(57)【要約】【課題】液晶層を間に保持する一対の基板の互いに対向する面側に膜質の差が小さい誘電体膜を形成することのできる液晶装置の製造方法を提供すること。【解決手段】液晶パネルを製造するにあたって、配向膜１６の形成工程Ｓ２では、成膜速度のモニター結果をフィードバックして成膜速度が目標値となるように成膜条件を制御するため、所望の膜質の配向膜１６を形成することができる。また、配向膜２６の形成工程では、配向膜１６の形成工程の際に成膜条件の時間的変化を記録しておいたログデータと同一に成膜条件を時間的に変化させるため、配向膜２６は、配向膜１６と膜質の差が極めて小さい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極が一方面に形成された第１基板と、該第１基板の前記一方面に対向する面側に第２電極が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を有し、前記第１電極の前記液晶層側に気相堆積法により第１誘電体膜が形成され、前記第２電極の前記液晶層側に前記第１誘電体膜と同一の材料および同一の気相堆積法により第２誘電体膜が形成された液晶装置の製造方法であって、
前記第１誘電体膜の形成工程では、成膜速度のモニター結果をフィードバックして成膜速度が目標値となるように成膜条件を制御するとともに、当該成膜条件の時間的変化をログデータとして記録しておき、
前記第２誘電体膜の形成工程では、前記ログデータと同一に成膜条件を時間的に変化させることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜は、斜方蒸着法により形成された配向膜であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記成膜条件は、蒸着源を加熱する電子ビームを発生させる際の駆動電流であることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記液晶装置では、前記第１電極および前記第２電極に通電して画像を表示する際、前記第２電極の電位に対する前記第１電極の電位の極性が期間毎に反転することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１誘電体膜の形成工程を行った後、別の前記第１基板に前記第１誘電体膜を形成する工程では、前記ログデータと同一に成膜条件を時間的に変化させることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶層を間に保持する一対の基板の互いに対向する面側に同一の気相堆積法および同一の誘電材料により誘電体膜が形成された液晶装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、画素トランジスターおよび画素電極等が形成された素子基板と、共通電極が形成された対向基板とがシール材によって貼り合わされた液晶パネルを有しており、素子基板と対向基板との間でシール材により囲まれた領域に液晶層が保持されている。また、素子基板では画素電極の上層に斜方蒸着膜からなる配向膜が形成され、対向基板では共通電極の上層に斜方蒸着膜からなる配向膜が形成されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１１９４０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、素子基板側の配向膜と対向基板側の配向膜は、同一の材料で構成されている。また、素子基板側の配向膜を形成する斜方蒸着工程、および対向基板側の配向膜を形成する斜方蒸着工程では、成膜速度のモニター結果をフィードバックして成膜速度が目標値となるように、電子ビームの強度（電子ビーム発生装置での駆動電流）等の成膜条件を制御する。すなわち、成膜速度が目標値となるように、電子ビームの強度等の成膜条件を時間的に変化させる。このため、素子基板側の配向膜と対向基板側の配向膜とは、同質となるはずである。
【０００５】
しかしながら、実際には、素子基板側の配向膜の膜質と対向基板側の配向膜の膜質とに差が発生することがあり、このような膜質の差は、液晶装置を極性反転駆動した際、電荷移動量に差を発生させる等の原因となる。その結果、極性反転駆動方式の液晶装置において、画像がちらつく等、画像の品位が低下する。
【０００６】
かかる点に関して本願発明者が検討を行った結果、成膜速度が目標値となるように、電子ビームの強度等の成膜条件を時間的に変化させた際の変化のパターンの差が、素子基板側の配向膜の膜質と対向基板側の配向膜の膜質とに差を発生させるという新たな知見を得た。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、液晶層を間に保持する一対の基板の互いに対向する面側に膜質の差が小さい誘電体膜を形成することのできる液晶装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、第１電極が一方面に形成された第１基板と、該第１基板の前記一方面に対向する面側に第２電極が形成された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を有し、前記第１電極の前記液晶層側に気相堆積法により第１誘電体膜が形成され、前記第２電極の前記液晶層側に前記第１誘電体膜と同一の材料および同一の気相堆積法により第２誘電体膜が形成された液晶装置の製造方法であって、前記第１誘電体膜の形成工程では、成膜速度のモニター結果をフィードバックして成膜速度が目標値となるように成膜条件を制御するとともに、当該成膜条件の時間的変化をログデータとして記録しておき、前記第２誘電体膜の形成工程では、前記ログデータと同一に成膜条件を時間的に変化させることを特徴とする。
【０００９】
本発明において、第１誘電体膜の形成工程では、成膜速度のモニター結果をフィードバックして成膜速度が目標値となるように成膜条件を制御するため、所望の膜質の第１誘電体膜を形成することができる。また、第２誘電体膜の形成工程では、第１誘電体膜の形成工程の際に成膜条件の時間的変化を記録しておいたログデータと同一に成膜条件を時間的に変化させるため、第２誘電体膜は、第１誘電体膜と膜質の差が極めて小さい。それ故、液晶層を間に保持する一対の基板（第１基板および第２基板）の互いに対向する面側に膜質の差が小さい誘電体膜を形成することができる。
【００１０】
本発明において、前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜は、例えば、斜方蒸着法により形成された配向膜である。
【００１１】
この場合、前記成膜条件は、例えば、蒸着源を加熱する電子ビームを発生させる際の駆動電流である。かかる構成によれば、駆動電流の時間的変化を一致させるだけで、液晶層を間に保持する一対の基板（第１基板および第２基板）の互いに対向する面側に膜質の差が小さい誘電体膜を形成することができる。
【００１２】
本発明は、前記液晶装置において、前記第１電極および前記第２電極に通電して画像を表示する際、前記第２電極の電位に対する前記第１電極の電位の極性が期間毎に反転する場合に適用すると、効果が顕著である。かかる反転駆動を行った際、第１基板側の第１誘電膜と第２基板側の第２誘電膜とに大きな膜質の差があると、画像の品位が低下しやすいが、本発明によれば、かかる画像の品位の低下を防止することができる。
【００１３】
本発明において、前記第１誘電体膜の形成工程を行った後、別の前記第１基板に前記第１誘電体膜を形成する工程では、前記ログデータと同一に成膜条件を時間的に変化させることが好ましい。かかる構成によれば、複数の液晶装置を製造した場合、液晶層を間に保持する一対の基板（第１基板および第２基板）の互いに対向する面側に膜質の差が小さい誘電体膜を形成することができるとともに、複数の液晶装置の各々において、膜質の差が小さい誘電体膜を形成することができる。それ故、液晶装置間における画像の品位に差が発生しにくい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明を適用した液晶装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図２】本発明を適用した液晶装置の製造工程を示す説明図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置の製造工程において、配向膜を形成する工程の説明図である。
【図４】本発明を適用した液晶装置の製造工程において、配向膜を形成した際の成膜条件の時間的変化の第１例を示す説明図である。
【図５】本発明を適用した液晶装置の製造工程において、配向膜を形成した際の成膜条件の時間的変化の第２例を示す説明図である。
【図６】本発明を適用した液晶装置の製造工程において、配向膜を形成した際の成膜条件の時間的変化の第３例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、第１基板を素子基板１０とし、第２基板を対向基板２０としてある。この場合、画素電極９ａおよび配向膜１６が各々、第１電極および第１配向膜に相当し、共通電極２１および配向膜２６が各々、第２電極および第２配向膜に相当する。但し、第１基板を対向基板２０とし、第２基板を素子基板１０とした場合でも本発明を適用することができ、この場合、共通電極２１および配向膜２６が各々、第１電極および第１配向膜に相当し、画素電極９ａおよび配向膜１６が各々、第２電極および第２配向膜に相当する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１６】
（液晶装置の全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置に用いた液晶パネルの説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００１７】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶装置１は、素子基板１０（第１基板）と対向基板２０（第２基板）とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされた液晶パネル３を有している。液晶パネル３において、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、素子基板１０と対向基板２０との間においてシール材１０７により囲まれた領域内に液晶層５０が保持されている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。シール材１０７は、途切れ部分からなる液晶注入口１０７ａを有しており、液晶注入口１０７ａは封止材１０６によって塞がれている。かかる構成の液晶パネル３は、素子基板１０と対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせて液晶注入口１０７ａを備えた空セル３ｅを形成した後、液晶材料５０ａを注入し、しかる後に、液晶注入口１０７ａを封止材１０６によって塞ぐことにより製造される。
【００１８】
本形態において、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０は、Ｘ方向に延在するとともにＹ方向で互いに対向する２つの端部１０ａ、１０ｂと、Ｙ方向に延在するとともにＸ方向で互いに対向する２つの端部１０ｃ、１０ｄとを備えている。また、対向基板２０は、Ｘ方向に延在するとともにＹ方向で互いに対向する２つの端部２０ａ、２０ｂと、Ｙ方向に延在するとともにＸ方向で互いに対向する２つの端部２０ｃ、２０ｄとを備えている。液晶パネル３の略中央には、画素領域１ａ（画像表示領域）が四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０の一方側の基板面において、画素領域１ａには、画素トランジスター（図示せず）や画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には、第１誘電体膜として、シリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる配向膜１６が形成されている。また、素子基板１０の一方面側において、周辺領域１ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００１９】
素子基板１０は、対向基板２０の端部２０ａから一方側（Ｙ方向）に張り出した張出領域１０５を備えており、かかる張出領域１０５には、素子基板１０の一方側の端部１０ａに沿って複数の端子１０２が形成されている。張出領域１０５では、端子１０２が配列されている領域に対して端部１０ａが位置する側とは反対側にデータ線駆動回路１０１が形成されている。また、素子基板１０には、Ｘ方向で対向する端部１０ｃ、１０ｄに沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２０】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には、第１誘電体膜として、シリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる配向膜２６が形成されており、かかる配向膜２６は、配向膜１６と同一の気相堆積法（斜方蒸着法）および同一の材料により形成されている。
【００２１】
共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素に跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は対向基板２０の全面に形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる位置にブラックマトリクスとして形成されることもある。
【００２２】
このように構成した液晶パネル３において、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる位置に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。かかる基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。
【００２３】
かかる構成の液晶装置１において、画素電極９ａおよび共通電極２１を透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａを反射性電極として構成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１では、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル３に対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１は、投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２４】
このように構成した液晶装置１において、液晶パネル３では、液晶層５０に誘電率異方性が負の液晶材料５０ａが用いられており、液晶パネル３は、電圧がかかっていないときを遮光状態とするノーマリーブラックモードとして用いられる。また、液晶装置１においては、画素電極９ａおよび共通電極２１に通電して画像を表示する際、共通電極２１の電位に対する画素電極９ａの電位の極性が１フレーム毎（期間毎）に反転するフレーム反転駆動が行われる。
【００２５】
（液晶装置１の製造方法の概要）
図２は、本発明を適用した液晶装置１の製造工程を示す説明図である。図１および図２に示すように、本形態の液晶装置１（液晶パネル３）を製造するには、まず、素子基板１０に対して画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１を行った後、斜方蒸着法、印刷法、スピンコート法等により配向膜１６を形成する配向膜１６の形成工程Ｓ２を行う。本形態において、配向膜１６は、斜方蒸着された無機配向膜が用いられている。
【００２６】
一方、対向基板２０に対しては、共通電極２１等の形成工程Ｓ１１を行った後、斜方蒸着法、印刷法、スピンコート法等により配向膜２６を形成する配向膜２６の形成工程Ｓ１２を行う。本形態において、配向膜２６は、斜方蒸着された無機配向膜が用いられている。
【００２７】
次に、空セル形成工程Ｓ２０では、素子基板１０と対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせて液晶注入口１０７ａを備えた液晶パネル３用の空セル３ｅを形成する。より具体的には、まず、素子基板１０に対してシール材１０７を塗布するシール印刷工程Ｓ２１を行う。かかるシール材１０７の塗布は、ノズルからシール材を突出しながら、ノズルと素子基板１０とを相対移動させて、シール材１０７を矩形枠状に描画する。次に、シール材１０７によって素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる貼り合わせ工程Ｓ２５を行う。かかる貼り合わせ工程Ｓ２５では、まず、重ね合わせ工程Ｓ２２において、シール材１０７を間に挟んで素子基板１０と対向基板２０とを重ね合わせ、その後に、シール硬化工程Ｓ２３においてシール材１０７を硬化させ、空セル３ｅを構成する。かかるシール硬化工程Ｓ２３では、例えば、対向基板２０側からＵＶ光等を照射してシール材１０７を硬化させる。
【００２８】
次に、液晶封入工程Ｓ３０では、誘電率異方性が負の液晶材料５０ａを空セル３ｅ内に注入した後、液晶注入口１０７ａを封止材１０６で塞ぐ。かかる液晶封入工程Ｓ３０では、まず、液晶注入工程Ｓ３１において、真空注入法により、液晶注入口１０７ａから空セル３ｅ内に液晶材料５０ａを注入した後、封止工程Ｓ３４において、液晶注入口１０７ａに光硬化性樹脂からなる封止材１０６を塗布し、その後、封止材１０６を光硬化させて液晶注入口１０７ａを封止材１０６で塞ぐ。
【００２９】
本形態では、液晶封入工程Ｓ３０までは、素子基板１０として大型基板を用い、液晶封入工程Ｓ３０の後、切断工程Ｓ４０において、大型基板を単品サイズの素子基板１０に切断して、単品サイズの液晶パネル３を得る。また、対向基板２０としては、配向膜２６の形成工程Ｓ１２までは大型基板を用い、配向膜２６の形成工程の後、単品サイズの対向基板２０に切断する。なお、対向基板２０としては、空セル形成工程Ｓ２０まで大型基板を用い、貼り合わせ工程Ｓ２５の後、単品サイズの対向基板２０に切断することもある。
【００３０】
（配向膜１６、２６の形成工程）
図３は、本発明を適用した液晶装置１の製造工程において、配向膜１６、２６を形成する工程の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、配向膜１６を形成する工程の説明図、および配向膜２６を形成する工程の説明図である。図４は、本発明を適用した液晶装置１の製造工程において、配向膜１６、２６を形成した際の成膜条件の時間的変化の第１例を示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、配向膜１６を形成した際の成膜条件の時間的変化を示す説明図、配向膜１６を形成した際のログデータの説明図、および配向膜２６を形成した際の成膜条件の時間的変化を示す説明図である。図５は、本発明を適用した液晶装置１の製造工程において、配向膜１６、２６を形成した際の成膜条件の時間的変化の第２例を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、配向膜１６を形成した際の成膜条件の時間的変化を示す説明図、配向膜１６を形成した際のログデータの説明図、および配向膜２６を形成した際の成膜条件の時間的変化を示す説明図である。図６は、本発明を適用した液晶装置１の製造工程において、配向膜１６、２６を形成した際の成膜条件の時間的変化の第３例を示す説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、配向膜１６を形成した際の成膜条件の時間的変化を示す説明図、配向膜１６を形成した際のログデータの説明図、および配向膜２６を形成した際の成膜条件の時間的変化を示す説明図である。
【００３１】
本形態の液晶装置１を製造するにあたって、図２に示す配向膜１６の形成工程Ｓ２（第１誘電体膜の形成工程）では、図３（ａ）に示す蒸着装置４０において斜方蒸着が行われる。蒸着装置４０は、蒸着室４１の内部に、シリコン酸化物からなる蒸着源が配置された坩堝４２が配置され、蒸着室４１に対しては、蒸着源を加熱するための電子ビームＢを発生させる電子ビーム発生装置４３が設けられている。また、蒸着室４１の壁面には、真空排気管４６等が接続されている。蒸着室４１に対しては、素子基板１０を構成するための大型基板１０ｘの搬入および搬出を行うロボット４７が設けられており、大型基板１０ｘ（素子基板１０）は、蒸着室４１の内部において坩堝４２の斜め上方に傾斜姿勢で配置される。また、蒸着室４１の内部において、坩堝４２の上方には、水晶振動子等を利用した成膜速度モニター装置４５が配置されている。
【００３２】
蒸着室４１の外部には制御装置４８が設けられている。制御装置４８には、成膜速度モニター装置４５から成膜速度のモニター結果がフィードバックされる電子ビーム制御部４８１が設けられ、電子ビーム制御部４８１は、成膜速度モニター装置４５から成膜速度のモニター結果がフィードバックされた際、成膜速度が目標値となるように、電子ビーム発生装置４３に対して、電子ビームを発生させるための駆動電流を変化させる。また、制御装置４８には、成膜速度モニター装置４５から成膜速度のモニター結果を記憶しておくモニター結果記憶部４８２と、駆動電流を実際に変化させた際のデータをログデータとして記憶しておくログデータ記憶部４８３とが設けられている。
【００３３】
かかる蒸着装置４０において、蒸着室４１内を真空雰囲気とし、電子ビームＢによって坩堝４２内の蒸着源（シリコン酸化物）を加熱すると、蒸着流Ｐが発生し、蒸着流Ｐの一部が、矢印Ｐ１で示すように、大型基板１０ｘ（素子基板１０）に向かい、配向膜１６として堆積する。また、蒸着流Ｐの他の一部は、矢印Ｐ２で示すように、成膜速度モニター装置４５に向かい、成膜速度モニター装置４５に堆積する。
【００３４】
本形態では、成膜速度モニター装置４５で得られた成膜速度のモニター結果を制御装置４８の電子ビーム制御部４８１にフィードバックする。そして、電子ビーム制御部４８１は、成膜速度が、図４（ａ）に一点鎖線Ｌ１１で示す目標値となるように、電子ビーム発生装置４３に対して、電子ビームを発生させるための駆動電流（成膜条件）を時間的に変化させる。かかる駆動電流の変化は、図４（ａ）に実線Ｌ１２に示す通りである。ここで、成膜開始直後は、成膜速度が遅いので、駆動電流のレベルが高く、成膜が進むにつれて、駆動電流のレベルが漸減していく。その間、駆動電流は小さく変化している。
【００３５】
かかる駆動電流の時間的変化は、図４（ｂ）に実線Ｌ１３で示すログデータとして、図３（ａ）を参照して説明したログデータ記憶部４８３に記憶される。また、成膜速度モニター装置４５で得られた成膜速度のモニター結果は、図３（ａ）を参照して説明したモニター結果記憶部４８２に記憶される。
【００３６】
次に、図２に示す配向膜２６の形成工程Ｓ１２（第２誘電体膜の形成工程）でも、図３（ａ）に示す蒸着装置４０において斜方蒸着を行う。その際は、図３（ｂ）に示すように、対向基板２０を構成するための大型基板２０ｘに対して斜方蒸着が行われる。また、配向膜２６の形成工程Ｓ１２では、電子ビーム制御部４８１が、配向膜１６を形成した際のログデータ（図４（ｂ）参照）をログデータ記憶部４８３から読み出し、かかるログデータと同一に駆動電流（成膜条件）が時間的に変化するように、電子ビーム発生装置４３を制御する。すなわち、配向膜２６の形成工程Ｓ１２の際、電子ビーム発生装置４３での駆動電流は、図４（ｃ）に実線Ｌ１４で示すように、図４（ｂ）に実線Ｌ１３で示すログデータと同一に時間的に変化する。なお、配向膜２６の形成工程Ｓ１２では、成膜速度モニター装置４５で得られた成膜速度のモニター結果は、電子ビーム制御部４８１にフィードバックされずに、モニター結果記憶部４８２に記憶される。
【００３７】
かかる製造方法は、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、配向膜１６の形成工程Ｓ２（第１誘電体膜の形成工程）において、駆動電流に急激な低下Ｌ２１が発生した場合も適用される。このため、配向膜２６の形成工程Ｓ１２（第２誘電体膜の形成工程）では、図５（ｃ）に実線Ｌ１４で示すように、図５（ｂ）に示すログデータと同一に駆動電流を時間的に変化させる。
【００３８】
また、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、配向膜１６の形成工程Ｓ２（第１誘電体膜の形成工程）において、駆動電流に急激な低下Ｌ２２が２回発生した場合も、配向膜２６の形成工程Ｓ１２（第２誘電体膜の形成工程）では、図６（ｃ）に実線Ｌ１４で示すように、図６（ｂ）に示すログデータと同一に駆動電流を時間的に変化させる。
【００３９】
また、液晶装置１の製造工程では、素子基板１０用の複数の大型基板１０ｘを順次、蒸着室４１に投入し、配向膜１６を形成する。また、対向基板２０用の複数の大型基板２０ｘを順次、蒸着室４１に投入し、配向膜２６を形成する。この場合、２回目以降の配向膜１６の形成工程Ｓ２、および全ての配向膜２６の形成工程Ｓ１２のいずれにおいても、図４（ｃ）、図５（ｃ）および図６（ｃ）を参照して説明したように、最初の配向膜１６の形成工程Ｓ２（第１誘電体膜の形成工程）で得られたログデータと同一に駆動電流を変化させる。すなわち、配向膜１６の形成工程Ｓ２（第１誘電体膜の形成工程）を行った後、別の素子基板１０（大型基板１０ｘ）に配向膜１６を形成する工程では、最初の配向膜１６の形成工程Ｓ２（第１誘電体膜の形成工程）で得られたログデータと同一に駆動電流を変化させる。
【００４０】
ここで、成膜速度モニター装置４５で得られた成膜速度のモニター結果を電子ビーム制御部４８１にフィードバックする工程は、例えば、成膜工程を所定期間中断し、その後、再開する場合に実施され、その際に得られたログデータが、以降の工程で用いられる。また、配向膜１６の形成工程と、配向膜２６の形成工程とを交互に行い、配向膜１６の形成工程では、その都度、成膜速度モニター装置４５で得られた成膜速度のモニター結果を電子ビーム制御部４８１にフィードバックし、ログデータを更新してもよい。
【００４１】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１の製造方法においては、配向膜１６（第１誘電体膜）の形成工程Ｓ２では、成膜速度のモニター結果をフィードバックして成膜速度が目標値となるように成膜条件を制御するため、所望の膜質の配向膜１６を形成することができる。また、配向膜２６（第２誘電体膜）の形成工程Ｓ１２では、配向膜１６の形成工程Ｓ２の際に成膜条件の時間的変化を記録しておいたログデータと同一に成膜条件を時間的に変化させるため、配向膜２６は、配向膜１６と膜質の差が極めて小さい。それ故、液晶層５０を間に保持する一対の基板（素子基板１０および対向基板２０）の互いに対向する面側に膜質の差が小さい配向膜１６、２６を形成することができる。
【００４２】
それ故、液晶装置１において、画素電極９ａ（第１電極）および共通電極２１（第２電極）に通電して画像を表示する際、１フレーム毎に極性反転駆動を行った場合でも、配向膜１６、２６の膜質の差が小さいので、画素電極９から共通電極２１に向かう電荷移動量と、共通電極２１から画素電極９に向かう電荷移動量とのバランスが崩れない。それ故、極性反転駆動方式の液晶装置１において、画像がちらつく等の画像の品位低下を防止することができる。
【００４３】
また、ログデータとして利用する成膜条件は、蒸着源を加熱する電子ビームＢを発生させる際の駆動電流である。かかる構成によれば、駆動電流の時間的変化を一致させるだけで、液晶層５０を間に保持する一対の基板（素子基板１０および対向基板２０）の互いに対向する面側に膜質の差が小さい配向膜１６、２６を形成することができる。
【００４４】
さらに、配向膜１６の形成工程Ｓ２（第１誘電体膜の形成工程）を行った後、別の素子基板１０（大型基板１０ｘ）に配向膜１６を形成する工程では、最初の配向膜１６の形成工程Ｓ２（第１誘電体膜の形成工程）で得られたログデータと同一に駆動電流を変化させる。このため、複数の液晶装置１を製造した場合、液晶装置１間における画像の品位に差が発生しにくい。
【００４５】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、気相堆積法として斜方蒸着を例示したが、その他の蒸着法を採用した場合に本発明を適用してもよい。また、気相堆積法としてスパッタ法を採用した場合に本発明を適用してもよく、この場合の成膜条件としてはスパッタ電流を例示することができる。また、気相堆積法としてプラズマＣＶＤ法を採用した場合に本発明を適用してもよく、この場合の成膜条件としてはプラズマ発生用の駆動電流を例示することができる。
【００４６】
上記実施の形態では、第１誘電体膜および第２誘電体膜として配向膜１６、２６を例示したが、配向膜１６と画素電極９ａとの間、および配向膜２６と共通電極２１との間に絶縁下地膜が形成される場合、かかる絶縁下地膜を各々、第１誘電体膜および第２誘電体膜として、本発明を適用した方法で形成してもよい。
【００４７】
上記実施の形態では、液晶装置１として透過型の液晶装置を例示したが、反射型の液晶装置の製造方法に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１・・液晶装置、３・・液晶パネル、３ｅ・・空セル、９ａ・・画素電極（第１電極）、１０・・素子基板（第１基板）、１０ｘ・・大型基板（第１基板）、１６・・配向膜（第１誘電体膜）、２０・・対向基板（第２基板）、２０ｘ・・大型基板（第２基板）、２１・・共通電極（第２電極）、２６・・配向膜（第２誘電体膜）、４０・・蒸着装置、４１・・蒸着室、４２・・坩堝、４３・・電子ビーム発生装置、４５・・成膜速度モニター装置、４８・・制御装置、５０・・液晶層
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図３】
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