(57)【要約】【課題】第三者によるリバースエンジニアリングを困難にすることができる多層配線基板を提供する。【解決手段】第１の配線層１と第２の配線層５とを接続する第１のビアホール６および第２のビアホール７が設けられる。第１のビアホール６は、導電材料で充填され、第２のビアホール７の上下方向の中央部分は絶縁材料で充填され、第１の配線層１と中央部分の間、および第２の配線層５と中央部分の間は導電材料で充填される。【選択図】図７
2013222929.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線層と、
前記第１の配線層の上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の上に設けられた第２の配線層と、
前記第１の配線層と前記第２の配線層とを接続する第１のビアホールおよび第２のビアホールと、
前記第１のビアホールは、導電材料で充填され、
前記第２のビアホールの上下方向の中央部分は絶縁材料で充填され、前記第１の配線層と前記中央部分の間、および前記第２の配線層と前記中央部分の間は導電材料で充填された、多層配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層は、下層から順番に第１の絶縁層、第２の絶縁層、第３の絶縁層を含み、
前記第１の絶縁層および前記第３の絶縁層を構成する絶縁材料は同一であり、前記第２の絶縁層を構成する絶縁材料とは異なり、
前記第２のビアホールの前記中央部は、前記第２の絶縁層の一部である、請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
第１の配線層と、
前記第１の配線層の上に順次形成された第１の絶縁層、第２の絶縁層、および第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層の上に形成された第２の配線層と、
前記第１の配線層と前記第２の配線層とを接続する第１のビアホールおよび第２のビアホールとを備え、
前記第１のビアホールは、前記第３の絶縁層の形成後、前記第２の配線層を形成する前に前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層および前記第３の絶縁層をエッチングすることによって形成されたものであり、前記第１のビアホールは、前記第２の配線層を導電材料で形成する工程で、同時に前記導電材料で充填されたものであり、
前記第２のビアホールの下層の第１の部分は、前記第１の絶縁層の形成後、前記第２の絶縁層を形成する前に前記第１の絶縁層をエッチングすることによって形成されたものであり、前記第１の部分は、前記導電材料で充填されたものであり、
前記第２のビアホールの中央の層の第２の部分は、前記第２の絶縁層の一部として形成されたものであり、
前記第２のビアホールの上層の第３の部分は、前記第３の絶縁層の形成後、前記第２の配線層を形成する前に前記第３の絶縁層をエッチングすることによって形成されたものであり、前記第３の部分は、前記第２の配線層を導電材料で形成する工程で、同時に前記導電材料で充填されたものである、多層配線基板。
【請求項４】
前記多層配線基板は、
前記第１の配線層の形成、前記第１の絶縁層の形成、前記第２のビアホールの第１の部分の形成、前記第１の部分の充填、前記第２の絶縁層の形成と前記第２のビアホールの第２の部分の充填、前記第３の絶縁層の形成、前記第２のビアホールの第３の部分の形成、前記第１のビアホールの形成、前記第２の配線層の形成と前記第１のビアホールの充填と前記第２のビアホールの第３の部分の充填の順に行なわれることによって生成されたものである、請求項３記載の多層配線基板。
【請求項５】
第１の配線層と、
前記第１の配線層の上に順次形成された第１の絶縁層、第２の絶縁層、第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層の上に形成された第２の配線層と、
前記第１の配線層と前記第２の配線層とを接続する第１のビアホールおよび第２のビアホールとを備え、
前記第１のビアホールは、前記第３の絶縁層の形成後、前記第２の配線層を形成する前に前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層および前記第３の絶縁層をエッチングすることによって形成されたものであり、前記第１のビアホールは、前記第２の配線層を形成するときに、前記第２の配線層を構成する導電材料で充填されたものであり、
前記第２のビアホールの下層の第１の部分は、前記第１の絶縁層の形成後、前記第２の絶縁層を形成する前に前記第１の絶縁層をエッチングすることによって形成されたものであり、前記第１の部分は、前記導電材料で充填されたものであり、
前記第２のビアホールの中央の層の第２の部分は、前記第２の絶縁層の一部として形成されたものであり、
前記第２のビアホールの上層の第３の部分は、前記第３の絶縁層の形成後、前記第２の配線層を形成する前に前記第３の絶縁層をエッチングすることによって形成されたものであり、前記第３の部分は、前記第２の配線層を形成する前に、前記第２の配線層を構成する導電材料で充填されたものである、多層配線基板。
【請求項６】
前記多層配線基板は、
前記第１の配線層の形成、前記第１の絶縁層の形成、前記第２のビアホールの第１の部分の形成、前記第１の部分の充填、前記第２の絶縁層の形成と前記第２のビアホールの第２の部分の充填、前記第３の絶縁層の形成、前記第２のビアホールの第３の部分の形成、前記第３の部分の充填、前記第１のビアホールの形成、前記第２の配線層の形成と前記第１のビアホールの充填の順に行なわれることによって生成されたものである、請求項５記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記第１の絶縁層および前記第３の絶縁層を構成する絶縁材料は同一であり、前記第２の絶縁層を構成する絶縁材料とは異なる、請求項３〜６のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板に関し、たとえば、配線層間がビアで接続された多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、第三者によるリバースエンジニアリングが困難な半導体基板が知られている。たとえば、特許文献１の集積回路は、回路素子が形成された半導体基板（１）上に形成された第１の絶縁層（２）と、この上に形成され、前記回路素子間を接続する第１の配線層（３）と、この上に積層された第２の絶縁層（４）と、この第２の絶縁層（４）内に形成され、下端が第１の配線層（３）上に達する複数個のビアコンタクトホール（５）、（６）、（７）とを備える。さらに、この集積回路は、これらのビアコンタクトホールのうち、特定のビアコンタクトホール（６）の底面に形成された第３の絶縁層（８）と、この第３の絶縁層（８）が底面に形成されたビアコンタクトホールを含む複数個のビアコンタクトホール（５）、（６）、（７）内に充填された導電性のプラグ材（９）とを備える。この集積回路は、さらに、このプラグ材（９）が充填された前記第２の絶縁層（４）上に形成された第２の配線層（１０）を備える。
【０００３】
このような構成により、第３者は、半導体基板（１）を上から見たときに、ビアコンタクトホールが、第１の配線層（２）と第２の配線層（１０）とを接続する真のビアコンタクトホール（ビアコンタクトホール（６））であるか、第１の配線層（２）と第２の配線層（１０）とを接続しないダミーのビアコンタクトホール（ビアコンタクトホール（５）および（７））とを区別することができない。すなわち、特許文献１の多層配線基板は、第三者による目視によるリバースエンジニアリングを困難にしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２０５０１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の半導体基板では、第三者が、半導体基板（１）から、第２の配線層（１０）、第２の絶縁層（４）、第３の絶縁層（８）、プラグ材（９）を削りとることによって、ビアコンタクトホール（６）が真のビアコンタクトホールであり、ビアコンタクトホール（５）および（７）がダミーのビアコンタクトホールであると識別することができる。すなわち、特許文献１の半導体基板では、第三者は、配線基板に対して物理的な処理を行なうことによって、リバースエンジニアリングが可能となるという問題がある。
【０００６】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態の多層配線基板によれば、第１の配線層と第２の配線層とを接続する第１のビアホールおよび第２のビアホールが設けられる。第１のビアホールは、導電材料で充填され、第２のビアホールの上下方向の中央部分は絶縁材料で充填され、第１の配線層と中央部分の間、および第２の配線層と中央部分の間は導電材料で充填される。
【発明の効果】
【０００８】
一実施の形態によれば、第三者によるリバースエンジニアリングを困難にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】従来の多層配線基板を上側から見た状態を表わす図である。
【図２】図１の多層配線基板の上層のメタルを剥がした後、上側から見た状態を表わす図である。
【図３】マイコンにおいて従来の多層配線基板が利用される例を表わす図である。
【図４】マイコンにおいて従来の多層配線基板が利用される別の例を表わす図である。
【図５】第１の実施形態の多層配線基板を上側から見た状態を表わす図である。
【図６】図５の多層配線基板の上層のメタルを剥がした後、上側から見た状態を表わす図である。
【図７】第１の実施形態の多層基板の一部を表わす図である。
【図８】第１の実施形態の多層配線基板の作成手順を表わすフローチャートである。
【図９】図８の各ステップでの多層配線基板の状態を表わす図である。
【図１０】マイコンにおいて、第１の実施形態の多層配線基板が利用される例を表わす図である。
【図１１】マイコンにおいて、第１の実施形態の多層配線基板が利用される別の例を表わす図である。
【図１２】第２の実施形態の多層配線基板の作成手順を表わすフローチャートである。
【図１３】図１２の各ステップでの多層配線基板の状態を表わす図である。
【図１４】第３の実施形態の多層基板の一部を表わす図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
［第１の実施形態］
（参考：従来の多層配線基板）
まず、参考のため、従来の多層配線基板について説明する。
【００１１】
図１は、従来の多層配線基板を上側から見た状態を表わす図である。
従来の多層配線基板は、上側から見た場合、ビアホールの位置を特定することができる。
【００１２】
図２は、図１の多層配線基板の上層のメタルを剥がした後、上側から見た状態を表わす図である。
【００１３】
上層のメタルを剥がした場合に、ビアホールに形成痕が残る。したがって、上層のメタルを剥がしても、ビアホールの位置を特定することができる。  
【００１４】
図３は、マイコンにおいて、従来の多層配線基板が利用される例を表わす図である。図３は、マイコン１８のデータバスの経路に従来の多層配線基板が利用される例を表わす。
【００１５】
インタフェース回路１２と接続されるデータ伝送用の配線が、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０と接続されるデータ伝送用の配線とビアホールを介して接続される。ビアホールの位置を特定することによって、インタフェース回路１２とＣＰＵ１０との間のデータ伝送用の配線の接続関係を特定することができる。
【００１６】
同様に、インタフェース回路１２と接続されるデータ伝送用の配線が、ＲＯＭ（Read Only Memory）１４と接続される配線（読み出しデータバス）とビアホールを介して接続される。ビアホールの位置を特定することによって、インタフェース回路１２とＲＯＭ１４の間の読出しデータ用の配線の接続関係を特定することができる。
【００１７】
また、インタフェース回路１２と接続されるデータ伝送用の配線が、ＲＯＭ１４と接続される配線（書き込みデータバス）とビアホールを介して接続される。ビアホールの位置を特定することによって、インタフェース回路１２とＲＯＭ１４の間の書き込みデータ用の配線の接続関係を特定することができる。
【００１８】
図４は、マイコンにおいて、従来の多層配線基板が利用される別の例を表わす図である。図４は、マイコン１８のアドレスバスの経路に従来の多層配線基板が利用される例を表わす。
【００１９】
インタフェース回路１２と接続されるアドレス信号伝送用の配線が、ＣＰＵ１０と接続されるアドレス信号伝送用の配線とビアホールを介して接続される。ビアホールの位置を特定することによって、インタフェース回路１２とＣＰＵ１０との間のアドレス信号伝送用の配線の接続関係を特定することができる。
【００２０】
同様に、インタフェース回路１２と接続されるアドレス信号伝送用の配線が、ＲＯＭ１４と接続されるアドレス信号伝送用の配線とビアホールを介して接続される。ビアホールの位置を特定することによって、インタフェース回路１２とＲＯＭ１４の間のアドレス信号伝送用の配線の接続関係を特定することができる。
【００２１】
（第１の実施形態の多層配線基板）
図５は、第１の実施形態の多層配線基板を上側から見た状態を表わす図である。
【００２２】
本実施の形態の多層配線基板は、真のビアホールとダミーのビアホールを含むが、上側から見た場合、真のビアホールとダミーのビアホールとの区別がつかない。
【００２３】
図６は、図５の多層配線基板の上層のメタルを剥がした後、上側から見た状態を表わす図である。
【００２４】
上層のメタルを剥がした場合に、真のビアホールとダミーのビアホールの両方に形成痕が残る。したがって、上層のメタルを剥がしても、真のビアホールとダミーのビアホールの区別がつかない。  
（多層配線基板の構造）
図７は、第１の実施形態の多層基板の一部を表わす図である。
【００２５】
図７を示すように、この多層配線基板は、導電材料であるメタルで構成される第１の配線層１と、第１の配線層１の上に下層から順番に絶縁材料で構成される第１の絶縁層２，第２の絶縁層３，第３の絶縁層４と、第３の絶縁層４の上に設けられた導電材料（メタル）で構成される第２の配線層５とを備える。また、この多層配線基板は、第１の配線層１と第２の配線層５とを接続する真のビアホール（第１のビアホール）６およびダミーのビアホール（第２のビアホール）７とを備える。  
【００２６】
第１のビアホール６は、導電材料（メタル）で充填されている。第２のビアホール７における上下方向の中央部分は絶縁材料（メタル）で充填されている。より具体的には、この中央部分は、第２の絶縁層３の一部である。第２のビアホール７における第１の配線層１と中央部分の間の領域は導電材料（メタル）で充填されている。第２のビアホール７における第２の配線層５と中央部分の間の領域は導電材料（メタル）で充填されている。
【００２７】
また、第１の絶縁層２および第３の絶縁層４を構成する絶縁材料は同一であり、第２の絶縁層３を構成する絶縁材料とは異なる。
【００２８】
第２のビアホール（ダミーのビアホール）７は、第１のビアホール（真のビアホール）６と同様に下層の配線層（メタル）で接続しているという特徴がある。これが、特許文献１に記載の多層配線基板と相違する１つの特徴である。したがって、上層のメタルを剥がしても、下層の配線層（メタル）には、第１のビアホール（真のビアホール）６の形成痕と、第２のビアホール（ダミーのビアホール）７の形成痕が残り、第三者によるリバースエンジニアリングを困難にすることができる。
【００２９】
（作成方法）
図８は、第１の実施形態の多層配線基板の作成手順を表わすフローチャートである。図９は、図８の各ステップでの多層配線基板の状態を表わす図である。
【００３０】
図８および図９を参照して、まず、第１の配線層１の上に第１の絶縁材料で構成される第１の絶縁層２を形成する。その後、第１の絶縁層２の上層のダミーのビアホール領域以外の部分にレジストを塗布し、第１の絶縁層２のダミーのビアホール領域を第１のガスでエッチングする。第１のガスは、第１の絶縁材料を短時間にエッチングするのに適したガスである。その後、第１の絶縁層２のダミーのビアホール領域を第１の配線層１および第２の配線層５を構成するメタルで充填する（図９（ａ）、図８のステップＳ１０１）。
【００３１】
次に、レジストを除去する（図９（ｂ）、図８のステップＳ１０２）。
次に、第１の絶縁層２の上層に第２の絶縁材料で構成される第２の絶縁層３を形成する。（図９（ｃ）、図８のステップＳ１０３）。
【００３２】
次に、第２の絶縁層３の上層に第の絶縁材料で構成される第３の絶縁層４を形成する（図９（ｄ）、図８のステップＳ１０４）。
【００３３】
次に、第３の絶縁層４の上層のダミーのビアホール以外の部分にレジストを塗布し、第３の絶縁層４のダミーのビアホール領域を第１のガスでエッチングする。ここで、第２の絶縁層３は、第２の絶縁材料で構成されているため、第１のガスによって、第２の絶縁層３までエッチングされるのを防止することができる（図９（ｅ）、図８のステップＳ１０５）。
【００３４】
次に、第３の絶縁層４の上層の真のビアホール以外の部分にレジストを塗布する（図９（ｆ）、図８のステップＳ１０６）。
【００３５】
次に、第３の絶縁層４、第２の絶縁層３、および第１の絶縁層２の真のビアホール領域を第１のガスおよび第２のガスの混合ガスでエッチングする。第１のガスは、第１の絶縁材料を短時間にエッチングするのに適したガスである。第２のガスは、第２の絶縁材料を短時間にエッチングするのに適したガスである（図９（ｇ）、図８のステップＳ１０７）。
【００３６】
次に、レジストを除去し、第２の配線層５、真のビアホール領域、第３の絶縁層４のダミーのビアホール領域をメタルで充填する（図９（（ｈ）、図８のステップＳ１０８）。
【００３７】
なお、第２の配線層５の配線パターンを生成するために、ステップＳ１０８において、第３の絶縁層４の上層の第２の配線層５以外の部分にレジストを塗布してマスクしてからメタルを充填することとしてもよい。あるいは、ステップＳ１０８において、第３の絶縁層４の上層の第２の配線層５以外の部分にレジストを塗布して、第３の絶縁層４の上部をエッチングして第２の配線層５用の配線溝を形成してから、メタルを塗布することしてもよい。
【００３８】
（利用例）
図１０は、マイコンにおいて、第１の実施形態の多層配線基板が利用される例を表わす図である。図１０は、マイコン８のデータバスの経路に本実施の形態の多層配線基板が利用される例を表わす。インタフェース回路１２と接続されるデータ伝送用の第１の配線層が、ＣＰＵ１０と接続されるデータ伝送用の第２の配線層と真のビアホールを介して接続される。真のビアホールとともにダミーのビアホールを設けることによって、インタフェース回路１２とＣＰＵ１０との間のデータ伝送用の配線の接続関係を秘匿化することができる。
【００３９】
同様に、インタフェース回路１２と接続されるデータ伝送用の第１の配線層が、ＲＯＭ１４と接続される第２の配線層（読み出しデータバス）と真のビアホールを介して接続される。真のビアホールとともにダミーのビアホールを設けることによって、インタフェース回路１２とＲＯＭ１４の間の読出しデータ用の配線の接続関係を秘匿化することができる。
【００４０】
また、インタフェース回路１２と接続されるデータ伝送用の第１の配線層が、ＲＯＭ１４と接続される第２の配線層（書き込みデータバス）と真のビアホールを介して接続される。真のビアホールとともにダミーのビアホールを設けることによって、インタフェース回路１２とＲＯＭ１４の間の書き込みデータ用の配線の接続関係を秘匿化することができる。
【００４１】
図１１は、マイコンにおいて、第１の実施形態の多層配線基板が利用される別の例を表わす図である。
【００４２】
図１１は、マイコン８のアドレスバスの経路に本実施の形態の多層配線基板が利用される例を表わす。
【００４３】
インタフェース回路１２と接続されるアドレス信号伝送用の第１の配線層が、ＣＰＵ１０と接続されるアドレス信号伝送用の第２の配線層と真のビアホールを介して接続される。真のビアホールとともにダミーのビアホールを設けることによって、インタフェース回路１２とＣＰＵ１０との間のアドレス信号伝送用の配線の接続関係を秘匿化することができる。
【００４４】
同様に、インタフェース回路１２と接続されるアドレス信号伝送用の第１の配線層が、ＲＯＭ１４と接続されるアドレス信号伝送用の第２の配線層と真のビアホールを介して接続される。真のビアホールとともにダミーのビアホールを設けることによって、インタフェース回路１２とＲＯＭ１４の間のアドレス信号伝送用の配線の接続関係を秘匿化することができる。
【００４５】
以上のように、本実施の形態によれば、上層のメタルを剥がしても形成痕が残るダミーのビアホールを設けることによって、第三者によるリバースエンジニアリングを困難にすることができる。
【００４６】
［第２の実施形態］
第２の実施形態では、第１の実施形態とは別の多層配線基板の作成手順を説明する。
【００４７】
図１２は、第２の実施形態の多層配線基板の作成手順を表わすフローチャートである。図１３は、図１２の各ステップでの多層配線基板の状態を表わす図である。
【００４８】
図１２および図１３を参照して、まず、第１の配線層１の上に第１の絶縁材料で構成される第１の絶縁層２を形成する。その後、第１の絶縁層２の上層のダミーのビアホール領域以外の部分にレジストを塗布し、第１の絶縁層２のダミーのビアホール領域を第１のガスでエッチングする。第１のガスは、第１の絶縁材料を短時間にエッチングするのに適したガスである。その後、第１の絶縁層２のダミーのビアホール領域を第１の配線層１および第２の配線層５を構成するメタルで充填する（図１３（ａ）、図１２のステップＳ２０１）。
【００４９】
次に、レジストを除去する（図１３（ｂ）、図１２のステップＳ２０２）。
次に、第１の絶縁層２の上層に第２の絶縁材料で構成される第２の絶縁層３を形成する。（図１３（ｃ）、図１２のステップＳ２０３）。
【００５０】
次に、第２の絶縁層３の上層に第の絶縁材料で構成される第３の絶縁層４を形成する（図１３（ｄ）、図１２のステップＳ２０４）。
【００５１】
次に、第３の絶縁層４の上層のダミーのビアホール以外の部分にレジストを塗布し、第３の絶縁層４のダミーのビアホール領域を第１のガスでエッチングする。ここで、第２の絶縁層３は、第２の絶縁材料で構成されているため、第１のガスによって、第２の絶縁層３までエッチングされるのを防止することができる。その後、第３の絶縁層４のダミーのビアホール領域を第１の配線層１および第２の配線層５を構成するメタルで充填する（図１３（ｅ）、図１２のステップＳ２０５）。
【００５２】
次に、第３の絶縁層４の上層の真のビアホール以外の部分にレジストを塗布する（図１３（ｆ）、図１２のステップＳ２０６）。
【００５３】
次に、第３の絶縁層４、第２の絶縁層３、および第１の絶縁層２の真のビアホール領域を第１のガスおよび第２のガスの混合ガスでエッチングする。第１のガスは、第１の絶縁材料を短時間にエッチングするのに適したガスである。第２のガスは、第２の絶縁材料を短時間にエッチングするのに適したガスである（図１３（ｇ）、図１２のステップＳ２０７）。
【００５４】
次に、レジストを除去し、第２の配線層、真のビアホール領域、ダミーのビアホール領域のメタルで充填する（図１３（（ｈ）、図１２のステップＳ２０８）。
【００５５】
なお、第２の配線層５の配線パターンを生成するために、ステップＳ１０８において、第３の絶縁層４の上層の第２の配線層５以外の部分にレジストを塗布してマスクしてからメタルを充填することとしてもよい。あるいは、ステップＳ１０８において、第３の絶縁層４の上層の第２の配線層５以外の部分にレジストを塗布して、第３の絶縁層４の上部をエッチングして第２の配線層５用の配線溝を形成してから、メタルを塗布することしてもよい。
【００５６】
以上のように、本実施の形態によれば、第１の実施形態と同様に、上層のメタルを剥がしても形成痕が残るダミーのビアホールを設けることによって、第三者によるリバースエンジニアリングを困難にすることができる。
【００５７】
［第３の実施形態］
第１および第２の実施形態では、配線層（メタル）間を接続するビアホールについて、真のビアホールとダミーのビアホールを設けることを説明したが、配線層（メタル）とＭＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）トランジスタを構成する拡散層とを接続コンタクトホールについても、真のコンタクトホールとダミーのコンタクトホールを設けるようにすることができる。
（多層配線基板の構造）
図１４は、第３の実施形態の多層基板の一部を表わす図である。
【００５８】
図１４を示すように、この多層配線基板は、導電材料であるメタルで構成される拡散層３１と、拡散層３１の上に下層から順番に絶縁材料で構成される第１の絶縁層３２，第２の絶縁層３３，第３の絶縁層３４と、第３の絶縁層３４の上に設けられた導電材料（メタル）で構成される配線層３５とを備える。また、この多層配線基板は、拡散層３１と配線層３５とを接続する真のコンタクトホール（第１のコンタクトホール）３６およびダミーのコンタクトホール（第２のコンタクトホール）３７とを備える。２つの拡散層３１の間は、ＬＯＣＯＳ（local oxidation of silicon）やトレンチなどの分離領域８８が設けられている。
【００５９】
第１のコンタクトホール３６は、導電材料（メタル）で充填されている。第２のコンタクトホール３７における上下方向の中央部分は絶縁材料で充填されている。より具体的には、この中央部分は、第２の絶縁層３３の一部である。第２のコンタクトホール３７における拡散層３１と中央部分の間の領域は導電材料（メタル）で充填されている。第２のコンタクトホール３７における配線層３５と中央部分の間の領域は導電材料（メタル）で充填されている。
【００６０】
また、第１の絶縁層３２および第３の絶縁層３４を構成する絶縁材料は同一であり、第２の絶縁層３３を構成する絶縁材料とは異なる。
【００６１】
第２のコンタクトホール（ダミーのコンタクトホール）３７は、第１のコンタクトホール（真のコンタクトホール）３６と同様に下層の拡散層で接続しているという特徴がある。これが、特許文献１に記載の多層配線基板と相違する１つの特徴である。したがって、上層のメタルを剥がしても、下層の拡散層には、第１のコンタクトホール（真のコンタクトホール）３６の形成痕と、第２のコンタクトホール（ダミーのコンタクトホール）３７の形成痕が残り、第三者によるリバースエンジニアリングを困難にすることができる。
（作成方法）
第３の実施形態の多層配線基板の作成手順は、第１および第２の実施形態で説明した作成手順とほぼ同様である。
【００６２】
図８、９、図１２、図１３における第１および第２の実施形態の第１の配線層１、絶縁層２、３、４、第２の配線層５をそれぞれ、拡散層３１、絶縁層３２、３３、３４、配線層３５に置き換えればよい。また、第１のビアホール（真のビアホール）６、第２のビアホール（ダミーのビアホール）７をそれぞれ第１のコンタクトホール（真のコンタクトホール）３６、第２のコンタクトホール（ダミーのコンタクトホール）３７に置き換えることによって、第３の実施形態の多層配線基板を作成することが可能である。
【００６３】
以上のように、本実施の形態によれば、上層のメタルを剥がしても形成痕が残るダミーのコンタクトホールを設けることによって、第三者によるリバースエンジニアリングを困難にすることができる。
【００６４】
（特許請求の範囲に記載しなかった特徴点を記載）
その他、実施の形態に記載された内容の一部を以下に記載する。
【００６５】
多層配線基板は、拡散層と、拡散層の上に設けられた絶縁層と、絶縁層の上に設けられた配線層と、拡散層と配線層とを接続する第１のコンタクトホールおよび第２のコンタクトホールとを備える。第１のコンタクトホールは、導電材料で充填され、第２のコンタクトホールの上下方向の中央部分は絶縁材料で充填され、拡散層と中央部分の間、および配線層と中央部分の間は導電材料で充填される。
【００６６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００６７】
１  第１の配線層、２〜４，３２〜３４  絶縁層、５  第２の配線層，配線層、６  第１のビアホール（真のビアホール）、７  第２のビアホール（ダミーのビアホール）、８，１８  マイコン、１０  ＣＰＵ、１２  インタフェース回路、１４  ＲＯＭ、３１  拡散層、３６  第１のコンタクトホール（真のコンタクトホール）、３７  第２のコンタクトホール（ダミーのコンタクトホール）、８８  分離領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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