(57)【要約】【課題】シールドケースを配線基板上の所定の位置に精度よく位置決めすることができる複合モジュールを提供するともに、この複合モジュールを製造する製造方法を提供する。【解決手段】配線基板２上に実装部品３ａ，３ｂが実装されて成る複合モジュール１において、ケース本体４ａと該ケース本体４ａの端部の少なくとも一部に形成された側面板４ｂとから成り、配線基板２上に実装されるシールドケース４と、シールドケース４の側面板４ｂの配線基板２側の端部に形成された接続部４ｃと、配線基板２上に形成され接続部４ｃが接続されるランド電極６とを備え、ランド電極６には、接続部４ｃが接続される位置にスリット溝８が形成され、接続部４ｃは、スリット溝８に挿入された状態で半田によりランド電極６に接続される。【選択図】図１
2013197565.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に実装部品が実装されて成る複合モジュールにおいて、
ケース本体と該ケース本体の端部の少なくとも一部に形成された側面板とから成り、前記配線基板上に実装されるシールドケースと、
前記シールドケースの前記側面板の前記配線基板側の端部に形成された接続部と、
前記配線基板上に形成され前記接続部が接続されるランド電極とを備え、
前記ランド電極には、前記接続部が接続される位置にスリット溝が形成され、
前記接続部は、前記スリット溝に挿入された状態で半田により前記ランド電極に接続される
ことを特徴とする複合モジュール。
【請求項２】
前記スリット溝が、前記接続部の全ての外周面を囲う形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の複合モジュール。
【請求項３】
前記スリット溝の幅は、前記接続部の幅よりも広いことを特徴とする請求項１または２に記載の複合モジュール。
【請求項４】
前記スリット溝の底面は、前記配線基板の材料が露出していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の複合モジュール。
【請求項５】
前記シールドケースは、前記ランド電極の上面と、前記スリット溝に挿入された前記接続部の外周面の少なくとも一部とが半田を介して接続されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の複合モジュール。
【請求項６】
前記ランド電極は、前記シールドケースの内側に配置される部分が外側に配置される部分よりも小さい面積になるように形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の複合モジュール。
【請求項７】
前記ケース本体は、矩形平板状の形状を有し、
前記接続部は、前記ケース本体の四隅に対応する位置に形成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の複合モジュール。
【請求項８】
前記ケース本体は、矩形平板状の形状を有し、
前記接続部は、前記ケース本体の２辺に沿った位置に形成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の複合モジュール。
【請求項９】
配線基板上に、スリット溝を有するランド電極を含む複数のランド電極を形成する電極形成工程と、
前記各ランド電極の上面に半田ペースト層を形成する半田ペースト層形成工程と、
前記スリット溝のない前記ランド電極上に実装部品を搭載する搭載工程と、
前記配線基板を加熱するリフロー工程と、
前記リフロー工程後に、前記スリット溝の周縁に固化した半田が盛られた状態の前記ランド電極にシールドケースの接続部を挿入することにより前記シールドケースを前記配線基板上に配置する配置工程と
を備えることを特徴とする複合モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールドケースを備える複合モジュールおよびこの複合モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、図１３に示すように、シールドケース２０１を備える複合モジュール２００において、そのシールドケース２０１を配線基板２０２上の所定の位置に正確に半田付けを行うことが可能な技術が提案されている（特許文献１）。この場合、シールドケース２０１と配線基板２０２とを接続させるためのランド電極２０３を配線基板２０２上に形成し、そのランド電極２０３上の、シールドケース２０１が接する部分に半田レジスト２０４が設けられる。そして、半田レジスト２０４の両側に半田を配置することにより、シールドケース２０１と配線基板２０２とが半田付けされる。
【０００３】
したがって、シールドケース２０１を半田付けする際、シールドケース２０１が配置される半田レジスト２０４上には半田が付着しないため、シールドケース２０１の位置が安定し、正確な位置に半田付けを行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−２４０５９１号（段落０００９、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の発明では、半田付けする際の半田溶融時には、半田レジスト２０４がランド電極２０３に対して突起として働くため、シールドケース２０１が不安定になり、位置ずれが生じるおそれがある。また、これを防止するために、半田レジスト２０４の幅を広げることが考えられるが、半田付けしにくい上に、シールドケース２０１の半田レジスト２０４上の移動可能領域が広がり、位置ずれが生じて半田付け時の位置精度が悪くなるという問題が生じる。
【０００６】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、シールドケースを配線基板上の所定の位置に精度よく位置決めすることができる複合モジュールを提供するともに、この複合モジュールを製造する製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するために、本発明の複合モジュールは、配線基板上に実装部品が実装されて成る複合モジュールにおいて、ケース本体と該ケース本体の端部の少なくとも一部に形成された側面板とから成り、前記配線基板上に実装されるシールドケースと、前記シールドケースの前記側面板の前記配線基板側の端部に形成された接続部と、前記配線基板上に形成され前記接続部が接続されるランド電極とを備え、前記ランド電極には、前記接続部が接続される位置にスリット溝が形成され、前記接続部は、前記スリット溝に挿入された状態で半田により前記ランド電極に接続されることを特徴としている。
【０００８】
このようにすることで、従来のように、半田付けを行う際の半田溶融時にランド電極に対して突起として働く部分がなく、半田付けを行う時にシールドケースが不安定になることがない。また、シールドケースの接続部がランド電極に形成された凹形状であるスリット溝に挿入されてシールドケースが配線基板上に配置されるため、半田付けを行う前であってもシールドケースの位置ずれが生じにくく、シールドケースを配線基板上に精度よく位置決めできる複合モジュールを提供することができる。
【０００９】
また、前記スリット溝が、前記接続部の全ての外周面を囲う形状に形成されていてもよい。このようにすることで、シールドケースの接続部がスリット溝に挿入された状態で、シールドケースの平面方向の位置ずれが生じにくく、より精度よくシールドケースの位置決めを行うことができる。
【００１０】
また、前記スリット溝の幅は、前記接続部の幅よりも広いことが好ましい。この場合、シールドケースがスリット溝内に完全に収納されるため、シールドケースの実装性を向上することができる。
【００１１】
また、前記スリット溝の底面は、前記配線基板の材料が露出していてもよい。この場合、スリット溝が深くなるため、シールドケースの位置決めをさらに容易に行うことができる。
【００１２】
また、前記シールドケースは、前記ランド電極の上面と、前記スリット溝に挿入された前記接続部の外周面の少なくとも一部とが半田を介して接続されていることが好ましい。
このようにすることで、ランド電極とシールドケースの接続部との接続面積を広くできるため、配線基板とシールドケースとの接続強度を向上することができる。
【００１３】
また、前記ランド電極は、前記シールドケースの内側に配置される部分が外側に配置される部分よりも小さい面積になるように形成されていてもよい。このようにすることで、シールドケースの内側に実装される実装部品の実装領域を広げることができる。
【００１４】
また、前記ケース本体は、矩形平板状の形状を有し、前記接続部は、前記ケース本体の四隅に対応する位置に形成されていもよい。このようにすることで、四隅に対応する位置に形成されたシールドケースの接続部がランド電極のスリット溝に挿入されてシールドケースが配線基板上に配置されるため、さらにシールドケースの位置決め精度の向上を図ることができる。
【００１５】
前記ケース本体は、矩形平板状の形状を有し、前記接続部は、前記ケース本体の２辺に沿った位置に形成されていてもよい。このようにすることで、シールドケースの接続部が接続されるランド電極を２辺だけに形成すればよくなるため、配線基板上の実装部品の実装領域が広がり、複合モジュールの高密度実装化ならびに小型化を図ることができる。
【００１６】
また、複合モジュールの製造方法は、配線基板上に、スリット溝を有するランド電極を含む複数のランド電極を形成する電極形成工程と、前記各ランド電極の上面に半田ペースト層を形成する半田ペースト層形成工程と、前記スリット溝のない前記ランド電極上に実装部品を搭載する搭載工程と、前記配線基板を加熱するリフロー工程と、前記リフロー工程後に、前記スリット溝の周縁に固化した半田が盛られた状態の前記ランド電極にシールドケースの接続部を挿入することにより前記シールドケースを前記配線基板上に配置する配置工程とを備えることを特徴としている。
【００１７】
このようにすることで、スリット溝の周縁に固化した半田が、シールドケースの接続部がスリット溝まで挿入されるまでのガイド部材として機能することになるため、シールドケースの位置決め精度の向上を図ることができる。
【００１８】
また、シールドケースの配置位置が多少ずれた場合であっても、スリット溝の周縁に固化した半田がシールドケースの接続部をスリット溝まで誘導するため、高精度を有する実装装置が必要なく、シールドケースの位置決め精度の高い複合モジュールを低コストで製造することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、前記配線基板上に形成され前記接続部が接続されるランド電極に、前記接続部が接続される位置にスリット溝が形成され、前記接続部は、前記スリット溝に挿入された状態で半田により前記ランド電極に接続されるため、シールドケースの位置決め精度の高い複合モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる複合モジュールの分解斜視図である。
【図２】図１の複合モジュールの配線基板の平面図である。
【図３】図１の複合モジュールのＡ−Ａ’断面図である。
【図４】図２の配線基板の変形例を示す図である。
【図５】図１の複合モジュールの製造方法の説明図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる複合モジュールの分解斜視図である。
【図７】図６の複合モジュールの配線基板の平面図である。
【図８】図６の複合モジュールの正面図である。
【図９】図７の配線基板の変形例を示す図である。
【図１０】本発明の第３実施形態にかかる複合モジュールのシールドケースの斜視図である。
【図１１】本発明の第３実施形態にかかる複合モジュールの配線基板の平面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態にかかる複合モジュールの部分断面図である。
【図１３】従来の複合モジュールの分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる複合モジュールについて、図１ないし図４を参照して説明する。
【００２２】
この実施形態における複合モジュール１は、表面および内部に配線パターン（図示せず）などが形成された配線基板２と、配線基板２上に実装された実装部品３ａ，３ｂと、該実装部品３ａ，３ｂに照射される外部からのノイズを遮断するシールドケース４とを備えるモジュールであり、その例として、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）モジュール、無線ＬＡＮモジュール、携帯電話のアンテナ直下に配置されるアンテナスイッチモジュールなどが挙げられる。
【００２３】
実装部品３ａは、能動面に各種回路が形成された半導体素子などからなり、例えば、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）モジュールや無線ＬＡＮモジュールにおけるＲＦ−ＩＣや増幅器用のＩＣ、アンテナスイッチモジュールにおけるスイッチＩＣ、ＳＡＷフィルタ、ＳＡＷデュプレクサなどがこれに当たる。
【００２４】
また、実装部品３ｂは、複合モジュール１のインピーダンス整合回路を構成するチップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗などであり、配線基板２上に実装される。なお、図１〜図３においては、複合モジュール１の例として、実装部品３ａと実装部品３ｂをそれぞれ一つずつ配線基板２上に実装した状態を示しているが、それぞれ、複数個の実装部品３ａ，３ｂが配線基板２上に実装される場合もある。
【００２５】
シールドケース４は、実装部品３ａ，３ｂに対して照射される外部からのノイズにより、各部品３ａ，３ｂが誤動作したり、高周波特性が劣化したりすることを防止するためのケースであり、図１に示すように、矩形平板状の形状を有するケース本体４ａと、ケース本体４ａの端部（対向する２辺）に一体形成された側面板４ｂとにより形成される。また、側面板４ｂの配線基板２側の端部には、矩形平板状のケース本体４ａの対向する２辺に沿って接続部４ｃが形成され、これによりシールドケース４は断面コ字状に形成されている。
【００２６】
配線基板２は、ガラスエポキシ樹脂基板、低温同時焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ基板）、ガラス基板などで形成され、その表面または内部に配線パターン（図示せず）や実装部品３ａ，３ｂと配線基板２とを接続するためのランド電極５、シールドケース４の接続部４ｃが接続されるランド電極６などが形成される。また、配線基板２の表面には、配線パターンを保護するために半田レジスト層７が周知の印刷技術などを使用して形成される。なお、配線基板２は、単層基板、多層基板のいずれの基板を使用してもかまわない。
【００２７】
配線基板２の製造方法は、例えば、配線基板がＬＴＣＣ多層基板である場合、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーがシート化されたセラミックグリーンシートを形成し、このセラミックグリーンシートの所定位置に、レーザー加工などによりビアホールが形成され、形成されたビアホールにＡｇやＣｕなどを含む導体ペーストが充填されて、層間接続用のビア導体が形成され、導体ペーストによる印刷により種々の電極パターンが形成される。その後、各セラミックグリーンシートを積層、圧着することによりセラミック積層体を形成して、約１０００℃前後の低い温度で焼成する、所謂、低温焼成して製造される。
【００２８】
また、配線基板２上には、図２に示すように、シールドケース４の接続部４ｃと接続されるランド電極６が、ケース本体４ａの対向する２辺に沿って形成されており、ランド電極６において接続部４ｃが接続される位置に各スリット溝８が形成される。そして、接続部４ｃが当該スリット溝８に挿入された状態でシールドケース４が配線基板２に配置される。
【００２９】
このとき、各スリット溝８それぞれは、その幅が、シールドケース４の接続部４ｃの幅（側面板４ｂの厚みに相当）と同等もしくはそれよりも若干広く形成されるとともに、接続部４ｃの外形（配線基板２との接続面）と同等もしくはそれよりも若干広い面積で形成される。なお、スリット溝８は、その底面から配線基板２の材料が露出する程度まで深く形成してもよい。このようにすることで、シールドケース４の接続部４ｃがスリット溝８に深く入り込んだ状態でシールドケース４が位置決めされるため、シールドケース４の位置決めをさらに容易に行うことができる。
【００３０】
なお、ランド電極６は、配線基板２に形成された接地用のグランド電極（図示せず）に接続されており、これにより、シールドケース４内に配置される実装部品３ａ，３ｂに対して照射される外部ノイズを遮断する。
【００３１】
また、図２に示すように、この実施形態において、各スリット溝８それぞれは各接続部４ｃの全ての外周面を囲う形状に形成されており、シールドケース４が配線基板２に配置されたときには、接続部４ｃがスリット溝８に挿入されてシールドケース４が水平方向にずれにくい状態で位置決めされる。なお、ランド電極６に形成されるスリット溝８は、必ずしも各接続部４ｃの全ての外周面を囲う形状に形成する必要はなく、例えば、図４に示すように、矩形平板状のケース本体４ａの対向する２辺それぞれの両端までスリット溝８を形成する構成であってもよい。
【００３２】
シールドケース４の接続部４ｃとランド電極６とは、半田により接続される。この場合、図３に示すように、シールドケース４を配線基板２上に配置する際、ランド電極６の上面に半田ペースト９が塗布された状態で、シールドケース４の接続部４ｃがスリット溝８に挿入された状態でシールドケース４が配置される。そして、リフロー炉によりランド電極６の上面と接続部４ｃの外周面とが半田を介して接続されることにより、シールドケース４が配線基板２上に実装される。なお、当該接続部４ｃとランド電極６とは、接続部４ｃの外周面の全てにおいて、半田を介してランド電極６と接続させる必要はなく、外周面の少なくとも一部とランド電極６とが接続していればよい。
【００３３】
（複合モジュール１の製造方法）
次に、複合モジュール１の製造方法について、図５を参照して説明する。なお、この製造方法は、以下に示す各実施形態の複合モジュールにおいても適用することができる。
【００３４】
まず、図５（ａ）に示すように、配線基板２上にスリット溝８を有するランド電極６を含む複数のランド電極５，６を形成する（電極形成工程）。ここで、各ランド電極５，６はフォトリソグラフィ技術などにより形成する。
【００３５】
次に、図５（ｂ）に示すように、配線基板２上に配線パターンを保護するための半田レジスト層（絶縁保護膜）７を印刷技術などを使用して形成する。この場合、シールドケース４の接続部４ｃが接続されるスリット溝８を有するランド電極６、および、実装部品３ａ，３ｂと配線基板２との接続用のランド電極５が露出した状態で半田レジスト層７を形成する。なお、ランド電極６の一部を被覆するように半田レジスト層７を形成し、ランド電極６の電極露出量を調整してもよい。
【００３６】
次に、図５（ｃ）に示すように、各ランド電極５，６の上面に半田ペースト層１０を形成する（半田ペースト層形成工程）。なお、図５（ｃ）に示すランド電極５には、半田ペースト層１０が形成されていないが、これは実装部品３ａに半導体素子の能動面上に半田バンプが形成されたフリップチップ実装部品を使用しているためで、その他のチップ部品である実装部品３ｂの実装用のランド電極５（図示せず）には、半田ペースト層１０が形成されている。ここで、半田ペースト層１０は、周知の印刷技術などを使用して塗布された半田ペーストにより形成される。
【００３７】
次に、配線基板２に形成されたスリット溝８のないランド電極５上に実装部品３ａ，３ｂを搭載する（搭載工程）。なお、実装部品３ａ，３ｂは一般的な表面実装技術を用いて搭載される。
【００３８】
そして、図５（ｄ）に示すように、リフロー炉により配線基板２を加熱することにより、実装部品３ａ，３ｂと配線基板とを接続させる（リフロー工程）。このとき、スリット溝８が形成されたランド電極６の上面に形成された半田ペースト層１０は、リフロー炉で加熱された配線基板２により半田ペースト９中の溶剤などが蒸発し、リフロー工程後は、図５（ｄ）に示すように、ランド電極６の上面において、スリット溝８の周縁に固化した断面略半円状の半田が盛られた状態になる。
【００３９】
次に、ランド電極６の上面に形成された半田ペースト層１０の表面にフラックスをディスペンス方式などにより塗布する。この場合、塗布されたフラックスの一部は、固化した半田の表面からスリット溝８に誘導されて溜まる。
【００４０】
次に、図５（ｅ）に示すように、スリット溝８の周縁に固化した半田が盛られた状態のランド電極６に、シールドケース４の接続部４ｃを挿入することによりシールドケース４を配線基板２上に配置する（配置工程）。このとき、シールドケース４も一般的な表面実装技術を用いて配置される。
【００４１】
なお、半田ペースト層１０の固化した半田は、図５（ｄ）および（ｅ）に示すように、断面略半円状に形成されるため、シールドケース４が多少ずれた位置に配置された場合であっても、シールドケース４の接続部４ｃがスリット溝８に誘導されて配置されるため、高精度の実装装置を使用せずに、精度よくシールドケース４の位置決めを行うことができる。
【００４２】
最後に、図５（ｆ）に示すように、ランド電極６の上面に形成された半田ペースト層１０をリフロー炉により溶融させることにより、シールドケース４の接続部４ｃとランド電極６とを接続させて複合モジュール１が完成する。
【００４３】
したがって、上記した実施形態によれば、矩形平板状のケース本体４ａの対向する２辺に位置する端部に一体形成された側面板４ｂの配線基板２側の端部に形成された接続部４ｃが、配線基板２上に形成されたランド電極６のスリット溝８に挿入された状態で、シールドケース４が配線基板２上に配置されるため、従来のように、半田付けをする際の半田溶融時にランド電極６に対して突起として働く部分がなく、半田付けを行う時にシールドケース４が不安定になることがない。また、シールドケース４の接続部４ｃがランド電極６に形成された凹形状であるスリット溝８に挿入されてシールドケース４が配置されるため、半田付けを行う前であってもシールドケース４の位置ずれが生じにくく、シールドケース４の位置決め精度の向上を図ることができる。
【００４４】
また、図２に示すように、スリット溝８が、接続部４ｃの全ての外周面を囲う形状に形成されているため、シールドケース４の接続部４ｃがスリット溝８に挿入された状態で、水平方向の位置ずれが生じにくく、より正確なシールドケース４の位置決めを行うことができる。
【００４５】
また、スリット溝８の幅が、シールドケース４の接続部４ｃの幅よりも広く形成される場合は、接続部４ｃがスリット溝８に完全に収納されるため、シールドケース４の実装性を向上することができる。
【００４６】
また、シールドケース４は、ランド電極６の上面と、スリット溝８に挿入された接続部４ｃの外周面とが半田を介して接続されることにより配線基板２上に実装されるため、ランド電極６とシールドケース４の接続部４ｃとの接続面積が広く、配線基板２とシールドケース４との接続強度を向上することができる。
【００４７】
また、この実施形態では、矩形平板状のケース本体４ａの対向する２辺に位置する端部に沿って側面板４ｂが一体形成され、その側面板４ｂの配線基板２側の端部に接続部４ｃが形成されており、他の２辺には側面板４ｂおよび接続部４ｃが形成されていない。したがって、シールドケース４の接続部４ｃが接続されるランド電極６を、４辺でなく２辺のみに沿って形成すればよいため、配線基板２上の実装部品３ａ，３ｂの実装領域が広がり、複合モジュール１の高密度実装化ならびに小型化を図ることができる。
【００４８】
また、複合モジュール１の製造方法において、リフロー工程後は、半田ペースト９が固化して、半田ペースト層１０が図５（ｄ）および（ｅ）に示すように断面略半円状に形成されるため、配置工程でシールドケース４の配置位置にずれが生じた場合であっても、固化した半田ペースト層１０がシールドケース４の接続部４ｃをスリット溝８まで誘導するガイド部材として機能するため、高精度の実装装置を用いることなく精度よくシールドケース４の位置決めを行うことができる。
【００４９】
また、シールドケース４を配置する配置工程の前に、半田ペースト層１０の表面にフラックスを塗布する場合、塗布されたフラックスの一部は固化した半田の表面からスリット溝８に誘導されて溜まるため、必要箇所に効率よくフラックスを塗布することができる。
【００５０】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる複合モジュールについて、図６ないし図９を参照して説明する。なお、図６は複合モジュール１ａの分解斜視図を示し、図７は複合モジュール１ａの配線基板２ａの平面図を示し、図８は複合モジュール１ａの正面図を示し、図９は図７の配線基板２の変形例を示す。
【００５１】
この実施形態にかかる複合モジュール１ａが、図１を参照して説明した第１実施形態の複合モジュール１と異なるところは、図６に示すように、シールドケース１１において、矩形平板状のケース本体１１ａの４辺に位置する全ての端部に側面板１１ｂが一体形成され、側面板１１ｂの配線基板２側の端部であって、ケース本体１１ａの四隅に対応する位置に接続部１１ｃが形成されている点と、接続部１１ｃに対応する位置にランド電極６ａおよびスリット溝８ａが配線基板２上に形成されている点である。その他の構成は、第１実施形態と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００５２】
この場合、接続部１１ｃは、図６に示すように、ケース本体１１ａの四隅それぞれに対応する位置に形成され、各側面板１１ｂの配線基板２側の端部において突出形成された底面視Ｌ字状の形状を有する。また、配線基板２上には、図７に示すように、接続部１１ｃが接続される４つのＬ字状のランド電極６ａがケース本体１１ａの四隅それぞれに対応する位置に形成されるとともに、各ランド電極６ａそれぞれにおいて、接続部１１ｃが接続される位置（四隅）にＬ字状のスリット溝８ａが形成される。この場合、各スリット溝８ａは、接続部１１ｃの外周を囲う形状に形成され、それぞれ、接続部１１ｃの外形（配線基板２との接続面）と同等もしくはそれよりも若干広い面積で形成される。
【００５３】
そして、各接続部１１ｃがそれぞれに対応するスリット溝８ａに挿入された状態で、半田を介して各ランド電極６ａの上面と各接続部１１ｃの外周面とが接続されることにより、シールドケース１１が配線基板２上に実装される。
【００５４】
また、シールドケース１１が配線基板２上に実装された状態では、図８に示すように、正面視で実装部品３ａ，３ｂの一部が視認できる開口部１２が形成される。この開口部１２は、シールドケース１１を配線基板２上に配置してリフロー炉を通す際、シールドケース１１内部で膨張した空気を逃がすためのもので、この実施形態では、ケース本体１１ａの４辺それぞれに対応して開口部１２が形成される。なお、例えば、図８に示すように、正面の側面板１１ｂのみに開口部１２を形成する構成であってもよい。
【００５５】
ところで、配線基板２上に形成されるランド電極６ａを、例えば、図９に示すように、シールドケース１１の内側に配置される部分が外側に配置される部分よりも小さい面積になるように形成してもよい。このように形成することにより、シールドケース１１内部に実装される実装部品３ａ，３ｂの実装領域を広げることができるため、複合モジュール１ａの高密度実装化および小型化を図ることができる。
【００５６】
また、ランド電極６のシールドケース１１の内側に配置される部分の面積が小さくなると、シールドケース１１と配線基板２との接続強度が低下することが考えられるが、ランド電極６ａのシールドケース１１の外側に配置される部分の面積が広く形成されているため、広い面積で形成されたシールドケース１１の外側に配置される部分のランド電極６ａの上面とシールドケース１１の接続部１１ｃの外周面とが半田を介して接続されることにより、シールドケース１１と配線基板２との接続強度を確保することができる。
【００５７】
したがって、上記した実施形態によれば、接続部１１ｃが、ケース本体１１ａの四隅に対応する位置に形成されており、各接続部１１ｃそれぞれが、配線基板２上に形成されたスリット溝８ａに挿入された状態でシールドケース１１が配線基板２上に配置されるため、シールドケース１１の位置決め精度をより一層向上することができる。
【００５８】
また、ケース本体１１ａの４辺に位置する全ての端部に側面板１１ｂが一体形成されているため、実装部品３ａ，３ｂに対して照射される外部ノイズを遮断するシールド特性を向上することができる。
【００５９】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかる複合モジュール１ｂについて、図１０および図１１を参照して説明する。図１０は複合モジュール１ｂのシールドケース１３の斜視図、図１１は複合モジュール１ｂの配線基板２の平面図である。
【００６０】
この実施形態にかかる複合モジュール１ｂが図１を参照して説明した第１実施形態の複合モジュール１と異なるところは、図１０に示すように、矩形平板状のケース体１３ａの４辺に位置する全ての端部に側面板１３ｂが形成され、各側面板１３ｂの配線基板２側の端部であって、各辺に沿って接続部１３ｃが形成されている点と、図１１に示すように、配線基板２において、接続部１３ｃを囲うようにランド電極６ｂが形成されるとともに、ランド電極６ｂの接続部１３ｃが接続される位置に、接続部１３ｃの外周面を囲う形状にスリット溝８ｂが形成されている点である。その他の構成は第１実施形態と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００６１】
この場合、接続部１３ｃがケース本体１３ａの各辺に沿って形成されており、接続部１３ｃがスリット溝８ｂに挿入された状態で、ランド電極６ｂの上面と接続部１３ｃの外周面とが半田を介して接続されることにより、シールドケース１３が配線基板２上に実装される。また、上記した第２実施形態のように、シールドケース１３が配線基板２上に配置された状態で開口部１２が形成されず、シールドケース１３が配線基板２上に配置されると実装部品３ａ，３ｂが完全にシールドケース１３に覆われた状態になる。
【００６２】
このように構成することにより、実装部品３ａ，３ｂが完全にシールドケース１３に覆われた状態になるため、さらに実装部品３ａ，３ｂに対して照射される外部ノイズを遮断するシールド特性を向上することができる。また、接続部１３ｃの外周面を囲う形状にスリット溝８ｂが形成されているため、シールドケース１３の位置決め精度の向上を図ることができる。
【００６３】
（第４実施形態）
本発明にかかる複合モジュール１ｃについて、図１２を参照して説明する。なお。図１２は、複合モジュール１ｃのシールドケース１４と配線基板２とが接続する部分の断面拡大図である。
【００６４】
この実施形態にかかる複合モジュール１ｃが図１ないし図１１を参照して説明した第１〜第３実施形態の複合モジュール１，１ａ，１ｂと異なるところは、図１２に示すように、スリット溝８ｃのみが半田レジスト層７から露出しており、ランド電極６ｃの上面が半田レスト層７に覆われている点である。その他の構成は、各実施形態と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００６５】
この場合、シールドケース１４の接続部１４ｃの外周面が半田レジスト層７に囲まれた状態、すなわち、半田レジスト層７に形成された開口部１６に接続部１４ｃが挿入された状態でシールドケース１４が配線基板２上に配置され、ランド電極６ｃの側面１５に塗布された半田１７を介して接続部１４ｃとランド電極６ｃとが接続されることによりシールドケース１４が配線基板２上に実装される。
【００６６】
このように構成することにより、ランド電極６ｃよりも厚く形成された半田レジスト層７の開口部１６に接続部１４ｃが挿入された状態でシールドケース１４が配線基板２上に配置されるため、シールドケース１４の位置決めをより確実に行うことができる。
【００６７】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。
【００６８】
例えば、上記した各実施形態において、シールドケース４，１１，１３，１４の側面板４ｂ，１１ｂ，１３ｂ，１４ｂの配線基板２側の端部の一部のみに接続部４ｃ，１１ｃ，１３ｃ，１４ｃを形成してもよい。例えば、第１実施形態において、ケース本体４ａの１辺のみに沿って接続部４ｃを形成したり、その１辺の一部のみに接続部４ｃを形成したりする構成であってもよい。また、第２実施形態において、四隅のうちの一つの隅に対応する位置のみに接続部１１ｃを形成してもよい。この場合、ランド電極６，６ａ，６ｂ，６ｃおよびスリット溝８，８ａ，８ｂ，８ｃもこれに対応して形成する。このようにすることでも、シールドケース４，１１，１３，１４の位置決めを行うことができる。
【００６９】
また、ケース本体４ａ，１１ａ，１３ａ，１４ａの形状は矩形平板状に限られず、例えば、配線基板２上に実装される実装部品３ａ，３ｂの配置関係に応じて、部分的に切り欠きを形成してもよい。
【符号の説明】
【００７０】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ    複合モジュール
２    配線基板
３ａ，３ｂ    実装部品
４，１１，１３，１４    シールドケース
４ａ，１１ａ，１３ａ，１４ａ    ケース本体
４ｂ，１１ｂ，１３ｂ，１４ｂ    側面板
４ｃ，１１ｃ，１３ｃ，１４ｃ    接続部
６，６ａ，６ｂ，６ｃ    ランド電極
８，８ａ，８ｂ，８ｃ    スリット溝
１０    半田ペースト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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