(57)【要約】【課題】本発明は、コモンモードフィルタの製造方法及びコモンモードフィルタに関する。【解決手段】本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法は、導電材からなる第１コイルパターンに対して電解めっきを施し、前記第１コイルパターンより断面積が増加した第２コイルパターンを形成する段階を含むことができ、小型化要求に応えると共にインダクタンス及び直流抵抗などの特性が向上したコモンモードフィルタを具現することができる。【選択図】図４ｇ
2013197588.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電材からなる第１コイルパターンに対して電解めっきを施し、前記第１コイルパターンよりも断面積が増加した第２コイルパターンを形成する段階を含むコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項２】
前記第１コイルパターンに電解めっきを施した結果物に対して湿式エッチングを行う段階をさらに含む請求項１に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項３】
導電材からなる複数個の第１コイルパターンそれぞれの一端と電気的に連結される引込線に電源を印加して電解めっきを施し、前記複数個の第１コイルパターンよりも断面積が増加した複数個の第２コイルパターンを形成する段階を含むコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項４】
前記複数個の第２コイルパターンを形成した後、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれが互いに分離されるようにダイシング工程を行う段階をさらに含み、
前記ダイシング工程は、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれの一端から前記引込線が分離するように設定されるダイシングラインに沿って行われる請求項３に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項５】
前記電解めっきを施した結果物に対して湿式エッチングを行った後、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれが互いに分離されるようにダイシング工程を行う段階をさらに含み、
前記ダイシング工程は、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれの一端から前記引込線が分離するように設定されるダイシングラインに沿って行われる請求項３に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項６】
基板表面に金属シード層を形成する段階と、
前記金属シード層上に前記金属シード層の表面の一部が露出するようにフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記金属シード層の露出した表面に金属をめっきする段階と、
前記フォトレジストパターンの下方に位置した前記金属シード層及び前記フォトレジストパターンを除去して第１コイルパターンを形成する段階と、
前記第１コイルパターンに電解めっきを施し、前記第１コイルパターンよりも断面積が増加した第２コイルパターンを形成する段階と、
を含むコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項７】
前記第２コイルパターンに湿式エッチングを行う段階をさらに含む請求項６に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項８】
基板表面に金属シード層を形成する段階と、
前記金属シード層上で複数個の第１コイルパターンが形成される領域及び前記複数個の第１コイルパターンそれぞれの一端と電気的に連結される引込線が形成される領域が露出するようにフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記金属シード層の露出した表面に金属をめっきする段階と、
前記フォトレジストパターンの下方に位置した前記金属シード層及び前記フォトレジストパターンを除去して前記複数個の第１コイルパターン及び前記引込線を形成する段階と、
前記引込線に電源を印加して前記複数個の第１コイルパターンに電解めっきを施し、前記複数個の第１コイルパターンよりも断面積が増加した複数個の第２コイルパターンを形成する段階と、
を含むコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項９】
前記複数個の第２コイルパターンを形成した後、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれが互いに分離されるようにダイシング工程を行う段階をさらに含み、
前記ダイシング工程は、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれの一端から前記引込線が分離するように設定されるダイシングラインに沿って行われる請求項８に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項１０】
前記電解めっきを施した結果物に対して湿式エッチングを行った後、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれが互いに分離されるようにダイシング工程を行う段階をさらに含み、
前記ダイシング工程は、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれの一端から前記引込線が分離するように設定されるダイシングラインに沿って行われる請求項８に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
【請求項１１】
磁性体からなる基板上に導電材からなるコイルパターンが備えられてなるコモンモードフィルタであって、
前記コイルパターンは、前記基板に対向する面は平坦であり、その他の面は楕円形状からなる断面形状を有するコモンモードフィルタ。
【請求項１２】
前記コイルパターンは、
前記基板に対向する面に対して水平である長軸と、前記長軸に対して垂直である短軸との割合が１．１〜２：１である請求項１１に記載のコモンモードフィルタ。
【請求項１３】
前記コイルパターンは、
前記長軸から前記基板に対向する面までの最大距離と、前記長軸から前記コイルパターンの上部面までの最大距離との割合が６．５：３．５〜５．５：４．５である請求項１２に記載のコモンモードフィルタ。
【請求項１４】
前記コイルパターンは、
隣り合うコイル同士の間隔が前記コイルパターンの長軸の長さの０．１５〜０．４５倍である請求項１３に記載のコモンモードフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コモンモードフィルタの製造方法及びコモンモードフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
コモンモードフィルタ（Ｃｏｍｍｏｎ  Ｍｏｄｅ  Ｆｉｌｔｅｒ；ＣＭＦ）は、各種電子機器からコモンモードノイズを除去するために広く使用されている電子部品である。
【０００３】
近年、電子製品の小型化、スリム化及び高機能化に伴い、ノイズ除去性能を向上させると同時に小型化及び薄膜化が可能なコモンモードフィルタに対する研究が進められている。
【０００４】
ここで、コモンモードフィルタのインダクタンス及び直流抵抗などの特性を向上させるために様々な研究及び試みが行われており、例えば、特許文献１に開示されたカットオフ周波数を上昇させ、インピーダンス特性を向上させたコモンモードフィルタなどが挙げられる。
【０００５】
一方、図１ａから図１ｆには現在広く適用されているフォトレジスト工法を用いたコモンモードフィルタの製造方法が概略的に示されている。
【０００６】
図１ａから図１ｆを参照すると、従来の薄膜型コモンモードフィルタは、磁性体基板１０上に金属シード層２０を形成した後、金属シード層２０上にフォトレジストをコーティング及び現像してフォトレジストパターン３０を形成し、フォトレジストパターン３０によって露出された領域に銅などの導電材４０を充填する方式でコイルパターンを形成することができる。
【０００７】
図２は従来技術によるコモンモードフィルタの断面を概略的に示した図面であり、図２を参照すると、コモンモードフィルタを構成する第１コイルパターン５０ａの広さｗ、高さｈ、隣り合うコイルパターン同士の隔離距離ｄの関係を理解することができる。
【０００８】
図１ａから図１ｆ及び図２に示されたように、従来の一般的なフォトレジスト工法によりフォトレジストパターンを形成する場合、パターンの広さや隣り合うパターン同士の間隔を縮小するには限界があった。この際、コモンモードフィルタの全体幅を一定に維持しながらコイルパターンの体積を増加させるためには、隣り合うコイル同士の隔離距離ｄを縮小しなければならないが、前記フォトレジスト工法の限界により、隣り合うコイル同士の隔離距離ｄを縮小させるには限界があったため、コモンモードフィルタの全体的な大きさを増加せずにコモンモードフィルタ特性を向上させるには制約があるという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１１−００８２６４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記のような問題点を解決するために導き出された本発明は、コイルパターンの体積を増加させてインダクタンス及び直流抵抗などの特性を向上させることができるコモンモードフィルタの製造方法及びコモンモードフィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記のような目的を果たすために導き出された本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法は、導電材からなる第１コイルパターンに対して電解めっきを施し、前記第１コイルパターンよりも断面積が増加した第２コイルパターンを形成する段階を含むことができる。
【００１２】
この際、前記第１コイルパターンに電解めっきを施した結果物に対して湿式エッチングを行う段階をさらに含むことができる。
【００１３】
本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法は、導電材からなる複数個の第１コイルパターンそれぞれの一端と電気的に連結される引込線に電源を印加して電解めっきを施し、前記複数個の第１コイルパターンよりも断面積が増加した複数個の第２コイルパターンを形成する段階を含むことができる。
【００１４】
この際、前記複数個の第２コイルパターンを形成した後、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれが互いに分離されるようにダイシング工程を行う段階をさらに含み、前記ダイシング工程は、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれの一端から前記引込線が分離するように設定されるダイシングラインに沿って行われることができる。
【００１５】
また、前記電解めっきを施した結果物に対して湿式エッチングを行った後、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれが互いに分離されるようにダイシング工程を行う段階をさらに含み、前記ダイシング工程は、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれの一端から前記引込線が分離するように設定されるダイシングラインに沿って行われることができる。
【００１６】
本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法は、基板表面に金属シード層を形成する段階と、前記金属シード層上に前記金属シード層の表面の一部が露出するようにフォトレジストパターンを形成する段階と、前記金属シード層の露出した表面に金属をめっきする段階と、前記フォトレジストパターンの下方に位置した前記金属シード層及び前記フォトレジストパターンを除去して第１コイルパターンを形成する段階と、前記第１コイルパターンに電解めっきを施し、前記第１コイルパターンよりも断面積が増加した第２コイルパターンを形成する段階と、を含むことができる。
【００１７】
この際、前記第２コイルパターンに湿式エッチングを行う段階をさらに含むことができる。
【００１８】
本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法は、基板表面に金属シード層を形成する段階と、前記金属シード層上で複数個の第１コイルパターンが形成される領域及び前記複数個の第１コイルパターンそれぞれの一端と電気的に連結される引込線が形成される領域が露出するようにフォトレジストパターンを形成する段階と、前記金属シード層の露出した表面に金属をめっきする段階と、前記フォトレジストパターンの下方に位置した前記金属シード層及び前記フォトレジストパターンを除去して前記複数個の第１コイルパターン及び前記引込線を形成する段階と、前記引込線に電源を印加して前記複数個の第１コイルパターンに電解めっきを施し、前記複数個の第１コイルパターンよりも断面積が増加した複数個の第２コイルパターンを形成する段階と、を含むことができる。
【００１９】
この際、前記複数個の第２コイルパターンを形成した後、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれが互いに分離されるようにダイシング工程を行う段階をさらに含み、前記ダイシング工程は、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれの一端から前記引込線が分離するように設定されるダイシングラインに沿って行われることができる。
【００２０】
また、前記電解めっきを施した結果物に対して湿式エッチングを行った後、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれが互いに分離されるようにダイシング工程を行う段階をさらに含み、前記ダイシング工程は、前記複数個の第２コイルパターンそれぞれの一端から前記引込線が分離するように設定されるダイシングラインに沿って行われることができる。
【００２１】
本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタは、磁性体からなる基板上に導電材からなるコイルパターンが備えられてなるコモンモードフィルタであって、前記コイルパターンは、前記基板に対向する面は平坦であり、その他の面は楕円形状からなる断面形状を有することができる。
【００２２】
この際、前記コイルパターンは、前記基板に対向する面に対して水平である長軸と、前記長軸に対して垂直である短軸との割合が１．１〜２：１であることができる。
【００２３】
また、前記コイルパターンは、前記長軸から前記基板に対向する面までの最大距離と、前記長軸から前記コイルパターンの上部面までの最大距離との割合が６．５：３．５〜５．５：４．５であることができる。
【００２４】
また、前記コイルパターンは、隣り合うコイル同士の間隔が前記コイルパターンの長軸の長さの０．１５〜０．４５倍であることができる。
【発明の効果】
【００２５】
前記のように構成された本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法は、フォトレジスト工法で製造する場合、コイルパターンの断面積を増加させると共に隣り合うコイル同士の間隔を最小化することに限界があるという従来の問題点を解決することができる。
【００２６】
即ち、既に形成された第１コイルパターンに対して電解めっきをさらに施し、コイルパターンの断面積を増加させると共に隣り合うコイル同士の間隔を最小化することができる。
【００２７】
従って、小型化の要求に応えると共に、インダクタンス及び直流抵抗などの特性が向上したコモンモードフィルタを製造することができるという有用な効果を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１ａ】従来技術によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、基板を提供する段階を概略的に示した図面である。
【図１ｂ】従来技術によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、金属シード層を形成する段階を概略的に示した図面である。
【図１ｃ】従来技術によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、フォトレジストパターンを形成する段階を概略的に示した図面である。
【図１ｄ】従来技術によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、コイルパターンを形成する段階を概略的に示した図面である。
【図１ｅ】従来技術によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、フォトレジストパターンを除去する段階を概略的に示した図面である。
【図１ｆ】従来技術によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、金属シード層を除去する段階を概略的に示した図面である。
【図２】従来技術によるコモンモードフィルタの断面を概略的に示した図面である。
【図３ａ】本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、基板を提供する段階を概略的に示した図面である。
【図３ｂ】本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、金属シード層を形成する段階を概略的に示した図面である。
【図３ｃ】本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、フォトレジストパターンを形成する段階を概略的に示した図面である。
【図３ｄ】本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、フォトレジストパターンによって露出された金属シード層に金属をめっきする段階を概略的に示した図面である。
【図３ｅ】本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、フォトレジストパターンを除去する段階を概略的に示した図面である。
【図３ｆ】本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、金属シード層を除去して第１コイルパターンを形成する段階を概略的に示した図面である。
【図３ｇ】本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、第１コイルパターンに電解めっきを施して第２コイルパターンを形成する段階を概略的に示した図面である。
【図４ａ】本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、基板を提供する段階を概略的に示した図面である。
【図４ｂ】本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、金属シード層を形成する段階を概略的に示した図面である。
【図４ｃ】本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、フォトレジストパターンを形成する段階を概略的に示した図面である。
【図４ｄ】本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、フォトレジストパターンによって露出された金属シード層に金属をめっきする段階を概略的に示した図面である。
【図４ｅ】本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、フォトレジストパターンを除去する段階を概略的に示した図面である。
【図４ｆ】本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、金属シード層を除去して第１コイルパターンを形成する段階を概略的に示した図面である。
【図４ｇ】本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、第１コイルパターンを電解めっきする段階を概略的に示した図面である。
【図４ｈ】本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち、電解めっきの結果物を湿式エッチングして第２コイルパターンを形成する段階を概略的に示した図面である。
【図５】本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタの断面撮影図面である。
【図６】本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの断面を概略的に示した図面である。
【図７ａ】本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち複数個の第２コイルパターンが引込線で連結された状態を概略的に示した図面である。
【図７ｂ】図７ａのＶ部分の拡大図である。
【図７ｃ】図７ｂのダイシングラインＤＬに沿ってダイシング工程が行われた状態を概略的に示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを果たす方法は、添付図面と共に詳細に後述される実施例を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は以下で開示される実施例に限定されず、相異する様々な形態で具現されることができる。本実施例は、本発明の開示が完全になるようにすると共に、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に伝達するために提供されることができる。明細書全体において、同一参照符号は同一構成要素を示す。
【００３０】
本明細書で用いられる用語は、実施例を説明するためのものであり、本発明を限定しようとするものではない。本明細書で、単数型は文句で特別に言及しない限り複数型も含む。明細書で用いられる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及び／または「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された構成要素、段階、動作及び／または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作及び／または素子の存在または追加を排除しない。
【００３１】
以下、添付された図面を参照して本発明の構成及び作用効果についてより詳細に説明する。
【００３２】
図３ａから図３ｇは本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法を概略的に示した図面であり、図３ａは基板１０を提供する段階、図３ｂは金属シード層２０を形成する段階、図３ｃはフォトレジストパターン３０を形成する段階、図３ｄはフォトレジストパターン３０によって露出された金属シード層２０に金属をめっきする段階、図３ｅはフォトレジストパターン３０を除去する段階、図３ｆは金属シード層２０を除去して第１コイルパターン５０、５０ａを形成する段階、図３ｇは第１コイルパターン５０、５０ａに電解めっきを施して第２コイルパターン１５０、１５０ａを形成する段階を概略的に示した図面である。
【００３３】
図３ａから図３ｇを参照すると、本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法は、導電材４０からなる第１コイルパターン５０、５０ａに対して電解めっきを施して、第２コイルパターン１５０、１５０ａを形成することを特徴とする。
【００３４】
この際、第２コイルパターン１５０、１５０ａは第１コイルパターン５０、５０ａに比べて断面積が増加したコイルパターンである。即ち、印刷、めっきなど様々な方式によって基板１０上に第１コイルパターン５０、５０ａが形成された後、第１コイルパターン５０、５０ａに電源を印加して電解めっきを施すことにより、断面積が増加すると共に隣り合うコイル同士の隔離距離が縮小されることができる。
【００３５】
図３ａから図３ｇを参照して、フォトレジスト工法によりコモンモードフィルタを製作する場合に適用されることができる方法についてより具体的に説明する。
【００３６】
図３ａで示している基板１０を提供する段階では、コモンモードフィルタを製作するために必要な各種磁性体基板１０が提供されることができる。
【００３７】
次に、図３ｂで示しているに金属シード層２０を形成する段階は、後のめっき工程を行うためのシード物質をスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などの方式で基板１０の表面に形成する方式により行われることができる。
【００３８】
次に、図３ｃで示しているフォトレジストパターン３０を形成する段階では、フォトレジスト物質を金属シード層２０上に塗布した後、めっきされる領域を除去してフォトレジストパターン３０を形成することができる。
【００３９】
次に、図３ｄで示しているめっき工程では、前の段階で形成されたフォトレジストパターン３０によって露出された金属シード層２０の一領域に導電材４０がめっきされることができる。
【００４０】
次に、図３ｅで示したようにフォトレジストパターン３０を除去し、図３ｆで示したようにフォトレジストパターン３０の下方に位置した金属シード層部分４１を除去することにより、第１コイルパターン５０、５０ａを形成することができる。
【００４１】
次に、図３ｇで示したように、第１コイルパターン５０、５０ａに電解めっきを施してコイル断面積を増加させることにより第２コイルパターン１５０、１５０ａを形成することができる。
【００４２】
これにより、隣り合うコイル同士の隔離距離が縮小されると共にコイル体積の増加を具現することができるコモンモードフィルタを製造することができ、結果、全体的な大きさを増加せずにインダクタンス及び直流抵抗などの特性が向上したコモンモードフィルタを具現することができる。
【００４３】
一方、図面に示してはいないが、コモンモードフィルタを完成させるために複数の絶縁層、コイルパターン層、内部電極端子、外部電極端子及びハウジングなどが含まれることができ、このような事項は本発明が属する技術分野における通常の技術者であれば公知の技術から容易に理解することができるため、追加的な説明は省略する。
【００４４】
図４ａから４ｈは本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法を概略的に示した図面であり、図４ａは基板１０を提供する段階、図４ｂは金属シード層２０を形成する段階、図４ｃはフォトレジストパターン３０を形成する段階、図４ｄはフォトレジストパターン３０によって露出された金属シード層２０に金属をめっきする段階、図４ｅはフォトレジストパターン３０を除去する段階、図４ｆは金属シード層２０を除去して第１コイルパターン５０、５０ａを形成する段階、図４ｇは第１コイルパターン５０、５０ａを電解めっきする段階、図４ｈは電解めっきの結果物を湿式エッチングして第２コイルパターン２５０、２５０ａを形成する段階を概略的に示した図面である。
【００４５】
図４ａから図４ｇは前記図３ａから図３ｇと同一であるため、関連事項の重複説明を省略する。
【００４６】
図４ｇ及び４ｈを参照して、第２コイルパターン１５０、１５０ａとエッチングされた第２コイルパターン２５０、２５０ａとの断面積を比較すると、第２コイルパターン１５０、１５０ａに比べてエッチングされた第２コイルパターン２５０、２５０ａの断面積が多少小さいことを理解することができる。
【００４７】
即ち、図４ｈに示した図面は、電解めっき工程が行われてから過酸化水素と硫酸などを用いてコイルを湿式エッチングした後の状態を説明するためのものであり、電解めっき工程が過度に行われてコイル同士が接触したり、最小限の隔離距離が確保されない場合、湿式エッチングによってコイル同士の最小隔離距離を確保してショートが発生する問題を防止することができる。
【００４８】
また、電解めっきのみが行われた状態ではコイルの表面が比較的粗い状態になる可能性があり、湿式エッチング工程によりコイル表面を滑らかにすることもできる。
【００４９】
図５は本発明の他の実施形態によるコモンモードフィルタの断面撮影図面であり、図６は本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの断面を概略的に示した図面である。
【００５０】
図６を参照すると、本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタは全体的に楕円形状からなり、基板１０に対向する面が平坦な断面形状を有する第２コイルパターン１５０ａを含んでなることができる。
【００５１】
この際、第２コイルパターン１５０ａの高さｈが高すぎると多層に形成されるコモンモードフィルタのスリム化に不利であり、第２コイルパターン１５０ａの幅ｗが広すぎると制限された幅のコモンモードフィルタで十分な巻線数を確保するのに問題があり得る。
【００５２】
従って、基板１０に対向する面に対して水平である長軸と、長軸に対して垂直である短軸との割合が１．１〜２：１になるようにする範囲内でコイルパターンの断面形状が形成されるようにすることが好ましい。
【００５３】
また、第２コイルパターン１５０ａと基板１０が接触する面の面積が狭すぎると第２コイルパターン１５０ａが基板１０から分離する現象が発生して信頼性が低下する問題点が発生する可能性があり、第２コイルパターン１５０ａと基板１０が接触する面の面積が広すぎると第２コイルパターン１５０ａの断面積及び体積がむしろ減少され得る。
【００５４】
従って、長軸から前記基板１０に対向する面までの最大距離と、長軸から前記コイルパターンの上部面までの最大距離との割合が６．５：３．５〜５．５：４．５になるようにする範囲内でコイルパターンの断面形状が形成されるようにすることが好ましい。
【００５５】
また、隣り合うコイル同士は絶縁性を確保するための最小限の隔離距離を満足しなければならないと共に、隔離距離が狭いほどコイルパターンの体積をより多く増加させることができる。
【００５６】
従って、隣り合うコイル同士の間隔が前記コイルパターンの長軸の長さの０．１５〜０．４５倍になるようにする範囲内でコイルパターンの断面形状が形成されるようにすることが好ましい。
【００５７】
一方、図６で示したように、第２コイルパターン１５０ａは基板１０上にさらに備えられる酸化膜１１などに接触されるように具現されることができる。フェライト系の磁性基板１０には鉄（Ｆｅ）成分が含有されることができ、この際、コイル同士の間隔が狭い場合、このような鉄などの成分によって通電現象が誘発される可能性があるため、このような現象を防止するために絶縁層として酸化膜１１などを備えることができる。
【００５８】
図７ａは本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法のうち複数個の第２コイルパターン１５０、１５０ａが引込線ＶＬで連結された状態を概略的に示した図面であり、図７ｂは図７aのＶ部分の拡大図であり、図７ｃは図７ｂのダイシングラインＤＬに沿ってダイシング工程が行われた状態を概略的に示した図面である。
【００５９】
通常、コモンモードフィルタは製造効率を確保するために、図７ａに示されたように一つのコモンモードフィルタを具現するためのコイルパターンが一層に複数個形成されることができるようにして工程が進められる。
【００６０】
一方、本発明の一実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法では、既に形成された第１コイルパターン５０、５０ａに電源を印加して電解めっきを施す。
【００６１】
この際、同一層に形成されたそれぞれのコイルパターンに電源を印加するためには、一層に形成されたコイルパターンの数と同一の数の電源印加線が必要となり、このような電源印加線をそれぞれのコイルパターンに一つずつ接触させなければならないため、製造設備が複雑になるだけでなく、製造効率が低下する。
【００６２】
このような問題点を解決するために、本発明では複数個のコイルパターンそれぞれの一端と電気的に連結される引込線ＶＬを用いて電源が印加されるようにした。
【００６３】
図７ｂを参照すると、コイルパターンの外部でコイルパターンから所定の距離が離隔した状態でコイルパターンを包んでいる引込線ＶＬがコイルパターンと共に備えられることができる。
【００６４】
このような引込線ＶＬは、金属シード層２０上に形成されるフォトレジストパターン３０が第１コイルパターン５０、５０ａと共に引込線ＶＬが形成される領域を露出した後、後工程を行うことにより、製造工程の追加や製造効率の減少なしに具現されることができる。
【００６５】
また、図７ｂに示されたように、引込線ＶＬを用いて電解めっきを施すことにより、引込線ＶＬがない場合に比べて電解めっきをより効率的に行うことができる。
【００６６】
一方、図７ｂに示したような形状で引込線ＶＬを具現した場合、一層の第２コイルパターン１５０、１５０ａの形成工程が全て終了した後、図７ｂに示したように、ダイシングラインＤＬ、即ち、複数個の第２コイルパターン１５０、１５０ａそれぞれの一端から引込線ＶＬが分離するように設定されるダイシングラインＤＬに沿ってダイシング工程を行うことができる。
【００６７】
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、上述の内容は本発明の好ましい実施形態を示して説明するものに過ぎず、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で用いることができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、述べた開示内容と均等な範囲及び／または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。上述の実施例は本発明を実施するにおいて最善の状態を説明するためのものであり、本発明のような他の発明を用いるにおいて当業界に公知された他の状態での実施、そして発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。従って、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された特許請求の範囲は他の実施状態も含むと解釈されるべきであろう。
【符号の説明】
【００６８】
１０  基板
１１  酸化膜
２０  金属シード層
３０  フォトレジストパターン
４０  導電材
５０、５０ａ  第１コイルパターン
１５０、１５０ａ  第２コイルパターン
２５０、２５０ａ  エッチングされた第２コイルパターン
ＶＬ  引込線
ＤＬ  ダイシングライン
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図１ｅ】
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【図１ｆ】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【図３ｅ】
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【図３ｆ】
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【図３ｇ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
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【図４ｅ】
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【図４ｆ】
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【図４ｇ】
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【図４ｈ】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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