(57)【要約】      （修正有）【課題】基板上の所要面積が小さいが信頼性のある検出を可能にするＭＥＭＳ加速度センサを提供する。【解決手段】ＭＥＭＳ加速度センサは、Ｘ−Ｙ平面内に基板７と平行に配置されたセンサ質量体２を有し、センサ質量体２は、回転軸６を中心に回転可能に基板７に取り付けられ、複数の孔を含む。センサ質量体２の重量は、回転軸６を基準とした両側で異なり、回転軸６を中心とするセンサ質量体２の回転運動を検出するためのセンサ素子８を有している。回転軸６を基準とした一方の側のセンサ質量体２の重量を回転軸６を基準とした他方の側の重量に対して変化させるために、センサ質量体２の材料は、重量を軽くするために孔のうちのいくつかの領域内で部分的に除去され、かつ／または、重量を重くするために、Ｚ方向に、特に孔の延長部に追加されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ−Ｙ平面内に基板（７）および該基板（７）と平行に配置されたセンサ質量体（２）を有するＭＥＭＳ加速度センサにおいて、
前記センサ質量体（２）が、前記基板（７）の平面内方向の回転軸（６）を中心に回転可能に前記基板（７）に取り付けられ、前記センサ質量体（２）が、複数の孔（９）を含み、
前記センサ質量体（２）の質量が、前記回転軸（６）を基準とした両側で異なり、
前記回転軸（６）を中心とする前記センサ質量体（２）の回転運動を検出するためのセンサ素子（８）を有し、
前記回転軸（６）を基準とした一方の側の前記センサ質量体（２）の質量を前記回転軸（６）を基準とした他方の側の質量に対して軽くするために、前記センサ質量体（２）の材料が、前記一方の側で孔（９）のうちのいくつかの領域内で部分的に除去され、かつ／または、
前記回転軸（６）を基準とした一方の側の前記センサ質量体（２）の質量を前記回転軸（６）を基準とした他方の側の質量に対して重くするために、前記センサ質量体（２）の材料が、前記一方の側で孔（９）の延設方向であるＺ方向に追加されていることを特徴とするＭＥＭＳ加速度センサ。
【請求項２】
前記回転軸（６）が、前記センサ質量体（２）の投影面に関して対称的に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ加速度センサ。
【請求項３】
前記孔（９）が、貫通孔であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＭＥＭＳ加速度センサ。
【請求項４】
前記孔（９’’’）が、段付きであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ加速度センサ。
【請求項５】
前記孔（９’’’’）が、円錐形であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ加速度センサ。
【請求項６】
前記センサ質量体（２）の前記材料が、前記センサ質量体（２）のより薄い領域を形成するために、一方の側で少なくとも部分的に除去されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ加速度センサ。
【請求項７】
前記材料が、前記センサ質量体（２）のより厚い領域を形成するために、前記センサ質量体（２）に少なくとも部分的に追加されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ加速度センサ。
【請求項８】
前記材料が、前記センサ素子（８）から見て外方に向く前記センサ質量体（２）の側に追加されていること、または、前記センサ素子（８）から見て外方に向く前記センサ質量体（２）の側から除去されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ加速度センサ。
【請求項９】
前記材料が、前記センサ素子（８）が配置されている前記センサ質量体（２）の領域の外側に追加されていること、または、前記センサ素子（８）が配置されている前記センサ質量体（２）の領域の外側から除去されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ加速度センサ。
【請求項１０】
前記センサ質量体（２）が、Ｘ−Ｙ平面内、および／または、外で回転するために、回転可能に取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ加速度センサ。
【請求項１１】
ＭＥＭＳ加速度センサ（１）が、複数の方向の加速度を検出するための複数のセンサ質量体（２）を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ−Ｙ平面内に基板および基板と平行に配置されたセンサ質量体（ｓｅｎｓｏｒ  ｍａｓｓ）を有するＭＥＭＳ加速度センサに関し、センサ質量体は軸を中心に回転可能に基板に取り付けられ、センサ質量体は複数の孔を含み、センサ質量体の重量は回転軸を基準とした両側で異なり、ＭＥＭＳ加速度センサは、センサ質量体の回転軸を中心とするセンサ質量体の回転運動を検出するためのセンサ素子（ｓｅｎｓｏｒ  ｅｌｅｍｅｎｔｓ）を有している。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）として実施される加速度センサが、米国特許出願公開第２０１０／００２４５５４号の明細書により公知になっている。
この加速度センサは、Ｘ−Ｙ平面内に基板および基板と平行に配置されたセンサ質量体を備えていた。
センサ質量体は、軸を中心に回転可能に基板に取り付けられていた。
回転軸を基準とした両側にセンサ質量体の重量を異なって実施できるようにするために、さらなる質量が、Ｘ−Ｙ平面内に回転軸の一方の側でセンサ質量体に追加されていた。
それにより、センサ質量体は、他方の側よりも一方の側で回転軸からさらに遠くに延長する。
そして、回転軸を基準とした両側の間に不均衡が起こり、それによって、Ｚ方向の加速度の場合にセンサ質量体が回転軸を中心に傾くので、Ｚ方向の加速度を検出することができた。
センサの回転運動を決定することができるセンサ素子は、センサ素子間の距離が変化し、それによって異なる電気信号が生成されるので、基板とセンサ質量体との間に配置されていた。
前記実施例の欠点は、Ｘ−Ｙ平面内に追加の質量を受け入れることができるようにするために、比較的大きいスペースが基板上のセンサ質量体に必要となることである。
【０００３】
同じく回転軸を中心に回転することができるセンサ質量体を備える加速度センサが、米国特許出願公開第２００９／００３１８０９号の明細書により公知になっている。
部分的にはセンサ質量体の製造のために、かつ、センサ質量体の重量を軽くするために、複数の孔がセンサ質量体内に配置されていた。
回転軸を基準とした両側に異なる重量を有するセンサ質量体を実施するために、この従来技術では、異なる数、または、サイズの孔が、回転軸を基準とした両側のセンサ質量体に配置されていた。
この場合はセンサ質量体の両側で基板上に同じ面積が必要になるが、それにもかかわらず回転軸を基準とした両側に不均衡が生じる。
しかしながら、それによる欠点は、基板に取り付けられ、かつ、センサ質量体の底側に配置されるセンサ素子の電極が、センサ質量体の二等分に異なる孔があるために異なる面積になるので、異なるベースキャパシタンスとなることである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／００２４５５４号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００９／００３１８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、基板上の所要面積が小さいが、それにもかかわらず基板、または、センサの加速度の信頼性のある検出を可能にするＭＥＭＳ加速度センサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的は、独立請求項１の特徴を有するＭＥＭＳ加速度センサによって達成される。
本発明によるＭＥＭＳ加速度センサは、Ｘ−Ｙ平面内に基板および基板と平行に配置されたセンサ質量体を備えている。
センサ質量体は、軸を中心に回転可能に基板に取り付けられている。
複数の孔が、センサ質量体内に配置されている。
回転軸に対して垂直方向の加速度を検出できるようにするために、センサ質量体の質量は、回転軸を基準とした両側で異なるように構成されている。
センサ質量体の回転軸を中心とするセンサ質量体の回転運動を検出するのに適したセンサ素子が、さらに設けられている。
このセンサ素子は、通常、静電容量センサの平板電極である。
静電容量センサの一方の電極は基板に取り付けられ、基板の反対側に配置される他方の電極はセンサ質量体の底側に取り付けられている。
センサ質量体がセンサ質量体の回転軸を中心に回転運動すると、センサ素子の２つの電極は互いに離れるか、または、互いに近づく。
それによって電気信号の変化が起こり、この電気信号の変化から、電極の互いの距離の変化を検出、つまり、センサ質量体の回転軸を中心とするセンサ質量体の回転運動を検出することができる。
【０００７】
回転軸を基準とした一方の側のセンサ質量体の質量を回転軸を基準とした他方の側の質量に対して変えるために、回転軸を基準とした他方の側に対して回転軸を基準とした一方の側にセンサ質量体の質量の変更が加えられる。
この目的のために、センサ質量体の材料が、センサ質量体の質量を軽くするために、いくつかの孔のうちの領域内で部分的に除去されている。
追加として、または、別法として、材料が、センサ質量体の質量を重くするために、センサ質量体に追加されてもよい。
この目的のために、本発明によれば、Ｚ方向に見られる前記追加の材料は、特に孔の延設方向で追加される。
センサ質量体の材料の追加は、孔が配置されていない領域内で行うこともできる。
【０００８】
これらのすべての発明手段の重要な点は、回転軸を基準とした一方の側のセンサ質量体の質量を回転軸を基準とした他方の側に比べて異なる質量にするために、センサ質量体の材料の厚みが変更されることである。
一方の側にある孔は拡大されている、すなわち、センサ質量体の材料が孔の近傍、または、領域で除去されている。
他方の側にあるセンサ質量体に材料を追加することも可能である。
この目的のために、センサ質量体の材料は、対象とする領域がセンサ質量体の残り部分よりも厚くなるように構成されている。
したがって、回転軸を基準とした両側に異なる質量分布が存在するようにセンサ質量体全体に分散された、センサ質量体の領域に厚い区域および薄い区域がある。
このような厚みの異なるセンサ質量体の製造は、センサ質量体をエッチングすることによって行うことができ、その場合、異なるマスク、または、サンドイッチマスクが、例えば、センサ質量体の個々の高さの差異を得るために使用される。
【０００９】
本発明の利点は、Ｘ−Ｙ平面内のセンサ質量体の比較的小さい面積にセンサ質量体の回転軸を基準とした両側にあるセンサ質量体の不均衡を作り出し、それによって加速度センサはＺ方向の加速度を検出することができる。
本発明の有利な一実施例では、回転軸を基準とした両側でセンサ質量体の材料は、回転軸を基準とした両側にあるセンサ質量体の底側が好ましくは全く同じになるように、影響を受けることもできる。
それにより、センサ素子は、初期状態でセンサ質量体の回転軸を基準とした両側で同一信号を検出することができる。
この理由は、センサ質量体に取り付けられたセンサ素子の電極が、回転軸を基準とした両側で全く同じに実装されるとともに、基板に取り付けられた電極からのスペースが同じになるからである。
【００１０】
本発明の別の有利な実施例では、センサ質量体の回転軸は、センサ質量体の投影面積に関して対称的に配置されている。
これは、センサに必要な面積が回転軸を基準とした両側で同一であることを意味する。
その結果、加速度センサに必要な面積は最小限となる。
なお、本発明は、回転軸に関するセンサ質量体の投影面の対称的な実施に限定されるものではない。
センサ質量体の材料厚に影響を与える本発明による手段に加えて、さらなる不均衡を作り出すために、Ｘ−Ｙ平面内に追加の材料を加えることなどにより投影面を非対称にしてもよい。
【００１１】
本発明の特に有利な実施例では、孔は、貫通孔として設けられている。
これは、従来の方法を用いてセンサ質量体をより製造しやすくするとともに、センサ質量体の質量を付随的に軽くする。
【００１２】
本発明の一変形形態として、孔は、段付きであることが有利である。
これは、孔が、例えば、円筒形、長方形、または、正方形であり、孔の始点の内径が孔の終点の内径より大きいことを意味する。
より大きい孔の直径は、基板から見て外方に向くセンサ質量体の側に位置することが好ましい。
【００１３】
代替例として、孔は、形状が円錐形であることも可能である。
この場合もまた、円錐孔のより大きい直径は、基板から見て外方に向くセンサ質量体の側に位置することが有利である。
これにより、製造がより容易となる。
【００１４】
センサ質量体のより薄い領域を製造するために、センサ質量体の材料が、回転軸を基準とした一方の側で少なくとも部分的に除去される場合、通常は厚い領域とより薄い領域とがセンサ質量体内に作られる。
センサ質量体のより薄い領域は、Ｙ方向にセンサ質量体の全幅にわたって、または、Ｘ方向に一方の側のセンサ質量体の全長にわたって広がる領域であり、回転軸を基準とした反対側のセンサ質量体の質量と比べて、一方の側のセンサ質量体の質量を大幅に減らす。
【００１５】
センサ質量体の通常の厚さに対してセンサ質量体のより厚い領域を製造して、センサ質量体の質量を増加させるためには、材料が、センサ質量体に少なくとも部分的に追加されるようにしてもよい。
それによってセンサ質量体上に作られた突出部は、Ｙ方向の全幅、および／または、一方の側のＸ方向の全長にわたる領域で広がる。
【００１６】
本発明の非常に特徴的な利点は、材料が、センサ質量体から見て外方に向くセンサ質量体の側で除去、または、追加されることで達成される。
それにより、センサ質量体の底側、すなわち、基板に面する側におけるセンサ質量体の形状は、変わらない。
したがって、センサ質量体の底側は、回転軸を基準とした両側で同じ形状である。
それにより、電極による回転軸を中心とする回転運動の検出は、両側がゼロ位置で同一信号を出力するため、著しく容易に行われる。
センサ質量体を取り付けるための面は、同一サイズであるとともに、同様に使用することができる。
センサ質量体の材料の変更、および、それによる質量の変更は、Ｚ方向に見られるように、センサ素子を有していないセンサ質量体の側だけで行われている。
【００１７】
本発明の別の有利な実施例では、材料は、センサ素子が配置されているセンサ質量体の領域の外側で除去、または、追加されている。
センサ素子による回転運動の検出は、回転軸を基準とした両側でのセンサ質量体の材料、や質量の変更による影響を受けない。
【００１８】
本発明による加速度センサは、センサ質量体が、Ｘ−Ｙ平面内、および／または、外で回転するために取り付けられる場合、特に有利に適用することができる。
それにより、Ｚ方向の加速度、ならびに、Ｘ方向およびＹ方向の加速度が、検出される。
【００１９】
本発明によるＭＥＭＳ加速度センサでは、複数のセンサ質量体が複数の方向の加速度を検出するために設けられていてもよい。
したがって、このＭＥＭＳ加速度センサは、一次元、二次元、もしくは、三次元センサとして使用することができる。
【００２０】
本発明のさらなる利点が、以下の例示的な実施例に記述されている。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】ＭＥＭＳ加速度センサの平面図。
【図２】図１の側面図。
【図３】図１のＭＥＭＳ加速度センサの細部の図。
【図４】ＭＥＭＳ加速度センサの別の例示的な実施例の平面図。
【図５】図４のＭＥＭＳ加速度センサの側面図。
【図６】ＭＥＭＳ加速度センサの別の例示的な実施例の平面図。
【図７】図６の細部の図。
【図８】図６のＭＥＭＳ加速度センサの断面の細部の図。
【図９】図８の実施例の代替例の図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１は、本発明によるＭＥＭＳ加速度センサ１を示す概略平面図である。
ＭＥＭＳ加速度センサ１は、長方形投影面を有するセンサ質量体２を備えている。
センサ質量体２は、Ｘ−Ｙ平面内に広がっている。
ねじりばね（ｔｏｒｓｉｏｎａｌ  ｓｐｒｉｎｇ）３がＹ軸の方向に取り付けられ、センサ質量体２はねじりばね３によってアンカ（ａｎｃｈｏｒ）４上に取り付けられている。
ねじりばね３は、センサ質量体２のＹ軸、または、回転軸６に沿って延びる。
加速度が図面の面から突き出るＺ軸の方向に生じると、センサ質量体２はＹ軸方向の回転軸６を中心に回転する。
この理由は、質量分布がセンサ質量体２のＹ軸方向の回転軸６を基準とした両側で異なるからである。
回転軸６を基準とした右側では、センサ質量体２は、オフセット（ｏｆｆｓｅｔ）５を有している。
センサ質量体２の厚みは、オフセット５から薄くなっている。
それにより、回転軸６を基準とした右側のセンサ質量体２の総質量は、回転軸６を基準とした左側のセンサ質量体２の総質量よりも小さくなる。
したがって、Ｚ方向の加速度の場合、Ｙ軸を基準とした左側にＹ軸を基準とした右側よりも大きいトルクが生じる。
したがって、センサ質量体２は、回転軸Ｙを基準とした右側ではなく左側に傾きやすい。
【００２３】
図２は、図１の加速度センサ１の概略側面図である。
センサ質量体２は、アンカ４およびねじりばね３を用いて基板７に取り付けられているが、ここには詳細を図示しない。
センサ質量体２は、Ｙ軸の方向に延びる回転軸６を中心に回転する。
電極である第１のセンサ素子８’が、基板７に取り付けられている。
電極である第２のセンサ素子８’’が、センサ質量体２の下面上に第１のセンサ素子８’に対向して配置されている。
第１のセンサ素子８’および第２のセンサ素子８’’は、第１のセンサ素子８’と第２のセンサ素子８’’との間の距離の関数として電気信号を生成する。
センサ質量体２が回転軸６を中心に回転運動した場合、第１のセンサ素子８’と第２のセンサ素子８’’との間の距離が変化して、ベース信号に対して変化する信号が得られる。
【００２４】
センサ質量体２の厚みは、Ｚ軸の方向で異なる。
図３に示すように、センサ質量体２の回転軸６を基準とした左側は厚みＤであり、オフセット５から回転軸６を基準とした右側は厚みｄであり左側より薄くなっている。
したがって、センサ質量体２は、オフセット５の後でＺ軸の方向にセンサ質量体２の残りの領域よりも薄い。
これにより、回転軸６を基準とした右側の質量が回転軸６を基準とした左側の質量に比べて小さくなる。
したがって、Ｚ方向の加速度の場合、センサ質量体２は回転軸６を中心に反時計方向に回転する。
つまり、回転軸６を基準とした左側の第１のセンサ素子８’と第２のセンサ素子８’’との間の距離は減少するが、回転軸６を基準とした右側の第１のセンサ素子８’と第２のセンサ素子８’’との間の距離は増大する。
信号の対応する変化は、分析ユニット（図示せず）によって検出され、Ｚ方向の加速度を示す。
【００２５】
図１から分かるように、センサ質量体２は複数の孔９を有している。
この例示的な実施例における孔９は、センサ質量体２の全領域にわたって均等に分散されている。
図３は、センサ質量体２のオフセット５および孔９の領域の断面を示す拡大詳細図である。
この図から、孔９’が厚みＤを有するセンサ質量体２のより厚い領域に設けられるが、より短い孔９’’がセンサ質量体２の厚みｄを有するオフセット５の後の薄い領域にあることは、明らかである。
基板７および第１のセンサ素子８’に面するセンサ質量体２の底部領域では、センサ質量体２のより厚い領域とより薄い領域との間に違いは見られない。
したがって、第２のセンサ素子８’’を、センサ質量体２の質量の変化にかかわらず、センサ質量体２の底面側に配置することができる。
また、センサ質量体２の投影面積に関して必要な面積は、回転軸６を基準とした両側で等しい。
これは、センサ質量体２の底部上の孔パターンにも適用される。
センサ質量体２の厚みだけが、Ｚ方向に、かつ、センサ質量体２の上側で変化する。
【００２６】
図４に、加速度センサ１の別の例示的な実施例を示す。
センサ質量体２は、基本的には図１、図２および図３に記載されている通りに実施される。
異なる点は、突出部１０が回転軸６を基準とした右側にあり、２つのオフセット５からもたらされていることである。
突出部１０の領域ではセンサ質量体２の厚みＤは厚く、残りの領域ではセンサ質量体２の厚みｄは厚みＤより薄い。
突出部１０内にかつオフセット５の領域内に配置される孔は、図３に示されている通りに実施されている。
それにより、回転軸６を基準とした右側の質量は、回転軸６を基準とした左側の質量よりも大きくなる。
したがって、センサ質量体２は、Ｚ方向の加速度に対して回転軸６を中心に時計方向に回転することになる。
つまり、回転軸６を基準とした右側の第１のセンサ素子８’と第２のセンサ素子８’’との間の距離は減少するが、回転軸６を基準とした左側の第１のセンサ素子８’と第２のセンサ素子８’’との間の距離は増大する。
第１のセンサ素子８’および第２のセンサ素子８’’の前記電気信号の対応する分析が、加速度がＺ方向に生じているという結果にもつながる。
【００２７】
したがって、この例示的な実施例におけるセンサ質量体２の質量の変化は、材料がセンサ質量体２に追加され、それによって突出部１０のこの追加材料内に存在する孔が拡大されることで起こる。
【００２８】
材料を除去することによる本発明の別の実施例が、図６の例示的な実施例に示されている。
この場合も、この実施例は、基本的には図１および図４に示されているＭＥＭＳ加速度センサ１である。
異なる点は、この場合、センサ質量体２の厚みがどこでも同じであることである。
質量変化は、個々の孔が孔９の通常の実施例に対してセンサ質量体２の上側で拡大されることで達成される。
このことは、回転軸６を基準とした右側に配置された孔９に影響を与える。
Ｙ軸に平行な最初の４列における孔９’’の上側が、拡大される。
【００２９】
図７に、拡大された孔９’’’の拡大図を示す。
孔９’’’は、正方形断面を有している。
孔９’’’の上側の辺長は、底側の辺長よりも長い。
【００３０】
図８は、図７の孔９’’’を通る断面である。
孔９’’’が段付きであることは、明らかである。
センサ質量体２の厚みの約半分まで、センサ質量体２の下半分より大きい辺長の孔９’’’がある。
したがって、センサ質量体２の底側は、回転軸６を基準とした右側に回転軸６を基準とした左側と同じ孔パターンを含む。
孔９に対する変更は、センサ質量体２の上側だけに加えられている。
それにより、質量の変化であるセンサ質量体２の重量の差が、回転軸６を基準とした左右に確実に生じる。
回転軸６を基準とした左右のセンサ質量体２の底側に全く同じ孔パターンがあるため、センサ素子８は全く同じ出力信号を有利に与えることも確実になる。
【００３１】
図９に、図８の孔形状の代替形状を示す。
ここに示されている孔９’’’’は、円錐形断面を有する。
それにより、この場合も、センサ質量体２の質量および重量がこの手段の影響を受けることができ、かつ、センサ素子８’およびセンサ素子８’’の電気信号の対応する分析のためのセンサ質量体２の底側の孔パターンが回転軸６を基準とした両側で同じであるという利点がある。
【００３２】
孔の形状は、センサ質量体２の厚みの設計に合わせて、できる限り多くの異なる形状を有することもできる。
底側の孔パターンが回転軸６を基準とした両側で同じにすることもまた、必須ではない。
本発明は別の孔パターンを用いて実施することもできるが、完全に有利にというわけではない。
孔は、平面図で、円形、正方形、長方形、または、他の断面形状を有していてもよい。
孔は、センサ質量体２の厚みに関して断面形状を変えることができる。
Ｚ方向の横断面で孔は実施されうるが、製造に対する技術的な可能性には余地がある。
例えば、複数のシリコン層を使用することによる段付き孔の製造、または、製造プロセス、特にエッチングプロセスのための対応するマスキング。
【００３３】
本発明によるセンサ質量体２を、基板上に複数枚、配置してもよい。
それに応じて、投影面積を選択すること、および、回転軸を直交Ｘ−Ｙ−Ｚ系の軸に配置することにより、ここに示されているように、Ｚ方向の加速度だけでなく、Ｘ方向、および／または、Ｙ方向の加速度も検出することが可能である。
【００３４】
長さでも断面形状でも異なる孔形状の使用は、Ｘ−Ｙ平面外で回転するだけでなく、例えば、Ｚ軸を中心とする回転運動によりＸ−Ｙ平面内でも動く加速度センサのために使用することもできる。
それにより、孔のこのような変形形態は、一様でない質量分布につながる可能性もあり、それによって本発明の対応する利点を実施することができる。
【符号の説明】
【００３５】
１    ・・・  ＭＥＭＳ加速度センサ
２    ・・・  センサ質量体
３    ・・・  ねじりばね
４    ・・・  アンカ
５    ・・・  オフセット
６    ・・・  回転軸
７    ・・・  基板
８    ・・・  センサ素子
９    ・・・  孔
１０  ・・・  突出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
2013140148000001.pdf