(57)【要約】【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を１回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】電気光学装置の素子基板１０上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂを備えたレジストマスク１７を層間絶縁膜４２の表面に形成した後、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂから層間絶縁膜４２および絶縁膜４９をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク１７を変形させて第２開口部１７ｂを塞ぐ一方、第１開口部１７ａの開口面積を狭める。次に、第１開口部１７ａから層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２をエッチングする。【選択図】図５
2013110251.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１開口部および該第１開口部より開口面積が小さな第２開口部を備えたレジストマスクを絶縁膜の表面に形成するレジストマスク形成工程と、
前記第１開口部および前記第２開口部から前記絶縁膜をエッチングする第１エッチング工程と、
前記レジストマスクを変形させて前記第２開口部を塞ぐ一方、前記第１開口部の開口面積を狭めるシュリンク工程と、
該シュリンク工程により開口面積が狭くなった前記第１開口部から前記絶縁膜をエッチングする第２エッチング工程と、
を有し、
前記第１開口部からの前記第２エッチング工程により前記絶縁膜に形成された第１凹部、および前記第２開口部からの前記第１エッチング工程により前記絶縁膜に形成された第２凹部のうちの少なくとも一方の凹部の底部で導電層を露出させて当該凹部をコンタクトホールとして形成することを特徴とするコンタクトホールの形成方法。
【請求項２】
前記第１凹部および前記第２凹部の双方の底部で導電層を露出させて前記第１凹部および前記第２凹部を各々コンタクトホールとして形成することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項３】
前記シュリンク工程では、前記レジストマスクと樹脂系のシュリンク剤とを反応させて前記レジストマスクを膨張させることを特徴とする請求項１または２に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項４】
前記シュリンク工程では、前記レジストマスクとフッ素含有ガスとを接触させて前記レジストマスクを膨張させることを特徴とする請求項１または２に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項５】
第１開口部および該第１開口部より開口面積が小さな第２開口部を備えたレジストマスクを絶縁膜の表面に形成するレジストマスク形成工程と、
前記第１開口部および前記第２開口部から前記絶縁膜をエッチングする第１エッチング工程と、
前記レジストマスクを膨張させて前記第２開口部を塞ぐ一方、前記第１開口部の開口面積を狭めるシュリンク工程と、
該シュリンク工程により開口面積が狭くなった前記第１開口部から前記絶縁膜をエッチングする第２エッチング工程と、
を有し、
前記第１開口部からの前記第２エッチング工程により前記絶縁膜に形成された第１凹部、および前記第２開口部からの前記第１エッチング工程により前記絶縁膜に形成された第２凹部のうちの一方の凹部の底部で導電層を露出させて当該凹部をコンタクトホールとして形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１凹部および前記第２凹部の双方の底部で導電層を露出させて前記第１凹部および前記第２凹部を各々コンタクトホールとして形成することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記シュリンク工程では、前記レジストマスクと樹脂系のシュリンク剤とを反応させて前記レジストマスクを膨張させることを特徴とする請求項５または６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記シュリンク工程では、前記レジストマスクとフッ素含有ガスとを接触させて前記レジストマスクを膨張させることを特徴とする請求項５または６に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するコンタクトホールの形成方法および電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置では、データ線から供給された画像信号を画素電極に供給するタイミングをスイッチング素子によって制御する。このため、電気光学装置では、基板の一方面に各種配線や電極が多層に形成されており、かかる配線や電極の電気的な接続は、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して行われる。このため、電気光学装置の製造工程では、フォトリソグラフィー工程によって絶縁膜の表面にレジストマスクを形成する工程、レジストマスクの開口部から絶縁膜をエッチングするエッチング工程、およびレジストマスク除去工程が繰り返し行われる。但し、層間絶縁膜に同じ深さのコンタクトホールを複数形成する場合は、１回のフォトリソグラフィー工程と１回のエッチング工程とによって複数のコンタクトホールを同時に形成する。
【０００３】
これに対して、絶縁膜に深さの異なるコンタクトホールが形成されている場合がある（例えば、特許文献１参照）。この場合、従来は、エッチング工程およびレジストマスク除去工程を各々２回ずつ行うことになる。
【０００４】
一方、レジストマスクの開口部については、開口面積が狭いほどコンタクトホールが占有する面積を小さくすることができるが、レジストマスクを露光する際の解像度には限界がある。そこで、レジストマスクを形成した後、レジストマスクを変形させて開口部を縮小化するシュリンク技術が提案されている（特許文献２、３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２２５０３４号公報
【特許文献２】国際公開第２００４／１００２３５号パンフレット
【特許文献３】特開２００９−２６９８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の構成のように、絶縁膜に深さの異なるコンタクトホールを形成するにあたって、レジストマスク形成工程、エッチング工程、およびレジストマスク除去工程を各々２回ずつ行う方法では生産性が低くて製造コストが増大するという問題点があるが、特許文献２、３には、シュリンク技術を利用して、かかる問題を解決するという技術的思想が一切ない。
【０００７】
そこで、本発明の課題は、シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を１回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係るコンタクトホールの形成方法では、第１開口部および該第１開口部より開口面積が小さな第２開口部を備えたレジストマスクを絶縁膜の表面に形成するレジストマスク形成工程と、前記第１開口部および前記第２開口部から前記絶縁膜をエッチングする第１エッチング工程と、前記レジストマスクを変形させて前記第２開口部を塞ぐ一方、前記第１開口部の開口面積を狭めるシュリンク工程と、該シュリンク工程により開口面積が狭くなった前記第１開口部から前記絶縁膜をエッチングする第２エッチング工程と、を有し、前記第１開口部からの前記第２エッチング工程により前記絶縁膜に形成された第１凹部、および前記第２開口部からの前記第１エッチング工程により前記絶縁膜に形成された第２凹部のうちの少なくとも一方の凹部の底部で導電層を露出させて当該凹部をコンタクトホールとして形成することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る電気光学装置の製造方法では、第１開口部および該第１開口部より開口面積が小さな第２開口部を備えたレジストマスクを絶縁膜の表面に形成するレジストマスク形成工程と、前記第１開口部および前記第２開口部から前記絶縁膜をエッチングする第１エッチング工程と、前記レジストマスクを変形させて前記第２開口部を塞ぐ一方、前記第１開口部の開口面積を狭めるシュリンク工程と、該シュリンク工程により開口面積が狭くなった前記第１開口部から前記絶縁膜をエッチングする第２エッチング工程と、を有し、前記第１開口部からの前記第２エッチング工程により前記絶縁膜に形成された第１凹部、および前記第２開口部からの前記第１エッチング工程により前記絶縁膜に形成された第２凹部のうちの少なくとも一方の凹部の底部で導電層を露出させて当該凹部をコンタクトホールとして形成することを特徴とする。
【００１０】
本発明に係るコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法では、第１開口部および第２開口部を備えたレジストマスクを絶縁膜の表面に形成した後、第１開口部および第２開口部から絶縁膜をエッチングし、その後、シュリンク工程において、レジストマスクを変形させて第２開口部を塞ぐ一方、第１開口部の開口面積を狭める。その結果、レジストマスクは異なるパターンを有することになるので、第１開口部から絶縁膜にエッチングすれば、レジストマスクを再度、形成しなくても、深さの異なる第１凹部および第２凹部を形成することができる。また、第１凹部または第２凹部については底部で導電層を露出させればコンタクトホールとして利用できる。それ故、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を１回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することができる。
【００１１】
本発明において、前記第１凹部および前記第２凹部の双方の底部で導電層を露出させて前記第１凹部および前記第２凹部を各々コンタクトホールとして形成してもよい。
【００１２】
本発明において、前記シュリンク工程では、例えば、前記レジストマスクと樹脂系のシュリンク剤とを反応させて前記レジストマスクを膨張させる方法を採用する。
【００１３】
本発明において、前記シュリンク工程では、前記レジストマスクとフッ素含有ガスとを接触させて前記レジストマスクを膨張させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板において隣り合う複数の画素の平面図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置の断面構成を示す説明図である。
【図５】本発明を適用した電気光学装置の製造工程のうち、コンタクトホールの形成工程を示す工程断面図である。
【図６】本発明を適用した電気光学装置の製造工程のうち、コンタクトホールの形成工程を示す工程断面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態に係る電気光学装置の断面構成を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１６】
（全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを備えた液晶装置であり、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａ（画像信号線）および複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００１７】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００１８】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通している。
【００１９】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２０】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には液晶層５０が保持されている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。
【００２１】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２２】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２３】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２４】
また、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もある。
【００２５】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００２６】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００２７】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極部２５ｔが形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極部２５ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極部６ｔが形成されている。基板間導通用電極部６ｔは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通しており、定電位配線６ｓは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。基板間導通用電極部６ｔと基板間導通用電極部２５ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極部６ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２５ｔを介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極部６ｔ、２５ｔを避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００２８】
かかる構成の電気光学装置１００において、本形態では、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は透過型の液晶装置である。かかる透過型の電気光学装置１００では、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。なお、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成する場合もあり、かかる構成によれば、反射型の電気光学装置１００を構成することができる。かかる反射型の電気光学装置１００では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００２９】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３０】
本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３１】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図である。図４は、本発明を適用した電気光学装置１００の断面構成を示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は、電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図、および深さの異なるコンタクトホール４２ａ、４２ｂを抜き出して示す説明図である。なお、図３では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００３２】
図３に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３３】
図４（ａ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３４】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００３５】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００３６】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００３７】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００３８】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００３９】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の絶縁膜４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００４０】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４１】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４２】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。本形態において、画素電極９ａは、ＩＴＯ膜からなる。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、表面は平坦化されている。
【００４３】
画素電極９ａは、中継電極７ｂと部分的に重なっており、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００４４】
画素電極９ａの表面には、ポリイミド膜や無機配向膜等の配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）からなる。
【００４５】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミド膜や無機配向膜等の配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。また、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００４６】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図４（ａ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００４７】
（コンタクトホール４２ａ、４２ｂの詳細構成）
このように、電気光学装置１００では、素子基板１０の一方面１０ｓ側に各種配線や電極が多層に形成されており、かかる配線や電極の電気的な接続は、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して行われる。ここで、データ線６ａとソース領域１ｂとを導通させるコンタクトホール４２ａ、および中継電極６ｂとドレイン電極４ａとを導通させるコンタクトホール４２ｂは、いずれも層間絶縁膜４２の表面で開口しているが、深さが大きく相違する。より具体的には、コンタクトホール４２ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通しているのに対して、コンタクトホール４２ａは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９に加えて、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通している。
【００４８】
本形態では、コンタクトホール４２ａ、４２ｂを、図５および図６を参照して以下に説明した方法で形成したため、コンタクトホール４２ａは、層間絶縁膜４２の表面で広い開口面積をもって開口しているのに対して、コンタクトホール４２ｂは、層間絶縁膜４２の表面において、コンタクトホール４２ａより小さな開口面積をもって開口している。
【００４９】
また、コンタクトホール４２ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を連続して貫通しているのに対して、コンタクトホール４２ａは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９に形成された上半部の穴４２ａ1と、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２に形成された下半部の穴４２ａ2とからなり、穴４２ａ1の内径寸法は、穴４２ａ2の内径寸法より大である。このため、コンタクトホール４２ａは、段付きの穴として形成されている。また、穴４２ａ1の内径寸法と穴４２ａ2の内径寸法との差は、コンタクトホール４２ｂの内径寸法より大である。
【００５０】
（電気光学装置１００の製造方法およびコンタクトホール４２ａ、４２ｂの形成方法）
図５および図６は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造工程のうち、コンタクトホール４２ａ、４２ｂの形成工程を示す工程断面図である。
【００５１】
本形態の電気光学装置１００の製造工程のうち、コンタクトホール４２ａ、４２ｂの形成工程では、図５（ａ）に示すように、層間絶縁膜４２を形成した後、レジストマスク形成工程において、層間絶縁膜４２の表面にレジストマスク１７を形成する。ここで、レジストマスク１７は感光性樹脂からなり、層間絶縁膜４２に感光性樹脂をスピンコート等により塗布した後、露光、現像してなる。レジストマスク１７は、コンタクトホール４２ａの形成予定領域に第１開口部１７ａを備え、コンタクトホール４２ｂの形成予定領域に第２開口部１７ｂを備えている。本形態において、第２開口部１７ｂは、第１開口部１７ａより開口面積が小さい。
【００５２】
次に、図５（ｂ）に示す第１エッチング工程において、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂから層間絶縁膜４２および絶縁膜４９をエッチングする。かかるエッチングでは、ドライエッチングおよびウェットエッチングを用いることができ、本形態では、ドライエッチングとして、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）を行う。その結果、第１開口部１７ａからのエッチングにより、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通する第１凹部４２ｅが形成され、第２開口部１７ｂからのエッチングにより、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通する第２凹部４２ｆが形成される。その際、第２開口部１７ｂは、第１開口部１７ａより開口面積が小さいので、第２凹部４２ｆの開口面積は、第１凹部４２ｅの開口面積より小さい。
【００５３】
ここで、第２凹部４２ｆの底部では、ドレイン電極４ａが露出しているので、第２凹部４２ｆは、中継電極６ｂとドレイン電極４ａとを導通させるコンタクトホール４２ｂとして利用される。これに対して、第１凹部４２ｅの底部では、層間絶縁膜４１が存在しており、この時点では、コンタクトホール４２ａの上半部（穴４２ａ1）のみが形成された段階にある。
【００５４】
次に、図５（ｃ）に示すシュリンク工程では、後述する方法により、レジストマスク１７を変形させて第２開口部１７ｂを塞ぐ一方、第１開口部１７ａの開口面積を狭める。
【００５５】
次に、図６（ａ）に示す第２エッチング工程では、シュリンク工程により開口面積が狭くなった第１開口部１７ａから層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２をエッチングし、その後、図６（ｂ）に示すように、レジストマスク１７を除去する。図６（ａ）に示す第２エッチング工程では、ドライエッチングおよびウェットエッチングを用いることができ、本形態では、ドライエッチングとして、反応性イオンエッチングを行う。その結果、第１開口部１７ａからのエッチングにより、第１凹部４２ｅは、第１開口部１７ａの開口面積と略同一の内径寸法をもって層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通する。
【００５６】
このようにして第１凹部４２ｅを形成すると、第１凹部４２ｅの底部では、ソース領域１ｂが露出しているので、第１凹部４２ｅは、データ線６ａとソース領域１ｂとを導通させるコンタクトホール４２ａとして利用される。従って、図４（ｂ）に示すように、層間絶縁膜４１の表面にデータ線６ａおよび中継電極６ｂを形成すれば、データ線６ａとソース領域１ｂとはコンタクトホール４２ａを介して導通し、中継電極６ｂとドレイン電極４ａとはコンタクトホール４２ｂを介して導通する。
【００５７】
ここで、コンタクトホール４２ａは、第１エッチング工程により層間絶縁膜４２および絶縁膜４９に形成された上半部（穴４２ａ1）と、第２エッチング工程により層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２に形成された下半部（穴４２ａ2）とからなり、穴４２ａ1の内径寸法は、穴４２ａ2の内径寸法より大である。また、穴４２ａ1の内径寸法は、シュリンク工程前の第１開口部１７ａの内径寸法と略等しく、穴４２ａ2の内径寸法は、シュリンク工程後の第１開口部１７ａの内径寸法と略等しい。このため、穴４２ａ1の内径寸法と穴４２ａ2の内径寸法との差は、シュリンク量（シュリンク工程前の第１開口部１７ａの内径寸法とシュリンク工程後の第１開口部１７ａの内径寸法との差）に対応している。また、シュリンク工程で第２開口部１７ｂが塞がれることから、シュリンク量は、第２開口部１７ｂ（コンタクトホール４２ｂ）の内径寸法より大であり、それ故、穴４２ａ1の内径寸法と穴４２ａ2の内径寸法との差は、第２開口部１７ｂ（コンタクトホール４２ｂ）の内径寸法より大である。
【００５８】
（シュリンク工程の第１例）
本形態の電気光学装置１００の製造方法およびコンタクトホール４２ａ、４２ｂの形成方法において、シュリンク工程では、例えば、国際公開第２００４／１００２３５号パンフレットに記載されているように、レジストマスク１７の表面に樹脂系のシュリンク剤を反応させてレジストマスク１７を膨張させるＲＥＬＡＣＳ法（Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink）等を採用することができる。
【００５９】
より具体的には、レジストマスク１７として、ノボラック系フォトレジストを用い、かかるノボラック系フォトレジストにシュリンク剤を接触させてレジストマスク１７を膨潤させる。ノボラック系フォトレジストは、基材樹脂としてのノボラック樹脂と、ナフトキノンジアジド系の感光剤とにより構成されたものであり、ノボラック系フォトレジストを露光・現像して第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂを形成すると、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂ端面は、親水性のフェノール基を含むノボラック樹脂の効果により、親水性となる。よって、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂに親水性のレジストパターンを膨潤化する薬液（シュリンク剤）を作用させることで、親水性物質同士が物理化学的に吸着し、その後のベーキングによってミキシング・架橋反応が起こり、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂの縮小（シュリンク）が発生する。
【００６０】
また、ポリメチルメタクリレート系レジストの場合にも、同様の膨潤化処理が可能である。例えば、電子線描画等によりポリメチルメタクリレート系レジストに第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂを形成した後、例えば、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂの上部より酸素アッシング処理を施す。その後、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂにシュリンク剤を作用させることで、親水性物質同士が物理化学的に吸着し、その後のベーキングによってミキシング・架橋反応が起こり、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂの縮小（シュリンク）が発生する。
【００６１】
かかる方法において、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂにシュリンク剤を作用させるにあたっては、シュリンク剤をレジストマスク１７に塗布する。次に、例えば、８５℃で６０秒間の熱処理を行い、レジストマスク１７とシュリンク剤とをなじませた後（ミキシング処理）、例えば、９５℃で６０秒間の熱処理を行い、レジストマスク１７内部に浸透したシュリンク剤とレジスト材料との架橋反応を促進させる。その後、例えば、純水により６０秒間の洗浄処理を行い、未架橋のシュリンク剤を除去する。
【００６２】
ここで、シュリンク剤は、樹脂、架橋材および界面活性剤を含有しており、必要に応じて、水溶性芳香族化合物や芳香族化合物を一部に有する樹脂や有機溶剤等の材料を含有する。また、シュリンク剤は、水溶性あるいはアルカリ可溶性を有している。樹脂が水溶性樹脂である場合、水溶性樹脂としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアセテート、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン等を例示することができる。樹脂がアルカリ可溶性である場合、アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、ノボラック樹脂、ビニルフェノール樹脂、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸等を例示することができる。架橋剤としては、熱や酸によって架橋を生じる水溶性のものが好ましく、例えば、メラミン誘導体、ユリア誘導体、ウリル誘導体等のアミノ系架橋剤が挙げられる。界面活性剤としては、非イオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤等が挙げられる。有機溶剤としては、例えば、アルコール系有機溶剤、鎖状エステル系有機溶剤、環状エステル系有機溶剤、ケトン系有機溶剤、鎖状エーテル系有機溶剤、環状エーテル系有機溶剤等が挙げられる。
【００６３】
（シュリンク工程の第２例）
本形態の電気光学装置１００の製造方法およびコンタクトホール４２ａ、４２ｂの形成方法において、シュリンク工程では、特開２００９−２６９８０号公報に記載されているように、レジストマスク１７とフッ素含有ガスとを接触させてレジストマスク１７を膨張させてもよい。
【００６４】
より具体的は、レジストマスク１７として、炭素と水素を主元素とするレジスト膜を用い、レジスト膜をフッ化キセノンガス（ＸｅＦ2ガス；フッ素含有ガス）の雰囲気に暴露することにより、レジスト膜を膨張させてシュリンクを行う。かかる方法によれば、レジストマスク１７の表面がフッ化されることで膨張し、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂの縮小（シュリンク）が発生する。
【００６５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態のコンタクトホール４２ａ、４２ｂの形成方法、および電気光学装置１００の製造方法では、まず、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂを備えたレジストマスク１７を層間絶縁膜４２の表面に形成した後、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂから層間絶縁膜４２および絶縁膜４９をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク１７を変形させて第２開口部１７ｂを塞ぐ一方、第１開口部１７ａの開口面積を狭める。その結果、レジストマスク１７は異なるパターンを有することになるので、第１開口部１７ａから層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２をエッチングすれば、レジストマスク１７を再度、形成しなくても、深さの異なる第１凹部４２ｅおよび第２凹部４２ｆを形成することができる。
【００６６】
また、第１凹部４２ｅおよび第２凹部４２ｆの底部では、導電層（ソース領域１ｂおよびドレイン電極４ａ）が露出しているので、第１凹部４２ｅおよび第２凹部４２ｆを各々、コンタクトホール４２ａ、４２ｂとして利用できる。それ故、深さの異なるコンタクトホール４２ａ、４２ｂ（第１凹部４２ｅおよび第２凹部４２ｆ）を形成する場合でも、レジストマスク形成工程やレジストマスク除去工程が１回で済む。
【００６７】
［他の実施の形態］
図７は、本発明の他の実施の形態に係る電気光学装置１００の断面構成を示す説明図である。上記実施の形態では、データ線６ａとソース領域１ｂとを導通させるコンタクトホール４２ａ、および中継電極６ｂとドレイン電極４ａとを導通させるコンタクトホール４２ｂの形成に本発明を適用したが、他のコンタクトホールを形成する場合に本発明を適用してもよい。
【００６８】
また、上記実施の形態では、第１凹部４２ｅおよび第２凹部４２ｆのいずれをもコンタクトホールとして構成したが、第１凹部４２ｅおよび第２凹部４２ｆのうちの一方の凹部をコンタクトホールとして構成し、他方の凹部をコンタクトホール以外に利用してもよい。
【００６９】
例えば、図７に示す形態では、第２凹部４２ｆは層間絶縁膜４６、４７の間に形成された導電層３ｓと層間絶縁膜４７の表面に形成されたドレイン電極４ａとを導通させるコンタクトホールとして用いられている。これに対して、第１凹部４２ｅは、層間絶縁膜４６を貫通して層間絶縁膜４７の一部までエッチングされた凹部として形成されており、第１凹部４２ｅの底部では層間絶縁膜４７が露出している。ここで、第１凹部４２ｅは、第２凹部４２ｆに比して深くて内径が大である。また、第１凹部４２ｅの内部では、底部および側面に沿ってドレイン電極４ａ、誘電体層４０および容量線５ｂがこの順に形成されており、ドレイン電極４ａ、誘電体層４０および容量線５ｂによって蓄積容量５５が構成されている。
【００７０】
かかる構成によれば、第１凹部４２ｅの底部に加えて、側面も利用して蓄積容量５５が構成されているので、蓄積容量５５の静電容量が大きい。このような構成の場合でも、深さの異なる第１凹部４２ｅおよび第２凹部４２ｆを形成するのにレジストマスク形成工程やレジストマスク除去工程が１回で済む。
【００７１】
［他の電気光学装置への適用例］
また、上記実施の形態では、電気光学装置１００として液晶装置を例示したが、電気光学装置１００が有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマ表示装置等である場合に本発明を適用してもよい。
【００７２】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器としては、直視型の電子機器や投射型表示装置等を挙げることができ、投射型表示装置の場合、少なくとも、電気光学装置１００に供給される光を出射する光源部と、電気光学装置１００で変調された光を投射する投射光学系とが設けられる。また、直視型の電子機器としては、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができる。
【符号の説明】
【００７３】
２・・ゲート絶縁層（絶縁膜）、４ａ・・ドレイン電極、６ａ・・データ線、６ｂ・・中継電極、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、１７・・レジストマスク、１７ａ・・第１凹部、１７ｂ・・第２凹部、４１、４２・・層間絶縁膜（絶縁膜）、４２ａ、４２ｂ・・コンタクトホール、４２ｅ・・第１凹部、４２ｆ・・第２凹部、４９・・絶縁膜、１００・・電気光学装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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