(57)【要約】      （修正有）【課題】高抵抗体の抵抗値の低下に起因する不良の発生による歩留まり低下を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に下地膜を成膜する工程と、前記下地膜の表面を洗浄する工程と、前記下地膜上にシリコン膜からなる抵抗体を形成する工程と、を具備する。前記半導体基板は複数のシリコンウエハー１０であり、前記工程の少なくとも１つは、複数のシリコンウエハー１０の表面と裏面を互いに対向させてウエハーカセット１１に装填した状態で行われる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に下地膜を成膜する工程と、
前記下地膜の表面を洗浄する工程と、
前記下地膜上にシリコン膜からなる抵抗体を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記抵抗体のシート抵抗は、０．０１〜１００ＧΩ／□であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記洗浄する工程は、前記下地膜の表面を水洗する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記下地膜は、ゲート絶縁膜、ＬＯＣＯＳ酸化膜及び素子分離膜のいずれかであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記抵抗体を形成する工程の後に、前記抵抗体及び前記下地膜の上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に、前記抵抗体上に位置するビアホールを形成し、
前記ビアホール内及び前記絶縁膜上に配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記半導体基板は複数のシリコンウエハーであり、
前記下地膜を成膜する工程、前記洗浄する工程及び前記抵抗体を形成する工程の少なくとも一つの工程は、前記複数のシリコンウエハーの表面と裏面を互いに対向させてウエハーカセットに装填した状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記ウエハーカセットに装填された前記複数のシリコンウエハーのうち最も端のシリコンウエハーがダミーウエハーであり、前記ダミーウエハーは前記シリコンウエハーの表面と対向していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記半導体基板は複数のシリコンウエハーであり、
前記下地膜を形成する工程と前記洗浄する工程の間、及び前記洗浄する工程と前記抵抗体を形成する工程の間それぞれに、前記複数のシリコンウエハーを搬送する工程を有しており、
前記搬送する工程は、前記複数のシリコンウエハーの表面と裏面を互いに対向させてウエハーカセットに装填した状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記ウエハーカセットに装填された前記複数のシリコンウエハーのうち最も端のシリコンウエハーがダミーウエハーであり、前記ダミーウエハーは前記シリコンウエハーの表面と対向していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高抵抗体を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの回路には、ノンドープのシリコン膜（ポリシリコン膜またはアモルファスシリコン膜）からなる高抵抗体（HR：High Resistance）が使用される。この高抵抗体のシート抵抗は０．０１〜１００ＧΩ／□である。
【０００３】
ＩＣ等の半導体装置はクリーンルームで製造され、このクリーンルームの雰囲気中にはボロン等の不純物が微量に存在する。このため、ボロン等の不純物が上記の高抵抗体に取り込まれて汚染されると、高抵抗体の抵抗値が許容できないほど大きく低下してしまい、不良が発生することがある。以下に図２及び図３を用いて詳細に説明する。
【０００４】
図２（Ａ），（Ｂ）は、半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
＜１．洗浄工程，酸化工程＞
シリコン基板１２を洗浄した後に、図２（Ａ）に示すように、シリコン基板１２の表面を選択的に熱酸化することにより、シリコン基板１２の表面にＬＯＣＯＳ酸化膜１３が形成される。次いで、このＬＯＣＯＳ酸化膜１３の周囲に位置するシリコン基板１２を熱酸化することにより、シリコン基板１２の表面上にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１４を形成する。なお、ＬＯＣＯＳ酸化膜１３の形成及びゲート絶縁膜１４の形成は、酸化炉によって行われる。
【０００５】
＜２．検査工程＞
次いで、クリーンルーム内で酸化炉から検査装置へシリコン基板１２を搬送し、検査装置によってＬＯＣＯＳ酸化膜１３等の膜厚測定等の検査を行う。
【０００６】
次いで、クリーンルーム内で検査装置からＣＶＤ（chemical vapor deposition）炉へシリコン基板１２を搬送する。このようにクリーンルーム内を搬送している間、酸化炉及び検査装置での処理中に、クリーンルームの雰囲気中に微量に存在するボロン等の不純物１５がＬＯＣＯＳ酸化膜１３及びゲート絶縁膜１４の上に付着する（図２（Ａ）参照）。
【０００７】
＜３．成膜工程＞
次に、図２（Ｂ）に示すように、ＬＯＣＯＳ酸化膜１３及びゲート絶縁膜１４の上にノンドープのポリシリコン膜をＣＶＤ炉によって成膜する。
【０００８】
＜４．検査工程＞
次いで、クリーンルーム内でＣＶＤ炉から検査装置へシリコン基板１２を搬送し、検査装置によってポリシリコン膜の膜厚測定等の検査を行う。
【０００９】
次に、このポリシリコン膜をエッチング加工することによりＬＯＣＯＳ酸化膜１３上にポリシリコン膜からなる高抵抗体１６を形成する。ただし、ポリシリコン膜の成膜中にＬＯＣＯＳ酸化膜１３に付着しているボロン等の不純物１５がポリシリコン膜に拡散することで、高抵抗体１６内にはボロン等の不純物１５が取り込まれる（図２（Ｂ）参照）。
【００１０】
この後、高抵抗体１６を含む全面上に層間絶縁膜１７を形成し、この層間絶縁膜１７に高抵抗体１６の電極部１６ａ，１６ｂそれぞれ上に位置するビアホールを形成する。次いで、ビアホール内及び層間絶縁膜１７の上に配線材料膜を成膜し、配線材料膜をエッチング加工することにより配線１８ａ，１８ｂが形成される。
【００１１】
図３（Ａ），（Ｂ）は、他の半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
＜１．洗浄工程，酸化工程＞
シリコン基板１２を洗浄した後に、図３（Ａ）に示すように、シリコン基板１２を熱酸化することにより、シリコン基板１２の表面上にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１４を形成する。なお、ゲート絶縁膜１４の形成は、酸化炉によって行われる。
【００１２】
＜２．検査工程＞
次いで、クリーンルーム内で酸化炉から検査装置へシリコン基板１２を搬送し、検査装置によってゲート絶縁膜１４の膜厚測定等の検査を行う。
【００１３】
次いで、クリーンルーム内で検査装置からＣＶＤ炉へシリコン基板１２を搬送する。このようにクリーンルーム内を搬送している間等に、ボロン等の不純物１５がゲート絶縁膜１４上に付着する（図３（Ａ）参照）。
【００１４】
＜３．成膜工程，検査工程＞
次に、図２に示す従来の半導体装置の製造方法と同様の方法で、ゲート絶縁膜１４上にポリシリコン膜からなる高抵抗体１６を形成する。ただし、ポリシリコン膜の成膜中にゲート絶縁膜１４に付着しているボロン等の不純物１５がポリシリコン膜に拡散することで、高抵抗体１６内にはボロン等の不純物１５が取り込まれる（図３（Ｂ）参照）。
【００１５】
この後、図２に示す従来の半導体装置の製造方法と同様の方法で、層間絶縁膜１７及び配線１８ａ，１８ｂを形成する（図３（Ｂ）参照）。
【００１６】
上述したように、従来の半導体装置の製造方法及び他の従来の半導体装置の製造方法では、ゲート絶縁膜１４に付着しているボロン等の不純物１５がポリシリコン膜に拡散することで、高抵抗体１６内にはボロン等の不純物１５が取り込まれてしまう。その結果、高抵抗体の抵抗値が許容できないほど大きく低下してしまい、不良が発生するという問題がある。この問題は、ポリシリコン膜に限定されず、アモルファスシリコン膜等のシリコン膜でも生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開平１−１４９４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の幾つかの態様は、高抵抗体の抵抗値の低下に起因する不良の発生による歩留まり低下を抑制できる半導体装置の製造方法に関連している。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の一態様は、半導体基板上に下地膜を成膜する工程と、
前記下地膜の表面を洗浄する工程と、
前記下地膜上にシリコン膜からなる抵抗体を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００２０】
また、本発明の一態様において、前記抵抗体のシート抵抗は、０．０１〜１００ＧΩ／□であるとよい。
【００２１】
また、本発明の一態様において、
前記洗浄する工程は、前記下地膜の表面を水洗する工程であるとよい。
【００２２】
また、本発明の一態様において、
前記下地膜は、ゲート絶縁膜、ＬＯＣＯＳ酸化膜及び素子分離膜のいずれかであるとよい。
【００２３】
また、本発明の一態様において、
前記抵抗体を形成する工程の後に、前記抵抗体及び前記下地膜の上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に、前記抵抗体上に位置するビアホールを形成し、
前記ビアホール内及び前記絶縁膜上に配線を形成するとよい。
【００２４】
また、本発明の一態様において、
前記半導体基板は複数のシリコンウエハーであり、
前記下地膜を成膜する工程、前記洗浄する工程及び前記抵抗体を形成する工程の少なくとも一つの工程は、前記複数のシリコンウエハーの表面と裏面を互いに対向させてウエハーカセットに装填した状態で行われるとよい。
【００２５】
また、本発明の一態様において、
前記ウエハーカセットに装填された前記複数のシリコンウエハーのうち最も端のシリコンウエハーがダミーウエハーであり、前記ダミーウエハーは前記シリコンウエハーの表面と対向しているとよい。
【００２６】
また、本発明の一態様において、
前記半導体基板は複数のシリコンウエハーであり、
前記下地膜を形成する工程と前記洗浄する工程の間、及び前記洗浄する工程と前記抵抗体を形成する工程の間それぞれに、前記複数のシリコンウエハーを搬送する工程を有しており、
前記搬送する工程は、前記複数のシリコンウエハーの表面と裏面を互いに対向させてウエハーカセットに装填した状態で行われるとよい。
【００２７】
また、本発明の一態様において、
前記ウエハーカセットに装填された前記複数のシリコンウエハーのうち最も端のシリコンウエハーがダミーウエハーであり、前記ダミーウエハーは前記シリコンウエハーの表面と対向しているとよい。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】（Ａ）は本発明の一態様に係るウエハーカセットを示す正面図、（Ｂ）は（Ａ）に示すウエハーカセットの上面図
【図２】（Ａ），（Ｂ）は半導体装置の製造方法を説明するための断面図
【図３】（Ａ），（Ｂ）は他の半導体装置の製造方法を説明するための断面図
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。例えば、シリコン膜は、ポリシリコン膜に限定されず、アモルファスシリコン膜でもよい。酸化炉、CVD炉は縦型でも、横型でもよい。
【００３０】
＜ウエハーカセット＞
図１（Ａ）は、本発明の一態様に係るウエハーカセットを示す正面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すウエハーカセットの上面図である。
【００３１】
図１に示すウエハーカセット１１は、ウエハーカセット天板１１ａと、２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａそれぞれを挿入してセットするための１番から２５番のスロットを有している（図１（Ａ）参照）。これらのスロットそれぞれにシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを挿入してウエハーカセット１１にセットされる。つまり、図１（Ａ）は、２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａそれぞれの表面と裏面を互いに対向させてウエハーカセット１１に装填した状態を示している。
【００３２】
なお、シリコンウエハー１０の表面は図１（Ａ）中の上側に相当し、シリコンウエハー１０の裏面は図１（Ａ）中の下側に相当する。シリコンウエハー１０の表面は、高抵抗体等の半導体素子が形成される能動面である。２４枚のシリコンウエハー１０は製品用ウエハーであり、１枚のダミーウエハー１０ａは製品として用いない。
【００３３】
また、図１（Ａ）に示すダミーウエハー１０ａは、ウエハーカセット１１のスロット番号２５に挿入されたウエハー、即ちウエハーカセット１１に挿入された２５枚のウエハーのうち最も上（最も端）に位置するウエハーである。ダミーウエハー１０ａはスロット番号２４に挿入されたシリコンウエハー１０の表面と対向している。
【００３４】
＜１．洗浄工程＞
図１（Ａ）に示すシリコンウエハーが挿入されたウエハーカセット１１を洗浄装置に搬送し、ウエハーカセット１１から２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａを取り出す。その取り出されたシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを洗浄装置に投入し、この洗浄装置によってシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを洗浄する。これにより、シリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａそれぞれに付着しているボロン等の不純物が除去される。
【００３５】
次に、洗浄装置から２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａを取り出し、その取り出されたシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを図１（Ａ）に示すウエハーカセット１１に装填する。
【００３６】
＜２．酸化工程＞
次いで、図１（Ａ）に示すウエハーカセット１１をクリーンルーム内の図示せぬ酸化炉に搬送し、ウエハーカセット１１から２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａを取り出す。その取り出された１ロットのシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを上記の酸化炉のカセットに装填する。
【００３７】
このカセットは、図１（Ａ）に示すウエハーカセット１１とほぼ同様の構造を有しており、２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａそれぞれを挿入してセットするための１番から２５番のスロットを有している。これらのスロットそれぞれにシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを挿入してカセットにセットされる。ダミーウエハー１０ａは、カセットのスロット番号２５に挿入される。即ち、カセットに挿入された２５枚のウエハーのうち最も上（最も端）にダミーウエハー１０ａが位置する。
【００３８】
次いで、この酸化炉によって２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａを熱酸化することにより、シリコンウエハー１０上に下地膜としての絶縁膜、例えばＬＯＣＯＳ酸化膜１３、ゲート絶縁膜１４を形成する。
詳細には、図２（Ａ）に示すように、シリコン基板（シリコンウエハー）１２の表面を選択的に熱酸化することにより、シリコン基板１２の表面にＬＯＣＯＳ酸化膜１３が形成される。次いで、このＬＯＣＯＳ酸化膜１３の周囲に位置するシリコン基板１２を熱酸化することにより、シリコン基板１２の表面上にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１４を形成する。
【００３９】
このようにして形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜１３及びゲート絶縁膜１４の上には、図２（Ａ）に示すように、クリーンルームの雰囲気中に微量に存在するボロン等の不純物１５が付着する。特にウエハーカセット１１の最上段（２５番スロット）のダミーウエハー１０ａには気流が当りやすいため、そのダミーウエハーの全面に多量の不純物１５が付着することがある。また、最上段ではないシリコンウエハー１０についても、気流の回り込みにより、ウエハー最外周部を中心に不純物１５の付着量が多くなることがある。
【００４０】
次に、酸化炉から２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａを取り出し、その取り出されたシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを図１（Ａ）に示すウエハーカセット１１に装填する。
【００４１】
＜３．検査工程＞
次に、クリーンルーム内で酸化炉から検査装置（図示せず）へウエハーカセット１１を搬送する。次いで、ウエハーカセット１１から２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａを取り出し、検査装置によってＬＯＣＯＳ酸化膜１３等の膜厚測定等の検査を行う。その後、図１（Ａ）に示すウエハーカセット１１にシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを装填する。
【００４２】
＜４．洗浄工程＞
次に、クリーンルーム内で検査装置から洗浄装置（図示せず）へウエハーカセット１１を搬送する。次いで、ウエハーカセット１１から２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａを取り出し、その取り出されたシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを洗浄装置のカセットに装填する。
【００４３】
このカセットは、図１（Ａ）に示すウエハーカセット１１とほぼ同様の構造を有しており、２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａそれぞれを挿入してセットするための１番から２５番のスロットを有している。これらのスロットそれぞれにシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを挿入してカセットにセットされる。ダミーウエハー１０ａは、カセットのスロット番号２５に挿入される。即ち、カセットに挿入された２５枚のウエハーのうち最も上（最も端）にダミーウエハー１０ａが位置する。
【００４４】
次いで、このカセットを洗浄装置の純水で満たされた洗浄槽に浸漬させることによってシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを水洗する。これにより、シリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａそれぞれに付着しているボロン等の不純物が除去される。ボロンは水溶性であるため水洗により除去される。
【００４５】
次に、洗浄装置のカセットから２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａを取り出し、その取り出されたシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを図１（Ａ）に示すウエハーカセット１１に装填する。
【００４６】
＜５．成膜工程＞
次いで、クリーンルーム内で検査装置から図示せぬＣＶＤ炉へウエハーカセット１１を搬送し、ウエハーカセット１１から２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａを取り出す。その取り出された１ロットのシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを上記のＣＶＤ炉のカセットに装填する。このカセットは、前記の酸化炉のカセットと同様の構造を有しており、２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａそれぞれを同様に挿入してセットする。
【００４７】
次いで、このＣＶＤ炉によって２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａの上にノンドープのポリシリコン膜を成膜する。
詳細には、ＬＯＣＯＳ酸化膜１３及びゲート絶縁膜１４の上にノンドープのポリシリコン膜をＣＶＤ炉によって成膜する（図２（Ｂ）参照）。
【００４８】
前記の洗浄工程によってＬＯＣＯＳ酸化膜１３及びゲート絶縁膜１４の上に付着していたボロン等の不純物１５が除去されたため、成膜されたポリシリコン膜にはボロン等の不純物が拡散して取り込まれるのを抑制することができる。
【００４９】
次に、ＣＶＤ炉から２４枚のシリコンウエハー１０及び１枚のダミーウエハー１０ａを取り出す。その取り出されたダミーウエハー１０ａを回収し、２４枚のシリコンウエハー１０を図１（Ａ）に示すウエハーカセット１１に装填する。
【００５０】
＜６．検査工程＞
次に、クリーンルーム内でＣＶＤ炉から検査装置（図示せず）へウエハーカセット１１を搬送する。次いで、ウエハーカセット１１から２４枚のシリコンウエハー１０を取り出し、検査装置によってポリシリコン膜の膜厚測定等の検査を行う。その後、図１（Ａ）に示すウエハーカセット１１にシリコンウエハー１０を装填する。
【００５１】
次に、上記のポリシリコン膜をエッチング加工することによりＬＯＣＯＳ酸化膜１３上にポリシリコン膜からなる高抵抗体１６を形成する（図２（Ｂ）参照）。ただし、上述したように洗浄工程によってＬＯＣＯＳ酸化膜１３及びゲート絶縁膜１４の上に付着していたボロン等の不純物１５が除去されたため、ボロン等の不純物１５が高抵抗体１６内に取り込まれることを抑制できる。従って、図２（Ｂ）に示すような不純物１５は、高抵抗体１６内に混入されていないか、又は、混入されていたとしても量的に少ない状態になっている。
【００５２】
この後、高抵抗体１６を含む全面上に層間絶縁膜１７を形成し、この層間絶縁膜１７に高抵抗体１６の電極部１６ａ，１６ｂそれぞれ上に位置するビアホールを形成する。次いで、ビアホール内及び層間絶縁膜１７の上に配線材料膜を成膜し、配線材料膜をエッチング加工することにより配線１８ａ，１８ｂが形成される（図２（Ｂ）参照）。
【００５３】
本実施の形態によれば、洗浄工程によってＬＯＣＯＳ酸化膜１３及びゲート絶縁膜１４の上に付着していたボロン等の不純物１５を除去するため、ボロン等の不純物１５が高抵抗体１６内に取り込まれることを抑制できる。従って、高抵抗体１６の抵抗値の低下に起因する不良の発生による歩留まり低下を抑制することができる。
【００５４】
また、本実施の形態では、洗浄工程と酸化工程の間、酸化工程と検査工程の間、検査工程と洗浄工程の間、洗浄工程と成膜工程の間それぞれにおいて、ウエハーカセット１１にシリコンウエハー１０及びダミーウエハー１０ａを装填した状態で搬送している。そして、ウエハーカセット１１に装填されたシリコンウエハーのうち最も端のシリコンウエハーをダミーウエハー１０ａとしている。このため、クリーンルーム内を搬送している間に、クリーンルームの雰囲気中に微量に存在するボロン等の不純物１５がＬＯＣＯＳ酸化膜１３及びゲート絶縁膜１４などの下地膜上に付着するのを抑制することができる。その結果、ボロン等の不純物１５が高抵抗体１６内に取り込まれることを抑制できる。従って、高抵抗体１６の抵抗値の低下に起因する不良の発生による歩留まり低下を抑制することができる。
【００５５】
また、本実施の形態では、ウエハーカセット１１に挿入された複数のシリコンウエハーのうち最も端のウエハーをダミーウエハー１０ａとしている。これにより、クリーンルームの雰囲気中に存在するボロン等の不純物が最も付着しやすいウエハーがダミーウエハー１０ａとなり、その結果、高抵抗体１６の抵抗値の低下に起因する不良の発生による歩留まり低下を抑制できる。また、ダミーウエハー１０ａをカセットの２５番スロットにセットし、ダミーウエハーと製品を合わせて水洗することにより、ダミーウエハー１０ａに付着している不純物がその下のスロット（２４番）に位置する製品ウエハーの表面に転写することを防止することができる。
【００５６】
なお、本実施の形態では、ＬＯＣＯＳ酸化膜１３上に高抵抗体１６を形成しているが、他の下地膜上、例えばゲート酸化膜上、ＳＴＩ（shallow trench isolation）等の素子分離膜上に高抵抗体１６を形成してもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１０…シリコンウエハー、１０ａ…ダミーウエハー、１１…ウエハーカセット、１１ａ…ウエハーカセット天板、１２…シリコン基板、１３…ＬＯＣＯＳ酸化膜、１４…ゲート絶縁膜、１５…ボロン等の不純物、１６…高抵抗体、１６ａ，１６ｂ…電極部、１７…層間絶縁膜、１８ａ，１８ｂ…配線
【図１】
2013140877.tif 000003
【図２】
2013140877.tif 000004
【図３】
2013140877.tif 000005