(57)【要約】      （修正有）【課題】生産効率がよく、かつコストを低減することのできる光学半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】光学半導体装置３を製造する方法であって、通電部を有する基板４上に複数の光学半導体素子６を実装して素子集合基板を得る実装工程と、前記素子集合基板をハーフダイシングすることにより、前記通電部の一部を切断して前記素子集合基板内に通電検査用の電子回路を作製するハーフダイシング工程と、該通電検査用の電子回路に対し、通電検査をして前記素子毎の光学特性情報を得る通電検査工程と、該光学特性情報を用いて前記素子の選別をする選別工程と、前記ハーフダイシング工程による切断線上をフルダイシングすることにより、前記素子集合基板を個々の前記光学半導体装置に分割し、前記光学特性情報で選別された複数の前記光学半導体装置を得るフルダイシング工程とを有する。【選択図】図１
2013171853.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学半導体装置を製造する方法であって、
通電部を有する基板上に複数の光学半導体素子を実装して光学半導体素子集合基板を得る実装工程と、
前記光学半導体素子集合基板をハーフダイシングすることにより、前記通電部の一部を切断して前記光学半導体素子集合基板内に通電検査用の電子回路を作製するハーフダイシング工程と、
該通電検査用の電子回路に対し、通電検査をして前記光学半導体素子毎の光学特性情報を得る通電検査工程と、
該光学特性情報を用いて前記光学半導体素子の選別をする選別工程と、
前記ハーフダイシング工程による切断線上をフルダイシングすることにより、前記光学半導体素子集合基板を個々の前記光学半導体装置に分割し、前記光学特性情報で選別された複数の前記光学半導体装置を得るフルダイシング工程とを有することを特徴とする光学半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記通電検査工程において、光学特性検出装置を用いて通電検査することを特徴とする請求項１に記載の光学半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記通電検査工程において、前記光学半導体素子毎に対応するように光学特性検出用の光学レンズを配置し、前記光学特性情報を得ることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光学半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記通電部を有する基板として、金属フレームに樹脂をトランスファー成形した基板、又はプリント基板に樹脂をトランスファー成型した基板を用いることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の光学半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属フレームに樹脂をトランスファー成形した基板として、前記金属フレームが前記ハーフダイシング工程で切断される部分において溝を有するものを用いることを特徴とする請求項４に記載の光学半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記プリント基板として、３層以上に積層した繊維強化材に樹脂を含浸した基板を用いることを特徴とする請求項４に記載の光学半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記フルダイシング工程において、前記ハーフダイシング工程で用いられるダイシングブレード幅と異なる幅のダイシングブレードを用いることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の光学半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ハーフダイシング工程において、前記通電検査工程で用いる電源プローブを接続する接続面を有するように前記通電検査用の電子回路を作製することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の光学半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項の光学半導体装置の製造方法によって製造されたものであることを特徴とする光学半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学半導体装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ、フォトダイオード等の光学半導体装置は、高効率であり、外部応力および環境的な影響に対する耐性が高いことから産業界において幅広く用いられている。さらに、光学半導体装置は効率が高いことに加えて、寿命が長く、コンパクトであり、多くの異なる構造に構成することができ、比較的低い製造コストで製造することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４７８９３５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＭＡＰ（Ｍａｔｒｉｘ  ａｒｒａｙ  ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる集合基板にて製造される光学半導体装置は、その製造段階にて通電検査を実施することが難しく、最終製品形状（個片化された光学半導体装置）になってからの通電検査を実施している。このため、製造段階における品質不具合が確認できず、生産効率の低下につながっていた。
【０００５】
また、光学半導体素子の出力や封止する蛍光体の濃度バラツキにより光学半導体装置は選別を実施する必要がある。通常、光学半導体装置の選別工程では光学半導体装置を完全に個片化した状態にて実施されているが、完全に個片化した状態での選別は光学半導体装置の配列等の追加工程が必要となるため、コスト増の原因となっていた。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、生産効率がよく、かつコストを低減することのできる光学半導体装置の製造方法、及び該製造方法により製造された光学半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明では、光学半導体装置を製造する方法であって、
通電部を有する基板上に複数の光学半導体素子を実装して光学半導体素子集合基板を得る実装工程と、
前記光学半導体素子集合基板をハーフダイシングすることにより、前記通電部の一部を切断して前記光学半導体素子集合基板内に通電検査用の電子回路を作製するハーフダイシング工程と、
該通電検査用の電子回路に対し、通電検査をして前記光学半導体素子毎の光学特性情報を得る通電検査工程と、
該光学特性情報を用いて前記光学半導体素子の選別をする選別工程と、
前記ハーフダイシング工程による切断線上をフルダイシングすることにより、前記光学半導体素子集合基板を個々の前記光学半導体装置に分割し、前記光学特性情報で選別された複数の前記光学半導体装置を得るフルダイシング工程とを有することを特徴とする光学半導体装置の製造方法を提供する。
【０００８】
このような光学半導体装置の製造方法であれば、生産効率がよく、かつコストを低減することができる。
【０００９】
また、前記通電検査工程において、光学特性検出装置を用いて通電検査することが好ましい。
【００１０】
これにより、例えば、光学半導体素子毎の点灯の有無、光束値、色度、色温度、波長スペクトル、演色性等を確認し選別することができる。
【００１１】
さらに、前記通電検査工程において、光学半導体素子毎に対応するように光学特性検出用の光学レンズを配置し、光学特性情報を得ることが好ましい。
【００１２】
これにより、１回の測定にて大量の光学半導体素子の光学特性情報を得ることができ、光学半導体装置の選別にかかる工数が大幅に低減することになる。
【００１３】
また、前記通電部を有する基板として、金属フレームに樹脂をトランスファー成形した基板、又はプリント基板に樹脂をトランスファー成型した基板を用いることができる。
【００１４】
このような基板を用いれば、より生産効率がよく、かつ一層コストを低減することができる光学半導体装置の製造方法となる。
【００１５】
さらに、前記金属フレームに樹脂をトランスファー成形した基板として、金属フレームが前記ハーフダイシング工程で切断される部分において溝を有するものを用いることが好ましい。
【００１６】
これにより、ダイシングバリやチッピングによる成型樹脂の欠けを防ぐことができる。
【００１７】
また、前記プリント基板として、３層以上に積層した繊維強化材に樹脂を含浸した基板を用いることが好ましい。
【００１８】
このようなプリント基板であれば、耐熱性や耐ＵＶ性に強い光学半導体装置を製造することができる。
【００１９】
さらに、前記フルダイシング工程において、ハーフダイシング工程で用いられるダイシングブレード幅と異なる幅のダイシングブレードを用いることが好ましい。
【００２０】
これにより、ハーフダイシング工程やフルダイシング工程にて位置ズレが発生した場合においても完全に光学半導体装置を個片化することが可能となる。
【００２１】
また、前記ハーフダイシング工程において、通電検査工程で用いる電源プローブを接続する接続面を有するように通電検査用の電子回路を作製することが好ましい。
【００２２】
このように、光学半導体素子集合基板の電子回路に電源プローブの接続面を設計しておくことで、作業性がさらに向上する。
【００２３】
さらに、本発明では、前記光学半導体装置の製造方法によって製造されたものであることを特徴とする光学半導体装置を提供する。
【００２４】
このような光学半導体装置であればハーフダイシングによる溝部が形成されたものとなるため、外部基板に実装する際に、この溝部に外部基板との接着材を配置することで良好な接着強度を得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００２５】
以上説明したように、本発明の光学半導体装置の製造方法によれば、製造段階にて通電検査を実施することが可能となり、通電検査時に得られた光学特性情報を用いて製造段階における選別と品質の作り込みが可能となる。このため、生産効率を向上することができる。また、光学半導体素子集合基板での通電検査となるため、個々の光学半導体装置の配列等の工程を削除することができ、製造方法の簡素化によるコスト低減を達成することができる。
【００２６】
また、上記製造方法にて製造される光学半導体装置にはハーフダイシングによる溝部が形成される。そのため、本発明の半導体装置を外部基板に実装する際には、この溝部に外部基板との接着材を配置することで良好な接着強度を得ることが可能となる。
【００２７】
更に、上記通電検査にてハーフダイシングされた光学半導体素子集合基板の光学半導体装置の配列ピッチに合わせて光学特性検出装置の測定用光学レンズを複数個配置することで、１回の測定にて大量の光学特性情報を得ることができ、光学半導体装置の選別にかかる工数が大幅に低減することになる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の光学半導体装置の概略断面図である。
【図２】光学半導体素子集合基板の概略平面図である。
【図３】光学半導体素子集合基板のハーフダイシング工程の概略斜視図である。
【図４】光学半導体素子集合基板の概略平面図と、光学半導体素子集合基板におけるハーフダイシング位置と電子回路作製方法の例を示す概略平面図である。
【図５】本発明の光学半導体装置と外部基板の接続方法の概略断面図である。
【図６】光学半導体素子集合基板の通電検査方法について概略平面図である。
【図７】本発明の光学半導体装置の製造方法のフロー図である。
【図８】本発明の別の光学半導体装置の製造方法のフロー図である。
【図９】光学レンズ群による光学半導体素子集合基板の光学特性情報検出方法の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の光学半導体装置の製造方法及びそれにより製造された光学半導体装置について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３０】
すなわち、本発明の光学半導体装置の製造方法は、通電部を有する基板上に複数の光学半導体素子を実装して光学半導体素子集合基板を得る実装工程と、
前記光学半導体素子集合基板をハーフダイシングすることにより、前記通電部の一部を切断して前記光学半導体素子集合基板内に通電検査用の電子回路を作製するハーフダイシング工程と、
該通電検査用の電子回路に対し、通電検査をして前記光学半導体素子毎の光学特性情報を得る通電検査工程と、
該光学特性情報を用いて前記光学半導体素子の選別をする選別工程と、
前記ハーフダイシング工程による切断線上をフルダイシングすることにより、前記光学半導体素子集合基板を個々の前記光学半導体装置に分割し、前記光学特性情報で選別された複数の前記光学半導体装置を得るフルダイシング工程とを有する。
【００３１】
この際、通電部を有する基板として、金属フレームに樹脂をトランスファー成形した基板、又はプリント基板に樹脂をトランスファー成型した基板を用いることができる。トランスファー成型される樹脂は、光学半導体装置の耐熱性や耐久性を考慮し、シリコーン樹脂組成物やエポキシ樹脂組成物を用いることが望ましい。
【００３２】
また、通電検査工程において、光学特性検出装置を用いて通電検査することが好ましい。通電検査工程で光学半導体素子は集合基板に配列された状態であるため、次の選別工程のために光学半導体装置の配列等を行う工程を省くことが可能となる。なお、ハーフダイシング工程において、通電検査工程で用いる電源プローブを接続する接続面を有するように通電検査用の電子回路を作製することが好ましい。このように、集合基板の外周部に通電検査用の電源プローブの接触点を設計しておくことで、作業性がさらに向上する。
【００３３】
なお、金属フレームに樹脂をトランスファー成形した基板として、金属フレームがハーフダイシング工程で切断される部分において溝を有するものを用いることが好ましい。これにより、ダイシングバリやチッピングによる成型樹脂の欠けを防ぐことができる。
【００３４】
また、プリント基板として、３層以上に積層した繊維強化材に樹脂を含浸した基板を用いることが好ましい。この繊維強化材は、互いの層が９０度回転した状態で積層されたものとすることができる。また、この繊維強化材に含浸される樹脂は、例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂が挙げられる。好ましくは、シリコーン樹脂を用いることで、耐熱性や耐ＵＶ性に強いプリント基板となる。このプリント基板を用いて製造された光学半導体装置も耐熱性や耐ＵＶ性に優れたものとなる。
【００３５】
また、フルダイシング工程において、ハーフダイシング工程で用いられるダイシングブレード幅と異なる幅のダイシングブレードを用いることが好ましい。これにより、ハーフダイシング工程やフルダイシング工程にて位置ズレが発生した場合においても完全に光学半導体装置を個片化することが可能となる。この際、集合基板の小型化やＰＮ間の絶縁性確保からフルダイシング工程にてハーフダイシング工程でも用いるダイシングブレードよりも幅の狭いダイシングブレードを用いることが望ましい。
【００３６】
上述の製造方法にて製造される光学半導体装置には、ハーフダイシングによるダイシング溝部が存在する。この溝部に外部基板との接着材（はんだ）が入り込むことで、光学半導体装置と外部基板の接着性を飛躍的に向上することが可能となる。
【００３７】
更に、通電検査工程において、光学半導体素子毎に対応するように光学特性検出用の光学レンズを配置し、光学特性情報を得ることが好ましい。例えば、光学特性を検出する光学レンズを複数個用意し、光学半導体素子集合基板の配置ピッチと形状に合わせた光学レンズ群を使用することができる。この光学レンズ群を用いることによって、複数の光学半導体素子から発生する光学特性情報を一度に検出することが可能となる。また、この光学レンズの先端は光学半導体素子を包み込むキャビティ形状となっていることが望ましい。これは、このキャビティ形状内に個々の光学半導体素子を配置することによって他の光学半導体素子から発生する光の影響を遮断し、測定することが可能となるからである。
【００３８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１（Ａ）は金属フレーム１（金属リードフレームとも言う）を用いた光学半導体装置の断面図であり、図１（Ｂ）はプリント基板２を用いた光学半導体装置の断面図である。なお、図１ではフェイスアップ型光学半導体素子を用いた例を示しているが、本発明の光学半導体装置の製造方法は、基板のパットやパット接合部の配置方法を変更することでフリップチップ型や垂直型の光学半導体素子にも対応可能である。また、パットが２個の場合や、３個の場合の光学半導体装置であってもパット接合部の配置を調整することで対応可能である。
【００３９】
図１（Ａ）において、チップタイプの光学半導体装置３の一例を示す。通電部５，５’（電極、外部端子）を有する基板４は、金属フレーム１にシリコーン樹脂を主体とした組成物をトランスファー成型することによって成形物８を成型することで製造することができ、電極５は基板４の両面にわたって形成された一対の電極であり、基板４の下面側の電極５は外部接続端子５’となる。また、光学半導体素子６は、青色やＵＶの光学半導体素子とすることができ、基板４上に搭載されて各電極５との間にＡｕ−Ａｌ等のボンディングワイヤ７で配線されている。なお、光学半導体素子がフリップチップ型の場合は金バンプによる配線とすることができる。成型物（リフレクター）８は、トランスファー成型により成型されるものであり、光学半導体素子６を囲っている。封止樹脂（シリコーン樹脂）９は光学半導体装置３の成型物（リフレクター）８によるキャビティ部内を封止するものである。封止樹脂９には蛍光体を含むことができる。溝部１０はハーフダイシングによって形成された溝である。なお、図１（Ｂ）のプリント基板２を用いた場合の光学半導体装置も同様の構成となり、プリント基板２の上面と下面はビア１１によって電気的に接続されたものとすることができる。なお、通電部を有する基板４として、金属フレーム１に樹脂をトランスファー成形した基板を用いる場合は、金属フレーム１が通電部となり、プリント基板２に樹脂をトランスファー成型した基板を用いる場合は、プリント基板２上に印刷等で形成された金属被覆層等が通電部となる。
【００４０】
図２は光学半導体素子集合基板１２の一例を概略正面図で示したものである。光学半導体装置３は、図２に示すＭＡＰ（Ｍａｔｒｉｘ  ａｒｒａｙ  ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる光学半導体素子集合基板１２をフルダイシングすることによって製造される。なお、光学半導体素子集合基板１２は通電部を有する基板上に複数の光学半導体素子を実装することで得ることができる。通電部を有する基板４は、複数の光学半導体素子６を搭載できる金属フレーム１に対しトランスファー成型により成型物８を樹脂成型することで得られる。成型物８は、シリコーン樹脂組成物から構成されており、反射率向上を目的として金属酸化物が含まれていることが望ましい。
【００４１】
図３に示す通り、光学半導体素子集合基板１２において基板４の通電部の一部をハーフダイシングにより切断することで、光学半導体素子集合基板１２内にて通電検査用の電子回路を作製する。そして予め光学半導体素子集合基板１２に備えておいた通電検査用電源プローブを接続する接続面１５を介して電源と繋ぐことで、通電検査用の電子回路に電流を印加し、光学半導体素子６の光学特性を光学半導体素子集合基板１２に搭載された状態で検査することができる。この通電検査の際、光学特性として、特に点灯の有無、光束値、色度、色温度、波長スペクトル、演色性等を確認し、その後選別工程を実施する。
【００４２】
ここで、図４を用いて光学半導体素子集合基板１２内にて通電検査用の電子回路１３’を作製する方法について説明する。図４は、３×３に光学半導体素子６が配列された光学半導体素子集合基板１２の通電部１３と光学半導体素子６を例示的に示した図である。図４Ａはハーフダイシング前の光学半導体素子集合基板１２である。図４Ｂ〜Ｄは、ハーフダイシングライン１４の位置と長さの違いにより、光学半導体素子３つの直列電子回路１３’を３列（Ｂ）、光学半導体素子３つの並列電子回路１３’を３列（Ｃ）、光学半導体素子３つの直列電子回路を３つ並列させた電子回路１３’を１つ（Ｄ）を光学半導体素子集合基板１２に作製することが可能という例を示している。この通電検査用の電子回路１３’にＤＣ電源を用いて、電源プローブを接続する接続面１５から電流を印加することで、光学半導体素子６毎の光学特性情報を得ることができる。
【００４３】
また、ハーフダイシングされた状態では、光学半導体装置３は基板の樹脂成型部にて接続されており、光学半導体素子集合基板１２のままである。その後、フルダイシング工程にて光学半導体装置３を完全に個片化する。この際、ハーフダインシング工程で用いたダインシングブレード幅と幅の異なるダイシングブレードをフルダイシング工程にて用いることで、フルダイシング工程やハーフダイシング工程にて位置ズレが発生した場合でも完全に個片化することができる。
【００４４】
図５に本発明により製造された光学半導体装置３と外部基板１９との接着状況を示す。光学半導体装置３にはハーフダイシングによる溝１０が存在しており、その溝内にハンダに代表される導電性の接着剤１７が配置されることになる。この溝１０内に接着材１７が配置されることによって光学半導体装置３と外部基板１９の接着強度を向上させることができる。
【００４５】
図６に本発明に用いる通電検査方法とその光学特性検出装置２０を示す。図６ではハーフダイシングされた光学半導体素子集合基板１２の光学半導体素子６の配置ピッチに合わせた光学特性検出用の光学レンズ群１８を用いている。この光学レンズ群１８を用いることで、一度に複数個の光学半導体素子を選別する事が可能となり、選別工数の低減につながる。
【００４６】
図７に金属フレーム１に樹脂をトランスファー成形した基板４を用いた光学半導体装置３の製造の流れを示し、図８にプリント基板２に樹脂をトランスファー成型した基板４を用いた光学半導体装置３の製造の流れを示した。
【００４７】
まず初めに図２に示す光学半導体素子集合基板１２を作製する。光学半導体素子集合基板１２は通電部を有する基板４に光学半導体素子を実装し、例えば蛍光体を含むシリコーン樹脂により封止することで得られる。図７Ａ，図８Ａに示すように、通電部を有する基板４を作製するために、金属フレーム１やプリント基板２にＡｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｎｉなどの電解メッキを施したものを準備する。次に、図７Ｂ，図８Ｂに示すように、金属フレーム１に樹脂をトランスファー成形し、又はプリント基板２に樹脂をトランスファー成型して通電部を有する基板４を作製する。この際に、前記金属フレーム１やプリント基板２に金属酸化物を含む成型樹脂をトランスファー成型することが好ましい。また、金属フレーム１を用いる際は、金属フレーム１の一部は溝が形成されており、特にフルダイシング工程やハーフダイシングを実施するダイシングライン上はダイシングバリやチッピングによる樹脂の欠けを防止するために溝を形成しておくことが望ましい。また、プリント基板２は耐熱性や耐久性を考慮してシリコーン樹脂やエポキシ樹脂をガラス繊維材１６に含浸させたものを使用する事が望ましい（図１Ｂ参照）。
【００４８】
また、後述のハーフダイシング工程による電子回路作製のために目的に合ったパット接合部を配置しておくことが好ましい。また、成型樹脂にシリコーン樹脂組成物を用いることで、光学半導体装置の耐熱性や耐ＵＶ性を向上させることができる。さらに、成型樹脂にエポキシ樹脂組成物を用いた場合には、光学半導体装置の強度を向上させることが可能となる。なお、前記金属酸化物は反射材、強化材、放熱材として添加されている。
【００４９】
図７Ｃ，８Ｃに、通電部を有する基板４上に複数の光学半導体素子６を実装して光学半導体素子集合基板１２を得る実装工程を示す。実装にはＡｕ−Ｓｎ、ハンダ、導電性ペースト、樹脂接着剤、金バンプを用いることができ、実装の前に前記基板と光学半導体との接着強度を向上させるための基板にプラズマ処理や、ＵＶオゾン処理を実施しておくことが望ましい。基板に光学半導体素子を実装後、必要に応じてＡｕワイヤーによるワイヤーボンディングを実施する。
【００５０】
その後、図７Ｄ，８Ｄに示す通り、蛍光体を含む樹脂等を用いて光学半導体素子６を樹脂封止する。この際、耐熱性や耐久性の向上の目的で封止樹脂９にはシリコーン樹脂を用いることが望ましく、シリコーン樹脂内には蛍光体と添加物が含まれていることが好ましい。この場合、添加物とは、特に制限されないが、シリカ等の粘度調整や光散乱を目的とした材料である。また、樹脂封止の前に封止樹脂９と成型体８の接着強度を向上させるため、基板４にプラズマ処理や、ＵＶオゾン処理を実施しておくことが望ましい。樹脂封止後、光学半導体素子集合基板１２が完成する。
【００５１】
光学半導体素子集合基板１２は、光学半導体素子６と成型物８が存在する側が表面であり、光学半導体装置を外部の基板（ここでは示していない）に接続する外部接続端子５’側が裏面となっている（図１参照）。まず、図７Ｅ，８Ｅに示す通り、ハーフダイシング工程では、光学半導体素子集合基板１２を裏面をハーフダイシングすることにより、通電部の一部を切断して（ハーフダイシング個所２１）、光学半導体素子集合基板内に通電検査用の電子回路を作製する。この際、ハーフダイシングブレードの幅は０．４〜０．５ｍｍが望ましい。ハーフダイシングを実施することで、光学半導体素子集合基板１２はその形状を保ったまま通電検査用の電子回路を構成することができる。なお、目的の電子回路を作製するため、基板内のパット接合部の配置を事前に確認しておくことが好ましい。本実施形態では、光学半導体装置３が直列に配列される様にパット接合部を配置した。
【００５２】
その後、図７Ｆ，８Ｆに示すように、通電検査工程では通電検査用の電子回路に対し、通電検査をして光学半導体素子毎の光学特性情報を得て、その後、選別工程では該光学特性情報を用いて光学半導体素子の選別をする。例えば、ハーフダイシング工程により作製した電子回路に光学半導体素子集合基板１２に設けておいた通電検査用電源プローブを接続する接続面１５を用いて電流を印加し、通電検査により光学特性情報を得ることができる。通電検査には点灯の有無だけでなく、積分球や輝度測定装置を用いた光束値、色度、色温度、波長スペクトル、演色性等の確認をし、光学半導体素子集合基板１２に実装されたまま光学半導体装置の選別を行う。また、光学特性情報は製品の選別だけでなく製造上の不具合点や蛍光体濃度のバラツキを確認することにも使用でき、工程内チェックによる品質向上にもつながる。
【００５３】
通電検査後、図７Ｇ，８Ｇに示す通り、フルダイシング工程では、ハーフダイシング工程による切断線上をフルダイシングすることにより、光学半導体素子集合基板を個々の光学半導体装置に分割し、光学特性情報で選別された複数の光学半導体装置を得ることができる。例えば、光学半導体素子集合基板１２の表面からフルダイシングを行い、完全に個片化することで光学半導体装置３が完成する。このフルダイシング工程の際、個片化のためにハーフダイシング工程で作製したダイシングラインとフルダイシングによるダイシングラインを合致させることが好ましく、フルダイシング工程に使用されるダイシングブレード幅はハーフダイシング工程のダイシングブレード幅と異なる事が望ましい。特に集合基板の小型化やＰＮ間の絶縁性確保の目的からフルダイシングブレード幅の方がハーフダイシングブレード幅よりも狭い方が望ましい。
【００５４】
例えば、通電検査工程と、選別工程でどの位置の光学半導体素子がどのような光学特性情報を有するかを記録しておけば、フルダイシング工程後すぐに半導体装置を分類することができる。
【００５５】
通電検査には、ハーフダイシングされた光学半導体素子集合基板に配置される光学半導体素子の配置ピッチに合わせた光学特性検出光学レンズ群１８を用いることができる。この光学レンズ群としてはＣＣＤカメラに代表される輝度測定用の光学プローブを用いることが望ましい。また、図９に示すように、この光学プローブは光ファイバー２４等を介して分光器（光学特性検出装置２０）に繋がっており、個々の半導体装置に対応する光学レンズからの光学特性情報を処理することが可能となる。また、光学レンズの先端は光学レンズ２２を囲ったキャビティ構造２３になっている。このキャビティ２３で光学半導体素子を覆うことで、個々の光学半導体素子から発する光を漏らすことなく、光学特性情報を測定することが可能となる。これにより、他の光学半導体素子群と干渉することなく選別を実施することが可能となる。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５７】
〔実施例１〕
厚み０．２５ｍｍのＣｕベースの基材（三菱伸銅製Ｔａｍａｃ１９４）を用いて、エッチング工程を通じてパットとパット間を繋ぐ接続部を形成させ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキを施した金属リードフレームを作製。この基板を用いて基台表面をプラズマ処理５０Ｗ／６０秒にて表面処理を実施し、その処理面に対してトランスファー成型機によりシリコーン組成物の樹脂成型を実施し、通電部を有する基板を作製した。
【００５８】
前記成型にて形成した凹部（リフレクター）内にシリコーン系ダイボンド材（信越化学製：商品名６３２ＤＡ−１）をスタンピング塗布し、青色ＬＥＤチップ（Ｃｒｅｅ製ＴＲ３５０Ｍシリーズ）を搭載、１５０℃、４時間にて硬化。その後、３０μｍの金ワイヤーにてワイヤーボンドを実施した。
【００５９】
その後、黄色蛍光体とシリコーン樹脂（信越化学製：商品名ＫＪＲ−９０２２）を混練したインナー材を武蔵エンジニアリング製ディスペンサーにて塗布後、１５０℃／４時間にて熱硬化させ、光学半導体素子集合基板を作製した。その後、作製した集合基板の裏面をダイシングブレード厚０．４ｍｍのハーフダイシング工程を実施し、通電部を切断し、集合基板に、光学半導体素子２０個の直列電子回路を１０列並列させた電子回路を作製した。集合基板の外周部に設けた通電プローブを接続する接続面を用いて５０ｍＡを印加し、積分球による通電検査を実施し光学特性情報を得た。その後、ダイシングブレード０．２ｍｍのフルダインシング工程にて集合基板を個片化し、光学特性情報で選別された２００個の光学半導体装置を得ることができた。個片化した後の光学半導体装置に対する選別は必要なく、一度に複数個の光学特性情報を得られるため、工程が簡素化し、生産効率が向上した。また生産コストの低減にもつながった。
【００６０】
〔実施例２〕
金属酸化物としてアルミナ（アドマテックス製：商品名ＡＯ−５０２）を含む付加硬化型フェニル基変性シリコーン組成物（信越化学工業製）をガラス繊維に含浸させた１枚当り７０μｍのシートを３層積層して、これをベースとし、その上面と下面に７５μｍの銅層とその表面にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕのメッキを施した金属被覆層を形成した。その後、エッチング工程にて接続領域を形成させて通電部を有するプリント基板を作製した。その後、実施例１と同様のトランスファー成型工程、ハーフダイシング工程、通電検査工程、選別工程、フルダイシング工程を通じて、光学半導体装置を得た。個片化した後の光学半導体装置の選別工程がなく、一度に複数個の光学特性情報を得られるため、工程が簡素化し、生産効率が向上した。また、生産コストの低減にもつながった。
【００６１】
〔実施例３〕
実施例１に示す製造方法と同様にして、垂直型光学半導体（バーティカルタイプ）とフリップチップ型光学半導体素子を用いた光学半導体装置を製造した。その結果、実施例１と同様に工程が簡素化し、生産効率が向上した。
【００６２】
〔実施例４〕
実施例１にて作製した光学半導体装置とＦＲ−４（外部基板）とをはんだを用いて接着させた。その後、光学半導体装置とＦＲ−４（外部基板）との接着状況について熱衝撃試験（エスペック製ＴＳＥ−１１−Ａ）を行い、−４０℃〜１５０℃で、５００サイクル、１，０００サイクル行った場合の通電状況を調査した。その結果を表１に示す。表１に示されるように、不灯の発生もなく、光学半導体装置は外部基板と良好な接着状況を保っていることが分かった。
【００６３】
【表１】
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【００６４】
〔比較例１〕
次に、光学半導体素子集合基板を実施例１と同様に作製し、ハーフダイシング工程、通電検査工程、選別工程を行わず、フルダイシング工程のみを行って光学半導体装置を作製した。その後、個片化した後の光学半導体装置を接着剤を介して基板上に配列させ、通電検査を行い、その光学特性情報に基づいて選別した。このような光半導体装置の製造方法では、工程が複雑で、生産効率が実施例１に比較して約２０％低下した。また生産コストも増大した。
【００６５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６６】
１…金属フレーム、  ２…プリント基板、  ３…光学半導体装置、  ４…基板、  ５…電極、  ５’…外部接続端子、  ６…  光学半導体素子、  ７…ボンディングワイヤ、  ８…成型物、  ９…封止樹脂、  １０…ハーフダイシングによる溝、  １１…ビア、  １２…光学半導体素子集合基板、  １３…通電部、  １３’…電子回路、  １４…ハーフダイシングライン、  １５…接続面、  １６…ガラス繊維材、  １７…接着剤、  １８…光学レンズ群、  １９…外部基板、  ２０…光学特性検出装置、  ２１…ハーフダイシング個所、  ２２…光学レンズ、  ２３…キャビティ構造、  ２４…光ファイバー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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