(57)【要約】【課題】パーティクルの発生および拡散を抑制することができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。【解決手段】本発明の気相成長装置は、反応炉２と、反応炉２内に設けられ、被処理基板３を保持する回転自在な基板保持部材と、基板保持部材に保持された被処理基板３を加熱する基板加熱機構とを備えている。気相成長装置には、原料ガス流路５３と、パージガス流路５４とが設けられている。気相成長装置は、原料ガス流路にその内部が連通し、原料ガスを排気する原料ガス排気管１５をさらに備えている。原料ガス排気管１５の周囲にはパージガス流路５４に連通し排気されるパージガスが通過するパージガス排気開口部１６が設けられ、パージガス排気開口部１６にはその開口面積を制限する断面積調整部材１７が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応炉と、前記反応炉内に設けられ被処理基板を保持する回転自在な基板保持部材と、前記反応炉内に設けられ前記基板保持部材に保持された被処理基板を加熱する基板加熱機構とを備え、
前記基板保持部材に保持された前記被処理基板に原料ガスを供給する原料ガス流路と、少なくとも前記基板加熱機構が収容された空間を含むように設けられたパージガス流路とが設けられた気相成長装置であって、
前記原料ガス流路にその内部が連通し、原料ガスを排気する原料ガス排気管をさらに備え、
前記原料ガス排気管の周囲には前記パージガス流路に連通し、排気されるパージガスが通過するパージガス排気開口部が設けられ、前記パージガス排気開口部には前記パージガス排気開口部の開口面積を制限する断面積調整部材が設けられている、気相成長装置。
【請求項２】
前記断面積調整部材は、取り外し可能に構成されている、請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
前記断面積調整部材は、前記原料ガス排気管によって位置拘束されている、請求項１または２に記載の気相成長装置。
【請求項４】
前記断面積調整部材は、前記パージガス排気開口部の周囲に対して摺動自在に当接している、請求項３に記載の気相成長装置。
【請求項５】
反応炉と、前記反応炉内に設けられ被処理基板を保持する回転自在な基板保持部材と、前記反応炉内に設けられ前記基板保持部材に保持された被処理基板を加熱する基板加熱機構とを備え、
前記基板保持部材に保持された前記被処理基板に原料ガスを供給する原料ガス流路と、少なくとも前記基板加熱機構が収容された空間を含むように設けられたパージガス流路とが設けられた気相成長装置を用いた気相成長方法であって、
前記気相成長装置は、前記原料ガス流路にその内部が連通し、原料ガスを排気する原料ガス排気管をさらに備え、前記原料ガス排気管の周囲には前記パージガス流路に連通し、排気されるパージガスが通過するパージガス排気開口部が設けられ、前記パージガス排気開口部には、前記パージガス排気開口部の開口面積を制限する断面積調整部材が設けられており、
前記基板保持部材に保持された前記被処理基板に前記原料ガス流路により原料ガスを供給して前記被処理基板に成膜すると同時に前記パージガス流路にパージガスを供給する工程を含む、気相成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板上に薄膜を形成するための気相成長装置および気相成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、化合物半導体材料を用いる発光ダイオード、半導体レーザ、宇宙用ソーラーパワーデバイスおよび高速デバイスの製造においては、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）またはトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）等の有機金属ガスと、アンモニア（ＮＨ３）、ホスフィン（ＰＨ３）またはアルシン（ＡｓＨ３）等の水素化合物ガスとを成膜に寄与する原料ガスとして成長室に導入して化合物半導体結晶を成長させるＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法が用いられている。
【０００３】
ＭＯＣＶＤ法は、上記の原料ガスをキャリアガスと共に成長室内に導入して加熱し、所定の基板上で気相反応させることにより、その基板上に化合物半導体結晶を成長させる方法である。ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体結晶の製造においては、成長する化合物半導体結晶の品質を向上させながら、コストを抑えて、歩留まりと生産能力とを高く保つことが常に要求されている。
【０００４】
薄膜を生成するとき、反応ガスは副生成物として反応室の内壁や配管の他、反応室内部の部材等にも付着する。付着した副生成物のうち剥離した副生成物または微粒子状の副生成物がパーティクルとなる。このパーティクルが基板表面に付着すると化合物半導体の特性が劣化するため、パーティクルの発生や拡散を防止するための対策が行われている。
【０００５】
たとえば、このような対策を開示したものとして特許文献１（特開２００８−２０５０９０号公報）がある。図６に特許文献１に記載された気相成長装置の断面構造を示す。
【０００６】
排気通路１１８に、下流側が排気手段に接続された外管１２１と、該外管１２１の上流端から外管上流部に挿入された短内管１２２とを有する二重管構造の排気管１２３が設けられている。該排気管１２３の短内管１２２内の通路と、短内管１２２と外管１２１との間の通路とのいずれか一方をサセプタ１１３表面側を流れる原料ガスを排気する原料ガス排気通路１２８とし、いずれか他方をサセプタ１１３裏面側を流れるパージガスを排気するパージガス排気通路１２９としている。さらに、ガス流量の少ない通路の断面積をガス流量が多い通路の断面積より小さく形成している。ガス流量の少ない通路がパージガス排気通路１２９であり、ガス流量の多い通路が原料ガス排気通路１２８となるよう構成されている。
【０００７】
上記のように構成することにより、ガス流量の少ない通路を流れるガスは、ガス流量の多い通路を流れるガスによるエジェクター効果で吸引されて排気される。特許文献１によると、複雑な構造の自公転機構を有する気相成長装置であっても、ガス流量が少なく、比較的速度が遅い状態で流れるガスを効率よく排出することができるとされている。特許文献１に開示された発明は、これにより、局所的なガスの逆流等を防止し、膜厚分布、組成分布、再現性等の向上を図ることを目的としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−２０５０９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１に開示された方法を用いて成膜を行ったところ、反応炉内部の原料ガス流路以外の領域に原料ガスが漏れ出し、漏れ出した原料ガスがパーティクルとなり、反応炉内部を汚染すると共に被処理基板上に付着するパーティクルの原因となることが判明した。
【００１０】
この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、パーティクルの発生および拡散を抑制することができる気相成長装置および気相成長方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明に基づいた気相成長装置に従えば、反応炉と、上記反応炉内に設けられ、被処理基板を保持する回転自在な基板保持部材と、上記反応炉内に設けられ、上記基板保持部材に保持された被処理基板を加熱する基板加熱機構とを備えている。上記気相成長装置には、上記基板保持部材に保持された上記被処理基板に原料ガスを供給する原料ガス流路と、少なくとも上記基板加熱機構が収容された空間を含むように設けられたパージガス流路とが設けられている。上記気相成長装置は、上記原料ガス流路にその内部が連通し、原料ガスを排気する原料ガス排気管をさらに備えている。上記原料ガス排気管の周囲には上記パージガス流路に連通し排気されるパージガスが通過するパージガス排気開口部が設けられ、上記パージガス排気開口部には上記パージガス排気開口部の開口面積を制限する断面積調整部材が設けられている。
【００１２】
上記気相成長装置において、上記断面積調整部材は、取り外し可能に構成されていてもよい。
【００１３】
上記気相成長装置において、上記断面積調整部材は、上記原料ガス排気管によって位置拘束されていてもよい。
【００１４】
上記気相成長装置において、上記断面積調整部材は、上記パージガス排気開口部の周囲と摺動自在に当接していてもよい。
【００１５】
この発明に基づいた気相成長方法に従えば、反応炉と、上記反応炉内に設けられ被処理基板を保持する回転自在な基板保持部材と、上記反応炉内に設けられ上記基板保持部材に保持された被処理基板を加熱する基板加熱機構とを備えた気相成長装置が用いられる。上記気相成長装置は、上記基板保持部材に保持された上記被処理基板に原料ガスを供給する原料ガス流路と、少なくとも上記基板加熱機構が収容された空間を含むように設けられたパージガス流路とが設けられている。上記気相成長装置は、上記原料ガス流路にその内部が連通し、原料ガスを排気する原料ガス排気管をさらに備えている。上記原料ガス排気管の周囲には上記パージガス流路に連通し排気されるパージガスが通過するパージガス排気開口部が設けられている。上記パージガス排気開口部には、上記パージガス排気開口部の開口面積を制限する断面積調整部材が設けられている。上記気相成長方法は、上記基板保持部材に保持された上記被処理基板に上記原料ガス流路により原料ガスを供給して上記被処理基板に成膜しながらパージガス流路にパージガスを供給する工程を含む。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る気相成長装置および気相成長方法によると、パーティクルの発生および拡散を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態１の気相成長装置の構造を示す縦断面図である。
【図２】実施の形態１の断面積調整部材の構造を示す斜視図であり、（ａ）は原料ガス排気管および断面積調整部材の分解斜視図であり、（ｂ）は反応炉の内部に設置された状態の断面積調整部材の構造を示す断面斜視図である。
【図３】パージガス排気通路の隙間とパージガス流路および原料ガス流路の断面積比との関係を示す図である。
【図４】異なる断面積調整部材の構造を示す斜視図である。
【図５】実施の形態２の気相成長装置の構造を示す縦断面図である。
【図６】従来の気相成長装置の構造を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、この発明に基づいた各実施の形態における気相成長装置および気相成長方法について、図を参照しながら説明する。なお、各実施の形態において、同一または相当箇所については同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さないこととする。
【００１９】
（実施の形態１）
以下、本発明に係る実施の形態１について、図面を参照して説明する。
【００２０】
図１に、実施の形態１の気相成長装置としてのＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ：有機金属気相堆積）装置の縦断面図を示す。
【００２１】
本実施の形態のＭＯＣＶＤ装置１０は、図１に示すように、内部を大気側と隔離し、気密状態を保持する成長室としての反応室１を有する反応炉２と、反応室１の内部に設けられて被処理基板３が載置されるサセプタ４とを備えている。被処理基板３はサセプタ４の上に直接載置される場合と、サセプタ４の上に石英のスペーサなどを載置しその上に載置される場合とがある。このサセプタ単体、または、サセプタと石英のスペーサなどの組み合わせが、基板保持部材を構成する。
【００２２】
反応炉２には反応炉天板２０が設けられている。反応炉２の本体と反応炉天板２０との間にはＯリング５１が設けられている。Ｏリング５１により、反応炉２の本体と反応炉天板２０とは気密状態を保持している。反応炉天板２０には、原料ガス供給管２１が配設されている。
【００２３】
サセプタ４の下側には、基板加熱ヒータ６が設けられている。図示しないが、基板加熱ヒータ６としては、複数エリアの個別加熱が可能なマルチゾーンヒータを用いることができる。基板加熱ヒータ６の下側および側面を覆うように、基板加熱ヒータ６の熱を反射するリフレクタ５２が設けられている。
【００２４】
サセプタ４は回転軸５によって支持され、回転自在とされている。サセプタ４の側面や基板加熱ヒータ６を収容するヒータ室側に反応生成物が付着したり雑晶が成膜されることを抑制するため、流路構成部材５５により反応室１とヒータ室とは区画されている。
【００２５】
反応炉２の内部の反応室１の下流側には排気通路１１が設けられている。排気通路１１の下流には、サセプタ４上の原料ガス流路５３より十分に大きな空間を有する排気バッファ部１２が形成されている。排気バッファ部１２には、複数の排気口１３が設けられている。
【００２６】
反応炉底板７には反応炉側排気口１４が設けられている。排気バッファ部１２と反応炉側排気口１４を接続する原料ガス排気管１５がその下流側端部を反応炉側排気口１４に挿入した状態で設けられている。原料ガス排気管１５の外周側と反応炉側排気口１４の内周面との隙間には、パージガス排気開口部１６が設けられている。
【００２７】
反応炉２の内部の少なくとも基板加熱ヒータ６を収容する空間を含むようにパージガス流路５４が設けられている。パージガス流路５４は、サセプタ４の下面と基板加熱ヒータ６の上面との間やリフレクタ５２と基板加熱ヒータ６との間の他、基板加熱ヒータ６とパージガス供給管１８，１９との間などに形成されている。
【００２８】
パージガスはサセプタ４と流路構成部材５５との間などから原料ガスが漏れ出して基板加熱ヒータ６などを腐食させることなどを防止するものである。したがって、原料ガスが供給されている間は常時パージガス流路５４に、パージガス供給管１８，１９からパージガスが供給される。
【００２９】
ＭＯＣＶＤ装置１０にて被処理基板３の主表面に薄膜を形成するときは、原料ガスを、原料ガス供給管２１から反応室１へ導入する。このとき、基板加熱ヒータ６にて、サセプタ４を介して被処理基板３が加熱される。被処理基板３が加熱されることで、被処理基板３上での成膜化学反応が促進され、被処理基板３の上面に薄膜が形成される。被処理基板３の上面に沿って流れる原料ガスは、最終的に、反応炉側排気口１４からパージガスと混合した状態で排出される。
【００３０】
次に、断面積調整部材１７の構造について説明する。断面積調整部材１７は、排気されるパージガスが通過するパージガス排気開口部１６の開口面積を制限するように設置される。
【００３１】
図２に断面積調整部材の斜視図を示す。図２（ａ）は、原料ガス排気管１５と断面積調整部材１７の分解斜視図であり、図２（ｂ）は、反応炉２の内部に設置された状態の断面積調整部材１７の構造を示す断面斜視図である。
【００３２】
断面積調整部材１７は、取り外し可能なように単独で存在している。断面積調整部材１７は、原料ガス排気管１５がその内径部に挿入できるように構成されている。原料ガス排気管１５の外径Ｄと断面積調整部材１７の内径ｄとは略同一である。これにより断面積調整部材１７は原料ガス排気管１５に位置拘束されている。断面積調整部材１７を他の手段で位置決めする場合には、原料ガス排気管１５により位置拘束されない構成とすることもできる。
【００３３】
断面積調整部材１７には、パージガス流路開口部２２が設けられている。図２（ｂ）に示すように、断面積調整部材１７を反応炉２の内部に設置した状態では、パージガス排気開口部１６の一部を閉鎖してその開口面積を制限する。パージガスは、パージガス流路開口部２２を通じて排気される。
【００３４】
通常、化合物半導体結晶を成長させるＭＯＣＶＤ法においては、原料ガスの流量は、パージガスの流量よりも多くなる。特許文献１に開示された気相成長相装置においては、パージガス排気通路の断面積は、原料ガス排気通路の断面積より小さく構成されている。ここで従来の気相成長装置の問題点についてより詳しく説明する。
【００３５】
特許文献１の実施例に基づくと、原料ガス流量が２００ｓｌｍ、パージガス流量が２０ｓｌｍとされているので、流量比は１０：１となる。この場合に原料ガス排気通路とパージガス排気通路との断面積比を２：１とした場合、流速比は、５：１となる。
【００３６】
特許文献１においては、この原料ガスとパージガスとの流速の差によってエジェクタ効果が生じ、このエジェクタ効果によって原料ガスの排気に伴ってパージガスが吸引されるとされている。このように原料ガスによるエジェクター効果でパージガスを吸引することは、パージガス流路の圧力を低下させることにつながる。
【００３７】
原料ガス流路とパージガス流路との間には、両者を連通させる隙間が不可避的に存在する。そのため、パージガス流路の圧力が低下すると、その隙間を通じて原料ガス流路からパージガス流路に原料ガスが漏れ出すという問題がある。
【００３８】
原料ガスが漏れ出した場合には、予期しない箇所、たとえば反応炉内壁面などに、副生成物が堆積する。その付着した副生成物のうち剥離した副生成物または微粒子状の副生成物がパーティクルとなり、被処理基板にコンタミネーションとして付着する。このようなコンタミネーションは、被処理基板の膜質の劣化、歩留まりの低下、メンテナンスによる装置稼働率低下などを引き起こす。
【００３９】
実際に、特許文献１に開示された方法を用いて成膜を行ったところ、反応炉内部の原料ガス流路以外の領域に原料ガスが漏れ出し、パーティクルとなり、反応炉内部の汚染および被処理基板上にパーティクルが付着する原因となってしまうことが判明した。
【００４０】
このようなエジェクタ効果の悪影響を回避するために、エジェクター効果によるパージガスの吸引が生じないようにすることが好ましい。そのためには排気時の原料ガスとパージガスとの流速の差をできるだけ小さくする必要がある。流速の差を小さくするためには、原料ガスとパージガスの流量比に対応するように、パージガス排気通路の断面積を原料ガス排気通路の断面積よりも十分に小さく設定することが好ましい。
【００４１】
ここで特許文献１に記載されている気相成長装置の場合、断面積比を変化させるためには、図６における短内管１２２の外径を大きく構成するか、外管１２１の内径を小さく構成することとなる。図３に、外管１２１に５０Ａ配管（外径が６０．５ｍｍの配管）を用いた場合のパージガス排気通路１２９の隙間（（外管１２１の内径−短内管１２２の外径）／２＝Ｌ）と、パージガス排気通路および原料ガス排気通路の断面積比との関係を示す。
【００４２】
たとえば、断面積比を大きくする場合には、隙間を広げる方向であるので問題はない。しかし、断面積比を０．２（原料ガス排気通路：パージガス排気通路＝５：１）と小さくするためには、隙間は２ｍｍ程度の非常に小さいものとなる。このような小さい隙間の場合には、熱膨張時の接触による変形が発生する可能性がある。そのため従来の構造では断面積比を小さくすることは困難であった。
【００４３】
本実施の形態においては、隙間を確保するためにパージガス排気開口部１６の面積を十分に大きくした場合でも、断面積調整部材１７が設けられているのでパージガス排気開口部１６の開口面積を自在に制限することができる。これにより上述のような小さい断面積比を得ることができる。
【００４４】
図２に示す断面積調整部材１７においては、パージガス流路開口部２２は、中心を貫通する原料ガス排気管１５の表面に沿って形成されている。パージガス流路開口部２２は、図４に示すように貫通する原料ガス排気管１５の中心と同心円上に複数個配置して形成してもよい。図４においては、各パージガス流路開口部２２は円孔としている。
【００４５】
断面積調整部材１７は、個別の部品であり、取り外し可能に構成されているので、パージガス流量や、反応炉内部への副生成物の付着具合に応じて交換できる。これにより容易かつ安価にパージガス排気開口部１６の面積を制限することが可能となる。
【００４６】
また、断面積調整部材１７は原料ガス排気管１５が挿入されて水平方向には位置拘束されているが、反応炉底板７に対しては自重で載っている状態となる。言い換えると、断面積調整部材１７は、原料ガス排気管１５に位置拘束されながら、パージガス排気開口部１６の周囲を構成する反応炉底板７に摺動自在に載置されている。
【００４７】
一般的にＭＯＣＶＤ装置においては、成膜温度が７００〜１２００℃と非常に高温となるため、必然的に原料ガス温度も高温となる。サセプタ４上を通過した原料ガスが流れる箇所の温度は上昇し熱膨張する。そのため、排気バッファ部１２に設けられた複数の排気口１３の位置も外側にずれてしまう。その一方、反応炉２や反応炉底板７は水冷されており、その寸法はほとんど変化しない。
【００４８】
排気口１３の位置がずれると、反応炉側排気口１４の位置と原料ガス排気管１５との相対位置がずれてしまう。この場合でもパージガス排気開口部１６の面積は変化しないが、反応炉側排気口１４と原料ガス排気管１５とは同心円上に位置しなくなる。その結果、従来の構造では、開口部に広い箇所と狭い箇所が発生してしまい、パージガス排気流速の不均衡が生じる。これにより原料ガスが漏れ出してパーティクルとなり、反応炉内部の汚染および被処理基板上にパーティクルが付着する原因となる可能性がある。
【００４９】
本実施の形態においては、まず、反応炉側排気口１４と原料ガス排気管１５との隙間を十分に広く確保することができる。さらに、上述のように反応炉側排気口１４の位置と、原料ガス排気管１５の相対位置がずれた場合においても、パージガス排気開口部１６の上に設置された断面積調整部材１７は、原料ガス排気管１５に位置拘束されており、原料ガス排気管１５と一緒に移動することとなる。
【００５０】
そのため、断面積調整部材１７に構成されたパージガス流路開口部２２の断面積は変化することが無く、また、原料ガス排気管１５に伴って移動することにより、原料ガス排気管１５とパージガス流路開口部２２との相対位置は変化しない。
【００５１】
これにより成膜のための温度変化の影響を受けずに、常に安定して一定のパージガスを排気する経路を確保することが可能となる。その結果、原料ガスが漏れ出し、パーティクルとなり、反応炉内部の汚染および被処理基板上にパーティクルが付着する原因となることを防止することができる。
【００５２】
ここで一般的に気相成長装置を用いて化合物半導体結晶を成長させる場合には、反応炉内の圧力や流量条件を変化させることがある。この場合、圧力が変化するとパージガスの流量と原料ガスの流量の比が変わる場合もある。その結果、従来の気相成長装置においては、当初想定していたバランスが崩れることになり、反応炉内部の原料ガス流路以外の領域に原料ガスが漏れ出してパーティクルとなることがあった。
【００５３】
さらに、反応炉内を減圧状態からより高い圧力へ圧力変化させる際には、原料ガスおよびパージガスを供給して圧力を調整する。このとき従来の気相成長装置においてはパージガス排気開口部を通じて、排気配管内に堆積していた微粒子状の副生成物がパージガス流路に逆流することがあった。この場合、反応炉内部にパーティクルの堆積が及び、被処理基板にコンタミネーションとして付着することがあった。
【００５４】
本実施の形態の構成によると、上記のような条件であっても、パージガス排気開口部１６に設けた断面積調整部材１７によって開口面積が制限されているため、排気配管内に堆積していた微粒子状の副生成物がパージガス流路に逆流し難くなっている。これにより上記のような不具合を回避することができる。
【００５５】
本実施の形態の気相成長装置を用いることにより、次のような工程を含む気相成長方法を実施することができる。
【００５６】
まず、第一の工程として、反応炉２の内部に適切な寸法の断面積調整部材１７を配置する。これにより、パージガス排気開口部１６の開口面積を制限することで原料ガス流路とパージガス流路との断面積比を適切に調整する。
【００５７】
次にサセプタ４に被処理基板３を配置すると共に原料ガスおよびパージガスを原料ガス供給管２１およびパージガス供給管１８，１９に供給して、被処理基板に薄膜を成膜させる。このとき基板加熱ヒータ６により適切な温度に被処理基板３を加熱する。
【００５８】
このような気相成長方法によると、原料ガス排気通路とパージガス排気通路との断面積比が適切に保たれることにより、エジェクタ効果の発生を防止できる。これによりパージガス流路の圧力が低下することによる、パーティクルの発生および拡散を抑制することができる。
【００５９】
（実施の形態２）
図５に実施の形態２の気相成長装置としてのＭＯＣＶＤ装置の縦断面図を示す。本実施の形態においては、原料ガス排気管１５は、反応炉側排気口１４に挿入されない長さに設定されている。原料ガス排気管１５は断面積調整部材１７に挿入されているが、原料ガス排気管１５の下流側端部は、断面積調整部材１７の厚み内に位置している。
【００６０】
このように構成した場合でも、断面積調整部材１７の内周面によってパージガス流路開口部２２を規定することができる。したがって、原料ガス排気管１５の下端は必ずしも反応炉側排気口１４に挿入される必要はない。
【００６１】
以上説明したように、これらの実施の形態によると、パーティクルの発生および拡散を抑制し、被処理基板の膜質や均一性の劣化を低減し、歩留まりを向上させ、メンテナンスによる装置稼働率低下を防止することのできる気相成長装置及び気相成長方法を提供することが可能となる。
【００６２】
本発明においては、ＭＯＣＶＤ装置を構成する反応炉およびその他の部材の構造が図１や図５に示す構造に限定されないことは言うまでもない。
【００６３】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６４】
１  反応室、２  反応炉、３  被処理基板、４  サセプタ、５  回転軸、６  基板加熱ヒータ、７  反応炉底板、１０  ＭＯＣＶＤ装置、１１  排気通路、１２  排気バッファ部、１３  排気口、１４  反応炉側排気口、１５  原料ガス排気管、１６  パージガス排気開口部、１７  断面積調整部材、１８，１９  パージガス供給管、２０  反応炉天板、２１  原料ガス供給管、２２  パージガス流路開口部、５１  Ｏリング、５２  リフレクタ、５３  原料ガス流路、５４  パージガス流路、５５  流路構成部材。
【図１】
2013171972.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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