(57)【要約】【課題】本発明の課題は、離型フィルムが低温度域で予備加熱される場合であっても封止樹脂（前駆体）を比較的容易に所望の形状に成形することができると共に、封止半導体を容易に脱型することができる封止半導体の製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明に係る封止半導体の製造方法は、離型フィルム設置工程、封止樹脂等注入工程、半導体浸漬工程および封止樹脂等固化工程を備える。離型フィルム設置工程では、型３００の凹部（キャビティ）３１０に、ポリオレフィンを主成分とするクッション層２２０を有する離型フィルム２００が沿わせられる。封止樹脂等注入工程では、離型フィルムが沿わせられた凹部（以下「離型凹部」という）３１１に封止樹脂等４００が注入される。半導体浸漬工程では、離型凹部内の封止樹脂等中に半導体１２０が浸漬される。封止樹脂等固化工程では、半導体が封止樹脂等に浸漬された状態で、封止樹脂等が固化される。【選択図】図３
2013084949.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオレフィンを主成分とするクッション層と、前記クッション層の少なくとも片側に設けられる離型層とを有する離型フィルムを、型の凹部に沿わせる離型フィルム設置工程と、
前記離型フィルムが沿わせられた前記凹部（以下「離型凹部」という）に封止樹脂または封止樹脂前駆体を注入する封止樹脂等注入工程と、
前記離型凹部内の封止樹脂中または封止樹脂前駆体中に半導体を浸漬する半導体浸漬工程と、
半導体を前記封止樹脂または前記封止樹脂前駆体に浸漬させた状態で、前記封止樹脂または前記封止樹脂前駆体を固化させる封止樹脂等固化工程と
を備える、封止半導体の製造方法。
【請求項２】
前記離型フィルムは、１２０℃における貯蔵弾性率が１０．０ＭＰａ以上１２０．０ＭＰａ以下である
請求項１に記載の封止半導体の製造方法。
【請求項３】
前記離型フィルムは、３０℃における貯蔵弾性率が１００．０ＭＰａ以上８００．０ＭＰａ以下である
請求項１または２に記載の封止半導体の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の封止半導体の製造方法により得られる、封止半導体。
【請求項５】
前記封止半導体は、封止光半導体である
請求項１から３のいずれか１項に記載の封止半導体の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の封止半導体の製造方法により得られる、封止光半導体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止半導体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
過去に「支持体上に実装された発光素子、例えば、ＬＥＤチップを硬化性シリコーン組成物により封止すること」が提案されている（例えば、特開２０１０−２４５４７７号公報等参照）。このように発光素子を樹脂封止する方法としては、例えば、「支持体上に実装された発光素子の配置に対応する凹状キャビティを有する型に、非常に薄い離型フィルムを被覆し、次いで、凹状キャビティに硬化性シリコーン組成物を充填した後、発光素子を実装した支持体を型に圧接して、硬化性シリコーン組成物を硬化する方法」が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２４５４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従前の方法には、「離型フィルムが低温度域（１００℃未満の温度域）で予備加熱されると、離型フィルムが十分に金型に追従することができない」という問題がある。すなわち、従前の方法では、低温度域において樹脂封止が行われる場合、離型フィルムを型の凹部（キャビティ）に沿わせにくく、封止樹脂（前駆体）を所望の形状に成形しにくい。
【０００５】
本発明の課題は、低温度域で樹脂封止が行われる場合であっても封止樹脂（前駆体）を比較的容易に所望の形状に成形することができると共に、封止半導体を容易に脱型することができる封止半導体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）
本発明の一局面に係る封止半導体の製造方法は、離型フィルム設置工程、封止樹脂等注入工程、半導体浸漬工程および封止樹脂等固化工程を備える。離型フィルム設置工程では、型の凹部に離型フィルムが沿わせられる。なお、この離型フィルムは、クッション層および離型層を有する。クッション層は、ポリオレフィンを主成分とする。離型層は、クッション層の少なくとも片側に設けられる。封止樹脂等注入工程では、離型フィルムが沿わせられた凹部（以下「離型凹部」という）に封止樹脂または封止樹脂前駆体が注入される。半導体浸漬工程では、離型凹部内の封止樹脂中または封止樹脂前駆体中に半導体が浸漬される。封止樹脂等固化工程では、半導体が封止樹脂または封止樹脂前駆体に浸漬された状態で、封止樹脂または封止樹脂前駆体が固化される。
【０００７】
この封止半導体の製造方法では、離型フィルム設置工程において、クッション層付きの離型フィルムが、型の凹部に沿わせられる。このため、この封止半導体の製造方法では、封止された半導体を容易に脱型することができる。
【０００８】
また、通常、ポリオレフィンを主成分とするクッション層付きの離型フィルムは、低温度域で予備加熱される場合、フッ素樹脂フィルム等の単層フィルムに比べて十分に柔らかくなる。このため、この封止半導体の製造方法では、離型フィルム設置工程において離型フィルムが低温度域で予備加熱される場合であっても、離型フィルムを比較的容易に型の凹部に沿わせることができる。
【０００９】
したがって、この封止半導体の製造方法では、低温度域で樹脂封止が行われる場合であっても封止樹脂（前駆体）を比較的容易に所望の形状に成形することができると共に、封止半導体を容易に脱型することができる。
【００１０】
（２）
上述（１）の封止半導体の製造方法において、離型フィルムは、１２０℃における貯蔵弾性率が１０．０ＭＰａ以上１２０．０ＭＰａ以下であることが好ましい。
【００１１】
１２０℃における離型フィルムの貯蔵弾性率がこの範囲内であれば、封止半導体の製造方法の離型フィルム設置工程において、離型フィルムを容易に型の凹部に沿わせることができるからである。
【００１２】
（３）
上述（１）または（２）の封止半導体の製造方法において、離型フィルムは、３０℃における貯蔵弾性率が１００．０ＭＰａ以上８００．０ＭＰａ以下であることが好ましい。
【００１３】
３０℃における離型フィルムの貯蔵弾性率がこの範囲内であれば、封止半導体の製造方法の離型フィルム設置工程において、低温度域においても離型フィルムを容易に型の凹部に沿わせることができるからである。
【００１４】
（４）
本発明の他の局面に係る封止半導体は、上述（１）から（３）のいずれかに係る封止半導体の製造方法により得られる。
【００１５】
（５）
上述（１）から（３）のいずれかに係る封止半導体の製造方法において、封止半導体は、封止光半導体であるのが好ましい。
【００１６】
（６）
本発明の他の局面に係る封止光半導体は、上述（５）の封止半導体の製造方法により得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態に係る予備光デバイスの側面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る光半導体の封止方法の離型フィルム設置工程における予備光デバイス、離型フィルムおよび金型の配置関係を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る光半導体の封止方法の離型フィルム設置工程において金型の凹部に離型フィルムが沿わせられた状態を示す図である。なお、本図において、予備光デバイスおよび離型フィルムは側面図で表され、金型は縦断面図で表されている。
【図４】本発明の実施の形態に係る光半導体の封止方法の封止樹脂等注入工程において離型フィルムに覆われた金型に封止樹脂等を注入した状態を示す図である。なお、本図において、予備光デバイスおよび離型フィルムは側面図で表され、金型および封止樹脂等は縦断面図で表されている。
【図５】本発明の実施の形態に係る光半導体の封止方法の光半導体浸漬工程において金型に対して予備光デバイスが圧接された状態を示す図である。なお、本図において、予備光デバイスおよび離型フィルムは側面図で表され、金型および封止樹脂等は縦断面図で表されている。
【図６】本発明の実施の形態に係る光半導体の封止方法の封止樹脂等固化工程において封止樹脂等が固化された状態を示す図である。なお、本図において、光デバイスおよび離型フィルムは側面図で表され、金型および固化封止樹脂は縦断面図で表されている。
【図７】本発明の実施の形態に係る光デバイスの側面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る離型フィルムの縦断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る離型フィルムの製造装置の一例を示す図である。
【図１０】変形例に係る離型フィルムの縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜光半導体の封止方法＞
本発明の実施の形態に係る光半導体の封止方法（封止光半導体の製造方法）は、離型フィルム設置工程、封止樹脂等注入工程、光半導体浸漬工程および封止樹脂等固化工程を有する。
【００１９】
なお、本実施の形態において、封止対象となる光半導体としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップなどが挙げられる。本実施の形態において、光半導体１２０は、図１に示されるように、支持体１１０の上に実装されている。また、支持体１１０には回路（図示せず）が形成されており、その回路にはボンディングワイヤ１３０を介して光半導体１２０が電気接続されている。なお、以下、このようなデバイス１００を「予備光デバイス」と称する。
【００２０】
上述のＬＥＤチップとしては、液相成長法、ＭＯＣＶＤ法等の方法により基板上に窒化インジウム（ＩnＮ）、窒化アルミニウム（ＡlＮ）、窒化ガリウム（ＧaＮ）、セレン化亜鉛（ＺnＳe）、炭化ケイ素（ＳiＣ）、リン化ガリウム（ＧaＰ）、ヒ化ガリウム（ＧaＡs）、ヒ化ガリウムアルミニウム（ＧaＡlＡs）、窒化ガリウムアルミニウム（ＧaＡlＮ）、リン化アルミニウムインジウムガリウム（ＡlＩnＧaＰ）、窒化インジウムガリウム（ＩnＧaＮ）、窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡlＩnＧaＮ）等の半導体が発光層として形成されたものが好ましい。また、支持体１１０としては、セラミックス基板、シリコン基板、金属基板、ポリイミド樹脂・エポキシ樹脂・ＢＴレジン等の有機樹脂基板が挙げられる。ボンディングワイヤ１３０としては、金線あるいはアルミニウム線などが挙げられる。なお、支持体１１０には、回路の外部リード等が設けられてもよい。
【００２１】
以下、各工程について詳述する。
（１）離型フィルム設置工程
離型フィルム設置工程では、図２および図３に示されるように、金型３００の凹部（キャビティ）３１０に離型フィルム２００が沿わせられる。なお、この離型フィルム２００については、後に詳述する。本工程では、離型フィルム２００が金型３００を覆った後にエア吸引装置（図示せず）により空気孔３２０を介して金型３００の凹部３１０内の空気が吸引される。その結果、離型フィルム２００が金型３００の凹部３１０に沿うことになる。なお、封止樹脂等固化工程完了後は、空気孔３２０を通じて凹部３１０に空気が供給されることにより、離型フィルム２００が金型３００から剥がされると共に、光デバイス１０１（後述）が脱型される。
【００２２】
（２）封止樹脂等注入工程
封止樹脂等注入工程では、図３および図４に示されるように、離型フィルム２００が沿わせられた凹部（以下「離型凹部」という）３１１に封止樹脂または封止樹脂前駆体（以下、これらをまとめて「封止樹脂等」と称する）４００が注入される。なお、封止樹脂前駆体としては、硬化性シリコーン組成物および硬化性エポキシ組成物などが挙げられる。
【００２３】
（３）光半導体浸漬工程
光半導体浸漬工程では、図５に示されるように、光半導体１２０およびボンディングワイヤ１３０が金型３００の離型凹部３１１に対向するように予備光デバイス１００が金型３００に被せられ、金型３００に対して予備光デバイス１００が圧接される。その結果、離型凹部３１１内の封止樹脂等４００中に光半導体１２０およびボンディングワイヤ１３０が浸漬される。
【００２４】
（４）封止樹脂等固化工程
封止樹脂等固化工程では、図６および図７に示されるように、光半導体１２０およびボンディングワイヤ１３０が封止樹脂等４００に浸漬された状態で、封止樹脂等４００が固化され、光デバイス１０１が作製される。なお、本工程において、封止樹脂等４００が熱可塑性樹脂である場合、封止樹脂等４００は、冷却されることにより固化される。一方、封止樹脂等４００が硬化性樹脂の前駆体である場合、封止樹脂等４００は、加熱硬化または活性エネルギー線硬化により固化される。なお、以下、固化された封止樹脂等４００を「固化封止樹脂」と称し、符号４０１を付する（図６および図７参照）。
【００２５】
また、固化封止樹脂４０１は、支持体１１０および光半導体１２０に接着していることが好ましい。この固化封止樹脂４０１は、透明な樹脂であってもよいし、蛍光体等を含有した樹脂であってもよい。また、この固化封止樹脂４０１の形状は、特に限定されず、一般的には、凸レンズ状、円すい台状、四角すい台状であるが、凸レンズ状であることが好ましい。
【００２６】
（５）その他の工程
なお、本実施の形態では、封止樹脂等固化工程の後工程として切断工程が設けられてもかまわない。切断工程では、ダイシングソー、レーザー等によって支持体１１０が切断または破断されることによって、光デバイス１０１から複数個の光デバイスが製造される。
【００２７】
＜離型フィルムの詳細＞
本発明の実施の形態に係る離型フィルム２００は、図８に示されるように、主に、離型層２１０およびクッション層２２０から構成される。なお、本実施の形態において、離型フィルム２００の厚みは２５〜３００μｍであるのが好ましい。
【００２８】
以下、これらの層それぞれについて詳述する。
＜離型フィルムの構成層の詳細＞
１．離型層
離型層２１０は、封止樹脂等４００および固化封止樹脂４０１に対して良好な離型性を有する樹脂（以下、「離型層形成樹脂」と称する）から形成される。そのような離型層形成樹脂としては、例えば、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）（以下「ＴＰＸ（登録商標）樹脂」と称する）を主成分とする樹脂、シンジオタクチック構造を有するポリスチレン系樹脂（以下「ＳＰＳ樹脂」と称する）を主成分とする樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂を主成分とする樹脂、ポリエーテルエステルブロック共重合体を主成分とする樹脂が挙げられる。なお、本実施の形態において、離型層２１０の厚みは５μｍ以上であるのが好ましく、１０μｍ以上であるのがより好ましい。以下、各離型層形成樹脂につき詳述する。
【００２９】
（１）ＴＰＸ樹脂を主成分とする樹脂
ＴＰＸ樹脂を主成分とする樹脂には、ＴＰＸ樹脂が９０重量％以上含有されているのが好ましく、９５重量％以上含有されているのが好ましい。なお、離型層２１０はＴＰＸ樹脂のみから形成されてもかまわない。なお、ＴＰＸ樹脂は、三井化学（株）から商品名ＴＰＸ（登録商標）として市販されている。
【００３０】
（２）ＳＰＳ樹脂を主成分とする樹脂
ＳＰＳ樹脂を主成分とする樹脂は、出光興産（株）から商品名ザレック（登録商標）（ＸＡＲＥＣ（登録商標））として市販されている。離型層形成樹脂におけるＳＰＳ樹脂の含有率は、７０重量％以上９０重量％以下であるが、８５重量％以上９０重量％以下であるのが好ましい。
【００３１】
ＳＰＳ樹脂とは、シンジオタクチック構造、すなわち炭素−炭素シグマ結合から形成される主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置する立体規則構造を有する樹脂である。
【００３２】
なお、このようなＳＰＳ樹脂としては、例えば、特開２０００−０３８４６１号公報に示されるように、ラセミダイアッドで７５％以上、好ましくは８５％以上、若しくはラセミペンタッドで３０％以上、好ましくは５０％以上のシンジオタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ（アルキルスチレン）、ポリ（アリールスチレン）、ポリ（ハロゲン化スチレン）、ポリ（ハロゲン化アルキルスチレン）、ポリ（アルコキシスチレン）、ポリ（ビニル安息香酸エステル）、これらの水素化重合体およびこれらの混合物、あるいはこれらを主成分とする共重合体などが挙げられる。
【００３３】
ポリ（アルキルスチレン）としては、例えば、ポリ（メチルスチレン）、ポリ（エチルスチレン）、ポリ（イソプロピルスチレン）、ポリ（ｔ−ブチルスチレン）等が挙げられる。
【００３４】
ポリ（アリールスチレン）としては、例えば、ポリ（フェニルスチレン）、ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（ビニルスチレン）等が挙げられる。
【００３５】
ポリ（ハロゲン化スチレン）としては、例えば、ポリ（クロロスチレン）、ポリ（ブロモスチレン）、ポリ（フルオロスチレン）等が挙げられる。
【００３６】
ポリ（ハロゲン化アルキルスチレン）としては、例えば、ポリ（クロロメチルスチレン）等が挙げられる。
【００３７】
ポリ（アルコキシスチレン）としては、ポリ（メトキシスチレン）、ポリ（エトキシスチレン）等が挙げられる。
【００３８】
なお、上述のうち、ポリスチレン、ポリ（ｐ−メチルスチレン）、ポリ（ｍ−メチルスチレン）、ポリ（ｐ−ｔ−プチルスチレン）、ポリ（ｐ−クロロスチレン）、ポリ（ｍ−クロロスチレン）、ポリ（ｐ−フルオロスチレン）、水素化ポリスチレン及びこれらの構造単位を含む共重合体が特に好ましい。
【００３９】
なお、かかる場合、離型層形成樹脂の結晶化度は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）による測定において１４．０％以上３０．０％未満であるのが好ましい。離型層形成樹脂の結晶化度が上述の通りであると、従来の離型フィルムよりも良好な型追従性を得ることができるからである。
【００４０】
（３）ポリブチレンテレフタレート樹脂を主成分とする樹脂
ポリブチレンテレフタレートを主成分とする樹脂には、ポリブチレンテレフタレートが９０重量％以上含有されているのが好ましく、９５重量％以上含有されているのが好ましい。なお、離型層２１０はポリブチレンテレフタレートのみから形成されてもかまわない。
【００４１】
（４）ポリエーテルエステルブロック共重合体を主成分とする樹脂
ポリエーテルエステルブロック共重合体を主成分とする樹脂には、ポリエーテルエステルブロック共重合体が９０重量％以上含有されているのが好ましく、９５重量％以上含有されているのが好ましい。なお、離型層２１０はポリエーテルエステルブロック共重合体のみから形成されてもかまわない。
【００４２】
ポリエーテルエステルブロック共重合体は、ポリエーテルセグメントと、ポリエステルセグメントとから主に構成される。なお、ポリエーテルセグメントとポリエステルセグメントとの重量比は、８０：２０から９０：１０の範囲内であるのが好ましい。また、ポリエーテルセグメントの構成単位は主にオキシブチレン単位であるのが好ましく、ポリエステルセグメントの構成単位は主に下記化学式（Ｉ）に示されるエステル単位であるのが好ましい。なお、このようなポリエーテルエステルブロック共重合体は、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）から商品名ノバデュラン（登録商標）５５０５Ｓ、５５１０Ｓとして市販されている。
【化１】
2013084949.tif 000003
【００４３】
（４）ＴＰＸ樹脂、ＳＰＳ樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルエステルブロック共重合体以外の樹脂
離型層形成樹脂を構成するＴＰＸ樹脂、ＳＰＳ樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルエステルブロック共重合体以外の樹脂としては、例えば、エラストマー樹脂や、ポリオレフィン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ）等が挙げられる。なお、これらの樹脂は単独で、または、二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４４】
なお、エラストマー樹脂としては、例えば、天然ゴム、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ネオプレン、ポリスルフィドゴム、チオコールゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、エピクロロヒドリンゴム、スチレン−ブタジエンブロック共重合体（ＳＢＲ）、水素添加スチレン−ブタジエンブロック共重合体（ＳＥＢ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、水素添加スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン−イソプレンブロック共重合体（ＳＩＲ）、水素添加スチレン−イソプレンブロック共重合体（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、水素添加スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、またはエチレンプロピレンゴム（ＥＰＭ）、エチレンプロピレンジエンゴム（ＥＰＤＭ）、直鎖状低密度ポリエチレン系エラストマー等のオレフィン系ゴム、もしくはブタジエン−アクリロニトリル−スチレン−コアシェルゴム（ＡＢＳ）、メチルメタアクリレート−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＭＢＳ）、メチルメタアクリレート−ブチルアクリレート−スチレン−コアシェルゴム（ＭＡＳ）、オクチルアクリレート−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＭＡＢＳ）、アルキルアクリレート−ブタジエン−アクリロニトリル−スチレン−コアシェルゴム（ＡＡＢＳ）、ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＳＢＲ）、メチルメタアクリレート−ブチルアクリレート−シロキサン等のシロキサン含有コアシェルゴム等のコアシェルタイプの粒子状弾性体、またはこれらを変性したゴム等が挙げられる。
【００４５】
ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、直鎖状高密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、高圧法低密度ポリエチレン、アイソタクチックポリプロピレン、シンジオタクチックポリプロピレン、ブロックポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、ポリブテン、１，２−ポリブタジエン、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）、環状ポリオレフィン及びこれらの共重合体（例えば、エチレン−メタアクリル酸メチル共重合体等）等が挙げられる。
【００４６】
ポリスチレン系樹脂としては、例えば、アタクチックポリスチレン、アイソタクチックポリスチレン、高耐衝撃ポリスチレン（ＨＩＰＳ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ）、スチレン−メタアクリル酸共重合体、スチレン−メタアクリル酸・アルキルエステル共重合体、スチレン−メタアクリル酸・グリシジルエステル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、スチレン−アクリル酸・アルキルエステル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、スチレン−フマル酸共重合体等が挙げられる。
【００４７】
ポリエステル系樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等が挙げられる。
【００４８】
ポリアミド系樹脂としては、例えば、ナイロン（登録商標）６、ナイロン（登録商標）６，６等が挙げられる。
【００４９】
（３）その他
離型性形成樹脂には、各種の添加剤、例えば、アンチブロッキング剤、酸化防止剤、核剤、帯電防止剤、プロセスオイル、可塑剤、離型剤、難燃剤、難燃助剤、顔料等が配合されてもかまわない。
【００５０】
なお、アンチブロッキング剤としては、以下のような無機粒子または有機粒子が挙げられる。無機粒子としては、ＩＡ族、IIＡ族、IVＡ族、VIＡ族、VIIＡ族、VIIIＡ族、ＩＢ族、IIＢ族、IIIＢ族、IVＢ族元素の酸化物、水酸化物、硫化物、窒素化物、ハロゲン化物、炭酸塩、硫酸塩、酢酸塩、燐酸塩、亜燐酸塩、有機カルボン酸塩、珪酸塩、チタン酸塩、硼酸塩およびそれらの含水化合物、並びにそれらを中心とする複合化合物および天然鉱物粒子が挙げられる。
【００５１】
このような無機粒子の具体的な例としては、フッ化リチウム、ホウ砂（ホウ酸ナトリウム含水塩）等のＩＡ族元素化合物；炭酸マグネシウム、リン酸マグネシウム、酸化マグネシウム（マグネシア）、塩化マグネシウム、酢酸マグネシウム、フッ化マグネシウム、チタン酸マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸マグネシウム含水塩（タルク）、炭酸カルシウム、リン酸カルシウム、亜リン酸カルシウム、硫酸カルシウム（石膏）、酢酸カルシウム、テレフタル酸カルシウム、水酸化カルシウム、ケイ酸カルシウム、フッ化カルシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、炭酸バリウム、リン酸バリウム、硫酸バリウム、亜硫酸バリウム等のIIＡ族元素化合物；二酸化チタン（チタニア）、一酸化チタン、窒化チタン、二酸化ジルコニウム（ジルコニア）、一酸化ジルコニウム等のIVＡ族元素化合物；二酸化モリブデン、三酸化モリブデン、硫化モリブデン等のVIＡ族元素化合物；塩化マンガン、酢酸マンガン等のVIIＡ族元素化合物；塩化コバルト、酢酸コバルト等のVIII族元素化合物；ヨウ化第一銅等のＩＢ族元素化合物；酸化亜鉛、酢酸亜鉛等のIIＢ族元素化合物；酸化アルミニウム（アルミナ）、水酸化アルミニウム、フッ化アルミニウム、アルミナシリケート（ケイ酸アルミナ、カオリン、カオリナイト）等のIIIＢ族元素化合物；酸化ケイ素（シリカ、シリカゲル）、石墨、カーボン、グラファイト、ガラス等のIVＢ族元素化合物；カーナル石、カイナイト、雲母（マイカ、キンウンモ）、バイロース鉱等の天然鉱物の粒子が挙げられる。
【００５２】
有機粒子としては、フッ素樹脂、メラミン系樹脂、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、アクリル系レジンシリコーン及びそれらの架橋体が挙げられる。
【００５３】
上述の無機粒子や有機粒子の平均粒径は０．１〜１０μｍであるのが好ましく、添加量は０.０１〜１５重量％であるのが好ましい。
【００５４】
なお、これらのアンチブロッキング剤は単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５５】
酸化防止剤としては、リン系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、２−［（１−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ペンチルフェニル）エチル］−４，６−ジ−ｔ−ペンチルフェニルアクリレートなどが挙げられる。なお、これらの酸化防止剤は単独で、または、二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５６】
核剤としては、アルミニウムジ（ｐ−ｔ−ブチルベンゾエート）等のカルボン酸の金属塩、メチレンビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール）アシッドホスフェートナトリウム等のリン酸の金属塩、タルク、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。なお、これらの核剤は単独で、または、二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５７】
可塑剤としては、ポリエチレングリコール、ポリアミドオリゴマー、エチレンビスステアロアマイド、フタル酸エステル、ポリスチレンオリゴマー、ポリエチレンワックス、シリコーンオイル等が挙げられる。なお、これらの可塑剤は、単独で、または、二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５８】
離型剤としては、ポリエチレンワックス、シリコーンオイル、長鎖カルボン酸、長鎖カルボン酸金属塩等が挙げられる。なお、これらの離型剤は単独で、または、二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５９】
プロセスオイルとしては、パラフィン系オイル、ナフテン系オイル、アロマ系オイル等が挙げられる。なお、これらの中でもｎ−ｄ−Ｍ法で算出されるパラフィン（直鎖）に関わる炭素数の全炭素数に対する百分率が６０％Ｃｐ以上のパラフィン系オイルが好ましい。
【００６０】
プロセスオイルの粘度は、４０℃での動粘度が１５〜６００ｃｓであるのが好ましく、１５〜５００ｃｓであるのがさらに好ましい。また、プロセスオイルの添加量は、離型性形成樹脂１００重量部に対して０.０１〜１.５重量部であるのが好ましく、０.０５〜１.４重量部であるのがより好ましく、０.１〜１．３重量部であるのがさらに好ましい。なお、これらのプロセスオイルは、単独で、または、二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６１】
２．クッション層
クッション層２２０は、本実施の形態において、ポリプロピレンまたはエチレン−メタアクリル酸メチル共重合体を主成分とする樹脂（以下「クッション層形成樹脂」と称する）から形成される。なお、クッション層形成樹脂は、ポリプロピレンまたはエチレン−メタアクリル酸メチル共重合体のみから形成されてもかまわない。また、このクッション層形成樹脂には、離型層２１０との接着性を良好にする目的で、上述の離型層形成樹脂中の主成分樹脂（ＴＰＸ樹脂、ＳＰＳ樹脂、ポリエーテルエステルブロック共重合体）が添加されてもかまわない。このクッション層形成樹脂には、加熱時における流れ出しを防止する目的で、ポリオレフィン系樹脂を添加してもかまわない。なお、ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、直鎖状高密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、高圧法低密度ポリエチレン、アイソタクチックポリプロピレン、シンジオタクチックポリプロピレン、ブロックポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、ポリブテン、１，２−ポリブタジエン、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）、環状ポリオレフィン及びこれらの共重合体等が挙げられる。
本実施の形態において、離型層２１０とクッション層２２０との接着性が良好でない場合、それらの層の間にアンカー層やプライマー層（接着層）を介在させてもかまわない。
【００６２】
なお、このクッション層形成樹脂には、必要に応じて、本発明の趣旨を損ねない範囲で、その他、上述のエラストマー樹脂や添加剤が配合されてもかまわない。
【００６３】
＜離型フィルムの製造方法＞
本実施の形態に係る離型フィルム２００は、共押出法や押出ラミネート法等の方法で製造することができる。
【００６４】
共押出法では、フィードブロック、マルチマニホールドダイを使用して離型層２１０とクッション層２２０とを同時に押し出すことにより離型フィルム２００を製造する。なお、共押出法では、ダイス５１０を通過した融解物Ｍは、図９に示されるように、第１ロール５３０に誘導されると共にタッチロール５２０によって第１ロール５３０に固定化され、第１ロール５３０から脱離するまでの間に第１ロール５３０により冷却され、離型フィルム２００となる。その後、その離型フィルム２００は、第２ロール５４０によりフィルム送り方向（図９の矢印参照）下流側に送られ、最終的に巻取ロール（図示せず）に巻き取られる。なお、このとき、第１ロール５３０の温度は３０〜１００℃であるのが好ましく、タッチロール５２０の温度は３０〜１００℃であるのが好ましく、第１ロール５３０に対する第２ロール５４０の周速比は０．９９０〜０．９９８であるのが好ましい。
【００６５】
押出しラミネート法では、押出機シリンダーの温度を２００〜３００℃に設定して離型層２１０を押出し、その離型層２１０をクッション層２２０と合流させることにより離型層２１０とクッション層２２０とを積層して離型フィルム２００を製造する。なお、押出しラミネート法では、ダイス５１０を通過した離型層形成樹脂の融解物Ｍは、図９に示されるように、第１ロール５３０に誘導されると共にタッチロール５２０によって第１ロール５３０に固定化され、第１ロール５３０から脱離するまでの間に第１ロール５３０により冷却されて離型層フィルムＦとなる。その後、その離型層フィルムＦは、第２ロール５４０によりフィルム送り方向（図９の矢印参照）下流側に送られる。そして、フィルム送り方向下流側に送られた離型層フィルムＦに、クッション層形成樹脂の溶融物（図示せず）が合流させられて離型層フィルムＦと一体化され、離型フィルム２００が製造される。なお、このようにして製造された離型フィルム２００は、さらにフィルム送り方向下流側に設けられる巻取ロール（図示せず）に巻き取られる。なお、このときも、第１ロール５３０の温度は３０〜１００℃であるのが好ましく、タッチロール５２０の温度は３０〜１００℃であるのが好ましく、第１ロール５３０に対する第２ロール５４０の周速比は０．９９０〜０．９９８であるのが好ましい。
【００６６】
なお、必要に応じて、上述のようにして得られた離型フィルム２００の離型層２１０中のＴＰＸ樹脂、ＳＰＳ樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルエステルブロック共重合体の結晶化度を公知の熱処理装置により調節してもかまわない。例えば、テンター装置を使用し乾燥機の中にて離型フィルム２００を熱固定する方法や熱処理ロールを使用して５０〜２２０℃近辺で熱処理を行えばよい。
【００６７】
＜変形例＞
先の実施の形態では、クッション層２２０の片側にのみ離型層２１０が設けられる離型フィルム２００が紹介されたが、図１０に示されるように、クッション層２２０の両側に離型層２１０ａ，２１０ｂが設けられる離型フィルム２００Ａも本発明の一実施の形態に含まれる。なお、以下、符号２１０ａの離型層を「第１離型層」と称し、符号２１０ｂの離型層を「第２離型層」と称する。
【００６８】
第１離型層２１０ａは、先の実施の形態に係る離型層２１０と同一の構造を有する。その一方、第２離型層２１０ｂは、第１離型層２１０ａと同一の構造を有していてもよいし、第１離型層２１０ａと異なる構造を有していてもよい。後者の場合、第２離型層２１０ｂとクッション層２２０と接着力が低下するおそれがあるが、そのような場合には、第２離型層２１０ｂとクッション層２２０との間にアンカー層やプライマー層（接着層）を介在させてもよい。
【００６９】
＜実施例＞
以下、実施例を示して本発明をより詳細に説明する。
【実施例１】
【００７０】
１．離型フィルムの製造
（１）離型層の原料
離型層の原料として、ＴＰＸ樹脂（三井化学（株）社製のＴＰＸ（登録商標）ＭＸ００２）を用いた。
【００７１】
（２）クッション層の原料
クッション層の原料として、エチレン−メタアクリル酸メチル共重合体（メタアクリル酸メチル誘導単位含有量：５重量％）（住友化学（株）製のアクリフト（登録商標）ＷＤ１０６）（以下「ＥＭＭＡ」と称する）を用いた。
【００７２】
（３）離型フィルムの作製
共押出法を利用して、クッション層の表裏に同一の離型層を有する離型フィルム（図１０参照）を作製した。
【００７３】
なお、具体的には、マルチマニホールドダイを使用してＴＰＸ樹脂、ＥＭＭＡおよびＴＰＸ樹脂  を同時に押し出して離型フィルムを作製した。なお、このときの第１ロール５３０の温度は３０℃であり、タッチロール５２０の温度は３０℃であり、第１ロール５３０に対する第２ロール５４０の周速比は０．９９０であった。
【００７４】
この離型フィルムの離型層の厚みは表裏共に１５μｍであり、クッション層の厚みは２０μｍであった。
【００７５】
２．離型フィルムの評価
（１）離型フィルムの型追従性および成形品外観の評価
先ず、金型温度１２０℃の条件下、上述のようにして得られた離型フィルムを、１６個の半球状凹部（半径３．５ｍｍ）を有する金型に被せ、空気吸引機を用いて７００Ｔｏｒｒで空気孔から半球状凹部中の空気を排出し、離型フィルムを半球状凹部に沿わせた（図２および図３参照）。そして、その約１０秒後の離型フィルムの状態（型追従性）を目視にて確認した。なお、この確認において、離型フィルムが金型の凹部の表面積の８０％以上に沿っていればＡ評価とし、離型フィルムが金型の凹部の表面積の６０％以上に沿っていればＢ評価とし、離型フィルムが金型の凹部の表面積の６０％未満にしか沿っていなければＣ評価とした。なお、本実施例に係る離型フィルムの型追従性はＡ評価であった（表１参照）。
【００７６】
また、上述の状態で、離型フィルムに覆われた半球状凹部に硬化性シリコーン組成物を注入した後、金型に予備光デバイスを圧接しながら、その硬化性シリコーン組成物を１２０℃の温度下で５分間、熱硬化させた。そして、「硬化性シリコーン組成物の硬化物が半球状凹部に完全に転写したもの」をＡ評価とし、「同硬化物が半球状凹部の形状を完全に転写しきれなかったもの」及び「同硬化物に歪や欠損が発生したもの」をＢ評価とした。なお、本実施例に係る離型フィルムを用いて得られた硬化物（成形品）の外観はＡ評価であった（表１参照）。
【００７７】
（２）離型フィルムの貯蔵弾性率
離型フィルムの貯蔵弾性率は、「セイコー電子（株）製ＤＭＳ−２１０型」粘弾性測定装置を用いて測定された。具体的には、離型フィルムを幅４．０ｍｍ、長さ２０．０ｍｍに切り出して試験片を作製した後、その試験片をチャックに固定した。そして、その試験片を引っ張りながらその試験片の貯蔵弾性率を測定した。なお、３０℃での貯蔵弾性率をＸとして、測定結果を以下のようにＡ判定およびＢ判定で分類した。
Ａ判定：１００．０ＭＰａ≦Ｘ≦８００．０ＭＰａ
Ｂ判定：Ｘ＜１００．０ＭＰａまたは８００．０ＭＰａ＜Ｘ
また、１２０℃での貯蔵弾性率をＹとして、測定結果を以下のようにＡ判定およびＢ判定で分類した。
Ａ判定：１０．０ＭＰａ≦Ｙ≦１２０．０ＭＰａ
Ｂ判定：Ｙ＜１０．０ＭＰａまたは１２０．０ＭＰａ＜Ｙ
本実施例に係る離型フィルムの３０℃における貯蔵弾性率はＡ判定であり、１２０℃における貯蔵弾性率はＡ判定であった（表１参照）。
【実施例２】
【００７８】
クッション層の原料としてポリプロピレン（住友化学（株）製 ノーブレン ＦＬＸ８０Ｅ４）を用いた以外は、実施例１と同様にして離型フィルムを作製し、実施例１と同様にして離型フィルムの評価を行った。
【００７９】
評価の結果、本実施例に係る離型フィルムの型追従性はＢ評価であり、成形品外観はＡ評価であった（表１参照）。また、本実施例に係る離型フィルムの３０℃における貯蔵弾性率はＡ判定であり、同離型フィルムの１２０℃における貯蔵弾性率はＡ判定であった（表１参照）。
【実施例３】
【００８０】
クッション層の原料としてポリプロピレン（住友化学（株）製 ノーブレンＦＬＸ８０Ｅ４）７０重量部とＴＰＸ樹脂（三井化学（株）社製のＴＰＸ（登録商標）ＭＸ００２）３０重量部の混合物を用いた以外は、実施例１と同様にして離型フィルムを作製し、実施例１と同様にして離型フィルムの評価を行った。
【００８１】
評価の結果、本実施例に係る離型フィルムの型追従性はＢ評価であり、成形品外観はＡ評価であった（表１参照）。また、本実施例に係る離型フィルムの３０℃における貯蔵弾性率はＡ判定であり、同離型フィルムの１２０℃における貯蔵弾性率はＡ判定であった（表１参照）。
【実施例４】
【００８２】
離型層の原料としてＳＰＳ樹脂（出光興産（株）社製のザレック（登録商標）Ｓ１０７）を用いた以外は、実施例１と同様にして離型フィルムを作製し、実施例１と同様にして離型フィルムの評価を行った。
【００８３】
評価の結果、本実施例に係る離型フィルムの型追従性はＡ評価であり、成形品外観はＡ評価であった（表１参照）。また、本実施例に係る離型フィルムの３０℃における貯蔵弾性率はＡ判定であり、同離型フィルムの１２０℃における貯蔵弾性率はＡ判定であった（表１参照）。
【実施例５】
【００８４】
離型層の原料としてポリブチレンテレフタレート／ポリテトラメチレングリコールブロック共重合体（ポリブチレンテレフタレート構成単位／ポリテトラメチレングリコール構成単位  ９０重量部／１０重量部）（三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製のノバデュラン（登録商標）５５０５Ｓ）を用いた以外は、実施例１と同様にして離型フィルムを作製し、実施例１と同様にして離型フィルムの評価を行った。
【００８５】
評価の結果、本実施例に係る離型フィルムの型追従性はＡ評価であり、成形品外観はＡ評価であった（表１参照）。また、本実施例に係る離型フィルムの３０℃における貯蔵弾性率はＡ判定であり、同離型フィルムの１２０℃における貯蔵弾性率はＡ判定であった（表１参照）。
（比較例１）
【００８６】
押出法を利用して、ＴＰＸ樹脂の単層型離型フィルムを作製した。なお、この単層型離型フィルムの厚みは５０μｍであった。そして、実施例１と同様にしてこの単層型離型フィルムの評価を行った。
【００８７】
評価の結果、本比較例に係る単層型離型フィルムの型追従性はＣ評価であり、成形品外観もＢ評価であった（表１参照）。また、本比較例に係る単層型離型フィルムの３０℃における貯蔵弾性率はＡ判定であり、同単層型離型フィルムの１２０℃における貯蔵弾性率はＢ判定であった（表１参照）。
（比較例２）
【００８８】
１．離型フィルムの製造
（１）離型層の原料
離型層の原料として、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（エチレン含有率：４１重量％）（以下「ＥＴＦＥ」と称する）を用いた。
【００８９】
（２）耐熱樹脂層の原料
耐熱樹脂層の原料として、ポリアミド−６６（旭化成（株）製のレオナ１７００Ｓ）（以下「ＰＡ−６６」と称する）を用いた。
【００９０】
（３）接着層の原料
離型層と耐熱樹脂層とを接着する接着層の原料として、ポリエステル系接着剤（ＰＥｓ系ＡＤ）を用いた。
【００９１】
（４）離型フィルムの作製
先ず、ＰＡ−６６を３００℃で溶融押出して膜厚３０μｍのポリアミドフィルムを作製した。次いで、このポリアミドフィルムの片面に、乾燥後の膜厚が１μｍとなるようにポリエステル系接着剤を塗布して、ポリアミドフィルムの片面上に接着層を形成した。続いて、この接着層付きポリアミドフィルムを押出ラミネート装置に設置した。その後、離型層の膜厚が１５μｍとなるようにＴ型ダイのスリット幅を調整しながらＥＴＦＥを３２０℃で溶融押出し、ＥＴＦＥフィルムを作製した。そして、バックロールを用いてこのＥＴＦＥフィルムを接着層付きポリアミドフィルムに１３０℃でラミネートして、離型フィルムを得た。
【００９２】
２．離型フィルムの評価
実施例１と同様にして、本比較例に係る離型フィルムの評価を行った。
評価の結果、本比較例に係る離型フィルムの型追従性はＣ評価であり、成形品外観もＢ評価であった（表１参照）。また、本比較例に係る離型フィルムの３０℃における貯蔵弾性率はＢ判定であり、同離型フィルムの１２０℃における貯蔵弾性率はＢ判定であった（表１参照）。
（比較例３）
【００９３】
１．離型フィルムの製造
（１）離型層の原料
第１離型層の原料として、４−メチル−１−ペンテンとダイアレン１６８（三菱化学（株）製の炭素数１６と１８のα−オレフィンの混合物）との共重合体（ダイアレン１６８の含有量：１．５重量％）（以下「ＭＰ共重合体」と称する）を用いた。
【００９４】
（２）耐熱樹脂層の原料
耐熱樹脂層の原料として、ポリアミド−６６（旭化成（株）製のレオナ１７００Ｓ）（以下「ＰＡ−６６」と称する）を用いた。
【００９５】
（３）接着層の原料
離型層と耐熱樹脂層とを接着する接着層の原料として、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）に無水マレイン酸をグラフトしたグラフト共重合体（以下「ＭＡ−ｇ−ＭＰ共重合体」と称する）を用いた。
【００９６】
（４）離型フィルムの作製
共押出法を利用して、耐熱樹脂層の表裏に同一の接着層および離型層を有する離型フィルムを作製した。
【００９７】
なお、具体的には、フィードブロック、マルチマニホールドダイを使用してＭＰ共重合体、ＭＡ−ｇ−ＭＰ共重合体、ＰＡ−６６、ＭＡ−ｇ−ＭＰ共重合体およびＭＰ共重合体を同時に押し出して離型フィルムを作製した。
【００９８】
この離型フィルムの離型層の厚みは表裏共に１５μｍであり、接着層の厚みは表裏共に５μｍであり、クッション層の厚みは２５μｍであった。
【００９９】
２．離型フィルムの評価
実施例１と同様にして本比較例に係る離型フィルムの評価を行った。
評価の結果、本比較例に係る離型フィルムの型追従性はＣ評価であり、成形品外観もＢ評価であった（表１参照）。また、本比較例に係る離型フィルムの３０℃における貯蔵弾性率はＢ判定であり、同離型フィルムの１２０℃における貯蔵弾性率はＢ判定であった（表１参照）。
【表１】
2013084949.tif 000004
【符号の説明】
【０１００】
１００      予備光デバイス
１０１      光デバイス
１１０      支持体
１２０      光半導体（半導体）
１３０      ボンディングワイヤ
２００      離型フィルム
２００Ａ    離型フィルム
２１０      離型層
２１０ａ    第１離型層
２１０ｂ    第２離型層
２２０      クッション層
３００      金型（型）
３１０      凹部
３１１      離型凹部
３２０      空気孔
４００      封止樹脂等（封止樹脂または封止樹脂前駆体）
４０１      固化封止樹脂
５１０      ダイス
５２０      タッチロール
５３０      第１ロール
５４０      第２ロール
【図１】
2013084949.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2013084949.tif 000009
【図６】
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【図７】
2013084949.tif 000011
【図８】
2013084949.tif 000012
【図９】
2013084949.tif 000013
【図１０】
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