(57)【要約】【課題】通常の半導体プロセスで作製でき、カラーフィルタを用いることなくカラー信号分離精度を高めることができる撮像素子を提供する。【解決手段】Ｐ型シリコン基板１０とＮ型シリコン１１ａ−１１ｃとの接合部Ｓに生じる空乏領域に入射した入射光を光電変換する撮像素子１において、Ｎ型シリコン１１ａ，１１ｂが、Ｐ型シリコン基板１０の内部に、当該Ｐ型シリコン基板１０の側面方向からの入射光の入射方向を長手方向として延在して配設され、且つ、青色光を光電変換するためのＮ型シリコン１１ｂ及び赤色光を光電変換するためのＮ型シリコン１１ａとして長手方向に縦列配設され、Ｎ型シリコン１１ａ，１１ｂ以外に、緑色光を光電変換するための緑色光検出手段としてＮ型シリコン１１ｃを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体基板と第２導電型半導体との接合部に生じる空乏領域に入射した入射光を光電変換する撮像素子において、
前記第２導電型半導体が、前記第１導電型半導体基板の内部に、当該第１導電型半導体基板の側面方向からの前記入射光の入射方向を長手方向として延在して配設され、且つ、青色光を光電変換するための第１半導体及び赤色光を光電変換するための第２半導体として前記長手方向に縦列配設され、
前記第１半導体及び前記第２半導体以外に、緑色光を光電変換するための緑色光検出手段を備えることを特徴とする撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像素子において、
前記入射光が前記第１導電型半導体基板の側面方向から入射する前に、前記入射光から緑色光のみを分離する分離手段を備え、
前記緑色光検出手段が、前記分離手段にて分離された緑色光を検出することを特徴とする撮像素子。
【請求項３】
請求項２に記載の撮像素子において、
前記分離手段が、前記入射光における緑色光を当該入射光の入射方向に対して当該入射方向とは異なる方向に反射又は回折して分離し、
前記緑色光検出手段が、前記分離手段にて分離された緑色光を前記第１導電型半導体基板に埋め込まれた前記第２導電型半導体の空乏領域で検出することを特徴とする撮像素子。
【請求項４】
請求項１に記載の撮像素子において、
縦列配設された前記第１半導体及び前記第２半導体の近傍に、白色光を光電変換する第３半導体としての前記第２導電型半導体を配設し、
前記緑色光検出手段が、前記第１半導体の空乏領域で検出された青色光の信号、前記第２半導体の空乏領域で検出された赤色光の信号、及び、前記第３半導体の空乏領域で検出された白色光の信号に基づいて、緑色光の信号成分を演算することを特徴とする撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＰＮ接合部に生じる空乏領域に入射した光をカラー信号分離する撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＣＣＤ及びＣＭＯＳ撮像素子はシリコン半導体から作製されており、可視光から近赤外線の範囲の光（波長範囲：４００ｎｍ〜１１００ｎｍ）を検知することができる。この撮像素子そのものには色の分光能力は無いので、カラー撮影のために様々な工夫が施されている。
【０００３】
カラー撮影の技術として、例えば、現在Ｂａｙｅｒ方式が実用化されている。Ｂａｙｅｒ方式は、特定の波長域の光を通過させるカラーフィルタを用いており、図８に示すように、緑のカラーフィルタが市松、赤及び青のカラーフィルタが線順次に画素上に配列される。Ｂａｙｅｒ配列における個々の画素は１種類の色情報しか持たないので、他の色情報は周囲の画素が持っている色情報を元に推定・補間演算することになる。特許文献１にはＢａｙｅｒ配列を応用し、緑フィルタの代わりに、白フィルタと灰フィルタを組み込み、ダイナミックレンジを向上させることが開示されている。また、白フィルタの画素、灰フィルタの画素、赤フィルタの画素及び青フィルタの画素の出力信号から緑信号を得ることが開示されている。
【０００４】
また、図９に示すように、三層のＰＮ接合から成る方式が知られている。この三層方式は、Ｐ型シリコン基板上にＮ型、Ｐ型、Ｎ型シリコン層を交互に積層した構造の画素を有し、光のシリコンに対する侵入長が波長によって異なる特徴を利用したカラー撮影を実現している。特許文献２には、先ずＧ(緑)を分離した後、シリコン内でＢ(青)とＲ(赤)を分離することで色分離特性を向上させる技術が開示されている。また、特許文献３には、同一画素内の青色センサおよび赤色センサと、赤色／青色画素に隣接して配置された別の画素内の緑色センサとを有する構成、すなわち、深さ方向にＲＢが重なり、ＧはＲＢに隣接している構造が開示されている。
【０００５】
さらに、図１０に示すように、入射光の侵入長に対応させた位置及び長さでＰＮ接合を複数配設した方式がカラー撮影用撮像素子として特許文献４に開示されている。特許文献４で示す通り、各色を検知するＰＮ接合領域が互いに独立しており、簡単に３色の信号を分離することができる。したがって、カラーフィルタを用いることなく、すなわち入射光をロスすることなく、従来の半導体ＣＭＯＳ製造技術で作製した１画素で色分離を実施する撮像素子を実現することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−０６６６３７号公報
【特許文献２】特開２０１１−０７７１９８号公報
【特許文献３】特表２００７−５２４９８５号公報
【特許文献４】特開２０１１−２０５０８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１のようなＢａｙｅｒ方式によるカラーフィルタを利用した場合、そのカラーフィルタによって一部の波長領域の光のみが検出されるため、画素が利用する光量が低下するという問題がある。
【０００８】
また、三層のＰＮ接合から成る方式を利用したＦｏｖｅｏｎイメージャーの分光特性によると、色分離がさほど良くはなく全体的に緑がかかった画像を撮影してしまう。特許文献２の技術は、色分離特性を向上させているが、その効果は材料に依存しているため、従来の半導体材料を用いたプロセス以外に、材料を調整するといったプロセスを行わなければならず、プロセスの効率がよくない。さらに、特許文献３の技術も、色分離特性を向上させているが、赤色／青色画素については、深さ方向すなわち基板の面に垂直な方向に順次検出がされるため、特別な製造工程が必要となる作業効率が良くない。
【０００９】
さらにまた、特許文献４の技術については、半導体プロセスで製造することができ、ある程度の色分離特性があるが、良好な色分離特性ではなく、Ｆｏｖｅｏｎイメージャーと同様に、緑がかった画像を撮影してしまう可能性がある。また、赤、青及び緑の３色（又は赤、青、緑及び近赤外の４色）のそれぞれを検出するＮ型シリコン基板が、光の入射方向に沿って縦列に連続して形成されているため、各Ｎ型シリコン基板間にギャップが生じ、光電変換の効率が悪くなってしまう。
【００１０】
本発明は、通常の半導体プロセスで作製でき、カラーフィルタを用いることなくカラー信号分離精度を高めることができる撮像素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る撮像素子は、第１導電型半導体基板と第２導電型半導体基板との接合部に生じる空乏領域に入射した入射光を光電変換する撮像素子において、前記第２導電型半導体が、前記第１導電型半導体基板の内部に、当該第１導電型半導体基板の側面方向からの前記入射光の入射方向を長手方向として延在して配設され、且つ、青色光を光電変換するための第１半導体及び赤色光を光電変換するための第２半導体として前記長手方向に縦列配設され、前記第１半導体及び前記第２半導体以外に、緑色光を光電変換するための緑色光検出手段を備えるものである。
【００１２】
このように、本発明に係る撮像素子においては、第１導電型半導体（Ｐ型シリコンとする）基板と第２導電型半導体（Ｎ型シリコンとする）基板との接合部に生じる空乏領域に入射した入射光を光電変換する撮像素子において、Ｎ型シリコンが、Ｐ型シリコン基板の内部に、Ｎ型シリコン基板の側面方向からの光の入射方向を長手方向として延在して配設されると共に、青色光を光電変換するための第１半導体及び赤色光を光電変換するための第２半導体として長手方向に縦列配設され、第１半導体及び第２半導体以外に、別途緑色光を光電変換するための緑色光検出手段を備えるため、撮像素子を半導体プロセスで効率的に製造することが可能であると共に、緑色光成分のみを別途設けられた手段により検出することができ、高精度に青色、赤色及び緑色の３色分離が可能になるという効果を奏する。
【００１３】
また、特許文献３に示すように、３色（又は近赤外光も含む４色）それぞれを検出するためのＮ型シリコンをＰ型シリコン基板内部に縦列に配設する構成ではなく、青色光を光電変換するための第１半導体（Ｎ型シリコン）及び赤色光を光電変換するための第２半導体（Ｎ型シリコン）のみをＰ型シリコン基板内部に縦列配設するため、各色を検出するためのＮ型シリコン間のギャップをなくすことができ、効率よく光を変換することが可能になるという効果を奏する。
【００１４】
本発明に係る撮像素子は、前記入射光が前記第１導電型半導体基板の側面方向から入射する前に、前記入射光から緑色光のみを分離する分離手段を備え、前記緑色光検出手段が、前記分離手段にて分離された緑色光を検出するものである。
【００１５】
このように、本発明に係る撮像素子においては、入射光がＰ型シリコン基板の側面方向から入射する前に、入射光から緑色光のみを分離する分離手段を備え、緑色光検出手段が、分離手段にて分離された緑色光を検出するため、緑色光のみを確実に分離して検出することができ、高精度に青色、赤色及び緑色の３色分離が可能になるという効果を奏する。
【００１６】
本発明に係る撮像素子は、前記分離手段が、前記入射光における緑色光を当該入射光の入射方向に対して当該入射方向とは異なる方向に反射又は回折して分離し、前記緑色光検出手段が、前記分離手段にて分離された緑色光を前記第１導電型半導体基板に埋め込まれた前記第２導電型半導体の空乏領域で検出するものである。
【００１７】
このように、本発明に係る撮像素子においては、入射光における緑色光を当該入射方向とは異なる方向に反射又は回折して分離し、分離された緑色光をＰ型シリコン基板に埋め込まれたＮ型シリコン基板の空乏領域で検出するため、緑色光のみを確実に分離して検出することができ、高精度に青色、赤色及び緑色の３色分離が可能になるという効果を奏する。
【００１８】
本発明に係る撮像素子は、縦列配設された前記第１半導体及び前記第２半導体の近傍に、白色光を光電変換する第３半導体としての前記第２導電型半導体を配設し、前記緑色光検出手段が、前記第１半導体の空乏領域で検出された青色光の信号、前記第２半導体の空乏領域で検出された赤色光の信号、及び、前記第３半導体の空乏領域で検出された白色光の信号に基づいて、緑色光の信号成分を演算するものである。
【００１９】
このように、本発明に係る撮像素子においては、縦列配設された青色光検出用の第１半導体及び赤色光検出用の第２半導体の近傍に、白色光を光電変換する第３半導体としてのＮ型シリコンを配設し、第１半導体の空乏領域で検出された青色光の信号、第２半導体の空乏領域で検出された赤色光の信号、及び、第３半導体の空乏領域で検出された白色光の信号に基づいて、緑色光の信号成分を演算するため、緑色光のみを演算により正確に求めることができ、高精度に青色、赤色及び緑色の３色分離が可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１の実施形態に係る撮像素子の側面投影図である。
【図２】第１の実施形態に係る撮像素子の上面投影図である。
【図３】第１の実施形態に係る撮像素子を用いたイメージセンサの構成を示す斜視図である。
【図４】第２の実施形態に係る撮像素子の側面投影図及び上面投影図を示す第１の図である。
【図５】第２の実施形態に係る撮像素子の側面投影図及び上面投影図を示す第２の図である。
【図６】第３の実施形態に係る撮像素子の側面投影図及び上面投影図を示す第１の図である。
【図７】第３の実施形態に係る撮像素子の側面投影図及び上面投影図を示す第２の図である。
【図８】Ｂａｙｅｒ方式によるカラーフィルタを示す図である。
【図９】三層方式を用いたカラー撮像素子の構成を示す図である。
【図１０】入射光の侵入長に対応させた位置及び長さでＰＮ接合を複数配設した方式を用いたカラー撮影用撮像素子の構成を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を説明する。本実施形態の全体を通して同じ要素には同じ符号を付けている。
【００２２】
（本発明の第１の実施形態）
本実施形態に係る撮像素子について、図１ないし図３を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る撮像素子の側面投影図、図２は、本実施形態に係る撮像素子の上面投影図、図３は、本実施形態に係る撮像素子を用いたイメージセンサの構成を示す斜視図である。
【００２３】
図１において、本実施形態に係る撮像素子１は、Ｐ型シリコン基板１０とＮ型シリコン１１ａ，１１ｂ，１１ｃとの接合部Ｓに生じる空乏領域に入射した入射光を光電変換するものである。Ｎ型シリコン１１ａにより形成される空乏領域は、主に赤色光の波長の光を検出する領域であり、Ｎ型シリコン１１ｂにより形成される空乏領域は、主に青色光の波長の光を検出する領域である。また、入射光は、図１に示すようにＰ型シリコン基板１０の側面方向から入射されるものである。
【００２４】
赤色光を検出するためのＮ型シリコン１１ａ及び青色光を検出するためのＮ型シリコン１１ｂは、Ｐ型シリコン基板１０の内部に入射光の入射方向を長手方向として延在して縦列配設される。このとき、入射光の入射方向から見て、Ｎ型シリコン１１ａの断面とＮ型シリコン１１ｂの断面との少なくとも一部が重なるように縦列配設されることが望ましい。また、Ｎ型シリコン１１ａは、赤色光のシリコン侵入長（６．２μｍ〜４０μｍ）を基に赤色光を効率よく分光できる最適な位置及び長さで形成され、Ｎ型シリコン１１ｂは、青色光のシリコン侵入長（０．３μｍ〜２．３μｍ）を基に青色光を効率よく分光できる最適な位置及び長さで形成されている。
【００２５】
撮像素子１は、上記Ｎ型シリコン１１ａ，１１ｂ以外に、緑色光を検出するためのＮ型シリコン１１ｃを備える。Ｎ型シリコン１１ｃは、図１に示すように、Ｐ型シリコン基板１０におけるＮ型シリコン１１ａ，１１ｂが配設された位置よりも下方の位置であって、入射光の入射側に突起している突起部１２内に形成される。突起部１２は、Ｐ型シリコン基板１０の一部（突起部１２の上方の領域）を切断することで形成することができる。この突起部１２の上面に、上記Ｎ型シリコン１１ａ，１１ｂと同様にＮ型シリコン１１ｃを形成する。なお、Ｎ型シリコン１１ｃが形成される長さ及び位置は、緑色光のシリコン侵入長（１．１μｍ〜５．０μｍ）を基に緑色光を効率よく分光できる最適な位置及び長さで形成されることが望ましい。
【００２６】
突起部１２を形成する際に切断した領域には、緑色光のみをＰ型シリコン基板１０の下方向（Ｐ型シリコン基板１０の面に垂直な下方向）、すなわちＮ型シリコン１１ｃが配設されている方向に反射すると共に、その他の光を透過する緑色光分離手段としてダイクロイックミラー１３（又は、ダイクロイックプリズムでもよい）が配設されている。このダイクロイックミラー１３は、図１（Ａ）に示すように、突起部１２に接触配設されてもよいし、図１（Ｂ）に示すように、突起部１２に接触しないように配設されてもよい。このとき、ダイクロイックミラー１３は、Ｐ型シリコン基板１０に直接樹脂で固めることで一体化することができる。
【００２７】
図２は、本実施形態に係る撮像素子１の上面投影図である。単一のＮ型シリコン１１ａ，１１ｂ，１１ｃで形成される撮像素子１は１画素に相当しており、図２に示すようにＰ型シリコン基板１０の面に沿って並列に複数形成されることで複数画素の撮像素子１となる。この場合は、Ｐ型シリコン基板１０の面に沿って横方向に並列に形成されているため、ラインセンサとして機能させることができ、このラインセンサを例えば図３のように複数層積層することで、２次元のイメージセンサとして機能させることができる。図３の場合は、３×３の９画素のイメージセンサとなる。
【００２８】
このように、本実施形態に係る撮像素子１を図１ないし図３の構成とすることで、入射光のうち緑色光は、ダイクロイックミラー１３によってＰ型シリコン基板１０の面に垂直な下方向に反射され、Ｎ型シリコン１１ｃに導かれて検知される。他の青色光と赤色光は、ダイクロイックミラー１３を透過し、Ｎ型シリコン１１ａ，１１ｂに導かれて検知される。すなわち、分離が困難な緑色光のみを、他の色の光とは別途検出することで、色分離特性を格段に向上させることができる。
【００２９】
なお、図１ないし図３においては、ダイクロイックミラー１３によって緑色光をＰ型シリコン基板１０の面に垂直な下方向に反射する構成としたが、Ｐ型シリコン基板１０の面に垂直な上方向に反射する構成としてもよい。その場合、突起部１２はＰ型シリコン基板１０におけるＮ型シリコン１１ａ，１１ｂが配設された位置よりも上方の位置であって、入射光の入射側に突起するように形成され、その突起部１２内にＮ型シリコン１１ｃが形成される構成となる。
【００３０】
また、上記説明では緑色光を分離する緑色光分離手段としてダイクロイックミラー又はダイクロイックプリズムを例に挙げて説明したが、特定の波長領域のみを反射又は回折することができるものであれば本実施形態の撮像素子に適用することができる。
【００３１】
（本発明の第２の実施形態）
本実施形態に係る撮像素子について、図４及び図５を用いて説明する。図４は、本実施形態に係る撮像素子の側面投影図及び上面投影図を示す第１の図、図５は、本実施形態に係る撮像素子の側面投影図及び上面投影図を示す第２の図である。
なお、本実施形態において前記第１の実施形態と重複する説明は省略する。
【００３２】
本実施形態に係る撮像素子１は、Ｎ型シリコン１１ａ，１１ｂがＰ型シリコン基板１０の内部に入射光の入射方向を長手方向として延在し、入射方向に対して最適な位置及び長さで縦列配設され、Ｎ型シリコン１１ａ，１１ｂ以外に緑色光を検出するためのＮ型シリコン１１ｃを備え、緑色光のみをＮ型シリコン１１ｃが配設されている方向に反射し、その他の光を透過するダイクロイックミラー１３を有する点は第１の実施形態の場合と同じであるが、Ｎ型シリコン１１ｃの態様及びダイクロイックミラー１３の構成が異なる。
【００３３】
図４には、本実施形態に係る撮像素子の第１の構成を示しており、図４（Ａ）は撮像素子１の側面投影図、図４（Ｂ）は撮像素子１の上面投影図である。Ｐ型シリコン基板１０の面に沿ってＮ型シリコン１１ａ，１１ｂと並列にＮ型シリコン１１ｃを形成し、このＮ型シリコン１１ｃは、Ｎ型シリコン１１ａと１１ｂの間のギャップ領域に対応する位置に形成される。
【００３４】
また、Ｎ型シリコン１１ｃは、後述するダイクロイックミラー１３からの緑色光を効率よく検知するために、ダイクロイックミラー１３で反射した緑色入射光の入射方向を長手方向とするような角度で形成される。すなわち、図４に示すように、Ｎ型シリコン１１ａ，１１ｂの長手方向とＮ型シリコン１１ｃの長手方向の角度差が、ダイクロイックミラー１３で反射する緑色入射光の反射角と同じになるようにＮ型シリコン１１ｃが形成される。
【００３５】
ダイクロイックミラー１３は、緑色光をＰ型シリコン基板１０の面に垂直な下方向ではなく、Ｐ型シリコン基板１０の面に沿って斜め方向に反射してＮ型シリコン１１ｃに導き、その他の光は透過させてＮ型シリコン１１ａ，１１ｂに導く。
【００３６】
図５には、本実施形態に係る撮像素子の第２の構成を示しており、図５（Ａ）は撮像素子１の側面投影図、図５（Ｂ）は撮像素子１の上面投影図である。図５の場合は、Ｎ型シリコン１１ｃの長手方向をＮ型シリコン１１ａ，１１ｂの長手方向と平行に形成し、Ｎ型シリコン１１ａと１１ｂの間のギャップ領域に対応する位置にＮ型シリコン１１ｃが形成される。そして、ダイクロイックミラー１３ａ，１３ｂを用いて、緑色入射光の入射方向をＮ型シリコン１１ｃの長手方向と平行になるように調整する。
【００３７】
すなわち、例えばダイクロイックミラー１３ａで緑色光を横方向に直角に反射し、その反射した緑色光を、ダイクロイックミラー１３ｂでＮ型シリコン１１ｃの方に直角に反射させることで、緑色入射光の入射方向をＮ型シリコン１１ｃの長手方向と平行になるように調整することができる。なお、反射角度は任意に設定することが可能であり、最終的に緑色入射光の入射方向をＮ型シリコン１１ｃの長手方向と平行になるように調整されればよい。
【００３８】
本実施形態に係る撮像素子１をこのように構成することで、第１の実施形態の場合と同様に、緑色光がＮ型シリコン１１ｃに導かれて検知され、他の青色光と赤色光がＮ型シリコン１１ａ，１１ｂに導かれて検知され、分離が困難な緑色光のみを、他の色の光とは別途検出して色分離特性を格段に向上させることができる。
【００３９】
（本発明の第３の実施形態）
本実施形態に係る撮像素子について、図６及び図７を用いて説明する。図６は、本実施形態に係る撮像素子の側面投影図及び上面投影図を示す第１の図、図７は、本実施形態に係る撮像素子の側面投影図及び上面投影図を示す第２の図である。
なお、本実施形態において前記各実施形態と重複する説明は省略する。
【００４０】
図６には、本実施形態に係る撮像素子の第１の構成を示しており、図６（Ａ）は、撮像素子１の側面投影図を示し、図６（Ｂ）は、撮像素子１の上面投影図を示す。本実施形態に係る撮像素子１は、Ｐ型シリコン基板１０とＮ型シリコン１１ａ，１１ｂ，１１ｄとの接合部Ｓに生じる空乏領域に入射した入射光を光電変換し、変換後の出力結果から緑色光を演算により検知するものである。
【００４１】
Ｎ型シリコン１１ａにより形成される空乏領域は、主に赤色光の波長の光を検出する領域であり、Ｎ型シリコン１１ｂにより形成される空乏領域は、主に青色光の波長の光を検出する領域であるが、緑色光を別途検知するのではなく、様々な波長で構成される白色光を別途検知し、この白色光を検知して得られた信号と赤色光及び青色光を検知して得られた信号との差分を用いて緑色光を検知する。
【００４２】
すなわち、縦列配設されるＮ型シリコン１１ａ，１１ｂの近傍に、白色光を光電変換するためのＮ型シリコン１１ｄを配設し、緑色光検出手段として備えられている演算部（図示しない）が、Ｎ型シリコン１１ｄで検知された白色光の信号Ｗから、Ｎ型シリコン１１ａで検知された赤色光の信号Ｒ及びＮ型シリコン１１ｂで検知された青色光の信号Ｂを減算、すなわちＧ＝Ｗ−（Ｒ＋Ｂ）の演算を行うことで緑色光の信号Ｇを検出する。図６の場合は、Ｎ型シリコン１１ｄが、Ｐ型シリコン基板１０の面に沿って、Ｎ型シリコン１１ａ，１１ｂと横方向に並列に形成されている。また、このとき、Ｎ型シリコン１１ｄの長さは、入射光の入射方向に沿って可視光領域全体のシリコンに対する侵入長をカバーできる最適な長さとなっている。
【００４３】
図７には、本実施形態に係る撮像素子の第２の構成を示しており、図７（Ａ）は、撮像素子１の側面投影図を示し、図７（Ｂ）は、撮像素子１の上面投影図を示す。この撮像素子１は、図６の場合と同様にＰ型シリコン基板１０とＮ型シリコン１１ａ，１１ｂ，１１ｄとの接合部Ｓに生じる空乏領域に入射した入射光を光電変換し、変換後の出力結果から緑色光を演算により検知するものであるが、その構成が異なる。
【００４４】
図７に示す通り、撮像素子１は、Ｐ型シリコン基板１０内の上面にＮ型シリコン１１ｄを有し、このＮ型シリコン１１ｄ内の上面にＰ＋Ｓ／Ｄ領域１４ａ，１４ｂを有する構成である。
【００４５】
Ｐ＋Ｓ／Ｄ領域１４ａは、図６におけるＮ型シリコン１１ａに相当する機能、すなわち、主に赤色光の信号Ｒを検出する機能を有している。また、Ｐ＋Ｓ／Ｄ領域１４ｂは、図６におけるＮ型シリコン１１ｂに相当する機能、すなわち、主に青色光の信号Ｂを検出する機能を有している。Ｎ型シリコン１１ｄは、図６におけるＮ型シリコン１１ｄと同様に白色光の信号Ｗを検出する機能を有する。
【００４６】
そして、緑色光検出手段として備えられている演算部（図示しない）が、Ｎ型シリコン１１ｄで検知された白色光の信号Ｗから、Ｐ＋Ｓ／Ｄ領域１４ａで検知された赤色光の信号Ｒ及びＰ＋Ｓ／Ｄ領域１４ｂで検知された青色光の信号Ｂを減算、すなわちＧ＝Ｗ−（Ｒ＋Ｂ）の演算を行うことで緑色光の信号Ｇを検出する。
【００４７】
本実施形態に係る撮像素子１をこのように構成することで、分離が困難な緑色光を直接的に検出することなく、比較的検出が容易な青色光、赤色光及び白色光を検出し、その検出された結果から演算により緑色光を求めるため、色分離特性を格段に向上させることができる。
【符号の説明】
【００４８】
１  撮像素子
１０  Ｐ型シリコン基板
１１ａ−１１ｄ  Ｎ型シリコン
１２  突起部
１３  ダイクロイックミラー
１４ａ，１４ｂ  Ｐ＋Ｓ／Ｄ領域
【図３】
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【図８】
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【図９】
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【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１０】
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