(57)【要約】【課題】歩留まりの低下を防ぐことが可能なエンコーダ用スケールの製造方法、エンコーダの製造方法、エンコーダ及びモータ装置を提供すること。【解決手段】基板の一の基板面と基板の外周面との間に設けられるエッジ部を曲面にする面取り工程と、当該面取り工程の後、一の基板面に機能材料を含む液状体の薄膜を形成する薄膜形成工程と、一の基板面にパターンを形成するパターン形成工程とを含む。【選択図】図３
2013002832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一の基板面と前記基板の外周面との間に設けられるエッジ部を曲面にする面取り工程と、
前記面取り工程の後、前記一の基板面に機能材料を含む液状体の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記一の基板面にパターンを形成するパターン形成工程と
を含むエンコーダ用スケールの製造方法。
【請求項２】
前記薄膜形成工程に先立ち、前記一の基板面と前記基板の内周面との間の第二エッジ部を曲面にする第二面取り工程を含む、
請求項１に記載のエンコーダ用スケールの製造方法。
【請求項３】
前記薄膜形成工程は、
前記基板を円周方向に回転させ、前記液状体を前記一の基板面上に拡散させて塗布することを含む
請求項１又は請求項２に記載のエンコーダ用スケールの製造方法。
【請求項４】
前記薄膜形成工程に先立ち、前記一の基板面に対して鏡面加工を行う鏡面加工工程を含む
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載のエンコーダ用スケールの製造方法。
【請求項５】
前記薄膜形成工程に先立ち、前記鏡面加工が行われた前記一の基板面を洗浄する洗浄工程を含む
請求項４に記載のエンコーダ用スケールの製造方法。
【請求項６】
前記パターン形成工程は、前記一の基板面に形成された前記薄膜に露光することを含むリソグラフィー工程を含む
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載のエンコーダ用スケールの製造方法。
【請求項７】
前記リソグラフィー工程は、
前記薄膜を硬化させることと、
硬化させた前記薄膜を所定の形状に成型することと、を含む
請求項６に記載のエンコーダ用スケールの製造方法。
【請求項８】
前記パターン形成工程は、めっき法又は蒸着法によって前記パターンを形成することを含む
請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載のエンコーダ用スケールの製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のエンコーダ用スケールの製造方法と、
前記パターンを検出する検出部を検出基板に形成する検出部形成工程と
を含むエンコーダの製造方法。
【請求項１０】
前記パターン形成工程は、前記基板に前記パターンとして光学パターンを形成することを含む
請求項９に記載のエンコーダの製造方法。
【請求項１１】
前記パターン形成工程は、前記基板の溝部に前記パターンとして磁気パターンを形成することを含む
請求項９又は請求項１０に記載のエンコーダの製造方法。
【請求項１２】
測定対象の回転子に固定される基板を有し、当該基板の一の基板面と外周面との間に設けられるエッジ部が曲面に形成され、前記基板にパターンが形成された回転部と、
前記パターンを検出する検出部と
を備えるエンコーダ。
【請求項１３】
前記一の基板面と前記基板の内周面との間に設けられる第二エッジ部が曲面に形成されている
請求項１２に記載のエンコーダ。
【請求項１４】
前記パターンは、前記基板に形成された光学パターンを含む
請求項１２又は請求項１３に記載のエンコーダ。
【請求項１５】
前記基板は、該基板の内周面を含んで形成された溝部を有し、
前記パターンとして磁気パターンを有する磁石が前記溝部に配置されている
請求項１２から請求項１４のいずれか一項に記載のエンコーダ。
【請求項１６】
回転子と、
前記回転子を回転させる駆動部と、
前記回転子に固定され、前記回転子の位置情報を検出するエンコーダと
を備え、
前記エンコーダとして、請求項１２から請求項１５のうちいずれか一項に記載のエンコーダが用いられている
モータ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エンコーダ用スケールの製造方法、エンコーダの製造方法、エンコーダ及びモータ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
モーターの回転軸などを含む回転体の回転数、回転角度、回転位置といった回転情報を検出する装置として、エンコーダが知られている。このようなエンコーダの一種として、例えば反射型の光学式エンコーダが知られている（例えば、特許文献１参照）。反射型の光学式エンコーダは、例えば表面に反射領域と非反射領域とが形成された回転基板を有し、当該反射領域で反射する光を受光素子で検出して位置決めをする構成である。
【０００３】
回転基板を製造する際には、例えば、鏡面状に形成された基板の表面に光吸収層がパターニングする。このように光吸収層をパターニングする場合、例えばスピンコート法によって回転基板上にレジスト液を塗布する手法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１２１１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、例えば回転基板の上面にスピンコート法によってレジスト液を塗布する場合、回転基板の外周部でレジストが盛り上がった状態になる、いわゆるエッジビードが発生する場合がある。エッジビードが発生すると、回転基板上に光吸収層をパターニングする際に、パターニング精度が低下する場合があり、歩留まりに影響する可能性がある。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明は、歩留まりの低下を防ぐことが可能なエンコーダ用スケールの製造方法、エンコーダの製造方法、エンコーダ及びモータ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第一の態様に従えば、基板の一の基板面と基板の外周面との間に設けられるエッジ部を曲面にする面取り工程と、当該面取り工程の後、一の基板面に機能材料を含む液状体の薄膜を形成する薄膜形成工程と、一の基板面にパターンを形成するパターン形成工程とを含むエンコーダ用スケールの製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第二の態様に従えば、本発明の第一の態様に従うエンコーダ用スケールの製造方法と、前記パターンを検出する検出部を検出基板に形成する検出部形成工程とを含むエンコーダの製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第三の態様に従えば、測定対象の回転子に固定される基板を有し、当該基板の一の基板面と外周面との間に設けられるエッジ部が曲面に形成され、基板にパターンが形成された回転部と、パターンを検出する検出部とを備えるエンコーダが提供される。
【００１０】
本発明の第四の態様に従えば、回転子と、当該回転子を回転させる駆動部と、当該回転子に固定され、当該回転子の位置情報を検出するエンコーダとを備え、当該エンコーダとして、本発明の第三の態様に従うエンコーダが用いられているモータ装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の態様によれば、歩留まりの低下を防ぐことが可能なエンコーダ用スケールの製造方法、エンコーダの製造方法、エンコーダ及びモータ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態に係るモータ装置の構成を示す図。
【図２】本実施形態に係るエンコーダの一部の構成を示す図。
【図３】本実施形態に係るエンコーダの製造方法を示すフローチャート。
【図４】本実施形態に係るエンコーダの製造過程を示す工程図。
【図５】本実施形態に係るエンコーダの製造過程を示す工程図。
【図６】本実施形態に係るエンコーダの製造過程を示す工程図。
【図７】本実施形態に係るエンコーダの製造過程を示す工程図。
【図８】本実施形態に係るエンコーダの製造過程を示す工程図。
【図９】本実施形態に係るエンコーダの製造過程を示す工程図。
【図１０】本実施形態に係るエンコーダの製造過程を示す工程図。
【図１１】本実施形態に係るエンコーダの製造過程を示す工程図。
【図１２】本実施形態に係るエンコーダの製造過程を示す工程図。
【図１３】本実施形態の係るエンコーダの他の製造過程を示す工程図。
【図１４】本実施形態の係るエンコーダの他の製造過程を示す工程図。
【図１５】本実施形態の係るエンコーダの他の製造過程を示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。  
図１は、モータ装置ＭＴＲの構成を示す断面図である。  
図１に示すように、モータ装置ＭＴＲは、回転子である回転軸ＳＦと、当該回転軸ＳＦを回転させる駆動部であるモータ本体ＢＤと、回転軸ＳＦの位置情報を検出するエンコーダＥＣとを備えている。エンコーダＥＣは、回転部Ｒ及び検出部Ｄを有している。エンコーダＥＣは、検出部Ｄを構成する筐体３０内に回転部Ｒが収容された状態で用いられる。
【００１４】
回転部Ｒは、回転基板Ｓ及び磁石部材Ｍを有している。  
回転基板Ｓは、回転軸ＳＦに固定されている。回転基板Ｓは、回転軸ＳＦを中心軸として当該回転軸ＳＦと一体的に回転する。回転基板Ｓは、例えば金属材料やガラスなどによって円盤状に形成された基板５０を有している。回転基板Ｓの構成材料として、他の材料を用いても勿論構わない。回転基板Ｓは、基板５０に形成されたハブ２０、パターン形成部２１、突出部２２及び溝部２３をそれぞれ有している。ハブ２０の下面側には、平面視中央部に挿入穴２０ａ（図２参照）が形成されている。
【００１５】
挿入穴２０ａは、上記モータ装置ＭＴＲの回転軸ＳＦが挿入されるようになっている。ハブ２０は、回転軸ＳＦが挿入穴２０ａに挿入された状態で回転軸ＳＦとハブ２０との間を固定する固定機構（不図示）を有している。
【００１６】
パターン形成部２１は、ハブ２０の周縁部に設けられた円環状の部分である。パターン形成部２１の上面２１ａは平坦に形成されている。上面２１ａは、鏡面加工された状態となっている。上面２１ａには光反射パターン２４が形成されている。光反射パターン２４は、回転基板Ｓの円周方向に沿って形成された一回転情報である。
【００１７】
光反射パターン２４は、鏡面加工された上面２１ａの他の部分よりも光反射率の低い光吸収層２４ａを有している。光吸収層２４ａは、例えばニッケル、クロム、鉄及び亜鉛などの金属からなる薄膜によって形成されている。光吸収層２４ａは、パターン形成部２１の形状に沿って円周方向に所定の形状に形成されている。
【００１８】
この他、例えば上面２１ａ自体を着色加工したり、粗面加工したりすることで光吸収層２４ａを形成しても構わない。パターン形成部２１は、光反射パターン２４が形成された領域を含めて、ほぼ全体がアクリル樹脂などの透明保護膜（不図示）によって被覆されている。このように、光反射パターン２４は、円板状に形成された回転基板Ｓの第一面Ｓａ（図中上面側）に設けられている。
【００１９】
突出部２２は、ハブ２０の平面視中央に設けられており、ハブ２０の上面側に突出して形成されている。溝部２３は、ハブ２０の上面側において、パターン形成部２１と突出部２２との間に環状に形成されている部分である。
【００２０】
磁石部材Ｍは、回転基板Ｓの溝部２３に収容されている。磁石部材Ｍは、回転基板Ｓの回転方向に沿って円環状に形成された永久磁石である。磁石部材Ｍには、所定の磁気パターンが形成されている。磁気パターンは、磁石部材Ｍの周方向に沿って形成された多回転情報である。
【００２１】
磁石部材Ｍの磁気パターンとして、例えば回転軸ＳＦの軸方向に見て円環の半分の領域にＮ極に着磁され、円環の他の半分の領域がＳ極に着磁された磁気パターンなどが挙げられる。磁気パターンは、円板状に形成された回転部Ｒの第一面Ｓａ側に形成されていることになる。回転基板Ｓと磁石部材Ｍとの間は、例えば不図示の接着剤などを介して固着されている。
【００２２】
検出部Ｄは、上記の光反射パターン２４及び磁石部材Ｍによる磁場を検出する部分である。検出部Ｄは、筐体３０、光センサ３１及び磁気センサ３２を有している。  
筐体３０は、例えば平面視円形のコップ状（円筒状）に形成されている。筐体３０は、モータ装置ＭＴＲのうち回転軸ＳＦを回転させるモータ本体ＢＤに固定されており、回転軸ＳＦとは固定されていない状態となっている。したがって、回転軸ＳＦが回転しても、筐体３０とモータ装置ＭＴＲとの相対位置が変化しないようになっている。筐体３０は、一体的に形成された回転基板Ｓ及び磁石部材Ｍを収容する。回転基板Ｓ及び磁石部材Ｍは、回転軸ＳＦの軸方向に見たときに、それぞれの中心が筐体３０の中心に一致するように位置合わせされた状態で収容されている。
【００２３】
光センサ３１は、光反射パターン２４へ向けて光を射出し、反射光を読み取ることで光反射パターン２４を検出するセンサである。光センサ３１は、例えば回転基板Ｓの光反射パターン２４に対して、回転軸ＳＦの軸方向に見て重なる位置に配置されている。光センサ３１は、光を射出する発光部及び反射光を受光する受光部を有する。発光部としては、例えばＬＥＤなどが用いられる。受光部としては、例えば光電素子などが用いられる。受光部によって読み取られた光は、電気信号として不図示の制御装置に送信されるようになっている。光センサ３１を構成する各部は、筐体３０に保持されている。
【００２４】
磁気センサ３２は、例えば磁石部材Ｍに対して回転軸ＳＦの軸方向に見て重なる位置に一対配置されている（磁気センサ３２Ａ及び３２Ｂ）。各磁気センサ３２Ａ及び３２Ｂは、バイアス磁石（不図示）及び磁気抵抗素子（不図示）を有している。磁気センサ３２Ａ及び３２Ｂは、それぞれ筐体３０に保持されている。
【００２５】
バイアス磁石は、磁石部材Ｍの磁場との間で合成磁場を形成する磁石である。バイアス磁石を構成する材料として、例えばサマリューム・コバルトなどの磁力の大きい希土類磁石などが挙げられる。バイアス磁石は、磁気抵抗素子に接触したり、隣接したりしない位置に配置されている。
【００２６】
磁気抵抗素子は、例えば金属配線などによって形成された直交する２つの繰り返しパターンを有している。磁気抵抗素子は、磁場の方向が当該繰り返しパターンに流れる電流の方向の垂直方向に近くなると電気抵抗が低下するようになっている。磁気抵抗素子は、この電気抵抗の低下を利用して磁場の方向を電気信号に変換するようになっている。磁気抵抗素子は、磁石部材Ｍの磁場及びバイアス磁石の磁場による合成磁場を検出するようになっている。検出結果は、電気信号として上記の制御装置（不図示）に送信されるようになっている。
【００２７】
検出部Ｄは、光センサ３１において一回転情報を検出し、磁気センサ３２において多回転情報を検出する。制御装置は、光センサ３１から出力される一回転情報に基づいて回転軸ＳＦの回転角度を求めると共に、磁気センサ３２Ａ及び３２Ｂから出力される多回転情報に基づいて回転軸ＳＦの回転数を求める処理を行う。
【００２８】
図２は、回転基板Ｓのうちパターン形成部２１の断面を拡大して示す図である。なお、図２においては、磁石部材Ｍの図示を省略している。  
図２に示すように、回転基板Ｓは、第一エッジ部２５及び第二エッジ部２６を有している。
【００２９】
第一エッジ部２５は、パターン形成部２１の上面２１ａと外周面２１ｂとの間に形成されている。第一エッジ部２５は、上面２１ａから外周面２１ｂにかけて曲面を構成するように面取りされて形成されている。第二エッジ部２６は、上面２１ａと内周面２１ｃとの間に形成されている。第二エッジ部２６は、上面２１ａから内周面２１ｃにかけて曲面を構成するように面取りされて形成されている。
【００３０】
また、パターン形成部２１には、レジスト膜２７が形成されている。レジスト膜２７は、光吸収層２４ａの周囲を囲うように形成されている。レジスト膜２７は、上面２１ａから第一エッジ部２５及び第二エッジ部２６にかけての範囲に形成されている。レジスト膜２７は、鏡面加工された上面２１ａを保護する保護層を兼ねている。レジスト膜２７は、光センサ３１からの光を透過可能な材料を用いて形成されている。
【００３１】
次に、上記のように構成されたエンコーダＥＣの製造方法を説明する。  
図３は、エンコーダＥＣの回転基板Ｓを製造する工程を示すフローチャートである。また、図４〜図１２は、回転基板Ｓの製造過程の様子を示す図である。以下、図３〜図１２を参照して、エンコーダの回転基板Ｓの製造方法を説明する。回転基板Ｓを製造する際には、図４に示すように、ハブ２０、パターン形成部２１、突出部２２及び溝部２３が形成された基板５０を予め形成しておく。
【００３２】
まず、当該基板５０に対して、面取り工程を行う。面取り工程では、図５に示すように、パターン形成部２１の上面２１ａと外周面２１ｂとの間の第一エッジ部２５を曲面に形成すると共に、上面２１ａと内周面２１ｃとの間の第二エッジ部２６を曲面に形成する。この工程では、第一エッジ部２５及び第二エッジ部２６に対して、例えば切削加工や研磨加工などの機械加工を行う。
【００３３】
面取り工程の後、鏡面加工工程を行う。鏡面加工工程では、図６に示すように、研磨部材２８などを用いて、パターン形成部２１の上面２１ａに鏡面加工を施す。この工程により、上面２１ａの光反射率が高められる。鏡面加工工程の後、上面２１ａに対してアブゾール洗浄を行うと共に、上面２１ａに対して洗浄液などを用いた本洗浄を行い、その後基板５０に対してベーク処理を行う（図３参照）。
【００３４】
ベーク処理の後、基板５０のパターン形成部２１に対してレジストを塗布する。このレジスト塗布工程では、まず、図７に示すように、基板５０を外周面２１ｂの周方向に回転させた状態で、レジスト液２９（例、ネガ型フォトレジストのＳＵ−８、等）を上面２１ａ上に配置させる。このとき、レジスト液２９を上面２１ａと第二エッジ部２６との境界部分に配置させるようにする。
【００３５】
基板５０の回転により、上面２１ａに配置されたレジスト液２９には遠心力が作用する。この遠心力により、図８に示すように、当該レジスト液２９は、第二エッジ部２６から第一エッジ部２５へ向けて拡散する。また、レジスト液２９は、重力により第二エッジ部２６の曲面に沿って拡散する。
【００３６】
この結果、図９に示すように、第一エッジ部２５、上面２１ａ及び第二エッジ部２６にかけてレジスト膜２７が形成される。第一エッジ部２５において、レジスト膜２７の膜表面は、当該第一エッジ部２５の曲面に沿って下方に湾曲した状態となる。また、第二エッジ部２６において、レジスト膜２７の膜表面は、当該第二エッジ部２６の曲面に沿って下方に湾曲した状態となる。
【００３７】
このように、第一エッジ部２５及び第二エッジ部２６が曲面に形成されているため、第一エッジ部２５及び第二エッジ部２６に形成されるレジスト膜２７に対して、表面張力の起点となる角が無い構成である。したがって、レジスト膜２７の膜表面が上方に盛り上がることなく、レジスト膜２７がパターン形成部２１上に形成されることになる。
【００３８】
パターン形成部２１にレジスト膜２７を塗布した後、当該レジスト膜２７に対してプリベーク処理を行い、レジスト膜２７を乾燥させる。その後、レジスト膜２７に対して露光処理を行う。露光処理では、レジスト膜２７のうち高反射領域のパターンを形成する部分に対して露光光を照射する。図１０に示すように、レジスト膜２７のうち露光光が照射された露光部分（非露光部分２７ａ以外の部分）は、現像液に対して溶解性が低下し硬化した状態に変質する。また、レジスト膜２７のうち露光光が照射されない非露光部分２７ａは、現像工程において現像液に溶解する。
【００３９】
露光工程の後、レジスト膜２７に対してポストベーク処理を行う。その後、レジスト膜２７に対して現像工程を行う。現像工程では、現像液を用いてレジスト膜２７の非露光部分２７ａを溶解する。この工程により、図１１に示すように、レジスト膜２７のうち非露光部分２７ａが形成されていた箇所に、開口部２７ｂが形成される。
【００４０】
現像工程の後、レジスト膜２７に対してハードベーク処理を行う。その後、レジスト膜２７の開口部２７ｂに、低反射領域のパターンを形成する。当該パターン形成工程では、メッキ処理若しくは蒸着処理により、図１２に示すように、開口部２７ｂに光吸収層２４ａが形成される。基板５０が金属基板である場合、メッキ法として、例えば無電解メッキ法を行うことができる。
【００４１】
以下、基板５０が金属基板であり、メッキ処理として無電解メッキ法によって光吸収層２４ａを形成する場合の例を説明する。  
無電解メッキ法を行う場合、上記の現像処理の後、必要に応じて、レジスト膜２７が形成された上面２１ａ全体を苛性処理液に浸漬させて苛性処理を施す。この苛性処理により基板５０の上面２１ａのうちレジスト膜２７の開口部２７ｂから露出する部分の汚れが除去される。苛性処理液の種類や苛性処理の条件（例えば、浸漬温度および浸漬時間）については、使用する基板５０の材料などに応じて適宜決定することができる。
【００４２】
この苛性処理の後、当該基板５０の上面２１ａ全体を中和処理液に浸漬し、上記開口部２７ｂから露出する部分を中和する。中和処理液の種類、中和処理の条件（例えば、浸漬温度および浸漬時間）は、使用する基板５０の種類や苛性処理液の種類などに応じて適宜決定することができる。
【００４３】
中和処理を終えた後、基板５０の上面２１ａを形成する金属のイオン化傾向よりも小さく、かつ、上記光吸収層２４ａを形成する金属のイオン化傾向よりも大きいイオン化傾向を有する金属のイオンを含有するアルカリ性の溶液（以下、「金属イオン含有溶液」という。）に、基板５０を浸漬させる。これにより、基板５０の上面２１ａの露出部分の金属が金属イオン含有溶液中の金属で置換され、レジスト膜２７に対する上面２１ａの露出部分に金属置換膜が形成される。
【００４４】
なお、金属イオン含有溶液は、使用する基板５０の材質および光吸収層２４ａの材質などに応じて適宜決定することができる。金属置換膜の形成条件（例えば、浸漬温度および浸漬時間）は、使用する基材および金属イオン含有溶液の種類などに応じて適宜設定することができる。また、形成する金属置換膜の膜厚は、特に限定されず、上面２１ａの露出部分さえ置換されればよい。なお、図示を省略するが、外周面２１ｂ及び内周面２１ｃの表層に金属置換膜が形成されても構わない。
【００４５】
このようにして形成した金属置換膜を備える基板５０に、そのまま無電解メッキ処理を施してもよい。また、基板５０に対する密着性がより高い光吸収層２４ａを形成するため、例えば一度、基板５０から金属置換膜を剥離し、再度、金属置換膜を形成するようにしても構わない。また、この金属置換膜の剥離と形成を繰り返すようにしても構わない。
【００４６】
金属置換膜を剥離する場合、例えば基板５０を酸に浸漬させる。これにより、金属置換膜の金属が溶解し、再び、基板５０が露出する。金属置換膜の剥離に使用する酸は、使用する基板５０および金属置換膜の種類などに応じて適宜決定することができる。また、金属置換膜の剥離処理条件（例えば、浸漬温度および浸漬時間）は、使用する基板５０や酸、形成された金属置換膜の種類などに応じて適宜設定することができる。
【００４７】
金属置換膜を剥離した後、再度金属置換膜を形成する場合には、例えば上記の金属置換膜の形成手法と同一の手法によって行うことができる。このとき、使用する金属イオン含有溶液や金属置換膜の形成条件は、上記工程と同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。また、形成する金属置換膜の膜厚は上記工程と同様に薄くてもよい。金属置換膜の剥離と形成をさらに繰り返す場合は、それらに使用する金属イオン含有溶液や酸、および金属置換膜の剥離処理条件や形成条件は、上記各工程と同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。
【００４８】
次に、レジスト膜２７及び金属置換膜が形成された基板５０を無電解メッキ液に浸漬させる。金属置換膜が形成されていない状態の基板５０を無電解メッキ液に浸漬させると、基板５０の上面２１ａの露出部分にメッキ金属が析出する。一方、金属置換膜が形成された基板５０を無電解メッキ液に浸漬させると、金属置換膜の金属がメッキ金属で置換される。この結果、いずれの場合にも、図１２に示すように、基板５０の上面２１ａの露出部分に無電解メッキ膜からなる光吸収層２４ａが形成される。なお、外周面２１ｂ及び内周面２１ｃの表層に金属置換膜が形成されている場合には、当該外周面２１ｂ及び内周面２１ｃにも無電解メッキ膜が形成されることになる。
【００４９】
無電解メッキ液としては、基板５０を形成する金属のイオン化傾向よりも小さい金属（金属置換膜を備える場合にはこの金属置換膜を形成する金属のイオン化傾向よりも小さい金属）を含み、かつ、基板５０の上面２１ａよりも光反射率の低い金属であれば、無電解メッキ液を使用することができる。このような無電解メッキ液として、例えば、無電解ニッケルメッキ液、無電解黒ニッケルメッキ液、無電解銅メッキ液などが挙げられる。無電解メッキ処理条件（例えば、浸漬温度および浸漬時間）は、使用する基板５０や無電解メッキ液、形成された金属置換膜の種類などに応じて適宜設定することができる。
【００５０】
金属置換膜を形成した状態で無電解メッキを行う場合、金属置換膜の金属とメッキ金属とが置換され、基板５０に対してより密着性の高い無電解メッキ膜を形成することができる。また、当該金属置換膜を形成する際に、金属イオン含有溶液として亜鉛イオンを含むアルカリ性溶液を使用することにより、当該無電解メッキ処理において亜鉛とニッケルまたは銅との置換が進行しやすく、アルミニウムまたはアルミニウム合金表面に無電解ニッケルメッキ膜または無電解銅メッキ膜を容易に形成することができる。
【００５１】
金属置換膜を形成する際に、例えば一度形成した金属置換膜を剥離して、再度金属置換膜を形成させても構わない。この場合、光吸収層２４ａの密着性がより高まることとなる。
【００５２】
光吸収層２４ａを形成した後、レジスト膜２７（レジスト膜２７）を除去しても構わない。レジスト膜２７の除去方法としては、例えば当該レジスト膜２７が形成された基板５０をレジスト剥離液に浸漬する方法などが挙げられる。レジスト剥離液としては、例えば、使用したフォトレジストの種類に応じて適宜選択して使用することができる。また、浸漬処理条件は使用するレジスト剥離液の種類に応じて適宜設定することができる。レジスト膜２７を除去することにより、基板５０の上面２１ａの一部が光吸収層２４ａから露出する光反射パターン２４が形成される。なお、光反射パターン２４を形成した後、当該光反射パターン２４上に不図示の保護膜などを形成しても構わない。このようにして、回転基板Ｓが得られる。
【００５３】
回転基板Ｓを形成した後、回転基板Ｓの溝部２３に磁石部材Ｍを取り付け、検出部Ｄを別途形成することにより、エンコーダＥＣを得ることができる。また、エンコーダＥＣの回転基板Ｓをモータ装置ＭＴＲの回転軸ＳＦに取り付け、検出部Ｄをモータ装置ＭＴＲの駆動部ＡＣに取り付けることにより、図１に示すエンコーダＥＣが取り付けられたモータ装置ＭＴＲを得ることができる。
【００５４】
以上のように、本実施形態によれば、基板５０の上面２１ａと外周面２１ｂとの間に設けられる第一エッジ部２５を曲面にする面取り工程を行い、当該面取り工程の後、上面２１ａにレジスト液２９の薄膜であるレジスト膜２７を形成するレジスト塗布工程を行うこととしたので、第一エッジ部２５においてレジスト膜２７の膜表面が上方に盛り上がることなく、すなわち、エッジビードが形成されること無く、レジスト膜２７が上面２１ａに形成されることとなる。このため、上面２１ａに光反射パターン２４を形成するパターン形成工程において、パターニングの精度が低下するのを防ぐことができる。これにより、回転基板Ｓの歩留まりの低下を防ぐことが可能となる。
【００５５】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
上記実施形態においては、回転基板Ｓを構成する基板５０が金属基板である場合の回転基板Ｓの製造方法の例を説明したが、例えば回転基板Ｓを構成する基板５０がガラス基板である場合、以下のような製造方法となる。
【００５６】
すなわち、基板５０としてガラス基板を用いる場合、面取り工程に先立ち、図１３に示すように、基板５０のうちパターン形成部２１の上面２１ａに対して、蒸着法によって光反射膜２１ｄを形成する。その後、上記同様に面取り工程、アブゾール洗浄工程、本洗浄工程及びベーク工程を行い、図１４に示すように、光反射膜２１ｄ上にレジスト膜２７を形成する。
【００５７】
その後、上記したリソグラフィー工程と同様に、プリベーク工程、露光工程、ポストベーク工程、現像工程及びハードベーク工程を行い、レジスト膜２７に開口部２７ｂを形成する。その後、図１５に示すように、基板５０上に光吸収層２４ａを構成する材料の薄膜２４ｂを蒸着法によって形成する。薄膜２４ｂは、レジスト膜２７上及び開口部２７ｂ内に形成される。
【００５８】
薄膜２４ｂを形成した後、レジスト膜２７及び当該レジスト膜２７上の薄膜２４ｂを除去する。これにより、薄膜２４ｂのうち開口部２７ｂに形成された部分が残存する。この残存部分が光吸収層２４ａとなる。このように、基板５０がガラスからなる場合であっても、基板５０上に光反射パターン２４を形成することができる。
【符号の説明】
【００５９】
ＭＴＲ…モータ装置  ＳＦ…回転軸  ＢＤ…モータ本体  ＥＣ…エンコーダ  Ｒ…回転部  Ｄ…検出部  Ｓ…回転基板  Ｍ…磁石部材  Ｓａ…第一面  ＡＣ…駆動部  ２１…パターン形成部  ２１ａ…上面  ２１ｂ…外周面  ２１ｃ…内周面  ２１ｄ…光反射膜  ２３…溝部  ２４…光反射パターン  ２４ａ…光吸収層  ２４ｂ…薄膜  ２５…第一エッジ部  ２６…第二エッジ部  ２７…レジスト膜  ２９…レジスト液  ５０…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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