(57)【要約】【課題】変調効率を高めた光変調器を提供する。【解決手段】本発明の光変調器は、電気光学効果を有する基板と、基板上に形成された光導波路と、光導波路に沿って設けられた共振電極と、共振電極と光導波路の相互作用部近傍を幅方向に挟むように設けられた第１接地電極部及び第２接地電極部と、を有する共振型の光変調器であって、共振電極への信号入力により共振電極上に形成される定在波の少なくとも一つの腹に対応する位置に、共振電極を幅方向に跨ぐようにして第１接地電極部と第２接地電極部を接続する電極間接続部が設けられていることを特徴とする。【選択図】図１
2013210568.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学効果を有する基板と、前記基板上に形成された光導波路と、前記光導波路に沿って設けられた共振電極と、前記共振電極と光導波路の相互作用部近傍を幅方向に挟むように設けられた第１接地電極部及び第２接地電極部と、を有する共振型の光変調器であって、
前記共振電極への信号入力により前記共振電極上に形成される定在波の少なくとも一つの腹に対応する位置に、前記共振電極を幅方向に跨ぐようにして前記第１接地電極部と前記第２接地電極部を接続する電極間接続部が設けられていることを特徴とする光変調器。
【請求項２】
前記共振電極の両端が自由端であり、
前記電極間接続部が少なくとも前記共振電極の両端部に対応する位置に設けられている、請求項１に記載の光変調器。
【請求項３】
前記電極間接続部が、前記定在波の全ての腹に対応する位置に設けられている、請求項１又は２に記載の光変調器。
【請求項４】
前記電極間接続部がボンディングワイヤである、請求項１から３のいずれか１項に記載の光変調器。
【請求項５】
前記電極間接続部が、前記基板において前記光導波路の下層に形成された導電層と、前記第１接地電極及び前記第２接地電極と前記導電層とを接続する層間接続部と、を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の光変調器。
【請求項６】
前記電極間接続部がリボン電極であり、少なくとも１つの腹およびその近傍の区間にわたって電極間接続することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振電極を備えた光変調器の変調効率向上に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光導波路の近傍に共振電極を備えた共振型の光変調器が知られている（例えば特許文献１〜３および非特許文献１参照）。これらの文献では、直線型あるいはマッハツェンダー型光導波路と共振電極を組み合わせた共振型光変調器が開示されている。例えば非特許文献１では、共振電極の給電部近傍にボンディングワイヤを設け、共振電極の両端を接地し、固定端とした共振型光変調器が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−７２１５８号公報
【特許文献２】特願２００６−５１４６３０
【特許文献３】特願２００６−５１４６３１
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.38 no.5 May 1990
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
共振型の光変調器において変調効率を向上させるためには、走行時間効果を補償し、電極を長くすることが有効である。しかし実際には、上記文献で開示されている形態の共振型光変調器では電極長を長くしても、想定した変調効率の向上効果が得られない場合があることが判明した。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、変調効率を高めた光変調器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光変調器は、電気光学効果を有する基板と、前記基板上に形成された光導波路と、前記光導波路に沿って設けられた共振電極と、前記共振電極と光導波路の相互作用部近傍を幅方向に挟むように設けられた第１接地電極部及び第２接地電極部と、を有する共振型の光変調器であって、前記共振電極への信号入力により前記共振電極上に形成される定在波の少なくとも一つの腹に対応する位置に、前記共振電極を幅方向に跨ぐようにして前記第１接地電極部と前記第２接地電極部を接続する電極間接続部が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
この構成では、共振電極上に形成される定在波の腹に対応する位置に電極間接続部を形成する。これにより、共振電極上に形成される定在波の振幅が大きくなる位置において、共振電極の周囲に接地電位の導電部材が配置される。これにより、共振電極の周囲に生じる電界を閉じ込めやすくなる。その結果、光変調器の電界効率を向上させ、変調効率を向上させることができる。
【０００９】
前記共振電極の両端が自由端であり、前記電極間接続部が少なくとも前記共振電極の両端部に対応する位置に設けられている構成としてもよい。
前記電極間接続部が、前記定在波の全ての腹に対応する位置に設けられている構成としてもよい。
前記電極間接続部がボンディングワイヤである構成としてもよい。
前記電極間接続部が、前記基板において前記光導波路の下層に形成された導電層と、前記第１接地電極部及び前記第２接地電極部と前記導電層とを接続する層間接続部と、を有する構成としてもよい。
前記電極間接続部がリボン電極であり、少なくとも１つの腹およびその近傍の区間にわたって電極間接続する構成としてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、共振電極を跨いで第１接地電極部と第２接地電極部を接続する電極間接続部を、定在波の腹の位置に設けたことで、光変調器の変調効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係る光変調器を示す平面図。
【図２】図１に示すＡ−Ａ’線に沿う位置における光変調器の断面図。
【図３】第２実施形態に係る光変調器を示す平面図。
【図４】図３のＢ−Ｂ’線に沿う位置における光変調器の断面図。
【図５】第３実施形態に係る光変調器を示す平面図。
【図６】図５のＣ−Ｃ’線に沿う位置における光変調器の断面図。
【図７】電極長が３λ／２のときの光導波路における電界効率をシミュレーションした結果を示すグラフ。
【図８】電極長が１３λ／２のときの光導波路における電界効率をシミュレーションした結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１実施形態）
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳しく説明する。
図１は、第１実施形態に係る光変調器の平面図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ’線に沿う位置における光変調器の断面図である。
【００１３】
本実施形態の光変調器１００は、基板１と、基板１に形成された光導波路２と、光導波路に沿って延びる共振電極３と、共振電極３に接続された給電電極４と、共振電極３を幅方向に挟むように配置された第１接地電極部５１及び第２接地電極部５２と、第１接地電極部５１と第２接地電極部５２との間に架け渡されたボンディングワイヤ６１、６２、６３、６４と、を備えている。
【００１４】
基板１は、ニオブ酸リチウムのＸカット基板である。基板１としては、電気光学効果を有する基板を用いることができる。基板１としては、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ＰＬＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛ランタン）、及び石英系の材料、及びこれらの組み合わせが利用可能である。これらのうちでも、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）、タンタル酸リチウム（ＬＴ）の結晶基板を好適に用いることができる。
【００１５】
光導波路２は、分岐導波路２１、２２を有するマッハツェンダー干渉計型の光導波路である。光導波路２は、基板１の一方の短辺端から長辺に沿って延びる入力側光導波路２３と、入力側光導波路２３から分岐された２本の分岐導波路２１、２２と、分岐導波路２１と分岐導波路２２とが合流した出力側光導波路２４とを有する。出力側光導波路２４の終端は基板１の辺端に位置する。分岐導波路２１、２２は、それらの延在方向の少なくとも中央部において互いに平行に形成されている。分岐導波路２１、２２の間隔は、例えば２０μｍ〜５０μｍである。
【００１６】
光導波路２は、本実施形態の場合、基板１の一部の屈折率を調整する方法により形成された導波路である。光導波路２は、例えば、基板１の表面にチタンを熱拡散させる方法や、プロトン交換を施す方法により、領域選択的に屈折率を高くすることで形成することができる。
光導波路はリッジ型光導波路であってもよい。リッジ型光導波路は、基板１において光導波路となる部位を残すように、その他の部分を機械的な切削や化学的なエッチングにより除去する方法により形成することができる。あるいは、光導波路となる領域の両側に溝を形成する方法で作製してもよい。また、屈折率を調整する方法とリッジを形成する方法を組み合わせた方法により光導波路２を形成してもよい。
【００１７】
基板１上には、コプレーナ（ＣＰＷ）型の電極が形成されている。
共振電極３は、直線状の電極である。共振電極３は、平面視で分岐導波路２１、２２の間の領域に設けられている。共振電極３は、分岐導波路２１、２２の直線状の部分に沿って、基板１の長手方向に延びている。共振電極３の長さ方向の両端は自由端である。
【００１８】
共振電極３を幅方向に挟むようにして、平面視矩形状の第１接地電極部５１と、平面視矩形状の第２接地電極部５２とが設けられている。第２接地電極部５２は、共振電極３の長さ方向において２つの電極に分割されている。分割された２つの第２接地電極部５２の間には、共振電極３に接続された給電電極４が基板１の長辺端から共振電極３の長さ方向の中央位置に向かって延びている。Ｘカット基板を使用した本実施形態の場合、分岐導波路２１が共振電極３と第１接地電極部５１に挟まれている区間、分岐導波路２２が共振電極３と第２接地電極部５２に挟まれている区間が相互作用部となる。
【００１９】
本実施形態では、給電電極４から見た入力インピーダンスが、給電電極４の特性インピーダンスに整合するように、共振電極３への給電位置（接続位置）が調整されている。共振電極３への給電線路のインピーダンス調整は、スタブその他のインピーダンス整合回路を用いて行ってもよい。給電位置を調整してインピーダンス調整を行った場合、共振電極３と給電電極４との交差点は定在波の節近傍となる。
【００２０】
基板１上に形成された各電極（共振電極３、給電電極４、第１接地電極部５１、第２接地電極部５２）は、金（Ａｕ）めっき等により形成することができる。電極形成用の導電材料としては、金のほか、銅、アルミニウム、チタン、クロム、及びこれらの合金や、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等を用いることができる。電極を構成する薄膜は、単層膜、積層膜のいずれであってもよい。
【００２１】
本実施形態の光変調器１００では、共振電極３を挟む第１接地電極部５１と第２接地電極部５２との間に、４本のボンディングワイヤ（電極間接続部）６１〜６４が架け渡されている。ボンディングワイヤ６１〜６４は、共振電極３と、共振電極３の幅方向の両側に設けられた分岐導波路２１、２２とを、共振電極３の幅方向に跨ぎ、分岐導波路２１、２２の近傍位置の第１接地電極部５１、及び第２接地電極部５２にそれぞれ接続されている。
【００２２】
ボンディングワイヤ６１とボンディングワイヤ６４は、共振電極３の両端部に対応する位置に設けられている。ボンディングワイヤ６２とボンディングワイヤ６３は、共振電極３中央の給電電極４との接続部の両側に設けられている。
【００２３】
光変調器１００において、図示略の給電回路から給電電極４を介して共振電極３に電気信号（マイクロ波）を入力すると、共振電極３の両端が自由端であるため、入力された電気信号は共振電極３の端部で反射して定在波となる。この定在波により共振電極３の周囲に電界が生じる。この電界による基板１の電気光学効果により光導波路２の相互作用部において屈折率が変化し、光導波路２を伝搬する光の速度が変化する。
【００２４】
上記の動作により、給電電極４を介して入力する電気信号の電圧によって光導波路２を伝搬する光の位相を制御することができる。そして、２本の分岐導波路２１、２２を伝搬した光の相互干渉を利用して、光の強度を変調することができる。
【００２５】
以上の構成を備えた本実施形態の光変調器１００では、共振電極３の両端が自由端であるため、ボンディングワイヤ６１、６４が設けられた位置は、共振電極３上に形成される定在波の腹に対応する位置となる。これにより、上記定在波の腹に対応する位置において、図２に示すように、共振電極３の周囲の少なくとも半周分の領域を、接地電位の導電部材が取り囲んだ構成となる。その結果、共振電極３の長さ方向において最も大きく電位が変動する位置において、共振電極３の周囲に生じる電界を閉じ込めやすくなる。
【００２６】
なお、本実施形態において、定在波の腹に対応する位置のボンディングワイヤ６１、６４は、少なくとも一箇所に設けられていればよい。また、定在波の腹に対応する位置が三箇所以上存在する場合には、三箇所以上の定在波の腹に対応する位置にボンディングワイヤを架け渡してもよい。さらには、定在波の腹に対応する全ての位置にボンディングワイヤを架け渡してもよく、これにより、電界を閉じ込めやすくなる。
【００２７】
また本実施形態において、ボンディングワイヤ６２、６３は、給電電極４との接続部を共振電極３の長さ方向において挟み込むように配置されている。共振電極３と給電電極４との位置は共振電極３の長さ方向の中央位置であり、共振電極３上に形成される定在波の節に対応する位置である。本実施形態では、これらのボンディングワイヤ６２、６３は、必ずしも設けなくてもよい。ただし、共振電極と給電電極の交差点は電気信号の進行方向が９０度変化する箇所であり不要な電気信号の反射および放射が生じる。このため、ボンディングワイヤを設ける方が望ましい。
【００２８】
（第２実施形態）
図３は、第２実施形態に係る光変調器を示す平面図である。図４は、図３のＢ−Ｂ’線に沿う位置における光変調器の断面図である。
【００２９】
本実施形態の光変調器２００は、基板１１と、基板１１に形成された光導波路２と、光導波路に沿って延びる共振電極３と、共振電極３に接続された給電電極４と、共振電極３を幅方向に挟むように配置された第１接地電極部５１及び第２接地電極部５２と、第１接地電極部５１と第２接地電極部５２との間に架け渡されたボンディングワイヤ６１、６２、６３、６４と、を備えている。
【００３０】
基板１１は、ニオブ酸リチウムのＺカット基板である。基板１１としては、第１実施形態において例示した電気光学効果を有する基板を用いることができる。
基板１１上に形成された光導波路２は、入力側光導波路２３と、入力側光導波路２３から分岐された２本の分岐導波路２１、２２と、分岐導波路２１と分岐導波路２２とが合流した出力側光導波路２４とからなる。
Ｚカット基板を使用した本実施形態の場合、分岐導波路２１が共振電極３に対向した第１接地電極部５１の直下にある区間、分岐導波路２２が共振電極３の直下にある区間が相互作用部となる。
【００３１】
分岐導波路２１、２２のうち、一方の分岐導波路２２と平面視で重なる位置に、共振電極３が形成されている。共振電極３は、分岐導波路２１の基板１１長手方向に沿った直線状の部分と平面視で重なる位置に設けられている。他方の分岐導波路２１上には、第１接地電極部５１が設けられている。本実施形態の場合、第１接地電極部５１と第２接地電極部５２は、共振電極３の長さ方向の両端の外側を回り込むように形成された導電パターン５４により接続されている。
【００３２】
なお、本実施形態の場合、図４に示すように、基板１１と、各電極（共振電極３、第１接地電極部５１、第２接地電極部５２）との間に、バッファ層１２が形成されている。バッファ層１２は、例えばシリコン酸化膜からなる。分岐導波路２１、２２と電極との間にバッファ層１２を設けることで、分岐導波路２１、２２中を伝搬する光波が電極に吸収・散乱されるのを抑制することができる。
【００３３】
共振電極３を挟む第１接地電極部５１と第２接地電極部５２との間には、４本のボンディングワイヤ（電極間接続部）６１〜６４が架け渡されている。ボンディングワイヤ６１〜６４は、共振電極３と、共振電極３の幅方向の両側に設けられた分岐導波路２１、２２とを、共振電極３の幅方向に跨ぎ、分岐導波路２１、２２の近傍位置の第１接地電極部５１、及び第２接地電極部５２にそれぞれ接続されている。
【００３４】
ボンディングワイヤ６１とボンディングワイヤ６４は、共振電極３の両端部に対応する位置に設けられている。ボンディングワイヤ６２とボンディングワイヤ６３は、共振電極３中央の給電電極４との接続部の両側に設けられている。
【００３５】
本実施形態においても、共振電極３の両端が自由端であるため、ボンディングワイヤ６１、６４が設けられた位置は、共振電極３上に形成される定在波の腹に対応する位置となる。一方、ボンディングワイヤ６２、６３は、給電電極４との接続部を共振電極３の長さ方向において挟み込むように配置されている。共振電極３と給電電極４との位置は共振電極３の長さ方向の中央位置であり、共振電極３上に形成される定在波の節に対応する位置である。
【００３６】
以上の構成を備えた本実施形態の光変調器２００においても、共振電極３上に形成される定在波の腹に対応する位置に、共振電極３を幅方向に跨ぐボンディングワイヤ６１、６４が配置されている。これにより、上記定在波の腹に対応する位置において、図４に示すように、共振電極３の周囲の少なくとも半周分の領域を、接地電位の導電部材が取り囲んだ構成となる。その結果、共振電極３の長さ方向において最も大きく電位が変動する位置において、共振電極３の周囲に生じる電界を閉じ込めやすくなる。
【００３７】
なお、本実施形態においても、定在波の腹に対応する位置のボンディングワイヤ６１、６４は、少なくとも一箇所に設けられていればよい。また、定在波の腹に対応する位置が三箇所以上存在する場合には、三箇所以上の定在波の腹に対応する位置にボンディングワイヤを架け渡してもよい。さらには、定在波の腹に対応する全ての位置にボンディングワイヤを架け渡してもよく、これにより、電界を閉じ込めやすくなる。
また本実施形態においても、定在波の節に対応する位置のボンディングワイヤ６２、６３は、省略可能である。
【００３８】
（第３実施形態）
図５は、第３実施形態に係る光変調器を示す平面図である。図６は、図５のＣ−Ｃ’線に沿う位置における光変調器の断面図である。
【００３９】
本実施形態の光変調器３００は、図５に示すように、基板１１と、基板１１に形成された光導波路２と、光導波路に沿って延びる共振電極３と、共振電極３に接続された給電電極４と、共振電極３を幅方向に挟むように配置された第１接地電極部５１及び第２接地電極部５２と、を有する。第１接地電極部５１が形成された平面領域には、４箇所のビア７１〜７４が設けられている。第２接地電極部５２が形成された平面領域には、４箇所のビア７５〜７８が設けられている。
Ｚカット基板を使用した本実施形態の場合、第２の実施形態と同様、分岐導波路２１が共振電極３に対向した第１接地電極部５１の直下にある区間、分岐導波路２２が共振電極３の直下にある区間が相互作用部となる
【００４０】
図６に示すように、基板１１の内部には、一様な平面形状の導電層５５が形成されている。第１接地電極部５１は、ビア７１〜７４内にそれぞれ形成された貫通導電層（層間接続部）８０を介して導電層５５と電気的に接続されている。第２接地電極部５２は、ビア７５〜７８内にそれぞれ形成された貫通導電層（層間接続部）８１を介して導電層５５と電気的に接続されている。
ここで貫通導電層とは、基板やバッファ層などにビアホールを設け、少なくともビアホール内壁に導電性材料を設けることにより、あるいはビアホール内部全てを導電性の材料を充填することにより、第１接地電極部と導電層５５および第２接地電極部と導電層５５を電気的に接続する層のことをいう。
【００４１】
光変調器３００において、共振電極３の一方の端部に設けられたビア７１とビア７５とは、共振電極３の幅方向に並んで配置されている。したがって、第１接地電極部５１と、第２接地電極部５２とは、ビア７１内の貫通導電層８０と、導電層５５と、ビア７５内の貫通導電層８１とを介して、共振電極３を跨ぐようにして電気的に接続されている。
【００４２】
上記と同様に、ビア７２とビア７６、ビア７３とビア７７、ビア７４とビア７８も、それぞれ共振電極３の幅方向に並んで配置されている。これらにより、対になるビアの形成位置において、第１接地電極部５１と第２接地電極部５２とが、貫通導電層８０と導電層５５と貫通導電層８１とを介して、共振電極３を跨ぐようにして電気的に接続されている。
【００４３】
本実施形態においても、共振電極３の両端が自由端であるため、ビア７１、７５、及びビア７４、７８が設けられた位置は、共振電極３上に形成される定在波の腹に対応する位置となる。一方、ビア７２、７６、及びビア７３、７７は、共振電極３と給電電極４との接続部の近傍に設けられている。ビア７２、７６を利用して形成される導電パス、及びビア７３、７７を利用して形成される導電パスは、共振電極３の長さ方向の中央位置であり、共振電極３上に形成される定在波の節に対応する位置である。
【００４４】
以上の構成を備えた本実施形態の光変調器３００においても、共振電極３上に形成される定在波の腹に対応する位置に、共振電極３を幅方向に跨ぐ導電パス（第１接地電極部５１〜貫通導電層８０〜導電層５５〜貫通導電層８１〜第２接地電極部５２）が形成されている。これにより、上記定在波の腹に対応する位置において、図６に示すように、共振電極３の周囲の少なくとも半周分の領域を、接地電位の導電部材が取り囲んだ構成となる。その結果、共振電極３の長さ方向において最も大きく電位が変動する位置において、共振電極３の周囲に生じる電界を閉じ込めやすくなる。
【００４５】
なお、本実施形態においても、定在波の腹に対応する位置の導電パスは、少なくとも一箇所に設けられていればよい。すなわち、ビア７１、７５により形成される導電パスと、ビア７４、７８により形成される導電パスの少なくとも一方が設けられていればよい。また、定在波の腹に対応する位置が三箇所以上存在する場合には、三箇所以上の定在波の腹に対応する位置に導電パスが形成されるようにビアを配置してもよい。さらには、定在波の腹に対応する全ての位置に導電パスが形成されるようにビアを配置してもよく、これにより、電界を閉じ込めやすくなる。
【００４６】
また本実施形態において、定在波の節に対応する位置の導電パス（ビア７２、７３、７６、７７）は、必ずしも設けなくてもよい。ただし、定在波の節に対応する位置であっても、導電パスを設けた構成の方が電界を閉じ込めやすくなる。
【００４７】
なお、上記第３実施形態では、Ｚカットのニオブ酸リチウム基板からなる基板１１を用いた場合について説明したが、Ｘカットのニオブ酸リチウム基板からなる基板１を用いた第１実施形態の構成において、ビアを介した導電パスによる第１接地電極部５１と第２接地電極部５２との接続構造を用いてもよいのは勿論である。
【実施例】
【００４８】
以下、光変調器の実施例について図面を参照しつつ説明する。
本実施例では、図３及び図４に示した第２実施形態の光変調器２００と、比較例の光変調器とを、それぞれの電極長を変えて作製し、それぞれについて電界効率をシミュレーションした。
【００４９】
上記比較例の光変調器は、第２実施形態に係る光変調器２００から、共振電極３の両端に対応する位置のボンディングワイヤ６１、６４を省略した構成の光変調器である。すなわち、共振電極３上に形成される定在波の腹に対応する位置にボンディングワイヤが架け渡されていない光変調器である。
これらの実施例、比較例では共振電極と給電電極の交差点は定在波の節近傍となっている。
【００５０】
図７は、電極長が３λ／２のときの光導波路における電界効率のシミュレーション結果を示すグラフである。図８は、電極長が１３λ／２のときの光導波路における電界効率をシミュレーションした結果を示す図である。なお、上記λは、共振電極に入力されるマイクロ波の波長である。
【００５１】
図７及び図８に示されるように、定在波の腹に対応する共振電極の両端部に設置電極間を接続するボンディングワイヤが架け渡されている実施例の光変調器は、同位置にボンディングワイヤが架け渡されていない比較例の光変調器と比較して、電界効率を向上させることができる。具体的に、電極長９ｍｍの条件では、実施例の光変調器は、比較例の光変調器に対して電界効率が約５％改善される。また電極長４０ｍｍの条件では、電界効率が約１８％改善される。これらの結果から、実施例に係る光変調器によれば、電界効率を向上させ、これにより変調効率を向上させることが可能である。
【００５２】
以上のように電界効率が改善されたのは、共振電極上における定在波の腹に対応する位置にボンディングワイヤを架け渡して共振電極と光導波路の相互作用部近傍を挟む接地電極部を接続することで、共振電極の周囲の少なくとも半周分を取り囲むように接地電位を配置することができ、これにより電界を閉じ込めやすくなったためであると予想される。
【００５３】
第１〜第３の実施形態では、ボンディングワイヤおよび導電パスによる接地電極部の接続を定在波の腹の位置に精密に設置しているが、架橋位置については定在波の振幅が最大値となる一点だけでなく、特に大きくなる区間であっても充分に効果を奏する。
【００５４】
具体的には、定在波の振幅Ｙをある節を原点とした位置Ｘの正弦波の関数として表現した場合、Ｘ＝λ／４，Ｘ＝３λ／４の位置が定在波の振幅の最大値を取り最も好ましいが、振幅の最大値の７０％を越える区間（λ／８≦Ｘ≦３λ／８，５λ／８≦Ｘ≦７λ／でも効果を奏する。また、振幅の最大値の８５％を超える区間（λ／６≦Ｘ≦λ／３，２λ／３≦Ｘ≦５λ／６）であれば充分に効果を奏する。
【００５５】
Ｙ＝Ａ０ｓｉｎ２πＸ／λ  （０≦Ｘ≦λ）
Ａ０：振幅の最大値、λ：定在波の波長
【００５６】
第１〜第３の実施形態では共振電極を幅方向に跨ぐようにしてボンディングワイヤおよび導電パスによる接続を行っているが、立体的に電気的な接続が行える他の接続形式も用いることができる。例を挙げるとすれば、リボン電極による接続も使用することができ、リボン電極を用いた場合、ボンディングワイヤ（〜２０μｍ）とは異なり定在波の振幅が大きくなる腹およびその近傍を含んだ区間をより広い範囲で跨ぐ電極間接続を行うことが容易になる。
【００５７】
第１〜第３の実施形態では共振電極の両端が接地されていない自由端での場合について説明したが、共振電極の一端或いは両端が接地された固定端を含む構成でも同様に効果を奏する。
【００５８】
また、第１〜第３の実施形態では導波路形状がマッハツェンダー型の構造を有する場合について説明したが、導波路形状が直線型の構成でも同様に効果を奏する。
【符号の説明】
【００５９】
１，１１…基板、２…光導波路、３…共振電極、５１…第１接地電極、５２…第２接地電極、５５…導電層、６１，６２，６３，６４…ボンディングワイヤ（電極間接続部）、８０，８１…貫通導電層（層間接続部）、１００，２００，３００…光変調器
【図１】
2013210568.tif 000003
【図２】
2013210568.tif 000004
【図３】
2013210568.tif 000005
【図４】
2013210568.tif 000006
【図５】
2013210568.tif 000007
【図６】
2013210568.tif 000008
【図７】
2013210568.tif 000009
【図８】
2013210568.tif 000010