(57)【要約】【課題】基板処理装置における成膜処理結果に異常があった場合、処理時に用いられたパラメータ及びこのパラメータの基準となる基準パラメータの比較結果を利用することにより、全てのパラメータを利用する場合に比べ、異常の原因となるパラメータを特定しやすくする群管理装置を提供する。【解決手段】基板処理に用いられるパラメータを受け付ける受付手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果を少なくとも記憶する記憶手段と、前記比較手段による比較結果を表示する表示手段とを有する。【選択図】図４
2013074039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理に用いられるパラメータを受け付ける受付手段と、
前記受付手段によって受け付けられたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、
前記受付手段によって受け付けられたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、
前記比較手段による比較結果を少なくとも記憶する記憶手段と
を有する群管理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１台の基板処理装置を管理する群管理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置又は基板処理装置を管理する群管理装置は、成膜処理などに用いるレシピを作成する。処理開始時（レシピ開始時）には、基板処理装置は、基板処理装置又は群管理装置によって作成されたレシピをメモリにロードして実行する。特許文献１には、群管理装置において作成されたレシピがコピーされた後、基板処理装置によって実行されることが記載されている。
また、基板処理装置は、レシピの実行中に、基板処理装置の各部から基板処理に関するデータを収集し、群管理装置に送信する。群管理装置は、基板処理装置によって収集されたデータが異常値になっていないかどうかをチェックすることにより、基板処理装置において成膜異常などの異常が発生していないかどうかを監視する。特許文献２には、基板処理装置の各部を監視する機能として、各部から収集されるデータから異常を検出する方法が記載されている。また、特許文献３には、群管理装置内のデータベースに基板処理装置からのデータを保持しておき、データベースから適宜読み出したデータをチェックすることが記載されている。
また、誤操作及び誤設定などによって処理条件が変化した場合には、異常の発生を正しく検知できないことがあるため、基板処理装置が、基板の処理条件を定義したレシピ及び基板処理装置の動作に関するパラメータを事前に群管理装置に送信し、群管理装置は、基板処理装置から送信されたパラメータが正しく設定されているかどうかをチェックすることも、よく知られている。
しかしながら、基板処理装置から送信されるパラメータの数は膨大であるので、全てのパラメータを保持するには膨大な記憶領域が必要であり、十分な記憶領域を持たない群管理装置は十分にチェックできないおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３４０１１１号公報
【特許文献２】特開２００８−０９１５１８号公報
【特許文献３】特開２０１０−０２７６４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、基板処理装置における成膜処理結果に異常があった場合、処理時に用いられたパラメータ及びこのパラメータの基準となる基準パラメータの比較結果を利用することにより、全てのパラメータを利用する場合に比べ、異常の原因となるパラメータを特定しやすくすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係る群管理装置は、基板処理に用いられるパラメータを受け付ける受付手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果を少なくとも記憶する記憶手段とを有する。
【０００６】
本発明に係る基板処理システムは、基板処理を実行する基板処理装置と、前記基板処理装置を管理する群管理装置とからなる基板処理システムであって、前記基板処理装置は、基板処理に用いるパラメータを前記群管理装置に送信する送信部を有し、前記群管理装置は、前記送信部によって送信されたパラメータを受信する受信手段と、前記受信手段によって受信されたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、前記受信手段によって受信されたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果を記憶する記憶手段とを有する。
【０００７】
本発明に係るパラメータ処理プログラムは、基板処理に用いられるパラメータを受け付け、受け付けられたパラメータの基準となる基準パラメータを生成する生成部と、受け付けられたパラメータ及び生成された基準パラメータを比較する比較部と、比較部による比較結果を表示する表示部とをコンピュータに実行させる。
【０００８】
本発明に係る基板処理システムは、基板処理を実行する基板処理装置と、前記基板処理装置を管理する群管理装置とからなる基板処理システムであって、前記基板処理装置は、基板処理に用いるパラメータを前記群管理装置に送信する送信部を有し、前記群管理装置は、前記送信部によって送信されたパラメータを受信する受信手段と、前記受信手段によって受信されたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、前記受信手段によって受信されたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果を表示する表示手段とを有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、処理時に用いられたパラメータ及びこのパラメータの基準となる基準パラメータの比較結果を利用することにより、全てのパラメータを利用する場合に比べ、異常の原因となるパラメータを特定しやすくなる。また、特定のパラメータのみを保持することにより、パラメータを保持する記憶領域を効率よく利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る群管理装置によって管理される、基板処理装置の斜透視図である。
【図２】基板処理装置の側面透視図である。
【図３】基板処理装置の処理炉の縦断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る群管理装置及び基板処理装置からなる基板処理システムのブロック構成図である。
【図５】本発明の実施形態に係る群管理装置のメモリ内でなされる処理を説明するための図である。
【図６】本発明の実施形態に係る群管理装置に保持される、基準パラメータテーブルの一例である。
【図７】本発明の実施形態に係る群管理装置に保持される、パラメータテーブルの一例である。
【図８】本発明の実施形態に係る群管理装置に表示される、変更パラメータ一覧画面の一例である。
【図９】本発明の実施形態に係る群管理装置に表示される、変更パラメータ詳細画面の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について説明する。
（１）基板処理装置の構成
本実施形態に係る群管理装置によって管理される基板処理装置１００の構成について、図１，図２を参照して説明する。図１は基板処理装置１００の斜透視図であり、図２は基板処理装置１００の側面透視図である。
なお、基板処理装置１００は、ウエハ等の基板に成膜処理、酸化処理及び拡散処理などを行う縦型の装置として構成される。
【００１２】
図１，図２に示すように、基板処理装置１００は、耐圧容器として構成された筐体１１１を備える。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が設けられる。正面メンテナンス口１０３には、正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４が設けられる。
【００１３】
シリコン（Ｓｉ）等で構成される基板としてのウエハ２００を筐体１１１内外へ搬送するには、複数のウエハ２００を収納するウエハキャリア（基板収容器）としてのポッド１１０が使用される。筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が、筐体１１１内外を連通するように開設される。ポッド搬入搬出口１１２は、フロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面下方側には、ロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置される。ポッド１１０は、工程内搬送装置（図示せず）によって搬送され、ロードポート１１４上に載置されて位置合わせされるように構成される。
【００１４】
筐体１１１内におけるロードポート１１４の近傍には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置される。筐体１１１内のポッド搬送装置１１８のさらに奥、筐体１１１内の前後方向の略中央部における上方には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置される。回転式ポッド棚１０５の下方には、一対のポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１が上下段にそれぞれ設置される。
【００１５】
ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとにより構成される。ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ１２１の間で、ポッド１１０を相互に搬送するように構成される。
【００１６】
回転式ポッド棚１０５上には、複数個のポッド１１０が保管されるように構成される。回転式ポッド棚１０５は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、上中下段の各位置において支柱１１６に放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備える。複数枚の棚板１１７は、ポッド１１０を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成される。
【００１７】
ポッドオープナ１２１が配置される筐体１１１内の下部には、サブ筐体１１９が筐体１１１内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられる。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウエハ２００をサブ筐体１１９内外に搬送する一対のウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられる。ポッドオープナ１２１は、上下段のウエハ搬入搬出口１２０にそれぞれ設置される。
【００１８】
各ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する一対の載置台１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３と、を備える。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２上に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成される。
【００１９】
サブ筐体１１９内には、ポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室１２４が構成されている。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転又は直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとにより構成される。図１に示すように、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、サブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部と筐体１１１右側端部との間に設置される。ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ２００の載置部としてのツイーザ（基板保持体）１２５ｃを備える。ウエハ移載装置１２５ａを挟んでウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとは反対の側には、ウエハ２００の円周方向の位置を合わせる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置（図示せず）が設置される。ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、後述のボート２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成される。
【００２０】
移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成される。待機部１２６の上方には、ウエハ２００を処理する処理炉２０２が設けられる。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成される。なお、処理炉２０２の構成については後述する。
【００２１】
図１に示すように、サブ筐体１１９の待機部１２６右端部と筐体１１１右側端部との間には、ボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置される。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８が連結される。アーム１２８には、炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられる。シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成される。
【００２２】
ボート（基板保持具）２１７は複数本の保持部材を備える。ボート２１７は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００を、中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成される。
【００２３】
図１に示すように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側の左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置される。クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体１１１の外部に排気されるか、又は、クリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、移載室１２４内に再び吹き出されるように構成される。
【００２４】
（２）基板処理装置の動作
次に、基板処理装置１００の動作について、図１，図２を参照しながら説明する。以下の動作は、例えば搬送レシピに基づいて実施される。搬送レシピは、基板処理装置１００内のウエハ２００の搬送に用いられ、例えば、基板処理を行うプロセスレシピと併用されて基板処理工程に適用される。
【００２５】
図１，図２に示すように、ポッド１１０がロードポート１１４に載置されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。ロードポート１１４の上のポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によってポッド搬入搬出口１１２から筐体１１１内部へと搬入される。
【００２６】
筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって回転式ポッド棚１０５の棚板１１７上へ自動的に搬送されて一時的に保管された後、棚板１１７上から一方のポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載される。筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって直接ポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載されてもよい。ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４内にはクリーンエア１３３が流通され、充満される。例えば、不活性ガス等のクリーンエア１３３で移載室１２４内が充満されることにより、移載室１２４内の酸素濃度が例えば２０ｐｐｍ以下となり、大気雰囲気となっている筐体１１１内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定される。
【００２７】
載置台１２２上に載置されたポッド１１０は、その開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａに設けられたウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、ポッド１１０のキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてポッド１１０内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて円周方向の位置合わせがされた後、移載室１２４の後方にある待機部１２６内へ搬入され、ボート２１７内に装填（ウエハチャージング）される。ボート２１７内にウエハ２００を装填したウエハ移載装置１２５ａは、ポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７内に装填する。
【００２８】
ウエハ移載機構１２５によって、上段（又は下段）のポッドオープナ１２１からボート２１７へとウエハ２００を装填する間に、下段（又は上段）のポッドオープナ１２１の載置台１２２上には、別のポッド１１０が回転式ポッド棚１０５上からポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ウエハ２００の装填作業と同時進行で、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が行われる。
【００２９】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７は、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより処理炉２０２内へ搬入（ボートローディング）される。
【００３０】
ローディング後は、処理炉２０２内にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置によるウエハの位置合わせを除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウエハ２００を格納したボート２１７が処理炉２０２内より搬出され、処理後のウエハ２００を格納したポッド１１０が筐体１１１外へと搬出される。
【００３１】
（３）処理炉の構成
続いて、処理炉２０２の構成について、図３を用いて説明する。図３は、処理炉２０２の縦断面図である。
【００３２】
図３に示すように、処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０３を備える。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備える。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４内の筒中空部には、基板としてのウエハ２００を処理する処理室２０１が形成される。処理室２０１内は、後述するボート２１７を収容可能なように構成される。アウターチューブ２０５は、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられる。アウターチューブ２０５は、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成される。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。
【００３３】
プロセスチューブ２０３の外側には、プロセスチューブ２０３の側壁面を囲うように、
加熱機構としてのヒータ２０６が設けられる。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられる。
【００３４】
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置される。ヒータ２０６と温度センサ２６３とには、温度制御部２３７が電気的に接続される。温度制御部２３７は、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づいて、処理室２０１内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、ヒータ２０６への通電具合を調整するよう構成される。
【００３５】
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状になるように、マニホールド２０９が設けられる。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられる。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９とにより反応容器が形成される。
【００３６】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられる。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成される。シールキャップ２１９を昇降させることにより、ボート２１７を処理室２０１内外に搬送することが可能なように構成される。
【００３７】
シールキャップ２１９の中心部付近であって処理室２０１と反対側には、ボート２１７を回転させる回転機構２５４が設置される。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させることが可能なように構成される。
【００３８】
ボートエレベータ１１５及び回転機構２５４には、搬送制御部２３８が電気的に接続されている。搬送制御部２３８は、回転機構２５４及びボートエレベータ１１５が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これら各部を制御するよう構成される。なお、搬送制御部２３８は、上述のポッドエレベータ１１８ａ、ポッド搬送機構１１８ｂ、ポッドオープナ１２１、ウエハ移載装置１２５ａ、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ等にも電気的に接続され、これら各部が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御するよう構成される。主に、ボートエレベータ１１５、回転機構２５４、ポッドエレベータ１１８ａ、ポッド搬送機構１１８ｂ、ポッドオープナ１２１、ウエハ移載装置１２５ａ及びウエハ移載装置エレベータ１２５ｂにより、本実施形態に係る搬送系が構成される。
【００３９】
基板保持具としてのボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成される。ボート２１７は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わり難くなるように構成される。
【００４０】
シールキャップ２１９には、ガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続される。ノズル２３０の上流端には、ガス供給管２３２の下流端が接続される。ガス供給管２３２には、上流側から順に図示しない処理ガスや不活性ガス等の１つ又は複数のガス供給源、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１、及び、不図示の複数のバルブが接続される。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続される。ガス流量制御部２３５は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ２４１を制御するよう構成される。主に、ノズル２３０、ガス供給管２３２、図示しない複数個のバルブ、ＭＦＣ２４１、ガス供給源により、本実施形態に係るガス供給系が構成される。
【００４１】
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１の上流端が接続されている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１の下流側には、圧力検出器としての圧力センサ２４５、圧力調整装置としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２４２、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が上流側から順に接続される。ＡＰＣ２４２は弁を開閉して処理室２０１内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能な開閉弁である。ＡＰＣ２４２及び圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続される。圧力制御部２３６は、圧力センサ２４５により検出された圧力値に基づいて、処理室２０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、ＡＰＣ２４２を制御するよう構成される。主に、排気管２３１、圧力センサ２４５、ＡＰＣ２４２及び真空ポンプ２４６により、本実施形態に係るガス排気系が構成される。
【００４２】
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７及び搬送制御部２３８は、基板処理装置１００全体を制御する表示装置制御部２３９に電気的に接続されている（以下、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６及び温度制御部２３７を総称して「Ｉ／Ｏ制御部」と記載）。ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７、搬送制御部２３８及び表示装置制御部２３９は、基板処理装置用コントローラ２４０の構成の一部を成す。基板処理装置用コントローラ２４０の構成や動作については、後述する。
【００４３】
（４）処理炉の動作
続いて、半導体装置の製造工程の一工程として実施される、上記構成に係る処理炉２０２を用いた基板処理工程について説明する。係る基板処理工程は、ウエハ２００に所定の処理を施すプロセスレシピに基づいて繰り返し実行される。また、プロセスレシピには複数の工程（ステップ）が含まれることがある。ここでは、複数のステップを含むプロセスレシピに基づく基板処理工程の一例として、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりウエハ２００上に薄膜を形成する成膜処理工程について説明する。基板処理装置１００を構成する各部の動作は、基板処理装置用コントローラ２４０によって制御される。
【００４４】
[ウエハチャージステップ]
まず、基板搬入ステップを行う。すなわち、複数枚のウエハ２００をボート２１７に装填（ウエハチャージ）し、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７を、ボートエレベータ１１５によって持ち上げて処理室２０１内に搬入（ボートローディング）する。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
【００４５】
[成膜プロセス]
続いて、以下の減圧ステップから常圧復帰ステップまでの各ステップを行い、ウエハ２００に成膜処理を施す。減圧ステップから常圧復帰ステップまでの各ステップは、本実施形態におけるプロセスレシピである。なお、プロセスレシピが、上述したボートローディング工程及び後述するボートアンロード工程を含む場合もある。
【００４６】
[減圧ステップ]
次に、処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ２４６によって処理室２０１内を真空排気する。この際、圧力センサ２４５が測定した圧力値に基づき、ＡＰＣ２４２の弁開度がフィードバック制御される。
【００４７】
[昇温ステップ]
次に、処理室２０１内が所望の温度となるように、ヒータ２０６によって処理室２０１内を加熱する。この際、温度センサ２６３が検出した温度値に基づき、ヒータ２０６への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７及びウエハ２００を回転させる。
【００４８】
[温度安定ステップ]
次に、温度安定ステップにおいて、加熱された処理室２０１内の温度を安定させる。
【００４９】
[成膜ステップ]
処理室２０１内の温度が安定したら、ガス供給管２３２が備える図示しないバルブを開き、ＭＦＣ２４１により流量を制御しながら、ガス供給源から処理室２０１内に処理ガスを供給する。処理ガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０内に流出して排気管２３１から排気される。処理ガスは、処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。予め設定された処理時間が経過したら、処理室２０１内への処理ガスの供給を停止する。
【００５０】
[降温ステップ]
処理ガスの供給を停止したら、ヒータ２０６への電力供給を停止し、ボート２１７及びウエハ２００を所定の温度にまで降下させる。
【００５１】
[常圧復帰ステップ]
ガス供給源から不活性ガスを供給し、処理室２０１内を不活性ガスで置換するとともに、処理室２０１内の圧力を常圧に復帰させる。以上により、プロセスレシピに基づく成膜プロセスが終了する。
【００５２】
[ウエハディスチャージステップ]
その後、ウエハディスチャージステップを行う。具体的には、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９を下降してマニホールド２０９の下端を開口するとともに、処理済のウエハ２００を保持するボート２１７をマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部へと搬出（ボートアンローディング）する。処理済のウエハ２００をボート２１７より取り出し、ポッド１１０内へ格納する（ウエハディスチャージ）。
以上により、プロセスレシピに基づく成膜処理工程が終了する。
【００５３】
（５）基板処理装置用コントローラの構成
続いて、基板処理装置用コントローラ２４０の構成について、図４を用いて説明する。図４は、本実施形態に係る基板処理装置１００と基板処理装置１００を管理する群管理装置５００とにより構成される基板処理システムのブロック構成図である。
【００５４】
図４に示すように、基板処理装置用コントローラ２４０は、主制御部としての表示装置制御部２３９を備える。表示装置制御部２３９には、ディスプレイ等のデータ表示部２４０ａとキーボード等の入力部２４０ｂとがそれぞれ接続される。表示装置制御部２３９は、操作員による入力部２４０ｂからの入力を受け付けるとともに、入力内容を表示する画面などをデータ表示部２４０ａに表示するように構成される。
操作員は、基板の処理条件を定義したレシピや、レシピ内で設定すべきパラメータなどを入力する。ここで、パラメータは、基板処理装置の動作及び構成を定義する装置パラメータ、レシピの各工程に関連付けられる制御テーブル（温度制御テーブルなど）、異常発生時の処理手順を定義したアラームテーブル、及び、群管理装置（又は群管理装置に接続されるコンピュータ）から入力される補正パラメータなどを含む。
【００５５】
基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９にデータ交換可能なように接続された処理制御部２３９ａと、処理制御部２３９ａにデータ交換可能なように接続された、処理炉２０２を制御する上述のＩ／Ｏ制御部（ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６及び温度制御部２３７）とを備える。
処理制御部２３９ａは、Ｉ／Ｏ制御部を介して処理炉２０２の動作を制御するとともに、処理炉２０２において測定された、処理炉２０２の状態（温度、ガス流量及び圧力等）を示すデータを収集するように構成される。
【００５６】
また、基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９にデータ交換可能なように接続された搬送制御部２３８と、搬送制御部２３８にデータ交換可能なように接続されたメカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａとを備える。
メカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａには、基板処理装置１００を構成する各部（ボートエレベータ１１５、回転機構２５４、ポッドエレベータ１１８ａ、ポッド搬送機構１１８ｂ、ポッドオープナ１２１、ウエハ移載装置１２５ａ及びウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ等）が接続されている。搬送制御部２３８は、メカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａを介して基板処理装置１００を構成する各部の動作を制御するとともに、基板処理装置１００を構成する各部において測定された、各部の状態（各部の位置、各部が開いているか閉じているか、及び、各部が動作しているか待機しているか等）を示すデータを収集するように構成される。
【００５７】
また、基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９に接続されたデータ保持部２３９ｅを備える。データ保持部２３９ｅは、表示装置制御部２３９を介して、入力部２４０ｂによって受け付けられたレシピ及びパラメータなどのファイル、並びに、これらのファイルを実行するためのプログラムを保持するように構成される。なお、データ保持部２３９ｅは、レシピ実行中に、処理制御部２３９ａ及び搬送制御部２３８によって収集された装置データ（例えば、基板処理装置の各部の状態を示す測定データ（以下、単に「測定データ」と記載））を保持するように構成されてもよい。
【００５８】
また、基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９に接続された通信制御部２３９ｂを備える。通信制御部２３９ｂは、表示装置制御部２３９を介して、データ保持部２３９ｅに保持された情報のうち、パラメータ及び測定データを受信し、群管理装置５００へ送信することが可能なように構成される。
【００５９】
（６）群管理装置の構成
続いて、上述の基板処理装置１００とデータ交換可能なように構成された本実施形態に係る群管理装置５００の構成について、図４を参照して説明する。
【００６０】
図４に示すように、群管理装置５００は、基板処理装置１００との通信を制御する通信制御部５０１と、中央処理装置（ＣＰＵ）等の制御部５０２と、キーボード等の入力部５０３と、ＲＡＭ及びＲＯＭ等のメモリ５０４と、ＨＤＤ等のデータ保持部５０５と、ディスプレイ等のデータ表示部５０６とを有するコンピュータとして構成される。
通信制御部５０１、入力部５０３、メモリ５０４、データ保持部５０５及びデータ表示部５０６は、内部バス等を介して制御部５０２とデータ交換可能なように構成される。
後述するように、操作員は、入力部５０３に対し、異常値になっていないかどうかのチェックの基準となるパラメータ（以下、「基準パラメータ」と記載）を生成する指示を入力する。基準パラメータは、新たに生成されてもよいし、メモリ５０４に記憶されているパラメータ（以下、「実行パラメータ」と記載）を流用してもよい。
【００６１】
[通信制御部]
通信制御部５０１は、ネットワーク４００を介して基板処理装置用コントローラ２４０の通信制御部２３９ｂに接続される。通信制御部５０１は、基板処理装置１００からパラメータ及び測定データを受信し、メモリ５０４に記憶するように構成される。
通信制御部５０１がパラメータ及び測定データを受信するタイミングは、例えば、所定の間隔（例えば０．１秒間隔）、各イベントの発生時、パラメータの変更時及び、測定データの生成時である。イベントは、例えば、レシピ（又はレシピの工程）の開始や、レシピ（又はレシピの工程）の終了である。特に、パラメータが変更された場合、メモリ５０４に記憶されているパラメータは、新たに受信したパラメータに書き換えられる。
【００６２】
[データ保持部]
データ保持部５０５には、パラメータ処理プログラム、パラメータ表示プログラム、基準パラメータテーブル及びパラメータテーブルが格納される。
パラメータ処理プログラムは、メモリ５０４に読み出されて制御部５０２によって実行され、後述するパラメータ処理部を実現するよう構成されている。
パラメータ表示プログラムは、メモリ５０４に読み出されて制御部５０２によって実行され、後述するパラメータ表示部を実現するよう構成されている。
基準パラメータテーブル及びパラメータテーブルについては、後述する。
【００６３】
[パラメータ処理部]
パラメータ処理部５０７は、基準パラメータテーブル生成部５０８、基準パラメータ読出部５０９及び基準パラメータ比較部５１０からなる。
基準パラメータテーブル生成部５０８は、入力部５０３に基準パラメータを生成する指示が入力され、基準パラメータが設定された場合には、図５の（Ａ）に示すように、基準パラメータテーブルを生成する。
レシピ名及びこのレシピ内で設定されるパラメータの少なくともいずれかを指定し、パラメータの値を入力する（つまり、新たなパラメータを生成する）ことにより、基準パラメータを設定するか、メモリ５０４に記憶されているパラメータの少なくともいずれかを指定する（つまり、実行パラメータを流用する）ことにより、基準パラメータを設定する。
なお、レシピ内で設定されるパラメータがパラメータのサブパラメータであるアイテムを含む場合には、レシピ名、このレシピ内で設定されるパラメータの少なくともいずれか及びこのパラメータに含まれるアイテムの少なくともいずれかを指定する。メモリ５０４に記憶されているパラメータがアイテムを含む場合も同様である。
【００６４】
生成された基準パラメータテーブルは、図５の（Ａ）に示すように、データ保持部５０５に記憶される。
図６は、基準パラメータテーブルの一例である。図６に示すように、基準パラメータテーブルは、通し番号６００、レシピ名６０１、基準パラメータ６０２及び日時６０３からなる。通し番号６００は、入力部５０３に基準パラメータを生成する指示が入力されるたびに割り振られる。レシピ名６０１は、入力部５０３を介して指定されたレシピの名前又は実行パラメータが設定されるレシピの名前である。基準パラメータ６０２は、入力部５０３に入力された基準パラメータ又は指定された実行パラメータである。日時６０３は、基準パラメータテーブルが新規作成又は更新された日時であるが、基準パラメータを生成する指示が入力された日時であってもよい。
【００６５】
図５の（Ｂ）に示すように、データ保持部５０５に記憶された基準パラメータは、基準パラメータ読出部５０９により、メモリ５０４に読み出される。
例えば、基準パラメータテーブル生成部５０８によって基準パラメータテーブルがデータ保持部５０５に記憶された後、通信制御部５０１がパラメータを受信してメモリ５０４に記憶した場合、基準パラメータ読出部５０９は、データ保持部５０５に記憶された基準パラメータテーブルのうち、メモリ５０４に記憶されているパラメータ（実行パラメータ）に対応する基準パラメータを読み出す。
基準パラメータ読出部５０９が基準パラメータを読み出したら、基準パラメータ比較部５１０は、メモリ５０４に記憶されているパラメータ（実行パラメータ）と、基準パラメータ読出部５０９によって読み出された基準パラメータとを比較する。
【００６６】
図５の（Ｃ）に示すように、基準パラメータ比較部５１０による実行パラメータと基準パラメータとの比較は、サブパラメータごとにメモリ５０４内でなされる。図５の（Ｄ）に示すように、実行パラメータと基準パラメータとの間に相違がある場合、相違の内容はメモリ５０４内に記憶されるとともに、データ表示部５０６に表示される。相違の内容は、データ表示部２４０ａにも表示されるようにしてもよい。つまり、群管理装置５００と基板処理装置１００との両方で表示されるようにしてもよい。
【００６７】
相違の内容の表示にともない、図４の制御部５０２は、この内容をパラメータテーブルの一部としてデータ保持部５０５に記憶する。
ここで、制御部５０２は、実行パラメータ及び基準パラメータの相違の内容に応じて、異常を判断し、データ表示部５０６にエラーとしてアラーム表示してもよい。例えば、レシピが開始され、通信制御部５０１がパラメータ及び測定データを受信すると、パラメータ処理プログラムが起動する。パラメータ処理プログラムは、開始したレシピに関する基準パラメータをデータ保持部５０５から読み込み、レシピ開始時に基板処理装置１００から送信された、メモリ５０４内に記憶されているレシピに関する実行パラメータ及びこの基準パラメータを比較し、比較結果から異常を判断し、エラーとしてアラーム表示するよう制御する。このように、レシピ開始前にパラメータを比較することにより、パラメータの設定変更を確認できる。また、レシピ実行前にエラーが予め表示されるので、基板の損失を少なくすることができる。
【００６８】
[パラメータ表示部]
操作員が異常を解析しようとする場合などには、操作員から、基板処理装置１００における各種処理に用いたパラメータを表示する指示が入力されることになる。例えば、操作員は、成膜処理における異常を解析しようとする場合、成膜処理に用いたパラメータを表示する指示を入力する。入力部５０３からパラメータを表示する指示が入力された場合、制御部５０２はデータ表示プログラムを起動する。データ表示プログラムは、データ保持部５０５からパラメータテーブルを読み出し、データを加工した後、データ表示部５０６に表示するよう制御する。
パラメータ表示部５１１は、パラメータテーブルを用いて、基板処理装置１００における各種処理に用いたパラメータを一覧表示するパラメータ一覧画面、及び、基板処理装置１００における各種処理に用いたパラメータのうち変更のあったパラメータの詳細を表示する変更パラメータ詳細画面を表示するよう構成されている。成膜処理に用いたパラメータを表示する指示が入力された場合、パラメータ一覧画面には成膜処理に用いたパラメータが一覧表示され、変更パラメータ詳細画面には成膜処理に用いたパラメータのうち変更のあったパラメータの詳細が表示される。
【００６９】
図７は、データ保持部５０５に記憶されるパラメータテーブルの一例である。図７に示すように、パラメータテーブルは、通し番号６０４、レシピ名６０５、処理開始日時６０６、処理終了日時６０７、ジョブＩＤ６０８、パラメータ変更６０９及び変更内容６１０からなる。変更内容は、さらに、パラメータ名６１１、アイテム名６１２及び変更前後の値６１３からなる。
通し番号６０４は、パラメータが変更されるたびに割り振られる。レシピ名６０５は、変更されたパラメータが設定されているレシピの名前である。処理開始日時６０６は、レシピが開始された日時であり、処理終了日時６０７は、レシピが終了した日時である。ジョブＩＤ６０８は、レシピを実行するジョブを識別するためのＩＤである。パラメータ変更６０９は、パラメータ変更の有無である。パラメータ変更があれば、パラメータ変更が設定される。パラメータ名６１１は、変更のあったパラメータの名前である。アイテム名６１２は、変更のあったサブパラメータの名前である。変更前後の値６１３は、変更前後のパラメータの値である。
【００７０】
図８は、成膜処理に用いたパラメータを表示する指示が入力された場合、パラメータ表示部５１１が図７に示したパラメータテーブルを用いて表示する、パラメータ一覧画面の一例である。図８に示すように、パラメータ一覧画面は、ヘッダ７００及びボディ７０１からなる。ヘッダ７００には、画面名（ここでは、パラメータ一覧）が表示され、ボディ７０１には、データ保持部５０５から読み出されたパラメータテーブルのうち、変更内容以外が表示される。
図８に示すように、ボディ７０１には、通し番号７０２、レシピ名７０３、処理開始日時７０４、処理終了日時７０５、ジョブＩＤ７０６及びパラメータ変更７０７が表形式で表示される。なお、操作員にとって視覚的に分かりやすい形式であれば、表以外の形式で表示してもよい。
通し番号７０２、レシピ名７０３、処理開始日時７０４、処理終了日時７０５、ジョブＩＤ７０６及びパラメータ変更７０７は、それぞれ、図７の通し番号６０４、レシピ名６０５、処理開始日時６０６、処理終了日時６０７、ジョブＩＤ６０８及びパラメータ変更６０９に対応している。
さらに、図８に示すように、パラメータ変更が「有」の場合には、例えば、リンク７０８が表示される。リンク７０８をクリックすることにより、変更パラメータ詳細画面が表示されるよう構成されている。
【００７１】
図９は、成膜処理に用いたパラメータのうち変更のあったパラメータの詳細を表示する、変更パラメータ詳細画面の一例である。図９に示すように、変更パラメータ詳細画面は、図８のパラメータ一覧画面と同様、ヘッダ７００及びボディ７０１からなる。ヘッダ７００には、画面名（ここでは、変更パラメータ詳細）が表示され、ボディ７０１には、データ保持部５０５から読み出されたパラメータテーブルのうち、変更されたパラメータについての変更内容が表示される。
ボディ７０１には、基準パラメータ番号及びレシピ名７０９、通し番号７１０、パラメータ名７１１、アイテム名７１２、変更前の値７１３及び変更後の値７１４が表形式で表示される。基準パラメータ番号及びレシピ名７０９は、図７の通し番号６０４及びレシピ名６０５に対応している。また、パラメータ名７１１、アイテム名７１２、変更前の値７１３及び変更後の値７１４は、図７の変更内容（パラメータ名６１１、アイテム名６１２及び変更前後の値６１３）に対応している。
このように、基板処理装置における各種処理（成膜処理など）に用いたパラメータの変更内容が一覧表示される。特に、図９の変更パラメータ詳細画面の表示内容を検証することによって、各種処理における異常を解析することができる。
【００７２】
なお、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、これに限定されない。例えば、パラメータ一覧画面及びパラメータ詳細画面が別々に表示されるものとして説明したが、一つの画面として表示されてもよい。また、図７のパラメータテーブルが表示されてもよい。
【００７３】
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明の実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
基板処理装置１００における各種処理（成膜処理など）に影響するパラメータは、その数が膨大であり、様々な形式で様々な場所に記憶されるので、操作員がパラメータの妥当性を判断することは非常に困難であったが、基板処理装置１００における各種処理におけるパラメータの変更内容を表示する手段を提供することにより、異常を容易に解析することができる。また、基板処理装置１００における各種処理において用いた全てのパラメータを記憶するのではなく、基準パラメータを設定し、基準パラメータから変更されたパラメータ（又は基準パラメータに変更がされたパラメータ）だけを記憶することにより、パラメータを保持するデータ保持部５０５の容量を少なく済ませることができる。
【００７４】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、基板処理装置１００及び群管理装置５００は、同じフロア（クリーンルーム）に配置する必要はなく、ＬＡＮ等に接続され、事務所に配置されてもよい。また、群管理装置５００において、各構成要素（通信制御部５０１、制御部５０２、入力部５０３、メモリ５０４、データ保持部５０５及びデータ表示部５０６）は、一体にする必要はなく、それぞれを別体にしてもよい。例えば、事務所に配置された入力部５０３から、クリーンルーム上に配置されたデータ保持部５０５内のデータへの指示を入力してもよいし、事務所に配置されたデータ表示部５０６から、クリーンルーム上に配置されたデータ保持部５０５内のデータを監視してもよい。
【００７５】
基板処理装置として、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。さらに、基板処理装置であるエッチング装置、露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、検査装置等にも同様に適用できる。
【００７６】
成膜処理は、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ、Ｅｐｉその他酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理などを含むが、アニール処理、酸化処理、拡散処理等の処理をさらに含んでもかまわない。
【符号の説明】
【００７７】
１００  基板処理装置
５００  群管理装置
５０１  通信制御部
５０２  制御部
５０３  入力部
５０４  メモリ
５０５  データ保持部
５０６  データ表示部
５０７  パラメータ処理部
５０８  基準パラメータテーブル作成部
５０９  基準パラメータ読出部
５１０  基準パラメータ比較部
５１１  パラメータ表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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