(57)【要約】【課題】膜厚の制御性を向上させることができる成膜装置及び成膜方法を提供する。【解決手段】成膜装置は、チャンバーと、前記チャンバーの内部に設けられ、被処理基板を搭載可能なプラッターと、前記チャンバーに設けられ、前記被処理基板上に吸着抑制層形成ガスを供給する第１ガス導入部と、前記チャンバーに設けられ、前記被処理基板上に形成する膜の材料となる原子を含む原料ガスを供給する第２ガス導入部と、前記チャンバーの内部を排気する排気機構と、を備える。前記第１ガス導入部から前記チャンバー内に導入される前記吸着抑制層形成ガスの導入方向と、前記第２ガス導入部から前記チャンバー内に導入される前記原料ガスの導入方向と、が異なる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、
前記チャンバーの内部に設けられ、被処理基板を搭載可能なプラッターと、
前記チャンバーに設けられ、前記被処理基板上に吸着抑制層形成ガスを供給する第１ガス導入部と、
前記チャンバーに設けられ、前記被処理基板上に形成する膜の材料となる原子を含む原料ガスを供給する第２ガス導入部と、
前記チャンバーの内部を排気する排気機構と、
を備え、
前記第１ガス導入部から前記チャンバー内に導入される前記吸着抑制層形成ガスの導入方向と、前記第２ガス導入部から前記チャンバー内に導入される前記原料ガスの導入方向と、が異なり、
前記プラッターに載置された前記被処理基板の上に、前記第１ガス導入部から導入された前記吸着抑制層形成ガスにより吸着抑制層が形成され、
前記第２ガス導入部から導入された前記原料ガス及び前記原子の少なくともいずれかは、前記吸着抑制層を介して前記被処理基板に到達する成膜装置。
【請求項２】
チャンバーと、
前記チャンバーの内部に設けられ、被処理基板を搭載可能なプラッターと、
前記チャンバーに設けられ、前記被処理基板上に吸着抑制層形成ガスを供給する第１ガス導入部と、
前記チャンバーに設けられ、前記被処理基板上に形成する膜の材料となる原子を含む原料ガスを供給する第２ガス導入部と、
前記チャンバーの内部を排気する排気機構と、
を備え、
前記第１ガス導入部から前記チャンバー内に導入される前記吸着抑制層形成ガスの導入方向と、前記第２ガス導入部から前記チャンバー内に導入される前記原料ガスの導入方向と、が異なる成膜装置。
【請求項３】
前記吸着抑制層形成ガスは、前記第１ガス導入部から前記被処理基板の表面に対して平行な方向に導入される請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記原料ガスは、前記第２ガス導入部から前記被処理基板の表面に対して垂直な方向に導入される請求項２または３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記プラッターは、前記上面に垂直な方向を軸として回転可能とされた請求項２〜４のいずれか１つに記載の成膜装置。
【請求項６】
前記第１ガス導入部から導入された前記吸着抑制層形成ガスにより前記プラッターに載置された前記被処理基板の上に吸着抑制層が形成され、
前記第２ガス導入部から導入された前記原料ガス及び前記原子の少なくともいずれかは、前記吸着抑制層を介して前記被処理基板に到達し、
前記吸着抑制層を介して前記被処理基板の表面に吸着した前記原料ガスが１原子層に至る前に、前記原料ガスの前記チャンバー内への導入を停止する制御部をさらに備えた請求項１〜５のいずれか１つに記載の成膜装置。
【請求項７】
基板上に第１方向から吸着抑制層形成ガスを供給し、前記基板上に吸着抑制層を形成する工程と、
前記吸着抑制層上に前記第１方向と異なる第２方向から膜の材料となる原子を含む原料ガスを供給し、前記吸着抑制層を介して前記基板上に前記原料ガス及び前記原子の少なくともいずれかを吸着させる工程と、
を備え、
前記吸着抑制層を形成する工程において、前記吸着抑制層形成ガスの材料、供給量及び流速からなる群より選択された少なくとも１つを調整することにより、前記吸着抑制層の厚さを制御する成膜方法。
【請求項８】
前記吸着抑制層形成ガスは、水素を含む請求項７記載の成膜方法。
【請求項９】
前記吸着させる工程において、前記原料ガス及び前記原子の前記少なくともいずれかを１原子層未満の膜厚で吸着させる請求項７または８に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、成膜装置及び成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子の微細化・高集積化に伴って、成膜技術においては、１原子層以下の極微量な膜を堆積する技術が必要となっている。ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）法においては、自己停止機構(Self Limiting Mechanism)が働き、１原子層以上の制御は容易だが、１原子層未満(低ドーズ)に制御して成膜することは困難である。ＬＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition：低圧化学気相成長）法及びＰＥＣＶＤ(Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition：プラズマ化学気相堆積）法のような自己停止機構が働かない方法においても、一原子層未満(低ドーズ)に制御して成膜することは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１８４７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、膜厚の制御性を向上させることができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る成膜装置は、チャンバーと、前記チャンバーの内部に設けられ、被処理基板を搭載可能なプラッターと、前記チャンバーに設けられ、前記被処理基板上に吸着抑制層形成ガスを供給する第１ガス導入部と、前記チャンバーに設けられ、前記被処理基板上に形成する膜の材料となる原子を含む原料ガスを供給する第２ガス導入部と、前記チャンバーの内部を排気する排気機構と、を備える。前記第１ガス導入部から前記チャンバー内に導入される前記吸着抑制層形成ガスの導入方向と、前記第２ガス導入部から前記チャンバー内に導入される前記原料ガスの導入方向と、が異なる。
【０００６】
また、実施形態に係る成膜方法は、基板上に第１方向から吸着抑制層形成ガスを供給し、前記基板上に吸着抑制層を形成する工程と、前記吸着抑制層上に前記第１方向と異なる第２方向から膜の材料となる原子を含む原料ガスを供給し、前記吸着抑制層を介して前記基板上に前記原料ガス及び前記原子の少なくともいずれかを吸着させる工程と、を備える。前記吸着抑制層を形成する工程において、前記吸着抑制層形成ガスの材料、供給量及び流速からなる群より選択された少なくとも１つを調整することにより、前記吸着抑制層の厚さを制御する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る成膜装置を例示する概念図である。
【図２】実施形態に係る成膜装置において、ガスを供給するタイミングを例示するタイミング図である。
【図３】（ａ）は、実施形態に係る成膜装置において、ガスが供給される方向を例示する模式断面図であり、（ｂ）は、実施形態に係る成膜装置を用いた成膜方法において、吸着抑制層を例示する模式断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、実施形態に係る成膜装置を用いた成膜方法において、被処理基板上に吸着された原子を例示する模式断面図である。
【図５】実施形態に係る成膜装置を用いた成膜方法において、吸着抑制層の厚さと吸着された原子層の厚さの関係を例示するグラフ図であり、横軸は吸着抑制層の厚さを示し、縦軸は１サイクルにおける吸着された原子層の厚さを示す。
【図６】（ａ）〜（ｆ）は、実施形態の変形例に係る成膜装置を例示する模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
（実施形態）
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図１は、実施形態に係る成膜装置を例示する概念図である。
本実施形態に係る成膜装置１は、チャンバー１１を備えている。チャンバー１１の下部１１ａには、排気部となる排気口１２が設けられ、排気管１４を介して、排気ポンプなどの排気機構１３によりチャンバー１１の中を排気することができる。
【０００９】
チャンバー１１の内部には、プラッター１５が設けられている。プラッター１５の形状は例えば板状であり、上面１５ａが水平になるように配置されている。プラッター１５の上面１５ａ上には、被処理基板１６を搭載することができる。被処理基板１６の温度は、例えば図示しないパイロメータなどによりモニターできる。
プラッター１５には、回転機構１５ｂが設けられている。これにより、被処理基板１６を搭載したプラッター１５を、上面１５ａに対して垂直な方向を軸として回転させることができる。
【００１０】
なお、プラッター１５は、必ずしも鉛直上向きに設ける必要はない。例えば、プラッター１５がチャンバー１１の中で下向きに配置され、被処理基板１６の処理面が下向きになるように被処理基板１６を搭載してもよい。また、処理基板１６の処理面が水平横向き、あるいは斜め下方や斜め上方を向くようにプラッター１５を設けてもよい。
【００１１】
チャンバー１１の側部１１ｂには、ガス導入部１７が設けられている。ガス導入部１７には、吸着抑制層形成ガス１８を供給部５０からチャンバー１１の内部に供給するガスパイプ１９が接続されている。吸着抑制層形成ガス１８は、ガス導入部１７を介して、矢印で表した方向に導入される。ここで、吸着抑制層形成ガス１８は、被処理基板１６への原料の吸着を抑制するガスである。
【００１２】
チャンバー１１の上部１１ｃには、ガス導入部２０が設けられている。ガス導入部２０には、膜の材料となる原子を含む原料ガス２１を供給部６０からチャンバー１１の内部に供給するガスパイプ２２が接続されている。原料ガス２１は、ガス導入部２０を介して、矢印で表した方向に導入される。
【００１３】
吸着抑制層形成ガス１８の供給部５０と、原料ガス２１の供給部６０と、は制御部８０により制御される。つまり、制御部８０は、吸着抑制層形成ガス１８や原料ガス２１の流量や導入タイミングなどを制御する。なお、制御部８０は、排気機構１３を制御するようにしてもよい。
【００１４】
本実施形態の成膜装置１においては、ガス導入部１７からチャンバー１１の中へのガスの導入方向と、ガス導入部２０からチャンバー１１の中へのガスの導入方向と、が異なる。例えば、ガス導入部１７から導入される吸着抑制層形成ガス１８の導入方向と、ガス導入部２０から導入される原料ガス２１の導入方向と、は交差あるいは非平行、例えば直交するように、ガス導入部１７とガス導入部２０とが設けられている。
【００１５】
図１に表した具体例の場合、ガス導入部１７から供給される吸着抑制層形成ガス１８の導入方向は、被処理基板１６の上面に対して略平行である。また、ガス導入部２０から供給される原料ガス２１の導入方向は、被処理基板１６の上面に対して、略垂直である。
このように、ガス導入部１７からの吸着抑制層形成ガス１８の導入方向と、ガス導入部２０からの原料ガス２１の導入方向と、が異なるように、ガス導入部１７とガス導入部２０とを設けることにより、吸着抑制層形成ガス１８と原料ガス２１とを混合せずにチャンバー１１の内部に導入できる。そして、被処理基板１６の被処理面の表面上に、吸着抑制層形成ガス１８による吸着抑制層を形成することができる。吸着抑制層を形成することにより、原料ガス２１の吸着を抑制し、１原子層以下の極薄な薄膜の形成が可能となる。
【００１６】
次に、本実施形態に係る成膜装置１を用いた成膜方法について説明する。
まず、プラッター１５の上面１５ａ上に被処理基板１６を搭載する。次に、チャンバー１１の内部を排気機構１３により排気する。必要があれば、回転機構１５ｂにより、プラッター１５を、上面１５ａに対して垂直な方向を軸として回転させる。
【００１７】
図２は、実施形態に係る成膜装置において、ガスを供給するタイミングを例示するタイミング図である。
図２に表したように、まず、吸着抑制層形成ガス１８として、例えば水素を、ガス導入部１７を介してチャンバー１１の内部における被処理基板１６上に供給する。吸着抑制層形成ガス１８の供給は、制御部８０（図１）により制御される。このとき、図１に例示したように、例えば、ガス導入部１７から導入されるガスの導入方向と被処理基板１６の表面に対して略水平方向とすることができる。
【００１８】
図３（ａ）は、実施形態に係る成膜装置において、ガスが供給される方向を例示する模式図であり、（ｂ）は、実施形態に係る成膜装置を用いた成膜方法において、吸着抑制層を表す模式図である。
図３（ａ）及び（ｂ）に表したように、吸着抑制層形成ガス１８を被処理基板１６上に供給することにより、吸着抑制層形成ガス１８は被処理基板１６上を流れる。そして、被処理基板１６上を流れた吸着抑制層形成ガス１８は、排気口１２を介してチャンバー１１の外部へ排気される。このような一連の吸着抑制層形成ガス１８の流れにより、被処理基板１６上に、吸着抑制層形成ガス１８の層流が形成される。このようにして、被処理基板１６上に、吸着抑制層２３が形成される。
【００１９】
吸着抑制層２３は、吸着抑制層形成ガス１８の供給により、被処理基板１６上に形成された吸着抑制層形成ガス１８の流れる層であり、膜の材料となる原子を含む原料ガス２１の被処理基板１６上への到達を抑制するとともに、被処理基板１６上への原料ガス２１の吸着及び分解を抑制する。吸着抑制層２３の層の厚さは、例えば、数ナノメートル（ｎｍ）あるいは数１０ナノメートルレベルとすることができる。吸着抑制層形成ガス１８は、成膜の間、供給を続ける。
【００２０】
次に、吸着抑制層２３上に、膜の材料となる第１の原子を含む原料ガス２１として、例えば、トリメチルアルミニウム（（ＣＨ３）３Ａｌ：以下「ＴＭＡＩ２１ａ」という。）を、ガス導入部２０を介して吸着抑制層２３上に供給する。原料ガス２１の供給は、制御部８０（図１）により制御される。ＴＭＡｌ２１ａは、被処理基板１６の表面に対して略垂直方向から供給される。供給されたＴＭＡｌ２１ａの一部は、吸着抑制層２３のなかを拡散し、被処理基板１６の上で熱分解し、ＴＭＡｌ２１ａに含まれるアルミニウム原子２１ｂが被処理基板１６の表面に吸着する。所定の時間が経過した後で、ＴＭＡＩ２１ａの供給を停止する。
【００２１】
次に、被処理基板１６上にパージガス２４、例えば、水素を供給する。パージガス２４をチャンバー１１の内部に供給することにより、チャンバー１１の内部のガスをパージガス２４に置換する。所定の時間、パージガス２４を供給した後で、パージガス２４の供給を停止する。
【００２２】
次に、膜の原料となる第２の原子を含むガス２５、例えば、オゾン２５ａ（Ｏ３）を含むガス２５をチャンバー１１の内部における吸着抑制層２３上に供給する。ガス２５は、例えば、ガス導入部２０を介して、被処理基板１６上に供給する。吸着抑制層２３を介して、被処理基板１６上に、ガス２５に含まれる酸素原子２５ｂ（図４（ａ）参照）を吸着させる。所定の時間が経過した後で、ガス２５の供給を停止する。
【００２３】
アルミニウム原子２１ｂ及び酸素原子２５ｂ（図４（ａ）参照）が被処理基板１６の上面を１原子層の厚さで覆う前に、ガス２１及びガス２５の供給を停止する。そして、１サイクル２６で終了する。これにより、１原子層未満または１分子層未満の極微量元素の膜を形成することができる。１原子層未満または１分子層未満の膜は、被処理基板１６上に吸着された原子によって、１原子層または１分子層を形成するまでには至らない膜である。そして、膜厚が１原子層または１分子層以下であって、被処理基板１６上において、その膜を構成する原子または分子の間に、同じ原子または分子が吸着される領域が残っているものである。
【００２４】
本実施形態によれば、吸着抑制層２３を形成することにより、原料となる原子あるいは分子の被処理基板１６への吸着を抑制できる。その結果として、１原子層未満の超微量な元素の吸着を制御できる。吸着抑制層２３は層流であるから、厚さの均一性に優れている。これにより、被処理基板１６の上面における原子または分子の面内分布の均一性は向上する。
【００２５】
アルミニウム原子２１ｂ及び酸素原子２５ｂ（図４（ａ）参照）が被処理基板１６の上面を１原子層の厚さで覆い、サイクル数を増加させて１原子層以上または１分子層以上の膜を形成する場合は、いわゆるＡＬＤ法に相当する。
【００２６】
図４（ａ）〜（ｃ）は、実施形態に係る成膜装置を用いた成膜方法において、被処理基板上に吸着された原子を例示する模式図である。  
図４（ａ）に表したように、吸着抑制層２３を形成しない場合における被処理基板１６上には、ＴＭＡｌ２１ａに含まれるアルミニウム原子２１ｂが吸着し、アルミニウム原子２１ｂの膜が、１原子層形成される。その後、アルミニウム原子２１ｂの１原子層上に、酸素原子２５ｂの膜が、１原子層形成される。すなわち、吸着抑制層２３が形成されていないので、アルミニウム原子２１ｂ及び酸素原子２５ｂは、被処理基板１６への吸着分解や境界層での熱分解は妨げられることがない。よって、Ａｌ２Ｏ３膜が被処理基板１６上に形成される。この場合には、Ａｌ２Ｏ３の膜を１原子層以下に制御することは困難である。
【００２７】
これに対して、図４（ｂ）及び（ｃ）に表したように、ＴＭＡＩ２１ａにおけるアルミニウム原子２１ｂの被処理基板１６への到達を、吸着抑制層２３の厚さにより制御する。
【００２８】
図４（ｂ）に表したように、吸着抑制層２３が薄い場合には、前述の図４（ａ）に示したように、Ａｌ２Ｏ３膜にやや近い状態となる。  
図４（ｃ）に表したように、吸着抑制層２３が厚い場合には、ＴＭＡＬ２１ａは、被処理基板１６への到達が妨げられる。アルミニウム原子２１ｂの吸着に要する時間が長くなる。よって、アルミニウム原子２１ｂの被処理基板１６上への吸着の制御が容易になる。吸着抑制層２３を厚くすることにより、アルミニウム原子２１ｂを全く吸着させないことも可能である。
【００２９】
図５は、実施形態に係る成膜装置を用いた成膜方法において、吸着抑制層の厚さと、吸着された原子層の厚さと、の関係を例示するグラフ図である。図５の横軸は吸着抑制層の厚さを示し、縦軸は１サイクルにおける吸着された原子層の厚さを示す。  
図５に表したように、吸着抑制層２３を厚くするほど、ガス２１に含まれる原子の被処理基板１６上への吸着を抑制できる。これにより、極微量のガス２１を吸着分解させることができる。よって、被処理基板１６上に形成される膜を、１原子層以下または１分子層以下、好ましくは、１原子層未満または１分子層未満に制御することができる。
【００３０】
吸着抑制層形成ガス２１は、水素の他に、例えば、水素（Ｈ２）、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）及びアルゴン（Ａｒ）からなる群より選択された少なくとも１つのガスを含む。吸着抑制層形成ガス１８の材料を代えることにより、吸着抑制層２３の厚さを制御することができる。
例えば、水素を用いれば、水素は流速が速いため、吸着抑制層２３を薄くすることができる。これにより、ガス２１に含まれる原子の吸着量を大きくすることができる。ヘリウムを用いれば、ヘリウムは水素に比べ流速が小さいので、吸着抑制層２３を厚くすることができる。これにより、ガス２１に含まれる原子の吸着量を小さくすることができる。
【００３１】
また、吸着抑制層形成ガス１８の供給量を大きくすれば、吸着抑制層２３を厚くすることができる。逆に、吸着抑制層形成ガス１８の供給量を小さくすれば、吸着抑制層２３を薄くすることができる。
さらに、吸着抑制層形成ガス１８の流速を速くすれば、吸着抑制層２３を薄くすることができる。逆に、同じ種類の吸着抑制層形成ガス１８の場合でも、流速を遅くすれば、吸着抑制層２３を厚くすることができる。
【００３２】
このようにして、吸着抑制層形成ガス１８の材料、供給量及び流速からなる群より選択された少なくとも１つを調整することにより、吸着抑制層２３の厚さを制御する。これにより、被処理基板１６上に形成する膜の膜厚を１原子以下または１分子以下、好ましくは１原子未満または１分子未満に制御する。
【００３３】
また、図３（ａ）に表したように、例えば、ガス導入部１７とプラッター１５との間に、スリット２７を設けたり、遮蔽板２８を設けることにより、吸着抑制層２３の厚さを制御することもできる。
【００３４】
次に、本実施形態の効果について説明する。
吸着抑制層２３によって、ガス２１及びガス２５に含まれる原子の到達を制御することが容易になるので、膜厚の制御性を向上させることができる。また、吸着抑制層２３の厚さを均一に形成することにより、被処理基板１６上に吸着された原子の面内分布の均一性を向上させることができる。
【００３５】
１原子層未満に形成した膜を、例えば、不揮発性記憶装置におけるＩＰＤ（inter-poly-dielectric）膜に適用することにより、不揮発性記憶装置におけるリーク電流を低減できる。
吸着抑制層２３を形成することで、被処理基板１６上のガスの供給量のバラつきや温度による被処理基板１６上の堆積量の面内不均一性、いわゆるローディング効果を改善できる。
【００３６】
なお、本実施形態に係る成膜方法は、ＬＰＣＶＤ法を代表とする様々な堆積法やＭＯＶＰＥ（Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy：有機金属気相成長法）法を代表とするエピタキシャル法にも適用することができる。吸着抑制層２３を形成していれば、本効果は膜の材料となる原子を含むガスの種類を問わない。
【００３７】
半導体で用いられるシリコン（Ｓｉ）を含むガス、例えば、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）及びジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）を含む水素化物、塩化物、トリスジメチルアミノシラン（trisdimethylaminosilane：ＴＤＭＡＳ)を含む有機金属においても適用できる。気相だけでなく液相にも適用できる。例として、被処理基板に不活性な溶液を供給しておき、原料液を供給する方法である。
被処理基板１６は、半導体、金属、半金属及び絶縁体からなる群より選択された少なくとも１つの材料を含む。
【００３８】
（変形例）
次に、実施形態の変形例に係る成膜装置について説明する。
図６（ａ）〜（ｇ）は、実施形態の変形例に係る成膜装置を例示する図である。
図６（ａ）に表したように、ガス導入部１７をチャンバー１１の上部１１ｃに配置し、ガス導入部２０をチャンバー１１の側部１１ｂに配置してもよい。
図６（ｂ）に表したように、ガス導入部２０からチャンバー１１の内部にガス２１を供給する方向を、プラッター１５の上面に垂直な方向から所定の角度で傾けてもよい。
【００３９】
図６（ｃ）に表したように、チャンバー１１の上部１１ｃに２つのガス導入部２０を配置し、それぞれのガス導入部２０からチャンバー１１の内部に供給する方向を、プラッター１５の上面に垂直な方向から所定の角度で傾けてもよい。
図６（ｄ）に表したように、ガス導入部１７をチャンバー１１の上部１１ｃに配置し、ガス導入部２０をチャンバー１１の側部１１ｂに配置し、排気口１２をガス導入部２０に対して反対側の側部１１ｂに配置してもよい。
図６（ｅ）に表したように、ガス導入部２０からチャンバー１１の内部にガス２１を供給する方向を、プラッター１５の上面に垂直な方向から所定の角度で傾け、排気口１２をガス導入部１７に対して反対側の側部１１ｂに配置してもよい。
【００４０】
図６（ｆ）に表したように、チャンバー１１の上部１１ｃに２つのガス導入部２０を配置し、それぞれのガス導入部２０からチャンバー１１の内部に供給する方向を、プラッター１５の上面に垂直な方向から所定の角度で傾け、排気口１２をガス導入部１７に対して反対側の側部１１ｂに配置してもよい。  
図６（ｇ）に表したように、排気口１２をガス導入部１７に対して反対側の側部１１ｂに配置してもよい。
【００４１】
本変形例においても、ガス導入部１７から導入されるガスの導入方向と、ガス導入部２０から導入されるガスの導入方向と、が、異なる。
【００４２】
以上説明した実施形態によれば、膜厚の制御性を向上させることができる成膜装置及び成膜方法を提供することができる。
【００４３】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００４４】
１：成膜装置、１１：チャンバー、１１ａ：下部、１１ｂ：側部、１１ｃ：上部、１２：排気口、１３：排気ポンプ、１４：排気管、１５：プラッター、１５ａ：上面、１６：被処理基板、１７：ガス導入部、１８：吸着抑制層形成ガス、１９：ガスパイプ、２０：ガス導入部、２１、２５：ガス、２１ａ：ＴＭＡＩ、２１ｂ：アルミニウム原子、２２：ガスパイプ、２３：吸着抑制層、２４：パージガス、２５ａ：オゾン、２５ｂ：酸素原子、２６：１サイクル、２７：スリット、２８：遮蔽板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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