(57)【要約】【課題】温度変化に対して高次の成分を含まず１次の温度特性を持つことができ、温度係数の設定幅が抵抗の抵抗値温度係数に依存しない回路の提供。【解決手段】この発明は、基準電圧生成回路２と、電流源６と、温度特性生成回路３とを備える。温度特性生成回路３は、抵抗値温度係数が異なる可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２を有し、この２つの可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値温度係数の差と電流源６の電流とによって決まる温度に依存する電圧を、基準電圧生成回路２が生成する基準電圧に加算して温度依存性電圧を生成する。【選択図】図１
2013145456.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度に対して一定の基準電圧を生成する基準電圧回路と、
温度に対して一定の電流を流す電流源と、
温度に依存した電圧を生成する温度特性生成回路と、
を備え、
前記温度特性生成回路は、
抵抗値温度係数が異なる第１の可変抵抗および第２の可変抵抗を有し、
前記２つの可変抵抗の抵抗値温度係数の差と前記電流源の電流とによって決まる温度に依存する電圧を、前記基準電圧生成回路が生成する前記基準電圧に加算して温度依存電圧を生成することを特徴とする電圧生成回路。
【請求項２】
前記基準電圧回路は電源電圧に依存した電圧を出力し、前記電流源は電源電圧に依存した電流を流すことを特徴とする請求項１に記載の電圧生成回路。
【請求項３】
前記温度特性生成回路は、
出力用の第１のトランジスタと、
前記基準電圧生成回路が生成する基準電圧を入力し、当該基準電圧により動作する第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタが生成する電流に応じた電圧を入力し、当該入力電圧により動作する第３のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの出力経路上の一端側に負荷として接続される第４のトランジスタと、
前記第３のトランジスタの出力経路上の一端側に負荷として接続される第５のトランジスタと、
一端側が前記第２のトランジスタの出力経路上の他端側と接続され、他端側が前記電流源と接続される第１の可変抵抗と、
一端側が前記第３のトランジスタの出力経路上の他端側と接続され、他端側が前記電流源と接続される第２の可変抵抗と、
を備え、
前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタの出力電圧により動作することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電圧生成回路。
【請求項４】
温度に対して一定の基準電圧を生成する基準電圧回路と、
温度に対して一定の電流を流す電流源と、
温度に依存した電流を生成する温度特性生成回路と、
を備え、
前記温度特性生成回路は、
抵抗値温度係数が異なる第１の可変抵抗および第２の可変抵抗を有し、
前記２つの可変抵抗の抵抗値温度係数の差と前記電流源の電流とによって決まる温度に依存する電圧を、前記基準電圧生成回路が生成する前記基準電圧に加算して温度依存電圧を生成し、当該温度依存電圧に依存した電流を生成することを特徴とする電流生成回路。
【請求項５】
前記基準電圧回路は電源電圧に依存した電圧を出力し、前記電流源は電源電圧に依存した電流を流すことを特徴とする請求項４に記載の電流生成回路。
【請求項６】
前記温度特性生成回路は、
出力用の第１のトランジスタと、
前記基準電圧生成回路が生成する基準電圧を入力し、当該基準電圧により動作する第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタが生成する電流に応じた電圧を入力し、当該入力電圧により動作する第３のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの出力経路上の一端側に負荷として接続される第４のトランジスタと、
前記第３のトランジスタの出力経路上の一端側に負荷として接続される第５のトランジスタと、
一端側が前記第２のトランジスタの出力経路上の他端側と接続され、他端側が前記電流源と接続される第１の可変抵抗と、
一端側が前記第３のトランジスタの出力経路上の他端側と接続され、他端側が前記電流源と接続される第２の可変抵抗と、
を備え、
前記第１のトランジスタは、前記第３のトランジスタの出力電圧により動作することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の電流生成回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度に依存する電圧を生成する電圧生成回路、および温度に依存する電流を生成する電流生成回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種のＬＳＩの設計において、使用される環境温度は幅広く、動作温度を検知して温度補償行うなど温度に応じた対応が多く求められる。このような場合、温度を検知しながら温度に対して所望の変化を行う電圧、または電流が必要になる。
このような課題に対し、例えばセンサ素子の温度補償回路として、特許文献１に記載の発明が知られている。
【０００３】
この温度補償回路は、図１３に示すように、分圧回路８および定電流回路９を備え、これらにより４端子型のセンサ素子１を駆動するとともに、その駆動電流の温度補償を行うものである。
分圧回路８は、可変抵抗ＶＲ４、ＶＲ５および固定抵抗Ｒ６から構成され、可変抵抗ＶＲ４、ＶＲ５と固定抵抗Ｒ６とは抵抗値温度係数が異なる。そして、分圧回路８は、電源電圧ＶＣＣを分圧し、この分圧電圧ＶＸを出力する。
【０００４】
定電流回路９は、オペアンプ１０、ＭＯＳトランジスタＴｒ１３、および抵抗Ｒ７から構成される。そして、オペアンプ１０は、抵抗Ｒ７の両端の電圧ＶＸ’を分圧回路８からの分圧電圧ＶＸと比較し、この比較結果に応じてＭＯＳトランジスタＴｒ１３に流れる電流を制御する。これにより、４端子型センサ素子１を駆動する電流ＩＳを生成する。
分圧回路８で分圧される分圧電圧ＶＸは、可変抵抗ＶＲ４、ＶＲ５の抵抗値の絶対値を変化させることにより、必要な温度特性に調整することができる。これにより、４端子型センサ素子１のセンサ感度を温度に対して一定に保つことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１８１２１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１の発明では、分圧回路８が、温度特性の異なる抵抗を電源端子４と接地端子５の間に接続することにより、必要な温度特性を有する電圧ＶＸを生成している。
この時、電圧ＶＸの温度特性は次の式（１）で表される。また、可変抵抗ＶＲ４、ＶＲ５を変化させたときの電圧ＶＸの温度特性を、図１４に示す。図１４において、αＶＸ（％／℃）は電圧ＶＸの温度係数である。
ＶＸ＝｛（ＶＲ５＋Ｒ６）／（ＶＲ４＋ＶＲ５＋Ｒ６）｝×ＶＣＣ・・・（１）
式（１）、図１４に示すように可変抵抗ＶＲ４、ＶＲ５を変化させることで、必要な温度特性を得ることができる。しかし、特許文献１に記載の温度補償回路では、可変抵抗ＶＲ４、ＶＲ５、固定抵抗Ｒ６の組み合わせにより、温度変化に対し１次の温度変化ではなく、温度変化に対して２次以上の高次の変化を含む特性となる。
【０００７】
また、上記の温度補償回路において、生成できる温度係数は、可変抵抗ＶＲ４、ＶＲ５、固定抵抗Ｒ６の抵抗値温度係数により制限される。そのため、大きな温度係数を必要とする場合、電圧ＶＸを増幅するための増幅回路が必要となり、回路規模が大きくなる。
そこで、本発明は、上記の点に鑑み、温度変化に対して高次の成分を含まず１次の温度特性を持つことができ、温度係数の設定幅が抵抗の抵抗値温度係数に依存しない回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成される。
本発明の電圧生成回路は、温度に対して一定の基準電圧を生成する基準電圧回路と、温度に対して一定の電流を流す電流源と、温度に依存した電圧を生成する温度特性生成回路と、を備え、前記温度特性生成回路は、抵抗値温度係数が異なる第１の可変抵抗および第２の可変抵抗を有し、前記２つの可変抵抗の抵抗値温度係数の差と前記電流源の電流とによって決まる温度に依存する電圧を、前記基準電圧生成回路が生成する前記基準電圧に加算して温度依存電圧を生成する。
【０００９】
本発明の電圧生成回路では、前記基準電圧回路は電源電圧に依存した電圧を出力し、前記電流源は電源電圧に依存した電流を流す。
本発明の電流生成回路は、温度に対して一定の基準電圧を生成する基準電圧回路と、温度に対して一定の電流を流す電流源と、温度に依存した電流を生成する温度特性生成回路と、を備え、前記温度特性生成回路は、抵抗値温度係数が異なる第１の可変抵抗および第２の可変抵抗を有し、前記２つの可変抵抗の抵抗値温度係数の差と前記電流源の電流とによって決まる温度に依存する電圧を、前記基準電圧生成回路が生成する前記基準電圧に加算して温度依存電圧を生成し、当該温度依存電圧に依存した電流を生成する。
本発明の電流生成回路では、前記基準電圧回路は電源電圧に依存した電圧を出力し、前記電流源は電源電圧に依存した電流を流す。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、抵抗値温度係数が異なる２つの可変抵抗を使用し、この２つの可変抵抗の抵抗値温度係数の差と電流源の電流とによって決まる温度依存性の電圧を、基準電圧生成回路が生成する基準電圧に加算することにより、温度依存電圧または温度依存電流を生成するようにした。このため、その生成電圧または生成電流は、温度に対して高次成分を含まない１次の温度係数を有する電圧または電流となる。
【００１１】
また、その電圧または電流は、基準電圧、第１の可変抵抗、第２の可変抵抗、電流源が発生する電流値により温度係数が決まる。このため、本発明では、温度特性調整幅が抵抗の抵抗値温度係数によらず、各種回路に幅広く使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の電圧生成回路の第１実施形態の構成を示す回路図である。
【図２】その第１実施形態の変形例の回路図である。
【図３】本発明の電流生成回路の第１実施形態の構成を示す回路図である。
【図４】電源電圧に依存した電圧を生成する基準電圧生成回路の具体例を示す回路図である。
【図５】図３の固定抵抗Ｒ３の抵抗値温度係数α３を変化させたときの温度依存電流ＩＳの温度特性図である。
【図６】図１の可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値温度係数をα１、α２とし、α１＞α２となるように可変抵抗を配置したときの温度依存電圧ＶＥの温度特性図である。
【図７】図１の可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値温度係数をα１、α２とし、α１＜α２となるように可変抵抗を配置したときの温度依存電圧ＶＥの温度特性図である。
【図８】電源電圧に依存した電流を生成する電流源の具体例を示す回路図である。
【図９】本発明の電圧生成回路の第２実施形態の構成を示す回路図である。
【図１０】その第２実施形態の変形例の回路図である。
【図１１】本発明の電流生成回路の第２実施形態の構成を示す回路図である。
【図１２】その第２実施形態の変形例の回路図である。
【図１３】従来のセンサ温度補償回路の構成を示す回路図である。
【図１４】図１３に示す従来のセンサ温度補償回路の電圧ＶＸ温度特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
（電圧生成回路の第１実施形態の構成）
図１は、本発明の電圧生成回路の第１実施形態の構成を示す回路図である。
第１実施形態に係る電圧生成回路は、図１に示すように、基準電圧生成回路２と、温度特性生成回路３とを備え、出力端子２０から温度特性を有する電圧を出力するものである。
基準電圧生成回路２は、バンドギャップ回路等を含み、基準電圧ＶＡを生成する。この生成された基準電圧ＶＡは、温度特性生成回路３のＰＭＯＳトランジスタＴｒ１のゲートに印加される。
温度特性生成回路３は、基準電圧生成回路２が生成する基準電圧ＶＡに温度特性を加算した電圧ＶＥを生成し、この生成電圧ＶＥを出力端子２０から出力するものである。
【００１４】
すなわち、温度特性生成回路３は、図１に示すように、２つのＰＭＯＳトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の能動負荷となる２つのＮＭＯＳトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４と、出力用のＮＭＯＳトランジスタＴｒ５と、温度に対して一定の電流を流す電流源６と、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５の能動負荷となる電流源７とを備えている。また、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１と電流源６との間に配置される可変抵抗ＶＲ１と、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２と電流源６との間に配置される可変抵抗ＶＲ２とを備えている。さらに、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２は異なる抵抗値温度係数を有する。
【００１５】
次に、温度特性生成回路３の具体的な構成について図１を参照して説明する。
ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１のゲートには、基準電圧生成回路２が生成する基準電圧ＶＡが印加される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１のソースは、可変抵抗ＶＲ１の一端側に接続される。可変抵抗ＶＲ１の他端側は、電流源６を介して電源端子４にされる。
ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のゲートは、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のドレインに接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のソースは、可変抵抗ＶＲ２の一端側に接続される。可変抵抗ＶＲ２の他端側は、電流源６を介して電源端子４にされる。
【００１６】
ＮＭＯＳトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４は、ゲート同士が共通に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ３のドレインは、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１のドレインおよびＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のゲートにそれぞれ接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ３のソースは、接地端子５に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ４のドレインは、自己のゲートおよびＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のドレインにそれぞれ接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ４のソースは、接地端子５に接続される。
【００１７】
ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のゲートは、ＭＯＳトランジスタＴｒ１、Ｔｒ３の各ドレインに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のドレインは、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のゲートおよび出力端子２０に接続されるとともに、電流源７を介して電源端子４に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のソースは接地端子５に接続される。
【００１８】
（電圧生成回路の第１実施形態の変形例）
（１）第１変形例
第１変形例は、図１の第１実施形態の構成を基本にし、図１のＰＭＯＳトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２をＰＮＰ型のトランジスタに置き換え、同様にＮＭＯＳトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４、Ｔｒ５をＮＰＮ型のトランジスタに置き換えたものである。
このように置き換えた第１変形例によれば、図１の第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００１９】
（２）第２変形例
第２変形例は、図２に示すように、第１実施形態の構成を基本にし、さらに、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１とＮＭＯＳトランジスタＴｒ３の出力電圧ＶＦを増幅する増幅回路１１を追加した。そして、増幅回路１１でその出力電圧ＶＦをＭ倍に増幅し、この増幅した電圧ＶＧをＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のゲートに印加するようにした。
このように増幅回路１１を追加した第２変形例によれば、図１の第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００２０】
（電流生成回路の第１実施形態の構成）
図３は、本発明の電流生成回路の第１実施形態の構成を示す回路図である。
第１実施形態に係る電流生成回路は、図３に示すように、基準電圧生成回路２と、温度特性生成回路３Ａとを備え、温度特性生成回路３Ａに含まれるＮＭＯＳトランジスタＴｒ５に温度特性を有する電流を流すようにしたものである。
基準電圧生成回路２は、バンドギャップ回路等を含み、基準電圧ＶＡを生成する。この生成された基準電圧ＶＡは、温度特性生成回路３ＡのＰＭＯＳトランジスタＴｒ１のゲートに印加される。
温度特性生成回路３Ａは、出力端子２０に接続される負荷（図示せず）を駆動するＮＭＯＳトランジスタＴｒ５を有し、そのＮＭＯＳトランジスタＴｒ５が温度特性を有する電圧ＶＥに依存する電流ＩＳを生成する。
【００２１】
すなわち、温度特性生成回路３Ａは、図３に示すように、２つのＰＭＯＳトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の能動負荷となる２つのＮＭＯＳトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４と、出力用のＮＭＯＳトランジスタＴｒ５と、温度に対して一定の電流を流す電流源６と、固定抵抗Ｒ３とを備えている。また、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１と電流源６との間に配置される可変抵抗ＶＲ１と、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２と電流源６との間に配置される可変抵抗ＶＲ２とを備えている。さらに、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２は、異なる抵抗値温度係数を有する。
【００２２】
次に、温度特性生成回路３Ａの具体的な構成について図３を参照して説明する。
ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１のゲートには、基準電圧生成回路２が生成する基準電圧ＶＡが印加される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１のソースは、可変抵抗ＶＲ１の一端側に接続される。可変抵抗ＶＲ１の他端側は、電流源６を介して電源端子４にされる。
ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のゲートは、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のソースに接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のソースは、可変抵抗ＶＲ２の一端側に接続される。可変抵抗ＶＲ２の他端側は、電流源６を介して電源端子４にされる。
【００２３】
ＮＭＯＳトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４は、ゲート同士が共通に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ３のドレインは、自己のゲートおよびＰＭＯＳトランジスタＴｒ１のドレインにそれぞれ接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ３のソースは、接地端子５に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ４のドレインは、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のドレインおよびＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のゲートにそれぞれ接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ４のソースは、接地端子５に接続される。
ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のゲートは、ＭＯＳトランジスタＴｒ２、Ｔｒ４の各ドレインに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のドレインは、出力端子２０に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のソースは、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のゲートに接続されるとともに、固定抵抗Ｒ３を介して接地端子５に接続される。
【００２４】
（第１実施形態の作用及び効果）
本発明は、温度依存性を有する電圧または電流を生成するが、そのときに、基準電圧に、２つの可変抵抗の抵抗値温度係数の差と電流源が流す電流とによって決まる温度特性を有する電圧を加算し、温度依存電圧または温度依存電流を生成するようにした。
このような本発明を理解するために、まず、基準電圧生成回路２について説明する。
図１の基準電圧生成回路２で生成される電圧ＶＡは、後述の温度特性に依存する電圧を加算する際の基準となる電圧である。このため、任意の値で構わない。
【００２５】
電源電圧、温度に依存しない電圧を基準とする場合は、バンドギャップ回路の出力等を用いることができる。また、電源電圧に依存し、温度に依存しない電圧を基準とする場合は、図４に示す基準電圧生成回路２により実現できる。
この基準電圧生成回路２は、図４に示すように、分圧抵抗Ｒ８、Ｒ９を直列に接続し、この直列回路の両端に電源電圧ＶＣＣを印加し、分圧電圧を基準の電圧ＶＡとして出力する。このため、その電圧ＶＡは、式（２）のようになる。
ＶＡ＝｛Ｒ９／（Ｒ８＋Ｒ９）｝×ＶＣＣ・・・（２）
【００２６】
次に、温度特性生成回路３について、図１を参照して説明する。
温度特性生成回路３は、入力となる基準電圧生成回路２で生成した電圧ＶＡに温度特性を加算した電圧ＶＥを生成する回路である。以下、動作について詳細に説明する。
まず、図１おいて、基準温度Ｔ０での可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値がＶＲ１＝Ｒ、ＶＲ２＝ｎ×Ｒ( ｎは正の数) となる場合、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４は、以下の条件を満たすようにサイズを決定する。
（Ｔｒ１のサイズ）×ｎ＝（Ｔｒ２のサイズ）
（Ｔｒ３のサイズ）×ｎ＝（Ｔｒ４のサイズ）
ここでは、説明を簡単にするために、ｎ＝１として説明する。
【００２７】
図１の第１実施形態では、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２に流れる電流は、電流源６が流す電流Ｉｄによって決まる。このため、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ３、可変抵抗ＶＲ１（またはＰＭＯＳトランジスタＴｒ２、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ４、可変抵抗ＶＲ２）に流れる電流は、０．５Ｉｄとなる。
【００２８】
ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のゲートに、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１とＮＭＯＳトランジスタＴｒ３の接続点の電圧ＶＦが印加される。また、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のドレインの電圧ＶＥがＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のゲートに印加されるので、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５は負帰還がかかる動作をする。そして、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５は、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のゲートの電圧ＶＥに依存した電圧を生成し、この生成電圧を出力端子２０から出力する。
ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１のソースの電圧ＶＢは、基準電圧生成回路２が生成する電圧ＶＡを入力とし、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ１によって決まり、以下の式（３）となる。
ＶＢ＝ＶＡ＋Ｖｇｓ１・・・（３）
【００２９】
また、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２が共通接続される点の電圧ＶＣは、以下の式（４）となる。
ＶＣ＝ＶＢ＋０．５Ｉｄ×ＶＲ１
＝ＶＡ＋Ｖｇｓ１＋０．５Ｉｄ×ＶＲ１・・・（４）
同様に考え、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のソースの電圧ＶＤと、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のゲートの電圧ＶＥとは、以下の式（５）、（６）となる。ここで、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のゲート・ソース間電圧をＶｇｓ２とする。
ＶＤ＝ＶＣ−０．５Ｉｄ×ＶＲ２
＝ＶＡ＋Ｖｇｓ１＋０．５Ｉｄ×（ＶＲ１−ＶＲ２）・・・（５）
ＶＥ＝ＶＤ−Ｖｇｓ２
＝ＶＡ＋Ｖｇｓ１−Ｖｇｓ２＋０．５Ｉｄ×（ＶＲ１−ＶＲ２）・・・（６）
また、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２は同じサイズであり、同じ電流が流れていることより、次の式（７）が成立する。
Ｖｇｓ１＝Ｖｇｓ２・・・（７）
このため、式（６）は以下の式（８）ようになる。
ＶＥ＝ＶＡ＋Ｖｇｓ１−Ｖｇｓ２＋０．５Ｉｄ×（ＶＲ１−ＶＲ２）
＝ＶＡ＋０．５Ｉｄ×（ＶＲ１−ＶＲ２）・・・（８）
さらに、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２は温度特性を持っていることを示すため、次式（９）、（１０）で置き換える。
ここで、基準温度Ｔ０での可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値が等しくＶＲ１＝ＶＲ２＝Ｒとして、また、可変抵抗ＶＲ１の抵抗値温度係数をα１[%／℃] 、可変抵抗ＶＲ２の抵抗値温度係数をα２[%／℃] とする。
ＶＲ１（Ｔ）＝Ｒ×｛１＋（α１／１００）×（Ｔ−Ｔ０）｝・・・（９）
ＶＲ２（Ｔ）＝Ｒ×｛１＋（α２／１００）×（Ｔ−Ｔ０）｝・・・（１０）
この時、式（８）は以下の式（１１）のようになる。
【００３０】
【数１】
2013145456.tif 000003
【００３１】
この時、電圧ＶＥの温度係数αＶＥ[%／℃] は、以下の式（１２）となる。
【００３２】
【数２】
2013145456.tif 000004
【００３３】
次に、温度特性生成回路３Ａについて、図３を参照して説明する。
図３の温度特性生成回路３Ａでは、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２に流れる電流は、電流源６が流す電流Ｉｄによって決まる。このため、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ３、可変抵抗ＶＲ１（またはＰＭＯＳトランジスタＴｒ２、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ４、可変抵抗ＶＲ２）に流れる電流は、０．５Ｉｄとなる。
【００３４】
ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５のゲートに、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２とＮＭＯＳトランジスタＴｒ４の接続点の電圧ＶＦが印加される。また、固定抵抗Ｒ３の両端の電圧ＶＥがＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のゲートに印加されるので、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５は負帰還がかかる動作をする。そして、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５は、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のゲートの電圧ＶＥに依存した電流ＩＳを生成する。
【００３５】
このため、図３の温度特性生成回路３Ａは、図１の温度特性生成回路３と同様に電圧ＶＥが決まるので、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ５に流れる電流ＩＳは式（１１）を参照すると、次の式（１３）のようになる。
【００３６】
【数３】
2013145456.tif 000005
【００３７】
さらに、式（１３）の温度係数αＩＳ[%／℃] は、以下の式（１４）で表される。
【００３８】
【数４】
2013145456.tif 000006
【００３９】
ここで、固定抵抗Ｒ３の抵抗値温度係数はゼロとして扱った。固定抵抗Ｒ３の抵抗値温度係数は電流ＩＳの温度変化に影響するため、小さいことが望ましい。しかしながら、固定抵抗Ｒ３の抵抗値温度係数は必ずしもゼロである必要はなく、電圧ＶＥの温度特性に対して十分小さい温度係数の場合は無視できる。
【００４０】
図５に、固定抵抗Ｒ３の抵抗値温度係数を変化させた場合のＮＭＯＳトランジスタＴｒ５に流れる電流ＩＳの温度変化を示す。
図５において、α３（％／℃）は固定抵抗Ｒ３の抵抗値温度係数とする。集積回路の製造プロセスで用いられる抵抗の温度係数は、０．０００２〜０．０００５（％／℃）であり、無視できることがわかる。また、より高精度を目指す場合には、外付け抵抗を用いることで、抵抗値温度係数が十分に小さい抵抗を用いることができる。
【００４１】
α１＞α２と仮定した時、式（１１）で表されるＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のゲートの電圧ＶＥの温度変化を図６に示す。さらに、α１＜α２と仮定した時、式（１１）で表されるＰＭＯＳトランジスタＴｒ２のゲートの電圧ＶＥの温度変化を図７に示す。
式（１１）〜（１４）、図１２、図１３からわかることは、図１の温度特性生成回路３で生成される電圧ＶＥと、図３の温度特性生成回路３Ａで生成される電流ＩＳとの温度特性は、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値温度係数の差に依存し、温度変化に対して高次成分を含まず直線的に変化する電流となっていることである。また、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値温度係数の組み合わせにより、温度特性の符号を容易に変化できることがわかる。
また、抵抗の温度特性は製造プロセスによって制限されることが多いが、本発明の実施形態では、基準電圧ＶＡまたは電流源６の電流Ｉｄ、または、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２の基準温度Ｔ０での抵抗値Ｒを変化させることにより、所望の温度変化を示す電圧、または電流を得ることができる。
【００４２】
次に、基準電圧生成回路２が生成する基準電圧ＶＡと電流源６の電流Ｉｄは任意の値で構わないが、式（１５）、（１６）に示すような電源電圧に依存した基準電圧ＶＡと電流源の電流Ｉｄを用いたときの効果について説明する。
ＶＡ＝Ａ×ＶＣＣ・・・（１５）
Ｉｄ＝Ｂ×ＶＣＣ・・・（１６）
式（１５）は、図４の基準電圧生成回路２を用いることで実現できる。また、式（１６）は、図８の基準電圧生成回路２を用いることで実現できる。
図８の基準電圧生成回路２は、図示のように、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１２と、オペアンプ９と、抵抗Ｒ１０〜Ｒ１２とを備えている。
【００４３】
ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１２のソースは、抵抗Ｒ１２を介して電源端子４に接続される。オペアンプ９の非反転入力端子（＋）には電源電圧ＶＣＣを抵抗Ｒ１０、Ｒ１１で分圧する電圧ＶＨが印加され、オペアンプ９の反転入力端子（−）にはＰＭＯＳトランジスタＴｒ１２のソースに接続され、オペアンプ９の出力端子はＰＭＯＳトランジスタＴｒ１２のゲートに接続される。
ここで説明を簡単にするため、図４、図８で生成される電圧、電流は式（１５）、（１６）を用いて行う。
このとき、電圧ＶＥは、式（１１）より次式（１７）のようになる。
【００４４】
【数５】
2013145456.tif 000007
【００４５】
また、温度係数αＶＥは式（１２）より、以下の式（１８）のようになる。
【００４６】
【数６】
2013145456.tif 000008
【００４７】
式（１７）、式（１８）からわかることは、電源電圧に依存した基準電圧ＶＡと電流源の電流Ｉｄを用いた時、電源電圧を変化させた場合に基準温度Ｔ０での電圧を電源電圧に依存させながら電源電圧に依存しない温度係数を持つことができる。
【００４８】
（電圧生成回路の第２実施形態の構成）
図９は、本発明の電圧生成回路の第２実施形態の構成を示す回路図である。
第２実施形態に係る電圧生成回路は、図９に示すように、基準電圧生成回路２と、温度特性生成回路３Ｂとを備え、出力端子２０から温度特性を有する電圧を出力するものである。
ここで、第２実施形態は、図１に示す第１実施形態の温度特性生成回路３を、図９に示す温度特性生成回路３Ｂに置き換えたものである。このため、同一の構成要素には同一の符号を付してその説明はできるだけ省略する。
【００４９】
温度特性生成回路３Ｂは、図９に示すように、基準電圧生成回路２が生成する基準電圧ＶＡに温度特性を加算した電圧ＶＥを生成し、この生成電圧ＶＥを出力端子２０から出力するものである。
すなわち、温度特性生成回路３Ｂは、図９に示すように、２つのＮＭＯＳトランジスタＴｒ７、Ｔｒ８と、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７、Ｔｒ８の能動負荷となる２つのＰＭＯＳトランジスタＴｒ９、Ｔｒ１０と、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１と、温度に対して一定の電流を流す電流源６と、出力用のＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１の能動負荷となる電流源７とを備えている。また、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７と電流源６との間に配置される可変抵抗ＶＲ１と、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８と電流源６との間に配置される可変抵抗ＶＲ２とを備えている。さらに、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２は異なる抵抗値温度係数を有する。
【００５０】
次に、温度特性生成回路３Ｂの具体的な構成について説明する。
ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７のゲートには、基準電圧生成回路２が生成する基準電圧ＶＡが印加される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７のソースは、可変抵抗ＶＲ１の一端側に接続される。可変抵抗ＶＲ１の他端側は、電流源６を介して接地端子５に接続される。
ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のゲートは、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のドレインに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のソースは、可変抵抗ＶＲ２の一端側に接続される。可変抵抗ＶＲ２の他端側は、電流源６を介して接地端子５に接続される。
【００５１】
ＰＭＯＳトランジスタＴｒ９、Ｔｒ１０は、ゲート同士が共通に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ９のドレインは、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７のドレインおよびＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のゲートにそれぞれ接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ９のソースは、電源端子４に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１０のドレインは、自己のゲートおよびＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のドレインにそれぞれ接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１０のソースは、電源端子４に接続される。
ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のゲートは、ＭＯＳトランジスタＴｒ７、Ｔｒ９の各ドレインに接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のドレインは、電流源７を介して接地端子５に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のソースは、電源端子４に接続される。
【００５２】
（電圧生成回路の第２実施形態の変形例）
（１）第１変形例
第１変形例は、図９の第２実施形態の構成を基本にし、図９のＮＭＯＳトランジスタＴｒ７、Ｔｒ８をＮＰＮ型のトランジスタに置き換え、同様にＰＭＯＳトランジスタＴｒ９、Ｔｒ１０、Ｔｒ１１をＰＮＰ型のトランジスタに置き換えたものである。
このように置き換えた第１変形例によれば、図９の第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５３】
（２）第２変形例
第２変形例は、図１０に示すように、図９の第２実施形態の構成を基本にし、さらに、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ７とＮＭＯＳトランジスタＴｒ９の出力電圧ＶＦを増幅する増幅回路１１を追加した。そして、増幅回路１１でその出力電圧ＶＦをＭ倍に増幅し、この増幅した電圧ＶＧをＮＭＯＳトランジスタＴｒ１１のゲートに印加するようにした。
このように増幅回路１１を追加した第２変形例によれば、図９の第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５４】
（電流生成回路の第２実施形態の構成）
図１１は、本発明の電流生成回路の第２実施形態の構成を示す回路図である。
第２実施形態に係る電流生成回路は、図１１に示すように、基準電圧生成回路２と、温度特性生成回路３Ｃとを備え、温度特性生成回路３Ｃに含まれるＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１に温度特性を有する電流を流すようにしたものである。
ここで、第２実施形態は、図３に示す第２実施形態の温度特性生成回路３Ａを、図１１に示す温度特性生成回路３Ｃに置き換えたものである。このため、同一の構成要素には同一の符号を付してその説明はできるだけ省略する。
温度特性生成回路３Ｃは、出力端子２０に接続される負荷（図示せず）を駆動するＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１を有し、そのＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１が温度特性を有する電圧ＶＥに依存する電流ＩＳを生成する。
【００５５】
すなわち、温度特性生成回路３Ｃは、図１１に示すように、２つのＮＭＯＳトランジスタＴｒ７、Ｔｒ８と、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７、Ｔｒ８の能動負荷となる２つのＰＭＯＳトランジスタＴｒ９、Ｔｒ１０と、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１と、温度に対して一定の電流を流す電流源６と、固定抵抗Ｒ３とを備えている。また、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７と電流源６との間に配置される可変抵抗ＶＲ１と、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８と電流源６との間に配置される可変抵抗ＶＲ２とを備えている。さらに、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２は、異なる抵抗値温度係数を有する。
【００５６】
次に、温度特性生成回路３Ｃの具体的な構成について説明する。
ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７のゲートには、基準電圧生成回路２が生成する基準電圧ＶＡが印加される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７のソースは、可変抵抗ＶＲ１の一端側に接続される。可変抵抗ＶＲ１の他端側は、電流源６を介して接地端子５に接続される。
ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のゲートは、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のソースに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のソースは、可変抵抗ＶＲ２の一端側に接続される。可変抵抗ＶＲ２の他端側は、電流源６を介して接地端子５に接続される。
【００５７】
ＰＭＯＳトランジスタＴｒ９、Ｔｒ１０は、ゲート同士が共通に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ９のドレインは、自己のゲートおよびＮＭＯＳトランジスタＴｒ７のドレインにそれぞれ接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ９のソースは、電源端子４に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１０のドレインは、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のドレインおよびＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のゲートにそれぞれ接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１０のソースは、電源端子４に接続される。
【００５８】
ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のゲートは、ＭＯＳトランジスタＴｒ８、Ｔｒ１０の各ドレインに接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のソースは、電源端子４に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のドレインは、出力端子２０に接続される。
【００５９】
（電流生成回路の第２実施形態の変形例）
この変形例は、図１２に示すように、図１１の第２実施形態の構成を基本にし、図１１のＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１をＮＭＯＳトランジスタＴｒ１４に置き換えたものである。
この置き換えにより、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ１４のゲートは、ＭＯＳトランジスタＴｒ８、Ｔｒ１０の各ドレインに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ１４のソースは、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のゲートに接続されるとともに、固定抵抗Ｒ３を介して接地端子５に接続される。ＮＭＯＳトランジスタＴｒ１４のドレインは、出力端子２０に接続される。
【００６０】
（第２実施形態の作用及び効果）
次に、電圧生成回路と電流生成回路のそれぞれの第２実施形態で得られる作用、効果について以下に説明する。ここで、基準電圧生成回路２は、第１実施形態の場合と同じであるので省略する。
まず、温度特性生成回路３Ｂについて、図９を参照して説明する。
温度特性生成回路３Ｂは、入力となる基準電圧生成回路２で生成した電圧ＶＡに温度特性を加算した電圧ＶＥを生成する回路である。以下、動作について詳細に説明する。
図９おいて、基準温度Ｔ０での可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値がＶＲ１＝Ｒ、ＶＲ２＝ｎ×Ｒ( ｎは正の数) となる場合、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７、Ｔｒ８、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ９、Ｔｒ１０は、以下の条件を満たすようにサイズを決定する。
（Ｔｒ７のサイズ）×ｎ＝（Ｔｒ８のサイズ）
（Ｔｒ９のサイズ）×ｎ＝（Ｔｒ１０のサイズ）
ここでは、説明を簡単にするめ、ｎ＝１として説明する。
【００６１】
図９に示す第２実施形態では、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７、Ｔｒ８、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ９、Ｔｒ１０、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２に流れる電流は、電流源６が流す電流Ｉｄによって決まる。このため、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ９、可変抵抗ＶＲ１（またはＮＭＯＳトランジスタＴｒ８、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１０、可変抵抗ＶＲ２）に流れる電流は、０．５Ｉｄとなる。
【００６２】
ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のゲートに、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７とＰＭＯＳトランジスタＴｒ９の接続点の電圧ＶＦが印加される。また、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のドレインの電圧ＶＥがＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のゲートに印加されるので、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１は負帰還がかかる動作をする。そして、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１は、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のゲートの電圧ＶＥに依存した電圧を生成し、この生成電圧を出力端子２０から出力する。
【００６３】
ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７のソースの電圧ＶＢは、基準電圧生成回路２が生成する電圧ＶＡを入力とし、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ７によって決まり、以下の式（１９）となる。
ＶＢ＝ＶＡ−Ｖｇｓ７・・・（１９）
また、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２が共通接続される点の電圧ＶＣは、以下の式（２０）となる。
ＶＣ＝ＶＢ−０．５Ｉｄ×ＶＲ１
＝ＶＡ−Ｖｇｓ７−０．５Ｉｄ×ＶＲ１・・・（２０）
【００６４】
同様に考え、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のソースの電圧ＶＤと、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のゲートの電圧ＶＥとは、以下の式（２１）、（２２）となる。ここで、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のゲート・ソース間電圧をＶｇｓ８とする。
ＶＤ＝ＶＣ＋０．５Ｉｄ×ＶＲ２
＝ＶＡ−Ｖｇｓ７＋０．５Ｉｄ×（−ＶＲ１＋ＶＲ２）・・・（２１）
ＶＥ＝ＶＤ＋Ｖｇｓ８
＝ＶＡ−Ｖｇｓ７＋Ｖｇｓ８＋０．５Ｉｄ×（−ＶＲ１＋ＶＲ２）・・（２２）
また、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７、Ｔｒ８は同じサイズであり、同じ電流が流れていることより、次の式（２３）が成立する。
Ｖｇｓ７＝Ｖｇｓ８・・・（２３）
このため、式（２２）は以下の式（２４）のようになる。
ＶＥ＝ＶＡ−Ｖｇｓ７＋Ｖｇｓ８＋０．５Ｉｄ×（−ＶＲ１＋ＶＲ２）
＝ＶＡ＋０．５Ｉｄ×（−ＶＲ１＋ＶＲ２）・・・（２４）
さらに、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２は抵抗値温度特性を持っていることを示すため、式（９）、（１０）を用いて、式（２４）は次の式（２５）となる。
【００６５】
【数７】
2013145456.tif 000009
【００６６】
この時、電圧ｖｅの温度係数αＶＥ[%／℃] は、式（２６）となる。
【００６７】
【数８】
2013145456.tif 000010
【００６８】
次に、温度特性生成回路３Ｃについて、図１１を参照して説明する。
図１１の温度特性生成回路３Ｃでは、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７、Ｔｒ８、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ９、Ｔｒ１０、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２に流れる電流は、電流源６が流す電流Ｉｄによって決まる。このため、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ９、可変抵抗ＶＲ１（またはＮＭＯＳトランジスタＴｒ８、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１０、可変抵抗ＶＲ２）に流れる電流は、０．５Ｉｄとなる。
【００６９】
ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のゲートに、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８とＰＭＯＳトランジスタＴｒ１０の接続点の電圧ＶＦが印加される。また、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１のソースの電圧ＶＥがＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のゲートに印加されるので、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１は負帰還がかかる動作をする。そして、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１は、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のゲートの電圧ＶＥに依存した電流ＩＳを生成する。
【００７０】
このため、図１１の温度特性生成回路３Ｃは、図９の温度特性生成回路３Ｂと同様に電圧ＶＥが決まるので、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１１に流れる電流ＩＳは式（２５）を参照すると、次の式（２７）のようになる。
【００７１】
【数９】
2013145456.tif 000011
【００７２】
ここで、ＶＤＤは電源の電圧である。
さらに、上式（２７）の温度係数αＩＳ[%／℃] は次式（２８）で表される。
【００７３】
【数１０】
2013145456.tif 000012
【００７４】
次に、温度特性生成回路３Ｃについて、図１２を参照して説明する。
図１２の温度特性生成回路３Ｃでは、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７、Ｔｒ８、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ９、Ｔｒ１０、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２に流れる電流は、電流源６が流す電流Ｉｄによって決まる。このため、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ７、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ９、可変抵抗ＶＲ１（またはＮＭＯＳトランジスタＴｒ８、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１０、可変抵抗ＶＲ２）に流れる電流は、０．５Ｉｄとなる。
【００７５】
ＮＭＯＳトランジスタＴｒ１４のゲートに、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ８とＰＭＯＳトランジスタＴｒ１０の接続点の電圧ＶＦが印加される。また、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ１４のソースの電圧ＶＥがＮＭＯＳトランジスタＴｒ８のゲートに印加されるので、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ１４は負帰還がかかる動作をする。そして、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ１４は、ＰＭＯＳトランジスタＴｒ８のゲートの電圧ＶＥに依存した電流ＩＳを生成する。
【００７６】
このため、図１１の温度特性生成回路３Ｃは、図９の温度特性生成回路３Ｂと同様に電圧ＶＥが決まるので、ＮＭＯＳトランジスタＴｒ１４に流れる電流ＩＳは式（２５）を参照すると、次の式（２９）のようになる。
【００７７】
【数１１】
2013145456.tif 000013
【００７８】
さらに、上式（２９）の温度係数αＩＳ[%／℃] は次式（３０）で表される。
【００７９】
【数１２】
2013145456.tif 000014
【００８０】
ここで、固定抵抗Ｒ３の抵抗値温度係数はゼロとして扱った。固定抵抗Ｒ３の抵抗値温度係数による影響は、図１の実施形態の場合と同じである。
式（２５）〜（３０）からわかることは、図１、図３の実施形態と同様に、図９の実施形態で生成される電圧ＶＥ、図１１、図１２の各実施形態で生成される電流ＩＳの温度特性は可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値温度係数の差に依存し、温度変化に対して高次成分を含まず直線的に変化する電圧、電流となっていることである。また、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２の抵抗値温度係数の組み合わせにより、温度特性の符号を容易に変化できることがわかる。
【００８１】
また、抵抗の温度特性は製造プロセスによって制限されることが多いが、本発明では、基準電圧ＶＡまたは電流源の電流Ｉｄ、または、可変抵抗ＶＲ１、ＶＲ２の基準温度Ｔ０での抵抗値Ｒを変化させることにより所望の温度変化を示す電圧、または電流を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明は、ホール素子、磁気抵抗素子、歪みセンサ、圧力センサ、温度センサ、および加速度センサなどの駆動に適用でき、さらに、それらを含む各種のセンサ装置に適用できる。
【符号の説明】
【００８３】
２・・・  基準電圧生成回路
３、３Ａ〜３Ｃ・・・温度特性生成回路
４・・・電源端子
５・・・接地端子
６、７・・・電流源
１１・・・増幅回路
ＶＲ１、ＶＲ２・・・可変抵抗
Ｒ３・・・固定抵抗
Ｔｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ９〜Ｔｒ１２・・・ＰＭＯＳトランジスタ
Ｔｒ３〜Ｔｒ５、Ｔｒ７、Ｔｒ８・・・ＮＭＯＳトランジスタ
【図１】
2013145456.tif 000015
【図２】
2013145456.tif 000016
【図３】
2013145456.tif 000017
【図４】
2013145456.tif 000018
【図５】
2013145456.tif 000019
【図６】
2013145456.tif 000020
【図７】
2013145456.tif 000021
【図８】
2013145456.tif 000022
【図９】
2013145456.tif 000023
【図１０】
2013145456.tif 000024
【図１１】
2013145456.tif 000025
【図１２】
2013145456.tif 000026
【図１３】
2013145456.tif 000027
【図１４】
2013145456.tif 000028