(57)【要約】【課題】  本発明は、素子特性の均一性に優れた静電容量型トランスデューサの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明の静電容量型トランスデューサの製造方法は、静電容量型トランスデューサの外部と間隙とを連通部によって連通させた状態で、熱処理により第１の絶縁層と振動膜とを接合する工程と、熱酸化により第２の絶縁層を形成する工程とを同一の熱工程で行う。【選択図】  図１
2013138411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動膜と、基板と、前記基板と前記振動膜との間に間隙が設けられるように前記振動膜を支持する振動膜支持部と、を有する静電容量型トランスデューサの製造方法であって、
前記基板の一方の面に、前記振動膜支持部としてのパターニングされた第１の絶縁層を形成する工程と、
前記パターニングされた第１の絶縁層と前記振動膜とを重ね合わせる工程と、
前記パターニングされた第１の絶縁層と前記振動膜とを重ね合わせる工程の後に、前記第１の絶縁層と前記振動膜とを熱処理により接合する工程と、
前記パターニングされた第１の絶縁層と前記振動膜とを重ね合わせる工程の後に、前記静電容量型トランスデューサの外部と前記間隙とを連通させる連通部を通じて前記間隙にガスを導入し、前記ガスを含む雰囲気中で熱酸化することによって、前記間隙と接する前記基板または前記振動膜の面に第２の絶縁層を形成する工程と、を有し、
前記静電容量型トランスデューサの外部と前記間隙とを前記連通部によって連通させた状態で、前記熱処理により前記第１の絶縁層と前記振動膜とを接合する工程と、前記熱酸化により前記第２の絶縁層を形成する工程とを同一の熱工程で行うことを特徴とする静電容量型トランスデューサの製造方法。
【請求項２】
前記パターニングされた第１の絶縁層を形成する工程において、前記連通部となる連通経路を形成することを特徴とする請求項１に記載の静電容量型トランスデューサの製造方法。
【請求項３】
前記連通部を前記連通経路のみから形成することを特徴とする請求項２に記載の静電容量型トランスデューサの製造方法。
【請求項４】
前記基板または前記振動膜に、前記連通部となる連通孔を形成する工程を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の静電容量型トランスデューサの製造方法。
【請求項５】
前記第２の絶縁層を形成する工程の後に、前記静電容量型トランスデューサの外部と前記間隙との連通を遮断する遮断層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の静電容量型トランスデューサの製造方法。
【請求項６】
前記基板はシリコンを含む基板であり、前記第２の絶縁層は前記シリコンを含む基板に前記熱酸化を行うことにより形成された酸化シリコンを含む層を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の静電容量型トランスデューサの製造方法。
【請求項７】
前記振動膜はシリコンを含む膜であり、前記第２の絶縁層はシリコンを含む膜に前記熱酸化を行うことにより形成された酸化シリコンを含む層を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の静電容量型トランスデューサの製造方法。
【請求項８】
前記パターニングされた第１の絶縁層を形成する工程は、酸素を含む雰囲気中で熱酸化することにより前記基板の一方の面に前記第１の絶縁層を形成し、前記第１の絶縁層に対してエッチングを行うことにより、前記パターニングされた第１の絶縁層を形成する工程であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の静電容量型トランスデューサの製造方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の静電容量型トランスデューサの製造方法によって製造された静電容量型トランスデューサと、前記静電容量型トランスデューサが出力する電気信号を用いて被検体情報を取得する処理部とを有し、
前記静電容量型トランスデューサは、前記被検体からの音響波を受信し、前記電気信号を出力することを特徴とする被検体情報取得装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超音波検出素子などとして用いられる静電容量型トランスデューサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、疾患の早期発見技術として超音波診断が注目されている。超音波診断に用いる、超音波の送受信用デバイスとしては圧電素子が用いられてきたが、静電容量型トランスデューサ（ＣＭＵＴ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ  Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）が圧電素子の代替品として研究されている。静電容量型トランスデューサは、近年発展の著しいマイクロマシン技術を用いた小型軽量のデバイスである。そして、静電容量型トランスデューサは、音響インピーダンスが人体と近いため、従来の圧電デバイスと比べて、高い音響インピーダンス整合性を有している。さらに、液中において優れた広帯域特性を容易に得ることができるなど、数多くの利点を有している。
【０００３】
ところで、このような静電容量型トランスデューサの製造方法として、シリコン基板上に接合等により形成した単結晶シリコン振動膜を用いる製造方法が特許文献１に開示されている。特許文献１では、シリコン基板に熱酸化膜を形成し、熱酸化膜の一部を除去した後に、熱酸化膜と単結晶シリコンとを接合している。そして、接合後は、熱酸化膜を除去した部分を間隙として、単結晶シリコンを振動膜として用いている。
【０００４】
また、特許文献１は、熱酸化膜をシリコン基板の位置まで除去して間隙となる部分を形成した後、間隙と接するシリコン基板の表面に絶縁体の酸化膜を形成するために、２回目の熱酸化を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００６−５１６３６８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の製造方法で製造された静電容量型トランスデューサにおいては、さらなる素子特性の均一性の向上が求められていた。
【０００７】
そこで、本発明は、素子特性の均一性に優れた静電容量型トランスデューサ及び静電容量型トランスデューサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の静電容量型トランスデューサの製造方法は、静電容量型トランスデューサの外部と間隙とを連通部によって連通させた状態で、熱処理により前記第１の絶縁層と振動膜とを接合する工程と、熱酸化により第２の絶縁層を形成する工程とを同一の熱工程で行う。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、素子特性の均一性に優れた静電容量型トランスデューサ及び静電容量型トランスデューサの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係る静電容量型トランスデューサの製造工程フローを示す図である。
【図２】図１（ｄ）に示す静電容量型トランスデューサの平面図及び断面図を示す図である。
【図３】第１の実施形態に係る別の静電容量型トランスデューサの断面図を示す図である。
【図４】第１の実施形態に係る別の静電容量型トランスデューサの平面図を示す図である。
【図５】第２の実施形態に係るパターニングされた第１の絶縁層の平面図を示す図である。
【図６】第２の実施形態に係る静電容量型トランスデューサの製造工程フローを示す図である。
【図７】実施例１に係る静電容量型トランスデューサの製造工程フローを示す図である。
【図８】実施例２に係る静電容量型トランスデューサを用いた被検体情報取得装置を示す図である。
【図９】従来の静電容量型トランスデューサの製造工程フローを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
特許文献１には記載されていないが、特許文献１に記載の静電容量型トランスデューサの製造方法では、２回目の熱酸化を行うと、接合界面となる部分に熱酸化膜の突起が生じ、熱酸化膜と単結晶シリコンとの接合不良を引き起こしていた。この状況を、図９（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
【００１２】
まず、図９（ａ）に示すように、Ｓｉ基板４０２に１回目の熱酸化を行い、酸化シリコン膜４０４を有する基体４００を用意する。次に、酸化シリコン膜４０４の一部をＳｉ基板４０２が露出するまでエッチングして、図９（ｂ）に示すように間隙４０６を形成する。そして、間隙４０６と接するＳｉ基板４０２の表面を絶縁体で被覆するために２回目の熱酸化を行い、酸化シリコン膜４０８をＳｉ基板４０２の表面に形成する。しかしながら、酸化シリコン膜４０４の底部のうち間隙４０６に近いところは、酸素の供給量が多いため、酸化シリコン膜４０４の底部でも酸化シリコンが生成される。そのため、図９（ｃ）に示すように、酸化シリコン膜４０４の上部に突起４１０が生じてしまう。その結果、図９（ｄ）に示すように、突起４１０が振動膜４１２との接合の障害になってしまう。
【００１３】
ここで、接合界面に生じた突起４１０を除去することで接合は良好となる。しかし、突起４１０を除去する際に、酸化シリコン膜４０４も一部除去されてしまうことがある。これにより、酸化シリコン膜４０４の均一性が低くなり、電圧を印加した際に間隙４０６内で電界強度に分布が生じてしまう。そして、電界強度に分布が生じることで、静電容量型トランスデューサ素子の絶縁破壊強度がばらつき、素子の信頼性が低下してしまう。
【００１４】
そこで、本発明は、素子特性の均一性に優れた静電容量型トランスデューサの製造方法を提供する。
【００１５】
以下に、本発明の静電容量型トランスデューサの製造方法の好適な実施形態を説明する。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る静電容量型トランスデューサの製造工程フローを示す図である。
【００１７】
まず、図１（ａ）に示すように、シリコン基板１０２上に酸化シリコンなどの第１の絶縁層１０４が形成された基体１００を用意する。第１の絶縁層１０４の形成方法としては熱酸化やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学的気相堆積）法などが考えられる。その中でも特に、膜厚の制御性、均一性、膜の緻密性、基板への密着性などを考慮するとシリコン基板１０２を熱酸化させることにより、酸化シリコンを含む第１の絶縁層１０４を形成することが好ましい。
【００１８】
次に、図１（ｂ）に示すように、第１の絶縁層１０４の一部を除去し、シリコン基板１０２を露出させ、振動膜支持部としてのパターニングされた第１の絶縁層１０４を形成することにより、後に間隙１０８となる部分を形成する。このとき、後に間隙と外部とを連通させる連通部の一部となる連通経路１０６を同時に形成することが好ましい。
【００１９】
また、このとき、この間隙１０８となる部分の高さは静電容量に大きく影響するので、精密に制御する必要があり、第１の絶縁層１０４の除去方法としては制御性の高い方法が求められる。そこで、例えば、第１の絶縁層１０４が酸化シリコンである場合、バッファードフッ酸などのフッ酸エッチャントを用いたウエットエッチングが好適である。バッファードフッ酸などのフッ酸エッチャントを用いたウエットエッチングによれば、酸化シリコンとシリコンとの選択比がほぼ無限大であるため、間隙の高さを酸化シリコンの厚さで決めることができる。また、十分な制御性があればＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ：反応性イオンエッチング）などのドライエッチングも用いることもできる。
【００２０】
なお、シリコン基板１０２に第１の絶縁層１０４を選択的に形成するためのマスキング層を形成した後に、第１の絶縁層を形成し、その後マスキング層を除去することによって、パターニングされた第１の絶縁層１０４を形成してもよい。この場合は、図１（ａ）に示す工程を行う必要はない。
【００２１】
次に、図１（ｃ）に示すように、振動膜２０６と第１の絶縁層１０４とを接合する。ここで、振動膜２０６としては、軽くてヤング率の高い材料が好ましく、単結晶シリコンやシリコンナイトライドなどを用いることができる。特に、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の活性層部のシリコンなどを用いることが好ましい。
【００２２】
このとき、接合方法としては、フュージョン接合などの直接接合が強度などの点から好ましい。具体的には、例えば、振動膜２０６及び第１の絶縁層１０４を重ね合わせた後に、熱処理を行うことにより接合することができる。
【００２３】
次に、図１（ｄ）に示すように、振動膜２０６に間隙１０８とトランスデューサの外部とを連通させるために連通孔１１２を形成する。これにより、連通部（連通経路１０６及び連通孔１１２）を通じて間隙１０８と静電容量型トランスデューサの外部とが連通する。なお、本実施形態では振動膜２０６に連通孔１１２を形成しているが、シリコン基板１０２に連通孔１１２を形成してもかまわない。また、本実施形態では振動膜２０６と第１の絶縁層１０４との接合後に連通孔１１２を形成したが、振動膜２０６に連通孔１１２を形成した後に、振動膜２０６と第１の絶縁層１０４とを接合してもよい。
【００２４】
ここで、図２（ａ）に、図１（ｄ）に示す静電容量型トランスデューサの平面図を示す。そして、図２（ｂ）、図２（ｃ）に、図２（ａ）に示す静電容量型トランスデューサのＡ−Ａ’断面図、Ｂ−Ｂ’断面図を示す。図２（ｃ）に示すように、間隙１０８は連通部（連通経路１０６及び連通孔１１２）を通じて、静電容量型トランスデューサの外部と連通している。
【００２５】
次に、連通部（連通経路１０６及び連通孔１１２）を通じて第２の絶縁層１１４を形成するためのガスを導入し、ガスを含む雰囲気中で、図１（ｅ）に示すように、シリコン基板１０２の面のうち間隙１０８と接する面に、第２の絶縁層１１４を形成する。具体的には、例えば、熱酸化やＣＶＤ法により第２の絶縁層１１４を形成することができる。熱酸化の場合は、連通部を通じて酸素を導入し、酸素を含む雰囲気中にて加熱することにより、酸化シリコンを含む第２の絶縁層１１４を形成する。また、ＣＶＤ法の場合は、シリコンナイトライドなどの第２の絶縁層１１４を成膜することもできる。この場合、ガスとしては、シリコン供給用としてＳｉＨ４やＳｉＨ２Ｃｌ２などを導入し、窒素供給用としてＮ２やＮＨ３などを導入することが考えられる。
【００２６】
さらに、振動膜２０６にシリコンを用いた場合に熱酸化を行った場合や、ＣＶＤ法を行った場合には、振動膜２０６の面のうち間隙と接する面にも、第２の絶縁層１１５が形成される。このように、シリコン基板１０２の面のうち間隙と接する面と、振動膜２０６の面のうち間隙と接する面とに第２の絶縁層１１４、１１５を形成することにより、シリコン基板１０２と振動膜２０６との絶縁性が高くなる。
【００２７】
なお、トランスデューサを液中などで使用する場合には、間隙１０８とトランスデューサの外部との連通を遮断しておくことが望ましい。具体的には、図１（ｆ）に示すように、連通孔１１２を封止するように遮断層１１６を形成することにより、連通を遮断することができる。例えば、遮断層１１６は、ＣＶＤ法によりシリコンナイトライドなどの層として形成することができる。このとき、遮断層１１６は、連通を遮断する目的と同時に、厚さや応力特性を調整することで振動膜２０６の機械的特性の調整にも用いることができる。なお、遮断層１１６は、図３に示すように、連通孔１１２の上部のみを遮断するように形成してもよい。
【００２８】
また、振動膜２０６にシリコンを採用する場合、熱酸化により第２の絶縁層１１４を形成することと並行して、振動膜２０６に形成された連通孔１１２に熱酸化による絶縁層を形成して連通孔１１２を塞いでもよい。この場合、第２の絶縁層の形成が十分行われたうえで、連通孔１１２が塞がれるように、熱酸化の温度や時間などの条件や連通孔１１２の大きさを設定する。
【００２９】
なお、第１の絶縁層１０４と振動膜２０６とを重ね合わせた後に、熱処理による振動膜２０６と第１の絶縁層１０４との接合と、熱酸化による第２の絶縁層１１４の形成とを同一の熱工程で行うことができる。この場合、例えば、第１の絶縁層１０４と振動膜２０６とを重ね合わせた状態で、窒素を含むガス雰囲気中にて１０５０℃で３時間熱処理を行った後に、酸素を含むガス雰囲気中にて１０５０℃で１時間熱処理を行うことにより、接合と熱酸化とを同一の熱工程にて行うことができる。このように、熱処理による接合と、熱酸化とを同一の熱工程で行うことにより、静電容量型トランスデューサを製造する工程を低減することができる。
【００３０】
さらに、熱処理による接合と熱酸化とを同一の熱工程で行うことにより、製造される静電容量型トランスデューサに対する熱履歴を低減することができる。そして、一般的に熱履歴の少ない素子の信頼性は高いことが知られている。以上より、熱処理による接合と熱酸化とを同一の熱工程で行うことにより、製造される静電容量型トランスデューサの歩留まりを向上することができる。
【００３１】
ただし、熱処理による接合と熱酸化とを同一の熱工程で行うために、この工程を行うときは、間隙１０８と静電容量型トランスデューサの外部とが連通部により連通されている状態とする。
【００３２】
また、図４（ａ）に示すように、連通孔１１２を間隙１０８に対応する部分の振動膜２０６に設けても良い。この場合、連通経路１０６は間隙１０８が兼ねているので、連通経路１０６を形成する工程を省くことができる。この場合、連通孔１１２を連通部とする。
【００３３】
また、図４（ｂ）に示すように、複数の間隙１０８を連通経路１０６で連通することにより、同じ数の間隙を形成し、かつそれぞれの間隙が連通経路で連通していない場合と比べて、形成する連通孔１１２の数を減らすことができる。
【００３４】
以上の製造方法を行うことにより、素子特性の均一性に優れた静電容量型トランスデューサを製造することができる。
【００３５】
（第２の実施形態）
図５は、本実施形態に係るパターニングされた第１の絶縁層１０４の平面図である。本実施形態は、連通孔を形成せずに、第１の絶縁層１０４をパターニングする際に形成した連通経路１０６のみから連通部を構成することが第１の実施形態とは異なる。すなわち、連通経路が間隙から静電容量型トランスデューサの側面まで通じており、これにより静電容量型トランスデューサの外部と間隙とが連通している。
【００３６】
図６は、本実施形態に係る静電容量型トランスデューサの製造工程フローを示す図である。
【００３７】
まず、図６（ａ）に示すようにシリコン基板１０２の上にパターニングされた第１の絶縁層１０４を形成する。このとき、後に間隙１０８と静電容量型トランスデューサの外部とを連通するための連通経路１０６が設けられるように第１の絶縁層１０４をパターニングする。ここで、第１の絶縁層１０４をパターニングする方法としては、例えば、熱酸化やＣＶＤ法などで第１の絶縁層１０４を形成した後にエッチングする方法が考えられる。また、マスキング層を形成した後に第１の絶縁層１０４形成し、その後マスキング層を除去する方法などを採用することもできる。
【００３８】
次に、図６（ｂ）に示すように、振動膜２０６と第１の絶縁層１０４とを接合する。
【００３９】
そして、図６（ｃ）に示すように、連通部（連通経路１０６）を通じて第２の絶縁層１１４を形成するためのガスを導入し、ガスを含む雰囲気中にて、間隙１０８と接する面に、第２の絶縁層１１４を形成する。ここで、第２の絶縁層１１４を形成する方法としては、熱酸化やＣＶＤ法などが考えられる。
【００４０】
なお、トランスデューサを液中などで使用する場合には、間隙１０８とトランスデューサの外部との連通を遮断する遮断層を形成することが好ましい。
【００４１】
以上の製造方法を行うことにより、素子特性の均一性に優れた静電容量型トランスデューサを製造することができる。
【００４２】
また、本実施形態においては、連通孔を形成せずに、第１の絶縁層１０４をパターニングするときに形成した連通経路のみを連通部として利用するため、第１の実施形態の製造方法と比べて、工数を低減することができる。
【００４３】
また、第１の実施形態のように振動膜２０６に連通部としての連通孔を形成すると、振動膜２０６がダメージを受ける可能性がある。そのような場合、振動膜２０６のダメージが静電容量型トランスデューサの特性に影響を与える可能性がある。
【００４４】
一方、本実施形態においては、振動膜２０６に連通部としての連通孔を形成しないで連通部を形成することができるため、連通部を形成する際に振動膜２０６に与えるダメージを低減することができる。
【実施例１】
【００４５】
以下に、図７を用いて本発明に係る実施例１を説明する。
【００４６】
まず、図７（ａ）に示すように、シリコン基板１０２上に酸化シリコン膜１０４を形成し、基体１００を作製する。シリコン基板１０２の厚さは３００μｍとし、基板を下側電極として使用するために低抵抗（比抵抗０．０２Ωｃｍ以下）基板を用いている。ここでは、このシリコン基板１０２に１１００℃にて熱酸化を行い、２００ｎｍ厚の酸化シリコン膜１０４を形成する。この際、シリコン基板１０２の酸化シリコン膜１０４が形成された面と反対側の面にも酸化シリコン膜１１０が形成される。
【００４７】
次に、この酸化シリコン膜１０４上に、間隙１０８と、間隙１０８とトランスデューサの外部とを連通させるための連通経路１０６とを形成するためのレジストパターンを形成する。そして、バッファードフッ酸を用いて間隙１０８と連通経路１０６に対応する酸化シリコン膜１０４を除去し、シリコン基板１０２を露出させる。そして、レジストパターンを除去し、図７（ｂ）に示すように酸化シリコン膜１０４をパターニングする。なお、このとき、酸化シリコン膜１１０がエッチングされないようにレジストで保護する。
【００４８】
一方で、図７（ｃ）に示すように、７２５μｍ厚のハンドル層であるシリコン基板２０２上に、厚さ４００ｎｍのＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ：埋め込み酸化）層である酸化シリコン層２０４と、１μｍ厚の活性層であるシリコン膜２０６とを有するＳＯＩ基体２００を準備する。
【００４９】
そして、図７（ｄ）に示すように、ＳＯＩ基体２００のシリコン膜２０６と、間隙１０８及び連通経路１０６が形成された基体１００の酸化シリコン膜１０４と、を接合する。このとき、接合は基体１００とＳＯＩ基体２００を硫酸、過酸化水素、塩酸及び超純水を用いて十分に洗浄し、表面を親水化して仮貼り合わせを行った後、１０００℃で熱処理を４時間施して行う。１０００℃の熱処理で接合を完成させた後、ＳＯＩ基体２００のシリコン膜２０６を振動膜として使用するために、ハンドル層であるシリコン基板２０２及びＢＯＸ層である酸化シリコン層２０４を除去する必要がある。
【００５０】
そこで、まず、ハンドル層であるシリコン基板２０２をバックグラインドにより概略５０μｍまで薄化する。その後、ＢＯＸ層の酸化シリコン層２０４をストップ層として水酸化テトラメチルアンモニウム溶液にて残りのシリコン基板２０２をエッチングして除去する。この際、酸化シリコン膜１１０をシリコン基板１０２のエッチング保護層として用いている。引き続きバッファードフッ酸を用いてＢＯＸ層である酸化シリコン層２０４のエッチング除去を行う。このＢＯＸ層である酸化シリコン層２０４のエッチング除去の際には活性層であるシリコン膜２０６がストップエッチング層として作用する。また、この工程を利用して酸化シリコン膜１１０を除去する。
【００５１】
こうして振動膜となるシリコン膜２０６を露出させた後、図７（ｅ）に示すように、間隙１０８とトランスデューサの外部とを連通させるための連通孔１１２を形成する。この連通孔１１２は、フォトレジストでパターニングした後、四フッ化メタンガスによってＲＩＥを行って直径６μｍの穴を形成することにより、連通経路１０６まで貫通させる。
【００５２】
その後、不要なフォトレジストを除去し、洗浄を行った後、熱酸化炉に導入し、酸素雰囲気中で１０００℃で熱酸化を２時間施す。その結果、図７（ｆ）に示すようにシリコン基板１０２の面のうち間隙１０８と接する面に厚さ５０ｎｍの熱酸化膜１１４を形成する。このとき、シリコン膜２０６にもほぼ同じ厚さの酸化シリコン層１１５が形成される。
【００５３】
そして、図７（ｇ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりシリコン膜２０６の上に窒化シリコン膜１１６を７００ｎｍ形成し、連通孔１１２を封止し、間隙１０８とトランスデューサの外部とを遮断する。
【実施例２】
【００５４】
上記実施例で説明した静電容量型トランスデューサは、音響波を用いた被検体情報取得装置に適用することができる。被検体からの音響波を静電容量型トランスデューサで受信し、出力される電気信号を用い、光吸収係数などの被検体の光学特性値を反映した被検体情報や音響インピーダンスの違いを反映した被検体情報を取得することができる。
【００５５】
図８（ａ）は、光音響効果を利用した被検体情報取得装置を示したものである。光源２０１０から発生したパルス光は、レンズ、ミラー、光ファイバー等の光学部材２０１２を介して、被検体２０１４に照射される。被検体２０１４の内部にある光吸収体２０１６は、パルス光のエネルギーを吸収し、音響波である光音響波２０１８を発生する。静電容量型トランスデューサ２０２０とそれを収納する筺体２０２２とを備えるプローブ（探触子）は、光音響波２０１８を受信して電気信号に変換し、信号処理部２０２４に出力する。信号処理部２０２４は、入力された電気信号に対して、Ａ／Ｄ変換や増幅等の信号処理を行い、データ処理部２０２６へ出力する。データ処理部２０２６は、入力された信号を用いて被検体情報（光吸収係数などの被検体の光学特性値を反映した被検体情報）を画像データとして取得する。なお、ここでは、信号処理部２０２４とデータ処理部２０２６を含めて、処理部という。表示部２０２８は、データ処理部２０２６から入力された画像データに基づいて、画像を表示する。
【００５６】
図８（ｂ）は、音響波の反射を利用した超音波エコー診断装置等の被検体情報取得装置を示したものである。静電容量型トランスデューサ２１２０とそれを収納する筺体２１２２とを有するプローブから被検体２１１４へ送信された音響波は、反射体２１１６により反射される。プローブは、反射された音響波２１１８（反射波）を受信して電気信号に変換し、信号処理部２１２４に出力する。信号処理部２１２４は、入力された電気信号に対して、Ａ／Ｄ変換や増幅等の信号処理を行い、データ処理部２１２６へ出力する。データ処理部２１２６は、入力された信号を用いて被検体情報（音響インピーダンスの違いを反映した被検体情報）を画像データとして取得する。なお、ここでは、信号処理部２１２４とデータ処理部２１２６を含めて、処理部という。表示部２１２８は、データ処理部２１２６から入力された画像データに基づいて、画像を表示する。
【００５７】
なお、プローブは、機械的に走査するものであっても、医師や技師等のユーザが被検体に対して移動させるもの（ハンドヘルド型）であってもよい。
【００５８】
また、図８（ｂ）のように反射波を用いる装置の場合、プローブとは異なる送信器を用いて音響波を送信してもよい。
【００５９】
以上、好適な実施形態を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限らず、特許請求の範囲を逸脱しない限りにおいて、種々の変形例、応用例も包含するものである。
【符号の説明】
【００６０】
１０２  シリコン基板
１０４  酸化シリコン膜（第１の絶縁層）
１０６  連通経路
１０８  間隙
１１２  連通孔
１１４  熱酸化膜（第２の絶縁層）
２０６  シリコン膜（振動膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図８】
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