(57)【要約】【課題】ＲＦＩＤタグの小型化を損なうことなく、共振周波数の調整を行う。【解決手段】ＲＦＩＤタグは、半導体チップとアンテナコイルとそれらを封止する樹脂封止体とを備えたアンテナ一体型パッケージ構造を有している。アンテナコイルは、その長さが、設計段階でのシミュレーションにより算出された最適な長さよりも長く設定されている。そして、ＲＦＩＤタグの製造工程の途中で共振周波数を測定し、測定された共振周波数が目的とする共振周波数からずれている場合には、アンテナコイルに接続するワイヤのボンディング位置を変更することによって、共振周波数の調整を行う。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２端部を有するアンテナコイルと、
少なくとも第１および第２電極パッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するダイパッド部と、
前記半導体チップの前記第１電極パッドと前記アンテナコイルとを電気的に接続する第１導電体、および前記半導体チップの前記第２電極パッドと前記アンテナコイルとを電気的に接続する第２導電体と、
前記アンテナコイル、前記半導体チップ、前記ダイパッド部、前記第１導電体、および前記第２導電体を封止する封止体と、を具備し、
前記アンテナコイルと前記半導体チップとで共振回路を構成するＲＦＩＤタグの製造方法であって、
（ａ）導電性基材からなる母型を準備する工程と、
（ｂ）前記母型の表面に、前記アンテナコイルおよび前記ダイパッド部に対応する開口パターンを有するフォトレジスト膜を形成する工程と、
（ｃ）前記フォトレジスト膜の前記開口パターンから露出した前記母型の前記表面に、電鋳法を用いて、前記アンテナコイルを構成する電着層および前記ダイパッド部を構成する電着層を形成する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記母型の前記表面から前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記ダイパッド部を構成する前記電着層の上面に前記半導体チップを搭載する工程と、
（ｆ）前記半導体チップの前記第１電極パッドと前記アンテナコイルを構成する前記電着層とを前記第１導電体を介して電気的に接続し、前記半導体チップの前記第２電極パッドと前記アンテナコイルを構成する前記電着層とを前記第２導電体を介して電気的に接続する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記アンテナコイルを構成する前記電着層、前記半導体チップ、前記ダイパッド部を構成する前記電着層、前記第１導電体および前記第２導電体を封止体により封止する工程と、
（ｈ）前記母型を前記封止体から剥離する工程と、
を含み、
さらに、前記（ｆ）工程は、
（ｆ−１）前記共振回路の共振周波数を測定する工程と、
（ｆ−２）測定された前記共振周波数が目的とする共振周波数と一致するように、前記アンテナコイルに接続する前記第１導電体および／または前記第２導電体の位置を決定する工程と、
を含むことを特徴とするＲＦＩＤタグの製造方法。
【請求項２】
前記アンテナコイルの長さは、前記目的とする共振周波数が得られる長さよりも長いことを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤタグの製造方法。
【請求項３】
前記アンテナコイルの前記第１および第２端部は、前記アンテナコイルの他の領域の幅よりも広い幅を有し、前記第１および第２端部の少なくとも一方は、帯状に延在する平面パターンを有することを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤタグの製造方法。
【請求項４】
前記目的とする共振周波数は、９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚであることを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤタグの製造方法。
【請求項５】
第１および第２端部を有するアンテナコイルと、
少なくとも第１および第２電極パッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１電極パッドと前記アンテナコイルとを電気的に接続する第１導電体、および前記半導体チップの前記第２電極パッドと前記アンテナコイルとを電気的に接続する第２導電体と、
前記アンテナコイル、前記半導体チップ、前記第１導電体、および前記第２導電体を封止する封止体と、を具備し、
前記アンテナコイルと前記半導体チップとで共振回路を構成するＲＦＩＤタグの製造方法であって、
（ａ）導電性基材からなるアンテナコイルが形成されたリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記リードフレームの裏面にリードフレーム固定用テープを貼り付ける工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、ダイアタッチフィルムを介して前記半導体チップを前記リードフレームの所定位置に位置決めする工程と、
（ｄ）前記半導体チップの前記第１電極パッドと前記アンテナコイルとを前記第１導電体を介して電気的に接続し、前記半導体チップの前記第２電極パッドと前記アンテナコイルとを前記第２導電体を介して電気的に接続する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記アンテナコイル、前記半導体チップ、前記第１導電体および前記第２導電体を封止体により封止する工程と、
（ｆ）前記リードフレーム固定用テープを前記封止体から剥離する工程と、
を含み、
さらに、前記（ｄ）工程は、
（ｄ−１）前記共振回路の共振周波数を測定する工程と、
（ｄ−２）測定された前記共振周波数が目的とする共振周波数と一致するように、前記アンテナコイルに接続する前記第１導電体および／または前記第２導電体の位置を決定する工程と、
を含むことを特徴とするＲＦＩＤタグの製造方法。
【請求項６】
前記アンテナコイルの長さは、前記目的とする共振周波数が得られる長さよりも長いことを特徴とする請求項５に記載のＲＦＩＤタグの製造方法。
【請求項７】
前記アンテナコイルの前記第１および第２端部は、前記アンテナコイルの他の領域の幅よりも広い幅を有し、前記第１および第２端部の少なくとも一方は、帯状に延在する平面パターンを有することを特徴とする請求項５に記載のＲＦＩＤタグの製造方法。
【請求項８】
前記半導体チップは、前記ダイアタッチフィルムを介して前記アンテナコイルの上面に搭載されることを特徴とする請求項５に記載のＲＦＩＤタグの製造方法。
【請求項９】
前記目的とする共振周波数は、９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚであることを特徴とする請求項５に記載のＲＦＩＤタグの製造方法。
【請求項１０】
第１および第２端部を有するアンテナコイルと、
少なくとも第１および第２電極パッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１電極パッドと前記アンテナコイルとを電気的に接続する第１導電体、および前記半導体チップの前記第２電極パッドと前記アンテナコイルとを電気的に接続する第２導電体と、
前記アンテナコイル、前記半導体チップ、前記第１導電体、および前記第２導電体を封止する封止体と、を具備し、
前記アンテナコイルと前記半導体チップとで共振回路を構成したＲＦＩＤタグであって、
前記アンテナコイルの前記第１および第２端部は、前記アンテナコイルの他の領域の幅よりも広い幅を有し、前記第１および第２端部の少なくとも一方は、帯状に延在する平面パターンを有することを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項１１】
前記半導体チップは、ダイパッド部の上面に搭載されていることを特徴とする請求項１０に記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項１２】
前記半導体チップは、前記アンテナコイルの上面に搭載されていることを特徴とする請求項１０に記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項１３】
前記共振回路の共振周波数は、９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚであることを特徴とする請求項１０に記載のＲＦＩＤタグ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＦＩＤ(Radio Frequency Identification)タグの製造方法およびＲＦＩＤタグに関し、特に、ＵＨＦ（Ultra High Frequency）帯の電磁波を使用してデータを非接触で読み書きする小型ＲＦＩＤタグに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＲＦＩＤとは、半導体チップとアンテナコイルとで構成されるインレットを何らかの外装に組み込んでなるタグ（ＲＦＩＤタグ）を物品に取り付け、このＲＦＩＤタグと外部のリーダライタ（データの読み書きを行う装置）との間でデータ通信を行うことにより、当該物品の自動認識を行う技術である。ＲＦＩＤタグの半導体チップには、上記アンテナコイルと共に共振回路を構成する電源用コンデンサ、識別番号等のデータを格納するメモリ回路、整流回路、制御回路、クロック等のＩＣ回路が内蔵されている。
【０００３】
ＲＦＩＤタグは、識別番号等のデータを半導体チップ内のメモリ回路に格納することから、バーコードを利用したタグに比べて大容量のデータを格納できる利点がある。また、半導体チップ内のメモリ回路に記憶させたデータは、バーコードに記憶させたデータに比べて不正な改竄が困難であるという利点もある。
【０００４】
ＲＦＩＤタグの場合、リーダライタとの交信には、リーダライタから送信される所定の周波数の電磁波を利用する。従って、リーダライタとの間で安定したデータ通信を行うためには、共振回路を構成するアンテナコイルのインダクタンスＬとコンデンサの静電容量Ｃとで決まる共振周波数ｆを、上記所定の周波数と一致させる必要がある。ここで、共振周波数ｆとは、インダクタンスをＬ、静電容量をＣとしたとき、下記の式（１）で表される周波数である。
【０００５】
【数１】
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【０００６】
ＲＦＩＤタグの共振周波数ｆは、当該ＲＦＩＤタグの設計段階において、半導体チップのインピーダンス、アンテナコイルを含む配線のインダクタンスＬ、静電容量Ｃ等をシミュレーションすることにより決定される。
【０００７】
しかし、実際に製造されるＲＦＩＤタグは、製造工程で生じる上記パラメータのばらつきのために、実際の共振周波数ｆが当初の設計値からずれることがある。また、ＲＦＩＤタグを購入したユーザの使用環境によっては、共振周波数ｆが設計値からずれることもある。そして、このような共振周波数ｆのずれが生じると、リーダライタとの通信効率が低下するために、安定したデータ通信を行うことが困難となる。
【０００８】
そこで、ＲＦＩＤタグの製造工程の途中で共振周波数ｆを測定し、測定された共振周波数ｆが設計値と一致しなかった場合には、アンテナコイルのインダクタンスＬやコンデンサの静電容量Ｃを変更することによって、共振周波数ｆの調整を行う技術が知られている（例えば特許文献１および特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−０２１８４０号公報
【特許文献２】特表２００６−５２１６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明者らは、９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚの電磁波を使用するＵＨＦ帯ＲＦＩＤタグを開発中である。このＲＦＩＤタグは、共振回路を構成する半導体チップとアンテナコイルとを樹脂封止体で封止したアンテナ一体型パッケージ構造を有しており、その外形寸法は、縦×横が数ｍｍ×数ｍｍ、厚さが数百μｍと極めて小型であることが特徴である。
【００１１】
このような小型ＲＦＩＤタグの共振周波数を調整する場合、上記した従来の共振周波数調整技術のように、アンテナコイルのインダクタンスや静電容量を変更するための機構を新たに設けると、部品点数が増加するために、ＲＦＩＤタグの外形寸法が大きくなってしまい、かつ、製造コストも増大する。
【００１２】
従って、小型ＲＦＩＤタグの共振周波数を調整するには、従来技術と異なる新たな手法が要求される。
【００１３】
上記した課題ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１５】
本願において開示される課題を解決するための手段のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１６】
（１）本願の一実施の形態におけるＲＦＩＤタグの製造方法は、
第１および第２端部を有するアンテナコイルと、
少なくとも第１および第２電極パッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するダイパッド部と、
前記半導体チップの前記第１電極パッドと前記アンテナコイルとを電気的に接続する第１導電体、および前記半導体チップの前記第２電極パッドと前記アンテナコイルとを電気的に接続する第２導電体と、
前記アンテナコイル、前記半導体チップ、前記ダイパッド部、前記第１導電体、および前記第２導電体を封止する封止体と、を具備し、
前記アンテナコイルと前記半導体チップとで共振回路を構成するＲＦＩＤタグの製造方法であって、
（ａ）導電性基材からなる母型を準備する工程と、
（ｂ）前記母型の表面に、前記アンテナコイルおよび前記ダイパッド部に対応する開口パターンを有するフォトレジスト膜を形成する工程と、
（ｃ）前記フォトレジスト膜の前記開口パターンから露出した前記母型の前記表面に、電鋳法を用いて、前記アンテナコイルを構成する電着層および前記ダイパッド部を構成する電着層を形成する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記母型の前記表面から前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記ダイパッド部を構成する前記電着層の上面に前記半導体チップを搭載する工程と、
（ｆ）前記半導体チップの前記第１電極パッドと前記アンテナコイルを構成する前記電着層とを前記第１導電体を介して電気的に接続し、前記半導体チップの前記第２電極パッドと前記アンテナコイルを構成する前記電着層とを前記第２導電体を介して電気的に接続する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記アンテナコイルを構成する前記電着層、前記半導体チップ、前記ダイパッド部を構成する前記電着層、前記第１導電体および前記第２導電体を封止体により封止する工程と、
（ｈ）前記母型を前記封止体から剥離する工程と、を含み、
さらに、前記（ｆ）工程は、
（ｆ−１）前記共振回路の共振周波数を測定する工程と、
（ｆ−２）測定された前記共振周波数が目的とする共振周波数と一致するように、前記アンテナコイルに接続する前記第１導電体および／または前記第２導電体の位置を決定する工程と、を含む。
【００１７】
（２）本願の一実施の形態におけるＲＦＩＤタグの製造方法は、
第１および第２端部を有するアンテナコイルと、
少なくとも第１および第２電極パッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１電極パッドと前記アンテナコイルとを電気的に接続する第１導電体、および前記半導体チップの前記第２電極パッドと前記アンテナコイルとを電気的に接続する第２導電体と、
前記アンテナコイル、前記半導体チップ、前記第１導電体、および前記第２導電体を封止する封止体と、を具備し、
前記アンテナコイルと前記半導体チップとで共振回路を構成するＲＦＩＤタグの製造方法であって、
（ａ）導電性基材からなるアンテナコイルが形成されたリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記リードフレームの裏面にリードフレーム固定用テープを貼り付ける工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、ダイアタッチフィルムを介して前記半導体チップを前記リードフレームの所定位置に位置決めする工程と、
（ｄ）前記半導体チップの前記第１電極パッドと前記アンテナコイルとを前記第１導電体を介して電気的に接続し、前記半導体チップの前記第２電極パッドと前記アンテナコイルとを前記第２導電体を介して電気的に接続する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記アンテナコイル、前記半導体チップ、前記第１導電体および前記第２導電体を封止体により封止する工程と、
（ｆ）前記リードフレーム固定用テープを前記封止体から剥離する工程と、を含み、
さらに、前記（ｄ）工程は、
（ｄ−１）前記共振回路の共振周波数を測定する工程と、
（ｄ−２）測定された前記共振周波数が目的とする共振周波数と一致するように、前記アンテナコイルに接続する前記第１導電体および／または前記第２導電体の位置を決定する工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１８】
前記一実施の形態によれば、ＲＦＩＤタグの小型化を損なうことなく、共振周波数の調整を行うことができる。
【００１９】
また、前記一実施の形態によれば、ＲＦＩＤタグの小型化を推進することができる。
【００２０】
また、前記一実施の形態によれば、ＲＦＩＤタグの製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施の形態１のＲＦＩＤタグの斜視図である。
【図２】実施の形態１のＲＦＩＤタグの断面図である。
【図３】実施の形態１のＲＦＩＤタグを裏面側から見た透過斜視図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、実施の形態１の共振周波数調整方法を説明する概念図である。
【図５】実施の形態１のＲＦＩＤタグの製造に用いる半導体ウエハの平面図である。
【図６】（ａ）は、実施の形態１のＲＦＩＤタグの製造に用いる母型の平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図７】（ａ）は、実施の形態１のＲＦＩＤタグの製造方法を説明する平面図、（ｂ）は、実施の形態１のＲＦＩＤタグの製造方法を説明する要部断面図である。
【図８】（ａ）は、図７（ａ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する平面図、（ｂ）は、図７（ｂ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する要部断面図である。
【図９】（ａ）は、図８（ａ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する平面図、（ｂ）は、図８（ｂ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する要部断面図である。
【図１０】（ａ）は、図９（ａ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する平面図、（ｂ）は、図９（ｂ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する要部断面図である。
【図１１】（ａ）は、図１０（ａ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する平面図、（ｂ）は、図１０（ｂ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する要部断面図である。
【図１２】（ａ）は、図１１（ａ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する平面図、（ｂ）は、図１１（ｂ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する要部断面図である。
【図１３】図１２（ｂ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する要部拡大断面図である。
【図１４】（ａ）は、実施の形態２のＲＦＩＤタグの製造に用いるリードフレームの平面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１５】実施の形態２のＲＦＩＤタグの製造に用いる半導体ウエハの平面図である。
【図１６】（ａ）は、実施の形態２のＲＦＩＤタグの製造方法を説明する平面図、（ｂ）は、実施の形態２のＲＦＩＤタグの製造方法を説明する要部断面図である。
【図１７】（ａ）は、図１６（ａ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する平面図、（ｂ）は、図１６（ｂ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する要部断面図である。
【図１８】（ａ）は、図１７（ａ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する平面図、（ｂ）は、図１７（ｂ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する要部断面図である。
【図１９】（ａ）は、図１８（ａ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する平面図、（ｂ）は、図１８（ｂ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する要部断面図である。
【図２０】図１９（ｂ）に続くＲＦＩＤタグの製造方法を説明する要部拡大断面図である。
【図２１】（ａ）は、実施の形態２のＲＦＩＤタグの平面図、（ｂ）は、実施の形態２のＲＦＩＤタグの要部断面図である。
【図２２】実施の形態２のＲＦＩＤタグの製造に用いるリードフレームの別例を示す平面図である。
【図２３】図２２に示すリードフレームを用いた実施の形態２のＲＦＩＤタグの製造方法を説明する平面図である。
【図２４】実施の形態２のＲＦＩＤタグの製造に用いるリードフレームの別例を示す平面図である。
【図２５】実施の形態２のＲＦＩＤタグの製造に用いるリードフレームの別例を示す平面図である。
【図２６】実施の形態２のＲＦＩＤタグの製造に用いるリードフレームの別例を示す平面図である。
【図２７】アンテナコイルの平面パターンの別例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、平面図であってもハッチングを付したり、断面図であってもハッチングを省略したりする場合がある。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態のＲＦＩＤタグの斜視図、図２は、このＲＦＩＤタグの断面図、図３は、このＲＦＩＤタグを裏面側から見た透過斜視図である。
【００２４】
本実施の形態のＲＦＩＤタグ１０は、９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚのＵＨＦ（極超短波）を使用してデータを非接触で読み書きするＵＨＦ帯ＲＦＩＤタグである。
【００２５】
このＲＦＩＤタグ１０は、半導体チップ１１と、アンテナコイル１３と、半導体チップ１１およびアンテナコイル１３を封止する樹脂封止体１２とを備えたアンテナ一体型パッケージ構造を有しており、その外形寸法は、縦×横×高さが４ｍｍ×４ｍｍ×０．３ｍｍと極めて小型であることが特徴である。
【００２６】
樹脂封止体１２に内蔵された半導体チップ１１は、例えば縦×横×厚さが０．４ｍｍ×０．４ｍｍ×７５μｍの外形寸法を有する単結晶シリコン基板からなる。図示は省略するが、半導体チップ１１の主面には、電源用コンデンサ、整流回路、制御レジスタ、クロック回路、ＲＦＩＤタグ１０が取り付けられる物品に関する各種データを書き込むＲＯＭ回路等のＩＣ回路が形成されている。
【００２７】
また、半導体チップ１１の主面には、４個のボンディングパッド（電極パッド）１４、１５が形成されている。これらのボンディングパッド１４、１５のうち、２個のボンディングパッド１４は、上記ＩＣ回路に電気的に接続されている。すなわち、２個のボンディングパッド１４は、半導体チップ１１の外部端子であり、その一方は電源端子を構成し、他方はＧＮＤ端子を構成している。また、残り２個のボンディングパッド１５は、上記ＩＣ回路に電気的に接続されていないＮＣ（ノンコネクト）端子である。
【００２８】
半導体チップ１１は、銀（Ａｇ）ペースト等からなる接着剤１６を介してダイパッド部１７に搭載されている。アンテナコイル１３は、このダイパッド部１７の周囲を周回する渦巻き状の平面パターンを有しており、その線幅／スペースは、例えば１００μｍ／１００μｍである。
【００２９】
アンテナコイル１３の両端部はボンディングエリア１３ａ、１３ｂを構成している。ボンディングエリア１３ａ、１３ｂの線幅は、ワイヤ（導電体）１８の接続を可能とするために、渦巻き状のパターンの線幅に比べて２〜３倍広くなっている。そして、半導体チップ１１の主面に形成された２個のボンディングパッド１４の一方とボンディングエリア１３ａ、およびボンディングパッド１４の他方とボンディングエリア１３ｂは、金（Ａｕ）からなるワイヤ１８によってそれぞれ電気的に接続されている。
【００３０】
上記ダイパッド部１７およびアンテナコイル１３は、それらの一面が樹脂封止体１２によって被覆され、もう一方の面が樹脂封止体１２の表面に露出している。ダイパッド部１７およびアンテナコイル１３は、後述する電鋳法によって形成された厚さ６５μｍ程度の電着層からなる。
【００３１】
ＵＨＦ帯ＲＦＩＤタグは、リーダライタから送信される９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚの電磁波を使用してデータの読み書きを行う。そのため、上記アンテナコイル１３の一端部から他端部までの長さは、設計段階でのシミュレーションに基づき、９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚの電磁波によって共振するように設定される。しかし、実際に製造されるＲＦＩＤタグは、製造工程で生じるインダクタンスＬや静電容量Ｃ等のばらつき、あるいはユーザの使用環境によって、その共振周波数が設計値からずれることがある。
【００３２】
そのため、本実施の形態のＲＦＩＤタグ１０のアンテナコイル１３は、その長さが、設計段階でのシミュレーションにより算出された最適な長さよりも長く設定されている。そして、後述するＲＦＩＤタグ１０の製造工程の途中で共振周波数を測定し、測定された共振周波数が９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚからずれている場合には、アンテナコイル１３に接続するワイヤ１８のボンディング位置を変更することによって、共振周波数の調整を行う。
【００３３】
図１および図３に示すように、アンテナコイル１３の両端部に設けられた一対のボンディングエリア１３ａ、１３ｂのうち、渦巻き状のパターンの最外周部に設けられたボンディングエリア１３ａは、帯状に延在する平面パターンを有している。すなわち、ボンディングエリア１３ａは、帯状の平面パターンの任意の位置にワイヤ１８を接続できるように構成されている。
【００３４】
例えばワイヤ１８の一端をボンディングエリア１３ａの図４（ａ）に示す位置に接続したときは、アンテナコイル１３の実質的な長さが最大となり、アンテナコイル１３のインダクタンスが大きくなるので、ＲＦＩＤタグ１０の共振周波数を小さくすることができる。他方、ワイヤ１８の一端をボンディングエリア１３ａの図４（ｂ）に示す位置に接続したときは、アンテナコイル１３の実質的な長さが短くなり、アンテナコイル１３のインダクタンスが小さくなるので、ＲＦＩＤタグ１０の共振周波数を大きくすることができる。
【００３５】
このように、本実施の形態のＲＦＩＤタグ１０は、アンテナコイル１３のボンディングエリア１３ａに接続するワイヤ１８の位置を変えることによって、アンテナコイル１３のインダクタンスを増減することができる。
【００３６】
アンテナコイル１３の長さは、例えば次のような方法で決定する。ここでは、リーダライタから送信される電磁波の共振周波数を９５３ＭＨｚとし、その約０．８〜１．２倍（８００〜１０５０ＭＨｚ）の誤差範囲でＲＦＩＤタグ１０の共振周波数を調整可能とする場合について説明する。
【００３７】
まず、前述した式（１）から、下記の式（２）が得られる。
【００３８】
【数２】
2013257633.tif 000004
【００３９】
式中、ｆは共振周波数、Ｌはｆに対応するアンテナコイル１３の長さ、Ｃはｆに対応する静電容量である。
【００４０】
次に、ボンディングエリア１３ａに接続するワイヤ１８の位置を変えることによって、アンテナコイル１３の長さをＬ’とした場合の共振周波数をｆ’、静電容量をＣ’とすると、Ｌ’は下記の式（３）で表される。
【００４１】
【数３】
2013257633.tif 000005
【００４２】
このとき、アンテナコイル１３の線幅／スペースおよび膜厚は一定であるので、Ｃ’はアンテナコイル１３の長さＬ’のみに依存する。従って、Ｃ’＝（Ｌ’／Ｌ）×Ｃとなり、ｆ’＝（ｆ’／ｆ）×ｆとなるので、これを式（３）に代入すると、Ｌ’＝（ｆ／ｆ’）×Ｌが導かれる。
【００４３】
従って、誤差の下限である周波数８００ＭＨｚにおいて、ＲＦＩＤタグ１０の共振周波数を調整可能とするためには、アンテナコイル１３の長さを、設計段階でのシミュレーションにより算出された最適な長さよりも１．２倍長くすればよい。他方、誤差の上限である周波数１０５０ＭＨｚにおいて、ＲＦＩＤタグ１０の共振周波数を調整する場合には、アンテナコイル１３の実質的な長さが上記最適な長さの約０．９倍となる位置にワイヤ１８を接続すればよい。
【００４４】
また、周波数１０５０ＭＨｚに対応するアンテナコイル１３の長さをＬ’’とすると、周波数に対するアンテナコイル１３の長さの割合は、Ｌ’’：Ｌ：Ｌ’＝０．９：１：１．２＝０．７５：０．８３：１と表される。これから、ボンディングエリア１３ａに接続するワイヤ１８の位置は、ボンディングエリア１３ａ最端部からアンテナコイル１３の長さの１／４の位置となる。
【００４５】
なお、ＲＦＩＤタグ１０の共振周波数が８００ＭＨｚより低い場合であっても、アンテナコイル１３をさらに長くすれば共振周波数の調整は可能であるが、この場合は、ＲＦＩＤタグ１０の外形寸法が大きくなる。
【００４６】
次に、上記のように構成された本実施の形態のＲＦＩＤタグ１０の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００４７】
図５に示す半導体ウエハ２０は、前工程（ウエハプロセス）およびそれに続くダイシング工程が完了した後のものであり、複数の半導体チップ１１に分割された状態になっている。
【００４８】
前工程は、フォトリソグラフィー技術、ＣＶＤ技術、スパッタリング技術、エッチング技術などを組み合わせて、半導体ウエハ２０の複数のチップ領域（ダイシング後に半導体チップ１１となる領域）のそれぞれに前述したＩＣ回路およびボンディングパッド１４、１５を形成する複数の工程と、ＩＣ回路を構成する素子の良否や素子間を接続する配線の導通・非導通を判別する電気特性検査工程を含んでいる。
【００４９】
また、ダイシング工程は、電気特性検査工程が完了した半導体ウエハ２０の裏面を研削してその厚さを７５μｍ程度まで薄くする工程と、研削後の半導体ウエハ２０の裏面にダイシングテープ２１を貼り付け、この状態で半導体ウエハ２０を切断して複数の半導体チップ１１に分割・個片化する工程とを含んでいる。ダイシングテープ２１は、例えば基材フィルムの表面に紫外線硬化型樹脂組成物からなる粘着剤層を形成したものである。
【００５０】
このようにして半導体ウエハ２０から個片化された複数の半導体チップ１１は、ダイシングテープ２１に保持された状態でＲＦＩＤタグ１０の製造工程に搬送される。
【００５１】
図６（ａ）は、ＲＦＩＤタグ１０の製造に用いる母型の平面図、図６（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００５２】
母型２２は、例えばＳＵＳ３０４のような耐腐食性の高い導電性基材からなる薄板で構成されており、その厚さは、例えば１５０μｍである。この母型２２は、図６の二点鎖線で示すダイシングラインＤＬによって複数のタグ形成領域に区画されている。一つのタグ形成領域は、母型２２をダイシングラインＤＬに沿って切断したときに１個のＲＦＩＤタグ１０となる領域である。例えば図６に示す母型２２は、ダイシングラインＤＬによって区画された４つのタグ形成領域を有しているので、この母型２２から４個のＲＦＩＤタグ１０を取得することができる。なお、実際の母型２２は、数百のタグ形成領域を有しているが、ここでは図面を見易くするために、４つのタグ形成領域を有するものを使って説明する。
【００５３】
ＲＦＩＤタグ１０を製造するには、まず、図７に示すように、母型２２の表面にフォトレジスト膜を塗布した後、フォトマスクを使った露光、および現像を行うことにより、図１〜図３に示したダイパッド部１７およびアンテナコイル１３に対応する開口パターンを有するフォトレジスト膜２３を形成する。
【００５４】
次に、上記母型２２を電鋳浴（図示せず）に浸漬することにより、図８に示すように、フォトレジスト膜２３の開口パターンから露出した母型２２の表面に、ダイパッド部１７およびアンテナコイル１３を構成する電着層２４を形成する。
【００５５】
上記電着層２４は、例えば母型２２に近い側から金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、銀（Ａｇ）層をこの順に積層した３層構造を有しており、その厚さは、６５μｍ程度である。このような電着層２４を形成するには、例えば図７に示す母型２２をシアン化金系電鋳浴に浸漬して母型２２の表面に金層を形成し、次に、この母型２２をスルファミン酸ニッケル系電鋳浴に浸漬して金層の表面にニッケル層を形成し、次に、この母型２２をシアン化銀系電鋳浴に浸漬してニッケル層の表面に銀層を形成する。
【００５６】
次に、母型２２の表面のフォトレジスト膜２３を除去する。これにより、図９に示すように、母型２２の表面に上記電着層２４からなるダイパッド部１７およびアンテナコイル１３が形成される。
【００５７】
次に、ダイシングテープ２１に保持された半導体チップ１１（図５参照）をピックアップし、図１０に示すように、接着剤１６を介してダイパッド部１７の上面に搭載する。半導体チップ１１をダイシングテープ２１から剥離する際は、あらかじめダイシングテープ２１の粘着剤層に紫外線を照射し、その粘着力を低下させておく。その後、接着剤１６を加熱または紫外線の照射で硬化させることにより、半導体チップ１１がダイパッド部１７の上面に固定される。
【００５８】
次に、図１１に示すように、例えば熱と超音波振動を併用したボールボンディング法を用い、半導体チップ１１のボンディングパッド１４の一方とアンテナコイル１３のボンディングエリア１３ａ、およびボンディングパッド１４の他方とボンディングエリア１３ｂとをワイヤ１８によってそれぞれ電気的に接続する。
【００５９】
アンテナコイル１３のボンディングエリア１３ａにワイヤ１８を接続する際は、ＲＦＩＤタグ１０の共振周波数を測定し、測定された共振周波数が９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚからずれている場合には、９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚとなるように、ワイヤ１８のボンディング位置を決定する。
【００６０】
ここでは、ＵＨＦ帯測定テスタを使ってアンテナコイル１３の使用条件を変化させ、周波数に対する最小動作電力を測定することによって、共振周波数を求めた。そして、前述の式（１）から共振周波数が９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚとなるアンテナコイル１３の長さを算出し、ワイヤ１８のボンディング位置を決定した。
【００６１】
また、他の方法として、例えば８００ＭＨｚ±２００ＭＨｚの範囲で１０ＭＨｚ置きに周波数をずらしたサンプルを複数用意し、最小動作電力となるサンプルからワイヤ１８のボンディング位置を決定することも可能である。
【００６２】
次に、図１２に示すように、母型２２をモールド金型（図示せず）に装着し、半導体チップ１１、ワイヤ１８およびアンテナコイル１３を樹脂封止体１２で封止する。樹脂封止体１２は、例えばシリコンフィラーを充填した熱硬化性エポキシ樹脂からなる。
【００６３】
次に、図１３に示すように、不要となった母型２２を樹脂封止体１２から剥離する。このとき、樹脂封止体１２に密着したダイパッド部１７およびアンテナコイル１３が母型２２から剥離され、樹脂封止体１２側に転写されるので、樹脂封止体１２の一面にダイパッド部１７およびアンテナコイル１３が露出する。
【００６４】
その後、図６に示したダイシングラインＤＬに沿って樹脂封止体１２を切断・個片化することにより、図１〜図３に示した本実施の形態のＲＦＩＤタグ１０が完成する。
【００６５】
このように、本実施の形態によれば、ＲＦＩＤタグ１０の小型化を損なうことなく、共振周波数の調整を行うことができる。
【００６６】
（実施の形態２）
前述の実施の形態１では、電鋳法を用いて作製したアンテナコイル１３を有するＲＦＩＤタグ１０について説明したが、本実施の形態では、リードフレーム型のアンテナコイルを有するＲＦＩＤタグについて説明する。
【００６７】
前述の電鋳法では、ダイパッド部１７およびアンテナコイル１３を構成する電着層２４を母型２２の表面に形成するので、母型２２と電着層２４との密着力が比較的強い。そのため、アンテナコイル１３を構成する渦巻き状のパターンの線幅を狭くすると、樹脂封止体１２から母型２２を剥離する工程（図１３参照）で、アンテナコイル１３の一部が母型２２に付着したまま残り、樹脂封止体１２側に転写されたアンテナコイル１３が断線する恐れがある。従って、電鋳法を用いてアンテナコイル１３を作製する場合、その最小線幅／スペースは、１００μｍ／１００μｍ程度が限界である。
【００６８】
これに対し、アンテナコイルをリードフレームで構成する場合は、このような問題が生じ難いので、電鋳法に比べてアンテナコイル１３の線幅／スペースを狭くすることができ、ひいては樹脂封止体の外形寸法をより小さくすることができるという利点がある。また、アンテナコイルをリードフレームで構成する場合は、電鋳法を用いてアンテナコイル１３を作製する場合に比べて製造コストが安価であるという利点もある。
【００６９】
図１４（ａ）は、本実施の形態のＲＦＩＤタグの製造に用いるリードフレームの平面図、図１４（ｂ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００７０】
リードフレーム３０Ａは、例えば銅（Ｃｕ）または銅（Ｃｕ）合金からなる厚さ３０μｍ程度の薄板で構成された矩形の外枠３１と、外枠３１の内側に配置された複数（ここでは３個）のアンテナコイル３３とを備えている。これらのアンテナコイル３３は、吊りリード３２によって外枠３１に支持されている。なお、実際のリードフレーム３０Ａは、外枠３１の内側に数十個のアンテナコイル３３を有しているが、ここでは図面を見易くするために、３個のアンテナコイル３３を有するものを使って説明する。
【００７１】
アンテナコイル３３のそれぞれは、渦巻き状の平面パターンを有しており、その両端部はボンディングエリア３３ａ、３３ｂを構成している。ここで、渦巻き状のパターンの線幅／スペースは、例えば５０μｍ／５０μｍである。また、ボンディングエリア３３ａ、３３ｂの線幅は、ワイヤの接続を可能とするために、渦巻き状のパターンの線幅に比べて２〜３倍広くなっている。
【００７２】
アンテナコイル３３の両端部に設けられた一対のボンディングエリア３３ａ、３３ｂのうち、渦巻き状のパターンの最外周部に設けられたボンディングエリア３３ａは、外枠３１の一辺に沿って延在する帯状の平面パターンを有している。すなわち、ボンディングエリア３３ａは、外枠３１の一辺に沿った任意の位置にワイヤを接続できるように構成されている。従って、アンテナコイル３３は、前述した実施の形態１のアンテナコイル１３と同様、ボンディングエリア３３ａに接続するワイヤの位置を調整することによって、そのインダクタンスを増減することができる。
【００７３】
上記アンテナコイル３３を有するリードフレーム３０Ａを作製するには、まず、銅（Ｃｕ）または銅（Ｃｕ）合金からなる薄板の表面にフォトレジスト膜を形成した後、フォトマスクを使った露光、および現像により、このフォトレジスト膜にアンテナコイル３３に対応する開口パターンを形成する。次に、このフォトレジスト膜をマスクに用いて薄板をウェットエッチングする。その後、フォトレジスト膜を除去することにより、上記リードフレーム３０Ａが完成する。
【００７４】
図１５は、本実施の形態のＲＦＩＤタグの製造に用いる半導体ウエハ４０の平面図である。半導体ウエハ４０は、図５に示した半導体ウエハ２０と同様、前工程（ウエハプロセス）およびそれに続くダイシング工程が完了した後のものであり、複数の半導体チップ４１に分割された状態になっている。
【００７５】
半導体チップ４１は、例えば縦×横×厚さが０．２５ｍｍ×０．２５ｍｍ×７５μｍの外形寸法を有する単結晶シリコン基板からなり、その主面には、前述した半導体チップ１１と同様のＩＣ回路（図示せず）が形成されている。
【００７６】
また、半導体チップ４１の主面には、４個のボンディングパッド４２、４３が形成されている。これらのボンディングパッド４２、４３のうち、２個のボンディングパッド４２は、上記ＩＣ回路に電気的に接続された外部端子であり、その一方は電源端子を構成し、他方はＧＮＤ端子を構成している。また、残り２個のボンディングパッド４３は、上記ＩＣ回路に電気的に接続されていないＮＣ端子である。
【００７７】
前述した実施の形態１では、半導体ウエハ２０の裏面に、基材フィルムと粘着剤層とからなるダイシングテープ２１を貼り付け、この状態で半導体ウエハ２０を切断して複数の半導体チップ１１に分割・個片化した。これに対し、本実施の形態では、半導体ウエハ４０の裏面にダイアタッチフィルム４４を貼り付け、この状態で半導体ウエハ４０を切断して複数の半導体チップ４１に分割・個片化する。ダイアタッチフィルム４４は、基材フィルムの表面に、例えば紫外線硬化型樹脂組成物からなる粘着剤層と接着剤層とをこの順に積層したフィルム状接着剤である。
【００７８】
このようにして半導体ウエハ４０から個片化された複数の半導体チップ４１は、ダイアタッチフィルム４４に保持された状態でＲＦＩＤタグの製造工程に搬送される。
【００７９】
上記リードフレーム３０Ａおよび半導体チップ４１を使ってＲＦＩＤタグを製造するには、まず、図１６に示すように、リードフレーム３０Ａの裏面にリードフレーム固定用の両面粘着テープ４５を貼り付ける。この両面粘着テープ４５は、基材フィルムの両面に粘着剤層を形成したものであり、リードフレーム３０Ａをワイヤボンディング装置のステージやモールド金型のキャビティに固定したり、半導体チップ４１をリードフレーム３０Ａの所定位置に位置決めしたりするために使用される。
【００８０】
次に、ダイアタッチフィルム４４に保持された半導体チップ４１（図１５参照）をピックアップし、図１７に示すように、リードフレーム３０Ａに形成されたアンテナコイル３３の中心付近に位置決めする。このとき、半導体チップ４１は、アンテナコイル３３の中心付近に露出した両面粘着テープ４５の表面に貼り付けられる。
【００８１】
半導体チップ４１をダイアタッチフィルム４４から剥離する際は、あらかじめダイアタッチフィルム４４の粘着剤層に紫外線を照射し、その粘着力を低下させておく。このようにすると、半導体チップ１１をダイアタッチフィルム４４から剥離したとき、図１７に示すように、ダイアタッチフィルム４４の接着剤層４４Ａのみが半導体チップ４１の裏面に転写されるので、半導体チップ４１は、この接着剤層４４Ａを介して両面粘着テープ４５の表面に貼り付けられる。
【００８２】
次に、図１８に示すように、例えば前述したボールボンディング法を用い、半導体チップ４１のボンディングパッド４２の一方とアンテナコイル３３のボンディングエリア３３ａ、およびボンディングパッド４２の他方とボンディングエリア３３ｂとをワイヤ４６によってそれぞれ電気的に接続する。
【００８３】
アンテナコイル３３のボンディングエリア３３ａにワイヤ４６を接続する際は、前述した方法で共振周波数を測定し、測定された共振周波数が９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚからずれている場合には、９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚとなるように、ワイヤ４６のボンディング位置を決定する。
【００８４】
次に、図１９に示すように、半導体チップ４１、ワイヤ４６およびアンテナコイル３３を樹脂封止体４７で封止し、続いて、図２０に示すように、不要となった両面粘着テープ４５を樹脂封止体４７から剥離する。このとき、樹脂封止体４７の一面にアンテナコイル３３および接着剤層４４Ａが露出するので、樹脂封止体４７の一面に紫外線を照射して接着剤層４４Ａを硬化させる。なお、樹脂封止体４７の一面に露出した接着剤層４４Ａを目立たなくする目的で、あらかじめ接着剤層４４Ａ中に樹脂封止体４７と同色（例えば黒色）の顔料を添加してもよい。また、両面粘着テープ４５を樹脂封止体４７から剥離した後、樹脂封止体４７の一面に露出したアンテナコイル３３の腐食を防止する目的で、アンテナコイル３３の表面に電解めっき法等を用いて金（Ａｕ）メッキ層を形成することが望ましい。
【００８５】
その後、樹脂封止体４７を切断・個片化すると共に、リードフレーム３０Ａの外枠３１を切断・除去することにより、図２１に示すような本実施の形態のＲＦＩＤタグ５０が完成する。
【００８６】
なお、上記リードフレーム３０Ａは、アンテナコイル３３の中心付近に半導体チップ４１を配置するスペースを設けているが、図２２に示すような、半導体チップ４１を配置するスペースを有しないリードフレーム３０Ｂを使用してもよい。この場合は、図２３に示すように、リードフレーム３０Ｂのアンテナコイル３３の表面に半導体チップ４１を接着する。
【００８７】
このようなリードフレーム３０Ｂを使用した場合は、アンテナコイル３３の線幅／スペースを狭くしなくとも、アンテナコイル３３の占有面積を小さくすることができるので、ＲＦＩＤタグ５０の外形寸法をさらに小さくすることができる。
【００８８】
また、このようなリードフレーム３０Ｂを使用した場合は、アンテナコイル３３のボンディングエリア３３ａとボンディングエリア３３ｂとの中間位置に半導体チップ４１を配置することにより、半導体チップ４１のボンディングパッド４２とボンディングエリア３３ａ、３３ｂを接続するワイヤ４６の長さを短くすることができる。
【００８９】
このように、本実施の形態によれば、ＲＦＩＤタグ５０の小型化を損なうことなく、共振周波数の調整を行うことができる。
【００９０】
また、本実施の形態によれば、リードフレーム型のアンテナコイル３３を使ってＲＦＩＤタグ５０を製造することにより、ＲＦＩＤタグ５０の小型化を推進することができる。また、ＲＦＩＤタグ５０の製造コストを低減することができる。
【００９１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００９２】
例えば前記実施の形態２では、リードフレーム３０Ａのアンテナコイル３３の外周側端部に設けられたボンディングエリア３３ａを帯状の平面パターンとすることによって、共振周波数の調整を行うようにしたが、例えば図２４に示すように、アンテナコイル３３の中心側端部に設けられたボンディングエリア３３ｂを帯状の平面パターンとし、このボンディングエリア３３ｂに接続するワイヤ４６の位置を変更することによって、共振周波数を調整してもよい。
【００９３】
また、図２５に示すように、アンテナコイル３３の両端部のボンディングエリア３３ａ、３３ｂをそれぞれ帯状の平面パターンとし、ボンディングエリア３３ａ、３３ｂに接続するワイヤ４６の位置をそれぞれ変更すれば、より広い周波数範囲で共振周波数を調整することができる。
【００９４】
また、アンテナコイル３３の線幅が十分に広い場合には、図２６に示すように、アンテナコイル３３のボンディングエリア３３ａ、３３ｂの幅を他の領域より広くしなくともワイヤのボンディングは可能であるが、前記実施の形態で説明した共振周波数の調整方法は、このようなリードフレーム３０Ｃを使ってＲＦＩＤタグ５０を製造する場合にも適用することができる。
【００９５】
また、アンテナコイル３３の平面パターンは、渦巻き状のパターンに限定されるものではなく、例えば図２７に示すようなつづら折りパターン等、種々のパターンを採用することができる。
【００９６】
図２２〜図２７に示した例は、リードフレーム型のアンテナコイル３３を有するＲＦＩＤタグ５０だけでなく、電鋳法で作製したアンテナコイル１３を有する実施の形態１のＲＦＩＤタグ１０にも適用できることは勿論である。
【００９７】
また、前記実施の形態で説明したＲＦＩＤタグの構造ならびに共振周波数の調整方法は、９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚの電磁波を使用するＵＨＦ帯ＲＦＩＤタグだけでなく、例えば２．４５ＧＨｚ帯のマイクロ波を使用するＲＦＩＤタグや、１３．５６ＭＨｚ帯の短波を使用するＲＦＩＤタグ等、他の周波数帯の電磁波を使用するＲＦＩＤタグに適用することもできる。
【符号の説明】
【００９８】
１０  ＲＦＩＤタグ
１１  半導体チップ
１２  樹脂封止体
１３  アンテナコイル
１３ａ、１３ｂ  ボンディングエリア
１４、１５  ボンディングパッド（電極パッド）
１６  接着剤
１７  ダイパッド部
１８  ワイヤ（導電体）
２０  半導体ウエハ
２１  ダイシングテープ
２２  母型
２３  フォトレジスト膜
２４  電着層
３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ  リードフレーム
３１  外枠
３２  吊りリード
３３  アンテナコイル
３３ａ、３３ｂ  ボンディングエリア
４０  半導体ウエハ
４１  半導体チップ
４２、４３  ボンディングパッド（電極パッド）
４４  ダイアタッチフィルム
４４Ａ  接着剤層
４５  両面粘着テープ
４６  ワイヤ（導電体）
４７  樹脂封止体
５０  ＲＦＩＤタグ
【図１】
2013257633.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2013257633.tif 000013
【図９】
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【図１０】
2013257633.tif 000015
【図１１】
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【図１２】
2013257633.tif 000017
【図１３】
2013257633.tif 000018
【図１４】
2013257633.tif 000019
【図１５】
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【図１６】
2013257633.tif 000021
【図１７】
2013257633.tif 000022
【図１８】
2013257633.tif 000023
【図１９】
2013257633.tif 000024
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2013257633.tif 000027
【図２３】
2013257633.tif 000028
【図２４】
2013257633.tif 000029
【図２５】
2013257633.tif 000030
【図２６】
2013257633.tif 000031
【図２７】
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