(57)【要約】      （修正有）【課題】導体層を確実に形成できるようにすることにより、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を製造することが可能な部品内蔵配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】コア基板準備工程ではコア基板１１を準備し、収容穴部形成工程では収容穴部９０をコア基板１１に形成する。収容工程では、収容穴部９０に部品１０１を収容する。固定工程では、コア主面１２及び部品主面１０２の上に最内層の樹脂絶縁層３３を貼付するとともに、樹脂絶縁層３３の一部を収容穴部９０の内壁面９１と部品側面との隙間に充填して部品１０１を固定する。配線積層部形成工程では、配線積層部形成工程では、樹脂絶縁層３３の表面に導体層を形成することなく、樹脂絶縁層３３の表面の上に樹脂絶縁層３５を積層する。【選択図】図９
2013197136.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア主面及びコア裏面を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、
少なくとも前記コア主面側にて開口する収容穴部を前記コア基板に形成する収容穴部形成工程と、
部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品を、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容する収容工程と、
前記コア主面及び前記部品主面の上に最内層の樹脂絶縁層を貼付するとともに、前記最内層の樹脂絶縁層の一部を前記収容穴部の内壁面と前記部品側面との隙間に充填して前記部品を固定する固定工程と、
前記最内層の樹脂絶縁層の表面の上において、樹脂絶縁層及び導体層を交互に積層して配線積層部を形成する配線積層部形成工程と
を含む部品内蔵配線基板の製造方法において、
前記配線積層部形成工程では、前記最内層の樹脂絶縁層の表面に前記導体層を形成することなく、前記最内層の樹脂絶縁層の表面の上に前記樹脂絶縁層を積層する
ことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記部品の厚さは、前記コア基板の厚さよりも小さく、
前記最内層の樹脂絶縁層において前記部品主面の上に貼付される部分の厚さは、前記最内層の樹脂絶縁層において前記コア主面の上に貼付される部分の厚さよりも大きい
ことを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記最内層の樹脂絶縁層の表面の上に積層される前記樹脂絶縁層は、樹脂材料中に絶縁無機繊維材料を含有させた複合材料によって形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記固定工程において前記コア主面の上及び前記部品主面の上に貼付される前記最内層の樹脂絶縁層はビルドアップ材によって形成され、前記ビルドアップ材の厚さは２０μｍ以上２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記固定工程において前記最内層の樹脂絶縁層を硬化収縮させることにより、前記部品が固定されるとともに、前記最内層の樹脂絶縁層の表面において前記隙間の上方となる領域に凹み部が形成され、
前記配線積層部形成工程では、前記最内層の樹脂絶縁層の表面の上に積層される前記樹脂絶縁層の一部を前記凹み部内に入り込ませる
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記収容工程及び前記固定工程は、前記コア主面及び前記コア裏面の両方にて開口する前記収容穴部の前記コア裏面側開口を粘着面を有する粘着テープで塞いだ状態で行われ、
前記固定工程後に前記粘着テープを除去する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部にコンデンサなどの部品が収容されている部品内蔵配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。但し、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。その一例として、樹脂材料製のコア基板内にコンデンサを埋め込むとともに、そのコア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した配線基板が従来提案されている（例えば特許文献１，２参照）。
【０００３】
上記従来の配線基板の製造方法の一例を以下に説明する。まず、コア主面２０１及びコア裏面２０２の両方にて開口する収容穴部２０３を有する樹脂材料製のコア基板２０４を準備する（図１１参照）。併せて、コンデンサ主面２０５及びコンデンサ裏面２０６にそれぞれ複数の表層電極２０７を突設したコンデンサ２０８（図１１参照）を準備する。次に、コア裏面２０２側に粘着テープ２０９を貼り付けるテーピング工程を行い、収容穴部２０３のコア裏面２０２側の開口をあらかじめシールする。そして、収容穴部２０３内にコンデンサ２０８を収容する収容工程を行い、コンデンサ裏面２０６を粘着テープ２０９の粘着面に貼り付けて仮固定する（図１１参照）。次に、コア主面２０１及びコンデンサ主面２０５の上に最内層の樹脂絶縁層２１１を貼付するとともに、樹脂絶縁層２１１の一部を収容穴部２０３の内壁面とコンデンサ２０８の側面との隙間Ａ１に充填して樹脂絶縁層２１１を硬化収縮させることにより、コンデンサ２０８を固定する（図１２参照）。そして、粘着テープ２０９を剥離した後、樹脂絶縁層２１１の表面の上において、樹脂絶縁層及び導体層を交互に積層して主面側ビルドアップ層を形成するとともに、コア裏面２０２側に対して、樹脂絶縁層及び導体層を交互に積層して裏面側ビルドアップ層を形成する。その結果、所望の配線基板が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１０３７８９号公報（図６等）
【特許文献２】特開２００４−４３７５４号公報（図７等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記の樹脂絶縁層２１１の一部を隙間Ａ１に充填する際には、特に、樹脂絶縁層２１１において隙間Ａ１の上方に位置する部分が多く隙間Ａ１に流れ込むようになる。その結果、樹脂絶縁層２１１を硬化収縮させた際に、樹脂絶縁層２１１の表面２１２において隙間Ａ１の上方となる領域に凹み部２１３（図１２参照）が生じる可能性がある。この場合、樹脂絶縁層２１１の表面２１２に導体層を形成することが困難になるため、製造される配線基板が不良品となり、配線基板の信頼性が低下するおそれがある。なお、樹脂絶縁層２１１を研磨して薄くすることによって凹み部２１３がない平坦な表面２１２を形成した後、新たに樹脂絶縁層を貼付することも考えられるが、製造工程数が増えるため、配線基板の製造コストの上昇につながってしまう。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、導体層を確実に形成できるようにすることにより、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を製造することが可能な部品内蔵配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、上記課題を解決するための手段（手段１）としては、コア主面及びコア裏面を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、少なくとも前記コア主面側にて開口する収容穴部を前記コア基板に形成する収容穴部形成工程と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品を、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容する収容工程と、前記コア主面及び前記部品主面の上に最内層の樹脂絶縁層を貼付するとともに、前記最内層の樹脂絶縁層の一部を前記収容穴部の内壁面と前記部品側面との隙間に充填して前記部品を固定する固定工程と、前記最内層の樹脂絶縁層の表面の上において、樹脂絶縁層及び導体層を交互に積層して配線積層部を形成する配線積層部形成工程とを含む部品内蔵配線基板の製造方法において、前記配線積層部形成工程では、前記最内層の樹脂絶縁層の表面に前記導体層を形成することなく、前記最内層の樹脂絶縁層の表面の上に前記樹脂絶縁層を積層することを特徴とする部品内層配線基板の製造方法がある。
【０００８】
従って、上記手段１の部品内蔵配線基板の製造方法によると、配線積層部形成工程においては、凹み部が生じる可能性がある最内層の樹脂絶縁層の表面に導体層を形成することなく、最内層の樹脂絶縁層の表面の上に樹脂絶縁層を積層している。即ち、例えば、最内層の樹脂絶縁層の表面に凹み部が生じていたとしても、凹み部がある表面の上に樹脂絶縁層を積層して、積層した樹脂絶縁層の表面を平坦にすることができる。その結果、積層した樹脂絶縁層の表面に導体層を確実に形成できるため、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。また、最内層の樹脂絶縁層を研磨するなどして凹み部がない平坦な表面を形成する工程が不要になるため、部品内蔵配線基板の製造コストを抑えることができる。
【０００９】
以下、部品内蔵配線基板の製造方法について説明する。
【００１０】
コア基板準備工程では、コア主面及びコア裏面を有するコア基板を、従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。続く収容穴部形成工程では、少なくともコア主面側にて開口する収容穴部をコア基板に形成する。この収容穴部は、コア主面側のみにて開口する非貫通穴であってもよく、あるいはコア主面側及びコア裏面側の両方にて貫通する貫通穴であってもよい。
【００１１】
コア基板を形成する材料は特に限定されないが、好ましいコア基板は樹脂材料を主体として形成される。コア基板を形成するための樹脂材料の具体例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。
【００１２】
続く収容工程では、コア主面と部品主面とを同じ側に向けた状態で、収容穴部に部品を収容する。また、収容工程において収容穴部に収容される部品は、部品主面、部品裏面及び部品側面を有している。部品の形状は、任意に設定することが可能であるが、例えば、部品主面の面積が部品側面の面積よりも大きい板状であることが好ましい。このようにすれば、収容穴部に部品を収容した際に、収容穴部の内壁面と部品側面との距離が小さくなるため、収容穴部に充填される最内層の樹脂絶縁層の体積をそれ程大きくしなくても済む。また、部品の平面視での形状としては、複数の辺を有する平面視多角形状であることが好ましい。平面視多角形状としては、例えば、平面視略矩形状、平面視略三角形状、平面視略六角形状などを挙げることができるが、特には、一般的な形状である平面視略矩形状であることが好ましい。ここで、「平面視略矩形状」とは、平面視で完全な矩形状のみをいうのではなく、角部が面取りされた形状や、辺の一部が曲線となっている形状も含むものとする。
【００１３】
なお、好適な部品としては、コンデンサ、半導体集積回路素子（ＩＣチップ）、半導体製造プロセスで製造されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子などを挙げることができる。
【００１４】
また、好適なコンデンサの例としては、チップコンデンサや、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、複数の内部電極層に接続される複数のビア導体、及び、複数のビア導体における少なくとも部品主面側の端部に接続された複数の表層電極とを備えるコンデンサなどを挙げることができる。なお、コンデンサは、複数のビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。また、コンデンサ全体の小型化が図りやすくなり、ひいては部品内蔵配線基板全体の小型化も図りやすくなる。しかも、小さい割りに高静電容量が達成しやすく、より安定した電源供給が可能となる。
【００１５】
コンデンサを構成する誘電体層としては、セラミック誘電体層、樹脂誘電体層、セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層などが挙げられる。内部電極層、ビア導体、表層電極としては特に限定されないが、例えば誘電体層がセラミック誘電体層である場合にはメタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。
【００１６】
続く固定工程では、コア主面及び部品主面の上に最内層の樹脂絶縁層を貼付するとともに、最内層の樹脂絶縁層の一部を収容穴部の内壁面と部品側面との隙間に充填して部品を固定する。なお、最内層の樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。最内層の樹脂絶縁層を形成するための樹脂材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。
【００１７】
なお、部品の厚さがコア基板の厚さよりも小さい場合、最内層の樹脂絶縁層において部品主面の上に貼付される部分の厚さは、最内層の樹脂絶縁層においてコア主面の上に貼付される部分の厚さよりも大きいことが好ましい。このようにすれば、最内層の樹脂絶縁層の表面を平坦にしやすくなる。よって、最内層の樹脂絶縁層の表面の上に積層される樹脂絶縁層の表面を確実に平坦にすることができるため、積層した樹脂絶縁層の表面に導体層をより確実に形成することができる。
【００１８】
また、固定工程においてコア主面の上及び部品主面の上に貼付される最内層の樹脂絶縁層はビルドアップ材によって形成され、ビルドアップ材の厚さは２０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。仮に、ビルドアップ材の厚さが２０μｍ未満になると、ビルドアップ材において、収容穴部の内壁面と部品側面との隙間に流れ込む部分の割合が大きくなるため、ビルドアップ材の表面に凹み部が生じやすくなる。一方、ビルドアップ材の厚さが２５μｍよりも大きくなると、部品内蔵配線基板が厚さ方向に大きくなるため、部品内蔵配線基板の大型化につながってしまう。
【００１９】
なお、収容工程が終了した時点で、部品の部品裏面がコア裏面と面一ではないと、後の固定工程において最内層の樹脂絶縁層を形成したとしても、最内層の樹脂絶縁層の表面を平坦にすることができず、部品内蔵配線基板の寸法精度が低下してしまう。そこで、収容工程及び固定工程は、コア主面及びコア裏面の両方にて開口する収容穴部のコア裏面側開口を粘着面を有する粘着テープで塞いだ状態で行われ、固定工程後に粘着テープを除去することが好ましい。このようにすれば、収容工程及び固定工程において、部品の部品裏面側が粘着テープの粘着面に貼り付けられて仮固定され、部品裏面がコア裏面と面一になる。よって、最内層の樹脂絶縁層の表面を平坦にすることができ、部品内蔵配線基板の寸法精度が向上する。ゆえに、樹脂絶縁層及び導体層を交互に積層して配線積層部を形成する配線積層部形成工程を行い、配線積層形成工程後に、最外層の樹脂絶縁層上に形成された導体層上に半導体集積回路素子搭載用のはんだバンプを形成するはんだバンプ形成工程を行う場合に、配線積層部の表面のコプラナリティが改善され、個々のはんだバンプの高さがバラツキにくくなる。よって、はんだバンプと半導体集積回路素子との接続信頼性が向上する。
【００２０】
ここで、本明細書で述べられている「コプラナリティ」とは、「日本電子機械工業会規格ＥＩＡＪ  ＥＤ−７３０４  ＢＧＡ規定寸法の測定方法」で定義されている端子最下面均一性であり、配線積層部の表面の均一性を示す指標である。
【００２１】
続く配線積層部形成工程では、最内層の樹脂絶縁層の表面の上において、樹脂絶縁層及び導体層を交互に積層して配線積層部を形成する。このようにすれば、配線積層部に電気回路を形成できるため、部品内蔵配線基板の高機能化を図ることができる。また、配線積層部は、最内層の樹脂絶縁層の表面の上にのみ形成されるが、さらにコア裏面及び部品裏面の上にも配線積層部と同じ構造の積層部が形成されていてもよい。このように構成すれば、最内層の樹脂絶縁層の表面の上に形成された配線積層部のみではなく、コア裏面及び部品裏面の上に形成された積層部にも電気回路を形成できるため、部品内蔵配線基板のよりいっそうの高機能化を図ることができる。
【００２２】
最内層の樹脂絶縁層の表面の上に積層される樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。ここで、最内層の樹脂絶縁層の表面の上に積層される樹脂絶縁層は、樹脂材料中に絶縁無機繊維材料を含有させた複合材料によって形成されていることが好ましい。このようにすれば、積層される樹脂絶縁層自体に高い剛性を付与できるため、最内層の樹脂絶縁層の表面に凹み部が生じていたとしても、積層した樹脂絶縁層が凹み部に追従しにくくなる。その結果、積層した樹脂絶縁層の表面に凹み部の形状が反映されにくくなるため、積層した樹脂絶縁層の表面をより確実に平坦にすることができ、積層した樹脂絶縁層の表面に導体層をより確実に形成することができる。
【００２３】
なお、固定工程において最内層の樹脂絶縁層を硬化収縮させることにより、部品が固定されるとともに、最内層の樹脂絶縁層の表面において隙間の上方となる領域に凹み部が形成される場合、配線積層部形成工程において、最内層の樹脂絶縁層の表面の上に積層される樹脂絶縁層の一部を凹み部内に入り込ませるようにしてもよい。このようにすれば、配線積層部形成工程において最内層の樹脂絶縁層の表面の上に対して樹脂絶縁層を積層した際に、積層した樹脂絶縁層を最内層の樹脂絶縁層に確実に密着させることができる。ゆえに、デラミネーション等の発生を防止できるため、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。
【００２４】
最内層の樹脂絶縁層の表面の上に積層される樹脂絶縁層を構成する樹脂材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。また、樹脂絶縁層を構成する絶縁無機繊維材料の好適例としては、ガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）、ポリアミド繊維、金属繊維、紙などが挙げられる。
【００２５】
一方、配線積層部を構成する導体層は、導電性の金属材料などによって形成することが可能である。導体層を構成する金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明を具体化した一実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図２】同じく、チップコンデンサを示す概略平面図。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図。
【図４】図３のＢ−Ｂ線断面図。
【図５】配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】配線基板の製造方法を示す説明図。
【図７】配線基板の製造方法を示す説明図。
【図８】配線基板の製造方法を示す説明図。
【図９】配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１０】他の実施形態における配線基板を示す概略断面図。
【図１１】従来技術における配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１２】同じく、配線基板の製造方法の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の部品内蔵配線基板を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２８】
図１に示されるように、本実施形態の部品内蔵配線基板（以下「配線基板」という）１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）上に形成される主面側ビルドアップ層３１（配線積層部）と、コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成される裏面側ビルドアップ層３２（積層部）とからなる。
【００２９】
本実施形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの平面視略矩形板状である。コア基板１１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなり、平面方向（ＸＹ方向）における熱膨張係数が１０〜３０ｐｐｍ／℃程度（具体的には１８ｐｐｍ／℃）となっている。なお、コア基板１１の熱膨張係数は、０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。
【００３０】
図１に示されるように、コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６がコア主面１２及びコア裏面１３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１６は、コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの充填樹脂１７で埋められている。また、コア基板１１のコア主面１２には、銅からなる主面側導体層１４がパターン形成され、コア基板１１のコア裏面１３には、同じく銅からなる裏面側導体層１５がパターン形成されている。各導体層１４，１５は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。さらに、コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。
【００３１】
そして、収容穴部９０内には、チップコンデンサ１０１（部品）が埋め込まれた状態で収容されている。なお、チップコンデンサ１０１は、コア基板１１のコア主面１２とコンデンサ主面１０２（図１では上面）とを同じ側に向け、かつ、コア基板１１のコア裏面１３とコンデンサ裏面１０３（図１では下面）と同じ側に向けた状態で収容されている。本実施形態のチップコンデンサ１０１は、縦６．０ｍｍ×横６．０ｍｍ×厚さ０．５５ｍｍの平面視略矩形状をなす板状物である。即ち、チップコンデンサ１０１の厚さは、コア基板１１の厚さ（０．８ｍｍ）よりも小さくなっている。
【００３２】
図１〜図４に示されるように、チップコンデンサ１０１は、部品主面である１つのコンデンサ主面１０２（図１では上面）、部品裏面である１つのコンデンサ裏面１０３（図１では下面）、及び、部品側面である４つのコンデンサ側面１０６を有している。また、チップコンデンサ１０１は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２とが交互に積層配置されたセラミック焼結体１０４を備えている。セラミック焼結体１０４の熱膨張係数は、８〜１２ｐｐｍ／℃程度であり、具体的には９．５ｐｐｍ／℃程度となっている。なお、セラミック焼結体１０４の熱膨張係数は、３０℃〜２５０℃間の測定値の平均値をいう。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電体セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。
【００３３】
図２〜図４に示されるように、セラミック焼結体１０４において互いに対向する一対のコンデンサ側面１０６には、電源用電極１１１及びグランド用電極１２１がそれぞれ２つずつ設けられている。電源用電極１１１のコンデンサ主面側端部１１２及びコンデンサ裏面側端部１１３は、同一方向に突出し、それぞれコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上に位置している。同様に、グランド用電極１２１のコンデンサ主面側端部１２２及びコンデンサ裏面側端部１２３も、同一方向に突出し、それぞれコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上に位置している。さらに、電源用電極１１１は複数の電源用内部電極層１４１に接続され、グランド用電極１２１は複数のグランド用内部電極層１４２に接続されている。また、電極１１１，１１２は、ニッケルを主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって被覆されている。
【００３４】
例えば、電極１１１，１１２側から通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、チップコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。
【００３５】
図１に示されるように、裏面側ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂絶縁層３４，３６と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層３４，３６の完全硬化状態での熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度であり、具体的には４６ｐｐｍ／℃となっている。なお、樹脂絶縁層３４，３６の熱膨張係数は、２５℃〜１５０℃間の測定値の平均値をいう。また、樹脂絶縁層３４，３６内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体４７が設けられている。樹脂絶縁層３４，３６内に設けられたビア導体４７の一部は、チップコンデンサ１０１の電極１１１，１２１に接続されている。また、第２層の樹脂絶縁層３６の下面上における複数箇所には、ビア導体４７を介して導体層４２に電気的に接続されるパッド４８が格子状に形成されている。さらに、樹脂絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。
【００３６】
図１に示されるように、主面側ビルドアップ層３１は、上述した裏面側ビルドアップ層３２とほぼ同じ構造を有している。即ち、主面側ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４１とを積層した構造を有している。詳述すると、主面側ビルドアップ層３１を構成する最内層の樹脂絶縁層３３は、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２の上に形成されている。また、樹脂絶縁層３３の表面全体には、導体層４１が形成されないようになっている。さらに、樹脂絶縁層３３の一部は、収容穴部９０の内壁面９１と、チップコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６（本実施形態では、電極１１１，１２１の表面も含む）との隙間Ｓ１（図７参照）に充填されている。即ち、樹脂絶縁層３３は、チップコンデンサ１０１をコア基板１１に固定する機能を有している。なお、本実施形態において、隙間Ｓ１の大きさは２００μｍに設定されている。また、樹脂絶縁層３３においてコンデンサ主面１０２の上に貼付される部分の厚さは２７０μｍに設定され、樹脂絶縁層３３においてコア主面１２の上に貼付される部分の厚さは２０μｍに設定されている。よって、樹脂絶縁層３３においてコンデンサ主面１０２の上に貼付される部分の厚さは、樹脂絶縁層３３においてコア主面１２の上に貼付される部分の厚さよりも大きくなっている。また、樹脂絶縁層３３の完全硬化状態での熱膨張係数は、樹脂絶縁層３４，３６の完全硬化状態での熱膨張係数と同じ値となっており、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には４６ｐｐｍ／℃）となっている。なお、樹脂絶縁層３３の完全硬化状態での熱膨張係数は、２５℃〜１５０℃間の測定値の平均値をいう。
【００３７】
図１に示されるように、主面側ビルドアップ層３１を構成する最外層（第２層）の樹脂絶縁層３５は、最内層の樹脂絶縁層３３の表面の上に積層されている。樹脂絶縁層３５は、樹脂材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）中に絶縁無機繊維材料（本実施形態ではガラスクロス３０）を含有させた複合材料によって形成されている。一方、それ以外の樹脂絶縁層３３，３４，３６は、ガラスクロス３０を含有させる代わりに、樹脂材料中に無機フィラーを含有させた複合材料によって形成されている。よって、樹脂絶縁層３５は、樹脂絶縁層３３，３４，３６よりも高剛性となっている。具体的に言うと、樹脂絶縁層３５のヤング率は、樹脂絶縁層３３，３４，３６のヤング率（４．０ＧＰａ）よりも大きい値となっており、７．５ＧＰａに設定されている。さらに、樹脂絶縁層３５の熱膨張係数は、樹脂絶縁層３３，３４，３６の熱膨張係数（４６ｐｐｍ／℃）よりも小さい値となっており、具体的には２３ｐｐｍ／℃に設定されている。
【００３８】
図１に示されるように、樹脂絶縁層３５の表面上には、導体層４１が形成されるとともに、複数の端子パッド４４（導体層）がアレイ状に形成されている。本実施形態の端子パッド４４は、いわゆるＣ４パッド（Controlled Collapsed Chip Connectionパッド）である。さらに、樹脂絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。
【００３９】
そして、各はんだバンプ４５は、ＩＣチップ２１（半導体集積回路素子）の面接続端子２２に電気的に接続されている。本実施形態のＩＣチップ２１は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．９ｍｍの平面視矩形状をなす板状物であって、熱膨張係数が３〜４ｐｐｍ／℃程度（具体的には３．５ｐｐｍ／℃程度）のシリコンからなる。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。ＩＣチップ搭載領域２３は、主面側ビルドアップ層３１の表面３９に設定されている。
【００４０】
なお、図１に示されるように、チップコンデンサ１０１は、コア基板１１においてＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。本実施形態において、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は１４４ｍｍ２であり、チップコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の面積は３６ｍｍ２である。即ち、ＩＣチップ搭載領域２３の面積は、コンデンサ主面１０２の面積よりも大きくなっている。そして、チップコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３内には、チップコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２が位置するようになる。
【００４１】
次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法を説明する。
【００４２】
まず、コア基板準備工程では、コア基板１１の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。具体的に言うと、縦４００ｍｍ×横４００ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの基材の両面に銅箔６２が貼付された銅張積層板６１（図５参照）を準備し、これをコア基板１１の中間製品とする。なお、コア基板１１の中間製品とは、コア基板１１となるべき領域が平面方向に沿って縦横に複数配置された多数個取り用コア基板である。
【００４３】
次に、コア基板１１（銅張積層板６１）に対してドリル機を用いて孔あけ加工を行い、スルーホール導体１６を形成するための貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。なお、貫通孔は、内径が１００μｍの断面円形状の孔である。次に、貫通孔の内壁面、コア主面１２及びコア裏面１３を含むコア基板１１の表面全体に対して無電解銅めっきを行った後に電解銅めっきを行う。その結果、貫通孔の内壁面に、スルーホール導体１６となるめっき層７１が形成される（図５参照）。さらに、コア主面１２に主面側導体層１４となるめっき層７２が形成されるとともに、コア裏面１３に裏面側導体層１５となるめっき層７３が形成される（図５参照）。その後、スルーホール導体１６となるめっき層７１の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、充填樹脂１７を形成する（図６参照）。
【００４４】
次に、従来公知の手法に従って無電解銅めっきを行うことにより、めっき層７２，７３の表面にめっき層７４（図６参照）を形成する。次に、めっき層７４のエッチングを行ってめっき層７４を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。具体的には、コア主面１２側のめっき層７４及びコア裏面１３側のめっき層７４に対してドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要なめっき層７４をエッチングで除去した後、ドライフィルムを剥離する。その結果、コア主面１２上に主面側導体層１４が形成されるとともに、コア裏面１３上に裏面側導体層１５が形成される（図６参照）。このとき、コア主面１２側のめっき層７４の一部が、スルーホール導体１６のコア主面１２側の端面を覆う蓋めっき層となり、コア裏面１３側のめっき層７４の一部が、スルーホール導体１６のコア裏面１３側の端面を覆う蓋めっき層となる。
【００４５】
続く収容穴部形成工程では、コア基板１１（銅張積層板６１）に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部９０を所定位置にあらかじめ形成しておく（図６参照）。なお、収容穴部９０は、一辺が６．４ｍｍで、四隅に半径３ｍｍのアールを有する断面略正方形状の孔である。
【００４６】
また、コンデンサ準備工程では、チップコンデンサ１０１を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
【００４７】
チップコンデンサ１０１は以下のように作製される。即ち、セラミックのグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。
【００４８】
さらに、グリーンシート積層体の上面上、下面上及び側面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の側面側にて各電極部の側端面を覆うように電源用電極１１１及びグランド用電極１２１を形成する。この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各電極１１１，１２１をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。次に、得られたセラミック焼結体１０４が有する各電極１１１，１２１に対して無電解銅めっき（厚さ１０μｍ程度）を行う。その結果、各電極１１１，１２１の上に銅めっき層が形成され、チップコンデンサ１０１が完成する。
【００４９】
続く収容工程では、まず、収容穴部９０のコア裏面１３側開口を、剥離可能な粘着テープ１５１（図７参照）でシールする。この粘着テープ１５１は、支持台（図示略）によって支持されている。次に、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、コア主面１２とコンデンサ主面１０２とを同じ側に向け、かつ、コア裏面１３とコンデンサ裏面１０３とを同じ側に向けた状態で、収容穴部９０内にチップコンデンサ１０１を収容する（図７参照）。このとき、チップコンデンサ１０１のコンデンサ裏面１０３側が粘着テープ１５１の粘着面に貼り付けられて仮固定される。
【００５０】
続く固定工程では、収容穴部９０の内壁面９１とチップコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間Ｓ１（図７参照）に対して、最内層の樹脂絶縁層３３の一部を充填して埋める（図８参照）。詳述すると、まず、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２の上にシート状の樹脂絶縁層３３を貼付する。なお、本実施形態の樹脂絶縁層３３は、エポキシ樹脂を主成分とするビルドアップ材である。また、樹脂絶縁層３３の厚さは、隙間Ｓ１を埋めるのに十分な容量を確保できる程度であればよく、２０μｍ以上２５μｍ以下（本実施形態では２５μｍ）となっている。その後、樹脂絶縁層３３を加熱加圧する。具体的には、真空圧着熱プレス機（図示略）を用いて樹脂絶縁層３３を真空下にて１４０〜１５０℃に加熱するとともに、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２に対して樹脂絶縁層３３を０．７５ＭＰａで１２０秒間押圧する。このとき、樹脂絶縁層３３の一部が収容穴部９０の内壁面９１とコンデンサ側面１０６との隙間Ｓ１に落とし込まれて、その隙間Ｓ１が埋められる。その後、加熱処理（キュアなど）を行うと、樹脂絶縁層３３が硬化収縮して、チップコンデンサ１０１が収容穴部９０内に固定される。それとともに、樹脂絶縁層３３の表面において隙間Ｓ１の上方となる領域に凹み部５１が形成される。なお、凹み部５１の深さは、１０μｍ以上２０μｍ以下（本実施形態では２０μｍ）となる。そして、固定工程後、粘着テープ１５１を剥離する。即ち、収容工程及び固定工程は、収容穴部９０のコア裏面１３側開口を粘着テープ１５１で塞いだ状態で行われる。
【００５１】
続く配線積層部形成工程では、従来周知の手法に基づいて、最内層の樹脂絶縁層３３の表面の上に主面側ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３及びコンデンサ裏面１０３の上に裏面側ビルドアップ層３２を形成する。具体的に言うと、まず、コア裏面１３及びコンデンサ裏面１０３の上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、樹脂絶縁層３４を形成する（図９参照）。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid Crystalline Polymer）を被着してもよい。
【００５２】
さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体４７が形成されるべき位置にビア孔を形成する。具体的には、樹脂絶縁層３４を貫通するビア孔を形成し、電極１１１，１２１の表面を露出させる。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、ビア孔の内部にビア導体４７を形成するとともに、樹脂絶縁層３４上に導体層４２を形成する（図９参照）。
【００５３】
次に、樹脂絶縁層３３の表面全体に導体層を形成することなく、最内層の樹脂絶縁層３３上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着することにより、樹脂絶縁層３３の表面の上に樹脂絶縁層３５を積層する（図９参照）。このとき、樹脂絶縁層３５の一部が凹み部５１内に入り込むようになる。また、樹脂絶縁層３４上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着して、ビア導体４７が形成されるべき位置にビア孔を有する樹脂絶縁層３６を形成する。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体４７が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、ビア孔の内部にビア導体４７を形成するとともに、樹脂絶縁層３５上に端子パッド４４を形成し、樹脂絶縁層３６上にパッド４８を形成する。
【００５４】
次に、樹脂絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７，３８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３７，３８に開口部４０，４６をパターニングする。
【００５５】
続くはんだバンプ形成工程では、最外層の樹脂絶縁層３５上に形成された端子パッド４４上に、はんだペーストを印刷する。次に、はんだペーストが印刷された配線基板１０をリフロー炉内に配置して、はんだの融点より１０〜４０℃高い温度に加熱する。この時点で、はんだペーストが溶融し、半球状に盛り上がった形状のＩＣチップ２１搭載用のはんだバンプ４５が形成される。なお、この状態のものは、配線基板１０となるべき基板形成領域が平面方向に沿って縦横に複数配置された多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板１０が多数個同時に得られる。
【００５６】
その後、配線基板１０を構成する主面側ビルドアップ層３１のＩＣチップ搭載領域２３にＩＣチップ２１を載置する。このとき、ＩＣチップ２１側の面接続端子２２と、各はんだバンプ４５とを位置合わせするようにする。そして、２２０〜２４０℃程度の温度に加熱して各はんだバンプ４５をリフローすることにより、各はんだバンプ４５と面接続端子２２とを接合し、配線基板１０側とＩＣチップ２１側とを電気的に接続する。その結果、ＩＣチップ搭載領域２３にＩＣチップ２１が搭載される（図１参照）。
【００５７】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００５８】
（１）本実施形態の配線基板１０の製造方法によれば、配線積層部形成工程において、凹み部５１が生じる可能性がある樹脂絶縁層３３の表面全体に導体層を形成することなく、樹脂絶縁層３３の表面の上に樹脂絶縁層３５を積層している。即ち、図８に示されるように、樹脂絶縁層３３の表面に凹み部５１が生じていたとしても、凹み部５１がある表面の上に樹脂絶縁層３５を積層して、積層した樹脂絶縁層３５の表面を平坦にすることができる。その結果、積層した樹脂絶縁層３５の表面に導体層４１や端子パッド４４を確実に形成できるため、信頼性に優れた配線基板１０を得ることができる。また、樹脂絶縁層３３を研磨するなどして凹み部５１がない平坦な表面を形成する工程が不要になるため、配線基板１０の製造コストを抑えることができる。
【００５９】
（２）本実施形態の固定工程では、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２の上にシート状の樹脂絶縁層３３を貼付している。このため、樹脂絶縁層３３が液状である場合に比べて、樹脂絶縁層３３を形成したり、樹脂絶縁層３３の一部で収容穴部９０の内壁面９１とコンデンサ側面１０６との隙間Ｓ１を埋めたりする際の取り扱いが容易になる。
【００６０】
（３）本実施形態では、樹脂絶縁層３３，３５が互いに異なる種類の複合材料によって形成され、熱膨張係数が互いに異なっている。このため、樹脂絶縁層３３，３５間の熱膨張係数差に起因して、両者の密着性に問題が生じ、デラミネーションが発生するおそれがある。
【００６１】
そこで、本実施形態の配線積層部形成工程では、樹脂絶縁層３５の一部を樹脂絶縁層３３の表面に生じた凹み部５１内に入り込ませているため、樹脂絶縁層３５を樹脂絶縁層３３に確実に密着させることができる。しかも、樹脂絶縁層３５は、樹脂材料中に無機フィラーを含有させる代わりに、樹脂材料中にガラスクロス３０を含有させた複合材料によって形成されている。その結果、樹脂絶縁層３５を構成する樹脂材料の量が無機フィラーを含有させる場合よりも多くなり、より多くの樹脂材料を凹み部５１に入り込ませることができるため、樹脂絶縁層３５を樹脂絶縁層３３により確実に密着させることができる。ゆえに、デラミネーション等の発生を防止することができるため、よりいっそう信頼性に優れた配線基板１０を得ることができる。
【００６２】
（４）本実施形態では、ＩＣチップ搭載領域２３がチップコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいチップコンデンサ１０１によって支持される。しかも、ＩＣチップ搭載領域２３は、ガラスクロス３０が含有された樹脂絶縁層３５の上方に位置しているため、ＩＣチップ２１は高剛性の樹脂絶縁層３５によっても支持される。よって、ＩＣチップ搭載領域２３においては、主面側ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップ２１のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。
【００６３】
なお、上記実施形態を以下のように変更してもよい。
【００６４】
・上記実施形態の樹脂絶縁層３５は、エポキシ樹脂中にガラスクロス３０を含有させた複合材料によって形成されていた。しかし、樹脂絶縁層３５は、ガラスクロス３０を含有していなくてもよい。また、エポキシ樹脂中に無機フィラーを含有させた複合材料によって形成された樹脂絶縁層、即ち、樹脂絶縁層３３，３４，３６と同じ複合材料によって形成された樹脂絶縁層を、樹脂絶縁層３５として用いてもよい。このようにすれば、樹脂絶縁層３５の形成に際して樹脂絶縁層３３，３４，３６とは別の材料を準備しなくても済む。よって、配線基板１０の製造に必要な材料が少なくなるため、配線基板１０の低コスト化を図ることが可能となる。
【００６５】
・上記実施形態において、樹脂絶縁層３３，３５内にビア導体を形成し、ＩＣチップ２１とチップコンデンサ１０１とをビア導体を介して電気的に接続してもよい。なお、チップコンデンサ１０１はＩＣチップ２１の直下に配置されるため、チップコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、チップコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とチップコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
【００６６】
・上記実施形態では、収容穴部９０内に収容される部品として、チップコンデンサ１０１が用いられていた。しかし、図１０の配線基板３００に示されるように、ビアアレイタイプのセラミックコンデンサ３０１を収容穴部３０２内に収容される部品として用いてもよい。なお、セラミックコンデンサ３０１は、セラミック誘電体層３０３を介して電源用内部電極層３０４とグランド用内部電極層３０５とが交互に積層配置された構造を有している。そして、セラミックコンデンサ３０１のコンデンサ裏面３０６には、電源用電極３０７とグランド用電極３０８とがそれぞれ設けられている。電源用電極３０７は、電源用ビア導体３０９のコンデンサ裏面３０６側の端部に接続されるとともに、電源用ビア導体３０９を介して電源用内部電極層１４１に接続されている。グランド用電極３０８は、グランド用ビア導体３１０のコンデンサ裏面３０６側の端部に接続されるとともに、グランド用ビア導体３１０を介してグランド用内部電極層１４２に接続されている。なお、ＩＣチップ、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、レジスターなどを、収容穴部に収容される部品として用いてもよい。
【００６７】
・上記実施形態では、収容穴部９０内に１個のチップコンデンサ１０１のみが収容されていたが、２個以上のチップコンデンサ１０１が収容されていてもよい。
【００６８】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６９】
（１）コア主面及びコア裏面を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、少なくとも前記コア主面側にて開口する収容穴部を前記コア基板に形成する収容穴部形成工程と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品を、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容する収容工程と、前記コア主面及び前記部品主面の上に最内層の樹脂絶縁層を貼付するとともに、前記最内層の樹脂絶縁層の一部を前記収容穴部の内壁面と前記部品側面との隙間に充填して前記部品を固定する固定工程と、前記最内層の樹脂絶縁層の表面の上において、樹脂絶縁層及び導体層を交互に積層して配線積層部を形成する配線積層部形成工程とを含む部品内蔵配線基板の製造方法において、前記配線積層部形成工程では、前記最内層の樹脂絶縁層の表面において少なくとも前記隙間の上方となる領域、または、前記最内層の樹脂絶縁層の表面において少なくとも前記収容穴部の前記コア主面側開口の上方となる領域に前記導体層を形成することなく、前記最内層の樹脂絶縁層の表面の上に前記樹脂絶縁層を積層することを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【００７０】
（２）上記手段１において、前記固定工程において前記最内層の樹脂絶縁層を硬化収縮させることにより、前記部品が固定されるとともに、前記最内層の樹脂絶縁層の表面において前記隙間の上方となる領域に凹み部が形成され、前記凹み部の深さが１０μｍ以上２０μｍ以下となることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【００７１】
（３）前記最内層の樹脂絶縁層の表面の上に積層される前記樹脂絶縁層は、樹脂材料中に絶縁無機繊維材料を含有させた複合材料によって形成され、それ以外の前記樹脂絶縁層は、前記絶縁無機繊維材料を含有させる代わりに、フィラーを含有させた複合材料によって形成されていることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【００７２】
（４）コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面側にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容される部品と、前記コア主面及び前記部品主面の上に貼付され、一部が前記収容穴部の内壁面と前記部品側面との隙間に充填される最内層の樹脂絶縁層と、前記最内層の樹脂絶縁層の表面の上において、樹脂絶縁層及び導体層を交互に積層することによって形成される配線積層部とを備える部品内蔵配線基板において、前記最内層の樹脂絶縁層と、前記最内層の樹脂絶縁層の表面の上に積層される前記樹脂絶縁層との界面には、前記導体層が形成されていないことを特徴とする部品内蔵配線基板。
【００７３】
（５）技術的思想（４）において、前記最内層の樹脂絶縁層の表面において前記隙間の上方となる領域に凹み部が形成され、前記最内層の樹脂絶縁層の表面の上に積層される前記樹脂絶縁層の一部が前記凹み部内に入り込んでいることを特徴とする部品内蔵配線基板。
【００７４】
（６）技術的思想（５）において、前記最内層の樹脂絶縁層の表面の上に積層される前記樹脂絶縁層は、樹脂材料中に絶縁無機繊維材料を含有させた複合材料によって形成され、前記凹み部の深さよりも厚いことを特徴とする部品内蔵配線基板。
【符号の説明】
【００７５】
１０，３００…部品内蔵配線基板（配線基板）
１１…コア基板
１２…コア主面
１３…コア裏面
３０…絶縁無機繊維材料としてのガラスクロス
３１…配線積層部としての主面側ビルドアップ層
３３…最内層の樹脂絶縁層
３５…樹脂絶縁層
４１…導体層
４４…導体層としての端子パッド
５１…凹み部
９０，３０２…収容穴部
９１…収容穴部の内壁面
１０１…部品としてのチップコンデンサ
１０２…部品主面としてのコンデンサ主面
１０３，３０６…部品裏面としてのコンデンサ裏面
１０６…部品側面としてのコンデンサ側面
１５１…粘着テープ
３０１…部品としてのセラミックコンデンサ
Ｓ１…収容穴部の内壁面と部品側面との隙間
【図１】
2013197136.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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