(57)【要約】【課題】小型（薄型）のセンサーデバイス、及び、その製造方法を提供する。【解決手段】センサーデバイス１は、第１の面１０ａに第１の電極１１および第２の電極１３を有する半導体装置としてのＩＣチップ１０と、第１の電極１１および第２の電極１３を囲むように設けられた枠状の固着部材と、第１の電極１１と電気的に接続された振動片としての振動ジャイロ素子２０と、固着部材９５を介して第１の面１０ａに接合され振動ジャイロ素子２０を覆う空間Ｔを形成する蓋体としてのリッド７０と、第２の電極１３と電気的に接続され、固着部材９５の内部（本実施形態ではＩＣ側固着部材９５ａおよびリッド側固着部材９５ｂの間）を通って空間Ｔの外に延びるリード線４２と、を有している。【選択図】図１
2013002938.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面に第１の電極および第２の電極を有する半導体装置と、
前記第１の電極および前記第２の電極を囲むように設けられた枠状の固着部材と、
前記第１の電極と電気的に接続された振動片と、
前記固着部材を介して前記第１の面に接合され前記振動片を覆う空間を形成する蓋体と、
前記第２の電極と電気的に接続され、前記固着部材の内部を通って前記空間の外に延びるリード線と、を有することを特徴とするセンサーデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサーデバイスにおいて、
前記半導体装置の前記第１の面とは反対側の第２の面に外部実装端子を有し、前記リード線が前記第１の面と前記第２の面とを接続する第３の面を経て前記外部実装端子に電気的に接続されていることを特徴とするセンサーデバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載のセンサーデバイスにおいて、
前記外部実装端子および前記リード線の少なくとも一方と前記第２の面および前記第３の面の少なくとも一方との間に絶縁樹脂層を有することを特徴とするセンサーデバイス。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のセンサーデバイスにおいて、
前記第２の電極と前記第１の面との間に絶縁樹脂層を有することを特徴とするセンサーデバイス。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のセンサーデバイスにおいて、
前記リード線の前記固着部材と接触する面とは異なる面にめっき層が設けられていることを特徴とするセンサーデバイス。
【請求項６】
第１の面に第１の電極および第２の電極を有する半導体装置の前記第１の面に、前記第１の電極および前記第２の電極を囲む枠状の固着部材を設ける工程と、
前記第１の電極に振動片を電気的に接続する工程と、
リード線の第１の端部を前記第２の電極と電気的に接続し、前記第１の端部とは反対側の第２の端部と前記第１の端部との間で前記固着部材と接するように前記リード線を設ける工程と、
前記第１の面に、前記振動片を覆う空間を形成する蓋体を前記固着部材を介して接合する工程と、を有することを特徴とするセンサーデバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のセンサーデバイスの製造方法において、
前記リード線を設ける工程が、前記半導体装置の前記第１の面とは反対側の第２の面に外部実装端子を設け、前記リード線を前記第１の面と前記第２の面とを接続する第３の面を経由させて前記外部実装端子に電気的に接続する工程を含むことを特徴とするセンサーデバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載のセンサーデバイスの製造方法において、
前記リード線を設ける工程の前に、前記外部実装端子および前記リード線の少なくとも一方と前記第２の面および前記第３の面の少なくとも一方との間に絶縁樹脂層を設ける工程を含むことを特徴とするセンサーデバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか一項に記載のセンサーデバイスの製造方法において、
前記リード線の前記固着部材と接触する面とは異なる面にめっき層を設ける工程を含むことを特徴とするセンサーデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサーデバイス、および、センサーデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、加速度や角速度などをセンシングするセンサーデバイスにおいては、振動片（センサー素子）と、その振動片を駆動する駆動回路などの回路素子とを備えた構成のセンサーデバイスが知られている。
例えば、特許文献１には、振動片としての振動ジャイロ素子（ジャイロ振動片）と、回路素子としての半導体装置とを備えたセンサーデバイスとしてのジャイロセンサーが開示されている。
【０００３】
特許文献１に記載のジャイロセンサーの構成では、半導体装置が支持基板に固着され、支持基板に形成されたリード配線部と電気的に接続されている。また、センサー素子（振動ジャイロ素子）は、支持基板に固着されたリード線に接続されることによって、半導体装置と空隙を保ち該半導体装置と平面視で重なるように配置され、パッケージ内に封止されている。このように、半導体装置とセンサー素子とを縦配置することにより、センサーデバイスの小型化（小面積化）を可能にしている。
特許文献１に記載のジャイロセンサーのように、センサー素子（振動片）とＩＣチップ（半導体回路素子）とを縦方向に配置して封止する構成のセンサーデバイスには、従来より、セラミックパッケージが広く用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２９２０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、セラミックパッケージは一般に高価であり、センサーデバイスの低コスト化のネックとなっていた。
また、パッケージの厚みが、センサーデバイスの薄型化の障壁になるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例にかかるセンサーデバイスは、第１の面に第１の電極および第２の電極を有する半導体装置と、前記第１の電極および前記第２の電極を囲むように設けられた枠状の固着部材と、前記第１の電極と電気的に接続された振動片と、前記固着部材を介して前記第１の面に接合され前記振動片を覆う空間を形成する蓋体と、前記第２の電極と電気的に接続され、前記固着部材の内部を通って前記空間の外に延びるリード線と、を有することを特徴とする。
【０００８】
上記構成のセンサーデバイスによれば、従来のセンサーデバイスのようにパッケージを使用せず、半導体装置自体がセンサーデバイスの外形の一部を形成するので、顕著な薄型化を図ることができるとともに、低コスト化が可能になる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記半導体装置の前記第１の面とは反対側の第２の面に外部実装端子を有し、前記リード線が前記第１の面と前記第２の面とを接続する第３の面を経て前記外部実装端子に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、半導体装置の第２の面をセンサーデバイスの外底面として、蓋体により振動片を封止した超薄型のパッケージ型センサーデバイスを提供することができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記外部実装端子および前記リード線の少なくとも一方と前記第２の面および前記第３の面の少なくとも一方との間に絶縁樹脂層を有することを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、リード線と半導体装置との間に絶縁樹脂層が介在することから、リード線が半導体装置の角部に直接当たらなくなり、また、絶縁樹脂層がリード線の裏打ちになっているので、リード線の折り曲げ部分に加わるストレスが軽減されクラックや断線を抑えることができる。
また、リード線に加わる力が絶縁樹脂層で緩和されて半導体装置に加わる衝撃などが抑制されるので、半導体装置へのダメージを抑制することができる。また、第２の面と外部実装端子との間に絶縁樹脂層が介在する構成とした場合には、外部基板と実装する際の熱や衝撃が絶縁樹脂層により緩和され、半導体装置へのストレスを軽減することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記第２の電極と前記第１の面との間に絶縁樹脂層を有することを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、絶縁樹脂層が有する弾性により、外部から加わる衝撃などの力が緩和されて振動片に伝達され難くなり、振動片の周波数温度特性などの特性劣化を抑制することができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記リード線の前記固着部材と接触する面とは異なる面にめっき層が設けられていることを特徴とする。
【００１６】
発明者は、固着部材として低融点ガラスを用いた場合に、リード線に金などのめっき層を形成すると、リード線と固着部材との密着性が著しく低くなることを見出した。
上記構成によれば、特に、固着部材として低融点ガラスを用いたときに、固着部材とリード線との密着不良を回避することができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例にかかるセンサーデバイスの製造方法は、第１の面に第１の電極および第２の電極を有する半導体装置の前記第１の面に、前記第１の電極および前記第２の電極を囲む枠状の固着部材を設ける工程と、前記第１の電極に振動片を電気的に接続する工程と、リード線の第１の端部を前記第２の電極と電気的に接続し、前記第１の端部とは反対側の第２の端部と前記第１の端部との間で前記固着部材と接するように前記リード線を設ける工程と、前記第１の面に、前記振動片を覆う空間を形成する蓋体を前記固着部材を介して接合する工程と、を有することを特徴とする。
【００１８】
上記センサーデバイスの製造方法によれば、半導体装置自体がセンサーデバイスの外形の一部を形成するので著しく薄型化が図られたセンサーデバイスを製造できるとともに、従来のセンサーデバイスのようにパッケージを使用しないことから、低コストにてセンサーデバイスを提供することができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例にかかるセンサーデバイスの製造方法において、前記リード線を設ける工程が、前記半導体装置の前記第１の面とは反対側の第２の面に外部実装端子を設け、前記リード線を前記第１の面と前記第２の面とを接続する第３の面を経由させて前記外部実装端子に電気的に接続する工程を含むことを特徴とする。
【００２０】
この構成によれば、半導体装置の第２の面をセンサーデバイスの外底面として、蓋体により振動片を封止した超薄型のパッケージ型センサーデバイスを製造することができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例にかかるセンサーデバイスの製造方法において、前記リード線を設ける工程の前に、前記外部実装端子および前記リード線の少なくとも一方と前記第２の面および前記第３の面の少なくとも一方との間に絶縁樹脂層を設ける工程を含むことを特徴とする。
【００２２】
この構成によれば、リード線と半導体装置との間に絶縁樹脂層が介在することから、リード線が半導体装置の角部に直接当たらなくなり、また、絶縁樹脂層がリード線の裏打ちになっているので、リード線の折り曲げ部分に加わるストレスが軽減されクラックや断線を抑えることができるので、耐衝撃性が高く、信頼性の高いセンサーデバイスを提供することができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例にかかるセンサーデバイスの製造方法において、前記リード線の前記固着部材と接触する面とは異なる面にめっき層を設ける工程を含むことを特徴とする。
【００２４】
上記構成によれば、特に、固着部材として低融点ガラスを用いたときに、固着部材とリード線との密着不良を回避することができので、信頼性の高いセンサーデバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】センサーデバイスの一実施形態の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、振動片としての振動ジャイロ素子側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図。
【図２】センサーデバイスを底面側（下側）からみた模式平面図。
【図３】振動片としての振動ジャイロ素子の動作を説明する模式平面図。
【図４】振動ジャイロ素子の動作を説明する模式平面図。
【図５】センサーデバイスの製造方法を示すフローチャート。
【図６】センサーデバイスの変形例１の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、振動ジャイロ素子側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）の断面図。
【図７】変形例１のセンサーデバイスに用いるリード線が形成されたフレキシブル基板を模式的に示す平面図。
【図８】センサーデバイスの変形例２の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、振動ジャイロ素子側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
【００２７】
図１は、センサーデバイスの一実施形態の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、振動片としての振動ジャイロ素子側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。なお、図１（ａ）では、センサーデバイスの主要部を説明する便宜上、蓋体としてのリッドの図示を省略している。
また、図２は、センサーデバイスを底面側（下側）からみた模式平面図である。
【００２８】
図１に示すように、センサーデバイス１は、第１の面１０ａに第１の電極１１および第２の電極１３が設けられた半導体装置としてのＩＣチップ１０と、第１の電極１１と電気的に接続されながらＩＣチップ１０の第１の面１０ａに保持された振動片としての振動ジャイロ素子（ジャイロ振動片）２０と、第１の面１０ａ上に振動ジャイロ素子２０を囲むように設けられた枠状の固着部材９５を介して接合され振動ジャイロ素子２０を覆う空間Ｔを形成する蓋体としてのリッド７０と、第２の電極１３と電気的に接続され、固着部材９５の内部を通って空間Ｔの外に延びるリード線４２と、を備えている。
【００２９】
まず、センサーデバイス１における振動片としての振動ジャイロ素子２０について詳細に説明する。
振動ジャイロ素子２０は、圧電材料である水晶を基材（主要部分を構成する材料）として形成されている。水晶は、電気軸と呼ばれるＸ軸、機械軸と呼ばれるＹ軸及び光学軸と呼ばれるＺ軸を有している。
そして、振動ジャイロ素子２０は、水晶結晶軸において直交するＸ軸及びＹ軸で規定される平面に沿って切り出されて平板状に加工され、平面と直交するＺ軸方向に所定の厚みを有している。なお、所定の厚みは、発振周波数（共振周波数）、外形サイズ、加工性などにより適宜設定される。
【００３０】
また、振動ジャイロ素子２０を成す平板は、水晶からの切り出し角度の誤差を、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の各々につき多少の範囲で許容できる。例えば、Ｘ軸を中心に０度から２度の範囲で回転して切り出したものを使用することができる。Ｙ軸及びＺ軸についても同様である。
振動ジャイロ素子２０は、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング（ウェットエッチングまたはドライエッチング）により形成されている。なお、振動ジャイロ素子２０は、１枚の水晶ウェハーから複数個取りすることが可能である。
【００３１】
図１（ａ）に示すように、本実施形態の振動ジャイロ素子２０は、ダブルＴ型と呼ばれる構成となっている。詳述すると、振動ジャイロ素子２０は、中心部分に位置する基部２１と、基部２１からＹ軸に沿って延伸された振動部としての一対の検出用振動腕２２ａ，２２ｂと、検出用振動腕２２ａ，２２ｂと直交するように、基部２１からＸ軸に沿って延伸された一対の連結腕２３ａ，２３ｂと、検出用振動腕２２ａ，２２ｂと平行になるように、各連結腕２３ａ，２３ｂの先端側からＹ軸に沿って延伸された振動部としての各一対の駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂと、を備えている。
【００３２】
各検出用振動腕２２ａ，２２ｂの先端側には、他の部分より幅が大きい（Ｘ軸方向の長さが大きい）略矩形状の錘部２６ａ，２６ｂを有している。同様に、二対の駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ及び駆動用振動腕２５ａ，２５ｂそれぞれの先端側には、他の部分より幅が大きい略矩形状の錘部２７ａ，２７ｂ及び錘部２８ａ，２８ｂを有している。これら錘部２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂによって、振動ジャイロ素子２０は、小型化を図りながら角速度の検出感度を向上させることができる。
【００３３】
また、振動ジャイロ素子２０は、一対の固定部１９ａ，１９ｂを備えている。このうち一方の固定部１９ａは、一対の検出用振動腕２２ａ，２２ｂのうちの一方の検出用振動腕２２ａに対してＹ軸の正の方向に配置されている。また、他方の固定部１９ｂは、一対の検出用振動腕２２ａ，２２ｂのうち他方の検出用振動腕２２ｂに対してＹ軸の負の方向側に配置されている。各固定部１９ａ，１９ｂのＸ軸方向の長さは、各検出用振動腕２２ａ，２２ｂの錘部２６ａ，２６ｂのＸ軸方向の長さよりも大きく、例えば、一対の連結腕２３ａ，２３ｂ及び基部２１のＸ軸方向の長さの合計と同じ程度である。なお、図示の例では、各固定部１９ａ，１９ｂの平面形状は略矩形であるが、特に限定されるものではない。固定部１９ａ，１９ｂは、各検出用振動腕２２ａ，２２ｂと、各駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂとから離間して配置されている。各固定部１９ａ，１９ｂは、接合部材１２を介してＩＣチップ１０に固定される部位となる。
【００３４】
図１（ａ）に示すように、基部２１から一方の固定部１９ａまでの間には、一対の梁９ａ，９ｃが設けられている。このうち一方の梁９ａは、基部２１から検出用振動腕２２ａと駆動用振動腕２４ａとの間を通って延出されて固定部１９ａに接続され、他方の梁９ｃは、基部２１から検出用振動腕２２ａと駆動用振動腕２５ａとの間を通って延出されて固定部１９ａに接続されている。
同様に、基部２１から他方の固定部１９ｂまでの間には、一対の梁９ｂ，９ｄが設けられている。このうち一方の梁９ｂは、基部２１から検出用振動腕２２ｂと駆動用振動腕２４ｂとの間を通って延出されて固定部１９ｂに接続され、他方の梁９ｄは、基部２１から検出用振動腕２２ｂと駆動用振動腕２５ｂとの間を通って延出されて固定部１９ｂに接続されている。各梁９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄは、図示するようなＳ字形状をそれぞれ有することができる。このように、細長く蛇行した形状を有する梁９ａ〜９ｄによって各固定部１９ａ，１９ｂと基部２１が接続されることによって、振動ジャイロ素子２０の要部がＸ軸方向及びＹ軸方向に弾性を得ることができる。
【００３５】
基部２１の中心は、振動ジャイロ素子２０の重心位置としての重心Ｇであることができる。Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、互いに直交し、重心Ｇを通るものとする。振動ジャイロ素子２０は、重心Ｇに関して点対称であることができる。即ち、振動ジャイロ素子２０は、ＸＺ平面に関して面対称であり、かつＹＺ平面に関して面対称であることができる。
【００３６】
また、振動ジャイロ素子２０は、検出用振動腕２２ａ，２２ｂに、図示しない検出電極が形成され、駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂに、図示しない駆動電極が形成されている。
振動ジャイロ素子２０は、検出用振動腕２２ａ，２２ｂで、角速度を検出する検出振動系を構成し、連結腕２３ａ，２３ｂと駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂとで、振動ジャイロ素子２０を駆動する駆動振動系を構成している。
【００３７】
振動ジャイロ素子２０は、平面視において、ＩＣチップ１０と重なるようにＩＣチップ１０の第１の面１０ａ側に配置されている。
【００３８】
振動ジャイロ素子２０の各固定部１９ａ，１９ｂそれぞれのＩＣチップ１０と対向する側の面には、上記各検出電極、各駆動電極から引き出された引き出し電極２９が形成されている。
【００３９】
次に、半導体装置としてのＩＣチップ１０について図面に沿って説明する。
ＩＣチップ１０には、第１の面１０ａ側にトランジスターやメモリー素子などの半導体素子を含んで構成される集積回路（図示せず）が形成されている。この集積回路には、振動ジャイロ素子２０を駆動振動させるための駆動回路と、角速度が加わったときに振動ジャイロ素子２０に生じる検出振動を検出する検出回路とが備えられている。
ＩＣチップ１０は、図１及び図２に示すように、第１の面１０ａ側に設けられた複数の第１の電極（電極パッド）１１、および、第２の電極１３を備えている。
【００４０】
第１の電極１１、および、第２の電極１３は、ＩＣチップ１０の集積回路に直接導通して形成されたものである。第１の電極１１は振動ジャイロ素子２０に接続され、また、第２の電極１３は外部実装基板に接続される電極である。本実施形態の第１の電極１１は、振動ジャイロ素子２０の引き出し電極２９と平面視で重なる領域に設けられている。
また、第１の面１０ａ上には、パッシベーション膜となる絶縁膜（図示せず）が形成されている。絶縁膜は、酸化珪素（ＳｉＯ2）、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）などの無機絶縁材料、あるいは、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）及びＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）などの樹脂を用いて形成することができる。
【００４１】
第１の電極１１や第２の電極１３、あるいはその他の電極は、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、または、これらを含む合金などを用いて形成することができる。特に第２の電極１３については、後述するリード線に接合する際の接合性を高めるため、その表面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）のメッキを施しておくのが好ましい。このようにすることで、特にさびによる接触性、接合性の低下を防止することができる。
また、第１の電極１１や第２の電極１３、あるいはその他の電極は、ハンダメッキ、ハンダプリコートなどの最表面処理を施したものとしてもよい。
【００４２】
第１の面１０ａの周縁部には、蓋体としてのリッド７０の接合に供する枠状の固着部材９５が設けられている。本実施形態では、ＩＣチップ１０にリッド７０を接合する前の状態において、ＩＣチップ１０側に設けられたＩＣ側固着部材９５ａと、リッド７０側に設けられたリッド側固着部材９５ｂとの２層により固着部材９５が形成されている。
固着部材９５は、平面視で第１の電極１１および第２の電極１３を囲むように設けられ、第１の電極１１と振動ジャイロ素子２０とを電気的に接続しながらＩＣチップ１０上に固定した状態において、振動ジャイロ素子２０を囲むように設けられている。
固着部材９５には絶縁性の接合用材料が用いられ、リッド７０の材質に応じて種々のものを選ぶことができる。本実施形態では、リッド７０にガラスを用いるので、ガラスとＩＣチップ１０の材料であるシリコンとの接合に好適な低融点ガラスを用いて固着部材９５を形成する。この他、固着部材９５には、例えば、樹脂系の接着剤などを用いることができる。
【００４３】
図２に示すように、ＩＣチップ１０の第１の面（１０ａ）とは反対側の第２の面（底面）１０ｂには、センサーデバイス１を外部基板に実装する際に用いる複数の外部実装端子４５が配設されている。
なお、複数の外部実装端子４５の一部は、実装用として用いることの他、センサーデバイス１の動作確認や特性値の計測などに用いるテスト端子や、ＩＣチップ１０にデータを書き込む際の入力端子となる書き込み端子として用いることもできる。
【００４４】
図１において、複数の第２の電極１３には、銅（Ｃｕ）などの金属により形成されたリード線４２の一端が導電性の接合部材１４を介して接合されている。接合部材１４には、銀ペーストなどの導電性接着剤、金属バンプ、半田、あるいは、樹脂ブロックの表面に電極膜を形成した樹脂コアバンプなど、種々の導電性接合部材を用いることができる。
各リード線４２はＩＣチップ１０の周縁側に向かって延び、固着部材９５の内部（本実施形態では、ＩＣ側固着部材９５ａとリッド側固着部材９５ｂとの間）を通って第１の面１０ａより外に延びている。第１の面１０ａより外に延びた各リード線４２の他端は、ＩＣチップ１０の第１の面１０ａと第２の面１０ｂとを接続する第３の面（側面）１０ｃに沿って折り曲げられ、第３の面１０ｃから第２の面１０ｂに再び折れ曲げられて、対応する外部実装端子４５に接続されている。
【００４５】
リード線４２の固着部材９５（ＩＣ側固着部材９５ａ、リッド側固着部材９５ｂ）と接触する面とは異なる面にはめっき層（図示せず）が設けられている。めっき層はめっき法により形成された金属層であり、例えば、ニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）を積層させためっき層などを用いることができ、リード線４２と第２の電極１３との接合部材１４を介した接合において接合強度を向上させる効果を奏する。
ここで、めっき層を固着部材９５と接触する面を回避して形成するのは、固着部材９５とめっき層との組み合わせによっては固着部材９５とリード線４２（めっき層）との密着力が著しく低下することが知られていることから、それを回避するためである。特に、本実施形態のように、固着部材９５として低融点ガラスを用いる場合、リード線４２のような金属の表面に形成しためっき層が低融点ガラスとの密着性を阻害することが知られている。
【００４６】
第１の電極１１上には、振動ジャイロ素子２０の固定部１９ａ，１９ｂに設けられた対応する引き出し電極２９が位置決めされ、導電性の接合部材１２を介して接合されている。これにより、ＩＣチップ１０において、各第１の電極１１から引き出された集積回路が、接合部材１２、および、引き出し電極２９を介して振動ジャイロ素子２０と電気的に接続される。このとき、接合部材１２が有する高さ（接合後の高さ）によって、振動ジャイロ素子２０の振動部とＩＣチップ１０との間に隙間が設けられている。
【００４７】
振動ジャイロ素子２０が接合されたＩＣチップ１０上には、蓋体としてのリッド７０が固着部材９５を介して接合されている。これにより、ＩＣチップ１０上に接合された振動ジャイロ素子２０を覆う空間Ｔが形成され、その空間Ｔに振動ジャイロ素子２０が封止されている。このとき、必要に応じて、ＩＣチップ１０とリッド７０とにより形成される空間Ｔを減圧空間、または不活性ガス雰囲気にして密閉・封止することができる。
【００４８】
上記構成のセンサーデバイス１によれば、半導体装置としてのＩＣチップ１０の第２の面１０ｂを外底面として、リッド７０により振動片としての振動ジャイロ素子２０を気密封止した超薄型のパッケージ型のセンサーデバイス１を提供することができる。
また、従来のようにパッケージを用いていないことから、低コストにてセンサーデバイス１を提供することができる。
【００４９】
（振動ジャイロ素子の動作）
ここで、センサーデバイス１の振動ジャイロ素子２０の動作について説明する。
図３及び図４は、振動ジャイロ素子の動作を説明する模式平面図である。図３は駆動振動状態を示し、図４（ａ）、図４（ｂ）は、角速度が加わった状態における検出振動状態を示している。
なお、図３及び図４において、振動状態を簡易に表現するために、各振動腕は線で表してある。
【００５０】
まず、振動ジャイロ素子２０の駆動振動状態を説明する。
図３において、ＩＣチップ１０の集積回路（駆動回路）から駆動信号が印加されることにより、振動ジャイロ素子２０は角速度が加わらない状態において、駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂが矢印Ｅで示す方向に屈曲振動を行う。この屈曲振動は、実線で示す振動姿態と２点鎖線で示す振動姿態とを所定の周波数で繰り返している。
【００５１】
次に、この駆動振動を行っている状態で、振動ジャイロ素子２０にＺ軸回りの角速度ωが加わると、振動ジャイロ素子２０は、図４に示すような振動を行う。
まず、図４（ａ）に示すように、駆動振動系を構成する駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂ及び連結腕２３ａ，２３ｂには、矢印Ｂ方向のコリオリ力が働く。また同時に、検出用振動腕２２ａ，２２ｂは、矢印Ｂ方向のコリオリ力に呼応して、矢印Ｃ方向に変形する。
【００５２】
その後、図４（ｂ）に示すように、駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂ及び連結腕２３ａ，２３ｂには、矢印Ｂ’方向に戻る力が働く。また同時に、検出用振動腕２２ａ，２２ｂは、矢印Ｂ’方向の力に呼応して、矢印Ｃ’方向に変形する。
振動ジャイロ素子２０は、この一連の動作を交互に繰り返して新たな振動が励起される。
なお、矢印Ｂ，Ｂ’方向の振動は、重心Ｇに対して周方向の振動である。そして、振動ジャイロ素子２０は、検出用振動腕２２ａ，２２ｂに形成された検出電極が、振動により発生した水晶の歪を検出することで角速度が求められる。
【００５３】
（センサーデバイスの製造方法）
次に、センサーデバイスの製造方法について説明する。
図５は、センサーデバイス１の製造方法の一実施形態を示すフローチャートである。
図５には、振動ジャイロ素子２０の製造工程がステップＳ１−１からステップＳ１−４まで、ＩＣチップ１０の製造工程がステップＳ２−１からステップＳ２−６まで、リッド７０の製造工程がステップＳ３−１およびステップＳ３−２、そして、センサーデバイス１の組立工程がステップＳ４−１からステップＳ４−６までにそれぞれ示している。以下、前工程から順に説明する。
【００５４】
本実施形態のセンサーデバイス１の製造においては、まず、水晶ウェハーから複数の振動ジャイロ素子２０を製造する工程について説明する。
振動ジャイロ素子２０の製造では、大判の水晶ウェハーに振動ジャイロ素子２０を複数並べて形成した後に、ダイシング、あるいは折り取ることなどにより個片の振動ジャイロ素子２０に切断して（個片化）、複数個の振動ジャイロ素子２０を同時に得る方法をとることができる。
【００５５】
〔振動ジャイロ素子製造〕
まず、ステップＳ１−１に示すように、結晶軸に対して所定のカット角で切り出され、所望の厚さおよび表面状態になるように研磨加工された大判の水晶ウェハーを準備する。そして、ステップＳ１−２に示すように、フォトリソグラフィーを用いたウェットエッチングにより、水晶ウェハーに複数の振動ジャイロ素子の外形を形成する。
【００５６】
詳述すると、まず、水晶ウェハーの両主面全体に、エッチングマスクとなり得る、例えばクロムおよび金からなる耐蝕膜をスパッタなどにより形成してからフォトレジストを塗布して、そのフォトレジスト上に振動ジャイロ素子の外形パターニング用のマスクを配置して外形パターンを露光する。
そして、フォトレジストの露光により感光した部分を除去する現像を行ってからエッチング液に浸し、感光したフォトレジストを除去した部分の耐蝕膜をエッチングして、水晶ウェハー上に、耐蝕膜からなる振動ジャイロ素子の外形形成用のエッチングマスクを形成する。
次に、振動ジャイロ素子の外形形成用のエッチングマスクを形成した水晶ウェハーを、例えばフッ化水素溶液およびフッ化アンモニウム溶液からなるエッチング液に浸漬して、水晶基板の振動ジャイロ素子２０の外形に対応した部分が貫通するまでエッチングする。
なお、振動ジャイロ素子の外形は、水晶ウェハーから完全に切り離されないようにミシン目状の折り取り部などによりつなげておくことによって、以降の工程を水晶基板（ウェハー）状態にて効率的に流動することができる。
次に、ステップＳ１−３に示すように、耐蝕膜からなる振動ジャイロ素子の外形形成用のエッチングマスクを剥離する。
【００５７】
次に、ステップＳ１−３に示すように、スパッタリングや蒸着などにより、上記した駆動電極や検出電極あるいは引き出し電極２９などの電極形成を行う。
電極形成は、振動ジャイロ素子２０の外形が形成された水晶ウェハーの表面に、スパッタリングや蒸着により、例えば、クロム層を下地として形成し、その上に金層を積層させたり、フォトリソグラフィーにより積層させた金属を所望の電極パターン形状にパターニングしたりすることにより行うことができる。
【００５８】
次に、ステップＳ１−４に示すように、ダイシング、あるいは上記したミシン目を介して水晶ウェハーから折り取るなどの方法により、水晶ウェハーに形成された複数の振動ジャイロ素子２０を個片化する。
【００５９】
〔ＩＣチップ製造〕
次に、半導体装置としてのＩＣチップ１０を製造する工程について説明する。
ＩＣチップ１０の製造では、上記振動ジャイロ素子２０の製造と同様に、大判のシリコンウェハーにＩＣチップを複数並べて形成し、後にダイシングすることにより複数個のＩＣチップ１０を同時に得る方法をとることができる。
【００６０】
まず、ステップＳ２−１に示すように、シリコンウェハーを準備する。そして、ステップＳ２−２に示すように、通常の半導体製造プロセスを用いてシリコンウェハーに複数のＩＣチップ１０を同時形成するＩＣ製造を行う。
【００６１】
次に、ステップＳ２−３に示すように、スパッタリングや蒸着などにより、上記した第１の電極１１や第２の電極１３などの電極形成を行う。電極形成をした後で、第１の面１０ａに絶縁膜（パッシベーション膜）を形成し、第１の電極１１や第２の電極の１３の一部を露出させる開口部を形成する。
【００６２】
次に、ステップＳ２−４に示すように、第１の電極１１上に振動ジャイロ素子２０との接合に供する導電性の接合部材１２を形成し、第２の電極１３にリード線４２との接続に供する導電性の接合部材１４を形成する。接合部材１４には金属バンプ、半田バンプ、あるいは、樹脂ブロックの表面に電極膜を形成した樹脂コアバンプなど、種々の導電性接合部材を用いることができ、周知の形成方法で形成することができる。
ただし、接合部材１２，１４は、Ａｇペーストなどの導電性接着剤などを用いることもでき、このような場合は、後述するリード線接合工程（ステップＳ４−１）や、振動ジャイロ素子載置工程（ステップＳ４−４）の直前に接合部材１２，１４の形成を行う。
【００６３】
次に、ステップＳ２−５に示すように、第１の面１０ａの周縁部に枠状の固着部材９５の一部であるＩＣ側固着部材９５ａを平面視で第１の電極１１および第２の電極１３を囲むように形成する。固着部材９５には絶縁性の接合用材料が用いられ、リッド７０の材質に応じて種々のものを選ぶことができる。本実施形態では、リッド７０にガラスを用いるので、ガラスとＩＣチップ１０の材料であるシリコンとの接合に好適な低融点ガラスを用いて固着部材９５を形成する。
【００６４】
次に、ステップＳ２−６に示すように、ＩＣチップ１０をダイシングして個片化する。
【００６５】
〔リッド製造〕
次に、リッド７０の製造工程について説明する。
まず、ステップＳ３−１に示すように、リッド７０を形成する。
本実施形態では、ガラスによりリッド７０を形成する。ガラス製のリッド７０は、フォトリソグラフィーを用いたエッチングや、サンドブラスト加工などにより形成することができる。
【００６６】
次に、ステップＳ３−２に示すように、リッド７０のＩＣチップ１０と接合する側の面の周縁部に、上記ＩＣ側固着部材９５ａと同一材料を用いた固着部材９５の一部としてのリッド側固着部材９５ｂを形成する。
【００６７】
〔センサーデバイス組立〕
次に、センサーデバイス１の組立工程について説明する。
センサーデバイス組立工程では、まず、ステップＳ４−１に示すように、ＩＣチップ１０の第２の電極１３にリード線４２の一端を接合する。
リード線４２は、銅などの金属をフォトリソグラフィーを用いてエッチングすることにより形成することができる。上記実施形態のセンサーデバイス１では、リード線４２は、外部実装端子４５と一体に形成した例を示している（図１および図２を参照）。
リード線４２の表面には、めっき処理することにより、例えばニッケル−金を積層しためっき層を形成する。めっき層の形成では、リード線４２の固着部材９５（ＩＣ側固着部材９５ａ、リッド側固着部材９５ｂ）と接触する面にめっきが析出しないように、例えば、めっきマスクを施したうえでめっき処理を行う。
このようにして形成したリード線４２の一端を、導電性の接合部材１４を介して第２の電極１３に接合する。接合部材１４には、銀ペーストなどの導電性接着剤、金属バンプ、半田、あるいは、樹脂ブロックの表面に電極膜を形成した樹脂コアバンプなど、種々の導電性接合部材を用いることができる。
【００６８】
次に、ステップＳ４−２に示すように、リード線４２のフォーミングを行う。本実施形態では、一端を第２の電極１３に接合した各リード線４２を、ＩＣチップ１０の周縁側に向かって延ばし、固着部材９５の内部（このステップではＩＣ側固着部材９５ａの上）を通し、第１の面１０ａの端部でＩＣチップ１０の第１の面１０ａと第２の面１０ｂとを接続する第３の面（側面）１０ｃに沿って折り曲げ、さらに第３の面１０ｃから第２の面１０ｂに再び折り曲げる。
そして、外部実装端子４５を第２の面１０ｂの所定の位置に固定して外部実装端子を形成する（ステップＳ４−３）。
【００６９】
次に、ステップＳ４−４に示すように、第１の電極１１上の接合部材１２上に引き出し電極２９を位置合わせして、ＩＣチップ１０上に振動ジャイロ素子２０を載置する。
次に、ステップＳ４−５に示すように、接合部材１２を介して第１の電極１１と引き出し電極２９との接合を行い、電気的な接続を図るとともに、振動ジャイロ素子２０を接合部材１２によりＩＣチップ１０上に固定する。
【００７０】
次に、ステップＳ４−６に示すように、振動ジャイロ素子２０が接合されたＩＣチップ１０上に、蓋体としてのリッド７０を固着部材９５を介して接合する。詳細には、ＩＣチップ１０の第１の面１０ａの周縁部に設けられたＩＣ側固着部材９５ａ上に、リッド７０に設けられたリッド側固着部材９５ｂを間にリード線４２の一部を挟んで位置合わせし、所定の温度および圧力を印加することによって、ＩＣ側固着部材９５ａおよびリッド側固着部材９５ｂが一体に融着された固着部材９５を介してＩＣチップ１０とリッド７０との固着を行う。
このとき、必要に応じて、ＩＣチップ１０とリッド７０とにより形成される空間Ｔを減圧空間、または不活性ガス雰囲気にして密閉・封止することができる。
【００７１】
上記のセンサーデバイス１の製造方法によれば、半導体装置としてのＩＣチップ１０の第２の面１０ｂを外底面とした薄型のセンサーデバイスを低コストにて製造することができる。
【００７２】
上記実施形態のセンサーデバイスは、下記の変形例として実施することもできる。
【００７３】
（変形例１）
図６および図７を用いて、センサーデバイスの変形例１について説明する。
図６は、センサーデバイスの変形例１の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、振動ジャイロ素子側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）の断面図である。また、図７は、変形例１のセンサーデバイスに用いるリード線が形成されたフレキシブル基板を模式的に示す平面図である。
なお、変形例１の説明において、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して説明を省略する。
【００７４】
図６に示すように、変形例２のセンサーデバイス１０１は、ＩＣチップ１０と、ＩＣチップ１０の第１の面１０ａに保持された振動ジャイロ素子２０と、枠状の固着部材９５を介して振動ジャイロ素子２０を覆うように接合されるリッド７０と、絶縁樹脂層としての絶縁基板４１上に、一端が第２の電極１３と接続されるリード線４２が形成されたフレキシブル基板４０と、を備えている。
【００７５】
図７に示すように、変形例１のセンサーデバイス１０１に用いるフレキシブル基板４０は、例えばポリイミドなどの可撓性を有し耐熱性が比較的高い絶縁樹脂層としての絶縁基板４１上に、複数の外部実装端子４５と、各外部実装端子から延び先端側が絶縁基板４１から外側にオーバーハングして形成されたリード線４２とを有している。このようなフレキシブル基板４０は、フォトリソグラフィーを用いた通常のフレキシブル基板（プリント配線板）と同じ製造工程で製造することができる。
このようなフレキシブル基板４０は、上記実施形態のセンサーデバイスの製造方法（図５を参照）において、センサーデバイス組立工程のリード線を接合する工程（ステップＳ４−１）の前に製造、準備される。
【００７６】
図６に戻り、フレキシブル基板４０のリード線４２の絶縁基板４１からオーバーハングした先端（一端）は、接合部材１４を介して第２の電極１３と接合されている。
一端が第２の電極１３に接合された各リード線４２は第１の面１０ａとの間に絶縁基板４１の裏打ちを挟んでＩＣチップ１０の周縁側に向かって延び、固着部材９５の内部（ＩＣ側固着部材９５ａとリッド側固着部材９５ｂとの間）を通ってから第３の面（側面）１０ｃに沿って折り曲げられ、さらに、第３の面１０ｃから第２の面１０ｂに再び折れ曲げられて、絶縁基板４１上において対応する外部実装端子４５に接続されている。
【００７７】
この構成によれば、リード線４２とＩＣチップの第１の面１０ａ、第２の面１０ｂ、および第３の面１０ｃとの間に絶縁樹脂層としての絶縁基板４１が介在することから、ＩＣチップ１０の角部にリード線４２が直接当たらなくなり、また、絶縁基板４１がリード線４２の裏打ちになっているので、リード線４２の折り曲げ部分に加わるストレスが軽減されクラックや断線を抑えることができる。
また、リード線４２に加わった力が絶縁基板４１で緩和されＩＣチップ１０に加わる衝撃などが抑制されるので、ＩＣチップ１０が欠けるなどの不具合を回避することができる。また、本変形例では、第２の面１０ｂと外部実装端子４５との間にも絶縁基板４１が介在する構成となっているので、外部基板と実装する際の熱や衝撃が絶縁基板４１により緩和され、ＩＣチップ１０へのストレスを軽減することができる。
【００７８】
（変形例２）
次に、図８を用いて、センサーデバイスの変形例２を説明する。
図８は、センサーデバイスの変形例２の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、振動ジャイロ素子側（上側）から俯瞰した平面図、（ｂ）は、（ａ）の断面図である。
なお、変形例２の説明において、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して説明を省略する。
【００７９】
図８に示すように、変形例２のセンサーデバイス２０１は、ＩＣチップ１０と、ＩＣチップ１０の第１の面に設けられた絶縁樹脂層としての応力緩和層１５と、応力緩和層１５上に設けられ第１の電極１１と電気的に接続された第１の再配置電極１１１、および、第２の電極１３と電気的に接続された第２の再配置電極１１３と、第１の再配置電極１１１と電気的に接続され第１の面に保持された振動ジャイロ素子２０と、枠状の固着部材９５を介して振動ジャイロ素子２０を覆うように接合されるリッド７０と、を備えている。
【００８０】
ＩＣチップ１０の第１の面１０ａ側には、所定の弾性を有する絶縁性樹脂からなる絶縁樹脂層としての応力緩和層１５が形成されている。
応力緩和層１５上の、振動ジャイロ素子２０の複数の引き出し電極２９と対応する位置には、第１の電極１１と配線３６を介して電気的に接続された第１の再配置電極１１１が設けられている。
また、応力緩和層１５上には、第２の電極１３と配線３７を介して電気的に接続された第２の再配置電極１１３が設けられている。
これらの配線３６と第１の再配置電極１１１および、配線３７と第２の再配置電極１１３により、ＩＣチップ１０の集積回路の電極である第１の電極１１および第２の電極１３を、振動ジャイロ素子２０の引き出し電極２９、または、外部との接続を図るためのリード線４２の接続位置にそれぞれ対応する位置に再配置するための再配置配線が構成されている。このような再配置配線は、ＩＣチップ１０の集積回路の微細設計によって位置の制約が大きい第１の電極１１や第２の電極１３に対して、振動ジャイロ素子２０やリード線４２との接続に供する第１の再配置電極１１１および第２の再配置電極１１３の位置を任意にずらして配置し、ＩＣチップ１０上における振動ジャイロ素子２０との接続位置の自由度を高めるための重要な構成要素である。
【００８１】
応力緩和層１５は、例えば、ポリイミド等の弾性樹脂材料により形成することができる。さらに具体的には、例えば、ＩＣチップ１０の絶縁膜の表面に感光性のポリイミド材料をコーティングし、フォトリソグラフィーなどのパターニング処理を行う方法により、高さ寸法などの形状を精度よく形成することができる。
また、応力緩和層１５の材料は、上記したポリイミドに限定されず、弾性樹脂材料として既に公知となっているいずれかの材料を適用することができる。例えば、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）等の樹脂を適用することができる。
【００８２】
上記の応力緩和層１５や、第１の再配置電極１１１、第２の再配置電極１１３、および配線３６，３７による再配置配線の形成は、上記実施形態のセンサーデバイスの製造方法（図５を参照）において、ＩＣチップ製造工程の接合部材形成工程（ステップＳ２−４）の前に行う。
すなわち、ＩＣチップ１０の第１の面１０ａに、第１の電極１１や第２の電極１３を形成（ステップＳ２−３）した後で、第１の面１０ａの所定の位置に絶縁樹脂層としての応力緩和層１５を形成する。応力緩和層１５は、絶縁膜の表面に、例えば感光性のポリイミド材料をコーティングし、フォトリソグラフィーなどのパターニング処理を行う方法などにより形成することができる。
次に、応力緩和層１５上に第１の再配置電極１１１、第２の再配置電極１１３、および、配線３６，３７とによる再配置配線を形成する。
【００８３】
次に、ステップＳ２−４に示すように、第１の再配置電極１１１および第２の再配置電極１１３上に、接合部材１２，１４を形成し、以降、図５に示すフローに沿ってセンサーデバイスの製造を進める。
【００８４】
第１の再配置電極１１１、第２の再配置電極１１３、および配線３６，３７は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）などによって形成することができる。
なお、第１の再配置電極１１１、第２の再配置電極１１３、および配線３６，３７は、上記材料による単層構造のみならず、複数種類の上記材料を組み合わせた積層構造としてもよく、また、複数種類の金属材料の合金、あるいは、導電性ペーストをパターニングして固化させたものなどを用いて構成してもよい。
【００８５】
上記変形例２のセンサーデバイス２０１の構成によれば、応力緩和層１５が有する弾性により、外部から加わる衝撃などの力が緩和されて振動ジャイロ素子２０に伝達され難くなり、振動ジャイロ素子２０の周波数温度特性などの特性劣化を抑制することができる。
【００８６】
以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態およびその変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【００８７】
例えば、上記実施形態では、振動片としての振動ジャイロ素子形成材料として水晶を用いた例を説明したが、水晶以外の圧電体材料を用いることができる。例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、四ほう酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、ランガサイト（Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14）などの酸化物基板や、ガラス基板上に窒化アルミニウムや五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの圧電体材料を積層させて構成された積層圧電基板、あるいはジルコン酸チタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒｘ，Ｔｉ１−ｘ）Ｏ3）などの圧電セラミックスを用いることができる。
また、圧電体材料以外の材料を用いて振動片を形成することができる。例えば、シリコン半導体材料などを用いて振動素子を形成することもできる。
また、振動素子の駆動振動の励振方式や検出振動の検出方式は、圧電効果によるものだけに限らない。静電気力（クーロン力）を用いた静電駆動型や、磁力を利用したローレンツ駆動型などの振動片においても、本発明の構成およびその効果を発揮させることができる。
【００８８】
また、振動片としての振動ジャイロ素子の形状は、上記実施形態で説明した所謂ＷＴ型に限らない。音叉型やビーム型、あるいは、ＭＥＭＳジャイロのように櫛歯電極で静電検出する振動片を用いたセンサーデバイスにおいても、本発明の筒状支持部を備えた半導体装置としてのＩＣチップを備えた構成によれば、上述した実施形態に記載したものと同様な効果を得ることができる。
【００８９】
また、上記各実施形態では、センサーデバイスに備わる振動片（センサー素子）として振動ジャイロ素子２０を例に挙げたが、これに限定するものではなく、例えば、加速度に反応する加速度感知素子、圧力に反応する圧力感知素子、重さに反応する重量感知素子などでもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１…センサーデバイス、９ａ〜９ｄ…梁、１０…半導体装置としてのＩＣチップ、１０ａ…第１の面、１１…第１の電極、１２…接合部材、１３…第２の電極、１５…絶縁樹脂層としての応力緩和層、１９ａ，１９ｂ…固定部、２０…振動片としての振動ジャイロ素子、２０ａ…第２の面、２１…基部、２２ａ，２２ｂ…検出用振動腕、２３ａ，２３ｂ…連結腕、２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂ…駆動用振動腕、２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂ…錘部、２９…引き出し電極、７０…蓋体としてのリッド、９５…固着部材、９５ａ…固着部材の一部としてのＩＣ側固着部材、９５ｂ…固着部材の一部としてのリッド側固着部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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