(57)【要約】【課題】  方向による色度のバラツキの少ない半導体発光装置を提供する。【解決手段】  半導体発光装置１０では、第１、第２半導体発光１４、１５は、リードフレーム１１、１３上に配置されている。透光性樹脂体１７は、リードフレーム１１、１２、１３上に第１、第２半導体発光素子１４、１５を埋め込むように設けられている。透光性樹脂体１７は、第１、第２半導体発光素子１４、１５から放出される光を吸収し、吸収した光の波長より長い波長の光を放出する蛍光体を含有する。第１、第２半導体発光素子１４、１５は、その中心が、平面視で透光性樹脂体１７の１の対角線１８の両側に位置し、対角線１８に平行で、且つ対角線１８と交わる辺の対角線１８に近い４等分点を通る第１、第２直線２１ａ、２１ｂと、透光性樹脂体１７の第１、第２中心線２２ａ、２２ｂに囲まれた第１、第２領域２３ａ、２３ｂ内にあり、対角線１８の中心に対して対称に配置されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム上に、離間して配置された第１半導体発光素子と、第２半導体発光素子と、
前記リードフレーム上に、前記第１および第２半導体発光素子を埋め込むように設けられ、前記第１および第２半導体発光素子から放出される光を吸収して前記光の波長より長い波長の光を放出する蛍光体を含有する透光性樹脂体と、
を具備し、
前記第１および第２半導体発光素子は、前記第１および第２半導体発光素子の中心が、平面視で前記透光性樹脂体の１の対角線の両側に位置し、前記対角線に平行で、且つ前記対角線と交わる辺の前記対角線に近い４等分点を通る第１および第２直線と、前記透光性樹脂体の第１および第２中心線に囲まれた第１および第２領域内にあり、前記対角線の中心に対して対称に配置されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１および第２半導体発光素子は、平面視で前記対角線上に対称に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記リードフレームは、３以上のリードフレームを有し、前記第１および第２半導体発光素子は、一部の前記リードフレームを中継端子または外部接続端子として、ワイヤを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記リードフレームは、２のリードフレームを有し、前記第１および第２半導体発光素子は、ワイヤを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記第１および第２半導体発光素子は、ダミーチップを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
同一平面上に、離間して配置された第１および第２リードフレームと、
前記第１または第２リードフレームの対角線の一端側に載置されるとともに、第１および第２端子を有し、前記第１端子が前記第１リードフレームに電気的に接続され、前記第２端子が前記第２リードフレームに電気的に接続された第１半導体発光素子と、
前記第２リードフレームの前記対角線の他端側に載置されるとともに、第１および第２端子を有し、前記第１端子が前記第１リードフレームに電気的に接続され、前記第２端子が前記第２リードフレームに電気的に接続された第２半導体発光素子と、
前記第１および第２リードフレームの対向する外側のエッジ部に設けられ、前記第１および第２半導体発光素子の高さより大きい高さを有する第１および第２遮光体と、
前記第１および第２リードフレーム上であって、前記第１および第２遮光体の間に前記第１および第２半導体発光素子を埋め込むように設けられ、前記第１および第２半導体発光素子から放出される光を吸収して前記光の波長より長い波長の光を放出する蛍光体を含有する透光性樹脂体と、
を具備することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項７】
前記第１および第２遮光体は、前記第１および第２リードフレームから末広がり状に傾斜して対向する第１および第２側面を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
同一平面上に、離間して配置された第１および第２リードフレームと、
前記第１リードフレームの中央部に載置されるとともに、第１および第２端子を有し、前記第１端子が前記第１リードフレームに電気的に接続され、前記第２端子が前記第２リードフレームに電気的に接続された第１半導体発光素子と、
前記第２リードフレームの中央部に載置されるとともに、第１および第２端子を有し、前記第１端子が前記第１リードフレームに電気的に接続され、前記第２端子が前記第２リードフレームに電気的に接続された第２半導体発光素子と、
前記第１および第２リードフレーム上に、前記第１および第２半導体発光素子を埋め込むように設けられ、前記第１および第２半導体発光素子からの距離が互いに略等しい連続する３つの側面を有するとともに、前記第１および第２半導体発光素子から放出される光を吸収して前記光の波長より長い波長の光を放出する蛍光体を含有する透光性樹脂体と、
を具備することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項９】
前記第１および第２リードフレームの対向する内側のエッジ部に設けられ、前記第１リードフレームから前記第２リードフレーム側に傾斜した第１側面を有する第１反射体と、前記第２リードフレームから前記第１リードフレーム側に傾斜した第２側面を有する第２反射体を具備することを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記第１および第２反射体は、前記エッジ部に部分的に設けられていることを特徴とする請求項９に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記第１および第２半導体光素子は、複数の半導体光素子の集合体であることを特徴とする請求項１、６、８のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体発光装置には、複数の窒化物半導体発光素子がリードフレームにマウント・ボンディングされ、リードフレーム上に複数の窒化物半導体発光素子を埋め込むように蛍光体を含有する透光性樹脂体が設けられているものがある。
【０００３】
青色光を放出する窒化物半導体発光素子と、青色光を吸収して黄色光を放出する蛍光体を含有する透光性樹脂体を用いることにより、白色光を放出する半導体発光装置が得られる。
【０００４】
窒化物半導体発光素子から放出された青色光は、透光性樹脂体内を通過しながら一部は蛍光体に吸収されて黄色光に変換され、残りは外部に放出される。外部に放出される青色光の強度と黄色光の強度の比率は、透光性樹脂体を通過する距離に依存する。通過距離が長いほど、黄色光が増加し、青色光は減少する。
【０００５】
その結果、この半導体発光装置では、青色光の配光特性と黄色光の配光特性が異なり、配光角度に応じて青色光の強度と黄色光の強度比が変化する。従って、見る方向による色度のバラツキが大きいという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２６６２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
方向による色度のバラツキの少ない半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一つの実施形態によれば、半導体発光装置では、第１半導体発光素子および第２半導体発光素子は、リードフレーム上に離間して配置されている。透光性樹脂体は、前記リードフレーム上に、前記第１および第２半導体発光素子を埋め込むように設けられている。前記透光性樹脂体は、前記第１および第２半導体発光素子から放出される光を吸収して前記光の波長より長い波長の光を放出する蛍光体を含有している。前記第１および第２半導体発光素子は、前記第１および第２半導体発光素子の中心が、平面視で前記透光性樹脂体の１の対角線の両側に位置し、前記対角線に平行で、且つ前記対角線と交わる辺の前記対角線に近い４等分点を通る第１および第２直線と、前記透光性樹脂体の第１および第２中心線に囲まれた第１および第２領域内にあり、前記対角線の中心に対して対称に配置されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態１に係る半導体発光装置を示す図。
【図２】実施形態１に係る半導体発光素子の配置を示す平面図。
【図３】実施形態１に係る比較例の半導体発光装置を示す図。
【図４】実施形態１に係る半導体発光装置の色度特性を比較例の半導体発光装置の色度特性と対比して示す図。
【図５】実施形態１に係る半導体発光装置を示す色度図。
【図６】実施形態１に係る半導体発光装置を搭載した照明体を示す図。
【図７】実施形態１に係る半導体発光装置の製造工程を順に示す図。
【図８】実施形態１に係る別の半導体発光装置を示す平面図。
【図９】実施形態１に係る別の半導体発光装置を示す平面図。
【図１０】実施形態１に係る別の半導体発光装置を示す平面図。
【図１１】実施形態１に係る別の半導体発光装置を示す平面図。
【図１２】実施形態１に係る別の半導体発光装置を示す平面図。
【図１３】実施形態１に係る半導体発光素子の別の配置を示す平面図。
【図１４】実施形態２に係る半導体発光装置を示す面図。
【図１５】実施形態２に係る半導体発光装置を搭載した照明体を示す図。
【図１６】実施形態２に係る半導体発光装置の製造工程を順に示す図。
【図１７】実施形態２に係る半導体発光装置の製造工程を順に示す図。
【図１８】実施形態３に係る半導体発光装置を示す図。
【図１９】実施形態３に係る別の半導体発光装置を示す図。
【図２０】実施形態３に係る別の半導体発光装置を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
（実施形態１）
本実施形態に係る半導体発光装置について図１および図２を用いて説明する。図１は本実施形態の半導体発光装置を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図２は半導体発光素子の配置を示す図である。
【００１２】
本実施形態の半導体発光装置は、青色光を放出する複数の窒化物半導体発光素子を、青色光を吸収して黄色光を放出する蛍光体を含有する透光性樹脂でモールドすることにより、白色光を放出するように構成された半導体発光装置である。
【００１３】
図１に示すように、本実施形態の半導体発光装置１０では、第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３のベース部に、第１および第２半導体発光素子１４、１５がマウント・ボンディングされ、第１および第２半導体発光素子１４、１５は蛍光体１６を含有する透光性樹脂体１７で覆われている。
【００１４】
第１半導体発光素子１４は、第１リードフレーム１１のベース部の一端側（図の−Ｘ方向側）にマウントされている。第２半導体発光素子１５は、第３リードフレーム１３のベース部の他端側（図の＋Ｘ方向側）にマウントされている。
【００１５】
ここで、図１に示すＸ−Ｙ座標の原点は、平面視で（図のＺ方向から見て）透光性樹脂体１７の２つの対角線１８の交点とする。
【００１６】
具体的には、第１および第２半導体発光素子１４、１５は、平面視で透光性樹脂体１７の対角線１８が第１および第２半導体発光素子１４、１５を通るように配置されることが望ましい。第１および第２半導体発光素子１４、１５は、透光性樹脂体１７の対角線１８の中心に対して点対称に配置されることが更に望ましい。
【００１７】
図２に示すように、平面視で透光性樹脂体１７の対角線１８の両側に位置し、対角線１８に平行な２直線を第１および第２直線２１ａ、２１ｂとする。第１直線２１ａは、対角線１８と交わる辺１７ａの４等分点で対角線１８に近い４等分点１７ｃを通り、第２直線２１ｂは、対角線１８と交わる辺１７ｂの４等分点で対角線１８に近い４等分点１７ｄを通っている。
【００１８】
透光性樹脂体１７のＸ、Ｙ方向の中心線を第１および第２中心線２２ａ、２２ｂとする。第１および第２直線２１ａ、２１ｂと第１および第２中心線２２ａ、２２ｂに囲まれた領域を第１および第２領域２３ａ、２３ｂとする。
【００１９】
これから、第１および第２半導体発光素子１４、１５は、中心が平面視で第１および第２領域２３ａ、２３ｂ内にあり、対角線１８の中心に対して対称に配置されている。
【００２０】
以下、半導体発光装置１０について具体的に説明する。
【００２１】
第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３は、矩形のベース部が一つ設けられており、このベース部から複数本の吊りピンが延出している。図１はそのベース部のみを示している。以後、第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３のベース部を、単に第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３と記す。
【００２２】
第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３は、それぞれ平板状である。第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３は、同一平面上にあり、Ｙ方向に離間して順に配置されている。
【００２３】
即ち、第１および第２リードフレームが対向し、第２および第３リードフレームが対向し、第２リードフレームが第１および第３リードフレームに挟まれるように配置されている。
【００２４】
第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３は、それぞれＹ方向の長さよりＸ方向の長さが大きい矩形である。第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３は、Ｘ方向の長さは互いに略等しい。第２リードフレーム１２は、Ｙ方向の長さが第１および第３リードフレーム１１、１３より短い。
【００２５】
第１および第２半導体発光素子１４、１５は、例えば波長約４５０ｎｍの青色光を放出する窒化物半導体発光素子である。第１および第２半導体発光素子１４、１５では、サファイア基板にＮ型ＧａＮクラッド層と、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造を含む半導体発光層と、Ｐ型ＧａＮクラッド層と、Ｐ型ＧａＮコンタクト層が順に積層されている。
【００２６】
第１および第２半導体発光素子１４、１５は、Ｎ型ＧａＮクラッド層を露出する切り欠き部（図示せず）を有している。
【００２７】
第１半導体発光素子１４のＰ型ＧａＮコンタクト層上に第１端子（Ｐ側電極）１４ａが設けられている。切り欠き部に露出したＮ型ＧａＮクラッド層上に第２端子（Ｎ側電極）１４ｂが設けられている。
【００２８】
第２半導体発光素子１５のＰ型ＧａＮコンタクト層上に第１端子（Ｐ側電極）１５ａが設けられている。切り欠き部に露出したＮ型ＧａＮクラッド層上に第２端子（Ｎ側電極）１５ｂが設けられている。
【００２９】
第１端子１４ａ、１５ａは、例えばＰ型ＧａＮ層にオーミックコンタクト可能な金（Ａｕ）膜である。第２端子１４ｂ、１５ｂは、例えばＮ型ＧａＮ層にオーミックコンタクト可能なチタン（Ｔｉ）／白金（Ｐｔ）／金（Ａｕ）の積層膜である。
【００３０】
第１半導体発光素子１４は、第１リードフレーム１１の一端部にダイマウント材、例えば接着剤を介してマウントされている。第１端子１４ａは、ワイヤ１９ａを介して第１リードフレーム１１に電気的に接続されている。第２端子１４ｂは、ワイヤ１９ｂを介して第２リードフレーム１２に電気的に接続されている。
【００３１】
第２半導体発光素子１５は、第３リードフレーム１３の他端部にダイマウント材、例えば接着剤を介してマウントされている。第１端子１５ａは、ワイヤ１９ｃを介して第３リードフレーム１３に電気的に接続されている。第２端子１５ｂは、ワイヤ１９ｄを介して第２リードフレーム１２に電気的に接続されている。
【００３２】
第１端子１４ａ、１５ａは、アノード端子である。第２端子１４ｂ、１５ｂは、カソード端子である。
【００３３】
第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３上には、第１および第２半導体発光素子１４、１５を埋め込むように蛍光体１６を含有する透光性樹脂体１７が設けられている。
【００３４】
透光性樹脂体１７は直方体状で、その上面１７ａは第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３のある同一平面に略平行である。透光性樹脂体１７は、平面視で第１および第２半導体発光素子１４、１５を通る対角線１８を有している。
【００３５】
透光性樹脂体１７は、第１および第２半導体発光素子１４、１５、およびワイヤ１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄを覆っている。透光性樹脂体１７は、第１リードフレーム１１の下面１１ｂ、図示されない第２リードフレーム１２の下面および第３リードフレーム１３の下面１３ｂを露出している。
【００３６】
透光性樹脂体１７は、例えば青色光および黄色光に対して透光性を有するエポキシ樹脂、シリコーン樹脂またはアクリル樹脂である。透光性樹脂体１７は、蛍光体１６を、例えば４０ｗｔ％乃至５０ｗｔ％程度含んでいる。
【００３７】
蛍光体１６は、例えば青色光を吸収して黄色光を放出するＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）蛍光体である。ＹＡＧ蛍光体は下記の一般式で表わすことができる。  
（ＲＥ１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧａ１−ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ
但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、ＲＥはＹおよびＧｄから選択される少なくとも１種の元素である。
【００３８】
半導体発光装置１０は、第１半導体発光素子１４の第１端子１４ａが第１リードフレーム１１に引き出され、第２半導体発光素子１５の第２端子１５ａが第３リードフレーム１３に引き出され、第１および第２半導体発光素子１４、１５の第２端子１４ｂ、１５ｂが第２リードフレーム１２共通に引き出されている３端子装置である。第１および第２半導体発光素子１４、１５は並列接続される。
【００３９】
第１および第３リードフレーム１１、１３を電源の正極端子に接続し、第２リードフレーム１２を電源の負極端子に接続すると、第１および第２半導体発光素子１４、１５に電流が流れ、青色光が放出される。
【００４０】
蛍光体１６は、放出された青色光の一部を吸収し、黄色光を放出する。蛍光体１６に吸収されなかった青色光と蛍光体１６から放出された黄色光が混合されることにより、白色光が得られる。
【００４１】
上述した半導体発光装置１０は、第１および第２半導体発光素子１４、１５が平面視で蛍光体１６を含有する透光性樹脂体１７の対角線１８上に配置されることにより、方向による色度のバラツキが低減されるように構成されている。
【００４２】
次に、本実施形態の半導体発光装置１０の色度特性について、比較例の半導体発光装置の色度特性と対比して説明する。まず、比較例の半導体発光装置について説明する。
【００４３】
図３は比較例の半導体発光装置を示す図である。図３に示すように、比較例の半導体発光装置３０では、第１および第２半導体発光素子１４、１５が蛍光体１６を含有する透光性樹脂体１７でモールドされている点に関しては同じである。異なるのは、第１および第２半導体発光素子１４、１５が、同じリードフレームにマウントされていることである。
【００４４】
即ち、半導体発光装置３０では、板状の第１および第２リードフレーム３１、３２が、同一平面上に対向して配置されている。
【００４５】
第１および第２リードフレーム３１、３２は、Ｙ方向の長さよりＸ方向の長さが大きい矩形である。第１および第２リードフレーム３１、３２は、Ｘ方向の長さは略等しい。第２リードフレーム３２は、Ｙ方向の長さが第１リードフレーム３１より大きい。
【００４６】
第１半導体発光素子１４は、第２リードフレーム３２の対角線３３の一端側にマウントされている。第１端子１４ａは、ワイヤ１９ａを介して第１リードフレーム３１に電気的に接続されている。第２端子１４ｂは、ワイヤ１９ｂを介して第２リードフレーム３２に電気的に接続されている。
【００４７】
第２半導体発光素子１５は、第２リードフレーム３２の対角線３３の他端側にマウントされている。第１端子１５ａは、ワイヤ１９ｃを介して第１リードフレーム３１に電気的に接続されている。第２端子１５ｂは、ワイヤ１９ｄを介して第２リードフレーム３２に電気的に接続されている。
【００４８】
第１および第２半導体発光素子１４、１５は、第２リードフレーム３２の対角線３３上に点対称に配置されている。半導体発光装置３０では、第１および第２半導体発光素子１４、１５は、平面視で透光性樹脂体１７の対角線１８上に配置することはできない。
【００４９】
図４は半導体発光装置１０の色度の角度依存性を、半導体発光装置３０の色度の角度依存性と対比して示す図で、図４（ａ）は角度θと色度座標ｘの変化量ΔＣｘの関係を示す図、図４（ｂ）は角度θと色度座標ｙの変化量ΔＣｙの関係を示す図である。
【００５０】
図４において、実線３５は半導体発光装置１０の色度の角度依存性を示し、実線３６は半導体発光装置３０の色度の角度依存性を示している。角度０°は半導体発光装置を上面から見ることを示し、角度±９０°は半導体発光装置を±Ｙ方向の側面から見ることを示している。
【００５１】
角度０°のときの色度座標を（Ｃｘ０，Ｃｙ０）、ある角度θのときの色度座標を（Ｃｘθ，Ｃｙθ）とすると、（ΔＣｘ，ΔＣｙ）＝（Ｃｘθ−Ｃｘ０，Ｃｙθ−Ｃｙ０）で表わされる。例えば、実線３６において、θ＝６０°のとき、ΔＣｘ＝０．０２、ΔＣｙ＝０．０３７である。
【００５２】
これを図５に示す色度図で説明する。角度０°のときの白色光の色度座標を、例えば（０．２５、０．３５）とする。実線３６におけるθ＝６０°のときの色度座標は（０．２７、０．３８７）になる。
【００５３】
青色光と黄色光の強度比が変わり、黄色光の比率が大きくなるので、色度座標（Ｃｘ、Ｃｙ）が矢印方向（黄色方向）に移動し、黄色みを帯びてくることを示している。
【００５４】
色度が角度依存性を示すのは、青色光が蛍光体１６を含有する透光性樹脂体１７を通過する距離の違いによる。即ち、距離が長いほど青色光は蛍光体１６に吸収され黄色光に変換される。逆に距離が短いほど、蛍光体１６に吸収される量が減り、青色光のまま放出される。その結果、角度θにより、青色光と黄色光の比率が変化する。
【００５５】
図４に示すように、比較例の半導体発光装置３０では、正負両方向とも角度θに応じてΔＣｘ、ΔＣｙが増大する角度依存性を示している。ΔＣｘ、ΔＣｙは、正の角度θ側が大きく、負の角度θ側が小さくなっており、角度依存性は非対称である。
【００５６】
一方、本実施形態の半導体発光装置１０では、正負両方向とも角度θに応じてΔＣｘ、ΔＣｙが増大する角度依存性を示すことは、比較例の半導体発光装置３０と同じである。
【００５７】
異なるのは、ΔＣｘ、ΔＣｙは、正の角度θ側および負の角度θ側で略同じになっており、角度依存性は対称である。
【００５８】
正の角度θ側では、半導体発光装置１０の角度依存性は、半導体発光装置３０の角度依存性に対して、略１／２に改善されていることが確かめられた。一方、負の角度θ側では、半導体発光装置１０、３０の角度依存性に差は見られなかった。
【００５９】
半導体発光装置３０では、第１および第２半導体発光素子１４、１５は透光性樹脂体１７の対角線１８に対して、非対称に配置されている。
【００６０】
その結果、半導体発光装置３０では、±Ｙ方向で青色光が蛍光体１６を含有する透光性樹脂体１７を通過する距離は異なっている。＋Ｙ方向の距離が長く、−Ｙ方向の距離が短い。従って、非対称な角度依存性を示すものと考えられる。
【００６１】
一方、半導体発光装置１０では、第１および第２半導体発光素子１４、１５は透光性樹脂体１７の対角線１８に対して、点対称に配置されている。
【００６２】
その結果、半導体発光装置１０では、±Ｙ方向で青色光が蛍光体１６を含有する透光性樹脂体１７を通過する距離は略等しくなる。従って、対称な角度依存性を示すものと考えられる。
【００６３】
更に、半導体発光装置１０における＋Ｙ方向の距離は、半導体発光装置３０における＋Ｙ方向の距離より短くなっている。その結果、半導体発光装置１０における＋Ｙ方向では半導体発光装置３０における＋Ｙ方向より青色光の吸収が少なくなり、黄色光が減少して、色ずれが改善されたものと考えられる。
【００６４】
半導体発光装置３０では、第１および第２半導体発光素子１４、１５から見て蛍光体１６は＋Ｙ方向に多く分布している。その結果、第１および第２半導体発光素子１４、１５から＋Ｙ方向に放射される青色光は蛍光体１６に当たる確率が高いので、青色光として透光性樹脂体１７の外部に抜け出にくくなっている。
【００６５】
従って、＋Ｙ方向では角度θによる青色光と黄色光の強度比の差が大きくなり、見る方向による色度バラツキ（色割れ）が発生する。色度バラツキ（色割れ）とは、青色光と黄色光を混色化した際、見る方向により白色度が変わってしまうことである。
【００６６】
一方、本実施例の半導体発光装置１０では、第１および第２半導体発光素子１４、１５から見て蛍光体１６は±Ｙ方向に略均等に分布している。その結果、半導体発光装置３０より、第１および第２半導体発光素子１４、１５から＋Ｙ方向に放射される青色光は蛍光体と当たる確率が減少するので、青色光として透光性樹脂体１７の外部に出やすくなっている。
【００６７】
従って、導体発光装置１０では、見る方向により青色光と黄色光の強度比率が異なっていても、その差が少なくなり、見る方向による色度ばらつきが低減される。
【００６８】
即ち、青色光の配光特性と黄色光の配光特性を類似させることにより、方向による色度ばらつきを低減することが可能である。
【００６９】
なお、半導体発光装置１０、３０は、Ｙ軸に対しては対称に配置されている。その結果、±Ｘ方向に放出された青色光が、蛍光体１６を含有する透光性樹脂１７を通過する距離は平均して略等しくなる。従って、±Ｘ方向の側面から見たときの色度バラツキは、±Ｙ方向の側面から見たときの色度バラツキより少なくなっている。略対称な角度依存性を示している。
【００７０】
図６は半導体発光装置１０を用いた照明体を示す図である。図６に示すように、照明体４０は、長尺な基板４１に複数の半導体発光装置１０が一列に配置されている直管型のランプである。
【００７１】
半導体発光装置１０は、ピッチＰで第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３の長手方向（図１に示すＸ方向）が基板４１の長手方向（図６のＸ方向）に一致するように配置されている。
【００７２】
基板４１は、例えばプリント配線板（Printed Wiring Board）である。フェノール樹脂基板、エポキシ基板または表面が絶縁膜で覆われたアルミニウム基板に、長手方向に沿って３本の配線４２ａ、４２ｂ、４２ｃが設けられている。
【００７３】
各半導体発光装置１０の第１リードフレーム１１は、配線４２ａに共通接続されている。各半導体発光装置１０の第２リードフレーム１２は、配線４２ｂに共通接続されている。各半導体発光装置１０の第３リードフレーム１３は、配線４２ｃに共通接続されている。
【００７４】
配線４２ａ、４２ｂ、４２ｃは、コネクタ４３を経由して、電源４４に接続されている。配線４２ａ、４２ｃは、電源４４の正極端子に接続されている。配線４２ｂは、電源４４の負極端子に接続されている。
【００７５】
基板４１には、複数の半導体発光装置１０を保護するために、透光性を有する蒲鉾型のカバー４５が設けられている。
【００７６】
照明体４０においては、各半導体発光装置１０からの光で、色度ムラが残ってしまう部分においても、補完することが可能である。従って、より色度均一性の高い照明体が得られる。
【００７７】
図７は半導体発光装置１０の製造工程を順に示す図である。図７（ａ）に示すように、第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３を用意する。第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３は、第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３のベース部を１ユニットとしてＸ、Ｙ方向に繰り返し形成されているリードフレームの一部である。
【００７８】
ベース部は互いに吊りピン（図示せず）で連結されてフレーム（図示せず）に支持されている。図７（ａ）では、そのうち３行×２列のみ表示している。
【００７９】
第１半導体発光素子１４を第１リードフレーム１１の一端側にダイマウント材を用いてマウントする。第２半導体発光素子１５を第３リードフレーム１３の他端側にダイマウント材を用いてマウントする。
【００８０】
ワイヤ１９ａを第１端子１４ａと第１リードフレーム１１にボンディングする。ワイヤ１９ｂを第２端子１４ｂと第２リードフレーム１２にボンディングする。ワイヤ１９ｃを第１端子１５ａと第３リードフレーム１３にボンディングする。ワイヤ１９ｄを第２端子１５ｂと第２リードフレーム１２にボンディングする。
【００８１】
なお、第１および第２半導体発光素子１４、１５は、第１および第３リードフレーム１１、１３の対向する頂点を結ぶ線分４６上に点対称に配置するとよい。
【００８２】
図７（ｂ）に示すように、第１および第２半導体発光素子１４、１５を収納可能な凹部を有する金型４７に、ディスペンサー（図示せず）を用いて蛍光体１６を含有する液状の透光性樹脂、例えばエポキシ樹脂４８を注入する。
【００８３】
第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３を反転して、第１および第２半導体発光素子１４、１５を金型４７の凹部に収納し、エポキシ樹脂４８を所定の温度でキュアする。
【００８４】
図７（ｃ）に示すように、キュアされたエポキシ樹脂４８を金型４７から引き抜く。これにより、第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３上に第１および第２半導体発光素子１４、１５を埋め込むように、蛍光体１６を含有する透光性樹脂体１７が得られる。透光性樹脂体１７は、第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３が配置された平面に略平行な上面１７ａを有する。
【００８５】
図７（ｄ）に示すように、例えばブレード４９を用いて、所定のダイシングラインに沿って、第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３および透光性樹脂体１７を切断する。これにより、図１に示す半導体発光装置１０が得られる。
【００８６】
以上説明したように、本実施形態の半導体発光装置１０では、同一平面上に離間して順に配置された第１乃至第３リードフレーム１１、１２、１３のうち、第１リードフレーム１１の一端側に第１半導体発光素子１４がマウントされ、第３リードフレーム１３の他端側に第２半導体発光素子１５がマウントされている。第１および第２半導体発光素子１４、１５は、平面視で透光性樹脂体１７の対角線１８上に点対称に配置されている。
【００８７】
その結果、第１および第２半導体発光素子１４、１５からの青色光の配光特性と、蛍光体１６を含有する透光性樹脂体１７からの黄色光の配光特性を類似させることができる。従って、方向による色度のバラツキの少ない半導体発光装置が得られる。
【００８８】
ここでは、半導体発光素子が第１および第２発光素子１４、１５の２個である場合について説明したが、半導体発光素子の数には特に制限はない。例えば、複数の半導体発光素子をまとめて第１および第２半導体発光素子グループとしても良い。方向による色度のバラツキが少なく、且つ光出力の高い半導体発光装置が得られる。
【００８９】
蛍光体１６がＹＡＧ蛍光体である場合について説明したが、蛍光体の種類は特に限定されない。例えばサイアロン系の赤色蛍光体、またはサイアロン系の緑色蛍光体等でも構わない。青色光と赤色光、または青色光と緑色光が混合され、色度のバラツキの少ない光を放出する半導体発光装置が得られる。
【００９０】
第１および第２半導体発光素子１４、１５の上面に、第１端子１４ａ、１５ａおよび第２端子１４ｂ、１５ｂが設けられている場合について説明したが、第１端子１４ａ、１５ａおよび第２端子１４ｂ、１５ｂが設けられる面は特に限定されない。
【００９１】
第１および第２半導体発光素子１４、１５が上下通電型の半導体発光素子場合、第１または第２端子のうち一方の端子が半導体発光素子の上面に設けられ、他方の端子が半導体発光素子の下面に設けられる。半導体発光素子は導電性のダイマウント材によりリードフレームにマウントされるので、一方のワイヤが不要になる利点がある。
【００９２】
上下通電型の半導体発光素子としては、ＧａＮ基板またはＳｉＣ基板に形成された半導体発光素子、シリコン基板または金属基板に張り合わされた半導体発光素子などがある。
【００９３】
リードフレームの数、形状は、本実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。図８乃至図１２は別の半導体発光装置を示す平面図で、図８および図９は３のリードフレームを有する半導体発光装置を示す平面図、図１０は４のリードフレームを有する半導体発光装置を示す平面図、図１１および図１２は２のリードフレームを有する半導体発光装置を示す平面図である。
【００９４】
図８（ａ）に示すように、半導体発光装置１０１では、矩形状の第１リードフレーム１１ａと、Ｘ方向の幅が第１リードフレーム１１ａより短い第２および第３リードフレーム１２ａ、１３ａが互いに対向するように同一平面上に離間して配置されている。第１および第２半導体発光素子１４、１５は、第２リードフレーム１２ａを中継端子としてワイヤを介して直列接続されている。
【００９５】
図８（ｂ）に示すように、半導体発光装置１０２では、第１および第２半導体発光素子１４、１５は、第２リードフレーム１２を中継端子としてワイヤを介して直列接続されている。
【００９６】
図８（ｃ）に示すように、半導体発光装置１０３では、第１および第２半導体発光素子１４、１５は、第２リードフレーム１２ａを外部接続端子としてワイヤを介して並列接続されている。
【００９７】
図９においては、第１および第２半導体発光素子１０７、１０８は、上下導通型の半導体発光素子である。
【００９８】
図９（ａ）に示すように、半導体発光装置１０４では、第１および第２半導体発光素子１０７、１０８は、第２リードフレーム１２ａを外部接続端子としてワイヤを介して直列接続されている。
【００９９】
図９（ｂ）に示すように、半導体発光装置１０５では、鍵型の第３リードフレーム１３ｂと、２辺が第３リードフレーム１３ｂに対向するように囲まれた矩形状の第２リードフレーム１２ｂを有している。第１および第２半導体発光素子１０７、１０８は、第２リードフレーム１２ｂを外部接続端子としてワイヤを介して並列接続されている。
【０１００】
図９（ｃ）に示すように、半導体発光装置１０６では、第１および第２半導体発光素子１０７、１０８は、第２リードフレーム１２ａを外部接続端子としてワイヤを介して並列接続されている。
【０１０１】
図１０（ａ）に示すように、半導体発光装置１１１では、略同じサイズの矩形状のリードフレーム１１５、１１６、１１７、１１８が格子状に同一平面上に離間して配置されている。第１半導体発光素子１４はリードフレーム１１５に載置され、第２半導体発光素子１５はリードフレーム１１７に載置されている。
【０１０２】
第１および第２半導体発光素子１４、１５は、リードフレーム１１６を中継端子とし、リードフレーム１１８を外部接続端子としてワイヤを介して直列接続されている。
【０１０３】
図１０（ｂ）に示すように、半導体発光装置１１２では、第１および第２半導体発光素子１０７、１０８は、リードフレーム１１６、１１８を外部接続端子としてワイヤを介して直列接続されている。
【０１０４】
図１０（ｃ）に示すように、半導体発光装置１１３では、第１および第２半導体発光素子１４、１５は、リードフレーム１１６、１１８を外部接続端子としてワイヤを介して並列接続されている。
【０１０５】
図１０（ｄ）に示すように、半導体発光装置１１４では、第１および第２半導体発光素子１０７、１０８は、リードフレーム１１６、１１８を外部接続端子としてワイヤを介して並列接続されている。
【０１０６】
図１１（ａ）に示すように、半導体発光装置１２１では、略同じサイズの矩形状のリードフレーム１２４、１２５が同一平面上に離間して配置されている。第１半導体発光素子１４はリードフレーム１２４に載置され、第２半導体発光素子１５はリードフレーム１２５に載置されている。
【０１０７】
第１および第２半導体発光素子１４、１５は、ワイヤを介して直列接続されている。リードフレーム１２４、１２５が外部接続端子を兼ねている。
【０１０８】
図１１（ｂ）に示すように、第１および第２半導体発光素子１４、１５は、ワイヤを介して並列接続されている。
【０１０９】
図１１（ｃ）に示すように、半導体発光装置１２３では、鍵型のリードフレーム１２４ａと、２辺がリードフレーム１２４ａに対向するように囲まれた矩形状のリードフレーム１２５ａを有している。第１および第２半導体発光素子１４、１５は、リードフレーム１２５ａを外部接続端子としてワイヤを介して並列接続されている。
【０１１０】
図１１（ｄ）に示すように、半導体発光装置１２３ａでは、第１および第２半導体発光素子１０７、１０８は、リードフレーム１２５ａを外部接続端子としてワイヤを介して並列接続されている。
【０１１１】
図１２（ａ）に示すように、半導体発光装置１２７ａでは、リードフレーム１２５にダミーチップ１２６が載置されている。第１および第２半導体発光素子１４、１５は、ダミーチップ１２６を中継端子としてワイヤを介して直列接続されている。
【０１１２】
ダミーチップ１２６は、絶縁基板１２６ａと、絶縁基板１２６ａ上に設けられ、ワイヤボンディングのパッドとなる金属膜１２６ｂを有している。金属膜１２６ｂは、例えば金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）膜である。
【０１１３】
ダミーチップ１２６は、リードフレームの形状や、半導体チップの配置の関係からワイヤをボンディングするのが難しいときに、中継端子として用いられる。
【０１１４】
図１２（ｂ）に示すように、半導体発光装置１２７では、リードフレーム１２４にダミーチップ１２６が載置されている。第１半導体発光素子１０７は、ダミーチップ１２６上に載置されている。第１および第２半導体発光素子１０７、１０８は、ダミーチップ１２６を中継端子としてワイヤを介して直列接続されている。
【０１１５】
図１２（ｃ）に示すように、半導体発光装置１２８では、リードフレーム１２４にダミーチップ１２６が載置されている。第１半導体発光素子１０７は、ダミーチップ１２６上に載置されている。第１および第２半導体発光素子１０７、１０８は、ダミーチップ１２６を中継端子としてワイヤを介して並列接続されている。
【０１１６】
上述した一連の半導体発光装置では、第１および第２半導体発光素子が平面視で透光性樹脂体１７の対角線１８上に対称に配置されている場合を示している。
【０１１７】
然し、第１および第２半導体発光素子の配置は、種々検討した結果これに限定されるものではなく、図２に示したように、第１および第２半導体発光素子１４、１５は、第１および第２半導体発光素子１４、１５の中心が第１および第２領域２３ａ、２３ｂ内にあり、対角線１８の中心に対して対称に配置されていれば同様の効果を得ることができる。
【０１１８】
図１３は、半導体発光素子の別の配置を示す平面図である。図１３において、第１および第２半導体発光素子は、複数の半導体発光素子の集合体である。
【０１１９】
図１３（ａ）に示すように、半導体発光装置１３１では、第１および第２半導体発光素子グループ１３５、１３６は、２の半導体発光素子を有している。第１半導体発光素子グループ１３５は、第１領域２３ａに配置されている。第２半導体発光素子グループ１３６は、第２領域２３ｂに配置されている。第１および第２半導体発光素子グループ１３５、１３６は、対角線１８の中心対して対称に配置されている。
【０１２０】
図１３（ｂ）に示すように、半導体発光装置１３２は、第１および第２半導体発光素子グループ１３５、１３６が、３の半導体発光素子を有している場合である。
【０１２１】
図１３（ｃ）に示すように、半導体発光装置１３３は、第１および第２半導体発光素子グループ１３５、１３６が、４の半導体発光素子を有している場合である。
【０１２２】
図１３（ｄ）に示すように、半導体発光装置１３４は、第１および第２半導体発光素子グループ１３５、１３６が、５の半導体発光素子を有している場合である。
【０１２３】
図１３において、いずれの半導体発光素子も、半導体発光素子の中心が平面視で第１および第２領域２３ａ、２３ｂ内にあり、対角線１８の中心に対して対称に配置されている。
【０１２４】
（実施形態２）
本実施形態に係る半導体発光装置について、図１４を用いて説明する。図７は本実施形態の半導体発光装置を示す図で、図１４（ａ）はその平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【０１２５】
本実施形態において、上記実施形態１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。本実施形態が実施形態１と異なる点は、リードフレームの対向する外側のエッジ部に遮光体を設けたことにある。
【０１２６】
即ち、図１４に示すように、本実施形態の半導体発光装置５０では、第１および第２リードフレームの形状、第１および第２半導体発光素子の配置は、図２に示す半導体発光装置３０と略同様である。
【０１２７】
異なるのは、第１リードフレーム５１の＋Ｙ方向の外側のエッジ部に、第１半導体素子１４より高い第１遮光体５３が設けられ、第２リードフレーム５２の−Ｙ方向の外側のエッジ部に、第２半導体素子１５より高い第２遮光体５４が設けられている点である。
【０１２８】
即ち、第１および第２半導体発光素子１４、１５の高さをＨ１とし、第１および第２遮光体５３、５４の高さをＨ２とすると、Ｈ１＜Ｈ２の関係にある。
【０１２９】
第１遮光体５３は、第１リードフレーム５１から外側（＋Ｙ方向）に傾斜する第１側面５３ａを有している。第２遮光体５４は、第２リードフレーム５１から外側（−Ｙ方向）に傾斜する第２側面５４ａを有している。第１側面５３ａと第２側面５４ａは対向し、第１および第２リードフレーム５１、５２から末広がり状に傾斜している。
【０１３０】
第１および第２遮光体５３、５４は、例えば白樹脂である。白樹脂とは、例えば酸化チタン（ＴｉＯ２）等の無機充填材を多量に含有するエポキシ樹脂である。
【０１３１】
第１および第２リードフレーム５１、５２上には、第１および第２遮光体５３、５４の間に第１および第２半導体発光素子１４、１５を埋め込むように、蛍光体１６を含有する透光性樹脂体５５が設けられている。
【０１３２】
これにより、±Ｙ方向に伝播する青色光は、第１側面５３ａと第２側面５４ａで透光性樹脂体５５の上面５５ａ側に反射されるので、透光性樹脂体５５の±Ｙ方向の側面から放出される光が減少する。
【０１３３】
その結果、色度のムラが生じやいす±Ｙ方向で角度θの大きい方向に色度のずれた光がカットされ、方向による色度バラツキを低減することが可能である。
【０１３４】
図１５は半導体発光装置５０を用いた照明体を示す図である。図１５に示すように、照明体６０は、長尺な基板６１に複数の半導体発光装置５０が一列に配置されている直管型のランプである。
【０１３５】
半導体発光装置３０は、ピッチＰで第１および第２リードフレーム５１、５２の長手方向に直行する方向（図１４に示すＹ方向）が基板６１の長手方向（図１５のＸ方向）に一致するように配置されている。
【０１３６】
基板６１には、半導体発光装置５０の両側に長手方向に沿った配線６２ａ、６２ｂが設けられている。各半導体発光装置５０の第１リードフレーム５１は、配線６２ａに共通接続されている。各半導体発光装置５０の第２リードフレーム５２は、配線６２ｂに共通接続されている。
【０１３７】
配線６２ａ、６２ｂは、コネクタ６３を経由して、電源６４に接続されている。配線６２ａは、電源４６の正極端子に接続されている。配線６２ｂは、電源６４の負極端子に接続されている。
【０１３８】
基板６１には、複数の半導体発光装置５０を保護するために、透光性を有する蒲鉾型のカバー６５が設けられている。
【０１３９】
照明体６０においては、各半導体発光装置５０からの光で、色度ムラが残ってしまう部分においても、補完することが可能である。従って、より色度均一性の高い照明体が得られる。
【０１４０】
半導体発光装置５０の製造方法について説明する。図１６および図１７は半導体発光装置５０の製造工程を順に示す図である。
【０１４１】
図１６（ａ）に示すように、第１半導体発光素子１４を第２リードフレーム５２の対角線５６の一端側にダイマウント材を用いてマウントする。第２半導体発光素子１５を第２リードフレーム５２の対角線５６の他端側にダイマウント材を用いてマウントする。
【０１４２】
次に、図１６（ｂ）に示すように、第１および第２リードフレーム５１、５２の長手方向（図のＸ方向）に沿ったダイシングライン６６となる領域を挟んで対向する第１および第２リードフレーム５１、５２の間を跨ぐように、例えば予め金型成形などで作成した白樹脂６７を設置する。
【０１４３】
白樹脂６７は、断面が第１および第２半導体発光素子１４、１５の高さＨ１より大きい山型で、第１および第２リードフレーム５１、５２の外側のエッジ部に接して第１および第２リードフレーム５１、５２の間を埋めている。
【０１４４】
この段階で、傾斜した第１および第２側面５３ａ、５４ａを有し、背中合わせに一体化された状態の第１および第２遮光体５３、５４が得られる。
【０１４５】
図１７（ａ）に示すように、ワイヤ１９ａを第１端子１４ａと第１リードフレーム５１にボンディングする。ワイヤ１９ｂを第２端子１４ｂと第２リードフレーム５２にボンディングする。ワイヤ１９ｃを第１端子１５ａと第１リードフレーム５１にボンディングする。ワイヤ１９ｄを第２端子１５ｂと第２リードフレーム５２にボンディングする。
【０１４６】
図１７（ｂ）に示すように、白樹脂６７が収納可能な凹部を有する金型に６８に、ディスペンサー（図示せず）を用いて蛍光体１６を含有する液状のエポキシ樹脂４８を注入する。
【０１４７】
第１および第２リードフレーム５１、５２を反転させて、第１および第２半導体発光素子１４、１５、白樹脂６７を金型６８の凹部に収納し、エポキシ樹脂４８を所定の温度でキュアする。
【０１４８】
図１７（ｃ）に示すように、キュアされたエポキシ樹脂４８を金型４６から引き抜く。
【０１４９】
これにより、第１および第２リードフレーム５１、５２上であって、白樹脂６７の間に第１および第２半導体発光素子１４、１５を埋め込むように、蛍光体１６を含有する透光性樹脂体５５が得られる。透光性樹脂体５５は、第１および第２リードフレーム５１、５２が配置された平面に略平行な上面５５ａを有している。
【０１５０】
例えばブレード４９を用いて、所定のダイシングラインに沿って白樹脂６７、エポキシ樹脂４８、第１および第２リードフレーム５１、５２を切断する。これにより、図１４に示す半導体発光装置５０が得られる。
【０１５１】
なお、傾斜した第１および第２の側面５３ａ、５４ａと反対側の側面は、ダイシングにより、略垂直な側面になっている。
【０１５２】
以上説明したように、本実施形態の半導体発光装置５０では、第１および第２リードフレーム５１、５２の対向する外側のエッジ部に、末広がり状に傾斜した第１および第２側面５３ａ、５４ａを有する第１および第２遮光体５３、５４が設けられている。
【０１５３】
その結果、末広がり状に傾斜した第１および第２側面５３ａ、５４ａにより、光が上面５５ａ側に反射されるので、側面から色度のずれた光の放出が抑制される。従って、方向による方向による色度ばらつきを低減することできる。
【０１５４】
ここで、第１および第２遮光体５３、５４の高さＨ２は、第１および第２半導体発光素子の高さＨ１より高ければよく、特に限定されない。また、第１および第２側面５３ａ、５４ａの傾斜角度は、光が側面から漏れなければよく、特に限定されない。
【０１５５】
第１および第２半導体発光素子１４、１５が、同じ第２リードフレーム５２に載置されている場合について説明したが、別々のリードフレームに載置されていても構わない。その場合、例えば第１および第２リードフレーム５１、５２を同じサイズとして、第１半導体発光素子１４を第１リードフレーム５１に載置し、第２半導体発光素子１５を第２リードフレーム５２に載置する。
【０１５６】
（実施形態３）
本実施形態に係る半導体発光装置について、図１８を用いて説明する。図１８は本実施形態の半導体発光装置を示す図で、図１８（ａ）はその平面図、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【０１５７】
本実施形態において、上記実施形態１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。本実施形態が実施形態１と異なる点は、第１および第２半導体発光素子から透光性樹脂体の連続する３側面までの距離が互いに等しくなるようにしたことにある。
【０１５８】
即ち、図１８に示すように、本実施形態の半導体発光装置７０では、第１リードフレーム７１に第１半導体発光素子１４がマウントされ、第２リードフレーム７２に第２半導体発光素子１５がマウントされ、第１および第２半導体発光素子１４、１５は蛍光体１６を含有する透光性樹脂体７３で覆われている。
【０１５９】
第１および第２リードフレーム７１、７２はそれぞれ板状で、Ｙ方向の長さよりＸ方向の長さが大きい矩形である。第１および第２リードフレーム７１、７２のＸ方向およびＹ方向の長さは略等しい。
【０１６０】
第１半導体発光素子１４は、第１リードフレーム７１の中央部にダイマウント材、例えば接着剤を介してマウントされている。第１端子１４ａは、ワイヤ１９ａを介して第１リードフレーム７１に電気的に接続されている。第２端子１４ｂは、ワイヤ１９ｂを介して第２リードフレーム７２に電気的に接続されている。
【０１６１】
第２半導体発光素子１５は、第２リードフレーム７２の中央部にダイマウント材、例えば接着剤を介してマウントされている。第１端子１５ａは、ワイヤ１９ｃを介して第１リードフレーム７１に電気的に接続されている。第２端子１５ｂは、ワイヤ１９ｄを介して第２リードフレーム７２に電気的に接続されている。
【０１６２】
第１および第２リードフレーム７１、７２上には、第１および第２半導体発光素子１４、１５を埋め込むように蛍光体１６を含有する透光性樹脂体７３が設けられている。
【０１６３】
第１および第２リードフレーム７１、７２は、同一平面上にあり、離間して配置されている。第１および第２リードフレーム７１、７２はＹ方向に対向している。第１半導体発光素子１４は、第１リードフレーム７１の中央部にマウントされている。第２半導体発光素子１５は、第２リードフレーム７２の中央部にマウントされている。
【０１６４】
透光性樹脂体７３は直方体状で、その上面７３ａは第１および第２リードフレーム７１、７２のある同一平面に略平行である。透光性樹脂体７３は、上面７３ａに略垂直な側面７３ｃ、７３ｄ、７３ｅ、７３ｆを有している。
【０１６５】
連続する３側面７３ｃ、７３ｄ、７３ｅは第１半導体発光素子１４からの距離Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３が互いに等しくなるように設けられている（Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３）。同様に、連続する３側面７３ｅ、７３ｆ、７３ｃは第２半導体発光素子１５からの距離Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６が互いに等しくなるように設けられている（Ｌ４＝Ｌ５＝Ｌ６）。
【０１６６】
第１および第２半導体発光素子１４、１５は同じサイズなので、距離Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６は互いに等しい（Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝Ｌ４＝Ｌ５＝Ｌ６）。
【０１６７】
これにより、第１および第２半導体発光素子１４、１５の近傍での側面光の色度ムラを軽減することが可能である。
【０１６８】
また、第１半導体発光素子１４から遠い側面７３ｆ側、および第２半導体発光素子１５から遠い側面７３ｄ側に放出される青色光は、蛍光体１６を含有する透光性樹脂体７３を通過する距離が距離Ｌ１に比べて長いため、黄色光が増加する傾向になる。
【０１６９】
しかし、第１および第２半導体発光素子１４、１５から相互に放出される光と重畳されるために、色ずれは打ち消される方向となり、結果的に透光性樹脂体７３から導出される光の色度バラツキを低減させることができる。
【０１７０】
以上説明したように、本実施形態の半導体発光装置７０では、第１および第２半導体発光素子１４、１５は第１および第２リードフレーム７１、７２の中央部にマウントされ、蛍光体１６を含有する直方体状の透光性樹脂体７３は、第１および第２半導体発光素子１４、１５からの距離が互いに略等しい連続する３側面を有している。
【０１７１】
これにより、第１および第２半導体発光素子１４、１５の近傍での側面光の色度ムラを軽減することができる利点がある。
【０１７２】
ここでは、第１および第２半導体発光素子１４、１５の側面から連続する３側面までの距離が互いに等しい場合について説明したが、第１および第２半導体発光素子１４、１５の中心から連続する３側面までの距離が互いに等しいようにすることも可能である。
【０１７３】
図１９は本実施形態に係る別の半導体発光装置を示す図で、図１９（ａ）はその平面図、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＥ−Ｅ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【０１７４】
図１９に示すように、半導体発光装置８０では、第１および第２リードフレーム７１、７２の対向する内側のエッジ部に、第１および第２半導体発光素子１４、１５側からの光を反射する第１および第２反射体８１、８２が設けられている。
【０１７５】
第１および第２反射体８１、８２はエッジ部の全長に設けられている。第１および第２反射体８１、８２の長さは、第１および第２リードフレーム７１、７２のＸ方向の長さに等しい。
【０１７６】
第１反射体８１は、第１リードフレーム７１から第２リードフレーム７２側に傾斜した第１側面８１ａを有している。第２反射体８２は、第２リードフレーム７２から第１リードフレーム７１側に傾斜した第２側面８２ａを有している。
【０１７７】
第１半導体発光素子１４から放出され、第２半導体発光素子１５側に向かう青色光は、傾斜した第１の側面８１ａで透光性樹脂体７３の上面７３ａ側に反射される。同様に、第２半導体発光素子１５から放出され、第１半導体発光素子１４側に向かう青色光は、傾斜した第２の側面８２ａで透光性樹脂体７３の上面７３ａ側に反射される。
【０１７８】
その結果、第１および第２半導体発光素子１４、１５から放出され、透光性樹脂体７３を通過する距離が長い光をなくすことにより、色度ムラを低減することが可能である。
【０１７９】
傾斜した第１および第２の側面８１ａ、８２ａは、例えば第１および第２リードフレーム７１、７２の対向する内側のエッジ部をエッチングすることにより、形成することができる。
【０１８０】
第１、第２反射体８１、８２の高さは特に限定されないが、第１および第２半導体発光素子１４、１５と同じか、より高い方が好ましい。第１、第２の側面８１ａ、８２ａの傾斜角度は、特に限定されないが、例えば３０°乃至６０°程度が適当である。
【０１８１】
半導体発光装置８０は、第１および第２半導体発光素子１４、１５が小型で、第１および第２半導体発光素子１４、１５から放出された光が透光性樹脂体７３を通過する距離が長くなりやすい半導体発光装置として適している。
【０１８２】
図２０は本実施形態に係る別の半導体発光装置を示す図で、図２０（ａ）はその平面図、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＦ−Ｆ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【０１８３】
図２０に示すように、半導体発光装置９０では、第１および第２リードフレーム７１、７２の対向する内側のエッジ部に、第１および第２半導体発光素子１４、１５側からの光を反射する第１および第２反射体９１、９２が部分的に設けられている。
【０１８４】
第１および第２反射体９１、９２は、例えばエッジ部の中央部に設けられている。第１および第２反射体９１、９２の長さは、第１および第２リードフレーム７１、７２のＸ方向の長さより短い。
【０１８５】
第１反射体９１は、第１リードフレーム７１から第２リードフレーム７２側に傾斜した第１側面９１ａを有している。第２反射体９２は、第２リードフレーム７２から第１リードフレーム７１側に傾斜した第２側面９２ａを有している。
【０１８６】
第１および第２反射体９１、９２の長さを変えることにより、色度における黄色成分の調整を行うことができる利点がある。
【０１８７】
なお、第１および第２反射体９１、９２を設ける位置は特に限定されない。第１および第２反射体９１、９２をエッジ部の中央部からずらして設けても良い。また、第１および第２反射体９１、９２は同じ位置でなく、ずれていても構わない。第１および第２反射体９１、９２の長さは等しくなくても、特に問題は生じない。
【０１８８】
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【０１８９】
なお、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。  
（付記１）  前記第１および第２半導体発光素子は、窒化物半導体発光素子である請求項１、６、８のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【０１９０】
（付記２）  前記蛍光体は、ＹＡＧ蛍光体である請求項１、６、８のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【０１９１】
（付記３）  前記第１および第２遮光体は、白樹脂である請求項６に記載の半導体発光装置。
【０１９２】
（付記４）  前記第１および第２反射体は、白樹脂である請求項９に記載の半導体発光装置。
【０１９３】
（付記５）  前記透光性樹脂体は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂またはアクリル樹脂である請求項１、６、８のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【０１９４】
（付記６）
同一平面上に、離間して順に配置された第１乃至第３リードフレームと、
前記第１リードフレームに載置されるとともに、第１および第２端子を有し、前記第１端子が前記第１リードフレームに電気的に接続され、前記第２端子が前記第２リードフレームに電気的に接続された第１半導体発光素子と、
前記第３リードフレームに載置されるとともに、第１および第２端子を有し、前記第１端子が前記第３リードフレームに電気的に接続され、前記第２端子が前記第２リードフレームに電気的に接続された第２半導体発光素子と、
前記第１乃至第３リードフレーム上に、前記第１および第２半導体発光素子を埋め込むように設けられ、平面視で前記第１および第２半導体発光素子を通る対角線を有するとともに、前記第１および第２半導体発光素子から放出される光を吸収して前記光の波長より長い波長の光を放出する蛍光体を含有する透光性樹脂体と、
を具備し、
前記第１および第２半導体発光素子は、平面視で前記透光性樹脂体の対角線上に対称に配置されている半導体発光装置。
【符号の説明】
【０１９５】
１０、３０、５０、７０、８０、９０  光半導体発光装置
１１、３１、５１、７１  第１リードフレーム
１２、３２、５２、７２  第２リードフレーム
１３  第３リードフレーム
１４  第１半導体発光素子
１５  第２半導体発光素子
１４ａ、１５ａ  第１端子
１４ｂ、１５ｂ  第２端子
１６  蛍光体
１７、５５  透光性樹脂体
１８、３３、５６  対角線
１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄ  ワイヤ
４０、６０  照明体
４１、６１  基板
４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、６２ａ、６２ｂ  配線
４３、６３  コネクタ
４４、６４  電源
４５、６５  カバー
４６  線分
４７、６８  金型
４８  エポキシ樹脂
４９  ブレード
５３  第１遮光体
５４  第２遮光体
５３ａ、８１ａ、９１ａ  第１側面
５４ａ、８２ａ、９２ａ  第２側面
６６  ダイシングライン
６７  白樹脂
７３ｃ、７３ｄ、７３ｅ、７３ｆ  側面
８１、９１  第１反射体
８２、９２  第２反射体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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