(57)【要約】【課題】半導体装置の製造中に半導体ウエハのクラックを抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、マトリックス状にバンプ電極１９が配列されて成るバンプ電極群２９を有する少なくとも１つの半導体チップを有する半導体ウエハ１０であって、バンプ電極群２９は第１の方向Ｄ１に沿ったバンプ電極の数よりも第２の方向Ｄ２に沿ったバンプ電極の数の方が小さくなるようにバンプ電極が配列されて成る半導体ウエハ１０を準備する工程と、光の照射により接着力が低下するダイシングテープ３４を半導体ウエハ１０に接着する工程と、ダイシングテープ３４上の半導体ウエハ１０を各々の半導体チップ１３に分割する工程と、ダイシングテープ３４に光を照射する工程と、第１の方向Ｄ１における半導体ウエハ１０の一端側から、第１の方向Ｄ１に沿って、ダイシングテープ３４を剥離する工程と、を含む。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックス状にバンプ電極が配列されて成るバンプ電極群を有する少なくとも１つの半導体チップを有する半導体ウエハであって、前記バンプ電極群は第１の方向に沿った前記バンプ電極の数よりも第２の方向に沿った前記バンプ電極の数の方が小さくなるように前記バンプ電極が配列されて成る半導体ウエハを準備する工程と、
光の照射により接着力が低下するダイシングテープを半導体ウエハに接着する工程と、
前記ダイシングテープ上の前記半導体ウエハを各々の半導体チップに分割する工程と、
前記ダイシングテープに前記光を照射する工程と、
前記第１の方向における前記半導体ウエハの一端側から、前記第１の方向に沿って、前記ダイシングテープを剥離する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの半導体チップは、前記半導体ウエハを貫通し、前記バンプ電極群の前記バンプ電極に電気的に接続された貫通電極を有している、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ダイシングテープを粘着テープに転写して前記ダイシングテープを剥離する、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ダイシングテープを剥離する工程では、前記半導体ウエハ上の前記ダイシングテープに前記粘着テープをローラによって押し付けた状態で、前記半導体ウエハの前記一端側から前記第１の方向に沿って前記ローラを移動させる、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ダイシングテープは紫外線硬化型のテープである、請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
各々の前記半導体チップを保持した状態で前記ダイシングテープを剥離する、請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記バンプ電極群を構成する前記バンプ電極同士の間のピッチが等しい、請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの半導体チップは、複数の前記バンプ電極群を有しており、一の前記バンプ電極群とこれに隣接する他の前記バンプ電極群との間のピッチが前記バンプ電極群を構成する前記バンプ電極同士の間のピッチより大きい、請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの半導体チップは略長方形状であり、前記バンプ電極群は、前記第１の方向が前記半導体チップの長辺と平行になるように配置される、請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハからダイシングテープを剥離することを含む半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＲＡＭなどの半導体チップは、半導体ウエハ上に多数個一括して形成される。半導体ウエハが個々のチップに分割されることによって、多数の半導体チップを得ることが出来る。通常、半導体ウエハは、柔軟なダイシングシート上に粘着固定された状態で、半導体チップごとに分割される。ダイシングシート上の半導体チップは、一個ずつダイシングシートから剥離される。このとき、柔軟なダイシングシートの裏面、つまり半導体チップが貼り付けられていない方の面から、突き上げ装置によって半導体チップを突き上げることによって、半導体チップをダイシングシートから剥離する方法がある。
【０００３】
しかしながら、薄い半導体チップでは、半導体チップの突き上げにより生じる応力集中によって半導体チップにクラックが発生することがある。
【０００４】
特許文献１は、ダイシングされたウエハからダイシングテープを剥離し、半導体チップを直ちに拾い上げて搬送する方法を開示している。具体的には、複数の半導体チップが形成されたウエハにダイシングテープを貼り付け、それからウエハをダイシングする。これにより、ウエハは各々の半導体チップに分割される。各半導体チップの、ダイシングテープが貼り付けられた面とは反対側の面を、真空チャックユニットにより吸引固定する。その後、ダイシングテープを半導体チップから剥離し、半導体チップの吸引固定を解除すると共に、半導体チップをピックアップヘッドにより拾い上げる。
【０００５】
特許文献２には、ダイシングテープに貼着された半導体チップを粘着テープに貼り直し、半導体チップを小さな力でピックアップすることが記載されている。具体的には、半導体チップをダイシングテープに貼付し、それから半導体チップの表面に表面保護テープを貼付する。この表面保護テープはＵＶ硬化型の粘着性テープである。次に、ダイシングテープの裏面、つまり半導体チップを貼付した面の反対側の面）からＵＶ光を照射し、ダイシングテープの接着力を低下させる。それから、ダイシングテープを剥離する。これにより、半導体チップは、表面保護テープに貼付された状態で、ダイシングの際の配列を維持したまま保持される。次に、表面保護テープに保持された半導体チップの裏面に、予めＵＶ光が照射されたＵＶ硬化型の粘着テープを貼付する。次に、表面保護テープの裏面からＵＶ光を照射して表面保護テープの接着力を低下させた後、表面保護テープを半導体チップから剥離する。
【０００６】
特許文献３は、ダイシング不良と半導体チップの薄厚化による問題を抑制でき、低コストで高品質な半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を開示している。まず、ダイシングテープに貼着された半導体チップを粘着テープに貼り直し、半導体ウエハの表面に素子を形成する。次に、半導体ウエハのダイシングラインに沿って溝を形成する。次に、半導体ウエハの、上記素子が形成された面、つまり素子形成面に、粘着性テープを貼り付ける。半導体ウエハの素子形成面とは反対側の面を、少なくとも上記溝に達する深さまで除去して半導体ウエハを個片化する。個片化された半導体ウエハの裏面に接着剤を塗布する。粘着性テープの端部を引いて剥離し、個々の半導体チップを吸着コレットでピックアップする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３４５３６８号
【特許文献２】特開２００６−２２９１２８号
【特許文献３】特開２００８−１０３４９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１〜３に記載の方法では、例えばＣｏＣ型の半導体装置に用いられる、複数の貫通電極が形成された半導体チップについて考慮されていない。貫通電極が形成された半導体チップは、５０μｍ程度の厚みであり、比較的耐久性が低い。そのため、貫通電極の配置によっては、半導体チップからダイシングテープを引き剥がす際にチップに曲げ応力がかかり、チップにクラックが生じる恐れがある。
【０００９】
したがって、このような問題を解決できる半導体装置の製造方法が提供されることが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一態様における半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造方法は、マトリックス状にバンプ電極が配列されて成るバンプ電極群を有する少なくとも１つの半導体チップを有する半導体ウエハであって、バンプ電極群は第１の方向に沿ったバンプ電極の数よりも第２の方向に沿ったバンプ電極の数の方が小さくなるようにバンプ電極が配列されて成る半導体ウエハを準備する工程と、光の照射により接着力が低下するダイシングテープを半導体ウエハに接着する工程と、ダイシングテープ上の半導体ウエハを各々の半導体チップに分割する工程と、ダイシングテープに光を照射する工程と、第１の方向における半導体ウエハの一端側から、第１の方向に沿って、ダイシングテープを剥離する工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１１】
上記製造方法では、光を照射によりダイシングテープの接着力を低下させた後に、半導体ウエハからダイシングテープを剥離する。これにより、半導体チップにかかる曲げ応力を抑制し、クラックの発生を防止することができる。また、バンプ電極の配列数が多い第１の方向では半導体チップの外力に対する耐性が比較的強いため、ダイシングテープの剥離の際に半導体チップにクラックが生じ難いという利点もある。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、ウエハに貫通電極を形成する工程を示す工程図である。
【図２】貫通電極が形成されたウエハの概略構成を示す平面図である。
【図３】ウエハに形成されている１つ半導体チップにおけるバンプ電極の配置を示す平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、ダイシングテープを接着し、支持基板を剥離する工程を示す工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、半導体ウエハをダイシングし、個々の半導体チップを得る工程を示す工程図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、半導体ウエハからダイシングテープを剥離する方法を示す模式的平面図である。
【図７】（ａ）〜（ｆ）は、互いに積層された半導体チップを備えたＣｏＣ（チップオンチップ）型の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は、別の実施例における半導体ウエハに形成されている１つの半導体チップを示す平面図である。
【図９】（ａ）および（ｂ）は、さらに別の実施例における半導体ウエハに形成されている１つの半導体チップを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１４】
図１（ａ）〜（ｄ）は、ウエハに貫通電極を形成する方法の一例を示している。まず、図１（ａ）に示すように、チップ領域１３を複数含む半導体ウエハ１０を準備する。チップ領域１３は、最終的に半導体チップとなるべき領域であり、以下では半導体チップまたはチップと呼ぶこともある。各々のチップ領域１３は、ダイシングライン１６によって区画されている。半導体ウエハ１０のチップ領域１３毎に、所定の回路１７、例えばメモリ回路と、電極パッド上の第１のバンプ電極１９と、が形成される。本実施形態では、回路１７や第１のバンプ電極１９は、半導体ウエハ１０の第１の面１１（以下、便宜上「表面」ともよぶ。）に形成される。
【００１５】
次に、半導体ウエハ１０は、図１（ｂ）に示すように、接着材２１を介して支持体２０に保持される。支持体２０としては、例えばガラス基板を用いることができる。半導体ウエハ１０の表面１１、つまり第１のバンプ電極１９が形成された面が支持体２０に向けられる。接着材２１は、後に剥離可能なものであれば良い。
【００１６】
接着材２１は、第１の接着層２２と第２の接着層２３とからなる２層のものであることが好ましい。第１の接着層２２はウエハ１０の第１の面１１に形成されたバンプ電極１９を覆っている。第１の接着層２２は、ウエハ１０の第１の面１１、特にバンプ電極１９を保護できれば、どのようなものでも良い。第１の接着層２２は、特定の光、例えば紫外線（ＵＶ光）の照射により接着力が低下する材料から成ることが好ましい。そのような材料として、例えばＬＴＨＣ（住友スリーエム株式会社製）を用いることができる。第２の接着層２３は支持体２０と接している。第２の接着層２３は、特定のエネルギーの照射により揮発する材料であることが好ましい。
【００１７】
図１（ｃ）に示すように、支持体２０に保持された半導体ウエハ１０の第２の面１２、つまり第１の面１１とは反対側の面を、バックグラインドにより研磨する。これにより、半導体ウエハ１０を所定の厚さ、例えば５０μｍ程度まで薄型化する。
【００１８】
その後、図１（ｄ）に示すように、半導体ウエハ１０を貫通する貫通電極１８を形成し、図１（ｅ）に示すように第２のバンプ電極（裏面バンプ）２６を形成する。貫通電極１８は、半導体ウエハ１０の、電極パッドに対応する部位に穴部を形成し、メッキ法によって当該穴部を金属で埋めることにより形成できる。第２のバンプ電極２６は、例えばメッキ法によって形成することができる。第２のバンプ電極２６は、貫通電極１８を介して、対応する第１のバンプ電極１９と電気的に接続される。
【００１９】
図２は、貫通電極１８およびバンプ電極１９，２６が形成された半導体ウエハ１０の概略構成を示す平面図である。図２は、半導体ウエハ１０に形成されている１つの半導体チップ１３におけるバンプ電極１９の配置を示している。図２では、図の簡略化のため、いくつかのバンプ電極が省略されている。なお、図１（ｄ）に示す半導体ウエハは、図２のＡ−Ａ線に沿った断面に相当する。
【００２０】
バンプ電極１９は、図２に示すように、例えば、チップ領域（半導体チップ）１３の中央領域に１２行２列で配置されている。これらのバンプ電極１９はバンプ電極群２９を構成している。
【００２１】
本実施形態では、第１の方向Ｄ１（以下、行方向とも呼ぶ。）に沿ったバンプ電極１９の数が、第２の方向Ｄ２（以下、列方向とも呼ぶ。）に沿ったバンプ電極１９の数より多くなっている。バンプ電極群２９を構成するバンプ電極１９は等ピッチで配置されていて良い。また、図２に示すように、各々の半導体チップ１３について、第１の方向Ｄ１に沿ったバンプ電極１９の数が、第２の方向Ｄ２に沿ったバンプ電極１９の数より多くなっていることが好ましい。なお、半導体チップ１３は略長方形状であり、バンプ電極群１９は、第１の方向Ｄ１がチップ領域１３の長辺と平行になるように配置されていることが好ましい。
【００２２】
次に、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハ１０の外側に枠状部材３１が置かれる。枠状部材３１は、半導体ウエハ１０を取り囲んでいる。枠状部材３１の上面は、支持体２０上の半導体ウエハ１０の上面と概ね同一の高さに位置している。
【００２３】
枠状部材３１と半導体ウエハ１０の第２の面１２にダイシングテープ３４を貼り付ける。ダイシングテープ３４は、例えば紫外線等の特定エネルギーの照射により接着力が低下するものであることが好ましい。ダイシングテープ３４は、ローラによって貼り付けることができる。ダイシングテープ３４は、半導体ウエハ１０の一端から他端に向けて連続的に貼り付けられることが好ましい。バンプ電極２６の配列数の多い第１の方向Ｄ１に沿ってダイシングテープ３４を貼り付けることで、ダイシングテープ３４と半導体ウエハ１０との間の空気は、第１の方向Ｄ１へ良好に押し出される。これにより、ダイシングテープ３４と半導体ウエハ１０との間に大きなボイドが発生することを抑制できる。
【００２４】
次に、図４（ｂ）に示すように、支持体２０側から特定の光、例えば紫外線を照射し、支持体２０側の第２の接着層２３を揮発させて除去する。これにより、半導体ウエハ１０から支持体２０を剥離することができる（図４（ｃ）参照）。支持基板２０は、接着層２３に向けて照射すべき光を透過する材料から成ることが好ましい。
【００２５】
次に、半導体ウエハ１０の第２の面１２に残った第１の接着層２２を剥離する。第１の接着層２２は、図４（ｄ）および図４（ｅ）に示すように、剥離用テープ３７を用いて剥離することができる。
【００２６】
バンプ電極１９の配列数の多い第１の方向Ｄ１における半導体ウエハ１０の一端側から第１の方向Ｄ１に沿って、第２の接着層２３を剥離することが好ましい。具体的には、図４（ｄ）に示すように、半導体ウエハ１０上の第１の接着層２２に剥離用テープ３７をローラ３６によって押し付けつつ、半導体ウエハ１０の一端側から第１の方向Ｄ１に沿ってローラ３６を移動させることが好ましい。
【００２７】
上述したように、バンプ電極１９が存在する箇所では、第１の接着層２２は薄くなっている。そのため、第１の接着層２２の厚さが薄い部位は、バンプ電極１９が長く配列している第１の方向Ｄ１に沿って延在している。したがって、第１の接着層２２には、第１の方向Ｄ１に沿って延在した切れ目が生じ易い。これに対し、第２の方向Ｄ２に沿った切れ目は生じにくくなっている。
【００２８】
したがって、第１の接着層２２を第１の方向Ｄ１に沿って半導体ウエハ１０から剥離することで、剥離中の第１の接着層２２が切れて半導体ウエハ上に残留することを抑制することができる。仮に、第１の接着層２２に第１の方向Ｄ１に沿った切れ目が生じても、第１の方向Ｄ１に沿って引き剥がしているので半導体ウエハ１０に接着層２２が残留し難い。その結果、半導体ウエハ１０から第１の接着層２２を良好に剥離することができるという利点がある。
【００２９】
また、半導体ウエハは、貫通電極１８の配列数が多い第１の方向Ｄ１に対する曲げに対して強度が高いが、第２の方向に対する曲げに対しては強度が低くなる。そのため、第１の接着層２２を第１の方向Ｄ１に沿って半導体ウエハ１０から剥離することで、接着層２２の剥離の際に半導体チップ１３にクラックが生じ難いという利点もある。これにより、製造された半導体チップ１３の信頼性が向上される。
【００３０】
次に、枠状部材３１に貼り渡されたダイシングテープ３４に保持された半導体ウエハ１０は、ダイシング工程に移行される。図５（ａ）は、ダイシング工程を示す断面図である。ダイシング工程では、ウエハ１０をダイシングラインに沿って切断することによって、半導体ウエハ１０を各々の半導体チップ１３に分割する。半導体ウエハ１０は、例えば高速回転するダイシングブレード４０により切断される。
【００３１】
自己剥離機能を有するＵＶ発泡タイプのダイシングテープは、ＵＶ硬化タイプのダイシングテープより柔らかい。そのため、ＵＶ発泡タイプのダイシングテープは、ウエハを切断する際にチップの裏面にチッピングが発生したり、切断位置にズレが発生したりし易い。したがって、ダイシングテープ３４は、紫外線硬化タイプのものを用いることが好ましい。これにより、ダイシングの位置ズレを抑制し、半導体チップの裏面におけるチッピングの発生を防止することができる。
【００３２】
次に、図５（ｂ）に示すように、治具（サポータ）４２によって、各々の半導体チップ１３を保持する。治具４２には、各々の半導体チップ１３に対応した位置に吸引孔４５が設けられた吸引プレート４４を用いることができる。吸引孔４５を通じて半導体チップ１３を吸引することで、治具４２は各々の半導体チップ１３を一括して保持する。
【００３３】
次に、図５（ｃ）に示すように、半導体チップ１３を治具４２に吸引保持した状態で、ダイシングテープ３４全体に、例えば紫外線等の特定のエネルギーを照射する。これにより、ダイシングテープ３４の接着力を低下させる。なお、図５（ｃ）に示すように、ダイシングテープ３４全体に紫外線を照射した後に、図５（ｂ）に示すように、治具４２に各々の半導体チップ１３を保持しても良い。
【００３４】
この後、図５（ｄ）に示すように、各々の半導体チップ１３からダイシングテープ３４を剥離する。ダイシングテープ３４は、図５（ｄ）に示すように、粘着テープ４７を用いて剥離することができる。
【００３５】
バンプ電極１９の配列数の多い第１の方向Ｄ１における半導体ウエハ１０の一端側から第１の方向Ｄ１に沿って、ダイシングテープ３４を剥離することが好ましい（図６（ａ）および図６（ｂ）も参照）。具体的には、半導体ウエハ１０上のダイシングテープ３４に粘着テープ４７をローラ４８によって押し付けつつ、半導体ウエハ１０の一端側から第１の方向Ｄ１に沿ってローラ４８を移動させることが好ましい。これにより、半導体ウエハ１０からダイシングテープ３４を良好に剥離することができるという利点がある。
【００３６】
半導体チップ１３は、貫通電極１８の配列数が多い第１の方向Ｄ１に対する曲げに対して強度が高いが、第２の方向Ｄ２に対する曲げに対しては強度が低くなる。そのため、ダイシングテープ３４を第１の方向Ｄ１に沿って半導体ウエハ１０から剥離することで、半導体チップ１３にクラックが生じ難いという利点がある。これにより、製造された半導体チップ１３の信頼性が向上される。
【００３７】
次に、図５（ｅ）に示すように、治具（サポータ）４２に保持されている半導体チップ１３をピックアップする。半導体チップ１３をピックアップするために、半導体チップ１３を真空吸着する吸引孔を有する吸着コレット５０を用いることができる。これにより半導体チップ１３を突き上げることなく、半導体チップ１３をピックアップできる。その結果、チップクラックの発生を抑制できる。以上のような工程を経て半導体装置が製造される。
【００３８】
以下では、上記の半導体チップ１３を用いて、ＣｏＣ（チップオンチップ）型の半導体装置を製造する方法の一例について説明する。図７（ａ）〜図７（ｆ）は、ＣｏＣ型の半導体装置の組立工程を示す断面図である。
【００３９】
半導体チップ１３は、図７（ａ）に示すように、回路やバンプ電極１９が形成された面を上方に向けて、ボンディングステージ５１上に載置される。ボンディングステージ５１は、図示しない加熱機構、例えばヒータを有することが好ましい。加熱機構は、ボンディングステージ５１上に保持された半導体チップ１３を所定温度、例えば１００℃程度に加熱することができる。
【００４０】
次に、ボンディングステージ５１上に保持された１段目半導体チップ１３上に２段目の半導体チップ１３を載せる。２段目の半導体チップ１３は１段目の半導体チップ１３と同様な構成である。このとき、半導体チップ１３を高温、例えば３００℃程度に加熱しつつ、２段目の半導体チップ１３に荷重を印加する。このようにして、１段目の半導体チップ１３に形成されたバンプの電極１９と、２段目の半導体チップ１３に形成されたバンプ電極２６とが、熱圧着により電気的に接続される。２段目の半導体チップ１３を１段目の半導体チップ１３に接合する際、接合部に超音波をさらに印加しても良い。
【００４１】
同様にして、２段目の半導体シップ１３上に３段目の半導体チップ１３を搭載し、３段目の半導体チップ１３の上に４段目の半導体チップ１３を搭載する。このようにして、４つの半導体チップ１３が積層搭載されたチップ積層体５６が構成される。これに限らず、チップ積層体５６を構成する半導体チップ１３の数は２以上であればよい。
【００４２】
次に、チップ積層体５６は、図７（ｂ）に示すように、別のステージ６０（以下、塗布ステージと呼ぶ。）上に貼り渡したシート（塗布用シート）６２上に載置される。塗布用シート６２は、半導体チップ１３同士の接合を補強するアンダーフィル材６４に対して濡れ性の悪い材料が用いられることが好ましい。このような塗布用シート６２として、例えばフッ素系シート或いはシリコン系接着材が付着したシート等が用いられる。
【００４３】
アンダーフィル材６４は、塗布用シート６２上のチップ積層体５６の端部付近に供給される。アンダーフィル材６４は、毛細管現象により、半導体チップ１３間の隙間に充填される。アンダーフィル材６４は、例えばディスペンサによって供給することができる。
【００４４】
塗布用シート６２が、アンダーフィル材６４に対して濡れ性の悪い材料からなる場合、塗布用シート６２上でのアンダーフィル材６４の広がりが抑制され、フィレット幅が小さくなるという利点がある。また、塗布用シート６２を用いることで、アンダーフィル材６４が塗布ステージ６０へ付着することが防止される。
【００４５】
アンダーフィル材６４の充填が完了した後、塗布用シート６２と共にチップ積層体５６を所定温度、例えば１５０℃程度でキュアする。これにより、アンダーフィル材６４が硬化する。このようにして、チップ積層体５６の周囲及び半導体チップ１３同士の間に、アンダーフィル材６４が形成される。
【００４６】
アンダーフィル材６４の硬化後、塗布用シート６２からチップ積層体５６をピックアップする。塗布用シート６２が、アンダーフィル材６４に対して濡れ性の悪い材料である場合、チップ積層体５６を容易にピックアップできるという利点がある。
【００４７】
次に、チップ積層体５６を搭載する配線基板７０を準備する（図７（ｃ）参照。）。配線基板７０は、例えば０．１４ｍｍの厚みを有するガラスエポキシ配線基板であって良い。配線基板７０は、マトリックス状に配置された複数の製品形成部を有している。各々の製品形成部は、ダイシングライン７２によって区画されている。各々の製品形成部には、所定の配線パターンが形成されている。配線パターンは絶縁膜７１ａ，７１ｂ、例えばソルダーレジストで部分的に覆われている。
【００４８】
配線基板７０の一面で、配線パターンがソルダーレジスト７１ａから露出された部位は、接続パッド７３となっている。また、配線基板７０の他面で、配線がソルダーレジスト７１ｂから露出された部位はランド７４となっている。接続パッド７３と、これに対応するランド７４とは、配線基板７０に形成された配線により電気的に接続されている。
【００４９】
配線基板７０の接続パッド７３上には、ワイヤバンプ（凸形状のバンプ）７５が形成される。ワイヤバンプ７５は、例えば金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）からなる。図示しないワイヤボンディング装置は、ワイヤの先端を溶融し、先端にボールが形成されたワイヤを、配線基板７０の接続パッド７３上に超音波熱圧着する。その後、ワイヤの後端を引き切ることで、ワイヤバンプ７５が形成される。
【００５０】
ワイヤバンプ７５は凸形状であるため、ワイヤバンプ７５と半導体チップ１３のバンプ電極との接続部が、ワイヤバンプ７５と配線基板７０との接続部より小さい面積となる。したがって、半導体チップの、バンプ電極群を構成するバンプ電極に電気的に接続された貫通配線１８を小型化および狭ピッチ化できる。
【００５１】
上記例では、チップ積層体５６と配線基板７０との接続を容易にするため、配線基板７０の接続パッド７３上にワイヤバンプ７５を形成した。しかしながら、チップ積層体５６の電極と配線基板７０の接続パッド７３とを直接接続しても良い。ここで、チップ積層体５６の電極は、チップ積層体を構成する半導体チップ１３のバンプ電極１９または２６のいずれかに相当する。
【００５２】
チップ積層体５６を配線基板７０に搭載する際、配線基板７０に、絶縁性の接着部材７６、例えばＮＣＰ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）を塗布することが好ましい。接着部材７６は、ディスペンサによって塗布することができる。
【００５３】
チップ積層体５６は、配線基板７０のそれぞれの製品形成部に実装される。チップ積層体５６の実装には、例えば、加熱機構（不図示）を備えたボンディングツールを用いることができる。チップ積層体５６の表面に露出したバンプ電極を、対応する配線基板７０の接続パッド７３上に熱圧着する。このとき、配線基板７０上の接着部材７６は広がり、接着部材７６は、チップ積層体５６と配線基板７０との間に充填される。
【００５４】
チップ積層体５６の周囲のアンダーフィル材６４はテーパ状であることが好ましい。これは、チップ積層体５６を配線基板７０に実装するとき、接着部材７６の這い上がりが防止されるからである。これにより、接着部材７６のボンディングツールへの付着に起因する、チップ積層体５６の割れや接合不良等が低減される。
【００５５】
次に、図７（ｄ）に示すように、配線基板７０に搭載されたチップ積層体５６を封止体８１により封止する（モールド工程）。モールド工程では、配線基板７０は、図示しないトランスファモールド装置の、上型と下型からなる成型金型にセットされる。成型金型には複数のチップ積層体５６を一括的に覆うキャビティが形成されており、このキャビティ内に配線基板７０が配置される。
【００５６】
そして、キャビティ内に加熱溶融された封止体８１が注入され、配線基板７０上のチップ積層体５６が封止される。封止体８１は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられる。
【００５７】
配線基板７０の一面側に封止体８１が供給された状態で、所定の温度、例えば１８０℃程度でキュアすることによって、封止体８１が熱硬化される。このようにして、配線基板７０上の複数のチップ積層体５６を一括的に覆う封止体８１が形成される。その後、封止体８１を取り囲む成型金型により、所定の温度でベークすることで、封止体８１が完全に硬化する。
【００５８】
チップ積層体５６を構成する個々の半導体チップ１３同士の間に予めアンダーフィル材６４が充填されているため、本モールド工程において、半導体チップ１３同士の間にボイドが発生することがない。
【００５９】
次に、図７（ｅ）に示すように、配線基板７０に形成されたランド７４に、外部端子８２を形成する。外部端子８２は、例えば半田のような導電性の金属ボールが用いられる。金属ボールは、例えば、複数の金属ボールを吸着保持する吸着孔を備えたマウントツールによって配線基板７０のランド７４上に搭載される。具体的には、マウントツールに保持された複数の金属ボールにフラックスを転写成し、配線基板７０上の複数のランド７４に一括して金属ボールを搭載する。金属ボールの搭載が終わった後、配線基板７０をリフローすることで外部端子８２が形成される。
【００６０】
次に、図９（ｆ）に示すように、外部端子８２が形成された配線基板７０は、ダイシングラインに沿って、個々の半導体装置９０に分離される（基板ダイシング工程）。基板ダイシング工程では、まず、配線基板７０上に形成された封止体８１の一面にダイシングテープを貼着し、ダイシングテープによって配線基板７０を支持する。
【００６１】
その後、図示しないダイシング装置のダイシングブレードにより、配線基板７０をダイシングラインに沿って縦横に切断する。このようにして、配線基板７０は、半導体装置９０毎に分離される。そして、チップ積層体５６を含む各々の半導体装置９０をダイシングテープからピックアップすることで、複数のＣｏＣ型の半導体装置を製造することができる。
【００６２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００６３】
図２および図３では、半導体チップ１３の中央領域にバンプ電極群２９が配置された複数の半導体チップ１３を有する半導体ウエハ１０を用いた半導体装置の製造方法について説明した。しかしながら、図８（ａ）に示すように、半導体チップ１３の互いに対向する２つの端辺付近に２つのバンプ電極群２９が配置されていても良い。
【００６４】
図８（ｂ）に示すように、半導体チップ１３の中央領域に、バンプ電極１９間のピッチよりも広い間隔で配置されたバンプ電極群２９が、第１の方向Ｄ１に２つ配置されていても良い。また、３以上のバンプ電極群２９が配置されていても良い。
【００６５】
図９（ａ）に示すように、半導体チップ１３の中央領域と、第１の方向Ｄ１に対して平行な２つの端辺付近に、それぞれバンプ群２９が配置されていても良い。また、図９（ｂ）に示すように、半導体チップ１３の中央領域に千鳥状にバンプ電極１９が配置されていても良い。
【００６６】
図８（ａ），図８（ｂ），図９（ａ），図９（ｂ）に示す半導体チップ１３において、１つのバンプ電極群２９を構成するバンプ電極１９間のピッチは等しくなっていることが好ましい。いずれの場合においても、バンプ電極群２９は、第１の方向Ｄ１に沿ったバンプ電極１９の数よりも第２の方向Ｄ２に沿ったバンプ電極１９の数の方が小さくなるようにマトリックス状にバンプ電極１９が配列されて成る。この場合、図６（ｂ）に示すように、第１の方向Ｄ１における半導体ウエハの一端側から第１の方向Ｄ１に沿って、半導体ウエハからダイシングテープを剥離することが好ましい。これにより、良好にダイシングテープを剥離することが出来る。
【００６７】
なお、図８（ａ），図８（ｂ），図９（ａ），図９（ｂ）に示すように、一のバンプ電極群２９とこれに隣接する他のバンプ電極群２９との間のピッチは、バンプ電極群を構成するバンプ電極同士の間のピッチより大きいことが好ましい。
【００６８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００６９】
１０    ウエハ
１３    半導体チップ
１６    ダイシングライン
１８    貫通電極
１９    第１のバンプ電極
２０    支持基板
２１    接着材
２２    第１の接着層
２３    第２の接着層
２６    第２のバンプ電極
２９    バンプ群
３１    枠状部材
３４    ダイシングテープ
３６    ローラ
３７    剥離用テープ
４０    ダイシングブレード
４２    治具
４４    吸引プレート
４５    吸引孔
４７    粘着テープ
４８    ローラ
５０    吸着コレット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図６】
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