(57)【要約】【課題】製造の容易な熱型電磁波検出素子を提供することにある。【解決手段】熱型電磁波検出素子１は、下部電極５１１および上部電極５１３を有する検出部５と、上面に開放する凹部２２１を有する基板２と、基板２の上面側に位置し、基板２に支持されるとともに、検出部４を凹部２２１と重なるように支持するメンブレン４と、基板２に埋設されるとともに凹部２２１から凹部２２１内に露出し、露出した部分が検出部５に対向配置された光反射性および導電性を有する光反射膜３と、を有する。光反射膜３は、下部電極５１１と電気的に接続されている。【選択図】図１
2013171020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受けた電磁波の量に応じた電気信号を第１電極および第２電極の間から取り出すことの
できる検出部と、
一方の面に開放する凹部を有する基板と、
前記基板の一方の面側に位置し、前記基板に支持されるとともに、前記検出部を前記凹
部と重なるように支持する支持部材と、
前記基板に設けられるとともに前記凹部から前記凹部内に露出し、該露出した部分が前
記検出部に対向配置された電磁波反射性および導電性を有する電磁波反射膜と、を有し、
前記電磁波反射膜は、前記第１電極または前記第２電極と電気的に接続されていること
を特徴とする熱型電磁波検出素子。
【請求項２】
前記基板に埋設され、前記第１電極または前記第２電極と前記電磁波反射膜とを電気的
に接続する第１ビアを有する請求項１に記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項３】
前記基板に埋設されるとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面に達し、前記電磁
波反射膜と電気的に接続された第２ビアを有する請求項２に記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項４】
前記基板に埋設されるとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面に達し、前記第１
電極および前記第２電極のうち前記第１ビアに接続されていない方の電極と電気的に接続
された第３ビアを有する請求項３に記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項５】
前記光の波長をλとしたとき、前記凹部の厚さは、λ／４である請求項１ないし４のい
ずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項６】
前記基板の平面視において、前記電磁波反射膜は、前記検出部を内側に含むように形成
されている請求項１ないし５のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項７】
前記支持部材は、前記検出部を搭載する搭載部と、前記搭載部を支持する支持部と、前
記搭載部と前記支持部とを連結する少なくとも１本のアームとを有している請求項１ない
し６のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項８】
前記アームは、前記搭載部に対して熱コンダクタンスが低い請求項７に記載の熱型電磁
波検出素子。
【請求項９】
前記光反射膜の光反射率は、９０％以上である請求項１ないし７のいずれかに記載の熱
型電磁波検出素子。
【請求項１０】
前記光反射膜は、耐エッチング性を有している請求項１ないし９のいずれかに記載の熱
型電磁波検出素子。
【請求項１１】
電磁波反射性を有する電磁波反射膜が埋設された基板と支持層とが積層しており、前記
支持層には、受けた電磁波の量に応じた電気信号を第１電極および第２電極間から取り出
すことのできる検出部が設けられ、前記第１電極または前記第２電極と前記電磁波反射膜
とが電気的に接続されている積層体を得る工程と、
前記基板の一部を前記支持層側から除去することにより前記基板に前記検出部との間に
位置する凹部を形成し、前記凹部から前記電磁波反射膜を露出させる工程と、を有するこ
とを特徴とする熱型電磁波検出素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子が複数、２次元的に配置さ
れていることを特徴とする熱型電磁波検出装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子を少なくとも１つ備えるこ
とを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
複数の前記熱型電磁波検出素子が２次元的に配置された熱型電磁波検出装置を備える撮
像装置である請求項１３に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱型電磁波検出素子、熱型電磁波検出素子の製造方法、熱型電磁波検出装置
および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、熱型電磁波検出装置として、焦電型、熱電対型、抵抗型（ボロメーター型）
等の赤外線検出装置が知られている。このうち焦電型の赤外線検出装置は、受光した赤外
線の光量によって焦電体材料の自発分極量が変化することを利用して、例えばソースフォ
ロワ回路での読み出しの場合、焦電体の両端に焦電流により生じる電位差を生じさせ、こ
の電位差を利用して赤外線を検出している。このような焦電型の赤外線検出装置は、熱電
対型、ボロメーター型等の他の赤外線検出装置と比較して、検出感度が優れるという利点
がある。
【０００３】
焦電型の赤外線検出素子としては、例えば、特許文献１に記載れた素子が知られている
。特許文献１に記載の赤外線検出素子（焦電型赤外線検出器）は、支持基板と、支持基板
の上面に搭載されている検出部と、支持基板を支持する基部とを有している。基部は、支
持基板側に突出するポスト（突起）を有し、ポストを介して支持基板を支持している。こ
のようなポストによって支持基板と基部との間に空洞部が形成され、これにより赤外線検
受光部と基部との熱分離が図られている。
ここで、特許文献１の赤外線検出素子では、素子に照射される赤外線のうち、検出部に
直接照射される赤外線については検出することができるが、検出部５の周囲に照射される
赤外線については検出することができない。したがって、赤外線を効率よく検出すること
ができず、感度が低いという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２０３１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、高い感度を有する熱型電磁波検出素子、熱型電磁波検出素子の製造方
法、熱型電磁波検出装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の熱型電磁波検出素子は、受けた電磁波の量に応じた電気信号を第１電極および
第２電極の間から取り出すことのできる検出部と、
一方の面に開放する凹部を有する基板と、
前記基板の一方の面側に位置し、前記基板に支持されるとともに、前記検出部を前記凹
部と重なるように支持する支持部材と、
前記基板に設けられるとともに前記凹部から前記凹部内に露出し、該露出した部分が前
記検出部に対向配置された電磁波反射性および導電性を有する電磁波反射膜と、を有し、
前記電磁波反射膜は、前記第１電極または前記第２電極と電気的に接続されていること
を特徴とする。
これにより、凹部内に侵入した光を検出部に向けて反射させることができる。そのため
、検出部により多くの光を照射することができ、検出部の感度が高まる。また、第１電極
および第２電極間に印加される検出部の駆動信号（電圧）が光反射膜にも印加され、この
ような通電によって光反射膜が昇温する。このような昇温によって、検出部の温度と、基
板側の温度の差が小さくなり、これによっても、検出部の感度が高まる。
【０００７】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記基板に埋設され、前記第１電極または前記第２
電極と前記電磁波反射膜とを電気的に接続する第１ビアを有することが好ましい。
これにより、簡単に、第１、第２電極の一方と光反射膜を電気的に接続することができ
る。
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記基板に埋設されるとともに前記基板の前記一方
の面と反対側の面に達し、前記電磁波反射膜と電気的に接続された第２ビアを有すること
が好ましい。
これにより、第１、第２電極を、第１ビア、光反射膜および第２ビアを介して簡単に基
板の下面まで引き出すことができる。そのため、例えば、検出部と回路基板等の他の基板
との接続を素子の下側にて容易に行うことができる。
【０００８】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記基板に埋設されるとともに前記基板の前記一方
の面と反対側の面に達し、前記第１電極および前記第２電極のうち前記第１ビアに接続さ
れていない方の電極と電気的に接続された第３ビアを有することが好ましい。
これにより、第１、第２電極の一方を簡単に基板の下面まで引き出すことができる。そ
のため、例えば、検出部と回路基板等の他の基板との接続を素子の下側にて容易に行うこ
とができる。
【０００９】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記光の波長をλとしたとき、前記凹部の厚さは、
λ／４であることが好ましい。
これにより、光を共振させることができ、検出部に光を効率的に照射することができる
。
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記基板の平面視において、前記電磁波反射膜は、
前記検出部を内側に含むように形成されていることが好ましい。
これにより、検出部の周囲から凹部内に侵入してきたより多くの光を検出部に向けて反
射させることができる。そのため、検出部の感度をより高めることができる。
【００１０】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記支持部材は、前記検出部を搭載する搭載部と、
前記搭載部を支持する支持部と、前記搭載部と前記支持部とを連結する少なくとも１本の
アームとを有していることが好ましい。
これにより、検出部の熱が逃げ難い支持基板となる。
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記アームは、前記搭載部に対して熱コンダクタン
スが低いことが好ましい。
これにより、検出部の熱が逃げ難い支持基板となる。
【００１１】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記光反射膜の光反射率は、９０％以上であること
が好ましい。
これにより、光を効率的に反射することができるとともに、光を吸収することによる過
度な昇温を防止することができる。
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記光反射膜は、耐エッチング性を有していること
が好ましい。
これにより、光反射膜を簡単に凹部から露出させることができる。
【００１２】
本発明の熱型電磁波検出素子の製造方法は、電磁波反射性を有する電磁波反射膜が埋設
された基板と支持層とが積層しており、前記支持層には、受けた電磁波の量に応じた電気
信号を第１電極および第２電極間から取り出すことのできる検出部が設けられ、前記第１
電極または前記第２電極と前記電磁波反射膜とが電気的に接続されている積層体を得る工
程と、
前記基板の一部を前記支持層側から除去することにより前記基板に前記検出部との間に
位置する凹部を形成し、前記凹部から前記電磁波反射膜を露出させる工程と、を有するこ
とを特徴とする。
これにより、感度の高い熱型電磁波検出素子を簡単に製造することができる。
【００１３】
本発明の熱型電磁波検出装置は、本発明の熱型電磁波検出素子が複数、２次元的に配置
されていることを特徴とする。
これにより、上述の効果を発揮することのできる熱型電磁波検出装置が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の熱型電磁波検出素子を少なくとも１つ備えることを特徴
とする。
これにより、上述の効果を発揮することのできる電子機器が得られる。
本発明の電子機器では、複数の前記熱型電磁波検出素子が２次元的に配置された熱型電
磁波検出装置を備える撮像装置であることが好ましい。
これにより、電子機器を、例えば、赤外線カメラ、サーモグラフィー、車載用ナイトビ
ジョン、監視カメラなどとして用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る熱型電磁波検出素子の平面図である。
【図２】図１に示す熱型電磁波検出素子の断面図である。
【図３】図１に示す熱型電磁波検出素子の製造方法を説明する断面図である。
【図４】図１に示す熱型電磁波検出素子の製造方法を説明する断面図である。
【図５】図１に示す熱型電磁波検出素子の製造方法を説明する断面図である。
【図６】図１に示す熱型電磁波検出素子の製造方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る熱型電磁波検出素子を示す平面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る熱型電磁波検出素子を示す平面図である。
【図９】本発明の熱型電磁波検出装置の好適な実施形態を示す平面図である。
【図１０】図９に示す熱型電磁波検出装置の断面図である。
【図１１】本発明の熱型電磁波検出素子を備える電子機器（テラヘルツカメラ）である。
【図１２】図１１に示すテラヘルツカメラの詳細を示すブロックである。
【図１３】本発明の熱型電磁波検出素子を備える電子機器（赤外線カメラ）である。
【図１４】本発明の熱型電磁波検出素子を備える電子機器（ＦＡ機器）である。
【図１５】本発明の熱型電磁波検出素子を備える電子機器（電気機器）である。
【図１６】本発明の熱型電磁波検出素子を備える電子機器（運転支援装置）である。
【図１７】図１６に示す運転支援装置の詳細を示すブロック図である。
【図１８】本発明の熱型電磁波検出素子を備える電子機器（コントローラー）である。
【図１９】図１８に示すコントローラーの詳細を示すブロックである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の熱型電磁波検出素子、熱型電磁波検出素子の製造方法、熱型電磁波検出
装置および電子機器の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の熱型電磁波検出素子の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る熱型電磁波検出素子の平面図、図２は、図１に示
す熱型電磁波検出素子の断面図、図４ないし図６は、図１に示す熱型電磁波検出素子の製
造方法を説明する断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図２〜図６中の上側を
「上」、下側「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。また、図１では、説明の便宜
上、保護層６２の図示を省略している。
【００１６】
１．熱型電磁波検出素子
図１および図２に示す熱型電磁波検出素子１は、電磁波を検出する焦電型の検出素子で
ある。電磁波には、例えば、電波、赤外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、ガンマ線が含まれ
るが、以下では、代表して、主に赤外線（およそ０．７μｍ〜１０００μｍの波長を有す
る光）を検出する焦電型の赤外線検出素子について説明する。なお、電波、可視光線、赤
外線、Ｘ線、ガンマ線等の赤外線以外の電磁波を検出する場合についても、熱型電磁波検
出素子１と同様の構成とすることができる。
【００１７】
このような熱型電磁波検出素子１は、凹部２２１を有する基板２と、基板２に支持され
たメンブレン（支持部材）４と、メンブレン４に搭載された検出部５と、基板２に埋設さ
れ凹部２２１内に臨む光反射膜３と、光反射膜３と検出部５とを電気的に接続する第１ビ
ア７１と、光反射膜３と電気的に接続され基板２の下面に達する第２ビア７２と、検出部
５と電気的に接続され基板２の下面に臨む第３ビア７３とを有している。
熱型電磁波検出素子１では、凹部２２１によって、メンブレン４と基板２との間に空隙
（空間）Ｓが形成されており、この空隙Ｓによって、検出部５と基板２とが熱的に分離さ
れている。これにより、検出部５の熱が逃げ難くなり、検出部５の感度を高めることがで
きる。
【００１８】
１−１．基板
基板２は、メンブレン４を支持する機能を有する。このような基板２は、板状の基部２
１と、基部２１に積層された絶縁層２２とで構成れている。
基部２１は、絶縁層２２やメンブレン４を支持する機能を有している。このような基部
２１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、Ｓｉ（シリコン）、ＧａＡｓ（ヒ化
ガリウム）などを用いることができる。
【００１９】
また、基部２１は、単層で構成されていてもよく、複数の層が積層された積層体で構成
されていてもよい。
また、基部２１の厚さとしては、特に限定されず、例えば、１０〜８００μｍ程度とす
ることができる。
絶縁層２２は、メンブレン４と基部２１との間に介在し、これらの間の絶縁性を確保す
る機能を有している。また、絶縁層２２には、上面に開放する凹部２２１が形成されてい
る。この凹部２２１によって、基板２とメンブレン４との間に空隙Ｓが形成され、この空
隙Ｓによって、検出部５を基板２から効果的に熱分離することができる。
【００２０】
図２に示すように、凹部２２１は、基板２の平面視にて、搭載部４１（検出部５）を内
包する（内側に含む）ように形成されている。言い換えれば、基板２の平面視にて、凹部
２２１の縁部を除く中央部に搭載部４１が位置するように、凹部２２１が形成されている
。これにより、搭載部４１を宙に浮かせた状態とすることができ、検出部５を基板２から
効果的に熱分離することができる。
【００２１】
このような絶縁層２２の構成材料としては、必要な絶縁性を有していれば、特に限定さ
れず、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ２Ｏ３などのシリコン酸化物、Ｓｉ３Ｎ４な
どのシリコン窒化物、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどを用いることができる。
このような材料によれば、さらに、絶縁層２２の熱容量を小さくすることができ、検出部
５を基板２に対してより効果的に熱分離することができる。
【００２２】
以上のような基板２の上面および凹部２２１の側面には、それぞれ、保護層６４が形成
されている。この保護層６４は、熱型電磁波検出素子１の製造工程にて、後述する犠牲層
７（ＳｉＯ２膜）を除去する際に用いられるエッチング液（ＨＦ：フッ化水素）から絶縁
層２２を保護する機能を有している。すなわち、保護層６４は、用いられるエッチング液
に対する耐エッチング性（耐食性）を有している。これにより、製造時における絶縁層２
２の損傷等を効果的に防止することができるため、信頼性の高い熱型電磁波検出素子１が
得られる。
【００２３】
保護層６４の構成材料としては、エッチング液（例えば、ＨＦ）に対して耐エッチング
性のある材料であればよく、例えば、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔｉ、ＴｉＯ２などを用
いることができるが、必要な絶縁性を有する観点から、Ａｌ２Ｏ３を好適に用いることが
できる。これにより、例えば、保護層６４を介して、光反射膜３と第３ビア７３とが電気
的に接続されてしまうといった不本意な電気的接続（すなわち短絡）を防止することがで
きる。
また、このような基板２の下面には、２つの外部接続端子２８、２９が形成されている
。これら２つの外部接続端子２８、２９は、後述するように検出部５と電気的に接続され
ている。
【００２４】
１−２．光反射膜
光反射膜３は、空隙Ｓ（凹部２２１）内に侵入する赤外線を検出部５へ向けて反射させ
る機能を有している。これにより、熱型電磁波検出素子１に照射された赤外線のより多く
を検出部５で検出することができるため、検出部５の感度を高めることができる。
また、光反射膜３は、第１ビアと第２ビアを電気的に接続する接続配線としての機能を
有している。このように、光反射膜３が接続配線を兼ねることにより、熱型電磁波検出素
子１の構成の簡易化を図ることができ、製造工程の削減や製造コストの削減等を実現する
ことができる。
【００２５】
光反射膜３は、基板２の絶縁層２２に埋設されており、その上面３１の一部が凹部２２
１の底部から空隙Ｓ内に露出している。言い換えれば、光反射膜３は、その上面３１が空
隙Ｓを介してメンブレン４の下面と対向するように設けられている。また、光反射膜３の
上面３１は、その平面視にて、搭載部４１を内側に含むように、言い換えれば、その縁部
を除く中央部に搭載部４１が位置するように形成されている。また、光反射膜３の上面３
１は、メンブレン４と平行となっている。これにより、メンブレン４と基板２と隙間（凹
部２２１の開口）から空隙Ｓ内に侵入した赤外線を、検出部５に向けて効率的に反射する
ことができる。
【００２６】
また、光反射膜３の上面３１をメンブレン４と平行とすることにより、これらの間の空
隙Ｓの厚さを均一化することができる。これより、空隙Ｓの各部にて均一な熱分離の効果
を発揮することができるため、信頼性が向上する。
なお、光反射膜３の上面３１は、反射した赤外線の散乱を抑制するために鏡面で構成さ
れているのが好ましい。これにより、上面３１で反射された赤外線の指向性が高まり、よ
り効果的に赤外線を検出部５に向けて反射させることができる。また、光反射膜３（上面
３１）の赤外線反射率としては、高いほどよく、例えば、９０％以上であるのが好ましい
。これにより、赤外線を効率的に反射することができるとともに、赤外線を吸収すること
による光反射膜３の過度な昇温を防止することができる。
【００２７】
また、光反射膜の上面３１とメンブレン４との離間距離（言い換えれば、空隙Ｓの厚さ
）Ｄは、特に限定されないが、検出部５が検出する赤外線の波長をλとしたとき、λ／４
とするのが好ましい。これにより、赤外線を光学共振させることができるため、赤外線を
より効率的に検出部５に吸収させることができる。そのため、検出部５の感度を高めるこ
とができる。
【００２８】
また、光反射膜３は、凹部２２１からその外周側に向けて突出する突出部３２を有して
いる。突出部３２は、凹部２２１からアーム４２側に突出し、アーム４２と支持部４４と
の接続部付近と重なるようにして形成されている。そして、この突出部３２は、第１ビア
を介して検出部５（下部電極配線５３）と電気的に接続されている。
このような光反射膜３の構成材料としては、赤外線反射性および必要な導電性を有して
いれば、特に限定されず、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、
Ｉｒ、Ｔａなどの金属材料、または、これらのうちの少なくとも１種を含む合金などを用
いることができる。
【００２９】
また、光反射膜３は、熱型電磁波検出素子１の製造過程において、絶縁層２２をエッチ
ングすることにより凹部２２１を形成する際のエッチングのストップ層として機能するの
が好ましい。これにより、光反射膜３の腐食を防止しつつ、光反射膜３を凹部２２１から
確実に露出させることができる。このような観点からすれば、光反射膜３の構成材料とし
ては、上述した金属材料の中でも、例えば、Ｐｔ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｆｅなどを用いるのが好
ましい。
光反射膜３の厚さとしては、特に限定されず、例えば、０．１〜１μｍ程度とすること
ができる。
【００３０】
１−３．メンブレン
図１および図２に示すように、メンブレン４は、板状をなしている。また、メンブレン
４は、枠状の支持部４４と、支持部４４の内側に設けられ、検出部５を搭載して支持する
搭載部４１と、支持部４４と搭載部４１とを連結する一対のアーム４２、４３とを有して
いる。一対のアーム４２、４３は、搭載部４１の両側に位置しており、搭載部４１が支持
部４４に両持ち支持されている。これら搭載部４１、各アーム４２、４３および支持部４
４は、例えば、単一の部材をエッチング等によりパターニングすることにより一体的に形
成することができる。
【００３１】
支持部４４は、枠状をなしている。メンブレン４は、この支持部４４を介して基板２と
接合されている。
搭載部４１の平面視形状は、略四角形（略正方形）である。搭載部４１の大きさとして
は、特に限定されないが、例えば、一辺の長さが２０〜５０μｍ程度であるのが好ましい
。なお、搭載部４１の平面視形状は、特に限定されず、例えば、円形、楕円形、長方形、
三角形、五角形等であってもよい。
【００３２】
各アーム４２、４３は、長尺かつ細幅であって、一方向（所定方向）に延びる直線状を
なしている。また、これら２本のアーム４２、４３は、搭載部４１の中心に対して点対称
に形成されている。
各アーム４２、４３をこのような形状とすることにより、各アーム４２、４３の熱コン
ダクタンスを搭載部４１と比較して十分に小さくなる。すなわち、各アーム４２、４３の
横断面（熱の伝達方向に直交する面）の面積を、搭載部４１の横断面の面積と比較して十
分に小さくすることにより、アーム４２、４３を、搭載部４１と比較して熱が伝達され難
いものとすることができる。そのため、検出部５の熱を効果的に搭載部４１に閉じ込める
ことができ、検出部５を基板２に対して効果的に熱分離することができる。そのため、検
出部５の感度が向上する。
【００３３】
各アーム４２、４３の長さは、特に限定されないが、例えば、２０〜５０μｍ程度であ
るのが好ましい。また、各アーム４２、４３の幅は、特に限定されないが、例えば、１〜
１０μｍ程度であるのが好ましい。また、各アーム４２、４３の厚さは、特に限定されな
いが、１〜１０μｍ程度であるのが好ましい。
各アーム４２、４３をこのような長さ、幅および厚さとすることにより、上述の効果を
より効果的に発揮することができるとともに、熱型電磁波検出素子１の小型化を図ること
ができる。さらに、各アーム４２、４３の撓みを抑制することができ、搭載部４１に搭載
された検出部５の不本意な姿勢の変化（振動、搖動等）を抑制することもできる。これに
より、熱型電磁波検出素子１は、小型でかつ優れた信頼性を有するものとなる。
【００３４】
メンブレン４の構成材料としては、特に限定されず、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、
Ｓｉ２Ｏ３などのシリコン酸化物、Ｓｉ３Ｎ４などのシリコン窒化物、ポリシリコン、ア
モルファスシリコンなどを用いることができる。このような構成材料でメンブレン４を構
成することにより、メンブレン４に絶縁性を付与することができる。また、メンブレン４
の熱容量を小さくすることができ、検出部５を基板２に対して効果的に熱分離することが
できる。
【００３５】
なお、メンブレン４は、単層で構成されていてもよいし、複数の層が積層した積層体で
構成されていてもよい。積層体で構成する場合には、メンブレン４は、例えば、Ｓｉ３Ｎ
４膜（シリコン窒化膜）、ＳｉＯ２膜（シリコン酸化膜）、Ｓｉ３Ｎ４膜（シリコン窒化
膜）がこの順で積層された積層膜で構成することができる。
このようなメンブレン４の下面には、保護層６１が形成されている。この保護層６１は
、熱型電磁波検出素子１の製造工程にて、後述する犠牲層７を除去する際に用いられるエ
ッチング液（ＨＦ）からメンブレン４を保護する機能を有している。すなわち、保護層６
１は、用いられるエッチング液に対する耐エッチング性（耐食性）を有している。これに
より、製造時におけるメンブレン４の損傷等を効果的に防止することができるため、信頼
性の高い熱型電磁波検出素子１が得られる。また、保護層６１は、高い赤外線吸収率（例
えば、９０％以上）を有しているのが好ましい。これにより、光反射膜３によって反射さ
れ、検出部５へ向かってきた赤外線を効率的に吸収することができ、その熱が検出部５に
効率的に伝達される。
【００３６】
このような保護層６１の構成材料としては、上述の効果を発揮することができれば、特
に限定されないが、例えば、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅなどを用い
ることができる。これらの中でも、絶縁性を有する観点から、Ａｌ２Ｏ３を用いるのが好
ましい。これにより、例えば、保護層６１を介して、第１ビア７１と第３ビア７３とが電
気的に接続されてしまうといった不本意な電気的接続（すなわち短絡）を防止することが
できる。
また、保護層６１の厚さとしては、前述のような効果を発揮することができれば、特に
限定されず、例えば、０．１〜１μｍ程度とすることができる。
【００３７】
１−４．検出部
検出部５は、赤外線（およそ０．７μｍ〜１０００μｍの波長を有する光）を検出する
機能を有している。
図１に示すように、検出部５は、メンブレン４の搭載部４１の上面に形成された下部電
極５１１と、この下部電極５１１上に重ねて形成された焦電体層５１２と、この焦電体層
５１２上に重ねて形成された上部電極５１３とにより構成されたキャパシター５１を有し
ている。
【００３８】
検出部５に赤外線（または赤外線を含む光）が照射され、焦電体層５１２が赤外線を吸
収し昇温すると、その温度変化に応じて焦電体層５１２の分極の大きさが変化する。その
ため、焦電体層５１２の温度変化を下部電極５１１および上部電極５１３の間から電圧（
電気信号）として取り出すことができる。そして、取り出した電圧の大きさから焦電体層
５１２の温度を検出することができ、さらには、検出した焦電体層５１２の温度から検出
部５に照射された赤外線の照射量を検出することができる。
【００３９】
焦電体層５１２は、焦電体で構成されている。焦電体層５１２を構成する焦電体として
は、特に限定されず、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＰＺＴＮ（ＰＺＴにＮ
ｂ（ニオブ）を添加したもの）、ＰＬＺＴ（チタン酸ジルコン酸ランタン鉛）、ＳＢＴ（
チタン酸バリウムストロンチウム）、ＬｉＴａＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＬａＯ３などを
用いることができる。
焦電体層５１２の厚さは、特に限定されず、例えば、０．０５〜０．３μｍ程度とする
ことができる。
【００４０】
また、下部電極５１１および上部電極５１３の構成材料としては、必要な導電性を有し
ていれば、特に限定されず、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ
、Ｉｒ、Ｔａなどの金属材料、または、これらのうちの少なくとも１種を含む合金などを
用いることができる。また、下部電極５１１および上部電極５１３の構成材料としては、
上記材料のうちでも高い耐熱性を有する材料を用いるのが好ましく、その例としては、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｉｒが挙げられる。
【００４１】
下部電極５１１（上部電極５１３についても同様）は、単層からなる単層構造であって
も、複数の層が積層されてなる積層構造であってもよい。下部電極５１１を積層構造とす
る場合には、例えば、Ｉｒで構成された下地層と、Ｐｔで構成された電極層とを積層した
構造とすることができ、さらに、下地層と電極層との間に、例えば、ＩｒＯｘ（酸化イリ
ジウム）で構成された中間層を介在させてもよい。また、他の構成例として、例えば、Ｎ
ｉ−Ｃｒ系合金で構成された下地層と、ＡｕまたはＡｕ系合金で構成された電極層とを積
層した構造とすることができる。
【００４２】
下部電極５１１および上部電極５１３の厚さは、特に限定されず、例えば、０．０５〜
０．６μｍ程度とすることができる。
また、図２に示すように、検出部５は、さらに、キャパシター５１を覆う絶縁膜５２と
、下部電極５１１と電気的に接続されているとともに、アーム４２の先端部まで引き出さ
れた下部電極配線５３と、上部電極５１３と電気的に接続されているとともに、アーム４
３の先端部まで引き出された上部電極配線５４と、キャパシター５１、下部電極配線５３
および上部電極配線５４を覆う絶縁膜５５と、キャパシター５１と重ねて形成された赤外
線吸収膜５６とを有している。
【００４３】
絶縁膜５２は、キャパシター５１を覆っている。これにより、キャパシター５１を保護
するとともに、キャパシター５１と配線等との不本意な電気的な接続（短絡）を防止する
ことができる。
また、絶縁膜５２には、下部電極５１１に通じる第１コンタクトホール５２１と、上部
電極５１３に通じる第２コンタクトホール５２２とが形成されている。
【００４４】
絶縁膜５２の構成材料としては、必要な絶縁性を有していれば、特に限定されず、例え
ば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ２Ｏ３などのシリコン酸化物、Ｓｉ３Ｎ４などのシリコ
ン窒化物などを用いることができる。
絶縁膜５２は、単層からなる単層構造であっても、複数層が積層されてなる積層構造で
あってもよい。絶縁膜５２を積層構造とする場合には、例えば、Ａｌ２Ｏ３で構成された
第１層と、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４で構成された第２層とを積層した構造とすることが
できる。
【００４５】
このような絶縁膜５２上およびメンブレン４上に跨って下部電極配線５３が形成されて
いる。下部電極配線５３は、その一端部にて第１コンタクトホール５２１を通じて下部電
極５１１と電気的に接続されている。また、下部電極配線５３の他端部は、アーム４２の
先端部に位置している。このような下部電極配線５３によって、下部電極５１１がアーム
４２の先端部まで引き出されている。
【００４６】
また、絶縁膜５２上およびメンブレン４上に跨って上部電極配線５４が形成されている
。上部電極配線５４は、その一端部にて第２コンタクトホール５２２を通じて上部電極５
１３と電気的に接続されている。また、上部電極配線５４の他端は、アーム４３の先端部
に位置している。このような上部電極配線５４によって、上部電極５１３がアーム４３の
先端部まで引き出されている。
【００４７】
このような下部電極配線５３および上部電極配線５４の構成材料としては、必要な導電
性を有していれば、特に限定されず、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｔｉなどの金属材料、または、これらのうちの少なくとも１種を
含む合金や窒化物などを用いることができる。また、下部電極配線５３および上部電極配
線５４の構成材料としては、上記材料のうちでも高い耐熱性を有する材料を用いるのが好
ましく、その例としては、前述したような下部電極５１１および上部電極５１３と同様の
ものが挙げられる。
【００４８】
これら下部電極配線５３および上部電極配線５４と、キャパシター５１とを覆うように
、絶縁膜５５が形成されている。これにより、下部電極配線５３および上部電極配線５４
が絶縁膜５５によって覆われるため、下部電極配線５３および上部電極配線５４と、他の
配線等との不本意な電気的接続（短絡）を防止することができる。また、下部電極配線５
３および上部電極配線５４の酸化等による劣化を抑制することもできる。
このような絶縁膜５５は、例えば、前述した絶縁膜５２と同様の構成とすることができ
る。
【００４９】
また、キャパシター５１と重なって赤外線吸収膜５６が形成されている。赤外線吸収膜
５６は、赤外線をほとんど反射せずに吸収する性質を有する。このような赤外線吸収膜５
６をキャパシター５１に重ねて形成することにより、検出部５に照射された赤外線を効率
的に吸収することができるため、焦電体層５１２の温度変化量を大きくすることができ、
検出部５の感度を高めることができる。
赤外線吸収膜５６の構成材料としては、赤外線の吸収率が高い材料であれば、特に限定
されず、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｔｉ−Ｎｉ系合金、Ｎｉ−Ｃｒ系合金、
Ｃ、金黒、ポリイミドなどの有機材料などを用いることができる。
以上、検出部５について説明した。
【００５０】
図２に示すように、このような検出部５は、保護層（第２保護層）６２で覆われている
。保護層６２は、前述した保護層６１と同様の機能、すなわち熱型電磁波検出素子１の製
造工程にて、犠牲層７を除去する際に用いられるエッチング液（ＨＦ）から検出部５を保
護する機能を有している。保護層６２の構成材料としては、例えば、前述した保護層６１
と同様の材料を用いることができる。
【００５１】
１−５．ビア
基板２には、導電性を有する３つのビア（柱状電極）、すなわち、第１ビア７１、第２
ビア７２、第３ビア７３が埋設されている。第１ビア７１は、検出部５の下部電極５１１
と光反射膜３とを電気的に接続するビアであり、第２ビア７２は、下部電極５１１を基板
２の下面まで引き出すためのビアであり、第３ビア７３は、上部電極５１３を基板２の下
面まで引き出すためのビアである。
【００５２】
第１ビア７１は、絶縁層２２に埋設されている。また、第１ビア７１は、メンブレン４
を貫通して設けられている。このような第１ビア７１は、その上面がメンブレン４の支持
部４４のアーム４２との接続部付近にて下部電極配線５３と接続され、下面が光反射膜３
の突出部３２と接続されている。これにより、第１ビア７１および下部電極配線５３を介
して、下部電極５１１と光反射膜３とが電気的に接続される。このような第１ビア７１に
よれば、簡単に、下部電極５１１と光反射膜３とを電気的に接続することができる。
【００５３】
第２ビア７２は、基部２１に埋設されている。また、第２ビア７２は、その上面が光反
射膜３に接続されており、下面が基部２１の下面（基板２の下面）に達するとともに外部
接続端子２８に接続されている。したがって、第２ビア７２は、光反射膜３、第１ビア７
１および下部電極配線５３を介して下部電極５１１に電気的に接続されている。これによ
り、下部電極５１１が基板２の下面に形成された外部接続端子２８まで引き出される。
【００５４】
第３ビア７３は、基板２（基部２１および絶縁層２２）およびメンブレン４を貫通して
設けられている。第３ビア７３は、その上面がメンブレン４の支持部４４のアーム４３と
の接続部付近にて上部電極配線５４と接続され、下面が基部２１の下面（基板２の下面）
に達するとともに外部接続端子２９に接続されている。したがって、第３ビア７３は、上
部電極配線５４を介して下部電極５１１に電気的に接続されている。これにより、上部電
極５１３が基板２の下面に形成された外部接続端子２９まで引き出される。
【００５５】
このように、第１、第２、第３ビア７１、７２、７３によって、検出部５が有する下部
電極５１１および上部電極５１３を基板２の下側まで引き出すことにより、例えば、基板
２の下面側に設けられる回路基板との電気的接続を簡単に行うことができる。
第１、第２、第３ビア７１、７２、７３の形状は、それぞれ特に限定されず、例えば、
円錐台、三角錐台、四角錐台等であってもよいし、円柱、三角柱、四角柱のような柱状で
あってもよい。また、第１、第２、第３ビア７１、７２、７３は、それぞれ、中実体に限
定されず、中空体であってもよい。
【００５６】
また、第１ビア７１は、低い熱伝導率（例えば、２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下）を有するのが
好ましい。これにより、第１ビア７１を介して検出部５の熱が基板２に伝達されるのを効
果的に抑制することができる。そのため、検出部５の熱が逃げ難く、検出部５の感度を高
めることができる。
このような第１、第２、第３ビア７１、７２、７３の構成材料としては、必要な導電性
を有していれば、特に限定されず、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ
、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉなどの金属材料、または、これらのうちの少なくと
も１種を含む合金などを用いることができる。
以上、熱型電磁波検出素子１の構成について説明した。
【００５７】
このような熱型電磁波検出素子１によれば、光反射膜３が検出部５の下部電極５１１と
電気的に接続されているため、例えば、検出部５を駆動させるために下部電極５１１およ
び上部電極５１３間に駆動信号（電圧）を印加すると、この駆動信号が光反射膜３にも伝
達され、これにより、光反射膜３が昇温する。このような光反射膜３の昇温によって、検
出部５の温度と基板２側の温度との差を小さくすることができる。そのため、検出部５の
感度が高まる。
【００５８】
また、光反射膜３が第２ビア７２に接続されているため、例えば、基板２の熱を光反射
膜３および第２ビア７２を介して基板２の下面から放出することができる。そのため、例
えば、基板２の温度の揺らぎを抑制することができ、基板２の温度変化に伴う検出部５の
感度の変化を抑制することができる。そのため、検出部５は、安定した感度を発揮するこ
とができる。
【００５９】
２．熱型電磁波検出素子の製造方法
次に、熱型電磁波検出素子の製造方法（本発明の熱型電磁波検出素子の製造方法）につ
いて、熱型電磁波検出素子１の製造方法を例に挙げて説明する。なお、以下では、説明の
便宜上、各部の構成材料を特定して説明するが、各部の構成材料は、その特定されたもの
に限定されるものではなく、上述したような各種材料を用いることができる。
【００６０】
熱型電磁波検出素子１の製造方法は、光反射膜３が埋設された第１基板（基板）９００
と第２基板（支持層）であるメンブレン４とが積層し、メンブレン４には検出部５が設け
られ、下部電極５１１と光反射膜３とが第１ビア７１を介して電気的に接続されている積
層体９を得る工程と、第１基板９００の一部（犠牲層７）をメンブレン４側から除去する
ことにより第１基板９００に検出部５との間に位置する凹部２２１を形成し、凹部２２１
から光反射膜３を露出させる工程とを有している。
【００６１】
以下、熱型電磁波検出素子１の製造方法を詳細に説明する。
［１］基板製造工程
まず、図３（ａ）に示すように、Ｓｉで構成された板状の基部２１を用意し、基部２１
の上面を熱酸化してＳｉＯ２膜を形成する。さらに、蒸着、スパッタリング、イオンプレ
ーティング、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの気
相成膜法を用いて、熱酸化により形成されたＳｉＯ２膜上に、ＳｉＯ２膜を形成する。
【００６２】
上記工程によって、ＳｉＯ２膜を所定厚さとした後、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＯ
２膜上にＡｕで構成された金属膜を形成し、さらに金属膜をパターニングすることにより
、光反射膜３を形成する。金属膜の形成方法としては、特に限定されず、例えば、前述し
たような各種気相成膜法を用いることができる。また、金属膜のパターニングとしては、
特に限定されず、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて金属膜の上面に光反射膜３に対
応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて金属膜をパターニングした後、
マスクを除去すればよい。
【００６３】
次に、光反射膜３を覆うように、ＳｉＯ２膜上に、さらに、蒸着、スパッタリング、イ
オンプレーティング、ＰＶＤ、ＣＶＤなどの気相成膜法を用いて、ＳｉＯ２膜を形成する
。これにより、ＳｉＯ２膜で構成され、光反射膜３が埋設された絶縁層２２が形成される
。
次に、絶縁層２２の上面に開放する凹部２２１（空隙Ｓ）を形成する。凹部２２１の形
成方法としては、特に限定されず、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて絶縁層２２の
上面に凹部２２１を除く部分に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用い
て絶縁層２２をパターニングした後、マスクを除去すればよい。この際、光反射膜３がエ
ッチングのストップ層として機能させ、絶縁層２２を光反射膜３が露出するまで凹部２２
１を彫り込むことにより、光反射膜３の上面３１を凹部２２１の底部から空隙Ｓ内に露出
させることができる。
以上により、図３（ｃ）に示すように、基板２が得られる。
【００６４】
［２］犠牲層形成工程
次に、図４（ａ）に示すように、絶縁層２２の表面（上面および凹部２２１の側面）に
、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＰＶＤ、ＣＶＤなどの気相成膜法を用
いて、Ａｌ２Ｏ３で構成された保護層６４を形成する。このような保護層６４は、絶縁性
およびＨＦ（エッチング液）に対する耐エッチング性を有している。
次に、図４（ｂ）に示すように、凹部２２１内に、蒸着、スパッタリング、イオンプレ
ーティング、ＰＶＤ、ＣＶＤなどの気相成膜法を用いて、ＳｉＯ２で構成された犠牲層７
を形成する。
これにより第１基板９００が得られる。
【００６５】
［３］基板接合工程
次に、図４（ｃ）に示すように、犠牲層７および保護層６４の上面に、蒸着、スパッタ
リング、イオンプレーティング、ＰＶＤ、ＣＶＤなどの気相成膜法を用いて、Ａｌ２Ｏ３
で構成された保護層６１を形成し、さらにその上面に、ＳｉＯ２で構成された基板４０を
形成する。この基板４０は、後のパターニング工程を経てメンブレン４となる基板である
。
【００６６】
［４］パターニング工程
次に、図５（ａ）に示すように、第１ビア７１を形成する。具体的には、まず、基板４
０の上面に、フォトリソグラフィ法などを用いて第１ビア７１以外の部分に対応するマス
クを形成し、ドライエッチング法などを用いて基板４０および絶縁層２２に、光反射膜３
まで到達する孔８１を形成し、マスクを除去する。次に、孔８１にＣｕ（銅）を充填し、
第１ビア７１を形成する。
【００６７】
次に、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて基板４０の上面に搭載部４１、アーム４
２、４３および支持部４４に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて
基板４０および保護層６１をパターニングした後、マスクを除去する。これにより、搭載
部４１、アーム４２、４３および支持部４４が一体的に形成されたメンブレン４が形成さ
れる。なお、基板４０のエッチングと保護層６１は、異なるエッチング条件でパターニン
グしてもよい。
【００６８】
［５］検出部形成工程
次に、図５（ｂ）に示すように、メンブレン４上に検出部５を形成し、その後、検出部
５を覆うように、前述したような気相成膜法により、Ａｌ２Ｏ３で構成された保護層６２
を形成する。これにより積層体９が得られる。以下、検出部５の製造方法について説明す
る。
【００６９】
まず、搭載部４１の上面に下部電極５１１を形成する。具体的には、まず、Ｉｒ（イリ
ジウム）、ＩｒＯｘ（酸化イリジウム）、Ｐｔ（白金）を、この順に前述したような気相
成膜法により成膜する。次に、フォトリソグラフィ法などを用いて膜上に下部電極５１１
に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて膜をパターニングした後、
マスクを除去する。これにより、下部電極５１１が形成される。
【００７０】
次に、下部電極５１１の上面に焦電体層５１２を形成する。具体的には、まず、焦電体
層５１２を、前述したような気相成膜法またはゾルゲル法により成膜する。次に、フォト
リソグラフィ法などを用いて膜上に焦電体層５１２に対応するマスクを形成し、ドライエ
ッチング法を用いて膜をパターニングした後、マスクを除去する。これにより、焦電体層
５１２が形成される。
【００７１】
次に、焦電体層５１２の上面に上部電極５１３を形成する。具体的には、まず、Ｐｔ（
白金）、ＩｒＯｘ（酸化イリジウム）、Ｉｒ（イリジウム）を、この順に前述したような
気相成膜法により成膜する。次に、フォトリソグラフィ法などを用いて膜上に上部電極５
１３に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて膜をパターニングした
後、マスクを除去する。これにより、上部電極５１３が形成される。
【００７２】
次に、キャパシター５１を覆うように、絶縁膜５２を形成する。具体的には、まず、Ｓ
ｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４を前述したような気相成膜法により成膜する。次に、フォトリソ
グラフィ法などを用いて膜上に絶縁膜５２に対応するマスクを形成し、ドライエッチング
法などを用いて膜をパターニングした後、マスクを除去する。これにより、絶縁膜５２が
形成される。
【００７３】
次に、絶縁膜５２に第１、第２コンタクトホール５２１、５２２を形成する。具体的に
は、フォトリソグラフィ法などを用いて絶縁膜５２上に第１、第２コンタクトホール５２
１、５２２に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて絶縁膜５２をパ
ターニングした後、マスクを除去する。これにより、絶縁膜５２に第１コンタクトホール
５２１および第２コンタクトホール５２２が形成される。
【００７４】
次に、下部電極配線５３および上部電極配線５４を形成する。具体的には、まず、メン
ブレン４の上面および絶縁膜５２の上面に跨って、Ａｌ（アルミニウム）を前述したよう
な気相成膜法により成膜する。この際、第１、第２コンタクトホール５２１、５２２内に
Ａｌが充填されるように成膜する。次に、フォトリソグラフィ法などを用いて膜上に下部
電極配線５３および上部電極配線５４に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法な
どを用いてパターニングした後、マスクを除去する。これにより、第１コンタクトホール
５２１を通じて下部電極５１１と電気的に接続され、アーム４２の先端部まで引き出され
た下部電極配線５３が形成されるとともに、第２コンタクトホール５２２を通じて上部電
極５１３と電気的に接続され、アーム４３の先端部まで引き出された上部電極配線５４が
形成される。
【００７５】
次に、キャパシター５１、下部電極配線５３および上部電極配線５４を覆うように、絶
縁膜５５を形成する。具体的には、まず、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４を前述したような気
相成膜法により成膜する。次に、フォトリソグラフィ法などを用いて膜上に絶縁膜５５に
対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて膜をパターニングした後、マ
スクを除去する。これにより、絶縁膜５５が形成される。
【００７６】
次に、キャパシター５１と重なるように赤外線吸収膜５６を形成する。具体的には、ま
ず、Ｓｉ３Ｎ４を前述したような気相成膜法により成膜する。次に、フォトリソグラフィ
法などを用いて膜上に赤外線吸収膜５６に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法
などを用いて膜をパターニングした後、マスクを除去する。これにより、赤外線吸収膜５
６が形成される。
以上により、検出部５が形成される。
【００７７】
［７］ビア形成工程
次に、図６（ａ）に示すように、第２ビア７２および第３ビア７３を形成する。具体的
には、まず、基板２の下面に、フォトリソグラフィ法などを用いて第２ビア７２、第３ビ
ア７３以外の部分に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて基板２に
孔８２、８３を形成し、マスクを除去する。次に、孔８２、８３にＣｕ（銅）を充填し、
第２ビア７２および第３ビア７３を形成する。
【００７８】
次に、基板２の下面に外部接続端子２８、２９を形成する。具体的には、まず、基板２
の下面に、Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ａｕ（金）を、この順に前述したような気相成膜法により
成膜する。次に、フォトリソグラフィ法などを用いて膜上に外部接続端子２８、２９に対
応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて膜をパターニングした後、マス
クを除去する。これにより、外部接続端子２８、２９が形成される。
【００７９】
［８］犠牲層除去工程
次に、図６（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２で構成された犠牲層７を除去する。具体的に
は、工程［８］で得られたものを、ＨＦ（フッ化水素）ベーパー雰囲気に曝すことにより
、メンブレン４の開口（搭載部４１と支持部４４の間の隙間）からフッ化水素を犠牲層７
に触れさせる。これにより、ＳｉＯ２で構成された犠牲層７が腐食されて除去され、犠牲
層７の存在していた領域が空洞化することにより空隙Ｓが形成される。
【００８０】
なお、犠牲層７と同じく、メンブレン４や絶縁層２２もＳｉＯ２で構成されているが、
前述のように、これらの表面には、保護層６１、６２、６４が形成されているため、本工
程にてメンブレン４や絶縁層２２が腐食し、除去されるのを防止している。
以上により、熱型電磁波検出素子１が得られる。
このような製造方法によれば、簡単に、熱型電磁波検出素子１を製造することができる
。また、犠牲層７は、最後の工程にて除去すればよい。そのため、製造過程にて、順に重
ね合わせていく部材同士（例えば、基板２とメンブレン４）の間に空隙が形成されず、機
械的強度を十分に高く維持しながら熱型電磁波検出素子１を製造することができる。その
結果、製造工程時の破損等を効果的に防止することができ、信頼性の高い熱型電磁波検出
素子１を高い歩留まりで製造することができる。
【００８１】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の熱型電磁波検出素子の第２実施形態について説明する。
図７は、本発明の第２実施形態に係る熱型電磁波検出素子を示す平面図である。
以下、第２実施形態の熱型電磁波検出素子について、前述した実施形態との相違点を中
心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００８２】
本発明の第２実施形態にかかる熱型電磁波検出素子は、メンブレンのアームの形状が異
なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の
構成には、同一符号を付してある。
図７に示すように、本実施形態の熱型電磁波検出素子１Ａでは、メンブレン４が有する
２つのアーム４２Ａ、４３Ａは、搭載部４１の外周に沿って、その長手方向の途中で略直
角に屈曲した形状、すなわち略「Ｌ」字状となっている。また、２本のアーム４２Ａ、４
３Ａは、搭載部４１の中心に対して点対称となるように形成されている。
【００８３】
具体的には、アーム４２Ａは、搭載部４１の図７中左上の角部４１１から左側へ延出し
た基端部４２１Ａと、基端部４２１Ａの先端から下側へ延出し、その先端が支持部４４に
連結された先端部４２３Ａとを有している。また、先端部４２３Ａは、搭載部４１の左辺
４１３に沿って設けられている。また、基端部４２１Ａは、先端部４２３Ａに対して短く
形成されている。
【００８４】
一方、アーム４３Ａは、搭載部４１の図７中右下の角部４１２（角部４１１の対角）か
ら右側へ延出した基端部４３１Ａと、基端部４３１Ａの先端から上側へ延出し、その先端
が支持部４４に連結された先端部４３３Ａとを有し、先端部４３３Ａは、搭載部４１の右
辺４１４に沿って設けられている。また、基端部４３１Ａは、先端部４３３Ａに対して短
く形成されている。
【００８５】
アーム４２Ａ、４３Ａをこのような形状とすることにより、搭載部４１からのアーム４
２Ａ、４３Ａの過度な突出を防止しつつ、すなわち、アーム４２Ａ、４３Ａの先端部４２
３Ａ、４３３Ａが搭載部４１から遠く離れずに、アーム４２Ａ、４３Ａをより長くするこ
とができる。そのため、熱型電磁波検出素子１の小型化を図りつつ、検出部５をより効果
的に熱分離することができる。
【００８６】
なお、図示の構成では、基端部４２１Ａの幅と先端部４２３Ａの幅が等しいが、基端部
４２１Ａの幅が先端部４２３の幅よりも太くてもよい。
また、図示の構成では、基端部４２１Ａと先端部４２３Ａとの屈曲角度が９０°である
が、屈曲角度としては、これに限定されず、例えば、４５〜１３５°程度であってもよい
。
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮するこ
とができる。
【００８７】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の熱型電磁波検出素子の第３実施形態について説明する。
図８は、本発明の第３実施形態に係る熱型電磁波検出素子を示す平面図である。
以下、第３実施形態の熱型電磁波検出素子について、前述した実施形態との相違点を中
心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００８８】
本発明の第３実施形態にかかる熱型電磁波検出素子は、メンブレンのアームの形状が異
なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の
構成には、同一符号を付してある。
図８に示すように、本実施形態の熱型電磁波検出素子１Ｂでは、メンブレン４が有する
２つのアーム４２Ｂ、４３Ｂは、搭載部４１の外周に沿って、その長手方向の途中の２か
所にて同じ方向へ略直角に屈曲した形状となっている。また、２本のアーム４２Ｂ、４３
Ｂは、搭載部４１の中心に対して点対称となるように形成されている。
【００８９】
具体的には、アーム４２Ｂは、搭載部４１の図８中左上の角部４１１から左側へ延出し
た基端部４２１Ｂと、基端部４２１Ｂの先端から下側へ延出した中間部４２２Ｂと、中間
部４２２Ｂの先端から右側に延出し、その先端が支持部４４に連結された先端部４２３Ｂ
とを有している。また、中間部４２２Ｂは、搭載部４１の左辺４１３に沿って設けられて
いる。また、先端部４２３Ｂは、搭載部４１の下辺４１５に沿って設けられている。また
、基端部４２１Ｂは、中間部４２２Ｂおよび先端部４２３Ｂに対して短く形成されている
。
【００９０】
一方、アーム４３Ｂは、搭載部４１の図８中右下の角部４１２（角部４１１の対角）か
ら右側へ延出した基端部４３１Ｂと、基端部４３１Ｂの先端から上側へ延出した中間部４
３２Ｂと、中間部４３２Ｂの先端から左側に延出し、その先端が支持部４４に連結された
先端部４３３Ｂとを有している。また、中間部４３２Ｂは、搭載部４１の右辺４１４に沿
って設けられている。また、先端部４３３Ｂは、搭載部４１の上辺４１６に沿って設けら
れている。また、基端部４３１Ｂは、中間部４３２Ｂおよび先端部４３３Ｂに対して短く
形成されている。
【００９１】
アーム４２Ｂ、４３Ｂをこのような形状とすることにより、搭載部４１からのアーム４
２Ｂ、４３Ｂの過度な突出を防止しつつ、すなわち、アーム４２Ｂ、４３Ｂの先端部４２
３Ａ、４３３Ａが搭載部４１から遠く離れずに、アーム４２Ｂ、４３Ｂをより長く（例え
ば、前述した第２実施形態のアーム４２Ａ、４３Ａよりも長く）することができる。その
ため、熱型電磁波検出素子１の小型化を図りつつ、検出部５をより効果的に熱分離するこ
とができる。
【００９２】
なお、図示の構成では、基端部４２１Ｂの幅と中間部４２２Ｂの幅と先端部４２３Ｂの
幅が等しいが、これらの幅の関係は、特に限定されず、例えば、基端部４２１Ｂ、中間部
４２２Ｂおよび先端部４２３Ｂのうちの２つが等しい幅を有し、他の１つが異なる幅を有
していてもよいし、互いに幅が異なっていてもよい。具体的には、例えば、中間部４２２
Ｂの幅と先端部４２３Ｂの幅が等しく、基端部４２１Ｂの幅が中間部４２２Ｂ（先端部４
２３Ｂ）の幅よりも太くてもよい。
【００９３】
また、図示の構成では、基端部４２１Ｂと中間部４２２Ｂとの屈曲角度が９０°である
が、屈曲角度としては、これに限定されず、例えば、４５〜１３５°程度であってもよい
。中間部４２２Ｂと先端部４２３Ｂとの屈曲角度についても同様である。
このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮するこ
とができる。
【００９４】
３．熱型電磁波検出装置
次に、熱型電磁波検出素子１を適用した熱型電磁波検出装置（本発明の熱型電磁波検出
装置）１０について説明する。
図９は、本発明の熱型電磁波検出装置の好適な実施形態を示す平面図、図１０は、図９
に示す熱型電磁波検出装置の断面図である。
【００９５】
図９および図１０に示すように、センサーデバイス（熱型電磁波検出装置）１０は、複
数の熱型電磁波検出素子１が直交２軸方向に行列状に配列されたセンサー基板１１と、セ
ンサー基板１１の下側に位置し、各熱型電磁波検出素子１からの信号を処理する回路が形
成された回路基板１２とを有している。
センサー基板１１に配置される熱型電磁波検出素子１の数としては、例えば、３２０×
２４０程度とすることができる。これにより、ＱＶＧＡ程度の表示解像度が得られ、例え
ば、センサーデバイス１０をカメラ等に適用する場合に、その使用目的によっても異なる
が十分な解像度を有する画像を提供することができる。なお、センサー基板１１に配置さ
れる熱型電磁波検出素子１の数としては、特に限定されず、例えば、６４０×４８０程度
であってもよい。これにより、ＶＧＡ程度の表示解像度が得られ、高い解像度を有する画
像を提供することができる。
【００９６】
センサー基板１１は、基板２が各熱型電磁波検出素子１で共通化されていること以外は
、前述した熱型電磁波検出素子１の構成と同様である。すなわち、センサー基板１１は、
基板２と、基板２にビア３１、３２を介して支持されている複数のメンブレン４と、各メ
ンブレン４に搭載された複数の検出部５とを有している。１つの熱型電磁波検出素子１が
占める領域は、例えば３０×３０μｍ程度である。なお、各部の構成は、前述したものと
同様であるため、その説明を省略する。
【００９７】
回路基板１２は、基板２の下面に形成された複数の外部接続端子２８、２９と接続バン
プ１３を介して電気的に接続されている。これにより、回路基板１２と各熱型電磁波検出
素子１とが電気的に接続される。ここで、前述したように、各熱型電磁波検出素子１では
、ビア３１、３２によって、下部電極５１１および上部電極５１３が基板２の下面まで引
き出されているため、センサー基板１１と回路基板１２との電気的な接続を簡単に行うこ
とができる。
【００９８】
回路基板１２は、例えば、各熱型電磁波検出素子１に対応して形成された読み出し回路
（ＲＯＩＣ）１２１と、各熱型電磁波検出素子１の駆動を制御する制御回路１２２と、Ａ
／Ｄ変換回路１２３とを有している。
制御回路１２２は、各熱型電磁波検出素子１の駆動を制御する機能を有する。また、各
読み出し回路１２１は、対応する熱型電磁波検出素子１から出力された信号を個別に処理
する。読み出し回路１２１によって処理された各熱型電磁波検出素子１からの信号は、Ａ
／Ｄ変換回路１２３によってデジタル信号に変換され、デジタルの画像信号として出力さ
れる。
【００９９】
なお、図示の構成では、複数の熱型電磁波検出素子１が２次元的に配列されているが、
これに限定されず、複数の熱型電磁波検出素子１が１列（１軸方向）に並んで配置されて
いてもよい。この場合、直線状に並んだものの他、例えば、円形に並んだものでもよい。
また、例えば、所定方向（例えば、図９中縦方向）に１列に並ぶ複数の熱型電磁波検出
素子１において、第３ビア７３を共通化してもよい。すなわち、例えば、メンブレン４上
に各熱型電磁波検出素子１の上部電極配線をまとめて一本の配線とし、この一本の配線に
対して１つの第３ビア７３を形成することにより、センサー基板１１の構成をより簡略化
することができる。
【０１００】
４．電子機器
次に、熱型電磁波検出素子１（センサーデバイス１０）を適用した電子機器（本発明の
電子機器）について説明する。
（テラヘルツカメラ）
図１１は、センサーデバイス１０を利用した電子機器の一具体例に係るテラヘルツカメ
ラ１００の構成を概略的に示す。この図において、テラヘルツカメラ１００は、筐体１０
１を備えている。また、筐体１０１の正面には、スリット１０２が形成されているととも
に、レンズ１０３が装着されている。スリット１０２からテラヘルツ帯の電磁波が対象物
に向かって照射される。こうした電磁波には、テラヘルツ波といった電波および赤外線と
いった光が含まれる。なお、テラヘルツ帯には１００ＧＨｚ〜３０ＴＨｚの周波数帯が含
まれている。レンズ１０３には、対象物から反射してくるテラヘルツ帯の電磁波が取り込
まれる。
【０１０１】
テラヘルツカメラ１００の構成をさらに詳しく説明すると、図１２に示すように、テラ
ヘルツカメラ１００は、照射源（電磁波源）１０４を備えている。照射源１０４には、駆
動回路１０５が接続されている。駆動回路１０５は、照射源１０４に所望の駆動信号を供
給する。照射源１０４は、駆動信号の受領に応じてテラヘルツ帯の電磁波を放射する。照
射源１０４には、例えばレーザー光源が用いられる。
【０１０２】
レンズ１０３は、光学系１０６を構成する。光学系１０６は、レンズ１０３のほかに光
学部品を備えてもよい。レンズ１０３の光軸１０３ａ上にセンサーデバイス１０が配置さ
れている。光学系１０６は、熱型電磁波検出素子１のマトリクス上に像を結像する。セン
サーデバイス１０には、アナログデジタル変換回路１０７が接続されている。アナログデ
ジタル変換回路１０７には、センサーデバイス１０から熱型電磁波検出素子１の出力が順
番に時系列で供給される。アナログデジタル変換回路１０７は、出力のアナログ信号をデ
ジタル信号に変換する。
【０１０３】
アナログデジタル変換回路１０７には、演算処理回路（処理回路）１０８が接続されて
いる。演算処理回路１０８には、アナログデジタル変換回路１０７からデジタルの画像デ
ータが供給される。演算処理回路１０８は、画像データを処理し表示画面の画素ごとに画
素データを生成する。演算処理回路１０８には、描画処理回路１０９が接続されている。
描画処理回路１０９は、画素データに基づき描画データを生成する。描画処理回路１０９
には、表示装置１１０が接続されている。表示装置１１０には、例えば液晶ディスプレイ
といったフラットパネルディスプレイを用いることができる。表示装置１１０は、描画デ
ータに基づき画面上に画像を表示する。描画データは、記憶装置１１１に格納することが
できる。紙やプラスチック、繊維その他の物体に対する透過性、および、物質固有の吸収
スペクトルに基づきテラヘルツカメラ１００は、検査装置として利用されることができる
。
【０１０４】
その他、テラヘルツカメラ１００は、物質の定性分析や定量分析に利用されることがで
きる。こうした利用にあたって、例えばレンズ１０３の光軸１０３ａ上には特定周波数の
フィルターが配置される。フィルターは、特定波長以外の電磁波を遮断する機能を有する
。したがって、特定波長の電磁波のみがセンサーデバイス１０に到達し、これによって特
定の物質の有無や量が検出される。
【０１０５】
（赤外線カメラ）
図１３は、センサーデバイス１０を利用した電子機器の一具体例に係る赤外線カメラ２
００の構成を概略的に示す。この図において、赤外線カメラ２００は、光学系２０１を備
えている。光学系２０１の光軸２０１ａ上にセンサーデバイス１０が配置されている。光
学系２０１は、熱型電磁波検出素子１のマトリクス上に像を結像する。センサーデバイス
１０には、アナログデジタル変換回路２０２が接続されている。アナログデジタル変換回
路２０２には、センサーデバイス１０から熱型電磁波検出素子１の出力が順番に時系列で
供給される。アナログデジタル変換回路２０２は、出力のアナログ信号をデジタル信号に
変換する。
【０１０６】
アナログデジタル変換回路２０２には、演算処理回路（処理回路）２０３が接続されて
いる。演算処理回路２０３には、アナログデジタル変換回路２０２からデジタルの画像デ
ータが供給される。演算処理回路２０３は、画像データを処理し表示画面の画素ごとに画
素データを生成する。演算処理回路２０３には、描画処理回路２０４が接続されている。
描画処理回路２０４は、画素データに基づき描画データを生成する。描画処理回路２０４
には、表示装置２０５が接続されている。表示装置２０５には、例えば液晶ディスプレイ
といったフラットパネルディスプレイを用いることができる。表示装置２０５は、描画デ
ータに基づき画面上に画像を表示する。描画データは、記憶装置２０６に格納することが
できる。
【０１０７】
赤外線カメラ２００は、サーモグラフィーとして利用することができる。この場合には
赤外線カメラ２００は、表示装置２０５の画面に熱分布画像を映し出すことができる。熱
分布画像の生成にあたって演算処理回路２０３では温度帯域ごとに画素の色が設定される
。サーモグラフィーは、人体の温度分布の測定や体温そのものの測定に用いることができ
る。その他、サーモグラフィーは、ＦＡ（ファクトリーオートメーション）機器に組み込
まれて熱漏れや異常な温度変化の検出に用いることができる。
【０１０８】
例えば、図１４に示すように、ＦＡ機器（電子機器）３００は、ＦＡ機能ユニット３０
１を備えている。ＦＡ機能ユニット３０１は、特定の機能の実現にあたって動作する。Ｆ
Ａ機能ユニット３０１には、制御回路（処理回路）３０２が接続されている。制御回路３
０２は、加熱や加圧、機械的処理、化学的処理、その他のＦＡ機能ユニット３０１の動作
を制御する。
【０１０９】
制御回路３０２には、赤外線カメラ２００、表示装置３０３およびスピーカー３０４な
どが接続されている。赤外線カメラ２００は、撮像範囲内でＦＡ機能ユニット３０１を撮
像する。制御回路３０２は、撮像範囲内で異常な高温や温度変化を検出すると、ＦＡ機能
ユニット３０１に向けて動作停止信号を出力したり、表示装置３０３やスピーカー３０４
に向けて警告信号を出力したりする。
【０１１０】
異常な高温や温度変化の検出にあたって、制御回路３０２は、例えばメモリ（図示され
ず）内に基準温度分布データを保持する。基準温度分布データは、平常時の撮像範囲内の
温度分布を特定する。制御回路３０２は、基準温度分布データの熱分布にリアルタイムの
熱分布画像を照らし合わせることができる。その他、サーモグラフィーは、物体と周囲と
の温度差に基づき物体の検出に用いることができる。
【０１１１】
赤外線カメラ２００は、ナイトビジョンすなわち暗視カメラとして利用することができ
る。この場合には、赤外線カメラ２００は、表示装置２０５に例えば暗闇での画像を映し
出すことができる。暗視カメラは、例えばセキュリティー機器の一具体例としての監視カ
メラや、人感センサー、運転支援装置その他に利用することができる。
人感センサーは、エスカレーターや照明器具、空気調和機、テレビといった電気機器（
家電機器）のオンオフ制御、その他の制御に用いることができる。
【０１１２】
例えば、図１５に示すように、電気機器４００は、機能ユニット４０１を備えている。
機能ユニット４０１は、特定の機能の実現にあたって機械的動作や電気的動作を実施する
。機能ユニット４０１には、人感センサー４０２が接続されている。人感センサー４０２
は、赤外線カメラ２００を備えている。赤外線カメラ２００は、監視範囲内で撮像を実施
する。赤外線カメラ２００には、判定回路４０３が接続されている。
【０１１３】
判定回路４０３は、熱分布画像に基づき人の存在または不存在を判定する。判定にあた
って判定回路４０３は、画像内で特定温度域（例えば体温の温度域の塊）の動きを検出す
る。判定回路４０３は、人の存在または不存在を特定する判定信号を機能ユニット４０１
に供給する。機能ユニット４０１は、例えば、判定信号の受領に応じてオンオフ制御され
る。
【０１１４】
例えば、図１６に示すように、運転支援装置（電子機器）５００は、赤外線カメラ２０
０およびヘッドアップディスプレイ５０１を備えている。赤外線カメラ２００は、例えば
車両５０２のフロントノーズ５０３に取り付けられている。赤外線カメラ２００は、車両
５０２から前方に広がる撮像範囲を撮像する位置に配置されている。ヘッドアップディス
プレイ５０１は、例えばフロントウインドウ５０４の運転席側に配置されている。ヘッド
アップディスプレイ５０１には、赤外線カメラ２００の画像が映し出すことができる。ヘ
ッドアップディスプレイ５０１の画面では、例えば撮像範囲で捕捉される歩行者の像を強
調することができる。
【０１１５】
図１７に示すように、赤外線カメラ２００およびヘッドアップディスプレイ５０１には
処理回路５０５が接続されている。処理回路５０５には、車速センサー５０６、ヨーレー
トセンサー５０７およびブレーキセンサー５０８が接続されている。車速センサー５０６
は、車両５０２の走行速度を検出する。ヨーレートセンサー５０７は、車両５０２のヨー
レートを検出する。ブレーキセンサー５０８は、ブレーキペダルの操作の有無を検出する
。処理回路５０５は、車両５０２の走行状態に応じて特定の歩行者を選別する。処理回路
５０５は、車両５０２の走行速度、ヨーレートおよびブレーキの踏み具合に応じて車両５
０２の走行状態を特定する。処理回路５０５は、スピーカー５０９から例えば音声に基づ
き運転者の注意を促してもよい。
【０１１６】
（ゲーム機コントローラー）
図１８は、センサーデバイス１０を利用した電子機器の一具体例に係るゲーム機６００
の構成を概略的に示す。この図において、ゲーム機６００は、ゲーム機本体６０１、表示
装置６０２およびコントローラー（電子機器）６０３を備えている。
表示装置６０２は、例えば有線でゲーム機本体６０１に接続されている。ゲーム機本体
６０１の動作は、表示装置６０２の画面に映し出される。プレーヤーＧは、コントローラ
ー６０３を用いてゲーム機本体６０１の動作を操作する。こうした操作の実現にあたって
、コントローラー６０３には、例えば１対のＬＥＤモジュール６０４から赤外線が照射さ
れる。ＬＥＤモジュール６０４は、例えば表示装置６０２の画面の周囲でベゼルに取り付
けることができる。
【０１１７】
図１９に示すように、コントローラー６０３には、センサーデバイス１０が組み込まれ
ている。なお、センサーデバイス１０には、赤外線フィルター６０５および光学系（例え
ばレンズ）６０６が組み合わせられてもよい。センサーデバイス１０は、ＬＥＤモジュー
ル６０４から放射される赤外線を受光することができる。センサーデバイス１０には、画
像処理回路６０７が接続されている。画像処理回路６０７は、予め決められた画面内でＬ
ＥＤモジュール６０４の赤外線スポットを画像化する。
【０１１８】
画像処理回路６０７には、演算処理回路６０８が接続されている。演算処理回路６０８
は、赤外線スポット情報を生成する。この赤外線スポット情報では、予め決められた画面
内で赤外線スポットの位置および大きさが特定される。赤外線スポットの位置は、ＬＥＤ
モジュール６０４の位置に対応する。また、赤外線スポットの大きさは、ＬＥＤモジュー
ル６０４との距離に対応する。
【０１１９】
演算処理回路６０８には、無線モジュール６０９が接続されている。赤外線スポット情
報は、無線モジュール６０９からゲーム機本体６０１に送り込まれる。なお、図示の構成
では、演算処理回路６０８に操作スイッチ６１０や加速度センサー６１１が接続されてい
る。操作スイッチ６１０の操作信号や加速度センサー６１１の加速度情報は、無線モジュ
ール６０９からゲーム機本体６０１に供給される。
【０１２０】
ゲーム機本体６０１は、無線モジュール６１２で操作信号や赤外線スポット情報、加速
度情報を受信する。ゲーム機本体６０１内のプロセッサー６１３は、操作信号に基づき操
作スイッチ６１０の動作を特定し、赤外線スポット情報および加速度情報に基づきコント
ローラー６０３の動きを特定する。こうして操作スイッチ６１０の動作やコントローラー
６０３の動きに応じてゲーム機本体６０１が制御される。ＬＥＤモジュール６０４は、プ
ロセッサー６１３に接続されることができる。プロセッサー６１３は、ＬＥＤモジュール
６０４の動作を制御することができる。
【０１２１】
以上、本発明の熱型電磁波検出素子、熱型電磁波検出素子の製造方法、熱型電磁波検出
装置および電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに
限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換す
ることができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各
実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【０１２２】
また、前述した実施形態では、焦電型の熱型電磁波検出素子について説明したが、本発
明の熱型電磁波検出素子は、焦電型に限定されず、例えば、熱電対型、抵抗型（ボロメー
ター型）であってもよい。
また、前述した実施形態では、光反射膜が下部電極に接続された構成について説明した
が、光反射膜が上部電極に電気的に接続されていてもよい。
また、前述した実施形態では、検出部が赤外線を検出する構成について説明したが、検
出部が検出する光の波長は、特に限定されない。
【符号の説明】
【０１２３】
１、１Ａ、１Ｂ……熱型電磁波検出素子  １０……センサーデバイス  １１……アレイ
基板  １２……回路基板  １２１……読み出し回路  １２２……制御回路  １２３……Ａ
／Ｄ変換回路  １３……接続バンプ  ２……基板  ２１……基部  ２２……絶縁層  ２２
１……凹部  ２８、２９……外部接続端子  ３……光反射膜  ３１……上面  ３２……突
出部  ４……メンブレン  ４０……基板  ４１……搭載部  ４１１、４１２……角部  ４
１３……左辺  ４１４……右辺  ４１５……下辺  ４１６……上辺  ４２、４２Ａ、４２
Ｂ、４３、４３Ａ、４３Ｂ……アーム  ４２１Ａ、４２１Ｂ、４３１Ａ、４３１Ｂ……基
端部  ４２２Ｂ、４３２Ｂ……中間部  ４２３Ａ、４２３Ｂ、４３３Ａ、４３３Ｂ……先
端部  ４４……支持部  ５……検出部  ５１……キャパシター  ５１１……下部電極  ５
１２……焦電体層  ５１３……上部電極  ５２……絶縁膜  ５２１……第１コンタクトホ
ール  ５２２……第２コンタクトホール  ５３……下部電極配線  ５４……上部電極配線
５５……絶縁膜  ５６……赤外線吸収膜  ６１、６２、６４……保護層  ７……犠牲層
７１……第１ビア  ７２……第２ビア  ７３……第３ビア  ８１、８２、８３……孔  
９……積層体  １００……テラヘルツカメラ  １０１……筐体  １０２……スリット  １
０３……レンズ  １０３ａ……光軸  １０４……照射源  １０５……駆動回路  １０６…
…光学系  １０７……アナログデジタル変換回路  １０８……演算処理回路  １０９……
描画処理回路  １１０……表示装置  １１１……記憶装置  ２００……赤外線カメラ  ２
０１……光学系  ２０１ａ……光軸  ２０２……アナログデジタル変換回路  ２０３……
演算処理回路  ２０４……描画処理回路  ２０５……表示装置  ２０６……記憶装置  ３
００……ＦＡ機器（電子機器）  ３０１……ＦＡ機能ユニット  ３０２……制御回路  ３
０３……表示装置  ３０４……スピーカー  ４００……電気機器  ４０１……機能ユニッ
ト  ４０２……人感センサー  ４０３……判定回路  ５００……運転支援装置（電子機器
）  ５０１……ヘッドアップディスプレイ  ５０２……車両  ５０３……フロントノーズ
５０４……フロントウインドウ  ５０５……処理回路  ５０６……車速センサー  ５０
７……ヨーレートセンサー  ５０８……ブレーキセンサー  ５０９……スピーカー  ６０
０……ゲーム機  ６０１……ゲーム機本体  ６０２……表示装置  ６０３……コントロー
ラー  ６０４……ＬＥＤモジュール  ６０５……赤外線フィルター  ６０６……光学系  
６０７……画像処理回路  ６０８……演算処理回路  ６０９……無線モジュール  ６１０
……操作スイッチ  ６１１……加速度センサー  ６１２……無線モジュール  ６１３……
プロセッサー  Ｄ……離間距離  Ｇ……プレーヤー  Ｓ……空隙
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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