(57)【要約】【課題】記録媒体のデータ破壊作業におけるエネルギー効率、作業効率が向上する磁気記録データ破壊装置を提供する。【解決手段】本発明の磁気記録データ破壊装置１００は、コンデンサ３０と、記録媒体を収容し発生する磁界により前記記録媒体に記録されている磁気記録データを破壊する磁界発生コイル４０と、制御信号に基づいて、オン又はオフを切り換えると共に、オンとなることで前記コンデンサ３０に蓄電された電気エネルギーを電流として前記磁界発生コイルに流すスイッチング素子ＳＷ２と、前記磁界発生コイル４０に流れる電流を検出する電流検出部８０と、前記電流検出部８０で検出された電流値が閾値以上となったときに、前記スイッチング素子ＳＷ２をオフとする制御信号を発生する制御部５０と、を有することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサと、
記録媒体を収容し発生する磁界により前記記録媒体に記録されている磁気記録データを破壊する磁界発生コイルと、
制御信号に基づいて、オン又はオフを切り換えると共に、オンとなることで前記コンデンサに蓄電された電気エネルギーを電流として前記磁界発生コイルに流すスイッチング素子と、
前記磁界発生コイルに流れる電流を検出する電流検出部と、
前記電流検出部で検出された電流値が閾値以上となったときに、前記スイッチング素子をオフとする制御信号を発生する制御部と、を有することを特徴とする磁気記録データ破壊装置。
【請求項２】
コンデンサと、
記録媒体を収容し発生する磁界により前記記録媒体に記録されている磁気記録データを破壊する磁界発生コイルと、
制御信号に基づいて、オン又はオフを切り換えると共に、オンとなることで前記コンデンサに蓄電された電気エネルギーを電流として前記磁界発生コイルに流すスイッチング素子と、
前記磁界発生コイルに発生する磁界強度を検出する磁界検出部と、
前記磁界検出部で検出された磁界強度が閾値以上となったときに、前記スイッチング素子をオフとする制御信号を発生する制御部と、を有することを特徴とする磁気記録データ破壊装置。
【請求項３】
コンデンサと、
記録媒体を収容し発生する磁界により前記記録媒体に記録されている磁気記録データを破壊する磁界発生コイルと、
制御信号に基づいて、オン又はオフを切り換えると共に、オンとなることで前記コンデンサに蓄電された電気エネルギーを電流として前記磁界発生コイルに流すスイッチング素子と、
前記コンデンサの電圧を検出する電圧検出部と、
前記電圧検出部で検出された電圧が閾値以下となったときに、前記スイッチング素子をオフとする制御信号を発生する制御部と、を有することを特徴とする磁気記録データ破壊装置。
【請求項４】
前記閾値を記憶するテーブルを有する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の磁気記録データ破壊装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子がトランジスタであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の磁気記録データ破壊装置。
【請求項６】
前記トランジスタがＭＯＳ又はＪＦＥＴ又はＳＩＴのいずれかであることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録データ破壊装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気テープやハードディスク装置などの記録媒体に記録されている磁気記録データを復元不可能に破壊する磁気記録データ破壊装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、汎用コンピュータに用いられる磁気テープなどの記録媒体を破棄する場合、当該記録媒体に記録された磁気記録データが、他人に読み取られることを防止するために、磁気記録データを復元不可能に破壊するなどのセキュリティ対策が講じられる。
【０００３】
磁気記録データを復元不可能にするソフトウエアが存在するが、このようなソフトウエアは、磁気テープ上にランダムデータや「００」データなどを上書きして復元を防止するものであり、データの上書きに多大な時間を要する。
【０００４】
そこで、上記のようなソフトウエアを用いてデータを上書きすることなく、短時間に磁気データを消去するデータ消去装置が開発されている。例えば、特開２００７−２１３７０１号公報には、コンデンサによる直流電源に直列に接続された空芯コイル内で発生させた交番減衰磁界により磁気テープの脱磁を行う技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００７−２１３７０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の技術における磁気記録データ破壊装置の概要について説明する。図１０は従来の技術に係る磁気記録データ破壊装置の概要を示す図である。図１０において、コンデンサＣは不図示の充電回路により充電され、充電が完了するとサイリスタになどのスイッチング素子ＳＷに制御信号が入力されることでこれがオンとされ、回路が閉じられることでコンデンサＣから磁界発生コイルに電流が流れ、磁界発生コイルに磁界が発生する。
【０００６】
この磁界発生コイルには、予め、磁気記録データを破壊しようとする磁気テープなどを収容しておき、磁界発生コイルで発生した磁界により当該磁気テープを強制的に一方向に着磁することで、磁気テープ中の磁気記録データを破壊するようになっている。
【０００７】
図１１は、複数の記録媒体の磁気記録データを破壊する際の、コンデンサＣの充電と放電のサイクルを示す図である。図１１（Ａ）はコンデンサＣの電圧Ｖを、また図１１（Ｂ）は磁界発生コイルに流れる電流Ｉの概略を示している。
【０００８】
コンデンサＣの充電を行っている時間Ｔ1中に、磁気記録データを破壊しようとする記
録媒体を磁界発生コイルにセットして、続いてスイッチング素子ＳＷをＴｄ時間オンとして、コンデンサＣを放電させ、磁界発生コイルに磁界を発生させ磁気記録データを破壊する。図１１に示すように、これを繰り返すことで、複数の記録媒体の磁気記録データを破壊するようにしている。
【０００９】
ところで、記録媒体には複数の種類があり、記録媒体によっては、コンデンサＣに蓄えられている電気エネルギー全てを磁界発生コイルに投入して発生させる磁界強度より低い磁界強度で、十分に記録媒体中の磁気記録データを破壊することが可能なものがある。しかしながら、従来の技術に係る磁気記録データ破壊装置においては、コンデンサＣに蓄えられている電気エネルギーを全て利用するようになっていたので、エネルギー効率が悪い、という問題があった。また、従来は、コンデンサＣに蓄えられている電気エネルギーを
全て利用してしまうため、コンデンサＣの再充電に時間を要することとなり、次の記録媒体の磁気記録データの破壊するまでに時間を要することとなり、データ破壊作業の効率が悪化してしまう、という問題もあった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記問題を解決するために、請求項１に係る発明は、コンデンサと、記録媒体を収容し発生する磁界により前記記録媒体に記録されている磁気記録データを破壊する磁界発生コイルと、制御信号に基づいて、オン又はオフを切り換えると共に、オンとなることで前記コンデンサに蓄電された電気エネルギーを電流として前記磁界発生コイルに流すスイッチング素子と、前記磁界発生コイルに流れる電流を検出する電流検出部と、前記電流検出部で検出された電流値が閾値以上となったときに、前記スイッチング素子をオフとする制御信号を発生する制御部と、を有することを特徴とする磁気記録データ破壊装置である。
【００１１】
また、請求項２に係る発明は、コンデンサと、記録媒体を収容し発生する磁界により前記記録媒体に記録されている磁気記録データを破壊する磁界発生コイルと、制御信号に基づいて、オン又はオフを切り換えると共に、オンとなることで前記コンデンサに蓄電された電気エネルギーを電流として前記磁界発生コイルに流すスイッチング素子と、前記磁界発生コイルに発生する磁界強度を検出する磁界検出部と、前記磁界検出部で検出された磁界強度が閾値以上となったときに、前記スイッチング素子をオフとする制御信号を発生する制御部と、を有することを特徴とする磁気記録データ破壊装置である。
【００１２】
また、請求項３に係る発明は、コンデンサと、記録媒体を収容し発生する磁界により前記記録媒体に記録されている磁気記録データを破壊する磁界発生コイルと、制御信号に基づいて、オン又はオフを切り換えると共に、オンとなることで前記コンデンサに蓄電された電気エネルギーを電流として前記磁界発生コイルに流すスイッチング素子と、前記コンデンサの電圧を検出する電圧検出部と、前記電圧検出部で検出された電圧が閾値以下となったときに、前記スイッチング素子をオフとする制御信号を発生する制御部と、を有することを特徴とする磁気記録データ破壊装置。
【００１３】
また、請求項４に係る発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の磁気記録データ破壊装置において、前記閾値を記憶するテーブルを有する。
【００１４】
また、請求項５に係る発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の磁気記録データ破壊装置において、前記スイッチング素子がトランジスタであることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項６に係る発明は、請求項５に記載の磁気記録データ破壊装置において、前記トランジスタがＭＯＳ又はＪＦＥＴ又はＳＩＴのいずれかであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る磁気記録データ破壊装置においては、電流などの検出情報に基づいて、コンデンサに蓄電された電気エネルギーを電流として磁界発生コイルに流すスイッチング素子をオフとすることで、記録媒体の種類によっては、コンデンサに蓄えられた電気エネルギーを使い切ることなく、記録媒体のデータ破壊を行うことが可能となるので、エネルギー効率が向上するとともに、再充電に要する時間も節約することができ、記録媒体のデータ破壊作業の効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００の概要を示す図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００の参照テーブル６０における記憶データ例を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００における記録媒体のデータ破壊の様子を示す図である。
【図４】連続して複数の記録媒体のデータ破壊を行う際の制御フローチャートを示す図である。
【図５】コンデンサ３０の充電と放電のサイクルを示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００の概要を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００の参照テーブル６０における記憶データ例を示す図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００の概要を示す図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００の参照テーブル６０における記憶データ例を示す図である。
【図１０】従来の技術に係る磁気記録データ破壊装置の概要を示す図である。
【図１１】コンデンサＣの充電と放電のサイクルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態の図面を参照しつつ説明する。図１は本発明の第１実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００の概要を示す図である。
【００１９】
図１において、商用電源の電圧はトランスなどの昇圧部１０により昇圧され、さらにダイオードからなる整流部２０によって直流とされる。スイッチング素子ＳＷ１がオンとなっているときに、整流部２０から出力される電流はコンデンサ３０を充電する。
【００２０】
磁界発生コイル４０は、記録媒体を収容し発生する磁界により当該記録媒体に記録されている磁気記録データを破壊するものである。磁界発生コイル４０に発生させるためは、スイッチング素子ＳＷ２をオンとして、コンデンサ３０に充電された電気エネルギーを、磁界発生コイル４０に流すようにする。電流検出部８０は、この磁界発生コイル４０に流れ込む電流の大きさを検出するものである。
【００２１】
なお、本発明においては、オンオフ制御を行うためのスイッチング素子ＳＷ２については、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）又はＪＦＥＴ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）又はＳＩＴ（Ｓｔａｔｉｃ  ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などのトランジスタのいずれかを用いることが好ましい。
【００２２】
制御部５０は、入力部７０や電流検出部８０などこれと接続される構成から情報を取得して、スイッチング素子ＳＷ１及びスイッチング素子ＳＷ２のオンオフを制御する制御信号を発するものである。このような制御部５０は、アナログ回路により構成することも可能であるが、以下、制御部５０としてマイクロコンピューターなどを利用する場合を例に説明する。
【００２３】
入力部７０は、制御部５０に対して所定の設定情報などを入力することが可能なインターフェイス手段として機能する。また、参照テーブル６０は、制御部５０で動作するプログラムが参照するデータが記憶されるものである。図２は本発明の第１実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００の参照テーブル６０における記憶データ例を示す図である。
【００２４】
磁気記録データ破壊装置１００によって、磁気記録データの破壊を行おうとする記録媒
体の種類によって、必要となる磁界は異なっている。そこで、参照テーブル６０には、例えば、記録媒体の種類である「データ破壊対象記録媒体種類」と、その記録媒体に記録されるデータを破壊するために必要となる「発生磁界Ｈ」と、その発生磁界を発生させるために必要な電流値であり、スイッチング素子ＳＷ２をオフとする基準値となる「閾値電流Ｉ」と、必要となる磁界を発生させた後からコンデンサ３０の再充電に必要となる「再充電時間Ｔ２」がデータ化されている。
【００２５】
本実施形態では、「データ破壊対象記録媒体種類」として、「オープンリールタイプ磁気テープ（保持力Ｃ1）」、「旧型カセットタイプ磁気テープ（保持力Ｃ2）」、「新型カセットタイプ磁気テープ（保持力Ｃ3）」、「ハードディスク（保持力Ｃ4）」とその対応各データが記憶される場合を例として挙げているが、このような例に限定されるものではない。なお、本実施形態では、データ破壊対象の記録媒体種類の種類が後者になるにしたがって保持力が強く、必要となる磁界が大きくなることを想定している。また、それにより閾値となる電流Ｉの値は、記録媒体種類の種類が後者になるにしたがって、大きくなるとともに、再充電に必要な時間Ｔ2も長くなる。
【００２６】
以上のように構成される磁気記録データ破壊装置１００においては、例えば、入力部７０から「オープンリールタイプ磁気テープ（保持力Ｃ1）」の磁気記録データを破壊する
ことなどを設定する。すると、制御部５０は参照テーブル６０における「オープンリールタイプ磁気テープ（保持力Ｃ1）」に対応するデータを参照して、スイッチング素子ＳＷ
１及びスイッチング素子ＳＷ２のオンオフを制御する制御信号を発する。
【００２７】
図３は、磁気記録データを破壊しようとする記録媒体を磁界発生コイル４０にセットして、スイッチング素子ＳＷ２をオンとして、磁界発生コイル４０に磁界を発生させて、記録媒体のデータを破壊している状態を示している。
【００２８】
次に、以上のように構成される本発明の磁気記録データ破壊装置１００により、複数の記録媒体のデータ破壊を連続して行う場合の制御部５０の制御を説明する。図４は連続して複数の記録媒体のデータ破壊を行う際の制御フローチャートを示す図であり、また、図５は、当該制御フローチャートにより制御を行ったときのコンデンサ３０の充電と放電のサイクルを示す図である。
【００２９】
図５（Ａ）はコンデンサ３０の電圧Ｖを、また図５（Ｂ）は磁界発生コイル４０に流れる電流Ｉの概略を示している。図４において、ステップＳ１００で制御が開始されると、続く、ステップＳ１０１では、制御部５０はスイッチング素子ＳＷ１をオンとする制御信号を送信し、コンデンサ３０の充電を開始する。
【００３０】
ステップＳ１０２では、現在のサイクルが、記録媒体のデータ破壊の最初のサイクルであるか否かを判定する。ステップＳ１０２における判定がＹＥＳであるときには、ステップＳ１０３に進み、所定時間Ｔ1経過がしたか否かを判定し、この判定がＹＥＳとなった
ら、ステップＳ１０４に進み、スイッチング素子ＳＷ１をオフとしてコンデンサ３０の充電を停止する。この時間Ｔ1はコンデンサ３０にチャージされる電荷が０の状態から容量
一杯となるまでに要する時間である。
【００３１】
ステップＳ１０２における判定がＮＯであるときには、ステップＳ１０９に進み、所定時間Ｔ2経過がしたか否かを判定し、この判定がＹＥＳとなったら、ステップＳ１０４に
進み、スイッチング素子ＳＷ１をオフとしてコンデンサ３０の充電を停止する。この時間Ｔ2は、磁界発生コイル４０に電流を流した後に、コンデンサ３０に再チャージされるま
でに要する時間である。当然、Ｔ2＜Ｔ1となっており、２回目以降のコンデンサ３０の充電時間を制約することができる。これにより、データ破壊作業の効率を向上させることが
可能となる。
【００３２】
上記のようなコンデンサ３０の充電を行う過程で、データの破壊を行う記録媒体を磁界発生コイル４０にセットすることが想定されている。
【００３３】
続いて、上記のように充電されたコンデンサ３０の電気エネルギーを磁界発生コイル４０に投入すべく、ステップＳ１０５において、スイッチング素子ＳＷ２をオンとする。
【００３４】
ステップＳ１０６では、電流検出部８０で検出される電流値が閾値以上となったかが判定される。このステップＳ１０６における判定がＹＥＳとなると、ステップＳ１０７に進み、スイッチング素子ＳＷ２をオフとする制御信号を発し、コンデンサ３０に蓄電されている電気エネルギーをセーブする。このように、本実施形態では、電流値が閾値以上となると、スイッチング素子ＳＷ２をオフとして、データ破壊を行う記録媒体に応じた必要最小限の磁界を発生させることに留めており、これによりエネルギー効率が向上する。
【００３５】
ステップＳ１０８では、一連のデータ破壊作業が終了したか否かが判定される。当該判定がＮＯであれば、コンデンサ３０を再充電すべくステップＳ１０１に戻り、当該判定がＹＥＳであれば、ステップＳ１１０に進み、制御を終了する。
【００３６】
以上のように、本発明に係る磁気記録データ破壊装置１００においては、電流などの電流検出部８０に基づいて、コンデンサ３０に蓄電された電気エネルギーを電流として磁界発生コイル４０に流すスイッチング素子ＳＷ２をオフとすることで、記録媒体の種類によっては、コンデンサ３０に蓄えられた電気エネルギーを使い切ることなく、記録媒体のデータ破壊を行うことが可能となるので、エネルギー効率が向上するとともに、再充電に要する時間も節約することができ、記録媒体のデータ破壊作業の効率が向上する。
【００３７】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第１実施形態では、電流検出部８０による電流の検出情報に基づいて、スイッチング素子ＳＷ２をオフとするタイミングを決定していたが、本実施形態では、これに代えて磁界検出部８１の検出情報に基づいて、スイッチング素子ＳＷ２をオフとするタイミングを決定するようにしている。
【００３８】
図６は本発明の第２実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００の概要を示す図である。本実施形態では、磁界発生コイル４０に磁界検出部８１が配され、この磁界検出部８１で磁界発生コイル４０に発生した磁界強度を検出し、検出した磁界強度を制御部５０に入力する構成となっている。
【００３９】
本実施形態では、閾値を得る検出手段として磁界検出部８１が設けられることに伴い、参照テーブル６０は、図７に示すようなものとなる。図７は本発明の第２実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００の参照テーブル６０における記憶データ例を示す図である。
【００４０】
第２実施形態おける参照テーブル６０には、例えば、記録媒体の種類である「データ破壊対象記録媒体種類」と、その記録媒体に記録されるデータを破壊するために必要となる「発生磁界Ｈ」と、必要となる磁界を発生させた後からコンデンサ３０の再充電に必要となる「再充電時間Ｔ２」がデータ化されている。本実施形態では、必要となる磁界を磁界検出部８１で直接計測するので、電流値から間接的に磁界強度を推定する第１実施形態より、より確度が高くなるメリットがある。
【００４１】
本実施形態においても、記録媒体のデータを破壊するために必要となる磁界が大きくなるとともに、再充電に必要な時間Ｔ2も長くなる。
【００４２】
上記のような構成に係る本発明の第２実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００は、閾値として、磁界検出部８１で検出される磁界強度が用いられること以外は基本的に第１実施形態で説明した制御フローチャートにより制御部５０を動作させることができる。
【００４３】
以上のような本発明の第２実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００も、先の実施形態と同様の効果を享受することが可能である。
【００４４】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第１実施形態では、電流検出部８０による電流の検出情報に基づいて、スイッチング素子ＳＷ２をオフとするタイミングを決定していたが、本実施形態では、これに代えて電圧検出部８２の検出情報に基づいて、スイッチング素子ＳＷ２をオフとするタイミングを決定するようにしている。
【００４５】
図８は本発明の第３実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００の概要を示す図である。本実施形態では、コンデンサ３０に並列に電圧検出部８２が設けられており、このコンデンサ３０によりコンデンサ３０の電圧を検出し、検出した電圧を制御部５０に入力する構成となっている。
【００４６】
本実施形態では、閾値を得る検出手段として電圧検出部８２が設けられることに伴い、参照テーブル６０は、図９に示すようなものとなる。図９は本発明の第３実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００の参照テーブル６０における記憶データ例を示す図である。
【００４７】
第３実施形態おける参照テーブル６０には、例えば、記録媒体の種類である「データ破壊対象記録媒体種類」と、その記録媒体に記録されるデータを破壊するために必要となる「発生磁界Ｈ」と、その発生磁界を発生させ後のコンデンサ３０の「電圧Ｖ」と、必要となる磁界を発生させた後からコンデンサ３０の再充電に必要となる「再充電時間Ｔ２」がデータ化されている。
【００４８】
なお、第３実施形態においては、記録媒体のデータを破壊するために必要となる磁界が大きくなると、要する電力も多くなるので、コンデンサ３０の電圧Ｖは小さくなる。したがって、本実施形態では、電圧Ｖが閾値以下となったら、スイッチング素子ＳＷ２をオフとするように制御する。
【００４９】
上記のような構成に係る本発明の第３実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００は、閾値として、電圧検出部８２で検出される電圧が、上記のように用いられること以外は基本的に第１実施形態で説明した制御フローチャートにより制御部５０を動作させることができる。
【００５０】
以上のような本発明の第３実施形態に係る磁気記録データ破壊装置１００も、先の実施形態と同様の効果を享受することが可能である。
【００５１】
なお、以上の実施形態では、記録媒体としてオープンリールタイプ磁気テープを例に挙げて説明したが、本発明に係る磁気記録データ破壊装置１００により、データを破壊できる磁気記録媒体としては、これに限らず、ハードディスクやフレキシブルディスクなども含まれる。
【符号の説明】
【００５２】
１０・・・昇圧部
２０・・・整流部
３０・・・コンデンサ
４０・・・磁界発生コイル
５０・・・制御部
６０・・・参照テーブル
７０・・・入力部
８０・・・電流検出部
８１・・・磁界検出部
８２・・・電圧検出部
１００・・・磁気記録データ破壊装置
ＳＷ、ＳＷ１、ＳＷ２・・・スイッチング素子
Ｄ・・・ダイオード
【図１】
2013171605.tif 000003
【図２】
2013171605.tif 000004
【図３】
2013171605.tif 000005
【図４】
2013171605.tif 000006
【図５】
2013171605.tif 000007
【図６】
2013171605.tif 000008
【図７】
2013171605.tif 000009
【図８】
2013171605.tif 000010
【図９】
2013171605.tif 000011
【図１０】
2013171605.tif 000012
【図１１】
2013171605.tif 000013