(57)【要約】 【課題】マスクパターンの剥離性が良好で、磁気特性の低下が抑制された磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】磁気記録層上に剥離層を形成し、剥離層上にマスク層を形成し、マスク層上に凸パターンを形成し、凸パターンをマスク層へ転写し、凸パターンを剥離層３へ転写し、凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離層を、溶媒により除去すると共に、残存しているマスク層を磁気記録層上から除去することを含む。剥離層は高分子材料からなる。マスク層は少なくとも１種の金属及び金属化合物のうちいずれかからなる。凸パターンは、少なくとも２種のポリマー鎖を有するブロックコポリマーからなる自己組織化層を用いて形成される。【選択図】図１
2013145611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に磁気記録層を形成する工程と、
前記磁気記録層上に高分子材料からなる剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に少なくとも１種の金属及び金属化合物のうちいずれかからなるマスク層を形成する工程と、
前記マスク層上に少なくとも２種のポリマー鎖を有するブロックコポリマーからなる自己組織化層を形成する工程と、
前記基板をアニールすることにより、前記剥離層を平坦化し、かつ前記自己組織化層内にミクロ相分離構造を形成する工程と、
前記ミクロ相分離構造のうち１種のポリマー層を選択的に除去し、残存したポリマー層により凸パターンを形成する工程と、
マスク層へ転写する工程と、
前記凸パターンを剥離層へ転写する工程と、
前記凸パターンを磁気記録層へ転写する工程と、
前記剥離層を、溶媒により除去すると共に、残存しているマスク層を磁気記録層上から除去する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記剥離層を形成する工程の前に中間マスク層を形成する工程をさらに含み、
前記凸パターンを磁気記録層へ転写する工程の前に、前記凸パターンを前記中間マスク層に転写し、及び
前記剥離層を除去する工程の後、前記中間マスク層を磁気記録層上から除去することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
基板上に磁気記録層を形成する工程と、
前記磁気記録層上に少なくとも１種の金属及び金属化合物のうちいずれかからなる第１のマスク層を形成する工程と、
前記第１のマスク層上に高分子材料からなる剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に少なくとも１種の金属及び金属化合物のうちいずれかからなる第２のマスク層を形成する工程と、
前記第２のマスク層上に少なくとも２種類のポリマー鎖を有するブロックコポリマーからなる自己組織化層を形成する工程と、
前記基板をアニールすることにより、前記剥離層を平坦化し、かつ前記自己組織化層のミクロ相分離構造を形成をする工程と、
前記自己組織化層内に形成されたミクロ相分離構造のうち１種類のポリマー層を選択的に除去し、残存したポリマー層で凸パターンを形成する工程と、
前記凸パターンを前記第２のマスク層へ転写する工程と、
前記第２のマスク層を用いて、エッチングにより前記凸パターンを前記剥離層へ転写する工程と、
前記凸パターンを前記第１のマスク層へ転写する工程と、
溶媒を用いて前記剥離層を除去し、第２のマスク層を第１のマスク層上から除去する工程と、
前記凸パターンを磁気記録層へ転写する工程と、
前記第１のマスク層を磁気記録層上から除去する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記基板をアニールする工程において、アニール温度は、前記剥離層の熱分解温度Ｔｄよりも小さいことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記基板のアニール温度は、前記自己組織化層の秩序・無秩序転移温度ＴＯＤよりも小さいことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記剥離層の膜厚は５ｎｍないし２０ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記マスク層を２層以上形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記剥離層と前記マスク層の積層体を１ユニットとして、これらのユニットを複数形成することを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記剥離層に対してエッチングを行うことにより膜厚を減らすことを特徴とする請求項請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記溶媒は有機溶媒及び水のうち１つであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の製造方法により作製されることを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信機器で扱われる情報量は増加の一途を辿っており、大容量記録装置の実現が渇望されている。ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）では高記録密度化を実現するため、垂直磁気記録を中心として種々の技術開発が進められている。さらに、記録密度の向上と熱ゆらぎ耐性を両立できる媒体として、記録パターンを面内で独立させたディスクリートトラック媒体やビットパターンド媒体が提案されており、その製造技術の開発が必須となっている。
【０００３】
ビットパターンド媒体のように、１ビットの情報を１セルで記録するためには各セル同士が磁気的に分離されていれば良く、微細加工技術を基に磁性ドット部と非磁性ドット部を面内で形成する例が多い。
【０００４】
具体的には、半導体製造技術を適用して基板上の磁気記録層を分離する。例えば、磁気記録層上部にパターニングマスクを成膜し、これに凸パターンを形成した後、磁気記録層へと転写することで、凸部により記録パターンが独立した磁気記録媒体が得られる。
【０００５】
マスクパターンに凸部を設けるためには、半導体製造における汎用のレジスト材料が用いられ、エネルギー線を照射することで選択的に改質して微細パターンを得る方法や、レジスト膜内に化学的性質の異なるパターンを配列させた自己組織化層をパターニングする方法、あるいは凸型を物理的にインプリントしてパターニングする方法などが挙げられる。
【０００６】
他にも、マスクパターンを設けた後、高エネルギーで照射されたイオンを磁気記録層へ注入し、パターンの磁性を選択的に失活させることで記録パターンが非記録領域を介して磁気的に分離された媒体を得る方法もある。
【０００７】
ここで、磁気記録媒体への書き込みあるいは読み出しを行うための磁気ヘッドを媒体上で走査させる場合、磁気記録層上のマスクパターンが残存していると磁性ドットである凸部が高くなり、ヘッドクラッシュが生じてしまう。また、磁気記録層−磁気ヘッド間の距離が大きいと磁気ヘッドが検出できる信号Ｓ／Ｎが小さくなる。そのため、磁気記録層をパターニングした後では磁気記録層上のマスクパターンを除去して凸部の高さを低くしておく必要があり、実プロセスでは磁気記録層とマスク層の間に剥離層を設けるのが一般的である。
【０００８】
ビットパターンド媒体の剥離プロセスに関する例では、カーボン剥離層をドライエッチングで除去する方法が挙げられている。しかしながら、この場合はエッチングガスである酸素により磁気記録層が酸化してしまい、記録層の磁気特性を劣化してしまう問題がある。また、マスク層の凸パターン幅に対して同程度以上の巨大残渣があると、ドライエッチングを行う場合では残渣を除去することが困難であるためにこれが剥離不良箇所になり易く、媒体上に突起パターンとして残ってしまうといった問題がある。そのため、面内均一性を確保した媒体を得ることが難しい。
【０００９】
一方、ドライ剥離に対して、ウェット剥離の場合は剥離溶液が剥離層と接触した時点で剥離層が等方的に剥離されるため、ドライ剥離で残存するような巨大残渣を剥離することが可能となる。そこで、剥離層としてシリコン含有ポリマーを用い、これを有機溶媒でウェット剥離する例が挙げられている。
【００１０】
しかしながら、シリコン含有ポリマーを剥離層として用いる場合、マスク層の成膜やエッチングなどにより剥離層に熱エネルギーが加わり、架橋反応が促進することで剥離層が著しく硬化する。そのため、溶液に対する溶解度が低下し剥離不良箇所が多くなってしまう他、剥離時間が長くなることでプロセスコストの増大につながる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１０−１４６６６８号公報
【特許文献２】特開２０１０−１０８５５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
実施形態によれば、マスクパターンの剥離性が良好で、磁気特性の低下が抑制された磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
実施形態によれば、基板上に磁気記録層を形成する工程と、
前記磁気記録層上に高分子材料からなる剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に少なくとも１種の金属及び金属化合物のうちいずれかからなるマスク層を形成する工程と、
前記マスク層上に少なくとも２種のポリマー鎖を有するブロックコポリマーからなる自己組織化層を形成する工程と、
前記基板をアニールすることにより、前記剥離層を平坦化し、かつ前記自己組織化層内にミクロ相分離構造を形成する工程と、
前記ミクロ相分離構造のうち１種のポリマー層を選択的に除去し、残存したポリマー層により凸パターンを形成する工程と、
マスク層へ転写する工程と、
前記凸パターンを剥離層へ転写する工程と、
前記凸パターンを磁気記録層へ転写する工程と、
前記剥離層を、溶媒により除去すると共に、残存しているマスク層を磁気記録層上から除去する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態の磁気記録媒体の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図２】実施形態の磁気記録媒体の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図３】実施形態の磁気記録媒体の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図４】実施形態の磁気記録媒体の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図５】実施形態の磁気記録媒体の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図６】実施形態の磁気記録媒体の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図７】実施形態の磁気記録媒体の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図８】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の一例の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図９】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の一例の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図１０】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の一例の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図１１】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の一例の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図１２】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の一例の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図１３】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の一例の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図１４】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の一例の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図１５】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の一例の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図１６】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の一例の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図１７】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の一例の製造工程を表す概略的な断面図である。
【図１８】第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図１９】第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図２０】第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図２１】第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図２２】第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図２３】第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図２４】第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図２５】第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図２６】第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図２７】第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図２８】第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図２９】第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図３０】第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図３１】第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図３２】第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図３３】第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図３４】第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図３５】第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図３６】第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図である。
【図３７】実施形態の磁気記録材料の有機溶媒浸漬前後における静磁気特性の変化を表すグラフ図である。
【図３８】実施形態の磁気記録材料の有機溶媒浸漬前後における静磁気特性の変化を表すグラフ図である。
【図３９】磁気記録媒体の周方向に対する記録ビットパターンの一例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１６】
実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法は３つの実施形態に分けられる。
【００１７】
図１ないし図８に、第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の一例の製造工程を表す概略的な断面図を示す。
【００１８】
第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法は、基板１上に磁気記録層２を形成し、磁気記録媒体１０を得る工程、磁気記録層２上に剥離層３を形成する工程、剥離層３上にマスク層４を形成する工程、マスク層４上に凸パターン６’を形成する工程（図３）、凸パターン６’をマスク層４へ転写する工程（図４）と、凸パターン６’４’を剥離層３へ転写する工程（図５）、凸パターン６’４’３’を磁気記録層２へ転写する工程（図６）、剥離層３’を、溶媒により除去すると共に、残存しているマスク層６’４’を磁気記録層２’上から除去する工程（図７）を含む。剥離層３’を除去した後、保護層８を形成することができる（図８）。
【００１９】
第１の実施形態において、剥離層３は高分子材料からなる。また、マスク層４は少なくとも１種の金属及び金属化合物のうちいずれかからなる。凸パターン６’は、少なくとも２種のポリマー鎖を有するブロックコポリマーからなる自己組織化層５を用いて形成される。マスク層４上に自己組織化層５を形成し（図１）、基板１をアニールして、剥離層３を平坦化し、かつ自己組織化層５内にミクロ相分離構造６，７を形成した後（図２）、ミクロ相分離構造６，７のうち１種のポリマー層７を選択的に除去することにより、残存したポリマー層６が凸パターン６’を構成する（図３）。
【００２０】
第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法は、基板上に磁気記録層を形成する工程、磁気記録層上に第１のマスク層（中間マスク層）を形成する工程、第１のマスク層上に剥離層を形成する工程、剥離層上に第２のマスク層（マスク層）を形成する工程、第２のマスク層上に凸パターンを形成する工程、凸パターンを第１のマスク層へ転写する工程と、凸パターンを剥離層へ転写する工程、凸パターンを磁気記録層へ転写する工程、剥離層を、溶媒により除去すると共に、残存している第２のマスク層を第１のマスク層上から除去する工程、及び第１のマスク層を磁気記録層上から除去する工程を含む。
【００２１】
第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法は、剥離層を形成する工程の前に中間マスク層を形成する工程をさらに含み、凸パターンを磁気記録層へ転写する工程の前に、凸パターンを中間マスク層に転写する工程をさらに含み、及び剥離層を除去する工程の後、中間マスク層を磁気記録層上から除去する工程をさらに含むこと以外は第１の実施形態にかかる方法と同様である。
【００２２】
また、第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法は、基板上に磁気記録層を形成する工程、磁気記録層上に第１のマスク層を形成する工程、第１のマスク層上に剥離層を形成する工程、剥離層上に第２のマスク層を形成する工程、第２のマスク層上に凸パターンを形成する工程、凸パターンを第１のマスク層へ転写する工程と、凸パターンを剥離層へ転写する工程、剥離層を、溶媒により除去すると共に、残存している第２のマスク層を第１のマスク層上から除去する工程、凸パターンを磁気記録層へ転写する工程、及び第１のマスク層を磁気記録層上から除去する工程を含む。
【００２３】
第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法は、剥離層を形成する工程の前に中間マスク層を形成する工程をさらに含み、凸パターンを磁気記録層へ転写する工程の前に凸パターンを中間マスク層に転写する工程をさらに含み、及び剥離層を溶媒により除去すると共に残存しているマスク層を中間マスク層上から除去する工程を、凸パターンを中間マスク層に転写する工程と凸パターンを磁気記録層へ転写する工程との間に移動すること以外は第１の実施形態にかかる方法と同様である。
【００２４】
第２の実施形態及び第３の実施形態において、第１のマスク層と第２のマスク層は、少なくとも１種の金属及び金属化合物のうちいずれかからなる。第１のマスク層と第２のマスク層の材料は異なることが好ましい。剥離層は高分子材料からなる。凸パターンは、少なくとも２種のポリマー鎖を有するブロックコポリマーからなる自己組織化層を用いて形成される。マスク層上に自己組織化層を形成し、基板をアニールして、剥離層を平坦化し、かつ自己組織化層内にミクロ相分離構造を形成した後、ミクロ相分離構造のうち１種のポリマー層を選択的に除去することにより、残存したポリマー層が凸パターンを構成する。
【００２５】
第１ないし第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法では、高分子剥離層は有機溶媒もしくは水により、磁気記録層上から剥離する。第１ないし第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法によれば、マスクパターンの剥離性が容易でＨＤＩ（Head Disk Interface）特性が良好になり、かつ磁気記録層へのダメージがほとんど無く磁気特性に優れた磁気記録媒体が得られる。ウェット剥離では有機溶媒、水を剥離溶液として用い、これにより剥離が可能である高分子剥離層を磁気記録層上に形成しておく。また、自己組織化層のミクロ相分離構造を形成するため基板全体をアニールすることにより、高分子剥離層もアニールされ、高分子剥離層が流動的となり、磁気記録媒体の平坦性が改善されて、パターンの面内均一性を向上させることが可能となる。この場合、剥離層のアニール処理は自己組織化層のミクロ相分離構造形成に要するアニール処理で代替されるため、工程数の削減につながる。また、高分子剥離層上のマスク層は、自己組織化パターンを高選択比で剥離層および磁気記録層へ転写するために金属を含むか、あるいは金属化合物からなる材料で構成しておく。
【００２６】
なお、水を剥離溶液として用いる場合は有機溶媒を用いたプロセスに対して環境負荷が小さいばかりでなく、薬品に関わる製造コストが低減される他、洗浄に要する時間が短縮されるため製造スループットが改善されることになる。
【００２７】
（第１の実施形態）
図９ないし図１７に、第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程を表す概略的な断面図を各々示す。
【００２８】
第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法では、図９に示すように、基板１上に、垂直磁気記録層２、高分子剥離層３、金属マスク層４、パターン転写層９、自己組織化層５の順に成膜を行った後、図１０ないし図１５に示す工程を経て、図１６に示すように、自己組織化層５に設けた凸パターンを垂直磁気記録層２へ転写し、図１７に示すように、高分子剥離層３を有機溶媒または水で除去することで、凸パターン状の垂直磁気記録層２’を有する磁気記録媒体１０’が得られる。
【００２９】
磁気記録層形成工程
まずは基板１上に垂直磁気記録層２を形成し、磁気記録媒体１０を得る。基板の形状には何ら限定は無いが、通常は円形で、硬質のものが用いられる。例えば、ガラス基板、金属含有基板、カーボン基板、セラミックス基板などが用いられる。パターンの面内均一性を良好にするため、基板表面の凸部は小さいことが望ましい。また、必要に応じて基板表面には酸化膜をはじめとした保護膜を形成しておくことも可能である。ガラス基板には、ソーダライムガラスやアルミノシリケートガラスに代表されるアモルファスガラスや、リチウム系ガラスに代表される結晶化ガラスを用いることができる。また、セラミックス基板にはアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素を主成分とする焼結体基板を用いることが可能である。
【００３０】
基板上にはコバルトを主成分とした垂直磁気記録層が形成される。ここで、基板と垂直磁気記録層の間には高透磁率を有する軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ；Ｓｏｆｔ  Ｕｎｄｅｒ  Ｌａｙｅｒ）が形成することができる。軟磁性裏打ち層は垂直磁気記録層を磁化するための磁気ヘッドからの記録磁界を環流させるといった磁気ヘッド機能の一部を担っており、強度の傾きが急峻で十分な垂直磁界を記録層に印加させ、記録再生効率を向上させる。軟磁性裏打ち層にはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。また、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界が存在せず優れた軟磁性を示すアモルファス材料が好ましく、これにより記録媒体の低ノイズ化を図ることができる。例えば、Ｃｏを主成分として、これに対しＺｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｔａのうち少なくとも１種を含有したＣｏ合金が挙げられ、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａなどを選択できる。
【００３１】
また、軟磁性裏打ち層と基板との間には軟磁性裏打ち層の密着性向上のために下地層を設けることができる。下地層材料としては、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、あるいはこれらを含む合金、酸化物、窒化物を用いることができ、例えばＮｉＴａ、ＮｉＣｒなどを用いることが可能である。なお、これらの層は複数で構成され得る。
【００３２】
更に、軟磁性裏打ち層と垂直磁気記録層との間には非磁性金属材料からなる中間層を設けることができる。中間層の役割は、軟磁性裏打ち層と垂直磁気記録層との間の交換結合相互作用を遮断することと、垂直磁気記録層の結晶性を制御することの二つである。中間層材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、あるいはこれらを含む合金、酸化物、窒化物を用いることができる。
【００３３】
垂直磁気記録層にはＣｏを主成分とするとともに少なくともＰｔを含み、更に金属酸化物を含むことができる。他にもＢ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕから選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含有することで、磁性粒子の微粒子化を促進し、結晶性ならびに配向性を向上させることができ、より高記録密度化に適した記録再生特性と熱ゆらぎ特性を得ることができる。垂直磁気記録層は具体的にＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉ、ＣｏＣｒＳｉＯ２などの合金を用いることが可能である。
【００３４】
垂直磁気記録層の厚さは、再生出力信号を高確度で測定するために５ｎｍ厚以上が好ましく、信号強度の歪を抑えるために４０ｎｍ厚以下が好ましい。５ｎｍよりも薄いと再生出力が極めて小さくノイズ成分が支配的になる。逆に、４０ｎｍよりも厚い場合は再生出力が過剰となり、信号波形に歪が生じることになる。
【００３５】
高分子剥離層形成工程
続いて、垂直磁気記録層２上に高分子剥離層３を形成する。実施形態における剥離層には高分子材料から構成されているものを用いる。高分子材料としては、例えば汎用レジスト材料に代表されるノボラック樹脂、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、メチルスチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリヒドロキシスチレンなどが挙げられる。これらの材料はエッチング耐性を向上させるために、金属を含有するコンポジット材料でもよい。該高分子剥離層は有機溶媒により剥離され、最終的には上部に形成されたマスク材料を垂直磁気記録層上から除去する役割を果たす。
【００３６】
この剥離層は垂直磁気記録層上に設けるだけではなく、垂直磁気記録層に設けられた転写マスクの上に形成してもよく、例えば、Ｓｉ膜上に剥離層／金属マスク層の順に各層を形成しても構わない。この場合、剥離残渣が生じても下層の転写マスクの剥離により残渣を除去できるため、パターンの均一性を改善することができる。
【００３７】
高分子剥離層には水に可溶な高分子材料を選択することも可能である。水に可溶な高分子材料として、具体的には、ポリアクリル酸、ポリアリリック酸、ポリアミック酸、ポリエチレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、マレイン酸、ポリアミド、ポリアクリルアミド、ポリアミドアミン、ポリメチルアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアミン、ポリエチレングリコール、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロースなどが挙げられる。他にも、異なるポリマー同士が結合しているブロックコポリマー材料を適用することも可能である。
【００３８】
これらの高分子材料はいずれも水に可溶である一方、Ｃｏ系磁気記録層材料は水に対して難溶であるため、ウェット剥離時に生じる記録層材料の溶出はほとんど無い。したがって、磁気記録再生特性の劣化を極めて軽微にできる他、有機溶媒と比較して水を剥離溶液とする場合は環境負荷を低くすることができる。また、危険物の使用が不要になることから製造工程の安全性が改善されること、剥離溶液洗浄に伴う溶液置換および洗浄回数を減らせること、剥離溶液のコストを削減できること、洗浄時間の短縮に伴い製造スループットを向上できることなどが実現される。
【００３９】
高分子剥離層は、有機溶媒もしくは水に可溶であれば異なる組成のものを２層以上の多層構造にしても構わない。その際、各層間に材料のミキシングが生じても、剥離溶液による溶解除去が可能であれば本質的な問題にはなり得ないため、種々の材料からその組み合わせを選択することが可能である。
【００４０】
剥離層はスピンコーティング法、スプレーコーティング法、スピンキャスティング法、ディップコーティング法、ダイコーティング法、インクジェット法などの方法により、垂直磁気記録層上に形成できる。高分子剥離層の膜厚は、高分子剥離層前駆体溶液の濃度や成膜時に設定する回転数、塗布時間などの塗布条件により適宜変えることができる。また、数（ｎｍ）に及ぶ薄膜を精度良く形成する際は、大面積中でピンホールのような欠陥が生じることがあるため、これを防ぐためにあらかじめ数十（ｎｍ）程度の厚膜を成膜しておき、これを面内で均一にエッチングすることで膜厚を減らすことが可能であり、これにより局所的なピンホールが少ない剥離層を形成できる。
【００４１】
数（ｎｍ）単位での高確度な膜厚調整を可能とする点ではウェットエッチングよりもドライエッチングが好ましい。この場合、高分子剥離層表面が変質して溶媒に対して不溶とならないよう、エッチング溶液もしくはエッチングガスを最適に選ぶ必要があり、例えば、エッチングガスをＯ２にすることでこの問題を解決できる。
【００４２】
また、剥離層は剥離溶液との接触面積が大きいほどその溶解が促進されるため、剥離層厚が厚いほどその剥離性は良い。このとき、剥離層の厚さは５ｎｍないし２０ｎｍとしておくことがパターニングの観点からは好適である。５ｎｍ未満になると剥離性が劣化し、媒体上に剥離残渣が生じる傾向がある。逆に、２０ｎｍを越えるとパターンアスペクト比が大きくなり、凸パターンの倒壊が生じる傾向がある。
【００４３】
有機溶媒もしくは水を剥離液として使用する場合、凸部が設けられた高分子剥離層のパターン側面から剥離液が浸透し溶解反応が進むことになる。このとき、パターン領域の端部は剥離溶液に曝露されているため凸パターン部分よりも剥離性が良いため、この領域から基板中心に向かって徐々に凸パターンが剥離されていく。上記のように、剥離層が厚いと剥離性を良くできるため、剥離層の膜厚は基板の中央近傍よりも端部近傍が厚くなるようにしておくことで、剥離液に対する接触面積を広くし、マスクパターンの剥離性を更に向上させることができる。穴開きディスク状の基板を用いる場合も同様であり、基板の中周近傍の剥離層厚に対して内周および外周のそれが厚くなるように剥離層を形成するとよい。また、エッチングやミリング時には基板端部近傍に活性種やイオンが集中することでエッチングレートが増大し、凸パターンの加工ムラを生じることがあるが、基板端部近傍の剥離層厚を基板中央近傍のそれよりも厚くしておくことで、正味のエッチング量を補償し、面内において均一な加工を実現することも可能となる。
【００４４】
マスク層形成工程
剥離層３上部には凸パターンを転写するためのマスク層４を形成する。このマスク層４は、更に上層の自己組織化層５の凸部を剥離層３および垂直磁気記録層２へ物理的・化学的に転写するために用いられる。該マスク層４は、垂直磁気記録層２への凸部転写の際にエッチング選択比を維持できるように、少なくとも１種類以上の金属または金属化合物で構成する。金属化合物は、ある金属を主元素とする酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物、あるいは合金から形成されてもよい。
【００４５】
マスク層材料となる金属は、エッチング材料またはエッチング方法により種々のものから選択することができる。例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕなどが挙げられ、これらの化合物もしくは合金からなる材料をマスク層へ適用することができる。この場合は、マスク層の上に形成される自己組織化層の凸パターンに対してエッチング選択比を確保し得るマスク材料とその膜厚を適切に決定すればよい。
【００４６】
また、マスク層は、エッチング可能な第１の層および第１の層とは異なる材料から構成される第２の層からなる多層体で構成することが可能である。この場合は、エッチング溶液あるいはエッチングガスに対応した金属材料を最適に選択しておくとよい。金属の群からドライエッチングを想定して各材料を組み合わせる場合、例えば、基板側からＳｉ／Ａｌ、Ｓｉ／Ｎｉ、Ｓｉ／Ｃｕ、Ｓｉ／Ｍｏ、Ｓｉ／ＭｏＳｉ２、Ｓｉ／Ｔａ、Ｓｉ／Ｃｒ、Ｓｉ／Ｗ、Ｓｉ／Ｔｉ、Ｓｉ／Ｒｕ、Ｓｉ／Ｈｆなどが挙げられる他、ＳｉをＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣなどで置き換えた構成でも良い。また、Ａｌ／Ｎｉ、Ａｌ／Ｔｉ、Ａｌ／ＴｉＯ２、Ａｌ／ＴｉＮ、Ｃｒ／Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ／Ｎｉ、
Ｃｒ／ＭｏＳｉ２、Ｃｒ／Ｗ、ＧａＮ／Ｎｉ、ＧａＮ／ＮｉＴａ、ＧａＮ／ＮｉＶ、Ｔａ／Ｎｉ、Ｔａ／Ｃｕ、Ｔａ／Ａｌ、Ｔａ／Ｃｒ、などの積層体を選択できる。マスク材料の組み合わせおよび積層順は上記のものに限定されるわけではなく、パターン寸法とエッチング選択比の観点から適切に選択しても構わない。また、ドラエッチングと共にウェットエッチングによる凸部パターニングも可能であるため、これを考慮して各マスク材料を選定するのが好ましい。
【００４７】
高分子剥離層上に、例えば非金属マスク層であるカーボンを形成した場合、高分子剥離層とカーボン膜に生じる応力によりマクロな凸部が生じ、媒体の面内均一性が損なわれてしまうが、マスク層に金属系材料を用いることでこれを改善できる。具体的には、カーボン膜をＳｉ膜にすることでマスク層界面の応力を緩和し、表面粗さを低減することが可能である。
【００４８】
なお、剥離層と金属マスク層の２層体を１ユニットとして、垂直磁気記録層上に多数ユニットを形成することも可能である。多数ユニットを用いる場合は、マスク層および剥離層の各層の厚さを単層のそれよりも薄くしておくことが好ましい。厚膜に対する凸パターン転写においてエッチング選択比を確保できない場合でも、薄膜積層構造にすれば１層あたりのエッチング深さは少なくて済むため、エッチング選択比を確保しながら凸パターン転写を行うことができる。
【００４９】
金属マスク層は真空蒸着法、電子線蒸着法、分子線蒸着法、イオンビーム蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法に代表される物理的気相成長法（ＰＶＤ）や、熱・光・プラズマを用いた化学的気相成長法（ＣＶＤ）により形成できる。その厚さは凸パターンのピッチや高さ、疎密を考慮した上で適宜調整すればよい。また、上層の凸パターンの転写均一性はマスク層の表面ラフネスに依存するところが大きいため、これを低減できるよう金属マスク層を形成しておくことが好ましく、結晶質よりも非晶質状のマスク層を設けるのが好適である。
【００５０】
自己組織化層形成工程
引き続き、マスク層４上部に凸パターン形成用の自己組織化層５を形成する。自己組織化層５は少なくとも異なる２つのポリマー鎖を有するジブロックコポリマーに代表され、その基本構造は（ブロックＡ）−（ブロックＢ）のように化学的特性が相互に異なるポリマー同士の末端が共有結合しているものである。自己組織化層５はジブロックコポリマーに限定されるわけではなく、他にもトリブロックコポリマーやランダムコポリマーであってもよい。
【００５１】
ポリマーブロックを形成する材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリイソプレン、ポリブタジエン、ポリプロピレン、ポリジメチルシロキサン、ポリビニルピリジン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリジメチルアクリルアミド、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリアクリル酸、ポリエチルアクリル酸、ポリプロピルアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリラクチド、ポリビニルカルバゾール、ポリエチレングリコール、ポリカプロラクトン、ポリフッ化ビニリデン、ポリアクリルアミドなどが挙げられ、これらの中から異なる２種類以上のポリマーを用いてブロックコポリマーを構成するとよい。
【００５２】
ブロックコポリマーを用いた自己組織化層はスピンコーティング法などにより金属マスク層上に成膜できる。この場合は、各相を構成するポリマー同士が相溶となるような溶媒を選択し、ポリマーを溶解させた溶液を塗布液として用いる。具体的な溶媒としては、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールトリメチルエーテル、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、アニソール、ジエチレングリコールトリエチルエーテルなどの溶媒を選択できる。
【００５３】
自己組織化層の膜厚は、これらの溶媒を用いた際の塗布液の濃度や成膜時に設定する各種パラメータを変えることで所望の値に変えることができる。
【００５４】
自己組織化層は熱などのエネルギーが付与されることでポリマー同士が相分離し、膜内部にミクロ相分離構造が形成される。ミクロ相分離構造は、自己組織化層を構成するポリマーの分子量などにより異なる様相を呈し、図１０に示すように、例えばジブロックコポリマーにおいてはポリマーＡの海状（マトリックス）パターン７にポリマーＢの島状ドットあるいはシリンダー構造６が形成される他、ポリマーＡおよびＢが積層となるラメラ構造や、海島パターンが逆転したスフィア構造が形成され得る。このパターンにおける一方のポリマー相を選択的に除去することにより、自己組織化層の凸部が形成されることになる。
【００５５】
自己組織化層のミクロ相分離構造を形成する際には外部から意図的にエネルギーを付与する。エネルギーを付与する方法としては、例えば熱を用いたアニールや、あるいは溶媒雰囲気中に試料を曝露する、いわゆる溶媒アニールを挙げることができる。熱アニールを行う際は自己組織化層の配列精度を劣化させることなく、かつ上記高分子剥離層を分解させないようにアニール温度を適切に設定することができる。熱アニールによりミクロ相分離の規則パターンが不規則化してしまう下限温度を自己組織化材料の秩序・無秩序転移温度（ＯＤＴ；Order-Disorder Transition Temperature）という。アニール温度は自己組織化層の秩序・無秩序転移温度よりも低く、かつ高分子剥離層の分解温度よりも低く設定することが好ましい。秩序・無秩序転移温度よりもアニール温度が高いと自己組織化層の相分離が乱雑になり、凸パターンを転写できない傾向がある。また、高分子剥離層の分解温度よりもアニール温度が高いと、凸パターン転写および剥離が困難となる傾向がある。
【００５６】
熱アニールは自己組織化層のミクロ相分離構造の形成のみならず、媒体の平坦性を改善する効果もある。熱アニールによって高分子剥離層が流動的となるため、媒体上のマクロなムラが低減され、パターンの転写精度が改善され得る。また、剥離層のプリベーキングを自己組織化層のアニールで代替可能であるため、工程数を削減することができる。
【００５７】
なお、自己組織化パターンの配列精度を向上させるため、マスク層上部を化学的に修飾することができる。例えば、ブロックコポリマーを構成するいずれかのポリマー相をマスク表面に修飾しておくことで、ブロックコポリマーの配列を改善できる。この場合は、ポリマーの塗布・アニール・リンスにより分子レベルでの表面修飾が可能である。この上に前述のブロックコポリマー溶液を塗布することで、面内均一性の良いパターンを得ることが可能となる。
【００５８】
自己組織化層パターニング工程
次に、図１１に示すように、エッチングにより自己組織化層５に凸パターン６’を形成する。該凸パターン６’は、ブロックコポリマーにおける相を選択的に除去したものである。例えば、ポリスチレン−ｂ−ポリジメチルシロキサンの系からなるジブロックコポリマーでは、分子量を適切に設定することで海状ポリスチレン中に島状ポリジメチルシロキサンのパターンが形成される。これをエッチングし、片方のポリマー層を選択的に除去することで、ポリスチレン−ｂ−ポリジメチルシロキサンのドット状凸パターンが得られる。なお、前記のようにブロックコポリマーを用いて形成できるパターン形状はドットに限るものではなく、分子量などのパラメータを調整することでシリンダー構造やラメラ構造を形成できるので、これらを用いて凸パターンを形成してもよい。
【００５９】
自己組織化層の凸部をエッチングで形成する場合、薬液中に試料を浸漬するウェットエッチングの他、活性種による化学反応を用いたドライエッチングを適用できる。微細パターンの幅寸法に対し、厚さ方向へのパターニングを高精細に行う際は、幅方向へのエッチングを抑制可能なドライエッチングを適用することが好ましい。
【００６０】
ポリマー相のドライエッチングでは活性ガス種を適切に選択することで、エッチング選択比を維持したままパターニングを行なうことが可能である。一般的に、ベンゼン環のようにＣおよびＨを多く含む材料はエッチング耐性が高く、凸部加工用マスクとしては好適である。ブロックコポリマーのように、互いに異なる組成のポリマーを適切に組み合わせた場合はエッチング選択比を大きくできるため、前記凸パターンを比較的容易に形成できる。例えば、ポリスチレン−ｂ−ポリジメチルシロキサンにおいては、ポリジメチルシロキサンはＣＦ４などのフッ素系ガスで、ポリスチレンはＯ２ガスを用いることで容易に除去可能であり、両者の間でエッチング選択比を確保することができる。
【００６１】
自己組織化パターンを自己組織化層の下に形成された金属マスクへ直接転写するのが困難な場合は、自己組織化層と金属マスク層との間に別途転写層を設けることができる。例えば、ブロックコポリマーの片方の層を除去できる共通のエッチングガスを用いることが可能なマスク材料を転写層にするとよい。ポリスチレン−ｂ−ポリジメチルシロキサンを一例とした場合、ポリスチレンはＯ２エッチングが可能であるため、カーボン膜を転写層とすればＯ２のみでポリマーおよび転写層を一括でエッチングすることができる。海状ポリマーがポリジメチルシロキサンの場合はＣＦ４ガスを用い、転写層をＳｉにすれば同様にエッチングが可能である。以上により、自己組織化層の相分離パターンを凸形状に加工することができる。
【００６２】
各層自己組織化層とのエッチング選択比を確保困難である場合は、金属マスク層４上に更にパターン転写層９を形成してもよい。この場合も、上層の自己組織化層がエッチング可能であるような材料を選定し、転写層９へ適用すればよい。
【００６３】
パターン転写層９を形成した場合には、図１２に示すように、自己組織化層の凸パターン６’をパターン転写層９へ転写し、パターン化された転写層９’を得る。
【００６４】
マスク層パターニング工程
引き続き、図１３に示すように、自己組織化層の凸パターン６’を金属マスク層４へ転写し、パターン化された金属マスク層４’を得る。パターン化された金属マスク層４’は垂直磁気記録層の加工用マスクとなるため、高い加工耐性を有することが望まれる。すなわち、垂直磁気記録層よりも高いエッチング耐性を有する金属材料を選定することができる。
【００６５】
金属マスク層の加工では、マスク層材料とエッチングガスの組み合わせにより多様な層構成と加工方法が実現され得る。ジブロックコポリマーに準ずる形でＳｉとＣの多層マスクを用いる方法がある。ＳｉはＯ２プラズマに対するエッチング耐性が高く、Ｆ２プラズマに対するエッチング耐性が低い。逆に、ＣはＦ２プラズマに対するエッチング耐性が高く、Ｏ２プラズマに対するエッチング耐性が低い。したがって、ジブロックコポリマーの場合に準じた加工を行うことで凸パターンを金属マスク層へ転写でき、Ｃ転写層／自己組織化凸パターンの下部にＳｉマスクを形成しておけば、Ｃ系マスクを用いたＳｉマスクの加工が可能になる。
【００６６】
ジブロックコポリマーの場合と同様に、凸パターンの幅方向におけるエッチングに対して厚さ方向のエッチングが有意となるように、微細加工を行う場合はドライエッチングを適用するのが好適である。ドライエッチングで必要となるプラズマは、容量結合、誘導結合、電子サイクロトロン共鳴、多周波重畳結合などの種々の方法により発生させることができる。また、所望の凸パターンが得られるように、パターン寸法の調整に関してはプロセスガス圧力、ガス流量、プラズマ投入電力、基板温度、チャンバー雰囲気、到達真空度などのパラメータを設定することができる。
【００６７】
エッチング選択比を大きくするために金属材料を積層した場合は、エッチングガスを適切に選択することができる。エッチングガスにはＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、ＣｌＦ３、ＣＣｌ３Ｆ５、Ｃ２ＣｌＦ５、ＣＣＢｒＦ３、ＣＨＦ３、ＮＦ３、ＣＨ２Ｆ２などのフッ素系ガスや、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４、ＳｉＣｌ４などの塩素系ガスがある。他にもＨ２、Ｎ２、Ｂｒ２、ＨＢｒ、ＮＨ３、ＣＯ、Ｃ２Ｈ４、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの各種ガスを適用してもよく、エッチング速度やエッチング選択比を調整するためにこれらのガスを２種類以上混ぜた混合ガスを使用することも可能である。このうち、フッ素系ガスではＳｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｈｆなどを容易に除去することができる。また、塩素系ガスではＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｕなどを除去することができ、これらの組み合わせにより金属マスク層を高選択比で加工することができる。なお、エッチング選択比を確保でき、かつ幅方向へのエッチングを抑制し得る場合は、ウェットエッチングによるパターニングを行なうことができる。同様に、イオンミリングのような物理的エッチングを行なうことができる。
【００６８】
剥離層パターニング工程
続いて、図１４に示すように、凸パターン６’を剥離層３へ転写してパターン化された剥離層３’を得る。金属マスク層の場合と同様に、エッチングにより凸パターンを転写すればよいが、ウェットエッチングを行うと剥離層３が溶解し、金属マスク層が倒壊する可能性がある。したがって、ドライエッチングによりパターン転写を行うのがより好適である。
【００６９】
化学的に活性なガスを用いてドライエッチングを行う場合は、高分子剥離層表面の改質を少なくすることが製造上望ましい。剥離層は高分子材料により構成されているため、金属材料と比較するとそのドライエッチング耐性は低く、凸パターンの転写は容易である一方、エッチングにより表面が改質されると有機溶媒および水に対する溶解性が低下する傾向がある。例えば、Ｓｉ金属マスクの除去と同様にフッ素系ガスを用いたドライエッチングを行うと、高分子剥離層の表面がエッチングガスによって改質され、有機溶媒および水に対して難溶となるため、マスクの剥離性が著しく劣化する。この場合はエッチングガスを適切に選ぶことができ、例えば、Ｏ２ガスを用いたドライエッチングを行うことで剥離性の劣化を避けることができる。
【００７０】
磁気記録層パターニング工程
次に、図１５に示すように、凸パターン６’を剥離層３’下部の垂直磁気記録層２へ転写し、パターン化された垂直磁気記録層２’を得る。磁気的な孤立ドットを形成するためには、上記の反応性イオンエッチングやミリング法を適用して凸パターンを設けるのが代表的な方法である。この場合は、エッチングガスにＣＯやＮＨ３を適用する方法や、Ａｒなどの不活性ガスを用いたイオンミリングによりパターニングすることができる。
【００７１】
イオンミリングにより垂直磁気記録層へ凸パターンを転写する場合、リデポ（エッチング、ミリングによりマスク側壁に向かって飛散する副生成物）成分を抑制することが望まれる。このリデポ成分は、凸パターンの周囲に付着するため、凸パターンの寸法が拡大し、溝部分を埋めることになるため、分断された垂直磁気記録層パターンを得るためにはリデポ成分を可及的に少なくすることが望まれる。また、剥離層下部の垂直磁気記録層のエッチング時に生じたリデポ成分が剥離層側面を被覆すると、剥離層が剥離溶液に対して曝露されなくなってしまい、剥離性が劣化することになるため、やはりリデポ成分は少ないことが望ましい。
【００７２】
垂直磁気記録層に対するイオンミリングでは、イオンの入射角度を変えることで側壁へのリデポ成分を少なくすることができる。この場合は、マスク高さによって最適な入射角度は異なるが２０°〜７０°の範囲でリデポを抑制することが可能となる。また、入射角度はミリング中に適宜変更することができる。
【００７３】
剥離工程
続いて、垂直磁気記録層２’上のマスクパターン３’，４’，９’，６’を剥離層３’ごと除去することで、図１６に示すように、基板１と凸パターンを有する垂直磁気記録層２’とを含むパターン加工された垂直磁気記録媒体１０’を得る。剥離層３’は高分子材料からなり有機溶媒もしくは水に可溶となるものを選択することができる。
【００７４】
剥離溶液には種々の溶液を用いることができる。例えば、アセトン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、エタノール、メタノール、ブタノール、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラヒドロフラン、アニソール、キシレン、トルエン、テトラリンなどが挙げられる。
【００７５】
また、剥離を行う際は前記溶液を用いた種々の方法を適用でき、例えば、ディップ法、パドル法、スピン法、ベーパー法などが挙げられる。他にもスクラブ法や超音波法を用いた剥離を行なうことができる。
【００７６】
また、溶液の温度を適宜設定し、高分子剥離層の溶解性を調整することが可能である。水を用いる場合はオゾン水などを用いることができる。なお、試料表面に残存した水を除去困難な場合は、揮発性が高く水と相溶な有機溶媒に試料を浸漬し、水を有機溶媒に置換した後で乾燥することができる。
【００７７】
保護層形成工程
図１７に示すように、垂直磁気記録層２’上には保護層８を設けることができる。保護層８は、垂直磁気記録層２’の腐食・劣化を防ぐとともに、磁気ヘッドが記録媒体に接触した時に生じる媒体表面の損傷を防ぐ効果がある。保護層材料としては、例えばＣ、Ｐｄ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を含むものが挙げられる。カーボンはｓｐ２結合炭素（グラファイト）とｓｐ３結合炭素（ダイヤモンド）に分類できる。耐久性、耐食性はｓｐ３結合炭素の方が優れ、逆に平坦性はｓｐ２結合炭素の方が優れる傾向がある。通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法により行われ、ｓｐ２結合炭素とｓｐ３結合炭素が混在したアモルファスカーボンが成膜されるが、ｓｐ３結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれ、耐久性、耐食性、平坦性に優れており、垂直磁気記録層の保護層としてより好適である。
【００７８】
また、保護層の膜厚は被覆性を維持するために２ｎｍ以上、信号Ｓ／Ｎを維持するために１０ｎｍ以下にすることが望ましい。
【００７９】
更に、保護層の上部には潤滑層を設けることができる。潤滑層に用いられる潤滑剤としては、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などが挙げられる。以上により、基板上にパターン加工された垂直磁気記録媒体１０’が形成される。
【００８０】
（第２の実施形態）
図１８ないし図２７に、第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図を各々示す。
【００８１】
図１８ないし図２３、及び図２５，図２６は、垂直磁気記録層２と高分子剥離層３との間にさらに金属中間マスク層１１が設けられていること以外は、図９ないし図１６と同様である。
【００８２】
第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法によれば、図１８に示すように垂直磁気記録層２と高分子剥離層３との間にさらに金属中間マスク層１１を形成することと、凸パターンを高分子剥離層３に転写する工程（図２３）と凸パターンを垂直磁気記録層２に転写する工程（図２５）との間に、前記凸パターンを中間マスク層１１に転写する工程（図２４）をさらに有することと、高分子剥離層３を除去する工程（図２６）の後、エッチングにより金属中間マスク層１１を除去する（図２７）工程とをさらに有すること以外は、図９ないし図１７に示す実施形態１と同様にして凸パターンが形成された磁気記録媒体１０’を形成することができる。ここで、マスク４上のパーティクルの大半は高分子剥離層３の剥離により基板上から除去できているため、さらにドライエッチングによる剥離を行うことでマスク残渣をより少なくすることができる。
【００８３】
金属中間マスク層１１の除去では、反応性イオンエッチングやＡｒイオンミリングに代表されるドライエッチングを適用できる。この場合、金属中間マスク層の除去に伴う垂直磁気記録層へのダメージは小さいほど良いので、これを実現し得る中間マスク層材料およびエッチングガス種を選択する。マスク材料としては、例えばＮｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｔｉなどが挙げられる。これらの材料は酸化物、窒化物、ホウ化物あるいは炭化物、２種類以上の合金からなるもの等を用いることができる。また、金属マスク層に使用される材料と金属中間マスク層に使用される材料は、それぞれのイオンミリングレートをＥＲ１、ＥＲ２とした場合、ＥＲ１≦ＥＲ２が満足されることが好ましい。これは、磁気記録層のエッチングマスクはレートが低い強固なマスク層として望まれるのに対し、下層部のマスクは磁気記録層の加工後における除去を容易とするためである。このような組み合わせを実現し得るマスク層材料の組み合わせとしては、例えば基板側から、Ｓｉ／Ｎｉ、Ｓｉ／Ｔｉ、Ｓｉ／Ｔａ、Ｎｉ／Ｃｒなどが挙げられる。
【００８４】
（第３の実施形態）
図２８ないし図３６に、第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程の一例を表す概略的な断面図を各々示す。
【００８５】
図２８ないし図３３は、垂直磁気記録層２と高分子剥離層３との間にさらに金属中間マスク層１１が設けられていること以外は、図９ないし図１４と同様である。
【００８６】
第３の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法によれば、図２８に示すように、垂直磁気記録層２と高分子剥離層３との間にさらに金属中間マスク層１１を形成することと、高分子剥離層３を除去する工程（図３５）の前ではなくこの工程の後に凸パターンを金属中間マスク層１１を介して垂直磁気記録層２に転写し、金属中間マスク層１１を除去する工程（図３６）を行い、凸パターンを高分子剥離層３に転写する工程（図３３）と高分子剥離層３を除去する工程（図３５）との間に凸パターンを中間マスク層１１に転写する工程（図３４）をさらに有すること以外は、実施形態１と同様にして、凸パターンが形成された磁気記録媒体１０’を形成することができる。これにより、凸パターンを垂直磁気記録層へ転写する前に、高分子剥離層およびその上層に配されているマスク層は有機溶媒もしくは水により除去される。更に、垂直磁気記録層への凸パターン転写後に金属中間マスク層が除去される。マスク上のパーティクルは実施形態２と同様にして、高分子剥離層の剥離により除去できる。実施形態３の場合、凸部が設けられた金属中間マスク層を用いてパターン転写が行われる際、垂直磁気記録層へのパターン転写により金属中間マスク層が後退してその高さが低くなるため、垂直磁気記録層パターニング後に除去が必要となる金属中間マスク層は少なくて済む。これにより、エッチングに伴う垂直磁気記録層へのダメージを低減可能であり、実施形態２と比較してさらに特性の良好な磁気記録媒体が得られる。
【００８７】
図３９に、磁気記録媒体の周方向に対する記録ビットパターンの一例を表す図を示す。
【００８８】
磁気記録層の凸パターンは図３７に示すように、ディジタル信号の１と０に相当するデータを記録する記録ビット領域２１’と、磁気ヘッドの位置決め信号となるプリアンブルアドレスパターン２２、バーストパターン２３からなる、いわゆるサーボ領域２４とに大別され、これを面内パターンとして形成した。なお、図示しているサーボ領域のパターンは矩形状でなくてもよく、例えば全パターンをドット形状で置き換えても構わない。
【実施例】
【００８９】
以下実施例を示し、実施形態をより具体的に説明する。
【００９０】
実施例１
まず、ドーナツ基板上に垂直磁気記録層をＤＣスパッタ法により形成した。ガス圧力は０．７Ｐａとし、投入電力は５００Ｗに設定し、基板側から１０ｎｍ厚ＮｉＴａ下地層／４ｎｍ厚Ｐｄ下地層／２０ｎｍ厚Ｒｕ下地層／５ｎｍ厚ＣｏＰｔ記録層を順次成膜し、最後に３ｎｍ厚Ｐｄ保護層を形成することで垂直磁気記録層を得た。
【００９１】
続いて、垂直磁気記録層上に高分子剥離層を形成した。高分子剥離層には市販のＰＭＭＡ（日本化薬（株）製）を用い、アニソールを溶媒として重量比をＰＭＭＡ：アニソール＝１：２に調製した後、スピンコーティングにより基板上に塗布した。溶液滴下後の回転数は３０００ｒｐｍとし、１０ｎｍ厚で高分子剥離層を形成した。高分子剥離層の平均表面粗さは小さくＲａ＝０．３ｎｍ程度であった。
【００９２】
引き続き、高分子剥離層上に金属マスク層を形成した。金属マスク層には２０ｎｍ厚Ｔａ膜を選定し、対向ターゲット式ＤＣスパッタ装置を用い、Ａｒガス流量３５ｓｃｃｍ、Ａｒガス圧力０．３Ｐａ、投入電力２００Ｗとしてスパッタ成膜した。金属マスク層上部にはパターン転写を良好にするための転写層を形成した。転写層は自己組織化層材料のベースポリマーと同一となるようＣとし、対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により金属マスク層と同様にして成膜した。膜厚は５ｎｍとした。
【００９３】
続いて、転写層上に自己組織化層を成膜した。まずは、ブロックコポリマー溶液を基板上に塗布した。ブロックコポリマー溶液にはポリスチレンとポリジメチルシロキサンからなるブロック共重合体を塗布溶媒に溶解したものを用いた。ポリスチレンとポリジメチルシロキサンの分子量はそれぞれ１１７００、２９００である。また、溶媒にはアニソールを用い、重量パーセント濃度１．５％でポリマー溶液の調製を行った。この溶液をマスク上に回転数５０００ｒｐｍでスピンコーティングし、単層自己組織化層を成膜した。さらに、自己組織化層内部にポリジメチルシロキサンからなるドットパターンと、ポリスチレンからなるマトリックスをミクロ相分離させるため、熱アニールを行った。熱アニールでは真空加熱炉を用い、炉内圧力０．２Ｐａの減圧雰囲気下で１７０℃・１２時間のアニールを行い、自己組織化層内部にミクロ相分離構造を形成した。なお、このアニールは有機溶媒雰囲気化で試料を曝露する、いわゆる溶媒アニールであってもよい。このベーキングは自己組織化層のミクロ相分離構造の形成のみならず、前記高分子剥離層の平坦化にも寄与する。基板に対する加熱により、流動性のある高分子剥離層が平坦化され、マクロな凸部ムラが改善されることがわかった。
【００９４】
続いて、相分離パターンを基にドライエッチングにより凸パターンを形成した。ドライエッチングは誘導結合プラズマ型リアクティブイオンエッチングにより行った。プロセスガス圧力は０．１Ｐａ、ガス流量は５ｓｃｃｍとした。まず、自己組織化層の表層のポリジメチルシロキサンを除去するため、ＣＦ４ガスをエッチャントとし、アンテナ電力５０Ｗ、バイアス電力５Ｗで７秒のエッチングを行った。次いで、マトリックスのポリスチレンおよびポリマー層下部のＣ転写層に凸パターンを転写するため、Ｏ２ガスをエッチャントとしてアンテナ電力１００Ｗ、バイアス電力５Ｗで１１０秒エッチングを行った。ポリスチレンの除去に用いるＯ２エッチャントは、下層のＣマスクもエッチングするため、Ｔａ金属マスク層がストッパ層となりエッチングが終了する。これにより、ジブロックコポリマーからなる凸パターンがＣ転写層を介して金属マスク層上に形成される。
【００９５】
更に、Ｔａ金属マスク層のエッチングを行い、凸パターンを転写した。Ｔａ金属マスク層のエッチングではＣＦ４ガスをエッチャントとし、プロセスガス圧力０．１Ｐａ、アンテナ電力１００Ｗ、バイアス電力３０Ｗとし、２５秒間エッチングすることでＴａマスクに凸パターンを設けた。この際、高分子剥離層の改質を避けるため、高分子剥離層上部でエッチングを終了した。
【００９６】
高分子剥離層の凸パターン転写は、Ｏ２ガスを用いたエッチングにより行った。プロセスガス圧力０．１Ｐａ、アンテナ電力１００Ｗ、バイアス電力５Ｗとし、１２秒間エッチングを行うことで凸パターンを高分子剥離層に転写した。
【００９７】
続いて、垂直磁気記録層へ凸パターンを転写した。垂直磁気記録層のパターニングはＡｒイオンミリングにより行った。ここではＡｒイオン加速電圧３００Ｖ、ガス流量３ｓｃｃｍ、プロセス圧力０．１Ｐａとし、５６秒間ミリングを行い、５ｎｍ厚ＣｏＰｔ磁性膜に凸パターンを転写した。
【００９８】
凸部が形成された垂直磁気記録層上のマスクを除去するため、有機溶媒を用いて高分子剥離層を除去した。
【００９９】
高分子剥離層の除去ではＰＭＭＡ膜の溶媒であるアニソールを用い、溶媒中に試料を３分間浸漬し、さらに超音波洗浄を行うことで高分子剥離層および上部マスク層を除去した。最後に、２ｎｍ厚ＤＬＣ膜を成膜した後、パーフルオロポリエーテル系潤滑膜を１．５ｎｍ厚で形成することで磁気記録媒体を得た。
【０１００】
得られた磁気記録媒体を用い、極Kerr効果測定装置により保磁力を測定したところ、５．２ｋＯｅであった。得られた結果を下記表１に示す。
【０１０１】
ここで、有機溶媒に対するＣｏＰｔ垂直磁気記録層のダメージ評価を併せて行った。試料には凸パターンの加工を施していないＣｏＰｔ面内連続膜を用いた。
【０１０２】
Ｃｏ系合金材料は有機溶媒に対して難溶であるため、磁気特性の劣化が極めて小さく、良好な記録再生特性を実現できる。
【０１０３】
磁気記録材料の有機溶媒浸漬前後における静磁気特性の変化を表すグラフを  及び図３８に示す。
【０１０４】
基板上に成膜した１０ｎｍ厚ＣｏＰｔ垂直磁気記録層を試料として種々の有機溶媒に浸漬して調べた結果として、飽和磁化を図３７に、保磁力の変化を図３８に各々示す。
【０１０５】
使用した有機溶媒はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、アセトン、アニソールであり、これらの溶媒に３００秒間試料を浸漬し、Ｎ２ブロー乾燥を経た後ＶＳＭ（試料振動型磁力計）を用いて静磁気特性の測定を行っている。比較として、溶液に対する浸漬無しの場合と、従来の剥離溶液である過酸化水素に３００秒間浸漬した場合の結果を併せて示す。
【０１０６】
図示するように、有機溶媒浸漬前後における飽和磁化ならびに保磁力の変化はほとんどなく、垂直磁気記録層に及ぼす有機溶媒の影響は極めて小さい。よって、有機溶媒によるウェット剥離時に生じる記録再生特性の劣化はほとんど無く、磁気特性の優れた媒体が得られることがわかる。
【０１０７】
このように、記録層に対する剥離ダメージがほとんど生じない有機溶媒を剥離溶液として、マスクを剥離することで、静磁気特性の良好な磁気記録媒体が得られた。また、従来の剥離方法と比較して残渣が少なく、面内均一性の優れた媒体が得られることがわかった。
【０１０８】
実施例２
実施例２は、基板上における高分子剥離層の厚さを調整した以外は実施例１と同様にして高分子剥離層および有機溶媒を用いた剥離を行い、磁気記録媒体を得た。
【０１０９】
パターン端部は剥離溶液に曝露されやすいため、剥離性が良い。そのため、基板上に成膜した高分子剥離層の厚さが半径位置において異なるようにした。ここでは、基板中央近傍の剥離層の厚さをｔ１、基板内周近傍の厚さをｔ２、基板外周近傍の厚さをｔ３とした場合、ｔ１≦ｔ２≦ｔ３の関係性が満足されるように剥離層を形成した。
【０１１０】
具体的にはｔ１＝９．２ｎｍ、ｔ２＝１０．４ｎｍ、及びｔ３＝１１．７ｎｍとした。
【０１１１】
実施例１と同様に有機溶媒による剥離を行ったところ、パターン端部からの剥離が進行しやすく、剥離速度が改善されることがわかった。また、剥離残渣を少なくできることを確認した。
【０１１２】
得られた磁気記録媒体を用い、実施例１と同様にして保磁力を測定したところ、５．３４ｋＯｅであった。得られた結果を下記表１に示す。
【０１１３】
実施例３
実施例３は、高分子剥離層に水溶性高分子材料を適用し、更に水を用いて剥離を行った以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を得た。
【０１１４】
垂直磁気記録層上に形成する水溶性高分子材料にはポリビニルピロリドン（東京応化（株）製  ＳＡＦＩＥＲ）を選定し、ノニオン系フッ素含有界面活性剤を添加した後、１０ｎｍ厚となるように回転数４６００ｒｐｍでスピンコーティングを行った。成膜後の表面粗さは良好で、Ｒａ＝０．３ｎｍ程度であった。
【０１１５】
凸パターン転写後は２８℃の水に試料を浸漬し、超音波洗浄による剥離を行った。実施例１と同様に水を用いた場合でも剥離性は良好で、パーティクルの少ない磁気記録媒体が得られた。同様に、垂直磁気記録層における磁気特性の劣化はほとんどなく、良好なリードライト特性を確認できた。
【０１１６】
得られた磁気記録媒体を用い、実施例１と同様にして保磁力を測定したところ、５．１１ｋＯｅであった。得られた結果を下記表１に示す。
【０１１７】
実施例４
実施例４は、水溶性高分子剥離層を用いた場合であり、水による剥離を行う前に剥離性を改善する目的でプレウェット処理を行ったこと以外は実施例３と同様にして磁気記録媒体を得た。
【０１１８】
凸パターンの凹部には剥離溶液が浸透し難く、剥離性が劣化する問題があるが、プレウェットによりこれを解決できる。数十ｎｍ級の凸部側面を均一にプレウェットするため、本例では水滴の付着を利用した。まず、ドライアイスを用いて基板を冷却し、基板温度を室温に戻すことで基板表面に結露が生じるが、この結露は凸部側面に対して分子レベルで生じる水の吸着であるため、凸パターンの側面に対して均一に水滴が付着しすることになる。そのため、露出した水溶性高分子剥離層は水滴によるプレウェット状態となり、次いで水への浸漬を行うことでマスクパターンを容易に剥離することが可能となる。実施例３と同様に、２８℃の水に試料を浸漬したところ極めて容易にマスクを剥離することができ、かつ剥離残渣も少ないことが確認できた。
【０１１９】
得られた磁気記録媒体を用い、実施例１と同様にして保磁力を測定したところ、５．４６ｋＯｅであった。得られた結果を下記表１に示す。
【０１２０】
実施例５
実施例５は、垂直磁気記録層と高分子剥離層の間に中間金属マスク層を形成し、凸パターンを垂直磁気記録層へ転写した後、高分子剥離層を剥離し、中間金属マスク層を剥離すること以外は、実施例１と同様である。
【０１２１】
金属中間マスク層にはＳｉ膜を選定し、ガス圧力０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとした対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により１０ｎｍ厚で成膜した。垂直磁気記録層への凸部転写および高分子剥離層の剥離後は、エッチングにより金属中間マスク層を除去した。エッチングではＣＦ４ガスをエッチャントとし、アンテナ電力５０Ｗ、バイアス電力２ＷとしてＳｉ膜を除去した。作製した磁気記録媒体は剥離残渣およびパーティクルが少なく、面内均一性が良好であった。
【０１２２】
得られた磁気記録媒体を用い、実施例１と同様にして保磁力を測定したところ、５．０ｋＯｅであった。得られた結果を下記表１に示す。
【０１２３】
実施例６
実施例６は、垂直磁気記録層と高分子剥離層の間に中間金属マスク層を形成し、凸パターンを金属中間マスク層へ転写した後、高分子剥離層を剥離し、金属中間マスク層を用いて垂直磁気記録層へ凸パターンを転写すること以外は実施例１と同様である。
【０１２４】
金属中間マスク層にはＴａ２Ｏ５を選定し、ガス圧力０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとした対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により３０ｎｍ厚で成膜した。高分子剥離層の剥離後は、該Ｔａ膜をマスク層とし、イオンミリングにより垂直磁気記録層へ凸パターンを転写した。ここで、垂直磁気記録層に対する凸部が形成された時点でＴａ２Ｏ５膜は消失するため、垂直磁気記録層の凸部を露出させた平坦な媒体が得られる。作製した媒体はパーティクルが少なく、また面内均一性が良好であることがわかった。
【０１２５】
得られた磁気記録媒体を用い、実施例１と同様にして保磁力を測定したところ、５．１ｋＯｅであった。得られた結果を下記表１に示す。
【０１２６】
実施例７
実施例７は、垂直磁気記録層上に形成した高分子剥離層をあらかじめ厚膜で形成し、エッチングにより膜厚を減らすこと以外は、実施例１と同様である。
【０１２７】
数（ｎｍ）級の薄膜を均一に塗布する場合は、局所的なピンホールが生じやすいため、初期膜厚が比較的厚くなるように高分子剥離層を形成する。ここでは、ＰＭＭＡ膜を用い、重量比ＰＭＭＡ：アニソール＝２：３とした塗布溶液を調整した後、スピンコーティングにより基板上に３０ｎｍ厚で塗布した。続いて、Ｏ２ガスをエッチャントとし、アンテナ電力１００Ｗ、バイアス電力５Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍとしてエッチングを行い、剥離層厚を６ｎｍに低減した。
【０１２８】
作製した媒体はピンホールが少なく、面内均一性も良好であった。得られた磁気記録媒体を用い、実施例１と同様にして保磁力を測定したところ、５．０ｋＯｅであった。得られた結果を下記表１に示す。
【０１２９】
比較例１
比較例１は、カーボン膜をマスク層に用いた以外は実施例１と同様である。
【０１３０】
カーボン膜は対向ターゲット式ＤＣスパッタ法により２５ｎｍ厚で成膜した。ここで、高分子剥離層上に成膜したカーボン膜は応力によりマクロな凸部を生じ、面内均一性が損なわれる様相を呈した。このとき、表面粗さは著しく劣化し、Ｒａ＝３ｎｍ程度となった。また、エッチングによる凸パターン転写を行ったところ、表面粗さに伴うパターンの疎密により均一な加工が困難であった。
【０１３１】
得られた磁気記録媒体を用い、実施例１と同様にして保磁力を測定したところ、２．１ｋＯｅであった。得られた結果を下記表１に示す。
【０１３２】
比較例２
比較例２は、ポリマー膜をマスク層に用いた以外は実施例１と同様である。
【０１３３】
ポリマー膜にはポリスチレンを用い、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを溶媒として塗布液を調製した。塗布液の濃度は１．０ｗｔ．％とし、垂直磁気記録層上にこれを滴下した後スピンコーティングにより２０ｎｍ厚で成膜した。
【０１３４】
このポリスチレン膜をマスク層としたところ、エッチング耐性が極めて低いために凸パターンがほとんど転写できないことがわかった。
【０１３５】
得られた磁気記録媒体を用い、実施例１と同様にして保磁力を測定したところ、０．６ｋＯｅであった。得られた結果を下記表１に示す。
【表１】
2013145611.tif 000003
【０１３６】
凸部パターニング後の磁気特性は、比較例１及び２と比較して実施例中の結果が良好であった。
【０１３７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１３８】
１…基板、２…垂直磁気記録層、３…剥離層、４…マスク層、５…自己組織化膜、６，７…ミクロ相分離構造、８…保護層、９…転写層、１０…磁気記録媒体、１１…中間マスク層
【図１】
2013145611.tif 000004
【図２】
2013145611.tif 000005
【図３】
2013145611.tif 000006
【図４】
2013145611.tif 000007
【図５】
2013145611.tif 000008
【図６】
2013145611.tif 000009
【図７】
2013145611.tif 000010
【図８】
2013145611.tif 000011
【図９】
2013145611.tif 000012
【図１０】
2013145611.tif 000013
【図１１】
2013145611.tif 000014
【図１２】
2013145611.tif 000015
【図１３】
2013145611.tif 000016
【図１４】
2013145611.tif 000017
【図１５】
2013145611.tif 000018
【図１６】
2013145611.tif 000019
【図１７】
2013145611.tif 000020
【図１８】
2013145611.tif 000021
【図１９】
2013145611.tif 000022
【図２０】
2013145611.tif 000023
【図２１】
2013145611.tif 000024
【図２２】
2013145611.tif 000025
【図２３】
2013145611.tif 000026
【図２４】
2013145611.tif 000027
【図２５】
2013145611.tif 000028
【図２６】
2013145611.tif 000029
【図２７】
2013145611.tif 000030
【図２８】
2013145611.tif 000031
【図２９】
2013145611.tif 000032
【図３０】
2013145611.tif 000033
【図３１】
2013145611.tif 000034
【図３２】
2013145611.tif 000035
【図３３】
2013145611.tif 000036
【図３４】
2013145611.tif 000037
【図３５】
2013145611.tif 000038
【図３６】
2013145611.tif 000039
【図３７】
2013145611.tif 000040
【図３８】
2013145611.tif 000041
【図３９】
2013145611.tif 000042