(57)【要約】【課題】経年的な耐電圧性の低下を抑制できるコンデンサの提供。【解決手段】コンデンサ１は、一対の電極２１，２２を備えた誘電体２と、この誘電体２を収納する絶縁性の筒体３と、電極２１，２２とそれぞれ接触した状態で筒体３を真空密閉する一対の導体３１，３２とを備える。誘電体２は筒体３と同軸に当該筒体３内に配置される円筒体を成す。電極２１は誘電体２の一端面及び外周面の一部にて備えられ、電極２２は誘電体２の他端面及び内周面の一部にて備えられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極を備えたセラミックからなる誘電体と、
この誘電体を収納する絶縁性の筒体と、
前記一対の電極とそれぞれ接触した状態で前記筒体を真空密閉する一対の導体と
を備えたこと
を特徴とするコンデンサ。
【請求項２】
前記誘電体は前記筒体と同軸に当該筒体内に配置される円筒体を成し、
前記一対の電極のうちで、一方の電極は当該円筒体の一端面及び外周面の一部にて備えられ、他方の電極は当該円筒体の他端面及び内周面の一部にて備えられたこと
を特徴とする請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
前記外周面及び内周面の前記電極が備えられていない部位には複数の襞が形成されたこと
を特徴とする請求項２に記載のコンデンサ。
【請求項４】
前記誘電体は前記筒体と同軸に当該筒体内に配置される円筒体を成し、
この円筒体の外周面と内周面の全面には複数の襞が形成されており、
前記一対の電極のうちで、一方の電極は当該円筒体の一端面及び外周面の一部にて備えられ、他方の電極は当該円筒体の他端面及び内周面の一部にて備えられたこと
を特徴とする請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項５】
前記誘電体は前記筒体と同軸に当該筒体内に配置される円盤体を成し、この盤体の両端面に前記一対の電極がそれぞれ備えられたこと
を特徴とする請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項６】
前記盤体の外周面には複数の襞が形成されたこと
を特徴とする請求項５に記載のコンデンサ。
【請求項７】
前記誘電体の高さ方向の沿面距離は当該誘電体の高さの１．４〜３．０倍であること
を特徴とする請求項３，４，６のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項８】
前記電極はメッキによって前記誘電体に備えられること
を特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項９】
前記セラミックはアルミナ、サファイア、窒化アルミニウム、ジルコニア、炭化ケイ素、コージライトのいずれかを主成分とすること
を特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高電圧仕様または低電圧仕様の電気機器に適用されるコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
高電圧仕様または低電圧仕様の電気機器に適用されるコンデンサとしてモールド型のセラミックコンデンサが知られている（特許文献１等）。このコンデンサは、円筒状のセラミック誘電体と、この誘電体の内周面，外周面に配置された一対の電極にそれぞれ導体を介して接続される一対の端子を備える。このコンデンサの本体部は前記セラミック誘電体、導体及び端子を収納した金型内に絶縁性樹脂が充填、硬化されることで成型される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１１２４１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、絶縁性樹脂でモールドしたコンデンサは、経年変化によりモールド部分が劣化して、誘電体周辺の絶縁性が低下し、地絡事故の原因となる可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、本発明のコンデンサは、一対の電極を備えたセラミックからなる誘電体と、この誘電体を収納する絶縁性の筒体と、前記一対の電極とそれぞれ接触した状態で前記筒体を真空密閉する一対の導体とを備える。本発明によれば誘電体周辺の絶縁性が維持されるので定格絶縁電圧の低下を抑制できる。前記セラミックとしては、例えば、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム、ジルコニア、炭化ケイ素、コージライトのいずれかを主成分とするものが挙げられる。
【０００６】
前記誘電体の一態様としては、前記筒体と同軸に当該筒体内に配置される円筒体を成し、前記一対の電極のうちで、一方の電極は当該円筒体の一端面及び外周面の一部にて備えられ、他方の電極は当該円筒体の他端面及び内周面の一部にて備えられたものが挙げられる。
【０００７】
前記外周面及び内周面の前記電極が備えられていない部位には複数の襞が形成されると、耐電圧性が一層向上する。
【０００８】
前記誘電体の他の態様としては、前記筒体と同軸に当該筒体内に配置される円筒体を成し、この円筒体の外周面と内周面の全面には複数の襞が形成されており、前記一対の電極のうちで、一方の電極は当該円筒体の一端面及び外周面の一部に備えられ、他方の電極は当該円筒体の他端面及び内周面の一部に備えられてもよい。この態様によっても耐電圧性が向上する。
【０００９】
前記誘電体の他の態様としては、前記筒体と同軸に当該筒体内に配置される円盤体を成し、この盤体の両端面に前記一対の電極がそれぞれ備えられてもよい。本態様によっても誘電体周辺の絶縁性が維持されるので定格絶縁電圧の低下を抑制できる。そして、前記盤体の外周面には複数の襞が形成されると、耐電圧性が向上する。
【００１０】
また、前記襞が形成された誘電体の高さ方向の沿面距離は当該誘電体の高さの１．４〜３．０倍であると、誘電体の沿面放電を防ぐことができる。
【００１１】
前記電極はメッキによって前記誘電体に備えられると、誘電体の表面積に依存した静電容量が得られる。
【発明の効果】
【００１２】
したがって、以上の本発明のコンデンサによれば経年的な耐電圧性の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明のコンデンサの一実施形態を示した縦断面図。
【図２】誘電体の一実施形態を示した縦断面図。
【図３】誘電体の一実施形態を示した縦断面図。
【図４】本発明のコンデンサの一実施形態を示した縦断面図。
【図５】誘電体の一実施形態を示した縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
【００１５】
（実施形態１）
図１に示した実施形態１のコンデンサ１は、一対の電極２１，２２を備えた誘電体２と、この誘電体２を収納する絶縁性の筒体３と、電極２１，２２とそれぞれ接触した状態で筒体３を真空密閉する一対の導体３１，３２とを備える。
【００１６】
誘電体２は例えばアルミナ、サファイア、窒化アルミニウム、ジルコニア、炭化ケイ素、コージライトのいずれかを主成分をするセラミックスから成る。誘電体２は円筒体の形状を成し、筒体３と同軸に筒体３内に配置される。
【００１７】
電極２１，２２のうちで一方の電極２１は誘電体２の一端面及び外周面の一部にて備えられ、他方の電極２２は誘電体２の他端面及び内周面の一部にて備えられる。電極２１，２２はメッキによって誘電体２に備えられている。
【００１８】
筒体３は、アルミナセラミックス、ガラスに例示される既知の絶縁性の材料から成り、円筒状に形成されている。
【００１９】
導体３１は、電極２１と接触する接触部３３と、この接触部３３を筒体３内で支持する支持部３４と、この支持部３４を保持すると共に筒体３の一端側の開口部を密閉する密閉部３５とが一体的に形成されて成る。同様に、導体３２は、電極２２と接触する接触部３６と、この接触部３６を筒体３内で支持する支持部３７と、この支持部３７を保持すると共に筒体３の他端側の開口部を密閉する密閉部３８とが一体的に形成されて成る。導体３１，３２は誘電体２を収納した筒体３内が真空に維持された状態で筒体３の開口部に気密的に装着される。
【００２０】
以上のコンデンサ１によれば電極２１，２２を有する誘電体２を備えた筒体３が真空密閉されているので誘電体２周辺の絶縁性が維持され定格絶縁電圧の低下を抑制できる。したがって、経年的な耐電圧性の低下を抑制できる。また、電極２１，２２はメッキによって誘電体２に備えられているので誘電体２の表面積に依存した静電容量が得られる。
【００２１】
尚、図２に示されたように誘電体２の外周面及び内周面において電極２１，２２が備えられていない部位には複数の襞２３，２４を形成させるとよい。この態様によれば耐電圧性が一層向上する。特に、誘電体２の高さ方向の沿面距離が誘電体２の高さの１．４〜３．０倍となるように襞２３，２４が形成されると誘電体２の沿面放電も防ぐことができる。
【００２２】
（実施形態２）
コンデンサ１において誘電体２の代わりに図３に示された誘電体４を備えてもよい。
【００２３】
誘電体４は、誘電体２と同様の材料から成り、筒体３と同軸に筒体３内に配置される円筒体に形成されている。この誘電体４の外周面と内周面の全面にはそれぞれ複数の襞４３，４４が形成されている。襞４３，４４は誘電体４の高さ方向の沿面距離が誘電体４の高さの１．４〜３．０倍となるように形成されている。
【００２４】
誘電体４も一対の電極４１，４２を備えている。電極４１，４２のうちで、一方の電極４１は誘電体４の一端面及び外周面の一部にて備えられ、他方の電極４２は誘電体４の他端面及び内周面の一部にて備えられている。電極４１，４２もメッキによって誘電体４に備えられる。誘電体４は実施形態１と同様に筒体３内に収納され、この筒体３が導体３１，３２によって真空密閉される。
【００２５】
以上の実施形態２のコンデンサ１によれば実施形態１のコンデンサ１と同様に誘電体４周辺の絶縁性が維持され定格絶縁電圧の低下を抑制でき、これにより、経年的な耐電圧性の低下を抑制できる。
【００２６】
また、誘電体４の外周面及び内周面の全面にそれぞれ複数の襞４３，４４が形成されているので耐電圧性が向上する。特に、誘電体４の高さ方向の沿面距離が誘電体４の高さの１．４〜３．０倍となるように襞４３，４４が形成されることで沿面放電も防ぐことができる。
【００２７】
さらに、電極４１，４２がメッキによって誘電体４に備えられているので、静電容量は誘電体４の表面積に依存したものとなり、その容量も実施形態１のコンデンサ１の静電容量よりも増大する。
【００２８】
（実施形態３）
図４に示した実施形態３のコンデンサ５は、一対の電極６１，６２を備えた誘電体６と、この誘電体６を収納する筒体３と、電極６１，６２とそれぞれ接触した状態で筒体３を真空密閉する一対の導体７１，７２とを備える。
【００２９】
誘電体６は、誘電体２と同様の材料から成り、円盤体の形状に形成されている。誘電体６は筒体３と同軸に当該筒体３内に配置される。電極６１，６２は誘電体６の両端面にそれぞれメッキによって備えられている。
【００３０】
導体７１は、電極６１と接触すると共に誘電体６を筒体３内で支持する支持部７３と、この支持部７３を保持すると共に筒体３の一端側の開口部を密閉する密閉部７４とが一体的に形成されて成る。同様に、導体７２は、電極６２と接触すると共に誘電体６を筒体３内で支持する支持部７５と、この支持部７５を保持すると共に筒体３の他端側の開口部を密閉する密閉部７６とが一体的に形成されて成る。導体７１，７２は誘電体６を収納した筒体３内が真空に維持された状態で筒体３の開口部に気密的に装着される。
【００３１】
以上のコンデンサ５によれば、電極６１，６２を有する誘電体６を備えた筒体３が真空密閉されているので、誘電体６周辺の絶縁性が維持され定格絶縁電圧の低下を抑制でき、経年的な耐電圧性の低下を抑制できる。また、電極６１，６２はメッキによって誘電体６に備えられているので誘電体６の端面の表面積に依存した静電容量が得られる。
【００３２】
尚、図５に示されたように誘電体６において電極２１，２２が備えられていない部位には複数の襞６３を形成させるとよい。この態様によれば耐電圧性が一層向上する。特に、誘電体６の高さ方向の沿面距離が誘電体６の高さの１．４〜３．０倍となるように襞６３が形成されると誘電体６の沿面放電を防ぐことができる。
【００３３】
以上の説明した実施形態１〜３のコンデンサは用途としては、例えば高電圧側コンデンサ、低電圧側コンデンサのいずれか若しくはこの両者に有するコンデンサ形分圧器として利用できる。
【符号の説明】
【００３４】
１，５…コンデンサ
２，４，６…誘電体
３…筒体
２１，２２，４１，４２，６１，６２…電極
３１，３２，７１，７２…導体
２３，２４，４３，４４，６３…襞
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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