(57)【要約】【課題】半導体チップ等との接続不良を抑制する。【解決手段】絶縁基板２０と、絶縁基板２０の片面に形成された配線１４と、絶縁基板２０と接する側の配線１４の一部の面を露出させるよう絶縁基板２０を貫通して設けられた開口部２０ｓと、開口部２０ｓ内に露出した配線１４と接続され、配線１４の露出面から絶縁基板２０のもう一方の面側に向かって突出する複数のめっき部１３ｍと、を備え、複数のめっき部１３ｍの頂面１３ｔは互いに略同一平面上に位置している。【選択図】図３
2013214623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の片面に形成された配線と、
前記絶縁基板と接する側の前記配線の一部の面を露出させるよう前記絶縁基板を貫通して設けられた開口部と、
前記開口部内に露出した前記配線と接続され、前記配線の露出面から前記絶縁基板のもう一方の面側に向かって突出する複数のめっき部と、を備え、
前記複数のめっき部の頂面は互いに略同一平面上に位置している
ことを特徴とするフレキシブル配線基板。
【請求項２】
前記配線は複数の孔を備え、
少なくとも前記複数のめっき部のそれぞれの基部が前記複数の孔のそれぞれの内壁と接することで、前記めっき部と前記配線とが接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル配線基板。
【請求項３】
前記複数のめっき部は、前記頂面から前記基部に向けて順に太くなるように形成されている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブル配線基板。
【請求項４】
絶縁基板の片面に形成される第１導電層と前記絶縁基板とを貫通し、前記絶縁基板のもう一方の面に形成される第２導電層で底部が塞がれた複数の孔内に、前記第２導電層を電極とする電気めっきにより、前記第１導電層と接続される複数のめっき部を形成する工程を有する
ことを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁基板の片面に前記第１導電層が形成され、もう一方の面に前記第２導電層が形成された状態で、前記第１導電層と前記絶縁基板とを貫通させて前記第２導電層で底部が塞がれた前記複数の孔を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項４に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁基板の片面に前記第１導電層が形成された状態で、前記第１導電層と前記絶縁基板とを貫通させて前記複数の孔を形成する工程と、
前記絶縁基板のもう一方の面に前記第２導電層を形成して前記複数の孔の底部を塞ぐ工程と、を有する
ことを特徴とする請求項４に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項７】
少なくとも前記第１導電層をパターニングして前記絶縁基板の片面に配線を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載のフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項８】
片面に第１導電層が形成され、もう一方の面に第２導電層が形成された絶縁基板を準備し、前記第１導電層と前記絶縁基板とを貫通し前記第２導電層で底部が塞がれた複数の孔を形成する工程と、
前記第２導電層を電極とする電気めっきにより、前記複数の孔内に充填され前記第１導電層と接続される複数のめっき部を形成する工程と、
少なくとも前記第１導電層をパターニングして前記絶縁基板の片面に配線を形成する工程と、
少なくとも前記複数のめっき部の近傍の前記第２導電層と前記絶縁基板とを除去して前記絶縁基板と接する側の前記配線の一部の面が露出した開口部を形成し、前記配線の露出
面から前記絶縁基板のもう一方の面側に向かって前記複数のめっき部を突出させる工程と、を有する
ことを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル配線基板及びフレキシブル配線基板の製造方法に関し、特にバンプ付きのフレキシブル配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップやＬＥＤチップ等の各種の半導体チップ等が実装されパッケージ化されるバンプ付きのフレキシブル配線基板がある。これを製造する場合、図５に示すように、例えば絶縁基板１２０（図５（ａ））の少なくとも片面に形成された銅（Ｃｕ）箔１１１等の導電層をパターニングして配線１１１ｐを形成する（図５（ｂ））。配線１１１ｐ上には、複数の開口１３０ｈを有するレジストパターン１３０ｐを形成する（図５（ｃ））。次に、配線１１１ｐを電極とする電気めっき等により開口１３０ｈ内を充填して複数のめっき部１１３ｍを形成する（図５（ｄ））。レジストパターン１３０ｐを除去すると、めっき部１１３ｍは、配線１１１ｐ上に突出するバンプとなる（図５（ｅ））。
【０００３】
このように製造されるフレキシブル配線基板のバンプには、例えば各種の半導体チップの電極等が接続されてパッケージ化されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭５５−０４８９５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のように、電気めっきにより開口１３０ｈ内を充填すると、例えば配線１１１ｐに印加される電流密度に偏りが発生し、それぞれのめっき部１１３ｍの高さにバラツキが生じてしまうことがあった。電流密度の偏りは、例えばめっき部１１３ｍが形成される配線１１１ｐ間の配置の疎密差等により発生する。めっき部１１３ｍの高さがばらつくと、例えば半導体チップ等との接続不良を起こしてしまう場合があった。
【０００６】
本発明の目的は、半導体チップ等との接続不良を抑制することが可能なフレキシブル配線基板及びフレキシブル配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の片面に形成された配線と、
前記絶縁基板と接する側の前記配線の一部の面を露出させるよう前記絶縁基板を貫通して設けられた開口部と、
前記開口部内に露出した前記配線と接続され、前記配線の露出面から前記絶縁基板のもう一方の面側に向かって突出する複数のめっき部と、を備え、
前記複数のめっき部の頂面は互いに略同一平面上に位置している
フレキシブル配線基板が提供される。
【０００８】
本発明の第２の態様によれば、
前記配線は複数の孔を備え、
少なくとも前記複数のめっき部のそれぞれの基部が前記複数の孔のそれぞれの内壁と接することで、前記めっき部と前記配線とが接続されている
第１の態様に記載のフレキシブル配線基板が提供される。
【０００９】
本発明の第３の態様によれば、
前記複数のめっき部は、前記頂面から前記基部に向けて順に太くなるように形成されている
第１又は第２の態様に記載のフレキシブル配線基板が提供される。
【００１０】
本発明の第４の態様によれば、
絶縁基板の片面に形成される第１導電層と前記絶縁基板とを貫通し、前記絶縁基板のもう一方の面に形成される第２導電層で底部が塞がれた複数の孔内に、前記第２導電層を電極とする電気めっきにより、前記第１導電層と接続される複数のめっき部を形成する工程を有する
フレキシブル配線基板の製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第５の態様によれば、
前記絶縁基板の片面に前記第１導電層が形成され、もう一方の面に前記第２導電層が形成された状態で、前記第１導電層と前記絶縁基板とを貫通させて前記第２導電層で底部が塞がれた前記複数の孔を形成する工程を有する
第４の態様に記載のフレキシブル配線基板の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の第６の態様によれば、
前記絶縁基板の片面に前記第１導電層が形成された状態で、前記第１導電層と前記絶縁基板とを貫通させて前記複数の孔を形成する工程と、
前記絶縁基板のもう一方の面に前記第２導電層を形成して前記複数の孔の底部を塞ぐ工程と、を有する
第４の態様に記載のフレキシブル配線基板の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の第７の態様によれば、
少なくとも前記第１導電層をパターニングして前記絶縁基板の片面に配線を形成する工程を有する
第４〜第６の態様のいずれかに記載のフレキシブル配線基板の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明の第８の態様によれば、
片面に第１導電層が形成され、もう一方の面に第２導電層が形成された絶縁基板を準備し、前記第１導電層と前記絶縁基板とを貫通し前記第２導電層で底部が塞がれた複数の孔を形成する工程と、
前記第２導電層を電極とする電気めっきにより、前記複数の孔内に充填され前記第１導電層と接続される複数のめっき部を形成する工程と、
少なくとも前記第１導電層をパターニングして前記絶縁基板の片面に配線を形成する工程と、
少なくとも前記複数のめっき部の近傍の前記第２導電層と前記絶縁基板とを除去して前記絶縁基板と接する側の前記配線の一部の面が露出した開口部を形成し、前記配線の露出面から前記絶縁基板のもう一方の面側に向かって前記複数のめっき部を突出させる工程と、を有する
フレキシブル配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体チップ等との接続不良を抑制することが可能なフレキシブル配線基板及びフレキシブル配線基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板の製造方法を断面図で示す工程図（その１）である。
【図２】本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板の製造方法を断面図で示す工程図（その２）である。
【図３】本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板の断面図であって、（ａ）は片面配線構造のフレキシブル配線基板の断面図であり、（ｂ）は両面配線構造のフレキシブル配線基板の断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板のめっき部の拡大断面図である。
【図５】従来技術に係るフレキシブル配線基板の製造方法を断面図で示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜本発明の一実施形態＞
（１）フレキシブル配線基板の製造方法
本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板１（図３を参照）は、絶縁基板２０と、絶縁基板２０の片面に形成された配線１４（１１ｐ，１３ｐ）と、配線１４と接続され絶縁基板２０のもう一方の面側に向かって突出する複数のめっき部１３ｍと、を備える。
【００１８】
まずは、本実施形態に係るフレキシブル配線基板１の製造方法について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板１の製造方法を断面図で示す工程図（その１）である。図２は、本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板１の製造方法を断面図で示す工程図（その２）である。以下に説明するフレキシブル配線基板１の製造方法には、例えばロール・ツー・ロール法による製造工程が使用される。
【００１９】
（孔形成工程）
まずは、絶縁基板２０の片面に形成される第１導電層としての第１銅箔１１と絶縁基板２０とを貫通し、絶縁基板２０のもう一方の面に形成される第２導電層としての第２銅箔１２で底部が塞がれた複数の孔２０ｈを形成する。
【００２０】
すなわち、図１（ａ）に示すように、例えば片面に第１銅箔１１が形成され、もう一方の面に第２銅箔１２が形成された絶縁基板２０を準備する。
【００２１】
絶縁基板２０は、例えば可撓性を有する２５μｍ以上５０μｍ以下の厚さの長尺状の樹脂フィルムである。絶縁基板２０を構成する樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、アラミド、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。
【００２２】
第１銅箔１１および第２銅箔１２は、それぞれが例えば２μｍ以上５μｍ以下の厚さを備えている。絶縁基板２０へは、図示しない熱可塑性の接着剤等を介して、或いは、絶縁基板２０に直接的に、加熱・加圧により貼り合わされている。
【００２３】
次に、第１銅箔１１が形成された絶縁基板２０の面側に第１銅箔１１を覆うように、例えばネガ型のドライフィルムレジストを貼り合わせて露光・現像し、図１（ｂ）に示すように、レジストパターン３１ｐを形成する。
【００２４】
続いて、図１（ｃ）に示すように、ＹＡＧ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）レーザやＣＯ２レーザ
等を用い、第１銅箔１１と絶縁基板２０とを貫通させる。なお、銅材はレーザ光をほとんど反射してしまうため、予め、レジストパターン３１ｐから露出した第１銅箔１１を黒化処理（酸化処理）しておくとよい。その後、レジストパターン３１ｐを除去する。
【００２５】
以上により、図１（ｄ）に示すように、第２銅箔１２で底部が塞がれた複数の孔２０ｈが形成される。第１銅箔１１に開口した複数の孔２０ｈのそれぞれの直径は、例えば２０μｍ以上４０μｍ以下である。また、第２銅箔１２で塞がれた底部の直径は、例えば１０μｍ以上３０μｍ以下である。
【００２６】
（めっき部形成工程）
続いて、図１（ｅ）に示すように、第２銅箔１２を電極とする電気めっきにより、複数の孔２０ｈ内に充填され第１銅箔１１と接続される複数のめっき部１３ｍを形成する。
【００２７】
具体的には、まず、複数の孔２０ｈが形成された絶縁基板２０の第１銅箔１１側から、パラジウム（Ｐｄ）系触媒やスズ（Ｓｎ）系触媒等によって導電化処理を施す。これにより、孔２０ｈの底部の第２銅箔１２と、孔２０ｈの側面にあたる絶縁基板２０および第１銅箔１１の内壁と、孔２０の上面の第１銅箔１１の表面と、にＰｄ系触媒やＳｎ系触媒等が付着して導電化される。
【００２８】
次に、第２銅箔１２に電流を印加して、第２銅箔１２を電極とする電気めっきを行う。めっき液としては、例えば銅めっき液を用いる。これにより、銅めっき１３により孔２０ｈ内が底部から充填されていく。また、導電化処理を行ったことにより、絶縁基板２０および第１銅箔１１の内壁、並びに第１銅箔１１の表面にも銅めっき１３が形成されていく。
【００２９】
以上により、第１銅箔１１に開口する複数の孔２０ｈ内および第１銅箔１１の表面全体が、孔２０ｈ内に充填されためっき部１３ｍと第１銅箔１１の表面に形成されためっき層１３ｆとを備える銅めっき１３により覆われる。
【００３０】
このように、本実施形態では、例えばめっき部１３ｍが第１銅箔１１に設けられた孔２０ｈの縁まで充填され、めっき層１３ｆが第１銅箔１１の全面を覆って略平坦となるまで、電気めっきを継続している。但し、電気めっきは、少なくとも孔２０ｈ内に充填されるめっき部１３ｍの上端部が第１銅箔１１に開口する孔２０ｈの第１銅箔１１の内壁と接するに充分な高さとなるまで継続すればよい。これにより、めっき部１３ｍが第１銅箔１１と接続した状態となる。
【００３１】
以上により、めっき部１３ｍは、孔２０ｈの縁まで充填された上端部から第２銅箔１２と接する底部までの高さが略揃った状態で形成される。このときのめっき部１３ｍの高さのバラツキは、例えば±５μｍ以内、より好ましくは±１μｍ以内である。めっき層１３ｆの厚さは、例えば１μｍ以下である。
【００３２】
（配線形成工程）
次に、第１銅箔１１とめっき層１３ｆとをパターニングして、絶縁基板２０の片面に配線１４を形成する。
【００３３】
具体的には、まず、第１銅箔１１上に形成されためっき層１３ｆを覆うように、例えばネガ型のドライフィルムレジストを貼り合わせて露光・現像し、図１（ｆ）に示すように、レジストパターン３２ｐを形成する。また、このとき、第２銅箔１２の表面には、図示しないマスキングテープを貼り合わせる。
【００３４】
続いて、マスキングテープで第２銅箔１２を保護しつつ、図１（ｇ）に示すように、レジストパターン３２ｐをマスクとして、第１銅箔１１とめっき層１３ｆとをエッチングする。これにより、第１銅箔パターン１１ｐとめっき層パターン１３ｐとが形成される。
【００３５】
エッチング終了後、レジストパターン３２ｐとマスキングテープとを除去し、図１（ｈ）に示すように、第１銅箔パターン１１ｐとめっき層パターン１３ｐとからなる配線１４を得る。
【００３６】
（保護膜形成工程）
引き続き、図２（ａ）に示すように、絶縁基板２０の配線１４が形成された側の略全面にソルダレジスト等の保護膜４０を形成する。これにより、配線１４が保護される。
【００３７】
（開口部形成工程）
次に、少なくとも複数のめっき部１３ｍの近傍の第２銅箔１２と絶縁基板２０とを除去して絶縁基板２０と接する側の配線１４の一部の面が露出した開口部２０ｓを形成する。
【００３８】
具体的には、まず、図２（ｂ）に示すように、複数のめっき部１３ｍの近傍を含め、第２銅箔１２を全面的に除去する。
【００３９】
このような第２銅箔１２の除去は、例えば過酸化水素と硫酸とによる過水／硫酸系や硝酸等のエッチング液を用いたフラッシュエッチングにより行う。これらのエッチング液は、エッチング速度が比較的遅く、第２銅箔１２の下地として露出するめっき部１３ｍの底部をほとんどエッチングすることなく、主に第２銅箔１２のみを除去することができる。これらのエッチング液によるめっき部１３ｍのエッチング量は、例えばめっき部１３ｍの高さの２％未満である。
【００４０】
続いて、第２銅箔１２が除去された絶縁基板２０の片面に、例えばネガ型のドライフィルムレジストを貼り合わせて露光・現像し、図２（ｃ）に示すように、レジストパターン３３ｐを形成する。続いて、例えばポリイミドエッチング用のエッチング液等を用いて、図２（ｄ）に示すように、複数のめっき部１３ｍの近傍の絶縁基板２０を除去する。その後、レジストパターン３３ｐを除去する。
【００４１】
これにより、図２（ｅ）に示すように、絶縁基板２０と接する側の配線１４の一部の面、より具体的には、配線１４を構成する第１銅箔パターン１１ｐの一部の面が露出した開口部２０ｓが形成される。また、配線１４の露出面から絶縁基板２０のもう一方の面側に向かって複数のめっき部１３ｍが突出した状態となる。
【００４２】
このように、めっき部１３ｍを突出させることで、配線１４上に突出するバンプが形成される。
【００４３】
（保護めっき層形成工程）
その後、図２（ｆ）に示すように、保護膜４０で覆われていない配線１４の露出部及びめっき部１３ｍに、金／ニッケル（Ａｕ／Ｎｉ）等のめっきを施して保護めっき層１５を形成する。これにより、配線１４およびめっき部１３ｍが保護され、また、配線１４およびめっき部１３ｍと半導体チップ等の他の電子部品との接続信頼性が高まる。保護めっき層１５の厚さは、例えばＡｕめっき厚を０．５μｍ以上２μｍ以下、Ｎｉめっき厚を１μｍ以上３μｍ以下とする。
【００４４】
以上により、図２（ｆ）に示すフレキシブル配線基板１が製造される。
【００４５】
（２）フレキシブル配線基板の構造
上述のように製造された本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板１について、図３及び図４を用いて説明する。図３は、本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板１の断面図であって、（ａ）は片面配線構造のフレキシブル配線基板１の断面図であり、（ｂ）は両面配線構造のフレキシブル配線基板１の断面図である。図４は、本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板１のめっき部１３ｍの拡大断面図である。
【００４６】
図３（ａ），（ｂ）に示すように、フレキシブル配線基板１は、絶縁基板２０と、絶縁基板２０の片面に形成された配線１４（１１ｐ，１３ｐ）と、絶縁基板２０と接する側の配線１４の一部の面を露出させるよう絶縁基板２０を貫通して設けられた開口部２０ｓと、を備える。
【００４７】
また、フレキシブル配線基板１は、開口部２０ｓ内に露出した配線１４と接続され、配線１４の露出面から絶縁基板２０のもう一方の面側に向かって突出する複数のめっき部１３ｍを備える。フレキシブル配線基板１においては、これら複数のめっき部１３ｍが、配線１４上に突出するバンプとなる。
【００４８】
フレキシブル配線基板１においては、図４に示すように、第２銅箔１２と接していためっき部１３ｍの底部が、バンプとなっためっき部１３ｍの頂面１３ｔとなる。また、充填されためっき部１３ｍの上端部が、バンプとなっためっき部１３ｍの基部１３ｂとなる。すなわち、配線１４の一部を構成する第１銅箔パターン１１ｐを貫通する複数の孔２０ｈの縁までめっき部１３ｍが充填された本実施形態では、めっき部１３ｍの基部１３ｂは、めっき部１３ｍが第１銅箔パターン１１ｐに開口する孔２０ｈの縁と接する部分、すなわち、第１銅箔パターン１１ｐとめっき層パターン１３ｐとの界面の部分である。換言すれば、めっき層パターン１３ｐの第１銅箔パターン１１ｐと接する面から突出するめっき部１３ｍの立ち上がり部分が、めっき部１３ｍの基部１３ｂである。
【００４９】
図４に示すように、複数のめっき部１３ｍの頂面１３ｔは、互いに略同一の平面Ｆ上に位置している。このとき、複数のめっき部１３ｍのそれぞれの基部１３ｂから頂面１３ｔまでの高さのバラツキは、例えば±５μｍ以内、より好ましくは±１μｍ以内である。
【００５０】
また、複数のめっき部１３ｍのそれぞれの基部１３ｂは、配線１４が備える複数の孔２０ｈのそれぞれの内壁、より具体的には、配線１４を構成する第１銅箔パターン１１ｐを貫通する複数の孔２０ｈのそれぞれの内壁と接している。これにより、めっき部１３ｍと配線１４とが接続されている。
【００５１】
また、複数のめっき部１３ｍは、頂面１３ｔから基部１３ｂに向けて順に太くなるように形成されている。すなわち、複数のめっき部１３ｍの側面の形状は、頂面１３ｔから基部１３ｂへと向かう順テーパとなっている。このとき、めっき部１３ｍの基部１３ｂの直径は、例えば２０μｍ以上４０μｍ以下である。また、めっき部１３ｍの頂面１３ｔの直径は、例えば１０μｍ以上３０μｍ以下である。
【００５２】
また、図３（ａ）に示すように、配線１４の略全面には、保護膜４０が形成されている。
【００５３】
或いは、図３（ｂ）に示すように、保護膜４０には例えばパターニングが施され、配線１４の一部が露出した保護パターン４０ｐとなっていてもよい。これにより、めっき部１３ｍが突出する側とは反対側に露出した配線１４に外部端子等の電子機器が接続可能な両面配線（２メタル）構造のフレキシブル配線基板１とすることができる。
【００５４】
また、図３（ａ），（ｂ）のいずれにおいても、露出した配線１４およびめっき部１３ｍの表面には、保護めっき層１５が形成されている。
【００５５】
以上のように、フレキシブル配線基板１が構成される。
【００５６】
（３）本実施形態に係る効果  本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【００５７】
（ａ）すなわち、本実施形態では、複数のめっき部１３ｍは、第２銅箔１２と接していた底部を頂面１３ｔとし、これらの頂面１３ｔは互いに略同一平面上に位置している。つまり、複数のめっき部１３ｍの高さのバラツキが、所定の範囲内となっている。これにより、例えばフレキシブル配線基板１のバンプであるめっき部１３ｍに接続される半導体チップ等との接続不良を抑制することができる。
【００５８】
図５に示す従来のバンプ付きのフレキシブル配線基板においては、レジストパターン１３０ｐの開口１３０ｈ内を電気めっきで充填した上端部を、バンプであるめっき部１１３ｍの頂面としていた。これにより、めっき部１１３ｍの高さには、電気めっきによるバラツキが生じてしまっていた。このバラツキは、例えばめっき部１１３ｍの高さの±２０％にもなってしまうことがあった。
【００５９】
しかしながら、本実施形態では、電気めっきで充填した底部をめっき部１３ｍの頂面１３ｔとしている。これにより、めっき部１３ｍの高さは、充填される孔２０ｈの深さ、すなわち、主に絶縁基板２０の厚さに準ずることとなり、互いに略同一平面上に位置する頂面１３ｔとすることができる。よって、半導体チップ等との接続不良を抑制することができる。
【００６０】
（ｂ）また、本実施形態では、少なくとも複数のめっき部１３ｍのそれぞれの基部１３ｂが、配線１４が備える孔２０ｈの内壁と接している。つまり、たとえ電気めっきによる充填量に多少のバラツキが生じても、めっき部１３ｍの基部１３ｂが配線１４の内壁と接してさえいれば、めっき部１３ｍと配線１４とが接続され、電気的な導通を確保することができる。
【００６１】
（ｃ）また、本実施形態では、複数のめっき部１３ｍは、頂面１３ｔから基部１３ｂに向けて順に太くなるように形成されている。これにより、バンプであるめっき部１３ｍの強度を高めることができる。また、半導体チップ等と接続されるめっき部１３ｍの頂点１３ｔをより微細化することができる。
【００６２】
図５に示す従来のバンプ付きのフレキシブル配線基板においては、レジストパターン１３０ｐに設けられた開口１３０ｈは、底部に向かって順に細くなる逆テーパ形状に開口され、そこへ充填されためっき部１１３ｍも逆テーパ形状となっていた。このため、めっき部１１３ｍの基部は細く、脆くて不安定であった。また、めっき部１１３ｍの頂面は太く、微細な形状が得られ難かった。
【００６３】
しかしながら、本実施形態では、めっき部１３ｍの側面の形状を、頂面１３ｔから基部１３ｂに向かう順テーパとしている。よって、めっき部１３ｍの基部１３ｂは太く、より強度が高くて安定的な形状となる。また、めっき部１３ｍの頂面１３ｔは細く、微細な形状が得られやすい。
【００６４】
（ｄ）また、本実施形態では、複数のめっき部１３ｍを形成する工程は、第２銅箔１２を電極とする電気めっきにより行う。これにより、電気めっきにより印加される電流密度の
偏りを低減して、孔２０ｈ内への充填速度がより均一となり、めっき部１３ｍの高さのバラツキを一層低減することができる。
【００６５】
図５に示す従来のバンプ付きのフレキシブル配線基板においては、既にパターニングされた配線１１１ｐを電極として電気めっきを行っていた。このため、配線１１１ｐ間の配置の疎密差や、形成されるめっき部１１３の配線１１１ｐにおける位置（配線１１１ｐの端部あるいは中間部等）の違い等により、印加される電流密度の偏りが大きくなり、より一層、めっき部１１３ｍの高さのバラツキを増大させていた。
【００６６】
しかしながら、本実施形態では、パターニング等を施されていない第２銅箔１２を電極として電気めっきを行う。これにより、印加される電流密度の偏りが低減し、めっき部１３ｍの高さのバラツキを一層低減することができる。
【００６７】
（ｅ）また、本実施形態では、第２銅箔１２の除去を、エッチング速度が比較的遅いフラッシュエッチングにより行う。これにより、めっき部１３ｍの底部をほとんどエッチングすることがなく、めっき部１３ｍの高さのバラツキを少ないままに維持することができる。
【００６８】
（ｆ）また、本実施形態では、レーザを用いて複数の孔２０ｈを形成している。これにより、微細な孔２０ｈを精度よく形成することができ、孔２０ｈ内を充填して形成されるめっき部１３ｍの微細化や位置精度等も向上させることができる。また、レーザを用いることで、複数の孔２０ｈをテーパ形状に形成することができ、めっき部１３ｍもテーパ形状とすることができる。また、レーザの強度を調整することにより、孔２０ｈの開口径を調整して、所望のテーパ角を得ることも可能である。
【００６９】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００７０】
例えば、上述の実施形態では、両面に第１，第２銅箔１１，１２が形成された絶縁基板２０に対して複数の孔２０ｈを形成する工程を行ったが、複数の孔２０ｈを形成する手順はこれに限られない。例えば、片面に第１銅箔のみが形成された状態で、第１銅箔と絶縁基板とを貫通させて複数の孔を設け、その後、絶縁基板のもう一方の面に第２銅箔を形成し、複数の孔の底部を塞ぐようにしてもよい。
【００７１】
また、上述の実施形態では、レーザによる孔２０ｈの形成に先駆けて、第１銅箔１１を黒化処理することとしたが、第１銅箔をエッチング等により除去し、その後、絶縁基板をレーザにより貫通させてもよい。
【００７２】
また、上述の実施形態では、Ｐｄ系触媒やＳｎ系触媒等を用いて導電化処理を行うこととしたが、無電解銅メッキや、スパッタリング、蒸着等によって導電被膜を形成することで、導電化処理を行ってもよい。
【００７３】
また、上述の実施形態では、めっき部１３ｍを第１銅箔１１に設けられた孔２０ｈの縁まで充填することとしたが、少なくともめっき部の基部が第１銅箔の内壁に接していればよく、例えばめっき部を含む銅めっきが第１銅箔の表面から窪んだ状態となっていてもよい。
【００７４】
また、上述の実施形態では、第１銅箔１１の表面にも銅めっき１３を施してめっき層１３ｆを形成したが、めっき層１３ｆは無くともよい。この場合、配線は主に第１銅箔のみ
から構成される。よって、少なくとも第１銅箔をパターニングすることで、絶縁基板の片面に配線が形成される。
【００７５】
また、上述の実施形態では、配線形成工程は、開口部形成工程の前に行うこととしたが、開口部形成工程の後に行ってもよい。
【００７６】
また、上述の実施形態では、レジストパターン３１ｐ，３２ｐ，３３ｐは、ネガ型のドライフィルムレジストを用いて形成することとしたが、ポジ型でもよい。また、ドライフィルムレジストの代わりにフォトレジストを塗布し、露光・現像して形成してもよい。
【００７７】
また、上述の実施形態においては、絶縁基板２０を長尺状の樹脂フィルムとしたが、絶縁基板は例えば硬質のリジッド基板等であってもよい。この場合、例えばポリイミド、ビスマレイミドトリアジンまたはエポキシの少なくともいずれかを主成分とする高分子樹脂を含ませたガラスクロス等から構成されたシート状の絶縁基板等を用いることができる。
【００７８】
また、上述の実施形態においては、バンプとして形成される複数のめっき部１３ｍには半導体チップ等が接続されることとしたが、めっき部は例えば半導体素子やその他の電子部品等の電気的特性を検査するプローブピン等として用いられてもよい。
【符号の説明】
【００７９】
１    フレキシブル配線基板
１１    第１銅箔（第１導電層）
１２    第２銅箔（第２導電層）
１３    銅めっき
１３ｂ  基部
１３ｆ  めっき層
１３ｍ  めっき部
１３ｔ  頂面
１４    配線
１５    保護めっき層
２０    絶縁基板
２０ｈ  孔
２０ｓ  開口部
３１ｐ〜３３ｐ  レジストパターン
４０    保護膜
４０ｐ  保護パターン 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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