(57)【要約】【課題】相互に隣り合う画素列で塗布液が混ざることと、塗布膜の膜厚が目標値からずれることとを抑えることの可能な塗布膜形成方法、及び、有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】相互に交差する第１隔壁及び第２隔壁を形成する工程と、前記第１隔壁と前記第２隔壁とで区切られた画素領域に塗布膜を形成する工程とを含み、前記第１隔壁は、同色の画素領域からなる画素列を区切り、前記第２隔壁は、前記画素列内において同色の画素領域を区切る塗布膜形成方法であって、前記第１隔壁と前記第２隔壁とを形成する工程では、前記塗布膜を形成するために用いられる塗布液の属性に基づいて前記第２隔壁の高さＨｙに対する前記第１隔壁の高さＨｔの比を決定する。【選択図】図２
2013214359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に交差する第１隔壁及び第２隔壁を形成する工程と、
前記第１隔壁と前記第２隔壁とで区切られた画素領域に塗布膜を形成する工程とを含み、
前記第１隔壁は、同色の画素領域からなる画素列を区切り、
前記第２隔壁は、前記画素列内において同色の画素領域を区切る
塗布膜形成方法であって、
前記第１隔壁と前記第２隔壁とを形成する工程では、
前記第２隔壁の高さに対する前記第１隔壁の高さの比が隔壁高さ比として設定される場合に、前記塗布膜を形成するために用いられる塗布液の属性に基づいて、前記塗布液を前記画素領域内に留めるための前記隔壁高さ比を決定する
塗布膜形成方法。
【請求項２】
前記塗布液の属性は、前記塗布液の粘度を含む
請求項１に記載の塗布膜形成方法。
【請求項３】
前記塗布液の属性は、前記第１隔壁に対する前記塗布液の接触角を含む
請求項１または２に記載の塗布膜形成方法。
【請求項４】
前記第１隔壁は、絶縁樹脂材料からなり、
前記第２隔壁は、絶縁無機材料からなり、
前記第１隔壁の高さは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であり、
前記第２隔壁の高さは、０．４μｍ以上１．２μｍ以下であり、且つ、
前記第２隔壁の高さに対する前記第１隔壁の高さの比は、２以上１０以下である
請求項１〜３のいずれか１つに記載の塗布膜形成方法。
【請求項５】
相互に交差する第１隔壁及び第２隔壁と、
前記第１隔壁と前記第２隔壁とで区切られる画素領域に形成されて発光層を含む塗布膜とを備え、
前記第１隔壁は、同色の画素領域からなる画素列を区切り、
前記第２隔壁は、前記画素列内において同色の画素領域を区切る
有機ＥＬ素子であって、
前記第１隔壁は、絶縁樹脂材料からなり、
前記第２隔壁は、絶縁無機材料からなり、
前記第１隔壁の高さは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であり、
前記第２隔壁の高さは、０．４μｍ以上１．２μｍ以下であり、且つ、
前記第２隔壁の高さに対する前記第１隔壁の高さの比は、２以上１０以下である
有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の技術は、基板に液状の塗布液を塗布することにより塗布膜を形成する塗布膜形成方法、及び、有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子等の表示素子の製造工程では、インクジェット法やノズルプリント法を用いて、発光材料を含む液状の塗布液を基板上に塗布することにより発光層となる塗布膜が形成されている。このように製造される表示素子では、製造上の簡便さから、例えば特許文献１に記載のように、同色の画素が一方向に並べられた素子構造が採用されている。
【０００３】
図３は、こうした有機ＥＬ素子における素子構造の一部を示す図である。図３（ａ）は、その製造工程において発光層が形成される前の段階の有機ＥＬ素子を示す平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【０００４】
図３（ａ）に示されるように、有機ＥＬ素子１には、１つの方向である配列方向に延びる複数の画素列２が、配列方向と直交する交差方向に沿って配列されている。画素列２には、赤色用画素列２Ｒと緑色用画素列２Ｇと青色用画素列２Ｂとが含まれ、これら赤色用画素列２Ｒと緑色用画素列２Ｇと青色用画素列２Ｂとがこの順に繰り返して配列されている。赤色用画素列２Ｒには、赤色用の画素領域３Ｒが配列方向に並べられており、この赤色用の画素領域３Ｒに赤色の発光層が形成される。また、緑色用画素列２Ｇには、緑色用の画素領域３Ｇが配列方向に並べられており、この緑色用の画素領域３Ｇに緑色の発光層が形成される。また、青色用画素列２Ｂには、青色用の画素領域３Ｂが配列方向に並べられており、この青色用の画素領域３Ｂに青色の発光層が形成される。
【０００５】
互いに隣り合う２つの画素列２の間には、画素列２における配列方向の全体にわたって配列方向に延びるストライプ状の第１隔壁４が形成されている。第１隔壁４は、互いに隣接する２つの画素列２を交差方向で区切る。また、複数の画素列２の各々にて、互いに隣り合う画素領域３の間には、交差方向に延びるストライプ状の第２隔壁５が形成されている。第２隔壁５は、互いに隣接する２つの画素領域３を配列方向で区切る。
【０００６】
図３（ｂ）に示されるように、第１隔壁４及び第２隔壁５は、ＴＦＴ層や画素電極が形成された基板６の上に形成されている。これら第１隔壁４及び第２隔壁５は、絶縁性の材料から形成される。第１隔壁４の基板６の上面からの高さＨｔは、第２隔壁５の基板６の上面からの高さＨｙよりも高く形成されている。
【０００７】
こうした構成にあって、発光層が形成される際には、赤色の発光材料を含む液状の塗布液が、赤色用画素列２Ｒに沿って直線状に塗布される。すなわち、塗布液は、赤色用画素列２Ｒに、赤色用画素列２Ｒ内の第２隔壁５上を含めて塗布される。同様に、緑色の発光材料を含む液状の塗布液は、緑色用画素列２Ｇに沿って直線状に塗布され、青色の発光材料を含む液状の塗布液は、青色用画素列２Ｂに沿って直線状に塗布される。こうして、各色用の画素領域３に、各色の発光層が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−１１３６４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上述の有機ＥＬ素子１において、第１隔壁４の高さＨｔが第２隔壁５の高さＨｙに対して低すぎると、第２隔壁５上に塗布された塗布液が第１隔壁４を乗り超えて隣接する他の色の画素列２内に流れ込み、画素領域３で塗布液の混色が起こることがある。一方、第１隔壁４の高さＨｔが第２隔壁５の高さＨｙに対して高すぎると、画素領域３において、第１隔壁４の側面に付着する塗布液の量が多くなるため、塗布液の塗布量に対して目的とする膜厚の塗布膜が得られないことがある。したがって、有機ＥＬ素子１の製造にあたっては、第１隔壁４の高さＨｔと第２隔壁５の高さＨｙとを適切に設定することが求められる。
【００１０】
本開示の技術は、このような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、相互に隣り合う画素列で塗布液が混ざることと、塗布膜の膜厚が目標値からずれることとを抑えることの可能な塗布膜形成方法、及び、有機ＥＬ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本開示における塗布膜形成方法の一態様は、相互に交差する第１隔壁及び第２隔壁を形成する工程と、前記第１隔壁と前記第２隔壁とで区切られた画素領域に塗布膜を形成する工程とを含み、前記第１隔壁は、同色の画素領域からなる画素列を区切り、前記第２隔壁は、前記画素列内において同色の画素領域を区切る塗布膜形成方法であって、前記第１隔壁と前記第２隔壁とを形成する工程では、前記第２隔壁の高さに対する前記第１隔壁の高さの比が隔壁高さ比として設定される場合に、前記塗布膜を形成するために用いられる塗布液の属性に基づいて、前記塗布液を前記画素領域内に留めるための前記隔壁高さ比を決定する。
【００１２】
上述したように、第１隔壁の高さが第２隔壁の高さに対して低すぎると、塗布液が第１隔壁を乗り越えてしまう。この際に、塗布液が第１隔壁を乗り越えるか否かは、塗布液が静的な状態であれば、第１隔壁に対する塗布液の接触角や塗布液の静的粘度等に応じて異なる。また、塗布液が第１隔壁を乗り越えるか否かは、塗布液が動的な状態であれば、塗布液の動的粘度等に応じて異なる。すなわち、第１隔壁の高さが第２隔壁の高さに対して低すぎるか否かは、塗布液の属性に応じて異なる。同様に、塗布液が第１隔壁を濡れ上がるか否かも、塗布液の属性に応じて異なる。
【００１３】
この点で、本開示における塗布膜形成方法の一態様では、第２隔壁の高さに対する第１隔壁の高さの比は、塗布液の属性に基づいて決定される。それゆえに、第２隔壁の高さに対する第１隔壁の高さは、塗布液の混色と塗布液の濡れ上がりとが抑えられる範囲で予め定められるから、塗布液の混色を抑制しつつ、目的とする膜厚の塗布膜を形成することが可能となる。
【００１４】
本開示における塗布膜形成方法の他の態様では、前記塗布液の属性が、前記塗布液の粘度を含む。
上記他の態様であれば、塗布液の属性のうちで比較的に計測が容易である粘度によって、第２隔壁の高さに対する第１隔壁の高さの比が決定されるから、塗布液の混色を抑制しつつ、目的とする膜厚の塗布膜を形成することが容易となる。
【００１５】
本開示における塗布膜形成方法の他の態様では、前記塗布液の属性が、前記第１隔壁に対する前記塗布液の接触角を含む。
塗布液の属性には、例えば、上記粘度のように塗布液自身によって一義的に定められる物性値の他、塗布液が塗布される対象と塗布液との関係から定められる物性値が挙げられる。塗布液が第１隔壁を乗り越えるか否か、あるいは、塗布液が第１隔壁を濡れ上がる程度は、塗布液自身によって一義的に定められる物性値の他、第１隔壁と塗布液との関係から定められる物性値によっても変わる。この点で、上記他の態様であれば、第１隔壁に対する塗布液の接触角によって、第２隔壁の高さに対する第１隔壁の高さの比が決定されるから、塗布液の混色を抑制しつつ、目的とする膜厚の塗布膜を形成することが、より高い精度で実現される。
【００１６】
本開示における塗布膜形成方法の他の態様では、前記第１隔壁は、絶縁樹脂材料からなり、前記第２隔壁は、絶縁無機材料からなり、前記第１隔壁の高さは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であり、前記第２隔壁の高さは、０．４μｍ以上１．２μｍ以下であり、且つ、前記第２隔壁の高さに対する前記第１隔壁の高さの比は、２以上１０以下である。
【００１７】
本開示における有機ＥＬ素子の一態様は、相互に交差する第１隔壁及び第２隔壁と、前記第１隔壁と前記第２隔壁とで区切られる画素領域に形成されて発光層を含む塗布膜とを備え、前記第１隔壁は、同色の画素領域からなる画素列を区切り、前記第２隔壁は、前記画素列内において同色の画素領域を区切る有機ＥＬ素子であって、前記第１隔壁は、絶縁樹脂材料からなり、前記第２隔壁は、絶縁無機材料からなり、前記第１隔壁の高さは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であり、前記第２隔壁の高さは、０．４μｍ以上１．２μｍ以下であり、且つ、前記第２隔壁の高さに対する前記第１隔壁の高さの比は、２以上１０以下である。
【００１８】
上記塗布膜形成方法の他の態様、あるいは、有機ＥＬ素子の一態様によれば、第１隔壁の形成材料及びサイズ、第２隔壁の形成材料及びサイズ、これらの範囲が定められた上で、第２隔壁の高さに対する第１隔壁の高さの比が定められる。それゆえに、画素列間における塗布液の混色を抑制しつつ、目的とする膜厚の塗布膜を形成することが、さらに高い精度で実現される。
【発明の効果】
【００１９】
本開示の塗布膜形成方法、及び、有機ＥＬ素子によれば、塗布液の混色を抑制しつつ、目的とする膜厚の塗布膜を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本開示における塗布膜形成方法及び有機ＥＬ素子の一実施形態で用いられる塗布膜形成システムの構成を示すブロック図。
【図２】同実施形態で用いられる塗布液の粘度と第２隔壁の高さに対する第１隔壁の高さの比率との関係を示すマップの一例を示す図。
【図３】（ａ）は、有機ＥＬ素子の平面構造の一部を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線における断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本開示における塗布膜形成方法と有機ＥＬ素子との一実施形態について、図１，図２を参照して説明する。なお、本実施形態の塗布膜形成方法によって形成される塗布膜は、有機ＥＬ素子の発光層となる塗布膜である。本実施形態における塗布膜形成方法は、第１隔壁４の高さＨｔと第２隔壁５の高さＨｙとの設定方法に特徴を有するため、以下では、第１隔壁４の高さＨｔと第２隔壁５の高さＨｙとの設定方法を主に説明するとともに、その説明の便宜上、先に説明された部材には同じ符号を付し、その重複した説明を省略する。まず、本実施形態の塗布膜形成方法に用いられる塗布膜形成システム１０について説明する。
【００２２】
図１に示されるように、塗布膜形成システム１０は、隔壁の高さを設計する設計部１１と、隔壁及び塗布膜の形成を行う製造部１２とを備える。これら設計部１１及び製造部１２の各々は、中央処理装置（ＣＰＵ）、不揮発性メモリー（ＲＯＭ）、及び揮発性メモリー（ＲＡＭ）を有するマイクロコンピューターを中心に構成される。
【００２３】
設計部１１は、各種の入力信号の入力処理を行う入力部１１ａと、製造部１２への制御信号の出力処理を行う出力部１１ｂと、隔壁の高さを演算する演算部１１ｃと、演算部１１ｃの演算結果や隔壁の高さの設定に用いられる情報を記憶する記憶部１１ｄとを備えている。
【００２４】
入力部１１ａには、各種のボタンやタッチパネル等から構成される操作部２０が接続されている。操作部２０は、画素領域３に対する塗布液の塗布容量Ｑや塗布膜の形成に用いられる塗布液の動的粘度（粘度μ）等を入力部１１ａに出力する。塗布液の塗布容量Ｑは、塗布液に含まれる機能性材料の濃度、塗布膜の膜厚、画素領域３の大きさに応じて適宜設定される。
【００２５】
記憶部１１ｄには、隔壁の高さの設定に用いられる情報である隔壁設計情報が記憶されている。隔壁設計情報は、第２隔壁５の高さＨｙに対する第１隔壁４の高さＨｔの比率である隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙと塗布液の粘度μとを関連付けた情報であって、隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙと塗布液の粘度μとの関係を示すマップとして記憶されている。
【００２６】
図２に示されるように、上記のマップでは、予め実施された各種の実験に基づき、塗布液の粘度μに応じて、隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの最小値と最大値とが規定されている。こうしたマップは、相互に異なる塗布液の塗布容量Ｑごとに、実験結果に基づいて作成され、塗布容量Ｑに紐付けられた状態で記憶部１１ｄに格納される。
【００２７】
第１隔壁４の高さＨｔが第２隔壁５の高さＨｙに近くなると、第２隔壁５上に塗布された塗布液が第１隔壁４を乗り越えやすくなる。隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの最小値は、第２隔壁５上に塗布された塗布液が第１隔壁４を乗り超えて隣接する他の色の画素列２内に流れ込むか否かの閾値となる値である。各粘度μに対し、隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙが最小値以上であれば、第１隔壁４の高さＨｔが第２隔壁５の高さＨｙに対して低すぎないため、塗布液が隣接する他の色の画素列２内に流れ込むことを抑制することができる。
【００２８】
一方、第１隔壁４の高さＨｔが高くなり過ぎると、第１隔壁４の壁面を濡れ上がる塗布液の量が多くなり、画素領域に形成される塗布膜の膜厚が所望の厚さよりも薄くなる。隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの最大値は、第１隔壁４の側面に付着する塗布液の量が塗布膜の膜厚を所望の範囲に留めるか否かの閾値となる値である。各粘度μに対し、隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙが最大値以下であれば、第１隔壁４の高さＨｔが第２隔壁５の高さＨｙに対して高すぎないため、塗布液の塗布量を増やすことなく目的とする膜厚の塗布膜を形成することができる。すなわち、各粘度μに対し、隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙが最小値以上最大値以下であれば、相互に隣り合う画素列で塗布液が混ざることと、塗布膜の膜厚が目標値からずれることとを抑えることが可能になる。
【００２９】
なお、第２隔壁５の高さＨｙは、そもそも基板６に形成されたＴＦＴ層における信号線や走査線等の配線の厚みに応じて形成される段差であるから、こうした第２隔壁５の高さＨｙは、通常、下層の配線構造やその周辺構造によって制約される。例えば、隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙに関わらず、第２隔壁５の高さＨｙが低すぎる場合には、有機ＥＬ素子の駆動方法によっては、第２隔壁５上に形成される電極等と第２隔壁５下に形成される配線等との間において、第２隔壁５の寄生容量が無視できないものとなる。
【００３０】
それゆえに、上記の隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙから各隔壁の高さＨｔ，Ｈｙが算出される際には、第２隔壁５の高さＨｙとして、上記寄生容量の無視される範囲が予め定められることが好ましい。あるいは、第１隔壁４の高さＨｔの範囲、及び、第２隔壁５の高さＨｙの範囲の少なくとも一方が上記のマップにて予め定められることが好ましい。
【００３１】
また、上述の塗布液の濡れ上がりは、第１隔壁４に限らず、第２隔壁５においても生じ得る。例えば、隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙに関わらず、第２隔壁５の高さＨｔが高すぎる場合には、第２隔壁５を濡れ上がる塗布液の量が多くなり、画素領域に形成される塗布膜の膜厚が所望の厚さよりも薄くなる。
【００３２】
それゆえに、上述の寄生容量と同様に、上記の隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙから各隔壁の高さＨｔ，Ｈｙが算出される際には、第２隔壁５の高さＨｙとして、上記濡れ上がりの無視される範囲が予め定められることが好ましい。あるいは、第１隔壁４の高さＨｔの範囲、及び、第２隔壁５の高さＨｙの範囲の少なくとも一方が上記のマップにて予め定められることが好ましい。
【００３３】
なお、第１隔壁４の形成材料と第２隔壁５の形成材料と塗布液の粘度μとが以下の条件である場合にて、第１隔壁４の高さＨｔの範囲と第２隔壁５の高さＨｙの範囲とが予め定められた上記マップの具体例を表１に示す。
・第１隔壁４の形成材料：絶縁樹脂材料であるポリイミド（ＰＩ）
・第２隔壁５の形成材料：絶縁無機材料である窒化珪素（ＳｉＮ）
・塗布液の粘度μ：２０ｍＰａ以下
【００３４】
【表１】
2013214359.tif 000003
上記表１にて、「＊」の付された水準は、目的とする膜厚の塗布膜を形成する上で、下記（ａ）から（ｄ）のいずれかの状態に該当するものである。
（ａ）第１隔壁４の側面への濡れ上がりにより膜厚が不足している状態
（ｂ）第２隔壁５上の電極とＴＦＴ層との間の寄生容量が過大な状態
（ｃ）第１隔壁４の乗り越えにより塗布液が混色している状態
（ｄ）第２隔壁５の側面への濡れ上がりにより膜厚が不足している状態
なお、上記（ａ）に示される現象は、第１隔壁４の高さＨｔが高くなるに従って顕著になる。上記（ｂ）に示される現象は、第２隔壁５の高さＨｙが低くなるに従って顕著になる。上記（ｃ）に示される現象は、第１隔壁４の高さＨｔが低く、且つ、第２隔壁５の高さＨｙが高くなるに従って顕著になる。上記（ｄ）に示される現象は、第２隔壁５の高さＨｙが高くなるに従って顕著になる。
【００３５】
演算部１１ｃは、入力部１１ａが入力する塗布液の塗布容量Ｑに応じて、上記記憶部１１ｄに記憶されているマップから、塗布容量Ｑの入力値に紐付けられたマップを読み出す。演算部１１ｃは、入力部１１ａが入力する塗布液の粘度μに応じて、読み出されたマップから、粘度μの入力値に対応する隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの最小値と最大値とを求める。設計部１１は、隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの最小値と最大値とに応じた信号を出力部１１ｂから製造部１２へ出力する。なお、この際に、第１隔壁４の高さＨｔの範囲と第２隔壁５の高さＨｙの範囲とが予め定められたマップが用いられる場合には、隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの値が各高さＨｔ，Ｈｙの組み合わせとして出力される。
【００３６】
製造部１２は、第１隔壁４の形成に関わる制御を行う第１隔壁形成部１２ａと、第２隔壁５の形成に関わる制御を行う第２隔壁形成部１２ｂと、塗布膜の形成に関わる制御を行う塗布膜形成部１２ｃと、塗布膜の形成プログラムが記憶された記憶部１２ｄとを備えている。製造部１２では、出力部１１ｂの出力した隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの範囲に基づき、第１隔壁４の高さＨｔと第２隔壁５の高さＨｙとが決定される。
【００３７】
例えば、製造部１２では、第１隔壁４の形成時間と第２隔壁５の形成時間とが最小となるように、隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの範囲の中から、相対的に低い高さＨｔ，Ｈｙの組み合わせが選択される。例えば、表２に示されるマップが用いられた場合には、高さＨｔとして１．０μｍが選択され、且つ、高さＨｙとして０．４μｍが選択される。
【００３８】
あるいは、例えば、製造部１２では、第１隔壁４の加工精度と第２隔壁５の加工精度とが確保されるように、隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの範囲の中から、中央値となる高さＨｔ，Ｈｙの組み合わせが選択される。例えば、表２に示されるマップが用いられた場合には、高さＨｔとして２．５μｍが選択され、且つ、高さＨｙとして０．６μｍが選択される。
【００３９】
なお、第１隔壁４の高さＨｔの範囲と第２隔壁５の高さＨｙの範囲とが予め定められたマップが用いられていない場合には、上記表１に示されるような第１隔壁４の高さＨｔの範囲と第２隔壁５の高さＨｙの範囲とに関する情報が、別途、製造部１２にて用いられることが好ましい。
【００４０】
第１隔壁形成部１２ａは、決定された第１隔壁４の高さＨｔに応じた制御信号を生成して出力することにより、第１隔壁４を形成する機構を駆動して第１隔壁４を形成する。例えば、第１隔壁形成部１２ａは、高さＨｔの入力値に相当する膜厚でポリイミドからなる塗布膜を形成し、高さＨｔの入力値に相当するエッチング処理を通じて、高さＨｔの入力値に相当する高さで第１隔壁４を形成する。
【００４１】
第２隔壁形成部１２ｂは、決定された第２隔壁５の高さＨｙに応じた制御信号を生成して出力することにより、第２隔壁５を形成する機構を駆動して第２隔壁５を形成する。例えば、第２隔壁形成部１２ｂは、高さＨｙの入力値が得られる膜厚でＳｉＮからなる絶縁膜を形成して、高さＨｙの入力値に相当する高さで第２隔壁５を形成する。
【００４２】
塗布膜形成部１２ｃは、記憶部１２ｄに記憶された塗布膜の形成プログラムに従って制御信号を生成して出力することにより、塗布膜を形成する機構を駆動して塗布膜を形成する。例えば、塗布容量Ｑの塗布液が各画素領域３に塗布されるように、塗布膜形成部１２ｃは、画素列２に沿ってノズルを走査させるとともに、上記入力値の粘度μを備える塗布液をノズルから切れ目なく吐出させる。
【００４３】
次に、上記塗布膜形成システム１０を用いる塗布膜形成方法について説明する。なお、以下では、第１隔壁４の高さＨｔの範囲と第２隔壁５の高さＨｙの範囲とが予め定められたマップが用いられる形態を例示する。
【００４４】
まず、設計部１１では、画素領域３ごとの塗布液の塗布容量Ｑと、塗布膜形成に用いられる塗布液の粘度μとが、操作部２０の操作を通じて、入力部１１ａに入力される。次いで、塗布容量Ｑの入力値に紐付けられたマップが、演算部１１ｃの演算処理によって記憶部１１ｄから読み出される。続いて、粘度μに対応する隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの範囲が、読み出されたマップから演算部１１ｃの演算処理によって求められる。そして、求められた隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙは、各高さＨｔ，Ｈｙの組み合わせとして塗布容量Ｑと共に製造部１２へ出力される。
【００４５】
次いで、製造部１２では、第１隔壁４の高さＨｔと第２隔壁５の高さＨｙとが決定された後、第１隔壁形成部１２ａと第２隔壁形成部１２ｂとが駆動されて、これによって、高さＨｔの第１隔壁４と高さＨｙの第２隔壁５とが形成される。
【００４６】
すなわち、表１に示されるマップが用いられる場合には、以下の構造を備える第１隔壁４と第２隔壁５とが形成される。
・第１隔壁４の高さＨｔ：１．０μｍ以上５．０μｍ以下
・第２隔壁５の高さＨｙ：０．４μｍ以上１．２μｍ以下
・高さ比Ｈｙ／Ｈｔ：２以上１０以下
そして、塗布容量Ｑの入力値に基づいて塗布膜形成部１２ｃが駆動されて、これによって、粘度μの塗布液が画素領域３ごとに塗布容量Ｑで塗布される。ここで、粘度μの塗布液が塗布されることに際し、第１隔壁４の高さＨｔが第２隔壁５の高さＨｙに対して低すぎないため、塗布液が隣接する他の色の画素列２内に流れ込むことが抑制される。また、粘度μの塗布液が塗布されることに際し、第１隔壁４の高さＨｔが第２隔壁５の高さＨｙに対して高すぎないため、塗布液の塗布量を増やすことなく目的とする膜厚の塗布膜が形成される。
【００４７】
このように、本実施形態では、塗布液の粘度μに基づいて、第２隔壁５の高さＨｙに対する第１隔壁４の高さＨｔの比率が設定される。
以上説明したように、本実施形態の塗布膜形成方法、及び、有機ＥＬ素子によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
【００４８】
（１）塗布液の粘度μに基づいて、第２隔壁５の高さＨｙに対する第１隔壁４の高さＨｔの比率が設定されるため、塗布液の混色を抑制しつつ、目的とする膜厚の塗布膜を形成することが可能となる。特に、塗布液の粘度μが考慮されることにより、上記比率が適切に設定される。
【００４９】
（２）上記比率の最小値が、第２隔壁５上に塗布された塗布液が隣接する他の色の画素列２内に流れ込むか否かの閾値として設定されるため、適切に塗布液が隣接する他の色の画素列２内に流れ込むことを抑制することが可能となる。
【００５０】
（３）上記比率の最大値が、第１隔壁４の側面に付着する塗布液の量が形成される塗布膜の膜厚に影響を与えない量であるか否かの閾値として設定されるため、塗布液の塗布量に対して適切に目的とする膜厚の塗布膜を形成することが可能となる。
【００５１】
なお、上記実施形態は、例えば以下のような形態にて実施することもできる。
・上記実施形態では、塗布液の属性として、粘度μに基づいて、第２隔壁５の高さＨｙに対する第１隔壁４の高さＨｔの比率が設定される。これに代えて、塗布液の属性として、例えば、隔壁に対する撥水性を用いてもよい。例えば、塗布液の溶媒としてキシレンを用いる場合、ポリイミドからなる第１隔壁４とキシレンとの接触角θ１、及び、窒化珪素からなる第２隔壁５とキシレンとの接触角θ２を用いる。
【００５２】
この場合、設計部１１の記憶部１１ｄに記憶されるマップは、隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙと接触角θ１，θ２とを関連付けた情報として作成される。そして、設計部１１では、操作部２０から塗布液の塗布容量Ｑと上記接触角θ１，θ２とが入力されることにより、マップから隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの最小値と最大値とが求められる。
【００５３】
・さらに、塗布液の属性として、粘度μと上記接触角θ１，θ２の双方を用いてもよい。この場合、設計部１１の記憶部１１ｄに記憶されるマップは、隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙと粘度μ及び接触角θ１，θ２とを関連付けた情報として作成される。そして、設計部１１では、操作部２０から塗布液の塗布容量Ｑと粘度μと接触角θ１，θ２とが入力されることにより、マップから隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの最小値と最大値とが求められる。
【００５４】
・上記実施形態では、設計部１１と製造部１２がシステム化されているものとしたが、例えば、設計部１１を設計装置、製造部１２を製造装置とし、設計装置から出力された第１隔壁４の高さＨｔと第２隔壁５の高さＨｙとを、ユーザーが製造装置に入力するようにしてもよい。また、設計装置からは隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの最小値と最大値が出力され、ユーザーが隔壁高さ比Ｈｔ／Ｈｙの最小値と最大値とに基づいて、第１隔壁４の高さＨｔと第２隔壁５の高さＨｙとを設定してもよい。要するに、塗布液の属性に基づいて、第２隔壁５の高さＨｙに対する第１隔壁４の高さＨｔの比が出力され、その出力値に相当する高さＨｔ，Ｈｙで各隔壁が形成される方法であればよい。
【００５５】
・上記実施形態では、第１隔壁４がポリイミドから形成され、第２隔壁５が窒化珪素から形成されるものとしたが、絶縁性を有する材料であれば、適宜の材料を用いて第１隔壁４及び第２隔壁５を形成できる。この際、設計部１１の記憶部１１ｄに記憶されるマップは、材料に合わせて作成される。なお、上記有機ＥＬ素子においては、第２隔壁５を、第１隔壁４よりも撥水性が低い材料から形成すると、液状の塗布液が直線状に塗布される際に塗布量の偏りが生じることを抑制することができる。
【００５６】
・塗布膜を形成する素子は、有機ＥＬ素子に限らず、第１隔壁４及び第２隔壁５によって区切られた領域に液状の塗布液が塗布されて塗布膜が形成される素子であればよい。
【符号の説明】
【００５７】
１…有機ＥＬ素子、２…画素列、３…画素領域、４…第１隔壁、５…第２隔壁、６…基板、１０…塗布膜形成システム、１１…設計部、１１ａ…入力部、１１ｂ…出力部、１１ｃ…演算部、１１ｄ…記憶部、１２…製造部、１２ａ…第１隔壁形成部、１２ｂ…第２隔壁形成部、１２ｃ…塗布膜形成部、１２ｄ…記憶部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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