(57)【要約】【課題】電極に対する外部接続端子の接続信頼性が低下することを抑制する。【解決手段】この半導体装置の製造方法は、準備工程（ステップＳ２０，３０）、溶媒保持工程（ステップＳ５０）、及び外部端子形成工程（ステップＳ８０）を有している。準備工程では、配線体２００を準備する。配線体２００は、一面にバンプ４２０（外部接続端子）が接続される電極２１０及び保護絶縁層２２０を有しており、他面に半導体チップ１００が搭載されている。溶媒保持工程では、電極２１０上に有機物質を溶解する溶媒４００を位置させた状態を、１０分以上保持する。外部端子形成工程では、電極２１０にバンプ４２０を接合する。【選択図】図１
2013197263.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に外部接続端子が接続される電極及び保護絶縁層を有し、他面に半導体チップが搭載された配線体を準備する準備工程と、
前記電極上に有機物質を溶解する溶媒を位置させた状態を、１０分以上保持する溶媒保持工程と、
前記電極に前記外部接続端子を形成する外部端子形成工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
一面に外部接続端子が接続される電極及び保護絶縁層を有し、他面に半導体チップが搭載された配線体を準備する準備工程と、
前記電極上に有機物質を溶解する溶媒を位置させることにより、前記電極上に位置している有機材料を前記溶媒に溶解する溶媒保持工程と、
前記電極に前記外部接続端子を形成する外部端子形成工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記溶媒保持工程の前に、前記半導体チップと前記配線体との接続部を樹脂で封止する樹脂封止工程を備える半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂は熱硬化性の樹脂であり、
前記溶媒保持工程において、前記電極、前記溶媒、及び前記樹脂を加熱し、前記樹脂を熱硬化させる熱硬化工程を備える半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記溶媒保持工程の後に、連続して前記外部端子形成工程を行い、
前記外部端子形成工程では、前記溶媒保持工程から前記電極の加熱を続けたまま、前記電極上に位置しているハンダボールをリフローし外部端子を形成させる半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記準備工程において、前記電極の少なくとも一部上には、前記保護絶縁層に含まれている有機材料が位置しており、
前記溶媒保持工程において、前記電極上から前記有機材料を除去する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記準備工程において、前記電極は保護膜によって被覆されており、
前記溶媒保持工程において、前記電極上から前記保護膜を除去する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記準備工程は、前記配線体としてのインターポーザ上に前記半導体チップを搭載する工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記準備工程は、
支持体上に、前記配線体となる少なくとも一層の配線層を形成する工程と、
前記配線層上に前記半導体チップを搭載する工程と、
前記支持体を除去する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記溶媒保持工程では、前記電極上に前記外部接続端子は搭載されておらず、
前記溶媒保持工程の後に、前記電極に前記外部接続端子を接続する工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記溶媒保持工程は、
前記電極上に、前記溶媒としてのフラックスを配置する工程と、
前記電極上に、前記外部接続端子としてのハンダボールを搭載する工程と、
を有し、
前記溶媒保持工程の後に、前記ハンダボールをリフローすることにより前記外部端子形成工程を行う半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記準備工程、前記溶媒保持工程、及び前記外部端子形成工程では、複数の前記配線体が互いにつながっており、
前記準備工程の後、前記溶媒保持工程の前に、
前記半導体チップを封止樹脂で封止する工程と、
前記複数の配線体及び前記複数の半導体チップを、前記封止樹脂が接着する向きにダイシングテープに接着させる工程と、
を有し、
前記外部端子形成工程の後に、前記複数の配線体を個片化する工程と、
個片化された前記複数の配線体を前記ダイシングテープから取り外す工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップが配線体に搭載された半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の一つに、インターポーザなどの配線体の一面に半導体チップを搭載し、かつ、配線体の他面にハンダボール等を用いて外部接続端子を形成した構成を有するものがある（例えば特許文献１〜８参照）。また半導体装置には、リードフレームに半導体チップを搭載したものもある（例えば特許文献９参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１４１６５０号公報
【特許文献２】特開平０９−１０２４７８号公報
【特許文献３】特開平１０−２１４９１４号公報
【特許文献４】特開平１１−２９７８７４号公報
【特許文献５】特許第３５７３１０４号公報
【特許文献６】特許第３６６６５９１号公報
【特許文献７】特許第３６７１２４８号公報
【特許文献８】特許第３９２１６０８号公報
【特許文献９】特開平２−６６９６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者が検討した結果、以下のことが判明した。配線体の表面に保護絶縁層を形成した場合、この保護絶縁膜から出てきた有機材料が電極の表面に付着することがある。電極の表面に有機材料が付着していると、電極に対する外部接続端子の接続信頼性が低下してしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、一面に外部接続端子が接続される電極及び保護絶縁層を有し、他面に半導体チップが搭載された配線体を準備する準備工程と、
前記電極上に有機物質を溶解する溶媒を位置させた状態を、１０分以上保持する溶媒保持工程と、
前記電極に前記外部接続端子を形成する外部端子形成工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
【０００６】
本発明によれば、外部端子形成工程の前に溶媒保持工程が行われる。溶媒保持工程では、電極上に有機物質を溶解する溶媒を位置させた状態を、１０分以上保持する。このため、電極上に保護絶縁膜から出てきた有機材料が電極の表面に付着していても、この有機材料を外部端子形成工程の前に除去することができる。従って、電極に対する外部接続端子の接続信頼性が低下することを抑制できる。
【０００７】
本発明によれば、一面に外部接続端子が接続される電極及び保護絶縁層を有し、他面に半導体チップが搭載された配線体を準備する準備工程と、
前記電極上に有機物質を溶解する溶媒を位置させることにより、前記電極上に位置している有機材料を前記溶媒に溶解する溶媒保持工程と、
前記電極に前記外部接続端子を形成する外部端子形成工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、電極に対する外部接続端子の接続信頼性が低下することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】図１を説明するための断面図である。
【図３】図１を説明するための断面図である。
【図４】図１を説明するための断面図である。
【図５】図１を説明するための断面図である。
【図６】図１を説明するための断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図８】図７を説明するための断面図である。
【図９】図７を説明するための断面図である。
【図１０】図７を説明するための断面図である。
【図１１】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図１２】図１１を説明するための断面図である。
【図１３】図１１を説明するための断面図である。
【図１４】図１１を説明するための断面図である。
【図１５】図１１のステップＳ５０，Ｓ５２で用いられる保持部材の構成を示す断面図である。
【図１６】第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図１７】図１６を説明するための断面図である。
【図１８】図１６を説明するための断面図である。
【図１９】第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図２０】第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図２１】図２０を説明するための断面図である。
【図２２】図２０を説明するための断面図である。
【図２３】図２０を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。この半導体装置の製造方法は、準備工程（ステップＳ２０，３０）、溶媒保持工程（ステップＳ５０）、及び外部端子形成工程（ステップＳ８０）を有している。準備工程では、配線体２００を準備する。配線体２００は、一面にバンプ４２０（外部接続端子）が接続される電極２１０及び保護絶縁層２２０を有しており、他面に半導体チップ１００が搭載されている。溶媒保持工程では、電極２１０上に有機物質を溶解する溶媒４００を位置させた状態を、１０分以上保持する。外部端子形成工程では、電極２１０にバンプ４２０を接合する。
【００１２】
以下、図１と、図２〜図６に示す断面図とを併用しながら、詳細に説明を行う。なお、図２〜図６の各図において、（ａ）は断面図を示しており、（ｂ）は（ａ）の要部を拡大した断面図を示している。
【００１３】
まず図２に示すように、配線体２００を準備する。配線体２００は、一面上に電極２１０及び保護絶縁層２２０を有している。電極２１０は、例えばＣｕ（銅）層の上にＮｉ（ニッケル）及びＡｕ（金）をこの順に積層した構成を有している。ただし電極２１０の構成はこれに限定されない。保護絶縁層２２０は、例えばソルダーレジストであり、電極２１０を露出するための開口を有している。本実施形態において、電極２１０はパターンを有するＣｕ層の側面と上面周辺部がソルダーレジストで覆われ、上面周辺部に囲まれた内部領域はソルダーレジストが開口しておりＮｉ層、Ａｕ層が順に形成されているＳＭＤ構造（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ構造）となっている。配線体２００はインターポーザである。尚、後述する他の図を含めて図示を省略するが配線体２００の他の面（半導体チップが搭載される面）にも同様に半導体チップと電気的に接続するためのチップ電極とソルダーレジスト層を備えていて良い。
【００１４】
次いで、配線体２００の他面上に半導体チップ１００を、接着層３１０を用いて搭載する。接着層３１０は、例えば銀ペーストである。半導体チップ１００は、能動面を、配線体２００とは逆側に向けた状態で配線体２００に搭載される。ここで半導体チップ１００はＳｉ（シリコン）などの半導体基板の能動面にトランジスタや多層配線層が形成され表面に電極パッドを備えたものである。次いで、半導体チップ１００の電極パッドと、配線体２００の電極とを、ボンディングワイヤ３２０を用いて接続する（図１のステップＳ２０）。
【００１５】
次いで、半導体チップ１００及びボンディングワイヤ３２０を、樹脂層３３０を用いて封止する。樹脂層３３０は熱硬化性の樹脂であるが、この状態では樹脂層３３０は完全には硬化していない。換言すると樹脂層３００の熱硬化反応は飽和には至っておらず、半導体装置として必要な信頼性を得るには、樹脂層３３０のさらなる熱硬化工程が必要な状態にある（図１のステップＳ３０）。
【００１６】
この状態において、図２（ｂ）の拡大図に示すように、電極２１０の上に有機材料２１２が位置していることがある。有機材料２１２は、例えば、保護絶縁層２２０に含まれていた溶剤（例えばポリジメチルシロキサンなどのシロキサン）が染み出したものである。また有機材料２１２は、電極２１０を保護するための保護膜として意図的に形成されている場合もある。後者の場合においても、電極２１０の上には、保護絶縁層２２０に含まれていた溶剤は染み出す。
【００１７】
次いで図３に示すように、配線体２００の電極２１０上に、溶媒４００を位置させる（図１のステップＳ４０）。溶媒４００は有機材料を溶解する溶媒であり、例えばエーテルである。ただし、溶媒４００は、メチルジグリコール、メチルトリグリコール、メチルポリグリコール、イソプロピルジグリコール、ブチルグリコール、ブチルトリグリコール、イソブチルグリコール、イソブチルジグリコール、ヘキシルグリコール、ヘキシルジグリコール、２エチルヘキシルグリコール、２エチルヘキシルジグリコール、アリルグリコール、フェニルグリコール、フェニルジグリコール、ベンジルグリコール、ベンジルジグリコール、メチルプロピレンジグリコール、メチルプロピレントリグリコール、プロピルプロピレンジグリコール、ブチルプロピレングリコール、ブチルプロピレンジグリコール、フェニルプロピレングリコール、ジメチルジグリコール、ジメチルトリグリコール、メチルエチルジグリコール、ジエチルジグリコール、ジブチルジグリコール、及びジメチルプロピレンジグリコールの少なくとも一つであってもよい。
【００１８】
次いで、電極２１０の上に溶媒４００を位置させた状態を、一定時間保持する。本実施形態では、このとき、電極２１０、樹脂層３３０、及び溶媒４００を加熱する。この熱処理温度及び熱処理時間は、樹脂層３３０の硬化に必要な条件を満たしている。例えば熱処理は、１５０℃以上で１．５時間以上行われる。この熱処理により、樹脂層３３０の熱硬化反応が進んで樹脂層３３０は十分に硬化するとともに、電極２１０上に位置していた有機材料２１２は、溶媒４００に十分に溶解する（図１のステップＳ５０）。
【００１９】
次いで図４に示すように、電極２１０等を冷却した後、少なくとも電極２１０上を純水で洗浄する。これにより溶媒４００は除去される。このとき、溶媒４００に溶け込んだ有機材料２１２も除去される（図１のステップＳ６０）。
【００２０】
次いで図５に示すように、電極２１０上にフラックス４１０を塗布し、さらにフラックス４１０が塗布された電極２１０上にハンダボール４２２を搭載する（図１のステップＳ７０）。
【００２１】
次いで図６に示すように、ハンダボール４２２をリフローすることで溶融し、その後冷却固化する。これにより、ハンダボール４２２が電極２１０に接合されバンプ４２０が形成される（図１のステップＳ８０）。
【００２２】
次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。本実施形態によれば、電極２１０上にフラックス４１０及びハンダボール４２２を搭載する前に、電極２１０の表面を溶媒４００で洗浄している。従って、電極２１０上に有機材料２１２が位置していても、有機材料２１２を除去してから電極２１０上にフラックス４１０及びハンダボール４２２を位置させることができる。従って、バンプ４２０が電極２１０に対して接合不良を起こすことを抑制できる。
【００２３】
また、樹脂層３３０を熱硬化させている間に、溶媒４００を用いて電極２１０の表面を洗浄している。換言すると、樹脂層３３０の熱硬化工程の前に、電極２１０の表面に溶媒４００を塗布している。
このため、溶媒４００で電極２１０を洗浄することによって半導体装置の製造に必要な時間が長くなることを抑制できる。また、溶媒４００を用いて電極２１０の表面を洗浄している間、溶媒４００及び電極２１０も加熱されている。従って、電極２１０を十分に洗浄することができる。
また、本実施形態において電極２１０はＳＭＤ構造となっている。ＳＭＤ構造においては電極２１０と保護絶縁層２２０が接するため電極２１０上に保護絶縁層２２０に起因する有機材料２１２が形成されやすいため、特に顕著な効果を得ることが出来る。
【００２４】
（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図８、図９、及び図１０は、図７に示した工程を説明するための断面図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体装置の個片化工程の詳細が、第１の実施形態と異なる。
【００２５】
まず、ウェハ状態の半導体チップをダイシングし、複数の半導体チップを個片化する（図７のステップＳ１０）。
【００２６】
次いで図８（ａ）に示すように、配線体２００を準備する。本図に示す状態において、配線体２００は複数互いに繋がった形状を有している。次いで、複数の配線体２００の各々に、接着層３１０を用いて半導体チップ１００を搭載し、さらにボンディングワイヤ３２０を用いて半導体チップ１００と配線体２００とを接続する（図７のステップＳ２０）。次いで、複数の配線体２００の一面を一括して樹脂層３３０で封止する（図７のステップＳ３０）。この状態において、樹脂層３３０は完全には硬化していない。
【００２７】
次いで図８（ｂ）に示すように、配線体２００の電極２１０上に、溶媒４００を位置させる（図７のステップＳ４０）。次いで、電極２１０の上に溶媒４００を位置させた状態を、一定時間保持する。このとき、電極２１０、樹脂層３３０、及び溶媒４００を加熱する。この熱処理により、樹脂層３３０の熱硬化反応が進行するとともに、電極２１０上に位置していた有機材料２１２は、溶媒４００に十分に溶解する（図７のステップＳ５０）。
【００２８】
次いで図９（ａ）に示すように、電極２１０等を、例えば１℃／秒以上の冷却速度で冷却した後、少なくとも電極２１０上を純水で洗浄する。これにより溶媒４００は除去される。このとき、溶媒４００に溶け込んだ有機材料２１２も除去される（図７のステップＳ６０）。次いで、電極２１０上にフラックス４１０を塗布し、さらにフラックス４１０が塗布された電極２１０上にハンダボール４２２を搭載する（図７のステップＳ７０）。
【００２９】
次いで図９（ｂ）に示すように、ハンダボール４２２をリフローして溶融する。これにより、ハンダボール４２２が電極２１０に接合されバンプ４２０が形成される（図７のステップＳ８０）。
【００３０】
次いで図１０に示すように、配線体２００及び樹脂層３３０をダイシングする。これにより配線体２００は、個々の半導体装置に個片化される（図７のステップＳ９０）。
【００３１】
本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３２】
（第３の実施形態）
図１１は、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図１２、図１３、及び図１４は、図１１に示した工程を説明するための断面図である。なお、図１２〜図１４の各図において、（ａ）は断面図を示しており、（ｂ）は（ａ）の要部を拡大した断面図を示している。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、フラックス及びハンダボール４２２を電極２１０上に搭載するタイミングが、第２の実施形態と異なる。
【００３３】
本実施形態において、図１１のステップＳ１０〜ステップＳ３０は、第２の実施形態と同様である。
【００３４】
そして図１２に示すように、樹脂層３３０が形成された後、電極２１０上にフラックス４０２を位置させる。フラックス４０２は、第２の実施形態における溶媒４００と同様の成分を含んでいる（図１１のステップＳ４０）。
【００３５】
次いで図１３に示すように、フラックス４０２が塗布された電極２１０上にハンダボール４２２を搭載する（図１１のステップＳ４２）。次いで、電極２１０、樹脂層３３０、フラックス４０２、及びハンダボール４２２を加熱する。この熱処理温度及び熱処理時間は、樹脂層３３０の熱硬化に必要な条件を満たしている。例えば熱処理は、１５０℃以上（ただしハンダボール４２２の融点未満）で１．５時間以上行われる。この熱処理により、樹脂層３３０が十分に熱硬化するとともに、電極２１０上に位置していた有機材料２１２は、フラックス４０２に十分に溶解する（図１１のステップＳ５０）。
【００３６】
次いで図１４に示すように、熱処理温度を上げ、ハンダボール４２２の融点以上にして、その後冷却する。このリフロー処理により、ハンダボール４２２はバンプ４２０として電極２１０上に形成される。
【００３７】
次いで、バンプ４２０及び電極２１０を純水で洗浄し（図１１のステップＳ６２）、その後、個々の半導体装置に個片化する（図１１のステップＳ９０）。
【００３８】
図１５は、図１１のステップＳ５０，Ｓ５２で用いられる保持部材６００の構成を示す断面図である。図１１のステップＳ５０に示した加熱工程において、樹脂層３３０が形成された配線体２００は、保持部材６００によって縁が保持されている。配線体２００は、冷却が完了するまで、保持部材６００によって縁が保持されている。
【００３９】
本実施形態によっても、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、溶媒４００の代わりにフラックス４０２を用いているため、樹脂層３３０を硬化させた後、冷却工程を経ずにハンダボール４２２のリフローを行うことができる。すなわち、樹脂層３３０の熱効果工程及びリフロー工程を連続して行うことができるため、リフロー工程において必要な加熱量を少なくすることができる。
【００４０】
また、樹脂層３３０を熱硬化させ、その後冷却する場合、樹脂層３３０と配線体２００の間で生じる熱応力に起因して、配線体２００が反ることがある。この場合、樹脂層３３０を硬化させた後にハンダボール４２２を電極２１０上に搭載することは、難しくなる。これに対して本実施形態では、樹脂層３３０を熱硬化する前にハンダボール４２２を電極２１０上に搭載している。従って、ハンダボール４２２を電極２１０上に搭載しやすくなる。
【００４１】
また、図１５に示したように、配線体２００は、冷却が完了するまで、保持部材６００が配線体２００と樹脂層３００の縁の両面を保持しているため、樹脂層３３０を硬化させた後に配線体２００が反ることを抑制できる。尚、配線体２００は、電極２１０が形成される一面と逆側の面の全面が樹脂層３００で覆われている必要はなく、この場合であっても配線体２００の一面と、樹脂層３００との縁の両面を保持することで、同様の効果を得ることが出来る。
【００４２】
なお、本実施形態において、フラックス４０２の代わりに、溶媒４００と同様の成分を含むハンダペーストを用いても、上記した効果を得ることができる。この場合、ハンダペーストとしては、Ｓｎ−Ｂｉ、またはＳｎ−Ｂｉ−Ａｇを用いることができる。
【００４３】
（第４の実施形態）
図１６は、第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図１７及び図１８は、図１６に示した工程を説明するための断面図である。なお、図１７及び図１８において、（ａ）は断面図を示しており、（ｂ）は（ａ）の要部を拡大した断面図を示している。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、樹脂層３３０を熱硬化させるときには電極２１０上にハンダボール４２２を搭載しておらず、その後、冷却工程を経ずにフラックス４０２上にハンダボール４２２を配置する点が、第３の実施形態と異なる。
【００４４】
詳細には、図１７に示すように、ステップＳ１０〜Ｓ４０までは、第３の実施形態と同様である。そして、電極２１０上にフラックス４０２を位置させた後、ハンダボール４２２を電極２１０上に配置する前に、電極２１０、樹脂層３３０、及びフラックス４０２を加熱する。このときの加熱温度は、ハンダボール４２２の融点よりも高い。この熱処理により、樹脂層３３０が熱硬化するとともに、電極２１０上に位置していた有機材料２１２は、フラックス４０２に十分に溶解する（図１６のステップＳ５０）。
【００４５】
次いで図１８に示すように、電極２１０及びフラックス４０２を冷却することなく、フラックス４０２上にハンダボール４２２を位置させる。上記したように、本実施形態において樹脂層３３０を熱硬化させる工程における熱処理温度は、ハンダボール４２２の融点よりも高い。従って、ハンダボール４２２をフラックス４０２上に配置すると、ハンダボール４２２は直ぐに溶融する。なお、本実施形態においてハンダボール４２２は、液相線温度が１８０℃以下の低融点ハンダであってもよい。その後、ハンダボール４２２を冷却して、ハンダボール４２２を電極２１０に接合させバンプ４２０を形成する（図１６のステップＳ５４）。
【００４６】
その後の工程（図１６のステップＳ６２及びＳ９０）は、第３の実施形態と同様である。
【００４７】
本実施形態によっても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、ハンダボール４２２を搭載する前に樹脂層３３０を熱硬化させているが、配線体２００及び樹脂層３３０を冷却する前にハンダボール４２２を電極２１０上に配置している。このため、ハンダボール４２２を搭載するときには配線体２００の反りは小さく、ハンダボール４２２を電極２１０上に搭載しやすい。なお、本実施形態においても、フラックス４０２の代わりに、溶媒４００と同様の成分を含むハンダペーストを用いても、上記した効果を得ることができる。
【００４８】
（第５の実施形態）
図１９は、第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、樹脂層３３０による封止を行った（ステップＳ３０）後、配線体２００に形成された樹脂層３３０にダイシングテープを取り付けて（ステップＳ３１）から、ステップＳ４０〜ステップＳ９０に示した工程を行い、その後、個片化された半導体装置をダイシングテープから取り外す（ステップＳ９２）点を除いて、第３の実施形態（又は第４の実施形態）に係る半導体装置の製造方法と同様である。
本実施形態によっても、第３の実施形態（又は第４の実施形態）と同様の効果を得ることができる。
【００４９】
（第６の実施形態）
図２０は、第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図２１、図２２、及び図２３の各図は、図２０に示した工程を説明するための断面図である。本実施形態によって製造された半導体装置は、配線体２００の構成が、第１〜第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なる。図２０に示した半導体装置の製造方法は、第３の実施形態に示した半導体装置の製造方法をベースにしている。
【００５０】
まず図２１（ａ）に示すように、支持体５００上に少なくとも一つの配線層を形成する。この配線層により、配線体２００が形成される（図２０のステップＳ１４）。最下層の配線層の配線は電極２１０を含んでおり、また、支持体５００に接している。
【００５１】
次いで図２１（ｂ）に示すように、支持体５００を取り外さずに、配線体２００上に複数の半導体チップ１００をフリップチップ実装する（図２０のステップＳ２０）。半導体チップ１００は、例えばメモリチップである。このとき、半導体チップ１００と配線体２００の接合部分を、アンダーフィル樹脂層１０２を用いて封止する（図２０のステップＳ３０）。アンダーフィル樹脂層１０２は、半導体チップ１００を配線体２００に実装した後に流動性のある状態のアンダーフィル樹脂を流し込んで形成されても良いし、半導体チップ１００を配線体２００に実装する前に、半導体チップ１００及び配線体２００のいずれか一方に樹脂シートとして配置されていても良い。
【００５２】
次いで図２２（ａ）に示すように、支持体５００を取り外さずに、配線体２００及び複数の半導体チップ１００を樹脂層３３０で一括封止する（図２０のステップＳ３２）。この段階では、樹脂層３３０は完全には熱硬化していない。
【００５３】
次いで図２２（ｂ）に示すように、支持体５００を除去する（図２０のステップＳ３４）。これにより、電極２１０は配線体２００の下面に露出する。また、配線体２００の下面には、電極２１４も露出する。電極２１４の一部は、電極２１０に電気的に接続しており、電極２１４の残りは、半導体チップ１００に接続している。
【００５４】
次いで図２３（ａ）に示すように、配線体２００の下面に、保護絶縁層２２０を形成する。このとき、保護絶縁層２２０には、電極２１０及び電極２１４を露出するための開口が設けられる。次いで、配線体２００の下面に、半導体チップ１１０をフリップチップ実装する。半導体チップ１１０は、電極２１４に接続している。半導体チップ１１０は例えばロジックチップであり、電極２１４を介して半導体チップ１００及び電極２１０の双方に接続している。このとき、半導体チップ１１０と配線体２００の接合部分を、アンダーフィル樹脂層１１２を用いて封止する。樹脂層１１２は、半導体チップ１１０を配線体２００に実装した後に形成されても良いし、半導体チップ１１０を配線体２００に実装する前に、半導体チップ１１０及び配線体２００のいずれか一方に樹脂シートとして配置されていても良い。
【００５５】
その後、樹脂層３３０のうち配線体２００に対向していない側の面に、ダイシングテープを貼り付ける（図２０のステップＳ３６）。
ここでダイシングテープは後に半導体装置を個片化する際（後述する図２０のステップＳ９０）に、個片化後の個々の半導体装置の位置を固定するものである。
【００５６】
その後図２３（ｂ）に示すように、ステップＳ４０〜ステップＳ６２に示した処理を行う。これらの処理の詳細は、第３の実施形態と同様である。そして、半導体装置を個片化し（図２０のステップＳ９０）、個片化された半導体装置をダイシングテープから取り外す（図２０のステップＳ９２）。
【００５７】
本実施形態によっても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、ダイシングテープを樹脂層３３０の熱硬化工程（Ｓ５０）より前に貼り付け、個片化工程（Ｓ９０）より後に除去している。このため、熱硬化に伴う配線体の反りが発生した状態で配線体単体は搬送されない。これにより、歩留まりは向上する。
【００５８】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば上記した各実施形態では、溶媒４００に有機材料２１２を溶解する工程と、樹脂層３３０を硬化する工程とを兼ねるために、電極２１０上に溶媒４００を位置させた状態を１．５時間以上保持している。ただし、樹脂層３３０を硬化する工程を兼ねていない場合には、電極２１０上に溶媒４００を位置させている状態を短くしても良い。電極２１０上に溶媒４００を位置させている時間は、例えば、有機材料２１２が溶媒４００に溶解するために必要な時間を実測することにより定められる。この時間は、少なくとも１０分以上である。
【００５９】
また、上記した各実施形態において、ハンダボール４２２の代わりに、ハンダペーストを用いてバンプ４２０を形成しても良い。
【符号の説明】
【００６０】
１００ 半導体チップ
１０２ 樹脂層
１１０ 半導体チップ
１１２ 樹脂層
２００ 配線体
２１０ 電極
２１２ 有機材料
２１４ 電極
２２０ 保護絶縁層
３１０ 接着層
３２０ ボンディングワイヤ
３３０ 樹脂層
４００ 溶媒
４０２ フラックス
４１０ フラックス
４２０ バンプ
４２２ ハンダボール
５００ 支持体
６００ 保持部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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