(57)【要約】【課題】ノイズの影響を抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】モールド樹脂５０を樹脂５０ａに磁性材料５０ｂを混入して構成する領域を有しるものとする。または、隣接するリード３０の間に配置されるモールド樹脂５０を、樹脂５０ａに誘電性材料５０ｃを混入して構成する。これによれば、半導体装置のインダクタンスまたは容量を大きくすることができ、共振周波数を低くすることができる。したがって、増幅されるノイズの周波数を低くすることができ、当該ノイズが増幅されたとしても半導体チップ２０に対する影響を抑制することができる。【選択図】図１
2013026539.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、
前記基板（１０）の一面（１０ａ）上に搭載される半導体チップ（２０）と、
前記基板（１０）の外側に配置される複数のリード（３０）と、
前記半導体チップ（２０）と前記リード（３０）とを電気的に接続するワイヤ（４０）と、
前記リード（３０）のうち前記基板（１０）側と反対側を露出させつつ、前記基板（１０）、前記半導体チップ（２０）、前記リード（３０）を封止するモールド樹脂（５０）と、を備え、
前記モールド樹脂（５０）は、樹脂（５０ａ）に磁性材料（５０ｂ）が混入されて構成される領域を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記モールド樹脂（５０）は、前記リード（３０）のうち前記基板（１０）側の部位および前記ワイヤ（４０）を封止する第１領域（５１）と、その他の領域を封止する第２領域（５２）とを有し、
前記第１領域（５１）は前記樹脂（５０ａ）に前記磁性材料（５０ｂ）が混入されて構成され、前記第２領域（５２）は前記樹脂（５０ａ）のみで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
隣接する前記リード（３０）の間に配置される前記モールド樹脂（５０）は、樹脂（５０ａ）に誘電性材料（５０ｃ）が混入されて構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、
前記基板（１０）の一面（１０ａ）上に搭載される半導体チップ（２０）と、
前記基板（１０）の外側に配置され、互いに対向する側面を有する複数のリード（３０）と、
前記半導体チップ（２０）と前記リード（３０）とを電気的に接続するワイヤ（４０）と、
前記リード（３０）のうち前記基板（１０）側と反対側を露出させつつ、前記基板（１０）、前記半導体チップ（２０）、前記リード（３０）を封止するモールド樹脂（５０）と、を備え、
隣接する前記リード（３０）の間に配置される前記モールド樹脂（５０）は、樹脂（５０ａ）に誘電性材料（５０ｃ）が混入されて構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記複数のリード（３０）は、前記ワイヤ（４０）と接続される一面（３０ａ）を有する細長板状とされ、前記モールド樹脂（５０）で封止されている部位において、隣接する側面が対向する状態で前記一面（３０ａ）と垂直方向に折り曲げられた曲げ部（３１）を有していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数のリード（３０）は、前記ワイヤ（４０）と接続される一面（３０ａ）を有する細長板状とされ、前記モールド樹脂（５０）で封止されている部位において、側面から隣接するリード（３０）に向かって突出する突出部（３２）を有していることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数のリード（３０）は、電源用リード（３０ａ）、グランド用リード（３０ｂ）、出力用リード（３０ｃ）を有し、前記グランド用リード（３０ｂ）を挟んで前記電源用リード（３０ａ）と前記出力用リード（３０ｃ）とが配置されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記モールド樹脂（５０）には、金属製のハウジング（６０）が備えられていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に搭載された半導体チップとリードとをワイヤを介して電気的に接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば、特許文献１では、基板と、基板上に搭載される半導体チップと、基板の外側に配置されるリードと、半導体チップとリードとを電気的に接続するワイヤと、リードのうち基板側と反対側を露出させつつ、基板、半導体チップ、ワイヤを封止するエポキシ樹脂等で構成されるモールド樹脂とを備えた半導体装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１６６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような半導体装置では、リードおよびワイヤで構成される合成インダクタンスＬと、隣接するリードの間に構成される容量ＣとによってＬＣ回路が構成されるため、１／｛２π（ＬＣ）１／２｝の共振周波数を有する。このため、リードからこの共振周波数と同周波数のノイズが導入された場合には、当該ノイズが増幅されて半導体チップに悪影響を及ぼすという問題がある。
【０００５】
本発明は上記点に鑑みて、ノイズの影響を抑制することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明者らは鋭意検討を行い、共振周波数を低くして増幅されるノイズの周波数を低くすることにより、当該ノイズが増幅されたとしても、共振周波数を低くしているために半導体チップに対するノイズの影響を抑制することができることを見出した。つまり、上記のような半導体装置では、１／｛２π（ＬＣ）１／２｝の共振周波数を有するため、合成インダクタンスを大きくする、または容量を大きくすることにより、共振周波数を低くすることができ、ノイズの影響を抑制することができることを見出した。
【０００７】
このため、請求項１に記載の発明では、一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、基板（１０）の一面（１０ａ）上に搭載される半導体チップ（２０）と、基板（１０）の外側に配置される複数のリード（３０）と、半導体チップ（２０）とリード（３０）とを電気的に接続するワイヤ（４０）と、リード（３０）のうち基板（１０）側と反対側を露出させつつ、基板（１０）、半導体チップ（２０）、リード（３０）を封止するモールド樹脂（５０）と、を備え、モールド樹脂（５０）は、樹脂（５０ａ）に磁性材料（５０ｂ）が混入されて構成される領域を有していることを特徴としている。
【０００８】
このような半導体装置では、モールド樹脂（５０ａ）は、樹脂（５０ａ）に磁性材料（５０ｂ）が混入されて構成される領域を有しているため、リード（３０）およびワイヤ（４０）の合成インダクタンスを磁性材料（５０ｂ）によって引き上げて大きくすることができ、半導体装置の共振周波数を低くすることができる。したがって、増幅されるノイズの周波数を低くすることができ、当該ノイズが増幅されたとしても半導体チップ（２０）に対する影響を抑制することができる。
【０００９】
この場合、請求項２に記載の発明のように、モールド樹脂（５０）は、リード（３０）のうち基板（１０）側の部位およびワイヤ（４０）を封止する第１領域（５１）と、その他の領域を封止する第２領域（５２）とを有するものとし、第１領域（５１）は樹脂（５０ａ）に磁性材料（５０ｂ）が混入されて構成され、第２領域（５２）は樹脂（５０ａ）のみで構成されるものとすることができる。
【００１０】
リード（３０）およびワイヤ（４０）の合成インダクタンスを大きくする主な磁性材料（５０ｂ）はリード（３０）およびワイヤ（４０）の近傍に配置される磁性材料（５０ｂ）であるため、このように、リード（３０）およびワイヤ（４０）を封止する第１領域（５１）のみに磁性材料（５０ｂ）を配置してもよい。これによれば、モールド樹脂（５０）の全体に磁性材料（５０ｂ）を配置する場合と比較して、磁性材料（５０ｂ）の総量を減らすことができ、コストを低下させることができる。
【００１１】
さらに、請求項３に記載のように、隣接するリード（３０）の間に配置されるモールド樹脂（５０）を樹脂（５０ａ）に誘電性材料（５０ｃ）が混入されて構成されるものとすることができる。
【００１２】
このように、隣接するリード（３０）の間に配置されるモールド樹脂（５０）を樹脂（５０ａ）に誘電性材料（５０ｃ）が混入されて構成されるものとすることにより、隣接するリード（３０）の間の誘電率を大きくすることができ、隣接するリード（３０）の間に形成される容量を大きくすることができる。このため、さらに半導体装置の共振周波数を低くすることができ、増幅されるノイズの周波数を低くすることができる。
【００１３】
また、請求項４に記載の発明では、一面（１０ａ）を有する基板（１０）と、基板（１０）の一面（１０ａ）上に搭載される半導体チップ（２０）と、基板（１０）の外側に配置され、互いに対向する側面を有する複数のリード（３０）と、半導体チップ（２０）とリード（３０）とを電気的に接続するワイヤ（４０）と、リード（３０）のうち基板（１０）側と反対側を露出させつつ、基板（１０）、半導体チップ（２０）、リード（３０）を封止するモールド樹脂（５０）と、を備え、隣接するリード（３０）の間に配置されるモールド樹脂（５０）は、樹脂（５０ａ）に誘電性材料（５０ｃ）が混入されて構成されていることを特徴としている。
【００１４】
このように、隣接するリード（３０）の間に配置されるモールド樹脂（５０）を樹脂（５０ａ）に誘電性材料（５０ｃ）が混入されて構成されるものとすることにより、隣接するリード（３０）の間の誘電率を大きくすることができ、隣接するリード（３０）の間に形成される容量を大きくすることができる。このため、半導体装置の共振周波数を低くすることができ、増幅されるノイズの周波数を低くすることができる。したがって、当該ノイズが増幅されたとしても半導体チップ（２０）に対する影響を抑制することができる。
【００１５】
この場合、請求項５に記載の発明のように、複数のリード（３０）は、ワイヤ（４０）と接続される一面（３０ａ）を有する細長板状とされ、モールド樹脂（５０）で封止されている部位において、隣接する側面が対向する状態で一面（３０ａ）と垂直方向に折り曲げられた曲げ部（３１）を有するものとすることができる。
【００１６】
これによれば、リード（３０）が曲げ部（３１）を有さない場合と比較して、隣接するリード（３０）の対向面積を増加させることができ、隣接するリード（３０）の間に形成される容量を大きくすることができる。したがって、さらに半導体装置の共振周波数を低くすることができる。
【００１７】
また、請求項６に記載の発明のように、複数のリード（３０）は、ワイヤ（４０）と接続される一面（３０ａ）を有する細長板状とされ、モールド樹脂（５０）で封止されている部位において、側面から隣接するリード（３０）に向かって突出する突出部（３２）を有するものとすることができる。
【００１８】
これによれば、突出部（３２）を有する部位では隣接するリード（３０）の間の距離が短くなり、隣接するリード（３０）の間に形成される容量を大きくすることができる。したがって、さらに半導体装置の共振周波数を低くすることができる。
【００１９】
さらに、請求項７に記載の発明のように、複数のリード（３０）は、それぞれ電源用リード（３０ａ）、グランド用リード（３０ｂ）、出力用リード（３０ｃ）を有するものとすることができる。そして、グランド用リード（３０ｂ）を挟んで電源用リード（３０ａ）と出力用リード（３０ｃ）とを配置することができる。
【００２０】
このように、グランド用リード（３０ｂ）を挟んで電源用リード（３０ａ）と出力用リード（３０ｃ）とを配置することにより、例えば、電源用リード（３０ａ）を挟んでグランド用リード（３０ｂ）と出力用リード（３０ｃ）とを配置する場合と比較して、出力用リード（３０ｃ）から導入されたノイズをグランド用リード（３０）を介して放出しやすくすることができる。
【００２１】
また、請求項８に記載の発明のように、モールド樹脂（５０）に金属製のハウジング（６０）を備えることができる。これによれば、モールド樹脂（５０）に蓄積されたノイズをハウジング（６０）を介して外部に放出することができる。
【００２２】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態における半導体装置の断面構成を示す図である。
【図２】図１に示す半導体装置の平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態における半導体装置の断面構成を示す図である。
【図４】本発明の第３実施形態における半導体装置の断面構成を示す図である。
【図５】図４に示す半導体装置の平面図である。
【図６】本発明の第４実施形態における半導体装置の平面図である。
【図７】本発明の第５実施形態における半導体装置の断面構成を示す図である。
【図８】図７に示す半導体装置の平面図である。
【図９】本発明の第６実施形態における半導体装置の断面構成を示す図である。
【図１０】本発明の他の実施形態における半導体装置の断面構成を示す図である。
【図１１】本発明の他の実施形態における半導体装置の断面構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態における半導体装置の断面構成を示す図、図２は図１の平面図である。なお、図１は図２中のＡ−Ａ断面に相当している。
【００２５】
図１および図２に示されるように、本実施形態の半導体装置は、ダイパッド１０と、ダイパッド１０の一面１０ａに搭載される半導体チップ２０と、ダイパッド１０の外側に配置された複数のリード３０と、リード３０と半導体チップ２０とを結線するワイヤ４０と、これら各部材１０〜４０を封止するモールド樹脂５０とを備えている。なお、本実施形態では、ダイパッド１０が本発明の基板に相当している。
【００２６】
ダイパッド１０は、Ｃｕや４２アロイ等で構成されるリードフレームのアイランド等で構成され、矩形板状とされている。
【００２７】
半導体チップ２０は、一般的な半導体プロセスで形成された加速度や角速度等を検出するセンサチップや、所定の信号処理を行う回路チップ等であり、本実施系形態では、紙面右側に４個のパッド２１を備えている。そして、図示しない接着剤等を介してダイパッド１０の一面１０ａに接合されて固定されている。
【００２８】
リード３０は、Ｃｕや４２アロイ等で構成されるリードフレームのリード等で構成されており、本実施形態ではダイパッド１０の外側（周囲）、具体的にはダイパッド１０に搭載された半導体チップ２０のパッド２１側に４本備えられている。各リード３０は細長板状とされており、その長手方向の一端側がダイパッド１０側に位置し、他端側がダイパッド１０から離れる方向に延びるように配置されている。本実施形態では、各リード３０は、電源用リード３０ａ、グランド用リード３０ｂ、出力用リード３０ｃ、トリミング用リード３０ｄとされ、互いに平行に配置されていると共に各一面３０ａが同一平面となるように配置されている。そして、電源用リード３０ａと出力用リード３０ｃとの間にグランド用リード３０ｂが配置されている。
【００２９】
なお、本実施形態では、リード３０の他端側が本発明のリード３０のうち基板（ダイパッド１０）側と反対側に相当している。また、リード３０の一面３０ａとは、リード３０の両板面のうちのダイパッド１０の一面１０ａと同一方向を向いている面である。そして、トリミング用リード３０ｄは、外部回路と接続されて出力範囲等を調整するために用いられるものである。
【００３０】
ワイヤ４０は、金やアルミニウム等よりなり、半導体チップ２０に形成されたパッド２１とリード３０の一面３０ａとを結線してこれらを電気的に接続している。このようなワイヤ４０は、一般的なワイヤボンディング法によって形成されるものである。
【００３１】
モールド樹脂５０は、リード３０の他端側を露出させつつ、ダイパッド１０、半導体チップ２０、リード３０の一端側およびワイヤ４０を封止するものである。本実施形態のモールド樹脂５０は、エポキシ等の樹脂５０ａにフェライト等で構成される磁石粉末等の磁性材料粉末５０ｂが混入されて構成されている。なお、本実施形態では、磁性材料粉末５０ｂが本発明の磁性材料に相当している。以上が本実施形態における半導体装置の構成である。
【００３２】
このような半導体装置は、ダイパッド１０の一面１０ａに半導体チップ２０を搭載し、複数のリード３０をダイパッド１０の外側に配置して半導体チップ２０と各リード３０とをワイヤボンディングにより電気的に接続し、このものを金型等に設置してリード３０の他端側を露出させつつモールド樹脂５０で封止することにより製造される。なお、モールド樹脂５０は、磁性材料粉末５０ｂが樹脂５０ａに混入されたものが金型に流し込まれて形成されるため、磁性材料粉末５０ｂは樹脂５０ａ全体に拡散した状態となる。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態では、モールド樹脂５０が樹脂５０ａに磁性材料粉末５０ｂが混入されて構成されている。このため、リード３０およびワイヤ４０の合成インダクタンスを磁性材料粉末５０ｂによって引き上げて大きくすることができ、半導体装置の共振周波数を低くすることができる。したがって、ノイズが導入されて当該ノイズが増幅されたとしても半導体チップ２０に対する影響を抑制することができる。すなわち、このような半導体装置では、耐電磁性を向上させることができる。
【００３４】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してモールド樹脂５０の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図３は、本実施形態における半導体装置の断面構成を示す図である。なお、図３の平面図は図２と同様である。
【００３５】
図３に示されるように、本実施形態では、モールド樹脂５０がエポキシ等の樹脂５０ａにセラミック誘電体材料等で構成される誘電性材料粉末５０ｃが混入されて構成されている。そして、上記のように誘電性材料粉末５０ｃはモールド樹脂５０全体に拡散した状態となるため、隣接するリード３０の間に誘電性材料粉末５０ｃが配置されている。なお、本実施形態では、誘電性材料粉末５０ｃが本発明の誘電性材料に相当している。
【００３６】
このような半導体装置では、モールド樹脂５０が樹脂５０ａに誘電性材料粉末５０ｃが混入されて構成されている。このため、隣接するリード３０の間に形成される誘電率を大きくすることができ、隣接するリード３０の間に形成される容量を大きくすることができる。したがって、半導体装置の共振周波数を低くすることができ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３７】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対して各リード３０に曲げ部を形成したものであり、その他に関しては第２実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。図４は本実施形態における半導体装置の断面構成を示す図、図５は図４に示す半導体装置の平面図である。
【００３８】
図４および図５に示されるように、本実施形態では、各リード３０は、一端側において、言い換えると各リード３０のうちモールド樹脂５０で封止されている部位において、隣接するリード３０の側面が対向する状態でリード３０の一面３０ａと垂直方向に突出するように折り曲げられた曲げ部３１を有している。すなわち、各曲げ部３１は、各リード３０の同じ部位に形成されていると共に同じ大きさとされている。
【００３９】
このような半導体装置では、曲げ部３１がない場合と比較して、隣接するリード３０の対向面積を増加させることができ、隣接するリード３０の間に形成される容量を大きくすることができる。したがって、上記第２実施形態よりさらに半導体装置の共振周波数を下げることができる。
【００４０】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対して各リード３０に突出部を形成したものであり、その他に関しては第２実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。図６は本実施形態における半導体装置の平面図である。
【００４１】
図６に示されるように、本実施形態では、各リード３０は、一端側において、言い換えると各リード３０のうちモールド樹脂５０で封止される部位において、側面に隣接するリード３０に向かって突出する突出部３２を有している。すなわち、各突出部３２は、各リード３０の同じ部位に形成されていると共に同じ大きさとされている。また、各突出部３２は、本実施形態では平面矩形状とされている。
【００４２】
なお、各リード３０に形成された突出部３２は、隣接するリード３０（突出部３２）と離間しており、各リード３０は互いに絶縁されている。
【００４３】
このような半導体装置では、突出部３２を有する部位では隣接するリード３０の間の距離が短くなり、隣接するリード３０の間に形成される容量を大きくすることができる。したがって、上記第２実施形態よりさらに半導体装置の共振周波数を低くことができる。
【００４４】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してモールド樹脂５０の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。図７は、本実施形態における半導体装置の断面構成を示す図、図８は図７に示す半導体装置の平面図である。
【００４５】
図７および図８に示されるように、本実施形態では、モールド樹脂５０は、リード３０、ワイヤ４０、ダイパッド１０のうちリード３０側の領域、半導体チップ２０のうちパッド２１が形成されている領域を封止する第１領域５１と、他の領域を封止する第２領域５２とにより構成されている。そして、第１領域５１は樹脂５０ａに磁性材料粉末５０ｂが混入されて構成されており、第２領域５２は樹脂５０ａのみで構成されている。
【００４６】
なお、第１領域５１とは、言い換えるとリード３０およびワイヤ４０近傍の領域のことである。また、他の領域とは、モールド樹脂５０のうち第１領域５１でない領域のこと、つまり、リード３０およびワイヤ４０近傍でない領域のことであり、ダイパッド１０のうちリード３０と反対側の領域および半導体チップ２０のうちパッド２１が形成されている領域と反対側の領域のことである。
【００４７】
このような半導体装置では、モールド樹脂５０は、樹脂５０ａに磁性材料粉末５０ｂが混入されて構成される第１領域５１と、樹脂５０ａのみで構成される第２領域５２とを有している。このため、上記第１実施形態より磁性材料粉末５０ｂの総量を少なくすることができ、コストを低下させることができる。
【００４８】
なお、リード３０とワイヤ４０の合成インダクタンスを主に大きくするのはリード３０およびワイヤ４０の近傍に配置される磁性材料粉末５０ｂであり、このように第１領域５１のみに磁性材料粉末５０ｂを有する構成としても上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４９】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態について説明する。本実施形態は、上記第１実施形態に対して金属製のハウジングを備えたものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図９は、本実施形態における半導体装置の断面構成を示す図である。
【００５０】
図９に示されるように、本実施形態では、モールド樹脂５０にＳＵＳ等で構成される金属製のハウジング６０が備えられている。具体的には、ハウジング６０は、中空部を有する筒状とされ、一端側にリード３０が中空部内に配置されるようにモールド樹脂５０に備えられている。
【００５１】
これによれば、リード３０から導入されたノイズがモールド樹脂５０に伝達された際、当該ノイズをハウジング６０から放出することができる。このため、ノイズが半導体チップ２０に影響することを抑制することができる。
【００５２】
なお、このような半導体装置は、例えば、車両に搭載されて用いられるが、この場合はハウジング６０が接地された状態で車両に搭載されることが好ましい。
【００５３】
（他の実施形態）
上記第１実施形態では、磁性材料粉末５０ｂがモールド樹脂５０全体に拡散したものを説明したが、モールド樹脂５０に磁性材料粉末５０ｂが配置されていればリード３０およびワイヤ４０の合成インダクタンスを大きくすることができるため、磁性材料粉末５０ｂは部分的に配置されていてもよい。例えば、第５実施形態のようにモールド樹脂５０が第１、第２領域５１、５２を有する場合には、第２領域５２のみに磁性材料粉末５０ｂが配置されていてもよい。
【００５４】
また、上記第４実施形態では、各リード３０には、突出部３２が同じ部位に形成されていると共に同じ大きさとされている例について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、電源用リード３０ａの側面のみにグランド用リード３０ｂの側面に突出する突出部３２を形成するようにしてもよいし、電源用リード３０ａの側面にグランド用リード３０ｂの側面に突出する突出部３２を形成すると共に出力用リード３０ｃの側面にグランド用リード３０ｂの側面に突出する突出部３２を形成するようにしてもよい。また、突出部３２が形成される場所も各リード３０で異なっていてもよい。
【００５５】
さらに、上記各実施形態を組み合わせた半導体装置とすることができ、例えば、上記第１実施形態を上記第２実施形態に組み合わせることができる。図１０は、他の実施形態における半導体装置の断面構成を示す図である。図１０に示されるように、モールド樹脂５０を樹脂５０ａに磁性材料粉末５０ｂおよび誘電性材料粉末５０ｃを混入して構成することができる。なお、誘電性材料粉末５０ｃは、上記第２実施形態と同様に、隣接するリード３０の間に配置されていることが必要である。これによれば、リード３０およびワイヤ４０の合成インダクタンスを磁性材料粉末５０ｂによって引き上げて大きくすることができ、さらに、隣接するリード３０の間に形成される誘電率を誘電性材料粉末５０ｃによって大きくすることができる。このため、さらに、半導体装置の共振周波数を低くすることができる。
【００５６】
また、上記第３実施形態を上記第４実施形態に組み合わせることができる。このような半導体装置では、曲げ部３１にて隣接するリード３０の対向面積を増加させつつ、突出部３２にて隣接するリード３０の間の距離を短くすることができるため、隣接するリード３０の間に形成される容量をより大きくすることができる。
【００５７】
そして、上記第５実施形態を上記第２実施形態に組み合わせることができる。図１１は、他の実施形態における半導体装置の断面構成を示す図である。図１１に示されるように、モールド樹脂５０を第１領域５１、第２領域５２を有する構成とし、第１領域５１を樹脂５０ａに誘電性材料粉末５０ｃを混入させて構成すると共に第２領域５２を樹脂５０ａのみで構成するようにしてもよい。なお、この場合は、隣接するリード３０の間に誘電性材料粉末５０ｃが配置されていることが必要である。このような半導体装置としても、上記第５実施形態と同様に、誘電性材料粉末５０ｃの総量を少なくすることができ、コストを低下させることができる。同様に、上記第５実施形態を上記第３、第４実施形態に組み合わせることもできる。
【００５８】
さらに、上記第６実施形態を上記第２〜第５実施形態に組み合わせ、モールド樹脂５０にハウジング６０を備えてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１０    ダイパッド
２０    半導体チップ
３０    リード
４０    ワイヤ
５０    モールド樹脂
５０ａ  樹脂
５０ｂ  磁性材料粉末
５０ｃ  誘電性材料粉末
【図１】
2013026539.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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