(57)【要約】【課題】  本実施形態は、熱応力に対する耐性を有する半導体基板及び半導体装置を提供することである。【解決手段】  実施形態の半導体基板は、半導体基板本体と、前記半導体基板本体の中心から離れた周囲に設けられ、はんだバンプが配置される金属膜凹部を有する金属膜と、中心が前記金属膜凹部中心から前記半導体基板本体中心方向に偏心して位置し、前記金属膜凹部に設けられたはんだバンプと、を有する。  実施形態の半導体装置は、請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体基板と、前記半導体基板本体の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記はんだバンプを介して前記半導体基板に接合した実装基板と、を有する。【選択図】図２
2013138167.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板本体と、
前記半導体基板本体の中心から離れた周囲に設けられ、はんだバンプが配置される金属
膜凹部を有する金属膜と、
中心が前記金属膜凹部中心から前記半導体基板本体中心方向に偏心して位置し、前記金
属膜凹部に設けられたはんだバンプと、
を有する半導体基板。
【請求項２】
前記半導体基板本体と前記金属膜の間に、無機膜及び有機膜とをさらに有しており、有
機膜開口部中心は前記金属膜凹部中心から前記半導体基板本体中心方向に偏心して設けら
れた請求項１に記載の半導体基板。
【請求項３】
前記金属膜と前記無機膜の接触面積が、前記金属膜と前記有機膜の接触面積よりも大き
い請求項２に記載の半導体基板。
【請求項４】
前記金属膜は前記開口部から、前記半導体基板本体の中心方向に長く設けられた請求項
１乃至３のいずれか一に記載の半導体基板。
【請求項５】
前記金属膜の形状は円形または多角形である請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導
体基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体基板と、
前記半導体基板本体の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記はんだバンプを
介して前記半導体基板に接合した実装基板と、
を有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体基板及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板をはんだ等により実装基板に実装する際、はんだによる接着が強固である等
の実装の信頼性が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１７５３２０号公報
【特許文献２】特開２００６−２１６７６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態は、熱応力に対する耐性を有する半導体基板及び半導体装置を提供すること
である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体基板は、半導体基板本体と、前記半導体基板本体の中心から離れた周
囲に設けられ、はんだバンプが配置される金属膜凹部を有する金属膜と、中心が前記金属
膜凹部中心から前記半導体基板本体中心方向に偏心して位置し、前記金属膜凹部に設けら
れたはんだバンプと、を有する。
【０００６】
実施形態の半導体装置は、請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体基板と、前記半
導体基板本体の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記はんだバンプを介して前
記半導体基板に接合した実装基板と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態に係る半導体基板１ａの平面構造を示す平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における断面を示す縦断面図。
【図３】図１のＣ部における拡大平面図。
【図４】一実施形態に係る半導体装置３ａの断面構造を示す縦断面図。
【図５】比較例に係る半導体基板１ｂの平面構造を示す平面図。
【図６】図６のＢ−Ｂ’線における断面を示す縦断面図。
【図７】比較例に係る半導体装置３ｂの断面構造を示す縦断面図。
【図８】変形例１に係る半導体基板１ｃの平面構造を示す平面図。
【図９】変形例１に係る半導体装置３ｃの断面構造を示す縦断面図。
【図１０】変形例２に係る半導体基板１ｄの平面構造を示す平面図。
【図１１】変形例２に係る半導体装置３ｄの断面構造を示す縦断面図。
【図１２】変形例３に係る半導体基板１ｅの拡大平面図。
【図１３】変形例３に係る半導体装置３ｅの断面構造を示す縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。この説明に際し、全図
にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。また、図面の寸法比率は、図示の
比率に限定されるものではない。なお、本実施形態は、本発明を限定するものではない。
【０００９】
[一実施形態]
（半導体基板１ａ及び半導体装置３ａの全体構成）
一実施形態に係る半導体基板１ａ及び半導体装置３ａの全体構成について説明する。図
１は一実施形態に係る半導体基板１ａの平面構造を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線
における断面を示す縦断面図、図３は図１のＣ部における拡大平面図、及び図４は一実施
形態に係る半導体装置３ａの断面構造を示す縦断面図を示している。
【００１０】
図示するように、一実施形態の半導体装置３ａは半導体基板１ａと実装基板２を有する
。半導体基板１ａがはんだバンプ１５を介して、実装基板２上に実装される。
【００１１】
実装基板２は半導体基板１ａを表面に固定し、電子機器として用いるための板状または
フィルム状等の部品である。実装基板２には柔軟性を有していない絶縁性のリジット基板
、柔軟性を有する絶縁性のフレキシブル基板、及びリジット基板とフレキシブル基板を複
合したリジットフレキシブル基板等に分類されるが、本実施形態においてはその形態は特
に限定されない。また、実装基板２の構成材料としては、例えば、セラミックやガラスエ
ポキシ基板等が用いられるが、それ以外の材料でも実施は可能であり、特に限定はされな
い。
【００１２】
半導体基板１ａは、半導体基板本体１０、アルミニウム配線１１、ＳｉＮ／ＳｉＯ２（
ＳｉＮ及びＳｉＯ２。以後、ＳｉＮ／ＳｉＯ２と記載する。）膜１２（無機膜）、ポリイ
ミド膜１３（有機膜）、アンダーバリアメタル１４（金属膜）、はんだバンプ１５を有す
る。
【００１３】
半導体基板本体１０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）等で構成される種々の性質を有する
電子材料等である。半導体基板本体１０は実装基板２に実装されて、半導体装置３ａとし
て使用される。半導体基板本体１０は、例えば、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）や窒化ガ
リウム（ＧａＮ）、及びワイドバンドギャップを有するダイヤモンド等でも実施可能であ
り、その構成材料は特に限定されない。
【００１４】
アルミニウム配線１１は、半導体基板本体１０上に設けられる。図１に示すアルミニウ
ム配線領域４０は四角形であるが、あくまで一例であり、その形態は特に限定されない。
一般に、加工の容易さ、導電性を有すること、安価であること等からアルミニウム（Ａｌ
）が用いられるが、例えば、金（Ａｕ）等の金属や合金等の導電性材料を使用しても実施
は可能である。
【００１５】
ＳｉＮ／ＳｉＯ２膜１２は、半導体基板本体１０及びアルミニウム配線１１上に設けら
れる。また、ＳｉＮ／ＳｉＯ２膜１２はアルミニウム配線１１の一部に対向する開口部４
１を有している。ＳｉＮ／ＳｉＯ２膜１２は絶縁膜としての役割を有している。従って、
ＳｉＮ／ＳｉＯ２膜１２に限定されず、絶縁性を有している膜であれば実施は可能である
。
【００１６】
ポリイミド膜１３は、ＳｉＮ／ＳｉＯ２膜１２を覆うように設けられる。その際、ポリ
イミド膜１３は開口部４１を埋め込まないように形成される。ポリイミド膜１３はＳｉＮ
／ＳｉＯ２膜１２の表面保護膜としての役割を有している。本実施形態では一例としてポ
リイミドを用いて説明するが、ポリイミドに限らず、例えば、エポキシ樹脂等でも実施は
可能である。
【００１７】
アンダーバリアメタル１４は、開口部４１を埋め込むように、アルミニウム配線１１及
びポリイミド膜１３上に設けられる。また、開口部４１を埋め込んだ部分には金属膜凹部
４２が形成される。アンダーバリアメタル１４は、アルミニウム配線１１とはんだバンプ
１５を電気的に接合し、かつ強固な接合剤としての役割を成している。このようなアンダ
ーバリアメタル１４を用いる理由は、アルミニウムとはんだが原則、接合し難い性質であ
ることが挙げられる。また、本実施形態のアンダーバリアメタル１４は、ポリイミド膜１
３上において、半導体基板本体１０中心方向に長くなるように設けられている。
【００１８】
ここで、アンダーバリアメタル１４は、例えば、アルミニウム配線１１側からチタン（
Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）の順に積層されて構成される（以後、Ｔｉ／Ｎｉ
／Ｃｕと記載）。Ｔｉ／Ｎｉ／Ｃｕの順で構成されるアンダーバリアメタル１４の場合、
まず、チタンは他のメタルと接合しやすいため、アルミニウム配線１４との接合剤として
の役割を有する。銅ははんだと合金を作る性質を有しているため、アンダーバリアメタル
１４の銅とはんだバンプ１５は略一体となり、強固に接合する。そして、チタンと銅の間
に形成されたニッケルは、はんだ拡散防止層としての役割を有している。
【００１９】
開口部４１、金属膜凹部４２及びアンダーバリアメタル１４はそれぞれ略円形の形状を
有しているが、その他の形状でも実施は可能である。ただし、半導体基板本体１０への集
中応力の緩和等の点から、略円形にするのが望ましい。また、本実施形態では、一例とし
て、Ｔｉ／Ｎｉ／Ｃｕを用いて説明したが、例えば、銅をパラジウム（Ｐｄ）に置換した
Ｔｉ／Ｎｉ／Ｐｄ、銅を金（Ａｕ）に置換したＴｉ／Ｎｉ／Ａｕでも実施は可能である。
【００２０】
はんだバンプ１５は、アンダーバリアメタル１４上に設けられる。はんだバンプ１５は
、半導体基板１ａと実装基板２を実装するのに用いられる。具体的には、はんだバンプ１
５に熱を加えて融解させ、その融解したはんだバンプ１５を実装基板２に設置し、冷却し
てはんだバンプ１５を凝固させる。その結果、図４に示すように、半導体基板１ａと実装
基板２が電気的に接続され、固定される。この工程を一般にリフロー工程と呼ぶ。なお、
はんだバンプ１５の材料は特に限定されない。
【００２１】
本実施形態の半導体基板１ａ及び半導体装置３ａは、図３に示すように、はんだバンプ
中心３１を半導体基板本体中心３０側にオフセットして、はんだバンプ１５を設けている
。オフセット量はアンダーバリアメタル１４形成時の開口部中心３２及び金属膜中心３３
との位置合わせ精度によって決まる。また、はんだバンプ１５の配置に不均一性を生じさ
せないために、半導体基板本体１０の中心方向へのオフセットとし、半導体基板１ａ及び
半導体装置３ａの四隅に近いはんだバンプ１５ほど大きなオフセット量が発生するように
配置されている。
【００２２】
（一実施形態の効果）
一実施形態の半導体基板１ａ及び半導体装置３ａの効果について比較例を用いて説明す
る。
【００２３】
図５は比較例に係る半導体基板１ｂの平面構造を示す平面図、図６は図６のＢ−Ｂ’線
における断面を示す縦断面図、及び図７は比較例に係る半導体装置３ｂの断面構造を示す
縦断面図を示している。
【００２４】
比較例の半導体基板１ｂ及び半導体装置３ｂが、一実施形態の半導体基板１ａ及び半導
体装置３ａと異なる点は、図５、６に示すようにはんだバンプ中心３１を半導体基板本体
中心３０側にオフセットせずに、はんだバンプ１５を設けている点である。すなわち、は
んだバンプ中心３１と開口部中心３２、及び金属膜凹部中心３３の位置が全て一致してい
る。
【００２５】
まず、図５〜７に示す比較例において生じる問題点について述べる。前述したように、
半導体基板１ｂはリフロー工程により実装基板２に実装される。半導体基板１ｂを実装基
板２へ実装するリフロー工程において、はんだバンプ１５が凝固した時点から、熱応力が
はんだバンプ１５と半導体基板１ｂとの界面に生じる。
【００２６】
通常、半導体基板１ｂを構成する半導体材料は、実装基板２を構成するセラミックやガ
ラスエポキシ基板等と比べると小さい熱膨張係数を有していることから、半導体装置１ｂ
が使用される室温時において、半導体基板１ｂ側にははんだバンプ１５を介して、実装基
板２側に引っ張られる方向の熱応力が加わる。
【００２７】
その熱応力ははんだバンプ１５の接合部に集中することとなり、半導体基板１ｂ側では
、熱応力はアンダーバリアメタル１４とはんだバンプ１５との界面に集中する。その熱応
力は複雑な分布を示すが、主な熱応力成分は図７に示すような、半導体基板本体１０中心
方向における金属膜凹部４２の端部を支点５０としたテコの作用により、抗力５１ｂが働
く。そして、アンダーバリアメタル１４とはんだバンプ１５との界面端部を作用点５２と
する力が働き、その作用点５２を起点とする界面クラックが生じる。そのような界面クラ
ックが成長することにより、最終的に半導体装置３ｂは破壊に至ってしまう。
【００２８】
本実施形態の半導体基板１ａを使用した半導体装置３ａの場合、はんだバンプ中心３１
を半導体基板本体中心３０側にオフセットして、はんだバンプ１５が設けられている。そ
のため、支点５０と作用点５２間の距離である支点−作用点間距離５３ａが、比較例の半
導体基板１ｂを使用した半導体装置３ｂの支点−作用点間距離５３ｂよりも相対的に短く
なる。ここで、作用点５２に働く力の大きさは、抗力５１ａの大きさと支点−作用点間距
離５３ａの積で求まる。従って、支点−作用点間距離５３ａを相対的に短くすることは、
作用点５２に働く力を抑制することが可能となる。
【００２９】
さらに、支点５０と抗力５１ａが働く点との距離が相対的に長くなるため、抗力５１ａ
は逆に大きくなる。そのため、はんだバンプ１５とアンダーバリアメタル１４との接合が
より強固となる。
【００３０】
以上の効果により、本実施形態の半導体装置３ａは熱応力に対する耐性を有しており、
リフロー工程等に伴う熱処理による半導体基板１ａと実装基板２の接合性悪化を抑制する
ことが可能となる。
【００３１】
また、半導体基板１ａ及び半導体装置３ａの場合、はんだバンプ中心３１が半導体基板
本体中心３０側へオフセットされることにより、比較例の半導体基板１ｂ及び半導体装置
３ｂよりも相対的にはんだバンプ１５同士の距離が小さくなっている。熱応力によるはん
だバンプ１５の寿命は、はんだバンプ１５同士の距離の約２乗に反比例することが経験的
に明らかになっている。従って、半導体基板１ａ及び半導体装置３ａは、はんだバンプ１
５同士の距離が小さくなることによる破壊抑制という効果も有している。
【００３２】
[変形例１]
（変形例１の半導体基板１ｃ及び半導体装置１ｃの構成）
次に、変形例１に係る半導体基板１ｃ及び半導体装置３ｃの構成について説明する。図
８は変形例１に係る半導体基板１ｃの平面構造を示す平面図、図９は変形例１に係る半導
体装置３ｃの断面構造を示す縦断面図を示している。
【００３３】
変形例１が一実施形態の半導体基板１ａ及び半導体装置１ａと異なる点は、半導体基板
１ｃを平面視した際にアンダーバリアメタル１４が八角形となっている点である。アンダ
ーバリアメタル１４が八角形である点以外は、一実施形態の半導体基板１ａ及び半導体装
置１ａと同じ構成である。
【００３４】
アンダーバリアメタル１４はポリイミド膜１３上において、半導体基板本体１０中心方
向に長くなるように設けられている。そして、はんだバンプ中心３１を半導体基板本体中
心３０側にオフセットして、はんだバンプ１５が設けられている。また、図９に示すよう
にはんだバンプ１５を介して、実装基板２に半導体基板１ｃがリフロー工程により実装さ
れ、半導体装置３ｃを形成する。
【００３５】
（変形例１の効果）
変形例１に係る半導体基板１ｃ及び半導体装置１ｃの効果について説明する。変形例１
の半導体基板１ｃ及び半導体装置１ｃにおいても、一実施形態の半導体基板１ａ及び半導
体装置１ａと同様に、はんだバンプ中心３１を半導体基板本体中心３０側にオフセットし
て、はんだバンプ１５が設けられている。よって、支点５０と作用点５２間の距離である
支点−作用点間距離５３ｃが、比較例の半導体基板１ｂを使用した半導体装置３ｂの支点
−作用点間距離５３ｂよりも相対的に短くなる。
【００３６】
ここで、作用点５２に働く力の大きさは、抗力５１ｃの大きさと支点−作用点間距離５
３ｃの積で求まる。従って、支点−作用点間距離５３ｃを相対的に短くすることで、作用
点５２に働く力を抑制する結果となる。
【００３７】
さらに、支点５０と抗力５１ｃが働く点との距離が相対的に長くなるため、抗力５１ｃ
は逆に大きくなる。そのため、はんだバンプ１５とアンダーバリアメタル１４との接合が
より強固となる。
【００３８】
以上の効果により、比較例１に係る半導体装置３ｃも熱応力に対する耐性を有しており
、リフロー工程等に伴う熱処理による半導体基板１ｃと実装基板２の接合性悪化を抑制す
ることが可能となる。
【００３９】
また、半導体基板１ｃ及び半導体装置３ｃの場合、はんだバンプ中心３１が半導体基板
本体中心３０側へオフセットされることにより、比較例の半導体基板１ｂ及び半導体装置
３ｂよりも相対的にはんだバンプ１５同士の距離が小さくなっている。熱応力によるはん
だバンプ１５の寿命は、はんだバンプ１５同士の距離の約２乗に反比例することが経験的
に明らかになっている。従って、半導体基板１ｃ及び半導体装置３ｃは、はんだバンプ１
５同士の距離が小さくなることによる破壊抑制という効果も有している。
【００４０】
変形例１ではアンダーバリアメタル１４を平面視した際に、その平面形状が八角形であ
る場合を示したが、八角形に限らず種々の多角形においても略同様の効果が得られる。
【００４１】
［変形例２］
（変形例２の半導体基板１ｄ及び半導体装置１ｄの構成）
次に変形例２に係る半導体基板１ｄ及び半導体装置３ｄの構成について説明する。図１
０は変形例２に係る半導体基板１ｄの平面構造を示す平面図、図１１は変形例２に係る半
導体装置３ｄの断面構造を示す縦断面図を示している。
【００４２】
変形例２が一実施形態の半導体基板１ａ及び半導体装置１ａと異なる点は、半導体基板
１ｄを平面視した際にアンダーバリアメタル１４の径が相対的に大きくなっている点であ
る。アンダーバリアメタル１４の径が相対的に大きくなっている点以外は、一実施形態の
半導体基板１ａ及び半導体装置１ａと同じ構成である。
【００４３】
アンダーバリアメタル１４はポリイミド膜１３上において、半導体基板本体１０中心方
向に長くなるように設けられている。そして、はんだバンプ中心３１を半導体基板本体中
心３０側にオフセットして、はんだバンプ１５が設けられている。また、図１１に示すよ
うに、はんだバンプ１５を介して、実装基板２に半導体基板１ｄがリフロー工程により実
装され、半導体装置３ｄを形成する。
【００４４】
（変形例２の効果）
変形例２に係る半導体基板１ｄ及び半導体装置１ｄの効果について説明する。変形例２
の半導体基板１ｄ及び半導体装置１ｄにおいても、一実施形態の半導体基板１ａ及び半導
体装置１ａと同様に、はんだバンプ中心３１を半導体基板本体中心３０側にオフセットし
て、はんだバンプ１５が設けられている。よって、支点５０と作用点５２間の距離である
支点−作用点間距離５３ｄが、比較例の半導体基板１ｂを使用した半導体装置３ｂの支点
−作用点間距離５３ｂよりも相対的に短くなる。
【００４５】
ここで、作用点５２に働く力の大きさは、抗力５１ｄの大きさと支点−作用点間距離５
３ｄの積で求まる。従って、支点−作用点間距離５３ｄを相対的に短くすることで、作用
点５２に働く力を抑制する結果となる。
【００４６】
さらに、支点５０と抗力５１ｄが働く点との距離が相対的に長くなるため、抗力５１ｄ
は逆に大きくなる。そのため、はんだバンプ１５とアンダーバリアメタル１４との接合が
より強固となる。
【００４７】
以上の効果により、比較例２に係る半導体装置３ｄも熱応力に対する耐性を有しており
、リフロー工程等に伴う熱処理による半導体基板１ｄと実装基板２の接合性悪化を抑制す
ることが可能となる。
【００４８】
また、半導体基板１ｄ及び半導体装置３ｄの場合、はんだバンプ中心３１が半導体基板
本体中心３０側へオフセットされることにより、比較例の半導体基板１ｂ及び半導体装置
３ｂよりも相対的にはんだバンプ１５同士の距離が小さくなっている。熱応力によるはん
だバンプ１５の寿命は、はんだバンプ１５同士の距離の約２乗に反比例することが経験的
に明らかになっている。従って、半導体基板１ｄ及び半導体装置３ｄは、はんだバンプ１
５同士の距離が小さくなることによる破壊抑制という効果も有している。
【００４９】
加えて、変形例２の半導体基板１ｄ及び半導体装置３ｄの場合、アンダーバリアメタル
１４の径を相対的に大きくしていることから、接合面積の増大による導体基板１ｄと実装
基板２の接合強度増加という効果も有している。
【００５０】
［変形例３］
（変形例３の半導体基板１ｅ及び半導体装置１ｅの構成）
次に変形例３に係る半導体基板１ｅ及び半導体装置３ｅの構成について説明する。図１
２は変形例３に係る半導体基板１ｅの拡大平面図、図１３は変形例３に係る半導体装置３
ｅの断面構造を示す縦断面図を示している。
【００５１】
変形例３が一実施形態の半導体基板１ａ及び半導体装置１ａと異なる点は、半導体基板
１ｅを平面視した際、ポリイミド膜開口部４３（有機膜開口部中心）の径が金属膜凹部４
２の径よりも大きくなるように設けている点である。ポリイミド膜開口部４３の径が金属
膜凹部４２の径よりも大きくなるように設けている点以外は、一実施形態の半導体基板１
ａ及び半導体装置１ａと同じ構成である。
【００５２】
ポリイミド膜開口部４３は、一実施形態の半導体基板１ａのはんだバンプ１５と同様に
、半導体基板本体１０の中心方向にオフセットして設けられている。すなわち、はんだバ
ンプ中心３１とポリイミド膜開口部中心３４の位置は一致しており、ＳｉＮ／ＳｉＯ２膜
開口部中心３２及び金属膜凹部中心３３よりも半導体基板本体１０の中心方向にオフセッ
トして設けられている。
【００５３】
（変形例３の効果）
変形例３に係る半導体基板１ｅ及び半導体装置１ｅの効果について説明する。変形例３
の半導体基板１ｅ及び半導体装置１ｅにおいても、一実施形態の半導体基板１ａ及び半導
体装置１ａと同様に、はんだバンプ中心３１を半導体基板本体中心３０側にオフセットし
て、はんだバンプ１５が設けられている。よって、支点５０と作用点５２間の距離である
支点−作用点間距離５３ｅが、比較例の半導体基板１ｂを使用した半導体装置３ｂの支点
−作用点間距離５３ｂよりも相対的に短くなる。
【００５４】
ここで、作用点５２に働く力の大きさは、抗力５１ｅの大きさと支点−作用点間距離５
３ｅの積で求まる。従って、支点−作用点間距離５３ｅを相対的に短くすることで、作用
点５２に働く力を抑制する結果となる。
【００５５】
さらに、支点５０と抗力５１ｅが働く点との距離が相対的に長くなるため、抗力５１ｅ
は逆に大きくなる。そのため、はんだバンプ１５とアンダーバリアメタル１４との接合が
より強固となる。
【００５６】
以上の効果により、比較例３に係る半導体装置３ｅも熱応力に対する耐性を有しており
、リフロー工程等に伴う熱処理による半導体基板１ｅと実装基板２の接合性悪化を抑制す
ることが可能となる。
【００５７】
ここで、一般に金属と無機膜の接着強度は、金属と有機膜の接着強度よりも強いことが
知られている。変形例３のように、有機膜であるポリイミド膜１３のポリイミド膜開口部
４３を半導体基板１ａ及び半導体装置３ａよりも大きくすることにより、ポリイミド膜１
３とアンダーバリアメタル１４の接触面積を減少させる結果となる。すなわち、無機膜で
あるＳｉＮ／ＳｉＯ２膜１２とアンダーバリアメタル１４の接触面積を増加させることと
なる。
【００５８】
前述したように、金属と無機膜の接着強度は、金属と有機膜の接着強度よりも強いため
、ＳｉＮ／ＳｉＯ２膜１２とアンダーバリアメタル１４の接触面積を増加させることは、
半導体基板本体１０とアンダーバリアメタル１４、すなわち半導体基板本体１０とはんだ
バンプ１５の接合強度が上昇する。
【００５９】
従って、半導体基板１ｅと実装基板２の接合強度がさらに増加し、リフロー工程等に伴
う熱処理による半導体基板１ｅと実装基板２の接合性悪化を抑制することが可能となる。
【００６０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したも
のであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様
々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、
置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に
含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるもので
ある。
【符号の説明】
【００６１】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ…半導体基板、２…実装基板、３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，
３ｅ…半導体装置、１０…半導体基板本体、１１…アルミニウム配線、１２…ＳｉＮ／Ｓ
ｉＯ２膜（無機膜）、１３…ポリイミド膜（有機膜）、１４…アンダーバリアメタル（金
属膜）、１５…はんだバンプ、３０…半導体基板本体中心、３１…はんだバンプ中心、３
２…ＳｉＮ／ＳｉＯ２膜開口部中心、３３…金属膜凹部中心、３４…ポリイミド膜開口部
中心（有機膜開口部中心）、４０…アルミニウム配線領域、４１…ＳｉＮ／ＳｉＯ２膜開
口部、４２…金属膜凹部、４３…ポリイミド膜開口部、５０…支点、５１ａ，５１ｂ，５
１ｃ，５１ｄ，５１ｅ…抗力、５２…作用点、５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５３ｄ，５３ｅ
…支点−作用点間距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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