(57)【要約】【課題】高品位な表示をする有機ＥＬパネルの製造方法を提供すること。【解決手段】有機ＥＬパネル１１は第一サブピクセルと第二サブピクセルとを有する。第一サブピクセルには第一発光層を塗布法により形成する。次いで基板全面に第二発光層を蒸着法により形成する。第一サブピクセルの第一発光層上に形成された第二発光層には、次工程で選択的に紫外線８２を照射する。第一サブピクセルに形成された第二発光層は、紫外線照射で発光機能が失活する。これにより、第一発光層上の第二発光層が発光する事態を抑制できる。即ち、第一サブピクセルから発せられる光の色純度を高く保ち、色再現範囲を広げられる。【選択図】図３
2013171771.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上において第一サブピクセルと第二サブピクセルとにそれぞれ陽極を形成する工程と、
前記第一サブピクセルの前記陽極上に第一発光層を塗布法により形成する工程と、
前記第一発光層上と前記第二サブピクセルの前記陽極上とに跨って第二発光層を蒸着法により形成する工程と、
前記第一発光層上に形成された前記第二発光層に選択的に紫外線を照射する工程と、
前記第一サブピクセルと前記第二サブピクセルとに跨って陰極を形成する工程と、を備える事を特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】
前記紫外線を照射する工程は、遮光マスクを前記基板と前記紫外線の光源との間に配置して行い、
前記遮光マスクは、前記第一サブピクセルに対応する部位は前記紫外線を透過し、前記第二サブピクセルに対応する部位は前記紫外線を遮断する事を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】
前記紫外線を照射する工程は、前記第一サブピクセルにおける前記第二発光層の発光強度を前記第一サブピクセルにおける前記第一発光層の発光強度の１０分の１以下とする事を特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
前記紫外線は、波長が２２５ｎｍから３２５ｎｍの範囲にある事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
前記紫外線を照射する工程で照射される前記紫外線の積算光量は６０００ｍＷ／ｃｍ2・秒から１８０００ｍＷ／ｃｍ2・秒の範囲にある事を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
前記第一発光層は赤色又は緑色の発光をし、
前記第二発光層は青色の発光をする事を特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
前記塗布法はインクジェット方式を用いる事を特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）パネルは、陽極と陰極との間に発光機能層を挟持した構造をなしている。発光機能層としては、例えば、陽極側から順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層された構成が挙げられる。そして、陽極と陰極との間に電圧を印加することによって、正孔輸送層から正孔が、電子輸送層から電子が発光層に注入され、これらが再結合する事で発光が行われる。
【０００３】
こうした有機ＥＬパネルの製造方法には、パターニング性が高く、大面積化が容易であり、しかも材料の使用効率が高い塗布法が用いられる。塗布法としては、例えばインクジェット法が用いられる。インクジェット法では、発光材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドから所定の膜形成領域（サブピクセル）に吐出し、吐出されたインク組成物を乾燥することで発光層を形成している。ところが、塗布法における赤色発光層と緑色発光層とは、発光寿命特性などの点において、実用レベルに達しているものの、青色発光層は実用レベルに到達したとは言い難い状況にある。一方、蒸着法における青色発光層は、実用レベルに到達しつつある。
【０００４】
そこで、従来は、特許文献１及び２に記載されている様に、赤色発光層と緑色発光層は塗布法で形成し、青色発光層は赤色発光層と緑色発光層とを含む全面に蒸着法で形成していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−７３５３２号公報
【特許文献２】特開２０１１−１０８４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の有機ＥＬパネルの製造方法では、有機ＥＬパネルの色純度が悪いという課題があった。即ち、赤色又は緑色に発光すべきサブピクセルから、赤色と青色とが混在した光や、或いは緑色と青色とが混在した光、が発せられていた。又、初期的に青色発光の混在が弱い場合でも、経時的な素子の駆動によって青色発光の混色が強くなる事もあった。この様に従来技術で製造された有機ＥＬパネルでは、赤色のサブピクセルと緑色のサブピクセルから発せられる光の色度が悪く、色再現範囲が著しく狭まっていた。換言すると、従来は、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬパネルでは高い表示品位を得る事が困難であるという課題が有った。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。尚、以下の形態又は適用例において、「上」とは、基板から見て有機ＥＬ素子が配置された方向を示し、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、を表すものとする。
【０００８】
（適用例１）  本適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法は、基板上において第一サブピクセルと第二サブピクセルとにそれぞれ陽極を形成する工程と、第一サブピクセルの陽極上に第一発光層を塗布法により形成する工程と、第一発光層上と第二サブピクセルの陽極上とに跨って第二発光層を蒸着法により形成する工程と、第一発光層上に形成された第二発光層に選択的に紫外線を照射する工程と、第一サブピクセルと第二サブピクセルとに跨って陰極を形成する工程と、を備える事を特徴とする。
この構成によれば、第一サブピクセルの第一発光層上に形成された第二発光層に紫外線を照射する事で第二発光層の発光機能を低下させたり、或いは失活させたりする事ができる。これにより、第一サブピクセルで、第一発光層上の第二発光層が発光する事態を抑制できる。即ち、第一サブピクセルから発せられる光の色純度を高く保ち、色再現範囲を広げられる。換言すると、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬパネルで、その表示品位を著しく高める事ができる。
【０００９】
（適用例２）  上記適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法において、紫外線を照射する工程は、遮光マスクを基板と紫外線の光源との間に配置して行い、遮光マスクは、第一サブピクセルに対応する部位は紫外線を透過し、第二サブピクセルに対応する部位は紫外線を遮断する事が好ましい。
この構成によれば、第一サブピクセルへは選択的に紫外線が照射され、第二サブピクセルには紫外線が照射されないので、第二サブピクセルの第二発光層を保護した状態で、第一サブピクセルの第二発光層の機能を低下させたり、或いは失活させたりする事ができる。即ち、第一サブピクセルから発せられる光の色純度も、第二サブピクセルから発せられる光の色純度も、高く保つとともに、寿命などの点においても問題がない実用レベルの有機ＥＬパネルを実現できる。
【００１０】
（適用例３）  上記適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法において、紫外線を照射する工程は、第一サブピクセルにおける第二発光層の発光強度を第一サブピクセルにおける第一発光層の発光強度の１０分の１以下とする事が好ましい。
この構成によれば、第一サブピクセルから発せられる光の色純度を高く保ち、色再現範囲を広げる事ができる。換言すると、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬパネルで、その表示品位を著しく高める事ができる。
【００１１】
（適用例４）  上記適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法において、紫外線は、波長が２２５ｎｍから３２５ｎｍの範囲にある事が好ましい。
この構成によれば、第一発光層上に形成された第二発光層の発光機能を低下させたり、或いは失活させたりする事ができる。
【００１２】
（適用例５）  上記適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法において、紫外線を照射する工程で照射される紫外線の積算光量は６０００ｍＷ／ｃｍ2・秒から１８０００ｍＷ／ｃｍ2・秒の範囲にある事が好ましい。
この構成によれば、第一発光層上に形成された第二発光層の発光機能を低下若しくは失活させると共に、第一発光層の発光機能を実用レベルのまま維持する事ができる。
【００１３】
（適用例６）  上記適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法において、第一発光層は赤色又は緑色の発光をし、第二発光層は青色の発光をする事が好ましい。
この構成によれば、インク組成物が実用レベルに達している赤色と緑色のサブピクセルには塗布法を適応し、インク組成物が実用レベルに達していない青色のサブピクセルには蒸着法を適応して、各サブピクセルから発光する光の色純度を高くするとともに、実用性に富んだ有機ＥＬパネルを製造する事ができる。
【００１４】
（適用例７）  上記適用例に係わる有機ＥＬパネルの製造方法において、塗布法はインクジェット方式を用いる事が好ましい。
この構成によれば、高解像度化と大面積化、及び材料の高使用効率化を進める事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】有機ＥＬパネルの電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬパネルの構成を示す模式平面図。
【図３】画素の構造を説明する模式断面図。
【図４】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図５】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図６】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図７】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図８】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図９】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図１０】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図１１】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図１２】有機ＥＬパネルの製造方法を示す模式断面図。
【図１３】青色サブピクセルからの発光スペクトルを示す図。
【図１４】赤色サブピクセルからの発光スペクトルを示す図。
【図１５】緑色サブピクセルからの発光スペクトルを示す図。
【図１６】有機ＥＬパネルの色座標を示す図。
【図１７】有機ＥＬパネルを備えるテレビを模式的に示す概略斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００１７】
（実施形態１）
「有機ＥＬパネルの構成」
先ず、有機ＥＬパネル１１の構成を、図１と図２とを参照して説明する。図１は本実施形態に係わる有機ＥＬパネルの電気的な構成を示す等価回路図である。図１に示す様に、有機ＥＬパネル１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とが、それぞれ格子状に配線されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。又、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が一個のサブピクセル４２として構成される。
【００１８】
一つの画素７１は少なくとも第一サブピクセルと第二サブピクセルとを含み、各サブピクセル４２は異なった色の光を発する。通常は、三個以上のサブピクセル４２から一つの画素７１が構成される。本実施形態では、一つの画素７１は、赤色発光する赤色サブピクセル４２Ｒ（図３参照）と、緑色発光する緑色サブピクセル４２Ｇ（図３参照）と、青色発光する青色サブピクセル４２Ｂ（図３参照）と、からなる。又、本実施形態では、赤色サブピクセル４２Ｒと緑色サブピクセル４２Ｇは、発光層以外は同一構造をなすので、両者とも第一サブピクセルであり、青色サブピクセル４２Ｂは第二サブピクセルである。詳細は後述するが、第一サブピクセルとは発光層形成に塗布法が利用される物であり、第二サブピクセルとは発光層形成に蒸着法が利用される物である。以降、第一サブピクセルと第二サブピクセルとを特に区別する必要がない場合（赤色サブピクセル４２Ｒと、緑色サブピクセル４２Ｇと、青色サブピクセル４２Ｂと、を特に区別する必要がない場合、）単にサブピクセル４２と称する。
【００１９】
各サブピクセル４２には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給される選択トランジスター２１と、この選択トランジスター２１を介して信号線１３から供給される画像信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動トランジスター２３とが設けられている。更に、各サブピクセル４２には、駆動トランジスター２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が供給される陽極２４と、負電源に接続する陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された発光機能層２６とが設けられている。これら陽極２４と陰極２５と発光機能層２６とで発光素子２７が構成される。有機ＥＬパネル１１は、この様に、実表示領域３２ａを備え、実表示領域３２ａには複数の画素７１が行列状に設けられ、各画素７１は少なくとも第一サブピクセルと第二サブピクセルとを含み、各サブピクセル４２は発光素子２７を有している。こうした構成を取ると、走査線１２が駆動されて選択トランジスター２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、駆動トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動トランジスター２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、発光機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。発光機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００２０】
図２は、有機ＥＬパネルの構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬパネル１１の構成を、図２を参照しながら説明する。図２に示す様に、有機ＥＬパネル１１は、ガラス等からなる素子基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００２１】
実表示領域３２ａ内には、上述の如く、画素７１が行列状に配列されている。一方、ダミー領域３２ｂには、主として各サブピクセル４２を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿う様に走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿う様に信号線駆動回路１５が配置されている。素子基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００２２】
「画素構造」
図３は、画素の構造を説明する模式断面図である。以下、画素７１の構造について、図３を参照しながら説明する。尚、図３は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００２３】
図３に示す様に、有機ＥＬパネル１１は、サブピクセル４２毎に独立に発光が制御され、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された発光素子層４４と、とを有する。素子基板３１としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる。発光素子層４４にて発光した光（赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂ）は素子基板３１側に取り出され、有機ＥＬパネル１１は、所謂、ボトムエミッション構造をなしている。
【００２４】
回路素子層４３には、素子基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜４５が形成され、下地保護膜４５上に駆動トランジスター２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜４５上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜４６が形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。
【００２５】
更に、回路素子層４３には、下地保護膜４５及び半導体膜４６を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなるゲート電極５３（走査線１２）が形成されている。
【００２６】
ゲート絶縁膜５２及びゲート電極５３上には、透明な第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５が形成されている。第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）などから構成されている。ゲート電極５３は、半導体膜４６のチャネル領域５１に対応する位置に設けられている。
【００２７】
半導体膜４６のソース領域４７は、ゲート絶縁膜５２及び第１層間絶縁膜５４を貫通して設けられたコンタクトホール５６を介して、第１層間絶縁膜５４上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５を貫通して設けられたコンタクトホール５７を介して、第２層間絶縁膜５５上に形成された陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）と電気的に接続されている。
【００２８】
陽極２４は、サブピクセル４２毎に形成されている。陽極２４は透明導電膜からなり、好適例としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の薄膜が利用される。陽極２４の平面形状は、サブピクセル４２の平面形状に合わせられ、略矩形状となっている。尚、回路素子層４３には、図示しない保持容量及び選択トランジスターも形成されている。
【００２９】
陽極２４の周囲には、絶縁層５８及び隔壁（バンク）５９が、平面視で略格子状に設けられている。絶縁層５８としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等の無機材料が挙げられる。絶縁層５８は、隣り合う陽極２４間の絶縁性を確保すると共に、発光素子２７（２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂ）の形状を所望の形状（例えば、トラック形状）にするために、陽極２４の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、陽極２４と絶縁層５８とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。言い換えれば、絶縁層５８は、サブピクセル４２の内で発光素子２７の発光部を除いた領域と、サブピクセル４２間と、に形成されている事になる。
【００３０】
隔壁５９は、例えば、断面が傾斜面を有する台形状であり、発光素子２７を平面視で囲むように形成されている。即ち、隔壁５９にて囲まれた領域が発光素子２７の開口部となり、発光機能層２６をなす各種薄膜が形成される。隔壁５９の材料としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂の様に耐熱性に優れ、且つ耐溶剤性が高い有機材料が用いられる。
【００３１】
陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）上に設けられる各種薄膜は、発光素子２７（２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂ）毎に異なっている。具体的には、第一サブピクセルに属する赤色発光素子２７Ｒは、隔壁５９によって囲まれた陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒ、正孔輸送層６２Ｒ、第一発光層としての赤色発光層６３Ｒが、塗布法（インクジェット法）によって順に形成されている。又、第一サブピクセルに属する緑色発光素子２７Ｇは、隔壁５９によって囲まれた陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｇ、第一発光層としての緑色発光層６３Ｇが、インクジェット法によって順に形成されている。赤色発光層６３Ｒと緑色発光層６３Ｇとの上には、中間層となる正孔ブロッキング層６４が蒸着法により積層されている。第一サブピクセルの正孔ブロッキング層６４の上には発光機能が弱められている失活青色発光層６３ＢＤが形成されている。
【００３２】
第二サブピクセルに属する青色発光素子２７Ｂは、隔壁５９によって囲まれた陽極２４Ｂ上に、正孔注入層６１Ｂ、正孔輸送層６２Ｂがインクジェット法によって順に形成されている。更に正孔輸送層６２Ｂ上には、隔壁５９上を含めた表示領域の全面に中間層となる正孔ブロッキング層６４が蒸着法により積層されている。正孔ブロッキング層６４上には第二発光層としての青色発光層６３Ｂが蒸着法により積層されている。
【００３３】
失活青色発光層６３ＢＤと青色発光層６３Ｂとの上には電子輸送層６５が蒸着法により積層されており、更に、電子輸送層６５上には、陰極２５が素子基板３１上の全面に成膜されている。陰極２５上は、例えば、缶封止方式を用いて封止が施されている（図示せず）。具体的には、凹型のガラスや金属製の対向基板の中に乾燥剤が入れられ、エポキシ等の接着剤を介して陰極２５側に貼り付けられている。陽極２４と陰極２５との間に挟持されているのが発光機能層２６であるので、第一サブピクセルの発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｒ又は６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｒ又は６２Ｇ、第一発光層（赤色発光層６３Ｒ又は緑色発光層６３Ｇ）、正孔ブロッキング層６４、失活青色発光層６３ＢＤ、電子輸送層６５、の各層を含んでなる。一方、第二サブピクセルの発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｂ、正孔輸送層６２Ｂ、正孔ブロッキング層６４、第二発光層（青色発光層６３Ｂ）、電子輸送層６５、の各層を含んでなる。尚、発光機能層２６は上述の構成に限られず、例えば、中間層である正孔ブロッキング層６４を省略する事も可能である。
【００３４】
正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６１は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３、４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成する事ができる。
【００３５】
塗布法により形成される正孔輸送層６２（６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂ）の構成材料としては、例えば、下記化学式１に示すＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ材料を用いる事ができる。
【００３６】
【化１】
2013171771.tif 000003
【００３７】
発光層６３（６３Ｒ、６３Ｇ、６３Ｂ）は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。発光層６３の構成材料とし、塗布法にて形成する赤色発光層６３Ｒであれば、例えば、下記化学式２に示す材料（Ｐｏｌｙ［｛９、９−ｄｉｈｅｘｙｌ−２、７−ｂｉｓ（１−ｃｙａｎｏｖｉｎｙｌｅｎｅ）ｆｌｕｏｒｅｎｙｌｅｎｅ｝−ａｌｔ−ｃｏ−｛２、５−ｂｉｓ（Ｎ、Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ｝］、ＡＤＳ−１１１ＲＥ）を用いる事ができる。同じく塗布法にて形成する緑色発光層６３Ｇであれば、例えば、下記化学式３に示す材料（Ｐｏｌｙ［｛９、９−ｄｉｏｃｔｙｌ−２、７−ｂｉｓ（２−ｃｙａｎｏｖｉｎｙｌｅｎｅ−ｆｌｕｏｒｅｎｙｌｅｎｅ｝−ａｌｔ−ｃｏ−｛２−ｍｅｔｈｏｘｙ−５−（２−ｅｔｈｙｌ  ｈｅｘｙｌｏｘｙ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ｝］、ＡＤＳ−１０９ＧＥ）を用いる事ができる。又、蒸着法で形成する青色の発光層６４Ｂであれば、例えば、下記化学式４に示すホスト材料（２−［９、９−ｄｉ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−ｆｌｕｏｒｅｎ−２−ｙｉ］−９、９−ｄｉ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｆｌｕｏｒｅｎ、ＢＤＡＦ）及び下記化学式５に示すゲスト材料（１、４−ｂｉｓ［２−（３−Ｎ−ｅｔｈｙｌｃａｒｂａｚｏｒｙｌ）ｖｉｎｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ、ＢＣｚＶＢ）を用いる事ができる。
【００３８】
【化２】
2013171771.tif 000004
【００３９】
【化３】
2013171771.tif 000005
【００４０】
【化４】
2013171771.tif 000006
【００４１】
【化５】
2013171771.tif 000007
【００４２】
正孔ブロッキング層６４は赤色発光層６３Ｒ及び緑色発光層６４Ｇ内に正孔を留める機能を有する層である。正孔ブロッキング層６４の構成材料としては、例えば、下記化学式６に示されるＢａｌｑを用いる事ができる。
【００４３】
【化６】
2013171771.tif 000008
【００４４】
電子輸送層６５は、陰極２５から発光層６３（６３Ｒ、６３Ｇ、６３Ｂ）への電子注入を高める機能を有する層である。電子輸送層６５の構成材料としては、例えば、下記化学式７に示されるＡｌｑ３を用いる事ができる。
【００４５】
【化７】
2013171771.tif 000009
【００４６】
陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体とする事ができる。
【００４７】
「有機ＥＬパネルの製造方法」
図４乃至図１２は、有機ＥＬパネルの製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、図４から図１２を参照して、有機ＥＬパネル１１の製造方法を説明する。尚、各種配線や電極、トランジスター等を形成する製造工程については、公知の工程を採用する事ができるので、ここではそれらの説明を省略又は簡略し、これ以降の工程について詳しく説明する。又、図面についても同様に、省略又は簡略する。
【００４８】
まず、図４に示す様に、素子基板３１上に、公知の成膜技術を用いて回路素子層４３（詳細は、図３参照）を形成し、回路素子層４３上にＩＴＯからなる陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）を形成する。素子基板３１での画素７１数は１９２０×１０８０であるので、サブピクセル４２の総数は１９２０×１０８０×３＝６２２万８００となる。
【００４９】
続いて、図５に示す様に、回路素子層４３及び陽極２４上に、絶縁層５８及び隔壁５９を形成する。詳しくは、まず、絶縁層５８の材料となる、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により、回路素子層４３及び陽極２４上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、サブピクセル４２に開口部を形成し、絶縁層５８を完成させる。その後、絶縁層５８上に隔壁５９を形成する。まず、隔壁５９の材料を含む溶液を絶縁層５８上及び陽極２４上に塗布する。隔壁５９の材料は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗布された溶液を乾燥させて樹脂層を形成する。その後、この樹脂層をパターニング加工して隔壁５９を形成すると共に、サブピクセル４２に開口部が形成される。即ち、隔壁５９にて区画されたサブピクセル４２の開口部が形成される。
【００５０】
次工程で発光機能層２６をインクジェット法などの塗布方式を用いてパターニングするので、隔壁５９の表面は撥液性を有している事が望ましく、陽極２４の表面は親液性を有している事が望ましい。そこで、素子基板３１をアルコールで洗浄し、純水にてリンスした後、素子基板３１に酸素プラズマを照射して陽極２４の表面を親液性とする。次いで、素子基板３１に四フッ化炭素（ＣＦ4）のプラズマを照射して隔壁５９の表面を撥液性とする。隔壁５９の表層に撥液性を持たせる方式としては、この他に、フッ素等の撥液成分を予め混入させた樹脂（例えばアクリル樹脂）を塗布し、塗工液の乾燥時に撥液成分を樹脂表層に拡散集積させる方法もある。
【００５１】
続いて、図６に示す様に、赤色サブピクセル４２Ｒと緑色サブピクセル４２Ｇ、及び青色サブピクセル４２Ｂの隔壁５９によって囲まれた陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）上に、正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）を例えば５０ｎｍの膜厚で形成する。これは、正孔注入層６１の材料を含んだ液状組成物としての機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、大気下で焼成することで形成する。正孔注入層６１の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いる事ができる。
【００５２】
次に、図７に示す様に、赤色サブピクセル４２Ｒ、緑色サブピクセル４２Ｇ及び青色サブピクセル４２Ｂの正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）上に、正孔輸送層６２（６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂ）を、それぞれ例えば１５ｎｍの膜厚で形成する。これは、正孔輸送層６２の材料を含んだ機能液（インク）を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、低酸素下で焼成させる。正孔輸送層６２の機能液としては、例えば、化学式１にて上述されるＴＦＢをシクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）に溶解させた物を用いる事ができる。
【００５３】
次に、図８に示す様に、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の陽極２４の上に第一発光層（赤色発光層６３Ｒや緑色発光層６３Ｇ）を塗布法により形成する。即ち、赤色サブピクセル４２Ｒの正孔輸送層６２Ｒの上に赤色発光層６３Ｒを７０ｎｍの膜厚で形成し、緑色サブピクセル４２Ｇの正孔輸送層６２Ｇの上に緑色発光層６３Ｇを６０ｎｍの膜厚で形成する。具体的には、発光材料の機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、低酸素下で焼成させる。発光材料の機能液としては、例えば、上述の化学式２や化学式３にて表される発光材料を溶媒に溶解した物を用いる事ができる。溶媒としては、シクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）などが挙げられる。本実施形態では、ＣＨＢに１．０ｗｔ％の濃度で化学式２や化学式３の発光材料が溶解された機能液を、インクジェット法にて第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の開口部に、それぞれ１０ピコリットル／ショットで２０ショット吐出して充填し、その後、素子基板３１を減圧乾燥機に設置し、５Ｐａ以下の真空度で３０分間に渡り乾燥処理した。この様に、第一サブピクセルとは、発光層が塗布法で形成されているサブピクセルである。
【００５４】
次に、図９に示す様に、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の第一発光層（赤色発光層６３Ｒや緑色発光層６３Ｇ）の上と、第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）の正孔輸送層６２Ｂの上と、各サブピクセル４２を隔てる隔壁５９の上とに、正孔ブロッキング層６４を例えば３ｎｍの膜厚で蒸着法により形成する。正孔ブロッキング層６４としては、上述の化学式６に示されるＢａｌｑを用いる事ができる。
【００５５】
次に、図１０に示す様に、第一発光層上と第二サブピクセルの陽極２４Ｂ上とに跨って第二発光層を蒸着法により形成する。即ち、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の正孔ブロッキング層６４の上と、第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）の正孔ブロッキング層６４の上と、各サブピクセル４２を隔てる隔壁５９の正孔ブロッキング層６４の上とに、第二発光層となる青色発光層６３Ｂを、例えば１０ｎｍの膜厚で、蒸着法により形成する。青色発光層６３Ｂとしてはホスト材料（上述の化学式４に示されるＢＤＡＦ）とゲスト材料（上述の化学式５に示されるＢＣｚＶＢ）を例えば体積比１０：１で共蒸着法により形成する事ができる。素子基板３１のほぼ全面に成膜される青色発光層６３Ｂの厚みは５ｎｍから５０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。５ｎｍ未満の厚みでは発光が困難だが、５ｎｍ以上の厚みがあれば、実用的な明るさの発光が可能になる。又、５０ｎｍ以下の厚みであれば、発光させる為の電圧を或る程度低く保つ事が可能になる。更に、５０ｎｍ以下の厚みであれば、第一サブピクセルに形成されている青色発光層６３Ｂを、次工程での紫外線照射により、失活させる事ができ、赤色発光や緑色発光の純度を高める事ができる。この様に、第二サブピクセルとは、発光層が蒸着法で形成されているサブピクセルである。
【００５６】
次に、図１１に示す様に、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の第一発光層（赤色発光層６３Ｒと緑色発光層６３Ｇ）の上に形成された第二発光層（青色発光層６３Ｂ）に選択的に紫外線８２を照射して、失活青色発光層６３ＢＤとする。失活青色発光層６３ＢＤとは、第一サブピクセルにおける第二発光層（失活青色発光層６３ＢＤ）の発光強度が第一サブピクセルにおける第一発光層（赤色発光層６３Ｒと緑色発光層６３Ｇ）の発光強度の凡そ１０分の１以下となっている事を意味する。第一サブピクセルに選択的に紫外線を照射する工程は、遮光マスク８１を素子基板３１と紫外線の光源（不図示）との間に配置して行う。遮光マスク８１は、第一サブピクセルに対応する部位は透明で紫外線を透過し、第二サブピクセルに対応する部位は紫外線を遮断する様にパターニングされている。照射される紫外線は、波長が２２５ｎｍから３２５ｎｍの範囲にある事が好ましい。こうする事で、第一発光層上に形成された第二発光層の発光機能を低下させたり、或いは失活させたりする事ができるからである。尚、照射される紫外線８２の積算光量は、第二発光層の厚みが１０ｎｍの場合、６０００ｍＷ／ｃｍ2・秒から１８０００ｍＷ／ｃｍ2・秒の範囲にある事が好ましい。積算光量が６０００ｍＷ／ｃｍ2・秒以上であれば、第一発光層上に形成された第二発光層の発光機能を低下若しくは失活させる事ができる。又、積算光量が１８０００ｍＷ／ｃｍ2・秒以下であれば、第一発光層の発光機能を実用レベルのまま維持する事ができる。本実施形態では、紫外線強度のピーク波長が２６５ｎｍにある紫外線８２を２２０ｍＷ／ｃｍ2の光量で、６０秒間照射した。従って、積算光量は１３２００ｍＷ／ｃｍ2・秒となる。一般に、第二発光層の厚みがｔｎｍの場合、照射される紫外線８２の積算光量は、先の積算光量を比例させ、６００×ｔ／ｎｍ・ｍＷ／ｃｍ2・秒から１８００×ｔ／ｎｍ・ｍＷ／ｃｍ2・秒の範囲にある事が好ましい。例えば、第二発光層の厚みが２０ｎｍの場合、照射される紫外線の積算光量は、先の積算光量を比例させ、６００×２０ｍＷ／ｃｍ2・秒（＝１２０００ｍＷ／ｃｍ2・秒）から１８００×２０ｍＷ／ｃｍ2・秒（＝３６０００ｍＷ／ｃｍ2・秒）の範囲にある事が好ましい。
【００５７】
次に、図１２に示す様に、第一サブピクセル（赤色サブピクセル４２Ｒや緑色サブピクセル４２Ｇ）の失活青色発光層６３ＢＤの上と、第二サブピクセル（青色サブピクセル４２Ｂ）の青色発光層６３Ｂの上と、各サブピクセル４２を隔てる隔壁５９の上とに、跨って、電子輸送層６５と陰極２５とを形成する。要するに、全てのサブピクセル４２に電子輸送層６５を例えば２０ｎｍの膜厚で蒸着法により形成し、更に、電子輸送層６５上に陰極２５を蒸着法により形成する。電子輸送層６５としては、例えば、上述の化学式７に示すＡｌｑ３を用いる事ができる。陰極２５は、例えば、１ｎｍ厚のフッ化リチウム膜と１５０ｎｍ厚のアルミニウム膜とを、この順に積層して形成される。
【００５８】
その後、例えば、缶封止方式を用いて陰極２５上を封止することにより、有機ＥＬパネル１１が完成する。
【００５９】
「発光スペクトルと色座標」
図１３は、青色サブピクセルからの発光スペクトルである。図１４は、赤色サブピクセルからの発光スペクトルである。図１５は、緑色サブピクセルからの発光スペクトルである。又、図１６は有機ＥＬパネルの色座標である。以下、図１３から図１６を参照して、有機ＥＬパネル１１の発光スペクトルと色座標とを説明する。
【００６０】
図１３から図１６には、紫外線８２（波長２６５ｎｍ）を１３２００ｍＷ／ｃｍ2・秒の積算光量で第一サブピクセルの上の第二発光層に選択的に照射した上述の一例を本実施形態として描いてある。又、紫外線８２を全く照射しない一例を比較例１（従来技術に相当）として描き、更に、紫外線８２（波長２６５ｎｍ）を５８５０ｍＷ／ｃｍ2・秒の積算光量で第一サブピクセルの上の第二発光層に選択的に照射した一例を比較例２として描いてある。比較例１も比較例２も、紫外線８２の照射条件以外は本実施形態と同じで、例えば、第二発光層の厚みは共に１０ｎｍである。比較例２では、紫外線８２を１９５ｍＷ／ｃｍ2の光量で、３０秒間、第一サブピクセルの上の第二発光層に選択的に照射してある。
【００６１】
図１３に示す様に、第二サブピクセルである青色サブピクセル４２Ｂからの発光に関しては、本実施形態では、遮光マスクにより紫外線８２が第二サブピクセルに照射されない様にしているので、本実施形態も比較例１も比較例２も同じ発光スペクトルを示す。具体的には青色発光は波長４６２ｎｍにピークを有し、本実施形態の青色発光は比較例１の青色発光と全く同じである。即ち、青色サブピクセル４２Ｂからは、実用レベルの青色発光がなされている。
【００６２】
図１４に示す様に、第一サブピクセルである赤色サブピクセル４２Ｒからの発光に関しては、本実施形態では、赤色発光の純度が高まっている。赤色発光は波長６１６ｎｍにピークを有し、波長６１６ｎｍ付近の発光強度は本実施形態も比較例１も比較例２も変わりがない。即ち、紫外線８２の第一サブピクセルへの照射により、波長６１６ｎｍ付近の発光が劣化する事はなく、第一発光層（赤色発光層６３Ｒ）の品質は保たれている。その一方で、青色発光（波長４６２ｎｍ付近）の赤色発光（波長６１６ｎｍ付近）に対する強度比は、比較例１では２６．２％と高く、比較例２で９．３％となり、本実施形態では２．３％と著しく低減されている。比較例１では第一サブピクセルの第二発光層が活きている為に青色発光（波長４６２ｎｍ付近）が強く、赤色サブピクセル４２Ｒからの発光に青色発光が混在している。比較例２では第一サブピクセルの第二発光層が弱められている為に青色発光（波長４６２ｎｍ付近）が弱くなり、赤色サブピクセル４２Ｒからの発光に混在する青色発光は可成り少なくなっている。比較例２の様に、青色発光（波長４６２ｎｍ付近）の赤色発光（波長６１６ｎｍ付近）に対する強度比が１０％未満になると、美観に優れた色純度となる。これらに対し、本実施形態では、第一サブピクセルの第二発光層が失活されている為に（失活青色発光層６３ＢＤとなっている為に）、青色発光（波長４６２ｎｍ付近）が極めて弱くなり、赤色サブピクセル４２Ｒからの発光に混在する青色発光は殆ど視認できない水準に落ちている。即ち、本実施形態では、赤色サブピクセル４２Ｒからの発光は極めて色純度が高くなっている。この様に、本実施形態の赤色サブピクセル４２Ｒからは、色純度が高く、実用レベルの赤色発光がなされている。
【００６３】
図１５に示す様に、第一サブピクセルである緑色サブピクセル４２Ｇからの発光に関しては、本実施形態では、緑色発光の純度が高まっている。緑色発光は波長５１９ｎｍにピークを有し、波長５１９ｎｍ付近の発光強度は本実施形態も比較例１も比較例２も変わりがない。即ち、紫外線８２の第一サブピクセルへの照射により、波長５１９ｎｍ付近の発光が劣化する事はなく、第一発光層（緑色発光層６３Ｇ）の品質は保たれている。その一方で、青色発光（波長４６２ｎｍ付近）の緑色発光（波長５１９ｎｍ付近）に対する強度比は、比較例１では２１．１％と高く、比較例２で１０．５％となり、本実施形態では０．７％と著しく低減されている。比較例１では第一サブピクセルの第二発光層が活きている為に青色発光（波長４６２ｎｍ付近）が強く、緑色サブピクセル４２Ｇからの発光に青色発光が混在している。比較例２では第一サブピクセルの第二発光層が弱められているものの未だに青色発光（波長４６２ｎｍ付近）が無視し得ず、緑色サブピクセル４２Ｇからの発光に青色発光が混在している。比較例２の様に、青色発光（波長４６２ｎｍ付近）の緑色発光（波長５１９ｎｍ付近）に対する強度比が１０％以上であると、色純度が問題とされる。これらに対し、本実施形態では、第一サブピクセルの第二発光層が失活されている為に（失活青色発光層６３ＢＤとなっている為に）、青色発光（波長４６２ｎｍ付近）が極めて弱くなり、緑色サブピクセル４２Ｇからの発光に混在する青色発光は殆ど視認できない水準に落ちている。即ち、本実施形態では、緑色サブピクセル４２Ｇからの発光は極めて色純度が高くなっている。この様に、本実施形態の緑色サブピクセル４２Ｇからは、色純度が高く、実用レベルの緑色発光がなされている。
【００６４】
図１６は有機ＥＬパネルの色座標である。図１６には、参考の為に、ＮＴＳＣの基準色三角形を破線で描くと共に、二点鎖線にて赤領域Ｒと緑領域Ｇと青領域Ｂとを描き、二点鎖線楕円にて白領域Ｗを描いてある。本実施形態で製造された有機ＥＬパネル１１の色再現範囲（実線の色三角形）は、第一サブピクセルからの発光の色純度が向上した事に伴い、比較例１（点線の色三角形）や比較例２（一点鎖線の色三角形）に比べて、色再現範囲が拡大している。比較例１では緑色と赤色とが緑領域Ｇと赤領域Ｒとに共に入っていない。比較例２では、緑色が緑領域Ｇに入らず、赤色が丁度赤領域Ｇの境界に位置する。これは、緑色発光（波長５１９ｎｍ付近）に対して混在する青色発光（波長４６２ｎｍ付近）の強度比が１０％以下となると、緑色と視認され（色座標が緑領域Ｇに入り）、赤色発光（波長６１６ｎｍ付近）に対して混在する青色発光（波長４６２ｎｍ付近）の強度比が１０％以下となると、赤色と視認さる（色座標が赤領域Ｒに入る）為である。これに対して、本実施形態の色再現範囲は赤色も緑色も青色も総て赤領域Ｒや緑領域Ｇ、青領域Ｂにそれぞれ入っている。この事実を反映して、取り分け、緑色と赤色との混色で表現される黄色Ｙの彩度が本実施形態では向上している。例えば、比較例１では、緑色や赤色に青色が混在している為に、これらの色を合わせると（図１６中でＹ１と表記）、黄色にはならず白色に近い発光となっていた。即ち、従来の有機ＥＬパネルでは、黄色の表現が困難であった。これに対し、本実施形態の有機ＥＬパネル１１では、緑色サブピクセル４２Ｇや赤色サブピクセル４２Ｒからの発光の色純度が高い為に、黄色Ｙなどで美しい色合いを再現できている。実際に、本実施形態の有機ＥＬパネル１１では、赤色から緑色に掛かる色三角形の一辺は、ＮＴＳＣの基準色三角形の一辺と殆ど一致しており、美しい表示を可能としている。
【００６５】
「電子機器」
次に、前述した有機ＥＬパネル１１を適用した電子機器について、図１７を参照して説明する。図１７は、本発明に係る有機ＥＬパネルを備える電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図である。以下、テレビの構成を、図１７を参照しながら説明する。
【００６６】
図１７に示す様に、テレビ１０１は、表示部１０２と、枠部１０３と、脚部１０４と、リモコン１０５とを有する。表示部１０２には、上述の製造方法を用いて製造された有機ＥＬパネル１１が実装されている。枠部１０３は、表示部１０２をガイドするために用いられる。脚部１０４は、表示部１０２及び枠部１０３を一定の高さで固定するために用いられる。リモコン１０５は、例えば、テレビ１０１の電源をＯＮ／ＯＦＦしたり、チャンネルを変えたりするために用いられる。
【００６７】
尚、電子機器は、上記した有機ＥＬパネル１１を備えておればテレビ１０１に限定されず、他にも例えば、ディスプレイ、携帯電話機、コンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーション装置、オーディオ機器等にも適応する事ができる。
【００６８】
以上述べた様に、本実施形態に係わる有機ＥＬパネル１１の製造方法に依れば、以下の効果を得る事ができる。
塗布法を適応して第一発光層を第一サブピクセルに塗り分ける一方で、蒸着法を利用して全面に第二発光層を成膜する事で、第二発光層を第二サブピクセルに形成する。即ち、容易にサブピクセル４２を作り分ける事ができる。更に、第一サブピクセルへ選択的に紫外線を照射し、第二サブピクセルには紫外線を照射しないので、第二サブピクセルの第二発光層を保護した状態で、第一サブピクセルの第二発光層の機能を低下させたり、或いは失活させたりする事ができる。即ち、第一サブピクセルから発せられる光の色純度も、第二サブピクセルから発せられる光の色純度も、高く保ち、色再現範囲を広げる事ができる。こうして、寿命などの点において問題がなく、表示品位も高めた実用レベルの有機ＥＬパネル１１を容易に製造する事ができる。
【００６９】
尚、本実施形態の有機ＥＬパネル１１は、一例としてボトムエミッション構造で説明されたが、トップエミッション構造にも適用可能である。又、本実施形態では、赤色サブピクセル４２Ｒと緑色サブピクセル４２Ｇとが第一サブピクセルであり、青色サブピクセル４２Ｂが第二サブピクセルであったが、第一サブピクセルと第二サブピクセルとの組み合わせはこれに限られない。例えば、一つの画素７１を４個のサブピクセルで構成し、赤色サブピクセルと緑色サブピクセルと黄色サブピクセルを第一サブピクセルとし、青色サブピクセルを第二サブピクセルとしても良い。或いは、例えば、赤色サブピクセルと緑色サブピクセルと青色サブピクセルを第一サブピクセルとし、白色サブピクセルを第二サブピクセルとしても良い。
【００７０】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００７１】
１１…有機ＥＬパネル、２４…陽極、２５…陰極、２６…発光機能層、２７…発光素子、２７Ｂ…青色発光素子、２７Ｇ…緑色発光素子、２７Ｒ…赤色発光素子、３１…素子基板、４２…サブピクセル、４２Ｂ…青色サブピクセル、４２Ｇ…緑色サブピクセル、４２Ｒ…赤色サブピクセル、５９…隔壁、６１…正孔注入層、６２…正孔輸送層、６３…発光層、６３Ｂ…青色発光層、６３ＢＤ…失活青色発光層、６３Ｇ…緑色発光層、６３Ｒ…赤色発光層、６４…正孔ブロッキング層、６５…電子輸送層、７１…画素、８１…遮光マスク、８２…紫外線、１０１…テレビ。
【図１】
2013171771.tif 000010
【図２】
2013171771.tif 000011
【図３】
2013171771.tif 000012
【図４】
2013171771.tif 000013
【図５】
2013171771.tif 000014
【図６】
2013171771.tif 000015
【図７】
2013171771.tif 000016
【図８】
2013171771.tif 000017
【図９】
2013171771.tif 000018
【図１０】
2013171771.tif 000019
【図１１】
2013171771.tif 000020
【図１２】
2013171771.tif 000021
【図１３】
2013171771.tif 000022
【図１４】
2013171771.tif 000023
【図１５】
2013171771.tif 000024
【図１６】
2013171771.tif 000025
【図１７】
2013171771.tif 000026