(57)【要約】【課題】光の反射を低減するための反射防止膜を効率的に基板に形成する。【解決手段】反射防止膜を基板に形成するための膜形成装置であって、基板に反射防止膜の塗布液を塗布する塗布処理部３と、基板に塗布された塗布液を乾燥させる乾燥処理部４と、基板に塗布された塗布液を乾燥させて形成された反射防止膜の膜厚および屈折率を測定する測定部５と、測定部５を少なくとも制御する制御手段１７とを備え、前記制御手段１７は、前記測定部５で測定した反射防止膜の膜厚および屈折率の測定結果に基づいて、前記反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長を算出し、予定された波長と比較する演算処理部１７ｂを有し、前記制御手段１７は、前記演算処理部１７ｂの比較において、前記反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長と前記予定された波長との差が所定値内であれば、形成された反射防止膜を良品と判定する。【選択図】図８
2013145327.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の反射を低減する反射防止膜を基板に形成するための膜形成装置であって、
基板に反射防止膜の塗布液を塗布する塗布処理部と、
基板に塗布された塗布液を乾燥させる乾燥処理部と、
基板に塗布された塗布液を乾燥させて形成された反射防止膜の膜厚および屈折率を測定する測定部と、
前記測定部を少なくとも制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記測定部で測定した反射防止膜の膜厚および屈折率の測定結果に基づいて、前記反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長を算出し、予定された波長と比較する演算処理部を有し、
前記制御手段は、前記演算処理部の比較において、前記反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長と前記予定された波長との差が所定値内であれば、形成された反射防止膜を良品と判定することを特徴とする膜形成装置。
【請求項２】
光の反射を低減する反射防止膜を基板に形成するための膜形成装置であって、
基板に反射防止膜の塗布液を塗布する塗布処理部と、
基板に塗布された塗布液を乾燥させる乾燥処理部と、
基板に塗布された塗布液を乾燥させて形成された反射防止膜の膜厚および屈折率を測定する測定部と、
前記塗布処理部、前記乾燥処理部を少なくとも制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記測定部で測定した反射防止膜の膜厚および屈折率の測定結果に基づいて、前記反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長を算出し、予定された波長と比較する演算処理部を有し、
前記制御手段は、前記演算処理部の比較において、前記反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長と前記予定された波長との差が所定値を超えた場合に、形成された反射防止膜を不良品と判定することを特徴とする膜形成装置。
【請求項３】
前記制御手段は、反射防止膜を不良品と判定した際、前記塗布処理部または前記乾燥処理部における処理条件を補正して、前記塗布処理部または前記乾燥処理部における処理を実行する制御部を有することを特徴とする請求項２に記載の膜形成装置。
【請求項４】
前記塗布処理部は、塗布液を基板に供給するノズルと、前記ノズルを基板と相対的に移動させる移動手段と、前記ノズルに塗布液を供給するポンプとを有し、
前記制御部は、前記ポンプから吐出される塗布液の流速を補正することを特徴とする請求項３に記載の膜形成装置。
【請求項５】
前記乾燥処理部は、塗布液が塗布された基板を加熱して乾燥させる加熱手段を有し、前記制御部は、前記加熱手段の温度を補正することを特徴とする請求項３または請求項４に記載の膜形成装置。
【請求項６】
光の反射を低減する反射防止膜を基板に形成するための膜形成方法であって、
基板に反射防止膜の塗布液を塗布する塗布処理工程と、
この塗布処理工程後、基板に塗布された塗布液を乾燥させて基板に反射防止膜を形成する乾燥処理工程と、
この乾燥処理工程後、形成された反射防止膜の膜厚及び反射率を測定し、この測定結果に基づいて、基板に形成された反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長を算出し、算出された光の波長と予定された波長との差が所定値を超えた場合に、形成された反射防止膜を不良品と判定する判定工程と
を有することを特徴とする膜形成方法。
【請求項７】
更に、形成された反射防止膜を不良品と判定したときに、前記塗布処理工程または前記乾燥処理工程における処理条件を補正する補正工程を有することを特徴とする請求項６に記載の膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は膜形成装置およびこの膜形成装置を用いた膜形成方法に関し、特に光の反射を低減する反射防止膜を基板の表面に形成する膜形成装置およびこの膜形成装置を用いた膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、太陽光発電に用いる太陽電池が製造されているが、この太陽電池においては、発電効率の向上が求められている。この発電効率を向上させる手法の一つとして、例えば、太陽電池を構成する基板表面における光の反射を低減させ、太陽電池の発電部分に光を多く当てるようにすることが考えられる。
例えば、特許文献１には、太陽電池の基板表面に光の反射を低減させるための反射防止膜を形成する技術が示されている。この反射防止膜が形成された太陽電池にあっては、前記したように光の反射が低減され、光は効率的に利用される。
その結果、反射防止膜が形成されていない太陽電池に比べて、反射防止膜が形成された太陽電池は、より高効率の発電を可能にしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２３３６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、太陽電池には、発電に最も適した（効率的に発電できる）光の波長が存在し、前記波長の光が太陽電池に照射されることにより、効率的に発電することができる。一方、基板表面で反射されず、太陽電池に照射される（入射する）光の波長は、基板の屈折率、反射防止膜の屈折率、反射防止膜の膜厚によって決定される。
したがって、太陽電池を効率的に発電するには、基板の屈折率、反射防止膜の屈折率、反射防止膜の膜厚により特定される光の波長と、太陽電池の発電に最も適した光の波長とを一致させる必要があり、両者が一致した場合に、発電効率の向上が望める。
【０００５】
一方、基板の屈折率、反射防止膜の屈折率、反射防止膜の膜厚により特定される光の波長と、太陽電池の発電に最も適した光の波長とが一致しない場合には、前記反射防止膜が形成された太陽電池においても、発電効率の向上が望めない。そのため、基板の屈折率、反射防止膜の屈折率、反射防止膜の膜厚により特定される光の波長を製造工程等において管理する必要がある。
【０００６】
本発明は、上記状況に鑑みなされた発明であり、太陽電池等の基板の表面に反射防止膜の効率的に形成することができる膜形成装置およびこの膜形成装置を用いた膜形成方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、基板の屈折率、反射防止膜の屈折率、反射防止膜の膜厚によって特定される光の波長と、太陽電池の発電に最も適した光の波長とが一致しているかを判定し、発電効率の向上が望める基板であるかを識別することにより管理する膜形成装置およびこの膜形成装置を用いた膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記した課題を解決するために、本発明にかかる膜形成装置は、光の反射を低減する反射防止膜を基板に形成するための膜形成装置であって、基板に反射防止膜の塗布液を塗布する塗布処理部と、基板に塗布された塗布液を乾燥させる乾燥処理部と、基板に塗布された塗布液を乾燥させて形成された反射防止膜の膜厚および屈折率を測定する測定部と、前記測定部を少なくとも制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記測定部で測定した反射防止膜の膜厚および屈折率の測定結果に基づいて、前記反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長を算出し、予定された波長と比較する演算処理部を有し、前記制御手段は、前記演算処理部の比較において、前記反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長と前記予定された波長との差が所定値内であれば、形成された反射防止膜を良品と判定することを特徴とする。
【０００８】
このように、本発明にかかる膜形成装置によれば、測定部で測定した反射防止膜の膜厚および屈折率の測定結果に基づいて、前記反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長を算出し、前記反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長と前記予定された波長との差が所定値内であれば、形成された反射防止膜を良品と判定する。その結果、基板の屈折率、反射防止膜の屈折率、反射防止膜の膜厚によって特定される光の波長と、太陽電池の発電に最も適した光の波長とが一致しているかを判定することができる。
【０００９】
また、前記した課題を解決するために、本発明にかかる膜形成装置は、光の反射を低減する反射防止膜を基板に形成するための膜形成装置であって、基板に反射防止膜の塗布液を塗布する塗布処理部と、基板に塗布された塗布液を乾燥させる乾燥処理部と、基板に塗布された塗布液を乾燥させて形成された反射防止膜の膜厚および屈折率を測定する測定部と、前記塗布処理部、前記乾燥処理部を少なくとも制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記測定部で測定した反射防止膜の膜厚および屈折率の測定結果に基づいて、前記反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長を算出し、予定された波長と比較する演算処理部を有し、前記制御手段は、前記演算処理部の比較において、前記反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長と前記予定された波長との差が所定値を超えた場合に、形成された反射防止膜を不良品と判定することを特徴とする。
【００１０】
また、前記した課題を解決するために、本発明にかかる膜形成方法は、光の反射を低減する反射防止膜を基板に形成するための膜形成方法であって、基板に反射防止膜の塗布液を塗布する塗布処理工程と、この塗布処理工程後、基板に塗布された塗布液を乾燥させて基板に反射防止膜を形成する乾燥処理工程と、この乾燥処理工程後、形成された反射防止膜の膜厚及び反射率を測定し、この測定結果に基づいて、基板に形成された反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長を算出し、算出された光の波長と予定された波長との差が所定値を超えた場合に、形成された反射防止膜を不良品と判定する判定工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
このように、本発明にかかる膜形成方法によれば、形成された反射防止膜の膜厚及び反射率を測定し、この測定結果に基づいて、基板に形成された反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる光の波長を算出し、算出された光の波長と予定された波長との差が所定値を超えた場合に、形成された反射防止膜を不良品と判定する判定工程を有する。その結果、基板の屈折率、反射防止膜の屈折率、反射防止膜の膜厚によって特定される光の波長と、太陽電池の発電に最も適した光の波長とが一致しているかを判定することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、太陽電池等の基板の表面に反射防止膜の形成を効率的に行うことができ、また太陽電池等の基板の良否を判定できる膜形成装置およびこの膜形成装置を用いた膜形成方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態の全体概略構成を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の塗布処理部の構成を示す平面図である。
【図３】図３は、本発明の塗布処理部の構成を示す側面図である。
【図４】図４は、本発明の塗布処理部の塗布液の供給系を説明するための概略図である。
【図５】図５は、本発明の乾燥処理部の構成を示す図である。
【図６】図６は、本発明の測定部の構成を示す図である。
【図７】図７は、本発明にかかる実施形態の手順を説明するための説明図である。
【図８】図８は、本発明にかかる実施形態の、反射防止膜を形成するフローを説明するためのフロー図である。
【図９】図９は、加熱温度と屈折率の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明にかかる膜形成装置および膜形成方法の実施形態を、図１乃至図９に基づいて説明する。
図１に示すように、膜形成装置１は、プロセス処理部７を膜形成装置１の中心部に配置し、その両端部にローダ２とアンローダ６とを連結している。
【００１５】
前記ローダ２は、例えばガラス、合成樹脂からなる透明基板（以下、基板Ｇと称する）を複数枚収納したカセットから、ロボット等の搬入手段により、１枚ずつ基板Ｇを取り出し、ローラ等の搬送手段によってプロセス処理部７へ送り出すように構成されている。
【００１６】
また、アンローダ６は、ローラ等の搬送手段によって搬送された、プロセス処理部７で反射防止膜が形成された基板Ｇを、ロボット等の搬出手段を用いて受け取り、カセットに収納するように構成されている。
【００１７】
前記プロセス処理部７は、基板Ｇの表面に反射防止膜を形成するための塗布液を塗布する塗布処理部３と、前記塗布処理部３において基板Ｇに塗布された塗布液を乾燥処理する乾燥処理部４と、前記乾燥処理部４において乾燥処理され、基板Ｇの上に形成された反射防止膜の膜厚および屈折率を測定する測定部５とで構成されている。
【００１８】
次に、塗布処理部３に関して、図２〜図４に基づいて更に説明する。
図２と図３に示すように塗布処理部３は、基板Ｇを載置するためのステージ１１と、ステージ１１に載置された基板Ｇに塗布液を供給するための長尺状のノズル１２とを有する。なお、前記塗布液は反射防止膜を形成するための材料であり、この塗布液を乾燥させて固化すると、反射防止膜となる。
具体的には、塗布液としては、シロキサンポリマー、ＴｉＯ２等が用いられる。
【００１９】
また、塗布処理部３は、ノズル１２を支持するためのノズル支持手段、例えばノズルアーム１３を有する。また、ノズルアーム１３を水平方向に案内するための案内手段、例えばガイド１４を有する。
【００２０】
また、塗布処理部３は、ノズルアーム１３をガイド１４に沿って水平方向に駆動させるためのノズル移動手段１５と、ノズル１２をノズルアーム１３に対して昇降させるノズル昇降手段１６とを有する。ノズル移動手段１５とノズル昇降手段１６との動作は、制御手段１７により制御される。
【００２１】
この制御手段１７はいわゆるコンピュータからなり、この制御手段１７は各種データを記憶する記憶部１７ｃと、前記記憶部１７ｃに記憶されたデータに基づいて演算処理し、その結果を制御部１７ａあるいは（及び）記憶部１７ｃに出力する演算処理部１７ｂと、前記演算処理部１７ｂの結果に基づいて、ローダ２、アンローダ６、プロセス処理部７（塗布処理部３、乾燥処理部４、測定部５）を制御する制御部１７ａと備えている。
【００２２】
また、前記ノズル１２には、図４に示すように、ノズル１２に対して塗布液を供給するための塗布液供給手段２０が設けられている。
この塗布液供給手段２０は、前記ノズル１２に供給する塗布液を収容する塗布液タンク２１と、前記塗布液タンク２１に収容された塗布液をノズル１２に導出するポンプ２２と、前記ポンプ２２とノズル１２とを接続する接続管路中に配置され、前記接続管路を開閉する開閉弁２３とから構成されている。
【００２３】
前記塗布液タンク２１は、反射防止膜の材料である塗布液を収容するための容器であり、ポンプ２２が前記塗布液タンク２１とノズル１２との間に配置される。
そして、このポンプ２２を動作させることによって、塗布液が塗布液タンク２１からノズル１２に向けて供給され、前記ノズル１２と前記ポンプ２２との間に配置された開閉弁２３により、ノズル１２への塗布液の供給または停止が行われる。尚、前記ポンプ２２や開閉弁２３の動作も、制御手段１７により制御される。
【００２４】
基板Ｇ表面に対して塗布液を塗布するには、ポンプ２２を作動させ、開閉弁２３を開き、ノズル１２に対して塗布液を供給しつつ、ノズル１２を水平に移動させ、基板Ｇに塗布液を塗布する。
【００２５】
次に、乾燥処理部４について、図５に基づいて説明する。
この乾燥処理部４は、基板Ｇを加熱する加熱手段、例えばホットプレート３０を有し、塗布液が塗布された基板Ｇをホットプレート３０に載置して加熱乾燥させ、反射防止膜を基板Ｇに形成する。尚、この乾燥処理部４の動作は、制御手段１７により制御される。そして、処理温度や処理時間が制御手段１７の記憶部１７ｃに設定され、その設定に基づいて、制御部１７ａによって乾燥処理部４の動作が制御される。
【００２６】
次に、測定部５について、図６に基づいて説明する。
図に示すように、この測定部５は、反射防止膜が形成された基板Ｇを載置する載置部３５と、この載置部３５に載置された基板Ｇに形成された反射防止膜の膜厚および屈折率を測定する測定手段である測定器３６とを有する。
なお、この測定器３６は、一般に、エリプソメータと呼ばれる機器であり、膜厚および屈折率を測定できる。また、膜厚および屈折率の測定結果は、前記制御手段１７に送出され、前記制御手段１７において所定の演算処理がなされ、その演算処理の結果に基づいて、処理部２，３，４，５，６を制御するように構成されている。
【００２７】
また、図１に示すように、膜形成装置１は、作業者が所定の値を制御手段１７に入力するための入力手段３０を有する。
この入力手段３０により、制御手段１７に対して、ローダ２、アンローダ６、プロセス処理部７（塗布処理部３、乾燥処理部４、測定部５）の制御に関する数値を作業者が入力することができるように構成されている。
この制御に関する数値（データ）は、制御手段１７の記憶部１７ｃに記憶され、必要に応じて読み出され（また演算処理され）、制御部１７ａに送出され、ローダ２、アンローダ６、プロセス処理部７を制御するように構成されている。
【００２８】
次に、前記制御手段１７を用いて、塗布する塗布膜の膜厚を特定し、またノズルから吐出される塗布液の流速（以下、吐出レート）を特定する方法について、図７に基づいて説明する。
塗布する塗布膜の膜厚を特定する際には、先ず、塗布する塗布膜の屈折率を特定する必要がある。通常、太陽電池の表面は、光が通過するようにガラスや合成樹脂の透明基板で形成されている。しかし、光の入射角や基板の表面の状態によっては、基板表面で光が反射する。基板表面で光が反射すると、太陽電池の発電部に到達する光の量が減少し、発電効率が低下する。
具体的には、反射率の値が小さいほど、光は基板を透過しやすくなる。逆に反射率の値が大きいほど、光は基板の表面で反射され、ガラスを通過する光の量が減少する。即ち、前記太陽電池においては、反射率の値が小さくなるように設定することにより、発電効率を向上させることができる。
【００２９】
更に、基板がガラスで形成され、その表面に反射防止膜が形成された場合の反射率、屈折率、膜厚について説明する。ここで、光の入射角については、ガラスの表面に対して直角に光が入射すると仮定して説明する。
【００３０】
ここで、空気、反射防止膜、基板であるガラスの屈折率をそれぞれｎ０、ｎ１、ｎ２とする。なお、屈折率の値は、その物性によりほぼ決まった値である。
反射防止膜の上面の反射率Ｂ１と、反射防止膜の下面（＝ガラスの表面）の反射率Ｂ２は、それぞれ、以下のように表わされる。
【００３１】
【数１】
2013145327.tif 000003
【００３２】
【数２】
2013145327.tif 000004
【００３３】
ここで、空気の屈折率はｎ０＝１．０であり、基板であるガラスの屈折率は、例えば、ｎ２＝１．５である。
そこで、式（１）と（２）から、Ｂ１とＢ２の値がなるべく小さくなるように（反射しないように）ｎ１の値を設定する。
本実施形態では、式（１）と（２）から求めた、反射防止膜の屈折率ｎ１の値を、ｎ１＝１．３とする。
このように、屈折率がｎ１＝１．３の反射防止膜を形成することにより、反射防止膜の上面の反射率Ｂ１と、反射防止膜の下面（＝ガラスの表面）の反射率Ｂ２を小さな値とすることができる。即ち、反射し難い反射防止膜を得ることができる。
【００３４】
次に、図７に示すように、前記のようにして得られた反射防止膜の屈折率と、発電に主に使用する光の波長（予定された波長、以後、定格波長λと記載する）とを、作業者は、入力手段３０から制御手段１７に入力する。（工程Ｓ０１）
尚、入力された反射防止膜の屈折率、定格波長λは、記憶部１７ｃに記憶される。
【００３５】
ここで、定格波長λについて説明する。太陽光は、短波長から長波長まで、様々な波長の光を含んでいる。そこで、どの波長の光で主に発電するかを予め定め（光の定格波長λを決定し）、その上で太陽電池は設計、製造されている。
作業者は、その定格波長λの値を入力する。また、反射防止膜の屈折率の値は、上述したように、ｎ１＝１．３を入力する。
【００３６】
ここで、反射防止膜の上面と下面における光の反射を考慮した、反射防止膜の反射率Ｒは、反射防止膜の膜厚をｄとすると、一般的に以下のように表わされる。
【００３７】
【数３】
2013145327.tif 000005
【００３８】
ここで、ｎ０、ｎ１、ｎ２、λは既定値なので、式（３）は、Ｒとｄの関数として表される。なお、式（３）は、予め制御手段１７の記憶部１７ｃに記憶されている。
そして、反射率Ｒの値が最小となる（光の反射が最も少ない）、定格波長λの光における最適な反射防止膜の膜厚ｄの値が、式（３）に基づいて、演算処理部１７ｂにおいて算出され、算出値が記憶部１７ｃに記憶される。（工程Ｓ０２）このようにして、塗布する塗布膜の膜厚が特定される。
【００３９】
続いて、上述した膜厚を得るために、ノズル１２から吐出される塗布液の流速を特定する。先ず、作業者は、入力手段３０から制御手段１７に対して、塗布液の固形分濃度Ｐ（例えば２．０％）、塗布する基板のサイズ（例えば１０００ｍｍ×１０００ｍｍ）、反射防止膜の塗布速度Ｖ（例えば１００ｍｍ／秒）を入力する。（工程Ｓ０３）
【００４０】
ここで、ノズル１２の吐出口の長さをＬ（ｍｍ）とすると、ポンプ２２から吐出される塗布液の流速Ｗ（以後、吐出レートと記載する、単位：ミリリットル／秒）は、以下のように表わされる。
【００４１】
【数４】
2013145327.tif 000006
【００４２】
この式（４）も、式（３）と同様に、予め記憶部１７ｃに記憶されている。
そして、記憶部１７ｃに記憶された塗布膜の膜厚ｄを読み出し、この膜厚ｄと、入力された吐出口の長さＬ、反射防止膜の塗布速度Ｖ、塗布液の固形分濃度Ｐとに基づいて、式（４）により、吐出レートＷ（ポンプ２２から吐出される塗布液の流速Ｗ）が算出される。このようにして、ポンプ２２の吐出レートＷが決定する。（工程Ｓ０４）
【００４３】
上記工程を経て、ポンプ２２の吐出レートＷが決定した後、図８に示すように、制御手段１７の制御によって、基板Ｇ１をローダ２から塗布処理部３へ搬送する。
そして、上述で求めた吐出レートＷとなるように、制御部１７ａによってポンプ２２の動作を制御しつつ、ノズル１２から所定の流速で塗布液を吐出し、ノズル１２を基板Ｇ１に対して水平に移動させる。その結果、基板Ｇ１に塗布液が塗布される。（工程Ｓ０５）
【００４４】
次に、基板Ｇ１は制御部１７ａの制御によって、乾燥処理部４に搬送され、設定された所定の処理条件で乾燥処理が行われる。そして、塗布液が乾燥して反射防止膜が形成される。（工程Ｓ０６）
【００４５】
乾燥処理が終了した後、基板Ｇ１は、制御部１７ａの制御によって、測定部５に搬送される。そして、基板Ｇ１に形成された反射防止膜の実際の屈折率と膜厚とが測定される。
そして、反射防止膜の実際の屈折率と膜厚の測定結果が、制御手段１７に送られ、記憶部１７ｃに記憶される。（工程Ｓ０７）
【００４６】
次に、反射防止膜の屈折率と膜厚の測定結果から、実際に形成された反射防止膜に対して反射率が最も小さくなる（光が最も透過しやすい）光の波長（以後、ピーク波長と記載する）が算出される。（工程Ｓ０８）
このピーク波長は、記憶部１７ｃに記憶された式（３）と、記憶部１７ｃに記憶された反射防止膜の測定結果を読み出し、演算処理部１７ｂによって演算処理し、算出する。即ち、ｎ０、ｎ１、ｎ２、Ｒ、ｄは既定値なので、式（３）よりピーク波長を求める。そして、ピーク波長（算出値）を記憶部１７ｃに記憶する。
【００４７】
次に、上記の工程Ｓ０８で求めたピーク波長（算出値）を記憶部１７ｃから読み出すと共に、定格波長λを記憶部１７ｃから読み出し、演算処理部１７ｂでピーク波長と定格波長λとを比較、照合する。
そして、工程Ｓ０８で求めたピーク波長と、定格波長λとの差が所定値内であれば、制御部１７ａは形成された反射防止膜は良品と判定し（工程Ｓ０９）、測定部５で測定が終了した基板Ｇ１をアンローダ６に搬送し、カセットに収納されるように制御する。
また、制御部１７ａは、次の基板Ｇ２以降も、同じ処理条件のままで処理を行うように各処理部を制御する。
【００４８】
尚、上述の工程Ｓ０９において、工程Ｓ０８で求めたピーク波長と、定格波長λとの差が所定値を超えた場合は、制御部１７ａは形成された反射防止膜を不良品と判定する。その後、制御部１７ａは、基板Ｇ１をアンローダ６に搬送し、不良品を収納するための別のカセットに収納されるように制御する。
【００４９】
また、上述の工程Ｓ０９において、形成された反射防止膜が不良品と判定された場合には、制御部１７ａは、演算処理部１７ｂ及び記憶部１７ｃを動作させ、次の基板Ｇ２の塗布条件や乾燥条件を補正するための補正値を算出する。（工程Ｓ１０）
【００５０】
具体的には、工程Ｓ０７で測定した膜厚と屈折率の値を参照して、ポンプ２２の吐出レートＷ、または乾燥処理部４の加熱温度が補正される。
工程Ｓ０７で測定した膜厚をｄ２とし、膜厚ｄ２の値が定格波長λの光における最適な反射防止膜の膜厚ｄの値と異なる場合には、例えばポンプ２２の吐出レートＷを補正する。ポンプ２２の補正前の吐出レートをＷ１、ポンプ２２の補正後の吐出レートをＷ２とすると、式（４）より、
【数５】
2013145327.tif 000007
と表される。そして、式（５）も、予め記憶部１７ｃに記憶されており、式（５）から、補正後の吐出レートＷ２を求め、ポンプ２２の吐出レートＷをＷ１からＷ２に補正する。なお、上述したポンプ２２の吐出レートの補正は、制御手段１７にて自動的に行なわれる。
【００５１】
また、工程Ｓ０７で測定した屈折率をｎ３とし、屈折率ｎ３の値が前述した反射防止膜の屈折率ｎ１の値と異なる場合には、例えば、乾燥処理部４の加熱温度が補正される。屈折率は、ほぼその物質の物性値であると前述したが、屈折率の小さな変動は、加熱処理の条件に起因して発生するからである。
【００５２】
図９に示すように、加熱温度と屈折率とは、相関関係がある。そこで、予め実験により、加熱温度と屈折率との相関関係を求めて、例えば図９に示すようなグラフまたはグラフの近似式を作成し、それを記憶部１７ｃに予め記憶しておく。
そして、屈折率ｎ３の値が反射防止膜の屈折率ｎ１の値と異なる場合には、図９のグラフまたは近似式を用いて、乾燥処理部４の加熱温度が補正される。なお、上述した乾燥処理部４の加熱温度の補正は、制御手段１７にて自動的に行なわれる。
【００５３】
そして、次の基板Ｇ２は、塗布処理部３および乾燥処理部４にて、補正された吐出レートＷ２、または加熱温度にて処理される。（工程Ｓ０５とＳ０６）
その後、基板Ｇ２は、測定部５に搬送され、基板Ｇ２に形成された反射防止膜の屈折率と膜厚とが測定される。（工程Ｓ０７）
そして、反射防止膜の屈折率と膜厚の測定結果が制御手段１７に送られる。
【００５４】
その後、上述した場合と同様に、工程Ｓ０８〜Ｓ０９が行われる。そして、工程Ｓ０８で求めたピーク波長と、定格波長λとの差が所定値内であれば、形成された反射防止膜は良品と判定される。（工程Ｓ０９）
そして、次の基板Ｇ３以降も、同じ処理条件のままで処理が行われる。前記測定部５で測定が終了した基板Ｇ２は、アンローダ６に搬送され、良品が収納されるカセットに収納される。
【００５５】
尚、工程Ｓ０８で求めたピーク波長と、定格波長λとの差が所定値を超えた場合は、形成された反射防止膜は不良品と判定される。（工程Ｓ０９）
そして、基板Ｇ２は、アンローダ６に搬送され、不良品を収納するカセットに収納される。
【００５６】
そして、上述の工程Ｓ０９において、形成された反射防止膜が不良品と判定された場合、次の基板Ｇ３の塗布条件や乾燥条件を上述した場合と同様に補正する。
即ち、ポンプ２２の吐出レート、または乾燥処理部４の加熱温度が補正される。（工程Ｓ１０）
【００５７】
このようにして、工程Ｓ０８で求めたピーク波長と、定格波長λとの差が、予め規定した許容範囲内になるまで、次の基板Ｇの処理におけるポンプ２２の吐出レート、または乾燥処理部４の加熱温度が補正される。
【００５８】
上述した装置や方法を用いることにより、所望の膜厚の反射防止膜を、例えば太陽電池の表面に形成することができ、太陽電池の発電効率を向上させることができる。
また、形成された反射防止膜の良否を、実際に形成された反射防止膜に最適な光の波長（反射が最も少ない波長）の値で判定して品質管理を行うことができる。
【００５９】
尚、前記塗布処理部３は、前述した構成に限定されない。例えば、基板の表面に塗布液を供給し、基板を回転させて塗布膜を形成する構成でもよい。この構成の場合、形成する反射防止膜の膜厚を制御するために、基板に供給する塗布液の量と、基板の回転数とを制御手段１７にて補正すればよい。
【００６０】
また、前記塗布処理部２は、その他の構成でもかまわない。例えば、インクジェットノズルヘッドを用い、インクジェットノズルヘッドをＸＹ方向に移動させつつ基板に塗布液を供給する構成でもよい。
また、塗布処理部２として、円筒状のロールに塗布液を供給し、このロールを基板に接触させつつ基板に反射防止膜を形成する構成でもよい。いずれの場合も、塗布処理部２で塗布される塗布膜の膜厚が変化するように、塗布処理部２における塗布処理条件を制御手段１７が補正すればよい。
【００６１】
更に、乾燥処理部４も、前述した構成に限定されない。例えば、加熱炉や、ランプによる加熱、またはその他の構成でもよい。この場合、乾燥処理部４における加熱温度を制御手段１７が補正すればよい。
また、上述した実施の形態では、ポンプ２２の吐出レートの補正または乾燥処理部４の加熱温度の補正を、制御手段１７にて自動的に行なったが、これらの補正に関して、作業者の経験や知識に基づいて、制御手段１７のかわりに作業者が入力手段３０から補正値を入力して、補正を行なってもよい。
【００６２】
また、上述の実施の形態は、太陽電池の基板に反射防止膜を形成する例であったが、太陽電池を形成するためのその他の基板も全て含まれる。また本発明は、太陽電池以外の半導体ウェハ、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板にも適用してもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１          膜形成装置
３          塗布処理部
４          乾燥処理部
５          測定部
１２        ノズル
１５        ノズル移動手段（移動手段）
１７        制御部
２２        ポンプ
３０        ホットプレート（加熱手段）
３５        載置台
３６        測定器
Ｇ          基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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