(57)【要約】      （修正有）【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置ＥＸは、液体を介して露光光ＥＬで基板を露光する。露光装置ＥＸは、露光光が射出される射出面９を有し、射出面９側に液体の液浸空間が形成される光学部材と、計測光が照射される導電性の第１膜２３を有する計測部材Ｃと、光学部材の周囲の少なくとも一部において計測部材Ｃが対向可能に配置され、計測部材Ｃとの間で液体を保持可能な液浸部材４と、第１膜２３及び液浸部材４の少なくとも一方に交流電圧を加える電圧調整装置６０と、を備える。【選択図】図４
2013074177.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光が射出される射出面を有し、前記射出面側に前記液体の液浸空間が形成される光学部材と、
計測光が照射される導電性の第１膜を有する計測部材と、
前記光学部材の周囲の少なくとも一部において前記計測部材が対向可能に配置され、前記計測部材との間で液体を保持可能な液浸部材と、
前記第１膜及び前記液浸部材の少なくとも一方に交流電圧を加える電圧調整装置と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記射出面と対向可能な前記計測部材の上面の少なくとも一部は、前記第１膜の表面を含む請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記計測部材は、前記第１膜の少なくとも一部を覆うように配置される絶縁性の第２膜を有する請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記射出面と対向可能な前記計測部材の上面の少なくとも一部は、前記第２膜の表面を含み、
前記第２膜を介して前記第１膜に前記計測光が照射される請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記計測部材は、前記第２膜の少なくとも一部を覆うように配置される、前記液体に対して前記第１膜よりも撥液性の第３膜を含む請求項３又は４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記射出面と対向可能な前記計測部材の上面の少なくとも一部は、前記第３膜の表面を含む請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記計測部材は、前記第１膜の少なくとも一部を覆うように配置される、前記液体に対して前記第１膜よりも撥液性の第３膜を含む請求項３又は４に記載の露光装置。
【請求項８】
前記射出面と対向可能な前記計測部材の上面の少なくとも一部は、前記第３膜の表面を含む請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記計測光は、前記第３膜を介さずに、前記第１膜に照射される請求項５〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第３膜は、フッ素を含む請求項５〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記計測部材上に前記液体を供給する供給口を備え、
前記液体を介して前記計測部材に前記計測光が照射される請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記電圧調整装置は、前記計測光の前記第１膜への照射の少なくとも一部と並行して、前記交流電圧を加える請求項１〜１１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記計測部材は、前記射出面と対向可能であり前記計測光が入射する第１部分と前記第１部分の周囲の少なくとも一部に配置され前記液体に対して前記第１膜よりも撥液性の第３膜の表面を含む第２部分とを含む上面を有し、
前記電圧調整装置は、前記液浸空間の液体の界面の少なくとも一部が前記第２部分に位置するとき、前記交流電圧を加える請求項１に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記電圧調整装置は、前記界面の少なくとも一部が前記第２部分に位置した状態で前記計測部材が移動するとき、前記交流電圧を加える請求項１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記電圧調整装置は、前記計測部材が第１移動条件で移動するときに第１電圧を加え、前記計測部材が第２移動条件で移動するときに第２電圧を加える請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記第１移動条件においては、前記界面が前記第２部分から前記第１部分へ移動し、前記第２移動条件においては、前記界面が前記第１部分から前記第２部分へ移動する請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記第１移動条件における前記計測部材の移動速度は、前記第２移動条件における前記計測部材の移動速度と異なる請求項１５又は１６に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記第１部分の少なくとも一部は、前記第１膜の表面を含む請求項１３〜１７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記計測部材は、前記第１膜の少なくとも一部を覆う絶縁性の第２膜を有し、
前記第１部分の少なくとも一部は、前記第２膜の表面を含む請求項１３〜１８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記第３膜は、フッ素を含む請求項１３〜１９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記光学部材と前記計測部材との間に前記液体を供給する供給口を備える請求項１３〜２０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記電圧調整装置は、アースされる請求項１〜２１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記光学部材に対して移動可能なステージを備え、
前記計測部材は、前記ステージに配置され、
前記電圧調整装置の少なくとも一部は、前記ステージに設けられる請求項１〜２２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記第１膜は、クロム、銅、白金、及びタンタルの少なくとも一つを含む請求項１〜２３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記第１膜は、遮光膜を含む請求項１〜２４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２６】
前記計測光は、前記射出面から射出される前記露光光を含む請求項１〜２５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２７】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光が射出される射出面を有し、前記射出面側に前記液体の液浸空間が形成される光学部材と、
計測光が照射される第１導電部、及び前記第１導電部の周囲の少なくとも一部に配置され、前記第１導電部に対して絶縁された第２導電部を有する計測部材と、を備え、
前記第２導電部がアースされている露光装置。
【請求項２８】
前記射出面と対向可能な前記計測部材の上面の少なくとも一部は、撥液膜の表面を含む請求項２７に記載の露光装置。
【請求項２９】
前記撥液膜は、フッ素を含む請求項２８に記載の露光装置。
【請求項３０】
前記計測部材は、前記第１導電部と前記第２導電部とを絶縁する絶縁部を有する請求項２８又は２９に記載の露光装置。
【請求項３１】
前記計測部材の絶縁部の少なくとも一部は、前記撥液膜と前記第１導電部との間に配置される請求項３０に記載の露光装置。
【請求項３２】
前記計測部材の絶縁部の少なくとも一部は、前記第１導電部の少なくとも一部を覆うように配置される請求項３０に記載の露光装置。
【請求項３３】
前記第１導電部は、開口を有し、
前記絶縁部を介して前記第１導電部の前記開口に前記計測光が入射する請求項３１又は３２に記載の露光装置。
【請求項３４】
前記射出面と対向可能な前記計測部材の上面の少なくとも一部は、前記絶縁部の表面を含み、
前記絶縁部を介して前記第１導電部に前記計測光が照射される請求項３０〜３３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３５】
前記計測部材の絶縁部の少なくとも一部は、前記撥液膜と前記第２導電部との間に配置される請求項３０〜３４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３６】
前記計測部材上に前記液体を供給する供給口を備え、
前記液体を介して前記計測部材に前記計測光が照射される請求項２７〜３３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３７】
前記計測部材上に供給された前記液体は、前記第１導電部及び前記第２導電部と接触しない請求項３６に記載の露光装置。
【請求項３８】
前記光学部材に対して移動可能なステージを備え、
前記計測部材は、前記ステージに配置され、
前記第２導電部は、前記ステージを介してアースされる請求項２７〜３７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３９】
前記第１導電部及び前記第２導電部の一方又は両方は、クロム、銅、白金、及びタンタルの少なくとも一つを含む請求項２７〜３８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項４０】
前記第１導電部は、遮光膜を含む請求項２７〜３９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項４１】
前記計測光は、前記射出面から射出される前記露光光を含む請求項２７〜４０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項４２】
請求項１〜４１のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項４３】
液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
光学部材の射出面から射出される前記露光光が照射可能な位置に配置可能な計測部材が有する導電性の第１膜に計測光を照射することと、
前記第１膜、及び前記光学部材の周囲の少なくとも一部において前記計測部材が対向可能に配置され、前記計測部材との間で液体を保持可能な液浸部材の少なくとも一方に交流電圧を加えることと、
前記計測部材を用いる前記計測の結果に基づいて、前記射出面側に形成された前記液体の液浸空間を介して前記基板を露光することと、を含む露光方法。
【請求項４４】
液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
光学部材の射出面から射出される前記露光光が照射可能な位置に配置可能な第１導電部及び前記第１導電部の周囲の少なくとも一部に配置され前記第１導電部に対して絶縁された第２導電部を有する計測部材の前記第１導電部に計測光を照射することと、
前記第２導電部をアースすることと、
前記計測部材を用いる前記計測の結果に基づいて、前記射出面側に形成された前記液体の液浸空間を介して前記基板を露光することと、を含む露光方法。
【請求項４５】
請求項４３又は４４に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が案出されている。下記特許文献には、計測部材を備える液浸露光装置に関する技術の一例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／２４２２４２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
計測部材が劣化すると、その計測部材を用いる計測精度が低下する可能性がある。例えば、計測部材が計測用の開口（パターン）を備えている場合、その開口の形状が変化すると、その計測部材を用いる計測精度が低下する可能性がある。計測部材を用いる計測結果に基づいて露光が実行される場合、計測精度が低下すると、露光不良が発生し、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有し、射出面側に液体の液浸空間が形成される光学部材と、計測光が照射される導電性の第１膜を有する計測部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部において計測部材が対向可能に配置され、計測部材との間で液体を保持可能な液浸部材と、第１膜及び液浸部材の少なくとも一方に交流電圧を加える電圧調整装置と、を備える露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有し、射出面側に液体の液浸空間が形成される光学部材と、計測光が照射される第１導電部、及び第１導電部の周囲の少なくとも一部に配置され、第１導電部に対して絶縁された第２導電部を有する計測部材と、を備え、第２導電部がアースされている露光装置が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、第１又は第２の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光が照射可能な位置に配置可能な計測部材が有する導電性の第１膜に計測光を照射することと、第１膜、及び光学部材の周囲の少なくとも一部において計測部材が対向可能に配置され、計測部材との間で液体を保持可能な液浸部材の少なくとも一方に交流電圧を加えることと、計測部材を用いる計測の結果に基づいて、射出面側に形成された液体の液浸空間を介して基板を露光することと、を含む露光方法が提供される。
【００１０】
本発明の第５の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光が照射可能な位置に配置可能な第１導電部及び第１導電部の周囲の少なくとも一部に配置され第１導電部に対して絶縁された第２導電部を有する計測部材の第１導電部に計測光を照射することと、第２導電部をアースすることと、計測部材を用いる計測の結果に基づいて、射出面側に形成された液体の液浸空間を介して基板を露光することと、を含む露光方法が提供される。
【００１１】
本発明の第６の態様に従えば、第４又は第５の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る計測部材の一例を示す側断面図である。
【図３】第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの一例を示す斜視図である。
【図４】第１実施形態に係る計測部材及び液浸部材の一例を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る計測部材及び液体の状態の一例を示す模式図である。
【図６】第１実施形態に係る計測部材及び液体の状態の一例を示す模式図である。
【図７】第２実施形態に係る計測部材及び液浸部材の一例を示す図である。
【図８】計測部材の一例を示す側断面図である。
【図９】第３実施形態に係る計測部材の一例を示す側断面図である。
【図１０】第３実施形態に係る計測部材の一例を示す平面図である。
【図１１】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１５】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。また、本実施形態においては、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である場合を例にして説明する。
【００１６】
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、計測部材Ｃを保持して移動可能な計測ステージ３と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材４と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置５とを備えている。
【００１７】
液浸空間は、液体で満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハと、その半導体ウエハ上に形成された感光材の膜とを含む。
【００１８】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態においては、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。なお、露光光ＥＬとして、ＫｒＦエキシマレーザ光を用いてもよい。
【００１９】
マスクステージ１は、第１定盤６のガイド面（上面）において移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持する保持部７を有する。マスクステージ１は、保持部７に保持されたマスクＭを、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置に移動可能である。マスクステージ１は、駆動システムの作動により移動可能である。駆動システムは、マスクステージ１に配置された可動子と、第１定盤６に配置された固定子とを有する平面モータを含む。なお、平面モータの一例が、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されている。マスクステージ１は、駆動システムの作動により、第１定盤６のガイド面上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２０】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面９を有する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１０が射出面９を有する。液体ＬＱの液浸空間ＬＳは、射出面９側に形成される。投影領域ＰＲは、射出面９から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態において、射出面９から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。
【００２１】
基板ステージ２及び計測ステージ３は、第２定盤１１のガイド面（上面）において移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する保持部１２を有する。基板ステージ２は、射出面９から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置に移動可能である。計測ステージ３は、計測部材Ｃをリリース可能に保持する保持部１３を有する。計測ステージ３は、射出面９から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置に移動可能である。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、駆動システムの作動により移動可能である。駆動システムは、基板ステージ２に配置された可動子と、計測ステージ３に配置された可動子と、第２定盤１１に配置された固定子とを有する平面モータを含む。なお、平面モータの一例が、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されている。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、駆動システムの作動により、第２定盤１１のガイド面上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２２】
本実施形態において、基板ステージ２は、米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、及び米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、保持部１２の周囲の少なくとも一部に配置され、カバー部材Ｔをリリース可能に保持する保持部１４を有する。計測ステージ３は、保持部１３の周囲の少なくとも一部に配置され、カバー部材Ｓをリリース可能に保持する保持部１５を有する。
【００２３】
マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置は、干渉計システム１７によって計測される。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置５は、干渉計システム１７の計測結果に基づいて駆動システムを作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３（計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。
【００２４】
次に、計測部材Ｃについて説明する。図２は、本実施形態に係る計測部材Ｃの一例を示す側断面図である。
【００２５】
図２において、計測部材Ｃは、射出面９に対向可能な上面Ｃａと、上面Ｃａの反対の方向を向く下面Ｃｂとを有する。保持部１３は、下面Ｃｂの少なくとも一部を保持する。計測部材Ｃが保持部１３に保持された状態で、上面Ｃａは、＋Ｚ方向を向く。計測部材Ｃが保持部１３に保持された状態で、上面Ｃａは、射出面９と対向可能である。
【００２６】
本実施形態において、計測部材Ｃは、計測光を透過可能な基材２１と、基材２１に形成され、計測光が照射される導電性の第１膜２３とを備えている。また、本実施形態において、計測部材Ｃは、第１膜２３の少なくとも一部を覆う絶縁性の第２膜２４を有する。また、本実施形態において、計測部材Ｃは、第２膜２４の少なくとも一部を覆う撥液性の第３膜２５を有する。
【００２７】
本実施形態において、基材２１は、石英ガラスで形成されている。石英ガラスは、計測光を透過可能である。なお、基材２１が、計測光を透過可能な螢石で形成されてもよい。
【００２８】
本実施形態において、基材２１は、ほぼ直方体である。図２において、基材２１は、＋Ｚ方向を向く上面２１Ａと、上面２１Ａの反対の−Ｚ方向を向く下面２１Ｂと、上面２１Ａのエッジと下面２１Ｂのエッジとを結ぶ側面２１Ｃ、２１Ｄ、２１Ｅ、２１Ｆとを有する。側面２１Ｃは、＋Ｙ方向を向く。側面２１Ｄは、−Ｙ方向を向く。側面２１Ｅは、＋Ｘ方向を向く。側面２１Ｆは、−Ｘ方向を向く。なお、図２において、側面２１Ｅ、２１Ｆは示されていない。
【００２９】
第１膜２３は、導電性である。第１膜２３は、計測光に対して遮光性である。すなわち、第１膜２３は、計測光の通過を遮る。なお、第１膜２３は、照射された計測光を全て遮ってもよいし、遮らなくてもよい。すなわち、計測光に対する第１膜２３の透過率が０％でもよいし、所望の精度で計測光の計測を実行できるのであれば、第１膜２３が計測光を僅かに透過させてもよい。
【００３０】
以下の説明において、第１膜２３を適宜、遮光膜２３、と称する。
【００３１】
本実施形態において、遮光膜２３は、クロム（Ｃｒ）で形成されている。なお、遮光膜２３が、銅（Ｃｕ）で形成されてもよいし、白金（Ｐｔ）で形成されてもよいし、タンタル（Ｔａ）で形成されてもよい。あるいは、遮光膜２３が、金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、及びニッケルの少なくとも一つで形成されていてもよい。あるいは、遮光膜２３が、クロム、白金、タンタル、金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、及びニッケルの少なくとも一つを含む合金で形成されてもよい。
【００３２】
遮光膜２３は、基材２１の上面２１Ａの少なくとも一部に配置される。また、本実施形態において、遮光膜２３は、側面２１Ｃ、２１Ｄの少なくとも一部に配置される。また、本実施形態において、遮光膜２３は、下面２１Ｂの少なくとも一部に配置される。上面２１Ａに配置される遮光膜２３と、側面２１Ｃ、２１Ｄに配置される遮光膜２３とは、接続される。側面２１Ｃ、２１Ｄに配置される遮光膜２３と、下面２１Ｂに配置される遮光膜２３とは、接続される。すなわち、本実施形態において、上面２１Ａに配置される遮光膜２３と下面２１Ｂに配置される遮光膜２３とは、側面２１Ｃ、２１Ｄに配置される遮光膜２３を介して、電気的に接続される。
【００３３】
本実施形態において、遮光膜２３は、基材２１の表面（上面２１Ａ、下面２１Ｂ、側面２１Ｃ、２１Ｄ、２１Ｅ、２１Ｆ）と接触する。なお、基材２１と遮光膜２３との間に、遮光膜２３とは別の膜（中間膜）が配置されてもよい。
【００３４】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書等に開示されているような投影光学系ＰＬの空間像（結像特性）を計測可能な空間像計測システム１８を備えている。本実施形態において、計測部材Ｃは、空間像計測システム１８の一部を構成する。
【００３５】
本実施形態において、計測光は、終端光学素子１０の射出面９から射出される露光光ＥＬを含む。すなわち、計測部材Ｃを用いる計測において、計測部材Ｃに射出面９からの露光光ＥＬが照射される。
【００３６】
本実施形態において、計測部材Ｃは、露光光ＥＬが入射可能な開口２２を有する。遮光膜２３は、開口２２を規定する。
【００３７】
開口２２は、上面２１Ａにおいて遮光膜２３が設けられていない部分である。本実施形態において、開口２２は、上面２１Ａのほぼ中央に配置される。本実施形態において、上面２１Ａと平行なＸＹ平面内における開口２２の形状は、Ｘ軸方向に長いスリット状である。本実施形態においては、開口２２の内側において基材２１の一部が露出する。
【００３８】
本実施形態において、計測部材Ｃは、遮光膜２３の少なくとも一部を覆う絶縁性の第２膜２４を有する。第２膜２４は、遮光膜２３よりも電気を通しにくい。
【００３９】
以下の説明において、第２膜２４を適宜、絶縁膜２４、と称する。
【００４０】
本実施形態において、絶縁膜２４は、露光光（計測光）ＥＬに対して透過性である。すなわち、露光光（計測光）ＥＬは、絶縁膜２４を透過可能である。
【００４１】
本実施形態において、絶縁膜２４は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を含む。なお、絶縁膜２４が、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、あるいはフッ化カルシウム（ＣａＦ２）からなる微粒子を含んでもよい。
【００４２】
本実施形態において、絶縁膜２４の少なくとも一部は、開口２２の内側に配置される。本実施形態においては、開口２２の内側において、絶縁膜２４は、基材２１の上面２１Ａと接触する。また、絶縁膜２４は、＋Ｚ方向を向く遮光膜２３の上面２３Ａを覆うように配置される。本実施形態において、絶縁膜２４は、遮光膜２３の上面２３Ａと接触する。なお、遮光膜２３と絶縁膜２４の間に、遮光膜２３及び絶縁膜２４とは別の膜（中間膜）が配置されてもよい。
【００４３】
本実施形態において、計測部材Ｃは、絶縁膜２４の少なくとも一部を覆う撥液性の第３膜２５を有する。第３膜２５は、遮光膜２３よりも電気を通しにくい。本実施形態において、第３膜２５は、絶縁性の膜（絶縁膜）である。
【００４４】
以下の説明において、第３膜２５を適宜、撥液膜２５、と称する。
【００４５】
本実施形態において、撥液膜２５は、液体ＬＱに対して撥液性である。液体ＬＱに対する撥液膜２５の表面の接触角は、例えば９０度よりも大きい。
【００４６】
本実施形態において、撥液膜２５の上面（表面）２５Ａは、遮光膜２３よりも液体ＬＱに対して撥液性である。また、撥液膜２５の上面（表面）２５Ａは、絶縁膜２４よりも液体ＬＱに対して撥液性である。
【００４７】
本実施形態において、撥液膜２５は、フッ素を含む。本実施形態において、撥液膜２５は、例えば国際公開第２００５／０５５２９６号パンフレットに開示されているような、非晶質フッ素樹脂を含む。
【００４８】
撥液膜２５は、開口２２の周囲の少なくとも一部に配置される。また、撥液膜２５は、＋Ｚ方向を向く絶縁膜２４の上面２４Ａの一部を覆うように配置される。本実施形態において、撥液膜２５は、絶縁膜２４の上面２４Ａと接触する。なお、絶縁膜２４と撥液膜２５の間に、絶縁膜２４及び撥液膜２５とは別の膜（中間膜）が配置されてもよい。
【００４９】
本実施形態において、上面Ｃａの少なくとも一部は、＋Ｚ方向を向く絶縁膜２４の上面２４Ａを含む。また、本実施形態において、上面Ｃａの少なくとも一部は、＋Ｚ方向を向く撥液膜２５の上面２５Ａを含む。本実施形態において、遮光膜２３は露出しておらず、上面Ｃａに含まれない。すなわち、本実施形態において、遮光膜２３は液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触しない。
【００５０】
本実施形態において、計測部材Ｃの上面Ｃａは、露光光（計測光）ＥＬが入射する第１部分５１と、第１部分５１の周囲の第２部分５２とを含む。
【００５１】
本実施形態において、第１部分５１は、絶縁膜２４の上面２４Ａの少なくとも一部を含み、第２部分５２は、撥液膜２５の上面２５Ａの少なくとも一部を含む。すなわち、絶縁膜２４は、第１部分５１の少なくとも一部に配置され、撥液膜２５は、第２部分５２の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、第１部分５１は、撥液膜２５の上面２５Ａを含まない。なお、第１部分５１に、撥液膜２５の上面２５Ａの一部が含まれてもよい。
【００５２】
本実施形態において、下面Ｃｂの少なくとも一部は、−Ｚ方向を向く遮光膜２３の下面２３Ｂを含む。また、本実施形態において、下面Ｃｂの少なくとも一部は、基材２１の下面２１Ｂを含む。
【００５３】
図３は、本実施形態に係る基板ステージ２及び計測ステージ３の一例を示す斜視図、図４は、保持部１３に保持された計測部材Ｃの近傍を示す側断面図である。
【００５４】
本実施形態において、保持部１３は、いわゆるピンチャック機構を含み、計測部材Ｃをリリース可能に保持する。保持部１３は、計測部材Ｃの上面Ｃａが＋Ｚ方向を向くように、計測部材Ｃを保持する。本実施形態において、保持部１３は、上面ＣａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、計測部材Ｃを保持する。計測部材Ｃが保持部１３に保持されることによって、上面Ｃａは、射出面９と対向可能である。
【００５５】
保持部１５は、いわゆるピンチャック機構を含み、カバー部材Ｓをリリース可能に保持する。本実施形態において、保持部１５は、カバー部材Ｓの上面ＳａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Ｓを保持する。本実施形態において、保持部１３に保持された計測部材Ｃの上面Ｃａと、保持部１５に保持されたカバー部材Ｓの上面Ｓａとは、ほぼ同一平面内に配置される（面一である）。なお、上面Ｓａの少なくとも一部が、ＸＹ平面に対して非平行でもよいし、曲面を含んでもよい。また、上面Ｃａの少なくとも一部が、ＸＹ平面に対して非平行でもよいし、曲面を含んでもよい。
【００５６】
計測部材Ｃは、保持部１３に保持されて計測ステージ３に配置される。保持部１３に保持された計測部材Ｃの周囲に、保持部１５に保持されたカバー部材Ｓが配置される。カバー部材Ｓは、計測部材Ｃが配置可能な開口ＳＫを有する。保持部１３に保持される計測部材Ｃは、保持部１５に保持されるカバー部材Ｓの開口ＳＫの内側に配置される。
【００５７】
計測部材Ｃは、射出面９から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に配置可能である。本実施形態においては、計測部材Ｃは、終端光学素子１０に対して移動可能な計測ステージ３に搭載されており、その計測ステージ３の位置が調整されることによって、計測部材Ｃが、射出面９から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に配置可能である。
【００５８】
図４に示すように、本実施形態において、露光装置ＥＸは、物体に電圧を加える電圧システム６００を備えている。本実施形態において、電圧システム６００は、電圧調整装置６０と、電圧調整装置６０に接続された配線６１とを有する。
【００５９】
本実施形態において、電圧システム６００は、物体に交流電圧を加えることができる。電圧調整装置６０は、電源６０Ａと、物体に加える交流電圧の周波数を調整可能な第１調整部６０Ｂと、物体に加える交流電圧の最大振幅を調整可能な第２調整部６０Ｃと、物体に加える交流電圧の波形を調整可能な第３調整部６０Ｄとを含む。
【００６０】
本実施形態において、電圧調整装置６０は、第１、第２、第３調整部６０Ｂ、６０Ｃ、６０Ｄを用いて、交流電圧の値を調整可能である。交流電圧の値は、交流電圧の実効値、瞬時値、及び半波平均値の少なくとも一つを含む。
【００６１】
また、本実施形態において、電圧調整装置６０は、任意の波形の交流電圧を発生可能である。本実施形態において、電圧調整装置６０は、正弦波の交流電圧を発生する。なお、電圧調整装置６０は、矩形波の交流電圧を発生させてもよいし、三角波の交流電圧を発生してもよい。
【００６２】
また、電圧調整装置６０は、物体に加える交流電圧の位相を調整可能である。
【００６３】
本実施形態において、電圧システム６００は、遮光膜２３に交流電圧を加える。
【００６４】
本実施形態において、電圧システム６００の少なくとも一部は、計測ステージ３の外側に配置される。また、電圧システム６００の少なくとも一部は、計測ステージ３に設けられる。本実施形態において、電圧調整装置６０及び配線６１の一部が、計測ステージ３の外側に配置される。電圧調整装置６０は、アース（接地）されている。配線６１の一部が、計測ステージ３に配置される。電圧調整装置６０は、配線６１を介して、遮光膜２３に交流電圧を加える。
【００６５】
本実施形態においては、保持部１３は、下面Ｃｂの遮光膜２３の少なくとも一部と接触可能な導電部６２を有する。導電部６２は、配線６１を介して、電圧調整装置６０と接続される。電圧調整装置６０は、配線６１及び導電部６２を介して、導電部６２に接触した遮光膜２３に交流電圧を加える。すなわち、本実施形態において、電圧調整装置６０は、計測ステージ３に設けられた導電部６２を介して、遮光膜２３に交流電圧を加える。
【００６６】
なお、保持部１３を含む計測ステージ３全体を導電体としてもよい。電圧調整装置６０は、その導電体の計測ステージ３を介して、遮光膜２３に交流電圧を加えてもよい。また、電圧システム６００が計測ステージ３を含む概念でもよい。
【００６７】
液浸部材４は、終端光学素子１０の周囲の少なくとも一部において、計測部材Ｃが対向可能に配置される。本実施形態において、液浸部材４は、アース（接地）されている。液浸部材４は、計測部材Ｃとの間で液体ＬＱを保持可能である。終端光学素子１０及び液浸部材４と計測部材Ｃとの間に保持される液体ＬＱによって、射出面９から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。図４に示すように、本実施形態においては、射出面９から射出される露光光ＥＬは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して計測部材Ｃに照射される。
【００６８】
液浸部材４は、射出面９から射出される露光光ＥＬが通過可能な開口３１と、開口３１の周囲に配置され、上面Ｃａと対向可能な下面３２とを有する。液浸部材４は、下面３２と対向する上面Ｃａとの間で液体ＬＱを保持可能である。
【００６９】
また、液浸部材４は、液体ＬＱを供給可能な供給口３３と、液体ＬＱを回収可能な回収口３４とを備えている。供給口３３は、終端光学素子１０と計測部材Ｃとの間に液体ＬＱを供給可能である。すなわち、供給口３３は、射出面９から射出される露光光ＥＬの光路に液体ＬＱを供給可能である。供給口３３から供給された液体ＬＱは、開口３１を介して、計測部材Ｃの上面Ｃａに供給される。本実施形態において、供給口３３は、露光光ＥＬの光路に面するように液浸部材４の所定位置に配置される。供給口３３は、供給流路を介して、液体供給装置３５に接続される。液体供給装置３５は、液体ＬＱを送出可能である。供給口３３は、液体供給装置３５から供給された液体ＬＱを、露光光ＥＬの光路に供給する。
【００７０】
回収口３４は、下面３２と対向する計測部材Ｃ上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態において、回収口３４は、上面Ｃａに面するように液浸部材４の所定位置に配置される。本実施形態において、液浸部材４は、多孔部材３６が配置される開口４Ｋを有する。多孔部材３６は、液体ＬＱが通過可能な複数の孔(openingsあるいはpores)を有する。本実施形態において、計測部材Ｃ上の液体ＬＱは、多孔部材３６の孔を介して回収される。すなわち、本実施形態において、回収口３４は、多孔部材３６の孔を含む。本実施形態において、多孔部材３６は、プレート状の部材である。本実施形態において、下面３２は、開口３１の周囲に配置された平坦面、及びその平坦面の周囲に配置された多孔部材３６の下面を含む。なお、開口４Ｋに多孔部材３６が配置されてなくてもよい。例えば、開口４Ｋが回収口として機能してもよい。回収口３４は、回収流路を介して、液体回収装置３７に接続される。液体回収装置３７は、真空システムを含み、液体ＬＱを吸引可能である。回収口３４から回収された液体ＬＱは、液体回収装置３７に回収される。
【００７１】
本実施形態においては、供給口３３からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口３４からの液体ＬＱの回収動作が実行されることによって、終端光学素子１０及び液浸部材４と計測部材Ｃとの間に液浸空間ＬＳが形成される。
【００７２】
なお、終端光学素子１０及び液浸部材４との間に液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成可能な物体は、計測部材Ｃに限られない。射出面９及び下面３２と対向する位置に移動可能な物体は、終端光学素子１０及び液浸部材４との間に液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成可能である。本実施形態においては、カバー部材Ｔ（基板ステージ２）、基板ステージ２に保持される基板Ｐ、及びカバー部材Ｓ（計測ステージ３）の少なくとも一つが、終端光学素子１０及び液浸部材４との間に液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成可能である。例えば、基板Ｐの露光においては、射出面９から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、終端光学素子１０及び液浸部材４と基板Ｐとの間に液体ＬＱが保持されて液浸空間ＬＳが形成される。
【００７３】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。図４に示すように、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧは、下面３２と上面Ｃａとの間に形成される。なお、本実施形態においては、ＸＹ平面内における液浸空間ＬＳの大きさは、計測部材Ｃよりも小さいが、大きくてもよい。例えば、射出面９と開口２２との間の光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成されている状態において、界面ＬＧが下面３２と上面Ｓａとの間に配置されてもよい。
【００７４】
次に、計測部材Ｃを用いる計測処理の一例について図４を参照しながら説明する。制御装置５は、計測部材Ｃを用いる計測処理を実行する際、射出面９と対向する位置に計測部材Ｃを配置する。射出面９及び下面３２と計測部材Ｃとの間に供給口３３から供給された液体ＬＱが保持されることによって液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、射出面９、下面３２、及び上面Ｃａに接触する。
【００７５】
計測部材Ｃを含む空間像計測システム１８を用いて投影光学系ＰＬの空間像（結像特性）を計測するために、制御装置５は、照明系ＩＬより露光光ＥＬを射出して、投影光学系ＰＬの物体面側に配置された計測用パターンを照明する。計測用パターンに照射され、投影光学系ＰＬを通過した露光光ＥＬは、射出面９から射出される。射出面９から射出された露光光ＥＬは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して計測部材Ｃの遮光膜２３の少なくとも一部に照射される。本実施形態においては、射出面９から射出された露光光ＥＬは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱ及び絶縁膜２４を介して、遮光膜２３に照射される。
【００７６】
本実施形態においては、射出面９から射出された露光光ＥＬは、計測部材Ｃの上面Ｃａのうち、第１部分５１に入射し、第２部分５２には入射しない。すなわち、露光光ＥＬは、絶縁膜２４及び遮光膜２３に照射され、撥液膜２５には照射されない。換言すれば、露光光ＥＬは、撥液膜２５を介さずに、遮光膜２３に入射する。
【００７７】
第１部分５１に照射された露光光ＥＬの少なくとも一部は、開口２２に入射する。液体ＬＱを介して開口２２に入射した露光光ＥＬは、基材２１を通過し、下面２１Ｂから射出される。本実施形態においては、空間像計測システム１８の光学素子３８が下面２１Ｂに接触するように配置されている。下面２１Ｂから射出され、光学素子３８を通過した露光光ＥＬは、空間像計測システム１８の受光素子３９に受光される。制御装置５は、受光素子３９の受光結果に基づいて、液体ＬＱを介した投影光学系ＰＬの空間像（結像特性）を求める。
【００７８】
図５及び図６は、終端光学素子１０と計測部材Ｃの少なくとも一部との間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳが形成されている状態の一例を示す図である。
【００７９】
本実施形態において、電圧調整装置６０は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧの少なくとも一部が第２部分５２に位置するとき、遮光膜２３に交流電圧を加える。
【００８０】
本実施形態において、計測部材Ｃは、対向する終端光学素子１０及び液浸部材４との間で液体ＬＱの液浸空間ＬＳを形成可能であり、液浸空間ＬＳが形成されている状態で、終端光学素子１０及び液浸部材４に対してＸＹ平面内において移動する。例えば、電圧調整装置６０は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧの少なくとも一部が第２部分５２に位置した状態で計測部材Ｃが移動するとき、遮光膜２３に交流電圧を加えてもよい。例えば、電圧調整装置６０は、計測部材Ｃの移動条件に応じて、遮光膜２３に加える交流電圧を調整してもよい。
【００８１】
本実施形態において、計測ステージ３の位置は、干渉計システム１７によって計測される。干渉計システム１７は、計測ステージ３が有する干渉計用のミラーに検出光を照射して、その計測ステージ３の位置を求める。計測ステージ３が有する干渉計用のミラーと、計測ステージ３に搭載された計測部材Ｃとの位置関係は、既知である。また、干渉計用のミラーと、計測部材Ｃの第１、第２部分５１、５２との位置関係は、既知である。したがって、制御装置５は、干渉計システム１７の計測結果に基づいて、干渉計システム１７の座標系内における計測部材Ｃ（第１、第２部分５１、５２）の位置を求めることができる。
【００８２】
また、終端光学素子１０及び液浸部材４と計測ステージ３等の物体との間に液浸空間ＬＳが形成された状態で物体が移動したときの、干渉計システム１７の座標系内における界面ＬＧの位置は、予測可能、あるいは既知である。例えば、界面ＬＧの位置は、液浸部材４の下面における回収口３４の位置、大きさ、及び形状等の液浸部材４の構造に依存する。また、界面ＬＧの位置は、供給口３３からの単位時間当たりの液体供給量、及び回収口３４からの単位時間当たりの液体回収量を含む液浸条件に依存する可能性もある。また、界面ＬＧの位置は、液浸空間ＬＳが形成された状態における物体の移動条件（移動速度、加速度、ある一方向に関する連続的な移動距離、及び移動軌跡等）に依存する可能性もある。例えば、液浸部材４の構造、液浸条件、及び移動条件の少なくとも一つに基づいて定められる界面ＬＧの位置は、予備実験又はシミュレーションによって求めることができる。
【００８３】
したがって、制御装置５は、干渉計システム１７の計測結果等に基づいて、干渉計システム１７の座標系内における、計測部材Ｃ（第１、第２部分５１、５２）と界面ＬＧとの位置関係を求めることができる。本実施形態において、制御装置５は、計測部材Ｃ（第１、第２部分５１、５２）と界面ＬＧとの位置関係に基づいて、電圧調整装置６０を調整することができる。  
【００８４】
図５は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧが計測部材Ｃの上面Ｃａの第２部分５２から第１部分５１へ移動するように計測部材Ｃが移動する状態の一例を示す。図６は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧが計測部材Ｃの上面Ｃａの第１部分５１から第２部分５２へ移動するように計測部材Ｃが移動する状態の一例を示す。
【００８５】
本実施形態において、第２部分５２は、撥液膜２５の上面２５Ａを含む。第１部分５１は、絶縁膜２４の上面２４Ａを含む。
【００８６】
以下の説明において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧが上面Ｃａの第２部分５２から第１部分５１へ移動されるときの計測部材Ｃの移動条件を適宜、第１移動条件、と称し、第１部分５１から第２部分５２へ移動されるときの計測部材Ｃの移動条件を適宜、第２移動条件、と称する。
【００８７】
終端光学素子１０及び液浸部材４と計測部材Ｃの少なくとも一部との間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳが形成され、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧの少なくとも一部が第２部分５２に位置するとき、例えば放電により遮光膜２３の少なくとも一部が損傷する可能性がある。
【００８８】
また、終端光学素子１０及び液浸部材４と計測部材Ｃの少なくとも一部との間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳが形成されている状態で計測部材Ｃが移動すると、例えば放電により遮光膜２３の少なくとも一部が損傷する可能性がある。
【００８９】
なお、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧが第２部分５２に位置するとき、あるいは液浸空間ＬＳの液体ＬＱと計測部材Ｃの上面Ｃａの少なくとも一部とが接触している状態で計測部材Ｃが移動するとき、計測部材Ｃに露光光ＥＬが照射されても、照射されなくても、放電が発生する可能性がある。
【００９０】
放電が発生した場合、例えば、遮光膜２３の少なくとも一部が、静電破壊される可能性がある。例えば、静電破壊により、開口２２の形状が変化したり、遮光膜２３の一部に光透過孔があいたりする等、遮光膜２３が劣化する可能性がある。その結果、計測部材Ｃを用いる計測精度が低下する可能性がある。
【００９１】
本実施形態においては、電圧システム６００が、遮光膜２３に交流電圧を加える。これにより、遮光膜２３の劣化が抑制される。すなわち、遮光膜２３に交流電圧を加えることによって、その遮光膜２３の静電破壊が抑制される。
【００９２】
本実施形態において、電圧調整装置６０は、第１移動条件と第２移動条件とで、遮光膜２３に加える電圧の条件を切り替えてもよい。換言すれば、計測部材Ｃが第１移動条件で移動するときに遮光膜２３に加えられる第１の交流電圧の条件と、計測部材Ｃが第２移動条件で移動するときに遮光膜２３に加えられる第２の交流電圧の条件とが異なってもよい。
【００９３】
例えば、第１移動条件と第２移動条件とで、遮光膜２３に加えられる交流電圧の値（実効値、瞬時値、及び半波平均値の少なくとも一つ）が異なってもよい。また、第１移動条件と第２移動条件とで、遮光膜２３に加えられる交流電圧の最大振幅が異なってもよい。また、第１移動条件と第２移動条件とで、遮光膜２３に加えられる交流電圧の周波数が異なってもよい。また、第１移動条件と第２移動条件とで、遮光膜２３に加えられる交流電圧の波形が異なってもよい。また、第１移動条件と第２移動条件とで、遮光膜２３に加えられる交流電圧の位相が異なってもよい。
【００９４】
本実施形態において、電圧調整装置６０は、終端光学素子１０に対する計測部材Ｃの移動速度に応じて、遮光膜２３に加える交流電圧の値（実効値、最大振幅等）を調整してもよい。例えば、計測部材Ｃが第１の速度で移動する場合に遮光膜２３に加える交流電圧の値と、計測部材Ｃが第２の速度で移動する場合に遮光膜２３に加える交流電圧の値とを変えてもよい。例えば、第１移動条件における計測部材Ｃの移動速度が、第２移動条件における計測部材Ｃの移動速度と異なる場合、電圧調整装置６０は、その第１移動条件において加える交流電圧の値と第２移動条件において加える交流電圧の値とが異なるように調整してもよい。
【００９５】
なお、本実施形態において、電圧調整装置６０は、液浸空間ＬＳ（液浸部材４）に対して計測部材Ｃが実質的に静止している状態において、遮光膜２３に電圧を加えてもよい。
【００９６】
次に、基板Ｐの液浸露光処理を含む露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。
【００９７】
計測部材Ｃの開口２２に露光光ＥＬを照射し、その計測部材Ｃを用いる計測が終了した後、制御装置５は、基板Ｐの露光を開始する。制御装置５は、終端光学素子１０と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成された状態で、照明系ＩＬから射出された露光光ＥＬでマスクＭを照明する。マスクＭを介した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを照明する。マスクＭ及び投影光学系ＰＬを通過した露光光ＥＬは、射出面９から射出される。射出面９から射出された露光光ＥＬは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。
【００９８】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置５は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射して、その基板Ｐを露光する。
【００９９】
本実施形態においては、制御装置５は、計測部材Ｃを用いる計測結果に基づいて、射出面９側に形成された液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐを露光する。例えば、制御装置５は、計測部材Ｃを用いて計測された投影光学系ＰＬの空間像の計測結果に基づいて、露光条件を調整し、その調整された露光条件で基板Ｐを露光する。露光条件は、例えば露光光ＥＬの照射条件、及び投影領域ＰＲに対する基板ステージ２（基板Ｐ）の移動条件の少なくとも一方を含む。
【０１００】
以上説明したように、本実施形態によれば、遮光膜２３に交流電圧を加えるようにしたので、遮光膜２３の劣化、あるいは遮光膜２３によって規定される開口２２の形状の変化等を抑制することができる。したがって、計測部材Ｃを用いる計測精度の低下を抑制でき、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制できる。
【０１０１】
なお、図３に示すように、計測ステージ３に配置された計測部材Ｃｂ、Ｃｃに交流電圧を加えてもよい。本実施形態において、計測部材Ｃｂは、例えば米国特許第４４６５３６８号明細書等に開示されているような露光光ＥＬの照度むらを計測可能な照度むら計測システム１９の一部を構成する。計測部材Ｃｃは、例えば米国特許第５４９３４０３号明細書等に開示されているような基板Ｐのアライメントマークを計測可能なアライメントシステム２０によって計測される基準マークを有する。なお、計測部材Ｃｂが、例えば米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書等に開示されているような照射量計測システム（照度計測システム）、例えば欧州特許第１０７９２２３号明細書等に開示されているような波面収差計測システム等、露光光ＥＬの露光光ＥＬを計測する計測システムの一部を構成するものでもよい。
【０１０２】
本実施形態において、ＸＹ平面内における計測部材Ｃｂの形状は、ほぼ円形である。計測部材Ｃｂは、露光光ＥＬを透過可能な基材と、基材に形成され、液体ＬＱを介して露光光ＥＬが入射可能な開口４０を規定する導電性の遮光膜４１とを備えている。本実施形態において、開口４０は、ほぼ円形である。計測部材Ｃｂが絶縁性（撥液性）の膜を有する場合において、少なくとも液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧが、その膜の上面に位置するときに、遮光膜４１に交流電圧を加えることによって、遮光膜４１の劣化、開口４０の変形等を抑制することができる。
【０１０３】
また、上述の実施形態において、液浸部材４はアースされていなくてもよい。
【０１０４】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１０５】
本実施形態においては、電圧調整装置７０が液浸部材４に交流電圧を加える例について説明する。液浸部材４は、導電性である。液浸部材４の少なくとも一部は、例えばチタン等の金属製である。
【０１０６】
図７は、第２実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す図である。図７に示すように、露光装置ＥＸは、液浸部材４に交流電圧を加える電圧システム７００を備えている。電圧システム７００は、電圧調整装置７０と、電圧調整装置７０に接続された配線７１とを有する。
【０１０７】
電圧調整装置７０は、電源７０Ａと、液浸部材４に加える交流電圧の周波数を調整可能な第１調整部７０Ｂと、液浸部材４に加える交流電圧の最大振幅を調整可能な第２調整部７０Ｃと、液浸部材４に加える交流電圧の波形を調整可能な第３調整部７０Ｄとを含む。
【０１０８】
本実施形態において、電圧調整装置７０は、第１、第２、第３調整部７０Ｂ、７０Ｃ、７０Ｄを用いて、交流電圧の値を調整可能である。交流電圧の値は、交流電圧の実効値、瞬時値、及び半波平均値の少なくとも一つを含む。
【０１０９】
また、本実施形態において、電圧調整装置７０は、任意の波形の交流電圧を発生可能である。本実施形態において、電圧調整装置７０は、正弦波の交流電圧を発生する。なお、電圧調整装置７０は、矩形波の交流電圧を発生させてもよいし、三角波の交流電圧を発生してもよい。
【０１１０】
また、電圧調整装置７０は、液浸部材４に加える交流電圧の位相を調整可能である。
【０１１１】
電圧調整装置７０は、液浸部材４の外側に配置される。電圧調整装置７０は、アース（接地）されている。電圧調整装置７０は、配線７１を介して、液浸部材４に交流電圧を加える。
【０１１２】
本実施形態において、遮光膜２３は、アース（接地）されている。
【０１１３】
電圧調整装置７０は、液浸部材４と計測部材Ｃとが対向するときに、液浸部材４に電圧を加える。なお、電圧調整装置７０は、液浸部材４と計測部材Ｃとが対向しないときに、液浸部材４に電圧を加えてもよい。
【０１１４】
電圧調整装置７０は、例えば液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧの少なくとも一部が計測部材Ｃの第２部分５２に位置するとき、液浸部材４に交流電圧を加える。また、電圧調整装置７０は、界面ＬＧの少なくとも一部が第２部分５２（撥液膜２５）上で移動するとき、液浸部材４に交流電圧を加える。
【０１１５】
また、電圧調整装置７０は、計測部材Ｃの移動条件に応じて、液浸部材４に加える交流電圧の条件を調整してもよい。交流電圧の条件は、交流電圧の値、最大振幅、周波数、波形、及び位相の少なくとも一つを含む。例えば、電圧調整装置７０は、計測部材Ｃが第１移動条件で移動するときに液浸部材７に第１条件の交流電圧を加え、計測部材Ｃが第２移動条件で移動するときに液浸部材７に第２条件の交流電圧を加えてもよい。
【０１１６】
また、電圧調整装置７０は、例えば液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧが上面Ｃａの第２部分５２から第１部分５１へ移動する第１移動条件と、第１部分５１から第２部分５２へ移動する第２移動条件とで、液浸部材４に加える交流電圧の条件を切り替えてもよい。
【０１１７】
また、第１移動条件における計測部材Ｃの移動速度が、第２移動条件における計測部材Ｃの移動速度と異なってもよいし、同じでもよい。また、電圧調整装置７０は、終端光学素子１０及び液浸部材４に対する計測部材Ｃの速度に応じて、液浸部材４に加える交流電圧の値を調整してもよい。例えば、第１移動条件における計測部材Ｃの移動速度が、第２移動条件における計測部材Ｃの移動速度よりも大きい場合、第１移動条件における交流電圧の値を、第２移動条件における交流電圧の値よりも大きくしてもよいし、同じにしてもよい。
【０１１８】
なお、本実施形態において、電圧調整装置７０は、液浸空間ＬＳ（液浸部材４）に対して計測部材Ｃが実質的に静止している状態において、液浸部材４に電圧を加えてもよい。
【０１１９】
なお、本実施形態においては、遮光膜２３がアースされていなくてもよい。あるいは、電圧調整装置７０で液浸部材４に交流電圧を加えるとともに、電圧調整装置６０で遮光膜２３に交流電圧を加えてもよい。制御装置５は、電圧調整装置６０及び電圧調整装置７０の少なくとも一方を制御して、少なくとも界面ＬＧが第２部分５２に位置するときに、遮光膜２３の劣化（静電破壊）が抑制されるように、遮光膜２３及び液浸部材４の一方又は両方に交流電圧を加えてもよい。例えば、制御装置５は、遮光膜２３と液浸部材４との電位差に起因する遮光膜２３の劣化（静電破壊）が抑制されるように、遮光膜２３及び液浸部材４の一方又は両方に交流電圧を加えてもよい。
【０１２０】
なお、例えば液浸部材４に交流電圧を加えるとともに、遮光膜２３に直流電圧を加えてもよいし、液浸部材４に直流電圧を加えるとともに、遮光膜２３に交流電圧を加えてもよい。
【０１２１】
なお、上述の第１、第２実施形態において、電圧調整装置６０は、露光光ＥＬの遮光膜２３への照射の少なくとも一部と並行して、遮光膜２３に交流電圧を加えてもよい。また、電圧調整装置７０は、露光光ＥＬの遮光膜２３への照射の少なくとも一部と並行して、液浸部材７に交流電圧を加えてもよい。すなわち、計測部材Ｃを用いる計測処理の少なくとも一部と並行して、遮光膜２３及び液浸部材４の一方又は両方に交流電圧を加えてもよい。遮光膜２３に対する露光光ＥＬの照射と並行して、遮光膜２３及び液浸部材４の一方又は両方に交流電圧を加える場合、遮光膜２３に対する露光光ＥＬの照射によって遮光膜２３の劣化（静電破壊）が抑制されるように、遮光膜２３及び液浸部材４の一方又は両方に加える交流電圧の条件（交流電圧の値、最大振幅、周波数、波形、及び位相の少なくとも一つ）を決定してもよい。
【０１２２】
また、計測ステージ３に配置された計測部材Ｃｂ、Ｃｃに対する露光光ＥＬの照射の少なくとも一部と並行して、計測部材Ｃｂ、Ｃｃ及び液浸部材４の少なくとも一方に交流電圧を加えてもよい。
【０１２３】
なお、上述の各実施形態においては、計測部材Ｃは、基材２１上に、遮光膜２３、絶縁膜２４、及び撥液膜２５を有することとしたが、例えば図８に示すように、絶縁膜２４が省略されてもよい。図８に示す計測部材Ｃ２は、基材２１と、基材２１上に配置され、開口２２を規定する導電性の遮光膜２３と、遮光膜２３の少なくとも一部を覆う撥液膜２５とを含む。撥液膜２５は、遮光膜２３よりも液体ＬＱに対して撥液性である。撥液膜２５は、遮光膜２３の上面２３Ａにおいて開口２２の周囲の少なくとも一部に配置される。
【０１２４】
計測部材Ｃ２の上面Ｃａは、遮光膜２３の上面２３Ａ及び撥液膜２５の上面２５Ａを含む。計測部材Ｃ２の上面Ｃａの第１部分５１は、遮光膜２３の上面２３Ａを含み、上面Ｃａの第２部分５２は、撥液膜２５の上面２５Ａを含む。また、本実施形態において、第２部分５２は、遮光膜２３の上面２３Ａの少なくとも一部を含む。露光光ＥＬは、撥液膜２５を介さずに、遮光膜２３に入射する。
【０１２５】
計測部材Ｃ２を用いる場合においても、上述の各実施形態で説明した方法に従って、計測部材Ｃ２の遮光膜２３及び液浸部材４の一方又は両方に交流電圧を加えることによって、遮光膜２３の劣化を抑制することができる。
【０１２６】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１２７】
図９は、本実施形態に係る計測部材Ｃ３の一例を示す側断面図である。図１０は、図９に示す計測部材Ｃ３の平面図である。  
【０１２８】
図９及び図１０において、計測部材Ｃ３は、射出面９に対向可能な上面Ｃａと、上面Ｃａの反対の方向を向く下面Ｃｂとを有する。保持部１３は、下面Ｃｂの少なくとも一部を保持する。計測部材Ｃ３が保持部１３に保持された状態で、上面Ｃａは、＋Ｚ方向を向く。計測部材Ｃ３が保持部１３に保持された状態で、上面Ｃａは、射出面９と対向可能である。
【０１２９】
計測部材Ｃ３は、計測光（露光光ＥＬ）を透過可能な透明な基材１５２と、基材１５２の上面（＋Ｚ側の面）に配置された第１導電部１５５Ａ（１５３Ａ、１５４Ａ）と、第１導電部１５５Ａの周囲の少なくとも一部に配置され、第１導電部１５５Ａに対して絶縁された第２導電部１５５Ｂ（１５３Ｂ、１５４Ｂ）とを有する。第２導電部１５５Ｂの少なくとも一部は、基材１５２の上面に配置される。
【０１３０】
本実施形態において、第１導電部１５５Ａは、膜状の部材である。第２導電部１５５Ｂは、膜状の部材である。なお、第１導電部１５５Ａは、膜でなくてもよい。第２導電部１５５Ｂは、膜でなくてもよい。
【０１３１】
以下の説明において、第１導電部１５５Ａを適宜、第１導電膜１５５Ａ、と称する。また、第２導電部１５５Ｂを適宜、第２導電膜１５５Ｂ、と称する。
【０１３２】
また、計測部材Ｃ３は、第１導電膜１５５Ａと第２導電膜１５５Ｂとを絶縁する絶縁部１５６を有する。本実施形態において、絶縁部１５６の少なくとも一部は、膜状の部材である。なお、絶縁部１５６は、膜でなくてもよい。
【０１３３】
以下の説明において、絶縁部１５６を適宜、絶縁膜１５６、と称する。
【０１３４】
本実施形態において、絶縁膜１５６の少なくとも一部は、第１導電膜１５５Ａの少なくとも一部を覆うように配置される。また、本実施形態において、絶縁膜１５６の少なくとも一部は、第２導電膜１５５Ｂ上にも配置される。
【０１３５】
また、計測部材Ｃ３は、絶縁膜１５６上に配置された撥液膜１５７を備えている。
【０１３６】
本実施形態において、第１導電膜１５５Ａは、基材１５２の上面に配置された導電膜１５３Ａと、導電膜１５３Ａ上に配置された導電膜１５４Ａとを含む。第２導電膜１５５Ｂは、基材１５２上に配置された導電膜１５３Ｂと、導電膜１５３Ｂ上に配置された導電膜１５４Ｂとを含む。第１導電膜１５５Ａの導電膜１５３Ａは、開口１５３Ｈを有する。導電膜１５４Ａは、開口１５４Ｈを有する。
【０１３７】
なお、以下の説明においては、第１導電膜１５５Ａは、２つの導電膜１５３Ａ、１５４Ａによって形成されることとするが、１つの導電膜で形成されてもよいし、３以上の導電膜で形成されてもよい。同様に、第２導電膜１５５Ｂは、２つの導電膜で形成されてもよいし、１つの導電膜で形成されてもよいし、３以上の導電膜で形成されてもよい。
【０１３８】
本実施形態において、撥液膜１５７は、計測光（露光光ＥＬ）が入射可能な開口１５７Ｈを有する。本実施形態において、ＸＹ平面内における開口１５７Ｈの形状は、円形である。なお、開口１５７Ｈの形状は、例えば楕円形でもよいし、四角形、六角形、八角形等の多角形でもよい。
【０１３９】
第１導電膜１５５Ａの少なくとも一部は、開口１５７Ｈの内側に配置される。開口１５７Ｈの内側に、計測光（露光光ＥＬ）が照射される計測部１５１が配置される。計測部１５１は、開口１５３Ｈを含む。
【０１４０】
本実施形態において、第１導電膜１５５Ａと第２導電膜１５５Ｂとの間に間隙Ｇ１が形成される。第２導電膜１５５Ｂは、間隙Ｇ１を介して、第１導電膜１５５Ａの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、間隙Ｇ１の内側に、基材１５２の上面の一部が配置される。
【０１４１】
本実施形態においては、第１導電膜１５５Ａと第２導電膜１５５Ｂとの間に絶縁部２５６が配置される。本実施形態において、絶縁部２５６は、間隙Ｇ１に配置された絶縁膜１５６を含む。第２導電膜１５５Ｂは、絶縁部２５６を介して、第１導電膜１５５Ａの周囲の少なくとも一部に配置される。
【０１４２】
絶縁膜１５６の少なくとも一部は、開口１５７Ｈの内側に配置される。絶縁膜１５６は、第１導電膜１５５Ａの少なくとも一部を覆うように配置される。本実施形態において、絶縁膜１５６と第１導電膜１５５Ａとは接触する。また、本実施形態において、絶縁膜１５６は、開口１５３Ｈ（開口１５３Ｈの内側の基材１５２の上面）を覆うように配置される。換言すれば、絶縁膜１５６の一部は、開口１５３Ｈの内側において、基材１５２の上面と接触する。
【０１４３】
また、本実施形態において、絶縁膜１５６の少なくとも一部は、撥液膜１５７の下面側（−Ｚ側）に配置される。本実施形態において、絶縁膜１５６の少なくとも一部は、撥液膜１５７と第１導電膜１５５Ａとの間に配置される。また、本実施形態において、絶縁膜１５６の少なくとも一部は、撥液膜１５７と第２導電膜１５５Ｂとの間に配置される。本実施形態において、絶縁膜１５６の少なくとも一部と第１導電膜１５５Ａとは接触する。また、本実施形態において、絶縁膜１５６の少なくとも一部と第２導電膜１５５Ｂとは接触する。また、絶縁膜１５６の上面と撥液膜１５７の下面とは接触する。
【０１４４】
本実施形態において、絶縁膜１５６の少なくとも一部は、間隙Ｇ１を覆うように配置される。また、絶縁膜１５６の一部は、間隙Ｇ１の内側に配置される。本実施形態において、絶縁膜１５６の一部は、間隙Ｇ１の内側において、基材１５２の上面に接触するように配置される。
【０１４５】
本実施形態において、絶縁部２５６及び第２導電膜１５５Ｂは、撥液膜１５７の下面側（−Ｚ側）に配置される。
【０１４６】
本実施形態において、射出面９と対向可能な計測部材Ｃ３の上面Ｃａの少なくとも一部は、撥液膜１５７の上面を含む。また、本実施形態において、上面Ｃａの少なくとも一部は、絶縁膜１５６の上面を含む。
【０１４７】
本実施形態において、開口１５３Ｈの内側に、基材１５２の上面が配置される。また、本実施形態において、開口１５４Ｈの内側に、開口１５３Ｈ及び導電膜１５３Ａの上面が配置される。計測光（露光光ＥＬ）は、計測部１５１（開口１５３Ｈ）を含む第１導電膜１５５Ａの少なくとも一部に照射される。
【０１４８】
本実施形態においては、絶縁膜１５６を介して、計測部１５１（開口１５３Ｈ）を含む第１導電膜１５５Ａの少なくとも一部に計測光が照射される。
【０１４９】
本実施形態において、第１導電膜１５５Ａ及び第２導電膜１５５Ｂのそれぞれは、クロム（Ｃｒ）で形成されており、計測光（露光光ＥＬ）に対して遮光性である。すなわち、第１、第２導電膜１５５Ａ、１５５Ｂは、遮光膜である。なお、第１導電膜１５５Ａがクロムで形成され、第２導電膜１５５Ｂが、銅、白金、及びタンタルの少なくとも一つによって形成されてもよい。あるいは、第１導電膜１５５Ａ及び第２導電膜１５５Ｂの一方又は両方が、金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、及びニッケルの少なくとも一つで形成されていてもよい。あるいは、第１導電膜１５５Ａ及び第２導電膜１５５Ｂの一方又は両方が、クロム、白金、タンタル、金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、及びニッケルの少なくとも一つを含む合金で形成されてもよい。また、第２導電膜１５５Ｂは、第１導電膜１５５Ａよりも光の透過率が高くてもよい。
【０１５０】
本実施形態において、絶縁膜１５６は、第１、第２導電膜１５５Ａ、１５５Ｂよりも絶縁性である。また、絶縁膜１５６は、計測光（露光光ＥＬ）を透過可能である。例えば、絶縁膜１５６は、第１導電膜１５５Ａよりも計測光を透過可能である。本実施形態において、絶縁膜１５６は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を含み、絶縁性及び透過性を有する。
【０１５１】
なお、絶縁膜１５６が、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、あるいはフッ化カルシウム（ＣａＦ２）を含んでもよい。
【０１５２】
なお、上述したように、本実施形態においては、絶縁部２５６は、絶縁膜１５６の一部である。なお、絶縁部２５６が、絶縁膜１５６とは異なる部材（膜）で形成されてもよい。例えば、絶縁部２５６が、絶縁膜１５６よりも絶縁性の材料で形成されてもよい。
【０１５３】
本実施形態において、撥液膜１５７は、少なくとも第１、第２導電膜１５５Ａ、１５５Ｂよりも液体ＬＱに対して撥液性である。また、撥液膜１５７は、少なくとも絶縁膜１５６よりも液体ＬＱに対して撥液性である。なお、液体ＬＱに対する撥液性とは、液体ＬＱとの接触角を含む。撥液性が大きいとは、接触角が大きいことをいう。
【０１５４】
本実施形態においては、撥液膜１５７は、フッ素を含む。本実施形態においては、撥液膜１５７は、例えば国際公開第２００５／０５５２９６号パンフレットに開示されているような、非晶質フッ素樹脂を含む。本実施形態においては、撥液膜１５７は、旭硝子社製「サイトップ」によって形成されている。
【０１５５】
撥液膜１５７と絶縁膜１５６との密着性は高い。また、第１、第２導電膜１５５Ａ、１５５Ｂと絶縁膜１５６との密着性も高い。例えばＳｉＯ２からなる微粒子を含む絶縁膜（接着微粒子層）１５６によって、撥液膜１５７に対する密着性を高めることができる。なお、絶縁膜（接着微粒子層）１５６が、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、あるいはフッ化カルシウム（ＣａＦ２）からなる微粒子を含むものであっても、撥液膜１５７に対する密着性を高めることができる
【０１５６】
本実施形態においては、第１導電膜１５５Ａに対して絶縁部２５６の外側に、第２導電膜１５５Ｂが配置されている。絶縁部２５６は、第１導電膜１５５Ａと、第２導電膜１５５Ｂとの間に配置されている。第１導電膜１５５Ａと第２導電膜１５５Ｂとは、絶縁部２５６によって、電気的に分離されている。
【０１５７】
本実施形態において、第２導電膜１５５Ｂは、アースされる。例えば、第２導電膜１５５Ｂは、計測ステージ３を介してアースされる。図９に示すように、第２遮光膜１５５Ｂの少なくとも一部は、基材１５２の側面及び下面に配置される。計測部材Ｃ３が、計測ステージ３の保持部１３に保持されると、基材１５２の下面（計測部材Ｃ３の下面Ｃｂ）に配置されている第２遮光膜１５５Ｂの少なくとも一部と保持部１３とが接触する。したがって、計測ステージ３（保持部１３）がアースされることによって、計測ステージ３を介して第２導電膜１５５Ｂがアースされる。
【０１５８】
次に、本実施形態に係る露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。制御装置５は、計測部材Ｃ３を用いる計測処理を実行する際、射出面９と対向する位置に、計測ステージ３の保持部１３に保持された計測部材Ｃ３を配置する。射出面９及び下面３２と計測部材Ｃ３との間に供給口３３から供給された液体ＬＱが保持されることによって液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、射出面９、下面３２、及び上面Ｃａに接触する。
【０１５９】
本実施形態において、計測部材Ｃ３上に供給された液体ＬＱは、第１導電膜１５５Ａ及び第２導電膜１５５Ｂとは接触しない。
【０１６０】
計測部材Ｃ３を含む空間像計測システム１８を用いて投影光学系ＰＬの空間像（結像特性）を計測するために、制御装置５は、照明系ＩＬより露光光ＥＬを射出して、投影光学系ＰＬの物体面側に配置された計測用パターンを照明する。計測用パターンに照射され、投影光学系ＰＬを通過した露光光ＥＬは、射出面９から射出される。射出面９から射出された露光光ＥＬは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して計測部材Ｃ３の第１導電膜１５５Ａ（計測部１５１）の少なくとも一部に照射される。本実施形態においては、射出面９から射出された露光光ＥＬは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱ及び絶縁膜１５６を介して、第１導電膜１５５Ａ（計測部１５１）に照射される。
【０１６１】
本実施形態においては、射出面９から射出された露光光ＥＬは、計測部材Ｃ３の上面Ｃａのうち、開口１５７Ｈの内側に照射され、撥液膜１５７には照射されない。換言すれば、露光光ＥＬは、撥液膜１５７を介さずに、絶縁膜１５６を介して、計測部１５１（第１導電膜１５５Ａ）に入射する。
【０１６２】
第１導電膜１５５Ａに照射された露光光ＥＬは、第１導電膜１５５Ａ（導電膜１５３Ａ）によって規定される開口１５３Ｈ（計測部１５１）を通過して、基材１５２に入射する。基材１５２に入射し、その基材１５２を通過した露光光ＥＬは、空間像計測システム１８の受光素子３９に受光される。
【０１６３】
なお、本実施形態において、間隙Ｇ１（絶縁部２５６）の位置、大きさ、及び形状の少なくとも一つは、計測部材Ｃ３（計測部１５１）に露光光ＥＬ（計測光）が照射されても、計測部材Ｃ３を用いる計測に影響を与えないように定められている。換言すれば、開口１５７の内側に露光光ＥＬが照射された場合において、その露光光ＥＬは、間隙Ｇ１には照射されないように、その間隙Ｇ１の位置、大きさ、及び形状の少なくとも一つが定められている。
【０１６４】
計測部材Ｃ３の開口１５７Ｈに露光光ＥＬを照射し、その計測部材Ｃ３を用いる計測が終了した後、制御装置５は、基板Ｐの露光を開始する。本実施形態においては、制御装置５は、計測部材Ｃ３を用いる計測結果に基づいて、射出面９側に形成された液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐを露光する。例えば、制御装置５は、計測部材Ｃ３を用いて計測された投影光学系ＰＬの空間像の計測結果に基づいて、露光条件を調整し、その調整された露光条件で基板Ｐを露光する。露光条件は、例えば露光光ＥＬの照射条件、及び投影領域ＰＲに対する基板ステージ２（基板Ｐ）の移動条件の少なくとも一方を含む。
【０１６５】
以上説明したように、本実施形態によれば、計測部１５１を含む第１導電膜１５５Ａの周囲の少なくとも一部に、絶縁部２５６を介して第２導電膜１５５Ｂを配置し、その第２導電膜１５５Ｂをアースしたので、放電に起因する第１導電膜１５５Ａの劣化、あるいは第１導電膜１５５Ａによって規定される開口１５３Ｈの形状の変化等を抑制することができる。これにより、開口１５３Ｈを含む計測部１５１の劣化を抑制することができる。また、本実施形態によれば、第１導電膜１５５Ａの周囲に絶縁部２５６が配置されており、第１導電膜１５５Ａの面積を小さくすることができる。また、第１遮光膜１５５Ａと他の部品／物質との間で放電を引き起こすような電位差が発生することが抑制される。その場合、計測部５１（開口１５３Ｈ）を形成する第１遮光膜１５５Ａの劣化が抑制される。なお、第１遮光膜１５５Ａとの間で放電を引き起こす可能性がある他の部品／物質として、液浸部材４、あるいは撥液膜１５７、あるいはその両方が挙げられるが、それらに限定されないことは言うまでもない。
【０１６６】
なお、本実施形態においては、第２導電膜１５５Ｂは、第１導電膜１５５Ａの周囲に配置されることとした。第２導電膜１５５Ｂが、絶縁部２５６を介して、第１導電膜１５５Ａの周囲の一部に配置されてもよいし、第１導電膜１５５Ａの周囲に複数配置されてもよい。例えば、複数の第２導電膜１５５Ｂが、第１導電膜１５５Ａの周囲の少なくとも一部において離散的に配置されてもよい。また、第１導電膜１５５Ａの外側の一部の領域に、第２導電膜１５５Ｂが１つだけ配置されてもよい。また、第２導電膜１５５Ｂが複数配置される場合、それら全部の第２導電膜１５５Ｂのそれぞれがアースされてもよいし、複数の第２導電膜１５５Ｂのうち、一部の第２導電膜１５５Ｂのみがアースされてもよい。
【０１６７】
なお、本実施形態においては、開口１５７Ｈの内側において、第１導電膜１５５Ａの上面の全部が絶縁膜１５６で覆われることとしたが、第１導電膜１５５Ａの上面の一部のみが絶縁膜１５６で覆われ、第１導電膜１５５Ａの一部が絶縁膜１５６で覆われないようにしてもよい。換言すれば、開口１５７Ｈの内側において、第１導電膜１５５Ａの上面の一部が露出してもよい。
【０１６８】
なお、本実施形態においては、絶縁膜１５６を介して、計測部１５１（開口１５３Ｈ）を含む第１導電膜１５５Ａの少なくとも一部に計測光が照射されるが、撥液膜１５７及び絶縁膜１５６を介して、計測部１５１（開口１５３Ｈ）を含む第１導電膜１５５Ａの少なくとも一部に計測光が照射されてもよい。例えば、撥液膜１５７に開口１５７Ｈが形成されていなくてもよい。すなわち、撥液膜１５７が絶縁膜１５６の上面を覆っていてもよい。
【０１６９】
なお、本実施形態において、撥液膜１５７が無くてもよい。
【０１７０】
なお、本実施形態において、絶縁膜１５６は、第１導電膜１５５Ａを覆っていなくてもよい。また、絶縁膜１５６は、第２導電膜１５５Ｂを覆っていなくてもよい。
【０１７１】
なお、上述の各実施形態においては、計測部材（Ｃ等）が計測ステージ３に搭載されることとしたが、終端光学素子１０に対して移動可能な、計測ステージ３とは異なる移動部材に搭載されてもよい。例えば、計測部材Ｃが、基板ステージ２に搭載されてもよい。基板ステージ２等を含む移動部材が移動することによって、計測部材Ｃが、射出面９から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に配置可能である。また、計測部材が複数設けられる場合、一部の計測部材が基板ステージ２に搭載され、一部の計測部材が計測ステージ３に搭載されてもよい。なお、計測部材Ｃが、基板ステージ２及び計測ステージ３とは異なる移動部材に搭載されてもよい。また、その移動部材に、電圧調整装置６０に接続される配線を有してもよいし、移動部材全体が導電体でもよい。
【０１７２】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１０の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１０の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。
【０１７３】
なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等のフッ素系液体を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０１７４】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１７５】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１７６】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１７７】
また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０１７８】
また、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、計測ステージを備えていない、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。
【０１７９】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１８０】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。
【０１８１】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０１８２】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。
【０１８３】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１８４】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、上述の各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１８５】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工
プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１８６】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０１８７】
２…基板ステージ、３…計測ステージ、４…液浸部材、５…制御装置、９…射出面、１０…終端光学素子、１３…保持部、１５…保持部、２１…基材、２２…開口、２３…遮光膜、５１…第１部分、５２…第２部分、６０…電圧調整装置、７０…電圧調整装置、Ｃ…計測部材、Ｃａ…上面、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１１】
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【図１０】
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