(57)【要約】      （修正有）【課題】圧電基板に形成された溝内に少なくとも一部が位置するＩＤＴ電極を備える弾性波装置を良好な特性で製造し得る弾性波装置の製造方法を提供する。【解決手段】圧電基板１０の上に溝形成用マスクを配置する。溝形成用マスクを用いて圧電基板１０に溝１０ａを形成する。溝形成用マスクを除去する。溝形成用マスクが除去された圧電基板１０の上に電極形成用マスク２２を配置する。電極形成用マスク２２を用いて第１の電極層１１ａを形成する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に溝が形成されている圧電基板と、前記溝内に少なくとも一部が形成されているＩＤＴ電極とを備える弾性波装置の製造方法であって、
前記圧電基板の上に溝形成用マスクを配置する工程と、
前記溝形成用マスクを用いて前記圧電基板に前記溝を形成する工程と、
前記溝形成用マスクを除去する工程と、
前記溝形成用マスクが除去された圧電基板の上に電極形成用マスクを配置する工程と、
前記電極形成用マスクを用いて前記ＩＤＴ電極を形成する工程と、
を備える、弾性波装置の製造方法。
【請求項２】
前記溝形成用マスクの上からドライエッチングすることにより前記溝を形成する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項３】
前記溝形成用マスクはレジストからなる、請求項１または２に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置の製造方法に関する。特には、本発明は、圧電基板に形成された溝内に少なくとも一部が位置するＩＤＴ電極を備える弾性波装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、弾性表面波や弾性境界波などの弾性波を利用した弾性波共振子や弾性波フィルタ装置などの弾性波装置が広く用いられるようになってきている。
【０００３】
一般的に、弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されており、弾性波を励振させるＩＤＴ電極とを備えている。弾性境界波装置は、ＩＤＴ電極を覆うように圧電基板の上に形成された誘電体層をさらに備えており、この誘電体層によりＩＤＴ電極で励振された弾性波が閉じ込められ、弾性境界波となる。
【０００４】
このような弾性境界波装置の製造方法として、例えば下記の特許文献１には、以下のような製造方法が記載されている。まず、レジストマスクの上からイオンビームを圧電基板に照射することにより圧電基板に溝を形成する。次に、その溝の形成に用いたレジストマスクを用いて溝内にＩＤＴ電極を形成する。次に、レジストマスクを剥離する。その後、ＩＤＴ電極を覆うように圧電基板の上に誘電体層を形成することにより弾性境界波装置を完成させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２９４５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の製造方法では、良好な特性を有する弾性波装置が製造し難いという問題があった。
【０００７】
本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、圧電基板に形成された溝内に少なくとも一部が位置するＩＤＴ電極を備える弾性波装置を良好な特性で製造し得る弾性波装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、鋭意研究の結果、上記特許文献１に記載の製造方法で良好な特性を有する弾性波装置が製造し難い原因が、溝形成時にレジストマスクが損傷するため、高い形状精度でＩＤＴ電極を形成できないことにあることを見出した。その結果、本発明者らは、本発明を成すに至った。
【０００９】
すなわち、本発明に係る弾性波装置の製造方法は、表面に溝が形成されている圧電基板と、溝内に少なくとも一部が形成されているＩＤＴ電極とを備える弾性波装置の製造方法に関する。本発明に係る弾性波装置の製造方法では、圧電基板の上に溝形成用マスクを配置する。溝形成用マスクを用いて圧電基板に溝を形成する。溝形成用マスクを除去する。溝形成用マスクが除去された圧電基板の上に電極形成用マスクを配置する。電極形成用マスクを用いてＩＤＴ電極を形成する。
【００１０】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、溝形成用マスクの上からドライエッチングすることにより溝を形成する
本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、溝形成用マスクはレジストからなる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、溝の形成に用いた溝形成用マスクとは異なる電極形成用マスクを用いてＩＤＴ電極の形成を行うため、ＩＤＴ電極を高い形状精度で形成することができる。従って、本発明によれば、圧電基板に形成された溝内に少なくとも一部が位置するＩＤＴ電極を備える弾性波装置を良好な特性で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明を実施した好ましい実施形態における弾性表面波装置の略図的平面図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。
【図３】本発明を実施した好ましい実施形態における溝形成用マスク配置工程を説明するための略図的断面図である。
【図４】本発明を実施した好ましい実施形態における溝形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図５】本発明を実施した好ましい実施形態における第１の電極層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図６】本発明を実施した好ましい実施形態における第２の電極層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【図７】本発明を実施した好ましい実施形態における溝形成工程後の溝形成用マスクの形状を説明するための模式的斜視図である。
【図８】溝形成用マスクを用いてＩＤＴ電極を形成した場合のＩＤＴ電極の形状を説明するための模式的斜視図である。
【図９】変形例における弾性表面波装置の略図的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施した好ましい形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示である。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。
【００１４】
（弾性表面波装置１の構成）
図１は、本実施形態における弾性表面波装置の略図的平面図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。まず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態において製造する弾性表面波装置１の構成について説明する。
【００１５】
図１及び図２に示すように、弾性表面波装置１は、圧電基板１０を備えている。圧電基板１０は、適宜の圧電材料からなる。圧電基板１０は、例えば、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、水晶、ＺｎＯなどにより形成することができる。
【００１６】
圧電基板１０の上には、ＩＤＴ電極１１と、一対のグレーティング反射器１２，１３が形成されている。グレーティング反射器１２，１３は、ＩＤＴ電極１１の弾性波伝搬方向両側に配置されている。
【００１７】
図２に示すように、ＩＤＴ電極１１及び反射器１２，１３の少なくとも一部は、圧電基板１０に形成されている溝１０ａ内に形成されている。具体的には、本実施形態では、ＩＤＴ電極１１及び反射器１２，１３の一部が溝１０ａ内に形成されており、残りの一部が溝１０ａ外に形成されている。より具体的には、ＩＤＴ電極１１及び反射器１２，１３は、溝１０ａ内に形成されている第１の電極層１１ａと、第１の電極層１１ａの上に形成されており、溝１０ａ外に位置している第２の電極層１１ｂとの積層体により構成されている。もっとも、本発明においては、ＩＤＴ電極１１は、単一の電極層により構成されていてもよいし、３層以上の電極層の積層体により構成されていてもよい。
【００１８】
第１及び第２の電極層１１ａ、１１ｂは、適宜の導電材料からなる。第１及び第２の電極層１１ａ、１１ｂは、例えば、Ａｌ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ及びＰｄからなる群から選ばれた金属、もしくは、Ａｌ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ及びＰｄからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金により形成することができる。なお、第１及び第２の電極層１１ａ、１１ｂは、互いに同じ材料からなるものであってもよいし、互いに異なる材料からなるものであってもよい。
【００１９】
（弾性表面波装置１の製造方法）
図３は、本実施形態における溝形成用マスク配置工程を説明するための略図的断面図である。図４は、本実施形態における溝形成工程を説明するための略図的断面図である。図５は、本実施形態における第１の電極層形成工程を説明するための略図的断面図である。図６は、本実施形態における第２の電極層形成工程を説明するための略図的断面図である。
【００２０】
次に、本実施形態における弾性表面波装置１の製造方法について、図３〜図６を参照しながら説明する。
【００２１】
まず、図３に示すように、圧電基板１０の上に、溝形成用マスク２１を配置する（溝形成用マスク配置工程）。溝形成用マスク２１は、例えば、レジストなどにより形成することができる。
【００２２】
次に、図４に示すように、溝形成用マスク２１の上から、圧電基板１０にドライエッチングすることにより溝１０ａを形成する（溝形成工程）。なお、ドライエッチングプロセスには、ＣＦ４，ＣＨＦ３，ＢＣｌ３，ＮＨ３，Ａｒ，Ｘｅ，Ｏ２，ＣＯ２，の少なくとも１つのガス種を用いることができる。その後、溝１０ａの形成に用いた溝形成用マスク２１を、溶剤などを用いて除去（リフトオフ）する（溝形成用マスク除去工程）。
【００２３】
次に、図５に示すように、圧電基板１０の上に、新たな電極形成用マスク２２を配置する（電極形成用マスク配置工程）。この電極形成用マスク２２も、上記溝形成用マスク２１と同様に、例えば、レジストにより形成することができる。
【００２４】
次に、電極形成用マスク２２の上から、スパッタリング法やＣＶＤ法などの適宜の薄膜形成法により、第１の電極層１１ａを形成する（第１の電極層形成工程）。この第１の電極層形成工程においては、圧電基板１０上に第１の電極層１１ａが形成されると共に、溝形成用マスク２１の上にも導電層２３が形成される。
【００２５】
次に、図６に示すように、電極形成用マスク２２の上から、スパッタリング法やＣＶＤ法などの適宜の薄膜形成法で第２の電極層１１ｂを形成することにより、ＩＤＴ電極１１を完成させる。（第２の電極層形成工程）。この第２の電極層形成工程においては、第２の電極層１１ｂが形成されると共に、電極形成用マスク２２の上にも導電層２４が形成される。
【００２６】
最後に、電極形成用マスク２２を、溶剤などを用いて除去（リフトオフ）することにより、電極形成用マスク２２と共に、導電層２３，２４も除去し、図１及び図２に示す弾性表面波装置１を完成させることができる。
【００２７】
ところで、溝１０ａの形成に際しては、例えば、本実施形態のように、溝形成用マスク２１の上から、イオンビームなどを照射する。このため、圧電基板１０に溝１０ａが形成されると共に、溝形成用マスク２１も損傷する。その結果、図７に示すように、溝１０ａの形成後は、溝形成用マスク２１の形状が崩れてしまう。このため、例えば、溝１０ａの形成に用いた溝形成用マスク２１を用いてＩＤＴ電極１１を形成した場合は、図８に示すように、溝形成用マスク２１の崩れた形状がＩＤＴ電極１１にも反映され、ＩＤＴ電極１１を高い形状精度で形成することができない。その結果、弾性表面波装置の特性が劣化してしまう。
【００２８】
それに対して本実施形態では、ＩＤＴ電極１１の形成には、溝１０ａの形成に用いた溝形成用マスク２１とは異なる、損傷していない電極形成用マスク２２を用いる。このため、ＩＤＴ電極１１を高い形状精度で形成することができる。その結果、優れた特性の弾性表面波装置１を製造することができる。
【００２９】
また、損傷した溝形成用マスク２１の表面の表面粗さは粗いため、溝形成用マスク２１を用いてＩＤＴ電極１１を形成した場合、溝形成用マスク２１の上部や側面にも電極層が形成されやすい。場合によっては、その電極層とＩＤＴ電極１１が繋がってしまう場合がある。そのような場合には、溝形成用マスク２１のリフトオフの際にＩＤＴ電極１１が剥離してしまったり、ＩＤＴ電極１１の形状がさらに崩れてしまったりする。
【００３０】
それに対して、本実施形態では、損傷していない電極形成用マスク２２を用いてＩＤＴ電極１１を形成するため、電極形成用マスク２２の側面等には電極層は形成され難い。従って、電極形成用マスク２２のリフトオフの際にＩＤＴ電極１１に剥離が生じたり、ＩＤＴ電極１１の形状が崩れたりすることを抑制することができる。
【００３１】
なお、上記実施形態では、弾性表面波装置の製造方法について説明した。但し、本発明に係る弾性波装置の製造方法は、弾性表面波の製造方法に限定されない。本発明は、弾性境界波を利用した弾性境界波装置の製造方法にも好適に適用される。本発明は、例えば、図９に示すように、少なくとも一つの誘電体層３０がＩＤＴ電極１１を覆うように圧電基板１０の上に形成されている弾性境界波装置の製造にも好適に適用される。この場合は、上記実施形態で説明した工程に加え、電極形成用マスク２２をリフトオフした後に誘電体層３０を形成する工程を行えばよい。なお、誘電体層３０の形成は、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法により行うことができる。
【符号の説明】
【００３２】
１…弾性表面波装置
１０…圧電基板
１０ａ…溝
１１…ＩＤＴ電極
１１ａ…第１の電極層
１１ｂ…第２の電極層
１２，１３…グレーティング反射器
２１…溝形成用マスク
２２…電極形成用マスク
２３，２４…導電層
３０…誘電体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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