(57)【要約】【課題】バンプ電極やウェハへのダメージを抑制しつつ、プローブとバンプ電極の電気的接触を良好なものとする。【解決手段】バンプ電極を有する半導体装置を、プローブ１０を用いて検査する工程を備え、プローブ１０は、検査時にバンプ電極と接触するバンプ接触部３０と、バンプ電極をバンプ接触部３０へ案内する溝２２を有するワイプ部２０と、を有し、プローブ１０をバンプ電極へ押し当てることにより、バンプ電極が、溝２２に接触しながら溝２２に案内されて移動した後にバンプ接触部３０に位置する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンプ電極を有する半導体装置を、プローブを用いて検査する工程を備え、
前記プローブは、検査時に前記バンプ電極と接触するバンプ接触部と、前記バンプ電極を前記バンプ接触部へ案内する溝を有するワイプ部と、を有し、
前記プローブを前記バンプ電極へ押し当てることにより、前記バンプ電極が、前記溝に接触しながら前記溝に案内されて移動した後に前記バンプ接触部に位置する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記バンプ接触部は、前記プローブに設けられた凹部により構成される半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記プローブを用いて検査する前記工程において、前記バンプ電極の頂点は前記溝と接触しない半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記溝は、前記バンプ接触部から離間するにつれて幅が広くなる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
バンプ電極を有する半導体装置の検査に用いられるプローブカードであって、
プローブ保持部と、
前記プローブ保持部に保持され、かつ少なくとも先端が前記バンプ電極に対して傾斜するように設けられたプローブと、
を備え、
前記プローブは、
溝を有するワイプ部と、
前記溝と連続して設けられた凹部により構成され、かつ平面視で前記ワイプ部よりも前記プローブの前記プローブ保持部に保持される端部側に位置するバンプ接触部と、
を有しているプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、およびプローブカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの高機能化や小型化に伴い、超小型パッケージの要求が高まっている。この要求に応えるパッケージとしては、例えばＷＬ−ＢＧＡ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等が挙げられる。
ＢＧＡパッケージに関しては様々な技術が検討されており、例えば特許文献１〜３には、ＢＧＡパッケージの電気的特性を検査する技術が開示されている。
【０００３】
特許文献１に記載の技術は、プローブの接触子に半田ボールが接触する凹所を設け、かつ当該凹所に案内溝を設けるというものである。これにより、半田ボールから凹所に付着した半田を、案内溝から接触子の外へ排出すると記載されている。特許文献２に記載の技術は、バンプ電極と接触するプローブの先端に、凹所を形成するというものである。特許文献３に記載の技術は、２本一対の接触子の各エッジを用いて球状外部電極の表面をワイピングするというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３４４４４９号公報
【特許文献２】特開２０００−２５８４５７号公報
【特許文献３】特開２００８−２９２３３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
バンプ電極に対するプローブ検査時において、電気的接触を良好なものとするためには、特許文献３のようにバンプ電極の表面をプローブによってワイピングすることが好ましい。しかし、ワイピングする際にプローブ先端がバンプ電極から脱落してしまう場合があった。この場合、バンプ電極やウェハへダメージを与えるおそれがある。
従って、バンプ電極やウェハへのダメージを抑制しつつ、プローブとバンプ電極の電気的接触を良好なものとすることが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、バンプ電極を有する半導体装置を、プローブを用いて検査する工程を備え、
前記プローブは、検査時に前記バンプ電極と接触するバンプ接触部と、前記バンプ電極を前記バンプ接触部へ案内する溝を有するワイプ部と、を有し、
前記プローブを前記バンプ電極へ押し当てることにより、前記バンプ電極が、前記溝に接触しながら前記溝に案内されて移動した後に前記バンプ接触部に位置する半導体装置の製造方法が提供される。
【０００７】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、バンプ電極を有する半導体装置を、プローブを用いて検査する工程を備える。そして、プローブを用いて検査する当該工程において、プローブをバンプ電極へ押し当てることにより、バンプ電極は、プローブに設けられた溝に接触しながら溝に案内されて移動した後にバンプ接触部に位置する。
バンプ電極が溝に接触しながら溝に案内されて移動することで、バンプ電極の表面をワイピングすることができる。このため、バンプ電極とプローブとの電気的接触を良好なものとすることができる。また、バンプ電極は、溝に案内されて移動した後バンプ接触部に位置する。このため、バンプ電極をワイピングする際に、プローブ先端がバンプ電極から脱落してしまうことを抑制することができる。
従って、バンプ電極やウェハへのダメージを抑制しつつ、プローブとバンプ電極の電気的接触を良好なものとすることができる。
【０００８】
本発明によれば、バンプ電極を有する半導体装置の検査に用いられるプローブカードであって、プローブ保持部と、前記プローブ保持部に保持され、かつ少なくとも先端が前記バンプ電極に対して傾斜するように設けられたプローブと、を備え、前記プローブは、溝を有するワイプ部と、前記溝と連続して設けられた凹部により構成され、かつ平面視で前記ワイプ部よりも前記プローブの前記プローブ保持部に保持される端部側に位置するバンプ接触部と、を有しているプローブカードが提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、バンプ電極やウェハへのダメージを抑制しつつ、プローブとバンプ電極の電気的接触を良好なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係るプローブを示す斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置とプローブを示す上面図である。
【図３】第１の実施形態に係るプローブ検査時における、バンプ電極とプローブの接触状態を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブの動作を説明する斜視図である。
【図５】第１の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブの動作を説明する上面図である。
【図６】第１の実施形態に係るプローブ検査時における、バンプ電極の状態を説明する上面図である。
【図７】第１の実施形態に係るプローブカードを示す断面図である。
【図８】第２の実施形態に係るプローブを示す斜視図である。
【図９】第２の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置とプローブを示す上面図である。
【図１０】第２の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブの動作を説明する側面図である。
【図１１】第３の実施形態に係るプローブを示す斜視図である。
【図１２】第３の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置とプローブを示す上面図である。
【図１３】第３の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブの動作を説明する上面図である。
【図１４】第４の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置とプローブを示す上面図である。
【図１５】第４の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブの動作を説明する上面図である。
【図１６】第５の実施形態に係るプローブを示す斜視図である。
【図１７】第５の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置とプローブを示す上面図である。
【図１８】第６の実施形態に係るプローブを示す斜視図である。
【図１９】第６の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置とプローブを示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
図１は、第１の実施形態に係るプローブ１０を示す斜視図である。図２は、第１の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置９０とプローブ１０を示す上面図である。
本実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、バンプ電極４０を有する半導体装置９０を、プローブ１０を用いて検査する工程を備える。プローブ１０は、検査時にバンプ電極４０と接触するバンプ接触部３０と、バンプ電極４０をバンプ接触部３０へ案内する溝２２を有するワイプ部２０と、を有する。そして、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てることにより、バンプ電極４０が、溝２２に接触しながら溝２２に案内されて移動した後にバンプ接触部３０に位置する。
以下、本実施形態に係るプローブ１０の構成、および半導体装置９０の製造方法について詳細に説明する。
【００１３】
図７は、第１の実施形態に係るプローブカード１００を示す断面図である。プローブカード１００は、バンプ電極４０を有する半導体装置９０の検査に用いられる。プローブカード１００は、検査装置と半導体装置９０とを中継する機能を有する。半導体装置９０は、例えばＷＬ−ＢＧＡである。
図７に示すように、プローブカード１００は、プローブ保持部６０と、プローブ１０を備えている。プローブカード１００は、複数のプローブ１０を有する。このため、図２に示すように、各プローブ１０を、半導体装置９０が有する複数のバンプ電極４０それぞれに対し同時に接触させることができる。
プローブ１０は、プローブ保持部６０に保持されている。また、プローブ１０は、プローブカード１００による半導体装置９０のプローブ検査時において、少なくとも先端がバンプ電極４０に対して傾斜するように設けられている。これにより、プローブ検査時においてプローブ１０をバンプ電極４０に押し当てた際に、プローブ１０は、バンプ電極４０表面を摺動する方向に分力を受ける。このため、バンプ電極４０表面をプローブ１０が摺動し、バンプ電極４０表面をワイピングすることとなる。
なお、本明細書におけるワイピングとは、バンプ電極４０表面をプローブ１０によって擦ることで、バンプ電極４０表面の一部を除去することを意味する。バンプ電極４０表面をワイピングすることで、バンプ電極４０表面に形成された酸化膜やプローブ１０に付着したゴミ等、バンプ電極４０とプローブ１０の電気的接触を悪化させる付着物を除去することができる。このため、バンプ電極４０表面をワイピングすることにより、プローブ１０とバンプ電極４０の電気的接触を良好なものとすることができる。
【００１４】
プローブ１０は、ワイプ部２０と、バンプ接触部３０と、を有している。また、プローブ１０は、針状の形状を有している。図２に示すように、プローブ１０は、先端面がプローブ検査時においてバンプ電極４０と対向するように設けられている。ワイプ部２０およびバンプ接触部３０は、プローブ１０の当該先端面に設けられる。
ワイプ部２０は、プローブ１０の先端面に設けられた溝２２を有している。プローブ検査時において、バンプ電極４０は、溝２２に案内されてバンプ接触部３０へ移動する。
バンプ接触部３０は、プローブ１０の先端面に設けられた凹部を有している。バンプ接触部３０が有する凹部は、溝２２と連続して設けられる。このため、バンプ電極４０は、溝２２に案内されて移動した後、当該凹部により保持されることとなる。本実施形態において、当該凹部は、例えば溝２２の深さを、端部において他の部分よりも深くすることにより形成される。
また、バンプ接触部３０は、平面視でワイプ部２０よりも、プローブ１０のプローブ保持部６０に保持される端部側に位置している。これにより、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てた際に、バンプ電極４０は、溝２２に案内されて移動した後にバンプ接触部３０に位置し、かつバンプ接触部３０によって保持されることとなる。
バンプ電極４０は、例えば略球状の形状を有する。そして、バンプ接触部３０が有する凹部は、例えばバンプ電極４０の曲率に応じた半球状とすることができる。これにより、バンプ電極４０を保持する際に、バンプ電極４０にダメージを与えることを抑制することができる。
【００１５】
図３は、第１の実施形態に係るプローブ検査時における、バンプ電極４０とプローブ１０の接触状態を示す断面図である。
図３に示すように、プローブ検査時において、バンプ電極４０の頂点は溝２２と接触しない。このため、プローブ検査時において、プローブ１０がバンプ電極４０の頂点にダメージを与えることを抑制することができる。
本実施形態においては、溝２２は、例えば三角形状を有する三角溝である。そして、略球状のバンプ電極４０の頂点が溝２２内に位置するように、プローブ１０をバンプ電極４０へ接触させる。このため、溝２２の両縁のみが、バンプ電極４０表面のうちの頂点以外の部分と接触することとなる。従って、バンプ電極４０の頂点はプローブ１０と接触しない。
なお、本実施形態において、バンプ電極４０の頂点とは、例えばバンプ電極４０のうち半導体装置９０から最も離間する点を指す。
【００１６】
次に、本実施形態に係る半導体装置９０の製造方法を説明する。本実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、バンプ電極４０を有する半導体装置９０を、プローブ１０を用いて検査する工程を備えている。
図４および図５は、第１の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブ１０の動作を説明する斜視図および上面図である。図６は、第１の実施形態に係るプローブ検査時における、バンプ電極４０の状態を説明する上面図である。
【００１７】
バンプ電極４０を有する半導体装置９０のプローブ検査は、以下のように行われる。
まず、プローブカード１００をバンプ電極４０へ近づけ、プローブカード１００が有するプローブ１０をバンプ電極４０へ接触させる。プローブカード１００は、図４（ａ）および図５（ａ）に示すように、ワイプ部２０がバンプ電極４０へ接触するように設計される。プローブ１０は、ワイプ部２０が有する溝２２の両縁によって、バンプ電極４０の表面のうち頂点以外の部分と接触する。これにより、図６（ａ）に示すように、バンプ電極４０の表面にプローブ痕４２が生じる。
【００１８】
次いで、プローブカード１００をバンプ電極４０へさらに近づけ、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てる。プローブ１０は、先端がバンプ電極４０に対して傾斜するように設けられている。これにより、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てた場合、プローブ１０は、バンプ電極４０表面を摺動する方向に分力を受ける。このため、プローブ１０が撓み、プローブ１０の先端はプローブ１０の長手方向へ移動する。これに伴い、図４（ｂ）および図５（ｂ）に示すように、バンプ電極４０はワイプ部２０の溝２２に接触しながら溝２２に案内されて移動する。これにより、図６（ｂ）に示すように、バンプ電極４０表面がワイピングされ、バンプ電極４０のプローブ痕４２は大きくなる。
なお、図３に示すように、バンプ電極４０の頂点は溝２２と接触しない。このため、ワイピング動作時において、バンプ電極４０の頂点にダメージを与えることを抑制できる。
【００１９】
バンプ接触部３０は、平面視でワイプ部２０よりも、プローブ１０のプローブ保持部６０に保持される端部側に位置している。このため、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てることにより、図４（ｃ）および図５（ｃ）に示すように、バンプ電極４０は、溝２２に案内されて移動した後、バンプ接触部３０に位置し、かつバンプ接触部３０により保持されることとなる。これにより、プローブ１０によってバンプ電極４０の表面をワイピングした後、バンプ電極４０からプローブ１０が脱落してしまうことを抑制することができる。
バンプ接触部３０は、略球状を有するバンプ電極４０の曲率に応じた半球状の形状を有する凹部を有している。このため、図６（ｃ）に示すように、バンプ電極４０と接触する際に、バンプ電極４０に大きなダメージを与えることを抑制することができる。
【００２０】
次いで、バンプ電極４０をバンプ接触部３０により保持したまま、バンプ電極４０の電気的特性についての測定を行う。このとき、バンプ電極４０の表面には、ワイピングによりプローブ痕４２が形成されている。このため、プローブ１０とバンプ電極４０との電気的接触を良好なものとすることができる。
【００２１】
次に、本実施形態の作用および効果を説明する。
本実施形態に係る半導体装置９０の検査方法によれば、バンプ電極４０を有する半導体装置９０を、プローブ１０を用いて検査する工程を備える。そして、当該プローブ１０を用いて検査する工程において、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てることにより、バンプ電極４０は、プローブ１０に設けられた溝２２に接触しながら溝２２に案内されて移動した後、バンプ接触部３０に位置する。
バンプ電極４０が溝２２に接触しながら溝２２に案内されて移動することで、バンプ電極４０の表面をワイピングすることができる。このため、バンプ電極４０とプローブ１０との電気的接触を良好なものとすることができる。また、バンプ電極４０は、溝２２に案内されて移動した後、バンプ接触部３０に位置する。このため、バンプ電極４０をワイピングする際に、プローブ１０の先端がバンプ電極４０から脱落してしまうことを抑制することができる。
従って、バンプ電極やウェハへのダメージを抑制しつつ、プローブとバンプ電極の電気的接触を良好なものとすることができる。
【００２２】
図８は、第２の実施形態に係るプローブ１２を示す斜視図であり、第１の実施形態における図１に対応している。図９は、第２の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置９０とプローブ１２を示す上面図である。
第２の実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、プローブ１２の構成を除いて、第１の実施形態と同様である。
【００２３】
図８に示すように、プローブ１２は、貼り合せ材５２により貼り合わせられた、２枚の金属板５０により構成される。金属板５０は、バンプ電極４０が設けられたウェハ面に対して垂直となるように設けられる。プローブ検査時においては、２枚の金属板５０の先端をバンプ電極４０に接触させる。
第１の実施形態と同様、プローブ１２は、プローブ保持部６０に保持されている。また、プローブ１２は、プローブカード１００による半導体装置９０のプローブ検査時において、少なくとも先端がバンプ電極４０に対して傾斜するように設けられている。
【００２４】
金属板５０は、先端の上部側がプローブ１２の延伸方向へ延伸してなる、延伸部５４を有する。ここで、金属板５０の先端のうち、プローブ保持部６０側に位置する部分を上部側、当該プローブ保持部６０側とは反対側に位置する部分を下部側とする。
なお、図８に示すように、延伸部５４の先端は面取りされていてもよい。これにより、プローブ１０をバンプ電極４０へ接触させる際に、バンプ電極４０へダメージを与えることを抑制することができる。
【００２５】
プローブ１２のワイプ部２０は、延伸部５４により構成される。
プローブ１２のバンプ接触部３０は、延伸部５４と、金属板５０先端の下部側と、により構成される凹部を有する。当該凹部は、略球状の形状を有するバンプ電極４０の曲率に応じた、半円状とすることができる。これにより、バンプ電極４０と接触する際に、バンプ電極４０にダメージを与えることを抑制することができる。
【００２６】
また、図８および図９に示すように、ワイプ部２０およびバンプ接触部３０を構成する部分において、２枚の金属板５０の間には、貼り合せ材５２が設けられていない。このため、ワイプ部２０は、２枚の金属板５０間の空間からなる溝２２を有することとなる。また、バンプ接触部３０がバンプ電極４０と接触し、かつバンプ電極４０を保持した際に、貼り合せ材５２との接触によりバンプ電極４０へダメージを与えることを抑制できる。
２枚の金属板５０の間隔は、例えばバンプ電極４０の形状等に応じて設計することができる。すなわち、プローブ検査時において、ワイプ部２０が有する溝２２の両縁が、バンプ電極４０の表面と接触するように設計することができる。
【００２７】
図１０は、第２の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブ１２の動作を説明する側面図である。本実施形態に係るプローブ検査は、第１の実施形態と同様に行うことができる。
すなわち、まず、図１０（ａ）に示すように、プローブ１０をバンプ電極４０へ接触させる。このとき、ワイプ部２０がバンプ電極４０と接触するようにプローブカード１００を設計することができる。
次いで、プローブカード１００をバンプ電極４０へさらに近づけ、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てる。これにより、図１０（ｂ）に示すように、バンプ電極４０は、ワイプ部２０の溝２２に接触しながら、溝２２に案内されて移動する。
その後、図１０（ｃ）に示すように、バンプ電極４０は、バンプ接触部３０に位置し、かつバンプ接触部３０によって保持される。そして、バンプ電極４０がバンプ接触部３０に保持された状態で、バンプ電極４０の電気的特性について測定を行う。
【００２８】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態によれば、プローブ１２は、２枚の金属板５０と、これらを貼り合わせる貼り合せ材５２から構成される。このような構成を有する場合、第１の実施形態と比較して、プローブを加工する方法が多い。このため、プローブの製造が容易となる。
【００２９】
図１１は、第３の実施形態に係るプローブ１４を示す斜視図であって、第１の実施形態に係る図１に対応している。図１２は、第３の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置９０およびプローブ１４を示す上面図である。
第３の実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、プローブ１４の構成を除いて、第１の実施形態と同様である。
【００３０】
プローブ１４は、針状の形状を有している。また、プローブ１４は、プローブ保持部６０に保持されている。さらに、プローブ１４は、プローブカード１００による半導体装置９０のプローブ検査時において、少なくとも先端がバンプ電極４０に対して傾斜するように設けられている。
図１１に示すように、プローブ１４は、先端の上部側がプローブ１４の延伸方向に延伸してなる、延伸部５６を有する。ここで、プローブ１４の先端のうち、プローブ保持部６０側に位置する部分を上部側、当該プローブ保持部６０側とは反対側に位置する部分を下部側とする。
【００３１】
プローブ１４のワイプ部２０は、延伸部５６により構成される。
プローブ１４のバンプ接触部３０は、延伸部５６と、プローブ１４先端の下部側と、により構成される凹部によって構成される。当該凹部は、略球状の形状を有するバンプ電極４０の曲率に応じた、半球状とすることができる。これにより、バンプ電極４０を保持する際に、バンプ電極４０にダメージを与えることを抑制することができる。
図１１および図１２に示すように、延伸部５６は、中心に溝２２が設けられた二股状の形状を有する。延伸部５６は、プローブ検査時において、バンプ電極４０に対し溝２２の両縁が接触するように形成される。溝２２の幅は、例えばバンプ電極４０の形状等に応じて設計することができる。
なお、プローブ１４は、例えば次のように形成される。まず、円柱状の金属を、円柱の軸に平行な面で切断する。次いで、円柱の先端面に、円柱の軸に平行な切り欠きを形成する。この切り欠きにより溝２２が構成される。次いで、円柱の先端面の一部を削り、延伸部５６およびバンプ接触部３０を形成する。このとき、溝２２とバンプ接触部３０が一体となるように設けられる。
【００３２】
図１３は、第３の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブ１４の動作を説明する上面図である。本実施形態に係るプローブ検査は、第１の実施形態と同様に行うことができる。
すなわち、まず、図１３（ａ）に示すように、プローブ１４をバンプ電極４０へ接触させる。このとき、ワイプ部２０がバンプ電極４０と接触するようにプローブカード１００を設計することができる。
次いで、プローブカード１００をバンプ電極４０へさらに近づけ、プローブ１４をバンプ電極４０へ押し当てる。これにより、図１３（ｂ）に示すように、バンプ電極４０は、ワイプ部２０の溝２２に接触しながら、溝２２に案内されて移動する。
その後、図１３（ｃ）に示すように、バンプ電極４０は、バンプ接触部３０と接触し、かつバンプ接触部３０によって保持される。そして、バンプ電極４０がバンプ接触部３０に保持された状態で、バンプ電極４０の電気的特性について測定を行う。
【００３３】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３４】
図１４は、第４の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置９０およびプローブ１６を示す上面図であって、第３の実施形態に係る図１２に対応している。
図１４に示すように、本実施形態に係るプローブ１６において、溝２２は、バンプ接触部３０から離間するにつれて幅が広くなる。この点を除いて、本実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、第３の実施形態と同様である。
【００３５】
図１５は、第４の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブ１６の動作を示す上面図である。本実施形態に係るプローブ検査は、第３の実施形態と同様に行うことができる。
すなわち、まず、図１５（ａ）に示すように、プローブ１６をバンプ電極４０へ接触させる。このとき、ワイプ部２０がバンプ電極４０と接触するようにプローブカード１００を設計することができる。
ワイプ部２０が有する溝２２は、バンプ接触部３０から離間するにつれて幅が広くなる。すなわち、溝２２は、プローブ１６の先端において広い幅を有するように形成されている。このため、バンプ電極４０に対してプローブ１６が接触できる面積は、大きくなる。これにより、プローブ１６の位置ずれ等によるプロービング不良の発生を抑制することができる。
次いで、プローブカード１００をバンプ電極４０へさらに近づけ、プローブ１６をバンプ電極４０へ押し当てる。これにより、図１５（ｂ）に示すように、バンプ電極４０は、ワイプ部２０の溝２２に接触しながら、溝２２に案内されて移動する。
その後、図１５（ｃ）に示すように、バンプ電極４０は、バンプ接触部３０と接触し、かつバンプ接触部３０によって保持される。そして、バンプ電極４０がバンプ接触部３０に保持された状態で、バンプ電極４０の電気的特性について測定を行う。
【００３６】
本実施形態においても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３７】
図１６は、第５の実施形態に係るプローブ１８を示す斜視図であって、第３の実施形態における図１１に対応している。図１７は、第５の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置９０およびプローブ１８を示す上面図である。
図１６及び図１７に示すように、本実施形態に係るプローブ１８は、バンプ接触部３０に粗面３２が設けられている。この点を除いて、本実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、第３の実施形態と同様である。
【００３８】
粗面３２は、バンプ接触部３０を構成する凹部の表面であって、プローブ検査時においてバンプ電極４０と接触する部分の少なくとも一部に設けられる。図１６および図１７に示すように、本実施形態において、粗面３２は、例えばバンプ接触部３０を構成するプローブ１８先端の下部側に設けられている。
【００３９】
本実施形態においても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態によれば、バンプ接触部３０が粗面３２を有することにより、粗面３２とバンプ電極４０との摩擦が大きくし、プローブ１８がバンプ電極４０から脱落することを抑制できる。
【００４０】
図１８は、第６の実施形態に係るプローブ１９を示す斜視図であって、第３の実施形態における図１１に対応している。図１９は、第６の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置９０およびプローブ１９を示す上面図である。
図１８および図１９に示すように、本実施形態に係るプローブ１９は、バンプ接触部３０に突起３４が設けられている。この点を除いて、本実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、第３の実施形態と同様である。
【００４１】
突起３４は、バンプ接触部３０を構成する凹部内に設けられている。図１８および図１９に示すように、本実施形態において、突起３４は、例えばバンプ接触部３０を構成するプローブ１９先端の下部側に設けられている。
突起３４は、先端が尖った針状の形状を有している。このため、バンプ接触部３０がバンプ電極４０と接触し、かつバンプ電極４０を保持する際に、突起３４がバンプ電極４０内へ入り込むこととなる。
【００４２】
本実施形態においても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態によれば、バンプ接触部３０が突起３４を有する。このため、バンプ電極４０と接触する際に、突起３４がバンプ電極４０内へ入り込み、プローブ１９がバンプ電極４０から脱落することを抑制できる。
【００４３】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００４４】
１０、１２、１４、１６、１８、１９  プローブ
２０  ワイプ部
２２  溝
３０  バンプ接触部
３２  粗面
３４  突起
４０  バンプ電極
４２  プローブ痕
５０  金属板
５２  貼り合せ材
５４  延伸部
５６  延伸部
６０  プローブ保持部
９０  半導体装置
１００  プローブカード
【図１】
2013140108.tif 000003
【図２】
2013140108.tif 000004
【図３】
2013140108.tif 000005
【図４】
2013140108.tif 000006
【図５】
2013140108.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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