(57)【要約】【課題】出力ムラの発生を抑制し、低スミアの固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基板に設けられた受光部と、半導体基板に設けられた転送チャネルと、受光部を垂直方向に挟むように配置され、水平方向に延びるように設けられた第１の転送電極と、転送チャネルの上に配置され、隣接する前記第１の転送電極間に挟まれるように配置された第２の転送電極と、第１の転送電極の上に配置され、複数の第２のコンタクトを介して第１の転送電極と接続する第２の遮光膜と、第２の転送電極の上に配置され、複数の第１のコンタクトを介して第２の転送電極と接続する第１の遮光膜とを有し、第１の遮光膜には、第１の転送電極の上において、第１の開口部と第２の開口部が設けられており、第１の開口部には、第２のコンタクトが配置されており、第２の開口部には、第２のコンタクトが配置されていないことを特徴とする固体撮像素子を提供する。【選択図】図１
2013026587.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板にマトリクス状に配置して設けられた受光部と、
前記半導体基板に設けられ、前記受光部を水平方向に挟むように配置され、垂直方向に延びるように設けられた転送チャネルと、
前記受光部を垂直方向に挟むように配置され、水平方向に延びるように設けられた第１の転送電極と、
前記転送チャネルの上に配置され、隣接する前記第１の転送電極間に挟まれるように配置された第２の転送電極と、
前記第１の転送電極の上に配置され、複数の第２のコンタクトを介して前記第１の転送電極と接続する第２の遮光膜と、
前記第２の転送電極の上に配置され、複数の第１のコンタクトを介して前記第２の転送電極と接続する第１の遮光膜とを有し、
前記第１の遮光膜には、前記第１の転送電極の上において、第１の開口部と第２の開口部が設けられており、
前記第１の開口部には、前記第２のコンタクトが配置されており、前記第２の開口部には、前記第２のコンタクトが配置されておらず、絶縁膜が埋め込まれていることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記第２の開口部の開口径は、前記第１の開口部の開口径よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記第２のコンタクトの数は、前記第１のコンタクトの数よりも少ないことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記受光部の上には、層間絶縁膜を介して、マイクロレンズが配置されており、
前記マイクロレンズは、前記第１の開口部側よりも前記第２の開口部側で曲率が大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の固体撮像素子。
【請求項５】
お互いに隣接する４つの受光部を一つの単位としたときに、３つの受光部のみがそれぞれ１つのみの第２のコンタクトを有し、残り１つの受光部は第２のコンタクトを有しないように配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の固体撮像素子。
【請求項６】
お互いに隣接する４つの受光部を一つの単位としたときに、４つの受光部はそれぞれが１つのみの第２のコンタクトを有するように配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の固体撮像素子。
【請求項７】
お互いに隣接する４つの受光部を一つの単位としたときに、４つの受光部はそれぞれが２つのみの第２のコンタクトを有するように配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記受光部は入射光を信号電荷に変換する機能を有し、
前記転送チャネルを有する垂直電荷転送部は、前記受光部から前記信号電荷を読み出して垂直方向に転送する機能を有し、
前記第１の遮光膜及び前記第２の遮光膜は、前記入射光が前記転送チャネルへ到達するのを抑制する機能を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光部から読み出した信号電荷を、転送チャネルを有する垂直電荷転送部により転送する固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｄｅｖｉｃｅ）に代表される固体撮像素子は、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどにおける撮像素子として広く利用されており、その需要は益々増加している。
【０００３】
ここで、特許文献１には、シャント配線と転送電極とを、垂直方向に延びる遮光膜を介して接続する技術が開示されている。ここで、シャント配線に接続する遮光膜全てに対して、同時に同レベルの電圧が印加される構造とはなっていない。つまり、隣接する遮光膜間において印加される電圧のレベルは異なっている。また、遮光膜は、垂直方向に配列された画素ごとに設けられている。そのため、遮光膜から半導体基板の表面に印加される電圧レベルは隣接する画素ごとに異なっている。その結果、固体撮像素子の出力ムラが生じる可能性がある。
【０００４】
一方、特許文献２においては、上記課題を解決するために、水平方向にシャント配線を形成する技術が開示されている。具体的には、受光部に相当する領域以外が繋がれた遮光膜と第１の転送電極が電気的に接続している。そのため、受光部から垂直転送部（第２の転送電極（第１の転送電極と第１の転送電極の間に配置））へ電荷を読み出す際には、遮光膜から半導体基板の表面に印加される電圧レベルが隣接する画素間において同一となる。その結果、固体撮像素子の出力ムラが生じにくくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−７６３１９号公報
【特許文献２】特開２００９−２５２８４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２によると、受光部に相当する領域以外が繋がれた遮光膜は、第１の転送電極全てとコンタクトにより接続されている。そのため、コンタクト周りに設けられた開口部を介して、不要な入射光が転送チャネルに伝播し、スミアが発生してしまう可能性がある。
【０００７】
本発明は上記課題を鑑みて提案されたものであって、出力ムラを発生させることなく、スミアの発生を抑制できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明に係る固体撮像素子は、半導体基板にマトリクス状に配置して設けられた受光部と、半導体基板に設けられ、受光部を水平方向に挟むように配置され、垂直方向に延びるように設けられた転送チャネルと、受光部を垂直方向に挟むように配置され、水平方向に延びるように設けられた第１の転送電極と、転送チャネルの上に配置され、隣接する第１の転送電極間に挟まれるように配置された第２の転送電極と、第１の転送電極の上に配置され、複数の第２のコンタクトを介して第１の転送電極と接続する第２の遮光膜と、第２の転送電極の上に配置され、複数の第１のコンタクトを介して第２の転送電極と接続する第１の遮光膜とを有し、第１の遮光膜には、第１の転送電極の上において、第１の開口部と第２の開口部が設けられており、第１の開口部には、第２のコンタクトが配置されており、第２の開口部には、第２のコンタクトが配置されておらず、絶縁膜が埋め込まれていることを特徴とする。
【０００９】
なお、第２の開口部の開口径は、第１の開口部の開口径よりも小さいことが好ましい。
【００１０】
また、お互いに隣接する４つの受光部を一つの単位としたときに、３つの受光部のみがそれぞれ１つのみの第２のコンタクトを有し、残り１つの受光部は第２のコンタクトを有しないように配置されていることが好ましい。
【００１１】
また、お互いに隣接する４つの受光部を一つの単位としたときに、４つの受光部はそれぞれが１つのみの第２のコンタクトを有するように配置されていることが好ましい。
【００１２】
また、お互いに隣接する４つの受光部を一つの単位としたときに、４つの受光部はそれぞれが２つのみの第２のコンタクトを有するように配置されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る固体撮像素子によれば、第１の遮光膜（受光部に相当する領域以外が繋がれた遮光膜）における第２の開口部に第２のコンタクトが形成されていないため、第２の開口部を第１の開口部よりも狭く形成できるという効果がある。そして、第２の開口部を狭く形成できるために、入射光が転送チャネルに漏れこむのを抑制することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る固体撮像素子を説明する図
【図２】本発明の実施形態に係る固体撮像素子のマイクロレンズの形状を説明する図
【図３】本発明の実施形態に係る固体撮像素子における第２のコンタクトの第１の配置を説明する図
【図４】本発明の実施形態に係る固体撮像素子における第２のコンタクトの第２の配置を説明する図
【図５】本発明の実施形態に係る固体撮像素子における第２のコンタクトの第３の配置を説明する図
【図６】本発明の実施形態に係る固体撮像素子の製造方法を説明する図
【図７】本発明の実施形態に係る固体撮像素子の製造方法を説明する図
【図８】本発明の実施形態に係る固体撮像素子の製造方法を説明する図
【図９】本発明の実施形態に係る固体撮像素子の製造方法を説明する図
【図１０】本発明の実施形態に係る固体撮像素子の製造方法を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施形態に係る固体撮像素子及びその製造方法について図面を参照して説明する。なお、本発明の実施形態に係る固体撮像素子として、１．３×１．３μｍ２以細のＣＣＤ型固体撮像素子を例に説明する。なお、実施形態中で説明する材料や、数値は好ましい範囲を示しているに過ぎず、これらに限定されることはない。
【００１６】
（固体撮像素子についての説明）
以下、本発明の実施形態に係る固体撮像素子について、図１（ａ）〜図１（ｄ）を参照しながら説明する。
【００１７】
図１（ａ）は本実施形態における固体撮像素子の一部分を拡大した平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＹ１−Ｙ１における断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）のＹ２−Ｙ２における断面図であり、図１（ｄ）は図１（ａ）のＸ−Ｘにおける断面図である。
【００１８】
まず、図１（ａ）に示すように、垂直方向（横方向）と水平方向（縦方向）にマトリクス形状となるように、複数の受光部１１が配置されている。ここで、受光部１１は入射光を信号電荷に変換する機能を有している。そして、受光部１１を水平方向に挟むように、垂直方向に延びるように転送チャネル１２が形成されている。そして、受光部１１を垂直方向に挟むように、水平方向に延びるように第１の転送電極３ａが形成されている。そして、第１の遮光膜５と第２の遮光膜７がそれぞれ水平方向に延びるように形成されており、第１の遮光膜５中には受光部１１が見えるように開口部１４が設けられており、第１の遮光膜は開口部１４を除き、ほぼ全面に渉って繋がっている（ただし、第１の転送電極上など繋がっていない領域も存在する）。なお、第１の転送電極３ａと第１の転送電極３ａとの間には第２の転送電極３ｂが配置され、転送チャネル１２、第１の転送電極３ａ、第２の転送電極３ｂは、垂直電荷転送部１３を構成する。ここで、垂直電荷転送部１３は、受光部１１から得られた信号電荷を読み出して垂直方向に転送する機能を有している。
【００１９】
また、図１（ｂ）に示すように、シリコン基板などの半導体基板１内にマトリクス状に複数の受光部１１が配置されている。そして、第１の転送電極３ａが半導体基板１上にゲート絶縁膜などとして機能する絶縁膜２を介して形成されている。また、第１の転送電極３ａ上には絶縁膜４を介して第１の遮光膜５が形成されている。また、第１の遮光膜５の上には絶縁膜６を介して第２の遮光膜７が形成されている。ここで、第１の遮光膜５、第２の遮光膜７は、垂直電荷転送部１３（特に、転送チャネル１２）へ入射光が漏れるのを抑制するための機能を有している。
【００２０】
また、図１（ｃ）に示すように、半導体基板１内には、転送チャネル１２が形成されており、転送チャネル１２の上には、絶縁膜２を介して第１の転送電極３ａと第２の転送電極３ｂが複数形成されている。ここで、第１の転送電極３ａと第１の転送電極３ａの間には第２の転送電極３ｂが形成されている。そして、第１の転送電極３ａと第２の転送電極３ｂの上には、絶縁膜４、６が形成されている。そして、絶縁膜４中に配置された複数の第１のコンタクト１６を介して第２の転送電極３ｂに接続するような第１の遮光膜５が形成されている。そして、絶縁膜４、６中に配置された複数の第２のコンタクト１８を介して第１の転送電極３ａに接続するような第２の遮光膜７が形成されている。なお、第１の遮光膜５には第１の開口部と第２の開口部が形成されており、第１の開口部には第２のコンタクト１８が配置されており（図１（ｃ）左側参照）、第２の開口部には第２のコンタクト１８が配置されておらず、絶縁膜６が埋め込まれている（図１（ｃ）右側参照）。また、第２の遮光膜７の上には層間絶縁膜２１、マイクロレンズ２２が順次配置されている。
【００２１】
また、図１（ｄ）に示すように、図１（ｃ）ですでに説明したように転送チャネル１２、第２の転送電極３ｂ、第１の遮光膜５などが配置されている。
【００２２】
なお、図１（ａ）〜図１（ｄ）には示されていないが、垂直電荷転送部１３によって転送された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部もさらに設けられている。
【００２３】
なお、半導体基板１は、ｎ型のシリコン基板であり、受光部１１、転送チャネル１２はｎ＋型の拡散層であることが好ましい。
【００２４】
なお、第１の転送電極３ａ、第２の転送電極３ｂの膜厚は、例えば１００〜２００ｎｍ程度であり、第１の転送電極３ａにおける、受光部１１と受光部１１との間の幅は４００ｎｍ程度であり、第１の遮光膜５の高さは３００ｎｍ程度であり、第１の遮光膜５における第１の転送電極３ａ上に乗り上げている部分の幅は、１５０ｎｍ程度である。第２の遮光膜の幅は４００ｎｍ程度であり、第１の遮光膜５、第２の遮光膜７は第２の転送電極３ｂと第１の転送電極３ａにそれぞれ電気的に接続しているのでシャント配線としても機能している。
【００２５】
本実施形態に係る固体撮像素子によると、図１（ａ）、図１（ｃ）に示すように、第１の遮光膜５に形成された開口部に、第２のコンタクト１８が配置されている箇所と配置されていない箇所がある。このように、第２のコンタクト１８が配置されない箇所を設けることにより、第２のコンタクト１８が全て配置されている場合と比較して、第２の遮光膜７と第１の遮光膜の開口部の間から入射する光が転送チャネル１２に漏れ込むことを抑制することができる。
【００２６】
ここで、第２のコンタクト１８が配置されない第２の開口部の開口径は、第２のコンタクト１８が配置される第１の開口部の開口径よりも小さいことが好ましい。第２の遮光膜７と第２の開口部の間から入射する光が転送チャネル１２に漏れこむ光量をさらに抑制しやすくなるからである。
【００２７】
また、図１（ａ）に示すように、単位セル辺りの第１のコンタクト１６の数と第２のコンタクト１８の数を比較すると、第２のコンタクト１８の数の方が少ない方が好ましい。第２のコンタクト１８の数を少なくすることで、電流ショートによる不良発生を抑制でき、歩留を向上することが可能となる。
【００２８】
ここで、図１（ｃ）に示したマイクロレンズ２２の曲率について、図２（ａ）、図２（ｂ）を用いて、さらに詳しく説明する。
【００２９】
図２（ａ）は、第１の遮光膜５に形成された開口部全てに、第２のコンタクト１８が配置されている状態を示している。一方、図２（ｂ）は、第１の遮光膜５に形成された開口部全てに、第２のコンタクト１８が配置されていない状態を示している。図２（ａ）と図２（ｂ）とを比較して分かるように、図２（ｂ）におけるマイクロレンズ２２の曲率の方が、第１の遮光膜５に形成された開口部側において大きいことが分かる。つまり、第２の開口部（第２のコンタクトが配置されていない開口部）側の方が、第１の開口部（第２のコンタクトが配置されている開口部）側よりも、曲率が大きくなるのである。このように、マイクロレンズ２２の曲率を大きくすることにより、受光部１１への入射光の集光率を高めることができるという効果もある。
【００３０】
（第２の開口部の配置について）
次に、第２の開口部の配置について図３〜図５を用いてさらに詳しく説明する。
【００３１】
図３〜図５は、お互いに隣接する４つの受光部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄを一つの単位としたときに第２のコンタクト１８がどこに配置されているかを示している。なお、縦横に伸びる線は、第１の転送電極３ａを表し、点線部は、第２の遮光膜７の一部を強調して示している。
【００３２】
まず、図３に示すように、右上隅の４つの受光部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄにおける第２のコンタクト１８の配置について検討する。受光部１１ａは右上に第２のコンタクト１８を有し、受光部１１ｂは左上に第２のコンタクト１８を有し、受光部１１ｃは左下に第２のコンタクト１８を有し、受光部１１ｄは第２のコンタクト１８を有していない。ここで、受光部１１ａと受光部１１ｂは１つの第２のコンタクト１８を共有している。以上のように、お互いに隣接する４つの受光部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄを一つの単位としたときに、３つの受光部１１ａ、１１ｂ、１１ｃのみがそれぞれ１つのみの第２のコンタクト１８を有し、残り１つの受光部１１ｄは第２のコンタクト１８を有しないように配置されていることは好ましい。このように配置することで、転送チャネル１２への入射光の漏れこみを抑制できるだけでなく、曲率が大きいマイクロレンズ２２の数を増やすことができるという効果がある。
【００３３】
また、図４に示すように、右上隅の４つの受光部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄにおける第２のコンタクト１８の配置について検討する。受光部１１ａは左下に第２のコンタクト１８を有し、受光部１１ｂは右上に第２のコンタクト１８を有し、受光部１１ｃは左上に第２のコンタクト１８を有し、受光部１１ｄは右下に第２のコンタクト１８を有している。ここで、受光部１１ａと受光部１１ｃは１つの第２のコンタクト１８を共有している。以上のように、お互いに隣接する４つの受光部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄを一つの単位としたときに、４つの受光部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄはそれぞれが１つのみの第２のコンタクト１８を有するように配置されていることは好ましい。このように配置することで、転送チャネル１２への入射光の漏れこみを抑制できるだけでなく、曲率が大きいマイクロレンズの数を増やすことができるという効果がある。
【００３４】
また、図５に示すように、右上隅の４つの受光部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄにおける第２のコンタクト１８の配置について検討する。受光部１１ａは左下、右上に第２のコンタクト１８を２つ有し、受光部１１ｂは左上、右下に第２のコンタクト１８を２つ有し、受光部１１ｃは左上、右下に第２のコンタクト１８を２つ有し、受光部１１ｄは左下、右上に第２のコンタクト１８を２つ有している。以上のように、お互いに隣接する４つの受光部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄを一つの単位としたときに、４つの受光部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄはそれぞれが２つのみの第２のコンタクト１８を有するように配置されていることは好ましい。このように配置することで、転送チャネル１２への入射光の漏れこみを抑制できるだけでなく、曲率が大きいマイクロレンズの数を増やすことができるという効果がある。ただし、第２のコンタクト１８の数がなるべく少ないほうが好ましいので、図３又は図４のような配置の方が好ましい。
【００３５】
なお、図３〜図５に示すように、第２のコンタクト１８の配置は、周期性を持って、規則的に配置されている。そのため、第２のコンタクト１８の有無によるマイクロレンズ２２の形状の違いに起因する感度差が生じにくくなるという効果がある。
【００３６】
なお、上述の例の他にも、ある繰り返し単位において受光部に対するコンタクトの配置が均一になるような配置であれば、同様の効果を得ることができる。
【００３７】
（製造方法についての説明）
次に、本発明の実施形態に係る固体撮像素子の製造方法について、図６（ａ）〜図６（ｃ）、図７（ａ）〜図７（ｃ）、図８（ａ）〜図８（ｃ）、図９（ａ）〜図９（ｃ）、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）を用いて説明する。
【００３８】
なお、各図（ｂ）は各図（ａ）のＹ１−Ｙ１における断面に対応しており、なお、各図（ｃ）は各図（ａ）のＹ２−Ｙ２における断面に対応している。
【００３９】
まず、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、半導体基板１の表面に熱酸化法によって例えば、２０ｎｍ〜４０ｎｍ程度の膜厚からなる絶縁膜２を形成する。その後、半導体基板１にｎ型不純物をイオン注入し、受光部１１と転送チャネル１２を形成する。その後、ポリシリコン等の導電膜を堆積し、パターニングすることにより第１の転送電極３ａ、第２の転送電極３ｂを形成する。その後、熱酸化法により第１の転送電極３ａ、第２の転送電極３ｂの上面及び側面を覆う絶縁膜４を形成する。なお、絶縁膜２、４の形成方法は熱酸化法に限定されるものではなく、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などでも構わない。
【００４０】
次に、図７（ａ）〜図７（ｃ）に示すように、第２の転送電極３ｂに接続するように、絶縁膜４内に第１のコンタクト１６を形成する。その後、半導体基板１の上全面を被覆するように、６０ｎｍ〜１２０ｎｍ程度の膜厚からなる導電膜１７をＣＶＤ法やスパッタリング法などを用いて形成する。なお、導電膜１７は、タングステンなどの遮光性金属膜であることが好ましい。
【００４１】
次に、図８（ａ）〜図８（ｃ）に示すように、半導体基板１全面に形成された導電膜１７をパターニングし、第１の遮光膜５を形成する。ここで、第１の遮光膜５を形成する工程は、第１の転送電極３ａ上に配置された導電膜１７を水平方向にエッチングする工程と、受光部１１上に配置された導電膜１７をエッチングして開口部１４を形成する工程とからなることが好ましい。微細なフォトレジストパターンをなるべく形成しないようにし、歩留を向上させるためである。
【００４２】
ここで、第１の転送電極３ａの上には、開口径の大きい第１の開口部と開口径の小さい第２の開口部が形成されることとなる。
【００４３】
次に、図９（ａ）〜図９（ｃ）に示すように、第１の遮光膜５、第１の転送電極３ａ、第２の転送電極３ｂを含む半導体基板１の上全面を被覆するように、絶縁膜６を形成する。その後、第１の遮光膜５における第１の開口部に対応する箇所に開口部を設け、第２のコンタクト１８を形成するように、半導体基板１の上全面に６０ｎｍ〜１２０ｎｍ程度の膜厚からなる導電膜１９を堆積する。なお、導電膜１９は、タングステンなどの遮光性金属膜であることが好ましい。
【００４４】
次に、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）に示すように、半導体基板１全面に形成された導電膜１９をパターニングし、第２の遮光膜７が形成される。ここで、図１０（ｂ）に示すように、第２の遮光膜７の側面が、第１の遮光膜５における第２の遮光膜７側の側面と受光部１１側の側面との間（言い換えれば、第１の遮光膜５における転送電極３ａ上の開口と開口部１４の間）に位置するように形成されることが好ましい。その後、絶縁膜６と第２の遮光膜７の上面全体を被覆するように、ＣＶＤ法などにより層間絶縁膜２１を形成する。なお、層間絶縁膜２１は、ＮＳＧ（ＮｏｎＤｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜又は、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＦＳＧ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜などの燐、フッ素、ボロンのうち少なくともいずれか一種をドープしたシリコン酸化膜などからなることが好ましい。その後、層間絶縁膜２１の上で、受光部１１の上方にマイクロレンズ２２を形成する。なお、図１０（ａ）、図１０（ｂ）においては、層間絶縁膜２１、マイクロレンズ２２の図示を省略している。
【００４５】
以上、本実施形態について説明してきたが、本発明は、以上に記載した実施形態の説明に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。また、本実施形態で挙げた数値や材料等は一例であり、これらに限定されるものではない。
【００４６】
また、本発明は複数の水平転送チャネルを有する構造においても適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明によると、高感度、低スミアでの高速撮影を可能とする固体撮像素子を提供でき、デジタルスチルカメラや、デジタルビデオカメラなどに有用である。
【符号の説明】
【００４８】
１    半導体基板
２，４，６    絶縁膜
３ａ    第１の転送電極
３ｂ    第２の転送電極
５    第１の遮光膜
７    第２の遮光膜
１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ    受光部
１２    転送チャネル
１３    垂直電荷転送部
１４    開口部
１６    第１のコンタクト
１７，１９    導電膜
１８    第２のコンタクト
２１    層間絶縁膜
２２    マイクロレンズ
【図１】
2013026587.tif 000003
【図２】
2013026587.tif 000004
【図３】
2013026587.tif 000005
【図４】
2013026587.tif 000006
【図５】
2013026587.tif 000007
【図６】
2013026587.tif 000008
【図７】
2013026587.tif 000009
【図８】
2013026587.tif 000010
【図９】
2013026587.tif 000011
【図１０】
2013026587.tif 000012