(57)【要約】【課題】走査線にプリチャージパルスを印加して低温時の書き込み性能を向上させることができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置１であって、ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆを検出する順方向電位検出部９、抵抗分割回路１０および帰還回路１１ａを有するコンパレータ１１を備えており、コンパレータ１１は、順方向電位Ｖｆと基準電位Ｖｒｅｆが入力され、基準電位Ｖｒｅｆを基に構成される第１のしきい値電位ＴｈＨおよび第２のしきい値電位ＴｈＬの間でヒステリシス特性を有しており、順方向電位Ｖｆと第１のしきい値電位ＴｈＨまたは第２のしきい値電位ＴｈＬとを比較して、順方向電位Ｖｆが第１のしきい値電位ＴｈＨよりも高い場合には走査線２が選択されている期間よりも前に走査線２をプリチャージするプリチャージパルス１４ｂを発生させるための信号を出力する。【選択図】図２
2013228518.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して配置された、画像表示領域を有する一対の透明基板と、一対の前記透明基板の対向する面のうち一方の面の前記画像表示領域に配置された複数の走査線と、複数の前記走査線に交差するように前記画像表示領域に配置された複数の信号線と、前記走査線と前記信号線とによって囲まれた画素ごとに設けられた画素電極と、複数の前記走査線のうち選択された前記走査線にゲートパルスを供給する走査線駆動回路と、前記信号線を介して前記画素電極に画像信号を供給する信号線駆動回路とを備えた液晶表示装置において、
前記画像表示領域の外周部には、ダイオードで構成された前記ダイオードの順方向電位を検出する順方向電位検出部、抵抗分割回路および帰還回路を有するコンパレータを備えた検出回路が設けられており、
前記コンパレータは、前記ダイオードの前記順方向電位が入力されるとともに前記抵抗分割回路で得られる基準電位が入力され、前記帰還回路によって前記基準電位を基に構成される第１のしきい値電位および前記第１のしきい値電位よりも低い第２のしきい値電位の間でヒステリシス特性を有しており、前記ダイオードの前記順方向電位と前記第１のしきい値電位または前記第２のしきい値電位とを比較することによって、前記ダイオードの前記順方向電位が前記第１のしきい値電位よりも高い場合には前記ゲートパルスによって前記走査線が選択されている期間よりも前に前記走査線をプリチャージするプリチャージパルスを発生させるための信号を出力し、前記第２のしきい値電位よりも低い場合には前記プリチャージパルスを発生させるための信号を出力しないことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、デジタルカメラあるいは携帯型情報端末などの様々な用途に用いられる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の薄膜トランジスタの書き込み性能は温度依存性があり、低温時には薄膜トランジスタの抵抗が高くなり低下する。したがって、低温時における液晶表示装置の画質の劣化を抑制するために、低温時に複数の走査線を２本ずつ順次選択することにより、画像データ信号に応じた本来の階調電位で充電する前に、１行以上前の階調電位で予備充電している。このような液晶表示装置としては、例えば、特許文献１に開示されているものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１８６３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された液晶表示装置では、画像データ信号に応じた本来の階調電位で充電する前に一旦別の画像データを書き込むことになり、画質の劣化が認識されやすいという問題点があった。
【０００５】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、液晶表示装置の温度を検出することによって、ゲートパルスによって走査線が選択されている期間よりも前に走査線をプリチャージするプリチャージパルスを印加して、低温時の書き込み性能を向上させることができる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶表示装置は、互いに対向して配置された、画像表示領域を有する一対の透明基板と、一対の前記透明基板の対向する面のうち一方の面の前記画像表示領域に配置された複数の走査線と、複数の前記走査線に交差するように前記画像表示領域に配置された複数の信号線と、前記走査線と前記信号線とによって囲まれた画素ごとに設けられた画素電極と、複数の前記走査線のうち選択された前記走査線にゲートパルスを供給する走査線駆動回路と、前記信号線を介して前記画素電極に画像信号を供給する信号線駆動回路とを備えた液晶表示装置において、前記画像表示領域の外周部には、ダイオードで構成された前記ダイオードの順方向電位を検出する順方向電位検出部、抵抗分割回路および帰還回路を有するコンパレータを備えた検出回路が設けられており、前記コンパレータは、前記ダイオードの前記順方向電位が入力されるとともに前記抵抗分割回路で得られる基準電位が入力され、前記帰還回路によって前記基準電位を基に構成される第１のしきい値電位および前記第１のしきい値電位よりも低い第２のしきい値電位の間でヒステリシス特性を有しており、前記ダイオードの前記順方向電位と前記第１のしきい値電位または前記第２のしきい値電位とを比較することによって、前記ダイオードの前記順方向電位が前記第１のしきい値よりも高い場合には前記ゲートパルスによって前記走査線が選択されている期間よりも前に前記走査線をプリチャージするプリチャージパルスを発生させるための信号を出力し、前記第２のしきい値よりも低い場合には前記プリチャージパルスを発生させるための信号を出力しないことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の液晶表示装置によれば、ゲートパルスで走査線が選択されている期間よりも前に走査線をプリチャージするので、液晶表示装置の低温時の書き込み性能を向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態に係る液晶表示装置の構成図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置の検出回路の構成図である。
【図３】図１に示す液晶表示装置の走査信号生成部の構成図である。
【図４】（ａ）は、ヒステリシスを説明する説明図、（ｂ）はコンパレータの論理信号と温度との関係を説明する説明図である。
【図５】図１に示す液晶表示装置の走査線駆動用パルスを説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜実施の形態＞
以下、本発明の実施の形態に係る液晶表示装置１について、図１乃至図５を参照しながら説明する。
【００１０】
実施の形態に係る液晶表示装置１は、図１乃至図５に示すような構成であり、互いに対向して配置された、画像表示領域を有する一対の透明基板と、一対の透明基板の対向する面のうち一方の面の画像表示領域に配置された複数の走査線２と、複数の走査線２に交差するように画像表示領域に配置された複数の信号線３と、走査線２と信号線３とによって囲まれた画素ごとに設けられた画素電極４と、複数の走査線２のうち選択された走査線２にゲートパルス１４ａを供給する走査線駆動回路６と、信号線３を介して画素電極４に画像信号を供給する信号線駆動回路７とを備えた液晶表示装置１において、画像表示領域の外周部には、ダイオード９ａで構成されたダイオード９ａの順方向電位Ｖｆを検出する順方向電位検出部９、抵抗分割回路１０および帰還回路１１ａを有するコンパレータ１１を備えた検出回路８が設けられており、コンパレータ１１は、ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆが入力されるとともに抵抗分割回路１０で得られる基準電位Ｖｒｅｆが入力され、帰還回路１１ａによって基準電位Ｖｒｅｆを基に構成される第１のしきい値電位ＴｈＨおよび第１のしきい値電位ＴｈＨよりも低い第２のしきい値電位ＶｈＬの間でヒステリシス特性を有しており、ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆと第１のしきい値電位ＴｈＨまたは第２のしきい値電位ＴｈＬとを比較することによって、ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆが第１のしきい値電位ＶｈＨよりも高い場合にはゲートパルス１４ａによって走査線２が選択されている期間よりも前に走査線２をプリチャージするプリチャージパルス１４ｂを発生させるための信号を出力し、第２のしきい値電位ＴｈＬよりも低い場合にはプリチャージパルス１４ｂを発生させるための信号を出力しない。
【００１１】
液晶表示装置１は、画像表示領域を有する一対の透明基板が互いに対向して配置されており、一対の透明基板の対向する面のうち一方の透明基板の画像表示領域には、複数の走査線２が配置されている。そして、複数の信号線３が、複数の走査線２に交差するように絶縁層を介して配置されている。複数の走査線２は、走査線２に接続された走査線引出配線によって画像表示領域から引き出されて、走査線駆動回路６に接続されている。
【００１２】
また、複数の信号線３は、複数の信号線３に接続された信号線引出配線によって画像表示領域から引き出されて、信号線駆動回路７に接続されている。走査線２と信号線３とによって囲まれた画素ごとに画素電極４が設けられている。
【００１３】
走査線２と信号線３との交差部の近傍には薄膜トランジスタ５が設けられている。そして、薄膜トランジスタ５は、走査線２および信号線３に接続されるとともに、画素電極４
に接続されている。
【００１４】
一対の透明基板は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等の透光性を有する材料からなる。一対の透明基板の対向面とは反対の外側面には偏光板（図示せず）が配設され、また、一方の透明基板側の偏光板の外側には光源装置（図示せず）が配設される。
【００１５】
液晶表示装置１では、一方の透明基板に設けられた画素電極４と共通電極との間で電界を発生させて液晶中の液晶分子の方向を制御する横電界方式を採用しても、一対の透明基板のそれぞれに透明電極を設けた縦電界方式を採用してもよく、液晶分子を制御する電界方式には限定されない。
【００１６】
液晶表示装置１は、例えば、一方の透明基板として画素内に薄膜トランジスタ５が形成されたアレイ基板および他方の透明基板としてカラーフィルタ基板からなる一対のガラス基板からなり、一対の透明基板の周縁部に沿って設けられたシール材を介して一対の透明基板が貼り合わされている。
【００１７】
走査線２は、液晶表示装置１を駆動するためにゲートパルス１４ａが印加される配線であり、走査線駆動回路６は複数の走査線２のうち選択された走査線２にゲートパルス１４ａを供給して、選択された走査線２に対応する各薄膜トランジスタ５を導通させる。
【００１８】
また、信号線３は、液晶表示装置１に画像表示をするために画像信号を画素電極４に供給する配線であり、信号線駆動回路７が信号線３および選択された走査線２に対応する各薄膜トランジスタ５を介して画像信号を画素電極４に供給する。
【００１９】
液晶表示装置１には、画像表示領域の外周部に、検出回路８が設けられている。検出回路８は、図２に示すように、ダイオード９ａで構成されたダイオード９ａの順方向電位Ｖｆを検出する順方向電位検出部９、分割抵抗回路１０および帰還回路１１ａを有するコンパレータ１１を備えている。この検出回路８では、予め設定された第１の温度Ｔ１および第２の温度Ｔ２に対応する電位とダイオード９ａの順方向電位Ｖｆとの比較が行なわれる。なお、第１の温度Ｔ１および第２の温度Ｔ２については後述する。
【００２０】
順方向電位検出部９のダイオード９ａは、図２に示すように、一端のアノードが抵抗Ｒ４を介して電源電圧Ｖｃｃの印加端に接続されており、他端のカソードが接地端に接続されている。この順方向電位検出部９は、一定電流が流されるダイオード９ａの順方向の電位を順方向電位Ｖｆとして出力することができる構成である。なお、順方向電位Ｖｆは、ダイオード９ａのアノード電位である。また、抵抗Ｒ４は電流制限抵抗であり、ダイオード９ａの順方向抵抗よりも大きく設定されている。また、ダイオード９ａの他端のカソードは接地端に接続されているが、これに限らず、基準となる電位に接続されていればよい。抵抗Ｒ４は、例えば、電源電圧Ｖｃｃが１０（Ｖ）の場合には、５（ｋΩ）〜１００（ｋΩ）である。
【００２１】
ダイオード９ａの順方向特性は温度によって変化するため、一定の順方向電流を流した場合には、液晶表示装置１の温度によってダイオード９ａの順方向電位Ｖｆは変化する。したがって、ダイオード９ａに一定電流を流してダイオード９ａの順方向の電位である順方向電位Ｖｆを検出することによって、ダイオード９ａの温度変化を検出することができる。すなわち、ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆは、液晶表示装置１の温度の変化に応じて変化するため、液晶表示装置１の温度Ｔに応じた順方向電位Ｖｆを順方向電位検出部９で検出することができる。
【００２２】
分割抵抗回路１０は、抵抗Ｒ５および抵抗Ｒ６を有しており、電源電圧Ｖｃｃに応じた
温度検出の基準となる基準電位Ｖｒｅｆを生成する。
【００２３】
基準電位Ｖｒｅｆは、温度検出の基準となる温度を設定するために、基準となる温度に相当するダイオード９ａの順方向電位Ｖｆに等しくなるように分割抵抗回路１０によって予め設定される。例えば、温度検出の基準となる温度を０℃とする場合は、基準電位Ｖｒｅｆはダイオード９ａが０℃の時の順方向電位Ｖｆになるように分割抵抗回路１０によって予め設定される。液晶表示装置１の低温時の書き込み性能を向上させるために、温度検出の基準となる温度は、例えば、−５（℃）〜−１５（℃）に設定される。
【００２４】
また、抵抗分割回路１０は、図２に示すように、抵抗Ｒ５および抵抗Ｒ６によって構成されている。抵抗Ｒ５の一端は電源電圧Ｖｃｃの印加端に接続されており、抵抗Ｒ５の他端は抵抗Ｒ６の一端に接続されている。そして、抵抗Ｒ６の他端は接地端に接続されている。抵抗Ｒ６の他端は接地端に接続されているが、これに限らず、基準となる電位に接続されていればよい。また、抵抗Ｒ５と抵抗Ｒ６との接続ノードは、基準電位Ｖｒｅｆの引出端に相当する。
【００２５】
分割抵抗回路１０は、電源電圧Ｖｃｃの分圧電圧を基準電位Ｖｒｅｆとして出力することができる構成であるので、所望の基準電位Ｖｒｅｆとなるように、抵抗Ｒ５および抵抗Ｒ６は適宜選択される。なお、抵抗Ｒ５は、例えば、１０（ｋΩ）〜２０（ｋΩ）であり、抵抗Ｒ６は、例えば、５０（Ω）〜２００（Ω）である。
【００２６】
コンパレータ１１は、図２に示すように、ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆが抵抗Ｒ１を介して反転入力端子（−）に入力され、さらに、抵抗分割回路１０で得られる基準電位Ｖｒｅｆが抵抗Ｒ３を介して非反転入力端子（＋）に入力されるとともにコンパレータ１１の出力が抵抗Ｒ２を介して帰還されて非反転入力端子（＋）に入力されている。このように、コンパレータ１１は、反転入力端子（−）と非反転入力端子（＋）とにそれぞれ入力される入力電位を比較して、その比較結果に応じた論理信号Ｓを生成することができる構成である。この論理信号Ｓの論理は、非反転入力端子（＋）が反転入力端子（−）よりも高ければＨｉｇｈレベルとなり、非反転入力端子（＋）が反転入力端子（−）よりも低くければＬｏｗレベルとなる。なお、抵抗Ｒ１は、抵抗Ｒ３と同じ値であり、抵抗Ｒ１および抵抗Ｒ３は、例えば、１００（ｋΩ）〜１（ＭΩ）である。
【００２７】
ここで、コンパレータ１１は、図２に示すように、フィードバック用の抵抗Ｒ２が設けられており、抵抗Ｒ２の一端がコンパレータ１１の非反転入力端子（＋）に、他端が出力端子にそれぞれ接続されている。したがって、コンパレータ１１は、抵抗Ｒ２および抵抗Ｒ３によって帰還回路１１ａが設けられているので、帰還回路１１ａによって基準電位Ｖｒｅｆを基に構成される第１のしきい値電位ＴｈＨおよび第１のしきい値電位ＴｈＨよりも低い第２のしきい値電位ＶｈＬの間でヒステリシス特性を有することになる。
【００２８】
したがって、図４（ａ）に示すように、論理信号ＳがＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変化する場合のしきい値が第２のしきい値電位ＴｈＬになり、そして、論理信号ＳがＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに変化する場合のしきい値が第１のしきい値電位ＴｈＨになる。したがって、ヒステリシス特性によってそれぞれのしきい値電位の値を異ならせることができる。なお、抵抗Ｒ２は、例えば、１（ｋΩ）〜２０（ｋΩ）である。
【００２９】
すなわち、コンパレータ１１は、図４（ａ）に示すように、コンパレータ１１が帰還回路１１ａを有しているので、基準電位Ｖｒｅｆ、コンパレータ１１からの出力、抵抗Ｒ２および抵抗Ｒ３によって、第１のしきい値電位ＴｈＨおよび第２のしきい値電位ＴｈＬからなるヒステリシス特性を有することになる。そして、それぞれのしきい値電位は、図４（ａ）に示すように、Ｖｒｅｆを中心として、第１のしきい値電位ＴｈＨは、ＴｈＨ＝Ｖ
ｒｅｆ＋（Ｖｏｕｔ−Ｖｒｅｆ）×（Ｒ３／Ｒ２＋Ｒ３）となり、第２のしきい値電位ＴｈＬは、ＴｈＬ＝Ｖｒｅｆ−（Ｖｏｕｔ−Ｖｒｅｆ）×（Ｒ３／Ｒ２＋Ｒ３）となる。
【００３０】
ここで、第１のしきい値電位ＴｈＨおよび第２のしきい値電位ＴｈＬを温度に換算する方法について説明する。ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆは温度特性を有しているので、その温度特性を利用して温度の換算を行なう。まず、ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆが第１のしきい値電位ＴｈＨの電位を示す時のダイオード９ａの温度をダイオード９ａの温度特性から導く。そして、この導かれた温度が、第１のしきい値電位ＴｈＨに対応する第１の温度Ｔ１として予め設定される温度になる。
【００３１】
また、同様にして、ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆが第２のしきい値電位ＴｈＬの電位を示す時のダイオード９ａの温度をダイオード９ａの温度特性から導く。この導かれた温度が、第２のしきい値電位ＴｈＬに対応する第２の温度Ｔ２として予め設定される温度になる。
【００３２】
このように、検出回路８は、第１のしきい値電位ＴｈＨから導かれる温度を第１の温度Ｔ１として、また、第２のしきい値電位ＴｈＬから導かれる温度を第２の温度Ｔ２として予め設定することができる。ここで、コンパレータ１１は、図４（ａ）に示すように、第１のしきい値電位ＴｈＨと第２のしきい値電位ＴｈＬとの間でヒステリシス特性を有しているので、言い換えると、第１の温度Ｔ１と第２の温度Ｔ２とをしきい値とするヒステリシス特性を有することになる。
【００３３】
すなわち、図４（ａ）に示すように、第１のしきい値電位ＴｈＨおよび第２のしきい値電位ＴｈＬからなるヒステリシス特性を有することによって、第１のしきい値電位ＴｈＨに対応する第１の温度Ｔ１と第２のしきい値電位ＴｈＬに対応する第２の温度Ｔ２との間でヒステリシス特性を有することになり、第１の温度Ｔ１および第２の温度Ｔ２をしきい値として論理信号ＳをＬｏｗレベルまたはＨｉｇｈレベルにすることができる。
【００３４】
このように、検出回路８は、ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆ、第１のしきい値電位ＴｈＨおよび第２のしきい値電位ＴｈＬによって、ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆが示している液晶表示装置１の温度Ｔと第１の温度Ｔ１または第２の温度Ｔ２とを比較することによって論理信号ＳをＬｏｗレベルにしたり、または、Ｈｉｇｈレベルにしたりすることができる。なお、検出回路８は、液晶表示装置１の外周部の透明基板上にチップで実装しても、透明基板上に、金属材料、絶縁膜、低温ポリシリコンまたはアモルファスシリコン等で直接形成してもよい。
【００３５】
走査信号発生部１２には、図３に示すように、コンパレータ１１からＨｉｇｈレベルまたはＬｏｗレベルの論理信号Ｓが入力される。走査信号発生部１２は、図３に示すように、ゲートパルス１４ａを発生させるためのゲートパルスカウンタ１２ａとプリチャージパルス１４ｂを発生させるためのプリチャージパルスカウンタ１２ｂを備えている。
【００３６】
さらに、ゲートパルス１４ａとプリチャージパルス１４ｂとを合成して、図５に示すように、走査線２に入力される走査線駆動用パルス１４を発生させる走査線駆動用パルス発生部１２ｃを備えている。また、ゲートパルスカウンタ１２ａおよびプリチャージパルスカウンタ１２ｂには、ゲートパルス１４ａおよびプリチャージパルス１４ｂを発生させるための基準パルス波形ＣＬＫが入力されている。なお、プリチャージパルスカウンタ１２ｂに入力される論理信号ＳがＨｉｇｈレベルの場合には、プリチャージパルス１４ｂは発生しないので、走査線駆動用パルス１４はゲートパルス１４ａのみを有する波形となる。
【００３７】
そして、走査線駆動用パルス発生部１２ｃで発生された走査線駆動用パルス１４は、走
査線駆動用半導体素子１３に入力されて液晶表示装置１の走査線２に出力される。なお、液晶表示装置１では、プリチャージパルス１４ｂは、コンパレータ１１からの出力がＬｏｗレベルの時だけプリチャージパルス１４ｂを発生するように設定されている。
【００３８】
走査線駆動用パルス１４は、図５に示すように、本来のゲートパルス１４ａと同じパルス幅および同じ電圧を有するプリチャージパルス１４ｂを、本来のゲートパルス１４ａよりも２水平走査期間前に追加的に設けたものである。なお、プリチャージパルス１４ｂは、ゲートパルス１４ａと同じパルス幅でなくても、同じ電圧でなくてもよく、プリチャージパルス１４ｂのパルス幅および電圧は液晶表示装置１の低温時の書き込み性能を向上させることができるように適宜選択される。また、ゲートパルス１４ａとプリチャージパルス１４ｂとの間隔は、同相書き込みとなる時に走査線２をプリチャージすることによって書き込みの予備充電を行なうため、２水平走査期間前とすることが好ましい。
【００３９】
ここで、液晶表示装置１における温度検出の方法について説明する。
【００４０】
コンパレータ１１は、帰還回路１１ａによって、図４（ａ）に示すように、ヒステリシス特性を有している。ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆは抵抗Ｒ１を介して反転入力端子（−）に入力されており、この反転入力端子（−）に入力される順方向電位Ｖｆと帰還回路１１ａによって非反転入力端子（＋）に入力される第１のしきい値電位ＴｈＨまたは第２のしきい値電位ＶｈＬとを比較することによって、ＨｉｇｈレベルまたはＬｏｗレベルの論理信号Ｓが出力される。
【００４１】
ここで、ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆは液晶表示装置１の温度Ｔに対応しており、また、第１の温度Ｔ１は第１のしきい値電位ＴｈＨに、第２の温度Ｔ２は第２のしきい値電位ＴｈＬにそれぞれ対応しているので、液晶表示装置１の温度Ｔと第１の温度Ｔ１または第２の温度Ｔ２との比較によって、論理信号ＳはＨｉｇｈレベルまたはＬｏｗレベルになる。
【００４２】
したがって、コンパレータ１１は、ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆが第１のしきい値電位ＴｈＨよりも高い場合にはゲートパルス１４ａによって走査線２が選択されている期間よりも前に走査線２をプリチャージするプリチャージパルス１４ｂを発生させるための論理信号Ｓを出力する。この時の論理信号ＳはＬｏｗレベルの信号である。
【００４３】
そして、ダイオード９ａの順方向電位Ｖｆが第２のしきい値電位ＴｈＬよりも低い場合にはプリチャージパルス１４ｂを発生させるための論理信号Ｓを出力しない。この時の論理信号ＳはＨｉｇｈレベルの信号であり、プリチャージパルス１４ｂを発生させない。また、このようにヒステリシス特性を有しているため、第１のしきい値電位ＴｈＨと第２のしきい値電位ＴｈＬとの範囲内にある間は出力が維持される。
【００４４】
また、図４（ａ）には、コンパレータ１１からの出力電圧と論理信号Ｓの関係を示している。出力電圧の高い方が論理信号ＳのＨｉｇｈレベルであり、出力電圧の低い方が論理信号ＳのＬｏｗレベルである。なお、液晶表示装置１では、コンパレータ１１からの出力がＬｏｗレベルの時だけプリチャージパルス１４ｂを走査線２に対して発生するように設定されているが、これに限らず、コンパレータ１１からの出力がＨｉｇｈレベルの時だけプリチャージパルス１４ｂを走査線２に対して発生するように設定されていてもよい。
【００４５】
ここで、液晶表示装置１の温度変化に対してプリチャージパルス１４ｂの発生について説明する。図４（ｂ）には、液晶表示装置１の温度Ｔの変化の一例を温度Ｔの温度曲線として示している。なお、第１の温度Ｔ１は第１のしきい値電位ＴｈＨに対応する温度であり、第２の温度Ｔ２は第２のしきい値電位ＴｈＬに対応する温度である。
【００４６】
期間Ａにおいて、図４（ｂ）に示すように、液晶表示装置１の温度Ｔが第２の温度Ｔ２を越えるまでは、論理信号ＳはＬｏｗレベルを示しており、Ｌｏｗレベルを維持した状態にある。この期間Ａにおいて、コンパレータ１１からはＬｏｗレベルの論理信号Ｓが出力される。したがって、期間Ａに示すように、液晶表示装置１の温度Ｔが第２の温度Ｔ２を超えるまでの温度変化に対しては、論理信号ＳはＬｏｗレベルを維持した状態であり、液晶表示装置１の走査線２に対してプリチャージパルス１４ｂを発生させる。
【００４７】
さらに、図４（ｂ）に示すように、液晶表示装置１の温度Ｔが第２の温度Ｔ２を超えることによって、論理信号ＳはＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルになる。この期間Ｂにおいて、図４（ｂ）に示すように、液晶表示装置１の温度Ｔが一旦第２の温度Ｔ２を超えたら、第１の温度Ｔ１を下回るまでは、論理信号ＳはＨｉｇｈレベルを示しており、Ｈｉｇｈレベルを維持した状態にある。この期間Ｂにおいて、コンパレータ１１からはＨｉｇｈレベルの論理信号Ｓが出力される。したがって、期間Ｂに示すように、液晶表示装置１の温度ＴがＴ１を下回るまでの温度変化に対しては、論理信号ＳはＨｉｇｈレベルを維持した状態であり、液晶表示装置１の走査線２に対してプリチャージパルス１４ｂは発生しない。
【００４８】
さらに、図４（ｂ）に示すように、液晶表示装置１の温度Ｔが第１の温度Ｔ１を下回ることによって、論理信号ＳはＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルになる。この期間Ｃにおいて、図４（ｂ）に示すように、液晶表示装置１の温度Ｔが一旦第１の温度Ｔ１を下回ったら、第２の温度Ｔ２を超えるまでは、論理信号ＳはＬｏｗレベルを示しており、Ｌｏｗレベルを維持した状態にある。この期間Ｃにおいて、コンパレータ１１からはＬｏｗレベルの論理信号Ｓが出力される。したがって、期間Ｃに示すように、液晶表示装置１の温度Ｔが第２の温度Ｔ２を超えるまでの温度変化に対しては、論理信号ＳはＬｏｗレベルを維持した状態であり、液晶表示装置１の走査線２に対してプリチャージパルス１４ｂを発生させる。
【００４９】
さらに、図４（ｂ）に示すように、液晶表示装置１の温度Ｔが第２の温度Ｔ２を超えることによって、論理信号ＳはＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルになる。この期間Ｄにおいて、図４（ｂ）に示すように、液晶表示装置１の温度Ｔが一旦第２の温度Ｔ２を超えたら、第１の温度Ｔ１を下回るまでは、論理信号ＳはＨｉｇｈレベルを示しており、Ｈｉｇｈレベルを維持した状態にある。この期間Ｄにおいて、コンパレータ１１からはＨｉｇｈレベルの論理信号Ｓが出力される。したがって、期間Ｄに示すように、液晶表示装置１の温度Ｔが第１の温度Ｔ１を下回るまでの温度変化に対しては、論理信号ＳはＨｉｇｈレベルを維持した状態であり、液晶表示装置１の走査線２に対してプリチャージパルス１４ｂは発生しない。
【００５０】
このようにして、液晶表示装置１は、予め設定されている第１の温度Ｔ１および第２の温度Ｔ２をしきい値にして液晶表示装置１の走査線２に対してプリチャージパルス１４ｂを発生させたり、発生させなかったりすることができる。
【００５１】
液晶表示装置１では、コンパレータ１１から出力された論理信号ＳがＬｏｗレベルの場合には、Ｌｏｗレベルの論理信号Ｓが走査信号発生部１２のプリチャージパルスカウンタ１２ｂに入力されて、プリチャージパルス１４ｂが生成される。そして、走査線駆動用パルス発生部１２ｃでプリチャージパルス１４ｂを有する走査線駆動用パルス１４が生成される。このプリチャージパルス１４ｂは、図５に示すように、本来のゲートパルス１４ａと同じパルス幅を有するプリチャージパルス１４ｂが、本来のゲートパルス１４ａよりも２水平走査期間前に追加的に設けられている。また、走査線駆動用パルス発生部１２ｃで生成された走査線駆動用パルス１４は走査信号発生部１２から走査線駆動用半導体素子１３に出力される。
【００５２】
液晶表示装置１において走査線２に入力される走査線駆動用パルス１４について、具体的に図５を参照しながら説明する。
【００５３】
走査線２のｎラインの走査線駆動用パルス１４は、図５（ａ）に示すように、ゲートパルス１４ａおよびプリチャージパルス１４ｂからなるパルス波形ａ１を有している。期間ｔ３において、薄膜トランジスタ５のゲートをＯＮする本来のゲートパルス１４ａが印加されている。さらに、本来のゲートパルス１４ａよりも２水平走査期間前の期間である期間ｔ１においてプリチャージパルス１４ｂが印加されている。これによって、走査線２のｎラインでは、本来のゲートパルス１４ａが印加される２水平走査期間前にプリチャージパルス１４ｂで走査線２がプリチャージされることになる。
【００５４】
同様にして、走査線２のｎ＋１ラインの走査線駆動用パルスは、図５（ｂ）に示すように、ゲートパルス１４ａおよびプリチャージパルス１４ｂからなるパルス波形ｂ１を有している。期間ｔ４において、薄膜トランジスタ５のゲートをＯＮする本来のゲートパルス１４ａが印加されている。さらに、本来のゲートパルス１４ａよりも２水平走査期間前の期間である期間ｔ２においてプリチャージパルス１４ｂが印加されている。これによって、走査線２のｎ＋１ラインでは、本来のゲートパルス１４ａが印加される２水平走査期間前にプリチャージパルス１４ｂで走査線２がプリチャージされることになる。
【００５５】
また、同様にして、走査線２のｎ＋２ラインの走査線駆動用パルスは、図５（ｃ）に示すように、ゲートパルス１４ａおよびプリチャージパルス１４ｂからなるパルス波形ｃ１を有している。期間ｔ５において、薄膜トランジスタ５のゲートをＯＮする本来のゲートパルス１４ａが印加されている。さらに、本来のゲートパルス１４ａよりも２水平走査期間前の期間である期間ｔ３においてプリチャージパルス１４ｂが印加されている。これによって、走査線２のｎ＋２ラインでは、本来のゲートパルス１４ａが印加される２水平走査期間前にプリチャージパルス１４ｂで走査線２がプリチャージされることになる。
【００５６】
また、同様にして、走査線２のｎ＋３ラインの走査線駆動用パルスは、図５（ｄ）に示すように、ゲートパルス１４ａおよびプリチャージパルス１４ｂからなるパルス波形ｄ１を有している。期間ｔ６において、薄膜トランジスタ５のゲートをＯＮする本来のゲートパルス１４ａが印加されている。さらに、本来のゲートパルス１４ａよりも２水平走査期間前の期間である期間ｔ４においてプリチャージパルス１４ｂが印加されている。これによって、走査線２のｎ＋３ラインでは、本来のゲートパルス１４ａが印加される２水平走査期間前にプリチャージパルス１４ｂで走査線２がプリチャージされることになる。
【００５７】
液晶表示装置１では、検出回路８によって温度を検出して、低温時にゲートパルス１４ａよりも前の期間で走査線２にプリチャージパルス１４ｂを印加することによって、ゲートパルス１４ａでの本書き込み前に画素電極４への同相書き込みを行なうことによって画素電位に事前充電を行なうので、液晶表示装置１の低温時の書き込み性能を向上させることができる。
【００５８】
また、液晶表示装置１では、ヒステリシス特性を有することによって、第１の温度Ｔ１および第２の温度Ｔ２の２つの異なる温度で、プリチャージパルス１４ｂをＯＮまたはＯＦＦするため、１つの温度でプリチャージパルス１４ｂをＯＮまたはＯＦＦする場合に比べて、画像の劣化を低減させることができる。
【００５９】
また、液晶表示装置１では、液晶表示装置１内に温度検出部を有することによって、液晶表示装置１の全体の温度でもって温度を制御することができるため、温度制御の精度を向上させることができる。
【００６０】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【符号の説明】
【００６１】
１  液晶表示装置
２  走査線
３  信号線
４  画素電極
５  薄膜トランジスタ
６  走査線駆動回路
７  信号線駆動回路
８  検出回路
９  順方向電位検出部
９ａ  ダイオード
１０  抵抗分割回路
１１  コンパレータ
１１ａ  帰還回路
１２  走査信号発生部
１２ａ  ゲートパルスカウンタ
１２ｂ  プリチャージパルスカウンタ
１２ｃ  走査線駆動用パルス発生部
１３  走査線駆動用半導体素子
１４  走査線駆動用パルス
１４ａ  ゲートパルス
１４ｂ  プリチャージパルス
Ｓ  論理信号
Ｔ  液晶表示装置の温度
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６  抵抗
Ｖｆ  順方向電位
Ｖｒｅｆ  基準電位
ＴｈＨ  第１のしきい値電位
ＴｈＬ  第２のしきい値電位
Ｔ１  第１の温度
Ｔ２  第２の温度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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