(57)【要約】【課題】薄膜コイルの断面積を大きくすることなく媒体対向面の部分的な突出を抑制し得る構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供する。【解決手段】薄膜磁気ヘッド３００は主磁極層２６と、ライトシールド層６０と、ギャップ層２９と、薄膜コイル１１，５１と、シールド磁性層４０が基板１上に積層された構成を有している。この薄膜磁気ヘッド３００は、基板１からの距離が等しい位置に配置されている等距離コイル部を外側から取り囲み、かつその等距離コイル部の外形を定める外側面の概ね全体に直に接する硬質防護枠層４９を有している。【選択図】図１
2013140660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記薄膜コイルの前記基板からの距離が等しい位置に配置されている部分を等距離コイル部としたときに、該等距離コイル部を外側から取り囲み、かつ該等距離コイル部の外形を定める外側面の概ね全体に直に接する硬質防護枠層を有する薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記薄膜コイルは、前記等距離コイル部として、前記主磁極層よりも前記基板側に配置されている下部コイル層と、前記主磁極層よりも前記基板から離れた位置に配置されている上部コイル層とを有し、
前記シールド磁性層は、前記下部コイル層よりも前記媒体対向面側に配置されている下部前側シールド部を有し、
前記硬質防護枠層は、前記下部コイル層の前記媒体対向面側に回り込み、かつ前記下部前側シールド部と前記下部コイル層の隙間に入り込み、さらに前記下部コイル層の前記媒体対向面側の外側面に直に接する回込み端部を有する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記硬質防護枠層は、前記等距離コイル部の厚さと等しい厚さを有し、かつ前記等距離コイル部の前記主磁極層よりも前記媒体対向面から離れた部分については前記外側面の全体に直に接している請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記下部コイル層と前記主磁極層との間に配置され、かつ前記下部コイル層の前記基板から離れた側の上面の概ね全体を覆うように形成された中間断熱層を更に有する請求項２または３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記上部コイル層を外側から取り囲み、かつ前記上部コイル層の外形を定める外側面の概ね全体に直に接する上部硬質防護枠層を有する請求項２〜４のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記薄膜コイルの前記基板からの距離が等しい位置に配置されている部分を等距離コイル部としたときに、前記シールド磁性層は、該等距離コイル部よりも前記媒体対向面側に配置されている前側シールド部を有し、
前記等距離コイル部および前記前側シールド部の全体を外側から取り囲み、かつ該等距離コイル部および前記前側シールド部の外形を定める外側面の概ね全体に接する硬質防護枠層を有する薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記薄膜コイルは、前記等距離コイル部として、前記主磁極層よりも前記基板側に配置されている下部コイル層と、前記主磁極層よりも前記基板から離れた位置に配置されている上部コイル層とを有し、
前記前側シールド部として、前記主磁極層よりも前記基板側に配置されている下部前側シールド部と、前記主磁極層よりも前記基板から離れた位置に配置されている上部前側シールド部とを有し、
前記硬質防護枠層は、前記下部コイル層の前記媒体対向面側に回り込み、かつ前記下部前側シールド部と前記下部コイル層の隙間に入り込み、さらに前記下部コイル層の前記媒体対向面側の外側面に直に接する回込み端部を有する請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記硬質防護枠層は、前記下部前側シールド部よりも前記媒体対向面側に配置され、かつ前記下部前側シールド部の前記媒体対向面側の外側面に接する前端部を有し、該前端部が前記媒体対向面内に配置されている請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記下部コイル層と前記主磁極層との間に配置され、前記下部コイル層および前記下部前側シールド部の前記基板から離れた側の上面の概ね全体を覆うように形成された中間断熱層を更に有する請求項７または８記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記シールド磁性層は、前記下部前側シールド部に接続され、かつ前記媒体対向面内に配置されている接続シールド部を更に有し、
該接続シールド部の前記媒体対向面内に配置されている前端面と、該前端面に接続され、かつ前記接続シールド部のうちの最も前記基板に近い位置に配置されている下端面とのなす角度を示す前端角が鈍角に設定されている請求項２〜５のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記薄膜コイルを構成するコイル層のうちの前記主磁極層と前記基板との間に配置されている下部コイル層を形成するための下部導体層を形成する導体層形成工程と、
前記下部導体層の概ね全体を被覆するように、硬質非磁性材料を用いて硬質非磁性層を形成する硬質非磁性層形成工程と、
積層体の表面の平坦化処理を行うことによって、前記下部コイル層を外側から取り囲み、かつ該下部コイル層の外形を定める外側面の概ね全体に直に接する硬質防護枠層を前記下部コイル層とともに形成する硬質防護枠層形成工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記シールド磁性層を形成するシールド磁性層形成工程が、前記下部コイル層よりも前記媒体対向面側に配置されている下部前側シールド部を形成する下部前側シールド部形成工程を有し、
前記硬質非磁性層形成工程は、前記下部導体層の前記媒体対向面側に回り込み、かつ前記下部前側シールド部と前記下部導体層の隙間に入り込み、さらに前記下部導体層の前記媒体対向面側の外側面に直に接する回込み端部が形成されるように前記硬質非磁性層を形成する請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記下部コイル層と前記主磁極層との間に配置され、前記下部コイル層の前記基板から離れた側の上面の概ね全体を覆うように形成された中間断熱層を形成する中間断熱層形成工程を更に有する請求項１１または１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記シールド磁性層を形成するシールド磁性層形成工程が、前記薄膜コイルを構成するコイル層のうちの前記主磁極層と前記基板との間に配置されている下部コイル層よりも前記媒体対向面側に配置されている下部前側シールド部を形成する下部前側シールド部形成工程を有し、
前記下部コイル層を形成するための下部導体層を形成する導体層形成工程と、
前記下部導体層と前記下部前側シールド部の概ね全体を被覆するように、硬質非磁性材料を用いて硬質非磁性層を形成する硬質非磁性層形成工程と、
積層体の表面の平坦化処理を行うことによって、前記下部導体層および前記下部前側シールド部の全体を外側から取り囲み、かつ前記下部導体層および前記下部前側シールド部の外形を定める外側面の概ね全体に接する硬質防護枠層を前記下部コイル層とともに形成する硬質防護枠層形成工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記硬質非磁性層形成工程は、前記下部導体層の前記媒体対向面側に回り込み、かつ前記下部前側シールド部と前記下部導体層の隙間に入り込み、さらに前記下部導体層の前記媒体対向面側の外側面に直に接する回込み端部が形成されるように前記硬質非磁性層を形成する請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記硬質非磁性層形成工程は、前記下部前側シールド部よりも前記媒体対向面側に配置され、かつ前記下部前側シールド部の前記媒体対向面側の外側面に接する前端部が前記媒体対向面内に配置されるように、前記硬質非磁性層を形成する請求項１４または１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記下部コイル層と前記主磁極層との間に配置され、前記下部コイル層および前記下部前側シールド部の前記基板から離れた側の上面の概ね全体を覆うように形成された中間断熱層を形成する中間断熱層形成工程を更に有する請求項１４〜１６のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記薄膜コイルの前記基板からの距離が等しい位置に配置されている部分を等距離コイル部としたときに、該等距離コイル部を外側から取り囲み、かつ該等距離コイル部の外形を定める外側面の概ね全体に直に接する硬質防護枠層を有するヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１９】
薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記薄膜コイルの前記基板からの距離が等しい位置に配置されている部分を等距離コイル部としたときに、該等距離コイル部を外側から取り囲み、かつ該等距離コイル部の外形を定める外側面の概ね全体に直に接する硬質防護枠層を有するハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置は、大容量の記録容量を備え、ストレージ装置の中心として広く用いられている。ハードディスク装置は、薄膜磁気ヘッドによってハードディスク（記録媒体）に対するデータの記録再生を行う。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、長手磁気記録方式と垂直磁気記録方式とに分けることができる。長手磁気記録方式はハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向にデータを記録する方式であり、垂直磁気記録方式はハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する方式である。このうち、垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手磁気記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済のハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手磁気記録方式よりも有望視されている。
【０００４】
ところで、従来、垂直磁気記録方式の磁気ヘッド（perpendicular
magnetic recording head：以下「ＰＭＲ」ともいう）は、磁極層と薄膜コイルとを有し、磁極層に薄膜コイルを巻き回した電磁石の構造を有している。
従来のＰＭＲとして、例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４等には、主磁極層のトレーリング側にシールド層を備えたＰＭＲが開示されている。図４２に示すＰＭＲ６００はそのようなＰＭＲの一例である。
【０００５】
ＰＭＲ６００は記録媒体の垂直方向に沿った記録磁界が通る主磁極層６０１と、主磁極層６０１の周りに巻き回わされた薄膜コイル６０２と、記録ギャップ層６０３と、記録ギャップ層６０３を挟んで主磁極層６０１と対向するシールド層６０４とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２７２９５８号公報
【特許文献２】特開２０１０−１７６７３２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１５７３０３号公報
【特許文献４】特開２００９−２９５２６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のＰＭＲでは、薄膜コイルに電流を流し磁界を発生させて記録媒体にデータを記録する。例えば、前述したＰＭＲ６００の場合であれば、薄膜コイル６０２に電流を流して記録媒体にデータを記録する。
【０００８】
しかし、薄膜コイル６０２は、電流を流すと発熱するため、その熱が周囲のコイル絶縁層６０５に伝わってしまう。コイル絶縁層６０５は、フォトレジスト等の有機物質で形成されているため、薄膜コイル６０２よりも熱膨張係数が大きい。そのため、コイル絶縁層６０５は熱が加わると膨張しやすい。コイル絶縁層６０５が膨張すると、シールド層６０４の媒体対向面６０６側の端部が媒体対向面６０６よりも外側に向かって押し出されて、突出してしまう。
【０００９】
一方、ＰＭＲ６００では、主磁極層６０１よりも再生ヘッド６１９側（基板６２０側）に、薄膜コイル６０２の一部である下部コイル６１２が形成されている。この下部コイル６１２の間にフォトレジスト等からなるコイル絶縁層６１５が形成されている。したがって、下部コイル６１２の発熱によってコイル絶縁層６１５が膨張し、それによって、アルミナからなる絶縁層６１３の媒体対向面６０６側の端部が突出するおそれがあった。
【００１０】
こうした媒体対向面の部分的な突出（プルトルージョン）は、主に薄膜コイルの発熱によって引き起こされる。そのため、媒体対向面の部分的な突出を抑制するためには、薄膜コイルの発熱を抑制すればよい。一般に、電流の流れている導体から発生する熱はジュール熱と呼ばれ、電流の大きさの２乗および導体の電気抵抗に比例することが知られている（ジュールの法則）。したがって、薄膜コイルの発熱を抑制するには、薄膜コイルの電気抵抗を小さくすればよい。
【００１１】
薄膜コイルの電気抵抗を小さくするには薄膜コイルの断面積を大きくすればよい。そのためには、例えば、ＰＭＲ６００の場合であれば、薄膜コイル６０２の幅ｗ６０２を広げるか、厚さｈ６０２を大きくするという対応策が考えられる。
【００１２】
しかし、幅ｗ６０２を広げると、磁路長を短くすることが難しくなる。磁路長は薄膜コイルが巻かれている磁極層の長さであり、その大きさは主に図４２に示す幅ＬＸによって左右される。
【００１３】
ところで、薄膜コイルには交流電流が流されるが、そのときのインピーダンスは周波数とインダクタンスに比例する。そのため、磁気記録媒体への記録密度を高めるべく薄膜コイルに周波数の高い交流電流を流すと、インピーダンスが高くなり、電流が流れにくくなる。これを回避するにはインダクタンスを小さくすることが有効であり磁路長の短縮が有効である。しかし、薄膜コイルの幅を広げると磁路長を長くせざるを得ず、ＰＭＲのインダクタンスが大きくなってしまう。こうなると、記録信号の周波数を高くすることが困難になり、磁気記録媒体への記録密度を高めることができなくなる。また、薄膜コイルの厚さを大きくしても磁路長を長くせざるを得ない。
【００１４】
このように、薄膜コイルの断面積を大きくすることによって、媒体対向面の部分的な突出を抑制するという対応策には、磁路長を短くすることが難しくなるという課題があった。そのため、従来のＰＭＲでは、薄膜コイルの断面積を大きくすることなく、媒体対向面の部分的な突出を抑制し得る新たな解決策が求められていた。
【００１５】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、薄膜コイルの断面積を大きくすることなく媒体対向面の部分的な突出を抑制し得る構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、薄膜コイルの基板からの距離が等しい位置に配置されている部分を等距離コイル部としたときに、その等距離コイル部を外側から取り囲み、かつその等距離コイル部の外形を定める外側面の概ね全体に直に接する硬質防護枠層を有する薄膜磁気ヘッドを特徴とする。
【００１７】
この薄膜磁気ヘッドの場合、外向きに広がろうとする等距離コイル部をその外側に配置される硬質防護枠層が抑え込む。
【００１８】
また、上記薄膜磁気ヘッドの場合、薄膜コイルは等距離コイル部として、主磁極層よりも基板側に配置されている下部コイル層と、主磁極層よりも基板から離れた位置に配置されている上部コイル層とを有し、シールド磁性層は、下部コイル層よりも媒体対向面側に配置されている下部前側シールド部を有し、硬質防護枠層は下部コイル層の媒体対向面側に回り込み、かつ下部前側シールド部と下部コイル層の隙間に入り込み、さらに下部コイル層の媒体対向面側の外側面に直に接する回込み端部を有することが好ましい。
【００１９】
この薄膜磁気ヘッドの場合、下部コイル層からもたらされる媒体対向面に向かう方向の圧力を回込み端部が受け止めるため、媒体対向面の一部を押し出そうとする圧力がより効果的に抑制される。
【００２０】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドの場合、硬質防護枠層は、等距離コイル部の厚さと等しい厚さを有し、かつ等距離コイル部の主磁極層よりも媒体対向面から離れた部分については外側面の全体に直に接していることが好ましい。
【００２１】
このようにすると、等距離コイル部の外向きに広がろうとする外向き圧力を硬質防護枠層がその厚さ方向の全体で受け止めるから、外向き圧力がより効果的に抑制される。
【００２２】
また、上記薄膜磁気ヘッドの場合、下部コイル層と主磁極層との間に配置され、かつ下部コイル層の基板から離れた側の上面の概ね全体を覆うように形成された中間断熱層を更に有することが好ましい。
【００２３】
この薄膜磁気ヘッドは、下部コイル層の発生する熱を中間断熱層が遮断するためその熱が主磁極層に伝達され難い。
【００２４】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドの場合、上部コイル層を外側から取り囲み、かつ上部コイル層の外形を定める外側面の概ね全体に直に接する上部硬質防護枠層を有することが好ましい。
【００２５】
そして、本発明は記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、薄膜コイルの基板からの距離が等しい位置に配置されている部分を等距離コイル部としたときに、シールド磁性層は、その等距離コイル部よりも媒体対向面側に配置されている前側シールド部を有し、等距離コイル部および前側シールド部の全体を外側から取り囲み、かつその等距離コイル部および前側シールド部の外形を定める外側面の概ね全体に接する硬質防護枠層を有する薄膜磁気ヘッドを提供する。
【００２６】
上記薄膜磁気ヘッドの場合、薄膜コイルは、等距離コイル部として、主磁極層よりも基板側に配置されている下部コイル層と、主磁極層よりも基板から離れた位置に配置されている上部コイル層とを有し、前側シールド部として、主磁極層よりも基板側に配置されている下部前側シールド部と、主磁極層よりも基板から離れた位置に配置されている上部前側シールド部とを有し、硬質防護枠層は、下部コイル層の媒体対向面側に回り込み、かつ下部前側シールド部と下部コイル層の隙間に入り込み、さらに下部コイル層の媒体対向面側の外側面に直に接する回込み端部を有することが好ましい。
【００２７】
また、上記薄膜磁気ヘッドの場合、硬質防護枠層は、下部前側シールド部よりも媒体対向面側に配置され、かつ下部前側シールド部の媒体対向面側の外側面に接する前端部を有し、その前端部が媒体対向面内に配置されていることが好ましい。
【００２８】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドは、下部コイル層と主磁極層との間に配置され、下部コイル層および下部前側シールド部の基板から離れた側の上面の概ね全体を覆うように形成された中間断熱層を更に有することが好ましい。
【００２９】
上記薄膜磁気ヘッドの場合、シールド磁性層は、下部前側シールド部に接続され、かつ媒体対向面内に配置されている接続シールド部を更に有し、その接続シールド部の媒体対向面内に配置されている前端面と、その前端面に接続され、かつ接続シールド部のうちの最も基板に近い位置に配置されている下端面とのなす角度を示す前端角が鈍角に設定されていることが好ましい。
【００３０】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（１）〜（３）の各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）薄膜コイルを構成するコイル層のうちの主磁極層と基板との間に配置されている下部コイル層を形成するための下部導体層を形成する導体層形成工程
（２）下部導体層の概ね全体を被覆するように、硬質非磁性材料を用いて硬質非磁性層を形成する硬質非磁性層形成工程
（３）積層体の表面の平坦化処理を行うことによって、下部コイル層を外側から取り囲み、かつその下部コイル層の外形を定める外側面の概ね全体に直に接する硬質防護枠層を下部コイル層とともに形成する硬質防護枠層形成工程
【００３１】
上記製造方法の場合、シールド磁性層を形成するシールド磁性層形成工程が、下部コイル層よりも媒体対向面側に配置されている下部前側シールド部を形成する下部前側シールド部形成工程を有し、硬質非磁性層形成工程は、下部導体層の媒体対向面側に回り込み、かつ下部前側シールド部と下部導体層の隙間に入り込み、さらに下部導体層の媒体対向面側の外側面に直に接する回込み端部が形成されるように硬質非磁性層を形成することが好ましい。
【００３２】
また、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、以下の（４）の工程を更に有することが好ましい。
（４）下部コイル層と主磁極層との間に配置され、下部コイル層の基板から離れた側の上面の概ね全体を覆うように形成された中間断熱層を形成する中間断熱層形成工程
【００３３】
さらに、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（５）〜（８）の各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（５）シールド磁性層を形成するシールド磁性層形成工程が、薄膜コイルを構成するコイル層のうちの主磁極層と基板との間に配置されている下部コイル層よりも媒体対向面側に配置されている下部前側シールド部を形成する下部前側シールド部形成工程
（６）下部コイル層を形成するための下部導体層を形成する導体層形成工程
（７）下部導体層と下部前側シールド部の概ね全体を被覆するように、硬質非磁性材料を用いて硬質非磁性層を形成する硬質非磁性層形成工程
（８）積層体の表面の平坦化処理を行うことによって、下部導体層および下部前側シールド部の全体を外側から取り囲み、かつ下部導体層および前側シールド部の外形を定める外側面の概ね全体に接する硬質防護枠層を下部コイル層とともに形成する硬質防護枠層形成工程
【００３４】
上記製造方法の場合、硬質非磁性層形成工程は、下部導体層の媒体対向面側に回り込み、かつ下部前側シールド部と下部導体層の隙間に入り込み、さらに下部導体層の媒体対向面側の外側面に直に接する回込み端部が形成されるように硬質非磁性層を形成することが好ましい。
【００３５】
また、硬質非磁性層形成工程は、下部前側シールド部よりも媒体対向面側に配置され、かつ下部前側シールド部の媒体対向面側の外側面に接する前端部が媒体対向面内に配置されるように、硬質非磁性層を形成することが好ましい。
【００３６】
さらに、上記製造方法は、下部コイル層と主磁極層との間に配置され、下部コイル層および下部前側シールド部の基板から離れた側の上面の概ね全体を覆うように形成された中間断熱層を形成する中間断熱層形成工程を更に有することが好ましい。
【００３７】
そして、本発明は、基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、薄膜コイルの基板からの距離が等しい位置に配置されている部分を等距離コイル部としたときに、その等距離コイル部を外側から取り囲み、かつその等距離コイル部の外形を定める外側面の概ね全体に直に接する硬質防護枠層を有するヘッドジンバルアセンブリを提供する。
【００３８】
また、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、薄膜コイルの基板からの距離が等しい位置に配置されている部分を等距離コイル部としたときに、その等距離コイル部を外側から取り囲み、かつその等距離コイル部の外形を定める外側面の概ね全体に直に接する硬質防護枠層を有するハードディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００３９】
以上詳述したように、本発明によれば、薄膜コイルの断面積を大きくすることなく媒体対向面の部分的な突出を抑制し得る構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドのＡＢＳを示す正面図である。
【図３】図１に示した薄膜磁気ヘッドの下部薄膜コイル、硬質防護枠層および下部前側シールド部を示す平面図である。
【図４】図３の４-４線断面図である。
【図５】上部薄膜コイルを示す平面図である。
【図６】下部薄膜コイルの要部を示す平面図である。
【図７】ＡＢＳの要部を拡大して示す断面図である。
【図８】（ａ）は本発明の実施の形態にかかる接続シールド部の要部を示す一部省略した断面図であり、（ｂ）は従来の接続シールド部の要部を示す一部省略した断面図である。
【図９】対向シールド部、上部前側シールド部および連結シールド部の要部を示す斜視図である。
【図１０】トリム前シールド部と上部前側シールド部とを示す側面図である。
【図１１】上部前側シールド部の変形例を示し、（ａ）は横平坦部を有しない場合、（ｂ）は縦平坦部を有しない場合の側面図である。
【図１２】図１の要部を示す断面図である。
【図１３】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１４】図１３の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１５】図１４の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１６】図１５の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１７】図１６の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１８】図１７の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１９】図１８の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２０】図１９（ａ）の要部を示す断面図である。
【図２１】図１９の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２２】図２１の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２３】図２２の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２４】図２３の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２５】図２４の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２６】図２５の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２７】図２６の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２８】図２７の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図３０】図２９に示した薄膜磁気ヘッドの下部薄膜コイル、硬質防護枠層および下部前側シールド部を示す平面図である。
【図３１】図３０の31-31線断面図である。
【図３２】図３０に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図３４】図３０に示した薄膜磁気ヘッドの下部薄膜コイル、硬質防護枠層、下部前側シールド部および中間断熱層を示す平面図である。
【図３５】図３３に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３６】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図３７】図３６に示した薄膜磁気ヘッドの下部薄膜コイル、硬質防護枠層、下部前側シールド部および中間断熱層を示す平面図である。
【図３８】図３６に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの変形例に係る上部薄膜コイル、硬質防護枠層および上部前側シールド部を示す平面図である。
【図４０】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図４１】（ａ）は本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図、（ｂ）はＨＧＡの裏面側を示す斜視図である。
【図４２】従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
第１の実施の形態
（薄膜磁気ヘッドの構造）
まず、図１〜図１２を参照して本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。
【００４２】
ここで、図１は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００のエアベアリング面（以下「ＡＢＳ」という）と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図、図２は薄膜磁気ヘッド３００のＡＢＳ３０を示す正面図である。
【００４３】
薄膜磁気ヘッド３００では、図３に示すような平面渦巻き状の下部薄膜コイル１１をその外側から硬質防護枠層４９が取り囲み、外向きに広がろうとする下部薄膜コイル１１を硬質防護枠層４９が抑え込むことによって、フォトレジスト層１５の膨張によるＡＢＳ３０の部分的な突出が抑制されている。なお、図３は下部薄膜コイル１１、硬質防護枠層４９および下部前側シールド部４１を示す平面図、図４は図３の４-４線断面図である。また、図５は上部薄膜コイル５１を示す平面図、図６は下部薄膜コイル１１の要部を示す平面図である。
【００４４】
そして、薄膜磁気ヘッド３００は、基板１と、基板１に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッドを有し、記録媒体に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ３０を有している。
【００４５】
なお、以下では、薄膜磁気ヘッド３００の主要部の構造について説明し、主要部以外の部分の構造は後述する製造工程の中で説明する。
【００４６】
再生ヘッドは、ＡＢＳ３０の近傍に配置された磁気的信号検出用のＭＲ素子５を有している。また、再生ヘッドは、基板１上に形成されている絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３と、ＭＲ素子５をシールドしているシールドギャップ膜４とを有している。さらに、再生ヘッドは、シールドギャップ膜４の上に形成されている磁性材料からなる上部シールド層６と、上部シールド層６の上に形成されている絶縁層７とを有している。再生ヘッドは、記録ヘッドよりも基板１に近い位置に配置されている。
【００４７】
ＭＲ素子５は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子などの磁気抵抗効果を示す感磁膜によって構成されている。
【００４８】
上部シールド層６は中間に絶縁部６ｂを有している。また、絶縁部６ｂよりも下側に第１のシールド部６ａが形成され、上側に第２のシールド部６ｃが形成されている。
【００４９】
薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８が絶縁層２に形成されている。加熱部８はＤＦＨ（Disk
flying heater）とも呼ばれ、電流が流されることによって発熱し、その熱を上部シールド層６などに伝達させる機能を有している。また、感熱部９が絶縁層７に形成されている。感熱部９はＨＤＩ（Head Disk Interlayer）センサとも呼ばれる。感熱部９は上部シールド層６付近の熱（温度）を感知し、その感知した熱に応じて抵抗値が変化する素子を用いて形成されている。
【００５０】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８によって上部シールド層６や下部シールド層３を加熱する。上部シールド層６や下部シールド層３は加熱部８から受けた熱によって体積が膨張する。その結果、上部シールド層６や下部シールド層３が図１には図示しない記録媒体に接触したとすると、上部シールド層６や下部シールド層３のＡＢＳ３０付近が摩擦によって熱を帯びる。薄膜磁気ヘッド３００ではこの摩擦熱に伴う感熱部９の抵抗値の変化を検出することによって、上部シールド層６や下部シールド層３が記録媒体に接触したかどうかの判定が行われる。また、その判定結果に応じて加熱部８に流れる電流値を制御しながらフライングハイトを制御している。
【００５１】
記録ヘッドは、下部薄膜コイル１１と、対向絶縁層２０と、主磁極層２６と、ギャップ層２９と、シールド磁性層４０と、硬質防護枠層４９と、上部薄膜コイル５１と、ライトシールド層６０と、上部ヨーク層６５、変位抑制層８５および保護絶縁層９０を有し、これらが基板１上に積層された構成を有している。
【００５２】
薄膜磁気ヘッド３００では、下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とによって一連の薄膜コイルが形成されている。下部薄膜コイル１１は、この一連の薄膜コイルのうちの主磁極層２６よりも基板１側に配置されている部分に対応している。そのため、下部薄膜コイル１１は、本発明の実施の形態に係る下部コイル層に対応している。上部薄膜コイル５１は一連の薄膜コイルのうちの主磁極層２６よりも基板１から離れた位置に配置された部分に対応するため、本発明の実施の形態に係る上部コイル層に対応している。
【００５３】
また、下部薄膜コイル１１は、一連の薄膜コイルのうちの基板１からの距離が等しい部分であるため、本発明の実施の形態に係る等距離コイル部に対応している。上部薄膜コイル５１も、一連の薄膜コイルのうちの基板１からの距離が等しい部分であるため、本発明の実施の形態に係る等距離コイル部に対応している。
【００５４】
図３に示すように下部薄膜コイル１１は３つのターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆを有している。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆは後述する下部前側シールド部４１と第１の後側シールド部４４との間に配置されている。下部薄膜コイル１１はターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆがフォトレジスト層１５を介して並んだ構造を有している。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆのうち、ターン部１１ｂがＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されているので、ターン部１１ｂが前側ターン部に対応している。ターン部１１ｆが後側ターン部に対応している。
【００５５】
そして、下部薄膜コイル１１は、リード部１３Ａからターン部１１ｂにつながるループ部１１ａと、ターン部１１ｂからターン部１１ｄにつながるワンループ部１１ｃと、ターン部１１ｄからターン部１１ｆにつながるワンループ部１１ｅと、ターン部１１ｆから接続部１１ｈまでのハーフループ部１１ｇを有している。
【００５６】
下部薄膜コイル１１はリード部１３Ａから接続部１１ｈまでが一本につながることによってシールド磁性層４０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で３ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図１では、下部薄膜コイル１１について、ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆ、接続部１１ｈのみが示されている。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆは横幅よりも厚さ（ＡＢＳ３０に沿った方向（上下方向）の高さ）の大きい縦長の構造を有している。なお、本実施の形態において、横幅とはＡＢＳ３０と交差する方向（交差方向）の幅を意味している。
【００５７】
また、下部薄膜コイル１１は、図６に示すように、ワンループ部１１ｃがＡＢＳ３０に接近するにしたがい漸次幅が狭まり、ＡＢＳ３０に最も近い箇所で最も幅が狭まる可変幅構造を有している。すなわち、図６に示すようにして、ワンループ部１１ｃの幅をＷｄ１、Ｗｄ２、Ｗｄ０を定めたときにＷｄ１＞Ｗｄ２＞Ｗｄ０となっている。そして、ワンループ部１１ｃのうちの最も幅の狭い部分がターン部１１ｄとなっている。ループ部１１ａおよびワンループ部１１ｅもワンループ部１１ｃと同様の可変幅構造を有し、最も幅の狭い部分がそれぞれターン部１１ｂ、１１ｆとなっている。ここで、ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆの幅はそれぞれＷｂ０（約０．９μｍ）、Ｗｄ０（約０．９μｍ）、Ｗｆ０（約０．９μｍ）である。
【００５８】
そして、下部薄膜コイル１１は、次のような一連の３ターンループを形成している。すなわち、リード部１３Ａから、ループ部１１ａ、ワンループ部１１ｃ、ワンループ部１１ｅ、ハーフループ部１１ｇを通って接続部１１ｈにつながることによって、３ターンループが形成されている。
【００５９】
なお、図６において、ターン部１１ｂの前側面１１ｂｆからＡＢＳ３０までの距離は、下部薄膜コイル１１の前側距離を示している。また、ターン部１１ｆの後側面１１ｆｒからＡＢＳ３０までの距離は、下部薄膜コイル１１の後側距離を示している。
【００６０】
そして、薄膜磁気ヘッド３００は、硬質防護枠層４９を有している。硬質防護枠層４９は、図３、図４に示したように、下部薄膜コイル１１をその外側から取り囲んでいる。また、硬質防護枠層４９は、下部薄膜コイル１１の外側面１１ａｆ、１１ｃｆの概ね全体に直に接している。
【００６１】
下部薄膜コイル１１は、第１の後側シールド部４４の回りに平面渦巻き状に巻き回されていて、最も外側にはＡＢＳ３０側においてループ部１１ａが配置され、ＡＢＳ３０から離れた側にワンループ部１１ｃが配置されている。その両者の外側の側面（外側面）１１ａｆ、１１ｃｆが下部薄膜コイル１１の外形を定めていて、その概ね全体に硬質防護枠層４９が接している。外側面１１ａｆ、１１ｃｆのＡＢＳ３０側には絶縁層１９が接しており、この絶縁層１９が接する部分には硬質防護枠層４９が接していない。しかし、外側面１１ａｆ、１１ｃｆの、下部薄膜コイル１１の主磁極層２６よりもＡＢＳ３０から離れた部分では、全体に硬質防護枠層４９が接している。図４に示すように、硬質防護枠層４９は下部薄膜コイル１１の厚さと等しい厚さを有している。
【００６２】
硬質防護枠層４９は、回込み端部４９ａを有している。回込み端部４９ａは、下部薄膜コイル１１のＡＢＳ３０側に回り込んだ部分である。回込み端部４９ａは外側面１１ａｆ、１１ｃｆに直に接している。回込み端部４９ａは下部薄膜コイル１１と下部前側シールド部４１の隙間に入り込んでいて、ＡＢＳ３０に沿って下部薄膜コイル１１の外側から後述する第１の後側シールド部４４に近づくにしたがい、幅が狭まる先細り状に形成されている。
【００６３】
そして、硬質防護枠層４９は、対向絶縁層２０を構成しているアルミナよりもビッカース硬度が大きく硬質な非磁性材料を用いて形成されている。例えば、ＳｉＣ（炭化ケイ素）はアルミナよりもビッカース硬度が大きいため、ＳｉＣを用いて硬質防護枠層４９を形成することができる。
【００６４】
次に、上部薄膜コイル５１について説明する。図５に示すように、上部薄膜コイル５１は３つのターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを有している。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃは、後述する上部前側シールド部６２と、後側シールド部６４との間に配置されている。上部薄膜コイル５１はターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃがフォトレジスト層５５を介して並んだ構造を有している。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃのうち、ターン部５１ｇがＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されているので、ターン部５１ｇが前側ターン部に対応している。ターン部５１ｃが後側ターン部に対応している。
【００６５】
そして、上部薄膜コイル５１は、接続部５１ａからターン部５１ｃにつながるループ部５１ｂと、ターン部５１ｃからターン部５１ｅにつながるワンループ部５１ｄと、ターン部５１ｅからターン部５１ｇにつながるワンループ部５１ｆと、ターン部５１ｇからリード部１４Ａまでのハーフループ部５１ｈを有している。
【００６６】
上部薄膜コイル５１は接続部５１ａからリード部１４Ａまでが一本につながることによってライトシールド層６０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で３ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図１では、上部薄膜コイル５１について、ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃ、接続部５１ａのみが示されている。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃはターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆと同様に縦長の構造および可変幅構造を有している。そして、ワンループ部５１ｆ、ワンループ部５１ｄ、ループ部５１ｂのうち、最も幅の狭い部分がそれぞれターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃとなっている。
【００６７】
そして、上部薄膜コイル５１は次のような一連の３ターンループを形成している。すなわち、接続部５１ａから、ループ部５１ｂ、ワンループ部５１ｄ、ワンループ部５１ｆ、ハーフループ部５１ｈを通ってリード部１４Ａにつながることにより、３ターンループが形成されている。
【００６８】
また、図１に示したように、上部薄膜コイル５１は上端面５１Ａを有している。上端面５１Ａは基板１から最も離れた位置に配置されている。この上端面５１Ａは後述するシールド上端面６２ｆと段差なく形成され、シールド上端面６２ｆとともに共通平坦面５９（図２６参照）を形成している。さらに、上部薄膜コイル５１は層間絶縁膜３２だけを介して後述する上部ヨーク層６５の上面に接続されている。上部薄膜コイル５１は磁性材からなる磁性層を介することなく上部ヨーク層６５に接続されている。
【００６９】
薄膜磁気ヘッド３００では、下部薄膜コイル１１の接続部１１ｈが上部薄膜コイル５１の接続部５１ａに接続されている。これにより、下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とは一連のコイルを形成している。下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とには、記録媒体に記録されるデータに応じた電流が流され、その電流によって記録磁界が発生する。
【００７０】
続いて図７、図１２を参照して対向絶縁層２０について説明する。図７はＡＢＳ３０の要部を拡大して示す断面図、図１２は図１の要部を示す断面図である。対向絶縁層２０は図７、図１２に示すように傾斜上端面２０ａを有している。
【００７１】
この傾斜上端面２０ａは、後述する接続シールド部４２の傾斜下端面４２ｂに直に接している。また、傾斜上端面２０ａはＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１に近づくような下り傾斜状に形成されている。傾斜上端面２０ａは、ＡＢＳ３０から後述する下部前側シールド部４１に到達するまで傾斜が一定に形成されている。表面は凹凸のない平坦面である。
【００７２】
また、傾斜上端面２０ａの全体が下部前側シールド部４１の上端面４１ａよりも基板１に近い位置に配置されている。絶縁層の表面が削りとられたことによって傾斜上端面２０ａが形成されている。傾斜上端面２０ａが形成されていることによって、対向絶縁層２０の表面に凹部が形成されている。その凹部に下部前側シールド部４１の後述する前端面４１ｂが出現している。
【００７３】
対向絶縁層２０は、前端面２０ｂを有している。前端面２０ｂはＡＢＳ３０内に配置されている。そして、図７に示すように、対向絶縁層２０では、前端面２０ｂのうちの最も接続シールド部４２に近い位置に欠落端部２０ｄが形成されている。欠落端部２０ｄは、薄膜磁気ヘッド３００の製造工程でＡＢＳ３０を形成するための研磨等を行った際、対向絶縁層２０の一部がわずかに欠落することによって形成されている。
【００７４】
次に、主磁極層２６について説明する。主磁極層２６は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体は透磁率(magnetic  permeability)が高い。したがって、主磁極層２６は、磁束が透過しやすく、より多くの磁束が通る。そのため、記録磁界に応じたより強い磁束が主磁極層２６からＡＢＳ３０に向かって放出される。
【００７５】
主磁極層２６は、図２、図１２に示すように、ＡＢＳ３０側に磁極端面２６ａを有している。磁極端面２６ａは下部薄膜コイル１１側よりも上部薄膜コイル５１側の幅が広く、その幅が下部薄膜コイル１１に近づくにつれて漸次狭まるベベル形状に形成されている。磁極端面２６ａの上部薄膜コイル５１側の幅がトラック幅を規定している。トラック幅は例えば０．０６〜０．１２μｍ程度である。磁極端面２６ａはＡＢＳ３０内に配置されている。
【００７６】
主磁極層２６は磁極端面２６ａを有するトラック幅規定部と、幅広部と、拡幅部とを有している。トラック幅規定部はＡＢＳ３０からの距離に応じて変化しない一定の幅を有している。また、幅広部はトラック幅規定部よりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置され、トラック幅規定部よりも幅広に形成されている。また、幅広部はトラック幅規定部との境界部分でトラック幅規定部と同じ大きさの幅を有するとともに、その幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がっている。拡幅部は幅広部よりも大きい一定の幅を有している。本実施の形態では、磁極端面２６ａから、幅が大きくなり始めるまでの部分をトラック幅規定部としている。
【００７７】
また、図１２に示すように、主磁極層２６では、トラック幅規定部に、上傾斜面２６ｃと、下傾斜面２６ｅとが形成されている。
【００７８】
上傾斜面２６ｃはＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１から離れるような上り傾斜状に形成されている。上傾斜面２６ｃは磁極端面２６ａと、上端面２６ｄとに接続されている。
【００７９】
下傾斜面２６ｅはＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１に近づくような下り傾斜状に形成されている。下傾斜面２６ｅは磁極端面２６ａと、幅広部の下端面２６ｆとに接続されている。下傾斜面２６ｅは，トラック幅規定部から幅広部まで形成されている。下端面２６ｆは主磁極層２６の中で基板１に最も近い位置に配置されている。
【００８０】
図１にも示すように、主磁極層２６には、上端面２６ｄ上の、後述する対向シールド部６１と上部ヨーク層６５との間の部分に非磁性層２７，２８が積層されている。
【００８１】
なお、前述のトラック幅規定部におけるＡＢＳ３０からの長さをネックハイトという。ネックハイトは例えば０．０５〜０．３μｍ程度である。
【００８２】
ギャップ層２９は主磁極層２６の上傾斜面２６ｃおよび上端面２６ｄに沿って、対向シールド部６１および絶縁層３１と、主磁極層２６および非磁性層２７，２８との間に形成されている。ギャップ層２９は、上傾斜面２６ｃおよび上端面２６ｄを被覆するようにして形成されている。ギャップ層２９は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の非磁性の絶縁材やＲｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いて形成されている。
【００８３】
次に、前述の説明で参照した図面のほか、図８を参照してシールド磁性層４０について説明する。ここで、図８（ａ）は接続シールド部４２の要部を示す一部省略した断面図、（ｂ）は従来の接続シールド部の要部を示す一部省略した断面図である。
【００８４】
図１、図２に示すように、シールド磁性層４０は、主磁極層２６の基板１側に配置されている。シールド磁性層４０は下部前側シールド部４１と、接続シールド部４２と、連結シールド部４３と、第１の後側シールド部４４と、第２の後側シールド部４５と、第３の後側シールド部４６と、リーディングシールド部４７と、サイドシールド部４７Ａとを有している。シールド磁性層４０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。
【００８５】
下部前側シールド部４１と、接続シールド部４２とは、下部薄膜コイル１１よりもＡＢＳ３０側に配置されている。また、下部前側シールド部４１の上に接続シールド部４２の一部分が重なっている。下部前側シールド部４１はＡＢＳ３０から離れた位置に形成されている。しかし、接続シールド部４２は、ＡＢＳ３０内に配置されたシールド端面４２ａを有している（図７参照）。
【００８６】
ここで、図１、図１２を参照して下部前側シールド部４１について詳しく説明する。下部前側シールド部４１は接続シールド部４２と連結シールド部４３とを接続している。下部前側シールド部４１は対向絶縁層２０よりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。
【００８７】
下部前側シールド部４１は上端面４１ａと、前端面４１ｂとを有している。下部前側シールド部４１では、上端面４１ａとともに前端面４１ｂが接続シールド部４２に接続されている。上端面４１ａは、下部前側シールド部４１のうちの基板１から最も離れた位置に配置されている。前端面４１ｂは下部前側シールド部４１のうちのＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されている。
【００８８】
次に、接続シールド部４２について、図１、図７、図１２を参照して詳しく説明する。接続シールド部４２は前端面４２ａと、傾斜下端面４２ｂと、上端面４２ｃと、起立端面４２ｄと、交差端面４２ｅと、前端凸部４２Ｐを有している。
【００８９】
接続シールド部４２では、前端面４２ａの全体がＡＢＳ３０内に配置されている。傾斜下端面４２ｂは、対向絶縁層２０の前述した傾斜上端面２０ａに直に接している。傾斜下端面４２ｂは傾斜上端面２０ａと同様に、ＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１に近づくような下り傾斜状に形成されている。また、傾斜下端面４２ｂはＡＢＳ３０から下部前側シールド部４１に到達するまで傾斜が一定に形成されている。表面は凹凸のない平坦面である。
【００９０】
そして、接続シールド部４２では、図７に示す前端角αが鈍角に設定されている。前端角αは前端面４２ａと傾斜下端面４２ｂとのなす角度を示している。前端角αは前端面４２ａから傾斜下端面４２ｂに向かって時計回りに計った角度である。
【００９１】
上端面４２ｃは接続シールド部４２のうちの基板１から最も離れた位置に配置されている。上端面４２ｃの全体が平坦に形成されている。起立端面４２ｄは傾斜下端面４２ｂのＡＢＳ３０から最も離れた位置に形成されている。起立端面４２ｄは傾斜下端面４２ｂからＡＢＳ３０に沿って起立するように形成されている。また、起立端面４２ｄは、下部前側シールド部４１の前端面４１ｂに直に接している。交差端面４２ｅは起立端面４２ｄの最上部からＡＢＳ３０に交差する方向に沿って平坦に形成されている。また、交差端面４２ｅは下部前側シールド部４１の上端面４１ａに直に接している。
【００９２】
そして、図７に詳しく示すように、前端凸部４２Ｐは前端面４２ａと傾斜下端面４２ｂとが交差する角部に対応している。前端凸部４２Ｐは、丸みを帯びた凸状部分であって、前端角が図７に示す角度βのような直角に設定されている場合と異なり、前端面４２ａと傾斜下端面４２ｂとが緩やかに交わることによって形成されている。
【００９３】
連結シールド部４３は、下部薄膜コイル１１のターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆを跨ぐようにして形成され、下部前側シールド部４１と第１の後側シールド部４４とを接続している。連結シールド部４３は、主磁極層２６から放出された磁束を還流させるリターン磁極としての機能を有している。
【００９４】
第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６は、いずれも下部薄膜コイル１１のターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆよりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。また、第１の後側シールド部４４の上に第２の後側シールド部４５が重なり、第２の後側シールド部４５の上に第３の後側シールド部４６が重なっている。第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６はＡＢＳ３０に近い前側面からＡＢＳ３０までの距離の等しい三段構造を形成している。第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６は、連結シールド部４３を主磁極層２６に連結する連結部としての機能を有している。
【００９５】
次に、リーディングシールド部４７について説明する。リーディングシールド部４７は接続シールド部４２に接続されている。その反対側上面には、図２に示すように、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａが形成されている。リーディングシールド部４７はＡＢＳ３０内に配置されたシールド端面４７ａを有している（図１２参照）。
【００９６】
サイドシールド部４７Ａ，４７Ａはリーディングシールド部４７上に形成されている。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａのそれぞれが主磁極層２６のトラック幅方向の両側に配置されている。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａは、それぞれＡＢＳ３０内に配置されたシールド端面４７Ａａを有している（図２参照）。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａおよびリーディングシールド部４７は非磁性薄膜２５を介して磁極端面２６ａを取り囲むように形成され、主磁極層２６の近傍に配置されている。
【００９７】
次に、ライトシールド層６０について、前述の説明で参照した図面に加え、図９〜図１０を参照して説明する。ここで、図９は対向シールド部６１、上部前側シールド部６２および連結シールド部６３の要部を示す斜視図である。図１０はトリム前シールド部と上部前側シールド部とを示す側面図である。ライトシールド層６０は、対向シールド部６１と、上部前側シールド部６２と、連結シールド部６３と、後側シールド部６４とを有している。
【００９８】
対向シールド部６１はＡＢＳ３０に臨む前端面を有している。また、対向シールド部６１はＡＢＳ３０内においてリーディングシールド部４７に対峙している。また、対向シールド部６１のＡＢＳ３０に臨む前端面に、ギャップ層２９が配置される微小スペースが形成されている。その微小スペースにギャップ層２９のＡＢＳ３０側部分が形成されている。対向シールド部６１はギャップ層２９を挟んでＡＢＳ３０側から順に主磁極層２６、非磁性層２７、非磁性層２８に対向するようにして形成されている。また、対向シールド部６１は上端面が平坦になっていて、その上端面に上部前側シールド部６２が接続されている。
【００９９】
上部前側シールド部６２は上部薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側に配置されている。この上部前側シールド部６２について、詳しく説明する。
【０１００】
上部前側シールド部６２はシールド前端面６２ｂと、シールド上端面６２ｆと、シールド接続部６２ｃと、シールド下端面６２ｒとを有している。シールド前端面６２ｂはＡＢＳ３０内に配置されている。シールド前端面６２ｂはＡＢＳ３０内に露出している。図９において、網掛けした部分がシールド前端面６２ｂを示している。シールド上端面６２ｆは、シールド前端面６２ｂよりも基板１から離れた位置に配置されている。基板１から離れる側を上側、基板１に近づく側を下側ともいう。シールド上端面６２ｆは、連結シールド部６３に接続されている。シールド上端面６２ｆは、ＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。しかも、シールド上端面６２ｆは、ＡＢＳ３０から離れて形成されている。シールド上端面６２ｆは、シールド下端面６２ｒよりも小さい大きさを有している。
【０１０１】
シールド接続部６２ｃはシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを接続する部分である。シールド接続部６２ｃは、シールド前端面６２ｂとの接続部６２ｘを除くすべての部分がＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。
【０１０２】
シールド接続部６２ｃは接続部６２ｘから、シールド上端面６２ｆに接続される接続部６２ｙに近づくにしたがい、ＡＢＳ３０から漸次離れるように傾斜した傾斜構造を有している。接続部６２ｘはＡＢＳ３０内に配置されているが、接続部６２ｙはＡＢＳ３０から離れた位置に配置され、ＡＢＳ３０から後退している。
【０１０３】
そして、図１０に示すように、この接続部６２ｘと接続部６２ｙとを結ぶ仮想的な平坦面９９を考えた場合、この平坦面９９はシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを最短距離で結ぶ平坦面である。この平坦面９９よりも、シールド接続部６２ｃはＡＢＳ３０から離れるように傾斜した後退傾斜構造を有している。さらに、シールド接続部６２ｃは横平坦部６２ｃ１と、縦平坦部６２ｃ２と、湾曲部６２ｃ３とを有し、これらが滑らかにつながり一体となった構造を有している。横平坦部６２ｃ１は概ねＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。縦平坦部６２ｃ２は概ねＡＢＳ３０に沿って形成されている。
【０１０４】
シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０に達する大きさを有している。シールド下端面６２ｒはシールド上端面６２ｆよりも大きい大きさを有している。シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０側に対向シールド部６１が接続され、そのＡＢＳ３０から離れた後側に絶縁層３１が接続されている。
【０１０５】
上部前側シールド部６２は以上のような構造を有しているので、トリム前前側シールド部６２Ａ（図１０の上側）よりも、ＡＢＳ３０内に配置されている端面の大きさが小さく、体積も小さい。トリム前前側シールド部６２Ａは、後述するトリミング工程を実行することによって形成される直前の前側シールド部である。トリム前前側シールド部６２Ａは、シールド上端面６２ｆがＡＢＳ３０に達し、トリム前前端面６２ａを有している。そして、トリム前前端面６２ａとシールド前端面６２ｂの大きさを比較すると、シールド前端面６２ｂ＜トリム前前端面６２ａである。
【０１０６】
次に、連結シールド部６３について説明する。連結シールド部６３は、上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐようにして形成されている。連結シールド部６３はＡＢＳ３０から離れて形成されている。連結シールド部６３は上部前側シールド部６２と、後側シールド部６４とに接続されている。
【０１０７】
後側シールド部６４は上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃよりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。後側シールド部６４は、連結シールド部６３と、上部ヨーク層６５とに接続されている。後側シールド部６４は上部前側シールド部６２と等しい高さに形成されている。そのため、後側シールド部６４は、上部薄膜コイル５１およびシールド上端面６２ｆとともに共通平坦面５９を形成している。
【０１０８】
上部ヨーク層６５は主磁極層２６の上端面２６ｄのうちの非磁性層２７，２８よりもＡＢＳ３０から離れた後側に接続されている。上部ヨーク層６５の上端面は対向シールド部６１の上端面と段差なく形成されている。上部ヨーク層６５の上端面は対向シールド部６１の上端面とともに共通平坦面５９Ａ(図２３参照)を形成している。
【０１０９】
その他、薄膜磁気ヘッド３００は、変位抑制層８５を有している。変位抑制層８５は連結シールド部６３の上端面に接続されている。変位抑制層８５は線熱膨張係数の小さい非磁性材料によって形成されている。例えば、変位抑制層８５は無機材料または金属材料を用いることが好ましく、例えばＳｉＣ，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ｗ（タングステン）を用いることができる。特に、変位抑制層８５は硬度の大きい非磁性材料を用いることが好ましい。例えば、ＳｉＣはアルミナに比べてビッカース硬度が大きいため、変位抑制層８５はＳｉＣを用いることが好ましい。
【０１１０】
さらに、薄膜磁気ヘッド３００は保護絶縁層９０を有している。保護絶縁層９０はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて形成されている。保護絶縁層９０は埋込部９０ａと、カバー部９０ｂとを有し、埋込部９０ａとカバー部９０ｂとが一体となっている。埋込部９０ａは、シールド接続部６２ｃの全体に接し、かつシールド接続部６２ｃとＡＢＳ３０との間に隙間なく埋め込まれている。カバー部９０ｂは連結シールド部６３および変位抑制層８５を覆うように形成されている。
【０１１１】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、前述の図１〜図１２とともに、図１３（ａ），図１３（ｂ）〜図１９（ａ），図１９（ｂ）、図２０、図２１（ａ），図２１（ｂ）〜図２８（ａ），図２８（ｂ）を参照して、前述の構造を有する薄膜磁気ヘッド３００の製造方法について説明する。
【０１１２】
ここで、図１３（ａ）〜図１９（ａ）、図２１（ａ）〜図２８（ａ）は、薄膜磁気ヘッド３００の各製造工程における図１に対応した断面図、図１３（ｂ）〜図１９（ｂ）、図２１（ｂ）〜図２８（ｂ）は、同じく図２に対応した正面図である。図２０は、図１９（ａ）の要部を示す断面図である。なお、各図において、“ＡＢＳ”とは、後にＡＢＳ３０が形成される予定ラインを示している。
【０１１３】
まず、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる基板１を準備する。そして、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示すように、その基板１の上に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料からなる絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３を順に形成する。絶縁層２を形成するときに加熱部８が形成される。
【０１１４】
次に、ＭＲ素子５をシールドするように絶縁材料を用いてシールドギャップ膜４を形成する。このとき、ＭＲ素子５に接続される図示しないリードを形成し、ＭＲ素子５およびリードをシールドギャップ膜４で覆う。それから、磁性材料と絶縁材料とを用いてシールドギャップ膜４の上に上部シールド層６（第１のシールド部６ａ、絶縁部６ｂ、第２のシールド部６ｃ）を形成する。
【０１１５】
次に、上部シールド層６の上にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて、上部シールド層６と、後に形成される記録ヘッドとを分離するための絶縁層７を形成する。絶縁層７を形成するときに感熱部９が形成される。これまでの工程で記録ヘッドを形成するための積層体が得られる。その後、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の磁性材を用いて連結シールド部４３を形成するための磁性層（厚さは０．６μｍ程度）を形成して、積層体表面に絶縁層を形成し、化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）によって積層体表面の平坦化を行う。すると、対向絶縁層１７と連結シールド部４３が形成される。このとき、連結シールド部４３はＡＢＳ３０から０．３μｍ〜１μｍ（本実施の形態では、０．５μｍ程度）離して形成する。
【０１１６】
続いて、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の絶縁層１８（膜厚は０．１μｍ〜０．３μｍ程度）を形成する。それから、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、絶縁層１８を選択的に開口する。そして、シールド磁性層形成工程を実行する。この工程は、下部前側シールド部形成工程を有している。下部前側シールド部形成工程では、フレームめっき法により、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて下部前側シールド部４１と、第１の後側シールド部４４とを厚さ１〜１．５μｍ程度で形成する。
【０１１７】
次に、図１４（ａ）、図１４（ｂ）に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層１９（膜厚は０．０２μｍ〜０．３μｍ程度、好ましくは０．１μｍ〜０．２μｍ程度）をアトミックレイヤー法によるＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法で積層体の表面全体に形成する。絶縁層１９は、下部前側シールド部４１、第１の後側シールド部４４を被覆するように形成される。
【０１１８】
それから、導体層形成工程を実行して導体層７０を形成する。導体層７０は、下部薄膜コイル１１を形成するための層である。この工程では、まず、フレームめっき法によって、下部前側シールド部４１と第１の後側シールド部４４との間に導体層７０を形成する。導体層７０は、２つの間隙部７０ａを備え、かつ絶縁層１９を介して下部前側シールド部４１と第１の後側シールド部４４とに隙間なく接触するようにして形成する。導体層７０は間隙部７０ａを備えているから間欠導体層である。
【０１１９】
次に、図１５（ａ）、図１５（ｂ）に示すように、導体層７０における２つの間隙部７０ａを埋めるようにフォトレジスト層８０（膜厚は１．５μｍ〜２．５μｍ程度）を形成する。
【０１２０】
続いて、硬質非磁性層形成工程を実行する。この工程では、硬質非磁性材料を用いて硬質非磁性層４９Ａを形成する。本実施の形態では、硬質防護枠層４９の材料としてＳｉＣを用いているので、ＳｉＣを用いて硬質非磁性層４９Ａを形成する。硬質非磁性層４９Ａは、導体層７０の概ね全体を外側から取り囲み、かつ導体層７０の概ね全体を被覆するように形成する。また、硬質非磁性層形成工程は、硬質非磁性層４９Ａを下部前側シールド部４１と導体層７０との間に入り込ませ、硬質非磁性層４９Ａが導体層７０のＡＢＳ３０側の外側面に直に接するように形成する。すなわち、後に前述した回込み端部４９が形成されるように硬質非磁性層４９Ａを形成する。
【０１２１】
次いで、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて積層体の表面をカバーし得る絶縁膜２０を３μｍ〜４μｍ程度の厚さで形成する。それから、硬質防護枠層形成工程を実行する。この工程では、下部前側シールド部４１と第１の後側シールド部４４が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。この平坦化処理が行われることによって、前述した硬質防護枠層４９が下部薄膜コイル１１とともに形成される。
【０１２２】
すると、図１６（ａ）、図１６（ｂ）に示すように導体層７０が平坦化され、それとともに下部前側シールド部４１と第１の後側シールド部４４が出現する。この平坦化処理によって、対向絶縁層２０が形成されるので、平坦化処理は、対向絶縁層形成工程としての意味を有している。また、対向絶縁層２０とともに下部薄膜コイル１１が形成される。
【０１２３】
続いて、図１７（ａ）、図１７（ｂ）に示すように、対向絶縁層２０および絶縁層１９の表面を露出させるレジストパターン７９を形成する。続いて、傾斜処理工程を実行する。傾斜処理工程では、レジストパターン７９をマスクにして、ウェットエッチング、イオンビームエッチング等を行い、図１８（ａ）、図１８（ｂ）に示すように対向絶縁層２０および絶縁層１９の表面を削りとり、対向絶縁層２０の表面に凹部を形成する。この場合、削り取った後の表面が下り傾斜状になるように対向絶縁層２０の表面および絶縁層１９の表面を削りとり、これによって対向絶縁層２０の最上面に傾斜上端面２０ａを形成する。また、傾斜処理工程では、下部前側シールド部４１のＡＢＳ３０側の一部分が露出するようにウェットエッチング等を行う。さらに、傾斜処理工程では、対向絶縁層２０の最上面（基板１から最も離れた上端面）の全体が上端面４１ａよりも基板１に近い位置に配置されるように、ウェットエッチング等を行う。
【０１２４】
続いて、図１９（ａ）、図１９（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層２１（膜厚は０．３μｍ〜０．７μｍ程度）を形成する。その後、この絶縁層２１を選択的に開口する。
【０１２５】
次に、接続シールド部形成工程を実行し、前端角αが鈍角の接続シールド部４２を形成する。この工程では、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって、開口した部分に重ねて接続シールド部４２と、第２の後側シールド部４５とをともに厚さ０．５μｍ〜１．２μｍ程度で形成する。この場合、前述した傾斜処理工程によって、対向絶縁層の最上面に下り傾斜状の傾斜上端面２０ａが形成されているため、その傾斜上端面２０ａに磁性材が直に接するようにフレームめっき法を実行することによって接続シールド部４２が形成される。こうして、接続シールド部形成工程を実行する。また、傾斜処理工程で下部前側シールド部４１のＡＢＳ３０側を露出させているので、接続シールド部４２が上端面４１ａのほか、前端面４１ｂにも接するように形成される。
【０１２６】
なお、この時点では、まだ、ＡＢＳ３０が形成されていない。そのため、図２０に示すように、接続シールド部４２の前端面と、対向絶縁層２０の前端面とによって、段差のない平坦な前端面３０ｈが形成されている。
【０１２７】
その後、積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。それから、図２１（ａ）、図２１（ｂ）に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いてベース絶縁層２４を形成する。ベース絶縁層２４を形成するときに加熱部２３が形成される。その後、ベース絶縁層２４を選択的に開口する。続いて、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いてフレームめっき法によって、開口した部分にリーディングシールド部４７と、第３の後側シールド部４６とをそれぞれ厚さ０．５μｍ〜１．０μｍ程度で形成する。
【０１２８】
次に、図２２（ａ）、図２２（ｂ）に示すように、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって、サイドシールド部４７Ａをリーディングシールド部４７上に厚さ０．５μｍ〜０．８μｍ程度の厚さで形成する。
【０１２９】
それから、ベース絶縁層２４、リーディングシールド部４７をおよびサイドシールド部４７Ａを被覆するようにして非磁性薄膜２５を形成する。非磁性薄膜２５はＲｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の非磁性金属材料や、アルミナ等の絶縁材料を用いてスパッタリングによって形成する。
【０１３０】
続いて、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて例えばスパッタリングにより、０．４〜０．８μｍ程度の厚さで磁性層７５を形成する。磁性層７５によって後に主磁極層２６が形成される。そして、積層体の表面全体をＣＭＰで研磨して、積層体表面の平坦化を行う。
【０１３１】
その後、積層体の表面に例えばスパッタリングにより、Ｒｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の金属材料を用いて非磁性層７７（厚さは約０．０４〜０．１μｍ程度）を形成する。非磁性層７７は後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２７となる。さらに、積層体の表面全体に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン酸化物等の無機絶縁材料を用いて非磁性層７８（厚さは約０．１〜０．３μｍ程度）を形成する。非磁性層７８は、後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２８となる。
【０１３２】
続いて、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン８１をＡＢＳ３０の近傍に形成する。
【０１３３】
次に、レジストパターン８１をマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性層７８の一部を除去する。この場合のエッチングは、エッチングによって形成された溝の底部が非磁性層７７の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。そのため、非磁性層７８には、非磁性層７７と比べて非磁性層７８をエッチングする際のエッチングレートの小さい材料を用いる。
【０１３４】
それからレジストパターン８１を除去する。続いて、残された非磁性層７８をマスクに用いて例えばＩＢＥによって、非磁性層７７の一部をエッチングして除去する。さらに、残された非磁性層７７をマスクに用いて例えばＩＢＥにより、磁性層７５の一部をエッチングして除去する。この工程を経ることによって、磁性層７５のＡＢＳ側に上傾斜面２６ｃが形成される。
【０１３５】
続いて、図２３（ａ）、図２３（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料や、Ｒｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いてスパッタ法またはＣＶＤによってギャップ層２９（厚さは約２５０Å〜３５０Å程度）を形成する。
【０１３６】
さらに、例えばスパッタ法により図示しないストッパ膜を形成し、その上に非磁性膜を形成する。その上で、積層体の表面全体に図示しないフォトレジストを塗布する。そして、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、図示しないレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクに用いて、例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性膜をエッチングする。このエッチングはエッチングによって形成された溝の底部がストッパ膜の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。それから、図示しないレジストパターンを除去した後、残された非磁性膜をマスクに用いてＲＩＥ等のエッチングを行い、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去する。ここで、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去することによって、上部ヨーク層６５を形成するためのスペースを確保している。
【０１３７】
続いて、対向シールド部形成工程を実行することによって対向シールド部６１を形成する。この工程では、まず、積層体の表面に磁性層を形成する。この磁性層は、めっき法により、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ，ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて、０．５〜１．２μｍ程度の厚さで形成する。この磁性層によって、後に対向シールド部６１および上部ヨーク層６５が形成される。
【０１３８】
続いて、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層（厚さは１〜３μｍ程度）を形成する。さらに、磁性層の表面が露出するまで積層体の表面全体をＣＭＰにより研磨して積層体表面の平坦化を行う。すると、対向シールド部６１、上部ヨーク層６５および絶縁層３１が形成される。このとき、対向シールド部６１の厚さが０．５〜１．０μｍ程度になるようにして積層体の表面を研磨する。
【０１３９】
次に、第１のシールド部形成工程を実行する。この工程では、図２４（ａ），図２４（ｂ）に示すように、積層体の表面のうちの上部前側シールド部６２と後側シールド部６４とを形成しようとする部分にそれぞれトリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４とを形成する。このとき、トリム前前側シールド部６２ＡがＡＢＳ３０内に配置されるので、第１のシールド部に対応している。第１のシールド部形成工程では、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いてトリム前前側シールド部６２Ａおよび後側シールド部６４を例えばフレームめっき法によって形成する。このとき、トリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４との間隔が３．０μｍから３．５μｍ程度となるようにする。
【０１４０】
そして、トリム前前側シールド部６２Ａは対向シールド部６１に接続され、かつＡＢＳ３０内に配置されるように形成する。トリム前前側シールド部６２Ａは図１０の上側に示したような形状を有している。このトリム前前側シールド部６２Ａでは、前端面６２ａのすべてがＡＢＳ３０内に配置されている。
【０１４１】
それから、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等を用いて積層体の表面に層間絶縁膜３２を形成した後、図２５（ａ），図２５（ｂ）に示すように、積層体の表面における第１のシールド部（トリム前前側シールド部６２Ａ）と後側シールド部６４との間に導体層７１を形成する。この導体層７１によって、後に上部薄膜コイル５１が形成される。導体層７１は２つの間隙部７１ａを備え、かつ第１のシールド部（トリム前前側シールド部６２Ａ）と後側シールド部６４に層間絶縁膜３２を介して隙間なく接触するようにして形成する。導体層７１は、間隙部７１ａを備えているから間欠導体層である。
【０１４２】
その後、導体層７１における２つの間隙部７１ａを覆うようにフォトレジスト層５５（膜厚は２μｍ〜３μｍ程度）を形成し、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて積層体の表面をカバーし得る図示しないカバー絶縁膜を３μｍ〜４μｍ程度の厚さで形成する。それから、トリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。
【０１４３】
すると、図２６（ａ），図２６（ｂ）に示すように、上部薄膜コイル５１およびフォトレジスト層５５が形成される。このとき、上部薄膜コイル５１の厚さが１．０μｍ〜１．８μｍ程度となるように、積層体表面の平坦化を行う。また、積層体表面の平坦化が行われたことによって、前述した共通平坦面５９が形成される。
【０１４４】
続いて、図２７（ａ），図２７（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層３４を形成し、絶縁層３４を部分的に開口する。その後、連結シールド部形成工程を実行する。この工程では、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって連結シールド部６３を形成する。連結シールド部６３は、トリム前シールド部６２Ａに接続されるように形成する。連結シールド部６３は、絶縁層３４を介して上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐようにして形成する。
【０１４５】
また、連結シールド部６３は前端面３０ｈから後退させて（ＡＢＳ３０からも後退させて）ＡＢＳ３０から離れた位置に形成する。すなわち、ＡＢＳ３０との間に後退スペース６３ｈが確保されるような位置に連結シールド部６３を形成する。後退スペース６３ｈはＡＢＳ３０に沿った例えば０．４μｍから０．７μｍ程度の幅を有し、かつ連結シールド部６３と同じ高さを備えた細長い部分になる。
【０１４６】
次に、トリミング工程を実行する。この工程では、図２８（ａ），図２８（ｂ）に示すように、連結シールド部６３をマスクに用いてイオンビームＩＢを上方向から照射してＩＢＥを行い、トリム前前側シールド部６２Ａの連結シールド部６３によって被覆されていない部分を切除する。トリム前前側シールド部６２Ａは連結シールド部６３によってＡＢＳ３０側部分が被覆されていないので、ＩＢＥを行うとトリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０側の一部分が切除される。このとき、ＩＢＥは、トリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０内に配置されるトリム前前端面６２ａの一部を残すようにして実行する。こうすることで、図１０に示したように、トリム前前端面６２ａのうち、切除されずに残された部分によって前述したシールド前端面６２ｂが形成される。さらに、ＩＢＥは前述の後退傾斜構造を備えたシールド接続部６２ｃが出現するようにして実行する。
【０１４７】
前述のトリミング工程では、連結シールド部６３自体をマスクに用いているが、連結シールド部６３を用いる代わりに連結シールド部６３の上面をカバーするフォトレジスト等のマスクを用いてもよい。すなわち、連結シールド部６３と大きさの等しいマスクをフォトレジスト等を用いて連結シールド部６３の上面に形成し、そのマスクを用いて、トリム前前側シールド部６２Ａの連結シールド部６３によって被覆されていない部分を切除してもよい。
【０１４８】
また、エッチングに用いるガスプラズマの化学的な作用が伴うと、トリム前前側シールド部６２Ａの垂直方向（図２８の縦方向）だけでなく、水平方向（（図２８の横方向）にもエッチングが進行するおそれがある。そのため、トリミング工程では、ノンリアクティブなＩＢＥ、すなわち、イオンミリングを行うことが好ましい。不活性なイオンを照射したときの物理的な衝撃を利用して行うエッチングをリアクティブイオンエッチングと区別するため、イオンミリングともいう。
【０１４９】
続いて、図１に示したように変位抑制層８５を形成する。それから、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて変位抑制層８５をカバーするようにして保護絶縁層９０を形成する。その後、前端面３０ｈに対する研磨加工や機械加工を行い、ＡＢＳ３０を形成すると、薄膜磁気ヘッド３００が完成する。
【０１５０】
保護絶縁層９０は、シールド接続部６２ｃの全体に接し、かつシールド接続部６２ｃとＡＢＳ３０との間に隙間なく埋め込まれるように形成する。
【０１５１】
（薄膜磁気ヘッド３００の作用効果）
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００は硬質防護枠層４９を有している。硬質防護枠層４９は、下部薄膜コイル１１の外側面１１ａｆ、１１ｃｆの概ね全体に直に接し、下部薄膜コイル１１を外側から取り囲んだ枠状構造を有している。そして、下部薄膜コイル１１を流れる電流によってジュール熱が発生し、そのジュール熱によってフォトレジスト層１５が膨張すると、外向きに広がろうとする外向き圧力がフォトレジスト層１５から下部薄膜コイル１１にかかる。この外向き圧力を受けて下部薄膜コイル１１が外向きに広がろうとし、硬質防護枠層４９を外向きに押し出そうとする。
【０１５２】
しかし、硬質防護枠層４９はアルミナよりもビッカース硬度が大きく硬質な非磁性材料を用いて形成されている。そのため、下部薄膜コイル１１から外向きの圧力がかかっても、硬質防護枠層４９はほとんど変形しない。したがって、フォトレジスト層１５の膨張によって外向きに広がろうとする下部薄膜コイル１１を硬質防護枠層４９が抑え込む。下部薄膜コイル１１がその外側に及ぼす圧力が硬質防護枠層４９の内側に留められ、硬質防護枠層４９の外側には及ばない。
【０１５３】
そのため、下部薄膜コイル１１からもたらされる、ＡＢＳ３０に向かう方向の圧力も、硬質防護枠層４９によって抑え込まれ、対向絶縁層２０にはほとんど及ばない。したがって、薄膜磁気ヘッド３００では、下部薄膜コイル１１の断面積を大きくすることなくＡＢＳ３０の部分的な突出を抑制することができる。
【０１５４】
一方、前述した従来のＰＭＲ６００では、下部コイル６１２を単にアルミナからなる絶縁層６１３が取り囲んでいるに過ぎなかった。そのため、従来のＰＭＲ６００では、コイル絶縁層６１５の膨張を受けて外向きに広がろうとする下部コイル６１２の外向き圧力が絶縁層６１３に及ぶ。しかし、絶縁層６１３は下部コイル６１２の外向き圧力を十分に抑え込めない。そのため、従来のＰＭＲ６００では、ＡＢＳの部分的な突出を抑制することが困難であった。
【０１５５】
これに対し、薄膜磁気ヘッド３００では、前述したように、外向きに広がろうとする下部薄膜コイル１１を硬質防護枠層４９がその内側に抑え込むため、下部薄膜コイル１１の断面積を大きくすることなくＡＢＳの部分的な突出を抑制することができる。
【０１５６】
ところで、フォトレジスト層１５はフォトレジスト（感光性樹脂）を用いて形成されているが、フォトレジストは、高分子物質を含む高分子材料である。高分子物質は粘弾性とよばれる性質を有することが広く一般に知られている。粘弾性とは、粘性と弾性が重なってあらわれる現象をいい、粘性と弾性を併せ持った性質のことである。この粘弾性を備えた物体は粘弾性体とよばれ、高分子物質からなる物体が該当する。粘性は液体的な性質、弾性は固体的な性質であるから、フォトレジスト層１５は液体的な性質と固体的な性質とを併せ持っている。こうした粘弾性体に外から瞬間的に荷重をかけると、初めに弾性的性質が現れて元に戻ろうとする応力が発揮されるも、その後、少し遅れて粘性的性質が現れる。そのまま荷重をかけ続けると時間とともに粘性的性質が顕著に表れ、粘弾性体は外から荷重をかけなくても変形したままになる。
【０１５７】
一方、フォトレジスト層１５が下部薄膜コイル１１の発生するジュール熱によって膨張すると、フォトレジスト層１５が下部薄膜コイル１１を外に押し広げようとし、その反作用で下部薄膜コイル１１から内向きの外力を受ける。このとき、フォトレジスト層１５は粘弾性を備えているため、初めに弾性的性質が現れて元に戻ろうとする応力を発揮するが、時間が経つにつれて粘性的性質が顕著になり、やがて荷重をかけなくても変形したままになってしまう。つまり、フォトレジスト層１５はその粘性的性質ゆえに下部薄膜コイル１１からの荷重に応じて変形する。
【０１５８】
このような現象は、外向きに広がろうとする下部薄膜コイル１１を硬質防護枠層４９がより確実に抑え込むことによってこそ、より効果的に得られるものである。従来のＰＭＲ６００では、コイル絶縁層６１５の膨張によって下部コイル６１２が外向きに広がっても、絶縁層６１３の、下部コイル６１２を抑え込もうとする働きが弱いがために、コイル絶縁層６１５が下部コイル６１２から受ける内向きの圧力が弱く、したがって、コイル絶縁層６１５の膨張を抑え込む力も弱い。そのため、コイル絶縁層６１５の膨張がそのままになりやすい。すると、下部コイル６１２が外向きに広がったままになりやすいため、ＡＢＳの部分的な突出を抑制することが困難である。これに対し、薄膜磁気ヘッド３００では、外向きに広がろうとする下部薄膜コイル１１を硬質防護枠層４９が確実に抑え込むため、下部薄膜コイル１１が広がったままになり難く、したがって、ＡＢＳ３０の部分的な突出をより効果的に抑制することができる。
【０１５９】
さらに、硬質防護枠層４９は、回込み端部４９ａを有している。この回込み端部４９ａは、下部薄膜コイル１１のＡＢＳ３０側に回り込んでいる。そのため、下部薄膜コイル１１がＡＢＳ３０に向かって広がろうとすると、それによるＡＢＳ３０に向かう方向の圧力を回込み端部４９ａが受け止めることができる。したがって、硬質防護枠層４９が回込み端部４９を有することによって、ＡＢＳ３０の部分的な突出がより確実に抑制される。
【０１６０】
しかも、硬質防護枠層４９は、下部薄膜コイル１１の厚さと等しい厚さを有し、下部薄膜コイル１１の主磁極層２６よりもＡＢＳ３０から離れた部分については外側面の全体に直に接している。硬質防護枠層４９は、下部薄膜コイル１１が外向きに広がろうとするときの外向き圧力を、その厚さ方向の全体で受け止める。したがって、下部薄膜コイル１１による外向き圧力が、硬質防護枠層４９によってより確実に抑制される。
【０１６１】
一方、薄膜磁気ヘッド３００は接続シールド部４２を有している。接続シールド部４２は前端凸部４２Ｐを有し、その前端凸部４２Ｐは丸みを帯びた凸状部分である。そして、主磁極層２６から接続シールド部４２に磁束が漏れ出て、その磁束が接続シールド部４２の外部に漏れ出すときは図８（ａ）に示すようにその磁束が前端凸部４２Ｐから磁束Ｂ０、Ｂ１、Ｂ２のように適宜分散して外部に進行する。
【０１６２】
しかし、前端凸部４２Ｐが丸みを帯びた緩やかな凸状部分であるため、磁束Ｂ０、Ｂ１、Ｂ２の強さの差が少ない。したがって、磁束Ｂ０、Ｂ１、Ｂ２が記録媒体に到達しても、そのそれぞれによって、記録媒体に記録されているデータが消去されたり、書きかえられたりといった不具合は起こりにくい。そのため、データ消去等が軽減される。
【０１６３】
一方、図８（ｂ）に示す従来の薄膜磁気ヘッドのように、下部前側シールド部７１２の前端角が直角に設定されているときは、凸部７１２Ｐが鋭く角張っている。そのため、主磁極層から下部前側シールド部７１２に磁束が漏れ出すと、その磁束は凸部７１２Ｐに集中しやすい。したがって、中央の磁束Ｂ０の強さがその外側の磁束Ｂ１、Ｂ２よりも強くなってしまう。そのため、磁束Ｂ０、Ｂ１、Ｂ２が記録媒体に到達すると、最も強い磁束Ｂ０によって、記録媒体に記録されているデータが消去されたり、書きかえられたりといった不具合が起きやすい。
【０１６４】
このように、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００は、接続シールド部４２を有していることによって、シールド磁性層の構造に起因したデータ消去等を軽減できるように構成されている。
【０１６５】
また、前端凸部４２Ｐは前端面４２ａと傾斜下端面４２ｂの交差する角部に対応している。前端角αが鈍角に設定されているため、接続シールド部４２に接する対向絶縁層２０の前端面２０ｂと、傾斜上端面２０ａとのなす角（前端面２０ｂから傾斜上端面２０ａに向かって反時計回りに計った角度、反前端角ともいう）が鋭角になる。そうすると、反前端角が直角に設定されている場合よりも、対向絶縁層２０の前端面２０ｂ（厳密には前端面３０ｈ）のうちの、接続シールド部４２と対峙している鋭角部分の体積が小さい。そのため、ＡＢＳ３０を形成するべく前端面３０ｈに対する研磨加工や機械加工を行ったときに、接続シールド部４２と対峙している鋭角部分が欠落しやすい（前述の欠落端部２０ｄは、この欠落に起因して形成される）。鋭角部分の欠落に伴い、接続シールド部４２と対向絶縁層２０との境界部分に微小な隙間が形成される。すると、接続シールド部４２では、前端面４２ａにおける対向絶縁層２０との境界部分において、ＡＢＳ３０の交差方向だけではなくそれとは異なる方向からも研磨等が進行し、その結果、丸みを帯びた前端凸部４２Ｐが形成される。このように、接続シールド部４２の前端角αを鈍角に設定することによって、前端凸部４２Ｐを簡易にしかも確実に形成することができる。
【０１６６】
なお、従来の薄膜磁気ヘッド７００のように、前端角が直角に設定されているときは、反前端角も直角に設定されている。すると、前端面３０ｈにおいて、接続シールド部４２と対向絶縁層２０の直角な角部同士が対峙する格好になるため、その接続シールド部４２と対峙している角部が欠落することがない。したがって、丸みを帯びた前端凸部４２Ｐは形成されない。
【０１６７】
さらに、薄膜磁気ヘッド３００は、対向絶縁層２０を有し、その傾斜上端面２０ａが下り傾斜状に形成されている。そのため、対向絶縁層２０に接する磁性層を形成すれば、その磁性層の前端角が鈍角になる。したがって、対向絶縁層２０に重ねて磁性層を形成すれば接続シールド部４２が得られるから、接続シールド部４２を確実に形成することができる。
【０１６８】
そして、薄膜磁気ヘッド３００は下部前側シールド部４１を有し、その上端面４１ａとともに前端面４１ｂが接続シールド部４２に接続されている。そのため、前端角が直角に設定されている場合よりも、接続シールド部４２と下部前側シールド部４１との接触面積が拡大される。よって、接続シールド部４２から下部前側シールド部４１への磁束の伝達が確実に行われる。
【０１６９】
一方、薄膜磁気ヘッド３００は、対向シールド部６１と、連結シールド部６３との間に配置される磁性層として、上部前側シールド部６２だけが形成されている。そのため、対向シールド部と連結シールド部との間に、前側シールド部と接続用シールド部という２つの磁性層が形成されている場合に比べて、薄膜磁気ヘッド３００は、上下方向に沿った磁路の長さが短くなり、その分、磁路長を短縮することができる。
【０１７０】
よって、薄膜磁気ヘッド３００は記録ヘッドの磁束立ち上がり時間（Flux  Rize  Time）や、非線形トランジションシフト（Non-linear  Transition  Shift:NLTS)特性、重ね書き(Over  Write)特性等を改善でき、周波数が高く変化の速い記録信号のすばやい変化に追従することが可能になる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、特にサーバに搭載されるハードディスク装置の記録ヘッドとして好適である。
【０１７１】
その上、上部前側シールド部６２は、ＡＢＳ３０から、層間絶縁膜３２を介して上部薄膜コイル５１に到達し得るだけの横幅を有している。そのため、ライトシールド層６０が異距離構造を有しているにもかかわらず、上部前側シールド部６２は対向シールド部６１と連結シールド部６３の双方に確実に接続されている。したがって、主磁極層２６に対向する対向シールド部６１と、上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐ連結シールド部６３とが１本につながり、１本につながった磁気回路を形成することができる。なお、異距離構造とは、対向シールド部６１がＡＢＳ３０内に配置され、かつ連結シールド部６３がＡＢＳ３０から後退していることによって、対向シールド部６１、連結シールド部６３それぞれのＡＢＳ３０からの距離が異なっている構造を意味している。
【０１７２】
ここで、ライトシールド層６０が異距離構造を有しているなかで、上部前側シールド部６２によって対向シールド部６１と連結シールド部６３の双方を確実に接続するための構造を考える。トリム前前側シールド部６２Ａのように、前端面のすべての部分がＡＢＳ３０内に配置されているときに上端面と下端面の大きさが最大になるから、前述の構造を実現するためには、トリム前前側シールド部６２Ａのように前端面のすべてがＡＢＳ３０内に配置されていることが望ましい。
【０１７３】
しかし、そうすると、トリム前前端面６２ａがＡＢＳ３０に大きく露出してしまう。上部前側シールド部６２もトリム前前側シールド部６２Ａも、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ、ＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材により形成されている。そのため、トリム前前側シールド部６２Ａのようにトリム前前端面６２ａの全体がＡＢＳ３０に露出していると、上部薄膜コイル５１の発熱によってフォトレジスト層５５が膨張したときの影響をトリム前前側シールド部６２Ａがより強く受けてしまう。
【０１７４】
フライングハイトは極めて微小なので、トリム前前端面６２ａの限られた微小部分が突出しただけでも、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生してしまう可能性がある。トリム前前端面６２ａの全体がＡＢＳ３０に露出しているということは、突出の対象となりえるそのような微小部分がＡＢＳ３０内にたくさん存在しているということを意味し、それだけ、記録媒体に衝突し得る突出の態様が多く、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生しやすいということを意味している。
【０１７５】
そこで、薄膜磁気ヘッド３００では、図１０の下側に示したような構造の上部前側シールド部６２を形成している。こうして、ＡＢＳ３０に露出する部分がシールド前端面６２ｂになるようにしている。
【０１７６】
そして、上部前側シールド部６２では、シールド上端面６２ｆがシールド前端面６２ｂよりも基板１から離れた位置に配置されていて、そのシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを接続するシール接続部６２ｃを上部前側シールド部６２が有している。このような構造では、シールド上端面６２ｆがＡＢＳ３０に到達している場合、すなわち、図１０の上側に示したようなトリム前前側シールド部６２ＡよりもＡＢＳ３０内に配置される前端面の大きさが小さくなる。そのため、上部前側シールド部６２を有することによって、薄膜磁気ヘッド３００が記録媒体と衝突する事態を抑制できるようになる。
【０１７７】
よって、薄膜磁気ヘッド３００では、特に上部薄膜コイル５１の発熱に伴いライトシールド層６０が突出することを抑制することができる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドの突出に伴う破損のおそれが極めて少なくなるから、記録メディアに接近させることができる。
【０１７８】
そして、薄膜磁気ヘッド３００は、図示しないスライダに組み込まれるが、そのスライダの記録媒体表面からの浮上量（フライングハイト）を縮小することができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドおよび再生ヘッドの解像度（resolution）を高め、信号対雑音比を向上させることができる。また、薄膜磁気ヘッド３００は、記録密度を高めることができる。
【０１７９】
一方、上部前側シールド部６２は、連結シールド部６３を形成した後、連結シールド部６３が接触していないＡＢＳ３０側の一部分を切除することによって形成されている。そのため、ＡＢＳ３０に露出する部分が小さいにもかかわらず、シールド上端面６２ｆが確実に確保されており、上部前側シールド部６２と連結シールド部６３とが確実に接続され得る構造となっている。
【０１８０】
また、上部前側シールド部６２のＡＢＳ３０側を切除する際、シールド前端面６２ｂが確保され、トリム前前端面６２ａのすべてが切除されることなくその一部がシールド前端面６２ｂとして残るようにしている。トリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０側を切除する際、シールド前端面６２ｂが確保されなくなるまでＩＢＥを進めると、シールド下端面６２ｒまでもが切除されるおそれがある。この場合、対向シールド部６１に接続される部分が小さくなってしまい、対向シールド部６１と、上部前側シールド部６２との接続が不十分になるおそれがある。しかし、薄膜磁気ヘッド３００では、そのようなおそれは皆無である。
【０１８１】
そして、上部前側シールド部６２はシールド接続部６２ｃを有しているが、このシールド接続部６２ｃは傾斜構造を有している。そのため、上部前側シールド部６２は前述の上方向からのＩＢＥによって確実に形成できる構造を有している。傾斜構造を有していない場合、例えば、シールド前端面６２ｂからシールド上端面６２ｆにつながる表面部分がＳ字状に屈曲していると、ＩＢＥによって、上部前側シールド部６２を形成するのは困難である。しかし、薄膜磁気ヘッド３００では、そのようなおそれは皆無であり、上方向からのＩＢＥによって確実に上部前側シールド部６２を形成することができる。
【０１８２】
また、シールド接続部６２ｃは後退傾斜構造を有しているため、後退傾斜構造を有していない場合に比べて上部前側シールド部６２の体積が縮減されている。したがって、上部前側シールド部６２が突出する可能性がいっそう抑制されている。
【０１８３】
さらに、シールド接続部６２ｃは横平坦部６２ｃ１を有している。横平坦部６２ｃ１は、概ねＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。したがって、横平坦部６２ｃ１を有していない場合よりも、保護絶縁層９０の埋込部９０ａから縦方向に受ける圧力をシールド接続部６２ｃがより確実に受け止めることができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００では、保護絶縁層９０の埋め込み状態が安定している。
【０１８４】
しかも、シールド接続部６２ｃは縦平坦部６２ｃ２を有している。縦平坦部６２ｃ２は、概ねＡＢＳ３０に沿って形成されている。したがって、上部前側シールド部６２は、トリム前前側シールド部６２Ａに対する上方向からのＩＢＥ等によって確実に形成できる構造となっている。
【０１８５】
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００は、磁路長を短縮することができ、しかもＡＢＳ３０の一部が突出することを抑制できるから、媒体対向面の一部が突出することを抑制することと、磁路長の短縮とを両立できる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、磁路長の短縮に影響を及ぼすことなくＡＢＳ３０の一部の突出を抑制できるようになっている。
【０１８６】
そして、下部薄膜コイル１１、上部薄膜コイル５１が上述のような可変幅構造を有しているから、電流の流れを妨げることが少なく、抵抗値の上昇を抑制することができる。したがって、薄膜磁気ヘッド３００は、下部薄膜コイル１１、上部薄膜コイル５１の熱の発生を効果的に抑制することができる。
【０１８７】
（変形例１）
前述の薄膜磁気ヘッド３００の場合、上部薄膜コイル５１について、硬質防護枠層が形成されていなかった。しかし、図３９に示すように、上部薄膜コイル５１についても、下部薄膜コイル１１と同様の硬質防護枠層、すなわち、上部硬質防護枠層１９９を形成してもよい。上部硬質防護枠層１９９は、上部薄膜コイル５１を外側から取り囲み、かつ上部薄膜コイル５１の外形を定める外側面の概ね全体に直に接している。上部硬質防護枠層１９９は硬質防護枠層４９と同様にＳｉＣ等の非磁性材料を用いて形成されている。また、上部硬質防護枠層１９９は硬質防護枠層４９と同様の回込み端部１９９ａを有している。フォトレジスト層５５の膨張によって外向きに広がろうとする上部薄膜コイル５１を上部硬質防護枠層１９９が抑え込むため、ＡＢＳ３０の部分的な突出がよりいっそう確実に抑制される。
【０１８８】
（変形例２）
薄膜磁気ヘッド３００は、前述した上部前側シールド部６２の代わりに図１１（ａ）に示すような上部前側シールド部６２Ｂを有していてもよい。上部前側シールド部６２Ｂは上部前側シールド部６２と比べてシールド接続部６２ｃの代わりにシールド接続部６２ｄを有する点で相違している。シールド接続部６２ｄは、シールド接続部６２ｃと比べて横平坦部６２ｃ１を有していない点で相違している。
【０１８９】
また、薄膜磁気ヘッド３００は、上部前側シールド部６２の代わりに図１１（ｂ）に示すような上部前側シールド部６２Ｄを有していてもよい。上部前側シールド部６２Ｄは上部前側シールド部６２と比べてシールド接続部６２ｃの代わりにシールド接続部６２ｅを有する点で相違している。シールド接続部６２ｅは、シールド接続部６２ｃと比べて縦平坦部６２ｃ２を有していない点で相違している。
【０１９０】
上部前側シールド部６２Ｂを有する場合、上部前側シールド部６２Ｄを有する場合のいずれも、ＡＢＳ３０内にシールド前端面６２ｂが配置され、ＡＢＳ３０内に露出している部分の大きさがトリム前前側シールド部６２Ａよりも縮減されている。そのため、トリム前前側シールド部６２Ａよりも、上部前側シールド部６２Ｂ、６２Ｄが突出する可能性は確実に抑制されている。したがって、上部前側シールド部６２Ｂを有する場合、上部前側シールド部６２Ｄを有する場合のいずれも媒体対向面の一部の突出を抑制することと、磁路長の短縮とを両立することができる。
【０１９１】
第２の実施の形態
次に、図２９〜図３１を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドについて説明する。ここで、図２９は、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３０１のＡＢＳ３０と交差する方向に沿った図１に対応する断面図である。図３０は、下部薄膜コイル１１、硬質防護枠層８９および下部前側シールド部４１を示す平面図である。
【０１９２】
薄膜磁気ヘッド３０１は薄膜磁気ヘッド３００と一致する構成を有しているので、以下の説明では、薄膜磁気ヘッド３０１の薄膜磁気ヘッド３００と相違する構成を中心に説明し、共通する構成の説明は省略ないし簡略化する。
【０１９３】
薄膜磁気ヘッド３０１の記録ヘッドは薄膜磁気ヘッド３００の記録ヘッドと比較して硬質防護枠層４９の代わりに硬質防護枠層８９を有する点で相違している。
【０１９４】
硬質防護枠層８９は、下部薄膜コイル１１および下部前側シールド部４１の全体を外側から取り囲み、かつ下部薄膜コイル１１の外側面および下部前側シールド部４１の外側面４１ｂの概ね全体に接している。また、硬質防護枠層８９は回込み端部４９ａと同様の回込み端部８９ａを有している。さらに、硬質防護枠層８９は前端部８９ｂを有している。前端部８９ｂは、下部前側シールド部４１よりもＡＢＳ３０側に配置され、かつ下部前側シールド部４１のＡＢＳ３０側の外側面４１ｂに絶縁層１９を介して接している。
【０１９５】
以上のように、薄膜磁気ヘッド３０１は硬質防護枠層８９を有しているから、フォトレジスト層１５の膨張によって外向きに広がろうとする下部薄膜コイル１１を硬質防護枠層８９の内側に留め、その外側に及ばないようにすることができる。硬質防護枠層８９は硬質防護枠層４９と異なり、前端部８９ｂを有している。この前端部８９ｂは、下部前側シールド部４１よりもＡＢＳ３０側に配置され、下部前側シールド部４１のＡＢＳ３０側の外側面４１ｂに絶縁層１９を介して接している。
【０１９６】
そして、下部薄膜コイル１１が発生するジュール熱によってフォトレジスト層１５が膨張すると、フォトレジスト層１５から下部薄膜コイル１１に対して外向きの圧力がかかる。このとき、下部薄膜コイル１１のＡＢＳ３０側に下部前側シールド部４１が配置されているため、下部前側シールド部４１が下部薄膜コイル１１からＡＢＳ３０側に向かう圧力を受ける。しかし、下部前側シールド部４１のＡＢＳ３０側に硬質防護枠層８９の前端部８９ｂが配置されている。下部薄膜コイル１１および下部前側シールド部４１の全体が硬質防護枠層８９によって取り囲まれている。薄膜磁気ヘッド３０１では、硬質防護枠層８９により、下部薄膜コイル１１および下部前側シールド部４１の外向きの広がりを、硬質防護枠層４９よりもよりＡＢＳ３０に近い箇所にて受け止めることができる。そのため、薄膜磁気ヘッド３０１では、ＡＢＳ３０の部分的な突出をより確実に抑制することができる。さらに、ＡＢＳ３０内に前端部８９ｂが配置されていることによって、下部薄膜コイル１１やシールド磁性層４０等を衝撃から保護することもできる。
【０１９７】
一方、薄膜磁気ヘッド３０１を製造するときは、薄膜磁気ヘッド３００を製造する場合と同様にフォトレジスト層８０を形成したあと、硬質非磁性層形成工程を実行することによって、硬質非磁性層８９Ａを形成する。硬質非磁性層８９Ａは、図３２（ａ）、図３２（ｂ）に示すように、前述した回込み端部８９ａを有し、前述した前端部８９ｂが下部前側シールド部４１のＡＢＳ３０内に配置されるように形成する。薄膜磁気ヘッド３００を製造するときは、硬質非磁性層４９ＡをＡＢＳ３０から後退させていたが、薄膜磁気ヘッド３０１を製造するときは、硬質非磁性層８９ＡをＡＢＳ３０に配置させる。これ以降の工程は薄膜磁気ヘッド３００を製造する場合と同様に実行する。ただし、図３２に示した状態で平坦化処理を行うと前述した硬質防護枠層８９が下部薄膜コイル１１とともに形成される。
【０１９８】
第３の実施の形態
次に、図３３〜図３５を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドについて説明する。ここで、図３３は、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３１０のＡＢＳ３０と交差する方向に沿った図１に対応する断面図である。図３４は、下部薄膜コイル１１、硬質防護枠層４９、下部前側シールド部４１および中間断熱層１４９を示す平面図である。図３５（ａ）は、薄膜磁気ヘッド３１０の製造工程における図１に対応した断面図、図３５（ｂ）は、同じく図２に対応した正面図である。
【０１９９】
薄膜磁気ヘッド３１０は薄膜磁気ヘッド３００と一致する構成を有しているので、以下の説明では、薄膜磁気ヘッド３１０の薄膜磁気ヘッド３００と相違する構成を中心に説明し、共通する構成の説明は省略ないし簡略化する。
【０２００】
薄膜磁気ヘッド３１０の記録ヘッドは薄膜磁気ヘッド３００の記録ヘッドと比較して、中間断熱層１４９を有する点で相違している。
【０２０１】
中間断熱層１４９はアルミナよりも熱伝導率の低い非磁性材料を用いて形成されている。例えば、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）は、アルミナよりも熱伝導率が低いので、窒化ケイ素を用いて中間断熱層１４９を形成することができる。
【０２０２】
中間断熱層１４９は下部薄膜コイル１１と主磁極層２６との間に形成されている。中間断熱層１４９は下部薄膜コイル１１の基板から離れた側の上面の概ね全体を覆うように形成されている。
【０２０３】
薄膜磁気ヘッド３１０は硬質防護枠層４９を有しているから、薄膜磁気ヘッド３００と同様、フォトレジスト層１５の膨張によって外向きに広がろうとする下部薄膜コイル１１を硬質防護枠層４９が抑え込むことができる。しかも、中間断熱層１４９を有するため、下部薄膜コイル１１の発生するジュール熱が下部薄膜コイル１１から主磁極層２６に伝達することを阻止することができる。下部薄膜コイル１１の発生するジュール熱が主磁極層２６に伝わると、主磁極層２６が膨張するため、ＡＢＳ３０が部分的に突出おそれがある。
【０２０４】
しかし、薄膜磁気ヘッド３１０では中間断熱層１４９が下部薄膜コイル１１と主磁極層２６との間に形成されているため、下部薄膜コイル１１の発生するジュール熱が主磁極層２６に伝わり難い。そのため、下部薄膜コイル１１の発生するジュール熱に起因したＡＢＳ３０の部分的に突出を下部薄膜コイル１１の断面積を大きくすることなく抑制することができる。
【０２０５】
そして、薄膜磁気ヘッド３１０を製造するときは、薄膜磁気ヘッド３００を製造する場合と同様に接続シールド部４２と第２の後側シールド部４５を形成した後、中間断熱層形成工程を実行することによって中間断熱層１４９を形成する。すなわち、図３５（ａ）、図３５（ｂ）に示すように、アルミナよりも熱伝導率の低い非磁性材を用いて、下部薄膜コイル１１の基板１から離れた側の上面の概ね全体を覆うように中間断熱層１４９を形成する。これ以降の工程は薄膜磁気ヘッド３００を製造する場合と同様に実行する。
【０２０６】
第４の実施の形態
次に、図３６〜図３８を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドについて説明する。ここで、図３６は、本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３１１のＡＢＳ３０と交差する方向に沿った図１に対応する断面図である。図３７は、下部薄膜コイル１１、硬質防護枠層８９、下部前側シールド部４１および中間断熱層１８９を示す平面図である。図３８（ａ）は、薄膜磁気ヘッド３１１の製造工程における図１に対応した断面図、図３８（ｂ）は、同じく図２に対応した正面図である。
【０２０７】
薄膜磁気ヘッド３１１は薄膜磁気ヘッド３０１と一致する構成を有しているので、以下の説明では、薄膜磁気ヘッド３１１の薄膜磁気ヘッド３０１と相違する構成を中心に説明し、共通する構成の説明は省略ないし簡略化する。
【０２０８】
薄膜磁気ヘッド３１１の記録ヘッドは薄膜磁気ヘッド３０１の記録ヘッドと比較して、中間断熱層１８９を有する点で相違している。
【０２０９】
中間断熱層１８９は中間断熱層１４９と同様、アルミナよりも熱伝導率の低い非磁性材料を用いて形成されている。例えば、窒化ケイ素を用いて中間断熱層１８９を形成することができる。
【０２１０】
中間断熱層１８９は下部薄膜コイル１１と主磁極層２６との間に形成されている。中間断熱層１８９は下部前側シールド層４１および下部薄膜コイル１１の基板１から離れた側の上面の概ね全体を覆うように形成されている。
【０２１１】
薄膜磁気ヘッド３１１は硬質防護枠層８９を有しているから、薄膜磁気ヘッド３０１と同様、フォトレジスト層１５の膨張によって外向きに広がろうとする下部薄膜コイル１１を硬質防護枠層８９が抑え込むことができる。しかも、中間断熱層１８９を有するため、下部薄膜コイル１１の発生するジュール熱が下部薄膜コイル１１から主磁極層２６に伝達することを阻止することができる。そのため、薄膜磁気ヘッド３１１は、薄膜磁気ヘッド３０１、薄膜磁気ヘッド３１０と同様、下部薄膜コイル１１の発生するジュール熱に起因したＡＢＳ３０の部分的に突出を下部薄膜コイル１１の断面積を大きくすることなく抑制することができる。
【０２１２】
そして、薄膜磁気ヘッド３１１を製造するときは、薄膜磁気ヘッド３０１を製造する場合と同様に接続シールド部４２と第２の後側シールド部４５を形成した後、中間断熱層形成工程を実行することによって中間断熱層１８９を形成する。すなわち、図３８（ａ）、図３８（ｂ）に示すように、アルミナよりも熱伝導率の低い非磁性材を用いて、下部薄膜コイル１１および下部前側シールド層４１の基板１から離れた側の上面の概ね全体を覆うように中間断熱層１８９を形成する。これ以降の工程は薄膜磁気ヘッド３０１を製造する場合と同様に実行する。
【０２１３】
第５の実施の形態
次に、図４０を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドについて説明する。ここで、図４０は、本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３１５のＡＢＳ３０と交差する方向に沿った図１に対応する断面図である。
【０２１４】
この薄膜磁気ヘッド３１５は、前述した薄膜磁気ヘッド３０１と比べて、下部薄膜コイル１１の代わりに下部薄膜コイル１２を有する点と、上部薄膜コイル５１の代わりに上部薄膜コイル１５０を有する点と、ライトシールド層６０の代わりにライトシールド層１６０を有する点とで相違している。
【０２１５】
下部薄膜コイル１２は、下部薄膜コイル１１と比べてターン数が４本になっている点で相違している。すなわち、下部薄膜コイル１２はターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆに加えてターン部１１ｉを有している。
【０２１６】
また、上部薄膜コイル１５０は、ＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている第１のコイル層５４および第２のコイル層５３を有し、第１のコイル層５４および第２のコイル層５３によって上部導体群を構成している。第１のコイル層５４と、第２のコイル層５３とは、ＡＢＳ３０に沿った方向（上下方向）に配置されている。第２のコイル層５３がコイル間絶縁層を介して第１のコイル層５４の上に重なっている。上部薄膜コイル１５０は２層の多重構造を有している。第１のコイル層５４と第２のコイル層５３は、ターン数が２本である。
【０２１７】
ライトシールド層１６０は、ライトシールド層６０と比較して、第２の前側シールド部６６と、第２の後側シールド部６７とを有する点で相違している。第２の前側シールド部６６は、第１の前側シールド部６２と、連結シールド部６３とに接続されている。
【０２１８】
第２の前側シールド部６６は、すべての部分がＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。また、第２の前側シールド部６６は、第２のコイル層５３のＡＢＳ３０側に配置されている。
【０２１９】
第２の後側シールド部６７は、第１の後側シールド部６４と、連結シールド部６３とに接続されている。第２の後側シールド部６７は、第１の後側シールド部６４に応じた横幅を有している。
【０２２０】
この薄膜磁気ヘッド３１５は、硬質防護枠層８９を有している。そのため、薄膜磁気ヘッド３０１と同様、フォトレジスト層１５の膨張によって外向きに広がろうとする下部薄膜コイル１１を硬質防護枠層８９が抑え込むことができるから、ＡＢＳ３０の部分的に突出を下部薄膜コイル１１の断面積を大きくすることなく抑制することができる。また、上部薄膜コイル１５０が多重構造を有しているため、ＡＢＳ３０からの奥行きを狭めることができる。
【０２２１】
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について、図４２を参照して説明する。
【０２２２】
図４１の（ａ）は、上述の薄膜磁気ヘッド３００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。また、図４１の（ｂ）はＨＧＡ２１０の裏面側を示す斜視図である。図４１（ａ）に示すように、ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（磁気記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head  Gimbals  Assembly）２１０とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、データの記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では４枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド３００に対向している。
【０２２３】
ハードディスク装置２０１は、アセンブリキャリッジ装置２０３によって、図４１（ｂ）に示すスライダ２０８をトラック上に位置決めする。このスライダ２０８に薄膜磁気ヘッド３００が形成されている。また、ハードディスク装置２０１は、複数の駆動アーム２０９を有している。各駆動アームは、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２０５によってピボットベアリング軸２０６を中心に回動し、ピボットベアリング軸２０６に沿った方向にスタックされている。そして、各駆動アームの先端にＨＧＡ２１０が取りつけられている。
【０２２４】
さらに、ハードディスク装置２０１は、記録再生を制御する制御回路（control  circuit）２０４を有している。
【０２２５】
次に、ＨＧＡ２１０について図４１（ｂ）を参照して説明する。ＨＧＡ２１０は、サスペンション２２０の先端部分にスライダ２０８が固着されている。また、ＨＧＡ２１０では、配線部材２２４の一端部がスライダ２０８の端子電極に電気的に接続されている。
【０２２６】
そして、サスペンション２２０は、ロードビーム２２２と、ロードビーム２２２の基部に設けられているベースプレート２２１と、ロードビーム２２２上の先端側からベースプレート２２１の手前側にかけて固着して支持され、弾性を備えたフレクシャ２２３と、配線部材２２４とを有している。配線部材２２４はリード導体およびその両端に電気的に接続された接続パッドを有している。
【０２２７】
ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を回転させると、スライダ２０８がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。
【０２２８】
このようなＨＧＡ２１０およびハードディスク装置２０１は薄膜磁気ヘッド３００を有しているから、ＡＢＳの部分的な突出を抑制することができる。
【０２２９】
なお、以上の各実施の形態では、変位抑制層を有する薄膜磁気ヘッドを例にとって説明しているが、本発明は、変位抑制層を有しない薄膜磁気ヘッドについても適用することができる。また、薄膜コイルがシールド磁性層４０、ライトシールド層６０の周りに平面渦巻き状に巻回されているが、主磁極層２６の周りに螺旋状に巻回されていてもよい。
【０２３０】
以上の説明は、本発明の実施の形態についての説明であって、この発明の装置及び方法を限定するものではなく、様々な変形例を容易に実施することができる。又、各実施形態における構成要素、機能、特徴あるいは方法ステップを適宜組み合わせて構成される装置又は方法も本発明に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【０２３１】
本発明を適用することにより、薄膜コイルの断面積を大きくすることなく媒体対向面の部分的な突出を抑制しすることができる。本発明は薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に利用することができる。
【符号の説明】
【０２３２】
１…基板、１１，１２…下部薄膜コイル、１１ａｆ，１１ｃｆ…外側面、２６…主磁極層、２９…ギャップ層、３０…ＡＢＳ、４０…シールド磁性層、４１…下部前側シールド部、４１ａ…上端面，４１ｂ…前端面，４２…接続シールド部、４２ａ…前端面，４２ｂ…傾斜下端面，４９，８９…硬質防護枠層、４９ａ，１９９ａ…回込み端部、５１，１５０…上部薄膜コイル、６０，１６０…ライトシールド層，６１…対向シールド部、６２…上部前側シールド部、６２ｂ…シールド前端面、６２ｃ…シールド接続部、６２ｆ…シールド上端面、６２ｒ…シールド下端面、６２ｃ１…横平坦部、６２ｃ２…縦平坦部、６３…連結シールド部、６４…後側シールド部、６５…上部ヨーク層、８９ｂ…前端部、１４９，１８９…中間断熱層、１９９…上部硬質防護枠層、２０１…ハードディスク装置、２０２…ハードディスク、２１０…ＨＧＡ、３００,３０１，３１０，３１１，３１５…薄膜磁気ヘッド。
【図１】
2013140660.tif 000003
【図２】
2013140660.tif 000004
【図３】
2013140660.tif 000005
【図４】
2013140660.tif 000006
【図５】
2013140660.tif 000007
【図６】
2013140660.tif 000008
【図７】
2013140660.tif 000009
【図８】
2013140660.tif 000010
【図９】
2013140660.tif 000011
【図１０】
2013140660.tif 000012
【図１１】
2013140660.tif 000013
【図１２】
2013140660.tif 000014
【図１３】
2013140660.tif 000015
【図１４】
2013140660.tif 000016
【図１５】
2013140660.tif 000017
【図１６】
2013140660.tif 000018
【図１７】
2013140660.tif 000019
【図１８】
2013140660.tif 000020
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
2013140660.tif 000032
【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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