(57)【要約】【課題】受光面に入射した光によって電力を発生する半導体基板の前記受光面とは反対側の面にバックコンタクト方式の電極が形成された太陽電池において、高効率でコストの安い太陽電池およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】裏面電極形成時に発生する反りを相殺させるための逆方向の反りを発生させ、その方法として裏面電極形成前に受光側表面に圧縮方向の残留応力を有する透明膜をゾルゲル法もしくはポリシラザンにより金属酸化膜として実現し、ゾルゲル法もしくはポリシラザンの溶液に微粒子を含有させることにより、金属酸化膜に反射防止膜として反射量を減らして入射光量の上げる反射防止特性を付与し、またゾルゲル法もしくはポリシラザンの溶液にテクスチャ粒子を含有することにより、金属酸化膜にテクスチャ構造による光閉じ込め特性を付与する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光面に入射した光によって電力を発生する半導体基板と、
前記半導体基板の前記受光面とは反対側の面に形成されたバックコンタクト方式の電極と、
前記基板の受光面に形成され前記電極の形成時に発生する反りを相殺させるための逆方向の反りを発生する透明膜と
を設けた
太陽電池。
【請求項２】
前記透明膜は、前記半導体基板の受光面に圧縮方向の残留応力を有している
請求項１記載の太陽電池。
【請求項３】
前記透明膜は、金属系のゾルゲル溶液を熱処理して形成された反射防止特性が付与された金属酸化膜、もしくはさらにゾルゲル溶液に微粒子を含有させることにより反射防止特性が付与された金属酸化膜である
請求項１または請求項２記載の太陽電池。
【請求項４】
前記微粒子は、酸化物か、もしくは窒化物、炭化物のうち少なくとも一つから選択され、粒子径は１０ｎｍ〜１００ｎｍで、金属酸化膜の屈折率が１．５〜３．５である
請求項３記載の太陽電池。
【請求項５】
膜厚が５０ｎｍ〜３００ｎｍの前記透明膜には、粒子径が５００ｎｍ〜５μｍサイズのテクスチャ粒子が混じっている
請求項３または請求項４記載の太陽電池。
【請求項６】
前記透明膜は、ゾルゲル溶液に代わって、ポリシラザンを用いて形成される金属酸化膜である
請求項２〜請求項５の何れかに記載の太陽電池。
【請求項７】
受光面に入射した光によって電力を発生する半導体基板の受光面に、圧縮方向の残留応力を有する透明膜を形成する工程と、
前記半導体基板の前記受光面とは反対側の面にバックコンタクト方式の電極を形成する工程と
を有し、前記電極の形成時に発生する前記半導体基板の反りを、前記透明膜の形成時に発生する前記半導体基板の反りによって打ち消す方向に形状を補正する
太陽電池製造方法。
【請求項８】
前記透明膜を形成する工程では、金属系のゾルゲル溶液を熱処理して形成された反射防止特性が付与された金属酸化膜、もしくはさらにゾルゲル溶液に微粒子を含有させることにより反射防止特性が付与された金属酸化膜を形成する
請求項７記載の太陽電池製造方法。
【請求項９】
前記微粒子は、酸化物か、もしくは窒化物、炭化物のうち少なくとも一つから選択され、粒子径は１０ｎｍ〜１００ｎｍのものを使用する
請求項８記載の太陽電池製造方法。
【請求項１０】
前記透明膜を形成する工程では、
前記透明膜の膜厚が５０ｎｍ〜３００ｎｍの場合には、粒子径が５００ｎｍ〜５μｍサイズのテクスチャ粒子を混ぜて、前記透明膜にテクスチャ構造による光閉じ込め特性を付与する
請求項７〜請求項９の何れかに記載の太陽電池製造方法。
【請求項１１】
透明膜を形成する工程では、前記ゾルゲル溶液またはポリシラザンによって形成される金属酸化膜の厚さが５０ｎｍ〜３００ｎｍの場合に、１００℃〜３００℃の焼成温度で熱処理する
請求項８記載の太陽電池製造方法。
【請求項１２】
受光面に入射した光によって電力を発生する半導体基板の受光面に、圧縮方向の残留応力を有する透明膜を形成し、
前記半導体基板の前記受光面とは反対側の面にバックコンタクト方式の電極を形成する工程では、前記半導体基板の反りが小さくなるように前記電極の焼成処理条件を調節する
太陽電池製造方法。
【請求項１３】
前記電極の焼成処理は、前記半導体基板に対して低温焼成部分と高温焼成部分を設けてシリコン基板の部分的に処理温度を変えて処理温度を調節する
請求項１２記載の太陽電池製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池内の太陽電池セルの構造、およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は従来の化石燃料を用いた発電方式に対して、クリーンで新しいエネルギー源として注目されている。しかし、太陽電池は１ワット当たりの発電に掛かる費用で見ると発電コストが高く、今後さらに普及を進めていくためには発電コストを下げていくことが必要である。そのためには太陽光エネルギーの変換効率を上げて発電効率をよくすることと、材料コストや製造コストを下げることの両方の取り組みが必要である。
【０００３】
効率向上の取り組みとして、太陽光をたくさん効率よく太陽電池セルに入射させるために、電極を裏側片面に集約させて表面側の光の入射を阻害する電極を不要とする片面電極型の太陽電池が有効である。しかし、この太陽電池は金属電極が裏面のみにあるため、加工後に反りが発生しやすくなるという傾向がある。
【０００４】
また一方、コストダウンの取り組みとして、シリコンの基板厚みを薄くするという取り組みが行われている。これは太陽電池のセルの中でシリコン基板の占めるコストウェイトが高いため、基板厚みを薄くして使用するシリコン量を削減することでコストダウンを図っている。しかし、セルを薄くすることは外部からの応力による影響を受けやすく、反りが発生しやすくなり、特に前述した片側電極型では大きな反りが発生する。
【０００５】
太陽電池セルに発生した反りは、複数枚のセルを縦横に並べて配線し、表面充填材と裏面充填材ではさみ、表側はガラスや裏面は反射材と一緒に熱と圧力で溶着するモジュール工程で歩留まり低下の大きな要因となる。
【０００６】
ここで、太陽電池セルに反りがあるとモジュール化の際に反ったセルに外圧がかかるため、セルの割れや欠けが発生しやすくなる。モジュールは５０〜１００枚のセルで構成されており、モジュール化後は樹脂が硬化しているため、破損したセルの修理や置き換えが出来ず、１つのセルが不良となるとモジュール全体が不良となる。したがって、製造歩留まりの低下を招き、結果としてコストが高くなる。
【０００７】
このように太陽電池セルの反りの発生はコストダウンの大きな障害となっている。
この太陽電池セルの反りを抑制する方法として（特許文献１）に記載がある。
図９は（特許文献１）で提示されるシリコン基板の図を示し、図１０はその製造実施例の図を示す。
【０００８】
この太陽電池用シリコン基板は、受光面の反対側の面に裏面電極が形成され、その面が裏面電極の焼成前に凸面であることを特徴としており、シリコン基板の凸面の高さは、シリコン基板の最長辺の長さの１．５％〜６％となっている。
【０００９】
この製造方法は、シリコン融液に基体を浸漬し、基体表面にシート状のシリコン基板を成長させることでシリコン基板に曲面部があることを特徴としている。
この太陽電池シリコン基板は、本体チャンバ９０１の内部で加熱ヒータ９０２により、昇降機構を備えるルツボ台９０３上のルツボ９０４内のシリコン塊を融点以上に加熱し、シリコン融液９０５とすることができるようになっている。
【００１０】
また、本体チャンバ９０１内は、真空引きを行い、アルゴンなどの不活性ガスにて置換を行う。シリコン融液９０５に浸漬して、太陽電池用シリコン基板を形成するための曲面部を有する基体９０８は、回転軸９０７に取り付けられた脚の先端に配置されており、回転軸９０７が回転することにより、基体９０８はシリコン融液９０５に浸漬し、シート状のシリコン基板を基体９０８の表面に成長させる。
【００１１】
基体９０８上の太陽電池用シリコン基板９１３を吸着部９０９に吸着する。
形成された太陽電池用シリコン基板９１３は装置外へ取り出し、その後、不要な支持部をダイサーまたはレーザなどにてカッティングし、除去され、曲面部をもつ太陽電池シリコン基板が作成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００４−１４００２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、従来の方式では真空設備や溶融炉を必要とするため、非常にコストの高い太陽電池となる。また、裏面電極による反り量は電極の厚みなど様々な要因で変化するため、プロセスが安定するまではこれを相殺する逆の反り量も任意に調整できることが望ましいが、この方式では反り量が型形状により決まるため、任意の形状補正ができない。形状を変えるためには型自体を変える必要があり、実用的ではない。
【００１４】
一方で、歩留まり向上によるコストダウンだけでなく、効率向上も同時に果たすべき大きな課題となっている。
シリコンは屈折率が波長６５０ｎｍで３．８程度であり、表面充填材で用いられる樹脂が１．５程度であるのに対してその差が大きいため反射率が大きくなる。
【００１５】
一般的に空気からガラスや樹脂などへの入射は屈折率１から１．５へ入射するので屈折率差から求められるフレネル反射率は４％程度であるが樹脂からシリコンへの入射は１．５から３．８への入射となり、１９％程度となる。
【００１６】
したがって、反射防止が必要となってくるが、一般的な反射防止膜はＳｉＮやＭｇＯなどの膜で生成されるが、ドライ工法が必要なため、シリコン基板へのダメージが懸念される。
【００１７】
太陽の光エネルギーを効率よく太陽電池セルに取り込むためには一般的にテクスチャ構造と呼ばれる突起構造が有効である。表面が平面の場合は入射してきた光に対して反射が大きく取り込み効率が低くなるが、テクスチャ構造では入射してきた光が表面で複数回反射を繰返す事で平面での１回反射よりも入射する光エネルギーを増やすことができる。
【００１８】
そのテクスチャ形成手法として単結晶シリコンではシリコン基板をウェットエッチングする手法が一般的に用いられている。（１００）方位のシリコン基板をエッチング溶液に浸すことにより、結晶方位（１１１）に沿った面が異方性エッチングされることによりシリコン表面に現れることとなり、シリコン基板上に約１０μｍ程度の高さを持つピラミッド状の突起構造が基板状一面に作り出される。
【００１９】
このような構造により入射してきた光エネルギーを表面テクスチャにより効率的に取り込む効果があり、これは光閉じ込め効果と呼ばれている。
しかしながらエッチング加工のためシリコン基板を厚み方向に削ることになり、シリコン基板は初期の厚みよりも薄くなる。初期のシリコン基板はコスト削減のためにできるだけ薄いほうがよいが、９００ｎｍ以上の近赤外光になるとシリコン内での吸収率よりも透過率の方が大きくなってくるため、薄くすることにより光の吸収量が小さくなる。したがって、加工後のシリコン基板の厚みを確保するために、初期の厚みを加工ロス分が厚くする必要があり、その分コスト増となる。
【００２０】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、受光面に入射した光によって電力を発生する半導体基板の前記受光面とは反対側の面にバックコンタクト方式の電極が形成された太陽電池において、高効率でコストの安い太陽電池およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の太陽電池は、受光面に入射した光によって電力を発生する半導体基板と、前記半導体基板の前記受光面とは反対側の面に形成されたバックコンタクト方式の電極と、前記基板の受光面に形成され前記電極の形成時に発生する反りを相殺させるための逆方向の反りを発生する透明膜とを設けたことを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の太陽電池製造方法は、受光面に入射した光によって電力を発生する半導体基板の受光面に、圧縮方向の残留応力を有する透明膜を形成する工程と、前記半導体基板の前記受光面とは反対側の面にバックコンタクト方式の電極を形成する工程とを有し、前記電極の形成時に発生する前記半導体基板の反りを、前記透明膜の形成時に発生する前記半導体基板の反りによって打ち消す方向に形状を補正することを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の太陽電池製造方法は、受光面に入射した光によって電力を発生する半導体基板の受光面に、圧縮方向の残留応力を有する透明膜を形成し、前記半導体基板の前記受光面とは反対側の面にバックコンタクト方式の電極を形成する工程では、前記半導体基板の反りが小さくなるように前記電極の焼成処理条件を調節することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によると、導電性材料によるバックコンタクト方式の電極が、半導体基板の受光面とは反対側の面に形成された太陽電池において、半導体基板の反りを、半導体基板の受光面に形成された透明膜が有する残留応力によって小さくできる。
【００２５】
また、透明膜を、微粒子の混じった反射防止膜、またはさらにテクスチャ粒子の混じった反射防止膜とすることによって、高効率な太陽電池を低コストで実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の太陽電池セルの断面図
【図２】本発明の製造工程のフローチャート
【図３】シリコン基板の受光面側にゾルゲル溶液を塗布した状態の断面図
【図４】熱処理によって金属酸化膜を形成した状態の断面図
【図５】シリコン基板に金属電極を形成した太陽電池セルの断面図
【図６】裏面全面に金属電極を形成したシリコン基板の（ａ）熱処理前と（ｂ）熱処理後の球面状の反りが発生した状態の斜視図
【図７】裏面に櫛型の金属電極を形成したシリコン基板の（ａ）熱処理前と（ｂ）熱処理後の円筒状の反りが発生した状態の斜視図
【図８】金属酸化膜を焼成する際に円筒状の反りを発生させる（ａ）一例の図と（ｂ）別の例の図
【図９】従来の太陽電池用ウェハの斜視図
【図１０】この従来の太陽電池用ウェハの製造装置の構成図
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて参照しながら説明する。
図１は本発明の太陽電池セルを示す。
セル基板であるシリコン基板１０１の裏面には、導電性材料によるバックコンタクト方式の電極としての金属電極１０３が形成されている。シリコン基板１０１の受光面には、反射防止効果をもつ微粒子を含む金属酸化膜１０２が厚み５０ｎｍ〜３００ｎｍで形成されており、その中に５００ｎｍ〜５μｍのオーダーの直径を有するテクスチャ粒子１０４が混在することで金属酸化膜の表面にテクスチャ構造が形成されている。金属酸化膜１０２は厚み５０ｎｍ〜３００ｎｍよりテクスチャ粒子１０４の直径５００ｎｍ〜５μｍの方が大きいため、テクスチャ粒子１０４は金属酸化膜１０２から突出することでテクスチャ構造となる。
【００２８】
微粒子を含む金属酸化膜１０２の屈折率は１．５〜３．５に調整されており、直径５００ｎｍ〜５μｍのテクスチャ粒子１０４の屈折率は１．５〜３．５に調整されている。
入射してきた光は、このテクスチャ構造により多重反射することにより、セルの中に多く閉じ込められる。また、通過した光は角度をもって入射するため、大きな角度でセル裏面に向かうため、光路長が長くなるのと、内面での全反射が起こりやすくなり、セルでの光の吸収効率を上げることができる。
【００２９】
この太陽電池セルは、図２に示した製造工程を経て製造できる。
ステップＳ１では、対象となる太陽電池用のシリコン基板１０１を準備する。ここでシリコン基板１０１は、単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板のいずれを用いてもよく、この工程で光エネルギーを電気エネルギーに変えるためにＰ型半導体とＮ型半導体のＰＮ接合が形成される。この形成方法はドープなどの従来の製造工程によって実現できる。
【００３０】
ステップＳ２では、後に金属酸化膜１０２となるゾルゲル法に使用する溶液（以下、ゾルゲル溶液と称す）１０５を準備する。
ここでゾルゲル法とは、無機、有機金属塩の溶液を出発溶液として薄膜を形成する技術である。この溶液を加水分解と縮合反応させることによりコロイド溶液（ゾル）とし、さらに反応を促進させることで流動性のない固体（ゲル）を形成し、さらにゲルを熱処理することにより金属酸化膜を形成する方法である。
【００３１】
この工程において、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎの金属アルコキシドを含有した溶液を準備する。
ここで金属アルコキシドとは、Ｍ（ＯＲ）ｘで表される化合物で、Ｍは金属、Ｒはアルキル基を示す。またＭとして代表的なものとして、ＳｉやＴｉ、Ｚｒ、Ｚｎなどを用いた化合物を用いることが可能である。
【００３２】
金属アルコキシドとして、たとえば、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４（テトラエトキシシラン）、Ｓｉ（ＯＣＨ（ＣＨ３）２）４（テトライソプロポキシシラン）、（ＣＨ３）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ジメトキシジメチルシラン）などの有機物、またはテトラエトキシシランを加水分解することによって得られるＳｉ（ＯＨ）４などの無機物を使用することができる。
【００３３】
金属アルコキシドをアルコールなどの有機溶剤に溶解させ、必要に応じて酢酸エチルなど酸を混合して調整したものを、ゾルゲル溶液１０５として準備する。
また、金属アルコキシドを配合したゾルゲル溶液１０５を用いる代わりに、ポリシラザンを配合した塗布溶液を用いることも可能である。
【００３４】
ステップＳ３では、ステップＳ２で準備しているゾルゲル溶液１０５に微粒子を混入する。光の入射を妨げないようにするため、入射する太陽光線の波長より十分小さいことが必要となり、混入する微粒子の大きさは１０〜１００ｎｍが望ましい。
【００３５】
ここで、添加する微粒子はＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｐ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｋ２Ｏといった酸化物か、もしくはＳｉＮといった窒化物、ＳｉＣといった炭化物のうち少なくとも一つから選択される。
【００３６】
添加する微粒子は、シリコン基板１０１内に取り込まれても影響の少ない材質で構成されていることが好ましく、その場合のセルやモジュールの材質や太陽電池の使用方法や使用環境によって、影響が少なく、かつ反射防止の効果が最大となる材質が選ばれる。
【００３７】
太陽電池では、シリコン基板１０１上に前側充填材としてＥＶＡ（エチレン酢酸ビニルコポリマー）を主に用いており、モジュール化して使用する場合には、金属酸化膜の屈折率がＥＶＡの屈折率に近いと反射防止膜としての効果が著しく低くなる。この実施の形態の太陽電池セルでは、ゾルゲル法の溶液として材料を選択して金属酸化膜自体に反射防止特性を付与することに加え、ゾルゲル溶液１０５中に微粒子を配合することにより、焼成後、金属酸化膜１０２が微粒子を含有することにより、屈折率の高い反射防止膜を得ることができる。
【００３８】
ステップＳ４では、ステップＳ３で微粒子を配合したゾルゲル溶液１０５中に、テクスチャ粒子１０４を混合する。テクスチャ粒子１０４の直径は、５００ｎｍ〜５μｍのオーダーのものを混合する。これが後に金属酸化膜を形成した際に表面から突出することでテクスチャ構造が形成される。
【００３９】
添加するテクスチャ粒子１０４は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｐ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｋ２Ｏといった酸化物か、もしくはＳｉＮといった窒化物、ＳｉＣといった炭化物のうち少なくとも一つから選択される。
【００４０】
ステップＳ５では、これまでに準備された微粒子とテクスチャ粒子を含有するゾルゲル溶液１０５を、ｐｎ接合の形成されたシリコン基板１０１に均一な厚みで塗布する。ここでの溶液の塗布方法は、スプレー方式や、スピンコート、ダイコートなどがあるが、溶液の粘性や塗布サイズ塗布膜厚などにより適切に選択される。図３はシリコン基板１０１にゾルゲル溶液１０５の塗布が完了した状態を示す。
【００４１】
ステップＳ６では、図３の状態のシリコン基板１０１の表面のゾルゲル膜を熱処理する。シリコン基板１０１に対して、微粒子とテクスチャ粒子を含有するゾルゲル溶液１０５が塗布された状態で、１００℃〜３００℃の焼成温度で熱処理をすることで、シリコン基板受光面表面に塗布された溶液（ゾル）が乾燥することにより、まず溶媒が除去され金属アルコキシドが加水分解、縮重合反応した膜（ゲル）が形成される。
【００４２】
さらに熱処理をすることにより、反応が促進され、厚み５０ｎｍ〜３００ｎｍの金属酸化膜１０２が形成され、膜が収縮する。その収縮する応力により反りが発生し、図４のようにシリコン基板１０１の受光面の側に圧縮方向の反りをもつシリコン基板となる。
【００４３】
この反りは、後のステップＳ７において、シリコン基板１０１の裏面に形成される金属電極１０３の形成する時に発生する反りを逆に補正するためのものである。
図５は比較例であって、シリコン基板１０１に金属酸化膜１０２を形成せずに、シリコン基板１０１の裏面に金属電極１０３だけを形成した場合に、金属電極１０３の側に収縮応力が発生することによりシリコン基板１０１の反りの発生を示している。図４に示した実施例のシリコン基板１０１の反り方向は、図５に示した比較例の場合のシリコン基板１０１の反り方向とは逆方向であるため、金属酸化膜１０２をシリコン基板１０１の受光面に形成することによって、シリコン基板１０１の裏面の金属電極１０３の形成する時に発生する反りを打ち消すことができる。
【００４４】
なお、金属電極の材質やプロセス条件により、金属電極起因の反り量が変化するため、この工程での逆側の反りの量も釣り合うように制御することが必要であるが、これはゾルゲル膜の乾燥と焼成の温度を選択することで制御することが可能である。
【００４５】
ゾルゲル法やポリシラザンを用いた場合、焼成温度および時間により反応促進量を調整することで、収縮度合いを調整することができ、シリコン基板の反り量を制御することが可能である。一般的に、焼成温度が高いほど、また焼成時間が長いほど、収縮量が増加し、反りが大きくなる傾向がある。
【００４６】
しかし、ここで焼成温度の設定値として、後工程でモジュール化するために熱と圧力を加えるキュア工程のキュア炉の温度より高い温度で焼成しておくことが望ましい。これが、逆にキュア炉の温度より低いと、モジュールでキュア炉により高い温度で処理すると、さらに金属酸化膜の反応が進行して応力が発生する可能性が考えられるためである。
【００４７】
図６、図７は基板条件の違いによる反りの発生状態の図、図８は円筒状に反りが発生した場合の対策図を示している。
金属電極１０３としては＋極、−極が共に裏面に存在するため、櫛型の電極で＋、−を分離するのが通常の方法となる。
【００４８】
全面電極の場合は図６（ａ）のように裏面に全面の金属電極１０３を作った場合、表側から見た反りは図６（ｂ）に示すように球面状の反りとなる。しかし、金属電極１０３が櫛形電極の場合には、図７（ａ）のように一方向への櫛型電極のため、この電極による反りは図７（ｂ）にように円筒状に発生する場合が多い。
【００４９】
その場合でも前記で述べたように焼成温度の違いによる収縮度合いが違うことから、図８（ａ）や図８（ｂ）のように、低温焼成部分７０１と高温焼成部分７０２を設けてシリコン基板の部分的に処理温度を変えてステップＳ７を実施することによって、シリコン基板１０１の反りの状態を擬円筒状にすることが可能である。この場合の温度違いはヒータの配置や近接距離などによって調整できる。
【００５０】
上記の実施の形態では、裏面電極１０３よりも先に、受光面に透明膜としての金属酸化膜１０２を形成したが、裏面電極１０３を形成してから、その後に、受光面に透明膜としての金属酸化膜１０２を形成しても、反りの少ない太陽電池を製造できる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、太陽電池を並べてモジュール化する際の歩留まりの向上を実現できるため、コストダウンだけでなく、太陽電池を使用した各種の設備の信頼性の向上に寄与する。
【符号の説明】
【００５２】
１０１    シリコン基板（半導体基板）
１０３    金属電極
１０２    金属酸化膜
１０４    テクスチャ粒子
１０５    ゾルゲル溶液
７０１    低温焼成部分
７０２    高温焼成部分
【図２】
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【図９】
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【図１０】
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【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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