(57)【要約】【課題】従来の液晶装置では、表示品位を向上させることが困難である。【解決手段】第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、表示領域を囲む領域に対応して配置された遮光部と、を有し、前記遮光部に、少なくとも前記表示領域側に切れ目を有する切り込みが設けられている、ことを特徴とする液晶装置。【選択図】図５
2013228425.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、
表示領域を囲む領域に対応して配置された遮光部と、を有し、
前記遮光部に、少なくとも前記表示領域側に切れ目を有する切り込みが設けられている、
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記遮光部は、前記第１基板の光入射側の面に対して反対側の面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記切り込みとして、前記遮光部の一部を切り欠いた切欠きが設けられている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記切り込みとして、前記遮光部を分断するスリットが設けられている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記遮光部において、前記切り込みは、前記液晶を駆動することによって生じる液晶分子の流動方向に交差する部位に設けられている、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１基板と前記液晶との間に、無機材料の柱状結晶体により構成された配向膜が設けられており、
前記遮光部において、前記切り込みは、平面視で前記柱状結晶体の傾斜方向に交差する部位に設けられている、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記表示領域は、平面視で四角形を呈しており、
前記遮光部において、前記切り込みは、前記四角形の４つの角部のうちの少なくとも１つに対応する部位に設けられている、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置を有する、
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）などの駆動素子が設けられた素子基板と、素子基板に対向する対向基板と、素子基板及び対向基板の間に挟持された液晶とを有する液晶装置が知られている。このような液晶装置では、従来から、画像表示領域の外周を規定する遮光膜を対向基板に設けたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−４８９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の構成を有する液晶装置において、対向基板側から液晶装置に光を入射させると、対向基板と素子基板との間に、且つ、遮光膜と画像表示領域との境界部に、不純物が集積することがある。これは、光の照射によって活性化した不純物が、画像表示領域に比較して光照射のエネルギーが弱い遮光膜側に集積しやすいためであると考えられる。そして、集積した不純物が焼き付き現象を生じて、シミとして視認されやすくなる。このようなシミは、液晶装置における表示品位を低下させる要因となる。
このように、従来の液晶装置では、表示品位を向上させることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００６】
［適用例１］第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、表示領域を囲む領域に対応して配置された遮光部と、を有し、前記遮光部に、少なくとも前記表示領域側に切れ目を有する切り込みが設けられている、ことを特徴とする液晶装置。
【０００７】
この適用例の液晶装置では、遮光部の切り込みが設けられている部位において、光の入射と遮光との境界を表示領域の外側に遠ざけることができる。このため、切り込みが設けられている部位に不純物が集積した場合に、不純物を表示領域から遠ざけることができるので、不純物を視認させにくくすることができる。これにより、液晶装置における表示品位を向上させやすくすることができる。
【０００８】
［適用例２］上記の液晶装置であって、前記遮光部は、前記第１基板の光入射側の面に対して反対側の面に設けられていることを特徴とする液晶装置。
【０００９】
この適用例では、遮光部が第１基板の光入射側の面に対して反対側の面に設けられているので、第１基板から入射する光の入射と遮光との境界を表示領域の外側に遠ざけることができる。このため、切り込みが設けられている部位に不純物が集積した場合に、不純物を表示領域から遠ざけることができるので、不純物を視認させにくくすることができる。
【００１０】
［適用例３］上記の液晶装置であって、前記切り込みとして、前記遮光部の一部を切り欠いた切欠きが設けられている、ことを特徴とする液晶装置。
【００１１】
この適用例では、切り込みとしての切欠きが設けられている部位に不純物が集積した場合に、不純物を表示領域から遠ざけることができるので、不純物を視認させにくくすることができる。
【００１２】
［適用例４］上記の液晶装置であって、前記切り込みとして、前記遮光部を分断するスリットが設けられている、ことを特徴とする液晶装置。
【００１３】
この適用例では、切り込みとしてのスリットが設けられている部位に不純物が集積した場合に、不純物を表示領域から遠ざけることができるので、不純物を視認させにくくすることができる。
【００１４】
［適用例５］上記の液晶装置であって、前記遮光部において、前記切り込みは、前記液晶を駆動することによって生じる液晶分子の流動方向に交差する部位に設けられている、ことを特徴とする液晶装置。
【００１５】
この適用例では、遮光部において、液晶を駆動することによって生じる液晶分子の流動方向に交差する部位に切り込みが設けられているので、液晶分子の流動につられて移動する不純物を切り込みに集積させやすくすることができる。
【００１６】
［適用例６］上記の液晶装置であって、前記第１基板と前記液晶との間に、無機材料の柱状結晶体により構成された配向膜が設けられており、前記遮光部において、前記切り込みは、平面視で前記柱状結晶体の傾斜方向に交差する部位に設けられている、ことを特徴とする液晶装置。
【００１７】
この適用例では、遮光部において、平面視で柱状結晶体の傾斜方向に交差する部位に切り込みが設けられている。ここで、無機材料の柱状結晶体を有する配向膜が設けられた液晶装置では、平面視で柱状結晶体の傾斜方向に液晶分子が流動しやすい。このため、この液晶装置では、液晶分子が流動しやすい方向に交差する部位に切り込みが設けられているので、液晶分子の流動につられて移動する不純物を切り込みに集積させやすくすることができる。
【００１８】
［適用例７］上記の液晶装置であって、前記表示領域は、平面視で四角形を呈しており、前記遮光部において、前記切り込みは、前記四角形の４つの角部のうちの少なくとも１つに対応する部位に設けられている、ことを特徴とする液晶装置。
【００１９】
この適用例では、平面視で四角形を呈する表示領域の４つの角部のうちの少なくとも１つに対応する部位に切り込みが設けられている。ここで、平面視で四角形を呈する表示領域を有する液晶装置では、不純物が表示領域の角部に集積しやすい。このため、この液晶装置では、不純物が集積しやすい角部に切り込みが設けられているので、不純物を切り込みに集積させやすくすることができる。
【００２０】
［適用例８］上記の液晶装置を有する、ことを特徴とする電子機器。
【００２１】
この適用例の電子機器では、不純物を視認させにくくすることができる液晶装置により、電子機器における表示品位を向上させやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態における液晶装置の概略の構成を説明する図。
【図２】本実施形態における液晶装置の等価回路図。
【図３】本実施形態における液晶分子の配向状態を説明する模式的な断面図。
【図４】本実施形態における液晶装置の表示領域を示す平面図。
【図５】本実施形態における遮光膜の一例を示す平面図。
【図６】本実施形態における遮光膜の他の例を示す平面図。
【図７】本実施形態におけるプロジェクターの概略の構成を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図面を参照しながら、実施形態について説明する。なお、各図面において、それぞれの構成を認識可能な程度の大きさにするために、構成や部材の縮尺が異なっていることがある。
【００２４】
本実施形態における液晶装置１は、平面図である図１（ａ）、及び図１（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図である図１（ｂ）に示すように、素子基板３と、対向基板５と、液晶７と、シール材９と、を有している。
素子基板３と対向基板５とは、図１（ｂ）に示すように、互いに対向している。液晶７は、互いに対向している素子基板３と対向基板５との間に介在している。シール材９は、素子基板３と対向基板５との間において、液晶７の外側に設けられている。
ここで、液晶装置１には、図１（ａ）に示すように、表示領域１１が設定されている。表示領域１１は、画像が形成（表示）される領域である。本実施形態では、表示領域１１は、平面視で四角形を呈している。
シール材９は、表示領域１１の外側で環状に設けられており、液晶７を表示領域１１の外側から囲んでいる。液晶７は、シール材９によって、素子基板３及び対向基板５の間に封止されている。なお、素子基板３及び対向基板５並びにシール材９によって仕切られる空間は、セルと呼ばれる。
【００２５】
素子基板３は、図１（ｂ）に示すように、基板１３と、素子層１５と、配向膜１７と、を有している。基板１３は、光透過性を有している。基板１３の材料としては、例えば、ガラスや石英などの材料が採用され得る。素子層１５は、基板１３の液晶７側に設けられている。素子層１５は、後述するＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子や画素電極、絶縁膜などを含んでいる。配向膜１７は、素子層１５の液晶７側に設けられている。
【００２６】
対向基板５は、基板１９と、遮光膜２１と、素子層２３と、配向膜２５と、を有している。基板１９は、光透過性を有している。基板１９の材料としては、例えば、ガラスや石英などの材料が採用され得る。遮光膜２１は、表示領域１１の外側で、且つシール材９で囲まれた領域９ｂ内に設けられている。遮光膜２１は、表示領域１１を囲んでいる。なお、図１（ａ）では、遮光膜２１の領域にハッチングが施されている。遮光膜２１は、遮光性を有している。遮光膜２１の材料としては、例えば、遮光性を有する金属や、遮光性を有する金属酸化物などが採用され得る。素子層２３は、基板１９の液晶７側に設けられている。素子層２３は、後述する共通電極や、絶縁膜などを含んでいる。配向膜２５は、素子層２３の液晶７側に設けられている。
また、本実施形態では、素子基板３は、図１（ａ）に示すように、平面視で、対向基板５よりもはみ出ている。素子基板３において、対向基板５よりもはみ出た領域は、張出領域３ａと呼ばれる。
【００２７】
ここで、液晶装置１には、複数の画素２７が設定されている。複数の画素２７は、表示領域１１内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。図１（ａ）では、構成をわかりやすく示すため、画素２７が誇張され、且つ画素２７の個数が減じられている。
本実施形態では、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素２７が、１つの画素列２７Ｃを構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素２７が、１つの画素行２７Ｌを構成している。この観点から、Ｘ方向は、画素行２７Ｌが延在する方向であるともみなされ得る。また、Ｙ方向は、画素列２７Ｃが延在する方向であるともみなされ得る。
【００２８】
また、液晶装置１は、走査線駆動回路４１と、データ線駆動回路４３と、封止材４５と、端子電極４７と、複数の走査線Ｔと、複数のデータ線Ｓと、を有している。
走査線駆動回路４１と、データ線駆動回路４３と、端子電極４７とは、素子基板３に形成されている。図１（ａ）では、構成をわかりやすく示すため、端子電極４７が誇張され、且つ端子電極４７の個数が減じられている。本実施形態では、データ線駆動回路４３は、上述した張出領域３ａに設けられている。
なお、本実施形態では、Ｘ方向は、走査線Ｔが延在する方向に相当している。Ｙ方向は、データ線Ｓが延在する方向に相当している。
なお、前述した遮光膜２１は、走査線駆動回路４１やデータ線駆動回路４３を含む周辺回路に重なる領域に設けられている。
【００２９】
走査線駆動回路４１は、各走査線Ｔに選択信号を供給する。データ線駆動回路４３は、各データ線Ｓにデータ信号（画像データ）を供給する。
端子電極４７は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの外部配線を接続するための端子である。端子電極４７と走査線駆動回路４１との間や、端子電極４７とデータ線駆動回路４３との間は、配線４９を介して電気的に接続されている。
【００３０】
シール材９には、注入口９ａが形成されている。注入口９ａは、液晶７のセル内への導入路である。注入口９ａは、環状に設けられるシール材９の一部を欠いた構成を有しており、セル内とセル外とを連通させる。
本実施形態では、液晶７のセル内への注入方法として、減圧注入法が採用されている。減圧注入法とは、注入口９ａと液晶７とを真空に近い減圧環境下で当接させてから、減圧環境の圧力を上昇させることによってセル内に液晶７を注入する方法である。
注入口９ａは、封止材４５によって塞がれている。これにより、液晶７は、セル内に封止されている。
なお、セル内への液晶７の注入方法は、減圧注入法に限定されず、滴下法（ＯＤＦ（One Drop Fill）とも呼ばれる）も採用され得る。滴下法が採用される場合、注入口９ａ及び封止材４５は省略され得る。
【００３１】
複数の走査線Ｔ及び複数のデータ線Ｓは、図２に示すように、格子状に配線されている。複数の走査線Ｔは、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、Ｘ方向に沿って延びている。複数のデータ線Ｓは、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態で、Ｙ方向に沿って延びている。各画素２７は、各走査線Ｔと各データ線Ｓとの交差に対応して設定されている。
各データ線Ｓは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素２７すなわち各画素列２７Ｃ（図１（ａ））に対応している。各走査線Ｔは、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素２７すなわち各画素行２７Ｌ（図１（ａ））に対応している。
【００３２】
また、液晶装置１は、画素２７ごとに、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ素子５１と、画素電極５３と、共通電極５５と、を有している。なお、共通電極５５は、マトリクスＭを構成する複数の画素２７間にまたがって一連した状態で設けられている。つまり、共通電極５５は、マトリクスＭを構成する複数の画素２７に平面視で重なる領域に設けられており、複数の画素２７間にわたって共通して機能する。
【００３３】
ＴＦＴ素子５１のゲート電極は、対応する走査線Ｔに電気的に接続されている。ＴＦＴ素子５１のソース電極は、対応するデータ線Ｓに電気的に接続されている。各画素２７において、ＴＦＴ素子５１のドレイン電極は、画素電極５３に電気的に接続されている。
各画素２７において、画素電極５３と共通電極５５とは、画素電極５３と共通電極５５との間に電界を形成する一対の電極を構成している。液晶７（図１（ｂ））は、画素電極５３と共通電極５５との間に介在している。本実施形態では、画素電極５３と共通電極５５とは、互いに対向している。
【００３４】
ＴＦＴ素子５１は、このＴＦＴ素子５１に電気的に接続される走査線Ｔに選択信号が供給されるとオン状態となる。このとき、このＴＦＴ素子５１に電気的に接続されるデータ線Ｓからデータ信号が供給され、画素電極５３がデータ信号の大きさに応じた電位に保たれる。このとき、共通電極５５を画素電極５３の電位とは異なる電位に保つと、画素電極５３と共通電極５５との間に電圧が発生する。これにより、画素２７ごとに、画素電極５３と共通電極５５との間に電圧を印加することができる。
液晶装置１では、画素電極５３と共通電極５５との間に印加する電圧を変化させることによって、液晶７の配向状態を画素２７ごとに変化させることができる。これにより、液晶７を画素２７ごとに駆動することができる。
【００３５】
液晶装置１には、液晶分子の初期的な配向状態を示す模式断面図である図３（ａ）に示すように、基板１３の液晶７側とは反対側に偏光素子６１が設けられ、基板１９の液晶７側とは反対側に偏光素子６３が設けられる。液晶装置１は、偏光素子６１及び偏光素子６３が設けられた状態で使用される。この状態において、液晶７の駆動を制御することによって、液晶装置１を透過する光の量を画素２７ごとに制御することができる。なお、液晶装置１において、基板１３から基板１９までの構成は、液晶パネル６５と呼ばれる。
本実施形態では、偏光素子６１及び偏光素子６３のうちの一方の透過軸（又は吸収軸）がＸ方向又はＹ方向に延在している。さらに、偏光素子６１及び偏光素子６３の互いの透過軸（又は吸収軸）が直交している。
【００３６】
液晶７の分子は、配向膜１７及び配向膜２５によって、初期的な配向状態が支配される。初期的な配向状態とは、画素電極５３と共通電極５５との間に電圧が印加されていないときの配向状態である。なお、本実施形態では、液晶７の駆動方式として、ＶＡ（Vertical Alignment）型の駆動方式が採用されている。
本実施形態では、配向膜１７及び配向膜２５として、それぞれ無機配向膜が採用されている。無機配向膜は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料で構成される。無機配向膜は、物理気相成長法を活用することによって形成され得る。物理気相成長法としては、例えば、蒸着法やスパッタリング法などが挙げられる。
【００３７】
配向膜１７及び配向膜２５は、酸化シリコンを蒸着法で斜め蒸着（斜方蒸着）することによって形成される。図３（ａ）に示す斜め蒸着の傾斜角度θｂはおよそ４５°である。このような斜め蒸着により基板面には蒸着方向に向って酸化シリコンの結晶体が柱状に成長する。この柱状結晶体を、それぞれ、カラム１７ａ及びカラム２５ａと呼ぶ。配向膜１７及び配向膜２５は、それぞれ、このようなカラム１７ａ及びカラム２５ａの集合体である。また、基板面に対するカラム１７ａ及びカラム２５ａの成長方向の角度θｃは蒸着方向の角度θｂと必ずしも一致せず、この場合およそ７０°となっている。
【００３８】
配向膜１７及び配向膜２５の表面において垂直配向する液晶分子ＬＣのプレチルト角θｐはおよそ８５°である。また、基板面の法線方向から見た液晶分子ＬＣを傾斜させるプレチルトの方向すなわち傾斜方向は、配向膜１７及び配向膜２５における斜め蒸着の平面視での蒸着方向と同じである。垂直配向処理の上記傾斜方向は、液晶装置１の光学設計条件に基づいて適宜設定される。
配向膜面に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣが９０°未満のプレチルト角θｐを与えられて倒立している配向状態を垂直配向と呼ぶ。
【００３９】
本実施形態では、表示領域１１において偏光素子６１及び偏光素子６３の透過軸または吸収軸に対して液晶分子ＬＣのプレチルトの方位角が４５°で交差するように垂直配向処理が施されている。したがって、図３（ｂ）に示すように画素電極５３と共通電極５５との間に駆動電圧を印加して液晶７を駆動すると、液晶分子ＬＣがプレチルトの傾斜方向に倒れることにより、高い透過率が得られる光学的な配置となっている。
液晶７の駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）を繰り返すと、液晶分子ＬＣはプレチルトの傾斜方向に倒れたり、初期の配向状態に戻ったりする挙動を繰り返す。このような液晶分子ＬＣの挙動が起る垂直配向処理を１軸の垂直配向処理という。
【００４０】
表示領域１１において液晶分子ＬＣのプレチルトの傾斜方向は、図４に示すように、Ｙ方向となす方位角θａが４５°となるように設定されている。具体的には、破線で示した矢印方向が素子基板３に対する斜め蒸着の方向であり、右上から左下に向かう方向である。一方、実線で示した矢印方向が対向基板５に対する斜め蒸着の方向であり、左下から右上に向かう方向である。表示領域１１における液晶分子ＬＣのプレチルトの傾斜方向を方位角θａをそのまま利用して傾斜方向θａと呼ぶ。なお、カラム１７ａ及びカラム２５ａは、それぞれ、平面視で（図４において）、傾斜方向θａに延在している。
【００４１】
ところで、液晶装置１では、対向基板５側から液晶装置１に光を入射させると、対向基板５と素子基板３との間に、且つ、遮光膜２１と表示領域１１との境界部に、不純物が集積することがある。これは、光の照射によって活性化した不純物が、表示領域１１に比較して光照射のエネルギーが弱い遮光膜２１側に集積しやすいためであると考えられる。そして、集積した不純物が焼き付き現象を生じて、シミとして視認されやすくなる。このようなシミは、液晶装置１における表示品位を低下させる要因となる。
【００４２】
本実施形態における液晶装置１では、遮光膜２１に、図５に示すように、表示領域１１側から表示領域１１の外側に向かって切り込み７１が設けられている。図５に示す例では、切り込み７１として切欠き７３が設けられている。この切り込み７１により、光の入射と遮光との境界を表示領域１１の外側に遠ざけることができる。このため、切り込み７１が設けられている部位に不純物が集積した場合に、不純物を表示領域１１から遠ざけることができるので、不純物を視認させにくくすることができる。これにより、液晶装置１における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００４３】
前述したように、本実施形態では、１軸の垂直配向が採用されている。本実施形態における傾斜方向θａによれば、画素２７を駆動することにより、基板面に対して垂直配向した液晶分子ＬＣが傾斜方向θａに振られる挙動を示す（図３（ｂ）参照）。これにより、傾斜方向θａに向かう液晶分子ＬＣの挙動すなわち流動（フロー）が生じる。これにより、液晶７中に含まれた不純物がこの流動（フロー）に沿って液晶７中を移動し、やがて表示領域１１の傾斜方向θａに位置する角部に運ばれる。このため、表示領域１１の角部に不純物が集積しやすくなる。
【００４４】
本実施形態では、液晶７を駆動することによって生じる液晶分子ＬＣの流動方向に交差する遮光膜２１の部位、すなわち表示領域１１の４つの角部に切り込み７１が設けられている。このため、液晶分子ＬＣの流動につられて移動する不純物を切り込み７１に集積させやすくすることができる。これにより、不純物を効率よく切り込み７１に集積させやすくすることができる。
なお、本実施形態では、表示領域１１の４つの角部に切り込み７１が設けられている。しかしながら、切り込み７１設ける箇所は、これに限定されず、少なくとも液晶分子ＬＣの流動方向に交差する１つの角部に設けられればよい。また、４つの角部に加えて、他の箇所にも切り込み７１を設ける構成も採用され得る。
【００４５】
また、切欠き７３の形状は、図５に示す例に限定されず、円形や異形状などの種々の形状が採用され得る。
また、切り込み７１の態様は、切欠き７３に限定されず、図６に示すように、スリット７５も採用され得る。このスリット７５は、スリット７５を境にして、遮光膜２１を複数に分断している。このようなスリット７５によっても、不純物を表示領域１１から遠ざけることができるので、不純物を視認させにくくすることができる。これにより、液晶装置１における表示品位を向上させやすくすることができる。なお、スリット７５の形状は、図５に示す例に限定されず、曲線を含む形状などの種々の形状が採用され得る。
本実施形態において、対向基板５が第１基板に対応し、素子基板３が第２基板に対応している。
【００４６】
なお、本実施形態では、配向膜１７及び配向膜２５として、それぞれ無機配向膜が採用されている。しかしながら、配向膜１７及び配向膜２５は、それぞれ、無機配向膜に限定されない。配向膜１７及び配向膜２５としては、それぞれ、例えば、ポリイミドなどの有機配向膜も採用され得る。
また、本実施形態では、ＶＡ型の液晶７が適用されているが、液晶７は、これに限定されない。液晶７としては、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）型やＯＣＢ（Optically Compensated Bend）型も適用可能である。
また、本実施形態では、液晶装置１として、透過型の液晶装置１が採用されている。しかしながら、液晶装置１は、これに限定されない。液晶装置１としては、例えば、画素電極５３が光反射性を有する材料で構成された反射型の液晶装置１も採用され得る。
【００４７】
（電子機器）
液晶装置１を用いた電子機器を、投射型表示装置の１つであるプロジェクターを例示して説明する。
本実施形態におけるプロジェクター５００は、図７に示すように、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置５０１と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー５０３，５０５と、３つの反射ミラー５０７，５０８，５０９と、５つのリレーレンズ５１１，５１２，５１３，５１４，５１５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ５１７，５１８，５１９と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム５２１と、投射レンズ５２３とを備えている。
【００４８】
偏光照明装置５０１は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット５２５と、インテグレーターレンズ５２７と、偏光変換素子５２９と、を有している。
ダイクロイックミラー５０３は、偏光照明装置５０１から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー５０５は、ダイクロイックミラー５０３を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００４９】
ダイクロイックミラー５０３で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー５０７で反射した後にリレーレンズ５１５を経由して液晶ライトバルブ５１７に入射する。
ダイクロイックミラー５０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ５１４を経由して液晶ライトバルブ５１８に入射する。
ダイクロイックミラー５０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ５１１，５１２，５１３と２つの反射ミラー５０８，５０９とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ５１９に入射する。
【００５０】
液晶ライトバルブ５１７，５１８，５１９は、クロスダイクロイックプリズム５２１の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ５１７，５１８，５１９に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム５２１に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ５２３によってスクリーン５３１上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００５１】
なお、液晶ライトバルブ５１７，５１８，５１９は、それぞれ、上述した液晶装置１が適用されたものである。液晶ライトバルブ５１７，５１８，５１９は、それぞれ、偏光素子６３側が各色光の入射側に向けられている。
本実施形態のプロジェクター５００によれば、不純物を視認させにくくすることができる液晶装置１を有しているので、投写表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００５２】
なお、液晶装置１が適用される電子機器は、プロジェクター５００に限定されない。液晶装置１は、例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００５３】
１…液晶装置、３…素子基板、５…対向基板、７…液晶、１１…表示領域、１３…基板、１５…素子層、１７…配向膜、１９…基板、２１…遮光膜、２３…素子層、２５…配向膜、２７…画素、５３…画素電極、５５…共通電極、７１…切り込み、７３…切欠き、７５…スリット、５００…プロジェクター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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