(57)【要約】【課題】複数のＴＦＴ基板が形成されたマザーＴＦＴ基板と複数の対向基板が形成されたマザー対向基板を大気中において貼り合わせてマザー基板を形成し、該マザー基板を研磨によって薄くするときの研磨液によって液晶セルが破壊されることを防止する。【解決手段】マザー対向基板７０とマザーＴＦＴ基板６０がシール間ギャップ６２を介して飛び飛びに形成されたマザー基板シール材６１によって接着し、かつ、マザー基板シール材６１とマザー基板シール材６１の間は紫外線硬化樹脂によって形成されたマザー基板封止材６３によって充填されている。マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０を貼り合わせるときは、シール間ギャップ６２から内部の空気が抜け、その後、シール間ギャップ６２がマザー基板封止材６３によって塞がれるので、マザー基板８０を研磨する際の研磨液がマザー基板８０の内部に侵入することを防止することが出来る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極とＴＦＴを有する画素が形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタが形成された対向基板とがシール材によって接着し、内部に液晶が封入された液晶表示装置の製造方法であって、
マザーＴＦＴ基板に複数のＴＦＴ基板を形成し、マザー対向基板に複数のマザー対向基板を形成し、
前記マザー対向基板の周辺にマザー基板シール材をシール間ギャップを介して島状に飛び飛びに所定のピッチで線状に形成し、
前記マザー基板シール材の前記線状方向の幅をｑ１、前記シール間ギャップをｇ、とした場合、ｑ１＞ｇであり、かつ、ｇは５ｍｍ以下であり、
前記マザーＴＦＴ基板と前記マザー対向基板を大気中において接着してマザー基板を形成し、
前記マザー基板の周辺におけるマザーＴＦＴ基板とマザー対向基板の隙間からマザー基板封止材を塗布し、
前記マザー基板封止材を紫外線によって硬化させ、
その後、前記マザー基板の前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板を研磨することによって薄くし、
その後、各液晶セルに分離することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記マザー基板シール材は熱硬化樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記マザー基板シール材のピッチｐは前記マザー基板の辺においては、一定のピッチであることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記マザー基板シール材を形成する部分は、前記マザー対向基板の端部から５ｍｍ以内であって、かつ、オーバーコート膜は形成されていないことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記マザー基板封止材は前記マザー基板の側面にも形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
画素電極とＴＦＴを有する画素が形成されたＴＦＴ基板が複数形成されたマザーＴＦＴ基板と、カラーフィルタが形成された対向基板が複数形成されたマザー対向基板とを有するマザー基板であって、
前記マザー基板の周辺には、マザー基板シール材がシール間ギャップを介して島状に飛び飛びに所定のピッチで線状に形成され、
前記マザー基板シール材の前記線状方向の幅をｑ１、前記シール間ギャップをｇ、とした場合、ｑ１＞ｇであり、かつ、ｇは５ｍｍ以下であり、
前記マザー基板シール材と前記マザー基板シール材の間および前記マザー基板シール材よりも前記マザー基板の端部側においては、マザー基板封止材が形成されており、
前記マザー基板封止材は紫外線硬化樹脂であることを特徴とするマザー基板。
【請求項７】
前記マザー基板シール材のピッチｐは前記マザー基板の辺においては、一定のピッチであることを特徴とする請求項６に記載のマザー基板。
【請求項８】
前記マザー基板シール材を形成する部分は、前記マザー対向基板の端部から５ｍｍ以内であって、かつ、オーバーコート膜は形成されていないことを特徴とする請求項７に記載のマザー基板。
【請求項９】
前記マザー基板封止材は前記マザー基板の側面にも形成されていることを特徴とする請求項８に記載のマザー基板。
【請求項１０】
前記マザー基板におけるマザーＴＦＴ基板およびマザー対向基板は研磨によって薄くなっていることを特徴とする請求項９に記載のマザー基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、基板を研磨によって薄くし、かつ、マザー基板から複数の液晶セルを取り出す場合の歩留りを向上させる構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が設置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置では、画面は一定のサイズを保ったまま、セットの外形寸法を小さくしたいという要求と同時に液晶表示装置を薄くしたいという要求が強い。液晶表示装置を薄くするには、液晶表示装置を製作した後、液晶表示装置の外側を研磨して薄くしている。
【０００４】
小型の液晶表示装置は１個ずつ製造することはコスト上有利ではない。したがって、大きな基板に複数の液晶表示装置を形成して完成後個々の液晶表示装置を分離するというプロセスが取られる。なお、以後、マザー基板に形成される個々の液晶表示装置を液晶セルと呼ぶ。
【０００５】
すなわち、大きなマザーＴＦＴ基板に複数のＴＦＴ基板を形成する。また、大きなマザー対向基板に複数の対向基板を形成する。そして、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を貼り合わせてマザー基板が形成される。マザー基板から、スクライビングあるいはダイシング等によって個々の液晶セルを分離する。個々の分離された液晶セルに液晶を注入して液晶表示装置が出来上がる。
【０００６】
一方、液晶セルを薄くしたいという要求が存在する。液晶セルの厚みはガラス基板によってほぼ決まる。しかし、液晶セルに使用されるガラス基板は、０．５ｍｍあるいは０．４ｍｍ等に規格化されており、規格化された厚さ以外のガラス基板を使用することは、材料費の大幅なコスト高になる。また、規格化されたガラス基板よりもさらに薄いガラス基板を使用すると、ガラス基板の機械的な強度等の問題が生じ、製造工程におけるガラス基板の取り扱いが困難になる。
【０００７】
このような問題を解決して、薄型の液晶セルを可能とするために、液晶セルが完成したあと、ガラス基板、すなわち、ＴＦＴ基板と対向基板の外側を研磨する技術がある。この研磨は機械的な研磨、あるいは、フッ酸等による化学的研磨が多く使用される。
【０００８】
この研磨も個々の液晶セル毎に行うのは効率が悪いので、マザー基板の状態で研磨を行う。すなわち、マザー基板を形成する際に、マザー対向基板の周囲にマザー基板シール材を形成しておく。マザー基板シール材はマザー対向基板に形成された個々の液晶セルの対向基板を囲む形で形成される。その後、マザー対向基板とマザーＴＦＴ基板を貼り合わせると、複数の液晶セルがマザー基板シール材に囲まれた状態のマザー基板が形成される。
【０００９】
したがって、マザー基板に形成された複数の液晶セルはマザー基板シール材によって保護された形となっている。この状態のマザー基板を、例えば化学研磨するような場合は、化学研磨液に浸漬する。そうすると、マザーＴＦＴ基板およびマザー対向基板の外側が研磨され、マザーＴＦＴおよびマザー対向基板を薄くすることが出来る。一方、マザー基板に形成されている複数の液晶セルはマザー基板シール材によって保護されているので、研磨液の影響を受けない。
【００１０】
「特許文献１」には、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置において、マザー対向基板の外側に透明導電膜をスパッタリングによって形成するときに、マザー基板内部に存在する空気が膨張してマザー基板を破壊することを防止するために、マザー基板の外側を研磨するときに必要なマザー基板シール材を、スパッタリングを行うときにはその１部を破壊あるいは除去することによって、マザー基板の密閉を破り、マザー基板全体が破壊することを防止する製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００９−２５１５６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
「特許文献１」には、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板の貼り合わせを、減圧雰囲気でおこなうのか、大気中で行うのかの記載は無い。仮に、「特許文献１」に記載のようなマザー基板の貼り合わせを大気中で行う場合は、「特許文献１」に記載のような構成のマザー基板シール材は、内部の空気の排除が困難であり、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板の貼り合わせプロセスの歩留まりが低下する。
【００１３】
そこで、従来は、一般的には、真空封止（減圧封止を含む）が行われてきた。図１３は、本発明が対象とする液晶表示装置２の１例を示す平面図である。図１３の液晶表示装置２は、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００とがシール材２０によって貼りあわされた液晶セルに注入孔４０から液晶を封入し、封止材３０によって封止したものである。図１３において、ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく、ＴＦＴ基板１００が１枚となっている部分は端子部１５０となっており、この部分にＩＣドライバ５０が搭載されている。
【００１４】
図１３に示す液晶表示装置２は携帯電話等に使用されるものであり、縦径ＬＹは例えば、８１ｍｍ、横径ＬＸは例えば、５４ｍｍ、端子部の長さＴは２．７ｍｍである。このような液晶表示装置を１個ずつ製作するのは効率が悪いので、マザー基板に多数の液晶セルを形成し、同時に多数の液晶セルを製作することが行われている。なお、本明細書では、ＴＦＴ基板と対向基板がシール材によって貼り合わされた状態のものを液晶セルといい、液晶を封入し、ＩＣドライバ等を搭載し終わったものを液晶表示装置と呼ぶことにする。
【００１５】
図１４は横方向に７個、縦方向に５個、合計３５個の液晶セル１がマザー基板８０に形成された例である。マザー基板８０の周辺にはマザー基板シール材６１が形成され、内部が密封されている。すなわち、液晶表示装置を薄くするために、マザー基板８０の状態で、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の外側を機械研磨あるいは化学研磨する。機械研磨にしろ、化学研磨にしろ、研磨液を使用する。研磨液がマザー基板８０の内部に侵入すると、各液晶セル１はまだ封止されていない状態なので、各液晶セル１が不良となってしまう。
【００１６】
図１４に示すようなマザー基板シール材６１は、一般にはマザー対向基板７０に形成され、マザーＴＦＴ基板６０と貼りあわされる。この時、大気中で貼り合わせを行うと、内部の空気が外に逃げにくいので、マザー基板８０内部の圧力が不安定となり、シール不良を生ずる場合が多い。
【００１７】
そこで、図１４に示すようなマザー基板８０を形成する場合は、真空中で行われる。図１５は、図１４に示すようなマザー基板８０を作成する場合のプロセスフローである。図１５において、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を別々に作成する。マザー基板シール材をマザー対向基板にディスペンサ等によって塗布する。その後、貼り合わせ装置全体を真空にする。ここで、真空にするとは、減圧するという意味も含む。
【００１８】
真空の状態で、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板のＸ軸とＹ軸を確認して、貼り合わせる。内部が真空になっているので、マザー基板シール材の内側の圧力が大きくなりすぎて、不安定になるということは無い。その後、マザー基板の外側を機械研磨あるいは化学研磨することによって、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を薄くする。
【００１９】
しかし、図１４に示すマザー基板シール材を用いる場合は、図１５に示すように、貼り合わせ装置内を真空にする必要がある。マザー基板は大きいので、貼り合わせ装置も大型になり、真空装置も大型になる。したがって、製造設備のコストが嵩むことになり、液晶表示装置の製造コストを押し上げる。
【００２０】
本発明の課題は、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を貼り合わせる工程において、真空装置を必要としない構成を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は上記問題を克服するものであり、主な具体的な手段は次のとおりである。すなわち、画素電極とＴＦＴを有する画素が形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタが形成された対向基板とがシール材によって接着し、内部に液晶が封入された液晶表示装置の製造方法であって、マザーＴＦＴ基板に複数のＴＦＴ基板を形成し、マザー対向基板に複数のマザー対向基板を形成し、前記マザー対向基板の周辺にマザー基板シール材をシール間ギャップを介して島状に飛び飛びに所定のピッチで線状に形成し、前記マザー基板シール材の前記線状方向の幅をｑ１、前記シール間ギャップをｇ、とした場合、ｑ１＞ｇであり、かつ、ｇは５ｍｍ以下であり、前記マザーＴＦＴ基板と前記マザー対向基板を大気中において接着してマザー基板を形成し、前記マザー基板の周辺におけるマザーＴＦＴ基板とマザー対向基板の隙間からマザー基板封止材を塗布し、前記マザー基板封止材を紫外線によって硬化させ、その後、前記マザー基板の前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板を研磨することによって薄くし、その後、各液晶セルに分離することを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
【００２２】
本実施例の他の形態によれば、画素電極とＴＦＴを有する画素が形成されたＴＦＴ基板が複数形成されたマザーＴＦＴ基板と、カラーフィルタが形成された対向基板が複数形成されたマザー対向基板とを有するマザー基板であって、前記マザー基板の周辺には、マザー基板シール材がシール間ギャップを介して島状に飛び飛びに所定のピッチで線状に形成され、前記マザー基板シール材の前記線状方向の幅をｑ１、前記シール間ギャップをｇ、とした場合、ｑ１＞ｇであり、かつ、ｇは５ｍｍ以下であり、前記マザー基板シール材と前記マザー基板シール材の間および前記マザー基板シール材よりも前記マザー基板の端部側においては、マザー基板封止材が形成されており、前記マザー基板封止材は紫外線硬化樹脂であることを特徴とするマザー基板である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、マザー対向基板とマザーＴＦＴ基板がシール間ギャップを介して飛び飛びに形成されたマザー基板シール材によって接着するので、シール間ギャップから内部の空気が抜けるため、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を接着する際、マザー基板の内部の気圧が高くなることは無い。その後、シール間ギャップはマザー基板封止材によって充填されるので、マザー基板の外周シールを確実に行うことが出来る。したがって、マザー基板を研磨して薄くする際、研磨液がマザー基板の内部に侵入して内部の液晶セルを破壊することが無い。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明によるマザー基板の平面図である。
【図２】本発明によるマザー対向基板にマザー基板シール材が形成された状態を示す平面図である。
【図３】マザー対向基板の辺部におけるマザー基板シール材の形状を示す平面図である。
【図４】マザー対向基板のコーナー部におけるマザー基板シール材の形状を示す平面図である。
【図５】マザー基板封止材を塗布する状態を示す斜視図である。
【図６】マザー基板の周辺において、マザー基板封止材が充填された状態を示す平面図である。
【図７】本発明のプロセスチャートである。
【図８】本発明の第２の実施例によるマザー基板の平面図である。
【図９】本発明の第２の実施例によるマザー基板の端部の断面図である。
【図１０】第２の実施例における研磨後のマザー基板の端部の断面図である。
【図１１】比較例におけるマザー基板の端部の断面図である。
【図１２】比較例における研磨後のマザー基板の端部の断面図である。
【図１３】本発明が適用される液晶表示装置の例を示す平面図である。
【図１４】従来例である、真空中でマザー対向基板とマザーＴＦＴ基板を接着する場合のマザー基板シール材の例である。
【図１５】従来例である、真空中でマザー対向基板とマザーＴＦＴ基板を接着する場合のプロセスチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１は本発明によるマザー基板８０の平面図である。マザー基板８０はマザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０が貼りあわされたものである。図１において、マザー基板８０には液晶セル１が横に７個、縦に５個、計３５個形成されている。各液晶セル１には、シール材２０が形成され、シール材２０の一部は液晶を注入するための注入孔４０になっている。
【００２７】
すなわち、マザー基板８０が完成後、各液晶セル１に分離された後、注入孔４０から液晶が注入され、その後、封止材３０によって封止される。したがって、図１の状態では、各液晶セル１の内部は、注入孔４０を介して開放された状態であり、研磨液等がマザー基板８０の内部に侵入すると、各液晶セル１の内部に入り込み、各液晶セル１は不良となる。
【００２８】
これを防止するために、図１において、マザー基板シール材６１およびマザー基板封止材６３が形成され、研磨液等がマザー基板の内部に侵入することを防止している。本発明の特徴は、マザー基板シール材６１とマザー基板封止材６３の両方によって、研磨液等が内部に侵入することを防止していることである。すなわち、まず、マザー基板シール材６１をマザー対向基板７０に形成し、その後、マザーＴＦＴ基板６０と貼り合わせる。マザー基板シール材６１は熱硬化性の樹脂が用いられる。その後、マザー基板封止材６３をマザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の間にディスペンサ等によって塗布する。マザー基板封止材６３は、飛び飛びに形成されたマザー基板シール材６１間のシール間ギャップ６２において表面張力によって進入が止まる。これによって、マザー基板８０が周辺において密閉される。
【００２９】
図２はこのうちのマザー対向基板７０に形成されたマザー基板シール材６１の形状を示す平面図である。図２は、マザーＴＦＴ基板６０と貼りあわされる前のマザー基板シール材６１が形成された状態のマザー対向基板７０の平面図である。マザー対向基板７０の周辺には、飛び飛びに形成されたマザー基板シール材６１が存在している。マザー基板シール材６１は、マザー対向基板７０に形成され、マザー基板シール材６１および各液晶セル１に形成されたシール材２０によってマザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０が貼りあわされる。
【００３０】
マザー基板シール材６１および各液晶セル１のシール材２０は熱硬化樹脂であり、マザー対向基板７０とマザーＴＦＴ基板６０が貼りあわされた後、加熱することによって接着する。図２において、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０を貼り合わせる際、飛び飛びに形成されたマザー基板シール材６１のシール間ギャップ６２から内部の空気が逃げるので、マザー基板８０の内部の圧力が上昇して、シール材２０あるいはマザー基板シール材６１の熱硬化の際、マザー基板８０が破壊するというような問題は生じない。
【００３１】
図３は、マザー基板シール材６１の辺部における詳細な形状を示す平面図である。マザー基板シール材６１は、マザー対向基板７０に形成される。マザー対向基板７０には、各液晶セルに形成されたオーバーコート膜２０１が、マザー対向基板７０の端部からｄ１の距離まで連続して形成されている。ｄ１は例えば、５ｍｍである。マザー基板シール材６１が形成される部分には、オーバーコート膜２０１は形成されていない。
【００３２】
マザー対向基板７０の端部からマザー基板シール材６１の中心までの距離ｄ２は例えば、３ｍｍである。島状の各マザー基板シール材６１は例えば、レーストラック形状をしており、マザー基板７０の辺方向の幅はｑ１で、レーストラック端部の円の中心間の距離はｑ２である。ｑ１は例えば、２ｍｍであり、ｑ２は例えば、１ｍｍである。また、島状のマザー基板シール材６１の、図３における縦方向、すなわち、辺と直角の方向の幅ｗは例えば、２ｍｍである。
【００３３】
島状のマザー基板シール材６１は所定のピッチｐでシール間ギャップｇを介して線状（インライ状）に形成されている。所定のピッチｐは、コーナー部を除く全周において一定であることが望ましい。所定のピッチｐは、例えば、３．５ｍｍである。この場合、ｑ１を２ｍｍとすると、シール間ギャップｇは１．５ｍｍである。以上の数値は例であるが、各マザー基板シール材６１の辺方向の幅ｑ１はシール間ギャップｇより大きい。また、シール間ギャップ６３、ｇは５ｍｍを超えないように設定する必要がある。シール間ギャップｇが大きすぎると、後で説明するマザー基板封止材６３を所定に位置にて止めることが困難になるからである。
【００３４】
図４はマザー基板シール材６１のコーナーにおける形状である。図４において、マザー基板シール材６１は、コーナーを面取りするような形状に形成されている。コーナーにおいては、後で述べるマザー基板封止材６１の進入の仕方が異なるので、マザー基板シール材６１の形状を辺部とは異なった形状としている。図４において、コーナー部のＣ１はたとえば、４．７ｍｍである。ｄ２は図３と同様であり、例えば、３ｍｍである。
【００３５】
以上の各寸法は、マザー対向基板７０に形成されたマザー基板シール材６１の寸法である。したがって、マザー対向基板７０とマザーＴＦＴ基板６０を貼り合わせた後は、マザー基板シール材６１の各寸法は異なってくる。しかし、マザー基板シール材６１のシール間ギャップｇがマザー基板シール材６１のマザー基板シール材６１の辺方向の幅ｑ１よりも小さいこと、シール間ギャップが５ｍｍよりも小さいこと、マザー基板シール材６１は一定ピッチで形成されていることが望ましいこと等は同様である。
【００３６】
このようにして、マザー基板シール材６１をマザー対向基板７０に形成した後、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０を貼り合わせ、加熱して、接着する。すなわち、マザー基板シール材６１は熱硬化樹脂によって形成されている。この場合、個々の液晶セルに形成されているシール材も熱硬化樹脂である。なお、マザー基板シール材６１は紫外線硬化樹脂を使用してもよい。この場合は、個々の液晶セル１に形成されたシール材２０も紫外線硬化樹脂によって形成することが望ましい。このようにして、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０を接着した後、ディスペンサ等によってマザー基板封止材を全周に形成する。
【００３７】
図５はマザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の間にディスペンサ３００を用いてマザー基板封止材６１を塗布している状態を示す模式図である。図５はわかり易くするために、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０が離れて記載されているが、実際には、マザー基板シール材６１を介して接着している。図５において、マザー基板封止材６３がディスペンサ３００によって途中まで形成されている。マザー基板封止材６３は、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の端部に塗布されると、基板間に進入し、島状のマザー基板シール材６１とマザー基板シール材６１の間で、表面張力によって止まる。したがって、マザー基板封止材６３はマザー基板８０の端部から所定の位置まで形成されることになる。
【００３８】
図６はこの状態を示す平面図である。マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の間にマザー基板シール材６１が島状に飛び飛びに形成されている。マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の間にマザー基板封止材６１がディスペンサ３００等によって塗布されると、マザー基板封止材６３が内部に進入し、島状のマザー基板シール材６１とマザー基板シール材６１の間で止まる。マザー基板シール材６１はマザー対向基板７０端部から所定の距離ｄ２で形成されているが、マザー基板封止材６３もｄ２付近で進入が止まる。マザー基板シール材６１には紫外線硬化樹脂が用いられる。
【００３９】
図７は以上で説明した内容をプロセスフローとしてまとめたものである。図７において、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を別々に製造する。マザー対向基板にマザー基板シール材を島状に飛び飛びに形成する。その後マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板のＸ軸、Ｙ軸を確認し、貼り合わせる。その後、マザー基板を加熱してマザー基板シール材を熱硬化させ、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を接着する。
【００４０】
その後、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板の間にディスペンサ等を用いてマザー基板封止材を塗布し、マザー基板封止材がマザー基板シール材の存在する部分まで浸透させる。マザー基板封止材の浸透がマザー基板シール材に達するまでに所定の時間がかかるので、マザー基板のバッチ処理が可能となる。
【００４１】
その後、マザー基板封止材を紫外線硬化（ＵＶ硬化）させる。マザー基板封止材は熱硬化樹脂ではなく、紫外線硬化樹脂を用いる理由は、他のシール材が何度も熱工程を受けることによって変質することを防止するためである。このようにして、マザー基板の外周のシールが確実となり、マザー基板を研磨液に浸しても研磨液がマザー基板の内部に侵入することは無くなる。
【００４２】
その後、マザー基板の外側、すなわち、マザーＴＦＴ基板およびマザー対向基板を所定の厚さになるまで研磨する。研磨はマザーＴＦＴ基板、マザー対向基板の両方に行う場合が多いが、いずれか一方のみ研磨される場合もあり得る。その後、各液晶セルに分離し、各液晶セルに液晶が例えば、真空注入法によって充填される。
【実施例２】
【００４３】
図８は、本発明の第２の実施例によるマザー基板８０の平面図である。図８が実施例１の図１と異なる点は、マザー基板シール材６１によってマザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０を接着した後に塗布するマザー基板封止材６３の量を多くしているという点である。図８において、マザー基板封止材６３はマザー基板８０の側面まで塗布されている。
【００４４】
図９は、図８に示すマザー基板８０の端部の断面図である。図９において、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０はマザー基板シール材６１によって接着しており、マザー基板シール材６１の外側にはマザー基板封止材６３がマザーＴＦＴ基板６０およびマザー対向基板７０の側面にまで形成されている。この状態で、マザーＴＦＴ基板６０およびマザー対向基板７０を研磨して薄くした状態が図１０である。図１０では、マザーＴＦＴ基板６０およびマザー対向基板７０の端部までほぼ均一に研磨されている。
【００４５】
図１１および図１２は比較例である。図１１は、マザー基板シール材６１の外側に形成するマザー基板封止材６３の量が多くなく、マザー基板封止材６３はマザーＴＦＴ基板６０あるいはマザー対向基板７０の端部よりも内側に存在している。図１２は、この状態で、例えば、化学研磨によってマザーＴＦＴ基板６０およびマザー対向基板７０を薄くした状態を示す断面図である。
【００４６】
例えば、化学研磨では、マザーＴＦＴ基板６０あるいはマザー対向基板７０の面のみでなく、端部も研磨される。化学研磨は、凸部がより早く研磨されるので、基板のコーナー部が早く研磨されるために、図１２のような断面構造となる。図１２のような断面構造では、マザー基板８０の端部が欠けやすく、マザー基板の不良を生じやすい。
【００４７】
機械研磨の場合であっても、研磨液を使用するので、端部が他の部分よりも薄くなる。また、端部には、マザー基板封止材６３が存在していないので、この薄くなった端部が欠けやすいことに変わりは無い。
【００４８】
マザー基板８０の端部が破損すれば、液晶表示装置の製造歩留まりが低下する。一方、マザー基板８０を商品として流通させる場合は、断面形状が図１２のようであれば、流通過程において、端部の破損が生じやすく、特に問題である。なお、マザー基板８０を商品として流通させる場合において、研磨前のマザー基板８０を商品として流通させる場合、マザー基板８０を購入したメーカーはマザー基板８０から各液晶セル１を分離する工程以後を自社の工程において行うことになる。
【００４９】
本実施例においては、図９に示すように、マザー基板封止材６３をマザー基板８０の側面にまで形成するので、研磨後も図１０のように、マザー基板８０の側面にまで、マザー基板封止材６３が残留するため、マザー基板８０の端部の機械的な強度を保つことが出来る。したがって、液晶表示装置の製造歩留まりの低下を防止することが出来るとともに、マザー基板を商品として流通させる場合に、端部の破損を防止することが出来る。
【符号の説明】
【００５０】
１…液晶セル、  ２…液晶表示パネル、  １０…表示領域、  ２０…シール材、  ３０…封止材、  ４０…封止孔、  ５０…ＩＣドライバ、  ６０…マザーＴＦＴ基板、ｇ  ６１…マザー基板シール材、  ６２…シール間ギャップ、  ６３…マザー基板封止材、  ７０…マザー対向基板、８０…マザー基板、  １００…ＴＦＴ基板、  ２００…対向基板、  ２０１…オーバーコート膜、  ３００…ディスペンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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