(57)【要約】【課題】磁気ディスク用ガラス基板の主表面を研磨するときに、良好な研磨速度を確保すること、主表面にスクラッチ等のキズが生じ難くすること、及び、主表面の縁部のだれを生じに難くすることを可能とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク、及び磁気記録再生装置を提供すること。【解決手段】イットリウムを含有する部分安定化ジルコニアを研磨材として含む研磨液を用いて研磨する。【選択図】図１
2013084337.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イットリウムを含有する部分安定化ジルコニアを研磨材として含む研磨液を用いて研磨する研磨工程を有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記部分安定化ジルコニアは、イットリウムを酸化物の形で含有し、
当該酸化物のモル比は１〜６％の範囲であることを特徴とする、請求項１に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記研磨材に対して、粉末Ｘ線回折による入射角と回折強度の関係を示す回折パターンにおいて、ジルコニアの結晶構造のうち立方晶の回折強度のピークが最も高いことを特徴とする、請求項１または２に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記酸化ジルコニウム砥粒の平均粒径D50は、０．２〜０．５μｍの範囲内とすることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記研磨工程では、ＪＩＳ−Ａ硬度で８０〜１００の範囲の硬度を備えた研磨パッドを用いて前記ガラス基板の主表面を研磨することを特徴とする、
請求項１〜４のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記研磨工程の後、コロイダルシリカを砥粒として含有する研磨液を用いて研磨する後研磨工程を有することを特徴とする、
請求項１〜５のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記後研磨工程の取り代が５μｍ以下であることを特徴とする、
請求項６に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項８】
前記研磨工程と後研磨工程との間にさらに、酸化セリウム砥粒を含有する研磨液を用いて研磨する中間研磨工程を有することを特徴とする、
請求項６または７に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項９】
前記研磨工程と前記後研磨工程との間に化学強化工程を有することを特徴とする、
請求項６〜８のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板の主表面上に少なくとも磁性層を形成した磁気ディスク。
【請求項１１】
請求項１０に記載の磁気ディスクと、ＤＦＨ(Dynamic Flying Height)コントロール機構
を搭載した磁気ヘッドとを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、パーソナルコンピュータ、あるいはＤＶＤ（Digital Versatile Disc）記録装置等には、データ記録のためにハードディスク装置(ＨＤＤ：Hard Disk Drive)が内蔵されている。特に、ノート型パーソナルコンピュータ等の可搬性を前提とした機器に用いられるハードディスク装置では、ガラス基板に磁性層が設けられた磁気ディスクが用いられ、磁気ディスクの面上を僅かに浮上させた磁気ヘッドで磁性層に磁気記録情報が記録され、あるいは読み取られる。この磁気ディスクの基板として、金属基板（アルミニウム基板）等に比べて塑性変形し難い性質を持つことから、ガラス基板が好適に用いられる。
【０００３】
また、ハードディスク装置における記憶容量の増大の要請を受けて、磁気記録の高密度化が図られている。例えば、磁性層における磁化方向を基板の面に対して垂直方向にする垂直磁気記録方式を用いて、磁気記録情報エリア（記録ビット）の微細化が行われている。これにより、１枚のディスク基板における記憶容量を増大させることができる。さらに、記憶容量の一層の増大化のために、磁気ヘッドの記録再生素子部をさらに突き出すことによって磁気記録層との距離を極めて短くして、情報の記録再生の精度をより高める（Ｓ／Ｎ比を向上させる）ことも行われている。なお、このような磁気ヘッドの記録再生素子部の制御はＤＦＨ（Dynamic Flying Height)制御機構と呼ばれ、この制御機構を搭載した磁気ヘッドはＤＦＨヘッドと呼ばれている。このようなＤＦＨヘッドと組み合わされてＨＤＤに用いられる磁気ディスク用の基板においては、磁気ヘッドやそこからさらに突き出された記録再生素子部との衝突や接触を避けるために、基板の表面凹凸は極めて小さくなるように作製されている。
【０００４】
磁気ディスク用ガラス基板を作製する工程には、プレス成形後に平板状となったガラスブランクの主表面に対して固定砥粒による研削を行う研削工程と、この研削工程によって主表面に残留したキズ、歪みの除去を目的として主表面の研磨工程が含まれる。従来、上記主表面の研磨工程においては、研磨剤として酸化ジルコニウム（ジルコニア）砥粒を用いる方法が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第２７８３３２９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記特許文献１では触針式の表面形状測定器によってガラス基板の主表面の表面形状を測定することが開示されている。しかし、このような触針式の測定方法では、近年問題となっている、いわゆるナノピット、ナノスクラッチ等の微小なキズを測定することができない。ナノピットはガラス基板の主表面に生ずるナノレベルのサイズ（例えば、Ｒｖ（ＡＦＭで測定したときの粗さ平均面からの深さ）で５０ｎｍ以下）の凹みであり、ナノスクラッチはガラス基板の主表面に生ずるナノレベルの幅及び深さのスクラッチである（例えば幅及び深さが数ｎｍ〜１００ｎｍ、長さ数１０μｍ）。このような微小なサイズの凹みあるいはスクラッチは、従来問題とはならなかったが、近年ＤＦＨヘッドによる読み取り及び記録を前提として、磁気記録情報が高集積化されて記録密度が高くなってきたことに伴って、磁気ディスク用ガラス基板の主表面のナノピット、ナノスクラッチの数を低減することが重要となっている。つまり、情報が記録される個々の記録ビットの大きさが従来よりも微細化された結果、従来問題とはならなかったナノレベルのスクラッチ等のサイズが記録ビットに対して相対的に大きな割合を占めるようになったため、ナノピットやナノスクラッチを含む記録ビットに対しては読み取り及び記録時のＳ／Ｎ(Signal to Noise)が低下して記録再生不良を生じさせることがわかってきた。したがって、磁気ディスク用ガラス基板の主表面のナノピット、ナノスクラッチのレベルを低減することが重要となっているのである。
また、２．５インチ型（直径６５ｍｍ）の磁気ディスク1枚あたり５００ギガバイトを実現するためには、約３５０ｋＴＰＩ(track per inch)以上のトラック密度、約１７００ｋＢＰＩ（Bits Per Inch）以上の線記録密度が必要であり、１ビットのサイズについては例えば１５ｎｍ×７０ｎｍより小さくすることが必要であると考えられる。このように記録密度が向上し１ビットのサイズが非常に小さくなった結果、従来問題とならなかったナノピットやナノスクラッチなどのナノサイズの欠陥であっても１ビットに占める面積（もしくは体積）が相対的に増大するため、磁気的な信号品質（例えばＳ／Ｎ比など）の劣化も無視できないものとなっている。
【０００７】
なお、酸化ジルコニウムを研磨材としたガラス基板の主表面の研磨工程（以下、適宜「第１研磨工程」という。）によって生じたナノピット、ナノスクラッチは、コロイダルシリカ等を研磨剤として用いる後研磨工程（以下、適宜「第２研磨工程」という。）によって除去しうるが、そのときの取り代が大きくなり過ぎると、ガラス基板の主表面の端部形状がロールオフ形状になる等の不具合（端部のだれ）が生じやすい。また、第１研磨工程と第２研磨工程の間に、ガラス基板の主表面に圧縮応力層を形成するための化学強化工程を設ける場合には、化学強化工程後の第２研磨工程における取り代が大きくなるに従って、ガラス基板の両主表面で圧縮応力層の厚さに差が生じやすくなる。両主表面で圧縮応力層の厚さに差が生ずると、圧縮応力層が薄い方の主表面の強度低下や、両主表面での圧縮応力の差に起因する主表面の平坦度の悪化（反り等）が生ずる。よって、第２研磨工程による研磨の取り代を抑制できる（例えば５μｍ以下程度とする）ように、第１研磨工程による研磨で深いナノピットやナノスクラッチが形成されないようにする必要がある。
【０００８】
以上の観点から、酸化ジルコニウムを研磨材として含有する研磨液を用いてガラス基板の主表面を研磨するときに、深いナノピット、ナノスクラッチ等のキズを生じ難くするようにすること、ガラス基板の主表面の端部のだれを生じ難くすることが好ましい。
また、別の観点では、酸化ジルコニウムを研磨材として含有する研磨液を用いてガラス基板の主表面を研磨するときに、従来よりも生産性を高めるべく研磨速度を向上することが要請されている。
【０００９】
そこで、本発明は、酸化ジルコニウムを研磨材として含有する研磨液を用いてガラス基板の主表面を研磨するときに、主表面に深いナノスクラッチ等のキズを生じ難くすること、良好な研磨速度を確保すること、及び、主表面の縁部のだれを生じ難くすることを可能とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク、及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一般に、酸化ジルコニウム（ジルコニアともいう。）の結晶構造（晶系）は、約１１００度以下の温度で単斜晶（monoclinic；モノクリニック）となり、概ね１１００〜２３７０度の範囲の温度で正方晶（Tetragonal；テトラゴナル）となり、約２３７０度以上の温度で立方晶(Cubic；キュービック）となることが知られている。なお、単斜晶の酸化ジルコニウムを高温にして正方晶あるいは立方晶に相転移させた場合でも、常温に低下すると再び相転移して単斜晶に戻るとされている。
【００１１】
単斜晶のみで構成される酸化ジルコニウムは硬度が低いため、この酸化ジルコニウムの砥粒を研磨材として用いてガラス基板の主表面の研磨を行うと、研磨中に砥粒の破砕が生じる。この砥粒の破砕によって小さい粒径の酸化ジルコニウムが増大し、粒度分布が低粒径側にも広がると、粒径が相対的に大きい砥粒の割合が少なくなり、研磨定盤にかけられた荷重は多くの砥粒に分散せずに比較的大きい粒径の砥粒に局所的に荷重が掛かった状態で研磨されるため、ガラス基板の主表面にナノピットやナノスクラッチが生じやすくなる。
【００１２】
そこで、上記課題に直面した発明者らは、酸化ジルコニウムに対し、安定化剤として酸化カルシウム、酸化マグネシウム、またはイットリウムなどの希土類元素若しくはその酸化物を固溶させることで、常温においても立方晶で安定または準安定の状態である部分安定化ジルコニア（あるいは単に、安定化ジルコニアともいう。）について、研磨材として鋭意研究した。その結果、発明者らは、希土類元素の中でもイットリウムあるいはその酸化物を含有する部分安定化ジルコニアを研磨材として含む研磨液を用いて磁気ディスク用ガラス基板を研磨することで、以下に述べる効果が得られることが分かった。
【００１３】
イットリウムを含有する部分安定化ジルコニアは、単斜晶のみで構成される酸化ジルコニウムよりも硬度が高くなるため、研磨中における砥粒の破砕が生じ難くなる結果、粒度分布の変化が生じ難くなって、ガラス基板の主表面に深いスクラッチが生じ難くなる。また、単斜晶のみで構成される酸化ジルコニウムよりも硬度が高くなると、単位時間当たりの物理的研磨能力が向上し、研磨速度が向上する。さらに、イットリウムを含有する部分安定化ジルコニアは、ガラス基板表面に対する化学的研磨能力が向上するため、研磨速度の向上に寄与すると考えられる。この理由は、イットリウムを含有する部分安定化ジルコニアでは酸素欠損が生じるために、部分安定化ジルコニアに含まれるジルコニウムとガラス基板表面の二酸化珪素（ＳｉＯ２）中の酸素とが反応しやすくなり、二酸化珪素中の珪素がガラス基板表面から分離しやすくなるためであると推測される。
【００１４】
上述したように深いスクラッチが生じ難くなるため、後研磨工程（第２研磨工程）での取り代が大きくならず、ガラス基板の主表面の端部のだれが生じ難い。また、研磨中に砥粒が破砕し微細な粒子が多くなってしまうとガラス基板に端部のだれが生ずる傾向にあるが、イットリウムを含有する部分安定化ジルコニアは、上述したように砥粒の破砕が生じ難く、端部のだれが生じ難い。
【００１５】
以上から、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、イットリウムを含有する部分安定化ジルコニアを研磨材として含む研磨液を用いて研磨する研磨工程を有することを特徴とする。
【００１６】
上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記部分安定化ジルコニアは、イットリウムを酸化物の形で含有し、当該酸化物のモル比は１〜６％の範囲であることが好ましい。
【００１７】
上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記研磨材に対して、粉末Ｘ線回折による入射角と回折強度の関係を示す回折パターンにおいて、ジルコニアの結晶構造のうち立方晶の回折強度のピークが最も高いことを特徴とする。
【００１８】
上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記酸化ジルコニウム砥粒の平均粒径D50は、０．２〜０．５μｍの範囲内とすることを特徴とする。
【００１９】
上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記研磨工程では、ＪＩＳ−Ａ硬度で８０〜１００の範囲の硬度を備えた研磨パッドを用いて前記ガラス基板の主表面を研磨することを特徴とする。
【００２０】
上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、前記研磨工程の後、コロイダルシリカを砥粒として含有する研磨液を用いて研磨する後研磨工程を有することを特徴とする。
【００２１】
上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、前記後研磨工程の取り代が５μｍ以下であることを特徴とする。
【００２２】
上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、前記研磨工程と後研磨工程との間にさらに、酸化セリウム砥粒を含有する研磨液を用いて研磨する中間研磨工程を有することを特徴とする。
【００２３】
上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、前記研磨工程と前記後研磨工程との間に化学強化工程を有することを特徴とする。
【００２４】
本発明の磁気ディスクは、上述した磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板の主表面上に少なくとも磁性層を形成したことを特徴とする。
【００２５】
本発明の磁気記録再生装置は、上記磁気ディスクと、ＤＦＨ(Dynamic Flying Height)コントロール機構を搭載した磁気ヘッドとを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、酸化ジルコニウムを研磨材として含有する研磨液を用いてガラス基板の主表面を研磨するときに、主表面に深いナノスクラッチ等のキズを生じ難くすること、良好な研磨速度を確保すること、及び、主表面の縁部のだれを生じ難くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１研磨工程で使用される研磨装置（両面研磨装置）の概略断面図。
【図２】ガラス基板の端部形状のダブオフ値の算出方法を概念的に説明するための図。
【図３】実施例の研磨材に対する粉末Ｘ線回折装置の測定結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２９】
［磁気ディスク用ガラス基板］
本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。
【００３０】
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の組成を限定するものではないが、本実施形態のガラス基板は好ましくは、酸化物基準に換算し、モル％表示で、ＳｉＯ２を５０〜７５％、Ａｌ２Ｏ３を１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏから選択される少なくとも１種の成分を合計で５〜３５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜２０％、ならびにＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５及びＨｆＯ２から選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜１０％、有する組成からなるアルミノシリケートガラスである。
【００３１】
本実施形態のガラス基板は、ガラス成分全体に対して、５５〜７５質量％のＳｉＯ２と、５〜１８質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜１０質量％のＬｉ２Ｏと、３〜１５質量％のＮａ２Ｏと、０〜５質量％のＫ２Ｏと、０〜５質量％のＭｇＯと、０．１〜５質量％のＣａＯと、０〜８質量％のＺｒＯ２と、を含有するアルミノシリケートガラスであって、Ａｓ及びＳｂのいずれの元素も含有せず、Ｐ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｃｅ、Ｔａ及びＢｉからなる群の中から選ばれる少なくとも１種の多価元素を含有し、Ｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２からなる群の中から選ばれる少なくとも１種類以上を含有するガラスであってもよい。
なお、上記多価元素の酸化物を、それぞれ、Ｐ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、ＭｎＯ２、Ｎｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３とした場合における、上記多価元素の酸化物の総量の、上記ＣａＯに対するモル比率（上記多価元素の酸化物の総量／ＣａＯ）が、０．２５以上であるとより好ましい。こうすることで、ガラス中の気泡を十分に除去することが可能となる。
また、前記多価元素の酸化物は、Ｖ、Ｍｎ、Ｓｎ及びＣｅからなる群の中から選ばれる少なくとも１つの多価元素を含有するとより好ましい。Ｖ、Ｍｎ、Ｓｎ及びＣｅは、特に効果的に気泡を除去することができるため好ましい。
【００３２】
後述するように、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法では、イットリウムまたは酸化イットリウムを含有する部分安定化ジルコニアの砥粒を研磨材として含む研磨液を用いてガラス基板の主表面を研磨する研磨工程を有するが、このような研磨材に対して、上述したガラス組成のガラス基板の硬度は好適となっている。つまり、研磨工程において、ガラス基板の主表面に生ずるキズや、ナノピットやナノスクラッチを抑制しつつ、研磨レートを高くすることができる。
なお、上述したガラスは、アモルファスのアルミノシリケートガラスとするとなお好ましい。アモルファスのアルミノシリケートガラスは、結晶化ガラスのように結晶構造を含まないため均一な構造であり、極めて平滑な表面を得ることができるためである。
【００３３】
なお、本実施形態のガラス基板の破壊靱性値Ｋ１ｃは、ビッカース硬度計による計測で０．４〜１．５［ＭＰａ／ｍ１／２］であると好ましく、より好ましくは０．５〜１．０である。この範囲内となるガラス組成を用いると、上記研磨材による研磨工程において、研磨レートを良好に維持しつつ、ガラス基板の主表面に生ずるナノピットやナノスクラッチを低減することが可能となる。
ここで、破壊靱性値Ｋ１ｃは、周知のビッカース硬度計の鋭いダイヤモンド圧子をガラス素板に押し込む方法により測定するこができる。すなわち、破壊靱性値Ｋ１ｃは、ビッカース圧子を押しこんだときにガラス素板に残る圧子の圧痕の大きさと圧痕の隅から発生するクラックの長さより次式で求められる。Ｐはビッカース圧子の押しこみ荷重［Ｎ］であり、ａはビッカース圧痕の対角線長の半分の長さ［ｍ］である。Ｅはガラス素板のヤング率［Ｐａ］、Ｃはき裂長さの半分の長さ［ｍ］である。
【００３４】
【数１】
2013084337.tif 000003
【００３５】
例えばＷＯ２０１２／０８６６６４に記載されているように、Ｋ２Ｏは破壊靭性値を低下させる働きがあり、Ｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２は、破壊靱性値の向上の点で有利な成分であるため、これらの成分量を調整することによって、ガラス基板の破壊靱性値を調整することができる。また、アルカリ土類金属酸化物の一種であるＢａＯも破壊靭性値を低下させる働きがある。
【００３６】
本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板は、円環状の薄板のガラス基板である。磁気ディスク用ガラス基板のサイズは問わないが、例えば、公称直径２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板として好適である。
【００３７】
［磁気ディスク用ガラス基板の製造方法］
以下、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について、工程毎に説明する。ただし、各工程の順番は適宜入れ替えてもよい。
【００３８】
（１）板状ガラスの成形およびラッピング工程
例えばフロート法による板状ガラスの成形工程では先ず、錫などの溶融金属の満たされた浴槽内に、例えば上述した組成の溶融ガラスを連続的に流し入れることで板状ガラスを得る。溶融ガラスは厳密な温度操作が施された浴槽内で進行方向に沿って流れ、最終的に所望の厚さ、幅に調整された板状ガラスが形成される。この板状ガラスから、磁気ディスク用ガラス基板の元となる所定形状の板状ガラス素材が切り出される。浴槽内の溶融錫の表面は水平であるために、フロート法により得られる板状ガラス素材は、その表面の平坦度が十分に高いものとなる。
また、例えばプレス成形法よる板状ガラスの成形工程では、受けゴブ形成型である下型上に、溶融ガラスからなるガラスゴブが供給され、下型と対向ゴブ形成型である上型を使用してガラスゴブがプレス成形される。より具体的には、下型上に溶融ガラスからなるガラスゴブを供給した後に上型用胴型の下面と下型用胴型の上面を当接させ、上型と上型用胴型との摺動面および下型と下型用胴型との摺動面を超えて外側に肉薄板状ガラス成形空間を形成し、さらに上型を下降してプレス成形を行い、プレス成形直後に上型を上昇する。これにより、磁気ディスク用ガラス基板の元となる板状ガラス素材が成形される。
なお、板状ガラス素材は、上述した方法に限らず、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することができる。
【００３９】
次に、所定形状に切り出された板状ガラス素材の両主表面に対して、必要に応じて、アルミナ系遊離砥粒を用いたラッピング加工を行う。具体的には、板状ガラス素材の両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液（スラリー）を板状ガラス素材の主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行う。なお、フロート法で板状ガラス素材を成形した場合には、成形後の主表面の粗さの精度が高いため、このラッピング加工を省略してもよい。
【００４０】
（２）コアリング工程
円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、円板状ガラス素材の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とする。
【００４１】
（３）チャンファリング工程
コアリング工程の後、端部（外周端部及び内周端部）に面取り部を形成するチャンファリング工程が行われる。チャンファリング工程では、円環状のガラス基板の外周端部及び内周端部に対して、例えば、ダイヤモンド砥粒を用いたメタルボンド砥石等によって面取りが施され、面取り部が形成される。
【００４２】
（４）端面研磨工程（機械加工工程）
次に、円環状のガラス基板の端面研磨（エッジポリッシング）が行われる。
端面研磨では、ガラス基板の内周端面及び外周端面をブラシ研磨により鏡面仕上げを行う。このとき、酸化セリウム等の微粒子を遊離砥粒として含むスラリーが用いられる。端面研磨を行うことにより、ガラス基板の端面での塵等が付着した汚染、ダメージあるいはキズ等の損傷の除去を行うことにより、サーマルアスペリティの発生の防止や、ナトリウムやカリウム等のコロージョンの原因となるイオン析出の発生を防止することができる。
【００４３】
（５）固定砥粒による研削工程
固定砥粒による研削工程では、遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて円環状のガラス基板の主表面に対して研削加工を行う。研削による取り代は、例えば数μｍ〜１００μｍ程度である。両面研削装置は、上下一対の定盤（上定盤および下定盤）を有しており、上定盤および下定盤の間に円環状のガラス基板が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させることで、ガラス基板の両主表面を研削することができる。
【００４４】
（６）第１研磨（主表面研磨）工程
次に、研削されたガラス基板の主表面に第１研磨が施される。第１研磨による取り代は、例えば数μｍ〜５０μｍ程度である。第１研磨は、固定砥粒による研削により主表面に残留したキズ、歪みの除去、うねり、微小うねりの調整を目的とする。
［研磨装置］
第１研磨工程で使用される研磨装置について、図１を参照して説明する。図１は、第１研磨工程で使用される研磨装置（両面研磨装置）の概略断面図である。なお、この研磨装置と同様の構成は、上述した研削工程に使用される研削装置においても適用できる。
【００４５】
図１に示すように、研磨装置は、上下一対の定盤、すなわち上定盤４０および下定盤５０を有している。上定盤４０および下定盤５０の間に円環状のガラス基板Ｇが狭持され、上定盤４０または下定盤５０のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、ガラス基板Ｇと各定盤とを相対的に移動させることで、このガラス基板Ｇの両主表面を研磨することができる。
【００４６】
図１を参照して研磨装置の構成をさらに具体的に説明する。
研磨装置において、下定盤５０の上面および上定盤４０の底面には、全体として円環形状の平板の研磨パッド１０が取り付けられている。太陽歯車６１、外縁に設けられた内歯車６２および円板状のキャリア３０は全体として、中心軸ＣＴＲを中心とする遊星歯車機構を構成する。円板状のキャリア３０は、内周側で太陽歯車６１に噛合し、かつ外周側で内歯車６２に噛合するともに、ガラス基板Ｇ（ワーク）を１または複数を収容し保持する。下定盤５０上では、キャリア３０が遊星歯車として自転しながら公転し、ガラス基板Ｇと下定盤５０とが相対的に移動させられる。例えば、太陽歯車６１がＣＣＷ（反時計回り）の方向に回転すれば、キャリア３０はＣＷ（時計回り）の方向に回転し、内歯車６２はＣＣＷの方向に回転する。その結果、研磨パッド１０とガラス基板Ｇの間に相対運動が生じる。同様にして、ガラス基板Ｇと上定盤４０とを相対的に移動させてよい。
【００４７】
上記相対運動の動作中には、上定盤４０がガラス基板Ｇに対して（つまり、鉛直方向に）所定の荷重で押圧され、ガラス基板Ｇに対して研磨パッド１０が押圧される。また、図示しないポンプによって研磨液（スラリー）が、研磨液供給タンク７１から１または複数の配管７２を経由してガラス基板Ｇと研磨パッド１０の間に供給される。この研磨液に含まれる研磨材によってガラス基板Ｇの主表面が研磨される。ここで、ガラス基板Ｇの研磨に使用された研磨液は上下定盤から排出され、図示しないリターン配管によって研磨液供給タンク７１へ戻されて再使用されるのが好ましい。
【００４８】
研磨パッド１０の材質は、例えば発泡ウレタンであり、砥粒を含浸させたものを好適に用いることができる。研磨パッド１０の硬度は、ＪＩＳ−Ａ硬度で８０〜１００、より好ましくは９０〜１００である。研磨パッド１０の硬度をＪＩＳ−Ａ硬度で８０以上とすることで、第１研磨工程におけるガラス基板の端部形状を良好にすることができる。含浸させる砥粒は、例えば酸化セリウムであり、その平均粒径は１〜２μｍ、含浸量は２５〜３５重量％とするのが好ましい。含浸量が２５％以下である場合、研磨パッドの脆さが不足してスラリーが目詰まりしやすくなり連続生産時に研磨レートが低下し、含浸量が３５％以上である場合、研磨パッドが脆いために初期の特性を長期間維持することが困難になるためである。
ここで、平均粒径(D50)とは、体積分率で計算した累積体積頻度が粒径の小さいほうから計算して５０％となる粒径を意味している。
【００４９】
なお、この研磨装置では、ガラス基板Ｇに対する所望の研磨負荷を設定する目的で、ガラス基板Ｇに与えられる上定盤４０の荷重が調整されることが好ましい。荷重は、高研磨速度達成の観点から５０ｇ／ｃｍ２以上が好ましく、７０ｇ／ｃｍ２以上がより好ましく、９０ｇ／ｃｍ２以上がさらに好ましい。またスクラッチ低減及び品質安定化の観点から、研磨荷重は１８０ｇ／ｃｍ２以下が好ましく、１６０ｇ／ｃｍ２以下がより好ましく、１４０ｇ／ｃｍ２以下がさらに好ましい。すなわち、荷重は、５０ｇ／ｃｍ２〜１８０ｇ／ｃｍ２が好ましく、７０ｇ／ｃｍ２〜１６０ｇ／ｃｍ２がより好ましく、９０ｇ／ｃｍ２〜１４０ｇ／ｃｍ２がさらに好ましい。
【００５０】
研磨加工時の研磨液の供給速度は、研磨パッド１０、研磨液の組成及び濃度、ガラス基板Ｇの大きさによって異なるが、研磨速度を向上させる観点から５００〜５０００ｍｌ／分が好ましく、より好ましくは１０００〜４５００ｍｌ／分であり、さらに好ましくは１５００〜４０００ｍｌ／分である。研磨パッド１０の回転数は１０〜５０ｒｐｍが好ましく、２０〜４０ｒｐｍがより好ましく、２５〜３５ｒｐｍがさらに好ましい。
【００５１】
図１の研磨装置に使用する研磨液は、安定化剤としてイットリウムまたは酸化イットリウムを含有する部分安定化ジルコニア（以下、「イットリウム含有ジルコニア」という。）の砥粒を研磨材として含む。この研磨液は以下のようにして調整することができる。先ず、イットリウム含有ジルコニアの粗粉末から得られた所望の平均粒径のイットリウム含有ジルコニアの粉末に対し、適切な量の水、さらに適宜、分散剤、再凝集防止剤、ｐＨ調整剤、電荷調整剤、高分子凝集剤等の添加剤を加えて研磨液を調製する。
ここで、分散剤としては、リン酸塩、スルホン酸塩、ポリカルボン酸及びポリカルボン酸塩などを用いることができる。このうちリン酸塩としては、ヘキサメタリン酸ナトリウム、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム等を好適に用いることができる。研磨液中の分散剤の含有量は分散安定性向上の観点から、研磨剤重量に対して０．０１〜３．０重量％が好ましく、０．１〜２．０重量％がより好ましく、さらに好ましくは０．５〜１．０重量％の範囲である。再凝集防止剤としては、セルロース、カルボキシメチルセルロース、マルトース、フルクトースなどの糖類や繊維を好適に用いることができる。ｐＨは、研磨材の分散性の観点から、６以上１２以下とすることが好ましい。
【００５２】
上記研磨材（イットリウム含有ジルコニア）中に、イットリウムがイットリウムの酸化物（イットリア）の形で含有されている場合には、イットリア（Ｙ２Ｏ３）のモル比は１〜６％の範囲であることが好ましく、２〜５％の範囲であることがより好ましい。イットリアのモル比が少な過ぎる場合、研磨後のガラス基板の主表面にナノピットやナノスクラッチが生じやすくなり、また端部形状が悪化する。イットリアのモル比が多過ぎる場合、研磨後のガラス基板の主表面にキズが生じやすくなる。
【００５３】
研磨液中のイットリウム含有ジルコニア砥粒の含有量は、研磨速度向上の観点から１重量％以上であることが好ましく、より好ましくは５重量％以上であり、さらに好ましくは１０重量％以上である。また、分散性およびコスト低減の観点から、研磨液中におけるイットリウム含有ジルコニア砥粒の含有量は、３０重量％以下が好ましく、さらに好ましくは２０重量％以下であり、より好ましくは１５重量％以下である。すなわち、研磨液におけるイットリウム含有ジルコニア砥粒の含有量は、１〜３０重量％が好ましく、より好ましくは５〜２０重量％であり、さらに好ましくは１０〜１５重量％である。
なお、上述した含有量は研磨液調整時における含有量である。研磨液を濃縮した状態で保存しておき、使用時に上記含有量になるように希釈して使用してもよい。
【００５４】
イットリウム含有ジルコニア砥粒の平均粒径（D50）は、研磨速度を向上させる観点か
ら０．１０〜０．６０μｍが好ましく、０．２〜０．４μｍがより好ましい。ここで平均粒径（D50）とは、体積分率で計算した累積体積頻度が粒径の小さいほうから計算して５
０％となる粒径を意味している。また、同様に砥粒全数を有効活用して研磨速度を向上させる観点から砥粒の粒径を揃えることがよく、研磨液内のイットリウム含有ジルコニア砥粒の標準偏差(SD)は１μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下、
さらに好ましくは０．２μｍ以下である。
【００５５】
研磨材として使用するイットリウム含有ジルコニア砥粒中に含まれるジルコニアの結晶構造については、立方晶（キュービック）を最も多く含むことが好ましい。立方晶を最も多く含むようにした立方晶ジルコニアは高い硬度（モース硬度で８〜８．５）を有しているため、正方晶（テトラゴナル）を主とするジルコニア（正方晶ジルコニア）よりも研磨中における砥粒の破砕が生じ難くなる結果、粒度分布の変化が生じ難くなりガラス基板の主表面にスクラッチが生じ難くなる、という効果が正方晶ジルコニアと比べてより多く得られることになる。
イットリウム含有ジルコニア砥粒中に含まれるジルコニアの結晶構造の主成分については、粉末Ｘ線回折装置により判定することができる。粉末Ｘ線回折装置は、多結晶からなる酸化ジルコニウムを含有するイットリウム含有ジルコニアの粒子のサンプルにＸ線（ＣｕＫα１線（λ=０．１５４ｎｍ)）を照射したときに、ジルコニアの結晶構造に応じた回折角度の違いを利用したものであって、その測定結果は一般に、横軸に２θ（θ：ブラッグ角）、縦軸に回折強度(Intensity)を示したものとなる。粉末Ｘ線回折装置の測定結果
では、ピーク強度が得られるときの２θの値とそのピーク強度の値が結晶構造の違いに応じて異なるようになる。例えば、単斜晶のピーク強度が得られるときの２θの値は２８．１７５０［ｄｅｇ］、３１．４６８０［ｄｅｇ］および３４．３８３０［ｄｅｇ］であり、正方晶のピーク強度が得られるときの２θの値は２９．８１２［ｄｅｇ］であり、立方晶のピーク強度が得られるときの２θの値は３０．１２００［ｄｅｇ］であることが知られている。なお、記載した２θの値は各結晶構造における最も強く回折されるピーク位置を示す。よって、粉末Ｘ線回折装置の測定結果における各結晶構造に応じた２θの値における回折強度のピーク値を観察し、いずれの結晶構造に応じたピーク値が最大であるかを観察することで、いずれの結晶構造が主成分であるか判別できる。
【００５６】
第１研磨工程では、ガラス基板の主表面の表面凹凸について、粗さ(Ra)を０．５ｎｍ以
下とし、かつマイクロウェービネス(MW-Rq)を０．５ｎｍ以下とするように研磨を行う。
ここで、マイクロウェービネスは、主表面全面の半径１４．０〜３１．５ｍｍの領域における波長帯域１００〜５００μｍの粗さとして算出されるＲＭＳ（Ｒｑ）値で表すことができ、例えば、ポリテック社製のＭｏｄｅｌ−４２２４を用いて計測できる。
主表面の粗さは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１により規定される算術平均粗さRaで表され、０．００６μｍ以上２００μｍ以下の場合は、例えば、ミツトヨ社製粗さ測定機ＳＶ−３１００で測定し、ＪＩＳ  Ｂ０６３３：２００１で規定される方法で算出できる。その結果、粗さが０．０３μｍ以下であった場合は、例えば、日本Ｖｅｅｃｏ社製走査型プローブ顕微鏡（原子間力顕微鏡；ＡＦＭ）ナノスコープで計測しＪＩＳ  Ｒ１６８３：２００７で規定される方法で算出できる。本願においては、１μｍ×１μｍ角の測定エリアにおいて、５１２×５１２ピクセルの解像度で測定したときの算術平均粗さRaを用いることができる。
【００５７】
（７）化学強化工程
次に、第１研磨後のガラス基板は化学強化される。
化学強化液として、例えば硝酸カリウム（６０重量％）と硫酸ナトリウム（４０重量％）の混合液等を用いることができる。化学強化では、化学強化液が、例えば３００℃〜４００℃に加熱され、洗浄したガラス基板が、例えば２００℃〜３００℃に予熱された後、ガラス基板が化学強化液中に、例えば１時間〜５時間浸漬される。この浸漬の際には、ガラス基板の両主表面全体が化学強化されるように、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行うことが好ましい。
このように、ガラス基板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。なお、化学強化処理されたガラス基板は洗浄される。例えば、硫酸で洗浄された後に、純水等で洗浄される。
【００５８】
（８）第２研磨（最終研磨）工程（後研磨工程）
次に、化学強化されて十分に洗浄されたガラス基板に第２研磨が施される。第２研磨による取り代は、５μｍ以下である。第２研磨は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第２研磨では例えば、第１研磨で用いた研磨装置を用いる。このとき、第１研磨と異なる点は、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが異なることと、樹脂ポリッシャの硬度が異なることである。
第２研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、スラリーに混濁させたコロイダルシリカ等の微粒子（粒子サイズ：直径１０〜５０ｎｍ程度）が用いられる。
研磨されたガラス基板を中性洗剤、純水、ＩＰＡ等を用いて洗浄することで、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。
【００５９】
［磁気ディスク］
磁気ディスクは、磁気ディスク用ガラス基板を用いて以下のようにして得られる。
磁気ディスクは、例えば磁気ディスク用ガラス基板（以下、単に「基板」という。）の主表面上に、主表面に近いほうから順に、少なくとも付着層、下地層、磁性層（磁気記録層）、保護層、潤滑層が積層された構成になっている。
例えば基板を、真空引きを行った成膜装置内に導入し、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、基板の主表面上に付着層から磁性層まで順次成膜する。付着層としては例えばＣｒＴｉ、下地層としては例えばＣｒＲｕを用いることができる。磁性層としては、例えばＣｏＰｔ系合金を用いることができる。また、Ｌ１０規則構造のＣｏＰｔ系合金やＦｅＰｔ系合金を形成して熱アシスト磁気記録用の磁性層とすることもできる。上記成膜後、例えばＣＶＤ法によりＣ２Ｈ４を用いて保護層を成膜し、続いて表面に窒素を導入する窒化処理を行うことにより、磁気記録媒体を形成することができる。その後、例えばＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）をディップコート法により保護層上に塗布することにより、潤滑層を形成することができる。
作製された磁気ディスクは、好ましくは、ＤＦＨ(Dynamic Flying Height)コントロール機構を搭載した磁気ヘッドとともに、磁気記録再生装置としてのＨＤＤ(Hard Disk Drive)に組み込まれる。
【実施例】
【００６０】
以下に、本発明を実施例によりさらに説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。
【００６１】
（１）溶融ガラスの作製
以下の組成のガラスが得られるように原料を秤量し、混合して調合原料とした。この原料を熔融容器に投入して加熱、熔融し、清澄、攪拌して泡、未熔解物を含まない均質な熔融ガラスを作製した。得られたガラス中には泡や未熔解物、結晶の析出、熔融容器を構成する耐火物や白金の混入物は認められなかった。
［ガラスの組成］
酸化物基準に換算し、モル％表示で、ＳｉＯ２を５０〜７５％、Ａｌ２Ｏ３を１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏから選択される少なくとも１種の成分を合計で５〜３５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜２０％、ならびにＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５及びＨｆＯ２から選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜１０％、有する組成からなるアルミノシリケートガラスであって、破壊靱性値が０．７［ＭＰａ／ｍ１／２］となる組成を選択した。具体的には、ＳｉＯ２を６４．１重量％、Ａｌ２Ｏ３を１４．７重量％、Ｌｉ２Ｏを３．６重量％、Ｎａ２Ｏを１１．１重量％、Ｋ２Ｏを０．４重量％、ＭｇＯを０．６重量％、ＺｒＯ２を２．０重量％、ＣａＯを１．６重量％、そして清澄剤としてＮｂ２Ｏ５を１．９質量％、を有する組成からなるガラスとした。
【００６２】
（２）ガラス基板の作製
清澄、均質化した上記熔融ガラスをパイプから一定流量で流出するとともにプレス成形用の下型で受け、下型上に所定量の熔融ガラス塊が得られるよう流出した熔融ガラスを切断刃で切断した。そして熔融ガラス塊を載せた下型をパイプ下方から直ちに搬出し、下型と対向する上型および胴型を用いて、薄肉円盤状にプレス成形した。プレス成形品を変形しない温度にまで冷却した後、型から取り出してアニールする。その後、プレス成形により得られたガラス基板に対して、ラッピング加工を行った。ラッピング加工では、遊離砥粒としてアルミナ砥粒（＃１０００の粒度）を用いた。
【００６３】
（３）コアリング加工、およびチャンファリング加工
円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、円盤状ガラス素材の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とした（コアリング）。そして内周端面および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施した（チャンファリング）。
以上の加工によって、研磨対象物として、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．８ｍｍの円環状のガラス基板が得られた。
【００６４】
（４）主表面に対する研磨工程
図１に示した研磨装置にガラス基板をセットし、表１に示す比較例および実施例に係る研磨材として含有する研磨液を使用して研磨を行い、評価を行った。
実施例及び比較例の研磨材は、表１に示す通りである。表１において、比較例の研磨材は安定化剤を含まないジルコニアを粉砕して作製したものである。一方、実施例はイットリウム含有ジルコニアであるが、イットリウム含有量については、イットリウムをイットリア（Ｙ２Ｏ３）で換算したときのモル比（（Ｙ２Ｏ３＋ＺｒＯ２）に対するＹ２Ｏ３の比）で示している。
比較例及び実施例では、研磨材の砥粒の粒径の平均値(D50)及び標準偏差(SD)を概ね一致させた。具体的には、平均粒径(D50)を０．２〜０．５［μｍ］とし、標準偏差(SD)を０．０５〜０．１５［μｍ］とした。実際には、平均粒径(D50)を０．３［μｍ］、標準偏差(SD)を０．１［μｍ］とした。研磨材の砥粒の粒径の平均値(D50)及び標準偏差(SD)は、粒子径・粒度分布測定装置（日機装株式会社製、ナノトラックUPA-EX150）を用いて光散乱法により測定した。研磨工程に使用される研磨液は、純水ろ過水（ＲＯ水）もしくは純水に対し実施例及び比較例の研磨材が１０重量％となるように混入させて十分に攪拌して生成した。その後、実施例及び比較例の研磨材を含む研磨液をそれぞれ、１〜５Ｌ／ｍｉｎで供給しながら研磨装置を用いてガラス基板の研磨を行った。ここでは３Ｌ／ｍｉｎとした。研磨条件は、以下の通りである。
＜研磨条件＞
・研磨パッド：硬質発泡ウレタンパッド（JIS-A硬度：９５）
・含浸砥粒：酸化セリウム
・含浸砥粒の平均粒径：１〜２μｍ
・含浸量：３０重量％
・研磨荷重：１００ｇ／ｃｍ２
・定盤回転数：３０ｒｐｍ
【００６５】
【表１】
2013084337.tif 000004
【００６６】
表１に示す比較例及び実施例の研磨材を含有する研磨液を用いて研磨を行ったガラス基板を、研磨速度、キズ及び端部形状の３つの評価項目で評価した。なお、◎、○、△の記号は合格、×は不合格であることを示す。
評価項目としての「研磨速度」は、研磨における生産性を評価するための指標であり、速ければ速いほど良い。研磨加工前後のガラス基板の板厚を測定し、板厚の減少量を加工時間で除することによって研磨速度を算出し、以下の評価基準を基に評価した。
［研磨速度の評価基準］
◎：＞０．５０μｍ／ｍｉｎ
○：０．４０〜０．５０μｍ／ｍｉｎ
△：０．３０〜０．４０μｍ／ｍｉｎ
×：＜０．３０μｍ／ｍｉｎ
【００６７】
評価項目としての「キズ」は、ガラス基板の主表面の表面品質を評価するための指標である。ハロゲン集光ランプ下で磁気ディスク用ガラス基板の主表面の目視検査を行い、ピット、スクラッチ等のキズ（深さ２５０ｎｍ以上）が有るか否かを判定した。それぞれ２００個の研磨加工後の基板を検査して、主表面上に１つでもキズが有るものは不合格とし、２００個の基板の合格率（良品率）に対して、以下の評価基準を基に評価した。
［キズの評価基準］
◎：９５〜１００％
○：９０〜９５％
△：８０〜９０％   
×：＜８０％
【００６８】
端部形状の評価として、ダブオフ値を評価した。図２は、ダブオフ値の算出方法を概念的に説明するために、ガラス基板の端部の断面を拡大して表した図である。ダブオフ値を算出するためには、ガラス基板の中心点と、その中心点から外縁に向けて３０ｍｍ又は２９．９ｍｍ離れた主表面上の位置（Ｘ１とする。）と、その中心点から外縁に向けて３１．５ｍｍ離れた主表面上の位置（Ｘ２とする。）とが、図２に示すように定義される（外径６５ｍｍのガラス基板の場合）。なお、ガラス基板の中心点とＸ１とＸ２は、ガラス基板を上から見たときには同一線上にある。このとき、Ｘ１とＸ２を結ぶ基準線Ｌに対して主表面が突出している場合には、ガラス基板の端部はロールオフ形状（図２の（ａ）の場合）であり、その最大突出量をダブオフ値Ｄ（プラス値）とする。逆に、Ｘ１とＸ２を結ぶ基準線に対して主表面が凹んでいる場合には、ガラス基板の端部はスキージャンプ形状（図２の（ｂ）の場合）であり、その最大凹み量をダブオフ値Ｄ（マイナス値）とする。ダブオフ値の測定には表面形状測定装置（Phase Shift社製、ＭｉｃｒｏＸＡＭ）を用いた。
１枚の円環状のガラス基板に対するダブオフ値の算出は以下のようにして行う。一方の面について９０度間隔で４点（Ｘ１とＸ２について４個の組合せ）のダブオフ値を算出し、得られた４個のダブオフ値のうち絶対値が最も大きい値をその面のダブオフ値（プラス値またはマイナス値である）とする。同様にして、他方の面についてもダブオフ値を算出する。そして、両面のダブオフ値の平均値を、そのガラス基板のダブオフ値（プラス値またはマイナス値である）とする。得られたガラス基板のダブオフ値に対して、以下の評価基準を基に評価した。
なお、以下の評価基準は、最終製品としてのものではなく、第１の研磨工程後のガラス基板に対する評価基準である。最終製品では、後研磨工程（第２研磨工程）によってさらに良好な端部形状となる。
［端部形状の評価基準］
◎：＜１７．０ｎｍ
○：１７．０〜１９．０ｎｍ
△：１９．０〜２１．０ｎｍ
×：＞２１．０ｎｍ
【００６９】
表１から分かるように、ジルコニア砥粒からなる研磨材と比較して、イットリウム含有ジルコニアからなる研磨材を使用した場合には、いずれの評価項目についても良好な結果が得られた。さらに、イットリウム含有ジルコニア中のイットリウムの含有量（モル比）が１〜６％の範囲である場合には、さらに良好な結果が得られた。
なお、実施例１〜３の場合には、第２研磨工程における取り代は５μｍ以下となり、ガラス基板の主表面の平坦度及び端部形状も良好であることが認められた。
【００７０】
上記比較例と実施例２の研磨材に対する粉末Ｘ線回折装置（リガク社製ＳｍａｒｔＬａｂ Ｓｙｓｔｅｍ ９ＫＷ）の測定結果を図３に示す。なお、図３では、縦軸を常用対数で
表示した任意単位の回折強度(Intensity)、横軸を２θで記してあり、比較例と実施例２
が重ならないようにずらしてある。
図３に示すように、比較例の測定結果では、２８．１ [ｄｅｇ]付近、３１．４ [ｄｅｇ]付近、及び３４．２ [ｄｅｇ]付近で強いピーク強度（回折強度）が確認された。これらのピーク強度は単斜晶ジルコニアに起因する回折ピークであると考えられる。一方で実施例２の測定結果、単斜晶ジルコニアに起因すると考えられる回折ピークに加えて、３０．２ [ｄｅｇ]付近でも強いピーク強度が確認された。このピーク強度は、立方晶ジルコニアに起因する回折ピークであると考えられ、単斜晶に由来するピーク強度よりも高い。つまり、実施例２では、ジルコニアの結晶構造のうち立方晶の回折強度のピークが最も高いことが分かる。図３の測定結果から、比較例と実施例２のジルコニア研磨材では結晶構造が大きく異なっていると考えられる。
【００７１】
さらに、実施例２の場合と砥粒の平均粒径及び標準偏差が同一で、イットリウム含有量が２％と５％の範囲にあるイットリウム含有ジルコニアを研磨材として使用したところ、実施例２の場合（イットリウム含有量：３％）と同様に、良好な評価結果が得られた。よって、２〜５％の範囲内とすると非常によい結果が得られることがわかった。
【００７２】
なお、表１に関する端部形状の評価基準として、ダブオフ値が２１ｎｍ以下である場合に合格であるとしたが、さらに厳しい評価基準（例えば、ダブオフ値が１０ｎｍ以下である場合に合格とする）を採用する場合、ジルコニア研磨材を用いる第一研磨工程とコロイダルシリカ砥粒を用いる第二研磨工程の間に、酸化セリウム砥粒を用いた研磨工程を追加で行うことが好ましい。酸化セリウム砥粒を研磨材として用いた場合、端部形状がスキージャンプ形状となりやすく、ダブオフ値を低下させることができる。なお、化学強化工程によりガラス基板の主表面に生じさせた圧縮応力層を多く残すため、上記酸化セリウム砥粒を用いた研磨工程は、化学強化工程前に実施することが好ましい。
【００７３】
実施例２のガラス基板に対して、酸化セリウム砥粒を用いた中間研磨工程、化学強化工程、最終研磨工程（後研磨工程）を、この順序で行った。中間研磨工程では、水に平均粒径１．０μｍの酸化セリウム砥粒を１０重量％含有させた研磨液を用いて、以下の研磨条件にてガラス基板の主表面を研磨した。その結果、コロイダルシリカを研磨砥粒として用いた最終研磨工程後のガラス基板のダブオフ値は、５ｎｍ以下となり非常に良好となった。
＜研磨条件＞
・研磨パッド：発泡ポリウレタン製スウェードパッド（ＪＩＳ−Ａ硬度：８５）
・研磨荷重：１００ｇ／ｃｍ２
・定盤回転数：３０ｒｐｍ
・取代（両面合計）：３０μｍ
・研磨装置：第１研磨工程の装置と同様の装置
【００７４】
次に、ガラスの組成を適宜調整してガラスの破壊靱性値が異なるガラス基板（破壊靱性値：０．２，０．４，０．５，１．０，１．５，２．０［ＭＰａ／ｍ１／２］）を作製し、当該ガラス基板の主表面に対して第１研磨を行った。研磨条件は、実施例２と同一とした。破壊靱性値はビッカース硬度計によって計測した。
その結果、破壊靱性値が０．２，２．０［ＭＰａ／ｍ１／２］のガラス基板を使用した場合、研磨速度、キズ、及び端部形状は、実施例２と同レベルであった。研磨速度、キズ、及び端部形状のレベルは、０．４，１．５［ＭＰａ／ｍ１／２］である場合に実施例２よりも良好になり、０．５，１．０［ＭＰａ／ｍ１／２］である場合にはさらに良好になった。
【００７５】
実施例１〜４によって得られた磁気ディスク用ガラス基板に磁性層を形成した磁気ディスクを作製した。その後、磁気ディスクを回転数が７２００ｒｐｍのハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に組み込み、当該ＨＤＤにてヘッドのＤＦＨ機構を使用しつつサーティファイテスト（磁気信号の書き込み／読み出し試験）を実施したが、エラーは発生しなかった。
【００７６】
以上、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのは勿論である。
【符号の説明】
【００７７】
１０    研磨パッド
３０    キャリア
４０    上定盤
５０    下定盤
６１    太陽歯車
６２    内歯車
７１    研磨液供給タンク
７２    配管
【図１】
2013084337.tif 000005
【図２】
2013084337.tif 000006
【図３】
2013084337.tif 000007