(57)【要約】      （修正有）【課題】プローブ針の酸化を防止する酸化防止ガスに含まれるダスト等が被検査体の電気的な検査に及ぼす影響を軽減可能な検査装置を提供する。【解決手段】ウェハ状態の被検査体１４の表面上に形成された電極パッドと、プローブカード１１に取り付けられたプローブ針１２の先端を接触させて、被検査体１４の電気的な検査を行なう検査装置であって、プローブ針１２の先端の酸化を防止する酸化防止ガスを、プローブ針１２の先端に向けて供給するガス供給手段１６、酸化防止ガスを受け付けてガス供給手段１６へ供給するガス供給ライン１７、及び、ガス供給ライン１７上に介装された酸化防止ガスに含まれるダストを除去する第１フィルタ装置１８を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ状態の被検査体の表面上に形成された電極パッドと、プローブカードに取り付けられたプローブ針の先端を接触させて、前記被検査体の電気的な検査を行なう検査装置であって、
前記プローブ針の先端の酸化を防止する酸化防止ガスを、前記プローブ針の先端に供給するガス供給手段、
前記酸化防止ガスを受け付けて前記ガス供給手段へ供給するガス供給ライン、及び、
前記ガス供給ライン上に介装された前記酸化防止ガスに含まれるダストを除去する第１フィルタ装置を備えていることを特徴とする検査装置。
【請求項２】
前記プローブカード、及び、前記被検査体を載置する可動ステージを内部に収容する筐体と、
前記筐体内のガスを吸引して前記筐体外に排出する排出手段と、を備え、
前記排出手段によって排出されるガス内に含まれるダストを除去する第２フィルタ装置が設置されていることを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
前記排出手段の前記筐体内のガスの吸引口が、前記筐体内の前記可動ステージより下方に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の検査装置。
【請求項４】
前記筐体内に、前記筐体内のガスを下方に向けて送風する送風手段を備えていることを特徴とする請求項２または３に記載の検査装置。
【請求項５】
前記送風手段に送風されるガス内に含まれるダストを除去する第３フィルタ装置が設置されていることを特徴とする請求項４に記載の検査装置。
【請求項６】
前記プローブカードが開口部を有する場合、前記開口部を介して前記筐体内の第１空間と連通する前記筐体外の第２空間を密封する密封構造を備え、
前記第１空間と前記第２空間が一体化して密封されることを特徴とする請求項２〜５の何れか１項に記載の検査装置。
【請求項７】
前記被検査体がイメージセンサである場合、前記第１フィルタ装置が、前記イメージセンサの最小画素サイズに０．１〜０．７の範囲内の所定の比率を乗じた寸法より大きなダストを除去する能力を有することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハ状態の被検査体の表面上に形成された電極パッドとプローブカードに取り付けられたプローブ針の先端を接触させて前記被検査体の電気的な検査を行なう検査装置に関し、特に、半導体ウェハのプロービング試験を行う検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハ状態にある半導体チップを検査するための治具として、プローブカードを用いたウェハテストは、集積回路上に形成された電極パッドにプローブ針を接触させることにより行われる。
【０００３】
従来技術において、半導体ウェハのプロービング試験を行なう検査装置のシステム構成を図５に示す。図５において、検査装置３０は、噴出ノズル３１、プローブ針３２が取り付けられたカンチレバー型のプローブカード３３、半導体ウェハ３４を固定するウェハステージ３５、及び、筐体３６を備え、プローブ針３２を介してチップ上の電極パッドに入力するための電気信号を生成し、且つ、斯かる電極パッドに出力される出力信号を分析してチップの良否を判定する信号処理部３７を備える。
【０００４】
ここで、噴出ノズル３１により、酸化防止ガス（例えば、窒素ガス等の不活性ガス）をプローブ針３２に吹き付けることで、プローブ針３２の酸化を防いでいる。
【０００５】
このように、従来の検査装置では、噴射ノズルを介し、プローブ針に向かって酸化防止ガスを吹き付けることで、プローブ針先の酸化を防止している（例えば、下記の特許文献１を参照）。
【０００６】
更に、特許文献２に示す検査装置では、噴射ノズルを用いたうえで、さらにウェハステージ全体を筐体で囲い、斯かる筐体内に酸化防止ガスを注入することでパージガス雰囲気を維持し、プローブ針先の酸化を防止している。
【０００７】
一方、このような噴射ノズルを用いる構成は、中央部に開口部を持たない垂直型プローブカードでは利用が困難である。特許文献３では、プローブカードの上部基板と下部基板の間に中空部が設けられ、酸化防止ガスを通過させるための孔を上部基板と下部基板に設けることで、垂直型プローブカードに対しても、斯かる噴射ノズルの利用を可能としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平７−２７３１５７号公報
【特許文献２】特開２００１−７１６４号公報
【特許文献３】特開平１１−２１８５４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述の特許文献１〜３に開示された酸化防止ガスをプローブ針に吹き付けてプローブ針の酸化を防止する従来の検査装置では、酸化防止ガスにダスト等が含まれている場合に、当該ダストが検査対象の半導体チップ表面に付着して、検査の障害となる場合があった。ＣＣＤセンサやＣＭＯＳセンサ等の半導体イメージセンサでは、表面に付着したダスト等によって光の入射が妨げられることから、特に問題となる。
【００１０】
また、プローブ針を電極パッドに接触させた際に生じるダストについても考慮されておらず、酸化防止ガスの吹き出しによりダストが舞う虞があり、特に半導体イメージセンサ等のセンシングデバイスでは運用が困難であった。
【００１１】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、プローブ針の酸化を防止する酸化防止ガスに含まれるダスト等が被検査体の電気的な検査に及ぼす影響を軽減可能な検査装置を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、ウェハ状態の被検査体の表面上に形成された電極パッドと、プローブカードに取り付けられたプローブ針の先端を接触させて、前記被検査体の電気的な検査を行なう検査装置であって、前記プローブ針の先端の酸化を防止する酸化防止ガスを、前記プローブ針の先端に供給するガス供給手段、前記酸化防止ガスを受け付けて前記ガス供給手段へ供給するガス供給ライン、及び、前記ガス供給ライン上に介装された前記酸化防止ガスに含まれるダストを除去する第１フィルタ装置を備えていることを第１の特徴とする検査装置を提供する。
【００１３】
更に、上記第１の特徴の検査装置は、前記プローブカード、及び、前記被検査体を載置する可動ステージを内部に収容する筐体と、前記筐体内のガスを吸引して前記筐体外に排出する排出手段と、を備え、前記排出手段によって排出されるガス内に含まれるダストを除去する第２フィルタ装置が設置されていることを第２の特徴とする。
【００１４】
更に、上記第２の特徴の検査装置において、前記排出手段の前記筐体内のガスの吸引口が、前記筐体内の前記可動ステージより下方に配置されていることが好ましい。
【００１５】
更に、上記第２の特徴の検査装置は、前記筐体内のガスを下方に向けて送風する送風手段を備えていることを第３の特徴とする。
【００１６】
更に、上記第３の特徴の検査装置において、前記送風手段に送風されるガス内に含まれるダストを除去する第３フィルタ装置が設置されていることが好ましい。
【００１７】
更に、上記第２または第３の特徴の検査装置において、前記プローブカードが開口部を有する場合、前記開口部を介して前記筐体内の第１空間と連通する前記筐体外の第２空間を密封する密封構造を備え、前記第１空間と前記第２空間が一体化して密封されることが好ましい。
【００１８】
更に、上記第１乃至第３の何れかの特徴の検査装置において、前記被検査体がイメージセンサである場合、前記第１フィルタ装置が、前記イメージセンサの最小画素サイズに０．１〜０．７の範囲内の所定の比率を乗じた寸法より大きなダストを除去する能力を有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
上記第１の特徴の検査装置によれば、酸化防止ガスに含まれるダストが第１フィルタ装置によって除去されるため、当該ダストが被検査体の電気的な検査に及ぼす影響を軽減することができる。
【００２０】
更に、上記第２の特徴の検査装置によれば、排出手段に第２フィルタ装置が設置されているため、検査装置の筐体内で発生したダストを筐体外へ排出するのを防止でき、検査装置を設置している室内の単位体積当たりのダスト数を低レベルに維持することができる。
【００２１】
更に、上記第２の特徴の検査装置において、排出手段の筐体内におけるガスの吸引口を可動ステージより下方に設けることで、或いは、上記第３の特徴の検査装置により、筐体内で下向きの気流が発生し、プローブ針が電極パッドに接触して生じるダストや、可動ステージの機械的動作によって生じるダスト等が、当該気流によって筐体内下方に搬送されるため、筐体内で発生したダストが被検査体の表面上に付着するのを防止することができる。
【００２２】
更に、プローブカードが開口部を有する場合に、上記密封構造を備えることで、当該開口部を介して筐体外から筐体内にダストが侵入すること、或いは、筐体内で発生したダストを筐体外に排出するのを防止できる。
【００２３】
更に、上記何れかの特徴の検査装置によれば、被検査体がイメージセンサである場合において、イメージセンサの電気的な検査に及ぼす可能性の高いダストを除去でき、ダストに起因する見かけ上の検査不良を排除でき、検査歩留まりの向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る検査装置の構成例を模式的に示す図
【図２】図１に示す検査装置における酸化防止ガスを噴射するノズル及び給気ラインを構成する要部を模式的に示す図
【図３】図１に示す検査装置において給気ラインに第１フィルタを設けた場合の効果の検証結果を示す図
【図４】本発明の第２実施形態に係る検査装置の構成例を模式的に示す図
【図５】従来の検査装置の構成例を模式的に示す図
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下において、本発明の検査装置（以下、適宜「本検査装置」と称す）の実施形態につき図面を参照して説明する。
【００２６】
［第１実施形態］
図１は、本検査装置の第１実施形態における構成例を模式的に示す側面図で、本検査装置１の筐体１０の内部については、当該内部の構成を透視して示している。尚、図１は、模式図であり、要部を強調表示しているため、各部の寸法比は、実際の本検査装置と必ずしも同じではない。
【００２７】
図１に示すように、本検査装置１は、筐体１０内に、プローブカード１１、プローブカード１１を取り付けるカード支持部１３、複数の被検査体がマトリクス状に配置され形成されている半導体ウェハ１４を載置して支持する可動ステージ１５、プローブカード１１に取り付けられたプローブ針１２の先端に向けて酸化防止ガスを噴射するノズル１６（ガス供給手段に相当）、外部から酸化防止ガスを受け付けてノズル１６に供給する給気ライン１７（ガス供給ラインに相当）、給気ライン１７の途中に設けられた第１フィルタ１８、筐体１０内のガスを筐体１０の外部に排出する排気ライン１９、排気ライン上に設けられた吸引ファン２０と第２フィルタ２１、筐体１０内の上部に設けられた筐体１０の底部に向けて送風する送風ファン２２（送風手段に相当）、及び、送風ファン２２の吸引口に設けられた第３フィルタ２３を備えて構成される。
【００２８】
本実施形態では、プローブカード１１は、プローブ針１２がプローブカード１１の板面から垂直に下方に向けて突出し、プローブ針１２の先端が集合する場所に開口部のない垂直型プローブカードである。そのため、筐体１０は、プローブカード１１を取り付けたカード支持部１３が筐体１０の天板１０ａに装着された状態で、給気ライン１７及び排気ライン１９を除いて密封状態であり、ダスト等が出入り不可能な構造となっている。
【００２９】
また、プローブカード１１及びカード支持部１３が筐体１０に装着された状態で、プローブカード１１の上面に設けられた接続端子に接触するポゴピンリング３、及び、ポゴピンリング３を介してプローブ針１２と電気信号の授受を行うテストヘッド４が、プローブカード１１の上方に配置されている。尚、テストヘッド４は、テスト装置５と接続している。テスト装置５は、被検査体の電極パッドに入力する電気信号を生成するとともに、電極パッドから出力された電気信号を受信し、当該受信した電気信号を分析して、被検査体の良否を判定する。また、本実施形態では、テスト装置５は、可動ステージ１５の位置決め及び移動の制御を行う。
【００３０】
本実施形態では、図２に示すように、カード支持部１３に、プローブ針１２を取り囲むように複数のノズル１６が形成されており、給気ライン１７の一端は、カード支持部１３に形成された複数のノズル１６に連通する通気孔の入口２４に接続している。給気ライン１７の他端は、筐体１０の外部に設置された酸化防止ガスの供給源（図示せず）に接続している。酸化防止ガスは、窒素等の不活性ガス或いは還元性ガスを使用し、酸化防止ガスの供給源は、酸化防止ガスを充填したガスボンベや空気から窒素を生成する酸化防止ガス生成装置等の形態が想定される。また、酸化防止ガスの供給源または給気ライン１７の途中には、酸化防止ガスの流量を調整する流量調整器（図示せず）や圧力調整器（図示せず）が必要に応じて設けられている。
【００３１】
排気ライン１９と吸引ファン２０によって、筐体１０内のガスを吸引して筐体１０外に排出する排出手段が構成される。排出手段は、吸引ファン２０に代えて吸引ポンプを用いて構成してもよい。吸引ファン２０や吸引ポンプは、筐体１０内の複数箇所に設置してもよく、或いは、筐体１０外に設置してもよい。また、第２フィルタ２１も、筐体１０外に設置してもよい。図１に示す例では、吸引ファン２０及び第２フィルタ２１は筐体１０内に設置され、排気ライン１９の一端が吸引ファン２０に接続し、他端が筐体１０外に開口している。吸引ファン２０が筐体１０内に設置されている場合、第２フィルタ２１を吸引ファン２０の吸引口に設けてもよい。
【００３２】
また、本実施形態では、吸引ファン２０の吸引口を、筐体１０内の可動ステージ１５より下方に配置し、筐体１０内の上部に送風ファン２２を下向きに設けることで、筐体１０内に下向きに流れる気流が発生するようにしている。
【００３３】
第１乃至第３フィルタ１８，２１，２３は、夫々、多孔質のろ過膜で、流入したガスに含まれる、直径が例えば０．１〜０．７μｍ程度以上のダストを捕獲し、ダスト除去後のガスを排出する。各フィルタ１８，２１，２３の構造、ろ過膜を使用する場合のろ過膜の材質等は、上述のダストを除去できる限りにおいて、特定の構造や方式のフィルタに限定されない。尚、第１フィルタ１８がろ過膜を使用する場合、ろ過膜中にダストを吸着するための水分等が含まれると、ダスト除去後の酸化防止ガスに当該水分等が混入して、プローブ針の先端の酸化防止効果が低減する虞があり、好ましくない。従って、各フィルタ１８，２１，２３では、通過するガスに水分等の余分な物質が付加されない構造及び方式が好ましい。
【００３４】
給気ライン１７は、金属製或いは樹脂製の配管を用いて構成されるが、金属製配管の錆や樹脂製配管の劣化により、給気ライン１７内で上述のダストが発生する可能性があり、また、図示しない酸化防止ガスの供給源でダストが発生する可能性もある。従って、給気ライン１７の途中に、第１フィルタ１８を設けることで、ダスト除去後の酸化防止ガスを、カード支持部１３に設けられたノズル１６からプローブ針１２の先端に向けて噴射することができる。この結果、プローブ針１２の先端の酸化を防止できるとともに、半導体ウェハ１４の表面に酸化防止ガスに含まれているダストが付着するのを防止でき、被検査体の電気的な検査において、ダストに起因する検査不良による歩留まり低下を防止できる。特に、被検査体が、ＣＣＤセンサやＣＭＯＳセンサ等の半導体イメージセンサでは、表面に付着したダスト等によって光の入射が妨げられることから、ダストに起因する検査不良が特に問題となるところ、第１フィルタ１８による改善効果が顕著となる。この場合、第１フィルタ１８によって、半導体イメージセンサの最小画素サイズに０．１〜０．７の範囲内の所定の比率を乗じた寸法より大きなダストを除去できることが好ましい。
【００３５】
図３に、給気ライン１７に第１フィルタ１８を設けた場合と設けない場合のノズル１６から噴出した酸化防止ガス中のダスト数を、可動ステージ１５上の空間で測定した結果を示す。図３中、実線の折れ線が、第１フィルタ１８を設けた場合のダストの検出数を示し、破線の折れ線が、第１フィルタ１８を設けない場合のダストの検出数を示し、一点鎖線の直線が、ウェハテスト環境での基準値を示す。図３に示すダスト数の測定例では、レーザ光を用いた光学式のパーティクルカウンタを用いて、１分間毎に一定体積のガス中に存在する直径０．３〜１．０μｍのダストの個数をカウントした。図３より、第１フィルタ１８を設けた場合は、測定開始１分後から安定的にダストの検出数は基準値以下となっているのに対して、第１フィルタ１８を設けない場合は、測定開始後６分間程度は不安定な状態が続き、安定化した後も、ダストの検出数は基準値を上回っていることが分かる。
【００３６】
尚、酸化防止ガスとして空気より比重の小さい気体を使用すると、可動ステージ１５の上方に酸化防止ガスが滞留して、筐体１０の下方には、当初筐体１０内に存在した空気が主として滞留し、流入した酸化防止ガスと同量の空気または空気と酸化防止ガスの混合ガスが、排気ライン１９から筐体１０外に排出され、徐々に筐体１０内の酸化防止ガスの濃度が高くなり、逆に酸化性ガスである酸素の濃度が低下する。従って、吸引ファン２０の吸引口を、筐体１０内の可動ステージ１５より下方に配置することで、筐体１０内において、可動ステージ１５の上方が、下方により相対的に、酸化防止ガスの濃度が高くなり、逆に酸化性ガスである酸素の濃度が低下する。本実施形態で酸化防止ガスとして使用する窒素は、空気中の約７５％（重量比）を占め、空気より僅かに比重が小さい。
【００３７】
筐体１０内には、可動ステージ１５等の機械的な可動部分が存在するため、当該可動部分からダストが発生する可能性がある。また、筐体１０内の他の金属部材の錆や樹脂部品の劣化によりダストが発生する可能性もある。更に、プローブ針１２の先端が被検査体の電極パッドに接触することで、電極パッドを構成する金属材料（アルミニウム等）の削り屑がダストとして発生する可能性もある。当該削り屑は、プローブ針１２の先端に向けて噴射される酸化防止ガスによって半導体ウェハ１４上に飛散する可能性がある。
【００３８】
従って、上述のように、筐体１０内に下向きに流れる気流が発生することで、筐体１０内で発生したダストや筐体１０内に流入したダストが、当該下向きに流れる気流よって、下方に移動することで、半導体ウェハ１４の表面に舞い戻って付着することが回避され、被検査体の電気的な検査において、ダストに起因する検査不良による歩留まり低下を防止できる。
【００３９】
更に、送風ファン２２の吸引口に設けられた第３フィルタ２３によって、被検査体の電気的な検査に悪影響を及ぼすダストが除去されるため、排出手段によって筐体１０外に排出されずに、筐体１０内を対流するガス中のダスト数が低減され、当該ダストが半導体ウェハ１４の表面に舞い戻って付着することが、より効果的に回避される。
【００４０】
更に、排出手段に第２フィルタ２１を設けることによって、筐体１０内のダストをそのまま筐体１０外に排出するのを防止できる。これにより、本検査装置１を設置している室内のクリーン度（単位体積当たりのダスト数の少なさ）を一定レベル以下に維持できる。
【００４１】
［第２実施形態］
図４は、本検査装置の第２実施形態における構成例を模式的に示す側面図で、本検査装置２の筐体１０の内部については、当該内部の構成を透視して示している。尚、図４は、模式図であり、要部を強調表示しているため、各部の寸法比は、実際の本検査装置と必ずしも同じではない。また、第１実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付して説明する。
【００４２】
図４に示すように、本検査装置２は、第１実施形態の本検査装置１と同様に、筐体１０内に、プローブカード１１、プローブカード１１を取り付けるカード支持部１３、複数の被検査体がマトリクス状に配置され形成されている半導体ウェハ１４を載置して支持する可動ステージ１５、筐体１０内のガスを筐体１０の外部に排出する排気ライン１９、排気ライン上に設けられた吸引ファン２０と第２フィルタ２１、筐体１０内の上部に設けられた筐体１０の底部に向けて送風する送風ファン２２、及び、送風ファン２２の吸引口に設けられた第３フィルタ２３を備えて構成される。
【００４３】
本実施形態では、プローブカード１１は、開口部２５を有し、プローブ針１２が開口部の外周部から斜め下方に向けて延出するカンチレバー型のプローブカードである。このため、筐体１０内の空間（以下、「第１空間２６」と称す）は、開口部２５を介してポゴピンリング３及びテストヘッド４に囲まれたプローブカード１１上部の空間（以下、「第２空間２７」と称す）と連通している。ポゴピンリング３の下端部と上端部にはポゴピンが配置されているため、ポゴピン間の隙間を介して、第２空間２７は外部空間と連通するため、第２空間２７と連通する第１空間２６は密封状態とはならない。そこで、本実施形態では、第１空間２６及び第２空間２７を外部空間から遮断するために、ポゴピンリング３及びテストヘッド４の内側に気密な素材からなる側壁部２８と蓋部２９で構成される遮蔽体を形成し、遮蔽体によって第２空間２７を密封している。側壁部２８の下端部はプローブカード１１の開口部２５の外周部の上面に密接し、側壁部２８の上端部は蓋部２９の外周端に密接している。
【００４４】
本実施形態では、プローブ針１２の先端に向けて酸化防止ガスを噴射するノズル１６（ガス供給手段に相当）、外部から酸化防止ガスを受け付けてノズル１６に供給する給気ライン１７（ガス供給ラインに相当）、給気ライン１７の途中に設けられた第１フィルタ１８は、筐体１０外に設けられている。具体的には、テストヘッド４の中心部には、給気ライン１７が挿通する貫通孔４ａが設けられ、給気ライン１７と一体にその下流側にノズル１６が形成され、ノズル１６が遮蔽体の蓋部２９の中心部を貫通して、その先端が第２空間２７内に存在している。尚、ノズル１６は蓋部２９を貫通する箇所において蓋部２９と密接している。この結果、筐体１０は、第１実施形態と同様に、給気ライン１７及び排気ライン１９を除いて密封状態であり、ダスト等が出入り不可能な構造となっている。
【００４５】
給気ライン１７の上流側は、第１実施形態と同様に、筐体１０の外部に設置された酸化防止ガスの供給源（図示せず）に接続している。酸化防止ガス、給気ライン１７及び酸化防止ガスの供給源については、第１実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。本実施形態では、上述の構成により、酸化防止ガスが、ノズル１６から第２空間２７に噴出され、プローブカード１１の開口部２５を介して、半導体ウェハ１４の表面、つまり、プローブ針１２の先端に供給される。この結果、プローブ針１２の先端の酸化を防止できるとともに、半導体ウェハ１４の表面に酸化防止ガスに含まれているダストが付着するのを防止でき、被検査体の電気的な検査において、ダストに起因する検査不良による歩留まり低下を防止できる。
【００４６】
排出手段（排気ライン１９と吸引ファン２０）、送風ファン２２、及び、第２及び第３フィルタ２１，２３については、構成並びに効果が第１実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。また、第１乃至第３フィルタ１８，２１，２３についても、第１実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
【００４７】
更に、ポゴピンリング３、テストヘッド４、及び、テスト装置５についても、上述の貫通孔４ａが設けられている点以外は、第１実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
【００４８】
［別実施形態］
〈１〉上記各実施形態では、ノズル１６及び給気ライン１７が、カード支持部１３に設けられている場合と、開口部２５を有するプローブカード１１の上方に設けられている場合を想定したが、ノズル１６及び給気ライン１７の配置箇所は、上記各実施形態で説明したものに限定されるものではない。例えば、特許文献１に開示されているように、ノズル１６をプローブ針１２の先端に側方から近接するように設けてもよく、或いは、特許文献１に開示されているように、ノズル１６をプローブカード１１に酸化防止ガスを噴射する開口部を設けて形成するようにしてもよい。
【００４９】
特に、上記第１実施形態では、垂直型プローブカードに対して、ノズル１６及び給気ライン１７をカード支持部１３に設け、上記第２実施形態では、カンチレバー型プローブカードに対して、ノズル１６及び給気ライン１７をプローブカード１１の上方に設けたが、ノズル１６及び給気ライン１７の配置箇所は、使用するプローブカード１１の形式と整合する限りにおいて、特定の設置箇所に限定されるものではない。
【００５０】
更に、ノズル１６の設置数、酸化防止ガスの噴射方向も、プローブ針１２の先端に向けて酸化防止ガスを供給できる限りにおいて特定の個数や方向に限定されるものではない。
【００５１】
更に、酸化防止ガスの噴射方向の異なるノズル１６を複数設ける場合に、当該複数のノズル１６を複数の系統に分割し、系統毎に、給気ライン１７からの酸化防止ガスを独立して受け付けるようにし、プローブ針１２の先端に向けて酸化防止ガスを噴射するノズル１６の数を制御するのも好ましい。これにより、酸化防止ガスの噴射方向を制御できるため、例えば、被検査体の電気的な検査を開始する前に、半導体ウェハ１４の表面に付着しているダスト等を効率的に除去することができる。
【００５２】
〈２〉更に、上記第１実施形態では、図２に示すように、カード支持部１３の側壁部に通気孔の入口２４を設け、筐体１０内において、給気ライン１７の一端が入口２４に直接接続する場合を想定したが、例えば、通気孔の入口２４を、筐体１０の天板１０ａの下面と当接するカード支持部１３の上面に設け、天板１０ａを上下に貫通する貫通孔を入口２４と連通する位置に設け、給気ライン１７の一端を、天板１０ａの貫通孔に接続するのも好ましい。これにより、カード支持部１３を天板１０ａに装着するだけで、自動的に通気孔の入口２４と給気ライン１７が接続される。
【００５３】
〈３〉更に、上記各実施形態では、筐体１０内に、送風ファン２２及び第３フィルタ２３を備える場合を、一例として説明したが、送風ファン２２及び第３フィルタ２３は必ずしも設ける必要はない。排気ライン１９または吸引ファン２０の吸引口が、筐体１０内の下方に設けられていれば、送風ファン２２等が無くても、筐体１０内に下向きに流れる気流を発生させることができる。
【００５４】
〈４〉更に、上記各実施形態では、プローブカード１１は、カード支持部１３を介して筐体１０の天板１０ａに取り付けられる構造を想定したが、プローブカード１１が直接筐体１０の天板１０ａに取り付けられる構造であっても良い。
【００５５】
〈５〉更に、上記各実施形態では、プローブカード１１が、ポゴピンリング３及びテストヘッド４を介して、テスト装置５に接続される場合を、一例として説明したが、テストヘッド４を介さずに、ポゴピンリング３或いは他の形式のコネクタを介して、テスト装置５に接続される構成であっても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、プローブカードを使用してウェハ状態の被検査体の電気的な検査を行なう検査装置、特に、半導体ウェハのプロービング試験を行う検査装置に利用可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１，２：  検査装置
３：      ポゴピンリング
４：      テストヘッド
４ａ：    テストヘッドの貫通孔
５：      テスト装置
１０：    筐体
１０ａ：  筐体の天板
１１：    プローブカード
１２：    プローブ針
１３：    カード支持部
１４：    半導体ウェハ
１５：    可動ステージ
１６：    ノズル（ガス供給手段）
１７：    給気ライン（ガス供給ライン）
１８：    第１フィルタ（第１フィルタ装置）
１９：    排気ライン（排気手段）
２０：    吸引ファン（排気手段）
２１：    第２フィルタ（第２フィルタ装置）
２２：    送風ファン（送風手段）
２３：    第３フィルタ（第２フィルタ装置）
２４：    通気孔の入口
２５：    プローブカードの開口部
２６：    筐体内の空間（第１空間）
２７：    プローブカード上部の空間（第２空間）
２８：    遮蔽体の側壁部
２９：    遮蔽体の蓋部
３０：    従来の検査装置
３１：    噴出ノズル
３２：    プローブ針
３３：    プローブカード
３４：    半導体ウェハ
３５：    ウェハステージ
３６：    筐体
３７：    信号処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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