(57)【要約】【課題】外光反射を抑え、かつ発光層から出射された光の取り出し効率の低下を抑えることの可能な表示装置および電子機器を提供する【解決手段】発光層と、前記発光層側から入射した光を表示面側に反射する反射部と、前記表示面に設けられた吸収型偏光板と、前記発光層と前記吸収型偏光板との間の位相差板と、前記位相差板と前記吸収型偏光板との間に設けられ、前記位相差板の透過光のうち、所定の光軸方向の光を反射する反射型偏光板と、前記発光層と前記反射型偏光板との間に設けられると共に、外光の一部を吸収する外光反射抑制層とを備えた表示装置。【選択図】図３
2013038014.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層と、
前記発光層側から入射した光を表示面側に反射する反射部と、
前記表示面に設けられた吸収型偏光板と、
前記発光層と前記吸収型偏光板との間の位相差板と、
前記位相差板と前記吸収型偏光板との間に設けられ、前記位相差板の透過光のうち、所定の光軸方向の光を反射する反射型偏光板と、
前記発光層と前記反射型偏光板との間に設けられると共に、外光の一部を吸収する外光反射抑制層と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記外光反射抑制層は、前記発光層と前記位相差板との間に設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記外光反射抑制層は、前記位相差板と前記反射型偏光板との間に設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記外光反射抑制層の光透過率は７１％から９５％の範囲内である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記外光反射抑制層の光透過率は７５％より大きい
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記反射部は、前記発光層に電界をかけるための電極である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記外光反射抑制層は、樹脂および染料を含む
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記外光反射抑制層は、前記位相差板の一部である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記外光反射抑制層は、ＴＡＣ（Triacetyl Cellulose）および染料を含む
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記位相差板と前記発光層との間にカラーフィルタ層を備え、
前記外光反射抑制層は、前記カラーフィルタ層のうち前記発光層との対向面に設けられたオーバーコート層である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記発光層は、有機層により構成されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記位相差板は、λ／４位相差板である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
発光層と、
前記発光層側から入射した光を表示面側に反射する反射部と、
前記表示面に設けられた吸収型偏光板と、
前記発光層と前記吸収型偏光板との間の位相差板と、
前記位相差板と前記吸収型偏光板との間に設けられ、前記位相差板の透過光のうち、所定の光軸方向の光を反射する反射型偏光板と、
前記発光層と前記反射型偏光板との間に設けられると共に、外光の一部を吸収する外光反射抑制層とを備えた
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、例えば有機ＥＬ表示装置等の自発光型の表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報通信産業の発達が加速するのに伴い、高性能な表示素子が要求されている。例えば有機ＥＬ（ElectroLuminescence）ディスプレイ，無機ＥＬディスプレイおよびＦＥＤ（Field Emission Display）は、自発光型の表示素子を用いた表示装置であり、視野角の広さ、コントラスト、応答速度の点から次世代表示装置として注目されている。例えば、有機ＥＬ素子は、駆動基板側から、下部電極，発光層，上部電極および対向基板を順に備えており、駆動基板側から表示光を取り出すボトムエミッション型、対向基板側から表示光を取り出すトップエミッション型に大別される。
【０００３】
自発光型の表示装置では、発光層からの出射光を効率良く取り出すために、発光層に対して、表示面と反対側に反射部を設けておく方法が提案されている。例えば、トップエミッション型であれば、下部電極をアルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ）あるいはこれらの合金等の光反射性の金属により構成して反射部とする。これにより、発光層から、対向基板側に直接出射される光に加えて、発光層から下部電極側に出射された光の反射光を表示光として取り出すことが可能となる。
【０００４】
しかしながら、この反射部は、表示面側から入射する外光をも反射するため、実コントラストが低下し、画品位および視認性を低下させる虞がある。特に、屋外での使用時には、その影響が大きい。このような外光反射を抑制するため、円偏光板を対向基板の表示面側に設けた構成が提案されている。円偏光板は、吸収型偏光板とλ／４位相差板を組み合わせたものである。この円偏光板を備えた表示装置では、表示面側から入射した外光が、まず、吸収型偏光板を通り、直線偏光となってλ／４位相差板を通過する。λ／４位相差板を通過した円偏光は、反射部（下部電極）で反射されて、再びλ／４位相差板を通過して直線偏光となる。この２度λ／４位相差板を通過した光は、最初のλ／４位相差板通過前と比較すると、λ／２位相がずれているため、表示面側に出射されずに、吸収型偏光板に吸収される。
【０００５】
上記の機構により、円偏光板では、外光由来の反射光をほぼ完全に抑えることができるが、同時に、発光層からの出射光も大きく減衰させてしまうため、光出力の低下が生じ、消費電力の増大および電流密度の増加による低寿命化につながる。例えば、円偏光板の光透過率は、４０％前後である。この問題に対して、吸収型偏光板とλ／４位相差板との間に吸収型偏光板と光軸方向が同一の反射型偏光板を挟持させることにより、光出力を向上させる方法が提案されている（例えば、特許文献１，２）。この方法では、発光層からの出射光のうち、反射型偏光板および吸収型偏光板の光軸方向と直交する光軸方向の光は、反射型偏光板、反射部それぞれで順に反射されてλ／４位相差板を２度通過する。これにより、λ／２位相がずれ、この光が表示面側に取り出される。よって、光出力は吸収型偏光板の光透過率（平行方向）の平方根（√）の２倍となり、発光層から出射された光の９０％程度にまで向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２４３７６９号公報
【特許文献２】特開２００１−３５７９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このように吸収型偏光板とλ／４位相差板との間に反射型偏光板を設けると、外光由来の反射光も吸収型偏光板を通過して表示面に出射されるため、外光の反射抑制効果は低下する。
【０００８】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、外光反射による画品位および視認性の低下を防止し、かつ、発光層からの光取り出し効率の低下を抑えた表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本技術による表示装置は、発光層と、発光層側から入射した光を表示面側に反射する反射部と、表示面に設けられた吸収型偏光板と、発光層と吸収型偏光板との間の位相差板と、位相差板と吸収型偏光板との間に設けられ、位相差板の透過光のうち、所定の光軸方向の光を反射する反射型偏光板と、発光層と反射型偏光板との間に設けられると共に、外光の一部を吸収する外光反射抑制層とを備えたものである。本技術による電子機器は、上記表示装置を備えたものである。
【００１０】
本技術の表示装置では、表示面側から入射した外光は、反射部と反射型偏光板との間で反射を繰り返す間に外光反射抑制層により一部が吸収され、減衰していく。一方、発光層からの出射光のうち、表示面側に取り出される光には、反射型偏光板および吸収型偏光板を直接通過するものに加え、反射型偏光板と反射部との間で反射されて、位相差板を複数回通過した後、表示面側に取り出されるものが含まれる。
【発明の効果】
【００１１】
本技術の表示装置および電子機器によれば、発光層と反射型偏光板との間に外光反射抑制層を設けるようにしたので、外光反射を抑えることができる。また、位相差板と吸収型偏光板との間の反射型偏光板により、発光層からの光取り出し効率を向上させることができる。よって、外光反射による画品位および視認性の低下を防止すると共に、低消費電力化および長寿命化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の一部の構成を表す断面図である。
【図４】図３に示した発光層から出射された光の表示面側へ取り出しについて説明するための断面図である。
【図５】図４に示した出射光の偏光方向を説明するための模式図である。
【図６】比較例１に係る表示装置の一部の構成を表す断面図である。
【図７】図３に示した外光反射抑制層の光透過率と光取り出し効率との関係を表す図である。
【図８】図３に示した外光反射抑制層の効果を説明するための断面図である。
【図９】図８に示した外光の偏光方向を説明するための模式図である。
【図１０】比較例２に係る表示装置の一部の構成を表す断面図である。
【図１１】図３に示した外光反射抑制層の配置位置を変えた場合の断面図である。
【図１２】図１１に示した発光層から出射された光の表示面側への取り出しについて説明するための断面図である。
【図１３】変形例１に係る表示装置のλ／４位相差板の構成を表す断面図である。
【図１４】変形例２に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１５】本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１６】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１７】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１８】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側からみた外観を表す斜視図である。
【図１９】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２０】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２１】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明
は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（外光反射抑制層を、発光層と位相差板との間に設けた例）
２．変形例１（外光反射抑制層を位相差板の一部に設けた例）
３．変形例２（外光反射抑制層をカラーフィルタ層の一部に設けた例）
４．第２の実施の形態（外光反射抑制層を、位相差板と反射型偏光板との間に設けた例  ）
【００１４】
＜第１の実施の形態＞
［表示装置１の構成］
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の構成を表すものである。この表示装置１は、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置であり、例えば、基板１１の上に、表示領域１１０として、各々、赤色，緑色および青色を発光する複数の有機ＥＬ素子１０がマトリクス状に配置されている。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバ信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００１５】
（全体構成）
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極１２の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００１６】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、１つの有機ＥＬ素子１０に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１７】
（有機ＥＬ素子）
図３は図１に示した表示領域１１０の１つの有機ＥＬ素子１０に対応する部分の断面構成を表したものである。有機ＥＬ素子１０は、それぞれ基板１１の側から画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１（図示せず）、平坦化絶縁層（図示せず）、陽極としての下部電極１２（反射部）、隔壁（後述の図１４  隔壁１５）、有機層１３および陰極としての上部電極１４がこの順に積層された構造を有している。有機層１３は、下部電極１２側から正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３、電子輸送層１３４、電子注入層１３５をこの順に有している。
【００１８】
このような有機ＥＬ素子１０は、保護層２１により被覆され、更にこの保護層２１上に封止部２２を間にしてガラスなどよりなる対向基板２３が全面にわたって張り合わされている。対向基板２３上には、外光反射抑制層２４、λ／４位相差板２５（位相差板）、反射型偏光板２６および吸収型偏光板２７が、この順に設けられている。表示装置１は、トップエミッション型であり、対向基板２３側（吸収型偏光板２７側）から表示光が取り出される。
【００１９】
基板１１は、その一主面側に有機ＥＬ素子１０が配列形成される支持体である。例えば石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシートなどの公知のものを用いればよい。中でも、石英やガラスを用いることが好ましい。樹脂製のものを使用する場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）などのポリエステル類、もしくはポリカーボネート樹脂などを用いることが可能であるが、この場合には透水性や透ガス性を抑えるため、積層構造とし、表面処理を行うことが好ましい。
【００２０】
平坦化絶縁層は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、駆動トランジスタＴｒ１と下部電極１２とを接続するための微細な接続孔（図示せず）が形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁層の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料が挙げられる。
【００２１】
下部電極１２は、平坦化絶縁層上にそれぞれ個々の有機ＥＬ素子１０ごとに設けられ、光反射性の高い金属、例えばクロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金からなる。あるいは、上述の金属膜と透明導電膜との積層構造としてもよい。透明導電膜としては、例えば、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩｎＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金などが挙げられる。下部電極１２が陽極として用いられる場合には、正孔注入性の高い材料により構成されていることが好ましいが、アルミニウム合金のような仕事関数の大きさが十分でない材料であっても、適切な正孔注入層１３１を設けることにより、陽極として機能させることが可能である。表示装置１では、発光層１３３から基板１１側に出射された光は、下部電極１２により、表示面側に反射される。
【００２２】
隔壁は、下部電極１２と上部電極１４との間の絶縁性を確保すると共に、発光領域を所望の形状に成形するためのものであり、発光領域に対応して開口部が設けられている。隔壁は、例えばＳｉＯ2等の無機絶縁材料の上に、ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールまたはポジ型感光性ポリイミド等の感光性樹脂を積層させて形成する。隔壁の上層、すなわち、正孔注入層１３１ないし上部電極１４は、開口部だけでなく隔壁の上に設けられていてもよいが、発光が生じるのは開口部のみである。
【００２３】
正孔注入層１３１は、複数の有機ＥＬ素子１０に共通して設けられており、正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するバッファ層としての機能を有する。この正孔注入層１３１は、例えば、５ｎｍ〜１００ｎｍの厚みで形成されていることが好ましく、８ｎｍ〜５０ｎｍであることがより好ましい。
【００２４】
正孔注入層１３１の構成材料は、例えば、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）またはカーボン等が挙げられるが、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよい。
【００２５】
正孔注入層１３１が、高分子材料からなる場合、重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば２０００〜３０００００程度であり、５０００〜２０００００程度であることが好ましい。Ｍｗが５０００未満では、正孔輸送層１３２以降を形成する際に溶解してしまう虞があり、３０００００を超えると、材料のゲル化により成膜が困難になる虞がある。
【００２６】
正孔注入層１３１に使用される典型的な高分子材料としては、例えば、ポリアニリンおよび／またはオリゴアニリンあるいはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などのポリジオキシチオフェンが挙げられる。具体的には、例えばエイチ・シー・スタルク製の商品名Nafion（商標）および商品名Liquion（商標）、日産化学製の商品名エルソース（商標）および綜研化学製の導電性ポリマーベラゾール等を使用することができる。
【００２７】
正孔輸送層１３２は、発光層１３３への正孔輸送効率を高めるためのものであり、正孔注入層１３１の上に複数の有機ＥＬ素子１０に共通して設けられている。
【００２８】
正孔輸送層１３２の厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、１５ｎｍ〜１５０ｎｍであることがより好ましい。正孔輸送層１３２を構成する高分子材料としては、有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体あるいはポリピロール等が使用できる。
【００２９】
高分子材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば５００００〜３０００００程度であり、特に１０００００〜２０００００程度であることが好ましい。Ｍｗが５００００未満では、発光層１３３を形成するときに、高分子材料中の低分子成分が脱落し、正孔注入・輸送層にドットが生じるため、有機ＥＬ素子１０の初期性能が低下したり、素子の劣化を引き起こす虞がある。一方、３０００００を超えると、材料のゲル化により成膜が困難になる虞がある。
【００３０】
なお、重量平均分子量（Ｍｗ）は、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーエミーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、ポリスチレン換算の重量平均分子量を求めた値である。
【００３１】
発光層１３３は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものであり、例えば、赤色の光を発光する有機ＥＬ素子１０および緑色の光を発光する有機ＥＬ素子１０には、赤色発光層および緑色発光層が各有機ＥＬ素子１０ごとに設けられ、青色を発光する有機ＥＬ素子１０には、各有機ＥＬ素子１０に共通の青色発光層が設けられている。赤色発光層および緑色発光層の厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、１５ｎｍ〜１５０ｎｍであることがより好ましい。赤色発光層および緑色発光層を構成する高分子材料としては、例えばポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いることができる。具体的には、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッドあるいはクマリン６等をドープすることにより用いることができる。発光層の構成は上記のようなものに限らず、例えば、赤色発光層，緑色発光層，青色発光層が個々の有機ＥＬ素子１０それぞれに配置されていてもよい。
【００３２】
青色発光層は、例えばホスト材料としてのアントラセン化合物に、ゲスト材料として青色もしくは緑色の低分子蛍光性色素，りん光色素あるいは金属錯体等の有機発光材料をドーピングしたものである。
【００３３】
電子輸送層１３４は、発光層１３３への電子輸送効率を高めるためのものであり、複数の有機ＥＬ素子１０に共通層として設けられている。電子輸送層１３４の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、フェナントレン、ピレン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラセン、ナフタレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベンまたはこれらの誘導体や金属錯体、例えばトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ3）を用いることができる。
【００３４】
電子注入層１３５は、電子注入効率を高めるためのものであり、電子輸送層１３４の全面に共通層として設けられている。電子注入層１３５の材料としては、例えば、リチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）やセシウムの複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ2Ｃｏ3）あるいはこれらの混合物を用いることができる。また、カルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム，セシウム等のアルカリ金属，インジウム（Ｉｎ）あるいはマグネシウム等の仕事関数の小さい金属を単体あるいは合金で用いてもよく、または、これらの金属の酸化物，複合酸化物，フッ化物の単体あるいは混合物を用いてもよい。
【００３５】
上部電極１４は、下部電極１２と絶縁された状態で電子注入層１３５の上に全面に亘り設けられている。すなわち、複数の有機ＥＬ素子１０の共通電極となっている。上部電極１４は、例えば、３ｎｍ以上８ｎｍ以下の厚さの金属導電膜よりなり、具体的には、例えばアルミニウム（Ａｌ），マグネシウム，カルシウムまたはナトリウム（Ｎａ）を含む合金からなる。特に、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、光透過性および導電性が良好であるため好ましい。マグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが好ましい。また、上部電極１４に、アルミニウムとリチウムとの合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）を用いてもよい。
【００３６】
上部電極１４は、アルミキノリン錯体、スチリルアミン誘導体あるいはフタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層から形成されていてもよい。この場合には、更に第３層としてＭｇ−Ａｇ合金のような光透過性を有する層を別途備えていてもよい。
【００３７】
（保護層，封止部および対向基板）
保護層２１は、絶縁性材料，導電性材料のいずれにより構成されていてもよく、例えば２μｍ〜３μｍの厚みで形成されている。例えば、アモルファスシリコン（α−シリコン），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-XＮx）あるいはアモルファスカーボン（α−Ｃ）等の無機アモルファス性の絶縁性材料を用いることができる。このような材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。封止部２２は、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などにより構成されている。
【００３８】
対向基板２３は、有機ＥＬ素子１０の上部電極１４の側に位置し、封止部２２と共に有機ＥＬ素子１０を封止するものである。対向基板２３は、ガラス等により構成されている。
【００３９】
対向基板２３には、例えば、カラーフィルタ（図１４  カラーフィルタ２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂ）およびブラックマトリクス（図１４  ブラックマトリクス２３２）を有するカラーフィルタ層（図１４  カラーフィルタ層２３Ｃ）が設けられている。
【００４０】
カラーフィルタとして、赤色フィルタ（カラーフィルタ２３１Ｒ），緑色フィルタ（カラーフィルタ２３１Ｇ）および青色フィルタ（カラーフィルタ２３１Ｂ）が、それぞれ赤色を発光する有機ＥＬ素子１０，緑色を発光する有機ＥＬ素子１０および青色を発光する有機ＥＬ素子１０に対応して順に配置されている。赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形状で隙間なく形成されている。これらのカラーフィルタは、顔料を含む樹脂により構成されており、顔料を適宜選択することより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整することができる。
【００４１】
ブラックマトリクスは、例えば黒色の着色剤を含み、光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。黒色の樹脂膜は、安価かつ容易に形成することができるため好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物からなる薄膜を少なくとも１層有し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。具体的には、クロムと酸化クロム（III）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互
に積層させたものを用いることができる。
【００４２】
カラーフィルタの表面（封止部２２との対向面）はオーバーコート層により覆われている。オーバーコート層は、カラーフィルタ表面の平坦性を高め、保護するためのコーティング剤であり、樹脂等の有機材料やＳｉＯ，ＳｉＮあるいはＩＴＯなどの無機材料からなる。
【００４３】
（外光反射抑制層）
外光反射抑制層２４は、表示面側（吸収型偏光板２７側）から入射する外光および下部電極１２により反射されて基板１１側から入射する外光の一部を吸収するものである。この外光反射抑制層２４により、下部電極１２で反射された外光の表示面側への出射を抑えることができる。外光反射抑制層２４は、下部電極１２で反射された外光だけでなく、例えば、周囲の配線により反射された外光も吸収して減衰させる。本実施の形態では、外光反射抑制層２４は発光層１３３とλ／４位相差板２５との間に設けられている。詳細には、対向基板２３とλ／４位相差板２５との間に設けられ、これらに接している。外光反射抑制層２４の外光（波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ、特に、４３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）に対する光透過率は、表面反射を除き、例えば９５％〜７１％であり、７５％より大きいことがより好ましい。７５％より大きければ、外光反射を抑えつつ、輝度を１０％以上向上させることができるためである。
【００４４】
外光反射抑制層２４は、例えば、樹脂に染料あるいは顔料を所定の濃度で混合させたものにより構成され、例えば３０ｎｍ〜５００ｎｍの厚みを有するものである。例えば樹脂材料として、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate），ＴＡＣ（Triacetylcellulose），ＰＶＡ（Polyvinylalcohol）あるいはアクリル等の樹脂材料を用い、これに例えばアゾ染料あるいは顔料を混合させる。
【００４５】
（λ／４位相差板）
λ／４位相差板２５は、発光層１３３と吸収型偏光板２７との間に設けられ、吸収型偏光板２７と組み合わせることにより、円偏光板として機能するものである。表示面側から吸収型偏光板２７に入射した外光は、直線偏光となり、この直線偏光がλ／４位相差板２５を通過することにより、円偏光となる。λ／４位相差板２５では、例えば、波長板（図１３  波長板２５１）の両面がＴＡＣ（Triacetylcellolose）層（図１３  ＴＡＣ層２５２）により保護されている。
【００４６】
（反射型偏光板）
反射型偏光板２６は、λ／４位相差板２５と吸収型偏光板２７との間に設けられており、所定方向の光軸の光を反射し、これと直交する方向の光を透過するものである。この反射型偏光板２６と下部電極１２との間で、発光層１３３から出射された光を反射させることにより、λ／４位相差板２５を２回通過させ、表示面側に透過させる。これにより、光の取り出し効率が向上する。反射型偏光板２６は、例えば、ガラス基板の表面にアルミニウム，銀またはクロム等の金属ワイヤを定周期で平行に配置したものであり、この金属ワイヤが下部電極１２に対向するように配置されている。
【００４７】
（吸収型偏光板）
吸収型偏光板２７は表示面に設けられ、入射した外光のうち、所定方向の光軸の光を吸収し、これと直交する方向の光を透過する。この吸収型偏光板２７の偏光軸と、反射型偏光板２６の偏光軸とは平行である。吸収型偏光板２７は、例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）系フィルム等の親水性高分子フィルムにヨウ素または二色性染料を吸着させて延伸したものにより構成されている。
【００４８】
［表示装置１の製造方法］
以下、表示装置１の製造方法について説明する。
【００４９】
（下部電極１２の形成工程）
まず、上述した材料よりなる基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成し、例えば感光性樹脂よりなる平坦化絶縁層を設ける。次いで、基板１１の全面に例えばＡｌ，ＡｇあるいはＡｌ，Ａｇのいずれかを含む合金よりなる金属導電膜を形成し、この導電膜をパターニングして下部電極１２を形成する。このとき、下部電極１２は平坦化絶縁層のコンタクトホール（図示せず）を介して駆動トランジスタＴｒ１のドレイン電極と導通させておく。
【００５０】
（隔壁の形成工程）
続いて、下部電極１２上および平坦化絶縁層上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長法）によりＳｉＯ2等の無機絶縁材料を成膜してパターニングを行い、更に感光性樹脂を積層させて隔壁を形成する。
【００５１】
隔壁を形成した後、基板１１の表面、即ち下部電極１２および隔壁を形成した側の面を酸素プラズマ処理し、表面に付着した有機物等の汚染物を除去して濡れ性を向上させる。具体的には、基板１１を所定温度、例えば７０℃〜８０℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。
【００５２】
（撥水化処理工程）
次いで、大気圧下で四フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行い、続けてプラズマ処理のために加熱された基板１１を室温まで冷却する。この作業により、特に隔壁の上面および側面についての撥水化処理（撥液化処理）がなされ、その濡れ性が低下する。
【００５３】
（正孔注入層１３１および正孔輸送層１３２の形成工程）
撥水化処理を行った後、上述した材料よりなる正孔注入層１３１および正孔輸送層１３２を複数の有機ＥＬ素子１０に共通して形成する。例えば、蒸着法により上述の材料よりなる正孔注入層１３１および正孔輸送層１３２をこの順に下部電極１２上および隔壁上に成膜する。
【００５４】
（発光層１３３の形成工程）
正孔輸送層１３２を形成した後、発光層１３３を正孔輸送層１３２上に形成する。発光層１３３は、例えば、赤色を発光する有機ＥＬ素子１０および緑色を発光する有機ＥＬ素子１０の正孔輸送層１３２上にそれぞれ赤色発光層および緑色発光層を形成し、この後、例えば蒸着法により青色を発光する有機ＥＬ素子１０の正孔輸送層１６の全面に、上述した材料よりなる青色発光層を共通層として形成する。
【００５５】
（電子輸送層１３４，電子注入層１３５および上部電極１４の形成工程）
発光層１３３を形成した後、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる電子輸送層１３４，電子注入層１３５および上部電極１４を形成する。
【００５６】
上部電極１４を形成した後、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、保護層２１を形成する。この際、発光層１３３等の劣化に伴う輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に設定し、加えて保護層２１の剥がれを防止するため、膜のストレスが最小となる条件で成膜を行うことが好ましい。
【００５７】
電子輸送層１３４，電子注入層１３５，上部電極１４および保護層２１は、マスクを用いることなく、全面に形成される。所謂ベタ膜である。また、電子輸送層１３４，電子注入層１３５，上部電極１４および保護層２１は、大気に曝露されることなく同一の成膜装置内で連続して形成されることが好ましい。大気中の水分による劣化が防止されるためである。
【００５８】
なお、下部電極１２と同一工程で補助電極（図示せず）を形成した場合、上部電極１４の形成前に、補助電極の上部に形成された正孔注入層１３１から電子注入層１３５までをレーザアブレーション等により除去してもよい。これにより上部電極１４を補助電極に直接接続させ、コンタクトを向上させることができる。
【００５９】
保護層２１を形成した後、封止部２２を間にして保護層２１の上に対向基板２３を貼り合わせる。なお、対向基板２３にはあらかじめ、上述した材料よりなるカラーフィルタ層を形成しておく。
【００６０】
（外光反射抑制層２４の形成工程）
対向基板２３を貼り合わせた後、例えば、アクリル系樹脂にアゾ染料を所定濃度で混合させた樹脂層を対向基板２３上に塗布し、これを硬化させることにより外光反射抑制層２４を形成する。
【００６１】
（λ／４位相差板２５，反射型偏光板２６および吸収型偏光板２７の形成工程）
外光反射抑制層２４を形成した後、λ／４位相差板２５，反射型偏光板２６および吸収型偏光板２７をこの順に、外光反射抑制層２４上に設ける。対向基板２３の一方の面上に外光反射抑制層２４，λ／４位相差板２５，反射型偏光板２６および吸収型偏光板２７を予め形成しておき、これを保護層２１に貼り合わせるようにしてもよい。
以上の工程により、図１乃至図３に示した表示装置１が完成する。
【００６２】
［表示装置１の作用・効果］
この表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、有機ＥＬ素子１０に駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、上部電極１４，カラーフィルタ，対向基板２３，外光反射抑制層２４，λ／４位相差板２５，反射型偏光板２６および吸収型偏光板２７を透過して表示面に取り出される。
【００６３】
その際、赤色を発光する有機ＥＬ素子１０には、赤色発光層と青色発光層とが設けられているが、最もエネルギー準位の低い赤色にエネルギー移動が起こり、赤色発光（波長６２０ｎｍ〜７５０ｎｍ）が支配的となる。緑色を発光する有機ＥＬ素子１０には、緑色発光層と青色発光層とが設けられているが、よりエネルギー準位の低い緑色にエネルギー移動が起こり、緑色発光（波長４９５ｎｍ〜５７０ｎｍ）が支配的となる。青色を発光する有機ＥＬ素子１０は、青色発光層のみを有するので、青色発光（波長４５０ｎｍ〜４９５ｎｍ）が生じる。ここでは、発光層１３３と反射型偏光板２６との間の外光反射抑制層２４により、外光の下部電極１２による反射光が表示面側に出射されるのを抑えることができる。また、λ／４位相差板２５と吸収型偏光板２７との間の反射型偏光板２６により、発光層１３３から出射された光の光取り出し効率を向上させることができる。以下、これについて説明する。
【００６４】
発光層１３３から出射された光の表示面側への取り出し経路は、図４（Ａ），図４（Ｂ）に表したように２つに大別される。図５は、このときの光の偏光方向を模式的に表したものである。図５（Ａ）のように発光層１３３から出射された非偏光状態の光のうち、図５（Ｂ）に表した光軸方向の光は、反射型偏光板２６および吸収型偏光板２７をそのまま透過する（図４（Ａ））。一方、図５（Ｂ）と直交する光軸方向の光（図５（Ｃ））は、反射型偏光板２６で反射され、λ／４位相差板２５を通過すると図５（Ｄ）のような円偏光となる。この光は、下部電極１２で反射されて円偏光状態が反転し（図５（Ｅ））、再び、λ／４位相差板２５を通過すると、反射型偏光板２６での反射前（図５（Ｃ））から９０°傾いた直線偏光となり（図５（Ｆ））、反射型偏光板２６および吸収型偏光板２７を透過する（図４（Ｂ））。
【００６５】
よって、図４（Ａ）の光の経路では、外光反射抑制層２４，λ／４位相差板２５，反射型偏光板２６および吸収型偏光板２７をこの順に進み、図４（Ｂ）の光の経路では、外光反射抑制層２４，λ／４位相差板２５，反射型偏光板２６での反射，λ／４位相差板２５，外光反射抑制層２４，下部電極１２での反射，外光反射抑制層２４，λ／４位相差板２５，反射型偏光板２６および吸収型偏光板２７をこの順に進む。即ち、発光層１３３から出射された光の強度をＩ0、外光反射抑制層２４の光透過率をＴａ、反射型偏光板２６の自然光に対する反射率をｒ、下部電極１２の反射率をＲ、吸収型偏光板２７の偏光軸に平行方向の光透過率をＴｐとすると、図４（Ａ）の取り出し光の強度Ｉ1、図４（Ｂ）の取り出し光の強度Ｉ2は、それぞれ数式（１）、数式（２）で表される。以降の数式においてもこれらの表記は同様である。
【数１】
2013038014.tif 000003
【数２】
2013038014.tif 000004
【００６６】
表示面側から取り出される表示光の強度Ｉは、Ｉ1とＩ2との和となり、数式（３）で表される。
【数３】
2013038014.tif 000005
【００６７】
これに対し、図６は、比較例１に係る表示装置（表示装置１００）での光取り出し経路を表したものである。表示装置１００には、外光反射抑制層２４および反射型偏光板２６が設けられていない。よって、表示装置１００では、発光層１３３より出射された光のうち、表示面側に取り出されるのは、反射型偏光板２６および吸収型偏光板２７の偏光軸と同一方向の光のみである。
【００６８】
ここで、表示装置１００の表示光の強度Ｉ’に対する表示装置１の表示光の強度Ｉの比を表示光の取り出し改善率αとすると、式（４）のように表すことができる。なお、式（４）では、ｒ＝０．５，Ｒ＝０．９，Ｔｐ＝０．８６，表示装置１００でのλ／４位相差板２５および吸収型偏光板２７の単体光透過率を０．４３としている。
【数４】
2013038014.tif 000006
【００６９】
図７は、外光反射抑制層２４の光透過率Ｔａと改善率αとの関係を表したものである。αが１より大きければ、表示装置１００よりも、本実施の形態の表示装置１の取り出し光の強度が大きい、即ち、光取り出し効率が向上していることを表す。上記の条件下では、外光反射抑制層２４の光透過率Ｔａが０．７１（７１％）よりも大きければ、光取り出し効率は向上し、０．７５以上であれば、光取り出し効率は１０％以上向上する。光取り出し効率を考える上で、Ｔａの上限値はないが、本来の外光の反射を抑える効果を発揮させるため、０．９５以下であることが好ましい。
【００７０】
図８は、表示装置１における外光反射の経路を表したものである。図９には、このときの光の偏光方向を模式的に表す。表示面側から表示装置１に入射した外光は、図９（Ａ）のように非偏光状態であるが、吸収型偏光板２７および反射型偏光板２６を通過する際に、直線偏光となり（図９（Ｂ））、強度はおよそ半分になる。この光は、λ／４位相差板２５を通過して円偏光となり（図９（Ｃ））、下部電極１２で反射されて、円偏光状態が反転する（図９（Ｄ））。続いて、λ／４位相差板２５を通過することにより、直線偏光となる（図９（Ｅ））が、この光軸方向は、最初のλ／４位相差板２５通過前（図９（Ｂ））と直交するため、反射型偏光板２６により反射されて（図９（Ｆ））、λ／４位相差板２５を通過する（図９（Ｇ））。この円偏光は、下部電極１２により、反射されて円偏光状態が再び反転し（図９（Ｈ））、λ／４位相差板２５を通過して、吸収型偏光板２７および反射型偏光板２６の偏光軸と平行な直線偏光となり（図９（Ｉ））、表示面側に出射される。
【００７１】
よって、表示装置１に入射した外光は、吸収型偏光板２７，反射型偏光板２６，λ／４位相差板２５，外光反射抑制層２４，下部電極１２での反射，外光反射抑制層２４，λ／４位相差板２５，反射型偏光板２６での反射，λ／４位相差板２５，外光反射抑制層２４，下部電極１２での反射，外光反射抑制層２４，λ／４位相差板２５，反射型偏光板２６および吸収型偏光板２７をこの順に進む。即ち、表示装置１に入射した外光の強度をＬ0とすると、表示面側に出射される外光の反射光の強度Ｌrは、数式（５）で表される。
【数５】
2013038014.tif 000007
【００７２】
これに対し、図１０は、比較例２に係る表示装置（表示装置１０１）の、外光の反射光を表したものである。表示装置１０１には、外光反射抑制層２４が設けられていないため、外光が大きく減衰されるのは、吸収型偏光板２７および反射型偏光板２６への入射時（図９（Ｂ））のみである。
【００７３】
即ち、表示装置１０１の外光の反射光の強度Ｌr’に対する表示装置１の反射光の強度Ｌrの比を抑制率βとすると、数式（６）のように表すことができる。例えば、外光反射抑制層２４の光透過率Ｔａが、Ｔａ＝０．８４１のとき、β＝０．５であり、外光反射抑制層２４を４回通過する間にＬ0を半分にまで減衰させることができる。また、例えば、更にＲ＝０．９，ｒ＝０．５，Ｔｐ＝０．８６とすると、外光反射は、入射時（Ｌ0）の約１８．４％まで減衰されることになる（数式（５））。
【数６】
2013038014.tif 000008
【００７４】
なお、外光反射の強度には、上述のパラメータの他、開口率，カラーフィルタおよびブラックマトリクスの光透過率も影響を与える。このような因子を含めて、表示装置１全体としての反射率が４％以下となることが、視認性を高めるうえで好ましい。換言すれば、このような因子を考慮したうえで、全体の反射率が４％以下となるように外光反射抑制２４の光透過率Ｔａを設定することが好ましい。
【００７５】
本実施の形態では、外光反射抑制層２４を発光層１３３と反射型偏光板２６との間に配置することにより、高効率に外光反射を減衰させ、かつ表示面側から取り出される光の取り出し効率を向上させている。例えば、図１１に表したように外光反射抑制層（外光反射抑制層１２４）を、最表面（吸収型偏光板２７の表示面側）に設けることも考えられる。しかしながらこの場合、入射した外光の外光反射抑制層の通過は２回であるため、反射光の強度Ｌr”は、数式（７）のようになり、減衰効果は低くなる。Ｔａ’は、外光反射抑制層１２４の光透過率を表す。外光反射抑制層を２回通過する間に、上記と同様に光の強度を約半分に減衰させるためには、外光反射抑制層１２４の光透過率Ｔａ’を、０．７０７まで落とさなければならない。
【数７】
2013038014.tif 000009
【００７６】
一方、外光反射抑制層１２４が最表面にある場合、発光層１３３から出射された光は、図１２（Ａ），図１２（Ｂ）に表したように、λ／４位相差板２５，反射型偏光板２６，吸収型偏光板２７および外光反射抑制層１２４または、λ／４位相差板２５，反射型偏光板２６での反射，下部電極１２での反射，λ／４位相差板２５，反射型偏光板２６，吸収型偏光板２７および外光反射抑制層１２４をこの順に進む。即ち、この時の発光層１３３から表示面側に取り出される光の強度Ｉ”は、数式（８）のように表される。発光層１３３と反射型偏光板２６との間に外光反射抑制層２４を配置した場合（図３）と同程度の外光反射抑制効果が得られるよう、Ｔａ’の値を小さくすると、表示光の取り出し効率が低下する。Ｔａ’＝０．７０７，Ｔａ＝０．８４１として実験を行った結果、本実施の形態における表示光の強度Ｉは、Ｉ”に比較して、約１０％の輝度の向上が確認された。
【数８】
2013038014.tif 000010
【００７７】
外光反射を抑え、かつ、発光層から出射される光の光取り出し効率を向上させる方法としては、λ／４位相差板を反射型のコレステリック液晶により構成する方法も提案されている（例えば、特許文献２）。しかしながら、１種類の液晶材料によりこの効果を実現できる波長範囲は１００〜１５０ｎｍ程度であり、可視光領領域全体を網羅することはできない。例えば、広範囲の波長領域に適用するには、発光色に応じた塗り分けや、積層構造等が必要になり、実用化は困難である。
【００７８】
以上のように、本実施の形態では、発光層１３３と反射型偏光板２６との間、具体的には、対向基板２３とλ／４位相差板２５との間に外光反射抑制層２４を設けるようにしたので、外光の反射光の強度Ｌrを弱め、表示面側への出射を抑えることができる。また、λ／４位相差板２５と吸収型偏光板２７との間の反射型偏光板２６により、発光層１３３からの出射される光の取り出し効率を向上させることができる。よって、外光反射による画品位および視認性の低下を防止すると共に、低消費電力化および長寿命化が可能となる。
【００７９】
また、外光反射抑制層２４は、例えば樹脂材料に染料を混合させることにより調製可能であり、容易に形成して実用化することができる。
【００８０】
以下、上記実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００８１】
＜変形例１＞
図１３は、上記実施の形態の変形例１に係る表示装置（表示装置１Ａ）の一部の断面構成を表したものである。この表示装置１Ａは、λ／４位相差板２５の一部に外光反射抑制層（外光反射抑制層２４ａ）が含まれている点で、上記実施の形態の表示装置１と異なるものである。その点を除き、表示装置１Ａは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００８２】
上述のように、λ／４位相差板２５は、波長板２５１の両面にＴＡＣ層を備えている。ここでは、波長板２５１の、反射型偏光板２６側の面にＴＡＣ層２５２、対向基板２３側の面に外光反射抑制層２４ａをそれぞれ設けている。外光反射抑制層２４ａは、ＴＡＣに上述の染料を混合することにより構成したものである。外光反射抑制層２４ａは、波長板２５１の反射型偏光板２６側の面に設けてもよく、あるいは、両面に設けるようにしてもよい。このように、λ／４位相差板２５の一部を外光反射抑制層２４ａにより構成することで、表示装置１Ａの薄型化が可能となる。
【００８３】
＜変形例２＞
図１４は、変形例２に係る表示装置（表示装置１Ｂ）の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｂは、カラーフィルタ層（カラーフィルタ層２３Ｃ）の一部に外光反射抑制層（外光反射抑制層２４ｂ）が含まれている点で、上記実施の形態の表示装置１と異なるものである。その点を除き、表示装置１Ｂは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００８４】
上述のように、カラーフィルタ層２３Ｃは、カラーフィルタ２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂ、ブラックマトリクス２３２およびオーバーコート層により構成されている。外光反射抑制層２４ｂは、このオーバーコート層に染料を混合させたものである。このようにカラーフィルタ層２３Ｃの一部を外光反射抑制層２４ｂにより構成することで、表示装置１Ｂの薄型化が可能となる。
【００８５】
＜第２の実施の形態＞
本開示の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）は、外光反射抑制層２４をλ／４位相差板２５と反射型偏光板２６との間に設けている点で、上記第１の実施の形態と異なるものである。その点を除き、表示装置２は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００８６】
図１５は、表示装置２の断面構成を表したものであり、表示装置１と同様に、有機ＥＬ素子１０が、保護層２１，封止部２２および対向基板２３により封止されている。表示装置２では、対向基板２３の表示面側の構成が異なり、λ／４位相差板２５、外光反射抑制層２４、反射型偏光板２６および吸収型偏光板２７が、この順に設けられている。
【００８７】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態および変形例で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態等の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００８８】
（モジュール）
上記実施の形態等の表示装置は、例えば、図１６に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、保護層２１および封止部２２から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００８９】
（適用例１）
図１７は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【００９０】
（適用例２）
図１８は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００９１】
（適用例３）
図１９は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【００９２】
（適用例４）
図２０は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【００９３】
（適用例５）
図２１は、上記実施の形態等の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【００９４】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記変形例１，２では、それぞれλ／４位相差板２５，カラーフィルタ層２３Ｃの一部を外光反射抑制層２４ａ，２４ｂにより構成する場合を例示したが、外光反射抑制層を、例えば、保護層２１，封止部２２あるいは対向基板２３により構成するようにしてもよい。
【００９５】
また、上記実施の形態等では、外光反射抑制層２４，２４ａ，２４ｂが１層である場合を例示したが、外光反射抑制層が複数層により構成されていてもよい。
【００９６】
更に、例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００９７】
加えて、上記実施の形態等では、位相差板が、λ／４位相差板により構成されている場合を例示したが、他の位相差板により構成されるようにしてもよい。
【００９８】
また、更に、上記実施の形態等では、本技術を有機ＥＬ表示装置に適用した場合について説明したが、無機ＥＬ表示装置やＦＥＤ等、他の自発光型の表示装置にも適用可能である。
【００９９】
なお、本技術は、以下のような構成をとることも可能である。
（１）発光層と、前記発光層側から入射した光を表示面側に反射する反射部と、前記表示面に設けられた吸収型偏光板と、前記発光層と前記吸収型偏光板との間の位相差板と、前記位相差板と前記吸収型偏光板との間に設けられ、前記位相差板の透過光のうち、所定の光軸方向の光を反射する反射型偏光板と、前記発光層と前記反射型偏光板との間に設けられると共に、外光の一部を吸収する外光反射抑制層とを備えた表示装置。
（２）前記外光反射抑制層は、前記発光層と前記位相差板との間に設けられている前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記外光反射抑制層は、前記位相差板と前記反射型偏光板との間に設けられている前記（１）に記載の表示装置。
（４）前記外光反射抑制層の光透過率は７１％から９５％の範囲内である前記（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）前記外光反射抑制層の光透過率は７５％より大きい前記（４）に記載の表示装置。
（６）前記反射部は、前記発光層に電界をかけるための電極である前記（１）乃至（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（７）前記外光反射抑制層は、樹脂および染料を含む前記（１）乃至（６）のいずれか１つに記載の表示装置。
（８）前記外光反射抑制層は、前記位相差板の一部である前記（１）に記載の表示装置。
（９）前記外光反射抑制層は、ＴＡＣ（Triacetyl Cellulose）および染料を含む前記（８）に記載の表示装置。
（１０）前記位相差板と前記発光層との間にカラーフィルタ層を備え、前記外光反射抑制層は、前記カラーフィルタ層のうち前記発光層との対向面に設けられたオーバーコート層である前記（１）に記載の表示装置。
（１１）前記発光層は、有機層により構成されている前記（１）乃至（１０）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）前記位相差板は、λ／４位相差板である前記（１）乃至（１１）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）表示装置を備え、前記表示装置は、発光層と、前記発光層側から入射した光を表示面側に反射する反射部と、前記表示面に設けられた吸収型偏光板と、前記発光層と前記吸収型偏光板との間の位相差板と、前記位相差板と前記吸収型偏光板との間に設けられ、前記位相差板の透過光のうち、所定の光軸方向の光を反射する反射型偏光板と、前記発光層と前記反射型偏光板との間に設けられると共に、外光の一部を吸収する外光反射抑制層とを備えた電子機器。
【符号の説明】
【０１００】
１，１Ａ，１Ｂ，２…表示装置、１０…有機ＥＬ素子、１１…基板、１２…下部電極、１３…有機層、１４…上部電極、１５…隔壁、２１…保護層、２２…封止部、２３…対向基板、２３Ｃ…カラーフィルタ層、２４，２４ａ，２４ｂ…外光反射抑制層、２５…λ／４位相差板、２６…反射型偏光板、２７…吸収型偏光板、１１０…表示領域、１２０…吸信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…画素駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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