(57)【要約】【課題】太陽電池装置を製造する新規な方法を提供する【解決手段】貫通孔を有するフォトレジストによりビニルシラン層の一部を被覆し、フォトレジスト層に被覆されなかった部分のビニルシラン層を除去して水酸基を形成した後に、フォトレジスト層に被覆されなかった部分のビニルシラン層にフッ素を添加する。あるいは、フォトレジスト層に被覆されなかった部分のビニルシラン層にフッ素を添加した後に、フォトレジスト層に被覆されなかった部分のビニルシラン層を逆マルコフニコフ法則に従って水を添加する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池装置を製造する方法であって、以下の工程を具備する：
レンズを用意する工程、
ビニルアルコキシシランまたはハロゲン化ビニルシランを用いてレンズの表面を処理して、シランカップリング層を形成する工程、
フォトレジスト層を形成する工程、
セルフアライメント技術に従って、レンズの裏面から光を照射する工程、
光を照射されたフォトレジストを現像して、フォトレジスト層中に貫通孔を形成する工程、
酸素またはオゾンプラズマ技術を用いて、フォトレジスト層に被覆されていない部分のシランカップリング層を分解する工程、
フォトレジスト層を除去して、残ったシランカップリング層を露出させる工程、および
シランカップシング層にフッ素を付加して、シランカップシング層を撥水性にする工程。
【請求項２】
太陽電池装置を製造する方法であって、以下の工程を具備する：
レンズを用意する工程、
ビニルアルコキシシランまたはハロゲン化ビニルシランを用いてレンズの表面を処理して、シランカップリング層を形成する工程、
フォトレジスト層を形成する工程、
セルフアライメント技術に従って、レンズの裏面から光を照射する工程、
光に照射された部分のフォトレジスト層を現像して、フォトレジスト層内に貫通孔を形成する工程、
フッ素処理をする工程、
フォトレジスト層を除去する工程、および
逆マルコフニコフ法則に従って水を添加することにより、Ｃ＝Ｃ結合をＣＨ−ＣＯＨ結合にする工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、パターンの形成方法を開示する。
【０００３】
特許文献２は、半導体装置の製造方法を開示する。
【０００４】
特許文献３は、電子回路構成部材のマウント方法を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特公昭６２−０１１４９６号公報
【特許文献２】特開２０１０−０２７９５２号公報
【特許文献３】特許第４１４９５０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、太陽電池装置を製造する新規な方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下の項目Ａ１およびＢ１は、上記課題を解決する。
Ａ１．  太陽電池装置を製造する方法であって、以下の工程を具備する：
レンズを用意する工程、
ビニルアルコキシシランまたはハロゲン化ビニルシランを用いてレンズの表面を処理して、シランカップリング層を形成する工程、
フォトレジスト層を形成する工程、
セルフアライメント技術に従って、レンズの裏面から光を照射する工程、
光を照射されたフォトレジストを現像して、フォトレジスト層中に貫通孔を形成する工程、
酸素またはオゾンプラズマ技術を用いて、フォトレジスト層に被覆されていない部分のシランカップリング層を分解する工程、
フォトレジスト層を除去して、残ったシランカップリング層を露出させる工程、および
シランカップシング層にフッ素を付加して、シランカップシング層を撥水性にする工程。
Ｂ１．  太陽電池装置を製造する方法であって、以下の工程を具備する：
レンズを用意する工程、
ビニルアルコキシシランまたはハロゲン化ビニルシランを用いてレンズの表面を処理して、シランカップリング層を形成する工程、
フォトレジスト層を形成する工程、
セルフアライメント技術に従って、レンズの裏面から光を照射する工程、
光に照射された部分のフォトレジスト層を現像して、フォトレジスト層内に貫通孔を形成する工程、
フッ素処理をする工程、
フォトレジスト層を除去する工程、および
逆マルコフニコフ法則に従って水を添加することにより、Ｃ＝Ｃ結合をＣＨ−ＣＯＨ結合にする工程。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、太陽電池装置を製造する新規な方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態１、２による製造方法の１手順を示す図
【図２】図１に続く、実施形態１、２による製造方法の１手順を示す図
【図３】図２に続く、実施形態１、２による製造方法の１手順を示す図
【図４】図３に続く、実施形態１、２による製造方法の１手順を示す図
【図５】図４に続く、実施形態１による製造方法の１手順を示す図
【図６】図５に続く、実施形態１による製造方法の１手順を示す図
【図７】図６に続く、実施形態１による製造方法の１手順を示す図
【図８】図７に続く、実施形態１による製造方法の１手順を示す図
【図９】図４に続く、実施形態２による製造方法の１手順を示す図
【図１０】図９に続く、実施形態２による製造方法の１手順を示す図
【図１１】図１０に続く、実施形態２による製造方法の１手順を示す図
【図１２】図１１に続く、実施形態２による製造方法の１手順を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
各図面においては、左側の破線の円部分が、右側に拡大されている。
【００１１】
（実施形態１）
図１に示されるように、まず、レンズを用意する。
【００１２】
図２に示されるように、特許文献１に従って、ビニルトリエトキシシランを用いてレンズの表面を処理して、シランカップリング層を形成する。ビニルトリエトキシシランは、他のアルコキシシランまたはハロゲン化ビニルシランに置換され得る。
【００１３】
図３に示されるように、特許文献１に従って、フォトレジスト層を形成する。
【００１４】
特許文献１によれば、ビニルトリエトキシシランからなるシランカップリング層の接触角は低いので、フォトレジスト層は、シランカップリング層上に堆積されることができる。
【００１５】
フルオロアルキル基（フルオロアルキル基は撥水性を有する）からなるシランカップリング層上にフォトレジスト層を形成しようとしても、フォトレジスト層は形成されない。なぜなら、フルオロアルキル基は、およそ１００度の高い接触角を有するためである。
【００１６】
図４に示されるように、周知のセルフアライメント技術に従って、レンズの裏面側から光を照射する。凸レンズは光を屈折させるので、フォトレジスト層の一部が光に照射される。
【００１７】
図５に示されるように、光に照射された部分のフォトレジスト層を現像して、フォトレジスト層に貫通孔を形成する。
【００１８】
すなわち、図４において光に照射された部分のフォトレジスト層が除去される。一方、光に照射されなかった部分のフォトレジスト層はそのままである。
【００１９】
図６に示されるように、酸素またはオゾンプラズマ技術を用いて、フォトレジスト層に被覆されていない部分のシランカップリング層を分解する。
【００２０】
この処理により、フォトレジスト層に被覆されていない部分のレンズ表面に水酸基が形成される。
【００２１】
図７に示されるように、フォトレジスト層を除去して、残ったシランカップリング層を露出させる。
【００２２】
図８に示されるように、シランカップリング層にフッ素を添加して、シランカップリング層を撥水性にする。
【００２３】
より具体的には、フッ素ガスが供給される。Ｃ＝Ｃ結合がＣＦ−ＣＦ結合になる。さらに、特許文献２に従って、炭素原子に結合した水素原子がフッ素に置換される。
【００２４】
特許文献２（特に段落番号００２９）によれば、水酸基は炭素原子を有さないので、水酸基はそのままである。
【００２５】
このようにして、水酸基から構成される親水性領域を有し、フッ化シリコンカップリング層からなる撥水性領域を有するレンズができる。
【００２６】
特許文献３（特に図３４〜図３７）に開示されているＦＳＡ技術に従って、太陽電池チップが、レンズの屈折効果によって形成された太陽光の焦点に正確に配置される。太陽光は、レンズの裏面側からレンズに入る。
【００２７】
（実施形態２）
図４までは実施形態１と同じなので、説明が省略される。
【００２８】
図９に示されるように、光に照射された部分のフォトレジスト層を現像して、フォトレジスト層内に貫通孔を形成する。
【００２９】
すなわち、図４において光に照射された部分のフォトレジスト層はそのままである。一方、光に照射されなかった部分は除去される。
【００３０】
フォトレジスト層は、ネガティブ型のものであることに留意せよ。
【００３１】
図１０に示されるように、特許文献２（特に段落番号００２８）に従って、フッ素処理をする。
【００３２】
フッ素処理の例は、フッ素ガス（特許文献２）を供給すること、またはＣＦ4プラズマ処理（周知技術）である。
【００３３】
図１１に示されるように、フォトレジスト層を除去する。
【００３４】
図１２に示されるように、逆マルコフニコフ法則に従って水を添加することにより、Ｃ＝Ｃ結合をＣＨ−ＣＯＨ結合にする。
【００３５】
このようにして、水酸基から構成される親水性領域を有し、フッ化シリコンカップリング層からなる撥水性領域を有するレンズができる。
【００３６】
特許文献３（特に図３４〜図３７）に開示されているＦＳＡ技術に従って、太陽電池チップが、レンズの屈折効果によって形成された太陽光の焦点に正確に配置される。太陽光は、レンズの裏面側からレンズに入る。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、太陽電池装置を製造する新規な方法を提供する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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