(57)【要約】【課題】基板のずれを防止し、微小輝点の発生率を低減することを目的とする。【解決手段】液晶表示装置は、第１基板２８と第２基板３６とのギャップを保持するスペーサ８０と、第２配向膜２２側に窪み６６を有する下地層４０と、対向する第１配向膜１８の第１面２０及び第２配向膜２２の第２面２４に挟まれた液晶層２６と、を有し、第１配向膜１８は、スペーサ８０の形状に沿って、第１面２０が突出する第１凸部８２を有し、下地層４０の窪み６６の底面は、凹凸状に形成され、第２配向膜２２の第２面２４には、下地層４０の形状に対応して窪み８４が形成され、第２配向膜２２の窪み８４は、第２配向膜２２の第２面２４よりも低い第２凸部７６と、第２凸部７６よりも低い底面を有する凹部７８とによって凹凸状に形成され、第１配向膜１８の第１凸部８２は、第２配向膜２２の窪み８４に入って第２凸部７６に接触している。【選択図】図２
2013076852.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板から間隔をあけて対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板に形成された第１配向膜と、
前記第２基板に形成された第２配向膜と、
前記第１基板と前記第１配向膜との間に形成され、前記第１基板と前記第２基板とのギャップを保持するスペーサと、
前記第２基板と前記第２配向膜との間に形成され、前記第２配向膜側に窪みを有する下地層と、
相互に対向する前記第１配向膜の第１面及び前記第２配向膜の第２面に挟まれた液晶層と、
を有し、
前記第１配向膜は、前記スペーサの形状に沿って、前記第１面が突出する第１凸部を有し、
前記下地層の前記窪みの底面は、凹凸状に形成され、
前記第２配向膜の前記第２面には、前記下地層の形状に対応して窪みが形成され、
前記第２配向膜の前記窪みは、前記第２配向膜の前記第２面よりも低い第２凸部と、前記第２凸部よりも低い底面を有する凹部とによって凹凸状に形成され、
前記第１配向膜の前記第１凸部は、前記第２配向膜の前記窪みに入って前記第２凸部に接触していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された液晶表示装置において、
前記第１配向膜の前記第１凸部の一部は、前記第２凸部からはみ出して、前記凹部の前記底面から隙間をあけて位置することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された液晶表示装置において、
前記第１配向膜の前記第１凸部は、前記第２凸部の全体に対向し、前記第２凸部よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された液晶表示装置において、
前記第２配向膜の前記凹部は、前記第１凸部が入らないように、前記第１凸部よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された液晶表示装置において、
前記第２配向膜の前記第２凸部は、前記第２配向膜の前記窪みの内壁の一部から他の一部に延び、
前記第２配向膜の前記窪みに、前記第２凸部で区画されるように複数の前記凹部が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載された液晶表示装置において、
前記凹部は、前記第２凸部を囲むように形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１から４のいずれか１項に記載された液晶表示装置において、
前記凹部は、前記第２凸部の内側及び外側に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載された液晶表示装置において、
前記下地層は、薄膜トランジスタを構成するための半導体層及び複数の配線と、前記液晶層に電圧を印加するための電極と、前記薄膜トランジスタと前記電極との間の絶縁層と、を含み、
前記下地層の前記窪みは、前記絶縁層の穴によって形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載された液晶表示装置において、
前記絶縁層は、前記薄膜トランジスタを覆う第１無機絶縁膜と、前記第１無機絶縁膜を覆う有機絶縁膜と、前記第１無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜を覆う第２無機絶縁膜と、を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載された液晶表示装置において、
前記絶縁層の前記穴は、前記第１無機絶縁膜の貫通穴及び前記有機絶縁膜の貫通穴によって形成され、
前記第１無機絶縁膜の前記貫通穴は、前記有機絶縁膜の前記貫通穴よりも小さく形成され、
前記有機絶縁膜の前記貫通穴の内側に位置する前記第１無機絶縁膜の一部によって、前記下地層の前記窪みの前記底面に凸部が形成され、
前記第２無機絶縁膜は、前記第１無機絶縁膜の前記貫通穴及び前記有機絶縁膜の前記貫通穴並びに前記前記第１無機絶縁膜の一部からなる前記凸部を覆うように、前記第１無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜の上に凹凸状に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項９に記載された液晶表示装置において、
前記絶縁層の前記穴は、前記有機絶縁膜の貫通穴によって形成され、
前記有機絶縁膜の前記貫通穴の内側であって前記第１無機絶縁膜の下に、前記半導体層と同じ材料からなる第１層と、前記複数の配線と同じ材料からなる第２層と、が凸状に積層され、
前記第１無機絶縁膜は、前記第１層及び第２層を覆うことで凸部を有するように形成され、
前記第２無機絶縁膜は、前記有機絶縁膜の前記貫通穴及び前記第１無機絶縁膜の前記凸部を覆うように、前記第１無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜の上に凹凸状に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
１７インチクラス以上の中・大型の液晶表示装置では、拭きムラおよび振動試験時に起きる配向膜の削れによる微小輝点が問題になっている。拭きムラは、液晶表示パネル表面を触ったときにＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板とカラーフィルタ基板がずれることで部分的にギャップが変動し、それがムラとなって認識される現象である。また、中・大型の液晶表示装置では振動もしくは衝撃を受けたときに、液晶表示パネルに掛かる負荷が大きくなる。そのため、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板が擦れることで、配向膜の削れカスが生じ、配向を乱すため生じる不良が微小輝点である。
【０００３】
拭きムラの対策として、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板がずれた場合でも元に戻りやすいように封止加圧を弱めている。しかし、封止加圧を弱めすぎると高温環境下において周辺のギャップが広がるため、その部分が黄色く変色し高温ギャップムラが発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２２５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１には、スペーサと対向する領域に凹部を形成し、凹部にスペーサをはめ込むことで、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板のずれを防止することが開示されている。したがって、スペーサの変位を小さくすることで微小輝点の発生を低減している。しかし、配向膜の削れを全く無くすことはできないので、削りカスの浮遊を防止することは難しい。
【０００６】
本発明は、基板のずれを防止し、微小輝点の発生率を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板から間隔をあけて対向するように配置された第２基板と、前記第１基板に形成された第１配向膜と、前記第２基板に形成された第２配向膜と、前記第１基板と前記第１配向膜との間に形成され、前記第１基板と前記第２基板とのギャップを保持するスペーサと、前記第２基板と前記第２配向膜との間に形成され、前記第２配向膜側に窪みを有する下地層と、相互に対向する前記第１配向膜の第１面及び前記第２配向膜の第２面に挟まれた液晶層と、を有し、前記第１配向膜は、前記スペーサの形状に沿って、前記第１面が突出する第１凸部を有し、前記下地層の前記窪みの底面は、凹凸状に形成され、前記第２配向膜の前記第２面には、前記下地層の形状に対応して窪みが形成され、前記第２配向膜の前記窪みは、前記第２配向膜の前記第２面よりも低い第２凸部と、前記第２凸部よりも低い底面を有する凹部とによって凹凸状に形成され、前記第１配向膜の前記第１凸部は、前記第２配向膜の前記窪みに入って前記第２凸部に接触していることを特徴とする。本発明によれば、スペーサに対応する第１配向膜の第１凸部が第２配向膜の窪みに入ることで、第１基板及び第２基板のずれを防止することができる。さらに、第２配向膜の窪みは、第２凸部及び凹部で凹凸状になっているので、第１配向膜及び第２配向膜の削りカスが凹部に溜まるようになっている。これにより、削りカスの浮遊を防止し、微小輝点の発生率を低減することができる。
【０００８】
（２）（１）に記載された液晶表示装置において、前記第１配向膜の前記第１凸部の一部は、前記第２凸部からはみ出して、前記凹部の前記底面から隙間をあけて位置することを特徴としてもよい。
【０００９】
（３）（２）に記載された液晶表示装置において、前記第１配向膜の前記第１凸部は、前記第２凸部の全体に対向し、前記第２凸部よりも大きいことを特徴としてもよい。
【００１０】
（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された液晶表示装置において、前記第２配向膜の前記凹部は、前記第１凸部が入らないように、前記第１凸部よりも小さいことを特徴としてもよい。
【００１１】
（５）（１）から（４）のいずれか１項に記載された液晶表示装置において、前記第２配向膜の前記第２凸部は、前記第２配向膜の前記窪みの内壁の一部から他の一部に延び、前記第２配向膜の前記窪みに、前記第２凸部で区画されるように複数の前記凹部が形成されていることを特徴としてもよい。
【００１２】
（６）（１）から（４）のいずれか１項に記載された液晶表示装置において、前記凹部は、前記第２凸部を囲むように形成されていることを特徴としてもよい。
【００１３】
（７）（１）から（４）のいずれか１項に記載された液晶表示装置において、前記凹部は、前記第２凸部の内側及び外側に形成されていることを特徴としてもよい。
【００１４】
（８）（１）から（７）のいずれか１項に記載された液晶表示装置において、前記下地層は、薄膜トランジスタを構成するための半導体層及び複数の配線と、前記液晶層に電圧を印加するための電極と、前記薄膜トランジスタと前記電極との間の絶縁層と、を含み、前記下地層の前記窪みは、前記絶縁層の穴によって形成されていることを特徴としてもよい。
【００１５】
（９）（８）に記載された液晶表示装置において、前記絶縁層は、前記薄膜トランジスタを覆う第１無機絶縁膜と、前記第１無機絶縁膜を覆う有機絶縁膜と、前記第１無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜を覆う第２無機絶縁膜と、を含むことを特徴としてもよい。
【００１６】
（１０）（９）に記載された液晶表示装置において、前記絶縁層の前記穴は、前記第１無機絶縁膜の貫通穴及び前記有機絶縁膜の貫通穴によって形成され、前記第１無機絶縁膜の前記貫通穴は、前記有機絶縁膜の前記貫通穴よりも小さく形成され、前記有機絶縁膜の前記貫通穴の内側に位置する前記第１無機絶縁膜の一部によって、前記下地層の前記窪みの前記底面に凸部が形成され、前記第２無機絶縁膜は、前記第１無機絶縁膜の前記貫通穴及び前記有機絶縁膜の前記貫通穴並びに前記前記第１無機絶縁膜の一部からなる前記凸部を覆うように、前記第１無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜の上に凹凸状に形成されていることを特徴としてもよい。
【００１７】
（１１）（９）に記載された液晶表示装置において、前記絶縁層の前記穴は、前記有機絶縁膜の貫通穴によって形成され、前記有機絶縁膜の前記貫通穴の内側であって前記第１無機絶縁膜の下に、前記半導体層と同じ材料からなる第１層と、前記複数の配線と同じ材料からなる第２層と、が凸状に積層され、前記第１無機絶縁膜は、前記第１層及び第２層を覆うことで凸部を有するように形成され、前記第２無機絶縁膜は、前記有機絶縁膜の前記貫通穴及び前記第１無機絶縁膜の前記凸部を覆うように、前記第１無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜の上に凹凸状に形成されていることを特徴としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明を適用した第１の実施形態に係る液晶表示装置を示す分解斜視図である。
【図２】液晶表示パネルの一部断面図である。
【図３】図２とは異なる位置での液晶表示パネルの一部断面図である。
【図４】第２配向膜の窪みを示す平面図である。
【図５】第２の実施形態に係る液晶表示パネルの一部断面図である。
【図６】第１層及び第２層の平面図である。
【図７】第１凸部及び第２凸部の形状の一例を示す平面図である。
【図８】第１凸部及び第２凸部の形状の一例を示す平面図である。
【図９】第１凸部及び第２凸部の形状の一例を示す平面図である。
【図１０】第１凸部及び第２凸部の形状の一例を示す平面図である。
【図１１】第１凸部及び第２凸部の形状の一例を示す平面図である。
【図１２】第１凸部及び第２凸部の形状の一例を示す平面図である。
【図１３】第２配向膜の窪みの形状の一例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２０】
［第１の実施形態］
図１は、本発明を適用した第１の実施形態に係る液晶表示装置を示す分解斜視図である。液晶表示装置は、液晶表示パネル１０を有する。液晶表示パネル１０には、フレキシブル配線基板１２が取り付けられ、両面にそれぞれ偏光板１４が貼り付けられる。液晶表示装置は、バックライト１６を備えており、明るい画像の表示が可能になっている。
【００２１】
図２は、液晶表示パネル１０の一部断面図である。図３は、図２とは異なる位置での液晶表示パネル１０の一部断面図である。液晶表示パネル１０は、第１配向膜１８の第１面２０と第２配向膜２２の第２面２４に挟まれた液晶層２６を有する。
【００２２】
液晶表示パネル１０は、ガラス基板などの光透過性基板からなる第１基板２８を有する。第１基板２８は、カラーフィルタ基板を構成するためのもので、ブラックマトリクス層３０及び着色層３２が積層されている。着色層３２の表面の凹凸を平坦化するために、着色層３２には、ブラックマトリクス層３０とは反対側に、平坦化層３４が形成されている。平坦化層３４に第１配向膜１８が形成されている。
【００２３】
液晶表示パネル１０は、ガラス基板などの光透過性基板からなる第２基板３６を有する。第２基板３６は、図３に示すように、薄膜トランジスタ３８（Thin Film Transistor）が形成されており、ＴＦＴ基板と呼ばれる。第２基板３６は、第１基板２８から間隔をあけて対向するように配置されている。第２基板３６に第２配向膜２２が形成されている。第２基板３６と第２配向膜２２との間に下地層４０が形成されている。下地層４０は、以下説明するように種々の層が積層されて構成されている。
【００２４】
第２基板３６にはゲート配線４２が形成されている。ゲート配線４２を覆うようにゲート絶縁膜４４が形成され、ゲート配線４２の上方であってゲート絶縁膜４４上に半導体層４６（例えばアモルファスシリコン層）が形成されている。半導体層４６上には、間隔をあけて、ソース配線４８及びドレイン配線５０が形成されている。薄膜トランジスタ３８（半導体層４６並びにゲート配線４２、ソース配線４８及びドレイン配線５０）を覆うように、第１無機絶縁膜５２が形成されている。
【００２５】
第１無機絶縁膜５２を覆うように、樹脂などからなる有機絶縁膜５４が形成されている。第１無機絶縁膜５２及び有機絶縁膜５４を覆うように、第２無機絶縁膜５６が形成されている。第２無機絶縁膜５６には、液晶層２６に電圧を印加するための電極５８（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極）が形成されている。電極５８の下には、金属からなる配線６０が形成されている。なお、電極５８は共通電極であり、これ以外に図示しない位置に複数の画素電極が形成される。電極５８を覆うように第２配向膜２２が形成されている。
【００２６】
下地層４０は、薄膜トランジスタ３８を構成するための半導体層４６及び複数の配線６２（ゲート配線４２、ソース配線４８及びドレイン配線５０）と、液晶層２６に電圧を印加するための電極５８と、薄膜トランジスタ３８と電極５８との間の絶縁層６４（第１無機絶縁膜５２、有機絶縁膜５４及び第２無機絶縁膜５６）と、を含む。
【００２７】
図２に示すように、下地層４０は、第２配向膜２２側に窪み６６を有する。下地層４０の窪み６６の底面は、凹凸状に形成されている。下地層４０の窪み６６は、第１無機絶縁膜５２、有機絶縁膜５４及び第２無機絶縁膜５６を含む絶縁層６４の穴６８によって形成されている。具体的には、図２に示す絶縁層６４の穴６８は、第１無機絶縁膜５２の貫通穴７０及び有機絶縁膜５４の貫通穴７２によって形成されている。
【００２８】
有機絶縁膜５４の貫通穴７２の内側には、第１無機絶縁膜５２の一部が残っている。そのため、第１無機絶縁膜５２の貫通穴７０は、有機絶縁膜５４の貫通穴７２よりも小さく形成されている。有機絶縁膜５４の貫通穴７２の内側に位置する第１無機絶縁膜５２の一部によって、下地層４０の窪み６６の底面に凸部７４が形成される。
【００２９】
第２無機絶縁膜５６は、第１無機絶縁膜５２の貫通穴７０及び有機絶縁膜５４の貫通穴７２並びに第１無機絶縁膜５２の一部からなる凸部７４を覆う。これにより、第２無機絶縁膜５６は、貫通穴７０，７２及び凸部７４によって凹凸状になっている。
【００３０】
図４は、第２配向膜２２の窪み８４を示す平面図である。第２配向膜２２の第２面２４には、下地層４０の形状に対応して窪み８４が形成されている。第２配向膜２２の窪み８４は、凹凸状に形成されている。詳しくは、窪み８４には、第２配向膜２２の第２面２４よりは低い第２凸部７６が形成されている。第２配向膜２２の第２凸部７６は、第２配向膜２２の窪み８４の内壁の一部から他の一部に延びている（図４参照）。窪み８４には、第２凸部７６よりも低い底面を有する凹部７８が形成されている。第２配向膜２２の窪み８４に、第２凸部７６で区画されるように複数の凹部７８が形成されている。
【００３１】
図２に示すように、第１基板２８と第２基板３６のギャップは、樹脂などからなるスペーサ８０によって保持されている。スペーサ８０は、第１基板２８と第１配向膜１８との間に形成されている。第１配向膜１８は、スペーサ８０の形状に沿って、第１面２０が突出する第１凸部８２を有する。第１配向膜１８の第１凸部８２は、第２配向膜２２の窪み８４に入って第２凸部７６に接触している。第１配向膜１８の第１凸部８２の一部は、第２凸部７６からはみ出して、凹部７８の底面から隙間をあけて位置する。第２配向膜２２の凹部７８は、第１凸部８２が入らないように、第１凸部８２よりも小さい。すなわち、凹部７８の幅は、第１凸部８２の幅よりも小さい。
【００３２】
本実施形態によれば、スペーサ８０に対応する第１配向膜１８の第１凸部８２が第２配向膜２２の窪み８４に入ることで、第１基板２８及び第２基板３６のずれを防止することができる。さらに、第２配向膜２２の窪み８４は、第２凸部７６及び凹部７８で凹凸状になっているので、第１配向膜１８及び第２配向膜２２の削りカスが凹部７８に溜まるようになっている。これにより、削りカスの浮遊を防止し、微小輝点の発生率を低減することができる。
【００３３】
［第２の実施形態］
図５は、第２の実施形態に係る液晶表示パネル１０の一部断面図である。この例では、絶縁層１６４の穴１６８は、有機絶縁膜１５４の貫通穴１７２によって形成されている。第１無機絶縁膜１５２の下に、半導体層４６（図３参照）と同じ材料からなる第１層１８４と、複数の配線６２（図３参照）と同じ材料からなる第２層１８６と、が凸状に積層されている。第１層１８４及び第２層１８６は、有機絶縁膜１５４の貫通穴１７２の内側に形成されている。
【００３４】
図６は、第１層１８４及び第２層１８６の平面図であり、第１層１８４と第２層１８６とで十字を構成した例が示されている。第１層１８４及び第２層１８６が凸状をなすことで、これを覆う第１無機絶縁膜１５２も凸部１７４を有するようになっている。第２無機絶縁膜１５６は、有機絶縁膜１５４の貫通穴１７２及び第１無機絶縁膜１５２の凸部１７４を覆うように、第１無機絶縁膜１５２及び有機絶縁膜１５４の上に凹凸状に形成されている。その他の構成は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
【００３５】
［変形例］
図７〜図１３は、第２配向膜の窪み又は第２凸部の種々の形状を示す平面図である。
【００３６】
図７に示す例では、第１配向膜の第１凸部２８２の平面形状は円形であり、第２配向膜の第２凸部２７６の平面形状は十字になっている。第１凸部２８２は、第２凸部２７６の十字形状の交差部２８８及び交差部２８８から四方に延びる部分２９０に対向する（載る）ように配置されている。
【００３７】
図８に示す例では、第１配向膜の第１凸部３８２の平面形状は円形であり、第２配向膜の第２凸部３７６の平面形状は、複数の帯状部３９２を含むようになっている。第２凸部３７６の複数の帯状部３９２の配列方向において、両端を除く帯状部３９２ａには、幅方向の全体にわたって第１凸部３８２が対向する。これに対して、配列方向の両端に位置する帯状部３９２ｂの、それぞれ、相互に対向する側の側端には第１凸部３８２が対向するが、相互に反対側の側端には第１凸部３８２は対向しない。
【００３８】
図９に示す例では、第１配向膜の第１凸部４８２は、第２凸部４７６の全体に対向し、第２凸部４７６よりも大きい。第２配向膜の窪み４８４の凹部４７８は、第２凸部４７６を囲むように形成されている。なお、第１配向膜の第１凸部４８２の平面形状は円形であり、第２配向膜の第２凸部４７６の平面形状も円形である。
【００３９】
図１０に示す例では、第２配向膜の第２凸部５７６の平面形状が矩形であり、それ以外の構成は図９の例と同じである。
【００４０】
図１１に示す例では、第２配向膜の窪み６８４の凹部６７８は、第２凸部６７６の内側及び外側に形成されている。第２凸部６７６の平面形状は、リング状になっている。それ以外の構成は図９の例と同じである。図１１の例によれば、第２配向膜の窪み６８４の凹部６７８は、第２凸部６７６の内側及び外側に形成されている。したがって、第１配向膜及び第２配向膜の削りカスは、第２凸部６７６の内側の凹部６７８に入ると、上方が第１凸部６８２で塞がれているため外に出ない。そのため、削りカスの浮遊を防止することができる。
【００４１】
図１２に示す例では、第１配向膜の第１凸部７８２の平面形状は円形であり、第２配向膜の第２凸部７７６の平面形状は＃形状になっている。第１凸部７８２は、第２凸部７７６の＃形状の４つの交差部７９４及び交差部７９４から四方に延びる部分７９６に対向する（載る）ように配置されている。第２配向膜の窪み７８４の凹部７７８は、第２凸部７７６の内側（＃形状の中央領域）及び外側に形成されている。その効果は、図１１に示す例について上述した内容が該当する。
【００４２】
図１３は、第２配向膜の窪み８８４の平面形状を矩形にした例を示す図である。その他の構造は、図４に示す内容と同じである。
【００４３】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施の形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４４】
１０  液晶表示パネル、１２  フレキシブル配線基板、１４  偏光板、１６  バックライト、１８  第１配向膜、２０  第１面、２２  第２配向膜、２４  第２面、２６  液晶層、２８  第１基板、３０  ブラックマトリクス層、３２  着色層、３４  平坦化層、３６  第２基板、３８  薄膜トランジスタ、４０  下地層、４２  ゲート配線、４４  ゲート絶縁膜、４６  半導体層、４８  ソース配線、５０  ドレイン配線、５２  第１無機絶縁膜、５４  有機絶縁膜、５６  第２無機絶縁膜、５８  電極、６０  配線、６２  複数の配線、６４  絶縁層、６６  窪み、６８  穴、７０  貫通穴、７２  貫通穴、７４  凸部、７６  第２凸部、７８  凹部、８０  スペーサ、８２  第１凸部、８４  窪み、１５２  第１無機絶縁膜、１５４  有機絶縁膜、１５６  第２無機絶縁膜、１６４  絶縁層、１６８  穴、１７２  貫通穴、１７４  凸部、１８４  第１層、１８６  第２層、２７６  第２凸部、２８２  第１凸部、２８８  交差部、２９０  第２凸部の部分、３７６  第２凸部、３８２  第１凸部、３９２  帯状部、４７６  第２凸部、４７８  凹部、４８２  第１凸部、４８４  窪み、５７６  第２凸部、６８４  第２凸部、６７８  凹部、６８２  第１凸部、７８４  第２凸部、７７８  凹部、７８２  第１凸部、７９４  交差部、７９６  第２凸部の部分、８８４  第２配向膜の窪み。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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