(57)【要約】【課題】電子部品を再利用（リユース）する場合に、電子部品を搭載する電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が発光素子の残り寿命を算出し、再利用（リユース）を進める上の仕組みを提供し得る電子部品及び電子機器、並びに電子部品の再利用方法を提供する。【解決手段】透過型フォトインタラプタ１は発光素子１０を備える、発光素子１０は、主となる主ＬＥＤ１１と、その近傍に設けられて主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出するための副ＬＥＤ１２とを備えている。【選択図】図１
2013084793.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を備えた電子部品であって、
上記発光素子は、主となる主発光素子と、その近傍に設けられて主発光素子の残り寿命を算出するための副発光素子とを備えていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記発光素子における主発光素子及び副発光素子は、同一の製造工程で生産されたものが用いられていることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記主発光素子が点灯状態のときには副発光素子を消灯状態に保持する一方、主発光素子の初期発光量を測定するときには副発光素子を点灯状態にさせる副発光素子点灯手段が設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品。
【請求項４】
前記発光素子は、主発光素子と第１抵抗とを直列接続したものと、副発光素子と第２抵抗とを直列接続したものとが並列に接続されていると共に、
上記第１抵抗の抵抗値は第２抵抗の抵抗値よりも充分小さいことを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品。
【請求項５】
前記主発光素子の点灯可能状態を点灯不可状態とすると共に、上記主発光素子に代えて、前記副発光素子を点灯可能状態にする置き換え手段が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記主発光素子の再利用が可能であることを識別できる印が、電子部品本体表面に設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品を再利用するための電子部品の再利用方法であって、
不要又は再利用希望を理由にユーザーから返却されてきた電子部品に搭載された主発光素子の残り寿命を副発光素子から算出し、該主発光素子の残り寿命に応じて、前記主発光素子の再利用が可能であることを識別できる印を電子部品本体表面に付することを特徴とする電子部品の再利用方法。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品を再利用するための電子部品の再利用方法であって、
不要又は再利用希望を理由にユーザーから返却されてきた電子部品に搭載された主発光素子の残り寿命を副発光素子から算出し、該主発光素子の残り寿命がないか又は少ないときには、主発光素子に代えて、副発光素子に置き換えることを特徴とする電子部品の再利用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及び電子機器、並びに電子部品の再利用方法に関するものであり、詳細には、発光素子を用いた電子部品における発光素子の残り寿命を算出して電子部品を再利用（リユース）する電子部品及び電子機器、並びに電子部品の再利用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
全ての電子部品には寿命が存在し、電子部品の供給メーカーが独自の品質保証体系により、その電子部品の寿命を製品メーカーに対して推定又は保証している。寿命算出には例えばアレニウスモデル、又はアイリングモデル等が用いられる。
【０００３】
一般に、製品寿命よりもそれに用いられている電子部品の寿命は永く設定されているため、製品寿命を終えても、それに用いられている電子部品は再利用（リユース）が可能である。また、省資源及び省エネの観点からも再利用（リユース）は社会の必須事項となってきている。しかしながら、単価の安い電子部品では、再利用（リユース）を行うコストの方が新しい電子部品を購入するよりも高くなり再利用（リユース）が進まない課題があった。
【０００４】
この課題に対して、製品に電子部品の駆動電流に応じた表示を行う水銀タイマーを持たせたり、又はＭＰＵ（Micro-Processing Unit）を持っていたりする製品では、メモリーに電子部品の駆動時間に応じたクロック数や内部時計による時刻を記録することが行われている。しかしながら、その記録手段自体が電子部品よりも高価であったりサイズが大きかったりするという課題があった。
【０００５】
そこで、この課題を解決するために、例えば、特許文献１に開示された有限寿命電子部品およびその寿命確認方法では、電子部品に２次元バーコードを設け、電子部品メーカーがその電子部品を出荷する際に特性を記録し、２次元バーコードと１対１で対応させることが提案されている。
【０００６】
また、特許文献２に開示された機器搭載部品、残寿命検査システム、用途決定システムでは、電子部品であるブラシレスモータにその電子部品と同様な劣化特性を示す部品であるＬＥＤを取り付けることが提案されている。
【０００７】
さらに、特許文献３に開示された光結合装置、及び電子機器では、発光素子を持つ電子部品である光結合装置に２つ目の発光素子を追加し、特性の改善の他、発光素子の寿命を永くすることが提案されている。
【０００８】
ここで、再利用（リユース）が特に求められる市場としては、パチンコ台、スロット台市場がある。
【０００９】
上記パチンコ台は、３ヶ月から半年等までの短い周期で新しい台と交換されるため、使用されている電子部品の大半は残り寿命が多く残っている。それら電子部品の一例としては、フォトインタラプタがあり、例えばパチンコ玉やコインの検知に使われている。
【００１０】
上記フォトインタラプタは、互いに対向する発光素子と受光素子とを備え、発光素子からの光を物体が遮るのを受光素子で検出することによって、物体の有無や位置を判定するセンサである。
【００１１】
上記フォトインタラプタ１００である例えば赤外線透過型フォトインタラプタは、図８（ａ）〜（ｄ）、図９（ａ）〜（ｄ）及び図１０（ａ）（ｂ）に示すように、発光素子１１０として９５０ｎｍ帯の赤外線の発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）１１１が、プリント基板１３０に半田付けされたリードフレーム１０２ａにダイボンドされている。発光素子１１０は、図１０（ａ）に示すように、リードフレーム１０２ｂにワイヤー線１０３ｂにより電気的に接続されていると共に、図９（ａ）に示すように、近赤外線を透過するエポキシ樹脂１０４により樹脂封止されている。
【００１２】
同様に、９５０ｎｍ帯の赤外線に感度を持つシリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）１２１からなる受光素子１２０が、図１０（ｂ）に示すように、上記プリント基板１３０に半田付けされたリードフレーム１０５ｂにワイヤー線１０６により電気的に接続されていると共に、図９（ａ）に示すように、赤外線を透過するエポキシ樹脂１０７により樹脂封止されている。
【００１３】
上記プリント基板１３０には、コネクタ１０８が半田付けされており、このコネクタ１０８は、図９（ｂ）に示すように、コレクタ端子１０８ａ、ＧＮＤ（ground：接地）端子１０８ｂ及びアノード端子１０８ｃの各端子を有している。
【００１４】
また、フォトインタラプタ１００の表面には、図９（ａ）に示すように、射出成形等にて作られたホルダー１０９が被せられている。
【００１５】
さらに、上記プリント基板１３０においては、図９（ｃ）（ｄ）に示すように、コレクタ配線１３１と、ＧＮＤ（ground：接地）配線１３２と、アノード配線１３３とが配設されている。
【００１６】
上記発光ダイオード（ＬＥＤ）１１１から発せられた赤外線は、同図に示す光路ＬＰを通り、受光素子１２０に入射している。この光路ＬＰを、被測定物が遮断することによるシリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）１２１の電流変化により、被測定物の有無が検知される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２００１−００６９７６号公報（２００１年１月１２日公開）
【特許文献２】特開２００２−０４８６８７号公報（２００２年２月１５日公開）
【特許文献３】特開２０１１−０９１３３３号公報（２０１１年５月６日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら、上記従来の特許文献１に開示された有限寿命電子部品およびその寿命確認方法では、２次元バーコードへの記録に対するコスト、例えばデータセンターの設置、運用及び電力等の課題が残る。また、電子部品のサイズと２次元バーコードのサイズとに関する課題、例えば２次元バーコード自体の記憶容量を越える電子部品の数量は出荷できなくなること、及び２次元バーコードに傷が入った場合には寿命が算出できない等の課題が残る。さらに、製品メーカーが電子部品の再利用（リユース）を行う場合、及びリユース専業企業が、その製品に使われている電子部品の残り寿命を算出する際には、電子部品メーカーの記録が必要不可欠であり、その記録のやり取りのコストが掛かる等の課題がある。
【００１９】
また、特許文献２に開示された機器搭載部品、残寿命検査システム、用途決定システムでは、電子部品にその電子部品と同様な劣化特性を示す部品としてＬＥＤが用いられている。そして、それにより電子部品の劣化をＬＥＤの光量に置き換えることができるため、前記電子部品の特性の把握が容易となる。しかしながら、特許文献１と同様にそのＬＥＤの出荷時特性の記録が必要であり、特許文献１で示した課題がある。
【００２０】
さらに、特許文献３に開示された光結合装置、及び電子機器では、ＬＥＤを２個使うので、ＬＥＤへのストレスが減り寿命が延びることが示されているが、残り寿命の算出方法は提案されていない。
【００２１】
すなわち、特許文献１〜３のいずれにも、再利用（リユース）を進める上の仕組みは提案されていない。
【００２２】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、電子部品を再利用（リユース）する場合に、電子部品を搭載する電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が発光素子の残り寿命を算出し、再利用（リユース）を進める上の仕組みを提供し得る電子部品及び電子機器、並びに電子部品の再利用方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の電子部品は、上記課題を解決するために、発光素子を備えた電子部品であって、上記発光素子は、主となる主発光素子と、その近傍に設けられて主発光素子の残り寿命を算出するための副発光素子とを備えていることを特徴としている。
【００２４】
すなわち、本発明の発光素子を備えた電子部品を利用する電子機器がその寿命を終えても、それに用いられている電子部品は一般的に再利用（リユース）が可能である。したがって、該電子部品を回収して再利用（リユース）することが望ましい。しかしながら、例えば、電子部品を搭載する電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が該電子部品を再利用（リユース）する場合には、該電子部品の発光素子の寿命がどの程度残っているのかを把握しなければならない。この場合、例えばインターネットでの製品情報により発光素子の初期発光量を把握できれば、回収した発光素子の光量を測定すれば、例えばアレニウス等の寿命モデルを用いて回収した発光素子の寿命を算出することが可能である。しかしながら、そのような製品情報がインターネットで公開されていることは稀であり、一般的には、発光素子の初期発光量がいくらであるかの情報を得ることができない。仮に、発光素子の初期発光量の製品情報がインターネットにて得られたとしても、製品間にバラつきがあるので、正確な発光素子の初期発光量が得られるとは限らない。
【００２５】
そこで、本発明では、主となる主発光素子の近傍には、主発光素子の残り寿命を算出するための副発光素子が設けられている。ここで、本発明においては、副発光素子を設けておくときに、副発光素子を点灯しないで放置しておく場合と、主発光素子と一緒に副発光素子を低負荷で点灯する場合との２つの場合が可能である。
【００２６】
まず、副発光素子を点灯しないで放置しておく場合において、主発光素子の残り寿命を算出するためには、例えば、未使用の副発光素子の光量を測定すれば、主発光素子の初期発光量が把握できる。この結果、主発光素子の現在の光量を測定すれば、主発光素子の初期発光量との比較により、例えばアレニウス等の寿命モデルによって主発光素子の残り寿命を算出することができる。
【００２７】
次に、主発光素子と一緒に副発光素子を低負荷で点灯する場合については、後述する方法により、主発光素子の残り寿命を算出することができる。
【００２８】
したがって、電子部品を再利用（リユース）する場合に、電子部品を搭載する電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が発光素子の残り寿命を算出し、再利用（リユース）を進める上の仕組みを提供し得る電子部品を提供することができる。
【００２９】
本発明の電子部品では、前記発光素子における主発光素子及び副発光素子は、同一の製造工程で生産されたものが用いられていることが好ましい。
【００３０】
すなわち、例えば、副発光素子を点灯しないで消灯状態に放置しておく場合において、主発光素子の残り寿命を算出するためには、例えば、未使用の副発光素子の光量を測定することにより、主発光素子の初期発光量を把握する。しかし、この把握方法は、副発光素子が主発光素子と全く同じ特性を有していることが前提となる。つまり、副発光素子といえどもロットが異なれば、正確には、副発光素子が主発光素子と全く同じ特性を有しているとはいえない。
【００３１】
この点、本発明では、主発光素子及び副発光素子は、同一の製造工程で生産されたものが用いられている。この結果、主発光素子と副発光素子とは同一のロットから生産されたものであるので、副発光素子は主発光素子と全く同じ特性を有していると看做すことができる。
【００３２】
したがって、副発光素子の光量を測定すれば、主発光素子の初期発光量と同一と看做すことができ、主発光素子の初期発光量との比較により、主発光素子の残り寿命を正確に算出することができる。
【００３３】
本発明の電子部品では、前記主発光素子が点灯状態のときには副発光素子を消灯状態に保持する一方、主発光素子の初期発光量を測定するときには副発光素子を点灯状態にさせる副発光素子点灯手段が設けられているとすることができる。
【００３４】
これにより、主発光素子が点灯状態のときには、副発光素子を点灯しないで消灯状態に放置しておくことができる。一方、主発光素子の初期発光量を測定するときには、副発光素子点灯手段が設けられているので、副発光素子を容易に点灯状態にさせることができる。
【００３５】
したがって、副発光素子を設けておくときに、副発光素子を点灯しないで放置しておく場合において、主発光素子の初期発光量を測定するときには、副発光素子点灯手段にて、副発光素子を容易に点灯状態にさせて、主発光素子の初期発光量を求めることができる。
【００３６】
本発明の電子部品では、前記発光素子は、主発光素子と第１抵抗とを直列接続したものと、副発光素子と第２抵抗とを直列接続したものとが並列に接続されていると共に、上記第１抵抗の抵抗値は第２抵抗の抵抗値よりも充分小さいとすることができる。
【００３７】
すなわち、本発明では、主発光素子の残り寿命を算出するための副発光素子を、主発光素子の近傍に配置し、主発光素子と一緒に副発光素子を低負荷で点灯する。これにより、主発光素子と副発光素子との両方に、同一のストレスが与えられる。ここでストレスとは温度、湿度、封止樹脂から与えられる応力等であり、これらストレスにより主発光素子及び副発光素子は、いずれも劣化し、光量が減ってくる。
【００３８】
ここで、本発明では、第１抵抗の抵抗値は第２抵抗の抵抗値よりも充分小さい。このため、主発光素子へ流す電流をＩｍａｘとし、主発光素子の残り寿命を算出するための副発光素子へ流す電流をＩｍｉｎとすると、Ｉｍｉｎ／Ｉｍａｘ≒０となっている。この結果、主発光素子の残り寿命を算出するために必要な主発光素子の初期発光量は、該主発光素子の残り寿命を算出するために副発光素子へＩｍａｘの電流を流したときの発光量とすることができる。この結果、主発光素子の初期発光量を把握することができる。したがって、主発光素子の現在の光量を測定すれば、主発光素子の初期発光量との比較により、例えばアレニウス等の寿命モデルによって主発光素子の残り寿命を算出することができる。
【００３９】
本発明の電子部品では、前記主発光素子の点灯可能状態を点灯不可状態とすると共に、上記主発光素子に代えて、前記副発光素子を点灯可能状態にする置き換え手段が設けられていることが好ましい。
【００４０】
すなわち、副発光素子により主発光素子の残りの寿命を算出した結果、主発光素子の残りの寿命がないと判断した場合、本発明では、副発光素子は使用していないか又は殆ど使用していないので、主発光素子を副発光素子に置き換えることが可能である。この場合、本発明では、置き換え手段が設けられているので、主発光素子を副発光素子に容易に置き換えることができる。
【００４１】
本発明の電子部品では、前記主発光素子の再利用が可能であることを識別できる印が、電子部品本体表面に設けられていることが好ましい。
【００４２】
すなわち、電子部品の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業は、電子部品を搭載した電子機器の製品メーカー等から返却されてきた該電子部品における主発光素子の残り寿命を算出し、再出荷する場合には、該主発光素子の残り寿命がどれくらいであるのかを表示しておくことが好ましい。
【００４３】
そこで、本発明の電子部品では、前記主発光素子の再利用が可能であることを識別できる印が、電子部品本体表面に設けられている。これにより、例えば、１００００時間、５０００時間、１０００時間等の主発光素子の残り寿命に応じて、識別できる印を設けることができる。したがって、再利用（リユース）の寿命を明確にして利用者に知らせることが可能となる。また、主発光素子の残り寿命に応じて再販価格を設定することも可能となる。
【００４４】
尚、この場合、例えばアレニウスモデルの関係式と、必要な主発光素子の初期発光量の求め方を、ユーザーにＷｅｂ、カタログ、又は部品の仕様書に記載して提供することが好ましい。これにより、電子部品のユーザー又はリユース専業企業自身が主発光素子の残り寿命を算出することが容易に可能となる。
【００４５】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、前記記載の電子部品を備えていることを特徴としている。
【００４６】
上記の発明によれば、電子部品を再利用（リユース）する場合に、電子部品を搭載する電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が発光素子の残り寿命を算出し、再利用（リユース）を進める上の仕組みを提供し得る電子部品を備えた電子機器を提供することができる。
【００４７】
本発明の電子部品の再利用方法は、上記課題を解決するために、前記記載の電子部品を再利用するための電子部品の再利用方法であって、不要又は再利用希望を理由にユーザーから返却されてきた電子部品に搭載された主発光素子の残り寿命を副発光素子から算出し、該主発光素子の残り寿命に応じて、前記主発光素子の再利用が可能であることを識別できる印を電子部品本体表面に付することを特徴としている。
【００４８】
上記の発明によれば、電子部品が、不要又は再利用希望を理由にユーザーから返却されてきた場合には、該電子部品に搭載された主発光素子の残り寿命を副発光素子から算出する。そして、該主発光素子の残り寿命に応じて、前記主発光素子の再利用が可能であることを識別できる印を電子部品本体表面に付する。
【００４９】
これにより、電子部品を再利用（リユース）する場合に、電子部品を搭載する電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が発光素子の残り寿命を算出し、再利用（リユース）を進める上の仕組みを提供し得る電子部品の再利用方法を提供することができる。
【００５０】
本発明の電子部品の再利用方法は、上記課題を解決するために、前記記載の電子部品を再利用するための電子部品の再利用方法であって、不要又は再利用希望を理由にユーザーから返却されてきた電子部品に搭載された主発光素子の残り寿命を副発光素子から算出し、該主発光素子の残り寿命がないか又は少ないときには、主発光素子に代えて、副発光素子に置き換えることを特徴としている。
【００５１】
上記の発明によれば、電子部品が、不要又は再利用希望を理由にユーザーから返却されてきた場合には、該電子部品に搭載された主発光素子の残り寿命を副発光素子から算出する。そして、主発光素子の残り寿命がないか又は少ないときには、主発光素子に代えて、副発光素子に置き換える。
【００５２】
これにより、電子部品を再利用（リユースス）する場合に、電子部品を搭載する電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が発光素子の残り寿命を算出し、再利用（リユース）を進める上の仕組みを提供し得る電子部品の再利用方法を提供することができる。
【００５３】
尚、この場合、再利用ができないことを識別できる印を電子部品本体表面に付しておくことが好ましい。これにより、残り寿命を算出するための副発光素子を再利用可能とすることができ、再利用（リユース）をさらに進めることが可能となる。
【発明の効果】
【００５４】
本発明の電子部品は、以上のように、発光素子を備えた電子部品であって、上記発光素子は、主となる主発光素子と、その近傍に設けられて主発光素子の残り寿命を算出するための副発光素子とを備えている。
【００５５】
また、本発明の電子機器は、以上のように、前記記載の電子部品を備えている。
【００５６】
また、本発明の電子部品の再利用方法は、以上のように、不要又は再利用希望を理由にユーザーから返却されてきた電子部品に搭載された主発光素子の残り寿命を副発光素子から算出し、該主発光素子の残り寿命に応じて、前記主発光素子の再利用が可能であることを識別できる印を電子部品本体表面に付する方法である。
【００５７】
また、本発明の電子部品の再利用方法は、以上のように、不要又は再利用希望を理由にユーザーから返却されてきた電子部品に搭載された主発光素子の残り寿命を副発光素子から算出し、該主発光素子の残り寿命がないか又は少ないときには、主発光素子に代えて、副発光素子に置き換える方法である。
【００５８】
それゆえ、電子部品を再利用（リユース）する場合に、電子部品を搭載する電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が発光素子の残り寿命を算出し、再利用（リユース）を進める上の仕組みを提供し得る電子部品及び電子機器、並びに電子部品の再利用方法を提供するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】（ａ）は本発明における電子部品の実施の一形態を示すものであって、電子部品としての透過型フォトインタラプタの構成を示す正面図であり、（ｂ）は上記透過型フォトインタラプタの構成を示す右側面図であり、（ｃ）は上記透過型フォトインタラプタにおける発光素子の構成を示す右側面図であり、（ｄ）は上記透過型フォトインタラプタにおける受光素子の構成を示す左側面図である。
【図２】（ａ）は上記透過型フォトインタラプタにおけるプリント基板の内部結線を示す平面図であり、（ｂ）は上記プリント基板の内部結線を示す回路図である。
【図３】（ａ）は上記透過型フォトインタラプタにおけるプリント基板の内部結線の変形例を示す平面図であり、（ｂ）は上記プリント基板の内部結線を示す回路図である。
【図４】（ａ）は上記透過型フォトインタラプタにおけるプリント基板の内部結線の他の変形例を示す平面図であり、（ｂ）は上記プリント基板の内部結線を示す回路図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）はホルダーに記載されたマークを示す上記透過型フォトインタラプタの左側面図である。
【図６】ＬＥＤにおける寿命と温度との関係を、ＬＥＤ電流毎に求めたグラフである。
【図７】（ａ）（ｂ）は、ハーフライフ（変化率−５０％）と、時間との関係を示す図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、従来の電子部品としてのフォトインタラプタの構成を示す外観図である。
【図９】（ａ）は上記フォトインタラプタの構成を示す正面図であり、（ｂ）は上記フォトインタラプタの構成を示す右側面図であり、（ｃ）は上記フォトインタラプタにおけるプリント基板の内部結線を示す平面図であり、（ｄ）は上記プリント基板の内部結線を示す回路図である。
【図１０】（ａ）は上記フォトインタラプタにおける発光素子の構成を示す右側面図であり、（ｄ）は上記フォトインタラプタにおける受光素子の構成を示す左側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００６０】
本発明の一実施形態について図１〜図７に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００６１】
ここで、本実施の形態では、発光素子を備えた電子部品としての透過型フォトインタラプタについて説明する。また、この発光素子を備えた電子部品としての透過型フォトインタラプタは、例えば、パチンコ台、スロットマシン等の電子機器に搭載される。すなわち、電子部品としての透過型フォトインタラプタは、パチンコ台においては、コインの検知やそのコインの枚数に応じたパチンコ玉の個数の検知に利用される。また、スロットマシンにおいては、スロットマシンに投入されるメダルの個数の検出等に使用される。
【００６２】
また、その他の電子機器としては、例えば、複写機又はプリンタ等が知られており、例えば、原稿用紙等の用紙における入出力の検出等に適用される。さらに、この他にも、発光素子を備えた電子部品を利用する電子機器は、多数存在する。
【００６３】
（電子部品の構成）
最初に、本実施の形態の電子部品としての透過型フォトインタラプタの構成について、図１（ａ）〜（ｄ）に基づいて説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態の電子部品の構成を示す図である。尚、従来技術にて説明した図８〜図１０との違いは、発光素子内部にＬＥＤが２つ実装されている点である。
【００６４】
本実施の形態の電子部品としての透過型フォトインタラプタ１は、図１（ａ）に示すように、互いに対向する発光素子１０と受光素子２０とを備え、発光素子１０からの光を物体が遮るのを受光素子２０にて検出することによって、物体の有無や位置を判定するセンサである。すなわち、透過型フォトインタラプタ１では、発光素子１０から発せられた赤外線は、図１（ａ）に示す光路ＬＰを通り、受光素子２０に入射する。この光路ＬＰを、被測定物が遮断することによる受光素子２０のシリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１の電流変化により、被測定物の有無が検知される。
【００６５】
本実施の形態においては、上記発光素子１０は、図１（ｃ）に示すように、９５０ｎｍ帯の赤外線を発光する主発光素子としての主発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）１１（以下、「主ＬＥＤ１１」と称する。）と、その近傍に設けられて主ＬＥＤ１１の寿命を算出するための副発光素子としての副発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）１２（以下、「副ＬＥＤ１２」と称する。）との２つのＬＥＤとを備えている。上記主ＬＥＤ１１及び副ＬＥＤ１２は、同一の製造工程で生産されたＬＥＤが用いられている。詳細には、製造工程において同一ウエハの隣接するＬＥＤが実装されている。したがって、主ＬＥＤ１１と副ＬＥＤ１２との特性は、互いに略同一であるとすることができる。
【００６６】
上記発光素子１０は、図１（ａ）に示すように、プリント基板３０に半田付けされたリードフレーム２ａにダイボンドされている。そして、図１（ｃ）に示すように、発光素子１０における主ＬＥＤ１１は、上記プリント基板３０に半田付けされたリードフレーム２ｂにワイヤー線３ｂにより電気的に接続されている。一方、発光素子１０における副ＬＥＤ１２は、上記プリント基板３０に半田付けされたリードフレーム２ｃにワイヤー線３ｃにより電気的に接続されている。このように、発光素子１０には、リードフレーム２ａ・２ｂ・２ｃが３本延びており、主ＬＥＤ１１と副ＬＥＤ１２との各々にリードフレーム２ｂ・２ｃが電気的に接続されている。さらに、上記発光素子１０は、図１（ａ）に示すように、近赤外線を透過するエポキシ樹脂４により樹脂封止されている。
【００６７】
次に、上記受光素子２０は、９５０ｎｍ帯に感度を持つシリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１を有しており、図１（ａ）に示すように、上記プリント基板３０に半田付けされたリードフレーム５ａにダイボンドされている。そして、図１（ｄ）に示すように、受光素子２０におけるシリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１は、ワイヤー線６により上記プリント基板３０に半田付けされたリードフレーム５ｂにワイヤー線６により電気的に接続されている。尚、本実施の形態では、発光素子１０は、主ＬＥＤ１１と副ＬＥＤ１２との２つのＬＥＤからなっているが、受光素子２０におけるシリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１は一個である。この理由は、受光素子２０におけるシリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１は、広い範囲の受光領域を有しているため、主ＬＥＤ１１と副ＬＥＤ１２との両方の発光に対して受光できるためである。さらに、上記受光素子２０は、図１（ａ）に示すように、近赤外線を透過するエポキシ樹脂７により樹脂封止されている。また、透過型フォトインタラプタ１の表面には、射出成形等にて作られた電子部品本体表面としてのホルダー９が被せられている。
【００６８】
上記透過型フォトインタラプタ１のプリント基板３０には、図１（ａ）に示すように、発光素子１０の３つのリードフレーム２ａ・２ｂ・２ｃが挿入される開口が設けられており、上述したように、３つのリードフレーム２ａ・２ｂ・２ｃは、その開口に半田付けされている。
【００６９】
また、プリント基板３０には、コネクタ８が半田付けされている。コネクタ８は、図１（ｂ）に示すように、３端子であり、コレクタ端子８ａ、ＧＮＤ（ground：接地）端子８ｂ及びアノード端子８ｃの各端子を有している。
【００７０】
上記プリント基板３０においては、図２（ａ）（ｂ）に示すように、コレクタ配線３１と、ＧＮＤ（ground：接地）配線３２と、アノード配線３３とが配設されている。図２（ａ）の右側の各端子３１ａ・３２ａ・３３ａは、上記コネクタ８のコレクタ端子８ａ、ＧＮＤ（ground：接地）端子８ｂ及びアノード端子８ｃの各端子に接続されている。
【００７１】
そして、図２（ａ）に示すように、アノード配線３３は、副発光素子点灯手段及び置き換え手段としての半田ブリッジ３５を介してアノード左端子３３ｂまで例えば直線的に延びている。このアノード左端子３３ｂには、上記主ＬＥＤ１１のリードフレーム２ａが電気的に接続されている。
【００７２】
また、アノード配線３３は、右側の端子３１ａと半田ブリッジ３５との間で分岐して、アノード分岐配線３４となり、副発光素子点灯手段及び置き換え手段としてのとしての切り替えスイッチ３６を介してアノード分岐端子３４ｂまで延びている。このアノード分岐端子３４ｂには、上記副ＬＥＤ１２のリードフレーム２ｂが電気的に接続されている。上記切り替えスイッチ３６は、製造時においては開状態となっている。しかし、半田ブリッジ３５を溶かしてアノード配線３３を開状態にしたときに、切り替えスイッチ３６は、閉状態に切り替えられるようになっている。
【００７３】
尚、ＧＮＤ（ground：接地）配線３２の左端子３２ｂは、主ＬＥＤ１１及び副ＬＥＤ１２を取り付けいているリードフレーム２ａに電気的に接続されている。また、コレクタ配線３１の左端子３１ｂは、上記受光素子２０に電気的に接続されたリードフレーム５ｂに電気的に接続されている。
【００７４】
ここで、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１の内部結線図である図２（ｂ）と、従来のフォトインタラプタ１００の内部結線図である図１０（ｄ）とを比較すると、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１は、コネクタ８を介してフォトインタラプタとしては従来品と同じ物として扱うことができることが判る。
【００７５】
（透過型フォトインタラプタの出荷時の措置）
上記構成の透過型フォトインタラプタ１における出荷時の措置について、以下に説明する。
【００７６】
まず、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１を製造した製品メーカーが、該透過型フォトインタラプタ１を出荷する場合には、製品特性検査として、該製品メーカーが外付け抵抗器を介してコネクタ８のアノード端子８ｃへ電流を通じさせることにより主ＬＥＤ１１を点灯させる。これにより、主ＬＥＤ１１が点灯することを確認することができる。
【００７７】
ここで、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１では、図２（ａ）に示すように、アノード配線３３には半田ブリッジ３５が設けられているが、必ずしもこれに限らず、図３（ａ）（ｂ）に示すように、半田ブリッジ３５に代えて、取り付けランドに第１抵抗及び置き換え手段としてのチップ抵抗器Ｒ１を取り付けておくことが可能である。これにより、外付け抵抗器を使用する必要がなくなる。
【００７８】
また、この場合、図４（ａ）（ｂ）に示すように、アノード分岐配線３４の切り替えスイッチ３６に代えて、取り付けランドにチップ抵抗器Ｒ２を取り付けておくことが可能である。これにより、主ＬＥＤ１１に繋がるチップ抵抗器Ｒ１の抵抗値をｒ１とし、副ＬＥＤ１２に繋がる第２抵抗及び置き換え手段としてのチップ抵抗器Ｒ２の抵抗値をｒ２とすれば、副ＬＥＤ１２の寿命は抵抗値ｒ２、つまり副ＬＥＤ１２に流れる電流が少ないと長くできるので、ｒ１／ｒ２≒０なる設定を行えばよい。
【００７９】
このように、切り替えスイッチ３６又はチップ抵抗器Ｒ１・Ｒ２の取り付けランドに導電性の接触子を触れさせると、任意にスイッチ動作をさせることが可能となる。尚、ここでは、メカニカルなスイッチを示したが、必ずしもこれに限らず、電気回路によるスイッチをＩＣチップとして発光素子１０の内部に実装してもよい。また、副発光素子点灯手段として、例えば、コネクタ８を４端子とし、透過型フォトインタラプタ１の外部にスイッチを設けてもよい。
【００８０】
また、透過型フォトインタラプタ１の出荷に際して、図２（ａ）（ｂ）に示す内部結線を有するプリント基板３０の場合に、通常の製品特性検査の他に、上記切り替えスイッチ３６をＯＮ／ＯＦＦし、シリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１の電流が２倍になるかを確認することが可能である。すなわち、上記切り替えスイッチ３６をＯＮすると、主ＬＥＤ１１と副ＬＥＤ１２との両方が点灯し、これによって、シリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１の受光電流が２倍になるはずである。そして、この確認を行ったときには、図５（ａ）に示すように、透過型フォトインタラプタ１の表面に、再利用（リユース）可能であることを示す例えば「Ｒ」等のマークを描画して出荷する。すなわち、この場合の再利用（リユース）可能とは、主ＬＥＤ１１の寿命がなくなれば、副ＬＥＤ１２に切り換えることにより再利用（リユース）可能となることを示している。
【００８１】
ここで、切り替えスイッチ３６をＯＮしたときに、シリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１の受光電流が２倍とならない場合には、上記切り替えスイッチ３６に半田ブリッジを施し、副ＬＥＤ１２を主ＬＥＤ１１と並列に繋げて出荷することが可能である。そして、この場合には、図５（ｃ）に示すように、別の種類の透過型フォトインタラプタ１を示す何らかのマーク「Ｘ」を付けておく。
【００８２】
（透過型フォトインタラプタの再利用方法）
ユーザーから再利用のため戻ってきた透過型フォトインタラプタ１は、後述する残り寿命を計算し、図５（ｄ）（ｅ）（ｆ）に示すように、例えば１００００時間、５０００時間、１０００時間等の残り寿命に応じて、例えば、「Ｒドット１」のマーク、「Ｒドット２」のマーク、及び「Ｒドット３」のマークを描画して再販される。
【００８３】
残り寿命が、例えば１０００時間に満たない場合は、アノード配線３３における半田ブリッジ３５を外し、つまり半田ブリッジ３５を開状態として主ＬＥＤ１１とコネクタ８のアノード端子８ｃとを電気的に遮断する。次いで、副ＬＥＤ１２とコネクタ８のアノード端子８ｃとを電気的に接続し、通常の製品特性検査後に、図５（ｂ）に示すように、例えば「ＮＲ」のマークを付けて再販される。すなわち、図５（ａ）（ｂ）に示すように、ホルダー９には、レーザーマーカーにより例えば「Ｒ」、「ＮＲ」等のマークが描画される。例えば「Ｒ」は、上述したように、再利用（リユース）可能の表示であり、「ＮＲ」は再利用不可の表示である。すなわち、「ＮＲ」のマークは、一回再利用したので、二回目の再利用はできないことを示している。
【００８４】
尚、Ｗｅｂ、カタログ、部品の仕様書に、記号の意味を対応させユーザーに情報を提供できれば、どのような文字、記号でも構わない。また、ホルダー９以外では、例えばプリント基板３０に印を付けることが可能である。
【００８５】
すなわち、従来のフォトインタラプタ１００における図８（ｂ）に示すように、人が目で見て判断できないリユース可能を示す他のマークでもよい。すなわち、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１と従来のフォトインタラプタ１００との違いは、マークと特性との間に１対１対応がされていない点である。
【００８６】
ここで、本実施の形態における透過型フォトインタラプタ１の寿命について、アレニウスの寿命モデルを用いて、図６及び図７（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。図６はＬＥＤにおける寿命と温度との関係を、ＬＥＤ電流毎に求めたグラフであり、図７（ａ）（ｂ）は、ハーフライフ（変化率−５０％）と、時間との関係を示す図である。尚、本実施の形態では、アレニウスの寿命モデルを用いているが、本発明では、必ずしもこれに限らず、例えば、アイリングの寿命モデル又は他の寿命モデルを用いることが可能である。
【００８７】
まず、半導体の加速寿命モデルの代表的なものとして、アレニウスモデルによる寿命算出方法が知られている。すなわち、一般的に、物の破壊や劣化は原子レベル又は分子レベルでの変化に起因しており、変化のメカニズムとして、拡散、酸化、吸着、腐食、クラック成長等がある。これらの進行が、ある限界を越えると故障になる。特に、温度による依存性はアレニウスの式と呼ばれており、広く用いられている。ここで、アレニウスの式においては、反応速度Ｋは式（１）で示される。
【００８８】
Ｋ＝Ａ・ｅｘｐ（−Ｅａ／ｋＴ）          式（１）
（ただし、Ａ：定数，Ｅａ：活性化エネルギー，ｋ：ボルツマン定数，Ｔ：絶対温度）
ここで、寿命Ｌは、
Ｌ＝Ｂ／Ｋ                              式（２）
（ただし、Ｂ：定数）
となる。
【００８９】
したがって、式（１）を式（２）に代入することにより、
Ｌｎ  Ｌ＝Ｃ＋Ｅａ／ｋＴ                式（３）
（ただし、Ｃ：定数）
となる
ここで、時間Ｔ１での寿命Ｌ１、及び時間Ｔ２での寿命Ｌ２は、それぞれ、
Ｌ１＝Ａ・ｅｘｐ（−Ｅａ／ｋＴ１）
Ｌ２＝Ａ・ｅｘｐ（−Ｅａ／ｋＴ２）
となる。この２式より、
Ｌ１／Ｌ２＝ｅｘｐ｛Ｅａ／ｋ×（１／Ｔ１−１／Ｔ２）}
を得る。
【００９０】
この結果、寿命Ｌ１は寿命Ｌ２との比となり、寿命Ｌ２を電子部品の初期の寿命とすれば、パラメータＥａを示せば、寿命Ｌ１が算出できることが判る。
【００９１】
ここで、透過型フォトインタラプタ１の活性化エネルギーＥａを求めるために、実験を行う。すなわち、シリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１の電流が例えば半分となる場合を寿命と考えて、ＬＥＤ電流及び温度Ｔを変化させた実験を行うと、図６に示すグラフを得る。したがって、この図６のグラフから、傾き（Ｅａ／ｋ）を算出することができる。                     
【００９２】
次に、上記傾き（Ｅａ／ｋ）から、ＬＥＤ電流ＩＦとハーフライフ（変化率５０％）との関係を得ることができる。すなわち、ハーフライフ（変化率５０％）と時間との関係は、図７（ａ）（ｂ）で示される図にて表される。
【００９３】
このように、透過型フォトインタラプタ１では、主ＬＥＤ１１は発光量が時間に応じて減ってくる。このため、光路ＬＰを被測定物が遮断することによるシリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１の電流変化の閾値を初期発光量の５０％に設定した場合は、透過型フォトインタラプタ１の寿命は、ＬＥＤ光量が初期発光量の５０％まで低下すると前記閾値を下回る。この結果、被測定物が光路ＬＰを常に遮断していることと見分けが付かなくなるため、それが寿命を決めることになる。例えば、透過型フォトインタラプタ１の部品メーカーは、販売時に寿命としてＬＥＤ光量が初期発光量の５０％まで低下する時間（ハーフライフ）を表示等すればよい。
【００９４】
一方、前記閾値は低い程、透過型フォトインタラプタ１の寿命は永くなるが、閾値が低いと外乱光による誤動作が発生する。最終的には、透過型フォトインタラプタ１の寿命を決める閾値等の設定は製品ユーザーが決めることになる。その際に、寿命として初期発光量３０％を考えるか、又は１０％を考えるかは製品ユーザーの設計による。しかし、重要なのは主ＬＥＤ１１の初期発光光量であり、それはアレニウスモデル、その他のモデルでも、ストレスと寿命との関数となっているため、ユーザーが残り寿命を計算するのに必要な情報としては、それらモデルで示されるパラメータと初期発光光量であることが判る。
【００９５】
したがって、Ｗｅｂ、カタログ、部品の仕様書には、
（１）モデル式とパラメータ
（２）初期発光光量を測るための切り替えスイッチ３６のＯＮ／ＯＦＦの操作方法
（３）「初期発光光量＝切り替えスイッチ３６のＯＮ時におけるシリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１の受光電流−切り替えスイッチ３６のＯＦＦ時におけるシリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１の受光電流」の式
（４）寿命と発光量との関係
を示すことが重要である。
【００９６】
このように、本実施の形態の電子部品は、発光素子１０を備えた透過型フォトインタラプタ１であって、発光素子１０は、主となる主ＬＥＤ１１と、その近傍に設けられて主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出するための副ＬＥＤ１２とを備えている。
【００９７】
すなわち、本実施の形態の発光素子１０を備えた透過型フォトインタラプタ１を利用する電子機器としての例えばスロットマシン等がその寿命を終えても、それに用いられている透過型フォトインタラプタ１は一般的に再利用（リユース）が可能である。したがって、該透過型フォトインタラプタ１を回収して再利用（リユース）することが望ましい。
【００９８】
しかしながら、例えば、透過型フォトインタラプタ１を搭載するスロットマシン等の電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が該透過型フォトインタラプタ１を再利用（リユース）する場合には、該透過型フォトインタラプタ１の発光素子１０の寿命がどの程度残っているのかを把握しなければならない。この場合、例えばインターネットでの製品情報により発光素子１０の初期発光量を把握できれば、回収した発光素子１０の光量を測定すれば、例えばアレニウス等の寿命モデルを用いて回収した発光素子１０の寿命を算出することが可能である。しかしながら、そのような製品情報がインターネットで公開されていることは稀であり、一般的には、発光素子１０の初期発光量がいくらであるかの情報を得ることができない。仮に、発光素子１０の初期発光量の製品情報がインターネットにて得られたとしても、製品間にバラつきがあるので、正確な発光素子１０の初期発光量が得られるとは限らない。
【００９９】
そこで、本実施の形態では、主となる主ＬＥＤ１１の近傍には、主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出するための副ＬＥＤ１２が設けられている。ここで、本実施の形態においては、副ＬＥＤ１２を設けておくときに、副ＬＥＤ１２を点灯しないで放置しておく場合と、主ＬＥＤ１１と一緒に副ＬＥＤ１２を低負荷で点灯する場合との２つの場合が可能である。
【０１００】
まず、副ＬＥＤ１２を点灯しないで放置しておく場合において、主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出するためには、例えば、未使用の副ＬＥＤ１２の光量を測定すれば、主ＬＥＤ１１の初期発光量が把握できる。この結果、主ＬＥＤ１１の現在の光量を測定すれば、主ＬＥＤ１１の初期発光量との比較により、例えばアレニウス等の寿命モデルによって主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出することができる。
【０１０１】
一方、主ＬＥＤ１１と一緒に副ＬＥＤ１２を低負荷で点灯する場合については、後述する方法により、主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出することができる。
【０１０２】
したがって、透過型フォトインタラプタ１を再利用（リユース）する場合に、透過型フォトインタラプタ１を搭載するスロットマシン等の電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出し、再利用（リユース）を進める上の仕組みを提供し得る透過型フォトインタラプタ１を提供することができる。
【０１０３】
また、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１では、発光素子１０における主ＬＥＤ１１及び副ＬＥＤ１２は、同一の製造工程で生産されたものが用いられていることが好ましい。
【０１０４】
すなわち、例えば、副ＬＥＤ１２を点灯しないで消灯状態に放置しておく場合において、主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出するためには、例えば、未使用の副ＬＥＤ１２の光量を測定することにより、主ＬＥＤ１１の初期発光量を把握する。しかし、この把握方法は、副ＬＥＤ１２が主ＬＥＤ１１と全く同じ特性を有していることが前提となる。つまり、副ＬＥＤ１２といえどもロットが異なれば、正確には、副ＬＥＤ１２が主ＬＥＤ１１と全く同じ特性を有しているとはいえない。
【０１０５】
この点、本実施の形態では、主ＬＥＤ１１及び副ＬＥＤ１２は、同一の製造工程で生産されたものが用いられている。この結果、主ＬＥＤ１１と副ＬＥＤ１２とは同一のロットから生産されたものであるので、副ＬＥＤ１２は主ＬＥＤ１１と全く同じ特性を有していると看做すことができる。
【０１０６】
したがって、副ＬＥＤ１２の光量を測定すれば、主ＬＥＤ１１の初期発光量と同一と看做すことができ、主ＬＥＤ１１の初期発光量との比較により、主ＬＥＤ１１の残り寿命を正確に算出することができる。
【０１０７】
また、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１では、主ＬＥＤ１１が点灯状態のときには副ＬＥＤ１２を消灯状態に保持する一方、主ＬＥＤ１１の初期発光量を測定するときには副ＬＥＤ１２を点灯状態にさせる副発光素子点灯手段としての切り替えスイッチ３６及び半田ブリッジ３５が設けられている。
【０１０８】
これにより、主ＬＥＤ１１が点灯状態のときには、副ＬＥＤ１２を点灯しないで消灯状態に放置しておくことができる。一方、主ＬＥＤ１１の初期発光量を測定するときには、副発光素子点灯手段としての切り替えスイッチ３６及び半田ブリッジ３５が設けられているので、副ＬＥＤ１２を容易に点灯状態にさせることができる。具体的には、半田ブリッジ３５を開状態とし、切り替えスイッチ３６を閉状態にする。
【０１０９】
したがって、副ＬＥＤ１２を設けておくときに、副ＬＥＤ１２を点灯しないで放置しておく場合において、主ＬＥＤ１１の初期発光量を測定するときには、副発光素子点灯手段としての切り替えスイッチ３６及び半田ブリッジ３５にて、副ＬＥＤ１２を容易に点灯状態にさせて、主ＬＥＤ１１の初期発光量を求めることができる。
【０１１０】
また、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１では、発光素子１０は、主ＬＥＤ１１とチップ抵抗器Ｒ１とを直列接続したものと、副ＬＥＤ１２とチップ抵抗器Ｒ２とを直列接続したものとが並列に接続されていると共に、チップ抵抗器Ｒ１の抵抗値はチップ抵抗器Ｒ２の抵抗値よりも充分小さい。
【０１１１】
すなわち、本実施の形態では、主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出するための副ＬＥＤ１２を、主ＬＥＤ１１の近傍に配置し、主ＬＥＤ１１と一緒に副ＬＥＤ１２を低負荷で点灯することが可能である。これにより、主ＬＥＤ１１と副ＬＥＤ１２との両方に、同一のストレスが与えられる。ここでストレスとは温度、湿度、封止樹脂から与えられる応力等であり、これらストレスにより主ＬＥＤ１１及び副ＬＥＤ１２は、いずれも劣化し、光量が減ってくる。
【０１１２】
ここで、本実施の形態では、チップ抵抗器Ｒ１の抵抗値ｒ１はチップ抵抗器Ｒ２の抵抗値ｒ２よりも充分小さい。このため、主ＬＥＤ１１へ流す電流をＩｍａｘとし、主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出するための副ＬＥＤ１２へ流す電流をＩｍｉｎとすると、Ｉｍｉｎ／Ｉｍａｘ≒０となっている。この結果、主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出するために必要な主ＬＥＤ１１の初期発光量は、該主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出するために副ＬＥＤ１２へＩｍａｘの電流を流したときの発光量とすることができる。この結果、主ＬＥＤ１１の初期発光量を把握することができる。したがって、主ＬＥＤ１１の現在の光量を測定すれば、主ＬＥＤ１１の初期発光量との比較により、例えばアレニウス等の寿命モデルによって主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出することができる。
【０１１３】
また、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１では、主ＬＥＤ１１の点灯可能状態を点灯不可状態とすると共に、主ＬＥＤ１１に代えて、副ＬＥＤ１２を点灯可能状態にする置き換え手段としての半田ブリッジ３５及び切り替えスイッチ３６、又はチップ抵抗器Ｒ１・Ｒ２が設けられている。
【０１１４】
すなわち、副ＬＥＤ１２により主ＬＥＤ１１の残りの寿命を算出した結果、主ＬＥＤ１１の残りの寿命がないと判断した場合、本実施の形態では、副ＬＥＤ１２は使用していないか又は殆ど使用していないので、主ＬＥＤ１１を副ＬＥＤ１２に置き換えることが可能である。この場合、本実施の形態では、置き換え手段が設けられているので、主ＬＥＤ１１を副ＬＥＤ１２に容易に置き換えることができる。
【０１１５】
また、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１では、主ＬＥＤ１１の再利用が可能であることを識別できる印であるマークが、電子部品本体表面としてのホルダー９に設けられている。
【０１１６】
すなわち、透過型フォトインタラプタ１の製品メーカー又はスロットマシン等の電子機器のリユース専業企業は、透過型フォトインタラプタ１を搭載したスロットマシン等の電子機器の製品メーカー等から返却されてきた該透過型フォトインタラプタ１における主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出し、再出荷する場合には、該主ＬＥＤ１１の残り寿命がどれくらいであるのかを表示しておくことが好ましい。
【０１１７】
そこで、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１では、主ＬＥＤ１１の再利用が可能であることを識別できる印である「Ｒドット１」、「Ｒドット２」、又は「Ｒドット３」のマークが、ホルダー９に設けられている。これにより、例えば、１００００時間、５０００時間、１０００時間等の主ＬＥＤ１１の残り寿命に応じて、識別できる印を設けることができる。したがって、再利用（リユース）の寿命を明確にして利用者に知らせることが可能となる。また、主ＬＥＤ１１の残り寿命に応じて再販価格を設定することも可能となる。
【０１１８】
尚、この場合、例えばアレニウスモデルの関係式と、必要な主ＬＥＤ１１の初期発光量の求め方を、ユーザーにＷｅｂ、カタログ、又は部品の仕様書に記載して提供することが好ましい。これにより、透過型フォトインタラプタ１のユーザー又はリユース専業企業自身が主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出することが容易に可能となる。
【０１１９】
また、本実施の形態のスロットマシン等の電子機器は、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１を備えている。
【０１２０】
これにより、透過型フォトインタラプタ１を再利用（リユース）する場合に、透過型フォトインタラプタ１を搭載するスロットマシン等の電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出し、再利用（リユース）を進める上の仕組みを提供し得る透過型フォトインタラプタ１を備えたスロットマシン等の電子機器を提供することができる。
【０１２１】
また、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１の再利用方法は、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１を再利用するための電子部品の再利用方法であって、不要又は再利用希望を理由にユーザーから返却されてきた透過型フォトインタラプタ１に搭載された主ＬＥＤ１１の残り寿命を副ＬＥＤ１２から算出し、該主ＬＥＤ１１の残り寿命に応じて、主ＬＥＤ１１の再利用が可能であることを識別できる印をホルダー９に付する。
【０１２２】
上記の方法によれば、透過型フォトインタラプタ１が不要又は再利用希望を理由にユーザーから返却されてきた場合には、該透過型フォトインタラプタ１に搭載された主ＬＥＤ１１の残り寿命を副ＬＥＤ１２から算出する。そして、該主ＬＥＤ１１の残り寿命に応じて、主ＬＥＤ１１の再利用が可能であることを識別できる印をホルダー９に付する。
【０１２３】
これにより、透過型フォトインタラプタ１を再利用（リユース）する場合に、透過型フォトインタラプタ１を搭載するスロットマシン等の電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出し、再利用（リユース）を進める上の仕組みを提供し得る透過型フォトインタラプタ１の再利用方法を提供することができる。
【０１２４】
また、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１の再利用方法は、本実施の形態の透過型フォトインタラプタ１を再利用するための電子部品の再利用方法であって、不要又は再利用希望を理由にユーザーから返却されてきた透過型フォトインタラプタ１に搭載された主ＬＥＤ１１の残り寿命を副ＬＥＤ１２から算出し、該主ＬＥＤ１１の残り寿命がないか又は少ないときには、主ＬＥＤ１１に代えて、副ＬＥＤ１２に置き換える。
【０１２５】
上記の方法によれば、透過型フォトインタラプタ１が、不要又は再利用希望を理由にユーザーから返却されてきた場合には、該透過型フォトインタラプタ１に搭載された主ＬＥＤ１１の残り寿命を副ＬＥＤ１２から算出する。そして、主ＬＥＤ１１の残り寿命がないか又は少ないときには、主ＬＥＤ１１に代えて、副ＬＥＤ１２に置き換える。
【０１２６】
これにより、透過型フォトインタラプタ１を再利用（リユース）する場合に、透過型フォトインタラプタ１を搭載するスロットマシン等の電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出し、再利用（リユース）を進める上の仕組みを提供し得る透過型フォトインタラプタ１の再利用方法を提供することができる。
【０１２７】
尚、この場合、再利用ができないことを識別できる印として例えば、「ＮＲ」等のマークをホルダー９に付しておくことが好ましい。これにより、残り寿命を算出するための副ＬＥＤ１２を再利用可能とすることができ、再利用（リユース）をさらに進めることが可能となる。
【０１２８】
尚、本実施の形態では、透過型フォトインタラプタ１を例示して説明したが、本発明においては、例えばＬＥＤ電球でも同様である。すなわち、ＬＥＤ電球はシリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１を有していないが、部品の性能として照度が保証されている。このため、シリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１の代わりに照度計を用いれば、透過型フォトインタラプタ１と同じようにして本発明を適用することが可能である。
【０１２９】
また、本実施の形態では、透過型フォトインタラプタ１の受光素子２０としてシリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１を例に挙げたが、必ずしもシリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１に限らず、閾値を持ったＯＥＩＣが搭載されたデジタル出力タイプも可能である。この場合は、シリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１の代わりに光路ＬＰに照度計又は光パワーメータ等を配置し、シリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）２１と同様に扱えばよい。したがって、同じ手順により、他の発光素子を備えた電子部品に本発明は適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１３０】
本発明は、透過型フォトインタラプタ、ＬＥＤ電球等の電子部品に適用することができる。また、電子部品としての透過型フォトインタラプタは、パチンコ台又はスロットマシン等の電子機器に適用できる。さらに、電子部品としての透過型フォトインタラプタは、例えば、複写機又はプリンタ等の電子機器において、例えば、原稿用紙等の用紙における入出力の検出等に適用される。
【符号の説明】
【０１３１】
１        透過型フォトインタラプタ（電子部品）
２ａ      リードフレーム
２ｂ      リードフレーム
２ｃ      リードフレーム
３ｃ      ワイヤー線
４        エポキシ樹脂
５ａ      リードフレーム
６        ワイヤー線
７        エポキシ樹脂
８        コネクタ
８ａ      コレクタ端子
８ｂ      ＧＮＤ（ground：接地）端子
８ｃ      アノード端子
９        ホルダー（電子部品本体表面）
１０        発光素子
１１        主発光ダイオード〔主ＬＥＤ〕（主発光素子）
１２        副発光ダイオード〔副ＬＥＤ〕（副発光素子）
２０        受光素子
２１        シリコンフォトトランジスタ（ＰＴ）
３０        プリント基板
３１        コレクタ配線
３２        ＧＮＤ（ground：接地）配線
３３        アノード配線
３４        アノード分岐配線
３５        半田ブリッジ（副発光素子点灯手段、置き換え手段）
３６        切り替えスイッチ（副発光素子点灯手段、置き換え手段）
ＬＰ        光路
Ｒ１      チップ抵抗器（第１抵抗、置き換え手段）
Ｒ２      チップ抵抗器（第２抵抗、置き換え手段）
【図１】
2013084793.tif 000003
【図２】
2013084793.tif 000004
【図３】
2013084793.tif 000005
【図４】
2013084793.tif 000006
【図５】
2013084793.tif 000007
【図６】
2013084793.tif 000008
【図７】
2013084793.tif 000009
【図８】
2013084793.tif 000010
【図９】
2013084793.tif 000011
【図１０】
2013084793.tif 000012