(57)【要約】【課題】電子線に基づいて発生する放射線を確実に遮蔽することができ、かつ、電子線照射装置を遮蔽する搬送構造の設置面積を低減する。【解決手段】搬送構造２００は、電子線照射装置１００と、壁面で区画される搬送通路３５０上に設けられた照射領域Ｒと、搬送通路の一部を構成する第１通路３５２と、第１通路と鉛直方向の高さを異にするとともに、照射領域からの距離が当該第１通路よりも遠い距離に位置する第２通路３５４と、第１通路と第２通路とを接続する第１昇降通路３７０と、第１通路を区画する壁面および第１昇降通路を区画する壁面の少なくともいずれか一方に設けられ、第１通路から第２通路への放射線の直進入射を遮蔽する遮蔽部３３０とを備える。【選択図】図８
2013002936.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被照射物に電子線を照射する電子線照射装置と、
壁面で区画される搬送通路上に設けられ、前記電子線照射装置によって前記被照射物に電子線が照射される領域であり、かつ、当該電子線に基づいて放射線が発生する領域である照射領域と、
前記搬送通路に設置され、搬入部から前記照射領域へ前記被照射物を搬入するとともに前記照射領域から搬出部に前記被照射物を搬出する搬送装置と、
前記搬送通路の一部を構成する第１の通路と、
前記第１の通路と鉛直方向の高さを異にするとともに、前記照射領域からの距離が当該第１の通路よりも遠い距離に位置する第２の通路と、
前記第１の通路と前記第２の通路とを接続する昇降通路と、
前記第１の通路を区画する壁面および前記昇降通路を区画する壁面の少なくともいずれか一方に設けられ、前記第１の通路から前記第２の通路への前記放射線の直進入射を遮蔽する遮蔽部と、
を備えたことを特徴とする被照射物の搬送構造。
【請求項２】
前記照射領域は前記第１の通路に設けられることを特徴とする請求項１に記載の被照射物の搬送構造。
【請求項３】
前記第１の通路は、前記第２の通路よりも鉛直下方に位置することを特徴とする請求項２に記載の被照射物の搬送構造。
【請求項４】
前記電子線照射装置は、前記電子線を鉛直下方向に照射することを特徴とする請求項３に記載の被照射物の搬送構造。
【請求項５】
前記遮蔽部は、前記第１の通路を区画する天井壁面であり、
前記照射領域における前記放射線の発生源と、前記第２の通路を区画する底面の当該照射領域側の端部とを結ぶ直線上に、前記第１の通路の天井壁面が位置することを特徴とする請求項３または４に記載の被照射物の搬送構造。
【請求項６】
前記第１の通路の一端側は、前記昇降通路を介して前記第２の通路と接続されており、当該第１の通路の他端側は、他の昇降通路を介して前記第１の通路および第２の通路とは異なる通路に接続されていることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の被照射物の搬送構造。
【請求項７】
前記搬送通路は、
前記第２の通路と鉛直方向の高さが等しく、当該第２の通路と水平方向に直交する第３の通路を含んで構成されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の被照射物の搬送構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被照射物に電子線を照射する電子線照射装置を用いた被照射物の搬送構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、医療器具や食品等の滅菌、樹脂の架橋や硬化、悪性腫瘍等の病巣の除去等、様々な分野で利用されている電子線照射装置（例えば、特許文献１、２）が知られている。このような電子線照射装置は、カソード電極と加速器を備えており、カソード電極に電力を供給することでカソード電極から電子線を放出し、その電子線を加速器で加速して被照射物に照射する。
【０００３】
被照射物に電子線が照射される照射領域において電子線が被照射物等に衝突すると、Ｘ線等の放射線が発生する。したがって、発生した放射線が外部に漏洩しないように、遮蔽壁で電子線照射装置を包囲している。ここで遮蔽壁は、発生した放射線を十分に遮蔽できる程度の厚みを有するコンクリートや金属（鉛やステンレス）等で構成されている。また、遮蔽壁は、電子線照射装置を取り囲むとともに、建屋としての機能も有している。
【０００４】
一方、被照射物に効率よく電子線を照射するために、被照射物はコンベア等の搬送装置で連続的に照射領域に搬送されることが多い。したがって、搬送装置が設置される搬送通路を通じた放射線の外部への漏洩を防止すべく、搬送通路が迷路構造を構成するように遮蔽壁が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３４９９９８号公報
【特許文献２】特開２００３−１３９８９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１１は、従来の電子線照射システム１０の全体像を説明するための平面図であり、図１２は、図１１におけるＸＩＩ−ＸＩＩ断面図であり、図１３は、図１１におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面図である。
【０００７】
図１１〜図１３に示すように、電子線照射システム１０は、コンクリート等で形成された床部１２および遮蔽壁１４で構成される建屋２０を含んで構成され、建屋２０の内部には、被照射物Ｗを水平方向に搬送する搬送装置４０と、搬送装置４０によって搬送された被照射物Ｗに電子線を照射する電子線照射装置５０とが設置される。
【０００８】
具体的に説明すると、建屋２０は、その内部を、中央に電子線照射装置５０を収容するとともに水平方向に直線状に延在した照射通路２２と、搬入口２４ａから被照射物Ｗが搬入される搬入通路２４ｂと、搬入通路２４ｂと照射通路２２とを連通する連通通路２６と、搬出口２８ａへ被照射物Ｗを搬出する搬出通路２８ｂと、照射通路２２と搬出通路２８ｂとを連通する連通通路３０と、電子線照射装置５０に電力を供給する高周波電源装置５２を収容する電源室３２とに区画されるように形成される。
【０００９】
図１２、１３に示すように、電子線照射システム１０において、鉛直下方向に電子線を照射するように電子線照射装置５０が設置される場合、電子線照射装置５０の鉛直下方に位置する、被照射物Ｗ、搬送装置４０および床部１２に衝突した電子線によって放射線が発生する。換言すれば、電子線照射装置５０の鉛直下方の領域（照射領域）Ｒが放射線発生源となる。そして、照射領域Ｒからの放射線の放出方向は３６０度に及ぶことになる。
【００１０】
放射線が壁に衝突した場合、衝突後の放射線は、壁を透過する放射線（透過放射線）と、壁に吸収される放射線（吸収放射線）と、壁で反射する放射線（反射放射線）に大別される。
【００１１】
したがって、透過放射線および吸収放射線については、遮蔽壁１４のうち、照射領域Ｒで発生した、最も線量の多い放射線が直進入射する右側壁１４ａ、左側壁１４ｂ、前面壁１６ａ、電子線照射装置５０の上方に位置する天井壁１８を、外部Ｅへ放射線が透過しないような（吸収されるような）厚みに形成することで、外部Ｅへの漏洩を遮断する。なお、照射通路２２と電源室３２とを区画する中間壁１６ｂにも最も線量の多い放射線が直進入射するが、中間壁１６ｂと外部Ｅとの間に、電源室３２を区画する背面壁１６ｃが設けられているため、中間壁１６ｂと背面壁１６ｃとの水平方向の厚みの和が右側壁１４ａ等の厚みと等しくなるように形成されている。
【００１２】
ここで、側壁１４ｃ、１４ｄ、１４ｅに入射する放射線は、右側壁１４ａや左側壁１４ｂで反射した反射放射線であるため、照射領域Ｒで発生した放射線よりも線量が少なくなる。したがって、図１１に示すように、側壁１４ｃ、１４ｄ、１４ｅの水平方向の厚みを、右側壁１４ａや左側壁１４ｂよりも長さＬだけ短くすることができる。
【００１３】
反射放射線については、電子線照射装置５０から照射される電子線のエネルギーが、例えば１０ＭｅＶ程度である場合、照射領域Ｒから少なくとも３回反射させ、反射放射線の線量を十分小さくして、外部Ｅに到達させる必要がある。したがって、照射領域Ｒで発生した放射線が、反射点Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３といったように少なくとも３回反射して外部Ｅに到達するように、照射通路２２、搬入通路２４ｂ、連通通路２６、搬出通路２８ｂ、連通通路３０が設けられる。
【００１４】
上述したように、照射領域Ｒで発生した最も線量の多い放射線の外部Ｅへの透過を遮断するために、照射領域Ｒが位置する照射通路２２は、他の壁（側壁１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ）と比較して厚い壁（右側壁１４ａ、左側壁１４ｂ、前面壁１６ａ）で囲繞される必要があるが、他の通路（搬入通路２４ｂ、連通通路２６、搬出通路２８ｂ、連通通路３０）を囲繞する壁（側壁１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ）と比較して長さ２Ｌ分だけ設置面積がかさんでしまう。
【００１５】
したがって、電子線照射システム１０を設置する場所が制限されてしまうこともあり、外部Ｅへの放射線の漏洩を確実に防止しつつ、設置面積をさらに低減した電子線照射システム１０の開発が望まれている。
【００１６】
そこで本発明は、このような課題に鑑み、搬送通路を工夫することで、電子線照射装置が照射する電子線に基づいて発生する放射線を確実に遮蔽することができ、かつ、電子線照射装置を遮蔽する搬送構造の設置面積（占有面積）を低減することが可能な被照射物の搬送構造を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明の被照射物の搬送構造は、被照射物に電子線を照射する電子線照射装置と、壁面で区画される搬送通路上に設けられ、電子線照射装置によって被照射物に電子線が照射される領域であり、かつ、当該電子線に基づいて放射線が発生する領域である照射領域と、搬送通路に設置され、搬入部から照射領域へ被照射物を搬入するとともに照射領域から搬出部に被照射物を搬出する搬送装置と、搬送通路の一部を構成する第１の通路と、第１の通路と鉛直方向の高さを異にするとともに、照射領域からの距離が当該第１の通路よりも遠い距離に位置する第２の通路と、第１の通路と第２の通路とを接続する昇降通路と、第１の通路を区画する壁面および昇降通路を区画する壁面の少なくともいずれか一方に設けられ、第１の通路から第２の通路への放射線の直進入射を遮蔽する遮蔽部とを備えたことを特徴とする。
【００１８】
照射領域は第１の通路に設けられてもよい。
【００１９】
第１の通路は、第２の通路よりも鉛直下方に位置してもよい。
【００２０】
電子線照射装置は、電子線を鉛直下方向に照射してもよい。
【００２１】
遮蔽部は、第１の通路を区画する天井壁面であり、照射領域における放射線の発生源と、第２の通路を区画する底面の当該照射領域側の端部とを結ぶ直線上に、第１の通路の天井壁面が位置してもよい。
【００２２】
第１の通路の一端側は、昇降通路を介して第２の通路と接続されており、当該第１の通路の他端側は、他の昇降通路を介して第１の通路および第２の通路とは異なる通路に接続されていてもよい。
【００２３】
搬送通路は、第２の通路と鉛直方向の高さが等しく、当該第２の通路と水平方向に直交する第３の通路を含んで構成されていてもよい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、搬送通路を工夫することで、電子線照射装置が照射する電子線に基づいて発生する放射線を確実に遮蔽することができ、かつ、電子線照射装置を遮蔽する搬送構造の設置面積を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】電子線照射装置の外観斜視図である。
【図２】図１におけるＺ軸方向から電子線照射装置を見た図である。
【図３】搬送構造の全体像を説明するための平面図である。
【図４】図３におけるＩＶ−ＩＶ断面図である。
【図５】図３におけるＶ−Ｖ断面図である。
【図６】搬送通路を説明するための説明図である。
【図７】昇降装置の一例を説明するための説明図である。
【図８】照射領域で発生した放射線の放出方向を説明するための説明図である。
【図９】照射領域で発生した放射線の反射を説明するための説明図である。
【図１０】遮蔽部の他の例を説明するための説明図である。
【図１１】従来の電子線照射システムの全体像を説明するための平面図である。
【図１２】図１１におけるＸＩＩ−ＸＩＩ断面図である。
【図１３】図１１におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値等は、発明の理解を容易とするための例示にすぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。
【００２７】
（電子線照射装置１００）
図１は、電子線照射装置１００の外観斜視図であり、図２は、図１におけるＺ軸方向から電子線照射装置１００を見た図である。なお、図１では、理解を容易にするために電子線照射装置１００を支持する支持機構を省略する。
【００２８】
図１および図２に示すように、電子線照射装置１００は、電子銃１１０と、高周波電源１１２と、導波管１１４と、プリバンチャ１１６と、加速器１１８と、スキャンホーン１２０とを備えて構成されている。なお、電子銃１１０、プリバンチャ１１６、加速器１１８、スキャンホーン１２０は、内部空間（真空室）が連続しており、この内部空間は、イオンポンプ等の真空ポンプ１０２で高真空状態から超高真空状態（例えば、１０Ｅ−５Ｐａ以下）に維持される。
【００２９】
電子線照射装置１００において、電子銃１１０から放出された熱電子は、プリバンチャ１１６、加速器１１８で加速され、スキャンホーン１２０を通過して、搬送通路３５０で搬送される被照射物Ｗに向かって図１中Ｙ軸方向に照射される。以下、電子線照射装置１００の各機能部について詳述する。
【００３０】
（電子銃１１０）
電子銃１１０は、例えば、三極管電子銃であり、カソード電源（交流電源）１０４から供給された電力によってカソード電極を加熱し、パルス状に印加された高電圧のグリッド電圧（引出電圧）により、電子線を放出する。
【００３１】
（高周波電源１１２、導波管１１４）
高周波電源１１２は、クライストロン等で構成され、導波管１１４を通じてプリバンチャ１１６および加速器１１８に、例えばＳバンドに相当する３ＧＨｚのパルス状の高周波電力を供給する。導波管１１４は、セラミック等で構成されたＲＦ窓１１４ａ、１１４ｂを通じて、高周波電源１１２から供給される高周波の電圧を加速器１１８に供給する。導波管１１４におけるＲＦ窓１１４ａとＲＦ窓１１４ｂの間には、六フッ化硫黄（ＳＦ６）等の絶縁ガスが充填されており、高周波電源１１２から出力された電圧によって導波管１１４が放電してしまう事態を回避する。なおＲＦ窓１１４ａ、１１４ｂはＳＦ６と真空とを隔てる境界の役割を果たす。
【００３２】
（プリバンチャ１１６）
プリバンチャ１１６は、電子銃１１０と加速器１１８の間に設けられ、導波管１１４を通じて高周波電源１１２に接続されている。プリバンチャ１１６は、電子銃１１０から入射された電子線をバンチング（密度圧縮（速度変調））して、加速器１１８に送出する。具体的に説明すると、プリバンチャ１１６内は、高周波電源１１２から供給された高周波の電圧によって高周波電界が形成されており、プリバンチャ１１６を通過した電子線は、バンチングされて加速器１１８に入射する。プリバンチャ１１６で電子線をバンチングすることにより、加速器１１８で加速された電子線のエネルギーの分散を小さくすることができ、電子線のエネルギーの均一性を向上させることが可能となる。
【００３３】
ここで、プリバンチャ１１６によって圧縮された電子線の加速器１１８への入射タイミングが、加速器１１８における高周波の正位相と同期したときのみ、電子線は加速器１１８で効率よく加速される。したがって、プリバンチャ１１６から加速器１１８への電子線の入射タイミングを調整するために、プリバンチャ１１６の高周波導入部１１６ａには、不図示の位相調整手段が設けられている。また、電子線の圧縮率（バンチングされた電子線の長さ）も加速器１１８による加速効率に影響するため、すなわち、電子線の長さが短い程、加速化効率が向上する。したがって、供給する高周波の強度を調整して電子線の長さを調整するために、プリバンチャ１１６の高周波導入部１１６ａには、不図示の減衰（アッテネータ）手段が設けられている。
【００３４】
（加速器１１８）
加速器１１８は、ステンレス（例えばＳＵＳ）等で形成され、内部に複数の加速空間を有して構成される。高周波電源１１２から高周波の電圧（例えば、３ＧＨｚ）が供給されると、加速器１１８の複数の加速空間が空間共振器として機能し、空間共振器内に時間的に変化する電界が生じる。そして、この時間的に変化する電界で、プリバンチャ１１６によって圧縮された電子線を加速する。
【００３５】
ここで、電子線の速度と加速空間における正に帯電する（正位相になる）タイミングが同期するように、高周波電源１１２から供給される電圧の周波数と、加速空間の距離が設計されているため、電子線は加速器１１８内で徐々に加速され、最終的には、例えば１０ＭｅＶ程度まで加速されて、スキャンホーン１２０に入射される。
【００３６】
なお、ここでは、加速器１１８として、定在波型の線形（リニアック）加速器を採用しているが、電子を加速できればよく、進行波型の線形加速器や、シンクロトロン、サイクロトロン等の円形加速器を採用することもできる。
【００３７】
（スキャンホーン１２０）
スキャンホーン１２０は、その内部空間が加速器１１８と連結され、加速器１１８の出口付近に設けられたスキャン電磁石１２２と、加速器１１８と連結する端部と対向する端部に設けられた電子線取出部１２４とを含んで構成される（図１、図２参照）。
【００３８】
スキャン電磁石１２２は、加速器１１８から入射された電子線を水平方向（図１中Ｘ軸方向）に走査（スキャン）する。電子線の進行方向は鉛直方向（図１中Ｙ軸方向）であるため、スキャン電磁石１２２が鉛直方向に進行する電子線を水平方向に走査することにより、水平方向に幅のある被照射物Ｗに確実に電子線を照射することができる。
【００３９】
電子線取出部１２４は、例えば、５０μｍ程度の厚みのＴｉ箔で構成され、内部空間と、大気とを隔てる境界の役割を果たす。そして、電子線取出部１２４から大気中に取り出された電子線は、被照射物Ｗに照射される。
【００４０】
こうして、電子銃１１０で放出された電子線は、加速器１１８で加速されて、電子線取出部１２４を通じて、被照射物Ｗに照射される。
【００４１】
ところで、被照射物Ｗに電子線が照射される照射領域Ｒにおいて、電子線は、被照射物Ｗや、被照射物Ｗを搬送する搬送装置、搬送装置が設置される床部に衝突する。そうすると、電子線が衝突した箇所から放射線が発生する。したがって、発生した放射線が外部に漏洩しないように、電子線照射装置１００を遮蔽壁で包囲する必要がある。
【００４２】
以下、電子線照射装置１００による電子線の照射に基づいて発生した放射線の外部への漏洩を防止する搬送構造２００について詳述する。
【００４３】
（搬送構造２００）
図３は、搬送構造２００の全体像を説明するための平面図であり、図４は、図３におけるＩＶ−ＩＶ断面図であり、図５は、図３におけるＶ−Ｖ断面図である。なお、図３では、理解を容易にするために天井壁の図示を省略する。
【００４４】
図３〜図５に示すように、搬送構造２００は、電子線照射装置１００（図３〜５中、電子銃１１０、プリバンチャ１１６、加速器１１８、スキャンホーン１２０で構成される電子線照射部１５０と、高周波電源１１２と、導波管１１４とで示す）と、建屋３００と、被照射物Ｗを搬送する搬送装置４００とを含んで構成される。
【００４５】
建屋３００は、コンクリート等で形成され、床部３１０と、遮蔽壁３１２と、天井壁３１４と、を含んで構成される。建屋３００の内部には、電子線照射装置１００と、電子線照射装置１００の高周波電源１１２を収容する電源室３０２と、搬送通路３５０と、搬送通路３５０に設置される搬送装置４００とが設けられる。なお、電源室３０２および搬送通路３５０は、床部３１０、遮蔽壁３１２、天井壁３１４の壁面によって区画される。
【００４６】
図６は、搬送通路３５０を説明するための説明図である。図６に示すように、搬送通路３５０は、第１通路３５２と、第２通路３５４ａ、３５４ｂと、第３通路３５６ａ、３５６ｂと、第４通路３５８ａ、３５８ｂと、第５通路３６０ａ、３６０ｂと、第６通路３６２ａ、３６２ｂと、第１昇降通路３７０ａ、３７０ｂと、第２昇降通路３７２ａ、３７２ｂとを含んで構成される。
【００４７】
本実施形態において、第１通路３５２、第５通路３６０ａ、３６０ｂ、第６通路３６２ａ、３６２ｂは、１階（グランドレベル）に設けられ、第２通路３５４ａ、３５４ｂ、第３通路３５６ａ、３５６ｂ、第４通路３５８ａ、３５８ｂは、グランドレベルよりも鉛直方向の高さが高い２階に設けられる。したがって、第１昇降通路３７０ａは、１階の第１通路３５２と２階の第２通路３５４ａとを接続する機能を果たす。第１昇降通路３７０ｂは、１階の第１通路３５２と２階の第２通路３５４ｂとを接続する機能を果たす。第２昇降通路３７２ａは、１階の第５通路３６０ａと２階の第４通路３５８ａとを接続する機能とを果たす。第２昇降通路３７２ｂは、１階の第５通路３６０ｂと２階の第４通路３５８ｂを接続する機能を果たす。
【００４８】
１階部分において、第５通路３６０ａ、３６０ｂは、第１通路３５２と平行である。１階部分において、第５通路３６０ａと第６通路３６２ａとは水平方向に直交し、第５通路３６０ｂと第６通路３６２ｂとは水平方向に直交するように設けられる。また、２階部分において、第３通路３５６ａは第２通路３５４ａと水平方向に直交し、第３通路３５６ｂは第２通路３５４ｂと水平方向に直交するように設けられる。２階部分において、第４通路３５８ａ、３５８ｂは、第２通路３５４ａ、３５４ｂと平行である。２階部分において、第２通路３５４ａと第３通路３５６ａとは水平方向に直交し、第２通路３５４ｂと第３通路３５６ｂとは水平方向に直交するように設けられる。
【００４９】
本実施形態において電子線照射部１５０は、第１通路３５２の中央に設けられるため、照射領域Ｒは第１通路３５２に位置することになり、第２通路３５４ａ、３５４ｂは、照射領域Ｒからの距離が第１通路３５２よりも遠い距離に位置することとなる。
【００５０】
搬送装置４００は、搬送通路３５０に設置されており、図６（ａ）中、白抜き矢印で示すように、搬入部３７６ａから第６通路３６２ａ、第５通路３６０ａ、第２昇降通路３７２ａ、第４通路３５８ａ、第３通路３５６ａ、第２通路３５４ａ、第１昇降通路３７０ａを通じて、第１通路３５２の照射領域Ｒに被照射物Ｗを搬入する。そして搬送装置４００は、照射領域Ｒにおいて電子線が照射された被照射物Ｗを、第１通路３５２、第１昇降通路３７０ｂ、第２通路３５４ｂ、第３通路３５６ｂ、第４通路３５８ｂ、第２昇降通路３７２ｂ、第５通路３６０ｂ、第６通路３６２ｂを通じて搬出部３７６ｂへ搬出する。
【００５１】
搬送装置４００は、例えば、コンベアで構成され、コンベア上に被照射物Ｗを載置して搬送する。また、搬送装置４００における方向切換箇所、詳細には、第２通路３５４ａと第３通路３５６ａとの接続箇所、第２通路３５４ｂと第３通路３５６ｂとの接続箇所、第３通路３５６ａと第４通路３５８ａとの接続箇所、第３通路３５６ｂと第４通路３５８ｂとの接続箇所、第５通路３６０ａと第６通路３６２ａとの接続箇所、第５通路３６０ｂと第６通路３６２ｂとの接続箇所には、被照射物Ｗを押し出すための押出装置が設けられており、被照射物Ｗの搬送方向を９０度変更することができる。
【００５２】
さらに、第１昇降通路３７０ａ、３７０ｂに設けられる搬送装置４００は、図７に示すように、被照射物Ｗを鉛直方向に昇降する、エレベータ等の昇降装置４１０ａで構成される。図７では、第１昇降通路３７０ａを例に挙げているため、昇降装置４１０ａは、２階の第２通路３５４ａに設けられた搬送装置４００ｂで搬送された被照射物Ｗを鉛直下方に降下させ、第１通路３５２に設けられた搬送装置４００ｃに搬送する。なお、第１昇降通路３７０ｂ、第２昇降通路３７２ａ、３７２ｂにも昇降装置（図示せず）が設けられており、第２昇降通路３７２ｂに設けられた昇降装置は、昇降装置４１０ａと同様に、被照射物Ｗを鉛直下方に下降させ、第１昇降通路３７０ｂ、第２昇降通路３７２ａに設けられた昇降装置は、被照射物Ｗを鉛直上方に上昇させる。
【００５３】
図８は、照射領域で発生した放射線の放出方向を説明するための説明図である。図８に示すように、照射領域Ｒで発生した放射線は、３６０度すべての方向に放出される。照射領域Ｒで発生した放射線は、搬送構造２００の内部において最も線量の多い放射線となる。
【００５４】
したがって、第１通路３５２を区画する遮蔽壁３１２（前面壁３１２ａ）は、図８（ａ）中、Ｚ軸方向に放出される放射線を吸収できる程度に、Ｚ軸方向の厚みが厚く形成される。また、第１通路３５２と電源室３０２とを区画する遮蔽壁３１２（中間壁３１２ｂ）にも最も線量の多い放射線が直進入射するが、中間壁３１２ｂと外部Ｅとの間に、電源室３０２を区画する遮蔽壁３１２（背面壁３１２ｃ）が設けられているため、中間壁３１２ｂと背面壁３１２ｃとのＺ軸方向の厚みの和が前面壁３１２ａの厚みと等しくなるように中間壁３１２ｂと背面壁３１２ｃが形成される。
【００５５】
また図８（ｂ）に示すように、鉛直方向（図８中Ｙ軸方向）に放出される放射線については、床部３１０および天井壁３１４が吸収する。具体的に説明すると、照射領域Ｒの鉛直下方には地面が存在する。地面は放射線を吸収することができるので、鉛直下方に放出される放射線は、床部３１０および地面で吸収される。したがって床部３１０は、地面が放射線を吸収できる分を勘案して、前面壁３１２ａよりも厚みを薄くすることができる。天井壁３１４は、鉛直上方に放出される放射線を吸収し外部Ｅへの漏洩を遮断する程度の厚み（前面壁３１２ａと同程度の厚み）に形成される。
【００５６】
さらに、図８（ｂ）に示すように、照射領域Ｒで発生した放射線は、水平方向（図８（ｂ）中Ｘ軸方向）に放出される。したがって、照射領域Ｒの水平方向に位置する右側壁３１２ｄおよび左側壁３１２ｅは、前面壁３１２ａと同程度の厚みに形成される。
【００５７】
本実施形態において、搬送通路３５０は、１階と２階とで形成されるため、２階の床における図８（ｂ）のＸ軸方向の幅分、１階の遮蔽壁３１２（右側壁３１２ｄおよび左側壁３１２ｅ）を建屋３００の内側に形成することができる。換言すれば、２階の床を１階の遮蔽壁３１２として機能させることができる。したがって、図８（ｂ）中Ｘ軸方向に放出した放射線を確実に遮断するとともに、従来よりも搬送構造２００の設置面積を小さくすることが可能となる。
【００５８】
また、図８（ｂ）に示すように、照射領域Ｒで発生した放射線であって、水平面からの角度α（０＜α＜９０）で放出される放射線のうちの一部（図８（ｂ）中、破線の矢印で示す）は、第１通路３５２から第１昇降通路３７０ａ、３７０ｂを通じて、直接第２通路３５４ａ、３５４ｂに抜けるおそれがある。そうすると、２階の遮蔽壁３１２（右側壁３１２ｆおよび左側壁３１２ｇ）を前面壁３１２ａと同程度の厚みにする必要がある。
【００５９】
そこで、本実施形態では、第１通路３５２を区画する天井壁３１４の一部を鉛直下方に突出させて遮蔽部３３０を形成する。そして遮蔽部３３０の頂部３３０ａ（第１通路３５２の天井壁面３３０ａ）が、放射線の発生源（Ｐ１、Ｐ２）と、第２通路３５４ａ、３５４ｂを区画する底面の照射領域Ｒ側の端部Ｑとを結ぶ直線Ｐ１Ｑ、Ｐ２Ｑ上に位置するように遮蔽部３３０を構成する。ここで、発生源Ｐ１は、電子線が被照射物Ｗに衝突したときの放射線の発生源であり、発生源Ｐ２は、電子線が床部３１０に衝突したときの放射線の発生源である。
【００６０】
そうすると、発生源Ｐ１、Ｐ２から放出された最も線量の多い放射線は、２階（第２通路３５４）に直接入射することなく、必ず遮蔽部３３０で反射することになる。したがって、第１通路３５２の発生源Ｐ１、Ｐ２から第２通路３５４ａ、３５４ｂへの放射線の直進入射を遮蔽することができる。これにより、２階の右側壁３１２ｆおよび左側壁３１２ｇの厚みを前面壁３１２ａよりも薄くすることが可能となる。
【００６１】
そして、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、遮蔽部３３０で１回目の反射（Ｔ１）をして線量が減少した放射線は、床部３１０（図９（ａ））、または、第１昇降通路３７０ａ、３７０ｂを区画する遮蔽壁３１２（右側壁３１２ｄ、左側壁３１２ｅ）（図９（ｂ））で２回目の反射（Ｔ２）をし、第１昇降通路３７０ａ、３７０ｂを区画する天井壁３１４で３回目の反射（Ｔ３）をし、第２通路３５４ａ、３５４ｂを区画する遮蔽壁３１２（右側壁３１２ｆ、左側壁３１２ｇ）で４回目の反射（Ｔ４）をする。
【００６２】
このように、照射領域Ｒで発生した放射線は、第２通路３５４ａ、３５４ｂに到達するまでに反射点Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４と４回反射することになる。したがって、電子線照射装置１００から照射される電子線のエネルギーが、例えば１０ＭｅＶ程度であっても、照射領域Ｒから第２通路３５４ａ、３５４ｂに到達するまでに４回反射させることになるため、外部Ｅに放出しても問題ない線量に減少させることが可能となる。
【００６３】
以上説明したように、本実施形態にかかる搬送構造２００によれば、建屋３００の設置面積を小さくすることができ、電子線照射装置１００が照射した電子線に基づいて発生した放射線の外部Ｅへの漏洩を確実に遮断することが可能となる。
【００６４】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６５】
例えば、上述した実施形態では、第１の通路を第１通路３５２と、第２の通路を第２通路３５４ａ、３５４ｂと、第３の通路を第３通路３５６ａ、３５６ｂとしているが、第１の通路を第３通路３５６ａ、３５６ｂとし、第２の通路を第４通路３５８ａ、３５８ｂとしてもよい。
【００６６】
また、上述した実施形態では、第１の通路（第１通路３５２）は第２の通路（第２通路３５４ａ、３５４ｂ）よりも鉛直下方に位置するが、遮蔽部３３０が第１通路３５２から第２通路３５４ａ、３５４ｂへの放射線の直進入射を遮蔽することができれば、第１の通路が第２の通路よりも鉛直上方に位置してもよい。
【００６７】
さらに、上述した実施形態において、遮蔽部３３０は、第１通路３５２を区画する天井壁３１４の一部を鉛直下方に突出させているが、第１の通路から第２の通路への放射線の直進入射を遮蔽することができればよい。例えば、図１０に示すように、遮蔽部３３０が第１昇降通路３７０ａ、３７０ｂを区画する壁面に設けられてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、被照射物に電子線を照射する電子線照射装置を用いた被照射物の搬送構造に利用することができる。
【符号の説明】
【００６９】
Ｒ     …照射領域
Ｗ     …被照射物
１００  …電子線照射装置
２００  …搬送構造
３１２  …遮蔽壁
３１４  …天井壁
３３０  …遮蔽部
３５０  …搬送通路
３５２  …第１通路（第１の通路）
３５４  …第２通路（第２の通路）
３５６  …第３通路（第３の通路）
３７０  …第１昇降通路
３７６ａ  …搬入部
３７６ｂ  …搬出部
４００  …搬送装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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