(57)【要約】【課題】外部リード間の沿面距離を大きくするための絶縁性突起部の強度が高く、製造が容易な半導体装置の提供。【解決手段】パッケージ本体から複数の外部リードが外側に突出している半導体装置であって、上記パッケージ本体に、互いに隣り合う外部リードの間に位置する絶縁性突起部が形成され、上記絶縁性突起部は、いずれか一方の外部リードにのみ接していることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ本体から複数の外部リードが外側に突出している半導体装置であって、
前記パッケージ本体に、互いに隣り合う外部リードの間に位置する絶縁性突起部が形成され、
前記絶縁性突起部は、いずれか一方の外部リードにのみ接していることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁性突起部は、根元が前記一方の外部リードに接しており、中途部から先端側の突出方向の大部分または全部が前記一方の外部リードと接していないことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁性突起部の中途部から先端側は、タイバーカット部よりも根元側で折り曲げられた前記一方の外部リードの当該タイバーカット部とのみ接していることを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁性突起部の根元から先端までの長さは、前記一方の外部リードの根元から当該外部リードの根元に最も近いリード折り曲げ部までの長さよりも長いことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
互いに隣り合う外部リードの間に複数の前記絶縁性突起部が設けられ、各前記絶縁性突起部は、前記一方の外部リードと前記他方の外部リードに個別に接していることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁性突起部は、縁部の輪郭が曲面形状であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、より詳しくは、外部リード間の沿面距離を大きくするための絶縁性突起部の強度が高く、製造が容易な半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造方法は、一般的に、リードフレーム上に半導体チップを搭載する工程、半導体チップおよび内部リードを樹脂封止してパッケージを作製する工程、互いに隣り合う外部リードを連結するタイバーを切断除去する工程、およびタイバー付近に形成された樹脂バリを切断除去する工程等を有する。
【０００３】
半導体装置の互いに隣り合う外部リード間の距離は、微細化技術の進歩によって、近年は極めて短い距離となってきている。外部リード間の距離が短い場合、半導体装置の動作時に、外部リード間に放電が生じ、半導体装置が誤動作したり、或いは破損したりすることがある。
【０００４】
外部リード間の放電は、一般的に、外部リード間の樹脂パッケージ表面を伝って一方の外部リードから他方のリードに電流が流れることによって生じる。外部リード間の放電は、大電圧を使用するパワー半導体デバイスにおいて特に生じやすい。
【０００５】
このような問題に対処するために、例えば特許文献１に記載の技術が提案されている。特許文献１に記載の半導体装置は、図１５に示されるように、互いに隣り合う外部リード２，２の間に、パッケージ本体１から突出する凸部３を形成している。この凸部３は、互いに隣り合う外部リード２，２間の沿面距離を長くするためのものである。凸部３は、隣り合う外部リード２，２の間に配置され、双方の外部リード２，２から離間している。また、他の例では、図１６に示されるように、凸部４は、各外部リード２の根元と、根本から最も近いリード折り曲げ部を包み込んでいる。
【０００６】
特許文献１に記載の半導体装置によれば、凸部３，４によって、隣り合う外部リード２，２間の沿面距離を長くすることができる。これにより、外部リード２，２間の放電を生じにくくさせることができる。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の技術には、以下の課題があった。
すなわち、図１５に示した半導体装置では、凸部３と一方の外部リード２の間、および、凸部３と他方の外部リード２の間、の双方に隙間が生じるように加工をしなければならない。この場合、凸部３を形成するために金型の形状が複雑になるとともに、特に狭小な外部リード間においては、凸部３の厚みが薄くなり過ぎて壊れやすいものとなってしまう。また、凸部３の厚みが薄くなり過ぎるため、凸部３の突出量を大きくすることが難しい。また、凸部３とパッケージ本体１が一体に樹脂成形されるものである場合、樹脂成形の際に一方の外部リード２と凸部３の間、および、他方の外部リード２と凸部３の間にそれぞれ樹脂バリが形成され、各樹脂バリを個別にポンチ等で打ち抜く必要がある。しかしながら、外部リード２，２の間隔が極めて狭小である場合、外部リード２，２間の２箇所の樹脂バリを個別にポンチで打ち抜くためにはポンチを極めて小さいサイズにしなければならない上、ポンチの位置決めにかなり高い精度が要求され、その打ち抜き加工には難がある。
【０００８】
図１６に示した半導体装置では、凸部４を樹脂成形する前に外部リード２を折り曲げておくか、或いは、凸部４を樹脂成形した後に外部リード２を折り曲げ、その後に再度樹脂成形をしてリード折り曲げ部を覆う必要があり、いずれの場合も工程が増加して複雑になるという問題がある。また、再度の樹脂成形をする場合には、凸部４のサイズが大型化してしまい、半導体装置全体のサイズ増大を招くという問題もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平６−６１３７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたもので、外部リード間の沿面距離を大きくするための絶縁性突起部の強度が高く、製造が容易な半導体装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１の発明は、
パッケージ本体から複数の外部リードが外側に突出している半導体装置であって、
上記パッケージ本体に、互いに隣り合う外部リードの間に位置する絶縁性突起部が形成され、
上記絶縁性突起部は、いずれか一方の外部リードにのみ接していることを特徴とする、半導体装置である。
【００１２】
第１の発明によれば、絶縁性突起部が、互いに隣り合う外部リードのいずれか一方の外部リードにのみ接している。つまり、絶縁性突起部は、互いに隣り合う外部リードのいずれか一方の外部リードに接し、他方の外部リードには接していない。この場合、絶縁性突起部を形成するための金型の形状が簡素化され、樹脂バリの打ち抜き加工も容易となるため、半導体装置の製造が容易となる。また、特に狭小な外部リード間においても、絶縁性突起部の厚みが薄くなり過ぎず、絶縁性突起部の機械的強度を高めることができる。また、絶縁性突起部が一方の外部リードに接しているため、絶縁性突起部は外部リードによって支持され、機械的強度が高まる。よって、機械的強度が高まった分、絶縁性突起部の突出量（根元から先端部までの長さ）を大きくすることができ、絶縁性突起部がない場合よりも外部リード間の沿面距離を十分に大きくして、外部リード間の絶縁性を高めることができる。しかも、絶縁性突起部の機械的強度が高いので、絶縁性突起部が破損しにくい。
【００１３】
第２の発明は、第１の発明において、
上記絶縁性突起部は、根元が上記一方の外部リードに接しており、中途部から先端側の突出方向の大部分または全部が上記一方の外部リードと接していないことを特徴とする。
【００１４】
第２の発明によれば、絶縁性突起部の中途部から先端側の突出方向の大部分もしくは全部が外部リードと接していない。これにより、絶縁性突起部の根元から先端までの全体が外部リードに接している場合よりも、外部リード間の沿面距離をより大きくして、外部リード間の絶縁性をより一層高めることができる。
【００１５】
第３の発明は、第２の発明において、
上記絶縁性突起部の中途部から先端側は、タイバーカット部よりも根元側で折り曲げられた上記一方の外部リードの当該タイバーカット部とのみ接していることを特徴とする。
【００１６】
第３の発明によれば、絶縁性突起部の成形後、外部リードをタイバーカット部よりも根元側で折り曲げるだけで、絶縁性突起部の中途部から先端側が突出方向全体で外部リードに接している状態から、絶縁性突起部の中途部から先端側が外部リードのタイバーカット部とのみ接している状態に容易に変化させることかできる。これにより、絶縁性突起部の中途部から先端側の突出方向の大部分または全部が外部リードと接していない状態を容易に作り出すことができる。
【００１７】
第４の発明は、第１の発明において、
上記絶縁性突起部の根元から先端までの長さは、上記一方の外部リードの根元から当該外部リードの根元に最も近いリード折り曲げ部までの長さよりも長いことを特徴とする。
【００１８】
第４の発明によれば、絶縁性突起部の根元から先端までの長さが、外部リードの根元からリード折り曲げ部までの長さよりも長いので、絶縁性突起部の根元から先端までの長さが、外部リードの根元からリード折り曲げ部までの長さよりも短い場合と比べて、外部リード間の沿面距離がより大きくなり、外部リード間の絶縁性をより一層高めることができる。
【００１９】
第５の発明は、第１の発明において、
互いに隣り合う外部リードの間に複数の上記絶縁性突起部が設けられ、各上記絶縁性突起部は、上記一方の外部リードと上記他方の外部リードに個別に接していることを特徴とする。
【００２０】
第５の発明によれば、互いに隣り合う外部リードの間に複数の絶縁性突起部が設けられているので、互いに隣り合う外部リードの間に１個の絶縁性突起部が設けられている場合よりも、外部リード間の沿面距離が大きくなり、外部リード間の絶縁性をより一層高めることができる。
【００２１】
第６の発明は、第１の発明において、
上記絶縁性突起部は、縁部の輪郭が曲面形状であることを特徴とする。
【００２２】
第６の発明によれば、絶縁性突起部の縁部の輪郭が曲面形状なので、輪郭が四角形の場合に比べて絶縁性部材の材料の使用量を削減することができる。また、外部リードの折り曲げ時や、半導体装置の搬送時および実装時等において、絶縁性突起部が治工具等に接触しにくくなる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、外部リード間の沿面距離を大きくするための絶縁性突起部の強度が高く、製造が容易な半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図
【図２】図１に示される半導体装置のＡ方向矢視図
【図３】図１に示される半導体装置のＢ方向矢視図
【図４】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造工程において、タイバーをカットした後の様子を示す平面図
【図５】図４のＡ方向矢視図
【図６】図４に示される樹脂バリをカットした後の様子を示す平面図
【図７】図６のＡ方向矢視図
【図８】絶縁性突起部の縁部の輪郭が半円状である場合を示す図
【図９】本発明の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図
【図１０】図９に示される半導体装置のＢ方向矢視図
【図１１】本発明の第３実施形態に係る半導体装置を示す平面図
【図１２】図１１に示される半導体装置のＡ方向矢視図
【図１３】本発明の第３実施形態において、樹脂バリカット後の状態を示す平面図
【図１４】本発明の第４実施形態に係る半導体装置を示す平面図
【図１５】従来の半導体装置の一例を示す図
【図１６】従来の半導体装置の他の例を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しつつ説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。図２は、図１に示される半導体装置のＡ方向矢視図である。図３は、図１に示される半導体装置のＢ方向矢視図である。
【００２６】
第１実施形態に係る半導体装置１０は、パッケージ本体１１から複数の外部リード１２が外側に突出している半導体装置である。パッケージ本体１１の内部には、半導体チップ（例えばＩＣチップ）、内部リード等が樹脂封止されているが、その説明については省略する。
【００２７】
パッケージ本体１１には、互いに隣り合う外部リード１２，１２の間に位置する絶縁性突起部１３が形成されている。絶縁性突起部１３を形成することにより、互いに隣り合う外部リード１２，１２間の沿面距離が、当該絶縁性突起部１３が形成されていない場合よりも長くなる。沿面距離とは、２つの導電性部分間の、絶縁物の表面に沿った最短距離である。
【００２８】
互いに隣り合う２本の外部リード１２，１２により１つのリード組が構成される。図１〜３に示されるように、全てのリード組（上側２組、下側２組）について、それぞれ絶縁性突起部１３が形成されていてもよいが、一部のリード組についてのみ絶縁性突起部１３が形成されていてもよい。後者の例としては、例えば、隣り合う外部リード１２，１２間の通電時の電位差が所定値より大きいリード組についてのみ絶縁性突起部１３を形成することが考えられる。
【００２９】
絶縁性突起部１３は、互いに隣り合う外部リード１２，１２のいずれか一方の外部リード１２にのみ接している。また、図１〜３に示される例では、絶縁性突起部１３は、根元から先端部までの突出方向全体が一方の外部リード１２に接している。また、図１〜３に示される例では、絶縁性突起部１３の根元から先端部までの長さは、一方の外部リード１２の根元から当該外部リード１２の根元に最も近いリード折り曲げ部１２Ａまでの長さよりも短い。
【００３０】
次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。
図４〜７は、半導体装置１０の製造工程を示す図である。
図４は、半導体チップおよび内部リード等を樹脂封止し、タイバー（図示せず）をポンチ等でカットした後の様子を示す平面図である。図５は図４のＡ方向矢視図である。図４、５に示されるように、パッケージ本体１１と絶縁性突起部１３は、例えば、絶縁性の合成樹脂で一体成形されている。図４，５に示される状態では、外部リード１２，１２間に、樹脂封止時に生じた樹脂バリ１４が残存している。タイバーカット工程の後、図６，７に示される樹脂バリカット工程に進む。
【００３１】
図６は、図４に示される樹脂バリ１４をポンチ等でカットした後の様子を示す平面図であり、図７は図６のＡ方向矢視図である。図６，７に示されるように、樹脂バリ１４は、互いに隣り合う外部リード１２，１２の各リード組毎に１箇所のみ存在する。よって、ポンチ等による打ち抜き動作（樹脂バリカット）は、各リード組毎に１箇所で行えば済む。樹脂バリカットにより、絶縁性突起部１３と他方の外部リード１２の間に空隙が形成される。樹脂バリカット工程の後、外部リード１２の折り曲げ工程に進む。
【００３２】
外部リード１２の折り曲げ工程では、折り曲げ機により、各外部リード１２が適所で折り曲げられる。これにより、図１〜３に示される半導体装置１０が形成される。
【００３３】
第１実施形態に係る半導体装置１０によれば、絶縁性突起部１３が、互いに隣り合う外部リード１２，１２のいずれか一方の外部リード１２にのみ接している。つまり、絶縁性突起部１３は、互いに隣り合う外部リード１２，１２のいずれか一方の外部リード１２に接し、他方の外部リード１２には接していない。よって、絶縁性突起部１３を形成するための金型の形状が簡素化され、樹脂バリ１４の打ち抜き加工も容易となる。これにより、半導体装置１０の製造が容易となる。
【００３４】
また、特に狭小な外部リード１２，１２間においても、絶縁性突起部１３の厚みが薄くなり過ぎず、絶縁性突起部１３の機械的強度を高めることができる。また、絶縁性突起部１３が一方の外部リード１２に接しているため、絶縁性突起部１３は外部リード１２によって支持され、機械的強度が高まる。よって、機械的強度が高まった分、絶縁性突起部１３の突出量（根元から先端部までの長さ）を大きくすることができ、絶縁性突起部１３がない場合よりも外部リード１２，１２間の沿面距離を十分に大きくして、外部リード１２，１２間の絶縁性を高めることができる。しかも、絶縁性突起部１３の機械的強度が高いので、絶縁性突起部１３が破損しにくい。
【００３５】
なお、上記第１実施形態では、絶縁性突起部１３の縁部の輪郭が四角形状であったが、これに代えて、図８に示されるように、絶縁性突起部１３０の縁部の輪郭線が半円状等の曲面形状であってもよい。なお、図８に示される例では、輪郭を半円状としているが、他の任意の形状とすることも可能である。
【００３６】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しつつ説明する。
図９は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。図１０は、図９に示される半導体装置のＢ方向矢視図である。なお、第１実施形態と同様の構成については、第１実施形態の場合と同様の参照符号を付して、その説明を省略する。
【００３７】
第２実施形態に係る半導体装置１０１では、絶縁性突起部１３１の根元から先端までの長さは、一方の外部リード１２の根元から当該外部リード１２の根元に最も近いリード折り曲げ部１２Ａまでの長さよりも長い。この点が上記第１実施形態と異なっており、他の点は第１実施形態と同様である。
【００３８】
第２実施形態によれば、絶縁性突起部１３１の根元から先端までの長さが、外部リード１２の根元からリード折り曲げ部１２Ａまでの長さよりも長い。よって、第１実施形態の如く絶縁性突起部１３の根元から先端部までの長さが、外部リード１２の根元からリード折り曲げ部１２Ａまでの長さよりも短い場合と比べて、外部リード１２，１２間の沿面距離が大きくなり、外部リード１２，１２間の絶縁性をより一層高めることができる。
【００３９】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しつつ説明する。
図１１は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。図１２は、図１１に示される半導体装置のＡ方向矢視図である。なお、第１実施形態と同様の構成については、第１実施形態の場合と同様の参照符号を付して、その説明を省略する。
【００４０】
第３実施形態に係る半導体装置１０２では、絶縁性突起部１３は、根元が一方の外部リード１２に接しており、中途部から先端部までの突出方向の大部分が一方の外部リード１２と接していない。具体的には、絶縁性突起部１３の中途部から先端側は、タイバーカット部１２Ｂよりも根元側で折り曲げられた一方の外部リード１２の当該タイバーカット部１２Ｂとのみ接している。
【００４１】
次に、半導体装置１０２の製造方法について説明する。
樹脂バリカット工程までは、第１実施形態と同様である。なお、第１実施形態の説明ではタイバーカット部（タイバーをカットした後のタイバーの残存部）の図示を省略しているが、タイバーカット部を図示すると、樹脂バリカット工程後は図１３に示される状態となる。図１３は、樹脂バリカット後の状態を示す平面図である。
【００４２】
図１３に示される外部リード１２を矢印Ｆ方向に引っ張りながら、当該外部リード１２を破線部で折り曲げる。すると、図１１、１２に示される半導体装置１０２が得られる。すなわち、外部リード１２を矢印Ｆ方向に引っ張りながら当該外部リード１２を破線部で折り曲げることで、外部リード１２の根元以外の部分が矢印Ｆ方向に少し変位し、絶縁性突起部１３の根元とタイバーカット部１２Ｂのみが一方の外部リード１２に接した状態となる。よって、第３実施形態によれば、第１実施形態よりも、外部リード１２，１２間の沿面距離が大きくなり、外部リード１２，１２間の絶縁性が向上する。
【００４３】
また、第３実施形態によれば、絶縁性突起部１３の成形後、外部リード１２をタイバーカット部１２Ｂよりも根元側で折り曲げるだけで、絶縁性突起部１３の中途部から先端側の突出方向全体で外部リード１２に接している状態から、絶縁性突起部１３の中途部から先端側が外部リード１２のタイバーカット部１２Ｂとのみ接している状態に容易に変化させることかできる。これにより、絶縁性突起部１３の中途部から先端側の突出方向の大部分が外部リード１２と接していない状態を容易に作り出すことができる。
【００４４】
なお、図１１、１２に示される例では、絶縁性突起部１３の根元とタイバーカット部１２Ｂの双方が一方の外部リード１２に接しているが、これに代えて、絶縁性突起部１３の根元のみが一方の外部リード１２に接しているものとしてもよい（図示せず）。このようにすることで、外部リード１２，１２間の沿面距離がさらに大きくなり、外部リード１２，１２間の絶縁性がさらに向上する。
【００４５】
（第３実施形態）
本発明の第４実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しつつ説明する。
図１４は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。なお、第１実施形態と同様の構成については、第１実施形態の場合と同様の参照符号を付して、その説明を省略する。
【００４６】
第４実施形態では、図１４に示されるように、互いに隣り合う外部リード１２，１２の間に複数（図示例では２個）の絶縁性突起部１３が設けられ、各絶縁性突起部１３は、一方の外部リード１２と他方の外部リード１２に個別に接している。
【００４７】
第４実施形態によれば、互いに隣り合う外部リード１２，１２の間に複数の絶縁性突起部１３が設けられているので、互いに隣り合う外部リード１２，１２の間に１個の絶縁性突起部１３が設けられている場合よりも、外部リード１２，１２間の沿面距離が大きくなり、外部リード１２，１２間の絶縁性をより一層高めることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、外部リード間の沿面距離を大きくするための絶縁性突起部の強度が高く、製造が容易な半導体装置等に利用可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０，１０１，１０２    半導体装置
１１    パッケージ本体
１２    外部リード
１２Ａ    リード折り曲げ部
１２Ｂ    タイバーカット部
１３，１３１    絶縁性突起部
１４    樹脂バリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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