(57)【要約】【課題】本発明は、プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法に関する。【解決手段】本発明の一実施例によると、ベース基板と、ベース基板の上部に形成された内層絶縁層と、内層絶縁層の上部に形成された内層回路層と、内層回路層の上部に形成された内層回路保護層と、内層回路層の上部に形成された外層絶縁層と、外層絶縁層の上部に形成された外層回路層と、を含むプリント回路基板が提供される。【選択図】図１
2013106029.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板の上部に形成された内層絶縁層と、
前記内層絶縁層の上部に形成された内層回路層と、
前記内層回路層の上部に形成された内層回路保護層と、
前記内層回路層の上部に形成された外層絶縁層と、
前記外層絶縁層の上部に形成された外層回路層と、
を含むプリント回路基板。
【請求項２】
前記内層回路保護層は、スズ、ニッケルまたは金のうち少なくとも一つを含む請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記内層回路層、前記内層回路保護層または前記内層絶縁層のうち少なくとも一つの上部に形成され、前記外層絶縁層との密着力を確保するための第１密着力補強層をさらに含む請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記外層回路層の上部に形成された外層回路保護層をさらに含む請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記外層回路保護層は、スズ、ニッケルまたは金のうち少なくとも一つを含む請求項４に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記外層絶縁層、前記外層回路保護層または前記外層回路層のうち少なくとも一つの上部に形成された半田レジスト層をさらに含む請求項４に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記外層回路層、前記外層回路保護層または前記外層絶縁層のうち少なくとも一つの上部に形成され、前記半田レジスト層との密着力を確保するための第２密着力補強層をさらに含む請求項６に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
ベース基板を準備する段階と、
前記ベース基板の上部に内層絶縁層を形成する段階と、
前記内層絶縁層の上部に無電解メッキにより内層シード層を形成する段階と、
前記内層シード層の上部にパターニングされた第１メッキレジストを形成する段階と、
前記内層シード層の上部に電解メッキにより内層回路層を形成する段階と、
前記内層回路層の上部に内層回路保護層を形成する段階と、
前記第１メッキレジストを除去する段階と、
前記第１メッキレジストの除去により露出された内層シード層を除去する段階と、
を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記内層回路保護層を形成する段階は、無電解メッキにより行われる請求項８に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記内層回路保護層を形成する段階で、前記内層回路保護層は、スズ、ニッケルまたは金のうち少なくとも一つを含む請求項８に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記内層回路保護層を形成する段階の後に、
前記内層回路層、前記内層回路保護層または前記内層絶縁層のうち少なくとも一つと外層絶縁層との間の密着力を確保するための第１密着力補強層を形成する段階をさらに含む請求項８に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１密着力補強層を形成する段階で、前記第１密着力補強層はエポキシ系の材質で形成される請求項１１に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記内層シード層をエッチングする段階の後に、
前記内層回路保護層を除去する段階をさらに含む請求項８に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記内層シード層を除去する段階の後に、
前記内層回路層の上部に外層絶縁層を形成する段階と、
前記外層絶縁層の上部に無電解メッキにより外層シード層を形成する段階と、
前記外層シード層の上部にパターニングされた第２メッキレジストを形成する段階と、
前記外層シード層の上部に電解メッキにより外層回路層を形成する段階と、
前記外層回路層の上部に外層回路保護層を形成する段階と、
前記第２メッキレジストを除去する段階と、
前記第２メッキレジストの除去により露出された外層シード層を除去する段階と、
をさらに含む請求項８に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記外層回路保護層を形成する段階は、無電解メッキにより行われる請求項１４に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記外層回路保護層を形成する段階で、前記外層回路保護層は、スズ、ニッケルまたは金のうち少なくとも一つを含む請求項１４に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１７】
前記外層シード層を除去する段階の後に、
前記外層回路保護層を除去する段階をさらに含む請求項１４に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１８】
前記外層シード層を除去する段階の後に、
前記外層回路層、前記外層回路保護層または前記外層絶縁層のうち少なくとも一つの上部に半田レジスト層を形成する段階をさらに含む請求項１４に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１９】
前記半田レジスト層を形成する段階の前に、
前記外層回路層、前記外層回路保護層または前記外層絶縁層のうち少なくとも一つと前期半田レジスト層との間の密着力を確保するための第２密着力補強層を形成する段階をさらに含む請求項１８に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第２密着力補強層を形成する段階で、前記第２密着力補強層はエポキシ系の材質で形成される請求項１９に記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子製品において、多機能化及び高速化の傾向が速い速度で進んでいる。このような傾向に応えるべく、半導体チップ及び半導体チップと基板とを連結する半導体チップ実装プリント回路基板も、非常に速い速度で発展している。
【０００３】
このような半導体チップ実装プリント回路基板の発展において求められることは半導体チップ実装プリント回路基板の高速化及び高密度化と密接に関連しており、これらを満たすためには、プリント回路基板の軽薄短小化、微細回路化、優れた電気的特性、高信頼性、高速信号伝逹構造など、半導体チップ実装プリント回路基板の改善及び発展が必要な状況である。
【０００４】
ここで、プリント回路基板の微細回路化において、回路パターンを微細に形成する場合、微細回路パターンの形成後に行われるエッチング工程で微細回路パターンもエッチングされてしまうなどの損傷が生じ、結局、プリント回路基板の不良をもたらす可能性がある。このように微細回路パターンがエッチング工程で損傷されることにより、微細回路パターンの信号伝達特性などが低下するという問題点がある。このため、エッチング工程で微細回路パターンが損傷されることを防止するための方法が提案されている。（韓国特許公開第２０１０−００４３６９５号）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、内層回路層及び外層回路層がエッチング工程で損傷されることを防止することができるプリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法を提供することをその目的とする。
【０００６】
また、本発明は、内層回路層及び外層回路層がエッチング工程で損傷されることを防止して、信頼性に優れた微細回路を形成することができるプリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によると、ベース基板と、ベース基板の上部に形成された内層絶縁層と、内層絶縁層の上部に形成された内層回路層と、内層回路層の上部に形成された内層回路保護層と、内層回路層の上部に形成された外層絶縁層と、外層絶縁層の上部に形成された外層回路層と、を含むプリント回路基板が提供される。
【０００８】
内層回路保護層は、スズ、ニッケルまたは金のうち少なくとも一つを含むことができる。
内層回路層、内層回路保護層または内層絶縁層のうち少なくとも一つの上部に形成され、外層絶縁層との密着力を確保するための第１密着力補強層をさらに含むことができる。
外層回路層の上部に形成された外層回路保護層をさらに含むことができる。
外層回路保護層は、スズ、ニッケルまたは金のうち少なくとも一つを含むことができる。
【０００９】
外層絶縁層、外層回路保護層または外層回路層のうち少なくとも一つの上部に形成された半田レジスト層をさらに含むことができる。
外層回路層、外層回路保護層または外層絶縁層のうち少なくとも一つの上部に形成され、半田レジスト層との密着力を確保するための第２密着力補強層をさらに含むことができる。
【００１０】
本発明の他の側面によると、ベース基板を準備する段階と、ベース基板の上部に内層絶縁層を形成する段階と、内層絶縁層の上部に無電解メッキにより内層シード層を形成する段階と、内層シード層の上部にパターニングされた第１メッキレジストを形成する段階と、内層シード層の上部に電解メッキにより内層回路層を形成する段階と、内層回路層の上部に内層回路保護層を形成する段階と、第１メッキレジストを除去する段階と、第１メッキレジストの除去により露出された内層シード層を除去する段階と、を含むプリント回路基板の製造方法が提供される。
【００１１】
内層回路保護層を形成する段階は、無電解メッキにより行われることができる。
内層回路保護層を形成する段階で、内層回路保護層は、スズ、ニッケルまたは金のうち少なくとも一つを含むことができる。
【００１２】
内層回路保護層を形成する段階の後に、内層回路層、内層回路保護層または内層絶縁層のうち少なくとも一つと外層絶縁層との間の密着力を確保するための第１密着力補強層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００１３】
第１密着力補強層を形成する段階で、第１密着力補強層はエポキシ系の材質で形成されることができる。
内層シード層をエッチングする段階の後に、内層回路保護層を除去する段階をさらに含むことができる。
【００１４】
内層シード層を除去する段階の後に、内層回路層の上部に外層絶縁層を形成する段階と、外層絶縁層の上部に無電解メッキにより外層シード層を形成する段階と、外層シード層の上部にパターニングされた第２メッキレジストを形成する段階と、外層シード層の上部に電解メッキにより外層回路層を形成する段階と、外層回路層の上部に外層回路保護層を形成する段階と、第２メッキレジストを除去する段階と、第２メッキレジストの除去により露出された外層シード層を除去する段階と、をさらに含むことができる。
【００１５】
外層回路保護層を形成する段階は、無電解メッキにより行われることができる。
外層回路保護層を形成する段階で、外層回路保護層は、スズ、ニッケルまたは金のうち少なくとも一つを含むことができる。
【００１６】
外層シード層を除去する段階の後に、外層回路保護層を除去する段階をさらに含むことができる。
外層シード層を除去する段階の後に、外層回路層、外層回路保護層または外層絶縁層のうち少なくとも一つの上部に半田レジスト層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００１７】
半田レジスト層を形成する段階の前に、外層回路層、外層回路保護層または外層絶縁層のうち少なくとも一つと半田レジスト層との間の密着力を確保するための第２密着力補強層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００１８】
第２密着力補強層を形成する段階で、第２密着力補強層はエポキシ系の材質で形成されることができる。
本発明の特徴及び利点は添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。
【００１９】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に従って本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の実施例によるプリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法は、内層回路層及び外層回路層がエッチング工程で損傷されることを防止することができるという効果がある。
【００２１】
本発明の実施例によるプリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法は、内層回路層及び外層回路層がエッチング工程で損傷されることを防止して、信頼性に優れた微細回路を形成することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は添付図面に係わる以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。
【００２３】
また、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。本明細書において、第１、第２などの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、前記構成要素は前記用語によって限定されない。
以下、添付された図面を参照して本発明の実施例によるプリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２４】
[プリント回路基板]
図１は本発明の実施例によるプリント回路基板を示した例示図である。
図１を参照すると、プリント回路基板は、ベース基板１１０と、内層絶縁層１２１と、内層回路層１４０と、内層回路保護層１５１と、外層絶縁層１２３と、外層回路層１６０と、外層回路保護層１５２と、半田レジスト層１７０と、第１密着力補強層１８１と、第２密着力補強層１８２と、を含むことができる。
【００２５】
ベース基板１１０は貫通ビア１１２を含むことができる。ベース基板１１０は、両面金属積層板１１１を貫通して両面を電気的に連結する貫通ビア１１２を含むことができる。
内層絶縁層１２１はベース基板１１０の上部に形成されることができる。この際、内層絶縁層１２１は、貫通ビア１１２の上部が露出されるようにする開口部を含んで形成されることができる。内層絶縁層１２１は、通常的に用いられる絶縁層であることができる。即ち、内層絶縁層１２１は、ＦＲ−４、ＢＴ、ＡＢＦなどのエポキシ系樹脂を用いて形成されることができる。
【００２６】
内層回路層１４０は内層絶縁層１２１の上部に形成されることができる。内層回路層１４０は、内層回路パターン１４１及び内層ビア１４２などを含むことができる。内層回路層１４０は電気伝導性を有する金属で形成されることができる。本発明の実施例では内層回路層１４０が銅で形成されることを例として説明するが、これに限定されないということは当業者において明白である。
【００２７】
内層回路保護層１５１は内層回路層１４０の上部に形成されることができる。内層回路保護層１５１は、エッチング工程などで内層回路パターン１４１及び内層ビア１４２などが損傷されないように保護する機能をする。内層回路保護層１５１は、内層回路パターン１４１及び内層ビア１４２の上部に形成されるものであり、スズ、ニッケル、金のうち少なくとも何れか一つで形成されることができる。しかし、内層回路保護層１５１の種類はこれに限定されず、内層回路層１４０が形成された後に行われるエッチング工程で用いられるエッチング薬品と反応しない伝導性物質であれば用いられることができる。
【００２８】
外層絶縁層１２３は内層回路層１４０の上部に形成されることができる。外層絶縁層１２３には、内層回路保護層１５１の一部が露出されるようにする開口部が形成されることができる。本発明の実施例によると、外層絶縁層１２３には、内層ビア１４２の上部に形成された内層回路保護層１５１が露出されるように、開口部が形成されている。しかし、このような外層絶縁層１２３の形態は本発明の実施例にすぎない。即ち、これに限定されず、開口部が形成される位置及び開口部の形成有無は当業者の選択によって変更されることができる。外層絶縁層１２３は、ＦＲ−４、ＢＴ、ＡＢＦなどのエポキシ系樹脂などの通常的に用いられる絶縁層材料で形成されることができる。
【００２９】
外層回路層１６０は外層絶縁層１２３の上部に形成されることができる。外層回路層１６０は、外層回路パターン１６１及び外層ビア１６２などを含むことができる。外層回路層１６０は電気伝導性を有する金属で形成されることができる。本発明の実施例では外層回路層１６０が銅で形成されることを例として説明するが、これに限定されないということは当業者において明白である。
【００３０】
外層回路保護層１５２は外層回路層１６０の上部に形成されることができる。ここで、外層回路保護層１５２は、エッチング工程などで外層回路パターン１６１及び外層ビア１６２などが損傷されないように保護する機能をする。外層回路保護層１５２は、外層回路パターン１６１及び外層ビア１６２の上部に形成されるものであり、スズ、ニッケル、金のうち少なくとも何れか一つで形成されることができる。しかし、外層回路保護層１５２の種類はこれに限定されず、外層回路層１６０が形成された後に行われるエッチング工程で用いられるエッチング薬品と反応しない伝導性物質であれば用いられることができる。
【００３１】
半田レジスト層１７０は外層回路保護層１５２の上部に形成されることができる。半田レジスト層１７０は、最外層に形成された外層回路層１６０の上部に形成されるものであり、外層絶縁層１２３及び外層回路保護層１５２の上部に形成されることができる。半田レジスト層１７０には、半導体チップなどを実装するために半田付けされる開口部１７１が形成されることができる。
【００３２】
また、内層絶縁層１２１、内層回路層１４０または内層回路保護層１５１のうち少なくとも一つに、第１密着力補強層１８１が形成されることができる。第１密着力補強層１８１は、内層絶縁層１２１、内層回路層１４０または内層回路保護層１５１と外層絶縁層１２３との間の密着力を確保するために形成される。第１密着力補強層１８１はエポキシ系の材質で形成されることができる。例えば、第１密着力補強層１８１は、内層絶縁層１２１及び内層回路保護層１５１の上部に液状でスプレー噴射されることができる。本発明の実施例による第１密着力補強層１８１は当業者の必要によって省略されることができる。
【００３３】
第２密着力補強層１８２は、外層絶縁層１２３、外層回路層１６０または外層回路保護層１５２のうち少なくとも一つに形成されることができる。この際、第２密着力補強層１８２は、外層絶縁層１２３、外層回路層１６０または外層回路保護層１５２と半田レジスト層１７０との間の密着力を補完するために形成されることができる。第２密着力補強層１８２は第１密着力補強層１８１と同一の材質及び方法で形成されることができる。
【００３４】
[プリント回路基板の製造方法]
図２から図１７は本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【００３５】
図２を参照すると、貫通ビア１１２が形成されたベース基板１１０が提供される。本発明の実施例によると、ベース基板１１０は、両面金属積層板１１１に貫通ホールを穿孔して形成される貫通ビア１１２を含むことができる。
【００３６】
図３を参照すると、ベース基板１１０の上部に、内層ビアホール１２２を含む内層絶縁層１２１が形成されることができる。まず、両面金属積層板１１１及び貫通ビア１１２の上部に内層絶縁層１２１が形成されることができる。ここで、内層絶縁層１２１は通常的に用いられる絶縁層であることができる。即ち、内層絶縁層１２１は、ＦＲ−４、ＢＴ、ＡＢＦなどのエポキシ系樹脂を用いて形成されることができる。両面金属積層板１１１及び貫通ビア１１２の上部に内層絶縁層１２１を形成した後、内層ビアホール１２２を形成することができる。内層ビアホール１２２は、貫通ビア１１２の上部が露出されるように、内層絶縁層１２１に形成されることができる。
【００３７】
ここで、内層ビアホール１２２は通常のエッチングまたはドリル工程により形成されることができる。
図４を参照すると、内層ビアホール１２２を形成した後、内層絶縁層１２１及び露出された貫通ビア１１２の上部に、内層シード層１３１を形成することができる。ここで、内層シード層１３１は無電解メッキ法により形成されることができる。
【００３８】
図５を参照すると、内層シード層１３１の上部に第１メッキレジスト２１０を形成することができる。本発明の実施例によると、第１メッキレジスト２１０はドライフィルムであることができる。内層シード層１３１の上部に形成された第１メッキレジスト２１０は、内層回路層の形成のためにメッキする部分を除いた所定部分に形成されることができる。
【００３９】
図６を参照すると、内層シード層１３１の上部に内層回路層１４０を形成することができる。ここで、内層回路層１４０は、内層回路パターン１４１及び内層ビア１４２などを含むことができる。内層回路層１４０は電解メッキにより形成されることができる。電解メッキを行うことにより、第１メッキレジスト２１０が形成されていない内層シード層１３１の上部に内層回路層１４０がメッキされることができる。例えば、内層回路層１４０は銅で形成されることができる。しかし、内層回路層１４０を形成する物質の種類は銅に限定されない。即ち、内層回路層１４０の種類は、ニッケル、金などの伝導性物質の何れも使用可能である。ここで、貫通ビア１１２の上部に形成された内層ビアホール１２２のメッキにより内層ビア１４２が形成されることによって、貫通ビア１１２と内層回路層１４０とが電気的に連結されることができる。
【００４０】
図７を参照すると、内層回路層１４０の上部に内層回路保護層１５１を形成することができる。内層回路保護層１５１は、無電解メッキ法により内層回路層１４０の上部に形成されることができる。本発明の実施例では内層回路保護層１５１が無電解メッキ法により形成されることを例示したが、これに限定されない。即ち、内層回路保護層１５１を形成する方法として、電解メッキ法を用いることもできる。また、内層回路保護層１５１は、スズ、ニッケル、金のうち少なくとも何れか一つで形成されることができる。しかし、内層回路保護層１５１の種類はこれに限定されず、後で第１メッキレジスト２１０または内層シード層１３１をエッチングする際に用いられるエッチング薬品と反応しない伝導性物質であれば用いられることができる。
【００４１】
図８を参照すると、内層シード層１３１の上部に形成された第１メッキレジスト２１０を除去することができる。このように第１メッキレジスト２１０を除去すると、第１メッキレジスト２１０が除去された部分により内層シード層１３１が露出されることができる。
【００４２】
図９を参照すると、第１メッキレジスト２１０を除去した後、第１メッキレジスト２１０の除去によって露出された内層シード層１３１を除去することができる。この際、露出された内層シード層１３１は通常のフラッシュエッチング法により除去することができる。この際、内層回路層１４０の上部に形成された内層回路保護層１５１により、内層シード層１３１をエッチングする際に内層回路層１４０が損傷されることを防止することができる。
【００４３】
図１０を参照すると、内層絶縁層１２１及び内層回路保護層１５１の上部に、外層ビアホール１２４を含む外層絶縁層１２３が形成されることができる。
この際、内層絶縁層１２１が形成される前に、第１密着力補強層１８１が形成されることができる。第１密着力補強層１８１は、内層絶縁層１２１及び内層回路保護層１５１と外層絶縁層１２３との間の密着力を確保するために形成される。第１密着力補強層１８１はエポキシ系の材質で形成されることができる。例えば、第１密着力補強層１８１は、内層絶縁層１２１及び内層回路保護層１５１の上部に液状でスプレー噴射されることができる。本発明の実施例による第１密着力補強層１８１の形成工程は、当業者の必要によって選択的に形成されることができる。即ち、当業者の選択によって第１密着力補強層１８１の形成工程は省略されることができる。
【００４４】
外層絶縁層１２３は通常的に用いられる絶縁層であることができる。即ち、外層絶縁層１２３は、ＦＲ−４、ＢＴ、ＡＢＦなどのエポキシ系樹脂を用いて形成されることができる。外層絶縁層１２３を形成した後、外層ビアホール１２４を形成することができる。外層ビアホール１２４は、内層ビア１４２の上部に形成された内層回路保護層１５１が露出されるように、外層絶縁層１２３に形成されることができる。
【００４５】
ここで、内層ビアホール１２２は通常のエッチングまたはドリル工程により形成されることができる。
図１１を参照すると、外層ビアホール１２４を形成した後、外層絶縁層１２３及び露出された内層回路保護層１５１の上部に外層シード層１３２を形成することができる。ここで、外層シード層１３２は無電解メッキ法により形成されることができる。
【００４６】
図１２を参照すると、外層シード層１３２の上部に第２メッキレジスト２２０を形成することができる。本発明の実施例によると、第２メッキレジスト２２０はドライフィルムであることができる。外層シード層１３２の上部に形成された第２メッキレジスト２２０は、外層回路層の形成のためにメッキする部分を除いた所定部分に形成されることができる。
【００４７】
図１３を参照すると、外層シード層１３２の上部に外層回路層１６０を形成することができる。ここで、外層回路層１６０は、外層回路パターン１６１及び外層ビア１６２などを含むことができる。外層回路層１６０は電解メッキにより形成されることができる。電解メッキを行うことにより、第２メッキレジスト２２０が形成されていない外層シード層１３２の上部に外層回路層１６０がメッキされることができる。例えば、外層回路層１６０は銅で形成されることができる。しかし、外層回路層１６０を形成する物質の種類は銅に限定されない。即ち、外層回路層１６０の種類は、ニッケル、金などの伝導性物質の何れも使用可能である。ここで、内層ビア１４２の上部に形成された外層ビアホール１２４のメッキにより外層ビア１６２が形成されることによって、内層回路層１４０と外層回路層１６０とが電気的に連結されることができる。
【００４８】
図１４を参照すると、外層回路層１６０の上部に外層回路保護層１５２を形成することができる。外層回路保護層１５２は、無電解メッキ法により外層回路層１６０の上部に形成されることができる。本発明の実施例では外層回路保護層１５２が無電解メッキ法により形成されることを例示したが、これに限定されない。即ち、外層回路保護層１５２を形成する方法として、電解メッキ法を用いることもできる。例えば、外層回路保護層１５２は、スズ、ニッケル、金のうち少なくとも何れか一つで形成されることができる。しかし、外層回路保護層１５２の種類はこれに限定されず、後で第２メッキレジスト２２０または外層シード層１３２をエッチングする際に用いられるエッチング薬品と反応しない伝導性物質であれば用いられることができる。
【００４９】
図１５を参照すると、外層回路保護層１５２を形成した後、第２メッキレジスト２２０を除去することができる。このように第２メッキレジスト２２０を除去すると、第２メッキレジスト２２０が除去された部分により外層シード層１３２が露出されることができる。
【００５０】
図１６を参照すると、第２メッキレジスト２２０を除去した後、第２メッキレジスト２２０の除去により露出された外層シード層１３２を除去することができる。この際、露出された外層シード層１３２は通常のフラッシュエッチング法により除去することができる。この際、外層回路層１６０の上部に形成された外層回路保護層１５２により、外層シード層１３２をエッチングする際に外層回路層１６０が損傷されることを防止することができる。
【００５１】
図１７を参照すると、外層絶縁層１２３及び外層回路保護層１５２の上部に半田レジスト層１７０を形成することができる。
この際、半田レジスト層１７０が形成される前に、第２密着力補強層１８２が形成されることができる。第２密着力補強層１８２は、外層絶縁層１２３及び外層回路保護層１５２と半田レジスト層１７０との間の密着力を確保するために形成されることができる。第２密着力補強層１８２はエポキシ系の材質で形成されることができる。本発明の実施例による第２密着力補強層１８２の形成工程は当業者の選択によって省略されることができる。
【００５２】
半田レジスト層１７０は開口部１７１を含み、より詳細には、半導体チップなどを実装するために、半田バンプが形成される開口部１７１が外層回路保護層１５２の上部に形成されることができる。半田レジスト層１７０は、開口部１７１に半田バンプを形成する際に外層回路層１６０を保護するために形成されることができる。
【００５３】
このように半田レジスト層１７０を形成した後、図示されていないが、半田レジスト層１７０の開口部１７１により露出された外層回路保護層１５２の上部に表面処理層（不図示）が形成されることができる。この際、外層回路保護層１５２の上部に第２密着力補強層１８２が形成されている場合、通常の表面処理工程の前処理段階で洗浄されて露出された外層回路保護層１５２の上部の第２密着力補強層１８２が除去されることができる。従って、表面処理層（不図示）は、通常の表面処理工程により外層回路保護層１５２の上部表面に形成されることができる。このような表面処理層（不図示）を形成する工程も当業者の選択によって省略されることができる。
【００５４】
図１８から図３５は本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
図１８を参照すると、貫通ビア１１２が形成されたベース基板１１０が提供される。本発明の実施例によると、ベース基板１１０は、両面金属積層板１１１に貫通ホールを穿孔して形成される貫通ビア１１２を含むことができる。
【００５５】
図１９を参照すると、ベース基板１１０の上部に、内層ビアホール１２２を含む内層絶縁層１２１が形成されることができる。まず、両面金属積層板１１１及び貫通ビア１１２の上部に内層絶縁層１２１が形成されることができる。ここで、内層絶縁層１２１は通常的に用いられる絶縁層であることができる。即ち、内層絶縁層１２１は、ＦＲ−４、ＢＴ、ＡＢＦなどのエポキシ系樹脂を用いて形成されることができる。両面金属積層板１１１及び貫通ビア１１２の上部に内層絶縁層１２１を形成した後、内層ビアホール１２２を形成することができる。内層ビアホール１２２は、貫通ビア１１２の上部が露出されるように、内層絶縁層１２１に形成されることができる。
【００５６】
ここで、内層ビアホール１２２は通常のエッチングまたはドリル工程により形成されることができる。
図２０を参照すると、内層ビアホール１２２を形成した後、内層絶縁層１２１及び露出された貫通ビア１１２の上部に内層シード層１３１を形成することができる。ここで、内層シード層１３１は無電解メッキ法により形成されることができる。
【００５７】
図２１を参照すると、内層シード層１３１の上部に第１メッキレジスト２１０を形成することができる。本発明の実施例によると、第１メッキレジスト２１０はドライフィルムであることができる。内層シード層１３１の上部に形成された第１メッキレジスト２１０は、内層回路層の形成のためにメッキする部分を除いた所定部分に形成されることができる。
【００５８】
図２２を参照すると、内層シード層１３１の上部に内層回路層１４０を形成することができる。ここで、内層回路層１４０は、内層回路パターン１４１及び内層ビア１４２などを含むことができる。内層回路層１４０は電解メッキにより形成されることができる。電解メッキを行うことにより、第１メッキレジスト２１０が形成されていない内層シード層１３１の上部に内層回路層１４０がメッキされることができる。例えば、内層回路層１４０は銅で形成されることができる。しかし、内層回路層１４０を形成する物質の種類は銅に限定されない。即ち、内層回路層１４０の種類は、ニッケル、金などの伝導性物質の何れも使用可能である。ここで、貫通ビア１１２の上部に形成された内層ビアホール１２２のメッキにより内層ビア１４２が形成されることによって、貫通ビア１１２と内層回路層１４０とが電気的に連結されることができる。
【００５９】
図２３を参照すると、内層回路層１４０の上部に内層回路保護層１５１を形成することができる。内層回路保護層１５１は、無電解メッキ法により内層回路層１４０の上部に形成されることができる。本発明の実施例では内層回路保護層１５１が無電解メッキ法により形成されることを例示したが、これに限定されない。即ち、内層回路保護層１５１を形成する方法として、電解メッキ法を用いることもできる。また、内層回路保護層１５１は、スズ、ニッケル、金のうち少なくとも何れか一つで形成されることができる。しかし、内層回路保護層１５１の種類はこれに限定されず、後で第１メッキレジスト２１０または内層シード層１３１をエッチングする際に用いられるエッチング薬品と反応しない伝導性物質であれば用いられることができる。
【００６０】
図２４を参照すると、内層回路保護層１５１を形成した後、第１メッキレジスト２１０を除去することができる。このように第１メッキレジスト２１０を除去すると、第１メッキレジスト２１０が除去された部分により内層シード層１３１が露出されることができる。
【００６１】
図２５を参照すると、第１メッキレジスト２１０を除去した後、第１メッキレジスト２１０の除去により露出された内層シード層１３１を除去することができる。露出された内層シード層１３１は通常のフラッシュエッチング法により除去することができる。この際、内層回路層１４０の上部に形成された内層回路保護層１５１により、内層シード層１３１をエッチングする際に内層回路層１４０が損傷されることを防止することができる。
【００６２】
図２６を参照すると、内層回路層１４０の上部に形成された内層回路保護層１５１を除去することができる。内層回路保護層１５１は通常のエッチング方式により除去されることができる。
【００６３】
図２７を参照すると、内層回路層１４０及び内層絶縁層１２１の上部に、外層ビアホール１２４を含む外層絶縁層１２３が形成されることができる。
この際、内層絶縁層１２１が形成される前に、第１密着力補強層１８１が形成されることができる。第１密着力補強層１８１は、内層回路層１４０及び内層絶縁層１２１と外層絶縁層１２３との間の密着力を確保するために形成されることができる。第１密着力補強層１８１はエポキシ系の材質で形成されることができる。例えば、第１密着力補強層１８１は、内層絶縁層１２１及び内層回路層１４０の上部に液状でスプレー噴射されることができる。本発明の実施例による第１密着力補強層１８１の形成工程は、当業者の必要によって選択的に行われることができる。即ち、当業者の選択によって第１密着力補強層１８１の形成工程は省略されることができる。
【００６４】
外層絶縁層１２３は通常的に用いられる絶縁層であることができる。即ち、外層絶縁層１２３は、ＦＲ−４、ＢＴ、ＡＢＦなどのエポキシ系樹脂を用いて形成されることができる。内層回路層１４０の上部に外層絶縁層１２３を形成した後、外層ビアホール１２４を形成することができる。外層ビアホール１２４は、内層ビア１４２の上部が露出されるように、外層絶縁層１２３に形成されることができる。ここで、外層ビアホール１２４は、通常のエッチングまたはドリル工程により形成されることができる。
【００６５】
図２８を参照すると、外層ビアホール１２４を形成した後、外層絶縁層１２３及び露出された内層ビア１４２の上部に外層シード層１３２を形成することができる。ここで、外層シード層１３２は無電解メッキ法により形成されることができる。
【００６６】
図２９を参照すると、外層シード層１３２の上部に第２メッキレジスト２２０を形成することができる。本発明の実施例によると、第２メッキレジスト２２０はドライフィルムであることができる。外層シード層１３２の上部に形成された第２メッキレジスト２２０は、外層回路層の形成のためにメッキする部分を除いた所定部分に形成されることができる。
【００６７】
図３０を参照すると、外層シード層１３２の上部に外層回路層１６０を形成することができる。ここで、外層回路層１６０は、外層回路パターン１６１及び外層ビア１６２などを含むことができる。外層回路層１６０は電解メッキにより形成されることができる。電解メッキを行うことにより、第２メッキレジスト２２０が形成されていない外層シード層１３２の上部に、外層回路層１６０がメッキされることができる。例えば、外層回路層１６０は銅で形成されることができる。しかし、外層回路層１６０を形成する物質の種類は銅に限定されない。即ち、外層回路層１６０の種類は、ニッケル、金などの伝導性物質の何れも使用可能である。ここで、内層ビア１４２の上部に形成された外層ビアホール１２４のメッキにより外層ビア１６２が形成されることによって、内層回路層１４０と外層回路層１６０とが電気的に連結されることができる。
【００６８】
図３１を参照すると、外層回路層１６０の上部に外層回路保護層１５２を形成することができる。外層回路保護層１５２は、無電解メッキ法により外層回路層１６０の上部に形成されることができる。本発明の実施例では外層回路保護層１５２が無電解メッキ法により形成されることを例示したが、これに限定されない。即ち、外層回路保護層１５２を形成する方法として、電解メッキ法を用いることもできる。例えば、外層回路保護層１５２は、スズ、ニッケル、金のうち少なくとも何れか一つで形成されることができる。しかし、外層回路保護層１５２の種類はこれに限定されず、後で第２メッキレジスト２２０または外層シード層１３２をエッチングする際に用いられるエッチング薬品と反応しない伝導性物質であれば用いられることができる。
【００６９】
図３２を参照すると、外層回路保護層１５２を形成した後、第２メッキレジスト２２０を除去することができる。このように第２メッキレジスト２２０を除去すると、第２メッキレジスト２２０が除去された部分により外層シード層１３２が露出されることができる。
【００７０】
図３３を参照すると、第２メッキレジスト２２０を除去した後、第２メッキレジスト２２０の除去により露出された外層シード層１３２を除去することができる。露出された外層シード層１３２は通常のフラッシュエッチング法により除去することができる。この際、外層回路層１６０の上部に形成された外層回路保護層１５２により、外層シード層１３２をエッチングする際に外層回路層１６０が損傷されることを防止することができる。
【００７１】
図３４を参照すると、外層回路層１６０の上部に形成された外層回路保護層１５２を除去することができる。外層回路保護層１５２は通常のエッチング方式により除去されることができる。
【００７２】
図３５を参照すると、外層絶縁層１２３及び外層回路層１６０の上部に半田レジスト層１７０を形成することができる。
この際、半田レジスト層１７０が形成される前に、第２密着力補強層１８２が形成されることができる。第２密着力補強層１８２は、外層絶縁層１２３及び外層回路層１６０と半田レジスト層１７０との間の密着力を確保するために形成されることができる。第２密着力補強層１８２はエポキシ系の材質で形成されることができる。本発明の実施例による第２密着力補強層１８２の形成工程は当業者の選択によって省略されることができる。
【００７３】
半田レジスト層１７０は開口部１７１を含み、より詳細には、半導体チップなどを実装するために、半田バンプが形成される開口部１７１が外層回路層１６０の上部に形成されることができる。半田レジスト層１７０は、開口部１７１に半田バンプを形成する際に外層回路層１６０を保護するために形成されることができる。
【００７４】
このように半田レジスト層１７０を形成した後、図示していないが、半田レジスト層１７０の開口部１７１により露出された外層回路層１６０の上部に表面処理層（不図示）が形成されることができる。この際、外層回路層１６０の上部に第２密着力補強層１８２が形成されている場合、通常の表面処理工程の前処理段階で洗浄されて露出された外層回路層１６０の上部の第２密着力補強層１８２が除去されることができる。従って、表面処理層（不図示）は、通常の表面処理工程により外層回路層１６０の上部表面に形成されることができる。このような表面処理層（不図示）を形成する工程も当業者の選択によって省略されることができる。
【００７５】
このように、本発明の実施例による基板の製造方法によると、内層回路の上部にエッチング薬品と反応しない物質で形成された内層回路保護層を形成し、外層回路の上部にエッチング薬品と反応しない物質で形成された外層回路保護層を形成することができる。このような内層回路保護層及び外層回路保護層により、後で行われるエッチング工程で内層回路層及び外層回路層を保護することができる。
【００７６】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明によるプリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施例によるプリント回路基板を示した例示図である。
【図２】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図３】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図４】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図５】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図６】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図７】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図８】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図９】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１０】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１１】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１２】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１３】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１４】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１５】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１６】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１７】本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１８】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図１９】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図２０】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図２１】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図２２】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図２３】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図２４】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図２５】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図２６】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図２７】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図２８】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図２９】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図３０】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図３１】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図３２】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図３３】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図３４】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【図３５】本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示した例示図である。
【符号の説明】
【００７８】
１１０  ベース基板
１１１  両面金属積層板
１１２  貫通ビア
１２１  内層絶縁層
１２２  内層ビアホール
１２３  外層絶縁層
１２４  外層ビアホール
１３１  内層シード層
１３２  外層シード層
１４０  内層回路層
１４１  内層回路パターン
１４２  内層ビア
１５１  内層回路保護層
１５２  外層回路保護層
１６０  外層回路層
１６１  外層回路パターン
１６２  外層ビア
１７０  半田レジスト層
１７１  開口部
１８１  第１密着力補強層
１８２  第２密着力補強層
２１０  第１メッキレジスト
２２０  第２メッキレジスト
【図１】
2013106029.tif 000003
【図２】
2013106029.tif 000004
【図３】
2013106029.tif 000005
【図４】
2013106029.tif 000006
【図５】
2013106029.tif 000007
【図６】
2013106029.tif 000008
【図７】
2013106029.tif 000009
【図８】
2013106029.tif 000010
【図９】
2013106029.tif 000011
【図１０】
2013106029.tif 000012
【図１１】
2013106029.tif 000013
【図１２】
2013106029.tif 000014
【図１３】
2013106029.tif 000015
【図１４】
2013106029.tif 000016
【図１５】
2013106029.tif 000017
【図１６】
2013106029.tif 000018
【図１７】
2013106029.tif 000019
【図１８】
2013106029.tif 000020
【図１９】
2013106029.tif 000021
【図２０】
2013106029.tif 000022
【図２１】
2013106029.tif 000023
【図２２】
2013106029.tif 000024
【図２３】
2013106029.tif 000025
【図２４】
2013106029.tif 000026
【図２５】
2013106029.tif 000027
【図２６】
2013106029.tif 000028
【図２７】
2013106029.tif 000029
【図２８】
2013106029.tif 000030
【図２９】
2013106029.tif 000031
【図３０】
2013106029.tif 000032
【図３１】
2013106029.tif 000033
【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
2013106029.tif 000036
【図３５】
2013106029.tif 000037