(57)【要約】【課題】有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光する少なくとも一つの発光領域を含む第１領域と、外光が透過する少なくとも一つの透過領域を備える第２領域と、をそれぞれ備える複数のピクセルと、ピクセル間に配置される第３領域と、各ピクセルの発光領域にそれぞれ配置される複数の第１電極と、少なくとも第１電極を覆う発光層と、第１領域及び第３領域に配置された第１補助層と、第１補助層上に形成され、第１領域及び第３領域に配置された第２電極と、第２電極を覆い、第１領域及び第２領域に配置され、第３領域には配置されない第２補助層と、第２電極上に形成され、第３領域に配置される第３電極と、を備える有機発光表示装置。【選択図】図７
2013258144.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光する少なくとも一つの発光領域を含む第１領域と、外光が透過する少なくとも一つの透過領域を備える第２領域と、をそれぞれ備える複数のピクセルと、
前記ピクセル間に配置される第３領域と、
前記各ピクセルの前記発光領域にそれぞれ配置される複数の第１電極と、
少なくとも前記第１電極を覆う発光層と、
前記第１領域及び第３領域に配置された第１補助層と、
前記第１補助層上に形成され、前記第１領域及び第３領域に配置された第２電極と、
前記第２電極を覆い、前記第１領域及び前記第２領域に配置され、前記第３領域には配置されない第２補助層と、
前記第２電極上に形成され、前記第３領域に配置される第３電極と、を備える有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第２電極は、前記第２領域に配置されない請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第２電極は前記第２領域にも配置され、前記第２電極の前記第２領域に配置されている部分の厚さは、前記第２電極の前記第１領域に配置されている部分の厚さより薄い請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１補助層は、前記第２領域には配置されない請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１補助層は、前記第２領域にも配置される請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第３電極は前記第１領域および第２領域にも配置され、前記第３電極の前記第１領域および第２領域に配置されている部分の厚さは、前記第３電極の前記第３領域に配置されている部分の厚さより薄い請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１補助層と前記第２補助層との間に介在し、前記第２領域に配置される第３補助層をさらに備える請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第３補助層は、前記第１領域及び前記第３領域に配置されない請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第３電極の厚さは、前記第２電極の厚さより厚い請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第２電極は前記第２領域にも配置され、前記第２電極の前記第２領域への接着力は、前記第２電極の前記第１領域及び第３領域への接着力より弱いことを特徴とする請求項１及び３〜９のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記第３電極は前記第２領域にも配置され、前記第３電極の前記第２領域への接着力は、前記第３電極の前記第３領域への接着力より弱いことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記第１補助層は、Ａｌｑ３、ジ−タングステンテトラ（ヘキサヒドロピリミドピリミジン）、フラーレン、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、ＡＤＮ［９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン］、８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム（Ｌｉｑ）を含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記第２補助層は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェニル−４−イル）
９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン）、またはＴＰＤ［４，４’−ビス
［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル］を含む請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記第３補助層は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェニル−４−イル）
９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン）、またはＴＰＤ［４，４’−ビス
［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル］を含む請求項１〜１３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記第２電極及び第３電極は、Ｍｇを含む請求項１〜１４のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
発光する少なくとも一つの発光領域を含む第１領域と、外光が透過する少なくとも一つの透過領域を備える第２領域と、をそれぞれ備える複数のピクセルを定義する工程と、
前記ピクセル間に配置される第３領域を定義する工程と、
前記各ピクセルの前記発光領域に第１電極を形成する工程と、  前記第１電極を覆う発光層を形成する工程と、
前記第１領域及び第３領域に配置されるように第１補助層を形成する工程と、
前記第１補助層上に第２電極形成用金属を蒸着して、前記第１領域及び第３領域に配置されるように第２電極を形成する工程と、
前記第２電極を覆い、前記第１領域及び前記第２領域に配置され、前記第３領域には配置されないように第２補助層を形成する工程と、
前記第２電極上に第３電極形成用金属を蒸着して、前記第３領域に配置されるように第３電極を形成する段階と、を含む有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２電極を形成する工程は、前記第１領域ないし第３領域に同時に前記第２電極形成用金属を蒸着し、前記第２電極は前記第２領域に配置されない工程を含む請求項１６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２電極を形成する工程は、前記第１領域ないし第３領域に同時に前記第２電極形成用金属を蒸着して、前記第２電極を前記第２領域にも配置する工程を含み、前記第２電極の前記第２領域に配置されている部分の厚さは、前記第２電極の前記第１領域に配置されている部分の厚さより薄い請求項１６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１補助層を形成する工程は、前記第１補助層が前記第２領域には配置されないようにパターニングする工程を含む請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１補助層を形成する工程は、第２領域に第１補助層を配置する工程を含む請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第３電極を形成する工程は、前記第１領域、第２領域および第３領域に同時に前記第３電極形成用金属を蒸着して、前記第３電極を前記第２領域にも配置する工程を含み、前記第３電極の前記第２領域に配置されている部分の厚さは、前記第３電極の前記第３領域に配置されている部分の厚さより薄い請求項１６〜２０のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第１補助層と前記第２補助層との間に介在し、前記第２領域に配置される第３補助層を形成する工程をさらに含む請求項１６〜２１のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記第３補助層を形成する工程は、前記第３補助層が前記第１領域及び前記第３領域に配置されないようにパターニングする工程を含む請求項２２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第３電極は、前記第２電極より厚く形成する請求項１６〜２３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第２電極は前記第２領域にも配置され、前記第２電極の前記第２領域への接着力は、前記第２電極の前記第１領域及び第３領域への接着力より弱い請求項１６及び１８〜２４のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記第３電極を前記第２領域にも位置させる配置する工程を含み、前記第３電極の前記第２領域への接着力は、前記第３電極の前記第３領域への接着力より弱い請求項１６〜２５のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記第１補助層は、Ａｌｑ３、ジ−タングステンテトラ（ヘキサヒドロピリミドピリミジン）、フラーレン、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、ＡＤＮ［９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン］、８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム（Ｌｉｑ）を含む請求項１６〜２６のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記第２補助層は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェニル−４−イル）
９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン）、またはＴＰＤ［４，４’−ビス
［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル］を含む請求項１６〜２７のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記第３補助層は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェニル−４−イル）
９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン）、またはＴＰＤ［４，４’−ビス
［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル］を含む請求項１６〜２８のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記第２電極形成用金属及び第３電極形成用金属は、Ｍｇを含む請求項１６〜２９のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、有機化合物を電気的に励起させて発光させる自発光型ディスプレイである。有機発光表示装置は、液晶表示装置に比べ、低電圧で駆動できること、薄型化が容易であること、広視野角を持つこと、および応答時間が短いこと等の利点があり、液晶表示装置において指摘された問題点を解決できる次世代ディスプレイとして注目されている。
【０００３】
このような有機発光表示装置について、内部の薄膜トランジスタや有機発光素子が備えられた領域以外に透過部を形成することによって表示装置を透明に見せようとする試みがある。この場合、不透明金属を用いて形成されるカソードが前記透過部には形成されないようにパターニングする工程が必要である。
【０００４】
しかし、共通電極であるカソードでの開口パターンの形成において、既存のパターニング工程でよく使われるファインメタルマスク（ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ）を使用することは難しい。
【０００５】
加えて、前記共通電極であるカソードは、すべてのピクセルを覆うため配線抵抗が高くなるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】大韓民国特許出願公開第１０−２０１１−０１０３７３５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、共通電極の開口パターンを容易に形成でき、さらに共通電極の配線抵抗を軽減できる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
課題を解決するために、本発明の一形態によれば、発光する少なくとも一つの発光領域を含む第１領域と、外光が透過する少なくとも一つの透過領域を備える第２領域と、をそれぞれ備える複数のピクセルと、前記ピクセル間に配置される第３領域と、前記各ピクセルの前記発光領域にそれぞれ配置される複数の第１電極と、前記第１電極を覆う発光層と、前記第１領域及び第３領域に配置された第１補助層と、前記第１補助層上に形成され、前記第１領域及び第３領域に配置された第２電極と、前記第２電極を覆い、前記第１領域及び前記第２領域に配置され、前記第３領域には配置されない第２補助層と、前記第２電極上に形成され、前記第３領域に配置される第３電極と、を備える有機発光表示装置が提供される。
【０００９】
一形態によれば、前記第２電極は、前記第２領域に配置されない。
【００１０】
一形態によれば、前記第２電極は前記第２領域にも配置され、前記第２電極の前記第２領域に配置されている部分の厚さは、前記第２電極の前記第１領域に配置されている部分の厚さより薄い。
【００１１】
一形態によれば、前記第１補助層は、前記第２領域には配置されない。
【００１２】
一形態によれば、前記第１補助層は、前記第２領域にも配置される。
【００１３】
一形態によれば、前記第３電極は前記第２領域にも配置され、前記第３電極の前記第２領域に配置されている部分の厚さは、前記第３電極の前記第３領域に配置されている部分の厚さより薄い。
【００１４】
一形態によれば、前記第１補助層と前記第２補助層との間に介在し、前記第２領域に配置される第３補助層をさらに備える。
【００１５】
一形態によれば、前記第３補助層は、前記第１領域及び前記第３領域に配置されない。
【００１６】
一形態によれば、前記第２電極は前記第２領域にも配置され、前記第２電極の前記第２領域に配置される部分の厚さは、前記第２電極の前記第１領域に配置されている部分の厚さより薄い。
【００１７】
一形態によれば、前記第３電極は前記第２領域にも配置され、前記第３電極の前記第２領域に配置されている部分の厚さは、前記第３電極の前記第３領域に配置されている部分の厚さより薄い。
【００１８】
一形態によれば、前記第３電極の厚さは、前記第２電極の厚さより厚い。
【００１９】
一形態によれば、前記第２電極は前記第２領域にも配置され、前記第２電極の前記第２領域への接着力は、前記第１領域および第３領域への接着力より弱い。
【００２０】
一形態によれば、前記第３電極は前記第２領域にも配置され、前記第３電極の前記第２領域への接着力は、前記第３電極の前記第３領域への接着力より弱い。
【００２１】
一形態によれば、前記第１補助層は、Ａｌｑ３、ジ−タングステンテトラ（ヘキサヒドロピリミドピリミジン）、フラーレン、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、ＡＤＮ［９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン］、８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム（Ｌｉｑ）を含む。
【００２２】
一形態によれば、前記第２補助層は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェ
ニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン）、またはＴＰＤ
［４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル］を
含む。
【００２３】
一形態によれば、前記第３補助層は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェ
ニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン）、またはＴＰＤ
［４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル］を
含む。
【００２４】
一形態によれば、前記第２電極及び第３電極は、Ｍｇを含む。
【００２５】
一形態によれば、発光する少なくとも一つの発光領域を含む第１領域と、外光が透過する少なくとも一つの透過領域を備える第２領域と、をそれぞれ備える複数のピクセルを定義する工程と、前記ピクセル間に配置される第３領域を定義する工程と、前記各ピクセルの前記発光領域に第１電極を形成する工程と少なくとも前記第１電極を覆う発光層を形成する工程と、前記第１領域及び第３領域に配置されるように第１補助層を形成する工程と、前記第１補助層上に第２電極形成用金属を蒸着して、前記第１領域及び第３領域に配置されるように第２電極を形成する工程と、前記第２電極を覆い、前記第１領域及び前記第２領域に配置され、前記第３領域には配置されないように第２補助層を形成する工程と、前記第２電極上に第３電極形成用金属を蒸着して、前記第３領域に配置されるように第３電極を形成する工程と、を含む有機発光表示装置の製造方法が提供される。
【００２６】
一形態によれば、前記第２電極を形成する工程は、前記第１領域ないし第３領域に同時に前記第２電極形成用金属を蒸着し、前記第２電極が前記第２領域には配置されない工程を含む。
【００２７】
一形態によれば、前記第２電極を形成する工程は、前記第１領域ないし第３領域に同時に前記第２電極形成用金属を蒸着して、前記第２電極を前記第２領域にも配置する工程を含み、前記第２電極の前記第２領域に配置されている部分の厚さは、前記第２電極の前記第１領域に配置されている部分の厚さより薄い。
【００２８】
一形態によれば、前記第１補助層を形成する工程は、前記第１補助層が前記第２領域には配置されないようにパターニングする工程を含む。
【００２９】
一形態によれば、前記第１補助層を形成する工程は、前記第２領域に第１補助層を配置する工程を含む。
【００３０】
一形態によれば、前記第３電極を形成する工程は、前記第１領域、第２領域および第３領域に同時に前記第３電極形成用金属を蒸着して、前記第３電極を前記第２領域にも配置する工程を含み、前記第３電極の前記第２領域に配置されている部分の厚さは、前記第３電極の前記第３領域に配置されている部分の厚さより薄い。
【００３１】
一形態によれば、前記第１補助層と前記第２補助層との間に介在し、前記第２領域に配置される第３補助層を形成する工程をさらに含む。
【００３２】
一形態によれば、前記第３補助層を形成する工程は、前記第３補助層が前記第１領域及び前記第３領域に配置されないようにパターニングする工程を含む。
【００３３】
一形態によれば、前記第３電極は、前記第２電極より厚く形成する。
【００３４】
一形態によれば、前記第２電極は前記第２領域にも配置され、前記第２電極の前記第２領域への接着力は、前記第２電極の前記第１領域及び第３領域への接着力より弱い。
【００３５】
一形態によれば、前記第３電極を前記第２領域にも位置させる配置する工程を含み、前記第３電極の前記第２領域への接着力は、前記第３電極の前記第３領域への接着力より弱い。
【００３６】
一形態によれば、前記第１補助層は、Ａｌｑ３、ジ−タングステンテトラ（ヘキサヒドロピリミドピリミジン）、フラーレン、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、ＡＤＮ［９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン］、８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム（Ｌｉｑ）を含む。
【００３７】
一形態によれば、前記第２補助層は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェ
ニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン）、またはＴＰＤ
［４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル］を
含む。
【００３８】
一形態によれば、前記第３補助層は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェ
ニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン）、またはＴＰＤ
［４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル］を
含む。
【００３９】
一形態によれば、前記第２電極形成用金属及び第３電極形成用金属は、Ｍｇを含む。
【発明の効果】
【００４０】
金属からなる第２電極及び第３電極を、別途のパターニングマスクなしでもパターニングして形成できるという工程上の利点があり、第２電極及び第３電極が透過領域のある第２領域に形成されないことでパネル全体の透過率を向上させることが可能である。
【００４１】
さらに、第３電極によって、第２電極の配線抵抗を低減させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】有機発光表示装置の一形態を概略的に示す断面図である。
【図２】有機発光表示装置の他の一形態を概略的に示す断面図である。
【図３】有機発光表示装置のさらに他の一形態を概略的に示す断面図である。
【図４】有機発光表示装置の一形態を具体的に示す断面図である。
【図５】有機発光表示装置の一形態を具体的に示す断面図である。
【図６】有機発光表示装置の一形態の互いに隣接しているピクセルを示す平面図である。
【図７】図６の一形態についてのＩ−Ｉ線の断面図である。
【図８】図７の他の一形態についての断面図である。
【図９】図６の他の一形態についてのＩ−Ｉ線の断面図である。
【図１０】図９の他の一形態についての断面図である。
【図１１】有機発光表示装置の他の一実施形態の互いに隣接しているピクセルを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明すれば、次の通りである。
【００４４】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【００４５】
図１を参照すれば、本発明の望ましい一形態による有機発光表示装置は、基板１上にディスプレイ部２が備えられる。
【００４６】
このような有機発光表示装置で、外光は基板１及びディスプレイ部２を透過して入射される。
【００４７】
そして、ディスプレイ部２は、以下に詳細に述べられるように、外光が透過できる構造（例えば、透明であること）である。図１に描かれているように、ディスプレイ部２は、有機発光表示装置に表示された画像を見ているユーザが、基板１とディスプレイ部２を透過した外光（例えば、有機発光表示装置の後ろ側）も見ることができる構造である。
【００４８】
図１は、有機発光表示装置の互いに隣接している２つのピクセルである第１ピクセルＰ１及び第２ピクセルＰ２を示すものである。
【００４９】
各ピクセルＰ１、Ｐ２は、第１領域３１及び第２領域３２を備えている。
【００５０】
第１領域３１を通じてディスプレイ部２から画像が具現化され、第２領域３２を通じて外光が透過する。
【００５１】
すなわち、本発明は各ピクセルＰ１、Ｐ２がいずれも画像を具現化する第１領域３１および外光が透過する第２領域３２を備えており、ユーザは、第１領域３１に表示された画像を見ることに加えて、またはその代わりに、第２領域を通して外部の場面（すなわち、有機発光表示装置の後ろ側）を見ることができる。
【００５２】
この時、第２領域３２には薄膜トランジスタ、キャパシタ、有機発光素子などの素子を形成しないことで外光透過率を著しく増加させることができ、透過イメージが薄膜トランジスタ、キャパシタ、有機発光素子などの装置によって干渉されて歪曲が起こることを可能な限り抑制することができる。
【００５３】
図１に示した実施形態では、ディスプレイ部２の画像が基板１の方向に具現化される背面発光型について述べたが、本発明が必ずしも背面発光型に限定されるものではなく、図２に示したように、ディスプレイ部２の画像が基板１の逆方向に具現化される前面発光型にも同様に適用できるということはいうまでもない。また図３に示したように、ディスプレイ部２の画像が基板１の方向及び基板１の逆方向に具現化される両面発光型にも適用できるということはいうまでもない。
【００５４】
前記のような有機発光表示装置の実施形態は、図４及び／または図５に示したようにさらに具体化される。
【００５５】
図４を参照すれば、前記ディスプレイ部２は、基板１上に形成された有機発光部２１と、この有機発光部２１を密封する密封基板２３とを備える。
【００５６】
前記密封基板２３は、透明な部材で形成され、有機発光部２１からの画像を具現化させ、有機発光部２１への外気及び水気の侵入を軽減し、または防ぐ。前記基板１と前記密封基板２３とは、そのエッジが密封材２４により結合されて前記基板１と密封基板２３との間の空間２５が密封される。前記空間２５には、吸湿剤や充填材などが配置される。
【００５７】
前記密封基板２３の代りに、図５に示したように、薄膜の密封フィルム２６を有機発光部２１上に形成することで、有機発光部２１を外気から保護することも可能である。前記密封フィルム２６は、酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの無機物からなる膜と、エポキシ、ポリイミドなどの有機物からなる膜が交互に成膜された構造を採用できるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明な薄膜上の密封構造ならば、いかなるものでも適用できる。
【００５８】
図６は、互いに隣接しているピクセルＰを示す平面図であり、図７は、図６のＩ−Ｉ線
の断面図である。各ピクセルＰは、互いに隣接している赤色ピクセルＰｒ、緑色ピクセルＰｇ及び青色ピクセルＰｂを含む。
【００５９】
各赤色ピクセルＰｒ、緑色ピクセルＰｇ及び青色ピクセルＰｂは、第１領域３１に回路領域３１１及び発光領域３１２をそれぞれ備える。本発明に係る一形態でこれら回路領域３１１と発光領域３１２とは互いに重畳して配置される。そして発光領域３１２は、第１電極２２１を備えるが、前記第１電極２２１は、回路領域３１１と互いに重畳して配置される。
【００６０】
そして、第１領域３１に隣接して、外光を透過する透過領域を備える第２領域３２が配置される。図６では、透過領域と第２領域３２とが一致するが、必ずしもこれに限定されるものではない。加えて、、図６では、透過領域を含むため、第１領域３１よりも第２領域３２が広く形成されているが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００６１】
前記第２領域３２は、各赤色、緑色、青色ピクセルＰｒ、Ｐｇ、Ｐｂは独立して備えられてもよく、各赤色、緑色、青色ピクセルＰｒ、Ｐｇ、Ｐｂにかけて互いに連結されるように備えられてもよい。すなわち、一つのピクセルＰが赤色ピクセルＰｒ、緑色ピクセルＰｇ及び青色ピクセルＰｂを含む。この時の第２領域３２は一つのピクセルＰ当り一つずつ備えられ、一つの第２領域３２が赤色ピクセルＰｒ、緑色ピクセルＰｇ及び青色ピクセルＰｂに跨るように備えられてもよい。この場合、外光が透過する第２領域３２の面積が広くなる効果があるため、ディスプレイ部２全体の透過率を高めることができる。
【００６２】
前記第１領域３１には、第２電極２２２が配されている。一つのピクセルが第２電極２２２を含むことができ、そうすることで、第２領域３２と同様に、第２電極は各赤色、緑色、青色ピクセルＰｒ、Ｐｇ、Ｐｂに跨って形成することができる。
【００６３】
前記各ピクセルＰの間には第３領域３３が配置される。そして、この第３領域３３には第３電極２２３が配置される。第３領域３３には、図７に示したように、少なくとも一つ以上の配線３３１が配置される。この配線３３１は、後述するピクセル回路部に電気的に連結されたものでありうる。
【００６４】
一方、前記各回路領域３１１には、図７に示したような薄膜トランジスタＴＲを備えるピクセル回路部が配置されるが、前記ピクセル回路部は、図面に示したように、必ずしも一つの薄膜トランジスタＴＲのみ配置されることに限定されるものではない。このピクセル回路部には、薄膜トランジスタＴＲ以外にも複数の薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタをさらに備えることができる。これらと連結されたスキャンライン、データライン及びＶｄｄラインなどの配線をさらに備えることができる。
【００６５】
前記各発光領域３１２には、図７に示したように、発光素子である有機発光素子ＥＬを含むことができる。この有機発光素子ＥＬは、ピクセル回路部の薄膜トランジスタＴＲと電気的に連結されている。
【００６６】
前記基板１上にはバッファ膜２１１が形成され、このバッファ膜２１１上に薄膜トランジスタＴＲを含むピクセル回路部が形成される。
【００６７】
前記バッファ膜２１１上には半導体活性層２１２が形成される。
【００６８】
前記バッファ膜２１１は透明な絶縁物で形成されるが、不純元素の浸透を防止して表面を平坦化する役割を行うものであり、このような役割を行える多様な物質で形成することができる。一例として、前記バッファ膜２１１は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンまたは窒化チタンなどの無機物やポリイミド、ポリエステル、アクリルなどの有機物またはこれらの積層体で形成されるが、これらに限られるものではない。前記バッファ膜２１１は必須構成要素ではなく、必要に応じては備えられなくてもよい。
【００６９】
前記半導体活性層２１２は多結晶シリコンで形成されるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、酸化物半導体で形成される。例えば、Ｇ−Ｉ−Ｚ−Ｏ層［（Ｉｎ2Ｏ3）a（Ｇａ2Ｏ3）b（ＺｎＯ）c層］（ａ、ｂ、ｃは、それぞれａ≧０、ｂ≧０、ｃ＞０の条件を満たす実数）である。このように半導体活性層２１２を酸化物半導体で形成する場合には、第１領域３１の回路領域３１１での光透過度がさらに高くなり、これによって、ディスプレイ部２全体の外光透過度を上昇させることができる。
【００７０】
前記半導体活性層２１２を覆うように、ゲート絶縁膜２１３がバッファ膜２１１上に形成され、ゲート絶縁膜２１３上にゲート電極２１４が形成される。
【００７１】
ゲート電極２１４を覆うように、ゲート絶縁膜２１３上に階間絶縁膜２１５が形成され、この階間絶縁膜２１５上にソース電極２１６及びドレイン電極２１７が形成されて、それぞれ半導体活性層２１２及びコンタクトホールを介してコンタクトされる。
【００７２】
前記のような薄膜トランジスタＴＲの構造は必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な形態の薄膜トランジスタの構造が適用できるということはいうまでもない。
【００７３】
このような薄膜トランジスタＴＲを覆うように第１絶縁膜２１８が形成される。前記第１絶縁膜２１８は、上面の平坦化した単一または複数層の絶縁膜になりうる。第１絶縁膜２１８は、無機物及び／または有機物で形成されうる。
【００７４】
図７に示した通り、有機発光素子ＥＬの第１電極２２１は、薄膜トランジスタＴＲと電気的に連結され、さらに、第１絶縁膜２１８上に形成される。前記第１電極２２１は、すべてのピクセル別に独立したアイランド状に形成される。
【００７５】
前記第１絶縁膜２１８上には、前記第１電極２２１の端を覆うように第２絶縁膜２１９が形成される。前記第２絶縁膜２１９には開口２１９ａが形成されて、第１電極２２１のエッジを除いた中央部を露出させる。前記第２絶縁膜２１９は、アクリル、ポリイミドなどの有機物で形成されうる。
【００７６】
開口２１９ａを通じて露出した第１電極２２１上にはＥＬ膜２２０が形成され、前記ＥＬ膜２２０を覆うように第２電極２２２が形成されて有機発光素子ＥＬを形成する。
【００７７】
前記ＥＬ膜２２０は、低分子または高分子有機膜でありうる。低分子有機膜である場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合の構造に積層して形成されうる。これら低分子有機膜は、特に制限されないが、真空蒸着の方法で形成されうる。
【００７８】
前記発光層は、赤色、緑色、青色のピクセルごとに独立して形成され、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び電子注入層などは共通層であり、赤色、緑色、青色のピクセルに共通的に適用されうる。図７でＥＬ膜２２０は、第１領域３１のみに配置されるようパターニングされているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、図面に示されていないが、前記ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び電子注入層などの共通層は第２領域３２及び第３領域３３にも配置されうる。これは、後述するあらゆる実施形態に同一に適用することができる。
【００７９】
前記正孔注入層（ＨＩＬ）は、特に制限されないが、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物またはスターバースト（Ｓｔａｒｂｕｒｓｔ）型アミン類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢなどで形成されうる。
【００８０】
前記正孔輸送層（ＨＴＬ）は、特に制限されないが、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェ
ニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ
）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−Ｎ
ＰＤ）などで形成されうる。
【００８１】
前記電子注入層（ＥＩＬ）は、特に制限されないが、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、Ｌｉｑなどの物質を用いて形成されうる。
【００８２】
前記電子輸送層（ＥＴＬ）は、特に制限されないが、例えばＡｌｑ３を用いて形成されうる。
【００８３】
前記発光層（ＥＭＬ）は、ホスト物質及びドーパント物質を含みうる。
【００８４】
前記ホスト物質としては、特に制限されないが、トリス（８−ヒドロキシ−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）、２−Ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）ビフェニル（ＤＰＶ
Ｂｉ）、４，４’−ビス（２，２−ジ（４−メチルフェニル）−エテン−１−イル）ビフ
ェニル（ｐ−ＤＭＤＰＶＢｉ）などが使われる。
【００８５】
前記ドーパント物質としては、特に制限されないが、ＤＰＡＶＢｉ（４，４’−ビス［
４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル）、ＡＤＮ（９，１０−ジ（ナフ−２−チル）アントラセン）、ＴＢＡＤＮ（２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン）などが使われる。
【００８６】
前記第１電極２２１はアノード電極の機能を行い、前記第２電極２２２はカソード電極の機能を行うが、もちろん、これら第１電極２２１及び第２電極２２２の極性は互いに逆になってもよい。
【００８７】
前記第１電極２２１がアノード電極の機能を行う場合、前記第１電極２２１は、特に制限されないが、仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ2Ｏ3などを含みうる。もし図７で、基板１の逆方向に画像が具現される前面発光型である場合、前記第１電極２２１は特に制限されないが、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｙｂ、Ｃｏ、ＳｍまたはＣａなどで形成された反射膜（図示せず）をさらに含みうる。
【００８８】
前記第２電極２２２がカソード電極の機能を行う場合、前記第２電極２２２は、特に制限されないが、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｙｂ、Ｃｏ、ＳｍまたはＣａの金属で形成されうる。図７において、もし有機発光表示装置が、基板１側にイメージを映し出すボトムエミッション型の場合は、前記第２電極２２２は、光透過性をもつ材料で形成されうる。このために、前記第２電極２２２は、Ｍｇ及び／またはＭｇ合金を用いて薄膜で形成されうる。前記第２電極２２２は、第１電極２２１と異なって、すべてのピクセルにかけて共通の電圧が印加されるように共通電極で形成されうる。
【００８９】
前記第２電極２２２が、全体ピクセルにかけて共通電圧を印加する共通電極である場合、第２電極２２２の面抵抗が大きくなって電圧降下現象が発生しうる。
【００９０】
このような問題を解決するために、前記第２電極２２２と電気的に連結されるように第３電極２２３をさらに形成してもよい。前記第３電極２２３は、特に制限はされず、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｙｂ、Ｃｏ、ＳｍまたはＣａの金属で形成されうるが、第２電極２２２と同じ物質で形成されることが望ましい。。
【００９１】
図７に示した一形態によれば、前記ＥＬ膜２２０を形成した後、第２電極２２２を形成する前に、前記ＥＬ膜２２０及び第２絶縁膜２１９上に第１補助層２３１を形成する。第１補助層２３１は、マスク（図示せず）を用いて蒸着することで、第１領域３１及び第３領域３３のみに形成させ、透過領域である第２領域３２には形成させない。
【００９２】
第１補助層２３１は、その上に形成される物質、すなわち、第２電極２２２を形成する金属、特に、Ｍｇ及び／またはＭｇ合金がよく接合される物質を使うことが望ましい。
【００９３】
例えば、前記第１補助層２３１は、特に制限されないが、Ａｌｑ３、ジ−タングステンテトラ（ヘキサヒドロピリミドピリミジン）、フラーレン、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、ＡＤＮ［９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン］、８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム（Ｌｉｑ）を含みうる。
【００９４】
このように第２領域３２には形成されず、第１領域３１及び第３領域３３のみに形成されるように、パターニングされた第１補助層２３１を前記ＥＬ膜２２０（第１領域）及び第２絶縁膜２１９（第３領域）上に形成した後、第２電極２２２を形成する。
【００９５】
前記第２電極２２２は、オープンマスクを用いて第１領域３１ないし第３領域３３を含むすべてのピクセルにかけて第２電極形成用金属を共通蒸着することで形成させうる。この時、前述したように、第２電極２２２は、半透過性反射膜になるように薄膜で形成する。
【００９６】
このように第２電極（２２２）形成用金属を、オープンマスクを用いてすべてのピクセルにかけて共通に蒸着する場合、第２電極（２２２）形成用金属は、第１補助層２３１（例えば、第１領域３１及び第３領域３３中の第１補助層）及び第２絶縁膜２１９上（例えば、第２領域３２中の第２絶縁膜）に蒸着される。もちろん、ＥＬ膜２２０が共通層を含む場合には、前記第２電極形成用金属は前記第２絶縁膜２１９上ではなく、ＥＬ膜２２０を構成する共通層、特に電子注入層（図示せず）上に蒸着されうる。
【００９７】
この時、前記第２電極形成用金属は、第１補助層２３１上にはよく蒸着され、前記第２絶縁膜２１９及び／または共通層上にはよく蒸着されないことにより、前記第２電極２２２は、図７に示したように、第１補助層２３１上にのみ形成されるが、第２領域３２に露出されている第２絶縁膜２１９上またはＥＬ膜２２０を構成する共通層上には形成されない。。すなわち、前記第２電極２２２の前記第１領域３１及び第３領域３３への接着力は、前記第２電極２２２の前記第２領域３２への接着力より強く、さらに、前記第２電極２２２が薄膜で形成されるため、前記第２電極２２２は、第１領域３１及び第３領域３３には形成されるが、第２領域３２には形成されない。
【００９８】
したがって、別途のパターニング用マスクを用いなくても前記第２電極２２２を容易にパターニングすることができる。
【００９９】
このために、前記第２絶縁膜２１９及び／または共通層は、第１補助層２３１に比べて前記第２電極形成用金属との接着力が弱い物質で形成することが望ましい。特に制限されないが、例えば、前記第２絶縁膜２１９はアクリルで、前記共通層、特に電子注入層はＬｉｑで形成されることが望ましい。
【０１００】
このように形成された第２電極２２２は、第１領域３１及び第３領域３３に配置され、第２領域３２には配置されない。
【０１０１】
次いで、第１領域３１及び第２領域３２に第２補助層２３２を形成する。前記第２補助層２３２は、第１領域３１で第２電極２２２上に形成され、第２領域３２で第２絶縁膜２１９上に、またはＥＬ膜２２０を構成する共通層上に形成される。前記第２補助層２３２は、第３領域２２３には形成されないようにパターニングされることが望ましい。
【０１０２】
前記第２補助層２３２は、その上に形成される物質、すなわち、第３電極２２３を形成する金属、特にＭｇ及び／またはＭｇ合金がよく接合されない物質を使うことが望ましい。
【０１０３】
前記第２補助層２３２は、特に制限されないが、、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン
、Ｎ（ジフェニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（１−
ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン）、
またはＴＰＤ［４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビ
フェニル］を含む物質で形成されうる。
【０１０４】
このような第２補助層２３２は、第３電極２２３を形成する時にマスクとしての役割を担う。
【０１０５】
すなわち、前記第２補助層２３２を形成した後、オープンマスクを用いて、第３電極形成用金属を第１領域３１ないし第３領域３３にかけて共通に蒸着する場合、第１領域３１及び第２領域３２には第２補助層２３２が形成されているため、第３電極２２３は、第１領域３１及び第２領域３２にはよく蒸着されず、第３領域３３にのみ形成される。
【０１０６】
この第３電極２２３は、第２電極２２２よりは厚く形成するが、これによって共通電圧を印加する第２電極２２２の電圧降下を防止することができる。
【０１０７】
このように前記実施形態の場合、金属で形成される第２電極２２２及び第３電極２２３を別途のマスクなしでもパターニングして形成できて工程上の利点があり、第２電極２２２及び第３電極２２３が透過領域のある第２領域３２に形成されないようにして、パネル全体の透過率を向上させることができる。
【０１０８】
図８は、図７の他の実施形態を示すものである。
【０１０９】
前述した第１補助層２３１が、その上に金属、特にＭｇ及び／またはＭｇ合金がよく接合される物質を使うとしても、第１補助層２３１が形成されていない領域にも金属が少量でも蒸着されうる。
【０１１０】
したがって、第１補助層２３１が第１領域３１及び第３領域３３に形成され、第２領域３２には形成されていない場合、前述した図７による実施形態のように、オープンマスクを用いて第２電極用金属を第１領域３１ないし第３領域３３に蒸着すれば、第２電極２２２は、図８に示したように、第１領域３１ないし第３領域３３にいずれも形成されうる。この時、第２電極２２２のうち第２領域３２に配置されている部分２２２ｂの厚さｔ２は、第２電極２２２のうち第１領域３１及び第３領域３３に配置されている部分２２２ａの厚さｔ１より非常に薄くなる。
【０１１１】
加えて、第２補助層２３２が、その表面上に金属（特にＭｇ及び／またはＭｇ合金）が蒸着されにくい物質で構成されているとしても、第２補助層２３２表面上にも少量の金属が蒸着されることがある。
【０１１２】
このように、第２補助層２３２が第１領域３１及び第２領域３２に形成され、第３領域３３には形成されていない場合、前述した図７による一形態のように、オープンマスクを用いて第３電極用金属を第１領域３１、第２領域３２、第３領域３３に蒸着すれば、第３電極２２３は、図８に示したように、第１領域３１、第２領域３２第３領域３３にいずれも形成されうる。この時、第３電極２２３のうち第１領域３１及び第２領域３２に配置されている部分２２３ｂの厚さｔ４は、第３電極２２３のうち第３領域３３に配置されている部分２２３ａの厚さｔ３より非常に薄くなりうる。  このように、図８による実施形態は、透過領域である第２領域３２に金属物質からなる第２電極の部分２２２ｂ及び第３電極の部分２２３ｂが配置される。しかし、この場合にも第２電極の部分２２２ｂ及び第３電極の部分２２３ｂが非常に薄い厚さに形成されるため、外光の透過率を大きく落とさないといえる。
【０１１３】
図９は、この発明の他の一形態についての図６のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【０１１４】
図９に示した実施形態も、ＥＬ膜２２０を形成する段階までは、前述した図７及び／または図８に示した実施形態と同一である。
【０１１５】
オープンマスクを用いてＥＬ膜２２０上に、第１領域３１、第２領域３２および第３領域３３にかけて第１補助層２３１を蒸着する。
【０１１６】
次いで、第３補助層２３３を第１補助層２３１上に形成する。この時、パターニングマスクを用いて第３補助層２３３を形成することで、前記第３補助層２３３は第２領域３２にのみ配置することができる。
【０１１７】
前記第３補助層２３３は、前述した第２補助層２３２と同じ特性を持つ物質で形成しうる。すなわち、前記第３補助層２３３は、その上に形成される物質、すなわち、第１補助層２３１条に形成される第２電極２２２を形成する金属（特にＭｇ及び／またはＭｇ合金）に、よく接合されない材料で形成することが望ましい。
【０１１８】
このように第３補助層２３３を形成した後、オープンマスクを用いて、第２電極形成用金属を第１領域３１、第２領域３２および第３領域３３にかけて蒸着する。したがって、第２電極形成用金属は、第１領域３１及び第３領域３３では第１補助層２３１上に蒸着され、第２領域３２では第３補助層２３３上に蒸着される。この時、第１補助層２３１は、第２電極形成用金属との接着力がよく、第３補助層２３３は、第２電極形成用金属との接着力が悪いため、第２電極２２２は、第１領域３１及び第３領域３３にのみ形成され、第２領域３２には形成されなくなる。
【０１１９】
次いで、第２補助層２３２を第２電極２２２及び第１補助層２３１上に形成する。この時、パターニングマスクを用いて第２補助層２３２を形成することで、前記第２補助層２３２は、第１領域３１及び第２領域３２にのみ配置され、第３領域３３には配置されない。
【０１２０】
次いで、オープンマスクを用いて第３電極形成用金属を第１領域３１、第２領域３２および第３領域３３に蒸着する。したがって、第３電極形成用金属は、第１領域３１及び第２領域３２では第２補助層２３２上に蒸着され、第３領域３３では第２電極２２２上に蒸着される。この時、第２補助層２３２は、第３電極形成用金属との接着力が弱いため、第３電極２２３は、第３領域３３にのみ形成され、第１領域３１及び第２領域３２には形成されなくなる。
【０１２１】
このように前記一形態の場合、金属で形成される第２電極２２２及び第３電極２２３を別途のマスクなしでもパターニングして形成できることから工程上の利点があり、第２電極２２２及び第３電極２２３が透過領域のある第２領域３２に形成されないようにして、パネル全体の透過率を向上させることができる。
【０１２２】
図１０は、この発明の他の一形態についての図６のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【０１２３】
前述した第３補助層２３３が、第２補助層２３２と同様に、その上に金属、特にＭｇ及び／またはＭｇ合金が接合されにくい物質で形成されていても、第３補助層２３３上に金属が少量蒸着されうる。
【０１２４】
したがって、第３補助層２３３が２領域３２に形成され、第１領域３１及び第３領域３３には形成されていない場合、前述した図９による実施形態のように、オープンマスクを用いて第２電極用金属を第１領域３１ないし第３領域３３に蒸着すれば、第２電極２２２は、図１０に示したように、第１領域３１ないし第３領域３３にいずれも形成されうる。この時、第２電極２２２のうち第２領域３２に配置されている部分２２２ｂの厚さｔ２は、第２電極２２２のうち第１領域３１及び第３領域３３に配置されている部分２２２ａの厚さｔ１より非常に薄くなりうる。  また、前述したように、第２補助層２３２上にも金属が少量でも蒸着されうる。
【０１２５】
したがって、第２補助層２３２が第１領域３１及び第２領域３２に形成され、第３領域３３には形成されていない場合、前述した図９による実施形態のようにオープンマスクを用いて、第３電極用金属を第１領域３１、第２領域３２および第３領域３３に蒸着すれば、図１０に示したように、第３電極２２３は、第１領域３１、第２領域３２および第３領域３３にいずれも形成される。この時、第３電極２２３のうち第１領域３１及び第２領域３２に配置されている部分２２３ｂの厚さｔ４は、第３電極２２３のうち第３領域３３に配置されている部分２２３ａの厚さｔ３より非常に薄くなりうる。
【０１２６】
このように図１０による実施形態は、透過領域である第２領域３２に金属物質からなる第２電極の部分２２２ｂ及び第３電極の部分２２３ｂが配置される。しかし、この場合にも、第２電極の部分２２２ｂ及び第３電極の部分２２３ｂが非常に薄い厚さに形成されるため、外光の透過率を大きく落とさないといえる。
【０１２７】
図６から図１０に示した実施形態の場合には、回路領域３１１と発光領域３１２とが互いに重畳しているため、基板１の逆方向に画像が具現されるトップエミッション型にさらに適している。この場合、回路領域３１１が発光領域３１２によって覆われるため、回路領域３１１による外光透過率の低下が抑制されるだけでなく、回路領域３１１による発光領域３１２の発光効率の低下も抑制することが可能である。
【０１２８】
図１１は、この発明の他の一形態である有機発光表示装置の隣接したピクセルの平面図を示すものである。図１１では、回路領域３１１が発光領域３１２及び第１電極２２１と互いに重畳しない。図１１に示されたような構造をもつ有機発光表示装置は、発光領域３１２に表示した画像を基板１側に映し出すボトムエミッション型の有機発光装置の場合にも、適している。図１１に示した構造をもつ有機発光表示装置において、発光領域３１２は回路領域３１１によって干渉されないため、発光領域３１２の発光効率が低下することを防止する（または、低下を軽減することができる）。但し、図１１には示されていないが、第１領域３１の回路領域３１１と第３領域３３とが少なくとも一部重畳する可能性があり、これによって、第３領域３３に形成される第３電極２２３が回路領域３１１と重畳可能性があるが、第３電極２２３を形成するためのマスクの機能を担う第２補助層２３２（図７〜１０参照）の面積を第３電極２２３が形成される面積に対応するように、調節することができる。
【０１２９】
以上で説明した各形態では、第１領域３１にのみ絶縁体膜の開口２１９ａが形成されるようにパターニングされているが、本発明は必ずしもこれに限定されるものではなく、第２領域３２に配置される絶縁膜のうち少なくとも一つの絶縁膜の少なくとも一部が開口されるようにパターニングすることで、第２領域３２での外光透過率をさらに高めることが可能になる。
【０１３０】
本発明は、図面に示した一実施形態を参照として説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び実施形態の変形が可能であるという点を理解できるであろう。
【産業上の利用可能性】
【０１３１】
本発明は、有機発光表示装置関連の技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１３２】
１      基板
２      ディスプレイ部
２１    有機発光部
２３    密封基板
２４    密封基板
２５    空間
２６    密封フィルム
２１１  バッファ層
２１２  半導体活性層
２１３  ゲート絶縁膜
２１４  ゲート電極
２１５  階間絶縁膜
２１６  ソース電極
２１７  ドレイン電極
２１８  第１絶縁膜
２１９  第２絶縁膜
２１９ａ  開口
２２０  ＥＬ膜
２２１  第１電極
２２２  第２電極
２２２ａ  第２電極２２２のうち第１領域３１及び第３領域３３に配置される部分
２２２ｂ  第２電極２２２のうち第２領域３２に配置されている部分
２２３  第３電極
２２３ａ  第３電極２２３のうち第３領域３３に配置されている部分
２２３ｂ  第３電極２２３のうち第１領域３１及び第２領域３２に配置されている部分
ｔ１    ２２２ａの部分の厚さ
ｔ２    ２２２ｂの部分の厚さ
ｔ３      ２２３ａの厚さ
ｔ４     ２２３ｂの厚さ
２３１  第１補助層
２３２  第２補助層
２３３    第３補助層
３１    第１領域
３２    第２領域
３３    第３領域
３１１  回路領域
３１２  発光領域
３３１  配線
Ｐ      ピクセル
Ｐ１    第１ピクセル
Ｐ２    第２ピクセル
Ｐｒ    赤色ピクセル
Ｐｇ    緑色ピクセル
Ｐｂ    青色ピクセル
ＴＲ    薄膜トランジスタ
ＥＬ    有機発光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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