(57)【要約】【課題】端子部の微細化が図られた液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  画素配列領域および周辺領域１０５を含む主表面を有する透明基板１３１と、画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、透明基板１３１の主表面上に形成された層間絶縁膜１４０と、端部が層間絶縁膜１４０から露出するように形成された配線と、透明基板１３１の主表面から配線に達するように形成された透明導電膜１１８とを備え、透明基板１３１の主表面上に位置する透明導電膜１１８の上面上に異方性導電膜１６０が配置される。【選択図】図１３
2013029532.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素配列領域および前記画素配列領域の周囲に形成された周辺領域を含む主表面を有する基板と、
前記画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続され、端部が前記周辺領域に達するように形成された配線と、
前記周辺領域に位置する前記基板の主表面上から前記周辺領域に位置する前記配線の端部に達するように延びる透明導電膜と、
前記透明導電膜の上方に配置された外部端子部と、
前記透明導電膜のうち、前記基板の主表面上に形成された部分および前記外部端子部の間に配置され、前記透明導電膜と前記外部端子部とを電気的に接続する接続部材と、
を備えた、液晶表示装置。
【請求項２】
前記基板の主表面のうち、前記スイッチング素子が位置する領域を覆うように形成された絶縁膜をさらに備え、
前記周辺領域に位置する前記配線の端部は、前記絶縁膜から露出するように形成され、
前記透明導電膜および該透明導電膜の周囲に位置する前記基板の主表面は、前記絶縁膜から露出するように形成された、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記配線の幅よりも、前記透明導電膜の幅の方が広くなるように形成された、請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記透明導電膜は、前記配線の上面および側面を覆うように形成された、請求項１から請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記透明導電膜は、前記配線のうち、前記絶縁膜から露出する部分を覆うと共に、前記絶縁膜上に達するように形成された、請求項２から請求項４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記配線の端部は、前記透明導電膜と前記接続部材との接続部分よりも、前記画素配列領域側に位置する、請求項１から請求項５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
画素配列領域となる第１領域、および前記画素配列領域の周囲に位置する周辺領域となる第２領域を含む主表面を有する基板を準備する工程と、
前記第１領域にスイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子に接続され、前記第２領域に達するように形成された配線を形成する工程と、
前記第２領域に位置する前記基板の主表面上から、前記配線の端部に達するように透明導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜のうち、前記基板の主表面上に位置する部分の上面に接続部材を配置する工程と、
前記接続部材の上面に外部端子を配置し、該外部端子および前記透明導電膜を電気的に接続する工程と、
を備えた、液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記スイッチング素子を形成する工程は、前記第１領域にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを含み、
前記配線は、前記ゲート電極または前記ソース電極に接続され、端部が前記第２領域に達するように形成され、
前記ソース電極およびドレイン電極上に絶縁膜を形成する工程と、
前記配線の端部を前記絶縁膜から露出させる工程とをさらに備え、
前記透明導電膜は、前記絶縁膜から露出する前記配線の前記端部に接続されるように形成された、請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記透明導電膜の幅は、前記配線の前記端部の幅よりも幅広に形成された、請求項７または請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記透明導電膜は、前記絶縁膜から露出する前記配線の端部の上面および周面を覆うように形成された、請求項８または請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記透明導電膜は、前記絶縁膜上に達するように形成された、請求項８から請求項１０のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に関し、特に、アクティブマトリックス基板および対向基板とを備え、アクティブマトリックス基板に形成された端子部を有する液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に関する発明である。
【背景技術】
【０００２】
従来から各液晶表示装置が各種提案されている。液晶表示装置は、一般に、アクティブマトリックス基板と、アクティブマトリックス基板と対向するように配置された対向基板と、対向基板およびアクティブマトリックス基板間に配置された液晶層とを含む。
【０００３】
アクティブマトリックス基板には、ゲートパッドやソースパッドなどの端子部が複数設けられている。
【０００４】
たとえば、特開２０００−１９９９１７号公報および特開平９−１９７４３３号公報に記載された液晶表示装置においては、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールから露出するソース端子やゲート端子が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１９９９１７号公報
【特許文献２】特開平９−１９７４３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の液晶表示装置においては、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するときや、形成されたコンタクトホールにＩＴＯ膜を所定の位置に形成するときなどにフォトリソグラフィによって、層間絶縁膜やＩＴＯ膜をパターニングしている。
【０００７】
フォトリソグラフィを施す際には、位置ずれが生じたときのためにある程度のマージンを確保しておくのが一般的である。
【０００８】
その一方で、近年、端子部自体の幅および端子部間の間隔が狭くなっており、フォトリソグラフィを施す際のマージンを確保することが困難なものとなっている。
【０００９】
このため、従来の液晶表示装置および液晶表示装置の製造工程では、端子部のさらなる微細化を縮めることは困難なものとなっている。
【００１０】
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、端子部の微細化が図られた液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る液晶表示装置は、画素配列領域および画素配列領域の周囲に形成された周辺領域を含む主表面を有する基板と、画素配列領域に形成されたスイッチング素子と、スイッチング素子に接続され、端部が周辺領域に達するように形成された配線と、周辺領域に位置する基板の主表面上から周辺領域に位置する配線の端部に達するように延びる透明導電膜と、透明導電膜の上方に配置された外部端子部と、透明導電膜のうち、基板の主表面上に形成された部分および外部端子部の間に配置され、透明導電膜と外部端子部とを電気的に接続する接続部材とを備える。
【００１２】
好ましくは、上記基板の主表面のうち、スイッチング素子が位置する領域を覆うように形成された絶縁膜をさらに備え、周辺領域に位置する配線の端部は、絶縁膜から露出するように形成される。上記透明導電膜および該透明導電膜の周囲に位置する基板の主表面は、絶縁膜から露出するように形成される。
【００１３】
好ましくは、上記配線の幅よりも、透明導電膜の幅の方が広くなるように形成される。
好ましくは、上記透明導電膜は、配線の上面および側面を覆うように形成される。
【００１４】
好ましくは、透明導電膜は、配線のうち、絶縁膜から露出する部分を覆うと共に、絶縁膜上に達するように形成される。好ましくは、配線の端部は、透明導電膜と接続部材との接続部分よりも、画素配列領域側に位置する。
【００１５】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、画素配列領域となる第１領域、および画素配列領域の周囲に位置する周辺領域となる第２領域を含む主表面を有する基板を準備する工程と、第１領域にスイッチング素子を形成する工程と、スイッチング素子に接続され、第２領域に達するように形成された配線を形成する工程と、第２領域に位置する基板の主表面上から、配線の端部に達するように透明導電膜を形成する工程と、透明導電膜のうち、基板の主表面上に位置する部分の上面に接続部材を配置する工程と、接続部材の上面に外部端子を配置し、該外部端子および透明導電膜を電気的に接続する工程とを備える。
【００１６】
好ましくは、スイッチング素子を形成する工程は、第１領域にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、半導体層上にソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを含む。上記配線は、ゲート電極またはソース電極に接続され、端部が第２領域に達するように形成される。上記ソース電極およびドレイン電極上に絶縁膜を形成する工程と、配線の端部を絶縁膜から露出させる工程とをさらに備え、透明導電膜は、絶縁膜から露出する配線の端部に接続されるように形成される。
【００１７】
好ましくは、透明導電膜の幅は、配線の端部の幅よりも幅広に形成される。好ましくは、透明導電膜は、絶縁膜から露出する配線の端部の上面および周面を覆うように形成される。好ましくは、上記透明導電膜は、絶縁膜上に達するように形成される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法によれば、端子部の微細化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態１に係るテレビジョン受信機５００の構成を示す分解斜視図である。
【図２】液晶表示装置３００を模式的に示す斜視図である。
【図３】液晶表示素子２００を模式的に示す平面図である。
【図４】液晶表示パネル１０１および偏光板１５６との配置状態を示す分解斜視図である。
【図５】液晶表示パネル１０１の平面図である。
【図６】アクティブマトリックス基板１３０に形成された薄膜トランジスタアレイを示す回路図である。
【図７】表示領域１０３における液晶表示パネル１０１の断面図である。
【図８】薄膜トランジスタ１１５の詳細を示すアクティブマトリックス基板１３０の断面図である。
【図９】周辺回路領域に形成されたゲートパッド１１２の平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線における断面であって、この透明導電膜１１８Ａの上面に異方性導電膜１６０およびゲートドライバ１５２を配置した状態における断面図である。
【図１１】図９のＸＩ−ＸＩ線における断面図である。
【図１２】図９のＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図である。
【図１３】図９のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における断面図である。
【図１４】表示領域１０３となる領域における断面図である。
【図１５】図１４に示す製造工程において、周辺領域１０５となる領域における断面図である。
【図１６】図１４および図１５に示す製造工程後の製造工程を示す断面図である。
【図１７】図１６に示す製造工程時において、周辺領域１０５となる領域における断面図である。
【図１８】図１６および図１７に示す製造工程後の製造工程を示す表示領域１０３となる領域における断面図である。
【図１９】図１８に示す製造工程時における周辺領域１０５となる領域における断面図である。
【図２０】図１８および図１９に示す製造工程後の製造工程を示す表示領域１０３の断面図である。
【図２１】図２０に示す製造工程時における周辺領域１０５の断面図である。
【図２２】本実施の形態２に係る液晶表示装置における表示領域１０３における断面図である。
【図２３】周辺領域１０５に形成されたソースパッド１１４の平面図である。
【図２４】図２３に示すＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線における断面図である。
【図２５】図２３に示すＸＸＶ−ＸＸＶ線における断面図である。
【図２６】図２４におけるＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線における断面図である。
【図２７】図２４におけるＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線における断面図である。
【図２８】本実施の形態３に係る液晶表示装置のソースパッド１１４が形成された周辺領域１０５の断面図である。
【図２９】図２８に示すソースパッド１１４の変形例を示す断面図である。
【図３０】本実施の形態４に係る液晶表示装置の断面図である。
【図３１】ゲートパッド１１２の断面図である。
【図３２】COG（Chip On Glass）が採用された液晶表示装置の平面図である。
【図３３】図３２に示すＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ線の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１から図２７を用いて、本発明に係る液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係るテレビジョン受信機５００の構成を示す分解斜視図である。この図１に示すように、テレビジョン受信機５００は、前面側に配置される筐体１８１と、背面側に配置される筐体１８２と、筐体１８１および筐体１８２間に配置された液晶表示装置３００と、操作用回路１８４と、支持用部材１８５とを備えている。
【００２２】
液晶表示装置３００は、筐体１８１および筐体１８２によって包み込まれ、筐体１８１および筐体１８２によって挟持されている。
【００２３】
筐体１８１には、開口部１８３が形成されており、液晶表示装置３００に表示される画像を外部に透過可能とされている。筐体１８２には、液晶表示装置３００を操作するための操作用回路１８４が設けられている。筐体１８２は、支持用部材１８５によって支持されている。
【００２４】
図２は、液晶表示装置３００を模式的に示す斜視図である。この図２に示すように、液晶表示装置３００は、液晶表示パネル１０１を含む液晶表示素子２００と、液晶表示パネル１０１の一方の主表面に装着された偏光板１５６と、液晶表示パネル１０１の他方の主表面に装着された偏光板と、液晶表示パネル１０１に光を照射するバックライトユニット１８６とを備えている。
【００２５】
図３は、液晶表示素子２００を模式的に示す平面図である。この図３に示すように、液晶表示素子２００は、液晶表示パネル１０１と、液晶表示パネル１０１のゲート端子部１５０に接続されたゲートドライバ１５２と、液晶表示パネル１０１のソース端子部１５１に接続されたソースドライバ１５３と、ゲートドライバ１５２およびソースドライバ１５３が接続されたプリント基板配線１５４と、プリント基板配線１５４が接続された表示制御回路１５５とを備えている。
【００２６】
図４は、液晶表示パネル１０１および偏光板１５６との配置状態を示す分解斜視図である。この図４に示すように、液晶表示パネル１０１の一方の主表面には、偏光板１５６ａが装着され、液晶表示パネル１０１の他方の主表面には、他の偏光板１５６ｂが装着されている。
【００２７】
なお、偏光板１５６ａの偏光軸方向と、偏光板１５６ｂの偏光軸方向とは互いに直交するように形成されている。偏光板１５６ａには、図２に示すバックライトユニット１８６からの光が放射される。
【００２８】
液晶表示パネル１０１は、アクティブマトリックス基板と、このアクティブマトリックス基板と対向するように、間隔をあけて配置された対向基板と、アクティブマトリックス基板および対向基板間に封入された液晶層とを含む。そして、アクティブマトリックス基板に対して液晶層と反対側に偏光板１５６ａが配置され、対向基板に対して液晶層と反対側に偏光板１５６ｂが配置されている。
【００２９】
図５は、液晶表示パネル１０１の平面図である。この図５に示すように、液晶表示パネル１０１は、表示領域１０３および非表示領域１０４を含む画素配列領域１０７と、この画素配列領域１０７の周囲に位置する周辺領域１０５とを含む。
【００３０】
表示領域１０３は、画像を表示する領域であり、複数の画素により形成されている。非表示領域１０４は、画像を表示しない領域であり、表示領域１０３の周囲に配置されてい
る。図６は、アクティブマトリックス基板１３０に形成された薄膜トランジスタアレイを示す回路図である。
【００３１】
アクティブマトリックス基板１３０は、画素配列領域１０７、および画素配列領域１０７の周囲に位置する周辺領域１０５を含む透明基板１３１を備える。
【００３２】
透明基板１３１の主表面のうち、画素配列領域１０７の表示領域１０３が位置する部分には、複数の薄膜トランジスタ（スイッチング素子）１１５が配列している。薄膜トランジスタ１１５のゲート電極に接続されるゲートライン（配線）１１１と、薄膜トランジスタ１１５のソース電極に接続されるデータライン（配線）１１３とが、アクティブマトリックス基板１３０に複数形成されている。薄膜トランジスタ１１５のドレイン電極には画素電極１１６が接続されている。
【００３３】
アクティブマトリックス基板１３０は、通常、長方形形状とされている。ゲートライン１１１は、アクティブマトリックス基板１３０の長手方向に延びており、ゲートライン１１１は、アクティブマトリックス基板１３０の短手方向に間隔をあけて複数形成されている。データライン１１３は、短手方向に延びており、長手方向に間隔をあけて複数形成されている。
【００３４】
ゲートライン１１１とデータライン１１３とによって囲まれる領域内に１つの画素電極１１６が配置されている。
【００３５】
ゲートライン１１１は、薄膜トランジスタ１１５から引き出され、画素配列領域１０７から周辺領域１０５に達するように延びている。そして、ゲートライン１１１のうち、周辺領域１０５上に位置する部分に、ゲートパッド１１２が形成されている。
【００３６】
データライン１１３は、薄膜トランジスタ１１５から引き出され、画素配列領域１０７から周辺領域１０５に達するように延びている。そして、データライン１１３のうち、周辺領域１０５上に位置する部分には、ソースパッド１１４が形成されている。
【００３７】
図７は、表示領域１０３における液晶表示パネル１０１の断面図である。図７に示すように、対向基板１２０は、ガラス基板などの透明基板１２３と、この透明基板１２３の主表面のうち、アクティブマトリックス基板１３０と対向する主表面に形成されたカラーフィルタ１２１と、カラーフィルタ１２１よりアクティブマトリックス基板１３０側に配置された対向電極１２２とを備えている。
【００３８】
そして、対向電極１２２と、画素電極１１６とは、液晶層１２４を挟んで互いに対向するように配置されている。アクティブマトリックス基板１３０は、ガラス基板などの透明基板１３１と、透明基板１３１上に形成された薄膜トランジスタ１１５とを備える。
【００３９】
図８は、薄膜トランジスタ１１５の詳細を示すアクティブマトリックス基板１３０の断面図である。薄膜トランジスタ１１５は、透明基板１３１の表面のうち、対向基板１２０と対向する主表面上に形成されたゲート電極１３２と、ゲート電極１３２を覆うように透明基板１３１の主表面上に形成されたゲート絶縁膜１３３と、ゲート絶縁膜１３３上に位置すると共に、ゲート電極１３２の上方に位置する半導体層１３４と、半導体層１３４の一部を覆うように半導体層１３４およびゲート絶縁膜１３３の上面上に形成され、互いに間隔をあけて形成されたソース電極１３５およびドレイン電極１３６とを備える。
【００４０】
そして、薄膜トランジスタ１１５を覆うように、層間絶縁膜１４０（パッシベーション膜および平坦化膜）が形成され、層間絶縁膜１４０上にＩＴＯ膜１３９（画素電極１１６
）が形成されている。この画素電極１１６は、ドレイン電極１３６と電気的に接続されている。具体的には、層間絶縁膜１４０に図示されていないコンタクトホールが形成されており、このコンタクトホールの内周面に沿って、画素電極１１６が延び、画素電極１１６とドレイン電極１３６とが接続されている。
【００４１】
ゲート電極１３２は、透明基板１３１の主表面上に形成された金属膜１３２ａと、金属膜１３２ａ上に形成された金属膜１３２ｂと、この金属膜１３２ｂ上に形成された金属膜１３２ｃとを含む。金属膜１３２ａおよび金属膜１３２ｃは、たとえば、Ｔｉ等の金属材料から形成されており、金属膜１３２ｂは、Ａｌ等の金属材料から形成されている。なお、各金属膜としては、上記の例に限られない。
【００４２】
たとえば、金属膜１３２ａを窒化モリブデン（ＭｏＮ）から形成し、金属膜１３２ｂをアルミニウム（Ａｌ）から形成し、さらに、金属膜１３２ｃをモリブデン（Ｍｏ）から形成することもできる。
【００４３】
ゲート絶縁膜１３３は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮx ：ｘは正の数）等から形成されている。
【００４４】
半導体層１３４は、薄膜トランジスタ１１５のチャネル部となるａ−Ｓｉ膜（ｉ層）１３４ａと、ａ−Ｓｉ膜１３４ａ上に形成され、ソース・ドレイン電極とのコンタクトを図るａ−Ｓｉ膜（ｎ＋層）１３４ｂとを含む。
【００４５】
ソース電極１３５は、チタン等から形成された金属膜１３５ａと、この金属膜１３５ａ上に位置し、アルミニウム等から形成された金属膜１３５ｂとを含む。ドレイン電極１３６も、チタン等から形成された金属膜１３６ａと、この金属膜１３６ａ上に形成され、アルミニウム等から形成された金属膜１３６ｂとを含む。
【００４６】
層間絶縁膜１４０は、パッシベーション膜１３７と、パッシベーション膜１３７上に形成された平坦化膜１３８とを含む。パッシベーション膜１３７は、窒化シリコン膜から形成されており、たとえば、２５０度程度でＣＶＤ法により形成する。なお、パッシベーション膜１３７と、ゲート絶縁膜１３３とは、いずれも窒化シリコン膜により形成されているが、ゲート絶縁膜１３３の方がパッシベーション膜１３７よりも組織が緻密である。
【００４７】
平坦化膜１３８は、アクリルベースの合成樹脂等の有機材料から形成されている。すなわち、平坦化膜１３８は、有機絶縁膜であり、平坦化膜１３８下に形成されたパッシベーション膜１３７は無機絶縁膜である。
【００４８】
図９は、周辺回路領域に形成されたゲートパッド１１２の平面図である。この図９に示すように、透明基板１３１の主表面のうち、周辺領域１０５が位置する部分は、層間絶縁膜１４０およびゲート絶縁膜１３３等の絶縁膜から露出している。なお、透明基板１３１の主表面のうち、周辺領域１０５が位置する部分は、絶縁膜のみならず、半導体層やソース電極およびドレイン電極を構成する金属膜からも露出している。
【００４９】
そして、ゲートライン１１１Ａの端部１１７Ａおよびゲートライン１１１Ｂの端部１１７Ｂは、周辺領域１０５に達すると共に、層間絶縁膜１４０およびゲート絶縁膜１３３から露出するように形成されている。
【００５０】
ゲートライン１１１Ａ，１１１Ｂの端部１１７Ａ，１１７Ｂには、透明導電膜１１８Ａ，１１８Ｂが接続されている。透明導電膜１１８Ａ，１１８Ｂは、たとえば、ＩＴＯ膜またはＩＺＯ膜等から形成されている。
【００５１】
この透明導電膜１１８Ａ，１１８Ｂは、層間絶縁膜１４０およびゲート絶縁膜１３３から露出する透明基板１３１の主表面から端部１１７Ａ，１１７Ｂの側面および上面を覆うように形成されている。この透明導電膜１１８Ａ，１１８Ｂによって、ゲートパッド１１２Ａ，１１２Ｂが形成されている。これにより、透明導電膜１１８Ａ，１１８Ｂおよび端部１１７Ａ，１１７Ｂとの電気的な接続を確保することができる。
【００５２】
図１０は、図９のＸ−Ｘ線における断面であって、この透明導電膜１１８Ａの上面に異方性導電膜１６０およびゲートドライバ１５２を配置した状態における断面図である。
【００５３】
この図１０および上記図９に示すように、透明導電膜１１８Ａのうち、周辺領域１０５上に位置する部分は、平坦面とされており、端子部として機能する。
【００５４】
そして、透明導電膜１１８Ａのうち、周辺領域１０５の主表面上に位置する部分の上面には、異方性導電膜１６０が配置され、この異方性導電膜１６０の上面上にゲートドライバ１５２が配置される。
【００５５】
異方性導電膜（接続部材）１６０は、絶縁性のバインダ１６１と、このバインダ１６１内に複数配置された導電性の導電性粒子１６２とを含む。ゲートドライバ１５２の下面側には、接続端子（外部端子部）１６３が配置されている。そして、透明導電膜１１８Ａとゲートドライバ１５２の接続端子１６３との間に配置された異方性導電膜１６０の導電性粒子１６２によって、透明導電膜１１８Ａと接続端子１６３との電気的な接続が確保されている。
【００５６】
導電性粒子１６２は、金属製の粒子によって構成されており、透明導電膜１１８Ａと接続端子１６３とを接続している。このように、透明導電膜１１８と異方性導電膜１６０との接触部分（接続部分）で透明導電膜１１８と異方性導電膜１６０とが電気的に接続され、異方性導電膜１６０と接続端子１６３との接触部分（接続部分）で異方性導電膜１６０と接続端子１６３との電気的な接続が確保されている。ここで、透明導電膜１１８Ａとゲートライン１１１Ａとは、互いに接続されておればよく、ゲートライン１１１Ａの端部の位置が、仮に、位置ずれしたとしても、透明導電膜１１８Ａと接続端子１６３との電気的な接続を確保することができる。このため、液晶表示装置の歩留まりの向上を図ることができる。上記図９に示すように、隣り合うゲートパッド１１２Ａ，１１２Ｂ間に位置する透明基板１３１の主表面は層間絶縁膜１４０およびゲート絶縁膜１３３から露出している。
【００５７】
このため、接続端子１６３と透明導電膜１１８Ａ，１１８Ｂとを互いに近接させることで、導電性粒子１６２の粒径を小さく抑えることができる。小径の導電性粒子１６２を採用することで、複数の導電性粒子１６２が透明導電膜１１８Ａ上に配列し、導電性粒子１６２と透明導電膜１１８Ａおよび接続端子１６３との接触面積を確保することができる。
【００５８】
さらに、小径の導電性粒子１６２を採用することで、１つの導電性粒子１６２がゲートパッド１１２Ａとゲートパッド１１２Ｂとの間を跨るように配置されることを抑制することができ、ゲートパッド１１２Ａとゲートパッド１１２Ｂとの間で短絡が発生することを抑制することができる。これに伴い、ゲートパッド１１２Ａとゲートパッド１１２Ｂとを近接させたとしても、ゲートパッド１１２Ａおよびゲートパッド１１２Ｂ間における短絡の発生を抑制することができ、ゲートパッド１１２Ａおよびゲートパッド１１２Ｂ間の間隔を短くすることができる。
【００５９】
図１１は、上記図９のＸＩ−ＸＩ線における断面図である。この図１１に示すように、透明導電膜１１８は、ゲートライン１１１の端部の周面および上面上に亘って形成されている。このため、ゲートライン１１１と、透明導電膜１１８との電気的接続を確保することができる。
【００６０】
図１２は、図９のＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図である。図１３は、図９のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における断面図である。この図１２および図１３に示すように、透明基板１３１の主表面のうち、周辺領域１０５よりも表示領域１０３側に位置する部分では、ゲートライン１１１の上面上にゲート絶縁膜１３３および層間絶縁膜１４０が形成されている。なお、層間絶縁膜１４０は、ゲート絶縁膜１３３上に形成されたパッシベーション膜１３７およびパッシベーション膜１３７上に形成された平坦化膜１３８を含む。
【００６１】
図１３に示すように、透明導電膜１１８は、周辺領域１０５に位置する透明基板１３１の主表面からゲートライン１１１の端部上をとおり、層間絶縁膜１４０の上面に達するように形成されている。図１３および上記図９に示すように、ゲートライン１１１の端部は、透明導電膜１１８と異方性導電膜１６０との接続部分よりも、画素配列領域１０７側に位置している。このように、ゲートライン１１１が、異方性導電膜１６０と透明導電膜１１８との接触部分から退避しているので、異方性導電膜１６０のうち、異方性導電膜１６０と透明導電膜１１８との接続部分およびその近傍に位置する部分が平坦面状となる。このように、異方性導電膜１６０のうち、透明導電膜１１８との接続部分を平坦面状とすることで、透明導電膜１１８と異方性導電膜１６０とを良好に接続することができる。
【００６２】
上記のように構成された液晶表示装置の製造方法について説明する。
図１４は、表示領域１０３となる領域における断面図であり、透明基板１３１の主表面上にゲート電極１３２を形成したときの断面図である。図１５は、上記図１４に示す製造工程において、周辺領域１０５となる領域における断面図である。
【００６３】
この図１４および図１５に示すように、まず、主表面を有する透明基板１３１を準備する。なお、透明基板１３１の主表面は、表示領域１０３となる領域と、周辺領域１０５となる領域とを含む。そして、透明基板１３１の主表面のうち、周辺領域１０５となる領域および表示領域１０３となる領域に金属膜１３２ａ、金属膜１３２ｂおよび金属膜１３２ｃを形成する。そして、この積層された金属膜をパターニングすることでゲート電極１３２およびゲートライン１１１を形成する。ゲート電極１３２と、ゲートライン１１１とは、積層された金属膜をパターニングすることで同時に形成される。
【００６４】
図１６は、上記図１４および図１５に示す製造工程後の製造工程を示す断面図であり、表示領域１０３となる領域における断面図である。図１７は、図１６に示す製造工程時において、周辺領域１０５となる領域における断面図である。
【００６５】
この図１６および図１７に示すように、ａ−Ｓｉ膜（ｉ層）１３４ａと、ａ−Ｓｉ膜１３４ａ上に形成されたａ−Ｓｉ膜（ｎ＋層）１３４ｂとを順次積層する。そして、積層されたａ−Ｓｉ膜（アモルファスシリコン膜）（ｉ層）１３４ａとａ−Ｓｉ膜（アモルファスシリコン膜）（ｎ＋層）１３４ｂとをパターニングして、半導体層１３４を形成する。半導体層１３４は、ゲート電極１３２の上方に位置するゲート絶縁膜１３３の上面上に形成されている。
【００６６】
なお、周辺領域１０５となる領域においては、ａ−Ｓｉ膜（ｉ層）１３４ａと、ａ−Ｓｉ膜（ｎ＋層）１３４ｂとは、上記パターニングによって除去される。
【００６７】
図１８は、上記図１６および図１７に示す製造工程後の製造工程を示す表示領域１０３となる領域における断面図であり、図１９は、上記図１８に示す製造工程時における周辺領域１０５となる領域における断面図である。
【００６８】
半導体層１３４を覆うように、チタン等から形成された金属膜およびアルミニウムなどから形成された金属膜を順次成膜する。
【００６９】
そして、上記積層された金属膜をパターニングする。これにより、ソース電極１３５およびドレイン電極１３６が形成される。なお、ソース電極１３５およびドレイン電極１３６が形成される際に、同時にデータライン１１３が形成される。このようにして、薄膜トランジスタ１１５および表示領域１０３が形成される。そして、表示領域１０３の周囲に周辺領域１０５が規定される。
【００７０】
図２０は、図１８および図１９に示す製造工程後の製造工程を示す表示領域１０３の断面図であり、図２１は、図２０に示す製造工程時における周辺領域１０５の断面図である。この図２０および図２１に示すように、ソース電極１３５、ドレイン電極１３６およびデータライン１１３等を覆うようにパッシベーション膜１３７および平坦化膜１３８が形成される。
【００７１】
平坦化膜１３８は、アクリルベースの合成樹脂等の有機材料から形成されている。この平坦化膜１３８をパターニングすることで、平坦化膜１３８のうち周辺領域１０５に位置する部分が除去される。なお、このパターニングの際に、たとえば、ドレイン電極１３６に向けて延びるコンタクトホール等も、平坦化膜１３８に形成される。
【００７２】
このパターニングが施された平坦化膜１３８をマスクとして、パッシベーション膜１３７およびゲート絶縁膜１３３にパターニングが施される。これにより、周辺領域１０５上に形成されたパッシベーション膜１３７およびゲート絶縁膜１３３が除去され、透明基板１３１の主表面が外方に露出する。その一方で周辺領域１０５内においては、平坦化膜１３８およびパッシベーション膜１３７を貫通し、ドレイン電極１３６に達するコンタクトホールが形成される。
【００７３】
その後、図８に示すように、ＩＴＯ膜１３９を形成し、このＩＴＯ膜１３９をパターニングする。これにより、平坦化膜１３８の上面上には、画素電極１１６が形成される。この画素電極１１６は、平坦化膜１３８およびパッシベーション膜１３７を貫通するコンタクトホールにも形成され、ドレイン電極１３６に電気的に接続される。
【００７４】
その一方で、周辺領域１０５においては、図９に示すように、透明導電膜１１８Ａ，１１８Ｂが形成される。
【００７５】
ここで、透明導電膜１１８の幅Ｗ２は、ゲートライン１１１の幅Ｗ１よりも幅広に形成されている。このため、ＩＴＯ膜１３９をパターニングして、透明導電膜１１８を形成する際に、マスクに位置ずれ等が生じたとしても、透明導電膜１１８とゲートライン１１１との接続を確保することができる。このため、製造される液晶表示装置の歩留まりの向上を図ることができる。
【００７６】
さらに、ＩＴＯ膜１３９をパターニングする際において、透明基板１３１の主表面のうち、周辺領域１０５に位置する部分は、層間絶縁膜１４０およびゲート絶縁膜１３３から露出している。このため、ＩＴＯ膜１３９をパターニングして透明導電膜１１８を形成する際には、透明導電膜１１８とゲートライン１１１との相対的な位置あわせがなされておればよく、他の部材との位置あわせを考慮する必要がない。このため、位置あわせを正確に行う必要のある対象が少ないため液晶表示装置の歩留まりの向上を図ることができる。
【００７７】
透明導電膜１１８を形成する際には、ゲートライン１１１との相対的な位置決めが正確であればよいため、フォトリソグラフィにおけるマージンを小さく抑えることができる。
【００７８】
このように、フォトリソグラフィにおけるマージンを小さく抑えることができるので、透明導電膜１１８同士間の間隔を小さくしたり、透明導電膜１１８の幅Ｗ２自体を小さくすることができる。このため、ゲートパッド１１２の微細化を図ることができる。また、透明導電膜１１８自体の形状に制約がないため、図９に示すような長方形形状に限られず、他の多角形形状、円形形状、および楕円形状等を採用することができる。
【００７９】
透明導電膜１１８は、層間絶縁膜１４０およびデータライン１１３から露出するゲートライン１１１の端部を覆うように形成されている。このため、ＩＴＯ膜１３９をパターニングして透明導電膜１１８等を形成する際に、ゲートライン１１１までもパターニングされることを抑制することができ、ゲートライン１１１が断線することを抑制することができる。
【００８０】
また、透明導電膜１１８は、層間絶縁膜１４０の上面に達するように形成されているので、透明導電膜１１８が、所定の位置から透明基板１３１の外周縁部側にずれたとしても、透明導電膜１１８とゲートライン１１１との接続状態を維持することができる。これにより、製造する液晶表示装置の歩留まりの向上を図ることができる。なお、ＩＴＯ膜１３９をパターニングして、透明導電膜１１８を形成しているが、ＩＺＯ膜を形成し、このＩＺＯ膜をパターニングすることで透明導電膜１１８等を形成するようにしてもよい。さらに、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜以外の透明導電膜をも採用することができる。また、金属膜１３２ａを窒化モリブデン（ＭｏＮ）から形成し、金属膜１３２ｂをアルミニウム（Ａｌ）から形成し、さらに、金属膜１３２ｃをモリブデン（Ｍｏ）から形成した場合においても、ゲート絶縁膜１３３等をパターニングする際に、耐薬性を確保することができる。
【００８１】
（実施の形態２）
図２２から図２７を用いて、本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置について説明する。なお、図２２から図２７に示す構成のうち、上記図１から図２１に示す構成と同一または相等する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００８２】
図２２は、本実施の形態２に係る液晶表示装置における表示領域１０３における断面図である。図２３は、周辺領域１０５に形成されたソースパッド１１４の平面図である。
【００８３】
この図２３に示すように、データライン１１３の端部は、透明基板１３１の主表面のうち、周辺領域１０５が位置する部分に達している。データライン１１３のうち、周辺領域１０５に達する端部は、ゲート絶縁膜１３３および層間絶縁膜１４０から露出している。データライン１１３のうち、ゲート絶縁膜１３３および層間絶縁膜１４０から露出する部分には、透明導電膜１１９が接続されている。透明導電膜１１９は、データライン１１３の端部を覆うように形成されている。
【００８４】
透明導電膜１１９およびその周囲に位置する透明基板１３１の主表面は、層間絶縁膜１４０およびゲート絶縁膜１３３から露出するように形成されている。さらに、透明基板１３１の主表面のうち、透明導電膜１１９Ａと、透明導電膜１１９Ａと隣り合う他の透明導電膜１１９Ｂとの間の位置する透明基板１３１の主表面は、ゲート絶縁膜１３３および層間絶縁膜１４０から露出している。
【００８５】
透明導電膜１１９は、透明基板１３１の主表面上からデータライン１１３の端部に達するように形成されている。透明基板１３１がデータライン１１３の端部上に位置する部分において、透明基板１３１の幅Ｗ４は、データライン１１３の幅Ｗ３よりも幅広に形成されている。
【００８６】
このため、透明導電膜１１９を成膜する際に、透明導電膜１１９が透明導電膜１１９の幅方向に多少位置ずれしたとしても、データライン１１３と透明導電膜１１９との接続を確保することができる。これにより、液晶表示装置の歩留まりの向上を図ることができる。
【００８７】
透明導電膜１１９は、透明基板１３１の主表面からデータライン１１３の端部に達するように形成されている。透明導電膜１１９のうち、透明基板１３１の主表面上に位置する部分は、平坦面状とされており、端子部として機能する。このように形成された透明導電膜１１９によって、ソースパッド１１４が形成されている。
【００８８】
図２４は、図２３に示すＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線における断面図である。この図２４に示すように、透明基板１３１の主表面上に位置する透明導電膜１１９の上面上には、異方性導電膜１６０が配置されている。この異方性導電膜１６０の上面上には、ソースドライバ１５３が配置されている。ソースドライバ１５３の下面には、接続端子１６４が形成されている。
【００８９】
異方性導電膜１６０は、絶縁性のバインダ１６１と、バインダ１６１内に複数設けられてた導電性粒子１６２とを含む。そして、導電性粒子１６２によって、透明導電膜１１９と接続端子１６４とが電気的に接続されている。
【００９０】
ソースパッド１１４においても、ソースパッド１１４の周囲には、層間絶縁膜１４０およびゲート絶縁膜１３３が形成されていないため、接続端子１６４とソースパッド１１４（透明導電膜１１９）とを近接させることができる。接続端子１６４と透明導電膜１１９とを近接させることができるので、小径の導電性粒子１６２を採用することができる。
【００９１】
これに伴い、透明導電膜１１９上に複数の導電性粒子１６２を配列させることができると共に、隣り合うソースパッド１１４Ａとソースパッド１１４Ｂとが短絡することを抑制することができる。
【００９２】
図２５は、図２３に示すＸＸＶ−ＸＸＶ線における断面図である。この図２５に示すように、データライン１１３は、データライン本体部１１３Ｂと、透明導電膜１１３Ｃと、接続配線１１３Ａとを備えている。
【００９３】
データライン本体部１１３Ｂは、ソース電極１３５に接続され、ソース電極１３５から周辺領域１０５に向けて引き出されている。このデータライン本体部１１３Ｂは、ゲート絶縁膜１３３上に形成され、チタン等から形成された金属膜１３５ａと、この金属膜１３５ａ上に形成され、アルミニウムから形成された金属膜１３５ｂとを含む。
【００９４】
接続配線１１３Ａは、データライン本体部１１３Ｂの端部側から周辺領域１０５に向けて延びるように形成されている。この接続配線１１３Ａは、金属膜１３２ａと、金属膜１３２ｂと、金属膜１３２ｃとによって形成されており、ゲートライン１１１と同様の金属膜により形成されている。接続配線１１３Ａは、透明基板１３１の主表面上に形成されている。この接続配線１１３Ａは、金属膜１３２ａと、金属膜１３２ｂと、金属膜１３２ｃとを積層した後、パターニングすることでゲートライン１１１およびゲート電極１３２と同時に形成される。この接続配線１１３Ａの端部が周辺領域１０５に達しており、ゲート絶縁膜１３３および層間絶縁膜１４０から露出するように形成されている。
【００９５】
透明導電膜１１３Ｃは、平坦化膜１３８およびパッシベーション膜１３７を貫通するように形成されたコンタクトホール１６５ａの内周面上に形成されている。コンタクトホール１６５ａ内には、データライン本体部１１３Ｂの端部が露出しており、コンタクトホール１６５ａの底部には、接続配線１１３Ａの上面が露出している。
【００９６】
そして、透明導電膜１１３Ｃは、接続配線１１３Ａの上面、データライン本体部１１３Ｂの端部の周面および上面、およびコンタクトホール１６５ａの内周面を通って、平坦化膜１３８の上面に達するように形成されている。このため、接続配線１１３Ａとデータライン本体部１１３Ｂとは、透明導電膜１１３Ｃによって電気的に接続されている。
【００９７】
なお、コンタクトホール１６５ａを形成する際には、まず、パッシベーション膜１３７および平坦化膜１３８を形成した後、平坦化膜１３８をパターニングする。
【００９８】
平坦化膜１３８をパターニングすることで、平坦化膜１３８のうち、周辺領域１０５に位置する部分が除去されると共に、コンタクトホール１６５ａの一部が形成される。
【００９９】
そして、このパターニングされた平坦化膜１３８をマスクとして、パッシベーション膜１３７をパターニングすることで、コンタクトホール１６５ａが形成される。さらに、周辺領域１０５における透明基板１３１の主表面が外方に露出する。
【０１００】
接続配線１１３Ａの周辺領域１０５側の端部は、平坦化膜１３８、パッシベーション膜１３７およびゲート絶縁膜１３３から露出してる。そして、透明導電膜１１９は、接続配線１１３Ａの端部を覆うと共に、平坦化膜１３８の上面に達するように形成されている。このため、透明導電膜１１９が透明基板１３１の外周縁部側に位置ずれしたとしても、透明導電膜１１９と接続配線１１３Ａとの電気的な接続を確保することがでできる。このため、製造される液晶表示装置の歩留まりの向上を図ることができる。
【０１０１】
さらに、透明導電膜１１９は、接続配線１１３Ａのうち、平坦化膜１３８等の絶縁膜から露出する部分を覆うように形成されている。このため、ＩＴＯ膜１３９をパターニングして透明導電膜１１９を形成する際に、接続配線１１３Ａまでもパターニングされることを抑制することができる。
【０１０２】
なお、図２６および図２７は、図２４におけるＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線およびＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線における断面図である。
【０１０３】
図２６に示すように、透明導電膜１１９は、接続配線１１３Ａと隣り合う透明基板１３１の主表面から接続配線１１３Ａの上面および周面上に亘って形成されている。そして、周辺領域１０５よりも表示領域１０３側では、透明導電膜１１９は、平坦化膜１３８の上面上に形成されている。
【０１０４】
（実施の形態３）
図２８および図２９を用いて、本実施の形態３に係る液晶表示装置について説明する。なお、図２８および図２９に示す構成のうち、上記図１から図２７に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付して説明を省略する場合がある。
【０１０５】
図２８は、本実施の形態３に係る液晶表示装置のソースパッド１１４が形成された周辺領域１０５の断面図である。
【０１０６】
この図２８に示すように、データライン１１３は、周辺領域１０５に達するように形成されている。周辺領域１０５に位置するデータライン１１３の端部は、周辺領域１０５に達するように形成されている。このデータライン１１３の端部は、層間絶縁膜１４０から露出するように形成されている。なお、層間絶縁膜１４０は、薄膜トランジスタ１１５が形成された表示領域１０３を覆うように形成されている。
【０１０７】
データライン１１３は、透明基板１３１の主表面上に形成されたゲート絶縁膜１３３上に形成されている。本実施の形態に係る液晶表示装置においては、ゲート絶縁膜１３３は、周辺領域１０５にも形成されている。
【０１０８】
透明導電膜１１８は、周辺領域１０５が位置する透明基板１３１の主表面上からデータライン１１３の端部に達するように形成されている。そして、透明導電膜１１８は、データライン１１３の上面から層間絶縁膜１４０の上面に達するように形成されている。
【０１０９】
透明導電膜１１８は、上記ゲート絶縁膜１３３の上面上に形成されており、透明基板１３１の主表面の上方に位置している。透明導電膜１１８のうち、周辺領域１０５が位置する透明基板１３１の主表面上に位置する部分の上面には、異方性導電膜（接続部材）１６０が配置されている。
【０１１０】
透明導電膜１１８のうち、ゲート絶縁膜１３３上に位置する部分は、平坦面状に形成されており、この平坦面状に形成された部分の上方にゲートドライバ１５２の接続端子１６３が配置されている。透明導電膜１１８の上面上に異方性導電膜１６０が配置されており、この異方性導電膜１６０内の導電性粒子１６２によって、接続端子１６３と透明導電膜１１８とが電気的に接続されている。
【０１１１】
このため、データライン１１３の端部の位置が位置ずれした場合においても、データライン１１３の端部と透明導電膜１１８とが接続されておればよく、歩留まりの向上を図ることができる。さらに、このソースパッド１１４においても、上記実施の形態１および実施の形態２と同様に、透明導電膜１１８の幅は、データライン１１３の端部の幅よりも大きくなるように形成されている。
【０１１２】
なお、データライン１１３の端部は、層間絶縁膜１４０から完全に露出してい必要はない。たとえば、図２９に示す例においては、データライン１１３の端面が層間絶縁膜１４０から露出しており、透明導電膜１１８がデータライン１１３の端面と接触するように、形成されている。
【０１１３】
（実施の形態４）
図３０および図３１を用いて、本実施の形態４に係る液晶表示装置について説明する。なお、図３０および図３１に示す構成のうち、上記図１から図２９に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【０１１４】
図３０は、本実施の形態４に係る液晶表示装置の断面図であり、図３１は、ゲートパッド１１２の断面図である。
【０１１５】
図３０において、ゲート電極１３２およびゲートライン１１１は、アルミニウム合金材料膜によって構成されている。
【０１１６】
このアルミニウム合金材料膜は、母材としてのアルミニウムと、コバルト（Ｃｏ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），炭素（Ｃ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金成分と、銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、ホウ素（Ｂ）、ネオジム(Ｎｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、およびイットリウム（Ｙ）よりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む他の成分とを有する。
【０１１７】
このようなアルミニウム合金材料膜でゲートライン１１１およびゲート電極１３２を構成することで、ウエットエッチングでゲートライン１１１およびゲート電極１３２をパターニングすることができる。
【０１１８】
たとえば、チタンおよびアルミニウムの積層金属膜をパターニングして、ゲート電極１３２およびゲートライン１１１等を形成する場合には、処理装置内にチタンなどのダストが発生するおそれがある。このようなダストが発生すると、ダストが基板上に付着し、歩留まりの低下を招くおそれがある。
【０１１９】
その一方で、上記のようなアルミニウム合金材料膜をウエットエッチングすることで、ゲートライン１１１およびゲート電極１３２を形成することで、上記ダストが発生することを抑制することができる。さらに、上記アルミニウム合金材料膜とＩＴＯ膜との電位差は、アルミニウム膜とＩＴＯ膜との電位差よりも小さい。このため、ゲートライン１１１にＩＴＯ膜等から構成された透明導電膜１１９を接触したとしても、ゲートライン１１１が腐食されることを抑制することができる。
【０１２０】
ここで、図３１に示すように、ゲートライン１１１の端部は、絶縁層１０９から露出している。なお、絶縁層１０９は、ゲート絶縁膜１３３と、このゲート絶縁膜１３３上に形成された層間絶縁膜１４０とを含む。
【０１２１】
なお、本実施の形態４においても、周辺領域１０５に位置する透明基板１２３の主表面は、絶縁層１０９から露出している。
【０１２２】
そして、透明導電膜１１９は、透明基板１２３の主表面のうち、周辺領域１０５が位置する部分からゲートライン１１１の端部に達するように形成されている。
【０１２３】
そして、透明導電膜１１９のうち、透明基板１２３の主表面上に直接形成された部分は、平坦面状に形成されている、この平坦面状とされた部分の上方には、接続端子１６３が配置されている。
【０１２４】
そして、透明導電膜１１９のうち、平坦面状とされた部分の上面には、異方性導電膜１６０が配置されており、透明導電膜１１９と接続端子１６３とが電気的に接続されている。
【０１２５】
本実施の形態４に係る液晶表示装置においては、ソース電極１３５およびドレイン電極１３６の金属膜１３５ａ，１３６ａは、モリブデンから形成されており、金属膜１３５ｂ，１３６ｂは、上記アルミニウム合金材料膜から構成されている。
【０１２６】
このように、ソース電極１３５およびドレイン電極１３６を形成することで、ソース電極１３５およびドレイン電極１３６をウエットエッチングにより形成することができる。
【０１２７】
さらに、アルミニウム合金材料膜の下面にモリブデンから構成された金属膜を配置することで、アルミニウム合金材料膜に含まれるニッケル等が半導体層に拡散することを抑制することができる。
【０１２８】
なお、図３２および図３３は、本発明をCOG（Chip On Glass）に適用した例を示す。
図３２は、COG（Chip On Glass）が採用された液晶表示装置の平面図であり、図３３は、図３２に示すＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ線の断面図である。
【０１２９】
この図３２に示すように、透明基板１３１の主表面のうち、周辺領域１０５が位置する分には、複数の配線１９１および配線１９２が配置されている。配線１９１は、たとえば、ゲート電極に接続されている。
【０１３０】
この配線１９１の端部は、配線１９１の上面に形成された絶縁膜１９３から露出するように形成されている。配線１９１の端部は、周辺領域１０５に位置しており、この配線１９１の端部には、透明導電膜１１９が接続されている。
【０１３１】
ここで、透明導電膜１１９は、透明基板１３１の主表面から配線１９１の端部に達するように形成されている。そして、透明導電膜１１９のうち、透明基板１３１の主表面に直接形成された部分は、平坦面状とされている。透明導電膜１１９のうち、上記平坦面部分の上方にゲートドライバ１５２の接続端子１６３が配置されている。
【０１３２】
透明導電膜１１９の平坦面部分の上面に異方性導電膜１６０が配置され、透明導電膜１１９と接続端子１６３とが電気的に接続されている。具体的には、異方性導電膜１６０の導電性粒子１６２によって、接続端子１６３と透明導電膜１１９とが接続されている。
【０１３３】
以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での０および範囲にかぎられない。
【産業上の利用可能性】
【０１３４】
本発明は、液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に適用することができ、特に、アクティブマトリックス基板および対向基板とを備え、アクティブマトリックス基板に形成された端子部を有する液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に好適である。
【符号の説明】
【０１３５】
１０１  液晶表示パネル、１０３  表示領域、１０４  非表示領域、１０５  周辺領域、１０７  画素配列領域、１１１  ゲートライン、１１２  ゲートパッド、１１３  データライン、１１３Ａ  接続配線、１１３Ｂ  データライン本体部、１１３Ｃ  透明導電膜、１１４  ソースパッド、１１５  薄膜トランジスタ、１１６  画素電極、１１８  透明導電膜、１１９  透明導電膜、１２０  対向基板、１２１  カラーフィルタ、１２２  対向電極、１２３  透明基板、１２４  液晶層、１３０  アクティブマトリックス基板、１３１  透明基板、１３２  ゲート電極、１３３  ゲート絶縁膜、１３４  半導体層、１３５  ソース電極、１３６  ドレイン電極、１３７  パッシベーション膜、１３８  平坦化膜、１４０  層間絶縁膜、１５０  ゲート端子部、１５１  ソース端子部、１５２  ゲートドライバ、１５３  ソースドライバ、１６０  異方性導電膜、１６１  バインダ、１６２  導電性粒子、１６３  接続端子、１６４  接続端子、３００  液晶表示装置。
【図１】
2013029532.tif 000003
【図２】
2013029532.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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