(57)【要約】【課題】  ａ−Ｓｉ太陽電池の薄膜層に与えるダメージを抑え、一定の溝幅で加工できるパターニング方法を提供する。【解決手段】  透明基板上１に表面電極２、ａ−Ｓｉ層３、裏面電極がこの順で積層され、裏面電極は、少なくとも最も外側に金属電極層５が形成された構造のａ−Ｓｉ太陽電池における裏面電極のパターニングを行うａ−Ｓｉ太陽電池のパターニング方法であって、円周稜線部６ｂに連続した凹凸を有する溝付きカッターホイール６を用いて、金属電極層５に想定した溝加工予定ラインに沿って圧接転動させることにより、金属電極層５を含む裏面電極に傷痕をともなったスクライブラインであるダメージラインを形成するダメージライン形成工程と、当該ダメージラインに沿って金属電極層５を含む裏面電極を除去する裏面電極除去工程とを含むようにする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に表面電極、ａ−Ｓｉ層、裏面電極がこの順で積層され、前記裏面電極は、少なくとも最も外側に金属電極層が形成された構造のａ−Ｓｉ太陽電池における前記金属電極層を含む裏面電極のパターニングを行うａ−Ｓｉ太陽電池のパターニング方法であって、
（ａ）円周稜線部に突起と切り欠きとが交互に形成された溝付きカッターホイールを用いて、前記金属電極層に想定した溝加工予定ラインに沿って圧接転動させることにより、前記金属電極層を含む裏面電極に傷痕をともなったスクライブラインであるダメージラインを形成するダメージライン形成工程と、
（ｂ）前記ダメージラインに沿って前記金属電極層を含む裏面電極を除去する裏面電極除去工程とを含むａ−Ｓｉ太陽電池のパターニング方法。
【請求項２】
（ｂ１）前記（ｂ）の裏面電極除去工程は、
所定幅の刃先を圧接しながら移動することにより、当該所定幅で膜を剥離させる溝加工ツールを用いて、前記ダメージラインに沿って前記溝加工ツールを圧接移動して、前記金属電極層を含む裏面電極を除去してａ−Ｓｉ層が露出する溝を形成する剥離工程を含む請求項１に記載のａ−Ｓｉ太陽電池のパターニング方法。
【請求項３】
（ｃ）前記（ｂ１）の剥離工程の後に、
前記ａ−Ｓｉ層が露出した溝部分に対し、前記金属電極層を設けた側からレーザ光を照射することにより、前記ａ−Ｓｉ層をアブレーションにより除去するレーザアブレーション工程を含む請求項２に記載のａ−Ｓｉ太陽電池のパターニング方法。
【請求項４】
（ｂ２）前記（ｂ）の裏面電極除去工程は、
透明基板側からレーザ光を照射することにより、金属電極層を含む裏面電極とａ−Ｓｉ層とをアブレーションにより除去するレーザアブレーション工程を含む請求項１に記載のａ−Ｓｉ太陽電池のパターニング方法。
【請求項５】
前記溝付きカッターホイールを前記金属電極層の１つの溝加工予定ラインに対し、間隔をあけて２回以上圧接転動させることにより、傷痕のある平行な複数本のダメージラインを形成するようにした請求項１〜請求項４のいずれかに記載のａ−Ｓｉ太陽電池のパターニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アモルファスシリコン太陽電池（以下、「ａ−Ｓｉ太陽電池」と略す）のパターニング方法に関し、さらに詳細には、金属電極層を含む裏面電極をパターニングする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ａ−Ｓｉ太陽電池には、図１に示すように、透明基板であるガラス基板１上に表面電極である透明導電膜層２、光電変換層であるａ−Ｓｉ層３、緩衝層としての透明導電膜からなる中間層４、金属電極層５が積層された構造を有するものがある。ここでは中間層４と金属層５とで裏面電極を形成する。
このような構造のａ−Ｓｉ太陽電池は、ガラス基板１側から光（太陽光）が入射し、表面電極側の透明導電膜層２を透過してｐｉｎ型のａ−Ｓｉ層３により光電変換される。裏面電極には金属電極層５が用いられ、ａ−Ｓｉ層３で吸収されなかった光を金属電極層５で反射して再びａ−Ｓｉ層３で吸収させる。そのため、金属電極層５としてチタン、銀等の反射率の高い金属材料が蒸着やスパッタ等で形成される（特許文献１参照）。また、ａ−Ｓｉ層３へ直接金属電極層５を蒸着すると、ａ−Ｓｉ層３に衝突する金属粒子の影響でａ−Ｓｉ層３がダメージを受けて変換効率に影響が及ぶおそれがあるので、これを緩衝するために、中間層４としてＩＴＯ膜やＳｎＯ２膜（裏面ＴＣＯ層）を形成することもなされている（特許文献２参照）。
【０００３】
ａ−Ｓｉ太陽電池の製造工程では、表面電極をパターニングするＰ１加工、ａ−Ｓｉ層３をパターニングするＰ２加工、裏面電極をパターニングするＰ３加工と呼ばれるパターニング工程が含まれる。このうち、金属電極層５までの積層構造を形成した後に行われるＰ３加工工程では、裏面電極である金属電極５や中間層４とともに、ａ−Ｓｉ層３まで除去する溝加工を行って裏面電極側をセル分離するパターニングが行われる。
【０００４】
ところで、金属電極層５は、金属特有の性質である「展性」を有している。したがって、ａ−Ｓｉ太陽電池の金属電極層５の面をパターニングする際に、パターニングツール（けがき用の溝加工用ツール）を用いて、機械的に金属電極層５を剥離させる溝加工を行うと、金属特有の展性の影響で直線的な剥離が困難になり、また剥離した金属膜が刃先にまとわりつき、やがて刃先に付いた金属膜が邪魔になって、除去しない限りそれ以上の剥離ができなくなる。
また、けがき加工に用いられるパターニングツール（溝加工ツール）は、一般に超硬合金や焼結ダイヤモンドのような硬い材料で形成されているものの、ここでの加工対象の１つであるａ−Ｓｉ層３は非常に硬い膜であるため、一般的なパターニングツールではａ−Ｓｉ層３まで機械的にスクライブすることは困難である。たとえパターニングツールの刃先で無理にスクライブしたとしても、展性によりパターニングが不要な部分まで引きちぎられてランダムに剥がれてしまい、一定幅できれいな溝を形成することができない。
【０００５】
したがって、従来から、ａ−Ｓｉ太陽電池における金属電極層を含む裏面電極のパターニングでは、メカニカルスクライブではなく、Ｐ１，Ｐ２加工も含めて、特許文献１に記載されているように、レーザスクライブによるＰ３加工を行うようにしていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１８９４０８号公報
【特許文献２】特開平６−３４２９２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、ａ−Ｓｉ太陽電池の光電変換効率を向上させるため、電池各部の改良が行われている。その１つとして、表面電極である透明導電膜層２やガラス基板１についてはａ−Ｓｉ層３側の面をテクスチャ構造にして光が乱反射するようにし、一旦、ａ−Ｓｉ層３まで入射した光は再びガラス基板１側から逃げていきにくくすることにより、いわゆる「光閉じ込め効果」を得るようにしている。
【０００８】
しかしながら、透明導電膜層２等をテクスチャ構造とすることで、入射光の光閉じ込め効果が得られる半面、レーザスクライブによるパターニングの際に、ガラス基板１側から入射させる加工用レーザビームもテクスチャ構造によって乱反射されてしまうことになり、基板上の溝加工予定位置だけに正確かつ狭い幅でレーザビームを照射してスクライブすることが困難になってきている。
【０００９】
また、透明導電膜層２等にテクスチャ構造を設けない場合であっても、レーザスクライブの際に以下のような不具合が生じる。すなわち、ガラス基板１側からレーザを照射するレーザスクライブによって裏面電極を除去する場合、加工箇所への金属電極層５の溶融物の残留やバリの発生を防止するため、裏面電極（中間層４、金属電極層５）に高出力のレーザを照射する必要がある。このとき、高出力のレーザを使用することにより、加工箇所近傍のａ−Ｓｉ層３やガラス基板１に対して、熱によるダメージを与えるなどの不具合を生じてしまう。
【００１０】
そこで本発明は、上記課題を解決し、ａ−Ｓｉ太陽電池の金属電極層を含む薄膜層を一定の溝幅で加工できるパターニング方法を提供することを目的とする。
また、レーザスクライブのときにａ−Ｓｉ層等に与えるダメージを抑えることができるパターニング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明では次のような技術的手段を講じた。
すなわち、透明基板上に表面電極、ａ−Ｓｉ層、裏面電極がこの順で積層され、前記裏面電極は、少なくとも最も外側に金属電極層が形成された構造のａ−Ｓｉ太陽電池における前記金属電極層を含む裏面電極のパターニングを行うａ−Ｓｉ太陽電池のパターニング方法であって、
（ａ）円周稜線部に突起と切り欠きとが交互に形成された溝付きカッターホイールを用いて、前記金属電極層に想定した溝加工予定ラインに沿って圧接転動させることにより、前記金属電極層を含む裏面電極に傷痕をともなったスクライブラインであるダメージラインを形成するダメージライン形成工程と、
（ｂ）前記ダメージラインに沿って前記金属電極層を含む裏面電極を除去する裏面電極除去工程とを含むようにしている。
ここで、「透明基板」としてはガラス基板が好ましいが、太陽光等の光を透過する透明樹脂基板であってもよい。また、「ａ−Ｓｉ層」はｐｉｎ型の積層構造が一般的であるが、一部をμクリスタル化した構造なども含まれる。また、「裏面電極」には少なくとも金属電極層が含まれるが、ａ−Ｓｉ層と金属電極層との間に緩衝用の中間層（裏面ＴＣＯ層）を設けるようにしてもよい。この場合の裏面電極には、金属電極層と中間層とが含まれることになる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、少なくとも裏面電極の金属電極層に、溝付きカッターホイールの圧接転動によって形成される傷痕をともなったダメージラインが形成されるので、金属の物理的性質である展性があったとしても、ダメージラインに沿って分離できるようになり、また、金属電極層とａ−Ｓｉ層（または中間層）との結合力、付着力が弱められて剥離が促進されるようになる。具体的には、ダメージラインの直下や近傍に膜の浮き上がり現象が生じて、金属電極層（および中間層）の除去が容易となる。これにより、続いて行われる溝加工ツールによるけがき加工やレーザ光によるアブレーション加工による裏面電極除去工程の際に、小さな力（レーザ出力）で金属電極層、中間層、並びにａ−Ｓｉ層の溝加工を容易に、かつ精度よく行うことができる。
【００１３】
（その他の課題を解決するための手段並びに効果）
上記発明において、裏面電極除去工程では、所定幅の刃先を圧接しながら移動することにより、当該所定幅で膜を剥離させる溝加工ツールを用いて、前記ダメージラインに沿って前記溝加工ツールを圧接移動して、前記金属電極層を含む裏面電極を除去してａ−Ｓｉ層が露出する溝を形成する剥離工程を含むようにしてもよい。
ここで、「所定幅」とは、パターニングする溝の幅に適した幅である。１回の移動だけで１つの溝をスクライブする場合は、パターニングする溝幅とほぼ同じ幅の刃先となる。また、複数回の移動により１つの溝をスクライブする場合は、パターニングする溝幅に比べて小さくすることができる。
これによれば、ダメージライン形成工程により、金属電極層はダメージラインに沿って簡単に剥離できるようになり、展性の影響を受けずに剥離することができる。
【００１４】
さらに、剥離工程の後に、前記ａ−Ｓｉ層が露出した溝部分に対し、前記金属電極層を設けた側からレーザ光を照射することにより、前記ａ−Ｓｉ層をアブレーションにより除去するレーザアブレーション工程を含むようにしてもよい。
これにより、金属電極層を除去した側からレーザアブレーションができるようになり、透明基板側の表面電極層がテクスチャ構造であっても、正確かつ溝幅が一定の精度よい溝を加工することができる。
【００１５】
上記発明において、裏面電極除去工程では、透明基板側からレーザ光を照射することにより、金属電極層を含む裏面電極とａ−Ｓｉ層とをアブレーションにより除去するレーザアブレーション工程を含むようにしてもよい。
本発明によれば、先に裏面電極にダメージを与えてあるので、レーザ出力を抑えてアブレーションしても、容易に、かつ精度よくスクライブすることができる。
【００１６】
また、上記発明において、溝付きカッターホイールを金属電極層の１つの溝加工予定ラインに対し、間隔をあけて２回以上圧接転動させることにより、傷痕のある平行な複数本のダメージラインを形成するようにしてもよい。
これにより、２本のダメージラインに挟まれた金属電極層が剥離しやすくなっているので、次工程の溝加工ツールによるけがき加工やレーザ光によるアブレーション加工の際に、小さな力（レーザ出力）で、金属電極層を含む裏面電極およびａ−Ｓｉ層に対する幅広の溝加工を、容易に、かつ精度よく行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の加工対象となるａ−Ｓｉ太陽電池の断面図。
【図２】本発明において用いられる溝付きカッターホイールによるダメージライン形成工程を示す断面図。
【図３】本発明において用いられる溝付きカッターホイールの一例を示す正面図並びに側面図。
【図４】本発明のパターニング方法で形成された溝部分の状態を示す模式図。
【図５】本発明のパターニング方法の一実施例を示す工程図。
【図６】本発明のパターニング方法の他の一実施例を示す工程図。
【図７】本発明において用いられる溝加工ツールの一例を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下において本発明のａ−Ｓｉ太陽電池のパターニング方法を、図面に基づいて具体的に説明する。
図１は、本発明のパターニング対象となるａ−Ｓｉ太陽電池の断面図であり、既述のように、ａ−Ｓｉ太陽電池Ｗは、ガラス基板１上に、ＩＴＯ，ＳｎＯ２等の透明導電膜層２からなる表面電極、ｐ層、ｉ層、ｎ層が積層されたａ−Ｓｉ層３からなる光電変換層、透明導電膜からなる緩衝層としての中間層４、チタン、銀等の金属電極層５が積層された構造にしてある。なお、中間層４と金属電極層５とによって裏面電極が構成される。
【００１９】
本発明は、主として金属電極層５を含む裏面電極を、機械的にパターニングして、セル分離を行うことが目的のパターニング方法であり、ここでは金属電極層５とともに裏面側の透明導電膜からなる中間層４についても機械的に除去することになる。
そして、機械的なパターニング後に、機械的剥離が困難なａ−Ｓｉ層３を、レーザスクライブによりアブレーションで除去することにより、裏面電極とａ−Ｓｉ層とをパターニングするいわゆる「Ｐ３加工」が完成することになる。
【００２０】
本発明では、最初の工程として、まず図２（ａ），（ｂ）に示すように、溝付きカッターホイール６を使用し、この溝付きカッターホイール６をａ−Ｓｉ太陽電池Ｗの金属電極層５の表面に、形成すべき溝幅の間隔Ｓをあけて２回圧接転動（スクライブ）させる。これにより、少なくとも金属電極層５に傷痕のある平行な２本のダメージラインＬ１，Ｌ２を形成する（ダメージライン形成工程という）。ここでは溝付きカッターホイールを用いることにより、展性の強い金属電極層でも連続した点線状のスクライブライン（ダメージライン）を形成することができる。
【００２１】
溝付きカッターホイール６の一例を図３で示す。図３において、（ａ）は側面図であり、（ｂ）は正面図である。この溝付きカッターホイール６は、直径２ｍｍ〜６ｍｍで厚み０．６ｍｍ〜１．５ｍｍ程度の超硬合金製の円盤ディスク６ａの外周部に、刃先となる稜線６ｂが角度α（約１００度〜１４０度）で形成され、その稜線６ｂには間欠的に小さな凹部６ｃが形成され、その結果、稜線部６ｂにおける凹部６ｃの間には凸部６ｄが形成されている。なお、凹部６ｃの稜線６ｂに沿った長さは７〜１５μｍ程度、稜線６ｂの外周からの凹部６ｃの深さは１〜５μｍ程度である。また、凸部６ｄの稜線６ｂに沿った長さは、６〜１５μｍ程度である。なお、この溝付きカッターホイール６は、例えば三星ダイヤモンド工業株式会社製スクライビングホイール「ＰＥＮＥＴＴ（登録商標）」を用いることができる。
【００２２】
このような溝付きカッターホイール６の転動によって形成されたダメージラインＬ１，Ｌ２は、刃先となる凸部６ｄの連続した打撃によって点線状の小さな傷痕が金属電極層５（および中間層４）に形成されると同時に、左右のダメージラインＬ１，Ｌ２に挟まれた金属電極層５（および中間層４）は、ａ−Ｓｉ層３から少し浮き上がった剥離現象が生じる。
【００２３】
図４のデータＮｏ．１は、発明者等によって上記のスクライブを行い、その結果を写真撮影したものを模式図化したものである。図４中の（Ａ）はダメージライン部分の平面図であり、（Ｂ）はダメージラインを横断する方向に段差計の針を走査して得られた表面プロファイルである。（Ｂ）の波状を有する線は金属電極層５の表面プロファイルを示し、左右の大きく盛り上がった波形がダメージラインＬ１，Ｌ２である。
図４（Ａ）の平面図にみられるように、溝付きカッターホイール６の圧接転動によって、２本の平行なダメージラインＬ１，Ｌ２が点線状の打撃痕跡、すなわち傷痕を残して形成される。同時に図４（Ｂ）の側面図にみられるように、ダメージラインＬ１，Ｌ２に挟まれた金属電極層５（および中間層４）が他の部分より少し浮き上がっており、この部分がダメージを受けて下方のａ−Ｓｉ層３との結合が緩み、両者間に小さな剥離現象が生じていることがわかる。
【００２４】
このように、溝付きカッターホイール６の圧接転動によって点線のような傷痕を有するダメージラインＬ１，Ｌ２が形成されるので、金属の物理的性質である展性の影響が弱まってライン間に挟まれた部分をラインに沿って溝加工しやすくなるとともに、ダメージラインＬ１，Ｌ２の間の金属電極層５（および中間層４）に浮き上がり現象が生じているので、ライン間の金属電極層５（および中間層４）の除去が容易となる。したがって、以下に説明する溝加工ツールやレーザスクライブによるＰ３加工、すなわち、金属層５、中間層４、ａ−Ｓｉ層３の溝加工を容易に、かつ、精度よく行うことができる。
【実施例１】
【００２５】
本実施例では、まず図５（ｂ）に示すように、溝加工ツール７（けがきツール）を使用して、ダメージラインＬ１，Ｌ２に挟まれた金属電極層５を中間層４とともに除去してａ−Ｓｉ層３が露出する溝Ｍ１を加工する。
【００２６】
溝Ｍ１の加工で使用される溝加工ツールは、ダメージラインＬ１とＬ２との間隔に対応する幅を有する刃先を金属電極層５の表面に圧接させて、金属電極層５の表面を相対的に１回移動させることにより、この幅での溝が加工できるようにしている。このような加工が可能な刃先としては、例えば、図７に示すような溝加工ツール７が好適である。
【００２７】
溝加工ツール７は、スクライブ装置（図示外）への取り付け部となる円柱状ボディ７１と、その先端部の刃先領域７２とからなり、刃先領域７２は超合金またはダイヤモンド等の硬質金属材料で作られている。刃先領域７２は、細長く延びる底面７３と、底面７３の短手方向の端辺から直角に立ち上がった前面７４並びに後面７５と、底面７３の長手方向の端辺から直角に立ち上がって互いに平行をなす左、右側面７８，７９とからなる。底面７３と前後面７４，７５とによって形成される角部がそれぞれ刃先７６，７７となる。
【００２８】
底面７３の左右幅Ｓ１は、例えば３０〜６０μｍ（すなわちＰ３加工の溝幅が３０〜６０μｍの場合）が一般的であるが、要求される溝幅に合わせて設定される。また、刃先領域７２の有効高さ、すなわち、左右側面７８，７９並びに前後面７４，７５の高さＨは、０．５ｍｍ程度である。
【００２９】
この溝加工ツール７の刃先領域７２の長手方向をツールの移動方向に向け、かつ、ａ−Ｓｉ太陽電池Ｗに対して刃先部分の前面７４または後面７５を所定角度だけ、例えば６５〜７５度傾斜させ、所定の押圧力、例えば２〜５Ｎの押圧荷重をかけながら金属電極層５の表面を走行させる。これによりダメージラインＬ１，Ｌ２間の金属電極層５を中間層４とともに除去して、ａ−Ｓｉ層３が露出する溝Ｍ１を加工する。
【００３０】
図４のデータＮｏ．２は、溝加工ツール７で上記溝Ｍ１を加工した図を示す。Ｎｏ．２（Ｂ）に示すように、ダメージラインＬ１，Ｌ２の間は左右の水平線（本来の太陽電池表面）より下方にあって溝Ｍ１が確実に形成されており、同時にＮｏ．２（Ａ）に示すように、溝Ｍ１が一定の溝幅できれいに形成されている。
【００３１】
溝Ｍ１の加工に続いて、図５（ｃ），（ｄ）に示すように、溝Ｍ１に金属電極層５側からレーザ光を照射してａ−Ｓｉ層３をアブレーションで除去する。これにより表面電極である透明導電膜層２が露出する溝Ｍ２が形成されてＰ３加工が完成する。この場合、レーザ光は、展性のある金属電極層５を溝加工ツール７で除去された溝Ｍ１に向かって上方側から照射されるので、アブレーションによる金属粒子の発生がなくなって金属粒子によるａ−Ｓｉ層３等への影響をなくすようにすることができるとともに、レーザ光によるａ−Ｓｉ層３の除去が容易にできるようになり、溝幅が一定した精度のよいＰ３加工の溝Ｍ２を形成することができる。
【実施例２】
【００３２】
この実施例では、溝付きカッターホイール６で形成されたダメージラインＬ１，Ｌ２を有するａ−Ｓｉ太陽電池Ｗに対して、光入射側であるガラス基板１の面からレーザ光を照射してＰ３加工を行うものである。
すなわち、図６（ａ），（ｂ）に示すように、溝付きカッターホイール６により形成されたダメージラインＬ１，Ｌ２を有するａ−Ｓｉ太陽電池Ｗに対し、ガラス基板１の下方からダメージラインＬ１，Ｌ２間の中央に向かってレーザ光を照射する。金属電極層５はその物理的性質である展性がダメージラインＬ１，Ｌ２で弱められているとともに、ダメージラインＬ１，Ｌ２の間の金属電極層５（および中間層４）に浮き上がり現象が生じているので、下方からのレーザ光によってａ−Ｓｉ層３の除去と同時にダメージラインＬ１，Ｌ２の間の金属電極層５（および中間層４）を容易に除去することができる。このとき、ダメージラインＬ１，Ｌ２が無い場合と比較して低出力のレーザ光での加工が可能となる。また、ダメージラインの存在によって溝幅が一定した精度のよいきれいなＰ３加工の溝Ｍ２を容易に形成することができる。
【００３３】
上記実施例において、形成すべき溝幅の間隔Ｓをあけてダメージラインを２本形成したが、必ずしもその本数は限定されず、それ以上または以下であってもよい。例えば、図４のデータＮｏ．３に示すように、１本のダメージラインＬ３を金属電極層５に形成した場合でも、Ｎｏ．３（Ｂ）でみられるようにダメージラインＬ３部分が一部浮き上がっており、これにより、狭い溝幅ではあるが、溝加工ツールやレーザスクライブにより容易に金属電極層５および中間層４を剥離除去することができる。
また、溝幅の間隔Ｓを広げたいときは、１つの溝に対する圧接転動の回数を増やして、溝の両端のダメージラインＬ１，Ｌ２の間に別のダメージラインを追加してもよい。
【００３４】
以上本発明の代表的な実施例について説明したが、本発明は必ずしも上記の実施形態に特定されるものでなく、その目的を達成し、請求の範囲を逸脱しない範囲内で適宜修正、変更することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明の方法は、ａ−Ｓｉ太陽電池のパターニング加工に利用することができる。
【符号の説明】
【００３６】
Ｗ  ａ−Ｓｉ太陽電池
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３  ダメージライン
Ｍ１，Ｍ２  溝
１  ガラス基板（透明基板）
２  透明導電膜層（表面電極）
３  ａ−Ｓｉ層
４  中間層
５  金属電極層
６  溝付きカッターホイール
７  溝加工ツール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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