(57)【要約】      （修正有）【課題】基体管上により均一な塗膜厚を持つガラス材料を作成するように構成されたプラズマ化学蒸着方法を実施する装置を提供する。【解決手段】実質的に円筒状の共振器２ａ，ｂであって、円筒軸の周りの円周方向に延在する共振空洞を囲む外側円筒壁４を設けられている。前記共振器は、さらに、円筒方向において前記共振空洞の境界となる側壁部６ａ，ｂと、前記円筒軸の周りの円周方向において延在するスリット構造を設けられ、前記共振空洞から半径方向内方へのアクセスを提供する。さらに、前記スリット構造は前記円筒方向において相互にずれた複数のスリット部分を含む。【選択図】図２ａ
2013144845.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ化学蒸着方法を実施するための装置であって、
実質的に円筒状の共振器であって、円筒軸の周りに円周方向に延在する共振空洞を囲む外側円筒壁を設けられた共振器を備え、
前記共振器は、さらに、円筒方向において前記共振空洞の境界となっている側壁部と、前記円筒軸の周りに円周方向において延在するスリット構造とを設けられ、前記共振空洞から半径方向内方へのアクセスを提供し、
前記スリット構造は、前記円筒方向において相互にずれた複数のスリット部分を含む装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置であって、
前記スリット部分のそれぞれが半円の範囲内において前記円周方向に延在する装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の装置であって、
第１のスリット部分の円周終わり位置は第２のスリット部分の円周始まり位置と実質的に一致する装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項記載の装置であって、
前記スリット部分の円周の寸法は前記スリット部分の幅の寸法よりも大きい装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項記載の装置であって、
前記スリットは、前記円筒方向から見た場合、相互に対向する一対のスリット部分により形成されている装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項記載の装置であって、
前記スリット部分同士の間のずれは前記プラズマ（マイクロ波）波長の約１／４である装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項記載の装置であって、
前記スリット部分同士の間の前記ずれは、約５ｍｍより大きく、好ましくは約３０ｍｍ〜約５０ｍｍの範囲内である装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項記載の装置であって、
前記装置は、さらに、前記外側円筒壁を通って前記共振空洞内に延在する端部を有するマイクロ波導路を備える装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項記載の装置であって、
各スリット部分はマイクロ波エネルギーが半径方向内方に通過することを許容し、かつ
相当する通過マイクロ波エネルギーの強度は実質的に一致している装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項記載の装置であって、
前記スリット部分の幅は相互に異なる装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項記載の装置であって、
前記スリット部分の位置は、前記マイクロ波導路の対称面に関して対称である装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項記載の装置であって、
前記共振空洞は、全体として実質的に回転対称な形状を有する装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項記載の装置であって、
前記共振器は、前記円筒方向において相互にずれて配置された２つの実質的に同等な半共振器ユニットを含む装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項記載の装置であって、
前記共振器は、半径方向に前記円筒軸に向かって前記共振空洞の境界となる内側円筒壁を設けられ、
前記スリットは、前記内側円筒壁内に配置されている装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４にいずれか一項記載の装置であって、
前記マイクロ波導路の第２の端部にマイクロ波発生装置コネクタを設けられている装置。
【請求項１６】
請求項１〜１５にいずれか一項記載の装置であって、
基体管が筒状内部空間内において、前記共振空洞から半径方向内方に受領され、かつ
前記基体管は前記装置の操作中、前記共振器の前記円筒軸に関して回動するように構成されている装置。
【請求項１７】
請求項１〜１６にいずれか一項記載の装置であって、
前記共振器は前記円筒方向において、前記基体管に沿って往復運動する装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ化学蒸着方法を実施する装置に関する。この装置は、実質的に円筒状の共振器であって、円筒軸の周りに円周方向において延在する共振空洞を囲む外側円筒壁を設けられた共振器を備え、前記共振器は、さらに、円筒方向において前記共振空洞の境界となっている側壁部と、前記円筒軸の周りに円周方向において延在するスリット構造とを設けられ、前記共振空洞から半径方向内方へのアクセスを提供する。
【背景技術】
【０００２】
欧州特許出願公開ＥＰ１８６７６１０号公報明細書［出願人名称：ドラカ  コムテック  ベー．ベー．（Ｄｒａｋａ  Ｃｏｍｔｅｑ  ＢＶ）］は、光ファイバ製造用のそのような装置を開示している。プラズマ励起化学蒸着（ＰＣＶＤ；ｐｌａｓｍａ  ａｃｔｉｖａｔｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｕｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法は基体管の内面上で実施される。この方法においては、共振器はマイクロ波源（一般的にはマグネトロン）によりマイクロ波を供給される。一般的には、共振器は基体管の軸線方向において前後に移動する。基体管内では、マイクロ波出力はプラズマを生成し、このプラズマが反応を開始して基体管内に石英の薄膜を堆積する。基体管と共振器とは炉の内部に載置される。
【０００３】
基体管内の堆積物を検査すると、厚みおよび／または屈折率が基体管の軸線方向に沿って不均一であることが観察される。この現象は、得られたファイバのいくつかの品質パラメータ、例えばシングルモードファイバについて減衰［ＯＴＤＲ（ｏｐｔｉｃａｌ  ｔｉｍｅ  ｄｏｍａｉｎ  ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ）（光時間領域反射測定法）トレース］、および／またはモードフィールド直径の均一性、および／またはマルチモードファイバのアルファ値の均一性に重大な悪影響を及ぼす。堆積厚さが不均一であることにはほぼ周期的に変動することも含まれる。
【０００４】
これらの変動の原因は、共振器のマイクロ波と、炉の周りの金属殻が大半を占める環境とが相互作用するためである。この金属殻は、構造上必要とされ、かつ安全衛生上の理由からマイクロ波の漏れが大きくなるのを防止するために必要とされるものである。このマイクロ波の相互作用の影響は、堆積されたガラスの量が増加するとさらに悪化するが、これは、累積的影響と、チョークの効率のように、マイクロ波形状の適応性が限定されていることとによる。また、基体管の両端部の近傍で堆積が縦方向に不均一であることもあるが、これは基体管におけるプラズマにより導かれて、マイクロ波出力が炉の両端部において反射するからである。基体管の長さに沿ってマイクロ波出力が不均一であるため、長さ／前面位置が共振器の位置に対して、基体管の長さに沿って変化し、そのため堆積対象は共振器の位置を基準として偏差が生じることになる。
【０００５】
堆積の厚さの変動を低減するために、米国特許出願公開第２００９／００２２９０６号公報明細書は管の軸線方向に沿って炉を移動することを開示している。結果の示すところでは、この対策案は、変動を滑らかにするのにある程度有効である。変動が大きすぎる場合、例えば、非常に厚いガラス堆積物（例えば、約３５０ｍｍ２よりも大きいＣＳＡ（断面面積））の場合、および／または非常に小さな内径（例えば、約２０ｍｍよりも小さい）の場合、および／または堆積速度が高い（例えば、約２５ｇ／分よりも高い）もしくはマイクロ波出力が高い（例えば、約５ｋＷよりも多い）場合、および／またはよりよい品質が要求される場合には、低減率をより高くすることが望ましい。
【０００６】
さらに、移動炉を用いると別の悪影響がある。その理由は、移動炉は、ある距離の分だけ共振器のスレッジ路長を低減させることにより有効コア・ロッド長を低減させ、それによりファイバのコストに悪影響を及ぼすからである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、別の方法で、基体管上により均一な塗膜厚を持つガラス材料を作成するように構成された、請求項１の前提部分に記載の装置を提供することである。従って、本発明によれば、スリット構造は、円筒方向に相互にずれた（ｍｕｔｕａｌｌｙ  ｏｆｆｓｅｔ）スリット部分（ｓｌｉｔ  ｓｅｃｔｉｏｎｓ）を備える。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
円筒方向にずれた（ｏｆｆｓｅｔ）スリット部分を配置することにより、基体管上の異なる円周位置における堆積厚さにおける変動パターンが円筒方向に移動（ｓｈｉｆｔ）する。基体管を、例えば、段階的に（ｓｔｅｐｗｉｓｅ）回動すると、上記パターンは反復的に入れ替わり、最終製品は変動挙動がずっと少なくなる。
【０００９】
好ましくは、スリット部分同士間のずれ（ｏｆｆｓｅｔ）はプラズマ（マイクロ波）の波長の実質的に１／４である。スリット距離と、そして任意に管内の異なるプラズマ相互間の強度差とを調整することにより、堆積厚さおよび／または屈折率における変動挙動が少ないか、あるいは全くない堆積を実現することができる。その場合、ファイバ品質パラメータ、例えば減衰（ＯＴＤＲトレース）および／またはモードフィールド幅の均一性を顕著に改善することができる。
【００１０】
共振器を異なる部分に、例えば、供給導波路の対称面に関して、２つの半分体に、分割することにより、２つのプラズマが生成され、基体管の長手方向において移動（ｓｈｉｆｔ）可能である。
【００１１】
一般に、各スリット部分はマイクロ波エネルギーを半径方向内方へ透過させ、基体管内にプラズマを生成する。典型的には、各スリット部分はこのようにして対応するプラズマが存在し易くする。好ましくは、対応する通過マイクロ波エネルギーの強度が実質的に一致しているので、装置の操作中、バランスの取れたプラズマ構成が得られる。
また、その場合、プラズマの負荷も一致する。
【００１２】
有利なことに、円筒方向におけるスリット部分の幅、すなわち、スリット間隙の大きさが相互に異なり、それによりプラズマの負荷が一致していることである。
【００１３】
本発明のさらなる好適な実施形態は従属請求項に記載されている。
【００１４】
単なる例示として、本発明の実施形態を添付図面を参照して説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、既知のプラズマ化学蒸着方法を実施する装置の概略断面上面図である。
【図２ａ】図２ａは、本発明の装置の第１の実施形態の概略断面上面図である。
【図２ｂ】図２ｂは、本発明の装置の第２の実施形態の概略断面上面図である。
【図２ｃ】図２ｃは、本発明の装置の第３の実施形態の概略断面上面図である。
【図３ａ】図３ａは、図２ｃの装置の他の概略断面上面図である。
【図３ｂ】図３ｂは、マイクロ波導路の垂直対称面に沿った断面における図２ｃの装置の概略図である。
【図４ａ】図４ａは、既知の装置により製造されたコアロッドの軸線上の位置の関数としてアルファを図示したグラフである。
【図４ｂ】図４ｂは、本発明の装置により製造されたコアロッドの軸線上の位置の関数としてアルファを図示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
これらの図は本発明の好適な実施形態を示すものである。これらの図において、同じ参照符号は同一または相当する部品を示す。
【００１７】
図１は、プラズマ化学蒸着方法を実施する既知の装置の概略断面側面図である。装置１は実質的に円筒状である共振器２を備える。この装置は、また、マイクロ波を共振器２に導くマイクロ波導路（図示しない）を備える。マイクロ波導路は好ましくは矩形状であり、そのため、導路と共振器２との間の最適のインターフェースとなっている。この装置はプラズマ化学蒸着法を実施するために使用することができる。
【００１８】
共振器２は、外側円筒壁４を設けられており、外側円筒壁４は共振空洞５を包囲している。この空洞は、円筒軸Ｃに関して実質的に回転対称な形状を有する。共振器２は、さらに、側壁部６ａ，ｂを設けられており、これらは共振空洞５の円筒方向ＣＤにおける境界をなしている。
【００１９】
共振器２は、さらに、内側円筒壁８を含み、半径方向Ｒにおいて円筒軸Ｃに向かって共振空洞５の境界をなしている。実際、空洞５はこのように環状の形状を有する。内側円筒壁８は、スリット９を有し、該スリット９は円筒軸Ｃの周りに円周方向Ｃｉにおいて均一に延在している。スリット９を設けることにより、マイクロ波エネルギーが共振空洞５から、共振器２に囲まれた管状内部空間１０内に入射することができるようになる。
【００２０】
スリット９はそれ自体小さな半径方向の導波路であり、空洞５と共振器２の内側との間、すなわち管状内部空間１０に延在する。原則として、スリット９は空洞５自体と同じ幅またはそれより小さくすることができ、数ミリメートルまで小さくすることもできる。
【００２１】
一般に、スリットは円周寸法、幅寸法、および半径寸法を有する。円周寸法は、空洞５の周りの、円周方向Ｃｉにおけるスリット９の長さであり、一方、幅寸法は円筒方向ＣＤにおけるスリットの幅である。さらに、半径寸法は、半径方向Ｒにおけるスリットの深さである。
【００２２】
図示された実施形態において、スリット部分の円周寸法はスリット部分の幅寸法よりも大きい。
【００２３】
装置１は炉（図示しない）の中に配置されてプラズマ化学蒸着法が適用される間の操作温度を調節する。
【００２４】
既知の装置１を操作する間、マイクロ波発生器、例えば、マグネトロンまたはクライストロン（図示しない）により発生されたマイクロ波がマイクロ波導路（導波路ともいう）の第２の端部に入射され、次いでこの導波路を通って共振器２に向けて導かれる。なお、マイクロ波は他の方法によっても、例えば、追加の導波路装置を経由して、入射することができる。共振空洞５内にマイクロ波エネルギーが蓄積される。マイクロ波エネルギーは部分的にスリット９および管状内部空間１０を経由して入射し、基体管１１の内側に、プラズマ化学蒸着（ＰＣＶＤ）法を実施するためのプラズマを発生する。適切なガス流（例えば、ＳｉＣｌ４、ＧｅＣｌ４、Ｏ２、Ｏ２Ｆ６等）に調節し、かつ共振器２を基体管１１の長さにわたって往復させることによって、管状内部空間１０内に挿入されてあった基体管１１の内表面１１ａ上にガラス材料が堆積され、それにより複数のガラス層が内部に堆積された管が得られる（図３ａ参照）。そのような管を潰して固形のプリフォームまたはコアロッドを形成することができる。プリフォームまたはコアロッドは、これをさらに処理してガラス繊維を作製することができる。
【００２５】
図２ａ〜ｃは、それぞれ本発明の装置の第１、第２および第３の実施形態の概略断面上面図である。ここで、スリット９は、円筒方向ＣＤにおいて相互にずれた１対のスリット部分９ａ、ｂを含むスリット構造を構成している。
【００２６】
図２ａ〜ｃにおけるスリット部分９ａ、ｂはそれぞれ円周方向Ｃｉにおいて半円の範囲内に延在する。第１のスリット部分９ａの円周終わり位置は第２のスリット部分の円周始まり位置に実質的に一致し、そのためスリット部分９ａ、ｂは円周方向Ｃｉにおいて重ならない。１対のスリット部分９ａ、ｂは、円筒方向ＣＤから見た場合、管状内部空間１０の周りの対向する両側において相互に向き合っている。互い違いに配置されたスリット部分９ａ、ｂは円周方向に全円として延在するスリット構造を形成している。空洞５は、スリット部分に対応する２つの空洞部分を含み、円筒軸ＣＤの周りに円周方向に延在する。
【００２７】
スリット部分９ａ、ｂ同士の間のずれＤは、操作プラズマ波長の実質的に１／４であり、そのため、好ましくは基体管を回転する際に、下記のように、炉壁との電磁相互作用の効果が最低限になる。さらに詳しくは、スリット部分９ａ，ｂ同士の間のずれが実質的に５ｍｍよりも大きく、好ましくは実質的に３０ｍｍ〜実質的に５０ｍｍの範囲内である。
【００２８】
図２ａに示す実施形態において、共振器２は２つの実質的に同一のセミ共振器ユニット２ａ、２ｂを備え、これら円筒方向ＣＤにおいてずれ距離（ｏｆｆｓｅｔ  ｄｉｓｔａｎｃｅ）Ｄに渡って相互にずれて配置されている。この図示の実施形態において、第１の共振器ユニット２ａは既知の共振器２の円筒位置に維持され、一方、第２の共振器ユニット２ｂはずれ距離Ｄの分ずれている。
【００２９】
図２ｃは本発明の装置のさらなる実施形態を示す。この場合も、スリット部分９ａ、ｂは円筒方向ＣＤにおいて相互にずれている。図２ｂにおいて、スリット部分９ａ、ｂのそれぞれが、図２ａに示す既知の共振器におけるスリット９の位置に対して相互に反対方向に転移されている。スリット部分の他の設計も可能であり、例えば、既知の共振器におけるスリット部分の位置とは無関係の位置にスリット部分を配置する設計としてもよい。
図２ｃにおいて、第１のスリット部分９ｂの位置は図２ａに示す既知の共振器におけるスリット位置と同様であるが、一方、第２のスリット部分９ａの位置は共振器２の長さＬの半分だけ円筒方向ＣＤに移動されている。図２ａ、ｂに示す実施形態では、共振器２の外側円筒壁４は円周方向Ｃｉにおいて実質的に均一である。共振空洞５全体としては実質的に回転対称形をしている。共振器２は一体に形成することも可能である。さもなければ、共振器は、例えば半円筒状の共振器ユニット２ａ、ｂを用いてモジュール式に構成することもできる。図２ａ、ｃに示す実施形態では、原則として、２つの同等の共振器ユニット２ａ、ｂを用いることができる。２つのプラズマ半分体は、好ましくは、消費電力と位置が一般に相互に同等である。共振器ユニット２ａ、ｂは、物理的に炉中の高電解強度領域および低電界強度領域を異なる回数通過して来る。基体管１１は共振器が通過する毎に回転するので、堆積に対する全体的効果は、堆積層の屈折率および／または厚さに関して図１に示す既知の装置における堆積層と比べてより均質である。
【００３０】
図３ａは、図２ｃの装置の概略断面平面図を示す。一方、図３ｂは、図２ｃの装置のマイクロ波導路の垂直対称面Ｐに沿う概略断面図である。図３ｂに明示されているように、第１のスリット部分９ａの円周終わり位置Ｐ１は、第２のスリット部分９ｂの円周始まり位置と実質的に一致する。同様に、第２のスリット部分９ｂの円周終わり位置Ｐ２は第１のスリット部分９ａの円周始まり位置と実質的に一致するので、スリット部分９ａ、ｂは円周方向Ｃｉにおいて重ならない。スリット部分９ａ、ｂの対は、円筒方向ＣＤから見た場合、筒状内部空間１０の周りに相互に反対側に面している。上述のように、本発明の装置は、外側円筒壁４を通過し共振空洞５内に延在する端部７を有しマイクロ波を空洞５内に案内するためのマイクロ波導路を備える。これに、マイクロ波発生装置（図示しない）が導波路の第２の端部に接続される。
【００３１】
アーク放電を低減するために、共振器の設計においては、鋭い外縁部は設けられていない。第１の外縁は、多くの場合、導波路と空洞５との間のインターフェースにおいて認められる。図３に示す装置において（および図２ｂに示す装置においても）、空洞５の幅、すなわち円筒軸Ｃに沿う内部距離は、大抵の場合、導波路の相当する寸法、例えば、３．４インチ（８６．３８ｍｍ）の標準的大きさに等しく構成され、それにより１つの外縁をなくすことができる。空洞５の幅と導波路の最大側の幅の差は小さくすることができる。すなわち、１０ｍｍ未満、例えば５ｍｍ未満、または、特に６ｋＷより高い出力レベルを用いた場合、１ｍｍ未満にさえすることができる。インターフェースにおけるもう一方の外縁のアーク放電効果はこの外縁を丸めることにより最小限にすることが可能である。
【００３２】
上記装置の操作の際、基体管１１は筒状空間１０内に共振器２に囲まれて存在する。図３ａに示すように、相互に移動されたスリット部分９ａ、ｂを通って伝搬するマイクロ波は管１１の内部２５においてプラズマ２２、２３を生成し、基体管１１の内表面１１ａ上にガラス材料２０、２１を堆積させる。堆積されたガラス材料は図３ａ、ｂに示すように周期的プロフィールを有する。堆積物２０、２１の厚さは円筒方向ＣＤにおいて不均一である。基体管１１の左側部分の上の堆積物２０と基体管１１の右側部分の上の堆積物２１は周期的な厚さプロフィールを有する。プラズマ２２、２３が相互にずれているため、堆積物２０、２１の厚さの分布も円筒方向ＣＤにおいて相互にずれている。特定のずれ距離は、スリット部分９ａ、ｂ同士の間の適切なずれ距離を選択することにより設定することができる。好ましくは、ずれ距離Ｄは操作波長の実質的に１/４である。一例として、ずれ距離Ｄは、共振器の操作周波数が２．４６ＧＨｚである場合、約３０ｍｍとして選択することができる。
【００３３】
基体管１１をプラズマの操作の際に共振器２の円筒軸に関して回動することにより、左側堆積物２０および右側堆積物２１が連続的に入れ替わり、そのため堆積物全体の厚さ分布がより均一になり平坦化する。従って、堆積された層の屈折率もより均一になる。
【００３４】
図３ｂに示すように、スリット部分９ａ、ｂの位置は、共振器２にマイクロ波Ｗを供給するマイクロ波導路の対称面Ｐに関して対称である。ここに、円筒軸Ｃはマイクロ波導路の対称面Ｐ内に延在する。
【００３５】
スリット部分９ａ、ｂは半径方向導波路であり、空洞５から共振器２に囲まれた筒状空間１０までの範囲を占めている。半径方向導波路において、電磁界の放射光（ｒａｄｉａｌ）モードが存在する。スリット部分９ａ、ｂの全内側円周断面（３６０°）は、完全なリングを形成する場合（図１参照）、適用されるマイクロ波の波長よりも大きく、この波長の２倍よりも小さく、３つのモードが存在する。すなわち、回転対称モード（回転により不変）と、２つの回転非対称モード（すなわち、ｓｉｎ（π）とｃｏｓ（π）の角度／πに対する依存）がある。一例として、マイクロ波の波長は操作周波数が約２．４６ＧＨｚにおいて約１２２ｍｍである。図３ａ、ｂを参照した上述の構成では、マイクロ波導路の対称面Ｐは共振器２の垂直対称面と一致する。
【００３６】
特別の場合、マイクロ波導路は矩形導波路として形成され、その短辺は対称面Ｐに垂直であり、そのため長辺は対称面Ｐに平行である。その場合、操作の際、シングルモードのみがスリット部分９ａ、ｂに存在し、全内側円周（３６０°）は適用されたマイクロ波の波長の１〜２倍である。矩形状導波路は電界が対称であるため、対称面Ｐに平行な電界の成分は消滅する。全体的構成の機能性を変更することなく、非常に薄い金属板を垂直面内に置くことができる。機能性を維持したまま共振器のスリットを部分に分割することができるというこの洞察を本発明の装置に用いることができる。
【００３７】
図４ａは、アルファ（α）を、例えば図１に示す既知の装置により製造されたコアロッドの軸線上の位置の関数として描いたグラフを示す。パラメータ・アルファは、コアロッドの軸線上の位置に沿う厚さおよび／または屈折率の変動に関連した近放物線プロフィール（ｎｅａｒ  ｐａｒａｂｏｌｉｃ  ｐｒｏｆｉｌｅ）マルチモード・コアロッドのいわゆるアルファ・フィット（α  ｆｉｔ）から得られる周知の量である。パラメータ・アルファは、軸線上の位置のある範囲内において、変動を示す。軸線上の位置の関数としてのパラメータ・アルファのこれらの実質的に周期的な変動は、得られたファイバの若干の品質パラメータ、例えば減衰、帯域幅、システム性能およびこれらのパラメータのファイバ長に沿う均一性に強い負の影響を与える。これらの変動は、装置１が置かれている炉の内壁との電磁的相互作用により引き起こされる、約６ｃｍの周期距離を有する。
【００３８】
図４ｂは、本発明の装置１により製造されたコアロッドの軸線上の位置の関数としてアルファ（α）を描く図である。ここでは、パラメータ・アルファ曲線はより滑らかである。変動の幅は、既知の装置により製造されたコアロッドの曲線における変動の幅（図４ａ参照）よりも顕著に小さい。その結果、ファイバ品質パラメータ、例えば減衰、帯域幅、システム性能、およびこれらのパラメータのファイバ長に沿う均一性が改善される。
【００３９】
本発明は上述の実施形態に限定されない。その感度の故に、本発明の効果はマルチモードファイバ用コアロッドについて測定されたアルファ（α）により示される。本発明は、また、減衰と、シングルモードファイバ用モードフィールド直径の均一性とを改善し、分散管理シングルモードファイバ、例えば、分散移動（ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ  ｓｈｉｆｔｅｄ）または非ゼロ分散移動（ｎｏｎ−ｚｅｒｏ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ  ｓｈｉｆｔｅｄ）ファイバにおける分散およびファイバ・カットオフ波長値（ｆｉｂｅｒ  ｃｕｔ−ｏｆｆ  ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  ｖａｌｕｅｓ）の均一性に対して好ましい効果を有する。多くの変形例が可能であることが了解されるであろう。
【００４０】
共振器は、上述の部品を収納するモジュールをさらに備えていてもよい。さらに、空洞の内表面は少なくとも部分的に導電性である。従って、壁部は、好ましくは、鋼のような金属材料で作製される。
【００４１】
なお、スリット構造は、円筒方向ＣＤから見た場合、閉じたリングを形成する２個以上のスリット部分、例えば３個または４個のスリット部分を含んでいてもよい。
【００４２】
図示の実施形態では、スリット部分の配置は、第１のスリット部分の円周終わり位置が第２のスリット部分の円周始まり位置と実質的に一致して、スリット部分が円周方向Ｃｉにおいて結合するようになされる。しかしながら、原則として、他の配置も可能である。例えば、スリット部分を円周方向Ｃｉにおいて重なったり、またはずれたりするようにしてもよい。
【００４３】
「共振器」および「共振空洞」という用語は、本願においては、当技術分野において一般に知られている構造を特定するのに用いられている。しかしながら、これらの用語はマイクロ波の共振が存在しない状況、例えば実質的な反射がない場合、およびプラズマにおけるマイクロ波出力の顕著な吸収が無い場合を除外するものではない。
【００４４】
他のそのような変形例は当業者には明らかであり、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内のものであると了解される。
【図１】
2013144845.tif 000003
【図２ａ】
2013144845.tif 000004
【図２ｂ】
2013144845.tif 000005
【図２ｃ】
2013144845.tif 000006
【図３ａ】
2013144845.tif 000007
【図３ｂ】
2013144845.tif 000008
【図４ａ】
2013144845.tif 000009
【図４ｂ】
2013144845.tif 000010
【外国語明細書】
2013144845000001.pdf