(57)【要約】【課題】環境面に配慮しながら、低コストで信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置１は、多層配線基板１０と、多層配線基板１０上に実装される実装部品２と、を備える。多層配線基板１０は、実装部品２が実装される配線層１１と、配線層１１よりも下側に配置される配線層１３とを含む。配線層１３は、実装部品２の陽極側と陰極側との間において、実装部品２の陽極端子２ａと同極性のダミー配線部１３ａを有する。【選択図】図１
2013222719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線基板と、
前記多層配線基板上に実装される実装部品と、
を備え、
前記多層配線基板は、前記実装部品が実装される第１配線層と、前記第１配線層よりも前記実装部品とは反対側に配置される第２配線層とを含み、
前記第２配線層は、前記実装部品の陽極側と陰極側との間において、前記実装部品の陽極端子と同極性のダミー配線部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１配線層は、前記実装部品の陽極端子が電気的に接続される陽極端子接続部と、前記実装部品の陰極端子が電気的に接続される陰極端子接続部とを有し、
前記陽極端子接続部および前記ダミー配線部は、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記陽極端子接続部および前記ダミー配線部は、スルーホールを介して互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ダミー配線部は前記実装部品の陽極端子よりも高い電位を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１配線層は前記実装部品側から１層目の配線層であり、
前記第２配線層は前記実装部品側から２層目の配線層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記多層配線基板は樹脂基板からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記実装部品を封止する封止樹脂を備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置およびそれを備えた電子機器に関し、特に、多層配線基板とその上に実装される実装部品とを含む半導体装置およびそれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板とその上に実装されるコンデンサ、コイル、抵抗等の実装部品とを備えた半導体装置が知られている。図８は、従来の半導体装置の一例を示した断面図である。半導体装置１００１は図８に示すように、多層配線基板１０１０と、多層配線基板１０１０上に実装される実装部品１００２と、実装部品１００２を封止する封止樹脂１００３とを備えている。
【０００３】
多層配線基板１０１０は、実装部品１００２が実装される配線層１０１１と、配線層１０１１下に配置される絶縁樹脂層１０１２と、絶縁樹脂層１０１２下に配置される配線層（図示せず）と、絶縁樹脂層１０１２および配線層（図示せず）下に配置される絶縁樹脂層１０１３とを備える。配線層１０１１および絶縁樹脂層１０１２上の所定領域にはレジスト層１０１４が設けられており、絶縁樹脂層１０１３下の所定領域にはレジスト層１０１５が設けられている。
【０００４】
実装部品１００２の陽極端子１００２ａおよび陰極端子１００２ｂは、銀ペースト１００４を用いて配線層１０１１に電気的に接続されている。
【０００５】
ここで、従来の半導体装置１００１のように、実装部品１００２を銀ペースト１００４を用いて実装すると、銀マイグレーション（エレクトロケミカルマイグレーション（イオンマイグレーションとも言う））により電気的短絡が発生する場合がある。具体的には、高湿度の環境下で実装部品１００２に電圧を印加すると、銀ペースト１００４に含有される銀が電気分解され、陽極側ではシミ状の成長が起きる。また、銀イオンが陰極側に引き寄せられ、陰極側では樹枝状結晶（デンドライト）成長が起きる。このため、実装部品１００２の陽極側と陰極側との間で経時変化により短絡やリークが生じる場合があり、信頼性が低下する。
【０００６】
そこで、上記不都合を改善するために、銀ペーストにパラジウムを含有させたり、封止樹脂にイオントラップ剤を添加する等の対策が行われてきた。また、特許文献１では、耐湿性を向上させた樹脂により銀ペーストを封止することによって、銀マイグレーションを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−８０１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、銀ペーストにパラジウムを含有したり、封止樹脂にイオントラップ剤を添加したり、樹脂の耐湿性を向上させる場合、特別な材料が必要となりコストが高くなるとともに、環境負荷物質が増加するという問題点がある。
【０００９】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、環境面に配慮しながら、低コストで信頼性を向上させることが可能な半導体装置およびそれを備えた電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、この発明の半導体装置は、多層配線基板と、多層配線基板上に実装される実装部品と、を備え、多層配線基板は、実装部品が実装される第１配線層と、第１配線層よりも実装部品とは反対側に配置される第２配線層とを含み、第２配線層は、実装部品の陽極側と陰極側との間において、実装部品の陽極端子と同極性のダミー配線部を有する。
【００１１】
この発明の半導体装置では、上記のように、第２配線層は、実装部品の陽極側と陰極側との間において、実装部品の陽極と同極性のダミー配線部を有する。これにより、実装部品の陽極側から陰極側に向かう電界を小さくすることができる。このため、実装部品の陽極側で電気分解された金属イオン（例えば銀イオン）が陰極側に引き寄せられるのを抑制することができるので、陰極側で樹枝状結晶成長が生じるのを抑制することができる。すなわち、エレクトロケミカルマイグレーションを抑制することができる。その結果、実装部品の陽極側と陰極側との間で短絡やリークが生じるのを抑制することができるので、信頼性を向上させることができる。
【００１２】
また、第２配線層にダミー配線部を設けるだけなので、コストが高くなるのを抑制することができるとともに、環境負荷物質が増加するのを防止することができる。また、半導体装置の構造が複雑になることも抑制することができる。
【００１３】
また、ダミー配線部は第１配線層よりも実装部品とは反対側に配置される第２配線層に設けられるので、ダミー配線部と実装部品の陰極側との間で短絡やリークが生じるのを容易に防止することができる。このような構造は、実装部品の陽極側と陰極側との間が狭い場合に特に有効である。
【００１４】
上記半導体装置において、好ましくは、第１配線層は、実装部品の陽極端子が電気的に接続される陽極端子接続部と、実装部品の陰極端子が電気的に接続される陰極端子接続部とを有し、陽極端子接続部およびダミー配線部は、互いに電気的に接続されている。このように構成すれば、ダミー配線部の電位を陽極端子接続部の電位と等しくすることができるので、実装部品の陽極側から陰極側に向かう電界をより小さくすることができる。これにより、エレクトロケミカルマイグレーションをより抑制することができる。
【００１５】
この場合、好ましくは、陽極端子接続部およびダミー配線部は、スルーホールを介して互いに電気的に接続されている。このように構成すれば、陽極端子接続部およびダミー配線部を、容易に互いに電気的に接続することができる。
【００１６】
上記半導体装置において、好ましくは、ダミー配線部は実装部品の陽極端子よりも高い電位を有する。このように構成すれば、ダミー配線部の電位を例えば実装部品の陽極端子の電位（陽極端子接続部の電位）と等しくする場合に比べて、エレクトロケミカルマイグレーションをより効果的に抑制することができる。
【００１７】
上記半導体装置において、好ましくは、第１配線層は実装部品側から１層目の配線層であり、第２配線層は実装部品側から２層目の配線層である。このように構成すれば、例えば第２配線層が実装部品側から３層目以降の配線層である場合に比べて、ダミー配線部を第１配線層に近づけることができるので、実装部品の陽極側から陰極側に向かう電界をより小さくすることができる。これにより、エレクトロケミカルマイグレーションをより抑制することができる。
【００１８】
上記半導体装置において、多層配線基板は樹脂基板からなる。多層配線基板に樹脂基板を用いた場合、実装部品の陽極端子および陰極端子の周辺を低湿度状態に保持することが困難であるので、エレクトロケミカルマイグレーションが起こりやすい。このため、多層配線基板に樹脂基板を用いる場合に本発明を適用することは、特に有効である。
【００１９】
上記半導体装置において、好ましくは、実装部品を封止する封止樹脂を備える。
【００２０】
この発明の電子機器は、上記の構成の半導体装置を備える。このように構成すれば、環境面に配慮しながら、低コストで信頼性を向上させることが可能な電子機器を得ることができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように、本発明によれば、環境面に配慮しながら、低コストで信頼性を向上させることが可能な半導体装置およびそれを備えた電子機器を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態の半導体装置の構造を示した断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態の半導体装置の構造を示した平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の半導体装置の構造を示した平面図である。
【図４】本発明の第２実施形態の半導体装置の構造を示した平面図である。
【図５】本発明の第３実施形態の半導体装置の構造を示した平面図である。
【図６】本発明の第３実施形態の半導体装置の半導体パッケージの構造を示した平面図である。
【図７】本発明の第３実施形態の半導体装置の多層配線基板の構造を示した平面図である。
【図８】従来の半導体装置の一例を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、理解を容易にするために、断面図であってもハッチングを施さない場合がある。
【００２４】
（第１実施形態）
図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態による半導体装置１の構造について説明する。
【００２５】
本発明の第１実施形態の半導体装置１は電子機器に搭載されるものである。半導体装置１は図１に示すように、多層配線基板１０と、多層配線基板１０上に実装される実装部品２と、実装部品２を封止する封止樹脂３とを備えている。
【００２６】
実装部品２は例えばコンデンサであり、陽極端子２ａおよび陰極端子２ｂを有する。陽極端子２ａおよび陰極端子２ｂは、銀ペースト４を用いて多層配線基板１０に電気的に接続されている。なお、銀ペースト４は一般的に用いられる銀ペーストであり、パラジウムを含有していない。
【００２７】
多層配線基板１０は樹脂基板からなり、実装部品２が実装される配線層１１（第１配線層）と、配線層１１下に配置される絶縁樹脂層１２と、絶縁樹脂層１２下に配置される配線層１３（第２配線層）と、絶縁樹脂層１２および配線層１３下に配置される絶縁樹脂層１４とを備える。配線層１１および絶縁樹脂層１２上の所定領域にはレジスト層１５が設けられており、絶縁樹脂層１４下の所定領域にはレジスト層１６が設けられている。なお、絶縁樹脂層１４下に、さらに配線層や絶縁樹脂層を設け、多層配線基板１０を３層以上の配線層を有するように構成してもよい。なお、多層配線基板１０は、図１では配線層および絶縁樹脂層が上下方向に積層された状態で描かれている。
【００２８】
配線層１１および配線層１３は、銅配線により形成されており、パラジウムなどの環境負荷物質を含有していない。配線層１１は最上層（実装部品側（上側）から１層目）の配線層である。配線層１３は実装部品側（上側）から２層目の配線層であり、配線層１１よりも下側（実装部品２とは反対側）に配置されている。配線層１３は、実装部品２の陽極側と陰極側との間において、実装部品２の陽極と同極性のダミー配線部１３ａを有する。
【００２９】
具体的には、配線層１１は図２に示すように、実装部品２の陽極端子２ａが配置されるとともに電気的に接続される陽極端子接続部１１ａと、実装部品２の陰極端子２ｂが配置されるとともに電気的に接続される陰極端子接続部１１ｂとを有する。陽極端子接続部１１ａおよび陰極端子接続部１１ｂには、銀メッキ以外のメッキが施されていることが好ましく、例えば金メッキが施されている。なお、陽極端子接続部１１ａおよび陰極端子接続部１１ｂは、メッキが施されていなくてもよい。また、図２では、理解を容易にするために、封止樹脂３および多層配線基板１０のレジスト層１５を省略して描いている。このことは、図３も同様である。
【００３０】
陽極端子接続部１１ａには、外部との電気的接続を行うための陽極配線部１１ｃが繋がって設けられており、陰極端子接続部１１ｂには、外部との電気的接続を行うための陰極配線部１１ｄが繋がって設けられている。なお、陽極配線部１１ｃおよび陰極配線部１１ｄは、外部との電気的接続を行うために、図示しないが絶縁樹脂層１２および１４と共に封止樹脂３の外側まで延設されていてもよいし、図示しないスルーホールを介して多層配線基板１０の裏面側の配線層に電気的に接続されていてもよい。
【００３１】
配線層１３のダミー配線部１３ａは陽極端子接続部１１ａと陰極端子接続部１１ｂとの間に配置されている。ダミー配線部１３ａはスルーホール１７を介して陽極配線部１１ｃに電気的に接続されている。これにより、陽極端子接続部１１ａおよびダミー配線部１３ａは、陽極配線部１１ｃおよびスルーホール１７を介して互いに電気的に接続されている。このため、ダミー配線部１３ａの電位は、陽極端子接続部１１ａの電位および実装部品２の陽極端子２ａの電位と等しくなっている。なお、ダミー配線部１３ａは、実装部品２に電力を供給するものではなく、半導体装置１の動作に寄与しない。
【００３２】
また、多層配線基板１０は図３に示すように構成されていてもよい。すなわち、ダミー配線部１３ａは陽極端子接続部１１ａに電気的に接続されていなくてもよい。そして、ダミー配線部１３ａには、実装部品２の陽極側に電力を供給する電源とは別の電源から電圧が印加されてもよい。この場合、例えば、陽極端子接続部１１ａ、陰極端子接続部１１ｂおよびダミー配線部１３ａの電位をそれぞれ３．３Ｖ、０Ｖおよび５Ｖとしてもよい。すなわち、ダミー配線部１３ａは実装部品２の陽極端子２ａよりも高い電位を有するように構成されていてもよい。
【００３３】
また、ダミー配線部１３ａは、外部との電気的接続を行うために、図示しないが絶縁樹脂層１２および１４と共に封止樹脂３の外側まで延設されていてもよいし、図示しないスルーホールを介して多層配線基板１０の裏面側の配線層に電気的に接続されていてもよい。なお、図３のその他の構造は図２と同様であるので、その説明を省略する。
【００３４】
図１に示すように、絶縁樹脂層１２および１４は例えばガラスエポキシ樹脂などにより形成されている。レジスト層１５は、例えば、端子接続部（陽極端子接続部１１ａおよび陰極端子接続部１１ｂ）を除く配線層１１上と絶縁樹脂層１２上とを覆うように設けられている。レジスト層１６は、例えば絶縁樹脂層１４下を覆うように設けられている。
【００３５】
本実施形態では、上記のように、配線層１３は、実装部品２の陽極側と陰極側との間において、実装部品２の陽極と同極性のダミー配線部１３ａを有する。これにより、実装部品２の陽極側から陰極側に向かう電界を小さくすることができる。このため、実装部品２の陽極側で電気分解された銀イオンが陰極側に引き寄せられるのを抑制することができるので、陰極側で樹枝状結晶成長が生じるのを抑制することができる。すなわち、エレクトロケミカルマイグレーションを抑制することができる。その結果、実装部品２の陽極側と陰極側との間で短絡やリークが生じるのを抑制することができるので、信頼性を向上させることができる。
【００３６】
また、配線層１３にダミー配線部１３ａを設けるだけなので、コストが高くなるのを抑制することができるとともに、環境負荷物質が増加するのを防止することができる。また、半導体装置１の構造が複雑になることも抑制することができる。
【００３７】
また、ダミー配線部１３ａは配線層１１よりも下側（実装部品２とは反対側）に配置される配線層１３に設けられるので、ダミー配線部１３ａと実装部品２の陰極側との間で短絡やリークが生じるのを容易に防止することができる。このような構造は、実装部品２の陽極側と陰極側との間が狭い場合に特に有効である。
【００３８】
また、上記のように、陽極端子接続部１１ａおよびダミー配線部１３ａは、互いに電気的に接続されていてもよい。この場合、ダミー配線部１３ａの電位を陽極端子接続部１１ａの電位と等しくすることができるので、実装部品２の陽極側から陰極側に向かう電界をより小さくすることができる。これにより、エレクトロケミカルマイグレーションをより抑制することができる。
【００３９】
また、上記のように、スルーホール１７を用いれば、陽極端子接続部１１ａおよびダミー配線部１３ａを、容易に互いに電気的に接続することができる。
【００４０】
また、上記のように、ダミー配線部１３ａは実装部品２の陽極端子２ａよりも高い電位を有してもよい。この場合、ダミー配線部１３ａの電位を例えば実装部品２の陽極端子２ａの電位（陽極端子接続部１１ａの電位）と等しくする場合に比べて、エレクトロケミカルマイグレーションをより効果的に抑制することができる。
【００４１】
また、上記のように、配線層１３は実装部品側（上側）から２層目の配線層である。これにより、例えば配線層１３が実装部品側（上側）から３層目以降の配線層である場合に比べて、ダミー配線部１３ａを配線層１１に近づけることができるので、実装部品２の陽極側から陰極側に向かう電界をより小さくすることができる。このため、エレクトロケミカルマイグレーションをより抑制することができる。
【００４２】
また、上記のように、多層配線基板１０は樹脂基板からなる。多層配線基板１０に樹脂基板を用いた場合、実装部品２の陽極端子２ａおよび陰極端子２ｂの周辺を低湿度状態に保持することが困難であるので、エレクトロケミカルマイグレーションが起こりやすい。このため、多層配線基板１０に樹脂基板を用いる場合に本発明を適用することは、特に有効である。
【００４３】
なお、半導体装置１は、高電圧が印加される電子機器（例えば、ＤＣＤＣコンバータモジュールの電源系の電子機器）に用いられる場合に特に有効である。
【００４４】
（第２実施形態）
次に、図４を参照して、上記第１実施形態とは異なり、多層配線基板１１０に実装部品２と半導体チップ１０２とが搭載される場合について説明する。
【００４５】
本発明の第２実施形態の半導体装置１０１は図４に示すように、多層配線基板１１０と、多層配線基板１１０上に実装される実装部品２および半導体チップ１０２と、実装部品２および半導体チップ１０２を封止する封止樹脂３とを備えている。なお、図４では、理解を容易にするために、封止樹脂３および多層配線基板１１０のレジスト層１５を省略して描いている。
【００４６】
半導体チップ１０２は、多層配線基板１１０に銀ペーストを用いてダイボンドされている。半導体チップ１０２と半導体チップ１０２の外付け部品としての実装部品２とは、封止樹脂３により一括で封止されている。これにより、半導体チップ１０２および実装部品２を１パッケージ化して小型化を図っている。
【００４７】
配線層１１は、陽極端子接続部１１ａと、陰極端子接続部１１ｂと、陽極配線部１１ｃと、陰極配線部１１ｄと、例えば５個のボンディングパッド部１１ｅとを含んでいる。ボンディングパッド部１１ｅは、金メッキが施されているとともに、金ワイヤー１０３を用いて半導体チップ１０２に電気的に接続されている。５個のボンディングパッド部１１ｅのうちの２個は、陽極配線部１１ｃおよび陰極配線部１１ｄにそれぞれ繋がって形成されている。なお、ボンディングパッド部１１ｅは、外部との電気的接続を行うために、図示しないが絶縁樹脂層１２および１４と共に封止樹脂３の外側まで延設されていてもよいし、図示しないスルーホールを介して多層配線基板１１０の裏面側の配線層に電気的に接続されていてもよい。
【００４８】
第２実施形態のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００４９】
本実施形態では上記第１実施形態と同様、配線層１３は、実装部品２の陽極側と陰極側との間において、実装部品２の陽極と同極性のダミー配線部１３ａを有する。これにより、実装部品２の陽極側から陰極側に向かう電界を小さくすることができる。このため、実装部品２の陽極側で電気分解された銀イオンが陰極側に引き寄せられるのを抑制することができるので、陰極側で樹枝状結晶成長が生じるのを抑制することができる。すなわち、エレクトロケミカルマイグレーションを抑制することができる。その結果、実装部品２の陽極側と陰極側との間で短絡やリークが生じるのを抑制することができるので、信頼性を向上させることができる。
【００５０】
第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５１】
（第３実施形態）
次に、図５〜図７を参照して、上記第２実施形態とは異なり、多層配線基板２１０に実装部品２と半導体パッケージ２０２とが搭載される場合について説明する。
【００５２】
本発明の第３実施形態の半導体装置２０１は図５に示すように、多層配線基板２１０と、多層配線基板２１０上に実装される実装部品２および半導体パッケージ２０２と、実装部品２および半導体パッケージ２０２を封止する封止樹脂３とを備えている。なお、理解を容易にするために、図５では封止樹脂３および多層配線基板２１０のレジスト層１５を省略し、図７ではレジスト層１５を省略して描いている。
【００５３】
半導体パッケージ２０２は図５および図６に示すように、複数の陽極端子２０２ａと、複数の陰極端子２０２ｂとを含んでいる。半導体パッケージ２０２は、多層配線基板２１０に銀ペーストを用いて実装されている。
【００５４】
配線層１１は図５および図７に示すように、陽極端子接続部１１ａと、陰極端子接続部１１ｂと、陽極配線部１１ｃと、陰極配線部１１ｄと、半導体パッケージ２０２に電気的に接続される例えば６個の端子接続部１１ｆとを含んでいる。６個の端子接続部１１ｆには、外部との電気的接続を行うための配線部がそれぞれ繋がって設けられている。６個の端子接続部１１ｆのうちの２個は、陽極端子接続部１１ａおよび陰極端子接続部１１ｂにそれぞれ電気的に接続されている。
【００５５】
第３実施形態のその他の構造は、上記第１および第２実施形態と同様である。
【００５６】
本実施形態では上記第１および第２実施形態と同様、配線層１３は、実装部品２の陽極側と陰極側との間において、実装部品２の陽極と同極性のダミー配線部１３ａを有する。これにより、実装部品２の陽極側から陰極側に向かう電界を小さくすることができる。このため、実装部品２の陽極側で電気分解された銀イオンが陰極側に引き寄せられるのを抑制することができるので、陰極側で樹枝状結晶成長が生じるのを抑制することができる。すなわち、エレクトロケミカルマイグレーションを抑制することができる。その結果、実装部品２の陽極側と陰極側との間で短絡やリークが生じるのを抑制することができるので、信頼性を向上させることができる。
【００５７】
第３実施形態のその他の効果は、上記第１および第２実施形態と同様である。
【００５８】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５９】
例えば、上記実施形態では、エレクトロケミカルマイグレーションが問題となる実装部品として代表的なコンデンサについて説明したが、言うまでもなく、実装部品として、チップインダクタ、チップ抵抗、ダイオード、サージアブソーバ等を用いてもよい。
【００６０】
また、上記実施形態では、ダミー配線部の電位を陽極端子接続部の電位と同じまたはそれより高くした例について示したが、本発明はこれに限らない。ダミー配線部の電位は、陰極端子接続部の電位よりも高ければ、陽極端子接続部の電位より低くてもよい。ただし、ダミー配線部の電位は、陽極端子接続部の電位と同じまたはそれ以上であることが好ましい。
【００６１】
また、上記実施形態では、銀ペーストを用いて実装部品を実装する場合に、エレクトロケミカルマイグレーションを抑制する例について示したが、本発明はこれに限らない。本発明は、銀以外の金属（例えば銅、錫、鉛、ニッケル、金、ハンダ）のエレクトロケミカルマイグレーションにも効果がある。
【００６２】
また、上述したように、多層配線基板は３層以上の配線層を有してもよく、この場合、実装部品側（上側）から３層目以降の配線層を第２配線層としてもよい。すなわち、実装部品側（上側）から３層目以降の配線層にダミー配線部を設けてもよい。ただし、ダミー配線部が第１配線層に近いほどエレクトロケミカルマイグレーションを抑制できるので、実装部品側（上側）から２層目の配線層にダミー配線部を設けることが好ましい。
【００６３】
また、上記第３実施形態において、半導体パッケージの陽極側と陰極側との間にもダミー配線部を設けてもよい。
【００６４】
また、上述した実施形態の構成を適宜組み合わせて得られる構成についても、本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６５】
１、１０１、２０１  半導体装置
２  実装部品
２ａ、２０２ａ  陽極端子
２ｂ、２０２ｂ  陰極端子
３  封止樹脂
１０、１１０、２１０  多層配線基板
１１  配線層（第１配線層）
１１ａ  陽極端子接続部
１１ｂ  陰極端子接続部
１３  配線層（第２配線層）
１３ａ  ダミー配線部
１７  スルーホール
【図１】
2013222719.tif 000003
【図２】
2013222719.tif 000004
【図３】
2013222719.tif 000005
【図４】
2013222719.tif 000006
【図５】
2013222719.tif 000007
【図６】
2013222719.tif 000008
【図７】
2013222719.tif 000009
【図８】
2013222719.tif 000010