(57)【要約】【課題】粒子径が小さい母粒子を用いた場合であっても絶縁性と導通性を両立することが可能な導電粒子、並びにこれを用いて得られる異方性導電接着剤フィルム及び接続構造体を提供すること。【解決手段】プラスチック核体、及び該プラスチック核体の表面を被覆し少なくともニッケル／リン合金層を有するめっき層を有する母粒子と、該母粒子の表面を被覆する絶縁性子粒子と、を備える導電粒子であって、上記母粒子の粒子径は２．０μｍ以上３．０μｍ以下であり、上記母粒子の飽和磁化は４５ｅｍｕ／ｃｍ３以下であり、上記絶縁性子粒子の粒子径は、１８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、導電粒子。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック核体、及び該プラスチック核体の表面を被覆し少なくともニッケル／リン合金層を有するめっき層を有する母粒子と、
該母粒子の表面を被覆する絶縁性子粒子と、を備える導電粒子であって、
前記母粒子の粒子径は、２．０μｍ以上３．０μｍ以下であり、
前記母粒子の飽和磁化は、４５ｅｍｕ／ｃｍ３以下であり、
前記絶縁性子粒子の粒子径は、１８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、導電粒子。
【請求項２】
前記母粒子は表面に突起を有し、
該突起の高さは前記絶縁性子粒子の粒子径よりも小さい、請求項１に記載の導電粒子。
【請求項３】
前記母粒子は表面に突起を有し、
該突起は、芯材を付着させた前記プラスチック核体の表面が前記めっき層で被覆されることにより形成され、
前記芯材は非磁性体である、請求項１又は２に記載の導電粒子。
【請求項４】
前記ニッケル／リン合金層のリン含有率は、１．０質量％以上１０．０質量％以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の導電粒子。
【請求項５】
前記絶縁性子粒子の被覆率は２０〜５０％であり、
前記絶縁性子粒子の被覆ばらつきＣ．Ｖ．は０．３以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の導電粒子。
【請求項６】
前記絶縁性子粒子は、重量平均分子量が１０００以上であるポリマー又はオリゴマーからなる層を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の導電粒子。
【請求項７】
前記母粒子は、重量平均分子量が１０００以上のポリマー又はオリゴマーからなる層をさらに有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の導電粒子。
【請求項８】
前記絶縁性子粒子の粒子径は、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の導電粒子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の導電粒子を接着剤中に分散させた、異方性導電接着剤フィルム。
【請求項１０】
第一の回路基板の主面上に第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、
第二の回路基板の主面上に第二の回路電極が形成された第二の回路部材と、
前記第一の回路基板の主面と前記第二の回路基板の主面との間に設けられ、前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とを対向配置させた状態で前記第一及び第二の回路部材同士を接続する回路接続部材と、
を備える回路部材の接続構造体であって、
前記回路接続部材は、請求項９に記載の異方性導電接着剤フィルムの硬化物からなり、
対向する前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とが扁平した導電粒子を介して電気的に接続されている、回路部材の接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電粒子、異方性導電接着剤フィルム及び接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回路部材同士又はＩＣチップ若しくは電子部品と回路部材とを電気的に接続する際には、接着剤又は導電粒子を分散させた異方性導電接着剤が用いられていた。このような接続形態は液晶分野において発展が顕著である。液晶表示用ガラスパネルに液晶駆動用ＩＣを実装する方式は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ−ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）実装とＣＯＦ（Ｃｈｉｐ−ｏｎ−Ｆｌｅｘ）実装の２種類に大別することができる。ＣＯＧ実装では、導電粒子を含む異方性導電接着剤を用いて液晶用ＩＣが直接ガラスパネル上に接合される。一方、ＣＯＦ実装では、金属配線を有するフレキシブルテープに液晶駆動用ＩＣが接合され、導電粒子を含む異方性導電接着剤を用いてそれらがガラスパネルに接合される。ここでいう異方性導電とは、加圧方向の回路電極同士は電気的に導通し、非加圧方向の回路電極同士は電気的に絶縁することを意味する。導電粒子には、プラスチック粒子の外側にニッケルめっき、ニッケルめっきと金めっき、及びニッケルめっきとパラジウムめっきを施した粒子等が用いられる。近年は導通性を改善するために、ニッケルめっき表面に突起を有する導電粒子もある。突起を形成する方法としては、特許文献１に開示されるように、芯材としてニッケル粒子を用いてその上にニッケルめっきを施す方法が知られている。また、特許文献２に開示されるように、めっきの異常析出を利用して粒子表面に粗化形状を形成する方法が知られている。
【０００３】
近年の液晶表示の高精細化に伴い、液晶駆動用ＩＣの回路電極である金バンプは狭ピッチ化及び狭面積化してきた。そのため、異方性導電接着剤の導電粒子が隣接する回路電極間に流出してショートを発生させるといった問題があり、特にＣＯＧ実装ではその傾向が顕著であった。一方、隣接する回路電極間に導電粒子が流出すると、金バンプとガラスパネルとの間に捕捉される異方性導電接着剤中の導電粒子数が減少し、対向する回路電極間の接続抵抗が上昇し、接続不良を起こすといった問題があった。特に近年は金バンプの狭ピッチ化及び狭面積化に伴って、単位面積あたり２万個／ｍｍ２以上の導電粒子を投入するため、その傾向が顕著であった。
【０００４】
そこで、これらの問題を解決する方法として、異方性導電接着剤の少なくとも片面に絶縁性の接着剤を形成することで、ＣＯＧ実装又はＣＯＦ実装における接合品質の低下を防ぐ方法（特許文献３）、及び、導電粒子の全表面を絶縁性の膜で被覆する方法（特許文献４）がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３２４１３８号公報
【特許文献２】特開２０００−２４３１３２号公報
【特許文献３】特開平８−２７９３７１号公報
【特許文献４】特許第２７９４００９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、異方性導電接着剤の片面に絶縁性の接着剤を形成する方法において、バンプ面積が３０００μｍ２未満である場合には、安定した接続抵抗を得るために導電粒子を増やすことがあり、隣り合う回路電極間の絶縁性について未だ改良の余地があった。さらに、導電粒子の全表面を絶縁性の膜で被覆する方法で得られる回路部材では、非加圧方向の回路電極間の絶縁性は高いものの、加圧方向の回路電極間の導電性が低くなりやすいといった問題があった。
【０００７】
また、バンプ面積が小さい場合、異方性導電接着剤中の導電粒子を増やしているにもかかわらず、圧着時の樹脂流動により導電粒子がバンプ上に十分に残りにくい問題があった。このような問題から、異方性導電接着剤を圧着する際に、導電粒子の移動を抑制にすることが導通及び絶縁の双方の面から重要であった。
【０００８】
絶縁性の子粒子を母粒子表面に被覆させて得られる導電粒子を用いた回路部材では、初期絶縁性と導通性のバランスが良好である。ただし、上記絶縁性の子粒子は、磁性を有するニッケル等の金属粒子と相性が悪く、母粒子の粒子径が３μｍより小さくなると急速に母粒子の磁性凝集が促進される傾向があることがわかった。また、特に、近年は金バンプの狭ピッチ化に対応するため、導電粒子の小径化と絶縁性子粒子の大径化が必要となる傾向があり、これらの傾向に伴い、絶縁性の子粒子が母粒子表面に吸着することが難しくなる問題が出てきた。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、粒子径が小さい母粒子を用いた場合であっても絶縁性と導通性を両立することが可能な導電粒子、並びにこれを用いて得られる異方性導電接着剤フィルム及び接続構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、プラスチック核体、及び該プラスチック核体の表面を被覆し少なくともニッケル／リン合金層を有するめっき層を有する母粒子と、該母粒子の表面を被覆する絶縁性子粒子と、を備える導電粒子であって、上記母粒子の粒子径は２．０μｍ以上３．０μｍ以下であり、上記母粒子の飽和磁化は４５ｅｍｕ／ｃｍ３以下であり、上記絶縁性子粒子の粒子径は、１８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、導電粒子を提供する。
【００１１】
このような導電粒子を用いた回路部材は、粒子径が小さい母粒子を用いた場合であっても優れた絶縁性及び導通性を有する。
【００１２】
上記母粒子は表面に突起を有していてもよく、該突起の高さは上記絶縁性子粒子の粒子径よりも小さくてもよい。
【００１３】
上記突起は、芯材を付着させた上記プラスチック核体の表面が上記めっき層で被覆されることにより形成されていてもよく、上記芯材は非磁性体であってもよい。
【００１４】
上記芯材が非磁性体であることにより、母粒子の磁性凝集が低減され、絶縁性子粒子を母粒子にさらに均一に被覆させることが可能となる。
【００１５】
上記ニッケル／リン合金層のリン含有率は、１．０質量％以上１０．０質量％以下であってもよい。
【００１６】
このような導電粒子を用いることにより、回路部材はより優れた導通性を有し、また母粒子の凝集を抑制し、絶縁性子粒子の母粒子表面への被覆ばらつき（Ｃ．Ｖ．）を小さくすることが可能となる。
【００１７】
上記絶縁性子粒子の被覆率は２０〜５０％の範囲であってもよく、被覆ばらつき（Ｃ．Ｖ．）は０．３以下であってもよい。
【００１８】
上記絶縁性子粒子は、重量平均分子量が１０００以上であるポリマー又はオリゴマーからなる層を有していてもよい。
【００１９】
絶縁性子粒子が上記ポリマー又はオリゴマーで被覆されることにより、母粒子を絶縁性子粒子で被覆する際に、分散媒中の母粒子の分散性を向上させることができる。
【００２０】
上記母粒子は、重量平均分子量が１０００以上のポリマー又はオリゴマーからなる層をさらに有していてもよい。また、上記絶縁性子粒子の粒子径は、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であってもよい。
【００２１】
本発明はまた、上記導電粒子を接着剤中に分散させた異方性導電接着剤フィルムを提供する。
【００２２】
本発明はまた、第一の回路基板の主面上に第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の回路基板の主面上に第二の回路電極が形成された第二の回路部材と、上記第一の回路基板の主面と上記第二の回路基板の主面との間に設けられ、上記第一の回路電極と上記第二の回路電極とを対向配置させた状態で上記第一及び第二の回路部材同士を接続する回路接続部材と、を備える回路部材の接続構造体であって、上記回路接続部材は、上記異方性導電接着剤フィルムの硬化物からなり、対向する上記第一の回路電極と上記第二の回路電極とが扁平した導電粒子を介して電気的に接続されている、回路部材の接続構造体を提供する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、粒子径が小さい母粒子を用いた場合であっても、該母粒子上に絶縁性子粒子を均一に被覆することができ、絶縁性と導通性に優れた導電粒子、並びにこれを用いて得られる異方性導電接着剤フィルム及び接続構造体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明の一実施形態の導電粒子を示す模式断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の一実施形態の導電粒子を含む異方性導電接着剤の模式断面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の本発明の一実施形態の導電粒子を備える導電粒子含有層の拡大断面図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、異方性導電接着剤を用いた接続構造体の製造方法を説明するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照しながら、好適な実施形態を説明する。なお、図面の説明において同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は理解を容易にするため一部を誇張して描いており、寸法比率は説明のものとは必ずしも一致しない。
【００２６】
（導電粒子）
図１は、本実施形態の導電粒子を示す模式断面図である。本実施形態における導電粒子３０は、母粒子２と該母粒子２の表面を被覆する絶縁性子粒子１とを備える。
【００２７】
（母粒子）
図１において、上記母粒子２は、プラスチック核体２１、及び該プラスチック核体２１の表面を被覆し少なくともニッケル／リン合金層を有するめっき層２２を備える。母粒子２の粒子径は非加圧方向に隣り合う回路電極の最小の間隔よりも小さくてもよく、回路電極の高さにばらつきがある場合、母粒子２の粒子径は上記高さのばらつきよりも大きくてもよい。このような観点から、母粒子２の粒子径は、具体的には２．０μｍ以上３．０μｍ以下であり、２．２μｍ以上３．０μｍ以下であってもよく、２．４μｍ以上３．０μｍ以下であってもよく、２．５μｍ以上３．０μｍ以下であってもよい。母粒子２の粒子径が２．０μｍ以上である場合、回路電極の高さのばらつきを吸収できるため、導通信頼性が損なわれない傾向がある。また、母粒子２の粒子径が３．０μｍ以下である場合、絶縁信頼性が損なわれない傾向がある。
【００２８】
なお、母粒子２の粒子径とは、プラスチック核体２１とめっき層２２の合計を指すものとし、絶縁性子粒子１や突起２３ａを含まないものとする。母粒子２の粒子径は走査性電子顕微鏡（ＳＥＭ）により数千〜数万倍の倍率で１００個程度の母粒子２を撮影した後、画像解析により粒子径を測定し、その平均値より導かれるものとする。母粒子２の粒子径の測定には、ＨＩＴＡＣＨＩ  Ｓ−４８００（日立ハイテク株式会社製）を用いた。
【００２９】
母粒子２は、４５ｅｍｕ／ｃｍ３（４．５×１０４Ａ／ｍ）以下の飽和磁化を有する。母粒子２の飽和磁化は、３０ｅｍｕ／ｃｍ３以下であってもよく、１０ｅｍｕ／ｃｍ３以下であってもよく、５ｅｍｕ／ｃｍ３以下であってもよい。３μｍ以下の粒子径を有する母粒子の飽和磁化が４５ｅｍｕ／ｃｍ３以下であるとき、母粒子の磁性凝集が起こりにくく、これにより後に絶縁性子粒子が均一に被覆されやすくなる傾向がある。母粒子の飽和磁化が低ければ低いほど磁性凝集は起こりにくくなる。母粒子２の飽和磁化の下限値は特に限定されず、例えば、母粒子２の飽和磁化は０．５ｅｍｕ／ｃｍ３（５．０×１０２Ａ／ｍ）以上であってもよい。
【００３０】
（プラスチック核体）
本実施形態のプラスチック核体２１は、特に限定されないが、ポリメチルメタクリレート、若しくはポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂、又は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、若しくはポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂等からなる。プラスチック核体２１の粒子径は２．０〜２．９μｍであってもよい。
【００３１】
（めっき層）
めっき層に含まれる導体としては、特に限定されないが、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、パラジウム、ニッケル、錫、クロム、チタン、アルミニウム、コバルト、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）及びはんだ等の金属化合物が挙げられる。これらの中でも、めっきにより被覆される金属は、耐腐食性の観点から、ニッケル、パラジウム、又は金であってもよい。
【００３２】
上記めっき層２２は、単層構造を有していてもよく、複数の層からなる積層構造（複層構造）を有していてもよい。めっき層２２が単層構造を有する場合、めっき層２２は、コスト、導通性及び耐腐食性の観点から、ニッケル／リン合金層である。めっき層２２が複層構造を有する場合、めっき層２２は、ニッケル／リン合金層と、該ニッケル／リン合金層とは別の１つ以上の層とを有する。例えば、めっき層２２は、ニッケル／リン合金層と、該ニッケル／リン合金層の外側に位置する金及びパラジウム等の貴金属からなる別の層とを有していてもよい。本実施形態において、ニッケル／リン合金層とは、ニッケル及びリンを含む合金層を意味する。
【００３３】
磁性の制御に関しては、ニッケル／リン合金層は、ニッケルとは異なる金属を含んでいてもよい。ニッケル／リン合金層が異種金属、例えばパラジウムのようなイオンマイグレーションの少ない金属を数質量％含むことにより、導通劣化を抑えることができる。
【００３４】
母粒子２は、表面に官能基を有していてもよい。母粒子２が表面に有する官能基は、母粒子２に後述する絶縁性子粒子１を吸着させるために用いられる。上記官能基としては、絶縁性子粒子１が表面に有する官能基、例えば水酸基、又は後述する官能基付きシリコーンオリゴマーの官能基との結合を形成する観点から、水酸基、カルボキシル基、アルコキシル基、及びアルコキシカルボニル基等が挙げられる。母粒子２及び絶縁性子粒子１が表面に有する官能基による結合としては、脱水縮合による共有結合及び水素結合が挙げられる。
【００３５】
母粒子２が、表面に金又はパラジウム層を有する場合、金又はパラジウムに対して配位結合を形成するメルカプト基、スルフィド基、及びジスルフィド基のいずれかを有する化合物で、母粒子２の表面に水酸基、カルボキシル基、アルコキシル基、及びアルコキシカルボニル基等の官能基を形成するとよい。上記化合物としては、例えば、メルカプト酢酸、２−メルカプトエタノール、メルカプト酢酸メチル、メルカプトコハク酸、チオグリセリン、及びシステイン等が挙げられる。
【００３６】
母粒子２が、表面にニッケル／リン合金層を有する場合、ニッケルに対して強固な結合を形成するシラノール基若しくは水酸基を有する化合物又は窒素化合物で、母粒子２の表面に水酸基、カルボキシル基、アルコキシル基、及びアルコキシカルボニル基等の官能基を形成するとよい。上記化合物としては、例えば、カルボキシベンゾトリアゾール等が挙げられる。
【００３７】
母粒子２の表面を上記化合物で処理する方法としては、特に限定されないが、メタノール又はエタノール等の有機分散媒中にメルカプト酢酸又はカルボキシベンゾトリアゾール等の上記化合物を１０〜１００ｍｍｏｌ／Ｌ程度の濃度で分散させ、分散液中に母粒子２を分散させる方法が挙げられる。
【００３８】
めっき層２２を形成する方法としては、無電解めっきの他、置換めっき、及び電気めっき等の方法が挙げられるが、簡便性、コスト、及びめっき層２２の厚さの制御の観点から無電解めっきであってもよい。
【００３９】
めっき層２２の厚さは、特に限定されないが、０．００１〜１．０μｍの範囲であってもよく、０．００５〜０．３μｍの範囲であってもよい。めっき層２２の厚さが０．００１μｍ以上であると導通不良を抑制する傾向があり、１．０μｍ以下であるとコストが高くなることを抑制する傾向がある。
【００４０】
母粒子２は、近年のガラス電極の平坦化を考慮すると、表面に突起２３ａを備えていてもよい。母粒子２が表面に突起２３ａを備えることにより、加圧方向の回路電極間の導通性が向上する傾向がある。母粒子２の表面に突起２３ａを形成する方法としては、めっきの異常析出による方法と、芯材を用いる方法が挙げられるが、突起２３ａの形状が均一に形成される点で、芯材を用いる方法であってもよい。突起の高さＨは、３０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲であってもよく、５０〜２００ｎｍの範囲であってもよい。突起２３ａの高さが３００ｎｍ以下であると非加圧方向の回路電極間でのショートを抑制し、３０ｎｍ以上であると母粒子２が表面に突起２３ａを備えることによる効果が十分得られやすくなる傾向がある。母粒子２は、表面積の５〜６０面積％が突起で覆われている、すなわち母粒子２の突起被覆率が５〜６０面積％であってもよい。母粒子２の突起被覆率を上記範囲とすることによっても、母粒子の飽和磁化を制御することができる。
【００４１】
母粒子２の表面に突起２３ａを形成する方法として芯材２３を用いる方法を採用する場合、芯材２３はプラスチック核体２１に対して化学結合により固定される。また、プラスチック核体２１に対して固定された芯材２３の形状を反映して、母粒子２の表面に突起２３ａが形成される。芯材２３としては、ニッケル等の強磁性材料、並びに、シリカ、架橋樹脂、金及びパラジウム等の非磁性材料が挙げられる。母粒子２の飽和磁化を低減し、絶縁性子粒子を被覆する際に母粒子２の磁性凝集が低減する傾向があることから、芯材２３に非磁性材料を用いてもよい。なお、芯材２３が強磁性材料（例えばニッケル）であっても、芯材２３が強磁性材料に加えてさらに非磁性材料（例えばリン）を含有することにより、母粒子２の飽和磁化を低減することが可能である。めっき層２２が有するニッケル／リン合金層は、１．０質量％以上１０．０質量％以下のリンを有していてもよい。ここで、ニッケル／リン合金層が有するリンの上記割合（リン含有率）は、芯材２３がニッケルである場合には、
（ニッケル／リン合金層が有するリンの割合）＝（リンの合計質量）／（リンの合計質量＋ニッケルの合計質量）
で表されるものとし、上記「リンの合計質量」及び「ニッケルの合計質量」にはニッケル／リン合金層に加えて芯材２３に由来する原子の質量を含めるものとする。
【００４２】
ニッケル／リン合金層のリンの割合が１０．０質量％以下であることにより、めっき層２２が導電性に優れ、実装時の導通抵抗が低くなる傾向がある。リンの割合が１．０質量％以上である場合、母粒子２の飽和磁化を低下させることができるため、母粒子２の磁性凝集を減少させることが可能であり、絶縁性子粒子１の被覆ばらつきが低下する傾向がある。上記傾向は母粒子２の粒子径が３μｍ以下になると顕著である。
【００４３】
また、プラスチック核体２１は、表面に水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、グリシジル基及びアルコキシカルボニル基から選ばれる官能基を有していてもよい。プラスチック核体２１が表面に上記官能基を有することにより、芯材２３をプラスチック核体２１に固定することができる。例えば、プラスチック核体２１を製造する際にアクリル酸を共重合モノマーとして用いることにより、表面にカルボキシル基を有するプラスチック核体２１を合成することができる。また、グリシジルメタクリレートを共重合モノマーとして用いることにより、グリシジル基を表面に有するプラスチック核体２１を合成することができる。
【００４４】
さらに母粒子２は、プラスチック核体２１と芯材２３との間に設けられた高分子電解質層をさらに備えていてもよい。この場合、高分子電解質層を介した化学結合により芯材２３がプラスチック核体２１に吸着する。例えば、プラスチック核体２１、高分子電解質層（図示せず）及び芯材２３がそれぞれ官能基を有しており、高分子電解質層の官能基が、プラスチック核体２１及び芯材２３それぞれの官能基と化学結合していてもよい。化学結合には、共有結合、水素結合、及びイオン結合等が含まれる。
【００４５】
水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、グリシジル基及びアルコキシカルボニル基から選ばれる官能基を表面に有する粒子の表面電位（ゼータ電位）は、ｐＨが中性領域であるとき、通常マイナスである。さらに、芯材２３の表面電位がマイナスである場合、表面電位がマイナスの粒子の表面を表面電位がマイナスの粒子で十分に被覆することは難しい場合が多いが、これらの間に高分子電解質層を設けることにより、効率的に芯材２３をプラスチック核体に吸着させることができる。
【００４６】
高分子電解質層を形成する高分子電解質としては、水溶液中で電離し、電荷を有する官能基を主鎖又は側鎖に持つ高分子が用いられてもよく、ポリカチオンが用いられてもよい。ポリカチオンとしては、一般に、ポリアミン等のように正電荷を帯びることのできる官能基を有するもの、例えば、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）、ポリアリルアミン塩酸塩（ＰＡＨ）、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド（ＰＤＤＡ）、ポリビニルピリジン（ＰＶＰ）、ポリリジン、ポリアクリルアミド及びそれらを少なくとも１種以上を含む共重合体を用いることができる。高分子電解質の中でもポリエチレンイミンは電荷密度が高く、結合力が強い。
【００４７】
高分子電解質層は、エレクトロマイグレーション又は腐食を避けるために、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓ）イオン、アルカリ土類金属（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＲａ）イオン、並びにハロゲン化物イオン（フッ素イオン、クロライドイオン、臭素イオン、及びヨウ素イオン）を実質的に含まなくてもよい。
【００４８】
上記高分子電解質は、水溶性であり、水と有機溶媒との混合液に可溶である。高分子電解質の重量平均分子量は、用いる高分子電解質の種類により一概には定めることができないが、一般に、５００〜２０００００程度であってもよい。
【００４９】
高分子電解質の種類又は分子量を調整することにより、芯材２３によるプラスチック核体２１の被覆率をコントロールすることができる。具体的にはポリエチレンイミン等、電荷密度の高い高分子電解質を用いた場合、芯材２３による被覆率が高くなる傾向があり、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド等、電荷密度の低い高分子電解質を用いた場合、芯材２３による被覆率が低くなる傾向がある。また、高分子電解質の分子量が大きい場合、芯材２３による被覆率が高くなる傾向があり、高分子電解質の分子量が小さい場合、芯材２３による被覆率が低くなる傾向がある。
【００５０】
水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、グリシジル基及びアルコキシカルボニル基から選ばれる官能基を表面に有するプラスチック核体２１を高分子電解質溶液中に分散することにより、プラスチック核体表面に高分子電解質が吸着して、高分子電解質層を形成させることができる。高分子電解質層が設けられていることにより、主に静電的な引力によって芯材２３が吸着される。吸着が進行して電荷が中和されるとそれ以上の吸着が起こらなくなる。したがって、ある飽和点までに至れば、それ以上膜厚が増加することは実質的にない。
【００５１】
高分子電解質層が形成されたプラスチック核体２１を高分子電解質溶液から取り出した後、リンスにより余剰の高分子電解質を除去してもよい。リンスは、例えば、水、アルコール、又はアセトンを用いて行われる。比抵抗値が１８ＭΩ・ｃｍ以上のイオン交換水（いわゆる超純水）が用いられてもよい。プラスチック核体２１に吸着した高分子電解質は、プラスチック核体２１表面に化学結合により静電的に吸着しているために、このリンスの工程で剥離することはない。
【００５２】
上記高分子電解質溶液は、高分子電解質を水又は水と水溶性の有機溶媒との混合溶媒に溶解したものである。使用できる水溶性の有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、アセトン、ジメチルホルムアミド及びアセトニトリルが挙げられる。
【００５３】
上記高分子電解質溶液における高分子電解質の濃度は、一般に、０．０１〜１０質量％程度であってもよい。また、高分子電解質溶液のｐＨは、特に限定されない。高分子電解質を高濃度で用いた場合、芯材２３によるプラスチック核体の被覆率が高くなる傾向があり、高分子電解質を低濃度で用いた場合、芯材２３によるプラスチック核体２１の被覆率が低くなる傾向がある。
【００５４】
高分子電解質を用いた交互積層により芯材２３を被覆する場合、芯材２３を高分子電解質が巻きつけることになるので、結合力は飛躍的に向上する。結合力の観点からは重量平均分子量１００００以上の高分子電解質を用いてもよい。結合力は重量平均分子量と共に向上するが、重量平均分子量が高すぎるとプラスチック核体２１同士が凝集しやすくなる傾向がある。
【００５５】
芯材２３は一層のみ被覆されていてもよい。複層積層すると積層量のコントロールが困難になる傾向がある。
【００５６】
芯材２３によるプラスチック核体２１の被覆率は５〜６０面積％であってもよく、２５〜６０面積％でであってもよい。この場合の被覆率は粒子表面（２次元画像）の中心部（プラスチック核体２１の半径を直径とする円）を解析することで、後述の絶縁性子粒子１の被覆率と同様に算出できる。８０面積％はほぼ最密充填した場合である。なお、本実施形態における上記被覆率は、粒子のＳＥＭ写真の１００枚（粒子１００個）から求めた被覆率の平均値である。
【００５７】
無電解めっきを行うに際し、芯材２３が吸着したプラスチック核体を水に超音波で分散させる。芯材２３がプラスチック核体２１表面に結合しているため、超音波処理によって芯材２３が脱落することが少なく、有利である。共振周波数２８〜３８ｋＨｚ及び超音波出力１００Ｗで１５分間超音波照射したときの芯材２３の脱落率が１０％以下であってもよく、３％以下であってもよい。
【００５８】
（絶縁性子粒子）
母粒子２に被覆する絶縁性子粒子１は、有機微粒子（有機粒子）、無機酸化物微粒子（無機酸化物粒子）又は有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。有機微粒子は、導通性に優れる。他方、無機酸化物微粒子は、硬く、物理的衝撃に対し安定であり、溶剤に溶けにくい点で優れる。母粒子２に被覆される絶縁性子粒子の例を以下に示す。
【００５９】
有機微粒子としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、及びポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、並びにポリイミド樹脂等からなる粒子が挙げられる。
【００６０】
無機酸化物微粒子は、ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタン、ニオブ、亜鉛、錫、セリウム、又はマグネシウムの元素を含む酸化物の粒子であってもよく、これらは単独で又は２種類以上を混合して使用することができる。また、絶縁性に優れ、粒子径を制御した水分散コロイダルシリカ（ＳｉＯ２）であってもよい。このような無機酸化物微粒子の市販品としては、例えば、スノーテックス、スノーテックスＵＰ（日産化学工業社製）、及びクオートロンＰＬシリーズ（扶桑化学工業社製）等が挙げられる。絶縁信頼性の点で、分散溶液中のアルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオン濃度が１００ｐｐｍ以下であってもよく、また無機酸化物微粒子は金属アルコキシドの加水分解反応、いわゆるゾルゲル法により製造されてもよい。
【００６１】
有機無機ハイブリッド粒子としては、アクリル樹脂と多官能アルコキシシランの共重合で得られる粒子が代表的である。アルコキシシランの割合を増やせばより無機粒子の特性を示し、アクリル樹脂の割合を増やせばより有機粒子の特性を示す。合成方法は分散重合や沈殿重合に代表される。
【００６２】
絶縁性子粒子１は、外側に水酸基、シラノール基及びカルボキシル基といった母粒子２の表面の官能基、又は後述する高分子電解質との反応性が良好な官能基を有していてもよい。
【００６３】
絶縁性子粒子１の、ＢＥＴ法による比表面積換算法又はＸ線小角散乱法で測定された粒子径は、１８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、２００ｎｍから４８０ｎｍであってもよく、２００ｎｍから４００ｎｍであってもよく、２５０ｎｍから４００ｎｍであってもよい。絶縁性子粒子１の粒子径が２００ｎｍ以上である場合、導電粒子３０に吸着された絶縁性子粒子が絶縁膜として作用し、ショートの発生を抑制する傾向がある。一方、絶縁性子粒子１の粒子径が５００ｎｍ以下である場合、接続の加圧方向の十分な導電性が得られる傾向がある。
【００６４】
絶縁性子粒子１の粒子径は上述の突起２３ａの高さＨよりも大きくてもよい。
【００６５】
絶縁性子粒子１を母粒子２に被覆する方法としては、表面に官能基を有する母粒子２に、表面に官能基を有する絶縁性子粒子１を吸着させる方法等が挙げられる。
【００６６】
水酸基、カルボキシル基、アルコキシル基、及びアルコキシカルボニル基等の官能基を有する母粒子２の表面電位（ゼータ電位）は、通常（ｐＨが中性領域であれば）マイナスである。一方で、水酸基等の官能基を有する絶縁性子粒子１の表面電位も通常マイナスである。表面電位がマイナスの粒子の周囲に表面電位がマイナスの粒子を被覆するのは難しい。
【００６７】
このような場合、絶縁性子粒子１を母粒子２に被覆する方法は、ポリマー又はオリゴマーと絶縁性子粒子１を交互に積層する方法であってもよく、高分子電解質と絶縁性子粒子１を交互に積層する方法であってもよい。上記被覆方法は、（１）表面に官能基を有する母粒子２を、高分子電解質溶液に分散し、母粒子２の表面に高分子電解質を吸着させた後、リンスする工程、（２）母粒子２を絶縁性子粒子１の分散溶液に分散し、母粒子２の表面に絶縁性子粒子１を吸着させた後、リンスする工程を有する。図２（ｂ）に示されるように、上記被覆方法によれば、表面に高分子電解質と絶縁性子粒子１との積層による絶縁被覆層３が形成された微粒子を製造できる。
【００６８】
このような方法は、交互積層法（Ｌａｙｅｒ−ｂｙ−Ｌａｙｅｒ  ａｓｓｅｍｂｌｙ）と呼ばれる。交互積層法は、Ｇ．Ｄｅｃｈｅｒらによって１９９２年に発表された有機薄膜を形成する方法である（Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ，  ２１０／２１１，  ｐ８３１（１９９２））。この方法では、正電荷を有するポリマー電解質（ポリカチオン）と負電荷を有するポリマー電解質（ポリアニオン）の水溶液に、基材を交互に浸漬することで基材上に静電的引力によって吸着したポリカチオンとポリアニオンの組が積層して複合膜（交互積層膜）が得られるものである。
【００６９】
交互積層法では、静電的な引力によって、基材上に形成された材料の電荷と、溶液中の反対電荷を有する材料が引き合うことにより膜成長するので、吸着が進行して電荷の中和が起こるとそれ以上の吸着が起こらなくなる。したがって、ある飽和点までに至れば、それ以上膜厚が増加することはない。Ｌｖｏｖらは交互積層法を、微粒子に応用し、シリカ、チタニア、及びセリアの各微粒子分散液を用いて、微粒子の表面電荷と反対電荷を有する高分子電解質を交互積層法で積層する方法を報告している（Ｌａｎｇｍｕｉｒ、Ｖｏｌ．１３（１９９７）、ｐ．６１９５−６２０３）。この方法を用いると、負の表面電荷を有する絶縁性子粒子とその反対電荷を持つポリカチオンであるポリジアリルジメチルアンモニウムクロライド（ＰＤＤＡ）又はポリエチレンイミン（ＰＥＩ）等とを交互に積層することで、絶縁性子粒子と高分子電解質が交互に積層された微粒子積層薄膜を形成することが可能である。
【００７０】
母粒子を高分子電解質溶液或いは絶縁性子粒子の分散液に浸漬後、反対電荷を有する絶縁性子粒子分散液或いは高分子電解質溶液に浸漬する前に、溶媒のみのリンスによって余剰の高分子電解質溶液或いは絶縁性子粒子分散液を洗い流してもよい。このようなリンスに用いるものとしては、水、アルコール、及びアセトン等がある。
【００７１】
高分子電解質溶液は、高分子電解質を水又は有機溶媒の混合溶媒に溶解したものである。使用できる水溶性の有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、アセトン、ジメチルホルムアミド、及びアセトニトリル等が挙げられる。
【００７２】
高分子電解質は、水溶液中で電離し、電荷を有する官能基を主鎖又は側鎖に持つ高分子であってもよく、ポリカチオンであってもよい。また、ポリカチオンとしては、一般に、ポリアミン類等のように正電荷を帯びる（正電荷を有する）ことのできる官能基を有するもの、例えば、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）、ポリアリルアミン塩酸塩（ＰＡＨ）、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド（ＰＤＤＡ）、ポリビニルピリジン（ＰＶＰ）、ポリリジン、ポリアクリルアミド及びそれらを少なくとも１種以上を含む共重合体等を用いることができる。
【００７３】
高分子電解質の中でもポリエチレンイミンは電荷密度が高く、結合力が強い。これらの高分子電解質の中でも、エレクトロマイグレーションや腐食を避けるために、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓ）イオン、アルカリ土類金属（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＲａ）イオン、及びハロゲン化物イオン（フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、及びヨウ化物イオン）を含まなくてもよい。
【００７４】
これらの高分子電解質は、いずれも水に可溶或いはアルコール等の有機溶媒に可溶なものであり、高分子電解質の重量平均分子量は、用いる高分子電解質の種類により一概には定められないが、一般に、１０００以上であってもよく、１０００〜２０００００程度であってもよい。重量平均分子量が１０００以上であると、高分子電解質溶液中の母粒子２の分散性が十分となる傾向があり、母粒子２の粒子径が３．０μｍ以下であっても、凝集の顕在化を抑制する傾向がある。なお、溶液中の高分子電解質の濃度は、一般に、０．０１〜１０質量％程度であってもよい。また、高分子電解質溶液のｐＨは、特に限定されない。
【００７５】
このようにして得られる高分子電解質薄膜を用いることにより、高分子電解質を母粒子２の表面に欠陥なく均一に被覆することができ、非加圧方向の回路電極間隔が狭ピッチでも絶縁性が確保され、電気的に接続する加圧方向の回路電極間では接続抵抗が低く良好となる。
【００７６】
母粒子２の粒子径が小さい場合、母粒子２の磁性凝集が大きくなり、母粒子２の表面に絶縁性子粒子１を吸着させるのが困難になる。その場合、母粒子２の表面に重量平均分子量１０００以上のポリマーが配置されていると、絶縁性子粒子分散液中の母粒子２の分散を促し、絶縁性子粒子１の母粒子２の表面への吸着が容易になる傾向がある。
【００７７】
また、高分子電解質の種類、分子量、又は濃度を調整することにより、母粒子２の表面に高分子電解質の被覆後にさらに被覆される絶縁性子粒子１の被覆率を制御することができる。
【００７８】
具体的にはポリエチレンイミン等、電荷密度の高い高分子電解質薄膜を用いた場合、絶縁性子粒子１の被覆率が高くなる傾向があり、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド等、電荷密度の低い高分子電解質薄膜を用いた場合、絶縁性子粒子１の被覆率が低くなる傾向がある。また、高分子電解質の分子量が大きい場合、絶縁性子粒子１の被覆率が高くなる傾向があり、高分子電解質の分子量が小さい場合、絶縁性子粒子１の被覆率が低くなる傾向がある。さらに高分子電解質溶液を高濃度で用いた場合、絶縁性子粒子１の被覆率が高くなる傾向があり、高分子電解質溶液を低濃度で用いた場合、絶縁性子粒子１の被覆率が低くなる傾向がある。
【００７９】
絶縁性子粒子１の表面は重量平均分子量５００以上のポリマー又はオリゴマーで被覆されていてもよく、上記重量平均分子量は１０００以上であってもよく、１０００〜１００００であってもよく、１０００〜４０００であってもよい。絶縁性子粒子１の表面は重量平均分子量１０００〜４０００の官能基付きシリコーンオリゴマーで被覆されていてもよい。ポリマー又はオリゴマーは官能基を有していてもよい。官能基としては、母粒子の表面の官能基又は上述の高分子電解質と反応することが可能な基であってもよく、具体的にはグリシジル基、カルボキシル基又はイソシアネート基であってもよく、グリシジル基であってもよい。
【００８０】
このように、化学反応性のポリマー又はオリゴマーを有する粒子同士を結合させることで、従来にはない強固な結合が得られる上、母粒子２の小径化又は絶縁性子粒子１の大径化に対応できる。
【００８１】
絶縁性子粒子１の被覆率は１０面積％〜５０面積％の範囲であってもよく、２０〜５０面積％の範囲であってもよい。絶縁性子粒子１の被覆率が高い場合は、絶縁性が高く導電性が低い傾向があり、絶縁性子粒子１の被覆率が低い場合は、導電性が高く絶縁性が低い傾向がある。なお、ここでいう被覆率は、母粒子２の表面における中心部（プラスチック核体２１の半径を直径とする円）の全表面積をＷ（母粒子の粒子径から算出した突起を含まない面積）、粒子の中心部（プラスチック核体２１の半径を直径とする円）の画像解析により絶縁性子粒子１で被覆されていると分析された部分の表面積をＰとしたときに、Ｐ／Ｗ×１００（面積％）で表される。なお、本実施形態における上記被覆されていると分析された部分の表面積Ｐは、粒子のＳＥＭ写真１００枚から求めた表面積の平均値である。
【００８２】
また、絶縁性子粒子１の被覆ばらつき（Ｃ．Ｖ．）は０．３以下の範囲であってもよい。絶縁性子粒子１の被覆ばらつき（Ｃ．Ｖ．）が０．３以下であるとき、絶縁性が向上する傾向がある。なお、ここでいう被覆ばらつき（Ｃ．Ｖ．）は、粒子の中心部（プラスチック核体２１の半径を直径とする円）の画像解析に基づいて算出された上記被覆率の標準偏差をＳ、平均値をＭとしたときに、Ｓ／Ｍ×１００（％）で表される。なお、本実施形態における上記被覆率の標準偏差Ｓ及び平均値Ｍは、粒子のＳＥＭ写真１００枚から求めたものである。
【００８３】
母粒子２は絶縁性子粒子１一層でのみ被覆されているのがよい。複層積層すると積層量のコントロールが困難になることがある。
【００８４】
このようにして得られた導電粒子３０、すなわち絶縁性子粒子１が被覆された母粒子２を加熱乾燥することで絶縁性子粒子１と母粒子２との結合を強化することができる。結合力が増す理由としては、官能基同士の化学結合が挙げられる。加熱乾燥の温度は６０〜２００℃であってもよく、加熱時間は１０〜１８０分の範囲であってもよい。加熱温度が６０℃以上である場合又は加熱時間が１０分以上である場合は、母粒子２からの絶縁性子粒子１の剥離が抑制される傾向があり、加熱温度が２００℃以下である場合又は加熱時間が１８０分以下である場合は、導電粒子３０の変形が抑制される傾向がある。
【００８５】
導電粒子３０の表面は、さらにシリコーンオリゴマー処理がなされていてもよい。導電粒子３０の表面がシリコーンオリゴマー処理されることにより、導電粒子３０の絶縁信頼性がさらに向上する傾向がある。ここで用いるシリコーンオリゴマーは、メチル基又はフェニル基等の疎水性の官能基を有し、重量平均分子量が５００〜５０００程度のものを用いるとよい。
【００８６】
（異方性導電接着剤）
以上のようにして作製した導電粒子３０を、接着剤３１に分散させることにより、導電粒子含有層３２が得られる。異方性導電接着剤４０は、導電粒子含有層３２のみからなっていてもよく、上記導電粒子含有層３２の一方の面上に形成された導電粒子非含有層３３をさらに備えた２層構造であってもよく、図２（ａ）に示すように、上記導電粒子含有層３２の他方の面上に形成された導電粒子非含有層３４をさらに備えた３層構造であってもよい。また、図２（ａ）の拡大断面図である図２（ｂ）に示すように、導電粒子３０は母粒子２と該母粒子２表面に絶縁性子粒子１によって形成される絶縁被覆層３とを備える。
【００８７】
異方性導電接着剤４０に用いられる接着剤３１には、熱反応性樹脂と硬化剤の混合物が用いられる。接着剤としては、エポキシ樹脂と潜在性硬化剤との混合物が用いられてもよい。潜在性硬化剤としては、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、及びジシアンジアミド等が挙げられる。この他、接着剤には、ラジカル反応性樹脂と有機過酸化物の混合物又は紫外線等のエネルギー線硬化性樹脂が用いられうる。
【００８８】
エポキシ樹脂としては、エピクロルヒドリンと、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、又はビスフェノールＡＤ等とから誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂；エピクロルヒドリンと、フェノールノボラック又はクレゾールノボラックとから誘導されるエポキシノボラック樹脂；ナフタレン環を含む骨格を有するナフタレン系エポキシ樹脂；グリシジルアミン、グリシジルエーテル、ビフェニル、又は脂環式等の１分子内に２個以上のグリシジル基を有する各種のエポキシ化合物；等を単独で或いは２種以上を組み合わせて用いることが可能である。
【００８９】
これらのエポキシ樹脂は、エレクトロマイグレーション防止のために、不純物イオン（Ｎａ＋、Ｃｌ−等）又は加水分解性塩素等を３００ｐｐｍ以下に低減した高純度品であってもよい。
【００９０】
接着剤３１には接着後の応力を低減するため、或いは接着性を向上するために、ブタジエンゴム、アクリルゴム、スチレン−ブタジエンゴム、又はシリコーンゴム等を混合することができる。また、異方性導電接着剤４０としてはペースト状（異方性導電接着剤ペースト）又はフィルム状（異方性導電接着剤フィルム）のものが用いられる。接着剤３１は、フィルム状にするために、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、及びポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂（フィルム形成性高分子）を含んでいてもよい。これらのフィルム形成性高分子は、熱反応性樹脂の硬化時の応力緩和にも効果がある。接着性が向上するため、フィルム形成性高分子は水酸基等の官能基を有していてもよい。
【００９１】
フィルム形成は、例えば、エポキシ樹脂等の熱反応性樹脂、アクリルゴム等のフィルム形成性高分子、及び潜在性硬化剤からなる接着組成物を有機溶剤に溶解或いは分散することにより、液状化して、上記液状の接着剤組成物を剥離性基材上に塗布し、硬化剤の活性温度以下で溶剤を除去することにより行われる。この時用いられる溶剤は、材料の溶解性を向上させるため、芳香族炭化水素系と含酸素系の混合溶剤であってもよい。
【００９２】
異方性導電接着剤フィルムの厚みは導電粒子３０の粒子径及び異方性導電接着剤４０の特性を考慮して相対的に決定されるが、この場合導電粒子含有層３２と導電粒子非含有層３３の２層構成であってもよい。導電粒子非含有層３３を金属バンプ側に配置し、導電粒子含有層３２をガラス側に配置することで導電粒子３０が高効率で金属バンプ側に捕捉されるようになる。したがって、導電粒子含有層３２は薄くてもよく、導電粒子非含有層３３は導電粒子含有層３２よりも厚くて流動性が高くてもよい。具体的には導電粒子含有層３２の厚みは３〜１５μｍの範囲であり、導電粒子非含有層３３の厚みは７〜２０μｍの範囲であり、導電粒子含有層３２の厚みが異方性導電接着剤フィルム全体の厚みの５０質量％以下であってもよい。
【００９３】
また、ガラス基板又はＩＴＯ等との接着性を強化する意味で、厚み４μｍ以下の導電粒子非含有層３４をガラス電極側にさらに配置した３層構成であってもよい。この導電粒子非含有層３４は流動性が高くてもよい。
【００９４】
図２（ｂ）に示すように、導電粒子含有層３２において、導電粒子３０と表面が疎水性の無機酸化物粒子３５が接着剤３１中に分散されていてもよい。導電粒子含有層３２において、導電粒子３０と表面が疎水性の無機酸化物粒子３５が接着剤３１中に分散されていることにより、導電粒子３０の流動が無機酸化物粒子３５により抑えられ、導電粒子３０が金属バンプ４２、及びＩＴＯ又はＩＺＯ電極４４上に捕捉されやすくなるため、加圧方向に高い導通性が得られる傾向がある。
【００９５】
この異方性導電接着剤４０を用いた接続構造体５０の作製方法の一例を、図３（ａ）及び（ｂ）を用いて説明する。
【００９６】
接続構造体５０の作製方法は、図３（ａ）に示すように、第一の回路基板（ＩＣチップ）４１上の第一の回路電極（金属バンプ）４２と、第二の回路基板（ガラス基板）４３上の第二の回路電極（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）電極）４４を、異方性導電接着剤４０を介して電気的に接続する工程を備える。図３（ａ）において、異方性導電接着剤４０は導電粒子非含有層３３と導電粒子含有層３２と導電粒子非含有層３４とがこの順に積層された３層構成である。このとき、ＩＣチップとガラス基板は、金属バンプ４２とガラス４３上の回路電極４４とが対向するように配置される。次に、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＩＣチップとガラス基板を加圧加熱して、これらを異方性導電接着剤４０を介して積層する。得られた接続構造体５０は、第一の回路基板４１の主面上に第一の回路電極４２が形成された第一の回路部材と、第二の回路基板４３の主面上に第二の回路電極４４が形成された第二の回路部材と、第一の回路基板４１の主面と第二の回路基板４３の主面との間に設けられ、第一の回路電極４２と第二の回路電極４４とを対向配置させた状態で第一及び第二の回路部材同士を接続する回路接続部材４０ａと、を備える。加熱加圧を通して、異方性導電接着剤４０中の接着剤３１は溶融変形した後、硬化する。また、異方性導電接着剤４０中の導電粒子３０は押しつぶされ、扁平した導電粒子となる。上記回路接続部材４０ａは異方性導電接着剤４０の硬化物からなり、例えば異方性導電接着剤４０が３層構成である場合には、導電粒子非含有層３３の硬化物３３ａと導電粒子含有層３２の硬化物３２ａと導電粒子非含有層３４の硬化物３４ａとからなる。対向する第一の回路電極４１と第二の回路電極４３とは扁平した導電粒子を介して電気的に接続されている。
【００９７】
このようにして接続構造体５０を作製すると、無機酸化物粒子３５により導電粒子の流動が抑えられ、導電粒子が金属バンプ４２上に捕捉されやすくなるため、加圧方向に高い導通性が得られる。金属バンプ４２、及びＩＴＯ又はＩＺＯ電極４４に対しては、無機酸化物粒子３５の含有量の低い導電粒子非含有層３４が接触するため、埋め込み性と接着性を維持することができる。加圧方向の回路電極間における導電粒子３０の捕捉率向上により、非加圧方向の回路電極間に流れる導電粒子の割合が低減するため、非加圧方向の回路電極間の絶縁性が向上する。導電粒子３０表面に存在する絶縁被覆層３の被覆率を下げても絶縁性が確保されやすくなる。絶縁被覆層３の被覆率を下げることでさらに加圧方向の回路電極間の導通性が向上する。
【実施例】
【００９８】
（１）母粒子１の作製
架橋度を調整したジビニルベンゼンとアクリル酸の共重合体からなる平均粒子径２．６μｍのプラスチック核体１０ｇを準備した。このプラスチック核体はその表面にカルボキシル基を有する。プラスチック核体の硬さ（２００℃において粒子直径が２０％変位したときの圧縮弾性率、２０％Ｋ値）は２８０ｋｇｆ／ｍｍ２であった。
【００９９】
分子量７００００の３０質量％ポリエチレンイミン水溶液（和光純薬社製）を、超純水で０．３質量％まで希釈した。この０．３質量％ポリエチレンイミン水溶液３００ｍＬに上記プラスチック核体１０ｇを加え、室温で１５分攪拌した。孔径φ３μｍのメンブレンフィルタ（ミリポア社製）を用いた濾過によりプラスチック核体を取り出し、取り出されたプラスチック核体を超純水３００ｇに入れ、室温で５分攪拌した。次いで孔径φ３μｍのメンブレンフィルタ（ミリポア社製）を用いた濾過によりプラスチック核体を取り出した。メンブレンフィルタ上のプラスチック核体を２００ｇの超純水で２回洗浄し、吸着していないポリエチレンイミンを除去して、ポリエチレンイミンが吸着したプラスチック核体を得た。
【０１００】
平均粒子径１００ｎｍのコロイダルシリカ分散液を超純水で希釈して、０．３３質量％シリカ粒子分散液（シリカ総量：１ｇ）を得た。そこにポリエチレンイミンが吸着した上記プラスチック核体を入れ、室温で１５分攪拌した。その後孔径φ３μｍのメンブレンフィルタ（ミリポア社製）を用いた濾過によりプラスチック核体を取り出した。濾液からシリカは抽出されなかったことから、実質的にすべてのシリカ粒子がプラスチック核体に吸着したことが確認された。シリカ粒子が吸着したプラスチック核体を超純水２００ｇに入れて室温で５分攪拌した。その後、孔径φ３μｍのメンブレンフィルタ（ミリポア社製）を用いた濾過によりプラスチック核体を取り出し、メンブレンフィルタ上のプラスチック核体を２００ｇの超純水で２回洗浄した。洗浄後のプラスチック核体を８０℃で３０分、１２０℃で１時間の順に加熱することにより乾燥して、表面にシリカ粒子が吸着したプラスチック核体（複合粒子）を得た。
【０１０１】
上記複合粒子を１ｇ分取し、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を１５分間照射した後、パラジウム触媒であるアトテックネオガント８３４（アトテックジャパン株式会社製：商品名）を８質量％含有するパラジウム触媒化液１００ｍＬに添加して、超音波を照射しながら３０℃で３０分攪拌した。その後、孔径φ３μｍのメンブレンフィルタ（ミリポア社製）を用いた濾過により複合粒子を取り出し、取り出された複合粒子を水洗した。水洗後の複合粒子を、ｐＨ６．０に調整された０．５質量％ジメチルアミンボラン液に添加し、表面が活性化された複合粒子を得た。
【０１０２】
この表面が活性化された複合粒子を蒸留水に浸漬し、超音波分散して、懸濁液を得た。この懸濁液を５０℃で攪拌しながら、硫酸ニッケル６水和物５０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム一水和物２０ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン２．５ｇ／Ｌ及びクエン酸５０ｇ／Ｌを混合し、ｐＨを５．０に調整した無電解めっき液Ａを徐々に添加し、複合粒子上に無電解ニッケル／リン合金層を形成させた。ニッケル／リン合金層はリンを約７質量％含有していた。サンプリングと原子吸光によって、ニッケルの膜厚を測定し、ニッケルめっき層の膜厚が７５０Åになった時点で無電解めっき液Ａの添加を中止した。濾過後、１００ｍＬの純水を用いた洗浄を６０秒行い、表面に突起を有し、めっき層としてニッケル／リン合金層を有する母粒子１を得た。母粒子１の表面の突起の高さをＳＥＭで観測したところ、プラスチック核体に吸着したシリカ粒子の粒径とほぼ同じ１００ｎｍであった。突起の被覆率をＳＥＭ像の画像解析により測定した結果、約４０面積％であった。また、母粒子１の単位体積あたりの飽和磁化を以下の要領で求めた。飽和磁化の測定には、振動試料型磁力計（ＶＳＭ：Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ  Ｓａｍｐｌｅ  Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ、理研電子製ＢＨＶ−５２５）を用いた。また、事前に標準試料（ニッケル）を用いて、磁力計の校正を行った。母粒子１を専用容器に秤量し、サンプルホルダーに取り付けた。サンプルホルダーを磁力計本体に取り付け、温度２０℃（定温）、最大印加磁界２万Ｏｅ（１．６ＭＡ／ｍ）、速度３分／ｌｏｏｐの条件下での測定により、磁化曲線を得た。得られた磁化曲線から飽和磁化（ｅｍｕ）を求めた。一方、比重計（島津製作所製Ａｃｃｕｐｙｃ１３３０）を用いて、母粒子１の比重を測定した。母粒子１の飽和磁化、飽和磁化の測定に用いた母粒子１の質量、及び母粒子１の比重から、母粒子１の単位体積あたりの飽和磁化を算出したところ、０．５ｅｍｕ／ｃｍ３であった。
【０１０３】
（２）母粒子２の作製
平均粒子径１００ｎｍのコロイダルシリカ分散液の代わりに平均粒子径１００ｎｍのニッケル微粒子分散液を用い、投入量を変更した以外は母粒子１と同様にして、突起（芯材ニッケル）を有する母粒子２を作製した。突起の高さ及び被覆率をＳＥＭ像の画像解析により測定した結果、突起の高さは１００ｎｍであり突起の被覆率は約４０面積％であり、単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、４４．５ｅｍｕ／ｃｍ３であった。
【０１０４】
（３）母粒子３の作製
平均粒子径２．６μｍのプラスチック核体の代わりに平均粒子径２．８μｍのプラスチック核体を用いた以外は母粒子２と同様に突起（芯材ニッケル）を有する母粒子３を作製した。突起の高さ及び被覆率をＳＥＭ像の画像解析により測定した結果、突起の高さは１００ｎｍであり突起の被覆率は約４０面積％であった。また、母粒子３の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、４４．３ｅｍｕ／ｃｍ３であった。
【０１０５】
（４）母粒子４の作製
平均粒子径２．６μｍのプラスチック核体の代わりに平均粒子径２．３μｍのプラスチック核体を用いた以外は母粒子２と同様に突起（芯材ニッケル）を有する母粒子４を作製した。突起の高さ及び被覆率をＳＥＭ像の画像解析により測定した結果、突起の高さは１００ｎｍであり突起の被覆率は約４０面積％であった。また、母粒子４の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、４４．７ｅｍｕ／ｃｍ３であった。
【０１０６】
（５）母粒子５の作製
平均粒子径２．６μｍのプラスチック核体の代わりに平均粒子径２．１μｍのプラスチック核体を用いた以外は母粒子２と同様に突起（芯材ニッケル）を有する母粒子５を作製した。突起の高さ及び被覆率をＳＥＭ像の画像解析により測定した結果、突起の高さは１００ｎｍであり突起の被覆率は約４０面積％であった。また、母粒子５の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、４４．８ｅｍｕ／ｃｍ３であった。
【０１０７】
（６）母粒子６の作製
平均粒子径２．６μｍのプラスチック核体の代わりに平均粒子径１．８μｍのプラスチック核体を用いた以外は母粒子２と同様に突起（芯材ニッケル）を有する母粒子６を作製した。突起の高さ及び被覆率をＳＥＭ像の画像解析により測定した結果、突起の高さは１００ｎｍであり突起の被覆率は約４０面積％であった。また、母粒子６の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、４４．９ｅｍｕ／ｃｍ３であった。
【０１０８】
（７）母粒子７の作製
平均粒子径２．６μｍのプラスチック核体の代わりに平均粒子径３．０μｍのプラスチック核体を用いた以外は母粒子２と同様に突起（芯材ニッケル）を有する母粒子７を作製した。突起の高さ及び被覆率をＳＥＭ像の画像解析により測定した結果、突起の高さは１００ｎｍであり突起の被覆率は約４０面積％であった。また、母粒子７の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、４４．５ｅｍｕ／ｃｍ３であった。
【０１０９】
（８）母粒子８の作製
平均粒子径１００ｎｍのニッケル微粒子分散液の投入量を変更したこと以外は母粒子２と同様に突起（芯材ニッケル）を有する母粒子８を作製した。突起の高さ及び被覆率をＳＥＭ像の画像解析により測定した結果、突起の高さは１００ｎｍであり突起の被覆率は約４４．５面積％であった。また、母粒子８の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、４９．５ｅｍｕ／ｃｍ３であった。
【０１１０】
（９）母粒子９の作製
平均粒子径１００ｎｍのニッケル微粒子分散液の投入量を変更したこと以外は母粒子２と同様に突起（芯材ニッケル）を有する母粒子９を作製した。突起の高さ及び被覆率をＳＥＭ像の画像解析により測定した結果、突起の高さは１００ｎｍであり突起の被覆率は約２７．３面積％であった。また、母粒子９の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、２９．８ｅｍｕ／ｃｍ３であった。
【０１１１】
（１０）母粒子１０の作製
平均粒子径１００ｎｍのニッケル微粒子分散液の投入量を変更したこと以外は母粒子２と同様に突起（芯材ニッケル）を有する母粒子１０を作製した。突起の高さ及び被覆率をＳＥＭ像の画像解析により測定した結果、突起の高さは１００ｎｍであり突起の被覆率は約９．１面積％であった。また、母粒子１０の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、９．９ｅｍｕ／ｃｍ３であった。
【０１１２】
（シリコーンオリゴマー１の作製）
メタノール１０ｇにトリエトキシフェニルシラン５０ｇを配合して溶液を調製した。これを攪拌しながら、蒸留水６ｇと酢酸０．５ｇの溶液を添加し、８０℃で一定時間加熱して加水分解、重縮合反応を行った。一旦、０℃に冷却した後、テトラエトキシシラン６ｇを滴下して室温で２時間攪拌して、シロキサン骨格中にフェニル基を含有し、末端が３官能性のシリコーンオリゴマーを得た。得られたシリコーンオリゴマーの重量平均分子量は１１００であった。得られたシリコーンオリゴマー溶液にメタノールを加えて、固形分２０質量％の処理液を作製した。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレンによる検量線を用いて測定されたものであり、測定条件は次のとおりである。
＜ＧＰＣ条件＞
使用機器：日立Ｌ−６０００型〔（株）日立製作所〕
カラム  ：ゲルパックＧＬ−Ｒ４２０＋ゲルパックＧＬ−Ｒ４３０＋ゲルパックＧＬ−Ｒ４４０（計３本）〔いずれも日立化成工業（株）製商品名〕
溶離液  ：テトラヒドロフラン
測定温度：４０℃
流量    ：１．７５ｍＬ／分
検出器  ：Ｌ−３３００ＲＩ〔（株）日立製作所〕
【０１１３】
（シリコーンオリゴマー２の作製）
攪拌装置、コンデンサー及び温度計を備えたガラスフラスコに、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１１８ｇとメタノール５．９ｇを配合した溶液に、活性白土５ｇ及び蒸留水４．８ｇを添加し、７５℃で一定時間攪拌し、重量平均分子量１３００のシリコーンオリゴマーを得た。得られたシリコーンオリゴマーは、水酸基と反応する末端官能基としてメトキシ基又はシラノール基を有するものである。得られたシリコーンオリゴマー溶液にメタノールを加えて、固形分２０質量％の処理液を作製した。
【０１１４】
（絶縁性子粒子１の作製）
３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン（７３．１３質量％）、アクリル酸メチル（５．４２質量％）、メタクリル酸（１９．５質量％）、及びアゾビスイソブチロニトリル（１．９５質量％）の組成で微粒子を作製した。５００ｍＬフラスコに上記各化合物を（濃度を調整して）一括して仕込み、溶媒としてアセトニトリル３５０ｇを加え、窒素（１００ｍＬ／分）にて１時間溶存酸素を置換した後、溶存酸素計（飯島電子工業ＤｏメーターＢ５０６）を用いて溶存酸素量を測定したところ、０．０７ｍｇ／ｍＬであった。その後、攪拌機を用い、ウォーターバス温度８０℃で、約６時間加熱攪拌をして、有機無機ハイブリッド粒子分散液を得た。次に、得られた分散液中の粒子を遠心分離機により沈降させ、上澄みを除いた後、再度アセトニトリルを添加し、粒子を再分散させた。その後、粒子硬化触媒としてアンモニア水溶液（２８質量％）を１．７６ｇ（粒子の仕込みカルボキシル基量に対して等モル）添加し、粒子を架橋させた。続いて、再度遠心分離にて粒子を沈降させ、上澄みを除いた後メタノールに粒子を再分散させた。得られた有機無機ハイブリッド粒子を絶縁性子粒子１とした。絶縁性子粒子１の平均粒子径をＳＥＭで測定したところ、３００ｎｍであった。
【０１１５】
（絶縁性子粒子２の作製）
粒子作製時の化合物の濃度を変更した（組成は同一）以外は、絶縁性子粒子１と同様の方法で、平均粒子径１８０ｎｍの絶縁性子粒子２を作製した。
【０１１６】
（絶縁性子粒子３の作製）
粒子作製時の化合物の濃度を変更した（組成は同一）以外は、絶縁性子粒子１と同様の方法で、平均粒子径２２０ｎｍの絶縁性子粒子３を作製した。
【０１１７】
（絶縁性子粒子４の作製）
粒子作製時の化合物の濃度を変更した（組成は同一）以外は、絶縁性子粒子１と同様の方法で、平均粒子径４８０ｎｍの絶縁性子粒子４を作製した。
【０１１８】
（絶縁性子粒子５の作製）
粒子作製時の化合物の濃度を変更した（組成は同一）以外は、絶縁性子粒子１と同様の方法で、平均粒子径５５０ｎｍの絶縁性子粒子５を作製した。
【０１１９】
（導電粒子１）
メルカプト酢酸８ｍｍｏｌをメタノール２００ｍＬに溶解させて反応液を作製した。次に母粒子１を１０ｇ上記反応液に加え、室温で２時間スリーワンモーターと直径４５ｍｍの攪拌羽で攪拌した。メタノールで洗浄後、孔径φ３μｍのメンブレンフィルタ（ミリポア社製）で母粒子１を濾過することで表面にカルボキシル基を有する母粒子１  １０ｇを得た。
【０１２０】
次に分子量７００００の３０質量％ポリエチレンイミン水溶液（和光純薬社製）を超純水で希釈し、０．３質量％ポリエチレンイミン水溶液を得た。上記カルボキシル基を有する母粒子１  １０ｇを０．３質量％ポリエチレンイミン水溶液に加え、室温で１５分攪拌した。次に孔径φ３μｍのメンブレンフィルタ（ミリポア社製）で母粒子１を濾過し、超純水２００ｇに入れて室温で５分攪拌した。さらに孔径φ３μｍのメンブレンフィルタ（ミリポア社製）で母粒子１を濾過した。上記メンブレンフィルタ上にて２００ｇの超純水で２回洗浄を行い、吸着していないポリエチレンイミンを除去することで、表面にアミノ基含有ポリマーを有する母粒子１を作製した。
【０１２１】
次に、シリコーンオリゴマー２を絶縁性子粒子１上に被覆させ、表面にグリシジル基含有オリゴマーを有する絶縁性子粒子１のメタノール分散媒を作製した。
【０１２２】
次にポリエチレンイミンで処理した母粒子１をイソプロピルアルコールに浸漬し、表面にグリシジル基含有オリゴマーを有する絶縁性子粒子１のメタノール分散媒を滴下することで、絶縁性子粒子の被覆率が３０面積％の導電粒子を作製した。被覆率は滴下量で調整した。次にシリコーンオリゴマー１で得られた導電粒子全体を処理し、洗浄を行い、表面の疎水化を行った。その後８０℃３０分の条件で乾燥を行い、１２０℃１時間加熱乾燥行うことで導電粒子１を作製した。
【０１２３】
（導電粒子２）
母粒子１の代わりに母粒子２を用いたこと以外は、導電粒子１と同様の方法で導電粒子２を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は３０面積％であった。
【０１２４】
（導電粒子３）
母粒子１の代わりに母粒子３を用いたこと以外は、導電粒子１と同様の方法で導電粒子３を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は３０面積％であった。
【０１２５】
（導電粒子４）
母粒子１の代わりに母粒子４を用いたこと以外は、導電粒子１と同様の方法で導電粒子４を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は３０面積％であった。
【０１２６】
（導電粒子５）
母粒子１の代わりに母粒子５を用いたこと以外は、導電粒子１と同様の方法で導電粒子５を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は３０面積％であった。
【０１２７】
（導電粒子６）
母粒子１の代わりに母粒子６を用いたこと以外は、導電粒子１と同様の方法で導電粒子６を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は３０面積％であった。
【０１２８】
（導電粒子７）
母粒子１の代わりに母粒子７を用いたこと以外は、導電粒子１と同様の方法で導電粒子７を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は３０面積％であった。
【０１２９】
（導電粒子８）
母粒子１の代わりに母粒子８を用いたこと以外は、導電粒子１と同様の方法で導電粒子８を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は３０面積％であった。
【０１３０】
（導電粒子９）
母粒子１の代わりに母粒子９を用いたこと以外は、導電粒子１と同様の方法で導電粒子９を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は３０面積％であった。
【０１３１】
（導電粒子１０）
母粒子１の代わりに母粒子１０を用いたこと以外は、導電粒子１と同様の方法で導電粒子１０を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は３０面積％であった。
【０１３２】
（導電粒子１１）
絶縁性子粒子１の代わりに絶縁性子粒子２を用いたこと以外は、導電粒子２と同様の方法で導電粒子１１を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は３０面積％であった。
【０１３３】
（導電粒子１２）
絶縁性子粒子１の代わりに絶縁性子粒子３を用いたこと以外は、導電粒子２と同様の方法で導電粒子１２を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は３０面積％であった。
【０１３４】
（導電粒子１３）
絶縁性子粒子１の代わりに絶縁性子粒子４を用いたこと以外は、導電粒子２と同様の方法で導電粒子１３を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は３０面積％であった。
【０１３５】
（導電粒子１４）
絶縁性子粒子１の代わりに絶縁性子粒子５を用いたこと以外は、導電粒子２と同様の方法で導電粒子１４を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は３０面積％であった。
【０１３６】
（実施例１）
フェノキシ樹脂（ユニオンカーバイド社製商品名、ＰＫＨＣ）１００ｇと、アクリルゴム（ブチルアクリレート４０部、エチルアクリレート３０部、アクリロニトリル３０部、及びグリシジルメタクリレート３部の共重合体、分子量：８５万）７５ｇを酢酸エチルとトルエンを重量比で１：１に混合した溶媒３００ｇに溶解し、３０質量％溶液を得た。次いで、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ（エボキシ当量１８５、旭化成エポキシ株式会社製、ノバキュアＨＸ−３９４１）３００ｇと液状エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ株式会社製、ＹＬ９８０）４００ｇを上記溶液に加え、撹拌することにより、接着剤溶液１を作製した。
【０１３７】
次に、接着剤固形分に対しシリカ固形分が５質量％となるように粒子径１４ｎｍシリカ（Ｒ２０２、日本アエロジル社製）を溶剤分散したシリカスラリーを接着剤溶液１に加えた。
【０１３８】
導電粒子１を、酢酸エチルとトルエンを質量比で１：１に混合した溶媒１０ｇ中に超音波分散した。超音波分散は、３８ｋＨｚ、４００Ｗ、２０Ｌ（試験装置：ＵＳ１０７藤本科学商品名）の超音波槽にて１分間行った。
【０１３９】
上記分散液を接着剤溶液１に分散し、接着剤溶液２を作製した。この接着剤溶液２をセパレータ（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフイルム、厚み４０μｍ）にロールコータで塗布し、９０℃、１０分乾燥し、厚さ１０μｍの異方性導電接着剤フィルムＡを作製した。この異方性導電接着剤フィルムは単位面積あたり１０万個／ｍｍ２の粒子を含有していた。
【０１４０】
また、接着剤溶液１をセパレータ（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフイルム、厚み４０μｍ）にロールコータで塗布し、９０℃、１０分乾燥し、厚さ３μｍの異方性導電接着剤フィルムＢを作製した。
【０１４１】
さらに、接着剤溶液１をセパレータ（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフイルム、厚み４０μｍ）にロールコータで塗布し、９０℃、１０分乾燥し、厚さ１０μｍの異方性導電接着剤フィルムＣを作製した。
【０１４２】
次に、異方性導電接着剤フィルムＢ、異方性導電接着剤フィルムＡ、及び異方性導電接着剤フィルムＣを、この順番にラミネートし、３層からなる異方性導電接着剤フィルムＤを作製した。
【０１４３】
次に、作製した異方性導電接着剤フィルムＤを用いて、金バンプ（面積：３０×９０μｍ、スペース８μｍ、高さ：１５μｍ、バンブ数３６２）付きチップ（１．７×１．７ｍｍ、厚み：０．５μｍ）と回路付きガラス基板（厚み：０．７ｍｍ）の接続を、以下に示すように行った。
【０１４４】
異方性導電接着剤フィルムＤを回路付きガラス基板に８０℃、０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ２）で貼り付けた後、セパレータを剥離し、金バンプ付きチップのバンプと回路付きガラス基板の回路電極との位置合わせを行った。次いで、１９０℃、４０ｇ／バンプ、及び１０秒の条件でチップ上方から加熱、及び加圧を行い、本接続を行った。評価結果を表１に示す。
【０１４５】
（実施例２）
導電粒子１の代わりに導電粒子２を用いた以外は、実施例１と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表１に示す。
【０１４６】
（実施例３）
導電粒子１の代わりに導電粒子３を用いた以外は、実施例１と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表１に示す。
【０１４７】
（実施例７）
導電粒子１の代わりに導電粒子４を用いた以外は、実施例１と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表１に示す。
【０１４８】
（実施例８）
導電粒子１の代わりに導電粒子５を用いた以外は、実施例１と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表１に示す。
【０１４９】
（比較例３）
導電粒子１の代わりに導電粒子６を用いた以外は、実施例１と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表１に示す。
【０１５０】
（比較例４）
導電粒子１の代わりに導電粒子７を用いた以外は、実施例１と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表１に示す。
【０１５１】
（比較例５）
導電粒子１の代わりに導電粒子８を用いた以外は、実施例１と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表１に示す。
【０１５２】
（実施例４）
導電粒子１の代わりに導電粒子９を用いた以外は、実施例１と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表１に示す。
【０１５３】
（実施例５）
導電粒子１の代わりに導電粒子１０を用いた以外は、実施例１と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表１に示す。
【０１５４】
（実施例９）
導電粒子１の代わりに導電粒子１１を用いた以外は、実施例１と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表１に示す。
【０１５５】
（実施例６）
導電粒子１の代わりに導電粒子１２を用いた以外は、実施例１と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表１に示す。
【０１５６】
（実施例１０）
導電粒子１の代わりに導電粒子１３を用いた以外は、実施例１と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表１に示す。
【０１５７】
（比較例８）
導電粒子１の代わりに導電粒子１４を用いた以外は、実施例１と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表１に示す。
【０１５８】
（絶縁抵抗試験及び導通抵抗試験）
実施例１〜１０及び比較例３〜５及び８で作製した接続構造体に対し、絶縁抵抗試験及び導通抵抗試験を行った。異方性導電接着フィルムは非加圧方向のチップ電極（バンプ）間の絶縁抵抗が高く、加圧方向のチップ電極／ガラス電極間の導通抵抗が低いことが重要である。絶縁抵抗試験では、２０サンプルのチップ電極間の絶縁抵抗値を測定し、各サンプルの最小値の平均値を算出した。また、絶縁抵抗値＞１０９（Ω）を良品とした場合の歩留まりを算出した。
【０１５９】
さらに、１４サンプルのチップ電極／ガラス電極間の導通抵抗値を測定し、その平均値を算出した。導通抵抗値の測定は、初期と吸湿耐熱試験（温度８５℃、湿度８５％の条件で５００時間放置）後において行った。
【０１６０】
（突起被覆率）
母粒子のＳＥＭ像を１００枚準備し、像の中心部分（プラスチック核体の半径を直径とする円内）に存在する突起が占める面積を、突起の谷の輪郭を画像解析することにより測定し、上記中心部分全体の面積に対する突起部分が占める面積として、突起部分の被覆率を算出した。
【０１６１】
（絶縁性子粒子の被覆ばらつき（Ｃ．Ｖ．））
導電粒子のＳＥＭ像を１００枚準備し、像の中心部分（プラスチック核体の半径を直径とする円内）に存在する絶縁性子粒子が占める面積を、絶縁性子粒子の輪郭を画像解析することにより測定し、絶縁性子粒子の被覆ばらつきを算出した。
【０１６２】
絶縁抵抗及び吸湿耐熱試験後の導通抵抗について得られた評価結果が、回路基板の接続構造体に求められる特性を満足するか否かを下記指標により判断した。
ＡＡ：十分に満足する
Ａ：満足する
Ｂ：満足するが相対的にＡより劣る
Ｃ：使用不可能
【０１６３】
実施例１は芯材にシリカを用いた例である。めっきの含リン率が高く、突起芯材が非磁性体であるため、母粒子の飽和磁化は低い値を示した。したがって、絶縁性子粒子被覆時に母粒子が凝集しにくく、絶縁性子粒子の被覆ばらつき（Ｃ．Ｖ．）が小さいため、絶縁性が特に良好であった。実施例２、３、７及び８は突起の芯材にニッケルを用いた例である。したがって、母粒子の飽和磁化は実施例１と比べて高い値を示した。母粒子の粒子径が小さくなるほど、磁性の影響で凝集が起こりやすい傾向にあり、その結果、被覆ばらつき（Ｃ．Ｖ．）が大きくなり、絶縁性が低下した。母粒子の粒子径が２μｍを下回ると、磁性凝集が起こりやすく、絶縁抵抗値が低かった。また、母粒子の粒子径が小さいため導通性も低かった（比較例３）。
【０１６４】
母粒子の粒子径が３μｍを上回ると絶縁性が大きく低下した（比較例４）。また、母粒子の飽和磁化が４５ｅｍｕ／ｃｍ３を上回る場合（比較例５）、磁性凝集が起こりやすく、絶縁抵抗が低下した。この現象は、母粒子の粒子径が３μｍ以下の場合に特に生じる傾向がある。また、突起の被覆率が低い場合（実施例４、５）、母粒子の飽和磁化が小さくなり、優れた絶縁性を有していた。絶縁性子粒子の粒子径が２００ｎｍを下回ると（実施例９）、絶縁性が低下した。また、絶縁性子粒子の粒子径が５００ｎｍに近づくと（実施例１０）、絶縁性及び導通性が低下する傾向があり、絶縁性子粒子の粒子径が５００ｎｍを超えると（比較例８）、接続構造体としての使用ができなかった。
【０１６５】
【表１】
2013258138.tif 000003
【符号の説明】
【０１６６】
１・・・絶縁性子粒子、２・・・母粒子、３・・・絶縁被覆層、２１・・・プラスチック核体、２２・・・めっき層、２３・・・芯材、２３ａ・・・突起、３０・・・導電粒子、３１・・・接着剤、３２・・・導電粒子含有層、３３，３４・・・導電粒子非含有層、３５・・・無機酸化物粒子、４０・・・異方性導電接着剤、４０ａ・・・回路接続部材、４１・・・第一の回路基板（ＩＣチップ）、４２・・・第一の回路電極（金属バンプ）、４３・・・第二の回路基板（ガラス基板）、４４・・・第二の回路電極（ＩＴＯ又はＩＺＯ電極）、５０・・・接続構造体。
【図１】
2013258138.tif 000004
【図２】
2013258138.tif 000005
【図３】
2013258138.tif 000006