(57)【要約】【課題】表示画質を向上させることが可能な液晶表示装置等を提供する。【解決手段】液晶表示装置は、第１基板と、複数の画素ごとに配設されたカラーフィルタ層と、画素間領域に配設された複数の光電変換素子とを有する第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層とを備えている。光電変換素子は、光電変換層と、光電変換層の一方側に設けられた透明電極と、光電変換層の他方側に設けられた遮光電極とを有している。【選択図】図１
2013171271.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
複数の画素ごとに配設されたカラーフィルタ層と、画素間領域に配設された複数の光電変換素子とを有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と
を備え、
前記光電変換素子は、光電変換層と、前記光電変換層の一方側に設けられた透明電極と、前記光電変換層の他方側に設けられた遮光電極とを有する
液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１基板が背面側に配置されると共に、前記第２基板が前面側に配置されている
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２基板内において、
前記透明電極が、前記一方側としての背面側に配置されると共に、
前記遮光電極が、前記他方側としての前面側に配置されている
請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１基板の背面側に光源部を備えた
請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記光源部から出射して前記液晶層を介して前記光電変換素子へ入射する光源光に基づいて充電動作を行う第１の充電部を備えた
請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１基板が前記複数の画素ごとに画素反射電極を有し、
反射型液晶表示装置として構成されている
請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
外部から入射して前記画素反射電極により反射された後に前記光電変換素子へ入射する環境光に基づいて充電動作を行う第２の充電部を備えた
請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２基板内において、
前記透明電極が、前記一方側としての前面側に配置されると共に、
前記遮光電極が、前記他方側としての背面側に配置されている
請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
外部から前記光電変換素子へ入射する環境光に基づいて充電動作を行う第３の充電部を備えた
請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板の背面側に配設された光源部と、
外部から前記光電変換素子へ入射する環境光に基づいて、前記光源部に対する調光制御を行う調光部と
を備えた請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記複数の画素ごとに液晶素子が形成されており、
前記複数の光電変換素子同士で前記透明電極が共通化されていると共に、この透明電極が前記液晶素子における共通電極を兼ねている
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記遮光電極が、ブラックマトリクス部として機能する
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記光電変換素子が、ＰＩＮ型のフォトダイオードからなる
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
液晶表示装置を備え、
前記液晶表示装置は、
第１基板と、
複数の画素ごとに配設されたカラーフィルタ層と、画素間領域に配設された複数の光電変換素子とを有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と
を備え、
前記光電変換素子は、光電変換層と、前記光電変換層の一方側に設けられた透明電極と、前記光電変換層の他方側に設けられた遮光電極とを有する
電子機器。
【請求項１５】
第１基板を形成する工程と、
複数の画素ごとに配設されたカラーフィルタ層と、画素間領域に配設された複数の光電変換素子とを有する第２基板を形成する工程と、
前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を形成する工程と
を含み、
前記第２基板を形成する工程では、光電変換層と、前記光電変換層の一方側に設けられた透明電極と、前記光電変換層の他方側に設けられた遮光電極とによって、前記光電変換素子を形成する
液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、光電変換素子を有する液晶表示装置およびその製造方法、ならびにそのような液晶表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光電変換素子（フォトダイオード）を内蔵する表示装置として、種々のものが提案されている。例えば特許文献１には、画素間領域に光電変換素子が形成された液晶表示装置が記載されている。
【０００３】
この液晶表示装置では、光電変換素子において検出したバックライト光（内部光）や環境光（外部光）を利用してバッテリーへの充電を行うことにより、低消費電力化および省エネルギー化が図られている。上記特許文献１ではまた、画素間領域に形成された光電変換素子が、いわゆるブラックマトリクス層（遮光部）としても機能するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１９９８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、液晶表示装置では一般に、表示画質を向上させるための手法について従来より種々のものが提案されているが、更なる改善手法の提案が望まれている。したがって、上記したような光電変換素子を内蔵する液晶表示装置においても、表示画質の向上が求められる。
【０００６】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、表示画質を向上させることが可能な液晶表示装置およびその製造方法ならびに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の液晶表示装置は、第１基板と、複数の画素ごとに配設されたカラーフィルタ層と、画素間領域に配設された複数の光電変換素子とを有する第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層とを備えたものである。光電変換素子は、光電変換層と、光電変換層の一方側に設けられた透明電極と、光電変換層の他方側に設けられた遮光電極とを有している。
【０００８】
本開示の電子機器は、上記本開示の液晶表示装置を備えたものである。
【０００９】
本開示の液晶表示装置の製造方法は、第１基板を形成する工程と、複数の画素ごとに配設されたカラーフィルタ層と、画素間領域に配設された複数の光電変換素子とを有する第２基板を形成する工程と、第１基板と第２基板との間に液晶層を形成する工程とを含むようにしたものである。第２基板を形成する工程では、光電変換層と、この光電変換層の一方側に設けられた透明電極と、光電変換層の他方側に設けられた遮光電極とによって、光電変換素子を形成する。
【００１０】
本開示の液晶表示装置およびその製造方法ならびに電子機器では、画素間領域に配設された光電変換素子において、光電変換層の一方側が透明電極であると共に他方側が遮光電極となる。これにより、光電変換素子における透明電極側から光が入射するようにしつつ、遮光電極がいわゆるブラックマトリクス部として機能するため、映像表示時のコントラストの改善等が図られる。また、例えば光電変換層の双方側とも透明電極としたうえで光電変換層自体をブラックマトリクス部として機能させる場合とは異なり、ブラックマトリクス部における色付き現象の発生が回避される。
【発明の効果】
【００１１】
本開示の液晶表示装置およびその製造方法ならびに電子機器によれば、画素間領域に配設された光電変換素子において、光電変換層の一方側を透明電極にすると共に他方側を遮光電極にしたので、この遮光電極をブラックマトリクス部として機能させて映像表示時のコントラストの改善等を図りつつ、このブラックマトリクス部における色付き現象の発生を防止することができる。よって、映像表示時の表示画質を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示の一実施の形態に係る液晶表示装置の構成例を表す模式断面図である。
【図２】図１に示した液晶表示装置の製造方法における一工程を表す模式断面図である。
【図３】図２に続く工程を表す模式断面図である。
【図４】比較例１に係る液晶表示装置の構成例を表す模式断面図である。
【図５】比較例２に係る液晶表示装置の構成例を表す模式断面図である。
【図６】図１に示した液晶表示装置の作用について説明するための模式断面図である。
【図７】変形例１に係る液晶表示装置の構成例を表す模式断面図である。
【図８】変形例２に係る液晶表示装置の構成例を表す模式断面図である。
【図９】変形例３に係る液晶表示装置の構成例を表す模式断面図である。
【図１０】変形例４に係る液晶表示装置の構成例を表す模式断面図である。
【図１１】実施の形態および各変形例に係る液晶表示装置の適用例１における（Ａ）表側から見た外観、（Ｂ）裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１２】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１３】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１４】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１５】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（ＣＦ基板内の前面側に光電変換素子の遮光電極が設けられた例）
２．変形例
変形例１（光電変換素子の透明電極が液晶素子の共通電極を兼ねている例）
変形例２（反射型の液晶表示装置の例）
変形例３，４（ＣＦ基板内の背面側に光電変換素子の遮光電極が設けられた例）
３．適用例（液晶表示装置の電子機器への適用例）
４．その他の変形例
【００１４】
＜実施の形態＞
［液晶表示装置１の構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る液晶表示装置（液晶表示装置１）の断面構成を、機能ブロック構成と併せて模式的に表したものである。この液晶表示装置１は、背面（裏面）側から前面（観察面，表示面）側に向かって、バックライト１０、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）基板１１、液晶層１３およびＣＦ（Color Filter）基板１２をこの順に備えている。つまり、液晶表示装置１では、ＴＦＴ１１が背面側に配置されると共に、ＣＦ基板１２が前面側に配置されている。液晶表示装置１はまた、機能ブロック構成で示した充電部１５および機器駆動部１６を備えている。
【００１５】
ここで、バックライト１０が本開示における「光源部」の一具体例に対応し、ＴＦＴ基板１１が本開示における「第１基板」の一具体例に対応し、ＣＦ基板１２が本開示における「第２基板」の一具体例に対応する。また、充電部１５が、本開示における「第１の充電部」の一具体例に対応する。
【００１６】
（バックライト１０）
バックライト１０は、ＴＦＴ基板１１の背面側に配設されており、液晶表示パネル（ＴＦＴ基板１１、液晶層１３およびＣＦ基板１２）へ向けて光（光源光）を照射（出射）するものである。このようなバックライト１０は、例えば、ＣＣＦＬ（Cold Cathode Fluorescent Lamp：冷陰極蛍光ランプ）やＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）等の光源と、各種の光学シートとを含んで構成されている（いずれも図示せず）。
【００１７】
ＴＦＴ基板１１、液晶層１３およびＣＦ基板１２が積層されてなる液晶表示パネルは、複数の画素（赤色画素１４Ｒ、緑色画素１４Ｇおよび青色画素１４Ｂ）を有する表示パネルであり、各画素には後述する液晶素子が形成されている。
【００１８】
（ＴＦＴ基板１１）
ＴＦＴ基板１１は光透過性を有する基板であり、素子形成基板１１０および複数の画素電極１１１を有している。素子形成基板１１０は、例えば、ガラス基板等の透明基板上に、ＴＦＴ等の駆動素子や配線（いずれも図示せず）が形成されてなる。画素電極１１１は、素子形成基板１１０上（液晶層１３側）において、上記した複数の画素（赤色画素１４Ｒ、緑色画素１４Ｇおよび青色画素１４Ｂ）ごとに個別に配設されている。この画素電極１１１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウム錫）等を用いて構成された透明電極である。
【００１９】
（ＣＦ基板１２）
ＣＦ基板１２もまた光透過性を有する基板であり、対向基板１２０、カラーフィルタ層１２１、共通電極１２２（対向電極）および複数のフォトダイオード１２３を有している。対向基板１２０は、例えば、ガラス基板等の透明基板を用いて構成されている。
【００２０】
カラーフィルタ層１２１は、対向基板１２０上（液晶層１３側）に配設されている。このカラーフィルタ層１２１は、前述した複数の画素（赤色画素１４Ｒ、緑色画素１４Ｇおよび青色画素１４Ｂ）ごとに個別に色分けして配置された、複数色のカラーフィルタ（ＣＦ）を有している。具体的には、赤色画素１４Ｒには、赤色光を選択的に透過する赤色カラーフィルタ１２１Ｒが配置され、緑色画素１４Ｇには、緑色光を選択的に透過する緑色カラーフィルタ１２１Ｇが配置され、青色画素１４Ｂには、青色光を選択的に透過する青色カラーフィルタ１２１Ｂが配置されている。これらの赤色カラーフィルタ１２１Ｒ，緑色カラーフィルタ１２１Ｇ，青色カラーフィルタ１２１Ｂはそれぞれ、例えば所定の樹脂材料を用いて構成されている。
【００２１】
共通電極１２２は、カラーフィルタ層１２１上（液晶層１３側）において、各画素（赤色画素１４Ｒ、緑色画素１４Ｇおよび青色画素１４Ｂ）で共通に形成（ＣＦ基板１２内で一様に形成）された電極である。この共通電極１２２もまた、例えばＩＴＯ等を用いて構成された透明電極である。この共通電極１２２と、前述した画素電極１１１と、後述する液晶層１３とにより、画素ごとに液晶素子が形成されるようになっている。つまり、共通電極１２２は、複数の液晶素子に共通の電極であるとも言える。
【００２２】
（フォトダイオード１２３）
フォトダイオード１２３は、入射光の光量（受光量）に応じた電荷量の電荷（光電荷）を発生して内部に蓄積する光電変換素子であり、例えばＰＩＮ（Positive Intrinsic Negative Diode）型のフォトダイオードからなる。フォトダイオード１２３では、その感度域が例えば可視域となっている（受光波長帯域が可視域である）。このフォトダイオード１２３は、対向基板１２０と共通電極１２２との層間（カラーフィル層１２１と同一層）において、前述した複数の画素（赤色画素１４Ｒ、緑色画素１４Ｇおよび青色画素１４Ｂ）の間の領域（画素間領域）に選択的に配設されている。
【００２３】
具体的には、フォトダイオード１２３は、対向基板１２０上の上記画素間領域に、遮光電極１２３Ｓ（上部電極）、ｎ型半導体層１２３Ｎ、ｉ型半導体層１２３Ｉ、ｐ型半導体層１２３Ｐおよび透明電極１２３Ｔ（下部電極）がこの順に積層されてなる。換言すると、このフォトダイオード１２３は、ＣＦ基板１２内の膜面側（背面側，液晶層１３側）から対向基板１２０側（前面側，液晶層１３と反対側）に向かって、透明電極１２３Ｔ、ｐ型半導体層１２３Ｐ、ｉ型半導体層１２３Ｉ、ｎ型半導体層１２３Ｎおよび遮光電極１２３Ｓがこの順に積層された構造を有している。
【００２４】
これらのうち、ｐ型半導体層１２３Ｐ、ｉ型半導体層１２３Ｉおよびｎ型半導体層１２３Ｎが、本開示における「光電変換層」の一具体例に対応する。なお、ここでは、ＣＦ基板内の膜面側（下部側）にｐ型半導体層１２３Ｐ、対向基板１２０側（上部側）にｎ型半導体層１２３Ｎをそれぞれ設けた例を挙げたが、これと逆の構造、すなわち下部側をｎ型半導体層、上部側をｐ型半導体層とした積層構造であってもよい。
【００２５】
透明電極１２３Ｔは、上記した光電変換層（ｎ型半導体層１２３Ｎ，ｉ型半導体層１２３Ｉ，ｐ型半導体層１２３Ｐ）から信号電荷を読み出す（取り出す）ための一方の電極である。この透明電極１２３Ｔは、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide；酸化インジウム亜鉛），ＳｎＯ2（酸化錫），ＺｎＯ2（酸化亜鉛）等の透明導電材料により構成されており、光透過性（透光性）を示すようになっている。
【００２６】
ｎ型半導体層１２３Ｎは、例えば燐（Ｐ）がドーピングされた非晶質シリコン（アモルファスシリコン：ａ−Ｓｉ）により構成され、ｎ型領域を形成するものである。このｎ型半導体層１２３Ｎの厚みは、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。
【００２７】
ｉ型半導体層１２３Ｉは、ｎ型半導体層１２３Ｎおよびｐ型半導体層１２３Ｐよりも導電性の低い真性半導体層であり、例えばノンドープの非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）により構成されている。このｉ型半導体層１２３Ｉの厚みは、例えば４００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であるが、厚みが大きい程、光感度を高めることができる。
【００２８】
ｐ型半導体層１２３Ｐは、例えば硼素（Ｂ）がドーピングされた非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）により構成され、ｐ型領域を形成するものである。このｐ型半導体層１２３Ｐの厚みは、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。
【００２９】
遮光電極１２３Ｓは、前述した光電変換層（ｎ型半導体層１２３Ｎ，ｉ型半導体層１２３Ｉ，ｐ型半導体層１２３Ｐ）から信号電荷を読み出す（取り出す）ための他方の電極である。この遮光電極１２３Ｓは、例えば、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），ニッケル（Ｎｉ）等の遮光性導電材料、あるいはこれらの元素を主体とした合金材料を用いて構成されており、遮光性を示すようになっている。また、これらの材料を用いた単層構造、または複数組み合わせた積層構造のいずれであってもよい。
【００３０】
このようにフォトダイオード１２３では、光電変換層（ｎ型半導体層１２３Ｎ，ｉ型半導体層１２３Ｉ，ｐ型半導体層１２３Ｐ）の一方側（ここでは背面側）が透明電極１２３Ｔであると共に、他方側（ここでは前面側）遮光電極１２３Ｓとなっている。そして、詳細は後述するが、このフォトダイオード１２３における遮光電極１２３Ｓが、画素間領域における遮光部である、いわゆるブラックマトリクス（ＢＭ）部として機能するようになっている。
【００３１】
（液晶層１３）
液晶層１３は、ＴＦＴ基板１１とＣＦ基板１２との間に挿設（封入）されており、各種の液晶材料を用いて構成することが可能である。また、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モード等の各種モードの液晶を用いて構成することが可能である。
【００３２】
なお、このようにして構成された液晶表示パネルでは、例えば、ＴＦＴ基板１１およびＣＦ基板１２にそれぞれ、所定の透過軸および吸収軸を有する偏光板（図示せず）が設けられている。この偏光板は、入射光のうちの特定の偏光成分を選択的に透過させると共に他の偏光成分を吸収する機能を有する光学素子である。この場合、ＴＦＴ基板１１における偏光板とＣＦ基板１２における偏光板とは、互いの透過軸同士が直交するように配置される（クロスニコル配置）か、あるいは、互いの透過軸同士が平行となるように配置される（パラレルニコル配置）。
【００３３】
（充電部１５，機器駆動部１６）
充電部１５は、バックライト１０から出射して液晶層１３等（ＴＦＴ基板１１、液晶層１３、共通電極１２２およびカラーフィルタ層１２１）を介してフォトダイオード１２３へ入射する光源光（バックライト光）に基づいて、所定の充電動作を行うものである。具体的には、このようにして透明電極１２３Ｔ側からフォトダイオード１２３へ入射されたバックライト光に基づいて、図示しないバッテリー（２次電池）への充電動作を行うようになっている。
【００３４】
機器駆動部１６は、充電部１５による充電等により蓄電されたバッテリーにおける電力を用いて、所定の機器（液晶表示装置１を内蔵する電子機器等）における負荷を駆動するものである。
【００３５】
［液晶表示装置１の製造方法］
この液晶表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。図２および図３は、液晶表示装置１の製造方法の一例を、工程順に模式断面図で表したものである。
【００３６】
最初に、前述したＴＦＴ基板１１、ＣＦ基板１２および液晶層１３からなる液晶表示パネルを作製する。具体的には、まず図２（Ａ）に示したように、ガラス基板等の透明基板上に、公知の薄膜プロセスを用いてＴＦＴ等の駆動素子や配線を形成することにより、素子形成基板１１０を形成する。続いて、この素子形成基板１１０上に、前述した材料からなる複数の画素電極１１１を、公知の薄膜プロセスを用いて形成する。これにより、ＴＦＴ基板１１が形成される。
【００３７】
次に、図２（Ｂ）に示したように、対向基板１２０上の画素間領域に、前述した構造（ここではＰＩＮ型）からなる複数のフォトダイオード１２３を、公知の薄膜プロセスを用いて形成する。すなわち、光電変換層（ｎ型半導体層１２３Ｎ、ｉ型半導体層１２３Ｉおよびｐ型半導体層１２３Ｐ）と、この光電変換層の一方側（ここでは背面側）に設けられた透明電極１２３Ｔと、他方側（ここでは前面側）に設けられた遮光電極１２３Ｓとによって、フォトダイオード１２３を形成する。
【００３８】
次いで、対向基板１２０上の画素領域に、カラーフィルタ層１２１を、例えばフォトリソグラフィー法などを用いて、複数の画素（赤色画素１４Ｒ、緑色画素１４Ｇおよび青色画素１４Ｂ）ごとに個別に色分けして形成する。つまり、赤色画素１４Ｒには赤色カラーフィルタ１２１Ｒを形成し、緑色画素１４Ｇには緑色カラーフィルタ１２１Ｇを形成し、青色画素１４Ｂには青色カラーフィルタ１２１Ｂを形成する。
【００３９】
そののち、このカラーフィルタ層１２１上に、前述した材料からなる共通電極１２２を、公知の薄膜プロセスを用いて形成する。これにより、ＣＦ基板１２が形成される。
【００４０】
次に、図３に示したように、このようにして形成されたＴＦＴ基板１１とＣＦ基板１２との間に液晶を注入し、液晶層１３を形成する。このようにして、ＴＦＴ基板１１、ＣＦ基板１２および液晶層１３からなる液晶表示パネルが完成する。
【００４１】
続いて、この液晶表示パネル（ＴＦＴ基板１１）の背面側に、バックライト１０を配置すると。また、前述した充電部１５および機器駆動部１６を構成する部材（半導体チップ等）を所定位置に配置し、配線等を介して液晶表示パネルと接続させる。以上により、図１に示した液晶表示装置１が完成する。
【００４２】
［液晶表示装置１の作用・効果］
（１．基本動作）
この液晶表示装置１では、バックライト１０から出射された光源光（バックライト光）が、駆動回路（図示せず）による制御に従って、液晶表示パネル（液晶層１３）において画素（赤色画素１４Ｒ、緑色画素１４Ｇおよび青色画素１４Ｂ）ごとに変調される。これにより、液晶表示パネルにおける観察面側（前面側）から、赤色光，緑色光，青色光を含む表示光（画素ごとに変調されたバックライト光）が出射される。このようにして、液晶表示装置１においてカラー映像表示がなされる。
【００４３】
（２．特徴的部分の作用）
ここで、図１に加えて図４〜図６を参照して、本実施の形態における特徴的部分の作用について、比較例（比較例１，２）と比較しつつ詳細に説明する。
【００４４】
（比較例１）
図４は、比較例１に係る液晶表示装置（液晶表示装置１００）の断面構成を模式的に表したものである。この比較例１の液晶表示装置１００は、背面側から前面側に向かって、バックライト１０と、ＴＦＴ基板１０１、液晶層１３およびＣＦ基板１０２からなる液晶表示パネルとを備えている。つまり、本実施の形態の液晶表示装置１において、ＴＦＴ基板１１およびＣＦ基板１２の代わりに、ＴＦＴ基板１０１およびＣＦ基板１０２を設けたものであり、充電部１５および機器駆動部１６を除いた他の構成は同様となっている。
【００４５】
ＴＦＴ基板１０１は、前述した素子形成基板１１０および複数の画素電極１１１に加え、画素間領域に複数のフォトダイオード１２３を有している。すなわち、このＴＦＴ基板１０１は、ＴＦＴ基板１１において、複数のフォトダイオード１２３を更に設けたものとなっている。
【００４６】
ＣＦ基板１０２は、前述した対向基板１２０、カラーフィルタ層１２１および共通電極１２２に加え、映像表示時のコントラストの改善等を図るため、画素間領域に複数の遮光部（ブラックマトリクス部）１０４を有している。すなわち、このＣＦ基板１０２は、ＣＦ基板１２において、複数のフォトダイオード１２３の代わりに複数の遮光部１０４を画素間領域に設けたものとなっている。
【００４７】
このように、この液晶表示装置１０１では液晶表示装置１とは異なり、ＣＦ基板１０２内ではなくＴＦＴ基板１０１内に、複数のフォトダイオード１２３が形成されている。このため、液晶表示装置１０１では製造プロセスが複雑化し（製造工程が増加し）、製造コストが増大してしまう。具体的には、フォトダイオードや太陽電池を内蔵する従来の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板を製造する際の製造装置を利用できる利点から、ＴＦＴ基板側にフォトダイオードを形成するのが一般的である。しかしながら、ＴＦＴ基板側の製造工数が格段に増加するため、製造歩留の低下やこれに伴う製造コストの増加、工程負荷の増大などの問題が生ずる。
【００４８】
（比較例２）
一方、図５は、比較例２に係る液晶表示装置（液晶表示装置２００）の断面構成を模式的に表したものである。この比較例２の液晶表示装置２００は、背面側から前面側に向かって、バックライト１０と、ＴＦＴ基板１１、液晶層１３およびＣＦ基板２０２からなる液晶表示パネルとを備えている。つまり、液晶表示装置１においてＣＦ基板１２の代わりにＣＦ基板２０２を設けたものであり、充電部１５および機器駆動部１６を除いた他の構成は同様となっている。
【００４９】
ＣＦ基板２０２は、前述した対向基板１２０、カラーフィルタ層１２１および共通電極１２２に加え、画素間領域に複数のフォトダイオード２０３を有している。すなわち、このＣＦ基板２０２は、ＣＦ基板１２において、複数のフォトダイオード１２３の代わりに複数のフォトダイオード２０３を画素間領域に設けたものとなっている。
【００５０】
このフォトダイオード２０３は、ＣＦ基板２０２内の膜面側（背面側，液晶層１３側）から対向基板１２０側（前面側，液晶層１３と反対側）に向かって、透明電極１２３Ｔ１、ｎ型半導体層１２３Ｎ、ｉ型半導体層１２３Ｉ、ｐ型半導体層１２３Ｐおよび透明電極１２３Ｔ２がこの順に積層された構造を有している。つまり、フォトダイオード１２３では、光電変換層（ｎ型半導体層１２３Ｎ、ｉ型半導体層１２３Ｉおよびｐ型半導体層１２３Ｐ）の一方側が透明電極１２３Ｔ、他方側が遮光電極１２３Ｓとなっている。これに対し、フォトダイオード２０３では、光電変換層の双方側とも透明電極（透明電極１２３Ｔ１，１２３Ｔ２）となっている。なお、対向基板１２０側の透明電極１２３Ｔ２は、ここでは各フォトダイオード２０３に共通の電極となっている。
【００５１】
このような構成の液晶表示装置２００では、フォトダイオード２０３に対して光が入射するようにしつつ、フォトダイオード２０３（ｎ型半導体層１２３Ｎ、ｉ型半導体層１２３Ｉおよびｐ型半導体層１２３Ｐからなる光電変換層）が、ブラックマトリクス部として機能する。これにより、映像表示時のコントラストの改善等が図られると共に、ブラックマトリクス部がＣＦ基板２０２側に形成されることになるため、上記比較例１の液晶表示装置１００と比べて製造プロセスが簡略化し、製造コストが抑えられる。具体的には、ＴＦＴ基板１１側での製造工程増を避け、製造工程数が相対的に少ないＣＦ基板２０２側へと振り分けることで、製造歩留り低下のリスクが軽減される。
【００５２】
ところが、この液晶表示装置２００では、上記したようにフォトダイオード２０３における光電変換層をブラックマトリクス部（遮光部）として機能させていることに起因して、このブラックマトリクス部における色付き現象が発生してしまう。具体的には、例えば光電変換層が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）により構成されている場合、この非晶質シリコンは黒色というよりも赤褐色に近い材料であるため、映像も赤っぽく見えてしまう（赤色側への色付き現象が発生してしまう）。このようにして液晶表示装置２００では、表示色味等において表示品位の低下が発生し易いため、汎用ディスプレイへの適用が難しいと言える。
【００５３】
（本実施の形態の作用）
これに対して本実施の形態の液晶表示装置１では、まず、図１および図６に示したように、フォトダイオード１２３に対して光が入射するようにしつつ、フォトダイオード１２３（遮光電極１２３Ｓ）が、ブラックマトリクス部（遮光部）として機能する。つまり、例えば図６に示したように、ここではバックライト１０から出射されたバックライト光Ｌｂ１，Ｌｂ２等が、透明電極１２３Ｔ側からフォトダイオード１２３へと入射する。一方、外部から入射した環境光Ｌｅ１，Ｌｅ２等は、遮光電極１２３Ｓにおいて遮断され、フォトダイオード１２３（光電変換層内）へは入射しない。また、上記したバックライト光Ｌｂ１，Ｌｂ２等も遮光電極１２３Ｓによって遮断され、外部へは出射しない。
【００５４】
これにより、液晶表示装置１においても上記比較例２の液晶表示装置２００と同様に、映像表示時のコントラストの改善等が図られると共に、ブラックマトリクス部がＣＦ基板１２側に形成されることになるため、上記比較例１の液晶表示装置１００と比べて製造プロセスが簡略化し、製造コストが抑えられる。
【００５５】
また、液晶表示装置１では、図１および図６に示したように、フォトダイオード１２３では、光電変換層（ｎ型半導体層１２３Ｎ、ｉ型半導体層１２３Ｉおよびｐ型半導体層１２３Ｐ）の一方側が透明電極１２３Ｔ、他方側が遮光電極１２３Ｓとなっている。換言すると、フォトダイオード１２３における遮光電極１２３Ｓが、ブラックマトリクス部として機能している。
【００５６】
これにより、光電変換層の双方側とも透明電極（透明電極１２３Ｔ１，１２３Ｔ２）としたうえで光電変換層自体をブラックマトリクス部として機能させている上記比較例２の液晶表示装置２００とは異なり、ブラックマトリクス部における色付き現象の発生が回避される。具体的には、赤色側への色付き現象の発生が回避され、表示色味等における表示品位の低下が発生しにくくなる結果、汎用ディスプレイへの適用が容易となる。
【００５７】
更に、このようにしてフォトダイオード１２３の透明電極１２３Ｓ側から受光されたバックライト光Ｌｂ１，Ｌｂ２等は、電気的出力として充電部１５へと供給される。つまり、充電部１５では、バックライト１０から出射して液晶層１３等を介してフォトダイオード１２３へ入射したバックライト光に基づいて、バッテリーへの充電動作を行う。そして、機器駆動部１６は、このバッテリーにおける電力を用いて、所定の機器（液晶表示装置１を内蔵する電子機器等）における負荷を駆動する。このようにして、バックライト光（内部光）に基づいて得られた電力がバッテリーへと回帰されることとなり、低消費電力化および省エネルギー化が図られる。
【００５８】
以上のように本実施の形態では、ＣＦ基板１２内の画素間領域に配設されたフォトダイオード１２３において、光電変換層の一方側を透明電極１２３Ｔにすると共に他方側を遮光電極１２３Ｓにしたので、この遮光電極１２３Ｓをブラックマトリクス部として機能させて映像表示時のコントラストの改善等を図りつつ、このブラックマトリクス部における色付き現象の発生を防止することができる。よって、映像表示時の表示画質を向上させることが可能となる。
【００５９】
＜変形例＞
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１〜４）について説明する。なお、上記実施の形態と同一の構成要素については同一符号を付し、その説明を適宜省略する。
【００６０】
［変形例１］
図７は、変形例１に係る液晶表示装置（液晶表示装置１Ａ）の断面構成を模式的に表したものである。本変形例の液晶表示装置１Ａは、背面側から前面側に向かって、バックライト１０と、ＴＦＴ基板１１、液晶層１３およびＣＦ基板１２Ａからなる液晶表示パネルとを備えている。また、この液晶表示装置１Ａは、充電部１５および機器駆動部１６を備えている。つまり、液晶表示装置１Ａは、液晶表示装置１においてＣＦ基板１２の代わりにＣＦ基板１２Ａを設けたものであり、他の構成は同様となっている。なお、ＣＦ基板１２Ａは、本開示における「第２基板」の一具体例に対応する。
【００６１】
（ＣＦ基板１２Ａ）
ＣＦ基板１２Ａは、前述した対向基板１２０、カラーフィルタ層１２１および共通電極１２２に加え、画素間領域に複数のフォトダイオード１２３を有している。すなわち、このＣＦ基板１２Ａは、基本的にはＣＦ基板１２と同様の構成となっている。
【００６２】
ただし、ＣＦ基板１２Ａでは、各フォトダイオード１２３同士で透明電極１２３Ｔが共通化されていると共に、各液晶素子における共通電極１２２を兼ねている（透明電極１２３Ｔと共通電極１２２とが、同一層で共用化されている）。
【００６３】
本変形例の液晶表示装置１Ａにおいても上記実施の形態と同様に、フォトダイオード１２３において、光電変換層の一方側が透明電極１２３Ｔ、他方側が遮光電極１２３Ｓとなっている。つまり、フォトダイオード１２３における遮光電極１２３Ｓが、ブラックマトリクス部として機能している。したがって上記実施の形態と同様に、バックライト１０から出射されたバックライト光Ｌｂ１，Ｌｂ２等が、透明電極１２３Ｔ側からフォトダイオード１２３へと入射する。一方、外部から入射した環境光Ｌｅ１，Ｌｅ２等は、遮光電極１２３Ｓにおいて遮断され、フォトダイオード１２３（光電変換層内）へは入射しない。また、上記したバックライト光Ｌｂ１，Ｌｂ２等も遮光電極１２３Ｓによって遮断され、外部へは出射しない。
【００６４】
これにより、本変形例においても上記実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。すなわち、遮光電極１２３Ｓをブラックマトリクス部として機能させて映像表示時のコントラストの改善等を図りつつ、このブラックマトリクス部における色付き現象の発生を防止することができ、映像表示時の表示画質を向上させることが可能となる。また、充電部１５において、バックライト光（内部光）に基づいて得られた電力をバッテリーへと回帰することでき、低消費電力化および省エネルギー化を図ることが可能となる。
【００６５】
特に本変形例では、透明電極１２３Ｔと共通電極１２２とが同一層で共用化されているため、製造プロセスが更に簡略化し、製造コストの更なる低減を図ることが可能となる。
【００６６】
［変形例２］
図８は、変形例２に係る反射型の液晶表示装置（液晶表示装置１Ｂ）の断面構成を模式的に表したものである。本変形例の液晶表示装置１Ｂは、背面側から前面側に向かって、ＴＦＴ基板１１Ｂ、液晶層１３およびＣＦ基板１２からなる液晶表示パネルを備えている。また、この液晶表示装置１Ｂは、充電部１５Ｂおよび機器駆動部１６を備えている。つまり、液晶表示装置１Ｂは、液晶表示装置１において、バックライト１０を設けない（省く）ようにすると共に、ＴＦＴ基板１１および充電部１５の代わりにＴＦＴ基板１１Ｂおよび充電部１５Ｂをそれぞれ設けたものであり、他の構成は同様となっている。
【００６７】
換言すると、これまで説明した液晶表示装置１，１Ａおよび後述する液晶表示装置１Ｃ，１Ｄは、いずれも、バックライト１０から出射される光源光（バックライト光）を利用して映像表示を行う、透過型の液晶表示装置である。これに対し、本変形例の液晶表示装置１Ｂは、バックライト１０からの光源光の代わりに外部光（環境光）を利用して映像表示を行う、反射型の液晶表示装置となっている。
【００６８】
ここで、ＴＦＴ基板１１Ｂは、本開示における「第１基板」の一具体例に対応し、充電部１５Ｂは、本開示における「第２の充電部」の一具体例に対応する。
【００６９】
（ＴＦＴ基板１１Ｂ）
ＴＦＴ基板１１Ｂは、前述した素子形成基板１１０上（液晶層１３側）において、複数の画素（赤色画素１４Ｒ、緑色画素１４Ｇおよび青色画素１４Ｂ）ごとに、画素反射電極１１１Ｂを個別に有している。つまり、このＴＦＴ基板１１Ｂは、ＴＦＴ基板１１において複数の画素電極１１１の代わりに複数の画素反射電極１１１Ｂを設けたものであり、他の構成は基本的に同様となっている。
【００７０】
この画素反射電極１１１Ｂは、例えば、アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ）等の反射金属を用いて構成された反射電極である。このような画素反射電極１１１Ｂにおいて外部から入射した環境光が反射された後に変調されることにより、バックライト１０を用いずに映像表示がなされるようになっている。また、図８中に示したように、外部からの環境光Ｌｅ１，Ｌｅ２等が画素反射電極１１１Ｂにおいて反射された後、内部散乱光として透明電極１２３Ｔ側からフォトダイオード１２３（光電変換層内）へ入射するようになっている。
【００７１】
（充電部１５Ｂ）
充電部１５Ｂは、充電部１５と同様に、透明電極１２３Ｔ側からフォトダイオード１２３へ入射された光に基づいて、図示しないバッテリー（２次電池）への充電動作を行うものである。ただし、この充電部１５Ｂでは充電部１５とは異なり、上記したように、外部から入射して画素反射電極１１１Ｂにより反射された後にフォトダイオード１２３へ入射する環境光（環境光Ｌｅ１，Ｌｅ２等）に基づいて、そのような充電動作を行うようになっている。
【００７２】
本変形例の液晶表示装置１Ｂにおいても、上記実施の形態と同様に、フォトダイオード１２３において、光電変換層の一方側が透明電極１２３Ｔ、他方側が遮光電極１２３Ｓとなっている。つまり、フォトダイオード１２３における遮光電極１２３Ｓが、ブラックマトリクス部として機能している。
【００７３】
これにより、本変形例においても上記実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。すなわち、遮光電極１２３Ｓをブラックマトリクス部として機能させて映像表示時のコントラストの改善等を図りつつ、このブラックマトリクス部における色付き現象の発生を防止することができ、映像表示時の表示画質を向上させることが可能となる。
【００７４】
また、本変形例では、充電部１５Ｂにおいて、環境光（外部光）に基づいて得られた電力をバッテリーへと供給することできるため、上記実施の形態と同様に低消費電力化および省エネルギー化を図ることも可能となる。つまり、反射型の液晶表示装置では一般に、バックライトでの消費電力が不要となる分、透過型の液晶表示装置と比べて低消費電力化が図られているが、本変形例では更なる低消費電力化を図ることが可能となる。
【００７５】
なお、本変形例においても上記変形例１のように、各フォトダイオード１２３同士で透明電極１２３Ｔが共通化されていると共に、各液晶素子における共通電極１２２を兼ねている（透明電極１２３Ｔと共通電極１２２とが、同一層で共用化されている）ようにしてもよい。
【００７６】
［変形例３，４］
図９は、変形例３に係る液晶表示装置（液晶表示装置１Ｃ）の断面構成を模式的に表したものであり、図１０は、変形例４に係る液晶表示装置（液晶表示装置１Ｄ）の断面構成を模式的に表したものである。
【００７７】
これらの液晶表示装置１Ｃ，１Ｄはいずれも、背面側から前面側に向かって、バックライト１０と、ＴＦＴ基板１１、液晶層１３およびＣＦ基板１２Ｃからなる液晶表示パネルを備えている。ただし、液晶表示装置１Ｃは、これらに加えて充電部１５Ｃおよび機器駆動部１６を備えているのに対し、液晶表示装置１Ｄは、バックライト制御部１７およびバックライト駆動部１８を備えている。
【００７８】
つまり、液晶表示装置１Ｃは、液晶表示装置１において、ＣＦ基板１２および充電部１５の代わりに、ＣＦ基板１２Ｃおよび充電部１５Ｃをそれぞれ設けたものであり、他の構成は同様となっている。また、液晶表示装置１Ｄは、液晶表示装置１において、ＣＦ基板１２、充電部１５および機器駆動部１６の代わりに、ＣＦ基板１２Ｃ、バックライト制御部１７およびバックライト駆動部１８をそれぞれ設けたものであり、他の構成は同様となっている。
【００７９】
ここで、ＴＦＴ基板１２Ｃは、本開示における「第２基板」の一具体例に対応し、充電部１５Ｃは、本開示における「第３の充電部」の一具体例に対応する。また、バックライト制御部１７およびバックライト駆動部１８は、本開示における「調光部」の一具体例に対応する。
【００８０】
（ＣＦ基板１２Ｃ）
ＣＦ基板１２Ｃは、前述した対向基板１２０、カラーフィルタ層１２１および共通電極１２２に加え、画素間領域に複数のフォトダイオード１２３Ｃを有している。すなわち、このＣＦ基板１２Ｃは、ＣＦ基板１２において、複数のフォトダイオード１２３の代わりに複数のフォトダイオード１２３Ｃを画素間領域に設けたものとなっている。
【００８１】
このフォトダイオード１２３Ｃは、ＣＦ基板１２Ｃ内の膜面側（背面側，液晶層１３側）から対向基板１２０側（前面側，液晶層１３と反対側）に向かって、遮光電極１２３Ｓ、ｎ型半導体層１２３Ｎ、ｉ型半導体層１２３Ｉ、ｐ型半導体層１２３Ｐおよび透明電極１２３Ｔがこの順に積層された構造を有している。つまり、これまで説明したフォトダイオード１２３では、光電変換層（ｎ型半導体層１２３Ｎ、ｉ型半導体層１２３Ｉおよびｐ型半導体層１２３Ｐ）の一方側としての背面側が透明電極１２３Ｔ、他方側としての前面側が遮光電極１２３Ｓとなっている。これに対して変形例３，４のフォトダイオード１２３Ｃでは、上記したフォトダイオード１２３とは逆に、光電変換層の一方側としての前面側が透明電極１２３Ｔ、他方側としての背面側が遮光電極１２３Ｓとなっている。なお、対向基板１２０側の透明電極１２３Ｔは、ここでは各フォトダイオード１２３Ｃに共通の電極となっている。
【００８２】
このような構成のフォトダイオード１２３Ｃにより、ＣＦ基板１２Ｃでは、図９および図１０中に示したように、外部から入射した環境光Ｌｅ１，Ｌｅ２等が、透明電極１２３Ｔ側からフォトダイオード１２３へと入射する。一方、バックライト１０から出射されたバックライト光Ｌｂ１，Ｌｂ２等は、遮光電極１２３Ｓにおいて遮断され、フォトダイオード１２３（光電変換層内）へは入射しないようになっている。
【００８３】
（充電部１５Ｃ）
図９に示した充電部１５Ｃは、充電部１５と同様に、透明電極１２３Ｔ側からフォトダイオード１２３へ入射された光に基づいて、図示しないバッテリー（２次電池）への充電動作を行うものである。ただし、この充電部１５Ｃでは充電部１５とは異なり、上記したように、外部から入射してフォトダイオード１２３へ直接入射する環境光（環境光Ｌｅ１，Ｌｅ２等）に基づいて、そのような充電動作を行うようになっている。
【００８４】
（バックライト制御部１７，バックライト駆動部１８）
図１０に示したバックライト制御部１７は、外部から入射してフォトダイオード１２３へ直接入射する環境光（環境光Ｌｅ１，Ｌｅ２等）に基づいて、バックライト駆動部１８に対する制御（調光制御等）を行うものである。また、バックライト駆動部１８は、バックライト１０に対する駆動（発光駆動等）を行うものである。
【００８５】
このようにしてバックライト制御部１７およびバックライト駆動部１８では、外部から入射してフォトダイオード１２３へ直接入射する環境光（環境光Ｌｅ１，Ｌｅ２等）に基づいて、バックライト１０に対する調光制御を行うことが可能となっている。
【００８６】
以上のように、変形例３，４の液晶表示装置１Ｃ，１Ｄでは、上記実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。すなわち、遮光電極１２３Ｓをブラックマトリクス部として機能させて映像表示時のコントラストの改善等を図りつつ、このブラックマトリクス部における色付き現象の発生を防止することができ、映像表示時の表示画質を向上させることが可能となる。
【００８７】
また、変形例３の液晶表示装置１Ｃでは、充電部１５Ｃにおいて、環境光（外部光）に基づいて得られた電力をバッテリーへと供給することできるため、上記実施の形態と同様に低消費電力化および省エネルギー化を図ることも可能となる。
【００８８】
一方、変形例４の液晶表示装置１Ｄでは、外部から入射してフォトダイオード１２３へ直接入射する環境光に基づいて、バックライト１０に対する調光制御を行うことができるため、液晶表示装置１Ｄの使用環境（環境光の照度）に応じた調光制御が可能となる。したがって、この変形例４においても、上記実施の形態と同様に低消費電力化および省エネルギー化を図ることが可能となる。
【００８９】
＜適用例＞
次に、図１１〜図１５を参照して、上記実施の形態および各変形例（変形例１〜４）に係る液晶表示装置（液晶表示装置１，１Ａ〜１Ｄ）の適用例について説明する。上記実施の形態等に係る液晶表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、この液晶表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００９０】
（適用例１）
図１１は、上記実施の形態等の液晶表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１およびフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１０を有しており、この映像表示画面部５１０が上記実施の形態等の液晶表示装置により構成されている。
【００９１】
（適用例２）
図１２は、上記実施の形態等の液晶表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部５２１、表示部５２２、メニュースイッチ５２３およびシャッターボタン５２４を有しており、その表示部５２２が上記実施の形態等の液晶表示装置により構成されている。
【００９２】
（適用例３）
図１３は、上記実施の形態等の液晶表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５３１，文字等の入力操作のためのキーボード５３２および画像を表示する表示部５３３を有しており、その表示部５３３が上記実施の形態等の液晶表示装置により構成されている。
【００９３】
（適用例４）
図１４は、上記実施の形態等の液晶表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部５４１，この本体部５４１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５４２，撮影時のスタート／ストップスイッチ５４３および表示部５４４を有している。そして、その表示部５４４が上記実施の形態等の液晶表示装置により構成されている。
【００９４】
（適用例５）
図１５は、上記実施の形態等の液晶表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記実施の形態等の液晶表示装置により構成されている。
【００９５】
＜その他の変形例＞
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本開示の技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
【００９６】
例えば、上記実施の形態等では、フォトダイオード（光電変換素子）における半導体層（光電変換層）が、主に非晶質半導体（非晶質シリコン等）により構成されている場合を例に挙げて説明したが、これには限られない。すなわち、上記した半導体層が、例えば、多結晶半導体（多結晶シリコン等）や微結晶半導体（微結晶シリコン等）により構成されているようにしてもよい。
【００９７】
また、上記実施の形態等では、光電変換素子がＰＩＮ型のフォトダイオードにより構成されている場合を例に挙げて説明したが、これには限られず、ＰＩＮ型以外（例えばＰＮ型等）のフォトダイオードによって光電変換素子を構成してもよい。
【００９８】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
第１基板と、
複数の画素ごとに配設されたカラーフィルタ層と、画素間領域に配設された複数の光電変換素子とを有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と
を備え、
前記光電変換素子は、光電変換層と、前記光電変換層の一方側に設けられた透明電極と、前記光電変換層の他方側に設けられた遮光電極とを有する
液晶表示装置。
（２）
前記第１基板が背面側に配置されると共に、前記第２基板が前面側に配置されている
上記（１）に記載の液晶表示装置。
（３）
前記第２基板内において、
前記透明電極が、前記一方側としての背面側に配置されると共に、
前記遮光電極が、前記他方側としての前面側に配置されている
上記（２）に記載の液晶表示装置。
（４）
前記第１基板の背面側に光源部を備えた
上記（３）に記載の液晶表示装置。
（５）
前記光源部から出射して前記液晶層を介して前記光電変換素子へ入射する光源光に基づいて充電動作を行う第１の充電部を備えた
上記（４）に記載の液晶表示装置。
（６）
前記第１基板が前記複数の画素ごとに画素反射電極を有し、
反射型液晶表示装置として構成されている
上記（３）に記載の液晶表示装置。
（７）
外部から入射して前記画素反射電極により反射された後に前記光電変換素子へ入射する環境光に基づいて充電動作を行う第２の充電部を備えた
上記（６）に記載の液晶表示装置。
（８）
前記第２基板内において、
前記透明電極が、前記一方側としての前面側に配置されると共に、
前記遮光電極が、前記他方側としての背面側に配置されている
上記（２）に記載の液晶表示装置。
（９）
外部から前記光電変換素子へ入射する環境光に基づいて充電動作を行う第３の充電部を備えた
上記（８）に記載の液晶表示装置。
（１０）
前記第１基板の背面側に配設された光源部と、
外部から前記光電変換素子へ入射する環境光に基づいて、前記光源部に対する調光制御を行う調光部と
を備えた上記（８）に記載の液晶表示装置。
（１１）
前記複数の画素ごとに液晶素子が形成されており、
前記複数の光電変換素子同士で前記透明電極が共通化されていると共に、この透明電極が前記液晶素子における共通電極を兼ねている
上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の液晶表示装置。
（１２）
前記遮光電極が、ブラックマトリクス部として機能する
上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の液晶表示装置。
（１３）
前記光電変換素子が、ＰＩＮ型のフォトダイオードからなる
上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の液晶表示装置。
（１４）
液晶表示装置を備え、
前記液晶表示装置は、
第１基板と、
複数の画素ごとに配設されたカラーフィルタ層と、画素間領域に配設された複数の光電変換素子とを有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と
を備え、
前記光電変換素子は、光電変換層と、前記光電変換層の一方側に設けられた透明電極と、前記光電変換層の他方側に設けられた遮光電極とを有する
電子機器。
（１５）
第１基板を形成する工程と、
複数の画素ごとに配設されたカラーフィルタ層と、画素間領域に配設された複数の光電変換素子とを有する第２基板を形成する工程と、
前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を形成する工程と
を含み、
前記第２基板を形成する工程では、光電変換層と、前記光電変換層の一方側に設けられた透明電極と、前記光電変換層の他方側に設けられた遮光電極とによって、前記光電変換素子を形成する
液晶表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【００９９】
１，１Ａ〜１Ｄ…液晶表示装置、１０…バックライト、１１，１１Ｂ…ＴＦＴ基板、１１０…素子形成基板、１１１…画素電極、１１１Ｂ…画素反射電極、１２，１２Ａ，１２Ｃ…ＣＦ基板、１２０…対向基板、１２１…カラーフィルタ層、１２１Ｒ…赤色カラーフィルタ、１２１Ｇ…緑色カラーフィルタ、１２１Ｂ…青色カラーフィルタ、１２２…共通電極、１２３，１２３Ｃ…フォトダイオード、１２３Ｐ…ｐ型半導体層、１２３Ｉ…ｉ型半導体層、１２３Ｎ…ｎ型半導体層、１２３Ｓ…遮光電極、１２３Ｔ…透明電極、１３…液晶層、１４Ｒ…赤色画素、１４Ｇ…緑色画素、１４Ｂ…青色画素、１５，１５Ｂ，１５Ｃ…充電部、１６…機器駆動部、１７…バックライト制御部、１８…バックライト駆動部、Ｌｂ１，Ｌｂ２…バックライト光、Ｌｅ１，Ｌｅ２…環境光。
【図１】
2013171271.tif 000003
【図２】
2013171271.tif 000004
【図３】
2013171271.tif 000005
【図４】
2013171271.tif 000006
【図５】
2013171271.tif 000007
【図６】
2013171271.tif 000008
【図７】
2013171271.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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