(57)【要約】【課題】側壁転写プロセスを用いてラインアンドスペースパターンを形成する際に、側壁パターンの倒壊を防ぐことができるパターン形成方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、まず、Ｙ方向に延在するラインパターンがＸ方向に所定の間隔で配置される芯材パターン１３Ａを被加工膜１１上に形成する。ついで、芯材パターン１３Ａを形成した被加工膜１１上に、側壁膜１５をコンフォーマルに形成する。その後、Ｘ方向に２本分以上のラインパターンを横切る長さを有するレジストパターン１７を側壁膜１５上に形成する。さらに、レジストパターン１７に覆われていない領域で芯材パターン１３Ａが露出するまで側壁膜１５をエッチバックし、側壁パターン１５Ａを形成する。その後、芯材パターン１３Ａを除去し、レジストパターン１７を除去し、側壁パターン１５Ａをマスクとして被加工膜１１を加工する。【選択図】図１−６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在する第１ラインパターンが前記第１の方向に直交する第２の方向に所定の間隔で配置される芯材パターンを被加工膜上に形成する芯材パターン形成工程と、
前記芯材パターンを形成した前記被加工膜上に、側壁膜をコンフォーマルに形成する側壁膜形成工程と、
前記芯材パターンの上面が露出しない程度に前記側壁膜の全面エッチバックを行う側壁膜エッチバック工程と、
前記芯材パターンが形成される領域上に前記第２の方向に延在する第２ラインパターンが、前記第２ラインパターンの幅よりも広いスペースを置いて前記第１の方向に配置されるレジストパターンを前記側壁膜上に形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンに覆われていない領域で前記芯材パターンが露出するまで前記側壁膜をエッチバックし、側壁パターンを形成する側壁パターン形成工程と、
前記芯材パターンを除去する芯材パターン除去工程と、
前記レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、
前記側壁パターンをマスクとして前記被加工膜を加工する加工工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
第１の方向に延在する第１ラインパターンが前記第１の方向に直交する第２の方向に所定の間隔で配置される芯材パターンを被加工膜上に形成する芯材パターン形成工程と、
前記芯材パターンを形成した前記被加工膜上に、側壁膜をコンフォーマルに形成する側壁膜形成工程と、
前記第２の方向に２本分以上の前記第１ラインパターンを横切る長さを有するレジストパターンを前記側壁膜上に形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンに覆われていない領域で前記芯材パターンが露出するまで前記側壁膜をエッチバックし、側壁パターンを形成する側壁パターン形成工程と、
前記芯材パターンを除去する芯材パターン除去工程と、
前記レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、
前記側壁パターンをマスクとして前記被加工膜を加工する加工工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
前記レジストパターン形成工程では、前記芯材パターンが形成される領域上に前記第２の方向に延在する第２ラインパターンが所定のスペースを置いて配置される前記レジストパターンを形成することを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記レジストパターン形成工程では、前記第２の方向に２本分の前記第１ラインパターンを横切る長さを有する島状パターンが前記第２の方向に２本分の前記第１ラインパターンのスペースを置いて配置される第１パターンと、前記島状パターンと前記スペースの形成位置が前記第１パターンとは逆転した第２パターンと、が前記第１の方向に交互に配置される前記レジストパターンを形成することを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記側壁膜形成工程の後で前記レジストパターン形成工程の前に、前記芯材パターンの上面が露出しない程度に前記側壁膜の全面エッチバックを行う側壁膜エッチバック工程をさらに含むことを特徴とする請求項２から４のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化によって、リソグラフィの解像限界を下回る幅を有するラインアンドスペースパターンの形成が困難となってきており、これに対処するために、側壁転写プロセスが提案されている。
【０００３】
従来では、側壁転写プロセスを用いて、たとえば以下に示すような方法でラインアンドスペースパターンを形成していた。まず、半導体基板上に被加工膜、マスク膜および芯材膜を積層する。ついで、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、芯材膜上にラインアンドスペース状のレジストパターンを形成し、ＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）法によってレジストパターンをマスクとして、芯材膜をエッチングし、芯材パターンを形成する。その後、芯材パターンを形成したマスク膜上に側壁膜をコンフォーマルに形成し、スペーサ加工した後、芯材パターンを除去して、閉ループ状の側壁パターンを形成する。そして、側壁パターンをマスク膜に転写し、さらに被加工膜を加工することで、微細パターンを形成する。
【０００４】
ここで、マスク膜と被加工膜を加工する際に、ラインアンドスペースパターンの形成と同時に周辺回路等のラインアンドスペースパターンに比して幅広パターンを形成するカバーリソグラフィ処理を行う。カバーリソグラフィ処理では、側壁膜のスペーサ加工を行った後に、リソグラフィ技術によりラインアンドスペースパターン以外の領域の幅広パターンを形成する部分の芯材パターンをレジストで覆う。この状態で薬液による芯材パターンの除去を行うことで、レジスト下の芯材パターンが保護され、幅広パターンが形成される。
【０００５】
ところで、上記の方法によってパターン形成を行う際に、側壁膜の成膜時に発生する応力や除去される芯材パターンの大きなアスペクト比、あるいは側壁パターンとマスク膜の間の界面酸化膜の芯材パターン除去時の薬液での溶解などが原因となり、側壁パターンが倒れてパターンが閉塞してしまうという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１７１０３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一つの実施形態は、側壁転写プロセスを用いてラインアンドスペースパターンを形成する際に、側壁パターンの倒壊を防ぐことができるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの実施形態によれば、まず、第１の方向に延在する第１ラインパターンが前記第１の方向に直交する第２の方向に所定の間隔で配置される芯材パターンを被加工膜上に形成する芯材パターン形成工程を行う。ついで、前記芯材パターンを形成した前記被加工膜上に、側壁膜をコンフォーマルに形成する側壁膜形成工程を行う。その後、前記第２の方向に２本分以上の前記第１ラインパターンを横切る長さを有するレジストパターンを前記側壁膜上に形成するレジストパターン形成工程を行う。さらに、前記レジストパターンに覆われていない領域で前記芯材パターンが露出するまで前記側壁膜をエッチバックし、側壁パターンを形成する側壁パターン形成工程を行う。その後、前記芯材パターンを除去する芯材パターン除去工程と、前記レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、前記側壁パターンをマスクとして前記被加工膜を加工する加工工程と、を行う。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１−１】図１−１は、第１の実施形態によるパターン形成方法の手順の一例を模式的に示す図である（その１）。
【図１−２】図１−２は、第１の実施形態によるパターン形成方法の手順の一例を模式的に示す図である（その２）。
【図１−３】図１−３は、第１の実施形態によるパターン形成方法の手順の一例を模式的に示す図である（その３）。
【図１−４】図１−４は、第１の実施形態によるパターン形成方法の手順の一例を模式的に示す図である（その４）。
【図１−５】図１−５は、第１の実施形態によるパターン形成方法の手順の一例を模式的に示す図である（その５）。
【図１−６】図１−６は、第１の実施形態によるパターン形成方法の手順の一例を模式的に示す図である（その６）。
【図１−７】図１−７は、第１の実施形態によるパターン形成方法の手順の一例を模式的に示す図である（その７）。
【図１−８】図１−８は、第１の実施形態によるパターン形成方法の手順の一例を模式的に示す図である（その８）。
【図２−１】図２−１は、第２の実施形態によるパターン形成方法の手順の一例を模式的に示す図である（その１）。
【図２−２】図２−２は、第２の実施形態によるパターン形成方法の手順の一例を模式的に示す図である（その２）。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるパターン形成方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の実施形態で用いられるパターン形成方法の断面図は模式的なものであり、層の厚みと幅との関係や各層の厚みの比率などは現実のものとは異なる場合がある。さらに、以下で示す膜厚は一例であり、これに限定されるものではない。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１−１〜図１−８は、第１の実施形態によるパターン形成方法の手順の一例を模式的に示す図である。図１−１〜図１−８で、（ａ）は上面図を示し、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図を示している。また、図１−５〜図１−８で、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図を示している。なお、各図の（ａ）で、被加工膜に形成されるラインアンドスペースパターンの延在方向をＹ方向とし、Ｙ方向に直交する基板面内の方向をＸ方向としている。
【００１２】
まず、図１−１に示されるように、図示しない半導体基板上に加工対象である被加工膜１１、マスク膜１２、芯材膜１３を順に積層させる。被加工膜１１として、たとえばＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置を製造する場合には、半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜、浮遊ゲート電極膜、電極間絶縁膜および制御ゲート電極膜の積層膜を用いることができる。また、マスク膜１２として、たとえばＳｉＮ膜を用いることができ、芯材膜１３として、たとえばＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）膜を用いることができる。
【００１３】
続いて、芯材膜１３上にレジスト１４ａを塗布し、その上にマスク膜１４ｂを形成した後、その上にフォトレジストを塗布し、リソグラフィ技術によってレジストパターン１４ｃを形成する。マスク膜１４ｂとして、たとえばＳＯＧ（Spin  On  Glass）を用いることができる。また、レジストパターン１４ｃとしてＹ方向に延在し、ラインの幅とスペースの幅とが略等しいラインアンドスペース状のパターンを形成しているが、図示しない領域では周辺回路等の幅広パターンが形成されている。
【００１４】
ついで、図１−２に示されるように、レジストパターン１４ｃをマスク膜１４ｂに転写し、パターンが転写されたマスク膜１４ｂをマスクとしてレジスト１４ａを加工する。そして、パターニングされたレジスト１４ａをマスクとして芯材膜１３を加工し、ラインアンドスペース状の芯材パターン１３Ａを形成する。ここでは、より厚い、パターニングされたレジストを形成することが可能なレジスト１４ａ、マスク膜１４ｂおよびレジストパターン１４ｃが積層された多層レジストプロセス構造を用いて芯材膜１３の加工を行っているが、必ずしもこの構造とする必要はない。
【００１５】
レジスト剥離技術によってレジスト１４ａを除去した後、図１−３に示されるように、等方性エッチングによって、ラインアンドスペース状の芯材パターン１３Ａを略半分の幅となるまでスリミングする。ついで、図１−４に示されるように、加工対象上の全面に側壁膜１５を形成する。側壁膜１５は、マスク膜１２上に形成された芯材パターン１３Ａをコンフォーマルに覆うように形成される。側壁膜１５として、たとえば非晶質シリコン膜を用いることができ、膜厚として、スリミング後の芯材パターン１３Ａの幅とほぼ同じ厚さとすることができる。
【００１６】
その後、図１−５に示されるように、カバーリソグラフィ処理を実施する。具体的には、側壁膜１５上にレジストを塗布し、リソグラフィ技術によって周辺回路等の幅広パターンを形成（保護）する領域を覆うとともに、ラインアンドスペース状の芯材パターン１３Ａ上にもレジストパターン１７を形成する。ここでは、図示しない幅広パターンを保護する一般的に形成されるレジストパターンに加え、芯材パターン１３Ａの延在方向と直交するＸ方向に延在するラインアンドスペース状のレジストパターン１７を側壁膜１５上に形成する。これによって、図１−５（ｂ）、（ｃ）に示されるように、レジストパターン１７で側壁膜１５が覆われた領域と、覆われていない領域とが、Ｙ方向に交互に形成される。また、このラインアンドスペース状のレジストパターン１７でのラインパターンの幅とスペースの幅とは特に限定されるものではないが、後の芯材パターン１３Ａの除去処理の際に、薬液がスペースの領域に入り込みやすくするように、ラインパターンの幅に比してスペースの幅の方を大きくすることが望ましい。さらに、このラインアンドスペース状のレジストパターン１７の幅などは、芯材パターン１３Ａを形成する場合ほどの精度は要求されない。
【００１７】
ついで、図１−６に示されるように、カバーリソグラフィ処理のレジストパターン１７が形成された状態で、スペーサ加工（エッチバック処理）を行う。これによって、ラインアンドスペース状のレジストパターン１７で覆われていない領域では、図１−６（ｂ）に示されるように、芯材パターン１３Ａの上面が露出するまで、また芯材パターン１３Ａ間ではマスク膜１２に対して直立する対向する側壁膜１５間の下層のマスク膜１２の上面が露出するまで、側壁膜１５がエッチングされる。一方、レジストパターン１７で覆われている領域では、図１−６（ｃ）に示されるようにレジストパターン１７によって保護されるため、芯材パターン１３Ａの上部と、芯材パターン１３Ａ間の底部には側壁膜１５が残っている状態となる。その結果、芯材パターン１３Ａの周囲には閉ループ状の側壁パターン１５Ａが形成され、また場所によって、芯材パターン１３Ａの上部と芯材パターン１３Ａ間の底部とに側壁膜１５からなる支持パターン１５１，１５２が形成された状態となる。
【００１８】
その後、図１−７に示されるように、ウエットエッチングによって、芯材パターン１３Ａを除去する。ここでは、レジストパターン１７が形成されていない領域から芯材パターン１３Ａの除去が始まる。そして、隣接するレジストパターン１７で覆われている領域の芯材パターン１３Ａが露出し始めると、そこからレジストパターン１７で覆われている領域の芯材パターン１３Ａも除去されていく。その結果、レジストパターン１７で覆われていない領域では、図１−７（ｂ）に示されるように、マスク膜１２に対して直立する側壁パターン１５Ａが形成され、レジストパターン１７で覆われている領域では、図１−７（ｃ）に示されるように、マスク膜１２に対して直立する側壁パターン１５Ａの上部の一方の側に隣接する側壁パターン１５Ａと接続される支持パターン１５１と、直立する側壁膜１５の下部の他方の側に隣接する側壁膜１５と接続される支持パターン１５２と、が設けられた側壁パターン１５Ａが形成される。
【００１９】
図１−７（ｃ）に示されるように、レジストパターン１７で覆われている領域では、隣接する側壁パターン１５Ａは、支持パターン１５１，１５２によってＸ方向に接続された状態となっている。Ｙ方向に延在する側壁パターン１５Ａ中の所定の箇所に、このような支持パターン１５１，１５２を設けることで、側壁パターン１５Ａが倒れ難い構造となる。その結果、芯材パターン１３Ａの除去時においても側壁パターン１５Ａの倒壊が抑制される。
【００２０】
ついで、図１−８に示されるように、レジスト剥離技術によってレジストパターン１７を除去する。これによって、マスク膜１２を加工する際のマスクとなる側壁パターン１５Ａが形成されるが、上記したように側壁パターン１５Ａの上部と下部にはそれぞれ支持パターン１５１，１５２が設けられている。
【００２１】
その後、側壁パターン１５Ａをマスクとしてマスク膜１２をエッチングしてマスクパターンを形成し、このマスクパターンを用いてさらに被加工膜１１を加工する。なお、側壁パターン１５Ａの上部と下部に残された支持パターン１５１，１５２は、マスク膜１２のエッチング時に除去されるので、このような構造の側壁パターン１５Ａでも、従来のようにラインアンドスペースパターンを被加工膜１１に形成することができる。
【００２２】
第１の実施形態では、側壁転写プロセスにおいて、Ｙ方向に延在するラインアンドスペース状の芯材パターン１３Ａを側壁膜１５でコンフォーマルに被覆した後に行う周辺回路などの幅広パターンを保護するカバーリソグラフィ処理時に、Ｘ方向に延在するラインアンドスペース状のレジストパターン１７をＹ方向に所定の間隔で形成する。その後、スペーサ加工を行い、レジストパターン１７で覆われていない領域で芯材パターン１３Ａの上部と芯材パターン１３Ａ間の下部にある側壁膜１５を除去し、芯材パターン１３Ａを除去するようにした。これによって、側壁パターン１５Ａの上部と下部には、Ｙ方向に所定の箇所でそれぞれ側壁膜１５からなる支持パターン１５１，１５２が残され、隣接する直立した側壁パターン１５Ａ間を支持する形となるので、芯材パターン１３Ａを除去する際の側壁パターン１５Ａの倒壊を抑制することができるという効果を有する。
【００２３】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、カバーリソグラフィ処理を実施する際、図１−５（ｃ）に示されるように、ラインアンドスペース状の芯材パターン１３Ａの延在方向に直交するレジストパターン１７を、芯材パターン１３Ａ上に側壁膜１５を介して形成している。しかし、隣接する芯材パターン１３Ａ間に堆積するレジストパターン１７が側壁膜１５の加工の際に、芯材パターン１３Ａ間の下部の側壁膜１５を保護してしまう。そのため、図１−７に示されるように、下部の支持パターン１５２が残った部分と残らなかった部分が存在する。
【００２４】
マスク膜１２に対して側壁パターン１５Ａの選択比を十分に取れる条件でエッチングを行うことができれば、下部の支持パターン１５２の残留は特に問題とはならない。しかし、選択比を十分に取れない条件でエッチングを行う場合には、側壁パターン１５Ａをマスク膜１２と被加工膜１１に転写した後に、下部の支持パターン１５２の有無によって、側壁パターン１５Ａ間のスペース部分で下層パターンに段差が発生してしまう虞がある。そこで、この第２の実施形態では、下層パターンの段差の発生を第１の実施形態に比して抑制することができるパターン形成方法について説明する。
【００２５】
図２−１〜図２−２は、第２の実施形態によるパターン形成方法の手順の一例を模式的に示す図であり、（ａ）は上面図を示し、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図を示し、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図を示している。なお、図１−４までは第１の実施形態と同一であるので、説明を省略する。
【００２６】
ラインアンドスペース状の芯材パターン１３Ａが形成されたマスク膜１２上に側壁膜１５をコンフォーマルに形成した後、図２−１に示されるように、カバーリソグラフィ処理を実施する。第１の実施形態では、Ｘ方向に延在するラインアンドスペース状のレジストパターン１７を、Ｙ方向に延在するラインアンドスペース状の芯材パターン１３Ａ上に側壁膜１５を介して形成していたが、第２の実施形態では、孤立した島状のレジストパターン１８を形成する。
【００２７】
図２−１では、Ｘ方向に隣接する２本の芯材パターン１３Ａとその間のスペースに対応する領域に島状のレジストパターン１８を配置し、この島状のレジストパターン１８を２本分の芯材パターン１３ＡをおいてＸ方向に周期的に形成した第１パターン列と、第１パターン列のＸ方向における島状のレジストパターン１８の位置とスペースの位置とを反転させた（第１パターン列のＸ方向における島状のレジストパターン１８とスペースの位置とを半周期ずらした）第２パターン列とを、Ｙ方向に所定の間隔で交互に配置させた構造としている。すなわち、（ａ）に示されるように、孤立した島状のレジストパターン１８を、Ｘ方向とＹ方向にそれぞれ所定の間隔で配置することによって、Ｘ方向に隣接する芯材パターン１３Ａ間の下部の側壁膜１５上にレジストが堆積する領域の面積を減らすとともに、下部の支持パターン１５２が形成される領域を均等に分散させるようにしている。このような島状のレジストパターン１８は、たとえば露光光源がＡｒＦのリソグラフィプロセスを用いて形成可能なサイズと間隔で配置することができる。
【００２８】
ついで、図２−２に示されるように、カバーリソグラフィ処理のレジストパターン１７が形成された状態で、スペーサ加工（エッチバック処理）を行う。これによって、レジストパターン１７で覆われていない領域では、芯材パターン１３Ａの上面が露出するまで、また芯材パターン１３Ａ間ではマスク膜１２に対して直立する対向する側壁膜１５間の下層のマスク膜１２の上面が露出するまで、側壁膜１５がエッチングされる。一方、レジストパターン１７で覆われている領域では、レジストパターン１７によって保護されるため、芯材パターン１３Ａの上部と、芯材パターン間の底部には側壁膜１５が残っている状態となる。その結果、芯材パターン１３Ａの周囲には閉ループ状の側壁パターン１５Ａが形成され、また場所によって、芯材パターン１３Ａの上部と芯材パターン１３Ａ間の底部とに側壁膜１５からなる支持パターン１５１，１５２が形成された状態となる。
【００２９】
さらに、ウエットエッチングによって、芯材パターン１３Ａを除去する。ここでは、レジストパターン１７が形成されていない領域から芯材パターン１３Ａの除去が始まる。そして、隣接するレジストパターン１７で覆われている領域の芯材パターン１３Ａが露出し始めると、そこからレジストパターン１７で覆われている領域の芯材パターン１３Ａも除去されていく。その結果、レジストパターン１７で覆われていない領域では、マスク膜１２に対して直立する側壁パターン１５Ａが形成され、レジストパターン１７で覆われている領域では、マスク膜１２に対して直立する隣接する側壁パターン１５Ａの上部の一方の側に隣接する側壁パターン１５Ａに接続される支持パターン１５１と、直立する側壁膜１５の下部の他方の側に隣接する側壁膜１５に接続される支持パターン１５２と、が設けられた側壁パターン１５Ａが形成される。
【００３０】
第１の実施形態と同様に、Ｙ方向に延在する側壁パターン１５Ａ中の所定の箇所に、このような支持パターン１５１，１５２を設けることで、側壁パターン１５Ａが倒れ難い構造となる。その結果、芯材パターン１３Ａの除去時においても側壁パターン１５Ａの倒壊が抑制される。
【００３１】
その後、第１の実施形態と同様に、形成された側壁パターン１５Ａを用いてマスク膜１２と被加工膜１１の加工が行われる。
【００３２】
なお、上記した説明では、島状のレジストパターン１８は、Ｘ方向に隣接する２本分の芯材パターン１３Ａを覆うように形成されているが、これは任意に設定可能であり、少なくとも２本以上の芯材パターン１３Ａを覆うようにすればよい。これは、芯材パターン１３Ａの幅やリソグラフィ技術で使用される露光装置などによって変わるものであるが、なるべく多くの側壁パターン１５Ａの下部の支持パターン１５２が露出するような条件で島状のレジストパターン１８を形成することが好ましい。また、上記した島状のレジストパターン１８の芯材パターン１３Ａ上への配置方法は一例であり、任意の方法で配置することも可能である。
【００３３】
第２の実施形態では、カバーリソグラフィ処理の際に、ラインアンドスペース状の芯材パターン１３Ａ上に、コンフォーマルに形成された側壁膜１５を介して、島状にレジストパターン１８を形成した。これによって、隣接する芯材パターン１３Ａ間の底部に残される下部の支持パターン１５２の数が、第１の実施形態の場合に比して少なくなるので、被加工膜１１を形成した後に発生する段差の数（割合）を第１の実施形態の場合に比して抑えることができるという効果を有する。
【００３４】
（第３の実施形態）
第１の実施形態では、図１−４〜図１−７に示されるように、芯材パターン１３Ａを形成し、側壁膜１５を成膜した後にカバーリソグラフィ処理を実施し、芯材パターン１３Ａ上の側壁膜１５を保護するレジストパターン１７を形成した後にスペーサ加工を行っていた。そのため、レジストパターン１７はドライエッチングによるスペーサ加工処理とウエットエッチングによる芯材パターン除去処理が終了した後でも残膜を維持する必要がある。つまり、スペーサ加工後に幅広パターンの部分における芯材パターン保護用のレジストパターンを形成していた従来技術と比較して、第１の実施形態のパターン形成方法では、スペーサ加工時のレジストの膜減りを考慮して、余分なレジスト膜厚を必要とする。そこで、第３の実施形態では、第１の実施形態に比してレジストパターンの膜厚を減らすことができるパターン形成方法について説明する。
【００３５】
第３の実施形態では、第１の実施形態の図１−４の後で、カバーリソグラフィ処理を実施する図１−５の前に、芯材パターン１３Ａの上面が露出しない程度に側壁膜１５の全面エッチバックを行う。その後、第１の実施形態の図１−５以降の処理が行われる。
【００３６】
第３の実施形態では、カバーリソグラフィ処理を実施する前に、芯材パターン１３Ａの上面を覆う側壁膜１５の膜厚を予め減らしておくことで、カバーリソグラフィ処理後に加工する側壁パターン１５Ａの量を減少させ、同時にレジストパターン１７の膜減りの量を抑制させた。その結果、カバーリソグラフィ処理に使用するレジスト膜厚を減らすことができるという効果を有する。
【００３７】
なお、ここでは、第１の実施形態の場合を例に挙げて説明したが、第２の実施形態の場合でも、カバーリソグラフィ処理の実施前に、芯材パターン１３Ａの上面が露出しない程度に側壁膜１５の全面エッチバック処理を行うことで、同様の効果を得ることができる。
【００３８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３９】
１１…被加工膜、１２…マスク膜、１３…芯材膜、１３Ａ…芯材パターン、１４ａ…レジスト、１４ｂ…マスク膜、１４ｃ、１７，１８…レジストパターン、１５…側壁膜、１５Ａ…側壁パターン、１５１，１５２…支持パターン。
【図１−１】
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【図１−２】
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【図１−３】
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【図１−４】
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【図１−５】
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【図１−６】
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【図１−７】
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【図１−８】
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【図２−１】
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【図２−２】
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