(57)【要約】【課題】半導体デバイスの製造のスループットをさらに向上できるとともに、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる三次元実装装置を提供する。【解決手段】三次元実装装置１１において、搬送トレイ１６は配置面１６ａａを含む内側トレイ１６ａを有し、且つ該配置面１６ａａに配置された８つの積層チップ２１を搬送し、チャンバ２７は内側トレイ１６ａを収容し、下部ステージ２８はチャンバ２７内において内側トレイ１６ａを載置し、上部ステージ２９は、下部ステージ２８に載置された内側トレイ１６ａにおける配置面１６ａａと平行な押圧面２９ａを有し、下部ステージ２８及び上部ステージ２９はそれぞれヒータ３３，３９を内蔵し、下部ステージ２８及び上部ステージ２９が間を詰めるように移動する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面からなる配置面を有し、該配置面には複数のチップが積層されてなるチップの組である積層チップの少なくとも２つ以上が配置され、該配置された少なくとも２つ以上の積層チップを搬送する搬送部と、
前記配置面を含む前記搬送部の一部からなる第１の部分を収容する収容室と、
前記収容室内において前記第１の部分を載置する載置部と、
前記収容室内において前記載置部と対向して配置され、前記載置部に載置された前記第１の部分における前記配置面と平行な押圧面を有する押圧部とを備える三次元実装装置であって、
前記載置部及び前記押圧部はそれぞれ加熱装置を内蔵し、
前記載置部及び前記押圧部の少なくとも一方が前記載置部及び前記押圧部の間を詰めるように移動することを特徴とする三次元実装装置。
【請求項２】
前記載置部に載置された前記第１の部分における前記配置面及び前記押圧部の押圧面の平行度に応じて前記載置面の各箇所に高さの異なる前記積層チップを配置することを特徴とする請求項１記載の三次元実装装置。
【請求項３】
前記収容室は上部及び下部に分割可能であり、
前記搬送部は、前記収容室に収容される前記第１の部分と、該前記第１の部分とは別の部分からなる第２の部分とを有し、該第２の部分には所定の方向に前記搬送部を移動させるための移動力が負荷され、
前記収容室内で前記配置面に配置された複数の前記積層チップへ処理が施された後、前記搬送部が前記所定の方向に移動する際、前記収容室は分割されて前記搬送部の移動経路から退出することを特徴とする請求項１又は２記載の三次元実装装置。
【請求項４】
前記第１の部分が前記収容室に収容される際、前記第２の部分は前記収容室の上部及び下部に挟まれ、且つ前記第１の部分は前記挟まれた第２の部分から離間することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の三次元実装装置。
【請求項５】
前記搬送部は、前記第１の部分及び前記第２の部分の間に介在して前記第１の部分及び前記第２の部分の間を連結させる膜状部をさらに有し、
前記第１の部分が前記収容室に収容される際、前記膜状部は前記収容室の上部及び下部に挟まれ、且つ前記第２の部分は前記収容室に収容されないことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の三次元実装装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のチップを積層する三次元実装装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスのフットプリントを低減するために、複数のＩＣ基板（チップ）を積層して半導体デバイスを製造する三次元実装方法が開発されている。この三次元実装方法では、各チップにおいて当該チップを厚み方向に貫通する導体からなる配線、例えば、ＴＳＶ（Through Silicon Via）が形成され、一のチップの配線の端部に形成された電極パッドが他のチップの配線の端部に形成された半田バンプと接合されて三次元的に回路が形成される。三次元実装方法としては、ＣＯＷ（Chip On Wafer）工法やＣＯＣ（Chip On Chip）工法等が知られている。いずれの工法においても、積層するチップのずれを防止するために、各チップ同士の本接合に先立って各チップ同士を仮接合し、仮接合された複数のチップ同士をリフローによって本接合することが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この三次元実装方法では、１つのチャンバ、例えば、リフロー炉内において半導体デバイスを構成する積層された複数のチップの組（以下、「積層チップ」という。）を１つずつリフローするが、スループット向上の観点から１つの積層チップのリフローは数秒以内に行われ、リフローのための積層チップの加熱やリフロー後の積層チップの冷却も急速に行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１１０９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、１つの積層チップのリフローが数秒以内に行われているため、これ以上リフローを行う時間を短くしてスループットを向上することは困難である。また、積層チップにおける急速加熱や急速冷却は、半田の溶融形態、凝固形態を不安定にするため、製造される半導体デバイスにおいて半田の結晶状態を理想状態とすることができず、凝固した半田において残留応力を生じさせ、半田内において気泡（ボイド）を発生させ易くなり、積層チップから製造される半導体デバイスの品質を低下させるという問題がある。
【０００６】
本発明の目的は、半導体デバイスの製造のスループットをさらに向上できるとともに、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる三次元実装装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１記載の三次元実装装置は、平面からなる配置面を有し、該配置面には複数のチップが積層されてなるチップの組である積層チップの少なくとも２つ以上が配置され、該配置された少なくとも２つ以上の積層チップを搬送する搬送部と、前記配置面を含む前記搬送部の一部からなる第１の部分を収容する収容室と、前記収容室内において前記第１の部分を載置する載置部と、前記収容室内において前記載置部と対向して配置され、前記載置部に載置された前記第１の部分における前記配置面と平行な押圧面を有する押圧部とを備える三次元実装装置であって、前記載置部及び前記押圧部はそれぞれ加熱装置を内蔵し、前記載置部及び前記押圧部の少なくとも一方が前記載置部及び前記押圧部の間を詰めるように移動することを特徴とする。
【０００８】
請求項２記載の三次元実装装置は、請求項１記載の三次元実装装置において、請求項１記載の三次元実装装置において、前記載置部に載置された前記第１の部分における前記配置面及び前記押圧部の押圧面の平行度に応じて前記載置面の各箇所に高さの異なる前記積層チップを配置することを特徴とする。
【０００９】
請求項３記載の三次元実装装置は、請求項１又は２記載の三次元実装装置において、前記収容室は上部及び下部に分割可能であり、前記搬送部は、前記収容室に収容される前記第１の部分と、該前記第１の部分とは別の部分からなる第２の部分とを有し、該第２の部分には所定の方向に前記搬送部を移動させるための移動力が負荷され、前記収容室内で前記配置面に配置された複数の前記積層チップへ処理が施された後、前記搬送部が前記所定の方向に移動する際、前記収容室は分割されて前記搬送部の移動経路から退出することを特徴とする。
【００１０】
請求項４記載の三次元実装装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の三次元実装装置において、前記第１の部分が前記収容室に収容される際、前記第２の部分は前記収容室の上部及び下部に挟まれ、且つ前記第１の部分は前記挟まれた第２の部分から離間することを特徴とする。
【００１１】
請求項５記載の三次元実装装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の三次元実装装置において、前記搬送部は、前記第１の部分及び前記第２の部分の間に介在して前記第１の部分及び前記第２の部分の間を連結させる膜状部をさらに有し、前記第１の部分が前記収容室に収容される際、前記膜状部は前記収容室の上部及び下部に挟まれ、且つ前記第２の部分は前記収容室に収容されないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数の積層チップが配置される配置面を有する搬送部の第１の部分を載置する載置部、及び配置面と平行な押圧面を有する押圧部の少なくとも一方が載置部及び押圧部の間を詰めるように移動し、載置部及び押圧部はそれぞれ加熱装置を内蔵するので、配置面に配置された複数の積層チップが同時に押圧され且つ加熱される。その結果、同時に複数の半導体デバイスを製造することができ、半導体デバイス１つあたりの製造のスループットをさらに向上することができる。また、半導体デバイス１つあたりの製造のスループットがさらに向上するので、積層チップの加熱や冷却を行う時間を十分に確保でき、もって、半田の溶融形態、凝固形態を安定させることができる。その結果、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る三次元実装装置及びチップの積層装置の配置状態を示す平面図である。
【図２】図１における三次元実装装置がリフロー処理を施す積層チップの構成を概略的に示す断面図であり、図２（Ａ）はリフロー処理を施す前の構成を示し、図２（Ｂ）はリフロー処理を施した後の構成を示す。
【図３】図１における線III−IIIに沿う断面図である。
【図４】図３の三次元実装装置が実行する積層チップの三次元実装方法の工程を説明するための図である。
【図５】図３の三次元実装装置が実行する積層チップの三次元実装方法の工程を説明するための図である。
【図６】図３の三次元実装装置が実行する積層チップの三次元実装方法の工程を説明するための図である。
【図７】内側トレイの配置面及び上部ステージの押圧面の平行度が悪化した場合における積層チップの配置方法を説明するための図であり、図７（Ａ）は配置面との距離が測定される押圧面の各領域を示す底面図であり、図７（Ｂ）は配置面及び押圧面の距離に応じて適切な高さの積層チップが配置された様子を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る三次元実装装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図９】図８の三次元実装装置が実行する積層チップの三次元実装方法の工程を説明するための図である。
【図１０】図８の三次元実装装置が実行する積層チップの三次元実装方法の工程を説明するための図である。
【図１１】図８の三次元実装装置が実行する積層チップの三次元実装方法の工程を説明するための図である。
【図１２】２つの搬送トレイが設けられた場合を示す平面図である。
【図１３】図８における搬送トレイの第１の変形例の構成を概略的に示す図であり、図１３（Ａ）は第１の変形例の断面図であり、図１３（Ｂ）は第１の変形例の平面図である。
【図１４】図１３の第１の変形例に係る搬送トレイを適用した三次元実装装置が実行する積層チップの三次元実装方法の工程を説明するための図である。
【図１５】図８における搬送トレイの第２の変形例の構成を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１５】
まず、本発明の第１の実施の形態に係る三次元実装装置について説明する。
【００１６】
図１は、本実施の形態に係る三次元実装装置及びチップの積層装置の配置状態を示す平面図である。なお、図１では、説明を簡単にするために、積層装置及び三次元実装装置のいずれも上部機構を取り除いた状態で示されている。
【００１７】
図１において、チップの積層装置１０と三次元実装装置１１とは一列に配置され、積層装置１０及び三次元実装装置１１の間にはベルトコンベア１２が張り渡されている。積層装置１０は、複数のＩＣ回路（チップ）１３が並べられたダイシングフィルム１４を載置するチップ置き場１５と、ベルトコンベア１２に担持された搬送トレイ１６（搬送部）と、チップ１３を移動させるピックアップユニット１７と、半田ペーストが満たされている浸漬ユニット１８と、ピックアップユニット１７にピックされたチップ１３の下面を撮影するカメラユニット１９と、チップ１３の種類に交換されるピックアップユニット１７の各種ヘッドツールが載置されるツール交換ユニット２０とを備える。
【００１８】
積層装置１０では、ピックアップユニット１７が、チップ置き場１５からチップ１３を１つピックして浸漬ユニット１８へ移動させ、チップ１３の下面を半田ペーストに浸漬させて該下面に半田ペーストを付着させ、さらに、チップ１３をカメラユニット１９へ移動させてチップ１３の下面を撮影させて該下面に付着した半田ペーストの状態を確認する。その後、チップ１３を搬送トレイ１６へ移動させて該搬送トレイ１６上に既に配置されている他のチップ１３の上に重ね置く。これにより、搬送トレイ１６上において、複数のチップ１３が積層されたチップの組（以下、「積層チップ」という。）２１が構成される。本実施の形態では、搬送トレイ１６上において８つの積層チップ２１が構成される。
【００１９】
搬送トレイ１６は、円板状のステンレス板からなる内側トレイ１６ａ（第１の部分）と、該内側トレイ１６ａを囲むステンレス板からなる外側トレイ１６ｂ（第２の部分）と、該外側トレイ１６ｂを囲む枠状のフレーム１６ｃ（第２の部分）とからなる。搬送トレイ１６では、内側トレイ１６ａの外周縁部が外側トレイ１６ｂの内縁部に載置されるだけであり、内側トレイ１６ａ及び外側トレイ１６ｂは互いに固定されておらず、外側トレイ１６ｂの外縁部がフレーム１６ｃに載置されるだけであり、外側トレイ１６ｂ及びフレーム１６ｃは互いに固定されていない（図３等参照。）。本実施の形態では、内側トレイ１６ａの表面である配置面１６ａａに上述した８つの積層チップ２１が４つずつ２列に配置される。また、フレーム１６ｃにはベルトコンベア１２が連結され、該ベルトコンベア１２が三次元実装装置１１へ向けて駆動力をフレーム１６ｃへ負荷することにより、搬送トレイ１６は積層装置１０から三次元実装装置１１へ移動する。
【００２０】
三次元実装装置１１へ移動した搬送トレイ１６のうち、内側トレイ１６ａはチャンバ２７に収容されて、該チャンバ２７内おいて各積層チップ２１にリフロー処理が施される。三次元実装装置１１の構成、作用の詳細については後述する。本実施の形態におけるリフロー処理には、後述するように、或るチップ１３の半田バンプ２４を熱で溶融して他のチップ１３の電極パッド２６と接合させる処理が該当する。
【００２１】
図２は、図１における三次元実装装置がリフロー処理を施す積層チップの構成を概略的に示す断面図であり、図２（Ａ）はリフロー処理を施す前の構成を示し、図２（Ｂ）はリフロー処理を施した後の構成を示す。
【００２２】
図２（Ａ）に示すように、積層チップ２１は、一番下に配置された、ベースチップ２２に複数のチップ１３を積層して構成される。ベースチップ２２の上面には複数の電極パッド２３が形成され、各チップ１３の下面には複数の半田バンプ２４が形成されるとともに、該半田バンプ２４を避けるようにストッパー２５が形成される一方、チップ１３の上面には複数の電極パッド２６が形成される。チップ１３の下面の半田バンプ２４は、チップ１３の下面に付着した半田ペーストによって形成される。また、各半田バンプ２４の表面にはフラックス（図示しない）の層が形成されている。各チップ１３において下面の半田バンプ２４は上面の電極パッド２６と当該チップ１３を厚み方向に貫通する配線、例えば、ＴＳＶ（図示しない）によって接続される。
【００２３】
積層チップ２１が構成される際、ベースチップ２２の上面の各電極パッドにチップ１３の下面の各半田バンプ２４を当接させるようにベースチップ２２へチップ１３を重ね、さらに、チップ１３の上面の各電極パッド２６に他のチップ１３の下面の各半田バンプ２４を当接させるようにベースチップ２２へチップ１３を重ね、以後、チップ１３の積み重ねを繰り返す。このとき、電極パッド２６及び半田バンプ２４の厚さの合計はストッパー２５の厚さよりも大きいため、積層チップ２１へリフロー処理を施す前は、下のチップ１３の上面に上のチップ１３のストッパー２５が当接されることはない。
【００２４】
一方、積層チップ２１へリフロー処理を施すと、上のチップ１３の半田バンプ２４が溶融して下のチップ１３の電極パッド２６と接合されるが、このとき、半田バンプ２４の形状が崩れるため、上のチップ１３は下のチップ１３へ向けて沈下し、上のチップ１３のストッパー２５が下のチップ１３の上面に当接する（図２（Ｂ））。これにより、積層チップ２１から半導体デバイスが製造される。
【００２５】
図３は、図１における線III−IIIに沿う断面図であり、図１における三次元実装装置の構成を概略的に示す。
【００２６】
図３において、三次元実装装置１１は、搬送トレイ１６における少なくとも内側トレイ１６ａを収容する八角柱状のチャンバ２７（収容室）と、チャンバ２７の底部から上方に向けて立設されるシャフト４１によって支持されるテーブル状の下部ステージ２８（載置部）と、チャンバ２７の天井部において下部ステージ２８と対向して配置されるテーブル状の上部ステージ２９（押圧部）と、チャンバ２７内のガスを排出してチャンバ２７内の圧力を調整する排気管３０とを備える。
【００２７】
チャンバ２７は上部２７ａ及び下部２７ｂに分割可能であり、チャンバ２７が分割される際、下部２７ｂは三次元実装装置１１の基部３１からピラー３２を介して支持される。下部２７ｂの側壁の頂部には外側に向かうフランジ２７ｂａが形成され、下部２７ｂの底部からフランジ２７ｂａの上面までの高さは、下部２７ｂの底部から下部ステージ２８の上面である載置面２８ａまでの高さよりも低い。下部ステージ２８はヒータ３３を内蔵し、下面において放熱用のヒートシンク３４を有する。
【００２８】
チャンバ２７の上部２７ａは、基部３１から立設する柱部３５によって固定的に支持される天井板３６からロッド３７によって釣支され、天井板３６に固定され且つロッド３７の突出量を制御するチャンバアクチュエータ３８によって上下方向の移動が制御される。また、上部２７ａの側壁の外側には、下方に向けて突出するＬ字型のフック４４の突出量及び回転を制御するフックアクチュエータ４５が配置される。上部ステージ２９はヒータ３９を内蔵し、上面において放熱用のヒートシンク４０を有し、さらに、下部ステージ２８の載置面２８ａと平行な押圧面２９ａを有する。また、上部ステージ２９は、上部２７ａの天井部からロッド４２によって釣支され、当該天井部に固定され且つロッド４２の突出量を制御するテーブルアクチュエータ４３によって上下方向の移動が制御される。本実施の形態では、チャンバアクチュエータ３８、テーブルアクチュエータ４３及びフックアクチュエータ４５はそれぞれ動力源として電気モータ（図示しない）を内蔵し、該電気モータによってロッド３７，４２やフック４４の突出量を制御する。なお、各アクチュエータは動力源として電気モータではなく、エアシリンダーや電磁バネ等を内蔵していてもよい。
【００２９】
三次元実装装置１１では、チャンバ２７が上部２７ａ及び下部２７ｂに分割された際、ベルトコンベア１２によって搬送トレイ１６が上部２７ａ及び下部２７ｂの間に搬入され、搬入された搬送トレイ１６は内側トレイ１６ａが下部ステージ２８と対向するように位置が調整される。本実施の形態では、内側トレイ１６ａの大きさは、該内側トレイ１６ａがチャンバ２７内に全て収容できるように設定されており、これにより、搬送トレイ１６が上部２７ａ及び下部２７ｂの間に搬入される際、チャンバ２７の上部２７ａの側壁部及び下部２７ｂの側壁部に間には外側トレイ１６ｂが存在する。また、本実施の形態では、下部ステージ２８は内側トレイ１６ａよりも小さくなるように大きさが設定される。
【００３０】
次に、図３の三次元実装装置が実行する積層チップの三次元実装方法について説明する。
【００３１】
図４、図５、図６は、図３の三次元実装装置が実行する積層チップの三次元実装方法の工程を説明するための図である。
【００３２】
まず、図４（Ａ）に示すように、搬送トレイ１６が上部２７ａ及び下部２７ｂの間に搬入された後、チャンバアクチュエータ３８がチャンバ２７の上部２７ａを降下させてＬ字型のフック４４の先端を下部２７ｂのフランジ２７ｂａよりも下方に位置させる。その後、図４（Ｂ）に示すように、フックアクチュエータ４５がＬ字型のフック４４を回転させて該フック４４の先端におけるＬ字部をフランジ２７ｂａへ係合させる。
【００３３】
次いで、図５（Ａ）に示すように、フックアクチュエータ４５がＬ字型のフック４４の突出量を少なくすることによってチャンバ２７の下部２７ｂを、該下部２７ｂのフランジ２７ｂａが外側トレイ１６ｂに当接するまで引き上げる。このとき、下部２７ｂの底部からフランジ２７ｂａの上面までの高さは、下部２７ｂの底部から下部ステージ２８の載置面２８ａまでの高さよりも低いため、フランジ２７ｂａの外側トレイ１６ｂへの当接よりも先に、下部ステージ２８の載置面２８ａが内側トレイ１６ａへ当接するが、上述したように、内側トレイ１６ａ及び外側トレイ１６ｂは互いに固定されておらず、下部ステージ２８は内側トレイ１６ａよりも小さいため、内側トレイ１６ａのみが下部ステージ２８の載置面２８ａに載置され、下部ステージ２８によって持ち上げられて外側トレイ１６ｂから離間する。このとき、下部ステージ２８の載置面２８ａと上部ステージ２９の押圧面２９ａは互いに平行であるため、載置面２８ａに載置された内側トレイ１６ａの配置面１６ａａも押圧面２９ａと平行となる。また、内側トレイ１６ａは下部ステージ２８の載置面２８ａへ真空吸着又は静電吸着によって吸着される。
【００３４】
次いで、図５（Ｂ）に示すように、下部２７ｂのフランジ２７ｂａが外側トレイ１６ｂに当接した後も、フックアクチュエータ４５によって下部２７ｂを引き上げ続けるとともに、チャンバアクチュエータ３８がチャンバ２７の上部２７ａを降下させて下部２７ｂの側壁部及び上部２７ａの側壁部の間に外側トレイ１６ｂを挟み込み、チャンバ２７内を外部から密閉する。このとき、外側トレイ１６ｂはフランジ２７ｂａによって持ち上げられてフレーム１６ｃから離間する。
【００３５】
次いで、図６（Ａ）に示すように、テーブルアクチュエータ４３によって上部ステージ２９を降下させて押圧面２９ａによって配置面１６ａａに配置された複数の積層チップ２１を所定の圧力で押圧する。また、このとき、排気管３０によってチャンバ２７内を真空引きして減圧し、上部ステージ２９内のヒータ３９及び下部ステージ２８内のヒータ３３を発熱させて各積層チップ２１を加熱することによって各積層チップ２１へリフロー処理を施す。これにより、各積層チップ２１において各半田バンプ２４が溶融して各電極パッド２６と接合されて半導体デバイスが製造される。
【００３６】
各積層チップ２１から半導体デバイスが製造された後、図６（Ｂ）に示すように、テーブルアクチュエータ４３によって上部ステージ２９を引き上げ、チャンバアクチュエータ３８によってチャンバ２７の上部２７ａを引き上げ、さらに、フックアクチュエータ４５によってフック４４を回転させてチャンバ２７の下部２７ｂにおけるフランジ２７ｂａ及びフック４４の先端におけるＬ字部の係合を解消して下部２７ｂを降下させる。これにより、チャンバ２７を上部２７ａ及び下部２７ｂへ分割して搬送トレイ１６の移動経路から退出させるとともに、外側トレイ１６ｂをフレーム１６ｃへ載置させ、内側トレイ１６ａを外側トレイ１６ｂへ載置させる。
【００３７】
その後、ベルトコンベア１２によって搬送トレイ１６を移動させて上部２７ａ及び下部２７ｂの間から搬出して本処理を終了する。
【００３８】
上述した三次元実装装置１１では、複数の積層チップ２１が配置される配置面１６ａａを有する搬送トレイ１６の内側トレイ１６ａを載置する下部ステージ２８、及び配置面１６ａａと平行な押圧面２９ａを有する上部ステージ２９が下部ステージ２８及び上部ステージ２９の間を詰めるように移動し、下部ステージ２８及び上部ステージ２９はそれぞれヒータ３３，３９を内蔵するので、配置面１６ａａに配置された複数の積層チップ２１が同時に押圧され且つ加熱されてリフロー処理が施される。その結果、同時に複数の半導体デバイスを製造することができ、半導体デバイス１つあたりの製造のスループットをさらに向上することができる。また、半導体デバイス１つあたりの製造のスループットがさらに向上するので、積層チップ２１の加熱や冷却を行う時間を十分に確保でき、もって、半田の溶融形態、凝固形態を安定させることができる。その結果、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる。
【００３９】
また、三次元実装装置１１では、内側トレイ１６ａがチャンバ２７に収容される際、内側トレイ１６ａはチャンバ２７の上部２７ａ及び下部２７ｂに挟まれた外側トレイ１６ｂから離間するので、内側トレイ１６ａは外側トレイ１６ｂに拘束されることなく、上部ステージ２９及び下部ステージ２８によって押圧される。その結果、配置面１６ａａに配置された複数の積層チップ２１を確実に押圧することができる。
【００４０】
さらに、三次元実装装置１１では、チャンバ２７内で配置面１６ａａに配置された複数の積層チップ２１へリフロー処理が施された後、搬送トレイ１６が移動する際、チャンバ２７は分割されて搬送トレイ１６の移動経路から退出するので、配置面１６ａａに複数の半導体デバイスを配置したまま搬送トレイ１６は移動することができる。その結果、半導体デバイスの製造のスループットをより向上することができる。
【００４１】
また、三次元実装装置１１では、各積層チップ２１へリフロー処理が施される際、チャンバ２７内が真空引きされて減圧されるため、低酸素状態で半田バンプ２４及び電極パッド２６の溶融接合を行うことができ、もって電極パッド２６の酸化を防止することができ、各半田バンプ２４の表面のフラックスの蒸発を促進することができ、また、溶融した半田バンプ２４中に生じる気泡を除去することができる。なお、低酸素状態への移行を促進するために、チャンバ２７にＮ２導入口を設け、リフロー処理の際、チャンバ２７内へＮ２ガスを導入してもよい。
【００４２】
ところで、三次元実装装置１１において図３の三次元実装方法を繰り返すと、下部ステージ２８の載置面２８ａ及び上部ステージ２９の押圧面２９ａの平行度、換言すると、
載置面２８ａに載置される内側トレイ１６ａの配置面１６ａａ及び押圧面２９ａの平行度が多少悪化することがある。この場合、例えば、上部ステージ２９の押圧面２９ａを、図７（Ａ）に示すように、幾つかの領域に区切り、各領域における配置面１６ａａからの距離を測定し、さらに、各積層チップ２１の高さを測定し、積層装置１０において配置面１６ａａの各箇所へ当該箇所における配置面１６ａａ及び押圧面２９ａの距離に応じて適切な高さの積層チップ２１を配置する。具体的には、配置面１６ａａ及び押圧面２９ａの距離が遠い箇所には、比較的高さの高い積層チップ２１を配置し、配置面１６ａａ及び押圧面２９ａの距離が近い箇所には、比較的高さの低い積層チップ２１を配置する。
【００４３】
これにより、各積層チップ２１の押圧前において配置面１６ａａに配置された各積層チップ２１から押圧面２９ａまでの距離を揃えることができ、もって、上部ステージ２９を下部ステージ２８へ向けて移動させると、図７（Ｂ）に示すように、配置面１６ａａと平行でない押圧面２９ａによっても各積層チップ２１を均等に押圧することができる。
【００４４】
なお、各積層チップ２１の高さは、チップ１３を積層する際、浸漬ユニット１８における半田ペーストへの浸漬時間を調整して当該チップ１３の下面に付着する半田ペーストの量を調整し、半田バンプ２４の高さを変化させることによって行う。また、各積層チップ２１の高さは積層装置１０が備える不図示のレーザ測定装置等によって測定される。
【００４５】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る三次元実装装置について説明する。
【００４６】
本実施の形態は、その構成、作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであるので、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
【００４７】
図８は、本発明の第２の実施の形態に係る三次元実装装置の構成を概略的に示す断面図である。
【００４８】
図８において、三次元実装装置４６は、ベルトコンベア１２に担持された搬送トレイ４７（搬送部）を備える。搬送トレイ４７は、円板状のステンレス板からなる内部トレイ４７ａ（第１の部分）と、該内部トレイ４７ａを囲む枠状のフレーム４７ｂ（第２の部分）と、内部トレイ４７ａ及びフレーム４７ｂの間に介在する、例えば、耐熱樹脂からなるトレイフィルム４７ｃ（膜状部）とからなる。搬送トレイ４７では、内部トレイ４７ａ及びフレーム４７ｂがトレイフィルム４７ｃによって連結されるのみなので、トレイフィルム４７ｃが引っ張り限界まで展張されない限り、内部トレイ４７ａ及びフレーム４７ｂのいずれの一方も他方の移動を規制しない。
【００４９】
本実施の形態では、内部トレイ４７ａの表面である配置面４７ａａに８つの積層チップ２１が４つずつ２列に配置される。また、フレーム４７ｂにはベルトコンベア１２が連結される。
【００５０】
三次元実装装置４６では、チャンバ２７が上部２７ａ及び下部２７ｂに分割された際、ベルトコンベア１２によって搬送トレイ４７が上部２７ａ及び下部２７ｂの間に搬入され、搬入された搬送トレイ４７は内部トレイ４７ａが下部ステージ２８と対向するように位置が調整される。本実施の形態では、内部トレイ４７ａの大きさは、該内部トレイ４７ａがチャンバ２７内に全て収容できるように設定されるとともに、フレーム４７ｂの開口部の大きさはチャンバ２７を囲むことができるように設定される。
【００５１】
これにより、搬送トレイ４７が上部２７ａ及び下部２７ｂの間に搬入される際、チャンバ２７の上部２７ａの側壁部及び下部２７ｂの側壁部に間にはトレイフィルム４７ｃが存在する。また、本実施の形態では、下部ステージ２８は内部トレイ４７ａよりも小さくなるように大きさが設定される。
【００５２】
次に、図８の三次元実装装置が実行する積層チップの三次元実装方法について説明する。
【００５３】
図９、図１０、図１１は、図８の三次元実装装置が実行する積層チップの三次元実装方法の工程を説明するための図である。
【００５４】
まず、図９（Ａ）に示すように、搬送トレイ４７が上部２７ａ及び下部２７ｂの間に搬入された後、チャンバアクチュエータ３８がチャンバ２７の上部２７ａを降下させてＬ字型のフック４４の先端を下部２７ｂのフランジ２７ｂａよりも下方に位置させる。その後、図９（Ｂ）に示すように、フックアクチュエータ４５がＬ字型のフック４４を回転させて該フック４４の先端におけるＬ字部をフランジ２７ｂａへ係合させる。
【００５５】
次いで、図１０（Ａ）に示すように、フックアクチュエータ４５がフック４４を介してチャンバ２７の下部２７ｂを引き上げる。このとき、下部ステージ２８の載置面２８ａが内部トレイ４７ａへ当接するが、上述したように、フレーム４７ｂは内部トレイ４７ａの移動を規制せず、下部ステージ２８は内部トレイ４７ａよりも小さいため、内部トレイ４７ａのみが下部ステージ２８によって持ち上げられる。このとき、載置面２８ａに載置された内部トレイ４７ａの配置面４７ａａは押圧面２９ａと平行となる。また、内部トレイ４７ａは下部ステージ２８の載置面２８ａへ真空吸着又は静電吸着によって吸着される。
【００５６】
次いで、図１０（Ｂ）に示すように、内部トレイ４７ａが下部ステージ２８によって持ち上げられた後、チャンバアクチュエータ３８がチャンバ２７の上部２７ａを降下させて下部２７ｂの側壁部及び上部２７ａの側壁部の間にトレイフィルム４７ｃを挟み込み、チャンバ２７内を外部から密閉する。
【００５７】
次いで、図１１（Ａ）に示すように、テーブルアクチュエータ４３によって上部ステージ２９を降下させて押圧面２９ａによって配置面４７ａａに配置された複数の積層チップ２１を所定の圧力で押圧する。また、チャンバ２７内を真空引きして減圧し、各積層チップ２１を加熱することによって各積層チップ２１へリフロー処理を施す。これにより、各積層チップ２１から半導体デバイスが製造される。
【００５８】
各積層チップ２１から半導体デバイスが製造された後、図１１（Ｂ）に示すように、テーブルアクチュエータ４３によって上部ステージ２９を引き上げ、チャンバアクチュエータ３８及びフックアクチュエータ４５によってチャンバ２７を上部２７ａ及び下部２７ｂへ分割して搬送トレイ４７の移動経路から退出させる。
【００５９】
その後、ベルトコンベア１２によって搬送トレイ４７を移動させて上部２７ａ及び下部２７ｂの間から搬出して本処理を終了する。
【００６０】
上述した三次元実装装置４６では、内部トレイ４７ａの配置面４７ａａに配置された複数の積層チップ２１が同時に押圧され且つ加熱されてリフロー処理が施されるので、第１の実施の形態における三次元実装装置１１と同様に、同時に複数の半導体デバイスを製造することができ、半導体デバイス１つあたりの製造のスループットをさらに向上することができ、さらに、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる。
【００６１】
また、三次元実装装置４６では、内部トレイ４７ａがチャンバ２７に収容される際、内部トレイ４７ａ及びフレーム４７ｂの間を連結させるトレイフィルム４７ｃがチャンバ２７の上部２７ａ及び下部２７ｂに挟まれるが、トレイフィルム４７ｃは引っ張り限界まで展張されない限り、内部トレイ４７ａの移動を規制しないので、内部トレイ４７ａはトレイフィルム４７ｃに拘束されることなく、上部ステージ２９及び下部ステージ２８によって押圧される。その結果、配置面４７ａａに配置された複数の積層チップ２１を確実に押圧することができる。
【００６２】
以上、本発明について、上記各実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではない。
【００６３】
上述した各実施の形態では、１つの搬送トレイ１６（４７）に８つの積層チップ２１が載置され、三次元実装装置１１（４６）において８つの積層チップ２１へ同時にリフロー処理を施すが、搬送トレイ数は１つに限られず、例えば、図１２に示すように、２つの搬送トレイ４８を設け、各搬送トレイ４８のそれぞれに４つの積層チップ２１が載置され、各搬送トレイ４８に対応して設けられた三次元実装装置の２つのチャンバ４９のそれぞれが４つの積層チップ２１を収容して同時にリフロー処理を施してもよい。
【００６４】
また、上述した第２の実施の形態における搬送トレイ４７は、内部トレイ４７ａ、フレーム４７ｂ、及びこれらの間に介在するトレイフィルム４７ｃからなるが、トレイフィルムを用いる搬送トレイの構造はこれに限られない。
【００６５】
図１３は、図８における搬送トレイの第１の変形例の構成を概略的に示す図であり、図１３（Ａ）は第１の変形例の断面図であり、図１３（Ｂ）は第１の変形例の平面図である。
【００６６】
図１３（Ａ）及び１３（Ｂ）において、搬送トレイ５０は、円板状のステンレス板からなる内部トレイ（ウエハトレイ）５０ａと、内部トレイ５０ａを囲むように配置される環状のアルミ材からなる内部トレイサポート５０ｂと、内部トレイサポート５０ｂを囲む枠状のフレーム５０ｃと、内部トレイサポート５０ｂ及びフレーム５０ｃの間に介在してこれらを連結する、例えば、耐熱樹脂からなるトレイフィルム５０ｄとからなる。なお、内部トレイサポート５０ｂは、硬質材で構成されればよく、例えば、アルミ材とは別の金属材や樹脂材、具体的には、ベスペル（登録商標）によって構成されてもよい。
【００６７】
フレーム５０ｃは中心に大口径の円孔からなる開口部を有し、該円孔内に内部トレイ５０ａ及び内部トレイサポート５０ｂが同心に配置される。内部トレイサポート５０ｂは内側へ突出するフランジ５０ｅを有し、該フランジ５０ｅに内部トレイ５０ａの周縁部が載置されることによって内部トレイ５０ａが内部トレイサポート５０ｂに支持される。
【００６８】
本変形例では、後述の図１４（Ａ）に示すように、内部トレイ５０ａの表面である配置面５０ａａに８つの積層チップ２１が４つずつ２列に配置される。また、フレーム５０ｃにはベルトコンベア１２が連結される。
【００６９】
本変形例では、チャンバ２７が上部２７ａ及び下部２７ｂに分割された際、ベルトコンベア１２によって搬送トレイ５０が上部２７ａ及び下部２７ｂの間に搬入され、搬入された搬送トレイ５０は内部トレイ５０ａが下部ステージ２８と対向するように位置が調整される。本実施の形態では、内部トレイ５０ａの大きさは、該内部トレイ５０ａがチャンバ２７内に全て収容できるように設定されるとともに、フレーム５０ｃの開口部の大きさはチャンバ２７を囲むことができるように設定され、さらに、内部トレイ５０ａがチャンバ２７内に収容される際、内部トレイサポート５０ｂが上部２７ａ及び下部２７ｂに挟まれるように設定される。
【００７０】
次に、図１３の第１の変形例に係る搬送トレイを適用した三次元実装装置が実行する積層チップの三次元実装方法について説明する。
【００７１】
図１４は、図１３の第１の変形例に係る搬送トレイを適用した三次元実装装置が実行する積層チップの三次元実装方法の工程を説明するための図である。
【００７２】
まず、図１４（Ａ）に示すように、配置面５０ａａに８つの積層チップ２１が４つずつ２列に配置された搬送トレイ５０が上部２７ａ及び下部２７ｂの間にベルトコンベア１２によって搬入される。
【００７３】
次いで、図１４（Ｂ）に示すように、フックアクチュエータ４５がチャンバ２７の下部２７ｂを引き上げ、下部ステージ２８の載置面２８ａを内部トレイ５０ａへ当接させる。このとき、内部トレイ５０ａは下部ステージ２８によって持ち上げられて内部トレイサポート５０ｂから離間する。また、内部トレイサポート５０ｂもフランジ２７ｂａによって持ち上げられるが、トレイフィルム５０ｄは引っ張り限界まで展張されない限り、フレーム５０ｃに対する内部トレイサポート５０ｂの移動を規制しないので、内部トレイサポート５０ｂはフランジ２７ｂａとともに上方に移動する。
【００７４】
次いで、チャンバアクチュエータ３８がチャンバ２７の上部２７ａを降下させて下部２７ｂの側壁部及び上部２７ａの側壁部の間に内部トレイサポート５０ｂを挟み込むことにより、チャンバ２７内を外部から密閉し、さらに、テーブルアクチュエータ４３が上部ステージ２９を降下させて押圧面２９ａによって配置面５０ａａに配置された複数の積層チップ２１を所定の圧力で押圧する。また、チャンバ２７内を真空引きして減圧し、各積層チップ２１を加熱することによって各積層チップ２１へリフロー処理を施す。これにより、各積層チップ２１から半導体デバイスが製造される。
【００７５】
図１３の第１の変形例に係る搬送トレイ５０では、内部トレイサポート５０ｂが硬質材によって構成されるので、下部２７ｂの側壁部及び上部２７ａの側壁部による挟み込みによっても殆ど消耗しない。したがって、搬送トレイ５０の寿命を長くすることができる。
【００７６】
上述した搬送トレイ５０では、内部トレイサポート５０ｂ及びフレーム５０ｃがトレイフィルム５０ｄによって連結されるが、内部トレイサポート５０ｂ及びフレーム５０ｃを連結する部材はフィルムに限られない。例えば、図１５に示す搬送トレイの第２の変形例のように、低剛性の金属片５１によって内部トレイサポート５０ｂ及びフレーム５０ｃを連結してもよい。
【符号の説明】
【００７７】
１０  積層装置
１１，４６  三次元実装装置
１２  ベルトコンベア
１３  チップ
１６，４７  搬送トレイ
１６ａ  内側トレイ
１６ａａ  配置面
１６ｂ  外側トレイ
２１  積層チップ
２７  チャンバ
２７ａ  上部
２７ｂ  下部
２８  下部ステージ
２８ａ  載置面
２９  上部ステージ
２９ａ  押圧面
３３，３９  ヒータ
４７ａ  内部トレイ
４７ｂ  フレーム
４７ｃ  トレイフィルム
【図１】
2013084717.tif 000003
【図２】
2013084717.tif 000004
【図３】
2013084717.tif 000005
【図４】
2013084717.tif 000006
【図５】
2013084717.tif 000007
【図６】
2013084717.tif 000008
【図７】
2013084717.tif 000009
【図８】
2013084717.tif 000010
【図９】
2013084717.tif 000011
【図１０】
2013084717.tif 000012
【図１１】
2013084717.tif 000013
【図１２】
2013084717.tif 000014
【図１３】
2013084717.tif 000015
【図１４】
2013084717.tif 000016
【図１５】
2013084717.tif 000017