(57)【要約】【課題】被処理基板を搬送する搬送時間を短縮することができ、これによりスループットを向上させることができる基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１０は、搬送空間１０４を形成する真空搬送室１０３と、被処理基板２００を搬送する真空搬送ロボット１１２と、複数の処理室２０１ａ等と、予備搬送室１２２等と、コントローラ２８１とを有し、コントローラ２８１は、複数の処理室２０１ａ等１つと予備搬送室１２２等との間で被処理基板２００を搬送する際に、被処理基板２００が、複数の処理室２０１ａ等であって被処理基板２００が搬送される処理室以外の他の２つ以上を通過しないように真空搬送ロボット１１２を制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板が搬送される搬送空間を形成する主搬送室と、
前記搬送空間内に配置されていて、被処理基板を搬送する搬送機構と、
前記主搬送室に接続されていて、被処理基板の処理がなされる複数の処理室と、
前記主搬送室に接続されていて、被処理基板が搬入され、被処理基板が搬出される予備搬送室と、
少なくとも前記搬送機構を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記複数の処理室の１つと前記予備搬送室との間で被処理基板を搬送する際に、被処理基板が前記複数の処理室の他の２つ以上を通過しないように前記搬送機構を制御する基板処理装置。
【請求項２】
前記複数の処理室で、被処理基板に同一の高温処理がなされる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
被処理基板が搬送される主搬送室に形成された搬送空間内に配置されている搬送機構により、前記主搬送室に接続されていて被処理基板の処理がなされる複数の処理室と、前記主搬送室に接続されていて、被処理基板が搬入され、被処理基板が搬出される予備搬送室との間で被処理基板が搬送される搬送工程を有し、
前記搬送工程では、前記複数の処理室の１つと前記予備搬送室との間で被処理基板を搬送する際に、被処理基板が前記複数の処理室の他の２つ以上を通過しないように被処理基板が搬送される基板処理方法。
【請求項４】
被処理基板が搬送される主搬送室に形成された搬送空間内に配置されている搬送機構により、前記主搬送室に接続されていて被処理基板の処理がなされる複数の処理室と、前記主搬送室に接続されていて、被処理基板が搬入され、被処理基板が搬出される予備搬送室との間で被処理基板が搬送される搬送工程を有し、
前記搬送工程では、前記複数の処理室の１つと前記予備搬送室との間で被処理基板を搬送する際に、被処理基板が前記複数の処理室の他の２つ以上を通過しないように被処理基板が搬送される半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板を処理するプロセスモジュールと、基板を一時的に収容するロードロックモジュールと、前記プロセスモジュールと前記ロードロックモジュールとの間で基板を搬送するトランスファモジュールと、前記ロードロックモジュールに対して基板を搬送するフロントエンドモジュールと、を有し、前記フロントエンドモジュール内には製品基板とは異なるダミー基板を収容するダミー基板収容部が設けられることを特徴とする基板処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１５３４５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の基板処理装置及び基板処理方法においては、被処理基板を搬送する搬送時間を短縮する余地があり、これによりスループットを向上させる余地があった。
【０００５】
本発明の目的は、被処理基板を搬送する搬送時間を短縮することができ、これによりスループットを向上させることができる
基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、被処理基板が搬送される搬送空間を形成する主搬送室と、前記搬送空間内に配置されていて、被処理基板を搬送する搬送機構と、前記主搬送室に接続されていて、被処理基板の処理がなされる複数の処理室と、前記主搬送室に接続されていて、被処理基板が搬入され、被処理基板が搬出される予備搬送室と、少なくとも前記搬送機構を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記複数の処理室の１つと前記予備搬送室との間で被処理基板を搬送する際に、被処理基板が前記複数の処理室の他の２つを通過しないように前記搬送機構を制御する基板処理装置が提供される。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、被処理基板が搬送される主搬送室に形成された搬送空間内に配置されている搬送機構により、前記主搬送室に接続されていて被処理基板の処理がなされる複数の処理室と、前記主搬送室に接続されていて、被処理基板が搬入され、被処理基板が搬出される予備搬送室との間で被処理基板が搬送される搬送工程を有し、前記搬送工程では、前記複数の処理室の１つと前記予備搬送室との間で被処理基板を搬送する際に、被処理基板が前記複数の処理室の他の２つを通過しないように被処理基板が搬送される基板処理方法が提供される。
【０００８】
本発明のさらに他の態様によれば、被処理基板が搬送される主搬送室に形成された搬送空間内に配置されている搬送機構により、前記主搬送室に接続されていて被処理基板の処理がなされる複数の処理室と、前記主搬送室に接続されていて、被処理基板が搬入され、被処理基板が搬出される予備搬送室との間で被処理基板が搬送される搬送工程を有し、前記搬送工程では、前記複数の処理室の１つと前記予備搬送室との間で被処理基板を搬送する際に、被処理基板が前記複数の処理室の他の２つ以上を通過しないように被処理基板が搬送される半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、被処理基板を搬送する搬送時間を短縮することができ、これによりスループットを向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す横断面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の縦断面図である。
【図３】図１に示す基板処理装置が有する制御部を示すブロック図である。
【図４】図１に示す基板処理装置が有する処理室及び処理室周辺の構成例を示す図である。
【図５】図１に示す基板処理装置が有する搬送機構を示す斜視図である。
【図６】図５に示す搬送機構の構成を模式的に示す図である。
【図７】比較例に係る基板処理装置の構成例を示す横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に本発明の一実施形態に係る基板処理装置を図面に基づいて説明する。
（１）基板処理装置の構成
図１及び図２には、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０が示されている。
【００１２】
図１及び図２に示すように、基板処理装置１０においては、シリコン（Ｓｉ）基板などの被処理基板２００を搬送するキャリアとしては、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）として構成されたポッド１００が使用されている。ポッド１００内には、未処理の被処理基板２００や処理済の被処理基板２００がそれぞれ水平姿勢で複数格納されるように構成されている。また、以下の説明において、前後左右は、Ｘ１方向が右、Ｘ２方向が左、Ｙ１方向が前、Ｙ２方向が後とする。
【００１３】
（真空搬送室）
基板処理装置１０は、主搬送室として用いられていて、被処理基板２００が搬送される搬送空間１０４を形成する真空搬送室１０３を備えている。真空搬送室１０３は、トランスファモジュールとも称され、真空搬送室１０３を構成する筐体１０１は平面視が六角形に形成され、六角形の各辺には、後述する予備搬送室１２２、予備搬送室１２３、第一処理室２０１ａ、第二処理室２０１ｂ、第三処理室２０１ｃ、第四処理室２０１ｄが、ゲートバルブ１６０、ゲートバルブ１６５、ゲートバルブ１６１ａ、ゲートバルブ１６１ｂ、ゲートバルブ１６１ｃ、及びゲートバルブ１６１ｄを介してそれぞれ連結されている。真空搬送室１０３の略中央部には、搬送空間１０４に配置されていて、被処理基板２００を搬送する搬送機構として用いられている真空搬送ロボット１１２がフランジ１１５を基部として設置されている。
【００１４】
真空搬送ロボット１１２は、図２に示すように、エレベータ１１６及びフランジ１１５によって真空搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。また、真空搬送ロボット１１２は、例えば２つのアーム３２０を有し、アーム３２０で被処理基板２００を保持するように構成されている。
【００１５】
（予備室）
筐体１０１の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、ロードロックモジュールとも称される搬入用の予備搬送室１２２と、搬出用の予備搬送室１２３とが、それぞれゲートバルブ１６０、ゲートバルブ１６５を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得る構造に構成されている。
【００１６】
さらに、予備搬送室１２２内には搬入室用の基板載置台１５０が設置され、予備搬送室１２３内には搬出室用の基板載置台１５１が設置されている。
【００１７】
（大気搬送室・ＩＯステージ）
予備搬送室１２２及び予備搬送室１２３の前側には、フロントエンドモジュールとも称される大気搬送室１２１がゲートバルブ１２８、ゲートバルブ１２９を介して連結されている。大気搬送室１２１は略大気圧下で用いられる。
【００１８】
大気搬送室１２１内には被処理基板２００を移載する大気搬送ロボット１２４が設置されている。図２に示されているように、大気搬送ロボット１２４は大気搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１９】
大気搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。また、大気搬送室１２１の左側には被処理基板２００に形成されているノッチ又はオリエンテーションフラットを合わせる装置（以下、プリアライナという）１０６が設置されている。
【００２０】
大気搬送室１２１の筐体１２５の前側には、被処理基板２００を大気搬送室１２１に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口１３４と、ポッドオープナ１０８とが設置されている。基板搬入搬出口１３４を挟んでポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはＩＯステージ（ロードポート）１０５が設置されている。
【００２１】
ポッドオープナ１０８はポッド１００のキャップ１００ａを開閉するとともに、基板搬入搬出口１３４を閉塞可能なクロージャ１４２とクロージャ１４２を駆動する駆動機構１０９とを備えている。ポッドオープナ１０８は、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ１００ａを開閉し、基板出し入れ口を開放・閉鎖することにより、ポッド１００に対する被処理基板２００の出し入れを可能とする。ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、ＩＯステージ１０５に対して、供給及び排出される。
【００２２】
（処理室）
筐体１０１の六枚の側壁のうち後側（背面側）に位置する二枚の側壁には、被処理基板２００に所望の処理を行う第二処理室２０１ｂと第三処理室２０１ｃとが、ゲートバルブ１６１ｂ、ゲートバルブ１６１ｃを介してそれぞれが隣接して連結されている。第二処理室２０１ｂ、及び第三処理室２０１ｃはいずれもコールドウォール式の処理容器２０３ｂ、２０３ｃによって構成されている。
【００２３】
筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第一処理室２０１ａと、第四処理室２０１ｄとが、ゲートバルブ１６１ａ、ゲートバルブ１６１ｄを介してそれぞれ連結されている。第一処理室２０１ａおよび第四処理室２０１ｄもいずれもコールドウォール式の処理容器２０３ａ、処理容器２０３ｄによって構成されている。第一処理室２０１ａ、第二処理室２０１ｂ、第三処理室２０１ｃ、及び第四処理室２０１ｄの詳細な構成については後述する。
【００２４】
また、基板処理装置１０には、真空搬送ロボット１１２の２つのアーム３２０が、それぞれ回転するように通過することができない通過不可位置３３０が設定されている。通過不可位置３３０は、第二処理室２０１ｂと第三処理室２０１ｃとの間の位置に配置されていて、アーム３２０が一方の方向に回転するようにして予備搬送室１２２、予備搬送室１２３から通過不可位置３３０までに通過する処理室２０１の数と、アーム３２０が他方の方向に回転するようにして予備搬送室１２２、予備搬送室１２３から通過不可位置３３０までに通過する処理室２０１の数とが等しくなる位置に定められている。また、通過不可位置３３０は、真空搬送ロボット１１２に対して、予備搬送室１２２、予備搬送室１２３と逆側の位置に定められている。
【００２５】
（制御部）
基板処理装置１０は、コントローラ２８１を有する。コントローラ２８１は、少なくとも真空搬送ロボット１１２を制御する制御部として用いられていて、例えば、信号線Ａを通じて真空搬送ロボット１１２と、信号線Ｂを通じて大気搬送ロボット１２４と、信号線Ｃを通じてゲートバルブ１６０、１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃ、１６１ｄ、１６５、１２８、１２９と、信号線Ｄを通じてポッドオープナ１０８と、信号線Ｅを通じてプリアライナ１０６と、信号線Ｆを通じてクリーンユニット１１８と、それぞれ電気的に接続され、さらにこれら基板処理装置１０を構成する各部の動作を制御する。
【００２６】
図３には、コントローラ２８１の構成が示されている。
コントローラ２８１は、表示装置２８１ａ、演算装置２８１ｂ、操作部２８１ｃ、記憶装置２８１ｄ及びデータ入力部２８１ｅが図３に示すように接続された構成となっている。また、データ入力部２８１ｅを介して、コントローラ２８１はネットワーク２８１ｈに接続されている。また、記憶装置２８１ｄは、内部記録媒体２８１ｆを有している。
つまり、コントローラ２８１は、コンピュータとしての構成部分を有し、演算装置２８１ｂが、記憶装置２８１ｄの内部記録媒体２８１ｆに記憶されたプログラムを実行することにより、操作部２８１ｃ、表示装置２８１ａ等を制御する。
【００２７】
なお、内部記録媒体２８１ｆの代わりに、外部記録媒体２８１ｇをデータ入力部２８１ｅに接続して設けてもよく、また、内部記録媒体２８１ｆと外部記録媒体２８１ｇの両方を用いてもよい。また、プログラムは、初めから記憶装置２８１ｄ内に設けられた内部記録媒体２８１ｆに記録されていてもよく、後にデータ入力部２８１ｅに接続された外部記録媒体２８１ｇに記録されたプログラムを内部記録媒体２８１ｆに移動させ内部記録媒体２８１ｆのプログラムを上書きしてもよい。ここで、内部記録媒体２８１ｆとして、例えば、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、フラッシュメモリ等が用いられる。また、外部記録媒体２８１ｇとして、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯ、フラッシュメモリ、又は半導体装置製造工場内のネットワークやインターネット回線からのダウンロード等が用いられる。
【００２８】
（２）処理室の構成
次に、第一処理室２０１ａの構成及び動作について図４を用いて説明する。
【００２９】
図４は、それぞれが同様の構成を有する第一処理室２０１ａ、第二処理室２０１ｂ、第三処理室２０１ｃ、及び第四処理室２０１ｄのうち、第一処理室２０１ａを含むＭＭＴ装置の断面構成図である。ＭＭＴ装置とは、電界と磁界とにより高密度プラズマを発生させる変形マグネトロン型プラズマ源（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  Ｔｙｐｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｏｕｒｃｅ）を用い、例えばシリコン基板等の被処理基板２００を処理する装置である。以下、第一処理室２０１ａ及びその周辺構成例について説明をするが、第二処理室２０１ｂ、第三処理室２０１ｃ、及び第四処理室２０１ｄにおいても同様の構成例とすることができる。
【００３０】
ＭＭＴ装置は、被処理基板２００をプラズマ処理する処理炉２０２を備えている。そして、処理炉２０２は、第一処理室２０１ａを構成する処理容器２０３ａと、サセプタ２１７と、ゲートバルブ１６１ａと、シャワーヘッド２３６と、ガス排気口２３５と、筒状電極である第一の電極２１５と、上部磁石２１６ａと、下部磁石２１６ｂと、コントローラ２８１と、を備えている。
【００３１】
（処理室）
第一処理室２０１ａを構成する処理容器２０３ａは、第一の容器であるドーム型の上側容器２１０と、第二の容器である碗型の下部容器２１１と、を備えている。そして、上側容器２１０が下側容器２１１の上に被せられることにより第一処理室２０１ａが形成される。上側容器２１０は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は石英（ＳｉＯ２）等の非金属材料で形成されており、下側容器２１１は例えばアルミニウム（Ａｌ）で形成されている。
【００３２】
下側容器２１１の側壁には、ゲートバルブ１６１ａが設けられている。ゲートバルブ１６１ａが開いている時には、上述の真空搬送ロボット１１２を用いて第一処理室２０１ａ内へ被処理基板２００を搬入し、または第一処理室２０１ａ外側へと被処理基板２００を搬出することができるようになっている。ゲートバルブ１６１ａを閉めることにより、第一処理室２０１ａ内を気密に閉塞することができるようになっている。
【００３３】
（基板支持部）
第一処理室２０１ａ内の底側中央には、被処理基板２００を支持する基板載置台としてのサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は、被処理基板２００上に形成された膜等への金属汚染を低減することができるように、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。
【００３４】
サセプタ２１７の内部には、加熱機構としての抵抗加熱ヒータ２１７ｂが一体的に埋め込まれており被処理基板２００を加熱できるようになっている。抵抗加熱ヒータ２１７ｂに電力が供給されると、被処理基板２００表面を例えば室温以上であって、好ましくは２００℃〜７００℃程度、或いは７５０℃程度にまで加熱できるようになっている。
【００３５】
サセプタ２１７は、下側容器２１１とは電気的に絶縁されている。サセプタ２１７の内部には、インピーダンスを変化させる電極としての第二の電極２１７ｃが装備されている。この第二の電極２１７ｃは、インピーダンス可変機構２７４を介して接地されている。インピーダンス可変機構２７４は、コイルや可変コンデンサを備えており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することにより、第二の電極２１７ｃ及びサセプタ２１７を介して被処理基板２００の電位を制御できるようになっている。
【００３６】
サセプタ２１７には、サセプタ２１７を昇降させるサセプタ昇降機構２６８が設けられている。サセプタ２１７には、貫通孔２１７ａが設けられている。上述の下側容器２１１底面には、被処理基板２００を突き上げる基板突き上げピン２６６が少なくとも３箇所設けられている。そして、貫通孔２１７ａ及び基板突き上げピン２６６はサセプタ昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時に基板突き上げピン２６６がサセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように、互いに配置されている。
【００３７】
主に、サセプタ２１７及び抵抗加熱ヒータ２１７ｂにより、本実施形態に係る基板支持部が構成されている。
【００３８】
（ランプ加熱装置）
処理容器２０３ａの上面には光透過性窓部２７８が配設されている。この光透過性窓部２７８に対応する処理容器２０３ａ外側に、例えば赤外光を発する光源となる基板加熱体としてのランプ加熱装置（ランプヒータ）２８０が設けられている。ランプ加熱装置２８０は、７００℃を超える温度に被処理基板２００を加熱可能なように構成されている。上限温度を例えば７００℃程度とする上述の抵抗加熱ヒータ２１７ｂに対し、ランプ加熱装置２８０は、７００℃を超える加熱処理を被処理基板２００に対して行う場合などの補助ヒータとして用いられる。
【００３９】
（ガス供給部）
第一処理室２０１ａの上部には、第一処理室２０１ａ内へ反応ガス等の処理ガスを供給するシャワーヘッド２３６が設けられている。シャワーヘッド２３６は、キャップ状の蓋体２３３と、ガス導入口２３４と、バッファ室２３７と、開口２３８と、遮蔽プレート（シャワープレート）２４０と、ガス吹出口２３９とを備えている。
【００４０】
ガス導入口２３４には、バッファ室２３７内へ処理ガスを供給するガス供給管２３２の下流端が、封止部材としてのＯリング２１３ｂ及び開閉弁であるバルブ２４３ａを介して接続されている。バッファ室２３７は、ガス導入口２３４より導入されるガスを分散する分散空間として機能する。
【００４１】
ガス供給管２３２の上流側には、窒素原子含有ガスとしての窒素（Ｎ２）ガスを供給する窒素ガス供給管２３２ａの下流端と、水素原子含有ガスとして水素（Ｈ２）ガスを供給する水素ガス供給管２３２ｂの下流端と、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希釈ガスとしての希ガスを供給する希ガス供給管２３２ｃの下流端と、が合流するように接続されている。
【００４２】
窒素ガス供給管２３２ａには、上流側から順に窒素ガスボンベ２５０ａ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ａ、開閉弁であるバルブ２５２ａが接続されている。水素ガス供給管２３２ｂには、上流側から順に水素ガスボンベ２５０ｂ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ｂ、開閉弁であるバルブ２５２ｂが接続されている。希ガス供給管２３２ｃには、上流側から順に希ガスボンベ２５０ｃ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ｃ、開閉弁であるバルブ２５２ｃが接続されている。
【００４３】
ガス供給管２３２、窒素ガス供給管２３２ａ、水素ガス供給管２３２ｂ、希ガス供給管２３２ｃは、例えば石英、酸化アルミニウム等の非金属材料及びステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料等により構成されている。これらに設けられたバルブ２５２ａ〜２５２ｃを開閉させることにより、マスフローコントローラ２５１ａ〜２５１ｃにより流量制御しながら、バッファ室２３７を介して第一処理室２０１ａ内にＮ２ガス、Ｈ２ガス、希ガスを自在に供給できるように構成されている。
【００４４】
主に、ガス供給管２３２、窒素ガス供給管２３２ａ、水素ガス供給管２３２ｂ、希ガス供給管２３２ｃ、窒素ガスボンベ２５０ａ、水素ガスボンベ２５０ｂ、希ガスボンベ２５０ｃ、マスフローコントローラ２５１ａ〜２５１ｃ、及びバルブ２５２ａ〜２５２ｃにより、本実施形態に係るガス供給部が構成される。
【００４５】
なお、ここではＮ２ガス、Ｈ２ガス、希ガス等のガスボンベを設ける場合について説明したが、本発明は係る形態に限定されるものではなく、窒素ガスボンベ２５０ａ、水素ガスボンベ２５０ｂに代えて、酸素（Ｏ２）ガスボンベを設けてもよい。また、第一処理室２０１ａ内に供給する反応ガス中の窒素の割合を多くする場合には、アンモニア（ＮＨ３）ガスボンベをさらに設け、Ｎ２ガスにＮＨ３ガスを添加してもよい。
【００４６】
（ガス排気部）
下側容器２１１の側壁下方には、第一処理室２０１ａ内から反応ガス等を排気するガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５には、ガスを排気するガス排気管２３１の上流端が接続されている。ガス排気管２３１には、上流側から順に圧力調整器であるＡＰＣ２４２、開閉弁であるバルブ２４３ｂ、排気装置である真空ポンプ２４６が設けられている。真空ポンプ２４６を作動させ、バルブ２４３ｂを開けることにより、第一処理室２０１ａ内を排気することが可能なように構成されている。また、ＡＰＣ２４２の開度を調整することにより、第一処理室２０１ａ内の圧力値を調整できるように構成されている。
【００４７】
主に、ガス排気口２３５、ガス排気管２３１、ＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６により、本実施形態に係るガス排気部が構成されている。
【００４８】
（プラズマ生成部）
処理容器２０３ａ（上側容器２１０）の外周には、第一処理室２０１ａ内のプラズマ生成領域２２４を囲うように、第一の電極２１５が設けられている。第一の電極２１５は、筒状、例えば円筒状に形成されている。第一の電極２１５は、インピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して、高周波電力を発生する高周波電源２７３に接続されている。第一の電極２１５は、第一処理室２０１ａ内に供給されるガスを励起させてプラズマを発生させる放電機構として機能する。
【００４９】
第一の電極２１５の外側表面の上下端部には、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂがそれぞれに取り付けられている。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、それぞれ筒状、例えばリング状に形成された永久磁石として構成されている。
【００５０】
上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、第一処理室２０１ａの半径方向に沿った両端（すなわち、各磁石の内周端と外周端）にそれぞれ磁極を有している。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの磁極の向きは、互いに逆向きになるよう配置されている。すなわち、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの内周部の磁極同士は異極となっている。これにより、第一の電極２１５の内側表面に沿って、円筒軸方向の磁力線が形成されている。
【００５１】
上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂを用いて磁界を形成するとともに、第一処理室２０１ａ内に例えばＮ２ガスとＨ２ガスとの混合ガスを導入した後、第一の電極２１５に高周波電力を供給して電界を形成することにより、第一処理室２０１ａ内にマグネトロン放電プラズマが生成される。この際、放出された電子を上述の電界や磁界が周回運動させることにより、プラズマの電離生成率が高まり、長寿命の高密度プラズマを生成させることができる。
【００５２】
主に、第一の電極２１５、整合器２７２、高周波電源２７３、上部磁石２１６ａ、下部磁石２１６ｂにより、本実施形態に係るプラズマ生成部が構成されている。
【００５３】
第一の電極２１５、上部磁石２１６ａ、及び下部磁石２１６ｂの周囲には、これらが形成する電界や磁界が外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電界や磁界を有効に遮蔽する金属製の遮蔽板２２３が設けられている。
【００５４】
（制御部）
コントローラ２８１は、信号線Ｇを通じてＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、及び真空ポンプ２４６と、信号線Ｈを通じてサセプタ昇降機構２６８と、信号線Ｉを通じてゲートバルブ１６１ａと、信号線Ｊを通じて整合器２７２、及び高周波電源２７３と、信号線Ｋを通じてマスフローコントローラ２５１ａ〜２５１ｃ、バルブ２５２ａ〜２５２ｃと、さらに図示しない信号線を通じてサセプタ２１７に埋め込まれた抵抗加熱ヒータ２１７ｂやインピーダンス可変機構２７４等と電気的に接続され、それぞれ制御するように構成されている。
【００５５】
（３）真空搬送ロボットの構成
図５及び図６には、真空搬送ロボット１１２が示されている。
図５及び図６に示されているように、真空搬送ロボット１１２は、回転体３１０を有する。回転体３１０には第一モータ３１２が連結されていて、回転体３１０は、第一モータ３１２からの駆動伝達を受けて真空搬送室１０３によって形成される搬送空間１０４（図１参照）内で図６に示す矢印方向に回転することができるようになっている。
【００５６】
回転体３１０には、例えば２つの第二モータ３１４が取り付けられている。第二モータ３１４は、回転体３１０が回転をすることで回転体３１０と一体として搬送空間１０４内で回転する。第二モータ３１４には、第二モータ３１４に制御のための信号を送信し、第二モータ３１４に電力を供給するためにケーブル３１６が、それぞれに取り付けられている。
【００５７】
また、真空搬送ロボット１１２は、例えは２つのアーム３２０を有する。アーム３２０は、例えば２つの関節を有し、被処理基板２００を重力方向下側から支持するように保持する保持部３２２を有する。また、アーム３２０は、回転体３１０に対して、それぞれが回転することができるように装着されている。このため、アーム３２０は、回転体３１０と一体として搬送空間１０４内で回転するとともに、回転体３１０に対して回転することができるようになっている。また、アーム３２０は、それぞれが駆動伝達機構３２６を介して第二モータ３１４に連結されていて、第二モータからの駆動伝達を受けて駆動するように構成されている。
【００５８】
以上のように構成された真空搬送ロボット１１２においては、回転体３１０が無制限に回転すると、２本のケーブル３１６に捩れが生じ、２本のケーブル３１６が引きちぎられる虞がある。このため、ケーブル３１６に生じる捩れを抑制し、ケーブル３１６が引きちぎられることを防止するために、回転体３１０が回転することができる角度を例えば３６０度以下に制限している。より具体的には、先述のように真空搬送ロボット１１２のアーム３２０が回転するように通過できない通過不可位置３３０を設定している。そして、通過不可位置３３０は、先述のよう第二処理室２０１ｂと第三処理室２０１ｃとの間の位置に設定されている（図１参照）。
【００５９】
（４）基板処理工程
以下、前記構成をもつ基板処理装置１０を使用して、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として被処理基板２００を処理する処理工程、具体的にはプラズマを用いた加熱処理工程について、図１、図２及び図４を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１０を構成する各部の動作はコントローラ２８１により制御される。
【００６０】
（大気搬送室側からの搬送工程）
例えば２５枚の未処理の被処理基板２００がポッド１００に収納された状態で、加熱処理工程を実施する基板処理装置１０へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図１及び図２に示されているように、搬送されて来たポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって取り外され、ポッド１００の基板出し入れ口が開放される。
【００６１】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、大気搬送室１２１に設置された大気搬送ロボット１２４はポッド１００から被処理基板２００をピックアップして予備搬送室１２２内に搬入し、被処理基板２００を基板載置台１５０に移載する。この移載作業中には、予備搬送室１２２の真空搬送室１０３側のゲートバルブ１６０は閉じられており、真空搬送室１０３内の負圧は維持されている。
【００６２】
ポッド１００に収納された所定枚数、例えば２５枚の被処理基板２００の基板載置台１５０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備搬送室１２２内が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００６３】
予備搬送室１２２内が予め設定された圧力値となると、ゲートバルブ１６０が開かれ、予備搬送室１２２と真空搬送室１０３とが連通される。
【００６４】
続いて、真空搬送ロボット１１２は予備搬送室１２２内から真空搬送室１０３内へ被処理基板２００を搬入する。真空搬送室１０３内へと被処理基板２００が搬入され、ゲートバルブ１６０が閉じられるのと同時に、又は連続して例えばゲートバルブ１６１ａが開かれて、真空搬送室１０３と第一処理室２０１ａとが連通される。
【００６５】
ここで、被処理基板２００の第一処理室２０１ａ内への搬入、加熱処理を伴う基板処理、被処理基板２００の第一処理室２０１ａ内からの搬出のそれぞれの動作について、第一処理室２０１ａを含む図４を用いて説明する。
【００６６】
（搬入工程）
まず、真空搬送ロボット１１２は、被処理基板２００を真空搬送室１０３内から第一処理室２０１ａ内へ搬入して、第一処理室２０１ａ内のサセプタ２１７上に移載する。具体的には、最初、サセプタ２１７は下降しており、基板突き上げピン２６６の先端がサセプタ２１７の貫通孔２１７ａを通してサセプタ２１７の表面より所定の高さ分だけ突き出た状態にある。この状態で、上記のように、下側容器２１１に設けられたゲートバルブ１６１ａを開く。次に、真空搬送ロボット１１２が支持している被処理基板２００を基板突き上げピン２６６の先端に載置する。その後、真空搬送ロボット１１２を第一処理室２０１ａ外へ退避させる。次に、ゲートバルブ１６１ａを閉め、サセプタ２１７をサセプタ昇降機構２６８により上昇させる。その結果、被処理基板２００がサセプタ２１７表面に載置される。サセプタ２１７上に載置された被処理基板２００を、さらに被処理基板２００を処理する位置まで上昇させる。
【００６７】
上記のようにゲートバルブ１６１ａが閉じられた後、以下の手順にしたがって、第一処理室２０１ａ内で所望の加熱処理を伴う基板処理が施される。
【００６８】
（昇温・圧力調整工程）
サセプタ２１７に埋め込まれた抵抗加熱ヒータ２１７ｂは予め加熱されている。被処理基板２００は、抵抗加熱ヒータ２１７ｂによって、例えば室温から７００℃の範囲内で基板処理温度に加熱される。真空ポンプ２４６及びＡＰＣバルブ２４２を用いて第一処理室２０１ａ内の圧力を例えば０．１Ｐａ〜３００Ｐａの範囲内に維持する。
【００６９】
なお、上述したように、上記構成の処理炉２０２では、サセプタ２１７に埋め込まれている抵抗加熱ヒータ２１７ｂによって被処理基板２００を加熱できる温度は、高々７００℃程度である。このため、抵抗加熱ヒータ２１７ｂだけでは、７００℃を超える処理温度を必要とする基板処理は困難である。
【００７０】
そこで、７００℃を超える処理温度を必要とする基板処理が可能となるように、上述のように、抵抗加熱ヒータ２１７ｂの他に、さらに赤外光を発する光源となる基板加熱体としてのランプ加熱装置（ランプヒータ）２８０を処理炉２０２に加えるようにしている。昇温・圧力調整工程では、必要に応じて係るランプ加熱装置２８０を補助的に用い、７００℃を超える基板処理温度に被処理基板２００を加熱する。
【００７１】
（加熱処理工程）
被処理基板２００を基板処理温度に昇温した後、被処理基板２００を所定温度に保ちつつ加熱処理を伴う以下の基板処理を行う。すなわち、ガス導入口２３４からシャワープレート２４０の開口２３８を介して、酸化、窒化、成膜、エッチング等の所望の処理に応じた処理ガスを、第一処理室２０１ａ内に配置されている被処理基板２００の表面（処理面）に向けてシャワー状に供給する。同時に第一の電極２１５に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を供給する。供給する電力は、例えば１００Ｗ〜１０００Ｗの範囲内とし、例えば８００Ｗである。なお、インピーダンス可変機構２７４は予め所望のインピーダンス値に設定されている。
【００７２】
筒状の上部・下部磁石２１６ａ、２１６ｂの磁界によってマグネトロン放電が発生し、被処理基板２００の上方空間に電荷がトラップされてプラズマ生成領域２２４に高密度プラズマが生成される。この高密度プラズマによって、サセプタ２１７上の被処理基板２００の表面に酸化膜や窒化膜を形成したり、薄膜を形成したり、エッチングしたりする等のプラズマ処理が施される。
【００７３】
なお、コントローラ２８１は、高周波電源２７３の電力ＯＮ・ＯＦＦ、整合器２７２の調整、バルブ２５２ａ〜２５２ｃ、２４３ａの開閉、マスフローコントローラ２５１ａ〜２５１ｃの流量、ＡＰＣバルブ２４２の弁開度、バルブ２４３ｂの開閉、真空ポンプ２４６の起動・停止、サセプタ昇降機構２６８の昇降動作、ゲートバルブ１６１ａの開閉、サセプタ２１７に埋め込まれた抵抗加熱ヒータ２１７ｂに高周波等の電力を供給する高周波電源のＯＮ・ＯＦＦを制御している。
【００７４】
（搬出工程）
第一処理室２０１ａ内での処理が終わった被処理基板２００は、搬送手段によって、被処理基板２００の冷却が終わらないうちに、つまり、被処理基板２００が基板処理温度に比較的近い温度を保ったままの状態のうちに、被処理基板２００の搬入と逆の動作で第一処理室２０１ａ外へ搬送される。すなわち、被処理基板２００に対する基板処理が完了すると、ゲートバルブ１６１ａが開かれる。また、被処理基板２００を搬送する位置までサセプタ２１７が下降され、基板突き上げピン２６６の先端がサセプタ２１７の貫通孔２１７ａから突き出ることにより、被処理基板２００が持ち上げられる。処理済みの被処理基板２００は、真空搬送ロボット１１２によって真空搬送室１０３内に搬出される。搬出後、ゲートバルブ１６１ａは閉じられる。
【００７５】
以上、第一処理室２０１ａ内への被処理基板２００の搬入、加熱処理を伴う基板処理、第一処理室２０１ａ内からの被処理基板２００の搬出、のそれぞれの動作が終了する。
【００７６】
真空搬送ロボット１１２は第一処理室２０１ａから搬出した処理済の被処理基板２００を予備搬送室１２３内へ搬送する。予備搬送室１２３内の基板載置台１５１へと被処理基板２００が移載された後に、予備搬送室１２３はゲートバルブ１６５によって閉じられる。
【００７７】
以上の動作が繰り返されることにより、予備搬送室１２２内に搬入された所定枚数、例えば２５枚の被処理基板２００が順次処理されていく。
【００７８】
（大気搬送室側への搬送工程）
予備搬送室１２２内に搬入された全ての被処理基板２００に対する基板処理が終了し、全ての処理済の被処理基板２００が予備搬送室１２３内に収納され、予備搬送室１２３がゲートバルブ１６５によって閉じられると、予備搬送室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。予備搬送室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって開かれる。
【００７９】
続いて、大気搬送室１２１の大気搬送ロボット１２４は、予備搬送室１２３内の基板載置台１５１から被処理基板２００をピックアップして大気搬送室１２１内に搬出し、大気搬送室１２１の基板搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納していく。例えば２５枚の処理済の被処理基板２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されていく。
【００８０】
以上の動作は第一処理室２０１ａが使用される場合を例にして説明したが、第二処理室２０１ｂ、第三処理室２０１ｃおよび第四処理室２０１ｄが使用される場合についても同様の動作が実施される。また、前述の基板処理装置１０では、予備搬送室１２２を搬入用、予備搬送室１２３を搬出用としたが、予備搬送室１２３を搬入用、予備搬送室１２２を搬出用としてもよい。
【００８１】
また、第一処理室２０１ａ内、第二処理室２０１ｂ内、第三処理室２０１ｃ内、第四処理室２０１ｄ内では、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第一処理室２０１ａ内、第二処理室２０１ｂ内、第三処理室２０１ｃ内、第四処理室２０１ｄ内で別の処理を行う場合、例えば第一処理室２０１ａ内で被処理基板２００にある処理を行った後、続けて第二処理室２０１ｂ内で別の処理を行わせてもよい。また、第一処理室２０１ａ内で被処理基板２００に処理を行った後に、第二処理室２０１ｂ内で別の処理を行い、その後、第三処理室２０１ｃ内や第四処理室２０１ｄ内で、さらに別の処理を行わせるようにしてもよい。また、第一処理室２０１ａで被処理基板２００にある処理を行った後、第二処理室２０１ｂで別の処理を行わせる場合、予備搬送室１２２または予備搬送室１２３を経由するようにしてもよい。
【００８２】
また、装置で処理される被処理基板２００の枚数は、一枚でもよく、複数枚でもよい。同様に、予備搬送室１２２又は予備搬送室１２３に保管される基板についても一枚でもよく、複数枚でもよい。
【００８３】
また、予備搬送室１２２内で処理済みの被処理基板２００を搬入して冷却を行っている途中で予備搬送室１２２のゲートバルブ１６０を開閉し処理室に基板を搬入し、基板の処理を行ってもよい。同様に、予備搬送室１２３内で処理みの被処理基板２００を搬入して冷却を行っている途中で予備搬送室１２３のゲートバルブを開閉し処理室に基板を搬入し、基板の処理を行ってもよい。ここで、十分な冷却時間を経ずに略大気側のゲートバルブを開くと、被処理基板２００の輻射熱によって予備搬送室１２２、予備搬送室１２３又は予備室の周りに接続されている電気部品に損害を与える可能性がある。そのため、高温な基板を冷却する場合は、予備搬送室１２２内に処理済みの大きな輻射熱を持つ基板を搬入して冷却を行っている途中で、予備搬送室１２３のゲートバルブを開閉し、処理室に基板を搬入し、基板の処理を行うことができる。同様に、予備搬送室１２３内に処理済みの基板を搬入して冷却を行っている途中で、予備搬送室１２２のゲートバルブを開閉し、処理室に基板を搬入し、基板の処理を行うこともできる。
【００８４】
被処理基板２００を、予備搬送室１２２及び予備搬送室１２３にいずれかから、第一処理室２０１ａ、第二処理室２０１ｂ、第三処理室２０１ｃ、及び第四処理室２０１ｄのいいずれかに搬送する際に、コントローラ２８１は、被処理基板２００及びアーム３２０が、搬送先である処理室以外の他の２つ以上の処理室を通過することがないように真空搬送ロボット１１２に被処理基板２００を搬送させる。また、予備搬送室１２２及び予備搬送室１２３にいずれかから、第一処理室２０１ａ、第二処理室２０１ｂ、第三処理室２０１ｃ、及び第四処理室２０１ｄのいいずれかに搬送する際に、コントローラ２８１は、被処理基板２００及び２つのアーム３２０、３２０が、通過不可位置３３０を通過することがないように真空搬送ロボット１１２に被処理基板２００を搬送させる。
【００８５】
例えば、予備搬送室１２２から第二処理室２０１ｂに被処理基板２００を搬送させる場合、被処理基板２００及びアーム３２０が第一処理室２０１ａを通過し、予備搬送室１２２から第二処理室２０１ｂに到達するように制御する。また、予備搬送室１２２から第三処理室２０１ｃに被処理基板２００を搬送させる場合、被処理基板２００及びアーム３２０が第四処理室２０１ｄを通過し、予備搬送室１２２から第二処理室２０１ｂに到達するように制御する。また、予備搬送室１２３から第二処理室２０１ｂに被処理基板２００を搬送させる場合、被処理基板２００及びアーム３２０が第一処理室２０１ａを通過し、予備搬送室１２２から第二処理室２０１ｂに到達するように制御する。また、予備搬送室１２３から第三処理室２０１ｃに被処理基板２００を搬送させる場合、被処理基板２００及びアーム３２０が第四処理室２０１ｄを通過し、予備搬送室１２２から第二処理室２０１ｂに到達するように制御する。
【００８６】
以上のように、被処理基板２００及びアーム３２０が、搬送先である処理室以外の他の２つ以上の処理室を通過することがないように真空搬送ロボット１１２に被処理基板２００を搬送させるため、被処理基板２００及びアーム３２０が、搬送先である処理室以外の他の２つ以上の処理室を通過するように真空搬送ロボット１１２に被処理基板２００を搬送させる場合と比較して、被処理基板２００がそれぞれの処理室に到達する時間が短くなり、基板処理装置１０のスループットが向上する。また、通過不可位置３３０を設定して、アーム３２０と回転体３１０との回転することができる角度を３６０度以下に制限しているため、ケーブル３１６に捩れが生じにくく、ケーブル３１６が引きちぎられることが防止される。
【００８７】
次に、本発明の実施形態に係るゲートバルブ開閉シーケンスについて詳述する。
【００８８】
本実施形態に係るシーケンスによれば、例えば、真空搬送ロボット１１２の旋回動作中に搬送元のゲートバルブ１６０を閉めるのと同時に、搬送先のゲートバルブ１６１ａを開く。そして、被処理基板２００が第一処理室２０１ａ内に搬入されて、第一処理室２０１ａ内で所望の処理が施される。処理が施された被処理基板２００は、第一処理室２０１ａから搬出され、真空搬送ロボット１１２の旋回動作中に搬送元のゲートバルブ１６１ａが閉じるのと同時に搬送先のゲートバルブ１６５を開く。
【００８９】
また、例えば、例えば、真空搬送ロボット１１２の旋回動作中に搬送元のゲートバルブ１６０を閉め、連続的に搬送先のゲートバルブ１６１ａを開く。そして、被処理基板２００が第一処理室２０１ａ内に搬入されて、第一処理室２０１ａ内で所望の処理が施される。処理が施された被処理基板２００は、第一処理室２０１ａから搬出され、真空搬送ロボット１１２の旋回動作中に搬送元のゲートバルブ１６１ａを閉め、連続的に搬送先のゲートバルブ１６５を開く。
【００９０】
また、例えば、複数のゲートバルブが同時に開くようにしても良い。また、例えば、ゲートバルブ同時開閉又はゲートバルブ連続開閉を選択できるようにしても良い。また、例えば、真空搬送ロボット１１２の旋回動作中に搬送元のゲートバルブと搬送先のゲートバルブの全開のタイミングを重なるようにしても良い。
【００９１】
図７には、比較例に係る基板処理装置１０が示されている。
先述の本発明の実施形態に係る基板処理装置１０においては、通過不可位置３３０が第二処理室２０１ｂと第三処理室２０１ｃとの間の位置に定められていた。また、通過不可位置３３０は、真空搬送ロボット１１２に対して、予備搬送室１２２、予備搬送室１２３と逆側の位置に定められていた。これに対して、この比較例においては、通過不可位置３３０が予備搬送室１２２と予備搬送室１２３との間の位置であって、真空搬送ロボット１１２に対して、予備搬送室１２２、予備搬送室１２３と同じ側の位置に定められている。
【００９２】
このため、予備搬送室１２２から第三処理室２０１ｃに被処理基板を搬送する場合、第一処理室２０１ａと第二処理室２０１ｂとの２つの処理室を通過するように、被処理基板２００及びアーム３２０を移動させる必要がある。また、予備搬送室１２２から第四処理室２０１ｄに被処理基板を搬送する場合、第一処理室２０１ａ、第二処理室２０１ｂ、及び第三処理室２０１ｃとのとの３つの処理室を通過するように、被処理基板２００及びアーム３２０を移動させる必要がある。また、予備搬送室１２３から第二処理室２０１ｂに被処理基板を搬送する場合、第四処理室２０１ｄと第三処理室２０１ｃとの２つの処理室を通過するように、被処理基板２００及びアーム３２０を移動させる必要がある。また、予備搬送室１２３から第一処理室２０１ａに被処理基板を搬送する場合、第四処理室２０１ｄ、第三処理室２０１ｃ、及び第二処理室２０１ｂとのとの３つの処理室を通過するように、被処理基板２００及びアーム３２０を移動させる必要がある。
【００９３】
なお、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００９４】
本発明は、特許請求の範囲に記載した通りであり、さらに次に付記した事項を含む。
【００９５】
〔付記１〕
被処理基板が搬送される搬送空間を形成する主搬送室と、
前記搬送空間内に配置されていて、被処理基板を搬送する搬送機構と、
前記主搬送室に接続されていて、被処理基板の処理がなされる複数の処理室と、
前記主搬送室に接続されていて、被処理基板が搬入され、被処理基板が搬出される予備搬送室と、
少なくとも前記搬送機構を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記複数の処理室の１つと前記予備搬送室との間で被処理基板を搬送する際に、被処理基板が前記複数の処理室の他の２つ以上を通過しないように前記搬送機構を制御する基板処理装置。
【００９６】
〔付記２〕
前記複数の処理室で、被処理基板に高温処理がなされる付記１記載の基板処理装置。
【００９７】
〔付記３〕
前記複数の処理室で、被処理基板に同一の高温処理がなされる付記１記載の基板処理装置。
【００９８】
〔付記４〕
前記複数の処理室で、被処理基板を７００℃以上に加熱して処理がなされる付記１又は２記載の基板処理装置。
【００９９】
〔付記５〕
前記搬送機構は、被処理基板を支持した状態で、円弧の一部に沿って旋回する旋回部を有する付記１乃至４いずれか記載の基板処理装置。
【０１００】
〔付記６〕
前記処理室と前記複数の処理室とのゲートバルブが配置されていて、
前記制御部は、前記搬送機構に被処理基板を搬送させている間に、前記ゲートバルブの少なくとも２つを開閉させるように制御する付記１乃至５いずれか記載の基板処理装置。
【０１０１】
〔付記７〕
前記処理室と前記複数の処理室とのゲートバルブが配置されていて、
前記制御部は、前記搬送機構に被処理基板を搬送させている間に、前記ゲートバルブの１つを開閉と前記ゲートバルブの他の１つの開閉とを連続して行わせる付記１乃至５いずれか記載の基板処理装置。
【０１０２】
〔付記８〕
前記処理室と前記複数の処理室とのゲートバルブが配置されていて、
前記制御部は、前記搬送機構に被処理基板を搬送させている間に、タイミングが一致するように前記ゲートバルブの少なくとも２つを開閉させる付記１乃至５いずれか記載の基板処理装置。
【０１０３】
〔付記９〕
前記搬送機構は、被処理基板を保持するアームを有し、
前記アーム部が回転するようにして通過することができない通過不可位置が設定されている付記１乃至８いずれか記載の基板処理装置。
【０１０４】
〔付記１０〕
前記通過不可位置は、前記アームが一方の方向に回転するようにして前記予備室から前記通過不可位置までに通過する前記処理室の数と、前記アームが他方の方向に回転するようにして前記予備室から前記通過不可位置までに通過する前記処理室の数とが等しくなる位置に定められている付記９記載の基板処理装置。
【０１０５】
〔付記１１〕
前記通過不可位置は、前記搬送機構に対して前記予備室と逆側の位置に定められている付記９又は１０記載に基板処理装置。
【０１０６】
〔付記１２〕
被処理基板が搬送される主搬送室に形成された搬送空間内に配置されている搬送機構により、前記主搬送室に接続されていて被処理基板の処理がなされる複数の処理室と、前記主搬送室に接続されていて、被処理基板が搬入され、被処理基板が搬出される予備搬送室との間で被処理基板が搬送される搬送工程を有し、
前記搬送工程では、前記複数の処理室の１つと前記予備搬送室との間で被処理基板を搬送する際に、被処理基板が前記複数の処理室の他の２つ以上を通過しないように被処理基板が搬送される基板処理方法。
【０１０７】
〔付記１３〕
被処理基板が搬送される搬送空間を形成する主搬送室と、
前記搬送空間内に配置されていて、被処理基板を搬送する搬送機構と、
前記主搬送室に接続されていて、被処理基板の処理がなされる複数の処理室と、
前記主搬送室に接続されていて、被処理基板が搬入され、被処理基板が搬出される予備搬送室と、
少なくとも前記搬送機構を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記複数の処理室の１つと前記予備搬送室との間で被処理基板を搬送する際に、被処理基板が前記複数の処理室の他の２つ以上を通過しないように前記搬送機構を制御する半導体装置の製造装置。
【０１０８】
〔付記１４〕
被処理基板が搬送される主搬送室に形成された搬送空間内に配置されている搬送機構により、前記主搬送室に接続されていて被処理基板の処理がなされる複数の処理室と、前記主搬送室に接続されていて、被処理基板が搬入され、被処理基板が搬出される予備搬送室との間で被処理基板が搬送される搬送工程を有し、
前記搬送工程では、前記複数の処理室の１つと前記予備搬送室との間で被処理基板を搬送する際に、被処理基板が前記複数の処理室の他の２つ以上を通過しないように被処理基板が搬送される半導体装置の製造方法。
【０１０９】
〔付記１５〕
付記１２に記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムが記録された記録媒体。
【０１１０】
〔付記１６〕
付記１４に記載の半導体装置の製造方法を実行させるためのプログラムが記録された記録媒体。
【符号の説明】
【０１１１】
１００・・・基板処理装置
１０３・・・真空搬送室
１０４・・・搬送空間
１１２・・・真空搬送ロボット
１２２・・・予備搬送室
１２３・・・予備搬送室
２００・・・被処理基板
２０１ａ・・・第一処理室
２０１ｂ・・・第二処理室
２０１ｃ・・・第三処理室
２０１ｄ・・・第四処理室
２８１・・・コントローラ
３１０・・・回転体
３１６・・・ケーブル
３２０・・・アーム
３３０・・・通過不可位置
【図１】
2013197475.tif 000003
【図２】
2013197475.tif 000004
【図３】
2013197475.tif 000005
【図４】
2013197475.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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