(57)【要約】【課題】  ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）に代替し得る透明導電性電極を提供すること。【解決手段】  板状の透明基体は、反射防止性と厚さ方向に沿った可視光透過性とが付与されるべく、可視光の波長未満の高さを有する凹凸が多数形成された主面を有している。この透明基体における主面の全部ではなく一部の上には、導体膜が設けられている。この透明基体が、沿面方向に沿って一次元的又は二次元的に配置された複数の突起を有している場合、導体膜形成部は、かかる突起における頂部、あるいは、互いに隣接する複数の突起の間の谷部に設けられ得る。【選択図】  図１
2013152920.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光の波長未満の高さを有する凹凸が多数形成された主面を有することで、反射防止性と厚さ方向に沿った可視光透過性とが付与された、板状の透明基体と、
前記透明基体における前記主面の全面に亘って、その全部ではなく一部の上に設けられた、導体膜と、
を備え、
前記主面は、
前記導体膜が設けられている、導体膜形成部と、
前記導体膜が設けられていない、導体膜不形成部と、
を有し、
前記導体膜形成部は、前記厚さ方向と直交する方向である沿面方向に連続的に設けられていることを特徴とする、透明導電性電極。
【請求項２】
請求項１に記載の、透明導電性電極であって、
前記透明基体は、
前記沿面方向に沿って一次元的又は二次元的に配置された、多数の突起を有することを特徴とする、透明導電性電極。
【請求項３】
請求項２に記載の、透明導電性電極であって、
前記導体膜形成部は、前記突起における頂部であることを特徴とする、透明導電性電極。
【請求項４】
請求項２に記載の、透明導電性電極であって、
前記導体膜形成部は、互いに隣接する複数の前記突起の間の谷部であることを特徴とする、透明導電性電極。
【請求項５】
透明導電性電極の製造方法であって、
透明な板状部材の一表面側に、可視光の波長未満の高さを有する多数の突起を、当該板状部材の厚さ方向と直交する方向である沿面方向に沿って一次元的又は二次元的に配置されるように形成し、
前記突起における頂部、又は、互いに隣接する複数の前記突起の間の谷部に、導体膜を、前記沿面方向に連続的に設ける
ことを特徴とする、透明導電性電極の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の、透明導電性電極であって、
前記主面における前記導体膜形成部の面積と前記導体膜不形成部の面積との合計に対する前記導体膜形成部の面積の比率として規定される導体被覆率が、２％以上であり、且つ９７％未満であることを特徴とする、透明導電性電極。
【請求項７】
請求項６に記載の、透明導電性電極であって、
前記導体被覆率が、５％以上であり、且つ９５％未満であることを特徴とする、透明導電性電極。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１項に記載の、透明導電性電極であって、
前記導体膜が、カーボンナノチューブから形成されていることを特徴とする、透明導電性電極。
【請求項９】
請求項５に記載の、透明導電性電極の製造方法であって、
前記導体膜を形成する材料として、カーボンナノチューブを用いることを特徴とする、透明導電性電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネル、ディスプレイ、太陽電池、等に用いられる、透明導電性電極に関する。また、本発明は、かかる透明導電性電極の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の透明導電性電極として、一般に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）が広く用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３，２１７，２７５号公報
【特許文献２】特開平１０−７４４７２号公報
【特許文献３】特開２００２−３３３５０２号公報
【特許文献４】特開２００４−２１７８８号公報
【特許文献５】特許第４，６２６，７２１号公報
【発明の概要】
【０００４】
しかしながら、ＩＴＯには、希少金属であるインジウムが用いられている。このため、近年、ＩＴＯに代替し得る透明導電性電極が検討されている。
【０００５】
また、近年、タッチパネルやディスプレイ等のフレキシブル化の要求に伴い、透明導電性電極のフレキシブル化の要求が高まっている。この点、ＩＴＯは、柔軟性が低いため、かかる要求に対応することが困難である。
【０００６】
−構成−
本発明の透明導電性電極は、透明基体と、導体膜と、を備えている。
【０００７】
前記透明基体は、板状あるいは膜状の部材である。この透明基体は、可視光の波長未満（可視光領域の下限波長未満：具体的には４００ｎｍ未満）の高さを有する凹凸が多数形成された主面を有している。すなわち、この透明基体は、かかる主面を有することで、反射防止性と、厚さ方向に沿った可視光透過性と、が付与されている。
【０００８】
なお、「主面」とは、「端面」の対概念であって、板状あるいは膜状の部材における最も広い表面（当該部材を水平面上に安定的に載置した場合の上面あるいは下面）である。また、「厚さ方向」は、板状あるいは膜状の部材における「厚さ」を規定する方向であって、典型的には、一対の「主面」を互いに平行な平面と仮定したときの、当該各主面の法線方向である。
【０００９】
前記導体膜は、前記透明基体における前記主面の全面に亘って設けられているとともに、当該主面の全部ではなく一部の上に設けられている。すなわち、前記主面は、前記導体膜が設けられている導体膜形成部と、前記導体膜が設けられていない導体膜不形成部と、を有している。そして、前記導体膜形成部及び前記導体膜不形成部は、前記主面の全面に亘って、巨視的に見てほぼ一様に分布するように設けられている。また、本発明においては、前記導体膜形成部は、前記厚さ方向と直交する方向である沿面方向に連続的に設けられている。
【００１０】
具体的には、前記透明基体は、多数の突起を有している。これらの突起は、前記沿面方向に沿って一次元的又は二次元的に配置されている。この場合、前記導体膜形成部は、前記突起における頂部に設けられ得る。あるいは、前記導体膜形成部は、互いに隣接する複数の前記突起の間の谷部に設けられ得る。
【００１１】
なお、前記導体膜としては、金、白金、銀、銅、アルミニウム、錫、亜鉛等の、電気・電子回路用導体膜として汎用的に用いられている金属が、好適に用いられ得る。あるいは、前記導体膜としては、非金属材料（例えば炭素系材料）も、好適に用いられ得る。
【００１２】
本発明の製造方法は、以下の工程を有している。
（１）透明な板状部材の一表面側に、可視光の波長未満の高さを有する多数の前記突起を、当該板状部材の厚さ方向と直交する方向である沿面方向に沿って一次元的又は二次元的に配置されるように形成する。
（２）前記突起における頂部、又は、互いに隣接する複数の前記突起の間の谷部に、前記導体膜を、前記沿面方向に連続的に設ける。
【００１３】
−作用・効果−
かかる構成を有する、本発明の前記透明導電性電極においては、前記導体膜が、前記透明基体における前記主面の全面に亘って、その全部ではなく一部の上にて、前記沿面方向に連続的に設けられている。これにより、良好な可視光透過率と良好な可視光反射防止性とを保持しつつ前記沿面方向の導電性が得られるとともに、前記透明基体と前記導体膜との熱膨張率の差に起因する界面剥離の発生も良好に抑制され得る。
【００１４】
また、本発明の前記透明導電性電極によれば、前記導体膜として上述のような材料を用いることで、ＩＴＯに代替し得る構成が良好に実現される。また、前記透明基体としてフレキシブル性を有する材料（合成樹脂フィルム等）を用いた場合に、良好なフレキシブル性を有する前記透明導電性電極が実現され得る。
【００１５】
さらに、本発明の製造方法によれば、上述のような構成の前記透明導電性電極を、工業的に容易に製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の透明導電性電極の一具体例を示す概略構成図である。
【図２】本発明の透明導電性電極の他の一具体例を示す概略構成図である。
【図３】本発明の透明導電性電極のさらに他の一具体例を示す概略構成図である。
【図４】本発明の透明導電性電極のさらに他の一具体例を示す概略構成図、及び、かかる一具体例における計算機シミュレーションによる可視光透過率の計算結果を示す図である。
【図５】本発明の透明導電性電極のさらに他の一具体例を示す概略構成図、及び、かかる一具体例における計算機シミュレーションによる可視光透過率の計算結果を示す図である。
【図６】本発明の透明導電性電極のさらに他の一具体例を示す概略構成図である。
【図７】図１等に示されている透明導電性電極の一変形例の概略構成を示す平面図である。
【図８】図１等に示されている透明導電性電極の他の一変形例の概略構成を示す側断面図である。
【図９】板状の透明基体の主面に形成された凹凸構造の規定方法の一例を説明する模式図である。
【図１０】本発明の透明導電性電極のさらに他の一具体例についての走査型プローブ顕微鏡観察結果を示すＡＦＭ像である。
【図１１】本発明の透明導電性電極のさらに他の一具体例についての走査型プローブ顕微鏡観察結果を示すＡＦＭ像である。
【図１２】本発明の透明導電性電極のさらに他の一具体例についての走査型電子顕微鏡観察結果を示すＳＥＭ像である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の好適な実施形態を、適宜図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施形態に関する記載は、法令で要求されている明細書の記載要件（記述要件・実施可能要件）を満たすために、本発明の具体化の単なる一例を、可能な範囲で具体的に記述しているものにすぎない。
【００１８】
よって、後述するように、本発明が、以下に説明する実施形態（具体例）の具体的構成に何ら限定されるものではないことは、全く当然である。本実施形態（具体例）に対して施され得る各種の変更の例示（変形例：modification）は、当該実施形態の説明中に挿入されると、一貫した実施形態（具体例）の説明の理解が妨げられるので、主として末尾にまとめて記載されている。
【００１９】
−構成例１−
図１は、本発明の透明導電性電極の一具体例を示す概略構成図である。ここで、図１中、（ｉ）は平面図であり、（ii）は側断面図（Ａ−Ａ断面図）である（図２等についても同様である）。
【００２０】
図１を参照すると、本実施形態の透明導電性電極１は、透明基体２と、導体膜３と、を備えている。なお、図１において、透明導電性電極１は、ｘｙ平面によって構成される水平面上に安定的に載置された状態が示されているものとする。よって、図中、ｚ軸方向が「厚さ方向」に相当し、ｘｙ平面と平行な任意の方向が「沿面方向」に相当する。
【００２１】
透明基体２は、板状あるいは膜状の部材である。透明基体２は、可視光の波長未満の高さを有する凹凸が多数形成された第一主面ＭＳ１と、その裏側の平面状の第二主面ＭＳ２と、を有している。すなわち、この透明基体２は、かかる第一主面ＭＳ１を有することで、反射防止性と厚さ方向に沿った可視光透過性とが付与されている。
【００２２】
具体的には、本構成例においては、透明基体２の第一主面ＭＳ１側には、多数の突起２１が、図中ｘｙ平面内にて二次元的に配置されている。そして、互いに隣接する複数の突起２１の間には、凹部２２が形成されている。
【００２３】
図１に示されている例においては、突起２１は、平面視にて略楕円状、側断面視にて正弦波状に形成されている。この突起２１は、高さ（ｚ軸方向の突出量）が２５〜４００ｎｍ、平面視における幅（図中ｘ軸方向及びｙ軸方向の寸法）が２５〜２００ｎｍに形成されている。
【００２４】
なお、このように、可視光の波長未満の高さを有する凹凸を多数設けることで、反射防止性と厚さ方向に沿った可視光透過性とを付与するための構成は、本願の出願時において周知であるため（例えば、特許第３，２１７，２７５号公報、特開平１０−７４４７２号公報、特開２００２−３３３５０２号公報、特開２００４−２１７８８号公報、等参照。）、突起２１及び凹部２２についてのこれ以上の詳細な説明は、本明細書においては省略する。
【００２５】
第一主面ＭＳ１は、導体膜形成部ＭＳｃと、導体膜不形成部ＭＳｎと、を有している。これらのうち、導体膜不形成部ＭＳｎ上には導体膜３が（積極的には）形成されていない反面、導体膜形成部ＭＳｃ上には導体膜３が形成されている。図１に示されているように、本構成例においては、導体膜形成部ＭＳｃは、凹部２２に設けられている。
【００２６】
図１に示されているように、導体膜形成部ＭＳｃと、導体膜不形成部ＭＳｎとは、第一主面ＭＳ１の全面に亘って、巨視的に見てほぼ一様に分布するように設けられている。すなわち、導体膜３は、第一主面ＭＳ１の全面に亘って、その全部ではなく一部の上に設けられている。また、導体膜３は、沿面方向に（すなわちｘｙ平面に沿って）連続的に設けられている。
【００２７】
−構成例２−
図２は、本発明の透明導電性電極の他の一具体例を示す概略構成図である。図２を参照すると、本構成例においては、複数の突起２１は、図中ｘ軸方向に進行する正弦波状に形成されている。すなわち、本構成例においては、ｙ軸方向に長手方向を有する複数の突起２１が、図中ｘ軸方向に一次元的に配置されている。そして、導体膜形成部ＭＳｃ及び導体膜不形成部ＭＳｎは、ｙ軸方向と平行なストライプ状に形成されている。
【００２８】
また、図２に示されているように、本構成例においては、上述の第一の構成例と同様に、導体膜形成部ＭＳｃ及び導体膜３は、凹部２２に設けられている。そして、導体膜３は、ｙ軸方向に連続的に設けられている。すなわち、本構成例においては、透明導電性電極１は、ｙ軸方向にのみ導電性を示す「異方性導電膜」として構成されている。
【００２９】
−構成例３−
図３は、本発明の透明導電性電極のさらに他の一具体例を示す概略構成図である。図３を参照すると、本構成例においても、上述の第二の構成例と同様に、複数の突起２１は、図中ｘ軸方向に進行する正弦波状に形成されている。そして、導体膜形成部ＭＳｃ及び導体膜不形成部ＭＳｎは、ｙ軸方向と平行なストライプ状に形成されている。
【００３０】
また、図３に示されているように、本構成例においては、上述の第一の構成例や第二の構成例とは異なり、導体膜形成部ＭＳｃ及び導体膜３は、突起２１の頂部及びその近傍に設けられている。また、導体膜３は、上述の第二の構成例と同様に、ｙ軸方向に連続的に設けられている。
【００３１】
−構成例４−
図４は、本発明の透明導電性電極のさらに他の一具体例を示す図である。なお、図４中、（ｉ）は側断面図（図１〜図３における（ii）に相当する図）であり、（ii）は計算機シミュレーションによる可視光透過率の計算結果を示す（後述する図５においても同様である）。
【００３２】
図４における（ｉ）を参照すると、本構成例は、上述の第二の構成例における凹凸形状を変更したものである。すなわち、本構成例においては、複数の突起２１は、図中ｘ軸方向に進行する三角波状に形成されている。よって、導体膜形成部ＭＳｃ及び導体膜不形成部ＭＳｎは、ｙ軸方向と平行なストライプ状に形成されている。そして、導体膜３は、凹部２２に設けられていて、ｙ軸方向と平行なストライプ状に形成されている。
【００３３】
−構成例５−
図５は、本発明の透明導電性電極のさらに他の一具体例を示す図である。図５における（ｉ）を参照すると、本構成例は、上述の第三の構成例における凹凸形状を、上述の第四の構成例と同様に形成したものである。すなわち、複数の突起２１は、図中ｘ軸方向に進行する三角波状に形成されている。そして、導体膜３は、突起２１の頂部及びその近傍に設けられていて、ｙ軸方向と平行なストライプ状に形成されている。
【００３４】
−構成例６−
図６は、本発明の透明導電性電極のさらに他の一具体例を示す図である。図６を参照すると、本構成例においては、導体膜形成部ＭＳｃ及び導体膜不形成部ＭＳｎは、平面視にて不定形に形成されている。導体膜形成部ＭＳｃは、突起２１の頂部近傍及び凹部２２のうちのいずれか一方に設けられている。また、導体膜不形成部ＭＳｎは、突起２１の頂部近傍及び凹部２２のうちの上述の一方とは異なる他方に設けられている。
【００３５】
−作用・効果−
上述の構成を有する透明導電性電極１においては、透明基体２の第一主面ＭＳ１側に上述のような凹凸を設けるとともに、導体膜３を第一主面ＭＳ１の全面に亘ってその全部ではなく一部の上にて沿面方向における少なくとも一方向について連続的に設けることで、良好な可視光透過率と良好な可視光反射防止性とを保持しつつ、沿面方向の導電性が得られる。また、導体膜３が第一主面ＭＳ１上を完全に覆うような構成（特許第４，６２６，７２１号公報参照）とはなっていないので、透明基体２と導体膜３との熱膨張率の差に起因する界面剥離の発生も良好に抑制され得る。
【００３６】
さらに、導体膜３として、金、白金、銀、銅、アルミニウム、錫、亜鉛等の、電気・電子回路用導体膜として汎用的に用いられている金属や、炭素系の材料、等を用いることで、良好にＩＴＯに代替し得る構成が実現される。加えて、透明基体２としてフレキシブル性を有する材料（合成樹脂フィルム等）を用いた場合に、良好なフレキシブル性を有する透明導電性電極１が実現され得る。
【００３７】
−可視光透過率及び導電性の評価−
図４における（ii）は、同図における（ｉ）に示されている構成による、ｚ軸方向の可視光透過率を、ＲＣＷＡ法（厳密結合波解析法：Rigorous  Coupled  Wave  Analysis／特開２０００−１２９５４号公報、特開２００４−１３３０７４号公報、等参照）によって計算した結果を示すものである。ここで、今回の計算においては、突起２１の半値幅「ｗ」＝１００ｎｍ、高さｈ＝２００ｎｍ、導体膜３の厚さ（凹部２２の最低位置から導体膜３の上面までの高さ）＝２０ｎｍとし、透明基体２の材質をＳｉＯ２とし、導体膜３の材質をＡｕとした。
【００３８】
図４における（ii）に示されているように、かかる構成によって可視光領域において良好な透過性が達成されることが確認された。また、導体膜３のみが導電性に寄与すると仮定して、透明導電性電極１におけるシート抵抗を計算したところ、算出されたシート抵抗は、２４Ω／□となった。
【００３９】
図５における（ｉ）に示されている構成についても、同様に可視光透過率及びシート抵抗を算出したところ、かかる構成についても、同様に、可視光領域において良好な透過性が達成されることが確認された。また、算出されたシート抵抗は、２４Ω／□となった。
【００４０】
−製造方法の概要−
上述の構成を有する透明導電性電極１は、例えば、以下の製造方法によって、工業的に容易に製造することが可能である。
（１）透明な板状部材の一表面側に、可視光の波長未満の高さを有する多数の突起を、当該板状部材の厚さ方向と直交する方向である沿面方向に沿って一次元的又は二次元的に配置されるように形成する。
（２）上述の突起における頂部、又は、互いに隣接する複数の突起の間の谷部に、導体膜を設ける。
【００４１】
あるいは、上述の構成を有する透明導電性電極１であって、導体膜形成部ＭＳｃ及び導体膜３が突起２１の頂部及びその近傍に設けられているものは、例えば、以下の製造方法によって、工業的に容易に製造することが可能である。
（１）透明な板状部材の一表面側に、導体膜を一様に設ける。
（２）上述の導体膜が形成された面に対して、上述のような多数の突起を形成する処理を施す。
【００４２】
−製造方法の具体例−
（具体例１）
透明基板材料をガラスとし、Ｋａｕｆｍａｎ型イオン源（米国イオンテック社製  Ｍｏｄｅｌ  ３−１５００−１００ＦＣ）を用い、Ａｒ＋イオンビーム照射により、ガラス基板表面にリップル構造を形成した。走査型プローブ顕微鏡（株式会社島津製作所製  製品番号ＳＰＭ−９７００）により基板表面の凹凸を測定したところ、リップル構造の半値幅ｗ＝１１０ｎｍ、高さｈ＝２１０ｎｍであった。
【００４３】
上述のようにしてリップル構造を形成したガラス基板の表面（主面）の上に、５ｗｔ％金ナノ粒子分散液（立山マシン株式会社製）を、スピンコートによりコーティングした後室温で放置することで、リップル構造の谷の部分に金ナノ粒子を沈降させつつ、溶媒を乾燥させた。なお、スピンコートは、分散液をガラス基板表面に滴下後、５００ｒｐｍで５秒回転させ、さらにその後１５００ｒｐｍでさらに１０秒回転させる、という条件で行った。
【００４４】
乾燥後のガラス基板を電気炉（２５０℃）に投入し、１時間熱処理することで、金ナノ粒子を焼結させた。透過電子顕微鏡による断面観察の結果、金属膜の厚さ（図４等におけるｄ）は２５ｎｍであった。また、分光光度計（株式会社島津製作所製  製品番号ＵＶ−１８００）により可視光透過率を測定した結果、８０％であった。さらに、van  der  Pauw法によりシート抵抗を測定した結果、９０Ω／□であった。
【００４５】
（具体例２）
透明基板材料をガラスとし、スパッタリング装置（日本電子株式会社製）によりガラス表面全体に膜厚３０ｎｍの金薄膜を成膜した。その後、上述の具体例１と同様に、イオンビーム照射により表面にリップル構造を形成した。基板表面の凹凸を測定したところ、ｗ＝１２０ｎｍ、ｈ＝２３０ｎｍであった。金属膜は表面凹凸の頂部付近に形成されており、金属膜の厚さ（極大値：図５等におけるｄ）は２０ｎｍであった。また、可視光透過率は７０％、シート抵抗は１２０Ω／□であった。
【００４６】
《本発明の実施形態の更なる具体例》
本発明の好適な実施形態の更なる具体例を以下に示す。尚、以下に示す具体例における各種評価項目についての評価方法としては、以下に示す各種評価方法を採用した。但し、前述の如く、本発明は、以下に説明する実施形態（具体例）の具体的な構成又は評価方法に何ら限定されるものではない。
【００４７】
−評価方法の具体例−
（凹凸構造の規定方法）
凹凸構造が形成された、板状の透明基体の主面の任意の位置において、走査型プローブ顕微鏡（日本電子株式会社製：製品番号ＪＳＰＭ−５２００）を用いて、２μｍ×２μｍの正方形のスキャン領域についての凹凸像を取得した。得られた凹凸像につき、図９（ａ）において破線によって示すように、正方形のスキャン領域の対角線２本及び中心を通り且つスキャン領域の辺に平行な線２本のそれぞれについてラインプロファイル（計４本）を取得した。
【００４８】
取得した計４本の各ラインプロファイルにつき、図９（ｂ）に示すように、（最大値＋最小値）／２の位置に直線（図９（ｂ）においては直線Ａ）を引き、４本のラインプロファイルのうち、直線Ａとプロファイルとの交点の数（図９（ｂ）の場合、矢印によって示すように、交点の数は８個）が最も多い１本を抽出し、これを凹凸構造規定用プロファイルとした。この凹凸構造規定用プロファイルにおいて、直線Ａより上側にあるプロファイルの線分の数を突起の個数とした（図９（ｂ）の場合、突起は４個）。
【００４９】
それぞれの突起につき、図９（ｃ）に示すように、最大値の両側にある、直線Ａよりも下側の、最も近い２つの極小点までの垂直距離（Ｈ１及びＨ２）の平均値Ｈを求め、更に斯くして得られた平均値Ｈを全ての突起について平均したものを当該主面における凹凸構造の高さｈとした（図９（ｃ）の場合、４つの突起の平均高さ）。また、それぞれの突起について、極小点から極小点までの水平距離（主面に平行な方向における距離）を２で除したものを当該突起の半値幅Ｗとし、更にそれを全ての突起に対して平均したものを当該主面における凹凸構造の半値幅ｗとした。
【００５０】
（導体被覆率測定方法）
凹凸構造が形成された、板状の透明基体の主面の任意の位置において、走査型プローブ顕微鏡を用いて、２μｍ×２μｍの正方形のスキャン領域につき、電流モードにて電流分布像を取得した。この測定においては、スキャン領域における導電性を有する部分と導電性を有さない部分とを区別して検出し、電流分布像を得ることができる。得られた電流分布像に基づき、画像解析ソフト「Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ  Ｐｌｕｓ」（Ｍｅｄｉａ  Ｃｙｂｅｒｎｅｔｉｃｓ社製）を用いて、スキャン領域における導体被覆率（％）を求めた。
【００５１】
（可視光透過率測定方法）
分光光度計（株式会社島津製作所製：製品番号ＵＶ―１８００）を用いて、４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲における、凹凸構造が形成された主面を有する板状の透明基体の平均透過率を計測し、可視光透過率とした。
【００５２】
−製造方法の具体例（２）−
（具体例３）くさび型構造
透明基板材料をガラスとし、スパッタリング装置によりガラス表面全体に膜厚４０ｎｍの金薄膜を成膜した。その後、上述の具体例１と同様のイオン源を用い、基板に垂直な角度から８５°傾けた状態で、Ａｒ＋イオンビームを３０分照射した。この際、イオンエネルギーは６００ｅＶ、真空度は５×１０−２Ｐａ、試料室内温度は室温とした。得られた試料のＡＦＭ像を図１０に示す。ＡＦＭ像のラインプロファイルを用いた計測の結果、ｗ＝３００ｎｍ、ｈ＝４０ｎｍであった。四探針法によるシート抵抗測定の結果、異方性は認められず、６１Ω／□であった。また、導体被覆率は９４％、可視光透過率は７０％であった。
【００５３】
（具体例４）リップル構造
透明基板材料をガラスとし、スパッタリング装置によりガラス表面全体に膜厚４０ｎｍの金薄膜を成膜し、続いてスピンコート法により、膜厚６００ｎｍのＮａｆｉｏｎ（登録商標）（シグマ  アルドリッチ  ジャパン合同会社販売）膜を成膜した。上述の具体例１と同様に、イオンビームを４０分照射した。得られた試料のＡＦＭ像を図１１に示す。ＡＦＭ像のラインプロファイルを用いた計測の結果、ｗ＝４５ｎｍ、ｈ＝８ｎｍであった。四探針法によるシート抵抗測定の結果、凹凸に平行な方向（即ち、個々のリップルのガラス表面に平行な断面における長手方向）においては２８６Ω／□、凹凸に垂直な方向（即ち、個々のリップルのガラス表面に平行な断面における長手方向に垂直な方向）においては４５０Ω／□であった。即ち、リップル状の凹凸構造を有する本具体例においては、シート抵抗に異方性が認められた。また、導体被覆率は９４％、可視光透過率は７０％であった。
【００５４】
（具体例５）八雲状構造
透明基板材料をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムとし、スパッタリング装置によりガラス表面全体に膜厚４０ｎｍの金薄膜を成膜した。その後、Ａｒ＋イオンビームを試料に垂直な方向から２分間照射した。得られた試料のＳＥＭ像を図１２に示す。図１２に示すように、本具体例においては、八雲状（即ち、幾重にも重なり合った雲のような形状）の凹凸構造が形成された。ＡＦＭ像のラインプロファイルを用いた計測の結果、ｗ＝６０ｎｍ、ｈ＝２０ｎｍであった。四探針法によるシート抵抗測定の結果、異方性は認められず、９８Ω／□であった。また、導体被覆率は９０％、可視光透過率は７０％であった。
【００５５】
（具体例６）ＣＮＴ＋ナノ突起群
透明基板材料をＮａｆｉｏｎ（登録商標）フィルムとし、Ａｒ＋イオンビームを試料に垂直な方向から３０秒間照射することにより、Ｎａｆｉｏｎ（登録商標）フィルムの表面にナノ突起群を形成させた。続いて、単層カーボンナノチューブ（株式会社名城ナノカーボン製）を１，２−ジクロロエタン（ＤＣＥ）に分散させた分散液をスプレーコート（吹付法）することにより、ナノ突起群の谷の部分にカーボンナノチューブを沈降させつつ、溶媒を乾燥させた。斯くして得られたナノ構造につき、ＡＦＭ像のラインプロファイルを用いた計測の結果、ｗ＝１２０ｎｍ、ｈ＝３５０ｎｍであった。四探針法によるシート抵抗測定の結果、異方性は認められず、２５０ｋΩ／□であった。また、導体被覆率は５％、可視光透過率は９４％であった。
【００５６】
（比較例１）
透明基板材料をガラスとし、スパッタリング装置によりガラス表面全体に膜厚７ｎｍの金薄膜を成膜した。四探針法によるシート抵抗測定の結果、異方性は認められず、１００Ω／□であった。また、導体被覆率は１００％、可視光透過率は５５％であった。このように、比較例１においては、透明基体における主面の全面に亘って、その全部の上に導体膜が設けられている。その結果、当該比較例においては、例えば、具体例３のように（例えば、金薄膜を成膜した後にＡｒ＋イオンビームを照射することにより）透明基体における主面の全面に亘って、その全部ではなく一部の上に導体膜が設けられた透明導電性電極と比較して、より低い可視光透過率を呈した。即ち、当該比較例のように透明基体における主面の全面に亘って、その全部の上に導体膜が設けられている導電性電極は、本発明に係る透明導電性電極のように高い導電性及び高い可視光透過率を両立することはできないことが確認された。このことは、本発明に係る透明導電性電極は、透明基体における主面の全面に亘って、その全部ではなく一部の上に導体膜を設けることにより、高い導電性及び高い可視光透過率を同時に達成することができるという効果を明確に示している。
【００５７】
以上のように、本発明の実施形態を例示する何れの具体例においても、良好な可視光透過率と良好な可視光反射防止性とを保持しつつ、前記沿面方向における良好な導電性を得ることができることが確認された。尚、本発明の好ましい実施態様に係る透明導電性電極における導体被覆率は、２％以上、より好ましくは５％以上であり、且つ９７％未満、より好ましくは９５％未満であることが望ましい。また、本発明の好ましい他の実施態様に係る透明導電性電極においては、前記導体膜は、カーボンナノチューブから形成されていることが望ましい。
【００５８】
−変形例の例示列挙−
なお、上述の実施形態や具体例は、上述した通り、出願人が取り敢えず本願の出願時点において最良であると考えた本発明の具現化の一例を単に示したものにすぎないのであって、本発明はもとより上述の実施形態や具体例によって何ら限定されるべきものではない。よって、上述の実施形態や具体例に対して、本発明の本質的部分を変更しない範囲内において、種々の変形が施され得ることは、当然である。
【００５９】
以下、変形例について幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態における各構成要素と同様の構成・機能を有する構成要素については、本変形例においても同一の名称及び同一の符号が付されているものとする。そして、当該構成要素の説明については、上述の実施形態における説明が、矛盾しない範囲で適宜援用され得るものとする。
【００６０】
もっとも、変形例とて、下記のものに限定されるものではないことは、いうまでもない。本発明を、上述の実施形態や下記変形例の記載に基づいて限定解釈することは、（特に先願主義の下で出願を急ぐ）出願人の利益を不当に害する反面、模倣者を不当に利するものであって、許されない。
【００６１】
また、上述の実施形態の構成、及び下記の各変形例に記載された構成の全部又は一部が、技術的に矛盾しない範囲において、適宜複合して適用され得ることも、いうまでもない。
【００６２】
本発明は、上述の具体的な構成に何ら限定されない。すなわち、上述の具体的な構成に対して、本発明の範囲内において種々の変更が施され得ることは、当然である。例えば、各部材の形状や材質についても、上述の具体例に何ら限定されるものではない。
【００６３】
例えば、基板材料は、透明である限り（より具体的には、目的とする用途において十分な可視光透過率を呈する限り）、特に限定されるものではなく、例えば、ガラス、樹脂等を採用することができる。特に、超薄板ガラス及び樹脂フィルムは、フレキシブルデバイス用途において好適である。更に、基板材料として使用可能な樹脂フィルムの具体例としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、Ｎａｆｉｏｎ（登録商標）フィルム等の樹脂フィルムを挙げることができる。
【００６４】
導体膜の材質もまた、導電性を有するものである限り（より具体的には、目的とする用途において十分な導電性を呈するものである限り）、特に限定されるものではない。中でも、高い透過率と導電性とを両立する観点からは、特に銀が好ましい。また、導体膜を形成する導電材料の形状についても特に限定されるものではなく、前述の如く、ナノ粒子等の粒子状の形状を有する導電材料のみならず、例えば、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノファイバ等の線状の形状を有する導電材料を始めとする、種々の形状を有する導電材料を採用することができる。かかる線状の形状を有する導電材料の具体例としては、例えば、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ：Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅ）、カーボンナノファイバ（ＣＮＦ：Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｆｉｂｅｒ）、金属ナノワイヤ（例えば、Ａｇナノワイヤ）等を挙げることができる。
【００６５】
板状の透明基体の主面に形成された凹凸構造の谷の部分に導体膜を形成する際に、かかる線状の形状を有する導電材料を用いることにより、単位長さ辺りに存在する導電材料（例えば、ＣＮＴ）同士の接触箇所の数を低減することができる。その結果、シート抵抗を低減することができ、良好な導電性を達成することができる
【００６６】
図７は、図１等に示されている透明導電性電極１の一変形例の概略構成を示す平面図である。透明導電性電極１の利用態様（例えば配線パターン）によっては、導体膜３は、透明導電性電極１におけるいずれか１つの方向について「完全に」連続している必要はない。
【００６７】
具体的には、図７に示されているように、第一対向電極４０と、第二対向電極５０とが、互いに沿面方向（図中ｙ軸方向）に隣接して設けられるとともに、それぞれが透明導電性電極１と所定のギャップを隔てて対向するように配置されていて、図中ｚ軸正方向に透明導電性電極１が押圧されることで第一対向電極４０と第二対向電極５０との導通が形成される場合が考えられる。
【００６８】
このような場合、第一対向電極４０と第二対向電極５０との導通を形成するための導体膜３は、第一対向電極４０と第二対向電極５０とに跨って設けられていれば充分であって、かかる導体膜３は、第一対向電極４０及び第二対向電極５０を超えて透明導電性電極１の沿面方向における全体に亘って設けられている必要はない。この意味において、本発明における「導体膜」が「沿面方向に連続的に設けられている」とは、透明導電性電極１が搭載された機器における所定の動作を実現できる必要且つ十分な範囲内において、導体膜３が「連続的」に設けられていることを意味する。
【００６９】
凹凸の形状、導体膜形成部ＭＳｃの位置、導体膜３の形成面積、等の細部は、透明導電性電極１が搭載された機器における所定の動作を実現できる範囲内で、適宜設定され得る。
【００７０】
図８は、図１等に示されている透明導電性電極１の他の一変形例の概略構成を示す側断面図である。図８に示されているように、第二主面ＭＳ２側にも、凹凸や導体膜３が形成されていてもよい。この場合、第二主面ＭＳ２側も、図１〜図７等に示されているように構成され得る。
【００７１】
また、この場合、第一主面ＭＳ１側の構成と、第二主面ＭＳ２側の構成とは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。具体的には、例えば、第一主面ＭＳ１側は図１に示されている構成を備えている一方、第二主面ＭＳ２側は図２に示されている構成を備えていてもよい。あるいは、第一主面ＭＳ１側は図２に示されている構成を備えている一方、第二主面ＭＳ２側は図３に示されている構成を備えていてもよい。あるいは、第一主面ＭＳ１側と第二主面ＭＳ２側とがいずれも図２に示されている構成を備えている一方、複数の導体膜３の配列方向が第一主面ＭＳ１側と第二主面ＭＳ２側とで異なっていてもよい。
【００７２】
更に、板状の透明基体の主面に形成される凹凸構造についても、上述のように、リップル構造、くさび形構造、八雲状構造等、種々の形状を採用することができる。尚、上述のように、板状の透明基体の主面に形成される凹凸構造がリップル構造である場合は、電気特性に異方性が生ずる場合がある。一方、板状の透明基体の主面に形成される凹凸構造がくさび型構造又は八雲状構造である場合は、電気特性は一般的に等方的となる。
【００７３】
その他、特段に言及されていない変形例についても、本発明の本質的部分を変更しない範囲内において、本発明の技術的範囲に含まれることは当然である。
【００７４】
また、本発明の課題を解決するための手段を構成する各要素における、作用・機能的に表現されている要素は、上述の実施形態や変形例にて開示されている具体的構造の他、当該作用・機能を実現可能ないかなる構造をも含む。さらに、本明細書にて引用した先行出願や各公報の内容（明細書及び図面を含む）は、本明細書の一部を構成するものとして適宜援用され得る。
【符号の説明】
【００７５】
１…透明導電性電極
２…透明基体
２１…突起                  ２２…凹部
ＭＳ１…第一主面            ＭＳ２…第二主面
ＭＳｃ…導体膜形成部        ＭＳｎ…導体膜不形成部
３…導体膜
４０…第一対向電極          ５０…第二対向電極
【図１】
2013152920.tif 000003
【図２】
2013152920.tif 000004
【図３】
2013152920.tif 000005
【図４】
2013152920.tif 000006
【図５】
2013152920.tif 000007
【図６】
2013152920.tif 000008
【図７】
2013152920.tif 000009
【図８】
2013152920.tif 000010
【図９】
2013152920.tif 000011
【図１０】
2013152920.tif 000012
【図１１】
2013152920.tif 000013
【図１２】
2013152920.tif 000014