(57)【要約】【課題】半導体発光素子が発した光を有効に活用することができる発光装置および当該発光装置を有する照明器具を提供する。【解決手段】メタルベース基板５と、メタルベース基板５上に配置された発光部２と、メタルベース基板５上に配置されて発光部２の周囲を囲む筒状の反射部材３と、反射部材３の周囲を囲む樹脂体４とを備える。筒状の反射部材３および樹脂体４は、発光部２によって発せられた光の少なくとも一部を反射して開口方向に放射する。【選択図】図１
2013171997.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された半導体発光素子と、
前記基板上に配置されて前記半導体発光素子の周囲を囲む筒状の反射部材と、
前記反射部材の周囲を囲む樹脂体とを備え、
筒状の前記反射部材および前記樹脂体は、前記半導体発光素子によって発せられた光の少なくとも一部を反射して開口方向に放射する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記樹脂体は、前記反射部材における前記基板の表面に接する位置から開口端部までの高さよりも高い高さまで当該反射部材を囲むように形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記反射部材の開口端部から前記基板に向けて形成された空隙である切り欠き部と、
前記半導体発光素子から前記切り欠き部を通過して所定の電気接続端子に接続される電線とを備え、
前記樹脂体は、前記反射部材における前記切り欠き部による空隙を塞ぐように形成されている
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記電気接続端子として、第１端子と第２端子とが形成され、
前記電線として、前記半導体発光素子と前記第１端子とを接続する第１電線と、前記半導体発光素子と前記第２端子とを接続する第２電線とを備え、
前記切り欠き部として、前記第１電線が通過する第１切り欠き部と、前記第２電線が通過する第２切り欠き部とがそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記基板上における前記反射部材に囲まれた領域に複数の半導体発光素子が配置され、
前記電気接続端子として、各半導体発光素子に対応する第１端子と第２端子とがそれぞれ形成され、
前記電線として、前記各半導体発光素子と対応する前記第１端子とを接続する第１電線、および前記各半導体発光素子と対応する前記第２端子とを接続する第２電線をそれぞれ備え、
前記切り欠き部として、前記各第１電線が通過する第１切り欠き部と、前記各第２電線が通過する第２切り欠き部とがそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項６】
前記半導体発光素子から前記反射部材を跨いで所定の電気接続端子に接続される電線を備える
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項７】
前記反射部材によって囲まれた領域に充填されて前記半導体発光素子を覆う封止材を備え、
前記電線は、前記封止材および前記樹脂体によって覆われている
ことを特徴とする請求項３乃至請求項６のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記封止材は、前記反射部材および前記樹脂体によって囲まれた領域に充填されている
ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記封止材は、少なくとも、蛍光体、散乱剤またはチキソ剤のいずれかを含む
ことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記樹脂体は、光を反射する反射材を含む
ことを特徴とする請求項１乃至請求項９のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記基板は、金属板である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１０のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記金属板および前記反射部材は、高反射加工がなされ、前記高反射加工がなされていない場合よりも高い割合で光を反射する
ことを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記基板の前記反射部材が設置された面における前記反射部材の外側の領域の少なくとも一部を覆う絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層に形成された電気配線を覆う絶縁性樹脂とを備え、
前記絶縁性樹脂は、光を反射する反射材を含む
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１２のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記半導体発光素子が発する光のピーク波長は、３８０ｎｍ以上であって４２０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１３のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記基板の前記半導体発光素子が配置されている面の反対側の面における当該半導体発光素子が配置されている位置に対応する位置に固着された放熱部材を備える
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１４のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のうちいずれか１項に記載の発光装置を有する照明器具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光装置および照明器具に関し、特に、半導体発光素子が発した光の反射率を向上させた発光装置および照明器具に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤに代表される半導体発光素子は、様々な発光装置や照明器具などの光源として広く用いられている。そのような発光装置や照明器具からは、半導体発光素子が発した光が効率よく放射されることが好ましい。特許文献１には、半導体発光装置の光指向性および正面輝度を向上させるために、半導体発光素子の周囲にリフレクタが設置された半導体発光装置が記載されている。
【０００３】
特許文献２には、パッケージボディの凹部に半導体発光素子が設置された光通信用送信器が記載されている。特許文献２に記載されている光通信用送信器は、半導体発光素子が、凹欠部の底に設けられた金属被覆を介して接続部に導電接続され、ボンディングワイヤを介して接続部に導電接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−８１４３０号公報
【特許文献２】特表２００６−５１４４３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載されている半導体発光装置には、リフレクタに、リフレクタ内の半導体発光素子とリフレクタの外側にある外部導体との接続に用いられる配線導体が通過するための切り欠きが設けられている。このため、当該切り欠きから半導体発光素子が発した光が漏れてしまい、半導体発光素子によって発せられた光が有効に活用されない。
【０００６】
また、特許文献２に記載されている光通信用送信器は、ボンディングワイヤを介して接続部に接続するため凹欠部の壁に湾出部が設けられている。従って、半導体発光素子が発した光が湾出部に出射されることとなり、当該光を所望の方向に出射することができず、半導体発光素子によって発せられた光が有効に活用されない。
【０００７】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体発光素子が発した光を有効に活用することができる発光装置および照明器具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明による発光装置は、基板と、基板上に配置された半導体発光素子と、基板上に配置されて半導体発光素子の周囲を囲む筒状の反射部材と、反射部材の周囲を囲む樹脂体とを備え、筒状の反射部材および樹脂体は、半導体発光素子によって発せられた光の少なくとも一部を反射して開口方向に放射することを特徴とする。
【０００９】
樹脂体は、反射部材における基板の表面に接する位置から開口端部までの高さよりも高い高さまで当該反射部材を囲むように形成されていることが好ましい。そのような構成によれば、樹脂体が、半導体発光素子の周囲をより高い位置まで囲み、半導体発光素子によって発せられた光が外部に漏れることを良好に抑制し、半導体発光素子によって発せられた光の少なくとも一部を反射して反射部材の開口方向に放射するので、半導体発光素子によって発せられた光をより有効に活用し、発光装置の発光効率を向上させることができる。
【００１０】
反射部材の開口端部から基板に向けて形成された空隙である切り欠き部と、半導体発光素子から切り欠き部を通過して所定の電気接続端子に接続される電線とを備え、樹脂体は、反射部材における切り欠き部による空隙を塞ぐように形成されていることが好ましい。そのような構成によれば、半導体発光素子が発した光のうち、切り欠き部を通過して反射部材の筒外に向かう方向の光は樹脂体によって反射されて筒内に戻されるので、半導体発光素子によって発せられた光をより有効に活用し、発光装置の発光効率を向上させることができる。
【００１１】
発光装置には、電気接続端子として、第１端子と第２端子とが形成され、電線として、半導体発光素子と第１端子とを接続する第１電線と、半導体発光素子と第２端子とを接続する第２電線とを備え、切り欠き部として、第１電線が通過する第１切り欠き部と、第２電線が通過する第２切り欠き部とがそれぞれ設けられていてもよい。そのような構成によれば、複数の切り欠き部が設けられた場合であっても、半導体発光素子が発した光のうち、各切り欠き部を通過して反射部材の筒外に向かう方向の光は樹脂体によって反射されて筒内に戻されるので、半導体発光素子によって発せられた光をより有効に活用し、発光装置の発光効率を向上させることができる。
【００１２】
発光装置には、基板上における反射部材に囲まれた領域に複数の半導体発光素子が配置され、電気接続端子として、各半導体発光素子に対応する第１端子と第２端子とがそれぞれ形成され、電線として、各半導体発光素子と対応する第１端子とを接続する第１電線、および各半導体発光素子と対応する第２端子とを接続する第２電線をそれぞれ備え、切り欠き部として、各第１電線が通過する第１切り欠き部と、各第２電線が通過する第２切り欠き部とがそれぞれ設けられていてもよい。そのような構成によって、基板上に複数の半導体発光素子が配置されたことに応じて複数の第１電線と複数の第２電線とにそれぞれ対応して複数の切り欠き部が設けられた場合であっても、半導体発光素子が発した光のうち、各切り欠き部を通過して反射部材の筒外に向かう方向の光は樹脂体によって反射されて筒内に戻されるので、各半導体発光素子によって発せられた光をより有効に活用し、発光装置の発光効率を向上させることができる。
【００１３】
発光装置は、半導体発光素子から反射部材を跨いで所定の電気接続端子に接続される電線を備えるように構成されていてもよい。そのような構成によれば、反射部材が、半導体発光素子によって発せられた光の少なくとも一部を反射して当該反射部材の開口方向に放射し、半導体発光素子によって発せられた光が外部に漏れる切り欠き部が設けられていないので、半導体発光素子によって発せられた光をより有効に活用し、発光装置の発光効率を向上させることができる。
【００１４】
発光装置は、反射部材によって囲まれた領域に充填されて半導体発光素子を覆う封止材を備え、電線は、封止材および樹脂体によって覆われていてもよい。そのような構成によれば、封止材および樹脂体で電線を保護することができる。
【００１５】
封止材は、反射部材および樹脂体によって囲まれた領域に充填されていてもよい。また、封止材は、少なくとも、蛍光体、散乱剤またはチキソ剤のいずれかを含んでいてもよい。
【００１６】
樹脂体は、光を反射する反射材を含んでいてもよい。そのような構成によれば、半導体発光素子によって発せられた光の少なくとも一部を反射材が反射して反射部材の開口方向に放射するので、半導体発光素子によって発せられた光をより有効に活用し、発光装置の発光効率を向上させることができる。
【００１７】
基板は、金属板であってもよい。
【００１８】
金属板および反射部材は、高反射加工がなされ、高反射加工がなされていない場合よりも高い割合で光を反射するように構成されていてもよい。そのような構成によれば、半導体発光素子によって発せられた光のうち少なくとも一部の光を、高反射加工がなされた金属板および反射部材が反射して、発光装置の発光効率を向上させることができる。
【００１９】
発光装置は、基板の反射部材が設置された面における反射部材の外側の領域の少なくとも一部を覆う絶縁層と、絶縁層上に形成され、絶縁層に形成された電気配線を覆う絶縁性樹脂とを備え、絶縁性樹脂は、光を反射する反射材を含むように構成されていてもよい。半導体発光素子によって発せられた光をより有効に活用し、発光装置の発光効率を向上させることができる。そのような構成によれば、半導体発光素子によって発せられた光のうち少なくとも一部の光を、反射材が反射して、発光装置の発光効率を向上させることができる。
【００２０】
半導体発光素子が発する光のピーク波長は、３８０ｎｍ以上であって４２０ｎｍ以下であるように構成されていてもよい。
【００２１】
発光装置は、基板の半導体発光素子が配置されている面の反対側の面における当該半導体発光素子が配置されている位置に対応する位置に固着された放熱部材を備えることが好ましい。そのような構成によって、半導体発光素子が発した熱を良好に放散することができる。
【００２２】
また、上記目的を達成するための本発明による照明器具は、以上に述べたような発光装置を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、反射部材および樹脂体が、半導体発光素子によって発せられた光の少なくとも一部を反射して反射部材の開口方向に放射するので、半導体発光素子によって発せられた光をより有効に活用し、発光装置の発光効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１実施形態の発光装置の構成例を示す概略上面図である。
【図２】図１におけるII−II線に沿う概略断面図である。
【図３】メタルベース基板に用いられる基材の光の反射率の例を示すグラフである。
【図４】放熱部材の構成を示す概略斜視図である。
【図５】反射部材を示す概略斜視図である。
【図６】発光装置の変形例の構成を示す概略上面図である。
【図７】反射部材の変形例を示す概略斜視図である。
【図８】本発明の第２実施形態の発光装置の構成例を示す概略上面図である。
【図９】図８におけるIX−IX線に沿う概略断面図である。
【図１０】第２実施形態の反射部材を示す概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面に基づき本発明の実施形態について説明する。なお、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではなく、その要旨から逸脱しない範囲において任意に変更して実施することが可能である。また、本実施形態の説明に用いる図面は、いずれも本発明による発光装置１などの特性を模式的に示すものであって、理解を深めるべく、必要に応じて部分的な強調、拡大、縮小、または省略などを行っている場合がある。更に、用いられている様々な数値は、いずれも一例を示すものであり、必要に応じて様々に変更することが可能である。
【００２６】
図１は、第１実施形態の発光装置１の構成例を示す概略上面図である。図２は、本発明の第１実施形態の発光装置１の構成例を示す概略断面図であって、図１におけるII−II線に沿う断面を示している。図１および図２に示すように、本発明の第１実施形態の発光装置１は、発光部（半導体発光素子）２と反射部材３と樹脂体４とメタルベース基板（基板）５とを備える。
【００２７】
（全体構成）
発光部２は、メタルベース基板５において高反射処理がなされている上面５ａに設置されている。反射部材３は、筒状に形成され、少なくとも内壁３ａおよび一方の端面３ｂに高反射処理がなされている。そして、反射部材３は、内壁３ａが発光部２の周囲を囲むようにメタルベース基板５の上面５ａ上に設置され、他方の端面３ｃが上面５ａに固定されている。また、本実施形態において、発光装置１は、照明器具の光源として設けられており、メタルベース基板５における上面５ａの反対側の面である下面５ｂに発光部２が発した熱を放散するための放熱部材３０が固着されている。つまり、本実施形態では、放熱部材３０を含む発光装置１と、図示しない外部配線等とが照明器具を構成している。
【００２８】
反射部材３における少なくとも内壁３ａおよび一方の端面３ｂと、メタルベース基板５の上面５ａにおける少なくとも領域５ａ１とになされている高反射処理について説明する。高反射処理とは、照射された光を当該高反射処理がなされていない場合よりも高い割合で反射するためになされた処理であり、具体的には、例えば、反射部材３およびメタルベース基板５の基材の表面に、屈折率が互いに異なる複数の酸化防止膜を積層して形成する処理や、アルミニウムや銀の層を形成する処理、反射部材３およびメタルベース基板５の表面を研磨する処理等である。なお、表面が酸化すると光の反射率が低下するから、一般に、高反射処理は、酸化防止効果を発揮するための処理も含まれる。
【００２９】
図３は、メタルベース基板５に用いられる基材の光の反射率の例を示すグラフである。メタルベース基板５の基材には、一般に、銅やアルミニウムが用いられる。しかし、銅やアルミニウムの表面は酸化防止効果を発揮するための処理がなされていないと酸化しやすいことが知られている。図３において、酸化防止効果を発揮するための処理がなされずに表面が酸化した基材による光の反射率の例が破線で示されている。また、図３において、酸化防止効果も発揮する高反射処理がなされた基材による光の反射率の例が実線で示されている。図３に示すように、高反射処理がなされた基材は、高反射処理がなされていない基材よりも高い割合で光を反射する。
【００３０】
（発光部）
発光部２は、ＬＥＤチップ２１と蛍光部材２２とを含む。ＬＥＤチップ２１には、陽極側の電気接続端子である陽極側接続端子２１ａと、陰極側の電気接続端子である陰極側接続端子２１ｂとが設けられている。ＬＥＤチップ２１は、ダイボンド剤６でメタルベース基板５の上面５ａに接着されている。蛍光部材２２は、反射部材３の筒内に充填されて、ＬＥＤチップ２１を覆う。
【００３１】
ＬＥＤチップ２１は、最大ピーク波長が３８０ｎｍ以上であって４２０ｎｍ以下である光を発する紫色ＬＥＤチップであることが好ましい。なお、ＬＥＤチップ２１は、最大ピーク波長が３５０ｎｍ以上であって５２０ｎｍ以下の光、より好ましくは最大ピーク波長が４２０ｎｍ以上であって４８０ｎｍ以下の光を発する青色ＬＥＤチップであってもよい。
【００３２】
一般的な紫色および青色ＬＥＤチップ２１は、例えば、一般式ＡｌaＩｎbＧａ1-a-bＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）で表されるＧａＮ系半導体を用いて構成されたｐｎ接合型の発光構造を備える。また、一般的な紫色および青色ＬＥＤチップ２１は、サファイア基板上にＭＯＶＰＥ法によりＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させる工程を経て製造される。この工程では、サファイア基板上にバッファ層を介してｎ型導電層が形成され、そのｎ型導電層の上に活性層とｐ型導電層とが順次形成される。電極は、ｐ型導電層の表面と、ｐ型導電層側に露出するｎ型導電層の表面とにそれぞれ形成される。
【００３３】
なお、好ましく使用される基板としては、サファイア、スピネル、炭化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＮＧＯ（ＮｄＧａＯ3）、ＬＧＯ（ＬｉＧａＯ2）、ＬＡＯ（ＬａＡｌＯ3）などからなる単結晶基板が挙げられる。また、ＬＥＤチップ２１は、フェイスアップまたはフェイスダウン（フリップチップ）でパッケージに実装することができる。
【００３４】
蛍光部材２２は、少なくとも、蛍光体と、例えば、シリコーン樹脂からなる充填剤とからなる。なお、蛍光体が含まれる蛍光部材２２に代えて、散乱剤またはチキソ材のいずれかが含まれる封入部材が用いられてもよい。そして、半導体発光素子は、封入部材とＬＥＤチップ２１とによって実現されてもよい。蛍光部材２２に蛍光体が含まれる場合に、発光装置１に発させる光の相関色温度や、ＬＥＤチップ２１が紫色ＬＥＤチップであるのか、または青色ＬＥＤチップであるのか等に応じて、１種類の蛍光体が用いられたり、複数種類の蛍光体が混合されて用いられたりする。具体的には，ＬＥＤチップ２１が紫色ＬＥＤチップである場合に、例えば、青色蛍光体と赤色蛍光体と緑色蛍光体と黄色蛍光体とが発光装置１に発させる光の相関色温度に応じた割合で混合されて蛍光部材２２に含まれる。また、ＬＥＤチップ２１が青色ＬＥＤチップである場合に、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体と黄色蛍光体とが発光装置１に発させる光の相関色温度に応じた割合で混合されて蛍光部材２２に含まれる。
【００３５】
用いられる蛍光体の例について以下に述べる。なお、これら蛍光体は本実施形態において好適な蛍光体を例示するものであるが、適用可能な蛍光体は以下に限定されるものではなく、本発明の要旨から逸脱しない限りにおいて、様々な種類の蛍光体や、それら蛍光体の組み合わせを適用することが可能である。
【００３６】
（赤色蛍光体）
赤色蛍光体が用いられる場合に、下記式［１］で表される化学組成を有する結晶相を含有し、Ｍ４とＭｎとの合計モル数に対するＭｎの割合が０．１モル％以上４０モル％以下の蛍光体であってもよい。
Ｍ12Ｍ4Ｆ6：Ｒ ・・・［１］
（式［１］中、Ｍ1は、Ｋ、及びＮａからなる群から選ばれる１種以上の元素を含有し、Ｍ4は、Ｓｉを含有する金属元素、Ｒは、少なくともＭｎを含有する付活元素を表す。）
【００３７】
上記式［１］において、Ｍ1はカリウム（Ｋ）及びナトリウム（Ｎａ）からなる群より選ばれる元素を含有する。これらの元素のうち何れか一方を単独で含有していてもよく、二種を任意の比率で併有していてもよい。また、上記のほかにその性能に影響を与えない限りにおいて、Ｌｉ、Ｒｂ、Ｃｓ等のアルカリ金属元素や、（ＮＨ４）を一部含有していてもよい。Ｌｉ、Ｒｂ、Ｃｓ、（ＮＨ４）の含有量としては通常全Ｍ1量に対して１０モル％以下である。
【００３８】
このうちＭ1としては、少なくともＫを含有していることが好ましい。通常、全Ｍ1量に対してＫが９０モル％以上を占め、好ましくは９７モル％以上を占める場合であり、より好ましくは９８モル％以上を占める場合であり、さらに好ましくは９９モル％以上を占める場合であり、Ｋのみを用いることが特に好ましい。
【００３９】
上記式［１］において、Ｍ4は、少なくともＳｉを含有する。通常、全Ｍ4量に対してＳｉが９０モル％以上を占め、好ましくは９７モル％以上を占める場合であり、より好ましくは９８モル％以上を占める場合であり、さらに好ましくは９９モル％以上を占める場合であり、Ｓｉのみを用いることが特に好ましい。即ち、式［１］で表される化学組成を有する結晶相を含有する蛍光体は、下記式［２］で表される化学組成を有する結晶相を含有することが特に好ましい。
Ｍ12ＳｉＦ6：Ｒ …［２］
（式［２］中、Ｍ1は、Ｋ、及びＮａからなる群から選ばれる１種以上の元素を含有し、Ｒは、少なくともＭｎを含有する付活元素を表す。）
【００４０】
なお、上記式［１］において、Ｍ4としてＳｉ以外に含まれていてもよい元素としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、及びＭｇよりなる群から選ばれる１種又は２種以上が挙げられる。
【００４１】
上記式［１］及び［２］において、Ｒは、少なくともＭｎを含有する付活元素であり、ＲとしてＭｎ以外に含まれていてもよい付活元素としては、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、及びＡｇよりなる群から選ばれる１種又は２種以上が挙げられる。
【００４２】
Ｒは、Ｍｎを通常全Ｒ量に対して９０モル％以上含むことが好ましく、より好ましくは９５モル％以上、特に９８モル％以上含むことが好ましく、Ｍｎのみを含むことが特に好ましい。
【００４３】
赤色蛍光体が用いられる場合に、Ｍ4とＭｎとの合計モル数に対するＭｎの割合（本発明において、この割合を以下「Ｍｎ濃度」と称す。）が０．１モル％以上４０モル％以下の蛍光体であってもよい。このＭｎ濃度が低すぎると、蛍光体による励起光の吸収効率が低くなるので、輝度が低下する傾向にあり、高すぎると、吸収効率は高くなるものの、濃度消光により内部量子効率及び輝度が低下する傾向にある。より好ましいＭｎ濃度の下限は、０．４モル％以上、さらに好ましくは１モル％以上、特に好ましくは２モル％以上である。また、より好ましいＭｎ濃度の上限は２０モル％以下、さらに好ましくは８モル％以下、特に好ましくは６モル％以下である。
【００４４】
そして、発光ピーク波長が、通常は５７０ｎｍ以上、好ましくは５８０ｎｍ以上、より好ましくは５８５ｎｍ以上であって、通常は７８０ｎｍ以下、好ましくは７００ｎｍ以下、より好ましくは６８０ｎｍ以下の波長範囲の赤色蛍光体が好適である。なかでも、赤色蛍光体として、例えば、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉ（Ｎ，Ｏ）3：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）3ＳｉＯ5：Ｅｕ、ＳｒＡｌＳｉ4Ｎ7：Ｅｕ、（Ｌａ，Ｙ）2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎが好ましく、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉ（Ｎ，Ｏ）3：Ｅｕ、ＳｒＡｌＳｉ4Ｎ7：Ｅｕ、（Ｌａ，Ｙ）2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎがより好ましく、上記式［１］，［２］を満たすＫ2ＳｉＦ6：Ｍｎが特に好ましい。
【００４５】
（緑色蛍光体）
緑色蛍光体が用いられる場合に、発光ピーク波長が、通常は５００ｎｍ以上、好ましくは５１０ｎｍ以上、より好ましくは５１５ｎｍ以上であって、通常は５５０ｎｍ以下、好ましくは５４２ｎｍ以下、より好ましくは５３５ｎｍ以下の波長範囲にある緑色蛍光体が用いられることが好適である。なかでも、緑色蛍光体として、例えば、ＣａＳｃ2Ｏ4：Ｃｅ、Ｃａ3（Ｓｃ，Ｍｇ）2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ、（Ｓｉ，Ａｌ）6（Ｏ，Ｎ）8：Ｅｕ（β−サイアロン）、（Ｂａ，Ｓｒ）3Ｓｉ6Ｏ12Ｎ2：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎが好ましい。
【００４６】
（黄色蛍光体）
黄色蛍光体部が用いられる場合に、発光ピーク波長が、通常は５３０ｎｍ以上、好ましくは５４０ｎｍ以上、より好ましくは５５０ｎｍ以上であって、通常は６２０ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲にある黄色蛍光体が用いられることが好適である。なかでも、黄色蛍光体として、例えば、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓｉ2Ｎ2Ｏ2：Ｅｕ（α−サイアロン）、Ｌａ3Ｓｉ6Ｎ11：Ｃｅ（ただし、その一部がＣａやＯで置換されていてもよい）が好ましい。
【００４７】
（青色蛍光体）
青色蛍光体が用いられる場合には、発光ピーク波長が、通常は４２０ｎｍ以上、好ましくは４３０ｎｍ以上、より好ましくは４４０ｎｍ以上であって、通常は５００ｎｍ未満、好ましくは４９０ｎｍ以下、より好ましくは４８０ｎｍ以下、更に好ましくは４７０ｎｍ以下、特に好ましくは４６０ｎｍ以下の波長範囲にある青色蛍光体が用いられることが好適である。なかでも、青色蛍光体として、例えば、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）10（ＰＯ4）6（Ｃｌ，Ｆ）2：Ｅｕが好ましい。
【００４８】
（放熱部材）
メタルベース基板５の下面５ｂにおいて、上面５ａの発光部２が設置されている位置に応じた位置（具体的には、例えば、上面５ａにおいて発光部２が設置されている位置の裏側の位置）には、当該発光部２が発した熱を放散するための放熱部材３０が固着されている。図４は、放熱部材３０の構成を示す概略斜視図である。図２および図４に示す本実施形態の放熱部材３０は、複数のフィン３１が設けられたヒートシンクである。放熱部材３０には、発光部２が発した熱がメタルベース基板５を介して伝達される。そして、放熱部材３０のフィン３１は、伝達された熱を放散する。従って、発光部２において、発光部２（より具体的には、ＬＥＤチップ２１）が発した熱による温度上昇を良好に抑制することができる。なお、放熱部材３０は、メタルベース基板５の下面５ｂに、絶縁性接着剤よりも熱伝導率が高い導電性接着剤で固着されていてもよい。また、図２および図４に示す例では、放熱部材３０にはフィン３１が設けられているが、フィン３１が設けられていなくてもよい。また、図２および図４に示すフィン３１の形状は、一例であって、必要な放熱特性や設置条件等に応じて、適切に設定可能である。なお、放熱用のファンが設置されていてもよい。
【００４９】
（ガラスエポキシ基材）
図２に示すように、メタルベース基板５の上面５ａには、ガラスエポキシ基材７が接合されている。ガラスエポキシ基材７には、円筒形の反射部材３の外周形状に応じた大きさであって、メタルベース基板５の上面５ａに達する開口部７ｋが設けられている。メタルベース基板５の上面５ａにおいて、ガラスエポキシ基材７の開口部７ｋ内となる領域５ａ１には反射部材３が設置され、反射部材３が設置されている領域の外側の領域５ａ２は、ガラスエポキシ基材７によって覆われている。
【００５０】
また、図２に示すように、ガラスエポキシ基材７の上面７ａには、ＬＥＤチップ２１における陽極側接続端子２１ａに電線８ａを介して接続される陽極側電力供給端子９ａと、ＬＥＤチップ２１における陰極側接続端子２１ｂに電線８ｂを介して接続される陰極側電力供給端子９ｂとが設けられ、これら陽極側電力供給端子９ａおよび陰極側電力供給端子９ｂに接続されて発光部２のＬＥＤチップ２１に電力を供給するための配線パターン（図示省略）が形成されている。配線パターンには、例えば、商用電源に接続された外部配線が接続され、当該外部配線を介して電力が供給される。なお、陽極側接続端子と陰極側接続端子とを総称して１組の接続端子ともいう。また、陽極側接続端子と陽極側電力供給端子とを接続する電線、および陰極側接続端子と陰極側電力供給端子とを接続する電線を総称して１組の電線ともいう。陽極側電力供給端子と陰極側電力供給端子とを総称して１組の電力供給端子ともいう。従って、ガラスエポキシ基材７の上面７ａには、ＬＥＤチップ２１の１組の接続端子２１ａ，２１ｂに接続される１組の電力供給端子９ａ，９ｂが設けられており、当該１組の接続端子２１ａ，２１ｂと１組の電力供給端子９ａ，９ｂとは、それぞれ１組の電線８ａ，８ｂで接続されている。なお、各電線８ａ，８ｂおよび各電力供給端子９ａ，９ｂは、例えば、それぞれ金によって成る。
【００５１】
図２に示すように、ガラスエポキシ基材７の下面７ｂはメタルベース基板５の上面５ａに接している。また、ガラスエポキシ基材７の上面７ａにおいて、陽極側電力供給端子９ａおよび陰極側電力供給端子９ｂが設けられている領域を含む反射部材３の周縁の領域７ａ１は、樹脂体４によって覆われている。ガラスエポキシ基材７の上面７ａにおいて、領域７ａ１以外の領域である領域７ａ２は、領域７ａ２に形成されている配線パターンを保護するための絶縁性樹脂１０で覆われている。絶縁性樹脂１０として、白色インクや、樹脂中にフィラーを含有した複合樹脂等から選択された材料が用いられてもよい。例えば、光の反射率を良くして発光部２の光取り出し効率を向上させる上では、アルミナ粉末、シリカ粉末、酸化マグネシウム、酸化チタン等の白色顔料を含み、絶縁材のシリコーン樹脂が用いられることが好ましい。
【００５２】
（反射部材）
図５は、反射部材３を示す概略斜視図である。図５に示すように反射部材３には、１組の切り欠き部３ｋａ，３ｋｂが設けられている。切り欠き部３ｋａ，３ｋｂは、反射部材３の周壁において、端面３ｂから端面３ｃに向けて形成された切り欠きである。なお、反射部材３は、切り欠き部３ｋａ，３ｋｂの幅が、電線８ａ，８ｂの直径の２倍以上になるように形成されている。図５に示す例では、反射部材３の周壁が曲線状に切り欠かれて切り欠き部３ｋａ，３ｋｂが形成されているが、反射部材３の周壁の少なくとも１箇所が矩形状に切り欠かれて切り欠き部３ｋａ，３ｋｂが形成されていてもよい。つまり、切り欠き部３ｋａ，３ｋｂの形状は、適宜変更可能である。
【００５３】
切り欠き部３ｋａ，３ｋｂにおける樹脂体４と蛍光部材２２との位置関係を構成する製造過程の例について説明する。まず、反射部材３の外周に樹脂体４が配置されると、樹脂体４の一部が切り欠き部３ｋａ，３ｋｂ内に進入する。次に、反射部材３の筒内に蛍光部材２２が充填されると、蛍光部材２２は、切り欠き部３ｋａ，３ｋｂにおいて樹脂体４が進入していない部分に進入する。従って、図２に示す例では、切り欠き部３ｋａ，３ｋｂは蛍光部材２２および樹脂体４によって塞がれており、切り欠き部３ｋａ，３ｋｂにおいて、下部は、上部よりも広い範囲で樹脂体４によって塞がれ、上部は、下部よりも広い範囲で蛍光部材２２によって塞がれている。
【００５４】
図１および図２に示すように、電線８ａは、切り欠き部３ｋａを通過する。また、電線８ｂは、切り欠き部３ｋｂを通過する。また、図１および図２に示すように、切り欠き部３ｋａ，３ｋｂは、それぞれ蛍光部材２２および樹脂体４によって塞がれている。そして、各電線８ａ，８ｂの全長のうち切り欠き部３ｋａ，３ｋｂを通過する部分は、反射部材３に接しないようにそれぞれ蛍光部材２２および樹脂体４によって支持される。また、電線８ａ，８ｂのうち少なくとも反射部材３の外側にある部分は、樹脂体４によって支持されて保護される。なお、図２に示す例では、切り欠き部３ｋａ，３ｋｂは、メタルベース基板５の上面５ａから端面３ｂの高さよりもよりも低い位置まで、蛍光部材２２および樹脂体４によって塞がれているように示されているが、切り欠き部３ｋａ，３ｋｂの全部の領域が蛍光部材２２および樹脂体４によって塞がれていてもよい。
【００５５】
（樹脂体）
樹脂体４は、金よりも光の反射率が高い樹脂によって成り、例えば、光を反射する白色のシリコーン樹脂である。前述したように、電力供給端子９ａ，９ｂと電線８ａ，８ｂとは金によって成るが、電線８ａ，８ｂの全長のうち少なくとも反射部材３の外側にある部分と、電力供給端子９ａ，９ｂとは、金よりも光の反射率が高い樹脂体４によって覆われる。
【００５６】
前述したように、発光装置１は、蛍光部材２２と金よりも光の反射率が高い樹脂体４とが切り欠き部３ｋａ，３ｋｂを塞ぐように構成されているので、切り欠き部３ｋａ，３ｋｂを通過して反射部材３の筒外に向かう方向の光は、樹脂体４によって反射されて筒内に戻される。なお、樹脂体４として、樹脂中にフィラーを含有した複合樹脂等から選択された材料が用いられてもよい。例えば、光の反射率を良くして発光部２の光取り出し効率を向上させる上では、アルミナ粉末、シリカ粉末、酸化マグネシウム、酸化チタン等の白色顔料を含むシリコーン樹脂が用いられることが好ましい。
【００５７】
（変形例）
図６は、発光装置１の変形例の構成を示す概略上面図である。以上に述べた例の発光装置１は１つのＬＥＤチップを有していたが、本変形例の発光装置１は、２つのＬＥＤチップを有する。また、本変形例の発光装置１は、反射部材３に代えて反射部材１３を含む。
【００５８】
前述した図１および図２に示す発光装置１は、１つのＬＥＤチップ２１に対応して、１組の切り欠き部３ｋａ，３ｋｂ、１組の接続端子２１ａ，２１ｂ、１組の電線８ａ，８ｂ、および１組の電力供給端子９ａ，９ｂを有する。
【００５９】
それに対して、図６に示す本変形例の発光装置１は、１つのＬＥＤチップ２１−１に対応して、１組の切り欠き部３ｋｃ，３ｋｄ、１組の接続端子２１ｃ，２１ｄ、１組の電線８ｃ，８ｄ、および１組の電力供給端子９ｃ，９ｄが設けられている。また、図６に示す本変形例の発光装置１は、１つのＬＥＤチップ２１−２に対応して、１組の切り欠き部３ｋｅ，３ｋｆ、１組の接続端子２１ｅ，２１ｆ、１組の電線８ｅ，８ｆ、および１組の電力供給端子９ｅ，９ｆが設けられている。
【００６０】
従って、図６に示す本変形例の発光装置１は、２つのＬＥＤチップ２１−１，２１−２に対応して、２組の切り欠き部３ｋｃ，３ｋｄ，３ｋｅ，３ｋｆ、２組の接続端子２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ、２組の電線８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ、および２組の電力供給端子９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆが設けられている。よって、本変形例の反射部材１３には、２組の切り欠き部３ｋｃ，３ｋｄ，３ｋｅ，３ｋｆが設けられている。
【００６１】
本変形例の発光装置１の構成において、図１および図２に示す発光装置１における構成と同様な構成は、図１および図２と同じ符号を付し、説明を省略する。
【００６２】
図７は、本変形例の反射部材１３を示す概略斜視図である。図７に示すように本変形例の反射部材１３は、２組の切り欠き部３ｋｃ，３ｋｄ，３ｋｅ，３ｋｆが設けられている。切り欠き部３ｋｃ，３ｋｄ，３ｋｅ，３ｋｆは、反射部材１３の周壁において、端面３ｂから端面３ｃに向けた切り欠きである。図５に示す例では、反射部材１３の周壁が曲線状に切り欠かれて切り欠き部３ｋｃ，３ｋｄ，３ｋｅ，３ｋｆが形成されているが、反射部材１３の周壁の少なくとも１箇所が矩形状に切り欠かれて切り欠き部３ｋｃ，３ｋｄ，３ｋｅ，３ｋｆが形成されていてもよい。つまり、切り欠き部３ｋｃ，３ｋｄ，３ｋｅ，３ｋｆの形状は、適宜変更可能である。
【００６３】
図６に示すように、電線８ｃは、切り欠き部３ｋｃを通過する。また、電線８ｄは、切り欠き部３ｋｄを通過する。電線８ｅは、切り欠き部３ｋｅを通過する。また、電線８ｆは、切り欠き部３ｋｆを通過する。また、図６に示すように、切り欠き部３ｋｃ，３ｋｄ，３ｋｃ，３ｋｄは、それぞれ蛍光部材２２および樹脂体４によって塞がれている。なお、図２に示す例と同様に、切り欠き部３ｋｃ，３ｋｄ，３ｋｅ，３ｋｆは、端面３ｂの高さよりもよりも低い位置まで蛍光部材２２および樹脂体４によって塞がれていてもよいし、切り欠き部３ｋｃ，３ｋｄ，３ｋｅ，３ｋｆの全部の領域が蛍光部材２２および樹脂体４によって塞がれていてもよい。
【００６４】
［第２実施形態］
図８は、本発明の第２実施形態の発光装置１００の構成例を示す概略上面図である。図９は、本発明の第２実施形態の発光装置１００の構成例を示す概略断面図である。図９には、図８におけるIX−IX線に沿う断面が示されている。図１および図２に示す第１実施形態の発光装置１では
、電線８ａ，８ｂが、反射部材３に設けられた切り欠き部３ｋａ，３ｋｂを通過するように構成されていた。それに対して、図８および図９に示す第２実施形態の発光装置１００では、反射部材３に切り欠き部は設けられておらず、電線８ａ，８ｂは、反射部材３の端面３ｂの上方を通過する。
【００６５】
本実施形態の発光装置１００の構成において、第１実施形態の発光装置１における構成と同様な構成は、図１および図２と同じ符号を付し、説明を省略する。なお、本実施形態では、放熱部材３０を含む発光装置１００と、図示しない外部配線等とが照明器具を構成している。
【００６６】
発光部２は、第１実施形態における構成と同様に、メタルベース基板５において高反射処理がなされている上面５ａ上に設置されている。反射部材２３は、第１実施形態における反射部材３の構成と同様に、筒状に形成され、少なくとも内壁３ａおよび一方の端面３ｂに高反射処理がなされている。そして、反射部材２３は、第１実施形態における反射部材３の構成と同様に、内壁３ａが発光部２の周囲を囲むように他方の端面３ｃがメタルベース基板５の上面５ａに設置されている。
【００６７】
メタルベース基板５の上面５ａには、第１実施形態における構成と同様に、ガラスエポキシ基材７が接合されている。ガラスエポキシ基材７には、第１実施形態における構成と同様に、円筒形の反射部材２３の外周形状に応じた大きさの開口部７ｋが設けられている。メタルベース基板５の上面５ａにおいて、ガラスエポキシ基材７の開口部７ｋ内の領域５ａ１には反射部材２３が設置され、反射部材２３が設置されている領域の外側の領域５ａ２は、ガラスエポキシ基材７によって覆われている。
【００６８】
ガラスエポキシ基材７の上面７ａには、第１実施形態における構成と同様に、ＬＥＤチップ２１における陽極側接続端子２１ａに電線８ａを介して接続される陽極側電力供給端子９ａと、ＬＥＤチップ２１における陰極側接続端子２１ｂに電線８ｂを介して接続される陰極側電力供給端子９ｂとが設けられている。
【００６９】
ガラスエポキシ基材７の下面７ｂはメタルベース基板５の上面５ａに接している。また、ガラスエポキシ基材７の上面７ａにおける陽極側電力供給端子９ａおよび陰極側電力供給端子９ｂを除いた領域は、絶縁性樹脂１０で覆われている。
【００７０】
図１０は、第２実施形態の反射部材２３を示す概略斜視図である。図１０に示すように第２実施形態の反射部材２３は、図５または図７に示す第１実施形態の反射部材３と異なり、切り欠き部が設けられていない。
【００７１】
図９に示すように、電線８ａ，８ｂは、反射部材２３の端面３ｂの上方を通過する。なお、本実施形態では、樹脂体４は、メタルベース基板５の上面５ａから反射部材２３の端面３ｂまでの高さよりも高い位置まで反射部材２３を囲むように形成されている。そして、発光部２の蛍光部材２２は、メタルベース基板５の上面５ａから反射部材２３の端面３ｂまでの高さよりも高い位置であって、樹脂体４の頂部よりも低い位置まで、反射部材２３の筒内および樹脂体４によって囲まれた領域に充填されている。
【００７２】
本実施形態における、樹脂体４と蛍光部材２２との位置関係を構成する製造過程の例について説明する。まず、樹脂体４が、反射部材２３の外周および端面３ｂ上の外側の領域に配置される。次に、蛍光部材２２が、反射部材２３の筒内および端面３ｂ上に配置された樹脂体４に囲まれた領域、つまり、反射部材２３の筒内および端面３ｂ上において樹脂体４に囲まれた内側の領域に充填される。従って、図９に示す例では、反射部材２３の端面３ｂの上方は蛍光部材２２および樹脂体４によって覆われている。
【００７３】
そして、図９に示すように、電線８ａ，８ｂは、反射部材２３の端面３ｂの上方で、蛍光部材２２および樹脂体４によって反射部材２３に接しないように支持される。また、電線８ａ，８ｂは、蛍光部材２２および樹脂体４によって覆われて保護される。
【００７４】
本実施形態によれば、電線８ａ，８ｂによる電力供給端子９ａ，９ｂと接続端子２１ａ，２１ｂとの接続を容易すること等を目的として、反射部材２３に切り欠き部を設ける代わりに、メタルベース基板５の上面５ａから反射部材２３の端面３ｂまでの高さを低くしても、樹脂体４が発光部２によって発せられた光の拡散を良好に抑制することができる。そうすると、反射部材２３の開口方向にレンズが設けられた場合に、発光部２によって発せられた光を高い割合で当該レンズに入射させることができる。
【００７５】
また、本実施形態によれば、電線８ａ，８ｂを蛍光部材２２および樹脂体４で保護することができる。
【００７６】
なお、第１実施形態では電線８ａ，８ｂのいずれもが切り欠き部を通過し、第２実施形態では電線８ａ，８ｂのいずれもが反射部材２３の端面３ｂの上方を通過するように構成されているが、反射部材に電線８ａ，８ｂのうち一方の電線が通過するように切り欠きが設けられて当該一方の電線が当該切り欠きを通過し、他方の電線が当該反射部材の上方を通過するように構成されていてもよい。
【００７７】
樹脂体４の高さは、図２に示す第１実施形態の発光装置１における高さや、図９に示す第２実施形態の発光装置１００における高さに限られない。具体的には、図２に示す第１実施形態の発光装置１では、樹脂体４が反射部材３の端面３ｂの高さよりも低い高さで当該反射部材３の外周に配置されているが、例えば、樹脂体４が反射部材３の端面３ｂの高さよりも高い高さで当該反射部材３の外周に配置されていてもよい。
【００７８】
また、例えば、基板５の上面５ａから樹脂体４の頂部までの高さと、基板５の上面５ａから反射部材３の端面３ｂまでの高さとの比が、例えば、２：１になるように構成されていてもよいし（つまり、図９に示す例に比べて、反射部材３の高さが低く樹脂体４が蛍光部材２２を囲む割合が高いように構成されていてもよい）、例えば、１０：９になるように構成されていてもよい（つまり、図９に示す例に比べて、反射部材３の高さが高く樹脂体４が蛍光部材２２を囲む割合が低いように構成されていてもよい）。つまり、蛍光部材２２が反射部材３と樹脂体４とによって囲まれていれば、基板５の上面５ａから樹脂体４の頂部までの高さと、基板５の上面５ａから反射部材３の端面３ｂまでの高さとの比がどのような割合であってもよい。そのような構成によれば、蛍光部材２２の量に応じて、反射部材３の高さと樹脂体４の量とを調整することができる。
【符号の説明】
【００７９】
１，１００    発光装置
２    発光部
３，１３，２３    反射部材
３ａ    内壁
３ｂ，３ｃ  端部
３ｋａ，３ｋｂ，３ｋｃ，３ｋｄ，３ｋｅ，３ｋｆ    切り欠き部
４    樹脂材
５    メタルベース基板
５ａ    上面
５ａ１，５ａ２    領域
５ｂ    下面
６    ダイボンド剤
７    ガラスエポキシ基材
７ａ    上面
７ａ１，７ａ２    領域
７ｂ    下面
７ｋ    開口部
８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ    電線
９ａ    陽極側電力供給端子
９ｂ    陰極側電力供給端子
９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆ    電力供給端子
１０    絶縁性樹脂
２１，２１−１，２１−２    ＬＥＤチップ
２１ａ    陽極側接続端子
２１ｂ    陰極側接続端子
２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ    接続端子
２２    蛍光部材
３０    放熱部材
３１    フィン
【図１】
2013171997.tif 000003
【図２】
2013171997.tif 000004
【図３】
2013171997.tif 000005
【図４】
2013171997.tif 000006
【図５】
2013171997.tif 000007
【図６】
2013171997.tif 000008
【図７】
2013171997.tif 000009
【図８】
2013171997.tif 000010
【図９】
2013171997.tif 000011
【図１０】
2013171997.tif 000012