(57)【要約】【課題】基材の加工時および剥離時のいずれにおいても基材の破損を良好に防ぐことが可能な、すなわち歩留まりのよい基材の処理方法などを提供する。【解決手段】（１）２層以上の層を有し、溶融温度が最も高い層を一面側の最外層として有する仮固定材を介して、支持体に基材を、前記溶融温度が最も高い層と前記基材とが接するように仮固定することにより、積層体を得る工程、（２）前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程、ならびに（３）前記仮固定材を加熱することにより、支持体から基材を剥離する工程をこの順で有する基材の処理方法。【選択図】図２
2013222850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）２層以上の層を有し、溶融温度が最も高い層を一面側の最外層として有する仮固定材を介して、支持体に基材を、前記溶融温度が最も高い層と前記基材とが接するように仮固定することにより、積層体を得る工程、
（２）前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程、ならびに
（３）前記仮固定材を加熱することにより、支持体から基材を剥離する工程
をこの順で有する基材の処理方法。
【請求項２】
前記仮固定材の他面側の最外層の溶融温度が、前記一面側の最外層の溶融温度よりも小さい、請求項１の基材の処理方法。
【請求項３】
前記仮固定材が２層からなる、請求項２の基材の処理方法。
【請求項４】
溶融温度が最も高い層である前記一面側の最外層の膜厚を１とするとき、前記他面側の最外層の膜厚が０．１〜１０である、請求項３の基材の処理方法。
【請求項５】
前記工程（３）の剥離時の温度における、前記仮固定材の２層の粘度の差が１０００Ｐａ・ｓ以上である、請求項３または４の基材の処理方法。
【請求項６】
前記仮固定材の各層を形成する主成分樹脂が同種の樹脂である、請求項１〜５のいずれか一項の基材の処理方法。
【請求項７】
２層以上の層を有し、溶融温度が最も高い層を一面側の最外層として有し、かつ他面側の最外層を有する仮固定材と、
前記一面側の最外層と接するように前記仮固定材上に配置された基材と、
前記他面側の最外層と接するように前記仮固定材上に配置された支持体と
を有する積層体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項の基材の処理方法に用いられる仮固定材であって、２層以上の層を有し、溶融温度が最も高い層を一面側の最外層として有する仮固定材。
【請求項９】
シクロオレフィン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂およびポリイミド系樹脂から選択される少なくとも１種の熱可塑性樹脂を含有し、請求項８の仮固定材の溶融温度が最も高い層の形成に用いられる仮固定用組成物。
【請求項１０】
シクロオレフィン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂およびポリイミド系樹脂から選択される少なくとも１種の熱可塑性樹脂と、石油樹脂およびノボラック樹脂から選択される少なくとも１種の熱可塑性樹脂とを含有し、請求項８の仮固定材の溶融温度が最も高い層以外の層の形成に用いられる仮固定用組成物。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれか一項の基材の処理方法により得られる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、仮固定材を用いた基材の処理方法、前記仮固定材を有する積層体、基材を処理する際に、基材を支持体上に仮固定するために好適に用いることができる仮固定材およびその好適な原料組成物、ならびに半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハなどの基材を加工（例：ダイシング、裏面研削、フォトファブリケーション）や移動（例：ある装置から別の装置へ基材を移動）するに際して、支持体から基材がずれて動かないように、仮固定材などを用いて基材と支持体とを仮固定する必要がある。そして、加工および／または移動終了後は、基材を支持体から剥離する必要がある。従来、基材の仮固定に使用可能と考えられる接着剤がいくつか提案されている（下記特許文献１〜２参照）。
【０００３】
特許文献１には、シクロオレフィン樹脂などを溶剤に溶解あるいは分散させてなる組成物から形成された接合用組成物層を介して、第１の基板と第２の基板とを接合して積層体を得て、続いて、前記接合層を軟化させるのに充分な温度に曝露することにより、第１の基板と第２の基板とを分離する、ウエハの接合（分離）方法が開示されている。ここでの接合層は１層からなる。
【０００４】
特許文献２には、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板のそれぞれの周縁部を接合する接着剤層と、前記接着剤層により形成された中心空間に充填された充填材料からなる剥離層とを有する積層体を経由する、第１の基板および第２の基板の仮止め方法が開示されている。
【０００５】
近年のフォトファブリケーションなどでは、基材が高温環境下に曝されることがある。例えば複数のチップをパッケージ内で積層して実装する所謂三次元実装などでは、チップを支持体に仮固定して、例えばチップの加工（例：貫通孔形成、バンプ形成、再配線、ウエハの薄膜化、ウエハのダイシング）や、チップの積層（例：メッキをメルトフローさせ、チップ間を電気的に接続する）を行った後、チップを支持体から剥離している。
【０００６】
この場合、基材の加工時には、例えば半導体チップの破損やバンプの破損を防ぐため、高温環境下でも溶融せずに基材を保護可能な、すなわち耐熱性に優れる仮固定材が求められる。一方、基材を支持体から剥離する際には、例えば半導体チップの各部材（バンプや配線層の絶縁膜）の損耗を防ぐため、容易に溶融して弱い力で剥離可能な仮固定材が求められる。
【０００７】
このように仮固定材において、耐熱性の向上（基材の加工時に対応）および剥離性の向上（基材の剥離時に対応）はトレードオフの関係にあり、以上の従来技術においては前記性質の両立を図ることは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２０１０−５０６４０６号公報
【特許文献２】米国公開特許公報２００９／０２１８５６０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、基材の加工時および剥離時のいずれにおいても基材の破損を良好に防ぐことが可能な、すなわち歩留まりのよい基材の処理方法、前記処理方法に好適に用いられる仮固定材、ならびにこれらに関連する積層体、仮固定用組成物および半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有する仮固定材および処理方法により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、例えば以下の［１］〜［１１］に関する。
【００１１】
［１］（１）２層以上の層を有し、溶融温度が最も高い層を一面側の最外層として有する仮固定材を介して、支持体に基材を、前記溶融温度が最も高い層と前記基材とが接するように仮固定することにより、積層体を得る工程、（２）前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程、ならびに（３）前記仮固定材を加熱することにより、支持体から基材を剥離する工程をこの順で有する基材の処理方法。
【００１２】
［２］前記仮固定材の他面側の最外層の溶融温度が、前記一面側の最外層の溶融温度よりも小さい、前記［１］の基材の処理方法。
［３］前記仮固定材が２層からなる、前記［２］の基材の処理方法。
【００１３】
［４］溶融温度が最も高い層である前記一面側の最外層の膜厚を１とするとき、前記他面側の最外層の膜厚が０．１〜１０である、前記［３］の基材の処理方法。
［５］前記工程（３）の剥離時の温度における、前記仮固定材の２層の粘度の差が１０００Ｐａ・ｓ以上である、前記［３］または［４］の基材の処理方法。
【００１４】
［６］前記仮固定材の各層を形成する主成分樹脂が同種の樹脂である、前記［１］〜［５］のいずれか一項の基材の処理方法。
［７］２層以上の層を有し、溶融温度が最も高い層を一面側の最外層として有し、かつ他面側の最外層を有する仮固定材と、前記一面側の最外層と接するように前記仮固定材上に配置された基材と、前記他面側の最外層と接するように前記仮固定材上に配置された支持体とを有する積層体。
【００１５】
［８］前記［１］〜［６］のいずれか一項の基材の処理方法に用いられる仮固定材であって、２層以上の層を有し、溶融温度が最も高い層を一面側の最外層として有する仮固定材。
【００１６】
［９］シクロオレフィン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂およびポリイミド系樹脂から選択される少なくとも１種の熱可塑性樹脂を含有し、前記［８］の仮固定材の溶融温度が最も高い層の形成に用いられる仮固定用組成物。
【００１７】
［１０］シクロオレフィン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂およびポリイミド系樹脂から選択される少なくとも１種の熱可塑性樹脂と、石油樹脂およびノボラック樹脂から選択される少なくとも１種の熱可塑性樹脂とを含有し、前記［８］の仮固定材の溶融温度が最も高い層以外の層の形成に用いられる仮固定用組成物。
【００１８】
［１１］前記［１］〜［６］のいずれか一項の基材の処理方法により得られる半導体装置。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、基材の加工時および剥離時のいずれにおいても基材の破損を良好に防ぐことが可能な、すなわち歩留まりのよい基材の処理方法、前記処理方法に好適に用いられる仮固定材、ならびにこれらに関連する積層体、仮固定用型組成物および半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】仮固定材の一実施態様の縦断面図。
【図２】基材の処理方法の一実施態様の説明図。（ａ）はピラーバンプを有するシリコンウエハの上視図であり、（ｂ）〜（ｈ）は基材の処理方法の各工程におけるシリコンウエハ、仮固定材および支持体等の縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の仮固定材およびその原料組成物である仮固定用組成物について説明した後、前記仮固定材を用いた基材の処理方法、前記基材の処理方法で見られる積層体、および前記基材の処理方法によって得られる半導体装置について説明する。
【００２２】
〔仮固定材および仮固定用組成物〕
本発明において仮固定材とは、半導体ウエハなどの基材を加工（例：ダイシング、裏面研削、フォトファブリケーション（例：レジストパターンの形成、メッキ等による金属バンプ形成、化学気相成長等による膜形成、ＲＩＥなどによる加工））や移動（例：ある装置から別の装置へ基材を移動）するに際して、支持体から基材がずれて動かないように基材を仮固定するために用いられる仮固定材のことである。
【００２３】
高温環境下での作業工程が存在する場合、基材自体や基材に形成された各部材（例：バンプ）の破損を防ぐため、当該基材を保護する役割も担う仮固定材には高い耐熱性が要求される。また、基材の加工や移動終了後、支持体から基材を剥離するため、仮固定材には容易に溶融して弱い力で剥離可能な剥離性も要求される。本発明の仮固定材は、このような要求をともに満たすべく、以下の構成を有する。
【００２４】
すなわち本発明の仮固定材は、２層以上の層を有し、溶融温度が最も高い層を一面側の最外層として有する。前記一面側の最外層以外の層のうち少なくとも１層は、溶融温度が前記一面側の最外層の溶融温度よりも小さい層であること（以下、当該層を「低溶融温度層」ともいう。）が好ましい。
【００２５】
ここで、仮固定材のうち、一面側の最外層である溶融温度が最も高い層を基材と接する層（以下「基材側最外層」ともいう。）とし、他面側の最外層を支持体と接する層（以下「支持体側最外層」ともいう。）となるように、基材と支持体とを前記仮固定材を用いて仮固定する。
【００２６】
図１に、三層構成の仮固定材の一実施態様を示す。仮固定材３０は、バンプ２０を有する基材１０へ接触予定の最外層である基材側最外層３１と、中間層３３と、支持体４０へ接触予定の最外層である支持体側最外層３２とを有する。基材側最外層３１は溶融温度が最も高い層であり、支持体側最外層３２の溶融温度は基材側最外層３１の溶融温度よりも低く設定されている。
【００２７】
ここで、仮固定材のうち基材側最外層は溶融温度が最も高い層であるため、基材の加工時等に高温環境下（例：２２５〜３００℃）に曝された場合であっても、容易に溶融することなく、良好に基材自体や基材に形成された各部材を保護することができる。それと同時に、本発明では、高温環境下でも、基材の処理時に付加される剪断力に対して基材を保持しうる保持力を維持できる。保持力は、例えば剪断接着力で評価される。
【００２８】
また、仮固定材のうち支持体側最外層は、基材側最外層より溶融温度が低い層であることが好ましい。この場合、基材の剥離時には、相応の加熱処理を行うことにより、基材を支持体から剥離することができる。なお、基材上には、仮固定材の一部の層である基材側最外層等が残存することがあるが、この場合には、溶剤洗浄により容易に基材上から仮固定材を除去することができる。
【００２９】
本発明の仮固定材は、２層以上の層を有するが、歩留まり向上の観点から、２層からなることが好ましい。本発明の仮固定材が２層からなる場合とは、前記仮固定材が、基材側最外層と支持体側最外層とからなり、低溶融温度層が支持体側最外層である場合である。
【００３０】
基材側最外層における溶融温度は、基材加工時の温度に応じて適宜設定され、通常１００〜３５０℃、好ましくは１５０〜３５０℃、更に好ましくは２００〜３５０℃である。低溶融温度層における溶融温度は、通常２０〜２５０℃、好ましくは５０〜２５０℃、更に好ましくは１００〜２５０℃であり、かつ基材側最外層の溶融温度未満である。各層がこのような溶融温度に設定されている場合、上述の耐熱性および剥離性の向上が顕著となる。
【００３１】
本発明において仮固定材の各層の溶融温度は、以下の手法にて測定される：シリコンウエハ上に測定対象である層を置き（転写し）、レオメーター（装置名「ＡＲ−Ｇ２  レオメーター」、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）製、振動数＝０．０８Ｈｚ）を用いて、粘度が１０，０００Ｐａ・ｓとなる温度を、形成された層の溶融温度とする。
【００３２】
本発明の仮固定材が２層からなる場合、支持体から基材を剥離する時の温度における、前記仮固定材の２層の粘度の差は、剥離性が向上することから、好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以上であり、より好ましくは３０００Ｐａ・ｓ以上である。剥離時の温度は、通常１００〜３５０℃、好ましくは１５０〜３５０℃である。粘度は上述のレオメーターによって測定される。
【００３３】
本発明の仮固定材が２層からなる場合、基材側最外層の膜厚を１とするとき、支持体側最外層（低溶融温度層）の膜厚は、通常０．１〜１０、好ましくは０．５〜５である。２層の膜厚比が前記範囲にあると、歩留まりよく基材を処理することができる。
【００３４】
本発明の仮固定材の各層を形成する主成分樹脂は、同種の樹脂であることが好ましい。各層の主成分樹脂が同種の樹脂であると、各層の同一溶剤に対する溶解性が同程度となるため、基材剥離後に好ましく行われる溶剤洗浄を、同一溶剤を用いた１回の処理で行うことができる。
【００３５】
本発明において、各層を形成する「主成分樹脂」とは、当該層を形成する樹脂全体に対する当該の主成分樹脂の割合が５０質量％以上である樹脂のことをいう。なお、当該層を形成する樹脂全体が２種類の樹脂からなり、それぞれの割合が５０質量％である場合は、何れかの樹脂が他の層を形成する主成分樹脂と同種の樹脂であればよい。
【００３６】
本発明において、「同種の樹脂」とは、厳密に同一の樹脂であることまで要求される訳ではなく、例えば、ある層を形成する主成分樹脂がシクロオレフィン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリイミド系樹脂、およびこれらの２種以上の混合樹脂から選択される樹脂である場合、他の層を形成する樹脂も、当該選択された樹脂であればよい。
【００３７】
本発明の仮固定材では、上述のように、基材側最外層を溶融温度が最も高い層とし、かつ前記一面側の最外層以外の層のうち少なくとも１層は、溶融温度を前記一面側の最外層の溶融温度よりも小さく設定していることが好ましい。このように各層の溶融温度を調整するには、溶融温度の異なる樹脂を含有する仮固定用組成物を、対応する各層の溶融温度に応じてそれぞれ用いればよい。
【００３８】
具体的には、各層の形成に用いられる仮固定用組成物において、溶融温度が高い熱可塑性樹脂（以下「熱可塑性樹脂（Ｈ）」ともいう。）と、溶融温度が低い熱可塑性樹脂（以下「熱可塑性樹脂（Ｌ）」ともいう。）との配合比を適宜調整すればよい。例えば、熱可塑性樹脂（Ｈ）をベースとし、熱可塑性樹脂（Ｌ）の配合量を適宜調整することにより、仮固定用組成物の溶融温度を調整できる（一例として、熱可塑性樹脂（Ｌ）を多く配合すると、仮固定用組成物の溶融温度を下げることができる）。
【００３９】
本発明において、熱可塑性樹脂または仮固定用組成物の溶融温度は、以下の手法にて測定される：シリコンウエハ上に測定対象である熱可塑性樹脂または仮固定用組成物からなる塗膜を形成し、次いで前記塗膜をホットプレートを用いて２５０℃で１０分間加熱し、８００μｍの膜（仮固定材層）を形成し、レオメーター（装置名「ＡＲ−Ｇ２  レオメーター」、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）製、振動数＝０．０８Ｈｚ）を用いて、粘度が１０，０００Ｐａ・ｓとなる温度を、熱可塑性樹脂の溶融温度とする。
【００４０】
上述のような２層以上からなる仮固定材を調製するには、少なくとも以下の仮固定用組成物（Ａ）および（Ｂ）を準備すればよい：仮固定用組成物（Ａ）は、少なくとも１種の熱可塑性樹脂（Ｈ）を含有し、溶融温度が最も高い層である基材側最外層の形成に用いられる仮固定用組成物である。仮固定用組成物（Ｂ）は、少なくとも１種の熱可塑性樹脂（Ｈ）と少なくとも１種の熱可塑性樹脂（Ｌ）とを含有し、低溶融温度層の形成に用いられる仮固定用組成物である。前記仮固定用組成物（Ａ）を用いることにより、基材側最外層を形成することができ、前記仮固定用組成物（Ｂ）を用いることにより、低溶融温度層を形成することができる。
【００４１】
仮固定用組成物（Ａ）において、基材側最外層の溶融温度が上述の範囲となる限りにおいて、熱可塑性樹脂（Ｌ）を用いてもよい。また、仮固定用組成物（Ｂ）において、溶融温度が上述の範囲となるように熱可塑性樹脂（Ｈ）および（Ｌ）の含有量は適宜調整されるが、熱可塑性樹脂（Ｌ）は、熱可塑性樹脂（Ｈ）１００質量部に対して、通常１０〜１００質量部、好ましくは２５〜１００質量部用いられる。
【００４２】
以下、熱可塑性樹脂（Ｈ）および（Ｌ）について説明する。
〈溶融温度が高い熱可塑性樹脂（Ｈ）〉
溶融温度が高い熱可塑性樹脂（Ｈ）としては、例えば、シクロオレフィン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリイミド系樹脂、およびこれらの２種以上の混合樹脂が挙げられる。これらの中でも、シクロオレフィン系樹脂が好ましい。
【００４３】
熱可塑性樹脂（Ｈ）の溶融温度は、通常１００℃以上、好ましくは１５０〜３５０℃、更に好ましくは２００〜３５０℃である。溶融温度が前記範囲にある熱可塑性樹脂（Ｈ）を用いることにより、形成される層の溶融温度を高く設定することができる。
【００４４】
《シクロオレフィン系樹脂》
熱可塑性樹脂（Ｈ）の好適例であるシクロオレフィン系樹脂としては、例えば、環状オレフィンと非環状オレフィンとの付加共重合体、１種または２種以上の環状オレフィンの開環メタセシス重合体、前記開環メタセシス重合体を水素化して得られる重合体が挙げられる。このようなシクロオレフィン系樹脂の合成方法は従来公知である。
【００４５】
環状オレフィンとしては、例えば、ノルボルネン系オレフィン、テトラシクロドデセン系オレフィン、ジシクロペンタジエン系オレフィン、およびこれらの誘導体が挙げられる。前記誘導体としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基）、アルキリデン基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキリデン基）、アラルキル基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜１８のアラルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数３〜１８のシクロアルキル基）、ヒドロキシ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基）、アセチル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、芳香環、エーテル結合、およびエステル結合などによる置換誘導体が挙げられる。
【００４６】
環状オレフィンの好ましい例として、式（１）で表される化合物が挙げられる。
【００４７】
【化１】
2013222850.tif 000003
式（１）中の置換基は以下のとおりである：Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素またはアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基）である。Ｒ3はそれぞれ独立に水素、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数３〜１８のシクロアルキル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１８のアリール基）、アラルキル基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜１８のアラルキル基）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数１〜１１のアルコキシカルボニル基）、アルデヒド基、アセチル基、ニトリル基である。
【００４８】
非環状オレフィンとしては、炭素数２〜２０、好ましくは２〜１０の直鎖状または分岐鎖状のオレフィンが挙げられ、より好ましくはエチレン、プロピレン、ブテンであり、特に好ましくはエチレンである。
【００４９】
付加共重合体
環状オレフィンと非環状オレフィンとの付加共重合体は、例えば、式（Ｉ）で表される構成単位と、非環状オレフィンに由来する構成単位（非環状オレフィンの重合性二重結合の反応に基づく構成単位）とを有する重合体である。
【００５０】
【化２】
2013222850.tif 000004
式（Ｉ）中のＲ1〜Ｒ3は式（１）中のＲ1〜Ｒ3とそれぞれ同義である。
【００５１】
付加共重合体の市販品としては、例えば、ＴＯＰＡＳ  ＡＤＶＡＮＣＥＤ  ＰＯＬＹＭＥＲＳ社製の「ＴＯＰＡＳ（トパス）」、三井化学（株）製の「ＡＰＥＬ（アペル）」が挙げられる。
【００５２】
開環メタセシス重合体およびその水添体
１種または２種以上の環状オレフィンの開環メタセシス重合体は、例えば、式（II）で表される構成単位を有する重合体であり、前記開環メタセシス重合体を水素化して得られる重合体は、例えば、式（III）で表される構成単位を有する重合体である。
【００５３】
【化３】
2013222850.tif 000005
【００５４】
【化４】
2013222850.tif 000006
式（II）および（III）中のＲ1〜Ｒ3は式（１）中のＲ1〜Ｒ3とそれぞれ同義である。
【００５５】
開環メタセシス重合体の市販品としては、例えば、日本ゼオン（株）製の「ＺＥＯＮＯＲ（ゼオノア）」や「ＺＥＯＮＥＸ（ゼオネックス）」、ＪＳＲ（株）製の「ＡＲＴＯＮ（アートン）」が挙げられる。
【００５６】
シクロオレフィン系樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常１０，０００〜１００，０００、好ましくは３０，０００〜１００，０００である。シクロオレフィン系樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される数平均分子量をＭｎとするとき、Ｍｗ／Ｍｎで示される分子量分布は、通常２〜４、好ましくは３〜４である。
【００５７】
《ポリエーテル系樹脂》
熱可塑性樹脂（Ｈ）の好適例であるポリエーテル系樹脂としては、例えば、ポリエーテルスルホンが挙げられる。ポリエーテルスルホンは、金属やガラスなどの基材との密着性や接着性に優れ、また、耐熱性、耐薬品性、化学的安定性、機械強度および難燃性に優れる。
【００５８】
ポリエーテルスルホンとしては、例えば、特開２００６−８９５９５号公報、特開２００４−３５２９２０号公報、特開２００２−３３８６８８号公報、特開平０７−９７４４７号公報および特開平０４−２０５３０号公報に記載のポリエーテルスルホンが挙げられる。
【００５９】
ポリエーテルスルホンとしては、市販品を用いることもできる。ポリエーテルスルホン（Ａ）の市販品としては、例えば、ＢＡＳＦ社製の「ウルトラゾーンＥシリーズ」、ソルベイアドバンストポリマー社製の「レーデルＡシリーズ」、住友化学社製の「スミカエクセルシリーズ」が挙げられる。「スミカエクセルシリーズ」としては、例えば、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ３６００Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ４１００Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ４１００ＭＰ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ４８００Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ５００３Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ５２００Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ５４００Ｐが挙げられる。
【００６０】
ポリエーテルスルホンのＧＰＣ法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常１，０００〜１，０００，０００、好ましくは５，０００〜５００，０００である。ポリエーテルスルホンのＧＰＣ法により測定される数平均分子量をＭｎとするとき、Ｍｗ／Ｍｎで示される分子量分布は、通常１〜５、好ましくは１〜３．５である。
【００６１】
《ポリカーボネート系樹脂》
熱可塑性樹脂（Ｈ）の好適例であるポリカーボネート系樹脂としては、例えば、ポリエチレンカーボネート、ポリプロピレンカーボネート、１，２−ポリブチレンカーボネート、１，３−ポリブチレンカーボネート、１，４−ポリブチレンカーボネート、ｃｉｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート、α，β−ポリイソブチレンカーボネート、α，γ−ポリイソブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート、ポリヘキセンカーボネート、ポリシクロプロペンカーボネート、ポリシクロヘキセンカーボネート、ポリ（メチルシクロヘキセンカーボネート）、ポリ（ビニルシクロヘキセンカーボネート）、ポリジヒドロナフタレンカーボネート、ポリヘキサヒドロスチレンカーボネート、ポリシクロヘキサンプロピレンカーボネート、ポリスチレンカーボネート、ポリ（３−フェニルプロピレンカーボネート）、ポリ（３−トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート）、ポリ（３−メタクリロイロキシプロピレンカーボネート）、ポリパーフルオロプロピレンカーボネート、ポリノルボルネンカーボネート、ポリ（１，３−シクロヘキシレンカーボネート）、およびこれらの２種以上の組合せが挙げられる。
【００６２】
ポリカーボネート系樹脂のＧＰＣ法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常５，０００〜１００，０００、好ましくは１０，０００〜１００，０００である。ポリカーボネート系樹脂のＧＰＣ法により測定される数平均分子量をＭｎとするとき、Ｍｗ／Ｍｎで示される分子量分布は、通常２〜４、好ましくは２．５〜４である。
【００６３】
《ポリイミド系樹脂》
熱可塑性樹脂（Ｈ）の好適例であるポリイミド系樹脂は、耐熱性に優れる。ポリイミド系樹脂としては、特表２０１０−５１３３８５号公報に記載のポリイミド系樹脂が挙げられる。
【００６４】
〈溶融温度が低い熱可塑性樹脂（Ｌ）〉
溶融温度が低い熱可塑性樹脂（Ｌ）としては、例えば、石油樹脂、ノボラック樹脂、およびこれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性樹脂（Ｈ）との相溶性をコントロールするのが容易なため、石油樹脂が好ましい。
【００６５】
熱可塑性樹脂（Ｌ）の溶融温度は、通常２００℃以下である。溶融温度が前記範囲にある熱可塑性樹脂（Ｌ）を適宜配合することにより、形成される層の溶融温度を低く設定することができる。
【００６６】
《石油樹脂》
熱可塑性樹脂（Ｌ）の好適例である石油樹脂としては、例えば、Ｃ５系石油樹脂、Ｃ９系石油樹脂、Ｃ５系／Ｃ９系混合石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、ビニル置換芳香族化合物の重合体、オレフィンとビニル置換芳香族化合物との共重合体、シクロペンタジエン系化合物とビニル置換芳香族化合物との共重合体、これらの水素添加物、およびこれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、Ｃ５系石油樹脂、Ｃ９系石油樹脂、Ｃ５系／Ｃ９系混合石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、ビニル置換芳香族化合物の重合体、およびこれらの混合物が好ましい。Ｃ５系石油樹脂としては脂肪族系樹脂が好ましく、Ｃ９系石油樹脂としては脂環族系樹脂が好ましい。これらの中でも、Ｃ９系石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、およびこれらの混合物が特に好ましい。
【００６７】
石油樹脂のＧＰＣ法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常２００００以下、好ましくは１００〜２００００、さらに好ましくは２００〜１００００、特に好ましくは３００〜５０００である。
【００６８】
《ノボラック樹脂》
熱可塑性樹脂（Ｈ）の好適例であるノボラック樹脂は、例えば、フェノール類とアルデヒド類とを触媒（例：シュウ酸）の存在下で縮合させることにより得ることができる。
【００６９】
フェノール類としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、α−ナフトール、β−ナフトールが挙げられる。
【００７０】
アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒドなどが挙げられる。
ノボラック樹脂の好ましい具体例としては、フェノール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、フェノール−ナフトール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂が挙げられる。
【００７１】
ノボラック樹脂のＧＰＣにより測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常２０００以上、好ましくは２０００〜２００００である。ノボラック樹脂のＧＰＣ法により測定される数平均分子量をＭｎとするとき、Ｍｗ／Ｍｎで示される分子量分布は、通常１〜１０、好ましくは１．５〜５である。
【００７２】
〈仮固定用組成物の調製〉
本発明の仮固定材は、上述のとおり溶融温度が調整された各層を有する。このような仮固定材は、目的とする各層の溶融温度に応じた、上述の熱可塑性樹脂（Ｈ）および（Ｌ）を適宜配合してなる仮固定用組成物を準備し、当該数種の組成物を用いて対応する各層を形成することにより、製造することができる。
【００７３】
仮固定用組成物の調製には、熱可塑性樹脂の加工に用いる公知の装置、例えば、二軸押出機、単軸押出機、連続ニーダー、ロール混練機、加圧ニーダー、バンバリーミキサーを用いることができる。
【００７４】
仮固定用組成物の調製には、当該組成物の粘度を塗布に適した範囲に設定する点で、溶剤を用いることが好ましい。溶剤としては、例えば、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−tert−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム類が挙げられる。
【００７５】
仮固定用組成物が溶剤を含有することにより、仮固定材の粘度を調整することが容易となり、したがって基材または支持体等上に仮固定材層を形成するのが容易となる。例えば、溶剤は、仮固定用組成物の固形分濃度が通常１０〜５０質量％、好ましくは１５〜５０質量％となる範囲で用いることができる。ここで固形分濃度とは、溶剤以外の全成分の合計濃度である。
【００７６】
また、仮固定用組成物は、必要に応じて密着助剤；酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ケイ素などの金属酸化物粒子；ポリスチレン架橋粒子などを含有してもよい。
【００７７】
〈仮固定材の他の特性〉
本発明の仮固定材は、例えば３００℃以下という温度で基材を仮固定できるとともに、高温環境下（例：２２５℃以上、具体的には２２５〜３００℃）でも、基材の処理時に基材を保持（若しくは保護）しうる保持力を維持できる。保持力は、例えば剪断接着力で評価される。
【００７８】
このように本発明の仮固定材は、基材の処理（加工および／または移動等）時に付加される剪断力に対して充分な保持力（剪断接着力）を有する。本発明の仮固定材は、２５℃近辺で用いられる基材の薄膜化、フォトファブリケーション（例えば、２５〜３００℃での温度範囲で用いられるエッチング加工やスパッタ膜の形成、２２５〜３００℃での温度範囲で用いられるメッキ処理やメッキリフロー処理）などにおいても、基材を支持体上に保持することができる。
【００７９】
さらに、本発明の仮固定材は、支持体側最外層の溶融温度付近あるいはそれ以上の温度で剪断接着力が低下する（ただし、上述のように基材の処理時に付加される程度の剪断力に対しては基材を保持しうる。）ので、相応の加熱処理および剪断処理を行うことにより、例えば支持体側最外層内において剥離現象が生じ、基材を容易に支持体から剥離することができる。
【００８０】
本発明の仮固定材は、このような特性を有することから、現代の経済活動の場面で要求される様々な加工処理（例：各種材料表面の微細化加工処理、各種表面実装、半導体ウエハや半導体素子の運搬）などの際に、基材の仮止め材として好適に用いられる。
【００８１】
〔基材の処理方法〕
本発明の基材の処理方法は、（１）２層以上の層を有し、溶融温度が最も高い層を一面側の最外層として有する仮固定材（すなわち、上述の仮固定材）を介して、支持体に基材を、前記溶融温度が最も高い層と前記基材とが接するように仮固定することにより、積層体を得る工程、（２）前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程、ならびに（３）前記仮固定材を加熱することにより、支持体から基材を剥離する工程をこの順で有する。以下、前記各工程をそれぞれ、工程（１）、工程（２）、工程（３）ともいう。
【００８２】
《工程（１）》
工程（１）では、例えば、（1-1）支持体および／または必要に応じて表面処理した基材の表面に本発明の仮固定材である多層の仮固定材層を形成し、前記仮固定材層を介して基材と支持体とを貼り合せることにより、あるいは（1-2）支持体の表面に本発明の仮固定材である多層の仮固定材層を形成し、前記仮固定材層上に基材を形成することにより、基材を支持体上に仮固定することができる。ここで、基材と接する層は溶融温度が最も高い層である。また、前記一面側の最外層以外の層のうち少なくとも１層は、溶融温度が前記一面側の最外層の溶融温度よりも小さい層であることが好ましい。本発明では、このように要求物性に応じた機能を各層に有する仮固定材を用いることで、歩留まりよく基材を処理することができる。
【００８３】
上述の仮固定材層の形成方法としては、例えば、（ｉ）仮固定材の各層を、支持体上および／または基材上に直接形成する方法、（ii）仮固定材の各層を、離型処理が施されたＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）フィルム上に一定膜厚で成膜した後、支持体および／または基材へラミネート方式により転写する方法が挙げられる。膜厚均一性の点から、上記（ｉ）の方法が好ましい。
【００８４】
各層を形成する仮固定用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法が挙げられる。スピンコート法では、例えば、回転速度が３００〜３，５００ｒｐｍ（好ましくは５００〜１，５００ｒｐｍ）、加速度が５００〜１５，０００ｒｐｍ／秒、回転時間が３０〜３００秒という条件のもと、仮固定用組成物をスピンコーティングする方法が挙げられる。
【００８５】
仮固定用組成物を塗布して塗膜を形成した後は、例えば、ホットプレート等でベークして、溶剤を蒸発させることができる。ベーキングの条件は、例えば、温度が通常１５０〜２７５℃、好ましくは１５０〜２６０℃であり、時間が通常２〜１５分、より好ましくは３〜１０分である。
【００８６】
上記（ｉ）の方法において、基材と支持体とを貼り合せる方法としては、例えば、基材および支持体のいずれか一方または双方に上述の仮固定材の各層を形成して、両者を貼り合せる方法が挙げられる。この際の温度は、各仮固定用組成物の含有成分、塗布方法等に応じて適宜選択される。このようにして、基材が支持体上に仮固定材を介して強固に保持される。圧着条件は、例えば、１５０〜３００℃で１〜５分間、０．０５〜０．５ＭＰａの力を付加することにより行えばよい。
【００８７】
具体的には、基材上に溶融温度が最も高い層を形成し、続いて前記層上に各層を形成していくことにより、基材上に多層の仮固定材層を形成した後、得られた多層体を支持体上に配置すればよい。この場合、ベーキングの後、得られた多層体を支持体と接触させて、支持体／仮固定材層／基材という構成で圧着する。
【００８８】
加工（移動）対象物である前記基材としては、例えば、半導体ウエハ、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、金属箔、研磨パッド、樹脂塗膜が挙げられる。半導体ウエハには、通常はバンプや配線、絶縁膜などが形成されている。樹脂塗膜としては、例えば、有機成分を主成分として含有する層が挙げられ；具体的には、感光性材料から形成される感光性樹脂層、絶縁性材料から形成される絶縁性樹脂層、感光性絶縁樹脂材料から形成される感光性絶縁樹脂層などが挙げられる。支持体としては、ガラスやシリコンなどの取扱いが容易で且つ硬くて平坦な面を有するものが挙げられる。
【００８９】
仮固定材層を基材上に形成するに際して、仮固定材の面内への広がりを均一にするため、基材表面を予め表面処理することもできる。表面処理の方法としては、基材表面に予め表面処理剤を塗布する方法などが挙げられる。
【００９０】
上記表面処理剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンなどのカップリング剤が挙げられる。
【００９１】
仮固定材層の全厚みは、基材の仮固定面のサイズ、加工処理などで要求される密着性の程度に応じて任意に選択することができる。仮固定材層の全厚みは、通常０．１μｍを超えて２ｍｍ以下、好ましくは０．１μｍを超えて１ｍｍ以下、より好ましくは０．１μｍを超えて０．５ｍｍ以下である。また、仮固定材層の各層の厚みは、通常０．１〜１００μｍ、好ましくは１〜１００μｍ、より好ましくは１０〜１００μｍである。仮固定材層の全厚みや各層の厚みが前記範囲にあると、保持力が充分であり、仮固定面からの基材の剥がれが生じることもない。
【００９２】
《工程（２）》
工程（２）は、上記のように支持体上に仮固定された基材を加工し、および／または得られた積層体を移動する工程である。移動工程は、基材（例：半導体ウエハ）をある装置から別の装置へ支持体とともに移動する工程である。また、上記のようにして支持体上に仮固定された基材の加工処理としては、例えば、基材の薄膜化（例：裏面研削）；エッチング加工、スパッタ膜の形成、メッキ処理およびメッキリフロー処理などから選ばれる一以上の処理を含むフォトファブリケーション；ならびにダイシングが挙げられる。
【００９３】
特にフォトファブリケーションにおいては、メッキリフロー処理などに対する耐性（耐熱性）が必要である。上述のとおり、本発明の多層構成を有する仮固定材を用いた基材の処理方法は、従来の基材の処理方法に比べ、耐熱性の点で優れている。
【００９４】
基材の加工処理は、仮固定材の保持力が失われない温度で行えば特に限定されない。本発明では、上記仮固定材層が、低温および高温環境下においても加工処理時に基材を保持（若しくは保護）しうる保持力を有している。
【００９５】
以下では、基材の加工処理として、半導体ウエハの三次元実装の際に行われる加工処理を一例として説明する。三次元実装では、半導体ウエハの表面に対して垂直方向に延びる貫通電極を形成し、その貫通電極の端部や配線上に、パッド電極やバンプなどの接続用電極を形成する。このようにして形成された接続用電極同士を接続することで、積層した半導体ウエハ相互間を接続する。
【００９６】
（ｉ）工程（１）で仮固定材を介して支持体上に仮固定された半導体ウエハからなる基材上にレジストを塗布し、露光処理および現像処理を行い、所定の形状にパターニングされたレジスト層を形成する。例えば、円形状のレジストパターンを基材上に複数形成すればよい。
【００９７】
（ii）レジスト層をマスクとして、基材の所定形状にパターニングされた部分をエッチングし、開口部（ホール）を形成する。その後、レジスト層を剥離液あるいはアッシング（例：Ｏ2アッシング）などにより剥離する。エッチングにはドライエッチングやウェットエッチングを使用することができる。
【００９８】
（iii）基材の開口部を形成した面上に、ＳｉＯ2などからなる絶縁層を形成する。
（iv）絶縁層への導体の拡散を防ぐ目的で、ＴｉＷおよびＴｉＮなどからなるバリア層をスパッタにより形成する。次に、銅などからなるシード層をスパッタにより形成する。
【００９９】
（ｖ）基材の開口部を形成した面上にレジストを塗布し、露光処理および現像処理を行い、基材の開口部に対応した形状にパターニングされたレジスト層を形成する。次に、メッキ処理（Ｓｎ／Ｃｕメッキなど）を施して、基材の開口部に導体を充填し、貫通電極を形成する。その後、レジスト層を除去し、バリア層およびシード層をドライエッチングにより除去する。
【０１００】
（vi）このようにして加工処理がなされた基材の貫通電極上に、リフローにより、パッド電極やバンプなどの接続用電極を形成する。次に、形成された接続用電極同士を接続することで、積層した半導体チップ相互間を接続することができる。
【０１０１】
《工程３》
基材の加工処理または移動後は、仮固定材の加熱処理により、支持体から基材を剥離する。このように、加熱処理により、仮固定材の各層のうち少なくとも支持体側最外層の接着力を低減させながら、支持体と基材とをその仮固定面（支持体の表面）に略水平方向にずらすなどの剪断処理（通常０．０１〜５Ｎ／ｃｍ2、好ましくは０．０１〜０．５Ｎ／ｃｍ2）により、支持体から基材を剥離すればよく、あるいは、支持体の表面に対して垂直方向に基材を剥離すればよい。
【０１０２】
例えば、基材を支持体の表面に対して水平方向にスライドさせると同時に、支持体を固定する、あるいは前記基材に付加される力に拮抗する力を支持体に付加することによって、基材を支持体から剥離する。なお、本発明において「剪断」とは、支持体と基材との仮固定面の略平行方向に力を作用させることをいう。
【０１０３】
加熱処理における温度条件（剥離時の温度）は、仮固定材の支持体側最外層の溶融温度（本段落で「Ｔｍ」という。）以上、好ましくはＴｍ以上Ｔｍ＋２００℃以下、より好ましくはＴｍ以上Ｔｍ＋１００℃以下である。
【０１０４】
なお、剥離後の基材に仮固定用組成物が残存している場合は、上述の仮固定用組成物を調製する際に使用されうる溶剤で洗浄して除去することができる。洗浄方法としては、基材を洗浄液に浸漬する方法、基材に洗浄液をスプレーする方法、基材を洗浄液に浸漬しながら超音波を加える方法などが挙げられる。洗浄液の温度は特に限定されないが、好ましくは２０〜８０℃、より好ましくは２０〜５０℃である。
【０１０５】
溶剤としては、例えば、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−tert−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム類が挙げられる。
【０１０６】
〔積層体〕
本発明の積層体は、２層以上の層を有し、溶融温度が最も高い層を一面側の最外層として有し、かつ他面側の最外層を有する仮固定材（すなわち、上述の仮固定材）と、前記一面側の最外層（基材側最外層）と接するように前記仮固定材上に配置された基材と、前記他面側の最外層（支持体側最外層）と接するように前記仮固定材上に配置された支持体とを有する。当該積層体は、例えば、上述の基材の処理方法の過程で形成される。
【０１０７】
〔半導体装置〕
本発明の半導体装置は、本発明の基材の処理方法によって得られる。上述の仮固定材は半導体素子等の半導体装置の剥離時に容易に除去されるため、前記半導体素子等の半導体装置は仮固定材による汚染（例：シミ、焦げ）が極めて低減されたものとなっている。また、本発明の半導体装置は、基材自体や基材が有する各部材の破損・損耗が極めて低減されたものとなっている。
【実施例】
【０１０８】
以下、本発明の一実施態様を、実施例をもとにより具体的に説明する。
１．仮固定材の準備
１−１．仮固定用組成物
仮固定材を形成するための組成物として、下記仮固定用組成物を用いた。
【０１０９】
［調製例１］仮固定用組成物１の調製
１００質量部のシクロオレフィン重合体（商品名「Ｚｅｏｎｅｘ  ４８０Ｒ」、日本ゼオン（株）製）と、４００質量部のメシチレンとを混合することにより、仮固定用組成物１を調製した。
【０１１０】
［調製例２］仮固定用組成物２の調製
５０質量部のシクロオレフィン重合体（商品名「Ｚｅｏｎｅｘ  ４８０Ｒ」、日本ゼオン（株）製）と、５０質量部の水添Ｃ９系石油樹脂（商品名「アルコンＰ−１４０」、荒川化学工業（株）製）と、４００質量部のメシチレンとを混合することにより、仮固定用組成物２を調製した。
１−２．仮固定用組成物および仮固定材各層の溶融温度の測定
シリコンウエハ上に上記仮固定用組成物１を塗布して塗膜を形成し、次いで前記塗膜をホットプレートを用いて２５０℃で１０分間加熱し、８００μｍの膜（仮固定材層１）を形成した。レオメーター（装置名「ＡＲ−Ｇ２  レオメーター」、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）製、振動数＝０．０８Ｈｚ）を用いて、粘度が１０，０００Ｐａ・ｓとなる温度（溶融温度）を測定したところ、２５０〜２６０℃であった。
【０１１１】
シリコンウエハ上に上記仮固定用組成物２を塗布して塗膜を形成し、次いで前記塗膜をホットプレートを用いて２５０℃で１０分間加熱し、８００μｍの膜（仮固定材層２）を形成した。上記と同様にして粘度が１０，０００Ｐａ・ｓとなる温度（溶融温度）を測定したところ、２００〜２１０℃であった。
２．評価
［実験例１］（図２参照）
仮固定用組成物１を、スピンコート法で、Ｃｕスパッタ膜上に高さ２０μｍのＣｕピラーバンプ２０のパターンを有するシリコンウエハ１０上に塗布し、ホットプレートを用いて２５０℃で１０分間加熱し、厚さ４０μｍ（Ｃｕスパッタ膜上に形成された塗膜の厚さ）の塗膜（仮固定材層３１）を形成した。
【０１１２】
次いで、仮固定用組成物２を、スピンコート法で、前記仮固定材層３１上に塗布し、ホットプレートを用いて２５０℃で１０分間加熱し、厚さ４０μｍの塗膜（仮固定材層３２）を形成し、仮固定材層３１および仮固定材層３２からなる仮固定材３０を有するシリコンウエハ１０を得た。
【０１１３】
得られたシリコンウエハ１０を縦１ｃｍ、横１ｃｍの正方形状に切断してチップ５０とした。得られたチップ５０を縦２ｃｍ、横２ｃｍの正方形状のガラス基板４０に、ガラス基板４０と仮固定材層３２とが接するように重ね合わせた。その後、ダイボンダー装置を用いて、２５０℃で５０Ｎの力を９０秒間加えてチップ５０とガラス基板４０とを圧着し、チップ５０をガラス基板４０上に仮固定した。
【０１１４】
万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、ガラス基板４０およびチップ５０に、ガラス基板４０と平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度、２５０℃で１Ｎ／ｃｍ2以下）を加え、チップ５０の剥離を行った。剥離後のチップのＣｕピラーバンプ２０の状態を観察したところ、Ｃｕピラーバンプ２０は破損しておらず、初期状態と変化ないことが確認された。
【０１１５】
その後、チップを溶剤（メシチレン）に室温（２３℃）で１０分間浸漬した。浸漬後のチップに仮固定材層３１および仮固定材層３２からなる仮固定材３０が残っているか確認したところ、仮固定材３０は残っておらず、良好に仮固定材３０を除去できたことを確認した。また、浸漬後のチップのＣｕピラーバンプ２０の状態を観察したところ、Ｃｕピラーバンプ２０は破損しておらず、初期状態と変化ないことが確認された。
【０１１６】
［比較例１］
仮固定用組成物１を、スピンコート法で、Ｃｕスパッタ膜上に高さ２０μｍのＣｕピラーバンプ２０のパターンを有するシリコンウエハ１０上に塗布し、ホットプレートを用いて２５０℃で１０分間加熱し、厚さ８０μｍ（Ｃｕスパッタ膜上に形成された塗膜の厚さ）の塗膜（仮固定材３０）を形成し、仮固定材３０を有するシリコンウエハを得た。
【０１１７】
得られたシリコンウエハを縦１ｃｍ、横１ｃｍの正方形状に切断してチップ５０とした。得られたチップ５０を縦２ｃｍ、横２ｃｍの正方形状のガラス基板４０に、ガラス基板４０と仮固定材３０とが接するように重ね合わせた。その後、ダイボンダー装置を用いて、２５０℃で５０Ｎの力を９０秒間加えてチップ５０とガラス基板４０とを圧着し、チップ５０をガラス基板４０上に仮固定した。
【０１１８】
万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、ガラス基板４０およびチップ５０に、ガラス基板４０と平行方向に下記剪断力１〜３を加えたが、チップ５０とガラス基板４０とを剥離することはできなかった。
・剪断力１：５００μｍ／秒の速度、２５０℃で１Ｎ／ｃｍ2以下。
・剪断力２：５００μｍ／秒の速度、２５０℃で２Ｎ／ｃｍ2。
・剪断力３：５００μｍ／秒の速度、２５０℃で３Ｎ／ｃｍ2。
【０１１９】
同様に、万能ボンドテスターを用いて、ガラス基板４０とチップ５０に、剪断力（５００μｍ／秒の速度、２５０℃で４Ｎ／ｃｍ2）を加え、チップ５０の剥離を行った。剥離後のチップのＣｕピラーバンプ２０の状態を観察したところ、Ｃｕピラーバンプ２０が折れていることを確認した。
【符号の説明】
【０１２０】
１０・・・基材（シリコンウエハ）
２０・・・バンプ
３０・・・仮固定材（仮固定材層）
３１・・・基材側最外層（溶融温度が最も高い層）
３２・・・支持体側最外層
３３・・・中間層
３０ａ・・一面側（基材側の面）
３０ｂ・・他面側（支持体側の面）
４０・・・支持体（ガラス基板）
５０・・・チップ
【図１】
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【図２】
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