(57)【要約】【課題】色の再現性を高めることができるカラーフィルター用基板の製造方法を提供する。【解決手段】液晶層を挟持する一対の基板のうち一方に設けられたカラーフィルター基板の製造方法であって、第２基材２０ａ上にタングステンシリサイド膜及びレジスト膜を成膜する工程と、レジストパターン４２を形成する工程と、レジストパターン４２をマスクとしてタングステンシリサイド膜にエッチング処理を施すことにより遮光膜４１を形成する工程と、レジストパターン４２及び遮光膜４１をマスクとして、第２基材２０ａにエッチング処理を施してカラーフィルター材料を充填する凹部３５を形成する工程と、を有する。【選択図】図７
2013257442.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーフィルター基板の製造方法であって、
基材上に金属膜と金属窒化膜とレジスト膜とを順々に成膜する成膜工程と、
前記レジスト膜からレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記金属膜と前記金属窒化膜とに第１エッチング処理を施してメタルパターンを形成する第１エッチング処理工程と、
前記レジストパターン及び前記メタルパターンをマスクとして、前記基材に第２エッチング処理を施して凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部にカラーフィルターを形成するカラーフィルター形成工程と、
を有することを特徴とするカラーフィルター基板の製造方法。
【請求項２】
カラーフィルター基板の製造方法であって、
基材上に少なくとも金属シリサイド膜とレジスト膜とを順々に成膜する成膜工程と、
前記レジスト膜からレジストパターンを形成するレジストパターン工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記金属シリサイド膜に第１エッチング処理を施してメタルパターンを形成する第１エッチング処理工程と、
前記レジストパターン及び前記メタルパターンをマスクとして、前記基材に第２エッチング処理を施して凹部を形成する第２エッチング処理工程と、
前記凹部にカラーフィルターを形成するカラーフィルター形成工程と、
を有することを特徴とするカラーフィルター基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のカラーフィルター基板の製造方法であって、
前記メタルパターンは、遮光膜であることを特徴とするカラーフィルター基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のカラーフィルター基板の製造方法であって、
前記金属膜は、アルミニウムであり、
前記金属窒化膜は、窒化チタンであることを特徴とするカラーフィルター基板の製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載のカラーフィルター基板の製造方法であって、
前記金属シリサイド膜は、タングステンシリサイドであることを特徴とするカラーフィルター基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のカラーフィルター基板の製造方法であって、
前記メタルパターンの一部が配線層に用いられることを特徴とするカラーフィルター基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カラーフィルター基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記カラーフィルター基板を備える液晶装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
カラーフィルター基板の製造方法は、例えば、特許文献１に記載のように、透明基板の表面に凹部をフォトリソグラフィ法によって形成し、ドクターブレード法により着色材を順次充填して形成する方法が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２に記載の方法では、遮光膜の開口部に凹部を形成し、凹部にカラーフィルターを形成する方法が開示されている。
【０００５】
また、特許文献３に記載の方法では、光反射性隔壁で凹部を形成し、凹部にカラーフィルターを形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平４−３９６０３号公報
【特許文献２】特開２００９−２３７２８８号公報
【特許文献３】特開２００９−２７６５１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の方法では、垂直の壁面をもった凹部を形成することが難しいという課題がある。また、特許文献３に記載の方法では、光反射性隔壁がカラーフィルターの深さまであるので、実質的な開口率を確保することが難しいという課題がある。つまり、カラーフィルターの領域の広範囲において色の再現性が低いという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係るカラーフィルター基板の製造方法は、カラーフィルター基板の製造方法であって、基材上に金属膜と金属窒化膜とレジスト膜とを順々に成膜する成膜工程と、前記レジスト膜からレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記金属膜と前記金属窒化膜とに第１エッチング処理を施してメタルパターンを形成する第１エッチング処理工程と、前記レジストパターン及び前記メタルパターンをマスクとして、前記基材に第２エッチング処理を施して凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部にカラーフィルターを形成するカラーフィルター形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、金属膜と金属窒化膜との積層のメタルパターン及びレジストパターンをマスクとして、基材に凹部を形成するので、金属膜及びレジストパターンのみをマスクとする場合と比較して、凹部の側壁を略垂直に形成することができる。よって、カラーフィルターの深さを広範囲に亘って確保することが可能となり、色の再現性を向上させることができる。
【００１１】
［適用例２］本適用例に係るカラーフィルター基板の製造方法は、カラーフィルター基板の製造方法であって、基材上に少なくとも金属シリサイド膜とレジスト膜とを順々に成膜する成膜工程と、前記レジスト膜からレジストパターンを形成するレジストパターン工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記金属シリサイド膜に第１エッチング処理を施してメタルパターンを形成する第１エッチング処理工程と、前記レジストパターン及び前記メタルパターンをマスクとして、前記基材に第２エッチング処理を施して凹部を形成する第２エッチング処理工程と、前記凹部にカラーフィルターを形成するカラーフィルター形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、金属シリサイド膜のメタルパターン及びレジストパターンをマスクとして、基材に凹部を形成するので、金属膜及びレジストパターンのみをマスクとする場合と比較して、凹部の側壁を略垂直に形成することができる。よって、カラーフィルターの深さを広範囲に亘って確保することが可能となり、色の再現性を向上させることができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係るカラーフィルター基板の製造方法において、前記メタルパターンは、遮光膜であることが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、遮光膜及びレジストパターンをマスクとするので、遮光膜の側壁と凹部の側壁との面を合わせることができる。言い換えれば、遮光膜の壁面と凹部の壁面との間に段差が設けられないようにすることができる。よって、段差がある場合に発生する光り抜けを抑えることができる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例に係るカラーフィルター基板の製造方法において、前記金属膜は、アルミニウムであり、前記金属窒化膜は、窒化チタンであることが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、上記のような材料を用いるので、従来のように、アルミニウムとレジストパターンのみでマスクとする場合と比較して、凹部の側壁を略垂直に形成することができる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例に係るカラーフィルター基板の製造方法において、前記金属シリサイド膜は、タングステンシリサイドであることが好ましい。
【００１８】
本適用例によれば、上記のような材料を用いるので、従来のように、アルミニウムとレジストパターンのみでマスクとする場合と比較して、凹部の側壁を略垂直に形成することができる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例に係るカラーフィルター基板の製造方法において、前記メタルパターンの一部が配線層に用いられることが好ましい。
【００２０】
本適用例によれば、メタルパターンの一部を配線層として用いるので、遮光膜及び配線層を同じ材料から形成することが可能となり、効率よく形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】電気光学装置としての液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】第１実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図５】カラーフィルター基板（対向基板）の製造方法を示す模式図。
【図６】カラーフィルター基板の製造方法を示す模式図。
【図７】カラーフィルター基板の製造方法を示す模式図。
【図８】カラーフィルター基板の製造方法を示す模式図。
【図９】カラーフィルター基板の製造方法を示す模式図。
【図１０】カラーフィルター基板の製造方法を示す模式図。
【図１１】カラーフィルター基板を備える液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図１２】液晶装置を備えた電子機器の構成を示す斜視図。
【図１３】第２実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図１４】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図１５】液晶装置の一部の製造方法を示す模式図。
【図１６】液晶装置の一部の製造方法を示す模式図。
【図１７】液晶装置の一部の製造方法を示す模式図。
【図１８】液晶装置の一部の製造方法を示す模式図。
【図１９】液晶装置の一部の製造方法を示す模式図。
【図２０】液晶装置の一部の製造方法を示す模式図。
【図２１】液晶装置の一部の製造方法を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２３】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２４】
本実施形態では、電気光学装置としての液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２５】
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２６】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００２７】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２８】
シール材１４の内側には、複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅ（表示領域）が設けられている。画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００２９】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３０】
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光部１８（見切り部）が設けられている。遮光部１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光部１８の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００３１】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００３２】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。
【００３３】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、第１配向膜２８を含むものである。
【００３４】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光部１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光部１８、対向電極３１、第２配向膜３２を含むものである。
【００３５】
遮光部１８は、図１に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３６】
平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光部１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３７】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３８】
画素電極２７を覆う第１配向膜２８および対向電極３１を覆う第２配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。本実施形態では、第１配向膜２８および第２配向膜３２として上記無機配向膜が採用されている。
【００３９】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。
【００４０】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４１】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４２】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００４３】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４４】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４５】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００４６】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００４７】
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４８】
図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の素子基板１０と、これに対向配置される他方の対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００４９】
第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５０】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５１】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５２】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００５３】
ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５４】
容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００５５】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００５６】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００５７】
データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜から形成されている。
【００５８】
画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、第４層間絶縁層１１ｅを介して、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が設けられている。第１配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００５９】
一方、対向基板２０（以下、「カラーフィルター基板２０」とも称する。）を構成する第２基材２０ａ上には、カラーフィルター層３４が設けられている。カラーフィルター基板（特に、カラーフィルター層３４）の構成及び製造方法の詳細は、後述する。そして、カラーフィルター層３４上の全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第２配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６０】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で第１配向膜２８及び第２配向膜３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００６１】
＜カラーフィルター基板の製造方法＞
図５〜図１０は、カラーフィルター基板（対向基板）の製造方法を示す模式図である。各図（ａ）は、カラーフィルター基板の製造方法を工程順に示す模式平面図である。各図（ｂ）は、（ａ）に示すカラーフィルター基板のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、カラーフィルター基板の製造方法について、図５〜図１０を参照しながら説明する。
【００６２】
まず、図５に示す工程（成膜工程）では、石英などからなる第２基材２０ａ上に金属シリサイド膜としてのタングステンシリサイド（ＷＳｉ）膜４１ａを成膜する。厚みは、例えば、０．５μｍである。成膜方法としては、例えば、スパッタ法が用いられる。
【００６３】
次に、図６に示す工程（第１エッチング処理工程）では、タングステンシリサイド膜４１ａにエッチング処理（第１エッチング処理）を施し遮光膜４１を形成する。具体的には、まず、タングステンシリサイド膜４１ａ上にレジスト膜を成膜する。レジスト膜の厚みとしては、例えば、２μｍである。その後、フォトレジスト法を用いてレジスト膜を露光及びエッチング処理し、レジストパターン４２を形成する。次に、レジストパターン４２をマスクとしてタングステンシリサイド膜４１ａにエッチング処理を施す。これにより、パターニングされたレジストパターン４２と遮光膜４１（メタルパターン）とが形成される。
【００６４】
次に、図７に示す工程では、レジストパターン４２及び遮光膜４１をマスクとして、第２基材２０ａにエッチング処理（コンタクトエッチャー）を施す。これにより、第２基材２０ａにカラーフィルター材料を充填するための凹部３５が完成する。凹部３５の深さは、例えば、１μｍ〜１．５μｍである。凹部３５の側壁の角度は、底面に対し略９０°である。
【００６５】
このように、レジストパターン４２及び遮光膜４１をマスクとして第２基材２０ａをエッチングするので、レジストパターンの側面と第２基材２０ａの凹部３５の側面とに、段差が生じない。
【００６６】
なお、レジストパターン４２の角は、エッチング処理によってダメージが加えられている。例えば、三角錐の形状になっている。また、その下側の遮光膜４１の角部にもダメージが加えられている。
【００６７】
次に、図８に示す工程では、レジストパターン４２を剥離する。レジストパターン４２の剥離方法としては、例えば、アッシング処理が挙げられる。
【００６８】
次に、図９に示す工程では、凹部３５にカラーフィルター材料を充填する。具体的には、例えば、インクジェット法などの液滴吐出法を用いて、凹部３５の中に所定色の液状のカラーフィルター形成材料を選択的に塗布する。塗布する量としては、凹部３５の上に設けられた遮光膜４１の上面まで充填する。その後、加熱して、カラーフィルター形成材料から溶媒成分を蒸発させて、カラーフィルター材料を硬化させる。以上により、所定色のカラーフィルター層３４Ｂ，３４Ｇ，３４Ｒが形成される。
【００６９】
次に、図１０に示す工程では、カラーフィルター層３４Ｂ，３４Ｇ，３４Ｒ及び遮光膜４１の上に、例えば、透光性樹脂層からなる保護膜４３を形成する。その後、必要に応じて保護膜４３上を平坦化するために平坦化処理を行う。次に、保護膜４３上にＩＴＯからなる対向電極３１を形成する。そして、対向電極３１上に第２配向膜３２を形成してカラーフィルター基板２０（対向基板２０）を完成させる。
【００７０】
このように、タングステンシリサイド膜４１ａからなる遮光膜４１を形成し、この遮光膜４１及びレジストパターン４２をマスクとしてエッチング処理を施すことにより、従来のアルミニウムなどからなる遮光膜及びレジストパターン４２のみでマスクとする場合と比較して、凹部３５の側壁の角度を略垂直に形成することができる。よって、カラーフィルター層３４Ｂ，３４Ｇ，３４Ｒの深さを広範囲に亘って確保することが可能となり、色の再現性を向上させることができる。
【００７１】
＜液晶装置の製造方法＞
図１１は、カラーフィルター基板を備える液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。以下、液晶装置の製造方法を、図１１を参照しながら説明する。
【００７２】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、ガラス基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０や画素電極２７等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０や画素電極２７などを形成する。
【００７３】
ステップＳ１２では、第１配向膜２８を形成する。第１配向膜２８の製造方法としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、素子基板１０側が完成する。
【００７４】
次に、カラーフィルター基板２０（対向基板２０）側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、上記した製造方法を用いてカラーフィルター層３４Ｂ，３４Ｇ，３４Ｒを形成する。
【００７５】
ステップＳ２２では、カラーフィルター層３４（保護膜４３：図１０参照）上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１を形成する。
【００７６】
ステップＳ２３では、対向電極３１上に第２配向膜３２を形成する。第２配向膜３２の製造方法は、第１配向膜２８と場合と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
【００７７】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を形成する。具体的には、例えば、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における画素領域Ｅの周縁部に（画素領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。シール材１４の材料としては、上記したように、例えば、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤である。
【００７８】
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
【００７９】
ステップＳ３３では、液晶注入口（符号省略）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止する。封止には、例えば、樹脂等の封止材が用いられる。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００８０】
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器について、図１２を参照して説明する。図１２（ａ）〜（ｃ）は、上記した液晶装置を備えた電子機器の構成を示す斜視図である。
【００８１】
図１２（ａ）に示すように、液晶装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピューター２０００は、液晶装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。
【００８２】
続いて、図１２（ｂ）に示すように、液晶装置１００を備えた携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、液晶装置１００に表示される画面がスクロールされる。
【００８３】
続いて、図１２（ｃ）に示すように、液晶装置１００を備えた情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置１００に表示される。
【００８４】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、図１２に示すものの他、ピコプロジェクター、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ヘッドマウントディスプレイ、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、小型プロジェクター、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００８５】
以上詳述したように、第１実施形態のカラーフィルター基板２０の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８６】
（１）第１実施形態のカラーフィルター基板２０の製造方法によれば、タングステンシリサイド膜４１ａからなる遮光膜４１及びレジストパターン４２をマスクとして第２基材２０ａにエッチング処理を施して凹部３５を形成するので、アルミニウムなどの金属膜及びレジストパターンをマスクとする場合と比較して、凹部３５の側壁を略垂直に形成することができる。よって、カラーフィルター層３４Ｂ，３４Ｇ，３４Ｒの深さを広範囲に亘って確保することが可能となり、色の再現性を向上させることができる。
【００８７】
（２）第１実施形態のカラーフィルター基板２０の製造方法によれば、遮光膜４１及びレジストパターン４２をマスクとするので、遮光膜４１の側壁の面と凹部３５の側壁の面とを合わせることができる。言い換えれば、遮光膜４１の壁面と凹部３５の壁面との間に段差が設けられないようにすることができる。よって、この面に段差がある場合に発生する光り抜けを抑えることができる。
【００８８】
（第２実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１３は、第２実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図１３を参照しながら説明する。
【００８９】
第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態の液晶装置１００と比べて、カラーフィルター層を素子基板側に形成する部分が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００９０】
図１３に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、例えば、データ線６ａなどを含む第２層間絶縁層１１ｃ上に、第３層間絶縁層１１ｄが設けられている。第３層間絶縁層１１ｄ上には、第４層間絶縁層１１ｅが設けられている。第２層間絶縁層１１ｃ〜第４層間絶縁層１１ｅにおける表示領域２３には、カラーフィルター層１３４が設けられている。
【００９１】
このように、第２実施形態は、カラーフィルター層１３４が素子基板１０側に設けられている点が第１実施形態と異なっている。例えば、第１表示領域には、青色のカラーフィルター層１３４Ｂが設けられている。第２表示領域には、緑色のカラーフィルター層１３４Ｇが設けられている。第３表示領域には、赤色のカラーフィルター層１３４Ｒが設けられている。
【００９２】
上記した、データ線６ａなどの配線は、平面的にカラーフィルター層１３４（１３４Ｂ，１３４Ｇ，１３４Ｒ）間に設けられている。第４層間絶縁層１１ｅ上には、パッシベーション層１１ｆが設けられている。パッシベーション層１１ｆの上層表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の平坦化処理が施されている。
【００９３】
パッシベーション層１１ｆ上には、画素電極２７が設けられている。画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ５３、中継層５５，コンタクトホールＣＮＴ５２、第１容量電極１６ａを介してコンタクトホールＣＮＴ５１に接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００９４】
画素電極２７及びパッシベーション層１１ｆ上には、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が設けられている。第１配向膜２８上には、シール材１４（図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入された液晶層１５が設けられている。
【００９５】
＜液晶装置の製造方法＞
図１４は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図１５〜図２１は、液晶装置の一部の製造方法を示す模式図である。以下、液晶装置の製造方法を、図１４〜図２１を参照しながら説明する。
【００９６】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。ステップＳ１１１では、ガラス基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０やデータ線６ａ等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０やデータ線６ａなどを形成する。
【００９７】
ステップＳ１１２では、カラーフィルター層１３４を形成する。具体的には、図１５〜図２１を参照しながら説明する。図１５に示す工程（成膜工程）では、データ線６ａなどを含む層間絶縁層１１上に、金属膜としてのアルミニウム（Ａｌ）膜１４１ａ、及び金属窒化膜としての窒化チタン（ＴｉＮ）膜１４２ａを成膜する。成膜する方法としては、例えば、スパッタ法を用いることができる。アルミニウム膜１４１ａの厚みは、例えば、０．３５μｍである。窒化チタン膜１４２ａの厚みは、例えば、０．１５μｍである。
【００９８】
次に、図１６に示す工程（成膜工程、レジストパターン形成工程、第１エッチング処理工程）では、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて、アルミニウム膜１４１ａと窒化チタン膜１４２ａとをパターニングする。まず、マスク（図示せず）を用いてレジスト膜からレジストパターン１４３を形成する。
【００９９】
次に、レジストパターン１４３をマスクとして、窒化チタン膜１４２ａをエッチング処理し、続いてアルミニウム膜１４１ａをエッチング処理する（第１エッチング処理）。以上により、レジストパターン１４３の下側に、窒化チタン膜及びアルミニウム膜からなる遮光膜１４０（メタルパターン）が形成される。なお、遮光膜１４０として用いられるメタルパターンは、液晶装置２００に配置される配線層として用いることができる。
【０１００】
次に、図１７に示す工程（凹部形成工程）では、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などからなる層間絶縁層１１にカラーフィルター材料を充填するための凹部１３５を形成する。具体的には、まず、レジストパターン１４３及び遮光膜１４０をマスクとして、層間絶縁層１１にエッチング処理（第２エッチング処理）を施す。これにより、層間絶縁層１１に凹部１３５が形成される。凹部１３５の深さとしては、例えば、１μｍ〜１．５μｍである。また、凹部１３５の側面の角度は、８４°〜８６°である。なお、エッチング処理により、レジストパターン１４３の一部が削られている。
【０１０１】
次に、図１８に示す工程では、レジストパターン１４３を剥離する。レジストパターン１４３を剥離する方法としては、例えば、アッシング処理を施す方法が挙げられる。このように、窒化チタン膜１４２を含む遮光膜１４０及びレジストパターン１４３をマスクとしてエッチング処理を施すことにより、従来のアルミニウムなどからなる遮光膜及びレジストパターン４２のみでマスクとする場合と比較して、凹部１３５の側壁の角度を略垂直に形成することができる。よって、後述するカラーフィルター層１３４Ｂ，１３４Ｇ，１３４Ｒの深さを広範囲に亘って確保することが可能となり、色の再現性を向上させることができる。
【０１０２】
次に、図１９に示す工程では、凹部１３５及び遮光膜１４０の全面に保護絶縁膜１４４を形成する。保護絶縁膜１４４の材料としては、例えば、ＢＳＧ膜（ボロンドープ酸化膜）である。保護絶縁膜１４４の厚みとしては、例えば、５０ｎｍ〜７５ｎｍである。保護絶縁膜１４４は、アルミニウム膜に現像液が付着した際、アルミニウム膜がエッチングされてなくなることを防ぐために用いられる。
【０１０３】
次に、図２０に示す工程では、カラーフィルター材料を凹部１３５に充填する。具体的には、スピンコート法を用いて、凹部１３５の中に、青色着色層、緑色着色層、赤色着色層を選択的に形成する。その後、例えば、着色層を加熱させて硬化し、カラーフィルター層１３４（１３４Ｂ，１３４Ｇ，１３４Ｒ）を完成させる。
【０１０４】
次に、図２１に示す工程では、カラーフィルター層１３４Ｂ，１３４Ｇ，１３４Ｒ及び遮光膜１４０上を覆うように、パッシベーション層１１ｆ及び画素電極２７を形成する。具体的には、パッシベーション層１１ｆの成膜方法としては、例えば、ＣＶＤ法などを用いて形成することができる。パッシベーション層１１ｆの膜厚としては、例えば、０．６μｍである。その後、パッシベーション層１１ｆの上面に生じた凸凹を平坦化するために、パッシベーション層１１ｆにＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）研磨処理を施す。
【０１０５】
次に、画素電極２７と電気的に接続するためのコンタクトホール（図示せず）を形成する。その後、パッシベーション層１１ｆ上に、ＩＴＯ膜などからなる画素電極２７を、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成する。画素電極２７の膜厚としては、例えば、０．２μｍ〜０．５μｍである。
【０１０６】
次に、画素電極２７及びパッシベーション層１１ｆを覆うように第１配向膜２８（図示せず）を形成する。第１配向膜２８の製造方法としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、素子基板１０側が完成する。
【０１０７】
次に、図１４を参照しながら、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ１２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１を形成する。
【０１０８】
ステップＳ１２２では、対向電極３１上に第２配向膜３２を形成する。第２配向膜３２の製造方法は、第１配向膜２８と場合と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
【０１０９】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。詳しくは、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。
【０１１０】
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
【０１１１】
ステップＳ３３では、液晶注入口（図示せず）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止する。封止には、例えば、樹脂等の封止材が用いられる。以上により、液晶装置２００が完成する。
【０１１２】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００の製造方法によれば、上記に記載の（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１１３】
（３）第２実施形態の液晶装置２００の製造方法によれば、アルミニウム膜１４１及び窒化チタン膜１４２の積層からなる遮光膜１４０及びレジストパターン１４３をマスクとして層間絶縁層１１にエッチング処理を施して凹部１３５を形成するので、アルミニウムなどの金属膜及びレジストパターンのみをマスクとする場合と比較して、凹部１３５の側壁を略垂直に形成することができる。よって、カラーフィルター層１３４Ｂ，１３４Ｇ，１３４Ｒの深さを広範囲に亘って確保することが可能となり、色の再現性を向上させることができる。
【０１１４】
（４）第２実施形態の液晶装置２００の製造方法によれば、遮光膜１４０などを備えるメタルパターンの一部を液晶装置２００を構成する配線層として用いることができるので、遮光膜１４０及び配線層を同じ材料から形成することが可能となり、効率よく形成することができる。
【０１１５】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１１６】
（変形例１）
上記したように、第１実施形態のカラーフィルター基板２０にタングステンシリサイド膜からなる遮光膜４１を形成し、第２実施形態の素子基板１０にアルミニウム膜１４１及び窒化チタン膜１４２が積層された遮光膜１４０を形成することに限定されず、例えば、互いの材料を入れ替えるようにしてもよい。具体的には、第１実施形態のカラーフィルター基板２０にアルミニウム膜１４１及び窒化チタン膜１４２が積層された遮光膜１４０を形成し、第２実施形態の液晶装置２００の素子基板１０にタングステンシリサイド膜からなる遮光膜４１を形成するようにする。これらの組み合わせで用いた場合でも、略垂直に凹部３５，１３５の側壁を形成することができる。よって、カラーフィルター層３４，１３４の深さを広範囲に亘って確保することが可能となり、色の再現性を向上させることができる。
【０１１７】
（変形例２）
上記したように、カラーフィルター基板２０は、対向電極３１及び第２配向膜３２を有する構造であったことに限定されず、例えば、カラーフィルター層３４のみを備えた基板をカラーフィルター基板とするようにしてもよい。
【０１１８】
（変形例３）
上記したように、第１実施形態の遮光膜４１は、タングステンシリサイド膜に限定されず、例えば、金属シリサイド膜であればよい。
【０１１９】
（変形例４）
上記したように、画素の構成として、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）のサブ画素で構成されることに限定されず、例えば、ピコプロジェクターに用いられる構造のように、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）Ｗ（白）のサブ画素で構成されるようでもよい。
【符号の説明】
【０１２０】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１…層間絶縁層、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｅ…第４層間絶縁層、１１ｆ…パッシベーション層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光部、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２３…表示領域、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３２…第２配向膜、３３…平坦化層、３４，３４Ｂ，３４Ｇ，３４Ｒ，１３４，１３４Ｂ，１３４Ｇ，１３４Ｒ…カラーフィルター層、３５，１３５…凹部、４１…遮光膜、４１ａ…タングステンシリサイド膜、４２…レジストパターン、４３…保護膜、５１，５２，５３，５４…コンタクトホールＣＮＴ、５５…中継層、６１…外部接続用端子、１００，２００…液晶装置、１４０…遮光膜、１４１ａ…アルミニウム膜、１４２ａ…窒化チタン膜、１４３…レジストパターン、１４４…保護絶縁膜、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２０１０…本体部、３０００…携帯電話機、３００１…操作ボタン、３００２…スクロールボタン、４０００…情報携帯端末、４００１…操作ボタン、４００２…電源スイッチ。
【図１】
2013257442.tif 000003
【図２】
2013257442.tif 000004
【図３】
2013257442.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2013257442.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2013257442.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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