(57)【要約】【課題】弾性表面波素子と実装基板との接合強度が高いＣＳＰ型の弾性表面波装置を提供する。【解決手段】弾性表面波装置１は、複数の電極パッド２３を有する弾性表面波素子２０と、電極パッド２３の上に形成されており、Ａｕからなるバンプ３０と、実装基板１０とを備えている。実装基板１０のダイアタッチ面１０ａには、弾性表面波素子２０がフリップチップ実装されている。実装基板１０は、ビアホール１０ｅが形成されている少なくとも一つの樹脂層１２ａ〜１２ｃと、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａの上に形成されている複数の実装電極１１と、ビアホール導体１４ａとを有する。実装電極１１の少なくとも表層は、Ａｕからなる。実装電極１１は、バンプ３０により電極パッド２３と接合されている。ビアホール導体１４ａは、ビアホール１０ｅ内に形成されている。ビアホール導体１４ａのうちの少なくとも一つが、バンプ３０の下方に配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極パッドを有する弾性表面波素子と、
前記電極パッドの上に形成されており、Ａｕからなるバンプと、
一方の表面であるダイアタッチ面に前記弾性表面波素子がフリップチップ実装されている実装基板とを備える弾性表面波装置であって、
前記実装基板は、
ビアホールが形成されている少なくとも一つの樹脂層と、
前記実装基板のダイアタッチ面の上に形成されており、少なくとも表層がＡｕからなる実装電極であって、前記バンプにより前記電極パッドと接合されている複数の実装電極と、
前記ビアホール内に形成されているビアホール導体とを有し、
前記ビアホール導体のうちの少なくとも一つが、前記バンプの下方に配置されている、弾性表面波装置。
【請求項２】
前記ビアホール導体のうちの少なくとも一つが、前記実装電極における前記バンプとの接合部分の下方に配置されている、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記弾性表面波素子の前記実装基板への実装方向から視た際に、前記ビアホール導体のうちの少なくとも一つは、前記バンプ及び前記実装電極と重なるように設けられている、請求項１または２に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記実装基板は、前記実装基板の他方の表面の上に形成されている複数の端子電極と、前記実装電極と前記端子電極とを接続している配線とを有し、
前記ビアホール導体は、前記配線の一部を構成している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
前記樹脂層は、樹脂を含む樹脂組成物からなり、前記樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１００℃〜３００℃の範囲内にある、請求項１〜４のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
【請求項６】
前記樹脂層は、ガラス織布にエポキシ系樹脂が含浸してなるガラスエポキシからなるガラスエポキシ樹脂層からなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
前記実装電極は、Ａｕからなり、表層を構成しているＡｕ層と、ＮｉからなるＮｉ層とを含む積層体からなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
【請求項８】
前記積層体には、前記Ｎｉ層を含む複数のめっき層が含まれており、前記複数のめっき層のうち、前記Ｎｉ層が最も大きな厚みを有する、請求項７に記載の弾性表面波装置。
【請求項９】
前記ビアホール導体は、Ｃｕからなる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
【請求項１０】
前記実装基板は、前記実装基板の他方の表面の上に形成されている複数の端子電極と、前記実装電極と前記端子電極とを接続している配線とを有し、
前記配線は、前記実装基板の前記ダイアタッチ面における、弾性表面波素子の圧電基板と対向している領域以外の部分に形成されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
【請求項１１】
前記実装基板上に形成されており、前記弾性表面波素子を封止している封止樹脂層をさらに備える、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の弾性表面波装置の製造方法であって、
前記バンプと前記実装電極とを接触させた状態で、前記バンプと前記実装電極とを加熱しながら、前記実装基板と前記弾性表面波素子とが互いに近づく方向に前記弾性表面波素子に荷重を加えると共に、
超音波を印加することにより、前記弾性表面波素子を前記実装基板にフリップチップ実装する、弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１３】
前記弾性表面波素子を前記実装基板にフリップチップ実装する際に、前記バンプと前記実装電極とをＡｕの再結晶温度以上にまで加熱する、請求項１２に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波装置及びその製造方法に関する。特に、本発明は、弾性表面波素子が実装基板にフリップチップ実装されているＣＳＰ型の弾性表面波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話機などの通信機器におけるＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路に、弾性表面波装置が搭載されている。近年、通信機器の高機能化、小型化、軽量化が進んでおり、ＲＦ回路に搭載される弾性表面波装置に対しても、小型化、軽量化、薄型化が求められている。このような要望を満足し得る弾性表面波装置として、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の弾性表面波装置が実用化されている。
【０００３】
ＣＳＰ型の弾性表面波装置は、弾性表面波素子と、実装基板とを備えている。弾性表面波素子は、圧電基板と、少なくとも一つのＩＤＴ電極と、その少なくとも一つのＩＤＴ電極に接続されている複数の電極パッドとを備えている。少なくとも一つのＩＤＴ電極と、複数の電極パッドとは、圧電基板の上に形成されている。複数の電極パッドのそれぞれの上には、バンプが形成されている。実装基板のダイアタッチ面には、複数の実装電極が形成されている。弾性表面波素子は、複数の電極パッドがそれぞれバンプにより実装電極に接合されることにより、実装基板のダイアタッチ面にフリップチップ実装されている。弾性表面波素子は、実装基板上に形成された封止樹脂層により封止されている。
【０００４】
このようなＣＳＰ型の弾性表面波装置の一例が、下記の特許文献１に記載されている。特許文献１には、バンプをＡｕにより形成すること、弾性表面波素子を実装基板に超音波を用いてバンプ接合すること、及び実装基板として樹脂基板を用いることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１２８８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のＣＳＰ型の弾性表面波装置においては、弾性表面波素子と実装基板との接合強度を十分に高くすることができないという問題があった。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、弾性表面波素子が実装基板にフリップチップ実装されているＣＳＰ型の弾性表面波装置であって、弾性表面波素子と実装基板との接合強度が高い弾性表面波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る弾性表面波装置は、弾性表面波素子と、バンプと、実装基板とを備えている。弾性表面波素子は、複数の電極パッドを有する。バンプは、電極パッドの上に形成されている。バンプは、Ａｕからなる。実装基板の一方の表面であるダイアタッチ面には、弾性表面波素子がフリップチップ実装されている。実装基板は、少なくとも一つの樹脂層と、複数の実装電極と、ビアホール導体とを有する。樹脂層には、ビアホールが形成されている。実装電極は、実装基板のダイアタッチ面の上に形成されている。実装電極の少なくとも表層は、Ａｕからなる。実装電極は、バンプにより電極パッドと接合されている。ビアホール導体は、ビアホール内に形成されている。ビアホール導体のうちの少なくとも一つが、バンプの下方に配置されている。
【０００９】
本発明に係る弾性表面波装置のある特定の局面では、ビアホール導体のうちの少なくとも一つが、実装電極におけるバンプとの接合部分の下方に配置されている。
【００１０】
本発明に係る弾性表面波装置の他の特定の局面では、弾性表面波素子の実装基板への実装方向から視た際に、ビアホール導体のうちの少なくとも一つは、バンプ及び実装電極と重なるように設けられている。
【００１１】
本発明に係る弾性表面波装置の別の特定の局面では、実装基板は、複数の端子電極と、配線とを有する。端子電極は、実装基板の他方の表面の上に形成されている。配線は、実装電極と端子電極とを接続している。ビアホール導体は、配線の一部を構成している。
【００１２】
本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、樹脂層は、樹脂を含む樹脂組成物からなり、その樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１００℃〜３００℃の範囲内にある。この場合、本発明がより好適に適用される。
【００１３】
本発明に係る弾性表面波装置のさらに別の特定の局面では、樹脂層は、ガラス織布にエポキシ系樹脂が含浸してなるガラスエポキシからなるガラスエポキシ樹脂層からなる。
【００１４】
本発明に係る弾性表面波装置のさらにまた他の特定の局面では、実装電極は、Ａｕからなり、表層を構成しているＡｕ層と、ＮｉからなるＮｉ層とを含む積層体からなる。Ｎｉ層を設けることにより、実装電極の剛性を高めることができる。従って、弾性表面波素子と実装基板との接合強度をより高めることができる。
【００１５】
本発明に係る弾性表面波装置のさらにまた別の特定の局面では、積層体には、Ｎｉ層を含む複数のめっき層が含まれており、複数のめっき層のうち、Ｎｉ層が最も大きな厚みを有する。この構成によれば、実装電極の剛性をさらに高めることができる。従って、弾性表面波素子と実装基板との接合強度をさらに高めることができる。
【００１６】
本発明に係る弾性表面波装置のまたさらに他の特定の局面では、ビアホール導体は、Ｃｕからなる。この構成では、フリップチップ実装により弾性表面波装置を作製する際におけるビアホール導体の変形をより効果的に抑制することができる。従って、弾性表面波素子と実装基板との接合強度をより高めることができる。
【００１７】
本発明に係る弾性表面波装置のまたさらに別の特定の局面では、実装基板は、実装基板の他方の表面の上に形成されている複数の端子電極と、実装電極と端子電極とを接続している配線とを有する。配線は、実装基板のダイアタッチ面における、弾性表面波素子の圧電基板と対向している領域以外の部分に形成されている。この構成では、フリップチップ実装により弾性表面波装置を作製する際における弾性表面波素子の損傷を抑制することができる。従って、高い歩留まりで弾性表面波装置を製造することができる。
【００１８】
本発明に係る弾性表面波装置のまたさらにまた他の特定の局面では、弾性表面波装置は、実装基板上に形成されており、弾性表面波素子を封止している封止樹脂層をさらに備えている。この構成では、弾性表面波素子を保護することができる。
【００１９】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、上記本発明に係る弾性表面波装置を製造するための方法に関する。本発明に係る弾性表面波装置の製造方法では、バンプと実装電極とを接触させた状態で、バンプと実装電極とを加熱しながら、実装基板と弾性表面波素子とが互いに近づく方向に弾性表面波素子に荷重を加えると共に、超音波を印加することにより、弾性表面波素子を実装基板にフリップチップ実装する。
【００２０】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のある特定の局面では、弾性表面波素子を実装基板にフリップチップ実装する際に、バンプと実装電極とをＡｕの再結晶温度以上にまで加熱する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明では、ビアホール導体のうちの少なくとも一つが、バンプの下方に配置されている。このため、実装電極とバンプとを強固に金属結合させることができる。その結果、弾性表面波素子と実装基板との接合強度が高い弾性表面波装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明を実施した一実施形態に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図２】図１のＩＩ部分を拡大した略図的部分拡大断面図である。
【図３】本発明の実施例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第１の樹脂層１２ａの表面１２ａ１の略図的透視平面図である。
【図４】本発明の実施例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第２の樹脂層１２ｂの表面１２ｂ１の略図的透視平面図である。
【図５】本発明の実施例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第３の樹脂層１２ｃの表面１２ｃ１の略図的透視平面図である。
【図６】本発明の実施例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第３の樹脂層１２ｃの表面１２ｃ２の略図的透視平面図である。
【図７】図３の線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける、本発明の実施例１に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図８】比較例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第１の樹脂層１２ａの表面１２ａ１の略図的透視平面図である。
【図９】比較例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第２の樹脂層１２ｂの表面１２ｂ１の略図的透視平面図である。
【図１０】比較例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第３の樹脂層１２ｃの表面１２ｃ１の略図的透視平面図である。
【図１１】比較例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第３の樹脂層１２ｃの表面１２ｃ２の略図的透視平面図である。
【図１２】図８の線ＸＩＩ−ＸＩＩにおける、比較例１に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図１３】本発明の実施例１に係る弾性表面波装置と比較例１に係る弾性表面波装置のそれぞれのダイシェア強度を示すグラフである。
【図１４】本発明の実施例１に係る弾性表面波装置と比較例１に係る弾性表面波装置のそれぞれのバンプシェア強度を示すグラフである。
【図１５】本発明の第１の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図１６】本発明の第２の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図１７】本発明の第３の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図１８】本発明の第４の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図１９】本発明の第５の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図２０】本発明の第６の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図２１】本発明の第７の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図２２】本発明の第８の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図２３】本発明の第９の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図２４】本発明の第１０の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【図２５】本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置における、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａの略図的平面図である。
【図２６】参考例に係る弾性表面波装置における、実装基板１１０のダイアタッチ面１１０ａの略図的平面図である。
【図２７】本発明の第１１の変形例に係る弾性表面波装置における、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａの略図的平面図である。
【図２８】本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置における、実装基板１０作製用のマザー基板５０の略図的平面図である。
【図２９】本発明の第１２の変形例に係る弾性表面波装置における、実装基板１０作製用のマザー基板５０の略図的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を実施した好ましい形態について、図１に示す弾性表面波装置１を例に挙げて説明する。但し、弾性表面波装置１は、単なる例示である。本発明に係る弾性表面波装置は、弾性表面波装置１に何ら限定されない。
【００２４】
図１は、本発明を実施した一実施形態に係る弾性表面波装置１の略図的断面図である。図２は、図１のＩＩ部分を拡大した略図的部分拡大断面図である。
【００２５】
本実施形態の弾性表面波装置１は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の弾性表面波装置である。図１に示すように、弾性表面波装置１は、実装基板１０と、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａにフリップチップ実装されている弾性表面波素子２０とを備えている。弾性表面波素子２０は、実装基板１０の上に形成されている封止樹脂層４０により封止されている。封止樹脂層４０は、例えば、エポキシ樹脂などの適宜の樹脂により形成することができる。
【００２６】
なお、弾性表面波素子２０と実装基板１０とが対向している領域、すなわち、弾性表面波が伝搬する領域には、封止樹脂層４０が形成されておらず、空間が確保されている。
【００２７】
弾性表面波装置１は、例えば、弾性表面波共振子であってもよいし、弾性表面波フィルタであってもよいし、弾性表面波分波器であってもよい。
【００２８】
弾性表面波素子２０は、圧電基板２１を備えている。圧電基板２１は、適宜の圧電材料からなる基板を用いることができる。具体的には、圧電基板２１としては、例えば、ＬｉＮｂＯ３基板、ＬｉＴａＯ３基板や水晶基板などを用いることができる。
【００２９】
圧電基板２１の実装基板１０側の表面２１ａの上には、少なくとも一つのＩＤＴ電極２２と、複数の電極パッド２３とが形成されている。ＩＤＴ電極２２は、互いに間挿し合っている一対のくし歯状電極を有する。ＩＤＴ電極２２は、例えば、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた金属、もしくは、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金などにより形成することができる。また、ＩＤＴ電極２２は、上記金属や合金などからなる複数の導電膜の積層体により構成することもできる。
【００３０】
少なくとも一つのＩＤＴ電極２２には、複数の電極パッド２３が電気的に接続されている。電極パッド２３も、上記ＩＤＴ電極２２と同様に、例えば、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた金属、もしくは、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金などにより形成することができる。また、電極パッド２３は、上記金属や合金などからなる複数の導電膜の積層体により構成することもできる。
【００３１】
複数の電極パッド２３のそれぞれの上には、バンプ３０が形成されている。複数の電極パッド２３は、それぞれこのバンプ３０により、後述する実装基板１０のダイアタッチ面１０ａの上に設けられている実装電極１１と接合されている。すなわち、複数の電極パッド２３は、バンプ３０により、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａの上に設けられている実装電極１１と、電気的にも機械的にも接続されている。このようにして、弾性表面波素子２０は、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａにフリップチップ実装されている。本実施形態においては、バンプ３０は、Ａｕからなる。
【００３２】
実装基板１０は、第１〜第３の樹脂層１２ａ〜１２ｃを備えている樹脂基板である。具体的には、本実施形態では、実装基板１０は、第１〜第３の樹脂層１２ａ〜１２ｃの積層体により構成されている樹脂基板である。第１〜第３の樹脂層１２ａ〜１２ｃは、適宜の樹脂により形成することができるが、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１００℃〜３００℃の範囲内にある樹脂を含む樹脂組成物により形成した場合に、後述する本実施形態の効果がより強く奏される。具体的には、第１〜第３の樹脂層１２ａ〜１２ｃは、例えば、ガラス織布にエポキシ系樹脂が含浸してなるガラスエポキシからなるガラスエポキシ樹脂層により構成することができる。このガラスエポキシ樹脂層のガラス転移温度（Ｔｇ）は、約２３０℃程度である。
【００３３】
なお、本発明において、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＭＡにより測定した値をいうものとする。
【００３４】
実装基板１０のダイアタッチ面１０ａの上には、複数の実装電極１１が形成されている。実装電極１１の少なくとも表層は、Ａｕからなる。具体的には、本実施形態では、図２に示すように、実装電極１１は、Ａｕからなり、実装電極１１の表層を構成しているＡｕ層１１ｄと、ＮｉからなるＮｉ層１１ｂとを含む積層体からなる。実装電極１１の表層がＡｕからなるＡｕ層１１ｄであるため、実装電極１１は、Ａｕからなるバンプ３０とＡｕ−Ａｕ接合（金属結合）されている。
【００３５】
より具体的には、実装電極１１は、実装基板１０側から、ＣｕからなるＣｕ層１１ａと、Ｎｉ層１１ｂと、ＰｄからなるＰｄ層１１ｃと、Ａｕ層１１ｄとがこの順番で積層された積層体により構成されている。これらの層のうち、Ｃｕ層１１ａを除く、Ｎｉ層１１ｂ、Ｐｄ層１１ｃ及びＡｕ層１１ｄは、めっき層により構成されている。より具体的には、Ｎｉ層１１ｂ、Ｐｄ層１１ｃ及びＡｕ層１１ｄは、無電解めっき層により構成されている。本実施形態では、無電解めっき層により構成されているＮｉ層１１ｂ、Ｐｄ層１１ｃ及びＡｕ層１１ｄのうち、Ｎｉ層１１ｂが最も大きな厚みを有する。Ｃｕ層１１ａは、一部がめっき層により構成されていてもよい。
【００３６】
Ａｕ層１１ｄの厚みは、０．０２μｍ〜０．０７μｍ程度であることが好ましい。Ａｕ層１１ｄが薄すぎると、実装電極１１とバンプ３０との接合強度が低くなることがある。一方、Ａｕ層１１ｄが厚すぎると、Ｓｎを含むはんだを用いて、通信機器のＲＦ回路を構成する基板に、弾性表面波装置を実装する際に、ＡｕＳｎ４が形成されやすくなり、弾性表面波装置と基板との接合強度が劣化する場合がある。
【００３７】
Ｐｄ層１１ｃは、Ａｕ層１１ｄとＮｉ層１１ｂとの間の電極材料の拡散を防止する拡散防止層としての機能を有する。Ｐｄ層１１ｃの厚みは、Ａｕ層１１ｄとＮｉ層１１ｂとの間の電極材料の拡散を十分に防止できる程度の厚みであればよく、例えば、０．０１μｍ〜０．０５μｍ程度であることが好ましい。
【００３８】
Ｎｉ層１１ｂの厚みは、５μｍ〜１５μｍ程度であることが好ましい。このＮｉ層１１ｂは、第１〜第３の樹脂層１２ａ〜１２ｃ及び実装電極１１の構成材料である、樹脂、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｉの中で最も高い硬度を有する。このため、本実施形態のように、Ｎｉ層１１ｂを厚く形成することにより、実装電極１１の硬度を高くすることができる。従って、バンプ３０と実装電極１１との接合強度をより高めることができる。Ｎｉ層１１ｂが薄すぎると、バンプ３０と実装電極１１との接合強度が低くなることがある。
【００３９】
また、Ｎｉ層１１ｂは、本実施形態のように、無電解Ｎｉめっき層からなることが好ましい。この場合、Ｎｉ層１１ｂの硬度をさらに高めることができるため、バンプ３０と実装電極１１との接合強度をさらに高めることができる。
【００４０】
図１に示すように、実装基板１０の他方の表面、すなわち、実装基板１０の裏面１０ｂの上には、複数の端子電極１３が形成されている。端子電極１３は、弾性表面波装置１が搭載される通信機器のＲＦ回路と接続される電極である。端子電極１３は、適宜の導電材料により形成することができる。具体的には、端子電極１３は、実装電極１１と同じ構造を有する。より具体的には、端子電極１３は、実装基板１０側から、ＣｕからなるＣｕ層と、ＮｉからなるＮｉ層と、ＰｄからなるＰｄ層と、ＡｕからなるＡｕ層とがこの順番で積層された積層体により構成されている。
【００４１】
実装基板１０には、配線１４が形成されている。この配線１４により、実装電極１１と端子電極１３とが電気的に接続されている。配線１４は、実装基板１０の実装電極１１が形成されているダイアタッチ面１０ａと実装基板１０の内部とに形成されている。
【００４２】
配線１４は、適宜の導電材料により形成することができる。具体的には、配線１４は、例えば、Ｃｕや、Ｃｕを含む合金により形成することができる。
【００４３】
配線１４は、実装基板１０の第１〜第３の樹脂層１２ａ〜１２ｃを貫通するように形成されている複数のビアホール１０ｅ内に形成されているビアホール導体１４ａ１〜１４ａ９を含む。換言すれば、ビアホール導体１４ａ１〜１４ａ９は、配線１４の一部を構成している。
【００４４】
本実施形態の弾性表面波装置１では、ビアホール導体１４ａ１〜１４ａ９のうちの少なくとも一つが、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方に配置されている。また、本実施形態の弾性表面波装置１では、弾性表面波素子２０の実装基板１０への実装方向ｚ（本実施形態においては、実装方向ｚは、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａの法線方向と等しい。）から視た際に、ビアホール導体１４ａ１〜１４ａ９のうちの少なくとも一つは、バンプ３０及び実装電極１１と重なるように設けられている。
【００４５】
（弾性表面波装置１の製造方法）
次に、本実施形態に係る弾性表面波装置１の製造方法の一例について説明する。
【００４６】
まず、弾性表面波素子２０の複数の電極パッド２３のそれぞれの上に、バンプ３０を形成する。バンプ３０の形成方法は、特に限定されない。バンプ３０は、例えば、スタッドバンプ法により形成することができる。
【００４７】
そして、弾性表面波素子２０の複数の電極パッド２３のそれぞれの上に形成されたバンプ３０と、実装基板１０の実装電極１１とを接合する接合工程を行うことにより、弾性表面波素子２０を実装基板１０のダイアタッチ面１０ａにフリップチップ実装する。そして、弾性表面波素子２０を封止樹脂層４０により封止し、弾性表面波装置１を完成させる。具体的には、弾性表面波素子２０の複数の電極パッド２３のそれぞれの上に形成されたバンプ３０と、実装基板１０の実装電極１１とを接触させた状態で、バンプ３０と実装電極１１とを加熱しながら、実装基板１０と弾性表面波素子２０とが互いに近づく方向に弾性表面波素子２０に荷重を加えると共に、超音波を印加する。これにより、実装電極１１のＡｕ層１１ｄのＡｕ原子と、バンプ３０のＡｕ原子とが強制的に近づけられる。その結果、実装電極１１のＡｕ層１１ｄのＡｕ原子と、バンプ３０のＡｕ原子とが、金属結合する。すなわち、バンプ３０と実装電極１１とが、Ａｕ−Ａｕ接合（金属結合）する。
【００４８】
Ａｕ−Ａｕ接合（金属結合）を好適に形成する観点からは、弾性表面波素子２０に加える荷重は、大きい方が好ましい。弾性表面波素子２０に加える荷重を大きくすることで、実装電極１１のＡｕ層１１ｄのＡｕ原子と、バンプ３０のＡｕ原子とをより近づけることができるため、金属結合が生じやすくなるからである。但し、弾性表面波素子２０に加える荷重が大きすぎると、弾性表面波素子２０が損傷してしまう場合がある。
【００４９】
上記接合工程において、バンプ３０と実装電極１１とを、Ａｕの再結晶温度以上にまで加熱することが好ましい。そうすることにより、Ａｕ原子が動きやすくなるため、より強い金属結合が得られる。具体的には、接合工程において、バンプ３０と実装電極１１とを約２００℃以上にまで加熱することが好ましい。但し、バンプ３０と実装電極１１とを高温にまで加熱しすぎると、実装基板１０や弾性表面波素子２０が損傷してしまう場合がある。従って、バンプ３０と実装電極１１との加熱温度は、３００℃以下であることが好ましい。
【００５０】
ところで、従来、ＣＳＰ型の弾性表面波装置においては、実装基板として、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板やＨＴＣＣ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板などのセラミック基板が一般的に用いられている。
【００５１】
それに対して、本実施形態では、実装基板１０が第１〜第３の樹脂層１２ａ〜１２ｃの積層体により構成されている樹脂基板である。すなわち、実装基板１０は、樹脂製である。従って、以下のような効果（１）〜（３）が得られる。
【００５２】
（１）優れた電気的特性が得られる。
【００５３】
セラミック基板では、セラミックグリーンシートに導電性ペーストを印刷したものを焼成することにより電極が形成される。このため、導電性ペーストの印刷精度や焼成に伴う収縮により、微細な電極を高精度に形成することが困難である。
【００５４】
一方、樹脂基板である実装基板１０では、樹脂層の上に形成された金属層をエッチングなどによりパターニングすることで電極を形成することができる。このため、樹脂基板である実装基板１０では、微細な電極を高精度に形成することができる。よって、樹脂基板である実装基板１０では、単位面積当たりに形成できる電極やビアホールの数がセラミック基板よりも多くなる。従って、設計の自由度が高まると共に、優れた電気特性を得ることができる。
【００５５】
また、上述のように、セラミック基板の場合は、焼成により電極を形成する。このため、セラミック基板に形成された電極の断面形状は、縁端部が潰れた形状となる。それに対して、樹脂基板である実装基板１０の場合は、金属層をエッチングなどによりパターニングすることで電極を形成できる。このため、樹脂基板である実装基板１０に形成された電極の断面形状は、台形もしくは長方形に近い形状となる。よって、樹脂基板である実装基板１０の電極の方が、縁端効果による導体損失の低減により、高周波信号の損失が小さくなる。この点においても、優れた電気特性を得ることができる。
【００５６】
また、樹脂基板である実装基板１０では、ＨＴＣＣ基板よりも電気伝導率の高い電極材料を用いることができる。ＨＴＣＣ基板では、セラミックグリーンシートに導電性ペーストを印刷したものを約１６００℃の高温で焼成することにより電極を形成するため、電極材料として、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａなどの高融点金属を用いる必要がある。しかしながら、これらの高融点金属はいずれも電気伝導率が低い。このため、ＨＴＣＣ基板では、電気伝導率が高い電極を形成することが困難である。一方、樹脂基板である実装基板１０では、電極の形成に焼成が不要であるため、電極材料として、Ｃｕなどの電気伝導率が高い金属を用いることができる。従って、樹脂基板である実装基板１０では、電気伝導率が高い電極を形成することができ、電極における高周波信号の損失を小さくすることができる。この点においても、優れた電気特性を得ることができる。
【００５７】
また、樹脂基板である実装基板１０では、ＬＴＣＣ基板よりも電極密度の高い電極を形成することができる。ＬＴＣＣ基板では、焼成温度が約８５０℃〜９００℃と低いため、電極材料として、Ｃｕなどの電気伝導率が高い金属を用いることができる。しかしながら、ＬＴＣＣ基板では、セラミックグリーンシートに導電性ペーストを印刷したものを焼成することにより電極を形成するため、焼成により、電極に部分的に隙間が生じて、電極密度が粗な部分と密な部分が混在することになる。一方、樹脂基板である実装基板１０では、金属層をエッチングなどによりパターニングすることで電極を形成するため、均一かつ高い電極密度の電極を形成することができる。この結果、樹脂基板である実装基板１０では、電極における高周波信号の損失を小さくすることができる。この点においても、優れた電気特性を得ることができる。
【００５８】
（２）優れた熱衝撃耐性が得られる。
【００５９】
上述のように、弾性表面波素子の圧電基板としては、ＬｉＴａＯ３基板やＬｉＮｂＯ３基板などの圧電基板が使用される。ＬｉＴａＯ３基板やＬｉＮｂＯ３基板の面方向における線膨脹係数は、約１５ｐｐｍ／℃〜１６ｐｐｍ／℃である。それに対して、セラミック基板の面方向における線膨脹係数は、約７ｐｐｍ／℃であり、圧電基板の面方向における線膨脹係数の半分程度である。このため、セラミック基板を実装基板として用いたＣＳＰ型の弾性表面波装置では、温度サイクル負荷がかかった場合、弾性表面波素子の圧電基板と実装基板であるセラミック基板との膨張量、収縮量の違いから、弾性表面波素子と実装基板との接合部分に応力が発生する。その結果、接合部分における接合強度が低下するという問題が生じる。すなわち、十分に高い熱衝撃耐性が得難い。この問題は、バンプがＡｕからなる場合に顕著である。
【００６０】
それに対して、ガラスエポキシなどからなる第１〜第３の樹脂層１２ａ〜１２ｃの積層体により構成されている実装基板１０の面方向における線膨脹係数は、約１３ｐｐｍ／℃〜１６ｐｐｍ／℃であり、圧電基板の面方向における線膨脹係数と、ほぼ同じである。そのため、弾性表面波素子２０と実装基板１０との接合部分に発生する応力が小さくなり、優れた熱衝撃耐性を得ることができる。
【００６１】
（３）実装基板１０のダイアタッチ面１０ａの平坦度（コプラナリティ）を高めることができる。
【００６２】
セラミック基板は、焼結する際に収縮するため、表面に歪みが生じやすい。それに対して、樹脂基板である実装基板１０は、プレスにより製造できるため、高い平坦度（コプラナリティ）を有する表面が得やすい。すなわち、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａにおける高い平坦度（コプラナリティ）を実現することができる。その結果、弾性表面波素子２０と実装基板１０との接合強度を高くすることができる。
【００６３】
しかしながら、樹脂基板は、セラミック基板などの融点よりも低いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する。例えば、ガラスエポキシなどの樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、約１００℃〜約３００℃の範囲にある。このため、樹脂基板を実装基板として用いたＣＳＰ型の弾性表面波装置では、表層がＡｕからなる実装電極とＡｕからなるバンプとをＡｕ−Ａｕ接合（金属結合）させるために、Ａｕの再結晶温度以上の温度である２００℃以上にまで加熱すると、樹脂基板が軟化してしまう。樹脂基板が軟化すると、荷重や超音波振動の力が、実装電極とバンプとに加わることなく、逃げてしまう。このため、実装電極のＡｕ原子とバンプのＡｕ原子とが金属結合が形成されるまで近づきにくくなる。従って、実装電極とバンプにおいて、強固なＡｕ−Ａｕ接合（金属結合）を得ることが出来ず、弾性表面波素子と実装基板との接合が不十分になる場合がある。
【００６４】
それに対して、本実施形態の弾性表面波装置１では、ビアホール導体１４ａ１〜１４ａ９のうちの少なくとも一つが、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方に配置されている。また、本実施形態の弾性表面波装置１では、弾性表面波素子２０の実装基板１０への実装方向ｚから視た際に、ビアホール導体１４ａ１〜１４ａ９のうちの少なくとも一つが、バンプ３０及び実装電極１１と重なるように設けられている。ここで、ビアホール導体１４ａ１〜１４ａ９は、金属や合金からなるため、樹脂基板である実装基板１０の第１〜第３の樹脂層１２ａ〜１２ｃを構成している樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも高い融点を有する。従って、弾性表面波素子２０の複数の電極パッド２３のそれぞれの上に形成されたバンプ３０と、実装基板１０の実装電極１１とを接合する接合工程において、Ａｕの再結晶温度以上の温度である２００℃以上にまで加熱した場合であっても、ビアホール導体１４ａ１〜１４ａ９は軟化しにくい。特に、Ｃｕの融点は１０８４．４℃であるため、ビアホール導体１４ａ１〜１４ａ９がＣｕからなる場合は、ビアホール導体１４ａ１〜１４ａ９はより軟化しにくい。よって、ビアホール導体１４ａ１〜１４ａ９が支持部材としての機能を担うため、樹脂基板である実装基板１０が軟化した場合であっても、実装電極１１とバンプ３０との間に荷重や超音波振動の力が適切に加わる。その結果、実装電極１１とバンプ３０とを強固にＡｕ−Ａｕ接合（金属結合）させることができる。その結果、弾性表面波素子２０と実装基板１０との接合強度が高い弾性表面波装置１を得ることができる。
【００６５】
（実施例１）
以下、上記本実施形態の効果について、本発明の実施例１及び比較例１に基づいて、より具体的に説明する。なお、実施例１及び比較例１の説明において、上記本実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００６６】
図３は、本発明の実施例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第１の樹脂層１２ａの表面１２ａ１の略図的透視平面図である。図４は、本発明の実施例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第２の樹脂層１２ｂの表面１２ｂ１の略図的透視平面図である。図５は、本発明の実施例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第３の樹脂層１２ｃの表面１２ｃ１の略図的透視平面図である。図６は、本発明の実施例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第３の樹脂層１２ｃの表面１２ｃ２の略図的透視平面図である。図７は、図３の線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける、本発明の実施例１に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。なお、実装基板１０の第１の樹脂層１２ａの表面１２ａ１は、実装基板１０の一方の表面であるダイアタッチ面１０ａとなる。実装基板１０の第１の樹脂層１２ａの表面１２ａ１には、複数の実装電極１１と配線１４の一部とが形成されている。複数の実装電極は、配線１４の一部により、互いに接続されている。
【００６７】
本発明の実施例１として、図３〜図７に示す構成の弾性表面波装置を用意した。図３及び図７に示すように、この実施例１に係る弾性表面波装置では、ビアホール導体１４ａ１０が、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方に配置されている。また、実施例１に係る弾性表面波装置では、弾性表面波素子２０の実装基板１０への実装方向ｚから視た際に、ビアホール導体１４ａ１０が、バンプ３０及び実装電極１１と重なるように設けられている。なお、実施例１に係る弾性表面波装置では、２つの弾性表面波素子２０を実装基板１０にフリップチップ実装した。
【００６８】
図８は、比較例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第１の樹脂層１２ａの表面１２ａ１の略図的透視平面図である。図９は、比較例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第２の樹脂層１２ｂの表面１２ｂ１の略図的透視平面図である。図１０は、比較例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第３の樹脂層１２ｃの表面１２ｃ１の略図的透視平面図である。図１１は、比較例１に係る弾性表面波装置における、実装基板１０の第３の樹脂層１２ｃの表面１２ｃ２の略図的透視平面図である。図１２は、図８の線ＸＩＩ−ＸＩＩにおける、比較例１に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【００６９】
比較例１として、図８〜図１２に示す構成の弾性表面波装置を用意した。図８及び図１２に示すように、この比較例１に係る弾性表面波装置は、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方にビアホール導体が配置されていないこと以外は、上記実施例１に係る弾性表面波装置と実質的に同様の構成を有する。
【００７０】
図１３に、本発明の実施例１に係る弾性表面波装置と比較例１に係る弾性表面波装置のそれぞれのダイシェア強度を示す。図１４に、本発明の実施例１に係る弾性表面波装置と比較例１に係る弾性表面波装置のそれぞれのバンプシェア強度を示す。なお、図１３に示すダイシェア強度は、サンプル１０個の平均値である。図１４に示すバンプシェア強度は、１０個のサンプルに含まれる６０個のバンプにおける平均値である。
【００７１】
ここで、「ダイシェア強度」とは、弾性表面波素子２０と実装基板１０との接合強度（せん断強度）である。ダイシェア強度は、弾性表面波素子２０を実装基板１０のダイアタッチ面１０ａにフリップチップ実装した状態（弾性表面波素子２０が封止樹脂層４０により封止されていない状態）で、強度試験機を用いて測定した。強度試験機による測定は、ＭＩＬ  ＳＴＤ−８８３Ｇ、ＩＥＣ  ６０７４９−１９、ＥＩＡＪ  ＥＤ−４７０３の規格に準拠して行った。詳細には、まず、強度試験機において、荷重センサに取り付けられたツールが実装基板１０のダイアタッチ面１０ａまで下降し、強度試験機が実装基板１０のダイアタッチ面１０ａを検出し下降を停止した。次に、検出した実装基板１０のダイアタッチ面１０ａより設定された高さまでツールを上昇させ、ツールで弾性表面波素子２０と実装基板１０との接合部分を押し、破壊時の荷重を計測した。
【００７２】
「バンプシェア強度」とは、一つのバンプ３０と実装基板１０との接合強度（せん断強度）である。バンプシェア強度は、ダイシェア強度と同じ強度試験機を用いて測定した。
【００７３】
図１３から明らかなように、実施例１に係る弾性表面波装置では、比較例１に係る弾性表面波装置よりも高いダイシェア強度が得られた。また、図１４から明らかなように、実施例１に係る弾性表面波装置では、比較例１に係る弾性表面波装置よりも高いバンプシェア強度が得られた。これらの結果から、本発明の実施例１に係る弾性表面波装置では、比較例１に係る弾性表面波装置よりも、弾性表面波素子２０と実装基板１０との接合が強固になっていることが分かる。換言すれば、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方にビアホール導体を配置することにより、弾性表面波素子２０と実装基板１０との接合を強固にすることができることが分かる。
【００７４】
なお、上記第１の実施形態では、ビアホール導体が配線１４の一部を構成している例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。ビアホール導体は、例えば配線１４の一部を構成しないように設けられていてもよい。具体的には、例えば、ビアホール導体の一端が配線１４に接続されているものの、他端は配線１４に接続されていなくてもよい。また、ビアホール導体は、配線１４とは別個に設けられていてもよい。
【００７５】
以下、上記第１の実施形態の変形例や他の実施形態について説明する。なお、以下の変形例及び実施形態の説明において、上記第１の実施形態と実質的に同様の機能を有する部材を同様の符号で参照し、説明を省略する。
【００７６】
（第１〜第８の変形例）
図１５は、本発明の第１の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。図１６は、本発明の第２の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。図１７は、本発明の第３の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。図１８は、本発明の第４の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。図１９は、本発明の第５の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。図２０は、本発明の第６の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。図２１は、本発明の第７の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。図２２は、本発明の第８の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。
【００７７】
上記第１の実施形態において、配線１４の構成の一例について説明した。但し、本発明において、配線やビアホール導体の構成は、上記第１の実施形態における配線やビアホール導体に何ら限定されない。例えば、実装基板が複数の樹脂層を有する場合、複数の樹脂層の少なくとも一つに設けられたビアホール導体が、バンプの下方、すなわち、実装電極におけるバンプとの接合部分の下方に配置されていればよい。また、実装基板が複数の樹脂層を有する場合、バンプの下方、すなわち、実装電極におけるバンプとの接合部分の下方に、複数の樹脂層のいずれかに設けられたビアホール導体が、配置されていればよい。このような構成であれば、ビアホール導体や配線がどのような構成であっても、弾性表面波素子と実装基板とを強固に接合することができる。
【００７８】
例えば、図１５に示す本発明の第１の変形例のように、第１の樹脂層１２ａに設けられたビアホール導体１４ａ１１〜１４ａ１３が、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方に配置されていてもよい。また、図１５に示すように、弾性表面波素子２０の実装基板１０への実装方向ｚから視た際に、ビアホール導体１４ａ１１〜１４ａ１３が、バンプ３０及び実装電極１１と重なるように形成されていてもよい。
【００７９】
図１６に示す本発明の第２の変形例のように、第２の樹脂層１２ｂに設けられたビアホール導体１４ａ１４〜１４ａ１６が、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方に配置されていてもよい。また、図１６に示すように、弾性表面波素子２０の実装基板１０への実装方向ｚから視た際に、ビアホール導体１４ａ１４〜１４ａ１６が、バンプ３０及び実装電極１１と重なるように形成されていてもよい。
【００８０】
図１７に示す本発明の第３の変形例のように、第３の樹脂層１２ｃに設けられたビアホール導体１４ａ１７〜１４ａ１９が、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方に配置されていてもよい。また、図１７に示すように、弾性表面波素子２０の実装基板１０への実装方向ｚから視た際に、ビアホール導体１４ａ１７〜１４ａ１９が、バンプ３０及び実装電極１１と重なるように形成されていてもよい。
【００８１】
図１８〜図２０に示す本発明の第４〜第６の変形例のように、第１〜第３の樹脂層１２ａ〜１２ｃのうちの２層に設けられたビアホール導体が、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方に配置されていてもよい。また、図１８〜図２０に示すように、弾性表面波素子２０の実装基板１０への実装方向ｚから視た際に、第１〜第３の樹脂層１２ａ〜１２ｃのうちの２層に設けられたビアホール導体が、バンプ３０及び実装電極１１と重なるように形成されていてもよい。この場合は、弾性表面波素子２０と実装基板１０とをより強固に接合することができる。
【００８２】
具体的には、図１８に示す本発明の第４の変形例では、第１の樹脂層１２ａに設けられたビアホール導体１４ａ２０，１４ａ２２，１４ａ２４と、第２の樹脂層１２ｂに設けられたビアホール導体１４ａ２１，１４ａ２３，１４ａ２５とが、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方に配置されている。また、図１８に示すように、弾性表面波素子２０の実装基板１０への実装方向ｚから視た際に、ビアホール導体１４ａ２０〜１４ａ２５が、バンプ３０及び実装電極１１と重なるように形成されている。
【００８３】
図１９に示す本発明の第５の変形例では、第１の樹脂層１２ａに設けられたビアホール導体１４ａ２６，１４ａ２８，１４ａ３０と、第３の樹脂層１２ｃに設けられたビアホール導体１４ａ２７，１４ａ２９，１４ａ３１とが、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方に配置されている。また、図１９に示すように、弾性表面波素子２０の実装基板１０への実装方向ｚから視た際に、ビアホール導体１４ａ２６〜１４ａ３１が、バンプ３０及び実装電極１１と重なるように形成されている。
【００８４】
図２０に示す本発明の第６の変形例では、第２の樹脂層１２ｂに設けられたビアホール導体１４ａ３２，１４ａ３４，１４ａ３６と、第３の樹脂層１２ｃに設けられたビアホール導体１４ａ３３，１４ａ３５，１４ａ３７とが、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方に配置されている。また、図２０に示すように、弾性表面波素子２０の実装基板１０への実装方向ｚから視た際に、ビアホール導体１４ａ３２〜１４ａ３７が、バンプ３０及び実装電極１１と重なるように形成されている。
【００８５】
図２１に示す本発明の第７の変形例のように、第１〜第３の樹脂層１２ａ〜１２ｃのそれぞれに設けられたビアホール導体１４ａ３８〜１４ａ４６が、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方に配置されていてもよい。また、図２１に示すように、弾性表面波素子２０の実装基板１０への実装方向ｚから視た際に、ビアホール導体１４ａ３８〜１４ａ４６が、バンプ３０及び実装電極１１と重なるように形成されていてもよい。この場合は、弾性表面波素子２０と実装基板１０とをさらに強固に接合することができる。
【００８６】
また、図２２に示す、第１の変形例のさらなる変形例である第８の変形例のように、第１〜第３の樹脂層１２ａ〜１２ｃのそれぞれに設けられたビアホール導体１４ａ１１〜１４ａ１３，１４ａ４７〜１４ａ４９が、バンプ３０の下方、すなわち、実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下方に配置されていてもよい。
【００８７】
（第９及び第１０の変形例）
図２３は、本発明の第９の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。図２４は、本発明の第１０の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。上記第１の実施形態では、実装基板１０が３つの樹脂層からなる場合について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図２３に示す本発明の第９の変形例のように、実装基板１０は、一つの樹脂層１２ａにより構成されている樹脂基板であってもよい。また、図２４に示す本発明の第１０の変形例のように、実装基板１０は、２つの樹脂層１２ａ，１２ｂの積層体により構成されている樹脂基板であってもよい。実装基板１０は、４層以上の樹脂層の積層体により構成されている樹脂基板であってもよい。整合回路、ＬＣ共振回路、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）保護回路を実装基板１０に内蔵する場合には、樹脂層の数は、これらの回路を形成するために必要な電極層の数に対応する数となる。バンプ３０の下方、すなわち、実装基板１０の実装電極１１におけるバンプ３０との接合部分の下に、ビアホール導体が配置されている限りにおいて、実装基板１０における樹脂層の数は何ら限定されない。
【００８８】
なお、図２３に示す変形例では、実装基板１０の内部に、弾性表面波素子２０の実装基板１０への実装方向ｚに沿って形成されたビアホール導体により配線１４が構成されている。
【００８９】
（第２の実施形態）
図２５は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置における、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａの略図的平面図である。なお、図２５においては、説明の便宜上、ダイアタッチ面１０ａ上に形成されている実装電極１１以外の部材の描画は省略されており、実装電極１１のみが描画されている。
【００９０】
本実施形態の弾性表面波装置は、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａにおける電極構造を除いては、上記第１の実施形態に係る弾性表面波装置１と実質的に同様の構成を有する。
【００９１】
図２５に示すように、本実施形態の弾性表面波装置では、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａにおける、弾性表面波素子２０の圧電基板２１と対向している領域には、配線１４は形成されておらず、実装電極１１のみが形成されている。そして、本実施形態の弾性表面波装置では、配線１４は、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａにおける、弾性表面波素子２０の圧電基板２１と対向している領域以外の部分に形成されている。具体的には、配線１４は、実装基板１０の内部に形成されている。
【００９２】
図２６は、参考例に係る弾性表面波装置における、実装基板１１０のダイアタッチ面１１０ａの略図的平面図である。例えば、図２６に示す参考例のように、実装基板１１０のダイアタッチ面１１０ａにおける、弾性表面波素子１２０の圧電基板１２１と対向している領域に、実装電極１１１と共に、例えばインダクタンスを形成することなどを目的として、配線１１４の一部を形成することも考えられる。しかしながら、配線１１４の一部を実装基板１１０のダイアタッチ面１１０ａにおける、弾性表面波素子１２０の圧電基板１２１と対向している領域に形成した場合、弾性表面波装置に対して外部から加わる力、弾性表面波素子を実装基板にフリップチップ実装する際の温度による樹脂基板である実装基板の熱膨張、弾性表面波素子を実装基板にフリップチップ実装する際に弾性表面波素子に加える荷重などによって、樹脂基板である実装基板１１０が変形してしまう場合がある。樹脂基板である実装基板１１０が変形した場合、実装基板１１０のダイアタッチ面１１０ａにおける、弾性表面波素子１２０の圧電基板１２１と対向している領域に形成された配線１１４の一部が弾性表面波素子のＩＤＴ電極などと接触し、ＩＤＴ電極などに傷が付くという問題が生じることがある。
【００９３】
それに対して、本実施形態の弾性表面波装置では、配線１４は、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａにおける、弾性表面波素子２０の圧電基板２１と対向している領域に形成されていない。そして、ダイアタッチ面１０ａには、実装電極１１のみが形成されている。このため、上述のようなＩＤＴ電極等の損傷といった問題が発生することを効果的に抑制することができる。
【００９４】
図２７は、本発明の第１１の変形例に係る弾性表面波装置における、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａの略図的平面図である。図２７に示す本発明の第１１の変形例のように、実装基板１０のダイアタッチ面１０ａにおける、弾性表面波素子２０の圧電基板２１と対向している領域には、配線１４は形成されておらず、実装電極１１のみが形成されており、弾性表面波素子２０の圧電基板２１と対向していない領域に、配線１４の一部が形成されていてもよい。
【００９５】
ところで、実装基板１０は、例えば、図２８に示すようなマザー基板５０を、ダイシングラインＬで複数に分断することにより作製することが好ましい。図２８に、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置における、実装基板１０作製用のマザー基板５０の略図的平面図を示す。特に、弾性表面波素子２０をフリップチップ実装した後に、マザー基板５０をダイシングラインＬで複数に分断することにより実装基板１０を作製することが好ましい。このようにすることで、多数の弾性表面波装置を効率的に作製できるためである。しかしながら、本実施形態の弾性表面波装置のように、複数の実装電極１１がダイアタッチ面１０ａに対称に配置されており、弾性表面波素子２０をフリップチップ実装した後に、図２８に示すマザー基板５０を複数に分断することで作製するような場合、弾性表面波素子２０をフリップチップ実装する際の実装基板１０の方向識別が困難となる。このため、例えば、図２９に示すマザー基板５０のように、複数の実装電極１１のうちの少なくとも一つを、非対称形に形成しておくことが好ましい。図２９に、本発明の第１２の変形例に係る弾性表面波装置における、実装基板１０作製用のマザー基板５０の略図的平面図を示す。このような構成にすることにより、弾性表面波素子２０をフリップチップ実装する際の実装基板１０の方向識別性を高めることができる。従って、弾性表面波素子２０の実装が容易となる。
【符号の説明】
【００９６】
１…弾性表面波装置
１０…実装基板
１０ａ…実装基板のダイアタッチ面
１０ｂ…実装基板の裏面
１０ｅ…ビアホール
１１…実装電極
１１ａ…Ｃｕ層
１１ｂ…Ｎｉ層
１１ｃ…Ｐｄ層
１１ｄ…Ａｕ層
１２ａ…第１の樹脂層
１２ｂ…第２の樹脂層
１２ｃ…第３の樹脂層
１３…端子電極
１４…配線
１４ａ…ビアホール導体
２０…弾性表面波素子
２１…圧電基板
２１ａ…圧電基板の表面
２２…ＩＤＴ電極
２３…電極パッド
３０…バンプ
４０…封止樹脂層
５０…マザー基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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