(57)【要約】【課題】光取り出し効率を向上できる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、第１の面と第１の面の反対側に設けられた第２の面と発光層とを含む半導体層と、第１の面上に設けられた第１の電極とを備えている。第１の面は、平坦面と、複数の凹部及び複数の凸部がランダムに設けられた粗面とを有し、凸部の最大高さは平坦面と同じ高さである。第１の電極は、パッドと、パッドよりも細い線状に平坦面上に設けられ、粗面上には設けられていない細線電極とを有する。【選択図】図１
2013197197.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面の反対側に設けられた第２の面と、発光層とを含む半導体層と、
前記第１の面上に設けられ、厚みが１μｍ以下である第１の電極と、
を備え、
前記第１の面は、平坦面と、複数の凹部及び複数の凸部がランダムに設けられた粗面とを有し、前記凸部の最大高さは前記平坦面と同じ高さであり、
前記第１の電極は、パッドと、前記パッドよりも細い線状に前記平坦面上に設けられ、前記粗面上には設けられていない細線電極とを有する半導体発光装置。
【請求項２】
第１の面と、前記第１の面の反対側に設けられた第２の面と、発光層とを含む半導体層と、
前記第１の面上に設けられた第１の電極と、
を備え、
前記第１の面は、平坦面と、複数の凹部及び複数の凸部がランダムに設けられた粗面とを有し、前記凸部の最大高さは前記平坦面と同じ高さであり、
前記第１の電極は、パッドと、前記パッドよりも細い線状に前記平坦面上に設けられ、前記粗面上には設けられていない細線電極とを有する半導体発光装置。
【請求項３】
前記細線電極の厚みは、前記凸部の最大高さの２倍以内である請求項２記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記細線電極の厚みは、１μｍ以下である請求項３記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記パッド及び前記細線電極は、同じ厚みである請求項２または３に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記凸部の最大高さは、１μｍ以下である請求項２〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記細線電極は、前記第１の面側から順に積層された、アルミニウム膜、チタン膜、白金膜および金膜を含む請求項２〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記金膜の厚みは、前記アルミニウム膜、前記チタン膜および前記白金膜のそれぞれの厚みよりも厚い請求項７記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記金膜の厚みは、前記アルミニウム膜、前記チタン膜および前記白金膜の合計膜厚よりも厚い請求項７または８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記パッドは、前記粗面上に設けられている請求項２〜９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記パッドの上面に凹凸が形成され、前記パッドの平均厚さが１μｍ以下である請求項１０記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記粗面の全面積は、前記平坦面の全面積よりも広い請求項２〜１１のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記第１の電極の前記粗面側のエッジは、前記平坦面の前記粗面側のエッジよりも前記粗面から離れている請求項２〜１２のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
前記半導体層の前記第２の面に設けられたコンタクトメタルをさらに備えた請求項２〜１３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記コンタクトメタルは、前記粗面の下に設けられ、前記平坦面の下には設けられていない請求項１４記載の半導体発光装置。
【請求項１６】
前記半導体層の前記第２の面側に設けられた導電性を有する基板と、
前記基板における前記半導体層に対する反対側の面に設けられた第２の電極と、
をさらに備えた請求項２〜１５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１７】
前記第２の面側に設けられ、前記発光層から放出される光に対する反射性を有する反射層をさらに備えた請求項２〜１６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１８】
第１の面と前記第１の面の反対側に設けられた第２の面と発光層とを含む半導体層における前記第１の面に選択的にマスクを形成してエッチングを行い、前記第１の面の前記マスクで覆われていない部分に、複数の凹部及び複数の凸部がランダムに設けられた粗面を形成する工程であって、前記凸部の最大高さが前記マスクで覆われている平坦面と同じ高さになるように前記粗面を形成する工程と、
前記平坦面上に第１の電極を形成する工程と、
を備えた半導体発光装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１の電極として、パッドと、前記パッドよりも細い線状の細線電極とを同時に形成し、前記細線電極は前記平坦面上に形成し、前記粗面上には形成しない請求項１８記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項２０】
前記エッチングとして異方性のドライエッチングを行う請求項１８または１９に記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光層を含む半導体層の表面（光取り出し面）上に設けられた表面電極には、発光層への均一な電流供給とともに表面からの光取り出しを大きく妨げないことが要求される。また、光取り出し効率を上げるため、光取り出し面の凹凸加工が多く行われているが、凹凸面への電極形成はコンタクト抵抗の増大をまねく懸念がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−６６０４８号公報
【特許文献２】特開２０１１−９５２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、光取り出し効率を向上できる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、半導体発光装置は、第１の面と、前記第１の面の反対側に設けられた第２の面と、発光層とを含む半導体層と、前記第１の面上に設けられた第１の電極と、を備えている。前記第１の面は、平坦面と、複数の凹部及び複数の凸部がランダムに設けられた粗面とを有し、前記凸部の最大高さは前記平坦面と同じ高さである。前記第１の電極は、パッドと、前記パッドよりも細い線状に前記平坦面上に設けられ、前記粗面上には設けられていない細線電極とを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】（ａ）は第１実施形態の半導体発光装置の模式上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図。
【図２】（ａ）は第２実施形態の半導体発光装置の模式上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’断面図。
【図３】実施形態の表面電極の模式断面図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。
【図５】第３実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）は第１実施形態の半導体発光装置１の模式上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。
【０００９】
なお、図１（ａ）では、図１（ｂ）に示す平坦面１４上の絶縁膜２５の図示を省略している。その絶縁膜２５は、後述するように、粗面１５を形成したときのマスクの残部であり、平坦面１４上に残らない場合もある。
【００１０】
半導体発光装置１は、基板１０と、基板１０上に設けられた半導体層１２と、半導体層１２の第１の面（光取り出し面）１６上に設けられた第１の電極としての表面電極２３と、基板１０の裏面に設けられた第２の電極としての裏面電極１８とを備えている。
【００１１】
半導体層１２は、第１の面１６と、第１の面１６の反対側に設けられた第２の面１７と、発光層１３とを含む。発光層１３はチップの全面に広がっている。表面電極２３及び裏面電極１８を通じて発光層１３に電流が供給され、発光層１３が発光する。
【００１２】
基板１０は、半導体層１２の支持体として機能する。基板１０は、半導体層１２と裏面電極１８との間を通電させる導電性を有し、例えばシリコン基板を用いることができる。裏面電極１８は、基板１０における半導体層１２に対する反対側の面（裏面）の例えば全面に設けられている。裏面電極１８は、基板１０とオーミック接触している。
【００１３】
例えば、半導体層１２は、半導体層１２のエピタキシャル成長に適した別の基板（成長用基板）上に形成された後、金属層１１を介して基板１０と接合される。金属層１１は、半導体層１２の第２の面１７と基板１０との間に介在される。
【００１４】
金属層１１は、発光層１３から放出される光に対する反射性を有し、発光層１３から第２の面１７側に放出された光を第１の面１６側へと反射させる反射層としても機能する。
【００１５】
半導体層１２の第２の面１７には、コンタクトメタル１９が選択的に設けられている。コンタクトメタル１９は、半導体層１２とオーミック接触している。
【００１６】
半導体層１２の第１の面１６は、平坦面１４と粗面１５とを有する。第１の面１６の上面視で、粗面１５の全面積は、平坦面１４の全面積よりも広い。
【００１７】
粗面１５は、後述するエッチングによりランダムに設けられた凹凸（複数の凹部１５ｂ及び凸部１５ａ）を有する。凸部１５ａは例えば錐体状に形成されている。凸部１５ａのサイズ、形状、ピッチはランダムである。
【００１８】
平坦面１４はメサ状に形成された部分の上面に形成されている。凸部１５ａの最大高さは、平坦面１４と同じ高さである。ここでの高さは、発光層１３あるいは第２の面１７を基準にした高さである。
【００１９】
表面電極２３は、パッド２２と、パッド２２よりも細い線状の細線電極２１とを有する。細線電極２１は、平坦面１４上に設けられ、粗面１５上には設けられていない。パッド２２も、平坦面１４上に設けられ、粗面１５上には設けられていない。
【００２０】
例えば、第１の面１６は四角形状の平面形状を有し、その２つの角部近傍にパッド２２が設けられている。パッド２２には、外部回路と接続するための外部端子（例えばボンディングワイヤ）が接合される。
【００２１】
細線電極２１はパッド２２とつながっている。パッド２２及び細線電極２１は、例えば、同じ材料で同じ工程で一体に形成され、厚みも同じである。
【００２２】
細線電極２１は、電流を第１の面１６の面方向に拡散させる機能を有し、第１の面１６の面方向に偏りなくレイアウトされている。
【００２３】
粗面１５は、例えば３つの領域に分けられる。図１（ａ）に示す第１の面１６の上面視において、左側の粗面領域は細線電極２１及び左下角部に設けられたパッド２２に囲まれ、真ん中の粗面領域は細線電極２１に囲まれ、右側の粗面領域は細線電極２１及び右下角部に設けられたパッド２２に囲まれている。３つの粗面領域のいずれも、図１（ａ）に示す第１の面１６の上面視において平坦面１４に囲まれている。
【００２４】
発光層１３から放出された光は、主に第１の面１６の粗面１５から半導体発光装置１の外部に放出される。粗面１５からの光取り出し効率の向上には、粗面１５の加工深さまたは凸部１５ａの高さが、発光層１３の発光波長に近いもしくは発光波長以下であることが有利である。
【００２５】
実施形態では、発光層１３は、例えば、４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長の光を放出し、凸部１５ａの最大高さは１μｍ以下である。また、表面電極２３の厚みは、凸部１５ａの最大高さの２倍以内であり、例えば１μｍ以下である。
【００２６】
図３は、表面電極２３の断面構造の一例を表す。
【００２７】
表面電極２３は、半導体層１２の第１の面１６側から順に積層された、アルミニウム膜３１、チタン膜３２、白金膜３３および金膜３４を含む。金膜３４の厚みは、アルミニウム膜３１、チタン膜３２および白金膜３３のそれぞれの厚みよりも厚く、且つアルミニウム膜３１、チタン膜３２および白金膜３３の合計膜厚よりも厚い。アルミニウム膜３１、チタン膜３２および白金膜３３はほぼ同じ厚みを有し、金膜３４はアルミニウム膜３１、チタン膜３２および白金膜３３の厚みの約１４倍の厚みを有する。
【００２８】
アルミニウム膜３１は半導体層１２と合金を形成して半導体層１２にオーミック接触するコンタクトメタルとして機能する。チタン膜３２及び白金膜３３はバリアメタルとして機能する。表面電極２３の厚みのほとんどを、低抵抗であり、耐酸化性、耐腐食性に優れる金膜３４が占める。
【００２９】
図１（ｂ）に示すように、半導体層１２の第２の面１７に設けられたコンタクトメタル１９は、粗面１５の下（裏側）に設けられ、平坦面１４の下（裏側）には設けられていない。半導体層１２とコンタクトメタル１９との接触抵抗は、半導体層１２と、接合及び反射を担う金属層１１との接触抵抗よりも低い。
【００３０】
ここで比較例として、凹凸加工された粗面に表面電極を形成する場合、半導体層との良好な接触抵抗を得るためには、表面電極にはある程度の厚み（例えば５μｍ程）が求められる。しかしながら、厚い表面電極は電極材料コスト及び工程時間の増大をまねく。また、光取り出し面上の厚い電極は、光取り出し面から斜め方向に放出される光の取り出しを阻害する。
【００３１】
これに対して、実施形態によれば、表面電極２３は、凹凸加工された粗面１５ではなく平坦面１４に形成する。そのため、半導体層１２と良好なコンタクトを得るのに要求される表面電極２３の厚みを薄くでき、電極材料コスト及び工程時間を抑えられる。
【００３２】
実施形態によれば、表面電極２３の厚みを１μｍ以下に抑えつつ、半導体層１２との良好な接触抵抗を得ることができる。そのような表面電極２３の構造の一例として、図３を参照して前述した積層構造が挙げられる。すなわち、図３に示す積層構造の表面電極２３は、厚みが１μｍ以下で、発光層１３を含む半導体層１２の平坦面１４と良好なコンタクトを得ることができる。
【００３３】
また、表面電極２３が薄くなると、光取り出し面から斜め方向に放出され表面電極２３で遮蔽されてしまう光を低減できる。
【００３４】
また、粗面１５における凸部１５ａの最大高さは平坦面１４と同じ高さである。このため、凸部１５ａから放出された光が、平坦面１４を上面に有するメサ状部分によって遮蔽されるのを抑制できる。
【００３５】
実施形態によれば、凸部１５ａの最大高さ（凹部１５ｂの最大深さ）は１μｍ以下であり、凸部１５ａの平均高さ（凹部１５ｂの平均深さ）も１μｍ以下である。そして、発光層１３の発光波長は、４００ｎｍ〜７００ｎｍほどである。したがって、凹凸加工の深さもしくは高さが発光層１３の発光波長に近いもしくは発光波長以下であり、高い光取り出し効率が得られる。このような微細な凹凸は、後述するようにエッチングによるランダム加工によって、容易且つ低コストで形成することができる。
【００３６】
半導体層１２の第２の面１７に設けられたコンタクトメタル１９は、粗面１５の下に設けられ、平坦面１４の下には設けられていない。すなわち、コンタクトメタル１９は、表面電極２３が設けられていない部分の裏側に設けられ、表面電極２３が設けられた部分の裏側には設けられていない。なお、コンタクトメタル１９は、平面視にて、平坦面１４の下に多少重なる場合もある。
【００３７】
発光層１３を挟んで第１の面１６及び第２の面１７にそれぞれ設けられた表面電極２３とコンタクトメタル１９は、平面視で重なっていない。これにより、表面電極２３及びコンタクトメタル１９を通じて発光層１３に供給される電流の面方向の均一性を向上できる。
【００３８】
表面電極２３（パッド２２及び細線電極２１）は平坦面１４の全面には形成されていない。パッド２２の粗面１５側のエッジ２２ａ及び細線電極２１の粗面１５側のエッジ２１ａは、平坦面１４の粗面１５側のエッジ１４ａよりも粗面１５から離れている。細線電極２１の幅（長手方向に対して直交する方向の幅）は、平坦面１４の幅（長手方向に対して直交する方向の幅）よりも小さい。
【００３９】
すなわち、表面電極２３は、平坦面１４のエッジ１４ａまでは広がっていない。平坦面１４上において、平坦面１４のエッジ１４ａと表面電極２３との間には、表面電極２３が設けられていない領域（図１（ａ）において斜線及びドットの付されていない領域）が存在する。このため、表面電極２３が薄いことと相まって、平坦面１４におけるエッジ１４ａ付近からの斜め方向の光の取り出し効率のよりいっそうの向上を実現できる。
【００４０】
なお、平坦面１４上の絶縁膜２５は、発光層１３から放出される光に対して透過性を有し、例えばシリコン酸化膜である。
【００４１】
次に、図４（ａ）〜（ｄ）を参照して、粗面１５及び表面電極２３の形成方法について説明する。なお、図４（ａ）〜（ｄ）では、半導体層１２より下の構造の図示は省略している。
【００４２】
まず、図４（ａ）に示すように、半導体層１２の第１の面１６の全面に、絶縁膜２５を形成する。絶縁膜２５は、粗面加工を行うエッチングのマスクとなり、例えばシリコン酸化膜を用いることができる。
【００４３】
第１の面１６の全面に形成された絶縁膜２５に対しては、図示しないレジストを用いたパターニングが行われる。これにより、第１の面１６に選択的に絶縁膜２５がエッチングマスクとして残される。
【００４４】
そして、絶縁膜２５をマスクにして、エッチングを行う。これにより、第１の面１６の絶縁膜２５で覆われていない部分に、図４（ｂ）に示すように、粗面１５が形成される。エッチングとして異方性のドライエッチング（例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching））を行うことで、結晶面の違いによるエッチングレート差によりランダムに凹凸が形成される。絶縁膜２５で覆われている面は平坦面１４となる。
【００４５】
このときのエッチング条件（エッチング時間、エッチングガスなど）を適切に制御して、粗面１５における凸部１５ａの最大高さが平坦面１４と同じ高さになるようにする。
【００４６】
粗面１５を形成した後、粗面１５及び絶縁膜２５上に、図４（ｃ）に示すレジスト膜４１を形成し、その後、レジスト膜４１における絶縁膜２５上の部分に開口４１ａを形成する。そして、その開口４１ａが形成されたレジスト膜４１をマスクにして、絶縁膜２５をエッチングする。これにより、平坦面１４が露出する。
【００４７】
次に、レジスト膜４１上および露出した平坦面１４上に、例えば蒸着法により表面電極２３を形成した後、レジスト膜４１上の表面電極２３をレジスト膜４１とともにリフトオフする（除去する）。これにより、図４（ｄ）に示すように、平坦面１４上に表面電極２３が残される。パッド２２と細線電極２１とは同じ材料で同時に一体に形成される。
【００４８】
実施形態によれば、粗面１５の凹凸は結晶面の違いによるエッチングレート差によりランダムに形成される。したがって、凸部１５ａの高さを平坦面１４に対して大きく後退させることなく、発光層１３の発光波長に近いもしくはそれ以下の高さ（深さ）の微細凸部１５ａ（凹部１５ｂ）を容易に形成することができる。
【００４９】
平坦面１４と同じ高さの凸部１５ａを残すにあたって凸部１５ａ上にマスクを設ける必要はない。単に、平坦面１４とする部分だけをマスクで覆い、粗面１５の凹凸自体はマスクなしで形成される。すなわち、微細凹凸に対応したマスクの微細加工が不要であり、プロセス難易度及びコストの増大をまねかない。
【００５０】
なお、粗面１５を形成した後、平坦面１４上の絶縁膜２５を除去してからレジスト膜４１を形成してもよい。この場合、平坦面１４上に絶縁膜２５は残らない。
【００５１】
（第２実施形態）
図２（ａ）は第２実施形態の半導体発光装置２の模式上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＢ−Ｂ’断面図である。第１実施形態と同じ要素または対応する要素には、同じ符号を付し、その詳細な説明は省略することもある。また、図２（ａ）においても、図２（ｂ）に示す平坦面１４上の絶縁膜２５の図示を省略している。
【００５２】
第２実施形態においても、半導体層１２の第１の面１６は、平坦面１４と粗面１５とを有する。また、表面電極２３は、パッド５１と、パッド５１よりも細い線状の細線電極２１とを有する。細線電極２１は、平坦面１４上に設けられ、粗面１５上には設けられていない。
【００５３】
図２（ａ）に示す第１の面１６の平面視にて、パッド５１は第１の面１６の中央に設けられている。パッド５１には、外部回路と接続するための外部端子（例えばボンディングワイヤ）が接合される。
【００５４】
パッド５１は、第１実施形態と異なり、粗面１５上に設けられている。パッド５１は、粗面１５の凹凸に沿ってコンフォーマルに形成され、パッド５１の上面には粗面１５の凹凸を反映した凹凸が形成される。パッド５１の平均厚さは、例えば１μｍ以下である。
【００５５】
粗面１５上に設けられるパッド５１の厚さを薄くする（例えば平均厚さで１μｍ以下にする）ことで、パッド５１と半導体層１２との接触抵抗を、平坦面１４上に設けられる細線電極２１と半導体層１２との接触抵抗よりも高くしている。これにより、パッド５１直下の電流集中を抑えて、細線電極２１による電流拡散効果を高めることができる。
【００５６】
パッド５１と細線電極２１とはつながっている。パッド５１及び細線電極２１は、例えば、同じ材料で同じ工程で一体に形成される。
【００５７】
凸部１５ａの最大高さは１μｍ以下である。また、細線電極２１の厚みは、凸部１５ａの最大高さの２倍以内であり、例えば１μｍ以下である。
【００５８】
第２実施形態においても、図２（ｂ）に示すように、半導体層１２の第２の面１７に設けられたコンタクトメタル１９は、粗面１５の下（裏側）に設けられ、平坦面１４の下（裏側）には設けられていない。このため、表面電極２３及びコンタクトメタル１９を通じて発光層１３に供給される電流の面方向の均一性を向上できる。
【００５９】
第２実施形態によれば、細線電極２１は平坦面１４に形成する。そのため、半導体層１２と良好なコンタクトを得るのに要求される細線電極２１の厚みを薄くでき、電極材料コスト及び工程時間を抑えられる。すなわち、細線電極２１の厚みを１μｍ以下に抑えつつ、半導体層１２との良好な接触抵抗を得ることができる。
【００６０】
そのような細線電極２１の構造の一例として、図３を参照して前述した積層構造が挙げられる。すなわち、図３に示す積層構造は、厚みが１μｍ以下で、発光層１３を含む半導体層１２の平坦面１４と良好なコンタクトを得ることができる。
【００６１】
また、パッド５１も前述したように平均厚さが例えば１μｍ以下と薄い。したがって、光取り出し面上に設けられるパッド５１及び細線電極２１が薄いため、光取り出し面から斜め方向に放出されパッド５１や細線電極２１で遮蔽されてしまう光を低減できる。
【００６２】
また、第２実施形態においても、粗面１５における凸部１５ａの最大高さは平坦面１４と同じ高さであり、凸部１５ａの平均高さは平坦面１４の高さの１／○以上である。このため、凸部１５ａから放出された光が、平坦面１４を上面に有するメサ状部分によって遮蔽されるのを抑制できる。
【００６３】
さらに、凸部１５ａの最大高さ（凹部１５ｂの最大深さ）は１μｍ以下であり、凸部１５ａの平均高さ（凹部１５ｂの平均深さ）も１μｍ以下である。そして、発光層１３の発光波長は、４００ｎｍ〜７００ｎｍほどである。したがって、凹凸加工の深さもしくは高さが発光層１３の発光波長に近いもしくは発光波長以下であり、高い光取り出し効率が得られる。このような微細な凹凸は、第１実施形態と同様、異方性のドライエッチングによるランダム加工によって、容易且つ低コストで形成することができる。
【００６４】
また、細線電極２１は平坦面１４の全面には形成されていない。細線電極２１の粗面１５側のエッジ２１ａは、平坦面１４の粗面１５側のエッジ１４ａよりも粗面１５から離れている。細線電極２１の幅（長手方向に対して直交する方向の幅）は、平坦面１４の幅（長手方向に対して直交する方向の幅）よりも小さい。
【００６５】
すなわち、細線電極２１は、平坦面１４のエッジ１４ａまでは広がっていない。平坦面１４上において、平坦面１４のエッジ１４ａと細線電極２１との間には、細線電極２１が設けられていない領域が存在する。このため、細線電極２１が薄いことと相まって、平坦面１４におけるエッジ１４ａ付近からの斜め方向の光の取り出し効率のよりいっそうの向上を実現できる。
【００６６】
（第３実施形態）
図５は、第３実施形態の半導体発光装置３の模式断面図である。
【００６７】
第１、第２実施形態では、基板１０の裏面に第２の電極として裏面電極１８を設けたが、第３実施形態では、金属層１１上に第２の電極５２を設けている。
【００６８】
すなわち、金属層１１上には、半導体層１２が設けられない領域があり、その領域に第２の電極５２を設けている。この場合、基板１０は必ずしも導電性を有していなくてもよい。
【００６９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７０】
１〜３…半導体発光装置、１０…基板、１２…半導体層、１３…発光層、１４…平坦面、１５…粗面、１５ａ…凸部、１５ｂ…凹部、１６…第１の面、１７…第２の面、１８，５２…裏面電極（第２の電極）、１９…コンタクトメタル、２１…細線電極、２２，５１…パッド、２３…表面電極（第１の電極）、２５…絶縁膜（マスク）、３１…アルミニウム膜、３２…チタン膜、３３…白金膜、３４…金膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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