(57)【要約】【課題】１００Ｐａ以上大気圧以下のガス圧でプラズマを生成しても不要箇所での放電を防止できるプラズマ生成装置を得ること。【解決手段】電源が接続される電極セット９と電極セット９に対向配置され接地される接地電極ステージ２との電極間間隙に１００Ｐａ以上大気圧以下のガス圧の下で生成されるプラズマを処理対象物に照射するプラズマ生成装置であって、接地電極ステージ２に接触して電極セット９に対向配置され基板６を保持する固体誘電体５と、固体誘電体５の接地電極ステージ２が配置される側の面のうち接地電極ステージ２に接触する接触領域のうちの所定範囲の領域と、接地電極ステージ２に接触しない非接触領域のうち接触領域と連続する所定範囲の領域と、に連続して設けられる導電膜２１と、を備える。【選択図】図１
2013214413.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源が接続される第１の電極と前記第１の電極に対向配置され接地される第２の電極との電極間間隙に１００Ｐａ以上大気圧以下のガス圧の下で生成されるプラズマを処理対象物に照射するプラズマ生成装置であって、
前記第２の電極に接触して前記第１の電極に対向配置され基板を保持する固体誘電体と、
前記固体誘電体の前記第２の電極が配置される側の面のうち前記第２の電極に接触する接触領域のうちの所定範囲の領域と、前記第２の電極に接触しない非接触領域のうち前記接触領域と連続する所定範囲の領域と、に連続して設けられる導電膜と、
を備えることを特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項２】
前記固体誘電体は、前記第２の電極が配置される側の面の前記第２の電極と接する部位に、前記第２の電極の前記第１の電極側の面を嵌め込むことが可能な凹部を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ生成装置。
【請求項３】
前記導電膜は、耐酸化性を有する材料を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ生成装置。
【請求項４】
前記導電膜は、金を含むことを特徴とする請求項３に記載のプラズマ生成装置。
【請求項５】
前記導電膜は、金箔であることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ生成装置。
【請求項６】
前記導電膜は、前記接触領域のうちの全領域に設けられることを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載のプラズマ生成装置。
【請求項７】
前記導電膜は、前記接触領域のうち前記第２の電極の外周部近傍の領域と、前記非接触領域のうち前記接触領域と連続する所定の領域にリング状に設けられることを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載のプラズマ生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマ生成装置に関し、特に低温プラズマを発生するプラズマ生成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや撮像デバイス、画像入力用ラインセンサなどの製造工程では、薄膜形成やエッチング、スパッタリング、表面改質などの処理を行うプラズマプロセスが必要不可欠の技術になっている。このプラズマプロセスでは、ガス温度が低温で電子温度のみが高温となる低温プラズマが広く用いられている。
【０００３】
その低温プラズマを発生する従来のプラズマ生成装置は、接地された真空容器内に、パルス電力や高周波電力を印加する電力印加電極を真空容器と絶縁して配置し、対面するもう一つの電極を真空容器と電気的に接続して配置し、それらの電極の配置空間を、数Ｐａ〜１００Ｐａのガス圧に調整された反応ガスで満たすように、あるいは大気圧グロープラズマを用いてシリコン膜を形成する大気圧プラズマ化学輸送成膜法では、大気圧近傍までのガス圧に調整された反応ガスで満たすようになっている。このプラズマ生成装置では、電極間の反応ガスが電極間に発生させたパルス状電界や高周波電界による放電によって電離し、電極間に、負電荷を有する電子と、正電荷を有するイオンと、電気的に中性なラジカルと、が激しい運動をしながら混在するプラズマ状態（低温プラズマ）が生成される。
【０００４】
ところで、このような構成のプラズマ生成装置では、電力印加電極と基板の間以外でも電界が発生し、そこでもプラズマ放電が発生する場合がある。この電力印加電極と基板の間以外で生ずる放電は不要放電であり、プラズマ発生効率を高める上で阻害要因となっている。そのため、従来から、電力印加電極と基板の間以外で生ずる不要放電を抑制する構造例が種々提案されている（たとえば、特許文献１〜３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０３３８４９号
【特許文献２】特開２００３−２７３０８０号公報（図１）
【特許文献３】特開２０１０−１４４２５６号公報（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、上記した特許文献１〜３に記載の従来の不要放電抑制構造例は、真空容器内のガス圧を数Ｐａ〜１００Ｐａの範囲内に調整している場合に対するものであるが、真空容器内のガス圧を、従来用いられている圧力範囲（数Ｐａ〜１００Ｐａ）よりも高い圧力範囲、具体的には、１００Ｐａ以上大気圧近傍までの圧力範囲内に調整する場合でも不要放電が起こらないプラズマ生成装置が望まれている。
【０００７】
パッシェン則によれば、プラズマの放電開始電圧は、ガス圧力と電極間ギャップとの積の関数で表されるので、ガス圧力が高くなると放電しやすい電極間ギャップは小さくなる。ガス圧力が１００Ｐａ以上から大気圧近傍までの範囲内においては、最も放電の起こりやすい間隙は０．０１ｍｍ〜１ｍｍの範囲である。
【０００８】
そのため、従来提案されている上記特許文献１〜３の不要放電抑制構造例では、パッシェン則から得られる最も放電の起こりやすい間隙を形成する箇所が存在する、あるいはできてしまうので、１００Ｐａ以上から大気圧近傍までの高いガス圧の条件下でプラズマを生成する放電を発生させると、上記した不要放電が発生してしまうという問題があった。
【０００９】
具体的には、特許文献１では、電源が接続される第１の電極と第１の電極に対向配置され接地される第２の電極との電極間間隙に１００Ｐａ以上大気圧以下のガス圧の下で生成されるプラズマを処理対象物に照射するプラズマ生成装置で、第１の電極は接地された導電性保持部材に、第２の電極と対向しない面に設けられた固体誘電体を介して保持される構造であり、固体誘電体の表面のうち導電性保持部材に接触する所定範囲の面と接触しない所定範囲の面とに連続して導電膜を設けることで、導電性保持部材と固体誘電体とで形成される空隙での不要放電を抑制している。しかし、基板（処理対象物）を保持し、第２の電極上に設けられる固体誘電体の変形や歪等によって生じる空隙で発生する不要放電を防止できない虞があった。
【００１０】
また、特許文献２では、真空容器内に設けられる基板を載置する電極と、この電極に電力を印加する第１の電源と、真空容器の外側で電極に対向する位置に配置されるコイルと、このコイルに電力を印加する第２の電源と、を有するプラズマ処理装置で、電極の周囲に格子状の導体シールドを配置することで、電位差により生じるアーク放電につながる真空容器下部へのプラズマ放電の広がりを抑制し、不要放電の発生を抑制している。しかし、基板を保持するために固体誘電体を用いた場合、電極と固体誘電体との間に生じる空隙で放電が発生してしまうという問題点があった。
【００１１】
さらに、特許文献３では、プロセスチャンバ内に設けられる絶縁性の基板ホルダと、プロセスチャンバ内にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、を備える基板処理装置で、基板保持面である基板ホルダの表面の一部を覆うようにして導電膜を形成するとともに、基板ホルダ上の基板の周縁に沿った所定の領域に膜が堆積するのを防止し、アースから絶縁されているシャドーシールドと導電膜とを短絡させることで、膜堆積によるシャドーシールドと基板の表面とが繋がることで生じる異常放電を防止している。しかし、基板を保持する基板ホルダは誘電体で構成されており、基板ホルダとシャドーシールドとの空隙で放電が生じてしまうという問題点があった。
【００１２】
この発明は、上記に鑑みてなされたもので、１００Ｐａ以上大気圧以下のガス圧でプラズマを生成しても不要箇所での放電を防止できるプラズマ生成装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、この発明にかかるプラズマ生成装置は、電源が接続される第１の電極と前記第１の電極に対向配置され接地される第２の電極との電極間間隙に１００Ｐａ以上大気圧以下のガス圧の下で生成されるプラズマを処理対象物に照射するプラズマ生成装置であって、前記第２の電極に接触して前記第１の電極に対向配置され基板を保持する固体誘電体と、前記固体誘電体の前記第２の電極が配置される側の面のうち前記第２の電極に接触する接触領域のうちの所定範囲の領域と、前記第２の電極に接触しない非接触領域のうち前記接触領域と連続する所定範囲の領域と、に連続して設けられる導電膜と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、接地された第２の電極に支持され基板を保持する固体誘電体の第２の電極と接触する導電膜は、第２の電極を通して接地されるので、基板を保持する固体誘電体と第２の電極は導電位となり、その間隙では放電は生じない。したがって、１００Ｐａ以上大気圧以下の高いガス圧でプラズマを生成しても固体誘電体の下方の不要箇所での放電を防止できるので、プラズマ発生効率の向上を図ることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施の形態１によるプラズマ生成装置の概略構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、固体誘電体での導電膜の形成領域の一例を模式的に示す図である。
【図３】図３は、固体誘電体での導電膜の形成領域の他の例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、実施の形態２による固体誘電体での導電膜の形成領域の一例を模式的に示す図である。
【図５】図５は、実施の形態２による固体誘電体の構成の一例を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に添付図面を参照して、この発明の実施の形態にかかるプラズマ生成装置を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１７】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１によるプラズマ生成装置の概略構成の一例を模式的に示す断面図である。図１において、真空容器となる反応容器１は、導電性部材を有底円筒状に形成したものであり、電気的に接地されている。反応容器１の底部には、電気的に接地された第２の電極である平板状の接地電極ステージ２が配置され、また、ガス導入口３およびガス排出口４がそれぞれ設けられている。接地電極ステージ２の上面には固体誘電体５を介して処理対象である基板６が配置されている。接地電極ステージ２は、ヒータ７を内蔵し、固体誘電体５を介して基板６を加熱できるようになっている。なお、図１では、接地電極ステージ２は、反応容器１の底部のほぼ中央に（図示例では、円筒中心の位置に）固定された所定高さの支柱８の端部に、底部面と並行して支持されている。
【００１８】
支柱８に固定された接地電極ステージ２は、上下（Ｚ軸）方向に稼動可能な構成を有し、接地電極ステージ２の上面の固体誘電体５を介して処理対象である基板６と電極板１３との間隔、すなわちプラズマ２０が生じる間隔を制御できる構造となっている。処理対象である基板６を保持する固体誘電体５の表面のうち、接地電極ステージ２に接触する側には導電膜２１が形成されている。導電膜２１は、接地電極ステージ２と接触する部分に連続して形成され、接地電極ステージ２と接触しない部分にも形成されている。
【００１９】
そして、反応容器１の開口端面には、第１の電極である電極セット９を支持する平板状の保持板１０が固定されている。電極セット９の外観は、所定長さの円柱状をした挿入部９ａと、該挿入部９ａの引出端側に挿入部９ａの径方向に飛び出して設けられるフランジ部９ｂと、で構成される形状をしている。保持板１０は、導電性部材からなり、電気的に接地されている。保持板１０には、電極セット９の挿入部９ａ外径よりも少し大きめの円形穴１１が設けられている。この円形穴１１の中心は、図示例では、円筒中心と一致している。なお、保持板１０は、反応容器１の開口端を塞ぐカバーとして用いられるものである。
【００２０】
電極セット９は、電力印加電極１２と、電極板１３と、固体誘電体１４と、で構成されている。電力印加電極１２は、上記した挿入部１２ａとフランジ部１２ｂとを有する円柱状の構造体である。電極板１３は、この電力印加電極１２の挿入部１２ａ端面に貼着されている。固体誘電体１４は、この電極板１３の配置領域を除く挿入部１２ａ外周囲とフランジ部１２ｂの挿入側面とに連続して貼着されている。電力印加電極１２は、内部に、空洞１５が設けられ、そこに水などの冷媒が充填され、電極板１３を冷却できるようになっている。
【００２１】
電極セット９は、その引出端側に設けたフランジ部９ｂで保持板１０に図示しないネジなどの固定部材によって気密性よく固定される。これによって、反応容器１は内部のいわゆる空気を引き抜いて減圧できる真空容器となる。
【００２２】
そして、電極セット９は、保持板１０に支持される近傍の固体誘電体１４の所定範囲表面に形成される導電膜１６を有している。電極セット９を保持板１０の円形穴１１に嵌入し、フランジ部９ｂを保持板１０に支持させると、フランジ部９ｂに形成された導電膜１６は、保持板１０に圧着され、保持板１０を通して電気的に接地された状態になる。保持板１０の円形穴１１の内周径は、挿入部９ａに形成された導電膜１６との間に隙間１７ができる程度に余裕を有して形成されているので、電極セット９は、導電膜１６と保持板１０の円形穴１１とを干渉させることなく、反応容器１にセットできる。導電膜１６は保持板１０の円形穴１１との隙間１７で生じる不要放電を防止する効果を有する。
【００２３】
電極セット９の電力印加電極１２には、マッチングボックス（インピーダンス整合器）１８を介して電源１９が接続されている。電源１９は、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電源、それよりも高い数百ＭＨｚ程度の高周波電源、或いは、数ｋＨｚのパルス電源などである。
【００２４】
以上の構成において、反応容器１内のいわゆる空気をガス排出口４から排出して所定の真空度とした状態において反応容器１内の反応ガスの圧力が１００Ｐａ以上大気圧以下の範囲内の所定値になるように、ガス導入口３から導入する反応ガスの供給量とガス排出口４から排出する反応ガスの排気量とを調整する。また、空洞１５に冷媒を入れて電極板１３を或る温度に冷却し、ヒータ７に発熱させて基板６を或る温度に加熱した状態にする。この状態で、電源１９からマッチングボックス１８を通して電力印加電極１２に所定の高周波電力またはパルス電力を印加すると、電力印加電極１２の一部である電極板１３と接地電極ステージ２との間で放電が開始され、プラズマ２０が生成される。このプラズマ２０に基板６が曝されることで、基板６に所定のプラズマ処理が行われる。
【００２５】
例えば、反応ガスとして水素ガスを用い、電極板１３としてシリコン板を用い、電極板１３をおよそ１５℃の冷媒で冷却し、基板６を３００℃程度に加熱し、反応容器１内のガス圧力をおよそ約０．９気圧に調整してプラズマ２０を生成させると、基板６上にシリコン膜が形成される。以上は基板６上に機能性薄膜を形成する例であるが、同様の方法で、基板６の表面改質処理も行うことができる。
【００２６】
このとき、接地された接地電極ステージ２に支持され、基板６を保持する固体誘電体５の接地電極ステージ２と接触する導電膜２１は、接地電極ステージ２を通して接地されるので、基板６を保持する固体誘電体５と接地電極ステージ２は導電位となり、その間隙での放電は生じない。
【００２７】
つぎに、固体誘電体５の裏面側に設けられる導電膜２１を形成すべき領域の定め方について説明する。基板６を保持する固体誘電体５は、接地電極ステージ２と接触する領域に形成されるが、この実施の形態１では、接触する領域の全面に導電膜２１を設ける場合について説明する。
【００２８】
固体誘電体５と接地電極ステージ２が接触する領域に変化が無い場合、つまり位置ずれや変形が無い場合には、接地電極ステージ２に接触する領域のみに導電膜２１を形成すればよい。しかしながら、接地電極ステージ２は、固体誘電体５を介して基板６を加熱するためのヒータ７を内蔵しており、プロセス条件によって最高５００℃程度まで達する。接地電極ステージ２を、φ１００ｍｍ径のステンレス鋼（熱膨張係数：１４．７×１０-6／℃）で形成する場合には、接地電極ステージ２は、４００℃の昇温により０．５８８ｍｍ膨張変形する。このステンレス製の接地電極ステージ２の熱膨張は、たとえば石英によって形成される固体誘電体５に比べて大きい。さらに、固体誘電体５を接地電極ステージ２に設置する際の位置ずれも考慮する必要がある。
【００２９】
図２は、固体誘電体での導電膜の形成領域の一例を模式的に示す図であり、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は側面断面図である。図２のように、固体誘電体５の中心が接地電極ステージ２の中心と一致するように配置した場合に、導電膜２１と接地電極ステージ２が接触しない領域の幅（接地電極ステージ２の外周部と導電膜２１の外周部との間距離）Ｌ１を１ｍｍ以上とすることで、各部材（接地電極ステージ２や固体誘電体５）の熱による変形や経年変形、設置ずれなどが生じても、接地電極ステージ２と固体誘電体５との間に導電膜２１が存在する状態が保たれ、不要放電を防止することができる。さらに、導電膜２１と接地電極ステージ２が接触しない領域の幅Ｌ１を３ｍｍ以上とすることで、各部材の変形や位置ずれが多少大きくなっても、接地電極ステージ２と固体誘電体５との間に導電膜２１を余裕を持って存在させることができる。
【００３０】
このように、導電膜２１は、接地電極ステージ２が固体誘電体５と接触する接触領域の全体と、接地電極ステージ２が固体誘電体５と接触しない非接触領域のうち、接触領域の外周から１ｍｍ以上の幅、より望ましくは３ｍｍ以上の幅を有し、接触領域と連続する範囲に形成される。
【００３１】
つぎに、導電膜２１の形成方法について説明する。まず、固体誘電体５のうち導電膜１６を形成しない領域にフィルムを貼ってマスキングする。そのマスキングした固体誘電体５をニッケルめっき液に浸漬し、無電解めっきにより数ミクロン程度の厚みのニッケル膜を形成する。さらに、そのニッケル膜表面の酸化防止用の膜（耐酸化性を有する膜）として、ニッケル膜表面に金めっき被覆を行う。その後、マスキングに使ったフィルムを剥がす。これによって、所望の箇所にのみ導電膜２１であるニッケル／金膜が形成された固体誘電体５が得られる。なお、導電膜２１の材質は、以上に示したニッケル／金膜に限られず、膜状で被覆形成でき、かつ表面が酸化しにくい材料であればよい。
【００３２】
ここで、導電膜２１の膜厚は、０．１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。何故なら、０．１μｍ以下の膜厚では、固体誘電体５と接地電極ステージ２との擦れによって導電膜２１に傷が入り、固体誘電体５の表面が露出してしまい、不要放電の防止ができなくなるためである。また、１００μｍ以上の膜厚では、導電膜２１の内部応力による膜歪みが大きくなり、導電膜２１が固体誘電体５から剥離してしまい、導電膜２１と固体誘電体５との間に隙間が生じ、その隙間でプラズマ放電が発生してしまうからである。さらには、大気圧近傍の高い圧力でのプラズマ生成は電極間距離が数ｍｍと非常に狭い間隔で行われるため、１００μｍ以上の膜厚ではこの電極間距離を変動させてしまうので、好ましくない。
【００３３】
図３は、固体誘電体での導電膜の形成領域の他の例を模式的に示す断面図である。この図３では、導電膜２１は、固体誘電体５の裏面全体に設けられる構造となっている。このような構造であっても、図１と図２で説明した接地電極ステージ２と固体誘電体５との間での不要放電を防止することができる。
【００３４】
以上のように、この実施の形態１では、真空容器に着脱可能に取り付けられる電力を印加する電極セット９と、接地電極ステージ２と、を有するプラズマ生成装置において、基板６を保持する固体誘電体５の接地電極ステージ２との接触面と、固体誘電体５の接地電極ステージ２と接触しない非接触面のうち、接触面から連続する所定の領域に、導電膜２１を形成した。これによって、プラズマの生成に用いる反応ガスのガス圧を１００Ｐａ以上大気圧以下のガス圧としても、接地電極ステージ２と固体誘電体５との間での不要放電を防止して、電力を印加する電極（電極セット９）と接地電極（接地電極ステージ２）との電極間間隙でのみプラズマ２０の生成が行われる構造としたので、プラズマ発生効率を向上させることができるという効果を有する。
【００３５】
実施の形態２．
実施の形態１では、図２や図３に示されるように、円形の接地電極ステージと接する円盤状の固体誘電体の領域とその外側の連続する領域に円形状の導電膜を形成したが、導電膜の形状はこれに限定されるものではなく、リング状のものなども使用することができる。実施の形態２では、接地電極ステージに対して誘電体膜と導電膜の形状を変化させる場合について説明する。
【００３６】
図４は、実施の形態２による固体誘電体での導電膜の形成領域の一例を模式的に示す図であり、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は側面断面図である。固体誘電体５と接地電極ステージ２との間に生じる不要放電は、固体誘電体５と接地電極ステージ２とが接触する端部より発生することから、導電膜２１の形成領域は、接地電極ステージ２が固体誘電体５と接する接触領域全域に形成する必要は無く、接触領域中の接地電極ステージ２の端部（外周部）を含む所定の領域と、この所定の領域に連続する非接触領域中の所定の領域とに、帯状（リング状）に形成してもよい。すなわち、接地電極ステージ２の外周部から半径方向の両側の所定の範囲に、導電膜２１を設けるようにしてもよい。このように導電膜２１を設けることで不要放電を防止できる。
【００３７】
実施の形態１の場合と同様に、固体誘電体５と接地電極ステージ２が接触しない領域の幅（接地電極ステージ２の外周部と導電膜２１の外周部との間距離）Ｌ１は、１ｍｍ以上であり、より望ましくは３ｍｍ以上である。このようにすることで、各部材（接地電極ステージ２や固体誘電体５）の熱による変形や経年変形、設置ずれなどが生じても、接地電極ステージ２と固体誘電体５との間に導電膜２１が存在する状態が保たれ、不要放電を防止することができる。
【００３８】
図５は、実施の形態２による固体誘電体の構成の一例を模式的に示す図であり、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は側面断面図である。この図５に示されるように、固体誘電体５と接地電極ステージ２の位置ずれを抑制するため、固体誘電体５の接地電極ステージ２と接する部位に、接地電極ステージ２の外形に略一致する凹部５ａを設けてもよい。この凹部５ａに接地電極ステージ２の上面が嵌合し、固体誘電体５の接地電極ステージ２に対する位置を固定することが可能になる。この場合には、導電膜２１は、凹部５ａの側面形成位置近傍の領域に連続的に設けられる。具体的には、凹部５ａを構成する側面と、凹部５ａの側面形成位置から半径方向の内側と外側の所定の幅の領域にリング状に導電膜２１が形成される。なお、ここでは、凹部５ａの底面（上面）の側面形成位置から所定の幅で導電膜２１を形成しているが、実施の形態１のように底面の全面に導電膜２１を形成してもよい。
【００３９】
このときの、固体誘電体５と接地電極ステージ２が接触しない領域Ｒの幅（接地電極ステージ２の外周部と導電膜２１の外周部との間の距離）Ｌ２は、上記と同様に１ｍｍ以上であり、より望ましくは３ｍｍ以上である。このようにすることで、各部材（接地電極ステージ２や固体誘電体５）の熱による変形や経年変形などが生じても、接地電極ステージ２と固体誘電体５との間には導電膜２１が存在する状態が保たれ、不要放電を防止することができる。
【００４０】
また、実施の形態１では、導電膜２１をめっき法によって形成したが、これに限定されるものではない。たとえば、大面積の基板６等に対応する形態では、スパッタ法や蒸着法のドライプロセスやめっき法でのウエットプロセスの何れの手法を用いて導電膜２１を固体誘電体５に形成してもよいが、何れも大型装置が必要である。そこで、固体誘電体５に金箔を貼ることによって、導電膜２１を形成してもよい。このとき、固体誘電体５の導電膜２１を形成する領域をサンドブラスト処理して凹凸を形成した後、金箔の貼付けを行うことができる。金箔の厚さとして、たとえば１０μｍとすることができる。このように、金箔を用いる方法は、大掛かりな装置を必要とせず、低コストで導電膜２１の形成を実現できる手法である。
【００４１】
以上のように、この実施の形態２では、導電膜２１の形成領域を、接地電極ステージ２の外周部から内部と外部に設けられる所定の幅の帯状（リング状）の領域としたので、実施の形態１の場合に比して、導電膜２１に使用される金膜などの高価な材料の使用量を減らすことができるという効果を、実施の形態１の効果に加えて得ることができる。
【００４２】
また、固体誘電体５の下面に接地電極ステージ２の上部が嵌合可能な凹部５ａを設けたので、接地電極ステージ２と、その上に設置される固体誘電体５との間の位置ずれを防止することもできるという効果を有する。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
以上のように、この発明にかかるプラズマ生成装置は、１００Ｐａ以上大気圧以下のガス圧でプラズマを生成しても不要箇所での放電を防止し、プラズマ発生効率の向上が図れるプラズマ生成装置として有用である。
【符号の説明】
【００４４】
１  反応容器
２  接地電極ステージ
３  ガス導入口
４  ガス排出口
５，１４  固体誘電体
５ａ  凹部
６  基板
７  ヒータ
８  支柱
９  電極セット
９ａ，１２ａ  挿入部
９ｂ，１２ｂ  フランジ部
１０  保持板
１１  円形穴
１２  電力印加電極
１３  電極板
１５  空洞
１６  導電膜
１７  隙間
１８  マッチングボックス
１９  電源
２０  プラズマ
２１  導電膜
【図１】
2013214413.tif 000003
【図２】
2013214413.tif 000004
【図３】
2013214413.tif 000005
【図４】
2013214413.tif 000006
【図５】
2013214413.tif 000007