(57)【要約】【課題】リードディスターブが発生する時期を知ることができるメモリ制御装置を提供すること。【解決手段】複数のアプリデータを格納しているブロックを複数記憶している記憶部と、前記複数のアプリデータのうち、第１のアプリデータが読み出されたとき、前記第１のアプリデータの読出し回数と、前記第１のアプリデータが格納されているブロックの読出し回数をカウントする読出し回数カウント部と、前記第１のアプリデータが格納されている前記ブロックに対する平均読出し間隔を算出する読出し間隔算出部と、前記ブロックの読出し回数と、前記ブロックの平均読出し間隔と、前記ブロックの読出し回数の閾値とにもとづき、前記ブロックの読出し回数が前記閾値に達するまでの時間を算出する寿命算出部と、前記寿命算出部より算出された時間を表示する表示部とを備える。【選択図】図１
2013257611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアプリケーションデータを格納しているブロックを複数記憶している記憶部と、
前記複数のアプリケーションデータのうち、第１のアプリケーションデータが読み出されたとき、前記第１のアプリケーションデータの読出し回数と、前記第１のアプリケーションデータが格納されているブロックの読出し回数をカウントする読出し回数カウント部と、
前記複数のアプリケーションデータのうち、前記第１のアプリケーションデータが読み出されたとき、前記第１のアプリケーションデータが格納されている前記ブロックに対する平均読出し間隔を算出する読出し間隔算出部と、
前記ブロックの読出し回数と、前記ブロックの平均読出し間隔と、前記ブロックの読出し回数の閾値とにもとづき、前記ブロックの読出し回数が前記閾値に達するまでの時間を算出する寿命算出部と、
前記寿命算出部より算出された時間を、前記第１のアプリケーションデータの寿命として表示する表示部と、
を有するメモリ制御装置。
【請求項２】
前記記憶部に格納されている前記複数のアプリケーションデータの中から、読出し回数が上位のアプリケーションデータを表示する通算読出し回数表示部を、
さらに有することを特徴とする請求項１記載のメモリ制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はメモリ制御装置に関し、複数のアプリケーションデータを格納しているメモリ制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラッシュメモリ等の不揮発性である記録媒体は、高速なメモリアクセスが可能であるため、携帯電話やデジタルカメラ等、多くの情報機器に利用されている。
【０００３】
主に、フラッシュメモリには、ＮＯＲ型とＮＡＮＤ型があり、ＮＯＲ型フラッシュメモリとは、信頼性が高く、ランダムアクセスが高速である。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリとは、消去や書き込みの速度が速く大容量化に適した仕様となっているが、ページ単位での読み書きしかできず、ランダムアクセスが遅い。
【０００４】
ここで、フラッシュメモリには、一般的に消去回数の制限といった課題がある。フラッシュメモリのブロックの消去回数が制限を越えると、ブロックは破壊されてしまう。また、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリには、読出し回数の制限といった課題もある。フラッシュメモリからデータの読出し回数が制限を越えると、データ化け（いわゆるリードディスターブ）を引き起こしてしまう。
【０００５】
このリードディスターブを防ぐためには、読出し回数をカウントし、閾値を超えた時に、再書き込み（リフレッシュ）を行う必要がある。
【０００６】
上記課題を解決するため、特許文献１には、読出し回数を記録し、閾値を超えた場合、ブロックを消去し、再書き込みをし、リードディスターブが回避できるメモリ制御装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−３１０８８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載されたメモリ制御装置では、いつ、データの読出し回数が制限を超え、データが破壊されるか把握することができない。データ破壊を回避するため、読出し回数をカウントし、閾値を超える前にブロックを消去し、再書き込みを行うリフレッシュ処理を実施する必要があるが、この処理は時間がかかる為、情報機器の動作性能に影響を与える。予めリフレッシュ処理の発生時期を知って置く事が必要である。
【０００９】
本発明は、リードディスターブが発生する時期を知ることができるメモリ制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のメモリ制御装置は、複数のアプリケーションデータを格納しているブロックを複数記憶している記憶部と、前記複数のアプリケーションデータのうち、第１のアプリケーションデータが読み出されたとき、前記第１のアプリケーションデータの読出し回数と、前記第１のアプリケーションデータが格納されているブロックの読出し回数をカウントする読出し回数カウント部と、前記複数のアプリケーションデータのうち、前記第１のアプリケーションデータが読み出されたとき、前記第１のアプリケーションデータが格納されている前記ブロックに対する平均読出し間隔を算出する読出し間隔算出部と、前記ブロックの読出し回数と、前記ブロックの平均読出し間隔と、前記ブロックの読出し回数の閾値とにもとづき、前記ブロックの読出し回数が前記閾値に達するまでの時間を算出する寿命算出部と、前記寿命算出部より算出された時間を、前記第１のアプリケーションデータの寿命として表示する表示部と、を備えた構成を有する。
【００１１】
この構成により、フラッシュメモリに格納されているアプリケーションデータ毎にアプリケーションデータのリードディスターブが発生するまでの寿命を予測する事が可能となる。
【００１２】
また、本発明のメモリ制御装置は、前記記憶部に格納されている前記複数のアプリケーションデータの中から、読出し回数が上位のアプリケーションデータを表示する通算読出し回数表示部を、さらに備えた構成を有する。
【００１３】
この構成によって、リードディスターブが発生しやすいアプリケーションデータを知ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のメモリ制御装置によれば、アプリケーションデータの使用頻度に応じて、リードディスターブが発生する時期をユーザに適切に通知することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態におけるメモリ制御装置の構成を示すブロック図
【図２】本発明の実施の形態におけるメモリ制御装置のリードディスターブ対策に関する処理手順を示すフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施の形態におけるメモリ制御装置の構成を示すブロック図である。
【００１８】
メモリ制御装置１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０、記憶部１１、データ読出し部１２、読出し回数カウント部１３、読出し時間記憶部１４、管理テーブル部１５、平均読出し間隔算出部１６、寿命算出部１７、寿命表示部１８、通算読出し回数表示部１９を備える。
【００１９】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０の記憶部１１には、例えば、ゲームやマルチメディア等のアプリケーションデータが複数格納されている。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、ブロックと呼ばれるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの管理単位に分割されており、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリはブロック毎に消去を行なう。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのブロック内には、複数のアプリケーションデータやプログラムコードなどが格納されている。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０は、格納されているデータの読出し回数に制限があり、読出し回数がこの制限値を超える前にリフレッシュする必要がある。以下の説明では、一例として読出し回数の制限値を百万回とする。
【００２０】
データ読出し部１２は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０から特定のアプリケーションデータを読み出す。
【００２１】
読出し回数カウント部１３は、アプリケーションデータがＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０より読み出された回数をカウントする。
【００２２】
読出し時間記憶部１４は、アプリケーションデータがＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０より読み出された時間を記憶する。
【００２３】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０の管理テーブル１５は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０に格納されたアプリケーションデータと、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０からアプリケーションデータが読み出された回数、読出し時間、平均読出し間隔とを対応づけて格納する管理テーブルを保持している。
【００２４】
読出し間隔算出部１６は、アプリケーションデータの読出し時間記憶部１４を用いて、アプリケーションデータの平均読出し間隔を算出する。
【００２５】
寿命算出部１７は、管理テーブルに記録された、読出し間隔と読見出し回数と、リードディスターブ回避の閾値から、寿命を算出する。
【００２６】
寿命表示部１８は、寿命算出部で算出された寿命を、アプリケーションデータ毎に表示する。
【００２７】
通算読出し回数表示部１９は、アプリケーション毎に読出し回数を表示する。
【００２８】
図２は、本発明の実施の形態におけるメモリ制御装置のアプリケーションデータ寿命を算出する処理手順を示すフローチャートである。
【００２９】
まず、データ読出し部１２は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０からアプリケーションデータの読出しを実施する（ステップＳ２１）。
【００３０】
次に、読出し回数カウント部１３は、データ読出し部１２で読み出されたアプリケーションデータの読出し回数、及び、アプリケーションデータが格納されているブロックの読出し回数をインクリメントして更新し管理テーブル１５に記録する（ステップＳ２２）（ステップＳ２３）。
【００３１】
次に、読出し時間記憶部１４は、データの読み出された時間を管理テーブル１５に記録する。（ステップＳ２４）。
【００３２】
次に、読出し間隔算出部１６では、今回、ブロックの読出し間隔と、前回までの平均読出し間隔と、ブロックの読出し回数から、平均のブロック読出し間隔を算出し、管理テーブル１５に記録する（ステップＳ２５）。
【００３３】
次に、寿命算出部１７では、ブロックの平均読出し間隔と、ブロックの読出し回数と、ブロックの読出し回数の閾値より、ブロックに格納されているアプリケーションデータのリードディスターブが発生するまでの寿命を見積もる。例えば、閾値が１００万回で、データの読出し回数が３０万回の場合、データのリード間隔が２分だとすると、データの寿命は、約２．７年となる。（ステップＳ２６）
一方、アプリケーションデータが複数のブロックに格納されている場合は、各ブロックの寿命の中から一番短い寿命をそのアプリケーションデータの寿命とし、寿命表示部１８は表示する。（ステップＳ２７）
このように、本実施の形態によれば、アプリケーションデータがリードディスターブの影響により、いつデータが壊れるか、見積もる事が可能となる。フラッシュメモリの信頼性を評価する事が可能となり、信頼性の高いメモリ制御システムを実現できる。
【００３４】
なお、管理テーブル１５に記録されているアプリケーションデータ毎のリード回数から、リード回数の多いアプリケーションデータを通算読出し回数表示部１９に表示する。例えば、フラッシュメモリに格納されている複数のアプリケーションデータの内、上位１０個のアプリケーションデータを表示してもよい。
【００３５】
このように、本実施の形態によれば、リードディスターブが発生しやすいアプリケーションデータを知る事ができる。リードディスターブの発生しやすいアプリケーションデータを知る事で、アプリケーションデータの改善が可能となり、信頼性の高いメモリ制御システムを実現できる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、フラッシュメモリに格納されているリードディスターブが発生するまでのデータの寿命を知ることが出来る為、フラッシュメモリを備えた携帯電話やデジタル機器等に有用である。
【符号の説明】
【００３７】
１０    ＮＡＮＤフラッシュメモリ
１１    記憶部
１２    データ読出し部
１３    読出し回数カウント部
１４    読出し時間記憶部
１５    管理テーブル
１６    読出し間隔算出部
１７    寿命算出部
１８    寿命表示部
１９    通算読出し回数表示部
【図１】
2013257611.tif 000003
【図２】
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