(57)【要約】【課題】半導体デバイスにおけるチップの熱劣化を防止するとともに、製造効率の低下を防止することができるチップの三次元実装方法を提供する。【解決手段】チップ積層装置２０のステージ１７上において下のチップ１１に上のチップ１１を積層する際、下のチップ１１の上側表面における各配線１３の端部と上のチップ１１の下側表面に配された各電極パッド１４とを対向させ、且つ両チップ１１の間に加熱によって消失する還元剤を含む粘着剤１５を介在させて両チップ１１同士を粘着させ、積層された複数のチップ１１をチップ加熱装置２４のステージ２２上へ移動させた後、積層された複数のチップ１１を加熱して粘着剤１５を消失させ、さらに加熱を継続して対向する各配線１３の端部と各電極パッド１４とを接合させる。【選択図】図２
2013074028.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状部材の表面に電極が形成された電子集積回路の複数のチップを積層するチップの三次元実装方法であって、
一の前記チップに他の前記チップを積層する際、一の前記チップにおける前記電極と他の前記チップにおける前記電極とを対向させ、且つ両前記チップの間に加熱によって消失する粘着剤を介在させて両前記チップ同士を粘着させる積層ステップと、
積層された複数の前記チップを加熱して前記粘着剤を消失させ、さらに前記対向する電極同士を接合させる接合ステップとを有することを特徴とするチップの三次元実装方法。
【請求項２】
前記対向する電極の少なくとも一方は加熱によって消失する還元剤で覆われることを特徴とする請求項１記載のチップの三次元実装方法。
【請求項３】
前記粘着剤は前記還元剤を含み、前記積層ステップにおいて前記粘着剤は両前記チップの少なくとも一方の表面を覆うことを特徴とする請求項２記載のチップの三次元実装方法。
【請求項４】
前記積層ステップにおいて、前記粘着剤は前記対向する電極を避けるように両前記チップの少なくとも一方の表面を覆うことを特徴とする請求項２記載のチップの三次元実装方法。
【請求項５】
前記粘着剤の前記チップの表面からの突出量は、前記電極及び当該電極を覆う前記還元剤の前記チップの表面からの突出量より大きいことを特徴とする請求項４記載のチップの三次元実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のチップを積層するチップの三次元実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスのフットプリントを低減するために、複数のＩＣ基板（チップ）を積層して半導体デバイスを製造する三次元実装方法が開発されている。この三次元実装方法では、各チップにおいて当該チップを厚み方向に貫通する導体からなる配線、例えば、ＴＳＶ（Through Silicon Via）が形成され、一のチップの配線の端部が他のチップの配線の端部と接続されて三次元的に回路が形成される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
この三次元実装方法では、半導体デバイスにおいて各チップの相対位置がずれるのを防止するために、新たなチップが積層される毎に加熱によって新たなチップの配線の端部と、他のチップの配線の端部とが配線自身の溶融接合や半田接合によって接続される。すなわち、チップの積層及び加熱が繰り返される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１９８８６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した三次元実装方法では、チップの積層及び加熱が繰り返されるため、下層のチップは何度も熱履歴を受け、その結果、当該チップにおける配線、膜等が劣化するおそれがある。また、１つの装置、例えば、加熱装置においてチップの積層及び加熱を繰り返す必要があるため、当該加熱装置を占有する時間が長くなり、製造効率が低下するという問題もある。
【０００６】
本発明の目的は、半導体デバイスにおけるチップの熱劣化を防止するとともに、製造効率の低下を防止することができるチップの三次元実装方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１記載のチップの三次元実装方法は、板状部材の表面に電極が形成された電子集積回路の複数のチップを積層するチップの三次元実装方法であって、一の前記チップに他の前記チップを積層する際、一の前記チップにおける前記電極と他の前記チップにおける前記電極とを対向させ、且つ両前記チップの間に加熱によって消失する粘着剤を介在させて両前記チップ同士を粘着させる積層ステップと、積層された複数の前記チップを加熱して前記粘着剤を消失させ、さらに前記対向する電極同士を接合させる接合ステップとを有することを特徴とする。
【０００８】
請求項２記載のチップの三次元実装方法は、請求項１記載のチップの三次元実装方法において、前記対向する電極の少なくとも一方は加熱によって消失する還元剤で覆われることを特徴とする。
【０００９】
請求項３記載のチップの三次元実装方法は、請求項２記載のチップの三次元実装方法において、前記粘着剤は前記還元剤を含み、前記積層ステップにおいて前記粘着剤は両前記チップの少なくとも一方の表面を覆うことを特徴とする。
【００１０】
請求項４記載のチップの三次元実装方法は、請求項２記載のチップの三次元実装方法において、前記積層ステップにおいて、前記粘着剤は前記対向する電極を避けるように両前記チップの少なくとも一方の表面を覆うことを特徴とする。
【００１１】
請求項５記載のチップの三次元実装方法は、請求項４記載のチップの三次元実装方法において、前記粘着剤の前記チップの表面からの突出量は、前記電極及び当該電極を覆う前記還元剤の前記チップの表面からの突出量より大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、一のチップに他のチップを積層する際、両チップの間に加熱によって消失する粘着剤を介在させて両チップ同士を粘着させ、積層された複数のチップを加熱して粘着剤を消失させ、さらに対向する電極同士を接合させるので、各チップの相対位置がずれることがなく、半導体デバイスの製造途中に積層された複数のチップを移動させることができる。その結果、チップの積層及び加熱に用いる装置を分けることができる。すなわち、１つの装置でチップの積層及び加熱を繰り返す必要がない。また、チップの積層及び加熱をそれぞれ別の装置で実施することにより、積層及び加熱をそれぞれ１工程で行うことができる。これにより、下層のチップは何度も熱履歴を受けることがない。その結果、半導体デバイスにおけるチップの熱劣化を防止するとともに、製造効率の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るチップの三次元実装方法によって製造される半導体デバイスの構成を概略的に示す断面図である。
【図２】本実施の形態に係るチップの三次元実装方法における粘着剤の塗布形態を説明するための断面図である。
【図３】本実施の形態に係るチップの三次元実装方法を説明するための工程図である。
【図４】本実施の形態に係るチップの三次元実装方法を説明するための工程図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るチップの三次元実装方法における粘着剤及び還元剤の塗布形態を説明するための断面図である。
【図６】本実施の形態に係るチップの三次元実装方法を説明するための工程図である。
【図７】本実施の形態に係るチップの三次元実装方法を説明するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１５】
まず、本発明の第１の実施の形態に係るチップの三次元実装方法について説明する。
【００１６】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るチップの三次元実装方法によって製造される半導体デバイスの構成を概略的に示す断面図である。
【００１７】
図１において、半導体デバイス１０は複数のＩＣ基板（チップ）１１が積層されて構成される。各チップ１１は、半導体、例えばシリコンからなる板状の基板１２と、該基板１２を厚み方向に貫通する導体からなる複数の配線１３と、基板１２の表面に露出する各配線１３の一端に対応して配置され、各配線１３の一端を覆う導体からなる薄膜状の電極パッド１４とを備える。半導体デバイス１０において、一のチップ１１における配線１３の端部（電極）は、該一のチップ１１の上に配された他のチップ１１における電極パッド１４（電極）と接合される。
【００１８】
次に、本実施の形態に係るチップの三次元実装方法について説明する。この三次元実装方法では、図２に示すように、各チップ１１の間に粘着剤１５が充填されて各チップ１１同士が粘着される。
【００１９】
図３及び図４は、本実施の形態に係るチップの三次元実装方法を説明するための工程図である。
【００２０】
まず、チャンバ１６と、該チャンバ１６内に配置されたステージ１７と、粘着剤１５を供給するノズル状のディスペンサ１８と、各チップ１１を把持して移動させるアーム１９とを備えるチップ積層装置２０において、図３（Ａ）に示すように、チップ１１をアーム１９によってステージ１７に載置し、該載置されたチップ１１の図中上側表面を全面的に覆うようにディスペンサ１８によって粘着剤１５を塗布する。ディスペンサ１８はチャンバ１６内を移動自在に構成されており、チップ１１の上側表面と平行に移動することによって粘着剤１５を当該チップ１１の上側表面へ塗布する。または、チップ１１の平行移動をステージ１７を用いて行うことにより、当該チップ１１をディスペンサ１８に対して相対的に移動させて粘着剤１５をチップ１１の上側表面へ塗布してもよい。本実施の形態では、粘着剤１５は還元剤を含み、粘着剤１５及び還元剤は加熱によって気化して消失するように成分が調整されている。
【００２１】
次いで、上側表面が粘着剤１５で覆われたチップ１１へアーム１９によって他のチップ１１を重ねる。このとき、下のチップ１１の各配線１３の端部が上のチップ１１の下側表面に配された各電極パッド１４と対向するように、両チップ１１は積層されるが、両チップ１１の間には粘着剤１５が介在するため、下のチップ１１の各配線１３の端部と、上のチップ１１の各電極パッド１４とは直接接触しない。
【００２２】
次いで、積層された複数のチップ１１をチップ積層装置２０からチャンバ２１と、該チャンバ２１内に配置されたステージ２２と、該ステージ２２と対向する内蓋２３と、チャンバ２１内の圧力を調整する排気装置２５とを備えるチップ加熱装置２４へ移動させる。このとき、粘着剤１５が粘着力によって両チップ１１同士を粘着しているので、積層された複数のチップ１１において各チップ１１の他のチップ１１に対する相対位置がずれることがなく、下のチップ１１の各配線１３の端部が上のチップ１１の各電極パッド１４と対向した状態が維持される。また、チップ加熱装置２４では、内蓋２３はステージ２２へ向けて移動自在に構成され、ステージ２２及び内蓋２３はそれぞれ不図示のヒータを内蔵する。その後、図３（Ｂ）に示すように、積層された複数のチップ１１をステージ２２に載置し、該積層された複数のチップ１１の最上部のチップ１１の上側表面に内蓋２３を当接させる。
【００２３】
次いで、図４（Ａ）に示すように、積層された複数のチップ１１を内蓋２３によってステージ２２へ向けて押圧し、チャンバ２１内へ不図示のガス供給装置から不活性ガス、例えば、Ｎ２ガスを流量３ｌ／分以上で供給し、チャンバ２１内の酸素濃度を１０〜１００ｐｐｍ程度まで低下させる。さらに、ステージ２２や内蓋２３のヒータを発熱させて積層された複数のチップ１１を１４０℃〜２００℃へ加熱し、各チップ１１における金属表面を還元させる。
【００２４】
チップ加熱装置２４のチャンバ２１内において、還元剤は約１００℃〜１６０℃前後で気化し始めるが、該気化の際、チップ１１の上側表面へ露出する各配線１３の端部が還元されて該端部表面が清浄される。その後、粘着剤１５も約１５０℃前後で気化し始め、各チップ１１間の粘着剤１５が徐々に減少していき、やがて全ての粘着剤１５が消失すると、下のチップ１１の上側表面に露出する各配線１３の端部が上のチップ１１の下側表面に配された各電極パッド１４と接触する。このとき、各配線１３の端部は清浄されており、また、チャンバ２１内にはＮ２ガスが充填されてＯ２ガスが減少しているため、各配線１３の端部は直ちに酸化しない。これにより、各配線１３の端部と各電極パッド１４との接触不良を防止し、導通を確実に確保することができる。
【００２５】
次いで、各チップ１１における金属表面が還元された後、チャンバ２１内の圧力を、例えば、２５〜２００Ｐａ程度まで低下させ、図４（Ｂ）に示すように、全ての粘着剤１５が消失した後も、積層された複数のチップ１１を内蓋２３によってステージ２２へ向けて押圧し続け、ステージ２２や内蓋２３のヒータによって積層された複数のチップ１１をさらに高温、例えば、２８０℃へ加熱する。このとき、各配線１３の端部が熱によって溶融して各電極パッド１４と接合される。その結果、半導体デバイス１０が構成される。その後、本処理を終了する。
【００２６】
本実施の形態に係るチップの三次元実装方法によれば、チップ積層装置２０において、下のチップ１１に上のチップ１１を重ねる際、両チップ１１の間に加熱によって気化して消失する粘着剤１５を介在させて両チップ１１同士を粘着させ、積層された複数のチップ１１を加熱して粘着剤１５を消失させ、さらに相対する各配線１３の端部と各電極パッド１４とを接合させるので、各チップ１１の相対位置がずれることがなく、半導体デバイス１０の製造途中に積層された複数のチップ１１を移動させることができる。その結果、積層、加熱に用いる装置を分けることができる。すなわち、１つの装置でチップ１１の積層及び加熱を繰り返す必要がない。また、チップ１１の積層及び加熱をそれぞれチップ積層装置２０及びチップ加熱装置２４で実施することにより、積層及び加熱をそれぞれ１工程で行うことができる。これにより、下層のチップ１１は何度も熱履歴を受けることがない。その結果、半導体デバイス１０におけるチップ１１の熱劣化を防止するとともに、半導体デバイス１０の製造効率の低下を防止することができる。
【００２７】
また、上述した三次元実装方法では、粘着剤１５が還元剤を含み、該粘着剤１５がチップ１１の上側表面を全面的に覆うので、下のチップ１１及び上のチップ１１の間に確実に粘着剤１５を介在させて両チップ１１を確実に粘着できるとともに、還元剤と粘着剤１５を分けて塗布する必要がないので、チップ１１の積層の効率を向上することができる。
【００２８】
さらに、上述した三次元実装方法では、粘着剤１５や還元剤を加熱して気化させる際、
チャンバ２１内の圧力を２５Ｐａ〜２００Ｐａまで低下させるので、粘着剤１５や還元剤の気化を促進することができ、半導体デバイス１０の製造効率をより向上することができる。
【００２９】
上述した三次元実装方法では、下のチップ１１の上側表面に露出する各配線１３の端部と上のチップ１１の下側表面に配された各電極パッド１４とを、各配線１３の溶融によって接合したが、下のチップ１１の上側表面に露出する各配線１３の端部に半田ボールや半田バンプを設け、半田を溶融することによって各配線１３の端部と各電極パッド１４を接合させてもよい。
【００３０】
また、上述した三次元実装方法では、先に粘着剤１５を消失させて各配線１３の端部と各電極パッド１４を接合したが、先に各配線１３の端部と各電極パッド１４を接合した後、粘着剤１５を消失させてもよい。この場合、各チップ１１の上側表面へ塗布される粘着剤１５は各配線１３の端部を避けて塗布され、各配線１３の端部と各電極パッド１４との接合の際、チャンバ２１内の圧力が上昇されて粘着剤１５の気化を抑制する。
【００３１】
次に、本発明の第２の実施の形態に係るチップの三次元実装方法について説明する。
【００３２】
本実施の形態は、その構成、作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであるので、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。具体的には、図５に示すように、各チップ１１の間において各配線１３の端部は還元剤２６のみによって覆われ、粘着剤２７は各配線１３の端部を避けるように配される点において第１の実施の形態と異なる。
【００３３】
図６及び図７は、本実施の形態に係るチップの三次元実装方法を説明するための工程図である。
【００３４】
まず、チップ積層装置２０において、図６（Ａ）に示すように、チップ１１をアーム１９によってステージ１７に載置し、該載置されたチップ１１の図中上側表面において、各配線１３の端部を覆うように還元剤２６を塗布し、且つ各配線１３の端部を避けるように粘着剤２７を塗布する。このとき、粘着剤２７のチップ１１の上側表面からの突出量は、各配線１３の端部及び該端部を覆う還元剤２６のチップ１１の上側表面からの突出量より大きくなるように調整される。なお、本実施の形態でも、還元剤２６及び粘着剤２７は加熱によって気化して消失するように成分が調整されている。
【００３５】
次いで、上側表面に還元剤２６及び粘着剤２７が塗布されたチップ１１へアーム１９によって他のチップ１１を重ねる。このとき、下のチップ１１の各配線１３の端部が上のチップ１１の下側表面に配された各電極パッド１４と対向するように、両チップ１１は積層されるが、両チップ１１の間には還元剤２６及び粘着剤２７が介在するため、下のチップ１１の各配線１３の端部と、上のチップ１１の各電極パッド１４とは直接接触しない。
【００３６】
次いで、積層された複数のチップ１１をチップ積層装置２０からチップ加熱装置２４へ移動させる。このとき、粘着剤２７が粘着力によって両チップ１１同士を粘着しているので、積層された複数のチップ１１において各チップ１１の他のチップ１１に対する相対位置がずれることがなく、下のチップ１１の各配線１３の端部が上のチップ１１の各電極パッド１４と対向した状態が維持される。その後、図６（Ｂ）に示すように、積層された複数のチップ１１をステージ２２に載置し、該積層された複数のチップ１１の最上部のチップ１１の上側表面に内蓋２３を当接させる。
【００３７】
次いで、図７（Ａ）に示すように、積層された複数のチップ１１を内蓋２３によってステージ２２へ向けて押圧し、Ｎ２ガスの供給量、積層された複数のチップ１１の温度、及びチャンバ２１内の圧力を第１の実施の形態と同じ条件に設定する。このとき、還元剤２６は約１００〜１６０℃前後で気化し始め、各配線１３の端部を還元して該端部の表面を清浄する。その後、粘着剤２７も約１５０℃前後で気化し始め、やがて全ての還元剤２６及び粘着剤２７が消失すると、下のチップ１１の上側表面に露出する各配線１３の端部が上のチップ１１の下側表面に配された各電極パッド１４と接触する。
【００３８】
次いで、図７（Ｂ）に示すように、全ての還元剤２６及び粘着剤２７が消失した後も、積層された複数のチップ１１を内蓋２３によってステージ２２へ向けて押圧し続け、ステージ２２や内蓋２３のヒータによって積層された複数のチップ１１をさらに高温、例えば、２８０℃へ加熱する。このとき、各配線１３の端部が熱によって溶融して各電極パッド１４と接合される。その結果、半導体デバイス１０が構成される。その後、本処理を終了する。
【００３９】
本実施の形態に係るチップの三次元実装方法によれば、チップ積層装置２０において、下のチップ１１に上のチップ１１を重ねる際、両チップ１１の間に加熱によって気化して消失する粘着剤２７を介在させて両チップ１１同士を粘着させ、積層された複数のチップ１１を加熱して粘着剤２７を消失させるので、第１の実施の形態に係るチップの三次元実装方法と同様に、半導体デバイス１０におけるチップ１１の熱劣化を防止するとともに、半導体デバイス１０の製造効率の低下を防止することができる。
【００４０】
また、本実施の形態に係るチップの三次元実装方法では、粘着剤２７は各配線１３の端部を避けるようにチップ１１の上側表面に塗布されるので、粘着剤２７の使用量を削減することができるとともに、還元剤２６による各配線１３の端部の表面の還元を阻害するのを無くすことができる。
【００４１】
さらに、本実施の形態に係るチップの三次元実装方法では、粘着剤２７のチップ１１の上側表面からの突出量は、各配線１３の端部及び該端部を覆う還元剤２６のチップ１１の上側表面からの突出量より大きいので、複数のチップ１１を積層した際に、各チップ１１の間において還元剤２６の上方に隙間が生じる。その結果、加熱によって気化した還元剤２６が円滑に各チップ１１間から排出されて各チップ１１間に還元剤２６の残渣が残るのを防止することができる。
【００４２】
以上、本発明について、上記各実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００４３】
１０  半導体デバイス
１１  チップ
１３  配線
１４  電極パッド
１５，２７  粘着剤
２６  還元剤
【図１】
2013074028.tif 000003
【図２】
2013074028.tif 000004
【図３】
2013074028.tif 000005
【図４】
2013074028.tif 000006
【図５】
2013074028.tif 000007
【図６】
2013074028.tif 000008
【図７】
2013074028.tif 000009