(57)【要約】【課題】  光電変換部への水分の浸入を低減し、信頼性の高い光電変換モジュールを提供する。【解決手段】  光電変換モジュール１３は、基板１と、基板１上に設けられた下部電極層２と、下部電極層２上に設けられた半導体層３と、下部電極層２上であって半導体層３から離れた部位に接合された、半導体層３で生じた電気出力を外部に取り出すための配線導体９と、半導体層３の配線導体９に対向する端面から下部電極層２の上面にかけて連続して設けられた金属被覆層８とを具備する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられた下部電極層と、
該下部電極層上に設けられた半導体層と、
前記下部電極層上であって前記半導体層から離れた部位に接合された、前記半導体層で生じた電気出力を外部に取り出すための配線導体と、
前記半導体層の前記配線導体に対向する端面から前記下部電極層の上面にかけて連続して設けられた金属被覆層と
を具備することを特徴とする光電変換モジュール。
【請求項２】
前記端面は、前記金属被覆層で被覆されている領域の面積が被覆されていない領域の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の光電変換モジュール。
【請求項３】
前記金属被覆層は前記半導体層の上面を覆っていることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光電変換モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エネルギー問題や環境問題の深刻化に伴い、光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽光発電が注目を集めている。
【０００３】
この太陽光発電に使用される光電変換モジュールでは、該光電変換モジュールに設けられた光電変換部から得られた電気がリード線等の配線導体で取り出される。この配線導体は、光電変換モジュールの非受光面に配置された端子ボックスの内部に導出されている（例えば、特許文献１参照）。このような光電変換モジュールでは、端子ボックスを介して、光電変換モジュールで発電した電気出力が外部の回路等に導出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２１６６０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光電変換モジュールは、長期間にわたって屋外に設置した場合、上記配線導体を伝って外部から水分が光電変換モジュールの内部に浸入し、光電変換部等の部材を変質させ、光電変換モジュールの出力低下が発生する場合があった。
【０００６】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであり、その目的は光電変換部への水分の浸入を低減し、信頼性の高い光電変換モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールは、基板と、該基板上に設けられた下部電極層と、該下部電極層上に設けられた半導体層と、前記下部電極層上であって前記半導体層から離れた部位に接合された、前記半導体層で生じた電気出力を外部に取り出すための配線導体と、前記半導体層の前記配線導体に対向する端面から前記下部電極層の上面にかけて連続して設けられた金属被覆層とを具備する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールによれば、光電変換モジュールの信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】光電変換モジュールの実施の形態の一例を示す要部拡大斜視図である。
【図２】図１の光電変換モジュールの断面図である。
【図３】光電変換モジュールの実施の形態の他の例を示す要部拡大斜視図である。
【図４】図３の光電変換モジュールの断面図である。
【図５】図１の光電変換モジュールの全体を示す斜視図である。
【図６】図５の光電変換モジュールの裏面を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールについて、図面を参照しながら詳
細に説明する。
【００１１】
＜光電変換モジュールの構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールの一例を示す要部拡大斜視図であり、図２はそのＸ−Ｚ断面図である。また、図５は図１の光電変換モジュールの全体を示す斜視図であり、図６はその裏面側から見た斜視図である。光電変換モジュール１３は、基板１上に光電変換部１１と一対の引き出し配線部１２（一対の引き出し配線部１２のうち、Ｘ軸方向の負側は１２ａ、正側は１２ｂで示されている）とを具備している。
【００１２】
光電変換部１１はＸ軸方向に沿って並んだ複数の光電変換セル１０を具備している。光電変換セル１０は、下部電極層２と、第１の導電型を有する第１の半導体層３と、第１の導電型とは異なる第２の導電型を有する第２の半導体層４と、上部電極層５とが順に積層されている。例えば、第１の導電型がｐ型であれば第２の導電型はｎ型であり、その逆の関係であってもよい。図２では、第１の半導体層３ｂは、下部電極層２ａ上から下部電極層２ｂ上にかけて設けられている。同様に、第１の半導体層３ｃは、下部電極層２ｂ上から下部電極層２ｃ上にかけて設けられており、第１の半導体層３ｄは、下部電極層２ｃ上から下部電極層２ｄ上にかけて設けられている。各第１の半導体層３ｂ〜３ｄと、それらの上に積層された第２の半導体層４とで光電変換によってキャリア分離が良好に行なわれる。光電変換によって生じた第１の導電型のキャリアは第１の半導体層３から下部電極層２へ移動する。一方、光電変換によって生じた第２の導電型のキャリアは第２の半導体層３から上部電極層４へ移動し、接続導体７を介して隣接する下部電極層２へ移動する。このような構成により、隣接する光電変換セル１０同士が直列接続されている。
【００１３】
引き出し配線部１２は、上記光電変換部１１で生じたキャリアを光電変換モジュール１３の外部へ取り出すためのものである。つまり、引き出し配線部１２によって、光電変換部１１で発電した電気出力が外部へ引き出されることとなる。引き出し配線部１２は、光電変換部１１の下部電極層２が延伸された部位上で、第１の半導体層３から離れた部位に配線導体９の一方の端部が接続されている。また、配線導体９の他方の端部は、図５に示されるように、基板１を上下方向に貫通する孔３０を介して裏面に導出され、図６に示されるように光電変換モジュール１３の裏面（非受光面）に配置された端子ボックス３１の内部に接続されている。そして、この端子ボックス３１を介して、光電変換モジュール１３で発電した電気出力が外部回路に導出されることとなる。
【００１４】
光電変換モジュール１３は、第１の半導体層３の配線導体９に対向する端面（側面）から下部電極層２上にかけて金属被覆層８によって連続して覆われている。つまり、光電変換モジュール１３に設けられた第１の半導体層３の端面のうち、配線導体９からの水分の影響を受けやすい配線導体９に近い端面が金属被覆層８で覆われている。このような構成によって、外部から配線導体９を伝って光電変換モジュール１３内に水分が侵入してきたとしても、光電変換部１１へ水分が侵入するのを金属被覆層８で有効に低減され得る。その結果、光電変換モジュール１３の光電変換特性が良好に維持され信頼性の高いものとなる。
【００１５】
第１の半導体層３の配線導体９に対向する端面は、金属被覆層８で被覆されている領域の面積が被覆されていない領域の面積よりも大きくてもよい。これにより、光電変換部１１への水分の侵入がより有効に低減され得るとともに、応力等によって生じる光電変換部１１の端部からの剥離が有効に低減され、信頼性がより向上する。
【００１６】
より有効に水分の光電変換部１１への侵入が低減されるとともに、光電変換部１１の剥離が低減されるという観点からは、第１の半導体層３の配線導体９に対向する端面の全面が、金属被覆層８で被覆されていてもよい。
【００１７】
また、配線導体９から光電変換部１１への水分の侵入経路がさらに低減されるという観点からは、図１、２に示されるように、金属被覆層８は下部電極層２の端部まで延伸されており、この金属被覆層８の延伸部を介して配線導体９が下部電極層２に接続されていてもよい。
【００１８】
さらに、応力等によって光電変換部１１の端部の欠けが生じるのが低減されるという観点からは、第２の半導体層４の上面の一部が金属被覆層８で覆われていてもよい。例えば、図１、２のように第２の半導体層４上に上部電極層５が設けられている場合は、この上部電極層５の上面の一部まで金属被覆層１１が延伸されていてもよい。
【００１９】
光電変換モジュール１３は一対の配線導体９（一対の配線導体９のうち、Ｘ軸方向の負側は９ａ、正側は９ｂで示されている）を有しており、光電変換部１１のＸ軸方向の両端部の近傍にそれぞれ位置している。金属被覆層８はこの両端部の少なくとも一方側に設けられていればよい。金属被覆層８は光電変換部１１の両端部に設けられていると、より高い効果が得られる。例えば、図１、２では、Ｘ軸方向における光電変換部１１の両端部に金属被覆層８（一対の金属被覆層８のうち、Ｘ軸方向の負側は８ａ、正側は８ｂで示されている）が設けられているが、いずれか一方の端面のみに設けられている場合もあり得る。なお、図１、２のＸ軸の負側における光電変換部１１の端面に金属被覆層８ａが設けられる場合は、第１の半導体層３ｂと第２の半導体層４とが短絡されないように、例えば図１、２に示されるように、第１の半導体層３ａを用いて壁部が形成され、この壁部の端面が金属被覆層８ａに覆われるようにすればよい。このような壁部を有することによって、壁部も、光電変換に寄与する第１の半導体層３ｂへの水分の侵入を低減する機能を有することとなり、より信頼性が向上する。
【００２０】
また、図１、２のように、金属被覆層８は光電変換部１１を構成する全ての半導体層の合計厚み（図１、２の例では第１の半導体層３と第２の半導体層４と上部電極層５との合計厚み）よりも厚く形成され、この厚い金属被覆層８上に配線導体９が接合されていてもよい。このような構成であれば、配線導体９と光電変換部１１との間が長くなるとともに水分の侵入経路が低減し、光電変換部１１へ水分が侵入するのがより低減される。
【００２１】
＜光電変換モジュールの構成部材＞
次に上述した光電変換モジュール１３の各構成部材について詳細に説明する。
【００２２】
基板１は、光電変換部１１を支持するためのものである。基板１に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。基板１としては、例えば、厚さ１〜３ｍｍ程度の青板ガラス（ソーダライムガラス）が用いられてもよい。
【００２３】
下部電極層２（下部電極層２ａ〜２ｄ）は、基板１上に設けられた、Ｍｏ、Ａｌ、ＴｉまたはＡｕ等の導電体である。下部電極層２は、スパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成手法を用いて、０．２μｍ〜１μｍ程度の厚みに形成される。
【００２４】
第１の半導体層３は第１の導電型を有する半導体層である。第１の半導体層３は、例えば１μｍ〜３μｍ程度の厚みを有する。第１の半導体層３の材料としては特に限定されないが、比較的高い光電変換効率を有するという観点で、例えば、Ｉ−III−VI族化合物、Ｉ−II−IV−VI族化合物およびII−VI族化合物等が用いられてもよい。
【００２５】
Ｉ−III−VI族化合物とは、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素ともいう）とIII−Ｂ族元素（１３族元素ともいう）とVI-Ｂ族元素（１６族元素ともいう）との化合物である。Ｉ−III−
VI族化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳｅ２（二セレン化銅インジウム、ＣＩＳともいう）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（二セレン化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳともいう）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２（二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳＳともいう）等が挙げられる。あるいは、第１の半導体層３は、薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。Ｉ−III−VI族化合物は光吸収係数が比較的高く、第１の半導体層３が薄くても良好な光電変換効率が得られる。
【００２６】
Ｉ−II−IV−VI族化合物とは、Ｉ−Ｂ族元素とII−Ｂ族元素（１２族元素ともいう）とIV−Ｂ族元素（１４族元素ともいう）とVI−Ｂ族元素との化合物半導体である。Ｉ−II−IV−VI族化合物としては、例えば、Ｃｕ２ＺｎＳｎＳ４（ＣＺＴＳともいう）、Ｃｕ２ＺｎＳｎＳ４−ｘＳｅｘ（ＣＺＴＳＳｅともいう。なお、ｘは０より大きく４より小さい数である。）、およびＣｕ２ＺｎＳｎＳｅ４（ＣＺＴＳｅともいう）等が挙げられる。
【００２７】
II−VI族化合物とは、II−Ｂ族元素とVI−Ｂ族元素との化合物半導体である。II−VI族化合物としてはＣｄＴｅ等が挙げられる。
【００２８】
第２の半導体層４は、第１の半導体層３とは異なる第２導電型を有する半導体層である。第２の半導体層４は、第１の半導体層３とは異なる材料が第１の半導体層３上に積層されたものであってもよく、あるいは第１の半導体層３の表面部が他の元素のドーピングによって改質されたものであってもよい。また、第１の半導体層３と第２の半導体層４との間に高抵抗のバッファ層等が介在していてもよい。
【００２９】
第２の半導体層４としては、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）、（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）、および（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ等が挙げられる。この場合、第２の半導体層４は、例えばケミカルバスデポジション（ＣＢＤ）法等で１０〜２００ｎｍの厚みで形成される。なお、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）とは、ＩｎとＯＨとＳとを主に含む化合物をいう。（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）は、ＺｎとＩｎとＳｅとＯＨとを主に含む化合物をいう。（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏは、ＺｎとＭｇとＯとを主に含む化合物をいう。
【００３０】
図１、図２のように、第２の半導体層４上にさらに上部電極層５が設けられていてもよい。上部電極層５は、第２の半導体層４よりも抵抗率の低い層であり、第１の半導体層３および第２の半導体層４で生じたキャリアが良好に取り出される。光電変換効率をより高めるという観点からは、上部電極層５の抵抗率が１Ω・ｃｍ未満でシート抵抗が５０Ω／□以下であってもよい。
【００３１】
上部電極層５は、例えばＩＴＯ、ＺｎＯ等の０．０５〜３μｍの透明導電膜である。透光性および導電性を高めるため、上部電極層５は第２の半導体層４と同じ導電型の半導体で構成されてもよい。上部電極層５は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等で形成され得る。
【００３２】
また、図１、図２に示すように、上部電極層５上にさらに集電電極６が形成されていてもよい。集電電極６は、第１の半導体層３および第２の半導体層４で生じたキャリアをさらに良好に取り出すためのものである。集電電極６は、例えば、図１に示すように、光電変換セル１０の一端から接続導体７にかけて線状に形成されている。これにより、第１の半導体層３および第４の半導体層４で生じた電流が上部電極層５を介して集電電極６に集電され、接続導体７を介して隣接する光電変換セル１０に良好に導電される。
【００３３】
集電電極６は、第１の半導体層３への光透過率を高めるとともに良好な導電性を有する
という観点から、５０〜４００μｍの幅を有していてもよい。また、集電電極６は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。
【００３４】
集電電極６は、例えば、Ａｇ等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。
【００３５】
図１、図２において、接続導体７は、第１の半導体層３、第２の半導体層４および第２の電極層５を貫通する溝内に設けられた導体である。接続導体７は、金属や導電ペースト等が用いられ得る。図１、図２においては、集電電極６を延伸して接続導体７が形成されているが、これに限定されない。例えば、上部電極層５が延伸したものであってもよい。
【００３６】
金属被覆層８は金属を主に含む層である。なお、金属を主に含むとは金属被膜層８の７０体積％以上を金属が占めていることを言う。金属被覆層８は、例えば、Ａｇ等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。あるいは、金属被覆層８はめっき等により形成されてもよい。また、水分の浸透を低減するという観点からは、金属被覆層８にガラスが含まれていても良い。
【００３７】
配線導体９は、例えば、厚さ０．１〜０．５ｍｍ程度、幅が１〜７ｍｍ程度の銅（Ｃｕ）などの金属箔が挙げられる。また。この金属箔の表面には、下部電極層２または金属被覆層８との電気的な接続を良好にすべく、錫、ニッケルまたは半田などがめっき等によってコーティングされていてもよい。
【００３８】
＜光電変換モジュールの他の例＞
次に、光電変換モジュールの他の例について説明する。図３は光電変換モジュールの他の例を示す要部拡大斜視図であり、図４はその断面図である。図３、４に示される光電変換モジュール２３において、上述した図１、２に示される光電変換モジュール１３と同じ構成の部位は、図１、２と同じ符号が付されている。光電変換モジュール２３において、金属被覆層２８ｂは接続導体７を兼ねている。この点で光電変換モジュール１３と異なっている。このような構成であれば、光電変換可能な領域がより広くなり、光電変換効率がより高く成り得る。
【００３９】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が施されることは何等差し支えない。光電変換モジュール１３、２３では光電変換部１１における光電変換セル１０が３列の例が示されているが、これに限定されず、１列、２列あるいは４列以上であってもよい。
【符号の説明】
【００４０】
１：基板
２、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ：下部電極層
３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ：第１の半導体層
４：第２の半導体層
５：上部電極層
６：集電電極
７：接続導体
８、８ａ、８ｂ、２８ｂ：金属被覆層
９、９ａ、９ｂ：配線導体
１０：光電変換セル
１１：光電変換部
１２、１２ａ、１２ｂ：引き出し配線部
１３、２３：光電変換モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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