(57)【要約】【課題】基板の接合部の剥がれを防止し、分光精度を維持する干渉フィルターを提供する。【解決手段】第１基板１０と、第１基板１０と対向する第２基板２０と、第１基板１０に設けられた第１反射膜１６と、第２基板２０に設けられ第１反射膜１６とギャップを介して対向する第２反射膜２６と、を備え、第１基板１０と第２基板２０とが接合部４５により接合され、第１基板１０または第２基板２０の板厚方向の平面視において、接合部４５の輪郭線Ｌ１における、直線と直線が交わる部分は角部を持たずに直線の間を曲線で繋いだ形状を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
互いにギャップを介して対向する第１反射膜および第２反射膜と、を備え、
前記第１基板と前記第２基板とが接合部により接合され、
前記第１基板または前記第２基板の板厚方向の平面視において、
前記接合部における輪郭線は、直線から延長された延長線が交わる交点を含まず、前記直線の間を曲線で繋いだ形状を有する
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の干渉フィルターにおいて、
前記接合部の輪郭線は、前記直線の間を円弧で繋いだ形状を有する
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項３】
請求項１または２に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第１基板と前記第２基板とが接合される前記接合部にはプラズマ重合膜が形成されている
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第１基板に形成された第１電極と、
前記第２基板に前記第１電極に対向する第２電極と、を備え、
前記第２基板は前記第２反射膜が設けられた可動部と、前記可動部の周りに前記可動部よりも厚みが薄く形成された薄肉部と、を有する
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項５】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
互いにギャップを介して対向する第１反射膜および第２反射膜と、を備え、
前記第１基板と前記第２基板とが接合部により接合され、
前記接合部は、前記第１基板または前記第２基板の板厚方向の平面視において、
前記第１反射膜および前記第２反射膜の外側に形成された第１接合部と、前記第１接合部の輪郭線の外側に前記第１接合部と間隔をあけて形成された第２接合部と、を有する
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項６】
請求項５に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第１基板または前記第２基板のどちらか一方に、前記第１接合部と前記第２接合部とを離間させる溝部が設けられている
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項７】
請求項５または６に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第２接合部の接合される面積は、前記第１接合部の接合される面積より小さい
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一項に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第２接合部は前記第１接合部の前記輪郭線の外周に沿って連続して設けられている
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項９】
請求項５乃至７のいずれか一項に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第２接合部は前記第１接合部の前記輪郭線の外周の一部に設けられている
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項１０】
請求項９に記載の干渉フィルターにおいて、
少なくとも、前記第１接合部の前記輪郭線の外側を直線で囲む前記直線の交点を含む場所に、前記第２接合部が形成されている
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項１１】
請求項５乃至１０のいずれか一項に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第１基板と前記第２基板とが接合される前記接合部にはプラズマ重合膜が形成されている
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項１２】
請求項５乃至１１のいずれか一項に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第１基板に形成された第１電極と、
前記第２基板に前記第１電極に対向する第２電極と、を備え、
前記第２基板は前記第２反射膜が設けられた可動部と、前記可動部の周りに前記可動部よりも厚みが薄く形成された薄肉部と、を有する
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項１３】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
互いにギャップを介して対向する第１反射膜および第２反射膜と、
前記第１反射膜または前記第２反射膜を透過した光が受光される受光部と、を備え、
前記第１基板と前記第２基板とが接合部により接合され、
前記第１基板または前記第２基板の板厚方向の平面視において、
前記接合部における輪郭線は、直線から延長された延長線が交わる交点を含まず、前記直線の間を曲線で繋いだ形状を有する
ことを特徴とする光学モジュール。
【請求項１４】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
互いにギャップを介して対向する第１反射膜および第２反射膜と、
前記第１反射膜または前記第２反射膜を透過した光が受光される受光部と、を備え、
前記第１基板と前記第２基板とが接合部により接合され、
前記接合部は、前記第１基板または前記第２基板の板厚方向の平面視において、
前記第１反射膜および前記第２反射膜の外側に形成された第１接合部と、前記第１接合部の輪郭線の外側に前記第１接合部と間隔をあけて形成された第２接合部と、を有する
ことを特徴とする光学モジュール。
【請求項１５】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
互いにギャップを介して対向する第１反射膜および第２反射膜と、
前記第１反射膜または前記第２反射膜を透過した光が受光される受光部と、
前記受光部により受光された光に基づいて、前記光の特性が分析される分析処理部と、を備え、
前記第１基板と前記第２基板とが接合部により接合され、
前記第１基板または前記第２基板の板厚方向の平面視において、
前記接合部における輪郭線は、直線から延長された延長線が交わる交点を含まず、前記直線の間を曲線で繋いだ形状を有する
ことを特徴とする電子機器。
【請求項１６】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
互いにギャップを介して対向する第１反射膜および第２反射膜と、
前記第１反射膜または前記第２反射膜を透過した光が受光される受光部と、
前記受光部により受光された光に基づいて、前記光の特性が分析される分析処理部と、を備え、
前記第１基板と前記第２基板とが接合部により接合され、
前記接合部は、前記第１基板または前記第２基板の板厚方向の平面視において、
前記第１反射膜および前記第２反射膜の外側に形成された第１接合部と、前記第１接合部の輪郭線の外側に前記第１接合部と間隔をあけて形成された第２接合部と、を有する
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、干渉フィルター、光学モジュールおよび電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ギャップを介して二つの反射膜を対向させ、入射した光から特定の波長の光を選択して射出する干渉フィルターが知られている。
特許文献１には、干渉フィルターとして反射膜間のギャップを可変とする波長可変干渉フィルター（以下、エタロンと呼ぶことがある）において、向かい合う透光性基板に反射膜を形成し、スペーサーを介して両基板を接合する構造を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６２−２５７０３２号公報（第３図参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１のように、基板を接合する構造の波長可変干渉フィルターでは、製造工程や取り扱いなどにおいて、各基板に外力が加わると基板とスペーサーとの接合部の一部において剥がれが生じることがある。そして、この剥がれが進行することで反射膜間のギャップ量が変化し、干渉フィルターの分光精度を低下させる課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる干渉フィルターは、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、互いにギャップを介して対向する第１反射膜および第２反射膜と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とが接合部により接合され、前記第１基板または前記第２基板の板厚方向の平面視において、前記接合部における輪郭線は、直線から延長された延長線が交わる交点を含まず、前記直線の間を曲線で繋いだ形状を有することを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、第１基板と第２基板とを接合する接合部の輪郭線は、直線から延長された延長線が交わる交点を含まず、直線の間を曲線で繋いだ形状である。つまり、角部を持たずに両直線の間を曲線で繋いだ形状である。
基板に外力が加わった場合の、接合部における剥がれは、例えば、接合部における輪郭線の角部から剥がれやすいという傾向がある。これは、接合部の角部に応力が集中するため、角部から剥がれが発生して、そこからさらに剥がれが進行するためであると考察されている。
本適用例では、接合部の輪郭線は、直線と直線とが交わる部分が角部を持たずに両直線の間を曲線で繋いだ形状であることから、極端に応力が集中する部分がなくなり、接合部における剥がれを抑制することができる。
このことから、本適用例の干渉フィルターは、接合部にて第１基板と第２基板との接合強度が維持され、接合部の剥がれに起因する干渉フィルターの分光精度の低下を防止することができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかる干渉フィルターにおいて、前記接合部の輪郭線は、前記直線の間を円弧で繋いだ形状を有することが望ましい。
【０００９】
この構成によれば、接合部の輪郭線は、直線と直線が交わる部分が角部を持たずに直線の間を円弧で繋いだ形状である。
接合部の直線と直線が交わる部分が円弧を繋いだ形状であることから、応力は円弧部分に等しく作用し、加わる応力が均等となり、接合部における剥がれを抑制することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかる干渉フィルターにおいて、前記第１基板と前記第２基板とが接合される前記接合部にはプラズマ重合膜が形成されていることが望ましい。
【００１１】
この構成によれば、第１基板と第２基板とを接合する接合部にはプラズマ重合膜が形成されている。
接合部にプラズマ重合膜を用いることで、接合部の平坦性を確保し良好な接合強度を得ることができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例にかかる干渉フィルターにおいて、前記第１基板に形成された第１電極と、前記第２基板に前記第１電極に対向する第２電極と、を備え、前記第２基板は前記第２反射膜が設けられた可動部と、前記可動部の周りに前記可動部よりも厚みが薄く形成された薄肉部と、を有することが望ましい。
【００１３】
この構成によれば、第１基板および第２基板には、それぞれ第１電極と第２電極を備え、第２基板には第２反射膜を有する可動部とその周りに薄肉部が設けられている。
この構造では、第１電極と第２電極の間に電圧を印加することで、両者間に静電力が働き、可動部を変位させることができる。そして、この変位により第１反射膜と第２反射膜の間のギャップが変化させることができ、反射膜間のギャップを可変とする干渉フィルター（波長可変干渉フィルター）を構成できる。
そして、このような干渉フィルターにおいても、接合部にて第１基板と第２基板との接合強度が維持され、接合部の剥がれに起因する干渉フィルターの分光精度の低下を防止することができる。
【００１４】
［適用例５］本適用例にかかる干渉フィルターは、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、互いにギャップを介して対向する第１反射膜および第２反射膜と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とが接合部により接合され、前記接合部は、前記第１基板または前記第２基板の板厚方向の平面視において、前記第１反射膜および前記第２反射膜の外側に形成された第１接合部と、前記第１接合部の輪郭線の外側に前記第１接合部と間隔をあけて形成された第２接合部と、を有することを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、第１基板と第２基板を接合する第１接合部の外側に間隔をあけて第２接合部が設けられている。
この構造では、第１基板または第２基板の端部に大きな外力が加わっても、その力はまず第２接合部に働き、第１接合部に直接その外力が加わることがない。また、第２接合部と第１接合部との間に隙間があるため、第２接合部に加わった応力をこの隙間で緩和する効果があり、第１接合部および第２接合部における剥がれを抑制することができる。
このように、本適用例の干渉フィルターは、第１接合部にて第１基板と第２基板との接合強度が維持され、接合部の剥がれに起因する干渉フィルターの分光精度の低下を防止することができる。
また、もし第２接合部の一部に外力により剥がれが生じても、第２接合部と間隔をあけて形成された第１接合部に、その剥がれが進行することがない。
【００１６】
［適用例６］上記適用例にかかる干渉フィルターにおいて、前記第１基板または前記第２基板のどちらか一方に、前記第１接合部と前記第２接合部とを離間させる溝部が設けられていることが望ましい。
【００１７】
この構成によれば、第１接合部と第２接合部との間に溝部が設けられている。
このように、第２接合部と第１接合部との間に溝部があるため、第２接合部に加わった応力をこの溝部で緩和することができ、第１接合部および第２接合部における剥がれをさらに抑制することができる。
【００１８】
［適用例７］上記適用例にかかる干渉フィルターにおいて、前記第２接合部の接合される面積は、前記第１接合部の接合される面積より小さいことが望ましい。
【００１９】
この構成によれば、第２接合部の接合される面積（接合面積）は、第１接合部の接合される面積より小さい。
第２接合部は、第１接合部の外周に形成され、接合面積が第１接合部より小さいことで、干渉フィルターのサイズが大きくなるのを抑制できる。
【００２０】
［適用例８］上記適用例にかかる干渉フィルターにおいて、前記第２接合部は前記第１接合部の前記輪郭線の外周に沿って連続して設けられていることが望ましい。
【００２１】
この構成によれば、第２接合部は第１接合部の輪郭線の外周に沿って連続して設けられている。
このように、第２接合部が第１接合部の外周を保護するように配置され、基板の端部のどの部分からでも外力に対して受けることができ、第１接合部の剥がれを防止することができる。
【００２２】
［適用例９］上記適用例にかかる干渉フィルターにおいて、前記第２接合部は前記第１接合部の前記輪郭線の外周の一部に設けられていることが望ましい。
【００２３】
この構成によれば、第２接合部は第１接合部の輪郭線の外周の一部に設けられている。
このように、特に外力が加わったときに応力が加わる一部分に第２接合部を形成することもでき、設計の自由度が向上する。
【００２４】
［適用例１０］上記適用例にかかる干渉フィルターにおいて、少なくとも、前記第１接合部の前記輪郭線の外側を直線で囲む前記直線の交点を含む場所に、前記第２接合部が形成されていることが望ましい。
【００２５】
この構成によれば、少なくとも、第１接合部の輪郭線の外側を直線で囲む直線の交点を含む場所に、第２接合部が形成されている。つまり、輪郭線を直線で囲む角部に第２接合部が形成されている。
この交点を含む部分は、外力に加わったときに応力が集中する場所であり、この部分に第２接合部を設けることで、この応力を緩和し、特に第１接合部の剥がれを抑制することができる。
【００２６】
［適用例１１］上記適用例にかかる干渉フィルターにおいて、前記第１基板と前記第２基板とが接合される前記接合部にはプラズマ重合膜が形成されていることが望ましい。
【００２７】
この構成によれば、第１基板と第２基板とを接合する接合部にはプラズマ重合膜が形成されている。
接合部にプラズマ重合膜を用いることで、接合部の平坦性を確保して良好な接合強度を得ることができる。
【００２８】
［適用例１２］上記適用例にかかる干渉フィルターにおいて、前記第１基板に形成された第１電極と、前記第２基板に前記第１電極に対向する第２電極と、を備え、前記第２基板は前記第２反射膜が設けられた可動部と、前記可動部の周りに前記可動部よりも厚みが薄く形成された薄肉部と、を有することが望ましい。
【００２９】
この構成によれば、第１基板および第２基板には、それぞれ第１電極と第２電極を備え、第２基板には第２反射膜を有する可動部とその周りに薄肉部が設けられている。
この構造では、第１電極と第２電極の間に電圧を印加することで、両者間に静電力が働き、可動部を変位させることができる。そして、この変位により第１反射膜と第２反射膜の間のギャップが変化させることができ、反射膜間のギャップを可変とする干渉フィルター（波長可変干渉フィルター）を構成できる。
そして、このような干渉フィルターにおいても、接合部にて第１基板と第２基板との接合強度が維持され、接合部の剥がれに起因する干渉フィルターの分光精度の低下を防止することができる。
【００３０】
［適用例１３］本適用例にかかる光学モジュールは、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、互いにギャップを介して対向する第１反射膜および第２反射膜と、前記第１反射膜または前記第２反射膜を透過した光が受光される受光部と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とが接合部により接合され、前記第１基板または前記第２基板の板厚方向の平面視において、前記接合部における輪郭線は、直線から延長された延長線が交わる交点を含まず、前記直線の間を曲線で繋いだ形状を有することを特徴とする。
【００３１】
この構成によれば、第１基板と第２基板とを接合する接合部の輪郭線は、直線から延長された延長線が交わる交点を含まず、直線の間を曲線で繋いだ形状である。つまり、角部を持たずに両直線の間を曲線で繋いだ形状である。
本適用例では、接合部の輪郭線は、直線と直線が交わる部分が角部を持たずに両直線の間を曲線で繋いだ形状であることから、極端に応力が集中する部分がなくなり、接合部における剥がれを抑制することができる。
このことから、本適用例の光学モジュールは、接合部にて第１基板と第２基板との接合強度が維持され、接合部の剥がれに起因する光学モジュールの分光精度の低下を防止することができる。
【００３２】
［適用例１４］本適用例にかかる光学モジュールは、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、互いにギャップを介して対向する第１反射膜および第２反射膜と、前記第１反射膜または前記第２反射膜を透過した光が受光される受光部と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とが接合部により接合され、前記接合部は、前記第１基板または前記第２基板の板厚方向の平面視において、前記第１反射膜および前記第２反射膜の外側に形成された第１接合部と、前記第１接合部の輪郭線の外側に前記第１接合部と間隔をあけて形成された第２接合部と、を有することを特徴とする。
【００３３】
この構成によれば、第１基板と第２基板を接合する第１接合部の外側に間隔をあけて第２接合部が設けられている。
この構造では、第１基板または第２基板の端部に大きな外力が加わっても、その力はまず第２接合部に働き、第１接合部に直接その外力が加わることがない。また、第２接合部と第１接合部との間に隙間があるため、第２接合部に加わった応力をこの隙間で緩和する効果があり、第１接合部および第２接合部における剥がれを抑制することができる。
このように、本適用例の光学モジュールは、第１接合部にて第１基板と第２基板との接合強度が維持され、接合部の剥がれに起因する光学モジュールの分光精度の低下を防止することができる。
【００３４】
［適用例１５］本適用例にかかる電子機器は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、互いにギャップを介して対向する第１反射膜および第２反射膜と、前記第１反射膜または前記第２反射膜を透過した光が受光される受光部と、前記受光部により受光された光に基づいて、前記光の特性が分析される分析処理部と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とが接合部により接合され、前記第１基板または前記第２基板の板厚方向の平面視において、前記接合部における輪郭線は、直線から延長された延長線が交わる交点を含まず、前記直線の間を曲線で繋いだ形状を有することを特徴とする。
【００３５】
この構成によれば、第１基板と第２基板とを接合する接合部の輪郭線は、直線から延長された延長線が交わる交点を含まず、直線の間を曲線で繋いだ形状である。つまり、角部を持たずに両直線の間を曲線で繋いだ形状である。
本適用例では、接合部の輪郭線は、直線と直線が交わる部分が角部を持たずに両直線の間を曲線で繋いだ形状であることから、極端に応力が集中する部分がなくなり、接合部における剥がれを抑制することができる。
このことから、本適用例の電子機器は、接合部にて第１基板と第２基板との接合強度が維持され、接合部の剥がれに起因する電子機器の分光精度の低下を防止することができる。
【００３６】
［適用例１６］本適用例にかかる電子機器は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、互いにギャップを介して対向する第１反射膜および第２反射膜と、前記第１反射膜または前記第２反射膜を透過した光が受光される受光部と、前記受光部により受光された光に基づいて、前記光の特性が分析される分析処理部と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とが接合部により接合され、前記接合部は、前記第１基板または前記第２基板の板厚方向の平面視において、前記第１反射膜および前記第２反射膜の外側に形成された第１接合部と、前記第１接合部の輪郭線の外側に前記第１接合部と間隔をあけて形成された第２接合部と、を有することを特徴とする。
【００３７】
この構成によれば、第１基板と第２基板を接合する第１接合部の外側に間隔をあけて第２接合部が設けられている。
この構造では、第１基板または第２基板の端部に大きな外力が加わっても、その力はまず第２接合部に働き、第１接合部に直接その外力が加わることがない。また、第２接合部と第１接合部との間に隙間があるため、第２接合部に加わった応力をこの隙間で緩和する効果があり、第１接合部および第２接合部における剥がれを抑制することができる。
このように、本適用例の電子機器は、第１接合部にて第１基板と第２基板との接合強度が維持され、接合部の剥がれに起因する電子機器の分光精度の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】第１実施形態のエタロンの構成を示す概略平面図。
【図２】第１実施形態のエタロンの構成を示す概略断面図。
【図３】第１実施形態のエタロンの製造工程を示す工程図（第１基板の製造工程）。
【図４】第１実施形態のエタロンの製造工程を示す工程図（第１基板の製造工程）。
【図５】第１実施形態のエタロンの製造工程を示す工程図（第２基板の製造工程）。
【図６】第１実施形態のエタロンの製造工程を示す工程図（第２基板の製造工程）。
【図７】第１実施形態のエタロンの製造工程を示す工程図（接合および切断工程）。
【図８】第１実施形態の変形例における接合部の輪郭線を示す説明図。
【図９】第２実施形態のエタロンの構成を示す概略平面図。
【図１０】第２実施形態のエタロンの構成を示す概略断面図。
【図１１】第２実施形態のエタロンの製造工程を示す工程図（第１基板の製造工程）。
【図１２】第２実施形態のエタロンの製造工程を示す工程図（第１基板の製造工程）。
【図１３】第２実施形態のエタロンの製造工程を示す工程図（接合および切断工程）。
【図１４】第２実施形態の変形例を示す概略平面図。
【図１５】第２実施形態の他の変形例を示す概略平面図。
【図１６】第２実施形態の他の変形例を示す概略平面図。
【図１７】第２実施形態の他の変形例における第２接合部の形状を示す説明図。
【図１８】第３実施形態における電子機器としての測色装置の構成を示すブロック図。
【図１９】第４実施形態における電子機器としてのガス検出装置の構成を示す断面図。
【図２０】第４実施形態におけるガス検出装置の回路ブロック図。
【図２１】第５実施形態における電子機器としての食物分析装置の構成を示すブロック図。
【図２２】第６実施形態における電子機器としての分光カメラの構成を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更している。
［第１実施形態］
【００４０】
図１は本実施形態のエタロン（波長可変干渉フィルター）の構成を示す概略平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断線に沿う概略断面図である。
（エタロン５の構成）
図１、図２に示すように、エタロン５は、平面視が矩形で板状の光学部材であり、第１基板（固定基板）１０および第２基板（可動基板）２０を備えている。
これらの第１基板１０および第２基板２０は、それぞれ例えば、石英ガラス、ソーダガラス、結晶性ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などの基材からなり、板状の基材をエッチングすることにより形成されている。
そして、エタロン５は、第１基板１０および第２基板２０が接合されて一体に構成される。この接合には、第１基板１０および第２基板２０に設けられた接合膜１７，２７が結合することにより固定される。接合膜１７，２７としては、ポリオルガノシロキサンを主材料としたプラズマ重合膜が採用されている。プラズマ重合膜は１０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で形成される。
【００４１】
第１基板１０は、厚みが例えば５００μｍの基材をエッチング加工して形成される。この第１基板１０にはエッチングにより第１凹部１２が設けられ、第１凹部１２の底部における中央部はその周りよりも円柱状に突出した形状となっている。
また、第１凹部１２の外縁には、第２基板２０との接合において第２基板２０を支持する支持部１３が設けられている。
【００４２】
第１凹部１２の中央部にはＳｉＯ2膜などの絶縁膜１４が形成され、その上に第１反射膜１６が形成されている。この第１反射膜１６は、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などの高屈折率の誘電体膜１６ａと、Ａｇ合金、Ａｌ合金などの金属膜１６ｂを有している。第１反射膜１６は、絶縁膜１４の上に誘電体膜１６ａが成膜され、誘電体膜１６ａの上に金属膜１６ｂが成膜されている。
なお、第１反射膜１６は、誘電体膜１６ａを用いず純Ａｇなどの金属、またはＡｇなどの金属を主成分とする金属合金の単層で形成しても良い。
【００４３】
そして、平面視で第１反射膜１６を取り巻くように円環状に、第１電極１５が形成されている。そして、第１電極１５は引き出し電極１５ａを介して、第１基板１０の四隅のうちの一つの隅部に形成された接続パッド１５ｂに接続されている。
第１電極１５、引き出し電極１５ａおよび接続パッド１５ｂは導電膜であり、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）膜が用いられる。また、これらの導電膜はＣｒ膜を下地とし、その上にＡｕ膜を積層したＣｒ／Ａｕ膜などを用いても良い。
【００４４】
第１電極１５上には、第１反射膜１６の下層に形成された絶縁膜１４が延長されて覆っている。さらに絶縁膜１４は支持部１３の上面まで延出して形成されている。
そして、支持部１３の絶縁膜１４の上には接合膜１７が形成されている。
【００４５】
第２基板２０は、矩形の板状基材を用い、例えば、厚みが２００μｍの基材の一面をエッチングにより加工することで形成される。
この第２基板２０には、基板中央を中心とする円柱状の可動部２３ａと、その周りに可動部２３ａを保持する薄肉部２３ｂと、から構成されるダイヤフラム２３を有している。
薄肉部２３ｂは、第１基板１０と対向する面とは反対の面に円環状の第２凹部２２が形成され、可動部２３ａの厚みより薄くなるように形成されている。
このように、第２基板２０はダイヤフラム構造を持ち、可動部２３ａが第２基板２０の厚み方向に移動しやすいように構成されている。
【００４６】
第２基板２０の第１基板１０と対向する面には、第２反射膜２６、第２電極２５、引き出し電極２５ａおよび接続パッド２５ｂが形成されている。
第２反射膜２６は、第１反射膜１６と同様に、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などの光屈折率の誘電体膜２６ａと、Ａｇ合金、Ａｌ合金などの金属膜２６ｂを有している。第２反射膜２６は、第２基板２０の上に誘電体膜２６ａが成膜され、誘電体膜２６ａの上に金属膜２６ｂが成膜されている。
なお、第２反射膜２６は、誘電体膜を用いず純Ａｇなどの金属、またはＡｇなどの金属を主成分とする金属合金の単層で形成しても良い。
【００４７】
第２電極２５は第１電極１５と対向する薄肉部２３ｂに設けられている。この第２電極２５は第２反射膜２６を取りまくように、円環状に形成されている。
そして、第２電極２５は引き出し電極２５ａを介して、第２基板２０の四隅のうちの一つの隅部に形成された接続パッド２５ｂに接続されている。この接続パッド２５ｂは、前述した第１基板１０の接続パッド１５ｂと対角となるように配置される。
第２電極２５、引き出し電極２５ａおよび接続パッド２５ｂは導電膜であり、例えばＩＴＯ膜が用いられる。また、これらの導電膜はＣｒ膜を下地とし、その上にＡｕ膜を積層したＣｒ／Ａｕ膜などを用いても良い。
【００４８】
そして、第２基板２０には、第１基板１０に形成された接合膜１７と対応する位置に接合膜２７が形成されている。
この接合膜１７，２７による第１基板１０と第２基板２０との接合部４５は、図１に示すように、２箇所に分かれて接合されている。２つの接合部４５の間には溝部（図示せず）が形成され、この溝部に引き出し電極１５ａ，２５ａが配置できるように構成されている。
第１基板１０または第２基板２０の板厚方向の平面視において、接合部４５の輪郭線Ｌ１は、直線から延長された延長線が交わる交点を含まず、直線の間を曲線で繋いだ形状である。つまり、直線と直線とが交わる部分が角部を持たずに直線の間を半径ｒの円弧で繋いだ形状を有している。この半径ｒは約１０μｍ以上とすることが好ましい。接合部４５の接合面積は両基板に加わる外力などが考慮されて必要とされる接合強度から設定される。
【００４９】
第１基板１０と第２基板２０とが接合された状態では、第１反射膜１６と第２反射膜２６、および第１電極１５と第２電極２５とがギャップを介して対向配置されている。そして、第１電極１５と第２電極２５とにより静電アクチュエーター４０が構成され、第１反射膜１６と第２反射膜２６との間のギャップ寸法の調整が行われる。
【００５０】
上記のエタロン５では、対向する第１反射膜１６と第２反射膜２６とのギャップ寸法を変えるために、静電アクチュエーター４０を駆動させると、静電力により第１電極１５と第２電極２５とが引き合い、第２基板２０の薄肉部２３ｂが撓んで、可動部２３ａが第１基板１０に近づくように変位する。可動部２３ａには第２反射膜２６が設けられ、第１反射膜１６と第２反射膜２６との間のギャップを調整することができる。
【００５１】
なお、エタロン５は、第１電極１５と第２電極２５との距離が第１反射膜１６と第２反射膜２６との距離より大きく形成されている。例えば、第１電極１５と第２電極２５の間に電圧を印加しない初期状態において、第１電極１５と第２電極２５との距離が例えば１μｍ、第１反射膜１６と第２反射膜２６との距離（ギャップ寸法）が例えば０．５μｍに設定されている。このため、第１電極１５と第２電極２５との間のギャップ寸法が微小となったときに急激に引っ張る力が増加するプルイン現象を抑制する構成となっている。
また、本実施形態のエタロン５は、第２基板２０の一部である可動部２３ａが第１基板１０に対して変位可能に構成したが、第２基板２０の全体が第１基板１０に対して変位可能な構成としても良い。
【００５２】
（エタロン５の製造方法）
次に、上記エタロンの製造方法について説明する。
＜第１基板１０の製造工程＞
図３、図４は、第１基板の製造工程を示す工程図であり、図２と同様な概略断面図にて表してある。
石英ガラスなどの基材の両面を鏡面研磨し、厚み５００μｍの第１基材１１を製作する。そして、第１基材１１の一方の面にレジストを塗布し、第１凹部を作りこむためのレジストパターニングを行う。
次に、図３（ａ）に示すように、フッ酸水溶液を用いて、第１基材１１の中央部をエッチングする。エッチングは０．５μｍの深さまで行われ、第１基材１１に凹部１２ａを形成する。
そして、第１基材１１の凹部１２ａを形成した面にレジストを塗布し、第１電極を形成する部分を作りこむためのレジストのパターニングをする。
続いて、図３（ｂ）に示すように、フッ酸水溶液を用いて、第１基材１１を１μｍの深さまでエッチングし、第１凹部１２内の第１電極を形成する部分と第１反射膜を形成する部分とを分離する。また、第１凹部１２の形成と同じくして支持部１３を形成する。
【００５３】
次に、第１基材１１の第１凹部１２を形成した面の全面に電極形成膜を成膜する。電極形成膜はＩＴＯ膜にて構成され、スパッタリング法により膜厚１００ｎｍに成膜する。
そして、電極形成膜上にレジストを塗布し、第１電極、引き出し電極、接続パッドのレジストパターニングを行う。その後、レジストの開口からＩＴＯ膜で形成された電極形成膜を酸性の溶液でエッチングする。
そして、レジストを剥離して、図３（ｃ）に示すように、第１凹部１２内に第１電極１５、引き出し電極１５ａ（図示せず）、接続パッド１５ｂを形成する。
【００５４】
続いて、図３（ｄ）に示すように、第１凹部１２から支持部１３の上面にかけて絶縁膜１４を成膜する。絶縁膜１４はＳｉＯ2膜などで形成され、スパッタリング法またはＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法により膜厚１００ｎｍに成膜する。
【００５５】
次に、絶縁膜１４の上にレジストを塗布し、第１反射膜の形状が開口するレジストパターニングをする。その後、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などの高屈折率の誘電体材料をスパッタリング法または蒸着法により成膜する。この誘電体材料は膜厚５０ｎｍに成膜する。
そして、レジストを剥離することで、図４（ａ）に示すように、絶縁膜１４上に誘電体膜１６ａを形成する。
【００５６】
続いて、誘電体膜１６ａを形成した面に、Ａｇ合金、Ａｌ合金などの高反射率の金属材料をスパッタリング法または蒸着法により成膜する。この金属材料で形成された金属膜は膜厚５０ｎｍに成膜する。
次に、金属膜の上にレジストを塗布し、第１反射膜の形状を残すレジストパターニングをする。そして、燐酸硝酢酸水溶液などの酸性溶液で金属膜をエッチングし、その後レジストを剥離することで、図４（ｂ）に示すように、誘電体膜１６ａの上に金属膜１６ｂが形成できる。
【００５７】
次に、図４（ｃ）に示すように、支持部１３の上面に形成された絶縁膜１４の上に接合膜１７を成膜する。接合膜１７はメタルマスクを使用してＣＶＤ法により形成し、ポリオルガノシロキサンを主材料としたプラズマ重合膜が採用される。なお、プラズマ重合膜の厚みは５０ｎｍに設定する。
このように、上記の工程を経て、第１基板１０が製造される。
【００５８】
＜第２基板２０の製造工程＞
図５、図６は第２基板の製造工程を示す工程図である。
まず、石英ガラスなどの基材の両面を鏡面研磨し、厚み２００μｍの第２基材２１を製作する。
次に、図５（ａ）に示すように、第２基材２１の両面に膜厚５０ｎｍのＣｒ膜およびその上に膜厚５００ｎｍのＡｕ膜からなる耐エッチング膜５０を成膜する。
【００５９】
続いて、第２基材２１の両面にレジストを塗布する。そして、第２基材２１の片面にダイヤフラムの薄肉部を作りこむためのレジストパターニングを行う。レジストパターンは薄肉部を形成する部分のレジストが開口された形状である。
次に、Ａｕ膜をヨウ素とヨウ化カリウムの混合液でエッチングし、Ｃｒ膜を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングし、耐エッチング膜５０をパターニングする。この後、レジストを剥離して図５（ｂ）に示すように、第２基材２１の表面にエッチングマスク５１を形成する。
【００６０】
続いて、図５（ｃ）に示すように、フッ酸水溶液を用いて、第２基材２１をエッチングする。エッチングは１７０μｍの深さまで行われ、第２凹部２２を形成する。この第２凹部２２における第２基材２１の厚みは約３０μｍとなる。
そして、第２基材２１の両面のエッチングマスク５１を剥離し、図５（ｄ）に示すように、可動部２３ａと第２凹部２２の底面である薄肉部２３ｂとから構成されるダイヤフラム２３を形成する。
なお、エッチングマスク５１の剥離は、Ａｕ膜をヨウ素とヨウ化カリウムの混合液でエッチングし、Ｃｒ膜を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングすることで行われる。
【００６１】
次に、第２凹部２２を形成した面とは反対の面に電極形成膜を成膜する。電極形成膜はＩＴＯ膜にて構成され、スパッタリング法により膜厚１００ｎｍに成膜する。
電極形成膜上にレジストを塗布し、第２電極、引き出し電極、接続パッドのレジストパターニングを行う。その後、レジストの開口からＩＴＯ膜で形成された電極形成膜を硝酸と塩酸の混合液でエッチングする。
そして、レジストを剥離して、図６（ａ）に示すように、第２基材２１に第２電極２５、引き出し電極２５ａ（図示せず）、接続パッド２５ｂを形成する。
【００６２】
次に、第２電極２５を形成した第２基材２１の面にレジストを塗布し、第２反射膜の形状が開口するレジストパターニングをする。その後、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などの高屈折率の誘電体材料をスパッタリング法または蒸着法により成膜する。この誘電体材料は膜厚５０ｎｍに成膜する。
そして、レジストを剥離することで、図６（ｂ）に示すように、絶縁膜１４上に誘電体膜２６ａを形成する。
【００６３】
続いて、誘電体膜２６ａを形成した面に、Ａｇ合金、Ａｌ合金などの高反射率の金属材料をスパッタリング法または蒸着法により成膜する。この金属材料で形成された金属膜は膜厚５０ｎｍに成膜する。
次に、金属膜の上にレジストを塗布し、第２反射膜の形状を残すレジストパターニングをする。そして、燐酸硝酢酸水溶液などの酸性溶液で金属膜をエッチングし、その後レジストを剥離することで、図６（ｃ）に示すように、誘電体膜２６ａの上に金属膜２６ｂが形成できる。
【００６４】
次に、図６（ｄ）に示すように、前述した第１基板１０の支持部１３に対応する第２基材２１の部分に接合膜２７を成膜する。接合膜２７はメタルマスクを使用してＣＶＤ法により形成し、ポリオルガノシロキサンを主材料としたプラズマ重合膜が採用される。なお、プラズマ重合膜の厚みは５０ｎｍに設定する。
このように、上記の工程を経て、第２基板２０が製造される。
【００６５】
＜接合工程および切断工程＞
図７は第１基板と第２基板の接合工程を示す工程図である。
上記の製造工程により得られた第１基板１０と第２基板２０とを接合する工程では、まず、それぞれの接合膜１７，２７に活性化エネルギーを与えるために活性化処理を行う。活性化処理としてＯ2プラズマ処理、ＵＶ処理などが行われる。なお、活性化処理を行う際に、第１反射膜１６および第２反射膜２６を覆うメタルマスクを使用することで、反射膜を保護することができる。
図７（ａ）に示すように、接合膜１７，２７に活性化処理を施した後、第１基板１０と第２基板２０のアライメントを行い、重ね合わせて荷重をかけることで第１基板１０と第２基板２０の接合が行われる。
そして、図７（ｂ）に示すように、接続パッド１５ｂが露出するように接続パッド１５ｂの上方に位置する第２基板２０の端部を切断またはスクライブ加工およびブレイキング処理を行う。また、接続パッド２５ｂも同様に、接続パッド２５ｂが露出するように第１基板１０の端部を切断またはスクライブ加工およびブレイキング処理を行う。
このように、上記の製造工程を経てエタロン５が製造される。
【００６６】
以上、本実施形態の干渉フィルターとしてのエタロン５は、第１基板１０と第２基板２０とを接合する接合部４５の輪郭線Ｌ１は、直線から延長された延長線が交わる交点を含まず、直線の間を曲線で繋いだ形状である。つまり、直線と直線とが交わる部分が角部を持たずに両直線の間を円弧で繋いだ形状である。
このように、接合部４５の輪郭線Ｌ１に、応力が集中しやすい角部がないため、例えば上記で説明したエタロン５の製造工程での第１基板１０と第２基板２０の切断工程などで接合部４５に外力が加わっても、接合部４５が剥がれることがない。これは、接合部４５に加わる応力は円弧部分に等しく作用し、加わる応力が均等となり、接合部４５における剥がれを抑制することができると考えられる。また、エタロン５の製造工程だけでなく、エタロン５の取り扱いにおいて接合部に外力が加わることがあるが、この場合においても、同様に接合部４５の剥がれを抑制することができる。
このことから、本実施形態のエタロン５は、接合部４５にて第１基板１０と第２基板２０との接合強度が維持され、接合部４５の剥がれに起因するエタロン５の分光精度の低下を防止することができる。
なお、本実施形態では反射膜間のギャップを可変とする波長可変干渉フィルターを例にとって説明したが、反射膜間のギャップを固定とする干渉フィルターであっても同様の効果を得ることができる。
（第１実施形態の変形例）
【００６７】
次に、第１実施形態の変形例について説明する。
図８は第１実施形態の変形例における接合部の輪郭線の一部を示す説明図である。
本変形例では、接合部４５の輪郭線が異なるのみであり、他の構成要素は第１実施形態と同様である。
図８（ａ）は、接合部４５の輪郭線Ｌ２が、直線と直線とが交わる交点を含まず、両直線の間を曲線で繋いだ形状である。
図８（ｂ）は、接合部４５の輪郭線Ｌ３が、直線と直線とが交わる交点を含まず、両直線の間を複数の円弧で繋いだ形状である。
【００６８】
本変形例では第１実施形態と同様に直線と直線とが交わる部分が角部を持たない。このため、極端に応力が集中する部分がなくなり、接合部における剥がれを抑制することができる。このように、接合部の輪郭線において、直線と直線とが交わる部分を曲線で繋いだ形状でも、複数の円弧で繋いだ形状でも良い。
［第２実施形態］
【００６９】
次に、第２実施形態におけるエタロンの説明をする。
本実施形態では第１基板と第２基板を接合する接合部の構造が第１実施形態と異なる。詳しくは、第２基板は第１実施形態と同じ構成であり、第１基板の構成のみが異なる。このため、第１実施形態と同様の構成については同符号を付し、説明を省略または簡略化する。
【００７０】
図９は本実施形態のエタロン（波長可変干渉フィルター）の構成を示す概略平面図であり、図１０は図９のＢ−Ｂ断線に沿う概略断面図である。
（エタロン６の構成）
図９、図１０に示すように、エタロン６は、第１基板（固定基板）３０および第２基板（可動基板）２０を備えている。
これらの第１基板３０および第２基板２０は、それぞれ例えば、石英ガラス、ソーダガラス、結晶性ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などの基材からなり、板状の基材をエッチングすることにより形成されている。
そして、エタロン６は、第１基板３０および第２基板２０が接合されて一体に構成される。この接合には、第１基板３０および第２基板２０に設けられた接合膜３７，２７が結合することにより固定される。接合膜３７，２７としては、ポリオルガノシロキサンを主材料としたプラズマ重合膜が採用されている。プラズマ重合膜は１０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で形成される。
【００７１】
第１基板３０は、厚みが例えば５００μｍの基材をエッチング加工して形成される。この第１基板３０にはエッチングにより第１凹部３２が設けられ、第１凹部３２の底部における中央部はその周りよりも円柱状に突出した形状となっている。
また、第２基板２０との接合において第２基板２０を支持する支持部３３が設けられている。支持部３３は、第１支持部３３ａと第２支持部３３ｂとを備え、両者の間には第１基板３０の厚み方向に溝部３８が形成されている。
第１支持部３３ａは第１凹部３２の外縁に設けられ、溝部３８を挟んで第１支持部３３ａに沿って第２支持部３３ｂが設けられている。
【００７２】
第１凹部３２の中央部にはＳｉＯ2膜などの絶縁膜３４が形成され、その上に第１反射膜３６が形成されている。この第１反射膜３６は、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などの高屈折率の誘電体膜３６ａと、Ａｇ合金、Ａｌ合金などの金属膜３６ｂを有している。第１反射膜３６は、絶縁膜３４の上に誘電体膜３６ａが成膜され、誘電体膜３６ａの上に金属膜３６ｂが成膜されている。
なお、第１反射膜３６は、誘電体膜を用いず純Ａｇなどの金属、またはＡｇなどの金属を主成分とする金属合金の単層で形成しても良い。
【００７３】
そして、平面視で第１反射膜３６を取り巻くように円環状に、第１電極３５が形成されている。そして、第１電極３５は引き出し電極３５ａを介して、第１基板３０の四隅のうちの一つの隅部に形成された接続パッド３５ｂに接続されている。
第１電極３５、引き出し電極３５ａおよび接続パッド３５ｂは導電膜であり、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）膜が用いられる。また、これらの導電膜はＣｒ膜を下地とし、その上にＡｕ膜を積層したＣｒ／Ａｕ膜などを用いても良い。
【００７４】
第１電極３５上には、第１反射膜３６の下層に形成された絶縁膜３４が延長されて覆っている。さらに絶縁膜３４は支持部３３の上面および溝部３８まで延出して形成されている。そして、第１支持部３３ａ、第２支持部３３ｂ上面の絶縁膜３４の上には接合膜３７が形成されている。
【００７５】
第２基板２０は第１実施形態で説明したものと同じである。
第２基板２０には、第１基板３０に形成された接合膜３７と対応する位置に接合膜２７が形成されている。
そして、第１基板３０と第２基板２０とは第１接合部４１と第２接合部４２にて接合されている。
【００７６】
第１接合部４１は図９に示すように、ダイヤフラム２３の薄肉部２３ｂの外縁部の一部を含み、２箇所に分かれて形成されている。２つの第１接合部４１の間には溝部（図示せず）が形成され、この溝部に引き出し電極３５ａ，２５ａが配置できるように構成されている。
そして、第１基板３０または第２基板２０の板厚方向の平面視において、第１接合部４１の輪郭線Ｌ４は、直線と直線とが交わる部分が角部を持たずに直線の間を円弧で繋いだ形状を有している。
【００７７】
さらに、第１接合部４１の輪郭線Ｌ４の外周に沿って、第１接合部４１と間隔をあけて第２接合部４２が連続して形成されている。この第２接合部４２は、第２接合部４２の輪郭線における直線が交差する部分に角部を有している。
また、第２接合部４２の接合される面積は、第１接合部４１の接合される面積より小さく形成されている。第１接合部４１で接合される接合面積は、第１基板３０および第２基板２０に加わる外力などが考慮されて必要とされる接合強度から充分な強度が得られるように設定されている。このため、第２接合部４２では接合面積は第１接合部４１より小さくても良い。このため、第２接合部４２を設けても、エタロン６のサイズが大きくならずにすむ。
【００７８】
第１基板３０と第２基板２０とが接合された状態では、第１反射膜３６と第２反射膜２６、および第１電極３５と第２電極２５とがギャップを介して対向配置されている。そして、第１電極３５と第２電極２５とにより静電アクチュエーター４０が構成され、第１反射膜３６と第２反射膜２６との間のギャップ寸法の調整が行われる。
【００７９】
上記のエタロン６では、対向する第１反射膜３６と第２反射膜２６とのギャップ寸法を変えるために、静電アクチュエーター４０を駆動させると、静電力により第１電極３５と第２電極２５とが引き合い、第２基板２０の薄肉部２３ｂが撓んで、可動部２３ａが第１基板３０に近づくように変位する。可動部２３ａには第２反射膜２６が設けられ、第１反射膜３６と第２反射膜２６との間のギャップを調整することができる。
なお、本実施形態のエタロン６では、溝部３８を形成しなくても実施することが可能である。
【００８０】
（エタロン６の製造方法）
次に、上記エタロンの製造方法について説明する。ここでは、第２基板２０は第１実施形態で説明しており、説明を省略する。
＜第１基板３０の製造工程＞
図１１、図１２は、第１基板の製造工程を示す工程図であり、図１０と同様な概略断面図にて表してある。
石英ガラスなどの基材の両面を鏡面研磨し、厚み５００μｍの第１基材を製作する。そして、第１基材３１の一方の面にレジストを塗布し、第１凹部を作りこむためのレジストパターニングを行う。
次に、図１１（ａ）に示すように、フッ酸水溶液を用いて、第１基材３１の中央部をエッチングする。エッチングは０．５μｍの深さまで行われ、第１基材３１に凹部３２ａを形成する。
そして、第１基材３１の凹部３２ａを形成した面にレジストを塗布し、第１電極を形成する部分を作りこむためのレジストのパターニングをする。
続いて、図１１（ｂ）に示すように、フッ酸水溶液を用いて、第１基材３１を１μｍの深さまでエッチングし、第１凹部３２内の第１電極を形成する部分と第１反射膜を形成する部分とを分離する。また、第１凹部３２の形成と同じくして溝部３８を形成することで第１支持部３３ａ、第２支持部３３ｂを形成する。
【００８１】
次に、第１基材３１の第１凹部３２を形成した面の全面に電極形成膜を成膜する。電極形成膜はＩＴＯ膜にて構成され、スパッタリング法により膜厚１００ｎｍに成膜する。
そして、電極形成膜上にレジストを塗布し、第１電極、引き出し電極、接続パッドのレジストパターニングを行う。その後、レジストの開口からＩＴＯ膜で形成された電極形成膜を酸性の溶液でエッチングする。
そして、レジストを剥離して、図１１（ｃ）に示すように、第１凹部３２内に第１電極３５、引き出し電極３５ａ（図示せず）、接続パッド３５ｂを形成する。
【００８２】
続いて、図１１（ｄ）に示すように、第１凹部３２から支持部３３の上面にかけて絶縁膜３４を成膜する。絶縁膜３４はＳｉＯ2膜などで形成され、スパッタリング法またはＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法により膜厚１００ｎｍに成膜する。
【００８３】
次に、絶縁膜３４の上にレジストを塗布し、第１反射膜の形状が開口するレジストパターニングをする。その後、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などの高屈折率の誘電体材料をスパッタリング法または蒸着法により成膜する。この誘電体材料は膜厚５０ｎｍに成膜する。
そして、レジストを剥離することで、図１２（ａ）に示すように、絶縁膜３４上に誘電体膜３６ａを形成する。
【００８４】
続いて、誘電体膜３６ａを形成した面に、Ａｇ合金、Ａｌ合金などの高反射率の金属材料をスパッタリング法または蒸着法により成膜する。この金属材料で形成された金属膜は膜厚５０ｎｍに成膜する。
次に、金属膜の上にレジストを塗布し、第１反射膜の形状を残すレジストパターニングをする。そして、燐酸硝酢酸水溶液などの酸性溶液で金属膜をエッチングし、その後レジストを剥離することで、図１２（ｂ）に示すように、誘電体膜３６ａの上に金属膜３６ｂが形成できる。
【００８５】
次に、図１２（ｃ）に示すように、支持部３３の上面に形成された絶縁膜１４の上に接合膜３７を成膜する。接合膜３７はメタルマスクを使用してＣＶＤ法により形成し、ポリオルガノシロキサンを主材料としたプラズマ重合膜が採用される。なお、プラズマ重合膜の厚みは５０ｎｍに設定する。
このように、上記の工程を経て、第１基板３０が製造される。
【００８６】
＜接合工程および切断工程＞
図１３は第１基板と第２基板の接合工程を示す工程図である。
上記の製造工程により得られた第１基板３０と第２基板２０とを接合する工程では、まず、それぞれの接合膜３７，２７に活性化エネルギーを与えるために活性化処理を行う。活性化処理としてＯ2プラズマ処理、ＵＶ処理などが行われる。なお、活性化処理を行う際に、第１反射膜３６および第２反射膜２６を覆うメタルマスクを使用することで、反射膜を保護することができる。
図１３（ａ）に示すように、接合膜３７，２７に活性化処理を施した後、第１基板３０と第２基板２０のアライメントを行い、重ね合わせて荷重をかけることで第１基板３０と第２基板２０の接合が行われる。
そして、図１３（ｂ）に示すように、接続パッド３５ｂが露出するように接続パッド３５ｂの上方に位置する第２基板２０の端部を切断またはスクライブ加工およびブレイキング処理を行う。また、接続パッド２５ｂも同様に、接続パッド２５ｂが露出するように第１基板３０の端部を切断またはスクライブ加工およびブレイキング処理を行う。
このように、上記の製造工程を経てエタロン６が製造される。
【００８７】
以上、本実施形態の干渉フィルターとしてのエタロン６は、第１基板３０と第２基板２０を接合する第１接合部４１の外側に間隔をあけて第２接合部４２が設けられている。
この構造では、第１基板３０または第２基板２０の端部に、例えば上記で説明したエタロン６の製造工程での第１基板３０と第２基板２０の切断工程などで接合部４５に外力が加わっても、その力はまず第２接合部４２に働き、第１接合部４１に直接その外力が加わることがない。また、第２接合部４２と第１接合部４１との間に隙間があるため、第２接合部４２に加わった応力をこの隙間で緩和する効果があり、第１接合部４１および第２接合部４２における剥がれを抑制することができる。
なお、エタロン６の製造工程だけでなく、エタロン６の取り扱いにおいて接合部に外力が加わることがあるが、この場合においても、同様に第１接合部４１、第２接合部４２の剥がれを抑制することができる。
【００８８】
また、第１接合部４１と第２接合部４２との間に溝部３８が設けられ、第２接合部４２に加わった応力をこの溝部３８で緩和することができ、第１接合部４１および第２接合部４２における剥がれをさらに抑制することができる。
このように、本実施形態のエタロン６は、第１接合部４１にて第１基板３０と第２基板２０との接合強度が維持され、接合部の剥がれに起因するエタロン６の分光精度の低下を防止することができる。
また、もし第２接合部４２の一部に外力により剥がれが生じても、第２接合部４２と間隔をあけて形成された第１接合部４１に、その剥がれが進行することがない。
なお、本実施形態では反射膜間のギャップを可変とする波長可変干渉フィルターを例にとって説明したが、反射膜間のギャップを固定とする干渉フィルターであっても同様の効果を得ることができる。
（第２実施形態の変形例）
【００８９】
次に第２実施形態の変形例について数種類の例をあげて説明する。この変形例では第２実施形態で説明した第１接合部と第２接合部に相当する部分の形状が異なる。このため、接合部以外の構成については第２実施形態と同じ符号を付し説明を省略する。
図１４は第２実施形態の変形例を示す概略平面図である。
エタロン７では、第１基板３０と第２基板２０とが第１接合部４１ａと第２接合部４２とで接合されている。第１接合部４１ａは、図９に示した第２実施形態のエタロン６とは異なり、第１接合部４１ａの輪郭線Ｌ５における直線が交差する部分に角部を有している。そして、第１接合部４１ａの外周に沿って、第１接合部４１ａと間隔をあけて第２接合部４２が形成されている。この第２接合部４２も、直線が交差する部分に角部を有している。
このような構成のエタロン７においても、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９０】
図１５は第２実施形態の他の変形例を示す概略平面図である。
エタロン８では、第１基板３０と第２基板２０とが第１接合部４１と第２接合部４２ａとで接合されている。第１接合部４１は、図９に示した第２実施形態のエタロン６と同様に、平面視において、第１接合部４１の輪郭線Ｌ６は、直線と直線とが交わる部分が角部を持たずに直線の間を円弧で繋いだ形状を有している。そして、第１接合部４１の外周に沿って、第１接合部４１と間隔をあけて第２接合部４２ａが形成されている。この第２接合部４２ａも、直線と直線とが交わる部分が角部を持たずに直線の間を円弧で繋いだ形状を有している。
このように、第１接合部４１と第２接合部４２ａの両者において、接合部分に角部を持たないため、第１基板３０または第２基板２０に外力が加わっても、応力が集中する場所がなく、接合部が剥がれ難いと言う効果がある。
【００９１】
図１６は第２実施形態の他の変形例を示す概略平面図である。
エタロン９では、第１基板３０と第２基板２０とが第１接合部４１と第２接合部４３，４４とで接合されている。第１接合部４１は、図９に示した第２実施形態のエタロン６と同様に、平面視において、第１接合部４１の輪郭線Ｌ７は、直線と直線とが交わる部分が角部を持たずに直線の間を円弧で繋いだ形状を有している。そして、第１接合部４１の外周に沿って、第１接合部４１と間隔をあけて島状に多数の第２接合部４３，４４が形成されている。
第２接合部４３は、第１接合部４１の輪郭線Ｌ７の外側を直線で囲む直線の交点Ｎを含む場所に設けられている。また、この交点Ｎを含まない場所、例えば輪郭線Ｌ７に沿う一辺に複数の第２接合部４４を設けても良い。
この第２接合部４３，４４は、図１６では平面視で正方形に設けたが、矩形や円形でも、他の形でも良い。
例えば、図１７に示すように、第１接合部４１の輪郭線Ｌ８の外側を直線で囲む直線の交点Ｎを含む場所に、第１接合部４１の輪郭線Ｌ８の円弧に沿った形状としても良い。
このように、少なくとも、第１接合部４１の輪郭線Ｌ８の外側を直線で囲む直線の交点Ｎを含む場所に、第２接合部４３，４３ａが形成されている。
この交点Ｎを含む部分は、外力に加わったときに応力が集中する場所であり、この部分に第２接合部４３，４３ａを設けることで、この応力を緩和し、第１接合部４１および第２接合部４３，４３ａの剥がれを抑制することができる。
［第３実施形態］
【００９２】
次に、上記第１、第２実施形態で説明したエタロンを用いた光学モジュールおよび電子機器について説明する。
第３実施形態では、測定物の色度を測定する測色装置を例にとって説明する。
図１８は測色装置の構成を示すブロック図である。
測色装置８０は、検査対象Ａに光を照射する光源装置８２と、測色センサー８４（光学モジュール）と、測色装置８０の全体動作を制御する制御装置８６とを備える。
この測色装置８０は、検査対象Ａに光源装置８２から光を照射し、検査対象Ａから反射された検査対象光を測色センサー８４にて受光し、測色センサー８４から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度を分析して測定する装置である。
【００９３】
光源装置８２は、光源９１、複数のレンズ９２（図１８には１つのみ図示）を備え、検査対象Ａに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ９２には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置８２は、光源９１から射出された光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Ａに向かって射出する。
なお、本実施形態では、光源装置８２を備える測色装置８０を例示するが、例えば検査対象Ａが発光部材である場合、光源装置８２を設けずに測色装置を構成してもよい。
【００９４】
光学モジュールとしての測色センサー８４は、エタロン（波長可変干渉フィルター）５と、静電アクチュエーター４０に印加する電圧を制御し、エタロン５で透過させる光の波長を変える電圧制御部９４と、エタロン５を透過した光を受光する受光部９３（検出部）と、を備える。
また、測色センサー８４は、検査対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、エタロン５に導光する光学レンズ（図示せず）を備えている。そして、この測色センサー８４は、光学レンズに入射した検査対象光をエタロン５で所定波長帯域の光に分光し、分光した光が受光部９３にて受光される。
受光部９３は、検出部としてフォトダイオードなどの光電変換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光部９３は制御装置８６に接続され、生成した電気信号を受光信号として制御装置８６に出力する。
【００９５】
電圧制御部９４は、制御装置８６からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター４０に印加する電圧を制御する。
【００９６】
制御装置８６は、測色装置８０の全体動作を制御する。この制御装置８６としては、例えば汎用パーソナルコンピューター、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置８６は、光源制御部９５、測色センサー制御部９７、および測色処理部９６（分析処理部）などを備えて構成されている。
【００９７】
光源制御部９５は、光源装置８２に接続されている。そして、光源制御部９５は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置８２に所定の制御信号を出力し、光源装置８２から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部９７は、測色センサー８４に接続されている。そして、測色センサー制御部９７は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー８４にて受光させる光の波長を設定し、この波長の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー８４に出力する。これにより、測色センサー８４の電圧制御部９４は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長を透過させるよう、静電アクチュエーター４０への印加電圧を設定する。
【００９８】
測色処理部９６は、測色センサー制御部９７を制御して、エタロン５の反射膜間のギャップ寸法を変動させて、エタロン５を透過する光の波長を変化させる。また、測色処理部９６は、受光部９３から入力される受光信号に基づいて、エタロン５を透過した光量を取得する。そして、測色処理部９６は、上記により得られた各波長の受光量に基づいて、検査対象Ａから反射された光の色度を算出する。
【００９９】
このように、本実施形態の電子機器としての測色装置８０および光学モジュールとしての測色センサー８４は、反射膜間のギャップ寸法を精度よく設定することができ、分光精度に優れたエタロン５を有していることから、精度のよい測色センサーを得ることができる。
以上、第３実施形態では、電子機器として測色装置８０を例示したが、その他、様々な分野に波長可変干渉フィルター、光学モジュール、電子機器を用いることができる。
例えば、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムとして用いることができる。このようなシステムとしては、例えば、エタロンを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器などのガス検出装置を例示できる。
［第４実施形態］
【０１００】
以下、ガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。
【０１０１】
図１９は、エタロンを備えたガス検出装置の一例を示す断面図である。
図２０は、ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置１００は、図１９に示すように、センサーチップ１１０と、吸引口１２０Ａ、吸引流路１２０Ｂ、排出流路１２０Ｃ、および排出口１２０Ｄを備えた流路１２０と、本体部１３０と、を備えて構成されている。
本体部１３０は、流路１２０を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー１３１、排出手段１３３、筐体１３４、光学部１３５、フィルター１３６、エタロン（波長可変干渉フィルター）５、および受光素子１３７（受光部）等を含む検出部（光学ジュール）と、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部１３８、電力を供給する電力供給部１３９等から構成されている。また、光学部１３５は、光を射出する光源１３５Ａと、光源１３５Ａから入射された光をセンサーチップ１１０側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子１３７側に透過するビームスプリッター１３５Ｂと、レンズ１３５Ｃ，１３５Ｄ，１３５Ｅと、により構成されている。
【０１０２】
また、図２０に示すように、ガス検出装置１００には、操作パネル１４０、表示部１４１、外部とのインターフェイスのための接続部１４２、電力供給部１３９が設けられている。電力供給部１３９が二次電池の場合には、充電のための接続部１４３を備えてもよい。
さらに、ガス検出装置１００の制御部１３８は、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１４４、光源１３５Ａを制御するための光源ドライバー回路１４５、エタロン５を制御するための電圧制御部１４６、受光素子１３７からの信号を受信する受光回路１４７、センサーチップ１１０のコードを読み取り、センサーチップ１１０の有無を検出するセンサーチップ検出器１４８からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１４９、および排出手段１３３を制御する排出ドライバー回路１５０などを備えている。
【０１０３】
次に、ガス検出装置１００の動作について、以下に説明する。
本体部１３０の上部のセンサー部カバー１３１の内部には、センサーチップ検出器１４８が設けられており、このセンサーチップ検出器１４８でセンサーチップ１１０の有無が検出される。信号処理部１４４は、センサーチップ検出器１４８からの検出信号を検出すると、センサーチップ１１０が装着された状態であると判断し、表示部１４１へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
【０１０４】
そして、例えば利用者により操作パネル１４０が操作され、操作パネル１４０から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部１４４へ出力されると、まず、信号処理部１４４は、光源ドライバー回路１４５に光源作動の信号を出力して光源１３５Ａを作動させる。光源１３５Ａが駆動されると、光源１３５Ａから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源１３５Ａには、温度センサー、光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部１４４へ出力される。そして、信号処理部１４４は、光源１３５Ａから入力された温度および光量に基づいて、光源１３５Ａが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路１５０を制御して排出手段１３３を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口１２０Ａから、吸引流路１２０Ｂ、センサーチップ１１０内、排出流路１２０Ｃ、排出口１２０Ｄへと誘導される。
【０１０５】
また、センサーチップ１１０は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ１１０では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、およびレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部１３５を通ってフィルター１３６に入射し、フィルター１３６によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光がエタロン５に入射する。そして、信号処理部１４４は、電圧制御部１４６を制御し、エタロン５に印加する電圧を調整し、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光をエタロン５で分光させる。この後、分光した光が受光素子１３７で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１４７を介して信号処理部１４４に出力される。
信号処理部１４４は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ＲＯＭに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部１４４は、表示部１４１にその結果情報を表示させたり、接続部１４２から外部へ出力したりする。
【０１０６】
なお、図１９、図２０において、ラマン散乱光をエタロン５により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置１００を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置１００を本発明の電子機器とする。このような構成でも、本発明のエタロンを用いてガスの成分を検出することができる。
【０１０７】
また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物、生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
［第５実施形態］
【０１０８】
次に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。
【０１０９】
図２１は、エタロン５を利用した電子機器の一例である食物分析装置の構成を示すブロック図である。
この食物分析装置２００は、検出器（光学モジュール）２１０と、制御部２２０と、表示部２３０と、を備えている。検出器２１０は、光を射出する光源２１１と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ２１２と、撮像レンズ２１２から導入された光を分光するエタロン５と、分光された光を検出する撮像部（受光部）２１３と、を備えている。
また、制御部２２０は、光源２１１の点灯・消灯制御、点灯時の明るさの制御を実施する光源制御部２２１と、エタロン５を制御する電圧制御部２２２と、撮像部２１３を制御し、撮像部２１３で撮像された分光画像を取得する検出制御部２２３と、信号処理部２２４と、記憶部２２５と、を備えている。
【０１１０】
この食物分析装置２００は、装置を駆動させると、光源制御部２２１により光源２１１が制御されて、光源２１１から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ２１２を通ってエタロン５に入射する。エタロン５は電圧制御部２２２の制御により所望の波長を分光可能な電圧が印加されており、分光された光が、例えばＣＣＤカメラ等により構成される撮像部２１３で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部２２５に蓄積される。また、信号処理部２２４は、電圧制御部２２２を制御してエタロン５に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。
【０１１１】
そして、信号処理部２２４は、記憶部２２５に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部２２５には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部２２４は、求めたスペクトルのデータを、記憶部２２５に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、およびその含有量を求める。また、得られた食物成分および含有量から、食物カロリー、鮮度等も算出することができる。さらに、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、さらには、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部２２４は、得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部２３０に表示させる処理をする。
【０１１２】
また、図２１において、食物分析装置２００の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、自動車運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
さらには、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
【０１１３】
さらには、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられたエタロンにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
［第６実施形態］
【０１１４】
また、他の電子機器として、本発明のエタロン（波長可変干渉フィルター）により光を分光して、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、エタロンを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図２２は、分光カメラの構成を示す斜視図である。分光カメラ３００は、図２２に示すように、カメラ本体３１０と、撮像レンズユニット３２０と、撮像部３３０とを備えている。
カメラ本体３１０は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット３２０は、カメラ本体３１０に設けられ、入射した画像光を撮像部３３０に導光する。また、この撮像レンズユニット３２０は、対物レンズ３２１、結像レンズ３２２、およびこれらのレンズ間に設けられたエタロン５を備えて構成されている。
撮像部３３０は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット３２０により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ３００では、エタロン５により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。
【０１１５】
さらには、本発明のエタロンをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明のエタロンを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管、指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
【０１１６】
さらには、光学モジュールおよび電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、エタロンにより、物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。
【０１１７】
上記に示すように、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、および電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明のエタロンは、上述のように、１つのデバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用途、車載用途として好適に用いることができる。
【０１１８】
本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更することができる。そして、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有するものにより可能である。
【符号の説明】
【０１１９】
５，６，７，８，９…波長可変干渉フィルター（エタロン）、１０…第１基板、１１…第１基材、１２…第１凹部、１２ａ…凹部、１３…支持部、１４…絶縁膜、１５…第１電極、１５ａ…引き出し電極、１５ｂ…接続パッド、１６…第１反射膜、１６ａ…誘電体膜、１６ｂ…金属膜、１７…接合膜、２０…第２基板、２１…第２基材、２２…第２凹部、２３…ダイヤフラム、２３ａ…可動部、２３ｂ…薄肉部、２５…第２電極、２５ａ…引き出し電極、２５ｂ…接続パッド、２６…第２反射膜、２６ａ…誘電体膜、２６ｂ…金属膜、２７…接合膜、３０…第１基板、３１…第１基材、３２…第１凹部、３２ａ…凹部、３３…支持部、３３ａ…第１支持部、３３ｂ…第２支持部、３４…絶縁膜、３５…第１電極、３５ａ…引き出し電極、３５ｂ…接続パッド、３６…第１反射膜、３６ａ…誘電体膜、３６ｂ…金属膜、３７…接合膜、３８…溝部、４０…静電アクチュエーター、４１…第１接合部、４２…第２接合部、４３…交点を含む第２接合部、４３ａ…第２接合部、４４…第２接合部、４５…接合部、５０…耐エッチング膜、５１…エッチングマスク、８０…電子機器としての測色装置、１００…電子機器としてのガス検出装置、２００…電子機器としての食物分析装置、３００…電子機器としての分光カメラ、Ｌ１〜Ｌ８…輪郭線、Ｎ…交点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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