(57)【要約】【課題】半導体光源の輝度の設定可能範囲が広いＰＷＭ減光を実現しつつ半導体光源の輝度をより滑らかに変化させる。【解決手段】半導体光源制御装置１００は、ＬＥＤ４０を流れる駆動電流ＩＬＥＤを生成するスイッチングレギュレータ１０４と、駆動電流ＩＬＥＤの大きさが目標値に近づくようにスイッチングレギュレータ１０４を制御する駆動制御部１０２と、を備える。駆動電流ＩＬＥＤの大きさが目標値に近づくように制御される第１状態と、第１状態よりも駆動電流ＩＬＥＤが小さくなる第２状態と、が繰り返されることによりＬＥＤ４０の輝度が調節される。第１状態と第２状態との繰り返しにおけるデューティ比および駆動制御部１０２における目標値の両方はＬＥＤ４０の輝度の設定値に応じて変化する。目標値またはデューティ比のいずれか一方は、その他方とＬＥＤ４０の輝度の設定値とが一対一の関係となるよう設定される。【選択図】図１
2013258003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体光源を流れる駆動電流を生成するレギュレータと、
駆動電流の大きさが目標値に近づくように前記レギュレータを制御する駆動制御部と、を備え、
前記半導体光源を流れる駆動電流の大きさが目標値に近づくように制御される第１状態と、第１状態よりも駆動電流が小さくなる第２状態と、が繰り返されることにより前記半導体光源の輝度が調節され、
第１状態と第２状態との繰り返しにおけるデューティ比および前記駆動制御部における目標値の両方は前記半導体光源の輝度の設定値に応じて変化し、
目標値またはデューティ比のいずれか一方は、その他方と前記半導体光源の輝度の設定値とが一対一の関係となるよう設定されることを特徴とする半導体光源制御装置。
【請求項２】
前記半導体光源の輝度を低下させる場合、第１状態の継続期間に対する第２状態の継続期間の割合を増加させると共に目標値を低下させ、前記半導体光源の輝度を増大させる場合、第１状態の継続期間に対する第２状態の継続期間の割合を減少させると共に目標値を増大させるよう構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体光源制御装置。
【請求項３】
前記半導体光源の輝度の設定値はデューティ比の二乗に実質的に比例することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体光源制御装置。
【請求項４】
パルス幅変調された制御信号を生成する点消灯制御部と、
前記点消灯制御部によって生成される制御信号に基づいて第１状態と第２状態とを交互に実現するスイッチ素子と、
前記点消灯制御部によって生成される制御信号が入力されるローパスフィルタと、をさらに備え、
前記駆動制御部は、駆動電流の大きさが前記ローパスフィルタの出力に応じた目標値に近づくように前記レギュレータを制御することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体光源制御装置。
【請求項５】
前記点消灯制御部はマイクロコンピュータであり、
制御信号は前記マイクロコンピュータの同じ端子から前記スイッチ素子および前記ローパスフィルタのそれぞれに出力されることを特徴とする請求項４に記載の半導体光源制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの半導体光源を制御する半導体光源制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、前照灯などの車両用灯具に、従来のフィラメントを有するハロゲンランプに代えてより長寿命で低消費電力のＬＥＤが利用されている。ＬＥＤの発光の度合いすなわち明るさはＬＥＤに流す電流の大きさに依存するので、ＬＥＤを光源として利用する場合にはＬＥＤに流れる電流を調節するための点灯回路が必要となる。そのような点灯回路は通常エラーアンプを有し、ＬＥＤに流れる電流が一定となるようにフィードバック制御する。
【０００３】
例えば前照灯にはハイビームの状態とロービームの状態とがあり、また規格に合わせやすくするためにもＬＥＤの明るさを調節できることが望ましい。ＬＥＤの明るさを変える手法のひとつとして、電流をオンオフさせそのデューティ比を変えるＰＷＭ（Pulse Width Modulation）減光が知られている。
【０００４】
本出願人は特許文献１においてＰＷＭ減光を採用した点灯制御装置を提案している。
【０００５】
一般的なＰＷＭ減光では、電流をオンオフするためのスイッチ素子の応答速度によって、実現できる調光率の下限が制限される。この対策として、スイッチ素子をＰＷＭ駆動するための制御信号とは別の制御信号に基づき、ＬＥＤへの電流の目標値を変化させて調光する手法が提案されている（例えば特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１７０７０４号公報
【特許文献２】特開２００５−３３２５８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２に記載される手法では、光源に供給される電流として２つの異なる値が使用される。相対輝度が高い場合は大きい方の電流値が使用され、相対輝度が低い場合は小さい方の電流値が使用される。この場合、電流の設定値は２値であるので、電流を切り替える際の電流の変化は比較的大きくなる。相対輝度を徐々に変化させて電流の切り替え点を通過すると、そこで電流のピーク値が大きく変動し、ＬＥＤの発光特性に比較的大きな変動が生じうる。
【０００８】
本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体光源の輝度の設定可能範囲が広いＰＷＭ減光を実現しつつ半導体光源の輝度をより滑らかに変化させることができる半導体光源制御装置の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のある態様は、半導体光源制御装置に関する。この半導体光源制御装置は、半導体光源を流れる駆動電流を生成するレギュレータと、駆動電流の大きさが目標値に近づくようにレギュレータを制御する駆動制御部と、を備える。半導体光源を流れる駆動電流の大きさが目標値に近づくように制御される第１状態と、第１状態よりも駆動電流が小さくなる第２状態と、が繰り返されることにより半導体光源の輝度が調節される。第１状態と第２状態との繰り返しにおけるデューティ比および駆動制御部における目標値の両方は半導体光源の輝度の設定値に応じて変化する。目標値またはデューティ比のいずれか一方は、その他方と半導体光源の輝度の設定値とが一対一の関係となるよう設定される。
【００１０】
この態様によると、目標値またはデューティ比と半導体光源の輝度の設定値とは一対一の関係となる。
【００１１】
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや、本発明の構成要素や表現を装置、方法、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、半導体光源の輝度の設定可能範囲が広いＰＷＭ減光を実現しつつ半導体光源の輝度をより滑らかに変化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態に係る半導体光源制御装置を備える車載回路の構成を示す回路図である。
【図２】徐変制御中の図１の半導体光源制御装置の動作状態を示すタイムチャートである。
【図３】マイクロコンピュータの割り込み制御を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、信号には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、各図面において説明上重要ではない部材の一部は省略して表示する。また、電圧、電流あるいは抵抗などに付された符号は、必要に応じてそれぞれの電圧値、電流値あるいは抵抗値を表すものとして用いることがある。
【００１５】
本明細書において、「部材Ａが、部材Ｂと接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂが物理的に直接的に接続される場合のほか、部材Ａと部材Ｂが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。同様に、「部材Ｃが、部材Ａと部材Ｂとの間に設けられた状態」とは、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
【００１６】
実施の形態に係る半導体光源制御装置は、ＬＥＤに流れる駆動電流をスイッチング素子を使用して生成するスイッチングレギュレータと、その駆動電流の大きさが目標値に近づくようにスイッチング素子のオンオフをフィードバック制御する駆動制御部と、を備える。さらに半導体光源制御装置ではＰＷＭ減光が行われる。すなわち、駆動電流の大きさが目標値に近づくように制御される電流制御状態と、電流制御状態よりも駆動電流が小さくなる電流抑制状態と、が繰り返されることにより、ＬＥＤの発光の度合いすなわち輝度が調節される。より具体的には、半導体光源制御装置は、ＬＥＤとスイッチングレギュレータとの間の駆動電流の経路上に設けられた調光スイッチ素子を所定の減光周波数ｆ１でオンオフさせることにより、ＬＥＤの輝度を調節する。この場合、電流制御状態は調光スイッチ素子のオン状態に対応する。電流抑制状態は調光スイッチ素子のオフ状態に対応し、ＬＥＤに流れる駆動電流は実質的にゼロとなる。
【００１７】
半導体光源制御装置は、電流制御状態と電流抑制状態との繰り返しにおけるデューティ比すなわち調光スイッチ素子のオンオフのデューティ比を、ＬＥＤの輝度の設定値（以下、ＬＥＤの輝度を最大輝度に対する百分率である調光率で表す）に応じて変化させる。半導体光源制御装置は、駆動電流の目標値を調光率の設定値に応じて変化させる。特にデューティ比および目標値のそれぞれは、調光率のとりうる範囲すなわち１％〜１００％において、調光率の設定値に対して単調に変化する。これにより、比較的広範囲な調光制御を実現しつつ、調光時の駆動電流やデューティ比の急な変動を抑えることができる。その結果、ＬＥＤの発光特性の急な変動を抑制できる。
【００１８】
図１は、車載回路１０の構成を示す回路図である。車載回路１０は、実施の形態に係る半導体光源制御装置１００と、電子制御ユニット（Electronic Control Unit）２０と、車載バッテリ３０と、車載用のＬＥＤを３つ直列に接続して構成されるＬＥＤ４０と、スイッチＳＷと、を備える。
【００１９】
電子制御ユニット２０は、自動車などの車両の電気的な制御を総合的に行うためのマイクロコンピュータである。電子制御ユニット２０はスイッチＳＷを介して車載バッテリ３０と接続され、スイッチＳＷをオンさせることにより車載バッテリ３０からバッテリ電圧Ｖｂａｔを受ける。電子制御ユニット２０は、半導体光源制御装置１００に入力電圧Ｖｉｎとして直流のバッテリ電圧Ｖｂａｔを供給する。電子制御ユニット２０は、半導体光源制御装置１００に固定電圧すなわち接地電位ＶＧＮＤ（＝０Ｖ）を供給する。電子制御ユニット２０は、ＰＷＭ減光信号Ｓ１を生成し半導体光源制御装置１００に供給する。
【００２０】
ＰＷＭ減光信号Ｓ１は、ＬＥＤ４０を高速、例えば数百Ｈｚから数ｋＨｚの減光周波数ｆ１で点滅させるための信号である。より具体的にはＰＷＭ減光信号Ｓ１は、減光周波数ｆ１で電圧が矩形波状に変化する信号である。電子制御ユニット２０は、ＬＥＤ４０で実現されるべき調光率の設定値に基づいてＰＷＭ減光信号Ｓ１のデューティ比を設定する。一例では、ＰＷＭ減光信号Ｓ１のデューティ比は調光率の設定値に対応する。
【００２１】
半導体光源制御装置１００は、駆動制御部１０２と、スイッチングレギュレータ１０４と、ローパスフィルタ１０６と、点消灯調光制御部１０８と、調光スイッチ素子１１０と、電流検出部１１２と、を含む。
【００２２】
スイッチングレギュレータ１０４は、電子制御ユニット２０から入力される入力電圧Ｖｉｎを、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などのトランジスタであってもよいスイッチング素子１２２を使用して、ＬＥＤ４０の順方向降下電圧Ｖｆに対応する出力電圧Ｖｏｕｔに変換する。スイッチングレギュレータ１０４は、調光スイッチ素子１１０を介して出力電圧ＶｏｕｔをＬＥＤ４０のアノードに印加する。電流の観点から見ると、スイッチングレギュレータ１０４は駆動電流ＩＬＥＤを生成し、調光スイッチ素子１１０を介してＬＥＤ４０に供給する。スイッチングレギュレータ１０４の接地電位は電子制御ユニット２０から供給される。
【００２３】
電流検出部１１２は、駆動電流ＩＬＥＤの大きさを検出する。電流検出部１１２は例えば駆動電流ＩＬＥＤが流れる電流検出抵抗であり、駆動電流ＩＬＥＤの大きさに応じた検出電圧Ｖｄを生成して駆動制御部１０２に供給する。
【００２４】
駆動制御部１０２は、駆動電流ＩＬＥＤの大きさが目標値に近づくようにスイッチング素子１２２のオンオフを制御する。駆動制御部１０２は検出電圧Ｖｄおよび目標値設定信号Ｓ３に基づいて素子制御信号Ｓ４を生成し、スイッチング素子１２２の制御端子すなわちゲートに出力する。駆動制御部１０２は、検出電圧Ｖｄに応じた駆動電流ＩＬＥＤの大きさが目標値設定信号Ｓ３の電圧レベルに応じた目標値に近づくように、素子制御信号Ｓ４のデューティ比を調整する。
【００２５】
調光スイッチ素子１１０は駆動電流ＩＬＥＤの経路上に設けられる。特に調光スイッチ素子１１０は、スイッチングレギュレータ１０４の出力端子とＬＥＤ４０のアノードとの間に設けられる。調光スイッチ素子１１０のオンオフはＰＷＭ制御信号Ｓ２によって制御される。ＰＷＭ制御信号Ｓ２がアサートされるときすなわちハイレベルのとき調光スイッチ素子１１０はオン状態となる。この場合、ＬＥＤ４０に流れる駆動電流ＩＬＥＤの大きさは駆動制御部１０２によって目標値に近づくように制御されるので、調光スイッチ素子１１０のオン状態は電流制御状態に対応する。ＰＷＭ制御信号Ｓ２がネゲートされるときすなわちローレベルのとき調光スイッチ素子１１０はオフ状態となる。この場合、ＬＥＤ４０には実質的に駆動電流ＩＬＥＤは流れないので、調光スイッチ素子１１０のオフ状態は電流抑制状態に対応する。
【００２６】
点消灯調光制御部１０８は、ＰＷＭ減光信号Ｓ１に基づき、パルス幅変調されたＰＷＭ制御信号Ｓ２を生成する。点消灯調光制御部１０８はマイクロコンピュータである。ＰＷＭ制御信号Ｓ２はそのマイクロコンピュータの同じ端子から調光スイッチ素子１１０およびローパスフィルタ１０６のそれぞれに出力される。
【００２７】
点消灯調光制御部１０８は、ＰＷＭ減光信号Ｓ１によって示される調光率の設定値と調光スイッチ素子１１０のデューティ比とを対応付けた第１ルックアップテーブルを有する。点消灯調光制御部１０８は、ＰＷＭ減光信号Ｓ１から調光率の設定値を抽出する。点消灯調光制御部１０８は、抽出された調光率の設定値を第１ルックアップテーブルを参照してデューティ比に変換する。点消灯調光制御部１０８は、変換の結果得られた調光スイッチ素子１１０のデューティ比を実現するＰＷＭ制御信号Ｓ２を生成する。特に点消灯調光制御部１０８は、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比を、変換の結果得られた調光スイッチ素子１１０のデューティ比とする。
【００２８】
ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比は、ＰＷＭ制御信号Ｓ２の１周期に占めるＰＷＭ制御信号Ｓ２がハイレベルとなるハイ期間の割合である。ハイ期間の間は調光スイッチ素子１１０がオン状態となるので、ハイ期間の長さは電流制御状態の継続期間の長さと実質的に等しい。ＰＷＭ制御信号Ｓ２がローレベルとなるロー期間の長さも同様に電流抑制状態の継続期間の長さと実質的に等しい。したがって、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比が増大すると、電流制御状態の継続期間に対する電流抑制状態の継続期間の割合は減少し、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比が減少すると、当該割合は増大する。
【００２９】
ローパスフィルタ１０６にはＰＷＭ制御信号Ｓ２が入力される。ローパスフィルタ１０６はＰＷＭ制御信号Ｓ２をローパスフィルタし、減光周波数ｆ１のタイムスケールで見たときに実質的に直流の電圧を有する目標値設定信号Ｓ３を生成し、駆動制御部１０２に出力する。目標値設定信号Ｓ３の電圧レベルはＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比に対応する。ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比が大きいほど目標値設定信号Ｓ３の電圧レベルは高く、デューティ比が小さいほど目標値設定信号Ｓ３の電圧レベルは低い。
ローパスフィルタ１０６は、ローパスフィルタ１０６のカットオフ周波数が減光周波数ｆ１よりも低くなるよう構成される。
【００３０】
駆動制御部１０２は、目標値設定信号Ｓ３の電圧レベルと目標値とを対応付けた第２ルックアップテーブルを有する。駆動制御部１０２は、目標値設定信号Ｓ３の電圧レベルを第２ルックアップテーブルを参照して目標値に変換する。あるいはまた、駆動制御部１０２は、目標値設定信号Ｓ３の電圧を適宜スケーリングした後、誤差増幅器の基準入力側に印加してもよい。
【００３１】
ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比と駆動電流ＩＬＥＤの目標値と調光率の設定値との関係を以下の第１表に示す。
【表１】
2013258003.tif 000003
【００３２】
第１表において、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比と調光率の設定値との対応関係は点消灯調光制御部１０８の第１ルックアップテーブルに保持される。ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比と駆動電流ＩＬＥＤの目標値との対応関係は、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比に対応する目標値設定信号Ｓ３の電圧レベルと目標値との対応関係の形で駆動制御部１０２の第２ルックアップテーブルに保持される。
【００３３】
第１表を参照すると、調光率を低下させる場合、半導体光源制御装置１００は、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比を減少させると共に駆動電流ＩＬＥＤの目標値を低下させる。調光率を増大させる場合、半導体光源制御装置１００は、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比を増大させると共に駆動電流ＩＬＥＤの目標値を増大させる。
また、調光率の設定値はＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比の二乗に実質的に比例する。
【００３４】
以上の構成による半導体光源制御装置１００の動作を説明する。
図２は、徐変制御中の半導体光源制御装置１００の動作状態を示すタイムチャートである。図２は、上から順に、ＰＷＭ制御信号Ｓ２の電圧、駆動制御部１０２で使用される駆動電流ＩＬＥＤの目標値、ＰＷＭ減光信号Ｓ１により示される調光率の設定値、を示す。徐変制御は調光率を数秒かけてゆっくり変化させる制御であり、図２には特に調光率を低下させる場合が示される。
【００３５】
調光率が１００％に設定される第１期間ＴＰ１において、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比は１００％に設定される。すなわち、ＰＷＭ制御信号Ｓ２はハイレベルに固定され、調光スイッチ素子１１０はオン状態を維持する。駆動電流ＩＬＥＤの目標値は最大の１５００ｍＡに設定される。
【００３６】
調光率が６４％に設定される第２期間ＴＰ２において、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比は８０％に設定される。駆動電流ＩＬＥＤの目標値は１２００ｍＡに設定される。
調光率が２５％に設定される第３期間ＴＰ３において、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比は５０％に設定される。駆動電流ＩＬＥＤの目標値は７５０ｍＡに設定される。
調光率が９％に設定される第４期間ＴＰ４において、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比は３０％に設定される。駆動電流ＩＬＥＤの目標値は４５０ｍＡに設定される。
調光率が１％に設定される第５期間ＴＰ５において、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比は１０％に設定される。駆動電流ＩＬＥＤの目標値は１５０ｍＡに設定される。
各期間のデューティ比と調光率の設定値との間には以下の関係が成立する。
【数１】
2013258003.tif 000004
【００３７】
本実施の形態に係る半導体光源制御装置１００は、駆動電流ＩＬＥＤの目標値および調光スイッチ素子１１０のオンオフのデューティ比の両方を変化させることでＬＥＤの調光率を変化させる。したがって、より広範囲な調光制御が可能となる。特に、調光率の設定値が比較的低い場合にデューティ比をそれほど小さくしなくてもよいので、調光スイッチ素子１１０のオンオフの立ち上がり／立ち下がりによる調光率への影響を低減でき、調光率の精度を高めることができる。
【００３８】
また、本実施の形態に係る半導体光源制御装置１００では、そのように広範囲の調光制御が可能でありながら、調光率の設定値の変動に対する目標値の変動が抑えられ、かつ、調光率の設定値の変動に対するデューティ比の変動も抑えられる。したがって、例えば徐変制御中であってもＬＥＤの輝度はより滑らかに変化する。その結果、より信頼性が高く商品価値の高い車両用灯具を実現できる。
【００３９】
マイクロコンピュータにより生成されるＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比の最小値について、本発明者は独自に以下の検討を行った。
ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比の最小値は、ソフトウエア制御にて使用する割り込み処理の処理時間に依存する。
【数２】
2013258003.tif 000005
【００４０】
したがって、
デューティ比の最小値  ＝  全割り込み処理時間最大値の総和
となる。
【００４１】
上記を無視して設計した場合、下記の事象が起こり得る。図３は、マイクロコンピュータの割り込み制御を示す説明図である。
ＰＷＭ調光用のタイマ周期割り込み（２ｍｓ周期）の処理にて、デューティ値（コンペアマッチレジスタ）の設定（書き込み）を行う。該割り込みが他の割り込み処理中に発生した場合、その他の割り込み処理が完了するまで該割り込み処理は保留となる。この保留中もＰＷＭ調光用タイマのカウントはアップしている。保留後、デューティ値（コンペアマッチレジスタ）を書き込むとき、コンペアマッチレジスタ＜タイマカウントであると、タイマ出力＝ＯＦＦのコンペアマッチが１回分飛ばされ、１周期分以上ハイレベル（ＯＮ）が生じてしまう。他の割り込み処理の発生タイミングによっては、オン期間が連続することも起こり得る。このようなコンペアマッチのスキップは、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比を小さくするほどすなわちコンペアマッチレジスタの値を小さくするほど、より起こりやすくなる。したがって、通常、このようなコンペアマッチのスキップを避けるために、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比の最小値は上記の通り設定される。
【００４２】
これに対して本実施の形態に係る半導体光源制御装置１００では、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比と並行して駆動電流ＩＬＥＤの目標値も変化させることにより、より低い調光率を実現する。したがって、上記のようなソフトウエアの多重割り込み処理の影響によりＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比の下限が制限されている状況においても、低い調光率を実現できる。
【００４３】
また、本実施の形態に係る半導体光源制御装置１００では、ＰＷＭ制御信号Ｓ２は、点消灯調光制御部１０８であるマイクロコンピュータの同じ端子から調光スイッチ素子１１０およびローパスフィルタ１０６のそれぞれに出力される。したがって、調光スイッチ素子１１０のオンオフ制御および駆動電流ＩＬＥＤの目標値制御のためのマイクロコンピュータの端子はひとつでよい。したがって、それらの制御を別々の信号で別々の端子を介して行う場合と比較して、マイクロコンピュータの端子数を低減できる。その結果、端子数の多い大型で高価なマイクロコンピュータを採用する必要はなく、端子数の少ない安価なマイクロコンピュータを選定でき、装置の小型化にも貢献する。
【００４４】
さらに、ＬＥＤ４０を複数設けてそれらを個別に点消灯・調光制御する場合、ＬＥＤ４０の個数分端子が必要となるので、端子数の低減効果はより顕著である。
【００４５】
以上、実施の形態に係る半導体光源制御装置の構成と動作について説明した。この実施の形態は例示であり、その各構成要素や各処理の組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【００４６】
実施の形態では、電子制御ユニット２０はＰＷＭ減光信号Ｓ１を生成して半導体光源制御装置１００に供給する一方、ＰＷＭ減光信号Ｓ１によらずに略一定の入力電圧Ｖｉｎを半導体光源制御装置１００に供給する場合について説明したが、これに限られない。例えば、ＰＷＭ減光信号Ｓ１に代わり、ＬＩＮやＣＡＮなど車載ネットワークによるシリアル通信を利用して、通信情報の中の１つとしてＰＷＭ減光信号Ｓ１に相当する信号を設定し、その信号を点消灯調光制御部１０８に入力させてもよい。あるいはまた、ＰＷＭ減光信号Ｓ１を廃し、代わりに入力電圧Ｖｉｎを減光周波数ｆ１でオンオフすることによってＰＷＭ減光を実現してもよい。
【００４７】
実施の形態では、調光率を低下させる場合、半導体光源制御装置１００は、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比を減少させると共に駆動電流ＩＬＥＤの目標値を低下させ、調光率を増大させる場合、半導体光源制御装置１００は、ＰＷＭ制御信号Ｓ２のデューティ比を増大させると共に駆動電流ＩＬＥＤの目標値を増大させる場合について説明したが、これに限られず、目標値またはデューティ比のいずれか一方は、その他方と調光率の設定値とが一対一の関係となるよう設定されればよい。この場合でも、ＬＥＤの輝度をより滑らかに変化させることができる。
【００４８】
実施の形態では、駆動電流ＩＬＥＤの経路上に調光スイッチ素子１１０が設けられる場合について説明したが、これに限られない。例えば、調光スイッチ素子１１０に代えてまたは加えて、ＬＥＤ４０と並列にバイパススイッチ素子を設けてもよい。点消灯調光制御部はバイパススイッチ素子のオンオフを制御することでＰＷＭ調光を実現してもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１０  車載回路、  ２０  電子制御ユニット、  ３０  車載バッテリ、  ４０  ＬＥＤ、  １００  半導体光源制御装置、  １０２  駆動制御部、  １０４  スイッチングレギュレータ、  １０６  ローパスフィルタ、  １０８  点消灯調光制御部、  １１０  調光スイッチ素子、  １１２  電流検出部。
【図１】
2013258003.tif 000006
【図２】
2013258003.tif 000007
【図３】
2013258003.tif 000008