(57)【要約】      （修正有）【課題】製造歩留りや信頼性の高い電子装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】石英ガラス支持基板４６の一方の主面の親水部４８上に形成された粘着層５４上に電子部品１６ａ，１６ｂを配する工程と、支持基板上に電子部品を覆うようにシリコーン被覆層１４を形成する工程と、被覆層上に樹脂層１０を形成し、電子部品を樹脂層により埋め込む工程と、支持基板の背面から紫外線を照射し粘着層の粘着力を低下させ支持基板を除去する工程とを有している。【選択図】図６
2013038300.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に電子部品を配する工程と、
前記支持基板上に前記電子部品を覆うように被覆層を形成する工程と、
前記被覆層上に樹脂層を形成し、前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程と、
前記支持基板を除去する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子装置の製造方法において、
前記支持基板上に前記電子部品を配する工程の前に、前記支持基板上に粘着層を選択的に形成する工程を更に有し、
前記支持基板上に前記電子部品を配する工程では、前記粘着層上に前記電子部品を配する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電子装置の製造方法において、
前記粘着層を形成する工程の前に、前記支持基板に疎水部及び親水部を形成する工程を更に有し、
前記粘着層を形成する工程では、前記粘着層を前記親水部上に形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法において、
前記樹脂層から前記支持基板を除去する工程の後、前記樹脂層の一方の面側に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に前記電子部品の電極に達する開口部を形成する工程と、前記絶縁膜の一方の面側に、前記電子部品の前記電極に電気的に接続された配線を形成する工程とを更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項５】
凹部が生じている樹脂層と、
前記樹脂層の前記凹部が生じている側の面である一方の面側に存在する被覆層と、
前記被覆層が存在する前記凹部内に存在し、一方の面が前記樹脂層の前記一方の面側において露出している電子部品と
を有することを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、ウェハレベルパッケージ（Wafer Level Package、ＷＬＰ）が提案されている。
【０００３】
ウェハレベルパッケージは、低コスト化、小型化に寄与し得るため、大きな注目を集めている。
【０００４】
ウェハレベルパッケージは、半導体チップ等の電子部品を樹脂層（封止樹脂層）により埋め込むことにより形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２５２８５９号公報
【特許文献２】特開２００４−１２８２８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ウェハレベルパッケージは、必ずしも十分に高い製造歩留りや信頼性が得られない場合があった。
【０００７】
本発明の目的は、製造歩留りや信頼性の高い電子装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の一観点によれば、支持基板上に電子部品を配する工程と、前記支持基板上に前記電子部品を覆うように被覆層を形成する工程と、前記被覆層上に樹脂層を形成し、前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程と、前記支持基板を除去する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法が提供される。
【０００９】
実施形態の他の観点によれば、凹部が生じている樹脂層と、前記樹脂層の前記凹部が生じている側の面である一方の面側に存在する被覆層と、前記被覆層が存在する前記凹部内に存在し、一方の面が前記樹脂層の前記一方の面側において露出している電子部品とを有することを特徴とする電子装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
開示の電子装置及びその製造方法によれば、電子部品を被覆層により覆った状態で樹脂層が形成される。このため、電子部品の回路形成面に樹脂が付着してしまうことがない。このため、電子部品を樹脂層により埋め込むにもかかわらず、製造歩留りや信頼性の高い電子装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、一実施形態による電子装置を示す断面図である。
【図２】図２は、一実施形態による電子装置を回路基板上に実装した状態を示す断面図である。
【図３】図３は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図４】図４は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図５】図５は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図６】図６は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図７】図７は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図８】図８は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。
【図９】図９は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その７）である。
【図１０】図１０は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その８）である。
【図１１】図１１は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その９）である。
【図１２】図１２は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１０）である。
【図１３】図１３は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１１）である。
【図１４】図１４は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１２）である。
【図１５】図１５は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１３）である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［一実施形態］
一実施形態による電子装置及びその製造方法について図１乃至図１５を用いて説明する。
【００１３】
（電子装置）
まず、本実施形態による電子装置について図１及び図２を用いて説明する。図１は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。図２は、本実施形態による電子装置を回路基板上に実装した状態を示す断面図である。
【００１４】
図１に示すように、樹脂層（モールド樹脂層、封止樹脂層）１０の一方の面側（図１における紙面上側）には、凹部１２が形成されている。かかる凹部１２は、後述するように、電子部品１６を樹脂層１０により埋め込むことにより形成されたものである。樹脂層１０の材料としては、例えばエポキシ樹脂が用いられている。樹脂層１０には、例えば無機フィラーが含まれている。かかる無機フィラーとしては、例えばシリカフィラー等が用いられている。樹脂層１０の厚さは、例えば７００μｍ程度とする。凹部１２の深さは、例えば５０５μｍ程度とする。
【００１５】
凹部１２が形成された樹脂層１０の一方の面側（図１における紙面上側）には、被覆層（保護層、分離層）１４が一様に形成されている。かかる被覆層１４は、後述するように、電子部品１６を覆うように形成された被覆層１４上に樹脂層１０を形成することにより、樹脂層１０の一方の面側に存在することとなったものである。被覆層１４の熱膨張率は、電子部品１６ａ，１６ｂの熱膨張率以上、樹脂層１０の熱膨張率以下であることが好ましい。熱膨張率差に起因してクラック等が生じるのを防止するためである。電子部品１６ａ，１６ｂの熱膨張率は、例えば４〜５ｐｐｍ／℃程度である。一方、樹脂層１０の熱膨張率は、例えば３０ｐｐｍ／℃程度である。この場合には、被覆層１４の熱膨張率は、例えば５〜３０ｐｐｍ／℃の範囲内であることが好ましい。被覆層１４の材料としては、例えば、無機骨格を有する絶縁物が用いられている。無機骨格を有する絶縁物としては、例えばシリコーン（有機シリコーン）等が挙げられる。なお、シリコーン（silicone）は、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）による主骨格（無機骨格）を有する人工高分子化合物の総称である。被覆層１４の厚さは、例えば２００ｎｍ程度とする。
【００１６】
被覆層１４が形成された凹部１２内には、電子部品１６ａ，１６ｂが存在している。換言すれば、電子部品１６ａ，１６ｂが樹脂層１０により埋め込まれている。電子部品１６ａ，１６ｂは、被覆層１４により樹脂層１０と隔てられている。電子部品１６ａ，１６ｂとしては、例えば半導体チップ等が挙げられる。かかる半導体チップ１６ａ，１６ｂとしては、例えばチップ状のＬＳＩ（Large Scale Integration）等が挙げられる。半導体チップ１６ａ，１６ｂのサイズは、例えば６ｍｍ×６ｍｍ×０．５ｍｍ程度である。電子部品１６ａ，１６ｂの一方の面（図１における紙面上側の面）には、電極（表面電極、外部接続電極，導体プラグ）１８が形成されている。電極１８は、樹脂層１０の一方の面側（図１における紙面上側）において露出している。電極１８のサイズは、例えばφ５０μｍ程度とする。
【００１７】
なお、半導体チップ１６ａ，１６ｂは、シリコン系の半導体チップに限定されるものではなく、化合物半導体の半導体チップであってもよい。例えば、半導体チップ１６ａがシリコン系の半導体チップであり、半導体チップ１６ｂが化合物半導体の半導体チップであってもよい。
【００１８】
凹部１２内に電子部品１６ａ，１６ｂが埋め込まれた樹脂層１０の一方の面側（図１における紙面上側）には、絶縁膜（樹脂層）２０が形成されている。絶縁膜２０の材料としては、例えば感光性のポリイミドが用いられている。絶縁膜２０の厚さは、例えば２０μｍ程度とする。
【００１９】
絶縁膜２０には、電子部品１６ａ，１６ｂの電極１８にそれぞれ達する開口部２２が形成されている。開口部２２の径は、例えば４０μｍ程度とする。
【００２０】
開口部２２内には、ビア（導体プラグ）２４が形成されている。
【００２１】
絶縁膜２０の一方の面（図１における紙面上側の面）には、ビア２４と一体に形成された配線２６が形成されている。配線２６及びビア２４の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）が用いられている。
【００２２】
ビア２４及び配線２６が形成された絶縁膜２０の一方の面側（図１における紙面上側）には、絶縁膜（樹脂膜）２８が形成されている。絶縁膜２８の材料としては、例えば感光性のポリイミドが用いられている。絶縁膜２８の厚さは、例えば１０μｍ程度とする。
【００２３】
絶縁膜２８には、配線２６にそれぞれ達する開口部３０が形成されている。
【００２４】
開口部３０内には、ビア（導体プラグ）３２が形成されている。
【００２５】
絶縁膜２８の一方の面側（図１における紙面上側）には、ビア３２と一体に形成された電極パッド３４が形成されている。電極パッド３４及びビア３２の材料としては、例えばＣｕが用いられている。
【００２６】
電極パッド３４が形成された絶縁膜２８の一方の面側（図１における紙面上側）には、絶縁膜（樹脂膜）３６が形成されている。樹脂層３６の材料としては、例えば感光性のポリイミドが用いられている。絶縁膜３６の厚さは、例えば２０μｍ程度である。
【００２７】
絶縁膜３６には、電極パッド３４を露出する開口部３８が形成されている。
【００２８】
電極パッド３４の一方の面側（図１における紙面上側）には、例えば半田バンプ（半田ボール）４０が形成されている。半田バンプ４０は、電極パッド３４及び配線２６等を介して電子部品１６ａ，１６ｂの電極１８にそれぞれ電気的に接続されている。
【００２９】
こうして、本実施形態による電子装置（ウェハレベルパッケージ、電子部品が内蔵された擬似ウェハ）２が形成されている。
【００３０】
ウェハレベルパッケージ２は、図２に示すように、回路基板４２上に実装される。回路基板４２の表面には、電極４４が形成されている。電極４４は、回路基板４２に形成された配線（図示せず）等に接続されている。電極４４の材料としては、例えば金（Ａｕ）が用いられる。回路基板４２としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられる。
【００３１】
ウェハレベルパッケージ２の電極パッド３４と回路基板４２の電極４４とは、例えば半田バンプ４０を用いて接合されている。
【００３２】
（電子装置の製造方法）
次に、本実施形態による電子装置の製造方法を図３乃至図１５を用いて説明する。図３乃至図１５は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００３３】
本実施形態では、支持基板４６上に複数のウェハレベルパッケージ２を一括して形成し、この後、ウェハレベルパッケージ２を個片化する場合を例に説明する。
【００３４】
なお、支持基板４６上に複数のウェハレベルパッケージ２を一括して形成することに限定されるものではない。例えば、支持基板４６上に１つのウェハレベルパッケージ２を形成してもよい。
【００３５】
まず、図３（ａ）に示すように、支持基板４６を用意する。支持基板４６としては、例えば石英ガラス基板を用いる。支持基板４６の厚さは、例えば１ｍｍ程度とする。
【００３６】
次に、図３（ｂ）に示すように、支持基板４６の一方の主面の全面に親水部４８を形成する。親水部４８は、例えば、支持基板４６の表面に対してプラズマ処理を行うことにより形成される。かかるプラズマ処理を行う際には、例えば、平行平板型のプラズマ発生装置を用いる。プラズマ発生装置のチャンバ内に導入するガスは、例えば酸素ガスとする。酸素ガスの流量は、例えば２００ｓｃｃｍ程度とする。チャンバ内の圧力は、例えば１Ｔｏｒｒ程度とする。印加電力は、例えば３００Ｗ程度とする。プラズマ処理の時間は、例えば１０分程度とする。
【００３７】
次に、支持基板４６上の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜５０を形成する。
【００３８】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜５０をパターニングする（図３（ｃ）参照）。フォトレジスト膜５０は、親水部４８を支持基板４６に選択的に残存させるためのものである。フォトレジスト膜５０をパターニングする際には、疎水部５２を形成すべき領域が露出するように、フォトレジスト膜５０をパターニングする。後述するように、親水部４８の上には粘着層５４が形成され、粘着層５４上には電子部品１６ａ，１６ｂが配置される。従って、電子部品１６ａ，１６ｂが配置される箇所にフォトレジスト膜５０が残存するように、フォトレジスト膜５０がパターニングされる。
【００３９】
次に、フォトレジスト膜５０をマスクとして、支持基板４６の表面に対してプラズマ処理を行うことにより、フォトレジスト膜５０から露出している領域に疎水部５２を形成する（図４（ａ）参照）。疎水部５２を形成する際のプラズマ処理は、例えば以下のようにして行われる。プラズマ発生装置としては、例えば、平行平板型のプラズマ発生装置を用いる。プラズマ発生装置のチャンバ内に導入するガスは、例えばＣＦ４ガスとする。ＣＦ４ガスの流量は、例えば２００ｓｃｃｍ程度とする。チャンバ内の圧力は、例えば１Ｔｏｒｒ程度とする。印加電力は、例えば３００Ｗ程度とする。プラズマ処理の時間は、例えば１０分程度とする。このようなプラズマ処理を行うと、疎水性官能基が支持基板４６の表面に導入され、支持基板４６に疎水部５２が選択的に形成される。かかる疎水性官能基は、炭素及びフッ素を含んでいる。疎水部５２の表面は、ＣＦＸにより終端された状態となる。このように、本実施形態では、末端官能基の化学的置換により、支持基板４６に撥水性又は疎水性を付与する。なお、疎水部５２を形成する際にプラズマ処理を用いるのは、プラズマ処理を用いることにより、安定した高い撥水性、疎水性を支持基板４６に付与し得るためである。
【００４０】
この後、例えば薬液を用いて、フォトレジスト膜５０を剥離する。かかる薬液としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン（N-MethylPyrrolidone、ＮＭＰ）を用いる。薬液に浸漬する時間は、例えば１分程度とする。
【００４１】
こうして、親水部４８と疎水部５２とが表面に形成された支持基板４６が得られる。換言すれば、親水部４８が表面に選択的に形成された支持基板４６が得られる（図４（ｂ）参照）。
【００４２】
次に、支持基板４６の親水部４８上に粘着層（密着層、密着樹脂層）５４を選択的に形成する（図４（ｃ）参照）。粘着層５４は、例えばスピンコート法により、例えば樹脂溶液を支持基板４６上に塗布することにより形成することができる。かかる樹脂溶液としては、例えば、感光性のポリイミド樹脂の溶液を用いる。スピンコーターの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ程度とする。支持基板４６の疎水部５２においては、ポリイミド樹脂溶液がはじかれるため、粘着層５４は疎水部５２上には形成されない。一方、支持基板４６の親水部４８上においては、ポリイミド樹脂溶液ははじかれない。支持基板４６の親水部４８上においては、表面張力を利用して、粘着層５４が親水部４８上に選択的に形成される。
【００４３】
次に、電子部品１６ａ，１６ｂを粘着層５４上に配置する（図５（ａ）参照）。電子部品１６ａ，１６ｂとしては、例えば半導体チップ等が挙げられる。かかる半導体チップ１６ａ，１６ｂとしては、例えばチップ状のＬＳＩ等が挙げられる。半導体チップ１６ａ，１６ｂのサイズは、例えば６ｍｍ×６ｍｍ×０．５ｍｍ程度とする。電子部品１６ａ，１６ｂの一方の面（図５（ａ）における紙面下側の面）には、電極１８が形成されている。電極１８のサイズは、例えばφ５０μｍ程度とする。電子部品１６ａ，１６ｂを粘着層５４上に配置する際には、電極１８が形成された側の面（図５（ａ）における紙面下側の面）が粘着層５４と接するように、電子部品１６ａ，１６ｂを配置する。粘着層５４の表面張力の作用により、電子部品１６ａ，１６ｂは適切な位置に位置合わせされる。
【００４４】
こうして、電子部品１６ａ，１６ｂが粘着層５４上に配置される（図５（ｂ）参照）。
【００４５】
次に、熱処理を行うことにより、粘着層５４を仮硬化させる。熱処理を行う際には、例えばホットプレートを用いる。熱処理温度は、例えば１２０℃程度とする。熱処理時間は、例えば３分程度とする。仮硬化後の粘着層５４の厚さは、例えば５μｍ程度である。
【００４６】
次に、電子部品１６ａ，１６ｂが配された支持基板４６上の全面に、被覆層１４を形成する（図６（ａ）参照）。被覆層１４の熱膨張率は、電子部品１６ａ，１６ｂの熱膨張率以上、樹脂層１０の熱膨張率以下であることが好ましい。熱膨張率差に起因してクラック等が生じるのを防止するためである。電子部品１６ａ，１６ｂの熱膨張率は、例えば４〜５ｐｐｍ／℃程度である。一方、樹脂層１０の熱膨張率は、例えば３０ｐｐｍ／℃程度である。この場合には、被覆層１４の熱膨張率は、例えば５〜３０ｐｐｍ／℃の範囲内であることが好ましい。被覆層１４の材料としては、例えば、無機骨格を有する絶縁物を用いる。無機骨格を有する絶縁物としては、例えばシリコーン等が挙げられる。被覆層１４の材料としてシリコーンを用いる場合、例えばスピンコート法により被覆層１４を形成する。被覆層１４の厚さは、例えば２００ｎｍ程度とする。
【００４７】
次に、被覆層１４上の全面に樹脂を供給し、例えば加熱加圧法により樹脂層（封止樹脂層）１０を形成する（図６（ｂ）参照）。樹脂層１０の材料としては、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂を用いる。樹脂層１０には、例えば無機フィラーを含ませる。かかる無機フィラーとしては、例えばシリカフィラー等を用いる。樹脂層１０を形成する際の加熱温度は、例えば１２０℃程度とする。加熱時間は、例えば１０分程度とする。樹脂層１０の厚さは、例えば６００μｍ程度とする。電子部品１６ａ，１６ｂが被覆層１４により覆われているため、電子部品１６ａ，１６ｂが被覆層１４により保護された状態で樹脂層１０が形成される。従って、電子部品１６ａ，１６ｂの電極１８が形成された面、即ち、電子部品１６ａ，１６ｂの回路形成面（図６（ｂ）における紙面下側の面）に、樹脂が付着してしまうことはない。
【００４８】
こうして、電子部品１６ａ，１６ｂが樹脂層１０により埋め込まれる。
【００４９】
次に、例えば紫外線を照射することにより、粘着層５４の粘着力を低下させる（図７（ａ）参照）。紫外線を照射する際には、例えば支持基板４６の背面側（図７（ａ）における紙面下側）から紫外線を照射する。
【００５０】
次に、支持基板４６及び粘着層５４を、樹脂層１０及び電子部品１６ａ，１６ｂから剥離する（図７（ｂ）参照）。即ち、電子部品１６ａ，１６ｂが埋め込まれた樹脂層１０から、支持基板４６を粘着層５４とともに除去する。紫外線の照射により粘着層５４の粘着力（密着力）が低下しているため、粘着層５４は電子部品１６ａ，１６ｂから容易に剥離し得る。また、疎水部５２と被覆層１４との密着力はもともと弱いため、支持基板４６は被覆層１４から容易に剥離し得る。従って、電子部品１６ａ，１６ｂが埋め込まれた樹脂層１０から、支持基板４６を粘着層５４とともに容易に除去し得る。こうして、電子部品１６ａ，１６ｂが樹脂層１０中に埋め込まれた構造体（擬似ウェハ、樹脂基板）５６が得られる。構造体５６の一方の面（粘着層５４と接していた面）には、電子部品１６ａ，１６ｂの電極１８が露出した状態となる。
【００５１】
なお、このような技術は、擬似ＳＯＣ（System On Chip）技術と称される。
【００５２】
次に、構造体５６の上下を反転させる（図８（ａ）参照）。
【００５３】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂層１０をキュア（本硬化）する。熱処理温度は、例えば１５０℃程度とする。熱処理時間は、例えば１時間程度とする。
【００５４】
こうして、厚さが０．７ｍｍ程度、寸法がφ１５０ｍｍ程度の構造体５６が形成される。
【００５５】
次に、構造体５６の一方の面（図８（ｂ）における紙面上側の面）上の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性の樹脂膜（絶縁膜）２０を形成する（図８（ｂ）参照）。絶縁膜２０の材料としては、例えば感光性のポリイミド樹脂等を用いる。絶縁膜２０の表面における段差の最大値は、例えば２０ｎｍ以下とする。
【００５６】
次に、絶縁膜２０に対してプリベークを行う。プリベークの温度は、例えば１１０℃程度とする。プリベークの時間は、例えば３分程度とする。
【００５７】
次に、開口部２２のパターンを絶縁膜２０に露光する。開口部２２は、後述するビア（導体プラグ）２４を埋め込むためのものである。
【００５８】
次に、絶縁膜２０に対して、現像を行う。現像液としては、例えばＴＭＡＨ（Tetra Methyl Ammonium Hydroxide）を用いる。
【００５９】
次に、絶縁膜２０に対して、キュアを行う。キュアの温度は、例えば２５０℃程度とする。キュアの時間は、例えば１時間程度とする。
【００６０】
こうして、電極１８に達する開口部２２が形成された絶縁膜２０が得られる（図９（ａ）参照）。絶縁膜２０の厚さは、例えば２０μｍ程度となる。開口部２２のサイズは、例えば４０μｍ程度とする。
【００６１】
次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚５０ｎｍ程度の密着層（図示せず）を形成する。密着層の材料としては、例えばチタン（Ｔｉ）を用いる。
【００６２】
次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚１００ｎｍ程度のシード層（図示せず）を形成する。シード層の材料としては、例えばＣｕを用いる。
【００６３】
次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００６４】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部（図示せず）を形成する。かかる開口部は、ビア２４及び配線２６を形成するためのものである。
【００６５】
次に、例えば電気めっき法により、例えばビア２４及び配線２６を形成する。ビア２４及び配線２６の材料としては、例えばＣｕを用いる。ビア２４及び配線２６は、一体的に形成される。
【００６６】
次に、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜を剥離する。
【００６７】
次に、配線２６の周囲に露出している部分のシード層及び密着層を、例えばウェットエッチング又はドライエッチングにより除去する。
【００６８】
こうして、電子部品１６ａ，１６ｂの電極１８にビア２４を介して電気的に接続された配線（再配線層）２６が形成される（図９（ｂ）参照）。
【００６９】
次に、構造体５６の一方の面（図１０（ａ）における紙面上側の面）上の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性の樹脂膜（絶縁膜）２８を形成する（図１０（ａ）参照）。絶縁膜２８の材料としては、例えば感光性のポリイミド樹脂を用いる。
【００７０】
次に、絶縁膜２８に対してプリベークを行う。プリベークの温度は、例えば１１０℃程度とする。プリベークの時間は、例えば３分程度とする。
【００７１】
次に、開口部３０のパターンを絶縁膜２８に露光する。開口部３０は、後述するビア（導体プラグ）３２を埋め込むためのものである。
【００７２】
次に、絶縁膜２８に対して、現像を行う。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。
【００７３】
次に、絶縁膜２８に対して、キュアを行う。キュアの温度は、例えば２５０℃程度とする。キュアの時間は、例えば１時間程度とする。
【００７４】
こうして、配線２６に達する開口部３０が形成された絶縁膜２８が得られる（図１０（ｂ）参照）。絶縁膜２８の膜厚は、例えば１０μｍ程度となる。
【００７５】
次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚５０ｎｍ程度の密着層（図示せず）を形成する。密着層の材料としては、例えばＴｉを用いる。
【００７６】
次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚１００ｎｍ程度のシード層（図示せず）を形成する。シード層の材料としては、例えばＣｕを用いる。
【００７７】
次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００７８】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部（図示せず）を形成する。かかる開口部は、ビア３２及び電極パッド３４を形成するためのものである。
【００７９】
次に、例えば電気めっき法により、例えばビア３２及び電極パッド３４を形成する。ビア３２及び電極パッド３４は、一体的に形成される。
【００８０】
次に、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜を剥離する。
【００８１】
次に、電極パッド３４の周囲に露出している部分のシード層及び密着層を、例えばウェットエッチング又はドライエッチングにより除去する。
【００８２】
こうして、ビア３２を介して配線２６にそれぞれ電気的に接続された電極パッド３４が形成される（図１１（ａ）参照）。電極パッド３４の寸法は、例えば０．６ｍｍ程度とする。
【００８３】
次に、構造体５６の一方の面（図１１（ｂ）における紙面上側の面）上の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性の樹脂膜（絶縁膜）３６を形成する（図１１（ｂ）参照）。絶縁膜３６の材料としては、例えば感光性のポリイミド樹脂を用いる。
【００８４】
次に、絶縁膜３６に対してプリベークを行う。プリベークの温度は、例えば１１０℃程度とする。プリベークの時間は、例えば３分程度とする。
【００８５】
次に、開口部３８のパターンを絶縁膜３６に露光する。開口部３８は、後述する半田バンプ４０を形成するためのものである。開口部３８の開口寸法は、例えば０．４ｍｍ程度とする。
【００８６】
次に、絶縁膜３６に対して、現像を行う。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。
【００８７】
次に、絶縁膜３６に対して、キュアを行う。キュアの温度は、例えば２５０℃程度とする。キュアの時間は、例えば１時間程度とする。
【００８８】
こうして、電極パッド３４に達する開口部３８が形成された絶縁膜３６が得られる（図１２（ａ）参照）。絶縁膜３６の膜厚は、例えば２０μｍ程度とする。
【００８９】
次に、開口部３８内に露出する電極パッド３４上に、半田バンプ（半田ボール）４０を形成する。半田バンプ４０は、電極パッド３４及び配線２６等を介して電子部品１６ａ，１６ｂの電極１８にそれぞれ電気的に接続される。
【００９０】
こうして、複数のウェハレベルパッケージ２が一括して形成される（図１２（ｂ）参照）。
【００９１】
次に、例えばダイシングを行うことにより、複数のウェハレベルパッケージ２を個片化する（図１３参照）。
【００９２】
こうして、個片化された本実施形態による電子装置（ウェハレベルパッケージ）２が得られる。
【００９３】
次に、回路基板４２上に、ウェハレベルパッケージ２を配置する（図１４参照）。回路基板４２としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられている。回路基板４２の表面には、ウェハレベルパッケージ２のバンプ４０と接続するための電極４４が形成されている。電極４４の材料としては、例えばＡｕを用いる。電極４４は、回路基板４２に形成された配線（図示せず）等に接続されている。ウェハレベルパッケージ２を回路基板４２上に配置する際には、ウェハレベルパッケージ２のバンプ４０と回路基板４２の電極４４とが互いに接するように、ウェハレベルパッケージ２を回路基板４２上に配置する。
【００９４】
こうして、回路基板４２上にウェハレベルパッケージ２が配置される。
【００９５】
次に、熱処理（リフロー）を行うことにより、ウェハレベルパッケージ２側の電極パッド３４と回路基板４２側の電極４４とを半田バンプ４０により接合する。熱処理温度は、例えば２６０℃程度とする。熱処理時間は、例えば３分程度とする。
【００９６】
こうして、回路基板４２上にウェハレベルパッケージ２がフェースダウンで実装される（図１５参照）。
【００９７】
このように本実施形態によれば、電子部品１６ａ，１６ｂを被覆層１４により覆った状態で樹脂層１０が形成される。このため、電子部品１６ａ，１６ｂの回路形成面に樹脂が付着してしまうことがない。このため、本実施形態によれば、電子部品１６ａ，１６ｂを樹脂層１０により埋め込むにもかかわらず、製造歩留りや信頼性の高い電子装置を提供することができる。
【００９８】
［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【００９９】
例えば、上記実施形態では、電子部品１６ａ，１６ｂが半導体チップである場合を例に説明したが、電子部品１６ａ，１６ｂはこれらに限定されるものではない。電子部品１６ａ，１６ｂが、抵抗、又は、コンデンサ等の受動部品であってもよい。また、電子部品１６ａ，１６ｂが、ＭＥＭＳ素子、センサ素子等であってもよい。また、電子部品１６ａ，１６ｂが、無機材料上に薄膜状の受動素子を形成したものであってもよい。
【０１００】
また、上記実施形態では、支持基板４６として石英ガラス基板を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、支持基板４６として、シリコン基板を用いてもよい。また、支持基板４６として、石英板、ガラス板、Ａｌ（アルミニウム）板、ＳＵＳ（ステンレス）板、Ｃｕ板、合金板、樹脂板等を用いてもよい。
【０１０１】
また、上記実施形態では、支持基板４６に親水部４８及び疎水部５２を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、支持基板４６に親水部４８及び疎水部５２を形成することなく、支持基板４６上に粘着層５４を選択的に形成するようにしてもよい。例えば、フィルム状の粘着層５４を支持基板４６に貼り付けるようにしてもよい。
【０１０２】
また、上記実施形態では、プラズマ処理により親水部４８や疎水部５２を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、薬液処理、紫外線処理、レーザ処理、熱処理等により、親水部４８や疎水部５２を形成するようにしてもよい。
【０１０３】
また、上記実施形態では、親水部４８を支持基板４６の表面全体に形成した後に、疎水部５２を選択的に形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。親水部４８と疎水部５２をそれぞれ選択的に形成してもよい。
【０１０４】
また、疎水性を有する支持基板４６の表面に、親水部４８を形成することにより、親水部４８と疎水部とを形成してもよい。
【０１０５】
また、親水性を有する支持基板４６の表面に、疎水部５２を形成することにより、親水部と疎水部５２とを形成してもよい。
【０１０６】
また、上記実施形態では、粘着層５４の材料としてポリイミド樹脂を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、粘着層５４の材料として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等を用いてもよい。
【０１０７】
また、上記実施形態では、スピンコート法により樹脂溶液を塗布することにより粘着層５４を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、滴下法、ロールコート法、噴霧法等を用いて粘着層５４を形成してもよい。
【０１０８】
また、上記実施形態では、紫外線を照射することにより、粘着層５４の粘着力を低下させる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、熱処理や溶剤処理により粘着層５４の粘着力を低下させてもよい。
【０１０９】
また、上記実施形態では、被覆層１４の材料として、シリコーンを用いる場合を例に説明したが、被覆層１４の材料はシリコーンに限定されるものではない。例えば、被覆層１４として、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＣＨ膜、ＳｉＯＣ膜、ＴＥＯＳ（Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate）膜、ＳｉＯＦ膜等を用いてもよい。
【０１１０】
また、上記実施形態では、被覆層１４をスピンコート法により形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。被覆層１４の形成方法は、被覆層１４の材料等に応じて適宜設定される。例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition、化学気相堆積）法、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition、物理気相成長）法、スパッタリング法等により被覆層１４を形成してもよい。
【０１１１】
また、上記実施形態では、樹脂層１０の材料としてエポキシ樹脂を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、樹脂層１０の材料として、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等をもちいてもよい。
【０１１２】
また、上記実施形態では、樹脂層１０の材料として熱硬化性の樹脂を用いる場合を例に説明したが、樹脂層１０の材料として熱可塑性の樹脂を用いてもよい。
【０１１３】
また、上記実施形態では、加熱加圧法により樹脂層１０を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、スキージ法、ロールコート法、スピンコート法等により樹脂層１０を形成してもよい。
【０１１４】
また、上記実施形態では、樹脂層１０に含ませる無機フィラーとしてシリカフィラーを用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、無機フィラーの材料として、アルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、又は、窒化アルミニウム等を用いてもよい。
【０１１５】
上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１１６】
（付記１）
支持基板上に電子部品を配する工程と、
前記支持基板上に前記電子部品を覆うように被覆層を形成する工程と、
前記被覆層上に樹脂層を形成し、前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程と、
前記支持基板を除去する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１１７】
（付記２）
付記１記載の電子装置の製造方法において、
前記支持基板上に前記電子部品を配する工程の前に、前記支持基板上に粘着層を選択的に形成する工程を更に有し、
前記支持基板上に前記電子部品を配する工程では、前記粘着層上に前記電子部品を配する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１１８】
（付記３）
付記２記載の電子装置の製造方法において、
前記支持基板を除去する工程では、前記粘着層をも除去する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１１９】
（付記４）
付記２又は３記載の電子装置の製造方法において、
前記粘着層を形成する工程の前に、前記支持基板に疎水部及び親水部を形成する工程を更に有し、
前記粘着層を形成する工程では、前記粘着層を前記親水部上に形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１２０】
（付記５）
付記４記載の電子装置の製造方法において、
前記疎水部及び前記親水部を形成する工程では、疎水性官能基を前記支持基板の表面に導入することにより前記疎水部を形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１２１】
（付記６）
付記５記載の電子装置の製造方法において、
前記疎水性官能基は、炭素及びフッ素を含む
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１２２】
（付記７）
付記５又は６記載の電子装置の製造方法において、
前記疎水部及び前記親水部を形成する工程では、プラズマ処理により前記疎水部を形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１２３】
（付記８）
付記１乃至７のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記樹脂層から前記支持基板を除去する工程の後、前記樹脂層の一方の面側に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に前記電子部品の電極に達する開口部を形成する工程と、前記絶縁膜の一方の面側に、前記電子部品の前記電極に電気的に接続された配線を形成する工程とを更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１２４】
（付記９）
付記１乃至８のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記被覆層の熱膨張率は、前記電子部品の熱膨張率以上、前記樹脂層の熱膨張率以下である
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１２５】
（付記１０）
付記１乃至９のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記被覆層を形成する工程では、無機骨格を有する絶縁物の前記被覆層を形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１２６】
（付記１１）
付記１０記載の電子装置の製造方法において、
前記無機骨格を有する絶縁物は、シリコーンである
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１２７】
（付記１２）
凹部が生じている樹脂層と、
前記樹脂層の前記凹部が生じている側の面である一方の面側に存在する被覆層と、
前記被覆層が存在する前記凹部内に存在し、一方の面が前記樹脂層の前記一方の面側において露出している電子部品と
を有することを特徴とする電子装置。
【０１２８】
（付記１３）
付記１２記載の電子装置において、
前記樹脂層の前記一方の面側及び前記電子部品の前記一方の面側に形成され、前記電子部品の電極に達する開口部が形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の一方の面側に形成され、前記開口部を介して前記電子部品の前記電極に電気的に接続された配線と
を有することを特徴とする電子装置。
【０１２９】
（付記１４）
付記１２又は１３のいずれかに記載の電子装置において、
前記被覆層の熱膨張率は、前記電子部品の熱膨張率以上、前記樹脂層の熱膨張率以下である
ことを特徴とする電子装置。
【０１３０】
（付記１５）
付記１２乃至１４のいずれかに記載の電子装置において、
前記被覆層は、無機骨格を有する絶縁物により形成されている
ことを特徴とする電子装置。
【０１３１】
（付記１６）
付記１５記載の電子装置において、
前記無機骨格を有する絶縁物は、シリコーンである
ことを特徴とする電子装置。
【符号の説明】
【０１３２】
２…ウェハレベルパッケージ
１０…樹脂層
１２…凹部
１４…被覆層
１６ａ、１６ｂ…電子部品
１８…電極
２０…絶縁膜
２２…開口部
２４…ビア
２６…配線
２８…絶縁膜
３０…開口部
３２…ビア
３４…電極パッド
３６…絶縁膜
３８…開口部
４０…半田バンプ
４２…回路基板
４４…電極
４６…支持基板
４８…親水部
５０…フォトレジスト膜
５２…疎水部
５４…粘着層
５６…構造体
【図１】
2013038300.tif 000003
【図２】
2013038300.tif 000004
【図３】
2013038300.tif 000005
【図４】
2013038300.tif 000006
【図５】
2013038300.tif 000007
【図６】
2013038300.tif 000008
【図７】
2013038300.tif 000009
【図８】
2013038300.tif 000010
【図９】
2013038300.tif 000011
【図１０】
2013038300.tif 000012
【図１１】
2013038300.tif 000013
【図１２】
2013038300.tif 000014
【図１３】
2013038300.tif 000015
【図１４】
2013038300.tif 000016
【図１５】
2013038300.tif 000017