(57)【要約】【課題】レーザー光照射を行いつつインクジェットでパターンを描画する際に、レーザー光が照射される絶縁性基材１の変更の度にかかるレーザーヘッドの管理作業工程を低減する。【解決手段】絶縁性基材１の一方主面側に配置され、絶縁性基材１の一方主面の所定領域に導電性材料を含むインクの液滴７を吐出するインクジェットヘッド２と、絶縁性基材１の他方主面側に配置され、絶縁性基材１の他方主面側からレーザー光を照射するレーザーヘッドとを備え、絶縁性基材１の他方主面側に、レーザー光を吸収する吸収層８を配置する。【選択図】  図１
2013125063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材の一方主面側に配置され、前記絶縁性基材の一方主面の所定領域に導電性材料を含むインクの液滴を吐出するインクジェットヘッドと、
前記絶縁性基材の他方主面側に配置され、前記絶縁性基材の他方主面側からレーザー光を照射するレーザーヘッドと、を備え、
前記絶縁性基材の他方主面側に、前記レーザー光を吸収する吸収層が配置されていることを特徴とするパターン描画装置。
【請求項２】
前記吸収層の前記絶縁性基材側の主面には、前記絶縁性基材の熱容量よりも大きい熱容量を有する熱伝層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のパターン描画装置。
【請求項３】
前記吸収層は、多孔質であることを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン描画装置。
【請求項４】
前記吸収層は、蛍光剤が添加されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のパターン描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線用のパターンを描画するパターン描画装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
着弾後のインクの液滴を迅速に加熱し、着弾した液滴の濡れ広がりを防止して、高アスペクト比の配線パターンを形成する観点から、プリント配線板の一方主面側に、配線用のパターンを形成するインクジェット装置のインクジェットヘッドと、インクの着弾予定領域を局所的に加熱する加熱装置のレーザーヘッドとが配置されたパターン描画装置が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２００９／０７２６０３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のパターン描画装置においては、インクの着弾予定領域を局所的に加熱する際に、プリント配線板の基材の材質に適したレーザー光を選択し、基材の特性や厚さに応じてレーザー光の照射条件を変更する必要がある。このため、パターンを描画する対象が変わる度に、レーザー光の光源及び照射条件を変更する手間がかかるという不都合がある。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、パターンを描画する対象が変わっても、レーザー光の光源及び照射条件を変更する手間をかけることなく、レーザー光を照射することによりインクの液滴を迅速に加熱することができるパターン描画装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
[１]本発明は、絶縁性基材の一方主面側に配置され、前記絶縁性基材の一方主面の所定領域に導電性材料を含むインクの液滴を吐出するインクジェットヘッドと、前記絶縁性基材の他方主面側に配置され、前記絶縁性基材の他方主面側からレーザー光を照射するレーザーヘッドと、を備え、前記絶縁性基材の他方主面側に、前記レーザー光を吸収する吸収層が配置されていることを特徴とするパターン描画装置を提供することにより、上記課題を解決する。
【０００７】
[２]上記発明において、前記吸収層の前記絶縁性基材側の主面には、前記絶縁性基材の熱容量よりも大きい熱容量を有する熱伝層を設けることができる。
【０００８】
[３]上記発明において、前記吸収層を多孔質の材料で構成することができる。
【０００９】
[４]上記発明において、前記吸収層を蛍光剤が添加された材料で構成することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、絶縁性基材の一方主面側に配線パターンを描画する際に、絶縁性基材の他方主面にレーザー光を局所的に照射することにより、インクの液滴が絶縁性基材に着弾した後に濡れ広がることを防止して高アスペクト比の配線パターンを形成することができるとともに、パターンを描画する対象が変わっても、レーザー光の光源及び照射条件を変更する手間が不要なパターン描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係るパターン描画装置の概要を示す全体構成図である。
【図２】図１のＡ部分の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。本実施形態では、プリント配線板の配線パターンを形成する回路形成装置に、本発明に係るパターン描画装置１００を適用した例を説明する。
【００１３】
なお、本発明の実施形態に係るパターン描画装置１００は、プリント配線板の配線パターンの形成のほか、チップとメイン基板との間に介在させるインターポーザの配線パターン（ワイヤボンディングに相当するものを含む）の形成、フレキシブルプリント配線板の配線パターンの形成、多層配線基板や部分多層配線基板の各層の配線パターン及び各絶縁層の形成などにも用いることができる。
【００１４】
図１は、本実施形態におけるパターン描画装置１００の概要を示す全体構成図、図２は、図１に示すＡ領域を含む部分の拡大図である。
【００１５】
図１に示すように、本実施形態のパターン描画装置１００は、図中のｘｙ面に沿う一方主面（図中上側の面）がｘ軸方向に沿って移動が可能なステージ５と、このステージ５の一方主面上に形成された吸収層８と、この吸収層８の一方主面（図中上側面）に形成された熱伝層９と、この熱伝層９の一方主面（図中上側面）上にセットされたプリント配線板１０の絶縁性基材１の一方主面側（図中上側）に設けられたインクジェットヘッド２と、絶縁性基材１の他方主面側（図中下側）に設けられたレーザーヘッド３と、を備えている。
【００１６】
本実施形態のパターン描画装置１００は、インクジェットヘッド２のノズル２１の先端から、形成する配線のパターンに応じた絶縁性基材１上の所定領域に向けて微小なインクの液滴７を吐出し、着弾した液滴７を乾燥・焼結させて配線パターン１１を描画（形成）し、プリント配線板１０を製造する。
【００１７】
ステージ５は、レーザーヘッド３から照射されるレーザー光３２に対して透明な材質で構成することができる。また、本実施形態のステージ５は、熱伝導性に優れる材質で構成されることが好ましい。例えば、本実施形態において、ステージ５は、可視光域のレーザー光３２に対してはケイ酸ガラス（石英ガラスを含む）又はアクリルガラスで構成することができ、赤外域（波長２〜６μｍ）のレーザー光３２に対してはシリコンで構成することができる。
【００１８】
本実施形態のインクジェットヘッド２は、後述する制御装置６の指令に従い、絶縁性基材１の一方主面の配線パターン１１が形成される所定領域に向かってインクの液滴７を吐出する。本実施形態のインクジェットヘッド２の態様は特に限定されず、ピエゾ方式であってもバブル方式であっても静電吸引方式であってもよい。また、その構成も特に限定されず、出願時に知られている回路形成用のインクジェット印刷装置を用いることができる。
【００１９】
特に限定されないが、本実施形態において、インクジェットヘッド２の開口サイズは５μｍ〜５０μｍ程度、インクジェットヘッド２から吐出される液滴７の径は１０μｍ〜１５０μｍ、好ましくは２０μｍ〜１００μｍとすることができる。図１に示すように、インクジェットヘッド２のノズル２１から吐出された液滴７は、ノズル２１と絶縁性基材１との間の空間を飛翔してノズル２１と対向する配線パターン１１が形成される所定領域の位置Ｑ（着弾予定位置）に着弾する。着弾後のインクの液滴７は、照射されるレーザー光３２による熱で加熱され、インクに含まれる分散材料（溶媒など）が蒸発することにより導電性の機能膜が成膜される。その後、必要に応じて焼成処理を行うことにより、導電性を備える配線パターン１１が形成される。なお、絶縁性基材１の一方主面上に着弾した液滴７は、インクの表面張力と絶縁性基材１とインクとの界面自由エネルギーによって絶縁性基材１の主面上を流動するので、インクに含まれる分散材料（溶媒など）が蒸発するまでの間に絶縁性基材１の主面に沿って濡れ広がる傾向がある。
【００２０】
本実施形態で用いられるインクは、有機・無機・金属などの導電性材料、半導体材料、絶縁性材料などの機能性材料を含み、インクジェットヘッド２の態様に応じた吐出特性を有する。本実施形態では、粒子径が１μｍ以下の導電性材料の微粒子や、粒子径が数ｎｍ〜数十ｎｍの導電性材料のナノ粒子が有機溶媒中に分散されたものを用いることができる。導電性材料が金属の場合は、金属無機塩や有機金属錯体を有機溶媒中に分散させたものであっても構わない。導電性材料としては、金、銀、銅、白金、パラジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、ビスマス、鉛、インジウム、錫、亜鉛、チタン及びアルミニウムの群からなる金属種群のうちの何れか一種若しくは二種以上の金属若しくは二種以上の金属からなる合金を用いることができる。又、上記金属種群から選択された一種若しくは二種以上の金属の酸化物を含む無機物を用いることもできる。あるいは、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロールをはじめとする導電性ポリマーのモノマーやオリゴマーも導電性材料として用いることもできる。
【００２１】
また、本実施形態のパターン描画装置１００は、絶縁性基材１の他方主面にレーザー光３２を照射し、非接触で絶縁性基材１の所定領域を局所的に加熱することにより、絶縁性基材１の一方主面上に着弾した液滴７の溶媒等の蒸発を促進させ、導電性の配線パターン１１を形成させる加熱装置３００を備えている。
【００２２】
本実施形態の加熱装置３００は、絶縁性基材１の他方主面側（図中下側）に配置され、絶縁性基材１の他方主面にレーザー光３２を照射する一つ又は複数のレーザーヘッド３と、複数のレーザー光３２ｉ〜３２ｎを集光するレンズ３１とを備え、複数のレーザー光３２ｉ〜３２ｎをレンズ３１により集光して所定の照射方向及び照射スポット径のレーザー光３２を絶縁性基材１に向けて照射する。本実施形態において照射方向とは、レーザー光３２又はレーザー光群３２ｉ〜３２ｎの中心と照射スポットの中心とを結ぶ方向である。一つのレーザー光３２の光軸を照射方向にセットして絶縁性基材１に向けて照射することもできる。この場合は、光源と照射スポットの中心を結ぶ線の方向が照射方向でありかつ光軸に沿う方向である。なお、加熱装置３００において、レンズ３１の他に反射鏡などの光調整部材を設けることも可能である。
【００２３】
本実施形態のレーザー光３２としては、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザー、又は近赤外〜紫外線域の半導体レーザーなどのレーザー光３２を用いることができる。レーザーの種別は、絶縁性基材１の材質に応じて選択することができる。例えば、絶縁性基材１がＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）やＰＥＮ（Polyethylene naphthalate）などの透明材料である場合には、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザー（第３高調波）を用いることができる。また、絶縁性基材１がポリイミド（polyimide)である場合には、ＹＡＧレーザー（基本波、第２高調波）、又は近赤外〜紫外域の半導体レーザーを用いることができる。さらに、絶縁性基材１がガラス基板である場合には、ＹＡＧレーザー（第３高調波）、又は紫外域のエキシマレーザーを用いることができる。なお、加熱装置３００として、絶縁性基材１を局所的に加熱する機能を備えていればよく、ランプ光源を備えるものを用いることができる。ランプ光源としては赤外線ランプやキセノンランプ、キセノンフラッシュランプを用いることができる。
【００２４】
本実施形態のパターン描画装置１００は、絶縁性基材１を適温に加熱する観点から、絶縁性基材１の温度を計測するサーモグラフィなどの温度センサ４を備えている。温度センサ４は、制御装置６の指令に従い、所定点又は所定領域の温度を計測する。計測された温度は、計測対象点の位置情報（座標）とともに後述する制御装置６へ出力される。制御装置６は温度センサ４の計測結果に基づいて加熱レーザーヘッド３のレーザー光３２の出力強度を制御する。なお、温度センサ４の配置場所は特に限定されず、図１に示すように、絶縁性基材１の一方主面側（図中上側）に配置してもよいし、絶縁性基材１の他方主面側（図中下側）に配置してもよい。
【００２５】
また、図１及び図２に示すように、ステージ５の一方主面（図中上面）上には、吸収層８が積層されている。さらに、本実施形態の吸収層８の一方主面（図中上面）上には絶縁性基材１の熱容量よりも大きい熱容量を有する熱伝層９が設けられている。そして、熱伝層９の一方主面（図中上面）上には、プリント配線板１０がセットされている。すなわち、図中下から、ステージ５、吸収層８、熱伝層９が積層され、その最上層となる熱伝層９の一方主面（図中上面）上にプリント配線板１０がセットされている。ステージ５、吸収層８、熱伝層９の間には、接着層を介在させることができる。
【００２６】
このように、レーザー光３２を吸収する吸収層８がレーザーヘッド３と絶縁性基材１との間に配置されているので、レーザー光３２が照射されて吸収層８が加熱されると、絶縁性基材１は吸収層８から熱伝層９を介して間接的に加熱される。絶縁性基材は、レーザー光３２の照射によって直接加熱されないので、絶縁性基材１を含むプリント配線板１０の材料に応じてレーザー光３２の光源及び照射条件を変更する必要がなく、パターンを描画する対象が変わる度に、レーザー光３２の光源及び照射条件を変更する手間が発生しない。また、本実施形態のパターン描画装置１００におけるレーザー光３２は吸収層８を照射し、絶縁性基材１又はこの主面に着弾したインクの液滴７を直接照射することが無い。このため、インクの突沸の発生を防止し、配線パターン１１の表面が荒れることを防止し、平滑かつ緻密な配線パターン１１を形成することができる。
【００２７】
なお、本例では、熱伝層９を備える態様を説明するが、熱伝層９を設けることなく、ステージ５の一方主面上に吸収層８のみを配置することができる。この場合は、レーザー光３２が照射されて吸収層８が加熱されると、絶縁性基材１は吸収層８を介して間接的に加熱される。
【００２８】
本実施形態の吸収層８は、レーザー光３２から熱エネルギーを効率良く得ることができるように、レーザー光３２を吸収する光吸収率の高い材料から形成されている。さらに、熱エネルギーを効率良く伝達できるように、熱伝導性に優れる材料を用いることが好ましい。なお、赤外線ランプや紫外線ランプを用いる場合には、光源に応じて光吸収率の高い材料を選択することができる。
【００２９】
本実施形態の吸収層８の熱容量は、絶縁性基材の熱容量よりも大きいことが好ましい。これにより、吸収層８がレーザー光３２から得た熱エネルギーを効率良く蓄熱することができるので、レーザー光３２の出力強度を低減させ、エネルギーコストを節減することができる。また、レーザー光３２の光量を低く抑えることができることにより、インクジェットヘッド２に当たるレーザー光３２及びその反射光の量も低減できるので、インクジェットヘッド２のノズル２１内のインクが加熱されて固まるという不都合の発生をも防止することができる。さらに、インクジェットヘッド２のノズル２１内のインクが固まらない程度にレーザー光３２の出力強度を低減させることができれば、レーザー光３２の経路（照射方向）上にインクジェットヘッド２を配置することが可能となり、各装置の配置の制限が減り、設計の自由度を向上させることができる。
【００３０】
特に限定されないが、本実施形態の吸収層８としては、ガラス、シリコン、シリコンカーバイドや、カーボンブラックを用いることができる。さらに、吸収層８として、カーボンブラックや金、銀、鉛、銅などの金属粒子を含むガラス、シリコン、シリコンカーバイド、アルミナを用いることができる。
【００３１】
また、本実施形態の吸収層８は、図２に示すように、複数の孔８１を離散的に有する多孔質の材料から構成することが好ましい。多孔質内の孔８１は互いに連通しており、吸収層８の一方主面から吸気すると、他方主面側に空気を排気する。特に限定されないが、本実施形態の多孔質の吸収層８としては、アルミナやシリコンカーバイドなどのセラミックス、カーボン、ステンレス鋼、ポリスチレンやフッ素樹脂などの樹脂材料を用いることができる。吸収層８を多孔質にすることにより、吸収層８をポーラスチャック（真空吸着テーブル）として機能させることができ、プリント配線板１０をその主面全体でしっかり固定することができる。厚さが薄いプリント配線板１０にパターンを描画する際にも、プリント配線板１０を主面全体で、かつ均等な力で支持できるので、絶縁性基材１の加熱条件及びインクの液滴７の着弾条件を安定させることができる。
【００３２】
さらに、本実施形態の吸収層８には、蛍光剤を添加することができる。蛍光剤が添加された吸収層８にレーザー光３２を照射すると、レーザー光３２の照射位置が蛍光を発して光るので、レーザー光３２の照射位置を知ることができる。本実施形態のパターン描画装置１００では、発光位置を目視で確認しながら、液滴７の着弾位置に応じてレーザー光３２の照射方向（照射位置）を目視により調整することができる。特に、レーザー光３２が可視光でない場合であっても、目視にてレーザー光３２の照射方向及び照射位置の調整が容易にできる。
【００３３】
また、特に限定されないが、熱伝層９は、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、クロムなどの金属を含む材料、又はステンレス鋼(ＳＵＳ：Steel Use Stainless)などを用いることができる。熱伝層９の形成手法は限定されず、吸収層８に上記金属を含む箔状又は薄板状の熱伝層９を積層してもよいし、吸収層８に上記金属を蒸着させて箔層の熱伝層９を形成してもよい。このように、吸収層８と絶縁性基材１との間に熱容量の大きな熱伝層９を設けることにより、絶縁性基材１の加熱を効率的に行うことができ、加熱条件を安定させることができる。吸収層８をポーラスチャックとして機能させる場合は、熱伝層を多孔質にするか、あるいは微細な開口を設けておくのが好ましい。
【００３４】
本実施形態のパターン描画装置１００において、レーザーヘッド３は、絶縁性基材１の他方主面側（図中下側）であって、レーザー光３２の照射方向３２が絶縁性基材１の主面に対して直交するように配置されている。本実施形態のレーザーヘッド３は、インクの液滴７の着弾が予定されている着弾予定位置Ｑに応じた加熱領域に向けてレーザー光３２を照射する。特に限定されないが、本実施形態のレーザーヘッド３は、インクの液滴７の着弾予定位置Ｑとｘｙ座標値が共通する、吸収層８の他方主面（図中下面）上の位置Ｐ（基準点Ｐ）を基準とする所定の加熱領域を照射するように設定されている。
【００３５】
吸収層８に設定される加熱領域の基準点は任意に設定することができる。たとえば、液滴７が着弾する位置とｘｙ座標が共通する位置Ｐから上流側（図中−ｘ方向）又は下流側（図中＋ｘ方向）に所定距離だけシフトさせた点を基準点とすることもできる。
【００３６】
本実施形態のパターン描画装置１００は、インクの液滴７の着弾予定位置に応じた基準点に基づく加熱領域に局所的にレーザー光３２を照射するので、絶縁性基材１に着弾したインクの液滴７を迅速に加熱することができる。先述したように、インクジェットヘッド２から吐出され、絶縁性基材１の一方主面上に着弾した液滴７は、絶縁性基材１に着弾後に濡れ広がる傾向があるが、本実施形態のパターン描画装置１００によれば、インクの液滴７が絶縁性基材１上で濡れ広がる前に液滴７に含まれる分散材料（溶媒など）を蒸発させることができるので、アスペクト比（パターンの配線厚／パターンの線幅）が０．１以上、線幅５〜５０μｍ以下程度、厚さ０．５〜１０μｍ以下、比抵抗値が１０μΩ・ｃｍ以下程度の、微細で高アスペクト比で低抵抗な配線パターン１１を描画することができる。
【００３７】
また、本実施形態のパターン描画装置１００では、吸収層８がレーザー光３２を吸収し、この吸収層８を透過してインクジェットヘッド２に当たるレーザー光３２を少なくできるので、レーザー光３２の経路上にインクジェットヘッド２を配置しても、ノズル２１内のインクの加熱及び固化を抑制することができる。このため、インクジェットヘッド２の配置の制限が緩和され、設計の自由度が向上する。
【００３８】
特に、絶縁性基材１の厚さが薄い場合には、レーザー光３２の吸収率が小さくなり、透過率が大きくなるため、レーザー光３２の出力強度を高くする必要がある。そのため、インクジェットヘッド２に当たる透過光が多くなり、ノズル２１内のインクが加熱され固まる傾向がある。これに対し、本実施形態のパターン描画装置１００は、絶縁性基材１のレーザーヘッド３側に配置された吸収層８にレーザー光３２を照射し、吸収層８がレーザー光３２を吸収するので、透過光によるインクジェットヘッド２のノズル２１内のインクの加熱及び固化を防止することができる。
【００３９】
続いて、本実施形態のパターン描画装置１００の制御装置６について説明する。制御装置６は、パターン描画装置１００のインクジェットヘッド２、加熱装置３００、温度センサ４、及びステージ５の駆動装置と情報の授受が可能なように接続され、これら各部材の動作を制御する。制御装置６は、配線パターン１１を描画するプログラムが格納されたＲＯＭ（Read Only Memory）と、このＲＯＭに格納されたプログラムを実行することで、パターン描画装置１００としての機能を実行する動作回路としてのＣＰＵ（Central Processing Unit）と、アクセス可能な記憶装置として機能するＲＡＭ（Random Access Memory）と、を備えている。このＲＡＭには、絶縁性基材１に形成する配線パターン１１の形状（座標情報）が予め格納されている。
【００４０】
制御装置６は、パターン描画工程の動作を制御するにあたり、配線パターン１１の形状、ステージ５の移動速度に基づいて、インクが吐出される所定領域のうち、インクの液滴７が次に着弾する絶縁性基材１の一方主面上の着弾予定位置Ｑの座標値（ｘ，ｙ，ｚ）を取得する。
【００４１】
制御装置６は、取得した着弾予定位置に基づいて、予め定義された規則に従い、吸収層８の加熱領域の基準点を設定する。図２に示すように、本実施形態の制御手段６は、着弾予定位置Ｑとｘｙ座標が同じで吸収層８の一方主面（図中上面）上の位置を加熱領域の基準点Ｐ１として設定する。この場合において、制御装置６は、レーザーヘッド３に設定された基準点Ｐ１を中心とする所定半径の加熱領域にレーザー光３２を照射させる。つまり、基準点Ｐ１はレーザー光３２の照射中心に相当する。
【００４２】
インクの液滴７を効率的に加熱する観点からは、上述したように、絶縁性基材１に近い吸収層８の一方主面上に基準点Ｐ１を設定することが好ましいが、レーザー光３２に対する吸収層８の光吸収率が高い場合には、吸収層８の他方主面上に基準点Ｐ２を設定することができる。なお、加熱領域の基準点は上述したＰ１、Ｐ２に限定されず、吸収層８の一方主面と他方主面の間（Ｐ１とＰ２の間）の任意の点を基準点とすることもできる。
【００４３】
なお、パターンが描画される絶縁性基材１の高さを考慮してレーザー光３２の照射方向を設定する場合には、絶縁性基材１の高さを計測するための表面形状測定器を設ける必要があるが、本実施形態のパターン描画装置１００では、ステージ５の上に配置された平坦な吸収層８にレーザー光３２を照射するので、インクの液滴７が着弾する絶縁性基材１の表面の凹凸（ｚ座標値）を考慮する必要がない。
【００４４】
制御装置６は、温度センサ４に液滴７の着弾予定位置の温度を測定させ、測定された温度に基づいて加熱領域に照射するレーザー光３２の強度を制御する。着弾予定位置の設定温度は、インクの特性、インクの吐出量、液滴７の半径、配線パターン１１の線幅、高さに応じて予め決定される。特に限定されないが、絶縁性基材１の一方主面側に着弾するインクの乾燥を行いつつ突沸を防止する観点から、吸収層８及び熱伝層９を介して加熱される絶縁性基材１の着弾予定位置の設定温度は、５０℃〜２５０℃程度とすることができる。なお、吸収層８の加熱領域の設定温度を高く設定し、インクの焼成までを同時に行うことも可能である。
【００４５】
本実施形態の制御装置６は、着弾予定位置の測定温度と、着弾予定位置の設定温度とに基づいて、吸収層８に照射するレーザー光３２の周波数、スポットサイズ、照射距離を制御する。制御の具体的な手法は特に限定されないが、着弾予定位置の測定温度が設定温度よりも高い場合は、周波数を下げ、スポットサイズを大きくし、レーザー光３２の照射位置を着弾予定位置から遠ざける。他方、着弾予定位置の測定温度が設定温度以下である場合は、周波数を上げ、スポットサイズを小さくし、レーザー光３２の照射位置を着弾予定位置に近づける。
【００４６】
レーザー光３２の照射スポット径は、特に限定されないが、インクの液滴７の径に応じて５μｍ〜５００μｍ程度とすることができる。レーザー光３２の照射スポット径をインクの液滴７の大きさに応じて絞り込むことによって、インクの液滴７の着弾予定位置に応じる吸収層８の加熱領域にレーザー光３２を局所的に照射することができる。本実施形態では、吸収層８をレーザー光３２で照射し、吸収層８に生じた熱を、熱伝層９を介して絶縁性基材１に伝えるので、レーザー光３２の照射スポット径の制御精度がそれほど高くなくても、熱を絶縁性基材１の加熱領域に伝えることができる。
【００４７】
従来技術のように、インクの液滴７が着弾する絶縁性基材１にレーザー光３２を照射する場合には、絶縁性基材１の材料に応じてレーザー光３２の光源、ステージ５の材質を変更し、絶縁性基材の性質や厚さに応じてレーザー光３２の照射条件を変更する必要があったが、本実施形態のパターン描画装置１００は、吸収層８又は吸収層８及び熱伝層９を介して絶縁性基材１を加熱するので、絶縁性基材１への影響を考慮することなくレーザー光３２の照射を行うことができる。つまり、パターンを描画する対象（絶縁性基材１）が変わっても、レーザー光３２の光源及び照射条件を変更する必要が無い。
【００４８】
この結果、製造コストを低減しつつ、絶縁性基材の一方主面側に配線パターン１１を描画する際に、絶縁性基材の他方主面にレーザー光３２を局所的に照射することにより、インクの液滴７が絶縁性基材に着弾した後に濡れ広がることを防止して高アスペクト比の配線パターン１１を形成することができる。
【００４９】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００５０】
１００…パターン描画装置
１０…プリント配線板
１…絶縁性基材
１１…配線パターン
２…インクジェットヘッド
２１…ノズル
３００…加熱装置
３…レーザーヘッド
３１…レンズ
３２…レーザー光、レーザー光の照射方向
４…温度センサ
５…ステージ
６…制御装置
７…（インクの）液滴
８…吸収層
８１…空孔
９…熱伝層
【図１】
2013125063.tif 000003
【図２】
2013125063.tif 000004