(57)【要約】【課題】構成に要する費用が嵩むことを防止しつつ、スイッチング回路の損失を低減させる。【解決手段】ハイ側およびロー側スイッチング素子の各オンデューティを独立に設定可能なＰＷＭ演算部２５は、相電流検出部３２によって検出されたモータに流れる負荷電流に基づき、ハイ側スイッチング素子およびロー側スイッチング素子のうち何れのスイッチング素子に順方向電流が流れていないかを判定する。逆方向デューティ判定部２５ａは、負荷電流の絶対値あるいは順方向電流の導通損失が所定値以上の場合に、順方向電流が流れていないと判定されたスイッチング素子のオンデューティをゼロに設定すると判定する。ＰＷＭ演算部２５は、逆方向デューティ判定部２５ａの判定結果に応じて、順方向電流が流れていないと判定したスイッチング素子のオンデューティをゼロに設定する。【選択図】図１
2013021868.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイ側スイッチング素子および還流ダイオードを逆並列に接続してなるハイ側アームと、ロー側スイッチング素子および還流ダイオードを逆並列に接続してなるロー側アームとを、直列に接続して構成されるスイッチング回路の制御装置であって、
所定のスイッチング周期において、前記ハイ側スイッチング素子のオンデューティと前記ロー側スイッチング素子のオンデューティとを独立に設定可能なデューティ設定手段と、
前記ハイ側アームおよび前記ロー側アームの接続点に接続された負荷に流れる負荷電流を検出する負荷電流検出手段と、
前記負荷電流検出手段によって検出された前記負荷電流に基づき、前記ハイ側スイッチング素子および前記ロー側スイッチング素子のうち何れのスイッチング素子に順方向電流が流れていないかを判定する第１判定手段と、を備え、
前記デューティ設定手段は、前記第１判定手段によって前記順方向電流が流れていないと判定された前記スイッチング素子の前記オンデューティをゼロに設定する
ことを特徴とするスイッチング回路の制御装置。
【請求項２】
前記第１判定手段によって前記順方向電流が流れていないと判定された前記スイッチング素子の前記オンデューティをゼロに設定するか否かを判定する第２判定手段を備え、
前記デューティ設定手段は、
前記第２判定手段によって前記オンデューティをゼロに設定すると判定された場合に、前記第１判定手段によって前記順方向電流が流れていないと判定された前記スイッチング素子の前記オンデューティをゼロに設定する
ことを特徴とする請求項１に記載のスイッチング回路の制御装置。
【請求項３】
前記第２判定手段は、
前記負荷電流の絶対値あるいは前記順方向電流の導通損失が所定値以上の場合に、前記第１判定手段によって前記順方向電流が流れていないと判定された前記スイッチング素子の前記オンデューティをゼロに設定すると判定する
ことを特徴とする請求項２に記載のスイッチング回路の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、スイッチング回路の制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば電動車両などに搭載され、直流電源から供給される電力を用いてスイッチング回路のスイッチング素子をＯＮ／ＯＦＦ制御することでモータなどの負荷を駆動させる電圧変換装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この電圧変換装置に具備されるスイッチング回路は、高電位側端子に接続されてハイサイドアームを構成するハイ側スイッチング素子と、低電位側端子に接続されてローサイドアームを構成するロー側スイッチング素子と、各スイッチング素子に逆導通方向に並列に接続される還流ダイオードとにより構成され、ハイサイドアームとローサイドアームとの接続点にはモータなどの誘導性負荷が接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４３０６２３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記従来技術に係る電圧変換装置に具備されるスイッチング回路において、例えばスイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor）のような逆導通可能な双方向性の半導体素子を採用して、例えば相補ＰＷＭ（パルス幅変調）によってハイサイドアームおよびローサイドアームの各スイッチング素子を交互にＯＮ／ＯＦＦ駆動させると、各スイッチング素子がＯＮからＯＦＦへと切り換わるときにスイッチング回路に流れる転流電流（逆方向電流）は並列接続されたスイッチング素子および還流ダイオードに流れる。
【０００５】
この場合には、例えば転流電流（逆方向電流）が還流ダイオードのみに流れる場合に比べて、並列接続されたスイッチング素子および還流ダイオードの合成抵抗が小さくなることに伴って、スイッチング回路全体としての損失を低減させることができる。
しかも、還流ダイオードの導通損失および発熱が低減されることから、例えば還流ダイオードを小型化するなどによって還流ダイオードの耐熱性能を低下させることができ、還流ダイオードに必要される費用を削減することができる。
【０００６】
しかしながら、スイッチング素子では順方向電流が流れる場合と転流電流（逆方向電流）が流れる場合との両方において導通損失が生じ、例えば順方向電流のみが流れる場合に比べて、スイッチング素子での発熱の増大に伴って耐熱性能を増大させる必要が生じる虞がある。
スイッチング素子の耐熱性能を増大させるためには、例えば、スイッチング素子を大型化したり、スイッチング素子を並列化された複数の素子により構成するなどの方法が知られているが、スイッチング素子は還流ダイオードに比べて複雑な構造を有することから、スイッチング素子の耐熱性能を増大させることに要する費用が還流ダイオードの耐熱性能を低下させることで削減される費用を上回る虞があり、構成に要する費用が嵩むという問題が生じる。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、構成に要する費用が嵩むことを防止しつつ、スイッチング回路の熱損傷を防止することが可能なスイッチング回路の制御装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決して係る目的を達成するために、本発明の請求項１に係るスイッチング回路の制御装置は、ハイ側スイッチング素子（例えば、実施の形態での各トランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨ）および還流ダイオード（例えば、実施の形態での各還流ダイオードＤＵＨ，ＤＶＨ，ＤＷＨ）を逆並列に接続してなるハイ側アームと、ロー側スイッチング素子（例えば、実施の形態での各トランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬ）および還流ダイオード（例えば、実施の形態での各還流ダイオードＤＵＬ，ＤＶＬ，ＤＷＬ）を逆並列に接続してなるロー側アームとを、直列に接続して構成されるスイッチング回路の制御装置であって、所定のスイッチング周期において、前記ハイ側スイッチング素子のオンデューティと前記ロー側スイッチング素子のオンデューティとを独立に設定可能なデューティ設定手段（例えば、実施の形態でのＰＷＭ演算部２５）と、前記ハイ側アームおよび前記ロー側アームの接続点に接続された負荷（例えば、実施の形態でのモータ１２）に流れる負荷電流を検出する負荷電流検出手段（例えば、実施の形態での各相電流検出部３２）と、前記負荷電流検出手段によって検出された前記負荷電流に基づき、前記ハイ側スイッチング素子および前記ロー側スイッチング素子のうち何れのスイッチング素子に順方向電流が流れていないかを判定する第１判定手段（例えば、実施の形態でのＰＷＭ演算部２５が兼ねる）と、を備え、前記デューティ設定手段は、前記第１判定手段によって前記順方向電流が流れていないと判定された前記スイッチング素子の前記オンデューティをゼロに設定する。
【０００９】
さらに、本発明の請求項２に係るスイッチング回路の制御装置は、前記第１判定手段によって前記順方向電流が流れていないと判定された前記スイッチング素子の前記オンデューティをゼロに設定するか否かを判定する第２判定手段（例えば、実施の形態での逆方向デューティ判定部２５ａ）を備え、前記デューティ設定手段は、前記第２判定手段によって前記オンデューティをゼロに設定すると判定された場合に、前記第１判定手段によって前記順方向電流が流れていないと判定された前記スイッチング素子の前記オンデューティをゼロに設定する。
【００１０】
さらに、本発明の請求項３に係るスイッチング回路の制御装置では、前記第２判定手段は、前記負荷電流の絶対値あるいは前記順方向電流の導通損失が所定値以上の場合に、前記第１判定手段によって前記順方向電流が流れていないと判定された前記スイッチング素子の前記オンデューティをゼロに設定すると判定する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の請求項１に係るスイッチング回路の制御装置によれば、ハイ側スイッチング素子およびロー側スイッチング素子を相補動作でオン／オフ駆動させる場合に比べて、逆導通可能な双方向性のスイッチング素子の導通損失を低減することができる。
これにより、例えば、スイッチング素子を大型化したり、スイッチング素子を並列化された複数の素子により構成するなどによって、スイッチング素子の耐熱性能を増大させる必要が生じることを防止し、装置構成に要する費用が嵩むことを防止しつつ、スイッチング素子および還流ダイオードが熱損傷することを防止することができる。
しかも、負荷の制御に用いられる負荷電流を検出する負荷電流検出手段の検出結果を用いることから、ハイ側スイッチング素子および前記ロー側スイッチング素子のうち何れのスイッチング素子に順方向電流が流れていないかを判定するための特別な検出デバイスを必要とせず、装置構成に要する費用が嵩むことを防止することができる。
【００１２】
さらに、本発明の請求項２に係るスイッチング回路の制御装置によれば、第２判定手段により、第１判定手段によって順方向電流が流れていないと判定されたスイッチング素子のオンデューティをゼロに設定するか否かを判定することができる。
したがって、スイッチング回路の運転状況に応じて、第１判定手段によって順方向電流が流れていないと判定されたスイッチング素子のオンデューティをゼロに設定して、逆方向電流によりスイッチング素子に発生する損失を低減する場合と、第１判定手段によって順方向電流が流れていないと判定されたスイッチング素子のオンデューティをゼロに設定せずに、逆方向電流がスイッチング素子と還流ダイオードとの両方を流れるようにしてスイッチング回路の損失を低減させる場合とを、切り替えて運転することができる。
【００１３】
さらに、本発明の請求項３に係るスイッチング回路の制御装置によれば、負荷電流が小さく、スイッチング素子の発熱が小さい場合には、転流電流（逆方向電流）がスイッチング素子と還流ダイオードとの両方に流れるようにすることができる。
転流電流（逆方向電流）がスイッチング素子と還流ダイオードとの両方に流れる場合には、転流電流が還流ダイオードのみを流れる場合、あるいは、逆方向電流がスイッチング素子のみに流れる場合に比べて、導通抵抗を低減することができ、逆方向電流が流れることによって発生する導通損失を低減することができ、スイッチング回路の損失を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態に係るスイッチング回路の制御装置の構成図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るスイッチング回路の制御装置の構成図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るスイッチング回路の制御装置におけるモータの目標トルクと回転数と順方向電流との対応関係の一例を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るスイッチング回路の制御装置におけるハイ側スイッチング素子およびロー側スイッチング素子および還流ダイオードに流れる電流の一例を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態に係るスイッチング回路の制御装置におけるハイ側スイッチング素子およびロー側スイッチング素子のオン／オフの状態の一例を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態に係るスイッチング回路の制御装置において、スイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）のみに電流が流れる場合と、還流ダイオードのみに電流が流れる場合と、逆並列に接続されたスイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）および還流ダイオードの両方に電流が流れる場合とに対する電流−電圧特性の例を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態に係るスイッチング回路の制御装置におけるハイ側スイッチング素子およびロー側スイッチング素子のオン／オフの状態の例を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態に係るスイッチング回路の制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施の形態に係るスイッチング回路の制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の実施の形態の第１変形例に係るスイッチング回路の制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の実施の形態の第１変形例に係るスイッチング回路の制御装置のスイッチング素子と還流ダイオードとの転流電流（逆方向電流）の通電割合の例を示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態の第１変形例に係るスイッチング回路の制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図１３】本発明の実施の形態の第２変形例に係るスイッチング回路の制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図１４】本発明の実施の形態の第３変形例に係るスイッチング回路の制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図１５】本発明の実施の形態の第４変形例に係るスイッチング回路の制御装置の動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の一実施形態に係るスイッチング回路の制御装置について添付図面を参照しながら説明する。
本実施の形態によるスイッチング回路の制御装置１０は、例えば車両に搭載され、図１および図２に示すように、バッテリ１１を直流電源として３相（例えば、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の３相）交流のブラシレスＤＣモータ１２（以下、単に、モータ１２と呼ぶ）を制御するインバータ１３と、処理装置１４とを備えて構成されている。
【００１６】
インバータ１３は、スイッチング素子（例えば、双方向性のＭＯＳＦＥＴ：Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor）を複数用いてブリッジ接続してなるブリッジ回路（スイッチング回路）１３ａと平滑コンデンサＣとを具備し、このブリッジ回路１３ａがパルス幅変調（ＰＷＭ）された信号によって駆動される。
【００１７】
このブリッジ回路１３ａでは、例えば各相毎に対をなすハイ側およびロー側Ｕ相トランジスタＵＨ，ＵＬと、ハイ側およびロー側Ｖ相トランジスタＶＨ，ＶＬと、ハイ側およびロー側Ｗ相トランジスタＷＨ，ＷＬとがブリッジ接続されている。
そして、各トランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨはドレインがバッテリ１１の正極側端子に接続されてハイ側アームを構成し、各トランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬはソースがバッテリ１１の接地された負極側端子に接続されてロー側アームを構成している。
そして、各相毎に、ハイ側アームの各トランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨのソースはロー側アームの各トランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬのドレインに接続され、各トランジスタＵＨ，ＵＬ，ＶＨ，ＶＬ，ＷＨ，ＷＬのドレイン−ソース間には、ソースからドレインに向けて順方向となるようにして各還流ダイオードＤＵＨ，ＤＵＬ，ＤＶＨ，ＤＶＬ，ＤＷＨ，ＤＷＬが接続されている。
【００１８】
つまり、ブリッジ回路１３ａは、各相毎にハイ側スイッチング素子（各トランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨ）および還流ダイオード（各還流ダイオードＤＵＨ，ＤＶＨ，ＤＷＨ）を逆並列に接続（すなわち、双方向導通型のハイ側スイッチング素子と、該ハイ側スイッチング素子の順方向導通に対して逆導通する還流ダイオードとを並列に接続）してなるハイ側アームと、各相毎にロー側スイッチング素子（各トランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬ）および還流ダイオード（各還流ダイオードＤＵＬ，ＤＶＬ，ＤＷＬ）を逆並列に接続（すなわち、双方向導通型のロー側スイッチング素子と、該ロー側スイッチング素子の順方向導通に対して逆導通する還流ダイオードとを並列に接続）してなるロー側アームとが、各相毎に直列に接続されて構成されている。
そして、各相毎に、ハイ側アームおよびロー側アームの接続点にモータ１２のステータ巻線１２ａが接続されている。
【００１９】
インバータ１３は、例えばモータ１２の駆動時において、処理装置１４から出力されて各トランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨ，ＵＬ，ＶＬ，ＷＬのゲートに入力されるスイッチング指令であるゲート信号（つまり、ＰＷＭ信号）に基づき、各相毎に対をなす各トランジスタのオン（導通）／オフ（遮断）状態を切り替える。これによって、バッテリ１１から供給される直流電力を３相交流電力に変換し、３相のステータ巻線１２ａへの通電を順次転流させることで、各相のステータ巻線１２ａに交流のＵ相電流ＩｕおよびＶ相電流ＩｖおよびＷ相電流Ｉｗを通電する。
【００２０】
一方、例えばモータ１２の回生時において、インバータ１３は、モータ１２の回転角に基づいて同期がとられて処理装置１４から出力されるゲート信号（つまり、ＰＷＭ信号）に基づき、各相毎に対をなす各トランジスタのオン（導通）／オフ（遮断）状態を切り替えることによって、モータ１２から出力される３相交流電力を直流電力に変換してバッテリ１１に充電可能である。
【００２１】
処理装置１４は、例えば、回転直交座標をなすｄｑ座標上で電流のフィードバック制御（ベクトル制御）をおこなうものであり、目標ｄ軸電流Ｉｄｃ及び目標ｑ軸電流Ｉｑｃを演算する。そして、目標ｄ軸電流Ｉｄｃ及び目標ｑ軸電流Ｉｑｃに基づいて各相電圧指令Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗを算出し、各相電圧指令Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗに応じてインバータ１３に対するゲート信号であるＰＷＭ信号を出力する。そして、実際にインバータ１３からモータ１２に供給される各相電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗをｄｑ座標上に変換して得たｄ軸電流Ｉｄ及びｑ軸電流Ｉｑと、目標ｄ軸電流Ｉｄｃ及び目標ｑ軸電流Ｉｑｃとの各偏差がゼロとなるように制御をおこなう。
【００２２】
処理装置１４は、例えば、電流指令演算部２１と、差分演算部２２と、電流フィードバック演算部２３と、ｄｑ−３相変換部２４と、ＰＷＭ演算部２５と、３相−ｄｑ変換部２６とを備えて構成されている。
【００２３】
電流指令演算部２１は、モータ１２の目標トルクと回転数とに基づき、インバータ１３からモータ１２に供給される各相電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗを指定するための電流指令を演算しており、この電流指令は、回転する直交座標上での目標ｄ軸電流Ｉｄｃ及び目標ｑ軸電流Ｉｑｃとして差分演算部２２へ出力されている。
【００２４】
なお、モータ１２の回転数は、例えば、回転子（図示略）の回転角（例えば、所定の基準回転位置からの回転子の磁極の回転角度）を検出する回転角センサ３１から出力される検出値に基づき算出されてもよいし、あるいは、回転子（図示略）の回転数を検出する回転数センサ（図示略）により検出されてもよい。
【００２５】
電流指令演算部２１は、例えば図３に示すように、予めモータ１２の目標トルクと回転数とスイッチング素子の順方向電流との所定の対応関係を示すマップなどのデータを複数の異なる電源電圧（つまり、バッテリ１１の出力電圧）毎に対応付けて記憶している。
そして、電流指令演算部２１は、モータ１２の目標トルクと回転数と電源電圧とに応じたスイッチング素子の順方向電流を、予め記憶しているマップに対するマップ検索などにより取得し、この順方向電流に応じた目標ｄ軸電流Ｉｄｃ及び目標ｑ軸電流Ｉｑｃを演算する。
【００２６】
なお、例えば図３に示す適宜の電源電圧Ａに対する所定のマップでは、目標トルクの増大あるいは回転数の増大あるいは電源電圧の低下に伴い、順方向電流が増大傾向に変化するように設定されているが、これに限定されず、例えばモータ１２やインバータ１３などの特性あるいは素子特性データなどに応じた適宜の傾向を示すように設定されてもよい。
【００２７】
また、回転直交座標をなすｄｑ座標は、例えばモータ１２の回転子（図示略）に具備される永久磁石による界磁極の磁束方向をｄ軸（界磁軸）とし、このｄ軸と直交する方向をｑ軸（トルク軸）としており、回転子の回転位相に同期して回転している。
これにより、インバータ１３からモータ１２の各相に供給される交流信号に対する電流指令として、直流的な信号である目標ｄ軸電流Ｉｄｃおよび目標ｑ軸電流Ｉｑｃを与えるようになっている。
【００２８】
差分演算部２２は、電流指令演算部２１から出力される目標ｄ軸電流Ｉｄｃおよび目標ｑ軸電流Ｉｑｃと３相−ｄｑ変換部２６から出力されるｄ軸電流Ｉｄおよびｑ軸電流Ｉｑとの各偏差ΔＩｄ，ΔＩｑを算出する。
電流フィードバック演算部２３は、例えばＰＩＤ（比例積分微分）動作などにより、各偏差ΔＩｄ，ΔＩｑを制御増幅してｄ軸電圧指令値Ｖｄおよびｑ軸電圧指令値Ｖｑを算出する。
【００２９】
ｄｑ−３相変換部２４は、モータ１２の回転子（図示略）の回転角を検出する回転角センサ３１から出力される回転角の検出値により、ｄｑ座標上でのｄ軸電圧指令値Ｖｄおよびｑ軸電圧指令値Ｖｑを、静止座標である３相交流座標上での電圧指令値であるＵ相出力電圧ＶｕおよびＶ相出力電圧ＶｖおよびＷ相出力電圧Ｖｗに変換する。
【００３０】
ＰＷＭ演算部２５は、例えばモータ１２の駆動時には、各相のステータ巻線１２ａに交流の正弦波状のＵ相電流ＩｕおよびＶ相電流ＩｖおよびＷ相電流Ｉｗを通電するために、各相出力電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗと三角波などのキャリア信号とを比較して、インバータ１３の各トランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨ，ＵＬ，ＶＬ，ＷＬをオン／オフ駆動させるゲート信号（つまり、ＰＷＭ信号）を生成する。
【００３１】
ＰＷＭ演算部２５は、ハイ側アームおよびロー側アームの各スイッチング素子のオンデューティを独立に設定可能である。
ＰＷＭ演算部２５は、例えば図４（Ａ），（Ｂ）および図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、いわゆる相補ＰＷＭ（パルス幅変調）によってブリッジ回路１３ａのハイ側アームおよびロー側アームの各スイッチング素子を交互にＯＮ／ＯＦＦ駆動させる動作と、順方向電流が流れていないスイッチング素子（つまり転流電流が流れている還流ダイオードに並列に接続されたスイッチング素子）のオンデューティである逆方向デューティをゼロとする動作とを、切り替えて実行する。
そして、各相毎のハイ側スイッチング素子およびロー側スイッチング素子のオンの比率は、各相毎のハイ側およびロー側オンデューティＤｕｔｙＵ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＶ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＷ（Ｈ，Ｌ）により設定されている。
【００３２】
ＰＷＭ演算部２５は、各相電流検出部３２により検出された各相電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗの検出値に基づき、ハイ側スイッチング素子および前記ロー側スイッチング素子のうち何れのスイッチング素子に順方向電流が流れていないかを判定しており、さらに、この判定結果において順方向電流が流れていないと判定されたスイッチング素子のオンデューティ（つまり逆方向デューティ）をゼロに設定するか否かを判定する逆方向デューティ判定部２５ａを備えている。
【００３３】
ＰＷＭ演算部２５は、例えば、通常の制御動作として相補ＰＷＭ（パルス幅変調）による動作を実行しており、この場合には、ハイ側アームのハイ側スイッチング素子（ＳＷ１）のオンおよびロー側アームのロー側スイッチング素子（ＳＷ２）のオフの状態と、ハイ側アームのハイ側スイッチング素子（ＳＷ１）のオフおよびロー側アームのロー側スイッチング素子（ＳＷ２）のオンの状態とが、交互に切り替えられる。
【００３４】
これにより、例えば図４（Ａ），図５（Ａ）に示すように、ハイ側アームのハイ側スイッチング素子（ＳＷ１）のオンにおいてハイ側スイッチング素子（ＳＷ１）に順方向電流が流れる場合には、ロー側アームのロー側スイッチング素子（ＳＷ２）のオンにおいてロー側スイッチング素子（ＳＷ２）に逆方向電流が流れると共に、このロー側スイッチング素子（ＳＷ２）に逆並列に接続されている還流ダイオード（２）に転流電流が流れる。
この場合、例えば、順方向電流が流れていないスイッチング素子のオンデューティ（ＳＷ２＿Ｔｏｎ）は、順方向電流が流れるスイッチング素子のオンデューティ（ＳＷ１＿Ｔｏｎ）およびデッドタイム（Ｔｄｅａｄ）に応じた値（＝１００％−ＳＷ１＿Ｔｏｎ％−Ｔｄｅａｄ％）とされる。
【００３５】
一方、ロー側アームのロー側スイッチング素子（ＳＷ２）のオンにおいてロー側スイッチング素子（ＳＷ２）に順方向電流が流れる場合には、ハイ側アームのハイ側スイッチング素子（ＳＷ１）のオンにおいてハイ側スイッチング素子（ＳＷ１）に逆方向電流が流れると共に、このハイ側スイッチング素子（ＳＷ１）に逆並列に接続されている還流ダイオード（１）に転流電流が流れる。
【００３６】
なお、順方向電流が流れていないスイッチング素子（つまり、転流電流が流れている還流ダイオードに並列に接続されたスイッチング素子）のオンの状態において、並列接続されたスイッチング素子および還流ダイオードの両方に転流電流（逆方向電流）が流れる場合には、例えば図６に示すように、転流電流（逆方向電流）がスイッチング素子のみ、あるいは還流ダイオードのみに流れる場合に比べて、並列接続されたスイッチング素子および還流ダイオードの合成抵抗が小さくなることに伴って、スイッチング回路全体としての損失を低減させることができる。
【００３７】
また、ＰＷＭ演算部２５は、順方向電流が流れていないと判定したスイッチング素子（つまり転流電流が流れている還流ダイオードに並列に接続されたスイッチング素子）のオンデューティ（つまり逆方向デューティ）をゼロに設定すると逆方向デューティ判定部２５ａによって判定された場合には、この逆方向デューティをゼロとする。
この場合には、順方向電流が流れるスイッチング素子のオンおよび転流電流が流れる還流ダイオードに並列に接続されたスイッチング素子のオフの状態と、順方向電流が流れるスイッチング素子のオフおよび転流電流が流れる還流ダイオードに並列に接続されたスイッチング素子のオフの状態とが、交互に切り替えられる。
【００３８】
これにより、例えば図４（Ｂ），図５（Ｂ）および図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、に示すように、ハイ側アームのハイ側スイッチング素子（ＳＷ１）のオンにおいてハイ側スイッチング素子（ＳＷ１）に順方向電流が流れる場合には、ハイ側スイッチング素子（ＳＷ１）のオン／オフにかかわらずにロー側アームのロー側スイッチング素子（ＳＷ２）はオンとされず、転流時にはロー側スイッチング素子（ＳＷ２）に逆並列に接続されている還流ダイオード（２）にのみ転流電流が流れる。
この場合、順方向電流が流れていないスイッチング素子のオンデューティ（ＳＷ２＿Ｔｏｎ）はゼロである。
【００３９】
一方、ロー側アームのロー側スイッチング素子（ＳＷ２）のオンにおいてロー側スイッチング素子（ＳＷ２）に順方向電流が流れる場合には、ロー側スイッチング素子（ＳＷ２）のオン／オフにかかわらずにハイ側アームのハイ側スイッチング素子（ＳＷ１）はオンとされず、このハイ側スイッチング素子（ＳＷ１）に逆並列に接続されている還流ダイオード（１）に転流電流が流れる。
【００４０】
逆方向デューティ判定部２５ａは、例えば、各相電流検出部３２により検出された各相電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗの絶対値または順方向電流の絶対値が所定値以上の場合、あるいは順方向電流の導通損失が所定値以上の場合に、順方向電流が流れていないと判定されたスイッチング素子のオンデューティ（つまり逆方向デューティ）をゼロに設定すると判定する。
【００４１】
３相−ｄｑ変換部２６は、各相電流検出部３２により検出された各相電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗの検出値と、回転角センサ３１から出力される回転角の検出値とにより、モータ１２の回転位相による回転座標すなわちｄｑ座標上でのｄ軸電流Ｉｄおよびｑ軸電流Ｉｑを算出する。
【００４２】
本実施の形態によるスイッチング回路の制御装置１０は上記構成を備えており、次に、このスイッチング回路の制御装置１０の動作例について説明する。
【００４３】
先ず、例えば図８に示すステップＳ０１においては、モータ１２の目標トルクおよび回転角および相電流と、電源電圧（つまり、バッテリ１１の出力電圧）を取得する。
次に、ステップＳ０２においては、モータ１２の目標トルクと回転数と電源電圧とに応じたスイッチング素子の順方向電流を、予め記憶しているマップに対するマップ検索などにより演算する。
【００４４】
次に、ステップＳ０３においては、負荷電流（例えば、モータ１２の相電流）がゼロよりも大きい（つまり、符号が正である）か否かを判定する。
この判定結果が「ＮＯ」の場合には、後述するステップＳ１０に進む。
一方、この判定結果が「ＹＥＳ」の場合には、ステップＳ０４に進む。
【００４５】
そして、ステップＳ０４においては、順方向電流が流れるスイッチング素子のオンデューティである順方向デューティとして、ハイ側スイッチング素子のハイ側オンデューティＤｕｔｙＨを、順方向電流に基づき演算する。
次に、ステップＳ０５においては、順方向電流の絶対値が所定値Ｘａ未満であるか否かを判定する。
この判定結果が「ＮＯ」の場合には、ステップＳ０６に進み、このステップＳ０６においては、ロー側スイッチング素子のロー側オンデューティＤｕｔｙＬをゼロとし、後述するステップＳ０９に進む。
一方、この判定結果が「ＹＥＳ」の場合には、ステップＳ０７に進む。
【００４６】
そして、ステップＳ０７においては、例えば予め記憶されているデータなどに基づき、順方向電流が流れていないスイッチング素子に対するデッドタイムＴｄｅａｄ（例えば、所定の最小デッドタイムなど）を取得する。
次に、ステップＳ０８においては、順方向デューティ（つまり、ハイ側オンデューティＤｕｔｙＨ）およびデッドタイムＴｄｅａｄに応じて、順方向電流が流れていないスイッチング素子のオンデューティとして、ロー側スイッチング素子のロー側オンデューティＤｕｔｙＬ（＝１００％−ＤｕｔｙＨ％−Ｔｄｅａｄ％）を演算する。
そして、ステップＳ０９においては、各相毎のハイ側およびロー側オンデューティＤｕｔｙＵ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＶ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＷ（Ｈ，Ｌ）を出力し、エンドに進む。
【００４７】
また、ステップＳ１０においては、順方向電流が流れるスイッチング素子のオンデューティである順方向デューティとして、ロー側スイッチング素子のロー側オンデューティＤｕｔｙＬを、順方向電流に基づき演算する。
次に、ステップＳ１１においては、順方向電流の絶対値が所定値Ｘａ未満であるか否かを判定する。
この判定結果が「ＮＯ」の場合には、ステップＳ１２に進み、このステップＳ１２においては、ハイ側スイッチング素子のハイ側オンデューティＤｕｔｙＨをゼロとし、上述したステップＳ０９に進む。
一方、この判定結果が「ＹＥＳ」の場合には、ステップＳ１３に進む。
【００４８】
そして、ステップＳ１３においては、例えば予め記憶されているデータなどに基づき、順方向電流が流れていないスイッチング素子に対するデッドタイムＴｄｅａｄ（例えば、所定の最小デッドタイムなど）を取得する。
次に、ステップＳ１４においては、順方向デューティ（つまり、ロー側オンデューティＤｕｔｙＬ）およびデッドタイムＴｄｅａｄに応じて、順方向電流が流れていないスイッチング素子のオンデューティとして、ハイ側スイッチング素子のハイ側オンデューティＤｕｔｙＨ（＝１００％−ＤｕｔｙＬ％−Ｔｄｅａｄ％）を演算し、上述したステップＳ０９に進む。
【００４９】
なお、上述したステップＳ０５およびステップＳ１１においては、例えば図９に示すステップＳ０５ａおよびステップＳ１１ａのように、順方向電流の絶対値が所定値Ｘａ未満であるか否かを判定する代わりに、順方向電流の導通損失（順方向損失）の絶対値が所定値Ｐｌｏｓｓ未満であるか否かを判定してもよい。
【００５０】
上述したように、本実施の形態によるスイッチング回路の制御装置１０によれば、順方向電流が流れていないスイッチング素子のオンデューティをゼロに設定することにより、ハイ側スイッチング素子およびロー側スイッチング素子を相補動作でオン／オフ駆動させる場合に比べて、逆導通可能な双方向性のスイッチング素子の導通損失を低減することができる。
これにより、例えば、スイッチング素子を大型化したり、スイッチング素子を並列化された複数の素子により構成するなどによって、スイッチング素子の耐熱性能を増大させる必要が生じることを防止し、装置構成に要する費用が嵩むことを防止しつつ、スイッチング素子および還流ダイオードが熱損傷することを防止することができる。
【００５１】
しかも、モータ１２の制御に用いられる負荷電流（つまり、各相電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗ）を検出する各相電流検出部３２の検出結果を用いて、ハイ側スイッチング素子およびロー側スイッチング素子のうち何れのスイッチング素子に順方向電流が流れていないかを判定することから、特別な検出デバイスを必要とせずに、装置構成に要する費用が嵩むことを防止することができる。
【００５２】
さらに、スイッチング回路の運転状況に応じて、順方向電流が流れていないと判定されたスイッチング素子のオンデューティをゼロに設定して、逆方向電流によりスイッチング素子に発生する損失を低減する場合と、順方向電流が流れていないと判定されたスイッチング素子のオンデューティをゼロに設定せずに、逆方向電流（転流電流）がスイッチング素子と還流ダイオードとの両方を流れるようにしてスイッチング回路の損失を低減させる場合とを、切り替えて、柔軟に運転することができる。
【００５３】
さらに、負荷電流が小さく、スイッチング素子の発熱が小さい場合には、転流電流（逆方向電流）がスイッチング素子と還流ダイオードとの両方に流れるようにすることができる。
転流電流（逆方向電流）がスイッチング素子と還流ダイオードとの両方に流れる場合には、転流電流が還流ダイオードのみを流れる場合、あるいは、逆方向電流がスイッチング素子のみに流れる場合に比べて、導通抵抗を低減することができ、逆方向電流が流れることによって発生する導通損失を低減することができ、スイッチング回路の損失を低減することができる。
【００５４】
なお、上述した実施の形態においては、順方向電流の絶対値が所定値Ｘａ未満または順方向損失の絶対値が所定値Ｐｌｏｓｓ未満である場合に、順方向電流が流れていないスイッチング素子のオンデューティを、順方向電流が流れるスイッチング素子のオンデューティ（順方向デューティ）およびデッドタイム（Ｔｄｅａｄ）に応じた所定値（＝１００％−順方向デューティ％−Ｔｄｅａｄ％）としたが、これに限定されず、例えばスイッチング素子と還流ダイオードとの転流電流（逆方向電流）の通電割合に応じた値としてもよい。
【００５５】
この第１変形例においては、先ず、例えば図１０に示すステップＳ２１において、モータ１２の目標トルクおよび回転角および相電流と、電源電圧（つまり、バッテリ１１の出力電圧）を取得する。
次に、ステップＳ２２においては、モータ１２の目標トルクと回転数と電源電圧とに応じたスイッチング素子の順方向電流を、予め記憶しているマップに対するマップ検索などにより演算する。
【００５６】
次に、ステップＳ２３においては、負荷電流（例えば、モータ１２の相電流）がゼロよりも大きい（つまり、符号が正である）か否かを判定する。
この判定結果が「ＮＯ」の場合には、後述するステップＳ３２に進む。
一方、この判定結果が「ＹＥＳ」の場合には、ステップＳ２４に進む。
【００５７】
そして、ステップＳ２４においては、順方向電流が流れるスイッチング素子のオンデューティである順方向デューティとして、ハイ側スイッチング素子のハイ側オンデューティＤｕｔｙＨを、順方向電流に基づき演算する。
次に、ステップＳ２５においては、順方向電流の絶対値が所定値Ｘａ未満であるか否かを判定する。
この判定結果が「ＮＯ」の場合には、ステップＳ２６に進み、このステップＳ２６においては、ロー側スイッチング素子のロー側オンデューティＤｕｔｙＬをゼロとし、後述するステップＳ３１に進む。
一方、この判定結果が「ＹＥＳ」の場合には、ステップＳ２７に進む。
【００５８】
そして、ステップＳ２７においては、例えば予め記憶されている所定のマップや数式などを参照して、スイッチング素子と還流ダイオードとの転流電流（逆方向電流）の通電割合を取得する。
なお、例えば図１１に示す所定のマップでは、転流電流（逆方向電流）の増大に伴い、還流ダイオードの通電割合（オンデューティ）がゼロから５０％よりも大きい所定の値に向かい増大傾向に変化し、かつ、スイッチング素子の通電割合が５０％よりも大きい所定の値からゼロに向かい減少傾向に変化するように設定されているが、これに限定されず、例えばモータ１２やインバータ１３などの特性あるいは素子特性データなどに応じた適宜の傾向を示すように設定されてもよい。
そして、ステップＳ２８においては、スイッチング素子と還流ダイオードとの転流電流（逆方向電流）の通電割合に応じて、逆方向電流を演算する。
なお、順方向電流が大きいほど、転流電流（逆方向電流）も大きくなる。
【００５９】
そして、ステップＳ２９においては、例えば予め記憶されているデータなどに基づき、順方向電流が流れていないスイッチング素子に対するデッドタイムＴｄｅａｄ（例えば、所定の最小デッドタイムなど）を取得する。
次に、ステップＳ３０においては、逆方向電流およびデッドタイムＴｄｅａｄに応じて、順方向電流が流れていないスイッチング素子のオンデューティとして、ロー側スイッチング素子のロー側オンデューティＤｕｔｙＬを演算する。そして、この演算結果に対して、順方向デューティ（つまり、ハイ側オンデューティＤｕｔｙＨ）およびデッドタイムＴｄｅａｄに応じた所定の上限値（＝１００％−ＤｕｔｙＨ％−Ｔｄｅａｄ％）によりリミット処理を実行する。
【００６０】
このリミット処理では、演算結果がロー側オンデューティＤｕｔｙＬに対する所定の上限値以下であれば、この演算結果をロー側オンデューティＤｕｔｙＬとして出力する。
一方、この演算結果がロー側オンデューティＤｕｔｙＬに対する所定の上限値よりも大きい場合には、所定の上限値をロー側オンデューティＤｕｔｙＬとして出力する。
そして、ステップＳ３１においては、各相毎のハイ側およびロー側オンデューティＤｕｔｙＵ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＶ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＷ（Ｈ，Ｌ）を出力し、エンドに進む。
【００６１】
そして、ステップＳ３２においては、順方向電流が流れるスイッチング素子のオンデューティである順方向デューティとして、ロー側スイッチング素子のロー側オンデューティＤｕｔｙＬを、順方向電流に基づき演算する。
次に、ステップＳ３３においては、順方向電流の絶対値が所定値Ｘａ未満であるか否かを判定する。
この判定結果が「ＮＯ」の場合には、ステップＳ３４に進み、このステップＳ３４においては、ハイ側スイッチング素子のハイ側オンデューティＤｕｔｙＨをゼロとし、上述したステップＳ３１に進む。
一方、この判定結果が「ＹＥＳ」の場合には、ステップＳ３５に進む。
【００６２】
そして、ステップＳ３５においては、例えば予め記憶されている所定のマップや数式などを参照して、スイッチング素子と還流ダイオードとの転流電流（逆方向電流）の通電割合を取得する。
そして、ステップＳ３６においては、スイッチング素子と還流ダイオードとの転流電流（逆方向電流）の通電割合に応じて、逆方向電流を演算する。
【００６３】
そして、ステップＳ３７においては、例えば予め記憶されているデータなどに基づき、順方向電流が流れていないスイッチング素子に対するデッドタイムＴｄｅａｄ（例えば、所定の最小デッドタイムなど）を取得する。
次に、ステップＳ３８においては、逆方向電流およびデッドタイムＴｄｅａｄに応じて、順方向電流が流れていないスイッチング素子のオンデューティとして、ハイ側スイッチング素子のハイ側オンデューティＤｕｔｙＨを演算する。そして、この演算結果に対して、順方向デューティ（つまり、ロー側オンデューティＤｕｔｙＬ）およびデッドタイムＴｄｅａｄに応じた所定の上限値（＝１００％−ＤｕｔｙＬ％−Ｔｄｅａｄ％）によりリミット処理を実行し、上述したステップＳ３１に進む。
【００６４】
このリミット処理では、演算結果がハイ側オンデューティＤｕｔｙＨに対する所定の上限値以下であれば、この演算結果をハイ側オンデューティＤｕｔｙＨとして出力する。
一方、この演算結果がハイ側オンデューティＤｕｔｙＨに対する所定の上限値よりも大きい場合には、所定の上限値をハイ側オンデューティＤｕｔｙＨとして出力する。
そして、ステップＳ０９においては、各相毎のハイ側およびロー側オンデューティＤｕｔｙＵ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＶ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＷ（Ｈ，Ｌ）を出力し、エンドに進む。
【００６５】
なお、この第１変形例において、上述したステップＳ２５およびステップＳ３３においては、例えば図１２に示すステップＳ２５ａおよびステップＳ３３ａのように、順方向電流の絶対値が所定値Ｘａ未満であるか否かを判定する代わりに、順方向電流の導通損失（順方向損失）の絶対値が所定値Ｐｌｏｓｓ未満であるか否かを判定してもよい。
【００６６】
この第１変形例によれば、スイッチング素子と還流ダイオードとの転流電流（逆方向電流）の通電割合に応じて、順方向電流が流れていないスイッチング素子のオンデューティを設定することにより、逆方向電流によりスイッチング素子に発生する損失を低減する動作と、スイッチング回路の損失を低減させる動作とを、より柔軟に制御することができる。
【００６７】
なお、上述した実施の形態においては、ＰＷＭ演算部２５は、通常の制御動作として相補ＰＷＭ（パルス幅変調）によるスイッチング動作を実行するとしたが、これに限定されず、単に、順方向電流が流れていないと判定したスイッチング素子のオンデューティ（つまり逆方向デューティ）をゼロに設定してもよい。
【００６８】
この第２変形例においては、先ず、例えば図１３に示すステップＳ４１において、モータ１２の回転角および相電流と、電源電圧（つまり、バッテリ１１の出力電圧）を取得する。
次に、ステップＳ４２においては、モータ１２の目標トルクと回転数と電源電圧とに応じたスイッチング素子の順方向電流を、予め記憶しているマップに対するマップ検索などにより演算する。
【００６９】
次に、ステップＳ４３においては、順方向電流に基づき順方向デューティを演算する。
次に、ステップＳ４４においては、例えば予め記憶されているデータなどに基づき、逆方向電流が流れるスイッチング素子に対するデッドタイムＴｄｅａｄ（例えば、所定の最小デッドタイムなど）を取得する。
次に、ステップＳ４５においては、順方向デューティおよびデッドタイムＴｄｅａｄに応じて、逆方向デューティ（＝１００％−順方向デューティ％−Ｔｄｅａｄ％）を演算する。
【００７０】
次に、ステップＳ４６においては、負荷電流（つまり、モータ１２の相電流）がゼロよりも大きい（つまり、符号が正である）か否かを判定する。
この判定結果が「ＹＥＳ」の場合には、ステップＳ４７に進み、このステップＳ４７においては、ハイ側スイッチング素子のハイ側オンデューティＤｕｔｙＨを順方向デューティとし、ロー側スイッチング素子のロー側オンデューティＤｕｔｙＬをゼロとする。
一方、この判定結果が「ＮＯ」の場合には、ステップＳ４８に進み、このステップＳ４８においては、ロー側スイッチング素子のロー側オンデューティＤｕｔｙＬを順方向デューティとし、ハイ側スイッチング素子のハイ側オンデューティＤｕｔｙＨをゼロとする。
そして、ステップＳ４９においては、各相毎のハイ側およびロー側オンデューティＤｕｔｙＵ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＶ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＷ（Ｈ，Ｌ）を出力し、エンドに進む。
【００７１】
なお、上述した実施の形態の第２変形例においては、ステップＳ４１〜ステップＳ４９の処理の代わりに、例えば図１４に示す第３変形例のようなステップＳ５１〜ステップＳ６０の処理を実行してもよい。
【００７２】
この第３変形例においては、先ず、例えば図１４に示すステップＳ５１において、モータ１２の回転角および相電流と、電源電圧（つまり、バッテリ１１の出力電圧）を取得する。
次に、ステップＳ５２においては、モータ１２の目標トルクと回転数と電源電圧とに応じたスイッチング素子の順方向電流を、予め記憶しているマップに対するマップ検索などにより演算する。
【００７３】
次に、ステップＳ５３においては、負荷電流（つまり、モータ１２の相電流）がゼロよりも大きい（つまり、符号が正である）か否かを判定する。
この判定結果が「ＮＯ」の場合には、後述するステップＳ５７に進む。
一方、この判定結果が「ＹＥＳ」の場合には、ステップＳ５４に進む。
次に、ステップＳ５４においては、例えば予め記憶されているデータなどに基づき、順方向電流が流れるスイッチング素子に対するデッドタイムＴｄｅａｄ（例えば、所定の最小デッドタイムなど）を取得する。
【００７４】
次に、ステップＳ５５においては、順方向電流およびデッドタイムＴｄｅａｄに基づき、ハイ側スイッチング素子のハイ側オンデューティＤｕｔｙＨとして、順方向デューティを演算する。
次に、ステップＳ５６においては、ロー側スイッチング素子のロー側オンデューティＤｕｔｙＬをゼロとする。
そして、ステップＳ５７においては、各相毎のハイ側およびロー側オンデューティＤｕｔｙＵ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＶ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＷ（Ｈ，Ｌ）を出力し、エンドに進む。
【００７５】
また、ステップＳ５８においては、例えば予め記憶されているデータなどに基づき、順方向電流が流れるスイッチング素子に対するデッドタイムＴｄｅａｄ（例えば、所定の最小デッドタイムなど）を取得する。
次に、ステップＳ５９においては、順方向電流およびデッドタイムＴｄｅａｄに基づき、ロー側スイッチング素子のロー側オンデューティＤｕｔｙＬとして、順方向デューティを演算する。
次に、ステップＳ６０においては、ハイ側スイッチング素子のハイ側オンデューティＤｕｔｙＨをゼロとし、上述したステップＳ５７に進む。
【００７６】
また、上述した実施の形態の第３変形例においては、ステップＳ５１〜ステップＳ６０の処理の代わりに、例えば図１５に示す第４変形例のようなステップＳ６１〜ステップＳ６０の処理を実行してもよい。
【００７７】
この第４変形例においては、先ず、例えば図１５に示すステップＳ６１において、モータ１２の回転角および相電流と、電源電圧（つまり、バッテリ１１の出力電圧）を取得する。
次に、ステップＳ６２においては、モータ１２の目標トルクと回転数と電源電圧とに応じたスイッチング素子の順方向電流を、予め記憶しているマップに対するマップ検索などにより演算する。
【００７８】
次に、ステップＳ６３においては、負荷電流（つまり、モータ１２の相電流）がゼロよりも大きい（つまり、符号が正である）か否かを判定する。
この判定結果が「ＮＯ」の場合には、後述するステップＳ６８に進む。
一方、この判定結果が「ＹＥＳ」の場合には、ステップＳ６４に進む。
次に、ステップＳ６４においては、例えば予め記憶されているデータなどに基づき、順方向電流が流れるスイッチング素子に対するデッドタイムＴｄｅａｄ（例えば、所定の最小デッドタイムなど）を取得する。
【００７９】
次に、ステップＳ６５においては、順方向電流およびデッドタイムＴｄｅａｄに基づき、ハイ側スイッチング素子のハイ側オンデューティＤｕｔｙＨとして、順方向デューティを演算する。
次に、ステップＳ６６においては、ロー側スイッチング素子のロー側オンデューティＤｕｔｙＬをゼロとする。
そして、ステップＳ６７においては、各相毎のハイ側およびロー側オンデューティＤｕｔｙＵ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＶ（Ｈ，Ｌ），ＤｕｔｙＷ（Ｈ，Ｌ）を出力し、エンドに進む。
【００８０】
また、ステップＳ６８においては、例えば予め記憶されているデータなどに基づき、順方向電流が流れるスイッチング素子に対するデッドタイムＴｄｅａｄ（例えば、所定の最小デッドタイムなど）を取得する。
次に、ステップＳ６９においては、例えば順方向電流に基づき予め記憶しているマップや数式などを参照して、ハイ側スイッチング素子のハイ側オンデューティＤｕｔｙＨとして、逆方向デューティを演算する。
次に、ステップＳ７０においては、ハイ側オンデューティＤｕｔｙＨ（つまり逆方向デューティ）およびデッドタイムＴｄｅａｄに基づき、ロー側スイッチング素子のロー側オンデューティＤｕｔｙＬ（＝１００％−ＤｕｔｙＨ％−Ｔｄｅａｄ％）を演算する。
次に、ステップＳ７１においては、ハイ側スイッチング素子のハイ側オンデューティＤｕｔｙＨをゼロとし、上述したステップＳ６７に進む。
【００８１】
これらの第１〜第４変形例によれば、ハイ側スイッチング素子およびロー側スイッチング素子を相補動作でオン／オフ駆動させる場合に比べて、逆導通可能な双方向性のスイッチング素子の導通損失を低減することができる。
【符号の説明】
【００８２】
１０  スイッチング回路の制御装置
１２  モータ（負荷）
１３  インバータ
１３ａ  ブリッジ回路（スイッチング回路）
１４  処理装置
２５  ＰＷＭ演算部（デューティ設定手段、第１判定手段）
２５ａ  逆方向デューティ判定部（第２判定手段）
３２  相電流検出部（負荷電流検出手段）
【図１】
2013021868.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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