(57)【要約】【課題】圧電基板上にＩＤＴ電極（櫛歯状電極）を配置するにあたり、当該櫛歯状電極の挿入損失が良好に（小さく）なるように、前記櫛歯状電極の電極指の抵抗を抑えること。【解決手段】補助電極指１４（２４）がバスバー１１（２１）と同電位となり、且つバスバー２１（１１）から電気的に浮いた状態となるように、バスバー１１（２１）の上方側に絶縁膜１２（２２）を形成する。そして、前記補助電極指１４（２４）について、絶縁膜１２（２２）を乗り越えてバスバー１１（２１）から伸びる主電極指１０（２０）に接続されるように各々配置する。【選択図】図１
2013026721.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上にて、互いに対向する第１の主バスバー及び第２の主バスバーから、各々対向するバスバーに向かって夫々第１の主電極指及び第２の主電極指が伸び出し、これら主電極指が互いに櫛歯状に交差する構造を備えた弾性波素子において、
前記第２の主バスバーに対して前記第１の主バスバーとは反対側の領域に当該第２の主バスバーに沿って形成され、前記第１の主バスバーに電気的に接続される第１の補助バスバーと、
前記第１の主電極指にその一端側が接続されると共に、その他端側が前記第２の主バスバーを越えて前記第１の補助バスバーに接続される第１の補助電極指と、
前記第２の主バスバーと前記第１の補助電極指とを互いに絶縁するために当該第２の主バスバーに形成された絶縁膜と、を備えたことを特徴とする弾性波素子。
【請求項２】
前記第１の主電極指は、前記第１の主バスバーから前記第２の主バスバーに向かって伸び出す前段部分と、この前段部分における前記第２の主バスバー側の端部にて屈曲して前記第１の主バスバーに向かって戻ると共に当該第１の主バスバーから離間した位置まで伸びる後段部分と、により構成され、
前記第２の主電極指は、前記第２の主バスバーから前記第１の主バスバーに向かって伸び出す前段部分と、この前段部分における前記第１の主バスバー側の端部にて屈曲して前記第２の主バスバーに向かって戻ると共に当該第２の主バスバーから離間した位置まで伸びる後段部分と、により構成され、
前記第１の主電極指における前記前段部分と前記後段部分との間の屈曲部分と、前記第２の主電極指における前記前段部分と前記後段部分との間の屈曲部分とが千鳥状に並ぶように、また前記第１の主電極指と前記第２の主電極指とが平面のレイアウトで見て互いに噛み合うように構成され、
前記第１の補助電極指の一端側は、第１の主電極指の屈曲部分に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記第１の主バスバーに対して前記第２の主バスバーとは反対側の領域に当該第１の主バスバーに沿って形成され、前記第２の主バスバーに電気的に接続される第２の補助バスバーと、
前記第２の主電極指にその一端側が接続されると共に、その他端側が前記第１の主バスバーを越えて前記第２の補助バスバーに接続される第２の補助電極指と、
前記第１の主バスバーと前記第２の補助電極指とを互いに絶縁するために当該第１の主バスバーに形成された絶縁膜と、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記第１の主バスバーに対して前記第２の主バスバーとは反対側の領域に当該第１の主バスバーに沿って形成され、前記第２の主バスバーに電気的に接続される第２の補助バスバーと、
前記第２の主電極指にその一端側が接続されると共に、その他端側が前記第１の主バスバーを越えて前記第２の補助バスバーに接続される第２の補助電極指と、
前記第１の主バスバーと前記第２の補助電極指とを互いに絶縁するために当該第１の主バスバーに形成された絶縁膜と、を備え、
前記第２の補助電極指の一端側は、第２の主電極指の屈曲部分に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記第１の主電極指の屈曲部分及び前記第２の主電極指の屈曲部分における弾性表面波の伝搬方向に直交する方向の長さ寸法は、各々０．５μｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項４に記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記圧電基板上を伝搬する弾性表面波は、２ＧＨｚ以上の周波数に対応する波長であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の弾性波素子。
【請求項７】
前記弾性波素子は、ＳＡＷ共振子であって、
前記第１の主バスバー、前記第２の主バスバー、前記第１の主電極指及び前記第２の主電極指からなる櫛歯状電極を弾性表面波の伝搬方向における一方側及び他方側から挟むように、一対の反射器が配置されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の弾性波素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波を利用するために圧電基板上にＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極（櫛歯状電極）を配置した弾性波素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波を利用した弾性表面波素子として、例えばＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）共振子やこのＳＡＷ共振子をラダー型に接続したラダー型フィルタなどが知られている。このようなＳＡＷ共振子は、ＩＤＴ電極と、このＩＤＴ電極を弾性表面波の伝搬方向における一方側及び他方側から挟むように設けられた一対の反射器と、を圧電基板上に配置して構成される。ＩＤＴ電極は、互いに平行に配置された一対のバスバーと、これらバスバー間において交互に櫛歯状に交差するように形成された複数本の電極指と、を備えている。
【０００３】
このようなフィルタでは、挿入損失をできるだけ小さく抑えることが求められており、挿入損失を抑える具体的な手法としては例えば前記電極指の電気的抵抗を低減させる方法が挙げられる。また、ＳＡＷ共振子の共振点におけるＱ値を上げるためにも、電極指の電気的抵抗を低減させることが好ましい。
しかし、電極指の膜厚についてはフィルタの設計によりある厚み寸法に設定されるので、電極指の抵抗を下げるために当該膜厚を自由に調整できない。また、電極指の幅寸法についても、ＳＡＷ共振子の通過帯域（圧電基板上を伝搬する弾性表面波の波長）によって制限を受けてしまう。
特許文献１には、既述のＩＤＴ電極について記載されているが、電極指の抵抗については触れられていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭５８−５７８１１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、圧電基板上にＩＤＴ電極（櫛歯状電極）を配置するにあたり、当該櫛歯状電極の挿入損失が良好に（小さく）なるように、前記櫛歯状電極の電極指の電気的抵抗を抑えることのできる弾性波素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の弾性波素子は、
圧電基板上にて、互いに対向する第１の主バスバー及び第２の主バスバーから、各々対向するバスバーに向かって夫々第１の主電極指及び第２の主電極指が伸び出し、これら主電極指が互いに櫛歯状に交差する構造を備えた弾性波素子において、
前記第２の主バスバーに対して前記第１の主バスバーとは反対側の領域に当該第２の主バスバーに沿って形成され、前記第１の主バスバーに電気的に接続される第１の補助バスバーと、
前記第１の主電極指にその一端側が接続されると共に、その他端側が前記第２の主バスバーを越えて前記第１の補助バスバーに接続される第１の補助電極指と、
前記第２の主バスバーと前記第１の補助電極指とを互いに絶縁するために当該第２の主バスバーに形成された絶縁膜と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
前記弾性波素子の具体的な態様としては、以下の構成を採っても良い。前記第１の主電極指は、前記第１の主バスバーから前記第２の主バスバーに向かって伸び出す前段部分と、この前段部分における前記第２の主バスバー側の端部にて屈曲して前記第１の主バスバーに向かって戻ると共に当該第１の主バスバーから離間した位置まで伸びる後段部分と、により構成され、
前記第２の主電極指は、前記第２の主バスバーから前記第１の主バスバーに向かって伸び出す前段部分と、この前段部分における前記第１の主バスバー側の端部にて屈曲して前記第２の主バスバーに向かって戻ると共に当該第２の主バスバーから離間した位置まで伸びる後段部分と、により構成され、
前記第１の主電極指における前記前段部分と前記後段部分との間の屈曲部分と、前記第２の主電極指における前記前段部分と前記後段部分との間の屈曲部分とが千鳥状に並ぶように、また前記第１の主電極指と前記第２の主電極指とが平面のレイアウトで見て互いに噛み合うように構成され、
前記第１の補助電極指の一端側は、第１の主電極指の屈曲部分に接続されている構成。
【０００８】
前記第１の主バスバーに対して前記第２の主バスバーとは反対側の領域に当該第１の主バスバーに沿って形成され、前記第２の主バスバーに電気的に接続される第２の補助バスバーと、
前記第２の主電極指にその一端側が接続されると共に、その他端側が前記第１の主バスバーを越えて前記第２の補助バスバーに接続される第２の補助電極指と、
前記第１の主バスバーと前記第２の補助電極指とを互いに絶縁するために当該第１の主バスバーに形成された絶縁膜と、を備えた構成。
前記第１の主バスバーに対して前記第２の主バスバーとは反対側の領域に当該第１の主バスバーに沿って形成され、前記第２の主バスバーに電気的に接続される第２の補助バスバーと、
前記第２の主電極指にその一端側が接続されると共に、その他端側が前記第１の主バスバーを越えて前記第２の補助バスバーに接続される第２の補助電極指と、
前記第１の主バスバーと前記第２の補助電極指とを互いに絶縁するために当該第１の主バスバーに形成された絶縁膜と、を備え、
前記第２の補助電極指の一端側は、第２の主電極指の屈曲部分に接続されている構成。
【０００９】
前記第１の主電極指の屈曲部分及び前記第２の主電極指の屈曲部分における弾性表面波の伝搬方向に直交する方向の長さ寸法は、各々０．５μｍ〜１０μｍである構成。
前記圧電基板上を伝搬する弾性表面波は、２ＧＨｚ以上の周波数に対応する波長である構成。
前記弾性波素子は、ＳＡＷ共振子であって、
前記第１の主バスバー、前記第２の主バスバー、前記第１の主電極指及び前記第２の主電極指からなる櫛歯状電極を弾性表面波の伝搬方向における一方側及び他方側から挟むように、一対の反射器が配置されている構成。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、互いに対向するように設けられた第１の主バスバーと第２の主バスバーとの間において互いに交差するように複数本の主電極指を配置するにあたり、前記第２の主バスバーに対して前記第１の主バスバーとは反対側の領域に、当該第２の主バスバーに沿うように、前記第１の主バスバーに電気的に接続される第１の補助バスバーを配置している。また、前記第１の主電極指にその一端側が接続されると共に、その他端側が前記第２の主バスバーを越えて前記第１の補助バスバーに接続される第１の補助電極指を設けている。そして、前記第２の主バスバーと前記第１の補助電極指とを互いに絶縁するために、当該第２の主バスバーに絶縁膜を形成している。そのため、第１の主バスバーから伸びる第１の主電極指は、第１の主バスバーと、第１の補助電極指及び第１の補助バスバーとに各々接続されることになる。従って、これら第１の補助電極指及び第１の補助バスバーを設けない構成と比べて電気的抵抗を低減できるので、挿入損失の良好な（小さい）櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）及びＳＡＷ共振子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の弾性波素子を備えた弾性波フィルタの一例を模式的に示す平面図である。
【図２】前記フィルタの一部を拡大したＩＤＴ電極の平面図である。
【図３】前記ＩＤＴ電極の概略を示す分解斜視図である。
【図４】前記ＩＤＴ電極を示す斜視図である。
【図５】前記ＩＤＴ電極を示す縦断面図である。
【図６】前記ＩＤＴ電極の製造方法の一例を示す平面図である。
【図７】前記製造方法を示す縦断面図である。
【図８】前記製造方法を示す平面図である。
【図９】前記製造方法を示す縦断面図である。
【図１０】前記フィルタの他の例を示すＩＤＴ電極の平面図である。
【図１１】前記他の例のＩＤＴ電極を示す分解斜視図である。
【図１２】前記他の例のＩＤＴ電極を示す斜視図である。
【図１３】前記他の例のＩＤＴ電極を示す縦断面図である。
【図１４】前記フィルタの別のの例を示す平面図である。
【図１５】前記フィルタの更に別の例を示す平面図である。
【図１６】前記フィルタの更に別の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の弾性波素子の第１の実施の形態について、櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）を備えたラダー型フィルタを例に挙げて説明する。このラダー型フィルタは、図１に示すように、ＳＡＷ共振子１をラダー型に接続して構成されており、具体的には入力ポート３と出力ポート４との間に、複数例えば３つのＳＡＷ共振子１が各々直列腕として互いに直列に接続されている。また、互いに隣接するＳＡＷ共振子（直列腕）１、１の間の接続点と接地ポート５（アース）との間には、並列腕としてＳＡＷ共振子１が各々接続されている。このラダー型フィルタは、以下に説明するように、挿入損失（通過帯域における損失）が小さく抑えられるように、各々のＳＡＷ共振子１が構成されている。図１中２は、例えば水晶などの圧電基板である。以下において、これら入力ポート３、出力ポート４及び接地ポート５を纏めて信号ポート６として説明する場合がある。尚、図１では、ＳＡＷ共振子１を模式的に示している。
【００１３】
続いて、複数のＳＡＷ共振子１のうち直列腕を例に挙げて具体的に説明する。各々のＳＡＷ共振子１は、図２に示すように、ＩＤＴ電極７と、このＩＤＴ電極７を弾性表面波（以下「弾性波」と言う）の伝搬方向における一方側及び他方側から挟み込むように配置された一対の反射器８、８と、を備えている。図２中３１及び３２は、夫々反射器電極指及び反射器バスバーである。尚、図２では入力ポート３及び出力ポート４を模式的に示している。
【００１４】
ＩＤＴ電極７は、図３及び図４に示すように、概略的には３つの階層５１、５２、５３が下側からこの順番に積層されて構成されている。始めに、下側の階層５１について説明すると、この階層５１には、弾性波の伝搬方向に沿って各々伸びると共に、弾性波の伝搬方向に対して直交する方向に互いに離間するように、第１の主バスバー１１及び第２の主バスバー２１が圧電基板２上に各々配置されている。弾性波の伝搬方向に対して直交する方向における一方側及び他方側を夫々手前側（前方側）及び奥側（後方側）と呼ぶと、手前側に第１の主バスバー１１が配置され、奥側に第２の主バスバー２１が配置されている。尚、図３及び図４において、各主バスバー１１、２１などについては厚み寸法を模式的に示している。
【００１５】
弾性波の伝搬方向における一方側及び他方側を夫々右側及び左側と呼ぶと、第１の主バスバー１１の例えば左側には、既述の入力ポート３に向かって伸びる導電線路４１が接続され、第２の主バスバー２１の例えば右側には、出力ポート４に向かって伸びる導電線路４２が接続されている。これら主バスバー１１、２１間には、第１の主バスバー１１から第２の主バスバー２１に向かって伸びる第１の主電極指１０が複数箇所に配置されると共に、当該第１の主電極指１０と交互に櫛歯状に交差するように、第２の主バスバー２１から第１の主バスバー１１に向かって伸びる第２の主電極指２０が複数箇所に配置されている。各々の主電極指１０、２０は、例えば２ＧＨｚの周波数に対応する波長の弾性波が圧電基板２上を伝搬するように、当該主電極指１０、２０の幅寸法及び互いに隣接する主電極指１０、２０間の離間寸法が設定されている。主バスバー１１、２１及び主電極指１０、２０は、例えばアルミニウムなどの金属材料により構成されている。尚、図３及び図４は、ＩＤＴ電極７を拡大して描画している。また、図２では、導電線路４１、４２について模式的に描画している。
【００１６】
中段の階層５２には、各々例えば二酸化珪素（ＳｉＯ2）などからなる第１の絶縁膜１２及び第２の絶縁膜２２が配置されており、これら絶縁膜１２、２２は、弾性波の伝搬方向に沿って各々伸びると共に、手前側及び奥側に互いに離間するように夫々配置されている。第１の絶縁膜１２は、第１の主バスバー１１の上方側を覆うと共に当該第１の主バスバー１１の側方側を周方向に亘って覆うように形成されている。また、第２の絶縁膜２２は、第２の主バスバー２１の上方側を覆うと共に当該第２の主バスバー２１の側方側を周方向に亘って覆うように形成されている。従って、絶縁膜１２（２２）の下端面は、図５に示すように、主バスバー１１（２１）を収納するために上方側に向かって窪んでいる。そして、主電極指１０、２０及び導電線路４１（４２）は、図４及び図５に示すように、主バスバー１１（２１）の側壁部から絶縁膜１２（２２）を貫通して既述のように各々伸び出している。尚、図２、図４ではこれら絶縁膜１２、２２の一部を切り欠いて描画している。
【００１７】
従って、第１の主バスバー１１から伸びる主電極指１０の各々から見ると、当該主電極指１０の延長領域における第２の主バスバー２１の上方側を覆うように、第２の絶縁膜２２が配置されている。また、同様に第２の主バスバー２１から伸びる主電極指２０の各々から見ると、当該主電極指２０の延長領域における第１の主バスバー１１の上方側を覆うように、第１の絶縁膜１２が配置されている。尚、図５は、図２及び図４におけるＡ−Ａ線でＩＤＴ電極７を切断した縦断面図を示している。
【００１８】
続いて、上段の階層５３について説明する。この上段の階層５３における第２の主バスバー２１よりも奥側の領域（第２の主バスバー２１に対して第１の主バスバー１１とは反対側の領域）には、弾性波の伝搬方向に沿って伸びるように形成された第１の補助バスバー１３が配置されている。また、第１の主バスバー１１よりも手前側の領域（第１の主バスバー１１に対して第２の主バスバー２１とは反対側の領域）には、弾性波の伝搬方向に沿って伸びるように形成された第２の補助バスバー２３が配置されている。第１の補助バスバー１３は、既述の図２に示すように、導電線路４１を介して第１の主バスバー１１に電気的に接続されている。また、第２の補助バスバー２３は、導電線路４２を介して第２の主バスバー２１に電気的に接続されている。従って、第１の主バスバー１１及び第１の補助バスバー１３同士が同電位となり、第２の主バスバー２１及び第２の補助バスバー２３同士が同電位となっている。
【００１９】
第１の補助バスバー１３には、第１の主電極指１０の各々に対向するように、弾性波の伝搬方向に対して直交する方向に各々伸びる第１の補助電極指１４の各々の一端側が接続されている。第１の補助電極指１４の他端側は、第２の主バスバー２１の上方側の第２の絶縁膜２２を乗り越えて、第１の主電極指１０の先端部の上方側に位置しており、当該第１の主電極指１０と電気的に接続されている。そのため、第１の補助電極指１４は、第２の主バスバー２１に対して電気的に絶縁されて浮いた状態となり、且つ第１の主電極指１０と同電位になっている。従って、第１の主電極指１０には、第１の主バスバー１１と、第１の補助電極指１４及び第１の補助バスバー１３とを介して入力ポート３が接続されている。
【００２０】
第２の補助バスバー２３には、第２の主電極指２０の各々に対向するように、弾性波の伝搬方向に対して直交する方向に各々伸びる第２の補助電極指２４の各々の一端側が接続されている。第２の補助電極指２４の他端側は、図４に示すように、第１の主バスバー１１の上方側の第１の絶縁膜１２を乗り越えて、第２の主電極指２０の先端部の上方側に位置しており、当該第２の主電極指２０と電気的に接続されている。そのため、第２の補助電極指２４は、第１の主バスバー１１に対して電気的に浮いた状態となり、且つ第２の主電極指２０と同電位となっている。言い換えると、第２の主電極指２０には、第２の主バスバー２１と、第２の補助電極指２４及び第２の補助バスバー２３と、を介して出力ポート４が接続されている。補助バスバー１３、２３及び補助電極指１４、２４は、各々例えばアルミニウムなどからなる金属材料により形成されている。尚、これら補助バスバー１３、２３及び補助電極指１４、２４は、例えば金や銅などにより構成されていても良い。
【００２１】
そのため、以上説明したＩＤＴ電極７では、補助バスバー１３、２３及び補助電極指１４、２４を配置しない場合よりも、主電極指１０、２０に対して入力信号の入力及び出力信号の出力を行うにあたっての給電路の数量がほぼ２倍となる。言い換えると、本発明のＩＤＴ電極７では、補助バスバー１３、２３及び補助電極指１４、２４を配置しない場合と比べて、主電極指１０、２０の電気的抵抗が半分程度となる。
【００２２】
次に、既述のＩＤＴ電極７の製造方法の一例について簡単に説明する。始めに、例えばアルミニウムなどの金属膜を圧電基板２上に例えばスパッタなどにより成膜し、続いて図６（ａ）及び図７（ａ）に示すように、フォトレジスト膜（図示せず）を用いたフォトリソグラフィ法により、ＩＤＴ電極７に対応するパターンを前記金属膜に形成する。次いで、図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示すように、圧電基板２上に二酸化シリコンなどからなる絶縁膜６１と、フォトレジスト膜６２と、を下側からこの順番で積層し、同様にフォトリソグラフィ法により、主バスバー１１、２１の上方側（詳しくは主バスバー１１、２１の外形よりも僅かに広い領域）以外の領域におけるフォトレジスト膜６２を剥離する。
【００２３】
そして、フォトレジスト膜６２をマスクとして例えばフッ化水素（ＨＦ）などを含むエッチングガスを圧電基板２に供給すると共に、このエッチングガスをプラズマ化することにより、絶縁膜６１をドライエッチングして第１の絶縁膜１２及び第２の絶縁膜２２を形成する。続いて、図６（ｃ）及び図７（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜６２をアッシングして除去する。
【００２４】
次いで、圧電基板２上に別のフォトレジスト膜６３を形成し、図８（ａ）及び図９（ａ）に示すように、このフォトレジスト膜６３に対してフォトリソグラフィ法により補助バスバー１３、２３及び補助電極指１４、２４の配置される領域に凹部６４を形成する。そして、図８（ｂ）及び図９（ｂ）に示すように、例えばスパッタ法により、凹部６４の内部を含むフォトレジスト膜６３の表面にアルミニウムなどの金属膜６５を成膜する。続いて、図８（ｃ）及び図９（ｃ）に示すように、圧電基板２を例えば水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液などのアルカリ水溶液やアセトンなどの有機溶媒に浸漬することにより、フォトレジスト膜６３を除去する。この時、フォトレジスト膜６３が前記アルカリ水溶液や有機溶媒により圧電基板２上から剥離される際に、当該フォトレジスト膜６３の上方側に積層された金属膜６５についてもフォトレジスト膜６３と共に遊離して除去される。こうして既述のＩＤＴ電極７が形成される。尚、ＩＤＴ電極７と共に反射器８や別のＳＡＷ共振子１（直列腕及び並列腕）及び導電線路４１、４２についても圧電基板２上に形成されているが、既述の図６〜図９では描画を省略している。
【００２５】
上述の実施の形態によれば、主バスバー１１（２１）の上方側に絶縁膜１２（２２）を形成すると共に、第１の主バスバー１１よりも手前側及び第２の主バスバー２１よりも奥側に夫々第２の補助バスバー２３及び第１の補助バスバー１３を配置している。そして、補助バスバー１３（２３）から伸びる補助電極指１４（２４）が主バスバー１１（２１）と同電位となり、且つ主バスバー２１（１１）から電気的に浮いた状態となるように、補助電極指１４（２４）について、絶縁膜１２（２２）を乗り越えて、主電極指１０（２０）に接続されるように各々配置している。そのため、主電極指１０（２０）は、主バスバー１１（２１）と、補助バスバー１３（２３）及び補助電極指１４（２４）とを介して並列に信号ポート６に接続されることになる。従って、本発明のＩＤＴ電極７では、補助バスバー１３、２３及び補助電極指１４、２４を配置しない場合と比べて電気的抵抗を低減できるので、挿入損失の良好な（小さな）ＩＤＴ電極７及びＳＡＷ共振子１を得ることができる。そのため、ＳＡＷ共振子１のＱ値について良好な（高い）特性を得ることができる。
【００２６】
この例において、主電極指１０、２０と共に図示しない反射電極を配置して一方向性電極を構成しても良いし、互いに隣接して伸びる２本の主電極指１０、１０と、これら主電極指１０、１０に隣接する２本の主電極指２０、２０と、を配置してスプリット電極を構成しても良い。
【００２７】
続いて、本発明のＩＤＴ電極７の第２の実施の形態について、図１０〜図１３を参照して説明する。この第２の実施の形態では、例えば前記ラダー型フィルタの通過帯域が２ＧＨｚ以上の高周波数帯域であっても、即ち主電極指１０、２０の幅寸法及び互いに離間する主電極指１０、２０間の離間寸法が各々０．５μｍ以下もの微細構造においても、既述の補助バスバー１３、２３及び補助電極指１４、２４を容易に製造できるように（下段の階層５１に対して上段の階層５３を容易に位置合わせできるように）ＩＤＴ電極７を構成している。以下の説明において、第２の実施の形態において、既述の図２と同じ構成の部位については同じ符号を付して説明を省略する。尚、図１０〜図１２は、ＩＤＴ電極７の一部の領域を模式的に拡大して示している。
【００２８】
図１０に示すように、第１の主電極指１０及び第２の主電極指２０は、各々屈曲していわば蛇腹状に組み合わされるように配置されている。即ち、第１の主電極指１０は、第１の主バスバー１１から第２の主バスバー２１に向かって伸びる前段部分１５と、この前段部分１５における第２の主バスバー２１側の端部にて屈曲して第１の主バスバー１１に向かって戻ると共に第１の主バスバー１１から離間した位置まで伸びる後段部分１７と、により構成されている。これら前段部分１５と後段部分１７との間において屈曲して第１の主バスバー１１に沿って伸びる領域は、屈曲部分１６をなしている。
【００２９】
また、第２の主電極指２０は、第２の主バスバー２１から第１の主バスバー１１に向かって伸びる前段部分２５と、この前段部分２５における第１の主バスバー１１側の端部にて屈曲して第２の主バスバー２１に向かって戻ると共に第２の主バスバー２１から離間した位置まで伸びる後段部分２７と、により構成されている。これら前段部分２５と後段部分２７との間において屈曲して第２の主バスバー２１に沿って伸びる領域は、屈曲部分２６をなしている。これら屈曲部分１６、２６の弾性波の伝搬方向に対して直交する方向における長さ寸法Ｄは、例えば各々０．５μｍ〜１０μｍ好ましくは０．５μｍ〜２．０μｍこの例では１．５μｍとなっている。
【００３０】
そして、これら第１の主電極指１０と第２の主電極指２０とは、屈曲部分１６と屈曲部分２６とが千鳥状に配置されるように、また当該第１の主電極指１０及び第２の主電極指２０が平面のレイアウトで見た時に互いに噛み合うように配置されている。即ち、第１の主電極指１０の後段部分１７は、第２の主電極指２０における前段部分２５と後段部分２７との間に配置されると共に、当該第２の主電極指２０における屈曲部分２６に向かって伸び出している。また、第２の主電極指２０の後段部分２７は、第１の主電極指１０における前段部分１５と後段部分１７との間に配置されると共に、当該第１の主電極指１０における屈曲部分１６に向かって伸び出している。弾性波の伝搬方向におけるこれら前段部分１５、２５及び後段部分１７、２７の各々の幅寸法と、互いに隣接する部分１５、２５、１７、２７間の離間寸法とは、既述のように圧電基板２上を伝搬する弾性波の波長が２ＧＨｚ以上の高周波数帯域に対応する寸法となるように構成されている。
【００３１】
こうしていわば２本の主電極指１０、２０が互いに噛み合うように配置することにより、弾性波の伝搬方向において、第１の主電極指１０の前段部分１５、第２の主電極指２０の後段部分２７、第１の主電極指１０の後段部分１７及び第２の主電極指２０の前段部分２５がこの順番で配置されることになる。従って、互いに電位の異なる主電極指１０、２０が弾性波の伝搬方向に沿って交互に並ぶことになるので、各々の部分１５、２５、１７、２７間において弾性波が発生することになる。
【００３２】
第２の主バスバー２１の上方側には、図１３に示すように、当該第２の主バスバー２１の上方側及び側方側を周方向に亘って覆うように、第２の絶縁膜２２が形成されている。この第２の絶縁膜２２は、屈曲部分１６に対向する領域における第２の主バスバー２１の上方側を覆うように形成されている。第２の主バスバー２１よりも奥側には、弾性波の伝搬方向に沿って伸びる第１の補助バスバー１３が配置されており、この第１の補助バスバー１３には、第１の補助電極指１４の一端側が接続されている。この第１の補助電極指１４の他端側は、第２の絶縁膜２２を乗り越えて、屈曲部分１６に接続されている。第１の補助電極指１４の弾性波の伝搬方向における幅寸法Ｗは、例えば１．５μｍとなっている。
【００３３】
第１の主バスバー１１の上方側には、当該第１の主バスバー１１の上方側及び側方側を周方向に亘って覆うように、第１の絶縁膜１２が形成されている。従って、第１の絶縁膜１２は、屈曲部分２６に対向する領域における第１の主バスバー１１の上方側を覆うように形成されている。第１の主バスバー１１よりも手前側には、弾性波の伝搬方向に沿って伸びる第２の補助バスバー２３が配置されており、この第２の補助バスバー２３には、第２の補助電極指２４の一端側が接続されている。この第２の補助電極指２４の他端側は、第１の絶縁膜１２を乗り越えて、屈曲部分２６に接続されている。この第２の補助電極指２４の弾性波の伝搬方向における幅寸法Ｗは、例えば１．５μｍとなっている。尚、図１０では、第２の補助電極指２４について、一部を切り欠いて描画している。
【００３４】
第１の主電極指１０及び第２の主電極指２０からなる構成は、弾性波の伝搬方向に沿って複数箇所に形成されている。そして、補助電極指１４、２４は、前記構成毎に個別に設けられている。従って、４本の部分１５、１７、２５、２７毎に一組の補助電極指１４、２４を設けることになるので、第２の実施の形態のＩＤＴ電極７では、補助バスバー１３、２３及び補助電極指１４、２４を設けない場合と比べて、ＩＤＴ電極７の電気的抵抗を２５％程度低減できる。尚、図１３は、図１０及び図１２におけるＢ−Ｂ線にて圧電基板２を切断した縦断面図を示している。
【００３５】
第２の実施の形態においても、階層５１〜５３は、既述の第１の実施の形態と同様にフォトリソグラフィ法を用いて下層側から順番に積層される。この時、上段の階層５３における補助電極指１４、２４が下段の階層５１に接続される領域である屈曲部分１６、２６は、弾性波の伝搬方向における幅寸法が前段部分１５、２５及び後段部分１７、２７の各々の幅寸法よりも長く形成されている。具体的には、例えば第１の主電極指１０における屈曲部分１６の前記幅寸法は、当該第１の主電極指１０における前段部分１５及び後段部分１７の各々の幅寸法と、第２の主電極指２０の後段部分２７の幅寸法と、これら前段部分１５、後段部分１７及び後段部分２７間の各々の離間寸法とを加算した寸法となっており、例えば部分１５、２７、２５、２７の各々のの幅寸法の５倍程度となっている。
【００３６】
従って、この第２の実施の形態では、主電極指１０、２０の先端部に対して補助電極指１４、２４（詳しくはフォトレジスト膜６３のパターン）を位置合わせした既述の第１の実施の形態と比べて、上段の階層５３の位置合わせの精度が１／５程度で済むと言える。言い換えると、既述の２ＧＨｚ以上もの周波数に対応する微細配線構造（下段の階層５１）に対して上段の階層５３の位置合わせを行う場合であっても、フォトレジスト膜６３を形成するための露光装置の位置決め精度及びレチクルの解像度や、階層５１、５２を形成するためのフォトリソグラフィ技術にそれ程高い精度が要求されない。そのため、下段の階層５１を形成したプロセスあるいは当該プロセスよりも精度の低い露光装置や現像装置などを用いて上段の階層５３を容易に形成できる。従って、主電極指１０、２０の電気的抵抗を抑えるにあたって、精度の高い露光装置や現像装置などの別の設備投資が不要になるので、低コストでフィルタの挿入損失を抑えることができる。
【００３７】
この第２の実施の形態において、屈曲部分１６、２６の弾性波の伝搬方向に直交する方向における長さ寸法Ｄは、小さすぎると補助電極指１４、２４の位置合わせが困難になり、大きすぎるとＩＤＴ電極７の寸法（弾性波の伝搬方向に直交する方向における長さ寸法）が大きくなりすぎることから、既述の寸法範囲に設定することが好ましい。
【００３８】
以上説明した第２の実施の形態では、第１の主電極指１０及び第２の主電極指２０からなる構成において、第１の主電極指１０を左側に配置し、第２の主電極指２０を右側に配置したが、図１４に示すように、これら主電極指１０、２０の位置を互いに入れ替えても良い。即ち、既述の図１０のＩＤＴ電極７を左右対称に配置しても良い。この例においても、第１の主電極指１０と第２の主電極指２０とは、屈曲部分１６、２６が千鳥状に配置されると共に、平面のレイアウトで見た時に互いに噛み合うように配置される。また、前記構成同士の間に、主バスバー１１、２１の一方から他方に向かって伸びる反射電極を配置しても良い。
【００３９】
また、この第２の実施の形態においても、図１５に示すように、前段部分１５（２５）及び後段部分１７（２７）を各々互いに隣接するように２本ずつ配置して、スプリット電極を構成しても良い。
【００４０】
また、以上説明したＩＤＴ電極７を用いてＳＡＷ共振子１を構成することに代えて、図１６に示すように、ＩＤＴ電極７を弾性波の伝搬方向に沿って２箇所に配置してＳＡＷフィルタを構成しても良い。図１５は、第１の実施の形態のＩＤＴ電極７を用いた例を示している。
【００４１】
以上の各例では、主バスバー１１、２１の双方に補助バスバー１３、２３及び補助電極指１４、２４を夫々配置したが、これら主バスバー１１、２１の一方だけに補助バスバー１３（２３）及び補助電極指１４（２４）を配置しても良い。また、各々の主電極指１０（２０）の各々に補助電極指１４（２４）を配置したが、少なくとも一つの主電極指１０（２０）に補助電極指１４（２４）を設けても良く、この場合には補助電極指１４（２４）を形成する領域の下方側だけに絶縁膜１２（２２）を設けても良い。更に、補助バスバー１３（２３）を配置せずに、例えば圧電基板２上を引き回した導電路やワイヤなどにより補助電極指１４（２４）を主バスバー１１（２１）に直接接続しても良く、この場合には前記導電路やワイヤが補助バスバー１３（２３）を構成することになる。
【００４２】
更に、以上の例では、補助電極指１４、２４を主バスバー２１、１１の上方側に配置したが、これら主バスバー２１、１１の下方側に配置しても良い。具体的には、圧電基板２を例えば２層の圧電薄膜からなる積層体として構成し、上層の圧電薄膜上に既述の主バスバー１１、２１、主電極指１０、２０及び補助バスバー１３、２３を形成する。また、前記上層の圧電薄膜における補助電極指１４、２４の一端側及び他端側に対応する領域に各々凹部を形成すると共に、下層における圧電薄膜に、前記一端側と前記他端側とが連通するように溝状の開口部を形成する。そして、前記凹部及び開口部内に補助電極指１４、２４を構成する金属層を埋め込み、上層及び下層を積層して一体化する。この場合には、主バスバー１１、２１の下方側における上層の圧電薄膜は、特許請求の範囲における絶縁膜に相当する。
【符号の説明】
【００４３】
１  ＳＡＷ共振子
２  圧電基板
３  入力ポート
４  出力ポート
６  信号ポート
７  ＩＤＴ電極
１０、２０  主電極指
１１、２１  主バスバー
１２、２２  絶縁膜
１３、２３  補助バスバー
１４、２４  補助電極指
１６、２６  屈曲部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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