(57)【要約】【課題】量子細線の幅が極めて狭く、しかも均一性が良く、高い量子効率が得られる量子細線構造の作製方法を提供する。【解決手段】半導体基板１上に複数のストライプ状の複数のマスク２を並列に間隔をおいて形成し、マスク２の間に露出する半導体基板をドライエッチングして断面Ｖ字状の溝を形成し、その後に、大気に曝すことなく、断面Ｖ字状の溝３に半導体材料を供給し、当該半導体材料からなる細線構造を断面Ｖ字状の溝３の最底部に形成する工程を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上での量子細線構造の作成方法であって、
複数のストライプ状のマスクが並列に形成された半導体形成面を有する半導体基板において、
上記マスクの間に露出する上記半導体形成面のドライエッチングを行って、断面がＶ字の溝を形成する第一の工程と、
上記第一の工程で形成された上記Ｖ字の溝に半導体材料を供給し、当該半導体材料からなる細線構造を上記Ｖ字状の溝の最底部に形成する第二の工程と、
を有し、
上記第二の工程は、上記第一の工程を行った後、大気に晒すことなく行う、
量子細線構造の作製方法。
【請求項２】
上記Ｖ字の溝の両側の一対の斜面は、上記溝の上記最底部で交わる、
請求項１に記載の量子細線構造の作製方法。
【請求項３】
上記第一の工程と上記第二の工程は、共に同一の半導体製造装置の反応室内で行う、請求項１または請求項２に記載の量子細線構造の作製方法。
【請求項４】
上記半導体製造装置は、ＭＯＣＶＤ装置、ＭＢＥ装置、ＨＶＰＥ装置のいずれかであり、上記ドライエッチングのためにハロゲン系のエッチングガスが供給される前記反応室を有する装置である、
請求項３に記載の量子細線構造の作製方法。
【請求項５】
上記溝は、劈開面に対して垂直、平行のいずれかの方向に延在している、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の量子細線構造の作製方法。
【請求項６】
上記半導体基板の上記半導体形成面の面方位は（１００）であり、上記Ｖ字の溝の一対の斜面のうちの一方の斜面の面方位と他方の斜面の面方位はそれぞれ（１１１）に相当する面であり、上記最底部は［０１１］方向に延びる線状部である、
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の量子細線構造の作製方法。
【請求項７】
上記半導体基板はＩｎＰ基板であり、上記マスクは誘電体により形成されている、
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の量子細線構造の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、量子細線構造の作製方法に関し、特に、細線の精度の高い量子細線を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
量子細線構造を形成する方法として、例えば以下の方法が知られている。
一つ目の方法は、図８（ａ）〜（ｃ）に示したように、ストライプ状のマスクが互いに並列に形成された上面を有する基板の上に量子細線構造を形成する方法である。
【０００３】
この方法では、まず、図８（ａ）の斜視図に示すように、半導体基板５１、例えばＧａＡｓ基板の（１００）面の上に、[０１１]方向に延在して互いに平行となるように複数のストライプ状のマスク５２を間隔をおいて形成する。その後に、結晶成長装置内で、半導体材料を半導体基板５１の上に供給することにより、並列に配置されたマスク５２の間の領域に第１の半導体を結晶成長させる。
【０００４】
これにより、複数のマスク５２の間には、斜面を両側に有する断面逆Ｖ字状の半導体成長層５３が形成され、さらに結晶成長が進行すると、図８（ｂ）の斜視図に示すように、互いに並列する逆Ｖ字状の半導体成長層５３がマスク５２の上にまで広がって形成される。その頂部は[０１１]方向と一致する向きの線状に形成される。
【０００５】
この状態で、断面逆Ｖ字状の半導体成長層５３の表面に、別の半導体材料を供給し、図８（ｃ）の斜視図に示すように、断面逆Ｖ字状の半導体成長層５３の表面に第１の半導体層５４を薄く形成する。この場合、第１の半導体層５４の裾の部分がマスク５２上で繋がって断面逆Ｖ字になり、そのＶ字状の尖った部分の底部が［０１１］方位を向く線状の細い谷部となる。このため、第１の半導体層５４の上にさらに薄く第２の半導体層５５を形成すると、接続部分の底部はナノメートルオーダーの微細部分となり、当該部分は量子細線となる。この後に、異なる組成の第１、第２の半導体層５４、５５を繰り返して順に形成することにより、図８（ｄ）の断面図に示すような多重の量子細線井戸構造５６を形成することができる。
【０００６】
二つ目の方法は、図９（ａ）〜（ｄ）に示したように、半導体基板をストライプ状にエッチングしてＶ溝を形成し、その底部に量子細線を形成する方法である。
【０００７】
この方法では、まず、図９（ａ）に示すように、半導体基板６１、例えばＩｎＰ基板の（１００）面の上に［０１１］方向に延在するストライプ状のマスク６２を間隔をおいて複数本形成する。続いて、図９（ｂ）に示すように、マスク６２の間から露出している半導体基板６１をウェットエッチングする。このウェットエッチングには、アルカリ性のエッチング液、例えば、ＫＯＨ溶液を用いる。この場合、並列に配置されたストライプ状のマスク６２のストライプの伸びる方向は［０１１］であり、（１００）面上に形成されているので、エッチングによって［０１１］方向の線状の底部を有する断面Ｖ字の溝６３が形成される。この後に、図９（ｃ）に示すように、マスク６２を除去する。
【０００８】
そのような溝６３を形成した状態で、結晶成長装置を使用して半導体基板６１の上と溝６３の中に異なる半導体材料を切り換えて供給する。これにより、図９（ｄ）に示すようにＶ字状の溝６３内面と半導体基板６１の上面には第１、第２の半導体層６４、６５が交互に形成される。この場合、第１、第２の半導体層６４、６５は、溝６３の内面に沿って形成されるので、それらの断面形状はＶ字状となり、それらの底は、［０１１］方向と一
致した略線状に形成される。このため、第１、第２の半導体層６４、６５の線状の底部には、ナノメートルオーダーの量子細線６６が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平０５−１９０４５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述した一つ目の方法では、断面逆Ｖ字の半導体成長層５３を形成する際に、結晶成長しにくい（３１１）面がその斜面に出やすいので、断面逆Ｖ字状の半導体成長層５３の相互間に形成されるＶ字状の溝の上で第１、第２の半導体層５４、５５が全体にわたって均一に作製することができないという問題がある。
【００１１】
しかも、互いに並列に形成される逆Ｖ字の半導体成長層５３の裾部がマスク５２上で互いに接続すると、その後に形成される第１、第２の半導体層５４、５５のＶ字状の最底部の量子細線がマスク５２を介して半導体基板５１の上に形成されることになる。このため、そのような結晶成長後に、半導体基板５１上に所定の半導体素子を作製しようとすると、絶縁性のマスク５２が電極形成の際に邪魔になったり、さらには、絶縁性のマスク５２により半導体素子の素子抵抗が増大したりする恐れがある。
【００１２】
二つ目の方法では、Ｖ字の溝６３をウェットエッチングで形成するので、溝６３の縁部や側面部において、エッチング部分にばらつきが生じ易いという問題がある。さらに、エッチングされる溝６３の深さの制御性が悪いという問題がある。このため、Ｖ字状の溝６３の両側の斜面に、材料の異なる複数の半導体層６４，６５を交互に形成する場合に、それらの半導体層６４、６５の膜質の均一性が悪く、量子効率が出にくいという問題がある。
【００１３】
また、Ｖ字の溝６３をウェットエッチングで形成した場合、Ｖ字の溝６３内に半導体層を形成する前には、半導体成長装置内でサーマルクリーニングの処理を行う。この処理の際に、溝６３内ではマストランスポートが生じ、溝６３の両側の斜面により形成される角度が鈍角化することもある。この場合には、Ｖ字の溝６３内に半導体材料を供給して量子細線となる半導体層を形成すれば、鈍角をなす溝６３の底部の幅が広がっているので、極めて幅の狭い量子細線の形成に支障が生じ、しかも均一な量子細線が形成できないことがある。
【００１４】
本発明が解決しようとする課題は、量子細線の幅が極めて狭く、しかも均一性が良く、高い量子効率が得られる量子細線構造の作製方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の１つの観点によれば、半導体基板上に量子細線構造の作成方法であって、  複数のストライプ状のマスクが並列に形成された半導体形成面を有する半導体基板において、上記マスクの間に露出する上記半導体形成面のドライエッチングを行って、断面がＶ字の溝を形成する第一の工程と、上記第一の工程で形成された上記Ｖ字の溝に半導体材料を供給し、当該半導体材料からなる細線構造を上記Ｖ字状の溝の最底部に形成する第二の工程と、を有し、上記第二の工程は、上記第一の工程を行った後、大気に晒すことなく行うことを特徴とする量子細線構造の作製方法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、Ｖ状の溝の最底部に形成される量子細線構では、ナノメートルオーダ
ーの幅の均一性と結晶性が良く、高い量子効率が得られる量子細線が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る量子細線構造の作製方法に使用する基板とマスクを示す斜視図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る量子細線構造の作製方法を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る量子細線構造の作製方法を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係る量子細線構造の作製方法を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係る量子細線構造の作製方法を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態に係る量子細線構造の作製方法に使用する成膜装置の一例示す構成図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態に係る量子細線構造の一例を有する光半導体装置を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｄ）は、第１の従来技術に係る量子細線構造の作製方法を示す斜視図及び断面図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｄ）は、第２の従来技術に係る量子細線構造の作製方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る量子細線構造の形成に使用される基板及びマスクを示す斜視図、図２〜図５は、本発明の一実施形態に係る量子細線構造の形成工程を示す断面図である。
【００１９】
まず、図１に示すように、化合物半導体基板としてＩｎＰ基板１を使用し、その主面である（１００）面の上に間隔をおいて［０１１］方向に延在する複数のストライプ状のマスク２を形成する。並列に配置される複数のストライプ状のマスク２は、それぞれ例えば約１００ｎｍの幅を有し、例えば約１００ｎｍの間隔をおいて形成される。
【００２０】
マスク２は、厚さが例えば約５０ｎｍの窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法によりＩｎＰ基板１上に形成した後に、フォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて窒化シリコン膜をパターニングすることにより形成される。なお、マスク２は、酸化シリコン膜、その他の誘電体膜から形成してもよい。
【００２１】
次に、マスク２で覆われたＩｎＰ基板１を図６に例示するＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）装置２０のチャンバ（反応室）２１内のステージ２１ａ上に載置する。
【００２２】
ＭＯＣＶＤ装置２０では、チャンバ２１の上部に取り付けられたガス混合室２２と、ガス混合室２２の下部に取り付けられるシャワーヘッド２３などをさらに有している。ガス混合室２２には、エッチングガス源２４に接続される第１のガス供給管２５と、気化器２６のガス搬出口に繋がる第２のガス供給管２７と、複数の原料ガス源２８ａ、２８ｂに接続される第３、第４のガス供給管２９ａ、２９ｂが接続されている。気化器２６のガス搬入口には原料搬送用ガス管３０が接続され、さらに、原料搬送用ガス管３０には、ガス管３１ａ、３１ｂを介して複数の原料容器３２ａ、３２ｂが接続されている。また、気化器２６のガス搬入口には、第１キャリアガス供給管３３が接続されている。第１、第３及び
第４のガス供給管２５、２９ａ、２９ｂ、複数のガス管３１ａ、３１ｂ及び第１キャリアガス供給管３３のそれぞれの途中には、ガス流量を制御するためのマスフローコントローラ３４ａ〜３４ｆが接続されている。また、複数の原料容器３２ａ、３２ｂには、それらの中で発生したガスをガス管３１ａ、３１ｂに搬出するためのキャリアガスを供給する第２キャリアガス供給管３５が接続されている。さらに、チャンバ２１の下部には排気ポンプ３６が接続されている。
【００２３】
このようなＭＯＣＶＤ装置２０において、チャンバ２１内を排気ポンプ３６により減圧した状態で、まず、第１のガス供給管２５、マスフローコントローラ３４ｅ、ガス混合室２２及びシャワーヘッド２３を通してエッチングガス源２４からハロゲン系ガス、例えば四臭化炭素（ＣＢｒ４）をチャンバ２１内に供給する。そして、ステージ２１ａ上のＩｎＰ基板１のうち複数のマスク２の間の領域に臭素イオンを供給してエッチングする。ハロゲン系ガスとしては、その他に塩酸（ＨＣｌ）、塩化炭素（ＣＣｌ４）、塩化テルビウム（ＴｂＣｌ）等がある。
【００２４】
これにより、図２に示す断面図のように、ＩｎＰ基板１におけるマスク２の間の領域でＢｒイオンとＩｎ、Ｐが反応して反応生成物が昇華する。これによりエッチングの面方位の選択性により、ＩｎＰ基板１には、両側に（１１１）面の斜面を有する断面Ｖ字状の溝３が形成される。この場合、Ｖ字状の溝３において、（１１１）面の斜面が交わる最底部は［０１１］方向に伸びる直線状に形成され。その直線部分では、原子レベルで規則正しい原子配列が得られる。また、Ｖ字状の溝３の２つの斜面のなす角度は鋭角、例えば７０°程度になる。
【００２５】
また、Ｖ字状の溝３は、エッチングを進めることによりマスク２の下にまで広げることが可能になり、その幅の拡大によりＶ字状の溝３の深さも増すことになる。しかも、ドライエッチングによれば、ウェットエッチングに比べて溝３内にエッチング生成物が滞留しにくいので、Ｖ字状の溝３の形状はムラがなく長さ方向に均一となる。
【００２６】
これに対し、ウェットエッチングによれば、図９（ｂ）に示すＶ字状の溝６３の底で液が滞留したりするのでエッチングに不均一が生じ、形状の安定性が乏しい。また、ウェットエッチングによれば、エッチング液の供給の停止から水洗処理までの間にもエッチングが進むので、溝６３の形状の制御性が良くない。
【００２７】
これに対し、上記のようなドライエッチングによれば、エッチングガスの停止によって溝３の形成を短時間で停止させることができるので、Ｖ字状の溝３の深さの制御性が良く、底部のＶの角度を鋭角にすることができる。
【００２８】
このようにＩｎＰ基板１のうちのマスク２の間に断面Ｖ字状の溝３を形成し、さらにエッチングガス供給停止により溝３の形成を終えた後に、チャンバ１１内のエッチングガスをキャリアガス、例えば水素ガスのような不活性ガスによりパージする。キャリアガスは、例えば第１キャリアガス供給管３３を通して供給してもよい。
【００２９】
続いて、断面Ｖ字状の溝３が形成されたＩｎＰ基板１をチャンバ２１から大気に搬出せず、その場（Ｉｎ−Ｓｉｔｕ）にＩｎＰ基板１を置いた状態で、原料容器２２ａ、２２ｂのそれぞれの中に収容されたIII属の有機金属液体原料であるトリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）をキャリアガスによりガス管３０、３１ａ、３１ｂを通して気化器２６内に送る。さらに、気化器２６では有機系原料ガスを適温でさらに気化し、第１キャリアガス供給管３３から送られたキャリアガスとともにガス混合室２２に搬送する。同時に、第３、第４のガス供給管２９ａ、２９ｂを通して原料ガス源２８ａ、２８ｂからＶ族原料であるアルシン（ＡｓＨ３）とホスフィン（ＰＨ３）をガス混合室
２２に送る。これにより混合されたＴＭＩ、ＴＭＧ、ＡｓＨ３、ＰＨ３の混合ガスがシャワーヘッド２３を通してＩｎＰ基板１に供給される。
【００３０】
これにより、ＩｎＰ基板１のうちマスク２の間に形成されたＶ字状の溝３の内面には、図３に示すように、その両側の斜面で厚さ１０ｎｍ程度のＩｎＧａＡｓＰ層４が形成される。その断面は溝３の形状を反映して断面Ｖ字状になる。この場合、マスク２は誘電体膜から形成されているので、その上にはＩｎＧａＡｓＰ層は形成されない。
【００３１】
続いて、ガス混合室２２内に供給する反応ガスをＴＭＩ、ＴＭＧ及びＡｓＨ３に変え、ＩｎＰ基板１のうちマスク２の間にこれらのガスを供給し、図４に示すように、Ｖ字状の溝３内に形成されたＩｎＧａＡｓＰ層４の上にＩｎＧａＡｓ層５を形成する。ＩｎＧａＡｓ層５は、溝３の両側の斜面の上で約５ｎｍの厚さとなるように形成され、その断面はＩｎＧａＡｓＰ層４の形状を反映して断面Ｖ字状になる。その後にガス種を戻して、ＩｎＧａＡｓ層５の上にさらにＩｎＧａＡｓＰ層６を形成する。その後に、キャリアガスとして使用する不活性ガスによりチャンバ２１内の反応ガスをパージする。
【００３２】
これにより、Ｖ字状の溝３の尖った底部の上では、ＩｎＧａＡｓＰ層４、６を量子細線バリア層、ＩｎＧａＡｓ層５を量子細線井戸層とした［０１１］方向に伸びる量子細線構造７が形成される。
【００３３】
その後に、図５に示すように、ＩｎＰ基板１上のマスク２を除去する。マスク２の除去方法として、ＭＯＣＶＤ装置２０のチャンバ２１内にフッ素系エッチングガス、例えばＣＦ４を含むエッチングガスを供給する方法を採用してもよいし、ＩｎＰ基板１をチャンバ２１から大気中に取り出した後に熱リン酸等のウェットエッチングにより除去してもよい。
【００３４】
上記のような実施形態によれば、断面がＶ字状の溝３の最底部の線状部分での原子配列は半導体の原子レベルで規則正しくなっており、また、溝３の先端部分が鋭角となっている。これにより、Ｖ字状の溝３の最も底部に形成される細線構造も、半導体の原子レベルで規則正しい原子配列の半導体の上に形成されることになる。したがって、形成される量子細線の構造はナノメートルオーダーで均一性が良い。かかる量子細線はサイズの精度が高いので、非常に高い量子効率が得られる。
【００３５】
また、上記のようにＩｎＧａＡｓＰ層４、６、ＩｎＧａＡｓ層５のような半導体からなる細線構造は、ドライエッチングが完了した後、大気に晒すことなく形成されている。このため、量子細線構造７が形成されるＶ字状の溝３の一対の斜面が酸化されたり、汚染されたりすることがない。さらに、Ｖ字状の溝３の一対の斜面の面方位もＩｎＰ基板１の［０１１］方向と一致している場合には、原子レベルで平坦な一対の斜面の清浄性を維持させたまま、量子細線構造７を形成することができる。これにより形成される量子細線構造７のナノメートルオーダーでの均一性を一層上げることができ、高い量子効率を有する量子細線が得られる。
【００３６】
さらに、半導体からなる量子細線構造７は、ドライエッチングが完了した後、大気に晒すことなく形成されるので、Ｖ字状の溝３の一対の斜面上の汚染や酸化物を除去するためのサーマルクリーニングを行う必要が無い。そのため、Ｖ字状の溝３の先端部分が鈍角化することはなく、量子細線構造を形成する場合に、Ｖ字状の溝３の最底部への材料供給に支障が生じることはないので、均一な半導体層の形成ができる。
【００３７】
なお、Ｖ字状の溝３を形成する際、及び、形成されたＶ字状の溝３の底部に量子細線構造７を形成する際は、ともに、ストライプ状のマスク２は、ＩｎＰ基板１の上に形成され
たままとなっている。そして、量子細線構造７を形成する際は、ストライプ状のマスクの表面には、半導体層が形成されない。そのため、量子細線構造７を形成した後、ＩｎＰ基板１をＭＯＣＶＤ装置２０から搬出してマスク２をエッチングしたり、ＭＯＣＶＤ装置２０内でマスク２をエッチングしたりもできる。このため、量子細線構造７が形成されたＩｎＰ基板１のプロセスを行って、半導体素子を作製する際に、マスク２がプロセスを行う上で支障をきたすことが無い。また同様の理由で、従来の技術の問題のように、電極形成の際に悪影響が生じたり、絶縁体のマスクによる半導体素子の素子抵抗が増大したりする恐れもない。
【００３８】
ところで、上記したＶ字状の溝３は、ＩｎＰ基板１の上に形成されるクラッド層などの化合物半導体層に形成してもよい。例えば、ＩｎＰ基板１を使用して半導体レーザを形成する場合には、図７に示すように、ｎ型のＩｎＰ基板１の上に形成されたｎ型ＩｎＰクラッド層１１の上部に形成してもよい。この半導体レーザでは、上記の方法によりｎ型ＩｎＰクラッド層１１の（１００）面に上記のマスク２を形成し、さらにＶ字状の溝３を［０１−１］（−１は、１バーを示している）方向に間隔をおいて複数形成する。これにより、Ｖ字状の溝３の線上の最底部は、上記と同様に、［０１１］方向に延在する。そして、それらのＶ字状の溝３の上に、上記の方法によりｉ−ＩｎＧａＡｓ井戸層５をｉ―ＩｎＧａＡｓＰバリア層４、６で挟んだ構造を多重に有する多重量子細線井戸構造１２が活性層として形成される。
【００３９】
この場合、ｎ型ＩｎＰクラッド層１１にＶ字状の溝３を形成し、さらに多重量子井戸層１２を形成するまでの工程は、図６に示したようなＭＯＣＶＤ装置２０のチャンバ２１内で大気に曝さずに連続して形成される。なお、マスク２は、多重量子細線井戸構造１２を形成した後に上記のような方法により除去される。
【００４０】
多重量子細線井戸層１２の上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層１３、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層１４が形成されている。さらに、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層１４の上にはｐ側電極１５として例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜が形成され、さらに、ｎ−ＩｎＰ基板１の下面の全体には、ｎ型電極１６として例えばＡｕＧｅ／Ａｕ膜が形成されている。
【００４１】
ところで、化合物半導体基板の主面が（１００）以外の面方位の場合であって、その主面にＶ字状の溝を形成する場合には、ストライプ状のマスクの長手方向は、基板の劈開面に対して平行な方向又は垂直な方向を選択する。これにより、Ｖ字状の溝の両斜面には結晶成長に適した面が現れ易くなる。なお、上記の半導体基板はＩｎＰ基板に限られるものではない。
【００４２】
上記の実施形態ではＶ字状溝の形成と結晶成長をＭＯＣＶＤ装置２０のチャンバ２１内でＩｎ−Ｓｉｔｕプロセスで行ったが、それらの処理はＭＯＣＶＤ装置に限られるものではなく、例えばＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）装置、ＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy）装置を使用して上記のＩｎ−Ｓｉｔｕプロセスを行ってもよい。
【００４３】
また、断面Ｖ字状溝の形成と結晶成長は同じチャンバ内でＩｎ−Ｓｉｔｕプロセスで形成することに限られるものではなく、Ｖ字状の溝の形成とその後の結晶成長の間で大気に曝さずに真空中に基板を置くようにすれば、装置構造は特に限定されるものではない。例えば、ドライエッチング室と結晶成長室を別に配置し、それらの間の領域を真空ロードロック等の機構で連結した装置を使用してもよい。この場合、基板はロボットにより移動される。
【００４４】
ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解することを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例
および条件に限定することなく解釈されるものであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解される。
【符号の説明】
【００４５】
１  ＩｎＰ基板
２  マスク
３  溝
４、６  ＩｎＧａＡｓＰ層
５  ＩｎＧａＡｓ層
７  量子細線構造
１１  ｎ型ＩｎＰクラッド層
１２  多重量子細線井戸構造
１３  ｐ型ＩｎＰクラッド層
１４  ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層
１５  ｐ側電極
１６  ｎ側電極
【図１】
2013236007.tif 000003
【図２】
2013236007.tif 000004
【図３】
2013236007.tif 000005
【図４】
2013236007.tif 000006
【図５】
2013236007.tif 000007
【図６】
2013236007.tif 000008
【図７】
2013236007.tif 000009
【図８】
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【図９】
2013236007.tif 000011