(57)【要約】      （修正有）【課題】容易に温度センサの位置再現性を確保し、温度検出精度を向上させる基板処理装置を提供する。【解決手段】ヒータ１９と、基板保持具１５に保持された基板１６を処理する処理室１３を画成する反応管２４と、該反応管の内面に沿って上方に延出し、内部に熱電対が挿入されると共に、少なくとも１ヶ所に前記反応管の内壁に向って突出する第１位置決め部材５４が設けられた保護管４９を有する温度センサ４５と、前記第１位置決め部材が嵌合する嵌合溝５６を有する第２位置決め部材５５とを具備し、前記第１位置決め部材が前記嵌合溝に嵌合した状態で前記保護管と前記反応管との間に前記第２位置決め部材が介設される。【選択図】図２
2013191695.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒータと、基板保持具に保持された基板を処理する処理室を画成する反応管と、該反応管の内面に沿って上方に延出し、内部に熱電対が挿入されると共に、少なくとも１ヶ所に前記反応管の内壁に向って突出する第１位置決め部材が設けられた保護管を有する温度センサと、前記第１位置決め部材が嵌合する嵌合溝を有する第２位置決め部材とを具備し、前記第１位置決め部材が前記嵌合溝に嵌合した状態で前記保護管と前記反応管との間に前記第２位置決め部材が介設されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記保護管を囲繞する凹部を有する傾き制限部材を更に具備し、前記凹部が前記保護管の傾きを制限する請求項１の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜の生成、酸化処理、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置として、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置と、所要枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置とがある。バッチ式の基板処理装置では、縦型炉を有し、該縦型炉の処理室に所要枚数の基板を収納し、処理している。
【０００３】
前記縦型炉の処理室を画成する反応管（プロセスチューブ）は有天筒形状をしており、該プロセスチューブ内に設置された熱電対等の温度センサと、前記プロセスチューブを囲繞する様に配設された加熱装置を具備している。前記処理室では、基板（ウェーハ）が基板保持具（ボート）により水平姿勢で多段に支持され、前記処理室が所定の処理圧に減圧され、所定温度に加熱され、更に処理ガスが導入されつつ排気されることで、基板表面に所要の処理がなされる様になっている。
【０００４】
図４に於いて、従来の温度センサ１について説明する。該温度センサ１は、石英等の保護管２に挿入された複数の熱電対（図示せず）により構成される。前記保護管２はプロセスチューブ３の下方に配設されたマニホールド４を周面から貫通し、垂直に屈曲されて前記プロセスチューブ３の内壁に沿って上方に延出している。
【０００５】
メンテナンス等により前記温度センサ１を取外し、再度取付けを行う場合には、該温度センサ１の取付け位置が取外し前の位置と異なると正確な温度分布を得ることができない為、該温度センサ１の位置の再現性を図る手段が必要となっている。
【０００６】
従来の該温度センサ１では、前記保護管２の屈曲部に当接し、該保護管２の重量を支持する重量支持部材６、及び水平方向の位置決めを行い水平移動を拘束する変位防止部材７を有し、更に前記プロセスチューブ３の内壁との平行を確保する為に設けられた突起部５を有している。該突起部５は前記プロセスチューブ３の内壁に向って突出し、前記突起部５を前記プロセスチューブ３の内壁に接触させることで、前記保護管２の位置再現性を図っている。
【０００７】
然し乍ら、従来の該保護管２では、前記突起部５が常に前記プロセスチューブ３の内壁と接触する構造である為、処理室内を減圧し、加熱した際には熱変形により前記突起部５が破損し、該突起部５の破損に伴い前記保護管２自体も破損する場合があり、該保護管２が破損することでウェーハのロットアウトの問題が発生していた。
【０００８】
又、従来の前記保護管２は、ボートへの傾きを防止する構成を有していない為、前記保護管２が前記ボート側に傾いて設置された際には、該保護管２と前記ボートとが接触し、パーティクルが発生する要因となっていた。
【０００９】
尚、特許文献１には、熱電対を保護管に下端から挿入し、両端部が太径の円筒部であり中途部にフランジ部が形成された熱電対ホルダを熱電対固定金具の所要位置に位置決めした後、前記円筒部をクランプ金具の基部に嵌合させ、前記フランジ部を前記クランプ金具に下方から突当て、固定することで温度検出器の再組立ての際の高さ方向の再現性を向上させる半導体製造装置が開示されている。
【００１０】
又、特許文献２には、保護管の内部が仕切板にて４つの空間に区分され、各空間に熱電対が一本ずつ収容されており、各熱電対の収納スペースを狭くし、各熱電対の水平方向の変位を規制することで、内部熱電対を再装着する際の前記保護管内に於ける熱電対の位置再現性を確保する基板処理装置及び基板処理方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−２２９４３号公報
【特許文献２】特開２００７−２６６４３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は斯かる実情に鑑み、容易に温度センサの位置再現性を確保し、温度検出精度を向上させる基板処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、ヒータと、基板保持具に保持された基板を処理する処理室を画成する反応管と、該反応管の内面に沿って上方に延出し、内部に熱電対が挿入されると共に、少なくとも１ヶ所に前記反応管の内壁に向って突出する第１位置決め部材が設けられた保護管を有する温度センサと、前記第１位置決め部材が嵌合する嵌合溝を有する第２位置決め部材とを具備し、前記第１位置決め部材が前記嵌合溝に嵌合した状態で前記保護管と前記反応管との間に前記第２位置決め部材が介設される基板処理装置に係るものである。
【００１４】
又本発明は、前記保護管を囲繞する凹部を有する傾き制限部材を更に具備し、前記凹部が前記保護管の傾きを制限する基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ヒータと、基板保持具に保持された基板を処理する処理室を画成する反応管と、該反応管の内面に沿って上方に延出し、内部に熱電対が挿入されると共に、少なくとも１ヶ所に前記反応管の内壁に向って突出する第１位置決め部材が設けられた保護管を有する温度センサと、前記第１位置決め部材が嵌合する嵌合溝を有する第２位置決め部材とを具備し、前記第１位置決め部材が前記嵌合溝に嵌合した状態で前記保護管と前記反応管との間に前記第２位置決め部材が介設されるので、該第２位置決め部材の厚みにより前記処理室の面内での前記温度センサの位置再現性を容易に確保でき、又前記第１位置決め部材に対する前記第２位置決め部材の高さ方向の位置再現性を確保することができる。
【００１６】
又本発明によれば、前記保護管を囲繞する凹部を有する傾き制限部材を更に具備し、前記凹部が前記保護管の傾きを制限するので、前記温度センサが傾くことで前記保護管と前記基板保持具とが接触し、パーティクルが発生するのを防止することができるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施例に係る基板処理装置に用いられる処理炉の一例を示す断面図である。
【図２】前記処理炉の下部に於ける保護管とその周辺構成を示す要部拡大図である。
【図３】前記処理炉の上部に於ける保護管とその周辺構成を示す要部拡大図である。
【図４】従来の処理炉の下部に於ける保護管とその周辺構成を示す要部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
【００１９】
先ず、図１に於いて、本発明の実施例に係る基板処理装置に具備される処理炉の一例を説明する。
【００２０】
処理炉１１は予備室１２の上方に立設され、該予備室１２の内部と前記処理炉１１の内部（処理室１３）とは連通され、前記処理炉１１は下端に形成される炉口部が炉口シャッタ（図示せず）、或はシール蓋１４によって気密に閉塞される様になっている。
【００２１】
前記処理室１３には基板保持具であるボート１５が収納され、該ボート１５には被処理基板であるウェーハ１６が水平姿勢で多段に保持される。前記予備室１２の内部には、該予備室１２と前記処理室１３間での基板保持具搬送装置であるボートエレベータ１７が設けられ、該ボートエレベータ１７からは基板保持具の支持体である昇降アーム１８が水平方向に延出している。前記ボート１５は前記シール蓋１４を介して前記昇降アーム１８に支持され、前記ボートエレベータ１７により前記昇降アーム１８が昇降されることで、前記ボート１５が前記処理炉１１に装脱される様になっている。
【００２２】
前記処理炉１１は、加熱機構としてのヒータ１９を有する。該ヒータ１９は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２１に支持されることにより垂直に据付けられている。
【００２３】
前記ヒータ１９の内側には、該ヒータ１９と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２２が配設されている。該プロセスチューブ２２は内部反応管としてのインナチューブ２３と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウタチューブ２４とから構成されている。前記インナチューブ２３は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状である。前記インナチューブ２３の内側には前記処理室１３が画成されており、該処理室１３に前記ボート１５が装入される。
【００２４】
前記アウタチューブ２４は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径が前記インナチューブ２３の外径よりも大きく上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状に形成されており、前記インナチューブ２３と同心円状に設けられている。該インナチューブ２３と前記アウタチューブ２４との間には筒状空間２５が形成される。
【００２５】
前記アウタチューブ２４の下方には、該アウタチューブ２４と同心円状にマニホールド２６が配設されている。該マニホールド２６は、例えばステンレス等からなり、上端に前記アウタチューブ２４が立設され、前記マニホールド２６の中途部より内側に形成された内フランジ２６ａに前記インナチューブ２３が立設されている。
【００２６】
尚、前記マニホールド２６と前記アウタチューブ２４との間にはシール部材としてのＯリング２７が設けられている。前記マニホールド２６が前記ヒータベース２１に支持されることにより、前記プロセスチューブ２２は垂直に据付けられた状態となっている。該プロセスチューブ２２と前記マニホールド２６により反応容器が形成され、該マニホールド２６の下端開口部は炉口部を形成し、該炉口部は前記シール蓋１４によって気密に閉塞される様になっている。
【００２７】
該シール蓋１４にはガス導入部としてのノズル２８が前記処理室１３内に連通する様に接続されており、前記ノズル２８にはガス供給管２９が接続されている。該ガス供給管２９の上流側には、ガス流量調整器（マスフローコントローラ）３１を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。前記ガス流量調整器３１にはガス流量制御部３２が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００２８】
前記マニホールド２６には、前記処理室１３内の雰囲気を排気する排気管３３が連通されている。該排気管３３は、前記筒状空間２５の下端部に連通している。
【００２９】
前記排気管３３には下流側に向って圧力検出器としての圧力センサ３４及び弁装置３５が設けられ、前記排気管３３は真空ポンプ等の真空排気装置３６に接続されている。
【００３０】
前記圧力センサ３４及び前記弁装置３５には、圧力制御部３７が電気的に接続されており、該圧力制御部３７は前記圧力センサ３４により検出された圧力に基づいて前記弁装置３５により前記処理室１３内の圧力が所望の圧力（真空度）となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３１】
前記炉口部を開閉する前記シール蓋１４は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。前記シール蓋１４の上面には前記マニホールド２６の下端と当接するシール部材としてのＯリング３８が設けられる。
【００３２】
前記シール蓋１４の下側には前記ボート１５を回転させる回転機構３９が設置されている。該回転機構３９の回転軸４１は前記シール蓋１４を貫通して、前記ボート１５に接続されており、該ボート１５を回転可能となっている。
【００３３】
前記シール蓋１４は前記昇降アーム１８により支持され、又該昇降アーム１８は前記ボートエレベータ１７に昇降可能に支持され、該ボートエレベータ１７により前記昇降アーム１８が昇降されることで、前記ボート１５は前記処理室１３に装入、装脱可能となっている。前記回転機構３９及び前記ボートエレベータ１７には駆動制御部４２が電気的に接続されており、所望の動作をする様、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。ここで、前記回転軸４１、前記シール蓋１４、前記昇降アーム１８等はボート支持部を構成する。
【００３４】
前記ボート１５は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、複数枚のウェーハ１６を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する様に構成されている。尚、前記ボート１５の下部には、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板４３が水平姿勢で多段に複数枚配置された断熱部４４を構成し、前記ヒータ１９からの熱が前記マニホールド２６側に伝わり難くなる様になっている。
【００３５】
前記プロセスチューブ２２内には、温度センサ４５が設置され、該温度センサ４５及び前記ヒータ１９には、温度制御部４６が電気的に接続されており、前記温度センサ４５により検出された温度情報に基づき前記ヒータ１９への通電具合を調整することにより前記処理室１３の温度が所望の温度分布となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３６】
前記ガス流量制御部３２、前記圧力制御部３７、前記駆動制御部４２、前記温度制御部４６は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部４７に電気的に接続されている。これら前記ガス流量制御部３２、前記圧力制御部３７、前記駆動制御部４２、前記温度制御部４６、前記主制御部４７はコントローラ４８として構成されている。
【００３７】
図２、図３に於いて、前記温度センサ４５及びその周辺構成について説明する。
【００３８】
図２は、前記処理室１３下部に於ける前記温度センサ４５及びその周辺構成を示している。該温度センサ４５は、石英等により形成された保護管４９と、該保護管４９内に挿入された複数の熱電対（図示せず）から構成されている。
【００３９】
前記保護管４９は、前記マニホールド２６の周面に穿設された温度センサ挿入孔５１より前記処理室１３内に挿入された後、該処理室１３内で垂直方向に屈曲し、前記アウタチューブ２４の壁面に沿って該アウタチューブ２４と前記インナチューブ２３との間を上方に延出している（図１参照）。
【００４０】
前記保護管４９の屈曲部４９ａの下方には、前記マニホールド２６より突出する重量支持部材５２が配設され、該重量支持部材５２によって前記保護管４９の自重が支持されている。又、前記屈曲部４９ａの側方には、前記マニホールド２６より突出する変位防止部材５３，５３が配設されており、該変位防止部材５３，５３により、前記保護管４９の水平方向への動きが拘束される。
【００４１】
又、前記保護管４９の垂直部４９ｂには、前記アウタチューブ２４の壁面に向って突出する石英製の第１位置決め部材５４が溶接されており、該第１位置決め部材５４は少なくとも上端に曲面を有している。
【００４２】
前記垂直部４９ｂと前記アウタチューブ２４との間の前記第１位置決め部材５４が形成された部分には、所定の厚みを有し、４隅が上下方向に全長に亘って面取りされた第２位置決め部材５５が介設されている。該第２位置決め部材５５には、中途部から下端に至り下端が開放され、所定の深さを有する嵌合溝５６が形成され、該嵌合溝５６に前記第１位置決め部材５４が下側から挿入される様になっている。尚、前記第２位置決め部材５５の材質としては、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＥＥＫ（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ：登録商標）、ＰＶＣ（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、ＭＣナイロン（登録商標）等の樹脂材料が用いられる。
【００４３】
前記垂直部４９ｂと前記アウタチューブ２４との間に前記第２位置決め部材５５が介設された際には、前記嵌合溝５６に挿入された前記第１位置決め部材５４の上端が前記嵌合溝５６の上端に突当ることで、前記第２位置決め部材５５の加重が支持されると共に、該第２位置決め部材５５の位置決めがされる様になっており、前記垂直部４９ｂに対する前記第２位置決め部材５５の位置が常に一定となる。又、前記第２位置決め部材５５は面取りされることで、該第２位置決め部材５５が介設された際に角部のみが前記アウタチューブ２４の内壁と接触し、荷重が集中しない様になっている。
【００４４】
又、前記垂直部４９ｂと前記アウタチューブ２４との間に前記第２位置決め部材５５が介設され、該第２位置決め部材５５に前記アウタチューブ２４と前記垂直部４９ｂとが接触する様にすることで、前記アウタチューブ２４と前記垂直部４９ｂとの距離が常に一定となる。
【００４５】
尚、前記嵌合溝５６の深さは、前記第１位置決め部材５４の厚みよりも深くなっている。即ち、前記第２位置決め部材５５の厚みが、前記第１位置決め部材５４の厚みよりも厚くなっており、該第１位置決め部材５４が前記アウタチューブ２４に接触しない様になっている。
【００４６】
図３は、前記処理室１３上部に於ける前記温度センサ４５及びその周辺構成を示している。
【００４７】
前記内フランジ２６ａには支持柱５７が立設されている。前記処理室１３の上部には、前記支持柱５７によって支持される傾き制限部材５８が設けられている。該傾き制限部材５８は前記アウタチューブ２４に向って延出する２つの直方体を組合わせた形状の部材であり、後端の２隅が面取りされると共に、先端側の直方体はＵ字状の凹部５９が形成された囲繞部６１となっている。
【００４８】
該凹部５９は前記保護管４９の垂直部４９ｂよりも大径であり、前記凹部５９に前記垂直部４９ｂが収納される様になっており、該垂直部４９ｂが前記ボート１５に対して平行であり、直立している状態では、前記垂直部４９ｂが前記凹部５９の中心に位置する様に設定される。
【００４９】
前記垂直部４９ｂと前記凹部５９の余裕分だけ前記垂直部４９ｂが傾斜可能となっており、該垂直部４９ｂが前記凹部５９の内面に当接した状態が前記垂直部４９ｂが許容する最大の傾きである。又、作業者は前記凹部５９を前記垂直部４９ｂの傾斜の基準とすることができ、該垂直部４９ｂが前記凹部５９に当接している場合には、前記垂直部４９ｂが傾いていることを示し、作業者は該垂直部４９ｂが前記ボート１５に対して傾斜しているかどうかを視覚的に判断することができる。
【００５０】
次に、図１に示された構成に係る前記処理炉１１を用いて、半導体デバイスの製造工程の１工程として、ＣＶＤ法によりウェーハ１６上に薄膜を生成する方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の動作は前記コントローラ４８により制御される。
【００５１】
所定枚数のウェーハ１６が前記ボート１５に装填されると、該ボート１５は、前記ボートエレベータ１７によって前記処理室１３に装入（ボートローディング）される。この状態では、前記シール蓋１４は前記Ｏリング３８を介して前記炉口部を気密に閉塞する。
【００５２】
前記処理室１３が所望の圧力（真空度）となる様に前記真空排気装置３６によって真空排気される。この際、前記処理室１３の圧力は、前記圧力センサ３４で測定され、この測定された圧力に基づき前記圧力制御部３７が、前記弁装置３５をフィードバック制御する。
【００５３】
又、前記処理室１３が所望の温度となる様に前記ヒータ１９によって加熱される。この際、前記処理室１３が所望の温度分布となる様に前記温度センサ４５が検出した温度情報に基づき前記ヒータ１９への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構３９により、前記ボート１５が回転され、同時にウェーハ１６が回転される。
【００５４】
次いで、図示しない処理ガス供給源から処理ガスが供給され、前記ガス流量調整器３１にて所望の流量となる様に制御されたガスは、前記ガス供給管２９を流通して前記ノズル２８から前記処理室１３に導入される。導入されたガスは前記処理室１３を上昇し、前記インナチューブ２３の上端開口を折返し、前記筒状空間２５を流下して前記排気管３３から排気される。ガスは前記処理室１３を通過する際にウェーハ１６の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェーハ１６の表面上に薄膜が堆積される。
【００５５】
予め設定された処理時間が経過すると、図示しない不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、前記処理室１３が不活性ガスに置換されると、前記弁装置３５が閉塞され、前記処理室１３の圧力が常圧に復帰される。
【００５６】
その後、前記ボートエレベータ１７により前記シール蓋１４が降下され、炉口部が開口されると共に、処理済ウェーハ１６が前記ボート１５に保持された状態で前記処理室１３から引出される。その後、処理済ウェーハ１６は図示しない基板移載装置によって前記ボート１５から払出される。
【００５７】
基板処理を繰返し実行した後には、堆積物除去の為に、前記温度センサ４５等を前記処理室１３内から取外した後、前記アウタチューブ２４、前記インナチューブ２３、前記ボート１５等に付着生成した堆積物の清浄作業が行われる。
【００５８】
取外した前記温度センサ４５を再度取付ける際には、前記アウタチューブ２４と前記保護管４９の前記垂直部４９ｂとの間に前記第２位置決め部材５５を介在させつつ、前記嵌合溝５６内に前記第１位置決め部材５４が挿入される様前記第２位置決め部材５５を落し込み、前記嵌合溝５６の上端に前記第１位置決め部材５４の上端を突当てる。
【００５９】
又、前記アウタチューブ２４と前記保護管４９の間に介在する第２位置決め部材５５が、前記アウタチューブ２４と前記保護管４９とにそれぞれ接触する様にすることで、前記第１位置決め部材５４に対する前記第２位置決め部材５５の高さ位置、及び前記アウタチューブ２４と前記垂直部４９ｂとの距離がそれぞれ再現される。
【００６０】
前記温度センサ４５等を再度取付けた後には、基板処理が再度行われる。
【００６１】
上述の様に、本実施例では、前記保護管４９の前記垂直部４９ｂと前記アウタチューブ２４との間に前記第２位置決め部材５５を介在させ、該第２位置決め部材５５の厚みにより前記アウタチューブ２４と前記垂直部４９ｂとの距離、即ち該垂直部４９ｂの前記処理室１３内に於ける面内での位置を常に一定とすることができるので、前記温度センサ４５を取外し、再度取付ける場合であっても容易に位置の再現性が確保できる。
【００６２】
又、前記第１位置決め部材５４の厚みは、前記第２位置決め部材５５の厚みよりも薄くなっているので、前記第１位置決め部材５４が直接前記アウタチューブ２４の壁面と接触することによる、前記第１位置決め部材５４の破損、及び該第１位置決め部材５４の破損に伴う前記保護管４９の破損を防止することができ、ロットアウトを防止し、ウェーハ１６の歩留りを増加させることができる。
【００６３】
又、本実施例では、前記保護管４９の傾きを確認できる前記傾き制限部材５８を設けているので、傾いて設けられた前記保護管４９が前記ボート１５と接触し、パーティクルが発生するのを防止することができる。
【００６４】
尚、本実施例では、前記アウタチューブ２４と前記垂直部４９ｂとの間に第２位置決め部材５５を介設し、該第２位置決め部材５５に前記アウタチューブ２４と前記垂直部４９ｂとをそれぞれ接触させることで、前記保護管４９の位置再現性を図っていたが、前記嵌合溝５６の深さを前記第１位置決め部材５４の厚みよりも浅くすることで、前記第２位置決め部材５５を前記アウタチューブ２４と前記第１位置決め部材５４との間に介在させ、該第２位置決め部材に前記アウタチューブ２４と前記第１位置決め部材５４とをそれぞれ接触させることで前記保護管４９の位置再現性を図ってもよい。
【００６５】
又、本実施例では、前記第２位置決め部材５５の４隅を面取りすることで、前記アウタチューブ２４との接触面積を増加させ、荷重の集中を防止しているが、前記第２位置決め部材５５の前記アウタチューブ２４との接触面を該アウタチューブ２４の内壁と同じ曲率の曲面としてもよい。
【００６６】
又、本実施例では、前記嵌合溝５６の深さを前記第１位置決め部材５４の厚みよりも深くしているが、前記嵌合溝５６は前記第２位置決め部材５５を厚み方向に貫通する様形成してもよい。
【００６７】
又、本実施例では、前記第１位置決め部材５４及び前記第２位置決め部材５５をそれぞれ１ヶ所に設けているが、前記第１位置決め部材５４及び前記第２位置決め部材５５を２ヶ所以上に設けてもよい。
【００６８】
更に、本実施例では、前記保護管４９の垂直部４９ｂの傾きを制限する前記傾き制限部材５８を１ヶ所にのみ設けているが、該傾き制限部材５８は２ヶ所以上に設けてもよいのは言う迄もない。
【００６９】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００７０】
（付記１）ヒータと、基板保持具に保持された基板を処理する処理室を画成する反応管と、該反応管の内面に沿って上方に延出し、内部に熱電対が挿入されると共に、少なくとも１ヶ所に前記反応管の内壁に向って突出する第１位置決め部材が設けられた保護管を有する温度センサと、前記第１位置決め部材が嵌合する嵌合溝を有する第２位置決め部材とを具備し、前記第１位置決め部材が前記嵌合溝に嵌合した状態で前記保護管と前記反応管との間に前記第２位置決め部材が介設されることを特徴とする基板処理装置。
【００７１】
（付記２）前記第２位置決め部材の厚みは前記第１位置決め部材の厚みよりも厚い付記１の基板処理装置。
【００７２】
（付記３）前記嵌合溝の深さは前記第１位置決め部材の厚みよりも深い付記１又は付記２の基板処理装置。
【００７３】
（付記４）前記嵌合溝は前記第２位置決め部材を厚み方向に貫通している付記１〜付記３のうちいずれかの基板処理装置。
【００７４】
（付記５）前記嵌合溝の深さは前記第１位置決め部材の厚みよりも浅い付記１又は付記２の基板処理装置。
【符号の説明】
【００７５】
１１            処理炉
１３            処理室
１５            ボート
１６            ウェーハ
１９            ヒータ
２２            プロセスチューブ
２３            インナチューブ
２４            アウタチューブ
４５            温度センサ
４９            保護管
５４            第１位置決め部材
５５            第２位置決め部材
５６            嵌合溝
５８            傾き制限部材
【図１】
2013191695.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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