(57)【要約】【課題】透光性基板と光反射層との密着性を向上可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】発光素子１００は、保護層３３、３４、ＡｇまたはＡｇ合金によって構成される反射層３２、アルミナによって構成される密着層３１、サファイア基板１０、半導体層２０の順に形成されている。【選択図】図１
2013021091.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と前記表面の反対に設けられる裏面とを有するサファイア基板と、
前記表面上に積層される半導体層と、
前記裏面上に形成され、アルミナによって構成される密着層と、
前記密着層上に形成され、Ａｇ又はＡｇ合金によって構成される光反射層と、
前記光反射層上に形成される保護層と、
を備える発光素子。
【請求項２】
前記密着層の厚みは、５０ｎｍ〜２００ｎｍである、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記密着層は、アルミナをスパッタリングすることによって形成されている、
請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
表面と前記表面の反対に設けられる裏面とを有するサファイア基板の前記表面上に半導体層を積層する工程と、
前記サファイア基板の前記裏面上にアルミナをスパッタリングすることによって密着層を形成する工程と、
前記密着層上にＡｇ又はＡｇ合金によって構成される光反射層を形成する工程と、
を備える発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子および発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、透光性基板と、透光性基板の表面上に形成される素子本体と、透光性基板の裏面上に形成される接着層と、を備える発光素子が広く用いられている。このような発光素子は、接着層を実装基板に接着することによって実装基板に実装される。
【０００３】
ここで、素子本体からの出射光が実装基板に吸収されることを抑制するために、透光性基板と接着層との間に光反射層（例えば、Ａｇ層やＡｌ層など）を介挿する手法が提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−６９５４６号公報
【特許文献２】特開２００５−７２１４８号公報
【特許文献３】特開２００２−３４４０２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、物性的な要因によって透光性基板と光反射層とが剥がれやすい場合がある。この場合、発光素子の光取り出し効率が低下することによって、発光素子の出力が低減してしまうという問題がある。このような問題は、透光性基板としてサファイア基板を用いるとともに光反射層としてＡｇ層を用いた場合に顕著である。
【０００６】
本発明は、上述の状況に鑑みてなされたものであり、透光性基板と光反射層との密着性を向上可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る発光素子は、表面と前記表面の反対に設けられる裏面とを有するサファイア基板と、前記表面上に積層される半導体層と、前記裏面上に形成され、アルミナによって構成される密着層と、前記密着層上に形成され、Ａｇ又はＡｇ合金によって構成される光反射層と、前記光反射層上に形成される保護層と、を備える。
【０００８】
本発明に係る発光素子の製造方法は、表面と前記表面の反対に設けられる裏面とを有するサファイア基板の前記表面上に半導体層を積層する工程と、前記サファイア基板の前記裏面上にアルミナをスパッタリングすることによって密着層を形成する工程と、前記密着層上にＡｇ又はＡｇ合金によって構成される光反射層を形成する工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、透光性基板と光反射層との密着性を向上可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】発光素子の構成を示す断面図
【図２】ダイシェア強度試験の結果を示す図（ＬＨＳ試験前）
【図３】ダイシェア強度試験の結果を示す図（ＬＨＳ試験後１０００ｃｙｃ）
【図４】ダイシェア強度試験の結果を示す図（ＬＨＳ試験後３０００ｃｙｃ）
【図５】ダイシェア強度試験の結果を示す図（ＬＨＳ試験の前後）
【図６】ダイシェア強度試験の結果を示す図（５００μｍ×２９０μｍ）
【図７】ダイシェア強度試験の結果を示す図（８００μｍ×８００μｍ）
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なっている場合がある。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１２】
（発光素子の構成）
発光素子の構成について、図面を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る発光素子１００の構成を示す断面図である。
【００１３】
発光素子１００は、サファイア基板１０と、素子本体２０と、裏面側積層体３０と、を備える。発光素子１００は、実装基板２００上に実装されている。
（１）サファイア基板１０の構成
サファイア基板１０は、単結晶サファイアによって構成される透光性基板である。サファイア基板１０は、表面１０Ａと、表面１０Ａの反対側に設けられる裏面１０Ｂと、を有する。表面１０Ａ上には素子本体２０が配置され、裏面１０Ｂ上には裏面側積層体３０が配置される。
【００１４】
（２）素子本体２０の構成
素子本体２０は、図１および図２に示すように、ｎ型半導体層２１、発光層２２、ｐ型半導体層２３、透明電極２４、ｐ側パッド電極２５およびｎ側パッド電極２６を備える。
【００１５】
ｎ型半導体層２１、発光層２２およびｐ型半導体層２３は、サファイア基板１０の表面１０Ａ上に順次積層される。ｎ型半導体層２１、発光層２２およびｐ型半導体層２３は、例えばＭＯＶＰＥ法によって形成される窒化物半導体層（例えば、ＡｌやＧａを含む窒化物半導体や、ＩｎやＧａを含むＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ≦１）など）である。
【００１６】
透明電極２４は、ｐ型半導体層２３上に積層される。透明電極２４は、ｐ型半導体層２３の略全面を覆うように形成される。透明電極２４は、例えばスパッタ法によって形成されるＩＴＯ膜である。
【００１７】
ｐ側パッド電極２５は、透明電極２４上に形成される。ｎ側パッド電極２６は、ｎ型半導体層２１上に形成される。ｐ側パッド電極２５およびｎ側パッド電極２６は、例えばスパッタによって積層されるＴｉ/Ｒｈ/Ｐｔ/Ａｕ電極である。ｐ側パッド電極２５およびｎ側パッド電極２６は、ワイヤボンディング用ワイヤやフリップチップ用バンプなどの外部電極（不図示）に接続される。
【００１８】
（３）裏面側積層体３０
裏面側積層体３０は、密着層３１、反射層３２、第１保護層３３、第２保護層３４、緩衝層３５および接着層３６を備える。
【００１９】
密着層３１は、サファイア基板１０の裏面１０Ｂ上に形成される。密着層３１は、裏面１０Ｂの略全面を覆うように形成される。密着層３１は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）によって構成されており、透光性を有している。密着層３１の厚みαは、例えば５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度であればよいが、これに限られるものではない。密着層３１は、サファイア基板１０と反射層３２とに密着することによって、反射層３２がサファイア基板１０から剥がれることを抑制している。
【００２０】
ここで、密着層３１は、後述するように、アルミナをスパッタリングすることによって形成される。そのため、反射層３２をサファイア基板１０から剥がした場合には、反射層３２に付着するアルミナ（密着層３１の構成材料）を観察することができる。一方で、サファイア基板１０は密着層３１と同様にアルミナを主成分としているが、発光素子１００が密着層３１を備えていなければ、反射層３２をサファイア基板１０から剥がした場合に、反射層３２に付着するアルミナを観察することはできない。従って、発光素子１００が密着層３１を備えているか否かは、反射層３２にアルミナが付着しているか否かによって判断することができる。
【００２１】
反射層３２は、密着層３１上に形成される。反射層３２は、密着層３１の略全面を覆うように、すなわち、裏面１０Ｂの略全面を覆うように形成される。反射層３２は、ＡｇまたはＡｇ合金によって構成されている。反射層３２の厚みβは、例えば１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であればよいが、これに限られるものではない。反射層３２は、素子本体２０（具体的には発光層２２）から出射されサファイア基板１０および密着層３１を通過した光を反射することによって、光が実装基板２００に吸収されることを抑制している。
【００２２】
なお、反射層３２に用いられるＡｇ合金としては、Ｐｔ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｉｒ、Ｇａ、Ｎｄ及びＲｅから選択される１種以上と、銀と、の合金を用いることができる。
【００２３】
第１保護層３３は、反射層３２上に形成される。第１保護層３３は、白金族元素から構成されることが好ましいが、白金族元素以外の金属元素を用いることもできる。また、第１保護層３３は、２層以上が好ましいが、１層のみとすることもできる。
【００２４】
第１保護層３３は、反射層３２上に形成される。第１保護層３３は、白金族元素（Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ）とその同族元素（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）から選択される元素を含む材料によって構成される。
【００２５】
第２保護層３４は、第１保護層３３上に形成される。第２保護層３４は、白金族元素（Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ）とその同族元素（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）から選択される元素を含む材料であって、第１保護層３３とは異なる材料によって構成される。
【００２６】
なお、第１保護層３３の材料と第２保護層３４の材料とは、互いに周期律表の異なる列の元素を含むことが好ましい。また、第１保護層３３は、ニッケルを含む材料によって構成されるとともに、第２保護層３４は、例えば白金族元素、高融点金属（Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ）を含む材料によって構成される場合には、ニッケルと銀との積層構造を第２保護層３４で保持できるため好ましい。
【００２７】
緩衝層３５は、第２保護層３４上に形成される。緩衝層３５は、例えばＡｕによって構成されている。緩衝層３５は、発光素子１００のダイボンディング時にサファイア基板１０および素子本体２０に伝わる衝撃を緩和する。
【００２８】
接着層３６は、緩衝層３５上に形成される。接着層３６は、ダイボンド材料として機能する材料によって構成されていればよい。このような材料としては、Ｉｎ、Ｐｂ−Ｐｄ系、Ａｕ−Ｇａ系、Ａｕ−Ｇｅ系、Ａｕ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｚｎ系、Ａｌ−Ｇｅ系、Ａｌ−Ｍｇ系、Ａｕ−Ｉｎ系、Ａｇ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｚｎ系、Ａｌ−Ｐｄ系、Ａｌ−Ｉｎ系、Ｃｕ−Ｇｅ系、Ａｇ−Ｇｅ系、Ｃｕ−Ｉｎ系、Ａｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系の合金のほか、ダイボンドに耐えられる機械的強度、応力性、耐熱性、耐湿性、熱伝導性などを有する樹脂（例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等）やＡｇペーストなどを用いることができる。
【００２９】
（発光素子の製造方法）
発光素子の製造方法について説明する。
まず、サファイア基板１０の表面１０Ａ上に半導体層をパターニングしながら積層した後に電極材料を配置することによって素子本体２０を形成する。
【００３０】
次に、サファイア基板１０裏面１０Ｂ上にアルミナをスパッタリングすることによって、５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚みαを有する密着層３１を形成する。
次に、密着層３１上にＡｇまたはＡｇ合金を蒸着やスパッタリングすることによって、１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度の厚みβを有する反射層３２を形成する。
【００３１】
次に、白金族元素（Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ）とその同族元素（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）から適宜選択される２種類の材料を反射層３２上に順次積層することによって、第１保護層３３および第２保護層３４を形成する。
【００３２】
次に、第２保護層３４上にＡｕを積層することによって緩衝層３５を形成した後に、上述のダイボンド材料を緩衝層３５上に積層することによって接着層３６を形成する。
（作用および効果）
（１）本実施形態に係る発光素子１００において、サファイア基板１０とＡｇまたはＡｇ合金によって構成される反射層３２との間には、アルミナによって構成される密着層３１が介挿されている。
【００３３】
このように、アルミナによって構成される密着層３１により、サファイア基板１０とＡｇを含む反射層３２との密着性を向上させることができる。このことは、物性的な要因によって単結晶サファイアとＡｇとの密着性が特に悪いため極めて効果的である。
【００３４】
また、アルミナによって構成される密着層３１は透光性を有するので、密着層３１によって光が吸収されることを抑制できる。そのため、光取り出し効率が低下することを抑制できる。
【００３５】
（２）本実施形態に係る密着層３１はアルミナのスパッタリングによって形成されており、厚みαは５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度である。
そのため、例えば原子層積層法などによって緻密にアルミナ結晶を形成する場合に比べて、サファイア基板１０と反射層３２とをより効果的に密着させることができる。
【００３６】
（その他の実施形態）
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【００３７】
（Ａ）上記実施形態では、裏面側積層体３０は、密着層３１、反射層３２、第１保護層３３、第２保護層３４、緩衝層３５および接着層３６を備えることとしたが、これに限られるものではない。裏面側積層体３０は、密着層３１、反射層３２を備えていればよい。
【００３８】
（Ｂ）上記実施形態では、密着層３１は、アルミナのスパッタリングによって形成されることとしたが、これに限られるものではない。密着層３１は、例えばアルミナの蒸着などによって形成されていてもよい。
【００３９】
（Ｃ）上記実施形態において、素子本体２０は、ｎ型半導体層２１、発光層２２及びｐ型半導体層２３を備えることとしたが、素子本体２０の半導体構造はこれに限られるものではない。素子本体２０の半導体構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合等を有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものを適用することができる。
【００４０】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【実施例】
【００４１】
［サンプルの作製］
以下のようにして、実施例１〜８および比較例１〜６に係る発光素子を作製した。実施例１〜８および比較例１〜６に係る発光素子は、縦５００μｍ×横２９０μｍの大きさのものを用いた。
【００４２】
（実施例１）
まず、サファイア基板の表面上に半導体層をパターニングしながら積層することによって素子本体を形成した。
【００４３】
次に、サファイア基板の裏面にアルミナをスパッタリングすることによって５０ｎｍ厚のアルミナ層（密着層）を形成した。
次に、アルミナ層上にＡｇ層（反射層）を積層した。
【００４４】
次に、Ａｇ層上にＮｉ層（第１保護層）、Ｒｈ層（第２保護層）、Ａｕ層（緩衝層）、ＡｕＳｎ層（接着層）を順次積層した。
（実施例２）
実施例２に係る発光素子の製造工程では、７５ｎｍ厚のアルミナ層を形成した。これ以外の工程は、実施例１と同じとした。
【００４５】
（実施例３）
実施例３に係る発光素子の製造工程では、１００ｎｍ厚のアルミナ層を形成した。これ以外の工程は、実施例１と同じとした。
【００４６】
（実施例４）
実施例４に係る発光素子の製造工程では、２００ｎｍ厚のアルミナ層を形成した。これ以外の工程は、実施例１と同じとした。
【００４７】
（比較例１）
比較例１に係る発光素子の製造工程では、アルミナ層を形成せずに、サファイア基板の裏面上にＡｇ層を直接積層した。これ以外の工程は、実施例１と同じとした。
【００４８】
（比較例２）
比較例２に係る発光素子の製造工程では、１０ｎｍ厚のアルミナ層を形成した。これ以外の工程は、実施例１と同じとした。
【００４９】
［ダイシェア強度試験］
実施例１〜４および比較例１、２の発光素子を実装基板にダイボンディングした後に、ダイシェア強度試験機（Dage社製、型式SERIES-4000）を用いてダイシェア強度（サファイア基板がＡｇ層から剥離した時点での強度）を測定した。
【００５０】
試験の結果、実施例１〜４のダイシェア強度は、比較例１，２のダイシェア強度に比べて約４０％程度向上していた。このことから、５０ｎｍ〜２００ｎｍ厚のアルミナ層を介挿することによって、サファイア基板とＡｇ層との密着性を向上させられることが確認された。
【００５１】
また、実施例１〜４の出力は、比較例１，２の出力とほぼ同等であった。従って、５０ｎｍ〜２００ｎｍ厚のアルミナ層を介挿したとしても、アルミナ層が透光性を有するので、発光素子の出力に影響をほとんど与えないことが確認された。
【００５２】
［液相熱衝撃試験後のダイシェア強度試験］
実施例１〜４および比較例１，２の発光素子に液相熱衝撃試験（ＬＨＳ）を行った後に、上述のダイシェア強度試験を行った。液相熱衝撃試験は、−４０℃と１００℃とを複数回（本試験では１０００回、３０００回）繰り返す。表１は実施例１〜４、比較例１、２の発光素子のＬＨＳ試験結果を示す。図２は、ＬＨＳ試験前のダイシェア強度の試験の結果を示す（ｎ数＝１８個）。図３は、ＬＨＳ試験（１０００ｃｙｃ）後のダイシェア強度の試験の結果を示す（ｎ数＝１４個）。図４は、ＬＨＳ試験（３０００ｃｙｃ）後のダイシェア強度の試験の結果を示す（ｎ数＝１４個）。図５は、ＬＨＳ試験（３０００ｃｙｃ）の前後のダイシェア強度試験の結果を示す。
【００５３】
【表１】
2013021091.tif 000003
【００５４】
比較例１、２では１０００回、３０００回のＬＨＳ後にダイシェア強度の低下が確認されたが、実施例１〜４では試験後にダイシェア強度の大幅な低下は確認されなかった。このことから、５０ｎｍ〜２００ｎｍ厚のアルミナ層は、熱サイクルにも耐性を有することが確認された。
【００５５】
［サンプルの作製］
（実施例５〜８、比較例３〜６）
以下のようにして、実施例５〜８、比較例３〜６に係る発光素子を作製した（異なるロットで各１０個作製）。実施例５、６、比較例３、４はロット１で、実施例７、８、比較例５、６はロット２である。実施例５、６、比較例３、４はメタライズの構造が異なり、比較例３は発光素子の裏面の一部がパターニングされてメタライズ（Ａｇ下地）されており、実施例５は発光素子の裏面の一部がパターニングされてメタライズ（Ａｌ2Ｏ3／Ａｇ下地）されており、比較例４は発光素子の裏面の全部がメタライズ（Ａｇ下地）されており、実施例６は発光素子の裏面の全部がメタライズ（Ａｌ2Ｏ3／Ａｇ下地）されている。実施例７、８、比較例５、６はメタライズの構造が異なり、比較例５は発光素子の裏面の一部がパターニングされてメタライズ（Ａｇ下地）されており、実施例７は発光素子の裏面の一部がパターニングされてメタライズ（Ａｌ2Ｏ3／Ａｇ下地）されており、比較例６は発光素子の裏面の全部がメタライズ（Ａｇ下地）されており、実施例８は発光素子の裏面の全部がメタライズ（Ａｌ2Ｏ3／Ａｇ下地）されている。
【００５６】
まず、実施例５〜８は、サファイア基板の表面上に半導体層をパターニングしながら積層することによって素子本体を形成した。
次に、サファイア基板の裏面にアルミナをスパッタリングすることによって５０ｎｍ厚のアルミナ層（密着層）を形成した。実施例５、７は、アルミナ層はサファイア基板の外周３０μｍを除き、中央部に長方形に形成した。実施例６，８は、アルミナ層はサファイア基板の全体を覆うように形成した。
【００５７】
次に、アルミナ層上にＡｇ層（反射層）を積層した。
次に、Ａｇ層上にＮｉ層（第１保護層）、Ｒｈ層（第２保護層）、Ａｕ層（緩衝層）、ＡｕＳｎ層（接着層）を順次積層した。
【００５８】
一方、比較例３〜６に係る発光素子の製造工程では、アルミナ層を形成せずに、サファイア基板の裏面上にＡｇ層を直接積層した。比較例３、５は、Ａｇ層はサファイア基板の外周３０μｍを除き、中央部に長方形に形成した。比較例４、６は、Ａｇ層はサファイア基板の全体を覆うように形成した。これ以外の工程は、実施例５〜８と同じとした。
【００５９】
［ダイシェア強度試験］
実施例１〜４と同様に、実施例５〜８および比較例３〜６のダイシェア強度を測定した。表２は、実施例５〜８、比較例３〜６の発光素子のダイシェア強度試験の結果を示す。図６は、５００μｍ×２９０μｍの発光素子のダイシェア強度試験の結果を示す。
【００６０】
【表２】
2013021091.tif 000004
【００６１】
試験の結果、実施例５のダイシェア強度は、比較例３のダイシェア強度に比べて平均して約４０％程度向上していた（１０個の平均）。また、実施例６のダイシェア強度は、比較例４のダイシェア強度に比べて平均して約５０％程度向上していた（１０個の平均）。実施例７のダイシェア強度は、比較例５のダイシェア強度に比べて平均して約３０％程度向上していた（１０個の平均）。また、実施例８のダイシェア強度は、比較例６のダイシェア強度に比べて平均して約６０％程度向上していた（１０個の平均）。このことから、アルミナ層を介挿することによって、サファイア基板とＡｇ層との密着性を向上させられることが確認された。
【００６２】
また、実施例５、７に比べて実施例６、８の方が、ダイシェア強度が高くなる傾向が見られた。
［サンプルの作製］
（実施例９、１０、比較例７、８）
以下のようにして、実施例９、１０、比較例７、８に係る発光素子を作製した（各１０個作製）。実施例９、１０、比較例７、８はメタライズの構造が異なり、比較例７は発光素子の裏面の一部がパターニングされてメタライズ（Ａｇ下地）されており、実施例９は発光素子の裏面の一部がパターニングされてメタライズ（Ａｌ2Ｏ3／Ａｇ下地）されており、比較例８は発光素子の裏面の全部がメタライズ（Ａｇ下地）されており、実施例１０は発光素子の裏面の全部がメタライズ（Ａｌ2Ｏ3／Ａｇ下地）されている。実施例９、１０、比較例７、８に係る発光素子は、８００μｍ×８００μｍの大きさのものを用いた。
【００６３】
まず、実施例９、１０は、サファイア基板の表面上に半導体層をパターニングしながら積層することによって素子本体を形成した。
次に、サファイア基板の裏面にアルミナをスパッタリングすることによって５０ｎｍ厚のアルミナ層（密着層）を形成した。実施例９は、アルミナ層はサファイア基板の外周３０μｍを除き、中央部に正方形に形成した。実施例１０は、アルミナ層はサファイア基板の全体を覆うように形成した。
【００６４】
次に、アルミナ層上にＡｇ層（反射層）を積層した。
次に、Ａｇ層上にＮｉ層（第１保護層）、Ｒｈ層（第２保護層）、Ａｕ層（緩衝層）、ＡｕＳｎ層（接着層）を順次積層した。
【００６５】
一方、比較例７、８に係る発光素子の製造工程では、アルミナ層を形成せずに、サファイア基板の裏面上にＡｇ層を直接積層した。比較例７は、Ａｇ層はサファイア基板の外周３０μｍを除き、中央部に正方形に形成した。比較例８は、Ａｇ層はサファイア基板の全体を覆うように形成した。これ以外の工程は、実施例９、１０と同じとした。
【００６６】
［ダイシェア強度試験］
実施例１〜４と同様に、実施例９、１０および比較例７、８のダイシェア強度を測定した。表３は、実施例９、１０、比較例７、８の発光素子のダイシェア強度試験の結果を示す。図７は、８００μｍ×８００μｍの発光素子のダイシェア強度試験の結果を示す。
【００６７】
【表３】
2013021091.tif 000005
【００６８】
試験の結果、実施例９のダイシェア強度は、比較例７のダイシェア強度に比べて平均して約３０％程度向上していた（１０個の平均）。また、実施例１０のダイシェア強度は、比較例８のダイシェア強度に比べて平均して約４０％程度向上していた（１０個の平均）。このことから、アルミナ層を介挿することによって、サファイア基板とＡｇ層との密着性を向上させられることが確認された。
【符号の説明】
【００６９】
１０…基板
１０Ａ…表面
１０Ｂ…裏面
２０…素子本体
２１…ｎ型半導体層
２２…発光層
２３…ｐ型半導体層
２４…透明電極
２５…ｐ側パッド電極
２６…ｎ側パッド電極
３０…裏面側積層体
３１…密着層
３２…反射層
３３…第１保護層
３４…第２保護層
３５…緩衝層
３６…接着層
１００…発光素子
２００…実装基板
【図１】
2013021091.tif 000006
【図２】
2013021091.tif 000007
【図３】
2013021091.tif 000008
【図４】
2013021091.tif 000009
【図５】
2013021091.tif 000010
【図６】
2013021091.tif 000011
【図７】
2013021091.tif 000012