(57)【要約】【課題】インプリント装置における型と基板とのアライメントの点で有利な技術を提供する。【解決手段】基板上のインプリント材を型により成形して該基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板上のショット領域に対して設けられたマークを検出するオフアクシス検出系を含み、該マークの位置を計測する計測部と、前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記計測部による前記マークの位置の計測と、該計測の結果に基づく前記型と前記基板との間の相対位置の調整とが、前記基板上の複数のショット領域それぞれに関して行われるように、前記インプリント処理を制御する、ことを特徴とするインプリント装置を提供する。【選択図】図１
2013021194.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント材を型により成形して該基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板上のショット領域に対して設けられたマークを検出するオフアクシス検出系を含み、該マークの位置を計測する計測部と、
前記インプリント処理を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記計測部による前記マークの位置の計測と、該計測の結果に基づく前記型と前記基板との間の相対位置の調整とが、前記基板上の複数のショット領域それぞれに関して行われるように、前記インプリント処理を制御する、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記ショット領域に前記インプリント材を供給する供給部を有し、
前記制御部は、前記複数のショット領域のうち第１ショット領域に前記インプリント処理が行われてから、前記第１ショット領域に続いて前記インプリント処理が行われる第２ショット領域に前記供給部による前記インプリント材の供給が行われるまでの間に、前記オフアクシス検出系による前記マークの検出が行われるように、前記インプリント処理を制御する、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記ショット領域に前記インプリント材を供給する供給部と、
前記基板を保持して移動するステージと、を有し、
前記制御部は、前記オフアクシス検出系によりショット領域に形成されたマークの検出が行われてから、当該ショット領域に対する前記供給部による前記インプリント材の供給を介して、前記インプリント処理が行われるインプリント処理位置に当該ショット領域が位置するまでの間、前記ステージが移動を継続するように、前記インプリント処理を制御する、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記インプリント処理が行われるショット領域が前記オフアクシス検出系による前記マークの検出が行われる検出位置から前記供給部による前記インプリント材の供給が行われる供給位置に達するまでの間は前記ステージが加速され、当該ショット領域が前記供給位置を通過するまでの間は前記ステージが等速となり、当該ショット領域が前記供給位置を通過した後、前記インプリント処理位置に達するまでの間は前記ステージが減速されるように、前記インプリント処理を制御する、ことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記ショット領域に前記インプリント材を供給する供給部と、を有し、
前記オフアクシス検出系により前記ショット領域に対するマークの検出が行われる前記ステージの位置としての第１位置、前記供給部により前記ショット領域に対する前記インプリント材の供給が行われる前記ステージの位置としての第２位置、及び、前記ショット領域に対する前記インプリント処理が行われる前記ステージの位置としての第３位置が、前記第１位置、前記第２位置、前記第３位置の順に直線上に位置するように、前記型保持部、前記供給部、及び、前記オフアクシス検出系が配置されている、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記複数のショット領域のレイアウト、前記ショット領域に対する前記マークの配置、前記供給部による前記インプリント材の供給速度、及び、前記ステージの加速度に基づいて、前記オフアクシス検出系を位置決めする駆動部を有する、ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記供給部により前記ショット領域に対する前記インプリント材の供給が行われる前記ステージの速度まで前記ステージの加速を開始させる前記ステージの位置において前記ショット領域に対する前記マークの検出ができるように、前記駆動部は前記オフアクシス検出系を位置決めする、ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成するステップと、
前記ステップで前記パターンを形成された前記基板を加工するステップと、
を有する、ことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして注目されている。インプリント技術とは、基板（シリコンウエハやガラスプレート）の上の樹脂に微細なパターンを有するモールド（型）を押し付けた状態で樹脂を硬化させてパターンを転写（形成）する技術である。
【０００３】
インプリント技術には、幾つかの樹脂硬化法があり、かかる樹脂硬化法の１つとして光硬化法が知られている。光硬化法を適用したインプリント装置では、紫外線硬化型の樹脂に透明なモールドを接触させた状態で紫外線を照射し、樹脂を感光及び硬化させてからモールドを剥離（離型）することで、基板の上に樹脂のパターンを形成する。
【０００４】
このようなインプリント装置では、基板とモールドとのアライメント（位置合わせ）方式として、ダイバイダイアライメント方式が採用されている。ダイバイダイアライメント方式とは、基板の上のショット領域ごとに、ショット領域に形成されたマークとモールドに形成されたマークとを光学的に検出して基板とモールドとの位置関係のずれを補正するアライメント方式である。但し、ダイバイダイアライメント方式では、基板の上の樹脂とモールドとを接触させた際に、モールドに形成されたマークに樹脂が充填される。モールドの材料として一般的に用いられる石英は、樹脂の屈折率と同等な屈折率を有しているため、モールドに形成されたマークに樹脂が充填されると、かかるマークを検出するために必要なコントラストが得られなくなってしまう。
【０００５】
そこで、基板の上の樹脂とモールドとを接触させた際に、モールドに形成されたマークに樹脂が充填されることを防止する、即ち、マークに樹脂が充填されない構造を有するモールドが提案されている（特許文献１参照）。また、マークに樹脂が充填されたとしてもマークを検出することができるように、遮光効果を有する材料（Ｃｒなど）でマークを形成することも提案されている。
【０００６】
一方、レチクル又はマスクのパターンを基板に投影する投影光学系を備えた露光装置のアライメント方式として一般的なグローバルアライメント方式をインプリント装置に適用した技術も提案されている（特許文献２参照）。グローバルアライメント方式とは、代表的な幾つかのショット領域（サンプルショット領域）に形成されたマークの検出結果を処理して決定した全てのショット領域の位置に基づいてアライメントを行うアライメント方式である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４１８５９４１号公報
【特許文献２】特開２０１０−０８０６３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の技術では、モールドに形成されたマークに樹脂が充填されていないため、かかるマークに対応する基板の領域（マーク領域）が剥き出しになってしまう（即ち、樹脂の薄膜が形成されなくなってしまう）。従って、パターン転写後のプロセス（例えば、エッチングなど）において、基板に対して均一な処理を施すことが難しくなり、基板の上の実素子パターン領域とマーク領域とでエッチング状態に差が生じてしまう。また、遮光効果を有する材料でマークを形成した場合には、インプリント動作やモールドの洗浄の際に遮光効果を有する材料が剥離してしまうことが懸念される。
【０００９】
一方、グローバルアライメント方式をインプリント装置に適用した場合には、以下の課題を招いてしまう。グローバルアライメント方式では、基板の上の樹脂にモールドを接触させる際にはショット領域に形成されたマークを検出せず、上述のようにして決定された位置に基づいてアライメントが行われる。但し、インプリント装置では、インプリント処理中に加わる力に起因して基板に位置ずれ及び変形が生じることがある。従って、インプリント装置にグローバルアライメント方式を適用してアライメントを行ったとしても、基板とモールドとを正しくアライメントすることができないことがある。
【００１０】
本発明は、インプリント装置における型と基板とのアライメントの点で有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のインプリント材を型により成形して該基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板上のショット領域に対して設けられたマークを検出するオフアクシス検出系を含み、該マークの位置を計測する計測部と、前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記計測部による前記マークの位置の計測と、該計測の結果に基づく前記型と前記基板との間の相対位置の調整とが、前記基板上の複数のショット領域それぞれに関して行われるように、前記インプリント処理を制御する、ことを特徴とする。
【００１２】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、例えば、インプリント装置における型と基板とのアライメントの点で有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示すインプリント装置のモールドの構成を示す拡大図である。
【図３】図１に示すインプリント装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図４】モールドのパターンを転写する処理（Ｓ３１４）の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図５】図１に示すインプリント装置におけるモールド、供給部及びオフアクシス検出系の位置関係の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１６】
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、基板上のインプリント材を型により成形して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。インプリント処理は、具体的には、基板の上の複数のショット領域のそれぞれに供給されるインプリント材と型とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を剥離することで型のパターンを転写する処理である。
【００１７】
図１を参照するに、基板（ウエハ）１は、チャック２を介して、基板ステージ３に保持される。基板ステージ３は、微動ステージ４及びＸＹステージ５で構成され、基板１を保持して移動する。微動ステージ４は、基板１のＺ軸回りの回転を補正する機能、基板１のＺ軸方向の位置を補正する機能及び基板１の傾きを補正する機能を有する。微動ステージ４は、基板１をＸ軸方向及びＹ軸方向の所定の位置に位置決めするためのＸＹステージ５に配置される。ＸＹステージ５は、ベース定盤６に載置される。支柱７は、ベース定盤６の上に屹立し、天板８を支持する。また、インプリント装置１００は、微動ステージ４のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置を計測する位置センサ（例えば、レーザ干渉計や平面エンコーダ）を有する。
【００１８】
モールド９は、図２に示すように、基板１に転写すべきパターン（凹凸パターン）ＰＴを表面に有し、モールドチャック１０に固定される型である。モールドチャック１０は、モールドステージ１１に載置される。モールドステージ１１は、モールド９（モールドチャック１０）のＺ軸回りの回転を補正する機能及びモールド９の傾きを補正する機能を有する。モールドチャック１０及びモールドステージ１１は、モールド９を保持する型保持部として機能する。
【００１９】
モールドチャック１０及びモールドステージ１１のそれぞれは、光源（不図示）からコリメータレンズ１２を介して照射される紫外光を通過させる開口（不図示）を有する。モールドチャック１０（又はモールドステージ１１）には、モールド９の押し付け力（押印圧）を検出するためのロードセルが配置される。また、モールドステージ１１には、基板ステージ３に保持された基板１の高さ（平坦度）を計測するためのギャップセンサ１３が配置される。
【００２０】
モールド昇降用アクチュエータ１４は、エアシリンダ又はリニアモータで構成され、モールドステージ１１をＺ軸方向に駆動して、モールドチャック１０に保持されたモールド９を基板１に押し付けたり、基板１から引き離したりする。
【００２１】
モールドアライメント用のＴＴＭ（スルー・ザ・モールド）アライメント検出系１５は、モールドステージ１１に配置される。ＴＴＭアライメント検出系１５は、モールド９に形成されたアライメントマークＭ１及びＭ２、微動ステージ４に配置された基準マークＲＭ、基板１に形成されたアライメントマークＭ３などを検出するための光学系及び撮像系を有する。ＴＴＭアライメント検出系１５は、基板ステージ３に保持された基板１とモールド９とのＸ軸方向及びＹ軸方向の位置ずれを検出する。
【００２２】
供給部１６は、インプリント材としての樹脂（本実施形態では、光硬化型の樹脂）を滴下するノズルを含むディスペンサヘッドで構成され、基板１の上のショット領域のそれぞれに樹脂を供給（塗布）する機能を有する。供給部１６は、例えば、ピエゾジェット方式やマイクロソレノイド方式などを採用し、基板１の上に微小な容積（１ｐＬ（ピコリットル）程度）の樹脂を供給する。供給部１６から樹脂を供給しながら基板ステージ３を移動（スキャン移動やステップ移動）させることで、基板１の上に樹脂を塗布することが可能となる。
【００２３】
オフアクシス検出系１７は、天板８に支持され、モールド９を介さずに、微動ステージ４に配置された基準マークＲＭや基板１に形成されたアライメントマークＭ３などを検出するための光学系及び撮像系を有する。オフアクシス検出系１７は、基板１（に形成されたアライメントマークＭ３）のＸＹ平面における位置を検出する。換言すれば、オフアクシス検出系１７は、アライメントマークＭ３の位置を計測する計測部の一部を構成する。ＴＴＭアライメント検出系１５によってモールド９と基板ステージ３との位置関係を求め、オフアクシス検出系１７によって基板ステージ３と基板１との位置関係を求めることでモールド９と基板１との相対的な位置合わせを行うことができる。
【００２４】
駆動部１８は、オフアクシス検出系１７を駆動する。駆動部１８は、基板１の上の複数のショット領域のレイアウト、ショット領域に対するアライメントマークＭ３の位置、供給部１６による樹脂の供給速度（塗布速度）及び基板ステージ３の加速度に基づいて、オフアクシス検出系１７を位置決めする。換言すれば、インプリント装置１００において、オフアクシス検出系１７は、駆動部１８によって、その位置を変更することができるように構成される。
【００２５】
制御部１９は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の全体（動作）を制御する。制御部１９は、複数のショット領域のそれぞれで、オフアクシス検出系１７によるマークＭ３の検出を行い、かかる検出結果に基づいて基板１とモールド９との相対的な位置関係を調整してインプリント処理が行われるように、インプリント処理を制御する。
【００２６】
図３を参照して、インプリント装置１００の動作について説明する。本実施形態では、モールド９を変更することなく、複数の基板１のそれぞれに、あるレイヤのパターンを転写する場合を例に説明する。
【００２７】
Ｓ３０２では、モールド搬送機構（不図示）を介して、インプリント装置１００にモールド９を搬入し、かかるモールド９をモールドステージ１１（モールドチャック１０）に保持させる。
【００２８】
Ｓ３０４では、モールドステージ１１に保持されたモールド９のアライメントを行う。具体的には、モールド９に形成されたアライメントマークＭ１及びＭ２と微動ステージ４に配置された基準マークＲＭとを同時にＴＴＭアライメント検出系１５で検出し、アライメントマークＭ１及びＭ２と基準マークＲＭとの間の位置ずれを検出する。そして、ＴＴＭアライメント検出系１５の検出結果に基づいて、主に、モールド９のＺ軸回りの回転をモールドステージ１１で調整する。
【００２９】
Ｓ３０６では、微動ステージ４に配置された基準マークＲＭをオフアクシス検出系１７で検出し、オフアクシス検出系１７の光軸とモールド９の中心との間の距離であるベースラインを計測する。
【００３０】
Ｓ３０８では、基板搬送機構（不図示）を介して、インプリント装置１００に基板１を搬入し、かかる基板１を基板ステージ３（チャック２）に保持させる。
【００３１】
Ｓ３１０では、基板ステージ３に保持された基板１の高さ（平坦度）をギャップセンサ１３で計測する。ギャップセンサ１３の計測結果は、基板１の上の樹脂とモールド９とを接触させる際に（即ち、モールド９を押し付ける際に）、基板１の上のショット領域（の表面）をインプリント装置１００の基準面（不図示）に合わせるために必要となる。
【００３２】
Ｓ３１２では、基板ステージ３に保持された基板１のプリアライメントを行う。具体的には、基板１に予め転写された複数のプリアライメントマーク（不図示）をプリアライメント検出系で検出する。なお、かかるプリアライメント系には、オフアクシス検出系１７を兼用することができる。そして、プリアライメント検出系の検出結果からモールド９に対する複数のプリアライメントマークのＸ軸方向及びＹ軸方向の位置ずれを求め、かかる位置ずれに基づいて、基板１のＺ軸回りの回転を基板ステージ３（微動ステージ４）で調整する。
【００３３】
Ｓ３１４では、基板１の上の複数のショット領域のそれぞれに対して、モールド９のパターンを転写する。なお、モールド９のパターンを転写する処理（Ｓ３１４）、即ち、インプリント処理については後で詳細に説明する。
【００３４】
Ｓ３１６では、基板搬送機構を介して、インプリント装置１００から、全てのショット領域にモールド９のパターンが転写された基板１を搬出する。
【００３５】
Ｓ３１８では、モールド９のパターンを転写すべき基板１があるかどうかを判定する。モールド９のパターンを転写すべき基板１がない場合には、Ｓ３２０に移行する。また、モールド９のパターンを転写すべき基板１がある場合には、Ｓ３０６に移行して、ベースラインを計測する。但し、ベースラインの計測は、基板の交換ごとに行う必要は必ずしもなく、予め定めておいた条件を満たさない場合は、Ｓ３０８に移行してもよい。
【００３６】
Ｓ３２０では、モールド搬送機構を介して、インプリント装置１００から、モールド９を搬出し、動作を終了する。
【００３７】
図４を参照して、モールド９のパターンを転写するインプリント処理（Ｓ３１４）を詳細に説明する。Ｓ４０２では、供給部１６が樹脂を基板１に供給（塗布）する際に必要となる基板ステージ３の移動を開始する位置（樹脂供給移動開始位置）に基板１の上の対象ショット領域が位置するように、基板ステージ３を移動させる。ここで、基板１の上の対象ショット領域とは、これからモールド９のパターンを転写するショット領域である。
【００３８】
なお、直線状に配置されたノズルを含むディスペンサヘッドで供給部１６が構成されている場合、基板１の上の対象ショット領域に樹脂を塗布するためには、樹脂を供給しながら対象ショット領域の寸法に応じて基板ステージ３を移動させる必要がある。但し、基板１の上のショット領域をカバーするようにマトリクス状に配置されたノズルを含むディスペンサヘッドで供給部１６が構成されている場合、基板ステージ３を移動させることなく、基板１の上の対象ショット領域に樹脂を塗布することができる。
【００３９】
Ｓ４０４では、基板ステージ３に保持された基板１のアライメントを行う。本実施形態では、樹脂供給移動開始位置に基板１の上の対象ショット領域を位置させた際に、対象ショット領域がオフアクシス検出系１７の検出視野内に位置するように、供給部１６及びオフアクシス検出系１７が配置されている。このような配置は、駆動部１８でオフアクシス検出系１７を駆動することで実現することができる。従って、Ｓ４０２における基板ステージ３の移動によって、基板ステージ３は、オフアクシス検出系１７の検出視野内に位置することになり、基板１に形成されたアライメントマークＭ３をオフアクシス検出系１７で検出する。そして、オフアクシス検出系１７の検出結果からモールド９に対するアライメントマークＭ３のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置ずれを求め、かかる位置ずれに基づいて、基板１のＺ軸回りの回転を基板ステージ３（微動ステージ４）で調整する。これにより、モールド９と基板１との相対的な位置関係が調整される。
【００４０】
Ｓ４０６では、供給部１６によって基板１の上の対象ショット領域に樹脂を供給（塗布）する。具体的には、供給部１６から樹脂を供給しながら基板ステージ３を樹脂供給移動開始位置から移動（スキャン移動）させることで対象ショット領域に樹脂を塗布する。
【００４１】
Ｓ４０８では、モールド９のパターンＰＴと対向する位置（即ち、対象ショット領域の上の樹脂とモールド９とを接触させる位置、以下、「インプリント処理位置」と称する）に基板１の上の対象ショット領域が位置するように、基板ステージ３を移動させる。この際、基板ステージ３の移動目標位置（即ち、対象ショット領域をインプリント処理位置に位置させるために必要な基板ステージ３の移動量）は、Ｓ４０４におけるオフアクシス検出系１７の検出結果に基づいて決定されている。また、Ｓ４０８では、ギャップセンサ１３の計測結果に基づいて、基板１の上の対象ショット領域（の表面）がインプリント装置１００の基準面に合うように、基板ステージ３（微動ステージ４）で基板１のＺ軸方向の位置及びＸ−Ｙ平面に対する傾きを調整する。
【００４２】
Ｓ４１０では、基板１の上の対象ショット領域にモールド９を押し付ける（即ち、対象ショット領域の上の樹脂とモールド９とを接触させる）ために、モールド昇降用アクチュエータ１４によってモールド９を所定位置まで下降させる。
【００４３】
Ｓ４１２では、モールドチャック１０に配置されたロードセルの検出結果に基づいて、基板１の上の対象ショット領域に対するモールド９の押し付け力が所定の範囲内であるかどうかを判定する。モールド９の押し付け力が所定の範囲内でない場合には、Ｓ４１４に移行する。また、モールド９の押し付け力が所定の範囲内である場合には、Ｓ４１６に移行する。なお、本実施形態では、ロードセルでモールド９の押し付け力を検出・調整しているが、モールド９と基板１とのギャップ（距離）を検出・調整してもよい。
【００４４】
Ｓ４１４では、例えば、モールド昇降用アクチュエータ１４によってモールド９のＺ軸方向の位置を変更する、或いは、基板ステージ３（微動ステージ４）によって基板１のＺ軸方向の位置を変更することで、モールド９の押し付け力を調整する。このように、モールド９の押し付け力が所定の範囲内になるまで、Ｓ４１２及びＳ４１４が繰り返される。
【００４５】
Ｓ４１６では、基板１の上の対象ショット領域の上の樹脂を硬化させるために、対象ショット領域上の樹脂とモールド９とを接触させた状態において、対象ショット領域の上の樹脂に対して光源から紫外光を照射する。
【００４６】
Ｓ４１８では、基板１の上の対象ショット領域の上の硬化した樹脂からモールド９を引き離す（剥離する）ために、モールド昇降用アクチュエータ１４によってモールド９を上昇させる。これにより、基板１の上の対象ショット領域にモールド９のパターンが転写される。
【００４７】
Ｓ４２０では、基板１の上の全てのショット領域にモールド９のパターンを転写したかどうかを判定する。全てのショット領域にモールド９のパターンを転写していない場合には、Ｓ４０２に移行し、樹脂供給移動開始位置に次の対象ショット領域が位置するように、基板ステージ３を移動させる。また、全てのショット領域にモールド９のパターンを転写している場合には、Ｓ４２２に移行し、全てのショット領域にモールド９のパターンが転写された基板１を搬出するための搬出位置に基板ステージ３を移動させる。
【００４８】
このように、本実施形態では、複数のショット領域のそれぞれで、オフアクシス検出系１７によるアライメントマークＭ３の検出を行い、かかる検出結果に基づいて基板１とモールド９との相対的な位置関係を調整しながらインプリント処理が行われる。従って、インプリント処理中に加わる力に起因して基板１に位置ずれ及び変形が生じた場合にも、ショット領域ごとに、アライメントマークＭ３の位置（位置ずれ及び変形を含む位置）を高精度に検出することができる。換言すれば、インプリント装置１００では、ショット領域ごとに、基板１とモールド９とを正しくアライメントすることができる。
【００４９】
また、複数のショット領域のうち第１ショット領域にパターンが転写されてから第１ショット領域に続いてパターンが転写される第２ショット領域に樹脂の供給が行われるまでの間に（即ち、樹脂が供給される前に）、アライメントマークＭ３の検出が行われる。従って、基板１に形成されたアライメントマークＭ３を十分なコントラストで検出することができるため、モールド９と基板１とのアライメントを高精度に行うことができる。
【００５０】
なお、スループットの観点から、Ｓ４０４からＳ４０８の間では、基板ステージ３は移動を継続するとよい。換言すれば、対象ショット領域のアライメントマークＡＭ３の検出が行われてから、対象ショット領域に樹脂の供給が行われ、対象ショット領域がインプリント処理位置に位置するまでの間において、基板ステージ３が停止せずに連続して移動するとよい。
【００５１】
Ｓ４０４からＳ４０８の間において、基板ステージ３を停止させずに連続して移動させるためには、例えば、図５（ａ）乃至図５（ｃ）に示すように、モールド９、供給部１６及びオフアクシス検出系１７を配置する。図５（ａ）乃至図５（ｃ）では、以下の条件（１）乃至（３）を満たすように、モールド９、供給部１６及びオフアクシス検出系１７が配置されている。
【００５２】
条件（１）：
対象ショット領域がオフアクシス検出系１７によるアライメントマークＡＭ３の検出が行われる検出位置（第２位置）ＤＰから供給部１６による樹脂の供給が行われる供給位置ＳＰに達するまでの間は基板ステージ３が加速される。
条件（２）：
対象ショット領域が供給位置（第１位置）ＳＰを通過するまでの間は基板ステージ３が等速となる。
条件（３）：
対象ショット領域が供給位置ＳＰを通過してからインプリント処理位置（第３位置）ＰＰに達するまでの間は基板ステージ３が減速される。
【００５３】
図５（ａ）は、モールド９を上昇させた直後（Ｓ４１８）の状態におけるモールド９、供給部１６及びオフアクシス検出系１７の位置関係を示し、モールド９の直下の基板１の上のショット領域には、モールド９のパターンＰＴが転写されている。図５（ａ）に示す状態から、モールド９のパターンＰＴを転写すべき次の対象ショット領域ＴＳを樹脂供給移動開始位置に位置させるために基板ステージ３を移動させる。
【００５４】
図５（ｂ）は、対象ショット領域ＴＳが樹脂供給移動開始位置に位置した状態（Ｓ４０４、Ｓ４０６）におけるモールド９、供給部１６及びオフアクシス検出系１７の位置関係を示している。上述したように、対象ショット領域ＴＳに樹脂を供給（塗布）する際には、基板ステージ３を移動させる必要がある。この際、供給部１６からの樹脂の供給速度（供給量）を一定にして、基板ステージ３を等速で移動させるとよい。従って、対象ショット領域ＴＳを供給位置ＳＰに位置させるのではなく、図５（ｂ）に示すように、樹脂供給移動開始位置に位置させる。また、図５（ｂ）では、対象ショット領域ＴＳが樹脂供給移動開始位置に位置する状態において、対象ショット領域ＴＳに形成されたアライメントマークＡＭをオフアクシス検出系１７で検出することができる。換言すれば、樹脂供給開始位置と検出位置ＤＰとが一致するように、供給部１６及びオフアクシス検出系１７が配置されている。図５（ｂ）に示す状態において、対象ショット領域ＴＳに形成されたアライメントマークＡＭをオフアクシス検出系１７で検出した後、対象ショット領域ＴＳが供給位置ＳＰに達するまでの間は基板ステージ３を加速させる。
【００５５】
図５（ｃ）は、対象ショット領域ＴＳが供給位置ＳＰに達した状態（Ｓ４０６）におけるモールド９、供給部１６及びオフアクシス検出系１７の位置関係を示している。対象ショット領域ＴＳが供給位置ＳＰに達すると、基板ステージ３は等速で移動させながら供給部１６から樹脂を供給する。また、対象ショット領域ＴＳに樹脂が塗布され、対象ショット領域ＴＳが供給位置ＳＰを通過してからインプリント処理位置ＰＰに達するまでの間は基板ステージ３を減速させる。なお、当該減速の前に等速期間や加速期間を含んでもよい。
【００５６】
このように、対象ショット領域ＴＳが検出位置ＤＰに位置してから供給位置ＳＰを通過してインプリント処理位置ＰＰに達するまでの間において、基板ステージ３を停止させることなく連続して移動させることで、スループットの低下を防止することができる。
【００５７】
なお、オフアクシス検出系１７が固定されている場合には、基板ステージ３の加速度を調整することで、樹脂供給開始位置と検出位置ＤＰとを一致させることができる。また、基板ステージ３を等速で移動させるために必要となる基板ステージ３を加速させる区間（時間）は、基板ステージ３の移動速度や対象ショット領域ＴＳの寸法などによって変化する。従って、本実施形態ように、駆動部１８などを設けるなどして、オフアクシス検出系１７の位置を変更することができるようにするとよい。その際、図５（ａ）乃至図５（ｃ）に示したように、基板ステージ３の駆動時間が最も短くなるように、オフアクシス検出系１７を配置するとよい。
【００５８】
また、図５（ａ）乃至図５（ｃ）において、供給位置ＳＰは、供給部１６を構成するディスペンサに含まれるノズルの中心を意味する。また、検出位置ＤＰは、オフアクシス検出系１７の検出視野の中心を意味する。また、インプリント処理位置ＰＰは、モールド９の中心を意味する。
【００５９】
本実施形態では、供給部１６を構成するディスペンサに含まれるノズルの中心、オフアクシス検出系１７の検出視野の中心及びモールド９の中心が同一直線上に位置するように、モールド９、供給部１６及びオフアクシス検出系１７が配置されている。但し、モールド９、供給部１６及びオフアクシス検出系１７の配置はこれに限定されるものではなく、これらは同一直線上に位置しなくてもよい。
【００６０】
また、本実施形態では、検出位置ＤＰ、供給位置ＳＰ、インプリント処理位置ＰＰの順に直線上に位置するように、モールドチャック１０、供給部１６及びオフアクシス検出系１７が配置されている。但し、供給位置ＳＰ、検出位置ＤＰ、インプリント処理位置ＰＰの順に直線上に位置するように、モールドチャック１０、供給部１６及びオフアクシス検出系１７が配置されていてもよい。
【００６１】
＜物品の製造方法の実施形態＞
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを形成する工程を含む。更に、かかる製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含む。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、かかる製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００６２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、インプリント処理中に加わる力によるモールドの位置ずれや変形がアライメント（オーバレイ）に影響を与える場合には、モールドの位置ずれや変形を計測し、その結果をアライメント処理に反映させてもよい。かかる計測は、モールドのマークを検出する検出部をモールドステージに設けたり、モールドのマークと基準マークＲＭとの相対位置をＴＴＭアライメント検出系１５により検出したりすれば可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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