(57)【要約】【課題】条件が穏和で、操作が簡便で、反応収率及び反応効率が良好で、応用効果がよいイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法を提供すること。【解決手段】溶媒中、水素ガス雰囲気中において、イリジウムキラル触媒の存在下にて、一般式（１）で表される３−アルケニレン置換インドロンを水素添加して、一般式（２）で表されるＣ３位モノ置換キラルインドロンとする。式中、Ｒ1は、水素原子、フッ素原子又はメチル基を表し、Ｒ2は、置換基を有するか若しくは有さないアリール基、又は置換基を有するか若しくは有さない炭素数１〜８のアルキル基を表す。Ｌ*はキラル配位子を表し、ＣＯＤはシクロオクタジエンを表し、Ｘはアニオンを表す。2013035837.tif 000008【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒中、水素ガス雰囲気中において、イリジウムキラル触媒の存在下で、一般式（１）で表される３−アルケニレン置換インドロンを水素添加して、一般式（２）で表されるＣ３位モノ置換キラルインドロンとし
【化１】
2013035837.tif 000005
［一般式（１）及び（２）において、Ｒ1は、水素原子、フッ素原子又はメチル基を表し、Ｒ2は、置換基を有するか若しくは有さないアリール基、又は置換基を有するか若しくは有さない炭素数１〜８のアルキル基を表す。］、
前記イリジウムキラル触媒が、イリジウム、シクロオクタジエン及びキラル配位子からなる配位化合物とアニオンとからなるイオン化合物である、イリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。
【請求項２】
前記イリジウムキラル触媒中のキラル配位子が、下記のＬ１〜Ｌ９から選択されるいずれか１種の配位子であり、配位子Ｌ１〜Ｌ９の構造式が下記の通りである、請求項１に記載のイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。
【化２】
2013035837.tif 000006
【請求項３】
前記イリジウムキラル触媒中のアニオンが、塩素イオン、ヘキサフルオロホスフェート及びテトラキス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートのうちのいずれか１種である、請求項１又は２に記載のイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。
【請求項４】
前記一般式（１）で表される３−アルケニレン置換インドロンが前記溶媒に溶解させ、かつ、該溶媒が、非極性溶媒、極性溶媒又はプロトン性溶媒である、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。
【請求項５】
前記溶媒が、トルエン、トリフルオロトルエン、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン又はメタノールである、請求項４に記載のイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。
【請求項６】
一般式（１）及び（２）において、Ｒ2が、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、１−ナフチル基から選択されるいずれか１種を表す、請求項１ないし５のいずれか一項に記載のイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。
【請求項７】
前記水素ガス雰囲気の水素ガスの圧力が１０〜５０ｂａｒである、請求項１ないし６のいずれか一項に記載のイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加方法。
【請求項８】
前記イリジウムキラル触媒と前記一般式（１）で表される３−アルケニレン置換インドロンとのモル比が、イリジウムキラル触媒：一般式（１）で表される３−アルケニレン置換インドロン＝１：２０〜１０００である、請求項１ないし７のいずれか一項に記載のイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。
【請求項９】
反応温度が−１０℃〜４０℃であり、反応時間が１〜７２時間である、請求項１ないし８のいずれか一項に記載のイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。
【請求項１０】
溶媒中、水素ガス雰囲気中において、イリジウムキラル触媒の存在下で、一般式（１）で表される３−アルケニレン置換インドロンを水素添加して、一般式（２）で表されるＣ３位モノ置換キラルインドロンを製造する方法であって、
【化３】
2013035837.tif 000007
［一般式（１）及び（２）において、Ｒ1は、水素原子、フッ素原子又はメチル基を表し、Ｒ2は、置換基を有するか若しくは有さないアリール基、又は置換基を有するか若しくは有さない炭素数１〜８のアルキル基を表す。］、
前記イリジウムキラル触媒が、イリジウム、シクロオクタジエン及びキラル配位子からなる配位化合物とアニオンとからなるイオン化合物である、Ｃ３位モノ置換キラルインドロンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ケミカルテクノロジー分野の方法、具体的には、イリジウム触媒で３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インドール及びその類似体は、各種のインドールアルカロイドの骨格と官能基の多様性、及び高度な生物活性と独特な薬理活性を有するため、これに惹かれて代々の化学者が長年にわたってその構造修飾及び全合成に対して研究し続けている。多くのインドール誘導体の中で、Ｃ３位にキラル炭素中心を有するインドロン系構造は多くの生物活性化合物及び天然産物を合成する重要な構造単位である。例えば、薬剤耐性を有する腫瘍を治療する有効な薬剤であるN-MethylwelwitindolinoneC Isptjopcuamateなどである。
【０００３】
従来技術文献の検索によれば、Ｃ３位モノ置換インドロンのキラル合成に関する報告は少ないことが分かる。Dennis P. Curranらは非特許文献１に「Transfer of Chirality in Radical Cyclizations. Cyclization of o-Haloacrylanilides to Oxindoles with Transfer of Axial Chirality to a Newly Formed Stereocenter」（ラジカル環化におけるキラリティーの転移  新たに生成した立体中心への軸性キラリティーの転移を伴ったオキシインドールへのｏ−ハロアクリルアニリドの環化）を発表した。この非特許文献１において、軸不斉が環化反応によって転移されてＣ３位モノ置換キラルインドロン系物質を得ることが初めて報告された。しかし、今迄、Ｃ３位モノ置換キラルインドロン系化合物の不斉合成に関する例は少なく、特に不斉接触水素添加によって該類化合物を得ることは報告されていなかった。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】「Journal of the American Chemical Society」（米国化学会誌）１９９９年第１２１巻１１０１２−１１０１３ページ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、従来技術に存在する上記欠点に対して、イリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法を提供することにある。該方法は、初めて不斉接触水素添加の方法によりＣ３位モノ置換キラルインドロン系化合物を効率的に製造し、操作が簡単で、収率が高く、及び対応選択性が良好などの長所を有している。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の技術方案により実現される。
本発明のイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法は、溶媒中、水素ガス雰囲気中において、イリジウムキラル触媒の存在下にて、一般式（１）で表される３−アルケニレン置換インドロンを水素添加して、一般式（２）で表されるＣ３位モノ置換キラルインドロンとし
【０００７】
【化１】
2013035837.tif 000002
【０００８】
［一般式（１）及び（２）において、Ｒ1は、水素原子、フッ素原子又はメチル基を表し、Ｒ2は、置換基を有するか若しくは有さないアリール基、又は置換基を有するか若しくは有さない炭素数１〜８のアルキル基を表す。］、
【０００９】
イリジウムキラル触媒が、イリジウム（Ｉ）、シクロオクタジエン（ＣＯＤと略称）及びキラル配位子からなる配位化合物とアニオンとからなるイオン化合物であるということで特徴付けられる。
【００１０】
また本発明は、溶媒中、水素ガス雰囲気中において、イリジウムキラル触媒の存在下で、上記一般式（１）で表される３−アルケニレン置換インドロンを水素添加して、上記一般式（２）で表されるＣ３位モノ置換キラルインドロンを製造する方法を提供するものである。イリジウムキラル触媒は、イリジウム（Ｉ）、ＣＯＤ及びキラル配位子からなる配位化合物とアニオンとからなるイオン化合物である。
【００１１】
本発明において、イリジウムキラル触媒中のキラル配位子は、下記のＬ１〜Ｌ９から選択されるいずれか１種の配位子であり、配位子Ｌ１〜Ｌ９の構造式は下記の通りである。
【００１２】
【化２】
2013035837.tif 000003
【００１３】
本発明において、イリジウムキラル触媒中のアニオンは、塩素イオン、ヘキサフルオロホスフェート及びテトラキス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレート（ＢＡｒFと略称）のうちの１種である。
【００１４】
本発明において、好ましくは、一般式（１）で表される３−アルケニレン置換インドロンを非極性溶媒、極性溶媒又はプロトン性溶媒である溶媒に溶解させる。該溶媒として、より好ましくは、トルエン、トリフルオロトルエン、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン又はメタノールである。
【００１５】
本発明において、好ましくは、一般式（１）及び（２）において、Ｒ2は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、１−ナフチル基から選択されるいずれか１種を表す。
【００１６】
本発明において、好ましくは、水素ガス雰囲気の水素ガス圧力は１０〜５０ｂａｒである。
【００１７】
本発明において、好ましくは、イリジウムキラル触媒と一般式（１）で表される３−アルケニレン置換インドロンとのモル比は１：２０〜１０００である。
【００１８】
本発明において、好ましくは、反応温度は−１０℃〜４０℃であり、反応時間は１〜７２時間である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、一般式（１）で表される３−アルケニレン置換インドロンをベースとし、イリジウムキラル触媒により不斉接触水素添加して、一般式（２）で表されるＣ３位モノ置換キラルインドロンが得られる。本発明の方法は、反応条件が穏和で操作が簡便であり、かつ良好な反応収率及び反応効率が達成可能で、良好な応用効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明のイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法は、下記反応式で表すことができる。
【００２１】
【化３】
2013035837.tif 000004
【００２２】
上記反応式において、一般式（１）は、３−アルケニレン置換インドロンを表す。一般式（２）は、Ｃ３位モノ置換キラルインドロンを表す。一般式（１）及び（２）において、Ｒ1は、水素原子、フッ素原子又はメチル基のいずれか１種を表し、かつ、Ｒ1のインドロンにおける置換位置は４位、５位、６位又は７位であり、好ましくは、５位である。Ｒ2は、置換基を有するか若しくは有さないアリール基、又は置換基をするか若しくは有さない炭素数１〜８のアルキル基を表す。ここで、アリール基の置換基としては、水素、メチル基、メトキシ基又はトリフルオロメチル基が挙げられる。炭素数１〜８のアルキル基の置換基としては、水素、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基又はシクロヘキシル基が挙げられる。
【００２３】
一般式（１）及び（２）において、好ましくは、Ｒ1は、水素原子、フッ素原子又はメチル基を表し、Ｒ2は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、シクロヘキシル基、Ｃ6Ｈ5−、４−ＣＨ3Ｃ6Ｈ4−、３−ＣＨ3Ｃ6Ｈ4−、２−ＣＨ3Ｃ6Ｈ4−、４−ＣＨ3ＯＣ6Ｈ4−、４−ＣＦ3Ｃ6Ｈ4−、１−Ｎａｐｈｔｈｙｌ−のうちのいずれか１種を表す。
【００２４】
上記反応式において、Ｌ*は、キラル配位子を表し、Ｌ１〜Ｌ９から選択されるいずれか１種の配位子である。Ｘは、塩素イオン、ヘキサフルオロホスフェート又はテトラキス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレート（ＢＡｒFと略称）を表す。Ｌ*・Ｉｒ（ＣＯＤ）・Ｘは、イリジウムキラル触媒を表す。即ち、イリジウム、シクロオクタジエン及びキラル配位子からなる配位化合物とアニオンとからなるイオン化合物を表す。また、「ｓｏｌｖｅｎｔ」は溶媒を表す。該溶媒は、非極性溶媒、極性溶媒又はプロトン性溶媒である。該溶媒は、より好ましくは、トルエン、トリフルオロトルエン、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン又はメタノールである。
【００２５】
反応系において、一般式（１）で表される３−アルケニレン置換インドロンを溶媒に溶解させ、反応後に一般式（２）で表されるＣ３位モノ置換キラルインドロンに転化する。また、「Ｈ2」は水素雰囲気を表す。
【００２６】
また、本発明の方法では磁気撹拌が採用される。撹拌速度は、反応系の物質量に応じて適当に選択すればよく、特に限定されない。
【００２７】
本発明のイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法では、反応収率及び反応効率の観点から考慮すれば、水素ガス雰囲気の水素ガスの圧力は好ましくは１０〜５０ｂａｒであり、より好ましくは１５〜４５ｂａｒ、さらに好ましくは１５〜４０ｂａｒ、特に好ましくは１５〜２５ｂａｒである。
【００２８】
本発明のイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法では、反応収率及び反応効率の観点から考慮すれば、イリジウムキラル触媒と一般式（１）で表される３−アルケニレン置換インドロンとのモル比は好ましくは１：２０〜１０００であり、好ましくは１：５０〜４００、より好ましくは１：５０〜３００、さらに好ましくは１：５０〜２００、特に好ましくは１：１００〜２００である。
【００２９】
本発明のイリジウムキラル触媒によって３−アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法では、反応収率及び反応効率の観点から考慮すれば、反応温度は好ましくは−１０℃〜４０℃であり、更に好ましい反応温度は０℃〜３０℃、より好ましい反応温度は１０℃〜３０℃、より一層好ましい反応温度は１５℃〜２５℃である。反応時間は好ましくは１〜７２時間であり、更に好ましい反応時間は５〜６０時間、より好ましい反応時間は５〜４８時間、より一層好ましい反応時間は５〜３６時間、特に好ましい反応時間は１０〜２４時間である。
【実施例】
【００３０】
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。本実施例は本発明の技術方案を前提として実施され、詳細な実施形態と具体的な操作過程が示されているが、本発明の保護範囲は下記の実施例に限定されるものではない。
【００３１】
以下の実施例においては、Ｒ1及びＲ2置換基の違いによって、一般式（１）で表される種々の異なる３−アルケニレン置換インドロンを１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、１ｇ、１ｈ、１ｉ、１ｊ、１ｋ、１ｌ、１ｍで表し、かつ、一般式（２）で表される種々の異なるＣ３位モノ置換キラルインドロンを２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ、２ｉ、２ｊ、２ｋ、２ｌ、２ｍで表す。
【００３２】
また、言うまでもないが、本発明の方法により１ａを不斉水素添加して２ａを生成し、１ｂを不斉水素添加して２ｂを生成し、１ｃを不斉水素添加して２ｃを生成し、１ｄを不斉水素添加して２ｄを生成し、１ｅを不斉水素添加して２ｅを生成し、１ｆを不斉水素添加して２ｆを生成し、１ｇを不斉水素添加して２ｇを生成し、１ｈを不斉水素添加して２ｈを生成し、１ｉを不斉水素添加して２ｉを生成し、１ｊを不斉水素添加して２ｊを生成し、１ｋを不斉水素添加して２ｋを生成し、１ｌを不斉水素添加して２ｌを生成し、１ｍを不斉水素添加して２ｍを生成する。
【００３３】
また、以下の実施例において、前述したように、Ｌ*・Ｉｒ（ＣＯＤ）・Ｘはイリジウムキラル触媒を表し、例えば、Ｌ１・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒFは、イリジウム、シクロオクタジエン、キラル配位子Ｌ１及びテトラキス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートからなるキラル触媒を表す。
【００３４】
〔実施例１〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ１・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（１９．２ｍｇ、０．０１２５ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を１５ｂａｒに保持し、０℃で５時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は９３％、エナンチオマー過剰率は１０％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００３５】
〔実施例２〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は８７％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００３６】
〔実施例３〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ３・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（０．４１ｍｇ、０．０００２５ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を５０ｂａｒに保持し、４０℃で７２時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜き、収率は１５％、エナンチオマー過剰率は６７％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００３７】
〔実施例４〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ４・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（８．２ｍｇ、０．００５０ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２５ｂａｒに保持し、３０℃で１時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は９５％、エナンチオマー過剰率は７６％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００３８】
〔実施例５〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ５・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（２．２ｍｇ、０．００１２５ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を１０ｂａｒに保持し、−１０℃で３６時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜き、収率は１２％、エナンチオマー過剰率は１１％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００３９】
〔実施例６〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ６・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（０．８６ｍｇ、０．０００５０ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を４０ｂａｒに保持し、１０℃で４８時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１０％、エナンチオマー過剰率は３％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００４０】
〔実施例７〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ７・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（２．７ｍｇ、０．００１７ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を３０ｂａｒに保持し、１５℃で１２時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は８４％、エナンチオマー過剰率は２８％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００４１】
〔実施例８〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ８・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．２ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を３５ｂａｒに保持し、５℃で６０時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は９１％、エナンチオマー過剰率は５０％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００４２】
〔実施例９〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ９・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（１．５ｍｇ、０．０００８３ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を４５ｂａｒに保持し、２５℃で１０時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は２５％、エナンチオマー過剰率は３３％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００４３】
〔実施例１０〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＰＦ6）（２．２ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１５％、エナンチオマー過剰率は４７％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００４４】
〔実施例１１〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・Ｃｌ）（２．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２５℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は９％、エナンチオマー過剰率は０．４％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００４５】
〔実施例１２〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で１時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１０％、エナンチオマー過剰率は８２％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００４６】
〔実施例１３〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＰｈＣＨ3（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２３℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は８６％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００４７】
〔実施例１４〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＰｈＣＦ3（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２２℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は８５％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００４８】
〔実施例１５〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＭｅＯＨ（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２１℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は９％、エナンチオマー過剰率は２％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００４９】
〔実施例１６〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥Ｅｔ2Ｏ（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、１９℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は２２％、エナンチオマー過剰率は１％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００５０】
〔実施例１７〕
２ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ａ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＣＦ3−Ｃ6Ｈ4）（９４．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＴＨＦ（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、１６℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は８％、エナンチオマー過剰率は４％であった。２ａ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ，５Ｈ）、７．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ）、６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．８９〜６．９１（ｍ，２Ｈ）、６．５６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｄｄ，Ｊ＝７．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．４９（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．３０（ｄｄ，Ｊ＝１３．７，７．９Ｈｚ，１Ｈ）。
【００５１】
〔実施例１８〕
２ｂ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝Ｐｈ）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ｂ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝Ｐｈ）（７７．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は７２％であった。２ｂ：1Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．２４〜７．０７（ｍ，９Ｈ）、７．０１〜６．８８（ｍ，４Ｈ）、６．５５（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ）、５．０４（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．６４（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８６（ｄｄ，Ｊ＝８．１，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．５１（ｄｄ，Ｊ＝１３．５，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．１４（ｄｄ，Ｊ＝１３．５，８．１Ｈｚ，１Ｈ）。
【００５２】
〔実施例１９〕
２ｃ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＭｅＯ−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ｃ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−ＭｅＯ−Ｃ6Ｈ4）（８５．４ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は８０％であった。２ｃ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．１６〜７．２１（ｍ，４Ｈ）、７．０９（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）、６．９９〜７．０４（ｍ，３Ｈ）、６．９５（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）、６．８７〜６．８９（ｍ，１Ｈ）、６．７３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、６．５３（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）、５．０６（ｄ，Ｊ＝１６．４Ｈｚ，１Ｈ）、４．５９（ｄ，Ｊ＝１６．４Ｈｚ，１Ｈ）、３．８１（ｄｄ，Ｊ＝７．７，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．７７（ｓ，３Ｈ）、３．４３（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，４．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．１３（ｄｄ，Ｊ＝１３．８，７．７Ｈｚ，１Ｈ）。
【００５３】
〔実施例２０〕
２ｄ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−Ｍｅ−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ｄ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝４−Ｍｅ−Ｃ6Ｈ4）（８１．４ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は７２％であった。２ｄ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ６．９２〜７．３７（ｍ，１０Ｈ）、６．８３（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）、６．７２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）、６．５３（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１Ｈ）、５．０７（ｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，１Ｈ）、５．０３（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８２（ｄｄ，Ｊ＝８．３，４．２Ｈｚ，１Ｈ）、３．４５（ｄｄ，Ｊ＝１３．９，４．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．０１（ｄｄ，Ｊ＝１３．９，７．６Ｈｚ，１Ｈ）、２．３２（ｓ，３Ｈ）。
【００５４】
〔実施例２１〕
２ｅ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝２−Ｍｅ−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ｅ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝２−Ｍｅ−Ｃ6Ｈ4）（８１．４ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１１％、エナンチオマー過剰率は２７％であった。２ｅ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．１０〜７．３２（ｍ，１０Ｈ）、６．８６（ｔｄ，Ｊ＝７．４，１．０Ｈｚ，１Ｈ）、６．６８（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）、５．００（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、４．８５（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、３．８１（ｄｄ，Ｊ＝１０．０，４．４Ｈｚ，１Ｈ）、３．５７（ｄｄ，Ｊ＝１４．０，４．４Ｈｚ，１Ｈ）、２．９２（ｄｄ，Ｊ＝１４．０，１０．０Ｈｚ，１Ｈ）、２．３３（ｓ，３Ｈ）。
【００５５】
〔実施例２２〕
２ｆ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝３−Ｍｅ−Ｃ6Ｈ4）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ｆ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝３−Ｍｅ−Ｃ6Ｈ4）（８１．４ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は８２％であった。２ｆ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．１９〜７．２２（ｍ，３Ｈ）、７．０７〜７．１２（ｍ，２Ｈ）、７．０３（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）、６．９０〜６．９７（ｍ，６Ｈ）、６．５５（ｄ，Ｊ＝７．８，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．６４（ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．８４（ｄｄ，Ｊ＝８．４，４．２Ｈｚ，１Ｈ）、３．４８（ｄｄ，Ｊ＝１３．４，４．２Ｈｚ，１Ｈ）、３．０７（ｄｄ，Ｊ＝１３．４，８．４Ｈｚ，１Ｈ）、２．２５（ｓ，３Ｈ）。
【００５６】
〔実施例２３〕
２ｇ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝１−Ｎａｐｈｔｈｙｌ）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ｇ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝１−Ｎａｐｈｔｈｙｌ）（９０．４ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は５６％であった。２ｇ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ８．３２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ）、７．９２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）、７．８４（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）、７．５２〜７．６１（ｍ，２Ｈ）、７．４２（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）、７．２５〜７．３３（ｍ，６Ｈ）、７．１１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）、６．８１（ｔｄ，Ｊ＝７．６，０．８Ｈｚ，１Ｈ）、６．７１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）、６．５１（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）、５．０１（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、４．９０（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、４．１９（ｄｄ，Ｊ＝１４．３，３．９Ｈｚ，１Ｈ）、３．９８（ｄｄ，Ｊ＝１０．６，３．９Ｈｚ，１Ｈ）、３．１２（ｄｄ，Ｊ＝１４．３，１０．６Ｈｚ，１Ｈ）。
【００５７】
〔実施例２４〕
２ｈ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ｈ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）（７９．４ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は８６％であった。２ｈ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．２２〜７．３２（ｍ，６Ｈ）、７．１５（ｔ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）、７．００（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１Ｈ）、６．７２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）、４．９７（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、４．８４（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、３．５８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１Ｈ）、１．８７〜１．９４（ｍ，１Ｈ）、１．１４〜１．８１（ｍ，１２Ｈ）。
【００５８】
〔実施例２５〕
２ｉ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝ｉＰｒ）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ｉ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝ｉＰｒ）（６９．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は８２％であった。２ｉ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．２５〜７．３４（ｍ，６Ｈ）、７．１５〜７．１９（ｍ，１Ｈ）、７．０１（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）、６．７４（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）、４．９６（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、４．８８（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、３．５７（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，１Ｈ）、２．０５〜２．１２（ｍ，１Ｈ）、１．８８〜１．９５（ｍ，１Ｈ）、１．６７〜１．７４（ｍ，１Ｈ）、１．０２（ｄｄ，Ｊ＝１７．６，６．８Ｈｚ，６Ｈ）。
【００５９】
〔実施例２６〕
２ｊ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝Ｅｔ）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ｊ（Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝Ｅｔ）（６５．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は９１％であった。２ｊ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．２４〜７．３２（ｍ，６Ｈ）、７．１５（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）、７．０１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）、６．７０（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）、４．９７（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、４．８５（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、３．５４（ｔ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，１Ｈ）、１．９０〜２．０６（ｍ，２Ｈ）、１．３３〜１．５１（ｍ，２Ｈ）、０．９４（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，３Ｈ）。
【００６０】
〔実施例２７〕
２ｋ（Ｒ1＝５−Ｍｅ、Ｒ2＝Ｅｔ）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ｋ（Ｒ1＝５−Ｍｅ、Ｒ2＝Ｅｔ）（６９．３ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は８８％であった。２ｋ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．２３〜７．３１（ｍ，５Ｈ）、７．０７（ｓ，１Ｈ）、６．９４（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）、６．５８（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）、４．９５（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、４．８３（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、３．５０（ｔ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，１Ｈ）、２．３０（ｓ，３Ｈ）、１．９２〜２．０４（ｍ，２Ｈ）、１．３２〜１．４９（ｍ，２Ｈ）、０．９４（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ）。
【００６１】
〔実施例２８〕
２ｌ（Ｒ1＝５−Ｍｅ、Ｒ2＝Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ｌ（Ｒ1＝５−Ｍｅ、Ｒ2＝Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）（８２．９ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は８４％であった。２ｌ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．２３〜７．３２（ｍ，５Ｈ）、６．９４（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）、６．７１（ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，１Ｈ）、６．５７（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．９２（ｓ，２Ｈ）、３．８３〜３．９３（ｍ，１Ｈ）、２．３０（ｓ，３Ｈ）、１．２０〜１．８６（ｍ，１３Ｈ）。
【００６２】
〔実施例２９〕
２ｍ（Ｒ1＝５−Ｆ、Ｒ2＝Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）の製造
室温条件下で、イリジウムキラル触媒（Ｌ２・Ｉｒ（ＣＯＤ）・ＢＡｒF）（４．０ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）と１ｍ（Ｒ1＝５−Ｆ、Ｒ2＝Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）（８３．８ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）とを乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）に溶かし、高圧釜に入れた。高圧釜を閉じ、水素で３回置換し、最終圧力を２０ｂａｒに保持し、２０℃で２４時間反応させた。その後、高圧釜からガスをゆっくりと抜いた。収率は１００％、エナンチオマー過剰率は６７％であった。２ｍ：1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ７．２４〜７．３３（ｍ，５Ｈ）、６．９５〜６．９８（ｍ，１Ｈ）、６．８４（ｄｔ，Ｊ＝８．７，２．４Ｈｚ，１Ｈ）、６．６０（ｄｄ，Ｊ＝８．７，４．６Ｈｚ，１Ｈ）、４．９５（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、４．８２（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ）、３．５８（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ）、１．８８〜１．９５（ｍ，１Ｈ）、１．６２〜１．７８（ｍ，７Ｈ）、１．１５〜１．２８（ｍ，３Ｈ）、０．９３〜１．０４（ｍ，２Ｈ）。