(57)【要約】【課題】センシング精度を向上させることのできるセンサ装置を提供する。【解決手段】このセンサ装置は、リードフレーム３０のチップ搭載部３１に実装された半導体チップ１０を封止した第１の樹脂部材２０からリードフレーム３０のリード部３２ａ〜３２ｃが導出された半導体パッケージ１を有する。そして、このセンサ装置では、半導体パッケージ１が第２の樹脂部材２１によって覆われている。ここでは、リード部３２ａ，３２ｃの第１の樹脂部材２０によって覆われていない部分に、リードフレーム３０及び半導体パッケージ１のそれぞれの位置決めに利用される貫通孔３３ａ，３３ｂをそれぞれ形成する。【選択図】図１
2013011512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームのチップ搭載部に実装された半導体チップを封止した第１の樹脂部材から前記リードフレームのリード部が導出された半導体パッケージを有し、該半導体パッケージを第２の樹脂部材によって覆うようにしたセンサ装置において、
前記リード部には、前記第１の樹脂部材によって覆われていない部分に、前記リードフレーム及び前記半導体パッケージのそれぞれの位置決めに利用される位置決め部が形成されている
ことを特徴とするセンサ装置。
【請求項２】
前記リード部には、前記位置決め部として、貫通孔が形成されている
請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項３】
半導体チップが実装されるチップ搭載部と、位置決め部が形成されたリード部とを有するリードフレームに対し、前記位置決め部を用いて前記リードフレームを位置決めしつつ、前記チップ搭載部に前記半導体チップを実装する工程と、
前記位置決め部を用いて前記リードフレームを位置決めしつつ、前記位置決め部を第１の樹脂部材によって覆わないように、前記チップ搭載部に実装された前記半導体チップを前記第１の樹脂部材により封止して半導体パッケージを成形する工程と、
同半導体パッケージを前記リードフレームのアウターフレームから切り離す工程と、
前記位置決め部を用いて前記半導体パッケージを位置決めしつつ、同半導体パッケージを第２の樹脂部材によって覆う工程と
を備えることを特徴とするセンサ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば磁気検出素子などを備える半導体チップを樹脂部材によって覆うようにしたセンサ装置、及び同センサ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のセンサ装置としては、例えば特許文献１に記載のものが知られている。この特許文献１に記載のセンサ装置では、リードフレームに形成されたチップ搭載部に半導体チップを実装した後、この半導体チップを、リードフレームと共々、樹脂部材により封止するようにしている。このようなセンサ装置によれば、半導体チップの外周を樹脂部材によって覆うことができるため、半導体チップを外部環境から的確に保護することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１３３４８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、このようなセンサ装置は、例えば図６〜図９に示す工程を経て製造される。まず、図６に示すように、チップ搭載部７１及びリード部７２ａ〜７２ｃが形成されたリードフレーム７０を用意する。なお、チップ搭載部７１は、架設部７３を介してアウターフレーム７４に連結されている。また、リード部７２ａ〜７２ｃは、チップ搭載部７１の一辺から導出されるとともに、それらの先端部がアウターフレーム７４にそれぞれ連結されている。さらに、アウターフレーム７４の一部には、貫通孔７５が形成されている。
【０００５】
そして、センサ装置の製造に際してはまず、アウターフレーム７４の貫通孔７５に図示しない位置決め部材に形成されたピンなどを挿入してリードフレーム７０全体の位置決めを行う。その後、チップ搭載部７１の先端部に、例えば磁気検出素子を備える半導体チップ８０を実装する。次いで、図７（ａ）に示すように、例えば適宜の金型などを用いて、半導体チップ８０及びチップ搭載部７１を第１の樹脂部材９０により一体にモールドして樹脂封止する。なお、この樹脂成形に伴い、図７（ｂ）に併せ示すように、第１の樹脂部材９０の正面９１及び背面９２に凹部９１ａ，９２ａをそれぞれ形成する。こうして半導体チップ８０を樹脂封止した後、図７（ａ）に点ハッチングで示す部分を切断することで、半導体パッケージ１００が完成する。
【０００６】
こうして半導体パッケージ１００が完成した後、続く２次成形として、リード部７２ａ〜７２ｃの先端部に図示しないコネクタの各端子を接続した後、半導体パッケージ１００及びコネクタの外周に第２の樹脂部材を成形する。具体的には、図８に示すように、２次成形の際に用いられる金型１１０は、センサ装置の正面部分の形状に対応したキャビティＣ１を有する第１の金型１１１と、センサ装置の背面部分の形状に対応したキャビティＣ２を有する第２の金型１１２とからなる。なお、図８では、便宜上、金型１１０のうち、半導体パッケージ１００の周辺に対応する部分のみを図示している。同図に示すように、第１の金型１１１の内壁には、半導体パッケージ１００の凹部９１ａに挿入される突出部１１１ａが形成されている。また、第２の金型１１２の内壁には、半導体パッケージ１００の凹部９２ａに挿入される突出部１１２ａが形成されている。そして、２次成形では、半導体パッケージ１００の凹部９１ａ，９２ａに第１の金型１１１及び第２の金型１１２の突出部１１１ａ，１１２ａをそれぞれ挿入することで、図中に示す態様にて半導体パッケージ１００の位置決めが行われる。その後、キャビティＣ１，Ｃ２内に樹脂材料を注湯してこれを硬化させることで、半導体パッケージ１００及びコネクタの外周が第２の樹脂部材によって覆われる。これにより、図９に示すように、半導体パッケージ１００を封止したセンシング部１２１と、同センシング部１２１が導出される側面１２２ａを有する本体部１２２とからなる第２の樹脂部材１２０が成形されて、センサ装置が完成する。
【０００７】
なお、このセンサ装置の実用に際しては、例えば図中に二点鎖線で示すように、第２の樹脂部材１２０の側面１２２ａを適宜のハウジング１３０の内壁面１３１に当接させた状態で、図示しないボルトなどにより第２の樹脂部材１２０の本体部１２２をハウジング１３０に締結固定する。これにより、半導体チップ８０は、例えば磁石などにより形成された被検出体１４０から所定距離Ｌａだけ離間した位置に配置されることとなる。そして、このセンサ装置では、被検出体１４０の変位に伴い同被検出体１４０によって形成される磁界が変化すると、半導体チップ８０に付与される磁界が変化する。これにより、半導体チップ８０の出力信号が変化するため、その出力信号の変化に基づいて被検出体１４０の位置を検出することができるようになっている。
【０００８】
ところで、このようなセンサ装置では、半導体チップ８０から被検出体１４０までの距離Ｌａが、被検出体１４０の位置検出精度（センシング精度）を高める上で重要な寸法となる。そして、この距離Ｌａは、第２の樹脂部材１２０の側面１２２ａから半導体チップ８０までの寸法Ｌｂによって定まるため、同寸法Ｌｂの公差ΔＬｂをできる限り小さくすることが望ましい。ここで、前述した製造方法によれば、寸法公差ΔＬｂは、先の図６〜図８に示す寸法Ｌ１０〜Ｌ１２の公差ΔＬ１０〜ΔＬ１２の合計となる（ΔＬｂ＝ΔＬ１０＋ΔＬ１１＋ΔＬ１２）。なお、各寸法公差ΔＬ１０〜ΔＬ１２は以下の（ａ１）〜（ａ３）に示す通りである。
【０００９】
（ａ１）図６に示すように、貫通孔７５から半導体チップ８０までの寸法Ｌ１０の公差ΔＬ１０。これは、貫通孔７５へのピンの挿入によりリードフレーム７０の位置決めを行いつつ、チップ搭載部７１に半導体チップ８０を実装する際に発生するものである。
【００１０】
（ａ２）図７（ａ）に示すように、貫通孔７５から凹部９１ａ，９２ａまでの寸法Ｌ１１の公差ΔＬ１１。これは、貫通孔７５へのピンの挿入によりリードフレーム７０の位置決めを行いつつ、金型などを用いて第１の樹脂部材９０を成形する際に発生するものである。
【００１１】
（ａ３）図９に示すように、第２の樹脂部材１２０の側面１２２ａから半導体パッケージ１００の凹部９１ａ，９２ａまでの寸法Ｌ１２の公差ΔＬ１２。これは、凹部９１ａ，９２ａに金型１１０の突出部１１１ａ，１１２ａを挿入して半導体パッケージ１００の位置決めを行いつつ、第２の樹脂部材１２０を成形する際に発生するものである。
【００１２】
そしてこのように、第２の樹脂部材１２０の側面１２２ａから半導体チップ８０までの寸法公差ΔＬｂが図６〜図９に示す３つの寸法公差ΔＬ１０〜ΔＬ１２により定まる場合、この寸法公差ΔＬｂが自ずと大きくなってしまう。このため、各センサ装置において半導体チップ８０と被検出体１４０との間の距離Ｌａにばらつきが生じやすくなり、このことがセンサ装置のセンシング精度の悪化を招く一つの要因となっている。
【００１３】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、センシング精度を向上させることのできるセンサ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、リードフレームのチップ搭載部に実装された半導体チップを封止した第１の樹脂部材から前記リードフレームのリード部が導出された半導体パッケージを有し、該半導体パッケージを第２の樹脂部材によって覆うようにしたセンサ装置において、前記リード部には、前記第１の樹脂部材によって覆われていない部分に、前記リードフレーム及び前記半導体パッケージのそれぞれの位置決めに利用される位置決め部が形成されていることを要旨とする。
【００１５】
また、請求項３に記載の発明は、半導体チップが実装されるチップ搭載部と、位置決め部が形成されたリード部とを有するリードフレームに対し、前記位置決め部を用いて前記リードフレームを位置決めしつつ、前記チップ搭載部に前記半導体チップを実装する工程と、前記位置決め部を用いて前記リードフレームを位置決めしつつ、前記位置決め部を第１の樹脂部材によって覆わないように、前記チップ搭載部に実装された前記半導体チップを前記第１の樹脂部材により封止して半導体パッケージを成形する工程と、同半導体パッケージを前記リードフレームのアウターフレームから切り離す工程と、前記位置決め部を用いて前記半導体パッケージを位置決めしつつ、同半導体パッケージを第２の樹脂部材によって覆う工程とを備えることを要旨とする。
【００１６】
上記構成及び製造方法によれば、リードフレームのチップ搭載部に半導体チップを実装する工程では、リード部に形成された位置決め部を用いてリードフレーム全体を位置決めすることができる。また、半導体パッケージが完成したとき、リード部の位置決め部は、第１の樹脂部材によって覆われることなく、外部に露出している。このため、センサ装置を最終成形する工程でも、同じくリード部の位置決め部を用いて半導体パッケージを位置決めすることができる。そしてこのように、リードフレームの位置決め、及び半導体パッケージの位置決めの双方において共通の位置決め部を用いることとすれば、位置決め基準の共通化が図られる。したがって、各センサ装置における半導体チップの実装位置のばらつきを抑制することができるため、センシング精度が向上するようになる。
【００１７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のセンサ装置において、前記リード部には、前記位置決め部として、貫通孔が形成されていることを要旨とする。
同構成によるように、リード部に位置決め部として貫通孔を形成することとすれば、この貫通孔に例えばピンなどを挿入するだけでリードフレーム及び半導体パッケージを位置決めすることができるため、それらの位置決めを容易に行うことができるようになる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明にかかるセンサ装置によれば、センシング精度を向上させることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明にかかるセンサ装置の一実施形態についてその部分的に破断した平面構造を示す平面図。
【図２】同実施形態のセンサ装置の製造方法についてその製造プロセスの一部を示す平面図。
【図３】同実施形態のセンサ装置の製造方法についてその製造プロセスの一部を示す平面図。
【図４】同実施形態のセンサ装置の製造方法についてその製造プロセスの一部を示す断面図。
【図５】本発明にかかるセンサ装置の他の例についてその部分的に破断した平面構造を示す平面図。
【図６】従来のセンサ装置についてその製造プロセスの一部を示す平面図。
【図７】（ａ），（ｂ）は、同従来のセンサ装置についてその製造プロセスの一部を示す平面図。
【図８】同従来のセンサ装置についてその製造プロセスの一部を示す断面図。
【図９】同従来のセンサ装置についてその部分的に破断した平面構造を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明にかかるセンサ装置の一実施形態について図１〜図４を参照して説明する。はじめに、図１を参照して、本実施形態にかかるセンサ装置の概略構成について説明する。
【００２１】
図１に示すように、このセンサ装置も、先の図９に例示したセンサ装置と同様に、基本的には、半導体チップ１０を第１の樹脂部材２０により覆った構造からなる半導体パッケージ１を有している。そして、この半導体パッケージ１が、第２の樹脂部材２１により覆われることで、外部環境から保護されている。
【００２２】
半導体チップ１０は、例えば磁気抵抗素子（ＭＲＥ）などの磁気検出素子（電磁変換素子）を有するチップである。半導体チップ１０は、その変換された電気信号を処理する処理回路等と共にリードフレーム３０のチップ搭載部３１に実装されるとともに、同処理回路を介してリードフレーム３０のリード部３２ａ〜３２ｃに電気的に接続されている。そして、半導体チップ１０及びチップ搭載部３１が第１の樹脂部材２０により一体に封止（モールド）されることにより、一次成形体である半導体パッケージ１が構成されている。すなわち、半導体パッケージ１は、半導体チップ１０、チップ搭載部３１、リード部３２ａ〜３２ｃ、及び第１の樹脂部材２０により構成されている。なお、リード部３２ａ，３２ｃのチップ搭載部３１に近接する側の端部には、第１の樹脂部材２０によって覆われていない部分に、センサ装置の製造時に位置決め部として利用される貫通孔３３ａ，３３ｂがそれぞれ形成されている。そして、こうした構造からなる半導体パッケージ１が第２の樹脂部材２１により一体に封止されている。
【００２３】
第２の樹脂部材２１は、半導体パッケージ１を封止したセンシング部２２と、同センシング部２２が導出される側面２３ａを有する本体部２３とを備えている。本体部２３には、例えば出力端子や給電端子、ＧＮＤ（接地）端子などを有するコネクタ（図示略）が設けられている。コネクタの各端子は、上記リード部３２ａ〜３２ｃを介して半導体チップ１０に電気的に接続されている。すなわち、半導体チップ１０への給電、並びにセンサ装置の出力信号の外部機器への取り込みは、本体部２３に設けられたコネクタを介して行われる。
【００２４】
なお、このセンサ装置も、先の図９に例示したセンサ装置と同様に用いられる。すなわち、図１に２点鎖線で示すように、第２の樹脂部材２１の側面２３ａを適宜のハウジング４０の内壁面４１に当接させた状態で、図示しないボルトなどによって第２の樹脂部材２１の本体部２３をハウジング４０に締結固定する。これにより、半導体チップ１０は、例えば磁石などにより形成された被検出体５０から所定距離Ｌａだけ離間した位置に配置される。そして、このセンサ装置でも、被検出体５０の変位に伴い同被検出体５０によって形成される磁界が変化すると、半導体チップ１０に付与される磁界が変化する。これにより、半導体チップ１０の出力信号が変化するため、その出力信号の変化に基づいて被検出体５０の位置を検出することができるようになっている。
【００２５】
次に、図２〜図４を参照して、こうした構造からなるセンサ装置の製造方法について説明する。なお、図２及び図３では、便宜上、上記チップ搭載部３１及びリード部３２ａ〜３２ｃが複数形成されたリードフレーム３０のうち、半導体パッケージ１個分に相当する部分のみを拡大して示している。
【００２６】
同図２に示すように、このリードフレーム３０には、チップ搭載部３１が形成されるとともに、その一辺から導出されるかたちでリード部３２ａ〜３２ｃが形成されている。ここで、チップ搭載部３１は、架設部３４を介してアウターフレーム３５に連結されている。一方、リード部３２ａ〜３２ｃは、その先端部がそのままアウターフレーム３５に連結されている。なお、これら３つのリード部のうち、両端に位置するリード部３２ａ，３２ｃには、チップ搭載部３１から離間した位置に、貫通孔３３ａ，３３ｂがそれぞれ形成されている。
【００２７】
そして、このセンサ装置の製造に際してはまず、リード部３２ａ，３２ｃの貫通孔３３ａ，３３ｂに図示しない位置決め部材に形成されたピンなどを挿入することにより、リードフレーム３０全体の位置決めを行う。その後、チップ搭載部３１に半導体チップ１０及びその処理回路を実装する。次いで、図３に示すように、例えば適宜の金型などを用いて、図中に実線のハッチングで示す樹脂モールド領域Ｍに第１の樹脂部材２０に対応した樹脂部材を充填した後、これを熱硬化等により硬化させる。これにより、半導体チップ１０、チップ搭載部３１、及びリード部３２ａ〜３２ｃの貫通孔３３ａ，３３ｂよりも基端側の部分が、第１の樹脂部材２０により一体的にモールドされて樹脂封止される。その後、図中に点ハッチングで示す部分、すなわちリード部３２ａ〜３２ｃとアウターフレーム３５とが連結されている部分Ａ、及び架設部３４をプレス等により打ち抜く、いわゆるリードカットを施すことで、半導体パッケージ１が完成する。なお、完成した半導体パッケージ１では、リード部３２ａ，３２ｃの貫通孔３３ａ，３３ｂが外部に露出している。
【００２８】
こうして、半導体パッケージ１が完成した後、続く２次成形として、リード部３２ａ〜３２ｃの先端部に図示しないコネクタの各端子を接続した後、半導体パッケージ１及びコネクタの外周に上記第２の樹脂部材２１を成形する。具体的には、図４に示すように、２次成形の際に用いられる金型６０は、センサ装置の正面部分の形状に対応したキャビティＣ１を有する第１の金型６１と、センサ装置の背面部分の形状に対応したキャビティＣ２を有する第２の金型６２とからなる。なお、図４では、便宜上、金型６０のうち、半導体パッケージ１の周辺に対応する部分のみを図示している。同図に示すように、第１の金型６１の内壁には、リード部３２ａ，３２ｃの貫通孔３３ａ，３３ｂに挿通される２つの突出部６１ａが形成されている。そして、２次成形では、リード部３２ａ，３２ｃの貫通孔３３ａ，３３ｂに２つの突出部６１ａをそれぞれ挿通することで、図中に示す態様にて半導体パッケージ１の位置決めが行われる。その後、キャビティＣ１，Ｃ２内に上記第２の樹脂部材２１に対応した樹脂材料を注湯した後、これを熱硬化などにより硬化させることで、先の図１に示したセンサ装置が完成する。
【００２９】
以下、本実施形態の作用について先の図１〜図４を参照して説明する。
本実施形態では、先の図２に示したように、リードフレーム３０の位置決めの際に、貫通孔３３ａ，３３ｂを用いるようにしている。また、先の図４に示したように、半導体パッケージ１の位置決めの際にも、貫通孔３３ａ，３３ｂを用いるようにしている。そしてこのように、リードフレーム３０の位置決め、及び半導体パッケージ１の位置決めの双方を共通の貫通孔３３ａ，３３ｂを用いて行うこととすれば、位置決め基準の共通化が図られる。これにより、図１に示す本体部２３の側面２３ａから半導体チップ１０までの寸法Ｌｂの公差ΔＬｂは、図１及び図２に示す寸法Ｌ１，Ｌ２の公差ΔＬ１，ΔＬ２の合計となる（ΔＬｂ＝ΔＬ１＋ΔＬ２）。なお、各寸法公差ΔＬ１，ΔＬ２は以下の（ｂ１），（ｂ２）に示す通りである。
【００３０】
（ｂ１）図２に示すように、リード部３２ａ，３２ｃの貫通孔３３ａ，３３ｂから半導体チップ１０までの寸法Ｌ１の公差ΔＬ１。これは、貫通孔３３ａ，３３ｂへのピンの挿入によりリードフレーム３０を位置決めしつつ、チップ搭載部３１に半導体チップ１０を実装する際に発生するものである。
【００３１】
（ｂ２）図１に示すように、本体部２３の側面２３ａからリード部３２ａ，３２ｃの貫通孔３３ａ，３３ｂまでの寸法Ｌ２の公差ΔＬ２。これは、金型６０の突出部６１ａをリード部３２ａ，３２ｃの貫通孔３３ａ，３３ｂに挿入して半導体パッケージ１を位置決めしつつ、第２の樹脂部材２１を成形する際に発生するものである。
【００３２】
これにより、先の図６〜図９に例示したセンサ装置のように、寸法公差ΔＬｂが上記（ａ１）〜（ａ３）に示した３つの寸法公差ΔＬ１０〜ΔＬ１２の合計となるセンサ装置と比較すると、本実施形態のセンサ装置の方が寸法公差ΔＬｂを小さくすることができる。したがって、各センサ装置における半導体チップ１０の実装位置のばらつきを抑制することができるため、センシング精度が向上するようになる。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態にかかるセンサ装置によれば、以下のような効果が得られるようになる。
（１）半導体パッケージ１のリード部３２ａ，３２ｃには、第１の樹脂部材２０によって覆われていない部分に、貫通孔３３ａ，３３ｂを形成することとした。そして、半導体パッケージ１を成形する工程では、貫通孔３３ａ，３３ｂを用いてリードフレーム３０の位置決めを行うこととした。また、センサ装置を最終成形する工程でも、同じく貫通孔３３ａ，３３ｂを用いて半導体パッケージ１の位置決めを行うこととした。これにより、各センサ装置における半導体チップ１０の実装位置のばらつきを抑制することができるため、センシング精度が向上するようになる。
【００３４】
（２）リード部３２ａ，３２ｃには、位置決め部として貫通孔３３ａ，３３ｂをそれぞれ形成することとした。これにより、貫通孔３３ａ，３３ｂにピンなどを挿入するだけでリードフレーム３０及び半導体パッケージ１を位置決めすることができるため、それらの位置決めを容易に行うことができるようになる。また、リードフレーム３０及び半導体パッケージ１が２点で位置決めされるため、それらの位置決めを確実に行うことができる。このため、各センサ装置における半導体チップ１０の実装位置のばらつきを、より的確に抑制することができるようになる。
【００３５】
（３）貫通孔３３ａ，３３ｂを、リード部３２ａ，３２ｃのチップ搭載部３１に近接する側の端部に設けることとした。これにより、半導体チップ１０に近接して位置決め部が配置されるため、リードフレーム３０のチップ搭載部３１に半導体チップ１０を実装する際に、半導体チップ１０が位置ずれし難くなる。したがって、各センサ装置における半導体チップ１０の実装位置のばらつきを抑制する上で有効である。
【００３６】
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の形態にて実施することもできる。
・上記実施形態では、貫通孔３３ａ，３３ｂをリード部３２ａ，３２ｃのチップ搭載部３１に近接する側の端部に形成することとしたが、例えばリード部３２ａ，３２ｃの中央部や先端部など、リード部３２ａ，３２ｃの適宜の部位に形成してもよい。
【００３７】
・上記実施形態では、リード部３２ａ，３２ｃに貫通孔３３ａ，３３ｂをそれぞれ形成することとしたが、これに代えて、例えばリード部３２ａ〜３２ｃのいずれか一つにのみ貫通孔を形成してもよい。また、リード部３２ａ〜３２ｃの全てに貫通孔をそれぞれ形成してもよい。さらに、図５に示すように、第１の樹脂部材２０の両側辺から突出するリード部３２ｄ，３２ｅを長めに切り出した上で、これらのリード部３２ｄ，３２ｅに貫通孔３３ｃ，３３ｄを形成してもよい。要は、リード部の第１の樹脂部材２０によって覆われていない部分に、リードフレーム３０及び半導体パッケージ１のそれぞれの位置決めに利用される位置決め部が形成されていればよい。
【００３８】
・上記実施形態では、リード部３２ａ，３２ｃに、位置決め部として、貫通孔３３ａ，３３ｂをそれぞれ形成することとしたが、これら貫通孔３３ａ，３３ｂに代えて、例えば突出部をそれぞれ形成してもよい。この場合、リードフレーム３０及び半導体パッケージ１の位置決めを例えば次のように行う。まず、リードフレーム３０の位置決めについては、リード部３２ａ，３２ｃの突出部に係合する凹部を適宜の位置決め部材に設ける。そして、位置決め部材の凹部にリード部３２ａ，３２ｃの突出部を挿入することにより、リードフレーム３０の位置決めを行う。また、半導体パッケージ１の位置決めについては、上記第１の金型６１に、突出部６１ａに代えて、リード部３２ａ，３２ｃの突出部に係合する凹部を形成する。そして、第１の金型６１の凹部にリード部３２ａ，３２ｃの突出部を係合することにより、半導体パッケージ１の位置決めを行う。
【００３９】
・上記実施形態では、本発明にかかるセンサ装置及びその製造方法を、磁気検出素子を利用して被検出体５０の位置を検出するセンサ装置に適用することとした。これに代えて、例えば磁気検出素子を利用して被検出体を流れる電流を検出する電流センサなど、適宜のセンサ装置に適用することが可能である。要は、第１の樹脂部材からリード部が導出された半導体パッケージを有するとともに、同半導体パッケージを第２の樹脂部材によって覆うようにしたセンサ装置であれば、本発明にかかるセンサ装置及びその製造方法を適用することが可能である。
【００４０】
＜付記＞
次に、上記実施形態及びその変形例から把握できる技術的思想について追記する。
（イ）請求項１又は２に記載のセンサ装置において、前記リード部には、前記位置決め部が複数設けられていることを特徴とするセンサ装置。同構成によれば、複数の位置決め部によってリードフレーム及び半導体パッケージを複数点で位置決めすることができるため、センサ装置の製造の際に、これらの位置決めを確実に行うことができる。このため、各センサ装置における半導体チップの実装位置のばらつきを、より的確に抑制することができるようになる。
【００４１】
（ロ）請求項１，２、及び付記イのいずれか一項に記載のセンサ装置において、前記位置決め部が、前記リード部の前記チップ搭載部に近接する側の端部に形成されていることを特徴とするセンサ装置。同構成によれば、半導体チップに近接して位置決め部が配置されるため、リードフレームのチップ搭載部に半導体チップを実装する際に、半導体チップが位置ずれし難くなる。したがって、各センサ装置における半導体チップの実装位置のばらつきを抑制する上で有効である。
【符号の説明】
【００４２】
Ｃ１…キャビティ、Ｃ２…キャビティ、１，１００…半導体パッケージ、１０，８０…半導体チップ、２０，９０…第１の樹脂部材、２１，１２０…第２の樹脂部材、２２，１２１…センシング部、２３，１２２…本体部、２３ａ，１２２ａ…側面、３０，７０…リードフレーム、３１，７１…チップ搭載部、３２ａ〜３２ｅ，７２ａ〜７２ｃ…リード部、３３ａ〜３３ｄ，７５…貫通孔、３４，７３…架設部、３５，７４…アウターフレーム、４０，１３０…ハウジング、４１，１３１…内壁面、５０，１４０…被検出体、６０，１１０…金型、６１，１１１…第１の金型、６１ａ，１１１ａ，１１２ａ…突出部、６２，１１２…第２の金型、９１…正面、９１ａ，９２ａ…凹部、９２…背面。
【図１】
2013011512.tif 000003
【図２】
2013011512.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2013011512.tif 000008
【図７】
2013011512.tif 000009
【図８】
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【図９】
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