(57)【要約】【課題】  配線導体からフェライト基板中への銀の拡散を低減して、フェライト基板の透磁率の低下を抑制すること。【解決手段】  コイル内蔵配線基板１は、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化銅、酸化亜鉛およびガラス成分を含んでいるフェライト層と、銀を含んでおりフェライト層の表面および内部に設けられた配線導体12と、配線導体12と電気的に接続されており、フェライト層の内部に設けられているコイル導体13とを備えている。ガラス成分は、フェライト層の質量に対して0.25〜５質量％含まれており、ガラス成分の質量に対して、酸化ケイ素を３〜12質量％、酸化ホウ素を５〜12質量％、酸化アルミニウムを１〜９質量％、酸化バリウムを１〜12質量％、酸化ビスマスを60〜80質量％含んでいる。コイル内蔵配線基板１の焼成温度が銀の融点よりも低いため、銀成分がフェライト層に拡散することが低減されている。【選択図】図１
2013138162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化鉄、酸化ニッケル、酸化銅、酸化亜鉛およびガラス成分を含んでいるフェライト層と、銀を含んでおり前記フェライト層の表面および内部に設けられた配線導体と、
該配線導体と電気的に接続されており、前記フェライト層の内部に設けられているコイル導体とを備えており、
前記ガラス成分はフェライト層の全質量に対して0.25〜５質量％含まれており、ガラス成分の全質量に対して、酸化ケイ素を3〜12質量％、酸化ホウ素を5〜12質量％、酸化アルミニウムを１〜９質量％、酸化バリウムを１〜12質量％、酸化ビスマスを60〜80質量％含んでいることを特徴とするコイル内蔵配線基板。
【請求項２】
前記ガラス成分は、前記ガラス成分の全質量に対して、酸化ケイ素を7.1〜11.9質量％
、酸化ホウ素を5.1〜6.9質量％、酸化アルミニウムを1.1〜3.9質量％、酸化バリウムを1.3〜5.9質量％、酸化ビスマスを74.2〜79.9質量％含んでおり、
前記フェライト層の表面と前記配線導体との間に、前記ガラス成分を含むガラス層がさらに設けられていることを特徴とする請求項１に記載のコイル内蔵配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイル内蔵配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、配線基板の内部にコイルが設けられたコイル内蔵配線基板の開発が進められている。コイル内蔵配線基板は、例えば直流電流の電圧を変換する機能を有するＤＣ−ＤＣコンバータ等に用いられている。例示的なコイル内蔵配線基板は、配線基板を構成する基体の材料としてフェライトが用いられており、コイル導体および配線導体の材料として銀が用いられているコイル内蔵フェライト基板である（例えば、特許文献１を参照）。コイル導体および配線導体の材料として銀が用いられているコイル内蔵フェライト基板は、銀の融点よりも低い温度で焼成されて作製されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−21264号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、コイル導体および配線導体の材料として銀が用いられているコイル内蔵配線基板となる成形体を銀の融点（962℃）に近い温度で焼成すると、銀の融点よりも低
い温度であっても配線導体から配線基板中に銀が拡散して、配線基板の透磁率が低下する可能性があった。透磁率が低下するとコイル内蔵配線基板に電流を流した際に生じるインダクタンス値が低下するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの態様によるコイル内蔵配線基板は、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化銅、酸化亜鉛およびガラス成分を含んでいるフェライト層と、銀を含んでおりフェライト層の表面および内部に設けられた配線導体と、配線導体と電気的に接続されており、フェライト層の内部に設けられているコイル導体とを備えている。ガラス成分は、フェライト層の質量に対して0.25〜５質量％含まれており、ガラス成分の質量に対して、酸化ケイ素を3〜12質量％、酸化ホウ素を5〜12質量％、酸化アルミニウムを１〜９質量％、酸化バリウムを１〜12質量％、酸化ビスマスを60〜80質量％含んでいる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一つの態様によるコイル内蔵配線基板は、フェライト層に含まれているガラス成分が、酸化ケイ素を3〜12質量％、酸化ホウ素を5〜12質量％、酸化アルミニウムを１〜９質量％、酸化バリウムを１〜12質量％、酸化ビスマスを60〜80質量％含んでいることによって、製造時における焼成温度を低減することができ、銀の拡散が低減されており、インダクタンス値が向上されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１の実施形態における電子装置の分解斜視図を示している。
【図２】図１に示した電子装置のＡ−Ａ線における縦断面図を示している。
【図３】本発明の第２の実施形態における電子装置の縦断面図を示している。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明す
る。
【０００９】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態における電子装置は、図１および図２に示されているように、コイル内蔵配線基板１と、コイル内蔵配線基板１の上面に設けられたＩＣ素子２とを含んでいる。電子装置は、例えば電子部品モジュールを構成する回路基板上に実装される。
【００１０】
コイル内蔵配線基板１は、フェライト層を含んでいる板状の基体部11と、基体部11に埋設されたコイル導体13および配線導体12と、基体部11の上面に設けられた接続電極14と、基体部11の下面に設けられた端子電極15とを含んでいる。図１において、電子装置は仮想のｘｙｚ空間におけるｘｙ平面に実装されている。図１および図２において、上方向とは、仮想のｚ軸の正方向のことをいう。
【００１１】
基体部11は、磁性材料を含んでおり、焼成によって一体的に形成されている。例示的な基体部11は、酸化鉄，酸化ニッケル，酸化銅，酸化亜鉛およびガラス成分を含んだフェライト層を有している。
【００１２】
フェライト層は、フェライト材料が98.5質料％以上含まれており、高い透磁率を得るために、ＺｎＦｅ２Ｏ４，ＭｎＦｅ２Ｏ４，ＦｅＦｅ２Ｏ４，ＣｏＦｅ２Ｏ４,ＮｉＦｅ２
Ｏ４，ＢａＦｅ２Ｏ４，ＳｒＦｅ２Ｏ４およびＣｕＦｅ２Ｏ４のうちの少なくとも１種類のフェライトが含まれることが好ましい。
【００１３】
フェライト層に含まれているガラス成分はフェライト層の全質量に対して0.25〜５質量％含まれている。ガラス成分は、ガラス成分の全質量に対して酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を３〜12質量％、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）を５〜12質量％、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１〜９質量％、酸化バリウム（ＢａＯ）を１〜12質量％、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）を60〜80質量％含んでいる。
【００１４】
ガラス成分はＢｉ２Ｏ３が60〜80質量％含まれていることによって、ガラスの焼結温度付近における粘度を低減する作用があり、焼成中に液相としてフェライト層に一様に分散し、フェライト結晶同士の液相焼結を促すので、フェライト層を低温焼結化できる。
【００１５】
ＢａＯは１〜12質量％含まれていることによって、Ｂｉ２Ｏ３との化合物を形成しにくく、Ｂｉ２Ｏ３と共に使用してガラスの焼結温度付近における粘度をさらに低減することができる。したがって、フェライト層をさらに低温焼結化できる。
【００１６】
ガラス成分として、ＢａＯの代わりに例えばＣａＯ等の他の金属酸化物を添加することが考えられるが、ＣａＯはＢｉ２Ｏ３と化学反応してしまうため、ＣａＯおよびＢｉ２Ｏ３が少なくなって低温焼結化が阻害されるおそれがある。
【００１７】
ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３はセラミック基板の耐薬品性を向上させる効果があり、めっき処理後においてもセラミック基板の絶縁信頼性を低下させにくい。
【００１８】
ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３はガラスの網目構造を補強し、ガラスの構造内に他のガラス成分を留めておくのに有効である。
【００１９】
基体部11は、板形状を有しており、互いに積層された第１の層111〜第４の層114を含んでいる。図２において、第１の層111〜第４の層114の界面は、仮想の二点鎖線によって示されている。第２の層112は、第１の層111の上に積層されており、第３の層113は、第２
の層112の上に積層されており、第４の層114は第３の層113の上に積層されている。
【００２０】
配線導体12は、第１の層111〜第４の層114の層間および内部に埋設されている。配線導体12はコイル導体13，接続電極14および端子電極15の間を相互に電気的に接続する。配線導体12の材料は、例えばＡｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金またはＡｇ−Ｐｔ合金等のＡｇを含む材料を用いることができる。
【００２１】
コイル導体13は、平面透視において基体部11の中心部を囲むような形状を有しており、基体部11に埋設されている。コイル導体13は、第１の層111の上面に形成された第１のコ
イルパターン131と第２の層112の上面に形成された第２のコイルパターン132とを含んで
いる。第１のコイルパターン131および第２のコイルパターン132は、基体部11の第２の層112に設けられたビア導体によって電気的に接続されている。図１において、第１のコイ
ルパターン131および第２のコイルパターン132の電気的な接続関係が点線によって示されている。コイル導体13の材料は配線導体12と同様の材料を用いることができる。
【００２２】
接続電極14はＩＣ素子２に電気的に接続されるものであり、端子電極15は外部の回路基板に電気的に接続されるものである。接続電極および配線導体の材料は、例えばＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ合金またはＡｇ−Ｐｔ合金等の材料を用いることができる。
【００２３】
ＩＣ素子２は、コイル内蔵配線基板１の基体部11の上面に設けられている。ＩＣ素子２は、例えばＤＣ−ＤＣコンバータにおける制御用ＩＣ素子である。ＩＣ素子２とコイル内蔵配線基板１のトロイダルコイル導体13とは電気的に接続される。
【００２４】
以下、磁性材料としてフェライトを含むコイル内蔵配線基板１の製造方法について説明する。コイル内蔵配線基板１の製造方法は、フェライトを含むスラリーを得る工程と、スラリーを用いてフェライトグリーンシートを得る工程と、コイルパターンおよび配線パターンを含む積層体を得る工程と、積層体を焼成する工程とを含んでいる。
【００２５】
スラリーは、フェライト粉末およびガラス材料に適当な有機バインダ、可塑剤および有機溶剤等が混合されて得られる。フェライト粉末は、フェライトグリーンシートの焼結状態において均一化を図るために、仮焼が施されており、粒径の均一化が図られており、球形状に近い形状を有するものがよい。フェライト粉末に部分的に小さい粒径の粒子が含まれている場合、その小さい粒径の粒子の部分のみ結晶粒の成長が低下し、焼結後に得られるフェライト層の透磁率が安定しにくい傾向がある。
【００２６】
フェライトグリーンシートは、スラリーを用いて、ドクターブレード法、圧延法およびカレンダーロール法等によって製造される。積層体は、一部のフェライトグリーンシートにコイルパターンまたは配線パターンが形成されている複数のフェライトグリーンシートを含んでいる。コイルパターンおよび配線パターンは、銀（Ａｇ）または銀合金等の金属粉末に適当な有機バインダおよび溶剤が混練された導体ペーストを、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法等によってフェライトグリーンシートの表面に塗布することによって形成される。
【００２７】
このようにして得た積層体を850℃〜900℃で焼成することによってコイル内臓配線基板１が作製される。
【００２８】
本実施形態におけるコイル内蔵配線基板１は、ガラス成分がフェライト層の全質量に対して0.25〜５質量％含まれており、ガラス成分の全質量に対して、酸化ケイ素を３〜12質量％，酸化ホウ素を５〜12質量％，酸化アルミニウムを１〜９質量％，酸化バリウムを１〜12質量％，酸化ビスマスを60〜80質量％含んでいることによって、コイル内蔵配線基板の焼成温度を低減できる。
【００２９】
コイル内蔵配線基板１の焼成温度は、酸化ビスマスを含んでいることによって低減され、酸化バリウムを含んでいることによってさらに低減されている。これは酸化ビスマスと酸化バリウムとが化学反応せず、それぞれ焼成温度を低減できるためである。コイル内蔵配線基板１の焼成温度を銀の融点よりも低くできるため、銀成分がフェライト層に拡散することを低減できる。
【００３０】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態によるコイル内蔵配線基板について、図３を参照しつつ説明する。
【００３１】
本発明の第２の実施形態におけるコイル内蔵配線基板において、上記した第１の実施形態のコイル内蔵配線基板１と異なる点は、ガラス成分が、ガラス成分の全質量に対して、酸化ケイ素を7.1〜11.9質量％、酸化ホウ素を5.1〜6.9質量％、酸化アルミニウムを1.1〜3.9質量％、酸化バリウムを1.3〜5.9質量％、酸化ビスマスを74.2〜79.9質量％含んでい
る点、および図３に示された例のように、フェライト層を含んでいる基体部11の表面と配線導体12との間に、上記ガラス成分を含むガラス層16がさらに設けられている点である。
【００３２】
上記ガラス成分中において、酸化ビスマスと酸化バリウムとが化合物を形成しにくいことから、ガラス成分は比較的融点の低い酸化ビスマスの割合を高めたものとすることができる。このようなガラス成分の融点がコイル内蔵配線基板１の焼成温度の近傍なので、コイル内蔵配線基板１の焼成時において、ガラス成分は流動性の高いものとなる。上記ガラス成分は、焼成時に基体部11の表面にしみ出しやすく、基体部11の表面とガラス層16との間に広がって基体部11および配線導体12に広い面積で接触する。このような基体部11の表面と配線導体12との間に広がったガラス成分が凝固することによってガラス層16となる。このようなガラス層16と基体部11の表面および配線導体12とがそれぞれ広い面積で接合されるので、基体部11と配線導体12とをガラス層16によって強固に接合できる。
【実施例】
【００３３】
上記の実施形態におけるコイル内蔵配線基板１の実施例を以下に詳細に説明する。
【００３４】
（第１の実施例）
上記の第１の実施形態におけるコイル内蔵配線基板１の第１の実施例を以下に詳細に説明する。
【００３５】
まず、フェライト粉末として、ＦｅＦｅ２Ｏ４粉末700ｇ，ＣｕＯ粉末60ｇ，ＮｉＯ粉
末60ｇ，ＺｎＯ粉末180ｇおよび純水4000ｃｍ３をジルコニアボールとともに容量が7000
ｃｍ３のポットに入れて、ポットを回転させることによるボールミルにて24時間かけて混合した後、乾燥した混合粉末をジルコニアるつぼに入れて大気中730℃で１時間加熱する
ことによって、強磁性フェライト粉末を作製した。このフェライト粉末100質量部に対し
て、ガラス粉末を0.75〜1.5質量部、有機バインダーとしてブチラール樹脂を10質量部お
よび有機溶剤としてＩＰＡを45質量部添加し、上記と同様のボールミル法によって混合してスラリーとした。このスラリーを用いてドクターブレード法によって厚さ200μｍのフ
ェライトグリーンシートを成形した。ガラス粉末は、ＳｉＯ２を３〜12質量％，Ｂ２Ｏ３を５〜12質量％，Ａｌ２Ｏ３を１〜９質量％，ＢａＯを１〜12質量％，Ｂｉ２Ｏ３を60〜80質量％含んでいる。
【００３６】
このフェライトグリーンシートに、金型による打ち抜き加工によって貫通導体用の直径150μｍの貫通孔を形成した。この貫通孔に、貫通導体ペーストをスクリーン印刷法によ
って充填し、70℃で30分乾燥して貫通導体となる貫通導体組成物を形成した。貫通導体ペ
ーストとしては、Ａｇ粉末100質量部と、焼結助剤としてのガラス粉末10質量部に、アク
リル樹脂12質量部と有機溶剤としてのα−テルピネオール２質量部とを加え、攪拌脱泡機により十分に混合した後に３本ロールにて十分に混練したものを用いた。
【００３７】
続いて、このフェライトグリーンシートにそれぞれ導体ペーストをスクリーン印刷法によって30μｍの厚みに塗布し、70℃で30分乾燥して、コイル導体パターン、配線導体パターン、接続電極パターンまたは外部端子パターンを形成した。導体ペーストとしては、Ａｇ粉末100質量部に、アクリル樹脂10質量部と有機溶剤としてのα−テルピネオール１質
量部とを加え、攪拌脱泡機により十分に混合したものを用いた。
【００３８】
次に、コイル導体パターンが形成されたフェライトグリーンシートを２枚重ね、その上下にそれぞれ１枚ずつ、接続電極パターンまたは端子電極パターンと配線導体パターンとが形成されたフェライトグリーンシートを積み重ねて、20ＭＰａの圧力と55℃の温度で加熱圧着して積層体を作製した。
【００３９】
次に、この積層体を、大気中で500℃、３時間の条件で加熱して有機成分を除去した後
、大気中で900℃、１時間の条件で焼成してコイル内蔵配線基板を作製した。
【００４０】
このコイル内蔵配線基板の表面に形成された接続電極および端子電極上には、無電界めっき法を用いてＮｉめっき皮膜およびＡｕめっき皮膜を順次形成した。
【００４１】
第１の実施例との比較のための比較例として、ガラス粉末が、ＳｉＯ２を３質量％未満または12質量％より多く含んでいるもの、Ｂ２Ｏ３を５質量％未満または12質量％より多く含んでいるもの、Ａｌ２Ｏ３を１質量％未満または９質量％より多く含んでいるもの、ＢａＯを１質量％未満または12質量％より多く含んでいるもの、Ｂｉ２Ｏ３を60質量％未満または80質量％より多く含んでいるものをそれぞれ作製した。
【００４２】
このようにして得られた表１に示す第１の実施例１〜15の試料および第２の比較例１〜13の試料をそれぞれ５個ずつ作製して、比透磁率の測定および絶縁信頼性試験を行なった。
【００４３】
比透磁率は、測定周波数３ＭＨｚ、測定温度２５℃の条件で、インピーダンス測定器（型式「４２９４Ａプレシジョンインピーダンスアナライザ」、測定精度±０．０８％、アジレントテクノロジー株式会社製）を用いてインダクタンスを測定した後、測定したインダクタンス値から算出した。
【００４４】
絶縁信頼性試験は、コイル内蔵配線基板内の絶縁された２つの配線に５Ｖ印加した状態で、130℃、85％の湿度内に９６Ｈｒ放置し、絶縁抵抗の低下の有無の確認を行う試験で
ある。絶縁抵抗値が１メガオーム未満であるものを不良品とし、１メガオーム以上であるものを良品と判定した。
【００４５】
表１に、比透磁率の測定および絶縁信頼性試験の結果を示す。なお、表１に示す試験結果で絶縁信頼性試験に示す数値は、５個中いくつの試料が良品であったかを示し、ＯＫは良品を示し、ＮＧは不良品を示すものである。
【００４６】
【表１】
2013138162.tif 000003
【００４７】
表１に示すように、第１の実施例１〜11のコイル内蔵配線基板１は、比透磁率を測定した結果全ての試料の比透磁率がコイル内蔵配線基板として必要な150以上であり、絶縁信
頼性試験において全ての試料で絶縁抵抗が１メガオーム以上であった。第１の比較例２，４，５および１２は比透磁率が150未満であり、第１の比較例１，３，６〜11は絶縁信頼
性試験において全ての試料で絶縁抵抗が１メガオーム未満であり、コイル内蔵配線基板として使用できないものであった。
【００４８】
以上の結果から、第１の実施例１〜11のコイル内蔵配線基板は、比透磁率が高く、絶縁信頼性の高いものであることがわかった。
【００４９】
以上のことから、上記実施形態において説明した、ガラス成分が、フェライト層の質量に対して0.25〜５質量％含まれており、ガラス成分の質量に対して、酸化ケイ素を３〜12質量％、酸化ホウ素を５〜12質量％、酸化アルミニウムを１〜９質量％、酸化バリウムを１〜12質量％、酸化ビスマスを60〜80質量％含んでいるコイル内蔵配線基板１は、比透磁率が高く絶縁信頼性の高いものであることを確認した。
【００５０】
（第２の実施例）
上記の第２の実施形態におけるコイル内蔵配線基板１の第２の実施例を以下に詳細に説明する。なお、本実施例におけるコイル内蔵配線基板１については、上記した第１の実施例のコイル内蔵配線基板１と異なる点について以下に記載する。
【００５１】
フェライトグリーンシートに含まれているガラス粉末は、ＳｉＯ２を7.1〜11.9質量％
，Ｂ２Ｏ３を5.1〜6.9質量％，Ａｌ２Ｏ３を1.1〜3.9質量％，ＢａＯを1.3〜5.9質量％，Ｂｉ２Ｏ３を74.2〜79.9質量％含んでいる。
【００５２】
第２の実施例との比較のための第２の比較例として、ガラス粉末が、ＳｉＯ２を7.1質
量％未満または11.9質量％より多く含んでいるもの、Ｂ２Ｏ３を5.1質量％未満または6.9質量％より多く含んでいるもの、Ａｌ２Ｏ３を1.1質量％未満または3.9質量％より多く含んでいるもの、ＢａＯを1.3質量％未満または5.9質量％より多く含んでいるもの、Ｂｉ２Ｏ３を74.2質量％未満または79.9質量％より多く含んでいるものをそれぞれ作製した。
【００５３】
このようにして得られた表２に示す第２の実施例１〜９の試料および第２の比較例１〜29の試料をそれぞれ５個ずつ作製して、ガラス化の有無の確認、接合強度の測定および耐薬品性試験を行なった。
【００５４】
接合強度は、コイル内蔵配線基板を半田によって外部のプリント配線基板に接合した状態で、引張り試験を行なうことによって測定した。引張り試験は、荷重試験器ＭＯＤＥＬ−１３１０ＤＷ（アイコーエンジニアリング製）を用いて、引張り速度10ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定した。一般に携帯機器に求められる要求値から、引張り強度が1.0ｋｇ／ｍｍ
２以上であるものを良品と判断した。
【００５５】
耐薬品性試験は、コイル内蔵配線基板の作製途中におけるめっき処理の前後の質量差を測定する試験である。めっき処理工程において、基体部11にめっき液が侵入した場合には、基体部11を構成するガラス成分が溶け出すので、基体部11の質量が減少する。このことから、めっき処理前と比べて、めっき処理後の質量の減少が、0.3質量％以内であるもの
を良品と判断した。
【００５６】
表２に、ガラス化の有無の確認、接合強度の測定および耐薬品性試験の結果を示す。なお、表２に示す試験結果で耐薬品性試験に示す数値は、５個中いくつの試料が良品であったかを示し、ＯＫは良品を示し、ＮＧは不良品を示すものである。
【００５７】
【表２】
2013138162.tif 000004
【００５８】
表２に示すように、第２の実施例１〜９のコイル内蔵配線基板１は、接合強度を測定した結果全ての試料の接合強度が1.0ｋｇ／ｍｍ２以上であり、耐薬品性試験において全て
の試料で質量の減少が0.3質量％以内であった。第２の比較例１、２、４、６〜29の接合
強度は全ての試料で1.0ｋｇ／ｍｍ２未満であった。また、第２の比較例３および５の接
合強度は1.0ｋｇ／ｍｍ２以上であったものの、耐薬品性試験において全ての試料で質量
の減少が0.3質量％以上であった。したがって、第２の比較例１〜29はコイル内蔵配線基
板として使用できないものであった。
【００５９】
以上の結果から、第１の実施例１〜10のコイル内蔵配線基板１は、接合強度が高く、めっき液等の薬液の浸透を低減されたものであることがわかった。
【００６０】
以上のことから、第２の実施形態において説明した、ガラス成分が、ガラス成分の質量に対して、酸化ケイ素を7.1〜11.9質量％、酸化ホウ素を5.1〜6.9質量％、酸化アルミニ
ウムを1.1〜3.9質量％、酸化バリウムを1.3〜5.9質量％、酸化ビスマスを74.2〜79.9質量％含んでいるコイル内蔵配線基板１は、基体部11と配線導体12との接合強度の高いものであることを確認した。
【符号の説明】
【００６１】
１・・・コイル内蔵配線基板
11・・・基体部
111〜114・・・第１〜第４の層
12・・・配線導体
13・・・コイル導体
14・・・接続電極
15・・・端子電極
16・・・ガラス層
131、132・・・第１および第２のコイルパターン
２・・・ＩＣ素子
【図１】
2013138162.tif 000005
【図２】
2013138162.tif 000006
【図３】
2013138162.tif 000007