(57)【要約】【課題】液滴吐出法又は印刷法で配線を下地樹脂層上に形成して焼成する際の下地樹脂層からのアウトガスによる配線の高抵抗値化を防止する。【解決手段】搭載部材１０の素子搭載凹部１２の底面中央部にＬＥＤ素子１４を搭載し、該素子搭載凹部１２内のうちのＬＥＤ素子１４の周囲に流動性の絶縁性樹脂を充填して硬化させて下地樹脂層１６を形成し、該ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５と搭載部材１０上面の電極部１１ａとの間の配線経路を下地樹脂層１６で平坦化する。この後、下地樹脂層１６上にガスバリア性を有する中間絶縁層１８を、液滴吐出法又は印刷法により線状又は帯状に描画した後、導電性のインクを中間絶縁層１８上に吐出又は印刷して配線１７のパターンを描画して焼成する。この焼成時に下地樹脂層１６で発生したアウトガスが配線１７の内部に侵入することが中間絶縁層１８で防止される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
搭載部材上に半導体素子を搭載し、該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間を配線で接続した半導体パッケージにおいて、
前記搭載部材上の前記半導体素子の周囲に絶縁性樹脂を設けて該搭載部材上の該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間の配線経路の下地樹脂層を形成し、
前記配線経路の下地樹脂層上にガスバリア性を有する中間絶縁層を形成し、
導電性のインクを前記中間絶縁層上に吐出又は印刷し又は固体状の導電部材を実装して前記配線のパターンを形成して焼成したことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記下地樹脂層は、前記搭載部材上の前記半導体素子の周囲に流動性の絶縁性樹脂を吐出して硬化させて形成され、又は固体状の絶縁部材を実装して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記半導体素子は、発光素子であり、
前記絶縁性樹脂は、透明な絶縁性樹脂であり、
前記中間絶縁層は、ガスバリア性を有する絶縁性インクを前記配線経路の下地樹脂層上に吐出又は印刷して線状又は帯状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記中間絶縁層は、前記配線が該中間絶縁層からはみ出さないように該配線の線幅よりも製造ばらつき相当値以上太い線幅に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記中間絶縁層は、前記中間絶縁層の上面全体に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
搭載部材上に半導体素子を搭載し、該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間を配線で接続した半導体パッケージの製造方法において、
前記搭載部材上に前記半導体素子を搭載する工程と、
前記搭載部材上の前記半導体素子の周囲に絶縁性樹脂を設けて該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間の配線経路の下地樹脂層を形成する工程と、
前記配線経路の下地樹脂層上にガスバリア性を有する中間絶縁層を形成する工程と、
導電性のインクを前記中間絶縁層上に吐出又は印刷し又は固体状の導電部材を実装して前記配線のパターンを形成して焼成する工程と
を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搭載部材上に搭載した半導体素子の電極部と該搭載部材側の電極部との間を接続する配線及びその下地層の構造を改良した半導体パッケージ及びその製造方法に関する発明である。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子の実装工程では、半導体素子を搭載部材（回路基板、リードフレーム等）にダイボンドした後に、該半導体素子側の電極部と搭載部材側の電極部との間をワイヤボンディングで配線するのが一般的である。
【０００３】
しかし、特許文献１（特許第３９９２０３８号公報）に記載されているように、ワイヤボンディングを行うときの機械的なストレスによって不良が発生する可能性があるため、ワイヤボンディングに代わる接続信頼性の高い実装構造を低コストで実現することを目的として、配線基板上に搭載した半導体素子の周囲に流動性の樹脂材料をディスペンサで吐出して硬化させて、半導体素子の上面と配線基板の表面との間を傾斜面でつなぐ樹脂スロープを形成した後、半導体素子上面の電極部と配線基板の電極部との間を接続する配線パターンを、インクジェット等の液滴吐出法により樹脂スロープ上に形成する配線技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３９９２０３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、液滴吐出法や印刷法で形成する配線は、配線パターン描画後に所定の焼成温度（例えば２３０℃）で焼成する必要がある。このため、配線焼成時に、配線の下地樹脂層も加熱されて、下地樹脂層の内部で分解したガスが発生し、この分解ガスがいわゆるアウトガスとして下地樹脂層の表面側に漏れ出してくる。このため、配線焼成時に、下地樹脂層と配線との接合面にもアウトガスが漏れ出して配線内部に侵入してしまい、このアウトガスによってインク塗膜に含まれる有機成分の分解と飛散が十分に行われないため、配線の緻密度が低下して配線の抵抗値が高くなるという問題があった。
【０００６】
例えば、ＬＥＤパッケージで、配線の抵抗値が高くなると、ＬＥＤ点灯時にＬＥＤ素子に流れる電流が減少して輝度が低下するだけでなく、配線の発熱量が増加して素子温度が上昇し、耐久性が低下するおそれもある。
【０００７】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、半導体素子側の電極部と搭載部材側の電極部との間を接続する配線を液滴吐出法又は印刷法で描画して焼成する際の下地樹脂層からのアウトガスによる配線の高抵抗値化を防止することができる半導体パッケージ及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、請求項１に係る発明は、搭載部材上に半導体素子を搭載し、該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間を配線で接続した半導体パッケージにおいて、前記搭載部材上の前記半導体素子の周囲に絶縁性樹脂を設けて該搭載部材上の該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間の配線経路の下地樹脂層を形成し、前記配線経路の下地樹脂層上にガスバリア性（ガス不透過性）を有する中間絶縁層を形成し、導電性のインクを前記中間絶縁層上に吐出又は印刷し又は固体状の導電部材を実装して前記配線のパターンを形成して焼成した構成としたものである。
【０００９】
この構成では、下地樹脂層とその上に形成する配線との間にガスバリア性（ガス不透過性）を有する中間絶縁層が介在されているため、配線焼成時に下地樹脂層で発生したアウトガスが配線内部に侵入することを中間絶縁層によって防止でき、配線の高抵抗値化を防止できる。
【００１０】
この場合、請求項２のように、下地樹脂層は、搭載部材上の半導体素子の周囲に流動性の絶縁性樹脂を吐出して硬化させて形成しても良いし、固体状の絶縁部材を実装して形成しても良い。
【００１１】
本発明は、液滴吐出法又は印刷法で配線を形成可能な構造であれば、様々な構造の半導体パッケージに適用可能であり、例えば、ＬＥＤ等の発光素子パッケージに適用しても良い。
【００１２】
本発明をＬＥＤ等の発光素子パッケージに適用する場合は、請求項３のように、発光素子の周囲に、透明な絶縁性樹脂を吐出して硬化させて透明な下地樹脂層を形成し、ガスバリア性を有する絶縁性インクを下地樹脂層上に吐出又は印刷して中間絶縁層を線状又は帯状に形成するようにすると良い。本発明を発光素子パッケージに適用すれば、発光時に発光素子に流れる電流が増加して輝度が増大するだけでなく、配線の発熱量が減少して素子温度の上昇を少なくすることができ、耐久性を向上させることができる。しかも、配線の下地となる中間絶縁層は、発光素子の周囲から透明な下地樹脂層に照射される光の放出を減少させる要因となるため、中間絶縁層を線状又は帯状に形成すれば、発光素子の周囲から透明な下地樹脂層を通して放出される光が中間絶縁層で減少される割合を少なくできて、外部に放出される光の取り出し効率を高めることができる。
【００１３】
具体的には、請求項４のように、中間絶縁層を、配線が該中間絶縁層からはみ出さないように該配線の線幅よりも製造ばらつき相当値以上太い線幅に形成すれば良い。中間絶縁層の線幅を配線の線幅よりも製造ばらつき相当値以上太い線幅に形成すれば、製造時に中間絶縁層の位置ずれや配線の位置ずれが生じても、配線の下面全体を中間絶縁層で確実に覆うことができ、配線焼成時に下地樹脂層で発生したアウトガスが配線内部に侵入することを中間絶縁層によって確実に防止できる。
【００１４】
この場合、請求項５のように、中間絶縁層を中間絶縁層の上面全体に形成しても良いことは言うまでもない。
【００１５】
尚、請求項６に係る発明は、請求項１に係る「半導体パッケージ」の発明と実質的に同一の技術思想を、カテゴリーの異なる「半導体パッケージの製造方法」の発明として記載したものである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は本発明の実施例１のＬＥＤパッケージの構造を図３のＡ−Ａ線に沿って示す断面図である。
【図２】図２は図３のＢ−Ｂ線に沿って示す断面図である。
【図３】図３はＬＥＤパッケージの平面図である。
【図４】図４は本発明の実施例２のＬＥＤパッケージの構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための形態をＬＥＤパッケージに適用して具体化した２つの実施例１，２を説明する。
【実施例１】
【００１８】
本発明の実施例１を図１乃至図３に基づいて説明する。
搭載部材１０は、リードフレーム１１に素子搭載凹部１２を有するパッケージ本体１３を樹脂で成形して構成されている。この搭載部材１０の素子搭載凹部１２の底面中央部には、半導体素子であるＬＥＤ素子１４（発光素子）がダイボンディング（接合）されている。素子搭載凹部１２の深さ寸法（高さ寸法）は、ＬＥＤ素子１４の高さ寸法とほぼ同一に設定され、素子搭載凹部１２内に搭載したＬＥＤ素子１４上面の電極部１５が搭載部材１０上面のリードフレーム１１の電極部１１ａとほぼ同じ高さとなっている。
【００１９】
搭載部材１０の素子搭載凹部１２内のうちのＬＥＤ素子１４の周囲に、透明な絶縁性樹脂をインクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法により充填して透明な下地樹脂層１６が形成されている。これにより、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５と搭載部材１０上面の電極部１１ａとの間をつなぐ配線経路は、ＬＥＤ素子１４の周囲に充填された下地樹脂層１６で平坦化され、該下地樹脂層１６の上面に、後述する配線１７の下地となる中間絶縁層１８がＬＥＤ素子１４上面の電極部１５と搭載部材１０上面の電極部１１ａとに跨がって線状又は帯状に形成されている。中間絶縁層１８の形成方法は、インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法又は印刷法により、ガスバリア性（ガス不透過性）を有する絶縁性材料のインクを下地樹脂層１６上に吐出して、中間絶縁層１８のパターンを下地樹脂層１６上に線状又は帯状に描画して乾燥・硬化させ、ガスバリア性を有する中間絶縁層１８を形成する。
【００２０】
ここで、ガスバリア性を有する中間絶縁層１８の材料としては、例えば、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系、ガラス（ＳｉＯ2 ）系等の絶縁性材料があり、これらの絶縁性材料の中から、ガスバリア性とその他の特性（例えば光透過性、耐湿性、下地樹脂層１６及び配線１７に対する密着性等）を考慮して選択すれば良い。
【００２１】
そして、中間絶縁層１８の乾燥・硬化後に、インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法により導電性のインク（Ａｇ等の導体粒子を含むインク）を中間絶縁層１８上に吐出して、配線１７のパターンをＬＥＤ素子１４上面の電極部１５と搭載部材１０上面の電極部１１ａとに跨がって中間絶縁層１８上に描画し、これを乾燥して焼成して、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５と搭載部材１０上面の電極部１１ａとの間を配線１７で接続する。この際、配線１７の焼成温度は、２００℃以上（例えば２３０℃）で、焼成時間は３０分〜６０分程度である。
【００２２】
この場合、中間絶縁層１８は、配線１７が該中間絶縁層１８からはみ出さないように該配線１７の線幅よりも製造ばらつき相当値以上太い線幅に形成されている。具体的には、中間絶縁層１８の線幅は、例えば、配線１７の線幅の１．２〜２．５倍、より好ましくは、１．５〜２．０倍の範囲で設定すると良い。尚、搭載部材１０の素子搭載凹部１２内に搭載したＬＥＤ素子１４及び配線１７等は、透明な封止材料（図示せず）によって封止されている。
【００２３】
以上説明した本実施例１によれば、ＬＥＤ素子１４の周囲に充填した下地樹脂層１６とその上に形成する配線１７との間にガスバリア性を有する中間絶縁層１８が介在されているため、配線１７の焼成時に下地樹脂層１６で発生したアウトガスが配線１７の内部に侵入することを中間絶縁層１８によって防止でき、配線１７の高抵抗値化を防止することができる。本発明者らの実験結果によれば、中間絶縁層１８を形成することで、配線１７の体積抵抗率が１／２程度になることが確認されている。これにより、ＬＥＤ素子１４の発光時にＬＥＤ素子１４に流れる電流が増加して輝度が増大するだけでなく、配線１７の発熱量が減少してＬＥＤ素子１４の温度上昇を少なくすることができ、耐久性を向上させることができる。
【００２４】
しかも、配線１７の下地となる中間絶縁層１８は、光の放出を減少させる要因となるため、本実施例１のように、中間絶縁層１８を線状又は帯状に形成することで、ＬＥＤ素子１４の周囲から透明な下地樹脂層１６を通して放出される光が中間絶縁層１８で減少される割合を少なくできて、外部に放出される光の取り出し効率を高めることができる。
【００２５】
また、本実施例１では、中間絶縁層１８を、配線１７が該中間絶縁層１８からはみ出さないように該配線１７の線幅よりも製造ばらつき相当値以上太い線幅に形成するようにしたので、製造時に中間絶縁層１８の位置ずれや配線１７の位置ずれが生じても、配線１７の下面全体を中間絶縁層１８で確実に覆うことができ、配線１７の焼成時に下地樹脂層１６で発生したアウトガスが配線１７の内部に侵入することを中間絶縁層１８によって確実に防止できる。
【実施例２】
【００２６】
次に、本発明の実施例２を図４に基づいて説明する。
搭載部材２１は、リードフレーム２２に素子搭載凹部２３を有するパッケージ本体２４を樹脂で成形して構成され、該素子搭載凹部２３の側面が傾斜状に形成されている。素子搭載凹部２３の底面には、リードフレーム２２の素子搭載部２２ａ（ダイパッド）が露出し、該素子搭載部２２ａ上に半導体素子であるＬＥＤ素子２５（発光素子）がダイボンド（接合）されている。
【００２７】
素子搭載凹部２３の傾斜状の側面には、ＬＥＤ素子２５上面の２つの電極部２６と接続する２つの電極部２７が形成されている。各電極部２７は、それぞれリードフレーム２２に一体に形成されている。この場合、素子搭載凹部２３の側面に形成する電極部２６の高さ方向の幅が広くなるほど、搭載可能なＬＥＤ素子２５の高さ寸法の範囲が広がることを考慮して、本実施例２では、素子搭載凹部２３に側面に形成する電極部２７は、該素子搭載凹部２３の側面の上部から下部まで延びるように形成され、且つ、該電極部２７がＬＥＤ素子２５の光を反射する反射板（リフレクター）としても機能するように構成されている。
【００２８】
搭載部材２１の素子搭載凹部２３内に搭載可能なＬＥＤ素子２５は、高さ寸法が該素子搭載凹部２３の側面（電極部２７）の高さ寸法以下で且つリードフレーム２２の素子搭載部２２ａ上に搭載可能なサイズのＬＥＤ素子である。これにより、高さ寸法の異なる複数種のＬＥＤ素子２５を同一仕様・寸法の搭載部材２１の素子搭載凹部２３内に搭載できるようになっている。
【００２９】
素子搭載凹部２３内のうちのＬＥＤ素子２５の周囲に、透明な絶縁性樹脂をインクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法により充填して透明な下地樹脂層２８が形成され、該下地樹脂層２８の上面の高さ位置がＬＥＤ素子２５の電極部２６上面の高さ位置と一致することで、ＬＥＤ素子２５上面の電極部２６と素子搭載凹部２３側面の電極部２７との間の配線経路が下地樹脂層２８で平坦化されている。
【００３０】
この下地樹脂層２８の上面に、後述する配線２９の下地となる中間絶縁層３０がＬＥＤ素子２５上面の電極部２６と素子搭載凹部２３側面の電極部２７とに跨がって線状又は帯状に形成されている。中間絶縁層３０の形成方法は、インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法又は印刷法により、前記実施例１と同様のガスバリア性を有する絶縁性材料のインクを下地樹脂層２８上に吐出して中間絶縁層３０のパターンを線状又は帯状に描画して乾燥・硬化させ、ガスバリア性を有する中間絶縁層３０を形成する。
【００３１】
中間絶縁層３０の乾燥・硬化後に、インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法により導電性のインク（Ａｇ等の導体粒子を含むインク）を中間絶縁層３０上に吐出して、該中間絶縁層３０上に、配線２９のパターンをＬＥＤ素子２５上面の電極部２６と素子搭載凹部２３側面の電極部２７とに跨がって描画し、これを乾燥して焼成して、ＬＥＤ素子２５上面の電極部２６と素子搭載凹部２３側面の電極部２７との間を該配線２９で接続する。この際、配線２９の焼成温度は、２００℃以上（例えば２３０℃）で、焼成時間は３０分程度である。
【００３２】
前記実施例１と同様に、中間絶縁層３０は、配線２９が該中間絶縁層３０からはみ出さないように該配線２９の線幅よりも製造ばらつき相当値以上太い線幅に形成されている。尚、素子搭載凹部２３内に搭載したＬＥＤ素子２５及び配線２９等は、透明な封止材料（図示せず）によって封止されている。
【００３３】
以上説明した本実施例２でも、ＬＥＤ素子２５の周囲に充填した下地樹脂層２８とその上に形成する配線２９との間にガスバリア性を有する中間絶縁層３０が介在されているため、前記実施例１と同様の効果を得ることができる。
【００３４】
尚、上記実施例１，２では、搭載部材の素子搭載凹部内にＬＥＤ素子を搭載して、該素子搭載凹部内のうちのＬＥＤ素子の周囲に、透明な絶縁性樹脂を充填して下地樹脂層を形成するようにしたが、搭載部材（回路基板、リードフレーム等）の平坦面上に搭載したＬＥＤ素子等の半導体素子の周囲に、流動性の樹脂材料をディスペンサで吐出して、半導体素子の上面と搭載部材の表面との間を傾斜面でつなぐスロープ状の下地樹脂層を形成した後、このスロープ状の下地樹脂層上にガスバリア性を有する中間絶縁層を形成し、導電性のインクを前記中間絶縁層上に吐出又は印刷して配線のパターンを形成して焼成した構成としても良い。
【００３５】
また、上記実施例１，２では、中間絶縁層を配線の線幅よりも製造ばらつき相当値以上太い線幅の線状に形成したが、中間絶縁層を中間絶縁層の上面全体に形成しても良いことは言うまでもない。
【００３６】
また、配線を形成する方法は、液滴吐出法に限定されず、スクリーン印刷等の印刷法で形成しても良いし、或は、固体状の導体を中間絶縁層上に実装しても良い。
【００３７】
また、中間絶縁層を形成する方法は、液滴吐出法又は印刷法に限定されず、固体状の絶縁物を下地樹脂層上に装着しても良く、ガスバリア性フィルムを下地樹脂層上に接合して形成しても良い。
【００３８】
その他、本発明は、ＬＥＤ素子以外の半導体素子を搭載部材に搭載した半導体パッケージにも適用して実施できる等、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００３９】
１０…搭載部材、１１…リードフレーム、１１ａ…電極部、１２…素子搭載凹部、１３…パッケージ本体、１４…ＬＥＤ素子（発光素子，半導体素子）、１５…電極部、１６…下地樹脂層、１７…配線、１８…中間絶縁層、２１…搭載部材、２２…リードフレーム、２３…素子搭載凹部、２４…パッケージ本体、２５…ＬＥＤ素子（発光素子，半導体素子）、２６，２７…電極部、２８…下地樹脂層、２９…配線、３０…中間絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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