(57)【要約】【課題】めっき処理工程の後、ウエハからシールリングを分離するのに困難とはならない半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】酸素プラズマ照射処理に先立って、後のめっき処理工程においてフォトレジスト３の、シールリング５が接する部分を覆うように、一時的にシャドウリング４を当てる。この状態で、酸素プラズマを照射することにより、フォトレジスト３の表面とその開口部における側面（照射部３ａ）を疎水性から親水性に変化させる。しかしながら、シャドウリング４で隠蔽されている、フォトレジスト３の部分（遮蔽部３ｂ）は、酸素プラズマの照射を受けないので、疎水性を維持する。次に、シールリング５をフォトレジスト３上に当接してその底部５Ａを密着させる。その状態で、Ｎｉめっき液６をシールリング５内に投入し、フォトレジスト３開口部のシード層２上にめっき８を成長させる。めっき処理終了後は、シールリング５を容易に除去できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ上の任意の領域にめっき処理を施すめっき処理方法を含む半導体装置の製造方法であって、
前記任意の領域をフォトレジストによるパターニングで画定し、
シールリングがのちに当接されるべき、前記フォトレジストの部分のみの疎水性を維持する一方で、前記フォトレジストの他の表面を親水化処理し、
前記シールリングを前記フォトレジスト上に当接して、前記めっき処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記シールリングがのちに当接されるべき、前記フォトレジストの部分にシャドウリングを当接して、前記親水化処理を行い、当該処理の終了後、前記シャドウリングを取り除くことにより、当該部分のみの疎水性を維持することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記シールリングがのちに当接されるべき、前記フォトレジストの部分を、めっき液に対する対薬品性を有し、疎水性である材料で覆って、前記親水化処理を行うことにより、当該部分のみの疎水性を維持することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記材料は、シリコンであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パッケージを構成する部材をすべてウエハの形状において加工することを特徴とするウエハレベルＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）においては、ウエハの一面に形成された回路に含まれる電極から、外部との電気的接続部材である半田バンプまでの部材の形成工程に、電解めっき皮膜処理工程が含まれる（例えば、特許文献１を参照）。ここで、図３は、従来における電解めっき皮膜処理工程を説明するための図である。
【０００３】
従来における電解めっき皮膜処理工程では、まず、めっき処理工程の前工程として、ウエハ１０１の回路形成面上に、クロムおよび銅を例えばスパッタ法により成膜した構造からなるシード層１０２を成膜する。なお、回路形成面とシード層の間には絶縁樹脂層が形成されることがあるが、ここでは省略する。
【０００４】
次に、めっき処理を行なう部分と、ウエハ１０１の外周を露出するようにパターン化したフォトレジスト１０３をフォトリソグラフィ工程により形成する。
【０００５】
次に、フォトレジスト１０３に酸素（Ｏ２）プラズマを照射することにより、フォトレジスト１０３の表面とその開口部１０３ａにおける側面を疎水性から親水性に変化させる。これは、めっき処理工程において、めっき皮膜する凹凸内部にめっき液が浸透し易くなるようにするためである。
【０００６】
そのように親水化処理した後、底部が抜け落ちた皿様の形状を有したシールリング（コンタクトシールまたはコンタクトリングともいう）１０５をフォトレジスト１０３上に当接してその底部１０５Ａを密着させる。その状態で、ニッケル（Ｎｉ）めっき液１０６をシールリング１０５内に投入（接液）し、フォトレジスト１０３の開口部１０３ａのシード層１０２上にめっき１０８を成長させる。めっき処理完了後、めっき液１０６を除去し、シールリング１０５を取り外す。その後は、樹脂により封止する工程、バンプを形成する工程などが続く。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−０５１３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した従来のめっき処理工程においては、めっき液の温度条件によっては、めっき処理完了後、シールリング１０５をウエハ全体から分離する際に、シールリング１０５がフォトレジスト１０３に強力に貼り付いてしまい剥がすのが困難であるという課題があった。
【０００９】
その貼り付きの要因としては、主に３つあり、つまり、ａ）シールリング１０５とフォトレジスト１０３との間の水分による表面張力、ｂ）めっき液が、フォトレジスト１０３にアタックすることによるフォトレジスト１０３の粘着性の上昇、ｃ）前回処理したウエハのフォトレジストがシールリング１０５に貼り付いたこと（付着残り）によるシールリング１０５の粘着性の上昇、である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、ウエハ上の任意の領域にめっき処理を施すめっき処理方法を含む半導体装置の製造方法であって、前記任意の領域をフォトレジストによるパターニングで画定し、シールリングがのちに載置されるべき、前記フォトレジストの部分のみの疎水性を維持する一方で、前記フォトレジストの他の表面を親水化処理し、前記シールリングを前記フォトレジスト上に載置して、前記めっき処理を施すことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、めっき処理工程終了後、シールリングがフォトレジストに対して無用に密着性が高くなることを回避することができる。これによりウエハからシールリングを容易に分離することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法を適用した第１実施形態におけるめっき処理方法の手順を説明するための図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法を適用した第２実施形態におけるめっき処理方法の手順を説明するための図である。
【図３】従来技術を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１４】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の半導体装置の製造方法を適用した第１実施形態におけるめっき処理方法の手順を説明するための図である。
第１実施形態におけるめっき処理方法は、図１（ａ）に示すように、まず、基材であるウエハ１の上側全面に、クロムおよび銅を例えばスパッタ法により成膜した構造からなるシード層２を成膜する。次に、めっきを行なう部分と、ウエハ１の外周とを露出するようにパターン化したフォトレジスト３をフォトリソグラフィ工程により形成する。なお、フォトリソグラフィ工程後のフォトレジスト３の表面は疎水性となっている。
【００１５】
次に、図１（ｂ）に示すように、酸素（Ｏ２）プラズマ照射処理に先立って、後のめっき処理工程においてフォトレジスト３の、シールリング５が接する部分を覆うように、一時的にシャドウリング４を当てる。この状態で、酸素プラズマを照射することにより、フォトレジスト３の表面とその開口部における側面（照射部３ａ）を疎水性から親水性に変化させる。しかしながら、シャドウリング４で隠蔽されている、フォトレジスト３の部分（遮蔽部３ｂ）は、Ｏ２プラズマの照射を受けないので、疎水性を維持する。なお、それ以外の部分（照射部３ａ）を親水性とするのは、めっき処理工程において、めっき皮膜するパターン化したフォトレジスト３の凹凸内部にめっき液が浸透し易くなるようにするためである。
【００１６】
次に、図１（ｃ）に示すように、底部が抜け落ちた皿様の形状を有したシールリング（コンタクトシールまたはコンタクトリングともいう）５をフォトレジスト３上に当接して、その底部５Ａを密着させる。その状態で、ニッケル（Ｎｉ）めっき液６をシールリング５内に投入（接液）し、フォトレジスト３開口部のシード層２上にめっき８を成長させる。このとき、シャドウリング４で覆われていた疎水性のフォトレジスト３の表面（すなわち、遮蔽部３ｂの表面）は、めっき液をはじくこととなる。また、シールリング５が当接しているフォトレジスト３の表面（遮蔽部３ｂの表面）も、その部分が疎水性のままであるので、めっき液や水をはじいており、濡れることはない。
【００１７】
めっき処理工程が終了すると、図１（ｄ）に示すように、めっき液６を除去し、シールリング５とウエハ全体を分離する。以降は、樹脂により封止する工程、バンプを形成する工程などが続く。
【００１８】
上述のように、本発明における半導体装置の製造方法を適用した第１実施形態のめっき処理方法によれば、シールリング５付近のフォトレジスト３の表面（遮蔽部３ｂの表面）がめっき液および水をはじくことにより、シールリング５の底部５Ａとフォトレジスト３が当接する面間に水分が侵入せず、表面張力が発生することはなく、シールリング５のフォトレジスト３に対する貼り付けを防止することができる。
【００１９】
また、同じく、シールリング５付近のフォトレジスト３表面（遮蔽部３ｂの表面）がめっき液および水をはじくことにより、シールリング５の底部５Ａに接触する部分のフォトレジスト３が、ニッケルめっき液にアタックされて粘着性が上がってしまうことを防止して、シールリング５のフォトレジスト３に対する貼り付けを防止することができる。
【００２０】
さらに、このようにシールリング５のフォトレジスト３に対する貼り付けを防止することにより、シールリング５を分離する際に、シールリング５の底部５Ａにフォトレジスト３が付着して粘着性が増してしまうことがないので、次回処理するウエハについて、シールリング５のフォトレジスト３に対する貼り付けを防止することができる。
【００２１】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の半導体装置の製造方法を適用した第２の実勢形態について説明する。
図２は、本発明の半導体装置の製造方法を適用した第２実施形態におけるめっき処理方法の手順を説明するための図である。なお、図１に示した第１実施形態の処理方法と同様の部分については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００２２】
図１に示した第１実施形態のめっき処理方法においては、フォトレジスト３における疎水性を維持させる部分（遮蔽部３ｂ）を形成するのにシャドウリング４を採用したが、この第２実施形態においては、図２（ｂ）に示すように、その部分を、めっき液に対する対薬品性を有し、疎水性である材料７（剥離可能な膜であることが好ましい）で覆う構成となっている。この材料７で覆うことにより、めっき処理時にフォトレジストの表面が親水化することを防ぐことができるため、フォトレジスト３に遮蔽部３ｂを形成することができる。
【００２３】
このように、上記材料７を用いることによっても遮蔽部３ｂを形成することが可能であり、その部分の疎水性を維持させることができる。これにより、本実施形態においても第１実施形態と同様の効果が得られる。なお、上記材料としては、シリコンが好ましい。
【００２４】
＜第１および第２実施形態の変形例＞
次に、上述の第１および第２実施形態の変形例について説明する。
上述の第１および第２実施形態の半導体装置の製造方法においては、めっき処理において、電解のニッケルのめっき液を使用する場合で説明したが、これに限られることはなく、例えば、電解の銅（Ａｕ）のめっき液を含めた電解のめっき液全般を使用することができ、さらには、無電解のめっき液全般も採用することができる。
【００２５】
また、上述の第１および第２実施形態においては、親水化処理において、酸素（Ｏ２）プラズマを当てる場合で説明したが、これに限られることはなく、例えば酸素（Ｏ２）ラジカルを用いて親水化することも可能である。
【００２６】
さらに、上述の第１および第２実施形態においては、親水化処理において、例えば酸素プラズマによるドライプロセスにより処理する場合で説明したが、これに限られることはなく、表面活性剤等の薬液により親水化処理を行うことも可能である。
【００２７】
更にまた、上述の第１実施形態においては、フォトレジスト３における疎水性を維持させる部分（遮蔽部３ｂ）を形成する（すなわち、プラズマ処理時にフォトレジストの表面が親水化しないようにする）ためにシャドウリング４を採用したが、これに代えて剥離可能な膜を用いることも可能である。
【符号の説明】
【００２８】
１・・・ウエハ
２・・・シード層
３・・・フォトレジスト
３ａ・・・照射部
３ｂ・・・遮蔽部
４・・・シャドウリング
５・・・シールリング
６・・・めっき液
７・・・疎水性材料（シリコン）
８・・・めっき
【図１】
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【図２】
2013125781.tif 000004
【図３】
2013125781.tif 000005