(57)【要約】【課題】シールドとしての導電部が酸化されることを抑制した基板を提供をする。【解決手段】第１面を有する絶縁基板と、絶縁基板の内部に設けられ且つ絶縁基板の厚み方向と交差する方向に延設する延設部と、延設部から第１面に露出する第１露出部を有する第１ポストと、延設部から第１面の第１露出部とは離間した位置に露出する第２露出部を有する第２ポストと、を含む第１導体部と、を備え、第１導体部は、シリコンを含む材料から構成されていることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面と表裏関係にある第２面と、を有する絶縁部と、
前記絶縁部内に設けられ、前記絶縁部の厚み方向に交差する方向に延設する第１延設部と、前記第１延設部から延伸して前記第１面に露出する第１露出部を有する第１ポストと、前記第１延設部から延伸して前記第２面に露出する第２露出部を有する第２ポストと、を有する導電部と、
前記絶縁部内に設けられ、前記絶縁部の厚み方向に交差する方向に延設する第２延設部と、前記第２延設部から延伸して前記第１面に露出する第３露出部を有する第３ポストと、前記第２延設部から延伸して前記第２面に露出する第４露出部を有する第４ポストと、を有するシールド部と、を備え、
平面視で、前記導電部の少なくとも一部が前記絶縁部を介して前記シールド部に囲まれていることを特徴とする基板。
【請求項２】
請求項１に記載の基板において、
平面視で、前記第１ポストおよび前記第１延設部の少なくとも一部が前記シールド部に囲まれていることを特徴とする基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板において、
前記導電部及び前記シールド部は、シリコンを含むことを特徴とする基板。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の基板において、
前記絶縁部は、ホウ珪酸ガラスを含むことを特徴とする基板。
【請求項５】
導電性を有する材料により、第１延設部と、前記第１延設部から第１方向に延伸する第１ポストと、前記第１延設部から前記第１方向とは反対の第２方向に延伸する第２ポストと、を含む導電部を形成する工程と、
導電性を有する材料により、第２延設部と、前記第２延設部から前記第１方向に延伸する第３ポストと、前記第２延設部から前記第２方向に延伸する第４ポストと、を含むシールド部を形成する工程と、
前記第１ポスト及び前記第３ポストの上に絶縁性部材を載置する工程と、
前記絶縁性部材を融解させて、前記導電部と前記シールド部とを前記絶縁性部材で覆う工程と、
前記第１ポスト、前記第２ポスト、前記第３ポスト、及び前記第４ポストを前記絶縁性部材から露出させる工程と、を含み、
平面視で、前記導電部の少なくとも一部が前記絶縁性部材を介して前記シールド部に囲まれていること、を特徴とする基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の基板の製造方法において、
前記導電部と前記シールド部とを前記絶縁性部材で覆う工程は、
前記第１ポスト及び前記第３ポストの上に載置された前記絶縁性部材を加熱することで融解させ、前記絶縁性部材を前記第２ポスト及び前記第４ポスト側に流動させて前記導電部及び前記シールド部を前記絶縁性部材で覆うこと、を特徴とする基板の製造方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の基板の製造方法において、
前記第１ポスト及び前記第３ポストの上に前記絶縁性部材を載置する工程は、陽極接合法によって前記第１ポスト及び前記第３ポストの上に前記絶縁性部材を接合することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の基板を用いた電子デバイスであって、
前記第１面側には、機能素子と、前記機能素子を覆うキャップ部とが設けられ、
前記キャップ部は、前記シールド部の前記第３ポストに接続されていること、を特徴とする電子デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載の電子デバイスが搭載されたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、基板の製造方法、電子デバイス、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、加速度センサーやジャイロセンサー等の機能素子に加わる力の大きさや方向を検知する電子デバイスにおいて、その電子デバイスを構成する基板に機能素子などが搭載されているものが知られている。当該基板には、機能素子が搭載された空間を封止するキャップと、機能素子に電気的なノイズの侵入を遮るためのシールドとしての導電部が設けられている。例えば、特許文献１には、半導体センサーチップを搭載した基板に蓋体（キャップ）と、シールドとしての導電部が設けられた半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４３８０７４８号公報（図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、シールドとして設けられた導電部が基板表面に設けられているため、基板表面に搭載される機能素子との配線の配置（レイアウト）が制限され、基板の表面積が大きくなるという課題があった。また、金属を含んでなる導電部が基板表面に露出しているため、湿度等の外部環境因子による配線間ショートにより、電子デバイスとしての信頼性が低下する虞があった。また、かような密接した配線の形成工程おいて、配線間の短絡（ショート）不良が生じやすく歩留まりの低下を来す虞があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
（適用例１）
本適用例に係る基板は、第１面と、第１面と表裏関係にある第２面と、を有する絶縁部と、絶縁部内に設けられ、絶縁部の厚み方向に交差する方向に延設する第１延設部と、第１延設部から延伸して第１面に露出する第１露出部を有する第１ポストと、第１延設部から延伸して第２面に露出する第２露出部を有する第２ポストと、を有する導電部と、絶縁部内に設けられ、絶縁部の厚み方向に交差する方向に延設する第２延設部と、第２延設部から延伸して第１面に露出する第３露出部を有する第３ポストと、第２延設部から延伸して第２面に露出する第４露出部を有する第４ポストと、を有するシールド部と、を備え、平面視で、導電部の少なくとも一部が絶縁部を介してシールド部に囲まれていることを特徴とする。
【０００７】
（適用例２）
上記適用例に係る基板は、平面視で、第１ポストおよび前記第１延設部の少なくとも一部が前記シールド部に囲まれていることが好ましい。
【０００８】
このような基板によれば、絶縁部内に設けられた第１延設部から第１面に向かって延伸してその第１面に露出する第１露出部を有する第１ポストと、第２面に向かって延伸してその第２面に露出する第２露出部を有する第２ポストとを備えた導電部が、シールド部を構成する第２延設部に囲まれる様に設けられている。また、絶縁部内に設けられた第２延設部は当該基板の略全面に設けられ、第２延設部から第１面に向かって延伸してその第１面に露出する第３露出部を有する第３ポストと、第２面に向かって延伸してその第２面に露出する第４露出部を有する第４ポストを備えている。
このことで、基板は、第１ポストが絶縁部を介し離間して第２延設部に少なくても一部が囲まれ第１面に露出されるため、第１面側と第２面側との間で電磁的なノイズの遮蔽を行うことができる。また、第１延設部が第２延設部に少なくても一部が囲まれる様に配置されているため、第１面側と第２面側の電磁的なノイズの遮蔽を行うことができる。
さらに、基板は、第２ポストが絶縁部を介し離間して第２延設部に囲まれ第２面に露出されるため、第１面側と第２面側とを透過する電磁的ノイズの遮蔽をさらに高めることができる。
また、電磁的ノイズを遮蔽するシールドとしての第２延設部が絶縁部内に設けられているため、湿度等の水分を含んだ空気にさらされ第２延設部が導体部等と短絡することを抑制することができる。
従って、このような基板は、シールドとしての第２延設部を絶縁部内に設けることで基板の信頼性を高め、絶縁部を介し離間して第２延設部に囲まれる様に導電部を設けることで配線のレイアウトの自由度を高め、第２延設部を迂回する配線による基板の大型化を抑制することができる。
【０００９】
（適用例３）
上記適用例に係る基板は、導電部及びシールド部にシリコンを含むことが好ましい。
【００１０】
この様な基板によれば、導電部及びシールド部にシリコンを含むことでドライエッチング法等によって導電部及びシールド部を加工することができ、多様な配線形状の基板を実現できる。
【００１１】
（適用例４）
上記適用例に係る基板は、絶縁部は、ホウ珪酸ガラスを含むことが好ましい。
【００１２】
このような基板によれば、ホウ珪酸ガラスを含む絶縁部は熱膨張率が低く、基板に熱が加えられた場合に、絶縁部と、導電部及びシールド部との熱膨張率の違いによって、絶縁部と、その絶縁部に覆われる導電部及びシールド部との破損を抑制することができる。
【００１３】
（適用例５）
本適用例に係る基板の製造方法は、導電性を有する材料により、第１延設部と、第１延設部から第１方向に延伸する第１ポストと、第１延設部から第１方向とは反対の第２方向に延伸する第２ポストと、を含む導電部を形成する工程と、導電性を有する材料により、第２延設部と、第２延設部から第１方向に延伸する第３ポストと、第２延設部から第２方向に延伸する第４ポストと、を含むシールド部を形成する工程と、第１ポスト及び第３ポストの上に絶縁性部材を載置する工程と、絶縁性部材を融解させて、導電部とシールド部とを絶縁性部材で覆う工程と、第１ポスト、第２ポスト、第３ポスト、及び第４ポストを絶縁性部材から露出させる工程と、を含み、平面視で、導電部の少なくとも一部が絶縁性部材を介してシールド部に囲まれていることを特徴とする。
【００１４】
（適用例６）
上記適用例に係る基板の製造方法は、導電部とシールド部とを絶縁性部材で覆う工程は、第１ポスト及び第３ポストの上に載置された絶縁性部材を加熱することで融解させ、絶縁性部材を第２ポスト及び第４ポスト側に流動させて導電部及びシールド部を絶縁性部材で覆うことが好ましい。
【００１５】
このような基板の製造方法によれば、導電性を有する導電部とシールド部とを形成する工程と、第１ポスト及び第３ポストに載置して接合された絶縁性部材を加熱して、導電部及びシールド部を覆う工程と、導電部及びシールド部を覆った絶縁性部材から第１ポスト及び第３ポストと、第２ポスト及び第４ポストとの一部を露出させる工程とを含む。
これにより、導電部及びシールド部は、絶縁性部材が加熱されることによって、その絶縁性部材が融解して流動することで、絶縁性部材に覆われる。また、第１ポスト及び第３ポストと、第２ポスト及び第４ポストとは、その絶縁性部材を研削することで絶縁性部材から露出させることができる。
また、このような基板の製造方法によれば、導電部及びシールド部を覆う工程において、第１ポスト及び第３ポストに載置して接合された絶縁性部材を加熱して、絶縁性部材を導電部とシールド部とが離間する部分となる隙間から第２ポスト及び第４ポスト側に流動させて、導電部及びシールド部を絶縁性部材で覆うことができる。
これにより、第１面側に接合され溶解した絶縁性部材の空隙の発生を抑制して第２面側に充填することができる。
従って、このような基板の製造方法は、導電部とシールド部とを形成した後に絶縁性部材で覆うことができるため、シールドとしての第２延設部を絶縁部内に設けることができ、また、第２延設部は、絶縁部を介し離間させて導電部を囲む様に設けた基板を得ることができる。
【００１６】
（適用例７）
上記適用例に係る基板の製造方法は、第１ポスト及び第３ポストの上に絶縁性部材を載置する工程は、陽極接合法によって第１ポスト及び第３ポストの上に絶縁性部材を接合することが好ましい。
【００１７】
このような基板の製造方法によれば、第１ポスト及び第３ポストの上に絶縁性部材を載置して接合する工程は、陽極接合法を用いる。これにより、導電性材料を用いて形成される第１ポスト及び第３ポストと、ホウ珪酸ガラスを含む絶縁性部材が接合される界面（接合面）に共有結合が生じ、強固に接合することができる。
【００１８】
（適用例８）
本適用例に係る電子デバイスは、第１面側には、機能素子と、機能素子を覆うキャップ部とが設けられ、キャップ部は、シールド部の第３ポストに接続されていることを特徴とする。
【００１９】
このような電子デバイスによれば、上述した基板に搭載される機能素子を覆うキャップ部を備え、キャップ部に有する周縁部と、基板の第１面及び第３ポストとを接合することで機能素子が搭載された空間が封止される。
これにより、機能素子は、絶縁部内に設けられた第２延設部と、キャップ部の内側に配置される。また、キャップ部は、第３ポストを通じてシールド部と電気的に接続（導通）されているため、電磁的に遮蔽された空間に機能素子が配置されることとなる。また、キャップ部を接地する配線が不要となるため、電子デバイスの厚みを抑制することができる。
従って、厚みを抑制し、電磁的ノイズから機能素子を保護することができる電子デバイスを得ることができる。
【００２０】
（適用例９）
本適用例に係る電子機器は、上述した電子デバイスが搭載されていることを特徴とする。
【００２１】
このような電子機器によれば、上述した基板を用いた電子デバイスが搭載されることで、耐ノイズ性を高め、小型化した電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態に係る基板の平面を模式的に示す平面図。
【図２】第１実施形態に係る基板の断面を模式的に示す断面図。
【図３】第１実施形態に係る導電部の離間距離と、静電容量との関係を示すグラフ。
【図４】第１実施形態に係る基板の製造方法の工程を示すフローチャート。
【図５】第１実施形態に係る基板の製造方法による基板の加工状態を模式的に示す図。
【図６】第１実施形態に係る基板の製造方法による基板の加工状態を模式的に示す図。
【図７】第２実施形態に係る基板の平面を模式的に示す平面図。
【図８】第２実施形態に係る基板の断面を模式的に示す断面図。
【図９】第３実施形態に係る電子機器を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明をする。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載する場合がある。また、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照し、各部の位置関係について説明する。鉛直面内における所定方向をＸ軸方向、鉛直面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向をＺ軸方向とする。また、重力方向を基準として、重力方向を下方向、逆方向を上方向とする。
【００２４】
（第１実施形態）
第１実施形態に係る基板を図１及び図２に示す。図１は、基板１の概略構成を示す図で、基板１を上面（Ｚ軸）方向から見た場合の平面図である。図２（ａ）は、図１に示す線分Ａ−Ａ’において基板１を断面（Ｙ軸）方向から見た場合の断面図である。図２（ｂ）は、図１に示す線分Ｂ−Ｂ’において基板１を断面（Ｙ軸）方向から見た場合の断面図である。なお、図２は、電子デバイス１ａを構成する基板として本実施形態の基板１を用いた場合に、当該基板１に機能素子７０と、それを封止するキャップ部６０とが備えられた場合を示すものである。また、図１は、ウエハー上に複数個取りされる基板１を示すもので図１に示す２点鎖線は、基板１を個片に分割する際のダイシングラインＤＬ（分割線）を表す。なお、図１に示す本実施形態の基板１は、その基板１を構成する絶縁部４０が透明色のガラスで形成されており、絶縁部４０内に設けられている導電部１００とシールド部２００とが透視することができる態様を示している。
【００２５】
（基板の構造）
図１及び図２に示す様に、本実施形態の基板１は、シリコンを含む導電性材料の一例としてシリコン基板１０（図５、６参照）を用いた導電部１００と、シールド部２００と、絶縁性部材の一例としてガラスを用いた絶縁部４０と、を含んで構成されている。
シリコン基板１０には、例えば単結晶シリコンやポリシリコンなどを主要材料とした基板が用いられている。絶縁部４０は、絶縁性部材の一例としてのガラスに、例えばナトリウムなどのアルカリ金属元素を含んだホウ珪酸ガラスが用いられている。
【００２６】
導電部１００には、第１ポスト１０１と、第２ポスト１０２と、第１延設部１０３とを備える。導電部１００には、シリコン基板１０をエッチングすることによって、絶縁部４０の厚み方向と交差する方向に設けられた第１延設部１０３から、絶縁部４０の厚み方向に延伸する第１ポスト１０１及び第２ポスト１０２が形成されている。
また、シールド部２００は、第３ポスト２０１と、第４ポスト２０２と、第２延設部２０３とを備える。シールド部２００は、シリコン基板１０をエッチングすることによって、絶縁部４０の厚み方向と交差する方向に設けられた第２延設部２０３から、絶縁部４０の厚み方向に延伸する第３ポスト２０１及び第４ポスト２０２が形成されている。（詳細は、基板の製造方法で説明する。）
【００２７】
表裏関係にある第１面４０ａと第２面４０ｂとを有する基板１の第１面４０ａ側（Ｚ軸方向）から平面視した場合の絶縁部４０と、導電部１００と、シールド部２００との配置について図１を参照しながら説明する。基板１には、複数の導電部１００と、単一のシールド部２００とが設けられている。
基板１は、第１面４０ａに露出された、第１ポスト１０１と、第３ポスト２０１とを視認することができる。また、基板１は、絶縁部４０が透明色のガラス部材で構成されている。絶縁部４０が透明色のガラス部材で構成されているため、その絶縁部４０内に設けられている第１延設部１０３及び第２延設部２０３、第２面４０ｂに露出される第２ポスト１０２及び第４ポスト２０２を第１面４０ａ側から絶縁部４０を介して視認（透視）することができる。
【００２８】
基板１には、第２延設部２０３を介して向かい合うように複数の導電部１００が配置されている。また、第１面４０ａに露出する少なくとも一部の第１ポスト１０１を囲む様に第２延設部２０３が配置されている。また、絶縁部４０内に設けられた第１延設部１０３の少なくとも一部を囲む様に第２延設部２０３が設けられている。
第１ポスト１０１と第２延設部２０３とは、絶縁部４０を介して離間距離ｄ１を保って配置されている。また、第１延設部１０３と第２延設部２０３とは、絶縁部４０を介して離間距離ｄ２を保って配置されている。
第３ポスト２０１は、第２延設部２０３から延伸し、その第２延設部２０３と重なる様に設けられている。
【００２９】
次に、上述の基板１を断面視した場合の絶縁部４０と、導電部１００と、シールド部２００との配置について図２を参照しながら説明する。
導電部１００には、第１ポスト１０１と、第２ポスト１０２と、第１延設部１０３とを備え、第１延設部１０３が絶縁部４０内に設けられている。第１延設部１０３には、その第１延設部１０３と直交し、第１面４０ａに向かって延伸する第１ポスト１０１と、第２面４０ｂに向かって延伸する第２ポスト１０２とを備える。
第１ポスト１０１は、第１露出部１０１ａが第１面４０ａに露出される様に設けられている。また、第２ポスト１０２は、第２露出部１０２ａが第２面４０ｂに露出される様に設けられている。
【００３０】
シールド部２００には、第３ポスト２０１と、第４ポスト２０２と、第２延設部２０３とを備え、第２延設部２０３が絶縁部４０内に設けられている。第２延設部２０３には、その第２延設部２０３と直交し、第１面４０ａに向かって延伸する第３ポスト２０１と、第２面４０ｂに向かって延伸する第４ポスト２０２とを備える。
第３ポスト２０１は、第３露出部２０１ａが第１面４０ａに露出される様に設けられている。また、第４ポスト２０２は、第４露出部２０２ａが第２面４０ｂに露出される様に設けられている。
【００３１】
また、図２（ａ）、（ｂ）は、第２延設部２０３が第１ポスト１０１と離間距離ｄ１を保って配置されている状態を示している。なお、図１を用いて説明したとおり、第２延設部２０３は、第１ポスト１０１と、第１延設部１０３の一部と、を囲む様に一定の離間距離ｄ１，ｄ２を保って配置されている。
【００３２】
ここで第２延設部２０３は、第１ポスト１０１及び第１延設部１０３の一部を囲む様に配置されているため、第２延設部２０３と第１ポスト１０１との間、及び第２延設部２０３と第１延設部１０３との間に静電容量Ｃｇ（寄生容量）が生じる。即ち、第１ポスト１０１及び第１延設部１０３を含む導電部１００と、第２延設部２０３を含むシールド部２００との間に静電容量Ｃｇが生じる。
静電容量Ｃｇが生じると、導電部１００に流れる電気信号（電流）の伝搬に影響を与える虞がある。そこで、本実施形態の基板１では、第２延設部２０３と第１ポスト１０１との離間距離ｄ１、また、第２延設部２０３と第１延設部１０３との離間距離ｄ２をそれぞれ１０［μｍ］以上とすることで静電容量Ｃｇの影響を抑制することとした。
導電部１００と、シールド部２００との間に生じる静電容量Ｃｇは、誘電体の比誘電率をε、真空中の誘電率をε0、第２延設部２０３と、第１ポスト１０１及び第１延設部１０３とが対向する面積をＡ、第２延設部２０３と第１ポスト１０１及び第１延設部１０３との離間距離ｄ１，ｄ２をｄ０とした場合に次の数式１で求めることができる。
【００３３】
【数１】
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【００３４】
数式１を用いて導電部１００と、シールド部２００と、の間に生じる静電容量Ｃｇを求めた一例を説明する。
導電部１００とシールド部２００との間に位置する誘電体としての絶縁部４０（ガラス）の比誘電率を４．６、真空の誘電率ε0を８．８５×１０-12[F／m]とする。また、導電部１００とシールド部２００とが重なる（対向する）面積Ａを１００［μｍ2］、導電部１００とシールド部２００との離間距離ｄ０を４０［μｍ］とした場合の導電部１００とシールド部２００との間に生じる静電容量Ｃｇは、１０×１０-15[F]となる。
【００３５】
上述した数式１によって求めた導電部１００とシールド部２００との間に生じる静電容量Ｃｇと、離間距離ｄ０との関係を図３に示す。
図３は、数式１を用いて導電部１００とシールド部２００とが重なる（対向する）面積Ａを２００［μｍ2］、４００［μｍ2］、６００［μｍ2］、８００［μｍ2］とし、導電部１００とシールド部２００の離間距離ｄ０を１［μｍ］から１００［μｍ］とした場合における静電容量Ｃｇを求めた結果を示すものである。
【００３６】
図３に示す様に、面積Ａ１の大きさに拘わらず、離間距離ｄ０が１０［μｍ］より大きく（広く）なると静電容量Ｃｇが低下することが判る。他方、離間距離ｄ０が５［μｍ］より小さく（狭く）なると静電容量Ｃｇが急峻に増加することが判る。そこで、離間距離ｄ１、ｄ２は、導電部１００とシールド部２００とが重なる（対向する）面積Ａに拘わることなく、導電部１００とシールド部２００との間に生じる静電容量Ｃｇが小さくなる１０［μｍ］以上とすることとした。
【００３７】
図１及び図２に戻り第１ポスト１０１，第２ポスト１０２，第３ポスト２０１，第４ポスト２０２に備える電極パッド１０１ｂ，１０２ｂ，２０１ｂ，２０２ｂについて説明する。
第１ポスト１０１には、第１面４０ａに露出した第１露出部１０１ａに電極パッド１０１ｂを備える。また、第２ポスト１０２には、第２面４０ｂに露出した第２露出部１０２ａに電極パッド１０２ｂを備える。第３ポスト２０１には、第１面４０ａに露出した第３露出部２０１ａに電極パッド２０１ｂを備える。また、第４ポスト２０２には、第２面４０ｂに露出した第４露出部２０２ａに電極パッド２０２ｂを備える。
なお、電極パッド１０１ｂ，１０２ｂ，２０１ｂ，２０２ｂの材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）又はチタン（Ｔｉ）を下地膜として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）又は少なくともこれらを含む合金を用いることができる。
【００３８】
絶縁部４０は、導電部１００と、シールド部２００とを覆う様に設けられている。絶縁部４０は、導電部１００と、シールド部２００とが形成されたシリコン基板１０と接合された後に、シリコン基板１０及び絶縁部４０としてのガラスが加熱されることでガラス（絶縁部４０）が粘性流動状態となり、導電部１００と、シールド部２００とを覆う様に配置される（詳細は、複合基板の製造方法で説明する。）。
絶縁部４０は、その絶縁部４０が研磨（研削）されることで第１ポスト１０１及び第３ポスト２０１に備える第１露出部１０１ａ及び第３露出部２０１ａが第１面４０ａに露出されている。また、第２ポスト１０２及び第４ポスト２０２に備える第２露出部１０２ａ及び第４露出部２０２ａが第２面４０ｂに露出されている。
【００３９】
図１及び図２に示す基板１は、その用途として電子デバイス１ａを構成する基板として用いることができる。図２に示す基板１は、簡略して図示するセンサー等の機能素子７０が第１面４０ａに搭載され、キャップ部６０によって封止された電子デバイス１ａに用いられた場合の一例を示している。ここでは、電子デバイスを構成する基板として基板１を用いた一例を説明する。
機能素子７０は、電極（不図示）を備え、第１面４０ａに設けられた電極パッド１０１ｂとボンディングワイヤー等の配線（不図示）によって接続されている。また、電極パッド１０１ｂと機能素子７０とが直接接続（導通）されても良い。機能素子７０は、キャップ部６０によって機能素子７０が搭載された空間８０が封止され保護されている。
【００４０】
キャップ部６０は、前述した第３露出部２０１ａに設けられた電極パッド２０１ｂと接合される。接合されるキャップ部６０は、基板１に搭載される機能素子７０を覆うため凹形状で中空の空洞を有し、その凹形状の入り口、即ち開口している露出部に周縁部６１を備える。また、キャップ部６０の材料として導電性部材であるシリコンを用いることで、ホウ珪酸ガラスを用いた絶縁部４０（第１面４０ａ）と、キャップ部６０（周縁部６１）とは陽極接合法によって密接に接合することができる。また、キャップ部６０の接合封止を陽極接合と、キャップ部６０に有する貫通孔のボール封止部（不図示）の封止により行うことで、陽極接合時に生じる酸素等を空間８０から排出して機能素子７０を封止することができる。
基板１を用いた電子デバイス１ａにおいてキャップ部６０は、第３ポスト２０１の第３露出部２０１ａに設けられた電極パッド２０１ｂと接合されることでシールド部２００と電気的接続を得ることができる。例えば、シールド部２００を接地極とした場合には、キャップ部６０と電極パッド２０１ｂとが接合されることで、そのキャップ部６０を接地することができる。これにより、第１面４０ａに搭載される機能素子７０は、絶縁部４０内に設けられた第２延設部２０３と、キャップ部６０に囲まれる様に配置される。従って、キャップ部６０と、第２延設部２０３とがシールドとして作用し、機能素子７０が受ける外部からの電磁的ノイズを抑制することができる。
【００４１】
（基板の製造方法）
第１実施形態に係る基板の製造方法のフローチャートを図４に示す。図４は、基板１の製造工程の一例を示すフローチャートであり、図５（ａ）〜（ｄ）及び図６（ｅ）〜（ｈ）は、当該基板の製造工程によって加工される基板１の断面を模式的に示す断面図である。なお、図５及び図６の断面図は、図１（ａ）の線分Ｂ−Ｂ’における基板１の断面を模式的に示すものである。
【００４２】
図４に示すように、基板１の製造方法は、溝形成工程Ｓ１と、第１凹部形成工程Ｓ２と、ガラス基板接合工程Ｓ３と、第２凹部形成工程Ｓ４と、加熱工程Ｓ５と、研磨工程Ｓ６と、電極パッド形成工程Ｓ７と、切断工程Ｓ８と、を含んでいる。
基板１の製造方法について、図４に示す工程順に図５及び図６を参照しながら説明する。
【００４３】
基板１の形成は、導電性を有するシリコン基板１０に導電部１００と、シールド部２００とを形成する工程から開始する。
図５（ａ）は、導電部１００と、シールド部２００とが形成される前の第１加工面１０ａと、第２加工面１０ｂとを有するシリコン基板１０が準備された状態を示す。
【００４４】
［溝形成工程Ｓ１］
溝形成工程Ｓ１は、シリコン基板１０に第１ポスト１０１と第２延設部２０３との間に絶縁部４０を設けるための溝部１１を形成する工程である。
溝形成工程Ｓ１で形成する溝部１１は、絶縁部４０を介して配置される第２延設部２０３と第１ポスト１０１との離間距離ｄ１を保つために設けられる。
図５（ｂ）に示すように、第１加工面１０ａに溝部１１を形成するため、例えばＳｉＯ2（二酸化ケイ素）を含んでなるマスクパターン（不図示）をフォトリソグラフィー法によって形成する。当該マスクパターンは、溝部１１の部分が開口したものである。次に、当該マスクパターンを形成した第１加工面１０ａを、例えばＳＦ6（六フッ化硫黄）をエッチングガスとするドライエッチング法によってシリコン基板１０のエッチングをして溝部１１を形成する。当該エッチングで形成する溝部１１の深さは、シリコン基板１０の厚みから後述する第２凹部形成工程Ｓ４で形成する第２凹部１３の深さを差し引いた深さとする。なお、当該エッチング後に前述したマスクパターンを剥離する。
【００４５】
［第１凹部形成工程Ｓ２］
第１凹部形成工程Ｓ２は、シリコン基板１０に第１ポスト１０１及び第３ポスト２０１となる第１凹部１２を形成する工程である。
図５（ｃ）に示すように、第１加工面１０ａに第１ポスト１０１及び第３ポスト２０１となる部分を形成するため、例えばＳｉＯ2（二酸化ケイ素）を含んでなるマスクパターン（不図示）をフォトリソグラフィー法によって第１加工面１０ａに形成する。次に、当該マスクパターンを形成した第１加工面１０ａを、例えばＳＦ6（六フッ化硫黄）をエッチングガスとするドライエッチング法によってエッチングして第１凹部１２を形成する。当該工程で実行するエッチングは、第１ポスト１０１及び第３ポスト２０１となる部分のシリコン基板１０がエッチングによって侵蝕（浸食）されること抑制することが求められる。そのため、異方性（直進性の高い）エッチングが可能な例えば平行平板型ＲＩＥ（Reactiv ion etching）装置等を用いると好適である。
なお、第１凹部１２を形成した後に、前述したマスクパターンを剥離する。
【００４６】
［ガラス基板接合工程Ｓ３］
ガラス基板接合工程Ｓ３は、シリコン基板１０の第１加工面１０ａ側に絶縁部４０としてのガラス基板４１を載置して接合する工程である。
図５（ｄ）に示す様に、ガラス基板接合工程Ｓ３は、第１加工面１０ａに形成された第１ポスト１０１及び第３ポスト２０１と、例えば厚さ４００マイクロメートルのガラス基板４１とを陽極接合法によって接合する。なお、絶縁部４０としてのガラス基板４１は、ホウ珪酸ガラスを用いている。
【００４７】
陽極接合法によるシリコン基板１０（第１加工面１０ａ）とガラス基板４１との接合は、導電性を有するシリコン基板１０と、ナトリウムなどのアルカリ金属元素ン（可動元素）を含むガラス基板４１と、を概ね３６０℃の窒素雰囲気中に載置して、概ね８００Ｖの電圧をシリコン基板１０とガラス基板４１とに印加することによって接合する。これにより、シリコン基板１０とガラス基板４１とは、静電引力により接合される界面に共有結合が生じ強固に接合されるものである。なお、シリコン基板１０及びガラス基板４１に加えられる温度と電圧とは、シリコン基板１０及びガラス基板４１の厚み等の条件によって適宜変更しても良い。
【００４８】
［第２凹部形成工程Ｓ４］
第２凹部形成工程Ｓ４は、シリコン基板１０に第２ポスト１０２及び第４ポスト２０２となる第２凹部１３を形成する工程である。
図６（ｅ）に示すように、第２加工面１０ｂに第２ポスト１０２及び第４ポスト２０２となる部分を形成するため、例えばＳｉＯ2（二酸化ケイ素）を含んでなるマスクパターン（不図示）をフォトリソグラフィー法によって、第２加工面１０ｂに形成する。次に、当該マスクパターンを形成した第２加工面１０ｂを、例えばＳＦ6（六フッ化硫黄）をエッチングガスとするドライエッチング法によってエッチングして第２凹部１３を形成する。第２凹部１３の深さは、先に溝形成工程Ｓ１で形成された溝部１１に到達する深さとする。これにより、シリコン基板１０に形成された導電部１００と、シールド部２００とが切り離され、それぞれを独立させることができる。
なお、第２凹部１３を形成した後に、第２加工面１０ｂに形成したマスクパターンを剥離する。
【００４９】
［加熱工程Ｓ５］
加熱工程Ｓ５は、シリコン基板１０と、第１加工面１０ａに載置して接合されたガラス基板４１とを加熱し、ガラス基板４１を融解させて溝部１１と、第１凹部１２及び第２凹部１３とに充填する工程である。また、導電部１００と、シールド部２００とを絶縁部４０としてのガラス基板４１で覆う工程である。
図６（ｆ）に示す様に、加熱工程Ｓ５は、前述のガラス基板接合工程Ｓ３で接合されたシリコン基板１０（導電部１００、シールド部２００）と、ガラス基板４１とを型枠９００に載置する。型枠９００は、底部９０１に設けられた保持板９１０と、蓋（不図示）と、ヒーター（不図示）とを備える。保持板９１０には、複数の孔（不図示）と、ヒーター（不図示）とを備える。また、型枠９００は、シリコン基板１０と、ガラス基板４１とが載置された型枠９００内を密閉して加熱することができる。また、型枠９００は、保持板９１０が設けられた底部９０１に真空ポンプ（不図示）が接続され、保持板９１０に設けられた複数の孔を介して型枠９００内を減圧することができる。
【００５０】
加熱工程Ｓ５は、型枠９００内に載置されたシリコン基板１０と、ガラス基板４１とをヒーターによって概ね７００℃から８２０℃に加熱する。ガラス基板４１は、加熱されることで融解して粘性流動状態となる。融解されたガラス基板４１は、第１凹部１２には充填される。また、型枠９００内が減圧されているため、融解されたガラス基板４１は、溝部１１を通じて第２凹部１３へ流動する。このことで、ガラス基板４１を溝部１１と第２凹部１３にも充填することができる。従って、上述した加熱工程によって、絶縁部４０としてのガラス基板４１で導電部１００と、シールド部２００とを覆うことができる。
【００５１】
［研磨工程Ｓ６］
研磨工程Ｓ６は、前述の加熱工程Ｓ５によって導電部１００及びシールド部２００が絶縁部４０で覆われた基板１を研磨する工程である。研磨工程Ｓ６は、図６（ｇ）に示すように、基板１（絶縁部４０）を研磨して第１面４０ａに第１露出部１０１ａ（第１ポスト１０１）及び第３露出部２０１ａ（第３ポスト２０１）を露出させる。また、第２面４０ｂに第２露出部１０２ａ（第２ポスト１０２）及び第４露出部２０２ａ（第４ポスト２０２）を露出させる。
研磨工程Ｓ６は、例えば研磨装置（不図示）等によって、遊離砥粒を含むスラリー（水溶液）を基板１（絶縁部４０）の研磨をする面である第１面４０ａ及び第２面４０ｂに供給、又は介在させ研磨パッドによって第１面４０ａ及び第２面４０ｂを研磨する平面研磨によって実行する。
なお、研磨工程Ｓ６は、絶縁部４０に覆われた第１ポスト１０１、第２ポスト１０２、第３ポスト２０１、第４ポスト２０２を絶縁部４０の外に露出させることができれば良く、研削等ほかの露出方法を用いても良い。
【００５２】
［電極パッド形成工程Ｓ７］
電極パッド形成工程Ｓ７は、前述の研磨工程Ｓ６によって第１面４０ａに露出させた第１露出部１０１ａ及び第３露出部２０１ａに電極パッド１０１ｂ及び電極パッド２０１ｂを形成する工程である。また、絶縁部４０の第２面４０ｂに露出させた第２露出部１０２ａ及び第４露出部２０２ａに電極パッド１０２ｂ及び電極パッド２０２ｂを形成する工程である。
図５（ｈ）に示すように電極パッド形成工程Ｓ７は、第１露出部１０１ａ及び第３露出部２０１ａに、例えばスパッタリング法によって電極パッド１０１ｂ，２０１ｂを形成する。また、第２露出部１０２ａ及び第４露出部２０２ａに、同様に電極パッド１０２ｂ，２０２ｂを形成する。本実施形態では、例えばクロム（ｃｒ）又はチタン（Ｔｉ）を下地膜として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）又は少なくともこれらを含む合金などの材料を用いるスパッタリング法によって電極パッド１０１ｂ，１０２ｂ，２０１ｂ，２０２ｂを形成したが、これに限定されることなく蒸着法などを用いて形成しても良い。
【００５３】
［切断工程Ｓ８］
切断工程Ｓ８は、ウエハー上に複数個取りされる基板１を個片に切断（分割）する工程である。切断工程Ｓ８は、ダイシング装置（不図示）等によって、ダイシングラインＤＬに沿って個片に切断する。切断工程Ｓ８が完了することによって、基板１を得ることができる。
【００５４】
上述した第１実施形形態によれば以下の効果が得られる。
このような基板１によれば、第２延設部２０３に囲まれる様に第１ポスト１０１と、少なくとも一部が第２延設部２０３に囲まれる様に第１延設部１０３が設けられているため、第１面４０ａ側と第２面４０ｂ側との間の電磁的なノイズの遮蔽をすることができる。また、第２延設部２０３が絶縁部４０内に設けられているため、湿度等の水分によって第２延設部２０３が導電部１００等と短絡することを抑制することができる。また、離間距離ｄ１，ｄ２を保って第１ポスト１０１及び第１延設部１０３と、第２延設部２０３とが配置されているため、静電容量（寄生容量）の発生を抑制することができる。
従って、このような基板１は、シールドとしての第２延設部２０３を絶縁部４０内に設けることで基板１の信頼性を高め、絶縁部４０を介し離間して第２延設部２０３に囲まれる様に導電部１００を設けることで配線のレイアウトの自由度を高め、シールドを迂回する配線による基板１の大型化を抑制することができる。
【００５５】
このような基板１の製造方法によれば、ガラス基板接合工程Ｓ３で載置して接合された絶縁部４０としてのガラス基板４１を加熱工程Ｓ５で加熱することによって融解させて、導電部１００とシールド部２００とを絶縁部４０で覆うことができる。また、導電部１００は、絶縁部４０を介して離間させて基板１の略全域に設けられる第２延設部２０３に囲まれる様に配置することができる。
従って、このような基板１の製造方法は、第１面４０ａと第２面４０ｂとの間の電磁的ノイズを遮蔽する第２延設部２０３を絶縁部４０内に配置することができる。また、導電部１００とシールド部２００とが離間する部分に絶縁部４０を設けることができる。
【００５６】
このような基板１を用いた電子デバイス１ａによれば、キャップ部６０が第１面４０ａに露出した第３ポスト２０１に有する第３露出部２０１ａと接合されるため、機能素子７０は、第２延設部２０３とキャップ部６０とに囲まれる様に配置することができる。
従って、シールド部２００を接地極とすることで、キャップ部６０と、第２延設部２０３とがシールドとして作用し、機能素子７０が受ける外部からの電磁的ノイズを抑制した電子デバイス１ａを得ることができる。また、キャップ部６０を接地する配線、例えばボンディングワイヤーなどが不要なため、電子デバイス１ａの厚みを抑制することができる。
【００５７】
（第２実施形態）
第２実施形態に係る基板を図７及び図８に示す。図７は、基板２の概略構成を示す図で、基板２を上面（Ｚ軸）方向から見た場合の平面図である。図８（ａ）は、図７に示す線分Ｃ−Ｃ’において基板２を断面（Ｙ軸）方向から見た場合の断面図である。図８（ｂ）は、図７に示す線分Ｄ１−Ｄ４において基板２を断面（Ｙ軸）方向から見た場合の断面図である。図８（ｃ）は、図７に示す線分Ｅ−Ｅ’において基板２を断面（Ｙ軸）方向から見た場合の断面図である。
なお、図８は、電子デバイス２ａを構成する基板として本実施形態の基板２を用いた場合に、当該基板２に機能素子７０と、それを封止するキャップ部６０とが備えられた場合を示すものである。また、図７は、ウエハー上に複数個取りされる基板１を示すもので図１に示す１点鎖線は、基板２を個片に分割する際のダイシングラインＤＬ（分割線）を表す。なお、図７に示す本実施形態の基板２は、第１実施形態で図１に示した基板１と同様に基板２を構成する絶縁部４０が透明色のガラスで形成されており、絶縁部４０内に設けられている導電部１００とシールド部２００とが透視することができる態様を示している。
【００５８】
本実施形態の基板２は、第１実施形態で説明をした基板１と比較して導電部１００全体がシールド部２００の第２延設部２０３に囲まれる様に設けられている点が異なる。その他の構成等は同様であるため、同様の構成には同じ符号を付し、説明は省略または簡略とする。
【００５９】
（基板の構造）
図７及び図８に示す本実施形態の基板２は、絶縁部４０と、導電部１００と、シールド部２００とを備えている。
導電部１００は、絶縁部４０内に設けられた第１延設部１０３と、第１延設部１０３に対し直交し絶縁部４０の第１面４０ａに向かって延伸する第１ポスト１０１と、第１延設部１０３に対し直交し絶縁部４０の第２面４０ｂに向かって延伸する第２ポスト１０２とを備える。
シールド部２００は、絶縁部４０内に設けられた第２延設部２０３と、第２延設部２０３に対し直交し絶縁部４０の第１面４０ａに向かって延伸する第３ポスト２０１と、第２延設部２０３に対し直交し絶縁部４０の第２面４０ｂに向かって延伸する第４ポスト２０２とを備える。
【００６０】
本実施形態の基板２について、第１面４０ａ側（Ｚ軸方向）から平面視した場合の絶縁部４０と、導電部１００と、シールド部２００との配置について図７を参照しながら説明する。基板２には、複数の導電部１００と、単一のシールド部２００とが設けられている。
基板１と同様に基板２は、第１面４０ａに露出された、第１ポスト１０１と、第３ポスト２０１とを視認することができる。また、絶縁部４０は透明色のガラス部材で構成されているため、絶縁部４０内に設けられた第１延設部１０３及び第２ポスト１０２と、第２延設部２０３とを視認することができる。
【００６１】
基板２には、第２延設部２０３を介して向かい合うように導電部１００が配置されている。また、導電部１００は、第２延設部２０３に囲まれる様に配置されている。
また、導電部１００と第２延設部２０３との間には、絶縁部４０が設けられている。第２延設部２０３は、絶縁部４０を介して離間距離ｄ１，ｄ２を保って少なくても一部の導電部１００を囲む様に設けられている。
ここで、第１面４０ａに露出する第１ポスト１０１は、離間距離ｄ１を保って第２延設部２０３に内側に配置されている。また、絶縁部４０内に配置されている第１延設部１０３は、離間距離ｄ２を保って第２延設部２０３に内側に配置されている。また、第２面４０ｂに露出する第２ポスト１０２は、離間距離ｄ２を保って第２延設部２０３の内側に配置されている。
【００６２】
次に、上述の基板２を断面視した場合の絶縁部４０と、導電部１００と、シールド部２００との配置について図８を参照しながら説明する。
導電部１００には、第１ポスト１０１と、第２ポスト１０２と、第１延設部１０３とを備え、第１延設部１０３が絶縁部４０内に設けられている。絶縁部４０の厚み方向と交差する方向に設けられた第１延設部１０３には、その第１延設部１０３と直交し、絶縁部４０の厚み方向の第１面４０ａに向かって延伸する第１ポスト１０１と、第２面４０ｂに向かって延伸する第２ポスト１０２とを備える。
第１ポスト１０１は、その第１ポスト１０１に有する第１露出部１０１ａが第１面４０ａに露出される様に設けられている。また、第２ポスト１０２は、その第２ポスト１０２に有する第２露出部１０２ａが第２面４０ｂに露出される様に設けられている。
【００６３】
シールド部２００には、第３ポスト２０１と、第４ポスト２０２と、第２延設部２０３とを備え、第２延設部２０３が絶縁部４０内に設けられている。絶縁部４０の厚み方向と交差する方向に設けられた第２延設部２０３には、その第２延設部２０３と直交し、絶縁部４０の厚み方向の第１面４０ａに向かって延伸する第３ポスト２０１と、第２面４０ｂに向かって延伸する第４ポスト２０２とを備える。
第３ポスト２０１は、その第３ポスト２０１に有する第３露出部２０１ａが第１面４０ａに露出される様に設けられている。また、第４ポスト２０２は、その第４ポスト２０２に有する第４露出部２０２ａが第２面４０ｂに露出される様に設けられている。
【００６４】
なお、図８（ａ）は、第２延設部２０３が第１ポスト１０１と離間距離ｄ１を保って配置されている状態を示している。また、図８（ｂ）、（ｃ）は、導電部１００を囲む様に第２延設部２０３が基板２の略全域に配置されている状態と第２延設部２０３が第２ポスト１０２と離間距離ｄ１を保って配置されている状態を示している。
【００６５】
図７及び図８に示す基板２は、第１実施形態で説明をした基板１と同様に、その用途として電子デバイス２ａを構成する基板として用いることができる。図８に示す基板２には、簡略して図示するセンサー等の機能素子７０が第１面４０ａに搭載され、キャップ部６０で封止された電子デバイスの一例を示している。なお、電子デバイス２ａの構成は第１実施形態で説明をした基板１を用いた電子デバイス１ａと同様であるため、説明は省略とする。
【００６６】
（基板の製造方法）
第２実施形態に係る基板の製造方法は、第１実施形態で説明をした基板１の製造方法と同様に、溝形成工程Ｓ１と、第１凹部形成工程Ｓ２と、ガラス基板接合工程Ｓ３と、第２凹部形成工程Ｓ４と、加熱工程Ｓ５と、研磨工程Ｓ６と、電極パッド形成工程Ｓ７と、切断工程Ｓ８と、を含んでいる。なお、基板２の製造方法は、基板１の製造方法と同様であるため説明を省略する。
【００６７】
上述した第２実施形形態によれば以下の効果が得られる。
このような基板２によれば、第２延設部２０３に少なくとも一部が囲まれる様に導電部１００が設けられているため、第１面４０ａ側と第２面４０ｂ側との間の電磁的なノイズの遮蔽をすることができる。また、第２延設部２０３が絶縁部４０内に設けられているため、第２延設部２０３が酸化されることを抑制することができる。また、離間距離ｄ１，ｄ２を保って導電部１００と、第２延設部２０３とが配置されているため、静電容量Ｃｇ（寄生容量）の発生を抑制することができる。
従って、このような基板２及び基板２を用いた電子デバイス２ａは、シールドとしての第２延設部２０３を絶縁部４０内に設けることで、その基板２及び電子デバイス２ａの信頼性を高めることができる。また、絶縁部４０を介し離間して第２延設部２０３に囲まれる様に導電部１００を設けることで、配線のレイアウトの自由度を高め、シールドを迂回する配線による基板２及び電子デバイス２ａの大型化を抑制することができる。
【００６８】
（第３実施形態）
本実施形態の電子機器の一例を図９に示す。図９は、第１及び第２実施形態で説明した基板１及び基板２の用途として示した電子デバイス１ａ及び電子デバイス２ａのいずれか１つが搭載される電子機器の一例である携帯電話機１０００を示す。
【００６９】
電子デバイス１ａ及び２ａは、搭載される機能素子７０がシールドされているため外部からの電磁的ノイズの影響を受けにくい。また、第１面４０ａに設けられた電極パッド２０１ｂとキャップ部６０の周縁部６１とを接合することで、機能素子７０を封止するキャップ部６０の接地をすることができ、キャップ部６０の接地に用いる、例えばボンディングワイヤー等が露出していない。よって、電子デバイス１ａ及び２ａの厚みが抑制されている。このことから、電磁的ノイズの影響を受けやすく、小型化（薄型化）が要求される電子機器に搭載される電子デバイス１ａ又は２ａとして好適である。本実施形態では、例えば、図９に示す携帯電話機１０００に搭載された場合を説明する。
【００７０】
図９において、携帯電話機１０００は、液晶表示装置１００１、複数の操作ボタン１００２等を備え配置されている。近年、このような携帯電話機１０００においても手ぶれ補正機能がついたカメラを備えている場合がある。そこで、携帯電話機１０００には、手振れ補正機能等に用いる角速度検知のため、電子デバイス１ａ又は２ａとしてのジャイロセンサー（図示省略）が内蔵されている。
【００７１】
なお、本実施形態の電子デバイス１ａ又は２ａとしてのジャイロセンサー等を備える電子機器は、上述の携帯電話機１０００に限らず、携帯型無線電話装置、デジタルスチルカメラ、パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、インクジェット式吐出装置、電子手帳、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【００７２】
上述した第３実施形態によれば、以下の効果が得られる。
このような携帯電話機１０００を例とする電子機器によれば、上述した電磁的ノイズの影響を受けにくい電子デバイス１ａ又は２ａが携帯電話機１０００に搭載されることで、電磁的ノイズの影響を抑制し、小型化（薄型化）を成した電子機器を得ることができる。
【符号の説明】
【００７３】
１，２…基板、１ａ，２ａ…電子デバイス、１０…シリコン基板、４０…絶縁部、４０ａ…第１面、４０ｂ…第２面、４１…ガラス基板、６０…キャップ部、７０…機能素子、８０…空間、１００…導電部、１０１…第１ポスト、１０２…第２ポスト、１０３…延設部、２００…シールド部、２０１…第３ポスト、２０２…第４ポスト、２０３…第２延設部、９００…型枠、１０００…携帯電話機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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