは保護膜塗布装置３０のスピンナテーブル４８に搬送され、吸着チャック４８ａにより吸引保持される。
【００５１】
加工前のウエーハＷが保護膜塗布装置３０のスピンナテーブル４８上に保持されたならば、ウエーハＷの加工面である表面に液状樹脂を吐出して保護膜を塗布する保護膜塗布工程を実行する。
【００５２】
保護膜塗布工程を実施するには、エアシリンダ５６を駆動してスピンナテーブル４８を下降し作業位置に位置付ける。更に、保護膜塗布手段６６の吐出ノズル６８を矢印Ａ方向に回転して図６に示す位置に位置付けて液状樹脂６９をウエーハＷ上に吐出してから、電動モータ５０を駆動してスピンナテーブル４８を矢印Ａ方向に２０００ｒｐｍ程度で回転させて吐出された液状樹脂６９をウエーハＷの全面にスピンコーティングする。
【００５３】
スピンナテーブル４８は２０００ｒｐｍという比較的高速で回転されるので、振り子体８４の遠心力が錘固定部９６の磁力に打ち勝って錘部８６が錘固定部９０から外れて振り子体８４の爪部８８が環状フレームＦをクランプする（押さえる）。
【００５４】
このように環状フレームＦが振り子体８４の爪部８８でクランプされた状態でスピンナテーブル４８が２０００ｒｐｍの回転速度で回転されるため、液状樹脂６９のウエーハＷ上へのスピンコーティング時に環状フレームＦがスピンナテーブル４８に対して固定され、液状樹脂６９をウエーハＷ表面に満遍なくスピンコーティングして保護膜を形成することができる。
【００５５】
保護膜を形成する液状樹脂としては、ＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）、ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）、ＰＥＯ（酸化ポリエチレン）等の水溶性のレジストが望ましい。
【００５６】
液状樹脂をウエーハＷ表面にスピンコーティングして保護膜７１を形成した状態が図７に示されている。図７から明らかなように、保護膜７１はウエーハＷの表面を越えてスピンナテーブル４８の吸着チャック（被加工物保持領域）上の粘着テープＴにも塗布されている。
【００５７】
図７で矢印Ｐで示す領域を撮像ユニット２２で撮像すると、図８（Ａ）に示すような撮像画像が得られたとする。図８（Ａ）及び図８（Ｂ）でＷｅはウエーハＷの外周、９４は液状樹脂の液滴又は気泡である。
【００５８】
この撮像画像を二値化処理すると、図８（Ｂ）に示すような画像が得られる。即ち、スピンナテーブル４８の吸着チャック４８ａ部分は白抜けとなり、ウエーハＷ及びウエーハＷの外周Ｗｅ上の液滴又は気泡９４が黒く映し出される。
【００５９】
図８（Ｂ）から明らかなように、液滴や気泡９４は二値化するとウエーハＷと同色になってエッジ位置の誤認識を招いてしまう。撮像画像の二値化に替えて、撮像画像を多値化してウエーハＷのエッジを検出するようにしてもよい。
【００６０】
よって、図８のＱ部分を画像認識してウエーハＷのエッジを検出すると、ウエーハの外周Ｗｅに付着した液滴又は気泡９４をウエーハＷのエッジであると誤認識することになる。その結果、ウエーハＷの外周Ｗｅを三点以上撮像してウエーハＷの中心を検出する際に、中心位置がずれてウエーハＷの範囲を誤って検出してしまうことになる。
【００６１】
よって、本発明ではこの誤認識を防止するために、保護膜塗布装置３０に平坦化手段７４が配設されている。図９に示すように、位置付けユニット８０で平坦化手段７４のアーム７６を回動し、更にブラシ７８がウエーハＷの外周に接触する作用位置に位置付ける。
【００６２】
より詳細には、平坦化手段７４のブラシ７８を図１０（Ａ）に示す上昇位置から、所定量下降させて図１０（Ｂ）に示すようにブラシ７８をウエーハＷの外周Ｗｅに接触させる。図１０（Ｂ）のオーバーラップ範囲Ｗ１は５ｍｍ以下が好ましい。
【００６３】
このように平坦化手段７４のブラシ７８をウエーハＷの外周に接触する作用位置に位置付けた状態でスピンナテーブル４８を矢印Ａ方向に回転させて、ウエーハＷの外周部分に塗布された液状樹脂６９を液滴又は気泡９４を含めて均し、ウエーハＷの外周部分の保護膜７１の厚さを均一にする。
【００６４】
このようにウエーハＷの外周部分に付着していた液滴又は気泡９４を均して外周部分の保護膜７１の厚さを略均一にすると、ウエーハＷのエッジ検出の際に図８を参照して説明した誤認識を招くことがない。
【００６５】
図１１を参照すると、他の実施形態の保護膜塗布装置３０Ａの斜視図が示されている。本発明では、液状樹脂をスピンコートするのではなく、複数の吐出ノズル９８を有するスプレーバー９６を採用し、吐出ノズル９８から液状樹脂をスプレーしながらスプレーバー９６を矢印Ｓ方向に移動して、ウエーハＷの全面に液状樹脂をスプレーコートして保護膜７１を形成する。
【００６６】
このようにスプレーコートによりウエーハＷの表面上に保護膜７１を形成すると、液状樹脂の液滴又は気泡９４がスピンコート法式に比べてより発生し易い。よって、平坦化手段７４のブラシ７８を作用位置に位置付けて、スピンナテーブル４８を回転させてウエーハＷの外周部分に付着した液滴又は気泡９４を均すことにより、図８を参照して説明したウエーハＷのエッジ検出の際の誤認識を防止することができる。
【００６７】
上述した実施形態では、保護膜塗布装置３０，３０Ａをレーザー加工装置２に組み込んだ例について説明したが、保護膜塗布装置３０，３０Ａをレーザー加工装置２から切り離して独立した装置にするようにしてもよい。
【符号の説明】
【００６８】
２    レーザー加工装置
１８    チャックテーブル
２４    レーザービーム照射ユニット
２８    集光器
３０，３０Ａ    保護膜塗布装置
４８    スピンナテーブル
６６    保護膜塗布手段
６８    吐出ノズル
７４    平坦化手段
７８    ブラシ（接触部）
９４    液滴又は気泡
【図１】
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【図２】
2013171937.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2013171937.tif 000008
【図７】
2013171937.tif 000009
【図８】
2013171937.tif 000010
【図９】
2013171937.tif 000011
【図１０】
2013171937.tif 000012
【図１１】
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