(57)【要約】【課題】本発明は、ろう材の厚さのバラツキが抑えられた電子部品収納用パッケージを提供する。【解決手段】電子部品収納用パッケージ（１２０）は、電子部品を収容するための四角形状の凹部（１４２）を有する四角形状の絶縁基体（１４０）と、凹部を囲む絶縁基体の上面（１４１）に形成され、辺部（１７２）と角部（１７３）とを有する四角枠状の第１のメタライズ層（１５１）と、第１のメタライズ層の辺部分のみに第１のメタライズ層の上面に形成された第１のメタライズ層よりも幅が狭い第２のメタライズ層（１５２）と、第１のメタライズ層及び第２のメタライズ層に配置されるろう材（１５３）と、ろう材で接合される金属枠体（１５４）と、を備え、第１のメタライズ層が、辺部の幅より角部の幅が広く形成されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を収容するための四角形状の凹部を有する四角形状の絶縁基体と、
前記凹部を囲む前記絶縁基体の上面に形成され、辺部と角部とを有する四角枠状の第１のメタライズ層と、
前記第１のメタライズ層の辺部分のみに前記第１のメタライズ層の上面に形成された、前記第１のメタライズ層よりも幅が狭い第２のメタライズ層と、
前記第１のメタライズ層及び前記第２のメタライズ層に配置されるろう材と、
前記ろう材で接合される金属枠体と、を備え、
前記第１のメタライズ層は、前記辺部の幅より前記角部の幅が広く形成されている電子部品収納用パッケージ。
【請求項２】
前記絶縁基体の角部は、前記凹部側へ窪んでいるキャスタレーションを有し、
前記第１のメタライズ層は、前記上面から前記キャスタレーションまで伸びて形成されている請求項１に記載の電子部品収納用パッケージ。
【請求項３】
前記第１のメタライズ層は、前記上面から前記凹部の角部の内面まで伸びて形成されている請求項１又は請求項２に記載の電子部品収納用パッケージ。
【請求項４】
前記第２のメタライズ層は、両端部において幅が次第に狭くなっている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電子部品収納用パッケージ。
【請求項５】
圧電振動片を有する圧電デバイスであって、
請求項１から請求項４のいずれか一項の電子部品収納用パッケージと、
前記金属枠体にシーム溶接され、前記凹部を封止する蓋体と、を備え、
前記圧電振動片を前記凹部内に収納する圧電デバイス。
【請求項６】
圧電振動片を有する圧電デバイスであって、
請求項３の電子部品収納用パッケージと、
前記金属枠体にシーム溶接され、前記凹部を封止する蓋体と、を備え、
前記圧電振動片は、一対の短辺と一対の長辺とを含む四角形状であり、前記圧電振動片の中央に励振電極と、前記励振電極から前記一対の短辺の中心まで引き出された引出電極とを有し、
前記圧電振動片を前記凹部内に収納する圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属リッドで電子部品を封止するための電子部品収納用パッケージ、及び該パッケージ内に圧電振動片を収納した圧電デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子又は圧電振動片を収納するパッケージは、セラミック等の絶縁基体からなる。そして、パッケージ内に収納された半導体素子又は圧電振動片は、コバール等からなる金属リッドをパッケージにシーム溶接されて封止される。金属リッドをシーム溶接するために、パッケージの上面にはろう材により金属枠体が取り付けられる。
【０００３】
このパッケージの上面には、金属枠体のろう付け強度を高くするために、第１のメタライズ層と、第１のメタライズ層上に積層された第１のメタライズ層よりも幅が狭い第２のメタライズ層とが形成される。第１のメタライズ層と第２のメタライズ層とが上面に四角枠状に印刷されて形成された場合、ろう材が上面の角部分において辺部分よりも厚くなる傾向がある。このため、第１のメタライズ層及び第２のメタライズ層に塗布されるろう材の厚さにバラツキが生じ、ろう材の収縮に伴って生じる応力が部分的に大きくなることにより金属枠体が変形するという問題が生じていた。そこで、特許文献１は、第２のメタライズ層を辺部分にのみ形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１３５７１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、パッケージの小型化に伴い、第２のメタライズ層も微細化している。このため、ろう材の量のバラツキを抑制することが困難となっている。
【０００６】
そこで本発明は、ろう材の厚さのバラツキが抑えられた電子部品収納用パッケージ及び圧電デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１観点の電子部品収納用パッケージは、電子部品を収容するための四角形状の凹部を有する四角形状の絶縁基体と、凹部を囲む絶縁基体の上面に形成され、辺部と角部とを有する四角枠状の第１のメタライズ層と、第１のメタライズ層の辺部分のみに第１のメタライズ層の上面に形成された第１のメタライズ層よりも幅が狭い第２のメタライズ層と、第１のメタライズ層及び第２のメタライズ層に配置されるろう材と、ろう材で接合される金属枠体と、を備え、第１のメタライズ層が、辺部の幅より角部の幅が広く形成されている。
【０００８】
第２観点の電子部品収納用パッケージは、第１観点において、絶縁基体の角部が凹部側へ窪んでいるキャスタレーションを有し、第１のメタライズ層が上面からキャスタレーションまで伸びて形成されている。
【０００９】
第３観点の電子部品収納用パッケージは、第１観点及び第２観点において、第１のメタライズ層が上面から凹部の角部の内面まで伸びて形成されている。
【００１０】
第４観点の電子部品収納用パッケージは、第１観点から第３観点において、第２のメタライズ層が、両端部において幅が次第に狭くなっている。
【００１１】
第５観点の圧電デバイスは、圧電振動片を有する圧電デバイスであって、第１観点から第４観点の電子部品収納用パッケージと、金属枠体にシーム溶接され、凹部を封止する蓋体と、を備え、圧電振動片を凹部内に収納する。
【００１２】
第６観点の圧電デバイスは、圧電振動片を有する圧電デバイスであって、第３観点の電子部品収納用パッケージと、金属枠体にシーム溶接され、凹部を封止する蓋体と、を備え、圧電振動片は、一対の短辺と一対の長辺とを含む四角形状であり、圧電振動片の中央に励振電極と、励振電極から一対の短辺の中心まで引き出された引出電極とを有し、圧電振動片を凹部内に収納する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の電子部品収納用パッケージ及び圧電デバイスによれば、ろう材の厚さのバラツキを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】圧電デバイス１００の分解斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。  （ｂ）は、シーム溶接されている圧電デバイス１００の概略斜視図である。
【図３】絶縁基体１４０、第１メタライズ層１５１、及び第２メタライズ層１５２の平面図である。
【図４】（ａ）は、幅ＷＤ１と幅ＷＸ１及び幅ＷＺ１とが等しい場合の上面１４１の角部１７３の部分断面図である。  （ｂ）は、図３のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】絶縁基体１４０、第１メタライズ層１５１、及び第２メタライズ層１５２ａの平面図である。
【図６】圧電デバイス１００ａの断面図である。
【図７】圧電デバイス２００の分解斜視図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ断面図である。
【図９】圧電デバイス３００の分解斜視図である。
【図１０】（ａ）は、絶縁基体３４０、第１メタライズ層１５１、及び第２メタライズ層１５２の平面図である。  （ｂ）は、図９のＤ−Ｄ断面図である。  （ｃ）は、図９のＥ−Ｅ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１６】
（第１実施形態）
＜圧電デバイス１００の構成＞
図１は、圧電デバイス１００の分解斜視図である。圧電デバイス１００は、圧電振動片１３０と、蓋体１１０と、パッケージ１２０とにより形成されている。圧電振動片１３０には例えばＡＴカットの水晶振動片が用いられる。ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。以下の説明では、ＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、圧電デバイス１００においては圧電デバイス１００の長辺方向をＸ軸方向、圧電デバイス１００の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。
【００１７】
圧電振動片１３０は、矩形形状に形成されており、＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側には主面が形成されている。圧電振動片１３０の両主面にはそれぞれ励振電極１３１が形成されている。また、圧電振動片１３０の各励振電極１３１からは−Ｘ軸方向にそれぞれ引出電極１３２が引き出されている。−Ｙ’軸側の主面に形成されている励振電極１３１から引き出されている引出電極１３２は、−Ｘ軸側の−Ｚ’軸側に引き出され、さらに−Ｚ’軸側の側面を介して＋Ｙ’軸側の面に引き出されている。また、＋Ｙ’軸側の主面に形成されている励振電極１３１から引き出されている引出電極１３２は、−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側に引き出され、さらに＋Ｚ’軸側の側面を介して−Ｙ’軸側の面に引き出されている。
【００１８】
パッケージ１２０は、＋Ｙ’軸側の面に凹部１４２が形成されており、凹部１４２に電子部品等を収納することができる電子部品収納用パッケージである。パッケージ１２０は、＋Ｙ’軸側の面である上面１４１及び上面１４１から−Ｙ’軸方向に凹んで形成される凹部１４２を有する絶縁基体１４０と、絶縁基体１４０の上面１４１に形成される第１メタライズ層１５１と、第１メタライズ層１５１の表面の一部に形成される第２メタライズ層１５２と、第１メタライズ層１５１及び第２メタライズ層１５２の表面に形成されるろう材１５３と、ろう材１５３の＋Ｙ’軸側の面に接合される金属枠体１５４と、を有する。
【００１９】
絶縁基体１４０は、例えばセラミックシートを基材とした３つの層により構成される。第１層１４０ａは平板状に形成され、絶縁基体１４０の−Ｙ’軸側に配置される。また、第１層１４０ａの−Ｙ’軸側の面には圧電デバイス１００がプリント基板等に実装されるための一対の実装端子１２１（図２（ａ）参照）が形成される。第１層１４０ａの＋Ｙ’軸側には第２層１４０ｂが配置される。第２層１４０ｂの中央部には、凹部１４２の一部を形成する貫通孔が形成される。また第２層１４０ｂは凹部１４２に載置部１２３を形成し、載置部１２３上には接続電極１２４が形成される。第２層１４０ｂの＋Ｙ’軸側の面には第３層１４０ｃが配置される。第３層１４０ｃの中央部には凹部１４２の一部を形成する貫通孔が形成される。また、第３層１４０ｃの＋Ｙ’軸側の面には上面１４１が形成されている。絶縁基体１４０の平面形状及び凹部１４２の平面形状は四角形状に形成されており、上面１４１の平面形状は凹部１４２を囲む四角枠状に形成される。以下の説明では、四角枠状の上面１４１の辺を形成する部分を辺部１７２、四角枠状の上面１４１の角を形成する部分を角部１７３として説明する。
【００２０】
絶縁基体１４０の上面１４１には、凹部１４２を囲むように第１メタライズ層１５１が形成される。第１メタライズ層１５１の表面であり凹部１４２の＋Ｘ軸側、−Ｘ軸側、＋Ｚ’軸側、及び−Ｚ’軸側、すなわち辺部１７２には、第２メタライズ層１５２が形成されている。第２メタライズ層１５２は、角部１７３には形成されていない。第１メタライズ層１５１又は第２メタライズ層１５２の表面には、ろう材１５３が凹部１４２を囲むように形成され、ろう材１５３の＋Ｙ’軸側には金属枠体１５４が配置される。また、金属枠体１５４の＋Ｙ’軸側には蓋体１１０が配置される。
【００２１】
図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。圧電デバイス１００は、パッケージ１２０の＋Ｙ’軸側に蓋体１１０が接合されることにより凹部１４２が密閉され、キャビティ１０１が形成される。キャビティ１０１には、圧電振動片１３０の引出電極１３２が導電性接着剤１６１を介して接続電極１２４に電気的に接続されることにより、圧電振動片１３０が配置される。また、接続電極１２４は絶縁基体１４０を貫通する貫通電極１２５を介して実装端子１２１に電気的に接続されている。そのため、励振電極１３１と実装端子１２１とは電気的に接続される。
【００２２】
第１メタライズ層１５１及び第２メタライズ層１５２は、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料を含み、これらの金属材料が含まれた金属ペーストがスクリーン印刷等により上面１４１に印刷されることにより形成される。また、ろう材１５３は、例えば銀―銅共晶組成をベースとする銀ろうである。ろう材１５３が第１メタライズ層１５１及び第２メタライズ層１５２の表面に形成された後に、金属枠体１５４をろう材１５３の＋Ｙ’軸側に載置する。金属枠体１５４が載置される前に、金属枠体１５４の−Ｙ’軸側の面にもろう材１５３が塗布されていても良い。金属枠体１５４をろう材１５３の上に載置した後に約７５０℃から９００℃程度に加熱することにより、ろう材１５３が金属枠体１５４の−Ｙ’軸側の面に接続され、金属枠体１５４と第１メタライズ層１５１及び第２メタライズ層１５２とがろう材１５３によりろう付けされる。金属枠体１５４は、鉄−ニッケル合金、又は鉄−ニッケル−コバルト合金等により形成される。蓋体１１０と金属枠体１５４とは、例えばシーム溶接により溶接される。
【００２３】
図２（ｂ）は、シーム溶接されている圧電デバイス１００の概略斜視図である。シーム溶接は、一対の電極ローラ５０で蓋体１１０を押さえ込み、電極ローラ５０を回転させながら蓋体１１０の辺上を移動させることにより連続的に抵抗溶接を行う溶接である。電極ローラ５０が蓋体１１０の辺上を移動している最中は、電極ローラ５０間に電流を流してジュール熱を発生させている。このジュール熱により蓋体１１０と金属枠体１５４とが溶接される。また、電極ローラ５０が蓋体１１０上を移動している最中は、電極ローラ５０によって常に蓋体１１０に圧力が加えられながら行われている。電極ローラ５０は、例えば蓋体１１０の±Ｘ軸側の辺を移動して±Ｘ軸側の溶接を行い、その後±Ｚ’軸側の辺を移動して±Ｚ’軸側の溶接を行うことにより、蓋体１１０の全ての辺を溶接する。
【００２４】
図３は、絶縁基体１４０、第１メタライズ層１５１、及び第２メタライズ層１５２の平面図である。絶縁基体１４０は、Ｘ軸方向に長辺、Ｚ’軸方向に短辺が伸びる矩形形状に形成されている。第１メタライズ層１５１は上面１４１に凹部１４２を囲むように形成されている。また、第２メタライズ層１５２は、第１メタライズ層１５１の表面上であり上面１４１の長辺及び短辺上、すなわち辺部１７２に、Ｘ軸方向又はＺ’軸方向に伸びるように形成されている。角部１７３には第２メタライズ層１５２は形成されていない。
【００２５】
辺部１７２をＸ軸方向に伸びる第１メタライズ層１５１の幅ＷＺ１及びＺ’軸方向に伸びる第１メタライズ層１５１の幅ＷＸ１は、Ｘ軸方向に伸びる第２メタライズ層１５２の幅ＷＺ２及びＺ’軸方向に伸びる第２メタライズ層１５２の幅ＷＸ２よりも広く形成されている。圧電デバイス１００では、幅ＷＸ１と幅ＷＺ１とが等しく、幅ＷＸ２と幅ＷＺ２とが等しい。また、上面１４１の角部１７３における第１メタライズ層１５１のＸ軸方向及びＺ’軸方向の長さをそれぞれ長さＬＺ１及び長さＬＸ１とすると、長さＬＺ１及び長さＬＸ１は幅ＷＺ１及び幅ＷＸ１よりも広く形成されている。そのため、上面１４１の角部１７３における第１メタライズ層１５２の幅ＷＤ１を、上面１４１の外周の角と内周の角とを結ぶ直線（例えば図２（ｂ）の直線１７１）上の第１メタライズ層１５２の幅とすると、幅ＷＤ１は幅ＷＸ１及び幅ＷＺ１よりも広く形成されている。
【００２６】
図４（ａ）は、幅ＷＤ１と幅ＷＸ１及び幅ＷＺ１とが等しい場合の上面１４１の角部１７３の部分断面図である。また、図４（ａ）は幅ＷＤ１が幅ＷＸ１及び幅ＷＺ１と同じ広さに形成された場合の図３のＢ−Ｂ断面に相当する部分の部分断面図を示している。ろう材１５３が第１メタライズ層１５１及び第２メタライズ層１５２の表面に形成され金属枠体１５４がろう材１５３の上に配置された場合、ろう材１５３と第１メタライズ層１５１及び第２メタライズ層１５２との濡れ性が強いこともあり、ろう材１５３は第１メタライズ層１５１以外の箇所に流れ出ずに、ろう材１５３が第２メタライズ層１５２を伝って第２メタライズ層１５２の両端部方向に移動する。そのため、ろう材１５３は上面１４１の角部１７３に溜まりやすい。ろう材１５３は、辺部１７２では図２（ａ）に示されるように金属枠体１５４の−Ｙ’軸側の面のみに付着する。しかし、角部１７３ではろう材１５３が溜まるため、図４（ａ）に示されるように、ろう材１５３が金属枠体１５４の−Ｙ’軸側の面及び側面に付着する。すなわち、角部１７３においてろう材１５３が金属枠体１５４に接触する面積が広くなるため、ろう材１５３が金属枠体１５４に及ぼす応力が辺部１７２においてろう材１５３が金属枠体１５４に及ぼす応力よりも大きくなり、金属枠体１５４が変形する等の問題が生じる。また角部１７３におけるろう材１５３のＹ’軸方向の厚さを厚さＷＹ１とすると厚さＷＹ１は金属枠体１５４の側面の厚さだけ辺部１７２におけるＹ’軸方向の厚さよりも厚くなり、ろう材１５３が厚くなることにより角部１７３に応力が集中する。このように発生する応力は、第１メタライズ層１５１を剥離させ、又は絶縁基体１４０にクラックを生じさせ、キャビティ１０１の密封を解く場合がある。
【００２７】
図４（ｂ）は、図３のＢ−Ｂ断面図である。圧電デバイス１００では、幅ＷＤ１が幅ＷＸ１及び幅ＷＺ１よりも広く形成されており、角部１７３における第１メタライズ層１５１の面積が広く形成されている。そのため、角部１７３に集まったろう材１５３は角部１７３に形成される第１メタライズ層１５１の表面に広がることにより、金属枠体１５４の側面には形成されない。そのため、角部１７３においてろう材１５３と金属枠体１５４との間に強い応力が生じることがなく、金属枠体１５４の変形等も生じにくい。また、圧電デバイス１００の角部１７３におけるろう材１５３のＹ’軸方向の厚さＷＹ２は、辺部１７２に於けるろう材１５３のＹ’軸方向の厚さと同じであり、角部１７３においてろう材１５３が厚くならず、角部１７３にＹ’軸方向の応力が集中することがない。そのため、第１メタライズ層１５１の剥離又は絶縁基体１４０へのクラック等が生じにくい。
【００２８】
図５は、絶縁基体１４０、第１メタライズ層１５１、及び第２メタライズ層１５２ａの平面図である。圧電デバイス１００の第２メタライズ層１５２は、その端部が尖って形成されていても良い。図５では、圧電デバイス１００において、第２メタライズ層１５２の代わりに端部が尖って形成されている第２メタライズ層１５２ａが第１メタライズ層１５１の表面に形成された状態が示されている。第２メタライズ層１５２ａは、両端部に向かうに従って幅ＷＸ２及び幅ＷＺ２が次第に狭くなるように形成されることにより、端部が尖って形成される。このような第２メタライズ層１５２ａが形成された場合、ろう材１５３が第２メタライズ層１５２ａの両端部に移動しにくくなる。これは、端部が狭くなるように形成されることにより、第２メタライズ層１５２ａの側面の長さが第２メタライズ層１５２よりも長くなるためであると思われる。
【００２９】
図６は、圧電デバイス１００ａの断面図である。圧電デバイス１００ａは、図２（ａ）に示された圧電デバイス１００に於いて、第２メタライズ層１５２と金属枠体１５４とが接触した状態で形成された圧電デバイスである。このように、圧電デバイス１００では、第２メタライズ層１５２と金属枠体１５４とが接触して形成されても良い。
【００３０】
（第２実施形態）
絶縁基体の外側側面には、キャスタレーションが形成されていても良い。また、このキャスタレーションに第１メタライズ層の一部が形成されていても良い。以下に、キャスタレーションが形成され、キャスタレーションに第１メタライズ層の一部が形成されている圧電デバイス２００について説明する。また、以下の説明では、第１実施形態と同じ部分については第１実施形態と同じ番号を付してその説明を省略する。
【００３１】
＜圧電デバイス２００の構成＞
図７は、圧電デバイス２００の分解斜視図である。圧電デバイス２００は、圧電振動片１３０と、蓋体１１０と、パッケージ２２０とにより形成されている。また、パッケージ２２０は、絶縁基体２４０と、第１メタライズ層１５１と、第２メタライズ層１５２と、ろう材１５３と、金属枠体１５４と、を有する。
【００３２】
絶縁基体２４０は、第１層２４０ａと、第１層２４０ａの＋Ｙ’軸側に配置され載置部１２３を形成する第２層２４０ｂと、第２層２４０ｂの＋Ｙ’軸側に配置され＋Ｙ’軸側の面に第１メタライズ層１５１が形成される第３層２４０ｃと、により構成されている。絶縁基体２４０には凹部１４２が形成されており、第３層２４０ｃの＋Ｙ’軸側の面には凹部１４２を囲むように上面２４１が形成されている。また、絶縁基体２４０の＋Ｘ軸側、−Ｘ軸側、＋Ｚ’軸側、及び−Ｚ’軸側の各側面には凹部１４２側に窪んでいるキャスタレーション２４７ａが形成されている。さらに、絶縁基体２４０の側面の角部には凹部１４２側に窪んでいるキャスタレーション２４７ｂが形成されており、第１メタライズ層１５１が絶縁基体２４０の上面２４１からキャスタレーション２４７ｂにまで伸びて形成されている。
【００３３】
図８は、図７のＣ−Ｃ断面図である。圧電デバイス２００の第１メタライズ層１５１は、絶縁基体２４０の上面２４１及び上面２４１の角部１７３からキャスタレーション２４７ｂにかけて形成されている。また、ろう材１５３が第１メタライズ層１５１の表面に形成されている。キャスタレーション２４７ｂに形成される第１メタライズ層１５１は、キャスタレーション２４７ｂの−Ｙ’軸側の下端までには形成されていない。そのため、ろう材１５３が第１メタライズ層１５１を伝って実装端子１２１に接触しない。
【００３４】
圧電デバイスは小型化により、絶縁基体の角部において第１メタライズ層１５１を形成するための十分な面積を確保できない場合がある。圧電デバイス２００では、絶縁基体２４０の外側側面に形成されるキャスタレーション２４７ｂの一部に第１メタライズ層１５１が形成されることにより、第１メタライズ層１５１の表面に広がるろう材１５３のための面積を広く取ることができ、上面２４１の角部１７３におけるろう材１５３のＹ’軸方向の厚さが厚くなるのを防ぐことができる。そのため、金属枠体１５４の側面にろう材１５３が形成されにくい。
【００３５】
（第３実施形態）
第１メタライズ層１５１は、絶縁基体の凹部にその一部が引き出されて形成されていても良い。以下に、第１メタライズ層１５１の一部が絶縁基体の凹部に形成されている圧電デバイス３００について説明する。また、以下の説明では、第１実施形態又は第２実施形態と同じ部分については、第１実施形態又は第２実施形態と同じ番号を付してその説明を省略する。
【００３６】
＜圧電デバイス３００の構成＞
図９は、圧電デバイス３００の分解斜視図である。圧電デバイス３００は、圧電振動片３３０と、蓋体１１０と、パッケージ３２０とにより形成されている。また、パッケージ３２０は、絶縁基体３４０と、第１メタライズ層１５１と、第２メタライズ層１５２と、ろう材１５３と、金属枠体１５４と、を有する。
【００３７】
圧電振動片３３０は、＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の両主面に励振電極３３１が形成されている。＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極３３１からは、−Ｘ軸側に伸びて、さらに−Ｘ軸側の側面を介して−Ｙ’軸側の面に引き出されている引出電極３３２が形成されている。また、−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極３３１からは、＋Ｘ軸側に＋Ｘ軸側の端まで引き出されている引出電極３３２が形成されている。
【００３８】
絶縁基体３４０は、第１層３４０ａと、第１層３４０ａの＋Ｙ’軸側に配置され載置部３２３を形成する第２層３４０ｂと、第２層３４０ｂの＋Ｙ’軸側に配置され＋Ｙ’軸側の面に第１メタライズ層１５１が形成される第３層３４０ｃと、により構成されている。また、絶縁基体３４０の＋Ｘ軸側、−Ｘ軸側、＋Ｚ’軸側、及び−Ｚ’軸側の各側面にはキャスタレーション２４７ａが形成されており、絶縁基体３４０の側面の角部には、キャスタレーション３４７ｂが形成されている。絶縁基体３４０には凹部１４２及び凹部１４２を囲む上面２４１が形成されており、第１メタライズ層１５１が絶縁基体３４０の上面２４１から凹部１４２の角部の内面にまで伸びて形成されている。
【００３９】
図１０（ａ）は、絶縁基体３４０、第１メタライズ層１５１、及び第２メタライズ層１５２ａの平面図である。また、第１メタライズ層１５１は、上面２４１から凹部１４２の角部の内側に伸びて形成されている。第１メタライズ層１５１が凹部１４２の内部に伸びた部分１５１ｂは、後述の図１０（ｃ）に示されるように、その表面にもろう材１５３が形成される。絶縁基体３４０では、載置部３２３が凹部１４２の四隅から離れた＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の辺の中央に形成されており、接続電極３２４が部分１５１ｂに形成されるろう材１５３に接触せず、ろう材１５３が圧電振動片３３０の振動に影響を及ぼすことがない。
【００４０】
図１０（ｂ）は、図９のＤ−Ｄ断面図である。図１０（ｂ）はまた、図１０（ａ）のＤ−Ｄ断面を含んでいる。圧電デバイス３００のキャビティ３０２には、圧電振動片３３０が載置される。圧電振動片３３０の引出電極３３２は、導電性接着剤１６１を介して接続電極３２４に電気的に接続される。また、第１層３４０ａの−Ｙ’軸側の面には実装端子３２１が形成されており、接続電極３２４と実装端子３２１とは貫通電極１２５を介して電気的に接続される。また、辺部１７２に形成されるろう材１５３は、第１メタライズ層１５１及び第２メタライズ層１５２に沿って形成される。
【００４１】
図１０（ｃ）は、図９のＥ−Ｅ断面図である。図１０（ｂ）はまた、図１０（ａ）のＥ−Ｅ断面を含んでいる。凹部１４２の角部に形成される第１メタライズ部１５１の部分１５１ｂには、ろう材１５３が形成される。圧電デバイス３００では部分１５１ｂが形成されていることにより角部１７３における第１メタライズ層１５１の面積が広く形成される。そのため、図４（ａ）に示されるようにろう材１５３のＹ’軸方向の厚さが厚くならず、金属枠体１５４の側面にろう材１５３が形成されにくい。
【００４２】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
【符号の説明】
【００４３】
５０  …  電極ローラ
１００、１００ａ、２００、３００  …  圧電デバイス
１０１  …  キャビティ
１１０  …  蓋体
１２０、２２０、３２０  …  パッケージ
１２１  …  実装端子
１２３、３２３  …  載置部
１２４、３２４  …  接続電極
１２５  …  貫通電極
１３０、３３０  …  圧電振動片
１３１、３３１  …  励振電極
１３２、３３２  …  引出電極
１４０、２４０、３４０  …  絶縁基体
１４０ａ、２４０ａ、３４０ａ  …  第１層
１４０ｂ、２４０ｂ、３４０ｂ  …  第２層
１４０ｃ、２４０ｃ、３４０ｃ  …  第３層
１４１、２４１  …  上面
１４２  …  凹部
１５１  …  第１メタライズ層
１５２  …  第２メタライズ層
１５３  …  ろう材
１５４  …  金属枠体
１６１  …  導電性接着剤
１７２  …  辺部
１７３  …  角部
２４７ａ、２４７ｂ  …  キャスタレーション
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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