(57)【要約】      （修正有）【課題】ダイ応力を低減するため、接合エリア、厚さ、形状等を正確に制御するはんだ接合方法を提供する。【解決手段】半導体デバイスを製作する方法は、基板の表面に幾何学的形状を有するパターンで複数のスタッドバンプを形成するステップであって、そのパターンは、基板１１８の表面に接合エリアの周囲を画定する、ステップと、はんだ材料がスタッドバンプ１１０によって取り囲まれるようにはんだ材料１２０を接合エリアに置くステップとを含む。はんだ材料は、はんだ材料が接合エリア内で流れ始める温度まで加熱される。ダイ１３０の接合面は、はんだ材料が接合エリア内のスタッドバンプ間で実質的に均一に広がるように、スタッドバンプを所定の程度に押しつぶすのに十分な圧力でスタッドバンプ上に押し付けられる。はんだ材料は次いで、スタッドバンプのパターンの幾何学的形状と共形となる最終はんだエリアを形成するために固化される。【選択図】図１
2013191847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に幾何学的形状を有するパターンで複数のスタッドバンプを形成するステップであって、前記パターンは、前記基板の前記表面に接合エリアの周囲を画定する、ステップと、
はんだ材料が前記スタッドバンプによって取り囲まれるように前記はんだ材料を前記接合エリアに置くステップと、
前記はんだ材料が前記接合エリア内で流れ始める温度まで前記はんだ材料を加熱するステップと、
前記はんだ材料が前記接合エリア内の前記スタッドバンプ間で実質的に均一に広がるように、前記スタッドバンプを所定の程度に押しつぶすのに十分な圧力でダイの接合面を前記スタッドバンプ上に押し付けるステップと、
スタッドバンプの前記パターンの前記幾何学的形状と共形となる最終はんだエリアを形成するために前記はんだ材料を固化させるステップと
を含む、半導体デバイスを製作する方法。
【請求項２】
前記スタッドバンプは、基板の前記表面に円形パターンまたは矩形パターンで形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上部表面を有する基板と、
ダイであって、前記基板と前記ダイとの間で結合される複数のスタッドバンプ間で実質的に均一に広げられるはんだ材料を含む、制御されたはんだ接合エリアで前記基板に接着されるダイと
を含む半導体デバイスであって、
前記スタッドバンプは、幾何学的形状を有するパターンで結合され、前記はんだ接合エリアの周囲を画定し、
前記はんだ材料は、前記スタッドバンプの前記パターンの前記幾何学的形状と共形となる、半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
[0001]ダイ接着中にはんだが流れるエリアを制御し、接合エリアを限定することは、非常に困難である。一般に、ダイ全体が接合され、それは、ダイに過度な応力をもたらす。このことが、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサーなどのダイの性能にとって非常に有害である可能性がある。
【０００２】
[0002]一般に、小さいはんだエリアがあれば、ダイ接着のための強度要件を満たすのに十分である。高温はんだは通常、極めて強く、高い材料弾力性の望ましい属性を有し、それは、ＭＥＭＳセンサーの予測可能な性能に不可欠である。ダイ接着にはんだを使用するときは、はんだ接合の最終のエリア、形状および場所を制御することは、困難である可能性がある。
【０００３】
[0003]ダイを接着するための最も一般的な解決策は、ダイの裏面を完全に覆い、ダイの隣にあふれ出るほど十分な量のはんだを使用することである。この手法は、固体接合に役立つことができるが、それはまた、ダイ材料、ダイが取り付けられる基板またはパッケージ、およびはんだ自体を含む、使用される材料の熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致のために、接着されたダイに大きな応力を与えもする。例えば、シリコンダイは、約２から３ｐｐｍ／℃の範囲のＣＴＥを有する。アルミナなどの、ダイがしばしば取り付けられるセラミックは、より高いＣＴＥ、典型的には約７ｐｐｍ／℃を有し、印刷回路板は、はるかに高いＣＴＥを有する。
【０００４】
[0004]ダイ応力は、ダイがはんだ付けされるエリアを制御することによって大きく低減される可能性がある。中心近くの小さいエリアが、通常最善であるが、しかしこれは、特にＭＥＭＳセンサーを扱うときには、ダイの設計および目的に依存する可能性がある。あいにく、ダイはんだは、はんだが予測不能に濡れるので、制御するのが困難なことで有名であり、空洞形成および流れは、予測するのが難しい。単に少量のはんだをダイの中心近くに置き、リフローするだけでは、条件が注意深く制御されるときでさえ、ほとんど任意の形状および厚さの最終はんだエリアをもたらす可能性がある。純金スタッドバンプ（ＧＳＢ）熱圧着などのダイ接着の他の方法は、接合エリアを制御することができるが、しかしスタッドバンプ材料の柔らかく、弾力性のない性質に悩まされる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
[0005]半導体デバイスを製作する方法は、基板の表面に幾何学的形状を有するパターンで複数のスタッドバンプを形成するステップであって、そのパターンは、基板の表面に接合エリアの周囲を画定する、ステップと、はんだ材料がスタッドバンプによって取り囲まれるようにはんだ材料を接合エリアに置くステップとを含む。はんだ材料は、はんだ材料が接合エリア内で流れ始める温度まで加熱される。ダイの接合面は、はんだ材料が接合エリア内のスタッドバンプ間で実質的に均一に広がるように、スタッドバンプを所定の程度に押しつぶすのに十分な圧力でスタッドバンプ上に押し付けられる。はんだ材料は次いで、スタッドバンプのパターンの幾何学的形状と共形となる最終はんだエリアを形成するために固化される。
【０００６】
[0006]図面は、例となる実施形態だけを描写し、従って範囲を限定すると考えるべきないことを理解して、例となる実施形態が、添付の図面の使用を通じて具体性および詳細を加えて述べられることになる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】[0007]図１Ａは、一実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。図１Ｂは、一実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。図１Ｃは、一実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。図１Ｄは、一実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。
【図２】[0008]図２Ａは、図１Ａのダイ接着プロセスの上面図である。図２Ｂは、図１Ｂのダイ接着プロセスの上面図である。図２Ｃは、図１Ｃのダイ接着プロセスの上面図である。図２Ｄは、図１Ｄのダイ接着プロセスの上面図である。
【図３】[0009]図３Ａは、別の実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。図３Ｂは、別の実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。図３Ｃは、別の実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。図３Ｄは、別の実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。
【図４】[0010]図４Ａは、図３Ａのダイ接着プロセスの上面図である。図４Ｂは、図３Ｂのダイ接着プロセスの上面図である。図４Ｃは、図３Ｃのダイ接着プロセスの上面図である。図４Ｄは、図３Ｄのダイ接着プロセスの上面図である。
【図５】[0011]図５Ａは、さらなる実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。図５Ｂは、さらなる実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。図５Ｃは、さらなる実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。図５Ｄは、さらなる実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。
【図６】[0012]図６Ａは、図５Ａのダイ接着プロセスの上面図である。図６Ｂは、図５Ｂのダイ接着プロセスの上面図である。図６Ｃは、図５Ｃのダイ接着プロセスの上面図である。図６Ｄは、図５Ｄのダイ接着プロセスの上面図である。
【図７】[0013]図７Ａは、代替実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。図７Ｂは、代替実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。図７Ｃは、代替実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。図７Ｄは、代替実施形態による半導体デバイスを製作するときに使用されるダイ接着プロセスの側面図である。
【図８】[0014]図８Ａは、図７Ａのダイ接着プロセスの上面図である。図８Ｂは、図７Ｂのダイ接着プロセスの上面図である。図８Ｃは、図７Ｃのダイ接着プロセスの上面図である。図８Ｄは、図７Ｄのダイ接着プロセスの上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[0015]慣習に従って、様々な述べられる特徴は、一定の縮尺で描かれず、例となる実施形態に関する特定の特徴を強調するように描かれる。
[0016]次の詳細な説明では、実施形態は、当業者が本発明を実施することができるように十分に詳細に述べられる。他の実施形態は、本発明の範囲から逸脱することなく利用されてもよいことを理解されたい。従って、次の詳細な説明は、限定する意味で解釈されるべきでない。
【０００９】
[0017]半導体デバイスを製作するときに基板へのダイ接着中にはんだ接合エリアを制御するための方法が、提供される。本方法は、パッケージ化中に基板に接着されるときにダイの表面に制御エリアはんだ接合を作製する。本ダイ接着プロセスは、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）ダイなどのダイにより安定な応力を提供し、それ故に温度に関してより安定な性能を提供する。
【００１０】
[0018]本技術では、複数のスタッドバンプが、基板の表面に所定のパターンで形成され、そのパターンは、基板の表面に接合エリアの周囲を画定する。スタッドバンプは、基板上の接合エリアの周囲近辺に「杭垣」を形成する。はんだ材料が次いで、それがスタッドバンプによって取り囲まれるように接合エリアに置かれる。例となる実施形態では、はんだ材料は、はんだ球などの小さい固体「プリフォーム」、またはペースト中に懸濁された小さいはんだ粒子の形とすることができる。
【００１１】
[0019]はんだ材料は、それが接合エリア内で流れ始めるような温度まで加熱される。ダイの接合面は次いで、はんだが接合エリア内のスタッドバンプ間で実質的に均一に広がるように、スタッドバンプを押しつぶすのに十分な圧力でスタッドバンプ上に押し付けられる。はんだ材料は、スタッドバンプの所定のパターンの形状と共形となる最終はんだエリアを形成するために固化される。
【００１２】
[0020]はんだエリアの所望のエッジ近くに置かれたスタッドバンプの「杭垣」の使用は、はんだのためのダムを必ずしも形成せず、はんだに濡れるための物をもたらす。溶融はんだが、スタッドバンプを濡らすと、溶融はんだの表面張力は、はんだをスタッドバンプにくっつかせ、最終はんだエリアを画定する。スタッドバンプは、予測可能な仕方で力に耐えるので、スタッドバンプはまた、はんだの接合ライン厚さを制御するために使用されてもよい。ある力をダイに印加すると、はんだをスタッドバンプの方へ広げながら、スタッドバンプを予測可能な程度に押しつぶすことになる。もし接合を作るために使用されるスタッドバンプのパターンおよび力が、注意深く選択されるならば、高温はんだの強度および弾力性を備えた接合を、制御された場所およびサイズで形成することができる。
【００１３】
[0021]本技法に従って製作される半導体デバイスでは、ダイは、基板とダイとの間で結合されるスタッドバンプ間で実質的に均一に広げられるはんだ材料を含む制御されたはんだ接合領域で基板に接着される。スタッドバンプは、幾何学的形状を有するパターンで結合され、はんだ接合エリアの周囲を画定する。はんだ材料は、スタッドバンプのパターンの幾何学的形状と共形となる。
【００１４】
[0022]本手法の追加の詳細は、図面を参照して次の通りに述べられる。
[0023]図１Ａ〜１Ｄおよび２Ａ〜２Ｄは、一実施形態によるダイ接着プロセスを例示する。最初に、複数のスタッドバンプ１１０が、ダイ接着基板１１８の表面上の所望の接合エリア１１４のエッジ近辺に幾何学的形状を有する所定のパターンで形成される。図２Ａで示されるように、スタッドバンプ１１０は、円形パターンで形成されて、基板118の表面に「杭垣」を形成するけれども、他の幾何学的パターンが、これから先で述べられるように利用されてもよい。
【００１５】
[0024]スタッドバンプ１１０は、ボール（ワイヤー）ボンダーによる形成などの従来技法によって接合エリア１１４に形成されてもよい。スタッドバンプ１１０は、金、白金、銅、それらの組合せ、または同様のものなどの様々な金属で構成されてもよい。
【００１６】
[0025]基板１１８は、例えばアルミナ（酸化アルミニウム）、窒化アルミニウム、窒化シリコン、シリコン、ガラスなどのセラミック材料、コバール（商標）合金（鉄−ニッケル−コバルト）、合金４２（ニッケル−鉄合金）、もしくは同様のものを含む、ニッケル合金などのめっき金属、または印刷回路板（ＰＣＢ）を含むことができる。
【００１７】
[0026]球状はんだプリフォーム１２０の形のはんだ材料が次いで、図１Ｂおよび２Ｂで例示されるように、はんだプリフォーム１２０がスタッドバンプ１１０によって取り囲まれるように接合エリア１１４に置かれる。図１Ｃおよび２Ｃで示されるように、はんだプリフォーム１２０は、その形状を失い、接合エリア１１４内で流れ始めるように、はんだ溶融温度まで加熱される。はんだ材料は、例えばＡｕＳｎ、ＡｕＳｉ、もしくはＡｕＧｅなどの共晶合金、インジウム合金、または同様のものを含むことができる。
【００１８】
[0027]ダイ１３０が次いで、図１Ｄで描写されるようにスタッドバンプ１１０上に押し付けられる。ダイ１３０は、例えばＭＥＭＳセンサー、レーザーダイオード、慣性センサー、または同様のものを含むことができる。ある力（数ニュートンなど）をダイ１３０に印加して、はんだ材料をスタッドバンプ１１０の方へ広げながらスタッドバンプ１１０を予測可能な程度に押しつぶす。はんだ材料が、広がりながらスタッドバンプ１１０を濡らすと、はんだ材料の表面張力は、はんだ材料をスタッドバンプ１１０にくっつかせる。このことが、はんだ材料がスタッドバンプ１１０間で均一に広げられる最終はんだエリア１３２を画定する。この実施形態では、はんだ材料は、図２Ｄで描写されるように、スタッドバンプ１１０の円形パターンと共形となり、円形はんだ接合１３４を形成する。
【００１９】
[0028]図３Ａ〜３Ｄおよび４Ａ〜４Ｄは、別の実施形態によるダイ接着プロセスを例示する。最初に、複数のスタッドバンプ２１０が、ダイ接着基板２１８の表面上の所望の接合エリア２１４のエッジ近辺に所定のパターンで形成される。図４Ａで示されるように、スタッドバンプ２１０は、基板２１８の表面に円形パターンで形成される。スタッドバンプ２１０は、従来の堆積技法によって接合エリア２１４に形成されてもよく、前に述べられたような様々な金属で構成されてもよい。
【００２０】
[0029]矩形はんだプリフォーム２２０の形のはんだ材料が次いで、図３Ｂおよび４Ｂで例示されるように、はんだプリフォーム２２０がスタッドバンプ２１０によって取り囲まれるように接合エリア２１４に置かれる。図３Ｃおよび４Ｃで示されるように、はんだプリフォーム２２０は次いで、その形状を失い、接合エリア２１４内で流れ始めるように、はんだ溶融温度まで加熱される。
【００２１】
[0030]ＭＥＭＳセンサーダイなどのダイ２３０が次いで、図３Ｄで描写されるようにスタッドバンプ２１０上に押し付けられる。ある力をダイ２３０に印加して、はんだ材料をスタッドバンプ２１０の方へ広げながらスタッドバンプ２１０を押しつぶす。はんだ材料が、広がりながらスタッドバンプ２１０を濡らすと、はんだ材料２２０の表面張力は、はんだ材料をスタッドバンプ２１０にくっつかせる。このことが、はんだ材料がスタッドバンプ２１０間で均一に広げられる最終はんだエリア２３２を画定する。この実施形態では、はんだ材料は、図４Ｄで描写されるように、スタッドバンプ２１０の円形パターンと共形となり、円形はんだ接合２３４を形成する。
【００２２】
[0031]図５Ａ〜５Ｄおよび６Ａ〜６Ｄは、さらなる実施形態によるダイ接着プロセスを例示する。複数のスタッドバンプ３１０が、ダイ接着基板３１８の表面上の所望の接合エリア３１４のエッジ近辺に所定のパターンで形成される。図６Ａで示されるように、スタッドバンプ３１０は、基板３１８の表面に円形パターンで形成される。スタッドバンプ３１０は、従来の堆積技法によって接合エリア３１４に形成されてもよく、前に述べられたような様々な金属で構成されてもよい。
【００２３】
[0032]図５Ｂおよび６Ｂで例示されるように、円柱状プリフォームなどのはんだプリフォーム３２０が、スタッドバンプ３１０によって取り囲まれるように接合エリア３１４に置かれる。図５Ｃおよび６Ｃで示されるように、はんだプリフォーム３２０は次いで、その形状を失い、接合エリア３１４内で流れ始めるように、はんだ溶融温度まで加熱される。
【００２４】
[0033]ＭＥＭＳセンサーダイなどのダイ３３０が次いで、図５Ｄで描写されるようにスタッドバンプ３１０上に押し付けられる。ある力をダイ３３０に印加して、はんだ材料をスタッドバンプ３１０の方へ広げながらスタッドバンプ３１０を押しつぶす。はんだ材料が、スタッドバンプ３１０を濡らすと、はんだ材料の表面張力は、はんだ材料がスタッドバンプ３１０にくっつくことを可能にする。このことが、はんだ材料がスタッドバンプ３１０間で均一に広げられる最終はんだエリア３３２を画定する。この実施形態では、はんだ材料は、図６Ｄで描写されるように、スタッドバンプ３１０の円形パターンと共形となり、円形はんだエリア３３４を形成する。
【００２５】
[0034]図７Ａ〜７Ｄおよび８Ａ〜８Ｄは、代替実施形態によるダイ接着プロセスを例示する。最初に、複数のスタッドバンプ４１０が、ダイ接着基板４１８の表面上の所望の接合エリア４１４のエッジ近辺に所定のパターンで形成される。図８Ａで示されるように、スタッドバンプ４１０は、基板４１８の表面に正方形または長方形のパターンで形成される。スタッドバンプ４１０は、従来の堆積技法によって接合エリア４１４に形成されてもよく、前に述べられたような様々な金属で構成されてもよい。
【００２６】
[0035]図８Ａおよび８Ｂで例示されるように、円柱プリフォームなどのはんだプリフォーム４２０が次いで、スタッドバンプ４１０によって取り囲まれるように接合エリア４１４に置かれる。図７Ｃおよび８Ｃで示されるように、プリフォーム４２０は次いで、その形状を失い、接合エリア４１４内で流れ始めるように、はんだ溶融温度まで加熱される。
【００２７】
[0036]ＭＥＭＳセンサーダイなどのダイ４３０が次いで、図７Ｄで描写されるようにスタッドバンプ４１０上に押し付けられる。力をダイ４３０に印加して、はんだ材料をスタッドバンプ４１０の方へ広げながらスタッドバンプ４１０を押しつぶす。はんだ材料が、スタッドバンプ４１０を濡らすと、はんだ材料の表面張力は、はんだ材料をスタッドバンプ４１０にくっつかせる。このことが、はんだ材料がスタッドバンプ４１０間で均一に広げられる最終はんだエリア４３２を画定する。この実施形態では、はんだ材料は、図８Ｄで描写されるように、スタッドバンプ４１０のパターンの正方形または長方形の形状と共形となり、正方形または長方形のはんだ接合４３４を形成する。
例示的実施形態
[0037]例１は、基板の表面に幾何学的形状を有するパターンで複数のスタッドバンプを形成するステップであって、そのパターンは、基板の表面に接合エリアの周囲を画定する、ステップと、はんだ材料がスタッドバンプによって取り囲まれるようにはんだ材料を接合エリアに置くステップと、はんだ材料が接合エリア内で流れ始める温度まではんだ材料を加熱するステップと、はんだ材料が接合エリア内のスタッドバンプ間で実質的に均一に広がるように、スタッドバンプを所定の程度に押しつぶすのに十分な圧力でダイの接合面をスタッドバンプ上に押し付けるステップと、スタッドバンプのパターンの幾何学的形状と共形となる最終はんだエリアを形成するためにはんだ材料を固化させるステップとを含む、半導体デバイスを製作する方法を含む。
【００２８】
[0038]例２は、例１の方法を含み、スタッドバンプは、基板の表面に円形パターンで形成される。
[0039]例３は、例１の方法を含み、スタッドバンプは、基板の表面に矩形パターンで形成される。
【００２９】
[0040]例４は、例１〜３のいずれかの方法を含み、スタッドバンプは、金、白金、銅、またはそれらの組合せを含む。
[0041]例５は、例１〜４のいずれかの方法を含み、はんだ材料は、球状の形をしたプリフォームである。
【００３０】
[0042]例６は、例１〜４のいずれかの方法を含み、はんだ材料は、矩形の形をしたプリフォームである。
[0043]例７は、例１〜４のいずれかの方法を含み、はんだ材料は、円柱状の形をしたプリフォームである。
【００３１】
[0044]例８は、例１〜７のいずれかの方法を含み、ダイは、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサー、慣性センサー、またはレーザーダイオードを含む。
[0045]例９は、例１〜８のいずれかの方法を含み、基板は、セラミック材料、めっき金属、または印刷回路板を含む。
【００３２】
[0046]例１０は、例１〜８のいずれかの方法を含み、基板は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、シリコン、またはガラスを含む。
[0047]例１１は、上部表面を有する基板と、基板とダイとの間で結合される複数のスタッドバンプ間で実質的に均一に広げられるはんだ材料を含む制御されたはんだ接合エリアで基板に接着されるダイとを含む半導体デバイスであって、スタッドバンプは、幾何学的形状を有するパターンで結合され、はんだ接合エリアの周囲を画定し、はんだ材料は、スタッドバンプのパターンの幾何学的形状と共形となる、半導体デバイスを含む。
【００３３】
[0048]例１２は、例１１の半導体デバイスを含み、スタッドバンプは、円形パターンで結合される。
[0049]例１３は、例１１の半導体デバイスを含み、スタッドバンプは、矩形パターンで結合される。
【００３４】
[0050]例１４は、例１１〜１３のいずれかの半導体デバイスを含み、スタッドバンプは、金、白金、銅、またはそれらの組合せを含む。
[0051]例１５は、例１１〜１４のいずれかの半導体デバイスを含み、ダイは、ＭＥＭＳセンサーを含む。
【００３５】
[0052]例１６は、例１１〜１５のいずれかの半導体デバイスを含み、ダイは、慣性センサーを含む。
[0053]例１７は、例１１〜１４のいずれかの半導体デバイスを含み、ダイは、レーザーダイオードを含む。
【００３６】
[0054]例１８は、例１１〜１７のいずれかの半導体デバイスを含み、基板は、セラミック材料、またはめっき金属を含む。
[0055]例１９は、例１１〜１７のいずれかの半導体デバイスを含み、基板は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、シリコン、またはガラスを含む。
【００３７】
[0056]例２０は、例１１〜１７のいずれかの半導体デバイスを含み、基板は、印刷回路板を含む。
[0057]特定の実施形態が、本明細書で例示され、述べられたけれども、同じ目的を達成するために計算される任意の配置が、図示される特定の実施形態と置き換えられてもよいことは、当業者には理解されよう。従って、この発明は、特許請求の範囲およびそれの等価物によってのみ限定されることが明白に意図されている。
【符号の説明】
【００３８】
１１０  スタッドバンプ
１１４  接合領域
１１８  基板
１２０  はんだプリフォーム
１３０  ダイ
１３２  最終はんだエリア
１３４  はんだ接続
２１０  スタッドバンプ
２１４  接合領域
２１８  基板
２２０  はんだプリフォーム
２３０  ダイ
２３２  最終はんだエリア
２３４  はんだ接合
３１０  スタッドバンプ
３１４  接合エリア
３１８  基板
３２０  はんだプリフォーム
３３０  ダイ
３３２  最終はんだエリア
３３４  はんだ接合
４１０  スタッドバンプ
４１４  接合エリア
４１８  基板
４２０  はんだプリフォーム
４３０  ダイ
４３２  最終はんだエリア
４３４  はんだ接合
【図１】
2013191847.tif 000003
【図２】
2013191847.tif 000004
【図３】
2013191847.tif 000005
【図４】
2013191847.tif 000006
【図５】
2013191847.tif 000007
【図６】
2013191847.tif 000008
【図７】
2013191847.tif 000009
【図８】
2013191847.tif 000010
【外国語明細書】
2013191847000001.pdf