(57)【要約】【課題】本発明は、複合多層基板と、その製造方法に関するもので、各種パターンの配置自由度が制限されるのを抑制することを目的とするものである。【解決手段】そして、この目的を達成するために、本発明は、セラミック多層基板１の表面には、内層ビア５に接続された接続電極６を設け、樹脂基板２には、その一端側がセラミック多層基板１の接続電極６の表面上に接続される外部接続ビア７と、外部接続ビア７の他端側に接続される外部接続端子８とを設け、接続電極６の表面には、凹部９を形成し、この凹部９内に前記外部接続ビア７の一端側を圧着し、外部接続ビア７の他端側に接続される外部接続端子８は、前記外部接続ビア７を中心に、その外周部は前記樹脂基板２とともにセラミック多層基板１側に押圧された構成とした。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック多層基板と、このセラミック多層基板の表面に設けた樹脂基板とを備え、
前記セラミック多層基板の表面には、内層ビアに接続された接続電極を設け、前記樹脂基板には、その一端側が前記セラミック多層基板の接続電極の表面上に接続される外部接続ビアと、この外部接続ビアの他端側に接続される外部接続端子とを設け、
前記接続電極の表面には、凹部を形成し、この凹部内に前記外部接続ビアの一端側を圧着し、この外部接続ビアの他端側に接続される前記外部接続端子は、前記外部接続ビアを中心に、その外周部は前記樹脂基板とともにセラミック多層基板側に押圧された構成とした複合多層基板。
【請求項２】
外部接続ビアの他端は、その外周の樹脂基板よりも外方に突出させた請求項１に記載の複合多層基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の複合多層基板の製造方法であって、まず、セラミック多層基板の表面に樹脂基板と導電板を重ね、つぎに、導電板上から、金属板により導電板と樹脂基板をセラミック多層基板側に押圧し、その後、導電板のパターンニングを行う複合多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合多層基板と、その製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種複合多層基板の構造は、以下のようになっていた。
【０００３】
すなわち、セラミック多層基板と、このセラミック多層基板の表面に設けた樹脂基板とを備え、前記セラミック多層基板の表面には、内層ビアに接続された接続電極を設け、前記樹脂基板には、その一端側が前記セラミック多層基板の接続電極の表面上に接続される外部接続ビアと、この外部接続ビアの他端側に接続される外部接続端子とを設けた構成となっていた（たとえば下記特許文献１）。
【０００４】
セラミック多層基板の表面に樹脂基板を設ける理由の一つは、たとえば、この複合多層基板の表面に実装する電子部品と、セラミック多層基板との熱膨張係数の違いによる影響を緩和させるためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２２３２２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記従来例における課題は、複合多層基板における各種パターンの配置自由度が制限されるということであった。
【０００７】
すなわち、セラミック多層基板と樹脂基板との接続は、樹脂基板の一部を熱圧着させることによって行っているので、落下等の衝撃で前記セラミック多層基板と樹脂基板が剥離してしまうので、これを防止すべく上記特許文献１においては、セラミック多層基板と樹脂基板を棒状の補強部材で結合している。
【０００８】
しかしながら、このように両者を結合するための補強部材をセラミック多層基板の表面から樹脂基板にかけて設けると、各種パターンは、この補強部材をさけた配置としなければならず、これが結果として、各種パターンの配置自由度を制限させてしまうのであった。
【０００９】
そこで、本発明は、各種パターンの配置自由度が制限されるのを抑制することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そして、この目的を達成するために本発明は、セラミック多層基板と、このセラミック多層基板の表面に設けた樹脂基板とを備え、前記セラミック多層基板の表面には、内層ビアに接続された接続電極を設け、前記樹脂基板には、その一端側が前記セラミック多層基板の接続電極の表面上に接続される外部接続ビアと、この外部接続ビアの他端側に接続される外部接続端子とを設け、前記接続電極の表面には、その中央部に凹部を形成し、この凹部内に前記外部接続ビアの一端側を圧着し、この外部接続ビアの他端側に接続される前記外部接続端子は、前記外部接続ビアを中心に、その外周部は前記樹脂基板とともにセラミック多層基板側に押圧された構成とし、これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように本発明は、セラミック多層基板と、このセラミック多層基板の表面に設けた樹脂基板とを備え、前記セラミック多層基板の表面には、内層ビアに接続された接続電極を設け、前記樹脂基板には、その一端側が前記セラミック多層基板の接続電極の表面上に接続される外部接続ビアと、この外部接続ビアの他端側に接続される外部接続端子とを設け、前記接続電極の表面には、凹部を形成し、この凹部内に前記外部接続ビアの一端側を圧着し、この外部接続ビアの他端側に接続される前記外部接続端子は、前記外部接続ビアを中心に、その外周部は前記樹脂基板とともにセラミック多層基板側に押圧された構成としたものであるので、各種パターンの配置自由度が制限されるのを抑制することができる。
【００１２】
すなわち、本発明においては、前記接続電極の表面には、凹部を形成し、この凹部内に前記外部接続ビアの一端側を圧着し、この外部接続ビアの他端側に接続される前記外部接続端子は、前記外部接続ビアを中心に、その外周部は前記樹脂基板とともにセラミック多層基板側に押圧された構成としたものであるので、セラミック多層基板と樹脂基板は、セラミック多層基板の接続電極部分において、外部接続ビア、および外部接続端子で一体化され、この部分で十分な接続強度が保てるので、従来のように補強部材を設ける必要がなく、これによって各種パターンの配置自由度が制限されるのを抑制することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１における複合多層基板の断面図
【図２】その製造工程を示す断面図
【図３】その製造工程を示す断面図
【図４】その製造工程を示す断面図
【図５】その製造工程を示す分解断面図
【図６】その要部拡大断面図
【図７】その要部拡大断面図
【図８】本発明の実施の形態２における複合多層基板の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の一実施形態を図面とともに説明する。
【００１５】
（実施の形態１）
図１において、１は、セラミック多層基板で、このセラミック多層基板１の両表面には、樹脂基板２が設けられ、この樹脂基板２の表面には、外部接続端子３が設けられている。
【００１６】
前記セラミック多層基板１は、図２に示すごとく、内部に複数の回路パターン４が設けられ、それらは、内層ビア５によって接続されている。
セラミック多層基板１の両表面には、図７に示すごとく、内層ビア５に接続された接続電極６を設け、前記樹脂基板２には、その一端側が前記セラミック多層基板１の接続電極６の表面上に接続される外部接続ビア７と、この外部接続ビア７の他端側に接続される外部接続端子８とを設けている。
前記接続電極６の表面には、その中央部に凹部９を形成しており、この凹部９内に前記外部接続ビア７の一端側を圧着し、この外部接続ビア７の他端側に接続される前記外部接続端子８は、前記外部接続ビア７を中心に、その外周部は前記樹脂基板２とともにセラミック多層基板１側に押圧された構成となっている。
【００１７】
つぎに、製造方法について説明する。
【００１８】
まず、図２のごとく、その両表面に接続電極６を有するセラミック多層基板１の両面に、図３のごとく、樹脂基板２を配置する。このとき、セラミック多層基板１の接続電極６上に樹脂基板２の外部接続ビア７が合致した状態とする。その後、図４に示すごとく、樹脂基板２の表面上に銅箔１０を重ね、つぎに、図５に示すごとく、銅箔１０側から金属板１１により、樹脂基板２をセラミック多層基板１側に加圧、加熱状態で押圧する。
この結果、図６に示すごとく、樹脂基板２の一部が溶出し、それがセラミック多層基板１と銅箔１０に対して接着効果を発揮し、これによって、セラミック多層基板１、樹脂基板２、銅箔１０の一体化が図られる。
【００１９】
このとき、本実施形態においては、上述のごとく、接続電極６には凹部９を形成しているので、外部接続ビア７の一端は、この凹部９内面に沿って変形し、つまり、結合面積が広い状態で一体化されるので、まずは、この部分で接続電極６と外部接続ビア７の結合強度が高くなる。
【００２０】
また、外部接続ビア７の他端には、銅箔１０が押し付けられるのであるが、外部接続ビア７が柱状となる結果、この外部接続ビア７の外周に存在する銅箔１０、および樹脂基板２は、セラミック多層基板１側に押圧された状態となる。
【００２１】
つまり、外部接続ビア７の他端側において、結合される銅箔１０は、その外周側でセラミック多層基板１側に引っ張られた状態で結合されるので、この外部接続ビア７の他端側における銅箔１０との結合強度も高いものとなる。
【００２２】
すなわち、本実施形態においては、セラミック多層基板１の接続電極６部分においては、外部接続ビア７と銅箔１０が強固な結合状態で一体化されるので、これにより、樹脂基板２とセラミック多層基板１の結合強度も極めて高いものとなる。
【００２３】
したがって、樹脂基板２とセラミック多層基板１の結合強度を高めるための補強部材を外部接続ビア７の外方に配置する必要はなく、この結果として、セラミック多層基板１および樹脂基板２における各種パターンの配置自由度が制限されるのを抑制することができる。
【００２４】
その後、図７に示すごとく、銅箔１０のパターンニングを行うことで、前記外部接続端子８が形成される。
【００２５】
図８は、本発明の実施形態２を示し、この実施形態では、セラミック多層基板１の片面側（図８の上方）においては、外部接続ビア７と内層ビア５とを垂直方向からずらして形成したものである。
【００２６】
この実施形態においても、セラミック多層基板１の接続電極６部分においては、凹部９が形成されているので、外部接続ビア７の一端は、この凹部９内面に沿って変形し、つまり、結合面積が広い状態で一体化されるので、まずは、この部分で接続電極６と外部接続ビア７の結合強度が高くなる。
【００２７】
また、外部接続ビア７の他端には、銅箔１０が押し付けられるのであるが、外部接続ビア７が柱状となる結果、この外部接続ビア７の外周に存在する銅箔１０、および樹脂基板２は、セラミック多層基板１側に押圧された状態となる。
【００２８】
つまり、外部接続ビア７の他端側において、結合される銅箔１０は、その外周側でセラミック多層基板１側に引っ張られた状態で結合されるので、この外部接続ビア７の他端側における銅箔１０との結合強度も高いものとなる。
【００２９】
したがって、樹脂基板２とセラミック多層基板１の結合強度を高めるための補強部材を外部接続ビア７の外方に配置する必要はなく、この結果として、セラミック多層基板１および樹脂基板２における各種パターンの配置自由度が制限されるのを抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
以上のように本発明は、セラミック多層基板と、このセラミック多層基板の表面に設けた樹脂基板とを備え、前記セラミック多層基板の表面には、内層ビアに接続された接続電極を設け、前記樹脂基板には、その一端側が前記セラミック多層基板の接続電極の表面上に接続される外部接続ビアと、この外部接続ビアの他端側に接続される外部接続端子とを設け、前記接続電極の表面には、凹部を形成し、この凹部内に前記外部接続ビアの一端側を圧着し、この外部接続ビアの他端側に接続される前記外部接続端子は、前記外部接続ビアを中心に、その外周部は前記樹脂基板とともにセラミック多層基板側に押圧された構成としたものであるので、各種パターンの配置自由度が制限されるのを抑制することができる。
【００３１】
すなわち、本発明においては、前記接続電極の表面には、凹部を形成し、この凹部内に前記外部接続ビアの一端側を圧着し、この外部接続ビアの他端側に接続される前記外部接続端子は、前記外部接続ビアを中心に、その外周部は前記樹脂基板とともにセラミック多層基板側に押圧された構成としたものであるので、セラミック多層基板と樹脂基板は、セラミック多層基板の接続電極部分において、外部接続ビア、および外部接続端子で一体化され、この部分で十分な接続強度が保てるので、従来のように補強部材を設ける必要がなく、これによって各種パターンの配置自由度が制限されるのを抑制することができるものである。したがって、複合多層基板と、その製造方法として大いに期待されるものとなる。
【符号の説明】
【００３２】
１  セラミック多層基板
２  樹脂基板
３  外部接続端子
４  回路パターン
５  内層ビア
６  接続電極
７  外部接続ビア
８  外部接続端子
９  凹部
１０  銅箔
１１  金属板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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