(57)【要約】      （修正有）【課題】実施形態は、被研磨物の側面に研磨剤が付着することを抑制することができるポリッシング装置を提供すること。【解決手段】研磨ヘッド１２は、回転駆動されるものであり、半導体ウエハ１８を研磨布１４に押圧して保持する。リテーナーリング１７は、半導体ウエハ１８を囲う筒状であって、研磨ヘッド１２の下面に設けられている。複数の気体噴出孔２３は、リテーナーリング１７の内側面に設けられ、研磨ヘッド１２に保持された半導体ウエハ１８の側面に向かって、空気若しくは不活性ガスを噴出する。気体供給部１９は、複数の気体噴出孔２３に接続され、複数の気体噴出孔２３に空気若しくは前記不活性ガスを供給する。【選択図】図２
2013119147.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転駆動されるターンテーブルと、
このターンテーブルの上面上に設けられ、上面に溝を有する研磨布と、
この研磨布に研磨剤を供給する研磨剤供給部と、
回転駆動され、かつ被研磨物を前記研磨布に押圧して保持する研磨ヘッドと、
この研磨ヘッドの下面に設けられた、前記被研磨物を囲う筒状のリテーナーリングと、
このリテーナーリングの内側面に設けられた複数の気体噴出孔と、
前記リテーナーリングの内部に設けられ、前記複数の気体噴出孔に連通するリング状の気体供給路と、
前記リテーナーリングの上面に設けられ、前記リング状の気体供給路に連通する気体供給孔と、
この気体供給孔に接続され、前記気体供給孔および前記リング状の気体供給孔を介して前記複数の気体噴出孔に空気若しくは不活性ガスを供給する気体供給部と、
を具備し、
前記複数の気体噴出孔は、前記気体供給孔から遠いほど小さい径を有することを特徴とするポリッシング装置。
【請求項２】
回転駆動されるターンテーブルと、
このターンテーブルの上面上に設けられ、上面に溝を有する研磨布と、
この研磨布に研磨剤を供給する研磨剤供給部と、
回転駆動され、かつ被研磨物を前記研磨布に押圧して保持する研磨ヘッドと、
この研磨ヘッドの下面に設けられた、前記被研磨物を囲う筒状のリテーナーリングと、
このリテーナーリングの内側面に設けられ、前記研磨ヘッドに保持された前記被研磨物の側面に向かって、空気若しくは不活性ガスを噴出する複数の気体噴出孔と、
前記複数の気体噴出孔に接続され、前記複数の気体噴出孔に前記空気若しくは前記不活性ガスを供給する気体供給部と、
を具備することを特徴とするポリッシング装置。
【請求項３】
前記リテーナーリングは、前記複数の気体噴出孔に連通するリング状の気体供給路を内部に具備するとともに、前記リング状の気体供給路に連通する気体供給孔を上面に具備し、
前記気体供給部は、前記気体供給孔に接続され、
前記複数の気体噴出孔は、前記気体供給孔から遠いほど小さい径を有することを特徴とする請求項２に記載のポリッシング装置。
【請求項４】
前記リテーナーリングは、前記複数の気体噴出孔のそれぞれに連通する複数の気体供給孔を上面に具備し、
複数の気体供給孔のそれぞれにはレギュレーターが接続され、
前記気体供給部は、複数の前記レギュレーターに共通に接続されることを特徴とする請求項２に記載のポリッシング装置。
【請求項５】
前記リテーナーリングは、前記複数の気体噴出孔に連通する複数の弧状の気体供給路を内部に具備するとともに、前記複数の弧状の気体供給路のそれぞれに連通する複数の気体供給孔を上面に具備し、
複数の気体供給孔のそれぞれにはレギュレーターが接続され、
前記気体供給部は、複数の前記レギュレーターに共通に接続されることを特徴とする請求項２に記載のポリッシング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ポリッシング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。特に線幅が０．５μｍ以下の光リソグラフィの場合、許容される焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面が平坦であることを必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦化することが必要となる。平坦化の１手段として、ポリッシング装置により半導体ウエハの表面を研磨することが知られている。
【０００３】
従来、この種のポリッシング装置は、ターンテーブルおよび研磨ヘッドを有する。研磨ヘッドを介して、被研磨物である半導体ウエハに所定の圧力を与えて、半導体ウエハをターンテーブルに押し付けて物理的に研磨すると同時に、研磨剤をターンテーブルに供給して半導体ウエハを化学的に研磨する。ポリッシング装置は、このようにして、物理的かつ化学的に半導体ウエハの表面を平坦かつ鏡面状に研磨する。
【０００４】
しかし、研磨剤は、ターンテーブルと半導体ウエハとの境界に供給されると同時に、研磨の必要がない半導体ウエハの丸みを有する側面（ウェーハベベル部）にも付着する問題がある。ウェーハベベル部に研磨剤が付着していると、研磨後の半導体ウエハを洗浄する洗浄装置、若しくは研磨後に用いられるその他の半導体製造設備を汚染させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２７７９２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
実施形態は、被研磨物の側面に研磨剤が付着することを抑制することができるポリッシング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係るポリッシング装置は、ターンテーブル、研磨布、研磨剤供給部、研磨ヘッド、リテーナーリング、複数の気体噴出孔、および気体供給部、を具備する。前記ターンテーブルは、回転駆動される。前記研磨布は、前記ターンテーブルの上面上に設けられ、上面に溝を有する。前記研磨剤供給部は、前記研磨布に研磨剤を供給する。前記研磨ヘッドは、回転駆動されるものであり、被研磨物を前記研磨布に押圧して保持する。前記リテーナーリングは、前記被研磨物を囲う筒状であって、前記研磨ヘッドの下面に設けられている。前記複数の気体噴出孔は、前記リテーナーリングの内側面に設けられ、前記研磨ヘッドに保持された前記被研磨物の側面に向かって、空気若しくは不活性ガスを噴出する。前記気体供給部は、前記複数の気体噴出孔に接続され、前記複数の気体噴出孔に前記空気若しくは前記不活性ガスを供給する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係るポリッシング装置を模式的に示す上面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ´に沿ったポリッシング装置の断面図である。
【図３】ターンテーブル上に備えられた研磨布を示す上面図である。
【図４】第１の実施形態に係るポリッシング装置に適用されるリテーナーリングを示す斜視図である。
【図５】図４のリテーナーリングの断面図であって、（ａ）は図４のＸ−Ｘ´に沿った断面図、（ｂ）は同図（ａ）のＹ−Ｙ´に沿った断面図である。
【図６】第１の実施形態に係るポリッシング装置に適用されるリテーナーリングの変形例を示す斜視図である。
【図７】図２の要部を拡大して示す図である。
【図８】従来のポリッシング装置においてウェーハベベル部に付着する研磨剤の付着量と、第１の実施形態に係るポリッシング装置においてウェーハベベル部に付着する研磨剤の付着量と、を比較して示す図である。
【図９】第２の実施形態に係るポリッシング装置を示す、図２に対応する断面図である。
【図１０】第２の実施形態に係るポリッシング装置に適用されるリテーナーリングを示す斜視図である。
【図１１】図１０のＸ−Ｘ´に沿ったリテーナーリングの断面図である。
【図１２】第３の実施形態に係るポリッシング装置を示す、図２に対応する断面図である。
【図１３】第３の実施形態に係るポリッシング装置に適用されるリテーナーリングを示す斜視図である。
【図１４】図１３のリテーナーリングの断面図であって、（ａ）は図１３のＸ−Ｘ´に沿った断面図、（ｂ）は同図（ａ）のＹ−Ｙ´に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、実施形態に係るポリッシング装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るポリッシング装置１０の要部を模式的に示す上面図である。ポリッシング装置１０は、回転駆動するターンテーブル１１、回転駆動し、ターンテーブル１１に被研磨物である半導体ウエハを押圧する研磨ヘッド１２、およびターンテーブル１１上に研磨剤を供給する研磨剤供給部である研磨剤供給ノズル１３を有する。
【００１１】
ターンテーブル１１は、この下面からターンテーブル１１を支持する支持部１１ａを軸として、この軸１１ａを中心に図の矢印Ａ方向に回転駆動される。研磨ヘッド１２も同様に、ターンテーブル１１の支持部１１ａを中心に図の矢印Ｂ方向に回転駆動される。すなわち、ターンテーブル１１および研磨ヘッド１２は、支持部１１ａを軸に公転される。さらに研磨ヘッド１２は、この上面に連結されたシャフト１２ａを軸として、この軸１２ａを中心に図の矢印Ｃ方向に回転駆動される。すなわち、研磨ヘッド１２は、シャフト１２ａを軸として、この軸を中心に自転される。
【００１２】
ポリッシング装置１０は、研磨ヘッド１２が被研磨物をターンテーブル１１に押圧し、この状態でターンテーブル１１および研磨ヘッド１２を回転駆動することにより、半導体ウエハを物理的に研磨する。また、ポリッシング装置１０は、ターンテーブル１１上に、研磨剤供給ノズル１３から研磨剤として砥液を供給することにより、半導体ウエハを化学的に研磨する。
【００１３】
すなわち、ポリッシング装置１０は、半導体ウエハ等の被研磨物を物理的および化学的に研磨するものである。なお、被研磨物が半導体ウエハである場合、砥液として、例えばアルカリ溶液に微粒子からなる砥粒を懸濁したものが用いられる。
【００１４】
図２は、図１のＸ−Ｘ´に沿ったポリッシング装置１０の断面図である。図２に示すように、ポリッシング装置１０において、回転駆動するターンテーブル１１の上面には、研磨布１４が貼付けられている。
【００１５】
図３は、ターンテーブル１１上に備えられた研磨布１４を示す上面図である。図３に示すように、研磨布１４は、この上面に格子状の溝１４ａを有する。この溝１４ａは、研磨剤供給ノズル１３（図２）から研磨布１４に供給される砥液が、ターンテーブル１１（図２）の回転により外部方向に流れてしまうことを抑制するための溝である。供給される砥液は溝１４ａ内に留まるため、ターンテーブル１１が回転しても、砥液が研磨布１４の上面に供給された状態を維持することができる。
【００１６】
なお、溝１４ａは、砥液が研磨布１４の上面に供給された状態を維持することができるように形成されていればよい。従って、溝１４ａは、必ずしも格子状である必要はなく、例えば渦巻き状に形成されていてもよい。
【００１７】
再び図２を参照する。ポリッシング装置１０において、研磨ヘッド１２は、トップリング１５、加圧部材１６、およびリテーナーリング１７を有する。トップリング１５は、上面において研磨ヘッド１２の自転軸となるシャフト１２ａに連結しており、下面において半導体ウエハ１８を保持する。トップリング１５の下面には、半導体ウエハ１８をターンテーブル１１に押圧する加圧部材１６であるメンブレン１６が備えられており、トップリング１５は、このメンブレン１６を介して半導体ウエハ１８を保持する。
【００１８】
メンブレン１６は、例えばゴム製の風船状のものである。トップリング１５およびシャフト１２ａには、一端がメンブレン１６に連通し、他端が気体供給部１９に接続された複数の押圧用気体供給路２０が備えられており、メンブレン１６には、複数の押圧用気体供給路２０を介して、気体供給部１９から圧縮空気が供給される。
【００１９】
このメンブレン１６には、各押圧用気体供給路２０毎に備えられた押圧用レギュレーター２１及び押圧用バルブ２２によって調節された空気量および空気圧の圧縮空気が供給される。これにより、メンブレン１６を所定の大きさに膨らませ、半導体ウエハ１８を押圧して保持する。なお、メンブレン１６に供給される圧縮空気は、複数箇所から供給可能であり、これらの供給箇所毎に供給される空気量および空気圧を調整することにより、場所毎に半導体ウエハ１８を押圧する圧力を調整することができる。
【００２０】
リテーナーリング１７は、円筒状のものであり、トップリング１５の下面において、メンブレン１６を囲うように設けられている。リテーナーリング１７は、半導体ウエハ１８を研磨する際に、下面が研磨布１４に接する。これにより、研磨の際に、半導体ウエハ１８と研磨布１４との摩擦によって、半導体ウエハ１８がトップリング１５の下面から外れ、研磨ヘッド１２の外部に飛び出すことを抑制する。
【００２１】
また、ポリッシング装置１０は、半導体ウエハ１８の丸みを有する側面、すなわち半導体ウエハ１８のウェーハベベル部に向かって圧縮空気を噴出する気体噴出手段を備えている。気体噴出手段は、リテーナーリング１７の内側面に設けられた複数の気体噴出孔２３、およびこれらの孔２３に共通に接続され、これらの孔２３に圧縮空気を供給する気体供給部１９を含む。以下に、図２、および図４、図５を参照して、気体噴出手段について詳細に説明する。図４は、リテーナーリング１７を示す斜視図である。図５は、図４のリテーナーリング１７を示す断面図であって、（ａ）は図４のＸ−Ｘ´に沿った断面図、（ｂ）は同図（ａ）のＹ−Ｙ´に沿った断面図である。
【００２２】
図４に示すように、リテーナーリング１７の内側面には、複数の気体噴出孔２３が設けられている。また、図５（ａ）（ｂ）に示すように、リテーナーリング１７の内部には、このリテーナーリング１７の周に沿ったリング状の気体供給路２４が設けられている。さらに、図４に示すように、リテーナーリング１７の上面には、気体供給孔２５が設けられている。なお、複数の気体噴出孔２３は、リテーナーリング１７の内側面に設けられる必要があるが、この理由については後述する。
【００２３】
図５（ａ）（ｂ）に示すように、全ての気体噴出孔２３はリング状の気体供給路２４に連通しており、リング状の気体供給路２４は、気体供給孔２５に連通している。気体供給孔２５は、気体供給部１９に接続されている。従って、気体供給部１９から供給される圧縮空気は、リテーナーリング１７の気体供給孔２５、リング状の気体供給路２４を介して、各気体噴出孔２３から噴出される。
【００２４】
なお、図２に示すように、リテーナーリング１７の気体供給孔２５は、トップリング１５およびシャフト１２ａの内部を通るように設けられた噴出用気体供給路２６を介して、気体供給部１９に接続されている。従って、リテーナーリング１７の気体供給孔２５には、気体供給部１９から、噴出用気体供給路２６を介して圧縮空気が供給される。
【００２５】
この気体供給孔２５には、噴出用気体供給路２６に備えられた噴出用レギュレーター２７及び噴出用バルブ２８によって調節された空気量および空気圧の圧縮空気が供給される。なお、気体供給孔２５に供給される圧縮空気の空気量および空気圧は、メンブレン１６に供給される圧縮空気の空気量および空気圧とは独立に制御可能となっている。
【００２６】
ここで、各気体噴出孔２３から噴出する圧縮空気の空気圧は、例えば０．１Ｍｐａ〜０．５Ｍｐａの範囲内において、それぞれ等しいことが好ましい。しかし、圧縮空気は、一箇所の気体供給孔２５からリング状の気体供給路２４を介して各気体噴出孔２３に供給されるため、気体供給孔２５から遠い気体噴出孔２３ほど、噴出する圧縮空気の空気圧は低下する。そこで、図４に示すように、各気体噴出孔２３から噴出する空気の空気圧を実質的に均一にするために、各気体噴出孔２３の径は、例えば１ｍｍ〜３ｍｍの範囲内において、気体供給孔２５から遠いほど小さくなっている。
【００２７】
なお、各気体噴出孔２３から噴出する空気の空気圧が実質的に均一でなくてもよい場合には、図６に示すリテーナ−リング１７´ように、各気体噴出孔２３の径はそれぞれ等しくてもよい。
【００２８】
図７は、図２の要部を拡大して示す図である。図７に示すように、研磨布１４に砥液Ｑが供給されると、砥液Ｑは、図中の矢印Ｄに示すように、主に研磨布１４の溝１４ａを介して、研磨ヘッド１２のリテーナーリング１７内に侵入する。侵入した砥液Ｑは、半導体ウエハ１８の下面と研磨布１４との間に供給されるが、これと同時に半導体ウエハ１８の丸みを有する側面であるウェーハベベル部１８ａに付着しようとする。
【００２９】
ここで、複数の気体噴出孔２３からは、噴出用気体供給路２０、リテーナーリング１７の気体供給孔２５、リング状の気体供給路２４を介して、圧縮空気Ｅが噴出する。複数の気体噴出孔２３は、リテーナーリング１７の内側面に設けられているため、圧縮空気Ｅは、ウェーハベベル部１８ａに向かって、所定の空気圧で噴出する。このように複数の気体供給孔２３から圧縮空気Ｅをウェーハベベル部１８ａに向かって噴出させることにより、ウェーハベベル部１８ａに砥液Ｑが付着することを抑制する。
【００３０】
本願発明者等は、実施形態に係るポリッシング装置１０および気体噴出手段を具備しない従来のポリッシング装置を用いて、ウェーハベベル部１８ａに付着した研磨剤の量を実験により測定した。実験にあたり、実施形態に係るポリッシング装置１０においては、リテーナーリング１７に、径が１．５ｍｍΦの気体噴出孔２３を３０個設けた。また、各気体噴出孔２３から噴出する圧縮空気の空気圧がおよそ０．３Ｍｐａになるように噴出用レギュレーター２７及び噴出用バルブ２８を調整した。この条件の下、研磨剤として酸化セリウムの砥液を研磨布１４に供給し、シリコンウエハの下面に設けた酸化膜を研磨した。研磨後にウェーハベベル部１８ａに付着した砥液量は、蛍光Ｘ線分析装置を用いて検出した。この結果を図８に示す。
【００３１】
図８は、従来のポリッシング装置によって研磨した際にウェーハベベル部１８ａに付着した砥液量および、実施形態に係るポリッシング装置１０によって研磨した際にウェーハベベル部１８ａに付着した砥液量を、定量分析した結果を示す図である。なお、実験は同一条件で５回行っており、図８は、その平均を示す。
【００３２】
図８から明らかなように、従来のポリッシング装置においては、Ｍｇ、Ｎａ、Ｔｉ、Ｃｅ、およびＦｅが検出されたのに対し、実施形態に係るポリッシング装置１０においては、ＭｇおよびＦｅは検出されず、Ｎａ、Ｔｉ、およびＣｅのみが検出された。さらに、検出された各元素毎の量を比較すると、実施形態に係るポリッシング装置１０において検出された各元素の量は、従来のポリッシング装置において検出された各元素の量より減少していることが確認できる。このように、実施形態に係るポリッシング装置１０を適用することにより、従来のポリッシング装置と比較して、ウェーハベベル部１８ａに付着する砥液量を、１桁から２桁程度低減することができた。
【００３３】
以上に説明した本実施形態に係るポリッシング装置１０によれば、半導体ウエハ１８を研磨する際に、リテーナーリング１７の内側面に設けられた複数の気体噴出孔２３から、ウェーハベベル部１８ａに所定の空気圧の圧縮空気を噴出させるため、ウェーハベベル部１８ａに研磨剤が付着することを抑制することができる。この結果、研磨後に半導体ウエハ１８を洗浄する洗浄装置、若しくは研磨後に用いられるその他の半導体製造設備が汚染されることを抑制することができる。
【００３４】
（第２の実施形態）
図９は、第２の実施形態に係るポリッシング装置３０を示す、図２に対応する断面図である。図９に示すポリッシング装置３０は、第１の実施形態に係るポリッシング装置１０と比較して、リテーナーリング３１の構造、および噴出用気体供給路２６の数が異なる。以下に、このポリッシング装置３０について説明する。
【００３５】
図１０は、第２の実施形態に係るポリッシング装置３０に適用されるリテーナーリング３１を示す斜視図である。また、図１１は、図１０のＸ−Ｘ´に沿ったリテーナーリング３１の断面図である。
【００３６】
図１０に示すように、リテーナーリング３１の内側面には、複数の気体噴出孔２３が設けられている。各気体噴出孔２３の径は、図示のように等しくてもよいが、異なっていてもよい。また、リテーナーリング１７の上面には、気体噴出孔２３の数と同数の複数の気体供給孔２５が設けられている。
【００３７】
図１１に示すように、複数の気体噴出孔２３は、複数の気体供給孔２５と一対一に対応しており、各気体噴出孔２３は、対応する気体供給孔２５にそれぞれ連通している。複数の気体供給孔２５は、一つの気体供給部１９に接続されている。従って、気体供給部１９から供給される圧縮空気は、リテーナーリング３１の各気体供給孔２５を介して、対応するそれぞれの気体噴出孔２３から噴出される。
【００３８】
なお、図９に示すように、複数の噴出用気体供給路２６は、複数の気体供給孔２５と同数だけ設けられており、複数の気体供給孔２５と一対一に対応している。すなわち、リテーナーリング３１の各気体供給孔２５は、対応するそれぞれの噴出用気体供給路２６を介して、気体供給部１９に接続されている。従って、リテーナーリング３１の各気体供給孔２５には、気体供給部１９から、対応するそれぞれの噴出用気体供給路２６を介して圧縮空気が供給される。
【００３９】
各気体供給孔２５には、対応する噴出用気体供給路２６毎に備えられた噴出用レギュレーター２７及び噴出用バルブ２８によって調節された空気量および空気圧の空気が供給される。なお、各気体供給孔２５に供給される圧縮空気の空気量および空気圧は、それぞれ独立に制御可能となっており、例えば、各気体供給孔２５に供給される圧縮空気の空気量および空気圧がそれぞれ等しくなるように、調節することができる。
【００４０】
以上に説明した本実施形態に係るポリッシング装置３０であっても、リテーナーリング３１の内側面に、圧縮空気が噴出する複数の気体噴出孔２３が設けられているため、ウェーハベベル部１８ａに研磨剤が付着することを抑制することができる。この結果、研磨後に半導体ウエハ１８を洗浄する洗浄装置、若しくは研磨後に用いられるその他の半導体製造設備が汚染されることを抑制することができる。
【００４１】
また、本実施形態に係るポリッシング装置３０によれば、各気体噴出孔２３から噴出される圧縮空気の空気量および空気圧を、それぞれ独立に制御可能である。従って、各気体噴出孔２３から噴出される圧縮空気の空気量および空気圧を、容易に調節することができる。たとえばレギュレーター２７によって、各気体噴出孔２３の径に応じて噴出される圧縮空気の空気圧を制御することにより、各気体噴出孔２３から噴出される圧縮空気の空気圧を、容易に均一にすることができる。この形態は、例えば、各気体噴出孔２３の径の製造誤差等によって、気体噴出孔２３の径の調節だけでは、各気体噴出孔２３から噴出される圧縮空気の空気圧を調節することが困難である場合に有効である。
【００４２】
（第３の実施形態）
図１２は、第３の実施形態に係るポリッシング装置４０を示す、図２に対応する断面図である。図１２に示すポリッシング装置４０は、第２の実施形態に係るポリッシング装置３０と比較して、リテーナーリング４１の構造、および噴出用気体供給路２６の数が異なる。
【００４３】
図１３は、第３の実施形態に係るポリッシング装置４０に適用されるリテーナーリング４１を示す斜視図である。また、図１４は、図１３のリテーナーリング４１を示す断面図であって、（ａ）は図１３のＸ−Ｘ´に沿った断面図、（ｂ）は同図（ａ）のＹ−Ｙ´に沿った断面図である。
【００４４】
図１３に示すように、リテーナーリング４１の内側面には、複数の気体噴出孔２３が設けられている。各気体噴出孔２３の径は、図示のように等しくてもよいが、各気体噴出孔２３から噴出される圧縮空気の空気圧をより均一にするために、異ならせてもよい。また、図１４（ａ）（ｂ）に示すように、リテーナーリング４１の内部には、周に沿って湾曲する複数の弧状の気体供給路４２が設けられている。さらに、図１３に示すように、リテーナーリング４１の上面には、複数の気体供給孔２５が設けられている。なお、複数の気体供給孔２５は、複数の弧状の気体供給路４２と同数だけ設けられており、一対一に対応している。気体供給孔２５の数は、気体噴出孔２３の数より少ない。
【００４５】
図１４（ａ）（ｂ）に示すように、複数の気体噴出孔２３は、隣接する複数の気体噴出孔２３毎に一つの弧状の気体供給路４２に連通しており、各弧状の気体供給路４２は、対応する気体供給孔２５にそれぞれ連通している。複数の気体供給孔２５は、一つの気体供給部１９に接続されている。従って、気体供給部１９から供給される圧縮空気は、リテーナーリング４１の複数の気体供給孔２５、複数の弧状の気体供給路４２を介して、それぞれの気体噴出孔２３から噴出される。
【００４６】
なお、図１３に示すように、複数の噴出用気体供給路２６は、気体噴出孔２３の数より少なく、複数の気体供給孔２５と同数だけ設けられており、複数の気体供給孔２５と一対一に対応している。すなわち、リテーナーリング４１の各気体供給孔２５は、対応するそれぞれの噴出用気体供給路２６を介して、気体供給部１９に接続されている。従って、リテーナーリング４１の各気体供給孔２５には、気体供給部１９から、対応するそれぞれの噴出用気体供給路２６を介して圧縮空気が供給される。
【００４７】
各気体供給孔２５には、対応する噴出用気体供給路２６毎に備えられた噴出用レギュレーター２７及び噴出用バルブ２８によって調節された空気量および空気圧の空気が供給される。なお、各気体供給孔２５に供給される圧縮空気の空気量および空気圧は、それぞれ独立に制御可能となっており、例えば、各気体供給孔２５に供給される圧縮空気の空気量および空気圧がそれぞれ等しくなるように、調節することができる。
【００４８】
以上に説明した本実施形態に係るポリッシング装置４０であっても、リテーナーリング４１の内側面に、圧縮空気が噴出する複数の気体噴出孔２３が設けられているため、ウェーハベベル部１８ａに研磨剤が付着することを抑制することができる。この結果、研磨後に半導体ウエハ１８を洗浄する洗浄装置、若しくは研磨後に用いられるその他の半導体製造設備が汚染されることを抑制することができる。
【００４９】
また、本実施形態に係るポリッシング装置４０によれば、各気体噴出孔２３から噴出される空気の空気量および空気圧を、気体噴出孔２３が接続される弧状の気体供給路４２毎に独立に制御可能である。なお、隣接する複数の気体噴出孔２３は、一箇所の弧状の気体供給路４２に連通しているため、各気体噴出孔２３から噴出される圧縮空気の空気圧の制御の精密さは、第１の実施形態に係るポリッシング装１０よりは優れるものの、第２の実施形態に係るポリッシング装置３０と比較して、僅かに劣る。しかし、第２の実施形態に係るポリッシング３０装置と比較して、噴出用気体供給路２６、噴出用レギュレーター２７、および噴出用バルブ２８の数を減少させることができるため、装置コストを低減することができる。
【００５０】
以上に、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００５１】
例えば、上記実施形態において、気体噴出孔２３は、圧縮空気を噴出するが、必ずしも空気を噴出する必要はなく、例えばウェーハベベル部１８ａ若しくは砥液Ｑと反応しない不活性ガスからなる気体を噴出してもよい。
【００５２】
さらに、上記実施形態において、メンブレン１６には空気が供給されたが、必ずしも空気が供給される必要はなく、一般に気体を供給すればよい。
【符号の説明】
【００５３】
１０、３０、４０・・・ポリッシング装置
１１・・・ターンテーブル
１１ａ・・・支持部
１２・・・研磨ヘッド
１２ａ・・・シャフト
１３・・・研磨剤供給ノズル
１４・・・研磨布
１４ａ・・・溝
１５・・・トップリング
１６・・・加圧部材（メンブレン）
１７、１７´、３１、４１・・・リテーナーリング
１８・・・半導体ウエハ
１８ａ・・・ウェーハベベル部
１９・・・気体供給部
２０・・・押圧用気体供給路
２１・・・押圧用レギュレータ−
２２・・・押圧用バルブ
２３・・・気体噴出孔
２４・・・リング状の気体供給路
２５・・・気体供給孔
２６・・・噴出用気体供給路
２７・・・噴出用レギュレータ−
２８・・・噴出用バルブ
４２・・・弧状の気体供給路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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