(57)【要約】      （修正有）【課題】ＩＣチップを高い実装歩留まりで実装可能し、ＩＣチップとプリント配線板間の接続信頼性を高くする。【解決手段】コア基板３０と、コア基板３０の上側ビルドアップ層５５Ａおよび下側ビルドアップ層５５Ｂを有するプリント配線板１０において、上側ビルドアップ層５５Ａの最上の層間樹脂絶縁層５０Ａの熱膨張係数を、最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂの熱膨張係数より大きくすることで、実装時のプリント配線板１０の反りを制御する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、該第１面と反対側の第２面とを有する絶縁基板と前記絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層と前記絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層と前記絶縁基板を貫通し前記第１導体層と前記第２導体層を接続しているスルーホール導体で形成されているコア基板と、
前記絶縁基板の第１面と前記第１導体層上に積層されている最上の層間樹脂絶縁層と前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成されている最上の導体層と前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通し前記最上の導体層と前記スルーホール導体または前記第１導体層とを接続している最上のビア導体とからなる上側のビルドアップ層と、
前記絶縁基板の第２面と前記第２導体層上に積層されている最下の層間樹脂絶縁層と前記最下の層間樹脂絶縁層上に形成されている最下の導体層と前記最下の層間樹脂絶縁層を貫通し前記最下の導体層と前記スルーホール導体または前記第２導体層とを接続している最下のビア導体とからなる下側のビルドアップ層とを有するプリント配線板であって：
前記最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は、前記最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値より大きい。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記最下の層間樹脂絶縁層はＴガラスからなるガラスクロスを有し、前記最上の層間樹脂絶縁層はＥガラスからなるガラスクロスを有する。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、前記熱膨張係数の値は１９５度から２８０度の範囲におけるＸ−Ｙ方向の値である。
【請求項４】
請求項３のプリント配線板であって、前記熱膨張係数の値は１９５度から２５５度の範囲での値である。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、前記最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値を前記最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値で割ることで得られる値は、１より大ききく１．５以下である。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板であって、前記最上の層間樹脂絶縁層のガラスクロスの熱膨張係数の値を前記最下の層間樹脂絶縁層のガラスクロスの熱膨張係数の値で割ることで得られる値は、１．５以上２．５以下である。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、前記最下の層間樹脂絶縁層のヤング率を前記最上の層間樹脂絶縁層のヤング率で割ることで得られる値は、１．０５〜２である。
【請求項８】
請求項７のプリント配線板であって、前記最下の層間樹脂絶縁層のガラスクロスのヤング率を前記最上の層間樹脂絶縁層のガラスクロスのヤング率で割ることで得られる値は、１．０５〜１．２である。
【請求項９】
請求項７のプリント配線板であって、前記ヤング率の値は１９５度から２８０度の範囲におけるＸ−Ｙ方向の値である。
【請求項１０】
請求項９のプリント配線板であって、前記ヤング率の値は１９５度から２６０度の範囲での値である。
【請求項１１】
請求項１のプリント配線板であって、前記上側のビルドアップ層は半導体素子を搭載するためのパッドを有し、該パッドは所定の領域に形成されていて、該所定の領域の短辺と長辺の長さは８mm〜１５mmである。
【請求項１２】
請求項１１のプリント配線板であって、前記半導体素子の厚みは、０．０５mm〜０．１５mmである。
【請求項１３】
請求項１のプリント配線板であって、前記プリント配線板の一辺の長さは１５mmから２５mmである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板と上側のビルドアップ層と下側のビルドアップ層を有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献は、レーザで形成されるスルーホール（貫通孔）を有するプリント配線板に関する。特許文献では、プリント配線板の反りを小さくするために、コア基板の上面から下面に向かって細くなるスルーホールと、下面から上面に向かって細くなるスルーホールとを有する。
【０００３】
現在、プリント配線板にＩＣチップを実装することで半導体装置が製造されている。この実装は一般的にリフローで行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１００９０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の特許文献は、半導体素子（ＩＣチップ）の実装歩留り等を改善するため、プリント配線板の反り量を低減している。そして、上記の特許文献は、常温でのパッケージ基板の裏面の反りを測定していて、その反り量は200μm未満である。従って、上記の特許文献は実装温度での反りを認識していないと考えられる。
携帯電話や携帯端末等の携帯電子器機の高機能化に伴い、ＩＣチップのサイズが大きくなってきている。また、ＩＣチップの電極間の間隔は狭くなってきている。
そのようなＩＣチップは、通常、リフローでプリント配線板に半田バンプを介して実装される。
ＩＣチップは剛性の高いシリコン基板を有するので、実装温度（リフロー温度）で、ＩＣチップは反らないと考えられる。もしくは、実装温度でのＩＣチップの反り量は小さいと考えられる。それに対し、プリント配線板は樹脂を含むので、プリント配線板はシリコンより剛性が低い。そのため、実装温度でプリント配線板はＩＣチップより反りやすいと考えられる。
【０００６】
プリント配線板は、通常、複数の層間樹脂絶縁層と複数の導体層を含む。複数のプリント配線板が製造されると、製造のバラツキにより、各プリント配線板で層間樹脂絶縁層の厚みや導体層の厚みが異なると考えられる。そのため、実装時のプリント配線板の反りは各プリント配線板で異なると考えられる。実装温度でのプリント配線板の反りの例が図１８に示されている。図１８（Ａ）は平坦な例であり、図１８（Ｂ）はプリントの中央が膨らんでいる例であり、図１８（Ｃ）はプリントの中央が凹んでいる例である。図１８に示されているプリント配線板の上側にＩＣチップが実装される。
【０００７】
大きなＩＣチップが図１８（Ｃ）に実装されると、ＩＣチップの外周に形成されている電極とプリント配線板間の距離が短くなると考えられる。その場合、ＩＣチップとプリント配線板間の半田バンプが潰されると推察される。そのため、隣接する半田バンプが繋がってしまうと考えられる。その結果、ＩＣチップの実装歩留りが低下すると予想される（図１９）。
【０００８】
本発明の目的は、ＩＣチップを高い実装歩留まりで実装可能なプリント配線板を提供することである。別の目的は、ＩＣチップとプリント配線板間の接続信頼性を高くすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るプリント配線板は、第１面と、該第１面と反対側の第２面とを有する絶縁基板と前記絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層と前記絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層と前記絶縁基板を貫通し前記第１導体層と前記第２導体層を接続しているスルーホール導体で形成されているコア基板と、前記絶縁基板の第１面と前記第１導体層上に積層されている最上の層間樹脂絶縁層と前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成されている最上の導体層と前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通し前記最上の導体層と前記スルーホール導体または前記第１導体層とを接続している最上のビア導体とからなる上側のビルドアップ層と、前記絶縁基板の第２面と前記第２導体層上に積層されている最下の層間樹脂絶縁層と前記最下の層間樹脂絶縁層上に形成されている最下の導体層と前記最下の層間樹脂絶縁層を貫通し前記最下の導体層と前記スルーホール導体または前記第２導体層とを接続している最下のビア導体とからなる下側のビルドアップ層とを有する。そして、前記最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は、前記最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値よりも大きい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】ＩＣチップと第２実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図５】リフロー温度での第１実施形態に係るプリント配線板の反りを示す模式図。
【図６】プリント配線板の断面と軸を示す図。
【図７】第１実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図８】第３実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図９】図９（Ａ）は第３実施形態に係るプリント配線板の下側のソルダーレジスト層の開口を示す図、図９（Ｂ）は下側のソルダーレジスト層の平面図。
【図１０】半田バンプを有する第３実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図１１】二次実装時の第３実施形態に係るプリント配線板の反りを示す模式図。
【図１２】二次実装時の第３実施形態に係るプリント配線板とマザーボードとの接続を示す図。
【図１３】第４実施形態のプリント配線板の断面図。
【図１４】図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）は第４実施形態に係るコア基板の平面図であり、図１４（Ｃ）は図１４（Ｂ）の斜視図である。
【図１５】第４実施形態に係るプリント配線板の断面図とキャビティ内の電子部品を示す図。
【図１６】Ｃ４エリアを示す平面図。
【図１７】図１７（Ａ）は第１実施形態の応用例を示し、図１７（Ｂ）はＩＣチップを示している。
【図１８】実装温度でのプリント配線板の反りの例。
【図１９】プリント配線板のＣ４バンプ間でショートでの例。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態にかかるプリント配線板が図７に示されている。
第１実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０を有する。そのコア基板は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板３０Ａと絶縁基板の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ａと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｂを有する。コア基板はさらに第１導体層３４Ａと第２導体層３４Ｂとを接続しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体は絶縁基板を貫通している貫通孔３６ａに形成されている。貫通孔３６ａの形状やスルーホール導体の形状は砂時計形状である。図７に示されているコア基板は例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。コア基板の導体層は複数の導体回路やスルーホール導体の周りに形成されているスルーホールランドを含む。コア基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。
【００１２】
コア基板３０の第１面Ｆと第１導体層３４Ａ上に最上の層間樹脂絶縁層５０Ａが形成されている。この層間樹脂絶縁層５０Ａ上に最上の導体層５８Ａが形成されている。最上の導体層５８Ａと第１導体層３４Ａやスルーホール導体は、最上の層間樹脂絶縁層５０Ａを貫通する最上のビア導体６０Ａで接続されている。最上の層間樹脂絶縁層５０Ａ、最上の導体層５８Ａと最上のビア導体６０Ａで上側のビルドアップ層５５Ａが形成されている。第１実施形態では、上側のビルドアップ層は１層である。
図６にプリント配線板の断面図とＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向が示されている。後述される熱膨張係数やヤング率の値はＸ−Ｙ方向の値である。Ｚ方向がプリント配線板の断面方向である。熱膨張係数の単位は１／Ｋである。
【００１３】
コア基板３０の第２面Ｓと第２導体層３４Ｂ上に最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂが形成されている。この最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂ上に最下の導体層５８Ｂが形成されている。最下の導体層５８Ｂと第２導体層３４Ｂやスルーホール導体は、最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂを貫通する最下のビア導体６０Ｂで接続されている。最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂと最下の導体層５８Ｂと最下のビア導体６０Ｂで下側のビルドアップ層５５Ｂが形成されている。第１実施形態では、下側のビルドアップ層は１層である。最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値より大きい。
【００１４】
上側のビルドアップ層上に上側のソルダーレジスト層７０Ａが形成され、下側のビルドアップ層上に下側のソルダーレジスト層７０Ｂが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ａは、最上の導体層や最上のビア導体の上面を露出する開口７１Ａを有する。ソルダーレジスト層７０Ｂは、最下の導体層や最下のビア導体の上面を露出する開口７１Ｂを有する。ソルダーレジスト層７０Ａ、７０Ｂの開口７１Ａ、７１Ｂから露出している部分はパッドとして機能し、上側のビルドアップ層はＣ４パッドＩＰを有し、下側のビルドアップ層はＢＧＡパッドＭＰを有する。Ｃ４パッド上に半田バンプ（Ｃ４バンプ）７６Ｕが形成され、ＢＧＡパッド上に半田バンプ（ＢＧＡバンプ）７６Ｄが形成される。
【００１５】
第１実施形態のプリント配線板の用途が図１７（Ａ）に示されている。図１７（Ａ）に示されているように、第１実施形態のプリント配線板１０はＩＣチップ９０を搭載することができる。一般的にＩＣチップはリフローでＣ４バンプを介してプリント配線板に実装される。
ＩＣチップ９０は、シリコンから成る基板９０ｓを有する。シリコンは剛性が高いのでリフロー温度でＩＣチップは反らないと考えられる。もしくは、実装温度でのＩＣチップの反り量は小さいと考えられる。また、ＩＣチップはプリント配線板と接続するための電極９２を有する（図１７（Ｂ））。
【００１６】
高性能化のため、ＩＣチップの電極９２間の間隔ＩＫは１５０μｍ以下である。将来間隔ＩＫは６０μｍから１２０μｍになると予想される。間隔は１００μｍ以下になるかもしれない。間隔ＩＫは１つの電極の中心から隣の電極の中心までの距離である（図１７（Ｂ））。Ｃ４パッドの間隔と電極間の間隔ＩＫは同様である。
【００１７】
一次実装で外周のＣ４バンプをショートさせないため、第１実施形態では、最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値より大きい。図１９では、外周のＣ４パッドがショートしている。第１実施形態では図１９に示されるショートが防止される。
最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数より大きいので、リフロー温度（実装温度）で外周のＣ４パッドとＩＣチップの外周の電極間の距離が大きくなる。Ｃ４エリアとＣ４パッドは図１６に示されている。最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数と最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数を変えることは、例えば、層間樹脂絶縁層に含まれる無機粒子の量や樹脂の量を変えることで達成される。それ以外、層間樹脂絶縁層に含まれる補強材の種類や量を変えることで、熱膨張係数の値を変えることができる。シリカなどの無機粒子の量（ｗｔ％）やガラスクロスなどの補強材の量（ｗｔ％）が増えたり、樹脂量（ｗｔ％）が減ると、層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は小さくなる。異なる層間樹脂絶縁層で樹脂量が異なる場合、樹脂量（ｗｔ％）の差は１３ｗｔ％以内であることが好ましい。最上の層間樹脂絶縁層と最下の層間樹脂絶縁層が同じ材質のガラスクロス（Ｔガラス製のガラスクロス）を有する場合、最上の層間樹脂絶縁層の樹脂量（ｗｔ％）と最下の層間樹脂絶縁層の樹脂量（ｗｔ％）の差は７ｗｔ％以下であることが好ましい。例えば、最下の層間樹脂絶縁層の樹脂量は６７ｗｔ％であり、最上の層間樹脂絶縁層の樹脂量は７３ｗｔ％である。最上と最下の層間樹脂絶縁層とコア基板や後述の上側や下側の層間樹脂絶縁層との間で剥がれが発生しない。
【００１８】
また、異なる層間樹脂絶縁層で膜厚が異なる場合、膜厚（μｍ）の差は５μｍ以内であることが好ましい。プリント配線板の反りが制御されやすい。例えば、最上の層間樹脂絶縁層の膜厚は３０μｍであり、最下の層間樹脂絶縁層の膜厚は３５μｍである。最下の層間樹脂絶縁層の膜厚は最上の層間樹脂絶縁層の膜厚より薄いことが好ましい。
【００１９】
補強材の量（ｗｔ％）や無機粒子の量（ｗｔ％）により最上と最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数が変えられるとき、最上と最下の層間樹脂絶縁層は同じ材質の無機粒子を含むことが好ましい。最上と最下の層間樹脂絶縁層に含まれる補強材の材質は同じでも異なっても良い。材質が異なる場合、最上の層間樹脂絶縁層に含まれる補強材の熱膨張係数の値は最下の層間樹脂絶縁層に含まれる補強材の熱膨張係数の値より大きいことが望ましい。最下の層間樹脂絶縁層に含まれる補強材はＴガラス製のガラスクロスであって、最上の層間樹脂絶縁層に含まれる補強材はＥガラス製のガラスクロスである。もしくは、最上と最下の層間樹脂絶縁層がＴガラス製のガラスクロスを含み、最上と最下の層間樹脂絶縁層で樹脂量（ｗｔ％）が異なる。反りの制御が容易になる。
【００２０】
最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数を最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数で割ることで得られる値（ＰＵ）は１より大きく１．５以下である。熱膨張係数の値やＰＵはリフロー温度での値であることが好ましく、リフロー温度は例えば２２０度である。第１実施形態では、Ｃ４エリアの中央に形成されているＣ４パッドとそのパッドに対応するＩＣチップの電極間の距離はＣ４エリアの外周に形成されているＣ４パッドとそのパッドに対応するＩＣチップの電極間の距離より短くなる。そのため、外周のＣ４パッド間でのショートが防止される。一次実装の実装温度でプリント配線板は図１８（Ｂ）に示されている形状に反りやすい。プリント配線板の下側のソルダーレジスト層が平坦な板と対向するように、プリント配線板が平坦な板に置かれると一次実装の温度でプリント配線板の中央が浮くようにプリント配線板は反る（図１８（Ｂ））。一次実装でＩＣチップがプリント配線板に実装される。
ＰＵが１以下であると、外周のＣ４バンプ間でショートが発生しやすい。ＰＵが１．５を越えるとプリント配線板の反りが大きすぎ、ＩＣチップの外周部の電極がプリント配線板のＣ４パッドに繋がらないことがある。若しくは、使用時の応力でＩＣチップの外周部の電極がプリント配線板から剥がれることがある。
【００２１】
ＰＵは１．１より大きく１．５より小さいことが好ましい。使用時の熱応力で外周のＣ４パッドとそのパッドに対応するＩＣチップの電極間で接続抵抗が高くならない。
【００２２】
第１実施形態では、２２０度での最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂの熱膨張係数（ＣＴＥ）は最上の層間樹脂絶縁層５０Ａの熱膨張係数より小さく、最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は８ｐｐｍから２０ｐｐｍであり、最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は１５ｐｐｍから２２ｐｐｍである。各ＩＣチップの電極とＣ４パッドが低抵抗で接続される。さらに、２２０度での最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂの熱膨張係数は１６ｐｐｍ以下であることが好ましい。ヒートサイクルでＩＣチップとプリント配線板間で接続不良が発生し難い。
【００２３】
また、リフロー温度での最上の層間樹脂絶縁層５０Ａのガラスクロスなどの補強材の熱膨張係数（ＣＴＥ）の値を最下の層間樹脂絶縁層のガラスクロスなどの補強材の熱膨張係数の値で割ることで得られる値（ＧＵ）は１．５以上２．５以下であることが好ましい。ＧＵがこの範囲内であって、ＰＵが上述の範囲内であると層間樹脂絶縁層の強度が高くなる。プリント配線板が反っても層間樹脂絶縁層にクラックが入りがたい。
【００２４】
最上と最下の層間樹脂絶縁層で補強材が異なる場合、最下の層間樹脂絶縁層に含まれる補強材の熱膨張係数は２ｐｐｍから４ｐｐｍであり、最上の層間樹脂絶縁層に含まれる補強材の熱膨張係数は４ｐｐｍから６ｐｐｍである。熱膨張係数の値は１９５度〜２８０度での値であることが好ましい。リフロー温度でプリント配線板の反りを制御することが容易になる。さらに、熱膨張係数の値は１９５度〜２５５度での値であることが好ましい。高温時の反りや接続不良などの不具合が減少する。
【００２５】
第１実施形態では、リフロー時、プリント配線板に反りが発生する。そのため、第１実施形態では、高温時の層間樹脂絶縁層のヤング率（引張弾性率）も所定の値（範囲）であることが望ましい。例えば、１９５度から２８０度の範囲でのヤング率の値が所定の値（範囲）であることが好ましい。具体的な温度として２６０度でのヤング率が重要である。ヤング率は図６に示されているＸ−Ｙ方向の値である。特に、１９５度から２６０度の範囲でのヤング率が所定の範囲であると、層間樹脂絶縁層にクラックが入らない。
【００２６】
最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂのヤング率を最上の層間樹脂絶縁層５０Ａのヤング率で割ることで得られる値（ＹＵ）は１．０５から２であることが好ましい。層間樹脂絶縁層とソルダーレジスト層間の剥がれが防止される。さらに、ＹＵは１．６以下であることが好ましい。ヒートサイクルで層間樹脂絶縁層にクラックが発生しない。
【００２７】
具体的な数値として、最下の層間樹脂絶縁層のヤング率は１３ＧＰａから２２ＧＰａであり、最上の層間樹脂絶縁層のヤング率は８ＧＰａから１６ＧＰａである。最下の層間樹脂絶縁層のヤング率は，最上の層間樹脂絶縁層のヤング率より大きく１５ＧＰａより大きいことが好ましい。
最下の層間樹脂絶縁層に含まれるガラスクロスなどの補強材のヤング率の値を最上の層間樹脂絶縁層に含まれる補強材のヤング率で割ることで得られる値（ＥＵ）は１．０５以上１．２以下であることが好ましい。ＥＵが１．２を越えると最上の層間樹脂絶縁層５０Ａにクラックが発生すると考えられる。ＥＵが１．０５未満であると、最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂにクラックが発生すると考えられる。
【００２８】
第１実施形態のプリント配線板は、０．０５mmから０．１５mmの厚さを有するＩＣチップを搭載するためのプリント配線板に適する。ＩＣチップの厚さが０．０５mm未満であると、リフロー温度（実装温度）でＩＣチップの反りが問題となる。ＩＣチップとプリント配線板間で未接続が発生しやすい。ＩＣチップの厚みが０．１５mmを越えると、ＩＣチップが重くなる。ＩＣチップが重いと、自重でＩＣチップがリフロー時沈みやすい。そのため、Ｃ４パッドのピッチが１５０μｍ以下になると、隣接する半田バンプ（Ｃ４バンプ）でショートが発生するリスクがある。ここで、Ｃ４バンプはＩＣチップを搭載するためのパッド（Ｃ４パッド）ＩＰ上に形成されている半田バンプであって、図７では７６Ｕで示されている。Ｃ４パッドのピッチは隣接するパッドの中心とパッドの中心との間の距離である。
【００２９】
Ｃ４パッドは所定の矩形な領域（Ｃ４エリア）に形成されている（図１６）。Ｃ４エリアは全てのＣ４パッドを含み、Ｃ４エリアの面積が最少になるようにＣ４エリアの短辺と長辺は決定されている。ＩＣチップの厚みが０．１５mmを越えると、Ｃ４エリアの中央部分に形成されているＣ４バンプ間でショートが発生する。
【００３０】
Ｃ４エリアの外周に形成されているＣ４バンプは中央のバンプより大きな応力を受ける。第１実施形態では外周のＣ４パッドとそれに対応するＩＣチップの電極間の距離が中央のＣ４パッドとそれに対応するＩＣチップの電極間の距離より長くなる。そのため、ＩＣチップとプリント配線板との間の接続信頼性が高くなる。第１実施形態のプリント配線板のＣ４エリアの各辺は８mm〜１５mmであることが好ましい。Ｃ４エリアの大きさとＩＣチップの大きさはほぼ同じである。辺の長さが８mm未満であると、リフロー時のＩＣチップの反りは大きな問題になりがたい。辺の長さが１５mmを超えると、外周のＣ４パッドがＩＣチップの電極につながらない。
【００３１】
以上の通り、第１実施形態では、実装温度でプリント配線板の反りが制御されている。リフロー温度で、プリント配線板は最上の層間樹脂絶縁層の中央部分が凸るように反る。Ｃ４エリアの外周のＣ４パッドとそのパッドに対応するＩＣチップの電極間の距離が確保される。そのため、ＩＣチップの実装歩留りが高い。ヒートサイクルなどのストレスに対しプリント配線板とＩＣチップ間の接続信頼性が高くなる。
【００３２】
実施形態では、実装温度でＩＣチップの外周の電極とＣ４エリアの外周のＣ４パッド間の距離が確保される。そのため、ＩＣチップの実装歩留まりを高くすることができる。また、半田バンプ７６Ｕの接続信頼性が改善される。
実施形態のプリント配線板の各層間樹脂絶縁層はガラスクロスなどの補強材を有することが好ましい。プリント配線板に反りが発生しても補強材により層間樹脂絶縁層にクラックが入ることを防ぐことができる。プリント配線板の各辺の長さは１５mmから２５mmであることが好ましい。長さが１５mm未満であると実装温度でプリント配線板の反りが小さくなるので、外周のＣ４バンプ間でショートが発生する。長さが２５mmを越えると、プリント配線板の反りが大きくなるので外周のＣ４バンプがＩＣチップの電極とつながらない。
【００３３】
[第１実施形態のプリント配線板の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１〜図３に示される
（１）第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓを有する絶縁基板３０Ａとその両面に積層されている金属箔２２、２２からなる両面銅張積層板３０Ｓが準備される（図１（Ａ））。両面銅張積層板として住友ベークライト社製のＥＬＣ４７８５ＴＨ−Ｇを用いることができる。絶縁基板の第１面Ｆ及び第２面Ｓ上に銅箔２２，２２がそれぞれラミネートされている。
【００３４】
絶縁基板は樹脂と補強材で形成されていて、その補強材として例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。樹脂としてエポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などが挙げられる。さらに、樹脂中に水酸化物からなる粒子が含有されてもよい。水酸化物からなる粒子として水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等の金属水酸化物が挙げられる。熱で分解されることで水酸化物から水が生成する。このため、水酸化物は、コア基板３０を構成する材料から熱を奪うことが可能であると考えられる。すなわち、絶縁基板３０Ａが水酸化物を含むことで、レーザの加工性が向上すると推測される。
【００３５】
（２）両面銅張積層板３０Ｓが加工され、コア基板３０が完成する（図１（Ｂ））。コア基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。コア基板３０はＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。
【００３６】
（３）コア基板３０の第１面Ｆ上に、Ｅガラス製のガラスクロスとシリカなどの無機粒子とエポキシ等の熱硬化性樹脂を含むプリプレグと金属箔（銅箔）４８が順に積層される。
コア基板３０の第２面Ｓ上にＴガラス製のガラスクロスとシリカなどの無機粒子とエポキシ等の熱硬化性樹脂を含むプリプレグと金属箔（銅箔）４８が順に積層される。その後、加熱プレスでプリプレグから最上の層間樹脂絶縁層５０Ａと最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂが形成され、銅箔４８が層間樹脂絶縁層に接着される（図１（Ｃ））。
【００３７】
層間樹脂絶縁層５０Ｂの厚みは３０μｍから５０μｍであり、実施形態では、厚みは３５μｍである。層間樹脂絶縁層５０Ｂの２２０度での熱膨張係数は約８．５ｐｐｍである。
層間樹脂絶縁層５０Ａの厚みは３０μｍから５０μｍであり、実施形態では、厚みは３５μｍである。層間樹脂絶縁層５０Ａの２２０度での熱膨張係数は約１２．１ｐｐｍである。
熱膨張係数の値は、層間樹脂絶縁層に含まれる補強材や樹脂、無機粒子の材質や量で制御される。
この例では、最上と最下の層間樹脂絶縁層で補強材や無機粒子や樹脂の量（ｗ％）は同じである。
【００３８】
（４）次に、ＣＯ２ガスレーザにて層間樹脂絶縁層５０Ａ，５０Ｂにそれぞれビア導体用の開口５１Ａ，５１Ｂが形成される（図１（Ｄ））。
【００３９】
（５）銅箔４８上と開口５１Ａ、５１Ｂの内壁に無電解めっき膜５２，５２が形成される（図１（Ｅ））。
（１０）無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図２（Ａ））。
【００４０】
（６）めっきレジスト５４から露出する無電解めっき膜５２上に、電解めっき膜５６が形成される（図２（Ｂ））。
【００４１】
（７）めっきレジスト５４が除去される。電解めっき膜間の無電解めっき膜と金属箔がエッチングで除去されることで、最上と最下の導体層５８Ａ，５８Ｂ及び最上と最下のビア導体６０Ａ，６０Ｂが形成される（図２（Ｃ））。最上と最下の導体層は複数の導体回路やビア導体の周りのビアランドを有する。上側と下側のビルドアップ層５５Ａ、５５Ｂが形成される。
【００４２】
（８）上側のビルドアップ層上に開口７１Ａを有する上側のソルダーレジスト層７０Ａが形成され、下側のビルドアップ層上に開口７１Ｂを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｂが形成される（図３（Ａ））。開口７１Ａから露出する最上の導体層や最上のビア導体の上面はＣ４パッドＩＰとして機能し、開口７１Ｂから露出する最下の導体層や最下のビア導体の上面はＢＧＡパッドＭＰとして機能する。
【００４３】
（９）パッドＩＰ、ＭＰ上にニッケルめっき層７２が形成され、さらにニッケルめっき層７２上に金めっき層７４が形成される（図３（Ｂ））。ニッケル−金層の代わりにニッケル−パラジウム−金層が形成されてもよい。
【００４４】
（１０）この後、パッドＩＰ、ＭＰ上に半田ボールが搭載され、リフローにより、Ｃ４パッド上にＣ４バンプ７６Ｕが形成され、ＢＧＡパッド上にＢＧＡバンプ７６Ｄが形成される。プリント配線板１０が完成する（図７）。
【００４５】
（１１）Ｃ４バンプ７６ＵとＩＣチップの電極９２が位置合わせされ、リフローでプリント配線板１０にＩＣチップ９０が実装される（図５）。図５に示されているように、リフロー温度で、プリント配線板が反る。下側のソルダーレジスト層が下を向くようにプリント配線板が平坦な板上に置かれるとプリント配線板の中央が浮くようにプリント配線板は反る。このため、実施形態のプリント配線板によれば、リフロー温度でプリント配線板が反っても、外周のＣ４バンプがショートしないので、ＩＣチップの実装歩留まりを高くすることができる。また、Ｃ４バンプ７６Ｕの接続信頼性を改善することができる。
【００４６】
（１２）その後、ＢＧＡバンプ７６Ｄを介してプリント配線板がマザーボードに搭載される（図示せず）。
【００４７】
[第２実施形態]
第２実施形態のプリント配線板１０が図４に示されている。
第１実施形態では上側と下側のビルドアップ層がそれぞれ１層である。それに対し、第２実施形態のプリント配線板の上側と下側のビルドアップ層が２層である。
そのため、第２実施形態では、コア基板の第１面と第１導体層上に上側の層間樹脂絶縁層１５０Ａが形成されている。そして、上側の層間樹脂絶縁層上に上側の導体層１５８Ａが形成され、その上側の導体層と第１導体層やスルーホール導体が上側の層間樹脂絶縁層を貫通する上側のビア導体１６０Ａで接続されている。上側の層間樹脂絶縁層と上側の導体層上に最上の層間樹脂絶縁層５０Ａが形成されている。最上の層間樹脂絶縁層上に最上の導体層５８Ａが形成され、その最上の導体層と上側の導体層や上側のビア導体が最上の層間樹脂絶縁層を貫通する最上のビア導体６０Ａで接続されている。コア基板上に形成されている上側と最上の層間樹脂絶縁層と上側と最上の導体層と上側と最上のビア導体で上側のビルドアップ層５５Ａが形成されている。
【００４８】
また、コア基板の第２面と第２導体層上に下側の層間樹脂絶縁層１５０Ｂが形成されている。そして、下側の層間樹脂絶縁層上に下側の導体層１５８Ｂが形成され、その下側の導体層と第２導体層やスルーホール導体が下側の層間樹脂絶縁層を貫通する下側のビア導体１６０Ｂで接続されている。下側の層間樹脂絶縁層と下側の導体層上に最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂが形成されている。最下の層間樹脂絶縁層上に最下の導体層５８Ｂが形成され、その最下の導体層と下側の導体層や下側のビア導体が最下の層間樹脂絶縁層を貫通する最下のビア導体６０Ｂで接続されている。コア基板上に形成されている下側と最下の層間樹脂絶縁層と下側と最下の導体層と下側と最下のビア導体で下側のビルドアップ層５５Ｂが形成されている。各導体層は複数の導体回路やビア導体の周りに形成されているビアランドを有する。
【００４９】
上側のビルドアップ層上に開口７１Ａを有する上側のソルダーレジスト層が形成されている。開口７１Ａから露出する最上の導体層や最上のビア導体はＣ４パッドＩＰとして機能する。
下側のビルドアップ層上に開口７１Ｂを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｂが形成されている。開口７１Ｂから露出する最下の導体層や最下のビア導体はＢＧＡパッドＭＰとして機能する。
パッドＩＰ、ＭＰ上にニッケル膜７４と金膜７２が順に形成されている。
そして、Ｃ４パッド上に半田バンプ（Ｃ４バンプ）７６Ｕが形成されていて、ＢＧＡパッド上に半田バンプ（ＢＧＡバンプ）７６Ｄが形成されている。
【００５０】
第１実施形態と同様に、第２実施形態のプリント配線板の最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値より大きい。第２実施形態のプリント配線板もリフロー温度で第１実施形態のプリント配線板と同様な形状で反る。
第２実施形態の最上と最下の層間樹脂絶縁層と第１実施形態の最上と最下の層間樹脂絶縁層は同様である。第２実施形態のプリント配線板に第１実施形態内の１０段落から２５段落に述べられている内容を適用することができる。搭載されているＩＣチップの厚みやＣ４エリアの大きさやプリント配線板の大きさは第１実施形態と第２実施形態や後述の各実施形態や各改変例で同様である。
第２実施形態のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板と同様な効果を有する。
【００５１】
[第２実施形態のプリント配線板の製造方法]
第２実施形態のプリント配線板は第１実施形態と同様な方法で製造される。３４段落の（３）から３９段落の（７）の工程を２回繰り返すことで、コア基板上に２層のビルドアップ層が形成される。
【００５２】
[第２実施形態の改変例１]
第２実施形態の改変例１も第２実施形態と同様に上側と下側のビルドアップ層は２層であり、最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値より大きい。さらに、上側と下側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は同じである。
この例では、上側と下側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値が同じなので、ビルドアップ層が２層でも最上と最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数によりプリント配線板の反りを制御することができる。第２実施形態の改変例１では高機能なＩＣチップをプリント配線板に搭載することができ、反りを比較的容易に制御することができる。
【００５３】
第２実施形態の改変例１のプリント配線板の最上と最下の層間樹脂絶縁層に第１実施形態内の１０段落から２５段落に述べられている内容を適用することができる。
第２実施形態の改変例１のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板と同様な効果を有する。第２実施形態の改変例１のプリント配線板の例（（Ｉ）、（II）、（III））が以下に示されている。
【００５４】
（Ｉ）上側と下側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は、最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値より大きく、最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値より小さい。
例えば、各層間樹脂絶縁が同じ材質の補強材と樹脂で形成され、最下の層間樹脂絶縁層の補強材の量（ｗｔ％）はそれ以外の層間樹脂絶縁層より多く、上側と下側の層間樹脂絶縁層の補強材の量（ｗｔ％）は同じであって、最上の層間樹脂絶縁層より多い。各層間樹脂絶縁層の膜厚は同程度である。
この例では、最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は８ｐｐｍ〜１６ｐｐｍであって、上側と下側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は１２〜１８ｐｐｍであって、最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は１５ｐｐｍから２２ｐｐｍである。
最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数を上側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数で割ることで得られる値や上側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数を最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数で割ることで得られる値は１．０５〜１．３である。
熱膨張係数の値は１９５度〜２８０度での値であることが好ましく、さらに、１９５度〜２５５度での値であることが好ましい。高温での反りや接続不良などの不具合が減少する。
【００５５】
上側と下側の層間樹脂絶縁層のヤング率の値は最下の層間樹脂絶縁層のヤング率の値より小さく、最上の層間樹脂絶縁層のヤング率の値より大きいことが好ましい。最下の層間樹脂絶縁層のヤング率の値は１５ＧＰａら２２ＧＰａであり、最上の層間樹脂絶縁層のヤング率の値は８ＧＰａから１６ＧＰａである。そして、上側と下側の層間樹脂絶縁層のヤング率の値は１０ＧＰａから１８Ｇｐａである。
最下の層間樹脂絶縁層のヤング率の値を上側の層間樹脂絶縁層のヤング率の値で割ることで得られる値や上側の層間樹脂絶縁層のヤング率の値を最上の層間樹脂絶縁層のヤング率の値で割ることで得られる値は１．０２から１．６であることが好ましい。
この例では、コア基板の表裏で層間樹脂絶縁層のバランスが良いので、繰り返しの反りでプリント配線板にクラックなどの不具合が発生しがたい。
また、ＩＣチップとプリント配線板間の接続信頼性が確保されるとともに層間樹脂絶縁層にクラックが発生しない。
【００５６】
（II）最下と上側と下側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は同じである。
例えば、各層間樹脂絶縁が同じ材質の補強材と樹脂で形成され、最下と上側と下側の層間樹脂絶縁層の補強材の量（ｗｔ％）は同じであって、最上の層間樹脂絶縁層の補強材の量より多い。各層間樹脂絶縁層の膜厚は同程度である。例えば、最下と上側と下側の層間樹脂絶縁層のガラスクロスがＴガラス製であって、最上の層間樹脂絶縁層のガラスクロスがＥガラス製である。もしくは、全ての層間樹脂絶縁層がＴガラス製のガラスクロスを有し、最下と上側と下側の層間樹脂絶縁層に含まれる樹脂量（ｗｔ％）は最上の層間樹脂絶縁層に含まれる樹脂量（ｗｔ％）より少ない。
【００５７】
この例では、最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は８ｐｐｍ〜２０ｐｐｍであって、最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は１５ｐｐｍから２２ｐｐｍである。
熱膨張係数の値は１９５度〜２８０度での値であることが好ましく、さらに、１９５度〜２５５度での値であることが好ましい。高温での反りや接続不良などの不具合が減少する。最上の層間樹脂絶縁層のヤング率は８ＧＰａ〜１６ＧＰａである。
上側と下側の層間樹脂絶縁層のヤング率の値は、第１実施形態に記載されている最下の層間樹脂絶縁層のヤング率の値と同様であって、１３ＧＰａら２２ＧＰａである。
ＩＣチップとプリント配線板間の接続信頼性が確保されるとともに層間樹脂絶縁層にクラックが発生しない。
【００５８】
（III）最上と上側と下側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は同じである。
例えば、各層間樹脂絶縁が同じ材質の補強材と樹脂で形成され、最下の層間樹脂絶縁層の補強材の量（ｗｔ％）はそれ以外の層間樹脂絶縁層補強材の量より多く、上側と下側と最上の層間樹脂絶縁層の補強材の量（ｗｔ％）は同じである。各層間樹脂絶縁層の膜厚は同程度である。例えば、最上と上側と下側の層間樹脂絶縁層のガラスクロスがＥガラス製であって、最下の層間樹脂絶縁層のガラスクロスがＴガラス製である。もしくは、全ての層間樹脂絶縁層がＴガラス製のガラスクロスを有し、最上と上側と下側の層間樹脂絶縁層に含まれる樹脂量（ｗｔ％）は最下の層間樹脂絶縁層に含まれる樹脂量（ｗｔ％）より多い。
【００５９】
この例では、最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は８ｐｐｍ〜２０ｐｐｍであって、最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は１５ｐｐｍから２２ｐｐｍである。
熱膨張係数の値は１９５度〜２８０度での値であることが好ましく、さらに、１９５度〜２５５度での値であることが好ましい。高温での反りや接続不良などの不具合が減少する。
上側と下側の層間樹脂絶縁層のヤング率の値は、第１実施形態に記載されている最上の層間樹脂絶縁層のヤング率の値と同様であって、８ＧＰａから１６ＧＰａである。最下の層間樹脂絶縁層のヤング率は１３ＧＰａから２２ＧＰａである。
ＩＣチップとプリント配線板間の接続信頼性が確保されるとともに層間樹脂絶縁層にクラックが発生しない。
【００６０】
上述の（II）のプリント配線板と（III）のプリント配線板が比較されると、（III）のプリント配線板の熱膨張係数の値は（II）のプリント配線板の熱膨張係数の値より大きい。（II）のプリント配線板によれば、使用時のヒートサイクルでＣ４バンプが破壊され難い。また、常温におけるプリント配線板の反り量が小さい。
（III）のプリント配線板によれば、使用時のヒートサイクルでＢＧＡバンプが破壊され難い。
【００６１】
[第２実施形態の改変例２]
第２実施形態の改変例２も第２実施形態と同様に上側と下側のビルドアップ層は２層であり、最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値より大きい。さらに、各層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値が、最下の層間樹脂絶縁層から最上の層間樹脂絶縁層に向かって変化する。
この例では、上側のビルドアップ層の熱膨張係数の値と下側のビルドアップ層の熱膨張係数の値の差が大きくなる。そのため、第１実施形態のプリント配線板と第２実施形態の改変例２のプリント配線板が比較されると、大概、第２実施形態の改変例２のプリント配線板の実装温度での反り量は大きい。第２実施形態の改変例２のプリント配線板は小さなＩＣチップを実装するためのプリント配線板に適する。
第２実施形態の改変例２のプリント配線板の最上と最下の層間樹脂絶縁層に第１実施形態内の１０段落から２５段落に述べられている内容を適用することができる。
【００６２】
第２実施形態の改変例２のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板と同様な効果を有する。第２実施形態の改変例２のプリント配線板の例（（IV）、（Ｖ））が以下に示されている。
（IV）最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は上側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値より大きく、上側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は下側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値より大きく、下側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値より大きい。層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値が順に変化している。
【００６３】
例えば、各層間樹脂絶縁層が同じ材質の補強材と樹脂で形成され、最下の層間樹脂絶縁層の補強材の量（ｗｔ％）はそれ以外の層間樹脂絶縁層より多く、下側の層間樹脂絶縁層の補強材の量（ｗｔ％）は上側と最上の層間樹脂絶縁層の補強材の量（ｗｔ％）より多く、上側の層間樹脂絶縁層の補強材の量（ｗｔ％）は最上の層間樹脂絶縁層より多い。例えば、最下と下側の層間樹脂絶縁層のガラスクロスがＴガラス製であって、最上と上側の層間樹脂絶縁層のガラスクロスがＥガラス製である。そして、最下と下側の層間樹脂絶縁層に含まれる樹脂量（ｗｔ％）が異なり、最上と上側の層間樹脂絶縁層に含まれる樹脂量（ｗｔ％）が異なる。もしくは、全ての層間樹脂絶縁層がＴガラス製のガラスクロスを有し、最上の層間樹脂絶縁層から最下の樹脂絶縁層に向かって順に層間樹脂絶縁層に含まれる樹脂量（ｗｔ％）が少なくなる。
この例では、各層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値が順に変わるので、特定の層間樹脂絶縁層に反りによる応力が集中しがたい。そのため、反り量が多くても層間樹脂絶縁層にクラックが入り難い。
【００６４】
ＹＵが上述の値であるとき、下側の層間樹脂絶縁層のヤング率の値は上側の層間樹脂絶縁層のヤング率の値より大きいことが好ましい。プリント配線板の反りのバラツキが減少する。
ＹＵが上述の値であって、下側の層間樹脂絶縁層１５０Ｂのヤング率を上側の層間樹脂絶縁層１５０Ａのヤング率で割ることで得られる値（ＹＬ）は１．０５から２であることが好ましい。プリント配線板の反り量が大きくても、プリント配線板にクラックが入らない。さらに、ＹＬは１．６以下であることが好ましい。ＩＣチップとプリント配線板間の接続信頼性が確保されるとともに層間樹脂絶縁層にクラックが発生しない。
ＥＵが上述の値であって、下側の層間樹脂絶縁層に含まれるガラスクロスなどの補強材のヤング率の値を上側の層間樹脂絶縁層に含まれる補強材のヤング率で割ることで得られる値（ＥＬ）は１．０５以上１．２以下であることが好ましい。上側と下側のビルドアップ層にクラックが入らない。
【００６５】
（Ｖ）最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値と下側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は同じであって、上側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値と最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は同じである。層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値が段階的に変化している。
例えば、各層間樹脂絶縁が同じ材質の補強材と樹脂で形成され、最下と下側の層間樹脂絶縁層の補強材の量（ｗｔ％）は同じであって、上側と最上の層間樹脂絶縁層の補強材の量（ｗｔ％）は同じである。そして、最下の層間樹脂絶縁層の補強材の量（ｗｔ％）は最上の層間樹脂絶縁層の補強材の量（ｗｔ％）より多い。例えば、最上と上側の層間樹脂絶縁層のガラスクロスがＥガラス製であって、最下と下側の層間樹脂絶縁層のガラスクロスがＴガラス製である。もしくは、全ての層間樹脂絶縁層がＴガラス製のガラスクロスを有し、最上と上側の層間樹脂絶縁層に含まれる樹脂量（ｗｔ％）は最下と下側の層間樹脂絶縁層に含まれる樹脂量（ｗｔ％）より多い。
【００６６】
この例では、最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は８ｐｐｍ〜１６ｐｐｍであって、最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は１５ｐｐｍから２２ｐｐｍである。
この例では、上側と最上の層間樹脂絶縁層で熱膨張係数が同じであり、下側と最下の層間樹脂絶縁層で熱膨張係数が同じであるので、上側と下側のビルドアップ層内で層間樹脂絶縁層の剥がれが発生しがたい。
ＹＵが上述の値であって、下側の層間樹脂絶縁層１５０Ｂのヤング率を上側の層間樹脂絶縁層１５０Ａのヤング率で割ることで得られる値（ＹＬ）は１．０５から２であることが好ましい。プリント配線板の反り量が大きくても、プリント配線板にクラックが入らない。下側の層間樹脂絶縁層のヤング率は１３ＧＰａら２２ＧＰａあり、上側の層間樹脂絶縁層のヤング率は８ＧＰａら１６ＧＰａある。この例では、プリント配線板の反りが大きいが、各層間樹脂絶縁層にクラックが入らない。
【００６７】
下側の層間樹脂絶縁層のヤング率は、上側の層間樹脂絶縁層のヤング率より大きく１５ＧＰａ以上であることが好ましい。
【００６８】
第２実施形態の改変例２のプリント配線板のリフロー時の反り量は、第１実施形態のプリント配線板、第２実施形態のプリント配線板と第２実施形態の改変例１のプリント配線板より実質的に大きい。そのため、第２実施形態の改変例２のプリント配線板は０．１mmから０．１５mmの厚みを有するＩＣチップを実装するためのプリント配線板に適している。プリント配線板が反っても実装歩留まりと接続信頼性が向上する。
そして、第１実施形態のプリント配線板、第２実施形態のプリント配線板と第２実施形態の改変例１のプリント配線板は０．０５mmから０．１mmの厚みを有するＩＣチップを実装するためのプリント配線板に適している。プリント配線板が反っても実装歩留まりと接続信頼性が向上する。
【００６９】
第２実施形態の改変例２では、上側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数を下側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数で割ることで得られる値（ＰＬ）は所定範囲内であることが望ましい。反り量のバラツキが小さくなる。ＰＬはリフロー温度での値であることが好ましく、リフロー温度は例えば２２０度である。
ＰＵが上述の範囲であって、ＰＬが１より大きく１．５より小さいことが好ましい。プリント配線板が大きくても、ＩＣチップの実装歩留りが向上する。さらに、ＰＬは１．１より大きく１．５より小さいことが好ましい。プリント配線板が大きくても、プリント配線板とＩＣチップ間の接続信頼性が向上する。第２実施形態の改変例２のプリント配線板の一辺の長さは例えば１８mm以上２５mm以下であってもよい。プリント配線板が大きくても、外周のＣ４バンプ間でショートが発生し難い。また、ＰＵとＰＬが上述の範囲であると、０．１mmから０．１５mmの厚みを有するＩＣチップがプリント配線板に実装されても、プリント配線板とＩＣチップ間の接続信頼性が高い。
【００７０】
第２実施形態の改変例２では、２２０°Ｃでの下側の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数が１６ｐｐｍ以下であることが好ましい。使用時、プリント配線板とＩＣチップ間で接続不良が発生し難い。
【００７１】
第２実施形態の改変例２では、ＰＬを上述の範囲内にするため、上側の層間樹脂絶縁層の補強材の熱膨張係数を下側の層間樹脂絶縁層の補強材の熱膨張係数で割ることで得られる値（ＧＬ）は１．５以上２．５以下であることが好ましい。ＧＬがこの範囲であると、層間樹脂絶縁層の強度が高くなる。プリント配線板が反っても層間樹脂絶縁層にクラックが入りがたい。
【００７２】
[第１実施例］
図４は、第１実施例のプリント配線板の断面図である。
第１実施例のプリント配線板では、最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂは、Ｔガラス製のガラスクロスを有する。それ以外の層間樹脂絶縁層（上側の層間樹脂絶縁層、最上の層間樹脂絶縁層、下側の層間樹脂絶縁層）はＥガラス製のガラスクロスを有する。最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は約８．５ｐｐｍであり、それ以外の層間樹脂絶縁層（上側の層間樹脂絶縁層、最上の層間樹脂絶縁層、下側の層間樹脂絶縁層）の熱膨張係数は約１２．１ｐｐｍである。
【００７３】
最下の層間樹脂絶縁層のＣＴＥがその他の層間樹脂絶縁層（上側の層間樹脂絶縁層、最上の層間樹脂絶縁層、下側の層間樹脂絶縁層）より小さい。
【００７４】
[第２実施例]
第２実施例に係るプリント配線板が図７に示される。第２実施例のプリント配線板は上側と下側のビルドアップ層が１層である。
最上の層間樹脂絶縁層と最下の層間樹脂絶縁層は同じ種類のガラスクロスを含む。第２実施例のガラスクロスはＴガラス製である。最上と最下の層間樹脂絶縁層の厚みは同じで３５μｍである。最上の層間樹脂絶縁層に含まれる樹脂量（ｗｔ％）は最下の層間樹脂絶縁層に含まれる樹脂量（ｗｔ％）より多い。最下の層間樹脂絶縁層に含まれる補強材の量（ｗｔ％）が最上の層間樹脂絶縁層に含まれる補強材の量（ｗｔ％）より多い。このため、最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値は最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数の値より小さい。
また、最上の層間樹脂絶縁層のヤング率の値は最下の層間樹脂絶縁層のヤング率数の値より小さい。
【００７５】
第２実施例では、最下の層間樹脂絶縁層の樹脂量は略６７ｗｔ％であり、最上の層間樹脂絶縁層の樹脂量は略７３ｗｔ％である。２２０度での最下の層間樹脂絶縁層のＣＴＥは約９ｐｐｍであり、最上の層間樹脂絶縁層のＣＴＥは約１３ｐｐｍである。２６０度での最下の層間樹脂絶縁層のヤング率は約１９Ｇｐａであり、最上の層間樹脂絶縁層のヤング率は約１５Ｇｐａである。
【００７６】
[第３実施形態]
図９（Ａ）はソルダーレジスト層を有するプリント配線板１０Ｂを示す。プリント配線板１０Ｂのコア基板や上側と下側のビルドアップ層は第１実施形態と同じである。
【００７７】
下側のソルダーレジスト層７０Ｂに大きさの異なる開口７１Ｂが形成されている。開口７１Ｂの大きさはプリント配線板の中央から外周に向かって大きくなっている。ＢＧＡパッドの大きさはプリント配線板の中央から外周に向かって大きくなっている。第３実施形態のプリント配線板は３種類の開口７１Ｂ１、７１Ｂ２、７１Ｂ３を有する。開口（第１開口）７１Ｂ１と開口（第２開口）７１Ｂ２と開口（第３開口）７１Ｂ３で開口の大きさが異なり、開口７１Ｂ１の大きさは開口７１Ｂ２の大きさより小さく、開口７１Ｂ２の大きさは開口７１Ｂ３の大きさより小さい。開口７１Ｂ１は、プリント配線板の中央領域に形成されていて、開口７１Ｂ３はプリント配線板の外周領域に形成されていて、開口７１Ｂ２は中央領域と外周領域の間の中間領域に形成されている。ＢＧＡパッドは開口７１Ｂから露出している部分であるので、第３実施形態のプリント配線板は異なる大きさのＢＧＡパッドを有する。ＢＧＡパッドは複数の領域（エリア）に分割されていて各領域（エリア）内のＢＧＡパッドの大きさは同じである。図９（Ｂ）は下側のソルダーレジスト層の平面図である。ＢＧＡパッドは複数のエリアに分割されている。
【００７８】
第３実施形態では、開口７１Ｂ１の大きさｄ１は２３０μｍであり、開口７１Ｂ２の開口の大きさｄ２が２４０μｍであり、開口７１Ｂ３の大きさｄ３が２５０μｍである。隣り合う領域で開口の大きさは７μｍから１５μｍ異なる。第３実施形態では、隣り合う領域で開口の大きさは１０μｍ異なる。ＢＧＡパッドはプリント配線板の中央から外周に向かって段階的または徐々に大きくなっている。
【００７９】
図９（Ａ）のプリント配線板にＣ４バンプとＢＧＡバンプが形成される（図１０）。ＢＧＡパッドの大きさが異なりＢＧＡバンプ７６Ｄの体積が同じなので、ＢＧＡバンプの高さは異なる。プリント配線板の中央から外周に向かってＢＧＡバンプの高さは低くなる。中央領域から外周領域に向かって、ＢＧＡバンプの高さは段階的に低くなる。開口７１Ｂ１から露出する導体が第１ＢＧＡパッド７１ＢＰ１であり、開口７１Ｂ２から露出する導体が第２ＢＧＡパッド７１ＢＰ２であり、開口７１Ｂ３から露出する導体が第３ＢＧＡパッド７１ＢＰ３である。
【００８０】
第３実施形態では、第１ＢＧＡパッド上のＢＧＡバンプ（第１ＢＧＡバンプ）７６Ｄ１の高さｈ１は１５０μｍであり、第２ＢＧＡパッド上のＢＧＡバンプ（第２ＢＧＡバンプ）７６Ｄ２の高さｈ２は１４０μｍであり、第３ＢＧＡパッド上のＢＧＡバンプ（第３ＢＧＡバンプ）７６Ｄ３の高さｈ３は１３０μｍである（図１０）。
【００８１】
第３実施形態のプリント配線板１０にＩＣチップ９０が実装され、半導体装置が完成する。半導体装置はリフローでマザーボードに搭載される。この実装は２次実装と称される。各実施形態や各改変例では、上側のビルドアップ層のＣＴＥが下側のビルドアップ層のＣＴＥより大きいので、２次実装時、半導体装置は図１１に示されているように反りやすい。ＩＣチップが上を向くように半導体装置が平らな板の上に置かれると、プリント配線板はプリント配線板の中央が浮くように反りやすい。マザーボードと半導体素子間で接続不良が発生しやい。マザーボードと半導体素子間の接続信頼性が低下する。しかしながら、第３実施形態では、ＢＧＡバンプの高さがプリント配線板の中央から外周に向かって低くなっているので、半導体装置が図１１に示されているように反っても、各ＢＧＡバンプの頂点がほぼ同一平面ＰＬ上に位置する。
【００８２】
図１２は二次実装時の状態を模式的に示している。
図１２では、プリント配線板１０がマザーボード１９０に実装されている。第３実施形態では、プリント配線板が反っても、ＢＧＡバンプの頂点はほぼ同一平面上に形成されているので、第３実施形態のプリント配線板を平坦なマザーボードに実装することができる。ＢＧＡバンプを介するマザーボードとプリント配線板間の接続信頼性が改善される。半導体装置の搭載歩留まりが改善される。
【００８３】
図８に第３実施形態のプリント配線板の製造方法が示される。
第１実施形態と同様にコア基板と上側と下側のビルドアップ層が形成される（図２（Ｃ））。
【００８４】
上側と下側のビルドアップ層上に市販のソルダーレジスト膜７０α、７０βが形成される。例えば、日立化成工業株式会社が販売している。ソルダーレジスト膜７０αは上側のソルダーレジスト膜であり、ソルダーレジスト膜７０βは下側のソルダーレジスト膜である（図８（Ａ））。ソルダーレジスト膜７０α、７０βに露光処理と現像処理と硬化処理が行われ開口７１Ａ、７１Ｂを有するソルダーレジスト層が形成される（図８（Ｂ））。露光処理では、ソルダーレジスト膜７０β上に露光マスク１８が位置決めされ、露光マスクを介してソルダーレジスト膜７０βは露光される。露光マスク１８は遮光部分を有する。その遮光部分の大きさは露光マスクの中央か外周に向けて大きくなっている。そのため、 ＢＧＡパッドの大きさはプリント配線板の中央から外周に向かって大きくなる。一方、ソルダーレジスト膜７０αは同じ大きさの遮光部分を有する露光マスクを介して露光される。そのため、各Ｃ４パッドの大きさは同じである。
第３実施形態では、ＢＧＡパッドは３つの領域（中央領域、中間領域、外周領域）に分割されている。
第１ＢＧＡパッドの大きさは２３０μｍであり、第２ＢＧＡパッドの大きさは２４０μｍであり、第３ＢＧＡパッドの大きさは２５０μｍである。
【００８５】
その後、第１実施形態と同様にＣ４パッドとＢＧＡパッド上にニッケルめっき層７２が形成され、さらにニッケルめっき層７２上に金めっき層７４が形成される（図８（Ｂ））。
【００８６】
第１実施形態と同様に、パッド上にＣ４バンプとＢＧＡバンプが形成される。各Ｃ４バンプは同じ体積であり、各ＢＧＡバンプは同じ体積である。各Ｃ４バンプの高さはほぼ同じであり、ＢＧＡバンプの高さはプリント配線板の中央から外周に向かって低くなる。
【００８７】
Ｃ４バンプを介してＩＣチップがプリント配線板に実装される（図１１）。ＩＣチップとプリント配線板からなる半導体装置が完成する。
【００８８】
その後、半導体装置はリフローでマザーボード１９０に搭載される（図１２）。リフロー温度で、半導体装置は図１１に示されているように反る。しかしながら、第３実施形態では、ＢＧＡバンプの高さは半導体装置の反りに追従するように形成されている。従って、反りを有する半導体装置は平坦なマザーボードに歩留り高く搭載される。マザーボードは厚いのでリフロー温度で反りがたい。第３実施形態では、プリント配線板が反っても、ＢＧＡバンプ７６Ｄ１、７６Ｄ２、７６Ｄ３の頂点はほぼ同一平面上に位置しているので、反りを有するプリント配線板と平坦なマザーボードが確実に接続される。ＢＧＡバンプの接続信頼性が改善され、マザーボードにプリント配線板を搭載する工程の歩留まりを高くすることができる。
各実施形態のＣ４バンプやＢＧＡバンプは半田で形成されている。第１実施形態、第２実施形態と第２実施形態の各改変例に開示されている内容を第３実施形態に適用することができる。
【００８９】
[第４実施形態]
図１３に第４実施形態のプリント配線板１０００が示されている。第４実施形態のプリント配線板のコア基板は第１実施形態のコア基板とほぼ同様であるが、さらに、チップコンデンサなどの電子部品１００１を収容するためのキャビティ１００２を有する。キャビティ１００２は絶縁性基材の第１面から第２面に至る開口であることが望ましい。第４実施形態のプリント配線板は、第１実施形態のプリント配線板とほぼ同様であるが、さらに、コア基板のキャビティ内に電子部品を有する。第４実施形態のプリント配線板では、さらに、電子部品とコア基板間に充填剤１００３が形成されている。第４実施形態では、コア基板にキャビティが形成されているので、コア基板の強度が弱い。そのため、一次実装や二次実装時、第４実施形態のプリント配線板は反り易い。プリント配線板の反りの方向を制御するため、第４実施形態のプリント配線板の最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数は最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数よりも大きい。第４実施形態はコア基板にキャビティを有するので第４実施形態のプリント配線板の反り量は大きくなり易い。一次実装時、プリント配線板にＩＣチップがリフローで実装される。第３実施形態に示されているように、ＢＧＡパッドの大きさをプリント配線板の中央から外周に向けて大きくすることを第４実施形態のプリント配線板に適用することは二次実装の歩留りを高くする。マザーボードとプリント配線板間の接続信頼性が向上する。また、第３実施形態に示されているように、ＢＧＡパッドの大きさをプリント配線板の中央から外周に向けて大きくすることを第１実施形態、第２実施形態や第２実施形態の各改変例に適用することは二次実装の歩留まりを高くする。
【００９０】
図１３では、１つのキャビティ１００２に複数の電子部品１００１Ａ、１００１Ｂが収容されている。図１３では、１つのキャビティに２つの電子部品が収容されている。１つのキャビティに２つの電子部品が収容されると、キャビティの大きさが大きくなるので、ＢＧＡパッドの大きさをプリント配線板の中央から外周に向けて大きくすることは有効である。また、最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数を最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数より大きくすることで、プリント配線板の反りの量が制御される。そのため、内蔵されている電子部品がダメージを受け難い。１つのキャビティに２つの電子部品を収容するためのキャビティの形状が図１４に示されている。図１４（Ａ）では、複数の収容部１００２Ａ、１００２Ｂの一部が重なって１つのキャビティ１００２が形成されている。重なっている部分の長さは電子部品の長さより短い。電子部品同士が衝突しがたい。各収容部に１つの電子部品が収容される。図１４（Ｂ）は平面図であって、コア基板の第１面とキャビティ１００２とキャビティ内の電子部品が示されている。図１４（Ｃ）は図１４（Ｂ）の斜視図である。図１４（Ｂ）では、１つのキャビティに仕切り１００４が形成されている。仕切り１００４により電子部品同士の衝突が防止される。仕切間の距離ＳＫは電子部品の長さＳＫ２より短い。
【００９１】
図１５は１つのキャビティに複数のチップコンデンサが収容されている例を示している。図１５では、隣接するチップコンデンサで同極の電極が向かい合っている。この例では、プラス電極とプラス電極が向かい合っている。衝突してもショートが発生しない。プリント配線板が電子部品を内蔵するためのキャビティを有しても、図１４や図１５の工夫によりキャビティの大きさを小さくすることができる。ＢＧＡパッドの大きさをプリント配線板の中央から外周に向けて大きくすることにより、第４実施形態のプリント配線板とマザーボード間の接続信頼性が高くなる。また、最上と最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数で実装時の反りを容易に制御することができる。
【００９２】
第１実施形態、第２実施形態、第２実施形態の各改変例、第３実施形態と第４実装形態のプリント配線板のＢＧＡパッドは複数の領域に分割されることが好ましい。二次実装の歩留まりが向上する。
各実施形態及び各改変例において、全ての層間樹脂絶縁層がＴガラスクロスを含むことが好ましい。そして、異なる熱膨張係数を有する層間樹脂絶縁層は異なる樹脂量（ｗｔ％）を含むことが好ましい。同じガラスクロスを有する層間樹脂絶縁層において、樹脂量（ｗｔ％）で層間樹脂絶縁層の熱膨張係数が変えられる場合、樹脂量の差は４ｗｔ％から１３ｗｔ％である。各層間樹脂絶縁層が同じ補強剤を有するので、層間樹脂絶縁層にクラックが入らない。
上述の各実施形態や各改変例のプリント配線板はコア基板のキャビティに電子部品を内蔵することができる。コア基板がキャビティを有し、最上の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数が最下の層間樹脂絶縁層の熱膨張係数より大きいと実装時、プリント配線板の反りが大きくなると考えられる。そのため、電子部品を内蔵しているプリント配線板に第１実施形態、第２実施形態、第２実施形態の各改変例と第３実施形態に記述されている内容を適用することは有意義である。
【符号の説明】
【００９３】
１０    プリント配線板
３０    コア基板
３４Ａ  第１導体層
３４Ｂ  第２導体層
３６  スルーホール導体
５０Ａ  最上の層間樹脂絶縁層
１５０Ａ  上側の層間樹脂絶縁層
５０Ｂ  最下の層間樹脂絶縁層
１５０Ｂ  下側の層間樹脂絶縁層
７０Ａ  上側のソルダーレジスト層
７０Ｂ  下側のソルダーレジスト層
７１Ａ  開口
７１Ｂ  開口
７６Ｄ  半田バンプ
７６Ｕ  半田バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2013197245.tif 000018
【図１７】
2013197245.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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