(57)【要約】【課題】本発明は、熱硬化性半田レジストインクがグランド層に塗布されたプリント回路基板及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明によるプリント回路基板は、ベース基板と、前記ベース基板を貫通するビアと、前記ベース基板上に形成された回路パターンと、前記ベース基板上に形成され、電磁気的ノイズを減らすためのグランドパターンと、前記グランドパターン上に形成され、熱を発散する熱硬化型放熱半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）と、前記回路パターン及び前記熱硬化型放熱半田レジストを除いて前記ベース基板上に塗布された絶縁層と、を含む。【選択図】図１
2013138181.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板を貫通するビアと、
前記ベース基板上に形成された回路パターンと、
前記ベース基板上に形成され、電磁気的ノイズを減らすためのグランドパターンと、
前記グランドパターン上に形成され、熱を発散する熱硬化型放熱半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）と、
前記回路パターン及び前記熱硬化型放熱半田レジストを除いて前記ベース基板上に塗布された絶縁層と、
を含むプリント回路基板。
【請求項２】
前記絶縁層は絶縁性インクである請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記グランドパターンは銅（Ｃｕ）である請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記絶縁層は、前記回路パターンと同じ高さになるように塗布される請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
ベース基板にビアを形成する段階と、
前記ベース基板に回路パターン及びグランドパターンを形成する段階と、
前記グランドパターン上に熱硬化型放熱半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）を塗布する段階と、
前記熱硬化型放熱半田レジスト及び前記回路パターンを除いた前記ベース基板上に絶縁層を形成する段階と、
を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層を形成する段階の後に、
部品との連結のために露出された前記熱硬化型放熱半田レジスト及び前記回路パターン上に表面処理を行う段階をさらに含む請求項５に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層は絶縁性インクである請求項６に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記グランドパターンは銅（Ｃｕ）である請求項６に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項９】
ベース基板にビアを形成する段階と、
前記ベース基板に回路パターン及びグランドパターンを形成する段階と、
前記グランドパターン及び前記回路パターンを除いた前記ベース基板上に絶縁層を形成する段階と、
前記グランドパターン上に熱硬化型放熱半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）を塗布する段階と、
を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記熱硬化型放熱半田レジストを塗布する段階の後に、
部品との連結のために露出された前記熱硬化型放熱半田レジスト及び前記回路パターン上に表面処理を行う段階をさらに含む請求項９に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記回路パターン及びグランドパターンを形成する段階の後に、
部品との連結のために露出された前記熱硬化型放熱半田レジスト及び前記回路パターン上に表面処理を行う段階をさらに含む請求項９に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁層は絶縁性インクである請求項１０または１１に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記グランドパターンは銅（Ｃｕ）である請求項１０または１１に記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板及びその製造方法に関し、より詳細には、熱硬化性半田レジストインクがグランド層に塗布されたプリント回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント回路基板、即ち、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）は、様々な種類の部品をフェノール樹脂またはエポキシ樹脂などの材質からなる絶縁平板上に密集して搭載し、各部品を連結する回路配線を絶縁平板の表面に固定させた回路基板である。近年、電子製品の先端化につれて電子機器の小型化技術及び高集積化技術が発展しており、これによりプリント回路基板の製造工程においても多様な変化が求められている。このような電子機器の小型化、高性能化、軽量化はチップ（Ｃｈｉｐ）の単位面積当たり熱密度を増加させるが、これによる放熱問題は電子製品の信頼性及び寿命において深刻な問題となる。
【０００３】
従って、プリント回路基板の内部絶縁材であるビルドアップ層（Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｌａｙｅｒ）またはコア層（Ｃｏｒｅ  Ｌａｙｅｒ）を改善することよりは、対流層と接している半田レジスト層（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ  Ｌａｙｅｒ）の熱伝導を改善することが有利であり、これにより、放熱ＰＳＲ（Ｐｈｏｔｏ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）インクに対する開発がなされている。
【０００４】
放熱ＰＳＲの特性を決定づけるものはフィラー（Ｆｉｌｌｅｒ）成分であり、ＢＮ（Ｂｏｒｏｎ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）は黒鉛と類似の特性を有しており、熱伝導性及び絶縁性に優れるため、放熱ＰＳＲインクはＢＮをメインフィラー（Ｍａｉｎ  Ｆｉｌｌｅｒ）として用いる。従って、放熱特性を極大化するためには、フィラーの含有量を最大値（主に４０％以上）にしなければならない。
【０００５】
しかし、フィラーの含有量が高い場合、熱硬化及び光硬化に必要なエポキシアクリレート樹脂（Ｅｐｏｘｙ  Ａｃｒｙｌａｔｅ  Ｒｅｓｉｎ）、高い解像性に必要な光開始剤（Ｐｈｏｔｏ  ｉｎｉｔｉａｔｏｒ）の量が減るため、プリント性及び信頼性において問題点が生じる可能性がある。
【０００６】
即ち、フィラーの含有量が高くなるにつれて光開始剤の量が足りなくなるため、解像性が低下し、基板に適用することが困難になるという問題点がある。
【０００７】
また、フィラーの含有量が高くなるにつれてエポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ  Ｒｅｓｉｎ）の量が少なくなるため、基板とインクとの間の密着力が低下し、リフロー（Ｒｅｆｌｏｗ）または半田ディッピング（Ｓｏｌｄｅｒ  ｄｉｐｐｉｎｇ）などの熱衝撃によってＳＲが分離される現象が発生する可能性があるという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２００６−０１０２１０５号公報
【特許文献２】韓国公開特許第１０−２００８−００７５２８２号公報
【特許文献３】韓国公開特許第１０−２０１１−００７６８７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記のような従来技術の問題点を解決するためのものであって、本発明の一形態は、ＰＳＲタイプでなく熱硬化性タイプに製造されたインクが塗布されたプリント回路基板及びその製造方法を提供して、熱伝導度を最大にすることができるようにフィラーを含ませ、光開始剤が排除された部分を熱硬化に必要なメインエポキシ樹脂で満たすことにより、熱衝撃がある場合にもＳＲが分離される現象を防止することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するための本発明の一形態によるプリント回路基板は、ベース基板と、前記ベース基板を貫通するビアと、前記ベース基板上に形成された回路パターンと、前記ベース基板上に形成され、電磁気的ノイズを減らすためのグランドパターンと、前記グランドパターン上に形成され、熱を発散する熱硬化型放熱半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）と、前記回路パターン及び前記熱硬化型放熱半田レジストを除いて前記ベース基板上に塗布された絶縁層と、を含むことができる。
【００１１】
前記絶縁層は絶縁性インクであることができ、前記グランドパターンは銅（Ｃｕ）であることができる。
この場合、前記絶縁層は、前記回路パターンと同じ高さになるように塗布されることができる。
【００１２】
一方、本発明の一形態によるプリント回路基板の製造方法は、ベース基板にビアを形成する段階と、前記ベース基板に回路パターン及びグランドパターンを形成する段階と、前記グランドパターン上に熱硬化型放熱半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）を塗布する段階と、前記熱硬化型放熱半田レジスト及び前記回路パターンを除いた前記ベース基板上に絶縁層を形成する段階と、を含むことができる。
【００１３】
前記絶縁層を形成する段階の後に、部品との連結のために露出された前記熱硬化型放熱半田レジスト及び前記回路パターン上に表面処理を行う段階をさらに含むことができる。
【００１４】
この場合、前記絶縁層は絶縁性インクであることができ、前記グランドパターンは銅（Ｃｕ）であることができる。
【００１５】
一方、本発明の他の形態によるプリント回路基板の製造方法は、ベース基板にビアを形成する段階と、前記ベース基板に回路パターン及びグランドパターンを形成する段階と、前記グランドパターン及び前記回路パターンを除いた前記ベース基板上に絶縁層を形成する段階と、前記グランドパターン上に熱硬化型放熱半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）を塗布する段階と、を含むことができる。
【００１６】
前記熱硬化型放熱半田レジストを塗布する段階の後に、部品との連結のために露出された前記熱硬化型放熱半田レジスト及び前記回路パターン上に表面処理を行う段階をさらに含むことができる。
【００１７】
また、他の方法としては、前記回路パターン及びグランドパターンを形成する段階の後に、部品との連結のために露出された前記熱硬化型放熱半田レジスト及び前記回路パターン上に表面処理を行う段階をさらに含むことができる。
【００１８】
この場合、前記絶縁層は絶縁性インクであることができ、前記グランドパターンは銅（Ｃｕ）であることができる。
【発明の効果】
【００１９】
このような本発明によると、従来のＰＳＲタイプのインクの代わりに熱硬化性インクを用いることにより、光開始剤を用いなくてもよいため、製品コストを低減することができる。
【００２０】
また、光開始剤を用いないことにより、フィラーの含有量を最大にすることができるため、熱伝導度を最大にすることができる。
【００２１】
また、光開始剤を用いないことにより、メインエポキシ樹脂の含有量を最大にすることができるため、熱硬化性が高くなって基板とインクとの間の密着性が強化され、熱衝撃にも強くなるなど、信頼性が向上される効果がある。
【００２２】
また、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）特性を最小にするためにグランド層（Ｇｒｏｕｎｄ  ｌａｙｅｒ）が存在して、前記グランド層に熱硬化性放熱インクを塗布するため、対流効果を利用することにより放熱効果を最大にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態によるプリント回路基板の断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態によるプリント回路基板の断面図である。
【図３ａ】本発明の一実施形態によるプリント回路基板の製造方法を工程順に図示した工程断面図である。
【図３ｂ】本発明の一実施形態によるプリント回路基板の製造方法を工程順に図示した工程断面図である。
【図３ｃ】本発明の一実施形態によるプリント回路基板の製造方法を工程順に図示した工程断面図である。
【図４ａ】本発明の他の実施形態によるプリント回路基板の製造方法を工程順に図示した工程断面図である。
【図４ｂ】本発明の他の実施形態によるプリント回路基板の製造方法を工程順に図示した工程断面図である。
【図４ｃ】本発明の他の実施形態によるプリント回路基板の製造方法を工程順に図示した工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の具体的な実施形態を説明する。しかし、これは例示に過ぎず、本発明はこれに限定されない。
【００２５】
本発明を説明するにあたり、本発明に係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。そして、後述する用語は本発明においての機能を考慮して定義された用語であり、これは使用者、運用者の意図または慣例などによって変わることができる。従って、その定義は本明細書の全体における内容を基に下すべきであろう。
【００２６】
本発明の技術的思想は請求範囲によって決まり、以下の実施形態は本発明の技術的思想を本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に効率的に説明するための一つの手段に過ぎない。
【００２７】
以下、添付の例示図面を参照して本発明について説明する。
【００２８】
図１は本発明の一実施形態によるプリント回路基板の断面図であり、図２は本発明の他の実施形態によるプリント回路基板の断面図である。
【００２９】
図１を参照すると、本発明の実施形態によるプリント回路基板１００は、ベース基板１１０と、前記ベース基板１１０を貫通するビア（Ｖｉａ）１２１と、前記ベース基板１１０上に形成された回路パターン１２２と、前記ベース基板１１０上に形成され、電磁気的ノイズを減らすためのグランドパターン１２３と、前記グランドパターン１２３上に形成され、熱を発散する熱硬化型放熱半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）１３０と、前記回路パターン１２２及び前記熱硬化型放熱半田レジスト１３０を除いて前記ベース基板１１０上に塗布された絶縁層１４０と、を含むことができる。
【００３０】
前記ベース基板１１０は、前記プリント回路基板１００の原資材であり、銅張積層板（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ：ＣＣＬ）または熱硬化性樹脂組成物で含浸されたガラス繊維基材（熱硬化性樹脂組成物で含浸されたガラス繊維強化プリプレグ）で構成されることができる。
【００３１】
一般にプリント回路基板は、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）特性を最小にするために、プリント回路基板の最外層（Ｌａｙｅｒ）にグランド層（Ｇｒｏｕｎｄ  ｌａｙｅｒ）を形成することができる。本発明の実施形態によるプリント回路基板は、前記グランド層に熱硬化性放熱インクを塗布するため、ＥＭＩ特性を最小にすることができるだけでなく、対流効果を利用することにより放熱効果を最大にすることができる効果がある。
【００３２】
本発明の実施形態によるプリント回路基板１００は、従来のＰＳＲタイプのインクでなく熱硬化性タイプのインクを用いるため、フィラー（Ｆｉｌｌｅｒ）の含有量を最大にすることができ、これにより熱伝導度を最大にすることができる効果がある。また、熱硬化性タイプのインクを用いるため、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ  Ｒｅｓｉｎ）の含有量を最大にすることができ、これにより基板とインクとの間の密着性が強化されることができる効果がある。即ち、熱衝撃に強くなるという効果がある。
【００３３】
この場合、前記熱硬化型放熱半田レジスト１３０は、熱硬化型エポキシ系の半田レジストインクであり、密着性及び熱伝導性に優れるため、前記グランドパターン１２３に塗布及び硬化されて半田レジスト膜を形成することができる。
【００３４】
この場合、前記グランドパターン１２３は、前記プリント回路基板１００内の電磁気的ノイズを最小にするだけでなく、前記プリント回路基板１００内の熱を外部に放出する役割をすることができる。前記グランドパターン１２３は銅（Ｃｕ）成分で構成されることができる。
【００３５】
前記絶縁層１４０は絶縁性インクであることができる。
【００３６】
前記絶縁層１４０は、前記回路パターン１２２の高さより高く形成されるように塗布されることができる。また、前記熱硬化型放熱半田レジスト１３０は、前記絶縁層１４０の高さよりは低く、前記回路パターン１２２の高さよりは高く形成されるように塗布されることができる。
【００３７】
一方、前記絶縁層１４０は、前記熱硬化型放熱半田レジスト１３０の高さと同じ高さになるように塗布されることができる。
【００３８】
図２を参照すると、前記熱硬化型放熱半田レジスト２３０は、前記絶縁層２４０の高さより高く形成されるように塗布されることができる。また、前記絶縁層２４０は、前記熱硬化型放熱半田レジスト２３０の高さよりは低く、前記回路パターン２２２の高さよりは高く形成されるように塗布されることができる。
【００３９】
一方、前記絶縁層２４０は、前記熱硬化型放熱半田レジスト２３０の高さと同じ高さになるように塗布されることができる。
【００４０】
図３ａから図３ｃは、本発明の一実施形態によるプリント回路基板の製造方法を工程順に図示した工程断面図である。
【００４１】
図３ａから図３ｃ及び図１を参照すると、本発明の一実施形態によるプリント回路基板１００の製造方法は、ベース基板１１０にビア１２１を形成する段階と、前記ベース基板１１０に回路パターン１２２及びグランドパターン１２３を形成する段階と、前記グランドパターン１２３上に熱硬化型放熱半田レジスト１３０を塗布する段階と、前記熱硬化型放熱半田レジスト１３０及び前記回路パターン１２２を除いた前記ベース基板１１０上に絶縁層１４０を形成する段階と、を含むことができる。
【００４２】
前記絶縁層１４０を形成する段階の後に、部品との連結のために露出された前記熱硬化型放熱半田レジスト１３０及び前記回路パターン１２２上に表面処理を行う段階をさらに含むことができる。
【００４３】
また、前記絶縁層１４０を形成する段階は、従来のプリント回路基板において行われる塗布、露光、及び現像工程が適用されることができる。
【００４４】
前記熱硬化型放熱半田レジスト１３０は、熱硬化型エポキシ系の半田レジストインクであり、密着性及び熱伝導性に優れるため、前記グランドパターン１２３に塗布及び硬化されて半田レジスト膜を形成することができる。
【００４５】
前記グランドパターン１２３は、前記プリント回路基板１００内の電磁気的ノイズを最小にするだけでなく、前記プリント回路基板１００内の熱を外部に放出する役割をすることができる。前記グランドパターン１２３は銅（Ｃｕ）成分で構成されることができる。
【００４６】
前記絶縁層１４０は絶縁性インクであることができる。前記絶縁層１４０は、前記回路パターン１２２の高さより高く形成されるように塗布されることができる。また、前記熱硬化型放熱半田レジスト１３０は、前記絶縁層１４０の高さよりは低く、前記回路パターン１２２の高さよりは高く形成されるように塗布されることができる。
【００４７】
図４ａから図４ｃは、本発明の他の実施形態によるプリント回路基板の製造方法を工程順に図示した工程断面図である。
【００４８】
図４ａから図４ｃ及び図２を参照すると、本発明の他の実施形態によるプリント回路基板２００の製造方法は、ベース基板２１０にビアを形成する段階と、前記ベース基板２１０に回路パターン２２２及びグランドパターン２２３を形成する段階と、前記グランドパターン２２３及び前記回路パターン２２２を除いた前記ベース基板２１０上に絶縁層２４０を形成する段階と、前記グランドパターン２２３上に熱硬化型放熱半田レジスト２３０を塗布する段階と、を含むことができる。
【００４９】
前記熱硬化型放熱半田レジスト２３０を塗布する段階の後に、部品との連結のために露出された前記熱硬化型放熱半田レジスト２３０及び前記回路パターン２２２上に表面処理を行う段階をさらに含むことができる。
【００５０】
また、他の方法としては、前記回路パターン２２２及びグランドパターン２２３を形成する段階の後に、部品との連結のために露出された前記熱硬化型放熱半田レジスト２３０及び前記回路パターン２２２上に表面処理を行う段階をさらに含むことができる。
【００５１】
一方、前記絶縁層２４０を形成する段階は、従来のプリント回路基板において行われる塗布、露光、及び現像工程が適用されることができる。
【００５２】
前記熱硬化型放熱半田レジスト２３０は、熱硬化型エポキシ系の半田レジストインクであり、密着性及び熱伝導性に優れるため、前記グランドパターン２２３に塗布及び硬化されて半田レジスト膜を形成することができる。
【００５３】
前記グランドパターン２２３は、前記プリント回路基板２００内の電磁気的ノイズを最小にするだけでなく、前記プリント回路基板２００内の熱を外部に放出する役割をすることができる。前記グランドパターン２２３は銅（Ｃｕ）成分で構成されることができる。
【００５４】
前記熱硬化型放熱半田レジスト２３０は、前記絶縁層２４０の高さより高く形成されるように塗布されることができる。また、前記絶縁層２４０は、前記熱硬化型放熱半田レジスト２３０の高さよりは低く、前記回路パターン２２２の高さよりは高く形成されるように塗布されることができる。
【００５５】
一方、前記絶縁層２４０は、前記熱硬化型放熱半田レジスト２３０の高さと同じ高さになるように塗布されることができる。
【００５６】
以上、代表的な実施形態を参照して本発明に対して詳細に説明したが、本発明に属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、上述の実施形態に対して本発明の範囲を外れない限度内で多様な変形が可能であることを理解するのであろう。
【００５７】
従って、本発明の権利範囲は上述の実施形態に限定されてはならず、後述する特許請求範囲だけではなくこの特許請求範囲と均等なものによって決められるべきである。
【符号の説明】
【００５８】
１００、２００  プリント回路基板
１１０、２１０  ベース基板
１２１、２２１  ビア
１２２、２２２  回路パターン
１２３、２２３  グランドパターン
１３０、２３０  熱硬化型放熱半田レジスト
１４０、２４０  絶縁層
【図１】
2013138181.tif 000003
【図２】
2013138181.tif 000004
【図３ａ】
2013138181.tif 000005
【図３ｂ】
2013138181.tif 000006
【図３ｃ】
2013138181.tif 000007
【図４ａ】
2013138181.tif 000008
【図４ｂ】
2013138181.tif 000009
【図４ｃ】
2013138181.tif 000010