(57)【要約】【課題】シリカの生成及び付着を低減することができるテラヘルツ波アンテナモジュールを提供すること。【解決手段】励起光の照射を受けてテラヘルツ波を発生又は検出するアンテナ素子と、前記アンテナ素子が収容される貫通穴を有する収容部と、前記アンテナ素子が大気と遮断されるように前記貫通穴を封止する封止部とを備える。【選択図】図１
2013214563.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光の照射を受けてテラヘルツ波を発生又は検出するアンテナ素子と、
前記アンテナ素子が収容される貫通穴を有する収容部と、
前記アンテナ素子が大気と遮断されるように前記貫通穴を封止する封止部と
を備えるテラヘルツ波アンテナモジュール。
【請求項２】
前記アンテナ素子は、前記収容部を貫通して前記貫通穴の外部に引き出されたコネクタ部を有し、
前記封止部は、前記収容部と前記コネクタ部との間を塞ぐように設けられる
請求項１に記載のテラヘルツ波アンテナモジュール。
【請求項３】
前記貫通穴に設けられ、前記アンテナ素子で発生又は検出される前記テラヘルツ波を通過させる第一光学素子
を更に備え、
前記封止部は、前記収容部と前記第一光学素子との間を塞ぐように設けられる
請求項１又は請求項２に記載のテラヘルツ波アンテナモジュール。
【請求項４】
前記貫通穴に設けられ、前記励起光を通過可能させる第二光学素子
を更に備え、
前記封止部は、前記収容部と前記第二光学素子との間を塞ぐように設けられる
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ波アンテナモジュール。
【請求項５】
前記収容部及び前記封止部によって封止された前記貫通穴内の空間のうち、前記励起光が通過する光通過領域から外れた領域の一部を埋めるように設けられた埋設部を更に備える
請求項１から請求項４に記載のテラヘルツ波アンテナモジュール。
【請求項６】
前記埋設部は、前記空間のうち前記光透過領域に沿って形成されている
請求項５に記載のテラヘルツ波アンテナモジュール。
【請求項７】
前記収容部及び前記封止部によって封止された前記貫通穴内の空間には、不活性ガスが封入されている
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ波アンテナモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テラヘルツ波アンテナモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、アンテナモジュールを用いてテラヘルツ波（ミリ波・サブミリ波を含む周波数３０ＧＨｚ〜１２ＴＨｚの電磁波）を発生させたり、検出したりする技術が知られている。この技術においては、励起光として例えば７８０ｎｍ〜１５５０ｎｍ程度のパルス光をアンテナモジュールに照射することによってアンテナ電流を励起し、テラヘルツ波の発生及び検出を行う（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２４４６２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の励起光は、光の波長は可視光よりも長波長であるが、パルス光であるため強度が高い。このため、例えば上記の特許文献１に記載の技術においては、大気中のシロキサン化合物を吸引して酸化し、アンテナモジュールの表面にシリカ（ＳｉＯ２）を付着させてしまうおそれがある。この結果、アンテナモジュールの特性劣化が引き起こされる可能性がある。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明は、シリカの生成及び付着を低減することができるテラヘルツ波アンテナモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るテラヘルツ波アンテナモジュールは、励起光の照射を受けてテラヘルツ波を発生又は検出するアンテナ素子と、前記アンテナ素子が収容される貫通穴を有する収容部と、前記アンテナ素子が大気と遮断されるように前記貫通穴を封止する封止部とを備える。
【０００７】
また、前記アンテナ素子は、前記収容部を貫通して前記貫通穴の外部に引き出されたコネクタ部を有し、前記封止部は、前記収容部と前記コネクタ部との間を塞ぐように設けられる構成としてもよい。
【０００８】
また、前記貫通穴に設けられ、前記アンテナ素子で発生又は検出される前記テラヘルツ波を通過させる第一光学素子を更に備え、前記封止部は、前記収容部と前記第一光学素子との間を塞ぐように設けられる構成としてもよい。
【０００９】
また、前記貫通穴に設けられ、前記励起光を通過させる第二光学素子を更に備え、前記封止部は、前記収容部と前記第二光学素子との間を塞ぐように設けられる構成としてもよい。
【００１０】
また、前記収容部及び前記封止部によって封止された前記貫通穴内の空間のうち、前記励起光が通過する光通過領域から外れた領域の一部を埋めるように設けられた埋設部を更に備える構成としてもよい。
【００１１】
また、前記埋設部は、前記空間のうち前記光透過領域に沿って形成されている構成としてもよい。
【００１２】
また、前記収容部及び前記封止部によって封止された前記貫通穴内の空間には、不活性ガスが封入されている構成としてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るテラヘルツ波アンテナモジュールは、テラヘルツ波を発生又は検出するアンテナ素子が収容部の貫通穴に収容され、アンテナ素子が大気と遮断されるように貫通穴が封止されているので、アンテナ素子の周囲の空間において、シロキサン分子の含有量を従来よりも低減させることができ、シリカの生成を低減させることができる。これにより、アンテナ素子に対するシリカの生成及び付着を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第一実施形態に係るテラヘルツ波アンテナモジュールの構成を示す図。
【図２】テラヘルツ波の発生原理を示す図である。
【図３】テラヘルツ波の検出原理を示す図である。
【図４】本発明の第二実施形態に係るテラヘルツ波アンテナモジュールの構成を示す図。
【図５】第二実施形態の変形例に係るテラヘルツ波アンテナモジュールの構成を示す図。
【図６】第二実施形態の変形例に係るテラヘルツ波アンテナモジュールの構成を示す図。
【図７】第二実施形態の変形例に係るテラヘルツ波アンテナモジュールの構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［第一実施形態］  
本発明の第一実施形態を説明する。  
図１は、本実施形態に係るテラヘルツ波アンテナモジュール１００の構成を示す図である。図１に示すように、テラヘルツ波アンテナモジュール１００は、アンテナ素子１０、レンズ部２０、収容部３０及び封止部４０を有する。
【００１６】
アンテナ素子１０は、光伝導アンテナ１１、電気基板１２及び電気コネクタ１３を有する。
【００１７】
光伝導アンテナ１１は、電気基板１２に実装された半導体基板１１ｓを有する。半導体基板１１ｓは、第一面１１ａ及び第二面１１ｂを有する。半導体基板１１ｓの第一面１１ａには、ダイポールアンテナ１１ｃが形成されている。ダイポールアンテナ１１ｃは、例えば電流計（不図示）に接続されている。
【００１８】
半導体基板１１ｓは、温度３００℃程度以下で膜成長させたＧａＡｓを用いて形成されている。この低温成長ＧａＡｓ中には過剰のＡｓが含まれている。そのため、膜中にはＡｓＧａ（ＧａサイトへのＡｓ置換）等の欠陥が多数存在し、これらの欠陥がキャリアの捕獲または再結合中心となることにより、非常に短いキャリア寿命（＜０．５ｐｓ）を示す。これにより、高速な時間応答性を得ることができる。なお、半導体基板１１ｓは、ＧａＡｓ単体に限らず、光照射によってキャリアを発生させる光伝導性を有するものであればよく、例えば、ＧａＡｓ等の薄膜（光伝導膜）と他の半導体材料との多層構造で構成されたものであってもよい。
【００１９】
ダイポールアンテナ１１ｃは、２つの電極を有し、その電極間にギャップ１１ｇを有する。当該ギャップ１１ｇには、テラヘルツ波を発生又は検出するための励起光Ｌ（７８０ｎｍ〜１５５０ｎｍ）としてフェムト秒の光パルスが照射される。ダイポールアンテナ１１ｃには、半導体基板１１ｓの第二面１１ｂ側から入射されるテラヘルツ波のパルスが照射される。ダイポールアンテナ１１ｃは、例えばダイポール長が５０μｍ程度、電極間のギャップ間隔が５μｍ以下となるように形成されている。ここで、ギャップ間隔は電極間の最短距離と定義する。
【００２０】
電気基板１２は、半導体基板１１ｓに電気的に接続される電気回路を有する。電気基板１２には、開口部１２ａが形成されている。光伝導アンテナ１１は、ギャップ１１ｇが開口部１２ａに露出されるように実装されている。電気基板１２には、光伝導アンテナ１１を位置決めする位置決め部１２ｂと、電気基板１２を固定する固定部材１２ｃと、電気回路を外部に接続する配線１２ｄとが設けられている。固定部材１２ｃとしては、例えばネジなどが用いられる。
【００２１】
電気コネクタ１３は、挿入部１３ａと、フランジ部１３ｂと、外部接続部１３ｃとを有する。挿入部１３ａは、収容部３０に挿入されている。挿入部１３ａには、配線１２ｄが引き回されている。フランジ部１３ｂは、収容部３０の外周面に当接されている。フランジ部１３ｂは、挿入部１３ａの挿入深さを位置決めする。外部接続部１３ｃは、不図示の接続端子を有する。外部接続部１３ｃは、外部の接続機器等に接続される。
【００２２】
レンズ部２０は、平面部２１及び曲面部２２を有する半球状レンズである。レンズ部２０は、例えばシリコンなどによって形成されている。レンズ部２０は、平面部２１がアンテナ素子１０に向けられ、曲面部２２が収容部３０の外側に向けられるように配置されている。平面部２１は、半導体基板１１ｓの第二面１１ｂの全面に接触している。
入力されたテラヘルツ波はレンズ部２０により集光径１ｍｍ以下に集光され、ダイポールアンテナ１１ｃのギャップ１１ｇに照射される。
【００２３】
収容部３０は、円筒容器３１及び天板３２を有する。  
円筒容器３１は、内部を高さ方向に貫通する貫通穴３５を有する。貫通穴３５には、上記のアンテナ素子１０及びレンズ部２０が収容されている。円筒容器３１の内部には、段部３１ａ及び段部３１ｂが形成されている。段部３１ａは、電気基板１２を支持する。段部３１ａには、固定部材１２ｃによって電気基板１２が固定されている。段部３１ｂは、レンズ部２０の曲面部２２を支持する。
【００２４】
天板３２は、板状に形成され、樹脂やステンレス等の金属で出来ており、円筒容器３１の高さ方向の両端面のうち一方（例、図中上側の端面）の端面（端面３１ｄ）を塞いでいる。天板３２の中央部には開口部３２ａが形成されている。開口部３２ａは、ガラス基板３３によって閉塞されている。ガラス基板３３は、接着剤等を用いて天板３２に接着されている。このため、天板３２とガラス基板３３との間は気密性が確保されている。ガラス基板３３は、励起光Ｌが通過可能である。したがって、外部からの励起光Ｌは、開口部３２ａ及びガラス基板３３を通過して収容部３０の内部に入射される。
【００２５】
封止部４０は、アンテナ素子１０が大気と遮断されるように貫通穴３５を封止する。封止部４０は、第一封止部４１、第二封止部４２及び第三封止部４３を有する。第一封止部４１は、電気コネクタ１３のフランジ部１３ｂと円筒容器３１の外周面３１ｅとの間を封止する。第一封止部４１としては、例えばハンダなどが用いられている。第一封止部４１により、フランジ部１３ｂと外周面３１ｅとの間の気密性は確保されている。
【００２６】
第二封止部４２は、レンズ部２０の曲面部２２と円筒容器３１の段部３１ｂとの間を封止する。第二封止部４２としては、例えば低融点ハンダなどが用いられている。第二封止部４２は、外部から入射するテラヘルツ波及び光伝導アンテナから射出されるテラヘルツ波の進行を妨げないように配置されている。第二封止部４２により、曲面部２２と段部３１ｂとの間の気密性は確保されている。
【００２７】
第三封止部４３は、天板３２と円筒容器３１の端面３１ｄとの間を封止する。第三封止部４３は、例えば天板３２と端面３１ｄとの間がシーム溶接などの手法によって接合されている。第三封止部４３により、天板３２と端面３１ｄとの間の気密性は確保されている。尚、ここでは各封止部における封止方法として低融点ハンダやシーム溶接を例として挙げたが封止方法はこれに限定されることはなく、封止が確保できるものであればエポキシ接着剤などの高耐久性接着剤を適宜用いることができる。
【００２８】
第一封止部４１、第二封止部４２及び第三封止部４３により、貫通穴３５には密閉空間Ｋが形成されている。当該密閉空間Ｋは、アンテナ素子１０によって第一密閉空間Ｋ１と第二密閉空間Ｋ２とに分割されている。これら第一密閉空間Ｋ１及び第二密閉空間Ｋ２には、例えば窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスが封入されている。
【００２９】
上記構成を有するテラヘルツ波アンテナモジュール１００を製造する場合、まず、電気コネクタ１３を円筒容器３１に固定させる。このとき、ハンダによってフランジ部１３ｂと外周面３１ｅとの間を接合し、第一封止部４１を形成しておく。
【００３０】
次に、レンズ部２０を円筒容器３１に固定させる。この場合、レンズ部２０と段部３１ｂとのそれぞれに予め金メッキなどを施しておく。この状態でレンズ部２０を段部３１ｂに配置した後、低融点ハンダによって曲面部２２と段部３１ｂとの間を接合し、第二封止部４２を形成する。
【００３１】
その後、固定部材１２ｃを用いて、アンテナ素子１０（電気基板１２）を段部３１ａに固定する。このとき、ダイポールアンテナ１１ｃ等が形成された半導体基板１１ｓを予め半導体基板１１ｓを実装しておく。アンテナ素子１０を固定した後、天板３２を円筒容器３１の端面３１ｄにシーム溶接し、第三封止部４３を形成する。これにより、第一密閉空間Ｋ１及び第二密閉空間Ｋ２を有する封止された密閉空間Ｋが形成される。
【００３２】
なお、アンテナ素子１０の固定や、天板３２のシーム溶接については、周囲の雰囲気を予め窒素やアルゴンなどの不活性ガスの雰囲気としておき、不活性ガスの雰囲気下で行うことが好ましい。これにより、密閉空間Ｋを不活性ガスの雰囲気とすることができる。
【００３３】
上記のように構成されたテラヘルツ波アンテナモジュール１００の動作を説明する。  
図２に、テラヘルツ波アンテナモジュール１００を用いてテラヘルツ波を発生させる場合の例を示す。テラヘルツ波アンテナモジュール１００を用いてテラヘルツ波を発生させる場合、まず、ダイポールアンテナ１１ｃのギャップ１１ｇの間にバイアス電圧を印加する。この状態で、パルス光源からのフェムト秒の光パルス（励起光Ｌ）を光伝導アンテナ１１のギャップ１１ｇに照射する。なお、励起光Ｌは、例えば外部から天板３２の開口部３２ａからガラス基板３３を介して光伝導アンテナ１１に入射させる（図１参照）。
【００３４】
励起光Ｌの照射により、半導体基板１１ｓにおいてギャップ１１ｇの内部にはキャリアが生成される。生成されたキャリアは、ギャップ１１ｇに印加されたバイアス電圧によって加速され、ダイポールアンテナ１１ｃのギャップ１１ｇ間に電流が流れる。この電流の変化によってテラヘルツ波ＴＷが発生し、レンズ部２０側に射出される。射出されたテラヘルツ波ＴＷは、平面部２１からレンズ部２０に入射し、曲面部２２から外部に射出される（図１参照）。
【００３５】
図３に、テラヘルツ波アンテナモジュール１００を用いてテラヘルツ波を検出する場合の例を示す。テラヘルツ波アンテナモジュール１００を用いてテラヘルツ波を検出する場合、まず、励起光Ｌを光伝導アンテナ１１のギャップ１１ｇに照射する。当該励起光Ｌは、上記同様、外部から天板３２の開口部３２ａからガラス基板３３を介して光伝導アンテナ１１に入射させる（図１参照）。励起光Ｌの照射により、半導体基板１１ｓにおいてギャップ１１ｇの内部にはキャリアが生成される。
【００３６】
この状態で、ギャップ１１ｇに対してテラヘルツ波ＴＷを照射する。当該テラヘルツ波ＴＷは、例えば外部からレンズ部２０の曲面部２２に入射し、レンズ部２０内を通過して集光径１ｍｍ以下に集光され、ダイポールアンテナ１１ｃのギャップ１１ｇに照射される（図１参照）。励起光Ｌによって生成されたキャリアは、テラヘルツ波ＴＷの振動電場により加速され、テラヘルツ波ＴＷの振動電場に比例して瞬時電流がダイポールアンテナ１１ｃのギャップ１１ｇ間に流れる。この瞬時電流を電流計で計測することによって、テラヘルツ波を検出することができる。
【００３７】
上記の動作において、励起光Ｌの波長は可視光よりも長波長であるが、パルス光であるため強度が高い。また、励起光Ｌはギャップ１１ｇに照射する際、集光されているため光強度密度は高まる。また検出効率を高めるためギャップ１１ｇと同程度の５μｍ程度まで集光した場合は更に光強度密度は高まる。これにより励起光Ｌをギャップ１１ｇに照射する際に、大気中のシロキサン化合物を吸引して酸化し、光伝導アンテナ１１の表面（ギャップ１１ｇなど）にシリカ（ＳｉＯ２）を付着させてしまうおそれがある。この結果、テラヘルツ波アンテナモジュール１００の特性劣化が引き起こされる可能性がある。
【００３８】
これに対して、本実施形態によれば、テラヘルツ波を発生又は検出するアンテナ素子１０が収容部３０の貫通穴３５に収容され、アンテナ素子１０が大気と遮断されるように貫通穴３５が封止され、第一密閉空間Ｋ１と第二密閉空間Ｋ２には窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスが封入されているので、アンテナ素子１０の周囲の第一密閉空間Ｋ１及びＫ２において、シロキサン分子の含有量を従来よりも低減させることができ、シリカの生成を低減させることができる。これにより、アンテナ素子１０に対するシリカの生成及び付着を低減することができる。
【００３９】
［第二実施形態］  
次に、本発明の第二実施形態を説明する。  
図４は、本実施形態に係るテラヘルツ波アンテナモジュール２００の構成を示す図である。図４に示すように、テラヘルツ波アンテナモジュール２００は、アンテナ素子２１０、レンズ部２２０、収容部２３０及び封止部２４０を有する。本実施形態では、電気基板が設けられておらず、天板２３２（番号は図１の３２より引用）には光透過領域に沿ってテーパー状に形成された開口部２３２ａが設けられている点で、第一実施形態とは異なっている。以下、第一実施形態との相違点を中心に説明する。
【００４０】
アンテナ素子２１０は、光伝導アンテナ２１１、配線２１２及び電気コネクタ２１３を有する。  
光伝導アンテナ２１１は、レンズ部２２０の平面部２２１に支持された半導体基板２１１ｓを有する。半導体基板２１１ｓの第一面２１１ａには、ダイポールアンテナ２１１ｃが形成されている。ダイポールアンテナ２１１ｃには、ギャップ２１１ｇが設けられている。当該ギャップ２１１ｇには、励起光Ｌが照射される。ダイポールアンテナ２１１ｃには、半導体基板２１１ｓの第二面２１１ｂ側から入射されるテラヘルツ波のパルスが照射される。光伝導アンテナ２１１と電気コネクタ２１３とを接続する配線２１２は、直接半導体基板２１１ｓに接続されている。このように、電気基板を設けずに半導体基板２１１ｓに直接配線２１２を接続することにより、省スペース化を図ることができる。
【００４１】
収容部２３０は、円筒容器２３１及びガラス基板２３３を有している。円筒容器２３１は、アンテナ素子２１０及びレンズ部２２０を収容する貫通穴２３５を有する。円筒容器２３１には、レンズ部２２０を支持する段部２３０ａが形成されている。レンズ部２２０は、平面部２２１の外周が円筒容器２３１の内面に接するように配置されている。
【００４２】
封止部２４０は、電気コネクタ２１３のフランジ部２１３ｂと円筒容器２３１の外周面２３１ｅとの間を封止する第一封止部２４１と、レンズ部２２０の曲面部２２２と円筒容器２３１の段部２３１ａとの間を封止する第二封止部２４２と、円筒容器２３１と天板２３２との間を封止する第三封止部２４３と、ガラス基板２３３と天板２３２との間を封止する第四封止部２４４とを有する（図４参照）。
【００４３】
天板２３２は、貫通穴２３５のうち励起光Ｌが通過する光通過領域から外れた領域の一部を埋めるように設けられている。また、天板２３２は、半導体基板２１１ｓの第一面２１１ａの一部を覆っている。天板２３２は、例えば樹脂材料などを用いて形成されている。また必要な励起光Ｌのみを効率よく光伝導アンテナ２１１に導くために天板２３２には励起光Ｌが通過しない材料を用いるとより好ましい。
【００４４】
天板２３２は、励起光Ｌを通過させる開口部２３２ａを有する。開口部２３２ａは、光透過領域に沿ってテーパー状に形成されており、ダイポールアンテナ２１１ｃのギャップ２１１ｇを露出するように形成されている。第三封止部２４３により円筒容器２３１と天板２３２との間の気密性は確保されている。また第四封止部２４４によりガラス基板２３３と天板２３２との間の気密性は確保されている。また、天板２３２が設けられていることにより、貫通穴２３５のうち中空部分の体積が第一実施形態に比べて小さくなっている。
【００４５】
尚、ここでは開口部２３２ａは透過領域に沿ってテーパー状に形成される例を示した。
この場合、第一密閉空間Ｋ１は最小となるため特性の劣化を最小に抑えることができる。
しかし、開口部２３２ａは透過領域に沿ってテーパー状に形成されなくとも励起光Ｌが通過する光通過領域から外れた領域の一部を埋めるような構成であれば本願の効果を得ることができる。
【００４６】
第一封止部２４１、第二封止部２４２、第三封止部２４３、及び第四封止部２４４により、貫通穴２３５には密閉空間Ｋが形成されている。当該密閉空間Ｋは、アンテナ素子２１０によって第一密閉空間Ｋ１と第二密閉空間Ｋ２とに分割されている。これら第一密閉空間Ｋ１及び第二密閉空間Ｋ２には、例えば窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスが封入されている。
【００４７】
本実施形態によれば、収容部２３０及び封止部２４０によって封止された貫通穴２３５内の空間のうち、励起光Ｌが通過する光通過領域から外れた領域の一部を埋めるように天板２３２が設けられているので、当該密閉空間Ｋの中空部分の体積を小さくすることができる。これにより、密閉空間Ｋ内のシロキサン分子を更に少なくすることができる。これにより、光伝導アンテナ２１１のギャップ２１１ｇにおけるシリカの生成を低減させることができる。
【００４８】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記第二実施形態においては、貫通穴２３５のうち励起光Ｌの入射面側を封止する構成として、ガラス基板２３３を用いた構成を例に挙げて説明したが、これに限られることはない。
【００４９】
例えば、図５に示すように、ガラス基板２３３の代わりにボールレンズ２３４が設けられた構成であっても構わない。この場合、ボールレンズ２３４は光伝導アンテナ１１上に配置される。ボールレンズ２３４の外周は、円筒容器２３１の内周に接するように形成されている。ボールレンズ２３４と円筒容器２３１との間は、第三封止部２４３によって封止されている。この構成であっても、密閉空間Ｋの中空部分の体積を小さくすることができる。これにより、密閉空間Ｋ内のシロキサン分子を更に少なくすることができる。これにより、光伝導アンテナ２１１のギャップ２１１ｇにおけるシリカの生成を低減させることができる。
【００５０】
また、例えば図６に示すように、ガラス基板２３３の代わりにセルフォック（登録商標）レンズ２３６が設けられた構成であっても構わない。この場合、セルフォック（登録商標）レンズ２３６の端面２３６ａは光伝導アンテナ２１１の表面に接触して配置される。円筒容器２３１と天板２３２との間は第三封止部２４３によって封止され、セルフォック（登録商標）レンズ２３６の外周と天板２３２との間は第四封止部２４４によって封止される（図６参照）。この構成であっても、密閉空間Ｋの中空部分の体積を小さくすることができる。これにより、密閉空間Ｋ内のシロキサン分子を更に少なくすることができる。これにより、光伝導アンテナ２１１のギャップ２１１ｇにおけるシリカの生成を低減させることができる。
【００５１】
また、例えば図７に示すように、ガラス基板２３３の代わりに短焦点レンズ２３７が設けられた構成であっても構わない。この場合、短焦点レンズ２３７の平面部２３７ａは光伝導アンテナ２１１の表面に接触して配置される。円筒容器２３１と天板２３２との間は第三封止部２４３によって封止され、短焦点レンズ２３７の曲面部２３７ｂと天板２３２との間は第四封止部２４４によって封止される。これにより、密閉空間Ｋ内のシロキサン分子を更に少なくすることができる。これにより、光伝導アンテナ２１１のギャップ２１１ｇにおけるシリカの生成を低減させることができる。
【００５２】
また、上記実施形態では、アンテナ素子１０及びアンテナ素子２１０として、光伝導アンテナを用いた構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、アンテナ素子１０及びアンテナ素子２１０として、ＩｎＡｓなどのようにフォトデンバー効果を利用するアンテナ素子が用いられた構成であっても良い。
【００５３】
また、上記実施形態では、レンズ部２０と円筒容器３１との間が低融点ハンダを用いて接合された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、レンズ部２０と円筒容器３１との間がエポキシ接着剤などの高耐久性接着剤を用いて接合されていても構わない。また本実施例ではアンテナ素子１０によって分割される第一密閉空間Ｋ１と第二密閉空間Ｋ２の両方を封止する構造としたが、どちらか片方のみの密閉空間を封止する構造としても、両方の密閉空間を封止した場合と比較して効果は減少するものの一定の効果を得ることが出来る。
【符号の説明】
【００５４】
Ｌ…励起光  Ｋ…密閉空間  １０、２１０…アンテナ素子  １１、２１１…光伝導アンテナ  １３、２１３…電気コネクタ  ２０、２２０…レンズ部  ３０、２３０…収容部  ３５、２３５…貫通穴  ４０、２４０…封止部  ４１、２４１…第一封止部  ４２、２４２…第二封止部  ４３、２４３…第三封止部  １００、２００…テラヘルツ波アンテナモジュール
【図１】
2013214563.tif 000003
【図２】
2013214563.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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