(57)【要約】【課題】高性能な高周波伝送特性を実現したうえで、ビルドアップ接続の簡単化を図ることができる。【解決手段】第１及び第２の誘電体層１０，１１の層面側の中心位置の周囲に所定位置ずらして放射状に配置した４個のビルドアップ接続部１８を設けた接続用導体パターン１７を有する高周波線路１６を形成して、この第１及び第２の誘電体層１０，１１間に該第１及び第２の誘電体層１０，１１のビルドアップ接続部１８がビルドアップ接続される４個のビルドアップ接続部１８を所定角度ずらせて放射状に配置した接続用導体パターン１７を有した第１乃至第３の中間誘電体層１２〜１４を積層配置してビルドアップ接続するように構成したものである。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心位置の周囲に所定位置ずらして放射状に配置した複数のビルドアップ接続部が設けられた接続用導体パターンを有した高周波線路が一方面に設けられた第１及び第２の誘電体層と、
この第１及び第２の誘電体層間に積層され、該第１及び第２の誘電体層の接続用導体パターンと同心状に設けられ、該第１及び第２の誘電体層の複数のビルドアップ接続部がビルドアップ接続される複数のビルドアップ接続部を所定角度ずらせて放射状に配置した接続用導体パターンが設けられる複数の中間誘電体層と、
を具備することを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記第１及び第２の誘電体層、複数の中間誘電体層の各複数のビルドアップ接続部の間隔は、伝送する周波数の波長に対して１／８波長以下に設定されることを特徴とする請求項１記載の多層基板。
【請求項３】
前記第１及び第２の誘電体層、複数の中間誘電体層の各複数のビルドアップ接続部は、断面截頭円錐体形状の筒状を有することを請求項１又は２記載の多層基板。
【請求項４】
前記第１及び第２の誘電体層、複数の中間誘電体層の各接続用導体パターンは、円形状に形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、例えばビルドアップ接続を用いて高周波回路が形成される多層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子機器には、複数の層がビルドアップ接続された多層基板が収容されている。このような多層基板は、異なる層上に高周波回路が形成され、層間がビルドアップ接続を用いて配線接続されている。
【０００３】
ところで、このような多層基板は、そのビルドアップ接続部に穴埋め及び金属メッキを施すことにより、異なる層をビルドアップ接続することで、同軸線路として動作する接続回路が形成されている。
【０００４】
このため、上記多層基板では、ビルドアップ接続により多層化を図るのに、穴埋め及び金属メッキ工程等の多数の製作工程を必要としていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３５５９９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
以上のように、従来の多層基板では、異なる複数の層をビルドアップ接続して接続回路を形成するのに複数の製作工程が必要とするために、その製作作業が面倒であるという課題を有する。
【０００７】
そこで、高性能な高周波伝送特性を実現したうえで、ビルドアップ接続の簡単化を図り得るようにした多層基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施の形態によれば、多層基板は、第１及び第２の誘電体層と、この第１及び第２の誘電体層間に積層される複数の中間誘電体層で形成される。
【０００９】
第１及び第２の誘電体層は、中心位置の周囲に所定位置ずらして放射状に配置した複数のビルドアップ接続部が設けられた接続用導体パターンを有した高周波線路が一方面に設けられる。
【００１０】
複数の中間誘電体層は、第１及び第２の誘電体層の接続用導体パターンと同心状に設けられ、該第１及び第２の誘電体層の複数のビルドアップ接続部がビルドアップ接続される複数のビルドアップ接続部を所定角度ずらせて放射状に配置した接続用導体パターンが設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施の形態に係る多層基板の要部を断面して示した図である。
【図２】図１のＡ―Ａをスライスした面を示した図である。
【図３】図１のＢ―Ｂをスライスした面を示した図である。
【図４】図１のＣ―Ｃをスライスした面を示した図である。
【図５】図１のＤ―Ｄをスライスした面を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は、一実施形態に係る多層基板を示すもので、例えば第１及び第２の誘電体層１０，１１の間に配線層を構成する第１乃至第３の中間誘電体層１２〜１４が積層されて形成される。
【００１４】
第１及び第２の誘電体層１０，１１には、その外面にグランド（ＧＮＤ）層１５が形成され、その第１及び第３の中間誘電体層１２，１４との層面には、高周波線路１６がそれぞれ形成される（図２及び図５参照）。この高周波線路１６の端部には、同軸線路を構成する、例えば円形状の接続用導体パターン１７が対向してそれぞれ形成される。
【００１５】
このうち第１の誘電体層１０の層面側の接続用導体パターン１７には、複数、例えば４個のビルドアップ接続部１８がそれぞれ導体パターン１７の中心の周囲に放射状に所定の間隔を有して設けられる。この複数のビルドアップ接続部１８の間隔としては、高周波線路に伝送する周波数の波長に対して１/８波長以下の小さな間隔に設定することにより、高品質な高周波伝送特性を有する同軸線路を構成することができる。
【００１６】
そして、上記第１の中間誘電体層１２と上記第２の中間誘電体層１３との層面には、図３に示すように接続用導体パターン１７が第１の誘電体層１０の接続用導体パターン１７に対応して形成される。そして、この接続用導体パターン１７には、同様に４個のビルドアップ接続部１８が上記第１の誘電体層１０の接続用導体パターン１７のビルドアップ接続部１８に対して４５度の角度間隔をずらせて設けられる。
【００１７】
また、上記第２の中間誘電体層１３と上記第３の中間誘電体層１４との層面には、図４に示すように接続用導体パターン１７が第１の誘電体層１０の接続用導体パターン１７に対応して形成される。この接続用導体パターン１７には、例えば４個のビルドアップ接続部１８が上記第１の誘電体層１０の接続用導体パターン１７のビルドアップ接続部１８に対して４５度の間隔をずらせて設けられる。
【００１８】
上記ビルドアップ接続部１８は、同様に例えば筒状をした断面截頭円錐体形状に形成され、その大径側が開口部１８１として構成される。そして、ビルドアップ接続部の小径側は、接続部１８２として構成されて隣接する第２及び第３の中間誘電体層１３，１４、第２の誘電体層１１の接続用導体パターン１７のビルドアップ接続部１８の開口部１８１間に位置されてビルドアップ接続される。
【００１９】
ここで、第１乃至第３の中間誘導体層１２〜１４の接続用導体パターン１７は、各ビルドアップ接続部１８が、その接続部１８２の積層方向に隣接する層におけるビルドアップ接続の位置が重なることなくビルドアップされて、第１及び第２の誘電体層１０，１１の高周波線路１６の接続用導体パターン１７に対して高周波伝送特性の優れた同軸線路を形成する。
【００２０】
このように、上記多層基板は、第１及び第２の誘電体層１０，１１の層面側の中心位置の周囲に所定位置ずらして放射状に配置した４個のビルドアップ接続部１８を設けた接続用導体パターン１７を有する高周波線路１６を形成して、この第１及び第２の誘電体層１０，１１間に該第１及び第２の誘電体層１０，１１のビルドアップ接続部１８がビルドアップ接続される４個のビルドアップ接続部１８を所定角度ずらせて放射状に配置した接続用導体パターン１７を有した第１乃至第３の中間誘電体層１２〜１４を積層配置してビルドアップ接続するように構成した。
【００２１】
上記構成によれば、積層方向の隣接する層間におけるビルドアップ接続の位置が重ならないことにより、従来の如く穴埋め及び金属メッキ処理工程を行うことなく、第１及び第２の誘電体層１０，１１の高周波線路１６をビルドアップ接続することが可能となることにより、その作業工程を削減することができるため、製作作業性の向上を図ることができる。
【００２２】
上記実施形態では、第１及び第２の誘電体層１０，１１間に第１乃至第３の中間誘電体層１２〜１４の３層を積層配置したビルドアップ接続に適用した場合について説明したが、この層数に限ることなく、構成可能であり、同様の効果が期待される。
【００２３】
また、上記実施形態では、接続用導体パターン１７に対して４個のビルドアップ接続部１８を設けてビルドアップ接続するように構成した場合について説明したが、この数に限ることなく、構成可能であり、同様の効果が期待される。
【００２４】
よって、この発明は、上記実施形態に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記実施形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより種々の発明が抽出され得る。
【００２５】
例えば実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【００２６】
１０，１１…第１及び第２の誘電体層、１２〜１４…第１乃至第３の中間誘電体層、１５…グランド層、１６…高周波線路、１７…接続用導体パターン、１８…ビルドアップ接続部、１８１…開口部、１８２…接続部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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