(57)【要約】【課題】ターゲット供給装置のノズル孔の詰まりやノズル孔径の変化を抑制する。【解決手段】このターゲット供給装置は、ターゲット物質が通過する第１の通路を有する第１部材と、第１の通路を通過したターゲット物質が通過する第２の通路を有する第２部材と、第１部材と第２部材との間に設けられ、第１部材との間でシールされた第１の面と、第２部材との間でシールされた第２の面とを有し、第１の通路から第２の通路へターゲット物質が通過する複数の貫通孔が形成されている第３部材と、を備えてもよい。【選択図】図３
2013140771.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質が通過する第１の通路を有する第１部材と、
前記第１の通路を通過したターゲット物質が通過する第２の通路を有する第２部材と、
前記第１部材と前記第２部材との間に設けられ、前記第１部材との間でシールされた第１の面と、前記第２部材との間でシールされた第２の面とを有し、前記第１の通路から前記第２の通路へターゲット物質が通過する複数の貫通孔が形成されている第３部材と、
を備えるターゲット供給装置。
【請求項２】
前記第１〜第３部材はほぼ同じ熱膨張率を有する、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項３】
前記第１〜第３部材はターゲット物質と反応しにくい材料によって構成された、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項４】
前記第１〜第３部材は同じ材料によって構成された、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項５】
前記第１〜第３部材はモリブデン及びタングステンの少なくとも一方によって構成された、請求項１記載のターゲット供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ターゲット供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７１２２８１６号明細書
【特許文献２】米国特許第７８７２２４５号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係るターゲット供給装置は、ターゲット物質が通過する第１の通路を有する第１部材と、第１の通路を通過したターゲット物質が通過する第２の通路を有する第２部材と、第１部材と第２部材との間に設けられ、第１部材との間でシールされた第１の面と、第２部材との間でシールされた第２の面とを有し、第１の通路から第２の通路へターゲット物質が通過する複数の貫通孔が形成されている第３部材と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。
【図３】図３は、図２に示すターゲット供給装置及びその周辺部の一部断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、図３に示すフィルタ及びその周辺部の断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４Ａの矢印ＩＶＢ方向から見たノズル板の底面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、図４Ａに示すフィルタの断面図である。
【図５】図５は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置に用いられるフィルタ及びその周辺部の断面図である。
【図６】図６は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図７】図７は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置に用いられるノズル及びその周辺部の断面図である。
【図８】図８は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置に用いられるノズル及びその周辺部の断面図である。
【実施形態】
【０００７】
＜内容＞
１．概要
２．極端紫外光生成システムの全体説明
２．１  構成
２．２  動作
３．ターゲット供給装置にフィルタを含む極端紫外光生成装置
３．１  構成
３．２  動作
４．フィルタを含むターゲット供給装置
４．１  構成
４．２  動作
４．３  フィルタの詳細
５．フィルタの配置が異なるターゲット供給装置
６．他の形状のノズルを含むターゲット供給装置
７．他の形状のノズルを含むターゲット供給装置
８．他の形状のノズルを含むターゲット供給装置
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置においては、ターゲット供給装置のノズル孔から、ターゲット物質のドロップレットがチャンバ内に出力されてもよい。ドロップレットが所望のタイミングでチャンバ内のプラズマ生成領域に到達するように、ターゲット供給装置が制御されてもよい。ドロップレットがプラズマ生成領域に到達する時点で、パルスレーザ光がドロップレットに照射されることで、ターゲット物質がプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。
【００１０】
しかしながら、ターゲット供給装置のノズル孔に固体のパーティクルが入ることにより、ノズル孔が詰まったり、ノズル孔の径が変化したりする場合があり得る。このような場合には、ターゲット供給装置からドロップレットが出力できなくなったり、出力されたドロップレットの移動経路又は移動速度が変動したりし得る。ドロップレットの移動経路又は移動速度が変動すると、ドロップレットを所望のタイミングでプラズマ生成領域に到達させることが困難になる場合がある。
【００１１】
本開示の１つの観点によれば、ターゲット供給装置においてターゲット物質が通過する第１部材及び第２部材の間に、フィルタ（第３部材）を設けてもよい。これにより、ターゲット供給装置のノズル孔にパーティクルが入ることを抑制し得る。その結果、ノズル孔の詰まりやノズル孔径の変化を抑制し得る。
【００１２】
２．極端紫外光生成システムの全体説明
２．１  構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給装置２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１３】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
【００１４】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御装置５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲットの存在、軌道、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
【００１５】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１６】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御装置３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１７】
２．２  動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００１８】
ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００１９】
ＥＵＶ光生成制御装置５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御装置５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御装置５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御装置５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２０】
３．ターゲット供給装置にフィルタを含む極端紫外光生成装置
３．１  構成
図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。図２に示すように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１と、プレート４２及び４３と、ビームダンプ４４と、ビームダンプ支持部材４５とが設けられてもよい。
【００２１】
チャンバ２は、導電性を有する材料（例えば、金属材料）からなる部材（導電性部材）を含んでもよい。さらに、チャンバ２は、電気絶縁性を有する部材を含んでもよい。その場合には、例えば、チャンバ２の外壁自体は導電性部材で構成され、外壁の内側に電気絶縁性を有する部材が配置されるように構成されてもよい。チャンバ２には、プレート４２が固定され、プレート４２には、プレート４３が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１を介してプレート４２に固定されてもよい。
【００２２】
レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２と、それらのミラーをそれぞれ保持するためのホルダ２２３及び２２４とを含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、それぞれのミラーで反射されたレーザ光がプラズマ生成領域２５で集光するような位置及び姿勢となるように、それぞれのホルダを介してプレート４３に固定されてもよい。ビームダンプ４４は、レーザ光の光路の延長線上に位置するように、ビームダンプ支持部材４５を介してチャンバ２に固定されてもよい。ターゲット回収部２８は、ターゲット２７の軌道の延長線上に配置されてもよい。
【００２３】
チャンバ２には、ウインドウ２１と、ターゲット供給装置２６とが取り付けられてもよい。ターゲット供給装置２６は、リザーバ（第１部材）６１と、ノズル板（第２部材）６２と、フィルタ（第３部材）６３とを含んでもよい。リザーバ（第１部材）６１とフィルタ（第３部材）６３とが互いに接触する面、及びノズル板（第２部材）６２とフィルタ（第３部材）６３とが互いに接触する面は、高い気密性を有して接触することが望ましい。
【００２４】
リザーバ６１は、ターゲット物質を溶融した状態で内部に貯蔵してもよい。リザーバ６１は、ターゲット物質と反応しにくい材料で構成されてもよい。例えば、ターゲット物質としてスズを用いる場合に、リザーバ６１は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、石英（ＳｉＯ２）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の少なくともひとつで構成されてもよい。
【００２５】
ノズル板６２には、ターゲット物質が通過するための貫通孔が形成されていてもよい。また、ノズル板６２は、ターゲット物質に電界を集中させるために、出力側に突き出た先端部６２ｂを有してもよい。上記貫通孔はこの先端部６２ｂに開口していてもよい。
【００２６】
フィルタ６３は、リザーバ６１とノズル板６２との間に配置されてもよい。リザーバ６１、ノズル板６２及びフィルタ６３は、同一材料で構成されることが望ましい。これらを同一材料で構成すれば、これらの熱膨張率がほぼ同じとなるため、ターゲット物質が融点以上に加熱された場合でも、リザーバ６１とフィルタ６３との間のシール面や、フィルタ６３とノズル板６２との間のシール面のすべりが抑制され得る。その結果、パーティクルの発生や、シール面からのターゲット物質の漏れが抑制され得る。
【００２７】
チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御装置３４ａと、ＥＵＶ光生成制御装置５とが設けられてもよい。レーザ光進行方向制御装置３４ａは、高反射ミラー３４１及び３４２と、それらのミラーをそれぞれ保持するためのホルダ３４３及び３４４とを含んでもよい。
【００２８】
３．２  動作
ターゲット供給装置２６のリザーバ６１に貯蔵された液体のターゲット物質は、フィルタ６３を通過してもよい。リザーバ６１内に存在し又はリザーバ６１内において生成されたパーティクルは、フィルタ６３によってトラップされてもよい。フィルタ６３を通過したターゲット物質は、ノズル板６２の貫通孔が開口した先端部６２ｂから、ドロップレットの状態でターゲット２７としてチャンバ２内に出力されてもよい。チャンバ２内に出力されたターゲット２７は、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５に供給されてもよい。
【００２９】
また、レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光は、高反射ミラー３４１及び３４２によって反射されて、ウインドウ２１を介してレーザ光集光光学系２２ａに入射してもよい。レーザ光集光光学系２２ａに入射したパルスレーザ光は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２によって反射されてもよい。ＥＵＶ光生成制御装置５は、ターゲット供給装置２６から出力されたターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに合わせて、ターゲット２７にパルスレーザ光が照射されるように制御を行ってもよい。
【００３０】
４．フィルタを含むターゲット供給装置
４．１  構成
図３は、図２に示すターゲット供給装置２６及びその周辺部の一部断面図である。図３に示すように、ターゲット供給装置２６は、ヒータ６４と、電気絶縁部材６５と、引出電極６６と、温度センサ６７と、ターゲット制御装置５２と、圧力調節器５３と、不活性ガスボンベ５４と、温度コントローラ５５と、ヒータ電源５６と、高電圧ＤＣ電源５７と、パルス電圧生成器５８とをさらに含んでもよい。
【００３１】
ヒータ６４は、リザーバ６１の外周に取り付けられて、ターゲット物質を溶融させ、かつ、その溶融状態が維持されるようにリザーバ６１を加熱してもよい。リザーバ６１は、チャンバ２の壁に対して絶縁物を介して配置され、チャンバ２の壁と電気的に絶縁されていてもよい。
【００３２】
電気絶縁部材６５は、円筒形状を有してもよい。電気絶縁部材６５は、その内側にノズル板６２を収容するようにして、リザーバ６１に固定されてもよい。電気絶縁部材６５の内側には、引出電極６６が保持されていてもよい。電気絶縁部材６５によって、ノズル板６２と引出電極６６との間が電気的に絶縁されてもよい。引出電極６６は、ノズル板６２に形成された貫通孔からターゲット物質を引き出すために、ノズル板６２の出力側の面に対向して配置されてもよい。引出電極６６には、ターゲット２７を通過させるための貫通孔６６ａが形成されていてもよい。
【００３３】
不活性ガスボンベ５４は、不活性ガスを供給するための配管によって圧力調節器５３に接続されていてもよい。圧力調節器５３は、さらに、不活性ガスを供給するための配管によってリザーバ６１の内部と連通してもよい。高電圧ＤＣ電源５７の出力端子は、リザーバ６１に電気的に接続されていてもよい。パルス電圧生成器５８の出力端子は、チャンバ２に設けられたフィードスルー５８ａと電気絶縁部材６５の側面に設けられた貫通孔６５ａとを介して、引出電極６６に電気的に接続されていてもよい。
【００３４】
４．２  動作
温度センサ６７は、リザーバ６１の温度を計測し、計測結果を示す出力信号を出力してもよい。温度センサ６７から出力された出力信号は、温度コントローラ５５に入力されてもよい。また、温度コントローラ５５には、ターゲット制御装置５２から出力された制御信号が入力されてもよい。温度コントローラ５５は、温度センサ６７から出力された出力信号とターゲット制御装置５２から出力された制御信号とに従い、ヒータ電源５６に駆動信号を出力してもよい。ヒータ電源５６は、温度コントローラ５５から出力された駆動信号に従って、ヒータ６４に電力を供給してもよい。ヒータ６４によって、スズ（Ｓｎ）が溶融する温度である２３２℃以上の温度にリザーバ６１が加熱されてもよい。これにより、リザーバ６１の中にターゲット物質が溶融状態で貯蔵され得る。
【００３５】
ターゲット制御装置５２は、高電圧ＤＣ電源５７及びパルス電圧生成器５８にターゲット生成信号を出力するよう構成されてもよい。高電圧ＤＣ電源５７は、リザーバ６１を介してリザーバ６１内のターゲット物質に一定電位を印加してもよい。パルス電圧生成器５８は、ターゲット生成信号に従って、パルス状の電圧信号を引出電極６６に印加してもよい。これによって、ターゲット物質と引出電極６６との間にクーロン力が発生し、ノズル板６２の貫通孔が開口する先端部６２ｂからターゲット物質が引き出されて、帯電したターゲット２７が出力され得る。
【００３６】
圧力調節器５３は、ターゲット制御装置５２から出力される制御信号に応じて、不活性ガスボンベ５４から供給される不活性ガスの圧力を調整して、リザーバ６１内のターゲット物質を不活性ガスにより加圧するよう構成されてもよい。不活性ガスによりターゲット物質が加圧されることにより、ノズル板６２の貫通孔が開口する先端部６２ｂからターゲット物質が僅かに突出してもよい。これにより、突出したターゲット物質に電界を集中させ、ターゲット物質と引出電極６６との間に、より強力なクーロン力を発生させることができる。ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５から与えられるタイミングでターゲット２７が出力されるように、圧力調節器５３及びパルス電圧生成器５８を制御するよう構成されてもよい。
【００３７】
４．３  フィルタの詳細
図４Ａは、図３に示すフィルタ及びその周辺部の断面図である。図４Ｂは、図４Ａの矢印ＩＶＢ方向から見たノズル板の底面図である。図４Ｃは、図４Ａに示すフィルタの断面図である。図４Ａに示すように、リザーバ６１には液体のターゲット物質が通過する第１の通路６１ａが形成されていてもよい。ノズル板６２には、液体のターゲット物質が通過する第２の通路６２ａ（貫通孔）が形成されていてもよい。リザーバ６１とノズル板６２とは、第１の通路６１ａ及び第２の通路６２ａの周囲に形成された嵌め合せ構造によって結合されてもよい。嵌め合せ構造によりリザーバ６１とノズル板６２の相対位置が図４Ａ中の左右方向にも奥方向にもずれ難くなり、リザーバ６１とフィルタ６３との接触面、及びノズル板６２とフィルタ６３との接触面におけるすべりが抑制され、パーティクルの発生が抑制され得る。ターゲット物質は、第１の通路６１ａから第２の通路６２ａに流れてもよい。第２の通路６２ａは、第２の通路６２ａの上流側から下流側に向かって径が縮小するテーパー形状を有していてもよい。
【００３８】
第１の通路６１ａと第２の通路６２ａとの間には、リザーバ６１とノズル板６２との間に挟まるように、円板状のフィルタ６３が配置されていてもよい。フィルタ６３は、第１の通路６１ａ側の第１の面６３１が、リザーバ６１の第１の通路６１ａの終端の周囲に形成された窪みに嵌め込まれてもよい。フィルタ６３は、第２の通路６２ａ側の第２の面６３２の外周部が、ノズル板６２に当接してもよい。
【００３９】
図４Ｃに示すように、円板状のフィルタ６３には、第１の面６３１から第２の面６３２に貫通する複数の貫通孔６３ａが形成されていてもよい。貫通孔６３ａの各々は、第１の通路６１ａ側の大径部６３ｂと、第２の通路６２ａ側の小径部６３ｃと、を有していてもよい。貫通孔６３ａを形成するために、まず大径部６３ｂがドリル又はその他の機械的加工手段によって形成され、次に小径部６３ｃが放電加工によって形成されてもよい。小径部６３ｃは、ノズル板６２に形成された第２の通路６２ａの最も下流側の先端部６２ｂに位置する開口部（ノズル孔）の径よりも、小さい径を有することが望ましい。また、フィルタ６３の貫通孔６３ａは、第１の通路６１ａ側から第２の通路６２ａ側に向かって径が縮小するテーパー形状を有していてもよい。このテーパー形状通路の最小径部は、ノズル板６２に形成された第２の通路６２ａの最も下流側の先端部６２ｂに位置するノズル孔の径よりも小さい径を有することが望ましい。
【００４０】
フィルタ６３の第１の面６３１は、複数の貫通孔６３ａの周囲において、リザーバ６１との間で面シールされてもよい。フィルタ６３の第２の面６３２は、複数の貫通孔６３ａの周囲において、ノズル板６２との間で面シールされてもよい。これらの面シールは、フィルタ６３とリザーバ６１との接合面、及びフィルタ６３とノズル板６２との接合面が、それぞれ鏡面加工されることによって実現されてもよい。
【００４１】
ノズル板６２は、フィルタ６３をリザーバ６１との間に挟んだ状態で、複数（例えば４本）のボルト６２１によって、リザーバ６１に固定されてもよい。ボルト６２１も、リザーバ６１、ノズル板６２及びフィルタ６３と同一材料で構成されることが望ましい。また、図４Ｂに示すように、複数のボルト６２１の固定位置は、ノズル板６２の先端部６２ｂに位置するノズル孔の中心軸を点対称軸として点対称に配置されることが望ましい。
【００４２】
第１の実施形態によれば、ターゲット供給装置２６においてターゲット物質が通過するリザーバ６１とノズル板６２との間に、フィルタ６３を設けたことにより、ターゲット供給装置のノズル孔にパーティクルが入ることが抑制され得る。その結果、ノズル孔の詰まりやノズル孔径の変化が抑制され得る。
【００４３】
また、ノズル孔の近傍にパーティクルが到達することが抑制され得るので、ターゲット物質の出力方向の安定性が向上し得る。
また、フィルタ６３に複数の貫通孔６３ａが形成されているので、１部の貫通孔６３ａがパーティクルによって詰まっても、他の貫通孔６３ａを介して液体のターゲット物質が通過することができる。
【００４４】
５．フィルタの配置が異なるターゲット供給装置
図５は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置に用いられるフィルタ及びその周辺部の断面図である。第１の実施形態において、フィルタ６３の貫通孔６３ａは、第１の通路６１ａ側の大径部６３ｂと、第２の通路６２ａ側の小径部６３ｃと、を有しているのに対し、第２の実施形態においては、大径部６３ｂと小径部６３ｃとの位置関係が逆でもよい。すなわち、第２の実施形態においては、図５に示すように、フィルタ６３の貫通孔６３ａの各々は、第１の通路６１ａ側（上流側）の小径部６３ｃと、第２の通路６２ａ側（下流側）の大径部６３ｂと、を有してもよい。
【００４５】
第１の実施形態においては、大径部６３ｂが上流側に、小径部６３ｃが下流側に配置されているので、第１の通路６１ａからフィルタ６３の第１の面６３１に到達したパーティクルが、より下流側の大径部６３ｂ内に流れ込んでしまう可能性がある。したがって、パーティクルが大径部６３ｂ内に集まってしまい、小径部６３ｃが詰まりやすくなる可能性がある。
【００４６】
これに対し、第２の実施形態においては、小径部６３ｃが上流側の第１の面６３１に開口しているので、第１の通路６１ａからフィルタ６３の第１の面６３１に到達したパーティクルは、特定の領域に集まることが抑制され得る。すなわち、第１の面６３１に、パーティクルがほぼ均等な分布で堆積してもよい。したがって、小径部６３ｃが詰まってしまうことが抑制され、ターゲット物質の流量の低下が抑制され得る。他の点は、第１の実施形態と同様でよい。
【００４７】
６．他の形状のノズルを含むターゲット供給装置
図６は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置のノズル及びその周辺部を示す一部断面図である。第３の実施形態に係るターゲット供給装置２６ａは、第１の通路７１ａを有するリザーバ７１と、第２の通路７２ａを有する部材７２と、フィルタ７３と、ノズル管７４と、結合部材７５とを含んでもよい。
【００４８】
リザーバ７１には、フィルタ７３との接合部の周囲に雄ねじ７１ｂが形成されていてもよい。部材７２には、ノズル管７４が嵌め込まれて固定されていてもよい。部材７２は、第２の通路７２ａの上流側に位置する大きな外径部７２ｂと、第２の通路７２ａの下流側に位置する小さな外径部７２ｃとを有していてもよい。フィルタ７３の構成は、第１の実施形態におけるフィルタ６３の構成と同様でよい。フィルタ７３は、リザーバ７１と部材７２との間に挟まれていてもよい。
【００４９】
結合部材７５は、部材７２の大きな外径部７２ｂとフィルタ７３とを収容可能な筒状の形状を有していてもよい。また、筒状の結合部材７５の一端には、リザーバ７１の雄ねじ７１ｂがねじ込まれ得る雌ねじ７５ｂが形成されていてもよい。筒状の結合部材７５の他端には、部材７２の小さな外径部７２ｃは貫通させ得るが大きな外径部７２ｂは貫通させない孔７５ｃが形成されていてもよい。結合部材７５の外周面（図示せず）は、例えば六角ナットの形状を有していてもよい。
【００５０】
結合部材７５に、部材７２の大きな外径部７２ｂとフィルタ７３とが収容され、部材７２の小さな外径部７２ｃが孔７５ｃから結合部材７５の外部に突出した状態で、リザーバ７１の雄ねじ７１ｂと結合部材７５の雌ねじ７５ｂとが結合されてもよい。この構成により、第１の通路７１ａと第２の通路７２ａとの間にフィルタ７３が配置されてもよい。フィルタ７３は、第１の通路７１ａ側の第１の面７３１から第２の通路７２ａ側の第２の面７３２に貫通する複数の貫通孔７３ａを有していてもよい。
【００５１】
フィルタ７３の第１の面７３１は、複数の貫通孔７３ａの周囲において、リザーバ７１との間で面シールされてもよい。フィルタ７３の第２の面７３２は、複数の貫通孔７３ａの周囲において、部材７２との間で面シールされてもよい。これらの面シールは、フィルタ７３とリザーバ７１との接合面、及びフィルタ７３と部材７２との接合面が、それぞれ鏡面加工されることによって実現されてもよい。また、フィルタ７３と接するリザーバ７１の面、及びフィルタ７３と接する部材７２の面を曲面とすることにより、これらを平面とした場合に比べて、フィルタ７３とリザーバ７１との接触面積、及びフィルタ７３と部材７２との接触面積を減らしてもよい。これにより、雄ねじ７１ｂを雌ねじ７５ｂにねじ込ませてリザーバ７１とフィルタ７３及び部材７２とを固定する際の抵抗を減らすことができる。
【００５２】
ノズル管７４は、石英（ガラス）又はモリブデンによって構成されてもよい。部材７２が例えばモリブデンによって構成され、ノズル管７４が石英によって構成される場合には、これらの材料の熱膨張率の差によって生じる応力を緩衝し得る材料を介して、両者が接着されてもよい。
【００５３】
ノズル管７４には、ＰＺＴ素子７６等の圧電性セラミックス素子が固定されていてもよい。ＰＺＴ素子７６には、ＰＺＴ駆動電源７７が電気的に接続されていてもよい。ＰＺＴ駆動電源７７は、ターゲット制御装置５２に信号線を介して接続されていてもよい。さらに、第１の実施形態の図３において説明した圧力調節器５３及び不活性ガスボンベ５４を用いて不活性ガスを供給することによって、リザーバ７１内のターゲット物質を加圧してもよい。
【００５４】
ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５からの信号に従って、ＰＺＴ駆動電源７７に制御信号を送信してもよい。この制御信号に従って、ＰＺＴ駆動電源７７は、ＰＺＴ素子７６に駆動電圧を印加してもよい。
【００５５】
ターゲット供給装置２６ａは、駆動電圧が印加された所定タイミングでＰＺＴ素子７６がノズル管７４の径を縮小させ、その先端のノズル孔からターゲット物質をドロップレットの状態で出力するオンデマンド方式によってターゲット物質を出力してもよい。または、ターゲット供給装置２６ａは、第１の実施形態において説明した圧力調節器５３によって連続的にターゲット物質の噴流を発生させるとともに、駆動電圧を印加されたＰＺＴ素子７６の振動によってターゲット物質の噴流を周期的に分断させることによってターゲット物質を出力してもよい。
【００５６】
他の点は、第１の実施形態と同様でよい。第３の実施形態においても、ターゲット供給装置２６ａにおいてターゲット物質が通過するリザーバ７１と部材７２との間に、フィルタ７３を設けたことにより、ターゲット供給装置のノズル孔にパーティクルが入ることが抑制され得る。その結果、ノズル孔の詰まりやノズル孔径の変化が抑制され得る。
【００５７】
７．他の形状のノズルを含むターゲット供給装置
図７は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置に用いられるノズル及びその周辺部の断面図である。第１の実施形態においては、引出電極６６（図３）によってターゲット物質の一部に電界を集中させるために、ノズル板６２に先端部６２ｂが形成されていたが、引出電極を用いない場合は、そのような先端部が形成されていなくてもよい。
【００５８】
図７に示すように、ノズル板８２は貫通孔８２０を有してもよい。貫通孔８２０は、貫通孔８２０において最も径が小さい部分であるノズル孔８２１と、ノズル孔８２１よりもターゲット物質の上流側に位置する第２の通路８２ａと、ノズル孔８２１よりも下流側に位置するテーパー部８２２とを含んでもよい。第２の通路８２ａは、フィルタ６３を通過した液体のターゲット物質がノズル孔８２１に向かって流れる通路であってもよく、第２の通路８２ａは、ターゲット物質が流れる方向に向かって径がほぼ変化しない円柱状の孔であってもよい。テーパー部８２２は、ノズル孔８２１からターゲット物質が流れる方向に向かって径が大きくなる円錐状の孔であってもよい。液体のターゲット物質は、ノズル孔８２１からテーパー部８２２に出力されてドロップレットの状態となり、ターゲット２７としてテーパー部８２２を通過してもよい。
【００５９】
第３の実施形態において説明したように、引出電極を用いないでターゲット２７を出力する方式としては、例えば、ＰＺＴ素子７６（図６）によってノズル管を縮小させてターゲット２７を出力する方式があり得る。また、圧力調節器５３（図３）によって連続的にターゲット物質の噴流を発生させるとともに、ＰＺＴ素子７６の振動によってターゲット物質の噴流を周期的に分断させる方式でもよい。
【００６０】
第１の実施形態においては、第２の通路６２ａが、第２の通路６２ａの上流側から下流側に向かって径が縮小するテーパー形状を有している。このため、フィルタ６３より下流側の第２の通路６２ａ内にパーティクルが発生した場合に、パーティクルがノズル孔の近傍に集まってしまう可能性がある。
【００６１】
これに対し、第４の実施形態によれば、第２の通路８２ａは、ターゲット物質が流れる方向に向かって径がほぼ変化しない円柱状の孔であり、テーパー部８２２は、ノズル孔８２１からターゲット物質が流れる方向に向かって径が大きくなる円錐状の孔であり得る。これにより、第２の通路８２ａ内にパーティクルが発生したとしても、パーティクルがノズル孔８２１の近傍に集まることが抑制され得る。したがって、ノズル孔の詰まりやノズル孔径の変化が抑制され、また、ターゲット物質の出力方向の安定性が向上し得る。
【００６２】
８．他の形状のノズルを含むターゲット供給装置
図８は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置に用いられるノズル及びその周辺部の断面図である。第４の実施形態において、テーパー部８２２は、ノズル孔８２１からターゲット物質が流れる方向に向かって径が大きくなる円錐状の孔であったのに対し、第５の実施形態において、テーパー部８２３は円錐台状の孔でもよい。すなわち、第５の実施形態において、第２の通路８２ａとテーパー部８２３との間には平板部８２４が存在し、この平板部８２４にノズル孔８２１が形成されていてもよい。
【００６３】
他の点は、第４の実施形態と同様でよい。第５の実施形態によれば、ノズル孔８２１から出力されたターゲット２７の出力方向がふらついたとしても、ターゲット２７がテーパー部８２３の壁面に触れる可能性が低減され得る。このため、ターゲット物質がテーパー部８２３の壁面に付着し、蓄積して、ターゲット２７の出力方向に影響することを抑制し得る。
【００６４】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００６５】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００６６】
１…ＥＵＶ光生成装置、２…チャンバ、３…レーザ装置、４…ターゲットセンサ、５…ＥＵＶ光生成制御装置、６…露光装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２２ａ…レーザ光集光光学系、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２６…ターゲット供給装置、２６ａ…ターゲット供給装置、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、３１、３２、３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御装置、３４ａ…レーザ光進行方向制御装置、４１…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、４２、４３…プレート、４４…ビームダンプ、４５…ビームダンプ支持部材、５２…ターゲット制御装置、５３…圧力調節器、５４…不活性ガスボンベ、５５…温度コントローラ、５６…ヒータ電源、５７…高電圧ＤＣ電源、５８…パルス電圧生成器、５８ａ…フィードスルー、６１…リザーバ、６１ａ…第１の通路、６２…ノズル板、６２ａ…第２の通路、６２ｂ…先端部、６３…フィルタ、６３ａ…貫通孔、６３ｂ…大径部、６３ｃ…小径部、６４…ヒータ、６５…電気絶縁部材、６５ａ…貫通孔、６６…引出電極、６６ａ…貫通孔、６７…温度センサ、７１…リザーバ、７１ａ…第１の通路、７２…第２の通路を有する部材、７２ａ…第２の通路、７２ｂ…大きな外径部、７２ｃ…小さな外径部、７３…フィルタ、７３ａ…貫通孔、７４…ノズル管、７５…結合部材、７５ｃ…孔、７６…ＰＺＴ素子、７７…ＰＺＴ駆動電源、８２…ノズル板、８２ａ…第２の通路、２２１…軸外放物面ミラー、２２２…平面ミラー、２２３、２２４…ホルダ、２５１…放射光、２５２…ＥＵＶ光、２９１…壁、２９２…中間集光点、３４１、３４２…高反射ミラー、３４３、３４４…ホルダ、６２１…ボルト、６３１…第１の面、６３２…第２の面、７３１…第１の面、７３２…第２の面、８２０…貫通孔、８２１…ノズル孔、８２２、８２３…テーパー部、８２４…平板部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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