(57)【要約】【課題】短時間でプローブを洗浄することができるプローブ洗浄装置を提供すること。【解決手段】実施形態のプローブ洗浄装置は、吸引管と吐出管とを有したプローブの後端部に接続されるプローブ接続部と、気体を吸引するとともに気体からダストを取り除いて排気する吸引機と、を備えている。そして、前記プローブを洗浄する際に前記吸引管の後端部と前記吸引機の気体吸引側とが接続され且つ前記吐出管の後端部と前記吸引機の気体排気側とが接続され且つ前記吸引管の先端部と前記吐出管の先端部とが接続されると、前記吸引機、前記吐出管および前記吸引管を用いた閉ループが構成される。前記吸引機は、前記プローブを洗浄する際に前記閉ループが構成されると、ガス供給源から送出されたクリーニングガスを、前記吐出管、前記吸引管、前記吸引機の順番で循環させる。【選択図】図１
2013119048.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部雰囲気中の第１の気体を吸引する吸引管と前記外部雰囲気中に第２の気体を吐出する吐出管とを備えるとともに所定サイズ以上のダスト数を表面粒子測定器本体が測定する際に前記吸引管の後端部および前記吐出管の後端部が前記表面粒子測定器本体に接続されるプローブに対し、前記プローブを洗浄する際に前記吸引管の後端部および前記吐出管の後端部に接続されるプローブ接続部と、
気体吸引側から第３の気体を吸引するとともに前記第３の気体からダストを取り除いた第４の気体を気体排気側から排気する吸引機と、
前記吸引管の先端部と前記吐出管の先端部とを接続して密閉する密閉栓と、
前記プローブの一部を包囲する筐体と前記筐体の周辺に配置される放電電極および接地電極とを有したイオナイザと、
を備え、
前記プローブを洗浄する際に、前記吸引管の後端部と前記気体吸引側とが接続され、且つ前記吐出管の後端部と前記気体排気側とが接続され、且つ前記吸引管の先端部と前記吐出管の先端部とが接続されると、前記吸引機、前記吐出管および前記吸引管を用いた閉ループが構成され、
前記吸引機は、
前記プローブを洗浄する際に前記閉ループが構成されると、ガス供給源から送出されたクリーニングガスを前記吐出管に送り、前記吐出管から吐出されたクリーニングガスが前記吐出管から前記密閉栓を介して前記吸引管に送られると前記第３の気体として前記吸引管から吸引し、吸引したクリーニングガスからダストを取り除いたクリーニングガスを前記第４の気体として排気し、排気したクリーニングガスおよび前記ガス供給源から送出されたクリーニングガスを前記吐出管に送り、
前記クリーニングガスは、不活性ガスであり且つ帯電させられたドライアイスの粉末粒子を含むとともに、前記ドライアイスの粉末粒子が揮発しないよう、前記ガス供給源から前記吐出管の後端部までが前記外部雰囲気よりも冷却され、
前記プローブを洗浄する際には、前記プローブの一部を包囲するよう前記筐体を配置するとともに前記イオナイザによって前記筐体内に放電を発生させることを特徴とするプローブ洗浄装置。
【請求項２】
外部雰囲気中の第１の気体を吸引する吸引管と前記外部雰囲気中に第２の気体を吐出する吐出管とを備えるとともに所定サイズ以上のダスト数を表面粒子測定器本体が測定する際に前記吸引管の後端部および前記吐出管の後端部が前記表面粒子測定器本体に接続されるプローブに対し、前記プローブを洗浄する際に前記吸引管の後端部および前記吐出管の後端部に接続されるプローブ接続部と、
気体吸引側から第３の気体を吸引するとともに前記第３の気体からダストを取り除いた第４の気体を気体排気側から排気する吸引機と、
を備え、
前記プローブを洗浄する際に前記吸引管の後端部と前記気体吸引側とが接続され且つ前記吐出管の後端部と前記気体排気側とが接続され且つ前記吸引管の先端部と前記吐出管の先端部とが接続されると、前記吸引機、前記吐出管および前記吸引管を用いた閉ループが構成され、
前記吸引機は、
前記プローブを洗浄する際に前記閉ループが構成されると、ガス供給源から送出されたクリーニングガスを前記吐出管に送り、前記吐出管から吐出されたクリーニングガスを前記第３の気体として前記吸引管から吸引し、吸引したクリーニングガスからダストを取り除いたクリーニングガスを前記第４の気体として排気し、排気したクリーニングガスおよび前記ガス供給源から送出されたクリーニングガスを前記吐出管に送ることを特徴とするプローブ洗浄装置。
【請求項３】
前記吸引管の先端部と前記吐出管の先端部とを接続して密閉する密閉栓をさらに備え、
前記プローブを洗浄する際には、前記クリーニングガスが、前記吐出管から前記密閉栓を介して前記吸引管に送られることを特徴とする請求項２に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項４】
前記プローブの一部を包囲する筐体と、前記筐体の周辺に配置される放電電極および接地電極と、を有したイオナイザをさらに備え、
前記プローブを洗浄する際には、前記プローブの一部を包囲するよう前記筐体を配置するとともに、前記イオナイザによって前記筐体内に放電を発生させることを特徴とする請求項２または３に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項５】
前記クリーニングガスは、不活性ガスであることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１つに記載のプローブ洗浄装置。
【請求項６】
前記クリーニングガスは、ドライアイスの粉末粒子を含んだガスであることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１つに記載のプローブ洗浄装置。
【請求項７】
前記ドライアイスの粉末粒子が揮発しないよう、前記ガス供給源から前記吐出管の後端部までが前記外部雰囲気よりも冷却されていることを特徴とする請求項６に記載のプローブ洗浄装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、プローブ洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する際には、半導体製造装置内などにダストが発生する場合がある。このようなダストは、製造不良の原因になるので、ダスト発生源を特定してダスト発生の抑制処理を行っている。
【０００３】
ダスト発生源を特定する方法の１つとして、表面粒子測定器でダスト数を測定する方法がある。この方法では、真空チャンバなどの表面（内壁面）に付着したダストを表面粒子測定器のプローブで吸引し、所定サイズ以上のダスト数を測定している。
【０００４】
しかしながら、汚れた真空チャンバなどを表面粒子測定器によって測定すると、プローブが汚染されてしまう。そして、プローブが汚染された状態で清浄な真空チャンバを測定すると、測定値が異常値となってしまう。プローブからエアの吐出・吸引を連続的に行なうことによってプローブを洗浄する方法があるが、この方法では洗浄の効率が悪く、洗浄に長時間を要していた。このため、短時間でプローブを洗浄する技術が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００２／００８３７８０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、短時間でプローブを洗浄することができるプローブ洗浄装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、プローブ洗浄装置が提供される。プローブ洗浄装置は、プローブに接続されるプローブ接続部を備えている。前記プローブは、外部雰囲気中の第１の気体を吸引する吸引管と前記外部雰囲気中に第２の気体を吐出する吐出管とを備えている。また、プローブは、所定サイズ以上のダスト数を表面粒子測定器本体が測定する際に前記吸引管の後端部および前記吐出管の後端部が前記表面粒子測定器本体に接続される。前記プローブ接続部は、前記プローブを洗浄する際に前記吸引管の後端部および前記吐出管の後端部に接続される。また、前記プローブ洗浄装置は、気体吸引側から第３の気体を吸引するとともに前記第３の気体からダストを取り除いた第４の気体を気体排気側から排気する吸引機を備えている。そして、前記プローブを洗浄する際に前記吸引管の後端部と前記気体吸引側とが接続され且つ前記吐出管の後端部と前記気体排気側とが接続され且つ前記吸引管の先端部と前記吐出管の先端部とが接続されると、前記吸引機、前記吐出管および前記吸引管を用いた閉ループが構成される。また、前記吸引機は、前記プローブを洗浄する際に前記閉ループが構成されると、ガス供給源から送出されたクリーニングガスを前記吐出管に送り、前記吐出管から吐出されたクリーニングガスを前記第３の気体として前記吸引管から吸引する。さらに、前記吸引機は、吸引したクリーニングガスからダストを取り除いたクリーニングガスを前記第４の気体として排気し、排気したクリーニングガスおよび前記ガス供給源から送出されたクリーニングガスを前記吐出管に送る。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るプローブ洗浄装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態に係るプローブの構成を示す図である。
【図３】図３は、第２の実施形態に係るプローブ洗浄装置の構成を示す図である。
【図４】図４は、第３の実施形態に係るプローブ洗浄装置の構成を示す図である。
【図５】図５は、第３の実施形態に係るプローブ洗浄装置の排気側とプローブの吸引側との接続部分の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るプローブ洗浄装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るプローブ洗浄装置の構成を示す図である。図１では、プローブ洗浄装置１Ｘと、プローブ洗浄装置１Ｘに接続されるプローブ２Ｘと、ダスト測定を行う際にプローブ２Ｘに接続される本体ユニット３０Ｘと、クリーニングガス供給装置１５と、を示している。
【００１１】
本実施形態のプローブ洗浄装置１Ｘは、プローブ２Ｘと接続することにより、プローブ洗浄装置１Ｘとプローブ２Ｘとで閉ループの配管を構成し、閉ループの配管内に気体を流すことによってプローブ２Ｘを洗浄する。
【００１２】
プローブ２Ｘは、吸引・吐出部２１と、接続部２２と、樹脂管２３Ａ，２３Ｂと、金属管４Ａ，４Ｂと、コネクタ１２と、を備えている。吸引・吐出部２１は、プローブ２Ｘの一方の端部側に配置されており、外部からの気体（ダストを含む）などを吸引するとともに外部に対して気体などを吐出する。吸引・吐出部２１は、接続部２２を介して樹脂管２３Ａ，２３Ｂに接続され、樹脂管２３Ａ，２３Ｂは、それぞれ金属管４Ａ，４Ｂに接続されている。また、プローブ２Ｘの他方の端部側には、プローブ洗浄装置１Ｘおよび後述するコネクタ３１Ｘに対して着脱自在に接続可能なコネクタ１２が設けられている。コネクタ１２は、金属管４Ａ，４Ｂに接続されている。
【００１３】
コネクタ１２は、プローブ２Ｘをクリーニングする際には、プローブ洗浄装置１Ｘに接続され、半導体製造装置（例えば真空チャンバ）内のダスト数を測定する際には、本体ユニット３０Ｘに接続される。これにより、プローブ２Ｘは、プローブ洗浄装置１Ｘによって洗浄される際にプローブ洗浄装置１Ｘに接続され、半導体製造装置内のダスト数を測定する際に本体ユニット３０Ｘに接続される。
【００１４】
金属管４Ｂは、本体ユニット３０Ｘまたはプローブ洗浄装置１Ｘから送られてくる気体を樹脂管２３Ｂに送る。樹脂管２３Ｂは、金属管４Ｂからの気体を吸引・吐出部２１側に送る。
【００１５】
吸引・吐出部２１は、吸引した気体を、樹脂管２３Ａに送り、樹脂管２３Ａは、吸引・吐出部２１からの気体を金属管４Ａに送る。金属管４Ａは、樹脂管２３Ａからの気体を本体ユニット３０Ｘまたはプローブ洗浄装置１Ｘ側に送る。
【００１６】
樹脂管２３Ａ，２３Ｂは、例えば管状の柔軟性のある樹脂部材を用いて形成されており、金属管４Ａ，４Ｂは、例えば管状の導電性部材を用いて形成されている。
【００１７】
吸引・吐出部２１は、吸引した気体を樹脂管２３Ａに送る第１の配管（後述する吸引配管２５Ａ）と、樹脂管２３Ｂからの気体を外部に吐出する第２の配管（後述する吐出配管２５Ｂ）と、を備えており、第１および第２の配管を用いた２重構造となっている。接続部２２は、吸引配管２５Ａと樹脂管２３Ａとを接続し、吐出配管２５Ｂと樹脂管２３Ｂとを接続している。吸引・吐出部２１は、気体の吸引と吐出とを同時に行なう。
【００１８】
ここで、プローブ２Ｘの構成について説明する。図２は、第１の実施の形態に係るプローブの構成を示す図である。図２の（ａ）では、プローブ２Ｘの斜視図を示しており、図２の（ｂ）では、吸引・吐出部２１の断面図を示している。
【００１９】
プローブ２Ｘは、第１の配管としての吸引配管２５Ａと、第２の配管としての吐出配管２５Ｂと、を備えている。吸引配管２５Ａは、吐出配管２５Ｂよりも小さな径を有しており、吐出配管２５Ｂ内に配置されている。換言すると、吐出配管２５Ｂは、吸引配管２５Ａよりも大きな径を有しており、その内部に吸引配管２５Ａが配置されている。
【００２０】
吸引・吐出部２１では、例えば、吸引配管２５Ａの中心軸と吐出配管２５Ｂの中心軸とが同軸となるよう、吸引配管２５Ａと吐出配管２５Ｂが形成されている。吸引・吐出部２１では、真空チャンバ内などから吸引した気体を吸引配管２５Ａの内側領域から吸引する。また、吸引・吐出部２１では、真空チャンバ内などに吐出する気体を吐出配管２５Ｂの内側領域であって且つ吸引配管２５Ａの外側領域となる領域から吐出する。別言すれば、吸引・吐出部２１では、中心軸近傍の領域から気体を吸引するとともに、前記中心軸近傍の領域よりも外側の領域（外周部近傍の領域）から気体を吐出する。
【００２１】
プローブ洗浄装置１Ｘは、密閉栓３と、プローブ用コネクタ１３と、配管７Ａ，７Ｂ，８Ｂ，９と、吸引機１０と、開閉バルブ１１と、を備えている。配管７Ａ，７Ｂ，８Ｂ，９は、例えば管状の導電性部材（金属部材など）を用いて形成されている。
【００２２】
密閉栓３は、プローブ２Ｘを洗浄する際に、プローブ２Ｘの一方の端部（吸引・吐出部２１側）に接続されてプローブ２Ｘの一方の端部を密閉する。具体的には、密閉栓３は、吸引配管２５Ａと吐出配管２５Ｂとが所定の空間を介して繋がるよう、プローブ２Ｘの一方の端部を密閉する。換言すると、吸引配管２５Ａと吐出配管２５Ｂとは、密閉栓３によって接続されるとともにその周囲が密閉される。密閉栓３がプローブ２Ｘの一方の端部を密閉することにより、吐出配管２５Ｂから吐出されたクリーニングガスは、密閉栓３によって設けられた所定の空間を介して吸引配管２５Ａに吸引される。
【００２３】
プローブ用コネクタ１３は、コネクタ１２に対して着脱自在に接続可能なコネクタである。プローブ用コネクタ１３は、プローブ２Ｘをクリーニングする際にプローブ２Ｘのコネクタ１２に接続される。また、プローブ用コネクタ１３は、配管７Ａに接続され、配管７Ａは、吸引機１０に接続されている。
【００２４】
吸引機１０は、例えばサイクロン式の吸引機などであり、配管７Ａを介して気体を吸引する。なお、吸引機１０は、フィルタなどを備えた吸引機であってもよい。吸引機１０は、配管７Ａと配管８Ｂに接続されており、配管７Ａを介して吸引したクリーニングガスを配管８Ｂから排気する。
【００２５】
配管８Ｂは、配管７Ｂに接続され、配管７Ｂは、プローブ用コネクタ１３に接続されている。したがって、プローブ用コネクタ１３は、コネクタ１２に接続されることにより、金属管４Ａと配管７Ａとを接続するとともに、金属管４Ｂと配管７Ｂとを接続する。
【００２６】
また、配管８Ｂと配管７Ｂとの接続位置には、配管９が接続されている。そして、配管９は、クリーニングガス供給装置１５に接続されている。したがって、配管８Ｂと配管９（クリーニングガス供給装置１５）と配管７Ｂとが接続されている。この構成により、クリーニングガス供給装置１５から送出されたクリーニングガスは、配管９および配管７Ｂを介してプローブ用コネクタ１３側に送られる。配管９には開閉バルブ１１が設けられており、クリーニングガス供給装置１５から配管７Ｂへのガス供給量が、開閉バルブ１１の開閉によって調整される。
【００２７】
クリーニングガス供給装置１５は、クリーニングガスを供給するガスボンベなどを備えて構成されている。ここでのクリーニングガスは、例えば、窒素（Ｎ2）などの不活性ガス、ドライエアーなどである。クリーニングガスは、常温であってもよいし、室温よりも低い温度であってもよい。また、クリーニングガスには、ドライアイスの粉末粒子などを含めてもよい。
【００２８】
クリーニングガス内にドライアイスの粉末粒子を含めておくことにより、プローブ２Ｘ内に残留している有機物などにドライアイスが付着し、昇華する際に除去される。したがって、プローブ２Ｘ内に残留している有機物などを効率良く除去することが可能となる。
【００２９】
また、ドライアイスの粉末粒子を帯電させておいてもよい。これにより、プローブ２Ｘ内に残留しているダストのうち帯電しているダストを効率良く除去することが可能となる。
【００３０】
なお、クリーニングガス内にドライアイスの粉末粒子を含める場合には、ドライアイスがプローブ２Ｘに到達する前に揮発しないようプローブ洗浄装置１Ｘやクリーニングガスを冷却しておいてもよい。また、効率良くダストを除去できるよう、プローブ２Ｘは温めておいてもよい。例えば、プローブ洗浄装置１Ｘの配管９および配管７Ｂとクリーニングガスを冷却しておき，プローブ２Ｘの金属管４Ａ，４Ｂ、樹脂管２３Ａ，２３Ｂ、吸引・吐出部２１を温めておく。
【００３１】
プローブ２Ｘをクリーニングする際には、クリーニングガス供給装置１５から送出された気体（クリーニングガス）が、配管９と、配管７Ｂと、金属管４Ｂと、樹脂管２３Ｂと、を介して、吐出配管２５Ｂに送られる。そして、吐出配管２５Ｂからクリーニングガスが吐出され、密閉栓３内に送り込まれる。密閉栓３内に送り込まれたクリーニングガスは、吸引配管２５Ａから吸引され、樹脂管２３Ａと、金属管４Ａと、配管７Ａと、を介して吸引機１０に送られる。そして、吸引機１０内でクリーニングガス内のダストが取り除かれた後、配管８Ｂにクリーニングガスが排気される。さらに、配管８Ｂに排気されたクリーニングガスと、クリーニングガス供給装置１５から送出されたクリーニングガスと、が配管７Ｂに送り込まれる。
【００３２】
このように、プローブ２Ｘを洗浄する際には、プローブ２Ｘの一方の端部が密閉栓３で密閉されるとともに、プローブ２Ｘの他方の端部がプローブ洗浄装置１Ｘに接続される。これにより、プローブ２Ｘとプローブ洗浄装置１Ｘとで配管の閉ループを形成している。そして、プローブ洗浄装置１Ｘでは、プローブ２Ｘにクリーニングガスを送出するとともにプローブ２Ｘからクリーニングガスを吸引し、クリーニングガスからダストを取り除いて再びプローブ２Ｘにクリーニングガスを送出している。これにより、プローブ洗浄装置１Ｘでは、閉ループ内でクリーニングガスを循環させている。
【００３３】
具体的には、プローブ２Ｘをクリーニングする際には、配管７Ｂ、金属管４Ｂ、樹脂管２３Ｂ、吐出配管２５Ｂ、吸引配管２５Ａ、樹脂管２３Ａ、金属管４Ａ、配管７Ａ、吸引機１０によって閉ループが形成され、閉ループ内をクリーニングガスが循環する。
【００３４】
なお、配管８Ｂに排気装置を設けてもよい。この排気装置は、吸引機１０から配管８Ｂに排気したクリーニングガスの一部をプローブ洗浄装置１Ｘの外部に排出する装置である。配管８Ｂに排気装置を設けることにより、効率良くプローブ２Ｘを洗浄することが可能となる。
【００３５】
本体ユニット３０Ｘは、吸引した気体内に含まれる所定サイズ以上のダスト数を測定する表面粒子測定器などの本体部である。本体ユニット３０Ｘは、気体の送出機能を有した気体送出部（図示せず）と、気体の吸引機能を有した気体吸引部（図示せず）と、を備えている。また、本体ユニット３０Ｘは、半導体製造装置内のダスト数を測定する際に、プローブ２Ｘのコネクタ１２に接続されるコネクタ３１Ｘを備えている。コネクタ３１Ｘは、コネクタ１２に着脱自在に接続可能なコネクタである。
【００３６】
半導体製造装置内のダスト数を測定する際には、気体送出部が気体を送出し、気体吸引部が気体を吸引する。気体送出部から送出された気体は、金属管４Ｂと、樹脂管２３Ｂと、を介して、吐出配管２５Ｂに送られる。そして、吐出配管２５Ｂから気体が吐出され、気体が半導体製造装置（例えば真空チャンバの内壁面）に吹き付けられる。これにより、真空チャンバの内壁面などに付着しているダストが舞い上がる。真空チャンバ内のダストや気体は、吸引配管２５Ａから吸引され、樹脂管２３Ａと、金属管４Ａと、を介して気体吸引部に吸引される。
【００３７】
本体ユニット３０Ｘによる半導体製造装置のダスト測定は、種々の半導体製造装置に対し、種々のタイミングで行なわれる。また、プローブ洗浄装置１Ｘによるプローブ２Ｘの洗浄は、種々のタイミングで行なわれる。例えば、プローブ２Ｘを用いてダスト数を測定した後に、プローブ２Ｘは、プローブ洗浄装置１Ｘによって洗浄される。
【００３８】
プローブ洗浄装置１Ｘによってプローブ２Ｘが洗浄された後、プローブ２Ｘを用いて半導体製造装置のダスト測定が行なわれる。そして、ダスト測定で合格となった半導体製造装置を用いて、半導体装置（半導体集積回路）が製造される。
【００３９】
半導体製造装置は、例えば、成膜装置、レジスト塗布装置、露光装置、現像装置、エッチング装置などである。半導体装置を製造する際には、ダスト測定で合格となった半導体製造装置を用いて、基板（ウエハ）上に半導体膜、金属膜、絶縁膜などが成膜される。そして、このウエハ上にレジストが塗布され、マスクを用いた露光が行なわれる。その後、ウエハが現像されウエハ上にレジストパターンが形成される。そして、レジストパターン上からウエハの下層側がエッチングされる。これにより、レジストパターンに対応する基板上パターンがウエハ上に形成される。半導体装置を製造する際には、上述したダスト測定、プローブ２Ｘの洗浄、成膜処理、露光処理、現像処理、エッチング処理などが繰り返される。
【００４０】
なお、本実施の形態では、金属管４Ａとプローブ用コネクタ１３とを接続するコネクタと、金属管４Ｂとプローブ用コネクタ１３とを接続するコネクタと、を１つのコネクタ１２で構成する場合について説明したが、金属管４Ａとプローブ用コネクタ１３とを接続するコネクタと、金属管４Ｂとプローブ用コネクタ１３とを接続するコネクタと、を別々のコネクタで構成してもよい。同様に、配管７Ａとコネクタ１２とを接続するコネクタと、配管７Ｂとコネクタ１２とを接続するコネクタと、を別々のコネクタで構成してもよい。
【００４１】
また、樹脂管２３Ａ，２３Ｂを金属管で構成してもよい。また、金属管４Ａ，４Ｂを樹脂管で構成してもよい。また、プローブ洗浄装置１Ｘが密閉栓３を備える構成としてもよいし、プローブ洗浄装置１Ｘと密閉栓３とを別構成としてもよい。
【００４２】
このように第１の実施形態によれば、プローブ２Ｘとプローブ洗浄装置１Ｘとで配管の閉ループを形成し、閉ループ内でクリーニングガスを循環させながらクリーニングガスからダストを取り除いているので、短時間でプローブ２Ｘを洗浄することが可能となる。
【００４３】
（第２の実施形態）
つぎに、図３を用いてこの発明の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、プローブ２Ｘの周辺にイオナイザを配置し、イオナイザを用いてプローブ２Ｘ内のダストを除去する。また、プローブ洗浄装置とプローブ２Ｘとを接続した状態でプローブ洗浄装置と本体ユニット３０Ｘとを接続できるよう、プローブ洗浄装置を構成しておく。
【００４４】
図３は、第２の実施形態に係るプローブ洗浄装置の構成を示す図である。図３では、プローブ洗浄装置１Ｙと、プローブ２Ｘと、プローブ２Ｘの周辺に配置されるイオナイザユニット５０と、本体ユニット３０Ｘと、クリーニングガス供給装置１５と、を示している。なお、図３の各構成要素のうち図１に示す第１の実施形態のプローブ洗浄装置１Ｘやプローブ２Ｘと同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。
【００４５】
本実施形態のプローブ洗浄装置１Ｙは、プローブ２Ｘと接続した状態で本体ユニット３０Ｘとも接続できるよう構成されている。プローブ洗浄装置１Ｙは、プローブ２Ｘと本体ユニット３０Ｘの両方に接続された状態で、プローブ２Ｘを洗浄する。また、本体ユニット３０Ｘは、プローブ洗浄装置１Ｙがプローブ２Ｘと本体ユニット３０Ｘの両方に接続された状態で半導体製造装置内のダスト数を測定する。また、プローブ洗浄装置１Ｙは、プローブ洗浄装置１Ｙとプローブ２Ｘとで閉ループの配管を構成し、閉ループの配管内に気体を流すことによってプローブ２Ｘを洗浄する。
【００４６】
プローブ洗浄装置１Ｙは、プローブ洗浄装置１Ｘの構成要素に加えて、配管１６Ａ，１６Ｂと、開閉バルブ（切替えバルブ）１７Ａ，１７Ｂ，１８Ａ，１８Ｂと、本体用コネクタ１９と、を備えている。
【００４７】
配管１６Ａの一方の端部は配管７Ａに接続され、他方の端部は本体用コネクタ１９に接続されている。また、配管１６Ｂの一方の端部は配管７Ｂに接続され、他方の端部は本体用コネクタ１９に接続されている。配管１６Ａ，１６Ｂは、例えば管状の導電性部材（金属部材など）を用いて形成されている。配管１６Ａには開閉バルブ１７Ａが設けられており、配管１６Ｂには開閉バルブ１７Ｂが設けられている。また、本体用コネクタ１９は、本体ユニット３０Ｘのコネクタ３１Ｘに接続されている。
【００４８】
また、配管７Ａのうち、配管１６Ａに接続されている位置と、プローブ用コネクタ１３と、の間の配管上には、開閉バルブ１８Ａが設けられている。また、配管７Ｂのうち、配管１６Ｂに接続されている位置と、プローブ用コネクタ１３と、の間の配管上には、開閉バルブ１８Ｂが設けられている。
【００４９】
プローブ２Ｘを洗浄する際には、開閉バルブ１８Ａ，１８Ｂが開けられ、開閉バルブ１７Ａ，１７Ｂが閉じられる。そして、プローブ２Ｘの先端部（吸引・吐出部２１側）に密閉栓３が装着される。これにより、プローブ２Ｘを洗浄する際には、プローブ洗浄装置１Ｙとプローブ２Ｘとの間でクリーニングガスが流される。また、本体ユニット３０Ｘを洗浄する際は、開閉バルブ１８Ａ，１８Ｂが閉じられ、開閉バルブ１７Ａ，１７Ｂが開けられる。これにより、本体ユニット３０Ｘを洗浄する際には、プローブ洗浄装置１Ｙとプローブ２Ｘとの間でクリーニングガスが流される。
【００５０】
一方、半導体製造装置内のダスト数を測定する際には、プローブ２Ｘのコネクタ１２をプローブ洗浄ユニット１Ｙのコネクタ１３から切り離し、本体ユニット３０Ｘのコネクタ３１Ｘと接続する。開閉バルブ１８Ａ，１８Ｂと開閉バルブ１７Ａ，１７Ｂと、がともに開けられる。これにより、半導体製造装置内のダスト数を測定する際には、本体ユニット３０Ｘからの気体がプローブ２Ｘを介して半導体製造装置内に吐出されるとともに半導体製造装置内の気体がプローブ２Ｘを介して本体ユニット３０Ｘに吸引される。
【００５１】
なお、開閉バルブ１８Ａは、配管７Ａのうち、配管１６Ａに接続されている位置と吸引機１０との間の配管上に配置してもよい。また、開閉バルブ１８Ｂは、配管７Ｂのうち、配管１６Ｂに接続されている位置と吸引機１０との間の配管上に配置してもよい。
【００５２】
イオナイザユニット５０は、吸引・吐出部２１、接続部２２、樹脂管２３Ａ，２３Ｂを囲う筐体５と、この筐体５を構成する壁面上に配置された放電電極６Ｄと、を備えている。筐体５は、例えば、円筒状をなしており、絶縁体を用いて形成されている。また、放電電極６Ｄは、例えば棒状をなしており、導電性部材を用いて形成されている。放電電極６Ｄは、筐体５の軸方向と平行な方向が、放電電極６Ｄの軸方向となるよう筐体５上に配置されている。また、筐体５のうち放電電極６Ｄに対向する位置には、接地電極６Ｅが配置されている。
【００５３】
プローブ２Ｘを洗浄する際には、少なくともプローブ２Ｘの一部（吸引・吐出部２１、接続部２２、樹脂管２３Ａ，２３Ｂ）が、筐体５内に格納される。放電電極６Ｄに電圧を印加することによって、筐体５内で放電が発生し、静電気によって吸引・吐出部２１、接続部２２、樹脂管２３Ａ，２３Ｂ内に付着していたダストを浮かせる。これにより、効率良くプローブ２Ｘを洗浄することが可能となる。
【００５４】
なお、イオナイザユニット５０は、金属管４Ａ，４Ｂを囲う構成であってもよい。また、イオナイザユニット５０は、プローブ２Ｘ近傍とは異なる位置に配置してもよい。例えば、イオナイザユニット５０を、配管９の周辺に配置してもよい。これにより、ドライアイスなどの粉末粒子を帯電させることが可能となる。
【００５５】
また、本実施の形態では、イオナイザユニット５０とプローブ洗浄装置１Ｙとを別構成としたが、プローブ洗浄装置１Ｙがイオナイザユニット５０を備える構成としてもよい。また、プローブ２Ｘがイオナイザユニット５０を備える構成としてもよい。
【００５６】
また、本実施の形態では、金属管４Ａと配管７Ａとをコネクタ１２とプローブ用コネクタ１３とによって接続する場合について説明したが、金属管４Ａと配管７Ａとを直接接続してもよい。また、金属管４Ｂと配管７Ｂとを直接接続してもよい。また、配管１６Ａ，１６Ｂと本体ユニット３０Ｘを直接接続してもよい。
【００５７】
このように第２の実施形態によれば、イオナイザユニット５０を用いてプローブ２Ｘを洗浄するので、効率良くプローブ２Ｘを洗浄することが可能となる。また、開閉バルブ１７Ａ，１７Ｂの開閉および開閉バルブ１８Ａ，１８Ｂの開閉を、切替えることにより、プローブ２Ｘの洗浄と半導体製造装置内のダスト数測定を切替えることができるので、プローブ２Ｘの洗浄と、半導体製造装置内のダスト数測定と、を効率良く行なうことが可能となる。
【００５８】
（第３の実施形態）
つぎに、図４を用いてこの発明の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、気体の吐出を行なわず吸引を行なうプローブに対し、プローブの一方の端部と他方の端部とのそれぞれをプローブ洗浄装置に接続することによって、プローブ洗浄装置とプローブとで閉ループの配管を構成する。
【００５９】
図４は、第３の実施形態に係るプローブ洗浄装置の構成を示す図である。図４では、プローブ洗浄装置１Ｚと、プローブ２Ｙと、プローブ２Ｙの周辺に配置されるイオナイザユニット５０と、本体ユニット３０Ｙと、クリーニングガス供給装置１５と、を示している。なお、図４の各構成要素のうちプローブ洗浄装置１Ｘ，１Ｙ、プローブ２Ｘ、本体ユニット３０Ｘと同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。
【００６０】
プローブ２Ｙは、吸引部４１と、接続部４２と、樹脂管２３Ｃと、金属管４Ｃと、コネクタ４４と、を備えている。吸引部４１は、管状部材を用いて形成されている。吸引部４１は、プローブ２Ｙの一方の端部側に配置されており、外部からの気体（ダストを含む）などを吸引する。吸引部４１は、接続部４２を介して樹脂管２３Ｃに接続され、樹脂管２３Ｃは、金属管４Ｃに接続されている。また、プローブ２Ｙの他方の端部側には、プローブ洗浄装置１Ｚおよび後述するコネクタ３１Ｙに対して着脱自在に接続可能なコネクタ４４が設けられている。コネクタ４４は、金属管４Ｃに接続されている。
【００６１】
コネクタ４４は、プローブ２Ｙをクリーニングする際には、プローブ洗浄装置１Ｚに接続され、半導体製造装置内のダスト数を測定する際には、本体ユニット３０Ｙに接続される。これにより、プローブ２Ｙは、プローブ洗浄装置１Ｚによって洗浄される際にプローブ洗浄装置１Ｚに接続され、半導体製造装置内のダスト数を測定する際に本体ユニット３０Ｙに接続される。また、プローブ２Ｙを洗浄する際には、吸引部４１、接続部４２、樹脂管２３Ｃが、筐体５内に格納される。
【００６２】
吸引部４１は、吸引した気体を、樹脂管２３Ｃに送り、樹脂管２３Ｃは、吸引部４１からの気体を金属管４Ｃに送る。金属管４Ｃは、樹脂管２３Ｃからの気体を本体ユニット３０Ｙまたはプローブ洗浄装置１Ｚ側に送る。
【００６３】
樹脂管２３Ｃは、例えば管状の柔軟性のある樹脂部材を用いて形成されており、金属管４Ｃは、例えば管状の導電性部材を用いて形成されている。
【００６４】
プローブ洗浄装置１Ｚは、プローブ用コネクタ６１と、配管６２〜６５と、接続部６７と、吸引機１０と、開閉バルブ６６と、を備えている。配管６２〜６５は、例えば管状の導電性部材（金属部材など）を用いて形成されている。
【００６５】
プローブ用コネクタ６１は、コネクタ４４に対して着脱自在に接続可能なコネクタである。プローブ用コネクタ６１は、プローブ２Ｙをクリーニングする際にプローブ２Ｙのコネクタ４４に接続される。また、プローブ用コネクタ６１は、配管６２に接続されている。したがって、プローブ用コネクタ６１は、コネクタ４４に接続されることにより、配管６２と金属管４Ｃとを接続する。
【００６６】
本実施形態の吸引機１０は、配管６２と配管６３に接続されており、配管６２を介して吸引した気体を配管６３から排気する。配管６３は、配管６４に接続されており、配管６４は、接続部６７に接続されている。また、配管６３と配管６４との接続位置には、配管６５が接続されている。そして、配管６５は、クリーニングガス供給装置１５に接続されている。この構成により、クリーニングガス供給装置１５から送出されたクリーニングガスは、配管６５および配管６４を介して接続部６７側に送られる。配管６５には開閉バルブ６６が設けられており、クリーニングガス供給装置１５から配管６４へのガス供給量が、開閉バルブ６６の開閉によって調整される。
【００６７】
接続部６７は、プローブ２Ｙを洗浄する際に、配管６４と吸引部４１とが繋がるよう、プローブ２Ｙの一方の端部（吸引部４１側）に接続される。配管６４と吸引部４１とが繋がることにより、配管６４から吐出されたクリーニングガスは、吸引部４１に吸引される。
【００６８】
ここで、プローブ洗浄装置１Ｚ（吸引機１０）の排気側とプローブ２Ｙの吸引側（吸引部４１）との接続部分の構成について説明する。図５は、第３の実施形態に係るプローブ洗浄装置の排気側とプローブの吸引側との接続部分の構成を示す図である。配管６４の先端部には接続部６７が配置され、吸引部４１の先端部近傍（先端部から所定の距離だけ接続部４２側の位置）にＯリング４５が設けられている。接続部６７を吸引部４１に接続する際には、吸引部４１の先端部を接続部６７に挿し込む。そして、Ｏリング４５と接続部６７とで配管６４および吸引部４１の接続位置を密閉する。
【００６９】
プローブ２Ｙをクリーニングする際には、クリーニングガス供給装置１５から送出されたクリーニングガスが、配管６５と、配管６４と、を介して、吸引部４１に送られる。吸引部４１で吸引されたクリーニングガスは、樹脂管２３Ｃと、金属管４Ｃと、配管６２と、を介して吸引機１０に送られる。そして、吸引機１０内でクリーニングガス内のダストが取り除かれた後、配管６３にクリーニングガスが排気される。さらに、配管６３へ排気されたクリーニングガスと、クリーニングガス供給装置１５から送出されたクリーニングガスと、が配管６４に送り込まれる。
【００７０】
このように、プローブ２Ｙを洗浄する際には、プローブ２Ｙの一方の端部がプローブ洗浄装置１Ｚの一方の端部に接続されるとともに、プローブ２Ｙの他方の端部がプローブ洗浄装置１Ｚの他方の端部に接続される。これにより、プローブ２Ｙとプローブ洗浄装置１Ｚとで配管の閉ループを形成している。そして、プローブ洗浄装置１Ｚでは、プローブ２Ｙにクリーニングガスを送出するとともにプローブ２Ｙからクリーニングガスを吸引し、クリーニングガスからダストを取り除いて再びプローブ２Ｙにクリーニングガスを送出している。これにより、プローブ洗浄装置１Ｚでは、閉ループ内でクリーニングガスを循環させている。
【００７１】
具体的には、プローブ２Ｙをクリーニングする際には、配管６３、配管６４、吸引部４１、樹脂管２３Ｃ、金属管４Ｃ、配管６２、吸引機１０によって閉ループが形成され、閉ループ内をクリーニングガスが循環する。なお、配管６３に排気装置を設けてもよい。
【００７２】
本体ユニット３０Ｙは、気体の吸引機能を有した気体吸引部（図示せず）を備えている。また、本体ユニット３０Ｙは、プローブ２Ｙのコネクタ４４に対して着脱自在に接続されるコネクタ３１Ｙを備えている。
【００７３】
半導体製造装置内のダスト数を測定する際には、気体吸引部が気体を吸引する。半導体製造装置内のダストや気体は、吸引部４１から吸引され、樹脂管２３Ｃと、金属管４Ｃと、を介して気体吸引部に吸引される。なお、イオナイザユニット５０は、第２の実施形態と同様の構成を有しており、その説明を省略する。
【００７４】
このように第３の実施形態によれば、プローブ２Ｙとプローブ洗浄装置１Ｚとで配管の閉ループを形成し、閉ループ内でクリーニングガスを循環させながらクリーニングガスからダストを取り除いているので、短時間でプローブ２Ｙを洗浄することが可能となる。
【００７５】
このように第１〜第３の実施形態によれば、短時間でプローブを洗浄することが可能となる。
【００７６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７７】
１Ｘ〜１Ｚ…プローブ洗浄装置、２Ｘ，２Ｙ…プローブ、３…密閉栓、６Ｄ…放電電極
６Ｅ…接地電極、７Ａ，７Ｂ，８Ｂ，９，１６Ａ，１６Ｂ，６２〜６５…配管、１０…吸引機、１１，１７Ａ，１７Ｂ，１８Ａ，１８Ｂ，６６…開閉バルブ、１２，４４…コネクタ、１３，６１…プローブ用コネクタ、１５…クリーニングガス供給装置、１９…本体用コネクタ、２１…吸引・吐出部、２５Ａ…吸引配管、２５Ｂ…吐出配管、３０Ｘ，３０Ｙ…本体ユニット、４１…吸引部、５０…イオナイザユニット、６７…接続部。
【図１】
2013119048.tif 000003
【図２】
2013119048.tif 000004
【図３】
2013119048.tif 000005
【図４】
2013119048.tif 000006
【図５】
2013119048.tif 000007