(57)【要約】【課題】複数の基板を接合して製造される液体噴射ヘッドの品質を向上させることを目的とする。【解決手段】表面に保護膜が形成された第１の基板と、表面に保護膜が形成された第２の基板とを接合し、前記第１の基板と前記第２の基板との間に中空構造を形成して製造される液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記第１の基板及び前記第２の基板に対して、外周縁部の前記保護膜を除去した後、前記保護膜を除去した面を向い合わせつつ前記第１の基板と前記第２の基板とを接着剤を用いて接合する貼り合わせ工程と、前記接合された前記第１の基板又は前記第２の基板の前記外周縁部を前記保護膜が除去された領域を超えない範囲で取り除くトリミング工程と、前記取り除かれた領域を含む前記第１の基板及び前記第２の基板の所定領域に対して溶剤を用いて表面処理を行なう表面処理工程と、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に保護膜が形成された第１の基板と、表面に保護膜が形成された第２の基板とを接合し、前記第１の基板と前記第２の基板との間に中空構造を形成して製造される液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記第１の基板及び前記第２の基板に対して、外周縁部の前記保護膜を除去した後、前記保護膜を除去した面を向い合わせつつ前記第１の基板と前記第２の基板とを接着剤を用いて接合する貼り合わせ工程と、
前記接合された前記第１の基板又は前記第２の基板の前記外周縁部を前記保護膜が除去された領域を超えない範囲で取り除くトリミング工程と、
前記取り除かれた領域を含む前記第１の基板及び前記第２の基板の所定領域に対して溶剤を用いて表面処理を行なう表面処理工程と、を含む液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記貼り合わせ工程において、前記第１の基板は、液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室と、前記圧力発生室に圧力を発生させる圧力発生手段とが形成された流路形成基板とが複数一体に形成され、
前記第２の基板は、前記圧力発生手段が収容される凹部や前記液体の流路を備える保護基板が複数一体に形成される、請求項１に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記表面処理工程では、フッ酸と硝酸の少なくとも一方を含む溶剤を用いる、請求項１又は請求項２のいずれかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
更に、前記第１の基板又は前記第２の基板の前記取り除かれた領域を含む前記所定領域に対してマスク膜を形成した後、溶剤を用いたエッチング工程を含む、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記エッチング工程において、前記マスク膜は、窒化ケイ素を用いて形成される、請求項４に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記貼り合わせ工程において、前記第１の基板と前記第２の基板とは、シリコン基板であって、シリコンの表面を酸化させて前記保護膜が形成されている、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体噴射ヘッドに関し、特に、保護膜が形成された基板を接合して製造される液体噴射ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドとして、保護膜が形成された基板を貼り合わせ、その後、基板の外周縁部をトリミングして製造を行うものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
また、トリミング後の基板に対して、エッチング等行い、液体噴射ヘッドを製造する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１９２７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液体噴射ヘッドの製造に用いられる基板はその表面に保護膜が形成されている。この保護膜は、溶剤に対して耐性を持つため、後段の処理を阻害する場合がある。
例えば、エッチングを行う場合、マスク膜を形成し、溶剤により腐食されない領域を区画する。このとき、保護膜に挟まれた状態で接着剤が残留することで、マスク膜の形成が阻害され、意図したエッチングが行なわれない場合があった。
また、分離された保護膜が液体噴射ヘッドの内部に残留することで異物になる場合があり、製品として好ましくない。
【０００５】
本発明は、上記課題にかんがみてなされたもので、複数の基板を接合して製造される液体噴射ヘッドの品質を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、
表面に保護膜が形成された第１の基板と、表面に保護膜が形成された第２の基板とを接合し、前記第１の基板と前記第２の基板との間に中空構造を形成して製造される液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記第１の基板及び前記第２の基板に対して、外周縁部の前記保護膜を除去した後、前記保護膜を除去した面を向い合わせつつ前記第１の基板と前記第２の基板とを接着剤を用いて接合する貼り合わせ工程と、
前記接合された前記第１の基板又は前記第２の基板の前記外周縁部を前記保護膜が除去された領域を超えない範囲で取り除くトリミング工程と、
前記取り除かれた領域を含む前記第１の基板及び前記第２の基板の所定領域に対して溶剤を用いて表面処理を行なう表面処理工程と、を含む。
【０００７】
上記のように構成された発明では、液体噴射ヘッドを製造するに際し、まず、貼り合わせ工程により、第１の基板及び第２の基板に対して、外周縁部の保護膜を除去した後、この保護膜を除去した面を向い合わせつつ第１の基板と第２の基板とを接着剤を用いて接合する。次に、トリミング工程により、接合された第１の基板又は第２の基板の外周縁部を保護膜が除去された領域を超えない範囲で研磨して取り除く。このとき、接合面から接着剤が漏れ出た場合でも、保護膜が除去されているため、接着剤が保護膜により挟み込まれない。
そして、表面処理工程により、取り除かれた領域を含む第１の基板及び第２の基板の所定領域に表面処理を行なう。ここで、液体噴射ヘッドは、第１の基板と第２の基板とを接合することで内部に中空構造又は液体の流路を形成するため、表面処理は溶剤を用いて実施される。この表面処理において、接着剤が除去されるため、後段の処理において、接着剤が処理の邪魔をせず、後工程の不良を抑制することができる。また、保護膜が基板の側面より内側に位置するため、保護膜が分離して異物となることを防止することができる。
【０００８】
また、前記貼り合わせ工程において、前記第１の基板は、液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室と、前記圧力発生室に圧力を発生させる圧力発生手段とが形成された流路形成基板とが複数一体に形成され、前記第２の基板は、前記圧力発生手段が収容される凹部や前記液体の流路を備える保護基板が複数一体に形成される構成としてもよい。
上記のように構成された発明では、基板を貼り合わせることで、中空構造としての圧力発生室、凹部、更には液体の流路を形成する具体的な構成に対して本発明を適用することができる。
【０００９】
そして、前記表面処理工程では、フッ酸と硝酸の少なくとも一方を含む溶剤を用いる構成としてもよい。
上記のように構成された発明では、フッ酸や硝酸の少なくとも一方を溶剤として用いることで、この溶剤により接着剤を確実に除去することが可能となる。
【００１０】
更に、前記第１の基板又は前記第２の基板の前記取り除かれた領域を含む前記所定領域に対してマスク膜を形成した後、溶剤を用いたエッチング工程を含む、構成としてもよい。
また、前記エッチング工程において、前記マスク膜は、窒化ケイ素を用いて形成される、構成としてもよい。
上記のように構成された発明では、エッチング工程におけるマスク膜を適切に形成することができる。
【００１１】
そして、保護膜の具体的な構成として、前記貼り合わせ工程において、前記第１の基板と前記第２の基板とは、シリコン基板であって、シリコンの表面を酸化させて前記保護膜が形成される構成としてもよい。
上記のように構成された発明では、シリコン表面を酸化させて形成することで、簡易な方法により保護膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】記録ヘッド１の分解斜視図である。
【図２】記録ヘッド１の製造方法を示す側面図である。
【図３】記録ヘッド１の製造方法を示す側面図である。
【図４】記録ヘッド１の製造方法を示す断面図である。
【図５】記録ヘッド１の製造方法を示す断面図である。
【図６】記録ヘッド１の製造方法を示す断面図である。
【図７】保護基板用ウェハを示す平面図である。
【図８】記録ヘッド１を有するインクジェット式の液体噴射装置２００の外観を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、実施形態に基づいて本発明を説明する。
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例である記録ヘッド１の概略構成を示す分解斜視図である。
【００１４】
（１）記録ヘッド
図１に例示される記録ヘッド１は、ノズル開口７１が形成されたノズルプレート７０、圧電素子３が設けられた流路形成基板１０、駆動ＩＣ（半導体集積回路）が設けられたリザーバ形成基板５０、を備える。
【００１５】
流路形成基板１０には、他方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁１１によって区画された圧力発生室１２がその幅方向（短手方向）に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向一端部側には、インク供給路１４と連通路とが隔壁１１によって区画されている。また、連通路の一端には、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるリザーバ９の一部を構成する連通部１３が形成されている。すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路からなる液体流路が設けられている。
【００１６】
インク供給路１４は、圧力発生室１２の長手方向Ｄ２一端部側に連通し且つ圧力発生室１２より小さい断面積を有する。本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路１４を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。さらに、各連通路は、インク供給路１４の圧力発生室１２とは反対側に連通し、インク供給路１４の幅方向Ｄ１（短手方向）より大きい断面積を有する。本実施形態では、連通路を圧力発生室１２と同じ断面積で形成した。
【００１７】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口７１が穿設されたノズルプレート７０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート７０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍのガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
【００１８】
一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、振動板として機能する保護膜１６が形成されている。保護膜１６は、二酸化シリコンからなり厚さが例えば、約１．０μｍの弾性膜と、この弾性膜に積層され、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等からなり厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜により形成される。また、この保護膜１６上には、厚さが約０．１〜０．５μｍの下電極膜２０と、圧電体膜の一例であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなり厚さが例えば、約１．１μｍの圧電体層３０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜４０とが、圧電素子（圧力発生手段）３を構成している。一般的には、圧電素子３の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層３０を圧力発生室１２毎にパターニングして構成されている。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層３０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜２０を圧電素子３の共通電極とし、上電極膜４０を圧電素子３の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子３と当該圧電素子３の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエータ装置と称する。
【００１９】
このような圧電素子３を構成する圧電体層３０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が挙げられる。
【００２０】
また、圧電素子３の個別電極である各上電極膜４０には、インク供給路１４側の端部近傍から引き出された引き出し配線として、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極４５が設けられている。そして、このリード電極４５は、駆動ＩＣ６５と接続配線を介して電気的に接続されている。
【００２１】
さらに、圧電素子３が形成された流路形成基板１０上には、連通部１３に対向する領域にリザーバ部５１が設けられたリザーバ形成基板５０が接着剤Ｇを介して接合されている。このリザーバ部５１は、上述したように、流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通の液体室となるリザーバを構成している。また、流路形成基板１０の連通部１３を圧力発生室１２毎に複数に分割して、リザーバ部５１のみをリザーバとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板１０に圧力発生室１２のみを設け、流路形成基板１０とリザーバ形成基板５０との間に介在する部材（例えば、保護膜１６等）にリザーバと各圧力発生室１２とを連通するインク供給路１４を設けるようにしてもよい。
【００２２】
また、リザーバ形成基板５０には、圧電素子３に対向する領域に、圧電素子３の運動を阻害しない程度の空間（中空構造）を有する圧電素子保持部５２が設けられている。なお、圧電素子保持部５２は、圧電素子３の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。上記したリザーバ９及び圧電素子保持部５２は、後述するようにウェハを接合することで形成される。
【００２３】
また、リザーバ形成基板５０上には、圧電素子３を駆動するための駆動ＩＣ６５が実装されている。この駆動ＩＣ６５としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動ＩＣ６５とリード電極４５とはボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線を介して電気的に接続されている。
【００２４】
リザーバ形成基板５０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料の面方位（１１０）のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２５】
また、リザーバ形成基板５０上には、封止膜６１及び固定板６２とからなるコンプライアンス基板６０が接着剤を介して接合されている。ここで、封止膜６１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜６１によってリザーバ部５１の一方面が封止されている。また、固定板６２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板６２のリザーバ９に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部６３となっているため、リザーバ９の一方面は可撓性を有する封止膜６１のみで封止されている。
【００２６】
このような本実施形態の記録ヘッド１では、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ（リザーバ部５１）からノズル開口７１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動ＩＣ６５からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜２０と上電極膜４０との間に電圧を印加し、保護膜１６、下電極膜２０及び圧電体層３０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口７１からインク滴が吐出する。
【００２７】
次に、記録ヘッド１の製造方法について、図２〜図７を参照して説明する。図２、３は、記録ヘッド１の製造工程を示す側面図である。また、図４〜図６は、圧力発生室の長手方向を示す断面図であり、図７は、保護基板用ウェハを示す平面図である。なお、図４〜図６では、便宜上、ウェハに形成される一部の基板のみを示すが、実際には、図７に示すように、ウェハには複数の基板が形成されている。
【００２８】
図２（ａ）（ｂ）に示すように、まず、流路形成基板用ウェハ（第１の基板）１１０と、保護基板用ウェハ（第２の基板）１３０とを別々に製造した後、流路形成基板用ウェハ１１０と、保護基板用ウェハ１３０とを、貼り合わせる（貼り合わせ工程：Ｓ１）。流路形成基板用ウェハ１１０は、流路形成基板１０が複数一体的に形成されるシリコンウェハである。また、保護基板用ウェハ１３０は、リザーバ形成基板５０が複数一体的に形成されたものである。本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０と保護基板用ウェハ１３０とは同じ形状のシリコン単結晶基板により構成される。また、両ウェハの表面には二酸化シリコンからなる保護膜１６、５５が形成されていて、この保護膜を向い合せた状態で貼りあわせが行われる。この張りあわせ工程により、中空構造である圧電素子保持部５２や液体の流路となるリザーバの一部が形成される。
【００２９】
次に、図３（ａ）に示すように、貼り合わせた流路形成基板用ウェハ１１０の外周縁部をトリミングして、所定の形状とする（トリミング工程：Ｓ２）。ここで、流路形成基板用ウェハ１１０をトリミングするのは、後述する流路形成基板用ウェハ１１０を研磨して厚みを薄くする際に、縁部にエッジを発生させないようにするためである。
そして、図３（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の上面を研磨して厚みを薄くする（グラインド工程：Ｓ３）。
【００３０】
次に、図３（ｃ）に示すように、ウェハのトリミング壁面１４０及び研磨面１５０に対して表面処理を施す（表面処理工程：Ｓ４）。この表面処理工程では、機械加工により生じた加工変質層を除去するためにウェハに対して等方性エッチングを行う。表面化処理をウェットエッチング（等方性エッチング）により行うことで、ウェハにクラック等のダメージを与えることを抑制することができる。即ち、機械研磨等により外部から力を加えると、貼り合わせ工程（Ｓ１）により形成された圧電素子保持部５２や流路を破壊する恐れがあるため、これを防止する必要があるからである。
【００３１】
さらに、図３（ｄ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０に対して異方性エッチングを行う（エッチング工程：Ｓ５）。この異方性エッチングでは、トリミング壁面１４０を含む面に対してマスク膜１８が形成される。
このとき、トリミング壁面１４０に接着剤Ｇが残存していると、マスク膜１８が適切に形成されず、エッチングが適切に行われない場合がある。接着剤Ｇの残存は、表面化処理において溶剤の除去機能が保護膜１６、５５により阻害されることで生じる。また、保護膜がトリミング壁面１４０から露出していると、後工程によりこの保護膜が分離した場合に異物となる恐れがある。
【００３２】
そのため、本発明では、貼り合わせ工程において、ウェハの保護膜を除去する工程を加えている（図２（ｂ））。その結果、ウェハの接合面から漏れ出た接着剤Ｇが保護膜（後述する１６、５５）により挟み込まれないようにしている。これにより、表面処理工程（Ｓ４）において、接着剤Ｇの除去が確実に行われ、エッチング不良を抑制することができる。また、トリミング壁面１４０から保護膜が露出しないようにして、異物の残存を防止している。
【００３３】
以下、このような記録ヘッド１の製造方法の実施例を説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜１６ａを構成する二酸化シリコン膜を形成する。
【００３４】
次いで、図４（ｂ）に示すように、弾性膜１６ａ上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜１６ｂを形成する。具体的には、弾性膜１６ａ上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜１６ｂを形成する。そのため、流路形成基板用ウェハ１１０では、弾性膜１６ａと絶縁体膜１６ｂとが保護膜に該当する。
【００３５】
次いで、図４（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜１６ｂ上に積層することにより下電極膜２０を形成した後、この下電極膜２０を所定形状にパターニングする。なお、下電極膜２０は、白金（Ｐｔ）とイリジウム（Ｉｒ）とを積層したものに限定されず、これらを合金化させたものを用いるようにしてもよい。また、下電極膜２０として、白金（Ｐｔ）とイリジウム（Ｉｒ）の何れか一方の単層として用いるようにしてもよく、さらに、これらの材料以外の金属又は金属酸化物等を用いるようにしてもよい。
【００３６】
次に、図４（ｄ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層３０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜４０とを流路形成基板１０の全面に形成後、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３を形成する。圧電素子３を構成する圧電体層３０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。また、圧電体層３０の形成方法は、本実施形態では、金属有機物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層３０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層３０を形成した。なお、圧電体層３０の形成方法は、特に限定されず、例えば、ＭＯＤ法やスパッタリング法等を用いるようにしてもよい。
【００３７】
次に、図５（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って金（Ａｕ）からなるリード電極４５を形成後、圧電素子３毎にパターニングする。
【００３８】
そして、図２（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０と保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の保護膜１６、５５を除去する。即ち、流路形成基板用ウェハ１１０に対しては、弾性膜１６ａと絶縁体膜１６ｂとを除去する。そして、保護基板用ウェハ１３０に対しては保護膜５５を除去する。
本実施例では、保護膜が除去される長さは、ウェハの外周先端から、トリミング工程（Ｓ２）によりトリミング壁面１４０が形成される位置、及びこの長さに加えて所定のマージンを加えた長さとする。また、保護膜の除去方法としては、機械的に除去するものであってもよいし、フォトエッジにより除去するものであってもよい。
【００３９】
そして、図２（ｂ）、図５（ｂ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０と、流路形成基板用ウェハ１１０とを、保護膜１６、５５が除去された面を向い合わせ、接着剤Ｇを用いて接合する。ここで、保護基板用ウェハ１３０には、リザーバ部５１及び圧電素子保持部５２となる凹部が予め形成されている。ここで、使用される接着剤Ｇの一例としては、樹脂系の接着剤である。以上が、貼り合わせ工程（Ｓ１）である。
【００４０】
次に、図３（ａ）に示すように、張り合わされた各ウェハの外周縁部をトリミングする。具体的には、グラインダーを用いて機械研磨する。このトリミングにより流路形成基板用ウェハ１１０の外周縁部の全体と、保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の上部が除去される。また、トリミング壁面１４０が形成される位置は、両ウェハにおける保護膜１６、５５が除去された領域を越えないようにする必要がある。更に、トリミング壁面１４０は、所定の傾斜を備えるよう形成されることが望ましい。これは、エッチング工程（Ｓ５）において、トリミング壁面１４０にマスク膜１８が形成され易いようにするためである。
【００４１】
次に、図３（ｂ）、図５（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みに薄くする。例えば、流路形成基板用ウェハ１１０の厚みを６０〜８０μｍ程度まで薄くする。一例として、流路形成基板用ウェハ１１０において圧電素子３とは反対側をグラインダーにより機械研磨する。この研磨により、トリミング壁面１４０の端部に生じるエッジを抑制することができる。以上が、グラインド工程（Ｓ３）である。
【００４２】
そして、図３（ｃ）に示すように、トリミング壁面１４０及び研磨面に等方性エッチングにより表面化処理を施す（表面処理工程：Ｓ４）。本実施例では、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）を所定比で混ぜたフッ硝酸によって等方性エッチングを行う。そのため、フッ硝酸により接合面から漏れ出る接着剤Ｇが除去されることとなる。
上記のように、流路形成基板用ウェハ１１０と保護基板用ウェハ１３０とは、外周縁部の保護膜が取り除かれている。そのため、トリミング壁面１４０からは保護膜１６、５５が露出していない。その結果、保護膜１６、５５が接着剤Ｇを挟み込まず、フッ硝酸の機能が阻害されない。
また、等方性エッチングを行った後、接着剤Ｇを洗浄するために洗浄工程を加えてもよい。洗浄工程を追加することで、接着剤Ｇを確実に除去することが可能となる。
【００４３】
次いで、図３（ｄ）、図６（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に窒化ケイ素（ＳｉＮ）を用いてマスク膜１８を新たに形成し、パターニングする。このマスク膜１８は、流路形成基板用ウェハ１１０と保護基板用ウェハ１３０におけるシリコンが露出する領域に対しても形成される。上記のように、接合面から漏れ出る接着剤は前工程により除去されているため、マスク膜１８を適切に形成することができる。
【００４４】
そして、このエッチング工程（Ｓ５）では、図６（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０を、マスク膜１８を介して水酸化カリウム（ＫＯＨ）等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングすることにより、圧電素子３に対応する圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路等を形成する。
【００４５】
次に、流路形成基板用ウェハ１１０のマスク膜１８を除去する。
図6（ｂ）には示されていないが、このリザーバ形成基板５０と流路形成基板１０が、
接着された基板は、水平面で見ると、図7の点線で示された分割線を有する。
【００４６】
そして、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０に外力を加えることによって、1チップずつの複数の流路形成基板１０及びリザーバ形成基板５０に分割する。具体的には、図７の点線で示す分割線に沿って、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０を分割する。なお、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０に外力を加える方法は、特に限定されず、例えば、エキスパンドリング等を用いて流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０に外力を加えればよい。また、ウェハに外力を加える前にＹＡＧレーザー等を用いて、分割線に該当するウェハの領域を脆弱化するものであってもよい。これにより、連結部が分割（割断）され、複数の流路形成基板１０及びリザーバ形成基板５０が形成される。次いで、流路冷静基板１０のリザーバ形成基板５０の反対側に、ノズルプレート７０を接合する。さらに、リザーバ形成基板５０の流路形成基板１０の反対側にコンプライアンス基板６０を接着する。
【００４７】
（２）液体噴射装置：
図８は、記録ヘッド１を有するインクジェット式の液体噴射装置２００の外観を示している。記録ヘッド１を記録ヘッドユニット２１１，２１２に組み込むと、耐久性を向上させた液体噴射装置２００を製造することができる。図８に示す液体噴射装置２００は、記録ヘッドユニット２１１，２１２のそれぞれに、記録ヘッド１が設けられ、外部インク供給手段であるインクカートリッジ２２１，２２２が着脱可能に設けられている。記録ヘッドユニット２１１，２１２を搭載したキャリッジ２０３は、装置本体２０４に取り付けられたキャリッジ軸２０５に沿って往復移動可能に設けられている。駆動モーター２０６の駆動力が図示しない複数の歯車及びタイミングベルト２０７を介してキャリッジ２０３に伝達されると、キャリッジ２０３がキャリッジ軸２０５に沿って移動する。図示しない給紙ローラー等により給紙される記録シート２９０は、プラテン２０８上に搬送され、インクカートリッジ２２１，２２２から供給され記録ヘッド１から吐出するインクにより印刷がなされる。
【００４８】
（３）他の実施形態
以上、本発明の一実施形態について説明したが、勿論、本発明は、この実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態では、液体噴射ヘッドである記録ヘッド１を例示して本発明を説明したが、本発明は、勿論、液体噴射ヘッドの製造以外のシリコンウェハを用いたシリコンデバイスの製造方法に用いることができる。すなわち、上述した実施形態１では、シリコンデバイスに用いられるシリコン基板として流路形成基板用ウェハ１１０と保護基板用ウェハ１３０とが接合されたものを例示したものである。また、本発明は、例えば、シリコンウェハの他、ガラス基板、ＭｇＯ基板等の比較的割れやすい材料からなる基板を分割する際に用いて特に好適な方法である。
【００４９】
流体噴射ヘッドから吐出される液体は、液体噴射ヘッドから吐出可能な材料であればよく、染料等が溶媒に溶解した溶液、顔料や金属粒子といった固形粒子が分散媒に分散したゾル、等の流体が含まれる。このような流体には、インク、液晶、等が含まれる。液体噴射ヘッドは、プリンターといった画像記録装置の他、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造装置、有機ＥＬディスプレー等の電極の製造装置、バイオチップ製造装置、等に搭載可能である。
なお、従属請求項に係る構成要件を有しておらず独立請求項に係る構成要件のみからなる製造方法等でも、上述した基本的な作用、効果が得られる。
【００５０】
以上説明したように、本発明によると、種々の態様により、複数の基板を接合して製造される液体噴射ヘッドにおいて、品質を向上させることができる。
例えば、接着剤の残存により生じる、エッチング等の後工程の不良を抑制することができる。また、保護膜が記録ヘッドの内部に残留することで異物となることを防止することができる。
また、上述した実施形態及び変形例の中で開示した各構成を相互に置換したり組み合わせを変更したりした構成、公知技術並びに上述した実施形態及び変形例の中で開示した各構成を相互に置換したり組み合わせを変更したりした構成、等も実施可能である。本発明は、これらの構成等も含まれる。
【符号の説明】
【００５１】
１…記録ヘッド、３…圧電素子、１０…流路形成基板、１２…圧力発生室、１６…保護膜、１８…マスク膜、２０…下電極膜、３０…圧電体層、４０…上電極膜、４５…リード電極、５０…リザーバ形成基板、５１…リザーバ部、５２…圧電素子保持部、５５…保護膜、６０…コンプライアンス基板、６１…封止膜、６２…固定板、６３…開口部、７０…ノズルプレート、７１…ノズル開口、１１０…流路形成基板用ウェハ、１３０…保護基板用ウェハ、１４０…トリミング壁面、２００…液体噴射装置、Ｇ…接着剤、２０３…キャリッジ、２１１…記録ヘッドユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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