(57)【要約】【課題】機能層の劣化を抑えた多層膜基板およびその製造方法、並びにこの多層膜基板の製造方法を用いた半導体装置の製造方法、表示装置の製造方法および電子機器の製造方法を提供する。【解決手段】第１基板に、接着部および離間部を有する接着制御層を形成する工程と、前記接着部で前記第１基板に固定され、かつ、前記離間部では前記第１基板との接着が阻害される被剥離層を形成する工程と、前記被剥離層に機能層を積層する工程と、前記機能層を前記被剥離層と共に前記第１基板から剥離する工程と、前記機能層を第２基板上に設ける工程とを含む多層膜基板の製造方法。【選択図】図７Ａ
2013257420.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板に、接着部および離間部を有する接着制御層を形成する工程と、
前記接着部で前記第１基板に固定され、かつ、前記離間部では前記第１基板との接着が阻害される被剥離層を形成する工程と、
前記被剥離層に機能層を積層する工程と、
前記機能層を前記被剥離層と共に前記第１基板から剥離する工程と、
前記機能層を第２基板上に設ける工程と
を含む多層膜基板の製造方法。
【請求項２】
前記接着制御層をパターニングして前記接着部および離間部を形成し、
前記接着部では前記被剥離層と前記第１基板とが接する
請求項１に記載の多層膜基板の製造方法。
【請求項３】
前記接着制御層と前記第１基板との間に、前記接着制御層を前記第１基板に固定するための第１密着層を設ける
請求項２に記載の多層膜基板の製造方法。
【請求項４】
前記接着制御層と前記被剥離層との間に、前記接着制御層を前記被剥離層に固定するための第２密着層を設け、
前記接着制御層を、前記被剥離層と共に前記第１基板から剥離する
請求項２に記載の多層膜基板の製造方法。
【請求項５】
前記接着制御層は、前記離間部を有する第１接着制御層および前記接着部を有する第２接着制御層により構成される
請求項１に記載の多層膜基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１接着制御層の表面の一部に前記第２接着制御層を設ける
請求項５に記載の多層膜基板の製造方法。
【請求項７】
前記離間部を有する第３接着制御層により前記第２接着制御層の表面を覆い、
前記第２接着制御層の側面を露出させて前記接着部を構成する
請求項６に記載の多層膜基板の製造方法。
【請求項８】
前記接着制御層に選択的に表面処理を施して前記接着部および離間部を形成する
請求項１に記載の多層膜基板の製造方法。
【請求項９】
前記表面処理として酸化処理を施す
請求項８に記載の多層膜基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１基板から、物理的に前記機能層および前記被剥離層を剥離する
請求項１に記載の多層膜基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第２基板よりも厚い前記第１基板を用いる
請求項１に記載の多層膜基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第２基板は可撓性材料により構成されている
請求項１に記載の多層膜基板の製造方法。
【請求項１３】
第１基板に接着部および離間部を有する接着制御層を形成する工程と、
前記接着部で前記第１基板に固定され、かつ、前記離間部では前記第１基板との接着が阻害される被剥離層を形成する工程と、
前記被剥離層に半導体膜を積層する工程と、
前記半導体膜を前記被剥離層と共に前記第１基板から剥離する工程と、
前記半導体膜を第２基板上に設ける工程と
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
第１基板に接着部および離間部を有する接着制御層を形成する工程と、
前記接着部で前記第１基板に固定され、かつ、前記離間部では前記第１基板との接着が阻害される被剥離層を形成する工程と、
前記被剥離層に表示層を積層する工程と、
前記表示層を前記被剥離層と共に前記第１基板から剥離する工程と、
前記表示層を第２基板上に設ける工程と
を含む表示装置の製造方法。
【請求項１５】
表示装置を形成する工程を有し、
前記表示装置を形成する工程は、
第１基板に接着部および離間部を有する接着制御層を形成する工程と、
前記接着部で前記第１基板に固定され、かつ、前記第１基板との接着が阻害される被剥離層を形成する工程と、
前記被剥離層に表示層を積層する工程と、
前記表示層を前記被剥離層と共に前記第１基板から剥離する工程と、
前記表示層を第２基板上に設ける工程とを含む
電子機器の製造方法。
【請求項１６】
基板上に、
裏面に凹部を有する被剥離層と、
前記被剥離層に積層された機能層と
を備えた多層膜基板。
【請求項１７】
前記被剥離層は前記凹部を複数有し、隣り合う前記凹部の間では前記被剥離層の表面が沈降している
請求項１６に記載の多層膜基板。
【請求項１８】
前記凹部に前記被剥離層に固定された接着制御層を有する
請求項１６に記載の多層膜基板。
【請求項１９】
前記機能層は複数の画素領域を有する表示層であり
前記画素領域は前記被剥離層の凹部に対向する位置に設けられている
請求項１６に記載の多層膜基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、例えば半導体膜や表示層等の機能層を有する多層膜基板およびその製造方法、並びにこの多層膜基板の製造方法を用いた半導体装置の製造方法、表示装置の製造方法および電子機器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルディスプレイ等の表示装置では、まず、例えばガラス等の基板（第１基板）に可撓性基板（第２基板）を固定し、この第１基板上でＴＦＴ（Thin Film Transistor）層や表示層等の機能層が形成される。第１基板上で機能層を形成した後、第２基板を第１基板から剥がして、フレキシブルディスプレイが完成する。
【０００３】
しかしながら上記の方法では、機能層を形成する際に熱が発生し、この熱により樹脂材料等からなる第２基板が溶けだす虞があった。また、この熱は第２基板を伸縮させるため、機能層各部の精確な位置合わせも困難であった。更に、第１基板に第２基板を固定するための接着剤が熱により硬化し、製造途中で第２基板が第１基板から剥がれる、という問題も生じていた。
【０００４】
このような問題に対し、第１基板上で機能層を形成した後、機能層を第１基板から剥がして第２基板上に移す方法が提案されている（例えば、特許文献１）。特許文献１には、第１基板上に金属層を設け、この金属層に酸化層および機能層をこの順に積層した後、金属層にレーザ照射を行う方法が記載されている。この方法ではレーザ照射により脆性の金属酸化物層が形成されるため、第１基板から機能層を容易に剥がすことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１４２３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の方法では第１基板上に機能層を形成した後に、レーザ照射を行っているため、このレーザ照射で発生する熱により機能層が劣化する虞がある。
【０００７】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、機能層の劣化を抑えた多層膜基板およびその製造方法、並びにこの多層膜基板の製造方法を用いた半導体装置の製造方法、表示装置の製造方法および電子機器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本技術による多層膜基板の製造方法は、第１基板に、接着部および離間部を有する接着制御層を形成する工程と、接着部で第１基板に固定され、かつ、離間部では第１基板との接着が阻害される被剥離層を形成する工程と、被剥離層に機能層を積層する工程と、機能層を被剥離層と共に第１基板から剥離する工程と、機能層を第２基板上に設ける工程とを含むものである。
【０００９】
本技術の半導体装置の製造方法は、上記本技術の多層膜基板の製造方法における機能層として半導体膜を用いるものである。
【００１０】
本技術の表示装置の製造方法は、上記本技術の多層膜基板の製造方法における機能層として表示層を用いるものである。
【００１１】
本技術の電子機器の製造方法は、上記本技術の表示装置の製造方法を用いるものである。
【００１２】
本技術の多層膜基板の製造方法、半導体装置の製造方法、表示装置の製造方法または電子機器の製造方法では、接着制御層に予め接着部および離間部が設けられているので、第１基板上に形成された機能層は、レーザ照射等の処理を施すことなく第２基板上に移される。
【００１３】
本技術の多層膜基板は、基板上に、裏面に凹部を有する被剥離層と、被剥離層に積層された機能層とを備えたものである。
【００１４】
本技術の多層膜基板では、被剥離層の凹部により、凹部とそれ以外の部分（凸状部）とで接着性を変えることが可能となる。具体的には、他の基板（第１基板）に被剥離層および機能層を形成した場合にも、被剥離層の凹部により第１基板に対する接着性が変えられるので、レーザ照射等の処理を施すことなく被剥離層および機能層が第１基板から分離される。
【発明の効果】
【００１５】
本技術の多層膜基板の製造方法、半導体装置の製造方法、表示装置の製造方法および電子機器の製造方法によれば、接着制御層に接着部および離間部を設けるようにしたので、また、本技術の多層膜基板によれば被剥離層の裏面に凹部を設けるようにしたので、機能層をレーザ照射等の処理により劣化させることなく、第１基板から第２基板に移すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。
【図３】図２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図４】図１に示したＴＦＴ層および表示層の構成を表す断面図である。
【図５Ａ】図１に示した表示装置の製造方法を表す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く工程を表す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図６】図５Ｂの工程を表す平面図である。
【図７Ａ】図５Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ａに続く工程を表す断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図８Ａ】図７Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図８Ｂ】図８Ａに続く工程を表す断面図である。
【図９Ａ】比較例に係る表示装置の製造方法を表す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１０Ａ】図９Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１１Ａ】変形例１に係る表示装置の製造方法を表す断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１２Ａ】変形例２に係る表示装置の製造方法を表す断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１３】図１２Ｂの一部を拡大した図である。
【図１４Ａ】図１２Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１５】本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１６Ａ】図１５に示した表示装置の製造方法を表す断面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１６Ｃ】図１６Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１７Ａ】図１６Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図１７Ｂ】図１７Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１８】本技術の第３の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１９Ａ】図１８に示した表示装置の製造方法を表す断面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１９Ｃ】図１９Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図２０Ａ】図１９Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ａに続く工程を表す断面図である。
【図２１】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２２Ａ】適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図２２Ｂ】適用例２の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２３】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２４】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２５Ａ】適用例５の閉じた状態の図である。
【図２５Ｂ】適用例５の開いた状態の図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明
は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（被剥離層の裏面に凹部を有する表示装置：接着制御層のパターニングにより接着部および離間部を形成する例）
２．変形例１（接着制御層を直接第１基板に固定する例）
３．変形例２（複数の接着制御層を有する例）
４．第２の実施の形態（被剥離層の凹部に接着制御層が設けられた表示装置）
５．第３の実施の形態（平坦な被剥離層を有する表示装置：接着制御層の表面処理により接着部および離間部を形成する例）
【００１８】
＜第１の実施の形態＞
図１は、本技術の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の断面構成を表したものである。この表示装置１は、例えばフレキシブルな極薄型の有機発光カラーディスプレイであり、駆動基板１０（多層膜基板）上に表示層４０が設けられている。駆動基板１０は、第２基板１１（基板）、被剥離層２０およびＴＦＴ層３０をこの順に有しており、ＴＦＴ層３０上に表示層４０が設けられている。被剥離層２０、ＴＦＴ層３０および表示層４０は、第２基板１１とは異なる基板（後述の図５Ａ  第１基板２２）上で形成されたものである。詳細は後述するが、この第１基板２２から被剥離層２０を剥がし、被剥離層２０と共にＴＦＴ層３０および表示層４０を第２基板１１上に設けることにより表示装置１は製造されている。なお、図１は表示装置１の構造を模式的に表したものであり、実際の寸法・形状とは異なる場合がある。
【００１９】
（表示装置１の全体構成）
図２は、表示装置１の全体構成を表すものである。表示装置１は、第２基板１１上の中央部に表示領域１１０を有しており、表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００２０】
表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂと、それらを駆動するための画素駆動回路１４０とが形成されている。画素駆動回路１４０において、列方向には複数の信号線１２０Ａが配置され、行方向には複数の走査線１３０Ａが配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの各交差点に、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂが対応して設けられている。画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂはそれぞれ、赤色，緑色，青色を発光する画素である。各信号線１２０Ａは信号線駆動回路１２０に、各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０にそれぞれ接続されている。
【００２１】
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに供給するものである。信号線１２０Ａには信号線駆動回路１２０からの信号電圧が印加される。
【００２２】
走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。走査線１３０Ａには、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給される。
【００２３】
画素駆動回路１４０は、ＴＦＴ層３０（図１）に設けられている。この画素駆動回路１４０は、図３に示したように、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２と、その間の保持容量３０Ｃと、有機発光素子ＥＬとを有するアクティブ型の駆動回路である。
【００２４】
次に、再び図１を参照して、駆動基板１０および表示層４０の詳細な構成について説明する。
【００２５】
（駆動基板１０の構成）
第２基板１１は例えば厚み（Ｚ方向）１０〜１０００μｍの可撓性材料により構成されている。この第２基板１１には例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、セルローストリアセテート、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂またはアクリル樹脂等からなるフィルムあるいは金属箔等を用いることができる。薄層ガラスあるいは薄層セラミックス等を可撓性を示す程度まで薄くして使用することも可能である。
【００２６】
被剥離層２０は、接着層２１により第２基板１１に固定されている。この被剥離層２０の裏面（第２基板１１との対向面）には複数の凹部２０Ａが設けられ、凹凸状となっている。表示装置１の製造工程において、この被剥離層２０の凹部２０Ａに接着制御層（後述の図５Ｃ  接着制御層２４）が設けられることにより、凹部２０Ａでは第１基板２２への被剥離層２０の接着が阻害される。一方、凹部２０Ａ以外の部分（裏面の凸状部）では、被剥離層２０によりＴＦＴ層３０および表示層４０が第１基板２２に固定される。被剥離層２０は例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成されており、被剥離層２０の厚みは面内で略一定となっている。このため、隣り合う凹部２０Ａの間では、被剥離層２０の裏面が凸状になるのに伴い、被剥離層２０の表面が沈降する。この被剥離層２０の表面の凹凸が上層のＴＦＴ層３０または表示層４０に影響するのを抑えるため、被剥離層２０とＴＦＴ層３０との間に平坦化層（図示せず）を設けるようにしてもよい。被剥離層２０は、例えば、厚み５μｍ程度の窒化シリコン（ＳｉＮx），酸化シリコン（ＳｉＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），ポリイミド（ＰＩ），ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ），ポリカーボネート（ＰＣ）およびポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等により構成されている。
【００２７】
ＴＦＴ層３０は、図４に示したように、トランジスタ３０Ｔ（上述の駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２）および保持容量３０Ｃを含み、このトランジスタ３０Ｔおよび保持容量３０Ｃにより画素駆動回路１４０が構成されている。ＴＦＴ層３０には信号線１２０Ａおよび走査線１３０Ａも設けられている（図示せず）。トランジスタ３０Ｔは、例えば、第２基板１１（被剥離層２０）側から半導体膜３１、ゲート絶縁膜３２およびゲート電極３３をこの順に有するトップゲート型のトランジスタであり、半導体膜３１にはソース・ドレイン電極３５Ａ，３５Ｂが電気的に接続されている。ソース・ドレイン電極３５Ａ，３５Ｂとゲート電極３３との間には第１保護膜３４が設けられており、この第１保護膜３４を貫通する接続孔を介してソース・ドレイン電極３５Ａ，３５Ｂと半導体膜３１とは接続されている。半導体膜３１は、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域３１Ｃを間にして一対のＬＤＤ（ロードープドレイン）領域３１Ｂおよび一対のコンタクト領域３１Ａを有している。保持容量３０Ｃの下部電極３３Ｃは例えば、ゲート電極３３と同層に、保持容量３０Ｃの上部電極３５Ｃは例えばソース・ドレイン電極３５Ａ，３５Ｂと同層にそれぞれ設けられている。上部電極３５Ｃおよびソース・ドレイン電極３５Ａ，３５Ｂは、例えばポリイミドなどの絶縁性樹脂材料からなる平坦化膜３６に覆われている。
【００２８】
（表示層４０の構成）
表示層４０は、第２基板１１（平坦化膜３６）の側から、アノード電極としての第１電極４１、発光層を含む有機膜４３およびカソード電極としての第２電極４４を有している。表示層４０では、この第２電極４４を第２保護膜４５が覆い、第２保護膜４５上に封止膜４６を間にして対向基板４７が設けられている。有機膜４３は第１電極４１側から例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層をこの順に有している。この発光層は画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ毎に設けられたものでもよく、各画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに共通して設けられていてもよい。発光層以外の層は、必要に応じて設ければよい。画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂは、各々が画素分離膜４２で分離され、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの画素領域Ｐ（発光領域）は、画素分離膜４２により画定されている。表示品質に被剥離層２０の表面の凹凸が影響することを防ぐため、画素領域Ｐを被剥離層２０の凹部２０Ａに対向する位置に設けることが好ましい。これにより、被剥離層２０の表面が沈降している部分を避けて画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを設けることができる。対向基板４７は、例えば、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに対応するカラーフィルタおよびカラーフィルタの間のブラックマトリクスを有している（図示せず）。この表示装置１では、対向基板４７側に映像が表示されるため、対向基板４７には透明材料が用いられるが、このことを除き、対向基板４７は第２基板１１と同様の材料により構成することが可能である。
【００２９】
（表示装置１の製造方法）
このような表示装置１は、例えば次のように製造することができる。
【００３０】
まず、図５Ａに示したように、例えばガラスからなる第１基板２２に密着層２３（第１密着層）および接着制御層２４をこの順に成膜した後、これら接着制御層２４および密着層２３を例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いてパターニングする（図５Ｂ）。これにより、接着制御層２４が残存する離間部２４Ａと、第１基板２２の表面が露出された接着部２４Ｂとが形成される。接着部２４Ｂは第１基板２２と被剥離層２０とを接着して固定する部分である。一方、離間部２４Ａでは第１基板２２（接着制御層２４）に対する被剥離層２０の接着性が接着部２４Ｂよりも低下する。即ち、離間部２４Ａは第１基板２２への被剥離層２０の接着を阻害し、離間部２４Ａでは第１基板２２（接着制御層２４）から被剥離層２０が分離され易くなる。詳細は後述するが、本実施の形態では、このように接着制御層２４に接着部２４Ｂおよび離間部２４Ａが設けられているので、第１基板２２上で形成されたＴＦＴ層３０および表示層４０を、レーザ照射等を行うことなく第２基板１１に移すことができる。
【００３１】
詳細には、離間部２４Ａは、パターニングされた接着制御層２４の表面および側面により構成され、接着部２４Ｂは第１基板２２の表面により構成されている。図６に示したように、接着部２４Ｂは例えば円状に設けられている。この接着部２４Ｂの直径Ｄは例えば３μｍであり、隣り合う接着部２４Ｂの間のピッチＰ（離間部２４Ａの幅）は例えば１０μｍである。第１基板２２から被剥離層２０を剥離し易いよう、接着部２４Ｂは小さくしておくことが好ましく、例えば直径Ｄを数十μｍ以下にすることが好ましい。
【００３２】
第１基板２２には第２基板１１よりも厚い基板を用いることが好ましく、また、第１基板２２はガラス，石英あるいはシリコン等の剛性材料により構成することが好ましい。密着層２３は、接着制御層２４を第１基板２２に固定するためのものであり、第１基板２２および接着制御層２４に対して接着性を有している。接着制御層２４は、離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂにより第１基板２２と被剥離層２０との間の接着性を変化させるものである。ここでは、被剥離層２０に対する接着性が第１基板２２よりも低い接着制御層２４を用い、この接着制御層２４をパターニングして接着部２４Ｂを形成している。接着制御層２４と被剥離層２０とはまったく接着しなくてもよい。第１基板２２、密着層２３、接着制御層２４および被剥離層２０の間の接着性は、これらを構成する材料間の引張り接着強さ（ＪＩＳＫ６８４９（１９９４））に関連している。被剥離層２０と接着制御層２４との間の引張り接着強さが、１Ｎ／ｍｍ2以下であることが好ましい。また、第１基板２２と被剥離層２０との間、第１基板２２と密着層２３との間、密着層２３と接着制御層２４との間の引張り接着強さがそれぞれ５Ｎ／ｍｍ2以上であることが好ましい。密着層２３には、例えばクロム（Ｃｒ）またはチタン（Ｔｉ）等の金属、接着制御層２４には例えば金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ）等の金属、フッ素系シランカップリング剤あるいはアルキル系シランカップリング剤等を用いることができる。密着層２３の厚みは例えば２０ｎｍであり、接着制御層２４の厚みは例えば５０ｎｍである。密着層２３および接着制御層２４は、例えばスパッタリング法または蒸着法により成膜する。
【００３３】
接着制御層２４および密着層２３をパターニングした後、図５Ｃに示したように離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂに例えば窒化シリコンからなる被剥離層２０を形成する。被剥離層２０は例えばＣＶＤ法により成膜する。このとき、接着部２４Ｂでは、被剥離層２０が第１基板２２に接して固定されるのに対し、離間部２４Ａでは被剥離層２０と第１基板２２との間に接着制御層２４が介在する（凹部２０Ａ）。これにより離間部２４Ａでは、第１基板２２に対する被剥離層２０の接着が阻害される。即ち、被剥離層２０の凹部２０Ａとそれ以外の部分とで第１基板２２に対する接着性が変化する。
【００３４】
被剥離層２０を設けた後、図７Ａに示したように、被剥離層２０上にＴＦＴ層３０および表示層４０を形成する。具体的には、まず、被剥離層２０上に例えば厚み５０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）をＣＶＤ法により成膜した後、これをアルゴン（Ａｒ）等の不活性ガス中で加熱して水素（Ｈ2）を脱離させる。次いで、このアモルファスシリコンに例えばエキシマレーザアニール処理を施して結晶成長させた後、これをフォトリソグラフィ法およびエッチング法によりパターニングし、ポリシリコンからなる半導体膜３１（図４）を形成する。
【００３５】
続いて、半導体膜３１上および被剥離層２０上に例えば厚み１００ｎｍの酸化シリコンからなるゲート絶縁膜３２を形成する。次いで、このゲート絶縁膜３２上に例えば厚み２００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）を成膜した後、これをフォトリソグラフィ法およびエッチング法によりパターニングし、ゲート電極３３および下部電極３３Ｃを形成する。続いて、第１基板２２（被剥離層２０）の全面に例えばイオンインプラテーションによりリンを低濃度でドープして半導体膜３１にＬＤＤ領域３１Ｂを形成する。次いで、ゲート電極３３および半導体膜３１のＬＤＤ領域３１Ｂをレジストで覆って、第１基板２２（被剥離層２０）の全面に例えばイオンインプラテーションによりリンを高濃度でドープした後、レジストを剥離して例えばフラッシュランプアニールによる活性化処理を施す。これにより、半導体膜３１にコンタクト領域３１Ａおよびチャネル領域３１Ｃが形成される。
【００３６】
続いて、第１基板２２の全面に例えば厚み２００ｎｍの窒化シリコンからなる第１保護膜３４をＣＶＤ法により形成する。次いで、この第１保護膜３４に半導体膜３１のコンタクト領域３１Ａとソース・ドレイン電極３５Ａ，３５Ｂとを接続するための接続孔を例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチング法により形成する。第１保護膜３４に接続孔を形成した後、この第１保護膜３４上に例えば厚み２００ｎｍのアルミニウム膜をスパッタリング法により成膜し、これをパターニングしてソース・ドレイン電極３５Ａ，３５Ｂおよび上部電極３５Ｃを形成する。このようにして、トランジスタ３０Ｔおよび保持容量３０Ｃを形成した後、これらを例えば感光性樹脂からなる平坦化膜３６で覆うことによりＴＦＴ層３０が形成される。平坦化膜３６には表示層４０の第１電極４１とトランジスタ３０Ｔとを接続するための接続孔（図示せず）を例えばフォトリソグラフィ法により形成しておく。
【００３７】
ＴＦＴ層３０を形成した後、表示層４０を例えば以下のようにして形成する。まず、例えばスパッタリング法によりチタン膜およびアルミニウム合金膜を成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形して第１電極４１を形成する。次いで、平坦化膜３６上および第１電極４１上にポリイミド等の感光性絶縁材料を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により画素分離膜４２を形成する。
【００３８】
画素分離膜４２を形成した後、例えば蒸着法または印刷により有機膜４３を形成する。次いで、有機膜４３上に例えば、蒸着法により第２電極４４、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはスパッタ法により第２保護膜４５をこの順に形成する。第２保護膜４５を形成した後、カラーフィルタおよびブラックマトリクス等を形成した対向基板４７を第２保護膜４５上に、封止膜４６を間にして貼り合わせる。これにより、表示層４０が形成される。
【００３９】
このようにして被剥離層２０上にＴＦＴ層３０および表示層４０を積層した後、図７Ｂに示したように、表示層４０（対向基板４７）に例えばシリコーンゴムからなる転写シート５０を貼り付ける。次いで、図７Ｃに示したように、例えば手等の物理的手段を用いてＴＦＴ層３０および表示層４０と共に被剥離層２０を第１基板２２から剥離する。このとき被剥離層２０は、離間部２４Ａにおける接着制御層２４との界面から第１基板２２（接着制御層２４）と分離されていき、ＴＦＴ層３０および表示層４０と共に転写シート５０に支持される。被剥離層２０の裏面全面を第１基板２２から剥離した後、図８Ａに示したように、接着層２１を用いて被剥離層２０、ＴＦＴ層３０および表示層４０を第２基板１１（第２基板）に固定する。最後に、転写シート５０を表示層４０から剥がして（図８Ｂ）、図１乃至図４に示した表示装置１が完成する。
【００４０】
このような表示装置１の製造方法では、接着制御層２４に離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂが設けられているので、第１基板２２上でＴＦＴ層３０および表示層４０を形成した後、レーザ照射等の処理を行わずに被剥離層２０を第１基板２２から剥離することができる。よって、第１基板２２上でＴＦＴ層３０および表示層４０が劣化するのを防ぐことができる。
【００４１】
図９Ａ〜図１０Ｂは、比較例に係る表示装置の製造方法を示したものである。この方法では、まず、第１基板２２上に金属層１２４Ａ、酸化層１２４ＢおよびＴＦＴ層３０をこの順に形成した後、ＴＦＴ層３０に転写シート５０を接着する（図９Ａ）。次いで、第１基板２２側からレーザ光Ｌを照射して（図９Ｂ）、金属層１２４Ａを酸化させる。これにより、脆性の金属酸化層１２４Ｃが形成される（図１０Ａ）。金属酸化層１２４Ｃを形成した後、物理的手段により第１基板２２からＴＦＴ層３０を剥離すると、金属酸化層１２４Ｃの内部または金属酸化層１２４Ｃと酸化層１２４Ｂとの界面から第１基板２２と酸化層１２４Ｂとが分離される（図１０Ｂ）。続いて、酸化層１２４ＢおよびＴＦＴ層３０を支持基板上に固定した後、ＴＦＴ層３０から転写シート５０を剥がし、ＴＦＴ層３０上に表示層４０を形成することにより表示装置が完成する。
【００４２】
このような方法では、第１基板２２上にＴＦＴ層３０を設けた後、レーザ光Ｌを照射して金属酸化層１２４Ｃを形成するため、レーザ照射で生じる熱がＴＦＴ層３０を劣化させる虞がある。また、第１基板２２上では、耐熱性の低い表示層４０を形成することができない。更に、レーザ光Ｌを使用するため、製造コストが増してしまう。加えて、酸化層１２４Ｂは水分等に対する保護機能が低く、ＴＦＴ層３０を支持基板上に設けた際に、酸化層１２４ＢではＴＦＴ層３０を十分保護することができない虞がある。
【００４３】
これに対し、表示装置１では接着制御層２４に離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂが設けられている。これにより、接着部２４Ｂで被剥離層２０を第１基板２２に固定し、被剥離層２０の上にＴＦＴ層３０および表示層４０を形成した後、離間部２４Ａによりレーザ照射を行うことなく、被剥離層２０と第１基板２２とを容易に分離することができる。よって、ＴＦＴ層３０がレーザ照射等で劣化するのを防ぐことができる。また、第１基板２２上で、耐熱性の低い表示層４０もすることができる。更に、レーザ照射が不要であることにより、製造コストを下げることもできる。加えて、酸化層も不要であり、被剥離層２０には、水分等に対する保護機能の高い材料、例えば窒化シリコン等を用いることも可能である。
【００４４】
（表示装置１の動作）
この表示装置１では、各々の画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量３０Ｃに保持される。すなわち、この保持容量３０Ｃに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに駆動電流が注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極４４、第２保護膜４５、封止膜４６および対向基板４７を透過して取り出される。
【００４５】
（表示装置１の作用・効果）
ここでは、表示装置１を製造する際に、接着制御層２４に離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂが設けられているので、レーザ照射等の処理を行うことなく、第１基板２２と被剥離層２０とを容易に分離することができる。
【００４６】
以上のように、本実施の形態では、接着制御層２４に離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂを設けるようにしたので、レーザ照射等の処理を行うことなくＴＦＴ層３０および表示層４０を第１基板２２から第２基板１１上に移すことができる。よって、ＴＦＴ層３０および表示層４０の劣化を抑えることができる。
【００４７】
以下、上記実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００４８】
＜変形例１＞
図１１Ａ〜図１１Ｃは、上記実施の形態で説明した表示装置１の製造方法の他の例（変形例１）を表したものである。この方法では、密着層を用いることなく接着制御層２４が第１基板２２に固定される。変形例１ではこの点を除き、上記第１の実施の形態と同様にして表示装置１を製造する。
【００４９】
まず、図１１Ａに示したように、第１基板２２上に接着制御層２４を成膜する。この接着制御層２４では、裏面が第１基板２２に接して固定される。一方、表面では被剥離層２０に対する接着性が、第１基板２２よりも低くなっている。このような接着制御層２４には、例えば、ニッケル等の金属、フッ素系シランカップリング剤またはアルキル系シランカップリング剤等を用いることができる。次いで、図１１Ｂに示したように、この接着制御層２４をパターニングして離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂを設けた後、離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂに被剥離層２０を形成する（図１１Ｃ）。被剥離層２０は接着部２４Ｂで第１基板２２に固定され、接着部２４Ｂでは第１基板２２に対する接着が阻害される。被剥離層２０には、例えばポリイミド，ポリエーテルスルホン，ポリカーボネートおよびポリエチレンテレフタレート等の有機材料等を用いる。
【００５０】
被剥離層２０を設けた後、上記実施の形態と同様にして被剥離層２０上にＴＦＴ層３０および表示層４０を形成し、転写シート５０により被剥離層２０、ＴＦＴ層３０および表示層４０を第２基板１１上に移して表示装置１を完成させる。このように、密着層を用いずに表示装置１を製造することもできる。
【００５１】
＜変形例２＞
図１２Ａ〜図１４Ｃは、上記実施の形態で説明した表示装置１の製造方法のその他の例（変形例２）を表したものである。この方法では、複数の接着制御層（接着制御層２４−１Ａ，２４−１Ｂ，２４−２）により離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂが構成される。変形例２ではこの点を除き、上記第１の実施の形態と同様にして表示装置１を製造する。
【００５２】
まず、図１２Ａに示したように、第１基板２２上に密着層２３および接着制御層２４−１Ａをこの順に成膜する。この接着制御層２４−１Ａ（第１接着制御層）は離間部２４Ａを構成するものであり、接着制御層２４−１Ａには被剥離層２０に対する接着性が第１基板２２よりも低い材料を使用する。次いで、この接着制御層２４−１Ａ上に接着制御層２４−２（第２接着制御層）を成膜した後、接着制御層２４−２を接着制御層２４−１Ｂ（第３接着制御層）で覆い、接着制御層２４−１Ｂおよび接着制御層２４−２をパターニングする（図１２Ｂ）。このとき、接着制御層２４−１Ａはパターニングせず、例えば第１基板２２の全面に設けておく。接着制御層２４−２は接着部２４Ｂ、接着制御層２４−１Ｂは離間部２４Ａをそれぞれ構成するものである。接着制御層２４−２は接着制御層２４−１Ａに接着して第１基板２２に固定され、また、被剥離層２０に対しても接着性を有している。一方、接着制御層２４−１Ｂには、被剥離層２０に対する接着性が接着制御層２４−２よりも低い材料を使用する。従って、接着制御層２４−１Ｂおよび接着制御層２４−２をパターニングすることにより、接着制御層２４−１Ａの表面の一部に接着制御層２４−１Ｂ，２４−２が設けられ、接着制御層２４−１Ａ，２４−１Ｂにより離間部２４Ａが、接着制御層２４−２により接着部２４Ｂが形成される。具体的には、図１３に示したように、離間部２４Ａは、接着制御層２４−１Ａの表面、接着制御層２４−１Ｂの表面および側面により構成され、接着部２４Ｂは、接着制御層２４−２の側面のみにより構成される。このように、接着制御層２４−２の表面を接着制御層２４−１Ｂで覆い、接着制御層２４−２の側面のみを露出させて接着部２４Ｂを構成することで、接着部２４Ｂの大きさを接着制御層２４−２の膜厚（例えばｎｍ）により調整することが可能となる。即ち、より接着部２４Ｂを小さくして、被剥離層２０を第１基板２２から容易に剥離することが可能となる。接着制御層２４−１Ａ，２４−１Ｂには例えば金，銀，銅またはニッケル等の金属、接着制御層２４−２には例えばクロムまたはチタン等の金属をそれぞれ用いることができる。
【００５３】
接着制御層２４−１Ｂおよび接着制御層２４−２をパターニングした後、図１２Ｃに示したように、離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂに被剥離層２０を形成する。次いで、上記実施の形態と同様にして被剥離層２０上にＴＦＴ層３０および表示層４０を形成した後（図１４Ａ）、転写シート５０を用いて第１基板２２から被剥離層２０を剥離する（図１４Ｂ）。最後に、被剥離層２０と共にＴＦＴ層３０および表示層４０を第２基板１１上に固定し、表示装置１を完成させる。このように、複数の接着制御層２４−１Ａ，２４−１Ｂ，２４−２により離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂを構成することも可能であり、これにより、離間部２４Ａまたは接着部２４Ｂの大きさをより精細に制御することが可能となる。
【００５４】
＜第２の実施の形態＞
図１５は、本技術の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の断面構成を表したものである。この表示装置２では、被剥離層２０の裏面の凹部２０Ａに接着制御層２４および密着層（密着層２５）が設けられている。この点を除き、表示装置２は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００５５】
密着層２５（第２密着層）は、接着制御層２４と被剥離層２０との間に設けられている。この密着層２５は、接着制御層２４と共にパターニングされており、その平面形状は接着制御層２４の平面形状と同じである。密着層２５は、接着制御層２４を被剥離層２０に固定するためのものであり、被剥離層２０および接着制御層２４に対して接着性を有している。密着層２５は、例えばクロムまたはチタン等により構成されている。
【００５６】
このような密着層２５および接着制御層２４を有する表示装置２は、例えば次のように製造することができる。
【００５７】
まず、図１６Ａに示したように、第１基板２２上に接着制御層２４および密着層２５をこの順に成膜した後、密着層２５および接着制御層２４をパターニングする（図１６Ｂ）。これにより、離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂが形成される。次いで、図１６Ｃに示したように、離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂに被剥離層２０を形成する。続いて、被剥離層２０上にＴＦＴ層３０および表示層４０を形成した後（図１７Ａ）、転写シート５０を用いて被剥離層２０を第１基板２２から剥離する（図１７Ｂ）。このとき、密着層２５により接着制御層２４が被剥離層２０に固定されているので、接着制御層２４も被剥離層２０と共に第１基板２２から分離される。即ち、凹部２０Ａに密着層２５および接着制御層２４が設けられた状態で被剥離層２０は、第１基板２２から剥離される。最後に、この被剥離層２０と共にＴＦＴ層３０および表示層４０を第２基板１１上に固定することにより、表示装置２が完成する。
【００５８】
＜第３の実施の形態＞
図１８は、本技術の第３の実施の形態に係る表示装置（表示装置３）の断面構成を表したものである。この表示装置３では、被剥離層２０が平坦であり、裏面に凹部を有していない。この点を除き、表示装置３は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００５９】
この表示装置３は、例えば次のように製造することができる（図１９Ａ〜図２０Ｂ）。
【００６０】
まず、図１９Ａに示したように、第１基板２２上に例えば銅（Ｃｕ）からなる接着制御層２６を成膜する。この接着制御層２６は、第１基板２２および被剥離層２０に対して接着性を有するものである（接着部２４Ｂ）。次いで、接着制御層２６上にレジスト２７を設けた後、これをパターニングする（図１９Ｂ）。続いて、接着制御層２６の表面に例えば酸素プラズマによる酸化処理を施し、レジスト２７から露出された部分の接着制御層２６を酸化する。これにより、酸化部分の接着制御層２６が脆弱化して接着制御層２６に離間部２４Ａが形成される（図１９Ｃ）。接着制御層２６に酸化処理を施した後、レジスト２７を除去して（図２０Ａ）、接着制御層２６上に被剥離層２０を形成する（図２０Ｂ）。このとき、接着制御層２６はパターニングされていないので、被剥離層２０の裏面も平坦になる。続いて、上記第１の実施の形態と同様にして被剥離層２０上にＴＦＴ層３０および表示層４０を形成した後、転写シート５０により被剥離層２０を第１基板２２から剥離する。最後に被剥離層２０と共にＴＦＴ層３０および表示層４０を第２基板１１上に固定して表示装置３を完成させる。このように、選択的な接着制御層２６の表面処理により離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂを形成することも可能である。
【００６１】
＜適用例＞
このような表示装置１（および表示装置２，３）は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００６２】
＜適用例１＞
図２１は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、映像表示画面部３００が上記の表示装置１により構成されている。
【００６３】
＜適用例２＞
図２２は、デジタルスチルカメラの外観を表したものである。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、表示部４２０が上記の表示装置１により構成されている。
【００６４】
＜適用例３＞
図２３は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、表示部５３０が上記の表示装置１により構成されている。
【００６５】
＜適用例４＞
図２４は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０おり、表示部６４０が上記の表示装置１により構成されている。
【００６６】
＜適用例５＞
図２５は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。このディスプレイ７４０あるいはサブディスプレイ７５０が上記の表示装置１により構成されている。
【００６７】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の
形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、トランジスタ３０Ｔの半導体膜３１がポリシリコンから構成されている場合について説明したが、半導体膜３１を酸化物半導体または有機半導体等の他の材料により構成するようにしてもよい。また、記実施の形態等では表示装置１，２，３がＴＦＴ層３０を有する場合、即ち、アクティブマトリクス型の表示装置である場合について説明したが、表示装置１，２，３はパッシブマトリクス型であってもよい。
【００６８】
更に、上記第１の実施の形態および第２の実施の形態（表示装置１，２）では、被剥離層２０の表面が沈降している場合を図示したが（図１，図１５）、被剥離層２０の表面は平坦であってもよい。
【００６９】
加えて、上記第３の実施の形態（表示装置３）では、酸素プラズマによる酸化処理を行って接着制御層２６に離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂを形成する場合について説明したが、例えばオゾン水処理あるいはＵＶオゾン処理等により離間部２４Ａおよび接着部２４Ｂを形成するようにしてもよい。
【００７０】
また更に、上記実施の形態等およびその適用例で説明した各部の材料および厚み、または形成方法および形成条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の形成方法および形成条件としてもよい。
【００７１】
また加えて、上記実施の形態等の表示装置は、有機ＥＬ素子を備えた表示装置以下、無機ＥＬ素子，液晶素子，電気泳動型の表示素子等、種々の表示素子を備えた表示装置にも適用可能である。
【００７２】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）第１基板に、接着部および離間部を有する接着制御層を形成する工程と、前記接着部で前記第１基板に固定され、かつ、前記離間部では前記第１基板との接着が阻害される被剥離層を形成する工程と、前記被剥離層に機能層を積層する工程と、前記機能層を前記被剥離層と共に前記第１基板から剥離する工程と、前記機能層を第２基板上に設ける工程とを含む多層膜基板の製造方法。
（２）前記接着制御層をパターニングして前記接着部および離間部を形成し、前記接着部では前記被剥離層と前記第１基板とが接する前記（１）に記載の多層膜基板の製造方法。
（３）前記接着制御層と前記第１基板との間に、前記接着制御層を前記第１基板に固定するための第１密着層を設ける前記（２）に記載の多層膜基板の製造方法。
（４）前記接着制御層と前記被剥離層との間に、前記接着制御層を前記被剥離層に固定するための第２密着層を設け、前記接着制御層を、前記被剥離層と共に前記第１基板から剥離する前記（２）に記載の多層膜基板の製造方法。
（５）前記接着制御層は、前記離間部を有する第１接着制御層および前記接着部を有する第２接着制御層により構成される前記（１）に記載の多層膜基板の製造方法。
（６）前記第１接着制御層の表面の一部に前記第２接着制御層を設ける前記（５）に記載の多層膜基板の製造方法。
（７）前記離間部を有する第３接着制御層により前記第２接着制御層の表面を覆い、前記第２接着制御層の側面を露出させて前記接着部を構成する前記（６）に記載の多層膜基板の製造方法。
（８）前記接着制御層に選択的に表面処理を施して前記接着部および離間部を形成する前記（１）に記載の多層膜基板の製造方法。
（９）前記表面処理として酸化処理を施す前記（８）に記載の多層膜基板の製造方法。
（１０）前記第１基板から、物理的に前記機能層および前記被剥離層を剥離する前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つに記載の多層膜基板の製造方法。
（１１）前記第２基板よりも厚い前記第１基板を用いる前記（１）乃至（１０）のうちいずれか１つに記載の多層膜基板の製造方法。
（１２）前記第２基板は可撓性材料により構成されている前記（１）乃至（１１）のうちいずれか１つに記載の多層膜基板の製造方法。
（１３）第１基板に接着部および離間部を有する接着制御層を形成する工程と、前記接着部で前記第１基板に固定され、かつ、前記離間部では前記第１基板との接着が阻害される被剥離層を形成する工程と、前記被剥離層に半導体膜を積層する工程と、前記半導体膜を前記被剥離層と共に前記第１基板から剥離する工程と、前記半導体膜を第２基板上に設ける工程とを含む半導体装置の製造方法。
（１４）第１基板に接着部および離間部を有する接着制御層を形成する工程と、前記接着部で前記第１基板に固定され、かつ、前記離間部では前記第１基板との接着が阻害される被剥離層を形成する工程と、前記被剥離層に表示層を積層する工程と、前記表示層を前記被剥離層と共に前記第１基板から剥離する工程と、前記表示層を第２基板上に設ける工程とを含む表示装置の製造方法。
（１５）表示装置を形成する工程を有し、前記表示装置を形成する工程は、第１基板に接着部および離間部を有する接着制御層を形成する工程と、前記接着部で前記第１基板に固定され、かつ、前記第１基板との接着が阻害される被剥離層を形成する工程と、前記被剥離層に表示層を積層する工程と、前記表示層を前記被剥離層と共に前記第１基板から剥離する工程と、前記表示層を第２基板上に設ける工程とを含む電子機器の製造方法。
（１６）基板上に、裏面に凹部を有する被剥離層と、前記被剥離層に積層された機能層とを備えた多層膜基板。
（１７）前記被剥離層は前記凹部を複数有し、隣り合う前記凹部の間では前記被剥離層の表面が沈降している前記（１６）記載の多層膜基板。
（１８）前記凹部に前記被剥離層に固定された接着制御層を有する前記（１６）または（１７）記載の多層膜基板。
（１９）前記機能層は複数の画素領域を有する表示層であり前記画素領域は前記被剥離層の凹部に対向する位置に設けられている前記（１６）乃至（１８）のうちいずれか１つに記載の多層膜基板。
【符号の説明】
【００７３】
１，２，３・・・表示装置、１０・・・駆動基板、１１・・・第２基板、２０・・・被剥離層、２１・・・接着層、２２・・・第１基板、２３，２５・・・密着層、２４，２４−１Ａ，２４−１Ｂ，２４−２，２６・・・接着制御層、２４Ａ・・・離間部、２４Ｂ・・・接着部、３０・・・ＴＦＴ層、３０Ｔ・・・トランジスタ、３１・・・半導体膜、３２・・・ゲート絶縁膜、３３・・・ゲート電極、３４・・・第１保護膜、３５Ａ，３５Ｂ・・・ソース・ドレイン電極、３０Ｃ・・・保持容量、３３Ｃ・・・下部電極、３５Ｃ・・・上部電極、３６・・・平坦化膜、４０・・・表示層、４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ・・・画素、４１・・・第１電極、４２・・・画素分離膜、４３・・・有機膜、４４・・・第２電極、４５・・・第２保護膜、４６・・・封止膜、４７・・・対向基板、５０・・・転写シート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
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