(57)【要約】      （修正有）【課題】実装面積を広げることなく、十分な端子強度を得ることが出来る多層端子電極を実現すること。【解決手段】開口部を有する絶縁層６、７、８、９を介して複数の導体層１、２、３、４、５を積層することにより形成された多層端子電極であって、前記複数の導体層１、２、３、４、５のうち少なくとも１つの導体層間には絶縁体１０、１１が介在することにより、前記絶縁体１０、１１上の導体層３、５は凸形状を有している。さらに、前記絶縁層６の開口部の面積をＷ、前記複数の導体層１、２、３、４、５のうち最下層の導体層１の面積をＲとしたとき、Ｗ≧Ｒ×２／３である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する絶縁層を介して複数の導体層を積層することにより形成された多層端子電極であって、前記複数の導体層のうち少なくとも１つの導体層間には絶縁体が介在することにより、前記絶縁体上の導体層は凸形状を有していることを特徴とする多層端子電極。
【請求項２】
前記絶縁層の開口部の面積をＷ、前記複数の導体層のうち最下層の導体層の面積をＲとしたとき、Ｗ≧Ｒ×２／３であることを特徴とする請求項1に記載された多層端子電極。
【請求項３】
前記絶縁体は上面が底面より小さく形成された形状を有し、前記絶縁体の底面積を×とし、かつ、前記複数の導体層のうち最下層の導体層の面積をＲとしたとき、Ｘ≦Ｒ×１／３であることを特徴とする請求項1または２に記載された多層端子電極。
【請求項４】
前記絶縁体の厚みが、前記絶縁層の厚みより薄いことを特徴とする請求項１から３に記載の多層端子電極。
【請求項５】
基板と、前記基板上に開口部を有する絶縁層を介して複数の導体層が積層された多層端子電極であって前記複数の導体層のうち少なくとも１つの導体層間には絶縁体が介在することにより、前記絶縁体上の導体層は凸形状を有していることを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層端子電極および電子部品に係り、特に導体膜と絶縁膜とを積層してなる電子部品において、小型・低背化に有利な薄膜形成技術を利用して、層間接続部の耐性を高めることでその信頼性を向上させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の電子機器においては、例えばフォトリソグラフィーを使用したパターン形成や化学的気相成長法、物理的気相成長法などを利用した薄膜形成技術を用いて製造された薄膜電子部品が用いられる。小型で実装面積を低減させ、更に高機能を持たすためには多層化、薄膜面上に端子を形成する事が必要になる。多層化に関して、チップ内の導体同士の電気的接合部を千鳥格子状にする構造(特許文献１)と、旧来の側面端子構造に加えて、ＬＧＡ（ＬＡＮＤ ＧＲＩＤ ＡＲＲＡＹ）やＢＧＡ（ＢＡＬＬ ＧＲＩＤ ＡＲＲＡＹ）などの、チップの外表面に形成される底面端子構造の端子電極が提案されている(特許文献２)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３２４５２１９号
【特許文献２】特開２０１１−１２９５７５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、図７に示す複数の導体層（配線層）と絶縁層を介して積層された端子電極は、縦横同じ長さの同一面積で導体層を最下層から最上層まで積層されるため導体層の中央部は大きく凹んでしまうことから凹みが大きくなると３層目以上の絶縁層形成のフォトリソ工程で現像後に導体層の凹部の開口部の略全域に絶縁膜が薄く形成され、導体同士の接続面上の絶縁層の残渣の影響により、導体同士の接続性が低下することによって、チップ内で断線となる。
【０００５】
また、図８に示す千鳥格子構造では導体同士の接続部の多層化による底面端子構造で端子電極を形成すると、端子強度が著しく低下してしまう傾向のため、側面端子構造での外部電極を形成する必要があり、基板に搭載する実装面積を小さくする事はできない。また、端子強度を低下させないようにするには導体同士の接続部の接続面積を広く取る必要があり、チップ内の端子電極の接続面積の占める領域が増えてしまい、機能素子部の配線パターン面積が狭くなるので、電気的な特性が劣化し、配線パターンを維持した場合には、端子面積が増大し小型化が出来ない。
【０００６】
本発明は、実装面積を広げることなく、十分な端子強度を得ることが出来る多層端子電極を実現することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
開口部を有する絶縁層を介して複数の導体層を積層することにより形成された多層端子電極であって、前記複数の導体層のうち少なくとも１つの導体層間には絶縁体が介在することにより、前記絶縁体上の導体層は凸形状を有していることを第１の特徴とする。
【０００８】
上記特徴の本発明によれば、少なくとも一つの絶縁体が導体層を介して挟まれて接続部が形成されているため、絶縁体上層の導体層が凸形状に設けられることによって、第三の絶縁層を形成するフォトリソ工程で導体層上の開口部に絶縁膜が薄く形成されないことから、導体同士の接続面上の絶縁層の残渣が皆無となる。
【０００９】
さらに  前記絶縁層の開口部の面積をＷ、前記複数の導体層のうち最下層の導体層の面積をＲとしたとき、Ｗ≧Ｒ×２／３であることを第２の特徴とする。
【００１０】
上記特徴の本発明によれば、端子電極における各導体層を端子面積の３分の２以上を接続させることで、端子強度を落とさずに導体層の最下層から最上層まで形成することができる。
【００１１】
さらに、前記絶縁体は上面が底面より小さく形成された形状を有し、前記絶縁体の底面積を×とし、かつ、前記複数の導体層のうち最下層の導体層の面積をＲとしたとき、Ｘ≦Ｒ×１／３であることを第３の特徴とする。
【００１２】
上記特徴の本発明によれば、絶縁体の形状を、上底が下底よりも短い台形の凸形状にする事で、絶縁体の上層の導体層と下層の導体層それぞれの間に空隙層が出来ないことで、端子強度が維持される。
【００１３】
さらに、前記絶縁体の厚みが、前記絶縁層の厚みより薄いことを第４の特徴とする。
【００１４】
上記特徴の本発明によれば、端子部に絶縁膜の現像残りを形成することなく、端子強度を維持しつつ、端子接続部を最下層から最上層まで垂直に形成でき、絶縁層の最上部に外部端子電極を設けられるので、小型の多層薄膜電子部品が形成できる。
【００１５】
さらに、電子部品において、基板と、前記基板上に開口部を有する絶縁層を介して複数の導体層が積層された多層端子電極であって前記複数の導体層のうち少なくとも１つの導体層間には絶縁体が介在することにより、前記絶縁体上の導体層は凸形状を有していることを第５の特徴とする。
【００１６】
上記特徴の本発明によれば、チップ内の端子電極の接続面積及び機能素子部の内部配線パターンの面積を変えることなく端子電極の形成が可能になるので、実装面積を小さくする事ができ、小型・低背化の多層薄膜電子部品を得る事ができる。また、チップ内での断線防止ができる。
【００１７】
上記「電子部品」には、個別部品（ディスクリート部品）またはチップ部品（例えばチップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗器、チップサーミスタ、チップバリスタ等）と、複数の電気素子（能動素子や受動素子）を組み合わせた電子デバイス（例えばフィルタやデュプレクサ、パワーアンプモジュール、高周波重畳モジュールその他の各種デバイス）との双方が含まれる。また、上記「電気的機能素子」は、トランジスタやＦＥＴ等のような能動素子と、コンデンサやインダクタ、抵抗等の受動素子の双方を含むものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、導体同士の接続性が低下することなく端子強度を高めることができ、さらには、電気的な特性が劣化させずに端子面積を確保し、実装面積を低減することが可能となり、小型の多層薄膜電子部品を提供する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る多層電子部品の端子電極の断面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る多層電子部品に使用するフォトマスクの一例を示した説明図である。
【図３】図３は、実施例２の多層電子部品の端子電極の断面図である。
【図４】図４は、実施例２に係る多層電子部品に使用するフォトマスクの一例を示した説明図である。
【図５】図５は、実施例３の多層電子部品の端子電極の断面図である。
【図６】図６は、実施例３に係る多層電子部品に使用するフォトマスクの一例を示した説明図である。
【図７】図７は、比較形態１の多層電子部品における端子電極の断面図である。
【図８】図８は、比較形態２の多層電子部品における端子電極の断面図である。
【図９】図９は、比較形態２の多層電子部品に使用するフォトマスクの一例を示した説明図である。
【図１０】図１０は、凸形状を形成する絶縁体が、同時に形成される絶縁層の厚み以上にした一例を示した説明図である。
【図１１】図１１は、絶縁体の断面形状が上底より下底が短い台形形状の一例を示した説明図である。
【図１２】図１２は、比較形態３の多層電子部品における端子電極の断面図である。
【図１３】図１３は、比較形態３の多層電子部品に使用するフォトマスクの一例を示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００２１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、第１の実施形態の電子部品の端子電極の構造の詳細を説明するための断面図である。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右などの位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００２２】
（実施形態）
図１は、第１の実施形態の電子部品の端子電極の構造の詳細を説明するための断面図である。この図に示すように本実施形態の電子部品(チップ)は、基板５００の表面に積層された導体層１，２，３，４，５と、これらの間に介在されて開口部を有する絶縁膜６，７，８，９とを設け、この導体層２と導体層４の略中央部に、凸形状を有する絶縁体１０，１１を備えている。尚、絶縁層６，７，８，９，１０，１１の材料としては、電気的及び磁気的な絶縁性に優れ、加工性のよい樹脂を用いることが好ましく、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いることが好ましい。端子とパターン、または端子のみ有する導体層には、導電性及び加工性に優れたＣｕ、Ａｌ等を用いることが好ましい。導体パターンの形成は、フォトリソグラフィーを用いたエッチング法やアディティブ法（めっき）により行うことができる。
【００２３】
また、基板５００は機能層を保護すると共に、絶縁性を有している。材料としては、アルミナ、焼結フェライト、複合フェライト、ガラスを用いる事ができる。
【００２４】
基板５００と基板５００上に第一の導体層１を形成する。第一の導体層１の端子部において第一の導体層１上に第一の絶縁層６を形成する。第一の絶縁層６を介して、第一の導体層１上に開口部を形成する。絶縁層の開口部の面積をＷ、最下層の導体層の面積をＲとしたとき、Ｗ≧Ｒ×２／３の面積となるように形成され、第一の絶縁層６の開口部は、第一の導体層１の面積の３分の２以上を開口させる。
【００２５】
次に、第一の導体層１と縦横同じ長さの同一面積の第二の導体層２を第一の絶縁層６の開口部を通して第一の導体層１と接続するように形成する。第二の導体層２の両端部は、第一の絶縁層６上に形成されるので、第二の導体層２の中央部は凹む。
【００２６】
次に、第二の導体層２上に第二の絶縁層７を介して開口部を形成すると共に第二の導体層２の凹んだ略中央部分に、少なくとも１つの島状の絶縁体１０を同時に形成する。絶縁体１０の断面は下底よりも上底が短い台形形状であり、最下層の導体層の端子部の面積をＲ、下底によって形成される面積をＸとしたとき、Ｘ≦Ｒ×１／３の面積となるように形成され、同時に形成する第二の絶縁層７の厚み以下である。第二の絶縁層７を介して形成された開口部は、島状の絶縁体１０の第二の導体層２と接触する面積を除いて、第一の導体層１の面積の３分の２以上を開口させる。
【００２７】
絶縁体１１の形状の断面が、上底が下底より長い台形形状の場合、図１１のように絶縁体３０の周りに空隙３１が形成される。空隙３１により導体間の密着が落ちて端子強度劣化する。
【００２８】
特徴の本発明によれば、絶縁体の凸形状が高い場合に、図１０で示すように絶縁膜の上層の導体層を形成時に凸形状周りのくぼみ７２が深くなり、くぼみに空隙ができる事で端子強度が劣化するが、凸形状の高さを絶縁層以下にすることで、くぼみ７２が浅くなり空隙が形成されないことで端子強度の劣化を防止できる。
【００２９】
次に、第一の導体層１と縦横同じ長さの同一面積の第三の導体層３を第二の絶縁層７の開口部を通して、第二の導体層２と接続されるように形成する。第三の導体層３を形成する際に、絶縁体１０があることで、第三の導体層３が凸形状を有する事が出来る。凸形状の断面は下底よりも上底が短い台形形状である。
【００３０】
次に第三の絶縁層８を、第三の導体層３上に開口部を備えるように形成する。第三の絶縁層８の開口部は、第一の絶縁層６と同様に第一の導体層１の面積の３分の２以上を開口させる。
【００３１】
次に第一の導体層１と縦横同じ長さの同一面積の第四の導体層４を第三の絶縁層８の開口部を通して、第三の導体層３と接続されるように形成する。第四の導体層４の端は、第三の絶縁層８の開口部上に形成され第三の導体層３と接続される部分は凹むが、第三の導体層３が凸形状なので、第四の導体層４の中央部も凸形状を有する事ができる。凸形状の断面は下底よりも上底が短い小さい台形形状である。
【００３２】
次に第四の絶縁層９を、第二の絶縁層７と同様に第四の導体層４上に開口部を備えるように形成すると共に第四の導体層４の凹んだ部分に、絶縁体１１を同時に形成する。絶縁体１１の断面は下底よりも上底が短い台形形状であり、最下層の導体層の面積をＲ、下底によって形成される面積をＸとしたとき、Ｘ≦Ｒ×１／３の面積となるように形成され、同時に形成する第四の絶縁層９の厚み以下である。第四の絶縁層９の開口部は、絶縁体１１の第四の導体層４と接触する面積を除いて、第一の導体層１の面積の３分の２以上を開口させる。
【００３３】
次に第一の導体層１の面積以上の第五の導体層５を形成される。外部端子は第五の導体層５になる。第五の導体層５を形成する際に、絶縁体１１があることで、第五の導体層５の断面は下底よりも上底が短い台形形状の凸形状を有する事が出来る。
【００３４】
第二の導体層２、第三の導体層３、第四の導体層４が凸形状を有している事で第二の絶縁層７、第三の絶縁層８、第四の絶縁層９を形成するフォトリソ工程で第三の導体層３と第四の導体層４、第四の導体層４と第五の導体層５をそれぞれ接続する部分に絶縁膜が薄く残る事を防ぐことが出来る。また縦横同じ長さの同一面積を垂直方向に接続させて端子電極を形成し、且つ、最上層の絶縁層に端子電極を設ける事で、内部配線パターンの面積を縮小させる事なく端子電極の形成が可能になるので、小型の多層薄膜電子部品を得る事ができ、また絶縁層最上層に外部端子電極を設ける事で実装面積を小さくする事ができる。
【実施例】
【００３５】
本発明の内容を実施例及び比較例を参照してより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００３６】
（実施例１）
実施例１として、図１に示す本発明の構造を示す。奇数番目の絶縁層の開口部が第一の導体層の面積Ｒの３分の２以上になる構成になっていることである。
【００３７】
基板５００と基板５００上に第一の導体層１をめっきにて形成する。第一の導体層１の端子部において第一の導体層１上に第一の絶縁層６を形成する。第一の絶縁層６は、第一の導体層１上に開口部を形成する。第一の絶縁層６はネガ型樹脂を用いて形成し、図２に示すフォトマスク１５―１を用いて開口部を形成する。フォトマスク１５―１に、絶縁層の開口部になるように光を遮光する１４を設けており、第一の導体層１の面積の３分の２以上を開口させる。第一の導体層１の面積は、縦８０μm、横１８０μmとなるように形成する。
【００３８】
次に第一の導体層１と縦横同じ長さの同一面積の第二の導体層２を第一の絶縁層６の開口部を通して第一の導体層１と接続するようにめっきにて形成する。第二の導体層２の端は、第一の絶縁層６上に形成されるので、第二の導体層２の中央部は凹む。
【００３９】
次に第二の絶縁層７を、第二の導体層２上に開口部を形成すると共に第二の導体層２の凹んだ部分に、絶縁体１０を同時に形成する。絶縁体１０の断面は下底よりも上底が短い台形形状であり、最下層の導体層の面積をＲ、下底によって形成される面積をＸとしたとき、Ｘ≦Ｒ×１／３の面積となるように形成され、且つ、同時に形成する第二の絶縁層７の厚み以下である。第二の絶縁層７はネガ型樹脂を用いて形成し、図２に示すフォトマスク１５―２を用いて開口部と絶縁体を形成する。フォトマスク１５―２に、絶縁層の開口部になるように光を遮光する１６を設けており、絶縁体１０の第二の導体層２と接触する面積を除いて、第一の導体層１の面積の３分の２以上を開口させる。
【００４０】
次に第一の導体層１と縦横同じ長さの同一面積の第三の導体層３を第二の絶縁層７の開口部を通して、第二の導体層２と接続されるように形成する。第三の導体層３を形成する際に、絶縁体１０があることで、第三の導体層３は、断面が下底よりも上底が短い台形形状の凸形状を有する事が出来る。
【００４１】
次に第三の絶縁層８を、第一の絶縁層６と同様に第三の導体層３上に開口部を備えるように形成する。第三の絶縁層８はネガ型樹脂を用いて形成し、図２に示すフォトマスク１５―１を用いて開口部を形成する。フォトマスク１５―１に、絶縁層の開口部になるように光を遮光する１４を設けており、第一の導体層１の面積の３分の２以上を開口させる。
【００４２】
次に第一の導体層１と縦横同じ長さの同一面積の第四の導体層４を第三の絶縁層８の開口部を通して、第三の導体層３と接続されるように形成する。第四の導体層４の端は、第三の絶縁層８の開口部上に形成され第三の導体層３と接続される部分は凹むが、第三の導体層３は、断面が下底よりも上底が短い台形形状の凸形状を有するので、第四の導体層４の中央部も、断面が下底よりも上底が短い台形形状の凸形状を有する事ができる。
【００４３】
次に第四の絶縁層９を、第二の絶縁層７と同様に第四の導体層４上に開口部を備えるように形成すると共に第四の導体層４の凹んだ部分に、絶縁体１１を同時に形成する。絶縁体１１の断面は下底より上底が短い台形形状であり、最下層の導体層の面積をＲ、下底によって形成される面積をＸとしたとき、Ｘ≦Ｒ×１／３の面積となるように形成され、同時に形成する第四の絶縁層９の厚み以下である。第四の絶縁層９はネガ型樹脂を用いて形成し、図２に示すフォトマスク１５―２を用いて開口部と絶縁体を形成する。フォトマスク１５―２に、絶縁層の開口部になるように光を遮光する１６を設けており、絶縁体１１の第四の導体層４と接触する面積を除いて、第一の導体層１の面積の３分の２以上を開口させる。
【００４４】
次に第一の導体層１の面積以上の第五の導体層５を形成される。外部端子は第五の導体層５になる。第五の導体層９を形成する際に、絶縁体１１があることで、第五の導体層５が凸形状を有する事が出来る。
【００４５】
実施例１の構造における端子構造の端子強度を表１に示す。
【００４６】
（実施例２）
実施例２として、図３に示す本発明の構造を示す。実施形態の構成を示す図１と異なる点は、奇数番目の絶縁層の開口部の面積Ｗが、図１に示す第一の導体層の面積Ｒに対して５分の４以上を開口させる構成になっていることである。
【００４７】
基板５００と基板５００上に第一の導体層１をめっきにて形成する。第一の導体層１の端子部において第一の導体層１上に第一の絶縁層６を形成する。第一の絶縁層６はネガ型樹脂を用いて形成し、図４に示すフォトマスク１５―１を用いて開口部を形成する。フォトマスク１５―１に、絶縁層の開口部になるように光を遮光する１４を設けており、第一の導体層１の面積の５分の４以上を開口させる。第一の導体層１の端子の面積は、縦８０μm、横１８０μmとなるように形成する。
【００４８】
次に第一の導体層１と縦横同じ長さの同一面積の第二の導体層２を第一の絶縁層６の開口部を通して第一の導体層１と接続するようにめっきにて形成する。第二の導体層２の端は、第一の絶縁層６上に形成されるので、第二の導体層２の中央部は凹む。
【００４９】
次に第二の絶縁層７を、第二の導体層２上に開口部を形成すると共に第二の導体層２の凹んだ部分に、絶縁体１０を同時に形成する。絶縁体１０は、断面が下底より状態が短い台形形状であり、最下層の導体層の面積をＲ、下底によって形成される面積をＸとしたとき、Ｘ≦Ｒ×１／３の面積となるように形成され、同時に形成する第二の絶縁層７の厚み以下である。第二の絶縁層７はネガ型樹脂を用いて形成し、図４に示すフォトマスク１５―２を用いて開口部と絶縁体を形成する。フォトマスク１５―２に、絶縁層の開口部になるように光を遮光する１６を設けており、絶縁体１０の第二の導体層２と接触する面積を除いて、第一の導体層１の面積の３分の２以上を開口させる。
【００５０】
次に第一の導体層１と縦横同じ長さの同一面積の第三の導体層３を第三の絶縁層７の開口部を通して、第二の導体層２と接続されるように形成する。第三の導体層３を形成する際に、絶縁体１０があることで、第三の導体層３は、断面が下底よりも上底が短い台形形状の凸形状を有する事が出来る。
【００５１】
次に第三の絶縁層８を、第一の絶縁層６と同様に第三の導体層３上に開口部を備えるように形成する。第三の絶縁層８はネガ型樹脂を用いて形成し、図４に示すフォトマスク１５―１を用いて端子部の開口部を形成する。フォトマスク１５―１に、絶縁層の開口部になるように光を遮光する１４を設けており、第一の導体層１の面積の５分の４以上を開口させる。
【００５２】
次に第一の導体層１と縦横同じ長さの同一面積の第四の導体層４を第三の絶縁層８の開口部を通して、第三の導体層３と接続されるように形成する。第四の導体層４の端は、第三の絶縁層８の開口部上に形成され第三の導体層３と接続される部分は凹むが、第三の導体層３は、断面が下底よりも上底が短い台形形状の凸形状を有するので、第四の導体層４の中央部も、断面が下底よりも上底が短い台形形状の凸形状を有する事ができる。
【００５３】
次に第四の絶縁層９を、第二の絶縁層７と同様に第四の導体層４上に開口部を備えるように形成すると共に第四の導体層４の凹んだ部分に、絶縁体１１を同時に形成する。絶縁体１１の断面は下底より上底が短い台形形状であり、最下層の導体層の面積をＲ、下底によって形成される面積をＸとしたとき、Ｘ≦Ｒ×１／３の面積となるように形成され、同時に形成する第四の絶縁層９の厚み以下である。第四の絶縁層９はネガ型樹脂を用いて形成し、図４に示すフォトマスク１５―２を用いて開口部と絶縁体を形成する。フォトマスク１５―２に、絶縁層の開口部になるように光を遮光する１６を設けており、絶縁体１１の第四の導体層４と接触する面積を除いて、第一の導体層１の面積の３分の２以上を開口させる。
【００５４】
次に第一の導体層１の面積以上の第五の導体層５を形成される。外部端子は第五の導体層５になる。第五の導体層５を形成する際に、絶縁体１１があることで、第五の導体層５が凸形状を有する事が出来る。
【００５５】
実施例２の構造における端子構造の端子強度を表１に示す。
【００５６】
（実施例３）
実施例３として、図５に示す本発明の構造を示す。実施形態の構成を示す図１と異なる点は、偶数番目における絶縁層の開口部が、４分割され、且つ、４つの面積を足した面積が第一の導体層の面積の３分の２以上になる構成になっていることである。
【００５７】
基板５００と基板５００上に第一の導体層１をめっきにて形成する。第一の導体層１の端子部において第一の導体層１上に第一の絶縁層６を形成する。第一の絶縁層６は、第一の導体層１上に開口部を形成する。第一の絶縁層６は、第一の導体層１上に開口部を形成する。第一の絶縁層６はネガ型樹脂を用いて形成し、図６に示すフォトマスク１５―１を用いて開口部を形成する。フォトマスク１５―１に、絶縁層の開口部になるように光を遮光する１４を設けており、第一の導体層１の面積の３分の２以上を開口させる。第一の導体層１の端子面積は、縦８０μm、横１８０μmとなるように形成する。
【００５８】
次に第一の導体層１と縦横同じ長さの同一面積の第二の導体層２を第一の絶縁層６の開口部を通して第一の導体層１と接続するようにめっきにて形成する。第二の導体層２の端は、第一の絶縁層６上に形成されるので、第二の導体層２の中央部は凹む。
【００５９】
次に第二の絶縁層７を、第二の導体層２上に開口部を形成すると共に第二の導体層２上に、絶縁体１０を同時に形成する。絶縁体１０の断面は下底よりも上底が短い台形形状であり、最下層の導体層の面積をＲ、下底によって形成される面積をＸとしたとき、Ｘ≦Ｒ×１／３の面積となるように形成され、同時に形成する第二の絶縁層７の厚み以下である。第二の絶縁層７はネガ型樹脂を用いて形成し、図６に示すフォトマスクを用いて開口部と絶縁体を形成する。フォトマスク１５―２に、絶縁層の開口部になるように光を遮光する１６を設けており、絶縁体１０の第二の導体層２と接触する面積を除いて、第一の導体層１の面積の３分の２以上を開口させる。
【００６０】
次に第一の導体層１と縦横同じ長さの同一面積の第三の導体層３を第二の絶縁層７の開口部を通して、第二の導体層２と接続されるように形成する。第三の導体層３を形成する際に、絶縁体１０があることで、第三の導体層３が十字型の凸形状を有する事が出来る。凸形状の断面は下底よりも上底が短い台形形状である。
【００６１】
次に第三の絶縁層８を、第一の絶縁層６と同様に第三の導体層３上に開口部を備えるように形成する。第三の絶縁層８はネガ型樹脂を用いて形成し、図６に示すフォトマスク１５―１を用いて端子部の開口部を形成する。フォトマスク１５―１に、絶縁層の開口部になるように光を遮光する１４を設けており、第一の導体層１の面積の５分の４以上を開口させる。
【００６２】
次に第一の導体層１と縦横同じ長さの同一面積の第四の導体層４を第四の絶縁層８の開口部を通して、第三の導体層３と接続されるように形成する。第四の導体層４の端は、第四の絶縁層８の開口部上に形成され第三の導体層３と接続される部分は凹むが、第三の導体層３の中央部が十字型に凸形状なので、第四の導体層４も同様に中央部が十字型の凸形状を有する事ができる。凸形状の断面は下底よりも上底が短い台形形状である。
【００６３】
次に第四の絶縁層９を、第二の絶縁層７と同様に第四の導体層４上に開口部を備えるように形成すると共に第四の導体層４の凹んだ部分に、絶縁体１１を同時に形成する。絶縁体１１の断面は下底より上底が短い台形形状であり、最下層の導体層の面積をＲ、下底によって形成される面積をＸとしたとき、Ｘ≦Ｒ×１／３の面積となるように形成され、同時に形成する第四の絶縁層９の厚み以下である。第四の絶縁層９はネガ型樹脂を用いて形成し、図６に示すフォトマスク１５―２を用いて端子部の開口部と絶縁体を形成する。フォトマスク１５―２に、絶縁層の開口部になるように光を遮光する１６を設けており、絶縁体１１の第四の導体層４と接触する面積を除いて、第一の導体層１の面積の３分の２以上を開口させる。
【００６４】
次に第一の導体層１の面積以上の第五の導体層５を形成される。外部端子は第五の導体層５になる。第五の導体層５を形成する際に、絶縁体１１があることで、第五の導体層５が凸形状を有する事が出来る。
【００６５】
実施例３の構造における端子構造の端子強度を表１に示す。
【００６６】
（第１の比較例）
比較例１として、図７に従来構造を示す。実施形態の構成を示す図１と異なる点は、開口部がすべて同じ面積になるように積層しており、第３と第４の導体層上に絶縁膜の残渣があることである。凸形状を有しておらず、絶縁層３層目の絶縁層形成のフォトリソ工程で現像後に導体層の凹部の開口部の略全域に絶縁膜が薄く形成されており、導体同士の接続面上の絶縁層の残渣により、導体同士の接続性が低下する構成になっている。比較例１の構造における端子構造の端子強度を表１に示す。
【００６７】
（第２の比較例）
比較例２として、図８に従来構造を示す。実施形態の構成を示す図１と異なる点は、開口部が図９で示すフォトマスク３５−１、３５−２を使用して開口部が各層毎に重ならないように開口部３４、３６が交互に繰り返され、開口部が小さく形成される事で、導体同士の接続強度が低下してしまう千鳥格子の構造になっている。比較例２の構造における端子構造の端子強度を表１に示す。
【００６８】
（第３の比較例）
比較例３として、図１２に構造を示す。実施形態の構成を示す図１と異なる点は、図１３に示すフォトマスク３７−１、３７−２を使用して、奇数層の絶縁層の開口部３８、３９が第一の導体層の面積Ｒの５分の４の面積であり、偶数層の絶縁層と同時に形成される凸形状の絶縁体の下部面積が、面積Ｒの３分の２となる構成になっている事で、実施形態と比較して導体同士の接続強度が低下する構造になっている。比較例３の構造における端子構造の端子強度を表１に示す。
【００６９】
端子構造における端子強度測定は、半田実装された電子部品を、シェア強度試験機ＢＯＮＤＩＮＧ  ＴＥＳＴＥＲ（ＲＨＥＳＣＡ社製）を用いて行なう。表１が示すように、比較例１、２、３の構造では端子強度が２．４以下であり、電子部品の実装時に部品の剥がれなどの不具合が発生する。実施例１、２、３、の構造であれば端子強度は５．０以上あり問題は発生しない。
【００７０】
【表１】
2013171928.tif 000003
【符号の説明】
【００７１】
１、２１、４１、６１、９１  第一の導体層
２、２２、４２、６２、９２  第二の導体層
３、２３、４３、６３、９３  第三の導体層
４、２４、４４、６４、９４  第四の導体層
５、２５、４５、６５、９５  第五の導体層
６、２６、４６、６６、９６  第一の絶縁膜層
７、２７、４７、６７、９７  第二の絶縁膜層
８、２８、４８、６８、９８  第三の絶縁膜層
９、２９、４９、６９、９９  第四の絶縁膜層
１０、３０、７０、１００  第二の導体層上に形成される凸型の第二の絶縁体
１１、７１、１０１   第四の導体層上に形成される凸型の第二の絶縁体
１４、３４、３８  奇数番目の絶縁体形成時に使用するフォトマスクの開口部
１５−１、１５−２、３５−１、３５−２、３７−１、３７−２  端子部のフォトマスク
１６、３６、３９  偶数番目の絶縁体形成時に使用するフォトマスクの開口部
３１  上底より下底が短い絶縁体形成時に発生する空隙
５２、５３             絶縁膜の残渣
７２  端子部のくぼみ
５００  基板
Ｒ  最下層の導体層の端子部の面積
Ｗ  開口部の総合面積
Ｘ  絶縁膜の下底によって形成される総合面積
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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