(57)【要約】【課題】加工性に優れた成形体を得ることができ、更にリードフレームに対する成形体の密着性を高めることができる光半導体装置用白色硬化性組成物を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含む。熱硬化前の上記光半導体装置用白色硬化性組成物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨは３以上、６以下である。加熱により硬化された後の硬化物１ｇを用いて、上述の方法と同様にして抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨは６以上、７以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含み、
熱硬化前の光半導体装置用白色硬化性組成物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが３以上、６以下であり、
加熱により硬化された後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが６以上、７以下である、光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項２】
加熱により硬化された後の硬化物を、１２１℃、湿度１００％及び２気圧の条件で２４時間放置した後、放置後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが４以上、６以下である、請求項１に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項３】
前記エポキシ化合物全体のエポキシ当量が５００以上、２００００以下である、請求項１又は２に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項４】
前記硬化剤が酸無水物硬化剤である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項５】
前記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有するエポキシ化合物及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物の内の少なくとも１種を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項６】
前記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有するエポキシ化合物を含む、請求項５に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項７】
前記芳香族骨格を有するエポキシ化合物のエポキシ当量が、４００以上、３０００以下である、請求項５又は６に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項８】
前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有するエポキシ化合物を含む、請求項５〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項９】
前記充填材が、球状充填材と破砕充填材との双方を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項１０】
前記球状充填材の含有量の前記破砕充填材の含有量に対する重量比が、０．３以上、３０以下である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項１１】
前記球状充填材の含有量の前記破砕充填材の含有量に対する重量比が、１以上、１５以下である、請求項１０に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項１２】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる白色の光半導体装置用白色硬化性組成物である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項１３】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項１４】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、前記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成形体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために好適に用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体及び光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。
【０００３】
光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠状の成形体が配置されている。該枠状の成形体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成形体は、リフレクター又はハウジングと呼ばれることがある。
【０００４】
上記成形体を形成するための組成物の一例として、下記の特許文献１には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化触媒と無機充填材とを含む硬化性組成物が開示されている。この硬化性組成物を硬化させた硬化物を１５０℃の高温条件下に５００時間放置した後に測定される光波長４００ｎｍにおける光拡散反射率は８０％以上である。また、上記硬化性組成物では、トランスファー成形時のせん断離型力が１０ショット以内に２００ＫＰａ以下である。
【０００５】
下記の特許文献２には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と白色顔料とを含む硬化性組成物が開示されている。また、特許文献２では、硬化性組成物を用いたトランスファー成形によって貫通孔が複数形成された光反射層を配線部材上に形成し、上記貫通孔の一方の開口部を上記配線部材で塞いでなる複数の凹部が形成された成形体を得る工程と、光半導体素子を上記凹部内にそれぞれ配置する工程と、上記光反射層の表面を覆うように上記半導体素子が配置された上記凹部に封止樹脂を供給する工程と、上記封止樹脂を介在させることにより、上記光反射層の上記表面から離間させた状態で上記凹部を覆うレンズを配置した後、上記封止樹脂を硬化させる工程と、上記成形体を上記凹部ごとに分割して複数の光半導体装置を得る工程とを備える光半導体装置の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１４１３２７号公報
【特許文献２】特開２０１１−９５１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載のような従来の硬化性組成物をトランスファー成形する場合には、ランナー部分から、トランスファー成形された成形体を含むＬＥＤパッケージを分離する必要がある。
【０００８】
しかしながら、従来の酸化チタンを含む硬化性組成物を用いた成形体は脆いので、上記ＬＥＤパッケージをランナー部分から分離する際に、成形体が損傷又は変形したリ、成形体にクラック又は欠けが生じたりすることがある。
【０００９】
また、特許文献２に記載のような光半導体装置の製造方法では、成形体が複数連なった分割前成形体を、個々の成形体に分割する必要がある。しかしながら、該分割前成形体を個々の成形体に分割する際に、成形体にクラックが生じたり、欠けが生じたりすることがある。
【００１０】
すなわち、従来の硬化性組成物を用いた場合には、成形体の加工性が低いという問題がある。さらに、従来の硬化性組成物を用いた成形体では、該成形体のリードフレームに対する密着性が低いという問題もある。
【００１１】
また、特許文献１，２に記載のような従来の硬化性組成物では、成形性が低く、良好な成形体が得られないことがある。例えば、リードフレームの変形、成形体の変形、成形体の欠け、成形体におけるボイド及び成形体の充填不良などが生じることがある。
【００１２】
本発明の目的は、加工性に優れた成形体を得ることができ、更にリードフレームに対する成形体の密着性を高めることができる光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体及び光半導体装置を提供することである。
【００１３】
本発明の限定的な目的は、成形性にも優れた成形体を得ることができる光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体及び光半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の広い局面によれば、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含み、熱硬化前の光半導体装置用白色硬化性組成物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが３以上、６以下であり、加熱により硬化された後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが６以上、７以下である、光半導体装置用白色硬化性組成物が提供される。
【００１５】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、加熱により硬化された後の硬化物を、１２１℃、湿度１００％及び２気圧の条件で２４時間放置した後、放置後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨは４以上、６以下である。
【００１６】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、上記エポキシ化合物全体のエポキシ当量は５００以上、２００００以下であることが好ましい。上記硬化剤は、酸無水物硬化剤であることが好ましい。上記エポキシ化合物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物の内の少なくとも１種を含むことが好ましい。上記エポキシ化合物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましい。上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物のエポキシ当量は、４００以上、３０００以下であることが好ましい。上記エポキシ化合物は、脂環式骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましい。
【００１７】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の他の特定の局面では、上記充填材は、球状充填材と破砕充填材との双方を含む。
【００１８】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、上記球状充填材の含有量の上記破砕充填材の含有量に対する重量比（球状充填材／破砕充填材）が、０．３以上、３０以下であることが好ましく、１以上、１５以下であることがより好ましい。
【００１９】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。この場合に、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられることが好ましい。
【００２０】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。
【００２１】
本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。
【００２２】
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、該リードフレーム上に配置された成形体とを備えており、上記成形体が、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。
【００２３】
本発明に係る光半導体装置は、上記成形体が、上記光半導体素子の側方に配置されており、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と硬化剤と酸化チタンと酸化チタンとは異なる充填材と硬化促進剤とを含み、熱硬化前の光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた抽出液のｐＨが３以上、６以下であり、加熱により硬化された後の硬化物を用いた抽出液のｐＨが６以上、７以下であるので、加工性に優れた成形体を得ることができる。さらに、リードフレーム上に白色硬化性組成物を硬化させた成形体を配置したときに、リードフレームと成形体との密着性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体を備える光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置用部品の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２７】
（光半導体装置用白色硬化性組成物）
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、酸化チタン（Ｃ）と、酸化チタンとは異なる充填材（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）とを含む。
【００２８】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、熱硬化前の該光半導体装置用白色硬化性組成物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨ（第１の抽出法でのｐＨ）が３以上、６以下である。
【００２９】
さらに、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、加熱により硬化された後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨ（第２の抽出法でのｐＨ）が６以上、７以下である。
【００３０】
なお、本願明細書では、組成物又は硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して得られた抽出液のｐＨを測定する方法を、抽出法と呼ぶことがある。
【００３１】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記成形体は、所定の形状に成形された硬化物である。
【００３２】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上記組成を採用し、かつ上記第１，第２の抽出法におけるｐＨを上記下限以上及び上記上限以下にすることによって、加工性に優れた成形体を得ることができる。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は成形性に優れているので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の使用により、均質なかつ良好な形状を有する成形体を容易に得ることができる。
【００３３】
本発明では、例えば、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した後、ランナー部分から、成形された成形体を含むＬＥＤパッケージを分離する際に、成形体に損傷、変形、クラック及び欠けが生じ難くなる。さらに、成形体が複数連なった分割前成形体を、個々の成形体に分割して、分割後成形体を得る場合に、成形体にクラック及び欠けが生じ難くなる。すなわち、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の使用により、該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体を良好にダイシングすることができる。
【００３４】
さらに、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上記組成を採用し、かつ上記第１，第２の抽出法におけるｐＨを上記下限以上及び上記上限以下にすることによって、リードフレーム上に白色硬化性組成物を硬化させた成形体を配置したときに、リードフレームと成形体との密着性を高めることもできる。
【００３５】
また、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上記組成を採用することによって、光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体の光の反射率を高めることができる。得られる成形体は、光の反射率が高いので、光半導体素子から発せられる光が成形体に到達したときに光を効果的に反射させる。このため、光半導体装置から取り出される光の明るさを明るくすることができる。
【００３６】
さらに、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上記組成を採用し、かつ上記第１，第２の抽出法におけるｐＨを上記下限以上及び上記上限以下にすることによって、上記成形体の耐熱性も高めることができる。また、上記成形体は、耐熱性が高いので高温下に晒されても変色し難い。このため、光半導体装置の耐熱信頼性を高めることができ、高温下に晒されたときの光半導体装置から取り出される光の明るさの低下を抑制できる。
【００３７】
また、上記第１の抽出法でのｐＨが３以上であると、金属リードフレームの腐食も生じ難くなる。上記第１の抽出法でのｐＨが６以下であると、成形体の強度が高くなる。
【００３８】
加熱により硬化された後の硬化物を、１２１℃、湿度１００％及び２気圧の条件で２４時間放置した後、放置後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨ（第３の抽出法でのｐＨ）は４以上、６以下であることが好ましい。また、上記第３の抽出法でのｐＨが上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体の加工性及び耐熱性をより一層高くし、リードフレームと成形体との密着性をより一層高め、更に光半導体装置の耐熱信頼性をより一層高めることができる。
【００３９】
上記第２，第３の抽出法でのｐＨを測定する際に、加熱により硬化された後の硬化物を得るための硬化条件は、１５０℃以上で１時間以上加熱する硬化条件であることが好ましく、１７０℃で３分間加熱した後、１７０℃で２時間更に加熱する硬化条件であることがより好ましい。
【００４０】
以下、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれている各成分の詳細を説明する。
【００４１】
［エポキシ化合物（Ａ）］
上記白色硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、エポキシ化合物（Ａ）を含む。エポキシ化合物（Ａ）はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物としてエポキシ化合物（Ａ）を用いることにより、成形体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。エポキシ化合物（Ａ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４２】
上記エポキシ化合物（Ａ）の具体例としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、多塩素酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ポリアミン化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、水添型芳香族エポキシ化合物、脂環式骨格を有するエポキシ化合物、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ化合物などが挙げられる。上記多塩素酸化合物としては、フタル酸及びダイマー酸等が挙げられる。上記ポリアミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等が挙げられる。
【００４３】
上記光半導体装置用白色樹脂組成物に含まれている上記エポキシ化合物（Ａ）全体のエポキシ当量は好ましくは５００以上、好ましくは２００００以下である。該エポキシ当量が５００以上であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になり、更に成形体が脆くなり難く、成形体の加工性がより一層良好になる。該エポキシ当量が２００００以下であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になり、更に成形体の強度がより一層高くなる。上記エポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に準拠して測定される。
【００４４】
成形体の強度を高め、成形体の加工性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）の内の少なくとも１種を含むことが好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）と脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）との双方を含んでいてもよい。上記白色硬化性組成物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）のみを含んでいてもよく、脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）のみを含んでいてもよい。
【００４５】
成形体の強度及び耐熱性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）を含むことが好ましい。上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４６】
リードフレームと成形体との密着性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）を含むことが好ましい。上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４７】
上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、芳香族骨格を有する多塩基酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、及び芳香族骨格を有するグリシジルエーテル型エポキシ化合物等が挙げられる。
【００４８】
上記成形体の強度及び耐熱性をより一層高める観点からは、上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）は、ビスフェノール骨格又はノボラック骨格を有することが好ましい。
【００４９】
上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）のエポキシ当量は、好ましくは４００以上、好ましくは３０００以下である。該エポキシ当量が４００以上であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になる。該エポキシ当量が３０００以下であると、成形体の強度がより一層高くなる。
【００５０】
上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）の具体例としては、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ−（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ジシクロペンタジエンジオキシド、ビニルシクロヘキセンモノオキサイド、１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサン、１，２：８，９−ジエポキシリモネン、ε−カプロラクトン修飾テトラ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）ブタンテトラカルボキシレート、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物等が挙げられる。上記成形体の耐熱性をより一層高める観点から、上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）は２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物（ダイセル化学社製「ＥＨＰＥ−３１５０」）が好ましい。
【００５１】
上記エポキシ化合物（Ａ）の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、エポキシ化合物（Ａ）の含有量は好ましくは３重量％以上、より好ましくは５重量％以上、更に好ましくは１０重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは８０重量％以下である。エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記下限以上であると、加熱により白色硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記上限以下であると、成形体の耐熱性がより一層高くなる。
【００５２】
［硬化剤（Ｂ）］
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、硬化剤（Ｂ）を含む。硬化剤（Ｂ）は、エポキシ化合物（Ａ）を硬化させる。硬化剤（Ｂ）として、エポキシ化合物（Ａ）の硬化剤として使用される公知の硬化剤が使用可能である。上記硬化剤（Ｂ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５３】
上記硬化剤（Ｂ）としては、酸無水物、ジシアンジアミド、フェノール化合物、ヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、トリアジン環を有する化合物、メチル（メタ）アクリレート樹脂又はスチレン樹脂等により形成されたシェルにより、トリフェニルホスフィン（硬化剤）が被覆されている潜在性硬化剤（例えば、日本化薬社製「ＥＰＣＡＴ−Ｐ」及び「ＥＰＣＡＴ−ＰＳ」）、ポリウレア系重合体又はラジカル重合体により形成されたシェルにより、アミンなどの硬化剤が被覆されている潜在性硬化剤（特許第３０３１８９７号公報及び特許第３１９９８１８号公報に記載）、変性イミダゾールなどの硬化剤をエポキシ樹脂中に分散させて閉じ込め、粉砕することにより得られた潜在性硬化剤（旭化成イーマテリアルズ社製「ノバキュアＨＸＡ３７９２」及び「ＨＸＡ３９３２ＨＰ」）、熱可塑性高分子内に硬化剤を分散させ、含有させた潜在性硬化剤（特許第３０９８０６１号公報に記載）、並びにテトラキスフェノール類化合物などにより被覆されたイミダゾール潜在性硬化剤（例えば、日本曹達社製「ＴＥＰ−２Ｅ４ＭＺ」及び「ＨＩＰＡ−２Ｅ４ＭＺ」）等が挙げられる。これら以外の硬化剤（Ｂ）を用いてもよい。
【００５４】
リードフレームと成形体との密着性をより一層高める観点からは、上記硬化剤（Ｂ）は、酸無水物硬化剤であることがより好ましい。上記酸無水物硬化剤としては、芳香族骨格を有する酸無水物及び脂環式骨格を有する酸無水物の内のいずれも使用可能である。
【００５５】
好ましい上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
【００５６】
上記酸無水物硬化剤は、二重結合を有さないことが好ましい。二重結合を有さない好ましい酸無水物硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
【００５７】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との配合比率は特に限定されない。エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、硬化剤（Ｂ）の含有量は、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、更に好ましくは２重量部以上、特に好ましくは３重量部以上、好ましくは５００重量部以下、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは１００重量部以下である。
【００５８】
また、上記光半導体装置用白色硬化性組成物中で、エポキシ化合物（Ａ）全体のエポキシ当量と硬化剤の硬化剤当量との当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）は、０．３：１〜２：１であることが好ましく、０．５：１〜１．５：１であることがより好ましい。上記当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）が上記範囲を満足すると、成形体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。
【００５９】
（酸化チタン（Ｃ））
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は酸化チタン（Ｃ）を含むので、光の反射率が高い成形体を得ることができる。また、上記酸化チタン（Ｃ）の使用によって、酸化チタン（Ｃ）とは異なる充填材のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成形体が得られる。上記光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれている酸化チタン（Ｃ）は特に限定されない。酸化チタン（Ｃ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６０】
上記酸化チタン（Ｃ）は、ルチル型酸化チタン又はアナターゼ型酸化チタンであることが好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、耐熱性により一層優れた成形体が得られる。上記アナターゼ型酸化チタンは、ルチル型酸化チタンよりも、硬度が低い。このため、アナターゼ型酸化チタンの使用により、上記硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。
【００６１】
上記酸化チタン（Ｃ）は、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンを含むことが好ましい。上記酸化チタン（Ｃ）１００重量％中、上記アルミニウム酸化物より表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、１００重量％以下である。上記酸化チタン（Ｃ）の全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成形体の耐熱性がより一層高くなる。
【００６２】
上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製の品番：ＣＲ−５８や、ルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製の品番：Ｒ−６３０等が挙げられる。
【００６３】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記酸化チタン（Ｃ）の含有量は、好ましくは３重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは１５重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。酸化チタン（Ｃ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなり、更に成形体の耐熱性が高くなって、成形体が高温に晒されたときに黄変し難くなる。
【００６４】
（充填材（Ｄ））
上記充填材（Ｄ）は、酸化チタンとは異なる充填材である。上記充填材（Ｄ）は特に限定されない。上記充填材（Ｄ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６５】
上記充填材（Ｄ）として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材（Ｄ）の具体例としては、シリカ、アルミナ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材（Ｄ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６６】
成形体の強靭性を高め、成形体の加工性をより一層高める観点からは、上記充填材（Ｄ）は、球状充填材（Ｄ１）と破砕充填材（Ｄ２）との双方を含むことが好ましい。
【００６７】
上記球状充填材（Ｄ１）は球状である。球状充填材（Ｄ１）はアスペクト比が２以下である充填材をいう。球状充填材（Ｄ１）は、真球状であってもよく、球を扁平にした楕円球状であってもよく、又はこれらに類似した形状であってもよい。
【００６８】
上記破砕充填材（Ｄ２）は、破砕された充填材である。上記破砕充填材（Ｄ２）のアスペクト比は、特に限定されない。破砕充填材（Ｄ２）のアスペクト比は好ましくは１．５以上、好ましくは２０以下である。アスペクト比が１．５未満である破砕充填材（Ｄ）は、比較的高価である。従って、白色硬化性組成物のコストが高くなる。上記アスペクト比が２０以下であると、破砕充填材（Ｄ２）の充填が容易である。
【００６９】
上記破砕充填材（Ｄ２）のアスペクト比は、例えば、デジタル画像解析方式粒度分布測定装置（商品名：ＦＰＡ、日本ルフト社製）を用いて、破砕充填材（Ｄ２）の破砕面を測定することにより求めることができる。
【００７０】
上記球状充填材（Ｄ１）の好ましい例としては、シリカ、アルミナ、チタン酸カリウム、酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウム、硼酸アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム及び硫酸カルシウム等の無機球状充填材、並びに架橋アクリルの樹脂粒子等の有機球状充填材等が挙げられる。上記球状充填材（Ｄ１）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７１】
上記破砕充填材（Ｄ２）の好ましい例としては、シリカ、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、アルミナ、マイカ、ベリリア、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、ホウ酸アルミニウム及び炭化ケイ素等が挙げられる。上記破砕充填材（Ｄ２）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７２】
成形性を高め、かつ熱伝導性及び光反射特性に優れた成形体を得る観点からは、上記破砕充填材（Ｄ２）は、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム又は水酸化マグネシウムであることが好ましい。
【００７３】
上記充填材（Ｄ）の平均粒径、上記球状充填材（Ｄ１）の平均粒径及び上記破砕充填材（Ｄ２）の平均粒径はそれぞれ、好ましくは０．１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。該平均粒径が上記下限以上であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になる。該平均粒径が上記上限以下であると、成形体の外観不良がより一層生じ難くなる。
【００７４】
上記充填材（Ｄ）の上記球状充填材（Ｄ１）における平均粒径及び上記破砕充填材（Ｄ２）における平均粒径とは、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ  Ｃｏｕｌｔｅｒ社製の商品「ＬＳ
１３  ３２０」等が挙げられる。
【００７５】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記充填材（Ｄ）の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。充填材（Ｄ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、白色硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。充填材（Ｄ）の含有量が上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなる。
【００７６】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記酸化チタン（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９３重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下である。酸化チタン（Ｃ）と充填材（Ｄ）の合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、白色硬化性組成物の成形性及び成形体の光の反射率がより一層高くなる。
【００７７】
上記球状充填材（Ｄ１）と上記破砕充填材（Ｄ２）とを併用する場合には、上記光半導体装置用白色硬化性組成物では、上記球状充填材（Ｄ１）の含有量の上記破砕充填材（Ｄ２）の含有量に対する重量比（球状充填材（Ｄ１）／破砕充填材（Ｄ２））が、０．３以上、３０以下であることが好ましく、１以上、１５以下であることがより好ましい。上記球状充填材（Ｄ１）の含有量及び上記破砕充填材（Ｄ２）の含有量は、上記白色硬化性組成物１００重量％中での含有量を示す。すなわち、上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、球状充填材（Ｄ１）と破砕充填材（Ｄ２）とを重量比（球状充填材（Ｄ１）：破砕充填材（Ｄ２））で、３：１０〜３０：１で含むことが好ましく、１：１〜１５：１で含むことがより好ましい。球状充填材（Ｄ１）の含有量が相対的に多くなると、成形体が脆くなり難く、成形体の加工性がより一層高くなって、成形体にクラック及び欠けがより一層生じ難くなる。破砕充填材（Ｄ２）の含有量が相対的に多くなると、成形体の強度がより一層高くなる。
【００７８】
（硬化促進剤（Ｅ））
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との反応を促進するために、硬化促進剤（Ｅ）を含む。硬化促進剤（Ｅ）の使用により、上記白色硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成形体の耐熱性を高めることができる。硬化促進剤（Ｅ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７９】
上記硬化促進剤（Ｅ）としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。
【００８０】
上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア及びトリ−ｎ−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。
【００８１】
上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。
【００８２】
上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
【００８３】
上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。
【００８４】
上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、４，４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第４級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。フェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートが挙げられる。
【００８５】
上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【００８６】
上記白色硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成形体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。
【００８７】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化促進剤（Ｅ）との配合比率は特に限定されない。エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、硬化促進剤（Ｅ）の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。
【００８８】
（カップリング剤（Ｆ））
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、カップリング剤（Ｆ）をさらに含むことが好ましい。カップリング剤（Ｆ）の使用により、成形体において熱硬化性成分と酸化チタン（Ｃ）と充填材（Ｄ）との接着性が良好になる。カップリング剤（Ｆ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８９】
上記カップリング剤（Ｆ）としては特に限定されないが、例えば、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤が挙げられる。該シランカップリング剤としては、一般にエポキシシラン系カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、カチオニックシラン系カップリング剤、ビニルシラン系カップリング剤、アクリルシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤及びこれらの複合系カップリング剤が挙げられる。カップリング剤（Ｆ）は、シランカップリング剤であることが好ましい。
【００９０】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記カップリング剤（Ｆ）の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、好ましくは５重量％以下である。
【００９１】
（他の成分）
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、必要に応じて、酸化防止剤、離型剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。
【００９２】
上記酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。
【００９３】
上記フェノール系酸化防止剤の市販品としては、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０１０、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０３５、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６、ＩＲＧＡＮＯＸ  １１３５、ＩＲＧＡＮＯＸ  ２４５、ＩＲＧＡＮＯＸ  ２５９、及びＩＲＧＡＮＯＸ  ２９５（以上、いずれもＢＡＳＦ社製）、アデカスタブ  ＡＯ−３０、アデカスタブ  ＡＯ−４０、アデカスタブ  ＡＯ−５０、アデカスタブ  ＡＯ−６０、アデカスタブ  ＡＯ−７０、アデカスタブ  ＡＯ−８０、アデカスタブ  ＡＯ−９０、及びアデカスタブ  ＡＯ−３３０（以上、いずれもＡＤＥＫＡ社製）、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＡ−８０、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＭＤＰ−Ｓ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＢＢＭ−Ｓ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＭ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＳ（Ｆ）、及びＳｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＰ（以上、いずれも住友化学工業社製）、ＨＯＳＴＡＮＯＸ  Ｏ１０、ＨＯＳＴＡＮＯＸ  Ｏ１６、ＨＯＳＴＡＮＯＸ  Ｏ１４、及びＨＯＳＴＡＮＯＸ  Ｏ３（以上、いずれもクラリアント社製）、アンテージ  ＢＨＴ、アンテージ  Ｗ−３００、アンテージ  Ｗ−４００、及びアンテージ  Ｗ５００（以上、いずれも川口化学工業社製）、並びにＳＥＥＮＯＸ  ２２４Ｍ、及びＳＥＥＮＯＸ  ３２６Ｍ（以上、いずれもシプロ化成社製）等が挙げられる。
【００９４】
上記リン系酸化防止剤としては、シクロヘキシルフォスフィン及びトリフェニルフォスフィン等が挙げられる。上記リン系酸化防止剤の市販品としては、アデアスタブ  ＰＥＰ−４Ｃ、アデアスタブ  ＰＥＰ−８、アデアスタブ  ＰＥＰ−２４Ｇ、アデアスタブ  ＰＥＰ−３６、アデアスタブ  ＨＰ−１０、アデアスタブ  ２１１２、アデアスタブ  ２６０、アデアスタブ  ５２２Ａ、アデアスタブ  １１７８、アデアスタブ  １５００、アデアスタブ  Ｃ、アデアスタブ  １３５Ａ、アデアスタブ  ３０１０、及びアデアスタブ  ＴＰＰ（以上、いずれもＡＤＥＫＡ社製）、サンドスタブ  Ｐ−ＥＰＱ、及びホスタノックス  ＰＡＲ２４（以上、いずれもクラリアント社製）、並びにＪＰ−３１２Ｌ、ＪＰ−３１８−０、ＪＰＭ−３０８、ＪＰＭ−３１３、ＪＰＰ−６１３Ｍ、ＪＰＰ−３１、ＪＰＰ−２０００ＰＴ、及びＪＰＨ−３８００（以上、いずれも城北化学工業社製）等が挙げられる。
【００９５】
上記アミン系酸化防止剤としては、トリエチルアミン、メラミン、エチルジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−トリル−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−キシリル−Ｓ−トリアジン及び第四級アンモニウム塩誘導体等が挙げられる。
【００９６】
上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記酸化防止剤の含有量は好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは５重量部以上、好ましくは５０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下である。上記酸化防止剤の含有量が上記下限以上及び上限以下であると、耐熱性により一層優れた成形体が得られる。
【００９７】
上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外吸収材及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。
【００９８】
（光半導体装置用白色硬化性組成物の他の詳細及び光半導体装置用成形体）
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物である。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成形体は、光半導体装置用成形体であり、光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。
【００９９】
光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。
【０１００】
光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記成形体は、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましく、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成形体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合（ダイボンディング）するためのダイボンド材とは異なる。
【０１０１】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた分割前成形体の加工性は高いので、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得ても、成形体にクラック及び欠けを生じ難くすることができる。
【０１０２】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）と酸化チタン（Ｃ）と充填材（Ｄ）と硬化促進剤（Ｅ）と必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記白色硬化性樹脂組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。１５〜１５０℃で５〜４０分間混練することが好ましく、２０〜１００℃で１０〜３０分間混練することがより好ましい。
【０１０３】
本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は所定の形状に成形される。上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。
【０１０４】
上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いて上記光半導体装置用成形体を得る方法としては、圧縮成形法、トランスファー成形法、積層成形法、射出成形法、押出成形法及びブロー成形法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成形法が好ましい。
【０１０５】
トランスファー成形法では、例えば、成形温度１００〜２００℃、成形圧力５〜２０ＭＰａ及び成形時間６０〜３００秒の条件で、上記光半導体装置用白色硬化性組成物をトランスファー成形することにより、成形体が得られる。
【０１０６】
（光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態）
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置された成形体とを備え、該成形体が、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。
【０１０７】
本発明に係る光半導体装置では、上記成形体は、上記光半導体素子の側方に配置されており、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。
【０１０８】
図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を断面図及び斜視図で示す。
【０１０９】
本実施形態の光半導体装置１は、リードフレーム２と光半導体素子３と第１の成形体４と第２の成形体５とを有する。光半導体素子３は発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されておらず、別の２つの部材である。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されていてもよい。
【０１１０】
リードフレーム２上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。また、リードフレーム２上に、第１の成形体４が配置されている。また、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とには、第２の成形体５が配置されている。第１の成形体４の内側に光半導体素子３が配置されている。光半導体素子３の側方に第１の成形体４が配置されており、光半導体素子３を取り囲むように第１の成形体４が配置されている。第１，第２の成形体４，５は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物の硬化物であり、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。従って、第１の成形体４は、光反射性を有し、内面４ａに光反射部を有する。すなわち、第１の成形体４の内面４ａは光反射部である。従って、光半導体素子３の周囲は、第１の成形体４の光反射性を有する内面４ａにより囲まれている。
【０１１１】
第１の成形体４の内面４ａは、内面４ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面４ａに到達した矢印Ｂで示す光が内面４ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。
【０１１２】
光半導体素子３は、リードフレーム２上に、ダイボンド材６を用いて接続されている。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー７を封止するように、第１の成形体４の内面４ａで囲まれた領域内には、封止剤８が充填されている。
【０１１３】
光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。光半導体装置１では、光半導体素子３からリードフレーム２の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第１の成形体４の内面４ａに到達した光が矢印Ｂで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置１から取り出される光の明るさは明るい。
【０１１４】
なお、図１に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成形体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。
【０１１５】
また、図２に示すように、複数の光半導体装置用部品が連なった分割前光半導体装置用部品１１を用意して、分割前光半導体装置用部品１１を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置用部品を得てもよい。光半導体装置用部品１１は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。個々の光半導体装置用部品得た後、光半導体素子３を搭載し、該光半導体素子３を封止剤８により封止して、光半導体装置１を得てもよい。分割前リードフレーム２Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、リードフレーム２が得られる。分割前第１の成形体４Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第１の成形体４が得られる。分割前第２の成形体５Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第２の成形体５が得られる。
【０１１６】
さらに、図３に示すように、複数の分割前光半導体装置が連なった分割前光半導体装置１２を用意して、分割前光半導体装置１２を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置を得てもよい。分割前光半導体装置１２は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。また、図１に示す光半導体装置１と同様に、分割前光半導体装置１２では、分割前リードフレーム２Ａ上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。なお、図２，３では、分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置では、複数の成形体が連なって分割前成形体が形成されているが、複数の成形体が連なっていない分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置を分割して、光半導体装置用部品及び光半導体装置を得てもよい。
【０１１７】
以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。
【０１１８】
実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。
【０１１９】
（エポキシ化合物（Ａ））
１）ＹＤ−０１３（芳香族骨格を有するビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量８５０、新日鐵化学社製）
２）ＹＤ−０１９（芳香族骨格を有するビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量２９００、新日鐵化学社製）
３）ＹＤＣＮ７０４（芳香族骨格を有するクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０、新日鐵化学社製）
４）ＥＨＰＥ３１５０（脂環式骨格を有するエポキシ樹脂、エポキシ当量１８０、ダイセル化学社製）
【０１２０】
（硬化剤（Ｂ））
１）リカシッドＨＨ（ヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製）
２）ＨＦ−３Ｍ（フェノールノボラック硬化剤、明和化成社製）
３）ＳＩ−１００（熱酸発生剤、三新化学社製）
４）ＤＩＣＹ７（ジシアンジアミド、三菱化学社製）
５）２ＭＺ−Ａ（２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、四国化成社製）
【０１２１】
（酸化チタン（Ｃ））
１）ＣＲ−５８（ルチル型酸化チタン、石原産業社製）
【０１２２】
（充填材（Ｄ））
１）ＭＳＲ−３５１２（球状シリカ、平均粒径３０μｍ、龍森社製）
２）ＨＳＰ−２０００（球状シリカ、平均粒径２μｍ、東亜合成社製）
３）Ａ−１（破砕シリカ、平均粒径１１μｍ、龍森社製）
４）５Ｘ（破砕シリカ、平均粒径１．４μｍ、龍森社製）
５）Ｒ−９００（破砕充填材である微粉シリコーン樹脂、平均粒径２０μｍ、東レダウコーニング社製）
【０１２３】
（硬化促進剤（Ｅ））
１）ＳＡ１０２（ＤＢＵ−オクチル酸塩、サンアプロ社製）
２）ＰＸ−４ＥＴ（テトラ―ｎ―ブチルホスホニウム―ｏ，ｏ―ジエチルホスホロジチオネート、日本化学工業社製）
【０１２４】
（カップリング剤（Ｆ））
１）Ｓ５１０（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、チッソ社製）
【０１２５】
（実施例１〜２２及び比較例１〜６）
下記表１，２に示す各成分を下記表１，２に示す配合量で配合し、混合機（ラボプラストミルＲ−６０、東洋精機製作所製）にて１５分間混合し、溶融混練物を得た。溶融混練物が常温（２３℃）で液状である場合、溶融混練物を白色硬化性組成物として用いた。溶融混練物が常温（２３℃）で固体である場合、常温で粉砕した後、タブレット化して、白色硬化性組成物を得た。
【０１２６】
（評価）
（１）第１の抽出法でのｐＨ
熱硬化前の得られた白色硬化性組成物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して、抽出液を得た。得られた抽出液のｐＨ（第１の抽出法でのｐＨ）を測定した。
【０１２７】
（２）第２の抽出法でのｐＨ
得られた白色硬化性組成物を、１７０℃で３分間加熱した後、１７０℃で２時間更に加熱して、縦５０ｍｍ、横５０ｍｍ、高さ１ｍｍの硬化物を得た。得られた硬化物を１ｇとなるように切断した。この硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して、抽出液を得た。得られた抽出液のｐＨ（第２の抽出法でのｐＨ）を測定した。
【０１２８】
（３）第３の抽出法でのｐＨ
得られた白色硬化性組成物を、１７０℃で３分間加熱した後、１７０℃で２時間更に加熱して、縦５０ｍｍ、横５０ｍｍ、高さ１ｍｍの硬化物を得た。得られた硬化物を１２１℃、湿度１００％及び２気圧の条件で２４時間放置した。放置後の硬化物を１ｇとなるように切断した。この放置後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して、抽出液を得た。得られた抽出液のｐＨ（第３の抽出法でのｐＨ）を測定した。
【０１２９】
（４）成形性
銅素材（ＴＡＭＡＣ  １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀メッキを施し、厚み０．２ｍｍのリードフレームを得た。トランスファー成形（成形温度１７０℃、成形時間３分）でＭＡＰ成形法により上記リードフレーム上に、成形体を備えた光半導体装置搭載用基板を作製した。金型としては、縦１５個×横１０個のマトリックス状に配置された１５０個の凹部（光半導体素子搭載部）を有する一括成形用金型を用いた。キャビティサイズは、１個当たり６ｍｍ×３ｍｍ、深さ５ｍｍとした。得られた光半導体装置搭載用基板を目視により検査し、成形性を下記の基準で判定した。
【０１３０】
［成形性の判定基準］
○○：外観に全く異常がない
○：リードフレームの変形、成形体の変形、成形体の欠け、成形体におけるボイド及び成形体の充填不良が合計で１箇所見られた
×：リードフレームの変形、成形体の変形、成形体の欠け、成形体におけるボイド及び成形体の充填不良が合計で２箇所以上見られた
【０１３１】
（５）加工性
上記成形性の評価で得られた成形体を１７０℃で２時間アフターキュアした。複数の成形体がマトリックス状に連なった分割前成形体を、ダイシング装置（ディスコ社製「ＤＡＤ３３５０」）を用いて、個々の成形体に分割し、光半導体素子搭載部を１つ有する光半導体搭載用基板を１５０個得た。
【０１３２】
上記１５０個の光半導体搭載用基板における成形体のダイシング面を観察し、加工性を下記の基準で判定した。
【０１３３】
［加工性の判定基準］
○○○：成形体にクラック又は欠けが発生した光半導体搭載用基板が、１５０個中３個以下
○○：成形体にクラック又は欠けが発生した光半導体搭載用基板が、１５０個中４個又は５個
○：成形体にクラック又は欠けが発生した光半導体搭載用基板が、１５０個中６個以上、１０個以下
×：成形体にクラック又は欠けが発生した光半導体搭載用基板が、１５０個中１１個以上
【０１３４】
（６）リードフレームと成形体との密着性
銅素材（ＴＡＭＡＣ  １９４）に、銀メッキを施し、幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ及び厚み０．２ｍｍのリードフレームを得た。トランスファー成形（成形温度１７０℃、成形時間３分）で上記リードフレーム上に、幅８ｍｍ、長さ３０ｍｍ及び厚み１ｍｍの成形体を形成し、１７０℃で２時間アフターキュアを行った。
【０１３５】
上記リードフレーム上に形成された成形体を、成形体側を凸側となるようにリードフレームごと折り曲げた。リードフレームと成形体の剥離又は成形体の破壊が起こる折り曲げ角度を評価し、リードフレームと成形体との密着性を下記の基準で判定した。
【０１３６】
［リードフレームと成形体との密着性の判定基準］
○○：リードフレームと成形体の剥離又は成形体の破壊が起こる折り曲げ角度が２０度を超える
○：リードフレームと成形体の剥離又は成形体の破壊が起こる折り曲げ角度が１０度を超え、２０度以下
×：リードフレームと成形体の剥離又は成形体の破壊が起こる折り曲げ角度が１０度以下
【０１３７】
結果を下記の表１，２に示す。下記表１，２において、含有量比（球状充填材（Ｄ１）／破砕充填材（Ｄ２））は、白色硬化性組成物中での球状充填材（Ｄ１）の含有量に対する破砕充填材（Ｄ２）の含有量の比を示す。
【０１３８】
【表１】
2013035978.tif 000003
【０１３９】
【表２】
2013035978.tif 000004
【符号の説明】
【０１４０】
１…光半導体装置
２…リードフレーム
２Ａ…分割前リードフレーム
３…光半導体素子
４…第１の成形体
４Ａ…分割前第１の成形体
４ａ…内面
５…第２の成形体
５Ａ…分割前第２の成形体
６…ダイボンド材
７…ボンディングワイヤー
８…封止剤
１１…分割前光半導体装置用部品
１２…分割前光半導体装置
【図１】
2013035978.tif 000005
【図２】
2013035978.tif 000006
【図３】
2013035978.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月19日(2011.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含み、
熱硬化前の光半導体装置用白色硬化性組成物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが３以上、６以下であり、
１７０℃で３分間加熱した後、１７０℃で２時間更に加熱することにより硬化された後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが６以上、７以下であり、
１７０℃で３分間加熱した後、１７０℃で２時間更に加熱することにより硬化された後の硬化物を、１２１℃、湿度１００％及び２気圧の条件で２４時間放置した後、放置後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが４以上、６以下であり、
前記エポキシ化合物全体のエポキシ当量が５００以上、２００００以下であり、
前記硬化剤が酸無水物硬化剤である、光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項２】
前記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有するエポキシ化合物及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物の内の少なくとも１種を含む、請求項１に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項３】
前記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有するエポキシ化合物を含む、請求項２に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項４】
前記芳香族骨格を有するエポキシ化合物のエポキシ当量が、４００以上、３０００以下である、請求項２又は３に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項５】
前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有するエポキシ化合物を含む、請求項２〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項６】
前記充填材が、球状充填材と破砕充填材との双方を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項７】
前記球状充填材の含有量の前記破砕充填材の含有量に対する重量比が、０．３以上、３０以下である、請求項６に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項８】
前記球状充填材の含有量の前記破砕充填材の含有量に対する重量比が、１以上、１５以下である、請求項７に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項９】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる白色の光半導体装置用白色硬化性組成物である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項１０】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項１１】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、前記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の広い局面によれば、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含み、熱硬化前の光半導体装置用白色硬化性組成物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが３以上、６以下であり、１７０℃で３分間加熱した後、１７０℃で２時間更に加熱することにより硬化された後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが６以上、７以下である、光半導体装置用白色硬化性組成物が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、１７０℃で３分間加熱した後、１７０℃で２時間更に加熱することにより硬化された後の硬化物を、１２１℃、湿度１００％及び２気圧の条件で２４時間放置した後、放置後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨは４以上、６以下である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、上記エポキシ化合物全体のエポキシ当量は５００以上、２００００以下である。上記硬化剤は、酸無水物硬化剤である。上記エポキシ化合物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物の内の少なくとも１種を含むことが好ましい。上記エポキシ化合物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましい。上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物のエポキシ当量は、４００以上、３０００以下であることが好ましい。上記エポキシ化合物は、脂環式骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
（実施例１〜６，９，１１〜２２、参考例７，８，１０及び比較例１〜６）
下記表１，２に示す各成分を下記表１，２に示す配合量出配合し、混合機（ラボプラストミルＲ−６０、東洋精機製作所製）にて１５分間混合し、溶融混練物を得た。溶融混練物が常温（２３℃）で液状である場合、溶融混練物を白色硬化性組成物として用いた。溶融混練物が常温（２３℃）で固体である場合、常温で粉砕した後、タブレット化して、白色硬化性組成物を得た。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
【表１】
2013035978.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含み、
熱硬化前の光半導体装置用白色硬化性組成物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが３以上、６以下であり、
１７０℃で３分間加熱した後、１７０℃で２時間更に加熱することにより硬化された後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが６以上、７以下であり、
１７０℃で３分間加熱した後、１７０℃で２時間更に加熱することにより硬化された後の硬化物を、１２１℃、湿度１００％及び２気圧の条件で２４時間放置した後、放置後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが４以上、６以下であり、
前記エポキシ化合物全体のエポキシ当量が５００以上、２００００以下であり、
前記硬化剤が酸無水物硬化剤であり、
前記エポキシ化合物全体のエポキシ当量と前記硬化剤全体の硬化剤当量との当量比が、０．３：１〜２：１であり、
前記充填材が、球状充填材と破砕充填材との双方を含み、前記球状充填材の含有量の前記破砕充填材の含有量に対する重量比が０．３以上、３０以下である、光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項２】
前記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有するエポキシ化合物及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物の内の少なくとも１種を含む、請求項１に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項３】
前記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有するエポキシ化合物を含む、請求項２に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項４】
前記芳香族骨格を有するエポキシ化合物のエポキシ当量が、４００以上、３０００以下である、請求項２又は３に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項５】
前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有するエポキシ化合物を含む、請求項２〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項６】
前記球状充填材の含有量の前記破砕充填材の含有量に対する重量比が、１以上、１５以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項７】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる白色の光半導体装置用白色硬化性組成物である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項８】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項９】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、前記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の広い局面によれば、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含み、熱硬化前の光半導体装置用白色硬化性組成物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが３以上、６以下であり、１７０℃で３分間加熱した後、１７０℃で２時間更に加熱することにより硬化された後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが６以上、７以下であり、上記エポキシ化合物全体のエポキシ当量と上記硬化剤全体の硬化剤当量との当量比が、０．３：１〜２：１である、光半導体装置用白色硬化性組成物が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、上記充填材は、球状充填材と破砕充填材との双方を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、上記球状充填材の含有量の上記破砕充填材の含有量に対する重量比（球状充填材／破砕充填材）が、０．３以上、３０以下であり、１以上、１５以下であることがより好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
（実施例１〜６，９，１１，１４〜１６，２０〜２２、参考例７，８，１０，１２，１３，１７，１８及び比較例１〜６）
下記表１，２に示す各成分を下記表１，２に示す配合量出配合し、混合機（ラボプラストミルＲ−６０、東洋精機製作所製）にて１５分間混合し、溶融混練物を得た。溶融混練物が常温（２３℃）で液状である場合、溶融混練物を白色硬化性組成物として用いた。溶融混練物が常温（２３℃）で固体である場合、常温で粉砕した後、タブレット化して、白色硬化性組成物を得た。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
【表１】
2013035978.tif 000009
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
【表２】
2013035978.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含み、前記酸化チタンとは異なる充填材が、シリカであり、
熱硬化前の光半導体装置用白色硬化性組成物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが３以上、６以下であり、
１７０℃で３分間加熱した後、１７０℃で２時間更に加熱することにより硬化された後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが６以上、７以下であり、
１７０℃で３分間加熱した後、１７０℃で２時間更に加熱することにより硬化された後の硬化物を、１２１℃、湿度１００％及び２気圧の条件で２４時間放置した後、放置後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが４以上、６以下であり、
前記エポキシ化合物全体のエポキシ当量が５００以上、２００００以下であり、
前記硬化剤が酸無水物硬化剤であり、
前記エポキシ化合物全体のエポキシ当量と前記硬化剤全体の硬化剤当量との当量比が、０．３：１〜２：１であり、
前記充填材が、球状充填材と破砕充填材との双方を含み、前記球状充填材の含有量の前記破砕充填材の含有量に対する重量比が０．３以上、３０以下である、光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項２】
前記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有するエポキシ化合物及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物の内の少なくとも１種を含む、請求項１に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項３】
前記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有するエポキシ化合物を含む、請求項２に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項４】
前記芳香族骨格を有するエポキシ化合物のエポキシ当量が、４００以上、３０００以下である、請求項２又は３に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項５】
前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有するエポキシ化合物を含む、請求項２〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項６】
前記球状充填材の含有量の前記破砕充填材の含有量に対する重量比が、１以上、１５以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項７】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる白色の光半導体装置用白色硬化性組成物である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項８】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項９】
光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、前記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の広い局面によれば、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含み、上記酸化チタンとは異なる充填材が、シリカであり、熱硬化前の光半導体装置用白色硬化性組成物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが３以上、６以下であり、１７０℃で３分間加熱した後、１７０℃で２時間更に加熱することにより硬化された後の硬化物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨが６以上、７以下であり、上記エポキシ化合物全体のエポキシ当量と上記硬化剤全体の硬化剤当量との当量比が、０．３：１〜２：１である、光半導体装置用白色硬化性組成物が提供される。