(57)【要約】      （修正有）【課題】耐リフロー性に優れ、成形時の粘度が低く、連続作業性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤、およびシランカップリング剤を必須成分として含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として、下記式（I）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂および下記式（II）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂を含有することを特徴としている。2013234305.tif 000007（式（I）中、Ｒ1およびＲ2は水素原子、アルキル基などを示し、ｌは１〜５の整数を示し、ＯＧはグリシジルエーテル基を示す。式（II）中、Ｒ3およびＲ4は水素原子、アルキル基などを示し、ｍは０〜２の整数、ｎは１〜４の整数を示し、ＯＧはグリシジルエーテル基を示す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤、およびシランカップリング剤を必須成分として含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂として、下記式（I）：
【化１】
2013234305.tif 000005
（式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、またはアリル基を示し、ｌは１〜５の整数を示し、ＯＧはグリシジルエーテル基を示す。）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、および下記式（II）：
【化２】
2013234305.tif 000006
（式中、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、またはアリル基を示し、ｍは０〜２の整数、ｎは１〜４の整数を示し、ＯＧはグリシジルエーテル基を示す。）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
前記式（I）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂と前記式（II）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂との含有比率が、９：１〜１：９の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子が封止されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主にリードフレーム型半導体装置の半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路などの半導体素子は、これを外部環境から保護して各種の信頼性を確保し、かつ、マザーボードなどの基板への実装を容易にするためパッケージが必要である。パッケージには種々の形態があるが、一般には低圧トランスファ成形法で封止したパッケージが広く用いられている。
【０００３】
このパッケージの封止材料としてセラミックや熱硬化性樹脂が一般に用いられているが、近年では生産性、コストなどの面から樹脂封止が主流となり、エポキシ樹脂組成物が封止材料として広く用いられている。この理由としては、エポキシ樹脂組成物は電気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との接着性などの諸特性のバランスが良く、経済性と性能とのバランスにも優れている点などが挙げられる。
【０００４】
近年では半導体素子の高密度実装化が進み、これに伴い、樹脂封止型半導体装置は従来のピン挿入型のパッケージから表面実装型のパッケージが主流になっている。
【０００５】
表面実装型のＩＣ、ＬＳＩなどは、実装密度を高くし、実装高さを低くするために薄型、小型のパッケージになっており、半導体素子のパッケージに対する占有面積が大きくなり、パッケージの肉厚は非常に薄くなってきた。
【０００６】
さらにこれらのパッケージは従来のピン挿入型のものと実装方法が異なっている。すなわち、ピン挿入型パッケージはピンを配線板に挿入した後、配線板裏面からはんだ付けを行うため、パッケージが直接高温にさらされることがなかった。
【０００７】
しかし表面実装型ＩＣは配線板表面に仮止めを行い、はんだバスやリフロー装置などで処理されるため、直接はんだ付け温度（リフロー温度）にさらされる。
【０００８】
この結果、ＩＣパッケージが吸湿した場合、リフロー時にこの吸湿水分が気化して、発生した蒸気圧が剥離応力として働き、半導体素子、リードフレームなどのインサートと封止材料との間で剥離が発生し、パッケージクラックの発生や電気的特性不良の原因となる。このため、はんだ耐熱性（耐リフロー性）に優れた封止材料の開発が望まれている。
【０００９】
従来、このような半導体封止用エポキシ樹脂組成物として、エポキシ樹脂と、フェノールノボラック樹脂などのフェノール樹脂硬化剤と、溶融シリカなどの無機充填剤とを配合したものが一般に用いられている（特許文献１、２参照）。
【００１０】
また、はんだ処理による信頼性低下を改善するために、半導体封止用エポキシ樹脂組成物中の無機充填剤の充填量を増加させることで低吸湿化、高強度化、低熱膨張化を達成し耐リフロー性を向上させる手法が一般的となりつつある。
【００１１】
しかしこのように無機充填剤の充填量の高いものでは、ワイヤーの細線化や配線ピッチの縮小化によりワイヤースイープ（成形工程時のワイヤー変形）が起こりやすくなっている。
【００１２】
また、金型を用いた成形時には、連続作業性を維持することも望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００３−２１３０８７号公報
【特許文献２】特開２００６−３１６２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、従来の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、耐リフロー性と成形時の低粘度を維持しつつ、連続作業性を維持することが難しかった。
【００１５】
すなわち、エポキシ樹脂を低架橋密度にすると、ガラス転移温度が低くなり、そして熱時硬度が小さく低弾性率になる。この場合、耐リフロー性が向上するが、成形の連続作業性が悪化するという問題点があった。
【００１６】
また、一般的なジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂だけでは、リフロー性粘度が高く、成形時の粘度が上昇し、ワイヤースイープを引き起こす場合があるという問題点があった。
【００１７】
本発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、主にリードフレーム型の半導体装置の半導体封止用樹脂組成物において、耐リフロー性に優れ、成形時の粘度が低く、連続作業性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記の課題を解決するために、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤、およびシランカップリング剤を必須成分として含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として、下記式（I）：
【化１】
2013234305.tif 000002
（式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、またはアリル基を示し、ｌは１〜５の整数を示し、ＯＧはグリシジルエーテル基を示す。）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、および下記式（II）：
【化２】
2013234305.tif 000003
（式中、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、またはアリル基を示し、ｍは０〜２の整数、ｎは１〜４の整数を示し、ＯＧはグリシジルエーテル基を示す。）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂を含有することを特徴としている。
【００１９】
この半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、式（I）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂と式（II）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂との含有比率が、９：１〜１：９の範囲内であることが好ましい。
【００２０】
本発明の半導体装置は、前記の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子が封止されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置によれば、耐リフロー性に優れ、成形時の粘度が低く、連続作業性にも優れている。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に、本発明について詳細に説明する。
【００２３】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、上記式（I）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂および上記式（II）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂を含有する。
【００２４】
これらのエポキシ樹脂を併用することで、耐リフロー性に優れ、成形時の粘度が低く、連続作業性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができる。
【００２５】
上記式（I）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂において、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、またはアリル基を示す。
【００２６】
炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。
【００２７】
炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などが挙げられる。
【００２８】
炭素数６〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基などが挙げられる。
【００２９】
上記式（I）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂において、ｌは１〜５の整数を示す。ｌがこの範囲内であると、成形時の流動性および金型への充填性を確保できる。この成形時の流動性および金型への充填性を考慮すると、ｌは１〜３がより好ましい。
【００３０】
上記式（I）で表わされるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂のエポキシ当量は、特に限定されないが、２３０〜２７０ｇ／ｅｑが好ましい。
【００３１】
上記式（I）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂は、例えば、公知の方法に従って製造することができ、メーカーから入手することができる。
【００３２】
上記式（II）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂において、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、またはアリル基を示す。
【００３３】
炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。
【００３４】
炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などが挙げられる。
【００３５】
炭素数６〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基などが挙げられる。
【００３６】
上記式（II）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂において、ｍは０〜２の整数、ｎは１〜４の整数を示す。ｍとｎがこの範囲内であると、成形時の流動性および金型への充填性を確保できる。
【００３７】
上記式（II）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂のエポキシ当量は、特に限定されないが、２５０〜２９０ｇ／ｅｑが好ましい。
【００３８】
上記式（II）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂は、例えば、公知の方法に従って製造することができ、メーカーから入手することができる。
【００３９】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、上記式（I）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂と上記式（II）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂との含有比率は、９：１〜１：９の範囲内であることが好ましい。含有比率がこの範囲内であると、耐リフロー性、成形時の粘度、連続作業性のそれぞれが特に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができる。
【００４０】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上記式（I）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂および上記式（II）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂と共に、他のエポキシ樹脂を配合することができる。このような他のエポキシ樹脂としては、例えば、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造は特に限定されず各種のものを用いることができる。
【００４１】
具体的には、例えば、グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型、オレフィン酸化型（脂環式）などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。
【００４２】
さらに具体的には、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのアルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂などの多官能型エポキシ樹脂、テトラキスフェノールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸などのポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、フタル酸、ダイマー酸などの多塩基酸とエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂などを用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４３】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、硬化剤が配合される。種類は特に限定されないが、フェノール樹脂硬化剤、アミン硬化剤などが使用できる。特に、密着性や保存性、吸湿性の観点から、フェノール樹脂硬化剤が好ましい。フェノール樹脂硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂などのノボラック型樹脂、フェニレン骨格またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、ナフタレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂などのアラルキル型樹脂、トリフェノールメタン型樹脂などの多官能型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型ナフトールノボラック樹脂などのジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦなどのビスフェノール型樹脂、ビスフェノールＳなどの硫黄原子含有型フェノール樹脂、トリアジン変性ノボラック樹脂などを用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４４】
中でも、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の耐リフロー性と熱時硬度のバランスを考慮すると、フェノールノボラック樹脂とビフェニルアラルキル型フェノール樹脂とを併用することがより好ましい。
【００４５】
フェノール樹脂硬化剤の配合量は、好ましくは、フェノール性水酸基とエポキシ基との当量比（水酸基当量／エポキシ基当量）が０．５〜１．５となる量であり、より好ましくは当量比が０．６〜１．２となる量である。当量比がこのような範囲内であると、エポキシ樹脂組成物の硬化性を高め、ガラス転移温度の低下を抑制し、耐湿信頼性を高めることができる。
【００４６】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、無機充填剤が配合される。無機充填剤としては、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、アルミナ、窒化珪素、酸化カルシウムなどを用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４７】
中でも、成形時の流動性および金型への充填性を考慮すると、溶融シリカが好ましく、溶融シリカの中でも溶融球状シリカが好ましく、特に真球に近い溶融球状シリカが好ましい。また、熱伝導性を考慮すると、アルミナ、結晶シリカ、窒化珪素が好ましい。
【００４８】
溶融球状シリカとしては、特に限定されないが、平均粒径３０μｍ以下のものが好ましく、例えば平均粒径１〜３０μｍのものを用いることができる。また、狭ギャップ部位への充填性、などを考慮して粗粒分を篩や風分級によりカットしたもの、あるいは成形時の流動性やワイヤ流れ性を低減するために平均粒径１μｍ未満の合成または溶融球状シリカを単独でまたは併用して用いることもできる。なお、ここで平均粒径は、例えば、レーザー回折・散乱法によってメジアン径（ｄ５０）として求めることができる。
【００４９】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物における無機充填剤の含有量は、特に限定されないが、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して６０〜９０質量％が好ましい。無機充填剤の含有量をこのような範囲内にすると、成形時の流動性を損なうことなく熱膨張などを抑制することができる。
【００５０】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、シランカップリング剤が配合される。シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルジメトキシシランなどのメルカプトシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのグリシドキシシラン、γ-アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシランなどの2級アミノシラン、ビニルシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのメタクリロキシシランなどを用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５１】
これらの中でも、リードフレームへの密着性を考慮すると、メルカプトシランが好ましく、特に、ＨＳ−(ＣＨ2)3−Ｓｉ−Ｈx(ＯＲ5)3-x（ここでＲ5はメチル基またはエチル基を示し、Ｘは０〜２の整数を示す。）で表されるγ−メルカプトプロピルシランが好ましい。
【００５２】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物におけるシランカップリング剤の含有量は、特に限定されないが、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して０．０１〜５質量％が好ましい。シランカップリング剤の含有量をこのような範囲内にすると、フレームとの接着性とパッケージの成形性が向上する。
【００５３】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲内において、さらに他の成分を配合することができる。このような成分としては、例えば、硬化促進剤、離型剤、着色剤、難燃剤、低応力化剤、イオントラップ剤などを用いることができる。
【００５４】
硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５、５，６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７などのシクロアミジン類、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの第３級アミン類、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・エチルトリフェニルボレート、テトラブチルホスホニウム・テトラブチルボレートなどのテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール・テトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリン・テトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などを用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５５】
離型剤としては、例えば、カルナバワックスなどの天然ワックス、酸化ポリエチレンワックス、エステル系ワックスなどの合成ワックス、ステアリン酸、モンタン酸、ステアリン酸亜鉛などの高級脂肪酸およびその金属塩、パラフィンなどを用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５６】
着色剤としては、例えば、カーボンブラック、ベンガラ、酸化チタン、フタロシアニン、ペリレンブラックなどを用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５７】
難燃剤としては、例えば、金属水酸化物、リン系化合物などを用いることができる。金属水酸化物としては、例えば、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、２元素以上を含む複合金属水酸化物、チタネートカップリング剤などで表面処理された金属水酸化物などを用いることができる。リン系化合物としては、例えば、赤リン、有機リン化合物などを用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５８】
低応力化剤としては、例えば、シリコーン系ゴム、シリコーンオイルなどを用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５９】
イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類化合物、アルミニウム、ビスマス、チタン、およびジルコニウム、アンチモンから選ばれる元素の含水酸化物などを用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６０】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、次のようにして製造することができる。例えば、上記のエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤、シランカップリング剤、および必要に応じて他の成分を配合し、ミキサー、ブレンダーなどを用いて十分均一になるまで混合する。その後、熱ロールやニーダーなどの混練機により加熱状態で溶融混合し、これを室温に冷却した後、公知の手段により粉砕することにより半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造することができる。
【００６１】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、パウダー（粒状）またはグラニュール状に調製され、その後、取扱いを容易にするために、成形条件に合うような寸法と質量に打錠したタブレットとしてもよい。
【００６２】
本発明の半導体装置は、上記のようにして得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することにより製造することができる。
【００６３】
本発明の半導体装置として、具体的には、リードフレーム上に半導体素子を固定し、ボンディングパッドなどの半導体素子の端子部とリード部とをワイヤボンディングで接続した後、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止した、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ Ｌｅａｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｊ−ｌｅａｄ ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＬＱＦＰ（Ｌｏｗ ｐｒｏｆｉｌｅ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）などが挙げられる。
【００６４】
この他、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）などの有機基板を用いたエリア実装型のパッケージの封止に用いることもできる。
【００６５】
本発明の半導体装置は、例えば次のようにして製造される。例えば、半導体素子を搭載したリードフレームを金型キャビティ内に設置した後、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を低圧トランスファ成形法、コンプレッション成形法、インジェクション成形法などの方法で成形硬化することができる。
【００６６】
低圧トランスファ成形法においては、半導体素子が搭載されたリードフレームを金型のキャビティ内に配置した後、このキャビティ内に溶融状態のエポキシ樹脂組成物を所定の圧力で注入する。溶融した半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、基板上の半導体素子を包み込みながらキャビティ内を流動し、キャビティ内に充満する。
【００６７】
このときの注入圧力は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物や半導体装置の種類に応じて適宜に設定することができるが、例えば４〜７ＭＰａ、金型温度は、例えば１６０〜１９０℃、成形時間は、例えば３０〜３００秒などに設定することができる。
【００６８】
その後、後硬化（ポストキュア）を行い、成形物すなわち半導体装置（パッケージ）を得ることができる。このときの後硬化条件は、例えば１６０〜１９０℃で２〜８時間に設定することができる。
【実施例】
【００６９】
以下に、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。なお、表１に示す配合量は質量部を表す。
【００７０】
表１に示す配合成分として、以下のものを用いた。
（エポキシ樹脂）
・上記式（I）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂（ナフタレン骨格の２つのＲ1のうち一方がメトキシ基で他方が水素原子、Ｒ2が水素原子）、ＤＩＣ（株）製「エピクロンＨＰ５０００Ｌ」
・上記式（II）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂（Ｒ3が水素原子でＲ4がメチル基）、三菱化学（株）製「ｊＥＲ ＹＬ７６８３」
・ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、日本化薬（株）製「ＸＤ−１０００」
（フェノール樹脂硬化剤）
・フェノールノボラック樹脂、明和化成（株）製「ＨＦ−１Ｍ」
・ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、明和化成（株）製「ＭＥＨ−７８５１」
（無機充填剤）
・溶融球状シリカ、電気化学工業（株）製「ＦＢ−８２０」
（硬化促進剤）
・テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、北興化学工業（株）製「ＴＰＰＫ」
・トリフェニルホスフィン、北興化学工業（株）製「ＴＰＰ」
（シランカップリング剤）
・γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ８０３」
（離型剤）
・カルナバワックス、大日化学製「Ｆ１-１００」
（着色剤）
・カーボンブラック、三菱化学(株)製「ＭＡ１００」
【００７１】
表１に示す各配合成分を、表１に示す割合で配合し、ブレンダーで３０分間混合し均一化した。その後、８０℃に加熱したニーダーで混練溶融させて押し出し、冷却後、粉砕機で所定粒度に粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【００７２】
この半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて次の評価を行った。
【００７３】
[フローテスター粘度]
ＪＩＳに基づき、島津製作所（株）製高下式フローテスター粘度計（１ｍｍφ×１０ｍｍＬ)にて測定を行った。溶融カーブの最低粘度をフローテスター粘度とした。
【００７４】
[耐熱信頼性]
ＬＱＦＰ（封止サイズ１４ｍｍ×１４ｍｍ×１．４ｍｍｔ、Ｃｕリードフレーム、チップサイズ８ｍｍ×９ｍｍ×０．３５ｍｍｔ）にて評価を行った。１８０℃、６０ｓキュアの条件で半導体封止用エポキシ樹脂組成物を成形した。吸湿条件は、アフターキュア１７５℃、４時間後、ベーク１２５℃、１２時間＋８５℃／８５％Ｒｈ／７２ｈｒ後、ＩＲリフロー（Ｍａｘ２６５℃）を通し、十分冷却後、合計３回通した。その後ＳＡＴによる観察を行い、サンプル２０個の剥離数を確認した。
【００７５】
[ショアＤ硬度（熱時硬度）]
新栄機械製作所製５ｔプレスを用い、トランスファ圧力を７０ｋｇｆ・ｃｍ2に設定し、カラープレート金型を用いて金型実温１８０℃にて注入し、５ｓプレス、６０ｓキュア後、金型を開き、１０ｓ以内にショアＤ硬度計にて５０ｍｍφ×３ｍｍ厚の成形品のほぼ中央で硬度を測定した。
【００７６】
評価結果を表１に示す。
【００７７】
【表１】
2013234305.tif 000004
【００７８】
表１より、エポキシ樹脂として、上記式（I）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂および上記式（II）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂を併用した実施例１〜４では、これらを併用しなかった比較例１、２に比べて耐リフロー性に優れ、成形時の粘度が低く、連続作業性にも優れていた。
【００７９】
中でも、式（I）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂と上記式（II）で表されるフェニル骨格含有エポキシ樹脂との含有比率が、９：１〜１：９の範囲内である場合に耐リフロー性、成形時の粘度、連続作業性のすべてが特に良好であった。