(57)【要約】【課題】試料台を取り囲むように配置されたサセプタとの距離が均等となるようにウエハを配置する。【解決手段】真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され試料を載置する試料台、該試料台に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源、前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、前記試料台の外周に配置したサセプタ、および真空搬送装置を備え、該真空搬送装置により未処理の試料を前記試料台上に載置し、処理の施された試料を前記処理台から搬出するプラズマ処理方法において、処理済みの試料における処理速度の分布を測定し、測定した処理速度の分布をもとに前記サセプタ位置に対する試料位置のずれを算出し、該算出結果をもとに前記真空搬送装置による搬送位置を調整する。【選択図】  図１
2013125796.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され試料を載置する試料台、該試料台に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源、前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、前記試料台の外周に配置したサセプタ、および真空搬送装置を備え、該真空搬送装置により未処理の試料を前記試料台上に載置し、処理の施された試料を前記処理台から搬出するプラズマ処理方法において、 
処理済みの試料における処理速度の分布を測定し、測定した処理速度の分布をもとに前記サセプタ位置に対する試料位置のずれを算出し、該算出結果をもとに前記真空搬送装置による搬送位置を調整することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され試料を載置する試料台、該試料台に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源、前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、前記試料台の外周に配置したサセプタ、および真空搬送装置を備え、該真空搬送装置により未処理の試料を前記試料台上に載置し、処理の施された試料を前記処理台から搬出するプラズマ処理方法において、 
処理済みの試料の外周部における半径方向のエッチングレートの差の分布を測定し、測定したエッチングレートの差の分布をもとに前記サセプタ位置に対する試料位置のずれを算出し、算出結果をもとに前記ずれを解消するように前記真空搬送装置の搬送位置の指令値を調整することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマ処理方法において、
前記処理速度として、エッチングレート、成膜レート、デバイス素子の削れ量、デバイス素子の電気特性の変化量の少なくとも１を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され試料を載置する試料台、該試料台に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源、前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、前記試料台の外周に配置したサセプタ、真空搬送装置、および該真空搬送装置を制御する制御装置を備え、前記真空搬送装置により未処理の試料を前記試料台上に載置し、処理の施された試料を前記処理台から搬出するプラズマ処理装置において、 
前記制御装置は、処理済みの試料の外周部における半径方向のエッチングレートの差の分布を測定する測定部、および測定したエッチングレートの分布をもとに前記サセプタ位置に対する試料位置のずれを算出し、算出結果をもとに前記ずれを解消するように前記真空搬送装置の搬送位置の指令値を調整する調整部を備えたとを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理技術に係り、特に、試料を試料台に載置する際の位置補正技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造では、複数の処理室を相互に接続し、接続した処理室間で、ウエハを搬送することが望ましい。このような搬送は、真空搬送装置により、真空搬送室を形成するバッファ室（真空搬送室）あるいは処理室を構成する真空容器の側壁に形成した通路を通して行われる。なお、前記真空搬送装置は、半導体エッチングシステム、材料堆積システム、フラットパネルディスプレイエッチングシステム等の種々のウエハ処理モジュールと連携して使用される。
【０００３】
製造システムでは、清浄度および処理精度向上の要求に応じて、処理工程および処理工程間を真空条件下で連続して行うことのできる真空搬送装置が採用されている。真空搬送装置は、例えば、ウエハが授受されるポートあるいは容器（ロードロック室）と、ウエハが実際に処理される処理室、例えば、ウエハ表面にエッチングを施したり、堆積膜を形成したりする処理室との間に設置される。そして、真空搬送装置内に設置された搬送ロボットが、そのアームを利用して前記容器と処理室との間でウエハをやり取りする。
【０００４】
このように、搬送ロボットを使用して、ウエハを搬送するシステムにおいては、幾つかの問題がある。例えば、（１）ウエハを目的箇所である処理室等に移送する場合に、目的箇所である所望の位置にウエハが適切に位置決めされていない可能性がある。（２）ロボットアームに対する位置補正を行った後に、ウエハを処理室に搬送して所望の位置に位置決めする際に、ウエハが適切に位置決めされていない可能性がある。（３）試料台の外周にウエハを取り囲むように設置されるサセプタが適切な位置に設置されていない可能性がある。
【０００５】
前記問題点（１）に関し、特許文献１には、ウエハ位置を検出するセンサを設けて、ウエハの位置補正を行うシステムが示されている。（２）に関しては、ウエハを処理室に搬送し、目視することにより所望の位置に設置されるように位置決めする方法が知られている。（３）に関しては、ウエハを取り囲むように設置されるサセプタと試料台の距離が均等になるようにサセプタ位置を調整する方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１２３５５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の解決策（１）では、予め設定したウエハ位置の精度が所望の精度で得られていない場合、搬入されたウエハは搬入操作毎にずれた位置に設置されることになる。また、前記解決策（２）の目視による位置決め操作は、繰り返し精度あるいは個人差等にばらつきがあり、０．５ｍｍ以下の精度でウエハを配置することは難しい。また、前記解決策（３）では、サセプタを試料台に設置した後にサセプタがずれた場合に対処することができない。
【０００８】
本発明は、前記問題に鑑みてなされたもので、試料台を取り囲むように配置されたサセプタとの距離が均等となるようにウエハを配置することのできる真空処理技術を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。
【００１０】
真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され試料を載置する試料台、該試料台に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源、前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、前記試料台の外周に配置したサセプタ、および真空搬送装置を備え、該真空搬送装置により未処理の試料を前記試料台上に載置し、処理の施された試料を前記処理台から搬出するプラズマ処理方法において、処理済みの試料における処理速度の分布を測定し、測定した処理速度の分布をもとに前記サセプタ位置に対する試料位置のずれを算出し、該算出結果をもとに前記真空搬送装置による搬送位置を調整する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、以上の構成を備えるため、試料台を取り囲むように配置されたサセプタとウエハとの距離を均等に配置することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態にかかる真空処理装置を説明する図である。
【図２】試料台上におけるウエハの位置関係を示す図である。
【図３】プラズマ処理装置を説明する図である。
【図４】真空ロボットを説明する図である。
【図５】ウエハ処理中における試料台、サセプタおよびウエハの位置関係を説明する図である。
【図６】ウエハ処理中における試料台、サセプタおよびウエハの位置関係を説明する図である。
【図７】ウエハ上に設定したエッチングレートの測定点および各測定点におけるエッチングレートの値を示す図である。
【図８】各測定点におけるエッチングレート変化量と、ウエハの最外周とサセプ間の隙間の距離の関係を示す図である。
【図９】ウエハ上のエッチングレートの測定点および各測定点における測定値を示す図である。
【図１０】各測定点におけるエッチングレート変化量を示す図である。
【図１１】実際の量産に適用する場合の処理を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、実施形態を添付図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる真空処理装置１００を説明する図である。
【００１４】
図１において、半導体処理装置１００は、複数（４個）の処理室１０１、１０２、１０３、１０４と、複数（３個）のカセット設置台１０５とを備え、これらの間でウエハを移送することができる。
【００１５】
処理室１０１、１０２、１０３、１０４は、プラズマエッチング、層の堆積、あるいはスパッタリングを実行するための処理室である。処理室１０１、１０２、１０３、１０４は、所定の圧力（真空圧）に減圧可能な真空処理容器であり、その内部空間にはウエハ等の試料を載置する試料台を備える。  
処理室の内部空間には、処理用のガスを供給しつつ図示しない電界または磁界の供給手段から電界または磁界を供給する。これにより、処理室のウエハ上方の空間にプラズマを形成し、試料の表面を処理する。
【００１６】
バッファ室１１０は、内部が前記処理室１０１等の内部と同等の圧力に調節可能な真空容器から構成され、バッファ室１１０にはウエハを真空側に導入するために実装された複数のロードロック室１０６、１０７が接続されている。なお、処理室１０１、１０２、１０３、１０４、バッファ室１１０、ロードロック室１０６、１０７は、減圧された条件で試料を搬送、処理を行う真空側ブロックを構成する。
【００１７】
複数のロードロック室１０６、１０７は、大気ロボット１０８が内部の空間に配置された大気搬送室１０９に接続され、大気搬送室１０９は、ウエハが収納されるカセットがその上面に載置されるカセット載置台１０５を前面側に備える。ロードロック室１０６、１０７は、カセットが連結される大気搬送室１０９と真空側ブロックとの間でのウエハの取り出し、および受け渡しのための開閉機構であり、また、可変圧インタフェースとして機能する。
【００１８】
大気ロボット１０８は、カセット戴置台１０５に戴置されたカセットからウエハを取り出して、大気搬送室１０９に運び、大気搬送室１０９内でウエハのセンタリング及びノッチ合わせを行った後、再び、ロードロック室１０６または１０７に搬入する。
【００１９】
ロードドック室１０６または１０７に搬入されたウエハは、その内側に配置された試料台上に載置される。
【００２０】
ロードロック室の内部が減圧された後、試料台内に配置された複数のピン形状のウエハプッシャーにウエハを持ち上げ、持ち上げられた状態のウエハの下方に、真空ロボット１１１のアーム先端部のハンドを移動させて、このハンドを持ち上げることによりウエハの受渡しが行われる。ウエハの受渡しが完了すると真空ロボット１１１のアームを縮め、ハンド上に載せられたウエハをバッファ室１１０内に運び込む。
【００２１】
バッファ室１１０内での真空ロボット１１１の回転動作により、処理室１０１、１０２、１０３、１０４の何れかの方向にロボットの向きを変更する。さらに、真空ロボット１１１のアームの伸張動作すると、ウエハは、処理室１０１、１０２、１０３、１０４の何れかに移送される。ウエハには、処理室において、プラズマエッチング、層の堆積、あるいはスパッタリングなどの処理が施される。これらの処理は密封された処理室内で行われる。
【００２２】
ここで、試料台３１２の側面でウエハが載置される面の外周側には、サセプタ３２９が配置される。サセプタ３２９はプラズマによるスパッタやエッチングから試料台３１２を保護する。また、試料台の内部には、ロードロック室１０６または１０７と同様に、ウエハを上下に移動させる複数のプッシャピンを備える。
【００２３】
これらのプッシャピンは、上方に移動された状態で、その上方に位置する真空ロボット１１１のアーム先端のハンド上に載せられたウエハをアームの下降に伴って前記プッシャピン上に載せた後、アームをバッファ室１１０内に移動させる。これによりウエハの試料台への受渡しが行われる。なお、前記アームの移動後に、プッシャピンは下方に移動され試料台内に格納される。このとき、ウエハは試料台上のウエハ載置面に載置される。
【００２４】
図２は、試料台上におけるウエハの位置関係を示す図である。真空ロボット１１１のアームはエッチング処理室１０１に伸張動作した後、ウエハを試料台上に載置する。真空ロボット１１１の伸張位置については、予めティーチングを行い、また、位置補正システムにより補正処理が施される。
【００２５】
ここで、ティーチングは、大気ロボット１０８側と真空ロボット１１１側とでそれぞれ行なわれる。真空ロボット１１１側で行なわれるのは、例えば真空ロボット１１１の動作原点（半径方向距離Ｒ＝０、回転角θ＝０）から各処理室までの回転角度（θ）、および搬入前の退避位置（Ｒが最小）から、各処理室（Ｒ、θ）までの伸縮距離（Ｒ）の設定である。
【００２６】
すなわち、ウエハを載置するハンドの位置を所定の範囲内で調節可能な真空ロボット１１１に対して、その動作の基準となる位置として、例えば搬送元位置あるいは搬送先位置の情報を設定する。
【００２７】
次いで、このような基準の位置の情報に基づいて、真空ロボット１１１はθ軸方向の回転動作あるいはＲ軸方向の伸縮動作を行いハンドの位置を決める。尚、前記位置の調整は、例えば、治具を用いてハンド中心と各処理室の中心との差を計測し、これらが一致するようにロボットに対する指令値を変更して行う。
【００２８】
上述のように、真空ロボットのアーム１１１ａにより処理室１０１内に搬送されたウエハは、試料台３１２上に載置される。このとき、前記ティーチングの精度が高く、ウエハが載置電極の中央に置かれた場合は、ウエハ３２８とサセプタ３２９の隙間は図２に示すように、円周方向で均等な隙間３３４が得られる。ティーチングの精度が悪い場合には、図８に示す隙間３３５、隙間３３６のように円周方向に不均等な隙間が得られる。
【００２９】
図３は、プラズマ処理装置を説明する図である。処理室１０１内に処理ガスを導入すると共に、処理室１０１内をターボ分子ポンプ３２０の動作により排気して所定の圧力（真空圧）に調節する。
【００３０】
直流電源３１４からの直流電圧を試料台３１２上面に配置した図示しない吸着電極に印加することにより、試料台３１２に載置されたウエハ３２８を静電気で吸着し、保持する。
【００３１】
この状態で、熱伝達性ガス（Ｈｅ）供給源３１６から、試料台３１２上面の誘電体膜とウエハ３２８裏面との間にＨｅガスを供給してウエハ３２８を冷却する。
【００３２】
また、処理ガスは、処理ガス供給源３２３から、処理ガス供給配管３２４を介して、シャワープレート３０２と石英プレート３０５間に形成された微小隙間３０３に導入され、さらに、シャワープレート３０２に形成された多数の小孔を通してプロセス処理室３０１内へ供給される。
【００３３】
高周波電源３１０で発振された電磁波は、共振空間３０６を介して石英プレート３０５およびシャワープレート３０２を通過してプロセス処理室３０１に導入される。導入された電磁波は、ソレノイドコイル３０９による磁場との相互作用により、処理ガスをプラズマ化してウエハ３２８上方にプラズマを形成する。
【００３４】
高周波バイアス電源３１７は、試料台に高周波電力を印加し、ウエハ３２８の上方にバイアス電位を形成する。このようにして形成されたバイアス電位とプラズマ電位との電位差によりプラズマ中のイオンはウエハ３２８上に引き込まれる。これにより、エッチング反応がアシストされつつ、処理が開始される。尚、処理中、排気ゲートプレート３１８は常に開いており、コンダクタンス可変バルブ３１９の開度を変えることで排気速度を変化させて、プロセス処理室３０１内の圧力を調整している。
【００３５】
エッチング処理が終了すると、プラズマ生成用の高周波電源および高周波バイアスを停止する。さらに、直流電源３１４からの直流電圧の供給を停止して、静電吸着力を低下させた後、ウエハを搬出する。
【００３６】
なお、プロセス処理室３０１内の反応生成物や残留した処理ガスは、前記コンダクタンス可変バルブ３１９、ターボ分子ポンプ３２０、および排気ポンプ３２２を介して排気される。
【００３７】
その後、プロセス処理室３０１を密封しているゲートバルブ３２６を開放した後、真空ロボット１１１のアームを伸張して、先端側のハンドをウエハの下方に位置するように移動する。次に、プッシャピンを下方に移動させて、ウエハをハンド上の保持面に載せることで、ウエハはアームに受け渡される。なお、プッシャピンはその後、再び試料台内部に格納される。
【００３８】
このように、処理室１０１、１０２、１０３、１０４内での処理の実行後、処理済のウエハは真空ロボット１１１に受け渡され、真空ロボット１１１のアームの収縮動作、真空ロボット１１１の回転動作、真空ロボット１１１のアームの伸張動作の組合せにより、ウエハは処理室間あるいは処理室とロードロック室間を移送される。
【００３９】
図４は、真空ロボットを説明する図である。本実施形態では、真空ロボット１１１は、図４に示すように、バッファ室１１０の中央近傍にその中心軸４０３が配置され、この中心軸４０３の周りを所定の角度θ回転可能となっている。ここでは、中心軸４０３周りの真空ロボット１１１またはそのアームの回転動作をθ（軸）周りの回転動作という。θ（軸）周りの回転動作はθ軸センサ４１により検出可能である。
【００４０】
さらに、真空ロボット１１１は、所定のθ軸周りの回転角度位置で、アームを中心軸４０３側とバッファ室１１０の外周側（処理室側）とを結ぶ方向に伸縮可能であり、アーム先端部に配置したウエハ載置用のハンドの位置を、バッファ室１１０内と処理室内とで往復移動可能としている。この伸縮の動作をＲ軸（半径）方向動作という。Ｒ軸（半径）方向の位置はＲ軸センサ４０により検出可能である。
【００４１】
本実施形態においては、このように構成された真空処理装置１００においてウエハ３２８とサセプタ３２９の距離が均等となるように補正する。
【００４２】
図５、６は、ウエハ処理中における試料台３１２、サセプタ３２９およびウエハ３２８の位置関係を説明する図である。ここで図５はウエハ３２８とサセプタ３２９の距離が近い状態を示し、図６はウエハ３２８とサセプタ３２９の距離が離れている状態を示している。
【００４３】
図５に示すように、ウエハ３２８とサセプタ３２９の距離が接近している場合においては、ウエハ３２８の外周部とサセプタ３２９の間に形成されるシース５０１はなだらかな形状になる。このため、イオン５０２はシース５０１に対して垂直に入射し、ウエハ３２８あるいはサセプタ３２９に衝突する。
【００４４】
図６に示すように、ウエハ３２８とサセプタ３２９の距離が離れている場合、ウエハ３２８の外周部とサセプタ３２９の間に形成されるシース５０１には凹部が形成される。
【００４５】
このため、ウエハ３２８近傍に存在するイオン５０２、およびウエハ３２８とサセプタ３２９との間に存在するイオン５０３はウエハ３２８の外周部に入射する。このため、ウエハ３２８の外周部の削れ量は図５に比べ図６の方が多くなると考えられる。
【００４６】
このことから、ウエハ３２８の外周部の削れ量、すなわちプロセス性能は、シースの形状を決めるウエハ３２８とサセプタ３２９の距離が重要であることがわかる。すなわち、ウエハ３２８の外周部の削れ量を測定することにより、ウエハ３２８とサセプタ３２９間に形成される隙間の距離を算出することができる。
【００４７】
なお、例えば、３００ｍｍ径のウエハにおいては、エッチングレートは半径１４０ｍｍ以上の領域でイオンのエネルギーの影響を受ける。本発明における外周部はこの影響を受ける範囲を指している。
【００４８】
本実施形態では、サセプタ上に載置されたウエハ３２８の位置ずれ（ウエハ３２８とサセプタ３２９間に形成される不均等な隙間）を補正するため、単位時間あたりの削れ量（以下、エッチングレートという）を測定し、この測定値をもとにウエハのずれ量、ずれ角度を算出する。
【００４９】
図７は、ウエハ７０１上に設定したエッチングレートの測定点７０２、および各測定点におけるエッチングレートの値を示す。本実施形態で使用したウエハ７０１はシリコンウエハ上に酸化膜を形成したものであり、ウエハ７０１の外周上に均等設定した１６点についてエッチングレートを算出した。次にウエハ７０１の中心からみて同じ角度（θ）位置にある２点におけるエッチングレートの差を計算する。
【００５０】
本実施形態では、ウエハ中心から同じ角度位置にある半径１４８ｍｍの測定点のエッチングレートから半径１４５ｍｍの測定点のエッチングレートを差し引いた値（差分）を計算し、この差分をその測定点（半径１４８ｍｍの地点）におけるエッチングレート変化量とした（式(1)）。
【００５１】
ΔＥ＝ΔＥ148−ΔＥ145        ・・・(1)
図８は、各測定点におけるエッチングレート変化量と、ウエハの最外周とサセプ間の隙間の関係を示す図である。なお、隙間は０．０５ｍｍ単位の測定ができる隙間ゲージを使用して測定した。
【００５２】
図８を参照すると、エッチングレート変化量が低い測定点の近傍では、ウエハ７０１の最外周とサセプタ３２９間の隙間が小さい状態（図５に示す状態）にあることがわかる。すなわち、シースの形状（前記隙間の寸法）に応じてウエハ７０１の外周に入射するイオンのエネルギーおよびイオンの個数の分布が変化してエッチングレートが変化する。従って、この現象を利用して、ウエハ７０１の最外周とサセプタ３２９との間のずれ（隙間寸法）を算出することができる。
【００５３】
図８に示す各測定のエッチングレートの変化量８０１から回帰分析を使用し平面方程式を求める。
【００５４】
平面方程式は下記のように表わされる。
【００５５】
ｚ＝ａｘ＋ｂｙ＋ｃ          ・・・（２）
回帰分析より、式（２）の各パラメータとして、ａ＝０．００４７、ｂ＝−０．００８４、ｃ＝−０．６７５０が算出される。ウエハ７０１がずれている方向を求めるには、
平面方程式（２）とｘｙ平面との交線と，平面方程式（２）とｘｙ平面の交線で原点（０，０，０）を通る法線との交点（−ｃ／ｂ、−ｃ／ａ）より求めることができる。
【００５６】
ずれの方向を求めると、θＷＡＦ＝１１９度となる（θＷＡＦ＝１１９度は、図７において（１４８、０）を０度として反時計方向に１１９度の回転した方向を示す）。本結果はθＷＡＦ＝１１９度の方向にウエハがズレて、隙間が小さくなっていることを示している。ウエハ７０１を所望の位置に配置するためには、反対の方向(２８９度)に移動させれば良いことがわかる。
【００５７】
本実施形態の効果を確認するために、ウエハ７０１の最外周とサセプタ３２９間の隙間を測定した。図８に示すようにθＷＡＦ＝１１９度の方向が隙間が狭く、θＷＡＦ＝２８９度の方向の隙間が大きいことがわかり、θＷＡＦ＝２８９度の方向にウエハを補正すれば良いことがわかる。
【００５８】
中心のずれ量ＲＷＡＦは、８個の測定点のエッチングレートの変動量の最大値と最小値の差（ΔＥＷＡＦ）から式（４）、式（５）を用いて求めることができる。
【００５９】
ΔＥＷＡＦ＝（ΔＥＭＡＸ−ΔＥＭＩＮ）／２      ・・・（４）
ΔＥＭＡＸ：エッチングレートの変動量の最大値
ΔＥＭＩＮ：エッチングレートの変動量の最小値
＝（０．９−（−２．４））／２
＝１．６５
ＲＷＡＦ＝√（ΔＥＷＡＦ／ｋ）        ・・・（５）
ｋ：定数５．０５
＝√（１．６５／５．０５）
＝０．５７
すなわち、ウエハ７０１をθＷＡＦ＝２８９度の角度の方向に０．５７ｍｍ移動すると、ウエハ７０１の最外周とサセプタ３２９との隙間が均等になるという結果が求得られた。なお、式（５）における定数ｋは、事前に１度だけエッチングレート、およびウエハ７０１とサセプタ３２９の隙間を測定し、除算した値（エッチングレート／隙間）である。定数ｋに関しては、本実施形態を適用することにより精度を向上することができる。
【００６０】
中心のずれ量ＲＷＡＦ＝０．５７の妥当性は、図８に示すウエハ７０１とサセプタ３２９の実測の隙間の測定値より０．５５ｍｍずれている。隙間ゲージの精度である０．０５ｍｍを考慮にいれると十分な値である。
【００６１】
更に本実施形態の効果を確認するために、前記θＷＡＦ＝２８９度、ＲＷＡＦ＝０．５７の結果にしたがって真空ロボット１１１の搬送先位置の指定値（θ、Ｒ）を変更して、再度、エッチングレートの処理を行った。
【００６２】
図９は、ウエハ７０１上のエッチングレートの測定点７０２、および各測定点における測定値を示す図である。
【００６３】
図１０は、各測定点におけるエッチングレート変化量を示す。図１０を参照すると、エッチングレート変化量の均一性が向上したことがわかる。式（４）、式（５）を用いてθＷＡＦ、ＲＷＡＦを求めると、θＷＡＦ＝２２．５度、ＲＷＡＦ＝０．０１ｍｍが得られる。本実施形態の効果を確認するために、ウエハ７０１の最外周とサセプタ３２９間の隙間を測定した。図１０に示すように隙間の均一性が向上したことがわかる。
【００６４】
図１１は、実際の量産に適用する場合の処理を説明する図である。例えば１ロットの製品処理が開始され、それが終了すると（ステップＳ１１０１、１１０２）、エッチングレートの処理を実施する（ステップＳ１１０３）。まず、エッチングレートを測定し（ステップＳ１１０４）、測定結果をもとにサセプタとウエハの距離を算出し、補正量を算出する（ステップＳ１１０５）。次に算出した補正量をもとに真空ロボットの搬送先位置を変更する（ステップＳ１１０６）。その後、製品処理を開始する（ステップＳ１１０７）。この処理を継続することにより、ウエハ外周部におけるプロセス性能を所望の値に再現性良く得ることができる。
【００６５】
なお、本実施形態においては、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）方式のプラズマ処理装置を用いたが、本発明はこの装置に限定されるものではなく、例えば、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）方式、ＣＣＰ（Capacitively Coupled Plasma）方式など他のプラズマの発生方式を用いた装置にも適用可能である。
【００６６】
以上説明したように、本実施例によれば、ウエハ外周部におけるエッチングレートを測定して比較することにより、試料台を取り囲むように配置されたサセプタとウエハとの距離を算出し、算出した距離をもとに、ウエハを所望の位置にウエハを搬送することができる。
【００６７】
また、以上の説明では、ウエハ外周部における径方向２カ所のエッチングレートを測定して比較することにより、試料台を取り囲むように配置されたサセプタとウエハとの距離を算出したが、前記エッチングレートの外に、成膜レート、ウエハ温度、デバイス素子の寸法、デバイス素子の削れ量、デバイス素子の角度、あるいはデバイスの電気特性を測定して得られた結果をもとにウエハとサセプタとの距離を把握して、真空ロボットに対する補正量を求めて、ウエハを所望の位置に搬送することができる。また、補正量が許容値を越えていた場合には、位置ずれエラーを出力することができる。これにより、ウエハ面内において所望のプロセス性能を得ることできる。
【符号の説明】
【００６８】
１００    真空処理装置
１０１    処理室１
１０２    処理室２
１０３    処理室３
１０４    処理室４
１０５    カセット戴置台
１０６    ロードロック室
１０７    ロードロック室
１０８    大気ロボット
１０９    大気搬送室
１１０    バッファ室（真空搬送室）
１１１    真空ロボット
３０１    エッチング処理室
３０２    シャワープレート
３０３    微小隙間
３０４    ガスリング
３０５    石英プレート
３０６    共振空間
３０７    導波管
３０８    整合器
３０９    ソレノイドコイル
３１０    高周波電源
３１１    側壁部材
３１２    試料台
３１３    熱伝達性ガス流路
３１４    直流電源
３１５    温調ユニット
３１６    熱伝達性ガス供給源
３１７    高周波バイアス電源
３１８    排気ゲートプレート
３１９    コンダクタンス可変バルブ
３２０    ターボ分子ポンプ
３２１    排気配管
３２２    排気ポンプ
３２３    処理ガス供給源
３２４    処理ガス供給配管
３２５    搬送室
３２６    ゲートバルブ
３２７    搬送用ロボット
３２８    ウエハ
３２９    サセプタ
３３０    処理室用圧力計
３３１    熱伝達性ガス供給配管
３３２    圧力計
３３３    電極カバーリング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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