(57)【要約】【課題】荷電粒子レンズに含まれる絶縁体の電荷の中和に有利な荷電粒子線装置を提供する。【解決手段】荷電粒子線装置１は、荷電粒子線７を用いて物体４に処理を行う。この荷電粒子線装置１は、荷電粒子線７が通過する開口列２１が形成された荷電粒子レンズ１２、１６と、荷電粒子レンズ１２、１６を収容する真空容器１７と、電離放射線３６を発する放射線源３０とを備える。ここで、荷電粒子線装置１は、真空容器１７の内部の気圧が変化している状態で、放射線源３０から電離放射線３６を開口列２１に入射させる。【選択図】図２
2013171925.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を用いて物体に処理を行う荷電粒子線装置であって、
前記荷電粒子線が通過する開口列が形成された荷電粒子レンズと、
前記荷電粒子レンズを収容する真空容器と、
電離放射線を発する放射線源と、を備え、
前記真空容器の内部の気圧が変化している状態で、前記放射線源から電離放射線を前記開口列に入射させる、
ことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項２】
前記放射線は、軟Ｘ線および真空紫外光の少なくとも一方を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線装置。
【請求項３】
前記物体を保持して可動の保持部を備え、
前記保持部は、前記放射線源を含む、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の荷電粒子線装置。
【請求項４】
前記真空容器は、前記電離放射線を透過させる透過部を含み、
前記放射線源は、前記真空容器の外部に配置され、前記透過部を介して前記電離放射線を前記開口列に入射させる、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の荷電粒子線装置。
【請求項５】
前記放射線源を移動する駆動機構を備える、ことを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子線装置。
【請求項６】
前記荷電粒子線を生成する荷電粒子線源を備え、
前記放射線源は、前記荷電粒子線源により生成された荷電粒子線により前記電離放射線を生成する、ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の荷電粒子線装置。
【請求項７】
前記荷電粒子線で前記物体に描画を行う、ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の荷電粒子線装置。
【請求項８】
請求項７に記載の荷電粒子線装置を用いて物体に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた物体を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線装置、およびそれを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビームなどの荷電粒子線の偏向走査およびブランキングを制御することで基板に描画を行う描画装置（荷電粒子線装置）が知られている。この描画装置は、線幅が０．１μｍ以下の４ＧＤＲＡＭ以降のメモリデバイスの生産などにおいて、光露光方式に代わるパターン形成技術の１つとして採用され得る。このような描画装置では、電子ビームの結像を行うための電子レンズとして、複数枚の電極と、これらの電極間に配置された絶縁体からなるスペーサーとを含む静電レンズが使用されている。この静電レンズは、通常真空状態を維持し得る鏡筒内に設置されているが、この鏡筒内の大気開放（ベント）や真空排気の際に、スペーサーを構成する絶縁体が帯電し、その電位がそのまま残る場合がある。例えば、真空排気時における絶縁体の帯電は、描画処理の際に電子ビームの軌道を曲げてしまうなどの影響を及ぼす可能性がある。また、大気開放時における絶縁体の帯電は、その静電気により絶縁体の表面にパーティクルを引き寄せ、付着させてしまう。このような絶縁体の帯電やパーティクルの帯電も、電子ビームの軌道に対して影響を及ぼす可能性がある。そこで、このような帯電の影響を抑えるものとして、特許文献１は、絶縁スペーサーの帯電を抑えるシールド電極を備えた荷電粒子線露光装置を開示している。さらに、特許文献２は、チャンバー内の真空排気を行う際に発生し得る静電気を除去する装置としてのイオナイザー（イオン供給手段）を備えた真空成形機を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−５５１６６号公報
【特許文献２】特開２０１０−１５５３６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に示すようなシールド電極は、描画すべきパターンの微細化に伴って電子レンズへの組み込みが困難になっている。また、このようなシールド電極が存在しても、帯電そのものはなくならない。特許文献２のイオナイザーは、電子レンズの微細な開口からでは絶縁スペーサーにイオンが到達しにくいため、電荷中和の効率の点で不利である。
【０００５】
本発明は、荷電粒子レンズに含まれる絶縁体の電荷の中和に有利な荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、荷電粒子線を用いて物体に処理を行う荷電粒子線装置であって、荷電粒子線が通過する開口列が形成された荷電粒子レンズと、荷電粒子レンズを収容する真空容器と、電離放射線を発する放射線源と、を備え、真空容器の内部の気圧が変化している状態で、放射線源から電離放射線を開口列に入射させる、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、例えば、荷電粒子レンズに含まれる絶縁体の電荷の中和に有利な荷電粒子線装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。
【図２】大気開放時または真空排気時の放射線源の作動状態を説明する図である。
【図３】軟Ｘ線が通過する際の静電レンズアレイの開口での様子を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。
【図５】第２実施形態に係る透過板の構成を示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。
【図７】第３実施形態に係る透過板の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１０】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係る荷電粒子線装置について説明する。特に、本実施形態の荷電粒子線装置は、複数の電子ビーム（荷電粒子線）を偏向（走査）させ、かつ、各電子ビームのブランキング（照射のＯＦＦ）を個別に制御することで、所定の描画データを基板の所定の位置に描画するマルチ方式を採用した描画装置とする。ここで、荷電粒子線は、本実施形態のような電子線に限定されず、イオン線（イオンビーム）などの他の荷電粒子線であってもよい。図１は、本実施形態に係る描画装置１の構成を示す概略図である。なお、以下の各図では、基板（被処理体としての物体）４に対する電子ビームの放射方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。この描画装置１は、電子源２と、電子光学系３と、基板４を保持する基板ステージ５と、制御部６とを備える。なお、基板４は、例えば単結晶シリコンからなるウエハであり、表面上には感光性のレジストが塗布されている。
【００１１】
電子源（荷電粒子線源）２は、熱や電界の印加により電子ビーム７を放出する機構であり、図中ではクロスオーバ８から発散された電子ビーム７の軌道を点線で示している。電子光学系３は、電子源２から放出された電子ビーム７を適宜、偏向および結像させて基板４上に導く。この電子光学系３は、電子源２側から、コリメーターレンズ１０、アパーチャアレイ１１、第１静電レンズアレイ１２、ブランキング偏向器アレイ１３、ストッピングアパーチャアレイ１４、偏向器アレイ１５、および第２静電レンズアレイ１６を含む。コリメーターレンズ１０は、クロスオーバ８で発散した電子ビーム７を平行ビームとする電磁レンズである。アパーチャアレイ１１は、マトリクス状に配列された複数の円形状の開口を有し、コリメーターレンズ１０から入射した電子ビーム７を複数に分割する。第１静電レンズ１２は、マトリクス状に配列された複数の円形状の開口を有する３枚の電極板（図中、３枚の電極板を一体で示している）で構成される電子レンズ（荷電粒子レンズ）であり、ストッピングアパーチャアレイ１４に対して電子ビーム７を結像させる。ブランキング偏向器アレイ１３およびストッピングアパーチャアレイ１４は、電子ビーム７の照射のＯＮ（非ブランキング状態）／ＯＦＦ（ブランキング状態）動作を実施する。このうち、ブランキング偏向器アレイ１３は、上記開口の各位置に対応した複数のブランキング偏向器を有する。また、ストッピングアパーチャアレイ１４は、第１静電レンズアレイ１２が最初に電子ビーム７のクロスオーバを形成する位置に配置される。偏向器アレイ１５は、基板ステージ５に載置された基板４の表面上に像をＸ軸方向に偏向する。さらに、第２静電レンズアレイ１６は、第１静電レンズアレイ１２と同様に、３枚の電極板で構成される電子レンズ（荷電粒子レンズ）であり、ストッピングアパーチャアレイ１４を通過した電子ビーム７を基板４に結像させる。
【００１２】
基板ステージ（保持部）５は、基板４を、例えば静電気力により保持しつつ、少なくともＸＹ軸方向に可動であり、その位置は、不図示の干渉計（レーザー測長器）などにより実時間で計測される。特に、本実施形態の基板ステージ５は、その電子ビーム７が入射する側の表面上に、例えば軟Ｘ線などの放射線を放射する放射線源３０を備える。この放射線源３０の詳細については、後述する。
【００１３】
さらに、制御部６は、例えばコンピュータなどで構成され、描画装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどに従って各構成要素の制御を実行し得る。例えばパターン描画の際には、制御部６は、基板ステージ５を駆動させることで基板４をＹ軸方向に連続的にスキャンさせる。このとき、偏向器アレイ１５は、干渉計からの基板ステージ５の測長結果を基準として基板４の表面上の像をＸ軸方向に適宜偏向させる。そして、ブランキング偏向器アレイ１３も、基板４上で目標線量が得られるように電子ビーム７の照射のＯＦＦを適宜制御する。これにより、描画装置１は、基板４上のレジストに所望の潜像パターンを形成することができる。特に、本実施形態の制御部６は、このような描画時の制御に加え、少なくとも放射線源３０の動作を制御し得る。なお、制御部６は、描画装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、描画装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００１４】
ここで、電子ビーム７は、大気圧雰囲気下ではすぐに減衰する性質を有する。そこで、描画装置１は、高電圧による放電を防止する意味もかねて、電子源２と電子光学系３とを収容し、描画処理時には内部を真空状態とする電子光学鏡筒（真空容器）１７を備える。この電子光学鏡筒１７の内部は、不図示の真空排気系により第１排気口１８を介して、例えば１０−５Ｐａ以下の高い真空度に保たれる。さらに、描画装置１は、電子光学鏡筒１７に連設され、基板ステージ５を収容するステージチャンバー１９を備える。このステージチャンバー１９内の真空度は、上記の真空排気系とは独立した別の真空排気系により第２排気口２０を介して真空排気されるが、電子光学鏡筒１７の内部の真空度よりも低く設定してもよい。なお、本実施形態では、電子光学鏡筒１７とステージチャンバー１９との内部圧力を異ならせる構成としているが、１つの真空排気系により同一の内部圧力としてもよい場合もある。
【００１５】
次に、描画装置１内に設置された放射線源３０について説明する。電子光学鏡筒１７およびステージチャンバー１９の内部は、通常の描画処理時では、上記の通り真空状態に保持される。これに対して、メンテナンス時などでは、電子光学鏡筒１７およびステージチャンバー１９の内部は、大気開放される。この大気開放時には、水分の混入などを抑えるため、乾燥窒素、乾燥空気、または希ガスなどの気体をその内部に導入しつつ実施されるのが一般的である。ここで、電子光学系３に含まれる第１静電レンズアレイ１２や第２静電レンズアレイ１６などの電子レンズは、それぞれ３枚の電極板で構成されるが、これらの電極板は、それぞれ絶縁体からなるスペーサーを挟み込む形で固定されている。したがって、上記のように大気開放時に電子光学鏡筒１７の内部に気体が導入されると、絶縁スペーサーは、導入された気体との摩擦に起因して帯電し、その静電気でパーティクルが付着しやすくなる。このようなパーティクルの付着は、電子ビーム７の軌道の近傍、特に各静電レンズアレイ１２、１６の開口付近にて発生すると、電子ビーム７の軌道を塞いだり軌道を曲げたりして正確な描画を難しくする。さらに、大気開放時以外にも、例えば、メンテナンスが終了し、再度、電子光学鏡筒１７の内部を真空排気する際にも、上記絶縁スペーサーは、排気される気体との摩擦に起因して帯電する可能性がある。この場合、発生した静電気が、その後の描画処理時において電子ビーム７の軌道に直接影響を及ぼす可能性もある。そこで、本実施形態では、上記のような大気開放時または真空排気時など電子光学鏡筒１７の内部の気圧が変化する際に、放射線源３０を用いて電子光学系３の内部の開口近傍（電子ビーム７の通路近傍）における静電気の発生を抑制させる。
【００１６】
まず、本実施形態の放射線源３０の構成について説明する。図２は、図１に対応し、大気開放時または真空排気時の放射線源３０の作動状態を説明するための概略図である。放射線源３０は、上記のとおり、基板ステージ５の電子ビーム７が入射する側の表面上に設置される。具体的には、放射線源３０は、その放射面が電子光学鏡筒１７の大気開放時または真空排気時に電子光学系３における開口列（ある電子ビーム７の通過領域）２１に放射線３６を通過させるように配置される。すなわち、描画処理時には、制御部６は、基板ステージ５を駆動させることで、放射線源３０を電子ビーム７の照射位置から待避させておく。一方、大気開放などの際には、制御部６は、基板ステージ５を移動させることで、図２に示すように、ある開口列（複数の開口列を含んでもよい）２１の直下に放射線源３０を移動させ、放射線源３０をオンとする。なお、放射線源３０は、このように基板ステージ５の移動に伴って移動することから、基板ステージ５の移動の際、電子光学系３のうち基板ステージ５の直近に配置されている第２静電レンズアレイ１６に接触しない高さに予め調整されていることが望ましい。
【００１７】
特に本実施形態では、放射線源３０から放射する放射線３６を軟Ｘ線とする。空気、窒素、酸素、または二酸化炭素などの気体中に軟Ｘ線を照射すると、気体の一部が電離してイオンが生成される。このイオンは、帯電した絶縁体の表面などに触れると電荷を中和するので、結果的にその帯電を除去することができる。なお、本実施形態でいう軟Ｘ線は、波長が０．１ｎｍから５０ｎｍまでの電磁波のことをいう。この軟Ｘ線は、放射線源３０から放射された後、直進する性質を有するので、図２に示すように直近の第２静電レンズアレイ１６の開口を通過し、後段の第１静電レンズアレイ１２の開口まで到達しやすい。このような軟Ｘ線を採用する場合、放射線源３０として、例えば、フィラメント、グリッド、ターゲット薄膜、および軟Ｘ線を透過する窓からなる真空管とすることができる。なお、放射線源３０の発する放射線３６は、軟Ｘ線に限らず、他の電離放射線（電離作用を有する放射線）であってもよい。ここで、電離放射線とは、アルファ線、重陽子線、陽子線、ベータ線、電子線、中性子線、ガンマ線、またはＸ線を含む。軟Ｘ線も、この電離放射線に含まれる。また、真空紫外線（波長が５０ｎｍから２００ｎｍまでの範囲の電磁波）などの波長の短い一部の紫外線も電離作用を有し、電離放射線に含まれる。
【００１８】
ここで、放射線源３０から放射された軟Ｘ線が第１静電レンズアレイ１２および第２静電レンズアレイ１６の各開口を通過する際の様子について具体的に説明する。図３は、軟Ｘ線が通過する際の第１静電レンズアレイ１２の開口での様子を示す概略断面図である。なお、この図３では、一例として、第１静電レンズ１２に配置された、ある１つの開口を拡大して示しているが、第２静電レンズアレイ１６でも同様である。第１静電レンズアレイ１２は、３枚の多孔電極板（第１電極３１、第２電極３２、第３電極３３）を含む。第１電極３１から第３電極３３までの順に、電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３をそれぞれ印加し、これらの電圧の関係を適切に維持することで、第１静電レンズアレイ１２は、静電レンズとしての機能を保つ。例えば、電圧Ｖ１と電圧Ｖ３とをＧＮＤ電位とし、電圧Ｖ２を負電位とすれば、第１静電レンズアレイ１２は、アインツェル型の静電レンズとなる。図３に示すように、第１電極３１と第２電極３２とは、第１絶縁スペーサー３４を介して接続され、一方、第２電極３２と第３電極３３とは、第２絶縁スペーサー３５を介して接続される。なお、各絶縁スペーサー３４、３５の形状は、Ｚ軸方向上面から見ると、各電極３１、３２、３３に形成されている開口を中心とした環構造となっている。このような第１静電レンズアレイ１２の構成のもと、放射線源３０から放射された軟Ｘ線は、開口を通過するとその開口付近に存在する気体と相互作用を起こし、イオン３７、３８が生成される。上記のとおり、大気開放時や真空排気時に各絶縁スペーサー３４、３５の表面が帯電していると、これらのイオン３７、３８が引き寄せられ、最終的には各絶縁スペーサー３４、３５の表面が電気的に中和される。したがって、大気開放時や真空排気時に発生し得る各絶縁スペーサーの表面での帯電（静電気の発生）を抑えることができる。なお、軟Ｘ線を電子光学系３に配置された全ての開口列２１に同時に通過させることができない場合、制御部６は、基板ステージ５をＸＹ平面で適宜移動させることで、順次、開口列（または複数の開口列を含むグループ）２１ごとに軟Ｘ線を通過させてもよい。
【００１９】
このように、描画装置１は、第１静電レンズアレイ１２や第２静電レンズアレイ１６の開口近傍の細部、とりわけ各絶縁スペーサー３４、３５の表面での帯電を抑える。特に電子光学鏡筒１７の真空排気時に軟Ｘ線を放射すれば、その後の描画処理時に、静電気による電子ビーム７の軌道への直接の影響を抑え、描画性能を良好に維持することができる。さらに、真空排気時に加え、大気開放時にも軟Ｘ線を放射することで、各絶縁スペーサー３４、３５の表面へのパーティクルの付着を抑えることができるので、パーティクルに起因した電子ビーム７の軌道への影響も抑えることができる。また、このような軟Ｘ線を放射する放射線源３０は、基板ステージ５上に設置されるので、別途放射線源３０を移動させる駆動機構などを追加する必要がない。したがって、描画装置１は、その内部にて帯電を抑える機構を設置するスペースの縮小、ひいては装置全体のコストの低減などの点でも有利である。
【００２０】
以上のように、本実施形態によれば、電子レンズに含まれる絶縁体の電荷の中和に有利な荷電粒子線装置を提供することができる。
【００２１】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る荷電粒子線装置について説明する。本実施形態の荷電粒子線装置の特徴は、第１実施形態の描画装置１における放射線源３０と同等の放射線源を基板ステージ５の表面上に設置するのではなく、ステージチャンバー１９の外部に設置する点にある。図４は、図１に示す第１実施形態の描画装置１に対応した、本実施形態に係る描画装置４０の構成を示す概略図である。なお、図４では、基板ステージ５は、電子ビーム７の照射領域から移動して待避しているものとして記載を省略している。この場合、ステージチャンバー１９は、Ｚ軸方向で電子ビーム７の照射領域に対応した底面に、電子光学系３に配置された複数の開口列２１の位置に対応する複数の窓４１が構成された透過板（透過部）４２を備える。そして、放射線源４３は、窓４１を通じて電子光学系３に配置された開口列２１に軟Ｘ線が向かうように、透過板４２の近傍に配置される。図５は、透過板４２の構成の一例を示す概略断面図である。透過板４２は、窓４１の構成部材として、例えば１枚のベリリウム板４４をステージチャンバー１９に封着したものとすることができる。この場合、ベリリウム板４４は、さらにその外面に複数の孔が形成された金属板（例えばパンチングメタル）４５を設置することで、上記のような複数の窓４１の位置を規定する。この金属板４５は、ベリリウム板４４に貼り合わされることで、衝撃などによるベリリウム板４４の破損を防止することもできる。
【００２２】
このような描画装置４０の構成のもと、第１実施形態での説明と同様に電子光学鏡筒１７の大気開放時または真空排気時には、制御部６は、基板ステージ５を一旦電子ビーム７の照射領域から待避させ、放射線源４３に対して軟Ｘ線（放射線３６）を放射させる。このとき、放射線源４３が軟Ｘ線を透過板４２に配置された全ての窓４１から同時に通過させることができない場合も考えられる。この場合、描画装置４０は、放射線源４３をＸＹ平面で可動とする駆動機構を別途設置し、制御部６は、この駆動機構を適宜移動させることで、順次、窓４１（または複数の窓４１を含むグループ）ごとに軟Ｘ線を通過させてもよい。本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、例えば、基板ステージ５上に放射線源を設置するスペースが取れない場合に有効となり得る。さらに、大出力の放射線源を使用したいときには、基板ステージ５にそのような放射線源を設置するのが難しい場合もある。これに対して、本実施形態によれば、外形が大きく大出力の放射線源を使用することができるので、より効率良く帯電を抑えることができる。
【００２３】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る荷電粒子線装置について説明する。本実施形態の荷電粒子線装置の特徴は、第１実施形態の描画装置１における放射線源３０と類似の放射線源を、電子光学鏡筒１７内のコリメーターレンズ１０とアパーチャアレイ１１との間を仕切る壁部に設置されたゲートバルブに設置する点にある。図６は、図１に示す第１実施形態の描画装置１に対応した、本実施形態に係る描画装置５０の構成を示す概略図である。まず、描画装置５０は、電子光学鏡筒１７の内部空間を、電子源２を含む第１空間５１とアパーチャアレイ１１以下の電子光学系３を含む第２空間５２とに分離する壁部５３を備える。この壁部５３は、第１空間５１と第２空間５２とを連通させるために開閉可能なゲートバルブ５４を備える。さらに、このゲートバルブ５４は、本実施形態における放射線源であるターゲットを配置した透過板（透過部）５５を備える。図７は、透過板５５の構成の一例を示す概略断面図である。透過板５５は、まず、第２実施形態の窓４１に対応した複数の窓５６の構成部材としてのベリリウム板５７と、このベリリウム板５７の表面に貼り付けられ、外面に複数の孔が形成された金属板（例えばパンチングメタル）５８とを含む。金属板５８が電子光学系３に配置された複数の開口列２１に対応した複数の窓５６の位置を規定することは、第２実施形態と同様である。さらに、透過板５５は、ベリリウム板５７の電子源２側の表面に、上記ターゲットとしてのタングステン膜５９を含む。
【００２４】
このような描画装置５０の構成のもと、まず、描画処理時には、制御部６は、図６中のＡ方向にゲートバルブ５４を移動し待避させ、第１空間５１と第２空間５２とを連通させている。これに対して、第１実施形態での説明と同様に電子光学鏡筒１７の大気開放時または真空排気時には、制御部６は、図６中のＢ方向にゲートバルブ５４を移動させ、図６に示すように第１空間５１と第２空間５２とを分離する。次に、制御部６は、不図示の真空排気系により第３排気口２２を介して第１空間５１を真空排気させ、通常の描画処理時と同様に電子源２に電子ビーム７を照射させて電子ビーム７を透過板５５上のタングステン膜５９に衝突させる。これにより、タングステン膜５９は、励起し、外部に向けて軟Ｘ線を発散させるため、複数の窓５６により放射方向が規定された軟Ｘ線６０は、図６に示すように電子光学系３に配置された開口列２１に向かう。本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、タングステン膜５９を放射線源として、既存の電子源２を用いて軟Ｘ線を放射させるので、第１および第２実施形態のような放射線源を準備する必要がない。さらに、第１および第２実施形態のように軟Ｘ線の放射の際に放射線源を適宜移動させる必要もないため、そのための駆動機構が不要となる。したがって、描画装置全体のさらなるコストの低減に有利となり得る。
【００２５】
なお、上記実施形態の荷電粒子線装置では、複数の電子ビーム７を用いたマルチ方式の描画装置として説明したが、単数の電子ビームを用いる描画装置であってもよい。また、上記各実施形態にて説明した軟Ｘ線の放射は、電子光学鏡筒１７の全ての大気開放時や真空排気時にて毎回実施しなくともよい。例えば、一連の（複数回の）描画処理において、電子ビーム７の軌道に変化が生じていることを検知した際に実施するものとしてもよい。また、上記実施形態の放射線源の説明では、軟Ｘ線が直進性を有することから特に言及していないが、電子光学系３の開口列２１へ向けた照射効率をさらに向上させるために、放射線源の放射面にコリメータを含む構成としてもよい。さらに、放射線源から放射された電離放射線（または真空紫外光）を反射するミラーを含む集光器を別途放射面の周囲に設置する構成もあり得る。これによれば、電離放射線は、開口列２１に向けて集光されるので、効率的に帯電を抑えることが可能となる。
【００２６】
（他の実施形態）
上記実施形態において荷電粒子線装置として説明した描画装置の構成は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）やＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）などの他の荷電粒子線装置にも適用可能である。例えば、被処理体（物体）として基板４に換えて被検体とし、この被検体を観察する電子顕微鏡に上記構成を適用することで、この電子顕微鏡は、安定した高精細（高解像度）な試料画像を得ることができる。また、イオンビームにより物体に対して加工（例えば、ドーピング、エッチング、またはイオンビーム描画）を行う加工装置にも適用可能である
【００２７】
（物品の製造方法）
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００２８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００２９】
１    描画装置
４    基板
７    電子ビーム
１２  第１静電レンズアレイ
１６  第２静電レンズアレイ
１７  電子光学鏡筒
２１  開口列
３０  放射線源
３６  放射線
【図１】
2013171925.tif 000003
【図２】
2013171925.tif 000004
【図３】
2013171925.tif 000005
【図４】
2013171925.tif 000006
【図５】
2013171925.tif 000007
【図６】
2013171925.tif 000008
【図７】
2013171925.tif 000009