(57)【要約】【課題】本発明は、微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができる配線回路基板の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、前駆部材のパターン状導体層側の表面にドライフィルムレジストを配置し、上記ドライフィルムレジストを加熱溶融させ、上記パターン状導体層上の上記ドライフィルムレジストの一部を上記絶縁層上に流出させる工程と、上記ドライフィルムレジストに対して露光現像を行い、さらにウェットエッチングにより配線層を形成する工程と、を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図１
2013125560.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層上に形成されたパターン状導体層と、を有する前駆部材を準備する準備工程と、
前記前駆部材の前記パターン状導体層側の表面にドライフィルムレジストを配置し、前記ドライフィルムレジストを加熱溶融させ、前記パターン状導体層上の前記ドライフィルムレジストの一部を前記絶縁層上に流出させるラミネート工程と、
前記ドライフィルムレジストに対して露光現像を行い、レジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出する前記パターン状導体層をウェットエッチングにより除去し、配線層を形成する配線層形成工程と、
を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記ラミネート工程において、前記パターン状導体層上の前記ドライフィルムレジストの厚さを、前記パターン状導体層の厚さ以下にすることを特徴とする請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記準備工程が、前記絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導体層とを有する積層部材を用い、前記導体層をウェットエッチングすることにより前記前駆部材を準備する工程であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記パターン状導体層の底面および側面のなす角度が、鋭角であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線回路基板が、前記配線層とは反対側の前記絶縁層の表面に金属支持基板を有するサスペンション用基板であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができる配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器等に用いられる配線回路基板は、通常、絶縁層と、絶縁層上に形成された配線層とを少なくとも有する。電子機器等の高機能化に伴う配線数の増加、あるいは、電子機器等の小型化により、配線回路基板の配線層には、微細化（ファイン化）が求められている。配線回路基板の配線層の形成方法として、サブトラクティブ法およびアディティブ法が知られている。
【０００３】
サブトラクティブ法は、導体層に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体層をエッチングすることで、パターニングされた配線層を形成する方法である。一方、アディティブ法は、絶縁層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁層上に、めっき法により、パターニングされた配線層を形成する方法である。
【０００４】
非特許文献１には、サブトラクティブ法により微細化した配線層を形成するために、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）の薄膜化処理を行うことが開示されている。具体的には、厚膜ドライフィルムレジストを基板にラミネートし、その厚膜ドライフィルムレジストを薬液処理等により薄膜化することで、微細化した配線層を形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】中川、“ファインパターン回路形成用レジストシステム”、［оｎｌｉｎｅ］、［平成２３年１０月１９日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.k-mpm.com/k-new/finepattern/index.html＞
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
サブトラクティブ法におけるエッチングの手法としてウェットエッチングがあり、ウェットエッチングでは、エッチング液がレジストパターンの開口から導体層に浸入することで、導体層のエッチングを行う。一度浸入したエッチング液は、再びレジストパターンの開口から外部に出ていくため、図６（ａ）に示すように、導体層３Ａは、レジストパターン５ａ側の表面が、逆側の表面に比べて、幅方向にエッチングされやすい傾向にある。その結果、図６（ｂ）に示すように、配線層３の底面（絶縁層２側の表面）および側面のなす角θが鋭角（９０°未満）になりやすい。すなわち、配線層３の底部が頂部に比べて大きくなる（断面形状が台形になる）ため、通常の製造方法では微細化に限界がある。
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができる配線回路基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明者等が鋭意研究を重ねた結果、配線層の微細化のためには、図６（ａ）に示すように、エッチング深さＤ、レジストパターン５ａの開口サイズＲ、導体層３Ａの開口サイズＷの関係に着目することが有効であることの知見を得た。中でも、配線層の微細化のためには、エッチング深さＤを大きくすることが効果的であり、レジストパターン５ａの厚さＤ５をより小さくすることで、実質的なエッチング深さＤ３が改善され、配線層の微細化に非常に有効であるとの知見を得た。本発明は、このような知見に基づいてなされたものである。
【０００９】
すなわち、本発明においては、絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたパターン状導体層と、を有する前駆部材を準備する準備工程と、上記前駆部材の上記パターン状導体層側の表面にドライフィルムレジストを配置し、上記ドライフィルムレジストを加熱溶融させ、上記パターン状導体層上の上記ドライフィルムレジストの一部を上記絶縁層上に流出させるラミネート工程と、上記ドライフィルムレジストに対して露光現像を行い、レジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記パターン状導体層をウェットエッチングにより除去し、配線層を形成する配線層形成工程と、を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法を提供する。
【００１０】
本発明によれば、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの一部を、絶縁層上に流出させることで、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さを薄くできる。その結果、ウェットエッチング時におけるエッチング深さの特性（エッチングファクター、Ｅ／Ｆ）が向上し、配線層の断面形状が台形になることが抑制され、微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができる。
【００１１】
上記発明においては、上記ラミネート工程において、上記パターン状導体層上の上記ドライフィルムレジストの厚さを、上記パターン状導体層の厚さ以下にすることが好ましい。さらに微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができるからである。
【００１２】
上記発明においては、上記準備工程が、上記絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層とを有する積層部材を用い、上記導体層をウェットエッチングすることにより上記前駆部材を準備する工程であることが好ましい。その後の配線層形成工程がウェットエッチングを用いる工程であるため、前駆部材の準備工程でもウェットエッチングを用いることで、同一の設備を使用することができ、工程の簡略化が図れるからである。
【００１３】
上記発明においては、上記パターン状導体層の底面および側面のなす角度が、鋭角であることが好ましい。ラミネート工程の際に、パターン状導体層上のドライフィルムレジストが、絶縁層上に流出しやすくなるからである。
【００１４】
上記発明においては、上記配線回路基板は、上記配線層とは反対側の上記絶縁層の表面に金属支持基板を有するサスペンション用基板であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明においては、微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明におけるパターン状導体層を説明する概略断面図である。
【図３】パターン状導体層上に形成されたドライフィルムレジストの厚さを説明する概略断面図である。
【図４】サスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図５】サスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図６】サブトラクティブ法を説明する概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の配線回路基板の製造方法について詳細に説明する。
【００１８】
本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたパターン状導体層と、を有する前駆部材を準備する準備工程と、上記前駆部材の上記パターン状導体層側の表面にドライフィルムレジストを配置し、上記ドライフィルムレジストを加熱溶融させ、上記パターン状導体層上の上記ドライフィルムレジストの一部を上記絶縁層上に流出させるラミネート工程と、上記ドライフィルムレジストに対して露光現像を行い、レジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記パターン状導体層をウェットエッチングにより除去し、配線層を形成する配線層形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１９】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１においては、まず、金属支持基板１、絶縁層２および導体層３Ａがこの順に積層された積層部材を用意する（図１（ａ））。次に、導体層３Ａ上にレジストパターン（図示せず）を形成し、そのレジストパターンから露出する導体層３Ａをウェットエッチングにより除去し、パターン状導体層３Ｂを形成する（図１（ｂ））。これにより、前駆部材１０ａが得られる。
【００２０】
その後、前駆部材１０ａのパターン状導体層３Ｂ側の表面にドライフィルムレジスト５を配置し（図１（ｃ））、ドライフィルムレジスト５を加熱溶融させながらプレスすることで、パターン状導体層３Ｂ上のドライフィルムレジスト５の一部を絶縁層２上に流出させる（図１（ｄ））。次に、ドライフィルムレジスト５に対して露光現像を行い（図１（ｅ））、レジストパターン５ａを形成し（図１（ｆ））、レジストパターン５ａから露出するパターン状導体層３Ｂをウェットエッチングにより除去し、配線層３を形成する（図１（ｇ））。これにより、配線回路基板１０ｂが得られる。
【００２１】
本発明によれば、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの一部を、絶縁層上に流出させることで、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さを薄くできる。その結果、ウェットエッチング時におけるエッチング深さの特性（エッチングファクター、Ｅ／Ｆ）が向上し、配線層の断面形状が台形になることが抑制され、微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができる。なお、エッチングファクターは、図６に記載された符号を用いると、Ｅ／Ｆ＝２Ｄ／（Ｗ−Ｒ）で規定されるものである。
【００２２】
従来のサブトラクティブ法では、通常、１回のウェットエッチングで導体層をパターニングし、配線層を形成していた。これに対して、例えば上述した図１では、１回目のウェットエッチングで導体層からパターン状導体層を形成することで、パターン状導体層上のドライフィルムレジストが流出する場所を絶縁層上に確保できる。これにより、２回目のウェットエッチングの際に、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さを薄くでき、微細化した配線回路基板を得ることができる。なお、図１では、パターン状導体層をサブトラクティブ法で形成しているが、アディティブ法で形成しても良く、その他の方法で形成しても良い。
【００２３】
また、上述した非特許文献１には、ドライフィルムレジストの薄膜化処理を行うことが開示されているが、厚膜ドライフィルムレジストを薬液処理等により薄膜化するため、薬液処理のための設備が必要になる。これに対して、本発明によれば、パターン状導体層の形状を利用して薄膜化しているため、薬液処理のための設備が不要であるという利点がある。なお、薄いレジストパターンを形成する手法として、例えば電着レジストを用いる方法が考えられるが、ドライフィルムレジストを用いる場合よりもコストがかかるという問題がある。また、本発明によれば、ドライフィルムレジストを用いるため、例えば液状レジストに比べて、平坦性の高いレジストパターンを得ることができ、より均一なウェットエッチングを行うことができるという利点がある。
以下、本発明の配線回路基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００２４】
１．準備工程
本発明における準備工程は、絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたパターン状導体層と、を有する前駆部材を準備する工程である。なお、前駆部材は、自ら作製したものであっても良く、購入したものであっても良い。
【００２５】
前駆部材は、絶縁層と、絶縁層上に形成されたパターン状導体層と、を少なくとも有するものである。また、前駆部材は、配線層とは反対側の絶縁層の表面には、金属支持基板を有することが好ましい。例えば、後述するサスペンション用基板として有用な配線回路基板を得ることができるからである。
【００２６】
本発明における絶縁層は、配線層（パターン状導体層）を保持する層である。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、特に限定されるものではなく、配線回路基板の種類に応じて異なるものであるが、例えば配線回路基板がサスペンション用基板である場合、５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００２７】
本発明におけるパターン状導体層は、絶縁層上に形成される層である。パターン状導体層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）およびニッケル（Ｎｉ）が好ましく、特に銅が好ましい。また、パターン状導体層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。なお、パターン状導体層の厚さは、特に限定されるものではなく、配線回路基板の種類に応じて異なるものである。また、パターン状導体層の形状は、特に限定されるものではないが、目的とする配線層の形状（パターン）に沿って形成されていることが好ましい。
【００２８】
本発明における金属支持基板は、配線層とは反対側の絶縁層の表面に設けられるものである。金属支持基板の材料は、特に限定されるものではないが、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、特に限定されるものではなく、配線回路基板の種類に応じて異なるものであるが、例えば配線回路基板がサスペンション用基板である場合、１０μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２９】
前駆部材の形成方法は、上述した前駆部材を得ることができる方法であれば、特に限定されるものではない。前駆部材の形成方法の一例としては、いわゆるサブトラクティブ法を挙げることができる。具体的には、上記絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層とを有する積層部材を用い、上記導体層をウェットエッチングする方法を挙げることができる。通常は、ドライフィルムレジスト等を用いて、導体層上にパターン状導体層形成用のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体層をウェットエッチングにより除去する。その後の配線層形成工程がウェットエッチングを用いる工程であるため、前駆部材の準備工程でもウェットエッチングを用いることで、同一の設備を使用することができ、工程の簡略化が図れるという利点がある。
【００３０】
前駆体の形成方法の他の例としては、いわゆるアディティブ法を挙げることができる。具体的には、上記絶縁層の表面にシード層を形成し、上記シード層上にパターン状導体層形成用のレジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記シード層上に上記パターン状導体層を形成する方法を挙げることができる。シード層の形成方法としては、例えばスパッタリング法、無電解めっき法等を挙げることができる。また、パターン状導体層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。
【００３１】
また、本発明においては、パターン状導体層の底面および側面のなす角度が、鋭角であることが好ましい。ラミネート工程の際に、パターン状導体層上のドライフィルムレジストが、絶縁層上に流出しやすくなるからである。具体的には、図２に示すように、パターン状導体層３Ｂの底面（絶縁層２側の表面）および側面のなす角度θが鋭角（９０°未満）であることが好ましく、５５°〜７５°の範囲内であることがより好ましい。上記範囲内であれば、配線層の微細化を十分に図りつつ、ドライフィルムレジストの流出を発生しやすくできるからである。なお、上記サブトラクティブ法には、鋭角のθが得られやすいという利点もある。
【００３２】
２．ラミネート工程
本発明におけるラミネート工程は、上記前駆部材の上記パターン状導体層側の表面にドライフィルムレジストを配置し、上記ドライフィルムレジストを加熱溶融させ、上記パターン状導体層上の上記ドライフィルムレジストの一部を上記絶縁層上に流出させる工程である。
【００３３】
本発明におけるドライフィルムレジストは、感光性を有するものであれば特に限定されるものではなく、ネガ型であっても良く、ポジ型であっても良いが、前者が好ましい。材料選択の幅が広いからである。また、ドライフィルムレジストとしては、アクリル系レジスト等を挙げることができる。
【００３４】
本発明においては、減圧下で、前駆部材のパターン状導体層側の表面にドライフィルムレジストを配置することが好ましい。減圧下でドライフィルムレジストを配置することで、気泡の発生を抑制できるからである。通常のサブトラクティブ法の場合、導体層の平坦性が高いことから、常圧下でラミネートを行っても、ドライフィルムレジストと導体層との間に気泡は生じにくい。これに対して、本発明における前駆部材はパターン状導体層を有するため、常圧下でラミネートを行うと、パターン状導体層および絶縁層の平面視界面に気泡が生じやすくなる。気泡が存在すると、ウェットエッチングのエッチングレートに影響を与えることから、気泡は発生しないことが好ましい。減圧時の圧力は、大気圧よりも低ければ特に限定されるものではないが、例えば４ｈＰａ〜１５０ｈＰａの範囲内であることが好ましく、４．５ｈＰａ〜５０ｈＰａの範囲内であることがより好ましい。
【００３５】
本発明においては、通常、パターン状導体層上に配置されたドライフィルムレジストを加熱溶融させ、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの一部を絶縁層上に流出させる。これにより、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さをより薄くできる。その結果、ウェットエッチング時におけるエッチング深さの特性（エッチングファクター、Ｅ／Ｆ）が向上し、配線層の断面形状が台形になることが抑制され、微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができる。加熱温度は、ドライフィルムレジストのガラス転移点（Ｔｇ）によって異なるものであるが、例えば３０℃〜１５０℃の範囲内であることが好ましく、５５℃〜１１０℃の範囲内であることがより好ましい。
【００３６】
本発明においては、ドライフィルムレジストを加熱溶融させる際に、同時にプレスを行うことが好ましい。パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さをより均一にできるからである。本発明においては、液状レジストではなくドライフィルムレジストを用いてレジストパターンを形成するため、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さは比較的均一になるが、プレスを行うことで、ドライフィルムレジストの厚さをより均一にできる。プレスの方法としては、例えば平板プレス、ロールプレス等を挙げることができる。プレス圧は、パターン状導体層の厚さ等によって異なるものであるが、例えば０．１ＭＰａ〜１ＭＰａの範囲内であることが好ましく、０．２ＭＰａ〜０．４ＭＰａの範囲内であることがより好ましい。
【００３７】
特に、本発明においては、上述した減圧、加熱およびプレスを同時に行うことが好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。このような方法としては、具体的には、真空加熱プレス等を挙げることができる。
【００３８】
本発明において、ラミネート前のドライフィルムレジストの厚さは、パターン状導体層の厚さより大きくても良く、パターン状導体層の厚さ以下であっても良い。前者の場合、以下のような利点がある。すなわち、ドライフィルムレジストは、通常、薄くなるほど扱いにくくなるが、本発明においては、ラミネート工程において、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さを薄くできるため、扱いやすい厚膜ドライフィルムレジストを用いることができる。その結果、製品の歩留まりを向上させることができる。一方、後者の場合、以下のような利点がある。すなわち、厚膜ドライフィルムレジストは扱いやすいものの、パターン状導体層上から絶縁層上に流出するドライフィルムレジストの量が多くなる。流出するドライフィルムレジストの量が多いと、絶縁層を露出させる面積（流出したドライフィルムレジストを受容するための面積）を大きくする必要があり、パターン状導体層のデザイン自由度が低くなる場合がある。これに対して、ラミネート前のドライフィルムレジストが薄いと、流出するドライフィルムレジストの量が少なくなり、パターン状導体層のデザイン自由度を高くできるという利点がある。
【００３９】
図３に示すように、パターン状導体層３Ｂの厚さをＴ３とし、ラミネート後における、パターン状導体層３Ｂ上のドライフィルムレジスト５の厚さをＴ５とする。Ｔ３の値は、特に限定されるものではなく、配線回路基板の種類に応じて異なるものであるが、例えば配線回路基板がサスペンション用基板である場合、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。一方、Ｔ５の値も、特に限定されるものではなく、配線回路基板の種類に応じて異なるものであるが、例えば配線回路基板がサスペンション用基板である場合、３μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましく、３μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。中でも、本発明においては、上記パターン状導体層上の上記ドライフィルムレジストの厚さを、上記パターン状導体層の厚さ以下にすることが好ましい。さらに微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができるからである。この場合、Ｔ３−Ｔ５の値は、０以上であることが好ましく、３μｍ〜１５μｍの範囲内であることがより好ましく、３μｍ〜１０μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００４０】
３．配線層形成工程
本発明における配線層形成工程は、上記ドライフィルムレジストに対して露光現像を行い、レジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記パターン状導体層をウェットエッチングにより除去し、配線層を形成する工程である。
【００４１】
本工程では、ラミネート工程で得られたドライフィルムレジストに対して露光現像を行う。露光現像の方法は特に限定されるものではなく、通常のフォトリソグラフィーにおける方法と同様である。通常は、フォトマスクを介した露光により、ドライフィルムレジストにパターンを転写し、その後、現像液によりドライフィルムレジストの不要部分を除去することにより、配線層形成用のレジストパターンを形成する。
【００４２】
ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、パターン状導体層に応じて適宜選択することが好ましい。例えばパターン状絶縁層の材料が銅である場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、ウェットエッチングの方法としては、特に限定されるものではないが、例えばパターン状導体層をエッチング液に浸漬させる浸漬法、パターン状導体層にエッチング液を噴霧するスプレー法、パターン状導体層を回転させエッチング液を滴下するスピン法等を挙げることができる。
【００４３】
本発明における配線層は、微細化されたものであることが好ましい。配線層の幅は、例えば５μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜２０μｍの範囲内であることがより好ましい。このような範囲であれば、配線層の微細化を妨げることなく、信号伝達特性および密着性を維持できるからである。また、隣り合う配線層の間の最も短い距離（最近接距離）は、例えば１５μｍ以下であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。このような範囲であれば、配線層がショートすることなく、微細化された配線層を得ることができるからである。また、配線層の底面（絶縁層側の表面）および側面のなす角度（例えば図６（ｂ）における角度θ）は、４５°〜９０°の範囲内であることが好ましく、５５°〜８５°の範囲内であることがより好ましい。このような範囲であれば、信号伝達特性および密着性が良好な、微細な配線を得ることができるからである。
【００４４】
４．配線回路基板
本発明により得られる配線回路基板は、絶縁層および配線層を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられるサスペンション用基板および中継基板、ならびに、半導体パッケージ基板、液晶用フレキシブル基板等を挙げることができる。サスペンション用基板は、通常、配線層とは反対側の絶縁層の表面に、金属支持基板を有する。また、中継基板は、配線層とは反対側の絶縁層の表面に、金属支持基板を有していても良く、金属支持基板を有していなくても良い。
【００４５】
図４は、サスペンション用基板の一例を示す模式図である。図４（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図４（ａ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図４（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する複数の配線層１０３ａ〜１０３ｄとを有する。配線層１０３ａおよび配線層１０３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１０３ｃおよび配線層１０３ｄも一対の配線層である。これらの２つの配線層は、一方がライト（書込）用配線層であり、他方がリード（読込）用配線層である。また、図４（ｂ）に示すように、このサスペンション用基板は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３を覆うように形成されたカバー層４とを有する。
【００４６】
サスペンション用基板を製造する場合、通常は、上述した準備工程、ラミネート工程および配線層形成工程の他に、絶縁層パターニング工程および金属支持基板パターニング工程を少なくとも行う。さらに、必要に応じて配線層を覆うカバー層を形成するカバー層形成工程を行っても良い。
【００４７】
図５は、サスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図５においては、まず、金属支持基板１、絶縁層２および導体層３Ａがこの順に積層された積層部材を用意する（図５（ａ））。次に、導体層３Ａ上にレジストパターン（図示せず）を形成し、そのレジストパターンから露出する導体層３Ａをウェットエッチングにより除去し、パターン状導体層３Ｂを形成する（図５（ｂ））。なお、この際、金属支持基板１に治具孔を同時に形成することが好ましい。これにより、前駆部材１０ａが得られる。次に、上述したラミネート工程および配線層形成工程を行い、パターン状導体層３Ｂから配線層３を形成する（図５（ｃ））。
【００４８】
その後、配線層３上にカバー層４を形成する（図５（ｄ）、カバー層形成工程）。カバー層４の材料は、特に限定されるものではないが、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂であることが好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。
【００４９】
その後、絶縁層２を所定の方法でパターニングする（図５（ｄ）、絶縁層パターニング工程）。絶縁層のパターニング方法としては、絶縁層上に、レジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁層をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁層の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁層の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。
【００５０】
その後、金属支持基板１を所定の方法でパターニングし、サスペンション用基板１００を得る（図５（ｅ）、金属支持基板パターニング工程）。金属支持基板のパターニング方法としては、金属支持基板上に、レジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する金属支持基板をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持基板の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００５１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００５３】
［実施例１］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持基板）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁層）、厚さ９μｍの電解銅層（導体層）を有する積層部材を準備した。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の導体層側の表面に配置し、パターン状導体層形成用のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体層をウェットエッチングにより除去し、レジストパターンを剥離し、パターン状導体層を形成した。
【００５４】
次に、厚さ１５μｍのドライフィルムレジストを用意し、パターン状導体層側の表面に真空加熱プレスしてラミネートした。これにより、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの一部が絶縁層上に流失し、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さは５μｍになった。次に、ドライフィルムレジストに対して露光現像を行い、配線層形成用のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するパターン状導体層をウェットエッチングにより除去し、レジストパターンを剥離し、配線層を形成した。配線層の幅は１５μｍであり、隣り合う配線層の間の最も短い距離（最近接距離）は１０μｍであった。また、配線層の底面（絶縁層側の表面）および側面のなす角度は８５°であった。
【符号の説明】
【００５５】
１…金属支持基板、  ２…絶縁層、  ３…配線層、  ３Ａ…導体層、  ３Ｂ…パターン状導体層、  ４…カバー層、  ５…ドライフィルムレジスト、  ５ａ…レジストパターン  １００…サスペンション用基板、  １０１…記録再生用素子実装領域、  １０２…外部回路基板接続領域、  １０３…配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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