(57)【要約】      （修正有）【課題】より平坦性を向上させる平坦化方法および駆動基板の製造方法、並びに駆動基板および表示装置を提供する。【解決手段】エッチング表面を有する保護層と、前記保護層の裏面に接すると共にその表面に１または複数の凸部を有し、前記凸部の表面が前記エッチング表面と同一平面を構成するフィルム層とを備えた。保護層とフィルム層との互いの耐エッチング性を実質的に同じになるようにしたので、フィルム層および保護層のうちのどちらか一方のみが深くエッチングされることがなく、駆動基板の平坦性を向上させることができる。【選択図】図２
2013125136.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング表面を有する保護層と、
前記保護層の裏面に接すると共にその表面に１または複数の凸部を有し、前記凸部の表面が前記エッチング表面と同一平面を構成するフィルム層と
を備えた駆動基板。
【請求項２】
前記保護層は前記フィルム層上の前記凸部間に埋設されている
請求項１に記載の駆動基板。
【請求項３】
前記フィルム層と前記保護層との耐エッチング性は実質的に同じである
請求項１に記載の駆動基板。
【請求項４】
前記保護層は前記フィルム層の構成材料と同一骨格を有する材料からなる
請求項１に記載の駆動基板。
【請求項５】
前記保護層はレジストにより構成されている
請求項１に記載の駆動基板。
【請求項６】
前記エッチング表面上に駆動回路としての薄膜トランジスタを有する
請求項１に記載の駆動基板。
【請求項７】
駆動基板および表示層を備え、
前記駆動基板は、
エッチング表面を有する保護層と、
前記保護層の裏面に接すると共にその表面に１または複数の凸部を有し、前記凸部の表面が前記エッチング表面と同一平面を構成するフィルム層とを有する
表示装置。
【請求項８】
表面に１または複数の凸部を有するフィルム層上に、前記フィルム層と実質的に同じ耐エッチング性を有する保護層を設けて基板を形成する工程と、
前記保護層と共に前記フィルム層の凸部をエッチングして前記基板の表面を平坦化する工程と
を含む平坦化方法。
【請求項９】
表面に１または複数の凸部を有するフィルム層上に、前記フィルム層と実質的に同じ耐エッチング性を有する保護層を設けて基板を形成する工程と、
前記保護層と共に前記フィルム層の凸部をエッチングして前記基板の表面を平坦化する工程と、
平坦化された前記基板の表面に駆動回路を形成する工程と
を含む駆動基板の製造方法。
【請求項１０】
前記基板の表面を平坦化した後、前記保護層を除去する工程を含む
請求項９に記載の駆動基板の製造方法。
【請求項１１】
前記凸部と共に前記保護層を全て除去する
請求項９に記載の駆動基板の製造方法。
【請求項１２】
前記基板の形成工程の前に、前記フィルム層の裏面全面を支持基板に固定する工程を含む
請求項９に記載の駆動基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、樹脂材料を含む基板に好適な平坦化方法およびこれを用いた駆動基板の製造方法、並びに駆動基板および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、割れにくく、また可撓性を有する基板として、樹脂材料を含むフィルム（樹脂フィルム）を表示装置等の駆動基板に用いる技術が検討されている。しかしながら、このような樹脂フィルムでは、その表面に微小な凹凸が存在する。そのため、樹脂フィルム上に設けた駆動回路の配線に断線やショートが生じることがある。
【０００３】
そこで、駆動回路を構成する配線や薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）の形成前に樹脂フィルムを平坦化する工程が必要となる。エッチングや研磨により平坦化する方法（例えば、特許文献１〜６）が提案されているものの、このような方法は作業時間の長さや処理面積の少なさ等のコストの問題により実用化が困難である。
【０００４】
これに対し、特許文献７では実用化に向け、樹脂フィルムの表面に高い耐エッチング性を有する保護層を設け、この保護層から突出した樹脂フィルムの凸部のみをエッチングにより除去する方法を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０６−７７１８２号公報
【特許文献２】特開平０６−８５０５９号公報
【特許文献３】特開平０９−８００７号公報
【特許文献４】特開２００２−２５２１９５号公報
【特許文献５】特開２００４−５０７１１号公報
【特許文献６】特開２００４−５８４１５号公報
【特許文献７】特開２００５−３０７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献７の方法を用いた場合にも樹脂フィルム表面の平坦化は不十分であり、断線やショートの問題は解消されなかった。
【０００７】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、第１の目的は、配線の断線やショート等を抑えることが可能な平坦化方法、およびこの平坦化方法を用いた駆動基板の製造方法を提供することにある。第２の目的は、配線の断線やショートを抑えた駆動基板および表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本技術の平坦化方法は、表面に１または複数の凸部を有するフィルム層上に、フィルム層と実質的に同じ耐エッチング性を有する保護層を設けて基板を形成する工程と、保護層と共にフィルム層の凸部をエッチングして基板の表面を平坦化する工程とを含むものである。本技術の駆動基板の製造方法は、上記平坦化方法を用いたものである。
【０００９】
本技術の平坦化方法または駆動基板の製造方法では、保護層の耐エッチング性がフィルム層と実質的に同じであるため、フィルム層および保護層のうちのどちらか一方のみが深くエッチングされるということがなくなる。
【００１０】
本技術の駆動基板は、エッチング表面を有する保護層と、保護層の裏面に接すると共にその表面に１または複数の凸部を有し、凸部の表面がエッチング表面と同一平面を構成するフィルム層とを備えている。本技術の表示装置は表示層と共に上記駆動基板を備えたものである。
【発明の効果】
【００１１】
本技術の平坦化方法および駆動基板の製造方法によれば、保護層とフィルム層との互いの耐エッチング性を実質的に同じになるようにしたので、フィルム層および保護層のうちのどちらか一方のみが深くエッチングされることがなく、基板の平坦性を向上させることができる。本技術の駆動基板および表示装置によれば、フィルム層の凸部の表面が保護層のエッチング表面と同一平面を構成するようにしたので、基板の平坦性を向上させることができる。よって、配線の断線やショート等の発生を抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した基板の構成を表す図である。
【図３】図２に示した基板の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図４】図３に続く工程の一例を表す断面図である。
【図５】図３に続く工程の他の例を表す断面図である。
【図６】比較例に係る基板の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図７】図３に示した工程について説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１０】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１１】（Ａ）は適用例３の表側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１２】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１３】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図１４】（Ａ）は適用例６の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側断面、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
フィルム層および保護層を含む駆動基板を備えた表示装置
２．適用例
【００１４】
＜実施の形態＞
図１は本開示の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の断面構成を表すものである。この表示装置１は、駆動基板１０、表示層２０および対向基板３０をこの順に有するものであり、対向基板３０側に映像が表示される。駆動基板１０は基板１１および駆動回路としてＴＦＴ層１２を含み、基板１１の表面（表示層２０との対向面）にＴＦＴ層１２が設けられている。
【００１５】
基板１１は、図２に表したように、フィルム層１１ａおよび保護層１１ｂにより構成されている。図２（Ａ）は基板１１の平面構成、図２（Ｂ）は断面構成をそれぞれ模式的に表している。フィルム層１１ａは、基板１１の主体となるものであり、その表面に複数の凸部１１ａ−１および凸部１１ａ−１間の凹部１１ａ−２を有している。このフィルム層１１ａの凹部１１ａ−２に保護層１１ｂが埋設され、保護層１１ｂの裏面にフィルム層１１ａが接している。一方、保護層１１ｂの表面はフィルム層１１ａの凸部１１ａ−１の表面と同一平面を構成している。換言すれば、フィルム層１１ａが保護層１１ｂにより覆われ、この保護層１１ｂの表面にフィルム層１１ａの凸部１１ａ−１が露出している（図２（Ａ））。この保護層１１ｂから露出したフィルム層１１ａの凸部１１ａ−１の表面および保護層１１ｂの表面は、エッチングされて形成されたものである（エッチング表面）。詳細は後述するが、このように、フィルム層１１ａおよび保護層１１ｂを共にエッチングすることにより、基板１１の表面の平坦性を向上させることが可能となる。なお、露出されずに、完全に保護層１１ｂに埋設された微小なフィルム層１１ａの凸部１１ａ−１が存在していてもよく、凸部１１ａ−１は１つであってもよい。
【００１６】
フィルム層１１ａは可撓性を有するものであり、例えば５〜５０μｍ程度の厚み（積層方向の厚み。以下、単に厚みという。）の樹脂材料からなる。具体的には、フィルム層１１ａは例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂またはアクリル樹脂等により構成されている。フィルム層１１ａをこのような可撓性材料により構成することにより、表示装置１の耐久性およびフレキシブル性を向上させることができる。
【００１７】
保護層１１ｂは、フィルム層１１ａの構成材料と同程度の耐エッチング性を有する材料により構成されている。例えば、保護層１１ｂとフィルム層１１ａとの構成材料は互いに類似または同一の骨格を有し、これらの耐エッチング性が実質的に同じであることがより好ましい。なお、耐エッチング性が実質的に同じである、とはまったく同一である他、エッチング表面上の配線に断線やショートが生じない程度の耐エッチング性の差（ずれ）を含むものである。本実施の形態ではこのように保護層１１ｂの耐エッチング性がフィルム層１１ａと同程度であるため、保護層１１ｂと共にフィルム層１１ａの凸部１１ａ−１をエッチングでき、基板１１の表面の平坦性を向上させることができる。保護層１１ｂは、例えば０〜２μｍ程度の厚みのレジストからなる。このレジストはフォトリソグラフィー法で使用されるものである。具体的には、例えばフィルム層１１ａが東洋紡績株式会社製ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）であるとき、保護層１１ｂには東京応化工業株式会社製ＴＦＲ９７０を用いることができる。
【００１８】
ＴＦＴ層１２は画素を選択するためのスイッチング用素子としての機能を有するものであり、ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル層およびソース・ドレイン電極（配線）を含むＴＦＴおよびその他の配線を有している。ＴＦＴは、チャネル層として無機半導体層を用いた無機ＴＦＴあるいは、有機半導体層を用いた有機ＴＦＴのどちらであってもよい。有機ＴＦＴを用いてＴＦＴ層１２を構成することにより、表示装置１のフレキシブル性を高めることができる。
【００１９】
基板１１とＴＦＴ層１２との間に、ＴＦＴ層１２および表示層１３の水分や有機ガスによる劣化を防止するため、バリア層（図示せず）を設けるようにしてもよい。このバリア層は、基板１１の平坦性が増すことによりカバレッジが大きくなり、バリア性が向上する。バリア層は、例えばＡｌＯxＮ1-X（ただし、Ｘ＝０．０１〜０．２）または窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）からなる。
【００２０】
表示層２０は駆動基板１０と対向基板３０との間に設けられ、駆動基板１０のＴＦＴ層１２により駆動される。表示層１２は、例えば駆動基板１０側の画素電極と対向基板３０側の共通電極との間に表示体を有している。この表示体は、例えば、液晶層、有機ＥＬ（Electroluminescence）層、無機ＥＬ層あるいは電気泳動型の表示素子等である。
【００２１】
対向基板３０は、表示層２０を間にして駆動基板１０と対向するように設けられている。表示装置１では対向基板３０のうち、駆動基板１０との対向面とは反対側が表示面となるため、対向基板３０は透明材料により構成される。この点を除き対向基板３０には基板１１と同様の材料を用いることができる。対向基板３０上に、更に表示層２０への水分の浸入を防止する防湿膜および外光の表示面への映り込みを防止するための光学機能膜を設けるようにしてもよい。
【００２２】
この表示装置１は、例えば以下のようにして製造することができる。
【００２３】
まず、基板１１を形成し、その平坦化を行う。具体的には、まず図３（Ａ）に表したように、ポリイミドからなるフィルム層１１ａの裏面全面を例えば厚み０．７ｍｍのガラスからなる支持基板４０に接着剤を用いて貼り合わせる。これにより、フィルム層１１ａ全体の厚み（Ｚ軸）方向の距離ｄが小さくなる。次いで、例えば、ポリイミド系のレジスト（例えば、東京応化工業株式会社製ＴＦＲ９７０）からなる保護層１１ｂを例えばスピンコート法またはスリットコート法等によりフィルム層１１ａ上にその表面が平坦になるよう形成して（図３（Ｂ））基板１１とする。基板１１を形成した後、図３（Ｃ）に表したように、フィルム層１１ａの凸部１１ａ−１と共に保護層１１ｂをエッチングする。これにより保護層１１ｂにエッチング表面が形成される。本実施の形態では、これにより、フィルム層１１ａの少なくとも一部の凸部１１ａ−１の表面と、保護層１１ｂの表面とが同一平面を構成するようになり、基板１１の表面が平坦化される。エッチングは、例えば真空下で酸素（Ｏ），フッ素（Ｆ）あるいはアルゴン（Ａｒ）等のプラズマ５０（図３（Ｃ））を照射するドライエッチングにより行う。ドライエッチングに代えてウェットエッチングを用いるようにしてもよい。このエッチングは、保護層１１ｂが残存した状態で停止するようにしてもよく（図３（Ｃ））、あるいは、図４に表したようにフィルム層１１ａの凸部１１ａ−１と共に保護層１１ｂが全て除去される停止部５１まで行うようにしてもよい。また、図５に表したように、エッチング後に保護層１１ｂを除去するようにしてもよい。フィルム層１１ａの利用効率および作業時間の観点からは保護層１１ｂが存在する状態で基板１１を駆動基板１０として用いることが好ましい。平坦化前のフィルム層１１ａには例えば０．５〜３μｍの凹凸があり、平坦化後のフィルム層１１ａの凹凸は例えば０．１〜０．２μｍ程度まで小さくなる。
【００２４】
図６は、比較例に係る基板（基板１１１）の平坦化方法を表したものである。この方法では、フィルム層１１１ａの構成材料よりも耐エッチング性の高い材料からなる保護層１１１ｂをフィルム層１１１ａ上に形成した後（図６（Ａ））、保護層１１１ｂの表面から突出したフィルム層１１１ａの凸部１１１ａ−１のみをエッチングして基板１１１を平坦化している。しかしながら、この方法では、図６（Ｂ），図６（Ｃ）に表したように、保護層１１１ｂはエッチングされず、よりエッチングされ易いフィルム層１１１ａのみが深くエッチングされて、フィルム層１１１ａの凹凸が、エッチング前に比べてより大きくなる虞がある。
【００２５】
これに対し、本実施の形態では、保護層１１ｂの構成材料の耐エッチング性をフィルム層１１ａと同程度にし、フィルム層１１ａの凸部１１ａ−１と共に保護層１１ｂをエッチングするため、フィルム層１１ａのみが深くエッチングされることを防ぎ、基板１１の表面を平坦化することができる。また、フィルム層１１ａと共に保護層１１ｂをエッチングすることにより、保護層１１ｂの表面の凹凸も小さくなり、平坦性が高まる。
【００２６】
更に、上述のように保護層１１ｂはフィルム層１１ａ全体での距離ｄをできるだけ小さくした状態で形成することが好ましい。フィルム層１１ａを支持基板４０に固定しない状態（図７（Ａ））、あるいは、部分的にのみ張り付けた状態（図７（Ｂ））では、フィルム層１１ａがＺ軸方向に波打つため、距離ｄが大きくなり、図８（Ａ）に表したように保護層１１ｂが極端に不均一に形成される虞がある。このような場合には、基板１１の中でエッチングレートに大きな差が生じる。また、フィルム層１１ａの距離ｄが大き過ぎると、例えばエッチング時（図８（Ｂ））に使用する真空装置等の処理装置内で異常放電やフィルム層１１ａの変形等のトラブルが生じ、基板１１が十分に平坦化されない虞がある（図８（Ｃ））。
【００２７】
基板１１を平坦化した後、基板１１の表面にＴＦＴおよび配線（ＴＦＴ層１２）を形成する。これにより、駆動基板１０が形成される。ここでは、基板１１が平坦化されているので、ＴＦＴの電極あるいはその他の配線の断線やショート等を防ぐことができる。
【００２８】
駆動基板１０を形成した後、駆動基板１０上に表示層２０および対向基板３０を形成する。最後に、駆動基板１０から支持基板４０を剥離して、図１に示した表示装置１が完成する。
【００２９】
以上のように本実施の形態の表示装置１では、基板１１の平坦化工程において、フィルム層１１ａの凸部１１ａ−１と共に保護層１１ｂをエッチングするようにしたので、フィルム層１１ａのみが深くエッチングされる虞がなく、基板１１の平坦性を向上することができる。よって、ＴＦＴ層１２等での断線やショートの発生を防ぎ、表示装置１の信頼性を高めることが可能となる。
【００３０】
また、フィルム層１１ａを支持基板４０に固定した後、保護層１１ｂを形成するため、保護層１１ｂをフィルム層１１ａ上に均一に形成でき、また、処理装置内でのトラブルを防止することができる。
【００３１】
上記表示装置１は、例えば次の適用例１〜６に示した電子機器に搭載することができる。
【００３２】
＜適用例１＞
図９（Ａ）および図９（Ｂ）は、電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０、非表示部２２０および操作部２３０を有している。この表示部２１０が上記表示装置１により構成される。操作部２３０は、図９（Ａ）に示したように表示部２１０と同じ面（前面）に形成されていても、図９（Ｂ）に示したように表示部２１０とは異なる面（上面）に形成されていてもよい。
【００３３】
＜適用例２＞
図１０は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有している。この映像表示画面部３００が上記表示装置１により構成される。
【００３４】
＜適用例３＞
図１１は、デジタルスチルカメラの外観を表したものである。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有している。この表示部４２０が上記表示装置１により構成される。
【００３５】
＜適用例４＞
図１２は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有している。この表示部５３０が上記表示装置１により構成される。
【００３６】
＜適用例５＞
図１３は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。この表示部６４０が上記表示装置１により構成される。
【００３７】
＜適用例６＞
図１４は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。このディスプレイ７４０または／およびサブディスプレイ７５０が上記表示装置１により構成される。
【００３８】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、表示装置１がＴＦＴ層１２を有するアクティブマトリクス型の場合について説明したが、パッシブマトリクス型であってもよい。
【００３９】
また、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００４０】
更に、上記実施の形態等では、表示装置１の構成を具体的に挙げて説明したが、他の層を更に備えていてもよい。
【００４１】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）エッチング表面を有する保護層と、前記保護層の裏面に接すると共にその表面に１または複数の凸部を有し、前記凸部の表面が前記エッチング表面と同一平面を構成するフィルム層とを備えた駆動基板。
（２）前記保護層は前記フィルム層上の前記凸部間に埋設されている前記（１）に記載の駆動基板。
（３）前記フィルム層と前記保護層との耐エッチング性は実質的に同じである前記（１）または（２）に記載の駆動基板。
（４）前記保護層は前記フィルム層の構成材料と同一骨格を有する材料からなる前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つに記載の駆動基板。
（５）前記保護層はレジストにより構成されている前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載の駆動基板。
（６）前記エッチング表面上に駆動回路としての薄膜トランジスタを有する前（１）乃至（５）のうちいずれか１つに記載の駆動基板。
（７）駆動基板および表示層を備え、前記駆動基板は、エッチング表面を有する保護層と、前記保護層の裏面に接すると共にその表面に１または複数の凸部を有し、前記凸部の表面が前記エッチング表面と同一平面を構成するフィルム層とを有する表示装置。
（８）表面に１または複数の凸部を有するフィルム層上に、前記フィルム層と実質的に同じ耐エッチング性を有する保護層を設けて基板を形成する工程と、前記保護層と共に前記フィルム層の凸部をエッチングして前記基板の表面を平坦化する工程とを含む平坦化方法。
（９）表面に１または複数の凸部を有するフィルム層上に、前記フィルム層と実質的に同じ耐エッチング性を有する保護層を設けて基板を形成する工程と、前記保護層と共に前記フィルム層の凸部をエッチングして前記基板の表面を平坦化する工程と、平坦化された前記基板の表面に駆動回路を形成する工程とを含む駆動基板の製造方法。
（１０）前記基板の表面を平坦化した後、前記保護層を除去する工程を含む前記（９）に記載の駆動基板の製造方法。
（１１）前記凸部と共に前記保護層を全て除去する前記（９）に記載の駆動基板の製造方法。
（１２）前記基板の形成工程の前に、前記フィルム層の裏面全面を支持基板に固定する工程を含む前記（９）乃至（１１）のうちいずれか１つに記載の駆動基板の製造方法。
【符号の説明】
【００４２】
１・・・表示装置、１０・・・駆動基板、１１・・・基板、１１ａ・・・フィルム層、１１ａ−１・・・凸部、１１ａ−２・・・凹部、１１ｂ・・・保護層、１２・・・ＴＦＴ層、２０・・・表示層、３０・・・対向基板、４０・・・支持基板。
【図１】
2013125136.tif 000003
【図２】
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【図３】
2013125136.tif 000005
【図４】
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【図５】
2013125136.tif 000007
【図６】
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【図７】
2013125136.tif 000009
【図８】
2013125136.tif 000010
【図９】
2013125136.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2013125136.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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