(57)【要約】【課題】粘性及び高吸湿性を有する塗布液の塗布膜の膜厚の塗布斑をなくし、膜厚の均一性を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。【解決手段】ウエハの表面に粘性及び吸湿性を有する塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法において、ウエハの外部の待機位置に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出した後、ウエハの中心位置より所定距離偏倚した位置に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出し、その後、ウエハを第１の回転数で回転すると共に、塗布液供給ノズルを偏倚位置からウエハ中心位置に移動し、ウエハ中心位置に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出し、その後、第１の回転数で回転するウエハに対して塗布液の吐出を停止して、塗布液を偏倚位置より外周側に広げ、その後、ウエハを第１の回転数より大きい第２の回転数で回転して、塗布液をウエハの全面に広げる。【選択図】    図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に粘性及び吸湿性を有する塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法であって、
鉛直軸回りに回転可能に保持された基板の外部に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出する工程と、
基板を回転していない状態で、基板の中心位置に対して所定距離偏倚した位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出する工程と、
基板を第１の回転数で回転すると共に、上記塗布液供給ノズルを上記偏倚位置から基板の中心位置に向けて移動する工程と、
上記第１の回転数で回転する基板の中心位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出して、塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げる工程と、
基板に対して塗布液の吐出を停止した状態で、基板を上記第１の回転数より大きい第２の回転数で回転して塗布液を基板の全面に広げる工程と、
を含むことを特徴とする塗布処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の塗布処理方法において、
上記第１の回転数が５０ｒｐｍ〜１５０ｒｐｍ、上記第２の回転数が１０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍである、ことを特徴とする塗布処理方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の塗布処理方法において、
上記塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げる工程の後に、基板に対して塗布液の吐出を停止した状態で、上記第１の回転数より大きく、かつ、上記第２の回転数より小さい回転数で基板を回転させて、塗布液を外周に広げる工程を含む、ことを特徴とする塗布処理方法。
【請求項４】
請求項３に記載の塗布処理方法において、
上記塗布液を外周に広げる工程の回転数が１５０ｒｐｍ〜４００ｒｐｍである、ことを特徴とする塗布処理方法。
【請求項５】
基板の表面に粘性及び吸湿性を有する塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
基板を鉛直軸回りに回転自在に保持する基板保持部と、
上記基板保持部を回転する回転駆動部と、
上記基板保持部にて保持された基板の表面に塗布液を吐出する塗布液供給ノズルと、
上記塗布液供給ノズルを上記基板の外部待機位置と基板中心位置との間で移動するノズル移動機構と、
上記回転駆動部の回転、上記塗布液供給ノズルの塗布液の吐出及び上記ノズル移動機構の駆動を制御する制御部と、を具備し、
上記制御部からの信号に基づいて、上記基板の外部の上記待機位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出した後、上記基板の中心位置より所定距離偏倚した位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出し、その後、基板を第１の回転数で回転すると共に、上記塗布液供給ノズルを上記偏倚位置から基板中心位置に移動し、基板中心位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出して、塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げ、その後、塗布液の吐出を停止し、基板を上記第１の回転数より大きい第２の回転数で回転して、塗布液を基板の全面に広げる、ことを特徴とする塗布処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の塗布処理装置において、
上記第１の回転数が５０ｒｐｍ〜１５０ｒｐｍ、上記第２の回転数が１０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍである、ことを特徴とする塗布処理装置。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の塗布処理装置において、
上記制御部からの信号に基づいて、上記塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げた後に、塗布液の吐出を停止し、上記第１の回転数より大きく、かつ、上記第２の回転数より小さい回転数で基板を回転させて、塗布液を外周に広げる、ことを特徴とする塗布処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の塗布処理装置において、
上記塗布液を外周に広げる際の回転数が１５０ｒｐｍ〜４００ｒｐｍである、ことを特徴とする塗布処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、塗布処理方法及び塗布処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウエハ(以下にウエハという)にフォトリソグラフィ処理を行い、ウエハ上の保護膜であるポリイミド膜にビアホールなどの所定のパターンを形成することが行われている。
【０００３】
すなわち、塗布処理装置を用いて、ウエハ上にポリイミド溶液を塗布してポリイミド膜を形成し、ポリイミド膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたポリイミド膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウエハ上のポリイミド膜に所定のパターンが形成される。
【０００４】
これらの一連のフォトリソグラフィ処理は、通常、ウエハを処理する各処理装置やウエハを搬送する搬送装置などを搭載した塗布・現像処理システムを用いて行われる。
【０００５】
従来、ポリイミド溶液を塗布してポリイミド膜を形成する塗布処理装置として、鉛直軸回りに回転するウエハの中心位置に、供給ノズルからポリイミド溶液を吐出して、ウエハ表面にポリイミド膜を形成するポリイミド塗布装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平２−１８４０３１号公報（第１図、第２図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ポリイミド溶液は高粘度かつ高吸湿であるため、特許文献１に記載のようにウエハの中心部にポリイミド溶液を吐出してポリイミド膜を形成する塗布処理においては、ウエハ中心部に円心状の塗布斑が生じると共に、中心部の膜厚が大幅に低下して、膜厚が不均一になる懸念があった。
【０００８】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、粘性及び高吸湿性を有する塗布液の塗布膜の膜厚の塗布斑をなくし、膜厚の均一性を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、この発明の塗布処理方法は、基板の表面に粘性及び吸湿性を有する塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法であって、  鉛直軸回りに回転可能に保持された基板の外部に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出する工程と、  基板を回転していない状態で、基板の中心位置に対して所定距離偏倚した位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出する工程と、  基板を第１の回転数で回転すると共に、上記塗布液供給ノズルを上記偏倚位置から基板の中心位置に向けて移動する工程と、  上記第１の回転数で回転する基板の中心位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出して、塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げる工程と、  基板に対して塗布液の吐出を停止した状態で、基板を上記第１の回転数より大きい第２の回転数で回転して塗布液を基板の全面に広げる工程と、を含むことを特徴とする（請求項１）。
【００１０】
この発明の塗布処理方法において、上記第１の回転数を５０ｒｐｍ〜１５０ｒｐｍとし、上記第２の回転数を１０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍとするのがよい（請求項２）。
【００１１】
第１の回転数を５０ｒｐｍ〜１５０ｒｐｍとした理由は、回転数が５０ｒｐｍより小さいと、塗布液が偏倚位置より外周側に広がらなくなり、また、回転数が１５０ｒｐｍより大きいと、塗布液が偏倚位置より外周側に広がり過ぎて液膜の膜厚が不均一になるからである。また、第２の回転数を１０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍとした理由は、回転数が１０００ｒｐｍより小さいと、塗布液が基板の全面に広がりにくくなり、また、回転数が４０００ｒｐｍより大きくなると、塗布液が広がり過ぎて液膜の膜厚が不均一になるからである。
【００１２】
また、この発明の塗布処理方法において、上記塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げる工程の後に、基板に対して塗布液の吐出を停止した状態で、上記第１の回転数より大きく、かつ、上記第２の回転数より小さい回転数で基板を回転させて、塗布液を外周に広げる工程を含むようにしてもよい（請求項３）。この場合、上記塗布液を外周に広げる工程の回転数を１５０ｒｐｍ〜４００ｒｐｍとするのがよい（請求項４）。
【００１３】
塗布液を外周に広げる工程の回転数を１５０ｒｐｍ〜４００ｒｐｍとした理由は、回転数が１５０ｒｐｍより小さいと、塗布液が外周側に広がりにくくなり、４００ｒｐｍより大きくなると、塗布液が外周側に広がり過ぎて液膜の膜厚が不均一になるからである。
【００１４】
この発明の塗布処理装置は、請求項１記載の塗布処理方法を具現化するもので、基板の表面に粘性及び吸湿性を有する塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、  基板を鉛直軸回りに回転自在に保持する基板保持部と、  上記基板保持部を回転する回転駆動部と、  上記基板保持部にて保持された基板の表面に塗布液を吐出する塗布液供給ノズルと、  上記塗布液供給ノズルを上記基板の外部待機位置と基板中心位置との間で移動するノズル移動機構と、  上記回転駆動部の回転、上記塗布液供給ノズルの塗布液の吐出及び上記ノズル移動機構の駆動を制御する制御部と、を具備し、  上記制御部からの信号に基づいて、上記基板の外部の上記待機位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出した後、上記基板の中心位置より所定距離偏倚した位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出し、その後、基板を第１の回転数で回転すると共に、上記塗布液供給ノズルを上記偏倚位置から基板中心位置に移動し、基板中心位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出して、塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げ、その後、塗布液の吐出を停止し、基板を上記第１の回転数より大きい第２の回転数で回転して、塗布液を基板の全面に広げる、ことを特徴とする（請求項５）。
【００１５】
この発明の塗布処理装置において、上記第１の回転数を５０ｒｐｍ〜１５０ｒｐｍとし、上記第２の回転数を１０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍとするのがよい（請求項６）。
【００１６】
また、この発明の塗布処理装置において、上記制御部からの信号に基づいて、上記塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げた後に、塗布液の吐出を停止し、上記第１の回転数より大きく、かつ、上記第２の回転数より小さい回転数で基板を回転させて、塗布液を外周に広げるようにしてもよい（請求項７）。この場合、上記塗布液を外周に広げる際の回転数を１５０ｒｐｍ〜４００ｒｐｍとするのがよい（請求項８）。
【００１７】
請求項１，２，５，６記載の発明によれば、基板の外部に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出した後、基板の中心位置より所定距離偏倚した位置に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出し、その後、基板を第１の回転数で回転すると共に、塗布液供給ノズルを基板中心位置に移動して塗布液を吐出し、その後、第１の回転数で回転する基板に対して塗布液の吐出を停止して、塗布液を偏倚位置より外周側に広げ、その後、基板を第１の回転数より大きい第２の回転数で回転して、塗布液を基板の全面に広げることができる。
【００１８】
請求項３，４，７，８記載の発明によれば、第１の回転数で回転する基板に対して塗布液の吐出を停止して、塗布液を偏倚位置より外周側に広げた後、第１の回転数より大きく、かつ、第２の回転数より小さい回転数で基板を回転させて、塗布液を更に外周に広げ、その後、基板を第１の回転数より大きい第２の回転数で回転して、塗布液を基板の全面に広げることができる。
【発明の効果】
【００１９】
この発明によれば、上記のように構成されているので、粘性及び高吸湿性を有する塗布液の塗布膜の塗布斑をなくすと共に、膜厚の均一性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】この発明に係る塗布処理装置を適用した塗布・現像処理システムの内部構造を示す概略平面図である。
【図２】上記塗布・現像処理システムの内部構造を示す概略側面図である。
【図３】上記塗布・現像処理システムの別の位置の内部構造を示す概略側面図である。
【図４】上記塗布・現像処理システムにおける塗布処理装置を示す概略縦断面図である。
【図５】上記塗布・現像処理システムにおける塗布処理装置を示す概略横断面図である。
【図６】この発明に係る塗布処理装置の要部を示す縦断面図である。
【図７】この発明における供給ノズルのダミーディスペンスの状態を示す概略平面図（ａ）及びその概略側面図（ｂ）である。
【図８】偏倚位置に塗布液を吐出する状態を示す概略平面図（ａ）及びその概略側面図（ｂ）である。
【図９】供給ノズルを中心位置へ移動した状態を示す概略平面図（ａ）及びその概略側面図（ｂ）である。
【図１０】塗布液を偏倚位置の外周へ広げる状態を示す概略平面図（ａ）及びその概略側面図（ｂ）である。
【図１１】塗布液をウエハ全面へ広げる状態を示す概略平面図（ａ）及びその概略側面図（ｂ）である。
【図１２】塗布液を偏倚位置の外周へ広げた後、更に外周へ広げる状態を示す概略平面図（ａ）及びその概略側面図（ｂ）である。
【図１３】この発明に係る第１の塗布処理方法を示すフローチャートである。
【図１４】この発明に係る第２の塗布処理方法を示すフローチャートである。
【図１５】この発明に係る塗布処理方法の実施例１，２と比較例１〜３とを比較したウエハの中心部からの距離と塗布膜厚との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、この発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、この発明に係る塗布処理装置を半導体ウエハ（以下にウエハという）の塗布・現像処理システムに適用した場合について説明する。
【００２２】
塗布・現像処理システム１は、図１に示すように、例えば外部との間で複数枚のウエハＷを収容したカセット１２が搬入出されるカセットステーション２と、フォトリソグラフィ処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光装置４との間でウエハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
【００２３】
カセットステーション２には、カセット載置台１０が設けられており、カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセット載置板１１が設けられている。この場合、カセット載置板１１は、水平方向のＸ方向(図１中の上下方向)に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板１１には、塗布・現像処理システム１の外部に対してカセット１２を搬入出する際に、カセット１２を載置することができる。
【００２４】
カセットステーション２には、図１に示すように、Ｘ方向に延びる搬送路２０上を移動自在な受渡しアーム２１が設けられている。この受渡しアーム２１は、鉛直方向（Ｚ方向）及び鉛直軸回り(θ方向)にも移動自在であり、各カセット載置板１１上のカセット１２と、後述する処理ステーション３の第３の処理ブロックＢ３の所定の装置との間でウエハＷを搬送できる。
【００２５】
処理ステーション３には、各種装置を備えた複数、例えば４つの処理ブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１の処理ブロックＢ１が設けられ、処理ステーション３の背面側(図１のＸ方向正方向側)には、第２の処理ブロックＢ２が設けられている。
【００２６】
また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、他の処理ブロックとしての第３の処理ブロックＢ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、他の処理ブロックとしての第４の処理ブロックＢ４が設けられている。
【００２７】
第１の処理ブロックＢ１には、図３に示すように、複数の液処理装置が鉛直方向に積層されている。例えばウエハＷを現像処理する現像処理装置３０，３１、後述する塗布処理装置３３で排出された廃液を回収する廃液回収装置３２、ウエハＷ上に塗布液としてのポリイミド溶液を塗布して塗布膜としてのポリイミド膜を形成する塗布処理装置３３、ウエハＷの周縁部上のポリイミド膜を洗浄除去する周縁部洗浄装置３４が下から順に５段に重ねられている。
【００２８】
なお、ポリイミド溶液は、ポリイミド前駆体、例えばポリアミド酸を溶媒に溶解させた溶液である。このポリイミド溶液は、粘度が５００ｃｐ〜１５００ｃｐであり、吸湿率が１重量％以上、特に吸湿率が３％以上の高吸湿率を有する。
【００２９】
現像処理装置３０，３１は、処理時にウエハＷを収容するカップＦを水平方向に複数、例えば４つ有し、複数のウエハＷを並行して処理することができる。
【００３０】
第２の処理ブロックＢ２には、図２に示すように、ウエハＷの熱処理を行う熱処理モジュール４０や、ウエハＷを疎水化処理する疎水化処理モジュールＡＤＨ、ウエハＷの中心位置を調節する位置調節モジュールＡＬＩ、ウエハＷの外周部を露光する周辺露光モジュール４３が鉛直方向と水平方向に並設されている。なお、熱処理モジュール４０、疎水化処理モジュールＡＤＨ、位置調節モジュールＡＬＩ及び周辺露光モジュールＷＥＥの数や配置は、任意に選択できる。
【００３１】
本実施の形態においては、例えば第２の処理ブロックＢ２は鉛直方向に４層に分けて設けられている。例えば第２の処理ブロックＢ２において、第１の処理ブロックＢ１の現像処理装置３０，３１に対応する位置の層には、熱処理モジュール４０が配置されている。
【００３２】
例えば第１の処理ブロックＢ１の廃液回収装置３２に対応する位置の層には、熱処理モジュール４０と疎水化処理モジュールＡＤＨが配置されている。また、第１の処理ブロックＢ１の塗布処理装置３３に対応する位置の層には、熱処理モジュール４０と位置調節モジュールＡＬＩが配置されている。また、第１の処理ブロックＢ１の周縁部洗浄装置３４に対応する位置の層には、熱処理モジュール４０、位置調節モジュールＡＬＩ及び周辺露光モジュールＷＥＥが配置されている。
【００３３】
熱処理モジュール４０は、ウエハＷを載置して加熱する熱板４０ａと、ウエハＷを載置して冷却する冷却板４０ｂを有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。
【００３４】
第３の処理ブロックＢ３には、図２及び図３に示すように、ウエハＷを受け渡すための受渡しモジュールＢＵ１，ＴＲＳ１，ＢＵ２，ＢＵ３とウエハＷの温度を調節する温度調節モジュールＣＰＬ１〜ＣＰＬ３が設けられている。これらモジュールは下からＢＵ１，ＣＰＬ１，ＴＲＳ１，ＣＰＬ２，ＢＵ２，ＣＰＬ３，ＢＵ４の順に配置されている。
【００３５】
また、第３の処理ブロックＢ３の最下層には、廃液回収装置３２で回収した廃液や周縁部洗浄装置３４から排出される廃液を一旦貯留し、貯留した廃液を塗布・現像処理システム１の外部に排出するための廃液排出モジュール５０が配置されている。この廃液排出モジュール５０には、廃液を一旦貯留するためのタンク（図示せず）や、廃液を排出するためのポンプ（図示せず）などが設けられている。
【００３６】
また、第４の処理ブロックＢ４には、ウエハＷを受け渡すための受渡しモジュールＢＵ４，ＴＲＳ２，ＢＵ５，ＢＵ６とウエハＷの温度を調節する温度調節モジュールＣＰＬ４〜ＣＰＬ６が設けられている。これらモジュールは下からＢＵ４，ＣＰＬ４，ＴＲＳ２，ＣＰＬ５，ＢＵ５，ＣＰＬ６，ＢＵ６の順に配置されている。
【００３７】
図１に示すように、第１の処理ブロックＢ１〜第４の処理ブロックＢ４に囲まれた領域には、ウエハ搬送領域Ｄが形成されている。このウエハ搬送領域Ｄには、例えば基板搬送装置としてのウエハ搬送アーム６０が配設されている。
【００３８】
ウエハ搬送アーム６０は、例えばＹ方向、Ｘ方向、鉛直軸回り（θ方向）及び鉛直方向（Ｚ方向）に移動自在なアーム体６１を具備している。ウエハ搬送アーム６０は、ウエハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１の処理ブロックＢ１、第２の処理ブロックＢ２、第３の処理ブロックＢ３及び第４の処理ブロックＢ４内の所定の装置にウエハＷを搬送できる。
【００３９】
ウエハ搬送アーム６０は、例えば図２に示すように、鉛直方向に複数基、例えば４基配置され、例えば各処理ブロックＢ１〜Ｂ４の同程度の高さの所定の装置にウエハＷを搬送できる。なお、本実施の形態では、複数のウエハ搬送アーム６０は、第２の処理ブロックＢ２が分割された４層に対応する位置にそれぞれ設けられている。
【００４０】
また、ウエハ搬送領域Ｄには、第３の処理ブロックＢ３と第４の処理ブロックＢ４との間で直線的にウエハＷを搬送するシャトルアーム７０が設けられている。このシャトルアーム７０は、例えばＹ方向に直線的に移動自在に形成されており、ウエハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３の処理ブロックＢ３の受渡しモジュールＴＲＳ１と第４の処理ブロックＢ４の受渡しモジュールＴＲＳ２との間でウエハＷを搬送できる。
【００４１】
図１に示すように、第３の処理ブロックＢ３のＸ方向正方向側の隣には、他の基板搬送装置としての受渡しアーム８０が設けられている。この受渡しアーム８０は、例えばＸ方向、鉛直軸回り（θ方向）及び鉛直方向（Ｚ方向）に移動自在なアーム体８１を具備しており、ウエハＷを支持した状態で鉛直方向に移動して、第３の処理ブロックＢ３内の所定の装置にウエハＷを搬送できるようになっている。
【００４２】
また、第４の処理ブロックＢ４のＸ方向正方向側の隣にも、他の基板搬送装置としての受渡しアーム８２が設けられている。この受渡しアーム８２は、例えばＸ方向、鉛直軸回り（θ方向）及び鉛直方向（Ｚ方向）に移動自在なアーム体８３を具備しており、ウエハＷを支持した状態で鉛直方向に移動して、第４の処理ブロックＢ４内の所定の装置にウエハＷを搬送できるようになっている。なお、受渡しアーム８２は、後述する受渡しアーム８４の搬送性能が高い場合には省略することができる。
【００４３】
インターフェイスステーション５には、受渡しアーム８４と受渡しモジュール９０が設けられている。受渡しアーム８４は、例えばＹ方向、鉛直軸回り（θ方向）及び鉛直方向（Ｚ方向）に移動自在なアーム体８５を具備しており、アーム体８５にウエハＷを支持して、第４の処理ブロックＢ４内の所定のモジュール、受渡しモジュール９０及び露光装置４との間でウエハＷを受け渡しできるようになっている。
【００４４】
次に、塗布処理装置３３の構成について説明する。塗布処理装置３３は、図４及び図５に示すように、内部を密閉することができる処理容器１００を有している。処理容器１００のウエハ搬送領域Ｄ側の側面には、図５に示すように、ウエハＷの搬入出口１０１が例えば４箇所に形成されている。これら搬入出口１０１は、後述する塗布部１１０〜１１３に対応する位置にそれぞれ形成されている。
【００４５】
処理容器１００の内部には、例えばウエハＷ上にポリイミド溶液を塗布する４つの塗布部１１０〜１１３が設けられている。これら塗布部１１０〜１１３は、Ｙ方向負方向（図５の左方向）側からＹ方向正方向（図５の右方向）側にこの順で並設されている。
【００４６】
図５に示すように、塗布部１１０〜１１３のＸ方向負方向（図５の下方向）側には、Ｙ方向（図５の左右方向）に沿って延在するガイドレール１２０が配設されている。このガイドレール１２０は、例えば塗布部１１０のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方から塗布部１１３のＹ方向正方向（図５の右方向）側の外方まで形成されている。
【００４７】
ガイドレール１２０には、２本のアーム１２１，１２２が移動自在に装着されている。ここで、Ｘ方向負方向側に設けられたアーム１２１を第１のアーム１２１といい、Ｘ方向正方向側に設けられたアーム１２２を第２のアーム１２２という。
【００４８】
第１のアーム１２１には、図４及び図５に示すように、ポリイミド溶液を吐出する塗布液供給ノズルとしての第１の供給ノズル１３１が支持されている。この第１のアーム１２１は、図５に示すノズル移動機構であるノズル駆動部１２３により、ガイドレール１２０上を移動自在に形成されている。
【００４９】
これにより、第１の供給ノズル１３１は、塗布部１１０のＹ方向負方向側の外方の待機位置に設置された待機部１４１から各塗布部１１０，１１１内のウエハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウエハＷの表面上をウエハＷの径方向に移動できる。また、第１のアーム１２１は、ノズル駆動部１２３によって昇降自在であり、第１の供給ノズル１３１の高さを調節できるようになっている。
【００５０】
第１の供給ノズル１３１には、図６に示すように、供給管１３３を介して、第１の供給ノズル１３１にポリイミド溶液を供給するポリイミド供給源１３４が接続されている。また、供給管１３３には流量制御開閉弁Ｖ１が介設されている。
【００５１】
なお、待機部１４１は、第１の供給ノズル１３１が待機中、当該第１の供給ノズル１３１の先端部を収容して洗浄するノズルバスにて形成されている。この第１の供給ノズル１３１の洗浄は、例えばポリイミド溶液のリンス液によって行われる。そして、第１の供給ノズル１３１の洗浄によって発生する廃液は、例えば待機部１４１に接続された排液管１４３から排出され、廃液回収装置３２で回収される。
【００５２】
本実施形態では、待機部１４１のウエハ側近傍には、第１の供給ノズル１３１の使用前にノズル先端部のポリイミド溶液を吐出するダミーディスペンス部１４１ａが設けられている。このダミーディスペンス部１４１ａは排液管１４１ｂを介して排液管１４３に接続されている。なお、ダミーディスペンス部１４１ａを待機部１４１であるノズルバスと一体に設けてもよい。
【００５３】
第２のアーム１２２には、図４及び図５に示すように、ポリイミド溶液を吐出する塗布液供給ノズルとしての第２の供給ノズル１３２が支持されている。この第２のアーム１２２は、図５に示すノズル移動機構であるノズル駆動部１２４により、ガイドレール１２０上を移動自在形成されている。
【００５４】
これにより、第２の供給ノズル１３２は、塗布部１１３のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１４２から各塗布部１１２，１１３内のウエハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウエハＷの表面上をウエハＷの径方向に移動できる。また、第２のアーム１５２は、ノズル駆動部１２４によって昇降自在であり、第２の供給ノズル１３２の高さを調節できるようになっている。なお、上述したポリイミド供給源１３４は、第２の供給ノズル１３２にも接続され、当該第２の供給ノズル１３２にポリイミド溶液を供給する。
【００５５】
なお、待機部１４２は、第２の供給ノズル１３２が待機中、当該第２の供給ノズル１３２の先端部を収容して洗浄するノズルバスにて形成されている。この第２の供給ノズル１３２の洗浄は、例えばポリイミド溶液のリンス液によって行われる。そして、第２の供給ノズル１３２の洗浄によって発生する廃液は、例えば待機部１４２に接続された排液管１４４から排出され、廃液回収装置３２で回収される。
【００５６】
本実施形態では、待機部１４２のウエハ側近傍には、第２の供給ノズル１３２の使用前にノズル先端部のポリイミド溶液を吐出するダミーディスペンス部１４２ａが設けられている。このダミーディスペンス部１４２ａは排液管１４２ｂを介して排液管１４４に接続されている。なお、ダミーディスペンス部１４２ａを待機部１４２であるノズルバスと一体に設けてもよい。
【００５７】
塗布部１１０には、図６に示すように、ウエハＷの裏面の中心部を保持して回転させる基板保持部であるスピンチャック１５０が設けられている。このスピンチャック１５０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウエハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウエハＷをスピンチャック１５０上に吸着保持できる。
【００５８】
スピンチャック１５０の下方には、シャフト１５１を介して例えばモータやシリンダなどを備えた回転駆動部１５２が設けられている。この回転駆動部１５２により、スピンチャック１５０は鉛直軸回りに所定の速度で回転でき、かつ昇降可能になっている。
【００５９】
また、スピンチャック１５０の下方側には、シャフト１５１を囲むようにカップベース１５３が設けられている。このカップベース１５３は、スピンチャック１５０に保持されたウエハＷの裏面側に落下する液体を受け止め、回収することができる。なお、カップベース１５３には、回収した廃液を排出するための排液管１７４が接続されている。
【００６０】
スピンチャック１５０の下方であって、カップベース１５３上には、ウエハＷの裏面にリンス液を噴射するバックリンスノズル１５５が例えば対向する２箇所に設けられている。このバックリンスノズル１５５は、リンス液供給管１５４を介して、ポリイミド溶液のリンス液が貯留されているリンス液供給源１５６に接続されている。このリンス液供給管１５７には、流量制御開閉弁Ｖ２が介設されている。また、カップベース１５３の外周部には、断面形状が山形、すなわち上方に凸に突出した形状のガイドリング１５８が設けられている。このガイドリング１５８の外周部は下方側に屈曲して垂下している。
【００６１】
スピンチャック１５０、スピンチャック１５０に保持されたウエハＷ、及びガイドリング１５８の側方には、これらスピンチャック１５０、ウエハＷ及びガイドリング１５８を囲むようにカップ１６０が設けられている。このカップ１６０は、ウエハＷから飛散又は落下する液体を受け止めることができ、回収することができる。
【００６２】
カップ１６０は、上面にスピンチャック１５０が昇降できるようにウエハＷよりも大きい開口部が形成されていると共に、内周側面とガイドリング１５８の外周縁との問に排出路をなす隙間１６１が形成されている。
【００６３】
また、カップ１６０の下部には、カップ１６０内の雰囲気を排気すると共に、カップ１６０内の廃液を回収する気液分離部１６２が環状に形成されている。この気液分離部１６２には、ガイドリング１５８の外周部と、カップ１６０の底面に設けられた仕切壁１６３とにより迂回路が形成されている。そして、この迂回路により気液分離部１６２で気体と液体が分離される。すなわち、気液分離部１６２は、仕切壁１６３によって、カップ１６０内の廃液を排出するための外側領域１６４と、カップ１６０内の雰囲気を排気するための内側領域１６５に区画されている。外側領域１６４には、カップ１６０内の廃液を排出する排液管１６６が接続されている。また、内側領域１６５には、カップ１６０内の雰囲気を排気するための排気管１６７が接続されている。
【００６４】
カップ１６０の下方には、カップベース１５３とカップ１６０内で回収された廃液を収集し、廃液回収装置３２に排出するための廃液容器１７０が設けられている。この廃液容器１７０の上面には、カップベース１５３で回収した廃液を排出する排液管１５４と、カップ１６０内で回収した廃液を排出する排液管１６６とが接続されている。また、廃液容器１７０は、配管１７１を介して廃液回収装置３２を構成する廃液回収タンク３２ａが接続されている。廃液回収タンク３２ａにはポンプ３２ｂを介設した排液管３２ｃが接続されており、ポンプ３２ｂの駆動により廃液回収装置３２から塗布・現像処理システム１の外部に廃液が排出されるようになっている。
【００６５】
なお、塗布部１１１、１１２、１１３の構成については、上述した塗布部１１０と同様であるので説明を省略する。
【００６６】
また、周縁部洗浄装置３４は、上述した塗布処理装置３３の構成とほぼ同様の構成を有している。この場合、周縁部洗浄装置３４は、塗布処理装置３３の第１及び第２の供給ノズル１３１，１３２に代えて、スピンチャック１５０に保持されたウエハＷの周縁部にリンス液を供給するエッジリンスノズルを有している。このエッジリンスノズルは、各塗布部１１０〜１１３にそれぞれ個別に設けられていてもよい。
【００６７】
また、各塗布部１１０〜１１３の廃液容器１７０で回収される廃液は、直接、廃液排出モジュール５０に排出される。なお、周縁部洗浄装置３４のその他の構成は、塗布処理装置３３の構成と同様であるので説明を省略する。
【００６８】
上記のように構成される塗布処理装置３３において、回転駆動部１５２、ノズル駆動部１２３，１２４、流量制御開閉弁Ｖ１、及びリンス液供給管１５７に介設される開閉弁Ｖ２は、それぞれ制御部２００に電気的に接続されており、制御部２００から信号に基づいて、回転駆動部１５２の回転、供給ノズル１３１，１３２のポリイミド溶液の吐出及びノズル駆動部１２３，１２４の駆動を制御するようになっている。
【００６９】
制御部２００は、例えば制御コンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、塗布・現像処理システム１におけるウエハ処理を実行するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルデスク、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部２００にインストールされたものであってもよい。
【００７０】
次に、この発明に係る塗布処理方法について、図７〜図１４を参照して説明する。ここでは、第１の供給ノズル１３１（以下に単に供給ノズル１３１という）を用いたポリイミド溶液の塗布処理について説明する。なお、直径３００ｍｍのウエハＷを塗布処理する。
【００７１】
＜第１実施形態＞
図７〜図１１は第１実施形態に係る塗布処理方法における各工程を示す概略平面図及びその側面図であり、図１３は第１の塗布処理方法における各工程を示すフローチャートである。
【００７２】
第１実施形態の塗布処理方法は、まず、スピンチャック１５０に保持されたウエハＷの外部のダミーディスペンス部１４１ａに供給ノズル１３１からポリイミド溶液３００を吐出（ダミーディスペンス）する（ステップＳ−１、図７（ａ），（ｂ）参照）。供給ノズル１３１から供給されるポリイミド溶液３００の吐出量は５０ｍｌ／ｍｉｎであって、吐出時間は１秒である。
【００７３】
次に、ウエハＷを回転していない状態で、ウエハＷの中心位置Ｃ１に対して所定距離例えば５ｍｍ偏倚した位置Ｃ２（以下に偏倚位置Ｃ２という）に供給ノズル１３１を移動し（ステップＳ−２）、供給ノズル１３１からポリイミド溶液３００を吐出する（ステップＳ−３、図８（ａ），（ｂ）参照）。供給ノズル１３１から供給されるポリイミド溶液３００の吐出量は１．０ｍｌ／ｍｉｎであって、吐出時間は１秒である。
【００７４】
次に、ウエハＷを第１の回転数（５０〜１５０ｒｐｍ）例えば１００ｒｐｍで回転すると共に、供給ノズル１３１を偏倚位置Ｃ２からウエハＷの中心位置Ｃ１に向けて移動する（ステップＳ−４、図９（ａ），（ｂ）参照）。その後、第１の回転数（５０〜１５０ｒｐｍ）例えば１００ｒｐｍで回転するウエハＷの中心位置Ｃ１に供給ノズル１３１からポリイミド溶液３００を吐出して、ポリイミド溶液３００を偏倚位置Ｃ２より外周側に広げる（ステップＳ−５、図１０（ａ），（ｂ）参照）。供給ノズル１３１から供給されるポリイミド溶液の吐出量は１．０ｍｌ／ｍｉｎであって、吐出時間は４．５秒である。
【００７５】
次に、供給ノズル１３１からのポリイミド溶液３００の吐出を停止した状態で、ウエハＷを第１の回転数より大きい第２の回転数（１０００〜４０００ｒｐｍ）例えば３０００ｒｐｍで回転してポリイミド溶液３００をウエハＷの全面に広げる（ステップＳ−６、図１１（ａ），（ｂ）参照）。この工程を３秒間行う。
【００７６】
上記のようにしてウエハＷの全面にポリイミド溶液３００を広げた後、ウエハＷの回転数を例えば１９７０ｒｐｍにしてポリイミド膜厚を調整する（ステップＳ−７）。この膜厚調整工程を２５秒間行う。次に、ウエハＷの回転数を例えば１０００ｒｐｍにした状態で、バックリンスノズル１５５からウエハＷの裏面外周部にリンス液を吐出して、ウエハＷのエッジ部と裏面部を洗浄する（ステップＳ−８）。このときのリンスノズル１５５から吐出されるリンス液の流量は、ウエハ周縁部に２０ｍｌ／ｍｉｎ、周縁裏面部に５０ｍｌ／ｍｉｎであり、リンス液の吐出位置をウエハＷの裏面周縁と、その周縁内部に異なる位置に数秒毎に代えて間欠的に行う。そして、ウエハＷの回転数を例えば１０００ｒｐｍにして、振り切り乾燥する（ステップＳ−９）。この乾燥工程を５秒行う。その後、塗布されたポリイミド膜の周縁部に冠状に隆起する部分を滑らかにするために、ウエハＷの回転数を例えば４０００ｒｐｍにして乾燥処理を行ってもよい。
【００７７】
本実施形態の第１の塗布処理方法によれば、ウエハＷの外部のダミーディスペンス部１４１ａに供給ノズル１３１からポリイミド溶液３００を吐出した後、ウエハＷの中心位置より所定距離例えば５ｍｍ偏倚した偏倚位置Ｃ２に供給ノズル１３１からポリイミド溶液３００を吐出し、その後、ウエハＷを第１の回転数（５０〜１５０ｒｐｍ）例えば１００ｒｐｍで回転すると共に、供給ノズル１３１をウエハ中心位置Ｃ１に移動してポリイミド溶液３００を吐出し、その後、第１の回転数（５０〜１５０ｒｐｍ）例えば１００ｒｐｍで回転するウエハＷに対してポリイミド溶液３００の吐出を停止して、ポリイミド溶液３００を偏倚位置Ｃ２より外周側に広げ、その後、ウエハＷを第１の回転数より大きい第２の回転数（１０００〜４０００ｒｐｍ）例えば３０００ｒｐｍで回転して、ポリイミド溶液３００をウエハＷの全面に広げることができる。したがって、粘性及び高吸湿性を有するポリイミド溶液３００の塗布膜の特にウエハ中心部付近の塗布斑をなくすと共に、膜厚の均一性の向上が図れる。
【００７８】
＜第２実施形態＞
図１２は第２実施形態の塗布処理方法における第２のポリイミド溶液を広げる工程を示す概略平面図及びその側面図であり、図１４は第２実施形態の塗布処理方法における各工程を示すフローチャートである。なお、第２実施形態の塗布処理方法において、ステップＳ−１〜ステップＳ−５、ステップＳ−６〜ステップＳ−９の処理は第１実施形態の塗布処理方法と同じであるので、図７〜図１１を参照して説明する。
【００７９】
第２実施形態の塗布処理方法は、まず、スピンチャック１５０に保持されたウエハＷの外部のダミーディスペンス部１４１ａに供給ノズル１３１からポリイミド溶液３００を吐出（ダミーディスペンス）する（ステップＳ−１、図７（ａ），（ｂ）参照）。供給ノズル１３１から供給されるポリイミド溶液３００の吐出量は５０ｍｌ／ｍｉｎであって、吐出時間は１秒である。
【００８０】
次に、ウエハＷを回転していない状態で、ウエハＷの中心位置Ｃ１に対して所定距離例えば５ｍｍ偏倚した位置Ｃ２（以下に偏倚位置Ｃ２という）に供給ノズル１３１を移動し（ステップＳ−２）、供給ノズル１３１からポリイミド溶液３００を吐出する（ステップＳ−３、図８（ａ），（ｂ）参照）。供給ノズル１３１から供給されるポリイミド溶液３００の吐出量は１．０ｍｌ／ｍｉｎであって、吐出時間は１秒である。
【００８１】
次に、ウエハＷを第１の回転数（５０〜１５０ｒｐｍ）例えば１００ｒｐｍで回転すると共に、供給ノズル１３１を偏倚位置Ｃ２からウエハＷの中心位置Ｃ１に向けて移動する（ステップＳ−４、図９（ａ），（ｂ）参照）。その後、第１の回転数（５０〜１５０ｒｐｍ）例えば１００ｒｐｍで回転するウエハＷの中心位置Ｃ１に供給ノズル１３１からポリイミド溶液３００を吐出して、ポリイミド溶液３００を偏倚位置Ｃ２より外周側に広げる（ステップＳ−５、図１０（ａ），（ｂ）参照）。供給ノズル１３１から供給されるポリイミド溶液の吐出量は１．０ｍｌ／ｍｉｎであって、吐出時間は４．５秒である。
【００８２】
次に、供給ノズル１３１からのポリイミド溶液３００の吐出を停止した状態で、回転数（１５０〜４００ｒｐｍ）例えば２００ｒｐｍで回転してポリイミド溶液３００を更に外周側に広げる（ステップＳ−５ａ、図１２（ａ），（ｂ）参照）。この工程を２秒間行う。
【００８３】
次に、ポリイミド溶液３００の吐出を停止した状態で、ウエハＷを第１の回転数及びステップＳ−５ａの回転数より大きい第２の回転数（１０００〜４０００ｒｐｍ）例えば３０００ｒｐｍで回転してポリイミド溶液３００をウエハＷの全面に広げる（ステップＳ−６、図１１（ａ），（ｂ）参照）。この工程を３秒間行う。
【００８４】
上記のようにしてウエハＷの全面にポリイミド溶液３００を広げた後、ウエハＷの回転数を例えば１９７０ｒｐｍにしてポリイミド膜厚を調整する（ステップＳ−７）。この膜厚調整工程を２５秒間行う。次に、ウエハＷの回転数を例えば１０００ｒｐｍにした状態で、バックリンスノズル１５５からウエハＷの裏面外周部にリンス液を吐出して、ウエハＷのエッジ部と裏面部を洗浄する（ステップＳ−８）。このときのリンスノズル１５５から吐出されるリンス液の流量は、ウエハ周縁部に２０ｍｌ／ｍｉｎ、周縁裏面部に５０ｍｌ／ｍｉｎであり、リンス液の吐出位置をウエハＷの裏面周縁と、その周縁内部に異なる位置に数秒毎に代えて間欠的に行う。そして、ウエハＷの回転数を例えば１０００ｒｐｍにして、振り切り乾燥する（ステップＳ−９）。この乾燥工程を５秒行う。その後、塗布されたポリイミド膜の周縁部に冠状に隆起する部分を滑らかにするために、ウエハＷの回転数を例えば４０００ｒｐｍにして乾燥処理を行ってもよい。
【００８５】
本実施形態の第２の塗布処理方法によれば、ウエハＷの外部のダミーディスペンス部１４１ａに供給ノズル１３１からポリイミド溶液３００を吐出した後、ウエハＷの中心位置より所定距離例えば５ｍｍ偏倚した偏倚位置Ｃ２に供給ノズル１３１からポリイミド溶液３００を吐出し、その後、ウエハＷを第１の回転数（５０〜１５０ｒｐｍ）例えば１００ｒｐｍで回転すると共に、供給ノズル１３１をウエハ中心位置Ｃ１に移動してポリイミド溶液３００を吐出し、その後、第１の回転数（５０〜１５０ｒｐｍ）例えば１００ｒｐｍで回転するウエハＷに対してポリイミド溶液３００の吐出を停止して、ポリイミド溶液３００を偏倚位置Ｃ２より外周側に広げ、更に、供給ノズル１３１からのポリイミド溶液３００の吐出を停止した状態で、回転数（１５０〜４００ｒｐｍ）例えば２００ｒｐｍで回転してポリイミド溶液３００を更に外周側に広げる。その後、ウエハＷを例えば３０００ｒｐｍで回転して、ポリイミド溶液３００をウエハＷの全面に広げることができる。したがって、粘性及び高吸湿性を有するポリイミド溶液３００の塗布膜の特にウエハ中心部付近の塗布斑をなくすと共に、膜厚の均一性の向上が図れる。また、第２の塗布処理方法によれば、例えば、粘度の高いポリイミド溶液３００の塗布膜形成に対して有効である。
【００８６】
次に、上記のように構成される塗布・現像処理システム１を用いたウエハＷの処理方法について簡単に説明する。
【００８７】
まず、複数枚のウエハＷを収容したカセット１２が、カセットステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。その後、ウエハ受渡しアーム２１によりカセット１２内の各ウエハＷが順次取り出され、処理ステーション３の第３の処理ブロックＢ３の例えば受渡しモジュールＢＵ２に搬送される。
【００８８】
次に、ウエハＷは、受渡しアーム８０によって温度調節モジュールＣＰＬ２に搬送され、所定の温度、例えば常温に調節される。その後、ウエハＷは、ウエハ搬送アーム６０によって第２の処理ブロックＢ２の疎水化処理モジュールＡＤＨに搬送され、疎水化処理される。その後、ウエハＷは、ウエハ搬送アーム６０によって第３の処理ブロックＢ３の温度調節モジュールＣＰＬ３に搬送され、所定の温度、例えば常温に調節される。
【００８９】
その後、ウエハＷは、ウエハ搬送アーム６０によって第２の処理ブロックＢ２の位置調節モジュールＡＬＩに搬送され、位置調節モジュールＡＬＩでは、ウエハＷの中心位置が調節される。
【００９０】
中心位置が調節されたウエハＷは、位置調節モジュールＡＬＩからウエハ搬送アーム６０に受け渡されて、塗布処理部３３に搬送され、塗布部１１０のスピンチャック１５０に受け渡される。
【００９１】
塗布部１１０において、上述の第１又は第２の塗布処理方法によってウエハＷ上にポリイミド膜が形成される。なお、ウエハＷ上にポリイミド膜を形成した後、バックリンスノズル１５５からウエハＷの裏面にリンス液を噴射し、当該ウエハＷの裏面を洗浄する。
【００９２】
その後、ウエハＷは、ウエハ搬送アーム６０によって塗布処理装置３３から搬出され、ウエハ搬送アーム６０によって熱処理モジュール４０に搬送されて、プリベーク処理される。その後、ウエハＷは、ウエハ搬送アーム６０によって第４の処理ブロックＢ４の温度調節モジュールＣＰＬ６に搬送され、所定の温度、例えば常温に調節される。
【００９３】
その後、ウエハＷは、ウエハ搬送アーム６０によって第２の処理ブロックＢ２の位置調節モジュールＡＬＩに搬送される。位置調節モジュールＡＬＩでは、ウエハＷの中心位置が調節される。
【００９４】
その後、ウエハＷは、ウエハ搬送アーム６０によって周辺露光モジュールＷＥＥに搬送され、周辺露光処理される。周辺露光処理された後、エハＷは、ウエハ搬送アーム６０によって第３の処理ブロックＢ３の受渡しモジュールＢＵ３に搬送される。
【００９５】
次に、ウエハＷは、受渡しアーム８０によって受渡しモジュールＴＲＳ１に搬送され、シャトルアーム７０によって第４の処理ブロックＢ４の受渡しモジュールＴＲＳ２に搬送される。その後、ウエハＷは、インターフェイスステーション５の受渡しアーム８４によって露光装置４に搬送され、露光処理される。
【００９６】
次に、ウエハＷは、受渡しアーム８４によって露光装置４から第４の処理ブロックＢ４の受け渡し装置７０に搬送される。その後、ウエハＷは、ウエハ搬送アーム６０によって第２の処理ブロックＢ２の熱処理モジュール４０に搬送され、露光後ベーク処理される。その後、ウエハＷは、ウエハ搬送アーム６０によって第１の処理ブロックＢ１の現像処理装置３０に搬送され、現像される。
【００９７】
現像終了後、ウエハＷは、ウエハ搬送アーム６０によって第２の処理ブロックＢ２の熱処理モジュール４０に搬送され、ポストベーク処理される。
【００９８】
その後、ウエハＷは、ウエハ搬送アーム６０によって第３の処理ブロックＢ３の受渡しモジュールＢＵ１に搬送され、その後カセットステーション２のウエハ受渡しアーム２１によって所定のカセット載置板１１のカセット１２に搬送される。このようにして、ウエハＷ上のポリイミド膜に所定のパターンが形成され、一連のフォトリソグラフィ処理が終了する。
【００９９】
＜その他の実施形態＞
上記実施形態では、この発明に係る塗布処理方法（装置）を半導体ウエハに適用した場合に付いて説明したが、この発明は、半導体ウエハだけでなく、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板に対しても適用することができる。
【実施例】
【０１００】
次に、この発明に係る塗布処理方法と従来の塗布方法との評価実験について説明する。
【０１０１】
＜実験条件＞
・塗布液：ポリイミド樹脂系溶液
・試料：３００ｍｍφウエハ
・塗布液温度：２３℃
・カップ温度：２３℃
・カップ湿度：４５％
【０１０２】
＜比較例１＞
ウエハ中心位置に塗布液（ポリイミド溶液）を吐出（吐出量１．０ｍｌ／ｓｅｃ、吐出時間４．５秒）、次に、回転数２００ｒｐｍで２秒間回転した後、回転数３０００ｒｐｍで３秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
【０１０３】
＜比較例２＞
ウエハ外部にダミーディスペンス（吐出量１．０ｍｌ／ｓｅｃ、吐出時間１秒）を行った後、回転数１００ｒｐｍで回転した状態で、ウエハ中心位置にポリイミド溶液を吐出（吐出量１．０ｍｌ／ｓｅｃ、吐出時間４．５秒）、次に、回転数２００ｒｐｍで２秒間回転した後、回転数３０００ｒｐｍで３秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
【０１０４】
＜比較例３＞
ウエハ中心位置から５ｍｍ偏倚した偏倚位置にポリイミド溶液を吐出（吐出量１．０ｍｌ／ｓｅｃ、吐出時間１秒）、その後、供給ノズルをウエハ中心位置に移動して、回転数１００ｒｐｍで回転した状態で、ウエハ中心位置にポリイミド溶液を吐出（吐出量１．０ｍｌ／ｓｅｃ、吐出時間４．５秒）、その後、ポリイミド溶液の吐出を停止した状態で、回転数２００ｒｐｍで２秒間回転した後、回転数３０００ｒｐｍで３秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
【０１０５】
＜実施例１＞
ウエハ外部にダミーディスペンス（吐出量１．０ｍｌ／ｓｅｃ、吐出時間１秒）を行った後、ウエハ中心位置から５ｍｍ偏倚した偏倚位置に供給ノズルを移動してポリイミド溶液を吐出（吐出量１．０ｍｌ／ｓｅｃ、吐出時間１秒）、その後、供給ノズルをウエハ中心位置に移動して、回転数１００ｒｐｍで回転した状態で、ウエハ中心位置にポリイミド溶液を吐出（吐出量１．０ｍｌ／ｓｅｃ、吐出時間４．５秒）、次に、回転数２００ｒｐｍで２秒間回転した後、回転数３０００ｒｐｍで３秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
【０１０６】
＜実施例２＞
ウエハ外部にダミーディスペンス（吐出量１．０ｍｌ／ｓｅｃ、吐出時間１秒）を行った後、ウエハ中心位置から５ｍｍ偏倚した偏倚位置に供給ノズルを移動してポリイミド溶液を吐出（吐出量０．５ｍｌ／ｓｅｃ、吐出時間１秒）、その後、供給ノズルをウエハ中心位置に移動して、回転数１００ｒｐｍで回転した状態で、ウエハ中心位置にポリイミド溶液を吐出（吐出量１．０ｍｌ／ｓｅｃ、吐出時間４．５秒）、次に、回転数２００ｒｐｍで２秒間回転した後、回転数３０００ｒｐｍで３秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
【０１０７】
上記比較例１〜３と実施例１，２によってウエハ表面に形成されたポリイミド膜の膜厚を測定したところ、図１５に示すような結果が得られた。
【０１０８】
上記実験の結果、変化が見られたウエハ中心部付近を観察したところ、比較例１では中心部の膜厚が低下した円心状の塗布斑があった。また、比較例２においては、中心部に突起状の塗布斑があった。また、比較例３においては、比較例１，２に比較して中心部の変化は少ないものの、中心部に彗星状の塗布斑があった。これに対して、実施例１，２のいずれにおいても中心部の塗布斑は全くなかった。
【０１０９】
なお、上記実験の比較例２，３と実施例１，２において、ウエハ中心位置への吐出時の回転数１００ｒｐｍを５０〜１５０ｒｐｍの範囲にし、回転数２００ｒｐｍを１５０〜４００ｒｐｍの範囲にし、回転数３０００ｒｐｍを１０００〜４０００ｒｐｍの範囲にしても、上記と同様の結果が得られた。
【符号の説明】
【０１１０】
３３  塗布処理装置
１２３，１２４  ノズル駆動部（ノズル移動機構）
１３１  第１の供給ノズル（塗布液供給ノズル）
１３２  第２の供給ノズル（塗布液供給ノズル）
１３４  ポリイミド供給源
１４１，１４２  ノズルバス（待機部）
１４１ａ，１４１ｂ  ダミーディスペンス部（待機部）
１５０  スピンチャック（基板保持部）
１５２  回転駆動部
２００  制御部
３００  ポリイミド溶液
Ｖ１，Ｖ２  流量制御弁
Ｗ  半導体ウエハ（基板）
【図１】
2013171987.tif 000003
【図２】
2013171987.tif 000004
【図３】
2013171987.tif 000005
【図４】
2013171987.tif 000006
【図５】
2013171987.tif 000007
【図６】
2013171987.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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