(57)【要約】【課題】製造工程が比較的簡素で、周波数調整が容易なディスク振動子を提供する。【解決手段】ディスク振動子１は、ベース基板９上に支持部２０を介して支持されるるディスク状の振動板２を有し、入力電極３は振動板２をワイングラスモードで振動させるために、当該振動板２を介して互いに対向するように一対配置され、出力電極３は、振動板２の振動に基づく出力信号を取り出すために、入力電極３が対向する方向と交叉する方向に一対配置される。これら一対の入力電極３または出力電極４を対向電極と呼ぶとき、梁部３７はこれら対向電極を同電位とするために振動板２の上方側に架け渡されてこれら対向電極同士を接続する。このとき、梁部３７は、平面的に見て振動板２の中央部を避けるように配置されている。【選択図】図１
2013138373.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板上に支持部を介して支持されると共にバイアス電圧が印加されるディスク状の振動板を有する輪郭振動型のディスク振動子において、
前記振動板をワイングラスモードで振動させるために、平面的に見て当該振動板を介して互いに対向するように配置された一対の入力電極と、
前記振動板の振動に基づく出力信号を取り出すために、平面的に見て前記一対の入力電極同士が対向する方向と交叉する方向に、前記振動板を介して互いに対向するように配置された一対の出力電極と、
前記一対の入力電極または出力電極を対向電極と呼ぶとき、これらの対向電極を同電位とするために、前記振動板の上方側に架け渡されて対向電極同士を接続する梁部と、を備え、
この梁部は、平面的に見て前記振動板の中央部を避けるように配置されていることを特徴とするディスク振動子。
【請求項２】
前記振動板の半径をｒ、この振動板の中心からの距離をｄとしたとき、前記中央部は、ｄ／ｒの値が０．３９５以下となる範囲内の領域であることを特徴とする請求項１に記載のディスク振動子。
【請求項３】
前記梁部は、平面的に見て前記振動板の中央部を避けるように互いに間隔をおいて２本設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のディスク振動子。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一つに記載のディスク振動子を備えたことを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスク状の振動板がワイングラスモードで振動するように構成された輪郭振動型のディスク振動子（ディスクレゾネータ）及びこのディスク振動子を備えた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）の一種であるディスク振動子として、例えばシリコン基板の上方に、支持部（アンカ）を介して円板状の振動板（ディスク）を保持し、振動板を励振させるための入力電極（駆動電極）や信号の出力を行うための出力電極（検出電極）を当該振動板の周囲の４箇所に配置した構造が知られている（例えば特許文献１参照。括弧内の単語は特許文献１にて使用されている単語である）。
【０００３】
これらの入力電極や出力電極は、ディスク振動子を平面的に見たとき、同種の電極同士が振動板を介して互いに対向するように設けられ、入力電極の対と出力電極の対とは互いに交叉する方向に配置される。そして、入力電極には入力用の共通の信号線が接続される一方、出力電極には出力用の共通の信号線が接続される。
【０００４】
ところが、このように振動板を介して交叉するように配置された入力電極と出力電極の各々に、入力用、出力用の信号線を接続する構造を基板上に形成しようとすると、信号線同士が交叉する部位が発生する。このため、絶縁層を介して両信号線を上下に積み重ねたり、基板に貫通孔を形成して一方側の信号線を基板の裏面側まで引き回したりするなど特種な構造が必要となり、製造工程が複雑化する。
【０００５】
このような問題を回避するため、振動板の上方側に、入力電極同士、または出力電極同士を電気的に繋ぐ梁状の部材（以下、梁部という）を架け渡し、当該電極と信号線との接続点を一つにまとめることにより、信号線同士の交叉を避ける構造が採用されることがある。ところが、ディスク振動子の製造工程においては、周波数調整のために振動板の上面をレーザーで削る場合があり、その上方側に梁部が設けられていると周波数調整が困難になるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００６−５１８１１９号公報：段落００３８、図３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、製造工程が比較的簡素で、周波数調整が容易なディスク振動子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るディスク振動子は、ベース基板上に支持部を介して支持されると共にバイアス電圧が印加されるディスク状の振動板を有する輪郭振動型のディスク振動子において、
前記振動板をワイングラスモードで振動させるために、平面的に見て当該振動板を介して互いに対向するように配置された一対の入力電極と、
前記振動板の振動に基づく出力信号を取り出すために、平面的に見て前記一対の入力電極同士が対向する方向と交叉する方向に、前記振動板を介して互いに対向するように配置された一対の出力電極と、
前記一対の入力電極または出力電極を対向電極と呼ぶとき、これらの対向電極を同電位とするために、前記振動板の上方側に架け渡されて対向電極同士を接続する梁部と、を備え、
この梁部は、平面的に見て前記振動板の中央部を避けるように配置されていることを特徴とする。
【０００９】
上述のディスク振動子は、以下の特徴を備えていてもよい。
（ａ）前記振動板の半径をｒ、この振動板の中心からの距離をｄとしたとき、前記中央部は、ｄ／ｒの値が０．３９５以下となる範囲内の領域であること。  
（ｂ）前記梁部は、平面的に見て前記振動板の中央部を避けるように互いに間隔をおいて２本設けられていること。  
また、他の発明に係わる電子部品は、上述のディスク振動子を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ディスク振動子は周波数調整を行う際の感度が振動板の中央部において高くなるので、対向電極を同電位にするための梁部を振動板の上方側に架け渡すにあたって、前記中央部を避けるようにして梁部を配置することにより周波数調整を行いやすいディスク振動子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】発明のディスク振動子の要部の概略構成を電気的結線と共に示す平面図である。
【図２】前記ディスク振動子の斜視図である。
【図３】基板上に設けられた導電膜を示す斜視図である。
【図４】前記ディスク振動子が振動する様子を模式的に示す平面図である。
【図５】振動板の削り位置と周波数変化との関係を示す説明図である。
【図６】前記ディスク振動子の製造工程を示す第１の説明図である。
【図７】前記ディスク振動子の製造工程を示す第２の説明図である。
【図８】前記ディスク振動子の製造工程を示す第３の説明図である。
【図９】前記ディスク振動子の製造工程を示す第４の説明図である。
【図１０】前記ディスク振動子の製造工程を示す第５の説明図である。
【図１１】前記ディスク振動子の製造工程を示す第６の説明図である。
【図１２】他の実施の形態に係わるディスク振動子の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施の形態に係るディスク振動子１は図１、２に示すように、ディスク状の振動体である振動板２と、この振動板２の周囲に周方向に等間隔に配置された４つの電極３０とを備えている。ここで本発明では板状の振動子を総称してディスク振動子としており、円板状に限らず四角形や楕円状も含むものとする。この振動板２は、振動板２の周囲の４箇所に設けられた後述の支持部２０を介して、基板９（ベース基板）上に隙間を空けて支持されている。前記電極３０をコルピッツ回路などの発振回路に接続して周波数信号を印加すると、所定の共振周波数にてワイングラスモード（ｃｏｍｐｏｕｎｄ（２，１）ｍｏｄｅ）で共振（振動）するように構成されている。
【００１３】
基板９は下層よりシリコン（Ｓｉ）基板１１、リン（Ｐ）をドープしたシリコン膜（シリコン膜１２）、酸化シリコン膜１３、窒化シリコン膜１４が積層されている。  
振動板２は、直径寸法が、例えば７６μｍの円板状の部材であり、例えばポリシリコンを堆積させて構成されている。また、当該基板９上には、振動板２の側面に対して隙間を空けて離れた位置に４つの電極３０が設けられている。これらの電極３０は、振動板２の周方向に沿って等間隔で配置されており、言い替えると振動板２を中心にして、四方に電極３０が配置された状態となっている。これら４つの電極３０は、振動板２を介して対向する電極３０同士が対をなしており、一対の電極３０が入力電極３を構成し、これら入力電極３と交叉する方向に配置された一対の電極３０が出力電極４を構成している。
【００１４】
図３は振動板２及び電極３０の下方側における基板９の表面の構造を示しており、当該面には導電膜１７がパターニングされている。導電膜１７は、電極３０への周波数信号を入出力が行われる信号線や振動板２にバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加部３８をこれら電極３０や振動板２に接続する役割を果たす。
【００１５】
導電膜１７は、振動板２の投影領域に形成された円形部３１と、各電極３０の下方位置に形成された電極配置部３２と、これら４つの電極配置部３２の間に配置され、夫々円形部３１の外周から外方へ延びだすように形成された延びだし部３３と、を備えている。また、延びだし部３３の内の１つには、引き出し用の導電路３９が接続されている。
【００１６】
円形部３１、電極配置部３２、延びだし部３３及び導電路３９は例えばシリコン膜などからなる導電材料により構成されている。引き出し用の導電路３９は基板９上を引き回された後、ワイヤ等の導電体を介して基板９の外部に設けられたバイアス電圧印加部３８と接続されている。
【００１７】
図２に示すように前述の４つの電極配置部３２からは、垂直上方に伸ばされるように概略箱型形状の電極３０が形成されている。電極３０は、電極配置部３２から垂直上方に、振動板２より僅かに高い位置まで多結晶シリコンを堆積させることなどにより形成され、当該電極３０の振動板２側の面は振動板２の周縁に沿った形状に婉曲している。また電極３０の上端部には、振動板２の周縁部側へ向けて逆Ｌ字状に張り出した張り出し部分が形成されている。
【００１８】
上述の構成を備えることにより、各電極３０の側面と振動板２の外周面、及び電極３０の張り出し部分の下面と振動板２の周縁部の上面が、夫々隙間を介して対向した状態となる。なお、図２に示した各電極３０に形成されている凹部は、電極３０を堆積させる際に形成されるものである。
【００１９】
上述の二対の電極３０のうち、例えば入力電極３同士は、振動板２の上方に隙間を空けて架け渡された梁部３７により接続されており、互いに同電位となっている。例えばこの梁部３７は電極３０と同様に多結晶シリコンなどにより構成される。この梁部３７により互いに接続された入力電極３の一方側が信号線を介して入力ポート３４に接続される。梁部３７によって接続された入力電極３は、本実施の形態の対向電極に相当する。
【００２０】
一方、上述の入力電極３と交叉する方向に配置された出力電極４は、各々信号線を介して出力ポート３５に接続される。既述のように入力電極３と入力ポート３４との接続部が一つにまとまっていることにより、入力電極３に接続される信号線と出力電極４に接続される信号線との交叉を回避することができる。そして、入力ポート３４、出力ポート３５を発振回路に接続することにより、予め調整された共振周波数でディスク振動子１が共振する。
【００２１】
このとき振動板２は、図４に示すように当該振動板２を挟んで配置された入力電極３との静電結合により、夫々の入力電極３の配置方向に沿って、半径方向に伸縮振動を繰り返し、ワイングラスモードで振動する。また入力電極３を結ぶと共に振動板２の中心を通る直線と４５°の角度をなす位置には、振動の節（ノード）Ｎが当該振動板２の半径方向に沿って各々形成される。
【００２２】
各々の振動の節Ｎの位置には、振動板２の外周端から半径方向に向かって、４本の支持梁２２が突出するように伸び出している。基板９上にて円形部３２の外周から延び出している既述の延びだし部３３（図３参照）はこれら支持梁２２の下方投影領域に位置している。支持梁２２は振動板２と一体に構成され、その先端部は支持梁２２の長さ方向に対して、横に少し膨らんだ角型部分として形成されると共にこの角型部分の中央に角形の貫通孔２８が形成されている。この角形部分は、当該支持梁２２を固定するための固定部２３としての役割を果たす。
【００２３】
前記貫通孔２８には基板９表面の延びだし部３３に設けられた固定柱２４が密合した状態で貫通していると共に、固定柱２４は貫通孔２８よりも上方位置にて拡大している。この固定柱２４も多結晶シリコンなどで構成されていることから、支持梁２２は固定柱２４を介して既述の引き出し用の導電路３９に電気的に接続されていることになる。
【００２４】
以上に説明した支持梁２２と、固定部２３と、固定柱２４とは、本実施の形態の支持部２０を構成し、振動板２はこれら支持部２０により四方から支持されることにより、基板９の表面上に設けられた導電膜１７である円形部３１に対して隙間を空けて対向するように保持されている。支持梁２２の途中に設けられている２１は、支持梁２２の伸縮を吸収するためのダンパーであり、２７はダンパー２１に設けられた開口部である。
【００２５】
また振動板２や電極３０などから離れた位置には、基板９を構成する酸化シリコン膜１３及び窒化シリコン膜１４をエッチングして形成された凹部を介して、下層側のシリコン膜１２に接続される接地ポート３６が設けられている（図１１参照）。このシリコン膜１２は図示しない接地電極を介して接地されており、例えばディスク振動子１を製造した後、当該ディスク振動子１の共振周波数などの特性を評価する時に用いられるアース端子などがこの接地ポート３６に接続される。
【００２６】
以上に説明した構成を備える本発明のディスク振動子１において、振動板２の上方に架け渡され、入力電極３同士を電気的に接続する梁部３７は、平面的に見て振動板２の中央部を避けるように配置されている。図１、２に示した本例のディスク振動子１では、振動板２の中央部の上方位置から側方にずれた位置に、２本の梁部３７が架け渡されている。
【００２７】
このように振動板２の中央部を避けて梁部３７が設けられていることにより、ディスク振動子１を製造した後の周波数調整の際などにおいて、当該中央部にレーザーを当てて振動板２を削るトリム作業が行い易くなる。  
例えば図５は、図４に示すディスク振動子１において、振動板２を削る位置を変化させたときの周波数変化の様子を示している。横軸は、図１に示した振動板２の中心Ｏ点から削り位置までの半径方向への距離ｄ［μｍ］、縦軸は相対的な周波数変化Δｆ／ｆ０［ｐｐｍ］である。ここでｆ０はトリム作業を行う前の基準の共振周波数［ＭＨｚ］、Δｆはトリム作業後の共振周波数ｆ［ＭＨｚ］と基準の共振周波数ｆ０との周波数差「ｆ０−ｆ」である。また、振動板２は、直径７６μｍ、厚さ２μｍのポリシリコン円板を用い、各削り位置における削り量（レーザーの強度、照射時間）は一定とした。
【００２８】
図５によれば、振動板２の中心部Ｏ点を削り位置としたときの周波数変化が最も大きく、周縁部に近づくに従って変化が小さくなっていることが分かる。中心部Ｏ点からの距離ｄが１５μｍ以内、より好適には７μｍ以内の領域に削り位置を設定することにより、その周縁部側を削り位置とする場合に比べて短時間で周波数調整を行うことができる。このような理由により、本例のディスク振動子１は、単位削り量あたりの周波数変化の感度が高い振動板２の中央部の上方領域を避けて、２本の梁部３７を設けている。
【００２９】
ここで削り量を一定としたとき、削り位置が振動板２の中心部Ｏ点から離れる程、周波数変化（Δｆ／ｆ０）が小さくなるという現象は、上述の実験例に対して振動板２の半径を変化させた場合にも発生する。そして、振動板２の半径をｒ［μｍ］、中心Ｏ点から削り位置までの半径方向への距離をｄ［μｍ］としたとき、ｄ／ｒの値が同じであれば、周波数変化（Δｆ／ｆ０）はほぼ一致することを確認している。従って、半径ｒの振動板２の場合について、中心からの相対的な距離ｄ／ｒの値は、０．３９５（＝１５／（７６／２））以内、より好適には０．１８４（＝７／（７６／２））以下となる範囲内の領域に削り位置を設定することが好ましいといえる。
【００３０】
また、図１１に示すように梁部３７は、振動板１との間に隙間を介して配置されているところ、後述の製造工程の説明にて述べるように、当該隙間は梁部３７の下方側に形成された犠牲膜をウェットエッチングにより除去することなどにより形成される。一方、従来のディスク振動子に設けられていた梁部は、図１に示した２本の梁部３７や両梁部３７の間の隙間に跨がって形成される太いものであった。
【００３１】
このような太い梁部を振動板２の上方に配置すると、ウェットエッチングに用いたエッチング液を乾燥させる際の表面張力の影響により、梁部が振動板２に付着するスティッキングが発生するおそれが高くなる。一方、スティッキングの発生を避けるために梁部を細くしていくと、多結晶シリコンは通常の信号線に比べて導電率が小さいため、梁部で接続された入力電極３同士が同電位になるまでの応答が遅くなり、周波数特性に悪影響を及ぼすおそれがある。
【００３２】
そこで本例のディスク振動子１は、スティッキングが発生しない程度の太さの梁部３７を複数本、本例では２本設けることにより、入力電極３同士が同電位となる応答を悪化させないようにしている。従って、本発明のディスク振動子１に設ける梁部３７の本数は２本に限定されるものではなく、振動板２の中央部の上方位置を避けて配置されていれば、３本以上の梁部３７を設けてもよい。また、スティッキングが発生しにくい梁部３７の太さとして１０〜２０μｍ程度の寸法を例示することができる。
【００３３】
以上説明したディスク振動子１を製造する方法の一例について、以下の図６〜８を参照して説明する。初めに図６（ａ）に示すようにシリコン基板１１に対してリンイオンを打ち込むと共に当該シリコン基板１１を加熱して、その表面にリンを拡散させて、リンをドープしたシリコン膜１２の層を形成する。次いで、酸化シリコン膜１３、さらに窒化シリコン膜１４とを下側からこの順番で積層することにより基板９を作成する。
【００３４】
続いて、図６（ｂ）に示すように、窒化シリコン膜１４の上面にフォトレジスト膜Ｒ１を形成して、既述の接地ポート３６が設けられる領域が開口するようにパターニングを行った後、窒化シリコン膜１４及び酸化シリコン膜１３をドライエッチングして凹部３６ａを形成し、シリコン膜１２を露出させる。なおフォトレジストマスクを形成するにあたり、実際にはレジストの塗布、露光処理及び現像処理などが行われるが、ここでは省略している、以降において説明するレジスト膜の形成工程についても同様にこれらの処理の説明を省略する。
【００３５】
次に、図７に示すように、窒化シリコン膜１４上に多結晶シリコンからなる第１のポリシリコン膜１０を形成し、次いでこの第１のポリシリコン膜１０にリンを拡散させる。接地ポート３６を形成する領域においては、当該第１のポリシリコン膜１０は、既述の凹部３６ａの内壁面に沿って形成されシリコン膜１２に接触している。
【００３６】
そして、図３に示した導電膜１７（円形部３１、電極配置部３２、延びだし部３３、導電路３９）、及び接地ポート３６の輪郭形状に対応してパターニングされた第２のレジスト膜Ｒ２を形成し、図７に示すように、当該第２のレジスト膜Ｒ２の周囲の第１のポリシリコン膜１０をドライエッチングする。その後、第２のレジスト膜Ｒ２を除去する。
【００３７】
続いて、図８に示すように、第１のポリシリコン膜１０の上層側に、例えば酸化シリコンからなる第１の犠牲膜５１と、多結晶シリコンからなる第２のポリシリコン膜（詳しくは多結晶シリコン膜を形成した後、リンをドープさせた膜）１５と例えば酸化シリコン膜からなる第２の犠牲膜５２とを下側からこの順番で積層する。
【００３８】
この時、第１の犠牲膜５１及び第２の犠牲膜５２とは、互いに同じ膜厚となるように形成される。そして、この第２の犠牲膜５２の上層側に、固定部２３、貫通孔２８、支持梁２２及びダンパー２１を備えた振動板２の形状に対応するようにパターニングした第３のレジスト膜Ｒ３を成膜する。次いで、この第３のレジスト膜Ｒ３を介して第２の犠牲膜５２及び第２のポリシリコン膜１５をドライエッチングした後、第３のレジスト膜Ｒ３を除去する。
【００３９】
しかる後、図９に示すように、第２の犠牲膜５２の上層側に酸化シリコンからなる第３の犠牲膜５３をギャップ酸化膜として成膜する。この第３の犠牲膜５３は、固定部２３の貫通孔２８やダンパー２１の開口部２７の内部に入り込むように形成される。次に、第３の犠牲膜５３上に第４のレジスト膜Ｒ４を形成した後、支持梁２２の固定部２３の上方側において当該固定部２３よりも僅かに大きく開口する開口２８ａが形成され、また各電極３０に対応する領域に開口３０ａが形成されるように第４のレジスト膜Ｒ４をパターニングする。その後、この第４のレジスト膜Ｒ４を介して下方側の第３の犠牲膜５３をドライエッチングし、開口２８ａ、３０ａを形成する。このエッチングにより貫通孔２８の周囲の第２のポリシリコン膜１５の上面側の領域が露出する。
【００４０】
なお、図８、９において、第２、第３の擬制膜５２、５３は、説明の便宜上、その厚さを誇張して記載してあるが、実際にはこれらの擬制膜５２、５３の積層高さが振動板２と梁部３７との間の隙間の寸法に対応するように積層される（図１０参照）。またこのとき、第３の擬制膜５３の上面側を削るエッチングを行い、これらの擬制膜５２、５３の積層高さを調節してもよい。
【００４１】
また、このドライエッチングにより表面に露出した第１の犠牲膜５１及び第２の犠牲膜５２に対して、第４のレジスト膜Ｒ４を介してドライエッチングが行われる。このエッチングにより、開口２８ａ、３０ａの下端部において第１のポリシリコン膜１０が各々露出する。その後、第４のレジスト膜Ｒ４を除去する。
【００４２】
そして、図１０に示すように、第３の擬制膜５３の上面側に多結晶シリコンからなる第３のポリシリコン膜１６を形成して、この第３のポリシリコン膜１６にリンをドープする。この結果、貫通孔２８及びその上部の開口２８ａ内にポリシリコンが埋め込まれる。
【００４３】
しかる後、各電極３０や梁部３７、固定柱２４及び導電路３９以外の領域が開口する第５のレジスト膜Ｒ５を形成し、図１０に示すように、第３のポリシリコン膜１６をドライエッチングする。そして、第５のレジスト膜Ｒ５を残したまま、例えばフッ酸水溶液などのエッチング液に基板９上に形成された構造物を基板９と共に浸漬すると、このエッチング液が第３のポリシリコン膜１６の下方側に回り込み、第２、第３の犠牲膜５２、５３が除去される。このウェットエッチングにより、第２、第３の犠牲膜５２、５３の積層高さに対応する分だけ振動板２と梁部３７との間に隙間が形成される。
【００４４】
そしてさらにウェットエッチングを継続すると、第１の擬制膜５１が除去され、振動板２や支持梁２２と導電膜１７（円形部３１、延びだし部３３）との間に隙間が形成される（図１１）。この結果、振動板２及び支持梁２２は、貫通孔２８内に形成した固定柱２４（支持部２０）に支持された状態となる。最後に第５のレジスト膜Ｒ５を除去することにより、本実施の形態のディスク振動子１が完成する。
【００４５】
本実施の形態に係わるディスク振動子１によれば以下の効果がある。振動ディスク１は、その表面を削って周波数調整の際の感度が振動板２の中央部において高くなる。このため、対向電極（上述の例では入力電極３）を同電位にするための梁部３７を振動板２の上方側に架け渡すにあたって、前記中央部を避けるようにして梁部３７を配置することにより周波数調整を行いやすいディスク振動子１を得ることができる。  
また、比較的細い梁部３７を複数本設けることにより、製造時における梁部３７と振動板２との間のスティッキングを防止すると共に対向電極間の十分な導電性を確保できる。
【００４６】
ここで、梁部３７が設けられる対向電極は、図１、２に示した入力電極３に限られるものではなく、出力電極４同士を梁部３７にて接続し、当該梁部３７が振動板２の中央部を避けて配置されるようにしてもよい。
【００４７】
また、振動板２の中央部を避けて梁部３７を形成する手法は、当該領域を避けて直棒状の梁部３７を複数本配置する場合に限定されない。例えば図１２のディスク振動子１ａに示すように、平面的に見て上記中央部を避けるように湾曲した１本の梁部３７ａを設けてもよい。また、振動板２の中央部の上方領域を避けて直棒状の１本の梁部３７を配置する場合も本発明の技術的範囲に含まれる。このように１本の梁部３７ａ、３７を設ける場合にも、スティッキングの発生を抑え、十分な導電性を確保可能な太さに調節するとよい。
【００４８】
本発明のディスク振動子１は小型で高いＱ値を実現できる。それゆえフィルタに用いた場合には、低損失で減衰特性が良くなるため、ラダー型フィルタなどの帯域通過フィルタにこのディスク振動子１を用いるなど、電子部品に適用することができる。
【００４９】
更に図２等には、シリコン基板１１の上に、シリコン膜１２、酸化シリコン膜１３及び窒化シリコン膜１４の計４層を積層した基板９の例を示したが、この構造に代えて、シリコン基板１１の上に、ＰＥ−ＮＳＧ膜（酸化シリコン膜）及びＬＰ−ＳｉＮ膜（窒化シリコン膜）を下側から順番で形成した３層構造にしてもよい。
【００５０】
また、入力電極３に対して信号の入力を行うにあたり、既述の例ではワイヤなどの導電路を用いたが、入力電極３の下方側における第１のポリシリコン膜１０から水平に伸びる導電膜を形成し、この導電膜を介して周波数信号を入出力してもよい。
【００５１】
また正円形の振動板２について説明したが、振動板２は楕円や四角形状などであってもよい。このとき振動板２の中央部は、例えば振動板２の重心の位置を中心として、この中心から距離ｄの範囲内の領域が選択される。
【符号の説明】
【００５２】
１          ディスク振動子
２          振動板
２２        支持梁
３          入力電極
３０        電極
３７、３７ａ
梁部
４          出力電極
【図１】
2013138373.tif 000003
【図２】
2013138373.tif 000004
【図３】
2013138373.tif 000005
【図４】
2013138373.tif 000006
【図５】
2013138373.tif 000007
【図６】
2013138373.tif 000008
【図７】
2013138373.tif 000009
【図８】
2013138373.tif 000010
【図９】
2013138373.tif 000011
【図１０】
2013138373.tif 000012
【図１１】
2013138373.tif 000013
【図１２】
2013138373.tif 000014