(57)【要約】【課題】周波数可変範囲を維持しながら異常発振を抑制することが可能な発振器及び電子機器を提供すること。【解決手段】発振器１は、水晶振動子１０（発振素子）と、水晶振動子１０の出力端子から入力端子に至る発振ループ（帰還経路）に設けられているＣＭＯＳインバーター２０（増幅素子）と、発振ループに含まれる、ＣＭＯＳインバーター２０の出力端子から可変容量ダイオード３０の一端に至る経路に設けられ、ＣＭＯＳインバーター２０の出力信号の直流成分をカットするＤＣカット用のコンデンサー４０と、を含む。発振ループに含まれる、可変容量ダイオード３０の他端からＣＭＯＳインバーター２０の入力端子に至る経路に、周波数選択性を有する水晶振動子１０が設けられている。【選択図】図１
2013197837.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振素子と、
前記発振素子の一端から他端に至る帰還経路に設けられている増幅素子と、
前記帰還経路に設けられている可変容量素子と、
前記帰還経路に含まれる、前記増幅素子の出力端子から前記可変容量素子の一端に至る経路に設けられ、前記増幅素子の出力信号の直流成分をカットする直流カット用容量素子と、を含み、
前記帰還経路に含まれる、前記可変容量素子の他端から前記増幅素子の入力端子に至る経路に、周波数選択性を有する素子が設けられている、発振器。
【請求項２】
請求項１において、
前記周波数選択性を有する素子は、前記発振素子である、発振器。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記可変容量素子は、
前記帰還経路上の前記増幅素子の入力端子側にある端子に容量値を制御するための制御信号が入力され、前記帰還経路上の前記増幅素子の出力端子側にある端子にバイアス信号が入力される、発振器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記帰還経路に設けられているインダクタンス素子を含み、
前記周波数選択性を有する素子は、前記発振素子及び前記インダクタンス素子の少なくとも一方である、発振器。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発振器を含む、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発振器及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
制御電圧に応じて発振周波数を変化させることができる電圧制御型発振器（ＶＣＯ：Voltage Controlled Oscillator）が広く知られており、様々な用途に使用されている。その中でも、周波数安定度の高い水晶振動子を用いた電圧制御型水晶発振器（ＶＣＸＯ：Voltage Controlled X’tal Oscillator）は、周波数安定度が高く、様々な用途に使用されている。
【０００３】
近年の携帯端末機器の急速な発展とともに、電圧制御型水晶発振器（ＶＣＸＯ）は、各種の処理用のクロック発生源として携帯端末機器に内蔵されるケースが多くなり、低コスト化や低消費電力化だけでなく、用途によっては広範な周波数可変範囲の実現も要求されている。
【０００４】
このような要求に応えるため、例えば、特許文献１では、従来よりも広範な周波数可変範囲を実現するとともに小型化に有利な水晶発振器が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２５２７６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１の水晶発振器も含めて従来の一般的な電圧制御型水晶発振器（ＶＣＸＯ）は、増幅素子の入出力端子の電位の変動により可変容量素子の両端の電位が変動しないように、増幅素子の両端と可変容量素子の両端の間に直流カット（ＤＣカット）用の容量素子が接続されている。このＤＣカット用の容量素子は可変容量素子と直列に接続されるため、周波数可変範囲を広くするためには、ＤＣカット用の容量素子の容量値を可変容量素子の容量値よりも十分大きくしなければいけない。
【０００７】
ところが、ＤＣカット用の容量素子の容量値が大きいと、可変容量素子のカソード側に入力される制御電圧の変動による高周波成分がＤＣカット用の容量素子を介してＣＭＯＳインバーターのゲート電位を揺らすため、正常な発振が阻害されるおそれがあった。
【０００８】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、周波数可変範囲を維持しながら異常発振を抑制することが可能な発振器及び電子機器を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することが可能である。
【００１０】
［適用例１］
本適用例に係る発振器は、発振素子と、前記発振素子の一端から他端に至る帰還経路に設けられている増幅素子と、前記帰還経路に設けられている可変容量素子と、前記帰還経路に含まれる、前記増幅素子の出力端子から前記可変容量素子の一端に至る経路に設けられ、前記増幅素子の出力信号の直流成分をカットする直流カット用容量素子と、を含み、前記帰還経路に含まれる、前記可変容量素子の他端から前記増幅素子の入力端子に至る経路に、周波数選択性を有する素子が設けられている。
【００１１】
本適用例に係る発振器では、発振素子の一端から他端に至る帰還経路において、可変容量素子と増幅素子の入力端子との間には、直流カット用容量素子ではなく、周波数選択性を有する素子が接続されている。そのため、可変容量素子の一端に入力される制御信号の変動による高周波成分は、周波数選択性を有する素子で減衰され、増幅素子の入力端子にほとんど伝搬しない。従って、本適用例に係る発振器によれば、制御信号の変動による高周波成分に起因する異常発振を抑制することができる。
【００１２】
また、直流カット用容量素子は、可変容量素子と増幅素子の入力端子との間に接続されていないので、直流カット用容量素子の容量値を大きくしても、可変容量素子の一端に入力される制御信号の変動による高周波成分が直流カット用容量素子を介して増幅素子の入力端子に伝搬することはない。そのため、可変容量素子の容量値に対して直流カット用容量素子の容量値を十分に大きくすることができる。従って、本実施形態の発振器によれば、比較的広い周波数可変範囲を維持することができる。
【００１３】
［適用例２］
上記適用例に係る発振器において、前記周波数選択性を有する素子は、前記発振素子であってもよい。
【００１４】
本適用例に係る発振器によれば、可変容量素子の一端に入力される制御信号の変動による高周波成分は、周波数選択性の高い発振素子で十分に減衰され、増幅素子の入力端子にほとんど伝搬しない。従って、本適用例に係る発振器によれば、専用の素子を追加することなく、制御信号の変動による高周波成分に起因する異常発振を抑制することができる。
【００１５】
［適用例３］
上記適用例に係る発振器において、前記可変容量素子は、前記帰還経路上の前記増幅素子の入力端子側にある端子に容量値を制御するための制御信号が入力され、前記帰還経路上の前記増幅素子の出力端子側にある端子にバイアス信号が入力されるようにしてもよい。
【００１６】
本適用例に係る発振器によれば、他の容量と比較して相対的に容量値が大きい可変容量素子と直流カット用容量素子を、制御信号の入力端子とグランドとの間に直列に接続させることができる。そのため、可変容量素子の、帰還経路上の増幅素子の出力端子側にある端子に容量値を制御するための制御信号が入力され、前記帰還経路上の前記増幅素子の入力端子側にある端子にバイアス信号が入力されるようにした場合（可変容量素子と直流カット用容量素子を、制御信号の入力端子とグランドとの間に直列に接続させた場合）と比較して、制御信号の入力端子とグランドとの間の合成容量を小さくすることができる。従って、制御信号に対して、入力抵抗値と合成容量値による時定数を小さくすることができるので、制御信号の周波数帯域を広くする（制御信号の変化に追従して発振周波数が変化する応答性を高くする）ことができる。
【００１７】
［適用例４］
上記適用例に係る発振器は、前記帰還経路に設けられているインダクタンス素子を含み、前記周波数選択性を有する素子は、前記発振素子及び前記インダクタンス素子の少なくとも一方であってもよい。
【００１８】
本適用例に係る発振器によれば、インダクタンス素子により発振周波数の可変範囲を広くするとともに、可変容量素子の一端に入力される制御信号の変動による高周波成分は、発振素子とインダクタンス素子の一方又は両方で減衰され、増幅素子の入力端子にほとんど伝搬しない。従って、本適用例に係る発振器によれば、可変範囲を広くするとともに、制御信号の変動による高周波成分に起因する異常発振を抑制することができる。
【００１９】
［適用例５］
本適用例に係る電子機器は、上記のいずれかの適用例に係る発振器を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態の発振器の構成例を示す図。
【図２】水晶振動子の等価回路を示す図。
【図３】第２実施形態の発振器の構成例を示す図。
【図４】図４（Ａ）は第１実施形態の発振器における時定数回路を示す図であり、図４（Ｂ）は第２実施形態の発振器における時定数回路を示す図。
【図５】第３実施形態の発振器の構成例を示す図。
【図６】本実施形態の電子機器の機能ブロック図。
【図７】本実施形態の電子機器の外観の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２２】
１．発振器
１−１．第１実施形態
図１は、第１実施形態の発振器の構成例を示す図である。図１に示すように、本実施形態の発振器１は、水晶振動子１０、ＣＭＯＳインバーター２０、可変容量ダイオード３０、コンデンサー４０、抵抗５０、抵抗６０、コンデンサー７０、コンデンサー８０、抵抗９０を含んで構成されている。ただし、本実施形態の発振器１は、これらの要素の一部を省略又は変更したり、他の要素を追加した構成としてもよい。
【００２３】
ＣＭＯＳインバーター２０（増幅素子の一例）は、入力端子（ゲート端子）が水晶振動子１０の出力端子に接続されており、出力端子（ドレイン端子）はＤＣカット用のコンデンサー４０（直流カット用容量素子の一例）の一端に接続されている。また、ＣＭＯＳインバーター２０の入力端子と出力端子には、水晶振動子１０の負荷容量として機能するコンデンサー７０とコンデンサー８０が接続されている。さらに、ＣＭＯＳインバーター２０の入力端子と出力端子の間には、抵抗９０（帰還抵抗）が接続されている。
【００２４】
ＤＣカット用のコンデンサー４０の他端は、可変容量ダイオード３０（可変容量素子の一例）のカソード端子に接続されており、このカソード端子には、抵抗５０（入力抵抗）を介して制御電圧Ｖｃが供給される。
【００２５】
可変容量ダイオード３０のアノード端子は、水晶振動子１０の入力端子が接続されており、このアノード端子には、抵抗６０（バイアス抵抗）を流れる電流に応じたバイアス電圧が供給される。
【００２６】
水晶振動子１０（発振素子の一例）は、図２に示すような等価回路で表される。Ｒ１は等価直列抵抗、Ｌ１は等価直列インダクタンス、Ｃ１は等価直列容量、Ｃ０は並列容量である。
【００２７】
そして、水晶振動子１０の入力端子から、ＣＭＯＳインバーター２０、コンデンサー４０、可変容量ダイオード３０を通り、水晶振動子１０の出力端子に至る発振ループ（帰還経路の一例）が形成されており、水晶振動子１０は、並列容量Ｃ０と、コンデンサー７０、コンデンサー８０、コンデンサー４０、可変容量ダイオード３０の合成容量（負荷容量）ＣＬに応じた周波数で発振を継続する。
【００２８】
可変容量ダイオード３０の容量値は制御電圧Ｖｃにより所定の範囲で増減するので、合成容量ＣＬは制御電圧Ｖｃにより決まる。従って、本実施形態の発振器１は、制御電圧Ｖｃにより発振周波数を所定の範囲で変更可能な電圧制御型水晶発振器（ＶＣＸＯ）となっている。
【００２９】
このような構成の本実施形態の発振器１では、発振ループにおいて、可変容量ダイオード３０とＣＭＯＳインバーター２０の入力端子（ゲート端子）との間には、ＤＣカット用のコンデンサー４０ではなく、水晶振動子１０が接続されている。水晶振動子１０は、周波数選択性が高いため、制御電圧Ｖｃの変動による高周波成分は、水晶振動子１０で大きく減衰され、ＣＭＯＳインバーター２０の入力端子（ゲート端子）にほとんど伝搬しない。
【００３０】
なお、可変容量ダイオード３０は、ＤＣカット用のコンデンサー４０と抵抗９０を介してＣＭＯＳインバーター２０の入力端子（ゲート端子）に接続されているが、抵抗９０は帰還抵抗なのでその抵抗値が大きく（例えば数ｋΩ）、制御電圧Ｖｃの変動による高周波成分は抵抗９０で大きく減衰されるためＣＭＯＳインバーター２０の入力端子（ゲート端子）にはほとんど伝搬しない。
【００３１】
このように、本実施形態の発振器によれば、制御電圧Ｖｃの変動による高周波成分がＣＭＯＳインバーター２０の入力端子（ゲート端子）にはほとんど伝搬しないので、異常発振を抑制することができる。
【００３２】
また、ＤＣカット用のコンデンサー４０は、可変容量ダイオード３０とＣＭＯＳインバーター２０の入力端子（ゲート端子）との間に接続されていないので、ＤＣカット用のコンデンサー４０の容量値を大きくしても、制御電圧Ｖｃの変動による高周波成分がＤＣカット用のコンデンサー４０を介してＣＭＯＳインバーター２０の入力端子（ゲート端子）に伝搬することはない。そのため、可変容量ダイオード３０の容量値に対してＤＣカット用のコンデンサー４０の容量値を十分に大きくすることができる。従って、本実施形態の発振器によれば、比較的広い周波数可変範囲を維持することができる。
【００３３】
１−２．第２実施形態
図３は、第２施形態の発振器の構成例を示す図である。図３に示すように、第２実施形態の発振器１は、水晶振動子１０、ＣＭＯＳインバーター２０、可変容量ダイオード３０、コンデンサー４０、抵抗５０、抵抗６０、コンデンサー７０、コンデンサー８０、抵抗９０を含んで構成されている。ただし、本実施形態の発振器１は、これらの要素の一部を省略又は変更したり、他の要素を追加した構成としてもよい。
【００３４】
ＣＭＯＳインバーター２０は、入力端子（ゲート端子）が水晶振動子１０の出力端子に接続されており、出力端子（ドレイン端子）はＤＣカット用のコンデンサー４０の一端に接続されている。また、ＣＭＯＳインバーター２０の入力端子と出力端子には、負荷容量として機能するコンデンサー７０とコンデンサー８０が接続されている。さらに、ＣＭＯＳインバーター２０の入力端子と出力端子の間には、抵抗９０（帰還抵抗）が接続されている。
【００３５】
ＤＣカット用のコンデンサー４０の他端は、可変容量ダイオード３０のアノード端子に接続されており、このアノード端子には、抵抗６０（バイアス抵抗）を流れる電流に応じたバイアス電圧が供給される。
【００３６】
可変容量ダイオード３０のカソード端子は、水晶振動子１０の入力端子が接続されており、このカソード端子には、抵抗５０（入力抵抗）を介して制御電圧Ｖｃが供給される。
【００３７】
すなわち、第２実施形態の発振器１は、可変容量ダイオード３０を接続する方向が第１実施形態と逆になっている。これは、制御電圧Ｖｃの入力端子に対して、入力抵抗５０の抵抗値ＲＩと、可変容量ダイオード３０のカソード端子とグランドの間の合成容量値ＣＬとによる時定数回路が構成されており、第１実施形態よりも時定数ＲＩＣＬを小さくして制御電圧Ｖｃの周波数帯域を広くする（制御電圧Ｖｃの変化に追従して発振周波数が変化する応答性を高くする）ためである。
【００３８】
図４（Ａ）は第１実施形態における時定数回路を示す図であり、図４（Ｂ）は第２実施形態における時定数回路を示す図である。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）において、ＲＩは抵抗５０の抵抗値、Ｃ０は水晶振動子１０の並列容量の容量値、ＣＶは可変容量ダイオード３０の容量値、ＣＤはＤＣカット用のコンデンサー４０の容量値、ＣＬ１はコンデンサー７０の容量値、ＣＬ２はコンデンサー８０の容量値である。
【００３９】
図４（Ａ）より、第１実施形態における時定数回路の時定数ＲＩＣＬは、次式（１）で計算される。
【００４０】
【数１】
2013197837.tif 000003
【００４１】
一方、図４（Ｂ）より、第２実施形態における時定数回路の時定数ＲＩＣＬは、次式（２）で計算される。
【００４２】
【数２】
2013197837.tif 000004
【００４３】
一般に、発振器１の周波数可変範囲を広くするために、ＣＶはＣ０，ＣＬ１，ＣＬ２はよりも大きく、ＣＤはＣＶよりも十分大きい値となる。
【００４４】
一例として、Ｃ０＝３ｐＦ，Ｃｖ＝１０ｐＦ，ＣＤ＝１０ｐＦ，ＣＬ１＝３ｐＦ，ＣＬ２＝３ｐＦとすると、第１実施形態の発振器１では式（１）よりＣＬ≒４．３５ｐＦ、第２実施形態の発振器１では式（２）よりＣＬ≒３．５７ｐＦとなる。
【００４５】
従って、一般に、制御電圧Ｖｃの入力端子とグランドの間に可変容量ダイオード３０とＤＣカット用のコンデンサー４０を並列に接続する第１実施形態の発振器１よりも、直列に接続する第２実施形態の発振器１の方が、可変容量ダイオード３０のカソード端子とグランドの間の合成容量値ＣＬが小さくなるため、入力抵抗５０の抵抗値ＲＩが同じであれば時定数ＲＩＣＬを小さくすることができる。
【００４６】
このように、第２実施形態の発振器によれば、他の容量と比較して相対的に容量値が大きい可変容量ダイオード３０とＤＣカット用のコンデンサー４０を、制御電圧Ｖｃの入力端子とグランドとの間に直列に接続させることができる。従って、制御電圧Ｖｃに対する時定数回路の時定数ＲＩＣＬを第１実施形態よりも小さくすることができるので、制御電圧Ｖｃの周波数帯域を広くする（制御電圧Ｖｃの変化に追従して発振周波数が変化する応答性を高くする）ことができる。
【００４７】
また、第２実施形態の発振器によれば、第１実施形態の発振器と同様に、制御電圧Ｖｃの変動による高周波成分がＣＭＯＳインバーター２０の入力端子（ゲート端子）にはほとんど伝搬しないので、異常発振を抑制することができる。
【００４８】
また、第２実施形態の発振器によれば、第１実施形態の発振器と同様に、可変容量ダイオード３０の容量値に対してＤＣカット用のコンデンサー４０の容量値を十分に大きくすることができるので、比較的広い周波数可変範囲を維持することができる。
【００４９】
１−３．第３実施形態
図５は、第３施形態の発振器の構成例を示す図である。図５に示すように、第３実施形態の発振器１は、水晶振動子１０、ＣＭＯＳインバーター２０、可変容量ダイオード３０、コンデンサー４０、抵抗５０、抵抗６０、コンデンサー７０、コンデンサー８０、抵抗９０、伸長コイル１００を含んで構成されている。ただし、本実施形態の発振器１は、これらの要素の一部を省略又は変更したり、他の要素を追加した構成としてもよい。
【００５０】
ＣＭＯＳインバーター２０は、入力端子（ゲート端子）が水晶振動子１０の出力端子に接続されており、出力端子（ドレイン端子）はＤＣカット用のコンデンサー４０の一端に接続されている。また、ＣＭＯＳインバーター２０の入力端子と出力端子には、負荷容量として機能するコンデンサー７０とコンデンサー８０が接続されている。さらに、ＣＭＯＳインバーター２０の入力端子と出力端子の間には、抵抗９０（帰還抵抗）が接続されている。
【００５１】
ＤＣカット用のコンデンサー４０の他端は、伸長コイル１００の一端に接続されている。伸長コイル１００の他端は、可変容量ダイオード３０のアノード端子に接続されており、このアノード端子には、抵抗６０（バイアス抵抗）を流れる電流に応じたバイアス電圧が供給される。
【００５２】
可変容量ダイオード３０のカソード端子は、水晶振動子１０の入力端子が接続されており、このカソード端子には、抵抗５０（入力抵抗）を介して制御電圧Ｖｃが供給される。
【００５３】
すなわち、第３実施形態の発振器１は、第２実施形態の発振器１に対して、ＤＣカット用のコンデンサー４０と可変容量ダイオード３０のアノード端子との間に、伸長コイル１００が接続された構成となっている。
【００５４】
伸長コイル１００（インダクタンス素子の一例）は、発振器１の発振周波数の可変範囲を広げる役割を果たす。
【００５５】
このように、第３実施形態の発振器によれば、ＤＣカット用のコンデンサー４０と可変容量ダイオード３０のアノード端子との間に伸長コイル１００を接続することで、発振周波数の可変範囲を広くするとともに、制御電圧Ｖｃの変動による高周波成分は、水晶振動子１０と伸長コイル１００で大きく減衰され、ＣＭＯＳインバーター２０の入力端子（ゲート端子）にほとんど伝搬しないので、異常発振を抑制することができる。
【００５６】
また、第３実施形態の発振器によれば、第１実施形態の発振器と同様に、可変容量ダイオード３０の容量値に対してＤＣカット用のコンデンサー４０の容量値を十分に大きくすることができるので、比較的広い周波数可変範囲を維持することができる。
【００５７】
なお、伸長コイル１００は、発振ループ上であればどこに配置してもよい。例えば、伸長コイル１００を、可変容量ダイオード３０からＣＭＯＳインバーター２０の入力端子（ゲート端子）に至る経路上に配置するようにしてもよい。水晶振動子１０は周波数選択性が高く、伸長コイル１００にも周波数選択性があるため、制御電圧Ｖｃの変動による高周波成分は、水晶振動子１０と伸長コイル１００で大きく減衰され、ＣＭＯＳインバーター２０の入力端子（ゲート端子）にほとんど伝搬しない。従って、異常発振をより大きく抑制することができる。
【００５８】
２．電子機器
図６は、本実施形態の電子機器の機能ブロック図である。また、図７は、本実施形態の電子機器の一例であるスマートフォンの外観の一例を示す図である。
【００５９】
本実施形態の電子機器２００は、クロック生成部２１０、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２２０、操作部２３０、ＲＯＭ（Read Only Memory）２４０、ＲＡＭ（Random Access Memory）２５０、通信部２６０、表示部２７０、音出力部２８０を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図６の構成要素（各部）の一部を省略又は変更したり、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
【００６０】
クロック生成部２１０は、発振器２１２の発振信号を原振クロックとして、各種のクロック信号を生成する。発振器２１２は、例えば、前述した第１〜第３実施形態の発振器１のいずれかである。
【００６１】
ＣＰＵ２２０は、ＲＯＭ２４０等に記憶されているプログラムに従い、クロック生成部２１０が生成する各種のクロック信号を用いて各種の計算処理や制御処理を行う。具体的には、ＣＰＵ２２０は、操作部２３０からの操作信号に応じた各種の処理、外部とデータ通信を行うために通信部２６０を制御する処理、表示部２７０に各種の情報を表示させるための表示信号を送信する処理、音出力部２８０に各種の音を出力させる処理等を行う。
【００６２】
操作部２３０は、操作キーやボタンスイッチ等により構成される入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号をＣＰＵ２２０に出力する。
【００６３】
ＲＯＭ２４０は、ＣＰＵ２２０が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。
【００６４】
ＲＡＭ２５０は、ＣＰＵ２２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ２４０から読み出されたプログラムやデータ、操作部２３０から入力されたデータ、ＣＰＵ２２０が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する。
【００６５】
通信部２６０は、ＣＰＵ２２０と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種制御を行う。
【００６６】
表示部２７０は、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等により構成される表示装置であり、ＣＰＵ２２０から入力される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。
【００６７】
音出力部２８０は、スピーカー等の音を出力する装置である。
【００６８】
発振器２１２として本実施形態の発振器１を組み込むことにより、より信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【００６９】
このような電子機器２００としては種々の電子機器が考えられ、例えば、パーソナルコンピューター（例えば、モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター）、携帯電話機などの移動体端末、ディジタルスチールカメラ、インクジェット式吐出装置（例えば、インクジェットプリンター）、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等が挙げられる。
【００７０】
３．変形例
本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【００７１】
発振素子としては、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子、ＡＴカット水晶振動子、ＳＣカット水晶振動子、音叉型水晶振動子、その他の圧電振動子やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）振動子などを用いることができる。
【００７２】
発振素子の基板材料としては、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、又はシリコン半導体材料等を用いることができる。
【００７３】
発振素子の励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を用いてもよい。
【００７４】
また、増幅素子としては、バイポーラトランジスター、電界効果トランジスター（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）、金属酸化膜型電界効果トランジスター（ＭＯＳＦＥＴ：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、サイリスター等を用いることができる。
【００７５】
また、本実施形態では、電圧制御型水晶発振器（ＶＣＸＯ）を例に挙げて説明したが、本発明の発振器は、これに限られず、圧電発振器（水晶発振器等）、ＳＡＷ発振器、電圧制御型発振器（ＶＣＸＯやＶＣＳＯ等）、温度補償型発振器（ＴＣＸＯ等）、恒温型発振器（ＯＣＸＯ等）、シリコン発振器、原子発振器等であってもよい。
【００７６】
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【００７７】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【００７８】
１  発振器、１０  水晶振動子、２０  ＣＭＯＳインバーター、３０  可変容量ダイオード、４０  コンデンサー、５０  抵抗、６０  抵抗、７０  コンデンサー、８０  コンデンサー８０、９０  抵抗、１００  伸長コイル、２００  電子機器、２１０  クロック生成部、２１２  発振器、２２０  ＣＰＵ、２３０  操作部、２４０  ＲＯＭ、２５０  ＲＡＭ、２６０  通信部、２７０  表示部、２８０  音出力部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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