(57)【要約】【課題】空隙を有しかつ電子部品の少なくとも一部と接する樹脂のクラックのおそれを低減する電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法を提供する。【解決手段】電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、基板３と、第１樹脂４と、第２樹脂９とを含む。基板３は、電子部品２が実装されたものである。第１樹脂４は、空隙４Ｈを有し、かつ電子部品２の少なくとも一部と接する。第２樹脂９は、第１樹脂４の表面を覆い、かつ第１樹脂４よりも空隙率が低い。第１樹脂４は、第２樹脂９側に設けられた、第２樹脂９の樹脂成分９Ｍを含む応力緩和層４２と、第２樹脂９の樹脂成分９Ｍを含まない多孔質層４１とを含む。【選択図】図４
2013138092.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、当該電子部品が実装された基板と、空隙を有し、前記電子部品の少なくとも一部と接する第１樹脂と、当該第１樹脂を覆い、かつ当該第１樹脂よりも空隙率の低い第２樹脂と、を含み、
前記第１樹脂は、
前記第２樹脂側に設けられた、前記第２樹脂の樹脂成分を含む応力緩和層と、前記第２樹脂の樹脂成分を含まない多孔質層と、
を含むことを特徴とする電子回路モジュール部品。
【請求項２】
前記第１樹脂及び前記第２樹脂を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された金属層と、
当該金属層に設けられ、かつ前記多孔質層の一部を少なくとも前記金属層の外部に対して露出させる開口部と、を含み、
前記開口部の前記応力緩和層の最大値の厚みは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の電子回路モジュール部品。
【請求項３】
前記第１樹脂の厚みから前記応力緩和層の最大値の厚みを減算した前記多孔質層の厚みは、１０μｍ以上４００μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の電子回路モジュール部品。
【請求項４】
前記多孔質層の空隙率は５体積％以上３０体積％以下であり、前記応力緩和層の空隙率は１体積％以上５体積％より小さいことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子回路モジュール部品。
【請求項５】
基板上に電子部品を実装する工程と、
前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように第１樹脂を設ける工程と、
前記第１樹脂を第２樹脂で覆う被覆工程と、
前記第２樹脂を硬化させる硬化工程と、を含み、
前記硬化工程の加熱温度において、前記第２樹脂の樹脂成分の最低動的せん断粘度が３５０Ｐａ・ｓ以上４００００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする電子回路モジュール部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁樹脂により電子部品を覆う電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路モジュール部品は、複数の電子部品、例えば、受動素子や能動素子、あるいはＩＣ（Integrated  Circuit）等を基板に実装して、一つあるいは複数の機能を持ったひとまとまりの電子部品としたものである。例えば、特許文献１には、絶縁材からなる封止樹脂部で電子部品の全体を覆い、この電子部品を埋設した状態で、多層基板の上面全体に設けられるとともに、めっき等によって形成された金属膜が、封止樹脂部の上面部の全面と、封止樹脂部の互いに対向する１対の側面部の全面と、多層基板の上面から積層間の接地用パターンまでの間に位置する多層基板の互いに対向する１対の側面の全面に設けられている電子回路ユニットが開示されている。
【０００３】
また、特許文献２には、電子部品と、当該電子部品が実装された基板と、空隙を有し、前記電子部品の少なくとも一部と接する第１樹脂と、当該第１樹脂を覆い、かつ当該第１樹脂よりも空隙率の低い第２樹脂と、前記第１樹脂及び前記第２樹脂を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された金属層と、当該金属層に設けられ、かつ前記第１樹脂の一部を少なくとも前記金属層の外部に対して露出させる開口部と、を含む電子回路モジュール部品が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３３２２５５号公報
【特許文献２】特開２０１１−２１６８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電子回路モジュール部品は、絶縁樹脂で基板に実装された電子部品を覆うが、電子回路モジュール部品の製造工程や保管環境によっては、絶縁樹脂あるいは実装された基板及び電子モジュールの内部に水分が浸入することがある。この水分は、電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際のリフロー工程で加熱されることによって蒸発し、膨張する。特許文献１に開示された技術は、絶縁樹脂の全面にシールド層として金属層が形成されているので、リフロー時の加熱によって発生する水蒸気等の気体が絶縁樹脂から抜けにくく、絶縁樹脂あるいは実装された基板に割れが発生したり、電子回路モジュール部品の変形等が発生したりするおそれがある。
【０００６】
また、特許文献２に開示された技術は、電子回路モジュール部品の絶縁樹脂の表面をシールド層で被覆したものにおいて、電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際のリフロー工程において、加熱により電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を外部へ抜けやすくする。特許文献２に開示された技術は、第１樹脂が空隙を含むので、さらなる第１樹脂のクラックの抑制が求められている。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、空隙を有しかつ電子部品の少なくとも一部と接する樹脂のクラックのおそれを低減する電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る電子回路モジュール部品は、電子部品と、当該電子部品が実装された基板と、空隙を有し、前記電子部品の少なくとも一部と接する第１樹脂と、当該第１樹脂を覆い、かつ当該第１樹脂よりも空隙率の低い第２樹脂と、を含み、前記第１樹脂は、前記第２樹脂側に設けられた、前記第２樹脂の樹脂成分を含む応力緩和層と、前記第２樹脂の樹脂成分を含まない多孔質層と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
この電子回路モジュール部品は、第２樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差の応力を緩和することができる。このため、電子部品の少なくとも一部と接する第１樹脂の多孔質層が空隙を有していても、多孔質層のクラックのおそれを低減することができる。
【００１０】
本発明の望ましい態様として、前記第１樹脂及び前記第２樹脂を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された金属層と、当該金属層に設けられ、かつ前記多孔質層の一部を少なくとも前記金属層の外部に対して露出させる開口部と、を含み、前記開口部の前記応力緩和層の最大値の厚みは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
この電子回路モジュール部品は、応力緩和層が第２樹脂と多孔質層との間で密着することで、第２樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差を緩和し、多孔質層のクラックを抑制することができる。また、応力緩和層自体が多孔質層に対して応力を加えるおそれを抑制することができる。
【００１２】
本発明の望ましい態様として、前記第１樹脂の厚みから前記応力緩和層の最大値の厚みを減算した前記多孔質層の厚みは、１０μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
この電子回路モジュール部品は、空隙を有する第１樹脂の多孔質層が電子部品の少なくとも一部に接するとともに、多孔質層の少なくとも一部を金属層の外部に対して露出させる開口部を有する。このような構造により、電子部品の少なくとも一部は、多孔質層を介して開口部とつながるため、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体は、多孔質層の空隙を通って開口部から電子回路モジュール部品の外部へ速やかに放出される。このように、この電子回路モジュール部品は、電子機器に実装される際のリフロー工程において、加熱により内部で発生した水蒸気等の気体が外部へ抜けやすくなる。また、電子回路モジュール部品が金属層を有している場合でも、実装時の加熱による部品内部の圧力の上昇が抑制されるので、第１樹脂又は第２樹脂の割れや電子回路モジュール部品が変形するおそれを低減できる。
【００１４】
また、第２樹脂の樹脂成分を含む応力緩和層は、多孔質層に比較して、空隙率が低い。このため、多孔質層は、多孔質層の厚みを１０μｍ以上４００μｍ以下とすることで、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を応力緩和層よりも多く排出し、多孔質層のクラックを抑制することができる。その結果、応力緩和層及び多孔質層の両層があることにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を排出することができ、第２樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差の応力を緩和することができる。
【００１５】
本発明の望ましい態様としては、前記多孔質層の空隙率は５体積％以上３０体積％以下であり、前記応力緩和層の空隙率は１体積％以上５体積％より小さいことが好ましい。
【００１６】
この構成により、多孔質層は、絶縁樹脂の内部で発生する気体をより抜けやすくすることができるとともに、多孔質層の強度も確保できる。また、応力緩和層は、空隙に第２樹脂の樹脂成分が埋め込まれることにより、多孔質層よりも空隙率が低い。応力緩和層の空隙率が１体積％以上５体積％より小さい場合、応力緩和層が第２樹脂の熱膨張と多孔質層の熱膨張との間で緩衝し、第２樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差の応力の低減を高めることができる。
【００１７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、基板上に電子部品を実装する工程と、前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように第１樹脂を設ける工程と、前記第１樹脂を第２樹脂で覆う被覆工程と、前記第２樹脂を硬化させる硬化工程と、を含み、前記硬化工程の加熱温度において、前記第２樹脂の樹脂成分の最低動的せん断粘度が３５０Ｐａ・ｓ以上４００００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする。
【００１８】
この電子回路モジュール部品の製造方法により、最低動的せん断粘度となるような第２樹脂の樹脂成分とすれば、所定の応力緩和層の厚みとすることができる。このため、所定の応力緩和層の厚みを有する電子回路モジュール部品は、応力緩和層が第２樹脂と多孔質層との間で密着することで、第２樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差を緩和し、多孔質層のクラックを抑制することができる。また、所定の応力緩和層の厚みを有する電子回路モジュール部品は、応力緩和層自体が多孔質層に対して応力を加えるおそれを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、空隙を有しかつ電子部品の少なくとも一部と接する樹脂のクラックのおそれを低減する電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の断面図である。
【図２】図２は、図１の矢印Ａ方向から本実施形態に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品が有する第１樹脂の概念図である。
【図４】図４は、図３に示す第１樹脂の表面を第２樹脂で覆う状態を説明するための概念図である。
【図５】図５は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の断面図である。
【図６】図６は、図５の矢印Ａ方向から本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。
【図７】図７は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を基板に取り付けた状態を示す側面図である。
【図８】図８は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を、基板と平行な面で切った状態を示す平面図である。
【図９】図９は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品の斜視図である。
【図１０】図１０は、第１樹脂と電子部品との関係を示す図である。
【図１１】図１１は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する開口部の配置例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する開口部の配置例を示す平面図である。
【図１３】図１３は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する他の開口部の例を示す側面図である。
【図１４】図１４は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。
【図１５−１】図１５−１は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１５−２】図１５−２は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１５−３】図１５−３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１５−４】図１５−４は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１５−５】図１５−５は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１５−６】図１５−６は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１５−７】図１５−７は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１６】図１６は、第２樹脂の樹脂成分の粘弾性特性を説明する説明図である。
【図１７】図１７は、電子部品を実装した基板を第１樹脂及び第２樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。
【図１８−１】図１８−１は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１８−２】図１８−２は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１８−３】図１８−３は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１９】図１９は、第２樹脂の樹脂成分の動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００２２】
（電子回路モジュール部品）
図１は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の断面図である。図２は、図１の矢印Ａ方向から本実施形態に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。図３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品が有する第１樹脂の概念図である。図４は、図３に示す第１樹脂を第２樹脂で覆う状態を説明するための概念図である。図１に示すように、電子回路モジュール部品１は、複数の電子部品２を基板３に実装して、一つあるいは複数の機能を持ったひとまとまりの機能を持つ電子部品としたものである。
【００２３】
電子部品２は、基板３の表面に実装されたり、基板３の内部に実装されたりする。本実施形態において、電子回路モジュール部品１を構成する電子部品２としては、例えば、コイル又はコンデンサ又は抵抗等の受動素子、及びダイオード又はトランジスタ等の能動素子がある。電子部品２は、これらに限定されるものではない。
【００２４】
図１に示すように、電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、基板３と、第１樹脂４と、第２樹脂９と、金属層５と、開口部５Ｈと、を含む。基板３は、電子部品２が実装されたものである。電子部品２は、はんだ６によって基板３の実装面（電子部品２が実装される面）に実装される。
【００２５】
基板３は、第１基板３Ａと第２基板３Ｂとの間にグランド８を含む。グランド８は、例えば、Ｃｕ等の電気の良導体であり、基板３の実装面に設けられた、電子部品２の端子と接続される端子と、ビアホール等によって電気的に接続される。また、実装面にグランド端子を有する場合、グランド８は、そのグランド端子と、ビアホール等によって電気的に接続される。
【００２６】
基板３は、前記実装面の反対側に、端子電極（モジュール端子電極）７を有する。モジュール端子電極７は、電子回路モジュール部品１が備える電子部品２と電気的に接続される。また、前記実装面の反対側にグランド端子を有する場合、そのグランド端子とグランド８とは電気的に接続される。また、基板３は、少なくとも表面に回路パターンを有しており、必要に応じて基板３の内部（例えば、第１基板３Ａと第２基板３Ｂとの間）にも回路パターンを含むようにしてもよい。
【００２７】
第１樹脂４は、電子部品２の少なくとも一部と接する。第１樹脂４及び第２樹脂９は、電気絶縁性を有する絶縁樹脂であり、電子部品２を基板３上に封止する機能を有する。第１樹脂４及び第２樹脂９は、例えば、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂であるが、これに限定されない）にフィラー（例えば、シリカやアルミナ）を添加して硬化させることにより、フィラー同士の隙間の一部に前記熱硬化性樹脂が配合されて空隙が形成される。
【００２８】
第１樹脂４は、第２樹脂９側の第１樹脂４の一部であって、かつ第２樹脂９の樹脂成分９Ｍを含む応力緩和層４２と、第２樹脂９の樹脂成分９Ｍを含まない多孔質層４１とを含む。図３に示すように、後述するように応力緩和層４２と多孔質層４１とは、もともと第１樹脂４として樹脂４Ｍに空隙４Ｈを有する状態で同様に形成される。そして、図４に示すように、第２樹脂９は、第１樹脂４の表面を覆い、応力緩和層４２の空隙４Ｈに第２樹脂９の樹脂成分９Ｍが入り込む。また、第２樹脂９は、第１樹脂４の多孔質層４１よりも空隙率が低い。また、応力緩和層４２は、空隙４Ｈに樹脂成分９Ｍが埋め込まれることにより、第１樹脂４の多孔質層４１よりも空隙率が低い。空隙率は、単位体積あたりに存在する空隙４Ｈの体積の割合（体積％）である。
【００２９】
第２樹脂９の空隙率を第１樹脂４の多孔質層４１よりも低くすることにより、第２樹脂９は第１樹脂４よりも強固になる。このような第２樹脂９によって、電子部品２を第１樹脂４とともに基板３へ封止して、電子回路モジュール部品１の十分な強度を確保する。第２樹脂９の空隙率は０体積％であってもよい。
【００３０】
応力緩和層４２は、空隙４Ｈに第２樹脂９の樹脂成分を受け入れている。応力緩和層４２は、第２樹脂９側の空隙４Ｈから第２樹脂９の樹脂成分が浸透していくため、応力緩和層４２の中に含まれる第２樹脂９の樹脂成分の単位体積にあたりに占める割合は、第２樹脂９側の方が多孔質層４１よりも多くなりやすい。このように、応力緩和層４２は、応力緩和層４２の中に含まれる第２樹脂９の樹脂成分の単位体積にあたりに占める割合を、第２樹脂９側から多孔質層４１側の方向に漸次減少させていくことにより、熱膨張差による応力差を緩和することができる。
【００３１】
金属層５は、第１樹脂４及び第２樹脂９を被覆し、かつ基板３のグランド８と電気的に接続される。本実施形態において、金属層５は導電材料（導電性を有する材料であり、本実施形態では金属）の薄膜である。本実施形態では、金属層５は単数の導電材料で構成されてもよいし、複数の導電材料の層で構成されてもよい。金属層５は、例えば、めっきによって形成される。
【００３２】
金属層５は、第１樹脂４及び第２樹脂９の表面を被覆することにより、第１樹脂４及び第２樹脂９に封入された電子部品２を、電子回路モジュール部品１の外部からの高周波ノイズや電磁波ノイズ等を遮蔽したり、電子部品２から放射される高周波ノイズや電磁波ノイズ等を遮蔽したりする。このように、金属層５は、電磁気シールドとして機能する。金属層５を電磁気シールドとして用いることにより、板金部材を電磁気シールドとした場合と比較して、電子回路モジュール部品１の外形をより小さくできる。
【００３３】
開口部５Ｈは、金属層５に設けられ、かつ第１樹脂４の一部を少なくとも金属層５の外部、すなわち、電子回路モジュール部品１の外部に対して露出させる。図１、図２に示すように、本実施形態において、開口部５Ｈは、第１樹脂４の一部及び第２樹脂９の一部を金属層５の外部に対して露出させる。後述するように、開口部５Ｈは、第１樹脂４の一部のみを金属層５の外部に対して露出させてもよい。
【００３４】
開口部５Ｈは、平面視が矩形の形状であり、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形である電子回路モジュール部品１の一辺の全体にわたって開口している。電子回路モジュール部品１の平面視とは、電子回路モジュール部品１の基板３の板面と直交する方向から電子回路モジュール部品１を見た場合をいう。なお、電子回路モジュール部品１の平面視の形状は四角形であればよく、長方形あるいは正方形に限定されるものではない。例えば、台形や菱形等であってもよい（以下同様）。また、開口部５Ｈの形状は矩形に限定されるものではない。
【００３５】
図２に示すように、金属層５の厚さをｔとし、開口部５Ｈが設けられる電子回路モジュール部品１の一辺の長さをＬ１とし、開口部５Ｈの長辺側の長さをＬ２とすると、Ｌ１＝Ｌ２＋２×ｔとなる。開口部５Ｈの高さ（基板３と直交する方向における開口部５Ｈの寸法）はｈであり、金属層５が電磁波を遮蔽する能力に応じて設定される。また、第１樹脂４の開口部５Ｈに露出する高さ（基板３と直交する方向における第１樹脂４の寸法）はＤである。多孔質層４１の開口部５Ｈに露出する高さ（基板３と直交する方向における多孔質層４１の寸法）はｄ１であり、応力緩和層４２の開口部５Ｈに露出する高さ（基板３と直交する方向における応力緩和層４２の寸法）はｄ２である。
【００３６】
以上説明したように、電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、基板３と、第１樹脂４と、第２樹脂９とを含む。基板３は、電子部品２が実装されたものである。第１樹脂４は、空隙４Ｈを有し、かつ電子部品２の少なくとも一部と接する。第２樹脂９は、第１樹脂４の表面を覆い、かつ第１樹脂４よりも空隙率が低い。第１樹脂４は、第２樹脂９側に設けられた、第２樹脂９の樹脂成分９Ｍを含む応力緩和層４２と、第２樹脂９の樹脂成分９Ｍを含まない多孔質層４１とを含む。
【００３７】
この電子回路モジュール部品１は、第１樹脂４及び第２樹脂９の間で生じる熱膨張差の応力を緩和することができる。このため、電子部品２の少なくとも一部と接する第１樹脂４の多孔質層４１が空隙４Ｈを有していても、多孔質層４１のクラックのおそれを低減することができる。
【００３８】
電子回路モジュール部品１は、第１樹脂４及び前記第２樹脂９を被覆し、かつ基板３のグランド８と電気的に接続された金属層５と、当該金属層５に設けられ、かつ多孔質層４１の一部を少なくとも金属層８の外部に対して露出させる開口部５Ｈと、を含む。開口部５Ｈの応力緩和層４２の最大値の厚みｄ２は、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。
【００３９】
電子回路モジュール部品１は、ｄ２が１０μｍ以上２００μｍ以下である場合、応力緩和層４２が第２樹脂９と多孔質層４１との間で密着することができる。このため、電子回路モジュール部品１は、第２樹脂９と多孔質層４１との間で生じる熱膨張差を緩和し、多孔質層４１のクラックを抑制することができる。また、電子回路モジュール部品１は、ｄ２が１０μｍ以上２００μｍ以下であるため、応力緩和層４２が厚くなりすぎて応力緩和層４２自体が多孔質層４１に対して応力を加えるおそれを抑制することができる。
【００４０】
電子回路モジュール部品１は、第１樹脂４の厚みＤから応力緩和層４２の最大値の厚みｄ２を減算した多孔質層の厚みｄ１が１０μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましい。
【００４１】
また、第２樹脂９の樹脂成分９Ｍを含む応力緩和層４２は、多孔質層４１に比較して、空隙率が低い。このため、多孔質層４１は、多孔質層の厚みｄ１を１０μｍ以上４００μｍ以下とすることで、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品１の内部で発生した水蒸気等の気体を応力緩和層４２よりも多く排出し、多孔質層４１のクラックを抑制することができる。その結果、応力緩和層４２及び多孔質層４１の両層があることにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品１の内部で発生した水蒸気等の気体を排出することができ、第２樹脂９と多孔質層４１との間で生じる熱膨張差の応力を緩和することができる。
【００４２】
図５は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の断面図である。図６は、図５の矢印Ａ方向から本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。電子回路モジュール部品１ａは、上述した電子回路モジュール部品１と略同様であるが、開口部５Ｈａは、第１樹脂４の一部のみを金属層５ａの外部に対して露出させる点が異なる。他の構成は電子回路モジュール部品１と同様である。
【００４３】
図５に示すように、電子回路モジュール部品１ａの開口部５Ｈａは、電子回路モジュール部品１ａの高さ方向において、第１樹脂４と一部が重なっている。このような構造により、開口部５Ｈａは、第１樹脂４の一部のみを金属層５ａの外部に対して露出させる。開口部５Ｈａの高さｈは、図２に示す電子回路モジュール部品１の開口部５Ｈよりも小さくしてある。このため、電子回路モジュール部品１ａは、金属層５ａが第１樹脂４及び第２樹脂９を覆う面積を、上述した電子回路モジュール部品１よりも大きくできる。すなわち、電子回路モジュール部品１ａは、開口部５Ｈａの大きさを、上述した電子回路モジュール部品１よりも小さくできる。その結果、電子回路モジュール部品１ａは、金属層５ａの遮蔽機能を向上させやすくなる。
【００４４】
図６は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を基板に取り付けた状態を示す側面図である。電子回路モジュール部品１、１ａは、電子回路モジュール部品１、１ａが取り付けられる基板（電子機器が備える基板であり、以下、実装基板という）１０の端子電極（実装基板端子電極）１１とはんだ６によって接合される。なお、電子回路モジュール部品１、１ａと実装基板端子電極１１とを接合する材料ははんだに限定されるものではない。例えば、導電性ペーストや導電性接着剤等を用いて電子回路モジュール部品１、１ａと実装基板端子電極１１とを接合してもよい。このような構造で、電子回路モジュール部品１、１ａは、実装基板１０に取り付けられる。そして、電子部品２と実装基板１０との間で電気信号や電力をやり取りする。
【００４５】
図７に示す実装基板１０は、電子回路モジュール部品１、１ａが実装される基板であり、例えば、電子機器（車載電子機器、携帯電子機器等）に搭載される。電子回路モジュール部品１、１ａは、電子機器の実装基板１０に実装されて（二次実装）、電子機器の機能を発揮させる部品の一つとなる。実装基板１０に電子回路モジュール部品１、１ａを実装する場合、例えば、実装基板端子電極１１にはんだ６を含むはんだペーストを印刷等により塗布し、実装装置を用いて電子回路モジュール部品１、１ａを実装基板１０に搭載する。そして、電子回路モジュール部品１、１ａが搭載された実装基板１０をリフロー炉に通炉して、モジュール端子電極７と実装基板端子電極１１とが接合される。これによって、電子回路モジュール部品１、１ａが実装基板１０に実装される。
【００４６】
電子回路モジュール部品１、１ａは、電子部品２を基板３に実装するときや電子回路モジュール部品１が保管されている期間や環境によって、第１樹脂４及び第２樹脂９（以下、必要に応じて絶縁樹脂という）の内部に水分が浸入することがある。例えば、基板３が樹脂基板の場合は、絶縁樹脂及び基板３の表面、及び絶縁樹脂と基板３との接触界面から水分が浸入するが、セラミックス等の無機材料を基板３に用いた場合は、主に絶縁樹脂、及び絶縁樹脂と基板３との接触界面から水分が浸入する。このため、電子回路モジュール部品１、１ａを実装基板１０に実装する際のリフローにより、電子回路モジュール部品１、１ａ内部に浸入した水分が蒸発して水蒸気（気体）が発生することがある。
【００４７】
電子回路モジュール部品１、１ａは、金属層５が絶縁樹脂の表面を被覆しているために、蒸発した水分が絶縁樹脂から抜けにくくなる。このため、電子回路モジュール部品１、１ａは、電子回路モジュール部品１、１ａの内部の圧力（以下、部品内圧という）が上昇する。その結果、絶縁樹脂に割れ等が発生したり、電子回路モジュール部品１、１ａに変形が生じたりするおそれがある。絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１、１ａが変形するおそれを抑制するために、本実施形態及びその変形例では、金属層５、５ａに開口部５Ｈ、５Ｈａを設けて、リフロー時の加熱によって蒸発し、膨張した水分（水蒸気であり気体）を、電子回路モジュール部品１、１ａから抜けやすくして、電子回路モジュール部品１、１ａの内圧の上昇を抑制する。
【００４８】
図８は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を、基板と平行な面で切った状態を示す平面図である。図９は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品の斜視図である。電子回路モジュール部品１、１ａは、複数の電子部品２を有している。第１樹脂４は、複数の電子部品２の少なくとも一部と接している。本実施形態及びその変形例では、図１、図５に示すように、第１樹脂４がすべての電子部品２を覆っており、すべての電子部品２の頂部の全体に第１樹脂４が接している。さらに、図１、図５、図８に示すように、第１樹脂４は、すべての電子部品２の側部全体に接している。このような構成のため、電子回路モジュール部品１、１ａは、第１樹脂４が電子部品２の基板対向面を除いた表面と接し、かつ、第１樹脂４がすべての電子部品２と接している。第１樹脂４は、少なくとも一部が開口部５Ｈ、５Ｈａの位置で金属層５、５ａの外部に露出している。このため、すべての電子部品２の少なくとも一部は、第１樹脂４を介して開口部５Ｈ、５Ｈａとつながっている。
【００４９】
第１樹脂４は、多孔質層４１に空隙を有しているため、気体が通過しやすい。このため、上述した構造を採用することにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品１、１ａの内部で発生した水蒸気等の気体Ｖは、図３に示す空隙４Ｈを通って開口部５Ｈ、５Ｈａから電子回路モジュール部品１、１ａの外部へ速やかに放出される。その結果、電子回路モジュール部品１、１ａが金属層５を有している場合でも、リフロー時における部品内圧の上昇が抑制されるので、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１、１ａが変形するおそれを効果的に抑制できる。このように、本実施形態及びその変形例によれば、電子回路モジュール部品１、１ａの不良の発生を抑制できる。また、本実施形態及びその変形例によれば、電子回路モジュール部品１、１ａの不具合の発生を効果的に抑制して品質を維持できるので、電子回路モジュール部品１、１ａの機能を十分に発揮させることができる。
【００５０】
電子回路モジュール部品１、１ａの開口部５Ｈ、５Ｈａは、平面視が長方形又は正方形である電子回路モジュール部品１、１ａの一辺の全体にわたって開口している。このため、電子回路モジュール部品１、１ａの内部の気体Ｖは、電子回路モジュール部品１、１ａの一辺全域から電子回路モジュール部品１、１ａの外部へ放出される。その結果、開口部５Ｈ、５Ｈａは、電子回路モジュール部品１、１ａで発生した気体を効率的に外部へ放出させることができるので、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１、１ａの変形のおそれを確実に回避できる。
【００５１】
開口部５Ｈ、５Ｈａの高さｈが小さくなると、金属層５、５ａによる電磁波ノイズの遮蔽機能の低下は大きくなる。電子回路モジュール部品１、１ａの一辺の全体にわたって開口部５Ｈ、５Ｈａを設けることにより、開口部５Ｈ、５Ｈａの高さｈの増加を抑制しつつ、開口部５Ｈ、５Ｈａの面積を確保することができる。したがって、開口部５Ｈ、５Ｈａを電子回路モジュール部品１、１ａの一辺の全体にわたって設けるようにすれば、開口部５Ｈ、５Ｈａの高さｈを抑制できるので、電磁波の遮蔽機能を確保しつつ、開口部５Ｈ、５Ｈａは効率的に気体を放出することができる。
【００５２】
第１樹脂４の多孔質層４１は空隙を有しているため、第２樹脂９と比較して強度がやや低くなる。図２に示す開口部５Ｈのように、第１樹脂４の一部と第２樹脂９の一部との両方を金属層５の外部に露出させる場合、後述するように、電子回路モジュール部品１、１ａの製造工程において有利である。また、第１樹脂４の厚さ（基板３と直交する方向の寸法）は第２樹脂９の厚さよりも小さいので、図５に示す開口部５Ｈａのように、第１樹脂４の一部のみを金属層５ａの外部に露出させると、開口部５Ｈａの高さｈが小さくなる。その結果、金属層５ａは電磁波をより効果的に遮蔽できる。また、開口部５Ｈ、５Ｈａの長辺側の長さが同じであれば、第１樹脂４から浸入する水分の量も抑制できる。
【００５３】
第１樹脂４の多孔質層４１が有する空隙４Ｈは、例えば、第１樹脂４の基材となる樹脂にフィラーを添加して硬化させることにより、フィラー同士の隙間に樹脂が配合されて形成される。空隙率が５体積％を下回ると、電子回路モジュール部品１、１ａ内で発生した気体が第１樹脂４内を移動する速度が低下するため、部品内圧の上昇を効率よく抑制できなくなるおそれがある。また、多孔質層４１の空隙率が５０体積％を上回ると、多孔質層４１の強度が低下し、割れ等を生じやすくなるおそれがある。したがって、多孔質層４１の空隙率は５体積％以上３０体積％以下がより好ましい。このようにすれば、第１樹脂４の強度を確保しつつ、二次実装における部品内圧の上昇を確実に抑制できる。
【００５４】
なお、空隙率は、以下のようにして算出される。本実施形態及びその変形例においては、完成した電子回路モジュール部品１、１ａを適切な位置で切断して、切断面をイオンミリングすることで樹脂ダレのない切断面を作製する。そして、前記切断面の任意の３箇所を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、倍率は３０００倍）で写真撮影によって得られた画像は、空隙４Ｈのみが黒くなるように二値化処理され、得られた画像から、空隙の体積比として空隙率が算出される。本実施形態及びその変形例においては、前記写真撮影によって得られた画像の全面積に占める空隙の面積の割合を空隙の体積比とみなしている。
【００５５】
上述したように応力緩和層４２は、空隙４Ｈに樹脂成分９Ｍが埋め込まれることにより、第１樹脂４の多孔質層４１よりも空隙率が低い。応力緩和層４２の空隙率が１体積％よりも小さくなると、応力緩和層４２の熱膨張係数が第２樹脂２の熱膨張係数に対して差が小さくなり、応力低減効果が低減されてしまう。したがって、応力緩和層４２の空隙率は、１体積％以上５体積％より小さいことがさらに好ましい。
【００５６】
本実施形態に係る電子回路モジュール部品１、１ａは、多孔質層４１の空隙率を５体積％以上３０体積％以下とし、応力緩和層４２の空隙率を１体積％以上５体積％より小さいようにしている。そして、応力緩和層４２は、空隙４Ｈに樹脂成分９Ｍが埋め込まれることにより、応力緩和層４２の空隙率を調整している。応力緩和層４２の空隙率を調整する別の形成方法として、本実施形態に係る電子回路モジュール部品１、１ａは、多孔質層４１の空隙率を５体積％以上３０体積％以下であるように多孔質層４１を形成し、次に応力緩和層４２の空隙率を１体積％以上５体積％より小さくして応力緩和層４２が多孔質層４１を被覆するようにしてもよい。
【００５７】
図１０は、第１樹脂と電子部品との関係を示す図である。図１、図５に示すように、上述した電子回路モジュール部品１、１ａは、第１樹脂４が電子部品２の頂部を覆っていたが、図１０に示すように、第１樹脂４が電子部品２の頂部２Ｔを覆わないようにしてもよい。この場合、第１樹脂４が電子部品２の側部２Ｓの少なくとも一部に接するようにして、電子部品２の近傍から発生する気体の通路を確保する。このようにすると、電子部品２の頂部２Ｔには第２樹脂９が接することになり、頂部２Ｔと第２樹脂９との間に第１樹脂４は介在しない。その結果、電子部品２の頂部２Ｔの表面に第１樹脂４が存在しなくなる分、電子回路モジュール部品１、１ａの高さを低減できるので、電子回路モジュール部品１、１ａの低背化に有利である。第１樹脂４が電子部品２の頂部２Ｔを覆わないようにするためには、第１樹脂４で電子部品２を覆った後、吸収ローラー等を頂部２Ｔの上で転動させることによって、第１樹脂４を吸収ローラー等で除去する。
【００５８】
図１１、図１２は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する開口部の配置例を示す平面図である。図８において、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形の電子回路モジュール部品１、１ａは、四辺のうちの一辺に開口部５Ｈ、５Ｈａを有していた。図１１に示すように、電子回路モジュール部品１、１ａは、四辺のうち二辺それぞれに開口部５Ｈ１、５Ｈ２を有し、残りの二辺に金属層５、５ａを有していてもよい。開口部５Ｈ１、５Ｈ２はそれぞれ対向して配置される。また、図１２に示す電子回路モジュール部品１、１ａのように、四辺のうち三辺に開口部５Ｈ１、５Ｈ２、５Ｈ３を有し、残りの一辺に金属層５、５ａを有していてもよい。開口部５Ｈ１、５Ｈ２はそれぞれ対向して配置され、開口部５Ｈ３は金属層５、５ａと対向して配置される。開口部５Ｈ１、５Ｈ２、５Ｈ３は、図２に示すように、第１樹脂４の一部と第２樹脂９の一部との両方を金属層５、５ａの外部に露出させていてもよいし、図６に示すように、第１樹脂４の一部のみを金属層５、５ａの外部に露出させていてもよい。
【００５９】
このように、本実施形態及びその変形例において、電子回路モジュール部品１、１ａが有する開口部の数は１個に限定されるものではない。開口部の数が多くなれば、電子回路モジュール部品１、１ａに内蔵された複数の電子部品２と開口部との距離差を小さくできるので、より効率的に電子回路モジュール部品１、１ａで発生した気体を外部へ放出させることができる。その結果、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１、１ａの変形のおそれをさらに確実に回避できる。なお、開口部を増加させると、金属層５、５ａの電磁波の遮蔽機能に影響を与えることもあるので、気体の抜けと前記遮蔽機能とのバランスで開口部の数や面積を設定することが好ましい。
【００６０】
なお、電子回路モジュール部品１、１ａは、一辺のみに開口部５Ｈ、５Ｈａを有することが最も好ましい。このようにすれば、二次実装におけるリフロー時には部品内圧を確実に低下させて絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１、１ａの膨れを確実に抑制でき、さらに、金属層５、５ａに電磁波の遮蔽機能を確実に発揮させることができる。しかし、電子回路モジュール部品１、１ａが、二辺又は三辺に開口部５Ｈ、５Ｈａを有することを排除するものではない。例えば、湿度の高い場所で電子回路モジュール部品１、１ａを二次実装する場合、電子回路モジュール部品１、１ａは内部に多くの水分が浸入していると考えられる。このような場合、電子回路モジュール部品１、１ａは、二辺又は三辺に開口部５Ｈ、５Ｈａを有するようにすることで、開口部５Ｈ、５Ｈａは、二次実装におけるリフロー時には気体を効率的に放出できる。その結果、電子回路モジュール部品１、１ａの内部に多くの水分が浸入しているような場合でも、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１、１ａの膨れを確実に抑制できる。
【００６１】
図１３は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する他の開口部の例を示す側面図である。この電子回路モジュール部品１ｂが有する開口部５Ｈｂは、平面視が矩形の形状であり、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形である電子回路モジュール部品１ｂの一辺の一部に開口している。金属層５ｂの厚さをｔとし、開口部５Ｈｂが設けられる電子回路モジュール部品１ｂの一辺の長さをＬ１とし、開口部５Ｈｂの長辺側の長さをＬ２とすると、Ｌ１＞Ｌ２＋２×ｔとなる。この構造により、金属層５ｂの電磁波の遮蔽機能をより有効に発揮させることができる。
【００６２】
開口部５Ｈｂは、図２に示すように、第１樹脂４の一部と第２樹脂９の一部との両方を金属層５ｂの外部に露出させていてもよいし、図１３に示すように、第１樹脂４の一部のみを金属層５ｂの外部に露出させていてもよい。また、開口部５Ｈｂは、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形である電子回路モジュール部品１ｂの他の辺に設けられていてもよいし、同じ辺に複数設けられていてもよい。なお、開口部５Ｈｂの形状は矩形に限定されるものではない。開口部５Ｈｂは、例えば、金属層５ｂの開口部５Ｈｂを設けない部分をレジスト等でマスクして、開口部５Ｈｂを設ける部分をエッチングすることにより形成される。次に、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を説明する。
【００６３】
（電子回路モジュール部品の製造方法）
図１４は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。図１５−１〜図１５−７は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。図１６は、第２樹脂の樹脂成分の動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係を示す説明図である。図１７は、電子部品を実装した基板を第１樹脂及び第２樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。まず、図１、図２に示す電子回路モジュール部品１を製造する例を説明する。ステップＳ１において、図１５−１に示す基板３に電子部品２を実装する（実装工程）。基板３の内部には、グランド８が設けられる。電子部品２を実装した状態の基板３を、モジュール素体１Ａという。
【００６４】
モジュール素体１Ａは、例えば、次のような手順で作製される。
（１）基板３の実装面に設けられた端子にはんだ６を含むはんだペーストを印刷する。
（２）実装装置（マウンタ）を用いて電子部品２を基板３に搭載する。
（３）電子部品２が搭載された基板３をリフロー炉に入れて前記はんだペーストを加熱することにより、前記はんだペーストのはんだ６が溶融し、その後硬化することにより電子部品２の端子と基板３の端子電極とが接合される。
（４）電子部品２や基板３の表面に付着したフラックスを洗浄する。
【００６５】
モジュール素体１Ａが完成したら、ステップＳ２へ進み、図１５−２に示すように、電子部品２が実装された基板３上、すなわち、モジュール素体１Ａの電子部品２の少なくとも一部と接するように、基板３に第１樹脂４が設けられる。この例では、第１樹脂４で電子部品２及び基板３を覆う。第１樹脂４は、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂であるが、これに限定されない）にフィラー（例えば、シリカやアルミナ）を添加し、これを硬化させたものである。第１樹脂４は、例えば、熱硬化性樹脂の溶液にフィラーを添加して作製した第１樹脂４の溶液を、ディップ法、ノズルコート法、カーテンコート法やスピンコート法等によってモジュール素体１Ａの表面に塗布し（塗布工程）、熱硬化させる。このようにすることで、フィラー同士の隙間の一部に樹脂が配合されて空隙４Ｈが形成された第１樹脂４で電子部品２及び基板３が被覆される。
【００６６】
第１樹脂４に含まれるフィラーは、球形状に近いものが好ましい。このようなフィラーを用いれば、第１樹脂４に含まれる空隙４Ｈの寸法、及び形状、及び分布を制御しやすいからである。しかし、フィラーの形状は、このようなものに限定されるものではない。第１樹脂４に含まれるフィラーは、平均直径（Ｄ５０）を１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましく、２μｍ以上５μｍ以下とすることがより好ましい。また、全フィラーの粒度分布は、Ｄ５０／（Ｄ９０−Ｄ１０）を０．２以上とすることが好ましい。このようにすれば、第１樹脂４内におけるフィラーや空隙４Ｈが均等に分散しやすくなる。なお、平均直径（Ｄ５０）は複数のフィラーの直径を測定した場合において、積算値５０％の直径であり（メジアン径）、Ｄ９０は積算値９０％の直径でありＤ１０は積算値１０％の直径である。フィラーの粒度分布は、粒度分布計で測定した数平均値（メジアン径）Ｄ５０と累積度数粒径の１０％に該当するＤ１０と９０％に該当するＤ９０とから規定した。
【００６７】
フィラーの種類は、電子回路モジュール部品１が有する電子部品２や回路の電気的特性に影響を及ぼさないものであれば特に限定されるものではないが、第１樹脂４となる熱硬化性樹脂に対して分散性がよいものであることが好ましい。例えば、平均直径が１μｍより小さいフィラーを使用すると、空隙の大きさが減少したり空隙へのフィラーの充填率が上昇したりすることにより、空隙率が小さくなる結果、部品内圧を抑制する作用が低減する。また平均直径が５μｍより大きいフィラーを使用すると、モジュール素体１Ａの表面に塗布する際の膜厚が厚くなり、電子回路モジュール１、１ａの外形高さを大きくしなければならないおそれがある。さらに、平均直径が１０μｍより大きいフィラーを使用すると、形成された第１樹脂４の強度が低下し、クラックが発生しやすくなるおそれがある。
【００６８】
第２樹脂９に含まれるフィラーは、小さい平均直径（Ｄ５０）と大きい平均直径（Ｄ５０）とを組み合わせてもよい。大きいフィラーの平均直径（Ｄ５０）は、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。また、小さいフィラーの平均直径（Ｄ５０）は、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。また、全フィラーの粒度分布は、Ｄ５０／（Ｄ９０−Ｄ１０）を０．２以下とすることが好ましい。このように、平均直径の異なるフィラーを混合することによって、フィラー同士のパッキング状態の調整が可能になる。そして、適切な樹脂配合により、所望の空隙直径、空隙分布を実現しやすくなる。平均直径の異なるフィラーを用いる場合、すべて同じ種類のフィラーを用いてもよく、異なる種類（組成）のフィラーを用いてもよく、特に限定されるものではない。なお、第２樹脂９に含まれる全フィラーの粒度分布（Ｄ５０／（Ｄ９０−Ｄ１０））は、第１樹脂４に含まれる全フィラーの粒度分布（Ｄ５０／（Ｄ９０−Ｄ１０））よりも小さくすることが好ましい。これにより、第２樹脂９がフィラーを含む場合、第２樹脂９の空隙率は、第１樹脂４の空隙率よりも低くすることができる。
【００６９】
ステップＳ２においては、モジュール素体１Ａの表面に第１樹脂４の溶液が塗布されたら、所定の時間加熱して熱硬化性樹脂が硬化される。これによって、モジュール素体１Ａの表面に第１樹脂４が設けられ、電子部品２の少なくとも一部と第１樹脂４とが接する。次に、ステップＳ２が終了したらステップＳ３に進み、図１５−３に示すように、第１樹脂４が第２樹脂９で覆われる。第２樹脂９は、例えば、エポキシ樹脂である。
【００７０】
本実施形態では、エポキシ樹脂のシート状材料を第１樹脂４の表面に載置する（被覆工程）。ステップＳ３が終了したらステップＳ４に進み、第２樹脂９を熱プレスすることにより、図１５−４に示すように、第２樹脂９を硬化させる（硬化工程）。このような方法で、第２樹脂９で第１樹脂４の表面を封止する。
【００７１】
ここで、第２樹脂９の樹脂成分は、図１６に示すように、硬化温度における動的せん断粘度が異なる。また、図１６に示すように、樹脂成分が異なる樹脂例１及び樹脂例２は、硬化温度にたいする動的せん断粘度の特性挙動が異なる。動的せん断粘度の特性挙動において、最低値が最低動的せん断粘度である。図１６において、樹脂例１の最低動的せん断粘度は、１２０００Ｐａ・ｓである。また、図１６において、樹脂例２の最低動的せん断粘度は、１０００Ｐａ・ｓである。なお、動的せん断粘度は、ＪＩＳ規格Ｋ７２４４−１０にしたがって測定する値である。
【００７２】
硬化工程（ステップＳ４）において、熱プレスの加熱及び圧力は、第２樹脂９の樹脂成分を第１樹脂４の空隙４Ｈへ浸透させることができる。そして、第２樹脂９の樹脂成分は、硬化温度における動的せん断粘度に応じて、第１樹脂４の空隙４Ｈへ浸透する距離が変化する。つまり、硬化温度における動的せん断粘度に応じて、応力緩和層４２の厚みが変化する。後述する評価例のように、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、硬化工程の加熱温度において、第２樹脂９の樹脂成分９Ｍの最低動的せん断粘度が３５０Ｐａ・ｓ以上４００００Ｐａ・ｓ以下となるようにする。これにより、硬化工程（ステップＳ４）では、上述した開口部５Ｈの応力緩和層４２の最大値の厚みを１０μｍ以上２００μｍ以下にすることができる。その結果、電子部品２は、第１樹脂４を介して第２樹脂９によって封止され、第１樹脂４は、第２樹脂９の樹脂成分を含む応力緩和層４２と、第２樹脂９の樹脂成分を含まない多孔質層４１となる。この状態の基板３を、封止体１Ｂという。
【００７３】
次に、ステップＳ５に進み、図１５−５に示すように、封止体１Ｂの基板３が、電子回路モジュール部品１の単位（以下、モジュール部品単位という）Ｕで、途中まで切断される（ハーフダイシング）。この場合、切断ラインＣ１の位置は、基板３の途中まで切断され、切断ラインＣ２の位置は、第２樹脂９の途中まで切断される。切断ラインＣ２の位置は、図１、図２に示す開口部５Ｈが設けられる部分である。すなわち、ステップＳ５においては、一つの電子回路モジュール部品１となる部分の周りの少なくとも一部を基板３の途中まで切断し、残りの部分を前記第２樹脂９の層の途中まで切断する。ハーフダイシングにおいて第２樹脂９の途中までしか切断されないので、第１樹脂４は切断されない。第１樹脂４の強度は第２樹脂９よりも低いので、ハーフダイシングにおいて第１樹脂４を切断しないことにより、第２樹脂９で第１樹脂４を保護することができる。その結果、第１樹脂４を無用に削ってしまうことを回避して、開口部５Ｈを確実に設けることができる。
【００７４】
また、ハーフダイシングによって切断ラインＣ１の位置には第１樹脂４の一部が現れるが、第１樹脂４の空隙４Ｈによって表面積が増加するために金属層５と第１樹脂４との密着性が向上する。その結果、金属層５を形成する際には、第１樹脂４が現れた部分に形成される金属層５の保形効果が高くなるという利点もある。モジュール部品単位Ｕは、図１５−５、図１７に示す切断ラインＣ１、Ｃ２で区画される領域である。
【００７５】
電子回路モジュール部品１が有する開口部５Ｈの高さｈ（図２参照）について説明する。開口部５Ｈの高さｈが小さすぎると、ステップＳ５において第１樹脂４を削ってしまうおそれがあり、開口部５Ｈの高さｈが大きすぎると、開口部５Ｈが大きくなりすぎて、金属層５の電磁波の遮蔽機能に影響を与えるおそれがある。かかる観点から、開口部５Ｈの高さｈは、第１樹脂４の厚さよりも大きく、第１樹脂４の厚さの１倍以上５倍以下が好ましい。より好ましくは、開口部５Ｈの高さｈは、第１樹脂４の厚さの２倍以上３倍以下である。開口部５Ｈの高さｈがこの範囲であれば、ステップＳ５において第１樹脂４を削ることを回避して開口部５Ｈを確実に設けることができるので、二次実装におけるリフロー時には部品内圧を確実に低下させることができる。また、開口部５Ｈの高さｈが前記範囲であれば、開口部５Ｈを適切な大きさとして、金属層５は電磁波の遮蔽機能を十分に発揮できる。
【００７６】
ステップＳ５が終了したら、ステップＳ６に進む。ステップＳ６において、図１５−６に示すように、ハーフダイシング後の封止体１Ｂの表面に金属層５が形成される。金属層５が形成された状態を、モジュール集合体１Ｃという。金属層５は、例えば、無電解めっきでＣｕの第１層を形成した後、電解めっきでＣｕの第２層を形成し、さらに防錆層としてＮｉの層を電解めっきで形成することにより得られる。図１５−５に示すように、金属層５が形成される前は、基板３の側面３Ｓにグランド８が露出している。したがって、ステップＳ６で金属層５が形成されると、図１５−６に示すように、金属層５とグランド８とが電気的に接続される。グランド８は、基板３の側面３Ｓにおいて、図１７に示す、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形のモジュール部品単位Ｕの少なくとも一辺（この例では三辺）全体に露出する。このため、金属層５とグランド８との接続面積が大きくなり、両者の導通が確実に得られる。
【００７７】
金属層５が形成されたら、ステップＳ７へ進み、モジュール集合体１Ｃは、モジュール部品単位Ｕで基板３まで完全に切断される。すなわち、切断ラインＣ１、Ｃ２で、基板３を切断する。その結果、図１５−７に示す電子回路モジュール部品１が得られる。電子回路モジュール部品１は、ステップＳ８で検査されて、検査に合格したものが製品となる。上述した手順が、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の手順である。これらの手順によって、図１５−７に示すような、電子部品２の少なくとも一部が第１樹脂４に接し、かつ第１樹脂４及び第２樹脂９が金属層５で被覆され、さらに開口部５Ｈに第１樹脂４の一部及び第２樹脂９の一部が露出した電子回路モジュール部品１を製造できる。
【００７８】
図１８−１〜図１８−３は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。本変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、図５、図６に示す電子回路モジュール部品１ａを製造する際に用いられる。ステップＳ１〜ステップＳ３までは、上述した、電子回路モジュール部品１を製造する方法と同様である。ステップＳ５において、図１８−１に示すように、封止体１Ｂの基板３は、電子回路モジュール部品１ａの単位（以下、モジュール部品単位という）Ｕで、途中まで切断される（ハーフダイシング）。この場合、切断ラインＣ１の位置は、基板３の途中まで切断され、切断ラインＣ２の位置は、第１樹脂４の途中まで切断される。切断ラインＣ２の位置は、図５、図６に示す開口部５Ｈａが設けられる位置である。すなわち、ステップＳ５においては、一つの電子回路モジュール部品１ａとなる部分の周りの少なくとも一部を基板３の途中まで切断し、残りの部分を前記第１樹脂４の層の途中まで切断する。ハーフダイシングにおいて第１樹脂４を切断する量を調整することにより、開口部５Ｈａの高さｈが調整される。より基板３に近い部分まで第１樹脂４を切削すれば、開口部５Ｈａの高さｈを小さくできるので、金属層５ａによる電磁波の遮蔽機能の低下を最小限に抑えることができる。
【００７９】
電子回路モジュール部品１ａが有する開口部５Ｈａの高さｈ（図６参照）について説明する。開口部５Ｈａの高さｈが小さすぎると、ステップＳ５において基板３まで削ってしまい、開口部５Ｈａを金属層５ａに設けることができなくなるおそれがある。また、開口部５Ｈａの高さｈが大きすぎると、開口部５Ｈａからは第２樹脂９の一部も露出してしまうおそれがある。かかる観点から、開口部５Ｈａの高さｈは、第１樹脂４の厚さよりも小さく、第１樹脂４の厚さの０．１倍以上０．９倍以下が好ましい。より好ましくは、開口部５Ｈａの高さｈは、第１樹脂４の厚さの０．３倍以上０．８倍以下である。開口部５Ｈａの高さｈがこの範囲であれば、ステップＳ５において基板３を削ることを回避して開口部５Ｈａを確実に設けることができるので、二次実装におけるリフロー時には部品内圧を確実に低下させることができる。また、開口部５Ｈａの高さｈが前記範囲であれば、開口部５Ｈａからは第１樹脂４の一部のみを露出させ、金属層５ａに電磁波の遮蔽機能を十分に発揮させることができる。
【００８０】
ステップＳ５が終了したら、ステップＳ６に進む。ステップＳ６において、図１８−２に示すように、ハーフダイシング後の封止体１Ｂの表面に金属層５ａを形成し、モジュール集合体１Ｃを作製する。金属層５ａを形成する方法は上述した通りである。金属層５ａが形成されたら、ステップＳ７へ進み、モジュール集合体１Ｃを、モジュール部品単位Ｕで基板３まで完全に切断する。その結果、図１８−３に示す電子回路モジュール部品１ａが得られる。電子回路モジュール部品１ａは、ステップＳ８で検査されて、検査に合格したものが製品となる。上述した手順が、本変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の手順である。これらの手順によって、図１８−２に示すような、電子部品２の少なくとも一部が第１樹脂４に接し、かつ第１樹脂４及び第２樹脂９が金属層５で被覆され、さらに開口部５Ｈａに第１樹脂４の一部のみが露出した電子回路モジュール部品１ａを製造できる。
【００８１】
以上説明したように、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、最低動的せん断粘度となるような第２樹脂９の樹脂成分９Ｍとすれば、所定の応力緩和層の厚みｄ２とすることができる。このため、所定の応力緩和層の厚みｄ２を有する電子回路モジュール部品１は、応力緩和層４２が第２樹脂９と多孔質層４１との間で密着することで、第２樹脂９と多孔質層４１との間で生じる熱膨張差を緩和し、多孔質層４１のクラックを抑制することができる。また、所定の応力緩和層の厚みｄ２を有する電子回路モジュール部品１は、応力緩和層４２が厚くなりすぎて応力緩和層４２自体が多孔質層４１に対して応力を加えるおそれを抑制することができる。
【００８２】
（評価例）
上述した本実施形態１に係る電子回路モジュール部品１の評価例１から評価例１２を製造した。使用した基板３の大きさは、１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×０．３ｍｍである。評価例１から評価例１２は、いずれも第１樹脂４に含まれるフィラーの平均直径（Ｄ５０）を３μｍ、フィラーの粒度分布を０．６とした。多孔質層４１の空隙率は２５体積％である。第２樹脂は、図１６に示す動的せん断粘度の挙動を示す樹脂例１を用いた。評価例１から評価例１２は、開口部５Ｈにおける第１樹脂層の厚みを１０μｍ以上５００μｍ以下とした。
【００８３】
以下、「応力緩和層の厚み」とは、開口部５Ｈにおける応力緩和層４２の最大値の厚みをいい、「多孔質層の厚み」とは開口部５Ｈにおける多孔質層４１の最大値の厚みを測定した延長線上の多孔質の厚み、つまり第１樹脂４の厚みから応力緩和層４２の最大値の厚みを減算した厚みをいう。評価例１は、応力緩和層の厚みを５μｍ、多孔質層の厚みを５μｍとした。評価例２は、応力緩和層の厚みを１０μｍ、多孔質層の厚みを０μｍとした。つまり、評価例２は、第１樹脂層がすべて応力緩和層となってしまっている。
【００８４】
同様に、評価例３は、応力緩和層の厚みを７μｍ、多孔質層の厚みを１３μｍとした。評価例４は、応力緩和層の厚みを１０μｍ、多孔質層の厚みを１０μｍとした。評価例５は、応力緩和層の厚みを２０μｍ、多孔質層の厚みを１０μｍとした。評価例６は、応力緩和層の厚みを２０μｍ、多孔質層の厚みを１３０μｍとした。評価例７は、応力緩和層の厚みを２０μｍ、多孔質層の厚みを３００μｍとした。評価例８は、応力緩和層の厚みを２０μｍ、多孔質層の厚みを４００μｍとした。評価例９は、応力緩和層の厚みを２０μｍ、多孔質層の厚みを４３０μｍとした。評価例１０は、応力緩和層の厚みを２００μｍ、多孔質層の厚みを２５０μｍとした。評価例１１は、応力緩和層の厚みを２５０μｍ、多孔質層の厚みを２００μｍとした。評価例１２は、応力緩和層の厚みを２０μｍ、多孔質層の厚みを４８０μｍとした。
【００８５】
吸水リフロー試験は、吸湿させた半導体パッケージを上述した電子部品２として基板３に実装した電子回路モジュール部品１の評価例１から評価例１２を製造し、これらの評価例１から評価例１２が搭載された実装基板１０をリフロー炉に通炉して、多孔質層のクラックの有無と、電気的導通を確認してはんだ異常を確認する試験である。
【００８６】
熱衝撃試験は、恒温内に評価例１から評価例１２を格納し、評価例１から評価例１２に対して−５５℃を３０分の低温状態と、１２５℃を３０分の高温状態とを交互に１０００サイクル繰り返し、多孔質層のクラックの有無を確認する試験である。
【００８７】
個品切断処理試験は、上述したステップＳ５におけるハーフダイシングを評価例１から評価例１２に対して行い多孔質層のクラックの有無を確認する試験である。
【００８８】
評価例１から評価例１２は、吸水リフロー試験、熱衝撃試験、個品切断処理試験を行い評価し、評価結果を表１に示した。
【００８９】
【表１】
2013138092.tif 000003
【００９０】
表１に示すように、評価例１は、吸水リフロー試験及び熱衝撃試験において多孔質層のクラックが確認された。評価例２は、吸水リフロー試験において多孔質層のクラックが確認された。また、評価例１及び評価例２の評価結果によれば、吸水リフロー試験において多孔質層のクラックが確認される場合、はんだ異常が生じるおそれがあることが分かる。評価例３から評価例１２は、吸水リフロー試験において多孔質層のクラックが確認されなかった。評価例３及び評価例１１は、熱衝撃試験において多孔質層のクラックが確認された。
【００９１】
以上の評価結果から、熱衝撃試験において応力緩和層の厚みが１０μｍよりも薄い場合、多孔質層のクラックが生じるおそれがあることが分かる。これは、応力緩和層の厚みが薄い場合、応力緩和層が第２樹脂と多孔質層との間で密着する力が弱く、熱膨張差の応力を緩和できないおそれがあると考えられる。また、熱衝撃試験において応力緩和層の厚みが２００μｍよりも厚い場合、多孔質層のクラックが生じるおそれがあることが分かる。これは、応力緩和層と多孔質層との間にも熱膨張係数の違いがあるため、応力緩和層の厚みが厚い場合、応力緩和層自体が多孔質層に対して応力を加えるおそれがあるためと考えられる。
【００９２】
また、評価例２は、応力緩和層の厚みが１０μｍあり、熱衝撃試験による熱衝撃の応力を緩和することができた。しかしながら、第２樹脂の樹脂成分を含む応力緩和層は、多孔質層に比較して、空隙率が低い。このため、応力緩和層は、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を多孔質層に比較して排出することができず、吸水リフロー試験において多孔質層のクラックが生じたと考えられる。つまり、応力緩和層及び多孔質層の両層があることにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を排出することができ、熱膨張係数差の応力を緩和することができる。また、吸水リフロー試験において評価例１から評価例５の評価結果によれば、多孔質層の厚みは、１０μｍ以上あることが好ましい。
【００９３】
また、表１によれば、評価例９及び評価例１２は、個品切断処理試験において多孔質層のクラックが確認された。多孔質層の厚みは、４００μｍを超えるとダイシング時の負荷により多孔質層のクラックが生じるおそれがあると考えられる。
【００９４】
次に、上述した本実施形態１に係る電子回路モジュール部品１の第１樹脂層の厚みを４００μｍ、第２樹脂層の厚みを７００μｍとした追加評価例を作成した。図１６に示す動的せん断粘度の異なる第２樹脂の樹脂成分を複数用意し、動的せん断粘度の最低値である最低動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係を評価した。評価結果を図１９及び表２に示す。図１９は、第２樹脂の樹脂成分の最低動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係を示す説明図である。
【００９５】
【表２】
2013138092.tif 000004
【００９６】
図１９及び表２に示すように、追加評価例は最低動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係に相関があることを示している。上述した評価例１から評価例１２によれば、開口部５Ｈにおける応力緩和層４２の最大値の厚みは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。このような応力緩和層とするには、上述した硬化工程（ステップＳ４）の加熱温度において、第２樹脂の樹脂成分の最低動的せん断粘度が３５０Ｐａ・ｓ以上４００００Ｐａ・ｓ以下となるようにする。つまり、電子回路モジュール部品の製造方法は、最低動的せん断粘度となるような第２樹脂の樹脂成分とすれば、所定の応力緩和層の厚みとすることができる。
【符号の説明】
【００９７】
１、１ａ、１ｂ  電子回路モジュール部品
１Ａ  モジュール素体
１Ｂ  封止体
１Ｃ  モジュール集合体
２  電子部品
２Ｓ  側部
２Ｔ  頂部
３  基板
３Ｓ  側面
４  第１樹脂
４Ｈ  空隙
４Ｍ  樹脂
５、５ａ、５ｂ  金属層
５Ｈ、５Ｈ１、５Ｈ２、５Ｈ３、５Ｈａ、５Ｈｂ  開口部
８  グランド
９  第２樹脂
４１  多孔質層
４２  応力緩和層
【図１】
2013138092.tif 000005
【図２】
2013138092.tif 000006
【図３】
2013138092.tif 000007
【図４】
2013138092.tif 000008
【図５】
2013138092.tif 000009
【図６】
2013138092.tif 000010
【図７】
2013138092.tif 000011
【図８】
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【図９】
2013138092.tif 000013
【図１０】
2013138092.tif 000014
【図１１】
2013138092.tif 000015
【図１２】
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【図１３】
2013138092.tif 000017
【図１４】
2013138092.tif 000018
【図１５−１】
2013138092.tif 000019
【図１５−２】
2013138092.tif 000020
【図１５−３】
2013138092.tif 000021
【図１５−４】
2013138092.tif 000022
【図１５−５】
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【図１５−６】
2013138092.tif 000024
【図１５−７】
2013138092.tif 000025
【図１６】
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【図１７】
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【図１８−１】
2013138092.tif 000028
【図１８−２】
2013138092.tif 000029
【図１８−３】
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【図１９】
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