(57)【要約】【課題】比較的簡便な工程でアクセプタ濃度の異なる領域を一度に形成することが可能な、ｐ型拡散層の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み０．０１μｍ以上２μｍ以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を形成したシリコン基板上に、アクセプタ元素を含む組成物層を形成する工程と、組成物層を形成した後に、熱拡散処理を施す工程と、前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記組成物層を除去する工程と、を有するｐ型拡散層の製造方法。【選択図】図１
2013026343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み０．０１μｍ以上２μｍ以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜をパターン状に形成したシリコン基板上に、アクセプタ元素を含む組成物層を形成する工程と、
前記組成物層の形成時又は形成後に、熱拡散処理を施す工程と、
前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記組成物層を除去する工程と、
を有するｐ型拡散層の製造方法。
【請求項２】
前記アクセプタ元素を含む組成物層が、アクセプタ元素を含むｐ型拡散層形成組成物の塗膜である請求項１に記載のｐ型拡散層の製造方法。
【請求項３】
前記ｐ型拡散層形成組成物が、Ｂ（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）及びＧａ（ガリウム）から選択される少なくとも１種のアクセプタ元素を含むガラス粉末と分散媒とを含有する請求項２に記載のｐ型拡散層の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の製造方法によりシリコン基板上にｐ型拡散層を形成する工程と、形成された前記ｐ型拡散層上に電極を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の製造方法により製造されるｐ型拡散層を有するシリコン基板と、
前記ｐ型拡散層上に設けられた電極と、
を有する太陽電池素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ｐ型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、および太陽電池素子に関するものであり、更に詳しくは、半導体基板であるシリコン基板の特定の部分にｐ型拡散層を形成することを可能とする技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のシリコン太陽電池素子の製造工程について説明する。
まず、光閉じ込め効果を促して高効率化を図るよう、受光面にテクスチャー構造を形成したｐ型シリコン基板を準備し、続いてドナー元素含有化合物であるオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）、窒素、酸素の混合ガス雰囲気において８００℃〜９００℃で数十分の処理を行って、基板に一様にｎ型拡散層を形成する。この従来の方法では、混合ガスを用いてリンの拡散を行うため、表面のみならず、側面、裏面にもｎ型拡散層が形成される。そのため、側面のｎ型拡散層を除去するためのサイドエッチング工程が必要であった。また、裏面のｎ型拡散層はｐ＋型拡散層へ変換する必要があり、裏面のｎ型拡散層の上にアルミニウムペーストを付与して、これを焼成して、アルミニウムの拡散によってｎ型拡散層からｐ＋型拡散層に変換させていた。
【０００３】
一方、光電変換効率を上げるために選択エミッタ方式の太陽電池が近年注目を集めている。選択エミッタ方式の太陽電池は、電極下におけるシリコン基板の表面近傍にドーパント濃度の高い高濃度拡散層領域を設け、効率的に集電するものである。受光面電極下に高濃度拡散層領域を設けるため、種々の手法が試みられている。
【０００４】
例えば、特許文献１では、電極を形成する部位に、ドーパント濃度の高い拡散剤を塗布し、高濃度膜を形成する。続いて受光面全体にスピンコートによって、先に塗布した拡散剤よりもドーパント濃度の低い拡散剤を塗布して、低濃度膜を高濃度膜に重ねて形成し、熱処理を行ってドーパントを拡散させ、高濃度エミッタ層および低濃度エミッタ層を形成している。
【０００５】
また、特許文献２では、ＳｉＯ２および／もしくはＳｉＯ２前駆体を含むペーストを半導体基板上にパターニングして塗布し、酸素雰囲気で焼成することでドーパントの拡散制御マスクを形成させ、その後ドーピングを行なうことで、パターニングされた拡散層を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１０９２０１号公報
【特許文献２】特開２００７−８１３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述の特許文献１の方法では、高濃度拡散材と低濃度拡散材が接触するため、互いに交じり合い、高濃度エミッタ層と低濃度エミッタ層を選択的に形成することが難しい。また、特許文献２の方法で選択エミッタを形成すれば、選択的ドーピングが可能であるが、ドーピング濃度の異なる領域を一度に形成することができないという課題がある。
【０００８】
本発明は、以上の通り、従来の問題点に鑑みなされたものであり、比較的簡便な工程でアクセプタ濃度の異なる複数の領域を一度に形成することが可能な太陽電池素子の製造方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決する手段は以下の通りである。
＜１＞  シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み０．０１μｍ以上２μｍ以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜をパターン状に形成したシリコン基板上に、アクセプタ元素を含む組成物層を形成する工程と、
前記組成物層の形成時又は形成後に、熱拡散処理を施す工程と、
前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記組成物層を除去する工程と、
を有するｐ型拡散層の製造方法。
【００１０】
＜２＞  前記アクセプタ元素を含む組成物層が、アクセプタ元素を含むｐ型拡散層形成組成物の塗膜である前記＜１＞に記載のｐ型拡散層の製造方法。
【００１１】
＜３＞  前記ｐ型拡散層形成組成物が、Ｂ（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）及びＧａ（ガリウム）から選択される少なくとも１種のアクセプタ元素を含むガラス粉末と分散媒とを含有する前記＜２＞に記載のｐ型拡散層の製造方法。
【００１２】
＜４＞  前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の製造方法によりシリコン基板上にｐ型拡散層を形成する工程と、形成された前記ｐ型拡散層上に電極を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。
【００１３】
＜５＞  前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の製造方法により製造されるｐ型拡散層を有するシリコン基板と、
前記ｐ型拡散層上に設けられた電極と、
を有する太陽電池素子。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、比較的簡便な工程でアクセプタ濃度の異なる複数の領域を一度に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明のｐ型拡散層の製造工程の一例を概念的に示す断面図である。
【図２】（Ａ）は、太陽電池素子を表面から見た平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の一部を拡大して示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また本明細書において「〜」は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示すものとする。
【００１７】
＜ｐ型拡散層の製造方法＞
本発明のｐ型拡散層の製造方法について説明する。
本発明のｐ型拡散層の製造方法は、（１）シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み０．０１μｍ以上２μｍ以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、（２）前記シリコン酸化膜をパターン状に形成したシリコン基板上に、アクセプタ元素を含む組成物層を形成する工程と、（３）前記組成物層の形成時又は形成後に、熱拡散処理を施す工程と、（４）前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記組成物層を除去する工程と、を少なくとも有する。
【００１８】
本発明では、アクセプタ元素を含む組成物層からシリコン基板へのアクセプタ元素の拡散を遅延させ、シリコン基板中のアクセプタ濃度の低い領域、つまりｐ＋型拡散層領域を形成するために、アクセプタ元素を含む組成物層とシリコン基板との間に、特定厚みのシリコン酸化膜を介在させることを特徴としている。
【００１９】
ｐ＋型拡散層およびｐ＋＋型拡散層が形成される様子を、図１を参照しながら説明する。
図１に示す選択エミッタ方式のシリコン太陽電池は、電極下にアクセプタ濃度の高いｐ＋＋型拡散層５の領域を有する。本発明の製造方法ではシリコン基板１０の裏面において、電極を形成する予定領域以外の領域に、予めシリコン酸化膜２を形成しておく。このときシリコン酸化膜２の平均厚みを０．０１μｍ以上２μｍ以下とする。
【００２０】
その後、アクセプタ元素を含む組成物層３を裏面全域に形成し、熱拡散を行う。シリコン酸化膜２が形成されていない領域では、アクセプタ元素を含む組成物層３がシリコン基板１０に接触しているため、高濃度のアクセプタ元素が拡散したｐ＋＋型拡散層５が形成される。一方、平均厚み０．０１μｍ以上２μｍ以下のシリコン酸化膜２が形成されている領域では、上層に存在する組成物層３からのアクセプタ元素が、まずシリコン酸化膜２を拡散し、その後遅延してシリコン基板１０へ拡散する。結果的に、シリコン酸化膜２が形成されている領域では、ｐ＋＋型拡散層５よりもアクセプタ濃度の低いｐ＋型拡散層４が形成される。
【００２１】
ここで、シリコン酸化膜２の平均厚みが０．０１μｍより薄いと、アクセプタ元素の拡散の十分な遅延効果が得られず、アクセプタ濃度の異なる領域が形成され難い。また平均厚みが２μｍより厚いとシリコン基板へ充分にアクセプタ元素が拡散されずｐ＋型拡散層４が形成され難い。
【００２２】
このように本発明の製造方法によれば、一度の熱拡散処理によってアクセプタ濃度の異なる複数の領域を形成することができるため、シリコン基板１０への熱的損傷が小さくなる。またその後のフッ酸処理によって、裏面のシリコン酸化膜２およびアクセプタ元素を含む組成物層３が一度に取り除かれるため、工程も単純であり製造上のコストメリットは高い。
【００２３】
以下では、本発明のｐ型拡散層の製造方法の詳細について、図１を参照しながら説明する。図１は、本発明のｐ型拡散層の製造工程の一例を概念的に表す模式断面図である。以降の図面においては、共通する構成要素に同じ符号を付す。
【００２４】
図１（１）は、シリコン基板１０としてｐ型半導体基板を表している。シリコン基板１０はｎ型半導体基板であってもよい。シリコン基板１０にアルカリ溶液を付与してダメージ層を除去し、テクスチャー構造をエッチングにて得る。
詳細には、インゴットからスライスした際に発生するシリコン表面のダメージ層を２０質量％苛性ソーダで除去する。次いで１質量％苛性ソーダと１０質量％イソプロピルアルコールの混合液によりエッチングを行い、テクスチャー構造を形成する（図中ではテクスチャー構造の記載を省略する）。太陽電池素子は、受光面（表面）側にテクスチャー構造を形成することにより、光閉じ込め効果が促され、高効率化が図られる。
【００２５】
次に、図１（２）では、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）、窒素、酸素の混合ガス雰囲気において８００℃〜９００℃で数十分の処理を行って一様にｎ型拡散層１２を形成する。このとき、オキシ塩化リン雰囲気を用いた方法では、リンの拡散は側面及び裏面にも及び、ｎ型拡散層は表面のみならず、側面、裏面にも形成される。そのために、側面のｎ型拡散層を除去するために、サイドエッチングが施される。
【００２６】
そして、図１（３）では、ｐ型半導体基板１０の裏面すなわち受光面ではない面のｎ型拡散層の上に、パターニングされたシリコン酸化膜２を形成する。シリコン酸化膜２は、シリコン基板１０の上に膜状に形成され、最終的にフッ酸等の薬液により除去されるものであればよく、そのようなシリコン酸化膜２を与える材料としては、ＳｉＯ２微粒子の溶剤分散液や、有機シリコン化合物のゾルゲル溶液などが選ばれる。
【００２７】
ＳｉＯ２微粒子の溶剤分散液の市販品としては、例えば、日産化学工業株式会社製ＩＰＡ−ＳＴ（１０〜２０ｎｍ径のＳｉＯ２微粒子を３０％含むイソプロピルアルコール分散液）、日産化学工業株式会社製ＥＡＣ−ＳＴ（１０〜２０ｎｍ径のＳｉＯ２微粒子を３０％含む酢酸エチル分散液）などを挙げることができる。
【００２８】
有機シリコン化合物のゾルゲル溶液の市販品としては、日立化成工業株式会社製の層間絶縁膜用塗布材料ＨＳＧ−１００、東京応化工業株式会社製の有機ＳｉＯ２系被膜形成用塗布液ＳＯＧなどを挙げることができる。
【００２９】
シリコン酸化膜２の形成方法としては特に制限されず、従来公知の方法を適宜適用することができる。例えば、前記溶剤分散液やゾルゲル溶液を用いて、印刷法、スピン法、刷毛塗り、スプレー法、ドクターブレード法、ロールコーター法、インクジェット法等などの塗布方法によってシリコン酸化膜の前駆体膜を形成し、これを加熱する方法が挙げられる。
【００３０】
塗布後に、組成物中に含まれる溶剤を揮発させるための乾燥工程が必要な場合がある。この場合には、８０℃〜３００℃程度の温度で、ホットプレートを使用する場合は１分〜１０分、乾燥機などを用いる場合は１０分〜３０分程度で乾燥させる。この乾燥条件は、前記溶剤分散液やゾルゲル溶液などの溶剤組成に依存しており、本発明では特に上記条件に限定されない。
【００３１】
なおパターニングされたシリコン酸化膜を得るには、例えば、マスクテープによりパターン状にマスクした後、前記溶剤分散液やゾルゲル溶液を塗布する方法、パターン状にインクジェット法により塗布する方法、スクリーン印刷する方法などが挙げられる。
【００３２】
シリコン酸化膜の平均膜厚は、０．０１μｍ以上２μｍ以下の範囲であり、０．１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲であることが好ましい。ここで、平均膜厚は、ＡＭＢＩＯＳ社製触針式段差計ＸＰ−１によって測定した値であり、シリコン酸化膜形成部と非形成部の境界の段差を５点測定した平均値とする。
【００３３】
シリコン酸化膜は、電極を形成する予定領域には形成せず、それ以外の領域に形成する。これにより電極直下にアクセプタ濃度の高いｐ＋＋型拡散層領域が形成され、それ以外の部分にはｐ＋型拡散層領域が形成されて、選択エミッタ型の太陽電池素子を得ることができる。シリコン酸化膜の非形成領域の位置や大きさは、所望の選択エミッタの位置や大きさや合わせて、適宜調整する。
【００３４】
図１（４）では、パターニングされたシリコン酸化膜２上に、アクセプタ元素を含む組成物層３を形成する。アクセプタ元素を含む組成物層を形成する方法は特に限定されず、従来公知の方法などを適宜採用することができる。例えば、アルミニウムペーストを用いる方法、アクセプタ元素を含むガラス粉末と分散媒とを含有するｐ型拡散層形成組成物を塗布して、アクセプタ元素を含む組成物層を形成する方法、ＢＢｒ３ガスを高温下で接触させて、ボロンシリケートガラス（ＢＳＧ）層を形成する方法が挙げられる。アクセプタ元素を含むガラス粉末を含むｐ型拡散層形成組成物を用いる場合には、所望の領域に選択的にｐ型拡散層を形成することが可能である。この理由として、アクセプタ成分がガラス粉末中の元素と結合しているか、又はガラス中に取り込まれているため、揮散しにくいものと考えられる。
【００３５】
アルミニウムペーストやｐ型拡散層形成組成物等の塗布は、例えば、印刷法、スピン法、刷毛塗り、スプレー法、ドクターブレード法、ロールコーター法、インクジェット法等の方法を採用することができる。
【００３６】
前記ｐ型拡散層形成組成物は、少なくともアクセプタ元素を含むガラス粉末（以下、単に「ガラス粉末」と称する場合がある）と、分散媒とを含有し、更に塗布性等を考慮してその他の添加剤を必要に応じて含有してもよい。
ここで、ｐ型拡散層形成組成物とは、アクセプタ元素を含むガラス粉末を含有し、シリコン基板に塗布した後にこのアクセプタ元素を熱拡散することでｐ型拡散層を形成することが可能な材料をいう。アクセプタ元素をガラス粉末中に含むｐ型拡散層形成組成物を用いることで、所望の部位にアクセプタ元素を含む組成物層が形成され、アクセプタ元素がシリコン基板中に拡散する。
【００３７】
本発明に係るアクセプタ元素を含むガラス粉末について、詳細に説明する。
アクセプタ元素とは、シリコン基板中にドーピングさせることによってｐ型拡散層を形成することが可能な元素である。アクセプタ元素としては第１３族の元素が使用でき、例えばＢ（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）等が挙げられる。
【００３８】
アクセプタ元素をガラス粉末に導入するために用いるアクセプタ元素含有物質としては、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、及びＧａ２Ｏ３が挙げられ、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及びＧａ２Ｏ３から選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。
【００３９】
また、アクセプタ元素を含むガラス粉末は、必要に応じて成分比率を調整することによって、溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、化学的耐久性等を制御することが可能である。更に以下に記す、ガラス成分物質を含むことが好ましい。
【００４０】
ガラス成分物質としては、ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｔｌ２Ｏ、Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＭｏＯ３、ＭｎＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＧｅＯ２、ＴｅＯ２及びＬｕ２Ｏ３等が挙げられ、ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｔｌ２Ｏ、Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ、ＺｒＯ２、及びＭｏＯ３から選択される少なくとも１種を用いることが、好ましい。
【００４１】
アクセプタ元素を含むガラス粉末の具体例としては、前記アクセプタ元素含有物質と前記ガラス成分物質の双方を含む系が挙げられ、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系（アクセプタ元素含有物質−ガラス成分物質の順で記載、以下同様）、Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系、Ｂ２Ｏ３−ＰｂＯ系、Ｂ２Ｏ３単独系等のアクセプタ元素含有物質としてＢ２Ｏ３を含む系、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系等のアクセプタ元素含有物質としてＡｌ２Ｏ３を含む系、Ｇａ２Ｏ３−ＳｉＯ２系等のアクセプタ元素含有物質としてＧａ２Ｏ３を含む系などのガラス粉末が挙げられる。
また、Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系、Ｇａ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系等のように、２種類以上のアクセプタ元素含有物質を含むガラス粉末でもよい。
上記では１成分ガラスあるいは２成分を含む複合ガラスを例示したが、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ等、３成分以上の物質を含むガラス粉末でもよい。
【００４２】
ガラス粉末中のガラス成分物質の含有比率は、溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、化学的耐久性を考慮して適宜設定することが望ましく、一般には、０．１質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上９０質量％以下であることがより好ましい。
【００４３】
具体的には、例えば、ガラス成分物質として、ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、ＳｎＯ、ＺｒＯ２、及びＭｏＯ３から選択される少なくとも１種を含有するガラスである場合、シリコン基板との反応物が、フッ酸処理時に残渣として残らないため、好ましい。また、ガラス成分物質として酸化バナジウムＶ２Ｏ５を含むガラス（例えばＢ２Ｏ３−Ｖ２Ｏ５系ガラス）の場合には、溶融温度や軟化温度を降下させる観点から、Ｖ２Ｏ５の含有比率は、１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上４０質量％以下であることがより好ましい。
【００４４】
ガラス粉末の軟化温度は、拡散処理時の拡散性、液だれの観点から、２００℃〜１０００℃であることが好ましく、３００℃〜９００℃であることがより好ましい。
【００４５】
ガラス粉末の形状としては、略球状、扁平状、ブロック状、板状及び鱗片状等が挙げられ、ｐ型拡散層形成組成物とした場合の基板への塗布性や均一拡散性の点から、略球状、扁平状又は板状であることが望ましい。ガラス粉末の粒径は、１００μｍ以下であることが望ましい。１００μｍ以下の粒径を有するガラス粉末を用いた場合には、平滑な塗膜が得られやすい。更に、ガラス粉末の粒径は５０μｍ以下であることがより望ましい。なお、下限は特に制限されないが、０．０１μｍ以上であることが好ましい。
ここで、ガラスの粒径は、平均粒子径を表し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。
【００４６】
アクセプタ元素を含むガラス粉末は、以下の手順で作製される。
最初に原料、例えば、前記アクセプタ元素含有物質とガラス成分物質を秤量し、るつぼに充填する。るつぼの材質としては白金、白金−ロジウム、イリジウム、アルミナ、石英、炭素等が挙げられ、溶融温度、雰囲気、溶融物質との反応性等を考慮して適宜選ばれる。
次に、電気炉でガラス組成に応じた温度で加熱し融液とする。このとき融液が均一となるよう攪拌することが望ましい。
続いて得られた融液をジルコニア基板やカーボン基板等の上に流し出して融液をガラス化する。
最後にガラスを粉砕し粉末状とする。粉砕にはジェットミル、ビーズミル、ボールミル等公知の方法が適用できる。
【００４７】
ｐ型拡散層形成組成物中のアクセプタ元素を含むガラス粉末の含有比率は、塗布性、アクセプタ元素の拡散性等を考慮し決定される。一般には、ｐ型拡散層形成組成物中のガラス粉末の含有比率は、０．１質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、１質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、１．５質量％以上８５質量％以下であることがさらに好ましく、２質量％以上８０質量％以下であることが特に好ましい。
【００４８】
本発明のｐ型拡散層形成組成物は、上記ガラス粉末を分散させる媒体（分散媒）として、その他のバインダーを必要に応じて含んでいてもよい。
【００４９】
その他のバインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド類、ポリビニルアミド類、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド類、ポリスルホン酸、アクリルアミドアルキルスルホン酸、セルロースエーテル類、セルロース誘導体、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース、ゼラチン、澱粉及び澱粉誘導体、アルギン酸ナトリウム類、キサンタン、グア及びグア誘導体、スクレログルカン及びスクレログルカン誘導体、トラガカント及びトラガカント誘導体、デキストリン及びデキストリン誘導体、（メタ）アクリル酸樹脂、（メタ）アクリル酸エステル樹脂（例えば、アルキル（メタ）アクリレート樹脂、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート樹脂等）、ブタジエン樹脂、スチレン樹脂、又はこれらの共重合体、他にも、シロキサン樹脂を適宜選択しうる。
これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
【００５０】
その他のバインダーの重量平均分子量は特に制限されず、組成物としての所望の粘度を鑑みて適宜調整することが望ましい。
重量平均分子量は溶剤への溶解性と溶解物のハンドリング性の観点から、５０００〜５０００００が好ましく、１００００〜２０００００がより好ましく、２００００〜１０００００がもっとも好ましい。
【００５１】
ｐ型拡散層形成組成物は、分散媒として少なくとも１種の溶剤を含むことが好ましい。
溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｉｓｏ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｉｓｏ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ−ｉｓｏ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン等のケトン系溶剤；ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル−ｎ−プロピルエーテル、ジ−ｉｓｏ−プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチル−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のエーテル系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸２−（２−ブトキシエトキシ）エチル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル、エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のエステル系溶剤；アセトニトリル、Ｎ−メチルピロリジノン、Ｎ−エチルピロリジノン、Ｎ−プロピルピロリジノン、Ｎ−ブチルピロリジノン、Ｎ−ヘキシルピロリジノン、Ｎ−シクロヘキシルピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤；メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のアルコール系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコール��ノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールモノエーテル系溶剤；α−テルピネン、α−テルピネオール、ミルセン、アロオシメン、リモネン、ジペンテン、α−ピネン、β−ピネン、ターピネオール、カルボン、オシメン、フェランドレン等のテルペン系溶剤；水等が挙げられる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
【００５２】
ｐ型拡散層形成組成物中の溶剤の含有比率は、塗布性、アクセプタ濃度を考慮し決定される。
ｐ型拡散層形成組成物の粘度は、塗布性を考慮して、１０ｍＰａ・Ｓ以上１００００００ｍＰａ・Ｓ以下であることが好ましく、５０ｍＰａ・Ｓ以上５０００００ｍＰａ・Ｓ以下であることがより好ましい。
粘度は、例えばＥ型粘度計を用いて、２５℃、５ｒｐｍで測定することができる。
【００５３】
図１（５）では、組成物層３の形成時又は形成後に、熱拡散処理を施す。この熱拡散処理により、図に示すようにシリコン基板１０にアクセプタ元素を含む組成物層３が接触している箇所では高濃度にアクセプタ元素が拡散して、アクセプタ高濃度の領域つまりｐ＋＋型拡散層５が形成される。一方シリコン酸化膜２が存在する箇所では、アクセプタ元素を含む組成物層３からのアクセプタ元素の拡散がシリコン酸化膜２の存在により遅延され、結果的にシリコン基板１０にアクセプタ低濃度の領域つまりｐ＋型拡散層４が形成される。
【００５４】
熱拡散処理は６００℃〜１２００℃で行ことが好ましい。熱拡散処理には公知の連続炉、バッチ炉等が適用できる。また、熱拡散処理時の炉内雰囲気は、空気、酸素、窒素等に適宜調整することもできる。
【００５５】
熱拡散処理時間は、ｐ型拡散層形成組成物に含まれるアクセプタ元素の含有率に応じて適宜選択することができる。例えば、１分間〜６０分間とすることができ、２分間〜３０分間であることがより好ましい。
【００５６】
前記熱拡散処理の後、シリコン酸化膜２およびアクセプタ元素を含む組成物層３は、熱処理によってガラス層などの熱処理層となる場合がある。この熱処理層は、図１（６）に示すように、エッチングなどによって取り除かれる。エッチングとしては、フッ酸等の酸に浸漬する方法、苛性ソーダ等のアルカリに浸漬する方法など公知の方法が適用できる。
【００５７】
なお上述のｐ型拡散層の製造方法では、ｐ型半導体基板であるシリコン基板にｎ型拡散層を形成するのに、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）、窒素および酸素の混合ガスを用いているが、ｎ型拡散層形成組成物を用いてｎ型拡散層を形成してもよい。ｎ型拡散層形成組成物にはＰ（リン）やＳｂ（アンチモン）などの第１５族の元素がドナー元素として含有される。
【００５８】
ｎ型拡散層の形成にｎ型拡散層形成組成物を用いる方法では、ｐ型半導体基板の表面である受光面にｎ型拡散層形成組成物を塗布する。ｐ型半導体基板の裏面には、上記方法によりパターニングされた平均厚み０．０１μｍ以上２μｍ以下のシリコン酸化膜を形成し、この上にｐ型拡散層形成組成物を塗布する。そして、６００℃〜１２００℃で熱処理する。この熱処理により、表面ではｐ型半導体基板中へドナー元素が拡散してｎ型拡散層が形成され、裏面ではアクセプタ元素が拡散してｐ＋型拡散層およびｐ＋＋型拡散層が形成される。この工程以外は上記方法と同様の工程により、太陽電池素子が作製される。
【００５９】
以上のように、本発明のｐ型拡散層の製造方法によれば、ドーピング濃度の異なる複数の領域を一度に形成することが可能である。従来のように、ドーピング濃度の異なる領域ごとにシリコン酸化膜のパターニングを行い、シリコン酸化膜をエッチングにより除去する方法に比べて、本発明の方法は簡便である。
また、本発明の方法により得られたドーピング濃度の異なる複数のｐ型拡散層領域を有するシリコン基板は、シリコン酸化膜のエッチング回数が少ないため、エッチングによる損傷が少なく、太陽電池素子に用いた場合に効率の向上が図られる。
【００６０】
＜太陽電池素子の製造方法＞
本発明の太陽電池素子の製造方法について説明する。
本発明の太陽電池素子の製造方法は、上記の方法によりシリコン基板上にｐ型拡散層を形成する工程と、形成されたｐ型拡散層上に電極を形成する工程と、を少なくとも有する。
【００６１】
シリコン基板１０のｎ型拡散層が形成された面を受光面として使用する場合には、ｎ型拡散層の面側の表面に反射防止膜を形成する。反射防止膜は公知の技術を適用して形成される。例えば、反射防止膜がシリコン窒化膜の場合には、ＳｉＨ４とＮＨ３の混合ガスを原料とするプラズマＣＶＤ法により形成する。このとき、水素が結晶中に拡散し、シリコン原子の結合に寄与しない軌道、即ちダングリングボンドと水素が結合し、欠陥を不活性化（水素パッシベーション）する。
より具体的には、上記混合ガス流量比ＮＨ３／ＳｉＨ４が０．０５〜１．０、反応室の圧力が１３．３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）〜２６６．６Ｐａ（２Ｔｏｒｒ）、成膜時の温度が３００℃〜５５０℃、プラズマの放電のための周波数が１００ｋＨｚ以上の条件下で形成される。
【００６２】
次に受光面の反射防止膜上に、表面電極用金属ペーストをスクリーン印刷法で印刷塗布乾燥させ、ｎ型拡散層の領域上に表面電極を形成する。表面電極用金属ペーストは、（１）金属粒子と（２）ガラス粒子とを必須成分とし、必要に応じて（３）樹脂バインダー、（４）その他の添加剤を含む。
【００６３】
次いで、裏面電極をｐ＋＋型拡散層の領域上に形成する。本発明では裏面電極の材質や形成方法は特に限定されない。例えば、アルミニウム、銀、銅等の金属を含む裏面電極用ペーストを塗布し、乾燥させて、裏面電極を形成してもよい。このとき、裏面にも、モジュール工程における素子間の接続のために、一部に銀電極形成用銀ペーストを設けてもよい。
【００６４】
そして電極を焼成して、太陽電池素子を完成させる。６００℃〜９００℃の範囲で数秒〜数分間焼成すると、表面側では電極用金属ペーストに含まれるガラス粒子によって絶縁膜である反射防止膜が溶融し、更にシリコン基板１０表面も一部溶融して、ペースト中の金属粒子（例えば銀粒子）がシリコン基板１０と接触部を形成し凝固する。これにより、形成した表面電極とシリコン基板のｎ型拡散層とが導通される。これはファイアースルーと称されている。
【００６５】
表面電極の形状について説明する。表面電極は、バスバー電極３０、及び該バスバー電極３０と交差しているフィンガー電極３２で構成される。図２（Ａ）は、表面電極を、バスバー電極３０、及び該バスバー電極３０と交差しているフィンガー電極３２からなる構成とした太陽電池素子を表面から見た平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の一部を拡大して示す斜視図である。
【００６６】
このような表面電極は、例えば、上述の金属ペーストのスクリーン印刷、又は電極材料のメッキ、高真空中における電子ビーム加熱による電極材料の蒸着等の手段により形成することができる。バスバー電極３０とフィンガー電極３２とからなる表面電極は受光面側の電極として一般的に用いられていて周知であり、受光面側のバスバー電極及びフィンガー電極の公知の形成手段を適用することができる。
【００６７】
上記では、表面にｎ型拡散層、裏面にｐ＋型拡散層を形成し、更にそれぞれの層の上に表面電極及び裏面電極を設けた太陽電池素子について説明したが、本発明のｐ型拡散層形成組成物を用いればバックコンタクト型の太陽電池素子を作製することも可能である。
【００６８】
バックコンタクト型の太陽電池素子は、電極を全て裏面に設けて受光面の面積を大きくするものである。つまりバックコンタクト型の太陽電池素子では、裏面にｎ型拡散部位及びｐ＋型拡散部位の両方を形成しｐｎ接合構造とする必要がある。本発明のｐ型拡散層形成組成物は、特定の部位にｐ型拡散部位を形成することが可能であり、よってバックコンタクト型の太陽電池素子の製造に好適に適用することができる。
【実施例】
【００６９】
以下、本発明の実施例をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限するものではない。なお、特に記述が無い限り、薬品は全て試薬を使用した。また「％」は断りがない限り「質量％」を意味する。
【００７０】
［実施例１］
（ａ）ｐ型拡散層形成組成物の調製
粒子形状が略球状で、平均粒子径が４．９μｍ、軟化温度５６１℃のＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｒ２Ｏ（Ｒ：Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）系ガラス粉末（商品名：ＴＭＸ−４０４、東罐マテリアル・テクノロジー（株）社製）２０ｇと、エチルセルロース０．５ｇと、酢酸２−（２−ブトキシエトキシ）エチル１０ｇとを、自動乳鉢混練装置を用いて混合してペースト化し、ｐ型拡散層形成組成物を調製した。
【００７１】
なお、ガラス粒子形状は、（株）日立ハイテクノロジーズ製ＴＭ−１０００型走査型電子顕微鏡を用いて観察して判定した。ガラスの平均粒子径はベックマン・コールター（株）製ＬＳ  １３  ３２０型レーザー散乱回折法粒度分布測定装置（測定波長：６３２ｎｍ）を用いて算出した。ガラスの軟化温度は（株）島津製作所製ＤＴＧ−６０Ｈ型示差熱・熱重量同時測定装置を用いて、示差熱（ＤＴＡ）曲線により求めた。
【００７２】
（ｂ）ウエハ処理
Ｐ２２５ｍｍ径の石英製横型チューブ拡散炉に、ＰＶＧ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ株式会社製の単結晶ｐ型Ｓｉウエハ（１５６ｍｍ×１５６ｍｍ、膜厚１７０μｍ、表面テクスチャー付き）を入れ、窒素ガス／酸素ガス／オキシ塩化リンガス＝１２／０．６／０．１Ｌ／分を流しながら、８３０℃、１２分間加熱した。
【００７３】
このＳｉウエハの受光面とは反対の裏面に、太陽電池用電極パターン状にポリイミド製テープを貼った。その上層に日立化成工業株式会社製の層間絶縁膜用塗布材料（ＨＳＧ−１００）をスピンコート法（１０００ｒｐｍ、１０秒間）により成膜し、２５０℃に加熱したホットプレート上で３分間加熱した後、太陽電池用電極パターン状に貼ったポリイミド製テープを剥がした。パターニングされたシリコン酸化膜の厚みを膜厚計（ＡＭＢＩＯＳ社製、製品名：触針式段差計ＸＰ−１）で測ったところ、平均厚みは０．３μｍであった。
【００７４】
シリコン酸化膜が形成された面に、上記（ａ）にて調製したｐ型拡散層形成組成物をスクリーン印刷により全面塗布し、１５０℃に加熱した乾燥機の中に１５分間入れて溶剤を蒸散させた。
これを２２５ｍｍ径の石英製横型チューブ拡散炉に入れ、窒素ガス／酸素ガス＝８．０／２．０Ｌ／分を流しながら、９００℃、１０分間加熱した。
このＳｉウエハを１０％フッ化水素酸に５分間浸し、純水で洗浄すると、前記ガラス層およびシリコン酸化膜は全て溶解除去されていた。
【００７５】
得られたＳｉウエハのシート抵抗を、三菱化学（株）製Ｌｏｒｅｓｔａ−ＥＰ  ＭＣＰ−Ｔ３６０型低抵抗率計を用いて四探針法により測定した。シート抵抗は、シリコン酸化膜の形成領域と非形成領域を測定した。
【００７６】
（ｃ）太陽電池の作製
上述のＳｉウエハの受光面に、ＣＶＤ法を用いて窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜を９００Å（オングストローム）（９０ｎｍ）積層し、反射防止膜とした。この反射防止膜上にデュポン製銀ペースト（商品名：ＰＶ１５９）をスクリーン印刷法によりパターニング印刷し、焼成後の膜厚が２０μｍとなるよう、印刷条件（スクリーン版のメッシュ、印刷速度、印圧）を適宜調整した。これを１５０℃に加熱したオーブンの中に１５分間いれ、溶剤を蒸散により取り除いた。
【００７７】
続いてＳｉウエハ裏面において、前項（ａ）ウエハ処理にて、電極バターン状態にシリコン酸化膜を形成しなかった領域にアルミニウム電極ペースト（ＰＶＧ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ株式会社製、商品名：Ｈｙｐｅｒ ＢＳＦ Ａｌ Ｐａｓｔｅ, ＳＣＡＬ-３０４７-２５）をスクリーン印刷法によりパターニング印刷し、焼成後の膜厚が３０μｍとなるよう、印刷条件（スクリーン版のメッシュ、印刷速度、印圧）を適宜調整した。これを１５０℃に加熱したオーブンの中に１５分間いれ、溶剤を蒸散により取り除いた。
【００７８】
続いてトンネル炉（ノリタケ社製、１列搬送Ｗ／Ｂトンネル炉）を用いて大気雰囲気下、焼成最高温度８００℃で保持時間１０秒の加熱処理（焼成）を行って、所望の電極が形成された太陽電池素子Ｃ−１を作製した。
【００７９】
［実施例２］
実施例１において、シリコン酸化膜の厚みを１．８μｍとした以外は同様に作製し、太陽電池素子Ｃ−２を得た。
【００８０】
［実施例３］
実施例１において、ガラス粉末を粒子形状が略球状で、平均粒子径が３．２μｍ、軟化温度８１５℃のＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＲＯ（Ｒ：Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）系ガラス粉末（商品名：ＴＭＸ−６０３、東罐マテリアル・テクノロジー（株）社製）としたｐ型拡散層組成物を用いた以外は実施例１と同様に作製し、太陽電池素子Ｃ−３を得た。
【００８１】
［実施例４］
実施例１において、日立化成工業株式会社製の層間絶縁膜用塗布材料（ＨＳＧ−１００）を、日産化学工業株式会社製ＩＰＡ−ＳＴ（１０ｎｍ〜２０ｎｍ径のＳｉＯ２微粒子を３０％含むイソプロピルアルコール分散液）に代えた以外は同様に作製し、太陽電池素子Ｃ−４を得た。なお、パターニングされたシリコン酸化膜の平均厚みは、０．４μｍであった。
【００８２】
［比較例１］
実施例１において、シリコン酸化膜を形成しなかった以外は同様に作製し、太陽電池素子Ｈ−１を得た。
【００８３】
［比較例２］
実施例１において、シリコン酸化膜の厚みを２．５μｍとした以外は同様に作製し、太陽電池素子Ｈ−２を得た。
【００８４】
下記表１には、実施例１〜４および比較例１〜２のＳｉウエハにおける、シリコン酸化膜の形成領域と非形成領域のシート抵抗値の測定結果を示す。
【００８５】
【表１】
2013026343.tif 000003
【００８６】
表１に示されるように、実施例１〜４では、シリコン基板のシリコン酸化膜形成領域ではｐ＋型拡散層が形成され、非形成領域ではｐ＋＋型拡散層が形成されていた。これに対して、シリコン酸化膜を形成していない比較例１では、シリコン基板の全面がｐ＋＋層となっており、ドーピング濃度の異なる複数の領域が形成されていなかった。また、シリコン酸化膜の平均厚みが２μｍを超える比較例２では、シリコン酸化膜の形成領域においてシート抵抗値が高くなっており、ｐ＋型拡散層が形成されていなかった。
【００８７】
＜太陽電池素子の評価＞
作製した太陽電池素子の評価は、擬似太陽光として（株）ワコム電創製ＷＸＳ−１５５Ｓ−１０、電流−電圧（Ｉ-Ｖ）評価測定器としてＩ−Ｖ  ＣＵＲＶＥ  ＴＲＡＣＥＲ  ＭＰ−１６０（ＥＫＯ  ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴ社製）の測定装置を組み合わせて行った。太陽電池としての発電性能を示すη（変換効率）、ＦＦ（フィルファクター）、Ｖｏｃ（開放電圧）およびＪｓｃ（短絡電流）は、それぞれＪＩＳ−Ｃ−８９１２、ＪＩＳ−Ｃ−８９１３およびＪＩＳ−Ｃ−８９１４に準拠して測定を行なうことで得られたものである。得られた各測定値を、比較例１の測定値を１００．０とした相対値に換算して表２に示した。
【００８８】
【表２】
2013026343.tif 000004
【００８９】
実施例１〜４は、ｐ＋型拡散層およびｐ＋＋型拡散層が形成された選択エミッタ型の太陽電池素子となっており、比較例１および２に比べて、太陽電池素子の性能が向上していた。
【符号の説明】
【００９０】
２    シリコン酸化膜
３    アクセプタ元素を含む組成物層
４    ｐ＋型拡散層
５    ｐ＋＋型拡散層
１０  シリコン基板
１６  反射防止膜
３０  バスバー電極
３２  フィンガー電極
【図１】
2013026343.tif 000005
【図２】
2013026343.tif 000006