(57)【要約】【課題】ディスク表面の検査において、ディスクに同心円状に発生するサークルスクラッチ欠陥を、散発的に存在するスクラッチ欠陥から分離して検出できるようにする。【解決手段】試料に光を照射し、試料から反射した正反射光を検出し、正反射光の近傍の散乱光を正反射光から分離して検出し、試料の法線方向に対して正反射光の方向よりも大きい高角度方向に散乱した散乱光を検出し、正反射光検出信号と、低角度散乱光検出信号と、高角度散乱光検出信号とを処理して試料の表面の欠陥を検出するディスク表面検査方法において、試料の表面の欠陥を検出することを、正反射光検出信号と、低角度散乱光検出信号と、高角度散乱光検出信号とを処理して欠陥候補を抽出し、この抽出した欠陥候補について試料の中心から半径方向で所定の幅の範囲に存在する欠陥候補が占める円周方向の割合に基づいて円周状の欠陥を抽出するようにした。【選択図】図１
2013210241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料である磁気メディアのディスクを載置して回転可能でかつ回転の中心軸に直角の方向に移動可能なステージ手段と、
該ステージ手段に載置された試料の表側の面に光を照射する照明手段と、
該照明手段により光が照射された前記試料の表側の面から反射した正反射光を検出する正反射光検出手段と、
前記照明手段により光が照射された前記試料の表側の面から反射した正反射光の近傍の散乱光を該正反射光から分離して検出する低角度散乱光検出手段と、
前記照明手段により光が照射された前記試料から該試料の法線方向に対して前記正反射光の方向よりも大きい高角度方向に散乱した散乱光を検出する高角度散乱光検出手段と、
前記正反射光検出手段からの出力信号と、前記低角度散乱光検出手段からの出力信号と、前記高角度散乱光検出手段からの出力信号とを処理して前記試料の表面の欠陥を検出する処理手段と
を備えたディスク表面検査装置であって、
前記処理手段は、
前記正反射光検出手段からの出力信号と、前記低角度散乱光検出手段からの出力信号と、前記高角度散乱光検出手段からの出力信号とを処理して欠陥候補を抽出する欠陥候補抽出部と、
該欠陥候補抽出部で抽出した欠陥候補について前記試料の中心から半径方向で所定の幅の範囲に存在する欠陥候補が占める円周方向の割合に基づいて円周状の欠陥を抽出する円周状欠陥抽出部と
を有することを特徴とするディスク表面検査装置。
【請求項２】
前記処理手段は前記欠陥候補抽出部で抽出した欠陥候補について欠陥候補どうしの繋がり・連続性を前記欠陥候補の前記試料上の位置情報に基づいて判定する欠陥候補連続性判定部を更に備え、前記円周状欠陥抽出部は、前記欠陥候補連続性判定部で判定された前記欠陥候補どうしの繋がり・連続性の情報を用いて前記円周状の欠陥を抽出することを特徴とする請求項１記載のディスク表面検査装置。
【請求項３】
前記円周状欠陥抽出部は、前記欠陥候補連続性判定部で円周状に繋がり・連続性があると判定されなかった欠陥についても、前記試料の中心から半径方向で所定の幅の範囲に存在する複数の欠陥候補が占める円周方向の割合が予め設定した割合以上の場合に円周状の欠陥として抽出することを特徴とする請求項２記載のディスク表面検査装置。
【請求項４】
前記処理手段は、前記欠陥候補抽出部で抽出された欠陥候補のうち前記円周状欠陥抽出部で円周状の欠陥として抽出された以外の欠陥候補について、該欠陥候補の特徴量を算出する特徴量算出部と、該特徴量算出部で算出した欠陥候補の特徴量に基づいて該欠陥候補を線状欠陥、面状欠陥、異物を含む複数の種類に分類する欠陥分類部を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のディスク表面検査装置。
【請求項５】
前記ディスク表面検査装置は、表示画面を有する入出力手段を更に備え、該表示画面上に前記処理手段で処理した前記試料上の円周状の欠陥を含む複数の種類の欠陥をマップ上に表示することを特徴とする請求項１又は２に記載のディスク表面検査装置。
【請求項６】
試料である磁気メディアのディスクを回転させながら回転の中心軸に直角の方向に移動させ、
該試料の表側の面に光を照射し、
該光が照射された前記試料から反射した正反射光を検出し、
前記光が照射された前記試料から反射した正反射光の近傍の散乱光を該正反射光から分離して検出し、
前記光が照射された前記試料から該試料の法線方向に対して前記正反射光の方向よりも大きい高角度方向に散乱した散乱光を検出し、
前記正反射光を検出して得た信号と、前記低角度散乱光を検出して得た信号と、前記高角度散乱光を検出して得た信号とを処理して前記試料の表面の欠陥を検出する
ディスク表面検査方法であって、
前記試料の表面の欠陥を検出することを、
前記正反射光を検出して得た信号と、前記低角度散乱光を検出して得た信号と、前記高角度散乱光を検出して得た信号とを処理して欠陥候補を抽出し、
該抽出した欠陥候補について前記試料の中心から半径方向で所定の幅の範囲に存在する欠陥候補が占める円周方向の割合に基づいて円周状の欠陥を抽出する
ことを特徴とするディスク表面検査方法。
【請求項７】
前記試料の表面の欠陥を検出することを、前記抽出した欠陥候補について欠陥候補どうしの繋がり・連続性を前記欠陥候補の前記試料上の位置情報に基づいて判定し、該判定された前記欠陥候補どうしの繋がり・連続性の情報を用いて前記円周状の欠陥を抽出することを特徴とする請求項６記載のディスク表面検査方法。
【請求項８】
前記円周状に繋がり・連続性があると判定されなかった欠陥についても、前記試料の中心から半径方向で所定の幅の範囲に存在する複数の欠陥候補が占める円周方向の割合が予め設定した割合以上の場合に円周状の欠陥として抽出することを特徴とする請求項７記載のディスク表面検査方法。
【請求項９】
前記試料の表面の欠陥を検出することを、前記抽出された欠陥候補のうち前記円周状の欠陥として抽出された以外の欠陥候補について、該欠陥候補の特徴量を算出し、該算出した欠陥候補の特徴量に基づいて該欠陥候補を線状欠陥、面状欠陥、異物を含む複数の種類に分類することを特徴とする請求項６又は７に記載のディスク表面検査方法。
【請求項１０】
前記処理した前記試料上の円周状の欠陥を含む複数の種類の欠陥を表示画面上でマップ上に表示することを特徴とする請求項６又は７に記載のディスク表面検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料表面の欠陥を光学的に検査するディスク表面検査方法及びその装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク用基板として、アルミニウム（Ａｌ）基板又はガラス基板が用いられている。ガラス基板は用途に応じて結晶化ガラス（ＳＸ）又はアモルファスガラス（ＭＥＬ）が用いられ、それぞれの種類のガラスにおいて、更に含有する成分が異なる複数の種類のガラスが用いられている。
【０００３】
このガラス基板には、処理工程の途中で、同心円状の連続的な傷、又は不連続な傷が発生してしまう場合がある。このガラス基板に同心円のキズを発生させた工程を特定し、その対策を早急に行わないと、同心円状のキズを持つガラス基板が大量に生産ラインを流れてしまうことになり、不良品を大量に作り込んでしまう可能性がある。
【０００４】
一方、ガラス基板の表面の欠陥は光学検査装置を用いて光学的に検査している。ガラス基板の表面を検査する装置では、プロセス管理の高度化、工程改善に寄与させる目的で、検出した欠陥を分類するニーズがある。磁気ディスク用基板の表面を検査する装置の検出光学系には一般に複数の検出器が装備されているが、これら複数の検出器からの検出信号による微小欠陥の分類に加えて、磁気ディスク面内での欠陥の分布形状に特徴に基づく欠陥の分類が行われる。
【０００５】
従来の磁気ディスクの表面の欠陥を検査する装置としては、例えば、特許文献１には、検査対象試料である磁気ディスクにレーザを照射して磁気ディスク表面からの反射光、散乱光を複数の検出器で受光し、それぞれの受光器の受光条件によって微小欠陥の分類を行っている。また、検出した微小欠陥の平面連続性を判定して欠陥の長さの大小や、線状欠陥、塊状欠陥の分類を行っている。
【０００６】
また、特許文献２には、ディスク表面に照射するレーザと同一光軸上に所定の散乱光の指向性に合わせた仰角位置に配置した立体角が小さい集光手段を用いて、ディスク表面に形成された円周痕を欠陥として検出するディスク表面検査装置について記載されている。
【０００７】
また、特許文献３には、半導体ウェハ表面を検査して得られた欠陥の位置情報を用いてハフ変換して直線状に並ぶ欠陥を検出することを含めて、欠陥の分布の状態によって欠陥を分類することが記されている
更に、特許文献４には、基板の半径別の欠陥数ヒストグラムデータを作成して、円周疵や島状の欠陥を他の欠陥と分離して検出することについて記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１８０３７６号公報
【特許文献２】特開２００１−６６２６３号公報
【特許文献３】特開２００６−３５２１７３号公報
【特許文献４】特開２０１１−１２２９９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来のディスク基板の表面の欠陥を光学的に検査する光学検査装置では、基板に光を照射して、基板からの反射光や散乱光を異なる仰角方向に配置した複数の検出器で検出し、その検出信号レベルを予め設定したしきい値と比較して、しきい値よりも大きい信号を検出した時に欠陥を検出したと判定している。
【００１０】
欠陥の中でもディスクに同心円状の発生するサークルスクラッチ欠陥はディスクにおいて重要な不良要因となる欠陥である。この同心円状に発生するサークルスクラッチ欠陥については、欠陥全体を検出することが困難であるため、従来の光学検査装置では、長さの短いスクラッチが同心円状に散発的に存在するように検出していた。
【００１１】
特許文献１及び特許文献２に記載されているディスク表面検査装置では、連続的に発生した円周痕を検出することはできるが、離散的に発生する欠陥情報をひとつの欠陥として検出することについて配慮されていなかった為、前記の離散的に発生するサークルスクラッチと単独で発生する通常のスクラッチとを弁別することはできなかった。
【００１２】
又、特許文献３に記載されている欠陥データ解析方法では、環状に分布する欠陥を検出する方法について記載されているが、長さの短いスクラッチが同心円状に散発的に存在するような場合、これを環状に分布する欠陥と分離して、同心円状に発生するサークルスクラッチ欠陥であると識別することについては記載されていない。
【００１３】
更に、特許文献４には、板の半径別の欠陥数ヒストグラムデータを作成して、円周疵や島状の欠陥を他の欠陥と分離して検出することについては、記載されているが、円周疵の中から同心円状の発生するサークルスクラッチ欠陥を抽出することについては記載されていない。
【００１４】
本発明は、上記した従来技術の課題を解決して、ディスクに同心円状に発生するサークルスクラッチ欠陥を、ディスク表面に散発的に存在するスクラッチ欠陥から分離して検出することを可能にするディスク表面検査方法及びその装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記した課題を解決するために、本発明では、ディスク表面検査装置を、試料である磁気メディアのディスクを載置して回転可能でかつ回転の中心軸に直角の方向に移動可能なステージ手段と、ステージ手段に載置された試料の表側の面に光を照射する照明手段と、照明手段により光が照射された前記試料の表側の面から反射した正反射光を検出する正反射光検出手段と、照明手段により光が照射された試料の表側の面から反射した正反射光の近傍の散乱光を正反射光から分離して検出する低角度散乱光検出手段と、照明手段により光が照射された試料からこの試料の法線方向に対して正反射光の方向よりも大きい高角度方向に散乱した散乱光を検出する高角度散乱光検出手段と、正反射光検出手段からの出力信号と、低角度散乱光検出手段からの出力信号と、高角度散乱光検出手段からの出力信号とを処理して試料の表面の欠陥を検出する処理手段とを備えて構成し、処理手段は、正反射光検出手段からの出力信号と、低角度散乱光検出手段からの出力信号と、高角度散乱光検出手段からの出力信号とを処理して欠陥候補を抽出する欠陥候補抽出部と、欠陥候補抽出部で抽出した欠陥候補について試料の中心から半径方向で所定の幅の範囲に存在する欠陥候補が占める円周方向の割合に基づいて円周状の欠陥を抽出する円周状欠陥抽出部とを備えて構成した。
【００１６】
また、上記課題を解決するために、本発明では、試料である磁気メディアのディスクを回転させながら回転の中心軸に直角の方向に移動させ、試料の表側の面に光を照射し、光が照射された試料から反射した正反射光を検出し、光が照射された試料から反射した正反射光の近傍の散乱光を正反射光から分離して検出し、光が照射された試料からこの試料の法線方向に対して正反射光の方向よりも大きい高角度方向に散乱した散乱光を検出し、正反射光を検出して得た信号と、低角度散乱光を検出して得た信号と、高角度散乱光を検出して得た信号とを処理して試料の表面の欠陥を検出するディスク表面検査方法において、試料の表面の欠陥を検出することを、正反射光を検出して得た信号と、低角度散乱光を検出して得た信号と、高角度散乱光を検出して得た信号とを処理して欠陥候補を抽出し、この抽出した欠陥候補について試料の中心から半径方向で所定の幅の範囲に存在する欠陥候補が占める円周方向の割合に基づいて円周状の欠陥を抽出するようにした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のディスク表面検査装置はによれば、ディスクに同心円状に不連続的に発生するサークルスクラッチと単独で散発的に発生する通常のスクラッチとを弁別することはができるようになった。これにより、従来見逃していた不連続的なサークルスクラッチを確実に検出することができ、サークルスクラッチの発生原因となる工程を特定して早急に対応することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施例におけるディスク表面欠陥検査装置の概念全体の構成を示すブロック図である。
【図２】試料であるディスクの平面図である。
【図３】本発明の実施例における検査の手順を示したフローチャートである。
【図４Ａ】試料表面をスパイラル状に検査してサークルスクラッチを検出した場合の各検出器からの出力を試料の各回転ごとの検査領域と対応づけてｒ−θ座標系にプロットしたグラフである。
【図４Ｂ】図４Ａの結果を、試料の各回転ごとの検査領域の表示をなくしてｒ−θ座標系にプロットしたグラフである。
【図５】本発明の実施例における検査の結果を出力した表示画面の正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明は、ガラス基板の表面の欠陥を検査する装置において、基板に照明光を照射したときの基板からの正反射光又は散乱光を検出して、欠陥候補を抽出し、この抽出した欠陥候補の中から先ず同心円状の欠陥を抽出し、次に、同心円状の欠陥以外の欠陥候補について各欠陥候補の特徴に応じて欠陥の種類を分類するようにしたものである。
【００２０】
以下に、本発明の実施例を、図面を用いて説明する。  
本実施例に係るディスク表面欠陥検査装置１０００の概略の構成を図１Ａに示す。検査対象の試料１は磁気ディスク用の基板で、ガラス材料で形成されている。ディスク表面欠陥検査装置１０００は、試料１に照明光を照射する照明手段１００、照明光が照射された試料１から低角度方向（試料１の表面の法線方向となす角度が小さい方向）に反射・散乱した光を集光して検出する低角度検出光学系１１０、試料１から高角度方向（試料１の表面の法線方向となす角度が大きい方向）に散乱した光を集光して検出する高角度検出光学系１３０、低角度検出光学系１１０の検出器１１６，１１９，１２２、高角度検出光学系１３０の検出器１３５，１３９でそれぞれ試料１からの反射・散乱光を検出して出力されたそれぞれのアナログ検出信号を増幅してデジタル信号に変換（Ａ/Ｄ変換）するＡ/Ｄ変換部１４０、Ａ/Ｄ変換部１４０で変換された各検出器からの信号を受けて処理する処理装置１５０、処理装置１５０の処理条件を入力し、処理の結果を出力する入出力手段１６０、ディスク表面欠陥検査装置１０００の全体を制御する全体制御部１７０、ステージ制御部１８５で制御されて試料１を載置して回転させながら一方向に移動させるステージ手段１８０を備えている。
【００２１】
照明手段１００は、所望の波長のレーザを出力するレーザ光源を備えている。  
低角度検出光学系１１０は、照明手段１００により照射されて試料１の表面で反射・散乱して点線で示した方向のうち低角度方向に進んだ正反射光を含む反射・散乱光を検出する光学系で、試料１の表面から低角度方向に進んだ正反射光を含む反射・散乱光を集光する対物レンズ１１１、この対物レンズ１１１で集光された光のうち試料１からの正反射光を反射するミラー１１２、ミラー１１２で反射された試料１からの正反射光の光路を二つに分岐するビームスプリッタ１１３、ビームスプリッタ１１３を透過した正反射光を収束させる収束レンズ１１４、収束レンズ１１４による正反射光の収束点に位置して収束された正反射光を通過させるピンホールを有して正反射光以外の迷光を遮光するピンホール板１１５、このピンホール板１１５のピンホールを通過した正反射光を検出する第１の正反射光検出器１１６、ビームスプリッタ１１３で反射された正反射光を収束させる収束レンズ１１７、収束レンズ１１７による正反射光の収束点に位置して集光された正反射光を通過させるピンホールを有して正反射光以外の迷光を遮光するピンホール板１１８、このピンホール板１１８のピンホールを通過した正反射光を検出する第２の正反射光検出器１１９、対物レンズ１１１で集光された光のうちミラー１１２で反射されなかった光(試料１からの散乱光)を収束させる収束レンズ１２０、収束レンズ１２０の収束点に位置して収束された光を通過させるピンホールを有して収束されなかった光を遮光するピンホール板１２１、このピンホール板１２１を通過した光を検出する低角度検出器１２２を備えている。
【００２２】
ビームスプリッタ１１３は、入射した正反射光の大部分（例えば９０％）を透過させて検出器１１６で検出させ、入射した正反射光の一部(例えば１０％)を反射させて検出器１１９で検出させる。このように構成することにより、試料１からの反射光が弱い場合には検出器１１６で検出した信号を処理する。一方、試料１からの反射光が強い場合には検出器１１６が飽和してしまうので検出器１１９で検出した信号を処理する。正反射光をこのように検出することにより、一つの検出器で検出する場合に比べて、より広いダイナミックレンジで正反射光を検出することが可能になる。
【００２３】
高角度検出光学系１３０は、照明手段１００から発射され、試料１の表面で反射・散乱した光のうち高角度方向に進んだ散乱光を集光する対物レンズ１３１、対物レンズ１３１で集光された光の光路を二つに分岐するビームスプリッタ１３２、ビームスプリッタ１３２を透過した光を収束させる収束レンズ１３３、収束レンズ１３３の収束点に位置して収束された光を通過させるピンホールを有して収束されなかった光を遮光するピンホール板１３４、このピンホール板１３４を通過した光を検出する第１の高角度検出器１３５、ビームスプリッタ１３２で反射された光の光路を切り替えるミラー１３６、ミラー１３６で行路を切り替えられたビームスプリッタ１３２からの反射光を収束させる収束レンズ１３７、収束レンズ１３７の収束点に位置して収束された光を通過させるピンホールを有して収束されなかった光を遮光するピンホール板１３８、このピンホール板１３８を通過した光を検出する第２の高角度検出器１３９を備えている。
【００２４】
ビームスプリッタ１３２は、入射した散乱光の大部分（例えば９０％）を透過させて検出器１３５で検出させ、入射した散乱光の一部(例えば１０％)を反射させて検出器１３９で検出させる。このように構成することにより、試料１からの散乱光が弱い場合には検出器１３５で検出した信号を処理する。一方、試料１からの散乱光が強い場合には検出器１３５が飽和してしまうので検出器１３９で検出した信号を処理する。散乱光をこのように検出することにより、一つの検出器で検出する場合に比べて、より広いダイナミックレンジで散乱光を検出することが可能になる。
【００２５】
試料１の表面で反射・散乱した光を検出した各検出器１１６、１１９、１２２，１３５，１３９から出力されたアナログ信号は、それぞれＡ/Ｄ変換部１４０のＡ／Ｄ変換器１４１〜１４５で増幅されＡ／Ｄ変換されて処理装置１５０に入力される。
【００２６】
処理装置１５０は、各検出器１１６、１１９、１２２，１３５，１３９から出力されてＡ/Ｄ変換部１４０でＡ/Ｄ変換た信号を受けて欠陥候補を検出する欠陥候補検出部１５１、欠陥候補検出部１５１で検出された欠陥候補について、ステージ制御部１８５及びステージ１８０から取得された各欠陥候補が検出された試料１上の位置情報を用いて各欠陥候補の繋がり・連続性を判定する欠陥候補連続性判定部１５２、欠陥候補連続性判定部１５２で繋がり・連続性があると判定された欠陥候補の中から同心円状に並ぶ欠陥(サークルスクラッチ)を抽出する同心円状欠陥抽出部１５３、欠陥候補連続性判定部１５２で繋がり・連続性が判定された各欠陥候補のうち同心円状欠陥抽出部１５３で同心円状に並ぶ欠陥(サークルスクラッチ)として抽出された欠陥を除いた欠陥候補について、特徴量を抽出する欠陥特徴量抽出部１５４、欠陥特徴量抽出部１５４で特徴量が求められた欠陥候補を特徴量に基づいて欠陥種ごとに分類する欠陥分類部１５５、欠陥分類部１５５で分類された欠陥種ごとの試料１の上の分布及び数を求めて試料１のランクを判定する基板ランク判定部１５６備えている。
【００２７】
処理装置１５０は、表示画面１６１を有して検査条件を入力したり検査結果を出力する入出力手段１６０に接続されている。また、処理装置１５０と入出力手段１６０とは、全体制御部１７０と接続している。全体制御部１７０は、試料１を載置して試料１を回転させる回転ステージ１８１と試料１が回転する面内で少なくとも１軸方向に移動可能な直進ステージ１８２とを備えたステージ手段１８０を駆動制御するステージ制御部１８５と、照明手段１００、処理手段１５０及び入出力手段１６０とを制御する。
【００２８】
以上の構成で、全体制御部１７０でステージ制御部１８５を制御して、ステージ手段１８０の回転ステージ１８１と直進ステージ１８２とを駆動制御することにより、図２に示すようにステージ手段１８０に載置した試料１をθ方向に回転させ、回転の中心１０に対して直角な方向(試料１の半径（ｒ）方向)に一定の速度で移動を開始する。
【００２９】
この状態でステージ手段１８０に載置されて回転している試料１の表面に照明手段１００からレーザを照射し、試料１の表面で反射・散乱されて対物レンズ１１１の方向に向かった光のうち正反射光は第１の正反射光検出器１１６及び第２の正反射光検出器１１９で、正反射光周辺の散乱光は低角度検出器１２２で検出される。又、試料１の表面から高角度検出光学系１３０の対物レンズ１３１の方向に向かった散乱光は第１の高角度検出器１３５及び第２の高角度検出器１３９で検出される。
【００３０】
このような検査を試料１を回転させながら直進移動させて試料１の外周部から内周部にかけて試料１の表面をスパイラル状に検査を行うことにより、試料１の表側の全面を検査することができる。又、図示していない基板反転機構を用いて試料１を反転させて未検査の裏面が上になるようにし、表側の面と同様な検査を行うことにより、試料の両面を検査することができる。
【００３１】
なお、本例では低角度検出光学系１１０、高角度検出光学系１３０のそれぞれに迷光を遮光するためのピンホール板１１５，１１８，１２１，１３４及び１３８を用いたが、照明光源１００から発射されたレーザの光路の途中に偏光板を挿入して試料１を偏光照明する場合は、ピンホール板１１５，１１８，１２１，１３４及び１３８の代わりに偏光フィルタを用いるようにしてもよい。また、照明光源１００から発射されるレーザとして単波長のレーザを用いた場合には、ピンホール板１１５，１１８，１２１，１３４及び１３８の代わりに波長選択フィルタを用いるようにしてもよい。更に、偏光フィルタと波長選択フィルタと併用して用いて特定の波長の特定偏光成分の光を通過させるように構成しても良い。
【００３２】
次に、各検出器１１６，１１９，１２２，１３５、及び１３９から出力されて処理部１５０に入力した信号の処理の手順を、図３を用いて説明する。
【００３３】
各検出器１１６，１１９，１２２，１３５、及び１３９から出力されてＡ／Ｄ変換器１４１乃至１４５でＡ/Ｄ変換された検出信号は処理装置１５０に入力する（Ｓ３０１）。
【００３４】
処理装置１５０に入力した検出信号は、先ず、欠陥候補抽出部１５１において、Ａ／Ｄ変換器１４１乃至１４５から入力された信号のレベルを予め設定したしきい値と比較し、このしきい値を超えたレベルの信号を欠陥候補として、ステージ制御部１８５及びステージ手段１８０の図示していない検出系から得られる欠陥候補の試料１上の位置情報（ステージ１８０の回転角度(θ)情報及び基板半径（ｒ）方向位置情報）と関連付けて抽出する（Ｓ３０２）。
【００３５】
次に、欠陥候補連続性判定部１５２において、欠陥候補抽出部１５１で抽出した欠陥候補について、試料１上の位置情報を用いて、それぞれの欠陥候補の繋がり・連続性を判定する（Ｓ３０３）。繋がり・連続性があると判定された欠陥候補は、一つの欠陥として以降の処理を行う。
【００３６】
次に、Ｓ３０３において、欠陥候補連続性判定部１５２において繋がり・連続性があると判定された欠陥候補について、同心円状欠陥抽出部１５３において、試料１の同じ半径の位置に連続又は分散している同心円状欠陥 (サークルスクラッチ)を抽出する（Ｓ３０４）。
【００３７】
図４Ａには、試料１のｎ回転目からｎ＋４回転目までの各検出器の検査領域と検出信号をプロットしたものを示す。横軸は試料１の回転角度(θ)、縦軸は試料１の中心から半径方向の位置（ｒ）を示している。各検出器は、試料１の表面を試料１の半径方向の幅ｗでスパイラル状に検査するので、検査結果をｒ−θ座標系で表わすと、図４Ａのように各回転ごとの検査領域４０１〜４０５は傾斜した幅ｗの帯状の領域として表わされる。４１０は欠陥が検出された位置を示している。
【００３８】
この、状態で検出されたサークルスクラッチに対応する欠陥をｒ−θ座標系にプロットすると、図４Ｂのように表示される。サークルスクラッチは試料１の表面で同心円状に存在するが、検査領域がスパイラル状であるために、サークルスクラッチに対応する欠陥もスパイラル状の検査領域に対応してｒ方向の位置が変化して検出される。そこで、このｒ−θ座標系にプロットされた欠陥の中からサークルスクラッチに対応する欠陥を抽出するために、図４Ｂで間隔Ｌで示した検査領域の幅ｗの２倍又はそれよりも大きい幅の領域をｒ−θ座標平面上でｒ方向に順次ずらしながら検出する。そして、あるｒ方向の位置で、この幅Ｌの範囲で検出された欠陥のθ方向の長さの合計が、１周分３６０度に対して予め設定した割合以上であった場合（θ方向の密度が予め設定した基準値よりも高い場合）に、そのｒ方向の位置に同心円状の欠陥（サークルスクラッチ）が存在すると判断する。
【００３９】
一方、あるｒ方向の位置で、この幅Ｌの範囲で検出された欠陥のθ方向の長さの合計が、１周分３６０度に対して予め設定した割合以下であった場合（θ方向の密度が予め設定した基準値よりも低い場合）に、そのｒ方向の位置には同心円状の欠陥（サークルスクラッチ）は存在しないと判断する。
【００４０】
Ｓ３０３で欠陥候補連続性判定部１５２において繋がり・連続性が判定された欠陥候補のうち、Ｓ３０４で同心円状欠陥抽出部１５３において同心円状の欠陥であるとして抽出された欠陥を除き（Ｓ３０５），同心円状の欠陥を除いた欠陥候補について、欠陥特徴量算出部１５４において、欠陥の寸法（ｒ方向長さ、θ方向長さ、欠陥の幅）、面積などの欠陥特徴量が算出される（Ｓ３０６）。このとき、欠陥候補連続性判定部１５３において繋がり・連続性があると判定された欠陥候補については、一つの欠陥として、その特徴量が算出される。
【００４１】
最後に欠陥分類部１５５において、特徴量が算出された欠陥について連続欠陥であるか否かをチェックする（Ｓ３０７）。連続欠陥であると判定した場合には、それが線状の欠陥であるかをチェックし（Ｓ３０８）、連続した欠陥が面内での広がりを持たない場合には線状欠陥と判定し（Ｓ３０９）、連続した欠陥が面内での広がりを持つと判定したときには面状欠陥と判定する（Ｓ３１０）。
【００４２】
一方、Ｓ３０７において連続欠陥ではないと判定された場合には、その欠陥が低角度検出器１２２でも検出されているかをチェックし（Ｓ３１１）、低角度検出器１２２でも検出されている場合には異物欠陥と判定し（Ｓ３１２）、中角度検出器１２４及び低角度検出器１３４では検出されていない場合には輝点（微小欠陥）と判定する（Ｓ３１３）。
【００４３】
また、Ｓ３０５でＮＯと判定された欠陥は、サークルスクラッチであると判定する（Ｓ３１４）。
【００４４】
次に、欠陥分布算出部１５６において、欠陥分類部１５５で分類された欠陥種ごとの試料１の上の分布を求めて欠陥種ごとの欠陥マップを作成する（Ｓ３１５）。
【００４５】
最後に、欠陥分類部１５５においてＳ３０５乃至Ｓ３１４で分類した欠陥の種類および、欠陥種ごとの欠陥個数を予め設定した基準値と比較して試料(基板)１の良否判定を行う（Ｓ３１６）。
【００４６】
入出力手段１６０は、Ｓ３０４において同心円状欠陥抽出部１５２で抽出されたサークルスクラッチの情報を含めて、Ｓ３１５において欠陥分布算出部１５６で作成した欠陥種ごとの欠陥マップの情報とを処理装置１５０から受けて、例えば図５に示すように、表示画面１６１上に検査の結果を表示する。
【００４７】
図５は、入出力手段１６０の表示画面１６１上に表示する検査結果の例であり、試料１上の欠陥の分布をマップ５０１に表示し、マップ５０１に表示された欠陥種ごとの表示色のリスト５０２をマップ５０１と並べて表示する。このリスト５０２上でポインタなどにより特定の欠陥種を選択すると、マップ５０１上で選択された欠陥種に対応する欠陥が他の欠陥と比べて強調されて表示される。また、表示画面１６１上には、現在マップ５０１に表示している試料１の生産ラインにおけるロットＮｏ．と試料１そのものを表わすディスクＮｏ．とが表示欄５０３に表示される。
【００４８】
さらに、表示画面１６１上には、マップ５０１に表示する試料の面を選択する表示面選択ボタン５０４が表示され、マップ５０１に表示する試料の面を、表面、裏面、両面のいずれかを選択することができる。また、Ｓ３１４において良否判定部１５７で判定した試料(基板)１の良否判定結果を判定結果表示部５０５に表示する。
【００４９】
本実施例によれば、従来見逃していた不連続な欠陥により形成されたサークルスクラッチを、見逃すことなく、又、他の種類の欠陥と誤判断することなく検出できるようになった。
【００５０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。すなわち、上記実施例で説明した構成（ステップ）の一部をそれと等価な機能を有するステップ又は手段で置き換えたものも、または、実質的でない機能の一部を省略したものも本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００５１】
１・・・試料    １００・・・照明手段    １１０・・・低角度検出光学系    １３０・・・高角度検出光学系    １４０・・・Ａ/Ｄ変換部    １５０・・・処理部    １６０・・・入出力手段    １７０・・・全体制御部    １８０・・・ステージ手段    １０００・・・ディスク表面欠陥検査装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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