(57)【要約】【課題】所望の機能性薄膜を形成する。【解決手段】本発明では、基板上に形成された電極層上に前駆体層から結晶化されてなる機能性薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記電極層上の機能性薄膜が形成される領域以外に、自己組織化単分子からなる撥水膜を形成する撥水膜形成部と、前記電極層上の機能性薄膜が形成される領域に、前記前駆体層をインクジェット法により塗布するインクジェット塗布部と、前記撥水膜形成部で前記撥水膜を形成してから前記インクジェット塗布部で前記前駆体層を塗布するまでの時間を所定時間内に制御するコントローラと、を備えたことを特徴とする薄膜形成装置が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された電極層上に前駆体層から結晶化されてなる機能性薄膜を自動的に形成する薄膜形成装置であって、
前記電極層上の機能性薄膜が形成される領域以外に、自己組織化単分子からなる撥水膜を形成する撥水膜形成部と、
前記電極層上の機能性薄膜が形成される領域に、前記前駆体層をインクジェット法により塗布するインクジェット塗布部と、
前記撥水膜形成部で前記撥水膜を形成してから前記インクジェット塗布部で前記前駆体層を塗布するまでの時間を所定時間内に制御するコントローラと、
を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記所定時間が３分以内であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
前記撥水膜形成部は、
前記自己組織化単分子を含む溶液を前記基板に供与する供給処理と、
前記電極層上に残留する自己組織化単分子を除去する洗浄処理と、
が実行可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜形成装置。
【請求項４】
前記洗浄処理では、有機溶剤と超音波とが用いられることを特徴とする請求項３に記載の薄膜形成装置。
【請求項５】
前記有機溶剤を放出するノズルの先端に、前記超音波を発する超音波発生装置が付設されていることを特徴とする請求項４に記載の薄膜形成装置。
【請求項６】
前記電極層の表面を洗浄する前洗浄処理部をさらに備え、前記前洗浄処理部において弱酸溶液が用いられることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。
【請求項７】
基板上に形成された電極層上に前駆体層から結晶化されてなる機能性薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
前記電極層上の機能性薄膜が形成される領域以外に、自己組織化単分子からなる撥水膜を形成する工程と、
前記電極層上の機能性薄膜が形成される領域に、前記前駆体層をインクジェット法により形成する工程と、
を有し、
前記撥水膜を形成してから前記前駆体層を形成するまでの時間を所定時間内に制御することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載された薄膜形成装置で形成された機能性薄膜を含むことを特徴とする電気−機械変換素子。
【請求項９】
請求項８に記載された電気−機械変換素子を含むことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１０】
請求項９に記載された液体吐出ヘッドを含むことを特徴とするインクジェット記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜形成装置、薄膜形成方法、電気−機械変換素子、液体吐出ヘッド、およびインクジェット記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に設けられた電極層上に、複合酸化物（例えば、ＰＺＴ）の前駆体をインクジェット法でパターニングし、前駆体を焼成することによって電極層上に機能性薄膜を形成する方法では、予め機能性薄膜が形成される領域を親液部とし、機能性薄膜が形成されない領域を撥液部にする必要がある。
【０００３】
電極層上に撥水部を形成する方法の一つに、機能性薄膜が形成されない領域に自己組織化単分子膜を形成する方法がある（例えば、非特許文献１、特許文献１参照）。例えば、基板は、必要に応じて、電極層の表面の不純物が除去される前洗浄処理がなされ、次に自己組織化単分子膜溶液の浸漬処理がなされ、続いて電極層上に残留する不要な自己組織化単分子の洗浄処理がなされ、最後に乾燥処理がなされる。このような工程で電極層上に自己組織化単分子膜が形成される。
【０００４】
しかしながら、電極層上に自己組織化単分子膜を形成してからインクジェット法で複合酸化物の前駆体を塗布するまでには、それぞれの専用装置間で基板が移動する。従って、移動に応じて時間が経過してしまう。そして、この時間が所定の時間を超えると、大気中の不純物が親液部に付着し、所望の機能性薄膜を形成できないという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は以上の問題点を鑑みなられたものであり、所望の機能性薄膜を形成できる薄膜形成装置、薄膜形成方法、さらには該薄膜形成装置で形成された機能性薄膜を含む電気−機械変換素子、該電気−機械変換素子を含む液体吐出ヘッド、および該液体吐出ヘッドを含むインクジェット記録装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、基板上に形成された電極層上に前駆体層から結晶化されてなる機能性薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記電極層上の機能性薄膜が形成される領域以外に、自己組織化単分子からなる撥水膜を形成する撥水膜形成部と、前記電極層上の機能性薄膜が形成される領域に、前記前駆体層をインクジェット法により塗布するインクジェット塗布部と、前記撥水膜形成部で前記撥水膜を形成してから前記インクジェット塗布部で前記前駆体層を塗布するまでの時間を所定時間内に制御するコントローラと、を備えたことを特徴とする薄膜形成装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、所望の機能性薄膜を形成できる薄膜形成装置、薄膜形成方法、さらには該薄膜形成装置で形成された機能性薄膜を含む電気−機械変換素子、該電気−機械変換素子を含む液体吐出ヘッド、および該液体吐出ヘッドを含むインクジェット記録装置が実現する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】薄膜形成装置の斜視模式図である。
【図２】インクジェット塗布部を説明するための斜視図である。
【図３】液体吐出ヘッドの断面模式図であり、（ａ）は、単一の液体吐出ヘッドの断面模式図であり、（ｂ）は、複数個配置した液体吐出ヘッドの断面模式図である。
【図４】電気−機械変換膜の製造過程を説明するための断面模式図である。
【図５】純水の接触角を説明する図であり、（ａ）は、ＳＡＭ膜９０上の純水の接触角を説明する図であり、（ｂ）は、機能性薄膜８６ａ上の純水の接触角を説明する図である。
【図６】接触角を説明する図であり、（ａ）は、機能性薄膜８６ａ上の純水の接触角を説明する図であり、（ｂ）は、機能性薄膜８６ａ上のメトキシエタノールの接触角を説明する図である。
【図７】接触角を説明する図であり、（ａ）は、機能性薄膜８６ａ上の純水の接触角を説明する図であり、（ｂ）は、機能性薄膜８６ａ上のメトキシエタノールの接触角を説明する図である。
【図８】経過時間と接触角との関係を説明する図である。
【図９】Ｐ−Ｅヒステリシス曲線の例を示す図である。
【図１０】超音波洗浄を説明する図であり、（ａ）は、ＳＡＭ処理後の電極層上の様子を説明する断面模式図であり、（ｂ）は、超音波洗浄後の電極層上の様子を説明する断面模式図である。
【図１１】インクジェット記録装置を説明する模式図であり、（ａ）は、インクジェット記録装置の斜視模式図、（ｂ）は、インクジェット記録装置の機構部分の側面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。本発明は以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
【００１０】
図１は、薄膜形成装置の斜視模式図である。
本発明の薄膜形成装置１は、自己組織化単分子膜の形成機構と複合酸化物の自動形成機構の一体型の装置であり、基板上に形成された電極上に前駆体層から結晶化されてなる機能性薄膜をゾルゲル法によって形成する薄膜形成装置である。
【００１１】
薄膜形成装置１は、電極層上の機能性薄膜が形成される領域以外に、自己組織化単分子からなる撥水膜を形成する撥水膜形成部１５と、電極上の機能性薄膜が形成される領域に、前駆体層をインクジェット法により塗布するインクジェット塗布部５０と、撥水膜形成部１５で撥水膜を形成してからインクジェット塗布部５０で前駆体層を塗布するまでの時間を所定時間内に制御するコントローラ６０と、を備える。インクジェット塗布部５０は、インクジェット塗布装置５０と称してもよい。
【００１２】
このほか、薄膜形成装置１は、前洗浄処理部２５と、ホットプレート３１、３２と、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anealing）装置３３と、アライナ４１と、ロボットアーム５１と、を備える。薄膜形成装置１が備える各部材は、大気雰囲気下にある。
【００１３】
自己組織化単分子膜を形成する撥水膜形成部１５は、スピナーカップ構造のＳＡＭ処理用チャンバ１１と、スピナーチャック１２と、ＳＡＭ溶液用ノズル１３と、エタノール用ノズル１４と、を有する。エタノール用ノズル１４の先端には、超音波を発する超音波発生装置６１が付設されている。撥水膜形成部１５は、自己組織化単分子を含む溶液を基板に供与する供給処理と、電極層上に残留する自己組織化単分子を除去する洗浄処理と、が実行可能である。洗浄処理では、有機溶剤と超音波とが用いられる（後述）。
【００１４】
前処理洗浄部２５は、スピナーカップ構造の前洗浄処理用チャンバ２１と、スピナーチャック２２と、弱酸溶液用ノズル２３と、純水用ノズル２４と、を有する。
【００１５】
ホットプレート３１は、基板を前洗浄処理した後の乾燥工程で用いられる。スピナーチャック１２、２２への基板の固定は、バキューム方式もしくはピン止め方式のどちらかで行う。実施形態では、バキューム方式を採用する。
【００１６】
ＰＺＴ膜等の複合酸化物膜を形成するために、薄膜形成装置１は、インクジェット方式のインクジェット塗布部５０と、溶媒乾燥用のホットプレート３２と、焼成用のＲＴＡ（Rapid Thermal Anealing）装置３３と、を備える。インクジェット塗布部５０の詳細については、別の図面を用いて後述する。
【００１７】
薄膜形成装置１内での被処理体（例えば、基板）の基本的な流れは以下の通りである。まず、基板が薄膜形成装置１内に投入されると、基板はアライナ４１に設置される。次に、基板は前洗浄処理用チャンバ２１において前洗浄処理がなされる。次に、基板はホットプレート３１において乾燥処理がなされる。次に、基板はＳＡＭ処理用チャンバ１１においてＳＡＭ処理がなされる。続いて、基板にはインクジェット法によって、複合酸化物膜の前駆体が塗布される。
【００１８】
次に、基板は、ホットプレート３２に移動し、前駆体中の溶媒が乾燥される。そして、ＲＴＡ装置３３に移動し、前駆体の焼成がなされる。焼成後は、基板はアライナ４１に戻される。基板がアライナ４１に設置されてから、前洗浄処理→ホットプレート３１への設置→ＳＡＭ処理→インクジェット塗布→溶媒乾燥→焼成を１サイクルとする。薄膜形成装置１内での基板の移動は、全てロボットアーム５１により行われる。
【００１９】
このように、薄膜形成装置１に基板を搬入することにより、電極層上の機能性薄膜が形成される領域以外に、自己組織化単分子からなる撥水膜を形成する工程と、電極層上の機能性薄膜が形成される領域に、前駆体層をインクジェット法により形成する工程と、が自動的に行われる。また、撥水膜を形成してから前駆体層を形成するまでの時間は所定時間内に制御されている。
【００２０】
また、薄膜形成装置１内には、ＳＡＭ処理の終了後からインクジェット塗布を開始するまでの時間を制御できるシステムを導入してある。このシステムは、薄膜形成装置１内にプログラミングとして格納されている。
【００２１】
図２は、インクジェット塗布部を説明するための斜視図である。
図２には、インクジェット塗布部５０のほか基板２０２が表示されている。インクジェット塗布部５０では、架台２００の上に、Ｙ軸駆動手段２０１が設置してありその上に基板２０２を搭載するステージ２０３がＹ軸方向に駆動できるように設置されている。なおステージ２０３には図示されていない真空、静電気などの吸着手段が付随しており基板２０２が固定されている。
【００２２】
また、Ｘ軸支持部材２０４にはＸ軸駆動手段２０５が取り付けられており、これにＺ軸駆動手段２１１上に搭載されたヘッドベース２０６が取り付けられており、Ｘ軸方向に移動できるようになっている。ヘッドベース２０６の上にはインクを吐出させる液体吐出ヘッド２０８が搭載されている。この液体吐出ヘッド２０８には図示されていない各インクタンクから各々着色樹脂インク供給用パイプ２１０からインクが供給される。
【００２３】
図３は、液体吐出ヘッドの断面模式図であり、（ａ）は、単一の液体吐出ヘッドの断面模式図であり、（ｂ）は、複数個配置した液体吐出ヘッドの断面模式図である。
【００２４】
本発明においては、単一の液体吐出ヘッド２０８を用いてもよく、複数個配置した液体吐出ヘッド２０８を用いてもよい。液体吐出ヘッド２０８は、インクジェット塗布部５０に組み込まれている。
【００２５】
液体吐出ヘッド２０８は、インク滴を吐出するノズル８０と、ノズル８０が連通する圧力室８１（液室、吐出室、加圧液室、インク流路等とも称される）と、圧力室８１内に充填されるインクを加圧する圧力発生手段としての電気−機械変換素子８２、および圧力室８１に接する振動板８３と、を備える。
【００２６】
電気−機械変換素子８２は、下側から順に、密着層８４／電極層８５（下部電極膜）／機能性薄膜（電気−機械変換膜）８６／電極層８７（上部電極膜）の順で積層された積層構造を有する。機能性薄膜８６は、薄膜形成装置１と同じ構成の薄膜形成装置で形成されたものである。
【００２７】
液体吐出ヘッド２０８では、電極層８５と電極層８７とに電圧を印加して電気−機械変換素子８２を振動させてエネルギーを発生させる。これにより、ノズル８０からインクが噴出する。なお、符号８８は、ノズル板を示し、符号８９は、圧力室基板（シリコン基板）を示す。本発明によれば、電気−機械変換素子８２が簡便な製造工程で形成できる。
【００２８】
液体吐出ヘッド２０８を形成するときは、上述した基板に圧力室８１を形成するための裏面エッチングを施し、基板裏面に凹部、すなわち圧力室８１を形成する。そして、ノズル８０を有するノズル板８８と、圧力室基板８９（すなわち、エッチング後の基板）と、を接合することで液体吐出ヘッド２０８が形成される。なお、図では液体供給手段、流路、流体抵抗について割愛している。
【００２９】
上記の圧力発生手段は、圧電素子などの電気機械変換素子を用いて吐出室の壁面を形成している振動板を変形変位させることでインク滴を吐出させるピエゾ型のものでもよく、あるいは、吐出内に配設した発熱抵抗体などの電気熱変換素子を用いてインクの膜沸騰でバブルを発生させてインク滴を吐出させるバブル型（サーマル型）のものでもよい。
【００３０】
ピエゾ型のものにはｄ３３方向の変形を利用した縦振動型、ｄ３１方向の変形を利用した横振動（ベンドモード）型、更には剪断変形を利用したシェアモード型等がある。液体吐出ヘッド２０８は、シリコン基板に直接液室及びピエゾ素子を作り込んだ薄膜アクチュエータでもよい。
【００３１】
機能性薄膜８６がＰＺＴの場合、機能性薄膜８６はゾルゲル法によって形成される。電気−機械変換膜形成の出発材料としては、酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド化合物、チタンアルコキシド化合物が用いられる。これらを共通溶媒であるメトキシエタノールに溶解させ均一溶液を得る。この均一溶媒をＰＺＴ前駆体溶液と呼ぶ。
【００３２】
ＰＺＴとはジルコン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）とチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）の固溶体で、その比率により特性が異なる。一般的に優れた圧電特性を示す組成はＰｂＺｒＯ３とＰｂＴｉＯ３の比率が５３：４７の割合で、化学式で示すとＰｂ（Ｚｒ０．５３,Ｔｉ０．４７）Ｏ３、一般にＰＺＴ（５３／４７）と示される。酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド化合物、チタンアルコキシド化合物の出発材料は、この化学式に従って秤量される。
【００３３】
また、金属アルコキシド化合物は大気中の水分により容易に加水分解してしまうので、ＰＺＴ前駆体溶液に安定剤としてアセチルアセトン、酢酸、ジエタノールアミンなどの安定化剤を適量、添加してもよい。
【００３４】
ＰＺＴ膜以外の機能性薄膜８６としてはチタン酸バリウム膜などが挙げられる。この場合はバリウムアルコキシド化合物、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒であるメトキシエタノールに溶解させ均一溶液を得る。この均一溶媒をチタン酸バリウム前駆体溶液と呼ぶ。
【００３５】
このような複合酸化物を一般式で表すと、ＡＢＯ３で記述される。ここで、Ａ＝Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒであり、Ｂ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂである。より具体的な表記として（Ｐｂ１−ｘ,Ｂａ）（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ１−ｘ,Ｓｒ）（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３と表示する。これは「Ａ」のＰｂを一部、ＢａやＳｒで置換した場合の表記である。このような置換は２価の元素であれば可能であり、その効果は熱処理中の鉛の蒸発による特性劣化を低減させる作用を示す。
【００３６】
基板上にＰＺＴ膜を形成する場合、インクジェット法、スピンコート法などの溶液塗布法によりＰＺＴ前駆体層を形成し、ＰＺＴ前駆体層中の溶媒を乾燥し、ＰＺＴ前駆体層に仮焼（熱分解）を施し、さらには結晶化のための熱処理を施す。仮焼の役割は、溶媒を乾燥させた後でも存在するＰＺＴ前駆体層中の「有機物の熱分解」を目的としている。また、ＰＺＴ前駆体層からＰＺＴ結晶化膜への変態には体積収縮が伴う場合がある。本発明では、クラックフリーなＰＺＴ膜を得るために、１回のサイクルでのＰＺＴ膜の膜厚を１００ｎｍ以下に制御している。膜厚の制御は、ＰＺＴ前駆体溶液の濃度、量の調整によって行われる。
【００３７】
但し、電気−機械変換素子の機能性薄膜８６として、ＰＺＴ膜を用いる場合、ＰＺＴ膜の膜厚としては１μｍ〜５μｍが要求される。このような膜厚を得るには数１０回にわたり、上記のサイクルを繰り返す。
【００３８】
機能性薄膜８６のパターニングは、下地の濡れ性を制御したＰＺＴ前駆体溶液の塗り分けをする。下地の濡れ性を制御する方法に、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ膜）を利用する方法がある。代表的な材料として、チオール化合物とシランカップリング剤がある。これらは、それぞれ特徴を持っており、用途によって使い分ける必要性がある。
【００３９】
チオール化合物としては、アルカンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）Ｒ−ＳＨ）が挙げられる。アルカンチオール中のチオール基は、白金などの貴金属に化学吸着する。実施例では、白金等を電極層８５の材質としている。複数のアルカンチオールが貴金属に化学吸着して形成された膜がＳＡＭ膜である。ＳＡＭ膜の膜厚は、サブミクロンオーダーである。ＳＡＭ膜は、アルカンチオールの分子鎖長により電極層８５との吸着性や疎水（撥水）性が異なる。貴金属に化学吸着したアルカンチオールは、比較的安定性が高く、耐ＵＶ性がある。
【００４０】
まず、Ｒが６〜１８のいずれかのアルカンチオールを選択して、この選択したアルカンチオールを有機溶媒（アルコール、アセトン、トルエンなど）に溶解させる。濃度は、数モル／Ｌ（リットル）以下である。続いて、基板をＳＡＭ処理用チャンバ１１内に設置した後、ＳＡＭ溶液用ノズル１３からアルカンチオール溶液を基板に供与してＳＡＭ処理を行う。そして、所定時間後に基板を取り出す。その後、余剰なＳＡＭ分子をアルコール等の溶媒で置換洗浄し、さらに乾燥することによって電極層８５の表面にＳＡＭ膜が形成される。ＳＡＭ膜の表面はアルキル基が配置しているので疎水性になる。
【００４１】
このように、チオール化合物中のチオール基が貴金属のみに吸着することの特徴を用いて、撥液・親液領域のパターニングを行う。また、電極層８５として用いられる材料としては、耐熱性があり、かつチオール化合物のＳＡＭ膜が形成できるものが選定される。例えば、銅、銀はチオールと結合するが大気下中での５００℃以上の熱処理により、それらの金属は変質してしまう。さらに金は両条件を満たすものの、積層するＰＺＴ膜の結晶化に不利に働く場合がある。これに対し、白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウムの単金属、白金−ロジウムなどの白金を主成分とした合金材料は、チオールと結合し、耐熱性もあり、ＰＺＴ膜の結晶化に不利に働くこともない。従って、電極層８５として用いられる材料は白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウムの単金属、白金−ロジウムなどの白金を主成分とした合金材料から選択することが好ましい。
【００４２】
また、シランカップリング剤（（ＣＨ３）ｎ−Ｓｉ（Ｙ）−（ＯＲ）３−ｎ）は、反応性官能基（Ｙ）と加水分解性基（ＯＲ）とを有する。シランカップリング剤は、有機物と無機物との両者に吸着することが可能である。加水分解性基がアルキシシラン基、クロロシラン基等の反応基を有する場合、シランカップリング剤の加水分解性基は、無機物表面のヒドロキシ基と反応して吸着する。加水分解性基で無機物吸着し、反応性官能基がアルキル基またはフッ素を含有している場合は、撥水性を示す。
【００４３】
例えば、加水分解性基がトリクロロシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシランであり、反応性官能基が、オクチル、オクタデシル、フルオロ系の各組み合わせのシランカップリング剤は、無機物吸着し、表面が撥液性を示す。
【００４４】
特に、フェニルトリクロロシランやオクタデシルトリメトキシシラン等の感紫外線シランカップリング剤は、基板表面に成膜された場合は撥水性を示す。但し、紫外線照射により置換基またはＣ−Ｃ結合、Ｃ−Ｈ結合が分解し、基板表面にシラノール基が形成され、基板表面が親水化する。
【００４５】
振動板８３は、厚さ数μｍでシリコン酸化膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、およびこれら各膜を積層した積層膜でもよい。また基板との熱膨張差を考慮した酸化アルミニウム膜、ジルコニア膜などのセラミック膜でもよい。これら材料は絶縁体である。
【００４６】
電極層８５は電気-機械変換素子８２に信号入力する際の共通電極として電気的接続をするので、その下にある振動板８３は絶縁体か、もしくは導体であれば絶縁処理が施されている。
【００４７】
絶縁体８３は、熱酸化膜、ＣＶＤ等で形成したシリコン酸化物であり、絶縁処理としては、導体の表面に金属酸化膜がスパッタ成膜されている。
【００４８】
振動板８３上に白金族の電極層８５を配置する場合、膜密着力を強めるために密着層８４を配置してもよい。密着層８４として可能な材料は、チタン、タンタル、酸化チタン、酸化タンタル、窒化チタン、窒化タンタル、あるいはこれら積層膜が挙げられる。特に、電極層８５が導電性酸化物の場合、振動板８３が同じ酸化物（シリコン酸化物）であるため、密着層８３を配置しなくても十分な膜密着力が得られる。
【実施例】
【００４９】
以下、本発明のより具体的な実施例に関して図面を参照して説明する。
【００５０】
（実施例１）
基板としてのシリコンウェハに熱酸化膜（膜厚１μｍ）を成長させ、熱酸化膜上に密着層８３としてのチタン膜（膜厚５０ｎｍ）をスパッタ成膜した。続いて、密着層８３上に電極層８５としての白金膜（膜厚２００ｎｍ）をスパッタ成膜した。さらに、次に説明する図４のように、電極層８５上に機能性薄膜をパターニングする。
【００５１】
図４は、電気−機械変換膜の製造過程を説明するための断面模式図である。
まず、図４（ａ）に示すように、基板（図示しない）上に形成された予め電極層８５上に機能性薄膜８６ａであるＰＺＴ膜をパターニングした。機能性薄膜８６ａの膜厚は、１００ｎｍである。機能性薄膜８６ａのパターニングは、フォトリソグラフィ・エッチングにより行った。例えば、マスクパターンであるレジストパターン（東京応化社製、ＴＳＭＲ８８００）を利用して、アルゴンプラズマ処理によって不要な機能性薄膜を除去して機能性薄膜８６ａのパターニングを行った。最初に形成した機能性薄膜８６ａは、次に説明するＳＡＭ膜のマスク材としても機能する。また、機能性薄膜８６ａの組成は、ＰＺＴ（５３／４７）膜であることが好ましい。機能性薄膜８６ａのパターニングは、ゾルゲル法によってもよい。
【００５２】
機能性薄膜８６ａが形成されていない領域は電極層８５が露出している。この露出した電極層８５に対してＳＡＭ処理を施すために、チオール化合物を用いた。
【００５３】
チオール化合物の選定は、鎖長の長さ（炭素数）を基準とする。鎖長の長さが長くなるほど撥液性は向上するが、チオール化合物はどの長さであってもチオール基を有する。このため、どのチオール化合物を用いてもＳＡＭ膜の形成には問題が生じない。従って、チオール化合物の鎖長の長さは自由に選ぶことができる。ただし、一般的には炭素数６以上（Ｒ≧５）のチオール化合物によって欠陥の少ないＳＡＭ膜が形成される。実施例では、ドデカンチオール（Ｒ＝１１）を用い、濃度０．０１ｍｏｌ／ＬのＳＡＭ溶液を用いた。ＳＡＭ溶液の溶媒としては、エタノールを用いた。
【００５４】
機能性薄膜８６ａがパターニングされた基板が薄膜形成装置１内に搬入されると、機能性薄膜８６ａ上に付着した不純物（例えば、大気に含まれる有機物）等を除去するために、基板がホットプレート３２によって予備加熱される。その直後、基板はスピナーチャック１２に固定される。直後とは、例えば、３分間以内とする。そして、基板に向かってＳＡＭ溶液がＳＡＭ溶液用ノズル１３から噴射される。また、ＳＡＭ溶液を噴射中には、ＳＡＭ溶液用ノズル１３をパドル（paddle）させた。パドルさせた状態で５分間、スピナーチャック１２内で基板にＳＡＭ溶液を供与した後、エタノールによって基板を洗浄処理した。
【００５５】
エタノール洗浄では、基板を回転し、ＳＡＭ溶液を振り切りながら、エタノール用ノズル１４から洗浄液用のエタノールを噴射させた。洗浄中の回転数は、５００ｒｐｍである。エタノール噴射では、エタノール用ノズル１４の先端に付設されている超音波発生装置６１を作動させ、超音波とともにエタノールを基板に向かってで噴射させた。エタノール流量は６００ｃｃ／ｍｉｎとした。
【００５６】
超音波発生装置６１は、メガソニックを用いており、メガヘルツ帯の超音波を出力することができる。この超音波によりエタノールが加速され、そのエネルギーで洗浄効果が促進される。超音波洗浄の詳細については後述する。
【００５７】
この洗浄を２分間実行した後、エタノール用ノズル１４からのエタノールの噴射を止め、その直後に回転数を１５００ｒｐｍに上昇させることで、基板に付着しているエタノールを振り切った。振り切った後の状態を、図４（ｂ）に示す。
【００５８】
この段階で、チオール化合物９１が列になって配置されたＳＡＭ膜（撥水膜）９０が電極層８５上に形成される。電極層８５上では、ＳＡＭ膜９０が形成された撥水部とＳＡＭ膜９０が形成されていない親液部とが形成される。親液部には、上述した機能性薄膜８６ａが配置されている。
【００５９】
次に、基板をロボットアーム５１でインクジェット塗布部５０のステージ２０３上に搬送させた。そして、ＰＺＴ前駆体溶液を基板上に供与した。ＰＺＴ前駆体溶液は、上述した圧力室８１内に充填されている。
【００６０】
ＰＺＴ前駆体溶液を作製する際には、出発材料として酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムを用いた。酢酸鉛の結晶水はメトキシエタノールに溶解後、脱水した。酢酸鉛の結晶水については、ＰＺＴの化学量論組成に対し鉛量を１０モル％過剰にしてある。これは熱処理中のＰＺＴからのいわゆる鉛抜けを防止するためである。鉛抜けがおきると、ＰＺＴの結晶性が低下するからである。
【００６１】
さらに、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進め、上記の酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液に混合させることでＰＺＴ前駆体溶液を合成した。この溶液中のＰＺＴ濃度を０．１モル／Ｌに調整した。溶液中のＰＺＴ濃度は、成膜面積と前駆体塗布量の関係から適正化される。従って、「０．１モル／リットル」は一例であり、この値に限定されるものではない。
【００６２】
図４（ｃ）に、ＰＺＴ前駆体溶液を基板に供与した後の状態を示す。図示するごとく、機能膜８６ａ上にはＰＺＴ前駆体溶液が濡れて、機能膜の前駆体である前駆体層８６ｂが形成されている。塗布直後の前駆体層８６ｂの成分は、ＰＺＴ前駆体溶液の成分と同じである。ＳＡＭ膜９０上には、ＰＺＴ前駆体溶液が濡れずに前駆体層８６ｂが形成されていない。実施例では、撥水膜形成部１５で撥水膜を形成してからインクジェット塗布部５０で前駆体層を塗布するまでの時間（以下、この時間を「経過時間」とする）を３分間以内に制御した。この時間の管理は、コントローラ６０によって制御されている。
【００６３】
次に、基板をホットプレート３２に移動し、前駆体層８６ｂ中の溶媒を除去（乾燥）するために、基板に１２０℃の加熱処理を行った（第１の加熱）。その後、基板をＲＴＡ装置３３に移動し、前駆体層８６ｂに対し、いわゆる仮焼きのために５００℃の加熱処理を施した（第２の加熱）。仮焼き後の前駆体層８６ｃの膜厚は９０ｎｍであった。この状態を、図４（ｄ）に示す。
【００６４】
また、仮焼き直後の電極層８５上の純水の接触角は５°以下であった。これは、この仮焼によってＳＡＭ膜９０が電極層８５上から消失したことを意味する。但し、この仮焼によって、電極層８５上に酸素が吸着し、この酸素によって電極層表面が汚染されてしまう可能性がある。この対処については、後述する。
【００６５】
１回のゾルゲル成膜で得られる前駆体層８６ｃの膜厚は１００ｎｍ以下が好ましくい。前駆体層８６ｃの膜厚が１００ｎｍを超えると、前駆体層８６ｃ自体や前駆体層８６ｃを積層して焼成した機能性薄膜にクラックが発生する場合があるからである。
【００６６】
続いて、図４（ｂ）〜図４（ｄ）の工程を６回繰り返した。各繰り返しのＳＡＭ処理毎に、基板はスピナーチャック１２に移動される。そして、基板には、１回目と同じ内容の処理が施される。この状態を、図４（ｅ）に示す。図示するように、積層した前駆体層８６ｃ（層厚：５４０ｎｍ）が機能性薄膜８６ａ上に形成されている。
【００６７】
さらに、積層した前駆体層８６ｃを結晶化するために、加熱処理（温度７００℃）を行った。加熱処理は、ＲＴＡ（急速熱処理）である。ＲＴＡ処理を行った後の状態を、図４（ｆ）に示す。図示するように、電極層８５上に機能性薄膜８６が形成されている。機能性薄膜８６の膜厚は、６４０ｎｍである。機能性薄膜８６には特にクラックなどの欠陥は生じなかった。機能性薄膜８６の組成は、ＰＺＴ（５３／４７）膜である。
【００６８】
図４（ｂ）〜図４（ｄ）の工程の繰り返しでは、繰り返しの各回において、経過時間が３分間以内であり、さらに各回とも同じ時間に制御されている。すなわち、本発明においては、各回の処理において、電極層８５上に親液部および撥液部を形成した後、ＰＺＴ前駆体溶液を塗布するまでの時間を短く、且つ一定にすることにより、安定的な親液部の表面エネルギーと信頼性の高い機能性薄膜とを得ている。
【００６９】
また、各回の処理においては、ＳＡＭ膜９０が自動的に形成され、ＳＡＭ膜９０の表面エネルギーが常に安定する。仮に、経過時間がばらついたりすると、繰り返して成膜した前駆体層８６ｃの断面形状、密着性、組成等がばらついてしまい、最終的に形成した機能性薄膜８６の信頼性が低下してしまう。
【００７０】
図５は、純水の接触角を説明する図であり、（ａ）は、ＳＡＭ膜９０上の純水の接触角を説明する図であり、（ｂ）は、機能性薄膜８６ａ上の純水の接触角を説明する図である。
【００７１】
図４（ｂ）の段階において、電極層８５上のみにＳＡＭ膜９０が形成されていることの確認するため、接触角計を用いて撥液性評価を行った。結果は、ＳＡＭ膜９０上での純水の接触角は１０５°であり（図５（ａ）参照）、機能性薄膜８６ａ上での純水の接触角は、５°以下（完全濡れ）であった（図５（ｂ）参照）。すなわち、ＳＡＭ膜９０は、複合酸化物上には形成されず、電極層８５上のみ形成されたことを確認した。なお、電極層８５上に直接純水を塗布した場合の純水の接触角は、５°以下であった。
【００７２】
なお、純水に代えて、メトキシエタノールを用いた場合は、ＳＡＭ膜９０上でのメトキシエタノールの接触角は７３°であり、機能性薄膜８６ａ上でのメトキシエタノールの接触角は、５°以下（完全濡れ）であった。
【００７３】
また、２回目のＳＡＭ処理後のＳＡＭ膜９０上の接触角は、１０４°であり、１回目と同等の撥液性が得られた（メトキシエタノールの接触角は７１°）。一方、前駆体層８６ｃ上の純水の接触角は５°であった（メトキシエタノールの接触角は５°）。
【００７４】
図６は、接触角を説明する図であり、（ａ）は、機能性薄膜８６ａ上の純水の接触角を説明する図であり、（ｂ）は、機能性薄膜８６ａ上のメトキシエタノールの接触角を説明する図である。
【００７５】
実施例では、経過時間を３分間以内に設定している。図６には、経過時間が３分を超えた場合の機能性薄膜８６ａにおける接触角が示されている。
【００７６】
機能性薄膜８６ａは、本来、親液部分であるので接触角は、５°以下（完全濡れ）であることが好ましい。しかし、経過時間が３分を超えると、純水の接触角は１８°であり（図６（ａ）参照）、メトキシエタノールの接触角は１０°であった（図６（ｂ）参照）。これは、経過時間が３分を超えると、大気に含まれる不純物（例えば、有機物）が機能性薄膜８６ａに付着し、機能性薄膜８６ａの表面エネルギーが変化したことを意味している。ＰＺＴ前駆体溶液は所定の粘性を有し、経過時間が３分を超えるとＰＺＴ前駆体溶液が機能性薄膜８６ａに充分に濡れ広がらなくなる。ＰＺＴ前駆体溶液が機能性薄膜８６ａに充分に濡れ広がらないと、上述したように、最終的に形成される機能性薄膜８６の信頼性が低下してしまう。本発明では、経過時間を３分間以内に設定して、ＰＺＴ前駆体溶液が機能性薄膜８６ａに充分に濡れ広がるようにしている。
【００７７】
図７は、接触角を説明する図であり、（ａ）は、機能性薄膜８６ａ上の純水の接触角を説明する図であり、（ｂ）は、機能性薄膜８６ａ上のメトキシエタノールの接触角を説明する図である。
【００７８】
本発明の薄膜形成装置１は、ＳＡＭ膜の形成手段と機能性薄膜の形成手段とが一体となった装置である。ところで、ＳＡＭ膜の形成手段と機能性薄膜の形成手段とがそれぞれ独立した２つの装置を用いる場合、ＳＡＭ膜形成から機能性薄膜を選択的に塗布するまでには、人手による時間が介入する。例えば、基板のセッティングト、アライメント調整、液体吐出ヘッド等に約１０分間以上の時間がかかる。
【００７９】
図７には、経過時間が１０分を超えた場合の機能性薄膜８６ａにおける接触角の結果が示されている。結果は、純水の接触角が３５°であり（図７（ａ）参照）、メトキシエタノールの接触角が１６°であり（図７（ｂ）参照）、さらに接触角が上昇した。
【００８０】
図８は、経過時間と接触角との関係を説明する図である。
人手による装置間の基板の移動は、作業者によって移動時間が異なる。これを想定し、図８には、経過時間を５分、１０分、１５分、２０分に設定したときの時間と接触角との関係が示されている。この図から、経過時間が長くなるほど、接触角が増加することが分かった。
【００８１】
特に、経過時間が２０分になると、機能性薄膜表面の親液性が大きく低下するため、ＰＺＴ前駆体溶液が充分に機能性薄膜８６ａ上に濡れ広がらないことが分かった。
【００８２】
従って、実施例では、経過時間を３分以内に制御している。また、薄膜形成装置１内の雰囲気は大気であり、装置内の温度は、２２〜２５℃であり、湿度は４０〜５０％に設定している。ところで、装置内の雰囲気をアルゴン、窒素等の不活性ガスにする方法もある。しかし、これは設備の大型化、ガス使用による高コスト化を招来するので好ましくない。また、真空機構も装置の複雑化、煩雑化を招来し、高コスト化につながる。
【００８３】
（実施例２）
表面が酸素で汚染された電極層８５に対しては前洗浄処理を行ってもよい。前洗浄処理は、例えば、酢酸、塩酸等を用いた酸処理である。但し、酸は電極層８５上のＰＺＴ膜に対して還元作用を起こす。このため、酸処理ではｐＨ２〜５の弱酸を用いる。例えば、ｐＨ２．５の酢酸を純水で１０倍に薄めて、ｐＨ３．３の酢酸溶液を準備する。ｐＨ測定には、ガラス電極式ｐＨ器を用いた。
【００８４】
前洗浄処理をするために、基板を前洗浄処理用チャンバ２１内のスピナーチャック２２に固定した。固定された基板に対して、酢酸溶液を弱酸溶液用ノズル２３から供与した。弱酸溶液用ノズル２３をパドルさせた状態で、１分間、酢酸溶液を基板に供与した後、基板を回転させ（５００ｒｐｍ）、純水用ノズル２４から純水を基板に向かって噴射させた。純水による洗浄時間は、２分間である。
【００８５】
純水洗浄が終了した後、回転数を１５００ｒｐｍまで上昇させ、純水を基板から振り切った。次に、ロボットアーム５１でスピナーチャック２２から基板を取り出し、ホットプレート３１で再度、基板を乾燥した（１２０℃、１分間）。このような酸処理によって、表面が酸素によって汚染された電極表面を清浄化できる。表面が清浄化された電極層８５の表面には、再びチオール化合物９１が効率よく吸着した。なお、基板の前洗浄処理は、白金表面が不純物に汚染されたときに行えばよく、例えば、基板の１回目投入時には前洗浄処理をしなくてもよい。
【００８６】
（実施例３）
図４（ｂ）〜図４（ｄ）の繰り返しの工程は６回に限らず、さらなる繰り返しを実施してもよい。
【００８７】
例えば、上述したように、膜厚が６４０ｎｍの機能性薄膜８６を得た後、図４（ｂ）〜図４（ｄ）の工程を再び繰り返した。そして、結晶化のための加熱処理（温度７００℃）を行った。結晶化のための加熱処理は、ＲＴＡ処理である。これにより、機能性薄膜８６の膜厚は、１０００ｎｍに達した。この機能性薄膜８６には、クラックなどの欠陥は生じなかった。
【００８８】
この機能性薄膜８６に、さらに上部電極（白金膜）を形成して機能性薄膜８６の電気特性、電気−機械変換能（圧電定数）の評価を行った。
【００８９】
図９は、Ｐ−Ｅヒステリシス曲線の例を示す図である。
機能膜８６がＰＺＴ膜であるときの分極量（Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）と膜への印加電界（Ａｐｐｌｉｅｄ ｆｉｅｌｄ）の関係は、図９（ａ）のようなヒステリシスを持ったＰ−Ｅ曲線となった。図９（ａ）から、残留分極（曲線と縦軸との交点）は１９．３μＣ／ｃｍ２であり、抗電界（曲線と横軸との交点）は３６．５ｋＶ／ｃｍであることが分かった。また、ＰＺＴ膜の比誘電率は１２２０であり、誘電損失は０．０２であった。形成したＰＺＴ膜は、通常のセラミック焼結体と同等の特性を有することが分かった。
【００９０】
また、ＰＺＴ膜の電気−機械変換能を、電界印加による変形量をレーザドップラー振動計で計測し、シミュレーションによる合わせ込みから算出した。その結果、圧電定数ｄ３１は−１２０ｐｍ／Ｖとなり、この値からもセラミック焼結体と同等の特性を有することが分かった。すなわち、形成したＰＺＴ膜は液体吐出ヘッドとして充分に機能し得る特性値を有する。
【００９１】
また、経過時間が１０分を超えた場合にも、膜厚が１０００ｎｍの機能性薄膜８６を形成して、同様の評価を行った。その結果を、図９（ｂ）に示す。
【００９２】
図９（ｂ）から、残留分極は２２．５μＣ／ｃｍ２であり、抗電界は３６．５ｋＶ／ｃｍであることが分かった。また、この場合のＰＺＴ膜の比誘電率は１１５０であり、誘電損失は０．０５であった。特に、経過時間が１０分を超えると、誘電損失が高くなる傾向にあることが分かった。
【００９３】
なお、上部電極を形成せずに、さらなる厚膜化を試みた。最終的には、膜厚が５μｍの機能性薄膜８６を得た。この機能性薄膜８６には、クラックなどの欠陥は生じなかった。
【００９４】
（実施例４）
図１０は、超音波洗浄を説明する図であり、（ａ）は、ＳＡＭ処理後の電極層上の様子を説明する断面模式図であり、（ｂ）は、超音波洗浄後の電極層上の様子を説明する断面模式図である。
【００９５】
本発明では、ノズル１４が超音波発生装置６１を備える。このため、基板を処理溶液中に浸漬する必要はない。
【００９６】
図１０（ａ）に示すように、ＳＡＭ処理をした後の電極層８５の表面には、電極層８５に吸着しない余分なチオール化合物９１が残存している。これに超音波洗浄を実施すると、図１０（ｂ）に示すように、電極層８５上に残存する余分なチオール化合物９１が効率よく除去される。
【００９７】
この洗浄では、超音波のエネルギーを利用しているため、白金との密着力が小さいチオール化合物９１だけが除去される。一方、白金と化学結合しているチオール化合物９１については電極層８５との密着力が強いため、電極層８５に吸着したままでいる。
【００９８】
超音波洗浄処理は、２分間実施した。基板の中心部と外周部（ここでは、中心からの距離４５ｍｍの円周上）において、撥液性評価を行ったところ、中心部および外周部において、ＳＡＭ膜上での純水の接触角は１０５°であり、メトキシエタノールの接触角は７３°であった。
（実施例５）
図１１は、インクジェット記録装置を説明する模式図であり、（ａ）は、インクジェット記録装置の斜視模式図、（ｂ）は、インクジェット記録装置の機構部分の側面模式図である。
【００９９】
インクジェット記録装置２は、騒音が極めて小さくかつ高速印字が可能であり、更にはインクの自由度があり安価な普通紙を使用できるなど多くの利点があるために、プリンタ、ファクシミリ、複写装置等の画像記録装置あるいは画像形成装置として広く展開されている。
【０１００】
インクジェット記録装置２は、液体吐出ヘッド２０８を搭載している。インクジェット記録装置２は、記録装置本体８１０の内部に主走査方向に移動可能なキャリッジ、キャリッジに搭載した液体吐出ヘッドからなる記録ヘッド、記録ヘッドへインクを供給するインクカートリッジ等で構成される印字機構部８２０等を収納している。
【０１０１】
記録装置本体８１０の下方部には前方側から多数枚の用紙８３０を積載可能な給紙カセット（或いは給紙トレイ）８４０を抜き差し自在に装着することができる。また、用紙８３０を手差しで給紙するための手差しトレイ８５０を開倒することができる。記録装置本体８１０は、給紙カセット８４０あるいは手差しトレイ８５０から給送される用紙８３０を取り込み、印字機構部８２０によって所要の画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ８６０に排紙する。
【０１０２】
印字機構部８２０は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド９１０と従ガイドロッド９２０とでキャリッジ９３０を主走査方向に摺動自在に保持する。キャリッジ９３０は、記録ヘッド９４０を複数のインク滴吐出方向を下方に向けて装着している。複数のインク吐出口（ノズル）は、主走査方向と交差する方向に配列されている。なお、記録ヘッド９４０は、イエロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、ブラック（Ｂｋ）の各色のインク滴を吐出する液体吐出ヘッドからなる。キャリッジ９３０には記録ヘッド９４０に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ９５０が交換可能に装着されている。
【０１０３】
インクカートリッジ９５０は、上方に大気と連通する大気口を有し、下方には液体吐出ヘッドへインクを供給する供給口を有し、内部にはインクが充填された多孔質体を有する。多孔質体の毛管力により液体吐出ヘッドへ供給されるインクをわずかな負圧に維持している。また、ここでは各色の記録ヘッド９４０を用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する１個の記録ヘッドとしてもよい。
【０１０４】
キャリッジ９３０は後方側（用紙搬送方向下流側）を主ガイドロッド９１０に摺動自在に嵌装し、前方側（用紙搬送方向上流側）を従ガイドロッド９２０に摺動自在に載置している。キャリッジ９３０を主走査方向に移動走査する。例えば、主走査モータ９７０で回転駆動される駆動プーリ９８０と従動プーリ９９０との間にタイミングベルト１０００を張装し、タイミングベルト１０００をキャリッジ９３０に固定し、主走査モータ９７０の正逆回転によってキャリッジ９３０が往復駆動される。
【０１０５】
一方、給紙カセット８４０にセットした用紙８３０をヘッド９４０の下方側に搬送するために、給紙カセット８４０から用紙８３０を分離給装する給紙ローラ１０１０およびフリクションパッド１０２０と、用紙８３０を案内するガイド部材１０３０と、給紙された用紙８３０を反転させて搬送する搬送ローラ１０４０と、この搬送ローラ１０４０の周面に押し付けられる搬送コロ１０５０および搬送ローラ１０４０からの用紙８３０の送り出し角度を規定する先端コロ１０６０とを設けている。搬送ローラ１０４０は副走査モータ１０７０によってギヤ列を介して回転駆動される。
【０１０６】
また、記録装置本体８１０には、キャリッジ９３０の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラ１０４０から送り出された用紙８３０を記録ヘッド９４０の下方側で案内する用紙ガイド部材である印写受け部材１０９０が設けられている。この印写受け部材１０９０の用紙搬送方向下流側には、用紙８３０を排紙方向へ送り出すために回転駆動される搬送コロ１１１０、拍車１１２０を設け、さらに用紙８３０を排紙トレイ８６０に送り出す排紙ローラ１１３０および拍車１１４０と、排紙経路を形成するガイド部材１１５０、１１６０とを配設している。
【０１０７】
記録時には、キャリッジ９３０を移動させながら画像信号に応じて記録ヘッド９４０を駆動することにより、停止している用紙８３０にインクを吐出して１行分を記録し、用紙８３０を所定量搬送後次の行の記録を行う。記録終了信号または、用紙８３０の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ用紙８３０を排紙する。
【０１０８】
また、キャリッジ９３０の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、ヘッド９４０の吐出不良を回復するための回復装置１１７０を配置している。回復装置１１７０はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段を有している。キャリッジ９３０は印字待機中にはこの回復装置１１７０側に移動されてキャッピング手段でヘッド９４０をキャッピングされ、吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。また、記録途中などに記録と関係しないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出性能を維持する。
【０１０９】
吐出不良が発生した場合等には、キャッピング手段でヘッド９４０の吐出口（ノズル）を密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともに気泡等を吸い出し、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復される。また、吸引されたインクは、本体下部に設置された廃インク溜（不図示）に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。
【０１１０】
このように、このインクジェット記録装置２においては、液体吐出ヘッド２Ａもしくは２Ｂを搭載しているので、振動板駆動不良によるインク滴吐出不良がなく、安定したインク滴吐出特性が得られて、画像品質が向上する。
【０１１１】
以上、実施形態を説明してきたが、本発明は図面に示した実施形態に限定されるものではない。他の実施形態、追加、変更、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができる。いずれの態様においても本発明の作用・効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１１２】
１  薄膜形成装置
２  インクジェット記録装置
１１  ＳＡＭ処理用チャンバ
１２、２２  スピナーチャック
１３  ＳＡＭ溶液用ノズル
１４  エタノール用ノズル
１５  撥水膜形成部
２１  前洗浄処理用チャンバ
２３  弱酸溶液用ノズル
２４  純水用ノズル
２５  前洗浄処理部
３１、３２  ホットプレート
３３  ＲＴＡ装置
４１  アライナ
５０  インクジェット塗布部
５１  ロボットアーム
６０  コントローラ
６１  超音波発生装置
８０  ノズル
８１  圧力室
８２  電気−機械変換素子
８３  振動板
８４  密着層
８５、８７  電極層
８６、８６ａ  機能性薄膜
８６ｂ、８６ｃ  前駆体層
８８  ノズル板
８９  圧力室基板（シリコン基板）
９０  ＳＡＭ膜（撥水膜）
９１  チオール化合物
２００  架台
２０１  Ｙ軸駆動手段
２０２  基板
２０３  ステージ
２０４  Ｘ軸支持部材
２０５  Ｘ軸駆動手段
２０６  ヘッドベース
２０８  液体吐出ヘッド
２１０  着色樹脂インク供給用パイプ
２１１  Ｚ軸駆動手段
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１１３】
【特許文献１】特開２０１１−１０８９９６号公報
【非特許文献】
【０１１４】
【非特許文献１】A.Kumar  and  G.M.Whitesides,Appl.Phys.Lett.,63,2002(1993）．
【図１】
2013154315.tif 000003
【図２】
2013154315.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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