(57)【要約】【課題】生産性が高く、接合時の温度が低く、積層される各板状電気部品にかかる熱履歴のばらつきが小さく、接合時の荷重が小さい三次元積層デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】電気的接続端子を両面に有する複数の板状電気部品を所定の間隔で厚さ方向に積層して保持する保持工程と、前記保持工程の後、保持された複数の板状電気部品をめっき処理液に浸漬してめっき処理することで、相対する板状電気部品における前記電気的接続端子間に接続導体部を形成するめっき処理工程と、を含む製造方法であり、この製造方法によれば、生産性が高く、接合時の温度が低く、積層される各板状電気部品にかかる熱履歴のばらつきが小さく、接合時の荷重が小さい。【選択図】図１
2013140867.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的接続端子を両面に有する複数の板状電気部品を所定の間隔で厚さ方向に積層して保持する保持工程と、
前記保持工程の後、保持された複数の板状電気部品をめっき処理液に浸漬してめっき処理することで、相対する板状電気部品における前記電気的接続端子間に接続導体部を形成するめっき処理工程と、
を含む三次元積層デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記めっき処理は電解めっきである、請求項１に記載の三次元積層デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記めっき処理は無電解めっきである、請求項１に記載の三次元積層デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記保持工程は、相対する前記板状電気部品間に絶縁材料からなるスペーサを設けることでなされる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の三次元積層デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記保持工程は、複数の板状電気部品を所定の間隔で厚さ方向に保持する冶具によりなされる請求項１〜３のいずれか１項に記載の三次元積層デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記板状電気部品は半導体チップである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の三次元積層デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記保持工程の前に、前記電気的接続端子上にアンダーバンプメタルを設けるアンダーバンプメタル形成工程を有し、
前記接続導体部は、前記アンダーバンプメタルを介して前記板状電気部品と電気的に接続される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の三次元積層デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記アンダーバンプメタル形成工程の後、前記保持工程の前に、前記アンダーバンプメタル上に接着剤を付与する、接着剤付与工程を有し、
前記保持工程において、前記板状電気部品を積層する際に、相対するアンダーバンプメタル間は、前記接着剤により接合させる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の三次元積層デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の三次元積層デバイスの製造方法により製造された三次元積層デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、三次元積層デバイスの製造方法及び三次元積層デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今の家電製品の小型化、軽量化、低消費電力化に伴い、使用される半導体デバイスも微細化や高密度化が加速的に進んでおり、中でも貫通電極（ＴＳＶ）などを用いた三次元積層デバイスは注目技術の一つである。
【０００３】
三次元積層デバイスはトランジスタ（セル）レベルとチップ（ウェハ）レベルに大別されるが、特にチップレベルの三次元積層デバイスは大きな注目を集めている。例えば、下記特許文献１には、半導体チップを、バンプを介して積層した半導体集積回路装置が記載されている。
【０００４】
チップレベルの三次元積層では既存の半導体技術の多くを流用できるため、低コストかつ、高生産性が可能になる事が期待されているが接合技術については技術確立されていない。チップ・オン・チップ（ＣｏＣ）と呼ばれるチップとチップとを対向させて接合する技術や、チップ・オン・ウェハ（ＣｏＷ）と呼ばれるチップとウェハのアクティブ面とを対向させて接合する技術は世の中に存在するが、一つのデバイスに対して接合回数は一回である。また、ウェハ・オン・ウェハ（ＷｏＷ）などと呼ばれるウェハ同士を接合する技術は量産技術としては未だ確立されていない。
【０００５】
更に、チップ（ウェハ）の微細化、パッケージの高密度化、各加工や材料の高精度、高付加価値化に伴い、コストダウンが困難になることも三次元積層の大きな課題である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−０８０１４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以下にチップ形態に於ける三次元積層（接合）を行う際の課題を列記する。
・生産性
１段毎に接合を完了させた場合、積層数に比例して生産性が悪くなる。
・高温プロセスによる接合部ダメージ
接合に半田等の溶融金属を用いていることから２００℃以上の温度が必要であり、そのため、熱応力による接合部ダメージが懸念される。
・サーマルバジェット（熱履歴）のコントロール
チップ積層に於いて１段目と最終段のチップでは熱履歴が異なるので、接合品質が異なる事が懸念される。
・接合時の荷重による特性変動
５ｇ／バンプ以上の接合荷重でトランジスタ（Ｔｒ）の特性が変動する懸念がある。
【０００８】
そこで、本発明では、生産性が高く、接合時の温度が低く、積層される各板状電気部品にかかる熱履歴のばらつきが小さく、接合時の荷重が小さい三次元積層デバイスの製造方法及びこの製造方法によって製造される三次元積層デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、積層した板状部品間を、めっき処理により析出形成した接続導体部で電気的に接続することにより、上記課題を解決できることを見出した。
【００１０】
すなわち、本発明に係る三次元積層デバイスの製造方法は、電気的接続端子を両面に有する複数の板状電気部品を所定の間隔で厚さ方向に積層して保持する保持工程と、保持工程の後、保持された複数の板状電気部品をめっき処理液に浸漬してめっき処理することで、相対する板状電気部品における電気的接続端子間に接続導体部を形成するめっき処理工程と、を含む。
【００１１】
上記した複数の板状電気部品は、それぞれが同質のものであってもよいし、それぞれが異質のものであってもよい。例えば、半導体チップ同士又は半導体ウェハ同士を積層したものや、半導体チップと配線基板とを積層したもの等である。また、板状電気部品は、能動素子だけでなく、キャパシタやインダクタといった受動素子であってもよい。
【００１２】
本発明によれば、相対する板状電気部品間の電気的接続を担う接続導体部は、めっき処理によって形成される。本発明では、複数の板状電気部品が所定の間隔を有して積層された状態でめっき処理が行われるので、接続導体部の形成は、相対する板状電気部品間のそれぞれにおいて、ほぼ同時に進行する。すなわち、半田等の溶融金属を用いて相対する電気部品間を電気的に接続していた従来とは異なり、板状電気部品を１段毎に逐次接合しなくてもよい。したがって、三次元積層デバイスの製造に係る時間を大幅に短縮することができる。
【００１３】
また、接続導体部の形成は、めっき処理により行われ、従来のように、半田等の溶融金属を用いて電気部品間の電気的接続を得なくてもよい。そのため、積層される板状電気部品が２００℃以上の温度に曝されなくてもよく、熱応力によって生じる電気的接続部の損傷が抑制される。さらに、板状電気部品は、積層された状態でめっき処理液に浸漬されるので、各板状電気部品に与えられる熱量に大きな差は現れない。すなわち、各板状電気部品の熱履歴に大きな差は現れない。
【００１４】
また、各板状電気部品を電気的に接続する際には、各板状電気部品に従来の方法におけるような大きな荷重を掛けなくてもよい。したがって、接合荷重によるトランジスタの特性変動を抑制することができる。
【００１５】
さらに、従来の方法では、積層される板状電気部品間の電気的接続の品質は、バンプの出来栄え（バンプ高さのばらつき）や接合装置の制度（ギャップ制御）の影響を大きく受けていたが、本発明では、それらの影響を大幅に軽減し、電気的接続の品質を安定させることができる。
【００１６】
板状電気部品の積層間隔は、めっき処理の方法や製造される三次元積層デバイスの高さをどの程度にするのかにより定められる。
【００１７】
上記しためっき処理は、電解めっきでも無電解めっきでもよい。
【００１８】
電解めっきの場合には、レジスト膜を作製して所望箇所以外をマスクし、所望の箇所にのみめっきが析出するようにする。そのため、板状電気部品の積層方向と直交する方向へのめっきの析出成長が抑えられることとなる。したがって、電気的接続端子が狭いピッチで配列された板状電気部品に対しても、より効果的に本発明を適用することが可能となる。また、電解めっきでは、電流密度、めっき処理液の温度、処理時間等を調整することで、容易に析出量を制御することができる。
【００１９】
無電解めっきの場合には、外部電源や外部電源からの電流を被めっき箇所へと通電するための導電層が不要である。また、レジスト膜によるマスクは必ずしも必要ではない。そのため、工程の簡略化や製造コストの低減化を図ることができる。
【００２０】
上記保持工程は、相対する前記板状電気部品間に絶縁材料からなるスペーサを設けることでなされることが好ましい。スペーサの形状としては、めっき処理工程において用いるめっき処理液が、積層された板状電気部品間の間隙に浸透できるような形状であれば特に限定されるものではない。
【００２１】
また、保持工程は、複数の板状電気部品を所定の間隔で厚さ方向に保持する冶具によりなされることも好ましい。当該冶具の形状としては、めっき処理工程において用いるめっき処理液が、積層された板状電気部品間の間隙に浸透できるような形状であれば特に限定されるものではない。
【００２２】
上記のようにスペーサや冶具を用いて複数の板状電気部品の積層状態を保持するものとすれば、各板状電気部品間の間隔を調整することが容易となる。
【００２３】
板状電気部品は特に限定されるものではない。例えば、板状電気部品として半導体チップを用いることも可能である。また、板状電気部品として、半導体ウェハを用いること可能である。本発明では、半導体ウェハ同士での接合が可能であるので、接続時間が大幅に短縮でき、その結果、生産性が向上する。
【００２４】
また、板状電気部品として半導体ウェハを用いた場合には、半導体ウェハ同士を積層させて電気的に接続した後、樹脂封止工程やダイシング工程をウェハ状態のまま実施できる。そのため、パッケージ形成の工程簡略化ができ、半導体パッケージを安価に生産できる。
【００２５】
上記保持工程の前に、板状電気部品の電気的接続端子上にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を設けるアンダーバンプメタル形成工程を設け、接続導体部が、アンダーバンプメタルを介して前記板状電気部品と電気的に接続されるようにしてもよい。
【００２６】
アンダーバンプメタルを設けることで、アンダーバンプメタルの厚みの分だけ接続導体部の長さを短くすることが可能となる。そのため、めっき処理に要する時間をより短縮することが可能となる。
【００２７】
また、上記アンダーバンプメタル形成工程の後、前記保持工程の前に、アンダーバンプメタル上に接着剤を付与する接着剤付与工程を設け、保持工程において、板状電気部品を積層する際に、相対するアンダーバンプメタル間を、上記接着剤により接合させるようにしてもよい。
【００２８】
このように、アンダーバンプメタル間を接着剤で接合させることで、保持がより確実なものとなる。
【００２９】
上記接着剤としては、例えば、フェノキシ樹脂や熱可塑性エラストマー等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、導電性ナノ粒子を含有するもの、金属ナノインク、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）、導電性ペースト、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃ等の導電性フィラーをエポキシ樹脂等のバインダーに含有させたもの等を用いることができる。
【００３０】
また、本発明は、上記した三次元積層デバイスの製造方法により製造された三次元積層デバイスを提供する。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、生産性が高く、接合時の温度が低く、積層される各板状電気部品にかかる熱履歴のばらつきが小さく、接合時の荷重が小さい三次元積層デバイスの製造方法及びこの製造方法によって製造される三次元積層デバイスが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明の三次元積層デバイスの一例を示す概略図である。
【図２】図２は、本発明の三次元積層デバイスの製造方法の一例を示す概略図である。
【図３】図３は、本発明の三次元積層デバイスの製造方法の一例を示す図２に続く概略図である。
【図４】図４は、本発明の三次元積層デバイスの製造方法におけるめっき処理工程の一例を示す概略図である。
【図５】図５は、本発明の三次元積層デバイスの製造方法におけるめっき処理工程の他の一例を示す概略図である。
【図６】図６は、本発明の三次元積層デバイスの一例における部分概略図である。
【図７】図７は、本発明の三次元積層デバイスの他の一例における部分概略図である。
【図８】図８は、本発明の三次元積層デバイスのさらに他の一例における部分概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
図１〜５を参照して本発明の好適な実施形態について説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３４】
図１は、本実施形態の製造方法により得られる三次元積層デバイスの一例を示す概略図である。
図１に示す三次元積層デバイス１は、配線基板１０と、配線基板１０上に、厚さ方向に積層させた複数の半導体チップ２０と、各半導体チップ２０の間に設けられたスペーサ４０と、相対する半導体チップ２０を電気的に接続する接続導体部５０とを備える。半導体チップ２０は、本発明の板状電気部品に相当する。
【００３５】
配線基板１０は、基材層１１と基材層１１上に設けられた絶縁層１２及び基材層１１上に設けられ、絶縁層１２の開口部から表面に露出している配線部１３とを備える。
【００３６】
半導体チップ２０は、シリコン基材層２１と、シリコン基材層２１の両面に設けられた
絶縁層２２及び２３と、シリコン基材層２１内部を厚さ方向に貫通する貫通電極２４と、貫通電極２４の上方側に接続され、絶縁層２２の開口部を介して外部に露出している上部接続電極２５と、貫通電極２４の下方側に接続され、絶縁層２３の開口部を介して外部に露出している下部接続電極２６と、を備える。上部接続電極２５及び下部接続電極２６は、本発明の電気的接続端子に相当する。
【００３７】
スペーサ４０は、絶縁性の物質で構成され、相対する配線基板１０と半導体チップ２０間の間隔及び相対する２つの半導体チップ２０間の間隔を一定の間隔に保持する機能を有する。
【００３８】
接続導体部５０は、相対する半導体チップ２０の一方に設けられた下部接続電極２６と他方に設けられた上部接続電極２５とを電気的に接続するものであり、めっき処理により形成される。接続導体部の材質としては、導電性を有するものであれば、特に限定されるものではなく、ニッケル、銅、鉄、銀、金、すず等の金属を用いることができる。
【００３９】
次に、図２及び３を用いて本実施形態の三次元積層デバイスの製造方法について説明する。
【００４０】
まず、配線基板１０上にスペーサ４０を配置する（図２（ａ）、（ｂ）参照）。このとき、スペーサ４０の配置箇所は、配線部１３の露出箇所を覆わなければ特に限定されるものではない。スペーサ４０と配線基板１０とは、接着剤等の既知の接着方法を用いて固定する。
【００４１】
次いで、図２（ｃ）に示すように半導体チップ２０を、スペーサ４０を介して配線基板１０上に載置する。このとき、配線基板１０における配線部１３の露出箇所上に半導体チップ２０の下部接続電極２６が位置するように配置する。このとき、配線部１３の露出箇所と下部接続電極２６とは離隔して配置される。スペーサ４０と半導体チップ２０とは、上述のように、接着剤等の既知の接着方法を用いて固定する。
【００４２】
複数の半導体チップ２０の積層配置は、上記と同様の工程によってなされる。すなわち、半導体チップ２０上面における上部接続電極２５を覆わない箇所にスペーサ４０を配置し、当該スペーサ４０を介して半導体チップ２０上に他の半導体チップ２０を積層する。この工程を繰り返すことで、図２（ｄ）のように、相対する上部接続電極２５と下部接続電極２６とが離隔した状態で、所望の枚数の半導体チップ２０が積層される。このように、スペーサ４０を介して半導体チップ２０を半導体チップ２０の厚さ方向に積層する工程は、本発明の保持工程に相当する。
【００４３】
上記保持工程の後、積層状態で保持された複数の半導体チップ２０及び配線基板１０をめっき処理液１００中に浸漬してめっき処理を行う（図３（ｅ））。これにより、相対する半導体チップ２０の間に、一方の半導体チップ２０の上部電極２５と、これに相対する他の半導体チップの下部電極２６とを電気的に接続する接続導体部５０が形成される（図３（ｆ））。このように、めっき処理を行い、接続導体部を形成する工程は、本発明のめっき処理工程に相当する。
【００４４】
なお、めっき処理においては、めっき処理液が積層された半導体チップ２０の間隙内に浸透しにくい場合もありうる。そうすると、析出金属が十分に成長せず、接続導体部５０が形成されにくくなる。そこで、保持された半導体チップをめっき処理液１００に浸漬したのち、めっき処理液１００が入っためっき槽内を減圧してもよい。これにより、積層された半導体チップ２０の間隙内にめっき処理液が浸透しやすくなり、めっきの析出が円滑になされる。
【００４５】
具体的なめっき処理の方法としては、大きく分けて電解めっきと無電解めっきの２種類が存在するが、本発明においては、双方のめっき処理方法を適用することができる。
【００４６】
めっき処理として電解めっきを行う場合には、上部接続電極２５及び下部接続電極２６上にめっきを析出させるために、めっき処理用の電源と上部接続電極２５及び下部接続電極２６とを電気的に接続しなければならない。そのため、上部接続電極２５及び下部接続電極２６上から半導体チップの外部にまで延在するような導電層を予め付与しておく必要がある。めっき処理の際には、当該導電層の端部とめっき処理用電源とを導線等で電気的に接続し、上部接続電極２５及び下部接続電極２６に電荷を付与することで、上部接続電極２５及び下部接続電極２６上から金属が析出成長し、接続導体部５０が形成される。なお、導電層の付与は、作業の簡便性の観点から、保持工程の前に行うことが好ましい。
【００４７】
以下、図４（ａ）〜（ｅ）を参照して電解めっきにより接続導体部を形成する方法について説明する。なお、図４（ａ）〜（ｅ）は下部接続電極２６に導電層を設ける場合を示したものであるが、上部接続電極２５に対しても、同様の方法により導電層を設けることができる。
【００４８】
まず、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように半導体チップ２０上にチタン層６２を付与し、チタン層６２の上に銅層６１を付与する。チタン層６２及び銅層６１は半導体チップ２０の表面全体を覆う必要はなく、半導体チップ２０における任意の端部にまで連続して覆われていればよい。すなわち、半導体チップ２０の任意の端部と下部接続電極２６とが電気的に接続されるようにチタン層６２及び銅層６１が覆われていればよい。チタン層６２及び銅層６１の付与方法は特に限定されず、例えばスパッタリング法を挙げることができる。また、チタン層と銅層との組み合わせに限定されるものではなく、半導体チップ２０の任意の端部と下部接続電極２６とが電気的に接続されればよい。
【００４９】
次に、図４（ｃ）に示すように、電解めっきの際に下部接続電極２６上にのみ金属が析出するように銅層６１上で下部接続電極２６上の近傍以外にレジスト７０を設ける。レジスト７０は、例えばフォトリソグラフィーなどによって設けることができる。
【００５０】
次に、図４（ｄ）に示すように、レジスト７０を設けた状態でめっき処理を行う。これにより、下部接続電極２６上にのみ金属が析出成長し、相対する半導体チップ２０の上部接続電極２５との間に接続導体部５０が形成される。
【００５１】
接続導体部５０が形成された後は、図４（ｅ）に示すように、レジスト膜７０、及びレジスト膜７０の下方に存在する銅層６１及びチタン層６２をエッチング等により除去する。
【００５２】
一方、めっき処理として無電解めっきを行う場合には、上記のような導電層の付与は必要ない。ただし、用いる無電解めっきの種類によっては、上部接続電極２５及び下部接続電極２６上に触媒を付与しなければならない。
【００５３】
以下、図５（ａ）〜（ｃ）を参照して、無電解めっき、特に無電解ニッケルめっきにより接続導体部を形成する方法について説明する。なお、図５（ａ）〜（ｃ）は、下部接続電極２６に導電層を設ける場合を示したものであるが、上部接続電極２５に対しても、同様の方法により導電層を設けることができる。なお、ここで説明する例においては、下部接続電極２６の材質をアルミニウムとする。
【００５４】
まず、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、下部接続電極２６の表面に亜鉛８０を付着させる。亜鉛８０を付着させる方法は特に限定されず、本実施形態のよう下部接続電極２６の材質をアルミニウムとするならば、アルミニウムと亜鉛の置換反応を利用したジンケート処理法を一例として挙げることができる。なお、亜鉛８０の付着は、作業の簡便性の観点から、保持工程の前に行うことが好ましい。
【００５５】
次いで、図５（ｃ）に示すように、亜鉛８０が下部接続電極２６の表面に付着した状態で、無電解ニッケルめっきのめっき処理液中に浸漬する。すると、めっき処理液中のニッケルイオンは亜鉛８０と置換反応を起こし、下部接続電極２６の表面にニッケルが析出する。一旦ニッケルが析出した箇所にはニッケルの析出が連続して起こり、ニッケルが成長していく。そして、ニッケルの成長が続き、相対する板状電気部品の上部接続電極２５まで到達することで、接続導体部５０が形成される。
【００５６】
上記した無電解めっきの方法の説明では、下部接続電極２６の材質をアルミニウムとし、析出させるめっきの種類をニッケルとしたが、下部接続電極２６及びめっきの種類は適宜変更可能であり、その場合には、上記で用いた亜鉛８０の代わりに、析出させるめっきに適した他の物質を用いることができる。
【００５７】
上記の実施形態では、図６に示すように、接続導体部５０は上部接続電極２５と下部接続電極２６とに直接接続しており、構成が単純である。そのため、製造工程がより簡略なものとなる。
【００５８】
本発明の他の実施形態として、図７に示すような、上部接続電極２５及び下部接続電極２６の表面にアンダーバンプメタル３０を設け、接続導体部５０はアンダーバンプメタル３０を介して上部接続電極２５と下部接続電極２６とに接続する構成も可能である。上部接続電極２５及び下部接続電極２６の表面にアンダーバンプメタル３０を設ける工程は、本発明のアンダーバンプメタル形成工程に相当する。アンダーバンプメタル３０は、作業の簡便性の観点から、保持工程の前に上部接続電極２５及び下部接続電極２６の表面に設けることが好ましい。なお、アンダーバンプメタル３０を設ける場合でも、上述した電解めっき方法及び無電解めっき方法を適用することができる。
【００５９】
図７に示す実施形態によれば、アンダーバンプメタル３０が存在することで、析出させるめっきの量が少なくて済むという効果が得られる。その結果、めっき処理に係る時間を短縮することができ、生産性が向上する。
【００６０】
また、さらに他の実施形態として、図８に示すような、保持工程の前に、アンダーバンプメタル３０の上に導電性接着剤３２を付与する構成も可能である。アンダーバンプメタル３０の上に導電性接着剤３２付与する工程は、本発明の接着剤付与工程に相当する。アンダーバンプメタル３０上に導電性接着剤３２を付与した状態で半導体チップ２０を積層すると、導電性接着剤３２は、積層状態を保持する役割を担うこととなる。
【００６１】
図８に示す実施形態は、導電性接着剤３２により積層状態の保持できるので、スペーサや保持冶具のみでは積層状態の確実な保持が得られない場合に特に有効である。
【００６２】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜変更可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明はめっき処理で積層される板状電気部品間の電気的接続を行う事を特徴とするため、より低温、低荷重で接合を完了できると共に、バッチ処理を行う事が可能となるためより安価に三次元積層を行う事ができる。また、従来の電気的接続の品質はバンプの出来栄え(高さばらつき)や接合装置の精度(ギャップ制御)の影響を大きく受けていたが、それらの影響を大幅に軽減し品質を安定させることが出来る。
【符号の説明】
【００６４】
１  三次元積層デバイス
１０  配線基板
１１  基材層
１２  絶縁層
１３  配線部
２０  半導体チップ
２１  シリコン基材層
２２  絶縁層
２３  絶縁層
２４  貫通電極
２５  上部接続電極
２６  下部接続電極
３０  アンダーバンプメタル
３２  接着剤
４０  スペーサ
５０  接続導体部
６１  銅層
６２  チタン層
７０  レジスト
８０  亜鉛
１００  めっき処理液
【図１】
2013140867.tif 000003
【図２】
2013140867.tif 000004
【図３】
2013140867.tif 000005
【図４】
2013140867.tif 000006
【図５】
2013140867.tif 000007
【図６】
2013140867.tif 000008
【図７】
2013140867.tif 000009
【図８】
2013140867.tif 000010