(57)【要約】【課題】耐摩傷性と撥水性と防汚性に優れると共に、トップコート層の積層界面で高い密着性が確保された樹脂製品の製造技術を提供する。【解決手段】真空状態の反応室２８内で、アンダーコート層１４上に、珪素化合物層１８とフッ素化合物層２０とを、プラズマＣＶＤ法により、順に積層形成する。そして、フッ素化合物層２０を形成する第二の成膜用ガスの反応室２８内への導入開始から、珪素化合物層１８を形成する第一の成膜用ガスのうちの少なくとも一部のガス成分の反応室２８内への導入量を漸減させて、該少なくとも一部のガス成分の反応室２８内での量がゼロとなるまで、第一の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応と第二の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応とを同時に実施するようにした。【選択図】図２
2013227628.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面上にアンダーコート層が積層形成されると共に、該アンダコート層上に、珪素化合物層が更に積層形成されてなる樹脂製品の製造方法であって、
前記樹脂基材を準備する工程と、
該樹脂基材の表面に、前記アンダーコート層を積層形成する工程と、
該アンダーコート層が積層形成された前記樹脂基材を反応室内に収容した後、該反応室内を真空状態とする工程と、
該真空状態とされた反応室内に、珪素化合物ガスを含む第一の成膜用ガスを導入し、該第一の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該反応室内に収容された前記基材の前記アンダーコート層上に、前記珪素化合物層を積層形成する工程と、
該珪素化合物層が積層形成された前記樹脂基材を収容している前記反応室内に、フッ素ガス又はフッ素化合物ガスを含む第二の成膜用ガスを導入し、該第二の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該珪素化合物層に対して、フッ素化合物層を積層形成する工程と、
前記反応室内に導入される前記第一の成膜用ガス中の少なくとも一部のガス成分の導入量を、前記反応室内への前記第二の成膜用ガスの導入開始から漸減させて、ゼロとすることにより、該反応室内への該第二の成膜用ガスの導入開始から、該反応室内における該少なくとも一部のガス成分の量がゼロとなるまでの間、該第一の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応と、該第二の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応とを同時に実施して、前記珪素化合物層に前記フッ素化合物層を積層形成する前に、該珪素化合物層上に、珪素化合物とフッ素化合物とが混在する中間層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする樹脂製品の製造方法。
【請求項２】
ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面上にアンダーコート層が積層形成されると共に、該アンダコート層上に、珪素化合物層が更に積層形成されてなる樹脂製品の製造方法であって、
前記樹脂基材を準備する工程と、
該樹脂基材の表面に、前記アンダーコート層を積層形成する工程と、
該アンダーコート層が積層形成された前記樹脂基材を反応室内に収容した後、該反応室内を真空状態とする工程と、
該真空状態とされた反応室内に、珪素化合物ガスを含む第一の成膜用ガスを導入し、該第一の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該反応室内に収容された前記基材の前記アンダーコート層上に、前記珪素化合物層の基層部を積層形成する工程と、
前記珪素化合物層の基層部が積層形成された前記樹脂基材を収容している前記反応室内に、該樹脂基材の表面への該珪素化合物層の形成後も、前記第一の成膜用ガスを継続的に導入しながら、フッ素ガス又はフッ素化合物ガスを更に導入することにより、それら第一の成膜用ガスとフッ素ガス又はフッ素化合物ガスを含む第二の成膜用ガスを該反応室内に導入し、該第二の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該珪素化合物層の基層部上に、フッ素を含む珪素化合物からなる、該珪素化合物層の表層部を積層形成する工程と、
を含むことを特徴とする樹脂製品の製造方法。
【請求項３】
前記フッ素ガス又はフッ素化合物ガスが、前記反応室内に、導入量が漸増するように導入される一方、該フッ素ガス又はフッ素化合物ガスの該反応室内への導入開始から、前記第一の成膜用ガスに含まれる反応ガスの該反応室内への導入量が漸減させられるようになっている請求項２に記載の樹脂製品の製造方法。
【請求項４】
ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面上にアンダーコート層が積層形成されると共に、該アンダコート層上に、プラズマＣＶＤ層からなる珪素化合物層が更に積層形成されてなる樹脂製品であって、
前記珪素化合物層上に、プラズマＣＶＤ層からなるフッ素化合物層が積層形成されていると共に、それら珪素化合物層とフッ素化合物層との間に、該珪素化合物層を構成する珪素化合物と該フッ素化合物層を構成するフッ素化合物とが混在する、プラズマＣＶＤ層からなる中間層が形成されていると共に、該珪素化合物の該中間層内での含有率が、該珪素化合物層側から該フッ素化合物層側に向かって漸減する一方、該フッ素化合物の該中間層内での含有率が、該珪素化合物層側から該フッ素化合物層側に向かって漸増していることを特徴とする樹脂製品。
【請求項５】
ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面上にアンダーコート層が積層形成されると共に、該アンダコート層上に、プラズマＣＶＤ層からなる珪素化合物層が更に積層形成されてなる樹脂製品であって、
前記珪素化合物層が、前記アンダーコート層側に位置する基層部と、該基層部に積層された表層部との複層構造を有すると共に、該表層部が、フッ素を含む珪素化合物にて構成され、更に、該基層部と該表層部との間に、該基層部を構成する珪素化合物と該表層部を構成するフッ素含有珪素化合物とが混在する、プラズマＣＶＤ層からなる中間層が形成されており、そして、該基層部を構成する珪素化合物の該中間層内での含有率が、該基層部側から該表層部側に向かって漸減する一方、該表層部を構成するフッ素含有珪素化合物の該中間層内での含有率が、該基層部側から該表層部側に向かって漸増していることを特徴とする樹脂製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂製品の製造方法と樹脂製品とに係り、特に、樹脂ガラス（有機ガラス）として好適に使用可能な樹脂製品の有利な製造方法と、そのような樹脂製品の改良とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、優れた成形性と軽量性とを兼ね備えた樹脂製品が、例えば、自動車等の車両の内外装部品や、電気、電子部品、或いは建築用部品等として、広く利用されてきている。そして、そのような樹脂製品のうち、例えば、ポリカーボネート製の成形品からなる透明性の高い樹脂製品は、無機ガラスに比して、軽量性や耐衝撃性、加工性に優れているところから、無機ガラスを代替する樹脂ガラス（有機ガラス）として、例えば、自動車等の車両のウインドウガラスや各種のディスプレイ、或いは様々な計器類のカバー等に使用されている。
【０００３】
ところで、ポリカーボネート製の樹脂製品は、紫外線に曝されると、変色や強度低下を引き起こす等、耐候性において問題があり、しかも、無機ガラスと比べて耐摩傷性（耐摩耗性及び耐傷付き性）に劣るといった欠点をも有している。そのため、ポリカーボネート製の樹脂製品を、例えば、自動車のウインドウガラス等のように、屋外で使用されるものであって、表面の傷付きが重大な欠陥となるものに適用する場合には、かかる樹脂製品に対して、耐候性と耐摩傷性を高めるための対策を講じる必要がある。
【０００４】
かかる状況下、例えば、特開２０１０−２５３６８３号公報（特許文献１）には、ポリカーボネート等の樹脂成形体からなる樹脂基材の表面に、耐候性に富んだアクリル樹脂層等からなるアンダーコート層が積層形成されると共に、このアンダーコート層上に、珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層が、更に積層形成されてなる樹脂製品（樹脂成形体）が、開示されている。このような樹脂製品では、トップコート層が珪素化合物のプラズマＣＶＤ層にて構成されていることによって、トップコート層のアンダーコート層への形成操作の効率化が実現されると共に、樹脂製品表面の耐摩傷性が有利に高められ得るのである。
【０００５】
また、近年では、自動車に対する高級化志向の高まり等に伴って、ウインドウガラスに対しても、更なる機能性の向上が求められ、より優れた耐摩傷性と十分な防汚性を具備していることが要求されるようになってきている。このような要求を満足させる一つの方策として、ＳiＯＦ やＳiＦ4等の珪素を含むフッ素化合物［換言すれば、フッ素を含む珪素化合物（フッ素含有珪素化合物）］や、フッ素樹脂等の珪素を含まないフッ素化合物等からなるフッ素化合物層を、ポリカーボネート製の樹脂製品の表面に形成することが考えられる。つまり、樹脂基材の表面に形成されるトップコート層を、珪素を含むか又は含まないフッ素化合物層と珪素化合物層との複層構造とするのである。このようにすれば、トップコート層のフッ素化合物層に含まれるフッ素による滑性効果によって、樹脂製品の耐摩傷性が有利に高められ得ると共に、樹脂製品に対して、フッ素特有の撥水性や防汚性とが効果的に付与される。また、フッ素による屈折率低減効果でフッ素化合物層の光の屈折率を制御することにより、干渉縞の発生を抑制できる等の利点も得られる。
【０００６】
そして、そのような複層構造のトップコート層を得る際には、ポリカーボネート製の樹脂基材の透明性を十分に維持すると共に、トップコート層の複層化に伴う樹脂製品の生産性の低下を防止するために、フッ素化合物層を、例えば、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等の乾式法により、薄膜形態をもって、珪素化合物層上に積層形成することが望ましいと考えられる。
【０００７】
しかしながら、よく知られているように、スパッタリング法は、成膜速度（単位時間当たりに形成される膜厚）が極めて小さいといった欠点を有している。そのため、このスパッタリング法を利用してフッ素化合物層を形成する場合、フッ素化合物層の厚さが極めて薄い場合には何等問題がないものの、耐摩傷性を十分に確保するために、フッ素化合物層をある程度の厚さで形成しようとすると、フッ素化合物層の形成時間が非常に長くなり、それによって、樹脂製品の生産性が著しく低下してしまう。しかも、プラズマＣＶＤ層からなる珪素化合物層上に、フッ素化合物のスパッタ膜を設けるには、プラズマＣＶＤ装置とスパッタリング装置の両方が必要となり、それによって、樹脂製品の生産コストが高騰するといった問題も惹起される。
【０００８】
一方、フッ素化合物層を、プラズマＣＶＤ法を利用して、珪素化合物層上に形成する場合には、スパッタリング法によってフッ素化合物層を形成する際に惹起される、上記の如き問題が悉く解消され得る。ところが、複層構造のプラズマＣＶＤ層を形成する際に実施される一般的な方法に従って、珪素化合物のプラズマＣＶＤ層とフッ素化合物のプラズマＣＶＤ層とを積層形成した場合、以下の如き問題が生ずることが、本発明者の研究によって明らかとなった。
【０００９】
すなわち、珪素化合物層とフッ素化合物層とが、それぞれプラズマＣＶＤ法によって形成されたポリカーボネート製の樹脂製品を従来手法によって得る際には、先ず、真空状態の反応室内に、アンダーコート層が表面に形成されたポリカーボネート製の樹脂基材が収容配置される。その後、かかる反応室内に、珪素化合物ガスを含む成膜用ガスが導入され、この成膜用ガスがプラズマＣＶＤ法により反応させられて、樹脂基材のアンダーコート層上に、プラズマＣＶＤ層からなる珪素化合物層が形成される。そして、珪素化合物層が形成されたら、真空チャンバ内に残存する珪素化合物層の成膜用ガスが、反応室内から完全に排出される。その後、反応室内に、フッ素化合物ガスを含む成膜用ガスが新たに導入され、この成膜用ガスがプラズマＣＶＤ法により反応させられて、珪素化合物層上に、プラズマＣＶＤ層からなるフッ素化合物層が、更に積層形成される。かかる方法によれば、珪素化合物層の形成工程とフッ素化合物層の形成工程とが、一つの反応室内で実施されるものの、そのようにして得られた樹脂製品では、珪素化合物層とフッ素化合物層との密着性が不充分なものとなり、そのために、長期の使用や使用環境の温度変化等によって、珪素化合物層とフッ素化合物層との界面において剥がれが生ずる恐れがあることが、本発明者によって判明したのである。
【００１０】
また、上記の従来手法では、プラズマＣＶＤ層からなる珪素化合物層を形成した後、プラズマＣＶＤ層からなるフッ素化合物層の形成操作を開始する前に、反応室内に残存する、珪素化合物層の成膜用ガスを反応室内から完全に除去する作業が行われる。そのため、成膜用ガスの除去作業のために余分な手間と時間が掛かるだけでなく、反応室内から除去される成膜用ガスが無駄となり、それが複層構造のトップコート層の形成コスト、ひいては樹脂製品の製造コストを圧迫するといった問題が惹起されることも、明らかとなったのである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１０−２５３６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ここにおいて、本発明は、上述せる如き事情を背景にして為されたものであって、その解決課題とするところは、より優れた耐摩傷性と十分な撥水性及び防汚性とが有利に発揮され、しかも複層構造とされたトップコート層の積層界面での密着性が効果的に高められてなるポリカーボネート製の樹脂製品を、低コストに且つ生産性良く製造可能な樹脂製品の製造方法を提供することにある。また、本発明は、より優れた耐摩傷性と十分な撥水性及び防汚性とが有利に発揮され、しかも複層構造とされたトップコート層の積層界面での密着性が効果的に高められてなるポリカーボネート製の樹脂製品を提供することをも、その解決課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
そして、本発明は、上記した樹脂製品の製造方法に係る課題の解決のために、その要旨とするところは、ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面上にアンダーコート層が積層形成されると共に、該アンダコート層上に、珪素化合物層が更に積層形成されてなる樹脂製品の製造方法であって、（ａ）前記樹脂基材を準備する工程と、（ｂ）該樹脂基材の表面に、前記アンダーコート層を積層形成する工程と、（ｃ）該アンダーコート層が積層形成された前記樹脂基材を反応室内に収容した後、該反応室内を真空状態とする工程と、（ｄ）該真空状態とされた反応室内に、珪素化合物ガスを含む第一の成膜用ガスを導入し、該第一の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該反応室内に収容された前記基材の前記アンダーコート層上に、前記珪素化合物層を積層形成する工程と、（ｅ）該珪素化合物層が積層形成された前記樹脂基材を収容している前記反応室内に、フッ素ガス又はフッ素化合物ガスを含む第二の成膜用ガスを導入し、該第二の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該珪素化合物層に対して、フッ素化合物層を積層形成する工程と、（ｆ）前記反応室内に導入される前記第一の成膜用ガス中の少なくとも一部のガス成分の導入量を、前記反応室内への前記第二の成膜用ガスの導入開始から漸減させて、ゼロとすることにより、該反応室内への該第二の成膜用ガスの導入開始から、該反応室内における該少なくとも一部のガス成分の量がゼロとなるまでの間、該第一の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応と、該第二の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応とを同時に実施して、前記珪素化合物層に前記フッ素化合物層を積層形成する前に、該珪素化合物層上に、珪素化合物とフッ素化合物とが混在する中間層を形成する工程とを含むことを特徴とする樹脂製品の製造方法にある。
【００１４】
また、本発明は、ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面上にアンダーコート層が積層形成されると共に、該アンダコート層上に、珪素化合物層が更に積層形成されてなる樹脂製品の製造方法であって、（ａ）前記樹脂基材を準備する工程と、（ｂ）該樹脂基材の表面に、前記アンダーコート層を積層形成する工程と、（ｃ）該アンダーコート層が積層形成された前記樹脂基材を反応室内に収容した後、該反応室内を真空状態とする工程と、（ｄ）該真空状態とされた反応室内に、珪素化合物ガスを含む第一の成膜用ガスを導入し、該第一の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該反応室内に収容された前記基材の前記アンダーコート層上に、前記珪素化合物層の基層部を積層形成する工程と、（ｅ）前記珪素化合物層の基層部が積層形成された前記樹脂基材を収容している前記反応室内に、該樹脂基材の表面への該珪素化合物層の形成後も、前記第一の成膜用ガスを継続的に導入しながら、フッ素ガス又はフッ素化合物ガスを更に導入することにより、それら第一の成膜用ガスとフッ素ガス又はフッ素化合物ガスを含む第二の成膜用ガスを該反応室内に導入し、該第二の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該珪素化合物層の基層部上に、フッ素を含む珪素化合物からなる、該珪素化合物層の表層部を積層形成する工程とを含むことを特徴とする樹脂製品の製造方法をも、その要旨とするものである。
【００１５】
さらに、ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面上にアンダーコート層が積層形成されると共に、該アンダコート層上に、珪素化合物層が更に積層形成されてなる樹脂製品の製造方法は、（ａ）前記樹脂基材を準備する工程と、該樹脂基材の表面に、前記アンダーコート層を積層形成する工程と、（ｂ）該アンダーコート層が積層形成された前記樹脂基材を反応室内に収容した後、該反応室内を真空状態とする工程と、（ｃ）該真空状態とされた反応室内に、珪素化合物ガスを含む第一の成膜用ガスを導入し、該第一の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させて、該反応室内に収容された前記樹脂基材の前記アンダーコート層上に、前記珪素化合物層の基層部を積層形成する工程と、（ｄ）前記珪素化合物層の基層部が積層形成された前記樹脂基材を収容している前記反応室内に、該樹脂基材の表面への該珪素化合物層の形成後も、前記第一の成膜用ガスを継続的に導入しながら、フッ素ガス又はフッ素化合物ガスを更に導入することにより、それら第一の成膜用ガスとフッ素ガス又はフッ素化合物ガスを含む第二の成膜用ガスを該反応室内に導入し、該第一の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応と、該第二の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応とを同時に実施して、該珪素化合物層の基層部上に、該第一の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応によって生成される生成物と、該第二の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応によって生成される生成物とが混在する中間層を積層形成する工程と、（ｅ）前記アンダーコート層上に、前記珪素化合物層の基層部と中間層とが積層形成された前記樹脂基材を収容している前記反応室内に、該珪素化合物層の中間層の形成後も、前記第二の成膜用ガスを導入して、該第二の成膜用ガスをプラズマＣＶＤ法により反応させることにより、該珪素化合物層の中間層上に、該珪素化合物層の表層部を積層形成する工程とを含むこをも、特徴としている。
【００１６】
なお、本発明の有利な態様の一つによれば、前記フッ素ガス又はフッ素化合物ガスが、前記反応室内に、導入量が漸増するように導入される一方、該フッ素ガス又はフッ素化合物ガスの該反応室内への導入開始から、前記第一の成膜用ガスに含まれる反応ガスの該反応室内への導入量が漸減させられるようになる。
【００１７】
そして、本発明は、前記した樹脂製品に係る課題を解決するために、その要旨とするところは、ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面上にアンダーコート層が積層形成されると共に、該アンダコート層上に、プラズマＣＶＤ層からなる珪素化合物層が更に積層形成されてなる樹脂製品であって、前記珪素化合物層上に、プラズマＣＶＤ層からなるフッ素化合物層が積層形成されていると共に、それら珪素化合物層とフッ素化合物層との間に、該珪素化合物層を構成する珪素化合物と該フッ素化合物層を構成するフッ素化合物とが混在する、プラズマＣＶＤ層からなる中間層が形成されていると共に、該珪素化合物の該中間層内での含有率が、該珪素化合物層側から該フッ素化合物層側に向かって漸減する一方、該フッ素化合物の該中間層内での含有率が、該珪素化合物層側から該フッ素化合物層側に向かって漸増していることを特徴とする樹脂製品にある。
【００１８】
また、本発明は、ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面上にアンダーコート層が積層形成されると共に、該アンダコート層上に、プラズマＣＶＤ層からなる珪素化合物層が更に積層形成されてなる樹脂製品であって、前記珪素化合物層が、前記アンダーコート層側に位置する基層部と、該基層部に積層された表層部との複層構造を有すると共に、該表層部が、フッ素を含む珪素化合物にて構成され、更に、該基層部と該表層部との間に、該基層部を構成する珪素化合物と該表層部を構成するフッ素含有珪素化合物とが混在する、プラズマＣＶＤ層からなる中間層が形成されており、そして、該基層部を構成する珪素化合物の該中間層内での含有率が、該基層部側から該表層部側に向かって漸減する一方、該表層部を構成するフッ素含有珪素化合物の該中間層内での含有率が、該基層部側から該表層部側に向かって漸増していることを特徴とする樹脂製品をも、また、その要旨とするものである。
【発明の効果】
【００１９】
すなわち、本発明に従う樹脂製品の製造方法によれば、トップコート層が、高硬度であることによって高い耐摩傷性を発揮する珪素化合物層と、滑性効果によって耐摩傷性を発揮すると共に、撥水性と防汚性に優れたフッ素化合物（フッ素含有珪素化合物を含む）の複層構造をもって構成され、そして、そのようなトップコート層が、樹脂基材の表面に形成されたアンダーコート層に対して、一つの反応室内で連続的に実施されるプラズマＣＶＤによって積層形成される。そのため、珪素化合物層をプラズマＣＶＤによって形成する一方、フッ素化合物層をスパッタリングにより形成する場合とは異なって、トップコート層の形成のために使用される装置が、一つのプラズマＣＶＤ装置のみで済み、また、ある程度の厚さのフッ素化合物層を十分に速い成膜速度で形成することができる。
【００２０】
しかも、本発明に係る樹脂製品の製造方法では、珪素化合物ガスを含む第一の成膜用ガスだけをプラズマＣＶＤ法により反応させる工程と、その後に実施されるフッ素ガス又はフッ素化合物ガスを含む第二の成膜用ガスだけをプラズマＣＶＤ法により反応させる工程との間に、第一の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応と第二の成膜用ガスのプラズマＣＶＤ法による反応とを同時に実施する工程が行われる。このため、かかる本発明手法によれば、樹脂基材のアンダーコート層上に、珪素化合物層が、また、その珪素化合物層上に、フッ素化合物層が、それぞれ積層形成されると共に、それら珪素化合物層とフッ素化合物層との間に、珪素化合物とフッ素化合物とが混在する中間層が形成される。そして、それにより、珪素化合物層とフッ素化合物層との間に、それらを明確に区分けする界面が無くされ、その結果、珪素化合物層とフッ素化合物層との間の密着性が、極めて効果的に高められ得ることとなるのである。
【００２１】
さらに、本発明に係る樹脂製品の製造方法においては、珪素化合物とフッ素化合物とが混在する中間層が、樹脂基材表面への珪素化合物層の形成後に、反応室内に未だ存在する第一の成膜用ガスを利用して形成される。それ故、従来手法とは異なって、珪素化合物層上にフッ素化合物層を形成するのに第一の成膜用ガスの少なくとも一部のガス成分をゼロとする必要があっても、かかる少なくとも一部のガス成分を反応室内から除去する作業を行う必要が有利に解消され、それによって、そのような第一の成膜用ガスのうちの少なくとも一部のガス成分の除去作業に掛かる余分な手間や時間が有利に省かれ得る。しかも、それら少なくとも一部のガス成分が無駄となることもない。
【００２２】
従って、かくの如き本発明に従う樹脂製品の製造方法によれば、耐摩傷性の更なる向上が図られ得るだけでなく、十分な撥水性と防汚性とが有利に発揮され、しかも複層構造とされたトップコート層の積層界面での密着性が効果的に高められてなるポリカーボネート製の樹脂製品を、十分に低いコストと高い生産性とをもって効率的に製造することができるのである。
【００２３】
そして、本発明に従う樹脂製品にあっては、より優れた耐摩傷性と共に、十分な撥水性と防汚性とが有利に発揮され、しかも複層構造とされたトップコート層の積層界面での密着性が有利に高められ得るのである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に従う構造を有する樹脂製品の一実施形態を示す部分断面説明図である。
【図２】図１に示された樹脂製品を製造する際に用いられるプラズマＣＶＤ装置を示す断面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を更に具体的に明らかにするために、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ、詳細に説明することとする。
【００２６】
先ず、図１には、本発明に従う構造を有する樹脂製品の一実施形態として、自動車のリヤウインドウ用の樹脂ガラス１０が、その部分断面形態において示されている。かかる図１から明らかなように、樹脂ガラス１０は、樹脂基材１２を有し、この樹脂基材１２の両面には、アンダーコート層１４が、それぞれ積層形成されている。また、それら各アンダーコート層１４，１４の樹脂基材１２側とは反対側の面上には、トップコート層１６が、それぞれ、更に積層形成されている。
【００２７】
より具体的には、樹脂基材１２は、透明な平板形態を呈し、ポリカーボネートを用いて射出成形された樹脂成形品にて構成されている。なお、樹脂基材１２は、ポリカーボネート製の樹脂成形品であれば、射出成形以外の手法で成形されたものであっても良い。
【００２８】
アンダーコート層１４は、樹脂ガラス１０に対して、紫外線耐性等に基づいた耐候性を付与すること等を目的として、樹脂基材１２表面に積層されるもので、薄膜形態を呈している。このようなアンダーコート層１４は、一般に、液状のアクリル樹脂やポリウレタン樹脂を樹脂基材１２表面上に塗布して、塗膜を形成した後、加熱や紫外線照射等を行って、かかる塗膜を硬化させることにより形成される。なお、このようなアンダーコート層１４は、形成工程の簡略化や形成に要する設備コストの低減等を図る上において、紫外線硬化膜にて構成されていることが、望ましい。また、アンダーコート層１４は、上記例示以外の樹脂材料や硬化手法を採用して、形成することもできる。更に、かかるアンダーコート層１４は、単層構造であっても、複数層が積層された複層構造であっても良い。
【００２９】
アンダーコート層１４の厚さは、特に限定されるものではないものの、一般には、単層構造であっても、複層構造であっても、全体の厚さが８〜１２μｍ程度とされる。何故なら、アンダーコート層１４の厚さが、８μｍよりも薄いと、余りに薄いために、樹脂ガラス１０に対して十分な耐候性を付与することが困難となる恐れがあるからであり、また、アンダーコート層１４の厚さを１２μｍよりも厚くしても、樹脂ガラス１０の耐候性を更に向上させることは難しく、却って、材料費の無駄となる可能性があるからである。
【００３０】
トップコート層１６は、珪素化合物からなる薄膜形態を呈している。よく知られているように、珪素化合物は、高い硬度を有し、それに基づいて、優れた耐摩耗性や耐傷付き性を発揮する。従って、かかる珪素化合物からなるトップコート層１６が、アンダーコート層１４上に積層されて、樹脂ガラス１０の表面部分を構成していることによって、樹脂ガラス１０に対して、優れた耐摩傷性が付与されているのである。
【００３１】
そのようなトップコート層１６の厚さは、何等、限定されるものではないものの、０．３〜３０μｍ程度とされる。何故なら、トップコート層１６の厚さが０．３μｍよりも薄いと、余りに薄いために、樹脂ガラス１０に対して耐摩傷性を十分に付与することが困難となる恐れがあるからであり、また、トップコート層１６の厚さを３０μｍよりも厚くしても、樹脂ガラス１０の耐摩傷性の更なる向上を望むことは難しく、却って、材料費の無駄となる可能性があるからである。
【００３２】
本実施形態では、特に、かかるトップコート層１６が、アンダーコート層１４側に位置する基層部１８と、この基層部１８上に積層された表層部２０とからなる複層構造を有している。そして、基層部１８が、プラズマＣＶＤ法によって形成されたＳiＯ2のプラズマＣＶＤ層にて構成されており、また、表層部２０が、プラズマＣＶＤ法によって形成された、フッ素を含む珪素化合物の１種たるＳiＯＦ のプラズマＣＶＤ層からなっている。
【００３３】
このように、本実施形態では、硬度が高く、それによって十分な耐摩傷性（耐摩耗性と耐傷付き性）が発揮されるＳiＯ2からなる基層部１８がアンダーコート層１４に積層形成されていることによって、樹脂ガラス１０に対して、優れた耐摩傷性が付与されている。また、滑性効果による耐摩傷性を発揮すると共に、撥水性と防汚性に優れたＳiＯＦ からなる表層部２０が基層部１８に積層形成されて、トップコート層１６の表層部分が、かかる表層部２０にて構成されていることにより、樹脂ガラス１０の表面に対して、更に優れた耐摩傷性と十分な撥水性及び防汚性とが付与されている。
【００３４】
トップコート層１６の基層部１８の厚さは、何等、限定されるものではないものの、好ましくは、０．１〜１０μｍ程度とされる。これによって、トップコート層１６の全体の厚さを無駄に厚くすることなく、樹脂ガラス１０に対して、耐摩傷性を十分に付与することができる。
【００３５】
また、トップコート層１６の表層部２０の厚さも、特に限定されるものではないものの、０．１〜１０μｍ程度とされていることが望ましい。何故なら、表層部２０の厚さが０．１μｍよりも薄いと、余りに薄いために、樹脂ガラス１０の表面に対して、より十分な耐摩傷性と優れた撥水性及び防汚性を付与することが困難となる恐れがあるからである。また、表層部２０の厚さを１０μｍより厚くしても、樹脂ガラス１０の表面の耐摩傷性や撥水性、防汚性の更なる向上が望まれないからである。
【００３６】
そして、本実施形態においては、特に、そのような基層部１８と表層部２０との間に、プラズマＣＶＤ層からなる中間層２２が設けられている。即ち、トップコート層１６が、基層部１８と中間層２２と表層部２０とを有する複層構造とされているのである。
【００３７】
中間層２２には、基層部１８を構成するＳiＯ2と表層部２０を構成するＳiＯＦ とが混在している。つまり、中間層２２は、プラズマＣＶＤ法によって形成された、ＳiＯ2からなる部分とＳiＯＦ からなる部分とを有するプラズマＣＶＤ層にて構成されているのである。そして、かかる中間層２２にあっては、ＳiＯ2の含有率が、基層部１８側から表層部２０側に向かって徐々に小さくなっている一方、ＳiＯＦ の含有率が、基層部１８側から表層部２０側に向かって徐々に大きくなっている。つまり、中間層２２におけるＳiＯ2の含有率とＳiＯＦ の含有率が、基層部１８側から表層部２０側に向かって、それぞれ傾斜的に変化しているのである。
【００３８】
このように、本実施形態では、上記の如き構造を有する中間層２２が、基層部１８と表層部２０との間に設けられていることによって、それら基層部１８と表層部２０との間に、明確な界面が無くされている。そして、その結果として、例えば、長期に亘る使用や周囲の熱環境の変化等によって、基層部１８と表層部２０との界面での剥離等の発生が可及的に防止されて、それら基層部１８と表層部２０との密着性が効果的に高められているのである。
【００３９】
なお、そのような中間層２２の厚さも、何等限定されるものではないものの、好適には０．１〜１０μｍ程度とされる。何故なら、中間層２２の厚さが０．１μｍよりも薄いと、余りに薄いために、基層部１８と表層部２０との間の密着性の向上効果が十分に望めなくなる恐れがあるからであり、また、中間層２２の厚さが１０μｍよりも厚いと、トップコート層１６全体の形成時間が冗長化し、そのために、樹脂ガラス１０の生産性の低下や生産コストの高騰が生ずる可能性があるからである。
【００４０】
ところで、上記の如き構造を有する樹脂ガラス１０は、例えば、以下の手順に従って製造される。
【００４１】
すなわち、先ず、ポリカーボネート製の樹脂基材１２を射出成形等により成形する。その後、この樹脂基材１２の両面に、アクリル樹脂やポリウレタン樹脂等の塗膜が熱硬化や紫外線硬化されたアンダーコート層１４，１４をそれぞれ積層形成して、中間製品２４（図２参照）を得る。
【００４２】
次に、図２に示される如き構造を有するプラズマＣＶＤ装置２６を用いて、中間製品２４のアンダーコート層１４，１４上に、トップコート層１６を更に積層形成する。
【００４３】
図２に示されるように、ここで用いられるプラズマＣＶＤ装置２６は、平行平板方式を採用した従来のプラズマＣＶＤ装置と同様な基本構造を備えている。より具体的には、プラズマＣＶＤ装置２６は、反応室としての真空チャンバ２８を有している。この真空チャンバ２８は、チャンバ本体３０と蓋体３２とを更に含んで構成されている。チャンバ本体３０は、筒状の側壁部３４と、かかる側壁部３４の下側開口部を閉塞する下側底壁部３６とを備えた有底筒状乃至は筐体状を呈している。蓋体３２は、チャンバ本体３０の上側開口部３８の全体を覆蓋可能な大きさを有する平板にて構成されている。そして、かかる蓋体３２が、チャンバ本体３０の上側開口部３８を覆蓋した状態で、図示しないロック機構にてロックされることによって、チャンバ本体３０内が気密に密閉されるようになっている。
【００４４】
また、蓋体３２の下面には、上側ホルダ４０，４０が、一体的に立設されている。それら上側ホルダ４０，４０には、支持突起４２，４２が一体的に突設されている。そして、チャンバ本体３０内に収容されたカソード電極４４が、かかる支持突起４２，４２にて支持されて、上側ホルダ４０，４０に保持されている。また、カソード電極４４には、給電線４６の一端が接続され、この給電線４６の他端は、真空チャンバ２８外に設置された高周波電源４８に接続されている。
【００４５】
チャンバ本体３０の下側底壁部３６上には、下側ホルダ５０，５０が、一体的に立設されている。それら下側ホルダ５０，５０には、上側支持突起５２，５２と下側支持突起５４，５４とが、上下に離間して、それぞれ一体的に突設されている。そして、チャンバ本体３０内に収容されたアノード電極５６が、上側ホルダ４０，４０にて保持されたカソード電極４４と上下方向に所定距離を隔てて対向した状態で、下側支持突起５４，５４にて支持されて、下側ホルダ５０，５０に保持されている。このアノード電極５６は、アース接地されている。また、下側ホルダ５０，５０の上側支持突起５２，５２は、中間製品２４を支持可能とされている。
【００４６】
チャンバ本体３０の側壁部３４の下端部における周上の一箇所には、排気パイプ５８が、チャンバ本体３０の内外を連通するように側壁部３４を貫通して、設置されている。また、かかる排気パイプ５８上には、真空ポンプ６０が設けられている。そして、この真空ポンプ６０の作動によって、チャンバ本体３０内の気体が排気パイプ５８を通じて外部に排出されて、チャンバ本体３０が減圧されるようになっている。
【００４７】
また、側壁部３４の上端側部位には、第一、第二、及び第三の３個の導入パイプ６２ａ，６２ｂ，６２ｃが、側壁部３４を貫通して、設置されている。そして、それら第一、第二、及び第三導入パイプ６２ａ，６２ｂ，６２ｃにおいては、チャンバ本体３０内に突入して開口する一端側開口部が、それぞれ、第一、第二、及び第三ガス導入口６４ａ，６４ｂ，６４ｃとされている。また、第一導入パイプ６２ａのチャンバ本体３０外への延出側の他端部には、珪素化合物ガスを収容する第一ボンベ６６ａが接続されている。第二導入パイプ６２ｂのチャンバ本体３０外への延出側の他端部には、酸素ガスを収容する第二ボンベ６６ｂが接続されている。第三導入パイプ６２ｃのチャンバ本体３０外への延出側の他端部には、フッ素ガスを収容する第三ボンベ６６ｃが接続されている。更に、第一、第二、及び第三ボンベ６６ａ，６６ｂ，６６ｃの第一、第二、及び第三導入パイプ６２ａ，６２ｂ，６２ｃとの接続部には、第一、第二、及び第三開閉バルブ６８ａ，６８ｂ，６８ｃが、それぞれ設けられている。
【００４８】
なお、後述するように、第一ボンベ６６ａ内に収容される珪素化合物ガスは、基層部１８を形成するための第一の成膜用ガスの原料ガスとして利用されると共に、表層部２０を形成するための第二の成膜用ガスの原料ガスとしても利用されるものである。第二ボンベ６６ｂ内に収容される酸素ガスは、第一の成膜用ガスの反応ガスとして利用されると共に、第二の成膜用ガスを構成する反応ガスとしても利用されるものである。第三ボンベ６６ｃ内に収容されるフッ素ガスは、第二ボンベ６６ｂ内に収容される酸素ガスと共に、第二の成膜用ガスの原料ガスとして利用されるものである。そして、それら珪素化合物ガスと酸素ガスとフッ素ガスは、第一乃至第三ボンベ６６ａ，６６ｂ，６６ｃ内に、大気圧を超える圧力で収容されている。
【００４９】
第一ボンベ６６ａ内に収容されて、第一の成膜用ガスのうちの原料ガスに利用される珪素化合物ガスを構成する珪素化合物は、特に限定されるものではなく、一般には、モノシラン（ＳiＨ4）やジシラン（Ｓi2Ｈ6 ）等の無機珪素化合物が、それぞれ単独で、或いはそれらが組み合わされて使用される。また、かかる珪素化合物として、有機珪素化合物を使用するこも可能である。そして、この有機珪素化合物としては、テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン等のシロキサン類や、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシジエチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、トリメトキシシラン、トリメトキシメチルシラン、トリメトキシエチルシラン、トリメトキシプロピルシラン、トリエトキシメチルシラン、トリエトキシジメチルシラン、トリエトキシエチルシラン、トリエトキシフェニルシラン、テトラメチルシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等のシラン類、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン等のシラザン類等が、例示される。そして、それらのうちの１種のものが単独で、或いは２種類以上が組み合わされて用いられる。なお、２種類以上の珪素化合物ガスを用いる場合には、それら複数種類の珪素化合物ガスを混合した状態で、一つの第一ボンベ６６ａ内に収容しても良く、或いは２種類以上の珪素化合物ガスを、複数の第一ボンベ６６ａ内に、それぞれ別個に収容しても良い。
【００５０】
そして、かくの如き構造とされたプラズマＣＶＤ装置２６を用いて、樹脂基材１２の両面に積層されたアンダーコート層１４，１４上に、トップコート層１６をそれぞれ積層形成する際には、先ず、図２に示されるように、樹脂基材１２の両面にアンダーコート層１４がそれぞれ積層形成されてなる中間製品２４を、チャンバ本体３０内に設けられた下側ホルダ５０，５０の上側支持突起５２，５２に支持させて、下側ホルダ５０，５０に保持させる。
【００５１】
次いで、上側開口部３８を蓋体３２にて覆蓋した後、図示しないロック機構にて、蓋体３２をチャンバ本体３０にロックする。これにより、真空チャンバ２８内を気密に密閉する。そして、その後、真空ポンプ６０を作動させて、真空チャンバ２８内を減圧する。この減圧操作により、真空チャンバ２８内の圧力を、例えば１０-5〜１０-3Ｐａ程度とする。
【００５２】
そして、真空チャンバ２８内の圧力が所定の値となったら、真空ポンプ６０を作動させたままで、第一導入パイプ６２ａと第二導入パイプ６２ｂとにそれぞれ接続された第一ボンベ６６ａの第一開閉バルブ６８ａと第二ボンベ６６ｂの第二開閉バルブ６８ｂとを各々開作動する。これにより、第一ボンベ６６ａ内の珪素化合物ガスを、第一導入パイプ６２ａ内に流通させて、第一ガス導入口６４ａから真空チャンバ２８内に導入する。また、それと共に、第二ボンベ６６ｂ内の酸素ガスを、第二導入パイプ６２ｂ内に流通させて、第二ガス導入口６４ｂから真空チャンバ２８内に導入する。かくして、珪素化合物ガスと酸素ガスとからなる、基層部１８を形成するための第一の成膜用ガスを真空チャンバ２８内に導入して、充満させる。
【００５３】
真空チャンバ２８内に珪素化合物ガスと酸素ガスが充満して、真空チャンバ２８の内圧が所定の値となったら、高周波電源４８をＯＮ作動して、真空チャンバ２８内に配置されたカソード電極４４に対して、高周波電流を給電線４６を介して供給する。これにより、カソード電極４４とアノード電極５６との間で放電現象を惹起させて、真空チャンバ２８内に充満した珪素化合物ガスと酸素ガスとをそれぞれプラズマ化し、珪素化合物ガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとを、真空チャンバ２８内に、比較的に低温の状態で発生させる。
【００５４】
そして、真空チャンバ２８内の空間や中間製品２４の表面上において、珪素化合物ガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとの反応（珪素化合物ガスと酸素ガスのプラズマＣＶＤ法による反応）を生じさせて、ＳiＯ2を生成すると共に、それを中間製品２４の全表面に堆積させる。以て、中間製品２４のアンダーコート層１４，１４上に、ＳiＯ2からなる基層部１８を、比較的に低い温度下で、しかも十分に速いスピードで積層形成する。
【００５５】
なお、本工程では、第一ボンベ６６ａの第一開閉バルブ６８ａと第二ボンベ６６ｂの第二開閉バルブ６８ｂの開作動が、その開放量を何等変化させることなく、一定の量において、予め設定された一定の時間だけ実施される。これによって、珪素化合物ガスと酸素ガスの真空チャンバ２８内への単位時間当たりの導入量がそれぞれ一定の量とされて、真空チャンバ２８内の珪素化合物ガス量と酸素ガス量の比率が一定の割合に維持されると共に、真空チャンバ２８の内圧も、一定の値に維持される。
【００５６】
アンダーコート層１４，１４上に積層形成される基層部１８の厚さは、珪素化合物ガスと酸素ガスとが、真空チャンバ２８内に一定の導入量で導入される時間、つまり、珪素化合物ガスと酸素ガスとをプラズマＣＶＤ法によって反応させる時間に応じて、適宜に調節される。換言すれば、第一ボンベ６６ａの第一開閉バルブ６８ａと第二ボンベ６６ｂの第二開閉バルブ６８ｂの一定量での開作動時間は、予め設定された、基層部１８の厚さの設定値等に応じて、適宜に決定されるのである。
【００５７】
そして、第一及び第二ボンベ６６ａ，６６ｂの第一及び第二開閉バルブ６８ａ，６８ｂの作動開始、即ち、珪素化合物ガスと酸素ガスの真空チャンバ２８内への導入開始から、予め設定された時間（基層部１８の膜厚に応じて設定された時間）が経過した時点で、第三ボンベ６６ｃ内のフッ素ガスの真空チャンバ２８内への導入を開始する。これによって、表層部２０を形成するための成膜用ガスを構成する珪素化合物ガスと酸素ガスとフッ素ガスの真空チャンバ２８内への導入を開始するのである。このとき、カソード電極４４への高周波電流の供給が継続されているため、真空チャンバ２８内に導入されたフッ素ガスも、珪素化合物ガスや酸素ガスと同様に、随時、プラズマ化される。
【００５８】
なお、珪素化合物ガスと酸素ガスと、新たに導入されるフッ素ガスのそれぞれの真空チャンバ２８内への単位時間当たりの導入量を、それぞれ、一定の値としても良いが、望ましくは、珪素化合物ガスの単位時間当たりの導入量を一定に維持する一方で、酸素ガスの単位時間当たりの導入量を徐々に減らしつつ、フッ素ガスの単位時間当たりの導入量を徐々に増加させて、所定の時間の経過後に、酸素ガスの単位時間当たりの導入量とフッ素ガスの単位時間当たりの導入量とが１：１の比率となるように調節される。また、珪素化合物ガスと酸素ガスとフッ素ガスとが真空チャンバ２８内に導入されているときには、酸素ガスとフッ素ガスのそれぞれの単位時間当たりの導入量の合計と、珪素化合物ガスの単位時間当たりの導入量との比率が、珪素化合物ガスと酸素ガスだけが真空チャンバ２８内に導入されているときの酸素ガスの単位時間当たりの導入量と珪素化合物ガスの単位時間当たりの導入量との比率と同じ比率とされていることが、より望ましい。これらにより、真空チャンバ２８内へのフッ素ガスの新たな導入によって真空チャンバ２８内の圧力が高められることが可及的に防止されることとなる。なお、表層部２０を形成するために、真空チャンバ２８内に新たに導入されるガス成分の導入量と、基層部１８の形成時に真空チャンバ２８内に導入される成膜用ガスの各ガス成分の導入量の比率は、基層部１８を構成する珪素化合物と表層部２０を構成するフッ素化合物のそれぞれの種類によって、適宜に変更されるものであることは、勿論である。
【００５９】
そして、珪素化合物ガスと酸素ガスに加えて、フッ素ガスの真空チャンバ２８内に導入が開始されると、かかるフッ素ガスの導入開始当初は、真空チャンバ２８内に存在する全てのガスのうちでフッ素ガスが占める割合が少ないため、珪素化合物ガスと酸素ガスとのプラズマＣＶＤ法による反応（珪素化合物ガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとの反応）が優先的に生じ、それによって、ＳiＯ2が多く生成される。また、真空チャンバ２８内へのフッ素ガスの導入開始からある程度の時間が経過してくると、真空チャンバ２８内に存在する全てのガスのうちでフッ素ガスが占める割合が徐々に増大し、それに伴って、珪素化合物ガスと酸素ガスとのプラズマＣＶＤ法による反応と並行して、珪素化合物ガスと酸素ガスとフッ素ガスとのプラズマＣＶＤ法による反応（珪素化合物ガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとフッ素ガスのプラズマとの反応）が生ずるようになる。それにより、ＳiＯ2とＳiＯＦ とが同時に生成されるようになる。そして、更に時間が経過して、真空チャンバ２８内でのフッ素ガス量が増大すると、珪素化合物ガスと酸素ガスとのプラズマＣＶＤ法による反応よりも、珪素化合物ガスと酸素ガスとフッ素ガスとのプラズマＣＶＤ法による反応が優先的に進行するようになり、以て、ＳiＯＦ の生成量が、ＳiＯ2の生成量を上回るようになる。
【００６０】
このように、珪素化合物ガスと酸素ガスに加えて、フッ素ガスの真空チャンバ２８内への導入が開始されることによって、基層部１８上に、ＳiＯ2とＳiＯＦ とが混在する中間層２２が形成されることとなる。また、かかる中間層２２は、基層部１８側からそれとは反対側に向かって、ＳiＯ2の含有率が徐々に減少する一方、ＳiＯＦ の含有率が徐々に増加するものとなる。つまり、中間層２２内でのＳiＯ2の含有率とＳiＯＦ の含有率とが、基層部１８側から表層部２０側に向かって傾斜的に変化するようになる。
【００６１】
その後、更に時間が経過して、真空チャンバ２８内のフッ素ガス量が十分な量に達すると、珪素化合物ガスと酸素ガスとフッ素ガスとのプラズマＣＶＤ法による反応のみが進行するようになり、ＳiＯＦ のみが生成されるようになる。そして、フッ素ガスの真空チャンバ２８内への導入開始からの経過時間が、予め設定された時間に達した時点で、第一、第二、及び第三開閉バルブ６８ａ，６８ｂ，６８ｃを全て閉作動して、珪素化合物ガスと酸素ガスとフッ素ガスの真空チャンバ２８内への導入を停止する。これによって、中間層２２上に、ＳiＯＦ からなる表層部２０を、所定の厚さで形成する。かくして、図１に示される如き構造を備えた、目的とする樹脂ガラス１０を得るのである。
【００６２】
なお、ＳiＯＦ からなる表層部２０の厚さは、第二及び第三開閉バルブ６８ｂ，６８ｃの上記の如き開閉作動によって、酸素ガスとフッ素ガスの真空チャンバ２８内への単位時間当たりの導入量が一定となったときから、珪素化合物ガスと酸素ガスとフッ素ガスの真空チャンバ２８内への導入が停止されるまでの時間を目安として、適宜に調節されることとなる。
【００６３】
このように、本実施形態では、樹脂基材１２の表面にアンダーコート層１４が積層形成されてなる中間製品２４を一つの真空チャンバ２８内に収容配置したままで、ＳiＯ2からなる基層部１８とＳiＯＦ からなる表層部２０とを有する複層構造のトップコート層１６を、プラズマＣＶＤ法を利用した一連の操作によって、アンダーコート層１４上に、形成することができる。
【００６４】
また、基層部１８の形成操作から表層部２０の形成操作に切り換える際に、基層部１８を形成するための成膜用ガス（第一の成膜用ガス）が、真空チャンバ２８内から排出されることがなく、それ故、かかる成膜用ガスを真空チャンバ２８内から排出するための面倒で時間のかかる作業から開放され得る。
【００６５】
しかも、基層部１８を形成するための成膜用ガスに反応ガスとして含まれる酸素ガスは、表層部２０の形成操作において、表層部２０を形成するための成膜用ガス（第二の成膜用ガス）に含まれる反応ガスの一種として、そのまま利用される。
【００６６】
従って、本実施形態によれば、樹脂基材１２のアンダーコート層１４上に、耐摩傷性を発揮する基層部１８と、耐摩傷性の更に向上させつつ、撥水性及び防汚性を発揮する表層部２０とを含むトップコート層１６を、簡便な作業により、効率的に、しかも低コストに形成することができる。
【００６７】
また、本実施形態では、基層部１８と表層部２０との間に、それらを構成するＳiＯ2とＳiＯＦ とが混在する中間層２２を形成して、トップコート層１６が構成されている。そのため、基層部１８と表層部２０との間に明確な界面が形成されず、それによって、基層部１８と表層部２０との界面での剥離等の発生が可及的に防止され、以て、それら基層部１８と表層部２０との密着性が効果的に高められ得るのである。
【００６８】
そして、それらの結果として、本実施形態によれば、干渉縞の発生が抑えられると共に、耐摩傷性と撥水性と防汚性とにおいて優れた特性を、使用環境の変化等にも拘わらず、より長期に亘って安定的に発揮される樹脂ガラス１０を、簡便な作業により、効率的に、しかも低コストに得ることができるのである。
【００６９】
ところで、上記した第一の実施形態では、ＳiＯ2からなる基層部１８の形成操作から、ＳiＯＦ からなる表層部２０の形成操作に切り換える際に、基層部１８の成膜用ガスの真空チャンバ２８内への導入を維持しつつ、それに加えて、表層部２０の成膜用ガスに反応ガスとして含まれるフッ素ガスの真空チャンバ２８内への導入が開始されるようになっていた。しかしながら、例えば、基層部１８がＳiＯ2からなる一方、表層部２０が、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）やテトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）等の各種のフッ素樹脂を始めとした、珪素化合物を含まないフッ素化合物からなる場合等のように、基層部１８を形成するための成膜用ガスに含まれるガス成分と、表層部２０を形成するための成膜用ガスに含まれるガス成分とが、互いに全く異なるものである場合には、前記第一の実施形態で行われる操作とは一部異なる操作が実施されて、基層部１８と表層部２０と中間層２２とが、それぞれ形成されることとなる。
【００７０】
すなわち、例えば、ＳiＯ2からなる基層部１８とＰＴＦＥからなる表層部２０とを有する複層構造のトップコート層１６を樹脂基材１２のアンダーコート層１４上に積層形成する場合には、先ず、ＳiＯ2からなる基層部１８を、中間製品２４のアンダーコート層１４上に形成する。この基層部１８の形成作業は、図２に示されるプラズマＣＶＤ装置２６を用いて、上記と同様にして実施される。
【００７１】
なお、ここでは、かかるプラズマＣＶＤ装置２６の第一ボンベ６６ａ内と第二ボンベ６６ｂ内に、ＳiＯ2からなる基層部１８の成膜用ガス（第一の成膜用ガス）に原料ガスとして含まれる珪素化合物ガスと、反応ガスとして含まれる酸素ガスとが、それぞれ収容されている。また、第三ボンベ６６ｃには、ＰＴＦＥからなる表層部２０の成膜用ガス（第二の成膜用ガス）に含まれるフッ素化合物ガスが、収容されている。
【００７２】
第一ボンベ６６ａ内に収容される珪素化合物ガスとしては、先に例示したものが、何れも使用可能である。また、第三ボンベ６６ｃ内に収容されるフッ素化合物ガスを構成するフッ素化合物としては、ＣＦ4 等が、例示される。なお、表層部２０の成膜用ガスに含まれるフッ素化合物ガスの種類は、表層部２０を構成するフッ素化合物の種類に応じて適宜に変更される。
【００７３】
そして、プラズマＣＶＤ装置２６を用いて、中間製品２４のアンダーコート層１４上に基層部１８を形成する際には、図２に示されるように、先ず、中間製品２４を真空チャンバ２８内に収容配置する。その後、真空チャンバ２８内を所定の真空状態とした後、第一及び第二開閉バルブ６８ａ，６８ｂを開作動させて、第一ボンベ６６ａ内の珪素化合物ガスと第二ボンベ６６ｂ内の酸素ガスとを、単位時間当たりに一定の導入量で、真空チャンバ２８内に導入し、それら珪素化合物ガスと酸素ガスとからなる、基層部１８を形成するための成膜用ガスを真空チャンバ２８内に充満させる。
【００７４】
次いで、真空チャンバ２８内に設置されたカソード電極４４とアノード電極５６との間に電圧を印加して、真空チャンバ２８内の珪素化合物ガスと酸素ガスとをそれぞれプラズマ化する。これにより、真空チャンバ２８内で、珪素化合物ガスと酸素ガスとをプラズマＣＶＤ法によって反応させて、中間製品２４のアンダーコート層１４上に、ＳiＯ2からなる基層部１８を形成する。
【００７５】
そして、第一及び第二ボンベ６６ａ，６６ｂの第一及び第二開閉バルブ６８ａ，６８ｂを開作動してから予め設定された時間が経過した時点で、第一開閉バルブ６８ａと第二開閉バルブ６８ｂとを、それらの開放量が徐々に小さくなるように、それぞれ閉作動し、閉作動開始から予め設定された時間が経過したときに、第一及び第二開閉バルブ６８ａ，６８ｂをそれぞれ完全に閉鎖する。即ち、珪素化合物層１８を形成するために真空チャンバ２８内に導入される第一の成膜用ガスの原料ガスたる珪素化合物ガスと反応ガスたる酸素ガスの真空チャンバ２８内への導入量を漸減させていき、やがてゼロとする。このように、珪素化合物ガスと酸素ガスの真空チャンバ２８内への導入開始から予め設定された時間が経過して、真空チャンバ２８内への珪素化合物ガスと酸素ガスの導入量がゼロとなり、真空チャンバ２８内に収容される珪素化合物ガスと酸素ガスの量が、それぞれゼロとなった時点で、ＳiＯ2の生成を終了するのである。
【００７６】
また、第一及び第二開閉バルブ６８ａ，６８ｂの閉作動の開始と略同時に第三開閉バルブ６８ｃを開作動する。このとき、第一及び第二開閉バルブ６８ａ，６８ｂの開放量が小さくなるに従って、第三開閉バルブ６８ｃの開放量が徐々に大きくなるように、第三開閉バルブ６８ｃの開作動を実施する。そして、第一開閉バルブ６８ａと第二開閉バルブ６８ｂとが完全に閉鎖された時点からは、第三開閉バルブ６８ｃの開放量を増加させずに一定の量とする。これにより、真空チャンバ２８内への珪素化合物ガスと酸素ガスの導入量を減少させ始めてから、フッ素化合物ガスの真空チャンバ２８内への導入を開始すると共に、それらの導入量を徐々に増やしていく。そして、真空チャンバ２８内への珪素化合物ガスと酸素ガスの導入量がゼロとなってからは、フッ素化合物ガスの真空チャンバ２８内への単位時間当たりの導入量を一定とする。
【００７７】
なお、上記のようにして、真空チャンバ２８内への珪素化合物ガスと酸素ガスの導入量を減らしながら、フッ素化合物ガスの導入量を増やしていく際には、それら珪素化合物ガスと酸素ガスとフッ素化合物ガスの単位時間当たりの導入量の合計が、珪素化合物ガスと酸素ガスの真空チャンバ２８内への導入量を減らして行く前の段階での珪素化合物ガスと酸素ガスのそれぞれの単位時間当たりの導入量の合計と同一とされていることが、好ましい。また、真空チャンバ２８内へのフッ素化合物ガスの単位時間当たりの導入量が一定とされたときにも、フッ素化合物ガスの単位時間当たりの導入量が、珪素化合物ガスと酸素ガスの真空チャンバ２８内への導入量を減らして行く前の段階での珪素化合物ガスと酸素ガスのそれぞれの単位時間当たりの導入量の合計と同一されていることが、望ましい。これにより、真空チャンバ２８の内圧を、常時、一定に維持することができる。
【００７８】
また、第三開閉バルブ６８ｃの開作動の開始のタイミング、つまり、真空チャンバ２８内へのフッ素化合物ガスの導入開始のタイミングは、必ずしも、第一及び第二開閉バルブ６８ａ，６８ｂの閉作動の開始による真空チャンバ２８内への珪素化合物ガスと酸素ガスの導入量の減少開始と厳密に同時とされている必要はなく、珪素化合物ガスや酸素ガスの導入量の減少開始のタイミングに対して、その前後に多少ずれていても良い。更に、真空チャンバ２８内に導入されるガスの種類や導入量の増減に拘わらず、カソード電極４４への高周波電流の供給は継続される。
【００７９】
かくして、フッ素化合物ガスの真空チャンバ２８内への導入の開始から、真空チャンバ２８内への珪素化合物ガスと酸素ガスの導入量がゼロとされて、真空チャンバ２８内の珪素化合物ガスと酸素ガスが完全に無くなるまでの間において、真空チャンバ２８内の珪素化合物ガスと酸素ガスとフッ素化合物ガスとを、それぞれプラズマ化する。
【００８０】
これにより、フッ素化合物ガスの真空チャンバ２８内への導入の開始から、真空チャンバ２８内への珪素化合物ガスと酸素ガスの導入量がゼロとなり、更に、真空チャンバ２８内における珪素化合物ガスと酸素ガスの量がゼロとなるまでの間、真空チャンバ２８内の空間や中間製品２４の表面上において、珪素化合物ガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとの反応（珪素化合物ガスと酸素ガスのプラズマＣＶＤ法による反応）を実施して、ＳiＯ2を生成する一方、それと並行して、フッ素化合物ガスのプラズマＣＶＤ法による反応も実施して、ＰＴＦＥを生成する。このとき、真空チャンバ２８内への珪素化合物ガスと酸素ガスの導入量の減少に伴って、ＳiＯ2の生成量が徐々に減少していく一方、真空チャンバ２８内へのフッ素化合物ガスの導入量の増加に伴って、ＰＴＦＥの生成量が徐々に増加していく。
【００８１】
かくして、中間製品２４のアンダーコート層１４に積層形成された、ＳiＯ2からなる基層部１８上に、ＳiＯ2とＰＴＦＥを堆積させ、以て、かかる基層部１８上に、ＳiＯ2とＰＴＦＥとが混在してなる中間層２２を、比較的に低い温度下で、しかも十分に速いスピードで積層形成する。
【００８２】
なお、上記したように、フッ素化合物ガスの真空チャンバ２８内への導入の開始から、真空チャンバ２８内への珪素化合物ガスと酸素ガスの導入量がゼロとされて、真空チャンバ２８内における珪素化合物ガスと酸素ガスの量がゼロとなるまでの間、ＳiＯ2の生成量が徐々に減少していく一方、ＰＴＦＥの生成量が徐々に増加していく。それ故、中間層２２は、基層部１８側（アンダーコート層１４側）からそれとは反対側に向かって、ＳiＯ2の含有率が徐々に減少する一方、ＰＴＦＥの含有率が徐々に増加するものとなる。つまり、中間層２２内でのＳiＯ2の含有率とＰＴＦＥの含有率とが、基層部１８側から表層部２０側に向かって傾斜的に変化するようになっている。
【００８３】
そして、真空チャンバ２８内への珪素化合物ガスと酸素ガスの導入量がゼロとなって、真空チャンバ２８内にフッ素化合物ガスだけが導入されるようになり、また、真空チャンバ２８内の珪素化合物ガスと酸素ガスの残存量がゼロとなってからは、真空チャンバ２８内の空間や中間製品２４の表面上（基層部１８上）において、フッ素化合物ガスのプラズマＣＶＤ法による反応のみが進行する。
【００８４】
これによって、ＰＴＦＥのみを生成すると共に、それを中間製品２４に積層された中間層２２上に堆積させる。そして、フッ素化合物ガスの真空チャンバ２８内への導入開始からの経過時間が、予め設定された時間に達した時点で、第三開閉バルブ６８ｃを閉作動して、フッ素化合物ガスの真空チャンバ２８内への導入を停止する。以て、かかる中間層２２上に、所定厚さの表層部２０を、比較的に低い温度下で、しかも十分に速いスピードで形成する。
【００８５】
かくして、中間製品２４のアンダーコート層１４上に、基層部１８と中間層２２と表層部２０とが、その順番で積層されてなる複層構造を有するトップコート層１６を積層形成する。そうして、図１に示される如き構造を備えた、目的とする樹脂ガラス１０を得るのである。
【００８６】
なお、表層部２０の厚さは、第三開閉バルブ６８ｃの上記の如き開閉作動により、フッ素化合物ガスの真空チャンバ２８内への単位時間当たりの導入量が一定とされ、且つ真空チャンバ２８内の珪素化合物ガスと酸素ガスの残存量がゼロとなったときから、フッ素化合物ガスの真空チャンバ２８内への導入が停止されるまでの時間によって、適宜に調節されることとなる。換言すれば、第三開閉バルブ６８ｃの一定の開放量での開作動時間は、予め設定された、表層部２０の厚さの設定値等に応じて、適宜に決定されるのである。
【００８７】
このように、本実施形態にあっても、中間製品２４を一つの真空チャンバ２８内に収容配置した状態で、トップコート層１６を、プラズマＣＶＤ法を利用した一連の操作によってアンダーコート層１４上に形成することができる。また、基層部１８の形成操作から表層部２０の形成操作に切り換える際に、真空チャンバ２８内のガスを、一旦、全て排出させる操作が何等行われず、真空チャンバ２８内に導入されたガスの全てが、プラズマＣＶＤ法による反応に有効に利用される。
【００８８】
従って、本実施形態にあっても、樹脂基材１２のアンダーコート層１４上に、トップコート層１６を、簡便な作業により、効率的に、しかも低コストに形成することができるのである。
【００８９】
また、本実施形態では、基層部１８と表層部２０との間に、それらを構成するＳiＯ2とＰＴＦＥとが混在し、且つそれらの含有率が基層部１８側から表層部２０側に向かって傾斜的に変化する中間層２２を形成して、トップコート層１６が構成されている。そのため、基層部１８と表層部２０との間に明確な界面が形成されず、それによって、基層部１８と表層部２０との間の密着性を効果的に高めることができるのである。
【００９０】
そして、それらの結果、本実施形態によれば、干渉縞の発生が抑制されると共に、優れた耐摩耗性や撥水性、防汚性がより長期に亘って安定的に確保され得る樹脂ガラス１０を、極めて有利に得ることができるのである。
【００９１】
また、例えば、基層部１８がＳiＯ2からなる一方、表層部２０が、ＳiＦ4等のフッ素を含有する珪素化合物からなる場合等のように、基層部１８を形成するための成膜用ガスに含まれるガス成分と、表層部２０を形成するための成膜用ガスに含まれるガス成分とが、それらのうちの一部のガス成分（例えば、反応ガス）のみが異なるものである場合には、前記第一の実施形態や前記第二の実施形態の製造に際して実施される操作とは、更に一部異なる操作が実施されて、トップコート層１６の基層部１８及び表層部２０と中間層２２とが、それぞれ形成されることとなる。
【００９２】
すなわち、前記二つの実施形態と同様に、プラズマＣＶＤ装置２６の真空チャンバ２８内に中間製品２４を収容した状態下で、真空チャンバ２８内に、珪素化合物ガスと酸素ガスとを導入して、それら珪素化合物ガスと酸素ガスとをプラズマＣＶＤ法により反応させることによって、ＳiＯ2のプラズマＣＶＤ層からなる基層部１８を中間製品２４のアンダーコート層１４上に形成する。
【００９３】
そして、珪素化合物ガスと酸素ガスの真空チャンバ２８内への導入開始から所定時間が経過したら、予め真空チャンバ２８内への酸素ガスの導入量を漸減させつつ、フッ素ガスを、真空チャンバ２８内に、その導入量が漸増していくように導入する。そして、酸素ガスの導入量が、やがてゼロとなった時点で、フッ素ガスの真空チャンバ２８内への単位時間当たりの導入量を一定の値とする。このとき、酸素ガスやフッ素ガスの導入量の変動に拘わらず、珪素化合物ガスを真空チャンバ２８内に一定の導入量で導入する。
【００９４】
そうして、酸素ガスの真空チャンバ２８内への導入量が漸減して、ゼロとなるまでの間、真空チャンバ２８内で、珪素化合物ガスと酸素ガスのプラズマＣＶＤ法による反応を行いつつ、それと並行して、珪素化合物ガスとフッ素ガスのプラズマＣＶＤ法による反応を実施する。これにより、基層部１８上に、ＳiＯ2とＳiＦ4とが混在する中間層２２を積層形成する。この中間層２２は、基層部１８側（アンダーコート層１４側）からそれとは反対側に向かって、ＳiＯ2の含有率が徐々に減少する一方、ＳiＦ4の含有率が徐々に増加するものとなる。つまり、中間層２２内でのＳiＯ2の含有率とＳiＦ4の含有率とが、基層部１８側から表層部２０側に向かって傾斜的に変化するようになる。
【００９５】
そして、真空チャンバ２８内への酸素ガスの導入が停止されると共に、フッ素ガスの真空チャンバ２８内への単位時間当たりの導入量が一定の値にされると、真空チャンバ２８内で、珪素化合物ガスとフッ素ガスのプラズマＣＶＤ法による反応のみが進行する。これにより、中間層２２上に、ＳiＦ4のプラズマＣＶＤ層からなる表層部２０を積層形成する。その後、真空チャンバ２８内への酸素ガスの導入が停止されてから所定時間が経過した時点で、珪素化合物ガスとフッ素ガスの真空チャンバ２８内への導入を停止する。
【００９６】
かくして、中間製品２４のアンダーコート層１４上に、基層部１８と中間層２２と表層部２０とが、その順番で積層されてなる複層構造を有するトップコート層１６を積層形成する。そうして、図１に示される如き構造を備えた、目的とする樹脂ガラス１０を得るのである。
【００９７】
かくの如き本実施形態にあっても、前記第一及び第二の実施形態において奏される作用・効果と実質的に同一の作用・効果が有効に享受され得るのである。
【実施例】
【００９８】
以下に、本発明の代表的な実施例を示し、本発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明が、そのような実施例の記載によって、何等の制約をも受けるものでないことは、言うまでもないところである。また、本発明には、以下の実施例の他にも、更には上記した具体的記述以外にも、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて、種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであることが、理解されるべきである。
【００９９】
先ず、市販のポリカーボネート樹脂を用いて、公知の射出成形を行って、縦×横×厚さが１００×１００×５ｍｍの矩形平板からなる２個の透明な樹脂基材を得た。
【０１００】
次いで、それら２個の樹脂基材のそれぞれの表面の全面に、市販のアクリル樹脂を塗布し、これに紫外線を照射して硬化させた。これにより、２個の樹脂基材のそれぞれの表面の全面に、アクリル樹脂の塗膜からなるアンダーコート層を形成した。それら２個の樹脂基材表面上のアンダーコート層の厚さは、何れも１０μｍとした。
【０１０１】
そして、表面にアンダーコート層が形成された２個の樹脂基材のうちの１個を、図２に示される如き構造を有するプラズマＣＶＤ装置の真空チャンバ内に収容した後、真空チャンバ内を真空状態とした。このときの真空チャンバの内圧を１０-4Ｐａとした。
【０１０２】
その後、真空チャンバ内に、珪素化合物ガスたるモノシランガスと酸素ガスとを、単位時間当たりの導入量が一定となるように導入して、充満させた後、高周波電源からカソード電極に高周波電流を供給し、酸素ガスのプラズマとモノシランガスのプラズマを発生させて、それらのプラズマガスを反応させることにより、アンダーコート層上に、ＳiＯ2からなる基層部を形成した。なお、この基層部の形成操作を３０秒間継続して実施した。また、真空チャンバ内へのモノシランガスの導入量は５０ｍｌ／ｓｅｃ、真空チャンバ内への酸素ガスの導入量は５０ｍｌ／ｓｅｃとした。更に、高周波電源の出力値を２０００Ｗとした。かくして形成された基層部の厚さは１μｍであった。
【０１０３】
そして、酸素ガスとモノシランガスの真空チャンバ内への導入の開始（基層部の形成操作の開始）から３０秒経過した後、フッ素ガスを、真空チャンバ内に、単位時間当たりの導入量が徐々に増加するように導入した。酸素ガスとモノシランガスは、基層部の形成時と同じ単位時間当たりの導入量で、継続的に導入した。
【０１０４】
そして、モノシランガスと酸素ガスとフッ素ガスとを真空チャンバ内に導入している間、高周波電源の出力値を２０００Ｗとしたままで、カソード電極に高周波電流を継続に供給することにより、モノシランガスと酸素ガスとフッ素ガスをそれぞれプラズマ化して、モノシランガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとを反応させる一方、それと並行して、モノシランガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとフッ素ガスのプラズマとを反応させた。これにより、基層部上に、ＳiＯ2とＳiＯＦ とが混在する中間層２２を形成した。なお、真空チャンバ内へのフッ素ガスの導入量は５００  ｍｌ／ｓｅｃだけ増加するようにした。かくして形成された中間層の厚さは１０μｍであった。
【０１０５】
引き続き、フッ素ガスの真空チャンバ内への導入量の減量開始から３０秒後に、フッ素ガスの真空チャンバ内への単位時間当たりの導入量を５０ｍｌ／ｓｅｃとした。このとき、酸素ガスとモノシランガスは、フッ素ガスの真空チャンバ内への導入量とは無関係に、単位時間当たりに一定の導入量で、継続的に導入した。
【０１０６】
そして、更に高周波電源の出力値を２０００Ｗとしたままで、カソード電極に高周波電流を継続に供給して、モノシランガスのプラズマとフッ素ガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとを発生させて、それらのプラズマガスを反応させることにより、中間層上に、ＳiＯＦからなる表層部を形成した。この表層部の厚さは１μｍであった。
【０１０７】
かくして、図１に示されるように、ポリカーボネート製の樹脂基材の表面にアンダーコート層が形成されると共に、ＳiＯ2からなる基層部と、ＳiＯ2とＳiＯＦ が混在する中間層と、ＳiＯＦ からなる表層部の三層構造を有するトップコート層が、アンダーコート層上に積層形成されてなる透明な樹脂ガラスを得た。そして、この樹脂ガラスを試験例１とした。
【０１０８】
一方、比較のために、表面にアンダーコート層が形成された、残りの１個の樹脂基材を、試験例１の樹脂ガラスの製造の際に用いられたプラズマＣＶＤ装置の真空チャンバ内に収容した後、真空チャンバ内を真空状態とした。このときの真空チャンバの内圧を１０-4Ｐａとした。
【０１０９】
その後、真空チャンバ内に、酸素ガスとモノシランガスとを、単位時間当たりの導入量が一定となるように導入して、充満させた後、高周波電源からカソード電極に高周波電流を供給し、酸素ガスのプラズマとモノシランガスのプラズマを発生させて、それらのプラズマガスを反応させることにより、アンダーコート層上に、ＳiＯ2からなる基層部を形成した。なお、この基層部の形成操作を、３０秒間、継続して実施した。このとき、真空チャンバ内へのモノシランガスの導入量を５０ｍｌ／ｓｅｃとし、真空チャンバ内への酸素ガスの導入量を５０ｍｌ／ｓｅｃとした。また、高周波電源の出力値を２０００Ｗとした。形成された基層部の厚さは０．５μｍであった。
【０１１０】
次に、酸素ガスとモノシランガスの真空チャンバ内への導入開始（基層部の形成開始）から３０秒後に、酸素ガスとモノシランガスの真空チャンバ内への導入を停止し、その後、真空ポンプの作動により、真空チャンバ内に残存する酸素ガスとモノシランガスとを、全て、真空チャンバ内から排出した。
【０１１１】
その後、内圧が１０-4Ｐａとされた真空チャンバ内に、モノシランガスと酸素ガスとを５０ｍｌ／ｓｅｃの同じ導入量で、また、フッ素ガスを５００ｍｌ／ｓｅｃの導入量で、それぞれ導入して、充満させた後、高周波電源からカソード電極に高周波電流を供給した。これにより、モノシランガスと酸素ガスとフッ素ガスのそれぞれのプラズマを発生させて、それらのプラズマガスを反応させることにより、基層部上に、ＳiＯＦ からなる表層部を積層形成した。なお、この表層部の形成操作を、３０秒間、継続して実施した。また、高周波電源の出力値を２０００Ｗとした。形成された表層部の厚さは０．５μｍであった。
【０１１２】
かくして、ポリカーボネート製の樹脂基材の表面にアンダーコート層が形成されると共に、ＳiＯ2からなる基層部とＳiＯＦ からなる表層部の二層構造を有するトップコート層が、アンダーコート層上に積層形成されてなる透明な樹脂ガラスを得た。この樹脂ガラスを試験例２とした。
【０１１３】
そして、上記のようにして得られた試験例１及び試験例２の２種類の透明な樹脂ガラスを用いて、各樹脂ガラスの耐摩耗性と、トップコート層を構成する基層部と表層部との間の密着性とに関する評価試験を以下のようにして実施した。その結果を、下記表１に示す。
【０１１４】
＜耐摩耗性試験＞
ＪＩＳ  Ｒ３２１１に準拠したテーバー摩耗試験の実施前後におけるヘイズ値の差：ΔＨを、ＪＩＳ  Ｒ３２１２に基づいて測定した。そして、その測定値：ΔＨが２．０％以下のものを、耐摩耗性に優れたものとして、評価結果を○で示し、ΔＨが２．０％を超えるものを、耐摩耗性に劣るものとして、評価結果を×で示した。なお、テーバー摩耗試験の実施に際しては、型番：ＣＳ−１０Ｆ（テーバー社製）の摩耗輪を使用した。また、ヘイズ値の測定には、ヘイズ値測定機［型番：ＨＺ−２Ｐ（スガ試験機株式会社製）］を使用した。ここで、ΔＨの値が２．０％のものの評価結果を○としたのは、以下の理由による。即ち、自動車用のフロントガラスに使用される樹脂ガラスには、ＪＩＳ  Ｒ３２１１に準拠したテーバー摩耗試験の実施前後におけるヘイズ値の差：ΔＨが２．０％以下であることが要求される。それ故、ここでは、ΔＨの値が２．０％のものの耐摩耗性に関する評価結果を○としたのである。
【０１１５】
＜密着性試験＞
ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６に準拠して実施した。そして、密着性試験の結果、剥離がなかったものを、密着性に優れたものとして、評価結果を○で示し、剥離が軽微であったものを、密着性に僅かに劣るものとして、評価結果を△で示した。
【０１１６】
【表１】
2013227628.tif 000003
【０１１７】
かかる表１の結果から明らかなように、トップコート層が、ＳiＯ2からなる基層部と、ＳiＯ2とＳiＯＦ が混在する中間層と、ＳiＯＦ からなる表層部とを、その順番で積層した三層構造とされた試験例１の樹脂ガラスと、トップコート層が、ＳiＯ2からなる基層部とＳiＯＦ からなる表層部との二層構造とされた試験例２の樹脂ガラスとを比較した場合、それらの２種類の樹脂ガラスは、耐摩耗性試験の評価結果が、何れも○となっている。しかしながら、試験例１の樹脂ガラスの密着性試験の評価結果が○となっているものの、試験例２の樹脂ガラスは、密着性試験の評価結果が△となっている。これは、本発明手法に従ってトップコート層が形成されてなる樹脂ガラスが、耐摩耗性と密着性の両方において優れた特性を発揮するものであることを、如実に示している。
【０１１８】
以上、本発明の具体的な構成について詳述してきたが、これはあくまでも例示に過ぎないのであって、本発明は、上記の記載によって、何等の制約をも受けるものではない。
【０１１９】
例えば、前記実施形態では、トップコート層１６の基層部１８がＳiＯ2にて構成されていたが、この基層部１８を構成する珪素化合物の種類は、何等限定されるものではなく、基層部１８を、例示されたＳiＯ2に代えて、例えば、ＳiＯＮ やＳi3Ｎ4 等にて構成することも可能である。
【０１２０】
また、トップコート層１６の表層部２０は、フッ素を含有する化合物のプラズマＣＶＤ層にて構成されておれば、かかる表層部２０を構成する化合物の種類が、何等限定されるものではない。従って、そのような表層部２０をプラズマＣＶＤ法によって形成するための第二の成膜用ガスに含まれるガス成分、特にフッ素ガスやフッ素化合物ガスの種類も、表層部２０を構成する化合物の種類等に応じて、適宜に変更され得るものである。
【０１２１】
なお、基層部１８を形成するための成膜用ガス（第一の成膜用ガス）の少なくとも一部の真空チャンバ２８内への導入量を漸減させ、やがてゼロと為す一方で、表層部２０を形成するための成膜用ガス（第二の成膜用ガス）を真空チャンバ２８内に導入することによって、中間層２２を形成する場合も、或いは基層部１８を形成するための成膜用ガスに加えて、表層部２０を形成するための成膜用ガスを真空チャンバ２８内に導入することによって、中間層２２を形成する場合も、表層部２０を形成するための成膜用ガスには、フッ素ガスか又はフッ素化合物ガスが含まれる。そして、前者の場合には、表層部２０を形成するための成膜用ガスに含まれるフッ素化合物ガスとして、先に例示したものが使用可能であり、また、後者の場合には、表層部２０を形成するための成膜用ガスに含まれるフッ素化合物ガスとして、表層部２０を構成するフッ素化合物の種類に応じて、例えばＳiＦ4ガスやＣＦ4 ガス等が、それぞれ単独で、或いは組み合わせて用いられる。
【０１２２】
さらに、基層部１８と表層部２０の形成に際して用いられるプラズマＣＶＤ装置は、例示された構造を有するもの以外にも、公知の構造を有するものが、適宜に採用可能である。例えば、誘導結合方式やアークを発生するプラズマガンを用いた方式の構造を採用することもできる。
【０１２３】
また、樹脂基材１２の一方の面のみに、基層部１８と中間層２２と表層部２０の積層構造を有するトップコート層１６を設けるようにしても良い。
【０１２４】
加えて、前記実施形態では、本発明を、自動車のリヤウインドウ用の樹脂ガラスと、その製造方法に適用したものの具体例を示したが、本発明は、ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面に、アンダーコート層と、基層部を含むトップコート層とが、その順番に積層形成されてなる樹脂製品と、そのような樹脂製品の製造方法の何れに対しても、有利に適用され得るものであることは、勿論である。
【０１２５】
その他、一々列挙はしないが、本発明は、当業者の知識に基づいて種々なる変更、修正、改良等を加えた態様において実施され得るものであり、また、そのような実施態様が、本発明の趣旨を逸脱しない限り、何れも、本発明の範囲内に含まれるものであることは、言うまでもないところである。
【符号の説明】
【０１２６】
１０  樹脂ガラス                      １２  樹脂基材
１４  アンダーコート層                １６  トップコート層
１８  基層部                          ２０  表層部
２２  中間層                          ２４  中間製品
２６  プラズマＣＶＤ装置
【図１】
2013227628.tif 000004
【図２】
2013227628.tif 000005