(57)【要約】【課題】  Ｃｕ−Ｇａ合金体の少なくとも表面または側面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、効率よく高精度に研磨することができる研磨装置、および該研磨装置を用いた研磨工程を含むスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】  研磨装置１００において、各研磨ブラシ１は、複数の研磨布１２が搬送ベルト３によって搬送方向Ａ３に順次搬送されるスパッタリングターゲット用合金体８３の表面と接した状態で、中心軸線Ｌ１まわりに回転方向Ａ１に自転しながら、支持部材２の中心軸線Ｌ２まわりに回転方向Ａ２に公転することで、スパッタリングターゲット用合金体８３の表面を研磨する。【選択図】      図１
2013132746.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形平板状のＣｕ−Ｇａ合金体を載置する載置面を有し、該載置面に載置されたＣｕ−Ｇａ合金体を所定の搬送方向に搬送する搬送手段と、
前記搬送手段によって搬送される前記Ｃｕ−Ｇａ合金体の少なくとも表面または側面を研磨する複数の研磨ブラシであって、前記載置面と所定の間隔をあけて対向する基台と、該基台の前記載置面と対向する面から垂直に延びて帯状に形成される複数の研磨布とを含む複数の研磨ブラシと、
前記載置面と平行に配置され、前記複数の研磨ブラシの前記基台を支持する支持部材と、
前記複数の研磨ブラシのそれぞれを、前記載置面に垂直なそれぞれの中心軸線まわりに回転させるとともに、前記支持部材を前記載置面に垂直な中心軸線まわりに回転させる駆動手段と、を備えることを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記搬送手段は、前記Ｃｕ−Ｇａ合金体を、０．０５ｍ／ｍｉｎ以上０．４ｍ／ｍｉｎ以下の搬送速度で搬送し、
前記駆動手段は、前記研磨ブラシを１０００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の回転数で回転させるとともに、前記支持部材を１０ｒｐｍ以上３０ｒｐｍ以下の回転数で回転させることを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
矩形平板状のＣｕ−Ｇａ合金体を載置する載置面を有し、該載置面に載置されたＣｕ−Ｇａ合金体を所定の搬送方向に搬送する搬送手段と、
前記搬送手段によって搬送される前記Ｃｕ−Ｇａ合金体の少なくとも表面または側面を研磨する研磨ブラシローラであって、前記載置面と所定の間隔をあけて対向し、かつ前記搬送方向と非平行に配置されるローラ軸部と、該ローラ軸部の表面から半径方向外方に延びて帯状に形成される複数の研磨布とを含む研磨ブラシローラと、
前記研磨ブラシローラを、前記ローラ軸部の中心軸線まわりに回転させるとともに、前記載置面に平行で、かつ前記搬送方向に垂直な方向に揺動させる駆動手段と、を備えることを特徴とする研磨装置。
【請求項４】
前記搬送手段は、前記Ｃｕ−Ｇａ合金体を、０．２ｍ／ｍｉｎ以上１．０ｍ／ｍｉｎ以下の搬送速度で搬送し、
前記駆動手段は、前記研磨ブラシローラを１０００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の回転数で回転させることを特徴とする請求項３に記載の研磨装置。
【請求項５】
Ｃｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
溶解鋳造により作製されたＣｕ−Ｇａ合金塊をスライス加工することによって得られたスライス板を、ワイヤー放電加工により切断することで、予め定められたスパッタリングターゲットの形状に加工して、矩形平板状のＣｕ−Ｇａ合金体を得る切出し工程と、
前記Ｃｕ−Ｇａ合金体の縁端部を面取り加工するとともに、前記Ｃｕ−Ｇａ合金体の側面を研磨する側面研磨工程と、
請求項１または２に記載の研磨装置を用いて、前記側面研磨工程において側面研磨した後のＣｕ−Ｇａ合金体の表面を研磨する表面研磨工程と、を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項６】
前記側面研磨工程では、請求項３または４に記載の研磨装置を用いて、前記Ｃｕ−Ｇａ合金体の縁端部を面取り加工するとともに、側面を研磨することを特徴とする請求項５に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｃｕ−Ｇａ合金からなる矩形平板状のＣｕ−Ｇａ合金体の少なくとも表面または側面を研磨する研磨装置、および該研磨装置を用いた研磨工程を含むスパッタリングターゲットの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｇａ（ガリウム）の組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金は、主に、薄膜型太陽電池を構成する光吸収層の薄膜形成用のスパッタリングターゲットとして用いられる。
【０００３】
スパッタリングターゲットは、溶解鋳造法によって製造された直方体形状（例えば大きさが、３００ｍｍ×４００ｍｍ×１０００ｍｍである）の合金インゴット（スラブ）を、旋盤や丸鋸を用いて幾つかに切断し、切断された合金片（スラブ）を圧延、切削することにより製造される。
【０００４】
スパッタリングターゲットとして用いられるＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金は、延性や展性が乏しく、硬度が高くて割れ易い（脆い）。そのため、例えば直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊に切断加工を含む塑性加工などの加工を施すと、加工後の当該Ｃｕ−Ｇａ合金体にひびが入ったり、割れたり欠けたりする。このような不都合が生じたＣｕ−Ｇａ合金体を製品化するには、例えばひびが入った部分などを切削して除去しなければならない。また、発生した切削屑には切削によって不純物が混入してしまうため、例えばＣｕ−Ｇａ合金体をスパッタリングターゲットとして用いる場合には、当該切削屑をＣｕ−Ｇａ合金体として再利用することはできない。それゆえ、再利用できない多量の切削屑が発生してＣｕ−Ｇａ合金体の製品の歩留りが悪くなる。
【０００５】
さらに、一般にスパッタリングターゲットとして用いられるＣｕ−Ｇａ合金体のうち、Ｇａの組成比が原子百分率で２５ａｔ％以上と大きいＣｕ−Ｇａ合金体（いわゆる硬脆材）は、特に硬度が高くて割れ易い（脆い）ため、塑性加工などの加工を施すことができない。
【０００６】
そこで、通常、Ｇａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金体は、セラミックスなどの成形と同様に、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を焼結することによって所望の形状に成形（製造）している。
【０００７】
しかしながら、粉末を焼結することによって所望の形状のＣｕ−Ｇａ合金体を製造する方法では、塑性加工などの加工を施して製造する方法と比較して、Ｃｕ−Ｇａ合金体の製品の歩留りは改善されるものの、当該製品の生産性が低くなってしまう。
【０００８】
また、例えば、特許文献１には、溶解鋳造によって、スパッタリングターゲット用のＣｕ−Ｇａ合金体を製造する方法が開示されている。しかしながら、特許文献１に開示される技術では、比較的小さなサイズのＣｕ−Ｇａ合金体しか製造することができず、また、所望するＣｕ−Ｇａ合金体の大きさに合わせたモールドをその都度用意しなければならないので、生産性が極めて低い。
【０００９】
Ｃｕ−Ｇａ合金体をスパッタリングターゲットとして用いる場合には、当該Ｃｕ−Ｇａ合金体は一般的に生産性の高い溶解鋳造によって製造されていることが望ましいものの、塑性加工などの加工を施さずに所望の大きさのＣｕ−Ｇａ合金体を得る上記方法では生産性が向上せず、溶解鋳造によって製造されたＣｕ−Ｇａ合金塊に塑性加工などの加工を施すと、加工後の当該Ｃｕ−Ｇａ合金体にひびが入ったり、割れたり欠けたりする。
【００１０】
また、所望の大きさ・形状に形成されたＣｕ−Ｇａ合金体の縁端部を面取り加工する場合、Ｃｕ−Ｇａ合金体の表面および側面を研磨加工する場合においても、加工後の当該Ｃｕ−Ｇａ合金体にひびが入ったり、割れたり欠けたりする。
【００１１】
したがって、例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金体であっても、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく面取り加工および研磨加工することができる加工方法が望まれている。
【００１２】
このような問題点を解決する方法として、特許文献２には、ベルトサンダー、ディスクグラインダーおよびストレートグラインダーなどの研磨機を用いて手作業で面取り加工および研磨加工する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２０００−７３１６３号公報
【特許文献２】特開２０１１−８９１９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
特許文献２に開示されるＣｕ−Ｇａ合金体の加工方法によれば、Ｃｕ−Ｇａ合金体をベルトサンダー、ディスクグラインダーおよびストレートグラインダーなどの研磨機を用いて手作業で面取り加工および研磨加工するので、加工時にＣｕ−Ｇａ合金体にひびが入ったり、割れたり欠けたりすることを防止することができる。
【００１５】
しかしながら、特許文献２に開示されるＣｕ−Ｇａ合金体の加工方法は、研磨機を用いた手作業による方法であるので、生産効率が低く、加工後の表面粗さやＲ面の大きさのばらつきが大きいなどの加工精度が低いという問題を有する。さらに、特許文献２に開示されるＣｕ−Ｇａ合金体の加工方法では、Ｃｕ−Ｇａ合金体の表面粗さが所定の値となるまでに要する加工時間が長くなり過ぎてしまい、そのため、加工時に発生する熱が付加されることでＣｕ−Ｇａ合金体にひびが入ったり、割れたり欠けたりするおそれがある。
【００１６】
したがって、本発明の目的は、Ｃｕ−Ｇａ合金体の少なくとも表面または側面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、効率よく高精度に研磨することができる研磨装置を提供することであり、該研磨装置を用いた研磨工程を含むスパッタリングターゲットの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、矩形平板状のＣｕ−Ｇａ合金体を載置する載置面を有し、該載置面に載置されたＣｕ−Ｇａ合金体を所定の搬送方向に搬送する搬送手段と、
前記搬送手段によって搬送される前記Ｃｕ−Ｇａ合金体の少なくとも表面または側面を研磨する複数の研磨ブラシであって、前記載置面と所定の間隔をあけて対向する基台と、該基台の前記載置面と対向する面から垂直に延びて帯状に形成される複数の研磨布とを含む複数の研磨ブラシと、
前記載置面と平行に配置され、前記複数の研磨ブラシの前記基台を支持する支持部材と、
前記複数の研磨ブラシのそれぞれを、前記載置面に垂直なそれぞれの中心軸線まわりに回転させるとともに、前記支持部材を前記載置面に垂直な中心軸線まわりに回転させる駆動手段と、を備えることを特徴とする研磨装置である。
【００１８】
また本発明の研磨装置において、前記搬送手段は、前記Ｃｕ−Ｇａ合金体を、０．０５ｍ／ｍｉｎ以上０．４ｍ／ｍｉｎ以下の搬送速度で搬送し、
前記駆動手段は、前記研磨ブラシを１０００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の回転数で回転させるとともに、前記支持部材を１０ｒｐｍ以上３０ｒｐｍ以下の回転数で回転させることを特徴とする。
【００１９】
また本発明は、矩形平板状のＣｕ−Ｇａ合金体を載置する載置面を有し、該載置面に載置されたＣｕ−Ｇａ合金体を所定の搬送方向に搬送する搬送手段と、
前記搬送手段によって搬送される前記Ｃｕ−Ｇａ合金体の少なくとも表面または側面を研磨する研磨ブラシローラであって、前記載置面と所定の間隔をあけて対向し、かつ前記搬送方向と非平行に配置されるローラ軸部と、該ローラ軸部の表面から半径方向外方に延びて帯状に形成される複数の研磨布とを含む研磨ブラシローラと、
前記研磨ブラシローラを、前記ローラ軸部の中心軸線まわりに回転させるとともに、前記載置面に平行で、かつ前記搬送方向に垂直な方向に揺動させる駆動手段と、を備えることを特徴とする研磨装置である。
【００２０】
また本発明の研磨装置において、前記搬送手段は、前記Ｃｕ−Ｇａ合金体を、０．２ｍ／ｍｉｎ以上１．０ｍ／ｍｉｎ以下の搬送速度で搬送し、
前記駆動手段は、前記研磨ブラシローラを１０００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の回転数で回転させることを特徴とする。
【００２１】
また本発明は、Ｃｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
溶解鋳造により作製されたＣｕ−Ｇａ合金塊をスライス加工することによって得られたスライス板を、ワイヤー放電加工により切断することで、予め定められたスパッタリングターゲットの形状に加工して、矩形平板状のＣｕ−Ｇａ合金体を得る切出し工程と、
前記Ｃｕ−Ｇａ合金体の縁端部を面取り加工するとともに、前記Ｃｕ−Ｇａ合金体の側面を研磨する側面研磨工程と、
前記研磨装置を用いて、前記側面研磨工程において側面研磨した後のＣｕ−Ｇａ合金体の表面を研磨する表面研磨工程と、を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法である。
【００２２】
また本発明のスパッタリングターゲットの製造方法において、前記側面研磨工程では、前記研磨装置を用いて、前記Ｃｕ−Ｇａ合金体の縁端部を面取り加工するとともに、側面を研磨することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、研磨装置は、搬送手段と複数の研磨ブラシと支持部材と駆動手段とを備える。搬送手段は、載置面に載置された矩形平板状のＣｕ−Ｇａ合金体を所定の搬送方向に搬送する。各研磨ブラシは、搬送手段によって搬送されるＣｕ−Ｇａ合金体の少なくとも表面または側面を研磨する。この研磨ブラシは、搬送手段の載置面と所定の間隔をあけて対向する基台と、該基台の前記載置面と対向する面から垂直に延びる複数の研磨布とを含んで構成される。支持部材は、前記載置面と平行に配置され、複数の研磨ブラシの各基台を支持する。そして、駆動手段は、複数の研磨ブラシのそれぞれを、前記載置面に垂直なそれぞれの中心軸線まわりに回転させるとともに、支持部材を中心軸線まわりに回転させる。
【００２４】
このように構成された研磨装置では、複数の研磨布が搬送手段によって順次搬送されるＣｕ−Ｇａ合金体の表面と接した状態で、各研磨ブラシが自転しながら支持部材の中心軸線まわりに公転することで、Ｃｕ−Ｇａ合金体の表面または側面を研磨することができる。これによって、研磨装置は、Ｃｕ−Ｇａ合金体の少なくとも表面または側面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、効率よく高精度に研磨することができる。
【００２５】
また本発明によれば、搬送手段は、Ｃｕ−Ｇａ合金体を、０．０５ｍ／ｍｉｎ以上０．４ｍ／ｍｉｎ以下の搬送速度で搬送する。そして、駆動手段は、各研磨ブラシを１０００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の回転数で回転させるとともに、支持部材を１０ｒｐｍ以上３０ｒｐｍ以下の回転数で回転させる。これによって、研磨装置は、Ｃｕ−Ｇａ合金体の少なくとも表面または側面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることをより確実に防止した上で、効率よく高精度に研磨することができる。
【００２６】
また本発明によれば、研磨装置は、搬送手段と研磨ブラシローラと駆動手段とを備える。搬送手段は、載置面に載置された矩形平板状のＣｕ−Ｇａ合金体を所定の搬送方向に搬送する。研磨ブラシローラは、搬送手段によって搬送されるＣｕ−Ｇａ合金体の少なくとも表面または側面を研磨する。この研磨ブラシローラは、搬送手段の載置面と所定の間隔をあけて対向し、かつ前記搬送方向と非平行に配置されるローラ軸部と、該ローラ軸部の表面から半径方向外方に延びて帯状に形成される複数の研磨布とを含んで構成される。そして、駆動手段は、研磨ブラシローラを、ローラ軸部の中心軸線まわりに回転させるとともに、前記載置面に平行で、かつ前記搬送方向に垂直な方向に揺動させる。
【００２７】
このように構成された研磨装置では、複数の研磨布が搬送手段によって順次搬送されるＣｕ−Ｇａ合金体の表面と接した状態で、研磨ブラシローラが回転しながら揺動することで、Ｃｕ−Ｇａ合金体の表面または側面を研磨することができ、かつ研磨布と平行な縁端部だけでなく研磨布とは垂直な縁端部まで面取りできる。これによって、研磨装置は、Ｃｕ−Ｇａ合金体の少なくとも表面または側面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、効率よく高精度に研磨、面取りすることができる。
【００２８】
また本発明によれば、搬送手段は、Ｃｕ−Ｇａ合金体を、０．２ｍ／ｍｉｎ以上１．０ｍ／ｍｉｎ以下の搬送速度で搬送する。そして、駆動手段は、研磨ブラシローラを１０００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の回転数で回転させる。これによって、研磨装置は、Ｃｕ−Ｇａ合金体の少なくとも表面または側面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることをより確実に防止した上で、効率よく高精度に研磨、面取りすることができる。
【００２９】
また本発明によれば、スパッタリングターゲットの製造方法は、切出し工程と、側面研磨工程と、表面研磨工程とを含む。切出し工程では、溶解鋳造により作製されたＣｕ−Ｇａ合金塊を各種スライス加工方法にてスライス加工することによって得られたスライス板を、ワイヤー放電加工により切断することで、スパッタリングターゲットの形状に加工して、矩形平板状のＣｕ−Ｇａ合金体を得る。側面研磨工程では、Ｃｕ−Ｇａ合金体の縁端部を面取り加工するとともに、Ｃｕ−Ｇａ合金体の側面を研磨する。表面研磨工程では、側面研磨した後のＣｕ−Ｇａ合金体の表面を研磨する。この表面研磨工程では、複数の研磨ブラシを備えた本発明の前記研磨装置を用いて、Ｃｕ−Ｇａ合金体の表面を研磨する。これによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、表面粗さが均一なスパッタリングターゲットを製造することができる。したがって、製造されたスパッタリングターゲットは、例えば、薄膜型太陽電池を構成する光吸収層の薄膜形成用のスパッタリングターゲットとして好適に用いることができる。
【００３０】
また本発明によれば、側面研磨工程では、研磨ブラシローラを備えた本発明の前記研磨装置を用いて、Ｃｕ−Ｇａ合金体の縁端部を面取り加工するとともに、側面を研磨する。これによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、高精度に面取り加工および側面研磨加工されたスパッタリングターゲットを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る研磨装置１００の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る研磨装置２００の構成を概略的に示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の一形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法を説明するための図である。
【図４】Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１を切断するときに用いるワイヤー放電加工装置３００の構成を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
図１は、本発明の第１実施形態に係る研磨装置１００の構成を概略的に示す斜視図である。図１（ａ）は研磨装置１００の全体的な構成を示す図であり、図１（ｂ）は研磨ブラシ１の構成を示す図である。
【００３３】
研磨装置１００は、Ｃｕ（銅）およびＧａ（ガリウム）の合金であるＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを製造するに際し、矩形平板状のＣｕ−Ｇａ合金体（スパッタリングターゲット用合金体８３）の少なくとも表面または側面を研磨する装置である。本実施形態の研磨装置１００は、スパッタリングターゲット用合金体８３の表面を研磨する装置として、好適に用いることができる。
【００３４】
研磨装置１００は、複数の研磨ブラシ１と、支持部材２と、搬送手段である搬送ベルト３とを含む。搬送ベルト３は、複数の支持ローラによって張架され、該支持ローラの回転に応じて回転する無端状のベルト部材であって、スパッタリングターゲット用合金体８３を載置する載置面３１を有し、該載置面３１に載置されたスパッタリングターゲット用合金体８３を所定の搬送方向Ａ３に搬送する。本実施形態において搬送ベルト３は、長方形板状のスパッタリングターゲット用合金体８３の長辺方向が搬送方向Ａ３と一致するように、載置面３１に載置されたスパッタリングターゲット用合金体８３を搬送する。
【００３５】
また、搬送ベルト３の幅方向の長さＷ１は、スパッタリングターゲット用合金体８３の短辺方向の長さＷ２よりも長く設定される。具体的には、縦１２００ｍｍ×横４００ｍｍ程度の大きさ、すなわち、短辺方向の長さＷ２が３２０ｍｍ程度のスパッタリングターゲット用合金体８３に対して、搬送ベルト３の幅方向の長さＷ１は、４００ｍｍ程度に設定される。
【００３６】
複数の研磨ブラシ１は、それぞれ、搬送ベルト３によって搬送されるスパッタリングターゲット用合金体８３の少なくとも表面または側面（好ましくは表面）を研磨する。この研磨ブラシ１は、搬送ベルト３の載置面３１と所定の間隔をあけて対向する基台１１と、該基台１１の載置面３１と対向する面から載置面３１に向けて垂直に延びて帯状に形成される複数の研磨布１２とを含む。
【００３７】
研磨ブラシ１においては、搬送ベルト３の載置面３１に垂直な中心軸線Ｌ１まわりに回転方向Ａ１に回転（自転）可能となるように、基台１１が支持部材２に支持されている。研磨ブラシ１を中心軸線Ｌ１方向から見た長さＤ１、すなわち、研磨ブラシ１の自転直径は、搬送ベルト３の幅方向の長さＷ１に対して２５〜４５％程度に設定される。
【００３８】
研磨ブラシ１が有する研磨布１２は、研磨紙、および砥粒（研磨材）が塗された不織布の少なくともいずれか一方からなる。より具体的には、研磨布１２は、例えば帯状の布体や紙体の表面に砥粒（研磨材）が固着されたものや、不織布に砥粒（研磨材）が塗されたものであり、サンドペーパや不織布研磨材などを挙げることができる。この研磨布１２は、基台１１に固定される一端部とは反対側の他端部が、搬送ベルト３により搬送方向Ａ３に搬送されるスパッタリングターゲット用合金体８３の表面に接触するように設けられる。
【００３９】
研磨布１２の表面に固着される砥粒としては、特に限定はされないが、例えば粒度３６〜８００のアルミナ砥粒、シリコンカーバイド砥粒、ダイヤモンド砥粒を挙げることができる。
【００４０】
支持部材２は、搬送ベルト３の載置面３１と平行に配置される円板状の部材であり、複数の研磨ブラシ１の各基台１１を支持する。この支持部材２は、搬送ベルト３の載置面３１に垂直な中心軸線Ｌ２まわりに回転方向Ａ２に回転可能である。支持部材２は、半径方向外方側の端部において、回転方向Ａ２に等間隔で各研磨ブラシ１（本実施形態では４つの研磨ブラシ１）を回転可能に支持する。支持部材２は、中心軸線Ｌ２が搬送ベルト３の幅方向中央に位置するように配置される。
【００４１】
このような支持部材２の半径方向外方側の端部に支持された各研磨ブラシ１は、支持部材２の回転に伴って、支持部材２の中心軸線Ｌ２まわりに回転（公転）することになる。
【００４２】
本実施形態の研磨装置１００は、不図示の駆動手段を備えており、この駆動手段は、各研磨ブラシ１を中心軸線Ｌ１まわりに回転方向Ａ１に回転させるとともに、支持部材２を中心軸線Ｌ２まわりに回転方向Ａ２に回転させる。
【００４３】
以上のように構成された研磨装置１００では、研磨ブラシ１の研磨布１２が搬送ベルト３によって順次搬送されるスパッタリングターゲット用合金体８３の表面と接した状態で、各研磨ブラシ１が中心軸線Ｌ１まわりに自転しながら、支持部材２の中心軸線Ｌ２まわりに公転することで、スパッタリングターゲット用合金体８３の表面を研磨することができる。これによって、研磨装置１００は、スパッタリングターゲット用合金体８３の表面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、効率よく高精度に研磨することができる。
【００４４】
また、研磨装置１００をスパッタリングターゲット用合金体８３の表面を研磨する装置として使用する場合、研磨装置１００の設定条件としては、搬送ベルト３によるスパッタリングターゲット用合金体８３の搬送速度が０．０５〜０．４ｍ／ｍｉｎに設定され、研磨ブラシ１の回転数が１０００〜２０００ｒｐｍに設定され、支持部材２の回転数が１０〜３０ｒｐｍに設定され、切込み深さが１．０〜７．０ｍｍに設定される。ここで、切込み深さとは、研磨布１２とスパッタリングターゲット用合金体８３との重なり部分の長さのことである。
【００４５】
このような設定条件で研磨装置１００を用いてスパッタリングターゲット用合金体８３を表面研磨することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることをより確実に防止した上で、効率よく高精度に表面研磨加工することができる。
【００４６】
図２は、本発明の第２実施形態に係る研磨装置２００の構成を概略的に示す斜視図である。図２（ａ）は研磨装置２００の全体的な構成を示す図であり、図２（ｂ）は研磨ブラシローラ５の構成を示す図である。
【００４７】
研磨装置２００は、Ｃｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを製造するに際し、矩形平板状のＣｕ−Ｇａ合金体（スパッタリングターゲット用合金体）の少なくとも表面または側面を研磨する装置である。本実施形態の研磨装置２００は、スパッタリングターゲット用合金体の側面を研磨する装置として、好適に用いることができる。
【００４８】
研磨装置２００は、複数の研磨ブラシローラ５と、搬送手段である搬送ベルト６とを含む。搬送ベルト６は、複数の支持ローラによって張架され、該支持ローラの回転に応じて回転する無端状のベルト部材であって、スパッタリングターゲット用合金体８３を載置する載置面６１を有し、該載置面６１に載置されたスパッタリングターゲット用合金体８３を所定の搬送方向Ａ６に搬送する。本実施形態において搬送ベルト６は、長方形板状のスパッタリングターゲット用合金体８３の長辺方向が搬送方向Ａ６と一致するように、載置面６１に載置されたスパッタリングターゲット用合金体８３を搬送する。
【００４９】
また、搬送ベルト６の幅方向の長さＷ３は、スパッタリングターゲット用合金体８３の短辺方向の長さＷ４よりも長く設定される。具体的には、縦１５００ｍｍ×横５００ｍｍ程度の大きさ、すなわち、短辺方向の長さＷ４が３２０ｍｍ程度のスパッタリングターゲット用合金体８３に対して、搬送ベルト６の幅方向の長さＷ３は、５００ｍｍ程度に設定される。
【００５０】
複数の研磨ブラシローラ５は、それぞれ、搬送ベルト６によって搬送されるスパッタリングターゲット用合金体８３の少なくとも表面または側面（好ましくは側面）を研磨する。本実施形態では、複数（２本）の研磨ブラシローラ５が、搬送ベルト６によるスパッタリングターゲット用合金体８３の搬送方向Ａ６に間隔をあけて配置される。
【００５１】
研磨ブラシローラ５は、搬送ベルト６の載置面６１と所定の間隔をあけて対向し、かつ搬送方向Ａ６と非平行に配置される直円柱状のローラ軸部５１と、該ローラ軸部５１の表面から半径方向外方に延びて帯状に形成される複数の研磨布５２とを含む。ここで、「非平行」とは、ローラ軸部５１の中心軸線Ｌ３が搬送方向Ａ６に対して平行ではないことを意味し、中心軸線Ｌ３が搬送方向Ａ６と垂直であってもよいし、中心軸線Ｌ３が搬送方向Ａ６に対して所定の傾斜角度を有して傾斜していてもよい。
【００５２】
研磨ブラシローラ５の中心軸線Ｌ３方向の長さ、すなわち、ローラ軸部５１の中心軸線Ｌ３方向の長さＤ３は、搬送ベルト６の載置面６１に垂直な方向から見て、研磨ブラシローラ５の両端部が搬送ベルト６の幅方向両端部から少しはみ出る程度に設定される。具体的には、ローラ軸部５１の中心軸線Ｌ３方向の長さＤ３は、搬送ベルト６の幅方向の長さＷ３が５００ｍｍであるのに対して、５５０ｍｍ程度に設定される。
【００５３】
研磨ブラシローラ５が有する研磨布５２は、例えば帯状の布体や紙体の表面に砥粒が固着されたものであり、サンドペーパなどを挙げることができる。この研磨布５２は、ローラ軸部５１に固定される一端部とは反対側の他端部が、搬送ベルト６により搬送方向Ａ６に搬送されるスパッタリングターゲット用合金体８３の表面に接触するように設けられる。
【００５４】
研磨布５２の表面に固着される砥粒としては、例えば粒度１２０〜１２００のアルミナ砥粒、シリコンカーバイド砥粒、ダイヤモンド砥粒を挙げることができる。
【００５５】
本実施形態の研磨装置２００は、不図示の駆動手段を備えており、この駆動手段は、各研磨ブラシローラ５を、中心軸線Ｌ３まわりに、一方の研磨ブラシローラ５を回転方向Ａ４１に、他方の研磨ブラシローラ５を回転方向Ａ４１とは逆の回転方向Ａ４２に回転させるとともに、搬送ベルト６の載置面６１に平行で、かつ搬送方向Ａ６に垂直な方向Ａ５に揺動させる。
【００５６】
以上のように構成される研磨装置２００では、研磨ブラシローラ５の研磨布５２が搬送ベルト６によって順次搬送されるスパッタリングターゲット用合金体８３の表面と接した状態で、研磨ブラシローラ５が回転しながら揺動することで、スパッタリングターゲット用合金体８３の表面または側面を研磨することができる。これによって、研磨装置２００は、スパッタリングターゲット用合金体８３の少なくとも表面または側面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、効率よく高精度に研磨することができる。
【００５７】
研磨装置２００は、特に、スパッタリングターゲット用合金体８３の側面を研磨する装置として好適に用いることができ、この側面を研磨加工するときに面取り加工することができる。すなわち、研磨装置２００は、スパッタリングターゲット用合金体８３の縁端部（エッジ部）を面取り加工するとともに、該スパッタリングターゲット用合金体８３の側面を研磨する。
【００５８】
本発明において、「面取り加工」とは、スパッタリングターゲット用合金体８３の厚み方向一表面側（スパッタリング面側）の縁端部、すなわち、厚み方向一表面と側面とが交わる出隅部の角部を取除く加工を意味するものであり、Ｒ０．３〜１．０となるように加工することが好ましい。例えばＲ０．３とは、角部が半径０．３ｍｍの円周面となるように加工することを意味するものである。本発明においては、Ｃ０．３〜１．０となるように加工してもよい。例えばＣ０．３とは、角部を構成する厚み方向一表面と側面との２つの面それぞれの、交辺から０．３ｍｍを平面状にカットし、角部を構成する２つの面とカットにより生じた面との成す角がそれぞれ４５°となる加工を意味するものである。
【００５９】
また、研磨装置２００をスパッタリングターゲット用合金体８３の側面を研磨する装置として使用する場合、研磨装置２００の設定条件としては、搬送ベルト６によるスパッタリングターゲット用合金体８３の搬送速度が０．２〜１．０ｍ／ｍｉｎに設定され、研磨ブラシローラ５の回転数が１０００〜２０００ｒｐｍに設定され、研磨布最下部の高さが０〜５．０ｍｍに設定される。ここで、研磨布最下部の高さとは、搬送ベルト６に回転した研磨布５２が接触するときの研磨布高さを「０ｍｍ」とした場合の研磨布５２と搬送ベルト６との距離のことである。
【００６０】
このような設定条件で研磨装置２００を用いてスパッタリングターゲット用合金体８３を面取り加工および側面研磨することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることをより確実に防止した上で、効率よく高精度に面取り加工および側面研磨加工することができる。
【００６１】
次に、スパッタリングターゲットの製造方法について説明する。図３は、本発明の実施の一形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法を説明するための図である。スパッタリングターゲットの製造方法は、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１を準備する準備工程と、熱処理工程と、端部切断加工工程と、スライス加工工程と、表面粗研磨工程と、切出し工程と、側面研磨工程と、表面研磨工程とを含む。
【００６２】
（準備工程）
準備工程では、図３（ａ）に示すように、Ｃｕ−Ｇａ合金からなる直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊８１を準備する。
【００６３】
Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１は、溶解鋳造によって製造されていることが好ましい。溶解鋳造によって製造することにより、Ｃｕ中にＧａが偏析しないので、Ｃｕ−Ｇａ合金をスパッタリングターゲットとしてスパッタリングに用いたときに得られる薄膜の性能を維持することができる。なお、溶解鋳造の具体的な方法は、一般的な方法を採用することができ、特に限定されるものではない。
【００６４】
Ｃｕ−Ｇａ合金におけるＧａの組成比は、任意の値とすればよいが、原子百分率で１０ａｔ％以上５０ａｔ％以下であることが好ましく、１５ａｔ％以上４０ａｔ％以下であることがより好ましい。なお、本発明においては、「ａｔ％」を「モル％」と類義の語句として扱うこととする。
【００６５】
また、Ｃｕ中にＧａができるだけ偏析しないようにするには、溶解鋳造時にＣｕ−Ｇａ合金全体がより均一に冷却されることが望ましい。したがって、溶解鋳造されるＣｕ−Ｇａ合金塊８１は、偏平な直方体形状にすることが好ましい。
【００６６】
（熱処理工程）
熱処理工程では、準備工程において準備された直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊８１を、大気圧下または真空下（好ましくは大気圧下）で熱処理する。熱処理時の温度としては、４５０℃以上７００℃未満、より好ましくは５００℃以上６００℃以下である。
【００６７】
準備工程において、例えば、溶解鋳造によってＣｕ−Ｇａ合金塊８１を製造した場合、このＣｕ−Ｇａ合金塊８１は、内部に応力が発生したものとなっている。Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１を熱処理することによって、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１の内部に発生した応力を解放することができる。熱処理時の温度が低すぎる場合、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１の内部に発生した応力を解放できず、高すぎる場合は偏析が起こる。熱処理の時間は、１時間以上１２時間以下が好ましく、より好ましくは２時間以上８時間以下である。熱処理の時間が短すぎる場合、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１の内部応力の解放ができず、長すぎる場合生産性の低下につながる。
【００６８】
（端部切断加工工程）
端部切断加工工程では、図３（ｂ）に示すように、熱処理工程において熱処理されたＣｕ−Ｇａ合金塊８１の端部近傍を切断し、端部部分片８１１を不要部分として切除する。具体的には、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１の、直方体の最も長い辺に平行な方向（以下、「長手方向」という）における両端部を切断する。端部切断加工工程では、ダイヤモンドバンドソー装置や、ワイヤー放電加工、放電加工、レーザー加工、研削機によるダイヤモンド切断加工、切削加工、ウォータージェット加工、ワイヤーソー、ブレードソーを用いて、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１の切断加工を行う。
【００６９】
（スライス加工工程）
スライス加工工程では、図３（ｃ）に示すように、長手方向両端部の不要部分が切除されたＣｕ−Ｇａ合金塊８１を、切断面が直方体の最も短い辺に対して垂直となるように、ワイヤーソー装置、ダイヤモンドバンドソー装置、ブレードソー装置、ワイヤー放電加工装置などを用いて各種スライス加工方法にて切断し、複数の長方形板状のスライス板８２を作製する。スライス加工工程において作製されるスライス板８２は、例えば、縦５００ｍｍ×横３２０ｍｍ×厚み２０ｍｍ程度の大きさである。
【００７０】
図４は、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１を切断（スライス加工）するときに用いる種々の加工装置の１つであるワイヤー放電加工装置３００の構成を概略的に示す。ワイヤー放電加工装置３００は、ワイヤー３０２とＣｕ−Ｇａ合金塊８１との間で短周期に繰り返されるアーク放電（放電エネルギー）によって、当該Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１を非機械的に切断加工する。ワイヤー放電加工装置３００では、ワイヤー３０２の材質や直径などを制御することにより、微細な加工を行うことができ、加工精度も高い。
【００７１】
ワイヤー放電加工装置３００は、高周波パルス電源３０５、電極３０１、ワイヤー３０２、サーボメカニズム３０３、および加工槽３０４で構成されている。高周波パルス電源３０５は、アーク放電を行うための電力を高周波パルスとして電極３０１に供給するようになっている。電極３０１は、６０〜３００Ｖのパルス状の直流電流をワイヤー３０２に供給し、ワイヤー３０２とＣｕ−Ｇａ合金塊８１との間でアーク放電させるようになっている。
【００７２】
ワイヤー３０２は、図示しないワイヤー供給装置から供給され、一定の張力を保った状態で、図示しない巻取装置にて巻き取られるようになっている。サーボメカニズム３０３は、ワイヤー３０２の供給速度および走行速度を制御するようになっている。加工槽３０４は、その底面部が高周波パルス電源３０５と電気的に接続されている。加工槽３０４には、水や油などの一般的な加工液３０６が満たされている。また、加工槽３０４には、ワイヤー３０２に対するＣｕ−Ｇａ合金塊８１の位置合わせを行う図示しない調整装置が設けられている。そして、加工槽３０４では、底面部に載置されたＣｕ−Ｇａ合金塊８１に対して、加工液３０６中にてワイヤー３０２による切断加工が行われるようになっている。
【００７３】
このように構成されるワイヤー放電加工装置３００を用いてＣｕ−Ｇａ合金塊８１をスライス加工する手順について説明する。
【００７４】
まず、加工槽３０４に、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１を、加工槽３０４の底面部に載置した後、加工液３０６を満たす。これにより、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１は、加工槽３０４を介して高周波パルス電源３０５と電気的に接続される。
【００７５】
次に、直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊８１の一頂点を原点として、原点から延びる三辺を座標軸Ｘ，Ｙ，Ｚに合わせる。例えば、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１の長手方向（直方体の最も長い辺の方向）をＸ軸方向とし、厚み方向（直方体の最も短い辺の方向）をＹ軸方向とする。したがって、この場合には、ワイヤー３０２は、その供給方向がＺ軸方向となるように張り渡されていることになる。
【００７６】
次いで、切断加工後に得られるスライス板８２の厚みが所望の厚さとなるように、ワイヤー３０２をセットする。その後、ワイヤー３０２を供給すると共に当該ワイヤー３０２に直流電流を供給しながら、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１とワイヤー３０２とを互いに交わる方向に相対移動させ、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１に対してその全長にわたってワイヤー放電加工（切断加工）を行う。すなわち、ワイヤー３０２の位置を固定してＣｕ−Ｇａ合金塊８１をＸ軸方向のマイナス方向に移動させるか、または、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１の位置を固定してワイヤー３０２をＸ軸方向のプラス方向に移動させながら、加工液３０６を介して、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１に対してその全長にわたってアーク放電を行うことにより、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１の切断加工を行う。
【００７７】
直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊８１を３つ以上に切り分ける場合には、上記操作と同様の操作を繰り返し行えばよい。これにより、直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊８１から、所望の厚さのスライス板８２に切り分けることができる。
【００７８】
ワイヤー３０２の材質は、黄銅（Ｃｕ６５重量％−Ｚｎ３５重量％の合金）、銅などが好ましい。また、ワイヤー３０２の直径は、０．１〜０．４ｍｍであることが好ましく、０．２ｍｍ程度であることがより好ましい。
【００７９】
ワイヤー３０２の供給速度は、５〜１５ｍ／ｍｉｎであることが好ましい。ワイヤー３０２の張力は、０．１〜０．５ｋｇｆであることが好ましい。また、ワイヤー３０２の走行速度、すなわち、Ｃｕ−Ｇａ合金塊８１の切断速度（加工速度）は、０．１〜８ｍｍ／ｍｉｎであることが好ましく、０．１〜３ｍｍ／ｍｉｎであることがより好ましい。
【００８０】
放電加工条件は、例えば、パルス幅を０．１５〜１．８５μｓ、パルス休止期間を２〜１６μｓ、電流波高値を４．５〜７０Ａ、無負荷電圧を３０〜１００Ｖとすればよいが、加工対象物であるＣｕ−Ｇａ合金塊８１の大きさやワイヤー３０２の種類に応じて、適宜設定すればよい。
【００８１】
（表面粗研磨工程）
表面粗研磨工程では、スライス加工工程において得られたスライス板８２の表面を粗研磨する。本発明において、「粗研磨」とは、算術平均粗さＲａが１．０〜１．６μｍとなるように表面研磨することである。なお、算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１に準じて測定したものである。
【００８２】
本実施形態において表面粗研磨工程では、図１に示した研磨装置１００を用いて、スライス板８２の表面を粗研磨する。表面粗研磨工程における研磨装置１００の設定条件としては、搬送ベルト３によるスライス板８２の搬送速度が０．０５〜０．３ｍ／ｍｉｎ、さらに好ましくは、０．０７〜０．１５ｍ／ｍｉｎに設定され、研磨ブラシ１の回転数が１０００〜２０００ｒｐｍ、さらに好ましくは１３００〜１７００ｒｐｍに設定され、支持部材２の回転数が１０〜３０ｒｐｍ、さらに好ましくは１５〜２５ｒｐｍに設定され、切込み深さが３．０〜７．０ｍｍ、さらに好ましくは４．０〜６．０ｍｍに設定され、研磨布１２に固着される砥粒の粒度が３６〜６００、さらに好ましくは６０〜４００に設定される。このような設定条件で研磨装置１００を用いてスライス板８２の表面を粗研磨することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、表面粗研磨加工することができる。
【００８３】
（切出し工程）
切出し工程では、図３（ｄ）に示すように、表面粗研磨工程において表面粗研磨した後のスライス板８２を、厚み方向に切断して、長方形板状のスパッタリングターゲット用合金体８３を作製する。切出し工程では、例えば、前述したワイヤー放電加工装置３００を用いて、スライス板８２の切断加工を行う。切出し工程において作製されるスパッタリングターゲット用合金体８３は、例えば、縦４８０ｍｍ×横３００ｍｍ×厚み２０ｍｍ程度の大きさである。
【００８４】
（側面研磨工程）
側面研磨工程では、切出し工程において作製されたスパッタリングターゲット用合金体８３の縁端部（エッジ部）を面取り加工するとともに、該スパッタリングターゲット用合金体８３の側面を研磨する。
【００８５】
本実施形態において側面研磨工程では、図２に示した研磨装置２００を用いて、スパッタリングターゲット用合金体８３の縁辺部を面取り加工するとともに、側面を研磨する。研磨装置２００を用いてスパッタリングターゲット用合金体８３を面取り加工および側面研磨加工することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、高精度に面取り加工および側面研磨加工することができる。また、研磨装置２００により面取り加工および研磨加工することで、スパッタリングターゲット用合金体８３の表面も同時に粗研磨することができる。
【００８６】
側面研磨工程における研磨装置２００の設定条件としては、搬送ベルト６によるスパッタリングターゲット用合金体８３の搬送速度が０．２〜１．０ｍ／ｍｉｎ、さらに好ましくは０．３〜０．５ｍ／ｍｉｎに設定され、研磨ブラシローラ５の回転数が１０００〜２０００ｒｐｍ、さらに好ましくは１２００〜１６００ｒｐｍに設定され、研磨布最下部高さが０〜５．０ｍｍさらに好ましくは１．０〜３．０ｍｍに設定され、研磨布５２に固着される砥粒の粒度が１２０〜１２００に設定される。このような設定条件で研磨装置２００を用いてスパッタリングターゲット用合金体８３を面取り加工および側面研磨加工することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることをより確実に防止した上で、効率よく高精度に面取り加工および側面研磨加工することができる。
【００８７】
（表面研磨工程）
表面研磨工程では、側面研磨工程において面取り加工および側面研磨加工した後のスパッタリングターゲット用合金体８３の表面を研磨する。この表面研磨工程では、算術平均粗さＲａが０．５〜０．８μｍとなるようにスパッタリングターゲット用合金体８３の表面を研磨する。
【００８８】
本実施形態において表面研磨工程では、図１に示した研磨装置１００を用いて、スパッタリングターゲット用合金体８３の表面を研磨する。研磨装置１００を用いてスパッタリングターゲット用合金体８３を表面研磨加工することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、高精度に表面研磨加工することができる。
【００８９】
表面研磨工程における研磨装置１００の設定条件としては、搬送ベルト３によるスパッタリングターゲット用合金体８３の搬送速度が０．２〜０．４ｍ／ｍｉｎに設定され、研磨ブラシ１の回転数が１２００〜１８００ｒｐｍに設定され、支持部材２の回転数が１０〜３０ｒｐｍに設定され、切込み深さが１．０〜４．０ｍｍに設定され、研磨布１２に固着される砥粒の粒度が３２０〜８００に設定される。このような設定条件で研磨装置１００を用いてスパッタリングターゲット用合金体８３を表面研磨加工することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることをより確実に防止した上で、効率よく高精度に表面研磨加工することができる。
【００９０】
以上のような準備工程、熱処理工程、端部切断加工工程、スライス加工工程、表面粗研磨工程、切出し工程、側面研磨工程、および表面研磨工程を経て、スパッタリングターゲットを製造することができる。このような方法で製造されたスパッタリングターゲットは、ひび割れなどの欠陥が発生していないものであるので、例えば、薄膜型太陽電池を構成する光吸収層の薄膜形成用のスパッタリングターゲットとして好適に用いることができる。
【実施例】
【００９１】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、実施例は本発明の一実施態様であり、本発明を限定するものではない。
【００９２】
＜スパッタリングターゲット用合金体の準備＞
Ｇａ組成比が３０ａｔ％のＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲット用スライス板を準備した。このスパッタリングターゲット用スライス板は、縦１５０ｍｍ、横１１０ｍｍ、厚み１２ｍｍの長方形板状のＣｕ−Ｇａ合金体である。
【００９３】
＜面取り加工性および側面研磨加工性の評価＞
（実施例１）
図２に示した研磨装置２００を用いて、準備したスパッタリングターゲット用合金体の厚み方向一表面側の角部を面取り加工するとともに、側面を研磨した。なお、スパッタリングターゲット用合金体は、その長辺方向が搬送ベルト６による搬送方向と一致するように、載置面６１に載置した。また、研磨装置２００の動作条件は、以下のように設定した。
・スパッタリングターゲット用合金体の搬送速度：０．５ｍ／ｍｉｎ
・研磨ブラシローラ５の回転数：１４００ｒｐｍ
・研磨布最下部高さ：２．０ｍｍ
・研磨布５２に固着される砥粒の粒度：１８０
【００９４】
スパッタリングターゲット用合金体を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、面取り加工および側面研磨加工するのに要した加工時間は、３分間であった。また、加工後のスパッタリングターゲット用合金体は、Ｒ０．６〜０．８であった。
【００９５】
（比較例１）
ベルトサンダーを用いて手作業で、スパッタリングターゲット用合金体の厚み方向一表面側の角部を面取り加工し、グラインダーを用いて手作業で、側面を研磨加工した。比較例１では、スパッタリングターゲット用合金体を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、面取り加工および側面研磨加工するのに要した加工時間は、３０分間であった。また、加工後のスパッタリングターゲット用合金体は、Ｒ０．４〜１．０であった。
【００９６】
以上の結果から明らかなように、研磨装置２００を用いてスパッタリングターゲット用合金体を面取り加工および側面研磨加工する実施例１は、比較例１と比べて加工時間が短く、面取り部の「Ｒ」のばらつき幅を狭く（高精度）することができる。
【００９７】
＜表面研磨加工性の評価＞
（実施例２）
図１に示した研磨装置１００を用いて、準備したスパッタリングターゲット用合金体の厚み方向一表面を研磨した。なお、スパッタリングターゲット用合金体は、その長辺方向が搬送ベルト３による搬送方向と一致するように、載置面３１に載置した。また、研磨装置１００の動作条件は、以下のように設定した。
・スパッタリングターゲット用合金体の搬送速度：０．１２ｍ／ｍｉｎ
・研磨ブラシ１の回転数：１５００ｒｐｍ
・支持部材２の回転数：２０ｒｐｍ
・切込み深さ：５．０ｍｍ
・研磨布１２に固着される砥粒の粒度：６０
【００９８】
スパッタリングターゲット用合金体を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、表面研磨加工するのに要した加工時間は、７分間であった。また、加工後のスパッタリングターゲット用合金体は、算術平均粗さＲａが０．５５〜０．８５μｍであった。
【００９９】
（比較例２）
グラインダーを用いて手作業で、スパッタリングターゲット用合金体の厚み方向一表面を研磨加工した。比較例２では、スパッタリングターゲット用合金体を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、表面研磨加工するのに要した加工時間は、３０分間であった。また、加工後のスパッタリングターゲット用合金体は、算術平均粗さＲａが０．４〜１．２μｍであった。
【０１００】
以上の結果から明らかなように、研磨装置１００を用いてスパッタリングターゲット用合金体を表面研磨加工する実施例２は、比較例２と比べて加工時間が短く、算術平均粗さＲａのばらつき幅を狭く（高精度）することができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１  研磨ブラシ
２  支持部材
３，６  搬送ベルト
５  研磨ブラシローラ
１１  基台
１２，５２  研磨布
５１  ローラ軸部
８１  Ｃｕ−Ｇａ合金塊
８２  スライス板
８３  スパッタリングターゲット用合金体
１００，２００  研磨装置
３００  ワイヤー放電加工装置
【図１】
2013132746.tif 000003
【図２】
2013132746.tif 000004
【図３】
2013132746.tif 000005
【図４】
2013132746.tif 000006