(57)【要約】【課題】製造効率の向上を図った上で、両基板を高精度に位置合わせでき、パッケージ内の真空度を確保できるパッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供する。【解決手段】ベース基板用ウエハ４０において、パッケージ形成領域の外側の非形成領域Ｎ２にバンプスペーサ４２を形成するバンプ形成工程と、バンプスペーサ４２を介してベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせた状態で、各ウエハ４０，５０を加熱する予備加熱工程と、導電性を有する接合材２３を介して両ウエハ４０，５０を陽極接合する接合工程と、を有し、接合工程では、両ウエハ４０，５０を加圧してバンプスペーサ４２を押し潰した状態で陽極接合を行うことを特徴とする。【選択図】図７
2013074517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに接合された第１基板及び第２基板の間に、電子部品を封入可能なキャビティを備えたパッケージの製造方法であって、
前記第１基板において、パッケージ形成領域の外側の領域に第１バンプを形成する第１バンプ形成工程と、
前記第１バンプを介して前記第１基板及び前記第２基板を重ね合わせた状態で、前記各基板を加熱する予備加熱工程と、
導電性を有する接合材を介して前記第１基板、及び前記第２基板を陽極接合する接合工程と、を有し、
前記接合工程では、前記第１基板及び前記第２基板を加圧して前記第１バンプを押し潰した状態で陽極接合を行うことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記第１基板において、前記パッケージ形成領域上の電極パターンに前記電子部品を実装するための第２バンプを形成する第２バンプ形成工程を有し、
前記第１バンプ形成工程と、前記第２バンプ形成工程とを同一工程で行うことを特徴とする請求項１記載のパッケージの製造方法。
【請求項３】
少なくとも前記第２基板の接合面おいて、前記第１バンプと対向する領域には、前記第１バンプの先端側を収容する位置決め凹部が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のパッケージの製造方法。
【請求項４】
少なくとも前記第１基板の接合面において、前記第１バンプの周囲には、溜まり凹部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載のパッケージの製造方法。
【請求項５】
第１バンプ形成工程では、前記第１基板の周方向に間隔をあけて前記第１バンプを少なくとも３つ以上形成することを特徴とする請求項１から請求項４の何れか１項に記載のパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記第１基板と前記第１バンプとの間に、前記第１バンプと前記第１基板との密着性を高める密着膜が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項に記載のパッケージの製造方法。
【請求項７】
請求項１記載のパッケージの製造方法により製造した前記パッケージの内部に、圧電振動片が封入されていることを特徴とする圧電振動子。
【請求項８】
請求項７に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
【請求項９】
請求項７に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項７に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子（パッケージ）が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その１つとして、表面実装（ＳＭＤ）型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子としては、例えば互いに接合されたベース基板及びリッド基板と、両基板の間に形成されたキャビティと、キャビティ内に気密封止された状態で収納された圧電振動片と、を備えている。
【０００３】
このような２層構造タイプの圧電振動子を製造する場合には、まずリッド基板にキャビティ用の凹部を形成する一方、ベース基板上に圧電振動片をマウントする。
次に、ベース基板及びリッド基板を、真空チャンバ内に配設された陽極接合装置にセットして、導電性材料からなる陽極接合用の接合材を介してこれらのウエハを重ね合わせる。その後、所定の温度（以下、接合温度という）で所定の電圧を印加して両基板を陽極接合する。陽極接合の方法として、例えば特許文献１には、シリコン結晶板とガラス材料とを陽極接合する方法が開示されている。
【０００４】
ところで、一般に、ベース基板及びリッド基板は通常ガラス材により形成されており、ガラス材には有機物や水分等が含まれている。
特に、ガラスフリットを焼成して圧電振動子の内外を動通させる貫通電極を形成した場合、焼成後のガラスフリット中に有機溶剤が残存しているおそれがある。このため、陽極接合する際に各基板を加熱すると、各基板のガラス材及びガラスフリット内の有機物や水分等がアウトガスとして発生するおそれがある。
【０００５】
ここで、圧電振動子は、等価抵抗値（実効抵抗値、Ｒｅ）を低く抑えることが望まれている。一般に、等価抵抗値は、圧電振動片が封止されている圧電振動子内が真空に近いほど低く抑えられることが知られている。したがって、各基板から発生するアウトガスを効果的に圧電振動子外に排出しつつ、陽極接合を行う必要がある。
【０００６】
そのため、近時では、接合後におけるキャビティ内でのアウトガスの残留を抑制するために、ベース基板とリッド基板とを位置合わせした後、スペーサを介して両者を重ね合わせ、接合前に予備加熱を行う方法が検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−７２４３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した方法では、まず予備加熱の前に、ベース基板とリッド基板との間にスペーサを間に挟んだ状態で位置合わせを行う必要があるため、位置合わせが難しいという問題がある。
特に、予備加熱の後に、スペーサを引き抜くことでベース基板とリッド基板との位置ずれが発生する虞がある。
【０００９】
そこで本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、製造効率の向上を図った上で、両基板を高精度に位置合わせでき、パッケージ内の真空度を確保できるパッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のパッケージの製造方法は、互いに接合された第１基板及び第２基板の間に、電子部品を封入可能なキャビティを備えたパッケージの製造方法であって、前記第１基板において、パッケージ形成領域の外側の領域に第１バンプを形成する第１バンプ形成工程と、前記第１バンプを介して前記第１基板及び前記第２基板を重ね合わせた状態で、前記各基板を加熱する予備加熱工程と、導電性を有する接合材を介して前記第１基板、及び前記第２基板を陽極接合する接合工程と、を有し、前記接合工程では、前記第１基板及び前記第２基板を加圧して前記第１バンプを押し潰した状態で陽極接合を行うことを特徴としている。
【００１１】
この構成によれば、接合工程の前に両基板からアウトガスを放出させることができる。その際、第１基板におけるパッケージ形成領域の外側の領域に第１バンプを形成し、この第１バンプを介して両基板を重ね合わせて予備加熱をすることで、予備加熱工程により両基板から放出されたアウトガスは、第１バンプにより形成された第１基板、及び第２基板の間の隙間から外部に排出される。これにより、その後の接合工程でアウトガスがパッケージ内に放出されるのを抑制できるので、パッケージ内の良好な真空度を確保できる。
特に、その後の接合工程において、第１バンプをそのまま押し潰した状態で両基板を接合するため、予備加熱工程の後に従来のようにスペーサを引き抜く必要がない。これにより、両基板の位置合わせ後に位置ずれが発生する虞がないので、両基板を高精度に位置合わせした状態で接合できる。また、予備加熱工程の後に従来のようにスペーサを引き抜く必要がないので、製造効率の向上も図ることができる。
【００１２】
また、前記第１基板において、前記パッケージ形成領域上の電極パターンに前記電子部品を実装するための第２バンプを形成する第２バンプ形成工程を有し、前記第１バンプ形成工程と、前記第２バンプ形成工程とを同一工程で行うことを特徴としている。
この構成によれば、第１バンプ形成工程と第２バンプ形成工程とを同一工程で行うことで、第１バンプの追加に伴う製造工数の増加を抑制することができる。
【００１３】
また、前記第２基板の接合面おいて、前記第１バンプと対向する領域には、前記第１バンプの先端側を収容する位置決め凹部が形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、第１基板と第２基板とを位置合わせする際に、第１バンプの先端側が位置決め凹部内に収容されるように、両基板を重ね合わせることで、両者を高精度に位置合わせできるとともに、その後の位置ずれの虞もない。
さらに、位置決め凹部を形成することで、接合工程時に両基板により押し潰された第１バンプは、位置決め凹部内に収容されることになる。これにより、第１バンプを押し潰した状態で両基板を確実に密着させた上で、第１バンプが両基板間で広範囲に広がるのを抑制できる。その結果、両基板の接合面積を確保して、両基板をより強固に接合できる。
【００１４】
また、少なくとも前記第１基板の接合面において、前記第１バンプの周囲には、溜まり凹部が形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、接合工程時に両基板により押し潰された第１バンプは、溜まり凹部内に収容されることになる。これにより、第１バンプを押し潰した状態で両基板を確実に密着させた上で、第１バンプが両基板間で広範囲に広がるのを抑制できる。その結果、両基板の接合面積を確保して、両基板をより強固に接合できる。
【００１５】
また、第１バンプ形成工程では、前記第１基板の周方向に間隔をあけて前記第１バンプを少なくとも３つ以上形成することを特徴としている。
この構成によれば、両基板間の全域に亘って隙間が形成されることになるため、予備加熱工程において、両基板から放出されたアウトガスを効率的に外部へ排出できる。
【００１６】
また、前記第１基板と前記第１バンプとの間に、前記第１バンプと前記第１基板との密着性を高める密着膜が形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、第１基板上に密着膜を介して第１バンプを形成することで、両基板を重ね合わせる際に第１バンプがずれたり、倒れたりするのを抑制して、第２基板を安定して支持することができる。これにより、両基板をより高精度に位置合わせすることができる。
【００１７】
また、本発明の圧電振動子は、上記本発明のパッケージの製造方法により製造した前記パッケージの内部に、圧電振動片が封入されていることを特徴としている。
この構成によれば、上記本発明のパッケージの製造方法によって製造された圧電振動子であるため、等価抵抗値を低くすることができ、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
【００１８】
また、本発明に係る発振器は、上記本発明の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１９】
また、本発明に係る電子機器は、上記本発明の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴としている。
【００２０】
また、本発明に係る電波時計は、上記本発明の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴としている。
【００２１】
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、振動特性に優れた信頼性の高い製品を提供することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係るパッケージの製造方法によれば、製造効率の向上を図った上で、両基板を高精度に位置合わせでき、パッケージ内の真空度を確保できる。
また、本発明に係る圧電振動子によれば、上記本発明のパッケージの製造方法によって製造された圧電振動子であるため、等価抵抗値を低くすることができ、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、振動特性に優れた信頼性の高い製品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施形態における圧電振動子を示す外観斜視図である。
【図２】圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】圧電振動子の分解斜視図である。
【図５】図１に示す圧電振動子を製造する流れを示すフローチャートである。
【図６】圧電振動子の製造方法を説明するための工程図であって、ウエハ接合体の分解斜視図である。
【図７】予備加熱工程を説明するための説明図であって、予備加熱室の側面図である。
【図８】予備加熱工程を説明するための説明図であって、予備加熱室の平面図である。
【図９】接合工程を説明するための説明図であって、陽極接合室の側面図である。
【図１０】本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。
【図１１】本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図１２】本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【図１３】本実施形態の他の構成を示すベース基板用ウエハ、及びリッド基板用ウエハの断面図である。
【図１４】本実施形態の他の構成を示すベース基板用ウエハ、及びリッド基板用ウエハの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
（圧電振動子）
図１は、本実施形態における圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図である。また図２は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図３は図２に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図であり、図４は圧電振動子の分解斜視図である。
図１〜４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２及びリッド基板３が接合材２３を介して陽極接合された箱状のパッケージ１０と、パッケージ１０のキャビティＣ内に収納された圧電振動片（電子部品）５と、を備えた表面実装型の圧電振動子１である。そして、圧電振動片５とベース基板２の第１面２ａ（図３中下面）に設置された外部電極６，７とが、ベース基板２を貫通する一対の貫通電極８，９によって電気的に接続されている。
【００２５】
ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。ベース基板２には、一対の貫通電極８，９が形成される一対の貫通孔２１，２２が形成されている。貫通孔２１，２２は、ベース基板２の第１面２ａから第２面２ｂ（図３中上面）に向かって漸次径が縮径したテーパ形状をなしている。
【００２６】
リッド基板３は、ベース基板２と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板２に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。そして、リッド基板３の第１面３ｂ（図３中下面）側には、圧電振動片５が収容される矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、ベース基板２及びリッド基板３が重ね合わされたときに、圧電振動片５を収容するキャビティＣを形成する。そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して接合材２３を介して陽極接合されている。すなわち、リッド基板３の第１面３ｂ側は、中央部に形成された凹部３ａと、凹部３ａの周囲に形成され、ベース基板２との接合面となる額縁領域３ｃとを構成している。
【００２７】
圧電振動片５は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片５は、平行に配置された一対の振動腕部２４，２５と、一対の振動腕部２４，２５の基端側を一体的に固定する基部２６とからなる音叉型に形成されている。一対の振動腕部２４，２５の外表面上には、振動腕部２４，２５を互いに接近または離間する方向（幅方向）に所定の共振周波数で振動させる一対の励振電極（不図示）が形成されている。また、基部２６の外表面上には、一対のマウント電極（不図示）が形成され、図示しない引き出し電極を介して一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続されている。
【００２８】
このように構成された圧電振動片５は、図２，３に示すように、金等のバンプ（第２バンプ）Ｂを利用して、ベース基板２の第２面２ｂに形成された引き回し電極２７，２８上にバンプ接合されている。より具体的には、圧電振動片５の第１の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプＢを介して一方の引き回し電極２７上にバンプ接合され、第２の励振電極が他方のマウント電極及びバンプＢを介して他方の引き回し電極２８上にバンプ接合されている。これにより、圧電振動片５は、ベース基板２の第２面２ｂから浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極２７，２８とがそれぞれ電気的に接続された状態となる。なお、本実施形態の引き回し電極２７，２８は、クロムと金の積層膜であり、ガラス材料と密着性の良いクロムを下地膜として成膜した後に、その下地膜の表面に金を仕上げ層として成膜することにより形成されている。
【００２９】
外部電極６，７は、ベース基板２の第１面２ａにおける長手方向の両側に設置されており、各貫通電極８，９及び各引き回し電極２７，２８を介して圧電振動片５に電気的に接続されている。より具体的には、一方の外部電極６は、一方の貫通電極８及び一方の引き回し電極２７を介して圧電振動片５の一方のマウント電極に電気的に接続されている。また、他方の外部電極７は、他方の貫通電極９及び他方の引き回し電極２８を介して、圧電振動片５の他方のマウント電極に電気的に接続されている。
【００３０】
貫通電極８，９は、焼成によって貫通孔２１，２２に対して一体的に固定された筒体３２、及び芯材部３１によって形成されたものである。各貫通電極８，９は、貫通孔２１，２２を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、外部電極６，７と引き回し電極２７，２８とを導通させる役割を担っている。具体的に、一方の貫通電極８は、外部電極６と基部２６との間で引き回し電極２７の下方に位置しており、他方の貫通電極９は、外部電極７と振動腕部２５との間で引き回し電極２８の下方に位置している。
【００３１】
筒体３２は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体３２は、両端が平坦で、かつベース基板２と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体３２の中心には、芯材部３１が筒体３２を貫通するように配されている。また、本実施形態では貫通孔２１，２２の形状に合わせて、筒体３２の外形が円錐状（断面テーパ状）となるように形成されている。そして、この筒体３２は、貫通孔２１，２２内に埋め込まれた状態で焼成されており、これら貫通孔２１，２２に対して強固に固着されている。
【００３２】
芯材部３１は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体３２と同様に両端が平坦で、かつベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。
そして、芯材部３１を通して貫通電極８，９の電気導通性が確保されている。
【００３３】
リッド基板３の第１面３ｂ全体には、陽極接合用の接合材２３が形成されている。具体的に、接合材２３は、額縁領域３ｃ及び凹部３ａの内面全体に亘って形成されている。本実施形態の接合材２３はＳｉ膜で形成されているが、接合材２３をＡｌで形成することも可能である。なお接合材２３として、ドーピング等により低抵抗化したＳｉバルク材で形成することも可能である。そして後述するように、この接合材２３とベース基板２とが陽極接合され、キャビティＣが真空封止されている。
【００３４】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極６，７に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片５の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部２４，２５を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部２４，２５の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
【００３５】
（圧電振動子の製造方法）
次に、上述した圧電振動子の製造方法について、図５に示すフローチャートを参照しながら説明する。以下には、複数のベース基板２が連なるベース基板用ウエハ４０と、複数のリッド基板３が連なるリッド基板用ウエハ５０との間に複数の圧電振動片５を封入してウエハ接合体６０を形成し、ウエハ接合体６０を圧電振動子１毎に切断することにより複数の圧電振動子１を同時に製造する方法について説明する。なお、図６は、ウエハ接合体の分解斜視図であり、図６に示す破線Ｍは、後述する個片化工程（Ｓ１００）で切断する切断線を図示したものである。
図５に示すように、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）と、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）と、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）と、組立工程（Ｓ５０以下）と、を有している。そのうち、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）及びベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）は、並行して実施することが可能である。
【００３６】
（圧電振動片作製工程）
初めに、圧電振動片作製工程を行って図１〜４に示す圧電振動片５を作製する（Ｓ１０）。また、圧電振動片５を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。
【００３７】
（リッド基板用ウエハ作製工程）
リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）では、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を作製する。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。次いで、リッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａ（図６における下面）に、エッチング等により行列方向にキャビティＣ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ２２）。この際、リッド基板用ウエハ５０は、中央部に複数の凹部３ａが配列されたパッケージ形成領域Ｎ１を構成し、パッケージ形成領域Ｎ１の外側に凹部３ａが形成されない非形成領域Ｎ２を構成している。
次に、後述するベース基板用ウエハ４０との間の気密性を確保するために、ベース基板用ウエハ４０との接合面となるリッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａ側を少なくとも研磨する研磨工程（Ｓ２３）を行い、第１面５０ａを鏡面加工する。
【００３８】
次に、リッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａに接合材２３を形成する接合材形成工程（Ｓ２４）を行う。具体的には、まずスパッタやＣＶＤ等により、リッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａにおける全体（ベース基板用ウエハ４０との接合面及び凹部３ａの内面）に接合材２３を成膜する。その後、リッド基板用ウエハ５０の非形成領域Ｎ２において、後述するバンプスペーサ４２に対向する部分の接合材２３が除去されるようにパターニングする。なお、本実施形態では、リッド基板用ウエハ５０の非形成領域Ｎ２において、周方向に沿って間隔を空けて４箇所に接合材２３が形成されていない接合材除去部５１が設定されている。
以上により、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）が終了する。なお、接合材形成工程（Ｓ２４）の前に接合面を研磨しているので、接合材２３の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ４０との安定した接合を実現することができる。また、接合材除去部５１を設定せず、接合材２３を第１面５０ａの全体に形成しても構わない。この場合には、接合材２３のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。
【００３９】
（ベース基板用ウエハ作製工程）
まず、図５，６に示すように、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するベース基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。次いで、例えばプレス加工等により、ベース基板用ウエハ４０に一対の貫通電極８，９を配置するための貫通孔２１，２２を複数形成する貫通孔形成工程を行う（Ｓ３２）。具体的には、プレス加工によりベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａに凹部を形成した後、ベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂ側から研磨することで、凹部を貫通させ、貫通孔２１，２２を形成することができる。
【００４０】
続いて、貫通孔形成工程（Ｓ３２）で形成された貫通孔２１，２２内に貫通電極８，９を形成する貫通電極形成工程（Ｓ３３）を行う。具体的には、貫通孔２１，２２内に芯材部３１を挿入してガラスフリットを充填する。ガラスフリットは、主に粉末状のガラス粒子と、有機溶剤と、バインダ（固着剤）とにより構成されている。
そして、ガラスフリットを焼成して、ガラスの筒体３２、貫通孔２１，２２及び芯材部３１を一体化させる。このとき、ガラスフリット内部の有機溶剤やバインダ等が蒸発して、一酸化炭素（ＣＯ）や二酸化炭素（ＣＯ2）、水蒸気（Ｈ2Ｏ）等のアウトガスが発生し、ガラスフリットの外部に放出される。
最後に、ベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａ、及び第２面４０ｂを研磨して、芯材部３１を第１面４０ａ、及び第２面４０ｂに露出させつつ平坦面とすることにより、貫通孔２１，２２内に貫通電極８，９を形成する。これにより、貫通孔２１，２２内において、芯材部３１がベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂに対して面一な状態で保持され、貫通電極８，９を形成することができる。
【００４１】
次に、ベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂに導電性材料をパターニングして、引き回し電極２７，２８を形成する引き回し電極形成工程を行う（Ｓ３４）。この際、ベース基板用ウエハ４０は、上述したリッド基板用ウエハ５０と同様に、中央部に複数の引き回し電極２７，２８が配列されたパッケージ形成領域Ｎ１を構成し、パッケージ形成領域Ｎ１の外側に引き回し電極２７，２８が形成されない非形成領域Ｎ２を構成している。
そして、本実施形態の引き回し電極形成工程（Ｓ３４）では、ベース基板用ウエハ４０の非形成領域Ｎ２において、上述した接合材除去部５１に対向する位置に、引き回し電極２７，２８と同材料（例えばクロムと金の積層体）からなる密着膜４１（図７参照）が残存するように導電性材料をパターニングする。すなわち、密着膜４１は、非形成領域Ｎ２において周方向に間隔を空けて４箇所形成されている。
【００４２】
最後に、ベース基板用ウエハ４０の引き回し電極２７、２８上に、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）で作製された圧電振動片５をマウントするためのバンプ（第２バンプ）Ｂを形成する（Ｓ３５：バンプ形成工程（第１バンプ形成工程、及び第２バンプ形成工程））。バンプＢの形成方法は、引き回し電極２７，２８上における所定の位置に金線を溶接するスタッドバンプ法を採用することができる。
【００４３】
ここで、本実施形態のバンプ形成工程（Ｓ３５）では、上述した密着膜４１上、すなわち非形成領域Ｎ２において周方向に間隔を空けて４箇所にバンプＢと同形状のバンプスペーサ４２（第１バンプ）を形成する。バンプＢ、及びバンプスペーサ４２は、基端側から先端側に向かうに従い漸次先細る円錐台形状に形成され、その基端面、及び先端面が平坦に形成されている。また、バンプＢ、及びバンプスペーサ４２は、高さが例えば１００μｍ程度に形成されている。なお、図６では、バンプ形成工程（Ｓ３５）で形成されるバンプＢ、及びバンプスペーサ４２のうち、バンプスペーサ４２のみを誇張して表現し、バンプＢを省略している。
以上により、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）が終了する。
【００４４】
（組立工程）
次に、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）で作製されたベース基板用ウエハ４０の各引き回し電極２７，２８上に、バンプＢを介して圧電振動片５をマウントする（Ｓ５０）。具体的には、圧電振動片５の基部２６をバンプＢ上に載置し、バンプＢを所定温度に加熱しながら、圧電振動片５をバンプＢに押し付けつつ超音波振動を印加する。これにより、図３に示すように、圧電振動片５の振動腕部２４，２５がベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａから浮いた状態で、基部２６がバンプＢに機械的に固着される。
【００４５】
続いて、後述する接合工程（Ｓ７０）に先立ち、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０を予備加熱する予備加熱工程（Ｓ６０）を行う。予備加熱工程（Ｓ６０）は、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０を真空チャンバ内にセットするセット工程（Ｓ６１）と、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０を予備加熱するウエハ加熱工程（Ｓ６２）と、を有している。
予備加熱工程（Ｓ６０）では、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０の内部や、筒体３２に残存している有機溶剤やバインダ、水分等を予備加熱により蒸発させ、一酸化炭素（ＣＯ）や二酸化炭素（ＣＯ2）、水蒸気（Ｈ2Ｏ）等のアウトガスを放出している。そして、接合工程（Ｓ７０）の際、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０が後述する接合温度Ｆ１，Ｆ２まで上昇しても、アウトガスが放出されるのを抑制している。
【００４６】
（予備加熱工程）
図７，８は予備加熱工程を説明するための説明図であって、図７は予備加熱室の側面図であり、図８は平面図である。なお、図面をわかりやすくするために、各図では、バンプスペーサ４２の大きさを誇張して表現している。また、図８では、リッド基板用ウエハ５０および第１ヒータ７１の図示を省略している。
まず、図７，８に示すように、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０を予備加熱するため、真空チャンバ６５内の予備加熱室６７ａに、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０をセットする（Ｓ６１：セット工程Ｓ６１）。
【００４７】
真空チャンバ６５には真空ポンプＰが接続されており、この真空ポンプＰにより予備加熱室６７ａの圧力が調節可能になっている。なお、真空チャンバ６５内には、予備加熱室６７ａに隣接して陽極接合室６７ｂ（図９参照）が設けられており、予備加熱室６７ａと同様に陽極接合室６７ｂの圧力が調節可能になっている。
予備加熱室６７ａには、リッド基板用ウエハ５０を加熱する第１ヒータ７１と、ベース基板用ウエハ４０を加熱する第２ヒータ７２と、が設けられている。第１ヒータ７１及び第２ヒータ７２には、市販のホットプレート等が使用される。
【００４８】
リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０は、以下の手順で予備加熱室６７ａにセットする。
まず、後述する接合工程（Ｓ７０）で陰極となる電極７６を介して、ベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａを第２ヒータ７２の上面７２ａに当接させて、ベース基板用ウエハ４０を配置する。なお、電極７６は、ステンレスやカーボン（Ｃ）等で形成されている。また、第２ヒータ７２の上面７２ａには不図示の治具が配置されており、ベース基板用ウエハ４０が第２ヒータ７２に対して位置決めされる。さらに、治具を導電性材料により形成し、治具と電極を兼ねるような構成にしても構わない。
【００４９】
続いて、ベース基板用ウエハ４０の上にリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる。具体的には、両ウエハ４０，５０に形成された図示しないアライメントマークを指標としながら、両ウエハ４０，５０を正しい位置にアライメントする。このとき、リッド基板用ウエハ５０が、ベース基板用ウエハ４０の非形成領域Ｎ２に形成されたバンプスペーサ４２の先端面に当接した状態で両ウエハ４０，５０が重ね合わされる。すなわち、バンプスペーサ４２は、両ウエハ４０，５０に挟持された状態となり、両ウエハ４０，５０間には面方向の全域に亘ってバンプスペーサ４２の高さとほぼ同等の隙間Ｇが形成される。なお、上述したようにリッド基板用ウエハ５０の非形成領域Ｎ２において、バンプスペーサ４２に対向する部分は接合材２３が除去された接合材除去部５１が形成されているため、バンプスペーサ４２の先端面はリッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａに直接当接している。
【００５０】
その後、リッド基板用ウエハ５０の第２面５０ｂに第１ヒータ７１の下面７１ｂを当接させて、第１ヒータ７１を配置する。第１ヒータ７１の下面７１ｂには不図示の治具が配置されており、リッド基板用ウエハ５０が第１ヒータ７１に対して位置決めされる。
以上により、セット工程（Ｓ６１）が終了する。
【００５１】
続いて、第１ヒータ７１でリッド基板用ウエハ５０を加熱し、第２ヒータ７２でベース基板用ウエハ４０を加熱する、ウエハ加熱工程（Ｓ６２）を行う。ウエハ加熱工程（Ｓ６２）では、真空下で、第１ヒータ７１の設定温度をＴ１としてリッド基板用ウエハ５０の第２面５０ｂに当接させ、第２ヒータ７２の設定温度をＴ２としてベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａに当接させている。
【００５２】
ところで、予備加熱工程（Ｓ６０）では、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０の外部にアウトガスを排出することで、後述する接合工程（Ｓ７０）の際、アウトガスが放出されるのを抑制することを目的としている。したがって、予備加熱工程（Ｓ６０）におけるリッド基板用ウエハ５０の実温度が、接合工程（Ｓ７０）におけるリッド基板用ウエハ５０の接合温度Ｆ１を確実に上回っている必要がある。また同様に、予備加熱工程（Ｓ６０）では、ベース基板用ウエハ４０の実温度が、接合工程（Ｓ７０）におけるベース基板用ウエハ４０の接合温度Ｆ２を確実に上回っている必要がある。
【００５３】
ここで、予備加熱工程（Ｓ６０）では、リッド基板用ウエハ５０とベース基板用ウエハ４０との間に、バンプスペーサ４２により隙間Ｇが形成されるため、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０の熱が隙間Ｇから放熱される虞がある。このため、予備加熱工程（Ｓ６０）におけるリッド基板用ウエハ５０の実温度は、第１ヒータ７１の設定温度であるＴ１を大幅に下回り、さらに接合工程（Ｓ７０）におけるリッド基板用ウエハ５０の接合温度Ｆ１を下回るおそれがある。また、予備加熱工程（Ｓ６０）におけるベース基板用ウエハ４０の実温度は、第２ヒータ７２の設定温度であるＴ２を大幅に下回り、さらに接合温度Ｆ２を下回る虞がある。このため、予備加熱工程（Ｓ６０）で、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０の外部へのアウトガスの放出が不十分となり、接合工程（Ｓ７０）でアウトガスを放出してしまう虞がある。
【００５４】
そこで、各ヒータ７１，７２の温度と各ウエハ４０，５０の実温度との差分を予め測定しておき、この差分を考慮して予備加熱工程（Ｓ６０）における各ヒータ７１，７２の設定温度Ｔ１，Ｔ２を決定することが望ましい。各ヒータ７１，７２で両ウエハ４０，５０をそれぞれ加熱すると、両ウエハ４０，５０及びガラスフリットからなる筒体３２からアウトガスが放出される。放出されたアウトガスは、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０との隙間Ｇから、真空チャンバ６５の予備加熱室６７ａ内に放出される。そして、所定時間（例えばアウトガスが放出しきると想定される時間）経過した後、ウエハ加熱工程（Ｓ６２）を終了する。以上で、予備加熱工程（Ｓ６０）が終了する。
【００５５】
（接合工程）
図９は、接合工程を説明するための説明図であって、陽極接合室の側面図である。
次に、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０を陽極接合する接合工程（Ｓ７０）を行う。具体的には、図９に示すように、まず真空状態のまま、第１ヒータ７１、及び第２ヒータ７２とともに、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０を予備加熱室６７ａから陽極接合室６７ｂに移動する。陽極接合室６７ｂでは、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０は、上述のセット工程（Ｓ６１）と同じ状態でセットされる。
【００５６】
続いて、不図示の加圧装置で第１ヒータ７１の上面７１ａを押圧して、ベース基板用ウエハ４０にリッド基板用ウエハ５０を押付ける。なお、加圧装置の押圧力は、例えば５００Ｎ程度である。すると、ベース基板用ウエハ４０に形成されたバンプスペーサ４２が両ウエハ４０，５０間で押し潰されることで、両ウエハ４０，５０が密着する。この際、バンプスペーサ４２は、先端側にかけて漸次先細る円錐台形状に形成されているため、先端側から簡単に押し潰し易くなっている。
【００５７】
続いて、加圧装置で押圧しながら、各ヒータ７１，７２により各ウエハ４０，５０をそれぞれ接合温度Ｆ１，Ｆ２に加熱する。この際、第２ヒータ７２の温度を第１ヒータ７１の温度よりも若干高く設定するのが望ましい。これにより、接合工程（Ｓ７０）でベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を接合した後に反りが発生するのを防止できる。
ここで、上述した予備加熱工程（Ｓ６０）では、接合温度Ｆ１，Ｆ２よりも高温になるように、両ウエハ４０，５０を加熱している。したがって、接合工程（Ｓ７０）で両ウエハ４０，５０からアウトガスが放出されることがない。
【００５８】
続いて、加圧装置で押圧しつつ第１ヒータ７１および第２ヒータ７２で加熱しながら、リッド基板用ウエハ５０の接合材２３を電源７７の陽極電極に、ベース基板用ウエハ４０と第２ヒータ７２との間に配置された電極７６を電源７７の陰極電極に接続し、各電極間に例えば５００Ｖ程度の電圧を印加する。すると、接合材２３とベース基板用ウエハ４０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着することで、リッド基板用ウエハ５０とベース基板用ウエハ４０とを接合することができる。
これにより、圧電振動片５をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合されたウエハ接合体６０を得ることができる。以上で、接合工程（Ｓ７０）が終了する。
【００５９】
この後、一対の貫通電極８，９にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極６，７を形成し（Ｓ８０）、圧電振動子１の周波数を微調整する（Ｓ９０）。
そして、接合されたウエハ接合体６０を切断線Ｍに沿って切断し、個片化する個片化工程（Ｓ１００）を行う。
【００６０】
そして、電気特性検査工程（Ｓ１１０）では、圧電振動子１の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等も併せてチェックする。
最後に、圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。
以上により、圧電振動子１が完成する。
【００６１】
このように、本実施形態では、ベース基板用ウエハ４０の非形成領域Ｎ２にバンプスペーサ４２を形成し、このバンプスペーサ４２を介して両ウエハ４０，５０を重ね合わせて予備加熱をした後、バンプスペーサ４２を押し潰した状態で陽極接合を行う構成とした。
この構成によれば、予備加熱工程（Ｓ６０）を行うことで、接合工程（Ｓ７０）の前にアウトガスを放出させることができる。その際、両ウエハ４０，５０の間にバンプスペーサ４２を配置して予備加熱工程（Ｓ６０）を行っているので、予備加熱工程（Ｓ６０）により両ウエハ４０，５０や筒体３２から放出されたアウトガスは、バンプスペーサ４２により形成された隙間Ｇから外部に排出される。これにより、その後の接合工程（Ｓ７０）でアウトガスがパッケージ１０内に放出されるのを抑制できるので、パッケージ１０内の良好な真空度を確保できる。
【００６２】
特に、本実施形態では、セット工程（Ｓ６１）において両ウエハ４０，５０を位置合わせした後、接合工程（Ｓ７０）においてバンプスペーサ４２をそのまま押し潰した状態で両ウエハ４０，５０を接合するため、従来のように予備加熱工程（Ｓ６０）の後にスペーサを引き抜く必要がない。これにより、両ウエハ４０，５０の位置合わせ後に位置ずれが発生する虞がないので、両ウエハ４０，５０を高精度に位置合わせした状態で接合できる。また、従来のようにスペーサを引き抜く必要がないので、製造効率の向上も図ることができる。なお、ウエハ接合体６０においてバンプスペーサ４２を押し潰した領域では、両ウエハ４０，５０同士は接合されないが、本実施形態のバンプスペーサ４２はパッケージ形成領域Ｎ１の外側、すなわち非形成領域Ｎ２に形成しているため、個片化工程（Ｓ１００）においてパッケージ１０と非形成領域Ｎ２とは分離される。したがって、個片化された圧電振動子１の振動特性等に何ら影響を与えるものではない。
そして、このように高精度に位置合わせされるとともに、良好な真空度が確保されたパッケージ１０の内部に圧電振動片５が封入されて圧電振動子１が構成されているので、等価抵抗値を低くすることができ、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子１を提供できる。
【００６３】
また、本実施形態のバンプスペーサ４２は、上述したバンプ形成工程（Ｓ３５）において、圧電振動片５のマウント用のバンプＢと同一工程で形成するため、バンプスペーサ４２の追加に伴う製造工数の増加を抑制することができる。
さらに、ベース基板用ウエハ４０の周方向に沿ってバンプスペーサ４２を４箇所形成することで、両ウエハ４０，５０の全域に亘って隙間Ｇが形成されることになるため、予備加熱工程（Ｓ６０）において、効率的にアウトガスを外部へ排出できる。
【００６４】
また、ベース基板用ウエハ４０上に密着膜４１を介してバンプスペーサ４２を形成することで、ベース基板用ウエハ４０とバンプスペーサ４２との密着性を向上させることができる。これにより、バンプスペーサ４２がベース基板用ウエハ４０からずれたり、倒れたりするのを抑制して、セット工程（Ｓ６１）においてリッド基板用ウエハ５０を安定して支持することができる。その結果、両ウエハ４０，５０をより高精度に位置合わせすることができる。
【００６５】
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１０を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図１０に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上述した集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【００６６】
このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、この圧電振動子１内の圧電振動片５が振動する。この振動は、圧電振動片５が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。
これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
【００６７】
本実施形態の発振器１００は、上記のように信頼性の高い圧電振動子１を備えているので、発振器１００自体の信頼性も確保することができ、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。
【００６８】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１１を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
【００６９】
次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器１１０は、図１１に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【００７０】
制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、このＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、このＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【００７１】
計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片５が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
【００７２】
通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【００７３】
また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【００７４】
電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【００７５】
すなわち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。
【００７６】
本実施形態の携帯情報機器１１０は、上記のように信頼性の高い圧電振動子１を備えているので、携帯情報機器１１０自体の信頼性も確保することができ、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。
【００７７】
（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１２を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、図１２に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【００７８】
以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上述した搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。
【００７９】
さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【００８０】
なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【００８１】
本実施形態の電波時計１３０は、上記のように信頼性の高い圧電振動子１を備えているので、電波時計１３０自体の信頼性も確保することができ、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。
【００８２】
以上、本発明の技術範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述した実施形態では、本発明に係るパッケージの製造方法を使用しつつ、パッケージの内部に圧電振動片を封入して圧電振動子を製造したが、パッケージの内部に圧電振動片以外の電子部品を封入して、圧電振動子以外のデバイスを製造することも可能である。
また、上述した実施形態では、音叉型の圧電振動片５を用いた圧電振動子１を例に挙げて本発明のパッケージの製造方法を説明したが、これに限らず、例えばＡＴカット型の圧電振動片（厚み滑り振動片）を用いた圧電振動子等に、本発明を適用しても構わない。
【００８３】
さらに、上述した実施形態においては、リッド基板用ウエハ５０に接合材２３を形成する構成について説明したが、ベース基板用ウエハ４０におけるリッド基板用ウエハ５０の額縁領域３ｃに対向する領域に接合材２３を形成しても構わない。
また、上述した実施形態では、バンプスペーサ４２を４箇所形成した場合について説明したが、３箇所以下でも５箇所以上でも構わない。
さらに、バンプスペーサ４２の形状は、円錐台形状に限らず、種々の形状を採用することができる。
【００８４】
また、例えば図１３に示すように、少なくともリッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａにおいて、バンプスペーサ４２に対向する部分（接合材除去部５１）に、バンプスペーサ４２の先端側を収容する位置決め凹部８０を形成しても構わない。この場合、図１３（ａ）に示すセット工程（Ｓ６１）において、バンプスペーサ４２の先端側が位置決め凹部８０内に収容されるように、両ウエハ４０，５０を重ね合わせることで、両者を高精度に位置合わせできるとともに、その後の位置ずれの虞もない。
【００８５】
また、図１３（ｂ）に示すように、位置決め凹部８０を形成することで、接合工程（Ｓ７０）時に両ウエハ４０，５０により押し潰されたバンプスペーサ４２は、位置決め凹部８０内に収容されることになる。これにより、バンプスペーサ４２を押し潰した状態で両ウエハ４０，５０を確実に密着させた上で、バンプスペーサ４２が両ウエハ４０，５０間で広範囲に広がるのを抑制できる。その結果、両ウエハ４０，５０の接合面積を確保して、両ウエハ４０，５０をより強固に接合できる。なお、位置決め凹部８０は、リッド基板用ウエハ５０だけに限らず、ベース基板用ウエハ４０の双方に形成しても構わない。これにより、ベース基板用ウエハ４０の位置決め凹部８０をバンプスペーサ４２の形成時における指標とすることができる。
【００８６】
さらに、例えば図１４に示すように、ベース基板用ウエハ４０におけるバンプスペーサ４２の周囲を取り囲むように、溜まり凹部８１を形成しても構わない。この場合、図１４（ｂ）に示すように、接合工程（Ｓ７０）時に両ウエハ４０，５０により押し潰されたバンプスペーサ４２は、溜まり凹部８１内に収容されることになる。これにより、バンプスペーサ４２を押し潰した状態で両ウエハ４０，５０を確実に密着させた上で、バンプスペーサ４２が両ウエハ４０，５０間で広範囲に広がるのを抑制できる。その結果、両ウエハ４０，５０の接合面積を確保して、両ウエハ４０，５０をより強固に接合できる。なお、溜まり凹部は、ベース基板用ウエハ４０だけに限らず、リッド基板用ウエハ５０の双方に形成しても構わない。
【符号の説明】
【００８７】
１…圧電振動子  ３ａ…凹部  ５…圧電振動片（電子部品）  １０…パッケージ  ２３…接合材  ２７，２８…引き回し電極（電極パターン）  ４０…ベース基板用ウエハ（第１基板）  ４１…密着膜  ４２…バンプスペーサ（第１バンプ）  ５０…リッド基板用ウエハ（第２基板）  ８０…位置決め凹部  ８１…溜まり凹部  １００…発振器  １０１…集積回路  １１０…携帯情報機器（電子機器）  １１３…計時部  １３０…電波時計  １３１…フィルタ部  Ｂ…バンプ（第２バンプ）  Ｃ…キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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