(57)【要約】【課題】耐熱性が高い基板を必要とせず、安価な材料で、基板表面を改質するなどの煩雑な工程を設けることなく、平滑な電気絶縁性基板上に密着性に優れた導体膜を形成させることができるメッキ方法を提供する。【解決手段】電気絶縁性の基板の表面に導体膜を形成させるメッキ方法であって、基板の表面にメッキの成長核となる金属微粒子と基板に対して接着性を有するバインダーとを含む塗料組成物を塗布して塗膜を形成する塗膜形成工程と、真空プラズマにより塗膜の表面近傍の有機成分を分解、除去して塗膜の表面に金属微粒子を露出させると共に露出した金属微粒子を活性化させるプラズマ処理工程と、プラズマ処理された塗膜の表面に無電解メッキを施して無電解メッキ皮膜を形成させる無電解メッキ工程と、無電解メッキ皮膜の表面に電解メッキを施して所定の厚みまで電解メッキ皮膜を成長させる電解メッキ工程とを備えているメッキ方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁性の基板の表面に導体膜を形成させるメッキ方法であって、
前記基板の表面に、メッキの成長核となる金属微粒子と前記基板に対して接着性を有するバインダーとを含む塗料組成物を塗布して、塗膜を形成する塗膜形成工程と、
真空プラズマにより、前記塗膜の表面近傍の有機成分を分解、除去して、前記塗膜の表面に前記金属微粒子を露出させると共に、露出した前記金属微粒子を活性化させるプラズマ処理工程と、
プラズマ処理された前記塗膜の表面に無電解メッキを施して、無電解メッキ皮膜を形成させる無電解メッキ工程と、
前記無電解メッキ皮膜の表面に電解メッキを施して、所定の厚みまで電解メッキ皮膜を成長させる電解メッキ工程と
を備えていることを特徴とするメッキ方法。
【請求項２】
前記プラズマ処理工程においてプラズマ化されるガスが、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２、Ｈ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ２Ｏ、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＯ、ＣＯ２から選択された１種以上である
ことを特徴とする請求項１に記載のメッキ方法。
【請求項３】
前記プラズマ処理が、圧力１〜１０００Ｐａ、周波数１〜１０００ＭＨｚの条件下で行われる真空プラズマ処理であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメッキ方法。
【請求項４】
前記塗膜形成工程に先立って、前記基板に圧力０．１±０．０１ＭＰａ、周波数１〜１００ｋＨｚの条件下で大気プラズマ処理を行うプラズマ処理工程を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のメッキ方法。
【請求項５】
前記基板が、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル、ポリウレタン、尿素樹脂、アルキド樹脂から選択された１種以上を主成分としていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のメッキ方法。
【請求項６】
前記金属微粒子が、
Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｇ、Ａｕから選択された単体金属、または２種以上の金属から成る合金を主成分とし、
粒子径が、１ｎｍ〜１ｍｍの金属微粒子であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のメッキ方法。
【請求項７】
前記バインダーが、アクリル、ウレタン、ヘキサン、スチレン、ベンゼン、エーテル類、酢酸有機化合物より選択された１種以上を主成分としていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のメッキ方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のメッキ方法を用いて平滑な電気絶縁性基板上に形成された導体膜を加工することにより形成されていることを特徴とするメッキ配線。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路用基板などに用いられる平滑な電気絶縁性基板上に密着性に優れた導体膜を形成させるメッキ方法および前記めっき方法を用いて平滑な電気絶縁性基板上に形成された優れた密着性を有するメッキ配線に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器や半導体装置などの配線基板は、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂などの電気絶縁性樹脂からなる平滑な基板の表面に銅などの導体膜を密着させて設けることにより作製される。このような導体膜をメッキ法を用いて設ける場合、基板は前記したように電気絶縁性であるため、そのままでは、導体膜を形成させることができない。そこで、まず、樹脂基板の表面に無電解メッキを施して薄膜の無電解メッキ皮膜を形成することにより導体層を設けた後、この無電解メッキ皮膜の表面に電解メッキを施して所定の厚みまで電解メッキ皮膜を成長させることにより、導体膜を形成することが行われている。
【０００３】
このような導体膜の形成に際して、従来は、樹脂基板にエッチング処理などを施して表面に微細な凹凸面を形成することによりアンカー効果を発現させて、樹脂基板と導体層である無電解メッキ皮膜層の密着性を確保し、さらに無電解メッキ皮膜層の上に電解メッキ皮膜層を形成させて、導体膜としていた。
【０００４】
この従来の導体膜の形成方法について、樹脂基板上に導体膜として銅メッキ皮膜を形成する場合を例に挙げ、図３に基づいて説明する。
【０００５】
（ａ）脱脂工程
まず、図３（ａ）に示すように、エッチング時における濡れ性を改善するために、樹脂基板を脱脂処理して、表面に付着していた油脂分や汚れなどを除去する。
【０００６】
（ｂ）エッチング工程
次に、図３（ｂ）に示すように、樹脂基板表面をクロム酸などで化学的に処理することにより粗面化して、樹脂基板の表面に数μｍレベルの凹凸を形成させる。この凹凸がアンカーとなって、無電解銅メッキ皮膜と樹脂基板との密着性が確保される。エッチング完了後は、塩酸などを用いて基板表面を洗浄し、残ったクロム化合物を除去する。
【０００７】
（ｃ）キャタリスト工程
次に、図３（ｃ）に示すように、粗面化された樹脂基板の表面に、無電解銅メッキの核となる触媒金属であるＰｄの化合物（一般的にはＰｄ−Ｓｎ錯体が使用される）を吸着させる。
【０００８】
（ｄ）アクセレーター工程
次に、図３（ｄ）に示すように、この化合物を溶解させた後、酸化還元反応により、樹脂基板の表面に金属Ｐｄ粒子を生成させる。アクセレーター完了後は、基板表面を水洗して、Ｐｄと分離されたＳｎを除去する。
【０００９】
（ｅ）無電解銅メッキ工程
次に、図３（ｅ）に示すように、樹脂基板の表面に無電解銅メッキを施す（無電解銅メッキ処理）。このとき、金属Ｐｄの触媒活性効果により銅イオンが還元されて、樹脂基板の表面に、厚さ１〜２μｍの無電解銅メッキ皮膜が形成される。無電解銅メッキ皮膜は、前記凹凸の中にも形成されるため、基板との密着性が確保される。
【００１０】
（ｆ）電解銅メッキ工程
最後に、図３（ｆ）に示すように、電解銅メッキ処理により、無電解銅メッキ皮膜の表面に所定の厚みまで電解銅メッキ皮膜を成長させて、導体膜の形成を終了する。
【００１１】
しかしながら、従来の導体膜形成方法においては、上記した各工程に加えて、クロム化合物を除去する工程やＳｎを除去する工程などを別途設ける必要があり、工程が煩雑になると共に多大な処理コストを必要とする。また、除去されたクロム化合物やＳｎは、そのままでは排出することができず、環境負荷が高いという問題があった。
【００１２】
さらに、近年、電子機器や半導体装置などの小型化、高性能化に対するユーザーからの要請は益々強くなっており、電気信号の高速伝送（高周波化）が可能な配線基板の提供が強く望まれているが、上記の方法で作製された基板では、エッチングにより形成された凹凸がアンテナとして作用するため、ノイズの発振を招き、高速伝送を妨げる恐れがあった、また、積層基板の場合には、別の層に対して放電ショートを発生させる恐れもあった。
【００１３】
これらの理由から、エッチング処理などによる凹凸のアンカーを設けることなく、基板との密着性に優れた導体膜を形成する技術が種々検討されている。
【００１４】
例えば、銅ナノインクを基板上に塗布し、その上にメッキパターンを形成させて導体膜とする技術が提案されている（非特許文献１）。しかし、この技術の場合には、銅ナノ粒子の表面に形成されている酸化膜を除去して、粒子同士を溶融させなければ導電性パターンを形成させることができないため、４００℃以上の高温でのキュアとアニール（還元）処理を必要とし、耐熱性が高い基板を用いなければならないという問題がある。
【００１５】
また、銀ナノ粒子のペーストを基板上に塗布し、キュアすることにより導電性パターンを形成させて導体膜とする技術が提案されている（特許文献１）。しかし、この技術の場合には、銀ナノ粒子が高価であるため、コストの上昇を避けることができないという問題がある。
【００１６】
また、基板表面に親水性官能基を導入するなどして基板の表面改質を行い、その上に銅インクなどを塗布することにより、導電性パターンを形成させて導体膜とする技術が提案されている（特許文献２）。しかし、この技術の場合には、予め、基板表面を改質する工程を設ける必要があり、工程が煩雑になるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２００９−１３６０３７号公報
【特許文献２】特開２０１０−１５６０２２号公報
【非特許文献】
【００１８】
【非特許文献１】カタログ「フォトシンタリング型導電性銅ナノインク」、石原薬品株式会社、平成２３年４月発行
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明は、上記に鑑み、耐熱性が高い基板を必要とせず、安価な材料で、基板表面を改質するなどの煩雑な工程を設けることなく、平滑な電気絶縁性基板上に密着性に優れた導体膜を形成させることができるメッキ方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す発明により、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。以下、各請求項ごとに説明する。
【００２１】
請求項１に記載の発明は、
電気絶縁性の基板の表面に導体膜を形成させるメッキ方法であって、
前記基板の表面に、メッキの成長核となる金属微粒子と前記基板に対して接着性を有するバインダーとを含む塗料組成物を塗布して、塗膜を形成する塗膜形成工程と、
真空プラズマにより、前記塗膜の表面近傍の有機成分を分解、除去して、前記塗膜の表面に前記金属微粒子を露出させると共に、露出した前記金属微粒子を活性化させるプラズマ処理工程と、
プラズマ処理された前記塗膜の表面に無電解メッキを施して、無電解メッキ皮膜を形成させる無電解メッキ工程と、
前記無電解メッキ皮膜の表面に電解メッキを施して、所定の厚みまで電解メッキ皮膜を成長させる電解メッキ工程と
を備えていることを特徴とするメッキ方法である。
【００２２】
本請求項の発明においては、塗料組成物が基板に対して接着性を有するバインダーを含んでいるため、塗膜は平滑な基板に対して充分な密着性を示す。そして、真空プラズマ処理により、塗膜の表面近傍の有機成分を分解、除去して、メッキの成長核となる金属微粒子を塗膜の表面に露出させると共に露出した金属微粒子を活性化させているため、金属微粒子を核として成長した無電解メッキ皮膜は塗膜に対して充分な密着性を示す。この結果、導体膜（無電解メッキ皮膜および電解メッキ皮膜）は、塗膜を介して、平滑な基板と充分に密着し、平滑な電気絶縁性基板上に密着性に優れた導体膜を形成させることができる。
【００２３】
塗膜処理の方法としては、上記の真空プラズマ処理の他にＵＶ処理が考えられるが、ＵＶ処理は有機成分の分解、除去能力が低く金属微粒子を露出させることができないなどの問題があるため好ましくない。
【００２４】
このように、本請求項の発明によれば、平滑な電気絶縁性基板上に密着性に優れた導体膜を形成させることができるため、作製された基板が、ノイズの発振を招いて、高速伝送を妨げるという恐れがない。また、積層基板の場合であっても、別の層に対して放電ショートを発生させる恐れがない。
【００２５】
そして、本請求項の発明によれば、高温でのキュアやアニールを必要としないため、耐熱性が高い基板を必要としない。また、安価な銅メッキ皮膜などで導体膜を形成させることができるため、高価な銀ナノペーストなどを使用する必要がない。さらに、基板表面を改質するなどの煩雑な工程を特に設ける必要もない。
【００２６】
なお、塗料組成物には、金属微粒子の分散性をより向上させるために、分散剤を添加してもよい。また、基板への塗布を容易とするために、溶媒を粘度調整剤として添加してもよい。
【００２７】
請求項２に記載の発明は、
前記プラズマ処理工程においてプラズマ化されるガスが、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２、Ｈ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ２Ｏ、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＯ、ＣＯ２から選択された１種以上である
ことを特徴とする請求項１に記載のメッキ方法である。
【００２８】
これらのガスを用いて真空プラズマ処理することにより、前記した塗膜の表面近傍の有機成分の分解、除去や、金属微粒子の活性化を確実に行わせることが可能となる。
【００２９】
なお、これらのガスは、基板の材質、塗料組成物の組成、メッキ材料等を考慮して、適宜選択される。
【００３０】
請求項３に記載の発明は、
前記プラズマ処理が、圧力１〜１０００Ｐａ、周波数１〜１０００ＭＨｚの条件下で行われる真空プラズマ処理であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメッキ方法である。
【００３１】
圧力１〜１０００Ｐａ、周波数１〜１０００ＭＨｚの条件下で真空プラズマ処理することにより、１００℃以下の温度であっても、有機成分の分解、除去や、金属微粒子の活性化を確実に行うことができる。このため、高温処理施設を設ける必要がない。また、基板として、耐熱性が高いとは言えない従来から一般的に使用されている基板を使用することができる。この結果、コストの上昇を招くことがなく好ましい。
【００３２】
なお、前記したガスの種類やプラズマ条件などのプラズマレシピを適宜変化させて、真空プラズマ処理を連続したステップ処理とすると、有機成分の分解、除去処理を充分に行った後で、金属微粒子を充分に活性化させることができるためより好ましい。
【００３３】
請求項４に記載の発明は、
前記塗膜形成工程に先立って、前記基板に圧力０．１±０．０１ＭＰａ、周波数１〜１００ｋＨｚの条件下で大気プラズマ処理を行うプラズマ処理工程を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のメッキ方法である。
【００３４】
塗膜形成に先立って、基板に大気プラズマ処理を施すことにより、基板表面の親水性、親油性、接着性が改善され、より密着性に優れた塗膜の形成が可能となる。
【００３５】
請求項５に記載の発明は、
前記基板が、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル、ポリウレタン、尿素樹脂、アルキド樹脂から選択された１種以上を主成分としていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のメッキ方法である。
【００３６】
これらの材料を主成分とする基板は低誘電率であり、従来より高周波基板材料として一般的に使用されているものであり、コストの上昇を招かない。
【００３７】
なお、基板が薄すぎると強度不足となり、一方、厚すぎると電子基板として容積および重量が大きくなり不適切となる。このため、基板の厚みは、０．１〜５ｍｍ程度が好ましく、０．２〜１ｍｍ程度であるとより好ましい。
【００３８】
なお、「主成分としている」とは、これらの材料が５０％超含まれていることを示し、その他の材料が少量含まれていてもよい。また、基板は１層でなく、曲げ強度、コスト、コンパクト化、配線密度の高密度化など観点から積層されて構成されていてもよい。具体的には、例えば、ガラスエポキシ基材などの一般的なメッキ基材表面に、これらの材料のフィルムが積層された基板などを挙げることができる。
【００３９】
請求項６に記載の発明は、
前記金属微粒子が、
Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｇ、Ａｕから選択された単体金属、または２種以上の金属から成る合金を主成分とし、
粒子径が、１ｎｍ〜１ｍｍの金属微粒子であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のメッキ方法である。
【００４０】
これらの金属微粒子は、真空プラズマ処理されることにより還元されて、表面が充分に活性化されるため、無電解メッキにおけるメッキの成長核としての触媒活性を充分に発揮することができ、より充分な密着性で無電解メッキ皮膜を形成させることができる。
【００４１】
なお、粒子径が小さすぎると原子レベルとなり粒子状に整形することが困難となり、一方、大きすぎると材料への混入分散が出来なくなるため、粒子径は、１ｎｍ〜１ｍｍが好ましく、１０ｎｍ〜１０μｍであるとより好ましい。
【００４２】
請求項７に記載の発明は、
前記バインダーが、アクリル、ウレタン、ヘキサン、スチレン、ベンゼン、エーテル類、酢酸有機化合物より選択された１種以上を主成分としていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のメッキ方法である。
【００４３】
これらのバインダーは、比較的安価でありながら、前記した各基板に対して充分な接着性を有しているため好ましい。
【００４４】
請求項８に記載の発明は、
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のメッキ方法を用いて平滑な電気絶縁性基板上に形成された導体膜を加工することにより形成されていることを特徴とするメッキ配線である。
【００４５】
上記の各メッキ方法を用いて平滑な電気絶縁性基板上に形成された導体膜は基板との密着性に優れるため、この導体膜をエッチングなどの加工手段により配線回路を形成させることにより、優れた密着性を有するメッキ配線を提供することができる。
【発明の効果】
【００４６】
本発明によれば、耐熱性が高い基板を必要とせず、安価な材料で、基板表面を改質するなどの煩雑な工程を設けることなく、平滑な電気絶縁性基板上に密着性に優れた導体膜を形成させることができるメッキ方法を提供することができる。また、優れた密着性を有するメッキ配線を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施の形態におけるメッキ方法を説明する図である。
【図２】本発明の一実施の形態で使用するプラズマ処理装置の構成を模式的に示す図である。
【図３】従来の導体膜の形成方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
以下、本発明を実施の形態に基づいて具体的に説明する。
【００４９】
図１は、本実施の形態におけるメッキ方法を説明する図であり、（ａ）〜（ｆ）の工程を経てメッキ皮膜が形成される。なお、図１において、１０は基板、１１は基材、１２は樹脂フィルム、１３は塗膜、１４は金属微粒子、１５は無電解メッキ皮膜、１６は電解メッキ皮膜である。以下、工程順に説明する。
【００５０】
１．基板の準備
最初に、メッキ皮膜を形成させる基板１０を準備する。基板１０としては、前記した各材料製の基板を使用することができるが、図１（ａ）に示すように、これらの材料を組み合わせて、基材１１および樹脂フィルム１２が積層された基板１０を使用することが好ましい。
【００５１】
なお、基板１０は、従来と同様に脱脂処理して、表面に付着していた油脂分や汚れなどを除去するが、必要に応じて、圧力０．１±０．０１ＭＰａ、周波数１〜１００ｋＨｚの条件下で大気プラズマ処理を施してもよい。処理時間としては、１〜５分程度が好ましい。これにより、前記したように、基板表面の親水性、親油性、接着性が改善され、より密着性に優れた塗膜を形成することができる。
【００５２】
２．塗膜の形成
（１）塗料組成物（インク）の調製
塗料組成物は、前記した通り、メッキの成長核となる金属微粒子、および基板に対して接着性を有するバインダー（インクベース）を含有させて調製する。
【００５３】
金属微粒子としては、前記した通り、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｇ、Ａｕから選択された単体金属、または２種以上の金属から成る合金を主成分とし、粒子径が１ｎｍ〜１ｍｍの金属微粒子が好ましく使用される。
【００５４】
金属微粒子の含有量としては、バインダーに対して質量比で１００〜１０００００ｐｐｍ程度が好ましく、１０００〜４０００ｐｐｍであるとより好ましい。
【００５５】
バインダーとしては、前記した通り、アクリル、ウレタン、ヘキサン、スチレン、ベンゼン、エーテル類、酢酸有機化合物より選択された単独バインダーあるいは混合バインダーが基板に対する接着性の観点から好ましく使用される。
【００５６】
前記した通り、塗料組成物には、金属微粒子の分散性をより向上させるために分散剤を添加してもよく、また、基板への塗布を容易とするために溶媒を粘度調整剤として添加してもよい。
【００５７】
分散剤としては、例えば、ポリカルボン酸系分散剤、イソシアネート変性ポリオール系分散剤、ポリビニルアルコール系分散剤、芳香族スルホン酸系分散剤、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールリン酸エステル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコールアルキルエーテル、ポリエチレングリコールポリプロピレングリコール共重合体などを使用することができる。
【００５８】
また、溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、イソプロパノール、１−ブタノール、イソブタノール（イソブチルアルコール）、エチレングリコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸セロソルブなどのエステル類；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどのエーテル類；トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサンなどの炭化水素類；、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、Ｎ、Ｎ‘−ジメチルイミダゾリジノンなどの含窒素化合物；ジメチルスルフォキシオド（ＤＭＳＯ）などの含硫黄化合物などを使用することができる。
【００５９】
また、塗料組成物には、分散安定剤、増粘剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系光安定剤、顔料、加水分解防止剤などの添加剤を適宜添加してもよい。
【００６０】
（２）塗料組成物（インク）の塗布
次に、図１（ｂ）に示すように、基板１０（樹脂フィルム１２）の表面に、塗料組成物を塗布して、塗膜１３を形成させる。
【００６１】
塗布は、図１（ｂ）に示すように、バーコーターを用いて行うことができるが、その他の、例えば、垂らし塗り、グラビア印刷、インクジェット印刷、ディッピング、スプレー、スピンコーター、ロールコーター、リバースコーター、ドクターコーター、スクリーン印刷などによる方法を用いてもよい。
【００６２】
塗布厚みは、ベーク処理の塗膜の厚みを考慮して適宜設定されるが、通常は、１〜３０μｍ程度（厚み０．１〜３μｍ程度の塗膜を形成）が好ましく、３〜２０μｍ（厚み１５〜２μｍの塗膜を形成）であるとより好ましい。
【００６３】
（３）ベーク処理
基板１０の表面に塗布された塗膜１３は、その後、図１（ｃ）に示すように、電気炉などにより熱風乾燥されて硬化する。これにより、金属微粒子がバインダー内に内包された塗膜１３と樹脂フィルム１２とが充分に密着する。
【００６４】
なお、ベーク処理における温度や時間などは、塗料組成物の組成や塗布厚などに応じて適宜設定されるが、ベーク温度は１００〜１４０℃が好ましく、１００〜１２０℃がより好ましい。また、ベーク時間は３０分程度が好ましい。
【００６５】
３．真空プラズマ処理
次に、図１（ｄ）の上段に示すように、塗膜１３の上面より塗膜１３に真空プラズマを施す。プラズマ化するガスとしては、前記したＯ２、Ｏ３、Ｎ２、Ｈ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ２Ｏ、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＯ、ＣＯ２、あるいはこれらの混合ガスを用いることができる。
【００６６】
このようなガスをプラズマ化し、１〜１０００Ｐａの雰囲気下、周波数１〜１０００ＭＨｚで真空プラズマ処理を行なう。これにより、図１（ｄ）の中段に示すように、金属微粒子１４の周囲を覆っていた塗膜１３の表面近傍における有機成分（分散剤やバインダーなどの有機成分）が分解、除去されて、図１（ｄ）の下段に示すように、塗膜１３の表面に金属微粒子１４が露出される。
【００６７】
そして、さらに真空プラズマを施すことにより、露出した金属微粒子１４の表面が還元処理されて、金属微粒子１４の表面に充分な触媒活性が与えられる。
【００６８】
ここで、真空プラズマについて、図２に基づいて説明する。図２は、本実施の形態において使用するプラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す図である。なお、図２において、１は真空チャンバー、２は処理ガス導入口、３は上部電極（グランド電極）、４は下部電極（給電電極）、５はマッチングユニット、６は高周波発振器、７は真空バルブ、８は真空ポンプ、１０は表面に塗膜１３（図１参照）が形成された基板である。
【００６９】
対向する上部電極３と下部電極４との間に所定の電圧を印加することにより、対向する上部電極３と下部電極４との間で処理ガスがプラズマ化（電離、発光）されて、下部電極４上にセットされた基板１０にプラズマが照射される。なお、処理ガスは、処理ガス導入口２から真空チャンバー１内へ常に導入されているが、真空ポンプ８の排気能力が処理ガス導入量を上回っているため、真空チャンバー１内は減圧状態に保たれる。
【００７０】
また、このプラズマ処理は、最初から最後まで固定した条件で行う必要はなく、ガスの種類やプラズマ条件などのプラズマレシピを適宜変化させて、連続したステップ処理で行ってもよい。例えば、まず、処理ガスとしてＯ２を用いた真空プラズマ処理を行って塗膜１３の有機成分を分解、除去して金属微粒子１４を露出させ、次に、処理ガスとして（Ａｒ＋Ｈ２）を用いた真空プラズマ処理を行って露出した金属微粒子１４の表面を還元して活性化させる。このようにすることにより、金属微粒子１４の表面をより充分に活性化させることができるため、メッキ特性をより高めることができる。
【００７１】
処理時間としては、０．５〜１０分程度が好ましく、１〜３分であるとより好ましい。
【００７２】
４．無電解メッキ
次に、図１（ｅ）に示すように、無電解メッキにより、金属微粒子１４が露出した塗膜１３の表面に無電解メッキ皮膜１５を形成させる。プラズマ処理によって金属微粒子１４の表面が活性化されているため、金属微粒子１４を成長核として無電解メッキ皮膜１５が塗膜１３の表面に密着して形成される。
【００７３】
なお、メッキ条件としては従来のメッキ条件と同様でよく、例えば、無電解銅メッキの場合には、メッキ浴の温度を２５〜４５℃、好ましくは３０〜３５℃として、１０〜１５分程度処理することにより、０．３〜０．４μｍ程度の膜厚を得ることができる。
【００７４】
５．電解メッキ
最後に、図１（ｆ）に示すように、無電解メッキ皮膜１５の上に所定の厚みまで電解メッキ皮膜１６を形成させて、メッキ基板の作製を完了する。なお、メッキ条件としては従来のメッキ条件と同様でよい。
【実施例】
【００７５】
以下、実施例に基づき、本発明をより具体的に説明する。
【００７６】
（実験１）
実験１では、基板の構成、塗料組成物の組成、真空プラズマの有無およびプラズマ処理条件の異なる１６種類の実験を行い、無電解銅メッキにおけるメッキ特性、および無電解銅メッキ皮膜と基板との密着性を評価した。
【００７７】
１．試験体の作製
（１）基板の作製
上記した実施の形態に基づき、基板を準備した。具体的には、一般的なメッキ基板材料であるガラスエポキシ（ガラエポ）基材（サイズ：２０×９０ｍｍ、厚み：１ｍｍ）を基材（ベース）として、その上に、厚み約３０μｍの市販の低誘電率フィルム（高周波基板用フィルム）が積層された基板を用いた。なお、表１、２に示すフィルムＡとフィルムＢは、色が異なっているだけで、同じ材質の低誘電率フィルムである。
【００７８】
（２）塗料組成物（インク）の準備
塗料組成物としては、市販のＰｄインクを用いた。なお、このインクは、表１、２に示すインクベース（バインダー）に、粒子径５〜１０ｎｍのＰｄ粒子が２５０ｐｐｍ含有されている。
【００７９】
（３）塗布
作製した無電解メッキ用塗料組成物を垂らし塗りで基板上に塗工し、厚み約３０μｍの塗膜を形成した。
【００８０】
（４）ベーク工程（固着化）
次に、電気炉を用いて１００℃で３０分間加熱し塗膜を固着化した。ベーク後の塗膜の厚みは２０μｍであった。
【００８１】
（５）真空プラズマ処理
次に、表１、２に示す条件の下で真空プラズマ処理を行った（雰囲気圧力：２０Ｐａ、周波数１３．５６ＭＨｚ）。なお、表１、２において２段書きした箇所は、２段階の真空プラズマ処理を行ったことを示している。
【００８２】
（６）無電解メッキ
次に、上村工業社製の無電解メッキ液（商品名スルカップＰＳＹ）を用いて、浴温度３３〜３７℃、１５分間の無電解メッキを行った。
【００８３】
２.メッキの評価
（１）評価方法
イ．メッキ特性
目視観察により、無電解銅メッキ皮膜のメッキの基板への付着状況を評価した。
【００８４】
ロ．密着性
テープ引き剥がし法によりピール強度を測定することにより、無電解銅メッキ皮膜と基板との間の密着性を評価した。
【００８５】
（２）評価結果
評価結果を表１、２に示す。
【００８６】
【表１】
2013234345.tif 000003
【００８７】
【表２】
2013234345.tif 000004
【００８８】
表１、２より、基板表面の材質、インクベースの種類に関係なく、プラズマ処理が施されていない場合（実験例１、５、９、１３）には、メッキ特性および密着性が良くないことが確認できた。
【００８９】
そして、真空プラズマ処理を施しても処理時間１分の場合（実験例２、６、１０、１４）には、ガス種類に関係なく、メッキ特性および密着性が良くないことが確認できた。
【００９０】
これに対して、処理時間が２分以上の場合（実験例３、４、７、８、１１、１２、１５、１６）には、メッキ特性および密着性が共に良好であることが確認できた。
【００９１】
この結果より、真空プラズマ処理時間の増加により、全てのインクベースに対して無電解銅メッキの特性が向上していることが分かり、真空プラズマ処理がメッキ特性を向上させる手法として有効であることが確認できた。
【００９２】
（実験２）
実験２では、基板の構成、プラズマ処理条件の異なる８種類の実験を行い、同様に、メッキ特性および密着性を評価した。
・基板表面    ：フィルムＡ、フィルムＢ
・プラズマ処理：表３に示す条件
・その他の条件：表３に示す。
【００９３】
なお、表３の処理時間の上段に示す「ｃｍ／ｍｉｎ」はスキャン速度を、その下段に示す回数スキャンしたことを示している。なお、１回当たりのスキャン時間は２分である。
【００９４】
２．メッキの評価
実験１と同じ方法で評価した。
【００９５】
３．評価結果
評価結果を表３に示す。
【００９６】
【表３】
2013234345.tif 000005
【００９７】
表３より、大気プラズマ処理の場合（実験例１９〜２４）には、スキャン数（処理回数）を増やしても良好なメッキ特性が得られないことが確認できた。一方、真空プラズマ処理の場合（実験例１７、１８）は、光沢のある銅が着床し、メッキ特性が良好であった。
【００９８】
なお、実験例１７、１８では、メッキに一部剥離が認められた。これは、処理ガスのみが異なる実験例１６および実験例１８の結果より、Ｏ２＋ＣＦ４はＯ２に比べて、表面活性効果が劣っているためと推測される。
【００９９】
この結果より、大気プラズマ処理はメッキ特性および密着性の向上には効果を発揮しないことが確認できた。また、真空プラズマ処理であっても、ガスが適切に選択されていない場合には、メッキ特性は確保できても、密着性を充分高く確保できないことが確認できた。
【０１００】
（実験３）
実験３では、インクのうちＰｄ粒子含有量およびベーク条件が異なる７種類の実験を行い、同様に、メッキ特性および密着性を評価した。
【０１０１】
１．試験体の作製
・インク      ：Ｐｄ粒子含有量１０００ｐｐｍ、２０００ｐｐｍ、４０００ｐｐｍ
・ベーク温度  ：１２０℃、１４０℃、１６０℃、１８０℃、２００℃
・その他の条件：表４に示す。
【０１０２】
２．メッキの評価
実験１と同じ方法で評価した。
【０１０３】
３．評価結果
評価結果を表４に示す。
【０１０４】
【表４】
2013234345.tif 000006
【０１０５】
表４より、Ｐｄ含有量１０００ｐｐｍのインクでは、ベーク温度１２０℃の場合（実験例２５）には良好なメッキ特性および密着性が得られるが、ベーク温度が高くなるにつれてこれらの特性が低下することが確認できた。また、ベーク温度１４０℃では、Ｐｄ含有量を増加しても、メッキ特性が向上しないことが確認された。
【０１０６】
この結果より、Ｐｄ含有量を徒に増加させてもメッキ特性および密着性が向上しないことが確認できた。
【０１０７】
以上、本発明を実施の形態に基づき説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。
【符号の説明】
【０１０８】
１            真空チャンバー
２            処理ガス導入口
３            上部電極（グランド電極）
４            下部電極（給電電極）
５            マッチングユニット
６            高周波発振器
７            真空バルブ
８            真空ポンプ
１０            基板
１１            基材
１２            樹脂フィルム
１３            塗膜
１４            金属微粒子
１５            無電解メッキ皮膜
１６            電解メッキ皮膜
【図１】
2013234345.tif 000007
【図２】
2013234345.tif 000008
【図３】
2013234345.tif 000009