(57)【要約】【目的】描画装置に入力される描画データによって異常なドーズ量のビーム照射が行われてしまうことを回避可能な検査方法を提供する。【構成】描画データの検査方法は、電子ビームを用いて試料に複数の図形パターンを描画する際のドーズ量を変調するための変調率データと複数の図形パターンが定義されたレイアウトデータとを用いて、ドーズ量を変調する変調率毎に試料に描画される図形パターンの面積マップを作成する工程と、レイアウトデータを描画装置へ入力するための描画データへとデータ変換する工程と、面積マップを用いて、描画データを用いて試料にパターンを描画する際の所定の領域毎の電荷量を検査する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図６
2013207253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを用いて試料に複数の図形パターンを描画する際のドーズ量を変調するための変調率データと前記複数の図形パターンが定義されたレイアウトデータとを用いて、ドーズ量を変調する変調率毎に試料に描画される図形パターンの面積マップを作成する工程と、
前記レイアウトデータを描画装置へ入力するための描画データへとデータ変換する工程と、
前記面積マップを用いて、前記描画データを用いて試料にパターンを描画する際の所定の領域毎の電荷量を検査する工程と、
を備えたことを特徴とする描画データの検査方法。
【請求項２】
前記面積マップを作成する工程は、前記レイアウトデータを前記描画データへとデータ変換する工程と並列して実施されることを特徴とする請求項１記載の描画データの検査方法。
【請求項３】
前記複数の図形パターンには、前記変調率を特定するための識別子が付加データとして定義された図形パターンと、前記識別子が定義されていない図形パターンとが含まれ、
前記識別子が定義されていない図形パターンに対しては、予め定められた所定の変調率が用いられることを特徴とする請求項１又は２記載の描画データの検査方法。
【請求項４】
前記レイアウトデータは、複数のチップデータを含み、
前記変調率は、チップ毎に設定されることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の描画データの検査方法。
【請求項５】
荷電粒子ビームを用いて試料に複数の図形パターンを描画する際のドーズ量を変調するための変調率データと前記複数の図形パターンが定義されたレイアウトデータとを用いて変調率毎に作成された、試料に描画される図形パターンの面積マップを記憶する記憶部と、
前記面積マップを用いて、試料にパターンを描画する際の所定の領域毎の電荷量を検査する検査部と、
を備えたことを特徴とする描画データの検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画データの検査方法及び描画データの検査装置に係り、例えば、描画装置への入力データの異常を検査する手法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図２２は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式（ＶＳＢ方式）という。
【０００４】
電子ビーム描画では、マスクプロセス或いは未知のメカニズムに起因する寸法変動を電子ビームのドーズ量を調整することで解決することが行われる。従来、描画装置内において、補正モデルを設定し、かかるモデルに沿ってドーズ量を補正する演算が行われており、描画装置内の演算結果に応じてドーズ量が制御されていた。例えば、近接効果補正演算等が挙げられる。しかしながら、描画装置内での計算されたドーズ量を使用しても補正残差等が残る場合もある。特に、一部のパターン或いは局所的な領域について他のパターンや領域とは区別して、さらに付加的にドーズ量を制御したい場合がある。かかる場合、変調ドーズ量は、描画装置へのデータ入力前の段階で、ユーザ或いは補正ツール等によって設定される必要がある。しかしながら、かかるユーザが設定した値或いは補正ツール等の演算結果に不備があった場合、かかる値が描画装置に入力され、そのままかかる値が描画装置で使用されてしまうと異常なドーズ量のビームが照射されてしまうことになるといった問題があった。かかる異常なドーズ量のビーム照射は、パターン寸法ＣＤの異常を引き起こす。さらに、極端な異常値である場合には、レジストの蒸発、ひいてはかかる蒸発による描画装置汚染（或いは描画装置故障）を引き起こす可能性もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−０１５２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、描画装置に入力される描画データによって異常なドーズ量のビーム照射が行われてしまうことを回避可能な検査方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の描画データの検査方法は、
荷電粒子ビームを用いて試料に複数の図形パターンを描画する際のドーズ量を変調するための変調率データと複数の図形パターンが定義されたレイアウトデータとを用いて、ドーズ量を変調する変調率毎に試料に描画される図形パターンの面積マップを作成する工程と、
レイアウトデータを描画装置へ入力するための描画データへとデータ変換する工程と、
面積マップを用いて、描画データを用いて試料にパターンを描画する際の所定の領域毎の電荷量を検査する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【０００８】
面積マップを作成する工程は、レイアウトデータを描画データへとデータ変換する工程と並列して実施されると好適である。
【０００９】
複数の図形パターンには、変調率を特定するための識別子が付加データとして定義された図形パターンと、識別子が定義されていない図形パターンとが含まれ、
識別子が定義されていない図形パターンに対しては、予め定められた所定の変調率が用いられると好適である。
【００１０】
レイアウトデータは、複数のチップデータを含み、
変調率は、チップ毎に設定されると好適である。
【００１１】
本発明の一態様の描画データの検査装置は、
荷電粒子ビームを用いて試料に複数の図形パターンを描画する際のドーズ量を変調するための変調率データと複数の図形パターンが定義されたレイアウトデータとを用いて変調率毎に作成された、試料に描画される図形パターンの面積マップを記憶する記憶部と、
面積マップを用いて、試料にパターンを描画する際の所定の領域毎の電荷量を検査する検査部と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様によれば、描画装置に入力される描画データによって異常なドーズ量のビーム照射が行われてしまうことを回避できる。その結果、異常なドーズ量のビーム照射に起因する、パターン寸法ＣＤの異常、レジストの蒸発、及び描画装置汚染（或いは描画装置故障）を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１における描画システムの構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における図形パターンの一例を示す図である。
【図３】実施の形態１における変調ドーズ表の一例を示す図である。
【図４】実施の形態１における電荷量を説明するための概念図である。
【図５】実施の形態１における描画データのデータ変換から描画処理までの要部工程を示すフローチャート図である。
【図６】実施の形態１における電荷量計算の流れを示す概念図である。
【図７】実施の形態１における描画データの検査方法を主とした場合の描画システムの構成を示す概念図である。
【図８】実施の形態１における描画データの検査方法を主とした場合の描画システムの構成の他の一例を示す概念図である。
【図９】実施の形態２における描画システムの構成を示す概念図である。
【図１０】実施の形態２における描画データのデータ変換から描画処理までの要部工程を示すフローチャート図である。
【図１１】実施の形態２における電荷量計算の流れを示す概念図である。
【図１２】実施の形態３における描画システムの構成を示す概念図である。
【図１３】実施の形態３における描画データのデータ変換から描画処理までの要部工程を示すフローチャート図である。
【図１４】実施の形態３における電荷量計算の流れを示す概念図である。
【図１５】各実施の形態における面積マップの一例を示す図である。
【図１６】各実施の形態における面積マップのデータ構造の一例を示す図である。
【図１７】各実施の形態における面積マップのデータ構造の他の一例を示す図である。
【図１８】各実施の形態における面積マップのデータ構造の他の一例を示す図である。
【図１９】各実施の形態における面積マップのデータ構造の他の一例を示す図である。
【図２０】各実施の形態における面積マップのデータ構造の他の一例を示す図である。
【図２１】各実施の形態における面積マップのデータ構造の他の一例を示す図である。
【図２２】可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
【００１５】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画システムの構成を示す概念図である。図１において、描画システムは、描画装置１００、検査装置３００、及び描画データ変換装置５００を有している。その他、図示しない変調ドーズ表作成ツールやパラメータ情報作成ツール等を有してもよい。
【００１６】
描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８及び副偏向器２０９が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
【００１７】
制御部１６０は、制御計算機１１０、及び制御回路１３０を有している。制御計算機１１０、及び制御回路１３０は、図示しないバスを介して接続されている。制御計算機１１０内には、ショットデータ生成部１１２、照射量演算部１１３、描画制御部１１４、及び補正部１１５が配置される。ショットデータ生成部１１２、照射量演算部１１３、描画制御部１１４、及び補正部１１５といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。ショットデータ生成部１１２、照射量演算部１１３、描画制御部１１４、及び補正部１１５に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。
【００１８】
描画データ検査装置３００は、制御計算機３１０、メモリ３１１、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４１，１４２，１４４を有している。制御計算機３１０、メモリ３１１、及び記憶装置１４１，１４２，１４４は、図示しないバスを介して互いに接続されている。制御計算機３１０内には、電荷量Ｑ算出部６０、最大ドーズ量Ｄｍａｘ算出部６１、合成部６２、電荷量閾値Ｑ’検索部６４、ドーズ量閾値Ｄ’検索部６３、及び検査部６５，６６が配置される。電荷量Ｑ算出部６０、最大ドーズ量Ｄｍａｘ算出部６１、合成部６２、電荷量閾値Ｑ’検索部６４、ドーズ量閾値Ｄ’検索部６３、及び検査部６５，６６といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。電荷量Ｑ算出部６０、最大ドーズ量Ｄｍａｘ算出部６１、合成部６２、電荷量閾値Ｑ’検索部６４、ドーズ量閾値Ｄ’検索部６３、及び検査部６５，６６に入出力される情報および演算中の情報はメモリ３１１にその都度格納される。また、記憶装置１４４には、プロセスパラメータ及び描画装置仕様に対して使用可能な最大電荷量を示す電荷量閾値Ｑ’を検索可能な電荷量閾値Ｑ’データベースが格納される。また、記憶装置１４４には、さらに、プロセスパラメータ及び描画装置仕様に対して使用可能な最大ドーズ量を示すドーズ量閾値Ｄ’を検索可能なドーズ量閾値Ｄ’データベースが格納される。
【００１９】
描画データ変換装置５００は、制御計算機５０、メモリ５１、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４８を有している。制御計算機５０、メモリ５１、及び記憶装置１４０，１４８は、図示しないバスを介して互いに接続されている。制御計算機５０内には、データ変換部５２、及び面積マップ作成部５４が配置される。データ変換部５２、及び面積マップ作成部５４といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。データ変換部５２、及び面積マップ作成部５４に入出力される情報および演算中の情報はメモリ５１にその都度格納される。また、記憶装置１４０には、ユーザ側が作成された設計データであるレイアウトデータ（例えば、ＣＡＤデータ等）が格納されている。
【００２０】
また、描画装置１００の制御計算機１１０には、図示しないネットワーク等を介して、描画データ検査装置３００、描画データ変換装置５００、及びその他の磁気ディスク装置等の記憶装置１４８，１４９に接続されている。記憶装置１４８には、後述する変調ドーズ表が格納される。記憶装置１４９には、対象となるレイアウトデータを描画する際のプロセスパラメータが格納される。プロセスパラメータとして、例えば、使用するレジスト等が定義される。
【００２１】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００、描画データ検査装置３００、及び描画データ変換装置５００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、主偏向器２０８と副偏向器２０９の主副２段の多段偏向器を用いているが、１段の偏向器或いは３段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なう場合であってもよい。また、画装置１００、描画データ検査装置３００、及び描画データ変換装置５００には、マウスやキーボード等の入力装置、モニタ装置、及び外部インターフェース回路等が接続されていても構わない。
【００２２】
描画装置１００で描画処理を行うためには、かかるレイアウトデータを描画装置１００へ入力可能な描画データにデータ変換する必要がある。また、描画装置１００では、図示しないが、一般に、その内部で近接効果補正等のドーズ量補正計算を行うが、描画装置内での計算されたドーズ量を使用しても補正残差等が残る場合もある。そのため、ユーザは、特に、一部のパターン或いは局所的な領域について他のパターンや領域とは区別して、さらに付加的にドーズ量を制御したい場合がある。かかる場合、変調ドーズ量は、描画装置へのデータ入力前の段階で、ユーザ或いは補正ツール等によって設定される。
【００２３】
図２は、実施の形態１における図形パターンの一例を示す図である。図２では、例えば、レイアウトデータ内に、複数の図形パターンＡ〜Ｋが配置される。そして、図形パターンＡ，Ｋと、図形パターンＢ〜Ｅ，Ｇ〜Ｊと、図形パターンＦと、について、異なるドーズ量で描画したい場合がある。そのため、図形パターンＡ，Ｋに対する変調ドーズ率と、図形パターンＢ〜Ｅ，Ｇ〜Ｊに対する変調ドーズ率と、図形パターンＦに対する変調ドーズ率とが、予め設定される。変調後のドーズ量は、例えば、描画装置１００内で近接効果補正等の計算後の照射量ｄにかかる変調ドーズ率を乗じた値で算出される。そのため、以下の変調ドーズ表が作成される。
【００２４】
図３は、実施の形態１における変調ドーズ表の一例を示す図である。図２に示すように、レイアウトデータ内の複数の図形パターンについて、図形毎に、指標番号（識別子）が付与される。そして、変調ドーズ表は、図３に示すように、各指標番号に対するドーズ量変調量として、変調ドーズ率が定義される。図３では、例えば、指標番号２０の図形パターンについて、変調ドーズ率が１００％と定義される。指標番号２１の図形パターンについて、変調ドーズ率が１２０％と定義される。指標番号２２図形パターンについて、変調ドーズ率が１４０と定義される。かかる変調ドーズ表は、図示しない変調ドーズ表作成ツールによって作成される。変調ドーズ表作成ツールは、ユーザ或いは補正ツール等で設定された変調ドーズ率の変調率データとそれぞれ対応する図形パターンの指標番号を入力し、対応させたデータを作成すればよい。
【００２５】
図４は、実施の形態１における電荷量を説明するための概念図である。図４に示すように、所定のサイズで描画領域がメッシュ状のメッシュ領域に分割され、メッシュ領域毎に、例えば、近接効果補正計算を行う。しかし、同じメッシュ領域内に、指標番号２０の図形パターンの一部と、指標番号２１の図形パターンの一部とが混在する場合が発生する。かかる場合に、当該メッシュ領域内を近接効果補正計算によって補正された一意の照射量で照射してしまうと、上述したように補正残差が残ってしまう。そこで、実施の形態１では、メッシュ領域内の指標番号２０の図形パターンを描画する場合には、指標番号２０の図形パターン用のドーズ量ｄ２０に指標番号２０の変調ドーズ率（１００％）を乗じた値のドーズ量が照射される。一方、同じメッシュ領域内の指標番号２１の図形パターンを描画する場合には、指標番号２１の図形パターン用のドーズ量ｄ２１に指標番号２１の変調ドーズ率（１２０％）を乗じた値のドーズ量が照射される。そのため、かかるメッシュ領域には、メッシュ領域内の指標番号２０の図形パターン面積Ｓ２０×ドーズ量ｄ２０×変調ドーズ率（１００％）の電荷量と、指標番号２１の図形パターン面積Ｓ２１×ドーズ量ｄ２１×変調ドーズ率（１２０％）の電荷量との合計の電荷量が蓄積することになる。ここで、ユーザが設定した変調ドーズ率或いは補正ツール等の演算結果の変調ドーズ率に不備があった場合、かかる値が描画装置に入力され、そのままかかる値が描画装置で使用されてしまうと異常なドーズ量のビームが照射されてしまうことになる。かかる異常なドーズ量のビーム照射は、メッシュ領域内に異常な電荷量の蓄積を引き起こす。それにより、パターン寸法ＣＤの異常を引き起こす。さらに、極端な異常値である場合には、レジストの蒸発、ひいてはかかる蒸発による描画装置汚染（或いは描画装置故障）を引き起こす可能性もある。そこで、実施の形態１では、描画装置１００内でデータ変換処理を行う前、或いは、データ変換処理が終了する前に、かかる電荷量が異常値でないかどうかを検査する。同様に、そもそも照射される最大ドーズ量自体が異常値でないかどうかを検査する。
【００２６】
図５は、実施の形態１における描画データのデータ変換から描画処理までの要部工程を示すフローチャート図である。図５に示すように、描画データ変換装置５００内にて、データ変換工程（Ｓ１０２）と、面積マップ作成工程（Ｓ１０４）とを実施する。次に、描画データ検査装置３００にて、電荷量Ｑ算出工程（Ｓ１１０）と、合成工程（Ｓ１１２）と、閾値Ｑ’検索工程（Ｓ１１４）と、検査工程（Ｓ１１６）と、最大ドーズ量Ｄｍａｘ算出工程（Ｓ１２０）と、閾値Ｄ’検索工程（Ｓ１２２）と、検査工程（Ｓ１２４）と、いう一連の工程を実施する。その後、描画装置１００内で、ショットデータ生成工程（Ｓ１３０）と照射量演算工程（Ｓ１３２）と補正工程（Ｓ１３４）と描画工程（Ｓ１３６）とを実施する。
【００２７】
まず、データ変換工程（Ｓ１０２）として、データ変換部５２は、記憶装置１４０から複数の図形パターンが定義されたレイアウトデータを読み出し、描画装置１００に入力可能なフォーマットの描画データにデータ変換する。生成された描画データは出力され、記憶装置１４６に格納される。
【００２８】
ここで、生成される描画データにおいて、各図形パターンには、図２で示したように、変調ドーズ率（変調率）を特定するための指標番号（識別子）が付加データとして定義される。或いは、かかる変調ドーズ率が定義された図形パターンと、変調ドーズ率が定義されていない図形パターンとが混在してもよい。混在するケースでは、変調ドーズ率が定義されていない図形パターンに対しては、予め定められた所定の変調ドーズ率が用いられる。例えば、１００％の変調ドーズ率が用いられればよい。
【００２９】
また、１つの試料１０１には、複数のチップが配置される場合がある。このように、レイアウトデータは、複数のチップデータを含む。その際、変調ドーズ率は、チップ毎に設定されても好適である。かかる場合、生成される描画データにおいて、チップ毎に変調ドーズ率（変調率）を特定するための指標番号（識別子）が付加データとして定義される。かかる場合においても、変調ドーズ率が定義されたチップと、変調ドーズ率が定義されていないチップとが混在してもよい。混在するケースでは、変調ドーズ率が定義されていないチップに対しては、予め定められた所定の変調ドーズ率が用いられる。例えば、１００％の変調ドーズ率が用いられればよい。或いは、チップを構成する図形パターン毎に指標番号が付加データとして定義されてもよいことは言うまでもない。
【００３０】
面積マップ作成工程（Ｓ１０４）として、面積マップ作成部５４は、電子ビーム２００を用いて試料に複数の図形パターンを描画する際のドーズ量を変調するための変調率データとレイアウトデータとを用いて、ドーズ量を変調する変調率毎に試料に描画される図形パターンの面積マップを作成する。変調率データは、ユーザ或いは補正ツール等で設定された値を入力すればよい。生成された各面積マップは出力され、記憶装置１４２に格納される。複数のチップが配置されている場合、複数のチップをマージ処理して、複数の変調ドーズ率の図形が混在する状態で、変調率毎に試料に描画される図形パターンの面積マップを作成すればよい。また、すべてのチップについてそれぞれ異なる変調率が設定されている場合には、チップ毎に面積マップを作成すればよい。また、一部のチップ同士に同じ変調率が設定されている場合には、同じ変調率のチップ同士をマージ処理して、変調率毎に面積マップを作成すればよい。
【００３１】
かかるデータ変換工程（Ｓ１０２）と面積マップ作成工程（Ｓ１０４）とは、並列して実施されると好適である。一般に、レイアウトデータから描画データへの変換処理には、数１０時間が必要となる。例えば、２０時間程度が必要となる。そして、面積マップ作成には、数時間、例えば、５時間程度が必要となる。そこで、データ変換工程（Ｓ１０２）と面積マップ作成工程（Ｓ１０４）とを並列して実施することで、面積マップ作成時間をレイアウトデータから描画データへのデータ変換処理時間に重ねることができる。すなわち、面積マップ作成時間を従来の描画作業時間に追加せずに済ますことができる。
【００３２】
図６は、実施の形態１における電荷量計算の流れを示す概念図である。図６では、レイアウトデータ１０を所定のサイズのメッシュ領域に分割する。そして、指標番号毎に、各メッシュ領域内の図形の面積を計算した面積マップを作成する。図６の例では、指標番号２２の図形パターンを集めた面積マップ１２を作成する。同様に、指標番号２１の図形パターンを集めた面積マップ１４を作成する。同様に、指標番号２０の図形パターンを集めた面積マップ１６を作成する。各面積マップは、変調率毎のマップとなることは言うまでもない。
【００３３】
次に、電荷量Ｑ算出工程（Ｓ１１０）として、電荷量Ｑ算出部６０は、記憶装置１４２から各面積マップを読み出し、記憶装置１４８から変調ドーズ表を読み出し、各面積マップのメッシュ領域ごとに、座標（ｉ，ｊ）のメッシュ領域内の面積値Ｍ（ｉ，ｊ）と指標番号Ｎが示す変調ドーズＲＮと基準照射量Ｄｂａｓｅとを乗じた電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）を算出する。言い換えれば、指標番号Ｎの面積マップの座標（ｉ，ｊ）のメッシュ領域毎の電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）は、メッシュ領域内の面積ＭＮ（ｉ，ｊ）と指標番号Ｎが示す変調ドーズ率Ｒｋと基準照射量Ｄｂａｓｅを用いて、次の式（１）で定義される。
（１）  Ｑ（ｉ，ｊ）＝ＭＮ（ｉ，ｊ）・ＲＮ・Ｄｂａｓｅ
【００３４】
算出された各電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）は、記憶装置１４１に格納される。基準照射量Ｄｂａｓｅは、予め設定しておけばよい。
【００３５】
合成工程（Ｓ１１２）として、合成部６２は、各面積マップ１２，１４，１６の同じメッシュ領域同士を合成し、合成マップ２０を作成する。合成部６２は、同じメッシュ領域同士の電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）を合計し、合計電荷量Ｑｓｕｍ（ｉ，ｊ）を算出する。これにより、各メッシュ領域に照射される電子ビーム２００によって蓄積される電荷量Ｑｓｕｍを求めることができる。合成マップ２０の各メッシュ値として、対応するそれぞれの電荷量Ｑｓｕｍ（ｉ，ｊ）が定義される。
【００３６】
閾値Ｑ’検索工程（Ｓ１１４）として、電荷量閾値Ｑ’検索部６４は、プロセスパラメータを記憶する記憶装置１４９からプロセスパラメータを読み出し、描画装置１００からは装置仕様を読み出し、記憶装置１４４に格納された電荷量閾値Ｑ’データベースを参照して、かかるプロセスパラメータ及び装置仕様に対して使用可能な最大電荷量を示す電荷量閾値Ｑ’を検索する。描画装置１００の装置仕様によって、使用可能な最大電荷量は異なる。装置仕様は、使用する描画装置によって異なる場合がある。例えば、機種によって異なる。同じ機種でも使用可能な最大電荷量にばらつきが存在する場合もあり得る。同様に、プロセスパラメータ、例えば、レジスト種によって、使用可能な最大電荷量は異なる。そこで、電荷量閾値Ｑ’検索部６４は、これらのプロセスパラメータ及び装置仕様の情報（例えば、検索キーワード）を使って、使用可能な最大電荷量を示す電荷量閾値Ｑ’を検索する。
【００３７】
検査工程（Ｓ１１６）として、検査部６６は、合成されたメッシュ領域毎の電荷量Ｑｓｕｍ（ｉ，ｊ）が、電荷量閾値Ｑ’以下かどうかを検査（判定）する。検査の結果、いずれかのメッシュ領域において、電荷量Ｑｓｕｍ（ｉ，ｊ）が、電荷量閾値Ｑ’より大きい場合には、描画ＮＧとして、エラー情報を出力する。すべてのメッシュ領域において、電荷量Ｑｓｕｍが、電荷量閾値Ｑ’以下の場合には、描画装置１００で描画処理可能として、描画制御部１１４にｏｋ情報を出力すればよい。このように、検査部６６は、面積マップを用いて、試料にパターンを描画する際のメッシュ領域（所定の領域）毎の電荷量ｓｕｍ（ｉ，ｊ）を検査する。
【００３８】
最大ドーズ量Ｄｍａｘ算出工程（Ｓ１２０）として、最大ドーズ量Ｄｍａｘ算出部６１は、記憶装置１４８から変調ドーズ表を読み出し、最大ドーズ量Ｄｍａｘを算出する。最大ドーズ量Ｄｍａｘは、例えば、複数の指標番号が示す変調ドーズ率のうちの最大変調ドーズ率と基準照射量Ｄｂａｓｅとを乗じることで算出できる。例えば、図３の例では、１４０％が最大変調ドーズ率となるので、かかる値に基準照射量Ｄｂａｓｅを乗じることで求めることができる。
【００３９】
閾値Ｄ’検索工程（Ｓ１２２）として、ドーズ量閾値Ｄ’検索部６３は、プロセスパラメータを記憶する記憶装置１４９からプロセスパラメータを読み出し、描画装置１００からは装置仕様を読み出し、記憶装置１４４に格納されたドーズ量閾値Ｄ’データベースを参照して、かかるプロセスパラメータ及び装置仕様に対して使用可能な最大ドーズ量を示すドーズ量閾値Ｄ’を検索する。描画装置１００の装置仕様によって、使用可能な最大ドーズ量は異なる。装置仕様は、使用する描画装置によって異なる場合がある。例えば、機種によって異なる。同じ機種でも使用可能な最大ドーズ量にばらつきが存在する場合もあり得る。同様に、プロセスパラメータ、例えば、レジスト種によって、使用可能な最大ドーズ量は異なる。そこで、ドーズ量閾値Ｄ’検索部６３は、これらのプロセスパラメータ及び装置仕様の情報（例えば、検索キーワード）を使って、使用可能な最大ドーズ量を示すドーズ量閾値Ｄ’を検索する。
【００４０】
検査工程（Ｓ１２４）として、検査部６５は、演算された最大ドーズ量閾値Ｄｍａｘが、ドーズ量閾値Ｄ’以下かどうかを検査（判定）する。検査の結果、最大ドーズ量Ｄｍａｘが、ドーズ量閾値Ｄ’より大きい場合には、描画ＮＧとして、エラー情報を出力する。最大ドーズ量Ｄｍａｘが、ドーズ量閾値Ｄ’以下の場合には、描画装置１００で描画処理可能として、描画制御部１１４にｏｋ情報を出力すればよい。
【００４１】
以上の検査処理により、描画装置１００内にて描画データをデータ変換処理前に描画データの異常を検査できる。これにより、以降の描画装置１００内での無駄な作業時間を回避できる。検査装置３００内での処理は、数分で終了できる。そのため、早期に描画データの異常を検査できる。もし、検査装置３００で面積マップを作成する場合には、さらに、面積マップ作成時間が追加されてしまうので、その分、検査時間が長くかかってしまう。これに対して、実施の形態１では、面積マップを検査装置３００ではなく、その上流の描画データ変換装置５００で描画データの生成と同時期に並列に作成しているので、描画データの検査に、かかる検査装置３００での数分で済ますことができる。そして、描画データが異常でないと検査された後に、描画装置１００において描画処理が行われる。
【００４２】
ショットデータ生成工程（Ｓ１３０）として、ショットデータ生成部１１２は、記憶装置１４６から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。描画装置１００で図形パターンを描画するためには、１回のビームのショットで照射できるサイズに描画データに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、ショットデータ生成部１１２は、実際に描画するために、各図形パターンを１回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、及び照射位置といった図形データが定義される。
【００４３】
照射量演算工程（Ｓ１３２）として、照射量演算部１１３は、所定のサイズのメッシュ領域毎の照射量ｄを演算する。照射量ｄは、基準照射量Ｄｂａｓｅに補正係数を乗じた値で演算できる。補正係数として、例えば、近接効果補正照射係数Ｄｐを用いると好適である。近接効果補正照射係数Ｄｐの演算は、従来と同様の手法で構わない。
【００４４】
補正工程（Ｓ１３４）として、補正部１１５は、ショット図形毎に、対応する照射量ｄにショット図形の基となる図形パターンに定義された指標番号が示す変調ドーズ率を乗じて補正した補正照射量を演算する。
【００４５】
描画工程（Ｓ１３２）として、描画制御部１１４は、制御回路１２０に描画処理を行うように制御信号を出力する。制御回路１２０は、ショットデータと各補正照射量のデータを入力し、描画制御部１１４から制御信号に従って描画部１５０を制御し、描画部１５０は、電子ビーム２００を用いて、当該図形パターンを試料１００に描画する。具体的には、以下のように動作する。
【００４６】
電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。偏向器２０５によって、かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形させる）ことができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された試料１０１の所望する位置に照射される。図１では、位置偏向に、主副２段の多段偏向を用いた場合を示している。かかる場合には、主偏向器２０８でストライプ領域をさらに仮想分割したサブフィールド（ＳＦ）の基準位置にステージ移動に追従しながら該当ショットの電子ビーム２００を偏向し、副偏向器２０９でＳＦ内の各照射位置にかかる該当ショットのビームを偏向すればよい。
【００４７】
図７は、実施の形態１における描画データの検査方法を主とした場合の描画システムの構成を示す概念図である。図７に示すように、描画データ変換装置５００において、レイアウトデータから描画データへのデータ変換および面積マップの作成が行われる。そして、記憶装置１４６に描画データが格納され、記憶装置１４２に面積マップが格納される。また、変調ドーズ表作成ツール５１０では、変調ドーズ表が作成され、記憶装置１４８に格納される。また、パラメータ情報作成ツール５２０では、プロセスパラメータ等を含むパラメータ情報が作成され、記憶装置１４９に格納される。描画装置１００のオフラインに配置された検査装置３００が、これらの情報を使って、描画データの異常を検査する。そして、異常の無い描画データを用いて、描画装置１００にて描画処理が行われる。
【００４８】
図８は、実施の形態１における描画データの検査方法を主とした場合の描画システムの構成の他の一例を示す概念図である。実施の形態１では、図７で説明したように、検査装置３００が描画装置１００のオフラインに配置された場合を示したが、図８に示すように、描画装置１００内に配置されても好適である。例えば、制御計算機１１０内に、制御計算機３１０内の各機能が配置されればよい。或いは、描画装置１００が、複数台の制御計算機１１９，３１０を備えてもよい。描画装置１００内に入力される描画データの検査機能を備えることで、ショットデータ生成工程（Ｓ１３０）と並列して描画データの検査（Ｓ１１０〜Ｓ１２４）ができる。これにより、描画データの検査（Ｓ１１０〜Ｓ１２４）の時間をショットデータ生成工程（Ｓ１３０）に重ねることができる。それによりさらに描画時間を短縮できる。なお、描画データの検査（Ｓ１１０〜Ｓ１２４）の時間は、上述したように数分で終了するため、ショットデータ生成工程（Ｓ１３０）でのデータ変換処理の初期段階で検査が終了する。よって、もし、描画データの異常が検出された場合でも、その数分間のショットデータ生成時間分の無駄しか発生させないようにできる。
【００４９】
以上のように、実施の形態１によれば、描画装置に入力される描画データによって異常なドーズ量のビーム照射が行われてしまうことを回避できる。その結果、異常なドーズ量のビーム照射に起因する、パターン寸法ＣＤの異常、レジストの蒸発、及び描画装置汚染（或いは描画装置故障）を回避できる。
【００５０】
実施の形態２．
実施の形態２では、電荷量Ｑの計算精度をさらに向上させることが可能な手法について説明する。
【００５１】
図９は、実施の形態２における描画システムの構成を示す概念図である。図９において、制御計算機５０内に、総面積マップ作成部５６を追加した点と、記憶装置１４３を追加した点以外は、図１と同様である。
【００５２】
図１０は、実施の形態２における描画データのデータ変換から描画処理までの要部工程を示すフローチャート図である。図１０において、描画データ変換装置５００内にて実施する総面積マップ作成工程（Ｓ１０６）と追加した点以外は、図５と同様である。以下、特に説明しない点の内容は、実施の形態１と同様である。
【００５３】
総面積マップ作成工程（Ｓ１０６）として、総面積マップ作成部５６は、レイアウトデータとを用いて、ドーズ量を変調する変調率毎に関わりなく混在させた状態で、試料に描画される図形パターンの総面積マップを作成する。
【００５４】
総面積マップ作成工程（Ｓ１０６）は、データ変換工程（Ｓ１０２）と並列に実施されると好適である。総面積マップ作成工程（Ｓ１０６）は、面積マップ作成工程（Ｓ１０４）と並列に実施されてもシリーズで実施されてもよい。いずれにしても、データ変換工程（Ｓ１０２）と並列に実施されることで、総面積マップ作成時間をデータ変換時間に重ねることができる。
【００５５】
図１１は、実施の形態２における電荷量計算の流れを示す概念図である。図１２では、指標番号毎の面積マップ１２，１４，１６の他に、同じサイズのメッシュ領域に分割された指標番号に無関係に各指標番号の図形が混在した状態での面積マップを総面積マップ１８として作成する。作成された総面積マップ１８は、記憶装置１４３に格納される。
【００５６】
電荷量Ｑ算出工程（Ｓ１１０）として、電荷量Ｑ算出部６０は、記憶装置１４２から各面積マップを読み出し、記憶装置１４３から総面積マップを読み出し、記憶装置１４８から変調ドーズ表を読み出し、各面積マップのメッシュ領域ごとに、電荷量Ｑを算出する。実施の形態２では、基準照射量Ｄｂａｓｅをそのまま使用するのではなく、座標（ｉ，ｊ）のメッシュ領域毎に、メッシュ領域内の総面積Ｍｔｏｔ（ｉ，ｊ）と近接効果補正係数ηとを用いて基準照射量Ｄｂａｓｅを補正した照射量Ｄ０（ｉ，ｊ）を用いる。照射量Ｄ０（ｉ，ｊ）は、次の式（２）で定義される。
（２）  Ｄ０（ｉ，ｊ）＝Ｄｂａｓｅ・（０．５＋η）／（０．５＋Ｍｔｏｔ（ｉ，ｊ）・η）
【００５７】
そして、指標番号Ｎのメッシュ領域毎の電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）は、メッシュ領域内の面積ＭＮ（ｉ，ｊ）と指標番号Ｎが示す変調ドーズ率ＲＮと照射量Ｄ０（ｉ，ｊ）を用いて、次の式（３）で定義される。
（３）  Ｑ（ｉ，ｊ）＝ＭＮ（ｉ，ｊ）・ＲＮ・Ｄ０（ｉ，ｊ）
【００５８】
算出された各電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）は、記憶装置１４１に格納される。基準照射量Ｄｂａｓｅは、予め設定しておけばよい。
【００５９】
合成工程（Ｓ１１２）として、合成部６２は、各面積マップ１２，１４，１６の同じメッシュ領域同士を合成し、合成マップ２２を作成する。合成部６２は、同じメッシュ領域同士の電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）を合計し、合計電荷量Ｑｓｕｍ（ｉ，ｊ）を算出する。これにより、各メッシュ領域に照射される電子ビーム２００によって蓄積される電荷量Ｑｓｕｍを求めることができる。合成マップ２０の各メッシュ値として、対応するそれぞれの電荷量Ｑｓｕｍ（ｉ，ｊ）が定義される。以降は、実施の形態１と同様である。
【００６０】
実施の形態２では、電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）を算出する際に、メッシュ領域内の総面積Ｍｔｏｔ（ｉ，ｊ）と近接効果補正係数ηとを用いて基準照射量Ｄｂａｓｅを補正した照射量Ｄ０（ｉ，ｊ）を用いることで、電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）の精度を向上させることができる。
【００６１】
実施の形態３．
実施の形態３では、電荷量Ｑの計算精度をさらに向上させることが可能な手法について説明する。
【００６２】
図１２は、実施の形態３における描画システムの構成を示す概念図である。図１２において、制御計算機３１０内に、重み付け面積マップ作成部６８及び合成部６９を追加した点以外は、図１と同様である。
【００６３】
図１３は、実施の形態３における描画データのデータ変換から描画処理までの要部工程を示すフローチャート図である。図１３において、電荷量Ｑ算出工程（Ｓ１１０）の前に、重み付け面積マップ作成工程（Ｓ１０８）と合成工程（Ｓ１０９）とを追加した点以外は、図５と同様である。以下、特に説明しない点の内容は、実施の形態１と同様である。
【００６４】
図１４は、実施の形態３における電荷量計算の流れを示す概念図である。図１４では、指標番号毎の面積マップ１２，１４，１６を使って、面積値に重み付けした後に合成した合成マップ１９を作成する。
【００６５】
重み付け面積マップ作成工程（Ｓ１０８）として、重み付け面積マップ作成部６８は、各面積マップ１２，１４，１６のメッシュ領域毎の面積値ＭＮ（ｉ，ｊ）にそれぞれ対応する変調ドーズ率ＲＮを乗じて、面積値に重み付けした重み付け面積マップを作成する。
【００６６】
合成工程（Ｓ１０９）として、合成部６９は、各重み付け面積マップの同じメッシュ領域同士を合成し、合成マップ１９を作成する。合成部６９は、同じメッシュ領域同士の重み付けされた面積値を合計し、合計面積値Ｍ’（ｉ，ｊ）を算出する。実施の形態３では、実施の形態２の総面積Ｍｔｏｔ（ｉ，ｊ）の代わりに、重み付けされた合計面積値Ｍ’（ｉ，ｊ）を用いる。
【００６７】
電荷量Ｑ算出工程（Ｓ１１０）として、電荷量Ｑ算出部６０は、記憶装置１４２から各面積マップを読み出し、記憶装置１４３から総面積マップを読み出し、記憶装置１４８から変調ドーズ表を読み出し、各面積マップのメッシュ領域ごとに、電荷量Ｑを算出する。実施の形態３では、基準照射量Ｄｂａｓｅをそのまま使用するのではなく、座標（ｉ，ｊ）のメッシュ領域毎に、メッシュ領域内の重み付けされた合計面積値Ｍ’（ｉ，ｊ）と近接効果補正係数ηとを用いて基準照射量Ｄｂａｓｅを補正した照射量Ｄ’０（ｉ，ｊ）を用いる。照射量Ｄ’０（ｉ，ｊ）は、次の式（４）で定義される。
（４）  Ｄ’０（ｉ，ｊ）＝Ｄｂａｓｅ・（０．５＋η）／（０．５＋Ｍ’（ｉ，ｊ）・η）
【００６８】
そして、指標番号Ｎのメッシュ領域毎の電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）は、メッシュ領域内の面積ＭＮ（ｉ，ｊ）と指標番号Ｎが示す変調ドーズ率ＲＮと照射量Ｄ’０（ｉ，ｊ）を用いて、次の式（５）で定義される。
（５）  Ｑ（ｉ，ｊ）＝ＭＮ（ｉ，ｊ）・Ｒｋ・Ｄ’０（ｉ，ｊ）
【００６９】
算出された各電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）は、記憶装置１４１に格納される。基準照射量Ｄｂａｓｅは、予め設定しておけばよい。
【００７０】
合成工程（Ｓ１１２）として、合成部６２は、各面積マップ１２，１４，１６の同じメッシュ領域同士を合成し、合成マップ２４を作成する。合成部６２は、同じメッシュ領域同士の電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）を合計し、合計電荷量Ｑｓｕｍ（ｉ，ｊ）を算出する。これにより、各メッシュ領域に照射される電子ビーム２００によって蓄積される電荷量Ｑｓｕｍを求めることができる。合成マップ２０の各メッシュ値として、対応するそれぞれの電荷量Ｑｓｕｍ（ｉ，ｊ）が定義される。以降は、実施の形態１と同様である。
【００７１】
実施の形態３では、電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）を算出する際に、メッシュ領域内の重み付けされた合計面積値Ｍ’（ｉ，ｊ）と近接効果補正係数ηとを用いて基準照射量Ｄｂａｓｅを補正した照射量Ｄ’０（ｉ，ｊ）を用いることで、電荷量Ｑ（ｉ，ｊ）の精度を実施の形態２よりもさらに向上させることができる。
【００７２】
図１５は、各実施の形態における面積マップの一例を示す図である。指標番号Ｎの面積マップの各メッシュ領域（ｉ，ｊ）には、それぞれ指標番号Ｎの図形パターンの面積ＭＮ（ｉ，ｊ）が定義される。
【００７３】
図１６は、各実施の形態における面積マップのデータ構造の一例を示す図である。図１６の例では、メッシュ領域のＩＤ毎に、各面積ＭＮ（ｉ，ｊ）が指標番号順に定義される。かかるデータ構造の場合、すべてのメッシュ領域についてそれぞれ検査が行われることになる。しかし、すべてのメッシュ領域について検査しなくても、例えば、各指標番号に対する面積の和が閾値以下であれば、電荷量Ｑを計算しなくてもおそらく問題ないと予想できる場合がある。或いは、各指標番号に対する面積の和を大きい順にソートし、大きい方からｋ個だけを検査対象としてもよい。これらのような検査をやらないメッシュ領域については、データの読み込みを省略した方が、検査時間を短縮できる。よって、以下、検査時間を短縮できる面積マップのデータ構造について説明する。
【００７４】
図１７は、各実施の形態における面積マップのデータ構造の一例を示す図である。図１７では、図１６のデータ構造にさらにスキップフラグの欄を設けて、メッシュ領域のＩＤ毎に、各面積ＭＮ（ｉ，ｊ）が指標番号順に定義され、さらに、検査の有無を示すフラグを定義する。例えば、値０は検査を行い、値１では検査を省略すると定義しておく。かかる構成により、値１のフラグが定義されたメッシュ領域の検査処理を省略できる。
【００７５】
図１８は、各実施の形態における面積マップのデータ構造の他の一例を示す図である。図１８では、図１６のデータ構造にさらにスキップポインタの欄を設けて、スキップ後のメッシュ領域のＩＤ毎に、スキップポインタを定義する。図１８の例では、スキップポインタＰ１からスキップポインタＰ２の（０，１）のメッシュ領域にジャンプする。よって、その間の（０，０）から（２，０）のメッシュ領域での検査を省略できる。
【００７６】
図１９は、各実施の形態における面積マップのデータ構造の他の一例を示す図である。図１８では、スキップポインタの欄を設けたが、図１９では、スキップポインタのデータを別ファイルで作成する。そして、スキップポインタのデータファイルが示すメッシュ領域のＩＤのデータを順に読み出すようにしてもよい。
【００７７】
図２０は、各実施の形態における面積マップのデータ構造の他の一例を示す図である。図２０では、図１９の面積マップのデータ構造のうち、スキップされるメッシュ領域のＩＤのデータを削除したデータ構造を示している。これにより、スキップポインタやフラグが無くても、定義されたデータだけを検査すれば足りる。
【００７８】
図２１は、各実施の形態における面積マップのデータ構造の他の一例を示す図である。図２０では、メッシュ領域のＩＤが不明であるため、検査した対象のメッシュ領域を特定することが困難である。そこで、図２１では、メッシュ領域のＩＤは残すように作成する。これにより、検査で異常となったメッシュ領域を素早く特定できる。
【００７９】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００８０】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００８１】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００８２】
１０  レイアウトデータ
１２，１４，１６  面積マップ
１８  総面積マップ
１９，２０，２２，２４  合成マップ
５０，１１０，３１０  制御計算機
５１，３１１  メモリ
５２  データ変換部
５４  面積マップ作成部
６０  電荷量算出部
６１  最大ドーズ量算出部
６２  合成部
６３  ドーズ量閾値検索部
６４  電荷量閾値検索部
６５，６６  検査部
１００  描画装置
１０１，３４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１２  ショットデータ生成部
１１３  照射量演算部
１１４  描画制御部
１１５  補正部
１２０  制御回路
１４０，１４１，１４２，１４３，１４４，１４６，１４８，１４９  記憶装置
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５  偏向器
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０７  対物レンズ
２０８  主偏向器
２０９  副偏向器
３００  検査装置
３３０  電子線
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
５００  描画データ変換装置
５１０  変調ドーズ表作成ツール
５２０  パラメータ情報作成ツール
【図１】
2013207253.tif 000003
【図２】
2013207253.tif 000004
【図３】
2013207253.tif 000005
【図４】
2013207253.tif 000006
【図５】
2013207253.tif 000007
【図６】
2013207253.tif 000008
【図７】
2013207253.tif 000009
【図８】
2013207253.tif 000010
【図９】
2013207253.tif 000011
【図１０】
2013207253.tif 000012
【図１１】
2013207253.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2013207253.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2013207253.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
2013207253.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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