(57)【要約】【課題】  フォークト型散乱関数を使用した電子近接効果の校正方法を提供する。【解決手段】  本発明は、電子顕微鏡に加え、特に、直接的又は間接的な書き込みによるリソグラフィにおいて使用される電子ビームを投影するための方法に適用する。特に、５０ｎｍ未満の臨界寸法又は解像度の場合、対象との相互作用において前記ビームの電子の前方及び後方散乱によって生み出される近接効果は、校正されなければならない。この校正は、従来、点散乱関数と、対象の形状寸法との畳み込みを利用して行われてきた。先行技術において、前記点拡散関数は、ガウス散乱法を利用している。本発明によれば、前記点拡散関数の構成要素のうちの少なくとも１つは、第７種ピアソン関数など、フォークト関数及び／又はフォークト関数を近似化した関数の線形的な組み合わせである。特定の実施態様において、上記の関数の幾つかは、放射線の後方散乱ピーク上で中心化される。【選択図】      図３ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ又はマスク上に電子ビームを投影するための方法であって、前記ビームにおける散乱効果を校正するステップを含み、前記ステップは、点拡散関数を計算するサブステップを含み、前記点拡散関数は、少なくとも１つのフォークト関数と、フォークト関数を近似化した関数とを含む群から選択される関数の線形的な組み合わせである、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つのフォークト関数を近似化した前記関数は、第７種ピアソン関数である、請求項１に記載の投影方法。
【請求項３】
前記関数の線形的な組み合わせは、少なくとも１つのガウス関数も有する、請求項１に記載の投影方法。
【請求項４】
前記点拡散関数を計算するサブステップは、前記線形的な組み合わせに含まれる前記関数のパラメータおよび前記線形的な組み合わせの係数を選択するサブステップを含み、前記選択するサブステップは、一連の実験結果、又は対象に対する放射線の散乱についてのモンテカルロシミュレーションの表示と、前記点拡散関数との間の適合度についての最適化関数の実行を含む、請求項１に記載の投影方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの関数は、前記ビームの中心には配置されない極値を有する、請求項１に記載の投影方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの関数は、前記電子ビームの後方散乱ピークに配置される極値を有する、請求項１に記載の投影方法。
【請求項７】
前記点拡散関数は、前記放射線が後方散乱ピークを有する場合の関数と少なくとも同数の関数の線形的な組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
請求項１に記載のウェハ又はマスク上に電子ビームを投影するための方法を実行するために構成される、プログラムコード命令を含むコンピュータプログラムであって、前記プログラムがコンピュータ上で実行されるとき、前記プログラムは、前記ビームにおいて散乱効果を模擬化及び／又は校正するためのモジュールを含み、前記モジュールは、点拡散関数を計算するためのサブモジュールを含み、前記点拡散関数は、少なくとも１つのフォークト関数と、フォークト関数を近似化した関数とを含む群から選択される関数の線形的な組み合わせである、コンピュータプログラム。
【請求項９】
前記少なくとも１つのフォークト関数を近似化した関数は、第７種ピアソン関数である、請求項８に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１０】
前記関数の線形的な組み合わせは、少なくとも１つのガウス関数も有する、請求項８に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１１】
一連の実験結果、又は対象に対する放射線の散乱についてのモンテカルロシミュレーションの表示と前記点拡散関数との適合度を最適化することにより、前記関数のパラメータおよび前記線形的な組み合わせの係数を計算するためのモジュールをさらに含む、請求項９に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１２】
ウェハ又はマスク上に電子ビームを投影するためのモジュールと、請求項８に記載のコンピュータプログラムとを含む、電子リソグラフィシステム。
【請求項１３】
ウェハ又はマスク上に電子ビームを投影するステップを模擬化するためのモジュールと、請求項８に記載のコンピュータプログラムとを含む、少なくとも１つの電子リソグラフィステップを模擬化するためのシステム。
【請求項１４】
対象に電子ビームを投影するためのモジュールと、請求項８に記載のコンピュータプログラムとを含む、電子顕微鏡システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に、ウェハ上での直接エッチング又はマスク製作のための電場リソグラフィに関する。より一般的には、本発明は、対象を有する電子ビームの相互作用をモデル化するのに必要な如何なる電場に適用し、特にウェハ及びマスクの検査のための電子顕微鏡に適用する。この相互作用は、特に、後方散乱（後方の散乱効果）だけでなく初期の位相周辺の電子の散乱により影響される。近接効果とも呼ばれる、これらの効果は、対象の材質および寸法に依存する。従って、この電子衝撃（エッチング、画像化又は分析）を行うことが望ましい理由が如何なるものであっても、求められる目的に忠実な結果を得るためには近接効果について説明する必要がある。従って、近接効果の校正が行われる。従って、対象に衝撃を加えるのに使用される電子放射線量の計算において前記近接効果を説明するようにモデルを通じて、これらの効果を予測することが知られている。従って、いわゆる点拡散又は散乱関数（又はＰＳＦ）を使用することが知られ、このＰＳＦは、対象の寸法に関連する。汎用されるＰＳＦは、ガウス関数の組み合わせであり、前方散乱（前方散乱のＰＳＦ）をモデル化する第１のガウス関数と、後方散乱（後方散乱のＰＳＦ）をモデル化する１つ以上の追加的なガウス関数との組み合わせである。
【背景技術】
【０００２】
このため、ＰＳＦの式は、従来、以下の形式の関数ｆ（ｘ、ｙ）によって表される。
【数１】
2013222968.tif 000003
式中の表記について、
αは、直接放射線の幅であり、
βは、後方散乱幅であり、
ηは、直接放射線および後方散乱された放射線の強度の比であり、
ζは、一点の放射の位置である。
【０００３】
パラメータα、β，およびηは、所与の方法に関して実験的に決定することができる。これらのパラメータは、機械および対象の加速用電圧に依って異なる。通常、５０キロボルト程度の加速電圧及び対象がケイ素又はガラス（二酸化ケイ素）の場合、αは、３０ｎｍ程度であり、βは、１０μｍ程度であり、ηは、０．５程度である。
【０００４】
しかし、この２つのガウス関数種別のＰＳＦによって付与される衝撃点の周辺でのエネルギー散乱を、モンテカルロモデルを使用したシミュレーションによって生成されたものと比較した場合、有意な散乱が注目される。以降の説明では参照モデルと呼ばれる、このモンテカルロタイプのシミュレーションは、実験結果により近いものであるが、このシミュレーションに必要な計算時間は長くなるため、生成に使用するのは困難である。従って、モデルの質を示す指標は、使用されるＰＳＦと、参照モデルとの間での「適合度」であって、この適合度は、複数の点の正規化された標本寸法に関して２つのモデルを表す２つの曲線との間の二次散乱の合計によって測定される。
【０００５】
特に、シミュレーション結果および実験結果により近いが、モンテカルロシミュレーションよりも遥かに短い時間でパラメータ化して計算することができるＰＳＦの形態を見つけるのに有用と思われる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、ローレンツ関数と、ガウス関数、例えば、フォークト関数とを組み合わせたＰＳＦの等級、或いはこれらの関数を近似化したものを使用して近接効果のモデル化の散乱によって生ずる問題を解決する。
【０００７】
このため、本発明は、前記ビームの散乱効果を校正するステップを有する、ウェハ又はマスク上に電子ビームを投影するための方法であって、前記ステップは、点拡散関数を計算するサブステップを有し、前記点拡散関数は、少なくとも１つのフォークト関数（２３０）と、フォークト関数を近似化した関数とを含む群から選択される関数の線形的な組み合わせである方法に関する。
【０００８】
有利には、フォークト関数を近似化した前記少なくとも１つの関数は、第７種ピアソン関数である。
【０００９】
有利には、前記関数の線形的な組み合わせも、少なくとも１つのガウス関数を有する。
【００１０】
有利には、点拡散関数を計算するサブステップは、線形的な組み合わせに含まれる前記関数のパラメータおよび前記線形的な組み合わせの係数を選択するサブステップを含み、前記選択するサブステップは、一連の実験結果、又は対象に対する放射線の散乱のモンテカルロシミュレーションの表示と、点拡散関数との間の適合度についての最適化関数の実行を含む。
【００１１】
有利には、前記少なくとも１つの関数は、ビームの中心に配置されない極値を有する。
【００１２】
有利には、前記少なくとも１つの関数は、電子ビームの後方散乱ピークに配置される極値を有する。
【００１３】
有利には、前記点拡散関数は、放射線が後方散乱ピークを有するのと、少なくとも同数の関数の線形的な組み合わせである。
【００１４】
この方法を実施するため、本発明は、請求項１のウェハ又はマスク上に電子ビームを投影するための方法の実行のために構成されたプログラムコード命令を有するコンピュータプログラムであって、プログラムがコンピュータ上で実行されるとき、前記プログラムは、前記ビーム内の散乱効果を模擬化及び／又は校正するためのモジュールを有し、前記モジュールは、点拡散関数を計算するためのサブモジュールを有し、前記点拡散関数は、少なくとも１つのフォークト関数と、フォークト関数を近似化した関数とを含む群から選択される関数の線形的な組み合わせである、コンピュータプログラムに関する。
【００１５】
本発明は、ウェハ又はマスク上に電子ビームを投影するためのモジュールと、上述の特性を有するコンピュータプログラムとを含む電子リソグラフィシステムも包含する。
【００１６】
本発明は、ウェハ又はマスク上に電子ビームを投影するステップを模擬化するモジュールと、上述の特性を有するコンピュータプログラムとを含む少なくとも１つの電子リソグラフィステップを模擬化するためのシステムも包含する。
【００１７】
本発明は、ウェハ又はマスク上に電子ビームを投影するステップを模擬化するモジュールと、上述の特性を有するコンピュータプログラムとを含む電子顕微鏡システムも包含する。
【００１８】
使用するものが、４つのフォークト関数を有する関数を含むＰＳＦからなる、本発明の一実施態様において、４つのガウス関数に関して記載されるものよりも８８％低い残存平均二乗誤差における非常に有意な改善を実証することが可能となっている。
【００１９】
さらにまた、本実施態様で使用される関数の等級は、分析的な表記を有し、これら等級は、大掛かりな改変なしに「民生」ツールと容易に統合することができる。関数自体が分析的である累積散乱関数、即ち近接効果の校正に必要な畳み込み計算では、先行技術の解決策と同じ程度の計算上の複雑性が課題となっている。
【００２０】
本発明は、本発明の様々な特性および利点が、以下の、幾つかの例示的な実施態様および添付の図面の詳細から明白になることにより、より良く理解される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】参照モデルによる樹脂によって吸収されるエネルギーの散乱を表す。
【図２】ガウス関数、ローレンツ関数、およびフォークト関数を表す。
【図３ａ】本発明の一実施態様による極度の紫外線下で絶縁された樹脂又はマスクによって吸収されたエネルギーの散乱を表す。
【図３ｂ】本発明の一実施態様による極度の紫外線下で絶縁された樹脂又はマスクによって吸収されたエネルギーの散乱を表す。
【図４ａ】本発明の様々な状況において吸収されるエネルギーの散乱を表す。
【図４ｂ】本発明の様々な状況において吸収されるエネルギーの散乱を表す。
【図４ｃ】本発明の様々な状況において吸収されるエネルギーの散乱を表す。
【図４ｄ】本発明の様々な状況において吸収されるエネルギーの散乱を表す。
【図４ｅ】本発明の様々な状況において吸収されるエネルギーの散乱を表す。
【図４ｆ】本発明の様々な状況において吸収されるエネルギーの散乱を表す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１は、参照モデルによる樹脂によって吸収されるエネルギーの散乱を表す。
出版物、ＣＡＳＩＮＯ  Ｖ２．４２（"Ａ  Ｆａｓｔ  ａｎｄ  Ｅａｓｙ−ｔｏ−ｕｓｅ  Ｍｏｄｅｌｉｎｇ  Ｔｏｏｌ  ｆｏｒ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ  ａｎｄ  Ｍｉｃｒｏａｎａｌｙｓｉｓ  Ｕｓｅｒｓ"，  Ｓｃａｎｎｉｎｇ，  ｖｏｌ．  ２９，  ９２−１０１（２００７），Ｄ．Ｄｒｏｕｉｎ  ｅｔ  ａｌ）は、モンテカルロ手順による電子ビームのエネルギー散乱を模擬化するためのソフトウェアの操作を記載している。このソフトウェアにより、電子と、ビームの対象との間の相互作用について起こりうる様々な物理モデルのパラメータ、主に物質の性質や層の厚さを選択することにより電子ビームの中心周辺でエネルギーが如何に散乱されるかを最も良く説明することが可能である。
【００２３】
図示例において、５０ＫｅＶ（１０６電子）ビームの放射距離の関数として、石英基板上に溶着された１００ｎｍのＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）に吸収されたエネルギーの散乱であって、この表示は二重のロガリズムスケール上（ｌｏｇ（ｋｅＶ／ｎｍ２）および横座標としてｌｏｇ（ｎｍ））に現れる。この散乱は、如何なる水平平坦域を表すものではなく、この平坦域は、この散乱を説明するガウス関数の使用時に必ず存在することが確認されている。このため、ＰＳＦにおけるガウス関数の使用は、この種の吸収されたエネルギー散乱を最も良く説明する上で十分な適合度を有するとは言えない。既に示した通り、本発明の目的は、ＰＳＦのガウス関数のうちの少なくとも１つを別の関数に置き換えて、参照モデルに対応する図１に表す関数の種類の散乱曲線との、より良い適合度を得るようにすることである。
【００２４】
図２は、ガウス関数、ローレンツ関数、およびフォークト関数を表す。
本発明者は、ガウス関数と、ローレンツ関数との畳み込みの積である、フォークト関数、又はこれら関数を正確に近似化したものにより、参照モデルとの適合度が改善されることを示した。ビームζｃの中心に対する距離ζのフォークト関数は、以下の式によって計算される。
【数２】
2013222968.tif 000004
式中、ａは、ガウス関数の標準偏差であり、ｂは、ローレンツ関数の中間高さでの半値幅であり、高さは、前記関数の値、ｘｃ即ち、
【数３】
2013222968.tif 000005
である。
【００２５】
同図において、この３つの関数は、ガウス関数については曲線２１０、ローレンツ関数については曲線２２０、フォークト関数については曲線２３０で表わされる。
【００２６】
分析的に計算するのが容易ではないフォークト関数については、使用するものは、以下の式によって表される第７種ピアソン関数によって近似化されたものからなることが多い。
【数４】
2013222968.tif 000006
式中、Ｍは、形状寸法パラメータ又はピアソン幅であり、ｗは、ピアソンピークの中間高さＦＷＨＭ（半値最大値での全値幅）での幅を付与した距離である。Ｍ<<１のとき、曲線の形状は、ローレンツ曲線を呈する。Ｍ>>１０のとき、曲線の形状は、ガウス曲線を呈する。
【００２７】
本発明によれば、所与の厚さを有する特定の材料の層に対応する放射線厚さについて可能な限り最良の近似化を実現するため、ガウス関数と、フォークト関数又は第７種ピアソン関数との組み合わせに加え、フォークト関数、第７種ピアソン関数を線形的に組み合わせることが可能であって、線形的な組み合わせの係数、および前記関数のパラメータは、参照モデルとの適合度を最適化するために賢明に選択される。この適合度は、残りの平均二乗誤差によって測定される。参照モデルとの適合度を最適化するパラメータの値を計算するには、局所的な最適化のための手順、例えばレーヴェンマルカルドアルゴリズムに基づくものや、より広域な最適化のための簡易アルゴリズム又は手順、例えばクリギング又は汎用のアルゴリズムに基づく手順を使用することが可能である。
【００２８】
後方散乱の共用が有意な場合、特に、極端な紫外線の下でのマスクのエッチングや、（組成の違いを有し、例えば、半導体の領域に近接する酸化物の領域を局所的に有する）構造化された基板のエッチングの場合、本発明の方法と、特に本出願の出願人のうちの一人によって出願された仏国特許出願第１１／５７３３８号明細書に記載の方法とを組み合わせることが考えられる。本発明によれば、使用するものは、ビームの中心に中心化されていないＰＳＦからなる。
【００２９】
図３ａおよび図３ｂは、本発明の一実施態様による極端な紫外線の下で絶縁された樹脂又はマスクによって吸収されるエネルギーの散乱を表す。
【００３０】
図３ａにおいて、純粋に本発明の普遍性についての非限定的な図示によって、この使用のために適合されるマスク（即ち、例えばクロム又はタンタル吸収体で覆われたガラス支持具からなるマスク）が放射線に曝される本発明の一実施態様を表す。曲線３１０ａによって付与される参照モデルは、広域のエネルギー範囲の物質と衝突する電子のための衝突断面を正確に付与するＥＳＥＬＰＡデータベースを使用したＣＡＳＩＮＯシミュレーションソフトウェアによって決定される。ＰＳＦ３６０ａを生成するために４つの第７種ピアソン関数が組み合わされる。
−  曲線３２０ａによって表される第１の関数、ピアソン１は、パラメータＭおよびｗがそれぞれ３および２．２ｎｍに固定される第７種ピアソン関数である。
−  曲線３３０ａによって表される第２の関数、ピアソン２は、パラメータＭおよびｗがそれぞれ１．７および８ｎｍに固定される第７種ピアソン関数である。
−  曲線３４０ａによって表される第３の関数、ピアソン３は、パラメータＭおよびｗがそれぞれ１．５および１，２００ｎｍに固定される第７種ピアソン関数である。
−  曲線３５０ａによって表される第４の関数、ピアソン４は、パラメータＭおよびｗがそれぞれ５０および３００ｎｍに固定される第７種ピアソン関数である。
【００３１】
ＰＳＦは、以下の式の４つの第７種ピアソン関数の線形的な組み合わせである。
ＰＳＦ＝Ｐｅａｒｓｏｎ１ｘＡｉ  ＋  Ｐｅａｒｓｏｎ２ｘＡ２  ＋  Ｐｅａｒｓｏｎ３ｘＡ３  ＋  Ｐｅａｒｓｏｎ４ｘＡ４
式中、上記組み合わせの係数は、以下の値を有する。
−  ｌｏｇ（Ａ１）＝−１．２５となるようなＡ１
−  ｌｏｇ（Ａ２）＝−３．７となるようなＡ２
−  ｌｏｇ（Ａ３）＝−８．５となるようなＡ３
−  ｌｏｇ（Ａ４）＝−１０となるようなＡ４
【００３２】
図３ｂにおいて、純粋に、本発明の普遍性についての非限定的な図示によって、樹脂例えばＰＭＭＡで覆われた基板が放射線を受け入れる本発明の一実施態様を示す。この表示および表記は、図３ａのものと同一である。使用される第７種ピアソン関数も、図３ａのものと同様である。唯一の変更点は、線形的な組み合わせの係数Ａｉである。この場合、これら係数は、以下の値を有する。
−  ｌｏｇ（Ａ１）＝−１．２５となるようなＡ１
−  ｌｏｇ（Ａ２）＝−５．４となるようなＡ２
−  ｌｏｇ（Ａ３）＝−１０となるようなＡ３
−  ｌｏｇ（Ａ４）＝−１１．２となるようなＡ４
これらの値により、参照モデルとの、より良い適合度を得ることが可能である。
【００３３】
図４ａ〜図４ｆは、本発明の使用の様々な状況において吸収されるエネルギーの散乱を表す。
【００３４】
図４ａ〜図４ｆの全てにおいて、参照モデル４１０ａの放射線曲線は、４つのフォークト関数の合計のため本発明の方法４２０ａによって計算されたＰＳＦ、および４つのガウス関数の合計を使用することからなる従来の方法４３０ａによって計算されたものと比較される。
【００３５】
図４ａ〜図４ｅにおいて、放射線は、（これらの図示における２ｎｍ程度の）小さいビームによって出射される。
【００３６】
図４ａにおいて、対象が、ケイ素基板上の１００ｎｍのＰＭＭＡ積層であって、放射線が、１００ＫｅＶのエネルギーを有する場合を図示する。
【００３７】
図４ｂにおいて、対象が、ＥＵＶ（極端な紫外線の）積層であって、放射線が、１００ＫｅＶのエネルギーを有する場合を図示する。
【００３８】
図４ｃにおいて、対象が、ケイ素基板上の１００ｎｍのＰＭＭＡ積層であって、放射線が、５０ＫｅＶのエネルギーを有する場合を図示する。
【００３９】
図４ｄにおいて、対象が、ＥＵＶ（極端な紫外線の）積層であって、放射線が、５０ＫｅＶのエネルギーを有する場合を図示する。
【００４０】
図４ｅにおいて、対象が、ケイ素基板上の１００ｎｍのＰＭＭＡ積層であって、放射線が、１０ＫｅＶのエネルギーを有する場合を図示する。
【００４１】
図４ｆにおいて、対象が、ケイ素基板上の１００ｎｍのＰＭＭＡ積層であって、放射線が、１００ＫｅＶのエネルギーを有する広域ビーム（３０ｎｍ）からなる場合を図示する。
【００４２】
各種曲線から、本発明のＰＳＦと、参照モデルとの間の適合度は、表示された全構成において特に良好である点は注目される。本発明の方法の適合度の質は、参照曲線４１０ｘと、本発明を代表する曲線４２０ｘとを差別化することを許容するものではないが、先行技術を代表する曲線４３０ｘに関し、ガウス関数を使用することで、明確な偏差が確認されている。しかし、本発明の方法は、他の使用条件においても実施することができる。
【００４３】
本発明によれば、フォークト関数又は第７種ピアソン関数は、結果として生じた散乱が電子ビームの中心に関して中心化されるか、非中心化されるかの方式において選択される。後方散乱が支配的になる条件の場合、一定のピークの中心ズレが考えられる。好ましい態様において、この散乱の中心は、後方散乱ピーク（後方散乱）に調整される。この選択は、後方散乱効果が特に有意なときに特に有利であり、特に、極端な紫外線マスクの製作への適用の場合同様、基板上でタンタル層又は窒素ドープされたタンタル層が埋め込まれるときに有利である。実際、これら重金属の層は、非常に好ましい後方散乱を引き起こす。よって、前記ピークは、電子ビームに関して中心からずれていることは、実験的にもモンテカルロシミュレーションによっても確かに注目される。散乱ピークは幾つかあってもよい。この場合、有利には、散乱ピークと同数のフォークト又は第７種ピアソン関数とを組み合わせることが選択される。吸収されたエネルギーの散乱を表す曲線上では、散乱ピークは、この曲線の高さでの勾配の変化によって立証することができる。このため、有利には、確認可能な勾配の変化と同数のフォークト又は第７種ピアソン関数とを組み合わせることが可能である。また、必ずしも適合度を改善する必要がない場合でも、適宜、少なくとも１つの関数、或いは各ピークに各関数を中心化するために選択することが可能である。
【００４４】
本発明の方法を、ウェハ上での直接投影又はマスクエッチングによる電子リソグラフィへの適用において実施するため、例えばＶＩＳＴＥＣ（商標）社のＳＢ３０５４というタイプのマシンを使用することが可能である。本発明によれば、例えばＳｙｎｏｐｓｉｓ（商標）社のＰＲＯＸＥＣＣＯ（商標）ソフトウェアや、Ａｓｅｌｔａ  Ｎａｎｏｇｒａｐｈｉｃｓ（商標）社のＩｎｓｃａｌ（商標）ソフトウェアなどの線量変調ソフトウェアを改変して先行技術の後方散乱のＰＳＦを上述の後方散乱のＰＳＦに置き換えることにより、線量変調を行ってもよい。前方散乱のＰＳＦの場合、先行技術同様、中心化されたガウス関数でも、ビームの中心上に中心化される他のいずれかの種類の鐘曲線でも使用することが可能である。
【００４５】
線量変調は、ＰＳＦ（前方散乱のＰＳＦ及び後方散乱のＰＳＦ）をエッチング対象のパターンの形状寸法で畳み込んで行われる。本発明の特許出願の出願人のうちの一人に許可された国際出願ＰＣＴ／ＥＰ２０１１／０５５８３号明細書において記載されたものなどの方法によれば、このソフトウェアは、有利には、線量変調の最適化と、エッチング対象のパターンの形状寸法の最適化とを組み合わせて行うように改変することもできる。
【００４６】
本発明の方法、および本方法を実施するためのコンピュータプログラムは、画像化において、又はウェハ又はマスクの検査を行うために使用することができる走査式電場効果又はトンネル効果による電子顕微鏡システムのＰＳＦを最適化するように使用することもできる。本方法及びプログラムは、電子リソグラフィ方法の１つ以上のステップのシミュレーションを実行するために適合させることもできる。
【００４７】
従って、上述の例は、本発明の各実施態様の例示によって付与される。但し、これらの例は、以下の請求項によって定義される本発明の分野を如何なる手法においても限定するものではない。
【図１】
2013222968.tif 000007
【図２】
2013222968.tif 000008
【図３ａ】
2013222968.tif 000009
【図３ｂ】
2013222968.tif 000010
【図４ａ】
2013222968.tif 000011
【図４ｂ】
2013222968.tif 000012
【図４ｃ】
2013222968.tif 000013
【図４ｄ】
2013222968.tif 000014
【図４ｅ】
2013222968.tif 000015
【図４ｆ】
2013222968.tif 000016