(57)【要約】【課題】半導体装置の製造方法において、コンタクトプラグが形成されるセル部と、前記コンタクトプラグが形成されない周辺回路部とを平坦化できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に最上部が第１の絶縁膜からなる配線層を形成する工程と、前記半導体基板と前記配線層とを被う第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜の所定の領域をエッチングし、前記配線層と前記半導体基板とを露出させる開口部を形成する工程と、前記開口部内と前記第２の絶縁膜上とに導電膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の研磨速度が前記導電膜に対する研磨速度よりも大きい選択比を有し、前記第２の絶縁膜の研磨速度が前記導電膜に対する研磨速度よりも大きい選択比を有する条件で、前記第２の絶縁膜と前記導電膜とを前記第１の絶縁膜が露出するようＣＭＰ法で除去し、コンタクトプラグを形成する工程を有する半導体装置の製造方法。【選択図】図５
2013038095.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に最上部が第１の絶縁膜からなる配線層を形成する工程と、
前記半導体基板と前記配線層とを被うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜の所定の領域をエッチングし、前記配線層と前記半導体基板とを露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部が埋め込まれるように前記開口部内と前記第２の絶縁膜上とに導電膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の研磨速度が前記導電膜に対する研磨速度よりも大きい選択比を有し、かつ、前記第２の絶縁膜の研磨速度が前記導電膜に対する研磨速度よりも大きい選択比を有する条件で、前記第２の絶縁膜と前記導電膜とを前記第１の絶縁膜が露出するよう化学機械研磨（ＣＭＰ）法で除去し、前記開口部に前記導電膜が埋め込まれたコンタクトプラグを形成する工程（コンタクトプラグ形成工程）とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記配線層はビット線をなし、前記開口部は隣接する前記ビット線間に配置され、前記半導体基板を露出するように形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記コンタクトプラグ形成工程において、前記第１の絶縁膜の研磨速度と前記第２の絶縁膜の研磨速度とが略同一であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記コンタクトプラグ形成工程において、前記第２の絶縁膜の研磨速度が前記導電膜に対する研磨速度よりも大きい選択比を有する条件で、前記第２の絶縁膜と前記導電膜を前記第１の絶縁膜が露出するように研磨する第１の研磨工程と、
前記第１の絶縁膜の研磨速度が前記導電膜に対する研磨速度よりも大きい選択比を有し、かつ、前記第２の絶縁膜の研磨速度が前記導電膜に対する研磨速度よりも大きい選択比を有する条件で、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜と前記第１の導電膜とをさらに研磨する第２の研磨工程とを有することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかの請求項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記コンタクトプラグ形成工程前において、前記導電膜を前記第１の絶縁膜の高さ以上、かつ前記第２の絶縁膜の高さ以下になるようにエッチバックする工程を有することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかの請求項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記コンタクトプラグ形成工程において、研磨剤は研磨粒子、高分子化合物、無機酸のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかの請求項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記研磨粒子はシリカ粒子、アルミナ粒子、コロイダル粒子のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記無機酸は硝酸、リン酸のいずれかを含み、ｐＨが２〜３であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の絶縁膜としてシリコン窒化膜を用いることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかの請求項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の絶縁膜としてシリコン酸化膜、ＢＰＳＧ膜のいずれかを用いることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれかの請求項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記シリコン酸化膜としてＣＶＤ膜、ＳＯＤ膜のいずれかを用いることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板上に最上部が第１の絶縁膜からなる配線層を形成する工程と、
前記半導体基板と前記配線層とを被うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜の所定の領域をエッチングし、前記配線層と前記半導体基板とを露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部が埋め込まれるように前記開口部内と前記第２の絶縁膜上とに導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を前記第１の絶縁膜の高さ以上、かつ前記第２の絶縁膜の高さ以下になるようエッチバックする工程と、
前記第１の絶縁膜の研磨速度が前記導電膜に対する研磨速度よりも大きい選択比を有し、かつ、前記第２の絶縁膜の研磨速度が前記導電膜に対する研磨速度よりも大きい選択比を有する条件で、前記第２の絶縁膜と前記導電膜とを前記第１の絶縁膜が露出するようにＣＭＰ法で除去し、前記開口部に前記導電膜が埋め込まれたコンタクトプラグを形成する工程（コンタクトプラグ形成工程）とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
半導体基板上に最上部が第１の絶縁膜からなる配線層を形成する工程と、
前記半導体基板と前記配線層とを被うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜の所定の領域をエッチングし、前記配線層と前記半導体基板とを露出させる第１の開口部を形成する工程と、
前記第１の開口部が埋め込まれるように前記開口部内と前記第２の絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を前記第１の絶縁膜の高さ以上、かつ前記第２の絶縁膜の高さ以下になるようにエッチバックする工程と、
前記導電膜上及び、前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜をエッチバックし、前記第２の絶縁膜側壁に前記第３の絶縁膜からなるサイドウォールを形成する工程と、
前記サイドウォールをマスクにして、前記導電膜を前記第２の絶縁膜の側壁に残すようにエッチングし、前記半導体基板を露出させて第２の開口部を形成する工程と、
前記第２の開口部が埋め込まれるように前記第２の開口部内部と前記第２の絶縁膜上と前記サイドウォール上とに第４の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜と、前記第４の絶縁膜それぞれの研磨速度が前記導電膜に対する研磨速度よりも大きい選択比を有する条件で、前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜前と前記第４の絶縁膜と前記導電膜とを前記第１の絶縁膜が露出するようＣＭＰ法で除去し、前記第１の開口部に前記導電膜が埋め込まれたコンタクトプラグを形成とする工程（コンタクトプラグ形成工程）とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法によってコンタクトプラグを形成する工程を含む、半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタは代表的な半導体装置の１つであり、プレーナ構造トランジスタは、半導体基板表面をチャネルとして用いている。しかしながら、近年の半導体装置の微細化に伴い、プレーナ構造トランジスタにおける短チャネル効果の抑制が困難となり、目標とするトランジスタ特性が得られなくなってきた。最近では、この短チャネル効果の問題を解消し、半導体基板の内部に形成した溝（トレンチ）の表面をチャネルとして用いるトレンチゲート型トランジスタが多く用いられるようになっている。
【０００３】
ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）にもこのトレンチゲート型トランジスタが用いられる。ＤＲＡＭとして用いられるトレンチゲート型トランジスタ（以降、ＤＲＡＭ用トランジスタ）は、メモリセル部（以降、セル部）と周辺回路部とから構成される。セル部はワード線として機能するゲート電極と、ワード線に交差する方向に形成されるビット線により複数のセルに区画される。各セルには、半導体基板と上層配線とを接続するコンタクトプラグが形成される。ワード線やビット線などの配線およびコンタクトプラグは、半導体製造装置の最小加工寸法Ｆを基準として、Ｆと同程度、あるいはＦの整数倍や分数倍の大きさで形成される。ＤＲＡＭ用トランジスタのセル部の周囲には、周辺回路部が設けられる。周辺回路部には、特定のワード線およびビット線を選択する回路や、ワード線およびビット線に与える電圧を制御する回路等が作られる。
【０００４】
半導体製造装置の最小加工寸法Ｆは年々縮小されており、ＤＲＡＭ用トランジスタにおけるコンタクトプラグの密集度が高まっている。高密集度のコンタクトプラグの形成方法としては、リソグラフィ工程により、ドレイン拡散層にホール状の開口マスクを形成し、エッチング工程により、ドレイン拡散層上の層間膜に開口部を形成する。次いで、その開口部にポリシリコン等の導電膜を埋め込み、層間膜と導電膜とをＣＭＰ法により研磨する方法が用いられている。
【０００５】
このような半導体装置表面のＣＭＰ法による研磨方法は、既に種々提案されている。
例えば特許文献１には、半導体装置の絶縁膜とポリシリコンとの研磨レートをヒュームドシリカと、水酸化アンモニウムと、水酸化カリウムで制御する研磨方法が示されている。この研磨方法によれば、研磨中にトランジスタの絶縁膜に傷が生じた場合であっても、ショートなどの不具合の発生を抑制し、高さの揃ったキャパシタプラグを形成することができる。
また、特許文献２には、半導体基板のポリシリコンに対し、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の除去率を小さくする、あるいはシリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の除去率を高くする研磨液および研磨方法が示されている。この研磨液によれば、ポリシリコン層の除去率を高く維持しつつ、そのポリシリコン層と共に除去されるシリコン酸化膜及びシリコン窒素膜の研磨率を低くすることができる。
さらに、特許文献３には、シリコン酸化膜表面を親水性に、ポリシリコン表面を疎水性にして選択比を向上させるスラリーを用いた研磨方法について開示されている。このスラリーを用いた研磨方法によれば、研磨時の酸化膜対ポリシリコン膜間の選択比が極めて向上し、セル部内の平坦化が容易に達成される。
【０００６】
ところで、ＤＲＡＭ用トランジスタの製造においては、ＣＭＰ法による研磨工程でのセル部と周辺回路部との平坦化が重要である。これは、セル部と周辺回路部との間に段差が生じると、その後の薄膜形成時に、薄膜の膜厚が部分的に薄くなる、または配線の断線および配線層間の絶縁不良箇所でショートが発生し易い、あるいはリソグラフィ工程の露光時に露光光学系のレンズ焦点が部分的に合わなくなる等の問題が生じるためである。
【０００７】
前述のような従来の研磨方法を用いてコンタクトプラグを形成すると、コンタクトプラグを成す導電膜の研磨速度が、導電膜以外の部分（層間膜、ギャップ膜等）の研磨速度より速い場合に、主に周辺回路のコンタクトプラグが形成されない平面（以降、平面部）に対してセル部が沈み込む“エロージョン現象”が発生する。
【０００８】
エロージョン現象の発生は、導電膜が埋め込まれたコンタクトプラグ用開口部周辺の層間膜およびギャップ膜等の研磨速度が、コンタクトプラグ用開口部が形成されていない平面部の層間膜およびキャップ膜等の研磨速度に比べて大きくなり、コンタクトプラグが形成されるセル部領域全体が速く研磨されることが原因と考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−７２２３８号公報
【特許文献２】特開２００２−３０５１６７号公報
【特許文献３】米国特許第７，１９６，０１０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
半導体装置であるトランジスタの製造において、エロージョン現象が発生し、セル部が平面部より沈み込んだ形状になると、ＣＭＰ法による研磨工程後に行う配線形成工程において、リソグラフィ技術によるパターニングを行う際に、セル部と周辺回路部との間で露光光学系のレンズの焦点深度が異なってしまう。その結果、セル部領域での微細なパターン形成が困難になる問題が生じる。
また、セル部の沈み込む深さはセル部領域の中央付近で大きく、セル部領域の端部で小さい。そのような状態で、コンタクトプラグとなる導電膜を個々に分離させるために、セル部領域の端部において適切な研磨量で研磨を行うと、セル部領域の中央付近では研磨量が多くなり過ぎる。その結果、半導体装置表面にビット線等の配線が露出してしまう問題が生じる。
前述の特許文献１〜３のいずれの文献においても、このようなＣＭＰ法による研磨工程におけるエロージョン現象の発生および解決方法については示されていない。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、発明者らはセル部でのエロージョン現象を抑制する方法の検討を行った。鋭意検討の結果、後述の研磨条件により、セル部におけるエロージョンの発生が抑制されることを見出した。
【００１２】
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に最上部が第１の絶縁膜からなる配線層を形成する工程と、前記半導体基板と前記配線層とを被うように第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜の所定の領域をエッチングし、前記配線層と前記半導体基板とを露出させる開口部を形成する工程と、前記開口部が埋め込まれるように前記開口部内と前記第２の絶縁膜上とに導電膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の研磨速度が前記導電膜に対する研磨速度よりも大きい選択比を有し、かつ、前記第２の絶縁膜の研磨速度が前記導電膜に対する研磨速度よりも大きい選択比を有する条件で、前記第２の絶縁膜と前記導電膜とを前記第１の絶縁膜が露出するように化学機械研磨法（ＣＭＰ法）で除去し、前記開口部に前記導電膜が埋め込まれたコンタクトプラグを形成する工程（コンタクトプラグ形成工程）とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
上記の方法によれば、導電膜の研磨は第1の絶縁膜と第２の絶縁膜の平面に引きずられるように行われる。また、導電膜の実パターン上の研磨速度は、第1の絶縁膜と第２の絶縁膜の研磨速度に合わせて速められる。この作用を利用し、第1の絶縁膜と第２の絶縁膜の研磨速度を制御することにより、導電膜と、第1の絶縁膜と、第２の絶縁膜が作る基板平面の高さを制御することができる。
したがって、半導体装置のコンタクトプラグ形成工程において、ＣＭＰ法による研磨を行う際に、コンタクトプラグが形成されるセル部でのエロージョンの発生を防止することができる。また、セル部とコンタクトプラグが形成されない周辺回路部との段差を低減し、半導体装置の基板表面を平坦化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態における半導体装置の平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態における半導体装置要部の平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態における半導体装置要部の断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態における半導体装置要部の別の断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態における半導体装置要部の他の断面図である。
【図６Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図６Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図６Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図６Ｄ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図６Ｅ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図６Ｆ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図６Ｇ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図８Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図８Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図８Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図９Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図９Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１０Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１０Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１１Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図１１Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１３】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１４Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図１４Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１４Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１４Ｄ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１４Ｅ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１４Ｆ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１５Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図１５Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１５Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１５Ｄ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１６Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１６Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１６Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１７Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図１７Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１７Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１７Ｄ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１８Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図１８Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１８Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１８Ｄ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１９Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１９Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図１９Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２０Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図２０Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２０Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２０Ｄ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２１Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図２１Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２１Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２１Ｄ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２２Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２２Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２２Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２３Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図２３Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２３Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２３Ｄ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２４Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図２４Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２４Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２４Ｄ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２５Ａ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図２５Ｂ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２５Ｃ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２５Ｄ】本発明の第１実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２６Ａ】本発明の第２実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２６Ｂ】本発明の第２実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２６Ｃ】本発明の第２実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２７】本発明の第３実施形態における半導体装置要部の平面図である。
【図２８Ａ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２８Ｂ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２８Ｃ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２９Ａ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図２９Ｂ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２９Ｃ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図２９Ｄ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３０Ａ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図３０Ｂ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３０Ｃ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３０Ｄ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３１Ａ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３１Ｂ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３１Ｃ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３２Ａ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図３２Ｂ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３２Ｃ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３２Ｄ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３３Ａ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図３３Ｂ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３３Ｃ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３３Ｄ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３４Ａ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図３４Ｂ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３４Ｃ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３４Ｄ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３５Ａ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３５Ｂ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３５Ｃ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３５Ｄ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３６Ａ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３６Ｂ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３６Ｃ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３６Ｄ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３７Ａ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図３７Ｂ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３７Ｃ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３７Ｄ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３７Ｅ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３８Ａ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図３８Ｂ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３８Ｃ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３８Ｄ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３８Ｅ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３９Ａ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す平面図である。
【図３９Ｂ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図３９Ｃ】本発明の第３実施形態における半導体装置の一製造工程を表す断面図である。
【図４０】本発明の比較例１および実施例１の結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、半導体装置の一例としてＤＲＡＭに本発明を適用した実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各構成要素の寸法比率などが実際と同一とは限らない。
【００１６】
第１〜第３の実施形態におけるＤＲＡＭ１０００，２０００はいずれも、図１に示すように、セル部１１５とその周囲の周辺回路部１１６とから構成される。セル部１１５には、単位記憶セルの集まりであるメモリセルが形成される。周辺回路部１１６には、各ＤＲＡＭのワード線およびビット線を適宜選択する選択回路などの周辺回路が形成される。
【００１７】
（第1の実施形態）
本発明を適用した一実施形態であるＤＲＡＭ１０００の構成について説明する。図２は図１に示すＤＲＡＭ１０００のセル部の主要な配線構成を示している。ただし、図２には、各配線のキャップ膜、分離膜、層間膜等の絶縁膜や２次配線は示されてない。
ＤＲＡＭ１０００には、トランジスタの基本構成要素として、ワード線として機能するビット線２２２と、ゲート電極２２４と、ソース拡散層やドレイン拡散層を成す拡散層１４１と、キャパシタコンタクト（コンタクトプラグ）２７１と、キャパシタ３１４が形成されている。
【００１８】
図２中に示すＹ１−Ｙ１´線、Ｘ１−Ｘ１´線、Ａ−Ａ´線に沿ったＤＲＡＭ１０００の断面構造はそれぞれ、図３、図４、図５に示すようになっている。ここでは、図５を参照し、ＤＲＡＭ１０００のセル部の主要構造について説明する。
図５は２つの活性領域５００を含む領域の断面図である。半導体基板１１１上の各活性領域５００の中央に、ソース拡散層１４１ｂが形成されている。ソース拡散層１４１ｂはビット線２２２に接続されている。ビット線２２２は、シリコン膜２１１と、シリコン膜２１１上に形成されるビット線タングステン膜２１３から成る。ビット線２２２の上には、ビット線キャップ膜（第１の絶縁膜）２１４が形成されている。また、ソース拡散層１４１ｂの両側には、セルトランジスタトレンチが形成されており、セルトランジスタトレンチの両外側にドレイン拡散層１４１ｃが形成されている。セルトランジスタトレンチ内には、ゲート電極２２４となるゲート窒化チタン膜１７３とゲートタングステン膜１７４が、ゲート絶縁膜１７１を介して埋め込まれている。このゲート電極２２４はＤＲＡＭ１０００のワード線として機能する。また、２つの活性領域間には素子分離ゲートトレンチが形成されている。２つの活性領域は、素子分離ゲートトレンチに埋められた絶縁膜で分離される。さらに、ドレイン拡散層１４１ｃにはプラグ状のキャパシタコンタクト（コンタクトプラグ）２７１と、キャパシタパッド第２配線３０４ｃを介して、導電膜から成る柱状のキャパシタ３１４に接続されている。キャパシタコンタクト２７１は、第１層間膜（第２の絶縁膜）２４１により分離されている。Ｘ方向に延在するゲート電極２２４と、Ｙ方向に延在するキャパシタ３１４と、Ｙ方向に延在するビット線２２２を含んで、ＤＲＡＭ１０００のメモリセルが構成されている。
【００１９】
ＤＲＡＭ１０００には、メモリセルのキャパシタ３１４に電荷が蓄積されているか否かの切り替えによって、情報が記録されている。各メモリセルの情報はキャパシタ３１４に電荷が蓄積されていれば“１”、蓄積されていなければ“０”となる。
【００２０】
ＤＲＡＭ１０００の書き込み動作時において、メモリセルに“１”を書き込むには、周辺回路部からゲート電極２２４（ワード線）の電圧を上げた状態で、ビット線２２２の電圧を上げ、キャパシタ３１４を充電する。ソース拡散層１４１ｂと、ドレイン拡散層１４１ｃと、キャパシタコンタクト２７１とを介して、ビット線からキャパシタ３１４の充電、電荷の蓄積がなされ、“1”が書き込まれるが、既に書き込まれていれば電荷の変化はない。また“０”を書き込むには、ゲート電極２２２の電圧を上げた状態でビット線２２４の電圧を０にし、ソース拡散層１４１ｂと、ドレイン拡散層１４１ｃと、キャパシタコンタクト２７１とを介して、キャパシタ３１４に蓄えられた電荷を放電する。
【００２１】
メモリセルに記憶された情報の読み出し動作においては、そのメモリセルのゲート電極２２４の電圧を上げた際のビット線２２２の瞬間的電位を検出回路で検査し、判別する。ビット線の瞬間的電位が上がれば、“１”、電位が変化しなければ“０”と判別できる。
【００２２】
続いて、ＤＲＡＭ１０００の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
図６Ａ〜６Ｇに示すように、半導体基板１１１表面領域に、素子分離膜１１２から成る素子分離領域１１３を形成する。半導体基板１１１には、Ｐ型のシリコン基板を用いることができる。また、素子分離膜にはシリコン酸化膜を用いることができる。
素子分離領域１１３により、素子形成領域１１４が画定される。素子分離領域１１３は、平面視でＸ方向から傾いたＡ方向に延在する形状を有し、Ｂ方向に所定の間隔で繰り返し配置される。
この後、メモリセルが形成される領域をセル部１１５、セル部１１５以外の主に周辺回路などが形成される領域を周辺回路部１１６と称する。
セル部１１５に形成される素子分離領域１１３、素子形成領域１１４は、Ｂ方向の幅が半導体装置製造装置の最小加工寸法Ｆに近い大きさになるように形成される。例えば、素子分離領域１１３、素子形成領域１１４の幅は共に４０ｎｍ程度であることが好ましい。また、素子分離膜１１２の深さは３００ｎｍ程度で形成されることが好ましい。図６Ｇに示すように、周辺回路部１１６には、周辺トランジスタを形成するための素子形成領域となる半導体基板１１４がある。
セル部１１５に形成される素子形成領域１１４をセル部素子形成領域１１４、周辺回路部１１６に形成される素子形成領域１１４を周辺回路部素子形成領域１１４と称する。
【００２４】
次に、図７に示すように、素子形成領域１１４表面上にゲート絶縁膜１２１を形成する。ゲート絶縁膜１２１上に、第１シリコン膜１２２を形成する。この第１シリコン膜１２２がＤＲＡＭ１０００のゲート線の主要部として機能する。
【００２５】
図８Ａ〜８Ｃに示すように、周辺回路部１１６において、周辺回路部素子形成領域１１４を覆い、セル部素子形成領域１１４を開口する第１マスク１３１を第１シリコン膜１２２上に形成する。第１マスク１３１は、周辺トランジスタのゲート電極が形成される領域に形成される。
第１マスク１３１を用いて、第１シリコン膜１２２をエッチングし、セル部素子形成領域１１４の半導体基板１１１上を露出させる。この処理により、周辺回路部１１６の領域内のうち、第１マスク１３１で被われた領域に第１シリコン膜１２２、ゲート絶縁膜１２１から成るパターンが形成される。
【００２６】
次に、図９Ａに示すように、第１マスク１３１を用いて、セル部素子形成領域１１４の半導体基板１１１表面領域に不純物を導入して、セルトランジスタの拡散層１４１を形成する。不純物には、リンを用いることができる。また、不純物の導入は、イオン注入法によりエネルギー３０ＫｅＶ、ドーズ量２×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２程度で行われることが好ましい。この工程により、図９Ｂに示す構造が形成される。
【００２７】
次に、図１０Ａ，１０Ｂに示すように、第１マスク１３１を除去し、半導体基板１１１上にマスク絶縁膜１５１を形成する。マスク絶縁膜１５１の材料には、シリコン酸化膜を用いることができる。また、マスク絶縁膜１５１の膜厚は５０ｎｍ程度であることが好ましい。
【００２８】
次に、図１１Ａ，１１Ｂに示すように、セル部１１５にゲートトレンチを形成するための第２マスク１６１を形成する。第２マスク１６１には、ゲートトレンチ形成部が開口される。その開口部を第２マスク開口部１６２と称する。第２マスク開口部１６２のパターンは、Ｘ方向に最小加工寸法Ｆ（例えば、４０ｎｍ）の開口幅を有していることが好ましい。また、図１１Ａに示すように、第２マスク開口部１６２のパターンはＹ方向に延在し、Ｘ方向に８０ｎｍ（最小加工寸法Ｆの２倍）程度のピッチで配列されることが好ましい。本実施形態の半導体装置製造方法における第２マスク１６１は、最小加工寸法Ｆの大きさの幅、間隔を持つラインアンドスペースパターンで形成されるものとする。
【００２９】
続いて、第２マスク１６１を用いて、マスク絶縁膜１５１をエッチングする。セル部素子形成領域１１４における半導体基板１１１と、素子分離領域１１３における素子分離膜１１２が露出される。次いで、露出した半導体基板１１１、素子分離膜１１２をエッチングし、ゲートトレンチ１６３を形成する。
ゲートトレンチ１６３は、Ｙ方向に延在する溝状に形成される。また、ゲートトレンチ１６３のうち、半導体基板１１１に形成された部分と、素子分離膜１１２に形成された部分は、互いに略同じ深さになるように形成される。この深さは半導体基板１１１主表面から凡そ２００ｎｍであることが好ましい。
【００３０】
図１１Ａに示すように、Ａ方向に延在して形成されたセル部素子形成領域１１４の半導体基板１１１は、ゲートトレンチによりＸ方向に分断され、平面視では平行四辺形状になり、基板垂直方向に起立されたピラー状の半導体に分割される。この分割された半導体部分を半導体ピラー１６４と称する。同様に、Ａ方向に延在して形成された素子分離領域１１３は、ゲートトレンチ１６３によりＸ方向に分断されて、平面視で平行四辺形状になり、基板垂直方向に起立されたピラー状の絶縁膜に分割される。この分割された絶縁膜を絶縁体ピラー１６５と称する。
半導体ピラー１６４と絶縁体ピラー１６５はＹ方向に交互に、かつ列状に並んで形成されている。半導体ピラー１６４の上部には、拡散層１４１が形成されている。拡散層１４１は、後述のように、配置によりソース拡散層またはドレイン拡散層のいずれかとして機能する。
セル部素子形成領域１１４上には、ゲートトレンチ１６３と、拡散層１４１が交互に配置される。
【００３１】
ここで、セル部素子形成領域１１４ａに注目し、ＤＲＡＭ１０００の活性領域１６７について説明する。図１１Ａでは、Ａ方向に隣接する２つの活性領域１６７が示されている。各活性領域の中央にソース拡散層１４１ｂが配置される。ソース拡散層１４１bの両側にセルトランジスタのゲート線の材料を埋め込むためのゲートトレンチ１６３が形成される。このゲートトレンチ１６３をセルトランジスタトレンチ１６６tと称する。セルトランジスタトレンチ１６６ｔの両外側に、キャパシタが接続されるドレイン拡散層１４１ｃが配置される。
このように活性領域は、１つのソース拡散層、２つのセルトランジスタトレンチ、２つのドレイン拡散層により構成される。また、活性領域はセル部素子形成領域１１４ａ上に複数並設される。隣接する活性領域間には、図１１Ｂに示すように、ゲートトレンチ１６３が形成され、このゲートトレンチ１６３は隣接する活性領域間を分離する素子分離領域として機能する。このゲートトレンチ１６３を素子分離ゲートトレンチ１６６ｉと称する。
【００３２】
Ｘ方向に並設されたゲートトレンチ１６３は、セルトランジスタトレンチまたは素子分離ゲートトレンチとして機能する。また、セル部素子形成領域１１４ａ上では、図１１Ａの紙面左または右から、セルトランジスタトレンチ、セルトランジスタトレンチ、素子分離ゲートトレンチ、セルトランジスタトレンチ、セルトランジスタトレンチ、素子分離ゲートトレンチ…の順に配置される。
また、Ｘ方向に並設された拡散層１４１は、ソース拡散層またはドレイン拡散層として機能する。セル部素子形成領域１１４ａ上では、図１１Ａの紙面左または右から、ドレイン拡散層、ソース拡散層、ドレイン拡散層、ドレイン拡散層、ソース拡散層、ドレイン拡散層、…の順に配置される。
なお、図１１Ａには、上面に第１レジストマスク１６１が形成された状態が示されている。第１レジストマスク１６１の下の半導体ピラー１６４上に、ソース拡散層１４１ｂおよびドレイン拡散層１４１cが形成されている。
【００３３】
次に、第２マスク１６１を除去し、ゲートトレンチ１６３内に露出した半導体基板１１１表面に、ゲート絶縁膜１７１を形成する。ゲート絶縁膜１７１には、シリコン酸化膜や、その他にはシリコン窒化膜や高誘電率膜等を用いることができる。また、ゲート絶縁膜１７１は熱酸化法により、５ｎｍ程度の厚みで形成されることが好ましく、形成方法は熱酸化法に限定されず、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いてもよい。
続いて、ゲート電極膜１７２を成膜する。ゲート電極膜１７２は、図１２に示すように２種類の膜１７３，１７４から成る積層膜である。２種類の膜１７３，１７４には、窒化チタンとタングステンをそれぞれ用いることができる。本実施形態の半導体装置製造方法においては、窒化チタン膜をゲート窒化チタン膜１７３、タングステン膜をゲートタングステン膜１７４と称する。ゲート窒化チタン膜１７３およびゲートタングステン膜１７４の膜厚は、それぞれ５ｎｍ、６０ｎｍ程度であることが好ましい。なお、ゲート電極膜１７２の材料は、窒化チタン、タングステンに限定されず、ドープトシリコン膜や、その他の高融点金属膜、またこれらの積層膜などでもよい。
【００３４】
次に、ゲート電極膜１７２のエッチバックを行い、図１３に示すように、ゲートトレンチ１６３内に埋め込みゲート電極１８１を形成する。このエッチバックは、ゲートタングステン膜１７４上面およびゲート窒化チタン膜１７３上面の位置が、リセスするように行う。埋め込みゲート１８１上に形成された空間をリセス部１８２と称する。なお、埋め込みゲート電極１８１のゲートトレンチ１６３底部からの高さは、１００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００３５】
次に、図１４Ａ〜１４Ｆに示すように、リセス部１８２内にゲートキャップ層１９１を埋め込み、マスク絶縁膜１５１上を覆うように、埋め込みゲートキャップ膜を形成する。埋め込みゲートギャップ膜の膜厚は約５０ｎｍであることが好ましい。
【００３６】
次に、図１５Ａ〜１５Ｄに示すように、セル部１１５のソース拡散層１４１ｂ上を開口する。同時に、周辺回路部１１６に形成された第１シリコン膜１２２上を開口する第３マスク２０１を形成する。セル部１１５においては、第３マスク２０１の開口部はＹ方向に延在する細長状のパターンを有する。第３マスク２０１の開口部パターンのＸ方向の開口幅が６０ｎｍ程度になることが好ましい。ＤＲＡＭ１０００の製造においては、Ｙ方向に並んで形成されるソース拡散層１４１ｂ上を１つの開口部で開口することとする。
続いて、第３マスク２０１を用いてマスク絶縁膜１５１のエッチングを行う。このエッチングにより、セル部１１５ではソース拡散層１４１ｂ上面および素子分離膜１１２の上面が露出し、周辺回路部１１６では第１シリコン膜１２２上面が露出する。図１５Ｂ，１５Ｃに示すように、セル部１１５のソース拡散層１４１b上面が開口されることにより形成された開口部を、ビット線コンタクト開口部２０３と称する。
マスク絶縁膜１５１のエッチングは、ゲートキャップ層（シリコン窒化膜）１９１と素子分離膜（シリコン酸化膜）１１２のエッチング速度が概ね同じ速度になるような条件で行う。そして、マスク絶縁膜１５１をエッチングするとともに、図１５Ｃに示すように、第３マスク開口部２０２に露出された埋め込みキャップ層１９１をエッチング除去し、第３マスク開口部２０２の底面とソース拡散層１４１ｂ上面が概ね同じ高さになるようにする。
【００３７】
次に、第３マスク２０１を除去し、その上に、図１６Ａ〜１６Ｃに示すビット線材料を成膜する。このビット線材料には、ドープトシリコン膜、窒化タングステン膜、タングステン膜を用いることができ、それぞれの膜厚が４０ｎｍ，１０ｎｍ，５０ｎｍ程度になるように形成されることが好ましい。また、これらの３つの膜の合計膜厚は１００ｎｍ程度に形成されることが好ましい。本実施形態の半導体装置製造方法では、ビット線材料を構成する膜を、それぞれ第２シリコン膜２１１、ビット線窒化タングステン膜２１２、ビット線タングステン膜２１３とする。
続いて、ビット線材料の上に、ビット線のキャップ膜（第１の絶縁膜）としてビット線キャップ膜２１４を形成する。ビット線キャップ膜２１４の材料には、キャパシタコンタクトの形成工程において、第１層間膜（第２の絶縁膜）に対し、エッチング速度が遅い膜を用いることができる。そのような膜としては、シリコン窒化膜が挙げられる。また、ビット線キャップ膜２１４の膜厚は凡そ２００ｎｍであることが好ましい。
セル部１１５では、ビット線コンタクト開口部２０３で露出したソース拡散層１４１ｂに、第２シリコン膜２１１が電気的に接続される。したがって、コンタクト開口部２０３をビット線コンタクト２１５と称する。
【００３８】
次に、図１７Ａ〜１７Ｄに示すように、セル部１１５に形成されるビット線のパターンと、周辺回路部１１６に形成される周辺配線およびゲート電極のパターンを有する第４マスク２２１を形成する。
セル部１１５における、第４マスク２２１のビット線パターンは、図１７Ａに示すように、Ｙ方向に一定の幅を有すると共に、Ｘ方向に延在する細長いパターンを有し、ビット線コンタクト開口部２０３上を通るように配置される。Y方向の幅は５０ｎｍ程度であることが好ましい。このビット線パターンをビット線第４マスク２２１ｂと称する。ビット線第４マスク２２１ｂは、Ｙ方向に複数並設されて形成される。
また、図１７Ａに示すように、第４マスク２２１は周辺回路部１１６において、周辺配線を形成するための周辺配線第４マスク２２１ｗ、およびゲート電極を形成するためのゲート第４マスク２２１ｇのパターンを形成する。ここで、周辺配線は、第１シリコン膜２１１が形成されていない部分に形成される配線を指す。周辺配線第４マスク２２１ｗ、ゲート第４マスク２２１ｇのＹ方向の幅は、ビット線第４マスク２２１ｂに比べて概ね太い。
【００３９】
続いて、第４マスク２２１を用い、ビット線キャップ膜２１４、ビット線タングステン膜２１３、ビット線窒化タングステン膜２１２、第２リシリコン膜２１１、第１シリコン膜１２２の順にエッチングを行う。
セル部１１５には、図１７Ｄに示すように、上から順にビット線キャップ膜２１４、ビット線タングステン膜２１３、ビット線窒化タングステン膜２１２、第２リシリコン膜２１１から成るビット線２２２が形成される。ビット線２２２の高さは３００ｎｍ程度であることが好ましい。
一方、周辺回路部１１６の第１シリコン膜１２２が形成されていない部分には、上から順にビット線キャップ膜２１４、ビット線タングステン膜２１３、ビット線窒化タングステン膜２１２、第２シリコン膜２１１から成る周辺配線２２３が形成される。周辺配線２２３は、ビット線２２２と同様の膜構成になっており、周辺回路部１１６における配線として機能する。
周辺回路部１１６のトランジスタ形成領域には、ビット線キャップ膜２１４と、ビット線タングステン膜２１３と、第２リシリコン膜２１１と、第１シリコン膜１２２から成る周辺回路用ゲート電極２２４が形成される。
【００４０】
次に、第４マスク２２１を除去する。
図１８Ａ〜１８Ｄに示すように、周辺回路部１１６において、素子形成領域１１２上が開口された、Ｎ型の拡散層形成のためのマスクを形成する。続いて、ゲート電極２２４に対して自己整合的に不純物を半導体基板１１１に導入し、Ｎ型のＬＤＤ拡散層２３１を形成する。Ｎ型拡散層形成のための不純物には、リン等を用いることができる。なお、本実施形態の図１８Ｄの周辺回路部１１６には、一例としてＮＭＯＳトランジスタが形成されている。
第4マスク２２１を除去した後、上述と同様に素子形成領域１１２上が開口された、Ｐ型の拡散層形成のためのマスクを形成し、ゲート電極２２４に対して自己整合的に不純物を導入し、Ｐ型のＬＤＤ拡散層を形成する。Ｐ型拡散層形成のための不純物には、硼素等を用いることができる。Ｐ型拡散層形成後には、マスクを除去する。なお、図１８Ａ〜１８ＤにはこのＰ型のＬＤＤ拡散層は示していない。
【００４１】
続いて、図１８Ａ〜１８Ｄに示すように、ビット線２２２、周辺配線２２３、ゲート電極２２４の側面、上面を覆い、基板上を覆う第１サイドウォール膜材料を形成する。膜厚は、ビット線２２２間が埋まらない厚みであることが好ましく、例えば１０ｎｍ程度であることが好ましい。第１サイドウォール材料には、キャパシタコンタクトのエッチングにおいて、第１層間膜に対してエッチング速度が遅い膜を用いることができる。このような材料としては、ビット線キャップ膜２１４と同じ材料を用いることが好ましい。本実施形態の半導体装置製造方法では、シリコン窒化膜を用いることとして説明する。
第１サイドウォール膜材料をエッチバックして、ビット線２２２、周辺配線２２３、ゲート電極２２４の、各壁面に約１０ｎｍの厚みの第1サイドウォール膜２３２を形成する。
【００４２】
周辺回路部１１６において、素子形成領域１１２上が開口された、Ｎ型の拡散層形成のためのマスクを形成する。続いて、ゲート電極２２４に対して自己整合的に不純物を半導体基板１１１に導入し、Ｎ＋型拡散層２３３を形成する。なお、本実施形態の図１８Ｄの周辺回路部１１６には、一例としてＮＭＯＳトランジスタが形成されている。
前記マスクを除去した後、同様に素子形成領域１１２上が開口された、Ｐ型の拡散層形成のためのマスクを形成し、ゲート電極２２４に対して自己整合的に不純物を導入し、Ｐ＋型拡散層を形成する。Ｐ＋型拡散層形成のための不純物には、硼素等を用いることができる。Ｐ＋型拡散層形成後には、マスクを除去する。なお、図１８Ａ〜１８ＤにはこのＰ＋型拡散層は示していない。
【００４３】
次に、図１９Ａ〜１９Ｃに示すように、ビット線２２２、周辺配線２２３、ゲート電極２２４の上に、これら配線間を埋め込むように、第１層間膜２４１を形成する。第1層間膜２４１の材料には、埋め込み性が優れ、キャパシタコンタクト形成のためのエッチング工程においてビット線キャップ膜２１４、第１サイドウォール２３２の材料に比べて、エッチング速度が速い膜を用いることができる。また、ＤＲＡＭの特性上、ビット線２２２間の配線容量を低減させる観点から、誘電率は小さいものが好ましい。そのような材料として、シリコン酸化膜、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜等を用いることができる。シリコン酸化膜としては、ＣＶＤ膜、ＳＯＤ（Ｓｐｉｎ−ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）膜等を用いることができる。ＤＲＡＭ１０００においては、第1層間膜２４１の材料として、ＳＯＤ膜を用いることとする。ＳＯＤ膜は特に平坦性に優れており、セル部１１５から周辺回路部１１６にかけてグローバルに平坦な表面を形成させることができる。第１層間膜２４１の膜厚は平面部で７００ｎｍ程度、ビット線キャップ膜２１４上で４００ｎｍ程度に形成されることが好ましい。
続いて、ＣＭＰ法により第１層間膜２４１に対して研磨除去を行い、セル部１１５から周辺回路部１１６にかけてグローバルに平坦化された第１層間膜２４１を形成する。膜厚は、平面部で凡そ４００ｎｍ、ビット線キャップ膜２１４上で略１００ｎｍに形成されることが好ましい。
なお、第１層間膜２４１の形成においては、第１層間膜をビット線キャップ膜２１４上が露出するまで研磨除去し、その後、膜厚１００ｎｍ程度の絶縁膜を成膜してもよい。
【００４４】
次に、図２０Ａ〜２０Ｄに示すように、セル部１１５において、キャパシタコンタクト開口部を形成するための第５マスク２５１を形成する。第５マスク２５１は第１層間膜２４１を貫き、ドレイン拡散層１４１ｃが開口される。この開口部を第５マスク開口部２５２と称する。
第５マスク開口部２５２のパターンは、Ｙ方向にビット線を跨いで設けられた複数のドレイン拡散層１４１ｃを１つの開口部で開口するように形成され、Ｙ方向に延在した細長矩形状を有する。各第５マスク開口部２５２は、Ｙ方向に並ぶドレイン拡散層１４１ｃの列に対応した位置に形成され、Ｘ方向に複数並設される。
続いて、図２０Ｂに示すように、第５マスク２５１を用いて第１層間膜２４１に対してエッチングを行い、基板上に形成されたマスク絶縁膜１５１を露出させるように開口部２５３を形成する。以降では、このエッチング工程をキャパシタコンタクトエッチングと称する。キャパシタコンタクトエッチングは、ビット線キャップ膜２１４、第１サイドウォール膜２３２に対して選択比がとれる条件を用いて行い、これらの膜が残存するように行う。
【００４５】
隣接する第５マスク開口部２５２間には、第５マスク２５１の下に、Ｙ方向に延在する柱状体の第１層間膜２４１が残存する。この柱状体を、ピラー状第１層間膜２４１ａと称する。ピラー状第１層間膜２４１ａには、隣接するドレイン拡散層１４１ｃ間の上に形成されるピラー状第１層間膜２４１ａと、ビット線コンタクト２１５上に形成されるピラー状第１層間膜２４１ａの２種類があり、いずれも図２０Ａに示すように、ビット線２２２の上を跨ぎ、Ｙ方向に延在して形成される。ピラー状第１層間膜２４１ａの高さは、マスク絶縁膜１５１上で約４００ｎｍ、ビット線キャップ膜２１４上で約１００ｎｍであることが好ましい。
【００４６】
次に、図２１Ａ〜２１Ｄに示すように第５マスク２５１を除去する。
開口部２５３内と、ビット線２２４上と、第１層間膜２４１上とを被うように、第２サイドウォール膜材料を形成する。第２サイドウォール膜材料の材料としてはシリコン窒化膜を用いることができ、膜厚は５ｎｍ程度であることが好ましい。
続いて、第２サイドウォール膜材料をエッチバックし、開口部２５３の側壁に第２サイドウォール膜２６１を形成する。同時に、底部のマスク絶縁膜１５１を除去して、ドレイン拡散層１４１ｃ上面を露出させる。なお、このドレイン拡散層１４１ｃ上を露出させる工程は、図１５Ａ〜１５Ｄに示す工程のキャパシタコンタクトエッチングの開口部２５３の形成工程において行ってもよい。その際には、図２１Ａ〜２１Ｄに示す工程の第２サイドウォール膜２６１は、第１層間膜２４１と、マスク絶縁膜１５１に開口された開口部２５３の側壁を被うように形成される。
この工程を経て、図２１Ａに示すキャパシタコンタクト開口部２６２が形成される。キャパシタコンタクト開口部２６２は、Ｘ方向にはピラー状第１層間膜２４１ａで挟まれ、Ｙ方向には隣接するビット線２２４で挟まれ、底部にはドレイン拡散層１４１ｃが露出された状態になる。キャパシタコンタクト開口部２６２の側壁には、第２サイドウォール膜２６１が形成されている。
第２サイドウォール膜２６１は、次のコンタクト導電膜２７１を形成する工程の洗浄処理において、第１層間膜２４１の側面がエッチングされて膜減りするのを防止するために形成される。なお、この膜減りの問題が生じない場合には、第２サイドウォール膜２６１は形成しなくてもよい。
【００４７】
次に、図２２Ａ〜２２Ｃに示すように、キャパシタコンタクト開口部２６２内を埋め込み、第１層間膜２４１上を被うようにコンタクト導電膜２７１を形成する。コンタクト導電膜２７１の材料には、リンドープトシリコン膜を用いることができ、膜厚は２００ｎｍ程度であることが好ましい。コンタクト導電膜２７１は、底部でドレイン拡散層１４１ｃと接続される。
【００４８】
次に、コンタクト導電膜２７１に対してエッチバックを行い、第１層間膜２４１上のコンタクト導電膜２７１を除去し、図２３Ｂに示すようにキャパシタコンタクト開口部２６２内にコンタクト導電膜２８１を形成する。コンタクト導電膜２８１は、高さがビット線キャップ膜２１４の上面の高さ以上、第１層間膜２４１の上面の高さ以下となるように形成される。
なお、コンタクト導電膜２７１上面の位置は、ビット線キャップ膜２１４の上面から約５０ｎｍ高い位置かつ、第１層間膜２４１の上面から約５０ｎｍ低い位置になるように形成されることが好ましい。
このエッチバックを行うことにより、次に行うコンタクト導電膜２８１に対する研磨において、コンタクト導電膜２８１の研磨量を減らすことができ、コンタクト導電膜２８１への負担を軽減することができる。
コンタクト導電膜２８１は、図２３Ａに示すように、平面視では第２マスク開口部２５２のパターンの部分に埋め込まれた状態で形成され、Ｙ方向に延在した細長矩形状を有する。コンタクト導電膜２８１は、Ｘ方向において高密度に並設され、セル部１１５に形成される。
コンタクト導電膜２８１は、Ｙ方向にビット線２２４を隔てて並設される複数のドレイン拡散層１４１ｃを互いに繋いでいる。すなわち、異なるドレイン拡散層１４１ｃ同士が、コンタクト導電膜２８１を介して互いに短絡した状態で形成されている。
【００４９】
次に、コンタクト導電膜２８１に対してＣＭＰ法による研磨除去を行い、図２４Ａに示すように、Ｙ方向に延在したコンタクト導電膜２８１をビット線キャップ膜２１４の上面で複数の領域に分離する。続いて、ドレイン拡散層１４１ｃ毎に分離されたコンタクト導電膜を形成する。この分離されたコンタクト導電膜はキャパシタコンタクトとなる。この研磨工程を、コンタクトプラグ形成工程と称する。
【００５０】
ここで、コンタクトプラグ形成工程について、詳しく説明する。
露出しているコンタクト導電膜２８１を削り込み、コンタクト導電膜２８１の下に形成されていたビット線キャップ膜２１４上面を露出させる。この際、第１層間膜２４１に対しても研磨を行い、ビット線キャップ膜２１４上まで削り込むことが好ましい。これは、キャパシタコンタクト開口部２６２の第１層間膜２４１の側壁にコンタクト導電膜２８１が残ってしまうと、コンタクト導電膜２８１がビット線キャップ膜２１４を跨いで短絡する虞があるためである。
ビット線キャップ膜２１４が露出した後に、ビット線キャップ膜２１４を削り込むようにオーバー研磨を行う。オーバー研磨は、コンタクト導電膜２８１がビット線キャップ膜２１４により確実に分離され、短絡せずに形成されるように行うものである。
【００５１】
上述のように、本実施形態の半導体装置製造におけるＣＭＰ法による研磨は、コンタクト導電膜２８１と、第１層間膜２４１との表面を全体的に下げてビット線キャップ膜２１４を露出させる主研磨と、さらにビット線キャップ膜２１４に対して削り込みを行うオーバー研磨とから成る。
【００５２】
コンタクトプラグ形成工程を行うことにより、Ｙ方向に延在して形成されたコンタクト導電膜２８１から、図２４Ｂに示すように、ビット線キャップ膜２１４により分離されたコンタクト導電膜２９１が形成される。ドレイン拡散層１４１ｃ毎に、分離されたそれぞれのコンタクト導電膜２９１の１つが接続される。コンタクト導電膜２９１はドレイン拡散層１４１ｃを引き出すためのキャパシタコンタクトとして機能する。
【００５３】
本実施形態の半導体装置製造方法においては、図２０Ａ〜２０Ｄに示すように、Ｙ方向に並ぶ複数のドレイン拡散層１４１ｃを１つのレジスト開口部で開口する。Ｙ方向に長く延在する細長矩形状のパターンが形成される。このパターンの開口幅は最小加工寸法値Ｆと同程度になっていることが好ましい。このレジストマスクを用いて、エッチングにより層間膜に開口部を形成し、この開口部にコンタクト導電膜を埋め込み、このコンタクト導電膜をビット線キャップ膜２１４上までＣＭＰ法で削り込むことにより、キャパシタコンタクトを形成する。このキャパシタコンタクト形成方法では、レジスト開口部の開口面積を大きくすることができる。そして、ホールを用いて形成する従来のキャパシタコンタクト形成方法に比べて、リソグラフィ技術を用いたレジストマスク形成における露光解像マージンを拡大でき、歩留まりを高めることができる。
【００５４】
コンタクトプラグ形成工程における被研磨膜は、主研磨ではコンタクト導電膜２８１と第１層間膜２４１との２種類の膜であり、オーバー研磨ではコンタクト導電膜２８１と、第１層間膜２４１と、ビット線キャップ膜２１４との３種類の膜である。ここで、第２サイドウォール膜２６１は、他の膜と比較して非常に薄い膜であり、容易に研磨することができるので、コンタクトプラグ形成工程では考慮しないことにする。
主研磨の被研磨膜としては、リンドープトシリコンから成るシリコン膜と、シリコン酸化膜等を用いることができる。また、オーバー研磨の被研磨膜の材料としては、前記の２種類の膜にシリコン窒化膜を加えた、シリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の３種類の材料を用いることができる。
【００５５】
ビット線キャップ膜２１４によりＹ方向に分離されたコンタクト導電膜２９１を形成するため、コンタクトプラグ形成工程は、コンタクト導電膜２８１のうち、ビット線キャップ膜２１４上に存在する不要な部分を完全に除去し、ビット線キャップ膜２１４を露出させるように行う。
また、本実施形態の半導体装置製造方法においては、セル部でのエロージョン現象発生を防止するために、第１層間膜２４１およびビット線キャップ膜２１４の研磨速度がコンタクト導電膜２８１の研磨速度よりも速い条件で研磨を行う。そして、第１層間膜２４１とビット線キャップ膜２１４との研磨速度の比は、同程度であることが好ましい。
第１層間膜２４１、ビット線キャップ膜２１４、コンタクト導電膜２８１をそれぞれ、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン膜で形成する場合は、シリコン酸化膜の研磨速度と、シリコン窒化膜の研磨速度と、シリコン膜の研磨速度との比が１〜０．６：１〜０．６：０．４〜１：０．０５になることが好ましい。なお、これら研磨速度はベタ膜での研磨速度である。
【００５６】
次いで、本実施形態の半導体装置製造方法のコンタクトプラグ形成工程における研磨について詳細に説明する。まず、主研磨として、第１層間膜２４１、コンタクト導電膜２８１をビット線キャップ膜２１４上面が露出する高さまで研磨する。第１層間膜２４１の研磨速度が、コンタクト導電膜２８１の研磨速度よりも大きい条件で研磨を行うため、コンタクト導電膜２８１よりも、コンタクト導電膜２８１の周りに形成された第１層間膜２４１の研磨除去が先に進む。このコンタクト導電膜２８１は、平面視では幅が最小加工寸法Ｆ〜２Ｆ程度と微細なパターン形状を有している。そのため、機械的研磨の作用がコンタクト導電膜２８１の凸部に大きく働き、コンタクト導電膜２８１が容易に削られる。また、コンタクト導電膜２８１は第１層間膜２４１が作る平面に揃うように研磨除去される。すなわち、コンタクト導電膜２８１の実パターン上の研磨速度は平面部での研磨速度に比べて速くなる。その結果、基板表面はほぼ平坦な面が形成されて研磨が進む。したがって、セル部１１５でのエロージョン現象の発生は抑制される。
【００５７】
上述の研磨を進めると、ビット線キャップ膜２１４が露出され、ドレイン拡散層１４１ｃ毎に分離されたプラグ状のコンタクト導電膜２９１が形成される。
さらに、ビット線キャップ膜２１４の上部を削り込むようにオーバー研磨を行う。オーバー研磨は、ビット線キャップ膜２１４、第１層間膜２４１の研磨速度がコンタクト導電膜２９１の研磨速度よりも速い条件、すなわち、コンタクト導電膜２９１に比べて、周りの膜が研磨され易くなる条件で行う。
このオーバー研磨においても、主研磨と同様のメカニズムで研磨が進行する。すなわち、プラグ状のコンタクト導電膜２９１に比べて、その周りに形成された第１層間膜２４１、ビット線キャップ膜２１４の研磨除去が優先して進み、コンタクト導電膜２９１には凸形状になる作用が働く。コンタクト導電膜２９１の大きさは、平面視で幅が最小加工寸法Ｆ〜２Ｆ程度と微細なパターン形状を有している。そのため、機械的研磨の作用が凸形状部分に働くことにより容易に削られる。コンタクト導電膜２９１は第１層間膜２４１、ビット線キャップ膜２１４が作る平面の高さに揃うように研磨除去される。したがって、コンタクト導電膜２９１の実パターン上の研磨速度は平面部での研磨速度に比べて速くなる。セル部１１５での、エロージョン現象の発生は抑制される。この結果、研磨対象の基板表面が平坦化されて研磨が進む。
なお、ビット線キャップ膜２１４と第１層間膜２４１との段差が生じないようにするため、ビット線キャップ膜２１４の研磨速度と第１層間膜２４１の研磨速度は略同等にすることが好ましい。
【００５８】
また、主研磨における被研磨膜がシリコン膜とシリコン酸化膜であり、コンタクトプラグ形成工程を主研磨とオーバー研磨に分けて行う場合は、主研磨でシリコン窒化膜に対する選択比は考慮しなくてもよい。ただし、主研磨の終点は半導体装置の基板面内でばらつき易くなり、主研磨を半導体装置の基板面内で均一に静止することは難しいため、主研磨とオーバー研磨を同一条件で行うことが好ましい。さらに、主研磨とオーバー研磨を同一条件で行うことにより、研磨条件を途中で変更するための時間損失を省略でき、スループットが向上する。この研磨方法では、研磨条件の管理が少なくて済み、半導体装置の生産性を高めることができる。
主研磨においては、基板平面の高さがビット線キャップ膜２１４と第１層間膜２４１の研磨速度に依存して決まる。コンタクト導電膜２９１の研磨は、ビット線キャップ膜２１４と第１層間膜２４１の平面に引きずられるように行われる。コンタクト導電膜２９１の実パターン上の研磨速度は、第１層間膜２４１、ビット線キャップ膜２１４の研磨速度に合わせられるように速められる。ベタ膜上でのコンタクト導電膜２９１の研磨速度は、第１層間膜２４１、ビット線キャップ膜２１４の研磨速度に比べて遅い研磨速度となるように設定されればよい。すなわち、ビット線キャップ膜２１４と第１層間膜２４１の研磨を制御することにより、コンタクト導電膜２９１、ビット線キャップ膜２１４、第１層間膜２４１が作る基板平面の高さを制御することができる。
なお、コンタクト導電膜２９１にはシリコン膜、配線上キャップ膜にシリコン窒化膜、層間膜にシリコン酸化膜を用いることができるが、３種類の膜の材料はこれらに限定されない。各膜には、研磨速度が同程度となる複数の種類の材料を用いてもよい。
【００５９】
上記の条件で3種類の膜を形成する際の研磨工程において、ビット線キャップ膜２１４、第１層間膜２４１の研磨速度がコンタクト導電膜２９１の研磨速度よりも速い条件となる研磨剤としては、研磨粒子、高分子系化合物、無機酸を含んで構成されるものを用いることが好ましい。このような研磨剤を用いることにより、シリコン酸化膜の研磨速度と、シリコン窒化膜の研磨速度と、シリコン膜の研磨速度との比が１〜０．６：０．４〜１：０．０５となり、適切な選択比の条件になる。
研磨粒子としては、機械的研磨作用が比較的強い、シリカ粒子、アルミナ粒子等を用いることができる。そのような研磨粒子の中でも、シリカ粒子の１つであるコロイダルシリカ粒子は、スクラッチを発生させずにコンタクトプラグを形成できる点でより好ましい。本実施形態におけるキャパシタコンタクト形成工程では、コロイダルシリカ粒子を用いることとする。
これらの研磨粒子を含む研磨剤は、通常、シリコン酸化膜に対して大きな研磨速度を有すると共に、シリコン膜の研磨速度も同程度あるいはそれ以上に大きい。本実施形態におけるキャパシタコンタクト形成工程では、シリコン膜の研磨速度を小さくするため、コロイダルシリカ粒子に加え、高分子系化合物を含んで構成される研磨材を使用することとする。高分子系化合物は、シリコン膜上を選択的に被膜し、表面状態を疎水性から親水性にすることから、シリコン酸化膜に対するシリコン膜の研磨速度を抑制する働きを持つと考えられる。
また、本実施形態で用いている被研磨膜のシリコン窒化膜は、相対的に硬い膜である。一般的なスラリーでは、シリコン窒化膜の研磨速度はシリコン酸化膜、シリコン膜の研磨速度に比べると遅い。シリコン窒化膜の研磨速度を、シリコン酸化膜と同程度に大きくするため、スラリーに無機酸を導入することが好ましい。無機酸としては、硝酸、燐酸等を用いることができる。
さらに、研磨材の凝集を抑えて分散性を高めるため、添加剤を加えることにより研磨剤の凝集の進行を調整することができる。研磨材のｐＨは２〜３に調整されることが好ましい。
【００６０】
本発明のコンタクトプラグ形成工程においては、ビット線キャップ膜２１４の高さの途中の位置で研磨を止めるように制御して、研磨を進める。このようにするためには、ストッパ膜を用いずに、被研磨膜の研磨を静止させる必要がある。本発明によれば、セル部１１５および周辺回路部１１６をグローバルに平坦化することができるため、被研磨膜の研磨速度を制御し易い。なお、研磨速度の制御性を向上させるため、光学式膜厚モニターにより、被研磨膜（層間膜）の膜厚をリアルタイムでモニターしながら、所定の高さまで研磨を行うことが好ましい。
本発明によれば、コンタクトプラグ形成工程の主研磨およびオーバー研磨を１つのスラリーで行うことができる。そのため、主研磨とオーバー研磨で別のスラリーを分ける多段階の研磨を行う必要はない。したがって、半導体装置製造の生産性を高めることができる。
【００６１】
コンタクトプラグ形成工程の研磨完了後、周辺回路部１１６の素子形成領域１１４上を開口する周辺コンタクト開口部を形成する。
周辺コンタクト開口部内にコンタクトプラグ材を成膜した後、コンタクトプラグ材を周辺コンタクト開口部に埋め込む。これにより、周辺コンタクトプラグ３０１が形成される。このコンタクトプラグ材としては、チタン膜、窒化チタン膜、タングステン膜の積層膜を用いることができる。
【００６２】
次に、図２５Ａ〜２５Ｄに示すように、基板上に第２配線を構成する材料膜として、第２配線下敷膜３０２、第２配線主配線膜３０３を順次形成する。第２配線下敷膜３０２には窒化チタン膜、第２配線主配線膜３０３にはタングステン膜を用いることができる。
続いて、リソグラフィ技術により、セル部１１５のコンタクト導電膜２９１に接続されるキャパシタパッド第２配線のレジストマスクと、周辺回路部１１６の周辺コンタクトプラグ３１１に接続される周辺第２配線のレジストマスクを形成する。
さらに、ドライエッチング技術により、レジストマスクをマスクとして、第２配線下敷膜３０２、第２配線主配線膜３０３のエッチングを行い、第２配線３０４を形成する。セル部１１５のコンタクト導電膜２９１に接続される第２配線３０４をキャパシタパッド第２配線３０４ｃ、周辺回路部１１６の周辺コンタクトプラグ３１１に接続される第２配線３０４を周辺第２配線３０４ｐとする。キャパシタパッド第２配線３０４ｃは、その上に形成されるキャパシタ下部電極を形成するためのパッドとして機能する。
【００６３】
上述のように、本実施形態のコンタクトプラグ形成工程では、セル部１１５から周辺回路部１１６にかけてグローバルに平坦化される。そのため、第２配線３０４を形成する際のリソグラフィ技術を用いたレジストパターン形成において、セル部１１５と周辺回路部１１６で焦点深度が異なる等の問題の発生を防げる。したがって、大きな露光マージンが確保でき、歩留まり良くレジストパターンを形成することができる。
【００６４】
次に、基板最上部にシリコン酸化膜を形成する。このシリコン酸化膜をキャパシタ層間膜３１１と称する。シリコン酸化膜の膜厚は１．５μｍ程度であることが好ましい。
続いて、キャパシタ層間膜３１１を貫き、キャパシタパッド第２配線３０４ｃ上面を開口するキャパシタ電極開口部を形成する。その後、キャパシタ電極開口部の側面から底面を覆うようにキャパシタ下部電極３１２を形成する。さらに、キャパシタ下部電極３１２上にキャパシタ絶縁膜３１３を形成し、キャパシタ絶縁膜３１３上にキャパシタ上部電極膜を形成する。その後、キャパシタ上部電極膜のパターニングを行い、キャパシタ上部電極３１４を形成する。キャパシタ上部電極３１４上に上部層間膜３１５を形成した後に、周辺回路部１１６の周辺第２配線３０４ｐ上面と接続する第２周辺コンタクト開口部を形成する。
第２周辺コンタクト開口部内に、第２周辺コンタクト材を成膜した後、ＣＭＰ法を用いて、層間膜上の不要な第２周辺コンタクト材を除去する。続けて、第２周辺コンタクト開口部に第２周辺コンタクト材が埋め込まれて形成された第２周辺コンタクトプラグを形成する。
その後、第３配線３１８を形成する。第３配線３１８は第２周辺コンタクトプラグと接続され、上部配線バリア層３１６と上部配線主配線層３１７から構成される。
この後、層間膜、コンタクト、配線、保護膜が形成され、ＤＲＡＭ１０００が完成する。
【００６５】
（第２の実施形態）
続いて、本発明の第２の実施形態のＤＲＡＭについて説明する。なお、本実施形態の半導体装置製造方法により製造されるＤＲＡＭは、図３〜５に示すＤＲＡＭ１０００と同一の構造を備えている。また、本実施形態の半導体装置製造方法を説明する図２２に示す構成要素において、図１〜２１に示す構成要素と同一の構成要素には、図１〜２１と同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００６６】
第1の実施形態の半導体装置製造方法において、図１９Ａ〜１９Ｃに示す研磨工程でのコンタクト導電膜２９１の研磨を行う際に、コンタクト導電膜２９１に対する研磨速度が比較的遅い条件を用いた。厚いコンタクト導電膜の研磨除去を行うと、半導体装置の生産性を損なう可能性があるため、予めエッチバックを行うことにより、コンタクト導電膜２９１の厚さを薄くした。
本実施形態の半導体装置製造方法においては、このようなエッチバックを行わずにセル部と周辺回路部とを平坦化する研磨方法を示す。
【００６７】
本実施形態の半導体装置製造方法では、第1実施形態の半導体装置製造方法におけるコンタクト導電膜２７１を成膜する工程（図１７Ａ〜１７Ｄの製造工程）までは同様の工程を行う。
ＣＭＰ法による研磨工程を行う前は、基板全面にコンタクト導電膜２７１が形成されている。このコンタクト導電膜２７１に対して、第１層間膜２１４上面が露出するまで研磨を行う。次いで、図２６Ａ〜２６Ｃに示すように、キャパシタコンタクト開口部２６２内にコンタクト導電膜２７１を埋め込み、コンタクト導電膜３２１を形成する。この研磨をコンタクト導電膜除去研磨と称する。コンタクト導電膜除去研磨においては、第１実施形態の半導体装置製造方法で用いたスラリーを用いてもよい。また、研磨時間を速めるために、コンタクト導電膜２７１の研磨速度に対して、第１層間膜の研磨速度を大きくしてもよい。
【００６８】
次に、第1実施形態の製造方法と同様のコンタクトプラグ形成工程の主研磨とオーバー研磨を行う。図２５Ａ〜２５Ｄに示す製造工程以降は第1実施形態の半導体装置製造工程と同様の工程を行う。
このコンタクトプラグ形成工程において、コンタクト導電膜除去研磨と、主研磨およびオーバー研磨とで同じスラリーを用いる場合は、１つの研磨条件とすることができる。このため、研磨工程中の研磨条件の変更による時間損失をなくすことができる。また、１つの研磨条件の管理で済む等、エッチバックを行う製造方法よりも半導体装置の生産性を高めることができる。さらに、キャパシタコンタクト開口部２６２を埋め込むために必要なコンタクト導電膜２７１の膜厚を薄くすることができる。
したがって、超高密集度のキャパシタコンタクトをＤＲＡＭに形成する場合には、本実施形態の半導体装置製造方法が有効である。
【００６９】
（第３の実施形態）
本実施形態のＤＲＡＭ２０００は、図２７に示すように、図２〜５に示すＤＲＡＭ１０００の構成において、隣接する活性領域間の第１層間膜内にキャパシタコンタクト分離膜４０１（第4の絶縁膜）を形成したものである。
【００７０】
続いて、本発明の第３の実施形態のＤＲＡＭ２０００の製造方法について説明する。この方法では、Ｘ方向の幅を拡大したキャパシタコンタクト開口部を用いて、キャパシタコンタクトを形成する。この方法では、Ｘ方向に素子分離ゲートトレンチを挟んで隣接する２つのドレイン拡散層１４１ｃ同士を一緒に開口する。したがって、キャパシタコンタクト開口部を形成する際のリソグラフィ技術の解像マージンが向上し、超高密集度のコンタクトプラグ形成を可能にする。
なお、図２８〜３９に示す構成要素において、図６〜２５に示す構成要素と同一の構成要素には、図６〜２５と同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００７１】
本実施形態の半導体装置製造方法においては、第1実施形態の半導体装置製造方法の図１３に示す工程までは、同様の工程を経る。
その後、図２８Ａ〜２８Ｃに示すように、第１層間膜３３１を形成する。ここで、研磨工程後の第１層間膜３３１の膜厚が、第１実施形態の半導体装置製造方法の実施時よりも厚くなるように形成する。例えば、基板上での膜厚が６００ｎｍ程度、ビット線キャップ膜２１４上での膜厚が３００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００７２】
次に、図２９Ａ〜２９Ｄに示すように、セル部１１５において第５マスク３４１を形成する。第５マスク３４１は、第１層間膜３３１にドレイン拡散層１４１ｃを開口するキャパシタコンタクト開口部を形成するためのものである。
第５マスク３４１は、図２９Ａに示すように素子分離ゲートトレンチを挟んで隣り合い、Ｙ方向に一列に並ぶドレイン拡散層１４１ｃ列を１つの開口部で開口するパターンを有する。また、第５マスク３４１のパターンの残りの部分は、ソース拡散層１４１ｂ上を覆い、Ｙ方向に延在したパターンとなる。
第５マスク３４１を用いて第１層間膜３３１のエッチングを行い、基板上のマスク絶縁膜１５１と埋め込みキャップ層１９１上面とを露出させ、開口部３４２を形成する。キャパシタコンタクトエッチングは、ビット線キャップ膜２１４と、第１サイドウォール２３２に対して選択比がとれる条件で行う。このとき、ビット線キャップ膜２１４、第１サイドウォール２３２を残存させ、ビット線２２２が露出しないようにする。
第５マスク３４１の下に残存するように形成された第１層間膜３３１を、ピラー状第１層間膜３３１ａと称する。ピラー状第１層間膜３３１ａは、Ｙ方向にビット線２２２の上を跨ぎ、Ｙ方向に延在して形成される。ビット線２２２を跨ぐ部分での第１層間膜３３１ａのピラー部の高さは、ビット線キャップ膜２１４上で凡そ３００ｎｍになるように形成されることが好ましい。
【００７３】
次に、図３０Ａ〜３０Ｄに示すように、第５マスク３４１を除去する。開口部３４２内と、ビット線２２２上と、ピラー状第１層間膜３３１ａ上を覆うように第２サイドウォール膜材料を形成する。第２サイドウォール膜材料には、シリコン窒化膜等を用いることができる。また、第２サイドウォール膜材料の膜厚は５ｎｍ程度であることが好ましい。
続いて、第２サイドウォール膜材料のエッチバックを行い、開口部３５２の側壁に第２サイドウォール３５１を形成する。同時に、底部のマスク絶縁膜１５１を除去し、ドレイン拡散層１４１ｃ上面を露出させる。なお、このマスク絶縁膜１５１を除去してドレイン拡散層１４１ｃ上を露出させるプロセスは、図２９Ａ〜２９Ｄに示す製造工程のキャパシタコンタクトエッチングの際に行い、図３０Ａ〜３０Ｄに示す製造工程で第２サイドウォール膜３５１を形成してもよい。
このような工程を経て、キャパシタコンタクト開口部３５２が形成される。この開口部は、Ｘ方向にピラー状第１層間膜３３１ａで挟まれ、Ｙ方向にピラー状第１層間膜３３１ａで挟まれ、底部にはキャパシタ側拡散層１４１ｃが露出された状態になっている。
第２サイドウォール膜３５１は、次のコンタクト導電膜２７１を形成する工程の洗浄処理において、第１層間膜３３１の側面がエッチングされて膜減りするのを防止するために形成される。なお、膜減りの問題が発生しない場合は、第２サイドウォール膜３５１を形成しなくてもよい。
キャパシタコンタクト開口部３５２の底部領域は、Ｙ方向はビット線２２２で挟まれ、Ｘ方向はピラー状第１層間膜３３１ａで挟まれている。この領域では、隣接する異なる活性領域に属する２つのドレイン拡散層１４１ｃが、素子分離ゲートトレンチを隔てて、対をなすように露出される。この対をなすように露出された２つのドレイン拡散層１４１ｃを、拡散層対３５３と称する。
【００７４】
次に、図３１Ａ〜３１Ｃに示すように、キャパシタコンタクト開口部３５２内に導電体を埋め込み、第１層間膜３３１上を被うようにコンタクト導電膜３６１を形成する。コンタクト導電膜３６１は、底部でドレイン拡散層１４１ｃと接続される。コンタクト導電膜３６１の材料には、リンドープトシリコン膜等を用いることができる。また、コンタクト導電膜３６１の膜厚は凡そ３００ｎｍであることが好ましい。
【００７５】
次に、コンタクト導電膜３６１に対してエッチバックを行い、コンタクト導電膜３６１をキャパシタコンタクト開口部３５２内に埋め込む。この際、コンタクト導電膜３６１の高さは、キャパシタコンタクト開口部３５２上面より低く、ビット線キャップ膜２１４上面より高くなるように形成する。なお、ビット線キャップ膜２１４上面は露出してもよい。コンタクト導電膜３６１の上面の位置は、第１層間膜３３１の上面から２００ｎｍ程度低くなるように形成され、ビット線キャップ膜２１４の上面から１００ｎｍ程度高くなるように形成されることが好ましい。
この工程により、キャパシタコンタクト開口部３５２内に、コンタクト導電膜３６１が埋め込まれ、配線状のコンタクト導電膜３７１が形成される。コンタクト導電膜３７１の上面位置が下げられることにより、キャパシタコンタクト開口部３５２内はリセス状に形成される。ピラー状第１層間膜３３１ａは、コンタクト導電膜３７１の上面から２００ｎｍ程度突き出して形成されることが好ましい。
コンタクト導電膜３７１は、Ｘ方向にはピラー状第１層間膜３３１ａで挟まれた領域の幅を有するとともに、Ｙ方向にはビット線２２２上を跨いで延在し、平面視では細長矩形状に形成される。
コンタクト導電膜３７１には、Ｙ方向にビット線２２２を隔てて配置されると共に異なる活性領域に属する複数のドレイン拡散層１４１ｃと、Ｘ方向に素子分離ゲートトレンチを隔てて異なる活性領域に属する拡散層対３５３に属するドレイン拡散層１４１ｃが接続される。異なる活性領域に属するドレイン拡散層１４１ｃ同士は、互いに短絡した状態となる。
【００７６】
次に、図３３Ａ〜３３Ｄに示すように、ピラー状第１層間膜３３１ａの側面、上面を覆い、コンタクト導電膜３７１上を覆うように、第３サイドウォール膜材料を形成する。第３サイドウォール膜材料の膜厚は、Ｘ方向に隣接するピラー状第１層間膜３３１ａ間を埋め込まないような膜厚で形成することが好ましい。
第３サイドウォール膜材料の材料には、コンタクト導電膜３７１をエッチングする際のマスクとなる材料を用いることができ、例えばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜等を用いることができる。
続いて、第３サイドウォール膜材料をエッチバックして、ピラー状第１層間膜３３１ａの側壁に第３サイドウォール膜（第３の絶縁膜）３８１を形成する。第３サイドウォール膜３８１のＸ方向の幅は６０ｎｍ程度に形成されることが好ましい。コンタクト導電膜３７１の上面には、左右に第３サイドウォール膜３８１が形成される。この２つの第３サイドウォール膜３８１の間にコンタクト導電膜３７１の上面が露出する。この露出領域を第３サイドウォール膜間開口部３８２と称する。第３サイドウォール膜間開口部３８２はＹ方向に延在した細長矩形状を有する。第３サイドウォール膜間開口部３８２のＸ方向の開口幅は凡そ４０ｎｍに形成されることが好ましい。
【００７７】
次に、第３サイドウォール膜３８１と、ピラー状第１層間膜３３１ａと、第１層間膜３３１とをマスクにして、図３４Ａ〜３４Ｄに示すように、第３サイドウォール膜間開口部３８２で露出されたコンタクト導電膜３７１を異方的にエッチングする。そして、コンタクト導電膜３７１のＸ方向中央に、溝を形成する。この溝を、コンタクト導電膜分離溝（第２の開口部）３９１と称する。コンタクト導電膜分離溝３９１により、Ｘ方向に素子分離ゲートトレンチを跨いで短絡状態になっていたコンタクト導電膜３７１はＸ方向に２分割される。コンタクト導電膜分離溝３９１の底部には、素子分離ゲートトレンチの上に形成された埋め込みゲートキャップ層１９１が露出する。このＸ方向に２分割されたコンタクト導電膜３７１を、コンタクト導電膜３９２と称する。コンタクト導電膜３９２は、Ｙ方向において、ビット線を隔てて隣接するドレイン拡散層１４１ｃ間で続いて短絡した状態となっている。
コンタクト導電膜３７１には、異方性エッチング工程において、ピラー状第１層間膜３３１ａと、ビット線キャップ膜２１４と、第１サイドウォール２３２が残存する選択比を有する物質を用いることが好ましい。本実施形態の半導体装置製造方法の場合は、例えばシリコン窒化膜と、シリコン酸化膜に対してエッチング速度が遅く、シリコン膜に対してエッチング速度が速い膜を用いる。
【００７８】
次に、図３５Ａ〜３５Ｄに示すように、コンタクト導電膜分離溝３９１を埋め込んでコンタクト分離膜（第４の絶縁膜）４０１を形成する。コンタクト分離膜４０１の材料には、絶縁膜を用いることができる。また、コンタクト分離膜４０１の材料は、次のコンタクトプラグ形成工程での研磨速度が第３サイドウォール膜３８１の研磨速度と同程度になる材料であることが好ましく、第３サイドウォール膜３８１と同じ材料であることがより好ましい。これは、次に行うコンタクトプラグ形成工程において、コンタクト分離膜４０１と、第３サイドウォール膜３８１とを除去する研磨を行うため、制御性の観点から、これらの膜は同一の研磨速度の材料で形成する方が好ましいためである。本実施形態の半導体製造方法では、コンタクト分離膜４０１の材料として、第３サイドウォール膜３８１と同様に、シリコン窒化膜を用いることとする。また、コンタクト分離膜４０１の膜厚は１００ｎｍ程度であることが好ましい。なお、第３サイドウォール膜３８１がシリコン酸化膜で形成される場合は、コンタクト分離膜４０１はシリコン酸化膜で形成されることが好ましい。
コンタクト分離膜４０１は、セル部１１５では、コンタクト導電膜３９２上とピラー状第１層間膜３３１ａ上を被い、周辺回路部１１６では、第１層間膜３３１上を被うように形成される。
【００７９】
次に、コンタクト分離膜４０１と、第３サイドウォール膜３８１と、第１層間膜３３１と、配線状のコンタクト導電膜３９２に対して、ＣＭＰ法により、以下のＳ１〜Ｓ３の３つのステップで研磨を行う。この研磨工程により、ドレイン拡散層１４１ｃ毎に互いに分離されたコンタクト導電膜から成るキャパシタコンタクトが形成される。
【００８０】
ステップＳ１について説明する。基板上面には、図３６Ａ〜３６Ｄに示すように、コンタクト分離膜４０１が一面に形成されている。このコンタクト分離膜４０１に対して、第１層間膜３３１の上面が露出するように研磨を行う。ステップＳ１の被研磨膜は、コンタクト分離膜４０１である。本実施形態の半導体装置製造方法において、コンタクト分離膜４０１の材料はシリコン窒化膜とする。
この研磨を経て、セル部１１５から周辺回路部１１６に亘り、第１層間膜３３１が露出する。また、セル部１１５ではキャパシタコンタクト開口部３５２内に埋め込まれたコンタクト分離膜４０１が露出する。
ここで、キャパシタコンタクト開口部３５２の第１層間膜３３１の側壁には、第２サイドウォール３５１が形成されているが、他の膜に比べて非常に薄い膜であるため、容易に研磨される。そこで、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の研磨方法の説明では特に触れない。なお、第２サイドウォール３５１の厚みは約５ｎｍであることが好ましい。
【００８１】
続いてステップＳ２について説明する。第１層間膜３３１と、コンタクト分離膜４０１と、第３サイドウォール膜３８１に対して研磨を行い、図３７Ａ〜３７Ｅに示すように、コンタクト導電膜３９２上面が露出するように研磨を行う。
ステップＳ２における被研磨膜は、第１層間膜３３１と、コンタクト分離膜４０１と、第３サイドウォール膜３８１との３種類の膜から成る複合膜である。本実施形態の半導体装置製造方法における複合膜の材料はシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の２種類とする。
この研磨は、セル部１１５の高さと周辺回路部１１６の高さが略同じになるように行う。そのため、複数の種類の被研磨膜に対して、互いに同程度の研磨速度になる条件で研磨を行う。本実施形態の研磨工程では、シリコン酸化膜の研磨速度とシリコン窒化膜の研磨速度が同程度となる研磨条件を用いる。具体的には、シリコン窒化膜の研磨速度と、シリコン酸化膜の研磨速度との比が１〜０．６：１〜０．６となる研磨条件を用いることが好ましい。
研磨後の基板表面には、セル部１１５から周辺回路部１１６に亘り、第１層間膜３３１が形成される。また、セル部１１５ではキャパシタコンタクト開口部３５２内にコンタクト導電膜３９２とコンタクト分離膜４０１が埋め込まれて露出した状態となる。
ステップＳ２での研磨条件は、ステップＳ１の研磨に適用することができるため、ステップＳ１とステップＳ２を１つのステップとして行うことができる。その結果、ステップの移行に伴う時間の省略化、研磨条件の管理の簡素化等が図られ、半導体装置の生産性を高めることができる。
【００８２】
さらに、ステップＳ３について説明する。このステップでは、主研磨とオーバー研磨を行う。主研磨では、コンタクト導電膜３９２と、第１層間膜３３１と、コンタクト分離膜４０１を削り込み、配線状コンタクト導電層３９２で被われていたビット線キャップ膜２１４上面を露出させる。オーバー研磨では、ビット線キャップ膜２１４を削り込む。これらの研磨工程を経て、図３８Ａ〜３８Ｅに示すように、Ｙ方向にビット線２２４を跨いで連続膜となっていたコンタクト導電膜３９２が、ビット線キャップ膜２１４により分離される。また、ドレイン拡散層１４１ｃ毎に１つのコンタクト導電膜４３１が形成され、キャパシタコンタクトが形成される。
この研磨の被研磨膜は、第１実施形態における図２４Ａ〜２４Ｄに示す工程の被研磨膜と略同様の構造をしている。図２４Ａ〜２４Ｄに示す工程では、素子分離ゲートトレンチ上が第１層間膜２４１（ピラー状第１層間膜２４１ａ）で形成されているが、本実施形態のステップＳ３では、素子分離ゲートトレンチ上にコンタクト分離膜４０１が形成されている。
【００８３】
本実施形態の半導体装置製造方法におけるコンタクト分離膜４０１の材料には、シリコン窒化膜を用いることとしており、第１実施形態の半導体装置製造方法のピラー状第１層間膜２４１ａの材料のシリコン酸化膜とは異なる。しかしながら、図２４Ａ〜２４Ｄに示す研磨工程では、オーバー研磨において、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜を同程度の研磨速度で研磨するため、ピラー状第１層間膜２４１ａが、コンタクト分離膜４０１に変更されても、図２４Ａ〜２４Ｄの研磨工程と同様の条件で、ステップＳ３の研磨工程を行うことができる。
また、コンタクト分離膜４０１の材料が、ピラー状第１層間膜２４１ａと同じ材料（例えば、シリコン酸化膜等）で形成される場合は、被研磨膜の構造はＤＲＡＭ１０００における被研磨膜と略同じ構造になる。したがって、ステップＳ３は、第１実施形態における図２４Ａ〜２４Ｄに示す工程の研磨とほぼ同じ工程を行えばよい。
すなわち、第３実施形態の半導体装置製造方法では、コンタクト分離膜４０１の材料は第１層間膜３３１の材料、またはビット線キャップ膜２１４の材料で構成される。そのように構成されることにより、図２４Ａ〜２４Ｄに示す研磨工程の条件を本実施形態の半導体装置製造方法における研磨に適用することができ、セル部１１５でのエロージョンの発生を抑えることができる。
さらに、第３サイドウォール膜３８１の材料として、第１層間膜３３１の材料、あるいはビット線キャップ膜２１４の材料を用いることにより、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の各ステップを同一の研磨条件で行うことが可能となる。この場合は、同一のスラリーで一連の研磨を行うことができ、スラリーを切り替える時間をなくし、スラリーの材料費の節約による製造コストの低減を図ることができる。本実施形態の半導体装置製造方法では、第３サイドウォール膜３８１にはシリコン窒化膜を用いることとし、ステップＳ１〜Ｓ３の研磨を同一条件で行うものとする。
【００８４】
次に、図２０以降に示す第１実施形態の半導体装置製造方法の工程と同様に、図３９Ａ〜３９Ｃに示すように、周辺コンタクトプラグ４４１、第２配線下敷膜４４２、第２配線主配線膜４４３から成る第２配線４４４を形成する。この工程により、ＤＲＡＭ２０００が完成する。
上述の製造工程により、ＤＲＡＭ１０００と同様に、ＤＲＡＭ２０００のセル部１１５から周辺回路部１１６にかけてグローバルに平坦化される。その結果、第２配線が歩留まり良く形成される。
【実施例】
【００８５】
本発明の実施例として、第１実施形態の半導体装置製造方法でＤＲＡＭ１０００の作製を行った。作製の際には、構成する薬液の成分を変えた複数のスラリーを用意した。図２４Ａ〜２４Ｄに示す研磨工程において、これらのスラリーにおけるＤＲＡＭ１０００のセル部と周辺回路部との段差への影響を検証した。
以下の比較例および実施例では、研磨条件としてプラテンとヘッドの回転数は６０ｒｐｍ、圧力は１４０ｈＰａとした。研磨剤にはコロイダルシリカ粒子を用いた。
【００８６】
比較例１
従来のスラリーとして、表１に示すエッチングレートを有する材料を使用し、図２４Ａ〜２４Ｄに示す研磨工程を実施した。このスラリーはシリコン酸化膜、ポリシリコン膜の研磨速度が速く、シリコン窒化膜の研磨速度が遅い。また、シリコン酸化膜とポリシリコン膜の選択比が、１：１．２３であり、シリコン窒化膜とポリシリコン膜の選択比が１：１．４９である。本比較例で用いたスラリーは、シリコン窒化膜に対する研磨速度が比較的大きいものである。
【００８７】
実施例１
本発明のスラリーとして、表１に示すエッチングレートを有する材料を使用し、図２４Ａ〜２４Ｄに示す研磨工程を実施した。このスラリーはシリコン酸化膜とポリシリコン膜の選択比が、１：０．１９であり、シリコン窒化膜とポリシリコン膜の選択比が１：０．０９のものである。
【００８８】
図４０は、図２４Ａ〜２４Ｄの工程で基板表面を研磨した後の、比較例１および実施例１におけるＤＲＡＭ１０００のセル部と周辺回路部との段差を縦軸に示したグラフである。比較例１および実施例１の３つのプロットは、ＤＲＡＭ１０００の表面領域における、センタ−（◇）、ミドル（□）、エッジ（△）の３点での段差の測定値を示している。
図４０に示すように、従来のスラリーを用いた研磨工程を経て作製されたＤＲＡＭ１０００のセル部と周辺回路部との間には、３０〜４０ｎｍ程度の段差が生じた。この段差は、エロージョン現象により生じたものと考えられる。それに対して、本発明の研磨条件を満たすスラリーを用いた研磨工程で作製されたＤＲＡＭ１０００においては、セル部と周辺回路部との段差が−１０〜０ｎｍであった。
この結果により、本発明の半導体装置製造方法によれば、セル部におけるエロージョンの発生が解消され、半導体装置のセル部と周辺回路部との間の段差が著しく低減されることがわかる。
【００８９】
【表１】
2013038095.tif 000003
【符号の説明】
【００９０】
１１１…シリコン基板（半導体基板）、１１２…素子分離膜、１１５…セル部、１１６…周辺回路部、１４１ｂ…ソース拡散層、１４１ｃ…ドレイン拡散層、１５１…マスク絶縁膜、１７１…ゲート絶縁膜、１７３…ゲート窒化チタン膜、１７４…ゲートタングステン膜、１９１…ゲートギャップ層、２１１…第２シリコン膜、２１２…ビット線窒化タングステン膜、２１３…ビット線タングステン膜、２１４…ビット線キャップ膜（第１の絶縁膜）、２２２…ビット線、２２４…ゲート電極（ワード線）、２３２…第１サイドウォール膜、２４１…第１層間膜（第２の絶縁膜）、２６１…第２サイドウォール膜、２７１，２８１…コンタクト導電膜（コンタクトプラグ）、３０２…第２配線下敷膜、３０３…第２配線主配線膜、３０４ｃ…キャパシタパッド第２配線、３１１…キャパシタ層間膜、３１２…キャパシタ下部電極、３１３…キャパシタ絶縁膜、３１４…キャパシタ上部電極膜（キャパシタ）、３１６…上部配線バリア層、３１７…上部配線主配線層、３１８…第３配線、１０００，２０００…ＤＲＡＭ（半導体装置）
【図１】
2013038095.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
2013038095.tif 000010
【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
2013038095.tif 000012
【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
2013038095.tif 000014
【図６Ｇ】
2013038095.tif 000015
【図７】
2013038095.tif 000016
【図８Ａ】
2013038095.tif 000017
【図８Ｂ】
2013038095.tif 000018
【図８Ｃ】
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【図９Ａ】
2013038095.tif 000020
【図９Ｂ】
2013038095.tif 000021
【図１０Ａ】
2013038095.tif 000022
【図１０Ｂ】
2013038095.tif 000023
【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
2013038095.tif 000025
【図１２】
2013038095.tif 000026
【図１３】
2013038095.tif 000027
【図１４Ａ】
2013038095.tif 000028
【図１４Ｂ】
2013038095.tif 000029
【図１４Ｃ】
2013038095.tif 000030
【図１４Ｄ】
2013038095.tif 000031
【図１４Ｅ】
2013038095.tif 000032
【図１４Ｆ】
2013038095.tif 000033
【図１５Ａ】
2013038095.tif 000034
【図１５Ｂ】
2013038095.tif 000035
【図１５Ｃ】
2013038095.tif 000036
【図１５Ｄ】
2013038095.tif 000037
【図１６Ａ】
2013038095.tif 000038
【図１６Ｂ】
2013038095.tif 000039
【図１６Ｃ】
2013038095.tif 000040
【図１７Ａ】
2013038095.tif 000041
【図１７Ｂ】
2013038095.tif 000042
【図１７Ｃ】
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【図１７Ｄ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１８Ｄ】
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【図１９Ａ】
2013038095.tif 000049
【図１９Ｂ】
2013038095.tif 000050
【図１９Ｃ】
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【図２０Ａ】
2013038095.tif 000052
【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２０Ｄ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２１Ｃ】
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【図２１Ｄ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
2013038095.tif 000061
【図２２Ｃ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２３Ｃ】
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【図２３Ｄ】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２４Ｃ】
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【図２４Ｄ】
2013038095.tif 000070
【図２５Ａ】
2013038095.tif 000071
【図２５Ｂ】
2013038095.tif 000072
【図２５Ｃ】
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【図２５Ｄ】
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【図２６Ａ】
2013038095.tif 000075
【図２６Ｂ】
2013038095.tif 000076
【図２６Ｃ】
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【図２７】
2013038095.tif 000078
【図２８Ａ】
2013038095.tif 000079
【図２８Ｂ】
2013038095.tif 000080
【図２８Ｃ】
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【図２９Ａ】
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【図２９Ｂ】
2013038095.tif 000083
【図２９Ｃ】
2013038095.tif 000084
【図２９Ｄ】
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【図３０Ａ】
2013038095.tif 000086
【図３０Ｂ】
2013038095.tif 000087
【図３０Ｃ】
2013038095.tif 000088
【図３０Ｄ】
2013038095.tif 000089
【図３１Ａ】
2013038095.tif 000090
【図３１Ｂ】
2013038095.tif 000091
【図３１Ｃ】
2013038095.tif 000092
【図３２Ａ】
2013038095.tif 000093
【図３２Ｂ】
2013038095.tif 000094
【図３２Ｃ】
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【図３２Ｄ】
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【図３３Ａ】
2013038095.tif 000097
【図３３Ｂ】
2013038095.tif 000098
【図３３Ｃ】
2013038095.tif 000099
【図３３Ｄ】
2013038095.tif 000100
【図３４Ａ】
2013038095.tif 000101
【図３４Ｂ】
2013038095.tif 000102
【図３４Ｃ】
2013038095.tif 000103
【図３４Ｄ】
2013038095.tif 000104
【図３５Ａ】
2013038095.tif 000105
【図３５Ｂ】
2013038095.tif 000106
【図３５Ｃ】
2013038095.tif 000107
【図３５Ｄ】
2013038095.tif 000108
【図３６Ａ】
2013038095.tif 000109
【図３６Ｂ】
2013038095.tif 000110
【図３６Ｃ】
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【図３６Ｄ】
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【図３７Ａ】
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【図３７Ｂ】
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【図３７Ｃ】
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【図３７Ｄ】
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【図３７Ｅ】
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【図３８Ａ】
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【図３８Ｂ】
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【図３８Ｃ】
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【図３８Ｄ】
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【図３８Ｅ】
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【図３９Ａ】
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【図３９Ｂ】
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【図３９Ｃ】
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【図４０】
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