(57)【要約】  【課題】  貫通導体における高周波信号の伝送特性に優れた配線基板を提供すること。  【解決手段】  積層された複数の絶縁層１と、複数の絶縁層１を厚み方向に貫通している貫通導体３と、複数の絶縁層１のうち、少なくとも最下層の絶縁層１を含む下部絶縁層１ａよりも上側の上部絶縁層１ｂを厚み方向に貫通しているとともに、平面視で貫通導体３を取り囲むように配置された複数の接地貫通導体４とを備えており、貫通導体３のうち上部絶縁層１ｂに形成されている部分の下端部３ａにおけるインピーダンスが、下端部３ａよりも上側の部分におけるインピーダンスよりも小さい配線基板９ａである。貫通導体３について、インピーダンスが低い部分３ａが設けられたことによって貫通導体３全体のインピーダンスが低くなり、高周波帯域における貫通導体３の伝送特性が向上する。【選択図】  図１
2013125840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに積層された複数の絶縁層と、
該複数の絶縁層を厚み方向に貫通している貫通導体と、
前記複数の絶縁層のうち、少なくとも最下層の絶縁層を含む下部絶縁層よりも上側の上部絶縁層を厚み方向に貫通しているとともに、平面視で前記貫通導体を取り囲むように配置された複数の接地貫通導体とを備えており、
前記貫通導体のうち前記上部絶縁層に形成されている部分の下端部におけるインピーダンスが、前記下端部よりも上側の部分におけるインピーダンスよりも小さいことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記貫通導体の側面と、該側面に対向する前記接地貫通導体の側面との間の距離が、前記貫通導体のうち前記上部絶縁層を貫通している部分の前記下端部において、該下端部よりも上側の部分よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記貫通導体を伝送される信号の伝送方向に直交する方向における前記貫通導体の断面の面積が、前記貫通導体のうち前記上部絶縁層を貫通している部分の前記下端部において、該下端部よりも上側の部分よりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項２記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の絶縁層が積層されてなる絶縁基板と、複数の絶縁層を厚み方向に貫通している貫通導体とを備える配線基板に関するものであり、特に、貫通導体に高周波信号が伝送される配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や容量素子，圧電振動子等の電子部品が搭載される配線基板として、ガラスセラミック焼結体や酸化アルミニウム質焼結体等からなる絶縁層が複数積層されてなる絶縁基板と、絶縁基板に形成された貫通導体とを備えるものが多用されている。
【０００３】
絶縁基板の下面には、外部の電気回路と電気的に接続される接続パッドが設けられている。この接続パッドと、絶縁基板に搭載される電子部品とを電気的に接続するための貫通導体が絶縁基板の下面側から上方向に、複数の絶縁層を厚み方向に貫通して形成されている。
【０００４】
貫通導体を伝送される信号が高周波信号であるような場合には、貫通導体におけるインピーダンスを低く抑えるために、複数の接地貫通導体が、貫通導体を取り囲むようにして形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開2011−91359号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の配線基板においては、複数の接地貫通導体と接続パッドとの間で余計な容量（キャパシタンス）が生じて、この容量に起因して貫通導体の反射特性等の伝送特性が低下する可能性があった。
【０００７】
このような問題点に対しては、少なくとも最下層の絶縁層を含む下層の絶縁層において接地貫通導体を非形成とする手段が考えられる。しかし、下層の絶縁層において接地貫通導体を非形成とすると、この下層の絶縁層に形成された貫通導体における容量成分が小さくなるため、貫通導体のインピーダンスが大きくなってしまう可能性がある。
【０００８】
本発明は、上記従来の技術の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、貫通導体における高周波信号の伝送特性に優れた配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一つの態様の配線基板は、互いに積層された複数の絶縁層と、該複数の絶縁層を厚み方向に貫通している貫通導体と、前記複数の絶縁層のうち、少なくとも最下層の絶縁層を含む下部絶縁層よりも上側の上部絶縁層を厚み方向に貫通しているとともに、平面視で前記貫通導体を取り囲むように配置された複数の接地貫通導体とを備えており、前記貫通導体のうち前記上部絶縁層に形成されている部分の下端部におけるインピーダンスが、前記下端部よりも上側の部分におけるインピーダンスよりも小さいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一つの態様の配線基板によれば、下部絶縁層において接地貫通導体が配置され
ていないことから、例えば絶縁基板の下面に配置される接続パッド等の導体層と接地貫通導体との間で余計な容量が生じることが抑制される。
【００１１】
また、この配線基板は、貫通導体のうち下部絶縁層を貫通している部分のすぐ上に位置する、上部絶縁層を貫通している部分の下端部におけるインピーダンスが比較的低い。つまり、貫通導体は、インピーダンスが比較的大きい部分のすぐ上の部分において、インピーダンスが比較的小さい。そのため、このインピーダンスが比較的大きい部分と比較的小さい部分とを合わせて、インピーダンスを低く抑えることができる。言い換えれば、貫通導体について、接地貫通導体を非形成としたことによるインピーダンスの増加が打ち消され、反射特性を劣化させるようなインピーダンスが高い部分がないものとみなすことができる。
【００１２】
したがって、貫通導体における高周波信号の伝送特性に優れた配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施形態の配線基板を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態の配線基板を示す断面図である。
【図３】本発明の第１および第２の実施形態の配線基板の変形例を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例の配線基板および比較例の配線基板における貫通導体の反射特性を示す線図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の複数の実施形態の配線基板を、添付の図面を参照して説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態の配線基板を示す断面図である。積層された複数の絶縁層１によって形成された絶縁基板２と、複数の絶縁層１を厚み方向に貫通している貫通導体３とによって配線基板９が基本的に形成されている。複数の絶縁層１を厚み方向２に貫通する貫通導体３を介して絶縁基板２の下面側と上面側とが電気的に導通されている。
【００１６】
絶縁層１は、ガラスセラミック焼結体，酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，窒化珪素質焼結体，炭化珪素質焼結体等のセラミック焼結材料からなる。
【００１７】
絶縁基板２は、例えば、それぞれが絶縁層１となる複数のセラミックグリーンシートが積層され、焼成されて作製されている。セラミックグリーンシートは、例えば絶縁層１がガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、酸化ケイ素，酸化ホウ素および酸化アルミニウム等を主成分とする原料粉末を有機溶剤および有機バインダとともに混練してスラリーを作製し、このスラリーをドクターブレード法等の方法でシート状に成形することによって作製することができる。
【００１８】
貫通導体３は、上記のように積層された複数の絶縁層１を上下に導通する導電路であり、例えば絶縁基板２の上面に搭載される電子部品（図示せず）を絶縁基板２の下面に電気的に導出するために形成されている。
【００１９】
貫通導体３は、銅や銀，パラジウム，金，タングステン，モリブデン，マンガン等の金属材料により形成されている。また、これらの金属材料は、例えば絶縁基板２と一体的に焼成されてなるメタライズ導体の形態で絶縁層１に形成されている。
【００２０】
貫通導体３は、例えば銅からなる場合であれば、銅の金属ペーストを、絶縁基板２となるセラミックグリーンシートの積層体に形成した貫通孔に充填しておき、セラミックグリーンシートと同時焼成することにより形成することができる。セラミックグリーンシートの貫通孔は、金属ピンを用いた機械的な打ち抜き加工や、レーザ加工等の孔あけ加工によって形成することができる。
【００２１】
絶縁基板２の下面には、外部電気回路に対する接続用等の導体層５が形成されている。導体層５は、例えば外部電気回路（図示せず）に電気的に接続される接続パッドである。導体層５が、はんだや導電性接着剤等の導電性接続材を介して外部電気回路の所定部位に電気的および機械的に接続される。導体層５が外部電気回路に電気的に接続されれば、導体層５を介して、絶縁基板２の上面に搭載された電子部品と外部電気回路とが互いに電気的に接続される。接続パッドとして用いられる導体層５は、例えば平面視において円形状や楕円形状，四角形状等のパターンで形成されている。
【００２２】
導体層５は、貫通導体３を形成するのと同様の金属材料（銅等）を用い、同様の金属ペーストを絶縁層１となるセラミックグリーンシートの表面にスクリーン印刷法等の方法で印刷し、同時焼成することによって形成することができる。
【００２３】
複数の絶縁層１のうち少なくとも最下層の絶縁層１を含む下部絶縁層１（１ａ）の上に積層された上部絶縁層１（１ｂ）を厚み方向に貫通して、複数の接地貫通導体４が形成されている。複数の接地貫通導体４は、貫通導体３に生じる容量成分を大きくしてインダクタンス（誘導成分）を小さくするためのものである。そのため、複数の接地貫通導体４は、貫通導体２を取り囲むように配置されている。複数の接地貫通導体４は、例えば平面視において貫通導体３を中心部とした円形状に配置されている。
【００２４】
接地貫通導体４は、貫通導体３と同様の材料を用い、同様の方法で形成することができる。すなわち、例えば、絶縁層１となるセラミックグリーンシートに貫通孔を形成しておき、この貫通孔内に銅等の金属ペーストを充填した後に、セラミックグリーンシートと金属ペーストとを同時焼成することによって、複数の接地貫通導体４を形成することができる。
【００２５】
この場合、複数の絶縁層１となる複数のセラミックグリーンシートのそれぞれに貫通孔の形成および金属ペーストの充填を行なった後に、これらの複数のセラミックグリーンシートを積層して焼成するようにしてもよい。また、複数のセラミックグリーンシートの少なくとも一部を積層した後に、これらの積層した複数のセラミックグリーンシートにまとめて、貫通孔の形成および金属ペーストの充填を行なうようにしてもよい。
【００２６】
この実施の形態の例において、絶縁層１の複数の層間にそれぞれ接地導体層６が形成されている。接地導体層６は、接地貫通導体４を介して互いに電気的に接続されている。これらの接地導体層６は、例えば接地貫通導体４における接地電位を安定させるためのものである。接地導体層６は、導体層５と同様の材料を用い、同様の方法で形成することができる。接地導体層６は、導体層５には電気的に接続されない。
【００２７】
これらの接地貫通導体４は、上部絶縁層１（１ｂ）に形成されているが、複数の絶縁層１のうち少なくとも最下層の絶縁層１を含む下部絶縁層１（１ａ）には形成されていない。下部絶縁層１（１ａ）において接地貫通導体４が非形成とされていることによって、絶縁基板２の下面の導体層５と接地貫通導体４との間で余計な容量が生じることが抑制される。この余計な容量成分が抑制されることによって貫通導体３における反射特性が向上して、特に20ＧＨｚ未満の、比較的低い周波数における伝送特性が向上している。
【００２８】
貫通導体３と複数の接地貫通導体４のそれぞれとの隣接間隔（互いに対向し合う接地貫通導体４の側面と貫通導体３の側面との間の距離）は、貫通導体３において設定されるインピーダンス（特性インピーダンス）の大きさや、貫通導体３を伝送される信号の周波数、および平面視における絶縁基板２の寸法等の条件に応じて、適宜設定すればよい。
【００２９】
例えば、貫通導体３を伝送される信号の周波数が20ＧＨｚ程度であれば、貫通導体３と接地貫通導体４との隣接間隔は、約100〜250μｍ程度とすればよい。また、貫通導体３および複数の接地貫通導体４のいずれについても、平面視において直径が約75μｍの円形状としたとき、上記隣接間隔を約200μｍとすればよい。
【００３０】
また、複数の接地貫通導体４同士の隣接間隔（平面視において互いに隣り合う二つの接地貫通導体４の、それぞれの側面同士の間の距離）は、配置される接地貫通導体４の個数や、貫通導体３を伝送される信号の周波数、および平面視における絶縁基板２の寸法等の条件に応じて、適宜設定すればよい。
【００３１】
例えば、貫通導体３を伝送される信号の周波数が20ＧＨｚ程度であれば、複数の接地貫通導体４同士の隣接間隔は、約100〜250μｍ程度とすればよい。また、貫通導体３および複数の接地貫通導体４のいずれについても、平面視において直径が約75μｍの円形状としたとき、上記隣接間隔を約200μｍとすればよい。
【００３２】
また、貫通導体３は、上部絶縁層１（１ｂ）を貫通している部分の下端部３ａにおけるインピーダンスが、他の部分におけるインピーダンスよりも小さい。貫通導体３について、このようなインピーダンスが低い部分（低インピーダンス部）が設けられていることによって、特に20ＧＨｚ以上の高周波帯域における伝送特性が従来の配線基板（図示せず）よりも高くなっている。
【００３３】
これは、以下のような理由による。すなわち、接地貫通導体４が下部絶縁層１（１ａ）において形成されていないため、下部絶縁層１（１ａ）に形成された貫通導体３におけるキャパシタンス（容量成分）が小さくなり、これに応じてインダクタンスが大きくなってインピーダンスが大きくなる傾向がある。これに対して、このインピーダンスが大きい部分のすぐ上に、上記低インピーダンス部が設けられている。そのため、上記インピーダンスが比較的大きい部分と比較的小さい部分とを合わせた部分において、貫通導体３のインピーダンスを低く抑えることができる。言い換えれば、貫通導体３について、接地貫通導体４を非形成としたことによるインピーダンスの増加が打ち消され、反射特性を劣化させるようなインピーダンスが高い部分がないものとみなすことができる。したがって、貫通導体３における高周波信号の伝送特性に優れた配線基板９を提供することができる。
【００３４】
貫通導体３のインピーダンスを小さくするには、貫通導体３において、抵抗を小さくする、インダクタンスを小さくする、およびキャパシタンスを大きくするといった手段を用いればよい。
【００３５】
図１に示す例においては、貫通導体３の側面と、その側面に対向する接地貫通導体４の側面との間の距離（貫通導体３と接地貫通導体４との隣接間隔）が、貫通導体３のうち上部絶縁層１（１ｂ）を貫通している部分の下端部３ａにおいて、この下端部３ａよりも上側の部分よりも小さい。これにより、貫通導体３のうち上部絶縁層１（１ｂ）を貫通している部分の下端部３ａ（以下、単に下端部３ａという場合がある）におけるキャパシタンスが大きくなってインピーダンスが低くなる。この場合には、下端部３ａが前述した低インピーダンス部になっている。
【００３６】
すなわち、上記のように対向し合う貫通導体３の側面と接地貫通導体４の側面との間の距離（前述した、貫通導体３の側面と接地貫通導体４の側面との隣接間隔）が小さい場合には、貫通導体３に生じる容量成分が大きくなり、これに応じてインピーダンスが小さくなる。これにより、低インピーダンス部３ａが設けられている。
【００３７】
なお、図１に示す例においては、平面視における接地貫通導体４の位置が、上記下端部３ａに相当する部分において貫通導体３側に近づいている。これによって、貫通導体３と接地貫通導体４との隣接間隔が、下端部３ａにおいて下端部３ａよりも上側の部分よりも小さくなっている。
【００３８】
複数の絶縁層１を貫通している接地貫通導体４について、平面視における位置を一部において他と異ならせる（貫通導体３側に近づける）には、複数の絶縁層１のそれぞれに接地貫通導体４を形成する際に、その形成位置を貫通導体３側に近くすればよい。
【００３９】
上記下端部３ａにおける貫通導体３の側面と接地貫通導体４との隣接間隔は、下端部３ａよりも上側の部分における貫通導体３の側面と接地貫通導体４との隣接間隔に比べて約50〜75μｍ程度小さくすればよい。
【００４０】
例えば、貫通導体３を伝送される信号の周波数が20〜40ＧＨｚ程度の場合であるときに、下端部３ａにおける貫通導体３の側面と接地貫通導体４との隣接間隔が50μｍ程度小さくなれば、貫通導体３のインピーダンスが約１〜３Ω程度小さくなる。
【００４１】
貫通導体３と接地貫通導体４との隣接間隔を小さくする範囲（貫通導体３の長さ方向、つまり信号の伝送方向の距離）は、接地貫通導体４が形成されていないことによる貫通導体３のインピーダンスの増加を打ち消すことができる程度の範囲に設定する。
【００４２】
すなわち、貫通導体３のうち下部絶縁層１（１ａ）に形成された部分（つまりインピーダンスが高くなる部分）の長さに応じて、貫通導体３と接地貫通導体４との隣接間隔を小さくする範囲を設定すればよい。
【００４３】
一例を挙げて説明する。貫通導体３および複数の接地貫通導体４がいずれも平面視で円形状であり、貫通導体３のうち下部絶縁層１（１ａ）に形成された部分の長さが例えば約100μｍであり、貫通導体３を伝送される信号の周波数が約20〜40ＧＨｚであり、下端部
３ａ以外の部分における貫通導体３と接地貫通導体４との隣接間隔が約200μｍ程度の場
合であれば、下端部３ａにおける貫通導体３と接地貫通導体４との隣接間隔が約150μｍ
程度としたとき、貫通導体３と接地貫通導体４との隣接間隔を小さくする範囲は約75μｍ程度とすればよい。
【００４４】
なお、下端部３ａにおける貫通導体３と接地貫通導体４との隣接間隔を小さくするには、例えば、接地貫通導体４の径（直径等）を下端部３ａに対応する部分において大きくしたり、貫通導体３の径（直径等）を大きくしたりしてもよい。
【００４５】
図１に示す例においては、上部絶縁層１（１ｂ）のうち最下層のものにおいて、接地貫通導体４の位置が貫通導体３にズレて近づいている。これによってインピーダンスを小さくする手法を表している。この場合は、上部絶縁層１（１ｂ）のうち最下層のもの１層のみに限らず、この最下層のもの１層を含む複数の下部絶縁層１（１ｂ）にわたって、それらの絶縁層１（１ｂ）における接地貫通導体４の位置を貫通導体３に近づけた位置に配してもよい。
【００４６】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態の配線基板９ｂを示す断面図である。図２において図１と同様の部位には同様の符号を付している。第２の実施形態の配線基板９ｂにおいて、貫通導体３の断面積が、上部絶縁層１（１ｂ）に形成された部分の下端部３ａにおいて、この下端部３ｂよりも上側の部分よりも大きい。これ以外の部位については、前述した第１の実施形態の配線基板９ａと同様である。第２の実施形態の配線基板９ｂにおいて、第１の実施形態の配線基板９ａと同様の部位については説明を省略する。なお、上記貫通導体３の断面積とは、貫通導体３を伝送される信号の伝送方向に直交する方向における断面の面積である。
【００４７】
第２の実施形態の配線基板９ｂは、上記下端部３ａにおける貫通導体３の断面積が、下端部３ａにける貫通導体３の断面積よりも大きいことによって、インピーダンスが比較的低い部分が形成されている。すなわち、貫通導体３のうち上部絶縁層１（１ｂ）を貫通している部分の下端部３ａにおける断面積が比較的大きく、この下端部３ａが低インピーダンス部３ａとなっている。
【００４８】
上記のように貫通導体３の断面積が大きい場合には、貫通導体３における抵抗（Ｒ）が小さくなり、これに応じてインピーダンスが小さくなる。なお、貫通導体３の断面積を大きくする場合、例えば貫通導体３が平面視において円形状のときであれば、その直径を大きくすればよく、貫通導体３が平面視で四角形状の場合であれば、その対角線の長さを大きくすればよい。また、貫通導体３が平面視で楕円形状の場合であれば、その長軸および短軸の少なくとも一方を大きくすればよい。
【００４９】
また、図２に示す例においては、上部絶縁層１（１ｂ）のうち最も下側のもの（１ｂ）において貫通導体３の断面積が大きい。これによって、貫通導体３のうち上部絶縁層１（１ｂ）に形成された部分の下端部３ａ（以下、単に下端部３ａという）における断面積が、下端部３ａよりも上の部分における断面積よりも大きくなっている。
【００５０】
上記下端部３ａにおける貫通導体３の断面積を大きくする場合、上部絶縁層１（１ｂ）のうち最下層のもの１層のみに限らず、この最下層のもの１層を含む複数の絶縁層１（１ｂ）にわたって、それらの絶縁層１（１ｂ）における貫通導体３の断面積を大きくするようにしてもよい。
【００５１】
上記下端部３ａにおける貫通導体３の径は、貫通導体３と接地貫通導体４との電気絶縁性の確保や、貫通導体３用の貫通孔を形成する際に作業性等を考慮すれば、下端部３ａよりも上側の部分における貫通導体３の径に比べて約1.2〜1.5倍程度とすることが適当である。
【００５２】
貫通導体３の断面積を大きくする範囲（貫通導体３の長さ方向、つまり信号の伝送方向の距離）は、接地貫通導体４が形成されていないことによる貫通導体３のインピーダンスの増加を打ち消すことができる程度の範囲に設定する。
【００５３】
すなわち、貫通導体３のうち下部絶縁層１（１ａ）に形成された部分（つまりインピーダンスが高くなる部分）の長さに応じて、貫通導体３の断面積を大きくする範囲を設定すればよい。
【００５４】
一例を挙げて説明する。貫通導体３および複数の接地貫通導体４がいずれも平面視で円形状であり、貫通導体３のうち下部絶縁層１（１ａ）に形成された部分の長さが例えば約100μｍであり、貫通導体３を伝送される信号の周波数が約20〜40ＧＨｚであり、下端部
３ａ以外の部分における貫通導体３の径が約200μｍ程度の場合であれば、下端部３ａに
おける貫通導体３の径を約100μｍ程度としたとき、貫通導体３と接地貫通導体４との隣
接間隔を小さくする範囲は約75μｍ程度とすればよい。
【００５５】
（変形例）
図３は、上記第１および第２の実施形態の配線基板９ａ，９ｂの変形例の配線基板９ｃを示す断面図である。図３において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。図３に示す配線基板９ｃにおいては、貫通導体３のうち上部絶縁層１（１ｂ）を貫通している部分の下端部３ａ（以下、単に下端部３ａという）における断面積が、下端部３ａよりも上の上部絶縁層１（１ｂ）に形成された部分における断面積よりも大きくなっている。また、下端部３ａにおける貫通導体３と接地貫通導体４との隣接間隔が、下端部３ａよりも上の部分における貫通導体３と接地貫通導体４との隣接間隔よりも小さくなっている。
【００５６】
つまり、変形例の配線基板９ｃは、上部絶縁層１（１ｂ）に形成された貫通導体３の下端部３ａにおいて、前述した第１および第２の実施形態の配線基板９ａ，９ｂにおける、上部絶縁層１（１ｂ）に形成された貫通導体３の下端部の特徴を兼ね備えている。これにより、貫通導体３におけるインピーダンスの調整、つまり下部絶縁層１（１ａ）に接地貫通導体４が形成されていないことによるインピーダンスの増加の打ち消しがより容易な配線基板９ｃを提供することができる。
【００５７】
また、図３に示す配線基板９ｃにおいては、積層された複数の絶縁層１の上に他の絶縁層11が積層されて、絶縁基板２が形成されている。他の絶縁層11には、例えば絶縁基板１の上面から内部にかけて導通するように他の導体層７が形成されている。他の導体層７のうち絶縁基板２の上面に位置している部分に、絶縁基板２の上面に搭載される電子部品が電気的に接続される。この電子部品は、他の導体層７を介して絶縁基板２の内部に位置する貫通導体３や接地貫通導体４と電気的に接続される。他の導体層７は、導体層５と同様の材料を用い、同様の方法で形成することができる。
【００５８】
他の絶縁層11が積層されて他の導体層７が形成されていることによって、例えば絶縁基板２の上面における、電子部品の電気的な接続のためのパッド等の形成がより容易な配線基板９ｃとなっている。
【実施例】
【００５９】
以下の要領で、実施例の配線基板を100個準備した。
【００６０】
ホウケイ酸ガラスおよび酸化アルミニウムを主成分とするガラスセラミック焼結体からなる絶縁層を７層積層し、これらの７層の絶縁層を下端から上端まで貫通した、平面視で円形状の貫通導体を形成した。また、絶縁層のうち下から２層（下部絶縁層）を除く５層（上部絶縁層）について、貫通導体を取り囲むように、平面視で円形状の複数の接地貫通導体を形成した。
【００６１】
貫通導体の径は、上部絶縁層のうち最下層に形成されている部分において約100μｍと
し、他の絶縁層（上記最下層以外の上部絶縁層および下部絶縁層）において約75μｍとした。
【００６２】
また、貫通導体の側面とその側面に対向する接地貫通導体の側面との間の距離（つまり貫通導体と接地貫通導体との隣接間隔）は、上部絶縁層のうち最下層に形成されている部分において約150μｍとし、他の絶縁層（上記最下層以外の上部絶縁層および下部絶縁層
）において約200μｍとした。
【００６３】
接地貫通導体は、平面視において貫通導体の中心の位置を中心とする円の円周上にほぼ
等間隔に配置した。つまり、この円の中心と各接地貫通導体の中心とを結ぶ線分同士の間の角度（中心角）を約60度とした。
【００６４】
比較例の配線基板として、貫通導体の径を、その貫通導体の下端から上端まで約75μｍとし、貫通導体と接地貫通導体との隣接間隔を、接地貫通導体の下端から上端まで約200
μｍとした配線基板を100個準備した。
【００６５】
上記実施例および比較例の配線基板について、貫通導体の反射特性をインピーダンス測定器により測定した。測定結果を図４に示す。図４は、実施例の配線基板および比較例の配線基板における、貫通導体を伝送される信号の周波数（Frequency）に応じた貫通導体
の反射特性（Return Loss）を示す線図である。図４において、実施例の配線基板におけ
る貫通導体の反射特性を実線で示し、比較例の配線基板における貫通導体の反射特性を破線で示している。この結果より、実施例の配線基板においては、特に周波数が20ＧＨｚを超える高周波帯域において特に反射特性が良好であることを確認できた。
【符号の説明】
【００６６】
１・・・・絶縁層
１ａ・・・下部絶縁層
１ｂ・・・上部絶縁層
２・・・・絶縁基板
３・・・・貫通導体
３ａ・・・下端部
４・・・・接地貫通導体
５・・・・導体層
６・・・・接地導体層
７・・・・他の導体層
９ａ・・・配線基板
９ｂ・・・配線基板
９ｃ・・・配線基板
11・・・・他の絶縁層
【図１】
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【図２】
2013125840.tif 000004
【図３】
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【図４】
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