(57)【要約】【目的】高精度なフォトマスクを実現するフォトマスクの製造方法を提供する。【構成】荷電粒子ビーム描画装置に、化学増幅型レジストが塗布されたフォトマスクブランクスを搬入し、化学増幅型レジストに荷電粒子ビームを照射してフォトマスクブランクス上の複数の領域にパターンを順次描画し、フォトマスクブランクスを荷電粒子ビーム描画装置から搬出し、複数の領域毎に、描画開始からポストエクスポージャーベークの開始までの経過時間を算出し、複数の領域毎に算出される経過時間に基づき、複数の領域毎のポストエクスポージャーベークのプロセス条件を決定し、プロセス条件を複数の区画毎に変更可能なポストエクスポージャーベーク装置を用い、複数の領域毎に決定されたプロセス条件でポストエクスポージャーベークを行い、化学増幅型レジストを現像することを特徴とするフォトマスクの製造方法。【選択図】図１
2013076857.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビーム描画装置に、化学増幅型レジストが塗布されたフォトマスクブランクスを搬入する搬入工程と、
前記化学増幅型レジストに荷電粒子ビームを照射して前記フォトマスクブランクス上の複数の領域にパターンを順次描画する描画工程と、
前記フォトマスクブランクスを前記荷電粒子ビーム描画装置から搬出する搬出工程と、
前記複数の領域毎に、描画開始から前記搬出工程が完了するまでの時間および前記搬出工程の完了からポストエクスポージャーベークの開始時間までの時間より経過時間を算出する算出工程と、
前記複数の領域毎に算出される前記経過時間に基づき、前記複数の領域毎のポストエクスポージャーベークのプロセス条件を決定するプロセス条件決定工程と、
プロセス条件を複数の区画毎に変更可能なポストエクスポージャーベーク装置を用い、前記複数の領域毎に決定されたプロセス条件で前記フォトマスクブランクスにポストエクスポージャーベークを行うポストエクスポージャーベーク工程と、
前記フォトマスクブランクス上の前記化学増幅型レジストを現像する現像工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２】
前記描画工程の前に、前記ポストエクスポージャーベーク装置におけるプロセス条件の変更可能領域の区画割に基づき、前記複数の領域の描画順序を決定する描画順序決定工程を、さらに備えることを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記複数の領域毎のプロセス条件のパラメータは、ポストエクスポージャーベークの時間または温度であることを特徴とする請求項１または請求項２記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
フォトマスクブランクスを荷電粒子描画装置内に搬入する搬入部と、
前記フォトマスクブランクス上に描画すべきパターンが定義される描画データを入力する入力部と、
前記描画データを荷電粒子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換するショットデータ生成部と、
前記ショットデータを用いて前記フォトマスクブランクス上の複数の領域に順次荷電粒子ビームを照射することで描画を行う描画部と、
前記フォトマスクブランクスを荷電粒子ビーム描画装置外に搬出する搬出部と、
前記複数の領域毎に、描画開始から前記フォトマスクブランクスが前記荷電粒子描画装置外へ搬出されるまでの時間をモニタするモニタ部を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
前記フォトマスクブランクスにポストエクスポージャーベークを行う際のプロセス条件の変更可能領域の区画割に基づき、前記複数の領域の描画順序を決定する描画順序決定部を有することを特徴とする請求項４記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク製造方法および荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスに所望の回路パターンを形成するために、リソグラフィー技術が用いられる。リソグラフィー技術では、フォトマスク（以下、単にマスクとも称する）と称される原画パターンを使ったパターンの転写が行われる。そして、高精度なマスクを製造するために、優れた解像度を有する電子ビーム（電子線）描画技術が用いられる。
【０００３】
電子ビーム描画では高い解像度を実現する化学増幅型レジストが用いられる。化学増幅型レジストは、電子ビームの照射後に、ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）を行うことにより、照射時に発生した酸が拡散、反応してパターンの形成が完了するという特徴を備える。
【０００４】
化学増幅型レジストの中には、電子ビーム照射からポストエクスポージャーベークまでの経過時間中に酸がレジスト中を拡散し、この経過時間の変動により、形成されるレジストのパターンが変動する特性を持つものがある。このようなレジストを用いる場合、電子ビーム照射からポストエクスポージャーベークまでの経過時間の管理が重要となる。
【０００５】
電子ビーム描画では高精度な描画を行うために、ビーム精度を保つ必要がある。このために、例えば、試料への描画中に、描画を中断して電子ビーム照射位置の変動を補正する、いわゆるドリフト補正が行われる。このようなドリフト補正のための描画の中断が行われると、中断前に描画した領域と、中断後に描画した領域では、電子ビーム照射による描画からポストエクスポージャーベークまでの経過時間が同一の試料であるにも関わらず大きく異なってしまう恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−１１１３７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、荷電粒子ビームの照射からポストエクスポージャーベークまでの時間を同一試料上の複数の領域毎に管理することで、高精度なフォトマスクを実現するフォトマスクの製造方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様のフォトマスクの製造方法は、荷電粒子ビーム描画装置に、化学増幅型レジストが塗布されたフォトマスクブランクスを搬入する搬入工程と、前記化学増幅型レジストに荷電粒子ビームを照射して前記フォトマスクブランクス上の複数の領域にパターンを順次描画する描画工程と、前記フォトマスクブランクスを前記荷電粒子ビーム描画装置から搬出する搬出工程と、前記複数の領域毎に、描画開始から前記搬出工程が完了するまでの時間および前記搬出工程の完了からポストエクスポージャーベークの開始時間までの時間より経過時間を算出する算出工程と、前記複数の領域毎に算出される前記経過時間に基づき、前記複数の領域毎のポストエクスポージャーベークのプロセス条件を決定するプロセス条件決定工程と、プロセス条件を複数の区画毎に変更可能なポストエクスポージャーベーク装置を用い、前記複数の領域毎に決定されたプロセス条件で前記フォトマスクブランクスにポストエクスポージャーベークを行うポストエクスポージャーベーク工程と、前記フォトマスクブランクス上の前記化学増幅型レジストを現像する現像工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
上記態様のフォトマスクの製造方法において、前記描画工程の前に、前記ポストエクスポージャーベーク装置におけるプロセス条件の変更可能領域の区画割に基づき、前記複数の領域の描画順序を決定する描画順序決定工程を、さらに備えることが望ましい。
【００１０】
上記態様のフォトマスクの製造方法において、前記複数の領域毎に算出される前記経過時間および前記搬出工程の完了から前記ポストエクスポージャーベーク工程の開始時間までの経過時間に基づき、前記複数の領域毎のプロセス条件を決定することが望ましい。
【００１１】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、フォトマスクブランクスを荷電粒子描画装置内に搬入する搬入部と、前記フォトマスクブランクス上に描画すべきパターンが定義される描画データを入力する入力部と、前記描画データを荷電粒子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換するショットデータ生成部と、前記ショットデータを用いて前記フォトマスクブランクス上の複数の領域に順次荷電粒子ビームを照射することで描画を行う描画部と、前記フォトマスクブランクスを荷電粒子ビーム描画装置外に搬出する搬出部と、前記複数の領域毎に、描画開始から前記フォトマスクブランクスが前記荷電粒子描画装置外へ搬出されるまでの時間をモニタするモニタ部を有することを特徴とする。
【００１２】
上記態様の荷電粒子ビーム描画装置において、前記フォトマスクブランクスにポストエクスポージャーベークを行う際のプロセス条件の変更可能領域の区画割に基づき、前記複数の領域の描画順序を決定する描画順序決定部を有することが望ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、荷電粒子ビームの照射からポストエクスポージャーベークまでの時間を同一試料上の複数の領域毎に管理することで、高精度なフォトマスクを実現するフォトマスクの製造方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施の形態のフォトマスク製造方法の工程図である。
【図２】第１の実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置の概略構成図である。
【図３】第１の実施の形態のマスクブランクス上に描画されるパターンの一例の模式図である。
【図４】第１の実施の形態のポストエクスポージャーベーク装置の説明図である。
【図５】第１の実施の形態のプロセス条件決定の一例を示す図である。
【図６】第２の実施の形態のフォトマスク製造方法の工程図である。
【図７】第２の実施の形態のフォトマスクの製造方法の描画順序の一例の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。ただし、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでもかまわない。
【００１６】
本明細書中、描画データとは、試料に描画するパターンの基データである。描画データはＣＡＤ等で設計者により生成された設計データを、描画装置内での演算処理が可能となるようフォーマットを変換したデータである。図形等の描画パターンが、例えば、図形の頂点等の座標で定義されている。
【００１７】
また、本明細書中、ショットとは、荷電粒子ビームの１回の照射により荷電粒子が照射される領域を意味する。
【００１８】
また、本明細書中、ショットデータとは、ショットの情報を備え、荷電粒子ビームによる描画を行う上での最終的なデータ形式を有するデータを意味する。
【００１９】
（第１の実施の形態）
本実施の形態のフォトマスクの製造方法は、荷電粒子ビーム描画装置に、化学増幅型レジストが塗布されたフォトマスクブランクスを搬入する搬入工程と、化学増幅型レジストに荷電粒子ビームを照射してフォトマスクブランクス上の複数の領域にパターンを順次描画する描画工程と、フォトマスクブランクスを荷電粒子ビーム描画装置から搬出する搬出工程と、複数の領域毎に、描画開始から搬出工程が完了するまでの時間および搬出工程の完了からポストエクスポージャーベークの開始時間までの時間より経過時間を算出する算出工程と、プロセス条件をフォトマスブランクス上の複数の区画で変更可能なポストエクスポージャーベーク装置を用い、複数の領域毎に算出される経過時間に基づき、複数の区画毎のプロセス条件を決定し、フォトマスクブランクスにポストエクスポージャーベークを行うポストエクスポージャーベーク工程と、フォトマスクブランクス上の化学増幅型レジストを現像する現像工程と、を備える。
【００２０】
本実施の形態のフォトマスクの製造方法は、試料上の領域毎に電子ビーム照射による描画から試料の搬出が終了するまでの経過時間を算出する。この経過時間をポストエクスポージャーベークのプロセス条件に反映させることで、試料上の各パターンが適切な条件でポストエクスポージャーベークされるようにする。よって、各パターンが所望の形状、サイズに形成され、高精度なフォトマスクを実現する。
【００２１】
図２は、本実施の形態のフォトマスク製造方法を実行する電子ビーム描画装置の概略構成図である。この電子ビーム描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。電子ビーム描画装置１００は、描画部１０２と、この描画部１０２の描画動作を制御する制御部１０４から構成されている。電子ビーム描画装置１００は、試料１１０に所定のパターンを描画する。
【００２２】
描画部１０２の試料室１０８内に試料１１０を載置するステージ１１２が収容されている。ステージ１１２は、制御部１０４によって、Ｘ方向（紙面左右方向）、Ｙ方向（紙面表裏方向）およびＺ方向（紙面上下方向）に駆動される。試料１１０は、例えば、半導体装置が形成されるウェハにパターンを転写するためのフォトマスクを製造するためのフォトマスクブランクス（以下、単にマスクブランクスとも記載）である。
【００２３】
マスクブランクスは、例えば石英ガラス上に遮光膜となるクロムが塗布されている。電子ビーム描画装置のステージ１１２上に載置される際に、化学増幅型のレジストが塗布される。
【００２４】
試料室１０８に隣接して、マスクブランクス１１０を装置外から描画装置内へ搬入する搬入部１０６が設けられる。搬入部１０６によりマスクブランクスは試料室１０８へと搬送する機能を備える。また、試料室１０８に隣接して、マスクブランクスを描画装置内から描画装置外へ搬出する搬出部１０７が設けられる。
【００２５】
試料室１０８の上方には、電子ビーム光学系１１４が設置されている。電子ビーム光学系１１４により、試料上に電子ビームによる描画が行われる。電子ビーム光学系１１４は、電子銃１１６、各種レンズ１１８、１２０、１２２、１２４、１２６、ブランキング用偏向器１２８、ビーム寸法可変用偏向器１３０、ビーム走査用の副偏向器１３２、ビーム走査用の主偏向器１３４、及び可変成形ビームで描画するための、ビーム成形用の第１のアパーチャ１３６、第２のアパーチャ１３８などから構成されている。
【００２６】
制御部１０４は、電子ビーム光学系１１４を制御する機能を備える。そして、入力部１５０、ショットデータ生成部１５２、制御回路１５４、およびモニタ部１５６を備える。
【００２７】
入力部１５０は、フォトマスクブランクス上に描画すべきパターンが定義される描画データを入力する機能を備える。例えば、描画データが記憶されるメモリ素子の読み取り装置である。
【００２８】
ショットデータ生成部１５２は、描画データを荷電粒子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換する機能を備える。
【００２９】
制御回路１５４は、ショットデータを基に描画部１０２における電子ビーム描画を制御する。
【００３０】
モニタ部１５６は、マスクブランクス上に描画される複数の領域毎に、描画からマスクブランクスが電子ビーム描画装置１００外へ搬出されるまでの時間をモニタする機能を備える。
【００３１】
ショットデータ生成部１５２、制御回路１５４、およびモニタ部１５６における処理は、例えば、ＣＰＵ等の演算処理デバイスや電気回路等のハードウェアを用いて実施される。或いは、ソフトウェアとハードウェアの組み合わせを用いて実施させても構わない。
【００３２】
図１は、本実施の形態のフォトマスクの製造方法の工程図である。搬入工程（Ｓ１１０）、描画工程（Ｓ１２０）、搬出工程（Ｓ１３０）、算出工程（Ｓ１４０）、プロセス条件決定工程（Ｓ１５０）、ポストエクスポージャーベーク工程（Ｓ１６０）、現像工程（Ｓ１７０）を備える。
【００３３】
本実施の形態のフォトマスクの製造方法では、まず、搬入工程（Ｓ１１０）において、搬入部１０６から、化学増幅型レジストが塗布されたマスクブランクス１１０が電子ビーム描画装置１００内に搬入される。搬入されたマスクブランクス１１０は搬入部１０６により試料室１０８内へと搬送され、ステージ１１２に載置される。この化学増幅型レジストは、電子ビームの照射からポストエクスポージャーベークまでの経過時間によって、パターン形状が変化する性質を備える化学増幅型レジストである。
【００３４】
また、電子ビーム描画装置１００には、あらかじめ、マスクブランクス１１０に描画するパターンの基データである描画データが入力および記憶されている。ショットデータ生成部１５２で、描画データを電子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換する
【００３５】
次に、描画工程（Ｓ１２０）において、描画部１０２により、化学増幅型レジストに電子ビームを照射してマスクブランクス１１０上の複数の領域にパターンを順次描画する。
【００３６】
図３は、本実施の形態のマスクブランクス上に描画されるパターンの一例の模式図である。図３に示すように、例えば、マスクブランクス上には複数の領域Ａ〜Ｆが所定の順序で描画される。
【００３７】
そして、描画が終了したマスクブランクス１１０は、搬出工程（Ｓ１３０）において、搬出部１０７により電子ビーム描画装置１００外へと搬出される。
【００３８】
算出工程（Ｓ１４０）において、モニタ部１５６でマスクブランクス上に描画される複数の領域毎、例えば、図３の領域Ａ〜Ｆ毎、に描画開始からマスクブランクスが電子ビーム描画装置１００外へ搬出されるまでの時間を算出する。また、算出工程（Ｓ１４０）では、搬出工程の完了からポストエクスポージャーベークの開始時間までの時間を、描画開始から搬出までの時間に加え、描画開始からポストエクスポージャーベークまでの経過時間を算出する。搬出工程の完了からポストエクスポージャーベークの開始時間までの時間には、推定された時間を用いてもよいし、実際に計測された時間を用いてもよい。
【００３９】
なお、算出工程（Ｓ１４０）の処理は、すべてモニタ部１５６で行われてもよいし、電子ビーム描画装置１００外の処理装置と組み合わせて実現されるものであってもかまわない。
【００４０】
次に、プロセス条件決定工程（Ｓ１５０）において、算出工程（Ｓ１４０）で算出された、描画開始からポストエクスポージャーベークまでの経過時間に基づき、領域毎の最適なポストエクスポージャーベークのプロセス条件を決定する。このプロセス条件のパラメータは、例えば、ポストエクスポージャーベークの時間または温度である。
【００４１】
例えば、経過時間の長い領域に関しては、短時間あるいは低温のプロセス条件を選択、決定する。また、例えば、経過時間の短い領域に関しては、長時間あるいは高温のプロセス条件を選択・決定する。
【００４２】
このプロセス条件決定工程（Ｓ１５０）は、例えば、電子ビーム描画装置１００外のコンピューター等の演算処理装置で行われる。また、例えば、電子ビーム描画装置１００内の演算処理部またはポストエクスポージャーベーク装置内の演算処理部で行われる。
【００４３】
次に、ポストエクスポージャーベーク工程（Ｓ１６０）において、複数の領域毎に決定されたプロセス条件でマスクブランクスにポストエクスポージャーベークを行う。例えば、複数の領域毎に決定されたプロセス条件が、レシピとしてポストエクスポージャーベーク装置に記憶され、このレシピを用いて、ポストエクスポージャーベークを行う。なお、この際、プロセス条件を複数の区画毎に変更可能なポストエクスポージャーベーク装置を用いる。
【００４４】
次に、現像工程（Ｓ１７０）で、マスクブランクス上の化学増幅型レジストを現像する。現像には、公知の現像装置と公知の現像液を用いる。
【００４５】
図４は、本実施の形態のポストエクスポージャーベーク装置の説明図である。図４は、ポストエクスポージャーベーク装置のマスクブランクスを載置するホットプレートの上面模式図である。図４に示すように、本実施の形態のポストエクスポージャーベーク装置は、ホットプレート上のａ１〜ｄ４の１６の区画毎にプロセス条件のパラメータ、例えば、プロセス時間またはプロセス温度を変更可能に設計されている。
【００４６】
図５は、本実施の形態のプロセス条件決定の一例を示す図である。図５（ａ）がマスクブランクスに描画される複数の領域の配置と描画順序を示す説明図である。図５（ｂ）がポストエクスポージャーベークの領域毎のプロセス条件の設定の説明図である。
【００４７】
例えば、各領域Ａ〜Ｆは、Ａ→Ｂ→Ｄ→Ｃ→Ｅ→Ｆの描画順で描画されるものとする。
この場合、例えば、領域Ｃの描画が終了した時点で、電子ビームのドリフトが生じていることが判明し、領域Ｅの描画前にドリフト補正の処理が行われるものとする。そうすると、領域Ｃの描画と領域Ｅの間に描画の待機時間が生じ、結果的に描画からポストエクスポージャーベークまでの経過時間に領域毎に差が生じることになる。
【００４８】
すなわち、領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの経過時間が長く、領域Ｅ、Ｆの経過時間が短くなる。このため、同一のプロセス条件で、ポストエクスポージャーベークを行うと領域間でパターン形状に差が生じる恐れがある。
【００４９】
そこで、本実施の形態のフォトマスクの製造方法では、図５（ｂ）に示すように、領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対応するホットプレート上の区画ａ１〜ａ４、ｂ１〜ｂ２と、領域Ｅ、Ｆに対応するホットプレート上の区画ｂ３〜ｂ４、ｃ１〜ｃ４、ｄ１〜ｄ４とでポストエクスポージャーベークのプロセス条件のパラメータを変更する。
【００５０】
例えば、区画ａ１〜ａ４、ｂ１〜ｂ２ではポストエクスポージャーベークの温度を低くする、または、ポストエクスポージャーベークの時間を短くする。一方、区画ｂ３〜ｂ４、ｃ１〜ｃ４、ｄ１〜ｄ４ではポストエクスポージャーベークの温度を高くする、または、ポストエクスポージャーベークの時間を長くする。このように、領域毎にプロセス条件を変化させることで、領域間でパターン形状に差が生じることを抑制する。
【００５１】
本実施の形態のフォトマスクの製造方法によれば、フォトマスクブランクスに描画される複数の領域について、描画からポストエクスポージャーベークまでの経過時間に差が生じたとしても、領域間でパターン形状に差が生じることを抑制することが可能となる。特に、例えば、ドリフト補正等、描画開始前に特定できない描画の中断が生じた場合に本実施の形態は有効である。
【００５２】
また、本実施の形態の電子ビーム描画装置１００によれば、本実施の形態のフォトマスクの製造方法を容易に実現することが可能となる。
【００５３】
（第２の実施の形態）
本実施の形態のフォトマスクの製造方法は、描画工程の前に、ポストエクスポージャーベーク装置におけるプロセス条件の変更可能領域の区画割に基づき、描画順序決定部で複数の領域の描画順序を決定する描画順序決定工程を、さらに備えること以外は、第１の実施の形態と同様である。したがって、第１の実施の形態と重複する内容については記述を省略する。
【００５４】
図６は、本実施の形態のフォトマスクの製造方法の工程図である。搬入工程（Ｓ１１０）、描画順序決定工程（Ｓ１１２）、描画工程（Ｓ１２０）、搬出工程（Ｓ１３０）、算出工程（Ｓ１４０）、プロセス条件決定工程（Ｓ１５０）、ポストエクスポージャーベーク工程（Ｓ１６０）、現像工程（Ｓ１７０）を備える。
【００５５】
図７は、本実施の形態のフォトマスクの製造方法の描画順序の一例の説明図である。例えば、ポストエクスポージャーベーク装置のホットプレートが図４に示すような区画割となっているとする。
【００５６】
この場合、例えば、図５（ａ）の順序で各領域Ａ〜Ｆの描画を行うと、同一の区画に対応する位置に配置される領域Ｂと領域Ｃの間に領域Ｄの描画が入る。このため、領域Ｂと領域Ｃの間で描画開始前に特定できない描画の中断が生じる確率が、領域Ｂと領域Ｃを連続して描画する場合に比較して高くなる。領域Ｂと領域Ｃの間で描画開始前に特定できない描画の中断が生じると、後のポストエクスポージャーベーク工程におけるプロセス条件の対応が困難となる。
【００５７】
本実施の形態では、描画順序決定工程（Ｓ１１２）で、あらかじめポストエクスポージャーベーク装置におけるプロセス条件の変更可能領域の区画割を考慮して、各領域の描画順序を決定する。例えば、図７に示すように、各領域Ａ〜Ｆは、Ａ→Ｂ→Ｃ→Ｄ→Ｅ→Ｆの描画順で描画されるものとする。
【００５８】
このように、同一の区画割ａ４上に配置される領域Ｂと領域Ｃを連続して描画することで、領域Ｂと領域Ｃの間の経過時間差を抑えることができる。したがって、後のポストエクスポージャーベーク工程におけるプロセス条件の対応できる可能性も向上する。
【００５９】
よって、本実施の形態のフォトマスクの製造方法によれば、フォトマスクブランクスに描画される複数の領域について、描画からポストエクスポージャーベークまでの経過時間に差が生じたとしても、領域間でパターン形状に差が生じることを抑制することがさらに容易となる。
【００６０】
なお、図１に示す電子ビーム描画装置１００が図示しない描画順序決定部をさらに備えることが望ましい。描画順序決定部は、ポストエクスポージャーベーク装置におけるプロセス条件の変更可能領域の区画割に基づき、複数の領域の描画順序を決定する機能を備える。
【００６１】
描画順序決定部における処理は、例えば、ＣＰＵ等の演算処理デバイスや電気回路等のハードウェアを用いて実施される。或いは、ソフトウェアとハードウェアの組み合わせを用いて実施させても構わない。
【００６２】
描画順序決定部をさらに備えることで、本実施の形態フォトマスクの製造方法の実現を容易にする。
【００６３】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００６４】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのフォトマスクの製造方法または荷電粒子ビーム描画方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６５】
１００      電子ビーム描画装置
１０２      描画部
１０４      制御部
１０６      搬入部
１０７      搬出部
１１０      マスクブランクス（試料）
１１２      試料室
１５０      入力部
１５２      ショットデータ生成部
１５４      制御回路
１５６      モニタ部
【図１】
2013076857.tif 000003
【図２】
2013076857.tif 000004
【図３】
2013076857.tif 000005
【図４】
2013076857.tif 000006
【図５】
2013076857.tif 000007
【図６】
2013076857.tif 000008
【図７】
2013076857.tif 000009