(57)【要約】【課題】ＥＵＶ露光装置の静電チャック吸着時に平坦度の低下を抑制することのできる反射型マスクブランクを提供することにある。【解決手段】ＥＵＶ光を反射するＥＵＶ反射層１３と、ＥＵＶ反射層１３の上に形成されたＥＵＶ吸収層１４と、ＥＵＶ反射層１３を介してＥＵＶ吸収層１４を支持する基板１２とを備えた反射型マスクブランクは、ＥＵＶ反射層１３と反対側の基板１２の裏面に第１導電膜１０を有しているとともに、第１導電膜１０と電気的に導通しない第２導電膜１１を基板１２の各側面に有している。そして、第１導電膜１０は静電チャックの裏面側静電吸着と静電吸着し、第２導電膜１１は静電チャックの側面側静電吸着と静電吸着する。【選択図】  図１
2013074134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光を反射するＥＵＶ反射層と、該ＥＵＶ反射層の上に形成されたＥＵＶ吸収層と、前記ＥＵＶ反射層を介して前記ＥＵＶ吸収層を支持する基板とを備えた反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ反射層と反対側の前記基板の裏面に第１導電膜が形成されているとともに、該第１導電膜と電気的に導通しない第２導電膜が前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項２】
前記第２導電膜が前記ＥＵＶ反射層と前記基板との界面より低い位置で且つ前記基板と前記第１導電膜との界面より高い位置で前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記第１導電膜が前記基板の一辺の長さよりも小さい幅で前記基板の裏面に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記基板の４つの角部と前記第２導電膜との間に導電膜非形成領域が０．５ｍｍ以上の幅で形成されるように前記第２導電膜が前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記第２導電膜が複数の領域に分割されて前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の反射型マスクブランクから作製されたことを特徴とする反射型マスク。
【請求項７】
請求項６に記載の反射型マスクを該反射型マスクのＥＵＶ反射層表面を下向きして吸着保持する静電チャックであって、前記第１導電膜を介して前記基板の裏面を静電吸着する裏面側静電吸着面と、前記第２導電膜を介して前記基板の側面を静電吸着する４つの側面側静電吸着面とを備えたことを特徴とする静電チャック。
【請求項８】
請求項７に記載の静電チャックを備えたことを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶ（極端紫外線）光を使用したリソグラフィに用いられる反射型マスクブランクと反射型マスクに関する。また、本発明は上記反射型マスクを吸着保持する静電チャックと露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造技術において、半導体デバイスの高速化と大容量化は、微細化技術の進展によるところが大きい。微細化技術の中でも、特に、パターンを形成するリソグラフィ技術の進歩が、その中心的役割を果たしている。近時、半導体デバイスの高集積化がさらに求められ、１００ｎｍ以下のデザインルールの下では、従来のＫｒＦエキシマレーザやＡｒＦエキシマレーザによるリソグラフィ技術による対応は困難である。そこで、このようなデザインルールに対応できるリソグラフィ技術として、従来の光リソグラフィと像形成原理が同じであり、波長が１桁以上短い極限紫外光（ＥＵＶ；Ｅｘｔｒｅｍｅ  ＵＶ）を用いたＥＵＶリソグラフィ技術が提案されている。このようなＥＵＶリソグラフィ技術において、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶ光を反射型マスクに下側から当てて反射させることができるように、反射型マスクを固定することが検討されている。
【０００３】
ＥＵＶ露光は、反射型マスクの反射パターン面を下向きにして静電チャックで裏面を吸着した状態で用いられるが、反射型マスクの自重による撓みによって、反射型マスクの平面度を高く維持することができない。さらに静電チャックの自重による撓みによっても反射型マスクの平坦度が低下するおそれがある。反射型マスクの平坦度劣化は、ＥＵＶ露光時のＥＵＶ光が斜入射という性質上、露光時のパターンずれにつながり、大きな問題となる。そこで、静電チャックに反射型マスクを吸着した時に平坦度を維持するように、予め静電チャックを凹形状に加工しておく方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１９１５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この方法では、静電チャックを加工途中で実際に反射型マスクを吸着させて、その平坦度を測定し、所望の平坦度が得られるまで加工を繰り返し続けるため、手間とコストがかかる。さらに、反射型マスク毎に静電チャックを加工する必要が生じるうえに、静電チャックの形状だけで平坦度を制御することは難しい。このような問題を避けるべく、露光時のマスク平坦度を制御することが重要となる。
【０００６】
本発明は上述した問題点に着目してなされたものであり、その第１の目的はＥＵＶ露光装置の静電チャック吸着時に平坦度の低下を抑制することのできる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供することにある。また、本発明の第２の目的はＥＵＶ露光時に反射型マスクの平坦度が低下することを抑制することのできる静電チャックを提供することにある。また、本発明の第３の目的は反射型マスクを用いてＥＵＶ露光を精度よく行うことのできる露光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様は、ＥＵＶ光を反射するＥＵＶ反射層と、該ＥＵＶ反射層の上に形成されたＥＵＶ吸収層と、前記ＥＵＶ反射層を介して前記ＥＵＶ吸収層を支持する基板とを備えた反射型マスクブランクであって、前記ＥＵＶ反射層と反対側の前記基板の裏面に第１導電膜が形成されているとともに、該第１導電膜と電気的に導通しない第２導電膜が前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の態様は、前記第２導電膜が前記ＥＵＶ反射層と前記基板との界面より低い位置で且つ前記基板と前記第１導電膜との界面より高い位置で前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする。
本発明の第３の態様は、前記第１導電膜が前記基板の一辺の長さよりも小さい幅で前記基板の裏面に形成されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の第４の態様は、前記基板の４つの角部と前記第２導電膜との間に導電膜非形成領域が０．５ｍｍ以上の幅で形成されるように前記第２導電膜が前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする。
本発明の第５の態様は、前記第２導電膜が複数の領域に分割されて前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする。
本発明の第６の態様は、第１〜第５の態様のいずれかの反射型マスクブランクから作製された反射型マスクである。
【００１０】
本発明の第７の態様は、第６の態様の反射型マスクを該反射型マスクのＥＵＶ反射層表面を下向きして吸着保持する静電チャックであって、前記第１導電膜を介して前記基板の裏面を静電吸着する裏面側静電吸着面と、前記第２導電膜を介して前記基板の側面を静電吸着する４つの側面側静電吸着面とを備えたことを特徴とする。
本発明の第８の態様は、第７の態様の静電チャックを備えた露光装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、静電チャックの形状を事前に加工する手間やコストがなくなるうえに、露光時の基板平坦度を高精度に制御することができる。従来の静電チャックは、基板裏面側だけで平坦度を制御していたが、基板側面からも吸着することによって基板外周を引っ張る力が作用し、従来の静電チャック構造よりも、高精度な平坦度の制御ができるため、露光精度を高める効果を奏する。加えて、実際に露光する際の吸着状態で基板平坦度を制御するため、基板だけの平坦度改善よりも効果が高い。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る反射型マスクブランクの側面を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る反射型マスクブランクの側面と下面を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る反射型マスクブランクの上面と側面を示す図である。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る反射型マスクブランクの上面と側面を示す図である。
【図５】本発明に係る静電チャックの一実施形態を示す平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ断面を示す図である。
【図７】図５のＢ−Ｂ断面を示す図である。
【図８】図５の静電チャックにより反射型マスクブランクの基板を吸着保持して作製された反射型マスクと静電チャックを示す図である。
【図９】本発明に係る静電チャックの他の実施形態を示す断面図である。
【図１０】図９の静電チャックにより反射型マスクブランクの基板を吸着保持して作製された反射型マスクと静電チャックを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
まず、本発明に係る反射型マスクブランクについて図１〜図４を参照して説明する。
図１〜図４に示されるように、本発明の反射型マスクブランクは、波長が１３．５ｎｍ±５ｎｍのＥＵＶ光を反射するＥＵＶ反射層１３と、ＥＵＶ反射層１３の上に形成されたＥＵＶ吸収層１４と、ＥＵＶ反射層１３を介してＥＵＶ吸収層１４を支持する基板１２とを具備している。そして、ＥＵＶ反射層１３と反対側の基板１２の裏面には第１導電膜１０が形成され、基板１２の各側面には第２導電膜１１が形成されている。
【００１４】
本発明の反射型マスクブランクに用いられる基板１２としては、低熱膨張係数（具体的には、２０℃における熱膨張係数が０±０．１×１０-7／℃であることが好ましく、より好ましくは０±０．０５×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．０３×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。具体的には、低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されない。例えば、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラス、シリコンや金属などからなるものを基板として用いることもできる。基板１２は、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下、好ましくは０．１２ｎｍ以下の平滑な表面と、１００ｎｍ以下、好ましくは８０ｎｍ以下の平坦度を有していることが、パターン形成後の反射型マスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために望ましい。基板１２の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。
【００１５】
ＥＵＶ反射層１３は、反射型マスクブランクの反射層として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、ＥＵＶ反射層１３に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率の膜であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ±５ｎｍの光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
【００１６】
上記の特性を満たすＥＵＶ反射層１３としては、Ｓｉ膜とＭｏ膜とを交互に４０〜５０ペア積層させたＳｉ／Ｍｏ多層膜がある。ＭｏやＳｉが使われている理由は、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＭｏとＳｉのＥＵＶ光での屈折率差が大きいために、ＭｏとＳｉの界面での反射率を高く出来るためである。
スパッタリング等の方法によりＥＵＶ反射層１３の上に形成されるＥＵＶ吸収層１４の材料としては、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔａを主成分とする材料、Ｃｒ、Ｃｒを主成分としＮ、Ｏ、Ｃから選ばれる少なくとも１つの成分を含有する材料等が用いられる。他の材料として、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）、タンタルシリコン（ＴａＳｉ）、タンタル（Ｔａ）や、それらの酸化物（ＴａＢＯＮ、ＴａＳｉＯ、ＴａＯ）でも良い。
【００１７】
なお、図示を省略したが、ＥＵＶ反射層１３の酸化防止やマスク洗浄時の保護のために、ＳｉやＲｕをスパッタリング等の方法により成膜してなるキャッピング層がＥＵＶ反射層１３とＥＵＶ吸収層１４との間に形成されていてもよい。
また、ＥＵＶ吸収層１４をドライエッチングする場合のエッチングストッパー層としての役割を担う中間層（図示せず）をＥＵＶ反射層１３とＥＵＶ吸収層１４との間に形成してもよい。中間層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔａおよびこれらの窒化物、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3等が挙げられる。中間層の厚さとしては１０〜６０ｎｍであることが好ましい。
【００１８】
第１導電膜１０および第２導電膜１１は基板１２を静電チャックによりチャックして保持するためのものであり、導電膜１０，１１の材料としては、導電性を示すＣｒ、ＣｒＮ等の厚み８０〜１５０ｎｍ程度の範囲の金属または金属化合物薄膜を挙げることができる。
導電膜１０，１１は、導電性の高い導電膜や電界印加によって誘電分極を生じる誘電体膜であることが好ましい。具体的には、体積抵抗率が１００Ω・ｃｍ以下の膜であることが好ましい。導電膜１０，１１のシート抵抗は、ＥＵＶ反射層１３の絶縁破壊が生じないようにする点で、１００Ω/□(ohm/square)以下であることが好ましい。
【００１９】
本発明の反射型マスクブランクから作製された反射型マスクを吸着する静電チャックの静電チャック層は、上記導電膜のシート抵抗値を満たすものであれば特に限定されないが、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、ＳｉおよびＷからなる群から選ばれる１種以上の金属材料であることが好ましく、特にＣｒであることが以下の理由から好ましい。
上記金属材料のチャック層中の含有率は、原子百分率で１０〜７０ａｔ％（atomic percent）であることがチャック層能力の点で好ましい。Ｃｒは、電気伝導率が高いため、導電膜１０，１１のシート抵抗を１００Ω/□(ohm/square)以下にするのに好都合である。また、Ｃｒで構成された導電膜は、基板１２との密着性に優れている。
【００２０】
導電膜１０，１１の表面硬度は高いことが好ましい。基板１２を静電チャックでチャックする際に、静電チャックと導電膜１０，１１との擦れによってパーティクルが発生することを防止するためである。
導電膜１０，１１の膜厚は、１０〜５００ｎｍであることが好ましい。導電膜１０，１１の膜厚が１０ｎｍ未満であると、導電膜に固定した際に吸着効果が不足するおそれがある。
【００２１】
基板１２の側面に形成される第２導電膜１１は、所望の領域にのみ形成されるように、導電膜１１を形成しない箇所は遮蔽板で覆い、スパッタリングで成膜する。
仮に、基板１２の側面に形成した導電膜１１が、ＥＵＶ反射層１３などと導通している場合、基板１２の裏面に形成された第１導電膜１０に帯電した電荷がＥＵＶ反射層側にも流れ、ＥＵＶ反射層１３、中間層やＥＵＶ吸収層１４といった膜が成膜される基板表面が帯電することになる。
【００２２】
基板表面が帯電する場合には、次のような問題が発生する。
スパッタリング法で成膜するチャンバー内のパーティクルは、通常プラスまたはマイナスに帯電しているため、上記のとおり基板表面が帯電していると、一部のパーティクルがマイナス（またはプラス）に荷電した基板上にひきつけられることとなり、結果的に膜中の欠点数が多くなる可能性がある。また、ＥＵＶ反射層が多層膜である場合、ＥＵＶ反射層における第１層目を形成した後でも導通は生じる可能性があるため、第１層目を形成した直後に電荷を帯びる結果、他の多層膜を構成するすべての膜の成膜中において、パーティクルがひきつけられ、結果的に反射層中に広い範囲で欠点を生じさせる可能性がある。
【００２３】
さらには、反射型マスクブランク上のレジスト膜に電子線やレーザ光を用いて微細回路パターンを描画する工程、および反射型マスクブランク上の吸収層をプラズマエッチングによりパターニングする工程、パターンが形成された反射型マスクを用いてＳｉウエハ上のレジスト膜にパターンを縮小転写する露光の工程などの各工程においては、反射型マスクブランクおよび反射型マスクは静電チャックによりチャックして保持されるが、上述の理由により、基板表面に形成されたＥＵＶ反射層１３やＥＵＶ吸収層１４等も帯電が生じ、形成されたパターンに絶縁破壊などのダメージが生じる可能性がある。
【００２４】
以上から、基板１２の側面に形成される第２導電膜１１は、反射型マスクブランクの膜面とは導通が無いように形成する。
導通が無い状態とは、反射型マスクブランクの場合、ＥＵＶ反射層１３と第１導電膜１０との間の抵抗値が１ＭΩ以上であることを意味し、特に５ＭΩ以上、１０ＭΩ以上、さらには測定不可能な程度まで抵抗値が高いことが好ましい。
【００２５】
図１〜図４に示す反射型マスクブランクでは、いずれの場合も基板裏面側の第１導電膜１０と基板側面側の第２導電膜１１とは導通が無い位置関係で形成される。これにより、各静電チャックの電極は、異なる電圧出力を行い、基板１２の裏面と側面で吸着力を変えることができる。また、第２導電膜１１は、ＥＵＶ反射層１３よりも低い高さ位置で形成して、ＥＵＶ反射層１３とも導通が無いものとする。
【００２６】
図１に示す反射型マスクブランクでは、第２導電膜１１がＥＵＶ反射層１３と基板１２との界面より低い位置で且つ基板１２と第１導電膜１０との界面より高い位置で基板１２の各側面に形成されていることで、各第２導電膜１１はＥＵＶ反射層１３や第１導電膜１０と電気的に絶縁されている。この場合、基板１２の各側面に形成される第２導電膜１１は互いに導通していてもよく、第２導電膜同士で導通がある場合には、基板側面を吸着させる４つの静電チャックは、同じ電圧出力で制御されることになり、基板外周の４辺には同じ吸着力が作用する。
【００２７】
図２に示す反射型マスクブランクでは、第１導電膜１０と第２導電膜１１との電気的導通を避けるため、第１導電膜１０が基板１２の一辺の長さよりも小さい幅で基板１２の裏面に形成されている。このとき、基板１２と第１導電膜１０との界面と同じ高さ位置に第２導電膜１１を形成しても、第１導電膜１０は基板外形よりも小さいため、導通を避けることができる。
【００２８】
図３に示す反射型マスクブランクでは、第２導電膜同士の電気的導通を避けるため、基板１２の４つの角部と第２導電膜１１との間に導電膜非形成領域が０．５ｍｍ以上の幅で形成されるように、第２導電膜１１が基板１２の各側面に形成されている。さらに、４辺の静電チャックの電極に接続する電源を別々に備えることで、各電圧を独立に制御できるため、反射型マスクブランクの平坦度や歪みに対して高精度に制御することができる。
【００２９】
図４は、第２導電膜１１が複数の領域に分割されて基板１２の各側面に形成された反射型マスクブランクを示している。図４に示す反射型マスクブランクでは、基板側面の第２導電膜１１が形成されていない箇所に、基板搬送やプロセス処理の保持チャックのピンが接触するように配置することができ、これにより、保持チャックのピンとの擦れによるパーティクルの発生を防止することができる。
【００３０】
次に、本発明に係る静電チャックについて図５〜図１０を参照して説明する。
静電チャックとしては、（１）基板１２との間で発生するクーロン力によって基板１２を吸着保持するもの、（２）基板１２との接触界面で生じるジョンソン・ラーベック力によって基板１２を吸着保持するもの、（３）基板表面に不均一電解を発生させて、基板１２との間で生じるグラディエント力よって基板１２を吸着保持するものが挙げられる。
【００３１】
導電膜を有する反射型マスクブランクの場合、静電チャックの吸着作用は、クーロン力とジョンソン・ラーベック力によるものである。クーロン力は誘電体層を形成する材質の誘電率に依存し、ジョンソン・ラーベック力は誘電体層を形成する材質の体積固有抵抗値に依存する。具体的には、誘電体層の体積固有抵抗値が１０15Ω・ｃｍより大きい時の吸着力はクーロン力により支配され、誘電体層の体積固有抵抗値が低下するにしたがってジョンソン・ラーベック力が発現し、誘電体層の体積固有抵抗値が１０12Ω・ｃｍ未満となると吸着力はクーロン力に比べて大きな吸着力が得られるジョンソン・ラーベック力により支配されることが知られている。ただし、誘電体層の体積固有抵抗値が１０8Ω・ｃｍ未満となると、漏れ電流量が多くなり、吸着面に保持した基板に悪影響を与えることから、誘電体層を１０8〜１０12Ω・ｃｍの体積固有抵抗値を有する材料により形成する。
【００３２】
このように、静電気力は誘電体層の固有抵抗値によるもので、中抵抗の場合にはクーロン力とジョンソン・ラーベック力の両方が作用する。ここでいうクーロン力とは、電極と導電性を有する被吸着体間に電位差を与え、誘電体の厚み方向にほぼ均一な電界を形成することによる吸着力であり、静電チャックの誘電体の抵抗を下げることによって発生するジョンソン・ラーベック力を含む。
【００３３】
一方で、反射型マスクブランクが導電膜を有していない場合は、被吸着体が電気絶縁性の場合と同じであり、主にグラディエント力によって吸着する静電チャックを用いる。グラディエント力でガラス基板を吸着保持するには、電極を細密化してグラディエント力を向上させる必要がある。具体的には、電極の間隔を狭く、電極から被吸着物までの距離を短くする。
【００３４】
静電チャックに内蔵する電極の構成は、単極型と双極型の２つがある。
単極型はプラズマプロセスであるエッチング、ＣＶＤ、ＰＶＤ、アッシング工程の装置で用いられており、また、双極型は吸着動作させるのにプラズマの有無を問わないため、上記工程のほか、イオン注入や荷電粒子や光の露光工程においても多く使用されている。
一般に単極型の場合、被吸着物の絶縁崩壊を避けるため、アースを取る必要がある。一方、双極型の場合、基板裏面や側面導電膜にアースを取る必要がなくなる。
【００３５】
また、電極の構成によっては、静電チャックの表面に不均一電界を発生させるグラディエント力によって、基板を吸着させても良い。具体的には、正負の対となる電極を、パターン間隔を数ミリ以下のファインパターンに形成し、誘電体層の表面近傍に電極を形成することによって被吸着物にグラディエント力が作用する。
静電チャックの吸着面を構成する材質には、アルミナ、炭化ケイ素、窒化アルミニウムなどの焼結セラミック、あるいはアルミナやアルミナに酸化チタンを混ぜたセラミックコーティングなどの無機材料から、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂などの有機材料まで様々な材質が使われている。そして、この吸着面を構成する材料は、静電チャックにおける誘電体としても作用するため、その抵抗値や誘電率などの電気特性が静電チャックの性能に大きく影響する。
【００３６】
基板裏面側の電極としては、双極型の電極が用いられる。例えば、図５に示す静電チャックでは、基板１２の裏面（第１導電膜１０が形成された面）を静電吸着するための裏面側静電吸着面２５が中央に配置され、この裏面側静電吸着面２５にプラス側の電極２２とマイナス側の電極２３が平行なパターンで櫛歯状に入り組んだ配置で形成されている。２つの電極２２、２３は同じ面積比で且つ裏面側静電吸着面２５に対して占める電極の面積比を６０〜９０％以上にして裏面側静電吸着面２５に形成されている。また、電極２２，２３はそれぞれプラス側の電源（＋Ｖ２ボルト）、マイナスの電源（−Ｖ２ボルト）に接続され、裏面側静電吸着面２５がベースとなるステージ２０に支持される。
【００３７】
また、図５に示す静電チャックでは、基板１２の側面を吸着する静電吸着するための側面側静電吸着面２４、３０、４０、５０の電極は、図６及び図７に示すように、単極型の電極２１が用いられる。側面側静電吸着面２４、３０、４０、５０に形成された各電極２１は、基板表面側の絶縁崩壊を避けるため、静電チャックと反対側の電極側からアース線を取る。そして、図８に示すように、反射型マスク１００が吸着した状態では、基板表面側の端近傍からアース線を取る。
【００３８】
図５に示すように、静電チャックの側面側静電吸着面２４、３０、４０、５０に形成された各電極２１をそれぞれ電源Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６に接続し、それぞれ異なる電圧を各電極２１に印加することで、基板１２の４辺で吸着力を変化させることができる。このとき、図３に示したように、基板１２の４つの角部と第２導電膜１１との間に導電膜非形成領域が０．５ｍｍ以上の幅で形成されるように、第２導電膜１１を基板１２の各側面に形成しておくことで、基板１２の各側面間で導電膜同士の電気的導通が発生しないので好ましい。
【００３９】
側面側静電吸着面２４、３０、４０、５０の各電極２１をプラス側又はマイナス側の電源に接続することで、第２導電膜１１は電極側とは逆の電荷を帯びることになり、これにより、側面側静電吸着面２４、３０、４０、５０の各電極２１と基板側面の第２導電膜１１との間で吸引力が発生する。
【００４０】
図９に示す静電チャックのように、基板１２の側面を吸着する側面側静電吸着面２４、３０、４０、５０の各電極２１を双極型にしてもよく、電極２１を双極型にすることによりアースを取る必要がなくなる。この場合、図１０に示すように、基板側面の第２導電膜１１とほぼ同じ面積となるように、２つの電極２１を側面側静電吸着面２４、３０、４０、５０に形成することで、基板側面に対する静電チャックの吸着力を高めることができる。また、側面側静電吸着面２４、３０、４０、５０に２つの電極２１を０．５ｍｍ以上離して形成することで、放電破壊を避けることができる。
【００４１】
一般的に双極型は、単極型よりも吸着力が小さいため、単極型の場合に比べて印加電圧を上げる必要がある。また、電極を櫛歯型の密な平行パターンで配置し、電極間の幅を狭くし、基板裏面の導電膜と電極間の距離を短くすることで、静電チャックの表面に不均一電界が発生してグラディエント力による静電吸着力が作用する。
なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。
【実施例１】
【００４２】
以下、実施例により本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。
（反射型マスクブランクスの作製）
反射型マスクブランクの基板として、外形６インチ角、厚さが６．３ｍｍである低膨張のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系のガラス基板を用いた。次に、ガラス基板の表面を表面粗さが０．２ｎｍＲｍｓ以下、平坦度が３０ｎｍになるまで機械研磨した後、ガラス基板の表面上にＥＵＶ反射層、エッチングストッパー層およびＥＵＶ吸収層をスパッタリングにより順次形成した。この過程で凸形状の平坦度が強調されていき、最終的に平坦度が５０nmで反射膜面が凸形状となった反射型マスクブランクを得た。
【００４３】
（反射型マスクの作製）
次に反射型マスクブランクスを用いて、所望のパターンを持つ反射型マスクを以下の方法により作製した。
まず、上記反射型マスクブランク上にＥＢレジストを塗布、乾燥し、ＥＢ描画、ＰＥＢ工程、現像工程を行い、レジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとして、ＥＵＶ吸収層を塩素を用いてドライエッチングし、ＥＵＶ吸収パターンを形成した。その後、ＥＵＶ吸収パターン上に残存するレジストパターンを除去し、下地のＣｒＮ膜より構成される中間層は、ＥＵＶ吸収パターンをマスクとして、塩素と酸素の混合ガスを用いたエッチングで除去し、反射型マスクを作製した。
【００４４】
次に、反射型マスクを用いてＥＵＶ露光を行うため、図８に示すように、反射型マスク１００の反射膜面を下向きにして、反射型マスク１００を図６に示した静電チャックで吸着保持した。そして、この状態でＥＵＶ露光を行った。このとき、静電チャックに吸着保持された反射型マスク１００の反射膜面にアースを取り、反射膜面の帯電を防止した。
このようなＥＵＶ露光では、静電チャックと基板自重による歪みが反射型マスク１００に加わるため、露光時の平坦度の制御が重要となる。反射型マスクの平坦度劣化は、ＥＵＶ露光時のＥＵＶ光斜入射という性質上、露光時のパターンずれにつながり、大きな問題となるため、実際に反射型マスクを露光装置のステージに静電チャックした状態で、平坦度を低減することが重要である。
【００４５】
反射型マスク１００に対し、露光装置内のステージ２０に設けられた裏面側静電吸着面２５により吸着保持した状態で、反射型マスク表面側の平坦度を測定した。この時、反射型マスクは１００nmの凸面の平坦度を有していた。なお、側面側静電吸着面２４、３０、４０、５０は電圧を印加せずに、基板側面に接触しない位置で退避させた。
次に、側面側静電吸着面２４、３０、４０、５０を吸着可能な位置まで移動させた後、測定した平坦度に基づき、平坦度が所望の値となるように裏面側静電吸着面２５と側面側静電吸着面２４、３０、４０、５０の印加電圧を個別に制御した。その結果、平坦度が３０nmと改善し、所望の平坦度を得た。
【００４６】
すなわち、ＥＵＶ露光装置内の静電チャックで基板裏面側のみを吸着保持した状態でマスク基板の平坦度測定を行い、その測定結果から、さらに平坦度が適切になるように、基板側面の分割された静電チャックを個別に制御して、平坦度の歪みを露光に適した数値に調整することができる。反射パターン形成による表面平坦度の劣化や静電チャック時の表面平坦度劣化を抑制することができ、ＥＵＶ露光などの露光精度の向上に寄与することが可能となる。
なお、基板裏面を吸着した後に、基板側面側の各電極に電圧印加する場合、基板側面の各電極は同時に電圧を印加する必要はなく、印加開始時間をずらして吸着保持して平坦度の歪みを調整しても良い。
【符号の説明】
【００４７】
１０…第１導電膜、１１…第２導電膜、１２…基板、１３…ＥＵＶ反射層、１４…ＥＵＶ吸収層、２０…ステージ、２１、２２、２３…電極、２５…裏面側静電吸着面、２４、３０、４０、５０…側面側静電吸着面、１００…反射型マスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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