(57)【要約】【課題】半導体デバイスと配線基板との接続の信頼性が高められた配線基板、及び該配線基板を用いた電子デバイスパッケージの提供。【解決手段】少なくとも一方の主面１ａに半導体デバイス１３が実装される配線基板１０Ａであって、配線基板１０Ａを構成する基材１の熱膨張係数Ａは、半導体デバイス１３を構成する基材１１の熱膨張係数Ｂよりも小さく、配線基板１０Ａの内部には、熱膨張係数Ａよりも大きな熱膨張係数Ｃを有する材料からなる調整部２が配されていることを特徴とする配線基板１０Ａ。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の主面に半導体デバイスが実装される配線基板であって、
前記配線基板を構成する基材の熱膨張係数Ａは、前記半導体デバイスを構成する基材の熱膨張係数Ｂよりも小さく、
前記配線基板の内部には、前記熱膨張係数Ａよりも大きな熱膨張係数Ｃを有する材料からなる調整部が配されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記調整部が前記主面に対して略平行に延設されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記調整部が互いに略等間隔で配置されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記基材の主面の平面視において、前記調整部が網目構造をなして配されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記基材の主面の平面視において、前記調整部が同心円構造又はスパイラル構造をなして配されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
請求項１〜５に記載の配線基板の少なくとも一方の主面において、前記半導体デバイスが実装されていることを特徴とする電子デバイスパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板および電子デバイスパッケージに関する。より詳しくは、本発明は、少なくとも一方の主面に半導体デバイスが実装される配線基板、および該配線基板の主面に半導体デバイスが実装されている電子デバイスパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント基板に半導体デバイスが実装された電子デバイスパッケージにおいて、プリント基板と半導体デバイスとの間を中継するインターポーザーの基材の材料として、石英ガラスが使用されている（特許文献１参照）。インターポーザーと半導体デバイスとは、半田ボール等の接続端子によって電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２２７１７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１等に開示された従来のインターポーザーでは、半導体デバイスとインターポーザーとを接続する接続端子が破損してしまうことがあった。その一因として、半導体デバイスを構成するシリコンの熱膨張係数（２．４×１０−６／Ｋ）とインターポーザーを構成する石英ガラスの熱膨張係数（０．５×１０−６／Ｋ）とが異なるために、電子デバイスパッケージに温度変化が生じた場合において両者の変形量が異なり、両者を接続する接続端子に応力が加わることが考えられる。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体デバイスと配線基板との接続の信頼性が高められた配線基板、及び該配線基板を用いた電子デバイスパッケージの提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１に記載の配線基板は、少なくとも一方の主面に半導体デバイスが実装される配線基板であって、前記配線基板を構成する基材の熱膨張係数Ａは、前記半導体デバイスを構成する基材の熱膨張係数Ｂよりも小さく、前記配線基板の内部には、前記熱膨張係数Ａよりも大きな熱膨張係数Ｃを有する材料からなる調整部が配されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の配線基板によれば、調整部が配されていることによって、調整部が配されていない場合よりも配線基板の温度変化による変形量（熱膨張や熱収縮の量）が大きくなっている。この結果、当該配線基板の温度変化による変形量が、当該配線基板に実装される半導体デバイスの変形量に近くなるため、配線基板と半導体デバイスとの間に加わる応力が軽減され、両者の接続信頼性を高めることができる。
【０００８】
本発明の請求項２に記載の配線基板は、請求項１において、前記調整部が前記主面に対して略平行に延設されていることを特徴とする。
この構成によれば、配線基板の主面方向の温度変化による変形量をより大きくすることができる。半導体デバイスとの接続信頼性を高めるためには、配線基板の厚さ方向よりも、配線基板の主面方向（平面方向）の変形量を大きくするほうがより効果的である。
【０００９】
本発明の請求項３に記載の配線基板は、請求項１又は２において、前記調整部が互いに略等間隔で配置されたことを特徴とする。
この構成によれば、調整部が配された領域において、配線基板の温度変化による変形量を均等にすることができる。均等にすることによって、配線基板の変形の偏りを無くすことができ、配線基板の平面性をより確実に維持できる。
【００１０】
本発明の請求項４に記載の配線基板は、請求項１〜３のいずれか一項において、前記基材の主面の平面視において、前記調整部が網目構造をなして配されたことを特徴とする。
この構成によれば、調整部が配された領域において、配線基板の温度変化による変形量をより均等にすることができる。より均等にすることによって、配線基板の変形の偏りを一層確実に無くすことができ、配線基板の平面性をより一層確実に維持できる。また、網目構造が金属からなるものである場合、配線基板の構造的強度を高める機能を備える。さらに、外部からの電磁ノイズを遮蔽することもできる。この結果、当該配線基板の配線に対して、外部からの電磁ノイズが影響することを防止又は低減できるので、当該配線における電気信号の伝送特性が高められる。
【００１１】
本発明の請求項５に記載の配線基板は、請求項１〜３のいずれか一項において、前記基材の主面の平面視において、前記調整部が同心円構造又はスパイラル構造をなして配されたことを特徴とする。
この構成によれば、調整部が配された領域において、配線基板の温度変化による変形をより均等にすることができる。より均等にすることによって、配線基板の変形の偏りを一層確実に無くすことができ、配線基板の平面性をより一層確実に維持できる。また、金属からなる同心円構造又はスパイラル構造の調整部は、配線基板の構造的強度を高められる。さらに、外部からの電磁ノイズを遮蔽することもできる。この結果、当該配線基板の配線に対して、外部からの電磁ノイズが影響することを防止又は低減できるので、当該配線における電気信号の伝送特性が高められる。
【００１２】
本発明の請求項６に記載の電子デバイスパッケージは、請求項１〜５に記載の配線基板の少なくとも一方の主面において、前記半導体デバイスが実装されていることを特徴とする。
本発明の電子デバイスパッケージは、本発明の配線基板を用いているので、温度変化が生じた場合でも、半導体デバイスを構成する基材の温度変化による変形量と配線基板の温度変化による変形量が近くなっているので、両基材を接続する接続端子にかかる応力を低減できる。この結果、接続端子の破損を防止でき、当該接続端子による接続の信頼性を高められる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の配線基板によれば、当該配線基板に実装される半導体デバイスとの接続の信頼性を高められる。
本発明の電子デバイスパッケージによれば、当該配線基板に実装されている半導体デバイスとの接続の信頼性を高められる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明にかかる配線基板の一例を示す模式的な斜視図である。
【図２】本発明にかかる配線基板及び電子デバイスパッケージの一例を示す模式的な斜視図である。
【図３】本発明にかかる配線基板の一例を示す模式的な斜視図である。
【図４】本発明にかかる配線基板の一例を示す模式的な斜視図である。
【図５】本発明にかかる配線基板の一例を示す模式的な斜視図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿った断面を示す模式図である。
【図７】本発明にかかる配線基板の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、好適な実施の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
＜＜配線基板、電子デバイスパッケージ＞＞
［配線基板１０Ａ、電子デバイスパッケージ２０Ａ］
図１は、本発明にかかる配線基板の第一実施形態である配線基板１０Ａの斜視図である。図２は、配線基板１０Ａに半導体デバイス１３を実装した、電子デバイスパッケージ２０Ａの斜視図である。
【００１６】
配線基板１０Ａは、少なくとも一方の主面１ａに半導体デバイス１３が実装される配線基板であって、配線基板１０Ａを構成する基材１の熱膨張係数Ａは、半導体デバイス１３を構成する基材１１の熱膨張係数Ｂよりも小さく、配線基板１０の内部には、熱膨張係数Ａよりも大きな熱膨張係数Ｃを有する材料からなる調整部２が配されているものである。
【００１７】
平板状の基材１の一方の主面１ａには、半導体デバイス１３を実装するための表面配線が備えられている（不図示）。前記表面配線の所定の位置に、半導体デバイス１３と電気的接続を取るための接続端子１２（半田ボール）が設けられている。
【００１８】
配線基板１０Ａ及び半導体デバイス１３の形状、大きさ、個数は、図１に示したものに限られず、所望の形状、大きさ、個数が採用できる。また、基材１の他方の主面１ｂに半導体デバイス１３が実装されていてもよいし、一方の主面１ａ及び他方の主面１ｂの両方に半導体デバイス１３が実装されていてもよい。
【００１９】
本発明にかかる電子デバイスパッケージ２０Ａは、本発明にかかる配線基板１０Ａおよび該配線基板１０Ａに実装された半導体デバイス１３を有する。
【００２０】
配線基板１０Ａの基材１の材質は、実装される半導体デバイス１３の基材１１の材質との関係で規定される。その関係は、「配線基板１０の基材１（基板）の熱膨張係数Ａは、半導体デバイスの基材１１（基板）の熱膨張係数Ｂよりも小さい」である。
具体的には、配線基板１０の基材１の材質としては、石英ガラス（熱膨張係数＝０．５×ｐｐｍ／Ｋ）、ネオセラム（熱膨張係数＝−０．５〜１．３ｐｐｍ／Ｋ）等が例示できる。
これらの材質は、一般的な半導体デバイス１３の基材１１を構成するシリコンの熱膨張係数（３．３ｐｐｍ／Ｋ）よりも小さいので、配線基板１０の基材１として用いられる。
【００２１】
本発明にかかる配線基板の基材の熱膨張係数としては、−０．５〜３ｐｐｍ／Ｋが好ましく、０．５〜３ｐｐｍ／Ｋがより好ましく、１．５〜３ｐｐｍ／Ｋがさらに好ましい。
【００２２】
配線基板１０Ａの内部に配された調整部２の材質は、配線基板１０Ａの基材１の材質との関係で規定される。その関係は、「調整部２の材質の熱膨張係数Ｃは、配線基板１０Ａの基材１の材質の熱膨張係数Ａよりも大きい」である。
具体的には、調整部２の材質としては、銅（熱膨張係数＝１６．８ｐｐｍ／Ｋ）、金−錫合金（熱膨張係数＝１６．２ｐｐｍ／Ｋ）、ニッケル（熱膨張係数＝１２．８ｐｐｍ／Ｋ）等が例示できる。
これらの材質のうち、配線基板１０Ａの基材１を構成する材質の熱膨張係数Ａよりも大きいものを選択して用いればよい。この選択の際、熱膨張係数Ａ／熱膨張係数Ｃの比は、１／６０〜１／２０が好ましく、１／４５〜１／２５がより好ましく、１／４０〜１／３０がさらに好ましい。
【００２３】
本発明にかかる配線基板の調整部を構成する材質の熱膨張係数としては、１０〜３０ｐｐｍ／Ｋが好ましく、１２．５〜２２．５ｐｐｍ／Ｋがより好ましく、１５〜２０ｐｐｍ／Ｋがさらに好ましい。
上記範囲であると、配線基板の基材の熱膨張係数よりも、調整部の熱膨張係数を大きくなるように設定するための材質の選択がより容易となる。また、前述の好ましい範囲の熱膨張係数の基材からなる配線基板と、上記好ましい熱膨張係数の材質からなる調整部とを組み合わせて用いることによって、温度変化時における配線基板全体の変形量（熱膨張や熱収縮による変形量）を大きくすることができ、半導体デバイスとの変形量の差を縮小することができる。その結果、配線基板と半導体デバイスを接続する接続端子にかかる応力が低減され、当該接続端子が破損することを防止し、接続の信頼性を高められる。
【００２４】
本実施形態において、調整部２の形状は、配線基板の平面方向に延設された柱状である。調整部２の形状は、これに限定されず、例えば柱状、立方体状、直方体上、球状、多角体状等が適用できる。これらの中でも柱状が好ましく、円柱状、四角柱条、楕円柱状がより好ましい。これらの好ましい形状は、製造が容易であり、配線基板１０Ａの広い領域に渡って、複数の調整部２を均等に配置できる。
【００２５】
調整部２が柱状である場合、その直径は、０．５〜１００μｍが好ましく、２０〜８０がより好ましく、４０〜６０μｍがさらに好ましい。ここで、前記柱状が楕円柱である場合、当該直径は長径であるものとする。この場合、短径は当該長径の１０〜９０％の長さであることが好ましい。
上記範囲の下限値以上であると、配線基板１０Ａの基材１の温度変化による変形量をより大きくして、半導体デバイス１３の基材１１の温度変化による変形量に、より近いものとすることができる。
上記範囲の上限値以上であると、配線基板１０Ａの基材１の構造的強度を充分に維持できる。仮に極端に大きい直径（例えば基材１の厚さの９５％）とした場合、調整部２が熱変形する際に、配線基板１０の基材１にクラックが生じる等の破損を引き起こす虞がある。
【００２６】
調整部２の両端は、配線基板１０Ａの側面に露出している。例えば、調整部２Ａの一端２ａは配線基板１０Ａの一方の側面に露出しており、調整部２Ａの他端２ｂは前記側面に対向する他方の側面に露出している。調整部２の両端又は一端が配線基板１０Ａの表面に露出する必要はないが、調整部２の製造プロセスの都合上、通常はその両端又は一端が配線基板１０Ａの表面に露出する。
【００２７】
配線基板１０Ａが温度変化に曝されて熱変形する場合、調整部２の温度変化による変形量が配線基板１０の基材１の変形量よりも大きいので、調整部２が配線基板１の基材１を内部から押し拡げるように作用する。この作用によって、配線基板１０Ａの全体としての変形量は、調整部２が設けられていない配線基板と比べて、大きくなる。この結果、配線基板１０の変形量が半導体デバイス１３の変形量に近くなるため、接続端子１２に加わる応力が小さくなり、接続端子１２の破損を防止できる。
【００２８】
調整部２がチューブ状である場合、温度変化に曝された調整部２は、長手方向に延びると共に直径が太くなる。通常、調整部２は配線基板１０Ａの基材１に強く固定（接着）されているので、調整部２の両端が配線基板１０Ａの側面から大きく突き出すことは無い。その代わりに、熱変形が起こると、チューブ状の調整部２の直径が太くなることによって前記固定が一層強くなり、且つ、チューブ状の調整部２は、その長手方向へ、配線基板１０Ａの基材１を押し伸ばすように作用する。
【００２９】
配線基板１０Ａにおいて、チューブ状の調整部２は、調整部２Ａ〜２Ｆの６本が設けられている。調整部２Ａ〜２Ｆが主面１ａ，１ｂに対して略平行に延設されているので、配線基板１０Ａが熱変形する際、各調整部２Ａ〜２Ｆはその長手方向へ配線基板１０Ａの基材１を押し伸ばす。前記長手方向は、配線基板１０Ａの主面に略平行な方向であるため、配線基板１０Ａを平面方向（主面方向）により強く押し伸ばすことができる。
【００３０】
配線基板１０Ａのように、調整部２を主面１ａ，１ｂに対して略平行に延設する場合、調整部２の数は単数又は複数の何れでもよいが、より強く押し伸ばす観点から、複数の方が好ましい。
当該複数の調整部２の数は特に制限されず、配線基板の大きさに基づいて設定されるが、例えば２〜１００とすればよい。または、主面１ａ，１ｂに対して略平行に延設した複数の調整部の長手方向と直交する方向において、配線基板の断面の面積Ｓ１と、当該複数の調整部の断面の面積の合計Ｓ２との比（Ｓ２／Ｓ１）が、０．０１〜０．５であることが好ましく、０．１〜０．４であることがより好ましく、０．１５〜０．２５であることがさらに好ましい。
上記範囲の下限値以上であると、配線基板をより一層強く押し伸ばす作用が得られる。上記範囲の下限値以下であると、配線基板の構造的強度を減弱させることなく、前記作用を得られる。
【００３１】
また、複数の調整部２は、互いに等間隔で配置されることが好ましい。配線基板１０Ａに配された調整部２Ａ，２Ｂ，２Ｃは、配線基板１０Ａの平面方向（主面方向）に等間隔で配置されている。同様に、調整部２Ｄ，２Ｅ，２Ｆも配線基板１０Ａの平面方向に等間隔で配置されている。等間隔で配置することによって、配線基板１０Ａの熱変形の際、各調整部２は配線基板１０Ａを、偏り無く均等に押し伸ばすことができる。
【００３２】
複数の調整部２を互いに等間隔で配置する方法として、例えば配線基板の従断面の重心に対して、各調整部を対称に配置すればよい。
【００３３】
配線基板１０Ａにおいて、調整部２Ａ，２Ｂ，２Ｃの列（上列）および調整部２Ｄ，２Ｅ，２Ｆの列（下列）が厚み方向に対して均等に配置されている。すなわち、配線基板１０Ａの従断面の重心に対して、各調整部が点対称に配置されていて、且つ、上列の調整部と下列の調整部が、前記重心を通る主面に平行な、当該縦断面内の直線に対して、線対称となるように配置されている。このように、各調整部が配線基板の従断面の重心に対して、点対称及び／又は線対称となるように配置することよって、各調整部が協調して、配線基板を偏りや歪なく押し伸ばすように作用するので好ましい。
【００３４】
配線基板１０Ａにおいて、チューブ状の調整部２Ａ〜２Ｆは、各々の長手方向が同一の向きに揃っている。この長手方向において配線基板１０Ａが押し伸ばされるので、長手方向の直交方向への伸びは、相対的に小さくなる傾向がある。したがって、次に説明する配線基板１０Ｂのように、各調整部の長手方向を２方向以上に分散することによって、配線基板を押し伸ばす方向を、各長手方向に対応する２方向以上とすることができる。
【００３５】
［配線基板１０Ｂ］
図３は、本発明にかかる配線基板の第二実施形態である配線基板１０Ｂの斜視図である。図３において、図１に示したものと同じ構成部材には同じ符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態が、前述の第一の実施形態と異なる点は、調整部２Ａ〜２Ｃ（上列）の長手方向が、調整部２Ｄ〜２Ｆ（下列）の長手方向に対して直交する方向へ延設されている点である。
【００３６】
配線基板１０Ｂを構成する基材１の主面１ａの平面視（主面１ａを厚み方向に見て）において、各調整部２が網目構造をなして配されている。
この構成によれば、調整部２Ａ〜２Ｆが配された配線基板の全体において、配線基板１０Ｂの温度変化による変形量をより均等にすることができる。より均等にすることによって、温度変化に伴う配線基板１０Ｂの変形の偏りを一層確実に無くすことができ、配線基板１０Ｂの平面性をより一層確実に維持できる。例えば、配線基板１０Ｂの変形が偏ると、配線基板１０Ｂが反ったり捩れたりすることがある。また、金属からなる網目構造の調整部２Ａ〜２Ｆは、鉄筋コンクリートにおける鉄骨の様に機能することによって、配線基板１０Ｂの構造的強度を高められる。さらに、外部からの電磁ノイズを遮蔽することもできる。この結果、当該配線基板の主面に配された表面配線に対して、外部からの電磁ノイズが影響することを防止又は低減できるので、当該配線における電気信号の伝達の信頼性が高められる。
【００３７】
配線基板１０Ｂにおける各調整部２は、主面１ａの平面視において網目に見えるように配置されている。本発明の配線基板における各調整部２の配置はこれに限定されず、各調整部が実際に網目状に編まれて、立体的に交差して配置されていてもよい。その編み方は特に限定されず、例えば、平織り、朱子織り、綾織り等の公知の編み方を適用できる。
【００３８】
［配線基板１０Ｃ］
図４は、本発明にかかる配線基板の第三実施形態である配線基板１０Ｃの斜視図である。図４において、図１に示したものと同じ構成部材には同じ符号を付して、その説明を省略する。
【００３９】
配線基板１０Ｃを構成する基材１の主面１ａの平面視（主面１ａを厚み方向に見て）において、調整部２Ｈがスパイラル構造をなして配されている。
この構成によれば、調整部２が配された領域において、配線基板１０Ｃの温度変化による変形量をより均等にすることができる。より均等にすることによって、温度変化に伴う配線基板１０Ｃの変形の偏りを一層確実に無くすことができ、配線基板１０Ｃの平面性をより一層確実に維持できる。例えば、配線基板１０Ｃの変形が偏ると、配線基板１０Ｃが反ったり捩れたりすることがある。また、金属からなるスパイラル構造の調整部２は、鉄筋コンクリートにおける鉄骨の様に機能することによって、配線基板１０Ｃの構造的強度を高められる。さらに、外部からの電磁ノイズを遮蔽することもできる。この結果、当該配線基板の配線に対して、外部からの電磁ノイズが影響することを防止又は低減できるので、当該配線における電気信号の伝達の信頼性が高められる。
【００４０】
配線基板１０Ｃでは調整部２がスパイラル状に形成されている。これに代えて、調整部２が同心円状に形成されている場合も、同様の効果が得られる。
配線基板１０Ｃでは、調整部２の両端２ａ，２ｂが主面１ａに露出している。これに代えて、調整部２の両端２ａ，２ｂが、配線基板１０Ｃの基材１の側面に露出していてもよい。
【００４１】
以上では、配線基板１０Ａ〜１０Ｃを実施形態の例として、配線基板の主面１ａ及び／又は主面１ｂに表面配線が形成されていて、その表面配線に接続端子を介して半導体デバイスが実装される場合を説明した。
【００４２】
［配線基板１０Ｄ］
図５は、本発明にかかる配線基板の第四実施形態である配線基板１０Ｄの斜視図である。図６は、図４のＡ−Ａ線に沿った模式的な断面図である。図５，６において、図１に示したものと同じ構成部材には同じ符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態が、前述の第一の実施形態と異なる点は、配線基板１０Ｄの主面１ａ，１ｂを貫通する貫通配線３が複数形成されている点である。
【００４３】
本発明の配線基板に備えられる配線は表面配線に限られず、貫通配線であってもよい。すなわち、本発明にかかる配線基板は、貫通配線を有する、いわゆる貫通配線基板であってもよい。この場合、貫通配線と調整部とは明確に区別されるものであり、調整部が金属製のチューブ状である場合も、調整部は配線として機能しないので、明確に区別される。調整部は電気的に全く孤立したものであり、配線として機能させるためのものではない。
【００４４】
＜＜配線基板の製造方法＞＞
本発明の配線基板の製造方法を配線基板１０Ｄを例に挙げて説明する。
配線基板１０Ｄの基材１として石英ガラス基板１を採用している。石英ガラス基板の熱膨張係数は、半導体デバイスを構成するシリコン基板の熱膨張係数よりも小さいものである。図７（Ａ）に示すように、石英ガラス基板１の主面１ａ側からフェムト秒レーザーＬを照射して、石英ガラス基板１内でその焦点を走査し、チューブ状の調整部２を形成する領域及び貫通配線３を形成する領域に改質部Ｇ１を形成する。この改質部Ｇ１は、改質されていない箇所に比べてエッチング耐性が低くなっている領域である。各改質部Ｇ１の両端又は一端が石英ガラス基板の表面に露出している。
【００４５】
次に、図７（Ｂ）に示すように、改質部Ｇ１を形成した石英ガラス基板１をフッ化水素(HF)や水酸化カリウム(KOH)等の薬液に浸漬して、改質部を除去することによって、石英ガラス基板１内に空孔Ｇ２を形成する。調整部２を形成する領域の空孔Ｇ２の端は、少なくとも一端が石英ガラス基板１の表面に開口している。一方、貫通孔３を形成する領域の空孔Ｇ３の一端は石英ガラス基板１の主面１ａに開口していて、他端は主面１ｂに開口した貫通孔Ｇ３になっている。
【００４６】
次に、図７（Ｃ）に示すように、空孔Ｇ２及び空孔Ｇ３内に金属を入れる。その方法としては、無電解めっき法や溶融金属充填法が適用できる。当該金属としては、その膨張係数が、石英ガラスの熱膨張係数よりも大きい銅（Ｃｕ）を採用している。このように、貫通配線３の材質と調整部２を構成する材質とを同じ金属を用いて製造することによって、貫通配線３及び調整部２を一括して形成できるので、製造効率を高められる。
得られた配線基板１０Ｄにおいて、貫通配線３と、石英ガラス基板１の主面１ａ及び／又は１ｂに実装される半導体デバイス等とを、接続端子を介して接続することによって、本発明にかかる電子デバイスパッケージが得られる。
【符号の説明】
【００４７】
１…基材、１ａ…一方の主面、１ｂ…他方の主面、２…調整部、２ａ…調整部の一端、２ｂ…調整部の他端、３…貫通配線、Ｌ…レーザー、Ｇ１…改質部、Ｇ２…調整部を形成する空孔、Ｇ３…貫通配線を形成する空孔、１０Ａ〜１０Ｄ…配線基板、２０Ａ…電子デバイスパッケージ
【図１】
2013038166.tif 000003
【図２】
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【図３】
2013038166.tif 000005
【図４】
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【図５】
2013038166.tif 000007
【図６】
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【図７】
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