(57)【要約】【課題】溝形成時の圧電基板の削り屑の付着による特性の劣化や、ＩＤＴ電極の損傷が生じ難い、ＩＤＴ電極の電極指間に溝が形成されている弾性波装置の製造方法を得る。【解決手段】ＬｉＴａＯ３基板２などからなる圧電基板の上面２ａに溝２ｂが形成されるべき第１の領域以外の第２の領域を覆うように第１のレジストパターン４を形成し、第１の領域に溝２ｂを形成し、第１のレジストパターン４を除去するとともに、削り屑２ｃを除去して、溝２ｂが形成されているＬｉＴａＯ３基板２を得、溝２ｂを形成した後にＩＤＴ電極５Ｂを形成する、弾性波装置の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上にＩＤＴ電極が形成されており、ＩＤＴ電極の電極指間において圧電基板に溝が形成されている弾性波装置の製造方法であって、
圧電基板の上面に溝が形成されるべき第１の領域以外の第２の領域を覆うように第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１の領域に溝を形成する工程と、
前記第１のレジストパターンを除去し、上面に溝が形成されている圧電基板を得る工程と、
前記溝を形成した後に、前記第１の領域を覆い、第２の領域を覆わない第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターン形成後に、ＩＤＴ電極形成用金属膜を成膜する工程と、
前記第２のレジストパターンと、第２のレジストパターン上の金属膜をリフトオフにより除去する工程とを備える、弾性波装置の製造方法。
【請求項２】
圧電基板上にＩＤＴ電極が形成されており、ＩＤＴ電極の電極指間において圧電基板に溝が形成されている弾性波装置の製造方法であって、
圧電基板の上面に溝が形成されるべき第１の領域以外の第２の領域を覆うように第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１の領域に溝を形成する工程と、
前記第１のレジストパターンを除去し、
前記第１のレジストパターンを除去した後に、圧電基板の表面にＩＤＴ電極形成用金属膜を成膜する工程と、
前記金属膜の上面に、前記第２の領域を被覆し、第１の領域を被覆しない第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターン形成後に、第１の領域に位置している溝内の金属膜を除去する工程とを備える、弾性波装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のレジストパターン形成に先立ち、前記圧電基板の上面に反射防止膜を形成する工程をさらに備え、前記圧電基板表面に溝を形成する工程において、第１の領域に位置している反射防止膜を溝の形成とともに除去し、
前記第１のレジストパターンを除去する工程において、前記第１のレジストパターンの下方の反射防止膜を第１のレジストパターンとともに除去する、請求項１または２に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項４】
前記溝の形成を、エッチングにより行なう、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１のレジストパターンの除去を、第１のレジストパターンを溶解する洗浄剤により第１のレジストパターンを除去する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波装置や弾性境界波装置などの弾性波装置の製造方法に関し、より詳細には、ＩＤＴの電極指間において圧電基板上に溝が形成されている弾性波装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１には、水晶基板を用いたＳＨ波を利用した弾性表面波装置の製造方法が開示されている。特許文献１では、Ｑ値を高め、周波数温度特性を改善するために、水晶基板の上面にＡｌを主体とするＩＤＴ電極が形成されている。また、特許文献１では、ＩＤＴ電極の電極指間において、水晶基板上に溝が形成されている。特許文献１に記載の製造方法では、上記水晶基板上にＡｌからなるＩＤＴ電極を形成する。次に、ＣＦ４ガス雰囲気中でスパッタリングする。それによって、電極指間の水晶基板表面をエッチングし、上記溝を形成している。Ａｌのエッチング速度が、水晶に比べて遅いため、Ａｌからなる電極を溝形成用のマスクとして利用している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２０３４０８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の弾性表面波装置の製造方法では、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極をマスクとして用い、水晶基板をエッチングしている。そのため、エッチングに際して発生したデポジションと称されている削り屑が、電極指表面に付着することがあった。その結果、弾性表面波装置の電気的特性が劣化するおそれがあるという問題があった。
【０００５】
本発明の目的は、溝形成時の圧電基板の削り屑の付着による特性の劣化が生じ難い、ＩＤＴ電極の電極指間に溝が形成されている弾性波装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、圧電基板上にＩＤＴ電極が形成されており、ＩＤＴ電極の電極指間において圧電基板に溝が形成されている弾性波装置の製造方法である。
【０００７】
本願の第１の発明は、以下の各工程を備える。圧電基板の上面に溝が形成されるべき第１の領域以外の第２の領域を覆うように第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１の領域に溝を形成する工程と、前記第１のレジストパターンを除去し、上面に溝が形成されている圧電基板を得る工程と、前記溝を形成した後に、前記第１の領域を覆い、第２の領域を覆わない第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターン形成後に、ＩＤＴ電極形成用金属膜を成膜する工程と、前記第２のレジストパターンと、第２のレジストパターン上の金属膜をリフトオフにより除去する工程。
【０００８】
また、本願の第２の発明は、以下の各工程を備える。圧電基板の上面に溝が形成されるべき第１の領域以外の第２の領域を覆うように第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１の領域に溝を形成する工程と、前記第１のレジストパターンを除去し、前記第１のレジストパターンを除去した後に、圧電基板の表面にＩＤＴ電極形成用金属膜を成膜する工程と、前記金属膜の上面に、前記第２の領域を被覆し、第１の領域を被覆しない第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターン形成後に、第１の領域に位置している溝内の金属膜を除去する工程。
【０００９】
第１及び第２の発明（以下、本発明と総称する）のある特定の局面では、前記第１のレジストパターン形成に先立ち、前記圧電基板の上面に反射防止膜を形成する工程をさらに備える。そして、前記圧電基板表面に溝を形成する工程において、第１の領域に位置している反射防止膜を溝の形成とともに除去し、前記第１のレジストパターンを除去する工程において、前記第１のレジストパターンの下方の反射防止膜を第１のレジストパターンとともに除去する。
【００１０】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記溝の形成を、エッチングにより行なう。
【００１１】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記第１のレジストパターンの除去を、第１のレジストパターンを溶解する洗浄剤により第１のレジストパターンを除去する。
【発明の効果】
【００１２】
本願の第１及び第２の発明によれば、圧電基板の上面に溝を形成した後に第１のレジストパターンを除去し、しかる後ＩＤＴ電極を形成するため、圧電基板の溝形成時に生じたデポジションと称されている削り屑がＩＤＴ電極に付着し難い。また、ＩＤＴ電極の損傷も生じ難い。よって、電気的特性に優れた弾性波装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各略図的部分正面断面図である。
【図２】本発明の一実施形態で得られる弾性表面波装置の正面断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を
明らかにする。
【００１５】
図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各略図的正面断面図である。なお、本実施形態では、図２に正面断面図で示す弾性表面波装置１が製造される。図１（ａ）〜（ｆ）では、この弾性表面波装置１のＩＤＴ電極が形成されている要部を代表して製造方法を説明することとする。
【００１６】
まず、図１（ａ）に示す圧電基板としてのＬｉＴａＯ３基板２を用意する。ＬｉＴａＯ３基板２上に、有機物からなる反射防止膜３を薄膜形成法により全面に形成する。
【００１７】
次に、反射防止膜３上に、ＫｒＦレジスト層を全面に形成した後、フォトリソグラフィー法によりパターニングする。このようにして、図１（ａ）に示す第１のレジストパターン４を形成する。第１のレジストパターン４は、開口部４ａを有する。開口部４ａは、ＬｉＴａＯ３基板２の上面に溝を形成すべき位置に配置されている。すなわち、開口部４ａが、本発明における第１の領域上に位置し、開口部４ａ以外の領域が本発明における第１の領域以外の第２の領域とされている。
【００１８】
次に、ＡｒミリングなどによりＬｉＴａＯ３基板２の上方からエッチングする。その結果、図１（ｂ）に示すように、ＬｉＴａＯ３基板２の上面２ａに溝２ｂを形成する。
【００１９】
上記エッチングに際しては、Ａｒミリングの他、Ａｒミリング時にフッ素系ガス（ＣＨＦ３など）を加えてエッチングする方法、フッ素系ガス（ＣＨＦ３＋ＣＦ４）によりエッチングする方法などを用いることができる。いずれにしても、溝２ｂを形成した場合、ＬｉＴａＯ３基板２の削り屑２ｃが発生する。図示のように、削り屑２ｃは、第１のレジストパターン４の開口部４ａに臨む側面などに付着する。
【００２０】
しかる後、第１のレジストパターン４及び削り屑２ｃを溶解する洗浄剤を用い、第１のレジストパターン４を除去する。この場合、洗浄剤による処理に際し、削り屑２ｃも除去されることとなる。
【００２１】
上記洗浄剤としては、例えばＫｒＦレジストからなる第１のレジストパターン４を溶解するＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）などの洗浄剤を用いることができる。その結果、第１のレジストパターン４とともに削り屑２ｃが除去されることとなる。なお、本実施形態では、上記洗浄剤として、反射防止膜３をも溶解する洗浄剤を用いる。従って、図１（ｃ）に示すように、ＬｉＴａＯ３基板２の上面２ａに溝２ｂが形成されている構造を得ることができる。そして、この構造では、削り屑２ｃは溝２ｂ内やＬｉＴａＯ３基板２の上面２ａに存在し難い。
【００２２】
次に、溝２ｂが形成されたＬｉＴａＯ３基板２の上面にＫｒＦレジスト層を全面に形成する。しかる後、フォトリソグラフィー法により該レジスト層をパターニングする。このようにして、図１（ｄ）に示す第２のレジストパターン１１を形成する。第２のレジストパターン１１は、溝２ｂ上を被覆している。また、開口１１ａは、ＩＤＴ電極形成領域、すなわち溝２ｂ，２ｂ間の領域に位置している。すなわち、開口１１ａは、本発明における第２の領域上に位置しており、開口１１ａ以外の第２のレジストパターン部分が、第１の領域を被覆している。
【００２３】
次に、ＬｉＴａＯ３基板２の上面の全面にＡｌからなる金属膜５を成膜する。このようにして、図１（ｅ）に示すように、ＬｉＴａＯ３基板２の上面２ａ上の溝２ｂ，２ｂ間と、第２のレジストパターン１１上に金属膜５が位置することとなる。
【００２４】
しかる後、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）などの第２のレジストパターン１１を溶解する溶剤を用いて、リフトオフ法により第２のレジストパターン１１を除去する。それによって、図１（ｆ）に示すように、ＩＤＴ電極５Ｂを形成することができる。ＩＤＴ電極５Ｂにおいては、溝２ｂ，２ｂ間に電極指５ｂが位置している。
【００２５】
図２は、このようにして得られる弾性表面波装置の正面断面図である。図２に示すように、ＬｉＴａＯ３基板２の上面２ａにＩＤＴ電極５Ｂ及び一対の反射器７，８が形成されている。なお、反射器７，８が形成されている部分においても、上記と同様に、電極指間に溝が形成されている。
【００２６】
なお、本実施形態では、図２に示す弾性表面波共振子としての弾性表面波装置を製造した。もっとも、本実施形態では、ＩＤＴ電極の電極指間において圧電基板上に溝が形成されている様々な弾性表面波装置や弾性境界波装置の製造に適用することができる。
【００２７】
上記実施形態では、ＩＤＴ電極５Ｂの形成に先立ち、ＬｉＴａＯ３基板２の上面２ａに溝２ｂを形成している。そして、溝２ｂの形成に際して用いられるマスクとしての第１のレジストパターン４を除去する際に、削り屑２ｃが同時に除去される。よって、削り屑２ｃのＩＤＴ電極５Ｂへの付着が生じ難い。また、ＩＤＴ電極５Ｂのエッチングに際しての損傷も生じ難い。よって、特性の良好な弾性表面波装置を得ることができる。
【００２８】
先行文献１に記載の製造方法において、前述したデポジションと称されている削り屑を除去するには、圧電基板に溝を形成した後に、削り屑を除去するための洗浄剤により処理する方法が考えられる。しかしながら、このような洗浄剤を用いて洗浄処理すると、洗浄剤によりＩＤＴ電極が溶解するおそれがある。これに対して、本実施形態では、上記のように、削り屑２ｃを除去した後に、ＩＤＴ電極５Ｂを形成している。従って、ＩＤＴ電極５Ｂの洗浄剤による溶解という問題も生じない。
【００２９】
図３（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各正面断面図である。本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、図２に示した弾性表面波装置１を製造する。図３においても、ＩＤＴ電極形成部分を代表して製造方法を説明することとする。
【００３０】
まず、第１の実施形態と同様にして、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＬｉＴａＯ３基板２の上面２ａに溝２ｂを形成する。すなわち、図３（ａ）〜（ｃ）に示す工程までは、図１（ａ）〜（ｃ）に示す工程と同じようにして行なわれる。従って、図３（ａ）〜（ｃ）に示す工程の説明については、第１の実施形態の図１（ａ）〜（ｃ）に示す工程の説明を援用することにより省略する。
【００３１】
第２の実施形態が第１の実施形態と異なるところは、溝２ｂを形成した後に、ＩＤＴ電極を形成する工程にある。
【００３２】
第２の実施形態では、図３（ｄ）に示すように、スパッタリングなどの薄膜形成法により、ＬｉＴａＯ３基板２の上面２ａの全面にＡｌからなる金属膜５を成膜する。
【００３３】
しかる後、金属膜５上に、全面にＫｒＦレジスト層を形成する。そして、フォトリソグラフィー法により該レジスト層をパターニングする。それによって、図３（ｅ）に示すように、第２のレジストパターン６を形成する。第２のレジストパターン６は、開口６ａを有する。開口６ａは、前述した溝２ｂ上に位置するように配置されている。すなわち、開口６ａは、第１の領域上に位置しており、開口６ａ以外の第２のレジストパターン部分が第２の領域を被覆している。
【００３４】
しかる後、強酸などを用い、Ａｌからなる金属膜５をエッチングする。すなわち、開口６ａ内に露出している金属膜部分をエッチングする。
【００３５】
次に、第２のレジストパターン６を溶解する溶剤を用い、第２のレジストパターン６を除去する。
【００３６】
このようにして、図３（ｆ）に示すように、Ａｌからなる複数本の電極指５ｂを有するＩＤＴ電極５Ｂを形成することができる。
【００３７】
図３（ｆ）に示すように、隣り合う電極指５ｂ，５ｂ間に溝２ｂが形成されている。
【００３８】
第２の実施形態においては、ＩＤＴ電極５Ｂの形成に先立ち、ＬｉＴａＯ３基板２の上面２ａに複数の溝２ｂが形成される。そのため、ＬｉＴａＯ３基板２のエッチングに際して生じた削り屑２ｃがＩＤＴ電極５Ｂに付着し難い。よって、特性の良好な弾性表面波装置を得ることができる。
【００３９】
なお、上記各実施形態では、圧電基板としてＬｉＴａＯ３基板２を用いたが、ＬｉＮｂＯ３などの他の圧電基板を用いてもよい。また、上記反射防止膜３は、フォトリソグラフィーに際して、ＬｉＴａＯ３基板２側からの光の反射を防止するために設けられているが、この反射防止膜３は必ずしも設けられずともよい。レジストもＫｒＦレジスト以外に、ｉ線レジストなどを用いてもよい。
【００４０】
また、ＩＤＴ電極５Ｂは、Ａｌにより形成したが、Ａｌを主体とする合金を用いてもよい。さらに、Ａｌ以外のＣｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなどの他の金属を用いてもよい。なお、ＩＤＴ電極５Ｂは複数の金属を積層してなる積層金属膜により形成してもよい。
【００４１】
上記実施形態では、弾性表面波装置１を製造したが、ＩＤＴ電極５Ｂを覆うように第２の媒質層が形成されている弾性境界波装置の製造にも本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１…弾性表面波装置
２…ＬｉＴａＯ３基板
２ａ…上面
２ｂ…溝
２ｃ…削り屑
３…反射防止膜
４…第１のレジストパターン
４ａ…開口部
５…金属膜
５ｂ…電極指
５Ｂ…ＩＤＴ電極
６…第２のレジストパターン
６ａ…開口
７，８…反射器
１１…第２のレジストパターン
１１ａ…開口
【図１】
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【図２】
2013106089.tif 000004
【図３】
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