(57)【要約】【課題】亀裂等の欠陥を生じることなく、チタン酸ストロンチウムの膜をウェットエッチングすることのできるチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物、並びに、そのエッチング液組成物を利用した、形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法及びチタン酸ストロンチウム膜の加工方法を提供すること。【解決手段】フッ化水素酸及び硝酸を含有する水溶液からなるチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物を使用する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化水素酸及び硝酸を含有する水溶液からなるチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物。
【請求項２】
チタン酸ストロンチウムの単結晶を処理対象とする請求項１記載のチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物。
【請求項３】
前記フッ化水素酸及び前記硝酸の合計含有量が０．５〜５質量％である請求項１又は２記載のチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物。
【請求項４】
チタン酸ストロンチウムが露出している被処理面にマスクを形成するマスク工程と、
前記被処理面のうち前記マスクに被覆されていない露出部に、請求項１〜３のいずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物を接触させることにより、前記露出部をエッチングするエッチング工程と、を備えることを特徴とする形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法。
【請求項５】
前記チタン酸ストロンチウムが単結晶である請求項４記載の形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法。
【請求項６】
チタン酸ストロンチウム膜の表面にマスクを形成し、
前記チタン酸ストロンチウム膜の表面のうち、前記マスクで被覆されていない箇所に、請求項１〜３のいずれか１項記載のチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物を接触させることを特徴とするチタン酸ストロンチウム膜の加工方法。
【請求項７】
前記チタン酸ストロンチウム膜が単結晶である請求項６記載のチタン酸ストロンチウム膜の加工方法。
【請求項８】
前記マスクが、フォトレジスト組成物の膜を選択露光し、次いで当該膜を現像することにより形成されたものである請求項６又は７記載のチタン酸ストロンチウム膜の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物、形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法及びチタン酸ストロンチウム膜の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）は、ストロンチウムとチタンとの複合酸化物であり、透明な絶縁体として知られている。この物質は、高い誘電率を示し、かつ誘電率の温度変化が小さいことから、セラミックコンデンサの誘電体として好ましく使用される。また、近年、チタン酸ストロンチウムは、ニオブ等の金属がドープされることにより、容易に半導体化することが見出され、バリスタ等の半導体材料としての利用が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
さらに、絶縁体であるチタン酸ストロンチウムを電界効果トランジスタの活性層として使用する検討も行われている。例えば、非特許文献１には、チタン酸ストロンチウムの単結晶の表面に、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３ガラスをゲート絶縁体として形成させた電界効果トランジスタが提案されている（例えば、非特許文献１を参照）。
【０００４】
チタン酸ストロンチウムを上記のような用途に使用するためには、チタン酸ストロンチウムの膜を精密に形状加工する必要が生じる。しかしながら、チタン酸ストロンチウムは、人工宝石とされるほど化学的に安定であり、加工するのが非常に難しい物質である。そのため、チタン酸ストロンチウムの膜、特に単結晶からなる膜を加工するには、強酸を使用した高温処理による又は反応性ガスによるエッチング処理を行う必要があり、また、その処理に要する時間も非常に長いものであった。
【０００５】
ところで、無機酸化物からなる誘電体（絶縁体）の形状加工では、各種の酸を組み合わせたエッチング液組成物を使用し、比較的温和な条件で、簡便な処理方法であるウェットエッチングを行うことが提案されている。例えば、特許文献２には、チタン酸ストロンチウムの膜をエッチング処理することへの言及はないものの、硝酸、フッ酸（フッ化水素酸）、リン酸、硫酸及び塩酸並びにそれらの組み合わせからなる群より選ばれる鉱酸を使用して、誘電体膜をウェットエッチングすることが記載されている。また、特許文献３には、フッ化水素酸と酸化剤とからなるエッチング液組成物を使用して、誘電体をウェットエッチングにより形状加工することが記載されている。なお、特許文献３には、こうしたエッチング液組成物を使用してチタン酸ストロンチウムを形状加工することへの言及があるが、特許文献３において実際にチタン酸ストロンチウムの形状加工に使用されたエッチング液組成物は、フッ化水素酸と過マンガン酸カリウムとを組み合わせた水溶液のみである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平４−３１３５７号公報
【特許文献２】特開２００１−１４４０６７号公報
【特許文献３】特開平９−２５１９７８号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｏｈｔａ，Ｈ．，Ｍａｓｕｏｋａ，Ｙ．，Ａｓａｈｉ，Ｒ．，Ｋａｔｏ，Ｔ．，Ｉｋｕｈａｒａ，Ｙ．，Ｎｏｍｕｒａ，Ｋ．，＆Ｈｏｓｏｎｏ，Ｈ．，Ｆｉｅｌｄ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、チタン酸ストロンチウムは、上記のように化学的安定が非常に高いものである一方、例えばその単結晶の膜をエッチング処理した場合には、処理中に、結晶面に沿って亀裂を生じるへき開が起こる等、エッチング処理における化学的又は物理的衝撃に対する結晶の安定性が十分でない傾向がある。このような亀裂を生じたチタン酸ストロンチウムの膜は、その電気的特性が著しく低下し、誘電体や電界効果トランジスタの活性層等といった電子デバイス用途に適さないものとなる。そのため、亀裂等の欠陥を生じることなく、チタン酸ストロンチウムの膜をウェットエッチングにより形状加工する方法が求められている。
【０００９】
本発明は、以上の状況に鑑みてなされたものであり、亀裂等の欠陥を生じることなく、チタン酸ストロンチウムの膜をウェットエッチングすることのできるチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物、並びに、そのエッチング液組成物を利用した、形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法及びチタン酸ストロンチウム膜の加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、フッ化水素酸及び硝酸を含有する水溶液をエッチング液組成物として使用することにより、チタン酸ストロンチウムの膜、特にその膜が単結晶である場合であっても、その膜に亀裂等の欠陥を生じることなくウェットエッチングを行うことが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
本発明の第１の態様は、フッ化水素酸及び硝酸を含有する水溶液からなるチタン酸ストロンチウムのエッチング液組成物である。
【００１２】
また、本発明の第２の態様は、チタン酸ストロンチウムが露出している被処理面にマスクを形成するマスク工程と、前記被処理面のうち前記マスクに被覆されていない露出部に、上記チタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物を接触させることにより、前記露出部をエッチングするエッチング工程と、を備えることを特徴とする形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法である。
【００１３】
また、本発明の第３の態様は、チタン酸ストロンチウム膜の表面にマスクを形成し、前記チタン酸ストロンチウム膜の表面のうち、前記マスクで被覆されていない箇所に、上記チタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物を接触させることを特徴とするチタン酸ストロンチウム膜の加工方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、亀裂等の欠陥を生じることなく、チタン酸ストロンチウムの膜をウェットエッチングすることのできるチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物、並びに、そのエッチング液組成物を利用した、形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法及びチタン酸ストロンチウム膜の加工方法が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明のチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物、形状加工されたチタン酸ストロンチウム結晶の製造方法及びチタン酸ストロンチウム結晶の加工方法について説明する。
【００１６】
＜チタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物＞
まず、本発明のチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物の一実施形態について説明する。本発明のチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物（以下、単に「エッチング液組成物」とも呼ぶ。）は、フッ化水素酸及び硝酸を含有する水溶液であり、チタン酸ストロンチウムに対して良好なエッチング適性を有する。
【００１７】
被処理対象であるチタン酸ストロンチウムとしては、アモルファスであってもよく、多結晶であってもよく、単結晶であってもよいが、本発明のエッチング液組成物は、特に加工の困難なチタン酸ストロンチウムの単結晶に対してウェットエッチング処理（以下、単に「エッチング処理」とも呼ぶ。）を施した場合であっても、処理中に、結晶面に沿った亀裂が単結晶に生じることを抑制し、かつ単結晶の一部分だけ過剰な速さでエッチングされてしまうことを抑制する。そのため、本発明のエッチング液組成物は、加工の困難なチタン酸ストロンチウムの単結晶の全面について均一にエッチングすることが可能であるので、特にチタン酸ストロンチウムの単結晶に対して好適に使用される。
【００１８】
また、被処理対象であるチタン酸ストロンチウムは、上記のように半導体デバイスにおける絶縁層や電界効果トランジスタの活性層等として使用されるときには、膜形状であることが多い。本発明のエッチング液組成物は、こうした膜形状のチタン酸ストロンチウムに対して好適に使用されるが、膜でない形状を有するチタン酸ストロンチウムに対しても使用されてもよい。
【００１９】
また、被処理対象がチタン酸ストロンチウムの膜である場合、このような膜を形成させる手段は特に限定されない。膜を形成させる手段としては、例えば、スパッタ法、パルスレーザー蒸着法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法、物理的気相成長（ＰＶＤ）法等が挙げられる。
【００２０】
以上のように、本発明のエッチング液組成物の被処理対象の結晶状態及び形状は特に限定されないが、以下では説明を容易にするために、チタン酸ストロンチウム単結晶の膜を被処理対象とした実施形態について説明する。
【００２１】
上記のように、本発明のエッチング液組成物は、フッ化水素酸及び硝酸を含有する水溶液である。ここで、既に説明した特許文献３には、フッ化水素酸及び酸化物として過マンガン酸カリウムを含有する水溶液を使用してチタン酸ストロンチウムをエッチング処理することが記載されている。しかしながら、本発明者らによる検討の結果、フッ化水素及び過マンガン酸カリウムを含有する水溶液を使用してチタン酸ストロンチウムの単結晶からなる膜をエッチング処理すると、当該単結晶の膜に、単結晶の結晶面に沿った亀裂が導入されてしまうことが判明した。
【００２２】
特許文献３に記載された発明のように、チタン酸ストロンチウムのスパッタ膜を絶縁膜として使用する場合には、本発明のような課題を生じることはない。しかしながら、既に述べたように、チタン酸ストロンチウムの膜を電界効果トランジスタの活性層として使用する等の場合には、当該膜が単結晶であることが必要である。このような場合に特許文献３に記載されたエッチング液組成物を使用すると、チタン酸ストロンチウムの膜に亀裂を生じてしまうので、その膜の電気的特性を維持することができない。
【００２３】
このような背景のもと、本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、特に、フッ化水素酸に硝酸を組み合わせたエッチング液組成物を使用することにより、チタン酸ストロンチウムの単結晶からなる膜をエッチング処理した場合であっても、当該膜に亀裂を生じることなく、しかも均一にエッチング処理を行うことができることを知見した。本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものである。なお、本発明のエッチング液組成物は、その処理対象がチタン酸ストロンチウムの多結晶又はアモルファスからなる膜であったとしても、当該膜を均一に処理することができるという特徴を有するので、これらの膜に対しても好適に適用される。
【００２４】
本発明のエッチング液組成物に含まれるフッ化水素酸及び硝酸の合計含有量は、０．５〜５質量％であることが好ましく、０．５〜４質量％であることがより好ましく、０．５〜２質量％であることがさらに好ましく、１質量％であることが最も好ましい。エッチング液組成物に含まれるフッ化水素酸及び硝酸の合計含有量が０．５質量％以上であることにより、チタン酸ストロンチウムの膜に対する実用的なエッチング速度を得ることができる。また、エッチング液組成物に含まれるフッ化水素酸及び硝酸の合計含有量が５質量％以下であることにより、チタン酸ストロンチウムの膜に対する実用的なエッチング速度を得ることができるとともに、チタン酸ストロンチウムの単結晶からなる膜に対して、亀裂を生じることなくエッチング処理を行うことができる。
【００２５】
本発明のエッチング液組成物に含まれるフッ化水素酸と硝酸との混合比は、質量比で、フッ化水素酸：硝酸の比が、９：１から１：９の範囲であることが好ましく、１：１であることが最も好ましい。エッチング液組成物に含まれるフッ化水素酸と硝酸との混合比が上記範囲であることにより、チタン酸ストロンチウムの膜に対する実用的なエッチング速度を得ることができるとともに、チタン酸ストロンチウムの単結晶からなる膜に対して、亀裂を生じることなくエッチング処理を行うことができる。
【００２６】
＜形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法＞
上記本発明のエッチング液組成物を使用した、形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法もまた本発明の一つである。次に、形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法の一実施態様（以下、単に「本発明の製造方法」とも呼ぶ。）について説明する。
【００２７】
本発明の製造方法は、チタン酸ストロンチウムが露出している被処理面にマスクを形成するマスク工程と、当該被処理面のうちマスクに被覆されていない露出部に、上記本発明のエッチング液組成物を接触させることにより、上記露出部をエッチングするエッチング工程と、を備える。以下、各工程について説明する。
【００２８】
［マスク工程］
まず、マスク工程について説明する。この工程では、チタン酸ストロンチウムが露出している被処理面にマスクを形成させる。
【００２９】
本発明の製造方法では、基材の表面に形成されたチタン酸ストロンチウムの膜をエッチング処理することにより、当該チタン酸ストロンチウムの膜を形状加工する。チタン酸ストロンチウムの膜が形成される基材としては、特に限定されず、シリコン基材、ガラス基材等が例示される。基材の表面にチタン酸ストロンチウムの膜が形成されたものを、説明の便宜上、「被処理対象物」と呼ぶ。なお、基材は、チタン酸ストロンチウムそのものであってもよい。この場合、板状のチタン酸ストロンチウムそのものが被処理対象物となり、その表面部分がエッチング処理されることになる。このような板状のチタン酸ストロンチウムの板としては、チタン酸ストロンチウムの単結晶が挙げられる。
【００３０】
基材の表面にチタン酸ストロンチウムの膜を形成させる手段は、既に説明した通りであるので、ここでの説明を省略する。なお、基材に形成させるチタン酸ストロンチウムの膜は、単結晶、多結晶及びアモルファスのいずれであってもよいが、本発明の製造方法で使用されるエッチング液組成物ではエッチング処理の間にチタン酸ストロンチウムの単結晶からなる膜に亀裂を生じることを抑制することができるので、特に単結晶であることを好ましく例示できる。
【００３１】
被処理面にはチタン酸ストロンチウムが露出しており、本工程では、形状加工後の形状に応じたマスクを当該被処理面に形成させる。本工程で、チタン酸ストロンチウムの露出した被処理面にマスクを形成させることにより、マスクの存在しない箇所、すなわちチタン酸ストロンチウムが露出したままである箇所が、次工程であるエッチング工程にてエッチング液と接触し、エッチング処理を受けて除去されることになる。一方、マスクの存在する箇所、すなわちチタン酸ストロンチウム表面のうちマスクで被覆された箇所は、次工程であるエッチング工程にてエッチング液と接触しないので、除去されずにそのまま残ることになる。その結果、被処理面に形成させたマスクの形状通りに形状加工されたチタン酸ストロンチウムの膜が残る。
【００３２】
被処理面に形成させるマスクの種類は、特に限定されない。このようなマスクとしては、エッチング液による侵食に耐える素材からなる板に対して、加工後の膜の形状に応じた貫通部と非貫通部とを形成させたものや、公知のフォトレジスト組成物の膜を被処理面に形成させ、当該フォトレジスト組成物の膜に対して、加工後の膜の形状に応じた選択露光及び現像を施して形成させたものを例示することができる。後者の方法によれば、より微細な形状を再現性良く形成させることができるのでより好ましい。このような方法としては、フォトリソグラフィ法として公知のものを挙げることができる。
【００３３】
本工程では、チタン酸ストロンチウムが露出している被処理面に上記のマスクを密着させる。被処理面に上記のマスクが密着された被処理対象物は、後述するエッチング工程に付される。
【００３４】
［エッチング工程］
次に、エッチング工程について説明する。この工程では、上記マスク工程において表面にマスクを密着された上記被処理面のうち、当該マスクに被覆されていない露出部に対して本発明のエッチング液組成物を接触させる。上記露出部では、マスクに被覆されていないために、チタン酸ストロンチウムが露出したままとなっている。そのため、この露出部にチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物を接触させると、当該露出部に存在しているチタン酸ストロンチウムが選択的に溶解される。その結果、基材の表面に存在するチタン酸ストロンチウムの膜が所望の形状に加工される。
【００３５】
本工程で使用されるチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物は、既に説明した本発明のエッチング液組成物である。上記露出部に対して本発明のエッチング液組成物を接触させる手段は特に限定されない。このような手段としては、被処理対象物をエッチング液組成物に浸漬させる浸漬法、マスクの密着された被処理面に対してエッチング液をスプレーするスプレー法等が例示されるが、特に限定されない。
【００３６】
上記露出部に対してエッチング液を接触させる際のエッチング液の液温や接触時間等といった処理条件は、所望とするエッチング速度や、エッチング処理の均一性や、エッチング処理の対象となる膜の厚さ等を考慮して適宜設定すればよい。このような処理条件の一例として、上記露出部に対して、液温が２０〜８０℃であるエッチング液組成物を１０〜１２０分間接触させることが挙げられるが、特に限定されない。
【００３７】
本工程を経た被処理対象物の被処理面から上記マスクを除去すると、形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜が基材の表面に現れる。なお、形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜のその後の用途に応じて、被処理面から上記マスクを除去してもよいし、除去せずにそのまま残しておいてもよい。
【００３８】
＜チタン酸ストロンチウム膜の加工方法＞
上記本発明のエッチング液組成物を使用したチタン酸ストロンチウム膜の加工方法もまた本発明の一つである。
【００３９】
本発明のチタン酸ストロンチウム膜の加工方法は、チタン酸ストロンチウム膜の表面にマスクを形成し、当該チタン酸ストロンチウム膜の表面のうち、上記マスクで被覆されていない箇所に本発明のエッチング液組成物を接触させることを特徴とする。この加工方法については、既に説明した、形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法と同様であるから、その説明を省略する。
【００４０】
なお、既に説明した、形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法に係る発明と同様に、本発明のチタン酸ストロンチウムの加工方法は、加工対象であるチタン酸ストロンチウム膜が単結晶からなるものであっても好ましく適用することができる。また、既に説明した、形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法に係る発明と同様に、本発明のチタン酸ストロンチウム膜の加工方法において形成させるマスクは、フォトレジスト組成物の膜を選択露光し、次いで当該膜を現像することにより形成されたものであることが好ましい。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例を示すことにより本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に何ら限定されることはない。
【００４２】
［フォトレジスト組成物の調製］
８官能ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製、製品名ｊＥＲ１５７Ｓ７０）１００質量部と、カチオン重合開始剤として４−（２−クロロ−４−ベンゾイルフェニルチオ）フェニルビス（４−フルオロフェニル）スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート（株式会社ＡＤＥＫＡ製、ＳＰ−１７２）３質量部と、増感剤として１−ナフトール１質量部と、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン５質量部とに対して、溶剤としてＰＧＭＥＡを固形分濃度が７０質量％になるように添加してから、混合して溶解させ、フォトレジスト組成物を得た。このフォトレジスト組成物は、カチオン重合系であり、ネガ型のレジストである。
【００４３】
［マスクの作製］
被処理対象物として、チタン酸ストロンチウムの単結晶板（厚さ：０．８ｍｍ、株式会社新光社製、製品名ＳｒＴｉＯ３）を使用して、下記の手順により、その表面に上記フォトレジスト組成物によるマスクを形成させた。このチタン酸ストロンチウムの単結晶板（以下、「被処理対象物」とも呼ぶ。）は基材でもあり、当該被処理対象物の表面はチタン酸ストロンチウムが露出した被処理面となる。
【００４４】
上記被処理対象物の表面に、上記フォトレジスト組成物をスピンコート法により塗布し、厚さ１５μｍのフォトレジスト膜を形成させた。このフォトレジスト膜に対して、平行光露光機（伯東株式会社製、型番ＭＡＴ−２５０１）を使用して、幅３０μｍ、長さ８００μｍのラインパターンを露光（ｇ、ｈ、ｉ線、露光量２００ｍＪ／ｃｍ２）し、次いで、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて２分間現像し、さらに、プロピレングリコールモノメチルエーテルを使用して１分間リンスした。その結果、上記被処理面には、幅３０μｍ、長さ８００μｍのマスクが形成された。
【００４５】
［エッチング処理］
マスクの形成された上記被処理面に対して、表１に記載した各種のエッチング液組成物を浸漬することで、エッチング処理を施した。エッチング処理時間は、比較例１を１０分間としたこと以外は、いずれのエッチング液組成物についても３０分間とした。また、エッチング処理の際のエッチング液組成物の液温は、いずれも室温（約２３℃）とした。なお、表１の「エッチング液」欄には、使用したエッチング液組成物の組成が示されており、例えばフッ化水素酸０．５質量％と硝酸０．５質量％とを含むエッチング液組成物を使用した場合には、「ＨＦ／ＨＮＯ３：０．５ｗｔ％／０．５ｗｔ％」のように表示した。表１の「エッチング液」欄において、ＨＦはフッ化水素酸を、ＨＮＯ３は硝酸を、Ｈ２ＳＯ４は硫酸を、ＫＭｎＯ４は過マンガン酸カリウムを、それぞれ意味する。
【００４６】
上記のエッチング処理により、被処理面の表面からエッチングされた深さ（ｎｍ）を表１の「エッチング量」欄に示した。エッチング処理は、一部を除いて、上記のように３０分間の一定時間で実施したので、「エッチング量」欄に記載された数値が大きいほどエッチング速度が大きいことになる。なお、「エッチング量」欄に「＊」印を表示した比較例１の実験データについては、エッチング速度が著しく速いために、既に述べたように、エッチング処理の時間を１０分間とした場合の結果を表示した。また、エッチング処理後の被処理面の表面状態を観察し、観察した結果を表１の「エッチング状態」欄に示した。表１の「エッチング状態」欄において、「○」は処理後のチタン酸ストロンチウムに亀裂の発生がなく良好であったことを意味し、「△」は処理後のチタン酸ストロンチウムにその結晶面に沿った実用上影響がない程度の亀裂が発生したことを意味し、「×」は処理後のチタン酸ストロンチウムにその結晶面に沿った亀裂が発生したことを意味する。また、エッチング中に発泡が観察された場合には、特記事項としてその旨を「エッチング状態」欄に記載した。
【００４７】
【表１】
2013023409.tif 000002
【００４８】
表１より明らかなように、本発明のチタン酸ストロンチウム用のエッチング液を使用することにより、エッチング処理対象であるチタン酸ストロンチウムが単結晶の場合であっても、当該単結晶へのエッチング処理に伴う亀裂の発生が抑制されることがわかる。このことから、本発明のチタン酸ストロンチウム用のエッチング液は、チタン酸ストロンチウムのエッチング処理に対して好ましく使用されることが理解される。
【００４９】
その一方で、特許文献３においてチタン酸ストロンチウムのエッチング処理に使用されたエッチング液を使用すると、チタン酸ストロンチウムの単結晶に亀裂を生じるばかりか、表１にて「１０００−５０００ｎｍ」と示したように、単結晶表面の全体が一様にエッチングされるのではなく、表面の部分によってエッチング速度が異なることがわかった（比較例１）。このため、特許文献３に記載されたエッチング液を使用してチタン酸ストロンチウムの単結晶に対してエッチング処理を行うと、当該単結晶の表面の一部分が過剰にエッチングされたり、また逆に、一部分のエッチングが不足したりして、その表面の高さが均一でなくなり、電子デバイス等の作製に不適切なものになることがわかった。