(57)【要約】【課題】保護フィルムを容易に剥離除去できるようにし、製造歩掛かりを向上させることを可能にする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】回路が形成されたウェハの表面に、感光時にガスを発するポジ型レジストを塗布するとともにベーク処理してポジ型レジスト膜を形成する。次に、ポジ型レジスト膜の表面に回路を保護するための保護フィルムを貼り付け、保護フィルムで回路を保護しつつウェハの裏面を研削あるいは研磨してウェハを薄層化する。次に、薄層化したウェハの表面側に紫外線あるいは可視光線の光を照射してポジ型レジストを感光させるとともに、保護フィルムとポジ型レジスト膜の間にガスを介在させる。そして、保護フィルムをポジ型レジスト膜の表面から剥離除去し、感光したポジ型レジスト膜を薬液で除去する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路が形成されたウェハの表面に、感光時にガスを発するポジ型レジストを塗布するとともにベーク処理してポジ型レジスト膜を形成するポジ型レジスト膜形成工程と、
前記ポジ型レジスト膜の表面に前記回路を保護するための保護フィルムを貼り付ける保護フィルム貼り付け工程と、
前記保護フィルムで前記回路を保護しつつ前記ウェハの裏面を研削あるいは研磨して前記ウェハを薄層化するウェハ薄層化工程と、
前記ウェハ薄層化工程後の前記ウェハの表面側に紫外線あるいは可視光線の光を照射して前記ポジ型レジストを感光させるとともに、前記保護フィルムと前記ポジ型レジスト  膜の間に前記ガスを介在させるポジ型レジスト感光工程と、
前記保護フィルムを前記ポジ型レジスト膜の表面から剥離除去する保護フィルム剥離工程と、
感光した前記ポジ型レジスト膜を薬液で除去するポジ型レジスト除去工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ポジ型レジスト感光工程で前記ウェハの表面側に照射した紫外線あるいは可視光線の光に反応して粘着力が低下する前記保護フィルムを用いるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記保護フィルム剥離工程で、前記ウェハとともに前記保護フィルムを加熱し、軟化した前記保護フィルムを剥離除去するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ポジ型レジスト膜形成工程の前に、前記ウェハの表面に界面活性剤を塗布する界面活性剤塗布工程を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウェハとともに前記保護フィルムを４０℃〜１２０℃に加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子機器の多機能化、高機能化に伴い、これに使用される半導体装置には、高速の処理能力を備えつつ小型化、薄型化を図ることが求められている。そして、この種の半導体装置を製造する際には、例えば、ウェハの表面に保護フィルム（保護テープ）を貼り付け、ウェハの表面に形成した回路を保護した状態で、ウェハを裏面から研削あるいは研磨して薄層化するようにしている。
【０００３】
また、このとき、保護フィルムとしてＵＶ（紫外線）照射によって粘着力が低下するＵＶフィルムが多用され、このＵＶフィルムにＵＶを照射して粘着力を極小化するとともに、ＵＶフィルムに付着させたリムーバーテープを引っ張って、真空台座等に固定したウェハの表面からリムーバーテープとともにＵＶフィルムを剥離除去する。さらに、このとき、ＵＶフィルムをめくり上げながらウェハの表面に沿う水平方向（１８０°方向）に引っ張って剥離除去するようにしている。
【０００４】
一方、保護フィルムを剥離除去した際に、保護フィルムの粘着剤がウェハの表面に残渣として残ってしまう場合があり、この場合には、ウェハの表面から残渣を除去する工程が必要になるため、製造歩留まりが低下するという問題があった。
【０００５】
これに対し、特許文献１には、ウェハの表面にレジストパターン（レジスト膜）を形成し、このレジストパターンによってウェハの表面から裏面側に凹み、ウェハを個片化するための溝を形成した段階で、レジスト膜の表面に保護フィルムを貼り付け、ウェハを裏面側から研削／研磨して薄層化する方法が開示されている。
【０００６】
そして、この特許文献１の方法では、予め溝を形成しておくことで、ウェハを薄層化した後に保護フィルムを剥離するとともにウェハひいては半導体装置が個片化することになる。また、このとき、保護フィルムの粘着剤の残渣が各半導体装置の表面に形成したレジスト膜に付着して残るため、各半導体装置の表面からレジスト膜を溶剤で除去する際に、レジスト膜とともに粘着剤の残渣を一緒に除去することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２１２４２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、剛性が小さい保護フィルムを使用すると、薄層化したウェハに反りなどの歪みが発生してプロセスエラーが誘発されてしまうため、一般に、保護フィルムには、例えばＰＥＴなどの比較的高剛性のフィルムが適用される。また、研削／研磨時に保護フィルムが巻き込まれることを防止するため、ウェハの表面に保護フィルムを貼り付けるとともに、ウェハの周端と保護フィルムの周端がウェハの表面に沿う水平方向の略同位置になるように保護フィルムを切断するようにしている。
【０００９】
そして、研削／研磨を終え、保護フィルムを剥離除去する際に、この保護フィルムは、ウェハと密着し、大気圧によってウェハの表面に張り付いた状態になっている。このため、保護フィルムを好適に剥離除去するためには、保護フィルムとウェハの間に空気を侵入させて保護フィルムとウェハの界面を大気開放させることが必要になる。
【００１０】
しかしながら、従来の半導体装置の製造方法においては、ウェハの周端と保護フィルムの周端が略同位置にあり、また、保護フィルムの剛性が高いことで、保護フィルムを剥離方向に折り曲げることができず、これにより、保護フィルムとウェハの界面を周端側から大気開放することが困難になり、結果として保護フィルムを剥離することが困難であるという問題があった。このため、保護フィルムを容易に剥離除去できるようにし、製造歩掛かりを向上させるための手法が強く望まれていた。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑み、保護フィルムを容易に剥離除去できるようにし、製造歩掛かりを向上させることを可能にする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供している。
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法は、回路が形成されたウェハの表面に、感光時にガスを発するポジ型レジストを塗布するとともにベーク処理してポジ型レジスト膜を形成するポジ型レジスト膜形成工程と、前記ポジ型レジスト膜の表面に前記回路を保護するための保護フィルムを貼り付ける保護フィルム貼り付け工程と、前記保護フィルムで前記回路を保護しつつ前記ウェハの裏面を研削あるいは研磨して前記ウェハを薄層化するウェハ薄層化工程と、前記ウェハ薄層化工程後の前記ウェハの表面側に紫外線あるいは可視光線の光を照射して前記ポジ型レジストを感光させるとともに、前記保護フィルムと前記ポジ型レジスト膜の間に前記ガスを介在させるポジ型レジスト感光工程と、前記保護フィルムを前記ポジ型レジスト膜の表面から剥離除去する保護フィルム剥離工程と、感光した前記ポジ型レジスト膜を薬液で除去するポジ型レジスト除去工程とを備えていることを特徴とする。
【００１４】
この発明においては、ウェハの表面に、感光時にガスを発するポジ型レジストを塗布してポジ型レジスト膜を形成し、このポジ型レジスト膜の表面に保護フィルムを貼り付けて設けるようにしたことで、保護フィルムによって回路を保護しつつウェハを薄層化した後に、ポジ型レジストを感光させて発生したガスを保護フィルムとポジ型レジスト膜の間に介在させることができる。そして、このようにガスが介在することにより、保護フィルムとポジ型レジストが密着し、大気圧によって張り付いた状態を解除することができるため、従来と比較し保護フィルムを容易に剥離することが可能になる。
【００１５】
また、感光すると薬液に対する溶解性が高まるポジ型レジストを用いているため、保護フィルムを剥離した後に、有機溶剤やアルカリ溶液などの薬液によって、薄層化したウェハの表面から確実且つ容易にポジ型レジスト膜を除去することができる。
【００１６】
また、本発明の半導体装置の製造方法においては、前記ポジ型レジスト感光工程で前記ウェハの表面側に照射した紫外線あるいは可視光線の光に反応して粘着力が低下する前記保護フィルムを用いることが望ましい。
【００１７】
この発明においては、紫外線あるいは可視光線の光に反応して粘着力が低下する前記保護フィルムを用いることによって、ポジ型レジスト感光工程で保護フィルムとポジ型レジスト膜の間にガスを介在させることに加え、保護フィルムの粘着力を低下させることにより、保護フィルム剥離工程で、より容易に保護フィルムをポジ型レジスト膜の表面から剥離することが可能になる。
【００１８】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法においては、前記保護フィルム剥離工程で、前記ウェハとともに前記保護フィルムを加熱し、軟化した前記保護フィルムを剥離除去することがより望ましい。
【００１９】
この発明においては、ポジ型レジスト感光工程で保護フィルムとポジ型レジスト膜の間にガスを介在させることに加え、保護フィルム剥離工程で保護フィルムを加熱して軟化させることにより、より容易に保護フィルムをポジ型レジスト膜の表面から剥離することが可能になる。
【００２０】
また、本発明の半導体装置の製造方法においては、前記ポジ型レジスト膜形成工程の前に、前記ウェハの表面に界面活性剤を塗布する界面活性剤塗布工程を備えていることがさらに望ましい。
【００２１】
この発明においては、ウェハの表面に界面活性剤を塗布することによって、ポジ型レジスト膜形成工程で、ウェハの表面に対するポジ型レジスト膜の密着性を向上させることが可能になる。これにより、ウェハ薄層化工程でウェハの裏面を好適に研削あるいは研磨することができ、高精度でウェハを薄層化することが可能になる。
【００２２】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法においては、前記ウェハとともに前記保護フィルムを４０℃〜１２０℃に加熱することが望ましい。
【００２３】
この発明においては、保護フィルム剥離工程で、ウェハとともに保護フィルムを加熱して軟化させる際に、保護フィルムを４０℃〜１２０℃に加熱することによって、容易に保護フィルムをポジ型レジスト膜の表面から剥離することが可能になる。なお、保護フィルムを４０℃よりも低温にすると、保護フィルムが軟化不足となる場合があり、その際には、保護フィルムを剥離方向へ折り曲げにくくなり、保護テープを剥せない場合がある。また、１２０℃よりも高温にすると、ポジ型レジストが変質し、ポジ型レジスト除去工程において、一般的な有機溶剤（アセトン等）の薬液での除去が困難になってしまう。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の半導体装置の製造方法においては、ウェハの表面に、感光時にガスを発するポジ型レジストを塗布してポジ型レジスト膜を形成し、このポジ型レジスト膜の表面に保護フィルムを貼り付けて設けるようにしたことで、保護フィルムによって回路を保護しつつウェハを薄層化した後に、紫外線あるいは可視光線の光を照射してポジ型レジストを感光させるとともに、この感光によって発生したガスを保護フィルムとポジ型レジスト膜の間に介在させることができる。そして、このようにガスが介在することにより、保護フィルムとポジ型レジストが密着し、大気圧によって張り付いた状態を解除することができるため、従来と比較し保護フィルムを容易に剥離することが可能になる。
【００２５】
また、感光すると薬液に対する溶解性が高まるポジ型レジストを用いているため、保護フィルムを剥離した後に、有機溶剤やアルカリ溶液などの薬液によって、薄層化したウェハの表面から確実且つ容易にポジ型レジスト膜を除去することができる。
【００２６】
よって、本発明の半導体装置の製造方法によれば、従来と比較し、保護フィルムを容易に剥離除去できるようにして、製造歩掛かりを向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。
【図２】表面に回路が形成されたウェハを示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法において、ウェハの表面にポジ型レジスト膜を形成した状態を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法において、ポジ型レジスト膜の表面に保護フィルムを貼り付けた状態を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法において、ウェハを研削／研磨して薄層化している状態を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法において、研磨屑／研削屑を除去している状態を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法において、紫外線の光を照射してポジ型レジストを感光させている状態を示す図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法において、ポジ型レジストが感光して保護フィルムとポジ型レジスト膜の間にガスを介在させた状態を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法において、保護フィルムを剥離除去している状態を示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法において、ポジ型レジスト膜を除去している状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図１から図１０を参照し、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００２９】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、図１に示すように、界面活性剤塗布工程とポジ型レジスト膜形成工程と保護フィルム貼り付け工程とウェハ薄層化工程とポジ型レジスト感光工程と保護フィルム剥離工程とポジ型レジスト除去工程とを備えている。
【００３０】
そして、本実施形態の製造方法によって、半導体装置を製造する際には、図２に示すように表面１ａに回路２が形成されたウェハ１に対し、はじめに、界面活性剤塗布工程で、このウェハ１の表面１ａに界面活性剤を塗布する。このように界面活性剤を塗布すると、ウェハ１の表面におけるポジレジストの表面張力が緩和され、レジストの濡れ性が向上する。
【００３１】
次に、図３に示すように、ポジ型レジスト膜形成工程で、回路２が形成され、界面活性剤を塗布したウェハ１の表面１ａに、ポジ型レジスト３を塗布する。また、ポジ型レジスト３を塗布したウェハ１をベーク処理してポジ型レジスト３を焼き締めし、ウェハ１の表面１ａにポジ型レジスト膜３を形成する。このとき、ポジ型レジスト３としては、感光時にガスを発するレジストを用いる。例えば、ナフトキシノンジアジドスルホン酸エステル等、ナフトキシノンジアジド系の感光基を有するポジ型レジスト３は、紫外線（ＵＶ）を照射して感光（露光）するとき、レジスト３中から窒素ガスが放出される。また、ポジ型レジスト膜３を厚くするほどにガスの発生量が多くなるため、ポジ型レジスト膜３の厚さは、後工程で必要となるガス発生量に応じて適宜設定される。
【００３２】
次に、図４に示すように、保護フィルム貼り付け工程で、ポジ型レジスト膜３の表面３ａに回路２を保護するための保護フィルム（保護テープ）４を貼り付ける。このとき、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）、ポリオレフィン（ＰＯ）などを基材とした比較的剛性が小さいフィルムを保護フィルムとして使用してもよいが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等を基材とした高剛性のフィルムを保護フィルム４として使用することが好ましい。また、本実施形態の保護フィルム４は、紫外線を照射すると粘着力が低下する粘着材を備えて形成され、この粘着材による粘着力でポジ型レジスト膜３の表面３ａに密着して貼り付けられる。
【００３３】
さらに、本実施形態では、次のウェハ薄層化工程でウェハ１を研削／研磨する際に保護フィルム４が巻き込まれることを防止するため、保護フィルム４を貼り付けるとともに、ウェハ１及びポジ型レジスト膜３の周端と保護フィルム４の周端がウェハ１の表面１ａに沿う水平方向の略同位置になるように保護フィルム４を切断しておく。
【００３４】
次に、図５に示すように、ウェハ薄層化工程で、ウェハ１の天地を逆にし、ウェハ１の裏面１ｂを研削（あるいは研磨）してウェハ１を所定の厚さとなるように薄層化する。このとき、回路２が形成されたウェハ１の表面１ａ側が保護フィルム４によって保護されているため、回路２に損傷を生じさせることなく、好適に薄層化することができる。また、高剛性の保護フィルム４を用いていることにより、確実にウェハ１の表面１ａが保護されるとともに、薄層化したウェハ１の反りなどの歪みが発生することが防止される。さらに、本実施形態では、界面活性剤塗布工程でウェハ１の表面１ａに界面活性剤を塗布することにより、ウェハ１の表面１ａとポジ型レジスト膜３の密着性が高められている。このため、ウェハ１の裏面１ｂを研削（あるいは研磨）する際にポジ型レジスト膜３が剥離することが確実に防止され、この点からも好適に薄層化することができる。
【００３５】
そして、このようにウェハ１の薄層化が完了し、図６に示すように研削屑／研磨屑を除去した後、保護フィルム４とポジ型レジスト膜３をウェハ１から除去する工程を行なう。本実施形態では、まず、図７に示すように、ポジ型レジスト感光工程で、ウェハ薄層化工程後のウェハ１の表面１ａ側（保護フィルム４）に紫外線（あるいは可視光線）の光Ｒを照射してポジ型レジスト３を感光させる。レジストとしてポジ型レジスト３を用いているため、このように感光させると、ポジ型レジスト膜３は分子の結合力が弱まって軟化する。さらに、本実施形態では、感光によってガスを発するポジ型レジスト３を使用しているため、図８に示すように、感光とともにポジ型レジスト膜３の厚さに応じた発生量でガス（アウトガス）Ｇが発生し、このガスＧが保護フィルム４とポジ型レジスト膜３の間に介在する。これにより、保護フィルム４とポジ型レジスト膜３の間の真空密着状態（密着力）がガスＧによって緩和されることになる。
【００３６】
また、本実施形態では、紫外線の光Ｒを照射すると粘着力が低下する粘着材を備えて保護フィルム４が形成されているため、保護フィルム４とポジ型レジスト膜３の間の真空密着状態がガスＧによって緩和されるとともに、保護フィルム４とポジ型レジスト膜３の間の粘着力が低下（極小化）する。
【００３７】
そして、図９に示すように、保護フィルム剥離工程で、保護フィルム４をポジ型レジスト膜３の表面３ａから剥離除去する。本実施形態では、保護フィルム４にリムーバーテープ５を貼り付けるとともにウェハ１を真空台座６等に固定し、このリムーバーテープ５を引き上げるとともに、ウェハ１の表面１ａに沿う略水平方向（１８０°方向、剥離方向）Ｔに引っ張って、保護フィルム４をウェハ１の表面１ａ（ポジ型レジスト膜３の表面３ａ）から剥離除去する。このとき、まず、保護フィルム４とポジ型レジスト膜３の間にガスＧが介在して、この部分の真空密着状態が緩和され、従来のように保護フィルム４が密着して張り付いた状態でないため、折り曲げることが困難な高剛性の保護フィルム４を用いたとしても、リムーバーテープ５を引っ張るとともに容易に保護フィルム４がポジ型レジスト膜３の表面３ａから剥離する。
【００３８】
また、保護フィルム４とポジ型レジスト膜３の間の粘着力が低下しているため、この点からも、リムーバーテープ５を引っ張るとともに容易に保護フィルム４がポジ型レジスト膜３の表面３ａから剥離することになる。
【００３９】
次に、図１０に示すように、ポジ型レジスト除去工程で、感光したポジ型レジスト膜３を薬液７でウェハ１の表面１ａから除去する。このとき、ポジ型レジスト膜３が感光して分子の結合力が弱まり、軟化しているため、例えばアセトン等の一般的な有機溶剤や現像液などの薬液７を用いることで、容易にポジ型レジスト膜３がウェハ１の表面１ａから除去される。これにより、所望の厚さに薄層化したウェハ１が得られ、これを必要に応じて個片化するなどして薄層化、小型化した半導体装置Ａの製造が完了する。
【００４０】
ここで、上記の保護フィルム剥離工程では、ウェハ１とともに保護フィルム４を加熱し、保護フィルム４を軟化させ、この軟化した保護フィルム４を剥離除去するようにすることが好ましい。すなわち、保護フィルム４とポジ型レジスト膜３の間にガスＧが介在していることで、また、保護フィルム４とポジ型レジスト膜３の間の粘着力が低下していることで、リムーバーテープ５を引っ張るとともに容易に保護フィルム４がポジ型レジスト膜３の表面３ａから剥離することになるが、折り曲げることが困難な高剛性の保護フィルム４を軟化させることで、さらに容易に保護フィルム４の剥離除去が行えることになる。
【００４１】
また、このとき、ウェハ１とともに保護フィルム４を４０℃〜１２０℃の温度範囲となるように加熱することが好ましい。表１は、ウェハ１とともに保護フィルム４を２５℃〜１５０℃までの範囲で段階的に加熱し、各段階の温度において、保護フィルム４が好適に剥離できるか否かを確認するとともに、アセトンを薬液７としてポジ型レジスト膜３を好適に除去できるか否かを確認した試験結果を示している。そして、この表１に示すように、４０℃よりも低温の２５℃では、保護フィルム４の軟化が不十分となって、保護フィルム４が軟化不足となる場合があり、その際には、保護フィルム４を剥離方向へ折り曲げにくくなり、保護フィルム４を剥せない場合があることが確認され、１２０℃よりも高温の１５０℃では、ポジ型レジスト３が変質してアセトンの薬液７での除去が困難になることが確認された。この試験結果に基づいて、４０℃〜１２０℃の範囲で保護フィルム４を加熱することにより、保護フィルム４の剥離除去、ポジ型レジスト３の除去が好適に行なえることが実証された。
【００４２】
【表１】
2013084843.tif 000003
【００４３】
したがって、本実施形態の半導体装置Ａの製造方法においては、ウェハ１の表面１ａに、感光時にガスＧを発するポジ型レジストを塗布してポジ型レジスト膜３を形成し、このポジ型レジスト膜３の表面３ａに保護フィルム４を貼り付けて設けるようにしたことで、保護フィルム４によって回路２を保護しつつウェハ１を薄層化した後に、紫外線の光Ｒを照射してポジ型レジスト３を感光させて発生したガスＧを保護フィルム４とポジ型レジスト膜３の間に介在させることができる。そして、このようにガスＧが介在することにより、保護フィルム４とポジ型レジスト３が密着し、大気圧によって張り付いた状態を解除することができるため、従来と比較し保護フィルム４を容易に剥離することが可能になる。
【００４４】
また、感光すると薬液７に対する溶解性が高まるポジ型レジスト３を用いているため、保護フィルム４を剥離した後に、有機溶剤やアルカリ溶液などの薬液７によって、薄層化したウェハ１の表面１ａから確実且つ容易にポジ型レジスト膜３を除去することができる。
【００４５】
よって、本実施形態の半導体装置Ａの製造方法によれば、従来と比較し、保護フィルム４を容易に剥離除去できるようにして、製造歩掛かりを向上させることが可能になる。
【００４６】
また、本実施形態の半導体装置Ａの製造方法においては、紫外線の光Ｒに反応して粘着力が低下する保護フィルム４を用いることによって、ポジ型レジスト感光工程で保護フィルム４とポジ型レジスト膜３の間にガスＧを介在させることに加え、保護フィルム４の粘着力を低下させることにより、保護フィルム剥離工程で、より容易に保護フィルム４をポジ型レジスト膜３の表面３ａから剥離することが可能になる。
【００４７】
さらに、本実施形態の半導体装置Ａの製造方法においては、ポジ型レジスト感光工程で保護フィルム４とポジ型レジスト膜３の間にガスＧを介在させることに加え、保護フィルム剥離工程で保護フィルム４を加熱して軟化させることにより、より容易に保護フィルム４をポジ型レジスト膜３の表面３ａから剥離することが可能になる。さらに、このとき、保護フィルム４を４０℃〜１２０℃に加熱することによって、確実且つ容易に保護フィルム４をポジ型レジスト膜３の表面３ａから剥離することが可能になる。
【００４８】
また、本実施形態の半導体装置Ａの製造方法においては、ポジ型レジスト膜形成工程の前に、ウェハ１の表面１ａに界面活性剤を塗布する界面活性剤塗布工程を備えていることにより、ポジ型レジスト膜形成工程で、ウェハ１の表面１ａに対するポジ型レジスト膜３の密着性を向上させることが可能になる。これにより、ウェハ薄層化工程でウェハ１の裏面１ｂを好適に研削（あるいは研磨）することができ、高精度でウェハ１を薄層化することが可能になる。
【００４９】
以上、本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態について説明したが、本発明は上記の一実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００５０】
例えば、本実施形態では、紫外線の光Ｒを照射すると感光するポジ型レジスト３、紫外線の光Ｒを照射すると粘着力が低下する保護フィルム４を使用するものとして説明を行った。これに対して、可視光線の光を照射すると感光するポジ型レジスト３、可視光線の光を照射すると粘着力が低下する保護フィルム４を使用してもよく、この場合においても、本実施形態と同様の操作を行ない、本実施形態と同様の作用効果を得ることが可能である。但し、紫外線でなく、可視光線の光を照射する場合には、ウェハ薄層化工程で、レジスト３が感光してガスＧが発生したり、保護フィルム４の粘着力が低下して剥離が発生するなどの不都合が生じないように、例えばプロセス設備を暗室にするなど、施設内の照明の対策を講じることが必要になる。
【００５１】
また、紫外線の光Ｒを照射して、ポジ型レジスト３を感光し、また、保護フィルム４の粘着力を低下させる場合において、例えば、４３６ｎｍ前後の波長の紫外線の光Ｒを照射してポジ型レジスト３を感光させ、３６５ｎｍ前後の波長の紫外線の光Ｒを照射して保護フィルム４の粘着力を低下させるようにしてもよい。すなわち、波長の異なる紫外線の光Ｒを２段階で照射することによってポジ型レジスト３の感光と保護フィルム４の粘着力の低下をそれぞれ個別に行なうようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１      ウェハ
１ａ    表面
１ｂ    裏面
２      回路（回路パターン）
３      ポジ型レジスト（ポジ型レジスト膜）
３ａ    表面
４      保護フィルム
５      リムーバーテープ
６      真空台座
７      薬液
Ａ      半導体装置
Ｇ      ガス
Ｒ      光
Ｔ      剥離方向（水平方向）
【図１】
2013084843.tif 000004
【図２】
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【図３】
2013084843.tif 000006
【図４】
2013084843.tif 000007
【図５】
2013084843.tif 000008
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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