(57)【要約】【課題】複数の半導体レーザーを備える半導体レーザー駆動装置において、半導体レーザーの出力調整の精度を向上する。【解決手段】レーザー出力させる半導体レーザーに対してはレーザー出力させるための第１の電流を供給し、レーザー出力を停止させる半導体レーザーに対してはレーザー出力させないための第２の電流を供給し、所定のタイミングで、これら半導体レーザーの発光量に基づいて、半導体レーザーのそれぞれに係る前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整を行い、当該調整を行うにあたり、非調整対象の半導体レーザーに対しては前記第２の電流よりも小さい電流を供給する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体レーザー及び前記複数の半導体レーザーの発光量を検出するための検出部を接続して用いられる半導体レーザー駆動装置であって、
レーザー出力させる前記半導体レーザーに対してはレーザー出力させるための第１の電流を供給し、レーザー出力を停止させる半導体レーザーに対してはレーザー出力させないための第２の電流を供給する電流供給部と、
所定のタイミングで、前記発光量に基づいて、前記複数の半導体レーザーのそれぞれに係る前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整を行う電流調整部と、
を備え、
前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対しては前記第２の電流よりも小さい電流を供給する、半導体レーザー駆動装置。
【請求項２】
前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対して当該半導体レーザーが発光しない電流を供給する、請求項１に記載の半導体レーザー駆動装置。
【請求項３】
前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対して供給する電流を停止する、請求項１に記載の半導体レーザー駆動装置。
【請求項４】
前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、調整対象の前記半導体レーザーに対して電流を供給する期間を、調整対象の前記半導体レーザーの調整制御を行う期間に比べて、前後に長くする、請求項１に記載の半導体レーザー駆動装置。
【請求項５】
前記電流調整部は、レーザー出力を指示する発光指示信号と、前記調整のタイミングを指示する調整指示信号を非同時に入力されており、前記非調整対象の半導体レーザーに対して供給する電流を前記第２の電流よりも小さい電流とする制御を前記調整指示信号に同期して行う、請求項１に記載の半導体レーザー駆動装置。
【請求項６】
前記複数の半導体レーザーは、同一の基板上に形成された複数の面発光レーザーである、請求項１に記載の半導体レーザー駆動装置。
【請求項７】
複数の半導体レーザーの発光量を検出するための検出工程と、
レーザー出力させる前記半導体レーザーに対してはレーザー出力させるための第１の電流を供給し、レーザー出力を停止させる半導体レーザーに対してはレーザー出力させないための第２の電流を供給する電流供給工程と、
所定のタイミングで、前記発光量に基づいて、前記複数の半導体レーザーのそれぞれに係る前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整を行う電流調整工程と、
を含み、
前記電流調整工程においては、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対しては前記第２の電流よりも小さい電流を供給する、半導体レーザーの駆動方法。
【請求項８】
複数の半導体レーザーと、
前記複数の半導体レーザーの発光量を検出するための検出部と、
レーザー出力させる前記半導体レーザーに対してはレーザー出力させるための第１の電流を供給し、レーザー出力を停止させる半導体レーザーに対してはレーザー出力させないための第２の電流を供給する電流供給部と、
所定のタイミングで、前記発光量に基づいて、前記複数の半導体レーザーのそれぞれに係る前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整を行う電流調整部と、
を備え、
前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対しては前記第２の電流よりも小さい電流を供給する、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、半導体レーザーの出力を調整する機能を備えた半導体レーザー駆動装置、半導体レーザーの駆動方法、及び半導体レーザーの出力を調整する機能を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザープリンタ等のレーザー装置に用いられる半導体レーザーは、半導体レーザーに流れる電流が一定の閾値電流を超えるとレーザー出力し、半導体レーザーに流れる電流が一定の閾値電流を下回るとレーザー出力を停止するという電流−光出力特性を示す。
【０００３】
また、半導体レーザーの発光量は、ある一定の電流範囲において半導体レーザーの駆動電流と相関しており、この電流範囲においては、半導体レーザーに供給する駆動電流にほぼ比例して発光量が増大する電流−光出力特性を示す。このため、半導体レーザーのレーザー出力を利用するデバイスでは、この電流−光出力特性に基づいて決定した駆動電流で半導体レーザーを駆動することにより、所望の発光量で半導体レーザーを発光させる制御を行っている。
【０００４】
しかしながら、半導体レーザーは、所望の発光量を得るための駆動電流値が温度や劣化などに応じて変動するという特性がある。例えば、ある一定の発光量を得る場合であっても、半導体レーザーの温度上昇や劣化によって必要な駆動電流値が上昇し、半導体レーザーの温度低下によって必要な駆動電流値が低下するという問題があった。
【０００５】
図９は、半導体レーザーの電流−光出力特性を示す図である。同図には、半導体レーザーの周辺温度がＴ１の場合の電流−光出力特性（図９の実線）と半導体レーザーの周辺温度がＴ２の場合の電流−光出力特性（図９の破線）とを示してある。
【０００６】
同図に示すように、半導体レーザー駆動装置が周辺温度Ｔ１のときの電流−光出力特性に基づいて半導体レーザーの駆動電流を制御している場合、周辺温度がＴ１からＴ２に上昇すると、光量Ｐｔａｒｇｅｔを出力させるべく半導体レーザーに駆動電流ＩＡＰＣ１を供給しているにも関わらず、実際には光量Ｐ２が出力されてしまう。
【０００７】
逆に、半導体レーザー駆動装置が周辺温度Ｔ２のときの電流−光出力特性に基づいて半導体レーザーの駆動電流を制御している場合、周辺温度がＴ２からＴ１に低下すると、光量Ｐｔａｒｇｅｔを出力させるべく半導体レーザーに駆動電流ＩＡＰＣ２を供給しているにも関わらず、実際には光量Ｐ１が出力されてしまう。
【０００８】
そこで、半導体レーザー駆動装置は、半導体レーザーの発光量を検出するためのフォトダイオードと、所定時間又は所定シーケンス毎にレーザービームの発光を正確に所望の発光量に調整制御するためのＡＰＣ（自動出力制御）を行うためのＡＰＣ回路を備えていることが一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
このＡＰＣ回路は、半導体レーザーから出力される光量をフォトダイオードでモニタしつつフォトダイオードの受光量に応じた電圧と基準電圧とを比較し、これら電圧が絶えず等しくなるように駆動電流を制御する。これにより、閾値電流の変動による発光量の変動が抑制され、半導体レーザーの出力するレーザービームの発光量を所望の強度に調整することが出来る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−２５８３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、マルチチャンネルレーザーを用いたレーザー装置では、複数の半導体レーザーを隣接配置して、これらの半導体レーザーを所定の順番で時分割駆動する。これにより、例えばレーザープリンタの感光ドラムや表示装置の表示面等の対象物の表面を走査する際に、高速出力、及び高解像度出力を実現することが出来る。
【００１２】
このようなマルチチャンネルレーザーを用いたレーザー装置においては、レーザー照射を担当する半導体レーザーに対しては閾値電流以上の駆動電流を流してレーザー出力させ、レーザー照射を担当しない半導体レーザーに対しては閾値電流以下のバイアス電流を流すことによりレーザー出力させない状態として待機させる。
【００１３】
しかしながら、バイアス電流が流れている半導体レーザーは、レーザー出力しないものの微弱にダイオード発光する。そして、上述したフォトダイオードは、この微弱なダイオード発光も受光してしまう。なお、このダイオード発光は、バイアス電流供給中の発光であることからバイアス発光とも呼ばれることもある。
【００１４】
ここで、マルチチャンネルレーザーにおいてＡＰＣ制御を行う場合、各半導体レーザーの駆動電流を順次に調整するため、調整対象の半導体レーザー以外の半導体レーザーは、バイアス電流を流した状態で待機することになる。従って、フォトダイオードの受光強度には、調整対象の出力するレーザー光以外に、待機中の半導体レーザーが発する微弱なダイオード発光も影響することになる。
【００１５】
さらには、マルチチャンネルレーザーのように複数の半導体レーザーを併用している場合、レーザー出力の閾値電流に個体差があり、バイアス電流を流して待機させている半導体レーザーが微弱なレーザー光を出力してしまう場合もある。
【００１６】
このように、マルチチャンネルレーザーを用いたレーザー装置は、ＡＰＣ制御において、待機中の半導体レーザーの発光がフォトダイオードの受光量を変動させてしまい、半導体レーザーの駆動電流やバイアス電流の調整精度の低下を招く可能性があった。このような調整精度の低下は、例えば、レーザープリンタにおいて、感光ドラムを走査したときの印字ムラの原因となる。
【００１７】
本技術は、上記課題に鑑みて考案されたもので、レーザー光の照射を２以上の半導体レーザーを用いて行う装置において、これら半導体レーザーの出力の調整精度を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本技術の態様の１つは、複数の半導体レーザー及び前記複数の半導体レーザーの発光量を検出するための検出部を接続して用いられる半導体レーザー駆動装置であって、レーザー出力させる前記半導体レーザーに対してはレーザー出力させるための第１の電流を供給し、レーザー出力を停止させる半導体レーザーに対してはレーザー出力させないための第２の電流を供給する電流供給部と、所定のタイミングで、前記発光量に基づいて、前記複数の半導体レーザーのそれぞれに係る前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整を行う電流調整部と、を備え、前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対しては前記第２の電流よりも小さい電流を供給する構成としてある。
【発明の効果】
【００１９】
本技術によれば、レーザー光の照射を２以上の半導体レーザーを用いて行う装置において、これら半導体レーザーの出力の調整精度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本技術の実施形態に係る半導体レーザー駆動装置の構成を示す図である。
【図２】本技術の実施形態に係る検出部の具体的な１例を説明するための図である。
【図３】本技術の実施形態に係る半導体レーザーの駆動電流を説明する図である。
【図４】本技術の実施形態に係る半導体レーザー駆動装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図５】本技術の実施形態に係るサンプルホールド信号と出力制御信号と調整指示信号の関係を示す図である。
【図６】本技術の実施形態に係るサンプルホールド信号と出力制御信号と出力許否信号のオン期間を対比して示した図である。
【図７】本技術の実施形態に係る出力制御信号と出力許否信号の関係を示す図である。
【図８】本技術の実施形態に係る半導体レーザー駆動装置の具体的な１例を示す図である。
【図９】半導体レーザーの電流−光出力特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、下記の順序に従って本技術を説明する。
（Ａ）本技術の態様：
（Ｂ）本実施形態の構成：
（Ｃ）半導体レーザー駆動装置を備える電子機器の例：
（Ｄ）まとめ：
【００２２】
（Ａ）本技術の概要： 
本技術の態様の１つは、複数の半導体レーザー及び前記複数の半導体レーザーの発光量を検出する検出部を接続して用いられる半導体レーザー駆動装置であって、レーザー出力させる前記半導体レーザーに対してレーザー出力させるための第１の電流を供給し、レーザー出力を停止させる半導体レーザーに対してレーザー出力させないための第２の電流を供給する電流供給部と、所定のタイミングで、前記発光量に基づいて、前記複数の半導体レーザーのそれぞれに係る前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整を行う電流調整部と、を備え、前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対しては前記第２の電流よりも小さい電流を供給する構成としてある。
【００２３】
当該構成の半導体レーザー駆動装置は、複数の半導体レーザーを接続して用いるためのものであり、接続された複数の半導体レーザーを駆動してレーザー出力のオンオフを制御することができる。具体的には、前記電流供給部は、レーザー出力させるべき前記半導体レーザーに対してはレーザー出力させるための第１の電流を供給し、レーザー出力を停止させるべき半導体レーザーに対してはレーザー出力させないための第２の電流を供給することにより、レーザー出力のオンオフを制御する。
【００２４】
この第２の電流は、半導体レーザーのレーザー出力に係る閾値電流のわずかに下の電流であって、０アンペア以外の電流である。このように、レーザー出力を行わない待機中の半導体レーザーに対して、レーザー出力に係る閾値電流のわずかに下の電流を流しておくことにより、待機状態からレーザー出力状態への移行を高速化できる。
【００２５】
また、前記構成の半導体レーザー駆動装置は、前記複数の半導体レーザーの発光量を検出するための検出部を接続して用いられる。これにより、前記電流調整部は、前記発光量が所定の発光量となるように、所定のタイミングで、前記複数の半導体レーザーのそれぞれに係る前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整を行うことができる。
【００２６】
ここで、前記電流調整部は、前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対しては前記第２の電流よりも小さい電流を供給している。なお、このとき、調整対象の前記半導体レーザーに対しては、複数種類の電流が順次に供給され、これら複数種類の電流の中で前記発光量が所定の発光量になる電流を特定し、この特定された電流値に基づいて前記第１の電流又は前記第２の電流が調整されることになる。
【００２７】
このように、非調整対象の前記半導体レーザーに対して供給する電流を、前記第２の電流よりも小さい電流とすることにより、非調整対象の前記半導体レーザーによるダイオード発光や微弱なレーザー発光を低減することができる。これにより、前記電流調整部は、調整対象の前記半導体レーザーについて、前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整精度を向上することができる。
【００２８】
また、本技術の選択的な態様の一つにおいては、前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対して発光しない電流を供給する構成としてある。
【００２９】
当該構成によれば、非調整対象の前記半導体レーザーによる微弱なレーザー発光、及びダイオード発光を完全に抑制できるようになる。これにより、前記電流調整部は、調整対象の前記半導体レーザーについて、他の半導体レーザーの発光の影響を受けることなく、前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整精度を向上することができる。
【００３０】
また、本技術の選択的な態様の一つにおいては、前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対して供給する電流を停止する構成としてある。
【００３１】
当該構成によれば、非調整対象の前記半導体レーザーに対する電流供給を完全に停止する（０アンペアにする）ため、結果として、非調整対象の前記半導体レーザーによる微弱なレーザー発光、及びダイオード発光、を完全に抑制できるようになる。これにより、前記電流調整部は、調整対象の前記半導体レーザーについて、他の半導体レーザーの発光の影響を受けることなく、前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整精度を向上することができる。
【００３２】
また、本技術の選択的な態様の１つにおいては、前記電流調整部は、前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方を調整するにあたり、調整対象の前記半導体レーザーに対して電流を供給する期間を、調整対象の前記半導体レーザーの調整を行う期間に比べて、前後に長くする構成としてある。
【００３３】
当該構成によれば、調整対象の前記半導体レーザーに係る前記第１の電流と前記第２電流の少なくとも一方を調整する期間よりも所定の第１の時間だけ前から前記半導体レーザーに通電され、所定の第２の時間だけ後まで前記半導体レーザーに通電を継続することになる。
【００３４】
すなわち、前記半導体レーザーは、前記調整が開始されるよりも所定の第１の時間だけ前から発光を開始し、前記調整が終了して所定の第２の時間だけ後まで発光を継続することになる。従って、発光開始時や発光停止時のように発光量が変動しやすい期間を避けて前記調整を行うこととなり、前記調整の精度を向上することができる。
【００３５】
また、本技術の選択的な態様の１つにおいては、前記電流調整部は、レーザー出力を指示する発光指示信号と、前記調整のタイミングを指示する調整指示信号を非同時に入力されており、前記非調整対象の半導体レーザーに対して供給する電流を前記第２の電流よりも小さい電流とする制御を前記調整指示信号に同期して行う構成としてある。
【００３６】
当該構成によれば、前記調整指示信号と前記発光指示信号が同時に入力されることはなく、従って、前記調整指示信号に同期して実行される前記調整に係る制御が、前記発光指示信号の入力中に行われることがない。すなわち、前記発光指示信号が入力されているにも関わらず、前記半導体レーザーに対する電流の供給が前記第２の電流よりも小さい電流に抑制される状況を回避することが出来る。よって、レーザー出力の制御に影響を与えることなく、前記調整の精度を向上することができる。
【００３７】
また、本技術の選択的な態様の１つにおいては、前記複数の半導体レーザーは、同一の基板上に形成された複数の面発光レーザーにて構成してある。
【００３８】
当該構成のように同一の基板上に形成された面発光レーザーによれば、隣接配置された半導体レーザーからの熱や発光の影響を受けやすいが、本技術を適用することにより、端面発光レーザーを採用した場合に比べて、前記調整の精度向上の効果がより顕著に現れることになる。
【００３９】
また、本技術の他の態様としては、複数の半導体レーザーと、前記複数の半導体レーザーの発光量を検出するための検出部と、レーザー出力させる前記半導体レーザーに対してレーザー出力させるための第１の電流を供給する第１電流供給部と、レーザー出力を停止させる半導体レーザーに対してレーザー出力させないための第２の電流を供給する第２電流供給部と、所定のタイミングで、前記発光量に基づいて、前記複数の半導体レーザーのそれぞれに係る前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整を行う電流調整部と、を備え、前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対しては前記第２の電流よりも小さい電流を供給する構成としてある。
【００４０】
当該構成においても、前記電流調整部は、調整対象の前記半導体レーザーについて、前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整精度を向上することができる。
【００４１】
なお、以上説明した半導体レーザー駆動装置や電子機器は、他の機器に組み込まれた状態で実施されたり他の方法とともに実施されたりする等の各種の態様を含む。また、本技術は前記半導体レーザー駆動装置や前記電子機器を備えるレーザーシステム、上述した装置の構成に対応した工程を有する半導体レーザーの駆動方法、上述した装置の構成に対応する機能をコンピュータに実現させるプログラム、当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、等としても実現可能である。これらレーザーシステム、半導体レーザーの駆動方法、プログラム、当該プログラムを記録した媒体の技術も、上述した作用、効果を奏する。
【００４２】
（Ｂ）本実施形態の構成： 
次に、本技術の具体的な態様について、図面を参照しつつ説明する。
本技術は、複数の半導体レーザーのそれぞれについて、半導体レーザーをレーザー出力させるための駆動電流と、半導体レーザーをレーザー出力させないためのバイアス電流とを調整するにあたり、当該調整の対象となる半導体レーザーに対しては電流を供給しつつ、当該調整の対象でない半導体レーザーに対しては、バイアス電流よりも小さい電流を供給するものである。
【００４３】
また、好適には、当該調整の対象でない半導体レーザーに対しては、当該半導体レーザーが発光しない電流を供給したり、当該半導体レーザーに対して供給する電流を停止したりする。本技術は、このような構成を採用することにより、駆動電流とバイアス電流の少なくとも一方を精度良く調整しようとするものである。
【００４４】
図１は、本技術の実施形態に係る半導体レーザー駆動装置１の構成を示す図である。同図において、半導体レーザー駆動装置１は、ＬＤアレイ１０、ＬＤアレイ１０を駆動するためのドライバ２０、ドライバ２０を制御するための制御信号生成部３０、ＬＤアレイ１０の発光量を検出するための検出部６０、及びＬＤアレイ１０に電源を供給するための電源部５０を備えている。
【００４５】
ＬＤアレイ１０は、複数の半導体レーザーとしての半導体レーザー１１〜１４を有する。なお、本実施形態においては、ＬＤアレイ１０の有する半導体レーザーの数を４つにしてあるが、これに限るものではなく、２つ以上であれば様々な数を採用可能である。また、本実施形態においては、ドライバ２０は、半導体レーザー毎に設けた制御チャンネルを介して半導体レーザーを制御しているが、むろん、１つの制御チャンネルを介して複数の半導体レーザーを制御することもできる。
【００４６】
検出部６０は、半導体レーザー１１〜１４の発光量を検出し、当該発光量を示す信号である検出信号Ｓ６をドライバ２０に入力する。図２は、検出部６０の具体的な１例を説明するための図である。同図において、検出部６０は、受光部としてのフォトダイオード６１と、電流電圧変換部６２と、比較器６３と、基準電圧生成部６４と、を備えている。
【００４７】
フォトダイオード６１は、複数の半導体レーザー１１〜１４の発光を受光し、受光量に応じた電流である受光電流Ｉｐｄを生成する。ここで、フォトダイオード６１は、その受光する光の中に、受光対象でない半導体レーザーからの発光が混入してしまうようになっている。すなわち、受光対象でない他の半導体レーザーが、レーザー発光又はダイオード発光すると、これらの発光も含めて受光してしまう。そこで、本実施形態においては、後述の電流制御を行う事により、受光対象でない他の半導体レーザーからの受光を抑制するようにしてある。
【００４８】
電流電圧変換部６２は、受光電流Ｉｐｄに応じた電圧である受光電圧Ｖｐｄを生成し、受光電圧Ｖｐｄを比較器６３に入力する。また、基準電圧生成部６４は、電源部５０等から供給された定電圧を元にして所定の基準電圧Ｖｒｅｆを生成する。この基準電圧Ｖｒｅｆは、半導体レーザー１１〜半導体レーザー１４の何れか１つの半導体レーザーが所定の発光量で発光したときに電流電圧変換部６２が出力する受光電圧Ｖｐｄに対応する電圧である。
【００４９】
比較器６３は、基準電圧Ｖｒｅｆと受光電圧Ｖｐｄとの比較結果に応じた検出信号Ｓ６を出力しており、検出信号Ｓ６は、基準電圧Ｖｒｅｆと受光電圧Ｖｐｄとが一致したときに当該一致を示す信号となり、基準電圧Ｖｒｅｆと受光電圧Ｖｐｄとが不一致のときは当該不一致を示す信号となる。
【００５０】
この検出信号Ｓ６はドライバ２０に入力されており、ドライバ２０は、上述したように半導体レーザーへ供給する電流を徐々に変動させつつ、検出信号Ｓ６が一致を示す信号となったときの電流を、新たな駆動電流Ｉｄとして設定する。
【００５１】
図３は、半導体レーザーの駆動電流を説明する図である。同図に示すように、各半導体レーザー１１〜１４には、ドライバ２０の制御により、レーザー発振の閾値電流であるＩｔｈ以上に設定された第１の電流としての駆動電流Ｉｄと、レーザー発振の閾値電流であるＩｔｈ未満に設定されている第２の電流としてのバイアス電流Ｉｂの何れかが供給される。なお、本実施形態においては、これら駆動電流Ｉｄとバイアス電流Ｉｂの供給を制御するドライバ２０が電流供給部を構成することになる。
【００５２】
駆動電流Ｉｄを供給されると半導体レーザー１１〜１４はレーザー出力し、バイアス電流Ｉｂを供給されると半導体レーザー１１〜１４はレーザー出力しない。すなわち、ドライバ２０は、半導体レーザー１１〜１４に供給する電流を適切に調整することにより、半導体レーザー１１〜１４におけるレーザー出力のオンオフを選択的に制御することができる。
【００５３】
また、図３に示すように、駆動電流Ｉｄは、閾値電流Ｉｔｈよりも大きめの電流値としてあり、バイアス電流Ｉｂは、閾値電流Ｉｔｈよりもわずかに下の電流値としてある。すなわち、駆動電流Ｉｄと閾値電流Ｉｔｈの差分が、閾値電流Ｉｔｈとバイアス電流Ｉｂの差分に比べてかなり大きくなるように設定してある（Ｉｄ−Ｉｔｈ≫Ｉｔｈ−Ｉｂ）。
【００５４】
これにより、半導体レーザー１１〜１４のうち、駆動電流Ｉｄが供給されている半導体レーザーは安定したレーザー出力を行い、バイアス電流Ｉｂが供給されている半導体レーザーはレーザー出力を停止する。また、バイアス電流Ｉｂが供給されている半導体レーザーは、その後、供給される電流がバイアス電流Ｉｂから駆動電流Ｉｄに切り替わったときに、短時間で安定したレーザー出力状態に移行することができる。
【００５５】
また、各半導体レーザー１１〜１４は、駆動電流Ｉｄが供給されたときに、一定の発光量でレーザー出力するように調整されている。このため、駆動電流Ｉｄは、半導体レーザー１１〜１４毎に個別に設定されており、各半導体レーザーに駆動電流Ｉｄを供給すると、各半導体レーザーはほぼ等しい発光量でレーザー出力するようになっている。
【００５６】
すなわち、半導体レーザーの個体差に応じて各半導体レーザーの電流−光出力特性が異なる場合であっても、ドライバ２０は、各半導体レーザーに供給する駆動電流Ｉｄを、半導体レーザー毎に適切な値に制御することができる。
【００５７】
また、各半導体レーザーのバイアス電流Ｉｂは、駆動電流Ｉｄに応じて半導体レーザー１１〜１４毎に個別に設定されており、各半導体レーザーにバイアス電流Ｉｂを供給すると、各半導体レーザーは、いずれもレーザー出力を停止する。これにより、半導体レーザーの個体差に応じて各半導体レーザーの電流−光出力特性が異なる場合であっても、ドライバ２０は、各半導体レーザーに供給するバイアス電流Ｉｂを、半導体レーザー毎に適切な値に制御することができる。
【００５８】
また、駆動電流Ｉｄは、所定のタイミングで、半導体レーザー１１〜１４毎の電流−光出力特性の変動に応じた値に調整されるようになっている。これにより、周辺温度や劣化度合い等によって閾値電流Ｉｔｈが各半導体レーザーの個体差に応じて変動する場合でも、ドライバ２０は、各半導体レーザー１１〜１４に供給する駆動電流Ｉｄやバイアス電流Ｉｂを半導体レーザー毎に適切な値に調整することができる。なお、本実施形態においては、このような調整を行うドライバ２０及び、このような調整の元となる、後述の信号Ｓ３〜Ｓ４を生成する制御信号生成部３０が電流調整部を構成することになる。
【００５９】
図４は、半導体レーザー駆動装置の動作を示すタイミングチャートである。同図に示すように、ドライバ２０の動作は、レーザー光により対象物上の走査を行うための「発光制御期間」と、レーザー光の発光量を調整するための「出力調整期間」と、に大別される。発光制御期間と出力調整期間は互いに重複しないように非同時に設けられており、出力調整期間は、発光制御期間の合間に一定の周期で繰り返し設けられている。
【００６０】
発光制御期間においては、ドライバ２０に対してレーザーの出力タイミングを指示するための発光指示信号Ｓ１が入力され、出力調整期間においては、ドライバ２０に対して電流の出力タイミングを指示するための出力制御信号Ｓ３、レーザー出力の発光量の調整タイミングを指示するための調整指示信号Ｓ４、及び電流の出力そのものの許否を指示するための出力許否信号Ｓ５が入力される。
【００６１】
ドライバ２０は、発光指示信号Ｓ１、出力制御信号Ｓ３、調整指示信号Ｓ４、及び出力許否信号Ｓ５に基づいて、半導体レーザーの出力のオンオフ制御やレーザー光の発光量の調整制御を行っている。なお、本実施形態においては、発光指示信号Ｓ１は、半導体レーザー駆動装置１の外部から入力されており、出力制御信号Ｓ３、調整指示信号Ｓ４、及び出力許否信号Ｓ５は、制御信号生成部３０から入力されている。
【００６２】
発光指示信号Ｓ１は、レーザー光の出力を制御するための信号であり、ドライバ２０は、この発光指示信号Ｓ１が入力されている期間は、発光指示信号Ｓ１に従って半導体レーザー１１〜１４に係るレーザー出力のオンオフ制御を行い、発光指示信号Ｓ１が入力されていない期間は、半導体レーザー１１〜１４に係るレーザー出力のオンオフ制御を行わない。
【００６３】
従って、発光指示信号Ｓ１が入力されている発光制御期間においては、図４に示すように、各半導体レーザーに対して供給される出力電流が、発光指示信号Ｓ１による制御に従って適宜のタイミングで駆動電流Ｉｄとバイアス電流Ｉｂの間で変動する。
【００６４】
ドライバ２０に対する発光指示信号Ｓ１の入力チャンネルは、半導体レーザー１１〜１４毎に設けられており、ドライバ２０は、対応する入力チャンネルを介して入力された発光指示信号Ｓ１に基づいて、各半導体レーザー１１〜１４のレーザー出力を制御する。
【００６５】
例えば、半導体レーザー１１に係る発光指示信号Ｓ１を入力されると、ドライバ２０は、半導体レーザー１１に対して駆動電流Ｉｄを供給して半導体レーザー１１をレーザー出力状態とし、半導体レーザー１１に係る発光指示信号Ｓ１を入力されないと、ドライバ２０は、半導体レーザー１１に対してバイアス電流Ｉｂを供給して半導体レーザー１１を非レーザー出力状態とする。その他の半導体レーザー１２〜１４についても同様である。
【００６６】
出力制御信号Ｓ３は、半導体レーザーの出力調整のための電流供給を制御するための信号であり、ドライバ２０は、この出力制御信号Ｓ３によって電流供給を指示されている半導体レーザーに対してはレーザー出力させるための駆動電流Ｉｄを供給し、指示されていない半導体レーザーに対してはレーザー出力させるための待機電流Ｉｂを供給する。
【００６７】
従って、各半導体レーザーの出力電流は、図４に示すように、出力制御信号Ｓ３が入力されている期間において、レーザー発光させるための電流（図４では、駆動電流Ｉｄ付近の電流）となっており、出力制御信号Ｓ３が入力されていない期間においては、レーザー発光させないための電流となっている。ただし、図４に示す出力電流は、後述する出力許否信号Ｓ５によって、部分的に、バイアス電流Ｉｂより小さい電流が供給される期間が設定されている。
【００６８】
なお、出力調整は、所定の発光量で発光する電流を特定することにより行うため、半導体レーザーに対して供給する電流を変化させる。このため、図４では、出力調整期間において半導体レーザーをレーザー発光させるために供給する電流が一定値（駆動電流Ｉｄ）であるように記載しているが、実際には、所定強度の発光に対応する電流値を特定するために出力調整中は上下に変動している。
【００６９】
また、各半導体レーザー１１〜１４に入力される出力制御信号Ｓ３は、互いに期間重複しないように入力される。例えば、図４においては、半導体レーザー１１に出力制御信号Ｓ３が入力されている期間ＡＰＣ１と、半導体レーザー１２に出力制御信号Ｓ３が入力されている期間ＡＰＣ２と、半導体レーザー１３に出力制御信号Ｓ３が入力されている期間ＡＰＣ３と、半導体レーザー１４に出力制御信号Ｓ３が入力されている期間ＡＰＣ４は、互いに重複しないように設けてある。このように、各半導体レーザーの調整を個別に行うことにより、調整対象でない他の半導体レーザーが調整精度を低下させることを防止している。
【００７０】
ドライバ２０に対する出力制御信号Ｓ３の入力チャンネルは、半導体レーザー１１〜１４毎に設けられている。ドライバ２０は、対応する入力チャンネルを介して入力された出力制御信号Ｓ３に基づいて、各半導体レーザー１１〜１４に対する電流の出力を制御する。
【００７１】
例えば、半導体レーザー１１に係る出力制御信号Ｓ３を入力されると、ドライバ２０は、半導体レーザー１１に対して駆動電流Ｉｄを供給し、半導体レーザー１１に係る出力制御信号Ｓ３として出力制御の不許可を指示する信号を入力されると、半導体レーザー１１に対する駆動電流Ｉｄの供給を停止する。むろん、その他の半導体レーザー１２〜１４についても同様である。
【００７２】
調整指示信号Ｓ４は、半導体レーザーの出力調整を指示するための信号であり、ドライバ２０は、この調整指示信号Ｓ４によって出力調整を指示されている半導体レーザーについて、当該半導体レーザーが所定の発光量で発光する電流値を特定するための調整制御を行う。この調整制御は、半導体レーザーに供給する電流値を変動させつつ、検出部６０の検出する発光量が所定の基準値と一致する電流値を探索することにより行う。
【００７３】
ドライバ２０に対する調整指示信号Ｓ４の入力チャンネルは、半導体レーザー１１〜１４毎に設けられている。ドライバ２０は、対応する入力チャンネルを介して入力された調整指示信号Ｓ４に基づいて、各半導体レーザー１１〜１４に対する電流の調整を行う。
【００７４】
例えば、半導体レーザー１１に係る調整指示信号Ｓ４において調整が指示されると、ドライバ２０は、半導体レーザー１１の発光量が所定の発光量になるまで半導体レーザー１１への出力電流を徐々に変動させ、半導体レーザー１１の発光量が所定の発光量に一致すると、このときの出力電流を新たな駆動電流Ｉｄとして更新する。むろん、その他の半導体レーザー１２〜１４についても同様である。なお、発光量が所定の発光量であるか否かは、後述する検出部６０が出力する検出信号Ｓ６に基づいて判断することが出来る。
【００７５】
出力許否信号Ｓ５は、半導体レーザーに対する電流供給に係る許否を指示するための信号であり、ドライバ２０は、この出力許否信号Ｓ５によって電流供給の不許可を指示されている半導体レーザーについて、他の信号による指示に関わらず、電流供給を一定レベル以下に抑制する。出力許否信号Ｓ５により電流供給を抑制されるレベルは、適宜に選択できる。
【００７６】
例えば、出力許否信号Ｓ５によって、電流の出力自体を許否するようにできる。この場合、出力許否信号Ｓ５が半導体レーザーに対する電流供給の許可を指示しているときは、他の信号に従って半導体レーザーに対して電流を供給するが、出力許否信号Ｓ５が半導体レーザーに対する電流供給の不許可を指示しているときは、半導体レーザーに対する電流供給を完全に停止する。すなわち、半導体レーザーに供給する電流を０アンペアに制御する。このとき、半導体レーザーは、ダイオード発光を含めた一切の発光を停止することになる。
【００７７】
また、例えば、出力許否信号Ｓ５は、バイアス電流Ｉｂ以上の電流の出力を許否するようにしてもよい。この場合、出力許否信号Ｓ５が半導体レーザーに対する電流供給の許可を指示しているときは、他の信号に従って半導体レーザーに対して電流を供給するが、出力許否信号Ｓ５が半導体レーザーに対する電流供給の不許可を指示しているときは、半導体レーザーに対する電流供給をバイアス電流Ｉｂよりも小さい電流に制御する。このとき、半導体レーザーは、ダイオード発光する可能性もあるが、少なくとも、バイアス電流Ｉｂによる半導体レーザーの発光量に比べて発光量を小さくすることができる。
【００７８】
出力許否信号Ｓ５は、調整制御期間においてのみ不許可が設定されるようになっており、調整制御期間において、ある半導体レーザーの調整期間に対応させて、当該半導体レーザー以外の非調整対象のレーザーに対して出力の不許可期間が設定される。これにより、出力調整中の半導体レーザー以外の半導体レーザーの発光が抑制され、出力調整中の半導体レーザーの調整精度が向上する。
【００７９】
なお、発光制御期間において、出力許否信号Ｓ５に不許可が設定されることは無いため、発光指示信号Ｓ１に従って行われる発光制御が出力許可信号Ｓ５によって抑制されることは無い。
【００８０】
ドライバ２０に対する出力許否信号Ｓ５の入力チャンネルは、半導体レーザー１１〜１４毎に設けられている。ドライバ２０は、対応する入力チャンネルを介して入力された出力許否信号Ｓ５に基づいて、出力調整期間における各半導体レーザー１１〜１４に対する電流の出力の許否を制御する。
【００８１】
例えば、半導体レーザー１１に係る出力許否信号Ｓ５が許可を指示している場合は、ドライバ２０は、半導体レーザー１１に対する電流の出力を行わせ、半導体レーザー１１に係る出力許否信号Ｓ５が不許可を指示している場合は、ドライバ２０は、半導体レーザー１１に対する電流の供給を抑制することになる。むろん、その他の半導体レーザー１２〜１４についても同様である。
【００８２】
以上説明した信号Ｓ３〜Ｓ５は、本実施形態においては、制御信号生成部３０が生成してドライバ２０へ入力する。なお、制御信号生成部３０は、論理回路で構成したり、所定の演算プログラムを実行するマイクロコンピュータで構成したりする等、公知の各種の手法で実現することが出来る。
【００８３】
各信号Ｓ３〜Ｓ５は、制御信号生成部３０が内部で生成する所定のタイミング情報に従って生成してもよいが、本実施形態に係る制御信号生成部３０は、外部から入力されるサンプルホールド信号Ｓ２が有するタイミング情報を利用して生成している。当該サンプルホールド信号Ｓ２は、外部から、制御信号生成部３０に対し、調整タイミングを指示するための信号である。制御信号生成部３０は、図１に示すように、ドライバ２０は、サンプルホールド信号Ｓ２の入力チャンネルを４つ備えており、各入力チャンネルには、各半導体レーザー１１〜１４用のタイミング情報を有するサンプルホールド信号Ｓ２がそれぞれ入力されている。
【００８４】
ここで、調整指示信号Ｓ４は、出力制御信号Ｓ３に同期してオン期間が設定されているが、図５に示すように、各信号のオン期間について、開始タイミングと終了タイミングが微妙に異なるように調整する事が好ましい。具体的には、調整指示信号Ｓ４は、出力制御信号Ｓ３に比べてオン期間の開始タイミングを所定時間だけ遅く設定し、オン期間の終了タイミングを出力制御信号Ｓ３に比べて所定時間だけ早く設定することが好ましい。すなわち、調整対象の半導体レーザーに対して電流を供給する出力制御信号Ｓ３のオン期間は、調整対象の半導体レーザーに対して電流を供給する調整指示信号Ｓ４のオン期間に比べて、前後に長くすることが好ましい。
【００８５】
図５は、出力調整期間におけるサンプルホールド信号Ｓ２，出力制御信号Ｓ３，出力許否信号Ｓ４を対比して示した図である。同図に示すように、サンプルホールド信号Ｓ２は、１つの出力調整期間の中で、各チャンネル（各半導体レーザー１１〜１４）に対して１回ずつオン期間が設定されており、各チャンネルで互いに重複しない異なるタイミングでオンするように調整されている。
【００８６】
そして、出力調整信号Ｓ３や調整指示信号Ｓ４も、サンプルホールド信号Ｓ２のオン期間とほぼ同期しており、各チャンネル（各半導体レーザー１１〜１４）において１回ずつオン期間が設定されており、各チャンネルのオン期間は、互いに重複しない異なるタイミングでオンするように調整されている。ただし、出力調整信号Ｓ３や調整指示信号Ｓ４のオン期間は、サンプルホールド信号Ｓ２に含まれるタイミング情報を利用して、互いに異なる長さに調整されている。
【００８７】
図６は、サンプルホールド信号Ｓ２，出力制御信号Ｓ３，出力許否信号Ｓ４のオン期間を対比して示した図である。
出力制御信号Ｓ３は対応する半導体レーザーに係るサンプルホールド信号Ｓ２を利用して生成されており、同図に示すように、サンプルホールド信号Ｓ２の立ち上がりエッジ（ＯＦＦからＯＮに変化するタイミング）に同期して立ち上がり（ＯＦＦからＯＮに変化する）、サンプルホールド信号Ｓ２の立ち下がりエッジ（ＯＮからＯＦＦに変化するタイミング）から所定時間Δｔ２だけ遅らせたタイミングで立ち下がる（ＯＮからＯＦＦに変化する）ように生成されている。
【００８８】
また、調整指示信号Ｓ４も対応する半導体レーザーに係るサンプルホールド信号Ｓ２を元に生成されており、図６に示すように、サンプルホールド信号Ｓ２の立ち上がりエッジ（ＯＦＦからＯＮに変化するタイミング）から所定時間Δｔ１だけ遅らせたタイミングで立ち上がり（ＯＦＦからＯＮに変化する）、サンプルホールド信号Ｓ２の立ち下がりエッジ（ＯＮからＯＦＦに変化するタイミング）に同期して立ち上がる（ＯＦＦからＯＮに変化する）ように生成されている。
【００８９】
このようにして生成された調整指示信号Ｓ４のオン期間（調整期間）は、出力制御信号Ｓ３のオン期間（電流出力期間）よりも所定時間Δｔ１だけ遅く開始され、所定時間Δｔ２だけ早く終了することになる。すなわち、出力制御信号Ｓ３は、調整指示信号Ｓ４のオン期間に比べて前に所定時間Δｔ１の分だけ長く、後ろに所定時間Δｔ２の分だけ長くなる。
【００９０】
このため、各半導体レーザーは、調整が開始されるよりも所定時間Δｔ１だけ前から通電され、所定時間Δｔ２だけ後まで通電が継続されることになる。すなわち、各半導体レーザーは、調整が開始されるよりも所定時間Δｔ１だけ前から発光を開始し、調整が終了して所定時間Δｔ２だけ後まで発光を継続することになる。これにより、出力が安定しにくいレーザー発光の開始時や停止時といった期間が調整期間から除外され、調整の精度を向上することができる。
【００９１】
図７は、出力制御信号Ｓ３と出力許否信号Ｓ５を対比して示した図である。同図に示すように、出力許否信号Ｓ５は、対応する半導体レーザーに係る出力制御信号Ｓ３を利用して生成されており、対応する半導体レーザーに係る出力がＯＮの期間に同期してＯＮとなり、対応しない他の半導体レーザーに係る出力がＯＮの期間に同期してＯＦＦになるように生成されている。
【００９２】
例えば、半導体レーザー１１の出力許否信号Ｓ５は、半導体レーザー１１の出力制御信号Ｓ３がＯＮの期間においてＯＮとなり、半導体レーザー１２〜１４の出力制御信号Ｓ３がＯＦＦの期間においてＯＦＦとなる。別の見方をすれば、図４に示す期間ＡＰＣ１においては、半導体レーザー１１の出力制御信号Ｓ３がＯＮであるため、半導体レーザー１１の出力許否信号Ｓ５はＯＮとなり、他の半導体レーザー１２〜１４の出力許否信号Ｓ５はＯＦＦとなる。他の半導体レーザー１２〜１４についても同様である。
【００９３】
なお、出力許否信号Ｓ５は、出力制御信号Ｓ３に同期してＯＮ／ＯＦＦが調整される期間を除き、ＯＮに設定されている。すなわち、対応する半導体レーザーに係る出力がＯＮの期間は当該半導体レーザーに係る出力に同期しなくてもＯＮであり、実際には、対応しない他の半導体レーザーに係る出力がＯＮの期間に同期してＯＦＦにすれば、出力許否信号Ｓ５を生成できる。
【００９４】
これにより、調整対象以外の半導体レーザーの出力がＯＦＦとなり、上述したように、調整対象以外の半導体レーザーの発光を完全に停止、又は調整対象以外の半導体レーザーの発光を低減することができる。これにより、調整対象の半導体レーザーの出力調整を、精度良く行う事が出来るようになる。
【００９５】
さらに、出力許否信号Ｓ５は、出力制御信号Ｓ３に同期してＯＮ／ＯＦＦを設定される期間以外についてはＯＮとしてあるため、調整を行わない発光制御期間においては、常にＯＮである。これにより、発光制御期間において電流出力が出力許否信号Ｓ５によって、停止される可能性が無くなり、発光指示信号Ｓ１に基づく適切な発光制御が出力許否信号Ｓ５によって阻害される可能性を回避している。
【００９６】
以上説明したように、本実施形態においては、サンプルホールド信号Ｓ１を元にした簡単な論理演算で、適切な出力制御信号Ｓ３や調整指示信号Ｓ３を生成することができ、また、サンプルホールド信号Ｓ１を元にして生成された出力制御信号Ｓ３を元にした簡単な論理演算で、出力許否信号Ｓ５を生成することが出来ることが分かる。
【００９７】
（Ｃ）半導体レーザー駆動装置を備える電子機器の例： 
次に、上述した実施形態に係る半導体レーザー駆動装置１を備えた電子機器について、１例を挙げて説明する。図８は、半導体レーザー駆動装置１の１例としてのレーザープリンタ１００の概略構成を示す図である。同図に示すように、レーザープリンタ１００は、上述した各部ＬＤアレイ１０、ドライバ２０、制御信号生成部３０、検出部６０に相当する構成、及び、同図には示していないが電源部５０に相当する構成を備えており、更に、ポリゴンミラー１１０、感光ドラム１２０、及びハーフミラー１３０を備えている。
【００９８】
また、レーザープリンタ１００は、レーザープリンタ１００の全体を制御する不図示の制御部を備えている。当該制御部の制御により、発光制御期間においては、ドライバ２０対して発光指示信号Ｓ１としての映像信号が入力され、出力調整期間においては、制御信号生成部３０に対してサンプルホールド信号Ｓ２が入力される。なお、レーザープリンタ１００においては、上述した発光制御期間が、感光ドラムに対するレーザー光の走査を行う画像形成期間に該当し、上述した出力調整期間が、当該画像形成期間以外のブランキング期間に該当する。
【００９９】
図８において、ＬＤアレイ１０から出射されるレーザー光は、高速回転するポリゴンミラー１１０の反射面により反射されて感光ドラム１２０上を走査する。また、感光ドラム１２０に至るまでの経路上に配置されたハーフミラーにより、反射された光が、レンズなどの集光手段を適宜に介してフォトダイオード６１に受光される。なお、ＬＤアレイ１０からレーザー光以外の光が出射される場合には、このフォトダイオード６１が受光する光の成分も、フォトダイオード６１に受光されることになる。
【０１００】
このようにしてフォトダイオード６１が受光した光に基づいて、上述の出力調整を行う事により、感光ドラム１２０の感光面を走査するレーザー光の強度が、適宜のタイミングで調整される。これにより、ＬＤアレイ１０の温度変化や劣化により、半導体レーザーの出射するレーザー光強度が変動しても、適宜のタイミングでレーザー光の発光量が、高精度に調整される事になる。
【０１０１】
なお、図８に示すレーザープリンタは、半導体レーザー駆動装置１を備えた電子機器の１例であり、その他、レーザーで表示面を走査するレーザーディスプレーやレーザープロジェクタ、ヘッドマウント・ディスプレーやヘッドアップ・ディスプレー、さらには各種センサー等も、同様に本技術を適用可能である。
【０１０２】
また、図８には、面発光レーザーのＬＤアレイを示してあるが、むろん、ＬＤアレイ１０を端面発光レーザーで構成してもよい。この場合、フォトダイオード６１は、感光ドラム１２０へレーザー光を出射する劈開面とは反対側に形成された劈開面から出射するレーザー光を受光するようにしてもよい。このように構成した場合、図８に示すハーフミラー１３０は不要である。
【０１０３】
なお、面発光レーザーのＬＤアレイでは、二次元平面上に複数の半導体レーザーを配置してあるため、列状に複数の半導体レーザーを配置する端面発光レーザーに比べて、隣接する半導体レーザーの数が多い。このため、調整対象の半導体レーザーのレーザー発光に、非調整対象の半導体レーザーのダイオード発光が混入して検出されやすくなり、出力調整に影響しやすい。従って、本技術の適用により、出力調整の精度もより向上する。
【０１０４】
（Ｄ）まとめ： 
以上説明した実施形態によれば、半導体レーザー１１〜１４及びこれら半導体レーザーの発光量を検出する検出部６０を接続して用いられる半導体レーザー駆動装置において、レーザー出力させる半導体レーザーに対してはレーザー出力させるための駆動電流Ｉｄを供給し、レーザー出力を停止させる半導体レーザーに対してはレーザー出力させないためのバイアス電流Ｉｂを供給し、所定のタイミングで、前記発光量に基づいて、半導体レーザー１１〜１４のそれぞれに係る駆動電流Ｉｄの調整を行うドライバ２０を備え、ドライバ２０は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の半導体レーザーに対してはバイアス電流Ｉｂよりも小さい電流を供給する。これにより、これら半導体レーザーの出力調整の精度を向上することができる。
【０１０５】
なお、本発明は上述した実施形態や変形例に限られず、上述した実施形態および変形例の中で開示した各構成を相互に置換したり組み合わせを変更したりした構成、公知技術並びに上述した実施形態および変形例の中で開示した各構成を相互に置換したり組み合わせを変更したりした構成、等も含まれる。また，本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されず，特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。
【０１０６】
そして、本技術は、以下の（１）〜（８）のような構成を取ることもできる。
（１）複数の半導体レーザー及び前記複数の半導体レーザーの発光量を検出するための検出部を接続して用いられる半導体レーザー駆動装置であって、
レーザー出力させる前記半導体レーザーに対してレーザー出力させるための第１の電流を供給し、レーザー出力を停止させる半導体レーザーに対してレーザー出力させないための第２の電流を供給する電流供給部と、
所定のタイミングで、前記発光量に基づいて、前記複数の半導体レーザーのそれぞれに係る前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整を行う電流調整部と、
を備え、
前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対しては前記第２の電流よりも小さい電流を供給する、半導体レーザー駆動装置。
（２）前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対して当該半導体レーザーが発光しない電流を供給する、（１）に記載の半導体レーザー駆動装置。
（３）前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対して供給する電流を停止する、（１）又は（２）に記載の半導体レーザー駆動装置。
（４）前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、調整対象の前記半導体レーザーに対して電流を供給する期間を、調整対象の前記半導体レーザーの調整制御を行う期間に比べて、前後に長くする、（１）〜（３）の何れか１項に記載の半導体レーザー駆動装置。
（５）前記電流調整部は、レーザー出力を指示する発光指示信号と、前記調整のタイミングを指示する調整指示信号を非同時に入力されており、前記非調整対象の半導体レーザーに対して供給する電流を前記第２の電流よりも小さい電流とする制御を前記調整指示信号に同期して行う、（１）〜（４）の何れか１項に記載の半導体レーザー駆動装置。
（６）前記複数の半導体レーザーは、同一の基板上に形成された複数の面発光レーザーである、（１）〜（５）の何れか１項に記載の半導体レーザー装置。
（７）複数の半導体レーザーの発光量を検出するための検出工程と、
レーザー出力させる前記半導体レーザーに対してレーザー出力させるための第１の電流を供給し、レーザー出力を停止させる半導体レーザーに対してレーザー出力させないための第２の電流を供給する電流供工程と、
所定のタイミングで、前記発光量に基づいて、前記複数の半導体レーザーのそれぞれに係る前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整を行う電流調整工程と、
を含み、
前記電流調整工程においては、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対しては前記第２の電流よりも小さい電流を供給する、半導体レーザー駆動装置の駆動方法。
（８）複数の半導体レーザーと、
前記複数の半導体レーザーの発光量を検出するための検出部と、
レーザー出力させる前記半導体レーザーに対してレーザー出力させるための第１の電流を供給し、レーザー出力を停止させる半導体レーザーに対してレーザー出力させないための第２の電流を供給する電流供給部と、
所定のタイミングで、前記発光量に基づいて、前記複数の半導体レーザーのそれぞれに係る前記第１の電流と前記第２の電流の少なくとも一方の調整を行う電流調整部と、
を備え、
前記電流調整部は、前記調整を行うにあたり、非調整対象の前記半導体レーザーに対しては前記第２の電流よりも小さい電流を供給する、電子機器。
【符号の説明】
【０１０７】
１…半導体レーザー駆動装置、１０…ＬＤアレイ、２０…ドライバ、３０…制御信号生成部、５０…電源部、６０…検出部、６１…フォトダイオード、６２…電流電圧変換部、６３…比較器、６４…基準電圧生成部、１００…レーザープリンタ、１１０…ポリゴンミラー、１２０…感光ドラム、１３０…ハーフミラー、Ｉｂ…バイアス電流、Ｉｄ…駆動電流、Ｉｐｄ…受光電流、Ｉｔｈ…閾値電流、Ｓ１…サンプルホールド信号、Ｓ２…発光指示信号、Ｓ３…出力制御信号、Ｓ４…調整指示信号、Ｓ５…出力許否信号、Ｓ６…検出信号、Ｖｐｄ…受光電圧、Ｖｒｅｆ…基準電圧
【図１】
2013197131.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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