(57)【要約】【課題】簡易な構成により優れた動作性能と特性を発現することができ、且つ、コスト及び設置スペースを削減することも可能なコストパフォーマンスに優れたデータ冗長化システムを提供する。【解決手段】ストレージシステム３００は、複数台のＭＬＣ１０４を用いたＲＡＩＤ０（ストライピング）によって構成された仮想ディスク３０１と、その仮想ディスク３０１及びＳＬＣ１０３からＲＡＩＤ１（ミラーリング）によって構成された仮想ディスク３０２とを備える。仮想ディスク３０１においては、コントローラからの指令に基づいて、ＲＡＩＤ０によってＭＬＣ１０４，１０４のデータ領域２０１，２０１への分散書き込みが行われ、また、仮想ディスク３０２においては、ＲＡＩＤ１により、仮想ディスク３０１とＳＬＣ１０３のデータ領域２０３に対して同一データの転送（書き込み）が実行される。【選択図】図２
2013167963.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作性能が比較的劣る複数の第１の記憶装置と、
動作性能が比較的優れる第２の記憶装置と、
を備えており、
前記複数の第１の記憶装置のストライピングにより第１の仮想記憶装置が構成され、
前記第１の仮想記憶装置と前記第２の記憶装置とのミラーリングにより第２の仮想記憶装置が構成される、
データ冗長化システム。
【請求項２】
前記第１の記憶装置及び前記第２の記憶装置が不揮発性メモリである、
請求項１記載のデータ冗長化システム。
【請求項３】
前記第１の記憶装置及び前記第２の記憶装置がハードディスクドライブである、
請求項１記載のデータ冗長化システム。
【請求項４】
前記第１の記憶装置及び／又は前記第２の記憶装置上の領域の一部であり且つ前記第１の仮想記憶装置及び前記第２の仮想記憶装置に組み込まれていない余剰領域が、前記第１の仮想記憶装置及び前記第２の仮想記憶装置とは別の仮想的な記憶装置として使用される、
請求項１〜３の何れか１項記載のデータ冗長化システム。
【請求項５】
動作性能が比較的劣る複数の第１の記憶装置のストライピングにより第１の仮想記憶装置を構成し、
動作性能が比較的優れる第２の記憶装置と前記第１の仮想記憶装置とのミラーリングにより第２の仮想記憶装置を構成し、
前記第１の仮想記憶装置及び前記第２の仮想記憶装置の両方へデータを書き込み、
前記第１の仮想記憶装置及び前記第２の仮想記憶装置の少なくとも何れか一方からデータを読み出す、
データ冗長化システム。
【請求項６】
コンピュータに、
動作性能が比較的劣る複数の第１の記憶装置のストライピングにより第１の仮想記憶装置を構成する機能と、
動作性能が比較的優れる第２の記憶装置と前記第１の仮想記憶装置とのミラーリングにより第２の仮想記憶装置を構成する機能と、
前記第１の仮想記憶装置及び前記第２の仮想記憶装置の両方へデータを書き込む機能と、
前記第１の仮想記憶装置及び前記第２の仮想記憶装置の少なくとも何れか一方からデータを読み出す機能と、
を実現させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データ冗長化システム（データ冗長化装置、データ冗長化方法、ストレージシステム）及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ストレージシステムに用いられる記憶装置のなかでは、データ転送速度（読み出し／書き込み速度）が高速のものは容量が小さく且つ高価であり、逆に、転送速度が低速のものは容量が大きく且つ廉価である傾向にある。この傾向は特に、フラッシュメモリ（デバイス）であるＳＳＤ（Solid State Drive）において顕著である。例えば、高速動作のＳＳＤとしては１つの記録素子に１ビットを保存するＳＬＣ（Single Level Cell）タイプのものが挙げられ低速動作のＳＳＤとしては、１つの記録素子に複数ビットを保存するＭＬＣ（Multi Level Cell）タイプのものが存在する。
【０００３】
ＳＬＣタイプのＳＳＤは、蓄積電荷量をＨｉｇｈ／Ｌｏｗの二値で判断することにより、高速動作が可能となり、また、記録素子の劣化によるノイズや蓄積電荷量のバラツキに対する耐性が比較的高いことから、書き換えの上限回数が比較的多い。一方、ＭＬＣタイプのＳＳＤは、蓄積電荷量をＨｉｇｈ／Ｌｏｗの間に中間的に設定された例えば４値又は８値といった多値で判断するため、電荷量の精密な制御が必要となる。その結果、ＭＬＣタイプのＳＳＤは、ＳＬＣタイプのものに比して動作性能が劣るとともに、ノイズや蓄積電荷量のバラツキに対する耐性が比較的低いことから、書き換え上限回数が比較的少ない。一例を挙げると、ＳＬＣの素子あたりの書き換え上限回数が１０万回程度であるのに対し、４値ＭＬＣでは１万回程度である。
【０００４】
また、ストレージシステムにおいては、システム障害時に保存データを保護する観点から、複数の記憶装置を仮想的に１台の記憶装置（以下「仮想ディスク」という）として運用するＲＡＩＤ（Redundant Arrays of Independent Disks）によってデータを冗長化することが今や必須の技術である。かかるＲＡＩＤを構築するための記録装置として上述したＳＳＤを用いる場合、全ての記憶装置をＳＬＣのみで構築すれば、動作が非常に高速となり、且つ、寿命（書き換え寿命）を極めて長くすることができるものの、コストが増大してしまう難点がある。一方、全ての記憶装置をＭＬＣのみで構築すれば、コストを抑えることができる代わりに、動作は遅くなり、寿命（書き換え寿命）も短いものとなってしまう。
【０００５】
これらの相反する不都合を解消するには、例えば、ＲＡＩＤ１０（ミラーリングした記憶装置セット（グループ）をストライピングしたもの：ＲＡＩＤ１＋０とも呼ばれる）、又は、ＲＡＩＤ０１（ストライピングした記憶装置セット（グループ）をミラーリングしたもの：ＲＡＩＤ０＋１とも呼ばれる）による分散書き込みによって動作性能と寿命の両方を高める手法が考えられる。例えば、特許文献１には、可用性に比較的優れるＲＡＩＤ１０を用いたディスクアレイコントローラが提案されている。
【０００６】
また、ＲＡＩＤを用いて仮想ディスクを構成する際には、同じ種類且つ同じ転送速度の記憶装置同士を組み合わせる手法が、従来一般に用いられている。これは、転送速度が異なる記憶装置を組み合わせてＲＡＩＤを構成した場合に、動作性能がより劣る方の記憶装置が律速となって仮想ディスク全体の性能を低下させてしまうことを防止するための手段である。すなわち、仮にＳＬＣタイプのＳＳＤとＭＬＣタイプのＳＳＤを用いてＲＡＩＤ１方式の仮想ディスクを構成してデータの書き込みを実行した場合、ＳＬＣ側では書き込みが高速に処理されるものの、全体的な処理としては、冗長性を確保するためにＭＬＣ側での書き込み完了を待つ必要がある。その結果、システム全体の書き込み性能は、動作性能が比較的劣るＭＬＣの能力に依存することになってしまう。
【０００７】
また、この場合、ＳＬＣとＭＬＣに同一データを常に書き込むことになるので、書き換え上限回数が少ないＭＬＣの方が先に寿命を迎えることとなる。その結果、ＭＬＣの寿命によってシステム全体の寿命が決定されてしまうか、或いは、ＳＬＣがまだ書き換え可能であるものの、寿命が尽きたＭＬＣを別のＭＬＣへ交換する必要が生じる。したがって、ＳＬＣの長所を活かすことができず、非常に効率の悪いシステムとなってしまう。
【０００８】
これに対し、例えば特許文献２には、ＳＬＣとＭＬＣを混在させてＲＡＩＤ４を構築し、ＳＬＣを負荷の高いパリティチェックのためのパリティ専用ドライブとすることで、ＭＬＣへの負荷を抑えた高寿命且つ安価なシステムの実現を企図したメモリシステムが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１０７６７５号公報
【特許文献２】特開２０１０−２５０８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、上述したＲＡＩＤ１０やＲＡＩＤ０１は、比較的多くの記憶装置が必要となる。例えば、上記特許文献１に記載されたディスクアレイコントローラでは、ＲＡＩＤ１（ミラーリング）構成用に２セット（最低４台のハードディスクドライブ（ＨＤＤ）用意し、それらを合わせてＲＡＩＤ０（ストライピング）構成を構築している。よって、ＲＡＩＤ１０やＲＡＩＤ０１では、本質的に、装置規模が大きくなってしまい、また、コストや設置スペースを十分に削減し難い。これは、特許文献１に記載された一般的なＲＡＩＤ１０の構成を有するディスクアレイコントローラにおいても同様である。
【００１１】
一方、特許文献２に記載されているようなＲＡＩＤ４方式のメモリシステムは、そもそも、上述の如くＲＡＩＤ０にパリティを書き込むための記憶装置を追加したものであり、既存のデータ冗長化方式として十分なものではない場合がありうる。また、特許文献２に記載されたメモリシステムでは、ＳＬＣへの書き込みにあたってパリティ演算が必要となるため、ＳＬＣの優れた性能を十分に引き出すことができない可能性がある。さらに、通常、ＭＬＣはＳＬＣよりも大容量のものを利用することができるものの、ＲＡＩＤ４を構成するのであれば、使用する記憶装置は基本的に同容量帯である必要が生じるため、ＭＬＣの大容量性を十分に活かすことが難しい。
【００１２】
以上のことから、既存のデータ冗長化方式において、ＳＬＣタイプのＳＳＤとＭＬＣタイプのＳＳＤを単純に混在させてＲＡＩＤを構成するだけでは、ＳＬＣ相当の高転送速度及び長寿命といった高性能と、ＭＬＣ相当の低コスト及び大容量という利点を兼ね備えたストレージシステムを実現することは極めて困難である。
【００１３】
そこで、本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、簡易な構成により優れた動作性能と特性を発現することができるデータ冗長化システム及びプログラムを提供することを目的とする。また、これにより、導入コストと消費電力や保守費用等のランニングコストを削減して経済性を向上させることができるとともに、構成機器ひいてはシステム全体の設置スペースを削減することが可能なコストパフォーマンスに優れたデータ冗長化システム及びプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明によるデータ冗長化システム（データ冗長化装置、ストレージシステム）は、動作性能が比較的劣る複数の第１の記憶装置と、動作性能が比較的優れる第２の記憶装置とを備えている。また、それら複数の第１の記憶装置のストライピングにより第１の仮想記憶装置（すなわちＲＡＩＤ０の仮想ディスク）が構成され、第１の仮想記憶装置と第２の記憶装置とのミラーリングにより第２の仮想記憶装置（ＲＡＩＤ１の仮想ディスク）が構成されるものである。
【００１５】
かかるデータ冗長化システムにおいては、第１の仮想記憶装置と第２の記憶装置からＲＡＩＤ１が構成される（ストライピングされる）ので、それらの第１の仮想記憶装置及び第２の記憶装置の両方に対して、同一データの転送（書き込み）が行われる。このデータ書き込みにおいては、第１の仮想記憶装置及び第２の記憶装置のうちのデータ転送速度の遅い方が支配的となりうる。ここで、第２の記憶装置よりも動作性能が劣る複数の第１の記憶装置から構成される第１の仮想記憶装置は、それらの第２の記憶装置によってＲＡＩＤ０方式で構成される（ミラーリングされる）ので、それらへの分散書き込みが行われる。これにより、第１の仮想記憶装置へのデータ転送速度は、単独の第１の記憶装置へデータ書き込みを行うときよりも速くなるので、ストレージシステム全体のデータ書き込み速度は、第２の記憶装置に匹敵する速度が実現されうる。
【００１６】
一方、システムからのデータ読み出しは、第１の仮想記憶装置及び第２の記憶装置のうちのデータ転送速度の速い方が支配的となる。ここで、第１の仮想記憶装置は、第２の記憶装置よりも動作速度が劣る複数の第１の記憶装置から構成されるので、データ転送速度は、第１の仮想記憶装置よりも第２の記憶装置の方が速くなる。したがって、システム全体のデータ読み出し速度は、その比較的速い方の第２の記憶装置のデータ読み出し速度が反映され、通常、その第２の記憶装置から、又は、第２の記憶装置を優先して読み出し処理を行うことができる。
【００１７】
また、動作性能が比較的劣る第１の記憶装置は、通常、動作速度が比較的優れる第２の記憶装置よりも寿命（書き換え寿命）が短いものの、かかる第１の記憶装置を複数用いてＲＡＩＤ０を構成して分散書き込みが行われるので、それらの第１の記憶装置間の書き換え頻度が第２の記憶装置よりも低減される。これにより、複数の第１の記憶装置から構成される第１の仮想記憶装置の寿命は、第１の記憶装置を単独で用いるときよりも増長され、システム全体の寿命を延長させること（システムの延命）が可能となる。
【００１８】
さらに、動作速度が比較的優れる第２の記憶装置は、通常、動作速度が比較的劣る第１の記憶装置よりも容量が小さいものの、ＲＡＩＤ１を構成する一方の第１の仮想記憶装置が比較的大容量の第１の記憶装置から構成されるので、システム全体としては、かかる第１の記憶装置の大容量性の利点を生かすことができる。
【００１９】
このように、本発明のデータ冗長化システムによれば、第１の記憶装置及び第２の記憶装置のそれぞれの長所及び利点が十分に生かされた優れたシステムを構築することが可能となる。また、そのような優れたシステムを、少なくとも２つの第１の記憶装置と少なくとも１つの第２の記憶装置を用いて上述の如くＲＡＩＤ０とＲＡＩＤ１を組み合わせて実現することができるので、従来のＲＡＩＤ１０やＲＡＩＤ０１システムに比して、記憶装置要素の点数（部品点数）を低減することができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上のことから、本発明によれば、動作性能が比較的劣る複数の第１の記憶装置のストライピングによりＲＡＩＤ０タイプの第１の仮想記憶装置（ＲＡＩＤ０仮想ディスク）が構成される。そして、その第１の仮想記憶装置と動作性能が比較的優れる第２の記憶装置とのミラーリングによってＲＡＩＤ１タイプの第２の仮想記憶装置（ＲＡＩＤ１の仮想ディスク）が構成されるので、簡易な構成により、第１の記憶装置及び第２の記憶装置の両者の長所を備えるデータ冗長化システムを実現することができる。
【００２１】
すなわち、特性が互いに異なる第１の記憶装置及び第２の記憶装置を用いつつ、装置規模の縮小化、転送速度の高速化、長寿命化、低コスト化、及び大容量化といった優れた動作性能と特性を発現することができる。これにより、導入コストと消費電力や保守費用等のランニングコストを低減して経済性を向上させることができるとともに、構成機器ひいてはデータ冗長化システム全体の設置スペースを削減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明によるデータ冗長化システムの好適な一態様の構成を概略的に示すシステム構成図である。
【図２】図１に示すデータ冗長化システムのより具体的な第１実施形態の構成を示す模式図である。
【図３】図１に示すデータ冗長化システムのより具体的な第１実施形態の構成を示す模式図である。
【図４】図１に示すデータ冗長化システムのより具体的な第２実施形態の構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。さらに、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。またさらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００２４】
（構成概要）
図１は、本発明によるデータ冗長化システムの好適な一態様の構成を概略的に示すシステム構成図である。ストレージシステム１００（データ冗長化システム）は、ストレージコントローラ１０１、及び、その配下に設けられたディスクエンクロージャ１０２を備えている。
【００２５】
ストレージコントローラ１０１は、ＲＡＩＤ機能を実現するためのコントローラ（制御装置）であり、後述する記憶装置個々の動作制御とストレージシステム１００全体の制御を行うものである。なお、かかるストレージコントローラ１０１の細部構成は、特に制限されず、従来公知のものを適宜選択して本発明に適用することが可能であることから、冗長な記載を避けるため、ここでの詳細な説明は省略する。一方、ディスクエンクロージャ１０２は、ストレージコントローラ１０１からの指令（指示信号）に基づいて、配下の記憶装置であるＳＬＣ１０３、ＭＬＣ１０４、ＨＤＤ１０５、及びＮＬ−ＨＤＤ１０６等に対して、アクセスを割り振る等の機能を有する。
【００２６】
また、ＳＬＣ１０３及びＭＬＣ１０４は、フラッシュメモリであり、上述の如く、ＳＬＣ１０３の動作性能（データ転送速度）及び寿命は、ＭＬＣ１０４の動作性能（データ転送速度）及び寿命に比して優れており、本実施形態においては、例えば、２倍以上とされる。また、ＨＤＤ１０５は、単位時間あたりの回転数が大きい磁気ディスクドライブであり、ＮＬ−ＨＤＤ１０６は、ＨＤＤ１０５に比して単位時間あたりの回転数が小さい磁気ディスクドライブである。
【００２７】
これらのＳＬＣ１０３、ＭＬＣ１０４、ＨＤＤ１０５、及びＮＬ−ＨＤＤ１０６が、必要に応じてディスクエンクロージャ１０２内に配置され、ストレージコントローラ１０１からの指令によって、所定のＲＡＩＤが構成されたり、データの読み出し／書き込みが実行されたりする。
【００２８】
（第１実施形態）
図２及び図３は、図１に示すストレージシステム１００のより具体的な第１実施形態の構成を示す模式図であり、説明の便宜上、各記憶装置において選択されたデータ領域を用いて形成されるデータ冗長化の形式を段階的に示すものである。
【００２９】
ストレージシステム３００（データ冗長化システム）は、ストレージシステム１００の一例であって、１台のＳＬＣ１０３（第２の記憶装置）及び２台のＭＬＣ１０４（第１の記憶装置）を有している。なお、２台のＭＬＣ１０４は、容量及び動作性能（データ転送速度）が互いに等しく、その容量は、例えば、ＳＬＣ１０３の容量に比して最低でも１／２以上のものである。
【００３０】
図２に示す如く、各ＭＬＣ１０４は、内部の記憶領域が、ストレージコントローラ１０１の指示によって選択されるデータ領域２０１と、その残余のデータ領域２０２（余剰領域）とに、仮想的に分画されている。また、ＳＬＣ１０３は、内部の記憶領域の一部がデータ領域２０３として他の領域と仮想的に分画されており、そのデータ領域２０３の容量は、２台のＭＬＣ１０４におけるデータ領域２０１，２０１の和に等しい。そして、２台のＭＬＣ１０４のデータ領域２０１，２０１からＲＡＩＤ０（ストライピング）が構成され、これにより仮想ディスク３０１（第１の仮想記憶装置）が形成される。
【００３１】
さらに、図３に、データ冗長化の最終的な形として示されているとおり、図２に示す仮想ディスク３０１、及び、ＳＬＣ１０４内のデータ領域２０３から、ＲＡＩＤ１（ミラーリング）構成により仮想ディスク３０２（第２の仮想記憶装置）が形成される。
【００３２】
このように構成されたストレージシステム３００によれば、仮想ディスク３０１とＳＬＣ１０３からＲＡＩＤ１が構成されている（ストライピングされている）ので、それらの仮想ディスク３０１及びＳＬＣ１０３の両方に対して、同一データの転送（書き込み）が行われる。このとき、まず、仮想ディスク３０２に対する書き込みが、ＲＡＩＤ１構成によって仮想ディスク３０１とＳＬＣ１０３内のデータ領域２０３の両方に対して行われるので、ストレージシステム３００のデータ書き込みにおいては、仮想ディスク３０１及びＳＬＣ１０３のうちデータ転送速度の遅い方が支配的となりうる。
【００３３】
そして、仮想ディスク３０１は、ＳＬＣ１０３よりも動作性能に劣る（データ転送速度が遅い）ＭＬＣ１０４，１０４から構成されているが、仮想ディスク３０１に対する書き込みは、ＲＡＩＤ０構成によって、２台のＭＬＣ１０４，１０４内のデータ領域２０１，２０１に分散して書き込まれる。これにより、仮想ディスク３０１に対するデータ書き込みは、各ＭＬＣ１０４のデータ書き込み速度の２倍程度の速度で行われるので、ストレージシステム３００全体のデータ書き込み速度は、ＭＬＣ１０４が律速とならずにＳＬＣ１０３に匹敵する速度が実現されうる。
【００３４】
換言すれば、ＭＬＣ１０４の低い書き込み性能を補いつつ、それがＳＬＣ１０３に対して律速になることを回避し、ＳＬＣ１０３の優れた動作性能を最大限に引き出すことができる。なお、本実施形態のように、２台のＭＬＣ１０４に対して１台のＳＬＣ１０３を用いる場合、上述した条件のとおり、それらの動作性能比が１：２であると最も効率的（効果的）である。また後記の第２実施形態（４台のＭＬＣ１０４に対して１台のＳＬＣ１０３を用いるシステム）では、それらの動作性能比が１：４のときに、最も効率的な構成となりうる。
【００３５】
一方ストレージシステム３００からのデータ読み出しは、仮想ディスク３０１を構成する各ＭＬＣ１０４よりも動作性能に優れる（データ転送速度が速い）ＳＬＣ１０３から、又は、ＳＬＣ１０３を優先して行うことができる（同時にＭＬＣ１０４からも読み出しを行ってもよい。）。
【００３６】
また、ストレージシステム３００は、上述した構成により、ＭＬＣ１０４，１０４のうちの１台が故障した場合には、ＳＬＣ１０３のデータ領域２０３内に同一データのコピーが存在するので復旧が可能となる。逆に、ＳＬＣ１０３が故障した場合には、ＭＬＣ１０４，１０４の２つのデータ領域２０１，２０１に分散して書き込まれたデータを合わせて使用することにより復旧が可能となる。
【００３７】
さらに、前述のとおり、ＭＬＣ１０４の寿命（書き換え寿命）は、ＳＬＣ１０３の寿命（書き換え寿命）に対して１／１０程度であるものの、２台のＭＬＣ１０４，１０４からＲＡＩＤ０を構成して分散書き込みが行われるので、ＭＬＣ１０４，１０４間でデータ書き込みが行われる頻度がＳＬＣ１０３の１／２（半分）程度に抑えられる。これにより、仮想ディスク３０１の寿命がＭＬＣ１０４を単独で用いるときよりも２倍程度増長され、その結果、ストレージシステム３００全体の寿命も延長させることができる。
【００３８】
またさらに、動作性能が比較的優れるＳＬＣ１０３は、通常、動作性能が比較的劣るＭＬＣ１０４よりも容量が小さくなるものの、ＲＡＩＤ１を構成する一方の仮想ディスクが比較的大容量の複数のＭＬＣ１０４から構成されるので、ＭＬＣ１０４の大容量性を生かしてストレージシステム３００全体の有効容量の低下をも抑止することができる。
【００３９】
このように、ストレージシステム３００によれば、ＳＬＣ１０３及びＭＬＣ１０４のそれぞれの長所及び利点が十分に生かされた優れたシステムを構築することが可能となる。また、このような優れたストレージシステムの仮想ディスク３０２を、１台のＳＬＣ１０３と２台のＭＬＣ１０４を用い且つＲＡＩＤ０とＲＡＩＤ１の組み合わせにより、極めて簡素な構成で実現することができるので、既存のＲＡＩＤ１０やＲＡＩＤ０１システムに比して、構成要素（部品）点数を削減することが可能となる。
【００４０】
以上のことから、ストレージシステム３００によると、特性が互いに異なるＳＬＣ１０３及びＭＬＣ１０４を用いつつ、装置規模の縮小化、転送速度の高速化、長寿命化、低コスト化、及び大容量化といった優れた動作性能と特性を発現することができる。これにより、ＳＬＣ１０３に比して安価なＭＬＣ１０４を多く用いることで導入コストを削減し且つ消費電力や保守費用等のランニングコストを低減して経済性を向上させることができるとともに、構成機器ひいてはストレージシステム３００全体の設置スペースを削減することも可能となる。
【００４１】
更に換言すれば、動作性能が劣るものの廉価な低速記憶装置であるＭＬＣ１０４を複数台用いてＲＡＩＤ０によって生成された仮想ディスク３０１を、動作性能に秀でた高価な高速記憶装置であるＳＬＣ１０３と組み合わせてＲＡＩＤ１によって仮想ディスク３０２を構成することから、高速且つコストを抑えたデータ冗長化を実現することができる。また、仮想ディスク３０１においてはＲＡＩＤ０によってＭＬＣ１０４あたりの書き換え回数が分散されるので、それにより寿命を格段に向上させることができる。
【００４２】
（第２実施形態）
図４は、図１に示すストレージシステム１００のより具体的な第２実施形態の構成を示す模式図である。ストレージシステム４００（データ冗長化システム）は、ストレージシステム３００に比して、ＲＡＩＤ０の構成記憶装置の台数を増やした構成の一例である。すなわち、仮想ディスク３０１に代えて、４台のＭＬＣ１０４のデータ領域２０１からＲＡＩＤ０が構成された仮想ディスク４０１（第１の仮想記憶装置）を備え、且つ、仮想ディスク３０２に代えて、その仮想ディスク４０１とＳＬＣ１０３のデータ領域２０３とからＲＡＩＤ１が構成された仮想ディスク４０２を備えること以外は、図２及び図３に示すストレージシステム３００と同様に構成されたものである。
【００４３】
このような構成を有するストレージシステム４００においても、仮想ディスク４０１が、複数台（４台）のＭＬＣ１０４のストライピング（ＲＡＩＤ０）によって構築され、且つ、その仮想ディスク４０１とＳＬＣ１０３のデータ領域がミラーリングされ（ＲＡＩＤ１が構築され）ているので、ストレージシステム３００と同様の作用効果が奏される。
【００４４】
特に、必要な記憶装置の削減による設置スペース及び消費電力の削減の観点から言えば、仮にＭＬＣ１０４のＲＡＩＤ０１又はＲＡＩＤ１０のみで図４に示すようなデータ冗長化を行おうとすれば、計８台のＭＬＣ１０４が必要となる。それに対し、本実施形態のストレージシステム４００では、図４に示す如く４台のＭＬＣ１０４と１台のＳＬＣ１０３を用いた計５台の記憶装置で同等のシステムを構築することができる。
【００４５】
なお、上述したとおり、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない限度において様々な変形が可能である。例えば、図２及び図３に示すストレージシステム３００おいて、余剰のデータ領域２０２を組み込んでＲＡＩＤを構成してもよい。そうすれば、ＭＬＣ１０４の大容量性を更に活用することができる。また、この場合、ＭＬＣ１０４同士のＲＡＩＤが構成されることから、書き換え頻度に応じて保存するデータを選別して差別化を図る等すれば、システム全体の更なる高速化に寄与することができる。
【００４６】
また、ＳＬＣ１０３及び／又はＭＬＣ１０４に代えて又は加えて、磁気ディスクを用いてもよい。例えば、図１に示すＨＤＤ１０５とＮＬ−ＨＤＤ１０６を使用する場合、それらの単位時間あたりの回転数比が１：２であれば、それらの動作性能比も１：２程度となるので、図２及び図３に示すストレージシステム３００のＳＬＣ１０３をＨＤＤ１０５（第２の記憶装置）に置換し、且つ、ＭＬＣ１０４をＮＬ−ＨＤＤ１０６（第１の記憶装置）に置換することができる（但し、構成はこれに限定されない。）。なお、磁気ディスクには、フラッシュメモリのような最大書き込み量の限界といったものは存在しない。
【００４７】
さらに、前述した各実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
【００４８】
（付記１）  動作性能が比較的劣る複数（少なくとも２つ）の第１の記憶装置と、
動作性能が比較的優れる（少なくとも１つの）第２の記憶装置と、
を備えており、
前記複数の第１の記憶装置（の少なくとも一部）のストライピングにより第１の仮想記憶装置が構成され、
前記第１の仮想記憶装置と前記第２の記憶装置（の少なくとも一部）とのミラーリングにより第２の仮想記憶装置が構成される、
データ冗長化システム（データ冗長化装置、ストレージシステム）。
【００４９】
（付記２）  前記第１の記憶装置及び前記第２の記憶装置がフラッシュメモリ等の不揮発性メモリである、
付記１記載のデータ冗長化システム（データ冗長化装置、ストレージシステム）。
【００５０】
（付記３）  前記第１の記憶装置及び前記第２の記憶装置がハードディスクドライブである、
付記１記載のデータ冗長化システム（データ冗長化装置、ストレージシステム）。
【００５１】
（付記４）  前記第１の記憶装置及び／又は前記第２の記憶装置上の領域の一部（上記各少なくとも一部の残部の少なくとも一部）であり且つ前記第１の仮想記憶装置及び前記第２の仮想記憶装置に組み込まれていない余剰領域が、前記第１の仮想記憶装置及び前記第２の仮想記憶装置とは別の仮想的な記憶装置として使用される、
付記１〜３の何れか１項記載のデータ冗長化システム（データ冗長化装置、ストレージシステム）。
【００５２】
（付記５）  動作性能が比較的劣る複数の第１の記憶装置のストライピングにより第１の仮想記憶装置を構成し、
動作性能が比較的優れる第２の記憶装置と前記第１の仮想記憶装置とのミラーリングにより第２の仮想記憶装置を構成し、
前記第１の仮想記憶装置及び前記第２の仮想記憶装置の両方へデータを書き込み、
前記第１の仮想記憶装置及び前記第２の仮想記憶装置の少なくとも何れか一方からデータを読み出す、
データ冗長化システム（データ冗長化方法、ストレージシステム）。
【００５３】
コンピュータに、
動作性能が比較的劣る複数の第１の記憶装置のストライピングにより第１の仮想記憶装置を構成する機能と、
動作性能が比較的優れる第２の記憶装置と前記第１の仮想記憶装置とのミラーリングにより第２の仮想記憶装置を構成する機能と、
前記第１の仮想記憶装置及び前記第２の仮想記憶装置の両方へデータを書き込む機能と、
前記第１の仮想記憶装置及び前記第２の仮想記憶装置の少なくとも何れか一方からデータを読み出す機能と、
を実現させるためのプログラム。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
以上説明したとおり、本発明のデータ冗長化システム及びプログラムは、装置規模の縮小化、転送速度の高速化、長寿命化、低コスト化、及び大容量化といった優れた動作性能と特性を発現することができる。これにより、導入コストと消費電力や保守費用等のランニングコストを低減して経済性を向上させることができるとともに、構成機器ひいてはシステム全体の設置スペースを削減することが可能となる。したがって、本発明によるデータ冗長化システム及びプログラムは、種々のデータを扱うシステム、それを用いたデータ冗長化による管理、それらに使用される又はそれらを備える装置、機器、システム、設備等、及び、それらの製造、使用、運用等に広く且つ有効に利用することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１００  ストレージシステム（データ冗長化システム）
１０１  コントローラ
１０２  ディスクエンクロージャ
１０３  ＳＬＣ（第２の記憶装置）
１０４  ＭＬＣ（第１の記憶装置）
１０５  ＨＤＤ（第２の記憶装置）
１０６  ＮＬ−ＨＤＤ（第１の記憶装置）
２０１  データ領域
２０２  データ領域（余剰領域）
２０３  データ領域
３００  ストレージシステム（データ冗長化システム）
３０１  仮想ディスク（第１の仮想記憶装置；ＲＡＩＤ０）
３０２  仮想ディスク（第２の仮想記憶装置；ＲＡＩＤ１）
４００  ストレージシステム（データ冗長化システム）
４０１  仮想ディスク（第１の仮想記憶装置；ＲＡＩＤ０）
４０２  仮想ディスク（第２の仮想記憶装置；ＲＡＩＤ１）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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