(57)【要約】【課題】高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を実現する事。【解決手段】有機ＥＬ装置１１は、第一サブピクセルと第二サブピクセルとを備える。第一サブピクセルには、第一隔壁５８と第二隔壁５９とからなる二層隔壁で囲まれた第一開口部が形成され、第一開口部には第一発光層と第二発光層とが積層されている。第二サブピクセルには、第二隔壁５９からなる一層隔壁で囲まれた第二開口部が形成され、第二開口部には第二発光層が形成されている。第一隔壁５８は導電性を有する。こうする事で、各サブピクセル４２で面積利用効率を良くして発光層６３を発光させる事ができ、更に、第一サブピクセル内での発光の均一性が向上する。この結果、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置１１を実現する事ができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一サブピクセルと第二サブピクセルとを備え、
前記第一サブピクセルと前記第二サブピクセルとは、それぞれ第一電極を有し、
前記第一サブピクセルには、前記第一サブピクセルの第一電極に平面視にて部分的に重なる第一隔壁と、前記第一隔壁に平面視にて部分的に重なる第二隔壁と、からなる二層隔壁で囲まれた第一開口部が形成され、前記第一開口部には第一発光層と第二発光層とが積層され、
前記第二サブピクセルには、前記第二隔壁からなる一層隔壁で囲まれた第二開口部が形成され、前記第二開口部には第二発光層が形成されている事を特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記第一隔壁は導電性であり、前記第二隔壁は絶縁性である事を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記第一隔壁は親液性であり、前記第二隔壁は撥液性である事を特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記第二サブピクセルの第一電極と前記第二隔壁とが平面視にて離間している事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記第一サブピクセルと前記第二サブピクセルとは、それぞれ薄膜回路領域を有し、
前記第一開口部は、前記第一サブピクセルの薄膜回路領域と平面視にて離間しており、
前記第二開口部は、前記第二サブピクセルの薄膜回路領域と平面視にて部分的に重なっている事を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記第一発光層は赤色又は緑色の発光をし、
前記第二発光層は青色の発光をする事を特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えた事を特徴とする電子機器。
【請求項８】
第一サブピクセルと第二サブピクセルとを少なくとも備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第一サブピクセルとなる領域と前記第二サブピクセルとなる領域とに、それぞれ第一電極を形成する工程と、
前記第一サブピクセルとなる領域の第一電極に平面視にて部分的に重なる様に、第一隔壁を形成する工程と、
前記第一隔壁に平面視にて部分的に重なり、前記第一サブピクセルとなる領域に第一開口部を形成すると共に、前記第二サブピクセルとなる領域に第二開口部を形成する様に、第二隔壁を形成する工程と、
前記第一開口部に第一発光層を塗布法で形成する工程と、
前記第一開口部と前記第二開口部とに第二発光層を蒸着法で形成する工程と、を含む事を特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第一隔壁は導電性材料で形成され、前記第二隔壁は絶縁性材料で形成される事を特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第一隔壁は親液性材料で形成され、前記第二隔壁は撥液性材料で形成される事を特徴とする請求項８又は９に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第二サブピクセルの第一電極と前記第二隔壁とが平面視にて離間する様に、前記第二隔壁を形成する事を特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第一サブピクセルなる領域と前記第二サブピクセルとなる領域とに、それぞれ薄膜回路領域を設ける工程と、
前記第一開口部と前記第一サブピクセルなる領域の薄膜回路領域とが平面視にて離間し、前記第二開口部と前記第二サブピクセルなる領域の薄膜回路領域とが平面視にて部分的に重なる様に前記第二隔壁を形成する事を特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第一発光層は赤色又は緑色の発光をし、
前記第二発光層は青色の発光をする事を特徴とする請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記塗布法はインクジェット方式を用いる事を特徴とする請求項８乃至１３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項８乃至１４のいずれか一項に記載の製造方法にて製造された有機ＥＬ装置を備えた事を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置と有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）パネルは、陽極と陰極との間に発光機能層を挟持した構造をなしている。発光機能層としては、例えば、陽極側から順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層された構成が挙げられる。そして、陽極と陰極との間に電圧を印加する事によって、正孔輸送層から正孔が、電子輸送層から電子が発光層に注入され、これらが再結合する事で発光が行われる。
【０００３】
こうした有機ＥＬ装置の製造方法には、パターニング性が高く、大面積化が容易であり、しかも材料の使用効率が高い塗布法が用いられる。塗布法としては、例えばインクジェット法が用いられる。インクジェット法では、発光材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドから所定の膜形成領域（サブピクセル）に吐出し、吐出されたインク組成物を乾燥することで発光層を形成している。ところが、塗布法における赤色の発光層（赤色発光層）と緑色の発光層（緑色発光層）とは、発光寿命特性などの点において、実用レベルに達しているものの、青色の発光層（青色発光層）は実用レベルに到達したとは言い難い状況にある。一方、蒸着法における青色発光層は、実用レベルに到達しつつある。
【０００４】
そこで、従来は、特許文献１及び２に記載されている様に、赤色発光層と緑色発光層は塗布法で形成し、青色発光層は赤色発光層と緑色発光層とを含む全面に蒸着法で形成していた。具体的には、下部隔壁と上部隔壁とから成る隔壁にて各サブピクセルを区画し、赤色発光するサブピクセル（赤色サブピクセル）と緑色発光するサブピクセル（緑色サブピクセル）では、陽極上に正孔注入層と正孔輸送層と赤色発光層若しくは緑色発光層をインクジェット法で形成し、更に、赤色発光層又は緑色発光層の上に青色発光層を蒸着法で積層していた。一方、青色発光するサブピクセル（青色サブピクセル）では、陽極上に正孔注入層と正孔輸送層とをインクジェット法で形成し、正孔輸送層上に青色発光層を蒸着法で形成していた。この際に、下部隔壁は酸化硅素膜で形成し、上部隔壁は樹脂で形成していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１１９２１２号公報
【特許文献２】特開２０１１−１０８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の有機ＥＬ装置では、サブピクセル内での発光の均一性が悪いという課題と、サブピクセル内の発光領域が有効に活用されていないという課題と、があった。即ち、赤色サブピクセルや緑色サブピクセルにおいては、下部隔壁が親液性である為に下部隔壁の近傍で赤色発光層や緑色発光層が、下部隔壁から離れたサブピクセルの中央部と比較して、厚くなっていた。その結果、サブピクセルの中央部から周辺部（下部隔壁近傍）に向かって発光強度が弱くなり、サブピクセル内で均一に発光されていなかった。又、陽極の外周を下部隔壁が覆っているので、発光領域は、下部隔壁に覆われていない陽極の一部に限られていた。この様に、従来の有機ＥＬ装置では、発光領域がサブピクセルの中央部に偏在し、それ故に、均一性が悪く、中央部が強く発光させられるので発光材料の寿命も短くなっていた。換言すると、従来は、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を製造する事が困難であるという課題が有った。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。尚、以下の形態又は適用例において、「上」とは、基板から見て有機ＥＬ素子が配置された方向を示し、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、を表すものとする。
【０００８】
（適用例１）  本適用例に係わる有機ＥＬ装置は、第一サブピクセルと第二サブピクセルとを備え、第一サブピクセルと第二サブピクセルとは、それぞれ第一電極を有し、第一サブピクセルには、第一サブピクセルの第一電極に平面視にて部分的に重なる第一隔壁と、第一隔壁に平面視にて部分的に重なる第二隔壁と、からなる二層隔壁で囲まれた第一開口部が形成され、第一開口部には第一発光層と第二発光層とが積層され、第二サブピクセルには、第二隔壁からなる一層隔壁で囲まれた第二開口部が形成され、第二開口部には第二発光層が形成されている事を特徴とする。
この構成によれば、第二サブピクセルでは第一隔壁が存在しないので、第一電極の広い範囲を発光領域とする事ができる。即ち、第二サブピクセルにおいて、面積利用効率を良くして第二発光層を発光させる事ができる。
【０００９】
（適用例２）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、第一隔壁は導電性であり、第二隔壁は絶縁性である事が好ましい。
この構成によれば、第二隔壁が絶縁性であるので、サブピクセル間の第一電極を電気的に確実に絶縁でき、サブピクセル毎に独立に、発光状態や、発光又は非発光、を制御できる。更に、第一隔壁が存在する第一サブピクセルにおいても、第一隔壁が第一電極の一部を代用するので、第一電極の広い範囲を発光領域とする事ができる。即ち、第一サブピクセルにおいて、面積利用効率を良くして第一発光層を発光させる事ができる。又、第一隔壁の近傍で第一発光層が厚みを増しても、導電性の第一隔壁の厚み分だけ第一電極から第二電極までの距離が減ぜられるので、第一発光層は第一隔壁の近傍でも比較的強く発光する事ができる。これにより、第一サブピクセル内での発光の均一性を向上させる事ができる。こうして、強く発光する領域がサブピクセルの中央部に偏在する事もなく、発光領域全般で均一に発光させられるので、発光材料の寿命も長く保たれる。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を実現する事ができる。
【００１０】
（適用例３）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、第一隔壁は親液性であり、第二隔壁は撥液性である事が好ましい。
この構成によれば、下層に位置する第一隔壁が親液性であるので、第一開口部の全域に第一発光層を塗布法にてほぼ均一に形成できる。又、第二隔壁が撥液性であるので、第一発光層を塗布法で形成する際に、確実に第一サブピクセル内に第一発光層を形成する事ができる。
【００１１】
（適用例４）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、第二サブピクセルの第一電極と第二隔壁とが平面視にて離間している事が好ましい。
この構成によれば、第二サブピクセルの第一電極の全域を発光領域として利用する事ができる。
【００１２】
（適用例５）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、第一サブピクセルと第二サブピクセルとは、それぞれ薄膜回路領域を有し、第一開口部は、第一サブピクセルの薄膜回路領域と平面視にて離間しており、第二開口部は、第二サブピクセルの薄膜回路領域と平面視にて部分的に重なっている事が好ましい。
薄膜回路領域は薄膜素子や配線が形成されている為に凹凸面をなしている。この構成によれば、第一サブピクセルにおいては、凹凸面をなす薄膜回路領域以外の平坦部を発光領域とするので、塗布法で第一発光層を形成しても、第一発光層の厚みを発光領域に渡って均一とする事ができる。従って、発光領域で均一に第一発光層から発光させる事ができる。一方、第二発光層が蒸着法で形成される場合、凹凸面も平坦部も均一の厚みで第二発光層は形成される。従って、第二サブピクセルにおいては、凹凸面をなす薄膜回路領域を含めた広い第一電極を発光領域とするので、面積利用効率を高くして第二発光層から発光させる事ができる。
【００１３】
（適用例６）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、第一発光層は赤色又は緑色の発光をし、第二発光層は青色の発光をする事が好ましい。
この構成によれば、インク組成物が実用レベルに達している赤色と緑色のサブピクセルには塗布法を適応し、インク組成物が実用レベルに達していない青色のサブピクセルには蒸着法を適応して、各サブピクセルから発光する光の色純度を高くするとともに、実用性に富んだ有機ＥＬ装置を提供する事ができる。
【００１４】
（適用例７）  本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に係わる有機ＥＬ装置を備えた事を特徴とする。
この構成によれば、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を備えた電子機器を実現する事ができる。
【００１５】
（適用例８）  本適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法は、第一サブピクセルと第二サブピクセルとを少なくとも備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、第一サブピクセルとなる領域と第二サブピクセルとなる領域とに、それぞれ第一電極を形成する工程と、第一サブピクセルとなる領域の第一電極に平面視にて部分的に重なる様に、第一隔壁を形成する工程と、第一隔壁に平面視にて部分的に重なり、第一サブピクセルとなる領域に第一開口部を形成すると共に、第二サブピクセルとなる領域に第二開口部を形成する様に、第二隔壁を形成する工程と、第一開口部に第一発光層を塗布法で形成する工程と、第一開口部と第二開口部とに第二発光層を蒸着法で形成する工程と、を含む事を特徴とする。
この方法によれば、第二サブピクセルでは第一隔壁が存在しないので、第一電極の広い範囲を発光領域とする事ができる。即ち、第二サブピクセルにおいて、面積利用効率を良くして第二発光層を発光させる事ができる。
【００１６】
（適用例９）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、第一隔壁は導電性材料で形成され、第二隔壁は絶縁性材料で形成される事が好ましい。
この方法によれば、第二隔壁が絶縁性であるので、サブピクセル間の第一電極を電気的に確実に絶縁でき、サブピクセル毎に独立に、発光状態や、発光又は非発光、を制御できる。更に、第一隔壁が存在する第一サブピクセルにおいても、第一隔壁が第一電極の一部を代用するので、第一電極の広い範囲を発光領域とする事ができる。即ち、第一サブピクセルにおいて、面積利用効率を良くして第一発光層を発光させる事ができる。又、第一隔壁の近傍で第一発光層が厚みを増しても、導電性の第一隔壁の厚み分だけ第一電極から第二電極までの距離が減ぜられるので、第一発光層は第一隔壁の近傍でも比較的強く発光する事ができる。これにより、第一サブピクセル内での発光の均一性を向上させる事ができる。こうして、強く発光する領域がサブピクセルの中央部に偏在する事もなく、発光領域全般で均一に発光させられるので、発光材料の寿命も長く保たれる。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を実現する事ができる。
【００１７】
（適用例１０）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、第一隔壁は親液性材料で形成され、第二隔壁は撥液性材料で形成される事が好ましい。
この方法によれば、下層に位置する第一隔壁が親液性であるので、第一開口部の全域に第一発光層を塗布法にてほぼ均一に形成できる。又、第二隔壁が撥液性であるので、第一発光層を塗布法で形成する際に、確実に第一サブピクセル内に第一発光層を形成する事ができる。
【００１８】
（適用例１１）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、第二サブピクセルの第一電極と第二隔壁とが平面視にて離間する様に、第二隔壁を形成する事が好ましい。
この方法によれば、第二サブピクセルの第一電極の全域を発光領域として利用する事ができる。
【００１９】
（適用例１２）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、第一サブピクセルなる領域と第二サブピクセルとなる領域とに、それぞれ薄膜回路領域を設ける工程と、
第一開口部と第一サブピクセルなる領域の薄膜回路領域とが平面視にて離間し、第二開口部と第二サブピクセルなる領域の薄膜回路領域とが平面視にて部分的に重なる様に第二隔壁を形成する事が好ましい。
薄膜回路領域は薄膜素子や配線が形成されている為に凹凸面をなしている。この方法によれば、第一サブピクセルにおいては、凹凸面をなす薄膜回路領域以外の平坦部を発光領域とするので、塗布法で第一発光層を形成しても、第一発光層の厚みを発光領域に渡って均一とする事ができる。従って、発光領域で均一に第一発光層から発光させる事ができる。一方、第二発光層が蒸着法で形成される場合、凹凸面も平坦部も均一の厚みで第二発光層は形成される。従って、第二サブピクセルにおいては、凹凸面をなす薄膜回路領域を含めた広い第一電極を発光領域とするので、面積利用効率を高くして第二発光層から発光させる事ができる。
【００２０】
（適用例１３）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、第一発光層は赤色又は緑色の発光をし、第二発光層は青色の発光をする事が好ましい。
この方法によれば、インク組成物が実用レベルに達している赤色と緑色のサブピクセルには塗布法を適応し、インク組成物が実用レベルに達していない青色のサブピクセルには蒸着法を適応して、各サブピクセルから発光する光の色純度を高くするとともに、実用性に富んだ有機ＥＬ装置を製造する事ができる。
【００２１】
（適用例１４）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、塗布法はインクジェット方式を用いる事が好ましい。
この方法によれば、高解像度化と大面積化、及び材料の高使用効率化を進める事ができる。
【００２２】
（適用例１５）  本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に記載の製造方法にて製造された有機ＥＬ装置を備えた事を特徴とする。
この方法によれば、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を備えた電子機器を実現する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】画素の構造を説明する模式図。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法を示す模式図。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法を示す模式図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法を示す模式図。
【図７】有機ＥＬ装置の製造方法を示す模式図。
【図８】有機ＥＬ装置の製造方法を示す模式図。
【図９】有機ＥＬ装置の製造方法を示す模式図。
【図１０】有機ＥＬ装置の製造方法を示す模式図。
【図１１】有機ＥＬ装置の製造方法を示す模式図。
【図１２】有機ＥＬ装置を備えるテレビを模式的に示す概略斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００２５】
（実施形態１）
「有機ＥＬ装置の構成」
先ず、有機ＥＬ装置１１の構成を、図１と図２とを参照して説明する。図１は本実施形態に係わる有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図１に示す様に、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、が格子状に配線されている。更に、複数の第一電源線１４が信号線１３に並行して配線され、複数の第二電源線１７が走査線１２に並行して配線されている。本実施形態では、第一電源線１４に正電源Ｖｄｄが供給され、第二電源線１７に負電源Ｖｓｓが供給される。信号線１３は信号線駆動回路１５に接続されて、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が一個のサブピクセル４２となる。
【００２６】
一つの画素７１は少なくとも第一サブピクセルと第二サブピクセルとを含み、各サブピクセル４２は異なった色の光を発する。通常は、三個以上のサブピクセル４２から一つの画素７１が構成される。本実施形態では、一つの画素７１は、赤色発光する赤色サブピクセル４２Ｒ（図３参照）と、緑色発光する緑色サブピクセル４２Ｇ（図３参照）と、青色発光する青色サブピクセル４２Ｂ（図３参照）と、からなる。又、本実施形態では、赤色サブピクセル４２Ｒと緑色サブピクセル４２Ｇは、発光層以外は同一構造をなすので、両者とも第一サブピクセルであり、青色サブピクセル４２Ｂは第二サブピクセルである。詳細は後述するが、第一サブピクセルとは発光層形成に塗布法が利用される物であり、第二サブピクセルとは発光層形成に蒸着法が利用される物である。以降、第一サブピクセルと第二サブピクセルとを特に区別する必要がない場合（赤色サブピクセル４２Ｒと、緑色サブピクセル４２Ｇと、青色サブピクセル４２Ｂと、を特に区別する必要がない場合、）単にサブピクセル４２と称する。
【００２７】
各サブピクセル４２には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給される選択トランジスター２１と、この選択トランジスター２１を介して信号線１３から供給される画像信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動トランジスター２３とが設けられている。更に、各サブピクセル４２には、駆動トランジスター２３を介して第一電源線１４に電気的に接続したときに、第一電源線１４から駆動電流が供給される第一電極（本実施形態では陽極２４）と、第二電源線１７（負電源Ｖｓｓ）に接続する第二電極（本実施形態では陰極２５）と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された発光機能層２６とが設けられている。これら陽極２４と陰極２５と発光機能層２６とで発光素子２７が構成される。要するに、有機ＥＬ装置１１は、実表示領域３２ａを備え、実表示領域３２ａには複数の画素７１が行列状に設けられ、各画素７１は少なくとも第一サブピクセルと第二サブピクセルとを含み、各サブピクセル４２は発光素子２７を有している。こうした構成を取ると、走査線１２が駆動されて選択トランジスター２１がオン状態になると、その時の信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、駆動トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動トランジスター２３のチャネルを介して、第一電源線１４から陽極２４に電流が供給され、更に、発光機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。発光機能層２６は、ここを通う電流量に応じた輝度で発光する。尚、本実施形態では、選択トランジスター２１はＮ型の薄膜トランジスターで構成され、駆動トランジスター２３はＰ型の薄膜トランジスターで構成される。
【００２８】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置１１の構成を、図２を参照しながら説明する。図２に示す様に、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる素子基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００２９】
実表示領域３２ａ内には、上述の如く、画素７１が行列状に配列されている。一方、ダミー領域３２ｂには、主として各サブピクセル４２を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿う様に走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿う様に信号線駆動回路１５が配置されている。素子基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００３０】
「画素構造」
図３は、画素の構造を説明する模式図であり、（ａ）は平面図で、（ｂ）はＡ−Ａ’に対応する断面図である。以下、画素７１の構造について、図３を参照しながら説明する。尚、図３は、各構成要素の形状及び位置の関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００３１】
図３に示す様に、有機ＥＬ装置１１は、サブピクセル４２（赤色サブピクセル４２Ｒ、緑色サブピクセル４２Ｇ、青色サブピクセル４２Ｂ）毎に発光素子２７（赤色発光素子２７Ｒ、緑色発光素子２７Ｇ、青色発光素子２７Ｂ）が設けられ、これらの発光素子２７（２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂ）を独立に制御する事で、発光はサブピクセル４２（４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂ）毎に制御される。
【００３２】
有機ＥＬ装置１１は、図３には不図示の素子基板３１（図２参照）と、素子基板３１上に形成された回路素子層４３Ｌと、回路素子層４３Ｌ上に形成された発光素子層４４と、を有する。素子基板３１としては、例えば、透光性を有するガラス基板が用いられる。発光素子層４４にて発光した光（赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂ）は素子基板３１側（図３（ｂ）で下側）に取り出され、有機ＥＬ装置１１は、所謂、ボトムエミッション構造をなしている。
【００３３】
回路素子層４３Ｌには、素子基板３１の上に不図示のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜が形成され、下地保護膜上に選択トランジスター２１や保持容量２２、駆動トランジスター２３などからなる薄膜回路が形成されている。薄膜回路が形成されている領域は薄膜回路領域４３Ｃであり、図３（ａ）に示す様に、サブピクセル毎にそれぞれ形成される。選択トランジスター２１や駆動トランジスター２３といった薄膜トランジスターでは、下地保護膜上に不図示のポリシリコン膜からなる島状の半導体膜が形成され、半導体膜にはソース領域及びドレイン領域が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となっている。
【００３４】
更に、回路素子層４３Ｌには、下地保護膜及び半導体膜を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜（不図示）が形成されている。ゲート絶縁膜上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなる第一金属配線層が形成され、第一金属配線層にて図３（ａ）に示す走査線１２や第二電源線１７、薄膜トランジスターのゲート電極（不図示）など、が形成される。ゲート電極は、半導体膜のチャネル領域に対応する位置に設けられる。
【００３５】
ゲート絶縁膜及び第一金属配線層の上には、透明な第一層間絶縁膜（不図示）が形成されている。第一層間絶縁膜は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）などから構成される。第一層間絶縁膜の上には、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、などからなる第二金属配線層が形成され、第二金属配線層にて信号線１３や第一電源線１４などが形成される。第一層間絶縁膜及び第二金属配線層の上には、透明な第二層間絶縁膜５５が形成されている。第二層間絶縁膜５５は、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などから構成される。
【００３６】
選択トランジスター２１のソース領域は、ゲート絶縁膜及び第一層間絶縁膜を貫通して設けられた第一コンタクトホール（不図示）を介して、第一層間絶縁膜上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。駆動トランジスター２３のソース領域は、第一コンタクトホールを介して、第一層間絶縁膜上に形成された第一電源線１４と電気的に接続されている。一方、駆動トランジスター２３のドレイン領域は、ゲート絶縁膜と第一層間絶縁膜と第二層間絶縁膜５５を貫通して設けられた第二コンタクトホール（不図示）を介して、第二層間絶縁膜５５の上に形成された陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）と電気的に接続されている。この第二コンタクトホールは、陽極２４と薄膜回路領域４３Ｃとが平面視にて重なり合う領域に形成されている。
【００３７】
第一電極（陽極２４）は、サブピクセル４２毎に形成される。陽極２４は透明導電膜からなり、好適例としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の薄膜が利用される。陽極２４の平面形状は、サブピクセル４２の平面形状に合わせられ、略矩形状となっている。陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）の平面視での大きさは、図３（ａ）に示す様に、本実施形態では、赤色サブピクセル４２Ｒと緑色サブピクセル４２Ｇと青色サブピクセル４２Ｂとで、皆同じであるが、発光色に応じてサブピクセル４２毎に陽極２４の大きさを変えても良い。
【００３８】
第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）においては、陽極２４の周囲に第一隔壁５８と第二隔壁５９とからなる二層隔壁が設けられており、二層隔壁で囲まれた内側の領域が第一開口部５９１となっている。第一開口部５９１には第一発光層（赤色発光層６３Ｒ又は緑色発光層６３Ｇ）と第二発光層（青色発光層６３Ｂ）とが積層されている。
【００３９】
第一サブピクセルに形成される第一隔壁５８は、第一サブピクセルの第一電極（陽極２４Ｒや２４Ｇ）に平面視にて部分的に重なる様に形成されている。より詳しくは、第一隔壁５８は、第一電極（陽極２４Ｒや２４Ｇ）のエッジ部を平面視にて覆う様に、同心矩形状に形成されている。同心矩形状とは、第一隔壁５８の外側エッジ５８Ｏの中心と内側エッジ５８Ｉの中心とがほぼ一致し、この中心から外側エッジ５８Ｏ迄の距離と中心から内側エッジ５８Ｉ迄の距離とが異なる二つの四角形で挟まれた形状である。その結果、第一電極（陽極２４Ｒや２４Ｇ）の重心と第一隔壁５８の重心とが大凡一致し、第一電極（陽極２４Ｒや２４Ｇ）の各辺に外側エッジ５８Ｏも内側エッジ５８Ｉもほぼ平行となり、外側エッジ５８Ｏと内側エッジ５８Ｉとの間に第一電極（陽極２４Ｒや２４Ｇ）の平行する辺が位置する様に第一隔壁５８は形成されている。要するに、第一隔壁５８は、陽極２４の周縁部上に乗り上げる様に枠状に形成されている。つまり、陽極２４と枠状の第一隔壁５８とは、平面的に一部が重なる様に配置された構造となっている。
【００４０】
第一隔壁５８は導電性であり、陽極２４の仕事関数に近い、比較的高い仕事関数を持つ金属を用いるのが好ましい。本実施形態では、陽極２４にＩＴＯを用い、ＩＴＯの仕事関数は５．０ｅＶ程度であるので、第一隔壁５８としては、仕事関数の小数点以下を四捨五入して、その値が５ｅＶ程度となる金属を用いるのが好ましい。一例としては、金（Ａｕ、仕事関数５．１ｅＶ）やクロム（Ｃｒ、仕事関数４．５ｅＶ）、銅（Ｃｕ、仕事関数４．６５ｅＶ）、鉄（Ｆｅ、仕事関数４．５ｅＶ）、モリブデン（Ｍｏ、仕事関数４．６ｅＶ）、ニッケル（Ｎｉ、仕事関数５．１５ｅＶ）、タングステン（Ｗ、仕事関数４．６ｅＶ）などが第一隔壁５８に使用され得る。更に、これらの第一隔壁５８は親液性である。尚、第一隔壁５８は第一サブピクセルに形成され、第二サブピクセルには形成されない。
【００４１】
第二隔壁５９は、第一隔壁５８に平面視にて部分的に重なり、サブピクセル４２間を分離して区分する様に形成されている。この結果、第二隔壁５９は、平面視で略格子状に設けられている事になる。より詳しくは、第二隔壁５９は、隣り合うサブピクセル４２の間に、これらを区別する様に形成され、第一サブピクセルにおいては、第一隔壁５８の外側エッジ５８Ｏを平面視にて覆い、第一隔壁５８の内側エッジ５８Ｉを平面視で覆わぬ様に形成される。第二隔壁５９の内側の領域が第一開口部５９１となるので、第一隔壁５８の内側エッジ５８Ｉを含む第一隔壁５８の一部分が、第一開口部５９１に設けられている事になる。更に、第二隔壁５９は、第一開口部５９１が第一サブピクセルの薄膜回路領域４３Ｃと平面視にて離間する様に、形成される。言い換えると、第二隔壁５９が、平面視にて、第一サブピクセルの薄膜回路領域４３Ｃを完全に覆い尽くす様に、第二隔壁５９は形成される。薄膜回路領域４３Ｃには薄膜トランジスターや配線が形成されており、それ故に薄膜回路領域４３Ｃは凹凸な表面（以下、凹凸面と称す）をなしている。第一サブピクセルにおいては、第一発光層が塗布法で形成されるので、発光領域が凹凸面をなしていると、均一な発光が困難となる。これに対して、本実施形態では、発光領域となる第一開口部５９１が薄膜回路領域４３Ｃ以外の平坦部に形成されているので、塗布法で第一発光層を形成しても、第一発光層の厚みを発光領域の全域に渡って均一とでき、発光領域の全域で比較的均一に第一発光層から発光させる事ができる。
【００４２】
第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）においては、第一電極（陽極２４Ｂ）の外側の周囲に第二隔壁５９からなる一層隔壁が設けられており、この一層隔壁で囲まれた内側の領域が第二開口部５９２となっている。第二開口部５９２には第二発光層（青色発光層６３Ｂ）が形成されている。第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）の第一電極（陽極２４Ｂ）と第二隔壁５９とは、平面視にて離間しており、第一電極（陽極２４Ｂ）の平面的な全域が第二開口部５９２に含まれている。これは第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）における第一電極（陽極２４Ｂ）の平面的な全域を発光領域として利用する為である。第一電極（陽極２４Ｂ）は、第二コンタクトホールを形成する関係上、その一部が必ず薄膜回路領域４３Ｃと平面視にて重なり合う。この結果、第二開口部５９２は、第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）の薄膜回路領域４３Ｃと平面視にて部分的に重なる事になる。第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）においては、第二発光層が蒸着法で形成されるので、凹凸面も平坦部も均一の厚みで第二発光層は形成される。従って、第二サブピクセルにおいては、凹凸面をなす薄膜回路領域４３Ｃを含めた第一電極（陽極２４Ｂ）の平面的な全域を発光領域とでき、しかもその全域で均一な発光が実現される。
【００４３】
この様な第二隔壁５９は、撥液性である事が好ましい。第一サブピクセルにおいては、第二隔壁５９の下層に位置する第一隔壁５８が親液性であるので、第一開口部５９１の全域に第一発光層を塗布法にてほぼ均一に形成できる。又、第二隔壁５９が撥液性であるので、第一発光層を塗布法で形成する際に、確実に第一サブピクセル内に第一発光層を形成する事ができるからである。尚、第二隔壁５９が撥液性であると、第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）においては、塗布法で形成される正孔注入層６１Ｂや正孔輸送層６２Ｂが第二隔壁５９の近傍ではじかれて、それらの厚みを減ずる恐れがあるが、本実施形態では、この恐れをなくす様に第二隔壁５９と第一電極（陽極２４Ｂ）とを平面的に離間して形成する。即ち、この離間している部分を正孔注入層６１Ｂや正孔輸送層６２Ｂの厚みが減っている部分とし、第一電極（陽極２４Ｂ）の大半の領域では、正孔注入層６１Ｂや正孔輸送層６２Ｂの厚みが設計通りの正しい値となる様に第二隔壁５９と第一電極（陽極２４Ｂ）との離間距離を定める。
【００４４】
更に、第二隔壁５９は、絶縁性である事が好ましい。第二隔壁５９が絶縁性であると、サブピクセル間（第一サブピクセル間、及び第一サブピクセルと第二サブピクセルとの間）の第一電極を電気的に確実に絶縁でき、サブピクセル毎に独立に、発光状態や、或いは発光又は非発光、を制御できるからである。更に、導電性の第一隔壁５８が存在する第一サブピクセルにおいては、第二隔壁５９がサブピクセル間の電気的絶縁性を確保するので、第一隔壁５８が第一電極の一部を代用できる様になる。これにより、第二隔壁５９で覆われていない第一隔壁５８の一部分（第一隔壁５８の内側エッジ５８Ｉを含む第一隔壁５８の開口部分）と、その内側に位置する第一電極（陽極２４Ｒや２４Ｇ）とが発光領域とされるので、発光領域が広げられる。この結果、第一サブピクセルにおいて、面積利用効率を高くして第一発光層を発光させられる様になる。又、（第一隔壁５８が親液性で第一発光層が塗布法で形成されると）第一隔壁５８の近傍で第一発光層が厚みを増しても、導電性の第一隔壁５８の厚み分だけ第一電極から第二電極までの距離が減ぜられるので、第一発光層は第一隔壁５８の近傍でも比較的強く発光する事ができる。これにより、第一サブピクセル内での発光の均一性が向上される。こうして、発光領域が第一サブピクセルの中央部に偏在する事もなく、第一サブピクセルの発光領域全般で発光させられるので、発光材料の寿命も長く保たれる。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置が実現される事になる。この様な第二隔壁５９として好適例となる材料は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂の様に耐熱性に優れ、且つ耐溶剤性が高い有機材料である。
【００４５】
陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）上に設けられる各種薄膜は、発光素子２７（２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂ）毎に異なっている。具体的には、第一サブピクセルに属する赤色発光素子２７Ｒは、第二隔壁５９によって囲まれた陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒ、正孔輸送層６２Ｒ、第一発光層としての赤色発光層６３Ｒが、塗布法（インクジェット法）によって順に形成されている。又、第一サブピクセルに属する緑色発光素子２７Ｇは、第二隔壁５９によって囲まれた陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｇ、第一発光層としての緑色発光層６３Ｇが、インクジェット法によって順に形成されている。赤色発光層６３Ｒと緑色発光層６３Ｇとの上には、中間層となる正孔ブロッキング層６４が蒸着法により積層されている。第一サブピクセルの正孔ブロッキング層６４の上には青色発光層６３Ｂが形成されている。
【００４６】
第二サブピクセルに属する青色発光素子２７Ｂは、第二隔壁５９によって囲まれた陽極２４Ｂ上に、正孔注入層６１Ｂ、正孔輸送層６２Ｂがインクジェット法によって順に形成されている。更に正孔輸送層６２Ｂ上には、第二隔壁５９上を含めた表示領域３２の全面に中間層となる正孔ブロッキング層６４が蒸着法により積層されている。正孔ブロッキング層６４上には第二発光層としての青色発光層６３Ｂが蒸着法により積層されている。
【００４７】
青色発光層６３Ｂの上には電子輸送層６５が蒸着法により積層されており、更に、電子輸送層６５上には、第二電極（陰極２５）が素子基板３１上の全面に成膜されている。陰極２５上は、例えば、缶封止方式を用いて封止が施されている（図示せず）。具体的には、凹型のガラスや金属製の対向基板の中に乾燥剤が入れられ、エポキシ等の接着剤を介して陰極２５側に貼り付けられている。陽極２４と陰極２５との間に挟持されているのが発光機能層２６であるので、第一サブピクセルの発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｒ又は６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｒ又は６２Ｇ、第一発光層（赤色発光層６３Ｒ又は緑色発光層６３Ｇ）、正孔ブロッキング層６４、青色発光層６３Ｂ、電子輸送層６５、の各層を含んでなる。一方、第二サブピクセルの発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｂ、正孔輸送層６２Ｂ、正孔ブロッキング層６４、第二発光層（青色発光層６３Ｂ）、電子輸送層６５、の各層を含んでなる。尚、発光機能層２６は上述の構成に限られず、例えば、中間層である正孔ブロッキング層６４を省略する事も可能である。
【００４８】
塗布法により形成される正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６１は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３、４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成する事ができる。
【００４９】
塗布法により形成される正孔輸送層６２（６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂ）の構成材料としては、例えば、下記化学式１に示すＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ材料を用いる事ができる。
【００５０】
【化１】
2013197446.tif 000003
【００５１】
発光層６３（６３Ｒ、６３Ｇ、６３Ｂ）は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。発光層６３の構成材料とし、塗布法にて形成する赤色発光層６３Ｒであれば、例えば、下記化学式２に示す材料（Ｐｏｌｙ［｛９、９−ｄｉｈｅｘｙｌ−２、７−ｂｉｓ（１−ｃｙａｎｏｖｉｎｙｌｅｎｅ）ｆｌｕｏｒｅｎｙｌｅｎｅ｝−ａｌｔ−ｃｏ−｛２、５−ｂｉｓ（Ｎ、Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ｝］、ＡＤＳ−１１１ＲＥ）を用いる事ができる。同じく塗布法にて形成する緑色発光層６３Ｇであれば、例えば、下記化学式３に示す材料（Ｐｏｌｙ［｛９、９−ｄｉｏｃｔｙｌ−２、７−ｂｉｓ（２−ｃｙａｎｏｖｉｎｙｌｅｎｅ−ｆｌｕｏｒｅｎｙｌｅｎｅ｝−ａｌｔ−ｃｏ−｛２−ｍｅｔｈｏｘｙ−５−（２−ｅｔｈｙｌ  ｈｅｘｙｌｏｘｙ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ｝］、ＡＤＳ−１０９ＧＥ）を用いる事ができる。又、蒸着法で形成する青色発光層６３Ｂであれば、例えば、下記化学式４に示すホスト材料（２−［９、９−ｄｉ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−ｆｌｕｏｒｅｎ−２−ｙｉ］−９、９−ｄｉ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｆｌｕｏｒｅｎ、ＢＤＡＦ）及び下記化学式５に示すゲスト材料（１、４−ｂｉｓ［２−（３−Ｎ−ｅｔｈｙｌｃａｒｂａｚｏｒｙｌ）ｖｉｎｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ、ＢＣｚＶＢ）を用いる事ができる。
【００５２】
【化２】
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【００５３】
【化３】
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【００５４】
【化４】
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【００５５】
【化５】
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【００５６】
正孔ブロッキング層６４は赤色発光層６３Ｒ及び緑色発光層６３Ｇ内に正孔を留める機能を有する層である。正孔ブロッキング層６４の構成材料としては、例えば、下記化学式６に示されるＢａｌｑを用いる事ができる。
【００５７】
【化６】
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【００５８】
電子輸送層６５は、陰極２５から発光層６３（６３Ｒ、６３Ｇ、６３Ｂ）への電子注入を高める機能を有する層である。電子輸送層６５の構成材料としては、例えば、下記化学式７に示されるＡｌｑ３を用いる事ができる。
【００５９】
【化７】
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【００６０】
陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体とする事ができる。
【００６１】
「有機ＥＬ装置の製造方法」
図４乃至図１１は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は平面図で、（ｂ）はＡ−Ａ’に対応する断面図である。以下、図４から図１１を参照して、有機ＥＬ装置１１の製造方法を説明する。尚、各種配線や電極、トランジスター等を形成する製造工程については、公知の工程を採用する事ができるので、ここではそれらの説明を省略又は簡略し、これ以降の工程について詳しく説明する。又、図面についても同様に、省略又は簡略する。更に、説明を分かり易くする為に、図４乃至図１１の（ａ）の平面図では、薄膜回路領域４３Ｃや第一金属配線層、第二金属配線層、を省略してある。
【００６２】
まず、図４に示す様に、素子基板３１上に、公知の成膜技術やフォトリソグラフィー技術を用いて回路素子層４３Ｌ（詳細は、図３参照）を形成し、第一サブピクセルとなる領域（赤色サブピクセル４２Ｒとなる領域と緑色サブピクセル４２Ｇとなる領域）と第二サブピクセルとなる領域（青色サブピクセル４２Ｂとなる領域）のそれぞれに第一電極を形成する。本実施形態では、第一電極は回路素子層４３Ｌに形成されたＩＴＯからなる陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）である。有機ＥＬ装置１１での画素７１の数は１９２０×１０８０であるので、サブピクセル４２の総数は１９２０×１０８０×３＝６２２万８００となる。次いで、第一サブピクセルとなる領域（赤色サブピクセル４２Ｒとなる領域と緑色サブピクセル４２Ｇとなる領域）に形成された第一電極（陽極２４Ｒや２４Ｇ）のエッジ部を平面視にて覆う様に、第一隔壁５８を同心矩形状に形成する。本実施形態では、第一隔壁５８を厚さ１５０ｎｍのクロム（Ｃｒ）にて形成した。
【００６３】
続いて、図５に示す様に、回路素子層４３Ｌ及び陽極２４上に、第二隔壁５９を形成する。詳しくは、まず、第二隔壁５９の材料を含む溶液を第一隔壁５８上及び陽極２４上に塗布する。第二隔壁５９の材料は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗布された溶液を乾燥させて樹脂層を形成する。その後、この樹脂層をパターニング加工して第二隔壁５９を形成すると共に、サブピクセル４２となる領域に開口部を形成する。具体的には、第一サブピクセルとなる領域では第一開口部５９１が形成され、第二サブピクセルとなる領域では第二開口部５９２が形成される。
【００６４】
次工程で発光機能層２６をインクジェット法などの塗布方式を用いてパターニングするので、第二隔壁５９の表面は撥液性を有している事が望ましく、陽極２４の表面と第一開口部５９１に露出している第一隔壁５８とは親液性を有している事が望ましい。そこで、素子基板３１をアルコールで洗浄し、純水にてリンスした後、素子基板３１に酸素プラズマを照射して陽極２４の表面と第一開口部５９１に露出している第一隔壁５８とを親液性とする。次いで、素子基板３１に四フッ化炭素（ＣＦ4）のプラズマを照射して第二隔壁５９の表面を撥液性とする。第二隔壁５９の表層に撥液性を持たせる方式としては、この他に、フッ素等の撥液成分を予め混入させた樹脂（例えばアクリル樹脂）から成る塗工液を塗布し、この塗工液の乾燥時に撥液成分を樹脂表層に拡散集積させる方法もある。
【００６５】
続いて、図６に示す様に、赤色サブピクセル４２Ｒと緑色サブピクセル４２Ｇ、及び青色サブピクセル４２Ｂの第二隔壁５９によって囲まれた陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）上に、正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）を例えば５０ｎｍの膜厚で形成する。これは、正孔注入層６１の材料を含んだ機能液（インク）を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、大気下で焼成する事で形成する。正孔注入層６１の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いる事ができる。
【００６６】
次に、図７に示す様に、赤色サブピクセル４２Ｒ、緑色サブピクセル４２Ｇ及び青色サブピクセル４２Ｂの正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）上に、正孔輸送層６２（６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂ）を、それぞれ例えば１５ｎｍの膜厚で形成する。これは、正孔輸送層６２の材料を含んだ機能液（インク）を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、低酸素下で焼成する事で形成する。正孔輸送層６２の機能液としては、例えば、化学式１にて上述されるＴＦＢをシクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）に溶解させた物を用いる事ができる。
【００６７】
次に、図８に示す様に、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の陽極２４の上に第一発光層（赤色発光層６３Ｒや緑色発光層６３Ｇ）を塗布法により形成する。即ち、赤色サブピクセル４２Ｒの正孔輸送層６２Ｒの上に赤色発光層６３Ｒを７０ｎｍの膜厚で形成し、緑色サブピクセル４２Ｇの正孔輸送層６２Ｇの上に緑色発光層６３Ｇを６０ｎｍの膜厚で形成する。具体的には、発光材料の機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、低酸素下で焼成させる。発光材料の機能液としては、例えば、上述の化学式２や化学式３にて表される発光材料を溶媒に溶解した物を用いる事ができる。溶媒としては、シクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）などが挙げられる。本実施形態では、ＣＨＢに１．０ｗｔ％の濃度で化学式２や化学式３の発光材料が溶解された機能液を、インクジェット法にて第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の第一開口部５９１に、それぞれ１０ピコリットル／ショットで２０ショット吐出して充填し、その後、素子基板３１を減圧乾燥機に設置し、５Ｐａ以下の真空度で３０分間に渡り乾燥処理した。この様に、第一サブピクセルとは、発光層６３が塗布法で形成されているサブピクセル４２である。
【００６８】
次に、図９に示す様に、第一サブピクセルに第一発光層を塗布法により形成した後に、素子基板３１の表面のほぼ全域に正孔ブロッキング層６４を蒸着法で形成する。即ち、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の第一発光層（赤色発光層６３Ｒや緑色発光層６３Ｇ）の上と、第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）の正孔輸送層６２Ｂの上と、各サブピクセル４２を隔てる第二隔壁５９の上とに、正孔ブロッキング層６４を例えば３ｎｍの膜厚で蒸着法により形成する。正孔ブロッキング層６４としては、上述の化学式６に示されるＢａｌｑを用いる事ができる。尚、本実施形態では、正孔ブロッキング層６４と次の第二発光層（青色発光層６３Ｂ）とをこの順序で蒸着するが、正孔ブロッキング層６４は省く事も可能である。正孔ブロッキング層６４を用いない有機ＥＬ装置１１の場合には、第一発光層の形成に引き続いて第二発光層（青色発光層６３Ｂ）を蒸着する事になる。
【００６９】
次に、図１０に示す様に、素子基板３１の表面のほぼ全域に（第一発光層上と第二サブピクセルの陽極２４Ｂ上とに跨って）第二発光層を蒸着法で形成する。即ち、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の正孔ブロッキング層６４の上と、第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）の正孔ブロッキング層６４の上と、各サブピクセル４２を隔てる第二隔壁５９の正孔ブロッキング層６４の上とに、第二発光層となる青色発光層６３Ｂを、例えば１０ｎｍの膜厚で、蒸着法により形成する。青色発光層６３Ｂとしてはホスト材料（上述の化学式４に示されるＢＤＡＦ）とゲスト材料（上述の化学式５に示されるＢＣｚＶＢ）を例えば体積比１０：１で共蒸着法により形成する事ができる。素子基板３１のほぼ全面に成膜される青色発光層６３Ｂの厚みは５ｎｍから５０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。５ｎｍ未満の厚みでは発光が困難だが、５ｎｍ以上の厚みがあれば、実用的な明るさの発光が可能になる。又、５０ｎｍ以下の厚みであれば、発光させる為の電圧を或る程度低く保つ事が可能になる。この様に、第二サブピクセルとは、発光層形成に塗布法が用いられず、蒸着法が用いられているサブピクセルである。
【００７０】
次に、図１１に示す様に、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の青色発光層６３Ｂの上と、第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）の青色発光層６３Ｂの上と、各サブピクセル４２を隔てる第二隔壁５９の上とに、跨って、電子輸送層６５と第二電極とを形成する。本実施形態では第二電極は陰極２５である。要するに、全てのサブピクセル４２に電子輸送層６５を例えば２０ｎｍの膜厚で蒸着法により形成し、更に、電子輸送層６５上に陰極２５を蒸着法により形成する。電子輸送層６５としては、例えば、上述の化学式７に示すＡｌｑ３を用いる事ができる。陰極２５は、例えば、１ｎｍ厚のフッ化リチウム膜と１５０ｎｍ厚のアルミニウム膜とを、この順に積層して形成される。
【００７１】
その後、例えば、缶封止方式を用いて陰極２５上を封止することにより、有機ＥＬ装置１１が完成する。
【００７２】
「電子機器」
次に、前述した有機ＥＬ装置１１を適用した電子機器について、図１２を参照して説明する。図１２は、本発明に係る有機ＥＬ装置を備える電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図である。以下、テレビの構成を、図１２を参照しながら説明する。
【００７３】
図１２に示す様に、テレビ１０１は、表示部１０２と、枠部１０３と、脚部１０４と、リモコン１０５とを有する。表示部１０２には、上述の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置１１が実装されている。枠部１０３は、表示部１０２をガイドするために用いられる。脚部１０４は、表示部１０２及び枠部１０３を一定の高さで固定するために用いられる。リモコン１０５は、例えば、テレビ１０１の電源をＯＮ／ＯＦＦしたり、チャンネルを変えたりするために用いられる。
【００７４】
尚、電子機器は、上記した有機ＥＬ装置１１を備えておればテレビ１０１に限定されず、他にも例えば、ディスプレイ、携帯電話機、コンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーション装置、オーディオ機器等にも適応する事ができる。
【００７５】
以上述べた様に、本実施形態に係わる有機ＥＬ装置１１の製造方法に依れば、以下の効果を得る事ができる。
まず、第二隔壁５９が絶縁性であるので、サブピクセル間の第一電極を電気的に確実に絶縁でき、サブピクセル毎に独立に、発光状態や、或いは発光又は非発光、を制御できる。更に、第一隔壁５８が存在する第一サブピクセルにおいては、第一隔壁５８が第一電極の一部を代用するので、第一電極の広い範囲を発光領域とする事ができる。即ち、第一サブピクセルにおいて、面積利用効率を良くして第一発光層を発光させる事ができる。又、第一隔壁５８の近傍で第一発光層が厚みを増しても、導電性の第一隔壁５８の厚み分だけ第一電極から第二電極までの距離が減ぜられるので、第一発光層は第一隔壁５８の近傍でも比較的強く発光する事ができる。これにより、第一サブピクセル内での発光の均一性を向上させる事ができる。こうして、発光領域がサブピクセルの中央部に偏在する事もなく、発光領域全般で発光させられるので、発光材料の寿命も長く保たれる。更に、第二サブピクセルでは第一隔壁５８が存在せず、第一電極のほぼ全範囲を発光領域とする事ができる。即ち、第二サブピクセルにおいて、面積利用効率を良くして第二発光層を発光させる事ができる。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を実現する事ができる。
【００７６】
尚、本実施形態では、赤色サブピクセル４２Ｒと緑色サブピクセル４２Ｇとが第一サブピクセルであり、青色サブピクセル４２Ｂが第二サブピクセルであったが、第一サブピクセルと第二サブピクセルとの組み合わせはこれに限られない。例えば、一つの画素７１を４個のサブピクセルで構成し、赤色サブピクセルと緑色サブピクセルと黄色サブピクセルを第一サブピクセルとし、青色サブピクセルを第二サブピクセルとしても良い。或いは、例えば、赤色サブピクセルと緑色サブピクセルと青色サブピクセルを第一サブピクセルとし、白色サブピクセルを第二サブピクセルとしても良い。
【００７７】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良を加えることが可能である。以下に変形例を述べる。
【００７８】
（変形例１）
「トップエミッション構造の形態」
実施形態１では、一例としてボトムエミッション構造の有機ＥＬ装置１１で説明されたが、本発明はトップエミッション構造の有機ＥＬ装置１１にも適用可能である。即ち、有機ＥＬ装置１１を発光層６３から発せられた光を上側に（素子基板３１の反対側に）取り出す構造としても良い。これに伴い、実施形態１では第一電極が陽極２４で第二電極が陰極２５で有ったが、本変形例では第一電極が陰極２５となり、第二電極が陽極２４とされる。
【００７９】
具体的には、まず、第一サブピクセルと第二サブピクセルとにそれぞれ第一電極としての陰極２５を形成した後、第一サブピクセルに第一隔壁５８を形成し、更に、第一サブピクセルと第二サブピクセルとを区分する様に第二隔壁５９を形成する。第一隔壁５８や第二隔壁５９の形状や配置は実施形態１と同じである。但し、第一隔壁５８の材質は電子注入が容易となる、仕事関数が４ｅＶ程度未満の材料とする。具体的には、バリウム（Ｂａ、仕事関数２．５ｅＶ）や、カルシウム（Ｃａ、仕事関数２．９ｅＶ）、リチウム（Ｌｉ、仕事関数２．９ｅＶ）や、亜鉛（Ｚｎ、仕事関数３．６ｅＶ）などが第一隔壁５８に使用できる。その後、陰極２５の上に電子輸送層６５を形成する。陰極２５と電子輸送層６５とはサブピクセル４２毎に独立に形成される。次いで第一サブピクセルに第一発光層を塗布法で形成する。その後に第一サブピクセルと第二サブピクセルとに跨って第二発光層と正孔輸送層６２、正孔注入層６１とをこの順序にて蒸着法により形成し、最後に陽極２４となる電極を形成する。陽極２４は透明導電膜で形成する。これにより、発光素子層４４にて発光した光（赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂ）は素子基板３１と反対側に取り出され、有機ＥＬ装置１１は、所謂、トップエミッション構造となる。
【符号の説明】
【００８０】
１１…有機ＥＬ装置、２４…陽極、２５…陰極、２６…発光機能層、２７…発光素子、２７Ｂ…青色発光素子、２７Ｇ…緑色発光素子、２７Ｒ…赤色発光素子、３１…素子基板、４２…サブピクセル、４２Ｂ…青色サブピクセル、４２Ｇ…緑色サブピクセル、４２Ｒ…赤色サブピクセル、５８…第一隔壁、５８Ｉ…第一隔壁の内側エッジ、５８Ｏ…第一隔壁の外側エッジ、５９…第二隔壁、６１…正孔注入層、６２…正孔輸送層、６３…発光層、６３Ｂ…青色発光層、６３Ｂ…青色発光層、６３Ｇ…緑色発光層、６３Ｒ…赤色発光層、６４…正孔ブロッキング層、６５…電子輸送層、７１…画素、１０１…テレビ、５９１…第一開口部、５９２…第二開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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