(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザを用いて、より迅速にガラス基板を孔明け、溝形成等の加工することが可能な方法を提供する。【解決手段】レーザを用いてガラス基板を加工する方法であって、（ａ）ガラス基板を加熱した状態で、前記ガラス基板に対してレーザ加工を行う工程を有する、方法。該ガラス基板の軟化点をＴｓ（℃）とし、該ガラス基板のガラス転移温度をＴｇ（℃）としたとき、Ｔｇ以上でＴｓよりも低い温度でガラス基板を加熱した状態で、前記ガラス基板に対してレーザ加工を行う。【選択図】図１
2013119510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザを用いてガラス基板を加工する方法であって、
（ａ）ガラス基板を加熱した状態で、前記ガラス基板に対してレーザ加工を行う工程
を有する、方法。
【請求項２】
前記（ａ）の工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板の軟化点をＴｓ（℃）としたとき、室温よりも高く軟化点Ｔｓ未満の温度に加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記（ａ）の工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板のガラス転移温度をＴｇ（℃）としたとき、Ｔｇ以上でＴｓよりも低い温度に加熱される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記（ａ）の工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板の屈伏点をＴｄ（℃）としたとき、Ｔｇ〜Ｔｄの範囲の温度に加熱される、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】
前記レーザは、波長が４００ｎｍ以下のレーザである、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】
前記（ａ）の工程により、前記ガラス基板に、凹部、貫通孔、貫通溝、非貫通孔、および非貫通溝からなる群から選定された少なくとも一つの構造物が形成される、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７】
前記（ａ）の工程を１回実施することにより、前記少なくとも一つの構造物が一つ形成される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記（ａ）の工程を１回実施することにより、前記少なくとも一つの構造物が複数形成される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記ガラス基板の加熱は、加熱手段により行われ、該加熱手段は、レーザ光およびヒーターからなる群から選定された少なくとも一つである、請求項１乃至８のいずれか一つに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザを用いてガラス基板を加工する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザを用いて、ガラス基板に凹部、溝、貫通孔、および／または貫通溝などの構造物を形成する技術が知られている。例えば、非特許文献１には、エキシマレーザを用いて、ガラスに孔加工や溝加工を行う方法が記載されている。
が記載されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】"Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ"，Ｄｉｃｋ  Ｂａｓｔｉｎｇ編，ＬＡＭＢＤＡ  ＰＨＹＳＩＫ出版
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述のように、レーザを用いて、ガラス基板に各種構造物を形成する技術が知られている。しかしながら、ガラス基板のレーザ加工技術の分野では、ガラス基板により効率的に貫通孔および／または貫通溝のような構造物を形成するため、加工速度のさらなる向上に対する要望がある。
【０００５】
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、レーザを用いて、より迅速にガラス基板を加工することが可能な方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明では、レーザを用いてガラス基板を加工する方法であって、
（ａ）ガラス基板を加熱した状態で、前記ガラス基板に対してレーザ加工を行う工程
を有する、方法が提供される。
【０００７】
ここで、本発明による方法では、前記（ａ）の工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板の軟化点をＴｓ（℃）としたとき、室温よりも高く軟化点Ｔｓ未満の温度に加熱されても良い。
【０００８】
また、本発明による方法では、前記（ａ）の工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板のガラス転移温度をＴｇ（℃）としたとき、Ｔｇ以上でＴｓよりも低い温度に加熱されても良い。
【０００９】
また、本発明による方法では、前記（ａ）の工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板の屈伏点をＴｄ（℃）としたとき、Ｔｇ〜Ｔｄの範囲の温度に加熱されても良い。
【００１０】
また、本発明による方法において、前記レーザは、波長が４００ｎｍ以下のレーザであっても良い。
【００１１】
また、本発明による方法では、前記（ａ）の工程により、前記ガラス基板に、凹部、貫通孔、貫通溝、非貫通孔、および非貫通溝からなる群から選定された少なくとも一つの構造物が形成されても良い。
【００１２】
また、本発明による方法では、前記（ａ）の工程を１回実施することにより、前記少なくとも一つの構造物が一つ形成されても良い。
【００１３】
あるいは、本発明による方法では、前記（ａ）の工程を１回実施することにより、前記少なくとも一つの構造物が複数形成されても良い。
【００１４】
また、本発明による方法では、前記ガラス基板の加熱は、加熱手段により行われ、該加熱手段は、レーザ光およびヒーターからなる群から選定された少なくとも一つであっても良い。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、レーザを用いて、より迅速にガラス基板を加工することが可能な方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明によるガラス基板のレーザ加工方法の一例の概略的なフロー図である。
【図２】本発明によるガラス基板のレーザ加工方法の際に使用され得る装置の概略的な構成図である。
【図３】実施例１における、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係を示したグラフである。
【図４】実施例１における加熱温度と加工速度増加率の関係を示したグラフである。
【図５】実施例２における、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係を示したグラフである。
【図６】実施例２における加熱温度と加工速度増加率の関係を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明について説明する。
【００１８】
本発明では、
レーザを用いてガラス基板を加工する方法であって、
（ａ）ガラス基板を加熱した状態で、前記ガラス基板に対してレーザ加工を行う工程
を有する、方法が提供される。
【００１９】
前述のように、レーザを用いたガラス基板の加工の分野においては、加工効率のさらなる向上が求められている。
【００２０】
本発明による方法では、ガラス基板を加熱した状態で、該ガラス基板のレーザ加工が行われるという特徴を有する。この場合、ガラス基板の加熱により原子の結合が切れ易くなり、ガラス基板に対する加工速度を高めることができる。従って、本発明では、レーザによる加工効率を向上させることが可能となる。
【００２１】
また、従来のレーザによるガラス基板の加工方法では、室温のガラス基板に対するレーザ照射により、ガラス基板が局部的に加熱される。さらに、その後レーザを非照射とすることにより、ガラス基板の被照射位置が局部的に冷却される。このため、従来の方法では、特に、同じ箇所に対してレーザ照射を繰り返し行う場合（以下、「繰り返し照射加工」という）などにおいて、ガラス基板が熱衝撃を受け、これによりガラス基板にクラックおよび／または割れ等の欠陥が生じる場合がある。特に繰り返し周波数が高い加工の場合は、上記割れ等の欠陥が顕著に発生する場合がある。
【００２２】
さらに、従来のレーザによるガラス基板の加工方法では、同様の理由により、加工後のガラス基板に残留応力が蓄積され易いという問題がある。このため、加工後のガラス基板の保管中に、ガラス基板にクラックおよび／または割れ等の欠陥（いわゆる「後割れ」）が生じる場合がある。
【００２３】
これに対して、本発明による方法では、レーザ加工の際にガラス基板が加熱されているため、ガラス基板のレーザ照射位置での局部的な温度上昇、およびその後のガラス基板の急激な温度低下を抑制することができる。従って、本発明による方法では、繰り返し照射加工を行った場合であっても、ガラス基板に局部的な熱衝撃が加わることが抑制され、クラックおよび／または割れ等の発生を有意に抑制することができるという追加の効果が得られる。
【００２４】
また、本発明による方法では、加工中、ガラス基板が加熱されているため、ガラス基板に残留応力が蓄積されにくい。このため、本発明による方法では、「後割れ」の問題も有意に抑制することができるという追加の効果が得られる。
【００２５】
ここで、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法において、加熱時のガラス基板の温度は、室温より高く、ガラス基板の軟化点Ｔｓ未満の範囲であることが好ましい。ガラス基板の温度を軟化点Ｔｓ以上の温度まで加熱すると、ガラス基板に反りや変形などが生じる場合がある。また、レーザ照射位置ずれが発生し、加工に大きな問題が生じるおそれがある。
【００２６】
加熱時のガラス基板の温度は、ガラス基板のガラス転移温度をＴｇとしたとき、転移温度Ｔｇ以上で、軟化点Ｔｓ未満の範囲であることがより好ましい。特に、加熱時のガラス基板の温度は、ガラス基板の屈伏点をＴｄとしたとき、転移温度Ｔｇから屈伏点Ｔｄの範囲であることがより好ましい。ガラス基板の加熱温度をこのような範囲に調整した場合、極めて大きなレーザ加工速度を得ることができる。
【００２７】
なお、本願において、ガラス基板の軟化点Ｔｓ、ガラス転移温度Ｔｇ、および屈伏点Ｔｄは、以下の方法で測定した値を意味する。
【００２８】
熱機械分析装置（ＴＭＡ）を用い、十分にアニールされた試料を毎分４℃の一定速度で加熱したときに得られる、温度と試料の伸びの関係を示す熱膨張曲線において、高温側と低温側との直線部分を延長した交点に対応する温度を、ガラス転移点Ｔｇとする。また、熱膨張曲線において、見かけ上、膨張が停止する温度を屈伏点Ｔｄとする。軟化点Ｔｓの測定は、ＪＩＳ−Ｒ３１０４およびＡＳＴＭ−Ｃ３３８に規定されているファイバーエロンゲーション法を用いて行う。
【００２９】
本発明によるガラス基板のレーザ加工方法では、従来よりも効率的に、ガラス基板に、凹部、貫通孔、貫通溝、非貫通孔、および／または非貫通溝などの各種特徴物を形成することができる。
【００３０】
（本発明によるガラス基板のレーザ加工方法の一態様）
以下、図面を参照して、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法の具体例について説明する。
【００３１】
図１には、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法の一例の概略的なフロー図を示す。
【００３２】
図１に示すように、本発明による一態様において、ガラス基板のレーザ加工方法は、
（１）ガラス基板を準備する工程（ステップＳ１１０）と、
（２）前記ガラス基板を加熱する工程（ステップＳ１２０）と、
（３）前記ガラス基板に対してレーザを照射し、前記ガラス基板を加工する工程（ステップＳ１３０）と、
を有しても良い。
【００３３】
以下、各工程について詳しく説明する。
【００３４】
（ステップＳ１１０）
まず、被加工対象となるガラス基板が準備される。
【００３５】
ガラス基板は、例えば、第１の表面および第２の表面を有する。ガラス基板の組成は、特に限られない。ガラス基板は、例えば、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、シリカガラス、および無アルカリガラス等であっても良い。
【００３６】
ガラス基板の厚さは、特に限られない。ガラス基板の厚さは、例えば、０．１ｍｍ〜３ｍｍの範囲であっても良い。
【００３７】
（ステップＳ１２０）
次に、ステップＳ１１０で準備されたガラス基板が加熱される。
【００３８】
加熱の方法は、特に限られない。ガラス基板は、例えば、ヒーター等の加熱手段によって、直接的または間接的に加熱されても良い。
【００３９】
直接加熱の方法としては、ガラス基板を、例えばホットプレートのような熱源に直接接するように配置する方法が挙げられる。また、ガラス基板に対して、広範囲にわたってレーザ（例えば、ＣＯ２レーザのような低エネルギーレーザ）を照射して、これにより、ガラス基板全体を加熱しても良い。
【００４０】
また、間接的な加熱方法としては、ガラス基板の加工を、温度制御されたチャンバ内で実施する方法等が挙げられる。
【００４１】
ガラス基板の加熱温度は、室温よりも高い温度であれば、特に限られない。
【００４２】
ただし、一般に、２００℃以上の高温の方が、レーザ加工速度の上昇が顕著になる。また、前述のように、通常は、加熱温度として、ガラス基板の軟化点Ｔｓ未満の温度が選定される。前述のように、加熱温度は、ガラス基板のガラス転移温度をＴｇとしたとき、Ｔｇ以上でＴｓ未満の範囲であることが好ましい。特に、前述のように、加熱温度は、ガラス基板の屈伏点をＴｄとしたとき、Ｔｇ〜Ｔｄの範囲であることがより好ましい。
【００４３】
（ステップＳ１３０）
次に、ガラス基板が加熱された状態で、ガラス基板に対してレーザが照射され、これにより、ガラス基板が加工される。
【００４４】
レーザの種類は、特に限られないが、レーザは、例えば、エキシマレーザ（ＸｅＣｌ：波長３０８ｎｍ、ＫｒＦ：波長２４８ｎｍ、ＡｒＦ：波長１９３ｎｍ）、ＹＡＧレーザ（波長１０６４ｎｍ）、ＹＶＯ４レーザ（波長１０６４ｎｍ）、チタンサファイアレーザ（波長８００ｎｍ）、または炭酸ガスレーザ（波長１０．６μｍ）等であっても良い。ＹＡＧレーザおよびＹＶＯ４レーザは、前述の基本波の他に、例えば、２倍波、３倍波、４倍波、または５倍波のレーザであっても良い。例えば、２倍波のＹＡＧおよびＹＶＯ４レーザは、５３２ｎｍの波長を有し、３倍波のＹＡＧおよびＹＶＯ４レーザは、３５５ｎｍの波長を有し、４倍波のＹＡＧおよびＹＶＯ４レーザは、２６６ｎｍの波長を有し、５倍波のＹＡＧおよびＹＶＯ４レーザは、２１３ｎｍの波長を有する。
【００４５】
特に、波長４００ｎｍ以下のエキシマレーザ（ＸｅＣｌ：波長３０８ｎｍ、ＫｒＦ：波長２４８ｎｍ、ＡｒＦ：波長１９３ｎｍ）、ＹＡＧレーザおよびＹＶＯ４レーザの３倍波、４倍波、５倍波レーザは、ガラスへの熱的影響が少ないため、クラック発生や後割れの心配が少なく好適である。
【００４６】
照射するレーザは、オン／オフの繰り返し波形、または変調された繰り返し波形を有しても良い。
【００４７】
また、ガラス基板に照射されるレーザは、ガラス基板に対して走査されても良い。これにより、ガラス基板に対して、より複雑な特徴物を形成する加工を行うことが可能になる。
【００４８】
レーザ照射またはレーザ照射とレーザ走査の組み合わせ（以下、いずれの場合も単に、「レーザ（の）照射」と称する）により、ガラス基板には、凹部、貫通孔、貫通溝、非貫通孔、および／または非貫通溝などの各種特徴物が形成される。
【００４９】
なお、ガラス基板に一度に照射されるレーザのスポット数は、一つであっても、複数であっても良い。レーザのスポット数が一つの場合、「１回」のレーザ加工により、ガラス基板には単一の特徴物が形成される。これに対して、レーザスポットの数が複数の場合、「１回」のレーザ加工により、ガラス基板に複数の特徴物を形成することができる。
【００５０】
ここで、レーザ加工の回数が「１回」とは、ガラス基板の所望の位置に、最終形状の特徴物を形成する工程を一度実施することを意味する。従って、レーザ加工の回数は、ガラス基板にレーザが実際に照射された回数、すなわちレーザのショット数を意味するものではないことに留意する必要がある。
【００５１】
例えば、ガラス基板に一度に照射されるレーザのスポット数が３つある場合、「１回」のレーザ加工の実施により、ガラス基板に最終的に３つの特徴物を加工形成することができる。この場合、「１回」のレーザ加工には、同一の３箇所に必要回数分、レーザを照射することが含まれる。
【００５２】
同様に、例えば、ガラス基板に一度に照射されるレーザのスポット数が一つの場合、ガラス基板に３つの特徴物を加工形成する際には、場所を変えた計「３回」のレーザ加工が実施される。
【００５３】
（本発明による方法に使用され得る装置）
次に、前述のような本発明によるガラス基板のレーザ加工方法に使用され得る装置について、説明する。
【００５４】
図２には、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法に使用され得る装置の構成を模式的に示す。
【００５５】
図２に示すように、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法に使用され得る装置２００は、レーザ光源（図示されていない）から放射された主レーザ２２０と、該主レーザ２２０を複数の分岐レーザ光２６０Ａ、２６０Ｂ、２６０Ｃに分岐する回折光学素子２３０と、各分岐レーザ光２６０Ａ、２６０Ｂ、２６０Ｃをガラス基板２１０の所望の位置に収束させるレンズ２５０と、ガラス基板２１０を加熱することが可能な加熱装置２９０とを備える。
【００５６】
レーザ光源は、特に限られないが、例えば、エキシマレーザ光源（ＸｅＣｌ：波長３０８ｎｍ、ＫｒＦ：波長２４８ｎｍ、ＡｒＦ：波長１９３ｎｍ）、ＹＡＧレーザ光源（波長１０６４ｎｍ）、ＹＶＯ４レーザ光源（波長１０６４ｎｍ）、チタンサファイアレーザ光源（波長８００ｎｍ）、または炭酸ガスレーザ光源（波長１０．６μｍ）等であっても良い。ＹＡＧレーザ光源およびＹＶＯ４レーザ光源は、前述の基本波の他に、例えば、２倍波または３倍波のレーザ源であっても良い。例えば、２倍波のＹＡＧレーザは、５３２ｎｍの波長を有し、３倍波のＹＡＧレーザは、３５５ｎｍの波長を有する。
【００５７】
主レーザ２２０の出力は、特に限られないが、主レーザ２２０のパワーが大きいほど、一度に多くの分岐レーザ光２６０Ａ、２６０Ｂ、２６０Ｃを得ることができるため有利である。
【００５８】
なお、主レーザ２２０は、オン／オフの繰り返し波形、または変調された繰り返し波形を有しても良い。
【００５９】
回折光学素子２３０は、一つの主レーザ２２０を複数の分岐レーザ光２６０Ａ、２６０Ｂ、２６０Ｃに分割することができる素子であれば、いかなる素子であっても良く、例えば、回折光学素子の代わりにビームスプリッタ等を使用しても良い。
【００６０】
このような構成の装置２００を用いてガラス基板２１０を加工する際には、まず、第１の表面２１２および第２の表面２１４を有するガラス基板２１０が、加熱装置２９０により加熱される。図２の例では、加熱装置２９０は、ガラス基板２１０の第２の表面２１４と接するようにして配置される。
【００６１】
次に、ガラス基板２１０が加熱され、所定の温度に達したことが確認されてから、レーザ光源からガラス基板２１０の第１の表面２１２に向かって、主レーザ２２０が放射される。主レーザ２２０は、回折光学素子２３０において、例えば、３つの分岐レーザ光２６０（２６０Ａ、２６０Ｂ、２６０Ｃ）に分岐される。
【００６２】
各分岐レーザ光２６０Ａ、２６０Ｂ、２６０Ｃは、レンズ２５０によって収束され、それぞれ、分岐レーザ光２６５Ａ、２６５Ｂ、２６５Ｃとなる。さらに、これらの分岐レーザ光２６５Ａ、２６５Ｂ、２６５Ｃは、ガラス基板２１０の第１の表面２１２に、それぞれ、焦点２７０Ａ、２７０Ｂ、２７０Ｃを形成する。
【００６３】
各焦点２７０Ａ、２７０Ｂ、および２７０Ｃのスポット直径は、レンズ２５０等の性能等によっても異なるが、例えば、０．１μｍ〜１００μｍ程度であっても良い。
【００６４】
各焦点２７０Ａ、２７０Ｂ、および２７０Ｃの間隔は、特に限られない。各焦点２７０Ａ、２７０Ｂ、および２７０Ｃの間隔は、例えば、２０μｍ〜４００μｍの範囲であり、５０μｍ〜２５０μｍの範囲であっても良い。
【００６５】
なお、ガラス基板２１０に複雑な特徴物を形成する場合、一連の分岐レーザ光２６５Ａ、２６５Ｂ、２６５Ｃを、所望の方向に走査しても良い。また、ガラス基板２１０に貫通孔および／または貫通溝のような特徴物を形成する場合は、分岐レーザ光２６５Ａ、２６５Ｂ、２６５Ｃによる加熱装置２９０の損傷を防ぐため、ガラス基板２１０と加熱装置２９０の間に、スペーサを配置しても良い。
【００６６】
以上の工程により、ガラス基板２１０が加工され、ガラス基板２１０に各種特徴物が形成される。
【００６７】
なお、図２の例では、装置２００を使用することにより、１回のレーザ加工により、３つの特徴物が形成される。
【００６８】
しかしながら、本発明による方法に使用され得る装置の構成は、このような態様に限られるものではない。例えば、装置２００において、分岐レーザ光２６５の数は、２つまたは４つ以上にしても良い。この場合、１回のレーザ加工により、２または４つ以上の特徴物を形成することができる。
【００６９】
また、回折光学素子２３０を使用せずに、主レーザ２２０をそのまま使用した場合、１回のレーザ加工により、単一の特徴物を形成することができる。このような態様は、特に、使用レーザ光のエネルギーが比較的小さい場合に、有益である。
【００７０】
また、エキシマレーザのようなビームサイズが大きなレーザを用いる場合、パターンが形成されたマスクを介して、マスクパターンをガラス基板上に縮小投影して、加工する方法が好ましい。この場合、一度に多くの箇所を加工することが可能となる。
【実施例】
【００７１】
次に、本発明による実施例について説明する。
【００７２】
（実施例１）
以下の方法で、ガラス基板を各温度に加熱した状態でガラス基板に対してレーザ加工を行い、加工速度を評価した。
【００７３】
ガラス基板には、市販のソーダライムガラスを使用した。ガラス基板の寸法は、縦２５ｍｍ×横７５ｍｍ×厚さ０．２ｍｍとした。このソーダライムガラスのガラス転移温度Ｔｇは、約５４０℃であり、屈伏点Ｔｄは、約５８０℃であり、軟化点Ｔｇは、約７４０℃である。
【００７４】
加工用レーザには、波長約１９３ｎｍのエキシマレーザを使用した。前記ガラス基板の一方の表面に、マスクを介してエキシマレーザ光を縮小投影し、マスクパターンに沿った加工を行った。直径約６０μｍの複数の穴部を形成した。パルス波の繰り返し周波数は、５０Ｈｚとし、フルエンスは、４Ｊ／ｃｍ２とした。
【００７５】
ガラス基板の加熱には、市販のホットプレートを使用し、このホットプレート上にガラス基板を載せた状態で、ガラス基板のレーザ加工を行った。加熱温度は、２００℃、４００℃、および６００℃とした。また、比較のため、非加熱状態（すなわち室温）のガラス基板に対しても、同様のレーザ加工を行った。
【００７６】
所定の回数のレーザショット毎にガラス基板を取り出し、レーザ照射部分の加工深さを測定した。
【００７７】
表１には、各温度において得られた加工深さの測定結果をまとめて示す。
【００７８】
【表１】
2013119510.tif 000003
図３には、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係を示す。この図３から、いずれの加熱温度においても、加工深さは、ショット数の増加に伴い、ほぼ直線的に増加する傾向にあることがわかる。
【００７９】
なお、図３において、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係から得られた直線の傾きを、前述の表１の「直線の傾き」の欄に示した。
【００８０】
図４には、加熱温度と加工速度の関係を示す。図４において、縦軸の加工速度は、図３の各加熱温度での測定結果における直線の傾きから算出した。なお、縦軸は、室温（すなわち非加熱状態）のガラス基板における加工速度を基準として、これに対する増加率で表示した。
【００８１】
図４から、ガラス基板を加熱した場合、加熱しない場合に比べて、約１０％以上の加工速度の向上が得られることがわかる。特に、加熱温度が４００℃および６００℃の場合、加工速度は、非加熱状態での結果に比べて約１８％も向上した。
【００８２】
ソーダライムガラス基板のガラス転移温度Ｔｇは、約５４０℃であり、屈伏点Ｔｄは、約５８０℃である。従って、図４から、ガラス基板をガラス転移温度Ｔｇ〜屈伏点Ｔｄの範囲に加熱した場合（４００℃〜６００℃）、加工速度が最大となることがわかった。
【００８３】
（実施例２）
実施例１と同様の方法により、ガラス基板を各温度に加熱した状態でガラス基板に対してレーザ加工を行い、加工速度を評価した。ただし、この実施例２では、被加工対象となるガラス基板として、無アルカリガラス製の基板を使用した。このガラス基板のガラス転移温度Ｔｇは、約６６０℃であり、屈伏点Ｔｄは、約７４０℃であり、軟化点Ｔｇは、約８８０℃である。
【００８４】
表２には、各温度において得られた加工深さの測定結果をまとめて示す。
【００８５】
【表２】
2013119510.tif 000004
図５には、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係を示す。この図５から、無アルカリガラス製の基板の場合も、加熱温度に関わらず、加工深さは、ショット数の増加に伴い、直線的に増加する傾向にあることがわかる。
【００８６】
なお、図５において、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係から得られた直線の傾きを、前述の表２の「直線の傾き」の欄に示した。
【００８７】
図６には、加熱温度と加工速度の関係を示す。図６において、縦軸の加工速度は、図５の各加熱温度での測定結果における直線の傾きから算出した。なお、縦軸は、室温（すなわち非加熱状態）のガラス基板における加工速度を基準として、これに対する増加率で表示した。
【００８８】
図６から、ガラス基板を加熱することにより、加熱しない場合に比べて、約５％以上の加工速度の向上が得られることがわかる。特に、加熱温度が６００℃〜８００℃の場合、加工速度は、非加熱状態での結果に比べて約１１％〜約２２％も向上した。
【００８９】
無アルカリガラス基板のガラス転移温度Ｔｇは、約６６０℃であり、屈伏点Ｔｄは、約７４０℃である。従って、図６から、ガラス基板をガラス転移温度Ｔｇ〜屈伏点Ｔｄの範囲に加熱した場合（６００℃〜８００℃）、良好な加工速度が得られることがわかった。
【００９０】
このように、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法では、加工速度を有意に向上することができることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、ガラス基板のレーザ加工方法に適用することができる。
【符号の説明】
【００９２】
２００    装置
２１０    ガラス基板
２１２    第１の表面
２１４    第２の表面
２２０    主レーザ
２３０    回折光学素子
２５０    レンズ
２６０Ａ、２６０Ｂ、２６０Ｃ  分岐レーザ光
２６５Ａ、２６５Ｂ、２６５Ｃ  分岐レーザ光
２７０Ａ、２７０Ｂ、２７０Ｃ  焦点
２９０    加熱装置
【図１】
2013119510.tif 000005
【図２】
2013119510.tif 000006
【図３】
2013119510.tif 000007
【図４】
2013119510.tif 000008
【図５】
2013119510.tif 000009
【図６】
2013119510.tif 000010