(57)【要約】【課題】電極間を接続して接続構造体を得た場合に、接続構造体の熱衝撃に対する電気的な接続信頼性を高めることができる導電性粒子及び異方性導電材料を提供する。【解決手段】本発明に係る導電性粒子１は、銅を表面に有する粒子２と、銅と接するように銅の表面上に配置されており、スズを含みかつスズ及び銅と３元系の金属間化合物を形成する金属を含むはんだ層３とを備える。本発明に係る異方性導電材料は、導電性粒子１と、バインダー樹脂とを含む。【選択図】図１
2013152867.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅を表面に有する粒子と、
銅と接するように銅の表面上に配置されており、スズを含みかつスズ及び銅と３元系の金属間化合物を形成する金属を含むはんだ層とを備える、導電性粒子。
【請求項２】
前記金属が、ニッケル、コバルト、金、銀、マンガン、亜鉛、パラジウム又は鉄である、請求項１に記載の導電性粒子。
【請求項３】
前記はんだ層の内表面に前記金属が存在するか、又は前記はんだ層の外表面に前記金属が存在する、請求項１又は２に記載の導電性粒子。
【請求項４】
前記はんだ層の内表面に前記金属が存在する、請求項３に記載の導電性粒子。
【請求項５】
前記はんだ層の外表面に前記金属が存在する、請求項３に記載の導電性粒子。
【請求項６】
前記はんだ層の内表面と外表面とに前記金属が存在する、請求項３に記載の導電性粒子。
【請求項７】
前記はんだ層に前記金属が、金属粒子を用いて含有されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項８】
前記はんだ層において、前記金属が粒塊で存在する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項９】
前記銅を表面に有する粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された銅層とを有し、
前記銅層と接するように、前記銅層の外側の表面上に前記はんだ層が配置されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１０】
銅電極の接続に用いられる導電性粒子である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、異方性導電材料。
【請求項１２】
第１の電極を有する第１の接続対象部材と、
第２の電極を有する第２の接続対象部材と、
前記第１，第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料により形成されており、
前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
【請求項１３】
前記第１の電極又は前記第２の電極が、銅電極である、請求項１２に記載の接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、フレキシブルプリント基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板及び半導体チップなどの様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続するために用いることができる導電性粒子に関する。また、本発明は、該導電性粒子を用いた異方性導電材料、並びに該導電性粒子を用いた接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂などに複数の導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。
【０００４】
上記異方性導電材料により、例えば、半導体チップの電極とガラス基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラス基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、半導体チップを積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して接続構造体を得る。
【０００５】
上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献１には、固相線温度が１２５℃以上であり、ピーク温度が２００℃以下であり、かつ該固相線温度と該ピーク温度間の温度差が１５℃以上である導電性粒子（低融点金属粒子）が開示されている。また、特許文献１には、該導電性粒子が熱硬化性樹脂中に分散されている異方性導電材料が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】ＷＯ２００８／１１１６１５Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載のような従来の導電性粒子を用いた場合には、上記接続構造体が冷熱サイクルなどの熱衝撃を受けた場合に、電極間の接続抵抗が高くなることがある。このため、電極間の導通信頼性が低いという問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、電極間を接続して接続構造体を得た場合に、接続構造体の熱衝撃に対する電気的な接続信頼性を高めることができる導電性粒子、該導電性粒子を用いた異方性導電材料、並びに該導電性粒子を用いた接続構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の広い局面によれば、銅を表面に有する粒子と、銅と接するように銅の表面上に配置されており、スズを含み、かつスズ及び銅と３元系の金属間化合物を形成する金属を含むはんだ層とを備える、導電性粒子が提供される。
【００１０】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記金属が、ニッケル、コバルト、金、銀、マンガン、亜鉛、パラジウム又は鉄である。
【００１１】
本発明に係る導電性粒子の他の特定の局面では、前記はんだ層の内表面に前記金属が存在するか、又は前記はんだ層の外表面に前記金属が存在する。
【００１２】
本発明に係る導電性粒子の他の特定の局面では、前記はんだ層の内表面に前記金属が存在する。
【００１３】
本発明に係る導電性粒子のさらに他の特定の局面では、前記はんだ層の外表面に前記金属が存在する。
【００１４】
本発明に係る導電性粒子の別の特定の局面では、前記はんだ層の内表面と外表面とに前記金属が存在する。
【００１５】
本発明に係る導電性粒子の他の特定の局面では、前記はんだ層に前記金属が、金属粒子を用いて含有されている。
【００１６】
本発明に係る導電性粒子の他の特定の局面では、前記はんだ層において、前記金属が粒塊で存在する。
【００１７】
本発明に係る導電性粒子の別の特定の局面では、前記銅を表面に有する粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された銅層とを有し、前記銅層と接するように、前記銅層の外側の表面上に前記はんだ層が配置されている。
【００１８】
本発明に係る導電性粒子は、銅電極の接続に用いられる導電性粒子であることが好ましい。
【００１９】
本発明に係る異方性導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。
【００２０】
本発明に係る接続構造体は、第１の電極を有する第１の接続対象部材と、第２の電極を有する第２の接続対象部材と、前記第１，第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料により形成されており、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている。
【００２１】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１の電極又は前記第２の電極が、銅電極である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る導電性粒子は、銅を表面に有する粒子と、銅と接するように上記銅の表面上に配置されており、スズを含み、かつスズ及び銅と３元系の金属間化合物を形成する金属を含むはんだ層とを備えるので、本発明に係る導電性粒子を用いて、電極間を接続して接続構造体を得た場合に、接続構造体の熱衝撃に対する電気的な接続信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。
【図５】図５は、図４に示す接続構造体における導電性粒子と電極との接続部分を拡大して模式的に示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２５】
本発明に係る導電性粒子は、銅を表面に有する粒子と、銅と接するように銅の表面上に配置されているはんだ層とを備える。該はんだ層は、スズを含み、かつスズ及び銅と３元系の金属間化合物を形成する金属（以下、金属Ｘと記載することがある）を含む。本発明に係る導電性粒子は、銅に接するはんだ層が、スズを含み、かつスズ及び銅と３元系の金属間化合物を形成する金属Ｘを含む。上記金属Ｘはスズ及び銅と（Ｃｕ，Ｘ）６Ｓｎ５、又はＣｕ６（Ｓｎ，Ｘ）５という金属間化合物を形成する金属であることが好ましい。金属管化合物は、例えば、複数の金属元素が一定の比率で結合した化合物である。
【００２６】
本発明に係る導電性粒子は上述した構成を備えているので、電極間を接続して接続構造体を得た場合に、接続構造体の熱衝撃に対する電気的な接続信頼性を高めることができる。例えば、接続構造体が高温に晒されたり、冷熱サイクルに晒されたりしても、電極間の接続抵抗が高くなり難く、導通信頼性が良好になる。これは、はんだ層が金属Ｘを含まない場合には、銅がスズとＣｕ６Ｓｎ５という粗大な金属間化合物を作り、その金属間化合物界面からクラックが発生するのに対し、はんだ層が金属Ｘを含む場合には、銅とスズの界面に金属Ｘの濃化層（Ｃｕ，Ｘ）６Ｓｎ５、又はＣｕ６（Ｓｎ，Ｘ）５の小粒界ができ、それがバリア層の役割を果たして銅の拡散を抑制することでＣｕ６Ｓｎ５の金属間化合物の成長を抑えることができる結果、Ｃｕ６Ｓｎ５の金属間化合物界面からのクラックの発生が減り、信頼性が良好になるためである。
【００２７】
熱衝撃に対する電気的な接続信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ層に上記金属が、金属粒子を用いて含有されていることが好ましい。熱衝撃に対する電気的な接続信頼性をより一層高める観点からは、本発明に係る導電性粒子では、上記はんだ層において、上記金属Ｘは粒塊で存在していることが好ましい。
【００２８】
なお、上記「粒塊」とははんだ層の中に存在する金属塊や金属粒子を意味する。
【００２９】
上記金属Ｘが粒塊である場合に、該粒塊の大きさは特に限定されないが、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、好ましくは１００００ｎｍ以下、より好ましくは１０００ｎｍ以下である。
【００３０】
上記金属Ｘとしては、ニッケル、コバルト、金、銀、マンガン、亜鉛、パラジウム及び鉄等が挙げられる。上記金属Ｘは、ニッケル、コバルト、金、銀、マンガン、亜鉛、パラジウム又は鉄であることが好ましく、ニッケル、コバルト又は鉄であることがより好ましく、ニッケルであることが更に好ましい。このような好ましい金属の使用により、接続構造体の熱衝撃に対する電気的な接続信頼性が更に一層高くなる。上記金属Ｘは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。上記金属Ｘが、ニッケル、コバルト又は鉄である場合に、上記金属Ｘは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３１】
上記はんだ層全体の融点を低くする観点からは、上記はんだ層の厚み方向において、上記金属Ｘは偏在していることが好ましい。上記はんだ層の厚み方向において、上記金属Ｘは部分的に存在していてもよい。上記はんだ層における上記金属Ｘは、上記はんだ層の厚み方向の内表面側から外表面側にかけて、連続的に変化していてもよく、段階的に変化していてもよい。
【００３２】
上記はんだ層の内表面に上記金属Ｘが存在するか、又は上記はんだ層の外表面に上記金属Ｘが存在することが好ましい。上記はんだ層の内側の領域で中央の領域よりも上記金属Ｘが多く存在するか、又は上記はんだ層の外側の領域で中央の領域よりも上記金属Ｘが多く存在することが好ましい。この場合には、はんだ層と銅を表面に有する粒子における銅又は銅電極などの電極との界面で、割れ及び剥離がより一層生じ難くなり、接続構造体の熱衝撃に対する電気的な接続信頼性がより一層高くなる。上記はんだ層の内表面に上記金属Ｘが存在するか、又は上記はんだ層の外表面に上記金属Ｘが存在する場合には、上記はんだ層の内表面と外表面とに上記金属Ｘが存在する場合も含まれる。
【００３３】
上記はんだ層の内表面に、上記金属Ｘが存在することが好ましい。上記はんだ層の内側の領域で中央の領域よりも上記金属Ｘが多く存在することが好ましい。この場合には、銅を表面に有する粒子における銅とはんだ層との界面で割れ及び剥離がより一層生じ難くなり、接続構造体の熱衝撃に対する電気的な接続信頼性がより一層高くなる。
【００３４】
上記はんだ層の外表面に、上記金属Ｘが存在することが好ましい。上記はんだ層の外側の領域で中央の領域よりも上記金属Ｘが多く存在することが好ましい。この場合には、銅電極などの電極とはんだ層との界面で割れ及び剥離がより一層生じ難くなり、接続構造体の熱衝撃に対する電気的な接続信頼性がより一層高くなる。特に、銅電極を電気的に接続した場合に、銅電極とはんだ層との界面で割れ及び剥離がかなり生じ難くなる。
【００３５】
上記はんだ層の内表面と外表面とに、上記金属が存在することが好ましい。上記はんだ層の内側の領域と外側の領域とで中央の領域よりも上記金属Ｘが多く存在することが特に好ましい。この場合には、銅を表面に有する粒子における銅とはんだ層との界面で割れ及び剥離がより一層生じ難くなり、かつ銅電極などの電極とはんだ層との界面でも割れ及び剥離がより一層生じ難くなる。このため、接続構造体の熱衝撃に対する電気的な接続信頼性が更に一層高くなる。
【００３６】
上記はんだ層の内側の領域は、上記はんだ層の内表面側の厚み１／３の領域であることが好ましい。すなわち、上記はんだ層の内側の領域は、上記はんだ層における内表面から外側に向けて、上記はんだ層における厚みの１／３の領域であることが好ましい。上記はんだ層の外側の領域は、上記はんだ層の外表面側の厚み１／３の領域であることが好ましい。すなわち、上記はんだ層の外側の領域は、上記はんだ層における外表面から内側に向けて、上記はんだ層における厚みの１／３の領域であることが好ましい。上記はんだ層の中央の領域は、上記はんだ層における厚みの１／３の中央の領域であることが好ましい。
【００３７】
上記はんだ層における上記金属Ｘを、上記はんだ層の厚み方向で異ならせる方法としては、はんだ層を形成する際に、厚み方向の内側の領域を形成する材料と、厚み方向の外側の領域のはんだ層部分を形成する材料とを異ならせる方法、並びにはんだ層を形成するためにめっきを行い、はんだ層を構成する組成の一部を金属粉体として混合し、共析させる方法等が挙げられる。
【００３８】
本発明に係る導電性粒子は、銅電極の接続に用いられる導電性粒子であることが好ましい。この場合には、銅電極とはんだ層との界面で割れ及び剥離がより一層生じ難くなり、接続構造体の熱衝撃に対する電気的な接続信頼性がより一層高くなる。
【００３９】
銅電極の接続に用いられる導電性粒子である場合に、上記はんだ層の外表面に上記金属Ｘが存在することが特に好ましく、更に上記はんだ層の外側の領域で中央の領域よりも上記金属Ｘが多く存在することが特に好ましい。
【００４０】
以下、導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体の詳細を説明する。
【００４１】
（導電性粒子の詳細）
図１に、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を断面図で示す。
【００４２】
図１に示す導電性粒子１は、粒子２と、はんだ層３とを備える。粒子２は、銅を表面に有する。はんだ層３は、粒子２における銅と接するように、銅の表面上に配置されている。はんだ層３は、粒子２における銅の表面に積層されている。粒子２は、はんだ層３により被覆されている。はんだ層３は、スズを含み、かつスズ及び銅と３元系の金属間化合物を形成する金属Ｘを含む。
【００４３】
粒子２は、基材粒子６と、銅層７とを有する。銅層７は、基材粒子６の表面上に配置されている。銅層７は、基材粒子６の表面に積層されている。粒子２における銅は、銅層７である。はんだ層３は、銅層７の外側の表面上に配置されている。はんだ層３は、銅層７の外側の表面に積層されている。銅層７は、はんだ層３により被覆されている。はんだ層３及び銅層７は導電層である。はんだ層３は外層であり、最外層である。銅層７は内層である。
【００４４】
図２に、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を断面図で示す。
【００４５】
図２に示す導電性粒子１１は、粒子１２と、はんだ層３とを備える。粒子１２は、銅を表面に有する。はんだ層３は、粒子１２における銅と接するように、銅の表面上に配置されている。導電性粒子１１と導電性粒子１とでは、銅を表面に有する粒子のみが異なっている。
【００４６】
粒子１２は、基材粒子６と、導電層１６と、銅層１７とを有する。導電層１６は、基材粒子６の表面上に配置されている。銅層１７は、基材粒子６の表面上に、導電層１６を介して配置されている。銅層１７は、導電層１６の表面に積層されている。はんだ層３は、銅層１７に接するように、銅層１７の表面上に配置されている。
【００４７】
図３に、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を断面図で示す。
【００４８】
図３に示す導電性粒子２１は、粒子２２と、はんだ層３とを備える。粒子２２は、銅粒子であり、銅を表面に有する。すなわち、粒子２２の全体が銅である。はんだ層３は、粒子２２における銅と接するように、銅の表面上に配置されている。導電性粒子２１と導電性粒子１とでは、銅を表面に有する粒子のみが異なっている。
【００４９】
銅を表面に有する粒子は、銅粒子であってもよく、基材粒子と基材粒子の表面上に配置された導電層とを有する粒子であってもよい。基材粒子の表面上に配置された導電層は、１層の構造を有していてもよく、２層以上の積層構造を有していてもよい。基材粒子の表面上に配置された導電層（はんだ層を除く）の表面が銅層であればよい。はんだ層は、１層の構造を有していてもよく、２層以上の積層構造を有していてもよい。
【００５０】
上記銅を表面に有する粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された銅層とを有することが好ましい。この場合に、基材粒子と銅層との間に、銅層以外の導電層が配置されていてもよい。基材粒子と該基材粒子の表面上に配置された銅層とを有する粒子を用いると、基材粒子に由来して、電極間の間隔をより一層高精度に制御できる。また、導電成分の使用量を低減できる。
【００５１】
上記基材粒子としては、樹脂粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましく、樹脂粒子であることがより好ましい。
【００５２】
上記樹脂粒子は、樹脂により形成されている。電極間を接続する際には、導電性粒子を電極間に配置した後、一般的に導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子であると、圧縮により導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。さらに、上記基材粒子が、ニッケルなどの金属又はガラスにより形成された粒子ではなく、樹脂により形成された樹脂粒子であると、導電性粒子の柔軟性が高くなる。導電性粒子の柔軟性が高いと、導電性粒子に接触した電極の損傷を抑制できる。
【００５３】
上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、及びジビニルベンゼン系共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン共重合体としては、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体及びジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。圧縮により導電性粒子が適度に変形するので、上記樹脂粒子は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体により形成されていることが好ましい。
【００５４】
上記無機粒子を形成するための無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
【００５５】
上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。
【００５６】
銅層及びはんだ層以外の上記導電層は、金属により形成されていることが好ましい。上記導電層を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、錫、金、銀、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）も用いてもよい。なかでも、導電性に優れることから、ニッケル層、金層、銀層及びパラジウム層が好ましい。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５７】
粒子の表面上に、銅層（導電層）、はんだ層（導電層）、並びに銅層及びはんだ層以外の導電層を形成する方法は特に限定されない。導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的な衝突による方法、メカノケミカル反応による方法、物理的蒸着又は物理的吸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを樹脂粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、無電解めっき、電気めっき又は物理的な衝突による方法が好適である。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。また、上記物理的な衝突による方法では、例えば、シータコンポーザ等が用いられる。
【００５８】
上記はんだ層を形成する方法は、物理的な衝突による方法であることが好ましい。上記はんだ層は、物理的な衝撃により、銅の表面上に配置されていることが好ましく、銅粒子又は銅層の表面上に積層されていることが好ましい。すなわち、粒子の表面上で物理的な衝突を行うことにより、銅の表面上にはんだ層を形成することが好ましい。上記物理的な衝突では、シータコンポーザを用いることが好ましい。
【００５９】
上記はんだ層の融点は４５０℃以下であることが好ましい。上記金属Ｘが粒塊で存在する場合には、上記はんだ層の融点は、上記金属Ｘの粒塊部分以外の融点を示す。上記はんだ層を構成するスズ及び上記金属Ｘ以外の金属としては、上述した導電層を構成する金属が挙げられる。上記はんだ層は、合金であってもよい。
【００６０】
上記はんだ層を構成する材料は、ＪＩＳ  Ｚ３００１：溶剤用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶可材であることが好ましい。上記金属Ｘが粒塊で存在する場合には、上記はんだ層の液相線は、上記金属Ｘの粒塊部分以外の液相線を示す。
【００６１】
上記はんだ層の組成としては、スズの他に、例えば亜鉛、金、鉛、銅、ニッケル、コバルト、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。上記はんだ層は、銀を含む合金、銅を含む合金、ビスマスを含む合金、インジウムを含む合金であることが好ましく、ビスマスを含む合金、インジウムを含む合金であることがより好ましい。上記はんだ層は、鉛を含まないことが好ましい。上記はんだ層は、インジウム又はビスマスを含むことが好ましく、インジウムを含むことが好ましく、ビスマスを含むことが好ましい。
【００６２】
さらに、上記はんだ層は、銀、銅、ゲルマニウム、アンチモン等の第３元素を含むことが好ましく、銀、銅、ゲルマニウム、アンチモン等の第３元素を微量で含むことがより好ましい。これにより粒界の微細化が期待でき、さらに延性向上、接続信頼性向上の効果が得られる。上記はんだ層は、アンチモンを含むことが好ましく、アンチモンを微量で含むことがより好ましい。上記はんだ層の全体１００重量％中、上記第３元素又はアンチモンの含有量は好ましくは０．１重量％以上、好ましくは１重量％以下、より好ましくは０．５重量％以下である。
【００６３】
熱衝撃に対する電気的な接続信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ層の全体１００重量％中の上記金属Ｘの含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．０５重量％以上、好ましくは０．２重量％以下、より好ましくは０．１５重量％以下である。
【００６４】
熱衝撃に対する電気的な接続信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ層の内表面側において、上記金属Ｘの含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．０５重量％以上、好ましくは０．２重量％以下、より好ましくは０．１５重量％以下である。熱衝撃に対する電気的な接続信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ層の外表面側において、上記金属Ｘの含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．０５重量％以上、好ましくは０．２重量％以下、より好ましくは０．１５重量％以下である。
【００６５】
上記はんだ層の融点を低くし、かつ熱衝撃に対する電気的な接続信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ層の全体１００重量％中のビスマスの含有量は好ましくは５０重量％以上、より好ましくは５５重量％以上、好ましくは６５重量％以下、より好ましくは６０重量％以下である。上記ビスマスの含有量は、スズとの共晶組成である５８重量％であることが最も好ましい。
【００６６】
上記銅層と、上記はんだ層と、上記銅層及び上記はんだ層以外の導電層の厚みはそれぞれ、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上、更に好ましくは１００ｎｍ以上、好ましくは５０００ｎｍ以下、より好ましくは３０００ｎｍ以下である。上記厚みが上記下限以上であると、導電性が十分に高くなる。上記厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電層との熱膨張率の差が小さくなり、導電層の剥離が生じ難くなる。
【００６７】
上記はんだ層において、上記金属Ｘを含むはんだ層部分の厚みは、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下である。
【００６８】
上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは８０μｍ以下、特に好ましくは５０μｍ以下、最も好ましくは４０μｍ以下である。導電性粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。
【００６９】
異方性導電材料における導電性粒子に適した大きさであり、かつ電極間の間隔がより一層小さくなるので、導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下である。
【００７０】
上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【００７１】
上記導電性粒子は、上記はんだ層の表面上に配置された絶縁性物質を備えていてもよい。上記はんだ層の表面上に配置された上記絶縁性物質は、複数であることが好ましい。該絶縁性物質は絶縁性粒子であることが好ましい。
【００７２】
上記絶縁性物質を備えた導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子におけるはんだ層と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。
【００７３】
上記絶縁性物質を構成する絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。
【００７４】
上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート及びポリブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。
【００７５】
上記はんだ層の表面に絶縁性物質を付着させる方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、上記絶縁性物質が脱離し難いことから、上記はんだ層の表面に、化学結合を介して上記絶縁性物質を付着させる方法が好ましい。
【００７６】
（異方性導電材料の詳細）
上記異方性導電材料は、上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む。
【００７７】
上記異方性導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは２重量％以上、更に好ましくは１０重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。
【００７８】
バインダー樹脂：
上記バインダー樹脂は、熱可塑性化合物又は硬化性化合物を含むことが好ましい。上記バインダー樹脂は、熱可塑性化合物を含んでいてもよく、硬化性化合物を含んでいてもよい。
【００７９】
上記熱可塑性化合物としては、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂及びポリアミド樹脂等が挙げられる。
【００８０】
上記硬化性化合物は、加熱により硬化可能な硬化性化合物を含むことが好ましい。上記異方性導電材料は、加熱により硬化可能な異方性導電材料であり、上記バインダー樹脂として、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物を含むことが特に好ましい。該加熱により硬化可能な硬化性化合物は、光の照射により硬化しない硬化性化合物（熱硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。
【００８１】
また、上記異方性導電材料は、光の照射と加熱との双方により硬化可能な異方性導電材料であり、上記バインダー樹脂として、光の照射により硬化可能な硬化性化合物（光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）をさらに含むことが好ましい。上記光の照射により硬化可能な硬化性化合物は、加熱により硬化しない硬化性化合物（光硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。上記異方性導電材料は、光硬化開始剤を含むことが好ましい。上記異方性導電材料は、上記光硬化開始剤として、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記異方性導電材料は、上記硬化性化合物として、熱硬化性化合物を含み、光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物をさらに含むことが好ましい。上記異方性導電材料は、上記硬化性化合物として、熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを含むことが好ましい。
【００８２】
上記硬化性化合物としては特に限定されず、不飽和二重結合を有する硬化性化合物及びエポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物等が挙げられる。
【００８３】
また、上記異方性導電材料の硬化性を高め、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記硬化性化合物は、不飽和二重結合を有する硬化性化合物を含むことが好ましく、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物を含むことが好ましい。上記不飽和二重結合は、（メタ）アクリロイル基であることが好ましい。上記不飽和二重結合を有する硬化性化合物としては、エポキシ基又はチイラン基を有さず、かつ不飽和二重結合を有する硬化性化合物、及びエポキシ基又はチイラン基を有し、かつ不飽和二重結合を有する硬化性化合物が挙げられる。
【００８４】
上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物として、（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、（メタ）アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレート等が好適に用いられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを示す。上記「（メタ）アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。上記「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。
【００８５】
上記（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、２官能のエステル化合物及び３官能以上のエステル化合物のいずれも使用可能である。
【００８６】
上記異方性導電材料の硬化性を高め、電極間の導通信頼性をより一層高め、更に硬化物の接着力をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料は、不飽和二重結合と熱硬化性官能基との双方を有する硬化性化合物を含むことが好ましい。上記熱硬化性官能基としては、エポキシ基、チイラン基及びオキセタニル基等が挙げられる。上記不飽和二重結合と熱硬化性官能基との双方を有する硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ不飽和二重結合を有する硬化性化合物であることが好ましく、熱硬化性官能基と（メタ）アクリロイル基との双方を有する硬化性化合物であることが好ましく、エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物であることが好ましい。
【００８７】
上記エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する硬化性化合物の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を、（メタ）アクリロイル基に変換することにより得られる硬化性化合物であることが好ましい。このような硬化性化合物は、部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物又は部分（メタ）アクリレート化エピスルフィド化合物である。
【００８８】
上記硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と、（メタ）アクリル酸との反応物であることが好ましい。この反応物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って塩基性触媒などの触媒の存在下で反応することにより得られる。エポキシ基又はチイラン基の２０％以上が（メタ）アクリロイル基に変換（転化率）されていることが好ましい。該転化率は、より好ましくは３０％以上、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下である。エポキシ基又はチイラン基の４０％以上、６０％以下が（メタ）アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。
【００８９】
上記部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ（メタ）アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００９０】
上記硬化性化合物として、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を（メタ）アクリロイル基に変換した変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基又はチイラン基と（メタ）アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。
【００９１】
上記「フェノキシ樹脂」は、一般的には、例えばエピハロヒドリンと２価のフェノール化合物とを反応させて得られる樹脂、又は２価のエポキシ化合物と２価のフェノール化合物とを反応させて得られる樹脂である。
【００９２】
また、上記硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。
【００９３】
上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、（メタ）アクリル酸アリル、（メタ）アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００９４】
上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート及びテトラデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００９５】
さらに、上記硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。
【００９６】
上記異方性導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物を含むことが好ましい。エポキシ基を有する硬化性化合物は、エポキシ化合物である。チイラン基を有する硬化性化合物は、エピスルフィド化合物である。異方性導電材料の硬化性を高める観点からは、上記硬化性化合物１００重量％中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記硬化性化合物の全量が上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物であってもよい。取り扱い性に優れており、かつ接続構造体における導通信頼性をより一層高める観点からは、上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物は、エポキシ化合物であることが好ましい。
【００９７】
また、上記異方性導電材料は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物と、不飽和二重結合を有する硬化性化合物とを含むことが好ましい。
【００９８】
上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化可能であるので好ましい。
【００９９】
上記熱硬化性化合物と上記光硬化性化合物とを併用する場合には、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。上記異方性導電材料は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜９０：１０で含むことが好ましく、５：９５〜６０：４０で含むことがより好ましく、１０：９０〜４０：６０で含むことが更に好ましい。
【０１００】
熱硬化剤：
上記異方性導電材料は、熱硬化剤を含むことが好ましい。該熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を硬化させる。該熱硬化剤として、従来公知の熱硬化剤を使用可能である。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０１】
上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤、熱カチオン発生剤、酸無水物及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。また、異方性導電材料の保存安定性が高くなるので、潜在性の硬化剤が好ましい。該潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。
【０１０２】
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。
【０１０３】
上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパン  トリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトール  テトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトール  ヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。
【０１０４】
上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
【０１０５】
上記異方性導電材料は、熱カチオン発生剤を含むことが好ましく、加熱により無機酸イオンを放出するか、又は加熱によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する熱カチオン発生剤をさらに含むことがより好ましい。
【０１０６】
上記熱カチオン発生剤は、加熱により無機酸イオンを放出するか、又は加熱によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する。これらの熱カチオン発生剤は、加熱により放出された無機酸イオン又は有機酸イオンにより、はんだ層の外側の表面の酸化膜や電極表面の酸化膜を除去可能である。従って、はんだ層を有する導電性粒子を用いる場合に、特定の上記熱カチオン発生剤の使用は、電極間の導通信頼性の向上に大きく寄与する。
【０１０７】
上記加熱により無機酸イオンを放出する成分は、アニオン部分としてＳｂＦ６−又はＰＦ６−を有する化合物であることが好ましい。上記熱カチオン発生剤は、アニオン部分としてＳｂＦ６−を有する化合物であることが好ましく、アニオン部分としてＰＦ６−を有する化合物であることも好ましい。
【０１０８】
上記ホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する成分は、下記式（２）で表されるアニオン部分を有する化合物であることが好ましい。
【０１０９】
【化１】
2013152867.tif 000003
【０１１０】
上記式（２）中、Ｘはハロゲン原子を表す。上記式（２）中のＸは、塩素原子、臭素原子又はフッ素原子であることが好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。
【０１１１】
すなわち、上記ホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する成分は、下記式（２Ａ）で表されるアニオン部分を有する化合物であることがより好ましい。
【０１１２】
【化２】
2013152867.tif 000004
【０１１３】
上記熱カチオン発生剤は、スルホニウムカチオン部分を有する成分であることが好ましく、下記式（１）で表されるスルホニウムカチオン部分を有する成分であることがより好ましい。
【０１１４】
【化３】
2013152867.tif 000005
【０１１５】
上記式（１）中、Ｒ１はベンジル基、置換されたベンジル基、フェナシル基、置換されたフェナシル基、アリル基、置換されたアリル基、アルコキシル基、置換されたアルコキシル基、アリールオキシ基又は置換されたアリールオキシ基を表す。Ｒ２及びＲ３はそれぞれ、Ｒ１を構成できる基と同じ基を表すか、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基を表すか、又は炭素数６〜１８の単環又は縮合多環のアリール基を表す。Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＲ３、Ｒ２とＲ３は相互に結合した環状構造であってもよい。上記炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基と、上記炭素数６〜１８の単環又は縮合多環のアリール基とは、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基又はアジド基で置換されていてもよい。
【０１１６】
上記熱カチオン発生剤は、下記式（１Ａ）で表されるスルホニウムカチオン部分を有する成分であることが更に好ましい。
【０１１７】
【化４】
2013152867.tif 000006
【０１１８】
上記式（１Ａ）中、Ｒ１はアリール基又はナフチル基を表し、Ｒ２はヒドロキシ基又はＣＨ３ＯＣＯＯ基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。
【０１１９】
上記式（１Ａ）中のＲ１の好ましい例としては、フェニル基、ｏ−メチルフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、１−ナフチル基及び２−ナフチル基等が挙げられる。上記式（１Ａ）中のＲ１は、フェニル基、ｏ−メチルフェニル基又は１−ナフチル基であることが好ましい。但し、上記Ｒ１はこれら以外の基であってもよい。
【０１２０】
上記式（１Ａ）において、Ｒ２のベンゼン環に対する結合部位は特に限定されない。上記式（１Ａ）中のＲ２は、Ｓ基に対して、パラ位に結合していることが好ましい。上記式（１Ａ）におけるＣＨ３ＯＣＯＯ基は、メトキシカルボニルオキシ基である。上記式（１Ａ）中のＲ２は、ヒドロキシ基であることが好ましい。上記式（１Ａ）中のｎは、１であることが好ましい。
【０１２１】
上記熱カチオン発生剤は、下記式（１Ａ−１）又は下記式（１Ａ−２）で表されるスルホニウムカチオン部分を有する成分であることが特に好ましい。
【０１２２】
【化５】
2013152867.tif 000007
【０１２３】
上記式（１Ａ−１）中、Ｒ１ａは炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ２はヒドロキシ基又はＣＨ３ＯＣＯＯ基を表し、ｍは０又は１を表し、ｎは１〜３の整数を表す。
【０１２４】
上記式（１Ａ−１）中のＲ１ａは、メチル基であることが好ましい。上記式（１Ａ−１）中のｍは、Ｒ１が存在しないように０であることが好ましい。なお、上記式（１Ａ−１）中のＲ１ａのベンゼン環に対する結合部位は特に限定されない。上記式（１Ａ−１）中のＲ１ａは、ＣＨ２基に対して、オルト位に結合していることが好ましい。上記式（１Ａ−１）中のＲ２及びｎの好ましい基及び数は、上記式（１Ａ）中のＲ２及びｎの好ましい基及び数と同様である。
【０１２５】
【化６】
2013152867.tif 000008
【０１２６】
上記式（１Ａ−２）中、Ｒ２はヒドロキシ基又はＣＨ３ＯＣＯＯ基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。上記式（１Ａ−２）中のＲ２及びｎの好ましい基及び数は、上記式（１Ａ）中のＲ２及びｎの好ましい基及び数と同様である。
【０１２７】
上記熱カチオン発生剤は、スルホニウム系熱カチオン発生剤であることが好ましい。上記スルホニウムカチオン部分と、ＳｂＦ６−のアニオン部分、ＰＦ６−のアニオン部分又は上記式（２）で表されるアニオン部分とを有する成分は、熱カチオン発生剤として作用する。
【０１２８】
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは１重量部以上、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは１００重量部以下、更に好ましくは７５重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、異方性導電材料を充分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。
【０１２９】
上記熱硬化剤が上記熱カチオン発生剤である場合に、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱カチオン発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記熱カチオン発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料が充分に熱硬化し、接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。さらに、はんだ層の外表面の酸化膜や電極表面の酸化膜をより一層効果的に除去でき、接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。
【０１３０】
また、異方性導電材料における上記導電性粒子と上記熱カチオン発生剤との配合比は、重量比で、１：１〜２０：１であることが好ましく、２：１〜１５：１であることがより好ましく、５：２〜１０：１であることが更に好ましい。
【０１３１】
他の成分：
上記異方性導電材料は、光硬化開始剤を含むことが好ましい。該光硬化開始剤は特に限定されない。上記光硬化開始剤として、従来公知の光硬化開始剤を使用可能である。電極間の導通信頼性及び接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料は、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記光硬化開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１３２】
上記光硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤（アセトフェノン光ラジカル発生剤）、ベンゾフェノン光硬化開始剤（ベンゾフェノン光ラジカル発生剤）、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤（ケタール光ラジカル発生剤）、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。
【０１３３】
上記アセトフェノン光硬化開始剤の具体例としては、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、及び２−ヒドロキシ−２−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光硬化開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。
【０１３４】
上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。光の照射により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量（光硬化開始剤が光ラジカル発生剤である場合には光ラジカル発生剤の含有量）は、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記光硬化開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料が適度に光硬化する。異方性導電材料に光を照射し、Ｂステージ化することにより、異方性導電材料の流動が抑えられる。
【０１３５】
上記異方性導電材料は、上記熱カチオン発生剤とは異なるフラックスを含んでいてもよい。該フラックスの使用により、電極表面に形成された酸化膜を効果的に除去できる。この結果、接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。なお、上記異方性導電材料は、フラックスを必ずしも含んでいなくてもよい。
【０１３６】
上記フラックスは特に限定されない。該フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用可能である。上記フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１３７】
上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びヒドラジン等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、松脂であることが好ましい。松脂の使用により、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
【０１３８】
上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。上記フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
【０１３９】
上記フラックスは、バインダー樹脂中に分散されていてもよく、上記導電性粒子の表面上に付着していてもよい。
【０１４０】
上記異方性導電材料１００重量％中、上記熱カチオン発生剤とは異なるフラックスの含有量は好ましくは０．５重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記フラックスの含有量が上記下限以上及び上限以下であると、電極表面に形成された酸化膜をより一層効果的に除去できる。また、上記フラックスの含有量が上記下限以上であると、フラックスの添加効果がより一層効果的に発現する。上記フラックスの含有量が上記上限以下であると、硬化物の吸湿性がより一層低くなり、接続構造体の信頼性がより一層高くなる。
【０１４１】
上記異方性導電材料は、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、異方性導電材料の硬化物の熱線膨張率を抑制できる。上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム、アルミナ、ガラス、窒化ボロン、窒化ケイ素、シリコーン、カーボン、グラファイト、グラフェン及びタルク等が挙げられる。フィラーは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。熱伝導率が高いフィラーを用いると、本硬化時間が短くなる。
【０１４２】
上記異方性導電材料は、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、異方性導電材料の粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、例えば、酢酸エチル、メチルセロソルブ、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテル等が挙げられる。
【０１４３】
上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に添加されて異方性導電材料として用いられることが好ましい。上記異方性導電材料は、ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料であり、ペースト状の異方性導電材料であることが好ましい。ペースト状の異方性導電材料は、異方性導電ペーストである。フィルム状の異方性導電材料は、異方性導電フィルムである。上記異方性導電材料が異方性導電フィルムである場合、該導電性粒子を含む異方性導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されてもよい。
【０１４４】
（接続構造体）
上記導電性粒子を用いて、又は上記導電性粒子を含む異方性導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
【０１４５】
上記導電性粒子は、銅電極を有する接続対象部材を接続するために用いられる導電性粒子であることが好ましい。上記異方性導電材料は、銅電極を有する接続対象部材を接続するために用いられる異方性導電材料であることが好ましい。銅電極の表面には酸化膜がかなり形成されやすい。これに対して、上記異方性導電材料が上記熱カチオン発生剤を含む場合には、銅電極の表面の酸化膜を効果的に除去でき、接続構造体における導通信頼性が高くなる。
【０１４６】
上記導電性粒子及び上記異方性導電材料は、様々な接続対象部材を接着するために使用できる。上記導電性粒子及び上記異方性導電材料は、第１，第２の接続対象部材が電気的に接続されている接続構造体を得るために好適に用いられる。
【０１４７】
上記接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、該第１，第２の接続対象部材を接続している接続部とを備えており、該接続部が上記導電性粒子により形成されているか、又は該導電性粒子を含む異方性導電材料により形成されていることが好ましい。上記接続部は、上記異方性導電材料を硬化させることにより形成されていることが好ましい。上記第１の電極と上記第２の電極とが、上記導電性粒子により電気的に接続されていることが好ましい。
【０１４８】
図４に、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に正面断面図で示す。
【０１４９】
図４に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１，第２の接続対象部材５２，５３を電気的に接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、導電性粒子１とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図４では、導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。
【０１５０】
第１の接続対象部材５２は上面５２ａに、複数の第１の電極５２ｂを有する。第２の接続対象部材５３は下面５３ａに、複数の第２の電極５３ｂを有する。第１の電極５２ｂと第２の電極５３ｂとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材５２，５３が導電性粒子１により電気的に接続されている。
【０１５１】
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記異方性導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。加熱及び加圧により、導電性粒子１のはんだ層３が溶融して、該導電性粒子１により第１，第２の電極５２ｂ，５３ｂ間が電気的に接続される。このとき、銅層７を第１，第２の電極５２ｂ，５３ｂに接触させることが好ましい。さらに、はんだ層３を第１，第２の電極５２ｂ，５３ｂに接触させることが好ましい。バインダー樹脂が加熱により硬化可能な硬化性化合物を含む場合には、バインダー樹脂が硬化して、硬化したバインダー樹脂により第１，第２の接続対象部材５２，５３が接続される。上記加圧の圧力は９．８×１０４〜４．９×１０６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０〜２２０℃程度である。
【０１５２】
図５に、図４に示す接続構造体５１における導電性粒子１と第１，第２の電極５２ｂ，５３ｂとの接続部分を拡大して正面断面図で示す。図５に示すように、接続構造体５１では、上記積層体を加熱及び加圧することにより、導電性粒子１のはんだ層３が溶融した後、溶融したはんだ層部分Ｘが第１，第２の電極５２ｂ，５３ｂと十分に接触する。すなわち、銅層７及びはんだ層３も第１，第２の電極５２ｂ，５３ｂに接触させることができる。また、銅層７を第１，第２の電極５２ｂ，５３ｂに接触させることにより、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。銅層を電極に接触させることが好ましく、はんだ層を電極に接触させることが好ましく、銅層とはんだ層との双方を電極に接触させることがより好ましい。
【０１５３】
上記第１，第２の接続対象部材は、特に限定されない。上記第１，第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記異方性導電材料は、電子部品の接続に用いられる異方性導電材料であることが好ましい。上記異方性導電材料は、ペースト状であって、かつペースト状の状態で接続対象部材の上面に塗工される異方性導電材料であることが好ましい。
【０１５４】
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
【０１５５】
上記第１の電極又は上記第２の電極が、銅電極であることが好ましい。この場合に、上記第１の電極及び上記第２の電極の双方が、銅電極であってもよい。上記第１の電極及び上記第２の電極の双方が、銅電極であることが好ましい。上記導電性粒子を銅電極の電気的な接続に用いた場合でも、接続構造体の熱衝撃に対する電気的な接続信頼性を十分に高めることができる。
【０１５６】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１５７】
実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。
【０１５８】
（バインダー樹脂）
熱硬化性化合物１（エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−４８５０−１５０」）
熱硬化性化合物２（エポキシ樹脂、三菱化学社製「ＪＥＲ−８２８」）
【０１５９】
（他の成分）
熱カチオン発生剤１（下記式（１１）で表される化合物、加熱によりリン原子を含む無機酸イオンを放出する化合物）
【０１６０】
【化７】
2013152867.tif 000009
【０１６１】
熱カチオン発生剤２（下記式（１２）で表される化合物、加熱によりアンチモン原子を含む無機酸イオンを放出する化合物）
【０１６２】
【化８】
2013152867.tif 000010
【０１６３】
熱カチオン発生剤３（下記式（１３）で表される化合物、加熱によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する化合物）
【０１６４】
【化９】
2013152867.tif 000011
【０１６５】
（実施例１〜１２及び比較例１，２）
導電性粒子の作製：
導電性粒子１：樹脂粒子（平均粒子径２０μｍ）の表面上に銅層（厚み３μｍ）が積層されており、該銅層の表面上に、スズと金属Ｘとを含むはんだ層（全体の厚み４μｍ）が積層されている導電性粒子（以下のようにして作製）
導電性粒子１の作製方法：
樹脂粒子（平均粒子径２０μｍ）の表面上に銅層（厚み３μｍ）が積層されている粒子Ｐを用意した。
【０１６６】
シータコンポーザ（徳寿工作所社製）を用いて、上記粒子Ｐの銅層の表面上で、ニッケル粉末（平均粒子径０．１μｍ）を添加しながら、はんだ微粉末（スズ４２重量％とビスマス５８重量％とを含む、平均粒子径３μｍ）を溶融させて、銅層の表面上に第１のはんだ層（厚み０．５μｍ、ニッケルの粒塊の大きさ１００ｎｍ）を形成した。次に、上記シータコンポーザを用いて、第１のはんだ層の表面上で、はんだ微粉末（スズ４２重量％とビスマス５８重量％とを含む、平均粒子径３μｍ）を溶融させて、第１のはんだ層の表面上に第２のはんだ層（厚み３μｍ）を形成した。次に、上記シータコンポーザを用いて、第２のはんだ層の表面上で、ニッケル粉末（平均粒子径０．１μｍ）を添加しながら、はんだ微粉末（スズ４２重量％とビスマス５８重量％とを含む、平均粒子径３μｍ）を溶融させて、第２のはんだ層の表面上に第３のはんだ層（厚み０．５μｍ、ニッケルの粒塊の大きさ１００ｎｍ）を形成した。得られた導電性粒子１では、はんだ層の厚み方向の内側から外側にかけて、第１のはんだ層、第２のはんだ層及び第３のはんだ層がこの順で形成されていた。
【０１６７】
導電性粒子２〜５の詳細及び製造方法：
また、第１，第２，第３のはんだ層を形成する際のニッケル粉末の添加の有無を下記の表１に示すように変更したこと、並びにビスマス及びニッケルの含有量を下記の表１に示すように設定したこと以外は導電性粒子１と同様にして、導電性粒子２〜５を得た。得られた導電性粒子２〜５におけるニッケルの粒塊の大きさ１００ｎｍであった。
【０１６８】
導電性粒子６の詳細及び製造方法：
また、はんだ層を形成する際に、ニッケル粉末をコバルト粉末（平均粒子径０．０５μｍ以下）に変更したこと以外は導電性粒子１と同様にして導電性粒子６を得た。得られた導電性粒子６におけるコバルトの粒塊の大きさは４０ｎｍであった。
【０１６９】
導電性粒子７の詳細及び製造方法：
また、はんだ層を形成する際に、ニッケル粉末を鉄粉末（平均粒子径０．５μｍ以下）に変更したこと以外は導電性粒子１と同様にして導電性粒子７を得た。得られた導電性粒子７における鉄の粒塊の大きさは４０ｎｍであった。
【０１７０】
導電性粒子８：樹脂粒子（平均粒子径２０μｍ）の表面上に銅層（厚み１μｍ）が積層されており、該銅層の表面上に、金属Ｘを含むはんだ層（全体の厚み１．５μｍ）が積層されている導電性粒子（以下のようにして作製）
導電性粒子８の作製方法：
導電性粒子１で用いた粒子Ｐを用意した。
【０１７１】
シータコンポーザ（徳寿工作所社製）を用いて、上記粒子Ｐの銅層の表面上で、ニッケル粉末（平均粒子径０．１μｍ）を添加しながら、はんだ微粉末（スズ４２重量％とビスマス５８重量％とを含む、平均粒子径３μｍ）を溶融させて、銅層の表面上に第１のはんだ層（厚み０．５μｍ、ニッケルの粒塊の大きさ１００ｎｍ）を形成した。次に、上記シータコンポーザを用いて、第１のはんだ層の表面上で、はんだ微粉末（スズ４２重量％とビスマス５８重量％とを含む、平均粒子径３μｍ）を溶融させて、第１のはんだ層の表面上に第２のはんだ層（厚み３．５μｍ）を形成した。得られた導電性粒子８では、はんだ層の厚み方向の内側から外側にかけて、第１のはんだ層及び第２のはんだ層がこの順で形成されていた。
【０１７２】
導電性粒子９の詳細及び製造方法：
はんだ層を形成する際のニッケル粉末の添加の有無を下記の表２に示すように変更したこと以外は導電性粒子８と同様にして、導電性粒子９を得た。得られた導電性粒子９におけるニッケルの粒塊の大きさは１００ｎｍであった。
【０１７３】
導電性粒子Ａ：樹脂粒子（平均粒子径２０μｍ）の表面上に銅層（厚み３μｍ）が積層されており、該銅層の表面上に、スズを含みかつ金属Ｘを含まないはんだ層（全体の厚み４μｍ）が積層されている導電性粒子（以下のようにして作製）
導電性粒子Ａの作製方法：
導電性粒子１で用いた粒子Ｐを用意した。
【０１７４】
シータコンポーザ（徳寿工作所社製）を用いて、上記粒子Ｐの銅層の表面上で、はんだ微粉末（スズ４２重量％とビスマス５８重量％とを含む、平均粒子径３μｍ）を溶融させて、銅層の表面上に第１のはんだ層（厚み０．５μｍ）を形成した。次に、上記シータコンポーザを用いて、第１のはんだ層の表面上で、はんだ微粉末（スズ４２重量％とビスマス５８重量％とを含む、平均粒子径３μｍ）を溶融させて、第１のはんだ層の表面上に第２のはんだ層（厚み３μｍ）を形成した。次に、上記シータコンポーザを用いて、第２のはんだ層の表面上で、はんだ微粉末（スズ４２重量％とビスマス５８重量％とを含む、平均粒子径３μｍ）を溶融させて、第２のはんだ層の表面上に第３のはんだ層（厚み０．５μｍ）を形成した。得られた導電性粒子Ａでは、はんだ層の厚み方向の内側から外側にかけて、第１のはんだ層、第２のはんだ層及び第３のはんだ層がこの順で形成されていた。
【０１７５】
導電性粒子Ｂ：樹脂粒子（平均粒子径２０μｍ）の表面上にニッケル層（厚み３μｍ）が積層されており、該ニッケル層の表面上に、はんだ層（全体の厚み４μｍ）が積層されている導電性粒子（以下のようにして作製）
導電性粒子Ｂの作製方法：
ジビニルベンゼン樹脂粒子（平均粒径２０μｍ、積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２２０」）を無電解ニッケルめっきし、樹脂粒子の表面上に下地銅めっき層（厚み３μｍ）を形成し、粒子Ｙを得た。この粒子Ｙは表面に銅を有さない。
【０１７６】
シータコンポーザ（徳寿工作所社製）を用いて、得られた粒子Ｙのニッケル層の表面上で、ニッケル粉末（平均粒子径０．１μｍ）を添加しながら、はんだ微粉末（スズ４２重量％とビスマス５８重量％とを含む、平均粒子径３μｍ）を溶融させて、ニッケル層の表面上に第１のはんだ層（厚み０．５μｍ、ニッケルの粒塊の大きさ１００ｎｍ）を形成した。次に、上記シータコンポーザを用いて、第１のはんだ層の表面上で、はんだ微粉末（スズ４２重量％とビスマス５８重量％とを含む、平均粒子径３μｍ）を溶融させて、第１のはんだ層の表面上に第２のはんだ層（厚み３μｍ）を形成した。次に、上記シータコンポーザを用いて、第２のはんだ層の表面上で、はんだ微粉末（スズ４２重量％とビスマス５８重量％とを含む、平均粒子径３μｍ）を溶融させて、第２のはんだ層の表面上に第３のはんだ層（厚み０．５μｍ）を形成した。得られた導電性粒子Ｂでは、はんだ層の厚み方向の内側から外側にかけて、第１のはんだ層、第２のはんだ層及び第３のはんだ層がこの順で形成されていた。
【０１７７】
導電性粒子１〜９，Ａ，Ｂの詳細を下記の表１，２に示す。
【０１７８】
【表１】
2013152867.tif 000012
【０１７９】
【表２】
2013152867.tif 000013
【０１８０】
なお、得られた導電性粒子１〜９，Ｂにおける粒塊の大きさは、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて断面観察することにより評価した。粒塊の大きさは、最大長さを意味する。
【０１８１】
異方性導電材料の作製：
作製直後の導電性粒子を用いて、下記の表３に示す配合成分を下記の表３に示す配合量で配合して、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、異方性導電ペーストである異方性導電材料を得た。
【０１８２】
（評価）
（１）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが２００μｍ／２００μｍの銅電極パターンを上面に有するガラスエポキシ基板（ＦＲ−４基板）を用意した。また、Ｌ／Ｓが２００μｍ／２００μｍの銅電極パターンを下面に有するフレキシブルプリント基板を用意した。
【０１８３】
上記ガラスエポキシ基板の上面に、得られた異方性導電材料を撹拌してから、異方性導電材料に含まれている導電性粒子の平均粒子径の２倍の厚みとなるように塗工し、異方性導電材料層を形成した。
【０１８４】
次に、異方性導電材料層の上面にフレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電材料層の温度が１７０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、フレキシブルプリント基板の上面に加圧加熱ヘッドを載せ、１．３ＭＰａの圧力をかけて、異方性導電材料層を１７０℃で１０秒間硬化させて、接続構造体を得た。
【０１８５】
（２）導通性
得られた接続構造体の２０箇所の抵抗値を４端子法にて評価した。導通性を下記の基準で判定した。
【０１８６】
［導通性の判定基準］
○：全ての箇所で抵抗値が３Ω以下にある
△：抵抗値が３Ωを超える箇所が１箇所以上ある
×：全く導通していない箇所が１箇所以上ある
【０１８７】
（３）絶縁性
得られた接続構造体の隣り合う電極２０個においてリークが生じているか否かを、テスターで測定した。絶縁性を下記の基準で判定した。
【０１８８】
［絶縁性の判定基準］
○：リーク箇所が全くない
×：リーク箇所がある
【０１８９】
（４）耐熱衝撃性
得られた接続構造体２０個を、−３０℃で５分間保持し、次に１２０℃まで２５分で昇温し、１２０℃で５分間保持した後、−３０℃まで２５分で降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。５００サイクル後及び１０００サイクル後に、接続構造体を取り出した。
【０１９０】
冷熱サイクル試験後の接続構造体の２０箇所の抵抗値を４端子法にて評価した。耐熱衝撃性を下記の基準で判定した。
【０１９１】
［耐熱衝撃性の判定基準］
○○：冷熱サイクル試験前の抵抗値に対して、冷熱サイクル試験後の抵抗値が１０５％未満
○：冷熱サイクル試験前の抵抗値に対して、冷熱サイクル試験後の抵抗値が１０５％以上、１１０％未満
×：冷熱サイクル試験前の抵抗値に対して、冷熱サイクル試験後の抵抗値が１１０％以上であるか、又は導通不良が生じている
【０１９２】
結果を下記の表３に示す。
【０１９３】
【表３】
2013152867.tif 000014
【符号の説明】
【０１９４】
１…導電性粒子
２…粒子
３…はんだ層
６…基材粒子
７…銅層
１１…導電性粒子
１２…粒子
１６…導電層
１７…銅層
２１…導電性粒子
２２…粒子
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…上面
５２ｂ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…下面
５３ｂ…第２の電極
５４…接続部
Ｘ…溶融したはんだ層部分
【図１】
2013152867.tif 000015
【図２】
2013152867.tif 000016
【図３】
2013152867.tif 000017
【図４】
2013152867.tif 000018
【図５】
2013152867.tif 000019