(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳ構造体を収容する収容空間部を備えた電子デバイスにおいて、収容空間部を覆う封止部とＭＥＭＳ構造体の接触を防止して、動作不良、デバイス特性のバラツキ等の不具合を低減できる電子デバイスを提供することを目的としている。【解決手段】半導体基板１２と、前記半導体基板１２に積層されＭＥＭＳ構造体２０が配置された絶縁層１６と、前記ＭＥＭＳ構造体２０が収容された収容空間部１８と、前記収容空間部１８を覆う封止層３４とを備えた電子デバイス１０において、前記封止層３４の上方に配置された補強層４０と、前記絶縁層１６に形成された電極パッド３０と導電接続する配線層３８と、を備え、前記補強層４０と前記配線層３８は同一の材質で形成されることを特徴とする電子デバイス１０。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板に積層された絶縁層と、前記絶縁層に形成された収容空間部に収容されたＭＥＭＳ構造体と、前記収容空間部を覆う封止層とを具備する電子デバイスにおいて、
前記絶縁層に形成された電極パッドと導電接続する配線層を備え、
前記配線層の一部は前記封止層の上方に形成されることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記配線層は、銅を含む複数の導電性金属を積層して形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記電極パッドの上に積層された前記配線層にはんだ端子が形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記配線層にはワイヤーが接続し、前記半導体基板と、前記絶縁層と、前記封止層と、前記配線層がモールド樹脂内に樹脂封止されていることを特徴とする請求項１ないし３の何れか一項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
請求項１ないし４の何れか一項に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
半導体基板と、前記半導体基板に積層された絶縁層と、前記絶縁層に形成された収容空間部に収容されたＭＥＭＳ構造体と、前記収容空間部を覆う封止層とを具備する電子デバイスにおいて、
前記封止層の上方に配置された補強層と、
前記絶縁層に形成された電極パッドと導電接続する配線層と、
を備え、
前記補強層と前記配線層は同一の材質で形成されることを特徴とする電子デバイス。
【請求項７】
前記配線層と前記補強層は、銅を含む複数の導電性金属を積層して形成されることを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記電極パッドの上に積層された前記配線層にはんだ端子が形成されることを特徴とする請求項６又は７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記配線層にはワイヤーが接続し、前記半導体基板と、前記絶縁層と、前記封止層と、前記配線層がモールド樹脂内に樹脂封止されていることを特徴とする請求項６ないし８の何れか一項に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
請求項６ないし９の何れか一項に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
半導体基板と、前記半導体基板上に積層された絶縁層と、前記絶縁層に形成された収容空間部に収容されたＭＥＭＳ構造体と、前記収容空間部を覆う封止層とを備えた電子デバイスの製造方法において、
前記封止層の上方に配置された補強層と、前記絶縁層に形成された電極パッドと導電接続する配線層を同一の材質を用いて製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記補強層は、前記収容空間部よりも真空度の高い真空条件下で前記封止層の上方に形成することを特徴とする請求項１１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記補強層は、圧縮応力を有する導電性金属膜を用いて前記封止層に成膜することを特徴とする請求項１２に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にＭＥＭＳ（微小電気機械システム）等の機能構造体を、基板上に形成された収容空間部に配置してなる電子デバイス、電子機器、電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、機能デバイスとしてのＭＥＭＳは、半導体製造プロセス等で用いられる微細パターニング技術を利用した種々の電子部品として製造されている。多くの場合、基板上に構成される収容空間部の内部にＭＥＭＳ構造体の少なくとも一部が収容配置され、必要に応じて当該収容空間部が上方より被膜部により密閉され、収容空間部内が減圧封止状態とされたり、或いは、収容空間部内に特殊ガスが封入されたりした状態とされる。
【０００３】
例えば特許文献１，２には、基板と、基板上に形成された機能構造体と、機能構造体が配置された空洞部と、空洞部を被膜する被膜部とを具備する機能デバイスが開示されている。そして、特許文献１のデバイスは、被膜部のうち、空洞部を上方から覆う上方被膜部の少なくとも厚み方向の一部は耐食性層を含み、上方被膜部は空洞部に望む貫通孔を備えた第１被膜層と、貫通孔を閉塞する第２被膜層を有している。また、特許文献２のデバイスは、被膜部が、少なくとも空洞部を覆う被膜範囲を横断するリブ状部又は溝状部を含む凹凸構造を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２２１４３５号公報
【特許文献２】特開２００９−１８４１０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の空洞部を備えたデバイスは、空洞部を封止する被膜部の製造途中や、空洞部を減圧封止する場合に、内外応力差によって被膜部が外圧により内側に陥没することがあった。このような被膜部の陥没は、被膜部が空洞部内のＭＥＭＳ構造体に接触することによって、動作不良を招く場合があるなど、電子装置の製造上の歩留りを低減させ、また、製品の品位の低下をもたらすことがある。
【０００６】
さらに、空洞部を覆う被膜部の形態は、被膜部の層構造に起因する熱膨張率の際、製造条件の変更などによってもばらつくため、減圧封止時に限らず、積層構造の内部応力などといった他の要因によって内側へ陥没する変形を生じる場合があり、デバイス特性のばらつきをもたらすなどの製品の品位に影響を及ぼす場合があった。
【０００７】
このような空洞部側に封止層が陥没しないように、被膜部の膜厚を厚くしようとすると、通常、数マイクロの厚みを形成する工程を数十マイクロの厚みに形成することは、コストがかかり、安価に製造することができない。
【０００８】
また、特許文献１，２の方法によれば、確かに被膜部の膜厚を厚くするなどにより剛性を高めることができる。しかし、第１被膜部の上にさらに第２被膜部を形成する工程が必要となるなど、製造時間と製造コストが嵩むことになる。
【０００９】
そこで、本発明は上記従来技術の問題点を解決するため、ＭＥＭＳ構造体を収容する収容空間部を備えた電子デバイスにおいて、収容空間部を覆う封止部とＭＥＭＳ構造体の接触を防止して、動作不良、デバイス特性のバラツキ等の不具合を低減できる電子デバイス、電子機器、電子デバイスの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］半導体基板と、前記半導体基板に積層された絶縁層と、前記絶縁層に形成された収容空間部に収容されたＭＥＭＳ構造体と、前記収容空間部を覆う封止層とを具備する電子デバイスにおいて、前記絶縁層に形成された電極パッドと導電接続する配線層を備え、前記配線層の一部は前記封止層の上方に形成されることを特徴とする電子デバイス。
これにより、製造コスト及び製造工程数を抑えつつ、封止層の陥没などの変形に対する剛性が向上し、ＭＥＭＳ構造体の動作不良やデバイス特性のばらつきなどの不具合を低減することができる。
【００１１】
［適用例２］前記配線層は、銅を含む複数の導電性金属を積層して形成されることを特徴とする適用例１に記載の電子デバイス。
これにより、安価な材料を用いると共に製造工程数を削減しながら封止部の剛性を高めることができる。
【００１２】
［適用例３］前記電極パッドの上に積層された前記配線層にはんだ端子が形成されることを特徴とする適用例１又は２に記載の電子デバイス。
これにより、絶縁層の省スペース化を図りつつ、デバイス全体の小型化を図ることができる。
【００１３】
［適用例４］前記配線層にはワイヤーが接続し、前記半導体基板と、前記絶縁層と、前記封止層と、前記配線層がモールド樹脂内に樹脂封止されていることを特徴とする適用例１ないし３の何れか一例に記載の電子デバイス。
これにより、搭載する対象物に合わせて電子デバイスの大きさを任意に変更することができ、デバイス設計の自由度を高めることができる。
【００１４】
［適用例５］適用例１ないし４の何れか一例に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする電子機器。
これにより、製造のコストおよび工程数を抑えつつ、封止層の陥没などの変形に対する剛性が向上し、ＭＥＭＳ構造体の動作不良やデバイス特性のばらつきなどの不具合を低減できる電子機器が得られる。
【００１５】
［適用例６］半導体基板と、前記半導体基板に積層された絶縁層と、前記絶縁層に形成された収容空間部に収容されたＭＥＭＳ構造体と、前記収容空間部を覆う封止層とを具備する電子デバイスにおいて、前記封止層の上方に配置された補強層と、前記絶縁層に形成された電極パッドと導電接続する配線層と、を備え、前記補強層と前記配線層は同一の材質で形成されることを特徴とする電子デバイス。
これにより、製造コスト及び製造工程数を抑えつつ、封止層の陥没などの変形に対する剛性が向上し、ＭＥＭＳ構造体の動作不良やデバイス特性のばらつきなどの不具合を低減することができる。
【００１６】
［適用例７］前記配線層と前記補強層は、銅を含む複数の導電性金属を積層して形成されることを特徴とする適用例６に記載の電子デバイス。
これにより、安価な材料を用いると共に製造工程数を削減しながら封止部の剛性を高めることができる。
【００１７】
［適用例８］前記電極パッドの上に積層された前記配線層にはんだ端子が形成されることを特徴とする適用例６又は７に記載の電子デバイス。
これにより、絶縁層の省スペース化を図りつつ、デバイス全体の小型化を図ることができる。
【００１８】
［適用例９］前記配線層にはワイヤーが接続し、前記半導体基板と、前記絶縁層と、前記封止層と、前記配線層がモールド樹脂内に樹脂封止されていることを特徴とする適用例６ないし８のいずれか一例に記載の電子デバイス。
これにより、搭載する対象物に合わせて電子デバイスの大きさを任意に変更することができ、デバイス設計の自由度を高めることができる。
【００１９】
［適用例１０］適用例６ないし９の何れか一例に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする電子機器。
これにより、製造のコストおよび工程数を抑えつつ、封止層の陥没などの変形に対する剛性が向上し、ＭＥＭＳ構造体の動作不良やデバイス特性のばらつきなどの不具合を低減できる電子機器が得られる。
【００２０】
［適用例１１］半導体基板と、前記半導体基板上に積層された絶縁層と、前記絶縁層に形成された収容空間部に収容されたＭＥＭＳ構造体と、前記収容空間部を覆う封止層とを備えた電子デバイスの製造方法において、前記封止層の上方に配置された補強層と、前記絶縁層に形成された電極パッドと導電接続する配線層を同一の材質を用いて製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
これにより、製造のコストおよび工程数を抑えつつ、封止層の陥没などの変形に対する剛性が向上し、ＭＥＭＳ構造体の動作不良やデバイス特性のばらつきなどの不具合を低減することができる。
【００２１】
［適用例１２］前記補強層は、前記収容空間部よりも真空度の高い真空条件下で前記封止層の上方に形成することを特徴とする適用例１１に記載の電子デバイスの製造方法。
これにより、封止層を収容空間部の内側から外側へ向けて凸状となる形状に形成し易くなり、かつ封止層の剛性を高めることができる。従ってＭＥＭＳ構造体の動作不良やデバイス特性のばらつきなどの不具合を低減することができる。
【００２２】
［適用例１３］前記補強層は、圧縮応力を有する導電性金属膜を用いて前記封止層に成膜することを特徴とする適用例１２に記載の電子デバイスの製造方法。
これにより、内部空間部の真空度と補強層を形成する際の真空度の差が小さくても、補強層の形成後の圧縮応力により封止層が収容空間部の内側から外側へ向けて凸状となる形状に形成し易くすることができる。従って、封止層の剛性を高めることができＭＥＭＳ構造体の動作不良やデバイス特性のばらつきなどの不具合を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施例１の電子デバイスの概略断面図である。
【図２】実施例１の電子デバイスの斜視図である。
【図３】本発明の電子デバイスの配線層及び補強層を形成するまでの概略工程断面図である。
【図４】本発明の電子デバイスのはんだ端子を形成するまでの概略工程断面図である。
【図５】収容空間部を拡大した説明図である。
【図６】実施例２の電子デバイスの概略断面図である。
【図７】実施例３の電子デバイスの概略断面図である。
【図８】実施例４の電子デバイスの概略断面図である。
【図９】実施例５の電子デバイスの概略断面図である。
【図１０】実施例６の電子デバイスの概略断面図である。
【図１１】本発明の電子デバイスを用いた電子機器の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の電子デバイス、電子機器、電子デバイスの製造方法の実施形態について、添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する。図１は実施例１の電子デバイスの概略断面図である。図２は実施例１の電子デバイスの斜視図である。
【００２５】
実施例１の電子デバイス１０は、半導体基板１２と、半導体基板１２上に積層されＭＥＭＳ構造体２０が配置された絶縁層１６と、ＭＥＭＳ構造体２０が収容された収容空間部１８と、収容空間部１８を覆う封止層３４と、封止層３４の上方に配置された補強層４０と、絶縁層１６に形成された電極パッド３０と導電接続する配線層３８を主な基本構成としている。
【００２６】
半導体基板１２は、材質にシリコーンや化合物半導体などを用いて板状に形成されている。この他、半導体基板１２は、ガラス、セラミックス、サファイア、ダイヤモンド、合成樹脂等の他の素材で構成することもできる。半導体基板１２上には下地層１４が形成されている。下地層１４は、材質に窒化シリコーンなどを用いている。
【００２７】
下地層１４上には絶縁層１６が形成されている。絶縁層１６は、材質に酸化シリコーン（ＳｉＯ２）、ＰＳＧ（リンドープガラス）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシランなどを原料ガスとして形成されるＣＶＤ膜）などを用いて板状に形成されている。絶縁層１６には収容空間部１８が形成されている。収容空間部１８は、絶縁層１６の内部にＭＥＭＳ構造体２０を収容する空間を構成している。
【００２８】
絶縁層１６は、１又は複数のＭＥＭＳ構造体２０や電極パッド３０が形成されている。ＭＥＭＳ構造体２０は、一例として、振動子、力検出センサー、集積回路、フィルタ、スイッチ、アクチュエータ等を構成している。その他、ＭＥＭＳ構造体２０は、収容空間部１８に収容可能な任意の素子を用いることができる。図１に示す収容空間部１８に収容されたＭＥＭＳ構造体２０は、上部構造体２２と下部構造体２４から構成されている。
【００２９】
電極パッド３０は、材質にＡｌなど導電性金属を用いることができる。電極パッド３０は、絶縁層１６内に形成されたＭＥＭＳ構造体（不図示）と導通接続して絶縁層１６の上面に複数形成することができる。
【００３０】
絶縁層１６上にはパッシベーション層３２が形成されている。パッシベーション層３２は、材質に窒化シリコーン、酸化シリコーン、ポリイミド樹脂等を用い、絶縁層１６のＭＥＭＳ構造体２０の機能を保護するための膜である。パッシベーション層３２は、封止層３４や、電極パッド３０の一部が露出するように形成されている。
【００３１】
絶縁層１６の収容空間部１８は上方から封止層３４により被膜されることで密閉されている。封止層３４は、材質にＡｌ等の金属を用いることができる。
絶縁樹脂層３６は、材質にポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾール等を用いることができる。絶縁樹脂層３６は、絶縁層１６と配線層３８の導電接続を遮断するように構成している。
【００３２】
配線層３８は、絶縁樹脂層３６と、封止層３４と、電極パッド３０上に形成されている。配線層３８は、Ｃｕを含む複数の導電性金属、例えば、チタン、タングステン、クロム等を積層した構造である。
【００３３】
補強層４０は、封止層３４の上方に配置されている。実施例１の補強層４０は、封止層３４の上面と接触させて、平面視で重なる位置に配置している。補強層４０は配線層３８と同様にＣｕを含む複数の導電性金属を積層した構造である。このような補強層４０は、配線層３８の形成時に、配線層３８と同じ材質で形成することができる。なお、配線層３８を引き回すことによって、配線層３８の一部を封止層３４の上方に形成し、封止層３４を補強してもよい。
【００３４】
オーバーコート層４２は、配線層３８の少なくとも一部を覆っている。配線が凹部を有するように形成される場合、オーバーコート層４２の一部が凹部に沿ってオーバーコート層４２が形成される。配線層３８のはんだ端子５０が設けられるランド４４を除いた部分を全てオーバーコート層４２で覆うことで、配線層３８の酸化、腐食を防止し、電気的な不良を防止することができる。オーバーコート層４２は、配線層３８のランド４４の少なくとも中央部を除いて形成することができる。また、オーバーコート層４２はランド４４の周縁部を覆うように形成することができる。
【００３５】
はんだ端子５０は、配線層３８のランド４４上に配置している。はんだ端子５０は、ランド４４上で加熱により溶融させて形成することができ、外部電極（不図示）と電気的な接続を図ることができる。このような構成の本実施例の電子デバイス１０は、図２に示すように斜め上方から見ると４つのはんだ端子５０が略矩形の絶縁層１６上の四隅に配置され、収容空間部１８が４つのはんだ端子５０の中心付近に配置された構成となる。
【００３６】
次に本発明の電子デバイスの製造方法について以下説明する。図３は本発明の電子デバイスの配線層及び補強層を形成するまでの概略工程断面図である。図４は本発明の電子デバイスのはんだ端子を形成するまでの概略工程断面図である。図５は収容空間部を拡大した説明図である。
【００３７】
図３（Ａ）に示すように、半導体基板１２上に下地層１４、絶縁層１６、パッシベーション層３２が積層され、絶縁層１６の収容空間部１８にＭＥＭＳ構造体２０が配置された半導体基板１２を準備する。
【００３８】
ここで収容空間部１８の封止工程は次のように行っている。封止層３４は、図５に示すように、貫通孔を備えた第１封止層３４ａと、第１封止層３４ａの貫通孔を塞ぐ第２封止層３４ｂを積層した構造で形成されている。第１封止層３４ａは、Ａｌ等の金属層を成膜し、その後、パターニングすることで第１封止層３４ａの貫通孔を形成することができる。
【００３９】
まず、図５（Ａ）に示すように、収容空間部１８は、第１封止層３４ａの貫通孔を通じてウェットエッチングやドライエッチング等で絶縁層１６をエッチング除去し、その後、洗浄するといった処理を行う工程で形成することができる。
【００４０】
次に、図５（Ｂ）に示すように、収容空間部１８の封止は、第１封止層３４ａ上に真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法等の気相成長法により真空条件下で第２封止層３４ｂを成膜する。これにより、収容空間部１８が貫通孔を通じて真空下で閉鎖することができる。第２封止層３４ｂは第１封止層３４ａと同様にＡｌ等の金属層により形成される。
そして、図３（Ａ）に示すように、パッシベーション層３２は、封止層３４および電極パッド３０の周囲を囲んで、中央付近が露出するように形成されている。
【００４１】
次に図３（Ｂ）に示すように、パッシベーション層３２、封止層３４、電極パッド３０の全面を覆う絶縁樹脂層３６を樹脂材料を熱硬化させて形成する。そして封止層３４及び電極パッド３０に相当する箇所の絶縁樹脂層３６が除去できるようなレジストを塗布する。
【００４２】
図３（Ｃ）に示すように、レジストを露光工程、現像工程を用いて所望の形状にパターニングする。このとき、次工程で配線層３８及び補強層４０を形成するため、めっきの共通電極となる導通層（不図示）を真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法等の気相成長法により真空条件下で絶縁層１６上面全面に形成する。めっきの共通電極となる導通層を形成する場合、図５（Ｃ）に示すように、収容空間部１８よりも真空度の高い真空条件下にする。これにより収容空間部１８を封止している封止層３４が収容空間部１８の内側から外側へ向けて凸状に変形する。これは収容空間部１８よりも外部の真空度が高く、真空度の低い内部空間が膨張するためである。一例として、第２封止層３４ｂとなるＡｌ層を１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）の成膜圧力下でスパッタ法を用いて成膜した場合、補強層４０をＴｉＷ層を０．２６Ｐａ（２ｍＴｏｒｒ）の成膜圧力下でスパッタ法を用いて成膜することができる。
【００４３】
図３（Ｄ）に示すように、次工程のめっきを形成する領域が露出するようにフォトレジストを形成する。なお、図中の４６は前述の導通層である。
図３（Ｅ）に示すように、電解めっきによって配線層３８及び補強層４０を同一の材質を用いて、同一工程で形成する。ついで図５（Ｄ）に示すように、封止層３４が収容空間部１８の内側から外側へ向けて凸状となる状態で、電解めっきを行い、封止層３４の上に補強層４０を形成する。
【００４４】
また、配線層及び補強層としては、成膜後、室温（摂氏２０度から３０度）状態で圧縮応力を発生する材質の導電性金属膜、一例としてチタン、タングステンなどの金属が望ましい。圧縮応力を発生する金属膜を第２封止層の上に成膜して室温状態にすると、圧縮応力を発生する金属膜が、伸張して第２封止層が伸張して内部空間部の内側から外側に向けて凸状に変形し易くなる。これにより、真空度の差による封止層の機械的強度に加えて、内部応力によって封止膜が凸状となる形状を維持する事が容易となり、第２封止層と補強層の成膜圧力の選択範囲が広がり、より安定して形成することができる。
【００４５】
さらに、第２封止層の上に補強層としてＴｉＷを形成した場合、ＴｉＷを共通電極としてめっき法によりＴｉＷの上に第２の補強層（例えばＣｕなど）を形成しても良い。これにより、封止層の変形を強固に保持することができる。
【００４６】
次に図４（Ａ）に示すように、めっき用のレジストを剥離除去し、共通電極となる導通層をウェットエッチング法などにより除去する。
図４（Ｂ）に示すように、はんだ端子５０を搭載するため、はんだ端子５０と配線層３８の接続箇所となるランド４４以外の配線層３８又は絶縁樹脂層３６上にオーバーコート層４２を熱硬化感光性樹脂材料を用いて形成する。
【００４７】
図４（Ｃ）に示すように、はんだ印刷法や、めっき法、はんだボール搭載法を用いて半田を配線層３８のランド４４上にはんだ端子５０を形成する。
最後に、ダイシングブレードを用いたダイシングや、レーザー光を用いたレーザーダイシング法などを用いて個片化して、電子デバイス１０を製造することができる。
【００４８】
このような本発明の電子デバイスによれば、製造コスト及び製造工程数を抑えつつ、封止層の陥没などの変形に対する剛性が向上し、ＭＥＭＳ構造体の動作不良やデバイス特性のばらつきなどの不具合を低減することができる。
【００４９】
図６は実施例２の電子デバイスの概略断面図である。実施例１の電子デバイス１０は、補強層４０と封止層３４を接触させて平面視で重なるように配置し、封止層３４の剛性を高めた構成である。これに対して実施例２の電子デバイス１０Ａは、補強層４０と封止層３４の間に絶縁樹脂層３６を形成し、封止層３４と補強層４０が平面視で重なる位置に配置している。その他の構成は実施例１の電子デバイス１０と同一の構成である。このような実施例２の電子デバイス１０Ａであっても、封止層３４の上方に補強層４０を形成、換言すれば、封止層３４の平面視で重なる位置に配線層３８と同一の材質となる補強層４０を設けているので、製造コスト及び製造工程数を抑えつつ、封止層の陥没などの変形に対する剛性が向上し、ＭＥＭＳ構造体の動作不良やデバイス特性のばらつきなどの不具合を低減することができる。
【００５０】
図７は実施例３の電子デバイスの概略断面図である。実施例３の電子デバイス１０Ｂは、実施例１のパッシベーション層３２の上に積層させた絶縁樹脂層３６を省略し、パッシベーション層３２の上に配線層３８とオーバーコート層４２を設けている。このような実施例３の電子デバイス１０Ｂによれば、デバイス全体の低背化と共に小型化を図ることができる。
【００５１】
図８は実施例４の電子デバイスの概略断面図である。実施例４の電子デバイス１０Ｃは、絶縁層１６の電極パッド３０と導電接続する配線層３８の上にはんだ端子５０を配置させている。その他の構成は実施例１の電子デバイス１０と同様の構成である。このような実施例４の電子デバイス１０Ｃによれば、絶縁層の省スペース化を図りつつ、デバイス全体の小型化を図ることができる。
【００５２】
図９は実施例５の電子デバイスの概略断面図である。実施例５の電子デバイス１０Ｄは、実施例４のパッシベーション層３２の上に積層させた絶縁樹脂層３６を省略し、パッシベーション層３２の上に配線層３８とオーバーコート層４２を設けている。このような実施例５の電子デバイス１０Ｄによれば、デバイス全体の低背化と共に小型化を図ることができる。
【００５３】
図１０は実施例６の電子デバイスの概略断面図である。実施例の電子デバイス１０Ｅは、実施例５の電子デバイス１０Ｄのランドのはんだ端子に代えて、配線層のランド４４にワイヤー５２の一端を導電接続し、他端を外部端子（不図示）と接続させている。そして、半導体基板と、絶縁層と、封止層と、配線層を含むデバイス全体がモールド樹脂５４内に樹脂封止されている。このような構成により、搭載する対象物に合わせて電子デバイスの大きさを任意に変更することができ、デバイス設計の自由度を高めることができる。
【００５４】
図１１は本発明の電子デバイスを用いた電子機器の説明図である。図示のように、本発明の電子デバイスを実装した電子機器の一例としてノート型パーソナルコンピューター６０を示している。この他、上記の電子デバイスの製造方法で製造された電子デバイスを用いて、携帯電話機、デジタルスチルカメラ、カーナビゲーション装置、ゲームコントローラー、時計などの電子機器を製造することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ………電子デバイス、１２………半導体基板、１４………下地層、１６………絶縁層、１８………収容空間部、２０………ＭＥＭＳ構造体、２２………上部構造体、２４………下部構造体、３０………電極パッド、３２………パッシベーション層、３４………封止層、３４ａ………第１封止層、３４ｂ………第２封止層、３６………絶縁樹脂層、３８………配線層、４０………補強層、４２………オーバーコート層、４４………ランド、４６………導通層、５０………はんだ端子、５２………ワイヤー、５４………モールド樹脂、６０………ノート型パーソナルコンピューター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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