(57)【要約】【課題】ＳｉＣ半導体およびＧａＮ半導体の動作温度において配線材料等の周辺部材の特性変化を抑制し、安定して動作可能なＳｉＣ半導体又はＧａＮ半導体を、コストを抑えながら提供することにある。【解決手段】ＳｉＣ半導体およびＧａＮ半導体の最外層の金属層１を、Ａｇを主成分として、Ｃｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂのうち１種類または複数種の微量の金属元素を添加した合金層とする。さらに、これら添加元素の添加量は、少なくともそれぞれの元素について０.１ａｔ％Ｃｕ以上、０.３ａｔ％Ａｌ以上、０.１ａｔ％Ｂｅ以上、０.１５ａｔ％Ｓｂ以上とする。【選択図】  図１
2013125922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ又はＧａＮを主成分とした半導体基板と、
前記半導体基板上に接合された複数の金属層と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の金属層は、最外層に外部との電気接続を行うための配線金属層を備え、
前記配線金属層は、Ａｇを主成分としてＣｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂのうち少なくとも１種類の微量の溶質元素を添加した合金層であり、
前記配線金属層に含まれるＡｇへの溶質元素の添加量は、それぞれ０.１ａｔ％Ｃｕ以上、０.３ａｔ％Ａｌ以上、０.１ａｔ％Ｂｅ以上、０.１５ａｔ％Ｓｂ以上である半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記配線金属層には、外部電極との電気接続を行うための接合部材または外部基板が接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記複数の金属層は、前記半導体基板と前記配線金属層との間に、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｍｏの何れかによって構成された電極層を備え、前記電極層は前記半導体基板とオーミック接触またはショットキー接触していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記電極層と前記配線金属層との間には、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒの何れかによって構成されたバリア層を備えていることを特徴とした半導体装置。
【請求項５】
請求項２記載の半導体装置において、
前記半導体装置はショットキーバリアダイオード又は、ＦＥＴ、ダイオードであることを特徴とした半導体装置。
【請求項６】
請求項２から５何れか一項記載の半導体装置を接続した回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置または該半導体装置を用いた回路基板に関し、特に半導体の金属層構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、省エネルギー化を求める声が益々高まっており、パワーデバイス用半導体の特性改善のための開発が盛んに進められている。これまで、パワーデバイス用の半導体として用いられてきたシリコン（Ｓｉ）半導体はその開発がさらに進められ、またこれと並行して炭化珪素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いたパワーデバイスも次世代パワーデバイスとして研究・開発が急ピッチで進められている。
【０００３】
ＳｉＣおよびＧａＮはＳｉと比較して、バンドギャップが約３倍大きい、絶縁破壊電解が１桁大きい、電子移動速度は約２倍、熱伝導率がＳｉよりも高い、等の特徴を持つ。これらの特徴により、ＳｉＣおよびＧａＮはＳｉに比べて電力損失の大幅な低減が可能であり、７０％〜９０％の損失低減を実現すると予想されている。また、高速のスイッチング動作が可能となり、これにより周辺部品の低減および小型化が容易となり、パワーデバイスの小型化・高速化が可能となる。
【０００４】
さらに、ＳｉＣ半導体およびＧａＮ半導体は使用温度がＳｉ半導体よりも高温となる。Ｓｉ半導体の使用温度は通常１２５℃までとされている。これに対し、ＳｉＣ半導体およびＧａＮ半導体の動作温度は２００℃、３００℃とＳｉに比べて高温での動作が可能であり、動作温度の上限は５００〜６００℃と言われている。このように高温での動作が可能となることにより、例えば、従来Ｓｉ半導体では放熱用に水冷の設備を用いていたが、ＳｉＣ半導体又はＧａＮ半導体を用いることにより、水冷の必要は無く空冷にすることが可能となる。これにより半導体デバイスの大幅な小型化が実現し、パワーデバイスの設置場所の自由度も上がる。
【０００５】
また、パワーデバイスはじめ、ほとんどの電子装置には半導体とともに導体である金属が使用されている。半導体と同様、金属にも融解せずに使用可能な温度範囲が存在する。金属には、融点が２００℃前後から３０００℃を超えるものまで様々な種類が存在し、適用製品の仕様に合った融点を持つ金属が採用される。例えば、Ｓｉ半導体の配線材料には、従来技術ではＳｉ半導体の動作温度１２５℃以上の耐熱性を有しかつ低抵抗率を有するＡｌやＣｕが多く採用されている（例えば、特許文献２、３記載）。また、ＡｌおよびＣｕよりも低抵抗率を有するＡｇ、Ａｕも半導体の配線材料として使用される。特許文献１では、低抵抗な半導体デバイスを提供するための半導体の配線金属材料について開示されている。Ａｇを主成分として、Ａｕを０.１ｗｔ％以上含有したＡｇ−Ａｕ合金に、更にＣｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｇから選ばれた複数の金属元素の内より１種類以上の金属元素を添加している。これにより、従来に比して低抵抗率である配線金属材料とこれを用いた半導体デバイスを提供している。
【０００６】
一方で、一般的に金属には、融点よりも低い温度で結晶構造が変化する温度が複数存在する。その一つが再結晶温度である。再結晶温度近傍で結晶構造が変化すると、材料の特性が変化する。例えば、材料強度が低下し軟化を始める。この特性の変化は、温度変化に伴う金属中に含まれる転移や原子空孔等の点欠陥の移動に因るものである。金属では、転移や原子空孔等の点欠陥が移動に伴い点欠陥が次第に減少し、結晶粒の配列が変化する。これにより、柔らかくなる（軟化）と同時に塑性変形を生じる。点欠陥の移動する温度（即ちここでは再結晶温度）は、金属の種類によって異なるが、多くは融点の３分の１以下の温度でこの現象が開始する。
【０００７】
金属の再結晶温度を調べた研究内容は複数報告されている。その一つに、金属に微量の溶質元素を添加することにより、再結晶温度が高くなるとの研究内容が報告されている（例えば、非特許文献１記載）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１４０９２９号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８７８号公報
【特許文献３】特開２０１１−３５３２２号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】日本材料学会会誌Vol.30 No.333
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ＳｉＣ半導体又はＧａＮ半導体の動作温度はＳｉ半導体より高く、Ｓｉ半導体の動作保障温度より１００℃以上高い２００℃や３００℃での動作となる。このため、ＳｉＣ半導体又はＧａＮ半導体を採用する場合、これら半導体基板自体を構成する材料の耐熱温度だけでなく、これらを半導体素子として実装するための接合材料や周辺の構成部品、例えば配線金属層の耐熱温度が問題となる。また金属は、その再結晶温度近傍で結晶構造が変化するに伴い、抵抗率も変化するため、半導体素子として実装した場合に再結晶温度を超えてしまうと、動作不良の原因となる。また、外部との接続に用いる金属ワイヤ等や接続先の基板等からの応力により、配線金属層の故障の原因となる。従来技術では、ＳｉＣおよびＧａＮ半導体の動作温度にて動作不良を起こさず使用可能な配線金属層については考慮されていない。
【００１１】
例えば特許文献１記載の配線金属材料では、再結晶温度については考慮されておらず、ＳｉＣ半導体およびＧａＮ半導体の動作温度では配線材料の劣化による動作不良、および外部からの応力による故障を招く懸念が生じる。また、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｇの添加量が制限されており、再結晶温度を十分に高めるためには相当量のＡｕを添加しなければならないため、従来に比して価格の高い半導体デバイスとなる。
【００１２】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その主な目的は、ＳｉＣ半導体およびＧａＮ半導体の動作温度において配線材料等の周辺部材の特性変化を抑制し、安定して動作可能なＳｉＣ半導体又はＧａＮ半導体を、コストを抑えながら提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため本発明は、ＳｉＣ又はＧａＮを主成分とした半導体基板と、前記半導体基板上に接合された複数の金属層と、を備えた半導体装置であって、前記複数の金属層は、最外層に外部との電気接続を行うための配線金属層を備え、前記配線金属層は、Ａｇを主成分としてＣｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂのうち少なくとも１種類の微量の溶質元素を添加した合金層であり、前記配線金属層に含まれるＡｇへの溶質元素の添加量は、それぞれ０.１ａｔ％Ｃｕ以上、０.３ａｔ％Ａｌ以上、０.１ａｔ％Ｂｅ以上、０.１５ａｔ％Ｓｂ以上であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、合金層内部の転移や原子空孔等の点欠陥は添加金属の原子と容易に結合するため点欠陥自体は移動し難い温度領域が拡がる。これにより、配線金属層の再結晶温度が高くなる。すなわち、本発明のＳｉＣ半導体およびＧａＮ半導体は配線金属の機械的特性や電気特性が変化することなく安定して動作可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の半導体装置の基本構造の一部を示す断面構成図。
【図２】本発明の半導体装置の実装構造の一部を示す断面構成図。
【図３】本発明の半導体装置の実装構造の一部を示す断面構成図。
【図４】本発明の半導体装置の実装構造の一部を示す断面構成図。
【図５】温度に伴う金属の硬度の変化を示すグラフ。
【図６】温度に伴う金属の硬度の変化について、ＡｇとＡｇを主成分としてＣｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂのうち１種又は複数種の金属を微量添加した合金との比較。
【図７】従来技術の半導体装置の基本構造の一部を示す断面構成図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明構造の実施例を説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１を用いて本発明の基本構造を示す一実施例を説明する。
【００１８】
図１は本発明の半導体装置の一部を示す断面構成図である。ＳｉＣ基板４上に金属層３、その上層に金属層２、最表層に金属層１からなる半導体装置である。例えば、ショットキーバリアダイオード、ＦＥＴ、ダイオード等の半導体装置を構成する。
【００１９】
金属層３はＳｉＣ基板とオーミック接触により電極（オーミック電極）を形成しており、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｍｏの何れかの金属層をスパッタ蒸着によって形成する。ここで、オーミック接触とは、半導体と金属の接触（接合）の種類の一つであり、抵抗値一定となる接触である。一般的に、あらゆる半導体においてこの接触が重要となっており、例えば、ＣＰＵやメモリ等を形成するトランジスタには電気を流すための電極としてこのオーミック接触からなるオーミック電極が用いられている。なお、ここでの接触は、ショットキー接触であってもよい。
【００２０】
次に、金属層３の上面には金属層２を形成する。金属層２は例えばＣｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒの何れかの金属層をスパッタ蒸着により形成する。ここで、金属層２はバリア層の役割を果たし、金属層２に接合する金属層中の金属原子の拡散を防ぎ、金属拡散による半導体装置の特性変化や不具合の発生を防止することが可能となる。
【００２１】
また、金属層２の上面には金属層１を形成する。金属層１は半導体素子外部との電気接続を行うための配線金属層の役割を果たす。従来技術では、金属層１は、ＡｌやＣｕ又はＡｇを用いていた。一方、本発明では、金属層１を、Ａｇを主成分として、Ｃｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂのうち１種類または複数種の微量の金属元素を添加した合金層とする。さらに、これら添加元素の添加量は、少なくともそれぞれの元素について０.１ａｔ％Ｃｕ以上、０.３ａｔ％Ａｌ以上、０.１ａｔ％Ｂｅ以上、０.１５ａｔ％Ｓｂ以上とする。これ以下の添加量の場合、金属層１の再結晶温度がＳｉＣ半導体又はＧａＮ半導体の動作温度より高くなることを保証できないからである。なお、これら元素の添加量は、それぞれの元素をＡｇに添加した時に、ＳｉＣ半導体又はＧａＮ半導体の動作温度を再結晶温度が超えるように算出した値である。また、金属層１は、例えば、スパッタ蒸着により形成する。あるいは、めっき法により形成する。
【００２２】
従来技術では、図７に示すように半導体装置の配線金属層にはＡｌやＣｕ、Ａｇ等を用いている。しかし、これらの金属の再結晶温度はＳｉＣ半導体の動作温度２００℃あるいは３００℃よりも低い。このため、半導体の使用温度において、配線金属層の特性変化を生じ、さらには半導体装置に不具合を来たすことが懸念される。
【００２３】
本実施例によれば、Ａｇを主成分としてＣｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂのうち１種類または複数種の微量の金属元素を上記添加量に従い添加した合金とすることにより、Ａｇ中の原子空孔や転移等の点欠陥は添加金属の金属原子と結合し、点欠陥は移動し難くなる。この結果、合金の再結晶温度はＡｇの再結晶温度よりも高くなり、合金の機械的特性や電気的特性が変化せず安定した温度域が拡大する。すなわち、金属の再結晶温度を上昇させることにより、金属が軟化を始める温度を上昇させ、機械的特性や抵抗率等の電気的特性が変化しない温度領域を拡げることが可能である。また、Ｃｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂの代わりにＡｕを添加することも考えられるが、Ａｕは上記金属元素よりもコストがかかる。また再結晶温度の上昇の効果は薄いため、Ｃｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂよりも添加量が増加してしまう。したがって、Ｃｕ、Ａｌ、Ｂｅ、ＳｂをＡｇに添加した合金を配線金属層に用いることで、コスト増加を抑えつつ、配線金属層の機械的特性や抵抗率等の電気的特性が変化しない温度領域を拡げることが可能となる。
【００２４】
上記合金を、さらに本半導体装置の金属層３に用いることにより、高温においても金属層の機械的劣化や抵抗値の変化のない安定した動作が可能な半導体デバイスの提供が可能となる。特に、ＳｉＣ半導体が本来の性能を最大限に発揮するための動作温度は２００℃あるいは３００℃と云われているが、従来技術でＳｉＣ半導体を２００℃以上で、配線金属層の特性劣化を生じることなく使用することは困難である。一方、本発明では、上記実施例により例えば２００℃以上でも安定して動作可能なＳｉＣ半導体を提供する。
【００２５】
図５および図６を用いて、本発明の半導体装置の金属層、つまり、Ａｇを主成分としてＣｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂのうち１種類または複数種の微量の金属元素を添加した合金に関し、機械的特性の特徴を説明する。
【００２６】
図５は温度に伴う金属の硬度の変化を示しており、何れの金属も該金属の再結晶温度近傍において硬度の低下が生じ、さらに再結晶が進むにつれて金属の硬度は低下を続ける。これは、金属中の原子空孔や転位等の点欠陥の移動によるものであり、点欠陥が移動によって消滅するに伴い金属材料の硬度は低下する。すなわち、点欠陥の存在により金属材料の硬度が変化する。
【００２７】
図６は、温度に伴う硬度の変化について、ＡｇとＡｇを主成分としてＣｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂのうち１種類または複数種の微量の金属元素を添加した合金とを比較して示した図である。Ａｇに対し、Ａｇを主成分としてＣｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂのうち１種類または複数種の微量の金属元素を添加した合金は、再結晶温度が上昇する。これに伴い、硬度が低下を始める温度も高温側へシフトする。これは、Ａｇに上記の金属元素を微量添加することにより、Ａｇ中の原子空孔や転位等の点欠陥は添加金属の金属原子と結合する。この結合するエネルギーが大きい程、点欠陥は移動し難く、その結果、再結晶温度は高温側へシフトし易く金属は変形を起こし難い温度域が拡大する。Ａｇに添加する上記金属Ｃｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂの原子は、数多く存在する金属種の中でも、Ａｇ中の転位との結合エネルギーが比較的高い。このため、他の金属ではなく、上記添加金属がＡｇの再結晶温度を上昇させるのに適当な金属である。
【００２８】
さらに、これらの添加金属は数ある金属種の中でも低抵抗率を有する金属である。よって、これらの金属を用いることにより、従来技術と比較して、半導体装置の電気的特性を同等以上とすることが可能となる。
【実施例２】
【００２９】
図２、図３を用いて本発明の半導体装置を外部電極に接続する構造の一実施例を説明する。
【００３０】
図２は本発明の半導体装置に金属リードを接合して外部電極に繋げた一部を示す断面構成図である。本発明の半導体装置の金属層１に接合材料５によって金属リード６を接合する。ここで、接合材料５は、例えば、ここでははんだペーストとする。また、金属リード６は、例えばここではＣｕを用いる。
【００３１】
一方、図３は本発明の半導体装置に金属ワイヤを接合して外部電極に繋げた断面構成図を示す。また、外部電極への接続は、これらの方式に限られず、はんだバンプなどによる接合など、様々な接続方式が採用できる。
【００３２】
本発明の半導体装置の金属層１に金属ワイヤ７を超音波接合により接続する。ここで、金属ワイヤ７は、例えば、ＡｕワイヤやＣｕワイヤ、Ａｌワイヤ等が考え得る。
【００３３】
半導体装置の金属層に金属リードや金属ワイヤ等を接合した構造では、使用温度の変化に伴う熱応力によって金属リードや金属ワイヤは変形する。金属リードおよび金属ワイヤの熱応力変形は、半導体装置の金属層へも応力を伝達する。同時に、従来技術の金属層（Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ）は、少なくとも１５０℃以上の温度では金属の再結晶に伴う強度劣化が生じる。このため、１５０℃以上の温度において金属層の強度劣化が生じている際に金属リードおよび金属ワイヤの熱応力変形が金属層に伝達すると、金属層の劣化による半導体装置の不良が発生する。例えば、金属層の剥離や金属リード剥がれ等が考えられる。あるいは、金属層の特性変化により、半導体装置の電気的特性に変化が生じることが懸念される。
【００３４】
本発明によれば、半導体装置の金属層１にＡｇを主成分としてＣｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂのうち１種類または複数種の微量の金属元素を上記添加量に従い添加した合金による合金層を用いることにより、金属層１の再結晶に伴う機械的特性の劣化を１５０℃以上とできる。このために、１５０℃以上において金属リードおよび金属ワイヤの熱応力変形が生じても、これに伴う半導体装置の不具合、例えば合金層の剥がれや金属リード剥がれの生じる可能性が極めて低い、信頼性高い半導体装置を提供することが可能となる。また、電気的特性の変化が生じない温度域も拡がり、安定して動作可能な半導体装置の実現が可能である。
【実施例３】
【００３５】
図４を用いて本発明の半導体装置を外部基板に接続する構造の一実施例を説明する。
【００３６】
図４は本発明の半導体装置を外部基板に接続した一部を示す断面構成図である。ＳｉＣ基板４上に金属層３、その上層に金属層２、最表層に金属層１を形成し、さらにこれとは対するＳｉＣ基板４上に金属層８、その上層に金属層９、さらにその上層に金属層１０からなる半導体装置を接合材料１１を介して外部基板１２に接合した実装構造である。
【００３７】
金属層８は例えばＴｉのスパッタ蒸着により形成する。その上層の金属層９は例えばＮｉめっきにより形成する。そしてその上層の金属層１０は本発明構造の特徴であるＡｇの合金層とし、Ａｇを主成分として、Ｃｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂのうち１種類または複数種の微量の金属元素を添加した合金層により形成する。また、接合材料１１は、例えば、はんだペーストあるいはＡｇペースト等を用いる。外部基板１２は、例えば、熱伝導率の高い金属基板を用いる。
【００３８】
半導体装置を外部基板に接合する構造では、半導体装置、接合材料、外部基板それぞれの物性の違いにより応力とそれに伴う変形が生じる。例えば、それぞれの部材の線膨張係数差により各部材には熱応力変形が生じる。また、それぞれの部材のヤング率の違いにより、接合部にはせん断応力とこれに伴うせん断変形が生じる。さらに、従来技術では、金属層１０はＡｇやＮｉ、Ａｕを用いることが多いが、これらの金属の再結晶温度は少なくとも２００℃よりも低く、２００℃以上の温度では金属中の原子空孔や転位等の点欠陥の移動に伴い金属の特性変化が生じる。この結果、金属の強度は低下する等機械的特性に劣化を生じる。このように、金属層１０の物性が使用環境温度によって変化し、さらに熱応力変形やせん断変形が加わると、半導体装置に予期せぬ不具合を来たすことになる。不具合とは、例えば、金属層１０の剥がれや接合材料１１内の亀裂発生等が懸念される。
【００３９】
本発明によれば、金属層１０はＡｇを主成分としてＣｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂのうち１種類または複数種の微量の金属元素を添加した合金層であるため、金属層１０の再結晶温度を２００℃以上とすることが可能となる。これにより、２００℃以上の使用環境において熱応力変形やせん断変形が加わっても、合金層自体の特性は変化しないため予測し得ない不具合を生じる可能性が極めて少ない。すなわち、機械的特性に優れかつ信頼性設計が容易な半導体装置を提供することが可能となる。
【００４０】
本発明によれば、ＳｉＣ半導体またはＧａＮ半導体を構成する配線金属層を、Ａｇを主成分としてＣｕ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｂのうち１種又は複数種の金属を微量添加した合金とすることにより、合金層内部の転移や原子空孔等の点欠陥は添加金属の原子と容易に結合するため点欠陥自体は移動し難い温度領域が拡がる。これにより、配線金属層の再結晶温度が従来技術の配線金属層（例えばＡｌやＣｕ、Ａｇ）よりも高くなる。特に、微量添加金属を上記した原子量濃度で添加することにより、再結晶温度は１５０℃以上となる。
【００４１】
すなわち、本発明のＳｉＣ半導体およびＧａＮ半導体は１５０℃以上の動作温度、例えば２００℃、３００℃においても、配線金属の機械的特性が変化することなく安定して動作可能となる。
【００４２】
また、配線金属の抵抗率についても、安定して動作可能な温度領域が拡がる。従来技術の配線金属では、再結晶温度近傍になると配線金属の抵抗率は変化を始めるため、使用温度によって半導体デバイス自体の特性に変化を招く。一方、本発明の配線金属では、合金内部の点欠陥が移動し難い温度領域が拡がることにより、再結晶温度が高温になるだけではなく、配線金属の抵抗率が変化しない安定した温度領域が拡がる。
【００４３】
すなわち、本発明のＳｉＣ半導体およびＧａＮ半導体は１５０℃以上の動作温度でも配線金属の抵抗率が変化し難く安定して動作可能となる。
【符号の説明】
【００４４】
１、２、３、８、９、１０、１４、１５  金属層
４  ＳｉＣ基板
５、１１  接合材料
６  金属リード
７  金属ワイヤ
１２  外部基板
１３  配線金属層（Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ等）
【図１】
2013125922.tif 000003
【図２】
2013125922.tif 000004
【図３】
2013125922.tif 000005
【図４】
2013125922.tif 000006
【図５】
2013125922.tif 000007
【図６】
2013125922.tif 000008
【図７】
2013125922.tif 000009