(57)【要約】【課題】省スペースで構成され、割れ発生の検出精度を向上できる割れ発生検出装置を提供する。【解決手段】ワークＷ１・Ｗ２から放出されるＡＥ信号をＡＥセンサ１０Ａ。１０Ｂによって検出し、検出したＡＥ信号に基づいてワークＷ１・Ｗ２に割れが発生したことを検出する割れ発生検出装置１００であって、ＡＥセンサ１０Ａ・１０Ｂは、ワークＷ１・Ｗ２を介して対向して２つ配置され、一方のＡＥセンサ１０Ａから擬似ＡＥ信号を発生させて、他方のＡＥセンサ１０Ｂに検出させ、検出させた前記擬似ＡＥ信号の振幅に基づいて他方のＡＥセンサ１０Ｂの感度を判定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークから放出されるＡＥ信号をＡＥセンサによって検出し、検出したＡＥ信号に基づいてワークに割れが発生したことを検出する割れ発生検出装置であって、
前記ＡＥセンサは、前記ワークを介して対向して２つ配置され、
一方のＡＥセンサから擬似ＡＥ信号を発生させて、他方のＡＥセンサに検出させ、検出させた前記擬似ＡＥ信号の振幅に基づいて他方のＡＥセンサの感度を判定する、
割れ発生検出装置。
【請求項２】
請求項１記載の割れ発生検出装置であって、
ワークに割れが発生したことを検出したときには、検出したＡＥ信号の物理量と予め算出したワークの割れ大きさとの相関に基づいて、検出した割れを割れ大きさによって分別する、
割れ発生検出装置。
【請求項３】
ワークから放出されるＡＥ信号をＡＥセンサによって検出し、検出したＡＥ信号に基づいてワークに割れが発生したことを検出する割れ発生検出方法であって、
前記ＡＥセンサを、前記ワークを介して対向して２つ配置し、
一方のＡＥセンサから擬似ＡＥ信号を発生させて、他方のＡＥセンサに検出させ、検出させた前記擬似ＡＥ信号の振幅に基づいて他方のＡＥセンサの感度を判定する、
割れ発生検出方法。
【請求項４】
請求項３記載の割れ発生検出方法であって、
ワークに割れが発生したことを検出したときには、検出したＡＥ信号の物理量と予め算出したワークの割れ大きさとの相関に基づいて、検出した割れを割れ大きさによって分別する、
割れ発生検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワークに割れが発生したことを検出する割れ発生検出装置及び割れ発生検出方法の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
割れ発生検出装置は、ワークから放出されるＡＥ（Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）信号をＡＥ（Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）センサによって検出し、検出したＡＥ信号に基づいてワークに割れが発生したことを検出する装置である。
【０００３】
例えば、特許文献１では、ワークに割れが発生した時にワークから放出されるＡＥ信号をＡＥセンサによって検出し、ＡＥセンサの感度の経時変化についてＡＥセンサとは別の基準音源発生装置を用いて確認する割れ発生検出装置が開示されている。
【０００４】
しかし、割れ発生検出装置においては、電子部品のような小さなワークの割れ発生を検出する場合、複数のＡＥセンサを設ける必要がある場合、或いは設置場所が限られている場合には、特許文献１に記載の割れ発生検出装置のように基準音源を設置することができない。また、ＡＥセンサから離れた場所に基準音源を設置する場合には、伝播経路においてノイズが拾われてしまい、割れ発生の検出精度が低下することになる。
【０００５】
そこで、割れ発生検出装置では、省スペースで構成され、割れ発生の検出精度を向上できることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０８−００５６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の解決しようとする課題は、省スペースで構成され、割れ発生の検出精度を向上できる割れ発生検出装置及び割れ発生検出方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段を説明する。
【０００９】
即ち、請求項１においては、ワークから放出されるＡＥ信号をＡＥセンサによって検出し、検出したＡＥ信号に基づいてワークに割れが発生したことを検出する割れ発生検出装置であって、前記ＡＥセンサは、前記ワークを介して対向して２つ配置され、一方のＡＥセンサから擬似ＡＥ信号を発生させて、他方のＡＥセンサに検出させ、検出させた前記擬似ＡＥ信号の振幅に基づいて他方のＡＥセンサの感度を判定するものである。
【００１０】
請求項２においては、請求項１記載の割れ発生検出装置であって、ワークに割れが発生したことを検出したときには、検出したＡＥ信号の物理量と予め算出したワークの割れ大きさとの相関に基づいて、検出した割れを割れ大きさによって分別するものである。
【００１１】
請求項３においては、ワークから放出されるＡＥ信号をＡＥセンサによって検出し、検出したＡＥ信号に基づいてワークに割れが発生したことを検出する割れ発生検出方法であって、前記ＡＥセンサを、前記ワークを介して対向して２つ配置し、一方のＡＥセンサから擬似ＡＥ信号を発生させて、他方のＡＥセンサに検出させ、検出させた前記擬似ＡＥ信号の振幅に基づいて他方のＡＥセンサの感度を判定するものである。
【００１２】
請求項４においては、請求項３記載の割れ発生検出方法であって、ワークに割れが発生したことを検出したときには、検出したＡＥ信号の物理量と予め算出したワークの割れ大きさとの相関に基づいて、検出した割れを割れ大きさによって分別するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の割れ発生検出装置及び割れ発生検出方法によれば、省スペースで構成され、割れ発生の検出精度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る割れ発生検出装置の全体的な構成を示す模式図。
【図２】同じく割れ大きさとＡＥ信号との相関を作成するイメージを示す模式図。
【図３】割れ大きさとＡＥ信号の物理量との相関を示すグラフ図。
【図４】割れ大きさとＡＥ信号の物理量との別の相関を示すグラフ図。
【図５】割れ発生検出制御の流れを示すフロー図。
【図６】センサ感度確認制御の流れを示すフロー図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１を用いて、割れ発生検出装置１００について説明する。
なお、図１の破線は、電気信号線を表している。
【００１６】
割れ発生検出装置１００は、本発明の割れ発生検出装置に係る実施形態である。割れ発生検出装置１００は、ワークＷＡ・ＷＢに割れが発生したことを検出する装置である。
【００１７】
本実施形態のワークＷＡ・ＷＢは、パワーカードＰの両面に接着剤としてのグリスによって貼りつけられるセラミック板としている。パワーカードＰにセラミック板を貼り付ける際には、セラミック板が反っていたり、パワーカードＰとセラミック板との接着面に異物が存在したりすると、セラミック板が割れる可能性がある。本実施形態の割れ発生検出装置１００は、パワーカードＰの両面（天井面及び底面）にワークＷＡ・ＷＢとしてのセラミック板を貼り付ける際に、ワークＷＡ・ＷＢに割れが発生したことを検出する装置としている。
【００１８】
なお、パワーカードとは、ハイブリッド自動車に用いられるデバイスの一つであって、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子を銅のリードフレームで両側から挟んで素子からの発熱を冷却水で効率的に冷やす構造のパッケージである。
【００１９】
割れ発生検出装置１００は、大きくは、圧着装置１０１と、割れ発生検出デバイス１０２と、から構成されている。圧着装置１０１は、パワーカードＰの両面にグリスによって接着されるワークＷＡ・ＷＢを、上下方向に圧着するものである。割れ発生検出デバイス１０２は、圧着装置１０１によって圧着されているワークＷＡ・ＷＢに割れが発生したことを検出するデバイスである。
【００２０】
圧着装置１０１は、ＡＥ（Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）センサ１０Ａ・１０Ｂと、圧着ヘッド２０Ａ・２０Ｂと、支持部材２１Ａ・２１Ｂと、上下駆動機構２５と、を具備している。
【００２１】
圧着ヘッド２０Ａ・２０Ｂは、ワークＷＡ・ＷＢとパワーカードＰとを挟んで圧着するものである。圧着ヘッド２０Ａは、パワーカードＰの下側に配置され、圧着ヘッド２０Ｂは、パワーカードＰの上側に配置されている。
【００２２】
支持部材２１Ａ・２１Ｂは、圧着ヘッド２０Ａ・２０Ｂを支持するものである。支持部材２１Ａは、圧着ヘッド２０Ａを下側から支持し、支持部材２１Ｂは、圧着ヘッド２０Ｂを上側から支持するものである。
【００２３】
ＡＥセンサ１０Ａ・１０Ｂは、機械量としての音響波（ＡＥ（Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）信号）を電気量としてのＡＥ信号に変換する、或いは、電気量としてのＡＥ信号を機械量としてのＡＥ信号に変換するものである。ＡＥセンサ１０Ａは、圧着ヘッド２０Ａにおける、圧着ヘッド２０Ａを介してワークＷＡと対向する側（圧着ヘッド２０ＡのワークＷＡが圧着する側の面とは反対側の面）に配置されている。ＡＥセンサ１０Ｂは、圧着ヘッド２０Ｂにおける、圧着ヘッド２０Ｂを介してワークＷＢと対向する側（圧着ヘッド２０ＢのワークＷＢが圧着する側の面とは反対側の面）に配置されている。
【００２４】
上下駆動機構２５は、圧着ヘッド２０Ｂ、支持部材２１Ｂ及びＡＥセンサ１０Ｂを上下方向に駆動するものである。上下駆動機構２５は、圧着ヘッド２０Ｂを下降させることによって、圧着ヘッド２０Ａ側に押圧させ、圧着ヘッド２０Ｂと圧着ヘッド２０Ａとで、ワークＷＡ・ＷＢとパワーカードＰとを挟んで圧着するものである。
【００２５】
割れ発生検出デバイス１０２は、コントローラ５０と、スイッチ３０Ａ・３０Ｂと、プリアンプ４０Ａ・４０Ｂと、モニタ６０と、パルスジェネレータ７０と、を具備している。
【００２６】
スイッチ３０Ａは、パルスジェネレータ７０とＡＥセンサ１０Ａとの接続、或いは、プリアンプ４０ＡとＡＥセンサ１０Ａとの接続を切り替える（ＡＥセンサ１０Ａの接続先をパルスジェネレータ７０とプリアンプ４０Ａとの何れかに切り替える）ものである。同様に、スイッチ３０Ｂは、パルスジェネレータ７０とＡＥセンサ１０Ｂとの接続、或いは、プリアンプ４０ＢとＡＥセンサ１０Ｂとの接続を切り替える（ＡＥセンサ１０Ｂの接続先をパルスジェネレータ７０とプリアンプ４０Ｂとの何れかに切り替える）ものである。
【００２７】
プリアンプ４０Ａ・４０Ｂは、ＡＥセンサ１０Ａ・１０Ｂによって検出されたそれぞれのＡＥ信号の振幅レベルを増幅又は調整するものである。プリアンプ４０Ａ・４０Ｂには、ＡＥセンサ１０Ａ・１０ＢよりＡＥ信号が入力され、プリアンプ４０Ａ・４０Ｂからは振幅レベルが増幅又は調整されたＡＥ信号がコントローラ５０に出力される。
【００２８】
コントローラ５０は、ワークＷＡ又はワークＷＢから放出されるＡＥ信号をＡＥセンサ１０Ａ又はＡＥセンサ１０Ｂによって検出し、検出したＡＥ信号に基づいてワークＷＡ又はワークＷＢに割れが発生したことを検出する機能を有している。
【００２９】
コントローラ５０は、パルスジェネレータ７０によって所定レベルの振幅の波形を生成し、生成した波形をＡＥセンサ１０Ｂによって擬似ＡＥ信号として放出し、放出される擬似ＡＥ信号をＡＥセンサ１０Ａによって検出させ、検出させたＡＥ信号に基づいてＡＥセンサ１０Ａの感度を判定する機能を有している。
【００３０】
コントローラ５０は、パルスジェネレータ７０によって所定レベルの振幅の波形を生成し、生成した波形をＡＥセンサ１０Ａによって擬似ＡＥ信号として放出し、放出される擬似ＡＥ信号をＡＥセンサ１０Ｂによって検出させ、検出させたＡＥ信号に基づいてＡＥセンサ１０Ｂの感度を判定する機能を有している。
【００３１】
モニタ６０は、コントローラ５０に入力されたＡＥ信号を出力するものである。パルスジェネレータ７０は、所定レベルの振幅のパルスを発生させる装置である。
【００３２】
図２乃至図４を用いて、割れ大きさデータＤ１〜Ｄ４について説明する。
割れ大きさデータＤ１〜Ｄ４とは、ワークＷＡ・ＷＢに生じた割れ大きさＢ（Ｂ１・・・Ｂｎ）と、ＡＥセンサ１０Ａ・１０Ｂにより検出されるＡＥ信号の物理量との相関である。
【００３３】
図２を用いて、割れ大きさデータＤ１〜Ｄ４の作成工程について説明する。
なお、以下では、図２に示される幅方向又は奥行き方向に従って説明する。
【００３４】
割れ大きさデータＤ１〜Ｄ４の作成工程では、まず、複数の幅Ｂ（Ｂ１・・・Ｂｎ）の異なる短冊状のセラミック板であるワークＷ１・・・Ｗｎを用意する。次に、例えばワークＷ１の奥行方向の両端側を支持部材１０３・１０４によって支持させ、圧着ヘッド２０Ａから浮かせて載置する。次に、圧着ヘッド２０Ａから浮かせて支持されているワークＷ１の奥行方向の略中央部に硬球１０５を載置し、圧着ヘッド２０Ｂを下降させて、圧着ヘッド２０Ａに押圧させる。
【００３５】
このとき、圧着ヘッド２０Ａ・２０Ｂに挟まれたワークＷＡには、硬球１０５による下向きの押圧力と支持部材１０３・１０４による上向きの反力とによって奥行方向の略中央部分に剪断力が作用する。そして、圧着ヘッド２０Ｂを圧着ヘッド２０Ａに押圧させるにしたがって、ワークＷ１の略中央部分の剪断応力が増加し、ワークＷ１は破断に至る（割れが発生する）。
【００３６】
ワークＷ１・・・Ｗｎのそれぞれについて、上述の作業を行い、それぞれのワークＷ１・・・Ｗｎに割れが発生した際のＡＥ信号をＡＥセンサ１０Ａ・１０Ｂにて検出して取得する。それぞれのワークＷ１・・・Ｗｎは、幅方向長さの全てにおいて破断させた場合には、それぞれの幅（割れ大きさ）ＢのＡＥ信号を取得することができる。
【００３７】
図３及び図４を用いて、割れ大きさデータＤ１〜Ｄ４について説明する。
図３（Ａ）は、例えばワークＷ１の割れによるＡＥ信号の波形を表している。
図３（Ａ）に示すように、一般に、ワークＷ１（短冊状のセラミック板）に割れが発生した際の音響波（ＡＥ信号）は、振幅Ｄの異なる複数の波形が形成される。なお、それぞれの波形の振幅は、時間に伴い増加してから減少する。
【００３８】
ＡＥ信号の物理量を、最大振幅Ｄｍａｘ、エネルギＥ、発生数Ｎ及び持続時間Ｔと定義する。持続時間Ｔとは、持続時間Ｔにおける波形が発生している時間である。最大振幅Ｄｍａｘとは、持続時間Ｔにおける振幅Ｄの異なる複数の波形のうちの最大の振幅Ｄのレベルである。エネルギＥとは、持続時間Ｔにおける振幅Ｄの積分値である（図３（Ａ）における斜線部分の面積）。発生数Ｎとは、持続時間Ｔにおける波形の発生数である。
【００３９】
図３（Ｂ）は、割れ大きさデータＤ１を表している。
なお、図３（Ｂ）における割れ大きさＢ及び最大振幅Ｄｍａｘの物理量は、無次元化して表している。
【００４０】
割れ大きさデータＤ１は、割れ大きさＢと最大振幅Ｄｍａｘとの相関である。最大振幅Ｄｍａｘは、割れ大きさＢの増加に伴い、対数関数的に増加することが確認できる。すなわち、割れ大きさデータＤ１によれば、取得したＡＥ信号の最大振幅Ｄｍａｘの大きさによって、割れ大きさＢが推定できる。
【００４１】
図３（Ｃ）は、割れ大きさデータＤ２を表している。
なお、図３（Ｃ）における割れ大きさＢ及びエネルギＥの物理量は、無次元化して表している。
【００４２】
割れ大きさデータＤ２は、割れ大きさＢとエネルギＥとの相関である。エネルギＥは、割れ大きさＢの増加に伴い、対数関数的に増加することが確認できる。すなわち、割れ大きさデータＤ２によれば、取得したＡＥ信号のエネルギＥの大きさによって、割れの大きさＢが推定できる。
【００４３】
図４（Ａ）は、割れ大きさデータＤ３を表している。
なお、図４（Ａ）における割れ大きさＢ及び持続時間Ｔの物理量は、無次元化して表している。
【００４４】
割れ大きさデータＤ３は、割れ大きさＢと持続時間Ｔとの相関である。持続時間Ｔは、割れ大きさＢの増加に伴い、対数関数的に増加することが確認できる。すなわち、割れ大きさデータＤ３によれば、取得したＡＥ信号の持続時間Ｔの大きさによって、割れの大きさＢが推定できる。
【００４５】
図４（Ｂ）は、割れ大きさデータＤ４を表している。
なお、図４（Ｂ）における割れ大きさＢ及び発生数Ｎの物理量は、無次元化して表している。
【００４６】
割れ大きさデータＤ４は、割れ大きさＢと発生数Ｎとの相関である。発生数Ｎは、割れ大きさＢの増加に伴い、対数関数的に増加することが確認できる。すなわち、割れ大きさデータＤ４によれば、取得したＡＥ信号の波形の発生数Ｎによって、割れの大きさＢが推定できる。
【００４７】
図５を用いて、割れ発生検出制御Ｓ１００について説明する。
割れ発生検出制御Ｓ１００は、本発明の割れ発生検出装置及び割れ発生検出方法に係る実施形態である。割れ発生検出制御Ｓ１００は、割れ発生検出装置１００によって、パワーカードＰの両面にワークＷＡ・ＷＢを貼り付ける際に、ワークＷＡ・ＷＢに割れが発生したことを検出する制御である。
【００４８】
なお、割れ発生検出制御Ｓ１００では、スイッチ３０Ａ・３０Ｂは、プリアンプ４０Ａ・４０ＢとＡＥセンサ１０Ａ・１０Ｂとをそれぞれ接続している。
【００４９】
ステップＳ１１０において、作業者は、ワークＷＡ・ＷＢとパワーカードＰとを圧着ヘッド２０Ａに載置する。ステップＳ１２０において、作業者は、上下駆動機構２５によって圧着ヘッド２０Ｂを下降させ、圧着ヘッド２０Ｂを圧着ヘッド２０Ａ側に押圧させ、圧着ヘッド２０Ｂと圧着ヘッド２０ＡとでワークＷＡ・ＷＢとパワーカードＰとを挟んで圧着する。ステップＳ１３０において、コントローラ５０は、ワークＷＡ・ＷＢとパワーカードＰとを挟んで圧着されている間、ＡＥセンサ１０Ａ・１０Ｂから放出されるＡＥ信号を受信する。
【００５０】
ステップＳ１４０において、コントローラ５０は、ＡＥセンサ１０Ａ・１０Ｂが受信したそれぞれのＡＥ信号のエネルギＥが設定値以内かどうかを確認する。それぞれのＡＥ信号のエネルギＥが設定値以内であれば、ステップＳ１５０へ移行する。一方、それぞれのＡＥ信号のエネルギＥが設定値以内でなければ、ステップＳ１７０へ移行する。なお、エネルギＥの設定値は予めコントローラ５０に設定されているものとする。
【００５１】
ステップＳ１５０において、作業者は、圧着ヘッド２０Ｂを上昇させ、ワークＷＡ・ＷＢとパワーカードＰとを圧着を開放する。ステップＳ１６０において、コントローラ５０は、異常がない場合であっても、ＡＥセンサ１０Ａ・１０Ｂが受信したそれぞれのＡＥ信号の波形を保存する。
【００５２】
ステップＳ１７０において、コントローラ５０は、検出したＡＥ信号のエネルギＥと、割れ大きさデータＤ２とに基づいて、割れ大きさＢを算出する。ステップＳ１８０において、コントローラ５０は、モニタ６０によって異常表示する、或いは、警告音等によって、ワークＷＡ又はワークＷＢに割れが発生したことを知らせる。ステップＳ１９０において、コントローラ５０は、ＡＥセンサ１０Ａ・１０Ｂが受信したそれぞれのＡＥ信号の波形を保存する。
【００５３】
本実施形態では、コントローラ５０がＡＥセンサ１０Ａ・１０Ｂが受信したそれぞれのＡＥ信号のエネルギＥが設定値以内であるか否かにて異常の有無を判断したが、これに限定されない。例えば、ＡＥ信号の最大振幅Ｄｍａｘ、持続時間Ｔ又は発生数Ｎが設定値以内であるか否かにて異常の有無を判断しても良い。このとき、コントローラ５０は、割れ大きさデータＤ１、Ｄ３又はＤ４に基づいて、割れ大きさＢを算出する。
【００５４】
図６を用いて、センサ感度確認制御Ｓ２００について説明する。
センサ感度確認制御Ｓ２００は、本発明の割れ発生検出装置及び割れ発生検出方法に係る実施形態である。センサ感度確認制御Ｓ２００は、割れ発生検出装置１００によって、パルスジェネレータ７０で生成され、ＡＥセンサ１０Ｂ（１０Ａ）から放出されるＡＥ信号をＡＥセンサ１０Ａ（１０Ｂ）によって検出させ、検出させたＡＥ信号に基づいてＡＥセンサ１０Ａ（１０Ｂ）の感度を判定する制御である。
【００５５】
なお、センサ感度確認制御Ｓ２００では、スイッチ３０Ａ（３０Ｂ）がパルスジェネレータ７０とＡＥセンサ１０Ａ（１０Ｂ）とを接続するとともに、スイッチ３０Ｂ（３０Ａ）がプリアンプ４０Ｂ（４０Ａ）とＡＥセンサ１０Ｂ（１０Ａ）とを接続している。
【００５６】
ステップＳ２１０において、作業者は、圧着ヘッド２０Ｂを下降させ、圧着ヘッド２０Ａに当接させる。ステップＳ２２０において、コントローラ５０は、パルスジェネレータ７０によって所定レベルの振幅の波形を発生させ、ＡＥセンサ１０Ｂから擬似ＡＥ信号として発信させる。ステップＳ２３０において、コントローラ５０は、ＡＥセンサ１０Ｂから放出された擬似ＡＥ信号をＡＥセンサ１０Ａに受信させる。
【００５７】
ステップＳ２４０において、コントローラ５０は、受信させた擬似ＡＥ信号の振幅レベルが設定レベル領域に存在するかどうかを確認する。なお、設定レベル領域は、予めコントローラ５０に記憶されているものとする。受信した擬似ＡＥ信号の振幅レベルが設定レベル領域に存在する場合には、ステップＳ２５０へ移行する。一方、受信した擬似ＡＥ信号の振幅レベルが設定レベル領域に存在しない場合には、ステップＳ２８０へ移行する。
【００５８】
ステップＳ２５０において、コントローラ５０は、パルスジェネレータ７０によって設定レベルの振幅の波形を発生させ、ＡＥセンサ１０Ａから擬似ＡＥ信号として発信させる。ステップＳ２６０において、コントローラ５０は、ＡＥセンサ１０Ａから放出された擬似ＡＥ信号をＡＥセンサ１０Ｂに受信させる。
【００５９】
ステップＳ２７０において、コントローラ５０は、受信させた擬似ＡＥ信号の振幅レベルが設定レベル領域に存在するかどうかを確認する。なお、設定レベル領域は、予めコントローラ５０に記憶されているものとする。受信した擬似ＡＥ信号の振幅レベルが設定レベル領域に存在する場合には、センサ感度確認制御Ｓ２００を終了する。一方、受信した擬似ＡＥ信号の振幅レベルが設定レベル領域に存在しない場合には、ステップＳ２８０へ移行する。
【００６０】
ステップＳ２８０において、コントローラ５０は、モニタ６０によって異常表示する、或いは、警告音等によって、ＡＥセンサ１０Ａ又はＡＥセンサ１０Ｂの感度が悪いことを知らせる。
【００６１】
割れ発生検出装置１００、割れ発生検出制御Ｓ１００及びセンサ感度確認制御Ｓ２００の効果について説明する。
割れ発生検出装置１００及びセンサ感度確認制御Ｓ２００によれば、割れ発生検出装置１００を省スペースで構成し、割れ発生の検出精度を向上できる。すなわち、ワークＷ１・Ｗ２を介して対向して２つのＡＥセンサ１０Ａ・１０Ｂを設けることによって、割れ発生検出装置１００を省スペースで構成でき、センサ感度確認制御Ｓ２００によってＡＥセンサ１０Ａ・１０Ｂの感度を確認できる。
【００６２】
また、割れ発生検出装置１００及び割れ発生検出制御Ｓ１００によれば、割れが発生した場合には、割れ大きさデータＤ２によって、ワークＷ１・Ｗ２の割れ大きさＢを推定することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１０Ａ    ＡＥセンサ
１０Ｂ    ＡＥセンサ
２０Ａ    圧着ヘッド
２０Ｂ    圧着ヘッド
１００    割れ検出発生装置
Ｄ        振幅
Ｄｍａｘ  最大振幅
Ｅ        エネルギ
Ｎ        発生数
Ｐ        パワーカード
Ｓ１００  割れ発生検出制御
Ｓ２００  センサ感度確認制御
Ｔ        持続時間
ＷＡ      ワーク（セラミック板）
ＷＢ      ワーク（セラミック板）
【図１】
2013152161.tif 000003
【図２】
2013152161.tif 000004
【図３】
2013152161.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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