(57)【要約】【課題】高品位な表示をする有機ＥＬパネルの製造方法を提供すること。【解決手段】有機ＥＬパネル１１は第一サブピクセルと第二サブピクセルとを有する。まず、第一サブピクセルに第一発光層を塗布法により形成する。次いで第二サブピクセルをプラズマクリーニングした後に、基板全面に第二発光層を蒸着法により堆積する。第二サブピクセルに第二発光層を蒸着法で形成する直前に第二サブピクセルをクリーニングするので、第二発光層が汚染される事なく、その品質を保つ事ができる。これにより、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬパネルを製造する事ができる。【選択図】図３
2013171772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上において第一サブピクセルと第二サブピクセルとにそれぞれ第一電極を形成する工程と、
前記第一サブピクセルに第一発光層を塗布法により形成する工程と、
少なくとも前記第二サブピクセルをクリーニングする工程と、
前記第一サブピクセルと前記第二サブピクセルとに跨って第二発光層を蒸着法により形成する工程と、
前記第一サブピクセルと前記第二サブピクセルとに跨って第二電極を形成する工程と、を備える事を特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】
前記クリーニングする工程はドライ処理工程である事を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】
前記ドライ処理工程はプラズマ処理工程である事を特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
前記プラズマ処理工程では不活性ガスのプラズマが用いられる事を特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
前記不活性ガスは希ガスである事を特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
前記プラズマ処理工程でのエネルギー密度は１０００Ｊ／ｃｍ2から１８０００Ｊ／ｃｍ2の範囲にある事を特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
前記第一発光層は赤色又は緑色の発光をし、
前記第二発光層は青色の発光をする事を特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項８】
前記塗布法はインクジェット方式を用いる事を特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）パネルは、陽極と陰極との間に発光機能層を挟持した構造をなしている。発光機能層としては、例えば、陽極側から順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層された構成が挙げられる。そして、陽極と陰極との間に電圧を印加する事によって、正孔輸送層から正孔が、電子輸送層から電子が発光層に注入され、これらが再結合する事で発光が行われる。
【０００３】
こうした有機ＥＬパネルの製造方法には、パターニング性が高く、大面積化が容易であり、しかも材料の使用効率が高い塗布法が用いられる。塗布法としては、例えばインクジェット法が用いられる。インクジェット法では、発光材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドから所定の膜形成領域（サブピクセル）に吐出し、吐出されたインク組成物を乾燥することで発光層を形成している。ところが、塗布法における赤色の発光層（赤色発光層）と緑色の発光層（緑色発光層）とは、発光寿命特性などの点において、実用レベルに達しているものの、青色の発光層（青色発光層）は実用レベルに到達したとは言い難い状況にある。一方、蒸着法における青色発光層は、実用レベルに到達しつつある。
【０００４】
そこで、従来は、特許文献１及び２に記載されている様に、赤色発光層と緑色発光層は塗布法で形成し、青色発光層は赤色発光層と緑色発光層とを含む全面に蒸着法で形成していた。具体的には、赤色発光するサブピクセル（赤色サブピクセル）と緑色発光するサブピクセル（緑色サブピクセル）では、陽極上に正孔注入層と正孔輸送層と赤色発光層若しくは緑色発光層がインクジェット法で形成され、赤色発光層又は緑色発光層の上に青色発光層が蒸着法で積層されていた。一方、青色発光するサブピクセル（青色サブピクセル）では、陽極上に正孔注入層と正孔輸送層とがインクジェット法で形成され、正孔輸送層上に青色発光層が蒸着法で形成されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−７３５３２号公報
【特許文献２】特開２０１１−１０８４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の有機ＥＬパネルの製造方法では、青色サブピクセルの青色発光層が、製造工程中にその品質を劣化させるという課題があった。即ち、原材料としての青色発光層は実用レベルに到達しつつありながら、有機ＥＬパネルとなると、青色サブピクセルからの青色発光の光強度が弱くなっていた。又、初期的に青色発光の強度を、駆動条件などを調整して、必要となる光強度に高めた場合でも、経時的な素子の駆動によって青色発光の劣化がいち早く進んでいた。この様に従来技術で製造された有機ＥＬパネルでは、青色サブピクセル発せられる光が弱く、その寿命も短かった。換言すると、原材料としては実用レベルに到達しつつある青色発光層を用いながらも、従来は、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬパネルを製造する事が困難であるという課題が有った。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。尚、以下の形態又は適用例において、「上」とは、基板から見て有機ＥＬ素子が配置された方向を示し、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、を表すものとする。
【０００８】
（適用例１）  本適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法は、基板上において第一サブピクセルと第二サブピクセルとにそれぞれ第一電極を形成する工程と、第一サブピクセルに第一発光層を塗布法により形成する工程と、少なくとも第二サブピクセルをクリーニングする工程と、第一サブピクセルと第二サブピクセルとに跨って第二発光層を蒸着法により形成する工程と、第一サブピクセルと第二サブピクセルとに跨って第二電極を形成する工程と、を備える事を特徴とする。
この構成によれば、第二サブピクセルに第二発光層を蒸着法で形成する直前に第二サブピクセルをクリーニングするので、第二発光層が汚染される事なく、その品質を保つ事ができる。これにより、第二発光層の品質が保持され、材料が有する本来の発光強度と発光寿命とが実現する。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬパネルを製造する事ができる。
【０００９】
（適用例２）  上記適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法において、クリーニングする工程はドライ処理工程である事が好ましい。
ウエット工程でクリーニングを行うと第二サブピクセルに溶剤や水分が残留して第二発光層を劣化させる可能性がある。この構成によれば、こうした可能性を排除できるので、有機ＥＬパネルの製造工程を通じて第二発光層の本来の品質を保持する事ができる。
【００１０】
（適用例３）  上記適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法において、ドライ処理工程はプラズマ処理工程である事が好ましい。
この構成によれば、簡単なプラズマ処理工程を行うだけでクリーニングを行う事ができる。即ち、製造工程を複雑にする事なく、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬパネルを製造する事ができる。
【００１１】
（適用例４）  上記適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法において、プラズマ処理工程では不活性ガスのプラズマが用いられる事が好ましい。
この構成によれば、第二発光層の下に位置する層（下層）の化学組成に影響を与えることなく、即ち、下層の化学組成を変える事なく、下層表面をクリーニングできる。従って、プラズマ処理工程がクリーニングという効果をもたらす外に、悪影響を下層に及ぼす事もなく、下層の有する機能をそのまま保持する事ができる。
【００１２】
（適用例５）  上記適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法において、不活性ガスは希ガスである事が好ましい。
この構成によれば、安定的にプラズマを形成でき、製造工程を容易とした上で優良な特性を有する有機ＥＬパネルを製造する事ができる。又、希ガスが下層に悪影響を及ぼす事は殆どないので、下層の有する機能をそのまま保持する事ができる。
【００１３】
（適用例６）  上記適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法において、プラズマ処理工程でのエネルギー密度は１０００Ｊ／ｃｍ2から１８０００Ｊ／ｃｍ2の範囲にある事が好ましい。
この構成によれば、下層の機能を維持したまま、下層表面のクリーニングが可能となり、優良な特性を有する有機ＥＬパネルを製造する事ができる。
【００１４】
（適用例７）  上記適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法において、第一発光層は赤色又は緑色の発光をし、第二発光層は青色の発光をする事が好ましい。
この構成によれば、インク組成物が実用レベルに達している赤色と緑色のサブピクセルには塗布法を適応し、インク組成物が実用レベルに達していない青色のサブピクセルには蒸着法を適応して、各サブピクセルから発光する光の色純度を高くするとともに、実用性に富んだ有機ＥＬパネルを製造する事ができる。
【００１５】
（適用例８）  上記適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法において、塗布法はインクジェット方式を用いる事が好ましい。
この構成によれば、高解像度化と大面積化、及び材料の高使用効率化を進める事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】有機ＥＬパネルの電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬパネルの構成を示す模式平面図。
【図３】画素の構造を説明する模式断面図。
【図４】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図５】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図６】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図７】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図８】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図９】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図１０】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図１１】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図１２】有機ＥＬパネルを備えるテレビを模式的に示す概略斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００１８】
（実施形態１）
「有機ＥＬパネルの構成」
先ず、有機ＥＬパネル１１の構成を、図１と図２とを参照して説明する。図１は本実施形態に係わる有機ＥＬパネルの電気的な構成を示す等価回路図である。図１に示す様に、有機ＥＬパネル１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、が格子状に配線されている。更に、複数の電源線１４が信号線１３に並行して配線されている。信号線１３は信号線駆動回路１５に接続されて、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が一個のサブピクセル４２として構成される。
【００１９】
一つの画素７１は少なくとも第一サブピクセルと第二サブピクセルとを含み、各サブピクセル４２は異なった色の光を発する。通常は、三個以上のサブピクセル４２から一つの画素７１が構成される。本実施形態では、一つの画素７１は、赤色発光する赤色サブピクセル４２Ｒ（図３参照）と、緑色発光する緑色サブピクセル４２Ｇ（図３参照）と、青色発光する青色サブピクセル４２Ｂ（図３参照）と、からなる。又、本実施形態では、赤色サブピクセル４２Ｒと緑色サブピクセル４２Ｇは、発光層以外は同一構造をなすので、両者とも第一サブピクセルであり、青色サブピクセル４２Ｂは第二サブピクセルである。詳細は後述するが、第一サブピクセルとは発光層形成に塗布法が利用される物であり、第二サブピクセルとは発光層形成に蒸着法が利用される物である。以降、第一サブピクセルと第二サブピクセルとを特に区別する必要がない場合（赤色サブピクセル４２Ｒと、緑色サブピクセル４２Ｇと、青色サブピクセル４２Ｂと、を特に区別する必要がない場合、）単にサブピクセル４２と称する。
【００２０】
各サブピクセル４２には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給される選択トランジスター２１と、この選択トランジスター２１を介して信号線１３から供給される画像信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動トランジスター２３とが設けられている。更に、各サブピクセル４２には、駆動トランジスター２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が供給される陽極２４と、負電源に接続する陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された発光機能層２６とが設けられている。これら陽極２４と陰極２５と発光機能層２６とで発光素子２７が構成される。有機ＥＬパネル１１は、この様に、実表示領域３２ａを備え、実表示領域３２ａには複数の画素７１が行列状に設けられ、各画素７１は少なくとも第一サブピクセルと第二サブピクセルとを含み、各サブピクセル４２は発光素子２７を有している。こうした構成を取ると、走査線１２が駆動されて選択トランジスター２１がオン状態になると、その時の信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、駆動トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動トランジスター２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が供給され、更に、発光機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。発光機能層２６は、ここを通う電流量に応じた輝度で発光する。
【００２１】
図２は、有機ＥＬパネルの構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬパネル１１の構成を、図２を参照しながら説明する。図２に示す様に、有機ＥＬパネル１１は、ガラス等からなる素子基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００２２】
実表示領域３２ａ内には、上述の如く、画素７１が行列状に配列されている。一方、ダミー領域３２ｂには、主として各サブピクセル４２を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿う様に走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿う様に信号線駆動回路１５が配置されている。素子基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００２３】
「画素構造」
図３は、画素の構造を説明する模式断面図である。以下、画素７１の構造について、図３を参照しながら説明する。尚、図３は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００２４】
図３に示す様に、有機ＥＬパネル１１は、サブピクセル４２毎に独立に発光が制御され、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された発光素子層４４と、とを有する。素子基板３１としては、例えば、透光性を有するガラス基板が用いられる。発光素子層４４にて発光した光（赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂ）は素子基板３１側に取り出され、有機ＥＬパネル１１は、所謂、ボトムエミッション構造をなしている。
【００２５】
回路素子層４３には、素子基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜４５が形成され、下地保護膜４５上に駆動トランジスター２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜４５上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜４６が形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。
【００２６】
更に、回路素子層４３には、下地保護膜４５及び半導体膜４６を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなるゲート電極５３が形成されている。
【００２７】
ゲート絶縁膜５２及びゲート電極５３上には、透明な第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５が形成されている。第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）などから構成されている。ゲート電極５３は、半導体膜４６のチャネル領域５１に対応する位置に設けられている。
【００２８】
半導体膜４６のソース領域４７は、ゲート絶縁膜５２及び第１層間絶縁膜５４を貫通して設けられたコンタクトホール５６を介して、第１層間絶縁膜５４上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５を貫通して設けられたコンタクトホール５７を介して、第２層間絶縁膜５５上に形成された陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）と電気的に接続されている。
【００２９】
陽極２４は、サブピクセル４２毎に形成されている。陽極２４は透明導電膜からなり、好適例としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の薄膜が利用される。陽極２４の平面形状は、サブピクセル４２の平面形状に合わせられ、略矩形状となっている。尚、回路素子層４３には、図示しない保持容量及び選択トランジスターも形成されている。
【００３０】
陽極２４の周囲には、絶縁層５８及び隔壁（バンク）５９が、平面視で略格子状に設けられている。絶縁層５８としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等の無機材料が挙げられる。絶縁層５８は、隣り合う陽極２４間の絶縁性を確保すると共に、発光素子２７（２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂ）の形状を所望の形状（例えば、トラック形状）にするために、陽極２４の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、陽極２４と絶縁層５８とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。言い換えれば、絶縁層５８は、サブピクセル４２の内で発光素子２７の発光部を除いた領域と、サブピクセル４２間と、に形成されている事になる。
【００３１】
隔壁５９は、例えば、断面が傾斜面を有する台形状であり、発光素子２７を平面視で囲むように形成されている。即ち、隔壁５９にて囲まれた領域が発光素子２７の開口部となり、発光機能層２６をなす各種薄膜が形成される。隔壁５９の材料としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂の様に耐熱性に優れ、且つ耐溶剤性が高い有機材料が用いられる。
【００３２】
陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）上に設けられる各種薄膜は、発光素子２７（２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂ）毎に異なっている。具体的には、第一サブピクセルに属する赤色発光素子２７Ｒは、隔壁５９によって囲まれた陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒ、正孔輸送層６２Ｒ、第一発光層としての赤色発光層６３Ｒが、塗布法（インクジェット法）によって順に形成されている。又、第一サブピクセルに属する緑色発光素子２７Ｇは、隔壁５９によって囲まれた陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｇ、第一発光層としての緑色発光層６３Ｇが、インクジェット法によって順に形成されている。赤色発光層６３Ｒと緑色発光層６３Ｇとの上には、中間層となる正孔ブロッキング層６４が蒸着法により積層されている。第一サブピクセルの正孔ブロッキング層６４の上には青色発光層６３Ｂが形成されている。
【００３３】
第二サブピクセルに属する青色発光素子２７Ｂは、隔壁５９によって囲まれた陽極２４Ｂ上に、正孔注入層６１Ｂ、正孔輸送層６２Ｂがインクジェット法によって順に形成されている。更に正孔輸送層６２Ｂ上には、隔壁５９上を含めた表示領域の全面に中間層となる正孔ブロッキング層６４が蒸着法により積層されている。正孔ブロッキング層６４上には第二発光層としての青色発光層６３Ｂが蒸着法により積層されている。
【００３４】
青色発光層６３Ｂの上には電子輸送層６５が蒸着法により積層されており、更に、電子輸送層６５上には、陰極２５が素子基板３１上の全面に成膜されている。陰極２５上は、例えば、缶封止方式を用いて封止が施されている（図示せず）。具体的には、凹型のガラスや金属製の対向基板の中に乾燥剤が入れられ、エポキシ等の接着剤を介して陰極２５側に貼り付けられている。陽極２４と陰極２５との間に挟持されているのが発光機能層２６であるので、第一サブピクセルの発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｒ又は６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｒ又は６２Ｇ、第一発光層（赤色発光層６３Ｒ又は緑色発光層６３Ｇ）、正孔ブロッキング層６４、青色発光層６３Ｂ、電子輸送層６５、の各層を含んでなる。一方、第二サブピクセルの発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｂ、正孔輸送層６２Ｂ、正孔ブロッキング層６４、第二発光層（青色発光層６３Ｂ）、電子輸送層６５、の各層を含んでなる。尚、発光機能層２６は上述の構成に限られず、例えば、中間層である正孔ブロッキング層６４を省略する事も可能である。
【００３５】
正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６１は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３、４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成する事ができる。
【００３６】
塗布法により形成される正孔輸送層６２（６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂ）の構成材料としては、例えば、下記化学式１に示すＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ材料を用いる事ができる。
【００３７】
【化１】
2013171772.tif 000003
【００３８】
発光層６３（６３Ｒ、６３Ｇ、６３Ｂ）は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。発光層６３の構成材料とし、塗布法にて形成する赤色発光層６３Ｒであれば、例えば、下記化学式２に示す材料（Ｐｏｌｙ［｛９、９−ｄｉｈｅｘｙｌ−２、７−ｂｉｓ（１−ｃｙａｎｏｖｉｎｙｌｅｎｅ）ｆｌｕｏｒｅｎｙｌｅｎｅ｝−ａｌｔ−ｃｏ−｛２、５−ｂｉｓ（Ｎ、Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ｝］、ＡＤＳ−１１１ＲＥ）を用いる事ができる。同じく塗布法にて形成する緑色発光層６３Ｇであれば、例えば、下記化学式３に示す材料（Ｐｏｌｙ［｛９、９−ｄｉｏｃｔｙｌ−２、７−ｂｉｓ（２−ｃｙａｎｏｖｉｎｙｌｅｎｅ−ｆｌｕｏｒｅｎｙｌｅｎｅ｝−ａｌｔ−ｃｏ−｛２−ｍｅｔｈｏｘｙ−５−（２−ｅｔｈｙｌ  ｈｅｘｙｌｏｘｙ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ｝］、ＡＤＳ−１０９ＧＥ）を用いる事ができる。又、蒸着法で形成する青色発光層６３Ｂであれば、例えば、下記化学式４に示すホスト材料（２−［９、９−ｄｉ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−ｆｌｕｏｒｅｎ−２−ｙｉ］−９、９−ｄｉ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｆｌｕｏｒｅｎ、ＢＤＡＦ）及び下記化学式５に示すゲスト材料（１、４−ｂｉｓ［２−（３−Ｎ−ｅｔｈｙｌｃａｒｂａｚｏｒｙｌ）ｖｉｎｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ、ＢＣｚＶＢ）を用いる事ができる。
【００３９】
【化２】
2013171772.tif 000004
【００４０】
【化３】
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【００４１】
【化４】
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【００４２】
【化５】
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【００４３】
正孔ブロッキング層６４は赤色発光層６３Ｒ及び緑色発光層６３Ｇ内に正孔を留める機能を有する層である。正孔ブロッキング層６４の構成材料としては、例えば、下記化学式６に示されるＢａｌｑを用いる事ができる。
【００４４】
【化６】
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【００４５】
電子輸送層６５は、陰極２５から発光層６３（６３Ｒ、６３Ｇ、６３Ｂ）への電子注入を高める機能を有する層である。電子輸送層６５の構成材料としては、例えば、下記化学式７に示されるＡｌｑ３を用いる事ができる。
【００４６】
【化７】
2013171772.tif 000009
【００４７】
陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体とする事ができる。
【００４８】
「有機ＥＬパネルの製造方法」
図４乃至図１１は、有機ＥＬパネルの製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、図４から図１１を参照して、有機ＥＬパネル１１の製造方法を説明する。尚、各種配線や電極、トランジスター等を形成する製造工程については、公知の工程を採用する事ができるので、ここではそれらの説明を省略又は簡略し、これ以降の工程について詳しく説明する。又、図面についても同様に、省略又は簡略する。
【００４９】
まず、図４に示す様に、素子基板３１上に、公知の成膜技術やフォトリソグラフィー技術を用いて回路素子層４３（詳細は、図３参照）を形成し、第一サブピクセルとなる領域（赤色サブピクセル４２Ｒとなる領域と緑色サブピクセル４２Ｇとなる領域）と第二サブピクセルとなる領域（青色サブピクセル４２Ｂとなる領域）のそれぞれに第一電極を形成する。本実施形態では、第一電極は回路素子層４３に形成されたＩＴＯからなる陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）である。有機ＥＬパネル１１での画素７１の数は１９２０×１０８０であるので、サブピクセル４２の総数は１９２０×１０８０×３＝６２２万８００となる。
【００５０】
続いて、図５に示す様に、回路素子層４３及び陽極２４上に、絶縁層５８及び隔壁５９を形成する。詳しくは、まず、絶縁層５８の材料となる、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により、回路素子層４３及び陽極２４上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、サブピクセル４２となる領域に開口部を形成し、絶縁層５８を完成させる。その後、絶縁層５８上に隔壁５９を形成する。まず、隔壁５９の材料を含む溶液を絶縁層５８上及び陽極２４上に塗布する。隔壁５９の材料は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗布された溶液を乾燥させて樹脂層を形成する。その後、この樹脂層をパターニング加工して隔壁５９を形成すると共に、サブピクセル４２となる領域に開口部を形成する。即ち、隔壁５９にて区画されたサブピクセル４２の開口部が形成される。
【００５１】
次工程で発光機能層２６をインクジェット法などの塗布方式を用いてパターニングするので、隔壁５９の表面は撥液性を有している事が望ましく、陽極２４の表面は親液性を有している事が望ましい。そこで、素子基板３１をアルコールで洗浄し、純水にてリンスした後、素子基板３１に酸素プラズマを照射して陽極２４の表面を親液性とする。次いで、素子基板３１に四フッ化炭素（ＣＦ4）のプラズマを照射して隔壁５９の表面を撥液性とする。隔壁５９の表層に撥液性を持たせる方式としては、この他に、フッ素等の撥液成分を予め混入させた樹脂（例えばアクリル樹脂）を塗布し、塗工液の乾燥時に撥液成分を樹脂表層に拡散集積させる方法もある。
【００５２】
続いて、図６に示す様に、赤色サブピクセル４２Ｒと緑色サブピクセル４２Ｇ、及び青色サブピクセル４２Ｂの隔壁５９によって囲まれた陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）上に、正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）を例えば５０ｎｍの膜厚で形成する。これは、正孔注入層６１の材料を含んだ機能液（インク）を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、大気下で焼成する事で形成する。正孔注入層６１の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いる事ができる。
【００５３】
次に、図７に示す様に、赤色サブピクセル４２Ｒ、緑色サブピクセル４２Ｇ及び青色サブピクセル４２Ｂの正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）上に、正孔輸送層６２（６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂ）を、それぞれ例えば１５ｎｍの膜厚で形成する。これは、正孔輸送層６２の材料を含んだ機能液（インク）を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、低酸素下で焼成する事で形成する。正孔輸送層６２の機能液としては、例えば、化学式１にて上述されるＴＦＢをシクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）に溶解させた物を用いる事ができる。
【００５４】
次に、図８に示す様に、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の陽極２４の上に第一発光層（赤色発光層６３Ｒや緑色発光層６３Ｇ）を塗布法により形成する。即ち、赤色サブピクセル４２Ｒの正孔輸送層６２Ｒの上に赤色発光層６３Ｒを７０ｎｍの膜厚で形成し、緑色サブピクセル４２Ｇの正孔輸送層６２Ｇの上に緑色発光層６３Ｇを６０ｎｍの膜厚で形成する。具体的には、発光材料の機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、低酸素下で焼成させる。発光材料の機能液としては、例えば、上述の化学式２や化学式３にて表される発光材料を溶媒に溶解した物を用いる事ができる。溶媒としては、シクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）などが挙げられる。本実施形態では、ＣＨＢに１．０ｗｔ％の濃度で化学式２や化学式３の発光材料が溶解された機能液を、インクジェット法にて第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の開口部に、それぞれ１０ピコリットル／ショットで２０ショット吐出して充填し、その後、素子基板３１を減圧乾燥機に設置し、５Ｐａ以下の真空度で３０分間に渡り乾燥処理した。この様に、第一サブピクセルとは、発光層６３が塗布法で形成されているサブピクセル４２である。
【００５５】
第一サブピクセルに第一発光層を塗布法により形成した後に、素子基板３１の表面のほぼ全域に第二発光層を蒸着法で形成するが、それに先立ち、少なくとも第二サブピクセルを含む領域をクリーニングする。通常は素子基板３１の表面のほぼ全域をクリーニングする。出願人の研究に依ると、従来の有機ＥＬパネルの製造工程中に青色発光層がその品質を劣化させる原因は、第一発光層（赤色発光層や緑色発光層など）をインクジェット法で形成する際に（インクの吐出及び乾燥処理の際に）、第一発光層の機能液（赤色発光層のインクや緑色発光層のインク）の溶剤が蒸発して青色サブピクセルの底部（通常は正孔輸送層）に再付着し、正孔輸送層を汚染する為と考えられる。正孔輸送層が汚染されると、その上に形成される青色発光層も汚染されて仕舞い、これらの汚染が原因となって青色発光層はその品質を劣化させられていたと考えられる。そこで、本実施形態では、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）に第一発光層（赤色発光層６３Ｒや緑色発光層６３Ｇ）を塗布法（インクジェット法による機能液の吐出と乾燥処理）により形成した後で、蒸着法を適応する直前に、少なくとも第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）を含む領域をクリーニングする。こうする事で、第二サブピクセルの正孔輸送層６２Ｂや、第二発光層（青色発光層６３Ｂ）、或いは場合によっては正孔ブロッキング層６４、の汚染が取り除けられる。その結果、これらの層は、材料の持つ本来の品質を保持する事ができ、本来の発光強度と発光寿命とが実現する。尚、蒸着法を適応する直前にクリーニングするとは、クリーニングに引き続いて蒸着を行うとの通常の意味であり、具体的にはクリーニングが終了してから半日以内に蒸着を行う事を意味する。勿論、クリーニングが終了してから１時間程度以内のできる限り短時間内に蒸着を行うのがより好ましい。更には、クリーニング装置と蒸着装置とを真空で連結し、クリーニングから蒸着までを真空を破らずに連続で行うのが更に好ましい。
【００５６】
クリーニングする工程はドライ処理工程である事が好ましい。これは、有機溶剤や純水を用いるウエット工程でクリーニングを行うと、第一サブピクセルに形成された第一発光層や第二サブピクセルに形成された正孔輸送層６２Ｂなどに溶剤や水分が付着残留してこれらの層を劣化させる恐れがあるからである。従って、こうした恐れが生じないドライ処理工程にてクリーニングを施す。ドライ処理工程は、一例として、プラズマ処理工程であり、プラズマを素子基板３１の表面に照射する工程である。本実施形態では、簡単なプラズマ処理が実現する大気圧プラズマ装置を用い、大気圧プラズマを素子基板３１の表面に照射して、第二サブピクセルをクリーニングした。尚、大気圧プラズマ以外にも各種のプラズマをクリーニングに使用することができる。真空を利用したプラズマ処理としては、高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を利用した容量結合型（平行平板型）のプラズマや誘導結合型のプラズマ、ヘリコンプラズマ、などが利用でき、更には、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を利用したマイクロ波プラズマやエレクトロンサイクロトロンレゾナンスプラズマなども利用できる。後述する様に、プラズマ処理では正孔輸送層６２Ｂの表面を僅かに削るので、効率的にクリーニングを行うとの観点からは、リアクティブイオンエッチング・モード（Ａｒ+などの正イオンを加速して素子基板３１に衝突させるモード）とするのが好ましい。
【００５７】
プラズマ処理工程では不活性ガスのプラズマが用いられる。不活性ガスプラズマであれば、プラズマ照射により第一サブピクセルの第一発光層や第二サブピクセルの正孔輸送層６２Ｂなどの化学組成が変えられる事はない。従って、プラズマ処理工程が第二サブピクセルの正孔輸送層６２Ｂをクリーニングするとの効果をもたらし、且つ、何ら悪影響を第一サブピクセルの第一発光層や第二サブピクセルの正孔輸送層６２Ｂに及す事もない。即ち、正孔輸送層６２Ｂや第二発光層（青色発光層６３Ｂ）の品質と本来の機能とを保つ事ができるからである。プラズマ処理に用いられる不活性ガスはヘリウムやネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなどの希ガスである事が好ましい。希ガスは容易かつ安定的にプラズマを形成できるので、有機ＥＬパネル１１の製造工程が複雑となる事はなく、製造工程の制御も容易だからである。希ガスの中でも特にアルゴンとヘリウムとが好ましい。
【００５８】
プラズマ処理の工程条件は、正孔輸送層６２Ｂなどの有機物が１ｎｍから５ｎｍ程度エッチングされる条件とするのが好ましい。正孔輸送層６２Ｂは１０ｎｍから５０ｎｍ程度の厚みで形成され（本実施形態では１５ｎｍ）、第一発光層は３０ｎｍ程度以上の厚みで形成されるので（本実施形態では、赤色発光層６３Ｒが７０ｎｍ、緑色発光層６３Ｇが６０ｎｍ）、５ｎｍ以下のエッチングで有れば、正孔輸送層６２Ｂや第一発光層の品質が薄膜化による劣化を起こすことはない。又、第一発光層の塗布に伴う正孔輸送層６２Ｂの汚染は、正孔輸送層６２Ｂの最表面に限られるので、１ｎｍ以上のエッチングを施せば、クリーニング効果が出現する。こうしたエッチングを可能とするプラズマのエネルギー密度は大凡１０００Ｊ／ｃｍ2から１８０００Ｊ／ｃｍ2の範囲である。プラズマのエネルギー密度とは、プラズマの電力密度と処理時間との積である。例えば、１００Ｗ／ｃｍ2の電力密度で１０秒間のプラズマ照射処理を行えば、１０００Ｊ／ｃｍ2のエネルギー密度となり、３００Ｗ／ｃｍ2の電力密度で６０秒間のプラズマ照射処理を行えば、１８０００Ｊ／ｃｍ2のエネルギー密度となる。大気圧プラズマで、エネルギー密度を１０００Ｊ／ｃｍ2としてプラズマ処理を行うと、正孔輸送層６２Ｂは大凡１ｎｍ削られ、正孔輸送層６２Ｂなどの下層の表面がクリーニングされる。大気圧プラズマで、エネルギー密度を１８０００Ｊ／ｃｍ2としてプラズマ処理を行うと、正孔輸送層６２Ｂは大凡５ｎｍ削られ、正孔輸送層６２Ｂなどの下層の機能は劣化される事なく維持される。
【００５９】
次に、図９に示す様に、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の第一発光層（赤色発光層６３Ｒや緑色発光層６３Ｇ）の上と、第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）の正孔輸送層６２Ｂの上と、各サブピクセル４２を隔てる隔壁５９の上とに、正孔ブロッキング層６４を例えば３ｎｍの膜厚で蒸着法により形成する。正孔ブロッキング層６４としては、上述の化学式６に示されるＢａｌｑを用いる事ができる。尚、本実施形態では、有機ＥＬパネル１１が蒸着法で形成された正孔ブロッキング層６４を有するので、クリーニングに引き続いて正孔ブロッキング層６４と第二発光層（青色発光層６３Ｂ）とをこの順序で蒸着するが、正孔ブロッキング層６４は省く事も可能である。正孔ブロッキング層６４を用いない有機ＥＬパネル１１の場合には、クリーニングに引き続いて第二発光層（青色発光層６３Ｂ）を蒸着する事になる。
【００６０】
次に、図１０に示す様に、第一発光層上と第二サブピクセルの陽極２４Ｂ上とに跨って第二発光層を蒸着法により形成する。即ち、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の正孔ブロッキング層６４の上と、第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）の正孔ブロッキング層６４の上と、各サブピクセル４２を隔てる隔壁５９の正孔ブロッキング層６４の上とに、第二発光層となる青色発光層６３Ｂを、例えば１０ｎｍの膜厚で、蒸着法により形成する。青色発光層６３Ｂとしてはホスト材料（上述の化学式４に示されるＢＤＡＦ）とゲスト材料（上述の化学式５に示されるＢＣｚＶＢ）を例えば体積比１０：１で共蒸着法により形成する事ができる。素子基板３１のほぼ全面に成膜される青色発光層６３Ｂの厚みは５ｎｍから５０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。５ｎｍ未満の厚みでは発光が困難だが、５ｎｍ以上の厚みがあれば、実用的な明るさの発光が可能になる。又、５０ｎｍ以下の厚みであれば、発光させる為の電圧を或る程度低く保つ事が可能になる。この様に、第二サブピクセルとは、発光層が蒸着法で形成されているサブピクセルである。
【００６１】
次に、図１１に示す様に、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の青色発光層６３Ｂの上と、第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）の青色発光層６３Ｂの上と、各サブピクセル４２を隔てる隔壁５９の上とに、跨って、電子輸送層６５と第二電極とを形成する。本実施形態では第二電極は陰極２５である。要するに、全てのサブピクセル４２に電子輸送層６５を例えば２０ｎｍの膜厚で蒸着法により形成し、更に、電子輸送層６５上に陰極２５を蒸着法により形成する。電子輸送層６５としては、例えば、上述の化学式７に示すＡｌｑ３を用いる事ができる。陰極２５は、例えば、１ｎｍ厚のフッ化リチウム膜と１５０ｎｍ厚のアルミニウム膜とを、この順に積層して形成される。
【００６２】
その後、例えば、缶封止方式を用いて陰極２５上を封止することにより、有機ＥＬパネル１１が完成する。
【００６３】
「電子機器」
次に、前述した有機ＥＬパネル１１を適用した電子機器について、図１２を参照して説明する。図１２は、本発明に係る有機ＥＬパネルを備える電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図である。以下、テレビの構成を、図１２を参照しながら説明する。
【００６４】
図１２に示す様に、テレビ１０１は、表示部１０２と、枠部１０３と、脚部１０４と、リモコン１０５とを有する。表示部１０２には、上述の製造方法を用いて製造された有機ＥＬパネル１１が実装されている。枠部１０３は、表示部１０２をガイドするために用いられる。脚部１０４は、表示部１０２及び枠部１０３を一定の高さで固定するために用いられる。リモコン１０５は、例えば、テレビ１０１の電源をＯＮ／ＯＦＦしたり、チャンネルを変えたりするために用いられる。
【００６５】
尚、電子機器は、上記した有機ＥＬパネル１１を備えておればテレビ１０１に限定されず、他にも例えば、ディスプレイ、携帯電話機、コンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーション装置、オーディオ機器等にも適応する事ができる。
【００６６】
以上述べた様に、本実施形態に係わる有機ＥＬパネル１１の製造方法に依れば、以下の効果を得る事ができる。
第二サブピクセルに第二発光層を蒸着法で形成する直前に第二サブピクセルをクリーニングするので、第二発光層が汚染される事なく、その品質を保つ事ができる。これにより、第二発光層の品質が保持され、材料が有する本来の発光強度と発光寿命とが実現する。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬパネルを製造する事ができる。又、このクリーニングは簡単なプラズマ処理で行われるので、製造工程が複雑になる事もない。即ち、製造工程を複雑にする事なく、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬパネルを製造する事ができる。
【００６７】
尚、本実施形態では、赤色サブピクセル４２Ｒと緑色サブピクセル４２Ｇとが第一サブピクセルであり、青色サブピクセル４２Ｂが第二サブピクセルであったが、第一サブピクセルと第二サブピクセルとの組み合わせはこれに限られない。例えば、一つの画素７１を４個のサブピクセルで構成し、赤色サブピクセルと緑色サブピクセルと黄色サブピクセルを第一サブピクセルとし、青色サブピクセルを第二サブピクセルとしても良い。或いは、例えば、赤色サブピクセルと緑色サブピクセルと青色サブピクセルを第一サブピクセルとし、白色サブピクセルを第二サブピクセルとしても良い。
【００６８】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良を加えることが可能である。以下に変形例を述べる。
【００６９】
（変形例１）
「トップエミッション構造の形態」
実施形態１では、一例としてボトムエミッション構造の有機ＥＬパネル１１で説明されたが、本発明はトップエミッション構造の有機ＥＬパネル１１にも適用可能である。即ち、有機ＥＬパネル１１を発光層６３から発せられた光を上側に（素子基板３１の反対側に）取り出す構造としても良い。これに伴い、実施形態１では第一電極が陽極２４で第二電極が陰極２５で有ったが、本変形例では第一電極が陰極２５となり、第二電極が陽極２４とされる。
【００７０】
具体的には、まず、第一サブピクセルと第二サブピクセルとにそれぞれ第一電極としての陰極２５を形成した後、陰極２５の上に電子輸送層６５を形成する。陰極２５と電子輸送層６５とは画素毎に独立に形成される。次いで第一サブピクセルに第一発光層を塗布法で形成する。その後に、不活性ガスのプラズマ処理にて、少なくとも第二サブピクセルをクリーニングする。これにより第二サブピクセルの電子輸送層６５がクリーニングされる。クリーニング終了後直ちに、第一サブピクセルと第二サブピクセルとに跨って第二発光層と正孔輸送層６２、正孔注入層６１とをこの順序にて蒸着法により形成し、最後に陽極２４となる電極を形成する。陽極２４は透明導電膜で形成する。これにより、発光素子層４４にて発光した光（赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂ）は素子基板３１と反対側に取り出され、有機ＥＬパネル１１は、所謂、トップエミッション構造となる。プラズマ処理条件は実施形態１と同じである。
【符号の説明】
【００７１】
１１…有機ＥＬパネル、２４…陽極、２５…陰極、２６…発光機能層、２７…発光素子、２７Ｂ…青色発光素子、２７Ｇ…緑色発光素子、２７Ｒ…赤色発光素子、３１…素子基板、４２…サブピクセル、４２Ｂ…青色サブピクセル、４２Ｇ…緑色サブピクセル、４２Ｒ…赤色サブピクセル、５９…隔壁、６１…正孔注入層、６２…正孔輸送層、６３…発光層、６３Ｂ…青色発光層、６３Ｂ…青色発光層、６３Ｇ…緑色発光層、６３Ｒ…赤色発光層、６４…正孔ブロッキング層、６５…電子輸送層、７１…画素、１０１…テレビ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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