(57)【要約】      （修正有）【課題】区画パターンの直線性、平滑性の向上により、性能の高いデバイスを提供するとともに、耐久性に優れた転写用ドナー基板およびデバイス基板の製造方法を提供する。【解決手段】支持体３１と、光を吸収して熱を発生する光熱変換層３３と、転写層３７を区画する区画パターン３４と、を備え、区画パターン３４は、少なくとも１種のシロキサン化合物を反応させたシロキサンポリマーを含むシロキサン化合物から形成されることを特徴とする。【選択図】図１
2013191553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、光を吸収して熱を発生する光熱変換層と、転写層を区画する区画パターンと、を有する転写用ドナー基板であって、
前記区画パターンは、下記一般式（１）で表される少なくとも１種のシロキサン化合物を反応させたシロキサンポリマー（Ａ）を含むシロキサン組成物から形成されることを特徴とする転写用ドナー基板。
【化１】
2013191553.tif 000012
（一般式（１）中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基または炭素数６〜１６のアリール基であり、Ｒ２は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜６のアシル基または炭素数６〜１６のアリール基である。ｎは０〜３の整数である。Ｒ１およびＲ２が複数存在する場合には、同一でも異なっていてもよい。）
【請求項２】
前記光熱変換層の表面が粗面であることを特徴とする請求項１に記載の転写用ドナー基板。
【請求項３】
前記光熱変換層の表面の算術平均粗さが３０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の転写用ドナー基板。
【請求項４】
前記支持体の光熱変換層が形成される側の表面の算術平均粗さが３０ｎｍ以上である請求項１〜３のいずれか一つに記載の転写用ドナー基板。
【請求項５】
前記光熱変換層は前記支持体上に形成され、該光熱変換層の上面に形成された区画パターン表面にバリア層が形成されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の転写用ドナー基板。
【請求項６】
少なくとも前記区画パターン上部に形成された撥液処理層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の転写用ドナー基板。
【請求項７】
前記シロキサンポリマー（Ａ）は、Ｓｉ原子１モルに対してフェノール性水酸基の含有割合が０．２モル以下である感光性ポリマーであり、
前記シロキサン組成物は、シロキサンポリマー（Ａ）に加えて、
フェノール性水酸基を有する化合物のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルであって、フェノール性水酸基のオルト位およびパラ位が、それぞれ独立して、水素、または下記一般式（２）で表される置換基を有するキノンジアジド化合物（Ｂ）と、
アルコール性水酸基を有する化合物および／またはカルボニル基を有する環状化合物（Ｃ）を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の転写用ドナー基板。
【化２】
2013191553.tif 000013
（一般式（２）中、Ｒ３、Ｒ４、およびＲ５は、それぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキル基、カルボキシル基、または置換基を有していてもよいフェニル基であり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が結合して、環を形成してもよい。）
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一つに記載の転写用ドナー基板が備える区画パターンと、デバイス基板の絶縁層とを対向させて位置合わせする位置合わせ工程と、
前記転写用ドナー基板の光熱変換層に光を照射して、転写層を前記デバイス基板に転写する転写工程と、
を含むことを特徴とするデバイス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子をはじめとするデバイスのパターニングに用いる転写用ドナー基板およびデバイス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は陰極と陽極の間に有機発光材料を挟んだ構造の発光素子であり、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が有機層で再結合することで生じるエネルギーを発光エネルギーとして外部に取り出す原理を適用した素子である。
【０００３】
現在、有機ＥＬ素子に代表される有機デバイスに含まれる有機層の作製方法は、真空蒸着などのドライプロセスによる成膜が一般的であり、画素のパターニングにはシャドーマスクなどが用いられている。しかしこのような手法は、材料の利用効率が低いことや、大面積デバイスの作製が困難であることなどの問題があった。
【０００４】
一方、低コスト・大面積化が可能なフォトリソ法、インクジェット法や印刷法などのウェットプロセスも検討されている。しかし有機ＥＬ素子などの有機薄膜の多層構造からなるデバイスでは、上層を塗布した際に下地層が膜質変化する懸念があり、また膜厚均一性などを制御することが難しいことから、ディスプレイとしての性能が低下するという課題がある。
【０００５】
そこで、材料をまずドナー基板上に用意してからデバイス基板に転写する方法が開発されている。例えば、剛体の支持基板を、エッチングまたはサンドブラストにより加工し、区画パターンを形成したドナー基板によりデバイスを製造する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、光熱変換層を全面に形成したドナー基板上にポリイミド等の耐熱性を有する樹脂層を形成し、フォトリソ法によりパターニングして区画パターンを形成するドナー基板の製造方法が開示されている（例えば、特許文献２および３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１４６７１５号公報
【特許文献２】特開２００９−１８７８１０号公報
【特許文献３】国際公開第２０１２／００８４４３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示されるエッチングやサンドブラストにより区画パターンを形成した場合、区画パターンの直線性、平滑性が悪いため、区画パターン内に転写材料を含む溶液を塗布した際に、区画パターンの凹凸に転写材料が集まりやすくなり、均一な塗布膜が形成できないという問題があった。
【０００８】
また、特許文献２および３に記載の区画パターンの材料であるポリイミド樹脂は、光熱変換層の材料である金属材料と密着性が悪く、耐久性が低いという問題を有していた。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、区画パターンの直線性、平滑性を向上するとともに、耐久性に優れ、性能の高いデバイスを提供することができる、転写用ドナー基板およびデバイス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の転写用ドナー基板は、支持体と、光を吸収して熱を発生する光熱変換層と、転写層を区画する区画パターンと、を備える転写用ドナー基板であって、前記区画パターンは、下記一般式（１）で表される少なくとも１種のシロキサン化合物を反応させたシロキサンポリマー（Ａ）を含むシロキサン組成物から形成されることを特徴とする。
【００１１】
【化１】
2013191553.tif 000003
（一般式（１）中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基または炭素数６〜１６のアリール基であり、Ｒ２は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜６のアシル基または炭素数６〜１６のアリール基である。ｎは０〜３の整数である。Ｒ１およびＲ２が複数存在する場合には、同一でも異なっていてもよい。）
【００１２】
また、本発明の転写用ドナー基板は、上記発明において、前記光熱変換層の表面が粗面であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の転写用ドナー基板は、上記発明において、前記光熱変換層の表面の算術平均粗さが３０ｎｍ以上であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の転写用ドナー基板は、上記発明において、前記支持体の光熱変換層が形成される側の表面の算術平均粗さが３０ｎｍ以上であることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の転写用ドナー基板は、上記発明において、前記光熱変換層は前記支持体上に形成され、該光熱変換層の上面に形成された区画パターン表面にバリア層が形成されたことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の転写用ドナー基板は、上記発明において、少なくとも転写の際にデバイス基板の絶縁層と接する前記区画パターンの上面に形成された撥液処理層をさらに備えることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の転写用ドナー基板は、上記発明において、前記シロキサンポリマー（Ａ）は、Ｓｉ原子１モルに対してフェノール性水酸基の含有割合が０．２モル以下である感光性ポリマーであり、前記シロキサン組成物は、シロキサンポリマー（Ａ）に加えて、フェノール性水酸基を有する化合物のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルであって、フェノール性水酸基のオルト位およびパラ位が、それぞれ独立して、水素または下記一般式（２）で表される置換基を有するキノンジアジド化合物（Ｂ）と、アルコール性水酸基を有する化合物および／またはカルボニル基を有する環状化合物（Ｃ）と、を含むことを特徴とする。
【化２】
2013191553.tif 000004
（一般式（２）中、Ｒ３、Ｒ４、およびＲ５は、それぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキル基、カルボキシル基、または置換基を有していてもよいフェニル基であり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が結合して、環を形成してもよい。）
【００１８】
また、本発明のデバイス基板の製造方法は、上記のいずれか一つに記載の転写用ドナー基板が備える区画パターンと、デバイス基板の絶縁層とを対向させて位置合わせする位置合わせ工程と、前記転写用ドナー基板の光熱変換層に光を照射して、転写層を前記デバイス基板に転写する転写工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の転写用ドナー基板およびデバイス基板の製造方法は、光熱変換層との密着性が高く、直線性および平滑性に優れる区画パターンを形成できるので、転写用ドナー基板の耐久性を向上するとともに、デバイス性能が高いデバイス基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１にかかるドナー基板の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１にかかるドナー基板の別の一例を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１における転写材料の形成を説明する断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１で使用するドナー基板の別の一例を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態１の区画パターン側からの拡大写真である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態１で使用するドナー基板の別の一例を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態１における撥液処理層を有するドナー基板の一例を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態１におけるパターニング方法の一例を示す断面図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態１における有機ＥＬ素子の発光層パターニング方法の一例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図９における光照射方法の一例を示す平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態１における光照射方法の別の一例を示す斜視図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態１における光照射方法の別の一例を示す斜視図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態１における光照射方法の別の一例を示す斜視図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態１における光照射方法の別の一例を示す斜視図である。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態２にかかるドナー基板の一例を示す断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態２の変形例１にかかるドナー基板の一例を示す断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の実施の形態２の変形例２にかかるドナー基板の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本実施の形態にかかる転写用ドナー基板およびデバイス基板の製造方法を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００２２】
（実施の形態１）
図１に本発明の実施の形態１にかかるドナー基板の構成の一例を示す。ドナー基板３０は、支持体３１、光熱変換層３３、区画パターン３４および転写層３７からなる。
【００２３】
本実施の形態１にかかるドナー基板３０において、支持体３１は、光の吸収率が小さく、その上に光熱変換層３３と転写層３７を安定に形成できる材料であれば特に限定されない。樹脂フィルムを使用することも可能である。具体的な樹脂材料としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアクリル、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリエポキシ、ポリプロピレン、ポリオレフィン、アラミド樹脂、シリコーン樹脂などを利用することができる。
【００２４】
化学的・熱的安定性、寸法安定性、機械的強度、透明性の面で、好ましい支持体としては、ガラス板を挙げることができる。ソーダライムガラス、無アルカリガラス、含鉛ガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、低膨張ガラス、石英ガラスなどから適宜選択することができる。本発明の転写プロセスを真空中で実施する場合には、支持体からのガス放出が少ないことが要求されるので、ガラス板は特に好ましい支持体３１である。
【００２５】
光熱変換層３３が高温に加熱されても、支持体３１自体の温度上昇（熱膨張）を許容範囲内に収める必要があるので、支持体３１の熱容量は光熱変換層３３のそれより十分大きいことが好ましい。従って、支持体３１の厚さは光熱変換層３３の厚さの１０倍以上であることが好ましい。熱膨張の許容範囲は転写領域の大きさやパターニングの要求精度などに依存するために一概には示せないが、例えば、光熱変換層３３が室温から３００℃上昇し、支持体３１の温度上昇をその１／１００である３℃以下に抑制したい場合には、支持体３１の厚さは光熱変換層３３の厚さの１００倍以上であることが好ましく、支持体３１の温度上昇を３００℃の１／３００である１℃以下に抑制したい場合には、支持体３１の厚さは光熱変換層３３の厚さの３００倍以上であることが好ましい。このようにすることで、ドナー基板３０を大型化しても熱膨張による寸法変位量が少なく、高精度のパターニングが可能になる。
【００２６】
本実施の形態１にかかるドナー基板３０において、光熱変換層３３は、支持体３１上に形成された層であり、効率よく光を吸収して熱を発生し、発生した熱に対して安定である材料・構成であれば特に限定されない。しかし、急激な温度上昇を防止して、区画パターン３４への熱拡散による局所的な温度低下を防ぐためには、熱容量が大きいことが望ましい。
【００２７】
なぜなら高熱変換層３３の熱容量が小さいと、熱しやすく冷めやすいので、転写層３７をゆっくり転写させることができなくなるからである。なお、熱容量は体積と体積比熱の積であり、体積比熱そのものが大きい材料が望ましい。具体的に光熱変換層３３の体積比熱は２Ｊ／ｃｍ３Ｋ以上であるのが好ましい。また、光熱変換層３３の熱伝導率は、大きい方が均一な加熱が可能であり、局所的な温度低下が軽減されるのでより望ましい。具体的に光熱変換層３３の熱伝導率は５０Ｗ／ｍＫ以上であるのが好ましい。光熱変換層３３は、単一の材料のからなる層でも合金からなる層でもよく、単一層または複数の材料を積層した複数の層であってもよい。
【００２８】
ここで、光熱変換層３３が異なる材料の複数の層あるいは合金からなる場合は、前記熱伝導率および体積比熱は、光熱変換層全体としての値をいうものとする。この全体としての値は、異なる材料の複数の積層薄膜からなる場合は、材料単独の熱伝導率や体積比熱の値をそれぞれの膜厚で重み付け平均した計算値を用いる。また、合金のように計算が困難な場合は、レーザーフラッシュ法やスキャニングレーザーＡＣ加熱法、示差法、３ω法などの公知手法により測定できる。
【００２９】
高熱変換層３３に使用する材料としては、カーボンブラックや黒鉛、チタンブラック、有機顔料、金属粒子などを樹脂に分散させた薄膜を利用することができる。また、本実施の形態１では、光熱変換層３３が３００℃程度に加熱されることがあるので、光熱変換層３３は耐熱性に優れ、熱伝導率と体積比熱の高い無機薄膜からなることが好ましい。従って、光吸収や成膜性の面で、金属薄膜からなることが特に好ましい。具体的には、金属材料としては、タングステン、タンタル、モリブデン、チタン、クロム、金、銀、銅、白金、鉄、亜鉛、アルミニウム、コバルト、ニッケル、マグネシウム、バナジウム、ジルコニウム、シリコン、カーボンなどの単体や合金の薄膜、それらの積層薄膜を使用できる。
【００３０】
光熱変換層３３の形成方法としては、真空蒸着、ＥＢ蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなど、材料に応じて公知技術を利用できる。パターニングする場合にはレーザーアブレーション法など公知の方法を利用できる。
【００３１】
光熱変換層３３は表面に微細な凹凸構造を有していること、すなわち、表面が粗面であることが好ましい。本実施の形態１においては、区画パターン３４の材料であるシロキサン組成物が無機性を持っていることから、光熱変換層３３の材質である金属と化学的結合を形成しやすいという特徴がある。ここで図１に示すように光熱変換層３３の表面を粗面にすると、図２に示すような光熱変換層３３の表面が平滑な場合に比べて、区画パターン３４と光熱変換層３３間の接着表面積が増えることにより、さらに密着性を高めることが可能となる。
【００３２】
また、光熱変換層３３の表面を粗面にすることにより、ドナー基板３０へ転写材料を含む溶液の塗布を行った際に、乾燥後の膜に局所的な膜厚ムラを防止できるという別の効果も生じる。図３はドナー基板３０へ転写材料を含む溶液の塗布を行った際の、転写材料の乾燥膜の形成について説明した図である。図３（ａ）に示すように表面が平滑な光熱変換層３３を有する基板を用いた場合には、いわゆる「コーヒーのしみ」現象による膜厚ムラが生じる場合がある。すなわち、転写材料を含む溶液を滴下したとき、溶媒の乾燥速度は液滴の周辺部のほうが中央部よりも早いため、周辺部から蒸発する液分を補うために中央から周辺部に溶媒が流れる。このとき、溶質（転写材料）もこの流れに乗って周辺部に運ばれ、結果として周辺部が盛り上がった形状の膜ができる。
【００３３】
これに対し、図３（ｂ）に示すように光熱変換層３３が粗面であるドナー基板３０を用いると、光熱変換層３３表面の凹凸によって、中央から周辺部への溶液の移動が阻止される。したがって、溶質がドナー基板３０の表面上に均一に分散して析出しやすくなり、局所的な膜厚ムラを抑えることができる。なお、光熱変換層３３の凹凸に追従した微小な膜厚ムラが転写層３７に多少存在していたとしても、後述の蒸着モードを使用することにより、転写時に転写材料が分子（原子）レベルにほぐれた状態で昇華した後にデバイス基板２０に堆積するために、転写膜２７の膜厚ムラが均一化され、有機ＥＬ素子を作製した際の発光輝度ムラも問題にならない。
【００３４】
光熱変換層３３の粗さの程度は、光熱変換層３３の表面の算術表面粗さ（以下Ｒａと記す）で表すことができる。また、本発明における算術平均粗さとは、表面粗さ形状測定器によりＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に基づき、測定長さ１．０ｍｍで測定した際に得られる十点平均粗さのことである。本発明においては光熱変換層３３の実表面積が大きいほど、区画パターン３４との結合が増えて密着性が向上するので、光熱変換層３３の表面Ｒａは大きいほうが好ましく、３０ｎｍ以上であることが好ましい。より好ましくは５０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上、特に好ましくは１５０ｎｍ以上である。以上の数値をとることにより、転写層３７の膜厚ムラの抑制にも効果を発揮することができる。
【００３５】
一方で、光熱変換層３３の表面のＲａが大きすぎると、転写材料を含む溶液を塗布した際に溶液が凹部に溜まってしまうため、乾燥後の膜が不連続となってしまい、転写後の膜厚ムラも大きくなってしまうという問題が生じる。溶液が凹部に溜まらないようにするためには、光熱変換層３３の表面のＲａよりも塗布溶液の厚さの値が大きければよい。具体的には、光熱変換層３３のＲａは、好ましくは４μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは２５０ｎｍ以下である。この範囲であれば、所望の厚さの転写材料を得るために合理的な濃度の溶液を塗布したときに、光熱変換層３３のＲａよりも塗布溶液の厚さの値を大きくするこができる。
【００３６】
また、区画パターン３４下部と光熱変換層３３との密着性と、転写層３７の膜均一性を両立させるために、転写層３７を形成する部分のＲａと、区画パターン３４下部のＲａを適宜変更してもよい。つまり、光熱変換層３３の実表面積が大きいほど、区画パターン３４との結合が増えて密着性が向上するので、光熱変換層３３の表面Ｒａは大きいほうが好ましいが、一方で転写材料を形成するエリアのＲａも大きくすると転写材料を含む溶液を塗布した際に溶液が凹部に溜まってしまうため、乾燥後の膜が不連続となり、デバイス基板に転写後の膜厚ムラが大きくなってしまう。そのため図４に示すように区画パターン３４下部のＲａを大きくし、転写材料を形成するエリアのＲａを小さくする構成をとってもよい。
【００３７】
光熱変換層３３の表面を粗面化する方法は、大きくわけて２通りある。１つは、あらかじめ粗面化した支持体３１の上に光熱変換層３３を支持体３１表面の凹凸に合わせて略均一に形成する方法である。この方法の場合、支持体３１の表面のＲａを光熱変換層３３の表面のＲａに写し取ることができる。例えば、支持体３１の表面のＲａを３０ｎｍ以上としておくことで、光熱変換層３３表面のＲａを３０ｎｍ以上に調整することができる。したがって、支持体３１の光熱変換層３３が形成される側の表面のＲａは、光熱変換層３３の表面のＲａとして求められる値にしておくことが好ましい。例えば３０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上、特に好ましくは１５０ｎｍ以上である。
【００３８】
支持体３１の表面の粗面化の方法は特に限定されず、サンドブラストによる機械的粗面化、フッ酸、バッファードフッ酸および他の酸との混酸によるケミカルエッチング、ガラス粉を表面に塗布して高熱で溶結させる方法などの公知技術が使用できる。これらの処理は圧力や処理時間などの条件を強めるほどＲａが大きくなるので、所望のＲａが得られるように調整することができる。
【００３９】
光熱変換層３３を支持体３１表面の凹凸に合わせて略均一に形成する方法としては、スパッタリング法が好ましく挙げられる。詳細な条件は材料により異なるため一概には言えないが、一例としてタンタルの場合は、例えばＡｒガス雰囲気で、ガス圧０．２Ｐａ、投入電力１ｋｗで形成することが好ましい。もちろん、この条件に限られるものではない。
【００４０】
光熱変換層３３の表面を粗面化する別法は、公知の方法で表面がほぼ平滑な光熱変換層３３を形成した後に表面を粗面化する方法である。その方法も特に限定されず、サンドブラストによる機械的粗面化、ケミカルエッチング、スパッタリング成膜時のガス圧・投入電力・製膜温度の条件変更などの公知技術を使用できる。
【００４１】
ただし光熱変換層３３を直接粗面化する方法では、光照射を行った際に光熱変換層の膜厚の厚い部分と薄い部分で表面温度にばらつきが発生し、転写材料に均一に熱を加えることが難しいことから、前者の支持体３１の表面を粗面化し光熱変換層３３を表面の凹凸に合わせて均一に形成する方法の方が好ましい。
【００４２】
区画パターン３４は、後述する転写層３７の大きさ（区画）を定めるものであり、光熱変換層３３上に形成される。本実施の形態１にかかる区画パターン３４は、下記一般式（１）で表される少なくとも１種のシロキサン化合物を反応させたシロキサンポリマー（Ａ）を含むシロキサン組成物から形成される。また、シロキサンポリマー（Ａ）は、シロキサンポリマー（Ａ）中のＳｉ原子１モルに対してフェノール性水酸基の含有割合が０．２モル以下であることが好ましい。
【００４３】
【化３】
2013191553.tif 000005
一般式（１）中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基または炭素数６〜１６のアリール基であり、Ｒ２は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜６のアシル基または炭素数６〜１６のアリール基である。ｎは０〜３の整数である。Ｒ１およびＲ２が複数存在する場合には、同一でも異なっていてもよい。
上記Ｒ１およびＲ２において、炭素数１〜１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−デシル基、トリフルオロメチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、３−グリシドキシプロピル基、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基、３−アミノプロピル基、３−メルカプトプロピル基、３−イソシアネートプロピル基などが挙げられる。
【００４４】
上記Ｒ１において、炭素数２〜１０のアルケニル基としては、ビニル基、３−アクリロキシプロピル基、３−メタクリロキシプロピル基などが挙げられる。
上記Ｒ１およびＲ２において、炭素数６〜１５のアリール基としては、フェニル基、トリル基、ｐ−ヒドロキシフェニル基、１−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチル基、２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチル基、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチル基、ナフチル基などが挙げられる。
上記Ｒ２において、炭素数１〜６のアシル基としては、アセチル基、ホルミル基、プロピオニル基などがあげられる。
【００４５】
一般式（１）で表されるシロキサン化合物の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラアセトキシシラン、テトラフェノキシシランなどの４つのアルコキシ基を有する４官能性シラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｐ−ヒドロキシフェニルトリメトキシシラン、１−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルトリメトキシシラン、２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルトリメトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリエトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどの３つのアルコキシ基を有する３官能性シラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシランなどの２つのアルコキシ基を有する２官能性シラン、トリメチルメトキシシラン、トリ−ｎ−ブチルエトキシシランなどの１つのアルコキシ基を有する１官能性シランが挙げられる。
【００４６】
また、上記一般式（１）で表されるシロキサン化合物のうち、ｎが３である３つのアルコキシ基を有する３官能性シランが好ましい。３官能性シランを用いることにより、各パターンの耐クラック性と硬度を向上することができる。上記の一般式（１）で表されるシロキサン化合物は、単独で使用しても、２種以上を組み合わせて使用してもよい。２種以上の一般式（１）で表されるシロキサン化合物の組み合わせとしては、例えば、メチルトリメトキシシランおよびフェニルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシランおよび４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシランおよび２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランなどが例示される。
【００４７】
本実施の形態１にかかるシロキサンポリマー（Ａ）は、少なくとも１種の前記一般式（１）で表されるシロキサン化合物と、下記一般式（３）で表される直鎖状シロキサン化合物とを反応させたものであってもよい。
【化４】
2013191553.tif 000006
一般式（３）中、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基または炭素数６〜１６のアリール基である。Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜６のアシル基または炭素数６〜１６のアリール基である。ｍは１〜１０００の自然数である。Ｒ６およびＲ７が複数存在する場合には、同一でも異なっていてもよい。
【００４８】
上記Ｒ６〜Ｒ１１において、炭素数１〜１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−デシル基、トリフルオロメチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、３−グリシドキシプロピル基、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基、３−アミノプロピル基、３−メルカプトプロピル基、３−イソシアネートプロピル基などが挙げられる。
【００４９】
上記Ｒ６〜Ｒ９において、炭素数２〜１０のアルケニル基としては、ビニル基、３−アクリロキシプロピル基、３−メタクリロキシプロピル基などが挙げられる。
上記Ｒ６〜Ｒ１１において、炭素数６〜１５のアリール基としては、フェニル基、トリル基、ｐ−ヒドロキシフェニル基、１−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチル基、２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチル基、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチル基、ナフチル基などが挙げられる。
上記Ｒ１０およびＲ１１において、炭素数１〜６のアシル基としては、アセチル基、ホルミル基、プロピオニル基などがあげられる。
一般式（３）において、ｍは１〜１０００の自然数であり、好ましくは、２〜１００であり、３〜５０が特に好ましい。
【００５０】
一般式（３）で表される直鎖状シロキサン化合物の具体例として、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジメトキシジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジエトキシジシロキサン、１，１，３，３−テトラエチル−１，３−ジメトキシジシロキサン、１，１，３，３−テトラエチル−１，３−ジエトキシジシロキサン、下記に示すゲレスト社製シラノール末端ポリジメチルシロキサン（商品名）“ＤＭＳ−Ｓ１２”（分子量４００〜７００）、“ＤＭＳ−Ｓ１５”（分子量１５００〜２０００）、“ＤＭＳ−Ｓ２１”（分子量４２００）、“ＤＭＳ−Ｓ２７”（分子量１８０００）、“ＤＭＳ−Ｓ３１”（分子量２６０００）、“ＤＭＳ−Ｓ３２”（分子量３６０００）、“ＤＭＳ−Ｓ３３”（分子量４３５００）、“ＤＭＳ−Ｓ３５”（分子量４９０００）、“ＤＭＳ−Ｓ３８”（分子量５８０００）、“ＤＭＳ−Ｓ４２”（分子量７７０００）、下記に示すゲレスト社製シラノール末端ジフェニルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー“ＰＤＳ−０３３２”（分子量３５０００、ジフェニルシロキサンを２．５−３．５モル％共重合している）、“ＰＤＳ−１６１５”（分子量９００〜１０００、ジフェニルシロキサンを１４〜１８モル％共重合している）、ゲレスト社製シラノール末端ポリジフェニルシロキサン“ＰＤＳ−９９３１”（分子量１０００〜１４００）などが挙げられる。
【００５１】
一般式（３）で表される直鎖状シロキサン化合物を用いることで、貯蔵安定性、耐クラック性、耐熱性、透明性、低誘電率性、高硬度のすべてにおいて優れた効果を有する。特に、貯蔵安定性に優れ、これは、一般式（３）で表される直鎖状シロキサン化合物は直鎖状であり、一般式（３）で表される直鎖状シロキサン化合物と一般式（１）で表されるシロキサン化合物との部分縮合物において、一般式（３）で表される直鎖状シロキサン化合物が橋かけ的に存在するため、貯蔵中の未反応シラノール基の縮合反応を抑制できるためと推測される。一般式（１）で表されるシロキサン化合物と一般式（３）で表される直鎖状シロキサン化合物との好適な組み合わせとしては、例えば、メチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシランおよびＤＭＳ−Ｓ１２などが例示される。
一般式（１）で表されるシロキサン化合物と、一般式（３）で表される直鎖状シロキサン化合物を混合して用いる場合の混合比率は特に制限は無いが、好ましくはＳｉ原子モル数でシロキサン化合物／直鎖状シロキサン化合物＝１００／０〜５０／５０である。直鎖状シロキサン化合物が５０モル％より多いと相分離が起こる場合がある。
【００５２】
また、本実施の形態１にかかるシロキサンポリマー（Ａ）は、上述の一般式（１）で表されるシロキサン化合物と、一般式（３）で表される直鎖状シロキサン化合物以外に、シリカ粒子を混合し、反応させて合成することが好ましい。シリカ粒子を混合、反応させることで、パターン解像度がさらに向上する。これは、ポリマー中にシリカ粒子が組み込まれることで、膜のガラス転移温度が高くなり熱硬化時のパターンだれが抑えられるためと考えられる。
【００５３】
混合するシリカ粒子の数平均粒子径は、好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜７０ｎｍである。シリカ粒子の数平均粒子径は、種々のパーティクルカウンターを用いて測定することができる。
【００５４】
混合するシリカ粒子として、例えば、イソプロパノールを分散剤とした粒子径１２ｎｍのＩＰＡ−ＳＴ、メチルイソブチルケトンを分散剤とした粒子径１２ｎｍのＭＩＢＫ−ＳＴ、イソプロパノールを分散剤とした粒子径４５ｎｍのＩＰＡ−ＳＴ−Ｌ、イソプロパノールを分散剤とした粒子径１００ｎｍのＩＰＡ−ＳＴ−ＺＬ、プロピレングリコールモノメチルエーテルを分散剤とした粒子径１５ｎｍのＰＧＭ−ＳＴ（以上、日産化学工業（株）製）、γ−ブチロラクトンを分散剤とした“オスカル（登録商標）”１０１（粒子径１２ｎｍ）、γ−ブチロラクトンを分散剤とした“オスカル（登録商標）”１０５（粒子径６０ｎｍ）、ジアセトンアルコールを分散剤とした“オスカル（登録商標）”１０６（粒子径１２０ｎｍ）（以上、触媒化成工業（株）製）、プロピレングリコールモノメチルエーテルを分散剤とした“クォートロン（登録商標）”ＰＬ−２Ｌ−ＰＧＭＥ（粒子径１６ｎｍ）、γ−ブチロラクトンを分散剤とした“クォートロン（登録商標）”ＰＬ−２Ｌ−ＢＬ（粒子径１７ｎｍ）、ジアセトンアルコールを分散剤とした“クォートロン（登録商標）”ＰＬ−２Ｌ−ＤＡＡ（粒子径１７ｎｍ）（以上、扶桑化学工業（株）製）などが挙げられる。なお、これらのシリカ粒子は単独で使用しても、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００５５】
シリカ粒子を用いる場合の混合比率は特に制限されないが、Ｓｉ原子モル数でシロキサンポリマー（Ａ）全体のＳｉ原子モル数に対して３０モル％以下が好ましい。シリカ粒子が３０モル％より多いと、シロキサンポリマー（Ａ）と後述するキノンジアジド化合物（Ｂ）との相溶性が悪くなるためである。なお、シロキサンポリマー（Ａ）全体のＳｉ原子モル数に対するシリカ粒子のＳｉ原子モル比は、ポリマーの２９Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行い、得られたスペクトルにおけるシリカ粒子のＳｉピーク面積とシリカ粒子以外のＳｉピーク面積との比から求めることができる。また、シロキサンポリマー（Ａ）中において、区画パターン３４の耐クラック性と硬度を両立させる観点から、シロキサンポリマー（Ａ）中にあるフェニル基の含有率はＳｉ原子１モルに対して０．０５〜０．６モルであることが好ましく、さらに好ましくは０．１〜０．４５モルである。フェニル基の含有率が０．６モルより多いと区画パターン３４の硬度が低下し、フェニル基含有率が０．０５モルより少ないと、区画パターン３４の耐クラック性が低下する。フェニル基の含有率は、例えば、シロキサンポリマー（Ａ）の２９Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）を測定し、そのフェニル基が結合したＳｉのピーク面積とフェニル基が結合していないＳｉのピーク面積の比から求めることができる。
【００５６】
また、本実施の形態１で用いるシロキサンポリマー（Ａ）の質量平均分子量（Ｍｗ）は特に制限されないが、好ましくはＧＰＣ（ゲルパーミネーションクロマトグラフィ）で測定されるポリスチレン換算で１０００〜１０００００、さらに好ましくは２０００〜５００００である。Ｍｗが１０００より小さいと塗膜性が悪くなり、１０００００より大きいとパターン形成時の現像液への溶解性が悪くなる。
【００５７】
本実施の形態１のシロキサンポリマー（Ａ）は、上述の式（１）で表されるシロキサン化合物、式（３）で表される直鎖状シロキサン化合物、およびシリカ粒子の混合物を加水分解および部分縮合させることにより得られる。加水分解および部分縮合には一般的な方法を用いることができる。例えば、混合物に溶媒、水、必要に応じて触媒を添加し、５０〜１５０℃で０．５〜１００時間程度加熱攪拌する。なお、攪拌中、必要に応じて蒸留によって加水分解副生物（メタノールなどのアルコール）や縮合副生物（水）を留去してもよい。
【００５８】
上記の反応溶媒としては特に制限は無いが、通常は後述する溶剤としてのアルコール性水酸基を有する化合物および／またはカルボニル基を有する環状化合物（Ｃ）と同様のものが用いられる。溶媒の添加量は、式（１）で表されるシロキサン化合物と式（３）で表される直鎖状シロキサン化合物の混合物１００質量部に対して、１０〜１０００質量部が好ましい。また加水分解反応に用いる水の添加量は、加水分解性基１モルに対して０．５〜２モルが好ましい。なお、前記シロキサン化合物中にシリカ粒子を混合する場合においても、溶媒の好ましい添加量は同じ範囲である。
【００５９】
必要に応じて添加される触媒に特に制限はないが、酸触媒、塩基触媒が好ましく用いられる。酸触媒の具体例としては塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、多価カルボン酸あるいはその無水物、イオン交換樹脂が挙げられる。塩基触媒の具体例としては、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、ジエチルアミン、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミノ基を有するアルコキシシラン、イオン交換樹脂が挙げられる。触媒の添加量は、式（１）で表されるシロキサン化合物と式（３）で表される直鎖状シロキサン化合物の混合物１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましい。
【００６０】
また、塗膜性、貯蔵安定性の観点から、加水分解、部分縮合後のシロキサンポリマー（Ａ）溶液には副生成物のアルコールや水、触媒が含まれないことが好ましい。よって必要に応じてこれらの除去を行ってもよい。除去方法としては特に制限は無いが、好ましくは以下の方法で除去を行う。アルコールや水の除去方法としては、シロキサンポリマー（Ａ）溶液を適当な疎水性溶剤で希釈した後、水で数回洗浄して得られた有機層をエバポレーターで濃縮する方法を用いることができる。また、触媒の除去方法としては、上記の水洗浄に加えて、あるいは単独でイオン交換樹脂で処理する方法を用いることができる。
【００６１】
また、本実施の形態１の区画パターン３４を形成するシロキサン組成物として、上記のシロキサンポリマー(Ａ)を使用することにより、光熱変換層３３との密着性を向上することができるが、区画パターン３４の直線性、平滑性を向上するために、キノンジアジド化合物（Ｂ）を含有することが好ましい。キノンジアジド化合物（Ｂ）は、フェノール性水酸基を有する化合物のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルであって、フェノール性水酸基のオルト位およびパラ位が、それぞれ独立して、水素または下記一般式（２）で表される構造を有する置換基を有する。
【００６２】
【化５】
2013191553.tif 000007
【００６３】
一般式（２）中、Ｒ３、Ｒ４、およびＲ５は、それぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキル基、カルボキシル基、または置換基を有していてもよいフェニル基であり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が結合して、環を形成してもよい。
上記Ｒ３〜Ｒ５において、炭素数１〜１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、トリフルオロメチル基のほか、カルボキシル基等の置換基を有する２−カルボキシエチル基などが挙げられる。
【００６４】
上記Ｒ３〜Ｒ５において、カルボキシル基としては、アセチル基、ホルミル基、プロピオニル基などがあげられる。
上記Ｒ３〜Ｒ５において、置換基を有していてもよいフェニル基は、フェニル基、ｐ−ヒドロキシフェニル基などが挙げられる。
また、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が結合して環を形成してもよく、例えば、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５のうちいずれか２つが結合して、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、アダマンタン環、フルオレン環を形成したものが例示できる。
【００６５】
キノンジアジド化合物（Ｂ）のフェノール性水酸基のオルト位、およびパラ位が上記以外の置換基、例えばメチル基の場合、区画パターン３４の形成時の熱硬化によって酸化分解が起こり、キノイド構造に代表される共役系化合物が形成され、区画パターン３４が着色する。なお、これらのキノンジアジド化合物（Ｂ）は、フェノール性水酸基を有する化合物と、ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドとの公知のエステル化反応により合成することができる。
【００６６】
フェノール性水酸基を有する化合物の具体例としては、以下の化合物が挙げられる（商品名、本州化学工業（株）製）。
【００６７】
【化６】
2013191553.tif 000008
【００６８】
【化７】
2013191553.tif 000009
【００６９】
ナフトキノンジアジドスルホン酸としては、４−ナフトキノンジアジドスルホン酸あるいは５−ナフトキノンジアジドスルホン酸を用いることができる。４−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物はｉ線（波長３６５ｎｍ）領域に吸収を持つため、ｉ線露光に適している。また、５−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物は広範囲の波長領域に吸収が存在するため、広範囲の波長での露光に適している。露光する波長によって４−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物、５−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を選択することが好ましい。４−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物と５−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を混合して用いることもできる。
【００７０】
キノンジアジド化合物（Ｂ）の添加量に特に制限は無いが、好ましくはシロキサンポリマー（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部である。キノンジアジド化合物（Ｂ）の添加量が０．１質量部より少ない場合、感光性を有さない場合がある。キノンジアジド化合物（Ｂ）の添加量が１０質量部より多い場合、区画パターン３４の透明性が低下する。
ナフトキノンジアジド化合物（Ｂ）の分子量は、好ましくは３００〜１５００、さらに好ましくは３５０〜１２００である。ナフトキノンジアジド化合物（Ｂ）の分子量が１５００より多いと、０．１〜１０質量部、あるいは０．１〜４質量部の添加量ではパターン形成ができなくなる可能性がある。一方、ナフトキノンジアジド化合物（Ｂ）の分子量が３００より小さいと、無色透明性が低下する可能性がある。
【００７１】
本実施の形態１のシロキサン組成物は、溶剤として、アルコール性水酸基を有する化合物および／またはカルボニル基を有する環状化合物（Ｃ）を含むことが好ましい。これらの化合物（Ｃ）を溶剤として用いると、シロキサンポリマー（Ａ）とキノンジアジド化合物（Ｂ）とが均一に溶解し、シロキサン組成物を塗布成膜した際、区画ポリマー３４が白化することがない。
【００７２】
アルコール性水酸基を有する化合物に特に制限は無いが、好ましくは大気圧下の沸点が１１０〜２５０℃である化合物である。沸点が２５０℃より高いと区画ポリマー３４中の残存溶剤量が多くなるためキュア時の収縮が大きくなり、良好な平坦性が得られなくなる。一方、沸点が１１０℃より低いと、塗膜時の乾燥が速すぎて膜表面が荒れるなど塗膜性が悪くなる。
アルコール性水酸基を有する化合物の具体例としては、アセトール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン、４−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン、５−ヒドロキシ−２−ペンタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（ジアセトンアルコール）、乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｔ−ブチルエーテル、３−メトキシ−１−ブタノール、３−メチル−３−メトキシ−１−ブタノールが挙げられる。これらの中でも、さらにカルボニル基を有する化合物が好ましく、特にジアセトンアルコールが好ましく用いられる。これらのアルコール性水酸基を有する化合物は、単独、あるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００７３】
カルボニル基を有する環状化合物に特に制限は無いが、好ましくは大気圧下の沸点が１５０〜２５０℃である化合物である。沸点が２５０℃より高いと区画ポリマー３４中の残存溶剤量が多くなるためキュア時の収縮が大きくなり、良好な平坦性が得られなくなる。一方、沸点が１５０℃より低いと、塗膜時の乾燥が速すぎて膜表面が荒れるなど塗膜性が悪くなる。カルボニル基を有する環状化合物の具体例としては、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、炭酸プロピレン、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノンが挙げられる。これらの中でも、特にγ−ブチロラクトンが好ましく用いられる。これらのカルボニル基を有する環状化合物は、単独、あるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００７４】
上述のアルコール性水酸基を有する化合物とカルボニル基を有する環状化合物（Ｃ）は、単独でも、あるいは各々混合して用いても良い。混合して用いる場合、その質量比率に特に制限は無いが、好ましくはアルコール性水酸基を有する化合物／カルボニル基を有する環状化合物＝９９／１〜５０／５０、さらに好ましくは９７／３〜６０／４０である。アルコール性水酸基を有する化合物が９９質量％より多い（カルボニル基を有する環状化合物が１質量％より少ない）と、シロキサンポリマー（Ａ）とキノンジアジド化合物（Ｂ）との相溶性が悪く、硬化膜が白化して透明性が低下する。また、アルコール性水酸基を有する化合物が５０質量％より少ない（カルボニル基を有する環状化合物が５０質量％より多い）と、シロキサンポリマー（Ａ）中の未反応シラノール基の縮合反応が起こり易くなり、貯蔵安定性が悪くなる。
【００７５】
また、本実施の形態１にかかるシロキサン組成物は、本発明の効果を損なわない限り、その他の溶剤を含有してもよい。その他の溶剤としては、酢酸エチル、酢酸−ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシ−１−ブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシ−１−ブチルアセテートなどのエステル類、メチルイソブチルケトン、ジイソプロピルケトン、ジイソブチルケトンなどのケトン類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジｎ−ブチルエーテル、ジフェニルエーテルなどのエーテル類が挙げられる。
溶剤の添加量は、シロキサンポリマー（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１００〜１０００質量部の範囲である。
【００７６】
さらに、本実施の形態１にかかるシロキサン組成物は、増感剤を含有してもよい。このときの増感剤は熱処理により気化する、および／または光照射によって退色する増感剤が好ましい。一般的に感度を向上させるために増感剤はよく用いられるが、従来用いられている増感剤は幅広い波長の放射線のエネルギーを吸収し、そのエネルギーを他の物質に移動させる化合物であり、幅広い波長の放射線に吸収を持たせるために種々の置換基を導入されている。しかし、従来の増感剤は可視光に吸収があったり、熱処理によって分解、着色したりし、高透明性が必要とされる分野で使用することは困難であった。特に、露光波長３６５ｎｍ（ｉ線）、４０５ｎｍ（ｈ線）、４３６ｎｍ（ｇ線）の混合線に対して、可視光に吸収を持たない増感剤は高感度化が期待できず、可視光領域に吸収を有する増感剤は高感度化が期待できるが、可視光領域の無色透明性が低下する傾向がある。そこで、熱処理で気化して増感剤による着色を生じさせない、または樹脂膜に残存した場合においても、光照射によって退色して着色を生じさせない思想で、熱処理により気化する、および／または光照射によって退色する増感剤を用いることで、高透明性を維持しつつ、高感度化を達成できる。
【００７７】
上記の熱処理により気化する、および／または光照射によって退色する増感剤の具体例としては、３，３’−カルボニルビス（ジエチルアミノクマリン）などのクマリン、９，１０−アントラキノンなどのアントラキノン、ベンゾフェノン、４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、アセトフェノン、４−メトキシアセトフェノン、ベンズアルデヒドなどの芳香族ケトン、ビフェニル、１，４−ジメチルナフタレン、９−フルオレノン、フルオレン、フェナントレン、トリフェニレン、ピレン、アントラセン、９−フェニルアントラセン、９−メトキシアントラセン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（４−メトキシフェニル）アントラセン、９，１０−ビス（トリフェニルシリル）アントラセン、９，１０−ジメトキシアントラセン、９，１０−ジエトキシアントラセン、９，１０−ジプロポキシアントラセン、９，１０−ジブトキシアントラセン、９，１０−ジペンタオキシアントラセン、２−ｔ−ブチル−９，１０−ジブトキシアントラセン、９，１０−ビス（トリメチルシリルエチニル）アントラセンなどの縮合芳香族などが挙げられる。
【００７８】
これらの増感剤の中で、熱処理により気化する増感剤は、好ましくは熱処理により昇華、蒸発、熱分解による熱分解物が昇華または蒸発する増感剤である。また、増感剤の気化温度としては、好ましくは１３０℃〜４００℃、さらに好ましくは１５０℃〜２５０℃である。増感剤の気化温度が１３０℃より低いと、増感剤がプリベーク中に気化して露光プロセス中に存在しなくなり高感度化が達成されない。また、プリベーク中の気化を極力抑えるためには、増感剤の気化温度は１５０℃以上が好ましい。一方、増感剤の気化温度が４００℃より高いと、増感剤が熱硬化時に気化せず硬化膜中に残存して、無色透明性が低下する。また、熱硬化時に完全に気化させるためには、増感剤の気化温度は２５０℃以下が好ましい。
【００７９】
一方、光照射によって退色する増感剤は、透明性の観点から可視光領域における吸収が光照射によって退色する増感剤が好ましい。また、さらに好ましい光照射によって退色する化合物は、光照射によって二量化する化合物である。光照射によって二量化することによって、分子量が増大して不溶化するので、耐薬品性向上、耐熱性向上、区画パターン３４からの抽出物の低減という効果が得られる。
また、増感剤は高感度を達成できるという点、光照射によって二量化して退色するという点からアントラセン系化合物が好ましく、さらに、９，１０位が水素であるアントラセン系化合物は熱に不安定であるので、少なくとも９，１０が置換された二置換アントラセン系化合物であることが好ましい。さらに、増感剤の溶解性の向上と光二量化反応の反応性の観点から一般式（４）で表される９，１０−ジアルコキシアントラセン系化合物であることが好ましい。
【００８０】
【化８】
2013191553.tif 000010
式（４）中、Ｒ１２〜Ｒ１９は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、エチニル基、アリール基、アシル基、およびそれらが置換された有機基を表す。Ｒ２０、およびＲ２１は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルコキシ基およびそれらが置換された有機基を表す。
【００８１】
上記Ｒ１２〜Ｒ１９において、アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基などが挙げられる。また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基などが挙げられる。アルケニル基としては、ビニル基、アクリロキシプロピル基、メタクリロキシプロピル基などが挙げられる。アリール基としては、フェニル基、トリル基、ナフチル基などが挙げられる。アシル基としては、アセチル基などが挙げられる。化合物の気化性、光二量化の反応性の点から、Ｒ１２〜Ｒ１９は水素、または炭素数は１〜６までの有機基であることが好ましい。さらに好ましくは、Ｒ１２〜Ｒ１９は水素であることが好ましい。
【００８２】
上記Ｒ２０、Ｒ２１において、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基などが挙げられるが、一般式（４）で表される化合物の溶解性と光二量化による退色反応の点から、プロポキシ基、ブトキシ基が好ましい。
増感剤を用いる場合、シロキサンポリマー（Ａ）１００質量部に対して０．０１〜５質量部の範囲で添加するのが好ましい。この範囲を外れると、透明性が低下したり、感度が低下したりするので注意を要する。
【００８３】
さらに、本実施の形態１にかかるシロキサン組成物は、熱酸発生剤を含有しても良い。熱酸発生剤を含有することによって、熱硬化時に酸が発生してシロキサンポリマー（Ａ）中の未反応シラノール基が縮合し、区画パターン３４の硬度が向上する。熱酸発生剤としては、露光光である超高圧水銀灯（特にｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ））に感光しないものを用いる必要があり、ベンジルスルホニウム塩、スルホンイミド化合物が好ましい。具体例としては、“サンエイド（登録商標）”ＳＩ−６０、ＳＩ−８０、ＳＩ−１００、ＳＩ−１１０、ＳＩ−１４５、ＳＩ−１５０、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−１１０Ｌ、ＳＩ−１４５Ｌ、ＳＩ−１５０Ｌ、ＳＩ−１６０Ｌ、ＳＩ−１８０Ｌ（以上、三新化学工業（株）製）、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、２−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシカルボニルオキシフェニルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ベンジル−４−メトキシカルボニルオキシフェニルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート（以上、商品名、三新化学工業（株）製）、ＳＩ−１０１、ＳＩ−１０５、ＳＩ−１０６、ＳＩ−１０９、ＰＩ−１０５、ＮＤＩ−１０１、ＮＤＩ−１０５、ＮＤＩ−１０９（以上、商品名、みどり化学（株）製）などが挙げられる。
【００８４】
熱酸発生剤の添加量は、シロキサンポリマー（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜５質量部の範囲である。この範囲を外れると、区画パターン３４の硬度が低下したり、クラックが発生したりするので注意を要する。
【００８５】
本発明のシロキサン組成物は必要に応じて、溶解促進剤、溶解抑止剤、熱硬化剤、界面活性剤、安定剤、消泡剤などの添加剤を含有することもできる。
特に、溶解促進剤は感度を向上する目的でよく用いられる。溶解促進剤としては、フェノール性水酸基を有する化合物や、Ｎ−ヒドロキシジカルボキシイミド化合物が好ましく用いられる。具体例としては、キノンジアジド化合物に用いたフェノール性水酸基を有する化合物が挙げられる。
【００８６】
区画パターン３４の成膜方法としては、上述したシロキサン組成物を光熱変換層３３上に塗布した後、フォトリソ法によりパターニングすることにより、直線性および平滑性に優れた区画パターン３４を形成することができる。シロキサン組成物として、キノンジアジド化合物（Ｂ）を配合しない場合は、リフト法やドライエッチング法により区画パターン３４を形成すればよい。
【００８７】
まず、本実施の形態１にかかるシロキサン組成物をスピンナー、ディッピング、スリットなどの公知の方法によって光熱変換層３３を形成した支持体３１上に塗布し、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置でプリベークする。プリベークは、５０〜１５０℃の範囲で３０秒〜３０分間行い、プリベーク後の膜厚は、０．１〜１５μｍとするのが好ましい。
【００８８】
プリベーク後、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、パラレルライトマスクアライナー（ＰＬＡ）などの紫外可視露光機を用い、１０〜４０００Ｊ／ｍ２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）を所望のマスクを介して露光する。
【００８９】
露光後、現像により露光部を溶解し、ポジ型のパターンを得ることができる。現像方法としては、シャワー、ディッピング、パドルなどの方法で現像液に５秒〜１０分間浸漬することが好ましい。現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができる。具体的例としてはアルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアミン類、水酸化テトラメチルアンモニウム、コリン等の４級アンモニウム塩を１種あるいは２種以上含む水溶液等が挙げられる。
【００９０】
現像後、水でリンスすることが好ましく、つづいて５０〜１５０℃の範囲で乾燥ベークを行うこともできる。
その後、ブリーチング露光を行うことが好ましい。ブリーチング露光を行うことによって、区画パターン３４中に残存する未反応のキノンジアジド化合物を光分解することができる。ブリーチング露光の方法としては、ＰＬＡなどの紫外可視露光機を用い、１００〜２００００Ｊ／ｍ２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）を全面に露光する。
【００９１】
その後、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置で１５０〜４５０℃の範囲で１時間程度キュアすることで、区画パターン３４が形成される。
上述したシロキサン組成物を、光熱変換層３３を形成した支持体３１上に塗布し、フォトリソ法によりパターニングすることにより、図５に示すような、直線性および平滑性に優れた区画パターン３４を形成することができる。
【００９２】
区画パターン３４の厚さについては特に限定されない。例えば、区画パターン３４が転写層３７と同じ厚さであるか、あるいはより薄いとしても、ドナー基板３０とデバイス基板との間隙を保持すれば、転写時に蒸発した転写材料がやや広がって堆積する程度なので、隣接する転写層３７間の混合を起こさずに転写することができる。
【００９３】
区画パターン３４の断面形状は、蒸発した転写層３７がデバイス基板に均一に堆積することを容易にするために、順テーパー形状であることが好ましい。ここで「順テーパー形状」とは区画パターン３４の光熱変換層３３側での断面幅が上面側の幅より長い形状をいう。後述する図９で例示するように、デバイス基板に絶縁層のようなパターンが存在する場合には、区画パターン３４の幅よりも後述する絶縁層の幅（ｘ方向の長さ）の方が広いことが好ましい。また、位置合わせの際には、区画パターン３４の幅が絶縁層の幅に収まるように配置することが好ましい。この場合には、区画パターン３４が薄くても、絶縁層を厚くすることで、ドナー基板３０とデバイス基板とを所望の間隙に保持することができる。区画パターン３４の典型的な幅は５〜５０μｍ、ピッチは２５〜３００μｍであるが、用途に応じて最適な値に設計すればよく、特に限定はされない。
【００９４】
区画パターン３４内に転写材料を配置する際に、後述する塗布法を利用する場合には、溶液が他の区画へ混入したり、区画パターン３４の上面に乗りあげたりすることを防ぐために、区画パターン３４上面に撥液処理（表面エネルギー制御）を施すことができる。撥液処理としては、区画パターン３４を形成する樹脂材料へフッ素系材料などの撥液性材料を混合する方法や、さらに撥液性材料の高濃度領域を、区画パターン３４の表面あるいは上面へ選択形成する方法などがある。
【００９５】
後者の場合の一例を図７に示す。（ａ）は区画パターン３４よりも広く撥液処理層３５を設計した場合であり、塗布後の溶剤が区画パターン３４内でとどまり区画パターン３４上には塗られないため転写材料を有効に使うことができる。（ｂ）は区画パターン３４よりも狭く撥液処理層３５を設計した場合であり、区画パターン３４上のエッジ部にも転写材料がぬれ広がるため転写材料を多めに使用するが、区画パターン３４内のぬれの均一性を上げることができるため、デバイス基板に転写後の発光層の膜厚均一性を向上することができる。これらのどちらの場合も状況により選択できる。
【００９６】
光熱変換層３３の支持体３１側には必要に応じて反射防止層を形成することができる。さらに、支持体３１の光入射側の表面にも反射防止層を形成してもよい。これらの反射防止層は屈折率差を利用した光学干渉薄膜が好適に使用され、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化チタンなどの単体や混合薄膜、それらの積層薄膜を使用できる。
【００９７】
転写層３７は、区画パターン３４に区画された空間に形成された転写材料からなる薄膜である。転写材料は、有機材料、金属を含む無機材料いずれでもよく、加熱された際に、蒸発、昇華、あるいはアブレーション昇華するか、あるいは、接着性変化や体積変化を利用して、ドナー基板３０からデバイス基板へと転写されるものであればよい。また、転写材料が薄膜形成材料の前駆体であり、転写前あるいは転写中に熱や光によって薄膜形成材料に変換されて転写膜が形成されてもよい。
【００９８】
転写層３７の厚さは、それらの機能や転写回数により異なる。例えば、フッ化リチウムなどのドナー材料（電子注入材料）を転写する場合には、その厚さは１ｎｍで十分であるし、電極材料の場合には、その厚さは１００ｎｍ以上になることもある。本発明の好適なパターニング薄膜である発光層の場合は、転写材料の厚さは１０〜１００ｎｍが、さらに２０〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００９９】
転写層３７の形成方法は特に限定されず、真空蒸着やスパッタリングなどのドライプロセスを利用することもできるが、大型化に対応が容易な方法として、少なくとも転写材料と溶媒からなる溶液を区画パターン３４内に塗布し、前記溶媒を乾燥させた後に転写することが好ましい。塗布法としては、インクジェット、ノズル塗布、電界重合や電着、オフセットやフレキソ、平版、凸版、グラビア、スクリーンなどの各種印刷などを例示できる。特に、本実施の形態１では各区画パターン３４内に定量の転写層３７を正確に形成することが重要であり、この観点から、インクジェットを特に好ましい方法として例示できる。
【０１００】
転写材料と溶媒とからなる溶液を塗布法に適用する場合には、一般的には界面活性剤や分散剤などを添加することで溶液の粘度や表面張力、分散性などを調整してインク化することが多い。しかしながら、本実施の形態１では、それらの添加物が転写層３７に残留物として存在すると、転写時にも転写膜内に取り込まれて、不純物としてデバイス性能に悪影響を及ぼすことが懸念される。従って、これらの不純物の添加または意図せぬ混入を最小にすることが好ましく、乾燥後の転写材料の純度が９５％以上、さらに９８％以上となるように溶液を調製することが好ましい。インク中の溶剤以外の成分に占める転写材料の割合を９５質量％以上とすることで、このような調整が可能である。
【０１０１】
溶媒としては、水、アルコール、炭化水素、芳香族化合物、複素環化合物、エステル、エーテル、ケトンなど公知の材料を使用することができる。本発明において好適に使用されるインクジェット法では、１００℃以上、さらに１５０℃以上の比較的高沸点の溶媒が使用されること、さらに、有機ＥＬ材料の溶解性に優れていることから、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルイミダゾリジノン（ＤＭＩ）、γ−ブチルラクトン（γＢＬ）、安息香酸エチル、テトラヒドロナフタレン（ＴＨＮ）、キシレン、クメンなどを好適な溶媒として例示できる。
【０１０２】
転写材料が溶解性と転写耐性、転写後のデバイス性能を全て満たす場合には、転写材料自体（デバイス構成材料）を溶媒に溶解させることが好ましい。転写材料が溶媒への溶解性に乏しい場合には、転写材料に、アルキル基などの溶媒に対する可溶性基を導入することで、溶解性を改良することができる。このような材料を本明細書では転写材料（デバイス構成材料）の前駆体という。デバイス性能面で優れる転写材料に可溶性基を導入した場合には、性能が低下することがある。その場合には、例えば転写時の熱において、この可溶性基を脱離させて原型材料をデバイス基板に堆積させることもできる。
【０１０３】
転写材料として可溶性基を導入した前駆体を使用する場合であって、該転写材料からなる転写層３７を転写する際に、ガスの発生や転写膜への脱離物の混入を防止するためには、前駆体を含む溶液を区画パターン３４に塗布した後に、熱または光によって前駆体の可溶性基を変換または脱離させて転写材料に変換した後に、転写材料を転写することが好ましい。
なお、本実施の形態１にかかる転写用ドナー基板３０は、有機ＥＬ素子の発光材料の転写基板として好適に用いられるが、有機ＴＦＴや光電変換素子、各種センサーなどのデバイスを構成する薄膜を形成する材料として用いてもかまわない。
【０１０４】
次に、本実施の形態１において、ドナー基板の転写層をデバイス基板に転写する方法について説明する。図８は本実施の形態１におけるドナー基板への光照射方法の一例を示す断面図である。図８（ａ）において、ドナー基板３０は、支持体３１、光熱変換層３３、区画パターン３４、区画パターン３４内に存在する１種類の転写層３７からなり、デバイス基板２０は支持体２１のみからなる。
【０１０５】
転写層３７はデバイス基板２０の被転写面に直接接しない方が好ましく、また、ドナー基板３０の転写層３７とデバイス基板２０の被転写面との間隙は、１〜１００μｍ、さらに２〜２０μｍの範囲に保つことが好ましい。したがって、区画パターン３４の厚さは、転写層３７の厚さより厚く、かつ、１〜１００μｍであることが好ましく、２〜２０μｍの厚さであることがさらに好ましい。このような厚さの区画パターン３４をデバイス基板２０に対向させることで、ドナー基板３０の転写材料とデバイス基板２０の被転写面との間隙を一定値に保つことが容易になり、また、蒸発した転写材料が他の区画へ侵入する可能性を低減できる。
【０１０６】
デバイス基板２０への転写層３７の転写は、転写層３７が存在する部分のみを狙ってレーザーに代表される光を照射しても良いが、図８（ｂ）に示すように、ドナー基板３０の支持体３１側から光を入射して、転写層３７の少なくとも一部と区画パターン３４の少なくとも一部とが同時に加熱されるように光を光熱変換層３３に照射することができる。このような配置をとることで、区画パターン３４と転写層３７との境界での温度低下が抑制されるので、境界に存在する転写材料を十分に加熱して転写し、均一な転写膜２７を得ることができる。
【０１０７】
図８（ｂ）では、転写層３７が加熱されて蒸発し、デバイス基板２０の支持体２１に転写膜２７として堆積している課程を模式的に示している。この時点で光照射を止める（光照射部分の移動により、この部分の光照射を終了する）こともできるし、このまま光照射を継続して、転写層３７の右側部分全てを転写し、その後、左側部分を転写することもできる。本実施の形態１では、材料や光照射条件を選べば、転写層３７が膜形状を保持した状態でデバイス基板２０の支持体２１に到達するアブレーションモードを使用することもできる。しかし、材料へのダメージを低減する観点からは、転写層３７が１〜１００個の分子（原子）にほぐれた状態で蒸発し、転写される蒸着モードを使用する方が好ましい。
【０１０８】
図８（ｃ）は、本実施の形態１において光照射の好ましい態様の１つであり、転写層３７の幅よりも広い光を、転写層３７の全幅と区画パターン３４の幅の一部とが同時に加熱されるように光を光熱変換層３３に照射する。この配置によれば目的とする転写膜２７のパターンを１回の転写で効率よく得ることができる。あるいは、１回目の光照射で転写層３７の膜厚の半分を転写し、２回目の光照射で残りの半分を転写することで、転写層３７への負荷をより低減することもできる。
【０１０９】
１枚のドナー基板３０に対して光を光熱変換層３３に複数回に分けて照射することで、転写層３７を膜厚方向に複数回に分割して転写することは、本実施の形態１の特に好ましい転写方法である。これにより、転写層３７だけでなく区画パターン３４やデバイス基板２０上に成膜された下地層などの最高到達温度を低下させられるので、ドナー基板３０の損傷やデバイス基板２０の性能低下を防止することができる。分割する場合、その回数ｎは限定されないが、少なすぎると上記の低温下効果が十分に発揮されず、多すぎると累積の加熱時間が長くなることによる弊害が生じるので、５回以上５０回以下の範囲が好ましい。
【０１１０】
１画素に対応する転写材料のみを部分的に転写する従来方式において、膜厚方向にｎ回に分割して転写しても、材料劣化を抑制する効果は得られるが、基板１枚あたりの処理時間が概略ｎ倍になるために、生産性が大きく低下してしまう。しかしながら、ｍ個（ｍは２以上の整数）の転写材料を一括して転写することもできるから、生産性を維持することができる。特に、ｍ≧ｎの条件を満たす幅の広い光を用いると、従来方式と同等以上の高い生産性を確保できるため好ましい。ディスプレイの製造では大型基板でも１枚あたり２分前後で処理する必要がある。レーザーのスキャン速度を標準的な０．６ｍ／ｓ、基板の一辺が３ｍと仮定した場合には、２４回（１２往復）のスキャンで２分を要することを考慮すると、分割回数ｎは１５回以上３０回以下の範囲が特に好ましい。
【０１１１】
図６に示すように、ドナー基板３０が複数の転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを有する場合、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂは、それぞれ異なる蒸発速度の温度特性をもつことが珍しくない。したがって、図６のようなドナー基板３０において、例えば後述する図９に示すように幅の広い均一光を照射した場合に、蒸発速度の違いにより転写層３７Ｂは１回目の照射で全膜厚が転写されるが、３７Ｒと３７Ｇはそれぞれ半分の膜厚だけが転写されることがある。この場合には、２回目の照射によって３７Ｒと３７Ｇの残りの転写を完了させることが可能である。このとき、１回目の照射後にはドナー基板３０上に転写層３７Ｂは存在しないが、１回目と同じ配置で２回目の照射をすることができる。同様の考え方で、例えば、３７Ｒを１０回、３７Ｇを７回、３７Ｂを５回などに分割して転写することができる。また、初めから転写層３７Ｂが形成されておらず、転写層３７Ｒと３７Ｇのみが形成されたドナー基板３０を用いることもできる。
【０１１２】
転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂが有機ＥＬ素子の発光材料である場合には、転写材料がホスト材料とドーパント材料との混合物であり、それらが異なる蒸発速度の温度特性をもつことが珍しくない。例えば、ホスト材料と比較してドーパント材料の蒸発温度が低い場合に、低温かつ長時間の加熱ではドーパント材料が先に全て蒸発してしまうという現象が起こりやすい。一方、ある程度以上の高温加熱では、ホスト材料とドーパント材料が実質的に同じ比率のまま蒸発するフラッシュ蒸発と呼ばれる現象を利用できるようになる。本発明では、光照射時間と光照射強度だけでなく転写回数も制御することができるので、材料劣化を抑制しつつ、フラッシュ蒸発に準ずる適度な高速蒸発条件を探し出すことが比較的容易になる。したがって、転写前後でホスト材料とドーパント材料比率の変わらない転写を実現することが可能である。
【０１１３】
また、１回の光照射で転写層３７の膜厚の約半分をあるデバイス基板２０に転写し、残りの約半分を別のデバイス基板２０に転写するなど、１枚のドナー基板３０を用いて２枚のデバイス基板２０への転写を行うこともできる。各デバイス基板２０へ転写する転写材料の膜厚を調整すれば、１枚のドナー基板３０から３枚以上のデバイス基板２０への転写も可能である。
【０１１４】
さらに、図８（ｃ）で例示した光照射の配置において、図８（ｄ）に示すように光照射の位置がδだけｘ方向に変位したとても、転写層３７の全幅と区画パターン３４の幅の一部とが同時に加熱されることに変わりないので、同様に均一な転写膜２７を得ることができる。
【０１１５】
転写層３７が転写材料の前駆体で形成される場合、前駆体から原型材料への変換工程は、転写工程の前に行われる態様（方法Ｉ）や、転写工程と同時に行われる態様（方法ＩＩ）が好ましい。方法Ｉの場合には、ドナー基板３０上に前駆体化合物を塗布した後に、熱や光照射による変換を行ってから、デバイス基板２０への転写を行う。方法ＩＩの場合には、ドナー基板３０上に前駆体化合物を塗布した後に、ドナー基板３０とデバイス基板２０を重ね合わせ、デバイス基板２０への転写を行うが、この転写時の加熱や光照射によるエネルギーを利用して、前駆体化合物を原型材料へと変換しながら転写を行う。転写を近赤外光のレーザー光で行う場合は、転写用のレーザー光と変換用の光を同時に照射することも可能である。これらの中でも、方法Ｉのほうが、前駆体材料からデバイス材料への変換を均一かつ高い変換率で行うことができるため好ましい。
【０１１６】
次に、本実施の形態１において、ドナー基板３０を用いてデバイスを製造する方法について説明する。本明細書において、デバイスとは有機ＥＬ素子をはじめとし、有機ＴＦＴや光電変換素子、各種センサーなどをいう。有機ＴＦＴでは有機半導体層や絶縁層、ソース、ドレイン、ゲートの各種電極などを、有機太陽電池では電極などを、センサーではセンシング層や電極などを本発明によりパターニングすることができる。以下では、有機ＥＬ素子を例に挙げてその製造方法について説明する。
【０１１７】
図９および図１０は、本実施の形態１にかかる薄膜パターニング方法の一例を示す断面図および平面図である。なお、本明細書中で使用する図は、カラーディスプレイにおける多数の画素を構成するＲＧＢ副画素の最小単位を抜き出して説明している。また、理解を助けるために、横方向（基板面内方向）に比較して縦方向（基板垂直方向）の倍率を拡大している。
【０１１８】
図９において、ドナー基板３０は、支持体３１、光熱変換層３３、区画パターン３４、および区画パターン３４内に存在する転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ（有機ＥＬのＲＧＢ各発光材料の塗布膜）からなる。
【０１１９】
デバイスの一態様である有機ＥＬ素子１０は、支持体１１、その上に形成されたＴＦＴ（取出電極込み）１２と平坦化膜１３、絶縁層１４、第一電極１５、正孔輸送層１６からなる。なお、これらは例示であるため、後述のように各基板の構成はこれらに限定されない。
【０１２０】
ドナー基板３０の区画パターン３４と、デバイス基板１０の絶縁層１４との位置を合わせた状態で、両基板は対向するように配置される。ドナー基板３０の支持体３１側からレーザーを入射して光熱変換層３３に吸収させ、光熱変換層３３で発生した熱により転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを同時に加熱・蒸発させ、それらをデバイス基板１０の正孔輸送層１６上に堆積させることで、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂを一括して転写、形成するものである。転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂに挟まれる区画パターン３４の全域と、転写層３７Ｒ、３７Ｂの外側に位置する区画パターン３４の一部の領域が転写層３７と同時に加熱されるようにレーザーを照射することが可能である。
【０１２１】
さらに、本実施の形態１において、区画パターン３４の厚さを転写層３７の厚さより厚くすることが好ましい。区画パターン３４を転写層３７より厚くする場合、区画パターン３４のうち転写層３７より厚い部分の温度がそれほど上昇しないためである。区画パターン３４は支持体３１側から加熱されるので、区画パターン３４の上部は、加熱源からの距離があるので暖まりにくいからである。そのため、区画パターン３４を通じて有機ＥＬ素子１０が高温に加熱されることもなく、区画パターン３４からの脱ガスの影響などもほとんどなく、デバイス性能が悪化しない。
【０１２２】
また、本実施の形態１によれば、区画パターン３４に隔てられて存在する異なる転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂに対して、区画パターン３４を跨ぐようにして同時に光を照射して加熱できるので、異なる転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを一括して転写できる。したがって、有機ＥＬ素子１０の転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを本実施の形態１によりパターニングする場合は、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを一組としてまとめて転写することができるので、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂに順次光を照射する必要があった従来法と比べてパターニング時間の短縮が可能になる。
【０１２３】
光は光熱変換層３３で十分に吸収されるために、異なる光吸収スペクトルをもつ転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂでも同一の光源を用いて同程度の温度に加熱することができ、透過光により有機ＥＬ素子１０が加熱される心配もない。区画パターン３４が存在することで、隣接する異なる転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ同士が混合したり、その境界位置の揺らぎがある部分の転写を排除できるので、一括転写してもデバイス性能を損なうことがない。
【０１２４】
また、区画パターン３４はフォトリソグラフィ法などにより高精度にパターニングすることができるために、異なる転写層３７の転写パターンの隙間を最小にすることができる。これは、より開口率を高めて耐久性に優れた有機ＥＬ素子１０を作製できるという効果につながる。
【０１２５】
図１０は、図９におけるレーザー照射の様子をドナー基板３０の支持体３１側から見た模式図である。全面に形成された光熱変換層３３があるために、支持体３１（ガラス板）側から区画パターン３４、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂは実際には見えないが、レーザーとの位置関係を説明するために点線にて図示している。レーザービームは矩形をしており、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを跨ぐようにして照射され、かつ、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂの並びに対して垂直方向にスキャンされる。なお、レーザービームは相対的にスキャンされればよく、レーザーを移動させても、ドナー基板３０とデバイス基板２０とのセットを移動させても、その両方でもよい。
【０１２６】
ディスプレイ用途でよく見られるように、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂの組がその並びのｘ方向にｋ回、その垂直のｙ方向にｈ回繰り返し形成されている場合は、例えば、ｍ組（ｍは２以上ｋ以下の数）の転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂに光を同時照射しながら、ｙ方向に光をスキャンすることで、転写時間を１／ｍ程度に短縮することができる。
【０１２７】
ｍ＝ｋの場合には、図１１（ａ）に示すように、ドナー基板３０の転写領域３８の全幅を覆うような光を照射することで、１回のスキャンで全転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを一括転写することもできる。この配置では、ドナー基板３０に対する光照射の位置合わせを大幅に軽減できる。図１１（ｂ）に示すように、基板上に転写領域３８が複数存在する場合には、それらを一括転写することも可能である。デルタ配列と呼ばれるように、ＲＧＢの各副画素が一直線に並んでいない場合でも、照射光を直線的にスキャンできるために、容易に転写を実施できる。
【０１２８】
ｍ＜ｋの場合は、例えば図１２（ａ）に示すようにドナー基板３０の転写領域３８の半分程度の幅を覆うような光を照射し、図１２（ｂ）に示すように次のスキャンで残りの半分に光を照射し、２回のスキャンで全転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを転写することができる（ｍ≒ｋ／２の場合）。さらに、図１３に示すように、スキャン方向に段違いの位置関係にある２つの光を同時にスキャンすることで、上記２回のスキャンと同様に全転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを転写することもできる。光源の最大出力や光の均一性などの制約から転写領域３８の全幅を覆う１つの光を得ることが難しい場合でも、このようにすることで、擬似的に１回のスキャン（ｍ＝ｋ）と同様に全転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを一括転写することができる。もちろん、図１４に示すように、光の幅をさらに狭くして、数を増やすことでも同様の効果を得ることができる。
【０１２９】
上記の一括転写の例において、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂが異なる蒸発温度（蒸気圧の温度依存性）を有する場合は、最高の蒸発温度をもつ転写材料に合わせて、１回の光照射で一括転写をしてもよい。逆に、例えば、転写層３７Ｒが最低の蒸発温度をもつ場合には、１回の光照射で転写層３７Ｒは全部、３７Ｇ、３７Ｂは一部を転写しておき、再度の光照射により３７Ｇ、３７Ｂの残りを転写してもよく、さらに、３回以上の転写に分けてもよい。転写時間を１／ｍ程度に短縮できるので、同じ時間をかけてｍ回の転写に分けることで、転写層３７へのダメージをより軽減することが可能になる。転写プロセスに割ける時間と転写材料へのダメージを考慮しながら、多様な転写条件から最適なもの選択することができる。
【０１３０】
上記一括転写の大きな効果は、既に述べたとおり、光を照射する位置を従来法ほど厳密に制御する必要がなくなる点である。例えば、大気中に置かれた光源から真空中に置かれたドナー基板３０に光を照射する場合には、従来法では、大気と真空とを隔てる透明窓によって生じる微小な光路変化が無視できないので、光源や光のスキャン機構を全て真空中に入れる必要があり、大きな装置上の負担を強いるという問題があった。一方、本発明の方法では上記の光路変化は無視でき得るので、光照射装置だけでなく、転写プロセス装置全体の機構も簡素化できる。
【０１３１】
また、上記一括転写には別の効果がある。幅の広い光の照射範囲内では、レーザー転写で問題となってきた横方向の熱拡散が起きないので、レーザーを比較的低速でスキャンするなどして、光を比較的長時間照射することが可能になる。そのため、転写材料の最高到達温度の制御がより容易となり、転写時に転写材料にダメージを与えることなく高精度パターニングできるので、デバイス性能の低下を最小限に抑制できる。また、転写材料へのダメージが低減されることは、同時に区画パターン３４へのダメージも低減されることになり、区画パターン３４の劣化が起こりにくくなる。そのため、ドナー基板３０を複数回に渡って再利用でき、パターニングに掛かるコストを低減できる。
【０１３２】
レーザーのスキャン速度は特に限定されないが、０．０１〜２ｍ／ｓの範囲が一般的に好ましく使用される。光の照射強度が比較的小さく、より低速でスキャンすることで転写材料へのダメージを低減する場合には、スキャン速度は０．６ｍ／ｓ以下、さらに０．３ｍ／ｓ以下であることが好ましい。上記の分割転写のように、分割回数を増やすことで全体の低温下を図る場合には、１回のスキャン当たりの投入熱量を減らすために、スキャン速度は比較的高速の０．３ｍ／ｓ以上であることが好ましい。
【０１３３】
照射光の光源としては、容易に高強度が得られ、照射光の形状制御に優れるレーザーを好ましい光源として例示できるが、赤外線ランプ、タングステンランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、フラッシュランプなどの光源を利用することもできる。レーザーでは、半導体レーザー、ファイバーレーザー、ＹＡＧレーザー、アルゴンイオンレーザー、窒素レーザー、エキシマレーザーなど公知のレーザーが利用できる。本発明における目的の１つは、転写材料へのダメージを低減することであるから、短時間に高強度の光が照射される間欠発振モード（パルス）レーザーより、連続発信モード（ＣＷ）レーザーの方が好ましい。
【０１３４】
照射光の波長は、照射雰囲気とドナー基板３０の支持体３１における吸収が小さく、かつ、光熱変換層３３において効率よく吸収されれば特に限定されない。従って、可視光領域だけでなく紫外光から赤外光まで利用できる。ドナー基板３０の好適な支持体３１の材料を考慮すると、好ましい波長領域として、３００ｎｍ〜５μｍを、更に好ましい波長領域として、３８０ｎｍ〜２μｍを例示することができる。
【０１３５】
照射光の形状は上記で例示した矩形に限定されるものではない。線状、楕円形、正方形、多角形など転写条件に応じて最適な形状を選択できる。複数の光源から重ね合わせにより照射光を形成してもよいし、逆に、単一の光源から複数の照射光に分割することもできる。
照射強度や転写材料の加熱温度の好ましい範囲は、照射光の均一性、照射時間（スキャン速度）、ドナー基板３０の支持体３１や光熱変換層３３の材質や厚さ、反射率、区画パターン３４の材質や形状、転写材料の材質や厚さなど様々な条件に影響される。本発明では、光熱変換層３３に吸収されるエネルギー密度が０．０１〜１０Ｊ／ｃｍ２  の範囲となり、転写層３７が２２０〜４００℃の範囲に加熱される程度の照射条件を整えることが目安となる。
【０１３６】
本発明の実施の形態１では、上記のシロキサン組成物により区画パターンを形成することにより、フォトリソ法でのパターニングにより区画パターンの直線性および平滑性が向上するとともに、光熱変換層との密着性が高くなるためドナー基板の耐久性を向上することが可能となる。
【０１３７】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２は、ドナー基板３０が、バリア層３６を有している点で実施の形態１と異なる。以下図１５および図１６を参照して、本実施の形態２のドナー基板３０について説明する。
【０１３８】
図１５（ａ）に示すように、バリア層３６は、区画パターン３４上に形成される。ドナー基板３０は、支持体３１側からレーザー光等を光熱変換層３３に入射し、光熱変換層３３に入射した光が熱に変換されて転写層３７をデバイス基板２０等に転写する。光熱変換層３３が発する熱は区画パターン３４にも伝わるが、区画パターン３４の厚みにより区画パターン３４からのデバイス基板２０への熱の伝導による影響は生じない。しかしながら、転写処理による熱履歴により、区画パターン３４内で脱ガスや分解物が生じる場合がある。このため、繰り返しドナー基板３０を用いると、光熱変換層３３と区画パターン３４との界面から、転写材料を溶解した溶剤に生成した脱ガスや分解物が溶出し、転写材料とともにデバイス基板２０に転写されて、デバイス基板２０の性能を劣化させることがある。実施の形態２のドナー基板３０は、区画パターン３４上にバリア層３６を設けることにより、区画パターン３４からの転写層３７への分解物等の溶出を防止することができる。更に、区画パターン３４の材料にシロキサン組成物を使用することにより、区画パターン３４とバリア層３６との密着性が良くなり、ドナー基板３０の耐久性を向上する効果も得ることができる。
【０１３９】
バリア層３６を形成する材料の一例として、金属、金属酸化物、金属窒化物、珪素酸化物、珪素窒化物などが挙げられる。ドナー基板３０は繰り返し洗浄され再利用されることが多いため、膜の剥離が起きないような耐久性が求められることから、光熱変換層３３および区画パターン３４との密着性が高い材料を選ぶことが好ましい。上記の中でも金属、その一例としてクロム、ニッケル、亜鉛、チタン、バナジウム、タンタル、マンガンなどが密着性の上で好ましい。更に光熱変換層３３と同種の金属であれば光熱変換層３３との密着性が向上するのでより好ましい。また、バリア層３６として金属が好ましい点については他にも以下の理由が挙げられる。金属は密度が高く、被覆性が高いことから、区画パターンからの低分子成分の溶出を大きく抑えることができる。また、塑性変形に対して伸びることができるため、熱応力に対してクラックが発生しにくく、不純物溶出の点で大きな利点がある。
【０１４０】
また、バリア層３６を複数層設けることも可能で、この場合は各層ごとに上記の材料を自由に組み合わせて用いることができる。中でも、区画パターン３４や光熱変換層３３と接する部分に密着層を設け、最表面に耐候性の良好な材料を設けることがさらに好ましい。密着層にはクロム、ニッケル、亜鉛、チタン、バナジウム、タンタル、マンガンのいずれかを含有することが好ましく、またその表面を少し酸化または窒化させてもかまわない。最表面層には化学的に安定な金・銀・白金・パラジウム・ロジウム・イリジウム・ルテニウム・オスミウムなどの貴金属類、金属酸化物、珪素酸化物、珪素窒化物や、耐酸性に優れた金属の層が形成されていることが望ましい。耐酸性に優れた金属としてはバナジウム、ニオブ、タンタル、チタン、ジルコン、ハフニウム・タングステンなどが例として挙げられる。最表面に珪素酸化物を用いると材料そのものは高いバリア性を持つが、珪素酸化物自体が多孔質になりやすく、その場合は表面積が増してしまい逆に吸湿しやすくなる。これに付随して洗浄の際には塩素など、撥液処理の際にはフッ素などのイオン性不純物の表面残留量が増加し、それが転写された素子の性能が低下する場合が発生する。このため金属、特に貴金属のような最表面層を設ける方が平滑な表面状態を形成しやすく望ましい。
【０１４１】
バリア層３６の作製方法は特に限定されないが、一般的にはスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法などが考えられる。厚みも特に限定されないが耐久性の観点から０．０５μｍ以上が好ましい。区画パターン３４内（セル内）にもバリア層３６を形成する図１５（ａ）の場合は、光熱変換層３３からバリア層３６を介して転写材料へ効率的に熱伝導を行う観点から、バリア層３６の厚さは０．７μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。区画パターン３４上のみにバリア層を形成する図１５（ｂ）の場合はバリア層３６をさらに厚くすることができ、耐久性を向上させることができる。また、区画パターン３４上のみにバリア層３６を形成する場合の作製方法は特に限定されないが、その一例として区画パターン３４上のみ開口させたマスクを用いて真空蒸着法やスパッタ法で区画パターン上のみにバリア層を形成する方法がある。また、区画パターン３４全面にバリア層３６を形成し、その後に区画パターン３４以外の部分が露出するようにフォトリソ法でレジスト形成し、開口部をエッチングして区画パターン３４上のみにバリア層３６を形成することもできる。なお、バリア層３６は少なくとも区画パターン３４を覆っていればよいので、区画パターン３４内にもバリア層３６を形成する場合は、その一部のみに形成してもよい。
【０１４２】
区画パターン３４上のバリア層３６の表面には、図１６に示すように、転写材料を溶解させた溶液を撥液させることにより区画パターン３４内に留めるための撥液処理層３５を設けることが好ましい。
また、バリア層３６は、光熱変換層３３と同様の材料を使用して形成されるため、バリア層３６としての機能に加えて、光熱変換層３３としての機能を持たせることとしてもよい。バリア層３６が光熱変換層としても機能する場合には、図１７に示すように、支持体３１上に光熱変換層３３を設ける必要はない。しかしながら、区画パターン３４を介してデバイス基板２０と接する部分のバリア層３６にも光が入射するため、バリア層３６からデバイス基板２０に直接熱伝導するため、デバイス基板２０の加熱による影響が大きくなる。そのため、光熱変換層３３を設けることなく、バリア層３６が光熱変換する場合には、図１７に示すように、区画パターン３４下部に反射層３９等を設けることが好ましい。
【０１４３】
上記のようにして区画パターン３４およびバリア層３６を形成した後、区画パターン３４内に、実施の形態１と同様にして、転写材料を積層して転写層３７を形成することにより実施の形態２にかかるドナー基板３０を作製することができる。
【０１４４】
本実施の形態２にかかるドナー基板は、区画パターンの直線性および平滑性に優れるとともに、バリア層により転写層への不純物の溶出を防止できるため、より優れたデバイス性能を有するデバイス基板を製造することができる。
【実施例】
【０１４５】
ドナー基板３０を以下のとおり作製した。支持体３１として３８×４６ｍｍで厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス基板（表面Ｒａ：３ｎｍ）を用い、支持体３１をフッ酸でエッチングを行い、光熱変換層を形成する側の表面を粗面化した（表面Ｒａ：３０ｎｍ）。支持体３１の表面のＲａは３０ｎｍであった。洗浄／ＵＶオゾン処理後に、光熱変換層３３として厚さ０．２μｍのタンタル膜をスパッタリング法（ガス種類：Ａｒ、ガス圧：０．２Ｐａ、電力：１ｋｗ）により全面形成した。光熱変換層３３のＲａも３０ｎｍであった。光熱変換層３３をＵＶオゾン処理した後に、下記式（５）で表されるシロキサンポリマー（Ａ）を含むポジ型感光性シロキサン組成物をスピンコート塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で３分間プリベークした。なお、式（５）のシロキサンポリマーは、メチルトリメトキシシランとフェニルトリメトキシシランとを６５：３５のモル比で混合し、反応させて得られたものである。作製した膜をＰＬＡ（キヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ）を用いて、超高圧水銀灯を感度測定用のグレースケールマスクを介して３００ｍＪ／ｃｍ２で露光した後、２．３８％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で９０秒間シャワー現像し、次いで水で３０秒間リンスした。その後、ブリーチング露光として、パラレルライトマスクアライナー（ＰＬＡ）（キヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ）を用いて、膜全面に超高圧水銀灯を１０００ｍＪ／ｃｍ２露光し、ホットプレートを用いて９０℃で２分加熱した後、オーブンを用いて窒素中２３０℃で１時間キュアして区画パターン３４を形成した。次に、スパッタリング法により、ドナー基板３０の全面に厚さ０．２μｍのタンタル膜からなるバリア層３６を形成し、区画パターン３４の上面にフッ素系の撥液処理を施した。この区画パターン３４の厚さは１０μｍ、幅は２０μｍで、断面は順テーパー形状であった。区画パターン３４内部には幅８０μｍ、長さ２８０μｍの開口部が、幅方向に１００μｍ、長さ方向に３００μｍのピッチで配置されていた。
【０１４６】
【化９】
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【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明にかかる転写用ドナー基板およびデバイス基板の製造方法は、有機ＥＬ素子をはじめとし、有機ＴＦＴや光電変換素子、各種センサーなどのデバイスを構成する薄膜のパターニングに有用であり、携帯電話やパソコン、テレビ、画像スキャナなどに使用されるディスプレイパネルや、タッチパネル、撮像素子などの製造に利用可能である。
【符号の説明】
【０１４８】
１０  有機ＥＬ素子（デバイス基板）
１１  支持体
１２  ＴＦＴ（取り出し電極含む）
１３  平坦化膜
１４  絶縁層
１５  第一電極
１６  正孔輸送層
１７  発光層
２０  デバイス基板
２１  支持体
２７  転写膜
３０  ドナー基板
３１  支持体
３３  光熱変換層
３４  区画パターン
３５  撥液処理層
３６  バリア層
３７  転写層
３８  転写領域
３９  反射層
【図１】
2013191553.tif 000014
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2013191553.tif 000023
【図１２】
2013191553.tif 000024
【図１３】
2013191553.tif 000025
【図１４】
2013191553.tif 000026
【図１５】
2013191553.tif 000027
【図１６】
2013191553.tif 000028
【図１７】
2013191553.tif 000029
【図５】
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