(57)【要約】【課題】半導体チップの電極パッドの列間の間隔を小さくできるようにする。【解決手段】ボンディング用の開口部３を有する絶縁基板１と、開口部を横断する部分をインナーリード４として開口部の内部に臨ませた状態で絶縁基板の一方の主面に設けられたリード２とを有し、インナーリードが開口部上で切断されて、切断端であるインナーリードの先端４ａが、絶縁基板の一方の主面に絶縁性弾性体２０を介して配置された半導体チップ３０の電極パッド３１にボンディングされるＴＡＢテープ１０において、インナーリードの開口部の周縁に支持された基端４ｂからインナーリードの前記切断により先端４ａとなる部分までの間に高延伸特性部としての湾曲形状部５が設けられると共に、それよりも先端側にボンディング時に湾曲形状部を引き伸ばすためのツールの引っ掛け部６が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディング用の開口部を有する絶縁基板と、前記開口部の内部に一部をインナーリードとして臨ませた状態で前記絶縁基板の一方の主面に設けられたリードとを有し、ボンディング時に片持状とされた前記インナーリードの先端が、前記絶縁基板の前記一方の主面に絶縁性弾性体を介して配置される半導体チップの電極パッドにボンディングされるＴＡＢテープにおいて、
前記インナーリードの前記開口部の周縁に支持された基端から前記インナーリードの先端までの間に、該インナーリード上の他の部分よりも局部的に長手方向における延伸特性の高い部分が高延伸特性部として設けられると共に、前記インナーリードの前記高延伸特性部よりも先端側の位置に、ボンディング時に前記高延伸特性部を引き伸ばすためのツールの引っ掛け部が設けられていることを特徴とするＴＡＢテープ。
【請求項２】
ボンディング用の開口部を有する絶縁基板と、前記開口部を横断する部分をインナーリードとして前記開口部の内部に臨ませた状態で前記絶縁基板の一方の主面に設けられたリードとを有し、前記インナーリードが前記開口部上で切断されて、切断端であるインナーリードの先端が、前記絶縁基板の前記一方の主面に絶縁性弾性体を介して配置される半導体チップの電極パッドにボンディングされるＴＡＢテープにおいて、
前記インナーリードの前記開口部の周縁に支持された基端から前記インナーリードの前記切断により先端となる部分までの間に、該インナーリード上の他の部分よりも局部的に長手方向における延伸特性の高い部分が高延伸特性部として設けられると共に、前記インナーリードの前記高延伸特性部よりも前記切断により先端となる部分側の位置に、ボンディング時に前記高延伸特性部を引き伸ばすためのツールの引っ掛け部が設けられていることを特徴とするＴＡＢテープ。
【請求項３】
前記高延伸特性部が、前記インナーリードの先端または切断により先端となる部分と前記インナーリードの前記開口部の周縁に支持された基端とを結ぶ直線上から外れる方向に湾曲形成された湾曲形状部により構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のＴＡＢテープ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のＴＡＢテープの前記絶縁基板の前記一方の主面に絶縁性弾性体を介して半導体チップを配置し、前記インナーリードの高延伸特性部を引き伸ばした状態で、片持状とされた前記インナーリードの先端を前記半導体チップの電極パッドにボンディングしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のＴＡＢテープの前記絶縁基板の一方の主面に絶縁性弾性体を介して半導体チップを配置する工程と、
前記ツールを前記インナーリード上に設けた引っ掛け部に引っ掛けて、前記インナーリードを先端側に引っ張ることで前記高延伸特性部を引き伸ばした状態で、片持状とされた前記インナーリードの先端を前記半導体チップの電極パッドにボンディングする工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＢＧＡ（Ball Grid Array）型パッケージのような超小型・薄型化対
応のＣＳＰ（chip size package）などに好適な半導体装置用のＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ、そのＴＡＢテープを用いて構成した半導体装置、及びその製造方法に
関する。
【背景技術】
【０００２】
実装パッケージの超小型・薄型化を実現可能な実装形態の一つとして、はんだボールを外部接続用端子として用いてプリント配線板上に実装されるＢＧＡ型パッケージ構造がある。このＢＧＡ型パッケージ構造では、基本的に一つの実装パッケージにおける平面部全面にはんだボールを配列形成することができるので、その平面部全面でプリント配線板との電気的接続が可能となる。これにより、ＢＧＡ型パッケージ構造は、例えばＱＦＰ（Quad Flat Package）のようなアウターリードがパッケージの周囲に張り出した構造のもの
と比較して、端子間（リード間）ピッチを狭小化することなく多ピン化に対応することができるという、実装パッケージの超小型・薄型化に対応可能な優れた特長を有している。
【０００３】
このようなＢＧＡ型の実装パッケージにおいては、機械的な構造を実質的に（材料力学的に）支える基板として、適度な機械的強度および熱的強度を有しつつ薄型化が可能なＴＡＢテープが好適に用いられる。このようなＴＡＢテープを用いた実装パッケージとしては、例えばμＢＧＡ（米国テセラ社商標）パッケージなどのＣＳＰが知られている。
【０００４】
μＢＧＡパッケージは、いわゆるテープＢＧＡ型のＣＳＰであり、ＴＡＢテープ上にエラストマ（低弾性樹脂）を介して半導体チップを貼り付け、その半導体チップとＴＡＢテープの導体パターン（リード）との間をインナーリード（リードの一部）で接続した構造を有している。このμＢＧＡパッケージでは、エラストマを半導体チップとＴＡＢテープとの間に介在させることによって、それら両者の間での熱応力を緩和（熱膨張差を吸収）して、はんだボール接合部の応力破壊等の発生を防止し、延いてははんだボール接合部の寿命（耐久性）を向上することを可能としている。
【０００５】
このようなテープＢＧＡ型のＣＳＰでは、ＴＡＢテープの基材であるフィルム状の可撓性を有する絶縁基板にボンディング用の開口部（窓）を設けておき、その開口部上でインナーリードの先端をボンディングツールを用いて半導体チップの表面の電極パッドにボンディングしている。
【０００６】
図４及び図５は、従来のＴＡＢテープを用いて半導体装置を構成しようとしている状態の一部を示している。このような技術は、例えば特許文献１に開示されている。
【０００７】
図４及び図５におけるＴＡＢテープ１０’は、ボンディング用の開口部３を形成したフィルム状の可撓性を有する絶縁基板１の一方の主面に、パターン加工によりリード（導体パターン）２’を形成することで構成されている。リード２’の一部は、ボンディング用の開口部３を横断するように設けられており、この開口部３の内部に臨んだ部分が、半導体チップ３０に接合されるインナーリード４’とされている。
【０００８】
開口部３を横断する直線状に繋がったインナーリード４’は、ボンディング時に長手方向の略中央部で２つに切断されて、分割された各インナーリード４’（便宜上、切断される前のインナーリードも切断された後のインナーリードも同符号４’で示す）の先端４ａが、半導体チップ３０の表面の電極パッド３１にボンディングされる。
【０００９】
このＴＡＢテープ１０’を用いて半導体装置を構成する場合は、まず、ＴＡＢテープ１０’の絶縁基板１の一方の主面（リード２’が形成された方の面）に、開口部３と同様の開口部２１を有する絶縁性弾性体（エラストマ）２０を介して半導体チップ３０を貼り付ける。その際、半導体チップ３０の表面の電極パッド３１が配列されている領域を開口部３、２１に合わせる。
【００１０】
そして、ボンディング工程において、開口部３上でインナーリード４’を、ノッチ８を形成した破断予定部７でボンディングツール５０’により切断し、開口部３上でボンディングツール５０’を下降させることにより、切断したインナーリード４’を半導体チップ３０側に変形させて、インナーリード４’の先端４ａを半導体チップの電極パッド３１に接触させ、その状態でボンディングツール５０’により接触箇所に超音波を印加することで、インナーリード４’の先端４ａを電極パッド３１に溶着（ボンディング）している。
【００１１】
このように、ボンディング用の開口部３を横断するインナーリード４’を中央部で切断して、分割した各インナーリード４’をそのまま半導体チップ３０の各電極パッド３１にボンディングするようにした場合、電極パッド３１を列間の間隔を狭めて２列に配列することができる。従って、半導体チップ３０の外形寸法を変えずに、電極パッド３１の数を増やすことが容易にできるようになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００３−３０３９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、半導体チップ３０上の電極パッド３１の位置は、ボンディング用の開口部３を横断するインナーリード４’を切断してボンディングするときに、分割された各インナーリード４’の先端４ａが届く位置に設定しておく必要がある。図５（ｂ）に示すように、ボンディング時にインナーリード４’は、絶縁基板１に形成した開口部３の周縁部で支持された基端４ｂを支点にして、先端側が下方に折れ曲がることで、先端４ａが電極パッド３１に接触する。その際、インナーリードの先端４ａの移動軌跡は、図５（ｂ）中符号Ｓで示すように略円弧状となり、インナーリード４’の基端４ｂから先端４ａまでの長さが短いほど、曲げる前の先端４ａの位置に対して曲げた後の先端４ａの位置が基端４ｂ側にずれる。また、半導体チップ３０とＴＡＢテープ１０’の間に介在する絶縁性弾性体２０の厚みが大きいほど、前記ずれが大きくなる。そこで、そのずれに合わせて電極パッド３１の位置を設定しているのであるが、２列に電極パッド３１を設けた場合、曲げる前と後との間に前記ずれがあることによって、電極パッド３１の列間の間隔Ｈ２が大きくなってしまう問題がある。
【００１４】
つまり、半導体チップ３０の高密度化などのために、図５（ｂ）中に二点鎖線で示すように、電極パッド３１を列間の間隔Ｈ２が小さくなる位置に配置したいという要望があるが、そうした場合、ボンディング工程においてインナーリード４’を曲げたときに、インナーリード４’の先端４ａが電極パッド３１に届かなくなる。そのため、結果として、インナーリード４’の長さと半導体チップ３０の高さ（絶縁性弾性体２０の厚み）の制約から、電極パッド３１の列間の間隔Ｈ２を小さくすることができないという問題があった。
【００１５】
そこで本発明は、半導体チップの電極パッドの列間の間隔を小さくすることの可能な半導体装置用のＴＡＢテープ、そのＴＡＢテープを用いて構成した半導体装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の第１の態様によれば、
ボンディング用の開口部を有する絶縁基板と、前記開口部の内部に一部をインナーリードとして臨ませた状態で前記絶縁基板の一方の主面に設けられたリードとを有し、ボンディング時に片持状とされた前記インナーリードの先端が、前記絶縁基板の前記一方の主面に絶縁性弾性体を介して配置される半導体チップの電極パッドにボンディングされるＴＡＢテープにおいて、
前記インナーリードの前記開口部の周縁に支持された基端から前記インナーリードの先端までの間に、該インナーリード上の他の部分よりも局部的に長手方向における延伸特性の高い部分が高延伸特性部として設けられると共に、前記インナーリードの前記高延伸特性部よりも先端側の位置に、ボンディング時に前記高延伸特性部を引き伸ばすためのツールの引っ掛け部が設けられているＴＡＢテープが提供される。
【００１７】
本発明の第２の態様によれば、
ボンディング用の開口部を有する絶縁基板と、前記開口部を横断する部分をインナーリードとして前記開口部の内部に臨ませた状態で前記絶縁基板の一方の主面に設けられたリードとを有し、前記インナーリードが前記開口部上で切断されて、切断端であるインナーリードの先端が、前記絶縁基板の前記一方の主面に絶縁性弾性体を介して配置される半導体チップの電極パッドにボンディングされるＴＡＢテープにおいて、
前記インナーリードの前記開口部の周縁に支持された基端から前記インナーリードの前記切断により先端となる部分までの間に、該インナーリード上の他の部分よりも局部的に長手方向における延伸特性の高い部分が高延伸特性部として設けられると共に、前記インナーリードの前記高延伸特性部よりも前記切断により先端となる部分側の位置に、ボンディング時に前記高延伸特性部を引き伸ばすためのツールの引っ掛け部が設けられているＴＡＢテープが提供される。
【００１８】
本発明の第３の態様によれば、
前記高延伸特性部が、前記インナーリードの先端または切断により先端となる部分と前記インナーリードの前記開口部の周縁に支持された基端とを結ぶ直線上から外れる方向に湾曲形成された湾曲形状部により構成されている
第１または第２の態様に記載のＴＡＢテープが提供される。
【００１９】
本発明の第４の態様によれば、
第１から第３のいずれかの態様に記載のＴＡＢテープの前記絶縁基板の一方の主面に絶縁性弾性体を介して半導体チップを配置し、前記インナーリードの高延伸特性部を引き伸ばした状態で、片持状とされた前記インナーリードの先端を前記半導体チップの電極パッドにボンディングした半導体装置が提供される。
【００２０】
本発明の第５の態様によれば、
第１から第３のいずれかの態様に記載のＴＡＢテープの前記絶縁基板の一方の主面に絶縁性弾性体を介して半導体チップを配置する工程と、
前記ツールを前記インナーリード上に設けた引っ掛け部に引っ掛けて、前記インナーリードを先端側に引っ張ることで前記高延伸特性部を引き伸ばした状態で、片持状とされた前記インナーリードの先端を前記半導体チップの電極パッドにボンディングする工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係るＴＡＢテープ、半導体装置、及びその製造方法によれば、半導体チップの電極パッドの列間の間隔を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態に係るＴＡＢテープを用いて半導体装置を構成しようとしている状態の一部を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は図１で示す部分を上から見た平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。
【図３】ＴＡＢテープのインナーリードをボンディングする際のボンディングツールとインナーリードの先端の関係を示す図で、（ａ）はボンディングツールをインナーリードの先端に引っ掛ける前の状態を示す斜視図、（ｂ）はボンディングツールをインナーリードの先端に引っ掛けて引っ張り力を加えようとして状態を示す斜視図である。
【図４】従来のＴＡＢテープを用いて半導体装置を構成しようとしている状態の一部を示す斜視図である。
【図５】（ａ）は図４で示す部分を上から見た平面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ’断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本実施の形態に係る半導体装置用のＴＡＢテープ、それを用いて構成した半導体装置、及びその製造方法について、図面を参照して説明する。
図１は、本実施の形態に係るＴＡＢテープを用いて半導体装置を構成しようとしている状態の一部を示す斜視図、図２（ａ）は図１で示す部分を上から見た平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。
【００２４】
図１及び図２におけるＴＡＢテープ１０は、ボンディング用の開口部３を形成したフィルム状の絶縁基板１の一方の主面にリード（導体パターン）２を形成することで構成されている。ここで、絶縁基板１は、耐熱性、絶縁性及び可撓性を有するポリイミド等の有機樹脂から成るフィルム材を長尺状に加工することで形成されている。また、リード２は、絶縁基板１の表面に銅（Ｃｕ）箔やアルミ（Ａｌ）箔等の金属箔を貼り付け、それを例えばフォトリソグラフィ等の手法を用いてパターン加工することにより形成されている。なお、リード２の表面には、金メッキや銀メッキ等の所定のメッキ処理が施されている場合もある。また、リード２は、スパッタリングや蒸着等の手法を用いて絶縁基板１の主面上に形成した金属膜を、同様の手法で加工することで形成されていてもよい。
【００２５】
リード２の一部は、ボンディング用の開口部３を横断するように設けられており、この開口部３の内部に臨んだ部分が、半導体チップ３０に接合されるインナーリード４とされている。開口部３を横断するインナーリード４は、開口部３上において、ボンディング時に長手方向の略中央部で２つに切断されて、分割された各インナーリード４（便宜上、切断される前のインナーリードも切断された後のインナーリードも同符号４で示す）の切断端である先端４ａが、絶縁基板１の一方の主面に絶縁性弾性体（エラストマ）２０を介して配置された半導体チップ３０の表面の電極パッド３１にボンディングされる。
【００２６】
いま、図１において、インナーリード４の延びる方向をＸ方向、それに直交する方向をＹ方向、Ｘ方向及びＹ方向に共に直交する方向をＺ方向とすると、ＴＡＢテープ１０の主面（リード２が形成された表面）はＸ−Ｙ平面上にあり、複数のインナーリード４はＹ方向に間隔をおいて配列されている。また、ボンディングツール５０の昇降する上下方向がＺ方向となっている。
【００２７】
ボンディング用の開口部３を横断するように設けられたインナーリード４には、インナーリード４の全長を調節するための部分が設けられている。即ち、インナーリード４のボンディング用の開口部３の周縁に支持された基端４ｂからインナーリード４の切断により先端となる部分（以降、この部分を先端４ａと言う）までの間に、インナーリード４上の
他の部分よりも局部的に長手方向における延伸特性の高い部分が高延伸特性部５として設けられている。本実施形態の高延伸特性部５は、インナーリード４の先端４ａとインナーリード４の開口部の周縁に支持された基端４ｂとを結ぶ直線上から外れる方向に湾曲形成された湾曲形状部５（高延伸特性部５と同符号を付す）により構成されている。なお、この湾曲形状部５は、リード２の形成方法上の制約から、リード２の幅方向に沿った平面（Ｘ−Ｙ平面）内で湾曲した形状をなしている。
【００２８】
また、インナーリード４の先端４ａ（湾曲形状部５よりも先端側の位置）には、ボンディング時に湾曲形状部５を引き伸ばすためのボンディングツール５０の引っ掛け部６が設けられている。本実施形態の場合、引っ掛け部６はＴ字状になっているが、Ｌ字状やフックまたは突起の付いた形状であってもよい。なお、引っ掛け部６は、ノッチ８を形成した破断予定部７に隣接した箇所にある。
【００２９】
図３は、インナーリード４の先端４ａのＴ字状の引っ掛け部６に引っ掛けることの可能な係合部５１を有するボンディングツール５０の例を示しており、（ａ）はボンディングツール５０をインナーリード４の先端４ａに引っ掛ける前の状態を示す斜視図、（ｂ）はボンディングツール５０をインナーリード４の先端４ａに引っ掛けて引っ張りを行っている状態を示す斜視図である。
【００３０】
ボンディングツール５０の下端の係合部５１は、インナーリード４に嵌まる溝形状をなしており、ボンディングツール５０の係合部５１をインナーリード４の先端４ａのＴ字状の引っ掛け部６に引っ掛けた状態で、ボンディングツール５０を矢印Ｆ１の方向（インナーリード４の先端４ａの延長方向）に移動することにより、前記湾曲形状部５を延伸することができる。また、ボンディングツール５０によって、インナーリード４の先端側を下方に押し曲げていく過程において、インナーリード４の先端４ａは、インナーリード４が長手方向に延伸しない状態において略円弧状の軌跡を描いて移動することになるので、ボンディングツール５０を単純に垂直に下降させるだけでも、インナーリード４に引張力を作用させることができ、その引張力によってインナーリード４の湾曲形状部５を引き伸ばすことができる。従って、ボンディングツール５０を単純に垂直に下降させるだけで、インナーリード４を引き伸ばしながら、インナーリード４の先端４ａをボンディングツール５０の直下に配置した電極パッド３１に到達させることができ、適正にボンディングすることができる。
【００３１】
次に、このＴＡＢテープ１０を用いて半導体装置を構成する方法について説明する。
まず、ＴＡＢテープ１０の絶縁基板１の一方の主面（リード２が形成された方の面）に、開口部３と同様の開口部２１を有する絶縁性弾性体（エラストマ）２０を介して半導体チップ３０を貼り付ける（絶縁性弾性体を介して半導体チップを配置する工程）。その際、半導体チップ３０の表面の電極パッド３１が配列されている領域を開口部３、２１に合わせる。
【００３２】
次にボンディング工程において、開口部３上でインナーリード４を、ノッチ８を形成した破断予定部７でボンディングツール５０により切断し、開口部３上でボンディングツール５０を例えば単純に垂直にＺ方向に下降させることにより、切断したインナーリード４の長さを、湾曲形状部５の変形により引き伸ばしながら、インナーリード４を半導体チップ３０側に曲げ変形させて、インナーリード４の先端４ａを、半導体チップ３０の電極パッド３１上に接触させる。そして、その状態でボンディングツール５０により接触箇所に超音波を印加することで、インナーリード４の先端４ａを電極パッド３１に溶着（ボンディング）する。これにより、実施形態の半導体装置を構成することができる。なお、この場合のインナーリード４の引き伸ばし率は、先端４ａから基端４ｂまでの距離をＬとしたときに、Ｌの５％以上５０％以下の範囲であることが好ましい。
【００３３】
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【００３４】
本実施形態によれば、ボンディング用の開口部３を横断するインナーリード４を中央部で切断して、分割した各インナーリード４をそのまま半導体チップ３０の各電極パッド３１にボンディングするようにしているので、電極パッド３１を列間の間隔を狭めて２列に配列することができる。従って、半導体チップ３０の外形寸法を変えずに、電極パッド３１の数を増やすことが容易にできるようになる。
【００３５】
また、本実施形態によれば、インナーリード４の途中に高延伸特性部（湾曲形状部）５を設けており、インナーリード４の先端４ａにボンディングツール５０の引っ掛け部６を設けているので、インナーリード４の長さをボンディングツール５０で引き伸ばしながら、インナーリード４の先端４ａを、半導体チップ３０の電極パッド３１に届くようにすることができる。従って、電極パッド３１の位置を、従来よりもインナーリード４の基端４ｂから離れた位置に配置することができ、Ｘ方向に２列に電極パッド３１を配列する場合に、電極パッド３１の列間の間隔Ｈ１（Ｘ方向の間隔）を小さくすることができる。その結果、半導体チップ３０の面積の縮小、微細化、高密度化が図れるようになる。
【００３６】
また、インナーリード４の長さを引き伸ばせるようになることで、近い位置にある電極パッド３１にも、また遠い位置にある電極パッド３１にも、インナーリード４の先端４ａを届かせることができる。また、湾曲形状部５は伸縮性を有することから、ＴＡＢテープ１０と半導体チップ３０との間の熱膨張差の吸収にも貢献することができる。また、湾曲形状部５は、変形の方向に比較的自由度があることから、インナーリード４の先端４ａの取り回しの自由度を確保することができ、それにより、接合する電極パッド３１の位置の自由度も高めることができる。
【００３７】
また、本実施形態によれば、高延伸特性部５が、インナーリード４の先端４ａとインナーリード４の基端４ｂとを結ぶ直線上から外れる方向でＸ−Ｙ平面内にて湾曲形成された湾曲形状部５により構成されているので、リード２をパターン加工するときに同時に湾曲形状部５を加工することが容易にできる。
【００３８】
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、上述の実施形態では、ボンディング用の開口部３を横断するインナーリード４の長さ方向の中央部でインナーリード４を２つに切断する場合を示したが、中央部よりもインナーリード４のどちらかの基端４ｂに近い位置で切断してもよい。また、上記実施形態では、２つの分割したインナーリード４の両方を半導体チップ３０の電極３１にボンディングする場合を示したが、２つに分割したインナーリード４の一方側だけを半導体チップ３０の電極３１にボンディングするようにしてもよい。
【００３９】
また、上記実施形態では、ボンディング前までのインナーリード４の強度確保のために、予めインナーリード４がボンディング用の開口部３を横断するように形成されていてボンディング時にインナーリードを長手方向の途中で切断する場合を示したが、最初から片持状にインナーリード４が形成されていてもよい。その場合は、インナーリード４の先端４ａと基端４ｂの途中に高延伸特性部５を形成し、それよりも先端側にボンディングツール５０の引っ掛け部６を形成しておけばよい。
【符号の説明】
【００４０】
１    絶縁基板
２    リード
３    開口部
４    インナーリード
５    高延伸特性部（湾曲形状部）
６    引っ掛け部
１０  ＴＡＢテープ
２０  絶縁性弾性体（エラストマ）
３０  半導体チップ
３１  電極パッド
５０  ボンディングツール
【図１】
2013191796.tif 000003
【図２】
2013191796.tif 000004
【図３】
2013191796.tif 000005
【図４】
2013191796.tif 000006
【図５】
2013191796.tif 000007