(57)【要約】【課題】改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池１は、光電変換部１０と、第１及び第２の電極１４，１５と、反射抑制層１６と、保護層１９ａとを備える。光電変換部１０は、第１の主面１０ａと、第２の主面１０ｂとを有する。第１の主面１０ａは、受光面を構成している。第１及び第２の電極１４，１５は、光電変換部１０の上に配されている。反射抑制層１６は、第１の主面１０ａの上に配されている。保護層１９ａは、反射抑制層１６の上に配されている。保護層１９ａは、ポリパラキシリレンまたはその誘導体を含む。【選択図】図２
2013026269.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光面を構成している第１の主面と、第２の主面とを有する光電変換部と、
前記光電変換部の上に配された第１及び第２の電極と、
前記第１の主面の上に配された反射抑制層と、
前記反射抑制層の上に配されており、ポリパラキシリレンまたはその誘導体を含む保護層と、
を備える、太陽電池。
【請求項２】
前記第１及び第２の電極は、前記第２の主面上に配されている、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記光電変換部は、
一の導電型を有する半導体基板と、
前記半導体基板の一主面の一部の上に配されており、他の導電型を有する第１の半導体層と、
前記半導体基板の一主面の他の一部の上に配されており、一の導電型を有する第２の半導体層と、
を備える、請求項１または２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記第1の半導体層の一部と前記第２の半導体層の一部とが厚み方向において重なっており、
前記厚み方向において重なっている前記第１の半導体層の一部と前記第２の半導体層の一部との間に配されており、ポリパラキシリレンまたはその誘導体を含む他の保護層をさらに備える、請求項３に記載の太陽電池。
【請求項５】
請求項３または４に記載の太陽電池の製造方法であって、
前記反射抑制層の上に前記保護層を形成する工程と、
前記半導体基板の他主面の上に第１の半導体膜を形成し、前記第１の半導体膜の一部をエッチングにより除去することにより前記第１の半導体層を形成する工程と、
前記半導体基板の他主面の上に第２の半導体膜を形成し、前記第２の半導体膜の一部をエッチングにより除去することにより前記第２の半導体層を形成する工程と、
を備え、
前記第１及び第２の半導体膜のエッチングに先だって前記保護膜の形成を行う、太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池及び太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、裏面接合型の太陽電池が知られている（例えば、下記の特許文献１）。この裏面接合型の太陽電池では、受光面側に電極を設ける必要がない。このため、裏面接合型の太陽電池では、光の受光効率を高めることができる。従って、より改善された光電変換効率を実現し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２００２６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
裏面接合型の太陽電池の光電変換効率をさらに高めたいという要望がある。
【０００５】
本発明は、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る太陽電池は、光電変換部と、第１及び第２の電極と、反射抑制層と、保護層とを備える。光電変換部は、第１の主面と、第２の主面とを有する。第１の主面は、受光面を構成している。第１及び第２の電極は、光電変換部の上に配されている。反射抑制層は、第１の主面の上に配されている。保護層は、反射抑制層の上に配されている。保護層は、ポリパラキシリレンまたはその誘導体を含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態における太陽電池の裏面側の略図的平面図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。
【図３】第１の実施形態における太陽電池の製造工程を表すフローチャートである。
【図４】第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
【図５】第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
【図６】第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
【図７】第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
【図８】第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
【図９】第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
【図１０】第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
【図１１】第１の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
【図１２】第１の実施形態の変形例における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
【図１３】第１の実施形態の変形例における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
【図１４】第１の実施形態の変形例における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
【図１５】第１の実施形態の変形例における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
【図１６】第１の実施形態の変形例における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。
【図１７】第２の実施形態における太陽電池の略図的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の好ましい実施形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる一例である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１０】
また、実施形態などにおいて参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率などは、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１１】
《第１の実施形態》
（太陽電池１の構成）
図１は、第１の実施形態における太陽電池の裏面側の略図的平面図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。
【００１２】
図２に示すように、太陽電池１は、光電変換部１０を有する。光電変換部１０は、受光した際に電子や正孔などのキャリアを発生させるものである。光電変換部１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂを有する。第１の主面１０ａは受光面であって、太陽電池１は、主として第１の主面１０ａにおいて受光する。このため、第１の主面１０ａが受光面を構成している。なお、太陽電池１は、受光面を構成している第１の主面１０ａにおいて受光した際にのみ発電するものであってもよいし、第１の主面１０ａにおいて受光した際のみならず、第２の主面１０ｂにおいて受光した際にも発電する両面受光型の太陽電池であってもよい。
【００１３】
光電変換部１０は、一の導電型を有する半導体基板１１を有する。具体的には、本実施形態では、半導体基板１１は、ｎ型の結晶性シリコン基板により構成されている。ここで、「結晶性シリコン」には、単結晶シリコンと、多結晶シリコンとが含まれるものとする。
【００１４】
半導体基板１１は、第１及び第２の主面１１ａ、１１ｂを有する。半導体基板１１は、第１の主面１１ａが第１の主面１０ａ側を向き、第２の主面１１ｂが第２の主面１０ｂ側を向くように配されている。
【００１５】
第１の主面１１ａの上には、半導体基板１１と同じ導電型であるｎ型の半導体層１７ｎが配されている。第１の主面１０ａは、半導体層１７ｎの表面である。この半導体層１７ｎの表面によって、光電変換部１０の第１の主面１０ａが構成されている。ｎ型半導体層１７ｎは、ｎ型のドーパントを含む半導体層である。ｎ型半導体層１７ｎは、例えば、ｎ型ドーパントを含むアモルファスシリコンにより構成することができる。なお、ｎ型半導体層１７ｎの厚みは、２ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ〜３０ｎｍであることがより好ましい。
【００１６】
ｎ型半導体層１７ｎと半導体基板１１との間には、実質的に真性なｉ型の半導体層１７ｉが配されている。ｉ型半導体層１７ｉは、例えば、ｉ型アモルファスシリコンにより構成することができる。ｉ型半導体層１７ｉの厚みは、例えば数Å〜２５０Å程度の発電に実質的に寄与しない程度の厚みであることが好ましい。
【００１７】
ｎ型半導体層１７ｎの上には、反射抑制層１６が配されている。反射抑制層１６は、光電変換部１０の第１の主面１０ａにおける光の反射を抑制し、光電変換部１０への光の入射効率を高める機能を有する。反射抑制層１６は、例えば、ＳｉＯ２などの酸化ケイ素、ＳｉＮなどの窒化ケイ素、ＳｉＯＮなどの酸窒化ケイ素により構成することができる。反射抑制層１６の厚みは、反射抑制特性に応じて設定され、例えば、８０ｎｍ〜１μｍ程度の範囲で設定される。
【００１８】
反射抑制層１６の上には、保護層１９ａが形成されている。保護層１９ａは、ポリパラキシリレンまたはその誘導体を含む。好ましく用いられるポリパラキシリレンまたはその誘導体の具体例としては、例えば下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有するポリマーが挙げられる。
【００１９】
【化１】
2013026269.tif 000003
【００２０】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４は、同一または異なって、水素原子またはハロゲン原子を示す。Ｒ５〜Ｒ８は、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基を示す。］
【００２１】
一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ４は、同一または異なって、水素原子またはフッ素原子であることが好ましい。また、Ｒ５〜Ｒ８は、同一または異なって、水素原子、塩素原子またはフッ素原子であることが好ましい。一般式（１）で表されるポリマーは、２種類以上の繰り返し単位を有する共重合体であってもよい。
【００２２】
より好ましいポリパラキシリレンまたはその誘導体の具体例としては、下記一般式（１Ａ）〜（１Ｄ）で表される繰り返し単位を有するポリマーが挙げられる。
【００２３】
【化２】
2013026269.tif 000004
【００２４】
【化３】
2013026269.tif 000005
【００２５】
【化４】
2013026269.tif 000006
【００２６】
【化５】
2013026269.tif 000007
【００２７】
ポリパラキシリレンまたはその誘導体は、上記一般式（１Ａ）〜（１Ｄ）で表される繰り返し単位を２種類以上有する共重合体であってもよい。
【００２８】
なお、保護層１９ａの厚みは、１０ｎｍ〜３０００ｎｍであることが好ましく、３０ｎｍ〜１０００ｎｍであることがより好ましい。
【００２９】
半導体基板１１の第２の主面１１ｂの上には、半導体層１２ｎ、１３ｐが配されている。半導体層１２ｎは、第２の主面１１ｂの一部の上に配されており、半導体層１３ｐは、第２の主面１１ｂの他の一部の上に配されている。本実施形態では、これら半導体層１２ｎ、１３ｐにより第２の主面１１ｂの実質的に全体が覆われている。
【００３０】
半導体層１２ｎは、半導体基板１１と同じ導電型であるｎ型を有する。第２の主面１０ｂは、半導体層１２ｎの表面を含む。半導体層１２ｎは、ｎ型のドーパントを含む半導体層である。半導体層１２ｎは、例えば、ｎ型ドーパントを含むアモルファスシリコンにより構成することができる。半導体層１２ｎは、水素を含むことが好ましい。半導体層１２ｎの厚みは、２ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましく、４ｎｍ〜３０ｎｍであることがより好ましい。
【００３１】
半導体層１２ｎと半導体基板１１との間には、実質的に真性なｉ型の半導体層１２ｉが配されている。半導体層１２ｉは、例えば、ｉ型アモルファスシリコンにより構成することができる。半導体層１２ｉは、水素を含むことが好ましい。半導体層１２ｉの厚みは、例えば数Å〜２５０Å程度の発電に実質的に寄与しない程度の厚みであることが好ましい。
【００３２】
半導体層１３ｐは、半導体基板１１と異なる導電型であるｐ型を有する。第２の主面１０ｂは、半導体層１３ｐの表面を含む。半導体層１３ｐは、光電変換部１０の第２の主面１０ｂのｐ型表面を構成している。半導体層１３ｐは、ｐ型のドーパントを含む半導体層である。半導体層１３ｐは、例えば、ｐ型ドーパントを含むアモルファスシリコンにより構成することができる。半導体層１３ｐは、水素を含むことが好ましい。半導体層１３ｐの厚みは、半導体層１３ｐの厚みは、１ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましく、２ｎｍ〜２０ｎｍであることがより好ましい。
【００３３】
半導体層１３ｐと半導体基板１１との間には、実質的に真性なｉ型の半導体層１３ｉが配されている。半導体層１３ｉは、例えば、ｉ型アモルファスシリコンにより構成することができる。半導体層１３ｉは、水素を含むことが好ましい。半導体層１３ｉの厚みは、例えば数Å〜２５０Å程度の発電に実質的に寄与しない程度の厚みであることが好ましい。
【００３４】
半導体層１２ｎの一部と半導体層１３ｐの一部とは、厚み方向ｚにおいて重なっている。具体的には、半導体層１２ｎのｘ方向における両端部の上に、半導体層１３ｐのｘ方向における両端部が位置している。この厚み方向ｚにおいて重なっている半導体層１２ｎの一部と半導体層１３ｐの一部との間には、無機絶縁層１８と、保護層１９ｂとの積層体が配されている。
【００３５】
無機絶縁層１８は、半導体層１２ｎの上に配されている。具体的には、無機絶縁層１８は、半導体層１２ｎのｘ方向における両側の上に配されている。無機絶縁層１８は、半導体層１２ｎのｘ方向における中央部に設けられない。
【００３６】
無機絶縁層１８は、例えば、ＳｉＯ２などの酸化ケイ素、ＳｉＮなどの窒化ケイ素、ＳｉＯＮなどの酸窒化ケイ素、酸化チタン、酸化タンタルなどの無機絶縁材料からなる。無機絶縁層１８の厚みは、例えば、１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましい。
【００３７】
保護層１９ｂは、無機絶縁層１８の上に配されている。保護層１９ｂは、ポリパラキシリレンまたはその誘導体を含む。保護層１９ｂに含まれるポリパラキシリレンまたはその誘導体としては、上記保護層１９ａに含まれるポリパラキシリレンまたはその誘導体と同じものが挙げられる。なお、保護層１９ｂに含まれるポリパラキシリレンまたはその誘導体は、保護層１９ａに含まれるものと同一であってもよいし、異なってもよい。保護層１９ｂの厚みは、１０ｎｍ〜３０００ｎｍであることが好ましく、３０ｎｍ〜１０００ｎｍであることがより好ましい。
【００３８】
半導体層１２ｎの上には、ｎ側電極１４が配されている。ｎ側電極１４は、半導体層１２ｎに電気的に接続されている。一方、半導体層１３ｐの上には、ｐ側電極１５が配されている。ｐ側電極１５は、半導体層１３ｐに電気的に接続されている。
【００３９】
電極１４，１５は、例えば、Ｃｕ，Ａｇなどの金属、それらの金属のうちの一種以上を含む合金などにより形成することができる。また、電極１４，１５は、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などのＴＣＯ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ：透光性導電酸化物）などにより形成することもできる。電極１４，１５は、上記金属、合金またはＴＣＯからなる複数の導電層の積層体により構成されていてもよい。電極１４，１５がＴＣＯ層を含む場合、ＴＣＯ層は半導体層１２ｎ，１３ｐと接触して設けることが好ましい。
【００４０】
次に、図３〜図１１を主として参照しながら、本実施形態の太陽電池１の製造方法について説明する。
【００４１】
まず、半導体基板１１を用意する。次に、ステップＳ１において、半導体基板１１の第１の主面１１ａ及び第２の主面１１ｂの洗浄を行う。半導体基板１１の洗浄は、例えば、ＨＦ水溶液などを用いて行うことができる。
【００４２】
次に、ステップＳ２において、半導体基板１１の第１の主面１１ａの上に半導体層１７ｉと半導体層１７ｎとを形成すると共に、第２の主面１１ｂの上にｉ型半導体膜２１とｎ型半導体膜２２とを形成する。
【００４３】
半導体層１７ｉ，１７ｎ及び半導体膜２１，２２のそれぞれの形成方法は、特に限定されない。半導体層１７ｉ，１７ｎ及び半導体膜２１，２２は、例えば、プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法などの薄膜形成法により形成することができる。
【００４４】
次に、ステップＳ３において、半導体層１７ｎの上に反射抑制層１６を形成すると共に、半導体膜２２の上に絶縁層２３を形成する。なお、反射抑制層１６及び絶縁層２３の形成方法は特に限定されない。反射抑制層１６及び絶縁層２３は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの薄膜形成法などにより形成することができる。
【００４５】
次に、ステップＳ４において、反射抑制層１６の上にポリパラキシリレンまたはその誘導体を含む保護層１９ａを形成すると共に、絶縁層２３の上にポリパラキシリレンまたはその誘導体を含む保護膜２６を形成する。保護層１９ａと保護膜２６は、例えば、ジパラキシリレンまたはその誘導体を用いて気相成膜法により形成することができる。より具体的には、例えば、ジパラキシリレンまたはその誘導体を減圧下で加熱し、ポリパリキシリレンまたはその誘導体のモノマーのラジカルとし、これを反射抑制層１６、絶縁層２３の上に蒸着させることにより保護層１９ａ、保護膜２６を形成することができる。
【００４６】
ジパラキシリレンまたはその誘導体としては、例えば下記一般式（２）で表される化合物が使用できる。
【００４７】
【化６】
2013026269.tif 000008
【００４８】
［一般式（２）において、Ｒ１〜Ｒ８は、上記一般式（１）と同じである。］
【００４９】
ジパラキシリレンまたはその誘導体としては、公知の化合物が使用できる。ジパラキシリレンまたはその誘導体は、市販品も容易に入手可能である。ジパラキシリレンまたはその誘導体の市販品としては、例えば、パリレンＮ、パリレンＣ、パリレンＤ、パリレンＨＴ（以上、日本パリレン合同会社の商品名）などが挙げられる。
【００５０】
次に、ステップＳ５において、保護膜２６と絶縁層２３をエッチングすることにより、保護膜２６と絶縁層２３の一部分を除去することにより、半導体層２２の一部を露出させると共に保護層１９ｂと絶縁層２３ａを形成する。なお、保護膜２６のエッチングは、ＹＡＧ−ＦＨＧレーザーなどを用いて行うことができる。また、絶縁層２３のエッチングは、絶縁層２３が酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる場合は、例えば、ＨＦ水溶液等の酸性のエッチング液を用いて行うことができる。
【００５１】
次に、ステップＳ６において、保護層１９ｂをマスクとして用いて、半導体膜２１と半導体膜２２とを、エッチングする。エッチングにより、半導体膜２１及び半導体膜２２の、保護層１９ｂと絶縁層２３ａとにより覆われている部分以外の部分を除去する。これにより、半導体層１１の第２の主面１１ｂのうち、上方に保護層１９ｂと絶縁層２３ａとが位置していない部分を露出させると共に、半導体膜２１，２２から、半導体層１２ｉ，１２ｎを形成する。半導体膜２１と半導体膜２２のエッチングは、例えばアルカリ性のエッチング液を用いて行うことができる。
【００５２】
次に、ステップＳ７において、ｎ型半導体層１２ｎの上を含み、半導体基板１１の第２の主面１１ｂを覆うように、ｉ型半導体膜２４とｐ型半導体膜２５とをこの順番で順次形成する。半導体膜２４，２５の形成方法は特に限定されない。半導体膜２４，２５は、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などの薄膜形成法により形成することができる。
【００５３】
次に、ステップＳ８において、半導体膜２４，２５の保護層１９ｂと絶縁層２３ａの上に位置している部分の一部分をエッチングする。これにより、半導体膜２４，２５から半導体層１３ｉ，１３ｐを形成する。半導体膜２４，２５のエッチングは、例えば、ＮａＯＨ水溶液などを用いて行うことができる。
【００５４】
次に、ステップＳ９において、保護層１９ｂと絶縁層２３ａの一部のエッチングを行う。具体的には、半導体層１２ｉ，１２ｎの上からエッチングすることにより、保護層１９ｂの露出部とその下に位置する絶縁層２３ａを除去する。これにより、半導体層１２ｎを露出させると共に、絶縁層２３ａから絶縁層１８を形成する。保護層１９ｂのエッチングは、例えばＹＡＧ−ＦＨＧレーザーなどを用いて行うことができる。また、絶縁層２３ａのエッチングは、例えば、ＨＦ水溶液などを用いて行うことができる。
【００５５】
次に、ステップＳ１０において、半導体層１２ｎ及び半導体層１３ｐのそれぞれの上に電極１４，１５を形成する電極形成工程を行うことにより、太陽電池１を完成させることができる。
【００５６】
上述の通り、第１の主面１０ａにおける反射を好適に抑制し、光電変換部１０への光の入射効率を高める観点からは、反射抑制層１６を高い厚み精度で形成することが重要になる。反射抑制層１６の厚みが所望の厚みと異なると、十分な反射抑制機能が得られなくなるためである。ここで、例えば、保護層１９ａを設けなかった場合は、光電変換部や電極を形成する工程などにおけるエッチングにより、反射抑制層もエッチングされてしまい、反射抑制層の厚みが所望の厚みからずれてしまうことがある。そうすると、反射抑制層による反射抑制効果が十分に得られなくなるため、光電変換効率が低くなる。
【００５７】
それに対して本実施形態では、反射抑制層１６の上に、ポリパラキシリレンまたはその誘導体を含む保護層１９ａが配されている。このため、反射抑制層１６を、光電変換部１０や電極１４，１５を形成するためのエッチング工程において用いられるエッチング液から好適に保護することができる。従って、反射抑制層１６を高い厚み精度で形成することができる。その結果、十分な反射抑制効果が得られ、よって、改善された光電変換効率が実現される。
【００５８】
特に、本実施形態のように、ｎ型の半導体層１２ｎとｐ型の半導体層１３ｐとの両方が半導体基板１１のひとつの主面１１ｂの上に設けられている裏面接合型の太陽電池１においては、半導体層１２ｎ、１３ｐのパターニング工程が必須となるため、エッチングから反射抑制層１６を好適に保護できる本実施形態の技術が特に好適である。
【００５９】
《第１の実施形態の変形例》
図１２〜１６は、第１の実施形態の変形例における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。第１の実施形態では、半導体基板１１にテクスチャ構造を設けていない例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。
【００６０】
以下、図１２〜１６を参照しながら、第１の実施形態の変形例について説明する。図１２に示すように、本変形例では、半導体基板１１の第２の主面１１ｂの上に実質的に真性なｉ型の半導体膜２１と、ｎ型半導体膜２２とを形成する。次に、半導体膜２２の上に絶縁層２３を形成する。次に、絶縁層２３の上にポリパラキシリレンまたはその誘導体を含む保護膜２６を形成する。次に、半導体基板１１の第１の主面１１ａにテクスチャ構造を形成する。テクスチャ構造の形成は、アルカリエッチング、酸エッチングなどの方法により形成することができる。
【００６１】
次に、図１３に示すように、保護膜２６と絶縁層２３をエッチングすることにより、保護膜２６と絶縁層２３の一部分を除去し、半導体層２２の一部を露出させると共に保護層１９ｂと絶縁層２３ａを形成する。さらに、保護層１９ｂをマスクとして用いて、半導体膜２１と半導体膜２２とを、エッチングする。エッチングにより、半導体膜２１及び半導体膜２２の、保護層１９ｂと絶縁層２３ａとにより覆われている部分以外の部分を除去する。これにより、半導体膜２１，２２から、半導体層１２ｉ，１２ｎを形成する。
【００６２】
次に、図１４に示すように、ｎ型半導体層１２ｎの上を含み、半導体基板１１の第２の主面１１ｂを覆うように、実質的に真性なｉ型半導体膜２４とｐ型半導体膜２５とをこの順番で順次形成すると共に半導体基板１１の第１の主面１１ａの上に実質的に真性な半導体層１７ｉとｎ型半導体層１７ｎとをこの順番で順次形成する。
【００６３】
次に、図１５に示すように、半導体層１７ｎの上に反射抑制層１６を形成する。
【００６４】
次に、図１６に示すように、反射抑制層１６の上にポリパラキシリレンまたはその誘導体を含む保護層１９ａを形成する。
【００６５】
その後、第１の実施形態における図１０で示したように、半導体膜２４，２５の保護層１９ｂと絶縁層２３ａの上に位置している部分の一部分をエッチングして、半導体膜２４，２５から半導体層１３ｉ，１３ｐを形成する。次に、図１１で示したように、半導体層１２ｉ，１２ｎの上からエッチングすることにより、保護層１９ｂの露出部とその下に位置する絶縁層２３ａを除去する。これにより、半導体層１２ｎを露出させると共に、絶縁層２３ａから絶縁層１８を形成する。そして、半導体層１２ｎ及び半導体層１３ｐのそれぞれの上に電極１４，１５を形成する電極形成工程を行うことにより、半導体基板１１の第１の主面１１ａにテクスチャ構造を有する太陽電池１を完成させることができる。
【００６６】
本変形例においても、第１の実施形態と同様の効果が奏される。
【００６７】
また、本変形例において、保護膜２６を設けない場合、テクスチャ構造を形成する工程におけるエッチングにより、絶縁層２３や半導体膜２１、２２にピンホールが形成され、光電変換効率が低くなる。
【００６８】
それに対して本変形例では、絶縁層２３の上に、ポリパラキシリレンまたはその誘導体を含む保護層２６が配されている。このため、テクスチャ構造を形成するためのエッチング工程において用いられるエッチング液から絶縁層２３などを好適に保護することができる。従って、絶縁層２３などのピンホールの形成を防ぐことができ、改善された光電変換効率が実現される。
【００６９】
さらに、第１の実施形態の別の変形例では、半導体基板１１の第１の主面１１ａと第２の主面１１ｂとの両面にテクスチャ構造を形成してもよい。この変形例においても、第１の実施形態及び上記変形例と同様の効果が奏される。
【００７０】
《第２の実施形態》
図１７は、第２の実施形態における太陽電池２の略図的断面図である。
【００７１】
第１の実施形態では、光電変換部１０が、半導体基板１１と、半導体層１２ｉ,１２ｐ,１３ｉ，１３ｐ，１７ｉ，１７ｎとを備えている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。
【００７２】
例えば図１７に示すように、光電変換部１０は、一の導電型を有し、裏面側に、ｐ型ドーパントが拡散したｐ型ドーパント拡散領域２０ｐ及びｎ型ドーパントが拡散したｎ型ドーパント拡散領域２０ｎが設けられている半導体基板２０により構成されていてもよい。この場合であっても第１の実施形態と同様の効果が奏される。
【符号の説明】
【００７３】
１…太陽電池
１０…光電変換部
１０ａ，１０ｂ…光電変換部の主面
１１…半導体基板
１１ａ，１１ｂ…半導体基板の主面
１２ｉ,１３ｉ…ｉ型半導体層
１２ｎ…ｎ型半導体層
１３ｐ…ｐ型半導体層
１４…ｎ側電極
１５…ｐ側電極
１６…反射抑制層
１９ａ，１９ｂ…保護層
２１，２２，２４，２５…半導体膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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