(57)【要約】【課題】金属箔張基板を製造するのに用いられる仮基板であって、金属箔のシワの発生が抑制された高品質な金属箔張基板を製造可能な金属箔張基板製造用仮基板、および高品質な金属箔張基板を効率よく製造する方法を提供すること。【解決手段】金属箔張基板製造用仮基板１は、プリプレグを硬化させてなる仮基板本体１１と、仮基板本体１１上に配置された下地層１２と、下地層１２を介して仮基板本体１１上に設けられ、下地層１２の平面視の大きさより大きな金属箔１３と、を有し、金属箔１３の一部をビルドアップ配線層９等の他の基板に移転させて配線基板（金属箔張基板）５を製造するのに用いられる仮基板であって、仮基板本体１１は、経糸／緯糸の１インチ当たりの質量比が０．８〜１．３５であり、かつ、単位面積当たりの質量が２０８〜２６０ｇ／ｍ２であるガラス織布を含んでいる。【選択図】図３
2013110320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリプレグを硬化させてなる仮基板本体と、前記仮基板本体上に配置された下地層と、前記下地層を介して前記仮基板本体上に設けられ、前記下地層の平面視の大きさより大きな金属箔と、を有し、前記金属箔の一部を他の基板に移転させ金属箔張基板を製造するのに用いられる仮基板であって、
前記仮基板本体は、経糸／緯糸の１インチ当たりの質量比が０．８〜１．３５であり、かつ、単位面積当たりの質量が２０８〜２６０ｇ／ｍ２であるガラス織布を含んでいることを特徴とする金属箔張基板製造用仮基板。
【請求項２】
前記ガラス織布は、経糸／緯糸の１インチ当たりの本数比が０．９〜２．５のものである請求項１に記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【請求項３】
前記ガラス織布は、経糸と緯糸に、ＪＩＳ  Ｒ  ３４１３に規定される糸の種類が互いに同じであるガラス繊維を用いたものである請求項１または２に記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【請求項４】
前記ガラス織布は、平面視においてバスケットホールが占める面積の割合が２０％以下のものである請求項１ないし３のいずれかに記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【請求項５】
前記ガラス織布を構成するガラス材料は、Ｅガラスである請求項１ないし４のいずれかに記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【請求項６】
前記プリプレグは、前記硬化時における縦方向の寸法変化率の絶対値および横方向の寸法変化率の絶対値がそれぞれ０．３％以下のものである請求項１ないし５のいずれかに記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【請求項７】
前記プリプレグを硬化させてなる前記仮基板本体は、樹脂材料の含有率が２０〜４７質量％のものである請求項１ないし６のいずれかに記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の金属箔張基板製造用仮基板の前記金属箔に接するように前記他の基板を接着して積層体を得る工程と、
前記積層体のうち、前記金属箔の外周部に対応する部分を切断して除去することにより、前記金属箔の一部を前記他の基板側に移転させ金属箔張基板を得る工程と、を有することを特徴とする金属箔張基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属箔張基板製造用仮基板および金属箔張基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、配線基板のような金属箔張基板の製造において仮基板を用いた方法が開示されている。具体的には、まず、プリプレグ上の配線形成領域に下地層を配置するとともに、この下地層の平面視の大きさより一回り大きな金属箔を、前記配線形成領域の外側に位置する外周部に接するように、下地層を介してプリプレグ上に配置する。そして、加熱・加圧によってプリプレグを硬化させることにより、プリプレグの前記外周部に対して金属箔の外周部が接着され、仮基板が得られる。この仮基板において、下地層とその上の金属箔との間は、単に接しているだけで接着されていない状態になっている。
【０００３】
次いで、仮基板の金属箔上にビルドアップ配線層を形成して構造体を得た後、この構造体のうち、金属箔の外周部に対応する部分を切断することにより、金属箔の外周部以外の部分、すなわち下地層と接していた部分をビルドアップ配線層側に移転させることができる。これにより、金属箔の上にビルドアップ配線層が形成された配線部材が得られる。
【０００４】
このような方法によれば、接着機能を有するプリプレグを備えた仮基板を用いることにより、特別な接着層を設けることなく、配線部材を簡単に製造することができる。このため、特にコア基板をもたない配線部材の製造コストの低減を図ることができる。
【０００５】
しかしながら、上記の配線部材の製造方法では、それに用いる仮基板を製造する際に、プリプレグに対して金属箔を仮固定した状態でプリプレグを硬化させる工程を経る。硬化に伴ってプリプレグは収縮するが、一方、金属箔はほとんど収縮しない。このため、硬化後のプリプレグに対して余分な金属箔が発生することとなり、この部分が仮基板において金属箔にシワを発生させる要因になっている。このような金属箔に発生するシワは、そのままビルドアップ配線層に移転され、配線部材（金属箔張基板）の不良原因となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１５８１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、金属箔張基板を製造するのに用いられる仮基板であって、金属箔のシワの発生が抑制された高品質な金属箔張基板を製造可能な金属箔張基板製造用仮基板、および高品質な金属箔張基板を効率よく製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記（１）〜（８）の本発明により達成される。
（１）  プリプレグを硬化させてなる仮基板本体と、前記仮基板本体上に配置された下地層と、前記下地層を介して前記仮基板本体上に設けられ、前記下地層の平面視の大きさより大きな金属箔と、を有し、前記金属箔の一部を他の基板に移転させ金属箔張基板を製造するのに用いられる仮基板であって、
前記仮基板本体は、経糸／緯糸の１インチ当たりの質量比が０．８〜１．３５であり、かつ、単位面積当たりの質量が２０８〜２６０ｇ／ｍ２であるガラス織布を含んでいることを特徴とする金属箔張基板製造用仮基板。
【０００９】
（２）  前記ガラス織布は、経糸／緯糸の１インチ当たりの本数比が０．９〜２．５のものである上記（１）に記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【００１０】
（３）  前記ガラス織布は、経糸と緯糸に、ＪＩＳ  Ｒ  ３４１３に規定される糸の種類が互いに同じであるガラス繊維を用いたものである上記（１）または（２）に記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【００１１】
（４）  前記ガラス織布は、平面視においてバスケットホールが占める面積の割合が２０％以下のものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【００１２】
（５）  前記ガラス織布を構成するガラス材料は、Ｅガラスである上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【００１３】
（６）  前記プリプレグは、前記硬化時における縦方向の寸法変化率の絶対値および横方向の寸法変化率の絶対値がそれぞれ０．３％以下のものである上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【００１４】
（７）  前記プリプレグを硬化させてなる前記仮基板本体は、樹脂材料の含有率が２０〜４７質量％のものである上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【００１５】
（８）  上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の金属箔張基板製造用仮基板の前記金属箔に接するように前記他の基板を接着して積層体を得る工程と、
前記積層体のうち、前記金属箔の外周部に対応する部分を切断して除去することにより、前記金属箔の一部を前記他の基板側に移転させ金属箔張基板を得る工程と、を有することを特徴とする金属箔張基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、金属箔のシワの発生が抑制された高品質な金属箔張基板を製造可能な金属箔張基板製造用仮基板を製造することができる。
また、本発明によれば、高品質な金属箔張基板を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の金属箔張基板の製造方法の実施形態を示す断面図（一部、平面図を含む。）である。
【図２】本発明の金属箔張基板の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の金属箔張基板の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の金属箔張基板製造用仮基板の実施形態に含まれるガラス織布を示す平面図である。
【図５】本発明の金属箔張基板製造用仮基板の実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の金属箔張基板製造用仮基板および金属箔張基板の製造方法について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１９】
本発明の金属箔張基板製造用仮基板（以下、省略して「仮基板」ともいう。）は、仮基板本体とその上に配置された下地層とさらにその上に配置された下地層より一回り大きい金属箔とを有するものであり、金属箔の一部を他の基板等に移転させて金属箔張基板を製造するのに用いられるものである。ここで、仮基板本体は、プリプレグを硬化させてなるものである。そして、プリプレグを硬化させる際に、プリプレグに対して下地層と金属箔とを接触させておくことにより、これらを接着させつつプリプレグを硬化させることができるので、特別な接着層を用いることなく、仮基板本体と下地層および金属箔とを接着し、仮基板を製造することができる。
【００２０】
このようにして得られた仮基板では、下地層とその上の金属箔との間は接着されていない。すなわち、金属箔は、下地層からはみ出た部分（外周部）のみが仮基板本体と接着されることによって固定されている。このため、金属箔上に絶縁層等の他の基板を形成した後、金属箔の外周部に対応した部分を一括して切断することにより、絶縁層等に金属箔が移転され、金属箔張基板が製造される。
【００２１】
このような本発明の仮基板における仮基板本体は、縦方向ガラスヤーン（経糸）／横方向ガラスヤーン（緯糸）の１インチ当たりの質量比が０．８〜１．３５であり、かつ、単位面積当たりの質量が２０８〜２６０ｇ／ｍ２であるガラス織布を含んでいる。これにより、仮基板本体は、ガラス織布の製造時に生じる異方性がプリプレグの硬化時の収縮に及ぼす影響を最小限に抑え得るものとなる。そして、このような仮基板を用いることにより、金属箔におけるシワの発生が確実に抑制された金属箔張基板を製造することができる。
【００２２】
＜金属箔張基板の製造方法＞
まず、本発明の金属箔張基板の製造方法の実施形態について説明する。
【００２３】
図１〜３は、本発明の金属箔張基板の製造方法の実施形態を示す断面図（一部、平面図を含む。）である。
【００２４】
図１〜３に示す金属箔張基板の製造方法は、［１］仮基板１の金属箔１３に接するようにビルドアップ配線層９を形成して積層体２を得る積層工程と、［２］積層体２のうち、金属箔１３の外周部１３２に対応する部分を切断して除去することにより、金属箔１３の内周部１３１をビルドアップ配線層９側に移転させ、配線基板（金属箔張基板）５を得る切断工程と、を有する。以下、各工程について順次説明する。
【００２５】
［１］積層工程
［１−１］まず、積層工程に用いる仮基板１を製造する。仮基板１は、プリプレグ１０を硬化させてなる仮基板本体１１と、仮基板本体１１上に配置された下地層１２と、下地層１２を介して仮基板本体１１上に配置され、下地層１２よりも平面視で一回り大きい金属箔１３と、を有するものである。このような仮基板１は、プリプレグ１０上に下地層１２および金属箔１３を配置した状態でプリプレグ１０を硬化させることにより製造される。
【００２６】
プリプレグ１０は、ガラス織布１０１に半硬化の樹脂材料１０２を含浸させたものである。半硬化とは、樹脂材料１０２中の硬化に寄与する官能基のうち、相当部分が未反応のままである状態のことをいい、Ｂステージとも呼ばれる。なお、このプリプレグ１０および仮基板１については、後に詳述する。
【００２７】
プリプレグ１０上に下地層１２および金属箔１３を配置する際には、プリプレグ１０の一方の面上に配置してもよいが、図１（ａ）に示すように双方の面上に配置してもよい。これにより、１枚の仮基板１から２枚の配線基板５を製造することができるので、製造効率を高めることができる。
【００２８】
また、金属箔１３を配置する際には、図１（ｃ）に示すように、下地層１２より一回り大きい金属箔１３の外周部１３２が下地層１２の外縁から確実にはみ出るように配置する。
【００２９】
このようにしてプリプレグ１０、下地層１２および金属箔１３を重ねた後、これらを厚さ方向に加圧しつつ加熱する。これにより、プリプレグ１０が硬化して仮基板本体１１に転化するとともに、仮基板本体１１に対して下地層１２および金属箔１３が接着される。なお、金属箔１３については、図１（ｂ）に示すように、プリプレグ１０と接していた外周部１３２のみが仮基板本体１１と接着される。一方、金属箔１３の内周部１３１は、下地層１２と接しているものの、下地層１２にはプリプレグ１０のような接着機能はないため、プリプレグ１０硬化後も下地層１２と単に接している状態を維持する。
【００３０】
加熱条件としては、好ましくは加熱温度が５０〜３００℃程度、加熱時間が０．５〜１０時間程度とされ、より好ましくは加熱温度が１７０〜２７０℃程度、加熱時間が１〜５時間程度とされる。
【００３１】
また、加熱温度は途中で変更するようにしてもよい。例えば、当初は５０〜１００℃程度で０．５〜３時間程度加熱し、その後、２００〜３００℃程度で０．５〜３時間程度加熱するようにしてもよい。
【００３２】
また、加圧条件としては、好ましくは加圧力が０．１〜５ＭＰａ程度、より好ましくは加圧力が１〜４ＭＰａ程度とされる。
【００３３】
なお、プリプレグ１０中の樹脂ワニスが光硬化性を有する場合には、波長２００〜４００ｎｍ程度の紫外線等を照射することにより樹脂ワニスを硬化させることができる。
【００３４】
付与される光エネルギー量（積算光量）は、５ｍＪ／ｃｍ２以上１０００ｍＪ／ｃｍ２以下であるのが好ましく、１０ｍＪ／ｃｍ２以上８００ｍＪ／ｃｍ２以下であるのがより好ましい。積算光量が前記範囲内であれば、ムラなく均一に、かつ確実に硬化させることができる。
以上のようにして図１（ｂ）、（ｃ）に示す仮基板１が得られる。
【００３５】
［１−２］次に、仮基板１の金属箔１３上にビルドアップ配線層９を形成する。これにより、積層体２を得る。
【００３６】
ビルドアップ配線層９は、例えばビルドアップ法により絶縁層を形成しつつ、セミアディティブ法により配線層を形成するプロセスを繰り返し行うことにより形成される。以下、このプロセスについて説明するが、ビルドアップ配線層９の形成には、その他にサブトラクティブ法等を用いるようにしてもよい。
【００３７】
まず、金属箔１３上にレジスト膜を形成する。レジスト膜には、フォトリソグラフィー技術等により、所定の開口部を形成しておく。次いで、電解めっき処理等を施すことにより、開口部に導電層が形成する。その後、レジスト膜を除去する。これにより、金属箔１３と導通する配線が形成される。導電層の構成材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、スズ等が挙げられる。
【００３８】
次に、ポスト部等を覆うように絶縁層を形成する。絶縁層の形成には、樹脂フィルムの貼り付け、液状樹脂材料の塗布等の方法が用いられる。絶縁層の構成材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等が挙げられる。また、絶縁層には、レーザー加工法、フォトリソグラフィー法等により開口部が形成される。次いで、無電解めっき処理またはスパッタリング処理等を施すことにより、開口部内および絶縁層上にシード層を形成する。シード層には、前述した導電層と同様の材料が用いられる。シード層上に所定の開口部を備えたレジスト膜を形成した後、電解めっき処理等を施すことにより、レジスト膜の開口部およびその周囲に導電層を形成する。その後、レジスト膜を除去するとともに、導電層をマスクにしてシード層を除去する。これにより、絶縁層上に配線を形成するとともに、絶縁層を貫通して配線同士を接続するポストを形成する。
【００３９】
以上のようなプロセスを仮基板１の両面においてそれぞれ繰り返すことにより、図２に示すように、各面にそれぞれ複数の絶縁層が積層されてなるビルドアップ配線層９を形成することができる。すなわち、ビルドアップ配線層９、仮基板１およびビルドアップ配線層９の３つが積層されてなる積層体２が得られる。
【００４０】
なお、ビルドアップ配線層９の形成にあたっては、特開２００７−１５８１７４号公報に記載されたプロセスを適宜採用するようにしてもよい。
【００４１】
［２］切断工程
次に、積層体２のうち、金属箔１３の外周部１３２に対応する部分を切断して除去する。切断にあたっては、外周部１３２が内周部１３１から分離するような位置において切断すればよく、切断線Ｃが図３（ａ）に示すように金属箔１３の内周部１３１側に入り込んでいても差し支えない。切断には、各種ダイサー、各種レーザー加工機等を用いることができる。
【００４２】
切断線Ｃにおいて積層体２を切断すると、外周部１３２が切り落とされることとなり、下地層１２と金属箔１３との間には、図３（ｂ）に示すように、単に接しているだけの界面が残る。
【００４３】
そして、この界面は、図３（ｃ）に示すように分離することとなる。その結果、金属箔１３とその上に形成されたビルドアップ配線層９とが積層された配線基板５が得られる。
【００４４】
その後、必要に応じて、配線基板５が含む金属箔１３に対してパターニング処理を施し、所定の部分を除去するようにしてもよい。
【００４５】
以上のような方法によれば、特別な接着層を設けることなく配線基板５を効率よく製造することができるので、配線基板５の製造工程の簡略化および製造コストの削減を図ることができる。特に、コア基板を含まない配線基板５の製造において、本発明は有効に用いられる。その結果、薄型で軽量の配線基板５を短期間かつ低コストで製造することができる。
【００４６】
なお、ビルドアップ配線層９は、配線を含まない単なる絶縁層等で代替してもよい。すなわち、配線基板５は、絶縁層と銅箔とを接着してなる銅張基板（金属箔張基板）であってもよい。
【００４７】
＜金属箔張基板製造用仮基板＞
次に、上記製造方法に用いられる本発明の金属箔張基板製造用仮基板の実施形態について説明する。
【００４８】
図４は、本発明の金属箔張基板製造用仮基板の実施形態に含まれるガラス織布を示す平面図、図５は、本発明の金属箔張基板製造用仮基板の実施形態を示す断面図である。
【００４９】
前述したように、本発明の仮基板１は、プリプレグ１０を硬化させてなる仮基板本体１１と、仮基板本体１１上に配置された下地層１２と、下地層１２を介して仮基板本体１１上に配置され、下地層１２よりも平面視で一回り大きい金属箔１３と、を有するものである。このうち、仮基板本体１１は、図５に示すように、ガラス織布１０１に樹脂材料１０２を含浸させてなるものである。そして、ガラス織布１０１は、経糸／緯糸の１インチ当たりの質量比が０．８〜１．３５であり、かつ、単位面積当たりの質量が２０８〜２６０ｇ／ｍ２であるものである。このようなガラス織布１０１を含んだ仮基板１は、ガラス織布１０１の製造時に生じる異方性がプリプレグ１０の硬化時の収縮に及ぼす影響を最小限に抑え得るものとなる。したがって、このようなガラス織布１０１を用いることで、仮基板１において金属箔１３にシワが発生するのを抑制することができる。そして、この金属箔１３のシワがビルドアップ配線層９に移転されるのを抑制することができる。
【００５０】
（ガラス織布）
図４に示すガラス織布１０１は、複数のガラス繊維（単繊維）を束ねたガラスヤーンを織った布である。このガラス織布１０１は、縦方向ガラスヤーン（経糸）１０１ａおよび横方向ガラスヤーン（緯糸）１０１ｂで構成されており、縦方向ガラスヤーン１０１ａと横方向ガラスヤーン１０１ｂとは略直交している。ガラス織布１０１の織組織としては、平織り等が挙げられる。
【００５１】
ここで、仮基板１は、プリプレグ１０上に下地層１２と金属箔１３とを配置した状態でプリプレグ１０を硬化させることにより製造される。硬化に伴ってプリプレグ１０は収縮するが、一方、金属箔１３はほとんど収縮しない。このため、従来の仮基板では、硬化後に得られる仮基板本体に対して金属箔には余分が発生し、この余分が金属箔にシワを発生させていた。そしてこのシワは、そのままビルドアップ配線層に移転されることとなり、配線基板に不良を発生させる要因になっていた。
【００５２】
このような課題に対し、本発明者は鋭意検討を重ね、仮基板本体１１のうち、特にガラス織布１０１の構造がシワの発生に大きく関与しているという知見を得た。さらには、金属箔１３にシワが発生するときには、ガラス織布１０１の織り方向のうち、一方向では大きく収縮するとともに、他方向では大きく伸長している傾向が高い（寸法変化の異方性が大きい）という知見も得た。
【００５３】
ところで、プリプレグ１０全体の収縮量は、樹脂材料１０２の含有量および樹脂材料１０２の化学構造で決定される。樹脂材料１０２は本来、等方的に収縮するが、この樹脂材料１０２をガラス織布１０１に含浸させたことにより、プリプレグ１０の収縮挙動には異方性が発現する。したがって、上述したように一方向では収縮し、他方向では伸長するような場合、一方向における収縮量が非常に大きくなり、それに伴ってシワが発生するものと考えられる。このことから、シワの発生を抑えるためには、収縮の異方性（寸法変化の異方性）を小さくすることが重要であると考えられる。
【００５４】
本発明者は、ガラス織布１０１の経糸と緯糸の質量比と、単位面積当たりの質量という２つの因子の双方を最適化することにより、収縮の異方性を最小化し、シワの発生を大幅に低減し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００５５】
すなわち、ガラス織布１０１は、上述したように、縦方向ガラスヤーン（経糸）１０１ａ／横方向ガラスヤーン（緯糸）１０１ｂの１インチ当たりの質量比が０．８〜１．３５の関係を満たし、かつ、単位面積当たりの質量が２０８〜２６０ｇ／ｍ２の関係を満たすものである。ガラス織布１０１は、一定の張力で張られた縦方向ガラスヤーン１０１ａ同士の間に横方向ガラスヤーン１０１ｂを編み込むという方法で製造されるため、織り方向によって特性に異方性が生じることが避けられないものの、ガラス織布１０１が前記関係を満たすことにより、プリプレグ１０の収縮の異方性を最小化することができる。
【００５６】
なお、縦方向ガラスヤーン（経糸）１０１ａ／横方向ガラスヤーン（緯糸）１０１ｂの１インチ当たりの質量比は、横方向ガラスヤーン１０１ｂの１インチ四方の質量と、縦方向ガラスヤーン１０１ａの１インチ四方の質量とを算出したとき、前者の質量に対する後者の質量の比率として算出される。また、この質量比は０．９〜１．３であるのが好ましい。
【００５７】
一方、単位面積当たりの質量は、目付とも呼ばれ、ガラス織布１０１の質量を面積で割って算出される。この質量は好ましくは２２０〜２５０ｇ／ｍ２とされる。
【００５８】
また、縦方向ガラスヤーン１０１ａおよび横方向ガラスヤーン１０１ｂには、それぞれガラス繊維が１０〜２００本程度含まれているのが好ましく、２０〜１５０本程度含まれているのがより好ましい。これにより、プリプレグ１０の収縮の異方性をより低減することができる。
【００５９】
また、ガラス織布１０１は、なお、縦方向ガラスヤーン（経糸）１０１ａ／横方向ガラスヤーン（緯糸）１０１ｂの１インチ当たりの本数比が０．９〜２．５の関係を満たすことが好ましく、１．２〜２．２の関係を満たすことがより好ましい。これにより、仮基板本体１１は、収縮の異方性がより小さいものとなり、金属箔１３におけるシワの発生をより抑制し得るものとなる。
【００６０】
なお、縦方向ガラスヤーン（経糸）１０１ａ／横方向ガラスヤーン（緯糸）１０１ｂの１インチ当たりの本数比は、横方向ガラスヤーン１０１ｂの１インチ幅の本数と、縦方向ガラスヤーン１０１ａの１インチ幅の本数とを算出したとき、前者の本数に対する後者の本数の比率として算出される。
【００６１】
また、質量比等が前記範囲内であれば、縦方向ガラスヤーン１０１ａや横方向ガラスヤーン１０１ｂを構成するガラス繊維の種類は特に限定されない。したがって、縦方向ガラスヤーン１０１ａを構成する複数本のガラス繊維は、互いに同じ種類のものでも、互いに異なる種類のものでもよい。これは、横方向ガラスヤーン１０１ｂにおいても同様である。
【００６２】
しかしながら、とりわけ高い効果を得るためには、縦方向ガラスヤーン１０１ａと横方向ガラスヤーン１０１ｂに、ＪＩＳ  Ｒ  ３４１３に規定する糸の種類が互いに同じであるガラス繊維を用いることが好ましい。このようなガラス繊維を用いることで、プリプレグ１０の収縮の異方性が特に小さくなり、金属箔１３におけるシワの発生を特に抑制し得る仮基板本体１１が得られる。
【００６３】
ところで、ガラス織布１０１は、縦方向ガラスヤーン１０１ａと横方向ガラスヤーン１０１ｂとを織って形成されるが、これらが交差する交差部付近には少なからず隙間が生じる。この隙間はバスケットホールと呼ばれ、ガラス織布１０１の特性に影響を及ぼすことがある。図４に示すガラス織布１０１にはバスケットホール１０１ｃを図示している。
【００６４】
本発明では、ガラス織布１０１の平面視において、このバスケットホール１０１ｃが占める面積の割合を好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下としている。バスケットホール１０１ｃの面積比を前記範囲内にすることにより、ガラス織布１０１の平滑度を高め、金属箔１３の平滑度も高めることができるので、シワの発生がより抑えられる。また、バスケットホール１０１ｃの面積比を前記範囲内にすることにより、ガラス織布１０１の質量比等を最適化したことによる効果がバスケットホール１０１ｃによって損なわれることが防止される。すなわち、バスケットホール１０１ｃの面積比が著しく高い場合、そこに樹脂材料が多量に入り込むため、ガラス織布１０１のある部分は収縮が小さく、樹脂材料が多量にある部分は収縮が大きくなり、均一に収縮しなくなる。これにより、プリプレグ１０の収縮の異方性を最小化することができなくなるおそれがあるが、前記範囲内にすることでそれが防止される。
【００６５】
なお、縦方向ガラスヤーン１０１ａおよび横方向ガラスヤーン１０１ｂには、それぞれ、あらかじめ開繊処理が施されているのが好ましい。開繊処理により、ガラスヤーンが拡幅され、その断面は扁平状に成形される。また、バスケットホール１０１ｃも小さくなる。その結果、ガラス織布１０１の平滑性がより高くなり、金属箔１３の平滑度も高めることができるので、シワの発生がより抑えられる。開繊処理としては、例えば、ウォータージェットを噴射する処理、エアージェットを噴射する処理、ニードルパンチングを施す処理等が挙げられる。
【００６６】
ガラス繊維を構成する無機系ガラス材料としては、例えば、Ｅガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｔガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、クオーツ、低誘電率ガラス、高誘電率ガラス等が挙げられ、中でもアルカリ金属などのイオン性不純物が少なく入手の容易なＥガラス、Ｓガラス、Ｔガラス、ＮＥガラスが好ましく用いられ、特にＥガラスがより好ましく用いられる。Ｅガラスは繊維化が容易であることからＥガラスで構成されたガラスヤーンは平滑度等が高く、かつ機械的な特性に優れることから、大型でかつ薄い仮基板１の実現に寄与する。
【００６７】
ガラス繊維の平均径は、特に限定されないが、２〜１５μｍ程度であるのが好ましく、３〜１２μｍ程度であるのがより好ましく、３〜１０μｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、ガラス織布１０１の平滑度等が高くなるとともに、ガラス織布１０１の構成を最適化して、仮基板１の金属箔１３に発生するシワを特に抑えることができる。なお、ガラス繊維の平均径は、ＪＩＳ  Ｒ  ３４２０に規定される試験方法に基づいて測定される。
【００６８】
一方、ガラス織布１０１の平均厚さは、特に限定されないが１０〜２００μｍ程度であるのが好ましく、２０〜１２０μｍ程度であるのがより好ましい。ガラス織布１０１の平均厚さを前記範囲内にすることにより、仮基板１の剛性が、金属箔張基板の製造において必要かつ十分なものとなる。
【００６９】
なお、ガラス繊維の表面には、必要に応じてカップリング剤を付与するようにしてもよい。カップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤等が挙げられるが、シラン系カップリング剤が特に好ましく用いられる。シランカップリング剤には、官能基としてエポキシ基、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、イソシアネート基、アミド基等を含むものが好ましく用いられる。
【００７０】
このようなカップリング剤の付与率は、ガラス織布１００質量部に対して０．０１〜５質量部程度であるのが好ましく、０．０２〜１質量部程度であるのがより好ましく、０．０２〜０．５質量部程度であるのがさらに好ましい。
【００７１】
（樹脂材料）
本発明に用いられる樹脂材料１０２には、例えば、ポリイミド系樹脂、フェノ−ル系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂のような熱硬化性樹脂、シリコーン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリブチレンテレフタレート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、フッ素系樹脂のような熱可塑性樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を用いることができる。これらの中でも、特に熱硬化性樹脂が好ましく用いられる。
【００７２】
熱硬化性樹脂としては、具体的には、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂のようなノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂のようなレゾール型フェノール樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂のようなビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂のようなノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂（ＢＴ樹脂）、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。これらのうちの１種または２種以上を用いることができる。
【００７３】
また、樹脂材料１０２の含有率は、プリプレグ１０を硬化してなる仮基板本体１１において２０〜４７質量％であるのが好ましく、２５〜３８質量％であるのがより好ましい。これにより、仮基板本体１１の機械的特性を十分に確保しつつ、プリプレグ１０の収縮を確実に抑えることができる。その結果、プリプレグ１０の収縮の異方性を最小化するとともに、寸法変化率も特に低下させることができる。そして、金属箔１３のシワの発生が特に抑制された仮基板１が得られる。
【００７４】
なお、プリプレグ１０は、前述したガラス織布１０１に樹脂ワニスを含浸させることで製造される。樹脂ワニスは、樹脂材料１０２の未硬化物の他、フィラー、有機溶剤、硬化剤、酸化防止剤、難燃剤、紫外線吸収剤、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、発泡剤、イオン捕捉剤等を含んでいてもよい。
【００７５】
このうち、フィラーとしては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスのようなケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカのような酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトのような炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムのような水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムのような硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムのようなホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素のような窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムのようなチタン酸塩等の無機フィラーが用いられる。
【００７６】
フィラーの添加量は、樹脂ワニス全体の５〜８０質量％程度であるのが好ましく、１０〜７５質量％程度であるのがより好ましい。
【００７７】
かかる硬化剤としては、酸無水物、脂肪族アミン等の架橋剤、カチオン系硬化剤、アニオン系硬化剤等が挙げられ、これらの１種または２種以上の混合物が用いられる。
【００７８】
酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤等が用いられるが、特にヒンダードフェノール系酸化防止剤が好ましく用いられる。
【００７９】
なお、樹脂ワニスは、その特性を損なわない範囲で必要に応じて、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のオリゴマーやモノマー剤等を含んでいてもよい。
【００８０】
また、樹脂ワニスをガラス織布１０１に含浸させるには、例えば、樹脂ワニス中にガラス織布１０１を浸漬する方法、ガラス織布１０１に樹脂ワニスを塗布する方法等が用いられる。また、樹脂ワニスをガラス織布１０１に含浸させた後、樹脂ワニスが未硬化の状態または硬化させた後に、その上からさらに樹脂ワニスを塗布するようにしてもよい。
【００８１】
また、樹脂ワニスを層状に成形する際には、例えばポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等が用いられる。そして、樹脂ワニスを含浸させたガラス織布１０１を挟むように両側からフィルムを押し当てることにより、樹脂ワニスの表面を平滑化、平坦化することができる。
【００８２】
その後、必要に応じて樹脂ワニスに脱泡処理を施す。さらには、必要に応じて樹脂ワニスを乾燥させ、加熱してもよい。
【００８３】
（プリプレグ）
ガラス織布１０１に樹脂ワニスを含浸させ、樹脂ワニスを半硬化させることによりプリプレグ１０が得られる。得られたプリプレグ１０は本硬化により硬化するが、その際の縦方向の寸法変化率の絶対値および横方向の寸法変化率の絶対値がそれぞれ０．３％以下であるのが好ましく、０．２％以下であるのがより好ましい。このようなプリプレグ１０は、金属箔１３におけるシワの発生を確実に抑え得る仮基板１の実現に寄与する。
【００８４】
（金属箔）
金属箔１３は、ビルドアップ配線層９（他の基板）側に移転されるものであるので、移転後の用途に応じてその組成が適宜選択される。
【００８５】
金属箔１３の構成材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、スズ等の金属またはこれらを含む合金等が挙げられる。
【００８６】
また、金属箔１３の平均厚さは、特に限定されないが８〜７０μｍ程度であるのが好ましく、１２〜３５μｍ程度であるのがより好ましい。本発明によれば、このような薄い金属箔１３を備えた仮基板１を実現することができる。すなわち、薄い金属箔１３を移転可能な仮基板１が得られる。
【００８７】
（下地層）
仮基板本体１１の両面には、それぞれ図１に示すように下地層１２が配置されている。下地層１２は、仮基板本体１１と接着されている一方、金属箔１３とは接着していない。すなわち、下地層１２は、金属材料に対して剥離性を有する材料で構成される。下地層１２の構成材料としては、例えば、金属箔１３を構成する金属材料の他、ポリエチレン、ポリプロピレンのようなポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステルといった樹脂材料、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素材料等が挙げられる。
【００８８】
また、下地層１２は、樹脂材料からなる層に離型処理を施したものであってもよい。離型処理としては、例えば、フッ素樹脂を付与する処理、シリコーン樹脂を付与する処理等が挙げられる。
【００８９】
ところで、下地層１２の平面視の大きさは、図１に示すように、仮基板本体１１より一回り小さくなるよう設定されている。一方、金属箔１３の平面視の大きさは、下地層１２より一回り大きく、かつ、仮基板本体１１と同等かそれより小さくなるよう設定されている。このような大小関係を満たすことにより、下地層１２はその全面が仮基板本体１１と接着され、金属箔１３はその外周部１３２のみが仮基板本体１１と接着されることとなる。
【００９０】
なお、下地層１２と金属箔１３とを重ねたとき、金属箔１３の外周部１３２は、図１に示すような枠状となる。この枠状の外周部１３２の幅は、特に限定されないものの２〜５０ｍｍ程度であるのが好ましく、３〜３０ｍｍ程度であるのがより好ましい。外周部１３２の幅を前記範囲内に設定することで、仮基板本体１１に対して金属箔１３を確実に固定しつつ、切断され除去される金属箔１３の割合を最小化して金属箔１３を有効利用することができる。
【００９１】
また、仮基板１は、３０℃〜１５０℃における平均線膨張係数が４０ｐｐｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１０ｐｐｍ以下である。このような仮基板１は、硬化後においても金属箔１３のシワの発生を確実に抑制し得るものとなる。
【００９２】
以上、本発明について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば金属箔張基板製造用仮基板には任意の構成物が付加されていてもよく、金属箔張基板の製造方法には任意の工程が追加されてもよい。
【実施例】
【００９３】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．金属箔張基板の製造
（実施例１）
（１）プリプレグの製造
まず、以下のようにして樹脂ワニスを調製した。
【００９４】
具体的には、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ製  エピクロン１１２３  エポキシ当量５５０、臭素化率２３％）８２．９重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ製  エピクロンＮ−６９０  エポキシ当量２１０）１４．６重量部、ジシアンジアミド（ＤＥＧＵＳＡ製）２．３部、２−フェニルイミダゾール（四国化成製  ２ＰＺ）０．１部を、それぞれジメチルホルムアミドに溶解した。そして、高速攪拌装置を用いて溶解液を３０分間攪拌し、樹脂ワニスを調製した。得られた樹脂ワニスの不揮発分は６０％であった。
【００９５】
一方、ガラス織布を用意した。このガラス織布は、Ｅガラスからなるガラス繊維を用い、表１に示す縦方向ガラスヤーンと横方向ガラスヤーンとを平織りして形成されたものである。なお、表１に記載した糸種類とは、ＪＩＳ  Ｒ  ３４１３に規定されたものである。
【００９６】
そして、ガラス織布に、上記で調製した樹脂ワニスを含浸させ、１８０℃で３分間加熱することにより、プリプレグを得た。
【００９７】
（２）金属箔張基板製造用仮基板の製造
次に、プリプレグの両面に、それぞれ、平均厚さ１８μｍの銅箔で構成された下地層と、それより一回り大きい金属箔として平均厚さ３５μｍの銅箔と、を重ねた。そして、これらを圧力４ＭＰａで加圧しつつ、温度２００℃で２時間加熱した。これにより、下地層および銅箔が仮基板本体の両面にそれぞれ接着されてなる仮基板を得た。なお、仮基板の形状は、５００ｍｍ四方の正方形とした。また、仮基板における樹脂材料の含有率等の各種製造条件を表１に示した。
【００９８】
（３）ビルドアップ配線層の製造
次に、製造した仮基板の各銅箔上にそれぞれ３層の絶縁層を積層したビルドアップ配線層を形成した。これにより、２つのビルドアップ配線層とその間にある仮基板とからなる積層体を得た。ビルドアップ配線層は、ビルドアップ法による絶縁層の形成とセミアディティブ法による配線の形成とを交互に繰り返すことにより形成した。
【００９９】
（４）積層体の切断
次に、積層体のうち、金属箔と仮基板本体とが接着されている部分が切り落とされるように、金属箔の外周部に対応する部分を切断した。その結果、ビルドアップ配線層と仮基板とは、金属箔と下地層との間で分離し、金属箔は各ビルドアップ配線層側に移転された。以上のようにしてビルドアップ配線層に金属箔が接着されてなる配線基板（金属箔張基板）を製造した。
【０１００】
（実施例２〜１１）
ガラス織布として表１に示すものを用いるようにした以外は、実施例１と同様にして仮基板を得るとともに、この仮基板を用いて配線基板（金属箔張基板）を製造した。
【０１０１】
（比較例１〜９）
ガラス織布として表１に示すものを用いるようにした以外は、実施例１と同様にして仮基板を得るとともに、この仮基板を用いて配線基板（金属箔張基板）を製造した。
【０１０２】
２．金属箔張基板製造用仮基板の評価
２．１  寸法変化の評価
各実施例および各比較例で得られた仮基板中の仮基板本体について、プリプレグを硬化したことに伴って寸法が変化した際の変化率を算出した。変化率は、プリプレグにおける規定の長さに対する、硬化に伴う寸法変化の割合とした。そして、プリプレグの硬化に伴って寸法が小さくなった場合は変化率を負の値とし、寸法が大きくなった場合は変化率を正の値とした。
【０１０３】
なお、規定の長さは４００ｍｍとし、ガラス織布の織り方向にしたがって縦方向および横方向のそれぞれについて変化率を測定した。また、この測定はサンプル１枚当たり２か所について行い、これを１０枚のサンプルについて行った。これにより、縦方向および横方向のそれぞれについて２０個の測定値を得た。
【０１０４】
２．２  外観の評価
各実施例および各比較例で得られた仮基板について、金属箔の外観を以下の評価基準にしたがって評価した。
【０１０５】
＜仮基板の外観評価基準＞
◎：シワが全く認められない
○：外周部にわずかなシワが認められる
△：内周部にもわずかなシワが認められる
×：内周部に大きなシワが認められる
【０１０６】
３．金属箔張基板の評価
各実施例および各比較例で得られた配線基板（金属箔張基板）について、金属箔の外観を以下の評価基準にしたがって評価した。
【０１０７】
＜仮基板の外観評価基準＞
○：シワが全く認められない
△：わずかなシワが認められる
×：大きなシワが認められる
以上の評価結果を表１に示す。
【０１０８】
【表１】
2013110320.tif 000003
【０１０９】
表１から明らかなように、各実施例で得られた仮基板には、金属箔の内周部においてシワが認められなかった。そして、このような仮基板を用いて製造された配線基板（金属箔張基板）にも金属箔のシワは認められなかった。
【０１１０】
一方、各比較例で得られた仮基板には、金属箔の内周部においてシワが認められた。そして、このような仮基板を用いて製造された配線基板にも金属箔のシワが認められた。
【０１１１】
なお、表には示していないが、実施例１で用いたガラス織布に代えて、そのバスケットホールの面積率を１．５％、２．５％にそれぞれ変更したガラス織布を用いた以外、実施例１と同様にして仮基板を製造したが、金属箔にはシワが認められなかった。
【０１１２】
また、実施例１で用いたガラス織布に代えて、Ｔガラスからなるガラス繊維を平織してなるガラス織布を用いた以外、実施例１と同様にして仮基板を製造したが、金属箔にはシワが認められなかった。
【符号の説明】
【０１１３】
１                      金属箔張基板製造用仮基板
１０                    プリプレグ
１０１                  ガラス織布
１０１ａ                縦方向ガラスヤーン（経糸）
１０１ｂ                横方向ガラスヤーン（緯糸）
１０１ｃ                バスケットホール
１０２                  樹脂材料
１１                    仮基板本体
１２                    下地層
１３                    金属箔
１３１                  内周部
１３２                  外周部
２                      積層体
５                      配線基板（金属箔張基板）
９                      ビルドアップ配線層（他の基板）
Ｃ                      切断線
【図１】
2013110320.tif 000004
【図２】
2013110320.tif 000005
【図３】
2013110320.tif 000006
【図４】
2013110320.tif 000007
【図５】
2013110320.tif 000008