(57)【要約】      （修正有）【課題】下部電極のキャリア注入機能を損なうことなく有機ＥＬ表示装置を製造することを可能にする、有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】所定のコンタクト部を覆っていないパターン形状を有するパターニング部材を基板上に形成するパターニング部材形成工程と、少なくとも前記パターニング部材上の一部の領域と、前記所定のコンタクト部と、を覆うように電極材料からなる導電膜を成膜する下部電極の形成工程と、前記下部電極上に有機材料からなる膜を成膜する有機化合物層の形成工程と、前記パターニング部材を、前記パターニング部材上に形成された前記導電膜及び前記有機化合物層ごと除去するパターニング部材の除去工程と、上部電極を形成する上部電極の形成工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図１Ａ
2013258020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、基板上に設けられる複数の有機ＥＬ素子と、を有し、
前記基板の内部に駆動回路が設けられ、
前記有機ＥＬ素子が、基板上に設けられる下部電極と、前記下部電極上に形成される有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成される上部電極と、からなり、
前記駆動回路と前記下部電極とが、前記基板内に設けられるコンタクト部によって電気接続される有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
所定のコンタクト部を覆っていないパターン形状を有するパターニング部材を基板上に形成するパターニング部材形成工程と、
少なくとも前記パターニング部材上の一部の領域と、前記所定のコンタクト部と、を覆うように電極材料からなる導電膜を成膜する下部電極の形成工程と、
前記下部電極上に有機材料からなる膜を成膜する有機化合物層の形成工程と、
前記パターニング部材を、前記パターニング部材上に形成された前記導電膜及び前記有機化合物層ごと除去するパターニング部材の除去工程と、
上部電極を形成する上部電極の形成工程と、を有することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
基板と、基板上に設けられる第一有機ＥＬ素子と第二有機ＥＬ素子と、を少なくとも有し、
前記基板の内部に駆動回路が設けられ、
前記第一有機ＥＬ素子が、基板上に設けられる第一下部電極と、前記第一下部電極上に形成される第一有機化合物層と、前記第一有機化合物層上に形成される第一上部電極と、からなり、
前記第二有機ＥＬ素子が、基板上に設けられる第二下部電極と、前記第二下部電極上に形成される第二有機化合物層と、前記第二有機化合物層上に形成される第二上部電極と、からなり、
前記第一下部電極と、前記第二下部電極と、がそれぞれ個別に形成される電極であり、
前記駆動回路と前記第一下部電極とが、前記基板内に設けられる第一コンタクト部によって電気接続され、
前記駆動回路と前記第二下部電極とが、前記基板内に設けられる第二コンタクト部によって電気接続される有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記基板上に第一下部電極を形成する、第一下部電極の形成工程と、
前記基板上に第一有機化合物層を形成する、第一有機化合物層の形成工程と、
前記第一有機化合物層をパターニングして、第二コンタクト部を覆っていないパターン形状を有するパターニング部材を基板上に形成するパターニング部材形成工程と、
前記第二コンタクト部上に第二下部電極を形成する、第二下部電極の形成工程と、
前記第二下部電極上に第二有機化合物層を形成する第二有機化合物層の形成工程と、
前記パターニング部材を除去するパターニング部材の除去工程と、
前記第一上部電極及び前記第二上部電極を兼ねる電極層を形成する上部電極の工程と、を有することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記パターニング部材が、有機化合物を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記パターニング部材が、所定の溶媒で溶解する剥離層を有し、
前記前記剥離層を溶解させて前記パターニング部材を除去する事を特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記パターニング部材が、犠牲層を有し、
前記犠牲層が、前記剥離層を溶解させる溶媒に対して不溶であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記パターニング部材が、保護層を有し、
前記保護層が、前記剥離層上に形成されることを特徴とする、請求項４又は５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられている少なくとも発光層を含む有機化合物層と、を有する有機ＥＬ素子を複数有する表示装置である。陽極側から注入された正孔と陰極側から注入された電子とが発光層にて再結合する際に生じた励起子が基底状態に戻る際に、有機発光素子は光を発する。ところで有機発光素子を構成する有機化合物層は、少なくとも発光層を有する一層あるいは複数の層からなる積層体である。ここで有機化合物層が複数の層からなる積層体である場合は、発光層の他に正孔輸送層、電子輸送層等が適宜形成される。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の製造方法は多数存在するが、その製造方法の一つとして真空蒸着法が知られている。真空蒸着法とは、有機ＥＬ素子の構成材料となる材料（蒸着材料）を気化（昇華）させた上で、有機ＥＬ表示装置の基材となる基板に順次薄膜を形成することで有機化合物層等の有機ＥＬ素子の構成部材を形成する方法である。このとき蒸着材料は、まずルツボ内に入れられて、成膜時において、真空装置内にて気化温度以上に加熱されることで気化する。そしてこの気化によって生じた蒸気が基板等に接触することにより薄膜が形成される。
【０００４】
ところで有機ＥＬ表示装置を真空蒸着法により製造する場合、一般的には、メタルマスクを用いて有機化合物層を所定の形状でパターニングしながら成膜する成膜方法が実施されている。特に、赤、緑、青といったフルカラー発光の有機ＥＬ表示措置を作製する場合において、赤、緑、青の各発光層を所定の領域に形成する際にメタルマスクを用いた成膜方法（パターニング方法）が実施されている。しかし、メタルマスクを用いたパターニング方法は、メタルマスクの開口幅を狭くしたときに、各開口幅を同じ幅に揃えることが難しくなるため、精細度には限界がある。
【０００５】
一方で、メタルマスクを使用しないパターニング方法も幾例か提案されている。例えば、特許文献１や特許文献２にて提案されているフォトリソプロセス（フォトリソグラフィを利用したパターン形成プロセス）がある。ここでフォトリソプロセスを利用する際には、不要な有機化合物層を除去するエッチング工程が少なくとも１回は含まれている。特許文献１では、エッチング工程の際に、光を照射しながらパターニングする光照射ドライエッチング法が採用されている。一方、特許文献２では、エッチング工程の際に、ドライエッチング法が採用されている。いずれの方法においてもエッチング工程の際に、不要な有機化合物層は除去され、除去された有機化合物層の下に予め配置された電極（下部電極）が表出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３６３８５号公報
【特許文献２】特許第３８３９２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、ドライエッチング法により有機化合物層をパターニングする場合において、下部電極を表出させた際に、有機化合物層と下部電極との界面で有機化合物層の残渣が発生し、この残渣が異物として下部電極表面に存在することがある。また、ドライエッチングの際に下部電極がエッチング環境に晒されて下部電極表面が酸化したり下部電極表面に不純物が発生したりして下部電極表面が汚染されることがある。さらに、ドライエッチングの後で大気中に下部電極が暴露されたときにこの下部電極は、表面が酸化されることによりダメージを受ける場合がある。以上説明したように、ドライエッチングを行う際に下部電極の表面が酸化、不純物等によって汚染されたり、異物等が発生したりすることで下部電極が本来有すべき機能であるキャリア注入機能を果たさなくなる場合があった。この点は、有機ＥＬ表示装置の製造プロセスとしてフォトリソプロセスを利用する際の問題点の一つであった。
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するために成されたものであり、その目的は、下部電極のキャリア注入機能を損なうことなく有機ＥＬ表示装置を製造することを可能にする、有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板と、基板上に設けられる複数の有機ＥＬ素子と、を有し、
前記基板の内部に駆動回路が設けられ、
前記有機ＥＬ素子が、基板上に設けられる下部電極と、前記下部電極上に形成される有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成される上部電極と、からなり、
前記駆動回路と前記下部電極とが、前記基板内に設けられるコンタクト部によって電気接続される有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
所定のコンタクト部を覆っていないパターン形状を有するパターニング部材を基板上に形成するパターニング部材形成工程と、
少なくとも前記パターニング部材上の一部の領域と、前記所定のコンタクト部と、を覆うように電極材料からなる導電膜を成膜する下部電極の形成工程と、
前記下部電極上に有機材料からなる膜を成膜する有機化合物層の形成工程と、
前記パターニング部材を、前記パターニング部材上に形成された前記導電膜及び前記有機化合物層ごと除去するパターニング部材の除去工程と、
上部電極を形成する上部電極の形成工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、下部電極のキャリア注入機能を損なうことなく有機ＥＬ表示装置を製造することを可能にする、有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することができる。
【００１１】
即ち、本発明は、フォトリソプロセスを利用して所望のパターン形状を有する有機化合物層を形成する際に、有機化合物層の下方に設けられる下部電極が、ドライエッチング工程におけるエッチング環境や大気中に晒されることはない。このため下部電極は、酸化や不純物等の発生によって表面が汚染されたり、表面に異物等が発生したりするのを抑制することができる。従って、下部電極の特性を損なうことなく有機ＥＬ表示装置を作製することが可能となる。また本発明の製造方法では、所定の領域に設けられる下部電極及び有機化合物層を同一のパターニング部材を利用して形成することができる。このためマスクアライメント精度や蒸着の着膜精度等の課題から、従来のメタルマスクを用いたパターニングでは成し得なかった、高い画素開口率を有する有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図１Ｂ】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図２Ａ】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図２Ｂ】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図２Ｃ】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図２Ｄ】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図３】パターニング部材の形成工程から有機化合物層の形成工程に至るまでの工程における下部電極及び有機化合物層の成膜の様子を示す断面模式図である。
【図４Ａ】実施例１における有機ＥＬ表示装置の製造プロセスを示す断面模式図である。
【図４Ｂ】実施例１における有機ＥＬ表示装置の製造プロセスを示す断面模式図である。
【図４Ｃ】実施例１における有機ＥＬ表示装置の製造プロセスを示す断面模式図である。
【図４Ｄ】実施例１における有機ＥＬ表示装置の製造プロセスを示す断面模式図である。
【図４Ｅ】実施例１における有機ＥＬ表示装置の製造プロセスを示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の製造方法は、基板と、基板上に設けられる複数の有機ＥＬ素子と、を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【００１４】
ここで基板の内部には駆動回路が設けられている。
【００１５】
一方、有機ＥＬ素子は、基板上に設けられる下部電極と、前記下部電極上に形成される有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成される上部電極と、からなる電子素子である。
【００１６】
尚、上記駆動回路と上記下部電極とは、基板内に設けられるコンタクト部によって電気接続されている。
【００１７】
ここで本発明の製造方法は、下記工程（Ａ１）乃至（Ａ５）を有している。
（Ａ１）所定のコンタクト部を覆っていないパターン形状を有するパターニング部材を基板上に形成するパターニング部材形成工程
（Ａ２）少なくとも前記パターニング部材上の一部の領域と、前記所定のコンタクト部と、を覆うように電極材料からなる導電膜を成膜する下部電極の形成工程
（Ａ３）下部電極上に有機材料からなる膜を成膜する有機化合物層の形成工程
（Ａ４）前記パターニング部材を、前記パターニング部材上に形成された前記導電膜及び前記有機化合物層ごと除去するパターニング部材の除去工程
（Ａ５）上部電極を形成する上部電極の形成工程
【００１８】
本発明の製造方法で発光色が異なる複数種類の画素を有する表示装置を製造する場合は、画素の種類に応じて上記工程（Ａ１）乃至（Ａ４）を適宜繰り返し行う。尚、複数種類の画素を有する有機ＥＬ表示装置を製造する場合、本発明においては、上記工程（Ａ１）に先立って下記工程（ｉ）及び（ｉｉ）を行ってもよい。
（ｉ）第一下部電極の形成工程
（ｉｉ）第一有機化合物層の形成工程
【００１９】
ここで第一下部電極、第一有機化合物層とは、それぞれ１番目に所定の領域に形成される第一有機発光素子を構成する下部電極、有機化合物層である。
【００２０】
本発明において、第一下部電極を予め基板上に形成する場合、具体的な製造プロセスとしては、下記（Ｂ１）乃至（Ｂ７）を有する製造プロセスがある。ここで下記（Ｂ１）乃至（Ｂ７）を有する製造プロセスに基づいて三種類以上の画素を有する表示装置を製造する場合は、画素の種類に応じて上記工程（Ｂ３）乃至（Ｂ６）を適宜繰り返し行う。
（Ｂ１）基板上に第一下部電極を形成する、第一下部電極の形成工程
（Ｂ２）基板上に第一有機化合物層を形成する、第一有機化合物層の形成工程
（Ｂ３）第一有機化合物層をパターニングして、第二コンタクト部を覆っていないパターン形状を有するパターニング部材を基板上に形成するパターニング部材形成工程
（Ｂ４）第二コンタクト部上に第二下部電極を形成する、第二下部電極の形成工程
（Ｂ５）第二下部電極上に第二有機化合物層を形成する第二有機化合物層の形成工程
（Ｂ６）パターニング部材を除去するパターニング部材の除去工程
（Ｂ７）第一上部電極及び前記第二上部電極を兼ねる電極層を形成する上部電極の工程
【００２１】
尚、上記工程（Ｂ１）乃至（Ｂ７）にて製造される表示装置は、少なくとも二種類の有機ＥＬ素子、即ち、第一有機ＥＬ素子と第二有機ＥＬ素子とを有している。ここで、第一有機ＥＬ素子は、基板上に設けられる第一下部電極と、第一下部電極上に形成される第一有機化合物層と、第一有機化合物層上に形成される第一上部電極と、からなる有機ＥＬ素子である。第二有機ＥＬ素子は、基板上に設けられる第二下部電極と、第二下部電極上に形成される第二有機化合物層と、第二有機化合物層上に形成される第二上部電極と、からなる有機ＥＬ素子である。尚、各有機ＥＬ素子が有する下部電極（第一下部電極、第二下部電極）は、それぞれ個別に形成される電極である。また駆動回路と前記第一下部電極とは、基板内に設けられる第一コンタクト部によって電気接続される。さらに駆動回路と第二下部電極とは、基板内に設けられる第二コンタクト部によって電気接続されている。
【００２２】
以下、図面を参照しながら、本発明について説明する。ただし、以下に説明する事項はあくまでも本発明の実施形態の例であって、本発明はこれら実施形態に限定されることはない。
【００２３】
（１）第一実施形態
図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。以下、図１に基づいて、本実施形態の製造プロセスについて説明する。
【００２４】
（１−１）基板（図１（ａ１））
まず基板として、コンタクト部１１が設けられた基板１０を作製する（図１（ａ１））。基板１０の材質としては、ガラス、高分子材料で作られたフィルム、Ｓｉウェハ等を用いることができる。コンタクト部１１の材質としては、後の工程で形成する下部電極３１とオーミックコンタクト（電気接続）がとれる金属であることが好ましい。また、コンタクト部１１は、予め基板１０内に設けられた有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）と接続されている。尚、コンタクト部１１の形状は、後述する下部電極３１と電気的に導通がとれてさえいれば、特に限定されない。
【００２５】
（１−２）剥離層の形成工程（図１（ａ２））
次に、基板１０上に剥離層２１を形成する（図１（ａ２））。剥離層２１は、後の工程で所定の領域以外の領域に形成される下部電極３１をリフトオフするために形成される。剥離層２１は、水等の溶媒に溶解する材料が好ましく、例えば、ＬｉＦ、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール等が好適に選択される。ただし、所定の溶媒に溶解され、剥離層上に形成された層を効率的にリフトオフできれば、これに限定されるものではない。
【００２６】
剥離層２１を形成する際には、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法等を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００２７】
尚、剥離層２１上に設けられる層は、後に説明するパターニング部材の除去工程において、基板１０と共に所定の溶媒中に浸漬することで除去することが可能となる。
【００２８】
（１−３）レジスト層の形成工程（図１（ａ３））
次に、剥離層２１の上にレジスト層２２（フォトレジスト層）を形成する（図１（ａ３））。レジスト層２２は、露光時の下層への影響を考えた場合、ポジ型のフォトレジストを用いるのが好ましいが、これに限定されるものではない。
【００２９】
レジスト層２２を形成する際には、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法等を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００３０】
尚、剥離層２１とレジスト層２２との間に剥離層２１等を保護するための保護層（不図示）を設けることもできる。具体的には、剥離層２１が、レジスト層２２を形成する際に使用される材料（溶媒、溶質）の影響を受ける場合に、保護層を設けることで剥離層２１にダメージを与えないようにしてレジスト層２２を均一に形成することができる。保護層の構成材料としては、ドライエッチングにより加工・除去が可能な材料、例えば、ＳｉＮ等の無機材料が好ましい。また保護層を形成する際には、ＣＶＤ法等を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００３１】
（１−４）現像処理工程（図１（ａ４））
次に、画素３０を設ける領域に設けられているレジスト層２２に対して選択的に露光、現像処理を行い、コンタクト部１１ａ上の有機ＥＬ素子を設ける領域にあるレジスト層２２を除去する（図１（ａ４））。尚、レジスト層２２に露光を行ったり、現像処理を行ったりする際に利用される方法としては、公知の方法を採用することができる。
【００３２】
（１−５）剥離層の加工工程（図１（ａ５））
次に、残ったレジスト層２２をマスクとして用いて、ドライエッチング処理により剥離層２１を加工する（図１（ａ５））。剥離層２１を、ドライエッチング処理によって加工することにより、コンタクト部１１の表層が表出する。また基板１０のうち、有機ＥＬ素子を設ける領域が表出する。ドライエッチング処理を行う際には、剥離層２１の構成材料にあわせて、効率的に当該構成材料をエッチングできる反応ガスを適宜選択する。例えば、有機化合物を用いて剥離層２１を形成した場合は、反応ガスとしてＯ2ガス等を用いることができる。
【００３３】
尚、本発明において、剥離層の形成工程（工程（１−２））から剥離層の加工工程（工程（１−５））に至るまでの工程は、総括してパターニング部材の形成工程ということができる。つまり、工程（１−２）から工程（１−５）までの工程を行うことにより、有機ＥＬ素子を有する画素３０を設ける領域に開口部を有するパターニング部材２０が形成される。
【００３４】
（１−６）下部電極の形成工程（図１（ａ６））
次に、ドライエッチング工程において形成された、剥離層２１とレジスト層２２からなるパターニング部材２０を用いて、コンタクト部１１の上に下部電極３１を形成する。尚、コンタクト部１１に接続される駆動回路が副画素毎に設けられている場合は、下部電極３１が副画素単位でパターニングされるように、基板１０の所定の領域に、溝等の凹凸形状の部材（不図示）を設けるとよい。
【００３５】
本発明において、下部電極３１の構成材料は、特に限定されるものではない。トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を形成する場合には、少なくとも後述する有機化合物層から発せられる特定の波長の光を効率よく反射する材料（Ａｌ等の金属材料）が好ましい。一方、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を形成する場合には、少なくとも有機化合物層から発せられる特定の波長の光を効率よく透過する材料（ＩＴＯ等の透明導電材料）が好ましい。
【００３６】
尚、下部電極３１を形成する際に、下部電極３１とコンタクト部１１の表面との間でオーミックコンタクト（電気接続）が取りづらい場合は、以下に説明する処理を行う。即ち、先程の剥離層の加工工程の後、下部電極を形成する前に、Ａｒスパッタリング等でコンタクト部１１の表面に存し得る酸化被膜を予め除去するとよい。
【００３７】
下部電極３１を形成する際には、成膜時における材料の直進性が高い真空蒸着法を用いると、パターニング部材２０の側壁への着膜量が減少し、パターニングが行い易くなるため好ましい方法といえるが、これに限定されるものではない。
【００３８】
（１−７）有機化合物層の形成工程（図１（ａ７））
次に、下部電極３１上に、発光材料を有する発光層を含む有機化合物層３２を形成する（図１（ａ７））。有機化合物層３２は、下部電極３１と連続して形成すると、下部電極３１の表面が酸化等によって汚染されたり、異物等が発生したりする確率を低減することができるので、好ましい。尚、本発明において、連続して形成するとは、同一の成膜装置内において下部電極３１と、有機化合物層３２と、を形成することをいう。
【００３９】
有機化合物層３２は、少なくとも発光層を含む単数又は複数の機能層からなる積層構造である。複数の機能層からなる積層構造であることが好ましいが、これに限定されるものではない。有機化合物層３２が複数の機能層からなる積層構造である場合、機能層としてとして、正孔輸送層、電子輸送層等を採用することができる。
【００４０】
発光層の構成材料としては、金属錯体系（アルミ錯体、イリジウム錯体）の材料等を用いる事ができる。
【００４１】
正孔輸送層の構成材料としては、フタロシアニン系材料、トリフェニルジアミン系材料等を用いることができる。
【００４２】
電子輸送層の構成材料としては、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体等を用いる事ができる。
【００４３】
ただし、本発明において、有機化合物層３２に含まれる層の構成材料は、上述した材料に限定されるものではない。
【００４４】
有機化合物層３２を形成する際には、下部電極３１と同様に、成膜時の材料の直進性が高い真空蒸着法を用いるのが好ましい。パターニング部材２０の側壁への着膜量が減少し、パターニングが行い易くなると共に、下部電極３１の形成と同じ真空雰囲気下で形成できるからである。ただし、下部電極３１が酸化や不純物等の発生によって表面が汚染されたり、異物等が発生したりする確率を低減できる環境下で有機化合物層３２を形成することができるのであるならば、有機化合物層層３２の形成方法は真空蒸着法に限定されるものではない。
【００４５】
（１−８）犠牲層の形成工程（図１（ａ８））
次に、有機化合物層３２上に、犠牲層３３を形成する（図１（ａ８））。犠牲層３３とは、後述する剥離層の除去工程において有機化合物層３２を保護すべく設けられる部材である。犠牲層３３は、有機ＥＬ素子の構成部材として機能する薄膜であることが好ましく、また剥離層２１を除去する際に用いられる溶媒に不溶であれば、材料は特に限定されることはない。例えば、剥離層２１の構成材料として、水洗により除去できる材料（水溶性の無機材料や有機材料）を用いた場合では、犠牲層３３の構成材料は、水に不溶な材料を用いればよい。
【００４６】
犠牲層３３を形成する際には、真空蒸着法を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００４７】
（１−９）パターニング部材の除去工程（図１（ａ９）、（ａ１０））
次に、基板１０を特定の溶媒中に浸漬して、基板１０上に形成されている剥離層２１を溶解させてパターニング部材２０とパターニング部材２０上に設けられる薄膜とを一括して除去する（図１（ａ９）、（ａ１０））。
【００４８】
この際、有機化合物層３２は犠牲層３３によって剥離層２１を溶解する溶媒から保護される。次に、剥離層２１を除去した後、犠牲層３３は、特定の溶媒中に浸漬して除去される。この際、有機化合物層３２は、有機化合物層３２のうち最も上に設けられた層（最上層）によって犠牲層３３を溶解する溶媒から保護される。ここで、犠牲層３３の構成材料は、有機化合物層３２の最上層の構成材料よりもウェットエッチングレートが大きい材料であればよい。
【００４９】
（１−１０）共通層の形成工程（図１（ａ１１））
次に、犠牲層３３を除去した後に共通層３４（共通有機化合物層）を形成する。共通層３４の構成材料としては、有機化合物層３２に効率よくキャリアを注入できる材料であれば、特に限定されるものではない。また共通層３４は、装置内に備える有機ＥＬ素子の特性（トップエミッション型、ボトムエミッション型）や素子構成に合わせて、正孔又は電子を注入・輸送する層として形成する。ここで共通層３４の構成材料としては、共通層３４の機能（正孔を注入・輸送する機能、電子を注入・輸送する機能）を考慮して、正孔輸送性材料又は電子輸送性材料から適宜選択する。
【００５０】
また共通層３４を形成する際には、真空蒸着法を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００５１】
（１−１１）上部電極の形成工程（図１（ａ１２））
次に、共通層３４の上に、上部電極３５を形成する（図１（ａ１２））。以上の工程により有機ＥＬ表示装置が完成する。
【００５２】
ここで有機ＥＬ素子として、トップエミッション型の素子を作製する場合、上部電極３５は、有機化合物層３２から発せられる光を阻害（吸収、反射又は散乱）しない材料からなる電極層であればよい。例えば、透明酸化物材料（インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、インジウムタングステン亜鉛酸化物等）が挙げられる。
【００５３】
有機ＥＬ素子として、ボトムエミッション型の素子を作製する場合、上部電極３５は、有機化合物層３２から発せられる光を反射する材料からなる電極層であればよい。例えば、金属材料（Ａｌ、Ａｇ等）が挙げられる。
【００５４】
上部電極３５を形成する際には、スパッタリング法、真空蒸着法等を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００５５】
このように、本発明の製造方法では、下部電極３１が形成される前にエッチング工程が行われており、その後で、下部電極３１と有機化合物層３２とが順次形成される。このため、エッチング工程において下部電極３１の表面が酸化し又は不純物等が発生することによって下部電極３１の表面が汚染されることはない。またエッチング工程において下部電極３１の表面に異物等が発生することを考慮する必要性は低い。従って、下部電極３１が本来有するキャリア輸送の機能を保持しつつ有機ＥＬ表示装置を作製することができる。
【００５６】
（２）第二実施形態
図２は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。以下、図２に基づいて本実施形態について説明する。尚、以下の説明では、第一実施形態との相違点を中心に説明する。
【００５７】
（２−１）基板（図２（ｂ１））
まず、コンタクト部１１（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）を備える基板１０を作製する。尚、図２にて示される基板１０は、発光色が異なる三種類の有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置を作製するための基板である。このため基板１０には、この三種類の有機ＥＬ素子に対応するように、三種類のコンタクト部１１ａ、１１ｂ、１１ｃがそれぞれ設けられている。尚、以下の説明において、コンタクト部１１ａは、第一副画素に含まれる第一コンタクト部である。コンタクト部１１ｂは、第二副画素に含まれる第二コンタクト部である。コンタクト部１１ｃは、第三副画素に含まれる第三コンタクト部である。
【００５８】
（２−２）第一下部電極の形成工程（図２（ｂ１））
図２（ｂ１）に示される基板１０には、第一有機ＥＬ素子に対応する第一コンタクト部１１ａに電気接続するように、第一下部電極３１ａが、第一有機ＥＬ素子を含む第一副画素を設ける領域３０ａに対応したパターン形状で設けられている。
【００５９】
第一下部電極３１ａの構成材料としては、第一実施形態において、下部電極３１の構成材料として例示された材料を用いることができる。
【００６０】
また第一下部電極３１ａの形成方法としては、第一実施形態において、下部電極の形成方法として例示された方法を採用することができる。尚、本実施形態では、第一下部電極３１ａを形成する際に、第一下部電極３１ａとなる導電膜を基板１０の全面に形成してから公知のパターニング方法を用いて第一副画素を設ける領域３０ａに対応したパターン形状に加工する方法を採用してもよい。また第一下部電極３１ａを形成する際に、第一下部電極層３１ａは、一層で形成してもよいし、二層以上の積層体として形成してもよい。
【００６１】
（２−２）第一有機化合物層の形成工程（図２（ｂ２））
次に、基板１０の全面に、第一有機化合物層３２ａを形成する（図２（ｂ２））。第一有機化合物層３２ａは、第一実施形態において説明した有機化合物層３２と同様に、少なくとも発光層を含む単数又は複数の機能層からなる積層構造である。
【００６２】
（２−３）犠牲層の形成工程（図２（ｂ３））
次に、第一有機化合物層３１ａ上に、犠牲層３３を形成する（図２（ｂ３））。犠牲層３３は、犠牲層３３は、有機ＥＬ素子の構成部材として機能する薄膜であることが好ましく、また剥離層２１を除去する際に用いられる溶媒に不溶であれば、材料は特に限定されることはない。
【００６３】
（２−４）剥離層の形成工程（図２（ｂ４））
次に、犠牲層３３上に剥離層２１を形成する（図２（ｂ４））。尚、剥離層２１上に設けられる部材は、後述する剥離層の除去工程において剥離層２１ごと除去（リフトオフ）される。
【００６４】
（２−５）保護層の形成工程（図２（ｂ５））
次に、剥離層２１上に、保護層２３を形成する（図２（ｂ５））。保護層２３の構成材料として、例えば、ＳｉＮ等が挙げられる。尚、剥離層２１は、保護層２３によって、次の工程（レジスト層の形成工程）にて使用される材料（レジスト材料、溶媒）の影響を受けることはない。
【００６５】
（２−６）レジスト層の形成工程（図２（ｂ６））
次に、保護層２３上に、レジスト層２２を形成する（図２（ｂ６））。レジスト層２２の構成材料としては、第一実施形態にて列挙された材料と同様の材料を用いることができる。
【００６６】
（２−７）露光現像工程（図２（ｂ７））
次に、レジスト層２２に対して露光、現像処理を行い、第二有機ＥＬ素子を含む第二副画素３０ｂが設けられる領域に形成されているレジスト層２２を除去する（図２（ｂ７））。尚、第二副画素を設ける平面領域には、第二コンタクト部１１ｂも含まれている。
【００６７】
（２−８）剥離層等の加工工程（図２（ｂ８））
次に、残ったレジスト層２２をマスクとして用いて、ドライエッチング処理により、第二有機ＥＬ素子を設ける領域に形成されている保護層２３と、剥離層２１と、第一有機化合物層３２ａと、を順次除去する。これにより、第二副画素３０ｂを設ける領域に開口を有するパターニング部材２０ｂを形成する（図２（ｂ８））。
【００６８】
本工程において、ドライエッチング処理を行う際に使用する反応ガスは、加工する層の構成材料に応じて適宜選択することができる。例えば、保護層２３を加工する際は、ＣＦ4を反応ガスとして使用し、剥離層２１や第一有機化合物層３１ａを加工する際は、Ｏ2を使用することができる。また本工程により、第二コンタクト部１１ｂが表出する。
【００６９】
（２−９）第二下部電極の形成工程（図２（ｂ９））
次に、パターニング部材２０ｂを用いて、第二コンタクト部１１ｂ上に、第二下部電極３１ｂを形成する。尚、第二下部電極３１ｂの構成材料は、第一下部電極３１ｃの構成材料と同様の材料を用いることができる。また第二下部電極３１ｂの形成方法としては、第一実施形態における下部電極３１の形成方法と同様の方法を採用することができる。
【００７０】
（２−１０）第二有機化合物層の形成工程（図２（ｂ１０））
次に、第二下部電極３１ｂ上に、第二有機化合物層３２ｂを形成する（図２（ｂ１０））。尚、第二有機化合物層３２ｂは、第二下部電極３１ｂと連続して形成されるのが好ましい。また、第二有機化合物層３２ｂには、少なくとも第一有機化合物層３２ａとは発光色が異なる発光層を含んでいる。
【００７１】
（２−１１）犠牲層の形成工程（図２（ｂ１１））
次に、第二有機化合物層３２ｂ上に犠牲層３３を形成する（図２（ｂ１１））。この犠牲層３３は、先の工程で第一有機化合物層３１ａ上に形成された犠牲層３３（図２（ｂ３））と機能は同じである。
【００７２】
（２−１２）パターニング部材の除去工程（図２（ｂ１２）〜（ｂ１３））
次に、基板１０上からパターニング部材２０ｂを除去する（図２（ｂ１３）。具体的には、パターニング部材２０ｂに含まれる剥離層２１が溶解する溶媒に浸漬し、剥離層２１上に形成されている層と共に基板１０からパターニング部材２０ｂをリフトオフする（図２（ｂ１２））。
【００７３】
（２−１３）パターニング部材の形成工程（図２（ｂ１４）〜（ｂ１８））
次に、第三有機ＥＬ素子を含む第三副画素が設けられる領域に開口を有するパターニング部材２０ｃを形成する（図２（ｂ１４）〜（ｂ１８））。尚、第三副画素を設ける平面領域には、第三コンタクト部１１ｃも含まれている。
【００７４】
パターニング部材２０ｃを形成するプロセスとしては、下記工程（２−１３ａ）乃至（２−１３ｅ）にて示されるプロセスがある。
（２−１３ａ）剥離層２１の形成工程（図２（ｂ１４））
（２−１３ｂ）保護層２３の形成工程（図２（ｂ１５））
（２−１３ｃ）レジスト層２２の形成工程（図２（ｂ１６））
（２−１３ｄ）露光現像処理工程（図２（ｂ１７））
（２−１３ｅ）保護層２３等の加工工程（図２（ｂ１８））
【００７５】
尚、工程（２−１３ａ）乃至（２−１３ｅ）にて示されるプロセスを行う際には、上記（２−４）乃至（２−８）にて説明したプロセスと同様のプロセスで行うことができる。
【００７６】
（２−１４）第三下部電極の形成工程（図２（ｂ１９））
次に、パターニング部材２０ｃを用いて、第三コンタクト部１１ｃ上に、第三下部電極３１ｃを形成する。尚、第三下部電極３１ｃの構成材料は、第一下部電極３１ｃや第二下部電極３１ｂの構成材料と同様の材料を用いることができる。また第三下部電極３１ｂの形成方法としては、第一実施形態における下部電極３１の形成方法と同様の方法を採用することができる。
【００７７】
（２−１５）第三有機化合物層の形成工程（図２（ｂ２０））
次に、第三下部電極３１ｃ上に、第三有機化合物層３２ｃを形成する（図２（ｂ２０））。尚、第三有機化合物層３２ｃは、第三下部電極３１ｃと連続して形成されるのが好ましい。また、第三有機化合物層３２ｃには、少なくとも第一有機化合物層３２ａ及び第二有機化合物層３２ｂとは発光色が異なる発光層を含んでいる。
【００７８】
（２−１６）犠牲層の形成工程（図２（ｂ２１））
次に、第三有機化合物層３２ｃ上に犠牲層３３を形成する（図２（ｂ２１））。この犠牲層３３は、先の工程で第一有機化合物層３１ａ上に形成された犠牲層３３（図２（ｂ３））と機能は同じである。
【００７９】
（２−１７）パターニング部材の除去工程（図２（ｂ２２）〜（ｂ２３））
次に、基板１０上からパターニング部材２０ｃを除去する（図２（ｂ２３））。具体的には、剥離層２１が溶解する溶媒に浸漬し、剥離層２１上に形成されている層と共に基板１０からパターニング部材２０ｃリフトオフする（図２（ｂ２２））。
【００８０】
この際、有機化合物層３２は犠牲層３３によって剥離層２１を溶解する溶媒から保護される。次に、剥離層２１を除去した後、犠牲層３３は、特定の溶媒中に浸漬して除去される。この際、有機化合物層３２は、有機化合物層３２の最も上の層（最上層）によって犠牲層３３を溶解する溶媒から保護される。ここで、犠牲層３３は、有機化合物層３２の最上層の構成材料よりもウェットエッチングレートが大きい材料であればよい。
【００８１】
（２−１８）共通層の形成工程（図２（ｂ２４））
次に、犠牲層３３を除去した後に共通層３４（共通有機化合物層）を形成する（図２（ｂ２４））。共通層３４の構成材料としては、第一実施形態で使用される材料と同様の材料を使用することができる。また共通層３４を形成する際には、第一実施形態で利用される方法と同様の方法を利用することができる。
【００８２】
（２−１９）上部電極の形成工程（図２（ｂ２５））
次に、共通層３４の上に、上部電極３５を形成する（図２（ｂ２５））。以上の工程により有機ＥＬ表示装置が完成する。上部電極３５の構成材料としては、第一実施形態で使用される材料と同様の材料を使用することができる。また上部電極３５を形成する際には、第一実施形態で利用される方法と同様の方法を利用することができる。
【００８３】
本発明では、本実施形態にて説明したように、パターニング部材２０の形成工程と、パターニング部材２０の除去工程と、を繰り返し行うことで、発光色等が異なる複数種類の有機ＥＬ表示装置を作製することができる。理論的には、パターニング部材２０の形成工程と、パターニング部材２０の除去工程と、をｎ回行うことで、ｎ＋１種類の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置を作製することができる。
【００８４】
尚、パターニング部材２０を用いて下部電極（３１ｂ、３１ｃ）を形成する際に、下部電極（３１ｂ、３１ｃ）の端部が隣接する副画素に含まれる下部電極の端部と接触する可能性がある場合、下部電極（３１ｂ、３１ｃ）の端部を絶縁化する。具体的には、パターニング部材（２０ｂ、２０ｃ）を形成する際に使用されるＯ2ガスを用いて、下部電極（３１ａ、３１ｂ）の端部を酸化して絶縁化するとよい。例えば、第二下部電極３１ｂを形成する前に行われるドライエッチング工程において、第一下部電極３１ａの端部が酸化されるようにドライエッチングを行う。この処理を行うことで、第一下部電極３１ａと第二下部電極３１ｂが接触したとしても、電極部材同士に接触によるリークやショートの発生が抑制される。また、第三下部電極３１ｃを作製する際においても同様の処理を行うことができる。尚、パターニング部材（２０ｂ、２０ｃ）の側壁に付着した下部電極の構成材料に関しては、リフトオフによる剥離層２１の除去工程にて剥離することができる。
【００８５】
尚、本発明では、ドライエッチングを行ってコンタクト部（１１ｂ、１１ｃ）の表層を表出する過程において、パターニング部材（２０ｂ、２０ｃ）の側壁部を加工（サイドエッチング）する。その上で下部電極（３１ｂ、３１ｃ）や有機化合物層（３２ｂ、３２ｃ）を形成するがより好ましい。
【００８６】
図３は、パターニング部材の形成工程から有機化合物層の形成工程に至るまでの工程における下部電極及び有機化合物層の成膜の様子を示す断面模式図である。尚、図３（ａ）は、基板１０上に、パターニング部材２０を、二つの有機化合物からなる層からなる積層体から形成される例を示している。
【００８７】
ドライエッチングを行う際のプロセス条件によって、パターニング部材２０を構成する層のうち基板１０側の層である下層２ａについては、上層２ｂよりもサイドエッチングされる場合がある。このため、図３（ａ）に示すように、ドライエッチング後のパターニング部材２０の断面は、基板１０側の開口幅ｄaの方が基板１０とは反対側の開口幅ｄbよりも大きくなる場合がある。
【００８８】
この開口幅の差異と、真空蒸着法における蒸発材料の直進性を用いることで、下部電極３１を形成しようとすると、図３（ｂ）に示すように、下部電極３１を所定のコンタクト部１１上に一定の幅で成膜することが可能となる。さらに同様の方法で、下部電極３１上に有機化合物層３２を、幅を制御しながら形成することで、図３（ｃ）に示すように、有機化合物層３２が下部電極３１の端部を覆うことができる。これにより下部電極３１を後の工程で形成される上部第電極との接触するのを抑制することができる。
【００８９】
このように、一定の幅で下部電極３１を形成する場合は、基板１０の面内のどの場所でも一定の幅となるよう、基板１０を一軸方向へ搬送しながら成膜したり、蒸発源を一軸方向へ搬送しながら成膜したりする方法を用いるのが好ましいが、これに限定されない。
【００９０】
また有機化合物層３２を形成する際においても、図３（ｃ）に示すように、同一の成膜方法で一定の幅で、かつ下部電極３１の端部が被覆されるように形成されることが望ましい。
【実施例１】
【００９１】
図４は、本実施例（実施例１）における有機ＥＬ表示装置の製造プロセスを示す断面模式図である。以下、図４を参照しながら本実施例の製造プロセスについて説明する。
【００９２】
（１）基板（図４（ｄ１））
本実施例では、まず、後述する下部電極と電気接続するためのコンタクト部（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）を備えた基板１０を用意した。（図４（ｄ１））
【００９３】
（２）パターニング部材の形成工程（図４（ｄ２）〜（ｄ５））
次に、ポリビニルピロリドンと水とを混合して調製した水溶液を基板１０の全面に塗布し、スピンコート法で成膜することにより、剥離層２１を形成した（図４（ｄ２））。このとき剥離層２１の膜厚は、５００ｎｍであった。
【００９４】
次に、スピンコート法により、剥離層２１上に、ポジ型フォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、ＡＺ１５００）を塗布・成膜してレジスト層２２を形成した（図４（ｄ３））。このときレジスト層２２の膜厚は、１０００ｎｍであった。
【００９５】
次に、露光装置及び第一副画素３０ａを設ける領域に開口を有するマスクを用いて、第一副画素３０ａを設ける領域について選択的に露光を行った。このとき露光時間は、４０秒とした。次に、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、商品名：３１２ＭＩＦを、水で濃度５０％に希釈したもの）を用いて、第一副画素３０ａを設ける領域に設けられているレジスト層２２を除去した（図４（ｄ４））。このとき現像時間（現像液に浸漬する時間）は、６０秒とした。
【００９６】
次に、Ｏ2ガスを用いたドライエッチングにより、第一副画素３０ａを設ける領域に設けられている剥離層２１を選択的に除去して、第一副画素３０ａを設ける領域に開口を有するパターニング部材２０ａを形成した（図４（ｄ５））。このときＯ2ガスの流量を、２０ｓｃｃｍとし、圧力を８Ｐａとした。またドライエッチングを行う際の出力条件を１５０Ｗとし、ドライエッチングの実施時間を３００秒とした。
【００９７】
以上の処理により、第一副画素３０ａを設ける領域に含まれる第一コンタクト部１１ａが表出したため、Ａｒガスを用いたドライエッチングにより第一コンタクト部１１ａの表面を処理した。
【００９８】
（３）第一下部電極の形成工程（図４（ｄ６））
次に、真空蒸着法により、基板１０の全面にＡｌを成膜して、第一下部電極３１ａを形成した（図４（ｄ６））。
【００９９】
（４）第一有機化合物層の形成工程（図４（ｄ７））
次に、前工程（第一下部電極の形成工程）から連続して、真空蒸着法により、基板１０の全面に、青色発光層を含む第一有機化合物層３２ａを形成した（図４（ｄ７））。尚、第一有機化合物層３２ａは、正孔輸送層と、青色発光層と、正孔ブロック層と、がこの順に積層してなる積層体とした。また第一有機化合物層３２ａを構成する層の膜厚は、それぞれ正孔輸送層：１２０ｎｍ、青色発光層：２０ｎｍ、正孔ブロック層：１０ｎｍとした。
【０１００】
（５）犠牲層の形成工程（図４（ｄ８））
次に、真空蒸着法により、基板１０の全面に、電子輸送性材料を成膜して犠牲層３３を形成した（図４（ｄ８））。このとき犠牲層３３の膜厚を、２０ｎｍとした。
【０１０１】
（６）パターニング部材の除去工程（図４（ｄ９）〜（ｄ１０））
次に、水中に基板１０を浸漬した。このとき、剥離層２１が水溶性であるポリビニルピロリドンで形成されている。このため、本工程により剥離層２１が溶解されると共に、パターニング部材２０ａ及びパターニング部材２０ａ上に形成された層が基板１からリフトオフされた（図４（ｄ９）〜（ｄ１０））。
【０１０２】
（７）パターニング部材の形成工程（図４（ｄ１１）〜（ｄ１４））
次に、ポリビニルピロリドンと水とを混合して調製した水溶液を基板１０の全面に塗布し、スピンコート法で成膜することにより、剥離層２１を形成した（図４（ｄ１１））。このとき剥離層２１の膜厚は、５００ｎｍであった。
【０１０３】
次に、スピンコート法により、剥離層２１上に、ポジ型フォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、ＡＺ１５００）を塗布・成膜してレジスト層２２を形成した（図４（ｄ１２））。このときレジスト層２２の膜厚は、１０００ｎｍであった。
【０１０４】
次に、露光装置及び第二副画素３０ｂを設ける領域に開口を有するマスクを用いて、第二副画素３０ｂを設ける領域について選択的に露光を行った。このとき露光時間は、４０秒とした。次に、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、商品名：３１２ＭＩＦを、水で濃度５０％に希釈したもの）を用いて、第二副画素３０ｂを設ける領域に設けられているレジスト層２２を除去した（図４（ｄ１３））。このとき現像時間（現像液に浸漬する時間）は、６０秒とした。
【０１０５】
次に、Ｏ2ガスを用いたドライエッチングにより、第二副画素３０ｂを設ける領域に設けられている剥離層２１を選択的に除去して、第二パターニング部材２０ｂを形成した（図４（ｄ１４））。このときＯ2ガスの流量を、２０ｓｃｃｍとし、圧力を８Ｐａとした。またドライエッチングを行う際の出力条件を１５０Ｗとし、ドライエッチングの実施時間を３００秒とした。
【０１０６】
以上の処理により、第二副画素を設ける領域に含まれる第二コンタクト部１１ｂが表出したため、Ａｒガスを用いたドライエッチングにより第二コンタクト部１１ｂの表面を処理した。
【０１０７】
（８）第二下部電極の形成工程（図４（ｄ１５））
次に、真空蒸着法により、基板１０の全面にＡｌを成膜して、第二下部電極３１ｂを形成した（図４（ｄ１５））。
【０１０８】
（９）第二有機化合物層の形成工程（図４（ｄ１６））
次に、前工程（第二下部電極の形成工程）から連続して、真空蒸着法により、基板１０の全面に、緑色発光層を含む第二有機化合物層３２ｂを形成した（図４（ｄ１６））。尚、第二有機化合物層３２ａは、正孔輸送層と、青色発光層と、正孔ブロック層と、がこの順に積層してなる積層体とした。また第二有機化合物層３２ｂを構成する層の膜厚は、それぞれ正孔輸送層：１６０ｎｍ、青色発光層：３０ｎｍ、正孔ブロック層：１０ｎｍとした。
【０１０９】
（１０）犠牲層の形成工程（図４（ｄ１７））
次に、真空蒸着法により、基板１０の全面に、電子輸送性材料を成膜して犠牲層３３を形成した（図４（ｄ１７））。このとき犠牲層３３の膜厚を、２０ｎｍとした。
【０１１０】
（１１）パターニング部材の除去工程（図４（ｄ１８））
次に、水中に基板１０を浸漬した。このとき、剥離層２１が水溶性であるポリビニルピロリドンで形成されている。このため、本工程により剥離層２１が溶解されると共に、パターニング部材２０及びパターニング部材２０上に形成された層が基板１からリフトオフされた（図４（ｄ１８））。
【０１１１】
（１２）パターニング部材の形成工程（図４（ｄ１９）〜（ｄ２２））
次に、ポリビニルピロリドンと水とを混合して調製した水溶液を基板１０の全面に塗布し、スピンコート法で成膜することにより、剥離層２１を形成した（図４（ｄ１９））。このとき剥離層２１の膜厚は、５００ｎｍであった。
【０１１２】
次に、スピンコート法により、剥離層２１上に、ポジ型フォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、ＡＺ１５００）を塗布・成膜してレジスト層２２を形成した（図４（ｄ２０））。このときレジスト層２２の膜厚は、１０００ｎｍであった。
【０１１３】
次に、露光装置及び第三副画素３０ｃを設ける領域に開口を有するマスクを用いて、第三副画素３０ｃを設ける領域について選択的に露光を行った。このとき露光時間は、４０秒とした。次に、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、商品名：３１２ＭＩＦを、水で濃度５０％に希釈したもの）を用いて、第三副画素３０ｃを設ける領域に設けられているレジスト層２２を除去した（図４（ｄ２１））。このとき現像時間（現像液に浸漬する時間）は、６０秒とした。
【０１１４】
次に、Ｏ2ガスを用いたドライエッチングにより、第三副画素３０ｃを設ける領域に設けられている剥離層２１を選択的に除去して、パターニング部材２０ｃを形成した（図４（ｄ２２））。このときＯ2ガスの流量を、２０ｓｃｃｍとし、圧力を８Ｐａとした。またドライエッチングを行う際の出力条件を１５０Ｗとし、ドライエッチングの実施時間を３００秒とした。
【０１１５】
以上の処理により、第三副画素３０ｃを設ける領域に含まれる第三コンタクト部１１ｃが表出したため、Ａｒガスを用いたドライエッチングにより第三コンタクト部１１ｃの表面を処理した。
【０１１６】
（１３）第三下部電極の形成工程（図４（ｄ２３））
次に、真空蒸着法により、基板１０の全面にＡｌを成膜して、第三下部電極３１ｃを形成した（図４（ｄ２３））。
【０１１７】
（１４）第三有機化合物層の形成工程（図４（ｄ２４））
次に、前工程（第三下部電極の形成工程）から連続して、真空蒸着法により、基板１０の全面に、赤色発光層を含む第二有機化合物層３２ｂを形成した（図４（ｄ２４））。尚、第二有機化合物層３２ａは、正孔輸送層と、赤色発光層と、正孔ブロック層と、がこの順に積層してなる積層体とした。また第二有機化合物層３２ｂを構成する層の膜厚は、それぞれ正孔輸送層：２００ｎｍ、赤色発光層：３０ｎｍ、正孔ブロック層：１０ｎｍとした。
【０１１８】
（１５）犠牲層の形成工程（図４（ｄ２５））
次に、真空蒸着法により、基板１０の全面に、電子輸送性材料を成膜して犠牲層３３を形成した（図４（ｄ１７））。このとき犠牲層３３の膜厚を、２０ｎｍとした。
【０１１９】
（１６）パターニング部材の除去工程（図４（ｄ２６））
次に、水中に基板１０を浸漬した。このとき、剥離層２１が水溶性であるポリビニルピロリドンで形成されている。このため、本工程により剥離層２１が溶解されると共に、パターニング部材２０ｃ及びパターニング部材２０ｃ上に形成された層が基板１からリフトオフされた（図４（ｄ２６））。
【０１２０】
この際、有機化合物層３２は犠牲層３３によって剥離層２１を溶解する溶媒から保護される。次に、剥離層２１を除去した後、犠牲層３３は、特定の溶媒中に浸漬して除去される。この際、有機化合物層３２の最も上の層（最上層）によって犠牲層３３を溶解する溶媒から保護される。ここで、犠牲層３３は、有機化合物層３２の最上層の構成材料よりもウェットエッチングレートが大きい材料であればよい。
【０１２１】
（１７）共通層の形成工程（図４（ｄ２７））
次に、真空蒸着法により、犠牲層３３を除去した後に共通層３４である電子注入層を形成した（図４（ｄ２７））。このとき電子注入層の膜厚は、２０ｎｍとした。
【０１２２】
（１８）上部電極の形成工程（図４（ｄ２８））
次に、スパッタリング法により、Ａｇを成膜して上部電極３５を形成した（図４（ｄ２８））。このとき上部電極３５の膜厚を、１６ｎｍとした。
【０１２３】
（１９）封止工程
次に、基板１０を窒素雰囲気下に移し、紫外線硬化樹脂を用いて、基板１０と封止ガラス板（不図示）とを貼り合わせることで、窒素封止構造を形成し、有機ＥＬ表示装置が外気に曝されないよう保護した。以上の工程により、有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１２４】
（２０）有機ＥＬ表示装置の評価
次に、得られた有機ＥＬ表示装置と、真空一貫環境下でメタルマスク蒸着法を用いて赤、緑、青の有機化合物層をパターニングして得た有機ＥＬ表示装置との特性を比較した。具体的には、各色において、発光色度、電流効率、長期駆動時の輝度劣化の各特性を測定・評価した。その結果、メタルマスク蒸着法を用いてパターニングを採用して得た有機ＥＬ表示装置と同等であることがわかった。また画素開口率については、メタルマスク蒸着法に比べて大きくすることができた。
【０１２５】
以上述べたように、本発明の方法によれば、メタルマスク蒸着法と比較して、開口率が大きい状態で有機化合物層をパターニングすることができると共に、素子特性も問題ないことがわかった。
【実施例２】
【０１２６】
図２に示された製造プロセスに従って有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１２７】
（１）電極付基板（図２（ｂ１））
本実施例では、基板１０上に、第一下部電極３１ａが第一副画素３０ａを設ける領域に予め設けられている電極付基板を用いた（図２（ｂ１））。本実施例において、第一下部電極３１ａは、Ａｇからなる膜と、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）からなる膜と、からなる積層電極薄膜であり、第一コンタクト部１１ａと電気接続されている。また基板１０は、第一コンタクト部１１ａの他に、後述する第二副画素を設ける領域に設けられる第二コンタクト部１１ｂと、第三副画素を設ける領域に設けられる第三コンタクト部１１ｃと、をも有している。
【０１２８】
（２）第一有機化合物層の形成工程（図２（ｂ２））
次に、真空蒸着法により、基板１０の全面に、青色発光層を含む第一有機化合物層３２ａを形成した（図２（ｂ２））。尚、第一有機化合物層３２ａは、正孔輸送層と、青色発光層と、正孔ブロック層と、がこの順に積層してなる積層体とした。また第一有機化合物層３２ａを構成する層の膜厚は、それぞれ正孔輸送層：１２０ｎｍ、青色発光層：２０ｎｍ、正孔ブロック層：１０ｎｍとした。
【０１２９】
（３）犠牲層の形成工程（図２（ｂ３））
次に、真空蒸着法により、基板１０の全面に、電子輸送性材料を成膜して犠牲層３３を形成した（図２（ｂ３））。このとき犠牲層３３の膜厚を、２０ｎｍとした。
【０１３０】
（４）パターニング部材の形成工程（図２（ｂ４）〜（ｂ８））
次に、ポリビニルピロリドンと水とを混合して調製した水溶液を基板１０の全面に塗布し、スピンコート法で成膜することにより、剥離層２１を形成した（図２（ｂ４））。このとき剥離層２１の膜厚は、５００ｎｍであった。
【０１３１】
次に、プラズマＣＶＤ法により、剥離層２１上に、ＳｉＮ膜を成膜して保護層２３を形成した（図２（ｂ５））。このとき保護層２３の膜厚を、１０００ｎｍとした。
【０１３２】
次に、スピンコート法により、保護層２３上に、ポジ型フォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、ＡＺ１５００）を塗布・成膜してレジスト層２２を形成した（図２（ｂ６））。このときレジスト層２２の膜厚は、１０００ｎｍであった。
【０１３３】
次に、露光装置及び第二副画素３０ｂを設ける領域に開口を有するマスクを用いて、第二副画素３０ｂを設ける領域について選択的に露光を行った。このとき露光時間は、４０秒とした。次に、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、商品名：３１２ＭＩＦを、水で濃度５０％に希釈したもの）を用いて、第一副画素３０ａを設ける領域に設けられているレジスト層２２を除去した（図２（ｂ７））。このとき現像時間（現像液に浸漬する時間）は、６０秒とした。
【０１３４】
次に、ＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより、第二副画素３０ｂを設ける領域にある保護層２３を選択的に除去した。このときＣＦ4ガスの流量を、３０ｓｃｃｍとし、圧力を１０Ｐａとした。またドライエッチングを行う際の出力条件を１５０Ｗとし、ドライエッチングの実施時間を４２０秒とした。
【０１３５】
次に、Ｏ2ガスを用いたドライエッチングにより、第二副画素３０ｂを設ける領域に設けられている剥離層２１、犠牲層３３及び第一有機化合物層３２ａを選択的に除去して、パターニング部材２０ｂを形成した（図２（ｂ８））。このときＯ2ガスの流量を、２０ｓｃｃｍとし、圧力を８Ｐａとした。またドライエッチングを行う際の出力条件を１５０Ｗとし、ドライエッチングの実施時間を３００秒とした。
【０１３６】
以上の処理により、第二副画素３０ｂを設ける領域に含まれる第二コンタクト部１１ｂが表出したため、Ａｒガスを用いたドライエッチングにより第二コンタクト部１１ｂの表面を処理した。また本工程において、第一有機化合物層３２ａは、ドライエッチングする過程においてサイドエッチングされ易い。このため、エッチング後の積層膜の断面形状は、保護層２３の開口幅よりも第一有機化合物層３２ａの開口幅の方が大きくなる断面形状となる。この開口幅の差異を利用することで、次の工程（第二下部電極の形成工程）で形成される第二下部電極３１ｂを、第二コンタクト部１１ｂ上に、かつ一定の幅で形成することが可能となる。
【０１３７】
（５）第二下部電極の形成工程（図２（ｂ９））
次に、真空蒸着法により、基板１０の全面にＡｌを成膜して、第二下部電極３１ｂを形成した（図２（ｂ９））。尚、第二下部電極３１ｂを形成する前に、第二副画素３０ｂを設ける領域において、ドライエッチングを含めた一連の加工処理が実施されている。このため、第二下部電極３１ｂについては、ドライエッチング処理によって第二下部電極３１の表面に生じ得る異物や、ドライエッチング環境での暴露による第二下部電極３１ｂ表面の酸化・汚染を考慮する必要がない。
【０１３８】
（６）第二有機化合物層の形成工程（図２（ｂ１０））
次に、前工程（第二下部電極の形成工程）から連続して、真空蒸着法により、基板１０の全面に、緑色発光層を含む第二有機化合物層３２ｂを形成した（図２（ｂ１０））。尚、第二有機化合物層３２ａは、正孔輸送層と、青色発光層と、正孔ブロック層と、がこの順に積層してなる積層体とした。また第二有機化合物層３２ｂを構成する層の膜厚は、それぞれ正孔輸送層：１６０ｎｍ、緑色発光層：３０ｎｍ、正孔ブロック層：１０ｎｍとした。
【０１３９】
（７）犠牲層の形成工程（図２（ｂ１１））
次に、真空蒸着法により、基板１０の全面に、電子輸送性材料を成膜して犠牲層３３を形成した（図２（ｂ１１））。このとき犠牲層３３の膜厚を、２０ｎｍとした。
【０１４０】
（８）パターニング部材の除去工程（図２（ｂ１２）〜（ｂ１３））
次に、水中に基板１０を浸漬した。このとき、剥離層２１が水溶性であるポリビニルピロリドンで形成されている。このため、本工程により剥離層２１が溶解されると共に、パターニング部材２０及びパターニング部材２０上に形成された層が基板１０からリフトオフされた（図２（ｂ１２）〜（ｂ１３））。
【０１４１】
（９）パターニング部材の形成工程（図２（ｂ１４）〜（ｂ１８））
次に、ポリビニルピロリドンと水とを混合して調製した水溶液を基板１０の全面に塗布し、スピンコート法で成膜することにより、剥離層２１を形成した（図２（ｂ１４））。このとき剥離層２１の膜厚は、５００ｎｍであった。
【０１４２】
次に、プラズマＣＶＤ法により、剥離層２１上に、ＳｉＮ膜を成膜して保護層２３を形成した（図２（ｂ１５）。このとき保護層２３の膜厚は、１０００ｎｍとした。
【０１４３】
次に、スピンコート法により、剥離層２１上に、ポジ型フォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、ＡＺ１５００）を塗布・成膜してレジスト層２２を形成した（図２（ｂ１６））。このときレジスト層２２の膜厚は、１０００ｎｍであった。
【０１４４】
次に、露光装置及び第三副画素３０ｃを設ける領域に開口を有するマスクを用いて、第三副画素３０ｃを設ける領域について選択的に露光を行った。このとき露光時間は、４０秒とした。次に、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、商品名：３１２ＭＩＦを、水で濃度５０％に希釈したもの）を用いて、第三副画素３０ｃを設ける領域にあるレジスト層２２を除去した（図２（ｂ１７））。このとき現像時間（現像液に浸漬する時間）は、６０秒とした。
【０１４５】
次に、ＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより、第三副画素３０ｃを設ける領域に設けられている保護層２３を選択的に除去した。このときＣＦ4ガスの流量を、３０ｓｃｃｍとし、圧力を１０Ｐａとした。またドライエッチングを行う際の出力条件を１５０Ｗとし、ドライエッチングの実施時間を４２０秒とした。
【０１４６】
次に、Ｏ2ガスを用いたドライエッチングにより、第三副画素３０ｃを設ける領域に設けられている剥離層２１を選択的に除去して、第三パターニング部材２０ｃを形成した（図２（ｂ１８））。このときＯ2ガスの流量を、２０ｓｃｃｍとし、圧力を８Ｐａとした。またドライエッチングを行う際の出力条件を１５０Ｗとし、ドライエッチングの実施時間を３００秒とした。
【０１４７】
以上の処理により、第三副画素３０ｃを設ける領域に含まれる第三コンタクト部１１ｃが表出したため、Ａｒガスを用いたドライエッチングにより第三コンタクト部１１ｃの表面を処理した。
【０１４８】
以上の処理により、第三副画素３０を設ける領域に含まれる第三コンタクト部１１ｃが表出したため、Ａｒガスを用いたドライエッチングにより第三コンタクト部１１ｃの表面を処理した。また本工程において、第二有機化合物層３２ｂは、ドライエッチングする過程においてサイドエッチングされ易い。このため、エッチング後の積層膜の断面形状は、保護層２３の開口幅よりも第二有機化合物層３２ｂの開口幅の方が大きくなる断面形状となる。この開口幅の差異を利用することで、次の工程（第三下部電極の形成工程）で形成される第三下部電極３１ｃを、第三コンタクト部１１ｃ上に、かつ一定の幅で形成することが可能となる。
【０１４９】
（１０）第三下部電極の形成工程（図２（ｂ１９））
次に、真空蒸着法により、基板１０の全面にＡｌを成膜して、第三下部電極３１ｃを形成した（図２（ｂ１９））。
【０１５０】
（１１）第三有機化合物層の形成工程（図２（ｂ２０））
次に、前工程（第三下部電極の形成工程）から連続して、真空蒸着法により、基板１０の全面に、赤色発光層を含む第三有機化合物層３２ｃを形成した（図２（ｂ２０））。尚、第三有機化合物層３２ｃは、正孔輸送層と、赤色発光層と、正孔ブロック層と、がこの順に積層してなる積層体とした。また第三有機化合物層３２ｃを構成する層の膜厚は、それぞれ正孔輸送層：２００ｎｍ、赤色発光層：３０ｎｍ、正孔ブロック層：１０ｎｍとした。
【０１５１】
（１２）犠牲層の形成工程（図２（ｂ２１））
次に、真空蒸着法により、基板１０の全面に、電子輸送性材料を成膜して犠牲層３３を形成した（図２（ｂ２１））。このとき犠牲層３３の膜厚を、２０ｎｍとした。
【０１５２】
（１３）パターニング部材の除去工程（図２（ｂ２２））
次に、水中に基板１０を浸漬した。このとき、剥離層２１が水溶性であるポリビニルピロリドンで形成されている。このため、本工程により剥離層２１が溶解されると共に、パターニング部材２０及びパターニング部材２０上に形成された層が基板１０からリフトオフされた（図２（ｂ２２））。
【０１５３】
この際、有機化合物層３２は犠牲層３３によって剥離層２１を溶解する溶媒から保護される。次に、剥離層２１を除去した後、犠牲層３３は、特定の溶媒中に浸漬して除去される。この際、有機化合物層３２の最も上の層（最上層）によって犠牲層３３を溶解する溶媒から保護される。ここで、犠牲層３３は、有機化合物層３２の最上層の構成材料よりもウェットエッチングレートが大きい材料であればよい。
【０１５４】
（１４）共通層の形成工程（図２（ｂ２３））
次に、真空蒸着法により、犠牲層３３を除去した後に共通層３４である電子注入層を形成した（図４（ｂ２３））。このとき電子注入層の膜厚は、２０ｎｍとした。
【０１５５】
（１５）上部電極の形成工程（図２（ｂ２４））
次に、スパッタリング法により、Ａｇを成膜して上部電極３５を形成した（図２（ｂ２３））。このとき上部電極３５の膜厚を、１６ｎｍとした。
【０１５６】
（１６）封止工程
次に、基板１０を窒素雰囲気下に移し、紫外線硬化樹脂を用いて、基板１０と封止ガラス板（不図示）とを貼り合わせることで、窒素封止構造を形成し、有機ＥＬ表示装置が外気に曝されないよう保護した。以上の工程により、有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１５７】
（１７）有機ＥＬ表示装置の評価
得られた有機ＥＬ表示装置について、実施例１と同様の方法で評価した。その結果、メタルマスク蒸着法を用いてパターニングを採用して得た有機ＥＬ表示装置と同等であることがわかった。また画素開口率については、メタルマスク蒸着法に比べて大きくすることができた。
【０１５８】
以上述べたように、本発明の方法によれば、メタルマスク蒸着法と比較して、開口率が大きい状態で有機化合物層をパターニングすることができると共に、素子特性も問題ないことがわかった。
【符号の説明】
【０１５９】
１０：基板、１１（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）：コンタクト部、２０（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）：パターニング部材、２１：剥離層、２２：レジスト層、２３：保護層、３１：下部電極、３２：有機化合物層、３３：犠牲層、３４：共通層、３５：上部電極
【図１Ａ】
2013258020.tif 000003
【図１Ｂ】
2013258020.tif 000004
【図２Ａ】
2013258020.tif 000005
【図２Ｂ】
2013258020.tif 000006
【図２Ｃ】
2013258020.tif 000007
【図２Ｄ】
2013258020.tif 000008
【図３】
2013258020.tif 000009
【図４Ａ】
2013258020.tif 000010
【図４Ｂ】
2013258020.tif 000011
【図４Ｃ】
2013258020.tif 000012
【図４Ｄ】
2013258020.tif 000013
【図４Ｅ】
2013258020.tif 000014