(57)【要約】【課題】タッチスクリーンのタッチ感度機能を向上し、高品質の画像を具現する、しかも安価に製造できる表示装置を提供する。【解決手段】本発明による表示装置は第１ベース基板、前記第１ベース基板上に提供されたタッチ感知部、前記第１ベース基板上に提供された電子素子、前記第１ベース基板上に提供されるブラックマトリックス、前記ブラックマトリックス上に提供され、前記電子素子に駆動信号を提供する信号配線、前記第１ベース基板に対向する第２ベース基板、及び前記第１及び第２ベース基板の間に提供された液晶層を含む。【選択図】図１
2013222202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ベース基板と、
前記第１ベース基板上に提供されたタッチ感知部と、
前記第１ベース基板上に提供された電子素子と、
前記第１ベース基板上に提供されるブラックマトリックスと、
前記ブラックマトリックス上に提供され、前記電子素子に駆動信号を提供する信号配線と、
前記第１ベース基板に対向する第２ベース基板と、
前記第１ベース基板と前記第２ベース基板との間に提供された液晶層と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記電子素子は第１電極、前記第１電極と共に前記液晶層に電界を形成する第２電極、及び前記第１電極に連結されたスイッチング素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記タッチ感知部は第１方向に延長され、駆動電圧が印加される複数の第１ラインと、
前記第１方向と異なる第２方向に延長され、センシング電圧が印加される複数の第２ラインと、を含み、
前記第２ラインは前記第１ラインと靜電容量結合（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ＿ｃｏｕｐｌｉｎｇ）し、前記靜電容量結合によって電圧が変更されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
各第１ラインは前記第１方向に配列された複数の第１ブロック、及び互に隣接する第１ブロックを連結する複数の第１ブリッジを含み、
各第２ラインは前記第２方向に配列された複数の第２ブロック、及び互に隣接する第２ブロックを連結する複数の第２ブリッジを含み、
前記第１ブリッジと前記第２ブリッジは前記ブラックマトリックスを介して絶縁交差することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ブラックマトリックスは前記第１ブロック、前記第２ブロック、及び前記第１ブリッジと、前記電子素子との間に提供されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記スイッチング素子は
前記ブラックマトリックス上に提供されたゲート電極と、
第１絶縁層を介して前記ゲート電極と部分的に対応するように配置されたソース電極と、
前記ソース電極と離隔され、前記第１絶縁層を介して前記ゲート電極と部分的に対応し、前記第１電極に連結されたドレーン電極と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記ゲート電極と前記第２ブリッジの少なくとも一部は前記ブラックマトリックス上に提供されることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記信号配線は前記第１方向に延長され、前記ゲート電極にゲート信号を提供する複数のゲートラインと、前記第２方向に延長され、前記ソース電極にデータ信号を提供する複数のデータラインを含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ブラックマトリックスには前記第２ブロックの一部を露出するコンタクトホールが提供され、前記第２ブリッジは前記コンタクトホールを通じて前記第２ブロックに連結されることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記コンタクトホールは前記ゲートラインに対応する領域の前記ブラックマトリックス上に提供されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記コンタクトホールは前記データラインに対応する領域の前記ブラックマトリックス上に提供されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記コンタクトホールが提供される前記ブラックマトリックスの幅は前記コンタクトホールが提供されない前記ブラックマトリックスの幅より大きい幅を有することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記スイッチング素子は各ゲートラインと各データラインに対応して複数に提供され、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックの各々は平面上で少なくとも１つ以上のスイッチング素子に対応して提供されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記信号配線は第１方向に延長され、前記ゲート電極にゲート信号を提供する複数のゲートラインと、前記第１方向と交差する第２方向に延長され、前記ソース電極にデータ信号を提供する複数のデータラインを含み、
前記タッチ感知部は前記ゲートラインと靜電容量結合し、前記第２方向に延長され、前記靜電容量結合によって電圧が変更される複数のタッチ感知ラインを含むことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１電極及び前記第２電極は前記第１ベース基板上に提供されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１電極は複数の第１分岐部を有し、前記第２電極は複数の第２分岐部を有し、前記第１分岐部と前記第２分岐部とは平面上で交互に配列されることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１電極は複数の第１分岐部を有し、前記第２電極は単一板状に形成され、前記第１分岐部と前記第２電極とは平面上で重畳することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記スイッチング素子は
前記ブラックマトリックス上に提供されたゲート電極と、
前記ゲート電極と第１絶縁層を介して配置されたソース電極及びドレーン電極と、を含むことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記信号配線は第１方向に延長され、前記ゲート電極にゲート信号を提供する複数のゲートラインと、
前記ゲートラインから離隔されて前記第１方向に延長され、前記第２電極に共通電圧を印加する共通ラインと、
前記第１方向と交差する第２方向に延長され、前記ソース電極にデータ信号を提供する複数のデータラインと、をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記スイッチング素子上に提供された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に提供される第３絶縁膜と、をさらに含み、
前記第１電極は前記第３絶縁膜上に提供され、前記第２電極は前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜との間に提供されることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記ブラックマトリックスはモリブデン酸化物、マンガン酸化物、非晶質炭素、シリコン−ゲルマニウム化合物、及びゲルマニウム酸化物の中の少なくとも何れか１つであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項２２】
第１ベース基板と、
前記第１ベース基板上に提供されたタッチ感知部と、
前記第１ベース基板上に提供されるブラックマトリックスと、
前記ブラックマトリックス上に提供され、駆動信号を出力する信号配線と、
前記第１ベース基板に対向する第２ベース基板と、
前記第１ベース基板と前記第２ベース基板との間に提供された液晶層と、
前記駆動信号に応答して前記液晶層を駆動する電子素子と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２３】
前記電子素子は第１電極、前記第１電極と共に前記液晶層に電界を形成する第２電極、及び前記第１電極に連結されたスイッチング素子を含むことを特徴とする請求項２２に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記第１電極は第１ベース基板上に提供され、前記第２電極は前記第２ベース基板上に提供されることを特徴とする請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記第１電極と前記第２電極との中で少なくとも１つは前記液晶層を複数のドメインに分割するドメイン分離手段（ｄｏｍａｉｎ  ｄｉｖｉｄｅｒ）を含むことを特徴とする請求項２４に記載の表示装置。
【請求項２６】
前記ドメイン分離手段はスリット又は突起であることを特徴とする請求項２５に記載の表示装置。
【請求項２７】
第１ベース基板上にタッチ感知部を形成する段階と、
第１ベース基板上にブラックマトリックスを形成する段階と、
前記ブラックマトリックス上に信号配線を形成する段階と、
前記信号配線に連結される電子素子を形成する段階と、
前記第１ベース基板と第２ベース基板との間に液晶層を形成する段階と、を含むことを特徴とする表示装置製造方法。
【請求項２８】
前記電子素子を形成する段階は
前記第１ベース基板上に前記信号配線に連結されたスイッチング素子を形成する段階と、
前記第１ベース基板上に前記スイッチング素子に連結された第１電極を形成する段階と、
前記第２ベース基板上に第２電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項２７に記載の表示装置製造方法。
【請求項２９】
前記電子素子を形成する段階は
前記第１ベース基板上に前記信号配線に連結されたスイッチング素子を形成する段階と、
前記第１ベース基板上に前記スイッチング素子に連結された第１電極を形成する段階と、
前記第１ベース基板上に前記第１電極と絶縁されて離隔された第２電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項２７に記載の表示装置製造方法。
【請求項３０】
前記第１電極と前記第２電極の間に絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２９に記載の表示装置製造方法。
【請求項３１】
前記スイッチング素子を形成する段階は
前記ブラックマトリックス上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極と絶縁されるようにソース電極及びドレーン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項２９に記載の表示装置製造方法。
【請求項３２】
前記タッチ感知部を形成する段階は
第１方向に延長され複数の第１ラインを形成する段階と、
前記第１方向と異なる第２方向に延長され、前記第１ラインと靜電容量結合する複数の第２ラインを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項３１に記載の表示装置製造方法。
【請求項３３】
各第１ラインは前記第１方向に配列された複数の第１ブロック及び隣接する第１ブロックを連結する複数の第１ブリッジを含み、
各第２ラインは前記第２方向に配列された複数の第２ブロック及び隣接する第２ブロックを連結し、前記複数の第１ブリッジと前記ブラックマトリックスを介して絶縁交差する複数の第２ブリッジとを含み、
前記第１ブリッジと前記第２ブリッジとの中で１つのブリッジと、前記第１ブロック及び前記第２ブロックを単一マスク工程で形成することを特徴とする請求項３２に記載の表示装置製造方法。
【請求項３４】
前記第１及び第２ブリッジの中で残りの１つのブリッジと前記ゲート電極を単一マスク工程で形成することを特徴とする請求項３３に記載の表示装置製造方法。
【請求項３５】
前記信号配線を形成する段階は前記第１方向に延長され、前記ゲート電極にゲート信号を提供する複数のゲートラインを形成する段階及び前記第２方向に延長され、前記ソース電極にデータ信号を提供する複数のデータラインを形成する段階を含み、
前記タッチ感知部を形成する段階は前記第１方向に延長され、前記ゲートラインと前記靜電容量結合して電圧が変更される複数のタッチ感知ラインを形成する段階を含むことを特徴とする請求項３１に記載の表示装置製造方法。
【請求項３６】
前記ブラックマトリックスはモリブデン酸化物、マンガン酸化物、非晶質炭素、シリコン−ゲルマニウム化合物、及びゲルマニウム酸化物の中の少なくとも何れか１つを含むことを特徴とする請求項２７に記載の表示装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びその製造方法に係り、詳細にはタッチイベントを感知できる表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的にタッチパネルは、映像表示装置の画面上に示した指示内容を人の手指又は物体で接触することにより選択できるように、映像表示装置の上側に具備されているパネルである。タッチパネルを具備する映像表示装置は、タッチパネルを通じて接触された位置を把握し、接触された位置の指示内容を入力信号として受信して入力信号に従って駆動される。
タッチパネルを有する映像表示装置はキーボード及びマウスのように映像表示装置に連結されて動作する別の入力装置を必要としないので、その使用が増大している。
【０００３】
最近にはタッチパネルが液晶表示装置にも使用され、この場合、タッチパネルは映像を表示する液晶表示パネルの上側に具備されて使用者から所定の入力を受信して位置情報を検出する。しかし、タッチパネルが液晶表示パネルと別のパネルとして具備されれば、輝度及び視野角などの液晶表示装置の光学的特性が低下するだけでなく、タッチパネルの厚さ分だけ液晶表示装置の全体的な厚さが増加する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２０１０−００１１７８５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って本発明の目的は、タッチスクリーンのタッチ感度を向上し、高品質の画像を具現する表示装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、上記した表示装置を安価に製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態による表示装置は第１ベース基板、前記第１ベース基板上に配置された（ｐｒｏｖｉｄｅｄ、以下、提供された、という）タッチ感知部、前記第１ベース基板上に提供された電子素子、前記第１ベース基板上に提供されるブラックマトリックス、前記ブラックマトリックス上に提供され、前記電子素子に駆動信号を供給する（ａｐｐｌｙ、以下、提供する、という）信号配線、前記第１ベース基板に対向する第２ベース基板、及び前記第１ベース基板と前記第２ベース基板との間に配置された（ｄｉｓｐｏｓｅｄ、以下、提供された、という）液晶層を含む。
【０００７】
前記電子素子は第１電極、前記第１電極と共に前記液晶層に電界を形成する第２電極、及び前記第１電極に連結されたスイッチング素子を含み得る。
前記タッチ感知部は第１方向に延長され、駆動電圧が印加される複数の第１ライン、及び前記複数の第１ラインと靜電容量結合し、前記第１方向と異なる第２方向に延長されてセンシング電圧が印加され、前記靜電容量結合によってセンシング電圧が変更される複数の第２ラインを含み得る。
各第１ラインは前記第１方向に配列された複数の第１ブロック、及び互に隣接する第１ブロックを連結する複数の第１ブリッジを含み、各第２ラインは前記第２方向に配列された複数の第２ブロック、及び互に隣接する第２ブロックを連結する複数の第２ブリッジを含む。前記第１ブリッジと前記第２ブリッジは前記ブラックマトリックスを介して絶縁交差し得る。
前記ブラックマトリックスは前記第１ブロック、前記第２ブロック、及び前記第１ブリッジと、前記電子素子との間に提供され得る。
前記スイッチング素子は前記ブラックマトリックス上に提供されたゲート電極、前記ゲート電極と第１絶縁層を介して配置されたソース電極、及び前記ソース電極に対向し前記第１電極に連結されたドレーン電極を含み得る。
ここで、前記ゲート電極と前記第２ブリッジの少なくとも一部は前記ブラックマトリックス上に提供され得る。
前記信号配線は前記タッチ感知部の前記第１ラインが延長される方向である前記第１方向に延長され、前記ゲート電極にゲート信号を提供する複数のゲートラインと、前記前記タッチ感知部の前記第２ラインが延長される方向である前記第２方向に延長され、前記ソース電極にデータ信号を提供する複数のデータラインを含み得る。
前記ブラックマトリックスには前記第２ブロックの一部を露出するコンタクトホールが提供され、前記第２ブリッジは前記コンタクトホールを通じて前記第２ブロックに連結され得る。
前記コンタクトホールは前記ゲートラインに対応する領域のブラックマトリックス上に提供されるか、
或いは、前記データラインに対応する領域のブラックマトリックス上に提供され得る。
前記コンタクトホールが提供される前記ブラックマトリックスの幅は前記コンタクトホールが提供されない前記ブラックマトリックスの幅より大きい幅を有し得る。
前記スイッチング素子は各ゲートラインと各データラインに対応して複数に提供され得、この時、前記第１ブロック及び前記第２ブロックの各々は平面上で少なくとも１つ以上のスイッチング素子に対応して提供され得る。
【０００８】
本発明の他の実施形態において、選択的に、前記信号配線は前記第１方向に延長され、前記ゲート電極にゲート信号を提供する複数のゲートラインと、前記前記第２方向に延長され、前記ソース電極にデータ信号を提供する複数のデータラインを包含でき、この時、前記タッチ感知部は前記ゲートラインと靜電容量結合し、前記第２方向に延長され、前記靜電容量結合によって電圧が変更される複数のタッチ感知ラインを包含し得る。
ここで、前記タッチ感知部の延長方向は前記第２方向に限定されず、前記第２方向と異なる方向に延長され得る。
【０００９】
本発明の他の実施形態によれば前記第１電極は複数の第１分岐部を有し、前記第２電極は複数の第２分岐部を有し、前記第１分岐部と前記第２分岐部は平面上で交互に配列され得る。
また、本発明の他の実施形態によれば、選択的に、前記第１電極は複数の第１分岐部を有し、前記前記第２電極は単一板状に形成され、前記第１分岐部と前記第２電極と平面上で重畳し得る。
【００１０】
本発明の他の実施形態による表示装置は第１ベース基板、前記第１ベース基板上に提供されたタッチ感知部、前記第１ベース基板上に提供されるブラックマトリックス、前記ブラックマトリックス上に提供され、前記電子素子に駆動信号を提供する信号配線、前記第１ベース基板に対向する第２ベース基板、前記第１ベース基板と前記第２ベース基板上に提供された液晶層、及び前記液晶層を駆動する電子素子を含む。
【００１１】
ここで、前記電子素子は第１電極、前記第１電極と共に前記液晶層に電界を形成する第２電極、及び前記第１電極に連結されたスイッチング素子を含み得る。
前記第１電極は第１ベース基板上に提供され、前記第２電極は前記第２ベース基板上に提供され得る。
前記第１電極と前記第２電極との中で少なくとも１つは前記液晶層を複数のドメインに分割するドメイン分離手段（ｄｏｍａｉｎ  ｄｉｖｉｄｅｒ）を含み得る。
前記ドメイン分離手段はスリット又は突起であり得る。
【００１２】
本発明の一実施形態による表示装置は、第１ベース基板上にタッチ感知部を形成し、第１ベース基板上にブラックマトリックスを形成し、前記ブラックマトリックス上に信号配線を形成し、前記信号配線に連結される電子素子を形成し、前記第１ベース基板と第２ベース基板との間に液晶層を形成して製造される。
【００１３】
本発明の一実施形態によれば、前記電子素子は前記第１ベース基板上に前記信号配線に連結されたスイッチング素子を形成し、前記第１ベース基板上に前記スイッチング素子に連結された第１電極を形成し、前記第２ベース基板上に第２電極を形成することによって形成され得る。
本発明の他の実施形態において、前記電子素子は、選択的に、前記第１ベース基板上に前記信号配線に連結されたスイッチング素子を形成し、前記第１ベース基板上に前記スイッチング素子に連結された第１電極を形成し、前記第１ベース基板上に前記第１電極と絶縁されて離隔された第２電極を形成することによって形成され得る。
【００１４】
前記タッチ感知部は第１方向に延長され、駆動電圧が印加される複数の第１ラインを形成し、前記第１方向と異なる第２方向に延長され、センシング電圧が印加されて、前記第１ラインと靜電容量結合する第２ラインを形成することによって形成され得る。
ここで、各第１ラインは第１方向に配列された複数の第１ブロック及び隣接する第１ブロックを連結する複数の第１ブリッジを含み、各第２ラインは前記第１方向と異なる第２方向に配列された複数の第２ブロック及び隣接する第２ブロックを連結し、前記複数の第１ブリッジと前記ブラックマトリックスを介して絶縁交差する複数の第２ブリッジを含み、前記第１ブリッジと前記第２ブリッジとの中で１つのブリッジと、前記第１ブロック及び前記第２ブロックは単一マスク工程で形成され得る。
本発明の一実施形態において、前記ゲート電極と前記第２ブリッジとの中で残りの１つのブリッジは単一マスク工程で形成され得る。
本発明の他の実施形態によれば、前記信号配線は、前記第１方向に延長され、前記ゲート電極にゲート信号を提供する複数のゲートラインを形成し、前記第２方向に延長され、前記ソース電極にデータ信号を提供する複数のデータラインを形成することによって形成され、前記タッチ感知部を形成する段階は前記第１方向に延長され、前記ゲートラインと前記靜電容量結合して電圧が変更される複数のタッチ感知ラインを形成することを含み得る。
本発明の実施形態において、前記ブラックマトリックスはモリブデン酸化物、マンガン酸化物、非晶質炭素、シリコン−ゲルマニウム化合物、及びゲルマニウム酸化物の中の少なくとも何れか１つを含み得る。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の実施形態によれば、信号配線と電子素子とを使用者のタッチが行われる基板に全て形成することによって、使用者のタッチが液晶層に及ぼす影響を減少すると同時に、これによる潜在的なディスプレー攪乱を防止する。また、本発明の実施形態では信号配線と電子素子とによって発生できる外部光の反射をブラックマトリックスに遮蔽する。これによって、本発明の実施形態による表示装置ではタッチ感度及び表示品質が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態による表示装置を示した斜視図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。
【図４】図３の画素部分を拡大した平面図である。
【図５】図４を拡大した平面図である。
【図６】図５のＩＩ−ＩＩ’線に沿う断面図である。
【００１７】
【図７】本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図８】図７のＩＩ−ＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【図９】本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図１０】図９のＩＩ−ＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【図１１】本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図１２】図１１のＩＩ−ＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【図１３】本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図１４】図１３のＩＩ−ＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【図１５】本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図１６】図１５のＩＩ−ＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【図１７】本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図１８】図１７のＩＩ−ＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【図１９】本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図２０】図１９のＩＩ−ＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【００１８】
【図２１】本発明の第３実施形態による表示装置を示した平面図である。
【図２２】図２１のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図である。
【図２３】本発明の第３実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図２４】図２３のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【図２５】本発明の第３実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図２６】図２３のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【図２７】本発明の第３実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図２８】図２７のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【図２９】本発明の第３実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図３０】図２９のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【図３１】本発明の第３実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図３２】図３１のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【図３３】本発明の第３実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図３４】図３３のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【００１９】
【図３５】本発明の第４実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。
【図３６】図３５の画素部分を拡大した平面図である。
【図３７】図３６を拡大した平面図である。
【図３８】図３７のＩＶ−ＩＶ’線に沿う断面図である。
【００２０】
【図３９】本発明の第５実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。
【図４０】図３９のＰ３部分を拡大した平面図である。
【図４１】図４０のＶ−Ｖ’線に沿う断面図である。
【００２１】
【図４２】本発明の第６実施形態による表示装置を示した平面図である。
【図４３】図４２のＶＩ−ＶＩ’線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明は多様な変更を加え得、様々な形態を有し得るが、特定実施形態を図面に例示し本文に詳細に説明する。しかし、これは本発明をこの特定の開示形態に限定するものではなく、本発明は、本発明のマッピング及び技術範囲に含まれる全ての変更物、均等物、乃至代替物を含むと理解されなければならない。
【００２３】
各図面の説明に際しては、類似の参照符号を類似の構成要素に対して使用した。添付された図面において、構造物の寸法は本発明を明確に説明するために実際より拡大して示す。第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されるが、構成要素はこの用語によって限定されない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱することなく第１構成要素は第２構成要素と称され得、同様に第２構成要素も第１構成要素と称され得る。単数の表現は文脈上、明確に単数を意味しない限り、複数の表現を含む。
【００２４】
本出願で、“包含”、“包む”、又は“有する”等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらの組合せの存在を指定しているが、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらの組合せの存在又は付加可能性を予め排除しないと理解されなければならない。
また、層、膜、領域、板等の部材が他の部材“の上に”あるとする場合、これは他の部材“の直ちに上に”ある場合のみでなく、その中間にその他の部材がある場合も含む。また、本明細書において、何れか層、膜、領域、板等の部材が他の部材上（ｏｎ）に形成されたとする場合、前記形成された方向は上部方向のみに限定されず側部方向及び／又は下部方向に形成される場合を含む。反対に層、膜、領域、板等の部材が他の部材分“の下に”あるとする場合、これは他の部材“の直ちに下に”ある場合のみでなく、その中間にその他の部材がある場合も含む。
【００２５】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。
本発明の第１実施形態による表示装置は、使用者の手指又は別の入力手段を通じてタッチイベントを感知し、これに対応して情報を表示するか、或いは伝達するタッチパネル表示装置である。
【００２６】
図１は本発明の第１実施形態による表示装置を示した斜視図である。図２は図１のＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。本発明の第１実施形態において、映像が表示され、使用者のタッチが行われる方向は上部方向であり、表示装置の下部又は下側部には表示装置へ光を供給する（ａｐｐｌｙ、以下、提供する、という）光源（図示せず）が配置される（ｄｉｓｐｏｓｅｄ、以下、提供される、という）。
【００２７】
図１及び図２を参照すれば、本発明の第１実施形態による表示装置はマトリックス形態に配列された複数の画素ＰＸＬを含む。各画素ＰＸＬは平面上から見る時、映像が表示される表示領域ＤＰと表示領域ＤＰを除外した非表示領域ＮＤＰとに分けられる。各画素ＰＸＬは第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に提供された液晶層ＬＣ、及び液晶層ＬＣを駆動する電子素子ＥＤを含む。非表示領域ＮＤＰは表示領域ＤＰの少なくとも一側に提供され、例えば、表示領域ＤＰを囲むように提供される。
【００２８】
第１基板ＳＵＢ１はその外部面に使用者のタッチイベントが行われる基板であって、第１ベース基板ＢＳ１と、第１ベース基板ＢＳ１上に提供されたタッチ感知部ＴＳＰ、第１ベース基板ＢＳ１上に提供されたブラックマトリックスＢＭ、及びブラックマトリックスＢＭ上に提供され、電子素子ＥＤへ駆動信号を提供する信号配線ＳＬを含む。タッチ感知部ＴＳＰ、ブラックマトリックスＢＭ、及び信号配線ＳＬはタッチイベントが行われる外部面に対向する反対面、即ち、第１ベース基板ＢＳ１と液晶層ＬＣとの間に提供される。
【００２９】
第１ベース基板ＢＳ１基板はシリコン基板、ガラス基板、プラスチック基板等であるがこれに限定されない。第１ベース基板ＢＳ１は透明な物質からなる。本発明の第１実施形態において、第１ベース基板ＢＳ１は複数の画素ＰＸＬが共有する形態で提供される。
【００３０】
タッチ感知部ＴＳＰは表示装置の使用者の手指や別の入力手段を通じて表示装置へのタッチを認識する。タッチ感知部ＴＳＰはタッチ感知方式に従って靜電容量（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ）方式、抵抗方式、赤外線感知方式の何れかにより提供される。
【００３１】
ブラックマトリックスＢＭは各画素ＰＸＬの非表示領域ＮＤＰに提供され、表示領域ＤＰ以外の領域に提供される光を遮断する。
信号配線ＳＬは非表示領域ＮＤＰのブラックマトリックスＢＭ上に提供され、電子素子ＥＤに連結されて電子素子ＥＤへ駆動信号を提供する。信号配線ＳＬは導電性物質、例えば金属でなされる。信号配線ＳＬは単一金属から形成されることもあるが、２種以上の金属、又は２種以上の金属の合金等からなり得る。また信号配線ＳＬは単一層又は多重層に形成される。
【００３２】
第２基板ＳＵＢ２は第２ベース基板ＢＳ２と、第２ベース基板ＢＳ２上に提供されたカラーフィルターＣＦを含む。本発明の他の実施形態ではカラーフィルターＣＦが省略されるか、或いは、第２基板ＳＵＢ２ではない第１基板ＳＵＢ１に包含される。本発明の第１実施形態において、第２ベース基板ＢＳ２は複数の画素ＰＸＬが共有する形態で提供される。
【００３３】
電子素子ＥＤは信号配線ＳＬに連結され、信号配線ＳＬから駆動信号を受信して液晶層ＬＣを駆動する。電子素子ＥＤは液晶層ＬＣへ電界を印加する電極と、電極へ電圧を印加するスイッチング素子とを包含する。電極は液晶層ＬＣに提供する電界に合わせて、第１基板ＳＵＢ１及び／又は第２基板ＳＵＢ２上に提供される。
【００３４】
液晶層ＬＣは電界によって駆動されて光を透過させるか、或いは遮断することによって映像を表示する。
既存の表示装置は信号配線と電子素子とが形成された第１基板と第２基板、及び第１基板と第２基板との間に提供された液晶層を包含するので、第２基板の外部面で使用者のタッチが行われる。ここで、仮に使用者がタッチする部分と液晶層との間に電気的遮蔽物がない場合、使用者のタッチによって液晶層へ印加される電界が変動し、これによってディスプレー攪乱が発生し得る。既存の表示装置ではこれを防止するために、第２基板の外部面に別の電気的遮蔽物、例えば、透明導電膜を形成した。しかし、透明導電膜が第２基板の外部面に提供されることによって使用者のタッチイベントを感知するための電界も遮蔽され、これによってタッチ感度が減少した。
【００３５】
本発明の第１実施形態によれば、信号配線ＳＬと電子素子ＥＤとを使用者のタッチが行われる第１基板ＳＵＢ１に全て配置形成することによって、使用者のタッチが液晶層ＬＣに及ぼす影響を低減すると同時に、これによる潜在的なディスプレー攪乱を防止する。また、本発明の第１実施形態では信号配線ＳＬと電子素子ＥＤとによって発生する外部光の反射をブラックマトリックスＢＭで遮蔽する。これによって、本発明の第１実施形態による表示装置ではタッチ感度及び表示品質が向上する。
【００３６】
以下、本発明の第１実施形態の表示装置に対する具体的な実施形態に関して図面と共に説明する。
図３は本発明の第２実施形態による表示装置の一部を示した平面図であり、図４は図３の画素部分を拡大した平面図である。図５は図４を拡大した平面図であり、図６は図５のＩＩ−ＩＩ’線に沿う断面図である。本発明の実施形態において、説明を簡単にするため、映像が表示され使用者のタッチが行われる方向は下部方向になるように設定され、説明を簡単にするため複数の画素ＰＸＬが画素ＰＸＬ内に配置されたタッチ感知部と共に表示された。そして、表示装置の上部又は上側部には表示装置へ光を提供する光源（図示せず）が提供される。
【００３７】
図３、図４、図５及び図６を参照すれば、本発明の第２実施形態による表示装置はマトリックス形態に配列された複数の画素ＰＸＬを含む。各画素ＰＸＬは平面上から見る時、映像が表示される表示領域ＤＰと、表示領域ＤＰを除外した非表示領域ＮＤＰとを含む。各画素ＰＸＬは第１基板ＳＵＢ１、第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に提供された液晶層ＬＣ、及び液晶層ＬＣを駆動する電子素子を含む。非表示領域ＮＤＰは表示領域ＤＰの少なくとも一側に提供され、例えば図示したように、非表示領域ＮＤＰは表示領域ＤＰを囲む。
【００３８】
第１基板ＳＵＢ１は第１ベース基板ＢＳ１と、第１ベース基板ＢＳ１上（ｏｎ）に提供されたタッチ感知部、タッチ感知部上に提供されたブラックマトリックスＢＭ、及びブラックマトリックスＢＭ上に提供され、電子素子に駆動信号を提供する信号配線を含む。
【００３９】
第１ベース基板ＢＳ１はシリコン基板、ガラス基板、プラスチック基板等の一であるがこれに限定されない。第１ベース基板ＢＳ１は透明な物質からなる。本発明の第２実施形態において、第１ベース基板ＢＳ１は複数の画素ＰＸＬが共有する形態で提供される。
【００４０】
タッチ感知部は表示装置の使用者の手指又は別の入力手段を通じて表示装置へのタッチイベントを認識する。本発明の第２実施形態において、タッチ感知部は靜電容量方式で提供される。タッチ感知部は第１方向に延長され、駆動電圧が印加される複数の第１ラインＬＮ１と、第１方向と異なる第２方向に延長され、センシング電圧が印加される複数の第２ラインＬＮ２を含む。
第１ラインＬＮ１は第２ラインＬＮ２と靜電容量結合し、靜電容量結合によってセンシング電圧が変化する。他の実施形態では駆動電圧が第２ラインＬＮ２へ印加されセンシング電圧が第１ラインＬＮ１へ印加される。
【００４１】
各第１ラインＬＮ１は第１方向に配列された複数の第１ブロックＢＬ１と、互に隣接する第１ブロックＢＬ１を連結する複数の第１ブリッジＢＲ１とを含む。第１ブロックＢＬ１は多様な形状、例えば、棒（ｂａｒ）形、菱（ｌｏｚｅｎｇｅ）形等の方形を含む多角形状に提供される。
各第２ラインＬＮ２は第２方向に配列された複数の第２ブロックＢＬ２と、互に隣接する第２ブロックＢＬ２を連結する複数の第２ブリッジＢＲ２とを含む。第２ブロックＢＬ２もまた多様な形状、例えば、棒形、菱形等の方形を含む多角形状に提供される。第１ブロックＢＬ１と第２ブロックＢＬ２とは交互に第１ベース基板ＢＳ１上にマトリックス形態に配置される。
【００４２】
各第１ラインＬＮ１をなす第１ブロックＢＬ１と第１ブリッジＢＲ１とは単一の、分離されない一体に形成されるか、又は、各第２ラインＬＮ２をなす第２ブロックＢＬ２と第２ブリッジＢＲ２とは単一の分離されない一体に形成される。本発明の第２実施形態では各第１ラインＬＮ１が分離されない一体に形成された場合を図示した。この場合、各第２ラインＬＮ２において、第２ブリッジＢＲ２は第２ブロックＢＬ２と異なる層に形成される。
第１ブロックＢＬ１、第１ブリッジＢＲ１、及び第２ブロックＢＬ２は第１ベース基板ＢＳ１上に提供され、第１ブロックＢＬ１、第１ブリッジＢＲ１、及び第２ブロックＢＬ２の上には第１絶縁膜ＩＮＳ１が提供される。第１絶縁膜ＩＮＳ１はシリコン窒化物、シリコン酸化物等の何れかからなる。第１絶縁膜ＩＮＳ１は第２ブロックＢＬ２の一部を露出する第１コンタクトホールＣＨ１を含み、第２ブリッジＢＲ２は第１コンタクトホールＣＨ１を通じて互に隣接する第２ブロックＢＬ２を連結する。
【００４３】
第１ラインＬＮ１と第２ラインＬＮ２の何れかと一つに感知入力信号を印加し、且つ、第１ラインＬＮ１と第２ラインＬＮ２の他の一つから感知出力信号を検出する制御部（図示せず）が提供される。
【００４４】
上記した構造を有するタッチ感知部には制御部からの感知入力信号に従って電荷が充電される。仮に使用者によって第１ベース基板ＢＳ１の外部面に接触が行われれば、該接触部における第１ラインＬＮ１と第２ラインＬＮ２との間の靜電容量が変化し、靜電容量の変化に従う感知信号が出力され、制御部によって感知信号が分析されて接触位置が把握される。
【００４５】
第１ブロックＢＬ１と第２ブロックＢＬ２とは画素ＰＸＬに一対多に対応する。これによって、各画素ＰＸＬの構成要素も第１ブロックＢＬ１及び／又は第２ブロックＢＬ２の各々に一対多に対応する。例えば、各画素ＰＸＬ内に含まれたスイッチング素子ＳＷＤは第１ブロックＢＬ１及び／又は第２ブロックＢＬ２の各々に一対多に対応する。
図３及び図４では１つの第１ブロックＢＬ１又は１つの第２ブロックＢＬ２が複数の画素ＰＸＬに亘って対応することを示し、これにより複数の画素ＰＸＬが１つの第１ブロックＢＬ１又は１つの第２ブロックＢＬ２に各々対応する。しかし、第１ブロックＢＬ１と第２ブロックＢＬ２と画素ＰＸＬの対応関係はこれに限定されず、一対一に対応することもできる。
【００４６】
ブラックマトリックスＢＭはタッチ感知部上に提供される。ブラックマトリックスＢＭは非表示領域ＮＤＰに提供され、表示領域ＤＰに対応する領域が開口される。ブラックマトリックスＢＭは光を吸収して黒色を表示する絶縁物質で形成される。ブラックマトリックスＢＭは例えば、モリブデン酸化物、マンガン酸化物、非晶質炭素、シリコン−ゲルマニウム化合物、及びゲルマニウム酸化物の中の少なくとも１つを包含する。
【００４７】
ブラックマトリックスＢＭが形成された第１ベース基板ＢＳ１の上には信号配線と電子素子が提供される。信号配線は複数のゲートラインＧＬ、複数のデータラインＤＬ、及び複数の共通ラインＣＬを含む。電子素子はスイッチング素子ＳＷＤ、第１電極ＥＬ１、及び第２電極ＥＬ２を含む。
【００４８】
ゲートラインＧＬと共通ラインＣＬは各々非表示領域ＮＤＰ上に提供され、詳細にはブラックマトリックスＢＭ上に提供される。各ゲートラインＧＬと各共通ラインＣＬは各々タッチ表示部ＴＳＰの第１ラインＬＮ１の延長方向である第１方向に延長して提供され、互に離隔される。
【００４９】
ゲートラインＧＬと共通ラインＣＬの上には第２絶縁膜ＩＮＳ２が提供される。第２絶縁膜ＩＮＳ２はシリコン窒化物、シリコン酸化物等の何れかからなる。
【００５０】
データラインＤＬは第２絶縁膜ＩＮＳ２上の非表示領域ＮＤＰに提供される。データラインＤＬはタッチ表示部ＴＳＰの第２ラインＬＮ２の延長方向である第２方向に延長される。データラインＤＬは第２絶縁膜ＩＮＳ２を介してゲートラインＧＬ及び共通ラインＣＬと絶縁される。ここで、ゲートラインＧＬとデータラインＤＬの延長方向が各々タッチ感知部の第１ライン及び第２ラインの延長方向である第１方向及び第２方向と同一の方向に提示されたが、これに限定されない。ゲートラインＧＬとデータラインＤＬの延長方向はタッチ感知部の第１ライン及び第２ラインの延長方向と互に異なる方向であり得る。
【００５１】
ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、及び共通ラインＣＬの各々は導電性物質、例えば金属から形成される。ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、及び共通ラインＣＬの各々は単一金属から形成されるか、又は、２種以上の金属、又は２種以上の金属の合金等から形成される。またゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、及び共通ラインＣＬの各々は単一層又は多重層に形成され得る。
【００５２】
スイッチング素子ＳＷＤはゲートラインＧＬの中で対応するゲートラインＧＬと、データラインＤＬの中で対応するデータラインＤＬに連結される。スイッチング素子ＳＷＤはゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＭ、ソース電極ＳＥ、及びドレーン電極ＤＥを含む。
【００５３】
ゲート電極ＧＥは対応するゲートラインＧＬから分岐して提供される。半導体層ＳＭは第２絶縁膜ＩＮＳ２上に薄膜の形態で提供される。半導体層ＳＭはゲート電極ＧＥの上方に提供され、平面上から見る時、ゲート電極ＧＥと重畳する。ソース電極ＳＥはデータラインＤＬから分岐して提供される。
【００５４】
スイッチング素子ＳＷＤの上にはスイッチング素子ＳＷＤをカバーする第３絶縁膜ＩＮＳ３が提供される。第３絶縁膜ＩＮＳ３はシリコン窒化物、シリコン酸化物等の何れかからなる。
第３絶縁膜ＩＮＳ３の上には第１電極ＥＬ１が提供される。第２絶縁膜ＩＮＳ２と第３絶縁膜ＩＮＳ３とには共通ラインＣＬの一部を露出する第２コンタクトホールＣＨ２が提供される。第１電極ＥＬ１は第２コンタクトホールＣＨ２を通じて共通ラインＣＬに連結される。第１電極ＥＬ１は単一板状に形成されて、表示領域ＤＰ上に提供され、非表示領域ＮＤＰの一部をカバーする。
【００５５】
第１電極ＥＬ１は透明な導電性物質で形成される。特に、第１電極ＥＬ１は透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）で形成され得る。透明導電性酸化物としては、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等がある。
【００５６】
第１電極ＥＬ１が提供された第１ベース基板ＢＳ１の上には第４絶縁膜ＩＮＳ４が提供される。第４絶縁膜ＩＮＳ４はシリコン窒化物、シリコン酸化物等の何れかからなる。第４絶縁膜ＩＮＳ４の上には第２電極ＥＬ２が提供される。第２電極ＥＬ２は表示領域ＤＰ上に提供され、非表示領域ＮＤＰの一部をカバーする。
第３絶縁膜ＩＮＳ３と第４絶縁膜ＩＮＳ４にはドレーン電極ＤＥの一部を露出する第３コンタクトホールＣＨ３が提供される。第２電極ＥＬ２は第３コンタクトホールＣＨ３を通じてドレーン電極ＤＥに連結される。第２電極ＥＬ２は第１電極ＥＬ１と重畳される。
第２電極ＥＬ２はその一部が除去されて形成された複数のスリットＳＬＴを有する。スリットＳＬＴは第１方向及び／又は第２方向に対して傾いた方向を有する。また、第２電極ＥＬ２は互に異なる傾いた方向を有するスリットＳＬＴからなる複数の領域を有し得、この時、該各領域は画素ＰＸＬを横切る仮想の線に対して実質的に線対称をなすか、或いは、画素ＰＸＬ内の何れか一地点に対して実質的に点対称をなす。図５では一例として、スリットＳＬＴが画素ＰＸＬを第１方向に横切る仮想の線に対して概ね線対称をなして形成された場合を示した。
【００５７】
言い換えれば、第２電極ＥＬ２は画素ＰＸＬ毎に形成された幹部ＥＬ２ａと、幹部ＥＬ２ａから突出されて延長され、スリットＳＬＴによって互いに分離された複数の枝部ＥＬ２ｂを有する。枝部ＥＬ２ｂは互に一定の間隔だけ離隔される。第２電極ＥＬ２の枝部ＥＬ２ｂは第１電極ＥＬ１と共にフリンジ電界を形成する。枝部ＥＬ２ｂは所定方向に互いに平行に延長して形成される。幹部ＥＬ２ａと枝部ＥＬ２ｂは多様な形状に提供され得る。例えば、枝部ＥＬ２ｂは幹部ＥＬ２ａの延長方向と垂直になる方向全てに傾斜されるように突出して延長されることもあり得る。又は幹部ＥＬ２ａが複数回折曲した形態に形成され得る。
第２電極ＥＬ２は透明な導電性物質で形成される。特に、第２電極ＥＬ２は透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）で形成され得る。透明導電性酸化物としては、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等がある。
【００５８】
第２電極ＥＬ２は共通ラインＣＬの一部と重畳され、これによって、第２電極ＥＬ２は第２絶縁膜ＩＮＳ２乃至第４絶縁膜ＩＮＳ４を介して共通ラインＣＬとの間にストレージキャパシタを構成する。
【００５９】
第２基板ＳＵＢ２は第２ベース基板ＢＳ２と、第２ベース基板ＢＳ２上に提供されたカラーフィルターＣＦを含む。カラーフィルターＣＦは液晶層ＬＣを通過する光に色を提供する。カラーフィルターＣＦは赤色カラーフィルターＣＦ、緑色カラーフィルターＣＦ、及び青色カラーフィルターＣＦを含む。赤色カラーフィルターＣＦ、緑色カラーフィルターＣＦ、及び青色カラーフィルターＣＦは各々、各画素ＰＸＬに一対一に対応して配置される。本発明の第２実施形態ではカラーフィルターＣＦが第２基板ＳＵＢ２に提供された場合を示したが、これに限定されず、第１基板ＳＵＢ１内にも提供され得る。例えば、第１基板ＳＵＢ１の絶縁膜の中で何れか１つの代わりに提供されるか、或いは第１基板ＳＵＢ１の絶縁膜の間に追加的に提供され得る。
【００６０】
第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間には液晶分子を含む液晶層ＬＣが提供される。
【００６１】
本発明の他の実施形態（図示せず）において、第１電極ＥＬ１は第２電極ＥＬ２と類似な形態を備え、その一部が除去されて形成された複数のスリットＳＬＴを有する。言い換えれば、第１電極ＥＬ１は各画素ＰＸＬ毎に形成された幹部ＥＬ１ａと、幹部ＥＬ１ａから突出されて延長され、スリットＳＬＴによって互いに分離された複数の枝部ＥＬ１ｂを有する。この場合、第１電極ＥＬ１の枝部ＥＬ２ｂと第２電極ＥＬ２の枝部ＥＬ２ｂとは平面上から見る時、交互に配列され、第１電極ＥＬ１の枝部ＥＬ１ｂと第２電極ＥＬ２の枝部ＥＬ２ｂとは水平電界を形成する。
【００６２】
上記した構造を有する表示装置ではゲートラインを通じて提供される駆動信号に応答して薄膜トランジスターがターンオンされる。薄膜トランジスターがターンオンされれば、データラインを通じて提供される画像信号が薄膜トランジスターを通じて第１電極に提供される。これによって、第１電極と第２電極との間に電界が形成され、電界によって液晶が駆動され、その結果映像が表示される。
【００６３】
本発明の第２実施形態による表示装置によれば、潜在的なディスプレー攪乱を防止すると同時に、外部光が信号配線によって反射される現象を防止することによって表示品質が向上する。
【００６４】
図７、図９、図１１、図１３、図１５、図１７、及び図１９は本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。図８、図１０、図１２、図１４、図１６、図１８、及び図２０は図７、図９、図１１、図１３、図１５、図１７、及び図１９のＩＩ−ＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【００６５】
以下、図７、図９、図１１、図１３、図１５、図１７、及び図１９と、図８、図１０、図１２、図１４、図１６、図１８、及び図２０と、を参照して、本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を説明すれば、次の通りである。
【００６６】
図７及び８を参照すれば、第１ベース基板ＢＳ１上にタッチ感知部の一部が形成される。第１ベース基板ＢＳ１上に形成されるタッチ感知部の一部は第１ブロックＢＬ１と第１ブリッジＢＲ１とを含む第１ラインＬＮ１、及び第２ブロックＢＬ２である。第１ブロックＢＬ１、第１ブリッジＢＲ１、及び第２ブロックＢＬ２は、第１ベース基板ＢＳ１上に透明導電性物質で透明導電層を形成した後、単一マスクを利用するフォトリソグラフィ工程を利用して透明導電層をパターニングすることによって、形成される。透明な導電性物質はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等の何れかである。ここで、各第１ラインＬＮ１をなす第１ブロックＢＬ１と第１ブリッジＢＲ１とは分離されずに一体に形成でき、第２ブロックＢＬ２は第１ブロックＢＬ１及び第１ブリッジＢＲ１から離隔されるように形成される。
【００６７】
図９及び図１０を参照すれば、第１ブロックＢＬ１、第１ブリッジＢＲ１、及び第２ブロックＢＬ２が形成された第１ベース基板ＢＳ１上に第１絶縁膜ＩＮＳ１が形成され、第１絶縁膜ＩＮＳ１上に第２ブリッジＢＲ２が形成される。第１絶縁膜ＩＮＳ１は第２ブロックＢＬ２の一部を露出する第１コンタクトホールＣＨ１を有する。第２ブリッジＢＲ２は第１コンタクトホールＣＨ１を通じて第２ブロックＢＬ２に連結され、これによって、互に隣接する第２ブロックＢＬ２が電気的に連結される。第２ブリッジＢＲ２は透明導電性物質又は不透明導電性物質の何れかからなる。透明導電性物質としてはＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等があり、不透明導電性物質としては金属、例えば、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、チタニウム、銅、タングステン等がある。
第２ブリッジＢＲ２が透明導電性物質で形成される場合、第２ブリッジＢＲ２は表示領域ＤＰ又は非表示領域ＮＤＰの何れにも形成できる。しかし、第２ブリッジＢＲ２が不透明物質を含む場合、第２ブリッジＢＲ２は非表示領域ＮＤＰにのみ形成され、例えば、後述するデータラインＤＬが形成される領域に形成される。
【００６８】
第２ブリッジＢＲ２は第１ベース基板ＢＳ１上に絶縁物質で第１絶縁膜ＩＮＳ１を形成し、フォトリソグラフィ工程を利用して第１コンタクトホールＣＨ１を形成した後、第１絶縁膜ＩＮＳ１上に透明又は不透明導電物質で導電層を形成し、導電層をフォトリソグラフィ工程でパターニングすることによって製造される。
【００６９】
図１１及び図１２を参照すれば、タッチ感知部が形成された第１ベース基板ＢＳ１上にブラックマトリックスＢＭが形成される。図１１ではブラックマトリックスＢＭが形成されない表示領域ＤＰを示し、表示領域ＤＰを除外した領域は、非表示領域ＮＤＰとしてブラックマトリックスＢＭが形成された領域である。ブラックマトリックスＢＭが形成される部分は信号配線と電子素子の一部構成要素、特にスイッチング素子ＳＷＤが形成される部分に該当する。ブラックマトリックスＢＭは黒色の絶縁物質で形成され、例えば、モリブデン酸化物、マンガン酸化物、非晶質炭素、シリコン−ゲルマニウム化合物、及びゲルマニウム酸化物の中の少なくとも１つを用いて絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィ工程を利用して該絶縁膜をパターニングすることによって形成できる。
【００７０】
図１３及び図１４を参照すれば、ブラックマトリックスＢＭが形成された第１ベース基板ＢＳ１上にゲート配線部が形成される。ゲート配線部はゲートラインＧＬ、ゲート電極ＧＥ、及び共通ラインＣＬを含む。
【００７１】
ゲート配線部は導電性物質、例えば金属で形成される。例えば、ゲート配線部は第１ベース基板ＢＳ１の全面に金属層を形成し、フォトリソグラフィ工程で金属層をパターニングして形成される。ゲート配線部は単一金属又は合金からなる単一層で形成できるが、これに限定されず、２種以上の金属及び／又はこれらの合金でなされた多重層で形成できる。
【００７２】
図１５及び図１６を参照すれば、ゲート配線部上に第２絶縁膜ＩＮＳ２が形成され、第２絶縁膜ＩＮＳ２上に半導体層ＳＭとデータ配線部が形成される。半導体層ＳＭはゲート電極ＧＥの上方に提供され、平面上から見る時、ゲート電極ＧＥの少なくとも一部と重畳して形成される。半導体層ＳＭ上にデータ配線部が形成される。データ配線部はデータラインＤＬ、ソース電極ＳＥ、ドレーン電極ＤＥを含む。
【００７３】
半導体層ＳＭはドーピングされた、又はドーピングされないシリコン半導体、酸化物半導体等からなる。データ配線部は導電性物質、例えば金属で形成できる。例えば、データ配線部は第１ベース基板ＢＳ１の全面に金属層を形成し、フォトリソグラフィ工程で金属層をパターニングして形成される。データ配線部は単一金属又は合金からなる単一層で形成されるが、これに限定されず、２種以上の金属及び／又はこれらの合金からなる多重層でも形成できる。
【００７４】
半導体層ＳＭとデータ配線部は第２絶縁膜ＩＮＳ２上に半導体物質と、金属のような導電性物質を順次的に積層し、ハーフトーンマスクや回折マスクを利用するフォトリソグラフィ工程を通じて形成できる。本発明の第２実施形態では半導体層ＳＭとデータ配線部とをハーフトーンマスクや回折マスクを利用する工程を一例として説明したが、これに限定されず、半導体層ＳＭとデータ配線部とは複数個のマスクを利用するフォトリソグラフィ工程を利用しても形成できる。
【００７５】
図１７及び図１８を参照すれば、データ配線部上に第３絶縁膜ＩＮＳ３が形成され、第３絶縁膜ＩＮＳ３上に第１電極ＥＬ１が形成される。
【００７６】
第２絶縁膜ＩＮＳ２と第３絶縁膜ＩＮＳ３とには共通ラインＣＬの一部を露出する第２コンタクトホールＣＨ２が形成される。第３絶縁膜ＩＮＳ３は絶縁物質を利用して蒸着する方式により形成され、第２コンタクトホールＣＨ２はフォトリソグラフィ工程を利用して形成される。
【００７７】
第１電極ＥＬ１は第３絶縁膜ＩＮＳ３上に導電物質で導電層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を利用して導電層をパターニングすることによって形成される。第１電極ＥＬ１は第２コンタクトホールＣＨ２を通じて共通ラインＣＬに連結される。
【００７８】
図１９及び図２０を参照すれば、第１電極ＥＬ１上に第４絶縁膜ＩＮＳ４が形成され、第４絶縁膜ＩＮＳ４上に第２電極ＥＬ２が形成される。
【００７９】
第４絶縁膜ＩＮＳ４は絶縁物質を利用して蒸着する方式により形成される。第３絶縁膜ＩＮＳ３と第４絶縁膜ＩＮＳ４とはドレーン電極ＤＥの一部を露出する第３コンタクトホールＣＨ３を有し、第３コンタクトホールＣＨ３はフォトリソグラフィ工程を利用して形成される。
【００８０】
第２電極ＥＬ２は第４絶縁膜ＩＮＳ４上に導電物質で導電層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を利用して導電層をパターニングして形成される。第２電極ＥＬ２は第３コンタクトホールＣＨ３を通じてドレーン電極ＤＥに連結される。
【００８１】
第１電極ＥＬ１と第２電極ＥＬ２とは透明導電性物質で形成される。該透明導電性物質はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等の何れかである。
【００８２】
図６に示したように、第２基板ＳＵＢ２は第２ベース基板ＢＳ２と第２ベース基板ＢＳ２上に提供されたカラーフィルターＣＦとを含む。カラーフィルターＣＦは各画素ＰＸＬに対応して形成され、コーティング、インクジェット、フォトリソグラフィ工程等により形成される。
【００８３】
図６に示したように、第１基板ＳＵＢ１は第２基板ＳＵＢ２と対向するように配置され、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に液晶層ＬＣが形成される。
【００８４】
図２１は本発明の第３実施形態による表示装置を示した平面図である。図２２は図２１のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図である。
本発明の第３実施形態による表示装置において、重複された説明を避けるために上述した第２実施形態による表示装置と異なる点を主に説明する。本実施形態で特別に説明しない部分は上述した第２実施形態による表示装置に従う。同一の番号は同一の構成要素を、類似な番号は類似な構成要素を示す。
【００８５】
図２１及び図２２を参照すれば、各画素ＰＸＬは平面上から見る時、映像が表示される表示領域ＤＰと表示領域ＤＰを除外した非表示領域ＮＤＰとを含む。各画素ＰＸＬは第１基板ＳＵＢ１、第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に提供された液晶層ＬＣ、及び液晶層ＬＣを駆動する電子素子を含む。
【００８６】
第１基板ＳＵＢ１は第１ベース基板ＢＳ１と、第１ベース基板ＢＳ１上（ｏｎ）に提供されたタッチ感知部、第１ベース基板ＢＳ１上に提供されたブラックマトリックスＢＭ、及びブラックマトリックスＢＭ上に提供され、電子素子に駆動信号を提供する信号配線を含む。
【００８７】
本発明の第３実施形態において、タッチ感知部は靜電容量方式により動作する。タッチ感知部は第１方向に延長され、駆動電圧が印加される複数の第１ラインＬＮ１と、第１方向と異なる第２方向に延長され、センシング電圧が印加される複数の第２ラインＬＮ２とを含む。第１ラインＬＮ１は第２ラインＬＮ２と靜電容量結合し、靜電容量結合によってセンシング電圧が変化する。
各第１ラインＬＮ１は第１方向に配列された複数の第１ブロックＢＬ１と、互に隣接する第１ブロックＢＬ１を連結する複数の第１ブリッジＢＲ１とを含む。各第２ラインＬＮ２は第２方向に配列された複数の第２ブロックＢＬ２と、互に隣接する第２ブロックＢＬ２を連結する複数の第２ブリッジＢＲ２を含む。第１ブロックＢＬ１と第２ブロックＢＬ２は交互に第１ベース基板ＢＳ１上にマトリックス形態に配置される。
【００８８】
各第１ラインＬＮ１をなす第１ブロックＢＬ１と第１ブリッジＢＲ１とは単一の、分離されない一体に形成されるか、又は、各第２ラインＬＮ２をなす第２ブロックＢＬ２と第２ブリッジＢＲ２は単一の、分離されない一体に形成される。本発明の第３実施形態では各第１ラインＬＮ１が分離されない一体に形成された場合を図示した。この場合、各第２ラインＬＮ２において、第２ブリッジＢＲ２は第２ブロックＢＬ２と異なる層に形成される。第１ブロックＢＬ１、第１ブリッジＢＲ１、及び第２ブロックＢＬ２は第１ベース基板ＢＳ１上に提供される。
【００８９】
ブラックマトリックスＢＭは第１ブロックＢＬ１、第１ブリッジＢＲ１、及び第２ブロックＢＬ２の上に提供される。ブラックマトリックスＢＭはタッチ感知部の一部、例えば、第１ブロックＢＬ１、第１ブリッジＢＲ１、及び第２ブロックＢＬ２の上に提供され、ブラックマトリックスＢＭとタッチ感知部の該一部との間には別の絶縁膜が提供されない。ブラックマトリックスＢＭは第２ブロックＢＬ２の一部を露出する第１コンタクトホールＣＨ１を含み、第２ブリッジＢＲ２は第１コンタクトホールＣＨ１を通じて互に隣接する第２ブロックＢＬ２を連結する。
【００９０】
ブラックマトリックスＢＭは非表示領域ＮＤＰに提供され、表示領域ＤＰに対応する領域が開口される。ブラックマトリックスＢＭが形成される領域は映像が表示されない非表示領域ＮＤＰに該当する。非表示領域ＮＤＰは、後述する信号配線と、電子素子の中のスイッチング素子ＳＷＤとが形成される領域を含む。これによって、ブラックマトリックスＢＭは信号配線の形成される領域をカバーする。
【００９１】
ブラックマトリックスＢＭは光を吸収して黒色を表示する絶縁物質で形成される。ブラックマトリックスＢＭは例えば、モリブデン酸化物、マンガン酸化物、非晶質炭素、シリコン−ゲルマニウム化合物、及びゲルマニウム酸化物の中の少なくとも１つを包含する。
【００９２】
ブラックマトリックスＢＭが提供された第１ベース基板ＢＳ１の上には、第２ブリッジＢＲ２と、信号配線及び電子素子とが提供される。
第２ブリッジＢＲ２は第１ブリッジＢＲ１とブラックマトリックスＢＭを介して絶縁交差する。
【００９３】
信号配線は非表示領域ＮＤＰ上のブラックマトリックスＢＭ上に提供され、複数のゲートラインＧＬ、複数のデータラインＤＬ、及び複数の共通ラインＣＬを含む。電子素子はスイッチング素子ＳＷＤ、第１電極ＥＬ１及び第２電極ＥＬ２を含む。
【００９４】
第２ブリッジＢＲ２、ゲートラインＧＬ、共通ラインＣＬの上には第１絶縁膜ＩＮＳ１が提供される。データラインＤＬは第１絶縁膜ＩＮＳ１上の非表示領域ＮＤＰに提供され、平面から見る時、第２ブリッジＢＲ２と重畳される。ブラックマトリックスＢＭにおいて、第１コンタクトホールＣＨ１と第２ブリッジＢＲ２はデータラインＤＬに対応する領域のブラックマトリックスＢＭ上に位置する。
【００９５】
即ち、本発明の第３実施形態によれば、第１コンタクトホールＣＨ１はデータラインＤＬに対応する領域のブラックマトリックスＢＭ上に位置するので、第１コンタクトホールＣＨ１が形成された部分はブラックマトリックスＢＭが形成されない開口部となり、該開口部は連続的に形成されたブラックマトリックスＢＭによって囲まれている。
しかし、本発明の他の実施形態では平面上から見る時、第１コンタクトホールＣＨ１が形成された部分でブラックマトリックスＢＭが連続せず、断絶された形態に提供され得る。
また、本発明のその他の実施形態において、第１コンタクトホールＣＨ１が形成された部分に対応するブラックマトリックスＢＭの幅は、第１コンタクトホールＣＨ１を十分にカバーするように、コンタクトホールＣＨ１が形成されない部分に対応するブラックマトリックスＢＭの幅より広く形成され得る。
【００９６】
データラインＤＬはタッチ表示部の第２ラインＬＮ２の延長方向である第２方向に延長される。データラインＤＬは第１絶縁膜ＩＮＳ１を介してゲートラインＧＬ及び共通ラインＣＬと絶縁される。
第２ブリッジＢＲ２、ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、及び共通ラインＣＬの各々は導電性物質、例えば金属から形成される。ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、及び共通ラインＣＬの各々は単一金属で形成されるか、又は、２種以上の金属、又は２種以上の金属の合金等で形成される。また第２ブリッジＢＲ２、ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、及び共通ラインＣＬの各々は単一層又は多重層に形成される。
【００９７】
スイッチング素子ＳＷＤはゲートラインＧＬの中の対応するゲートラインＧＬと、データラインＤＬの中の対応するデータラインＤＬに連結される。スイッチング素子ＳＷＤはゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＭ、ソース電極ＳＥ、及びドレーン電極ＤＥを含む。
【００９８】
ゲート電極ＧＥは対応するゲートラインＧＬから分岐して提供される。半導体層ＳＭは第１絶縁膜ＩＮＳ１上に薄膜の形態で提供される。半導体層ＳＭはゲート電極ＧＥの上部に提供され、平面上から見る時、ゲート電極ＧＥと重畳して形成する。ソース電極ＳＥはデータラインＤＬから分岐して提供される。
スイッチング素子ＳＷＤの上にはスイッチング素子ＳＷＤをカバーする第２絶縁膜ＩＮＳ２が提供される。
【００９９】
第２絶縁膜ＩＮＳ２の上には第１電極ＥＬ１が提供される。第１絶縁膜ＩＮＳ１と第２絶縁膜ＩＮＳ２には共通ラインＣＬの一部を露出する第２コンタクトホールＣＨ２が提供される。第１電極ＥＬ１は第２コンタクトホールＣＨ２を通じて共通ラインＣＬに連結される。第１電極ＥＬ１は単一板状に形成され、表示領域ＤＰ上に提供される。
【０１００】
第１電極ＥＬ１が提供された第１ベース基板ＢＳ１の上には第３絶縁膜ＩＮＳ３が提供され、第３絶縁膜ＩＮＳ３の上には第２電極ＥＬ２が提供される。第２絶縁膜ＩＮＳ２と第３絶縁膜ＩＮＳ３とにはドレーン電極ＤＥの一部を露出する第３コンタクトホールＣＨ３が提供される。第２電極ＥＬ２は第２コンタクトホールＣＨ２を通じてドレーン電極ＤＥに連結される。第２電極ＥＬ２は第１電極ＥＬ１と重畳される。
第２電極ＥＬ２はその一部が除去されて形成された複数のスリットＳＬＴを有する。スリットＳＬＴは第１方向及び／又は第２方向に対して傾いた方向を有する。また、第２電極ＥＬ２は互に異なる傾いた方向を有するスリットＳＬＴからなる複数の領域を有し得、この時、該各領域は画素ＰＸＬを横切る仮想の線に対して実質的に線対称をなすか、或いは、画素ＰＸＬ内の何れか一地点に対して実質的に点対称をなす。
【０１０１】
第２電極ＥＬ２は共通ラインＣＬの一部と重畳され、これによって、第２電極ＥＬ２は第１絶縁膜ＩＮＳ１乃至第３絶縁膜ＩＮＳ３を介して共通ラインＣＬとの間にストレージキャパシタとを構成する。
【０１０２】
第２基板ＳＵＢ２は第２ベース基板ＢＳ２と、第２基板ＳＵＢ２上に提供されたカラーフィルターＣＦとを含む。カラーフィルターＣＦは液晶層ＬＣを通過する光に色を提供する。
第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間には液晶分子を含む液晶層ＬＣが提供される。
【０１０３】
本発明の第３実施形態による表示装置によれば、潜在的なディスプレー攪乱を防止すると同時に、外部光が信号配線によって反射される現象を防止することによって表示品質が向上する。本発明の第３実施形態による表示装置の製造方法を以下に説明する。
【０１０４】
図２３、図２５、図２７、図２９、図３１、及び図３３は本発明の第３実施形態による表示装置の製造方法を示した平面図である。図２４、図２６、図２８、図３０、図３２、及び図３４は各々、図２３、図２５、図２７、図２９、図３１、及び図３３のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図を各々示した図面である。
【０１０５】
以下、図２３、図２５、図２７、図２９、図３１、及び図３３と、図２４、図２６、図２８、図３０、図３２、及び図３４を参照して、本発明の第３実施形態による表示装置の製造方法を説明すれば、次の通りである。
【０１０６】
図２３及び図２４を参照すれば、第１ベース基板ＢＳ１上にタッチ感知部の一部が形成される。第１ベース基板ＢＳ１上に形成されるタッチ感知部の一部は第１ブロックＢＬ１と第１ブリッジＢＲ１とを含む第１ラインＬＮ１、及び第２ブロックＢＬ２である。第１ブロックＢＬ１、第１ブリッジＢＲ１、及び第２ブロックＢＬ２は、第１ベース基板ＢＳ１上に透明導電性物質で透明導電層を形成した後、単一マスクを利用するフォトリソグラフィ工程を利用して透明導電層をパターニングすることによって形成される。
【０１０７】
図２５及び図２６を参照すれば、タッチ感知部の上記の一部が形成された基板上に、ブラックマトリックスＢＭが形成される。図２５ではブラックマトリックスＢＭが形成されない表示領域ＤＰを示し、表示領域ＤＰを除外した領域は、非表示領域ＮＤＰとしてブラックマトリックスＢＭが提供される。ブラックマトリックスＢＭが形成される部分は以後形成される信号配線と電子素子の構成要素、特にスイッチング素子ＳＷＤが形成される部分に該当する。
ブラックマトリックスＢＭは、後述の信号配線の一部が形成される領域上に第１コンタクトホールＣＨ１を有する。ブラックマトリックスＢＭは黒色の絶縁物質、例えば、モリブデン酸化物、マンガン酸化物、非晶質炭素、シリコン−ゲルマニウム化合物、及びゲルマニウム酸化物の中の少なくとも１つを用いて絶縁膜を形成した後フォトリソグラフィ工程を利用して該絶縁膜をパターニングすることによって形成できる。
【０１０８】
図２７及び図２８を参照すれば、ブラックマトリックスＢＭが形成された第１ベース基板ＢＳ１上に第２ブリッジＢＲ２とゲート配線部が単一工程を利用して形成される。ゲート配線部はゲートラインＧＬ、ゲート電極ＧＥ、及び共通ラインＣＬを含む。第２ブリッジＢＲ２とゲート配線部とは導電性物質、例えば金属で形成される。
例えば、第２ブリッジＢＲ２とゲート配線部とは第１ベース基板ＢＳ１の全面に金属層を形成し、１つのマスクを利用するフォトリソグラフィ工程で金属層をパターニングして形成される。第２ブリッジＢＲ２とゲート配線部とは単一金属又は合金からなる単一層に形成できるが、これに限定されず、２種以上の金属及び／又はこれらの合金でなされた多重層で形成できる。
【０１０９】
図２９及び図３０を参照すれば、ゲート配線部上に第１絶縁膜ＩＮＳ１が形成され、第１絶縁膜ＩＮＳ１上に半導体層ＳＭとデータ配線部が形成される。半導体層ＳＭはゲート電極ＧＥの上方に提供され、平面上から見る時、ゲート電極ＧＥの少なくとも一部と重畳して形成される。半導体層ＳＭ上にデータ配線部が形成される。データ配線部はデータラインＤＬ、ソース電極ＳＥ、ドレーン電極ＤＥを含む。
【０１１０】
半導体層ＳＭとデータ配線部とは第１絶縁膜ＩＮＳ１上に半導体物質と、金属などの導電性物質を順次的に積層し、ハーフトーンマスクや回折マスクを利用するフォトリソグラフィ工程を通じて形成できる。データ配線部は金属で形成され、例えば、単一金属又は合金からなる単一層で形成されるが、これに限定されず、２種以上の金属及び／又はこれらの合金からなる多重層でも形成できる。
【０１１１】
図３１及び図３２を参照すれば、データ配線部上に第２絶縁膜ＩＮＳ２が形成され、第２絶縁膜ＩＮＳ２上に第１電極ＥＬ１が形成される。第１絶縁膜ＩＮＳ１と第２絶縁膜ＩＮＳ２とには共通ラインＣＬの一部を露出する第２コンタクトホールＣＨ２が形成される。
【０１１２】
第２絶縁膜ＩＮＳ２は絶縁物質を利用して蒸着する方式により形成され、第２コンタクトホールＣＨ２はフォトリソグラフィ工程を利用して形成される。第１電極ＥＬ１は第２絶縁膜ＩＮＳ２上に導電物質で導電層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を利用して導電層をパターニングすることによって形成される。
第１電極ＥＬ１は第１コンタクトホールＣＨ１を通じて共通ラインＣＬに連結される。
【０１１３】
図３３及び図３４を参照すれば、第１電極ＥＬ１上に第３絶縁膜ＩＮＳ３が形成され、第３絶縁膜ＩＮＳ３上に第２電極ＥＬ２が形成される。
第３絶縁膜ＩＮＳ３は絶縁物質を利用して蒸着する方式により形成される。第２絶縁膜ＩＮＳ２と第３絶縁膜ＩＮＳ３はドレーン電極ＤＥの一部を露出する第３コンタクトホールＣＨ３を有し、第３コンタクトホールＣＨ３はフォトリソグラフィ工程を利用して形成される。第２電極ＥＬ２は第３絶縁膜ＩＮＳ３上に導電物質で導電層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を利用して導電層をパターニングして形成される。第２電極ＥＬ２は第３コンタクトホールＣＨ３を通じてドレーン電極ＤＥに連結される。
【０１１４】
ここで、第１電極ＥＬ１と第２電極ＥＬ２とは透明導電性物質で形成される。該透明導電性物質は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等の何れかである。
【０１１５】
図２２に示したように、第２基板ＳＵＢ２は第２ベース基板ＢＳ２と第２ベース基板ＢＳ２上に提供されたカラーフィルターＣＦとを含む。カラーフィルターＣＦは各画素ＰＸＬに対応して形成され、コーティング、インクジェット、フォトリソグラフィ工程等により形成される。
【０１１６】
また、図２２に示したように、第１基板ＳＵＢ１は第２基板ＳＵＢ２と対向するように配置され、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に液晶層ＬＣが形成される。
本発明の第３実施形態によれば、タッチ感知部と信号配線形成の時、第２ブリッジとデータ配線部を単一マスク工程で１回に形成するので、表示装置製造に際して、時間と費用とが削減できる。また、タッチ感知部形成の時第１ブリッジと第２ブリッジの中の何れか１つを別のマスクを利用して別の層に形成する必要がないので、表示装置の厚さが減少する。
本発明の多様な実施形態によればタッチ感知部は多様な構造に形成され得る。
【０１１７】
図３５は本発明の第４実施形態による表示装置の一部を示した平面図であり、図３６は図３５の画素部分を拡大した平面図である。図３７は図３６を拡大した平面図、図３８は図３７のＩＶ−ＩＶ’線に沿う断面図である。
【０１１８】
本発明の第４実施形態において、説明を簡単にするため、映像が表示され使用者のタッチが行われる方向は下部方向になるように設定された。表示装置の上部又は上側部には表示装置に光を提供する光源が提供され得る。また、本発明の第４実施形態では重複された説明を避けるために上述した他の実施形態による表示装置と異なる点を主に説明する。本実施形態で特別に説明しない部分は上述した他の実施形態による表示装置に従う。同一の番号は同一の構成要素を、類似な番号は類似な構成要素を示す。
【０１１９】
図３５、図３６、図３７及び図３８を参照すれば、本発明の第４実施形態による表示装置はマトリックス形態に配列された複数の画素ＰＸＬを含む。図３５では説明を簡単にするため複数の画素ＰＸＬが画素ＰＸＬ内のタッチ感知部と共に表示された。
【０１２０】
各画素ＰＸＬは平面上から見る時、映像が表示される表示領域ＤＰと表示領域ＤＰを除外した非表示領域ＮＤＰとを含む。各画素ＰＸＬは第１基板ＳＵＢ１、第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に提供された液晶層ＬＣ、及び液晶層ＬＣを駆動する電子素子を含む。非表示領域ＮＤＰは表示領域ＤＰの少なくとも一側に提供され、例えば、図示したように、非表示領域ＮＤＰは表示領域ＤＰを囲む。
【０１２１】
第１基板ＳＵＢ１は第１ベース基板ＢＳ１と、第１ベース基板ＢＳ１上（ｏｎ）に提供されたタッチ感知部、第１ベース基板ＢＳ１上に提供されたブラックマトリックスＢＭ、及びブラックマトリックスＢＭ上に提供され、電子素子に駆動信号を提供する信号配線を含む。
【０１２２】
タッチ感知部は第１方向に延長され、駆動電圧が印加される複数の第１ラインＬＮ１と、第１方向と異なる第２方向に延長され、センシング電圧が印加される複数の第２ラインＬＮ２とを含む。第１ラインＬＮ１は第２ラインＬＮ２と靜電容量結合し、靜電容量結合によってセンシング電圧が変化する。
各第１ラインＬＮ１は第１方向に配列された複数の第１ブロックＢＬ１と、互に隣接する第１ブロックＢＬ１を連結する複数の第１ブリッジＢＲ１を含む。各第２ラインＬＮ２は第２方向に配列された複数の第２ブロックＢＬ２と、互に隣接する第２ブロックＢＬ２を連結する複数の第２ブリッジＢＲ２を含む。第１ブロックＢＬ１と第２ブロックＢＬ２は交互に第１ベース基板ＢＳ１上にマトリックス形態に配置される。
【０１２３】
一方、各第２ラインＬＮ２をなす第２ブロックＢＬ２と第２ブリッジＢＲ２は単一の、分離されない一体に形成され得る。第１ブロックＢＬ１、第２ブロックＢＬ２、及び第２ブリッジＢＲ２は第１ベース基板ＢＳ１上に提供される。ここで、各第１ラインＬＮ１において、第１ブリッジＢＲ１は第１ブロックＢＬ１と異なる層に形成される。
【０１２４】
ブラックマトリックスＢＭは第１ブロックＢＬ１、第２ブロックＢＬ２、及び第２ブリッジＢＲ２上に提供される。ブラックマトリックスＢＭは非表示領域ＮＤＰに提供され、表示領域ＤＰに対応する領域が開口される。即ち、ブラックマトリックスＢＭが形成される領域は映像が表示されない非表示領域ＮＤＰに相当する。非表示領域ＮＤＰは後述する信号配線と電子素子との中でスイッチング素子ＳＷＤが形成される領域を含む。これによって、ブラックマトリックスＢＭは信号配線の形成される領域をカバーする。
【０１２５】
ブラックマトリックスＢＭが提供された第１ベース基板ＢＳ１の上には第１ブリッジＢＲ１と、信号配線及び電子素子が提供される。
第１ブリッジＢＲ１は第２ブリッジＢＲ２とブラックマトリックスＢＭとを介して絶縁交差する。
【０１２６】
信号配線は非表示領域ＮＤＰ上のブラックマトリックスＢＭ上に提供され、複数のゲートラインＧＬ、複数のデータラインＤＬ、及び複数の共通ラインＣＬを含む。電子素子はスイッチング素子ＳＷＤ、第１電極ＥＬ１、及び第２電極ＥＬ２を含む。
【０１２７】
第１ブリッジＢＲ１、ゲートラインＧＬと共通ラインＣＬは非表示領域ＮＤＰ上に提供され、詳細にはブラックマトリックスＢＭ上に提供される。各ゲートラインＧＬと各共通ラインＣＬは各々タッチ感知部の第１ラインＬＮ１の延長方向である第１方向に延長されて提供され、互に離隔される。ここで、ゲートラインＧＬは平面上で第１ブリッジＢＲ１と離隔されて形成される。
第１ブリッジＢＲ１はゲートラインＧＬの延長方向に実質的に平行に提供される。ゲートラインＧＬは平面上から見る時、第１ブリッジＢＲ１と重畳（短絡）されないように第１ブリッジＢＲ１が形成された一部領域で複数回屈曲されるが、大略的には第１方向に沿って延長される。ここで、第１ブリッジＢＲ１は、ゲートラインＧＬと実質的に平行な長辺方向を備える長方形状を有するが、これに限定されず、第１ブリッジＢＲ１がブラックマトリックスＢＭにカバーされた非表示領域ＮＤＰであって且つゲートラインＧＬが形成されない領域に提供されれば、異なる方向を有するか、或いは異なる形状を有し得る。
【０１２８】
ブラックマトリックスＢＭは第１ブロックＢＬ１の一部を露出する第１コンタクトホールＣＨ１を含み、第１ブリッジＢＲ１は第１コンタクトホールＣＨ１を通じて互に隣接する第１ブロックＢＬ１を連結する。ブラックマトリックスＢＭにおいて、第１コンタクトホールＣＨ１と第１ブリッジＢＲ１はゲートラインＧＬに対応し近接して位置する。
【０１２９】
第１ブリッジＢＲ１、ゲートラインＧＬ、共通ラインＣＬの上には第１絶縁膜ＩＮＳ１が提供される。
データラインＤＬはタッチ感知部の第２ラインＬＮ１の延長方向である第２方向に延長され、データラインＤＬは第１絶縁膜ＩＮＳ１を介してゲートラインＧＬ及び共通ラインＣＬと絶縁される。
【０１３０】
スイッチング素子ＳＷＤはゲートラインＧＬの中の対応するゲートラインＧＬと、データラインＤＬの中の対応するデータラインＤＬに連結される。スイッチング素子ＳＷＤはゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＭ、ソース電極ＳＥ、及びドレーン電極ＤＥを含む。
【０１３１】
スイッチング素子ＳＷＤの上にはスイッチング素子ＳＷＤをカバーする第２絶縁膜ＩＮＳ２が提供される。
第２絶縁膜ＩＮＳ２の上には第１電極ＥＬ１が提供される。第１絶縁膜ＩＮＳ１と第２絶縁膜ＩＮＳ２とには共通ラインＣＬの一部を露出する第２コンタクトホールＣＨ２が提供される。第１電極ＥＬ１は第２コンタクトホールＣＨ２を通じて共通ラインＣＬに連結される。第１電極ＥＬ１は単一板状に形成され、表示領域ＤＰ上に提供される。
【０１３２】
第１電極ＥＬ１が提供された第１ベース基板ＢＳ１の上には第３絶縁膜ＩＮＳ３が提供され、第３絶縁膜ＩＮＳ３の上には第２電極ＥＬ２が提供される。第２絶縁膜ＩＮＳ２と第３絶縁膜ＩＮＳ３とにはドレーン電極ＤＥの一部を露出する第３コンタクトホールＣＨ３が提供される。第２電極ＥＬ２は第２コンタクトホールＣＨ２を通じてドレーン電極ＤＥに連結される。第２電極ＥＬ２は第１電極ＥＬ１と重畳される。
【０１３３】
第２基板ＳＵＢ２は第２ベース基板ＢＳ２と、第２基板ＳＵＢ２上に提供されたカラーフィルターＣＦを含む。カラーフィルターＣＦは液晶層ＬＣを通過する光に色を提供する。
【０１３４】
第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間には液晶分子を含む液晶層ＬＣが提供される。
本発明の第４実施形態によれば、タッチ感知部と信号配線形成の時、第１ブリッジとデータ配線部を単一マスク工程で１回に形成するので、表示装置製造に際して、時間と費用が削減できる。また、ブラックマトリックスによってカバーされる領域の中でゲートラインＧＬやスイッチング素子が形成されない余りの領域に第１ブリッジを形成するので、表示領域の面積を広くできる。
【０１３５】
本発明の多様な実施形態によれば、タッチ感知部は多様な構造に形成され得る。
図３９は本発明の第５実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。図４０は図３９のＰ３部分を拡大した平面図であり、図４１は図４０のＶ−Ｖ’線に沿う断面図である。本発明の実施形態において、映像が表示され使用者のタッチが行われる方向は下部方向になるように設定された。表示装置の上部又は上側部には表示装置に光を提供する光源が提供される。また、本発明のその他の実施形態におけるのと重複する説明を避けるために、上述した他の実施形態による表示装置と異なる点を主に説明する。本実施形態で特別に説明しない部分は上述した他の実施形態による表示装置に従う。同一の番号は同一の構成要素を、類似の番号は類似な構成要素を示す。
【０１３６】
図３９、図４０及び図４１を参照すれば、本発明の第５実施形態による表示装置はマトリックス形態に配列された複数の画素ＰＸＬを包含するが、図３９では説明を簡単にするため複数の画素ＰＸＬを画素ＰＸＬ内のタッチ感知部と共に表示してある。
【０１３７】
各画素ＰＸＬは平面上から見る時、映像が表示される表示領域ＤＰと、該表示領域ＤＰを除外した非表示領域ＮＤＰとを含む。各画素ＰＸＬは第１基板ＳＵＢ１、第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に提供された液晶層ＬＣ、及び液晶層ＬＣを駆動する電子素子を含む。非表示領域ＮＤＰは表示領域ＤＰの少なくとも一側に提供され、例えば、図示したように、非表示領域ＮＤＰは表示領域ＤＰを囲む。
【０１３８】
第１基板ＳＵＢ１は第１ベース基板ＢＳ１と、第１ベース基板ＢＳ１上（ｏｎ）に提供されたタッチ感知部、第１ベース基板ＢＳ１上に提供されたブラックマトリックスＢＭ、及びブラックマトリックスＢＭ上に提供され、電子素子に駆動信号を提供する信号配線を含む。
【０１３９】
タッチ感知部は表示装置の使用者の手指や別の入力手段を通じて表示装置へのタッチイベントを認識する。本発明の第５実施形態において、タッチ感知部は靜電容量方式により動作する。
【０１４０】
タッチ感知部は複数個のタッチ感知ラインＴＳＬを含む。タッチ感知ラインＴＳＬは複数のタッチブロックＴＢと、互に隣接するタッチブロックＴＢを連結する複数の連結ブリッジＴＣとを含む。タッチ感知ラインＴＳＬは、特に、連結ブリッジＴＣは後述するゲート電極ＧＥ又は／及びゲートラインＧＬと一部領域で重畳し、ゲート電極ＧＥ又は／及びゲートラインＧＬと靜電容量結合する。このために、タッチ感知ラインＴＳＬはゲートラインＧＬの延長方向と交差する方向に延長される。
【０１４１】
ブラックマトリックスＢＭは非表示領域ＮＤＰに提供され、その一部がタッチ感知ラインＴＳＬと平面上で重畳する。
ブラックマトリックスＢＭが提供された第１ベース基板ＢＳ１の上には信号配線及び電子素子が提供される。信号配線は複数のゲートラインＧＬ、複数のデータラインＤＬ、及び複数の共通ラインＣＬを含み、電子素子はスイッチング素子ＳＷＤ、第１電極ＥＬ１及び第２電極ＥＬ２を含む。
【０１４２】
ゲートラインＧＬ及び共通ラインＣＬは非表示領域ＮＤＰ上に提供され、詳細にはブラックマトリックスＢＭ上に提供される。各ゲートラインＧＬと各共通ラインＣＬは各々第１方向に延長されて提供され、互に離隔される。ゲートラインＧＬ、共通ラインＣＬの上には第１絶縁膜ＩＮＳ１が提供される。データラインＤＬは第１絶縁膜ＩＮＳ１上の非表示領域ＮＤＰに提供される。データラインＤＬは第１方向と交差する第２方向に延長される。データラインＤＬは第１絶縁膜ＩＮＳ１を介してゲートラインＧＬ及び共通ラインＣＬと絶縁される。ここで、タッチ感知ラインＴＳＬはデータラインＤＬの延長方向に延長されるので、第２方向に延長され得る。
【０１４３】
スイッチング素子ＳＷＤはゲートラインＧＬの中で対応するゲートラインＧＬと、データラインＤＬの中で対応するデータラインＤＬに連結される。スイッチング素子ＳＷＤはゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＭ、ソース電極ＳＥ、及びドレーン電極ＤＥを含む。
【０１４４】
ゲート電極ＧＥは対応するゲートラインＧＬから分岐して提供され、タッチ感知ラインＴＳＬの連結ブリッジＴＣの中の対応する連結ブリッジＴＣと重畳する。半導体層ＳＭは第１絶縁膜ＩＮＳ１上に薄膜の形態で提供される。半導体層ＳＭはゲート電極ＧＥの上部に提供され、平面上から見る時、ゲート電極ＧＥと重畳して形成される。ソース電極ＳＥはデータラインＤＬから分岐されて提供される。
【０１４５】
スイッチング素子ＳＷＤの上にはスイッチング素子ＳＷＤをカバーする第２絶縁膜ＩＮＳ２が提供される。
第２絶縁膜ＩＮＳ２の上には第１電極ＥＬ１が提供される。第１絶縁膜ＩＮＳ１と第２絶縁膜ＩＮＳ２とには共通ラインＣＬの一部を露出する第１コンタクトホールＣＨ１が提供される。第１電極ＥＬ１は第１コンタクトホールＣＨ１を通じて共通ラインＣＬに連結される。第１電極ＥＬ１は単一板状に形成され、表示領域ＤＰ上に提供される。
【０１４６】
第１電極ＥＬ１が提供された第１ベース基板ＢＳ１の上には第３絶縁膜ＩＮＳ３が提供され、第３絶縁膜ＩＮＳ３の上には第２電極ＥＬ２が提供される。第２絶縁膜ＩＮＳ２と第３絶縁膜ＩＮＳ３とにはドレーン電極ＤＥの一部を露出する第２コンタクトホールＣＨ２が提供される。第２電極ＥＬ２は第２コンタクトホールＣＨ２を通じてドレーン電極ＤＥに連結される。
【０１４７】
第２基板ＳＵＢ２は第２ベース基板ＢＳ２と、第２基板ＳＵＢ２上に提供されたカラーフィルターＣＦを含む。カラーフィルターＣＦは液晶層ＬＣを通過する光に色を提供する。
第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間には液晶分子を含む液晶層ＬＣが提供される。
【０１４８】
本発明の第５実施形態において、タッチ感知ラインＴＳＬは、タッチ感度を高くするためにタッチ感知ラインＴＳＬから突出してゲートラインＧＬの延長方向、即ち第１方向に延長された追加感知ユニットをさらに包含できる（図示せず）。
【０１４９】
タッチ感知ラインＴＳＬはゲートラインＧＬ及び／又はゲート電極ＧＥと靜電容量結合し、靜電容量結合によってタッチ感知ラインＴＳＬの電圧が変化する。
図示しないが、タッチ感知ラインＴＳＬと、ゲートラインＧＬ及び／又はゲート電極ＧＥに感知入力信号を印加し、或いは／並びに、ゲートラインＧＬ及び／又はゲート電極ＧＥと、タッチ感知ラインＴＳＬからの感知出力信号を検出する、制御部が提供される。
【０１５０】
上記した構造を有するタッチ感知部には制御部からの感知入力信号に従って電荷が充電される。仮に使用者によって第１ベース基板ＢＳ１の外部面に接触が行われれば、タッチ感知ラインＴＳＬと、ゲートラインＧＬ及び／又はゲート電極ＧＥの間の靜電容量が変化し、靜電容量に従う感知信号が出力され、制御部によって感知信号が分析されて接触位置が把握される。
【０１５１】
本発明の第５実施形態による表示装置は潜在的なディスプレー攪乱を防止すると同時に外部光が信号配線によって反射される現象を防止することによって表示品質が向上する。また、既存の配線であるゲートライン及び／又はゲート電極を利用してタッチ感知部を形成することによって、タッチ感知部を形成する工程が単純になる。
【０１５２】
本発明の多様な実施形態によれば、電子素子は多様な構造に形成され得る。図４２は本発明の第６実施形態による表示装置を示した平面図である。図４３は図４２のＶＩ−ＶＩ’線に沿う断面図である。本発明の第６実施形態による表示装置において、重複した説明を避けるために上述した実施形態による表示装置と異なる点を主に説明する。本実施形態で特別に説明しない部分は上述した他の実施形態に従う。同一の番号は同一の構成要素を、類似の番号は類似の構成要素を示す。
【０１５３】
図４２及び図４３を参照すれば、本発明の第６実施形態によれば、各画素ＰＸＬは平面上から見る時、映像が表示される表示領域ＤＰと、該表示領域ＤＰを除外した非表示領域ＮＤＰとを含む。各画素ＰＸＬは第１基板ＳＵＢ１、第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に提供された液晶層ＬＣ、及び液晶層ＬＣを駆動する電子素子を含む。
【０１５４】
第１基板ＳＵＢ１は第１ベース基板ＢＳ１と、第１ベース基板ＢＳ１上（ｏｎ）に提供されたタッチ感知部、第１ベース基板ＢＳ１上に提供されたブラックマトリックスＢＭ、及びブラックマトリックスＢＭ上に提供され、電子素子に駆動信号を提供する信号配線を含む。
【０１５５】
タッチ感知部は第１方向に延長され、駆動電圧が印加される複数の第１ラインＬＮ１と、第１方向と異なる第２方向に延長され、センシング電圧が印加される複数の第２ラインＬＮ２を含む。第１ラインＬＮ１は第２ラインＬＮ２と靜電容量結合し、靜電容量結合によってセンシング電圧が変化する。各第１ラインＬＮ１は第１方向に配列された複数の第１ブロックＢＬ１と、互に隣接する第１ブロックＢＬ１を連結する複数の第１ブリッジＢＲ１とを含む。
各第２ラインＬＮ２は第２方向に配列された複数の第２ブロックＢＬ２と、互に隣接する第２ブロックＢＬ２を連結する複数の第２ブリッジＢＲ２とを含む。第１ブロックＢＬ１、第１ブリッジＢＲ１、及び第２ブロックＢＬ２は第１ベース基板ＢＳ１上に提供され、第１ブロックＢＬ１、第１ブリッジＢＲ１、及び第２ブロックＢＬ２の上には第１絶縁膜ＩＮＳ１が提供される。第１絶縁膜ＩＮＳ１は第２ブロックＢＬ２の一部を露出する第１コンタクトホールＣＨ１を含み、第２ブリッジＢＲ２は第１コンタクトホールＣＨ１を通じて互に隣接する第２ブロックＢＬ２を連結する。
【０１５６】
第２基板ＳＵＢ２は第２ベース基板ＢＳ２と、第２基板ＳＵＢ２上に提供されたカラーフィルターＣＦを含む。カラーフィルターＣＦは液晶層ＬＣを通過する光に色を提供する。
【０１５７】
電子素子はスイッチング素子ＳＷＤ、第１電極ＥＬ１、及び第２電極ＥＬ２を含む。ここで、電子素子の中でスイッチング素子ＳＷＤと第１電極ＥＬ１は第１ベース基板ＢＳ１上に提供され、第２電極ＥＬ２は第２ベース基板ＢＳ２上に提供される。
【０１５８】
ゲートラインＧＬ及び共通ラインＣＬは非表示領域ＮＤＰ上に提供され、詳細にはブラックマトリックスＢＭ上に提供される。各ゲートラインＧＬと各共通ラインＣＬは各々第１方向に延長されて提供され、互に離隔される。ゲートラインＧＬ、共通ラインＣＬの上には第１絶縁膜ＩＮＳ１が提供される。データラインＤＬは第１絶縁膜ＩＮＳ１上の非表示領域ＮＤＰに提供される。データラインＤＬは第１方向と交差する第２方向に延長される。データラインＤＬは第１絶縁膜ＩＮＳ１を介してゲートラインＧＬ及び共通ラインＣＬと絶縁される。
【０１５９】
スイッチング素子ＳＷＤはゲートラインＧＬの中で対応するゲートラインＧＬと、データラインＤＬの中で対応するデータラインＤＬに連結される。スイッチング素子ＳＷＤはゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＭ、ソース電極ＳＥ、及びドレーン電極ＤＥを含む。
【０１６０】
ゲート電極ＧＥは対応するゲートラインＧＬから分岐して提供される。半導体層ＳＭは第１絶縁膜ＩＮＳ１上に薄膜の形態で提供される。半導体層ＳＭはゲート電極ＧＥの上方に提供され、平面上から見る時、ゲート電極ＧＥと重畳して形成される。ソース電極ＳＥはデータラインＤＬから分岐して提供される。
【０１６１】
スイッチング素子ＳＷＤの上にはスイッチング素子ＳＷＤをカバーする第２絶縁膜ＩＮＳ２が提供される。第１絶縁膜ＩＮＳ１と第２絶縁膜ＩＮＳ２とはスイッチング素子ＳＷＤのドレーン電極ＤＥの一部を露出する第２コンタクトホールＣＨ２を有し、第１電極ＥＬ１は第２コンタクトホールＣＨ２を通じてドレーン電極ＤＥに連結される。
【０１６２】
第２電極ＥＬ２は第２基板ＳＵＢ２のカラーフィルターＣＦ上に提供される。第２電極ＥＬ２は上述した他の実施形態と異なり、液晶層ＬＣを介して第１電極ＥＬ１と対向する。
第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間には液晶分子を含む液晶層ＬＣが提供される。
【０１６３】
第１電極ＥＬ１及び／又は第２電極ＥＬ２は図示したように単一板状に形成されるが、液晶層ＬＣを制御するための複数のドメインを形成するドメイン分離手段（ｄｏｍａｉｎ  ｄｉｖｉｄｅｒ）が第１電極ＥＬ１及び／又は第２電極ＥＬ２に提供され得る。例えば、第１電極ＥＬ１及び／又は第２電極ＥＬ２は複数のスリット及び／又は突起を包含する。また、第１電極ＥＬ１は第１電極ＥＬ１が複数の分岐を有するようにする複数の微細スリットを包含できる。
【０１６４】
本発明の第６実施形態によれば、第１基板と第２基板に各々電極が形成されたモード、例えば、ツイストされたネマティックモードや垂直配向モード等の表示装置でも潜在的なディスプレー攪乱を防止すると同時に外部光が信号配線によって反射される現象を防止することによって表示品質が向上する。
【０１６５】
以上では本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、当該技術分野の熟練した当業者又は当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、後述する特許請求の範囲に記載された本発明のマッピング及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変形できることが理解できるであろう。
【０１６６】
従って、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されず、特許請求の範囲によって定められなければならない。
【符号の説明】
【０１６７】
ＢＬ１      第１ブロック
ＢＬ２      第２ブロック
ＢＲ１      第１ブリッジ
ＢＲ２      第２ブリッジ
ＣＦ      カラーフィルター
ＣＨ１      第１コンタクトホール
ＣＨ２      第２コンタクトホール
ＣＨ３      第３コンタクトホール
ＣＬ      共通ライン
ＤＥ      ドレーン電極
ＤＬ      データライン
ＤＰ      表示領域
ＥＤ      電子素子
ＥＬ１      第１電極
ＥＬ１ａ      幹部
ＥＬ１ｂ      枝部
ＥＬ２      第２電極
ＥＬ２ａ      幹部
ＥＬ２ｂ      枝部
ＧＥ      ゲート電極
ＧＬ      ゲートライン
ＩＮＳ１      第１絶縁膜
ＩＮＳ２      第２絶縁膜
ＩＮＳ３      第３絶縁膜
ＩＮＳ４      第４絶縁膜
ＬＣ      液晶層
ＬＮ１      第１ライン
ＬＮ２      第２ライン
ＮＤＰ      非表示領域
ＰＸＬ      画素
ＳＥ      ソース電極
ＳＬ      信号配線
ＳＬＴ      スリット
ＳＭ      半導体層
ＳＵＢ１      第１基板
ＳＵＢ２      第２基板
ＳＷＤ      スイッチング素子
ＴＢ      タッチブロック
ＴＣ      連結ブリッジ
ＴＳＬ      タッチ感知ライン
ＴＳＰ      信号感知部
【図１】
2013222202.tif 000003
【図２】
2013222202.tif 000004
【図３】
2013222202.tif 000005
【図４】
2013222202.tif 000006
【図５】
2013222202.tif 000007
【図６】
2013222202.tif 000008
【図７】
2013222202.tif 000009
【図８】
2013222202.tif 000010
【図９】
2013222202.tif 000011
【図１０】
2013222202.tif 000012
【図１１】
2013222202.tif 000013
【図１２】
2013222202.tif 000014
【図１３】
2013222202.tif 000015
【図１４】
2013222202.tif 000016
【図１５】
2013222202.tif 000017
【図１６】
2013222202.tif 000018
【図１７】
2013222202.tif 000019
【図１８】
2013222202.tif 000020
【図１９】
2013222202.tif 000021
【図２０】
2013222202.tif 000022
【図２１】
2013222202.tif 000023
【図２２】
2013222202.tif 000024
【図２３】
2013222202.tif 000025
【図２４】
2013222202.tif 000026
【図２５】
2013222202.tif 000027
【図２６】
2013222202.tif 000028
【図２７】
2013222202.tif 000029
【図２８】
2013222202.tif 000030
【図２９】
2013222202.tif 000031
【図３０】
2013222202.tif 000032
【図３１】
2013222202.tif 000033
【図３２】
2013222202.tif 000034
【図３３】
2013222202.tif 000035
【図３４】
2013222202.tif 000036
【図３５】
2013222202.tif 000037
【図３６】
2013222202.tif 000038
【図３７】
2013222202.tif 000039
【図３８】
2013222202.tif 000040
【図３９】
2013222202.tif 000041
【図４０】
2013222202.tif 000042
【図４１】
2013222202.tif 000043
【図４２】
2013222202.tif 000044
【図４３】
2013222202.tif 000045