(57)【要約】【課題】エッチングされやすい誘電体多層膜を提供する。【解決手段】誘電体多層膜１２は、相対的に屈折率が低い低屈折率膜１２ａと、相対的に屈折率が高い高屈折率膜１２ｂとが交互に積層されてなる。高屈折率膜１２ｂの数密度が７×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対的に屈折率が低い低屈折率膜と、相対的に屈折率が高い高屈折率膜とが交互に積層されてなる誘電体多層膜であって、
前記高屈折率膜の数密度が７×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である、誘電体多層膜。
【請求項２】
前記高屈折率膜が、酸化ニオブを含む、請求項１に記載の誘電体多層膜。
【請求項３】
前記低屈折率膜が、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種を含む、請求項１または２に記載の誘電体多層膜。
【請求項４】
ガラス板と、
前記ガラス板上に設けられており、相対的に屈折率が低い低屈折率膜と、相対的に屈折率が高い高屈折率膜とが交互に積層されてなる誘電体多層膜と、
を備え、
前記高屈折率膜の数密度が７×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である、誘電体多層膜付ガラス板。
【請求項５】
請求項４に記載の誘電体多層膜付ガラス板の製造方法であって、
前記ガラス板の上に前記誘電体多層膜を形成した後に、端部をエッチング液に浸漬してエッチングする、誘電体多層膜付ガラス板の製造方法。
【請求項６】
前記エッチング液として、沸硫酸を含むエッチング液を用いる、請求項５に記載の誘電体多層膜付ガラス板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体多層膜、誘電体多層膜付ガラス板及び誘電体多層膜付ガラス板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、イメージセンサ用カバーガラスなどとして、表面上に、反射を抑制するための誘電体多層膜などの膜が形成されている膜付ガラス板が種々用いられている。
【０００３】
イメージセンサ用カバーガラスでは、イメージセンサの表面やカバーガラスの表面に異物が付着することを抑制するために、発塵しないことが強く望まれている。よって、イメージセンサ用カバーガラスには、ガラス板のチッピングや、膜の剥がれが生じないことが強く望まれている。これに鑑み、特許文献１等において、発塵し難いカバーガラスが種々提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１４０３４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、イメージセンサの高性能化に伴って、さらに発塵し難いカバーガラスが求められている。同様に、例えばイメージングデバイス以外の電子部品に用いられる膜付ガラス板にも、さらに発塵し難いことが求められている。
【０００６】
膜付ガラス板からの発塵を抑制するために、膜付ガラス板の端部をエッチングすることにより、ガラス板のチッピング等を抑制することが考えられる。しかしながら、膜付ガラス板の端部をエッチングした際に、ガラス板と膜との間に隙間が生じ、膜の端部がガラス板から剥離しやすくなる場合がある。そのような場合には、膜の端部が剥離することにより発塵しやすくなる虞がある。従って、膜付ガラス板の膜には、エッチングされやすいことも要求される。
【０００７】
本発明は、エッチングされやすい誘電体多層膜を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る誘電体多層膜は、相対的に屈折率が低い低屈折率膜と、相対的に屈折率が高い高屈折率膜とが交互に積層されてなる。高屈折率膜の数密度が７×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である。
【０００９】
高屈折率膜が、酸化ニオブを含むことが好ましい。
【００１０】
低屈折率膜が、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種を含むことが好ましい。
【００１１】
本発明に係る誘電体多層膜付ガラス板は、ガラス板と、ガラス板の上に設けられており、相対的に屈折率が低い低屈折率膜と、相対的に屈折率が高い高屈折率膜とが交互に積層されてなる誘電体多層膜とを備える。高屈折率膜の数密度が７×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である。
【００１２】
本発明に係る誘電体多層膜付ガラス板の製造方法は、本発明に係る誘電体多層膜付ガラス板を製造するための方法である。本発明に係る誘電体多層膜付ガラス板の製造方法では、ガラス板の上に誘電体多層膜を形成した後に、端部をエッチング液に浸漬してエッチングする。
【００１３】
エッチング液として、沸硫酸を含むエッチング液を用いることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、エッチングされやすい誘電体多層膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態における誘電体多層膜付ガラス板の略図的断面図である。
【図２】本発明の一実施形態における誘電体多層膜の略図的断面図である。
【図３】実施例１において作製した誘電体多層膜付ガラス板の角部の平面写真である。
【図４】実施例２において作製した誘電体多層膜付ガラス板の角部の平面写真である。
【図５】比較例において作製した誘電体多層膜付ガラス板の角部の平面写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１７】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１８】
図１は、本実施形態における誘電体多層膜付ガラス板１の略図的断面図である。
【００１９】
図１に示されるように、誘電体多層膜付ガラス板１は、ガラス板２０と、ガラス板２０の少なくとも一主面２０ａの全面の上に形成された誘電体多層膜１２とを備える。
【００２０】
ガラス板２０は、例えば、珪酸塩系ガラス、硼酸塩系ガラス、硼珪酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、硼リン酸塩系ガラス等により構成することができる。なかでも、ガラス板２０は、珪酸塩系ガラスまたは硼珪酸塩系ガラスにより構成されていることが好ましい。
【００２１】
図２に示されるように、誘電体多層膜１２は、相対的に屈折率が低い低屈折率膜１２ａと、相対的に屈折率が高い高屈折率膜１２ｂとが交互に積層されてなる。
【００２２】
低屈折率膜１２ａは、例えば、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種を含むことが好ましく、酸化ケイ素を含むことがより好ましい。
【００２３】
高屈折率膜１２ｂは、例えば、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ランタン、酸化タングステン及び酸化ジルコニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種を含むことが好ましく、酸化ニオブを含むことがより好ましい。
【００２４】
高屈折率膜１２ｂと低屈折率膜１２ａとの総膜数は、特に限定されないが、例えば、４層〜６０層程度とすることができる。
【００２５】
高屈折率膜１２ｂの数密度は、７×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることが好ましく、６．８×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることがより好ましい。
【００２６】
なお、高屈折率膜１２ｂの数密度は、ＲＢＳ（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）法により測定することができる。
【００２７】
高屈折率膜１２ｂの数密度は、成膜する際のガス圧を調整することにより制御することができる。具体的には、ガス圧を低くすることにより高屈折率膜１２ｂの数密度を大きくすることができ、ガス圧を高くすることにより高屈折率膜１２ｂの数密度を小さくすることができる。
【００２８】
誘電体多層膜付ガラス板１は、主面１ａ、１ｂと、側面１ｃと、稜面１ｄ、１ｅとを有する。主面１ａ、１ｂ及び側面１ｃは、それぞれ略平面状である。稜面１ｄは、主面１ａと側面１ｃとを接続している。一方、稜面１ｅは、主面１ｂと側面１ｃとを接続している。稜面１ｄ、１ｅは、それぞれ、曲面状である。稜面１ｄの一部が誘電体多層膜１２によって構成されている。また、稜面１ｄ、１ｅ及び側面１ｃとは、それぞれエッチング面により構成されている。
【００２９】
誘電体多層膜付ガラス板１は、例えば、以下の製造方法により製造することができる。
【００３０】
まず、ガラス板２０を用意する。次に、ガラス板２０の主面２０ａの上に、誘電体多層膜１２を形成する。誘電体多層膜１２の形成は、例えばスパッタリング法により行うことができる。
【００３１】
次に、誘電体多層膜１２を形成したガラス板２０の端部をエッチング液に浸漬してエッチングすることにより角部をＲ面取り状に加工することにより、誘電体多層膜付ガラス板１を完成させることができる。
【００３２】
なお、エッチング液としては、沸硫酸を含むエッチング液が好ましく用いられる。
【００３３】
本実施形態では、高屈折率膜１２ｂの数密度が７×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である。このため、高屈折率膜１２ｂがエッチングされやすい。よって、誘電体多層膜１２もエッチングされやすい。従って、例えば、上記のエッチング工程において、誘電体多層膜１２の端部がガラス板２０から剥離しにくい。よって、誘電体多層膜付ガラス板１からは発塵が生じ難い。
【００３４】
（実施例１）
ホウケイ酸ガラスからなるガラス板の上に、下記の表１に示す構成の誘電体多層膜を形成した。その後、誘電体多層膜を形成したガラス板を沸硫酸（フッ酸１０％質量以下、硫酸５０質量％以下）からなるエッチング液中に浸漬することによりエッチングし、誘電体多層膜付ガラス板１と実質的に同様の構成を有する誘電体多層膜付ガラス板を作製した。図３に実施例１において作製した誘電体多層膜付ガラス板の角部の平面写真を示す。図３において明るく写っている部分が誘電体多層膜の端部である。
【００３５】
なお、誘電体多層膜を形成する際、酸化ケイ素及び酸化ニオブを成膜する際のガス圧を０．３３Ｐａとした。
【００３６】
【表１】
2013252992.tif 000003
【００３７】
（実施例２）
酸化ケイ素及び酸化ニオブを成膜する際のガス圧を０．２６Ｐａに調整して誘電体多層膜を下記の表２に示す構成としたこと以外は、実施例１と同様にして誘電体多層膜付ガラス板を作製した。図４に実施例２において作製した誘電体多層膜付ガラス板の角部の平面写真を示す。図４において明るく写っている部分が誘電体多層膜の端部である。
【００３８】
【表２】
2013252992.tif 000004
【００３９】
（比較例）
酸化ケイ素及び酸化ニオブを成膜する際のガス圧を０．１８Ｐａに調整して誘電体多層膜を下記の表３に示す構成としたこと以外は、実施例１と同様にして誘電体多層膜付ガラス板を作製した。図５に比較例において作製した誘電体多層膜付ガラス板の角部の平面写真を示す。図５において明るく写っている部分が誘電体多層膜の端部である。
【００４０】
【表３】
2013252992.tif 000005
【００４１】
図５に示す写真から、高屈折率膜の数密度が７×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超えている比較例では、誘電体多層膜の端部がガラス板から剥離していることが分かる。それに対して、図３及び図４に示す写真から、高屈折率膜の数密度が７×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である実施例１，２では、誘電体多層膜の端部がガラス板から実質的に剥離していないことが分かる。
【符号の説明】
【００４２】
１…誘電体多層膜付ガラス板
１ａ、１ｂ…主面
１ｃ…側面
１ｄ、１ｅ…稜面
１２…誘電体多層膜
１２ａ…低屈折率膜
１２ｂ…高屈折率膜
２０…ガラス板
２０ａ…主面
【図１】
2013252992.tif 000006
【図２】
2013252992.tif 000007
【図３】
2013252992.tif 000008
【図４】
2013252992.tif 000009
【図５】
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