(57)【要約】【課題】  小形、簡単な構成によって、欠陥の周囲を損傷させずに欠陥を除去できる有機ＥＬ素子の欠陥除去装置を提供する。【解決手段】  本発明は、アノード電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極層が積層されてなる有機ＥＬ素子の欠陥部分を除去する装置に関する。そして、アノード電極層及びカソード電極層間に、逆方向に電圧を印加可能な電圧印加部と、この電圧印加部を制御し、所定の印加電圧パターンに従って、アノード電極層及びカソード電極層間に逆方向電圧を印加させる欠陥除去制御手段とを有することを特徴とする。【選択図】      図６
2013246964.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極層が積層されてなる有機ＥＬ素子の欠陥部分を除去する有機ＥＬ素子の欠陥除去装置において、
上記アノード電極層及び上記カソード電極層間に、逆方向に電圧を印加可能な電圧印加部と、
上記電圧印加部を制御し、所定の印加電圧パターンに従って、上記アノード電極層及び上記カソード電極層間に逆方向電圧を印加させる欠陥除去制御手段と
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の欠陥除去装置。
【請求項２】
外部から、処理対象の有機ＥＬ素子の欠陥部分の有無、有する欠陥部分の種類の情報を取得する欠陥種類取得部と、
欠陥部分の種類毎に、その種類に対応した印加電圧パターンを記憶している印加電圧パターン記憶部とを有し、
上記欠陥除去制御手段は、取得した欠陥部分の有無、有する欠陥部分の種類に応じて、上記印加電圧パターン記憶部から印加電圧パターンを取り出し、その印加電圧パターンに従って逆方向電圧の印加を制御することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の欠陥除去装置。
【請求項３】
上記所定の印加電圧パターンは、小さい方の逆方向電圧から順に、しかも、各逆方向電圧をパルス状に印加させるものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子の欠陥除去装置。
【請求項４】
ある逆方向電圧の印加時における、上記正孔輸送層、上記発光層、上記電子輸送層を介して、上記アノード電極層及び上記カソード電極層間を流れる電流値を検出する電流計を備え、
上記欠陥除去制御手段は、上記電流計による検出電流値に基づいて、欠陥部分が除去されたか否かを判断し、欠陥部分が除去されたときには、それより大きい逆方向電圧の印加を省略することを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ素子の欠陥除去装置。
【請求項５】
上記所定の印加電圧パターンの各逆方向電圧を印加するパルス幅は、そのパルス幅で短絡部分を備えない標準的な有機ＥＬ素子に対して予め測定したＶ−Ｉ特性が本来の特性曲線と同様な曲線を呈するパルス幅に選定されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の有機ＥＬ素子の欠陥除去装置。
【請求項６】
アノード電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極層が積層されてなる有機ＥＬ素子の欠陥部分を除去する有機ＥＬ素子の欠陥除去方法において、
上記アノード電極層及び上記カソード電極層間に、逆方向に電圧を印加可能な電圧印加部を有し、欠陥除去制御手段が、上記電圧印加部を制御し、所定の印加電圧パターンに従って、上記アノード電極層及び上記カソード電極層間に逆方向電圧を印加させることを特徴とする有機ＥＬ素子の欠陥除去方法。
【請求項７】
アノード電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極層が積層されてなる有機ＥＬ素子における欠陥部分の有無、有する欠陥部分の種類を特定する欠陥種類特定装置において、
印加電圧毎の電流値である基準Ｖ−Ｉ特性を記憶している基準Ｖ−Ｉ特性記憶部と、
特定対象の上記有機ＥＬ素子における、印加電圧毎の電流値であるＶ−Ｉ特性を測定するＶ−Ｉ特性測定部と、
基準Ｖ−Ｉ特性の電流値に比較して、測定電流値が異なっている印加電圧があるか否か、ある場合における印加電圧の値の範囲に基づいて、欠陥部分の有無、有する欠陥部分の種類を特定する短絡種類特定制御手段と
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の欠陥種類特定装置。
【請求項８】
アノード電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極層が積層されてなる有機ＥＬ素子における欠陥部分の有無、有する欠陥部分の種類を特定する欠陥種類特定方法において、
印加電圧毎の電流値である基準Ｖ−Ｉ特性を記憶している基準Ｖ−Ｉ特性記憶部と、特定対象の上記有機ＥＬ素子における、印加電圧毎の電流値であるＶ−Ｉ特性を測定するＶ−Ｉ特性測定部とを有し、
短絡種類特定制御手段は、基準Ｖ−Ｉ特性の電流値に比較して、測定電流値が異なっている印加電圧があるか否か、ある場合における印加電圧の値の範囲に基づいて、欠陥部分の有無、有する欠陥部分の種類を特定する
ことを特徴とする有機ＥＬ素子の欠陥種類特定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子の欠陥除去装置及び方法、並びに、欠陥種類特定装置及び方法に関し、例えば、照明用の有機ＥＬパネルにおける短絡部分を除去したりする場合に適用し得るものである。
【背景技術】
【０００２】
照明用の有機ＥＬパネル１は、一般的には、図１４や図１５に示すように、絶縁基板あるガラス基板２上に、アノード電極層（例えば、ＩＴＯ膜）３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、カソード電極層７が順次積層された構成を有する。有機ＥＬパネル１において、アノード電極層３とカソード電極層７に短絡部分が存在すると非発光となる。短絡部分は、例えば、アノード電極層３の成膜状態に起因して発生する。より具体的に言えば、図１４に示すように、アノード電極層３において突起部分３Ａが存在し、その突起部分３Ａがカソード電極層７まで達すると短絡状態になる。また、アノード電極層３に形成される突起部分３Ａだけでなく、図１５に示すような各層内に存在する材料元素の塊５Ａが短絡の１つの原因となることもある。結晶化した材料元素の塊が存在する部分は、初期状態では１μＡ／ｃｍ２程度の軽微な漏れ電流値であるが、発光時の酸化・還元作用による副反応によって短絡に至る場合がある。
【０００３】
アノード電極層３及びカソード電極層７間等が短絡すると、電流集中により発熱し、周囲も発熱されるため、短絡部分周辺の発光部は、発光による発熱に、短絡による電流集中の発熱が付加されて劣化が促進され、非発光部分の面積が広がることで致命的な欠陥に至る。
【０００４】
また、電流集中部分が広がることにより、部分的な非発光状態から全体が発光しない状態へ遷移することも生じる。
【０００５】
そのため、従来、短絡の課題を解決するための種々の方法が提案されている。特許文献１には、短絡部分が生じないような有機ＥＬ素子の製造方法が提案されている。また、特許文献２には、生じた短絡部分をレーザによって焼損させて修復する方法が記載されている。さらに、特許文献３には、アノード電極層とカソード電極層との間に電圧を印加するエージング処理を行って膜に存在する欠陥部をオープン破壊させる際に、逆バイアス電圧を印加したときに流れる電流を測定することにより求められた、欠陥部の破壊電圧及び有機ＥＬ素子の破壊電圧の間であり、かつ、有機ＥＬ素子の実駆動時の逆電圧以上となる電圧範囲を、エージング処理における印加電圧の範囲としてエージングを行うことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−０８１９９８号公報
【特許文献２】特開２００５−２７６６００号公報
【特許文献３】特開２００３−２８２２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の記載の製造方法では、有機ＥＬ素子の歩留まりを高めることはできても、短絡部分を有する有機ＥＬ素子を皆無とすることはできず、短絡部分を有する有機ＥＬ素子が生じた場合にはその有機ＥＬ素子を廃棄しなければならない。短絡部分を有する有機ＥＬ素子に対しては、特許文献２や特許文献３の記載技術のように、短絡部分を修復する方法が好ましい。
【０００８】
特許文献２の記載の修復方法は、レーザを用いるため、修復装置が大形、複雑になる。また、短絡部分の位置を検出しなければレーザを照射することができず、位置の特定に多くの工数が必要となる。また、位置が特定できないような短絡部分を修復することはできない。この点、特許文献３の記載技術のように、アノード電極層とカソード電極層との間に逆方向電圧を印加する構成は、修復のための全体構成を小形、簡単なものにできると共に、短絡部分の位置の特定が不要であって好ましい。
【０００９】
特許文献３の記載方法によっても、短絡部分がオープン化できない有機ＥＬ素子が存在する。特許文献３の記載方法は、有機ＥＬ表示パネルが短絡除去対象となっており、有機ＥＬ表示パネルの各セル毎に顕微鏡を使った目視で短絡部分の有無を捉え、短絡部分を有するセルの短絡部分がオープン化する逆方向電圧と、正常なセルが破壊される逆方向電圧とを検出して、その中間の逆方向電圧を短絡除去用の電圧に決定して短絡部分を除去するものである。そのため、照明用の有機ＥＬパネルのような１枚のパネルが複数のセルを備えない場合、短絡除去用の電圧の決定に多くのパネルを用いて検査しなければならず、無駄にするパネル数が多く、このような照明用の有機ＥＬパネルの場合には、特許文献３の記載方法を適用し難い。適切な逆方向電圧の検出を行わずに、大きな逆方向電圧を印加することとして短絡部分を除去することも考えられるが、このような場合には、短絡部分が除去された後にも大きな逆方向電圧の印加により、その近傍を破壊する恐れがあり、また、短絡部分を備えない正常なパネルに損傷を与える恐れがある。
【００１０】
さらに、特許文献２及び特許文献３の記載方法は、アノード電極層及びカソード電極層間の短絡部分の除去を意図しているものであり、上述した中間層短絡部分の除去は未解決のものである。また、製造工程へ欠陥の情報をフィードバックする場合には、欠陥の種類が特定できた方が好ましいが、従来、欠陥の有無を検出できても、その種類を特定する方法は提案されていなかった。
【００１１】
そのため、小形、簡単な構成によって、欠陥の周囲を損傷させることなく、種々の欠陥に対して適切に除去することが可能な有機ＥＬ素子の欠陥除去装置及び方法が望まれている。また、欠陥種類を特定できる有機ＥＬ素子の欠陥種類特定装置及び方法が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、第１の本発明は、アノード電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極層が積層されてなる有機ＥＬ素子の欠陥部分を除去する有機ＥＬ素子の欠陥除去装置において、（１）上記アノード電極層及び上記カソード電極層間に、逆方向に電圧を印加可能な電圧印加部と、（２）上記電圧印加部を制御し、所定の印加電圧パターンに従って、上記アノード電極層及び上記カソード電極層間に逆方向電圧を印加させる欠陥除去制御手段とを有することを特徴とする。
【００１３】
第２の本発明は、アノード電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極層が積層されてなる有機ＥＬ素子の欠陥部分を除去する有機ＥＬ素子の欠陥除去方法において、上記アノード電極層及び上記カソード電極層間に、逆方向に電圧を印加可能な電圧印加部を有し、欠陥除去制御手段が、上記電圧印加部を制御し、所定の印加電圧パターンに従って、上記アノード電極層及び上記カソード電極層間に逆方向電圧を印加させることを特徴とする。
【００１４】
第３の本発明は、アノード電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極層が積層されてなる有機ＥＬ素子における欠陥部分の有無、有する欠陥部分の種類を特定する欠陥種類特定装置において、（１）印加電圧毎の電流値である基準Ｖ−Ｉ特性を記憶している基準Ｖ−Ｉ特性記憶部と、（２）特定対象の上記有機ＥＬ素子における、印加電圧毎の電流値であるＶ−Ｉ特性を測定するＶ−Ｉ特性測定部と、（３）基準Ｖ−Ｉ特性の電流値に比較して、測定電流値が異なっている印加電圧があるか否か、ある場合における印加電圧の値の範囲に基づいて、欠陥部分の有無、有する欠陥部分の種類を特定する短絡種類特定制御手段とを有することを特徴とする。
【００１５】
第４の本発明は、アノード電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極層が積層されてなる有機ＥＬ素子における欠陥部分の有無、有する欠陥部分の種類を特定する欠陥種類特定方法において、印加電圧毎の電流値である基準Ｖ−Ｉ特性を記憶している基準Ｖ−Ｉ特性記憶部と、特定対象の上記有機ＥＬ素子における、印加電圧毎の電流値であるＶ−Ｉ特性を測定するＶ−Ｉ特性測定部とを有し、短絡種類特定制御手段は、基準Ｖ−Ｉ特性の電流値に比較して、測定電流値が異なっている印加電圧があるか否か、ある場合における印加電圧の値の範囲に基づいて、欠陥部分の有無、有する欠陥部分の種類を特定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の有機ＥＬ素子の欠陥除去装置及び方法によれば、小形、簡単な構成によって、欠陥の周囲を損傷させることなく、種々の欠陥に対して適切に除去することができる。
【００１７】
また、本発明の有機ＥＬ素子の欠陥種類特定装置及び方法によれば、存在する欠陥部分の種類を特定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態の短絡種類特定・短絡除去装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】実施形態の装置の処理対象である照明用の有機ＥＬパネルの層構造を示す概略断面図である。
【図３】実施形態の装置の処理対象である照明用の有機ＥＬパネルを示す平面図である。
【図４】実施形態の装置における短絡種類の特定動作を示すフローチャートである。
【図５】短絡種類の説明図である。
【図６】実施形態の装置における短絡部分の除去動作を示すフローチャートである。
【図７】実施形態の装置において逆方向電圧を適用する理由の説明図である。
【図８】実施形態の装置の処理対象である照明用の有機ＥＬパネルの等価回路図である。
【図９】実施形態の装置における逆方向電圧の印加方法の説明図である。
【図１０】実施形態の装置において逆方向電圧をパルス状に印加する理由の説明図である。
【図１１】実施形態の装置において逆方向電圧の印加時間が短い場合の不都合の説明図である。
【図１２】実施形態の装置における逆方向電圧の印加時間を決定する方法の説明図である。
【図１３】実施形態の装置において適用できない逆方向電圧の説明図である。
【図１４】照明用の有機ＥＬパネルにおける短絡原因（その１）を示す説明図である。
【図１５】照明用の有機ＥＬパネルにおける短絡原因（その２）を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（Ａ）主たる実施形態
以下、本発明に係る有機ＥＬ素子の欠陥除去装置及び方法、並びに、欠陥種類特定装置及び方法の一実施形態を、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
この実施形態が意図している除去対象の欠陥は、アノード電極層及びカソード電極層間を短絡させる短絡部分と、カソード電極層までは到達しないがアノード電極層から発光層や電子輸送層まで延びているような突起部分（厳密には短絡部分ではないが、以下では、このような欠陥部分に対しても短絡部分と呼び、短絡種類に含めることにする）である。以下では、実施形態の装置を、短絡種類特定・短絡除去装置と呼ぶ。
【００２１】
（Ａ−１）実施形態の構成
図１は、実施形態の短絡種類特定・短絡除去装置の電気的構成を示すブロック図である。
【００２２】
図１において、短絡種類特定・短絡除去装置１０は、電圧印加部１１、電流計１２、上位制御部１３、パネル搬送・着脱機構制御部１４、情報入出力部１５、短絡種類特定制御部１６、基準Ｖ−Ｉ特性記憶部１７、Ｖ−Ｉ特性測定部１８、短絡種類情報蓄積部１９、短絡除去制御部２０及び短絡除去用印加電圧パターン記憶部２１を有する。
【００２３】
この実施形態の処理対象（短絡種類の特定対象かつ短絡部分の除去対象）は、上述した照明用の有機ＥＬパネル１である。照明用の有機ＥＬパネル１は、上述した図１４や図１５では言及しなかったが、発光層５は、より詳細には、図２（Ａ）や図２（Ｂ）に示すように、赤成分の発光に寄与する赤発光層５Ｒ、緑成分の発光に寄与する緑発光層５Ｇ及び青成分の発光に寄与する青発光層５Ｂからなり、正孔輸送層４側から、赤発光層５Ｒ、緑発光層５Ｇ、青発光層５Ｂの順に積層されている。
【００２４】
また、照明用の有機ＥＬパネル１は、図３の平面図に示すように、例えば、有機ＥＬパネル本体１Ａと、有機ＥＬパネル本体１Ａのアノード電極層３に電気的に接続されている、有機ＥＬパネル本体１Ａの周囲に設けられた複数のアノード端子部８と、有機ＥＬパネル本体１Ａのカソード電極層７に電気的に接続されている、有機ＥＬパネル本体１Ａの周囲に設けられた複数のカソード端子部９とを有する。有機ＥＬパネル本体１Ａは、例えば、外形が１００ｍｍ×１００ｍｍ程度のものである。アノード端子部８には、短絡種類特定・短絡除去装置１０のアノード端子用の接続具（例えばプローブ；図示せず）が接続され、カソード端子部９には、短絡種類特定・短絡除去装置１０のカソード端子用の接続具（例えばプローブ；図示せず）が接続され、これにより、短絡種類特定・短絡除去装置１０が有機ＥＬパネル１に対する所定の処理を実行し得るようになされている。図３の例では、アノード端子部８及びカソード端子部９が矩形形状の対向する２辺に配置されたものを示したが、４辺共に配置されていても良く、また、いずれか１辺だけに配置されていても良い。全てのアノード端子部８にアノード端子用の接続具を接続する必要はないが、アノード電極層３にできるだけ均一に電圧を印加するために全てのアノード端子部８にアノード端子用の接続具を接続することが好ましい。カソード端子部９についても同様である。図１では、図面表記の簡便さから、アノード端子部８及びカソード端子部９がそれぞれ１個のように記載しているが、例えば、図３に示す全てのアノード端子部８及びカソード端子部９に接続具が接続される。
【００２５】
電圧印加部１１は、短絡種類特定制御部１６や短絡除去制御部２０の制御下で、アノード端子部８、カソード端子部９を介して、アノード電極層３及びカソード電極層７間に指示された印加電圧を印加するものである。ここで、電圧印加部１１は、アノード電極層３の方がカソード電極層７より高電位になる方向（順方向）に印加することもできれば、カソード電極層７の方がアノード電極層３より高電位になる方向（逆方向）に印加することもできるものである。
【００２６】
電流計１２は、アノード電極層３及びカソード電極層７間に電圧が印加されている際にアノード電極層３及びカソード電極層７間に順方向若しくは逆方向に流れる電流を検出するものである。
【００２７】
上位制御部１３は、当該短絡種類特定・短絡除去装置１０の全体を制御すると共に、処理結果を出力したりするものである。
【００２８】
パネル搬送・着脱機構制御部１４は、上位制御部１３の制御下で、図示しないコンベア等の搬送機構によって前工程の処理装置から搬送されてきた有機ＥＬパネル１を、短絡種類の特定や短絡部分の除去を行う図示しないパネル受け部に装着すると共に、処理後の有機ＥＬパネル１をパネル受け部から離脱させて、次工程の処理装置に搬送機構によって搬送させるように、各部の機構を制御するものである。
【００２９】
ここで、当該短絡種類特定・短絡除去装置１０が、複数の有機ＥＬパネル１に対する処理を並列的に行うものであっても良い。このような場合において、各パネル受け部に装着されている複数の有機ＥＬパネル１の処理段階、処理工程が同じになる並列処理であっても良く、複数の有機ＥＬパネル１の処理段階、処理工程が少しずつ異なるような並列処理であっても良い。例えば、ある有機ＥＬパネルに対する短絡種類の特定工程の処理を実行しているときに、短絡種類の特定工程を終了した他の有機ＥＬパネルに対して短絡部分の除去工程の処理を並行的に実行するものであっても良い。
【００３０】
情報入出力部１５は、例えば、タッチパネルやプリンタやブザー等が該当し、上位制御部１３への情報を入力したり、上位制御部１３からの情報を出力したりするものである。
【００３１】
短絡種類特定制御部１６は、上位制御部１３の制御下で、短絡種類の特定動作の制御を実行するものである。短絡種類特定制御部１６は、Ｖ−Ｉ特性測定部１８によって、現在の処理対象の有機ＥＬパネル１のＶ−Ｉ特性（例えば、順方向電圧印加時のＶ−Ｉ特性とする）を測定させ、測定で得られたＶ−Ｉ特性曲線と、基準Ｖ−Ｉ特性記憶部１７に記憶されているＶ−Ｉ特性の基準曲線とを照合して、短絡部分の有無や、存在する短絡部分の種類を決定するものである。短絡部分の有無や、存在する短絡部分の種類の決定方法については、後述する動作説明の項で明らかにする。
【００３２】
ここで、短絡の種類としては、アノード電極層３及びカソード電極層７間が短絡している電極間短絡、アノード電極層３及び青発光層５Ｂ間が短絡しているアノード電極・青間短絡（図２（Ａ）参照）、アノード電極層３及び緑発光層５Ｇ間が短絡しているアノード電極・緑間短絡（図２（Ｂ）参照）、アノード電極層３及び赤発光層５Ｒ間が短絡しているアノード電極・赤間短絡等がある。
【００３３】
基準Ｖ−Ｉ特性記憶部１７は、有機ＥＬパネル１に関するＶ−Ｉ特性の基準曲線（の情報）を記憶しているものである。例えば、短絡部分がない複数の有機ＥＬパネル１についてそれぞれ、Ｖ−Ｉ特性を測定し、得られた各印加電圧（Ｖ）における測定電流の平均値をその印加電圧の電流値とすることにより、Ｖ−Ｉ特性の基準曲線を予め求めて基準Ｖ−Ｉ特性記憶部１７に記憶させておく。なお、処理対象の有機ＥＬパネル１が、短絡部分のないものである場合に、このパネルについて測定されたＶ−Ｉ特性を用いて基準Ｖ−Ｉ特性を僅かに修正するものであっても良い。例えば、各電圧での電流値を、今までの基準Ｖ−Ｉ特性の電流値と今回の測定電流値の重み付け加算により、新たな基準Ｖ−Ｉ特性の電流値を定めるようにしても良い。
【００３４】
Ｖ−Ｉ特性測定部１８は、短絡種類特定制御部１６の制御下で、現在の処理対象の有機ＥＬパネル１のＶ−Ｉ特性を測定するものである。Ｖ−Ｉ特性測定部１８は、電圧印加部１１に対して印加電圧を指示し、そのときの電流値を電流計１２から取り込み、指示する印加電圧を初期値から徐々に大きく（又は小さく）していくことでＶ−Ｉ特性を得るものである。
【００３５】
短絡種類情報蓄積部１９は、上位制御部１３が、短絡種類特定制御部１６から得た、有機ＥＬパネル１毎の短絡部分の有無や、存在する短絡部分の種類等の情報を蓄積するものである。ここで、統計処理した情報をも蓄積するものであっても良い。
【００３６】
短絡除去制御部２０は、上位制御部１３の制御下で、現在の処理対象の有機ＥＬパネル１が短絡部分を有する場合に、短絡除去用印加電圧パターン記憶部２１に記憶されている短絡除去用印加電圧パターンに従い、その短絡部分の除去動作を制御するものである。短絡除去制御部２０は、現在の処理対象の有機ＥＬパネル１が短絡部分を有しない場合には、短絡部分の除去動作を実行させない。なお、短絡除去制御部２０は、現在の処理対象の有機ＥＬパネル１が短絡部分を有しない場合にも、短絡部分が存在しないときの印加電圧パターンに従い、電圧の印加を制御するようにして、検出が不十分であった短絡部分を除去するようにしても良い。短絡除去制御部２０は、短絡除去用印加電圧パターンに従ったそのときどきの逆方向電圧を、電圧印加部１１によって有機ＥＬパネル１に印加させることで、短絡部分の除去を促すものである。また、短絡除去制御部２０は、電流計１２から電流値を取込み、短絡除去動作を終了させるか否かを判断するものである。
【００３７】
短絡除去用印加電圧パターン記憶部２１は、短絡の種類毎の短絡除去用印加電圧パターンを記憶している。なお、短絡の種類を問わず、短絡除去用の単一の印加電圧パターンを、短絡除去用印加電圧パターン記憶部２１が記憶するものであっても良い。
【００３８】
（Ａ−２）実施形態の動作
次に、実施形態の短絡種類特定・短絡除去装置の動作を、短絡種類の特定動作、短絡部分の除去動作の順に説明する。
【００３９】
（Ａ−２−１）短絡種類の特定動作
新しい有機ＥＬパネル１が短絡種類特定・短絡除去装置１０の処理対象になると、その有機ＥＬパネル１に対して、まず、短絡種類の特定動作が実行される。図４は、短絡種類の特定動作を示すフローチャートであり、制御部（上位制御部１３及び短絡種類特定制御部１６）の制御下で図４に示す動作が実行される。
【００４０】
短絡種類の特定動作を開始すると、制御部はまず、Ｖ−Ｉ特性測定部１８によって、順方向についてのＶ−Ｉ特性を測定させる（Ｓ１００）。このＶ−Ｉ特性の測定では、アノード端子部８（アノード電極層３）及びカソード端子部９（カソード電極層７）間に印加する順方向電圧を徐々に大きくする。徐々に変化させる印加電圧の変化幅（分解能）を小さくし、ある印加電圧から次の印加電圧へ変化させる際のオーバーシュートが問題とならないようにしておくことが好ましく、このような変化幅に選定した場合には、印加電圧を階段状に大きくしていくことになる。なお、後述する短絡部分の除去動作で説明するように、次の値に変化させる場合には、一旦０［Ｖ］に落とし、所定時間だけ経過した後に、新たな電圧にするようにしても良い（間欠的かつ徐々に印加電圧を大きくする）。
【００４１】
Ｖ−Ｉ特性が測定されると、制御部は、基準Ｖ−Ｉ特性記憶部１７に記憶されている基準Ｖ−Ｉ特性に対する測定されたＶ−Ｉ特性の差分を算出する（Ｓ１０１）。例えば、同一印加電圧における測定電流値と基準電流値との差分を、全ての印加電圧について算出する。さらに、制御部は、各印加電圧毎に、差分電流が閾値を超えているか否かを判別し（言い換えると、測定電流値が基準電流値より閾値以上に大きくなっているか否かを判別し）、超えているか否かを表す２値の系列を得る（Ｓ１０２）。
【００４２】
その後、制御部は、超えていることを表す論理値が、どの印加電圧近傍に存在するかに応じて、短絡部分の有無を決定し、かつ、短絡部分が存在する場合には短絡種類を特定する（Ｓ１０３）。制御部は、得られた結果（短絡部分の有無、短絡種類）を、今回の処理対象の有機ＥＬパネル１の識別情報に対応付けて、短絡種類情報蓄積部１９に格納する（Ｓ１０４）。
【００４３】
図５（Ａ）は、短絡部分を有するある有機ＥＬパネル１に対するＶ−Ｉ特性を示しており、図５（Ｂ）は、その有機ＥＬパネル１に対する短絡部分の除去動作を行った後のＶ−Ｉ特性をも、当初のＶ−Ｉ特性に重ねて示している。
【００４４】
当初から短絡部分を備えない有機ＥＬパネルは、図５（Ｂ）における除去後の有機ＥＬパネルのＶ−Ｉ特性と同様なＶ−Ｉ特性を有する。すなわち、２．６〜２．７［Ｖ］までの印加電圧では、印加電圧を大きくするに従って電流はほぼ線形的に増加し、２．６〜２．７［Ｖ］を超えると電流は急激に増加する（電流は飽和する）。後半のような電流が飽和する印加電圧の範囲は、短絡部分の有無や短絡種類の決定に利用し難い。そのため、ステップＳ１００におけるＶ−Ｉ特性の測定では、電流が飽和する印加電圧の範囲については測定しない。
【００４５】
図５から明らかなように、短絡部分を有する場合、Ｖ−Ｉ特性は、短絡部分を有しない場合のＶ−Ｉ特性に比較して局所的な凸部を有する。図５の例の場合、１．２［Ｖ］近傍にピークを有する凸部を有する。図５の例は、図２（Ａ）に示すようなアノード電極層３から青発光層５Ｂに至る短絡部分を有する有機ＥＬパネルのＶ−Ｉ特性である。図２（Ｂ）に示すようなアノード電極層３から緑発光層５Ｇに至る短絡部分を有する有機ＥＬパネルのＶ−Ｉ特性では、図示は省略するが、２．０［Ｖ］近傍にピークを有する凸部を有する。図示は省略するが、アノード電極層３及びカソード電極層７間の短絡部分を有する有機ＥＬパネルのＶ−Ｉ特性では、１．２［Ｖ］より小さい印加電圧範囲で電流値の凸部を有し、アノード電極層３から赤発光層５Ｒに至る短絡部分を有する有機ＥＬパネルのＶ−Ｉ特性では、２．０［Ｖ］より大きい印加電圧範囲で電流値の凸部を有する。なお、電流値の凸部が、異なる印加電圧の範囲である場合には、種類が異なる短絡部分が複数あることを表している。
【００４６】
ここで、図５は、ある有機ＥＬパネルに対する実測値を示しているが、図５に示した有機ＥＬパネルと各層の材質等が異なる有機ＥＬパネルは、電流値の凸部を有する印加電圧範囲の値そのものは、図５と異なることはあっても、短絡部分の多少（短絡している層数等）によって、電流値の凸部を有する印加電圧範囲が異なる様子を呈することは、図５と同様である。
【００４７】
以上から、標準的なＶ−Ｉ特性（上述した基準Ｖ−Ｉ特性）に比較して、電流値の凸部を有するＶ−Ｉ特性を呈する有機ＥＬパネル１は短絡部分を有しており、電流値の凸部を有する印加電圧の範囲に応じて、アノード電極層３から、どの層に至る短絡部分であるか（短絡種類）を捉えることができることが分かる。上述した図４は、このような観点に基づき、短絡部分の有無や短絡種類を決定する動作フローである。なお、上述した観点に従うのであれば、短絡部分の有無や短絡種類の決定手順、方法は、図４に示す手順、方法に限定されるものではない。
【００４８】
（Ａ−２−２）短絡部分の除去動作
ある有機ＥＬパネル１に対する短絡種類の特定動作が終了すると、その後（短絡種類の特定動作の終了時点から短絡部分の除去動作の開始時点までの時間差は限定されない）、その有機ＥＬパネル１に対する短絡部分の除去動作が実行される。図６は、短絡部分の除去動作を示すフローチャートであり、制御部（上位制御部１３及び短絡除去制御部２０）の制御下で図６に示す動作が実行される。
【００４９】
ある有機ＥＬパネル１が短絡部分の除去対象になると、制御部は、短絡種類情報蓄積部１９から、短絡種類の特定動作の処理結果（短絡部分の有無、短絡種類）を取り出し（Ｓ２００）、短絡部分を有する有機ＥＬパネル１であるか否かを判別する（Ｓ２０１）。短絡部分がない有機ＥＬパネル１であると、制御部は、この有機ＥＬパネル１に対する短絡部分の除去動作を直ちに終了させる。なお、短絡部分がない有機ＥＬパネルに対しても、短絡除去用印加電圧パターンを用意しておき、この短絡除去用印加電圧パターンに従った短絡部分の除去動作（電圧の印加）を行うようにしても良い。
【００５０】
制御部は、短絡部分の除去対象の有機ＥＬパネル１が短絡部分を有するものであると、その有機ＥＬパネル１に係る短絡種類に応じた短絡除去用印加電圧パターンを、短絡除去用印加電圧パターン記憶部２１から取り出す（Ｓ２０２）。
【００５１】
そしてまず、取り出した印加電圧パターンにおけるまだ印加していない逆方向電圧の中で絶対値が最も小さい逆方向電圧を、アノード端子部８（アノード電極層３）及びカソード端子部９（カソード電極層７）間に、印加電圧パターンに規定されている時間だけ印加し（Ｓ２０３）、その規定時間の経過時点の電流計１２の値（電流値）を取込んで、この電流値が、短絡部分が除去されたと判断できる閾値（印加電圧によってこの閾値が異なっていても良い）より小さくなったか否かを判別する（Ｓ２０４）。電流値が閾値以上の場合には、制御部は、印加電圧パターンに記述されている全ての逆方向電圧を印加していないことを確認し（Ｓ２０５）、次の電圧印加までの、印加電圧パターンに規定されている待ち時間を待って上述したステップＳ２０３に戻る（Ｓ２０６）。なお、同一の電圧を時間をおいて複数回印加するように、印加電圧パターンが記述されていても良い。
【００５２】
今回の印加電圧に対応した電流値が閾値より小さくなると、制御部は、この有機ＥＬパネル１に対する短絡部分の除去動作を終了させる。
【００５３】
また、印加電圧パターンに記述されている全ての逆方向電圧の印加が終了すると（最も大きい電圧の印加が終了しても電流値が閾値以上であると）、制御部は、短絡部分の除去に失敗した旨を情報入出力部１５の表示部に表示させる等の異常パネルの報知動作を行い（Ｓ２０７）、その後、今回の有機ＥＬパネル１に対する短絡部分の除去動作を終了させる。
【００５４】
次に、短絡部分の除去に逆方向電圧を利用した理由や、徐々に大きくなる電圧（同一電圧が複数回続くこともあり得る）を間欠的に印加させることとした理由等を説明する。
【００５５】
アノード電極層３及びカソード電極層７間の短絡部分が軽微なものであれば、通常の発光条件であるアノード電極層３及びカソード電極層７間に順方向電圧を印加し、短絡部分への電流集中によるジュール熱エネルギーにより瞬時に（ごく短期間で）短絡部分が焼き切れることが可能であるため、周囲の発光層５への影響は極めて少ないと考えられる。しかし、印加できる順方向電圧は、図７（Ａ）に示すように、発光電圧で飽和状態となるためさほど大きくできず、そのジュール熱エネルギーでは短絡部分を除去できない場合もあり、このような場合、その周囲の発光層５が長期に渡って加熱され、損傷を受けることもあり得る。
【００５６】
そこで、この実施形態では、アノード電極層３及びカソード電極層７間に逆方向に電圧を印加することで、図７（Ｂ）に示すように、絶対値的に順方向より高い電圧を印加可能とし、大きなジュール熱エネルギーを加えることにより、短絡部分を除去することとした。例えば、アノード電極層３にマイナス電圧、カソード電極層７にプラス電圧を印加することで、逆方向に電圧を印加させる。
【００５７】
ここで、材料元素の塊に起因する短絡の場合、単純に電圧印加によるジュール熱エネルギーでは除去できない場合がある。材料元素の塊による短絡部分を除去するためには、エレクトロマイグレーション効果を利用して、その材料のエネルギーバンドに相当する電圧を印加する必要がある。例えば、材料元素のエネルギーバンドが３ｅＶであった場合には、３Ｖ前後の逆方向電圧を短時間に数回（１回であっても良い）印加することにより短絡部分の除去が可能となる場合がある。複数の材料元素が短絡に影響を与えている場合には、各材料元素のエネルギーバンドに対応した逆方向電圧を印加することが好ましい。短絡種類により、短絡に影響を与えている複数の材料元素の組み合わせが変化するので、短絡種類に応じて印加電圧パターンをそれぞれ用意することとした。仮に、材料元素のエネルギーバンドに応じて定まる逆方向電圧が、絶対値が小さい方からＶ１〜Ｖ１０であれば、Ｖ１→Ｖ２→…→Ｖ１０という印加電圧の変化を含む印加電圧パターンを予め用意しておく（印加間の間隔はここでは省略している）。なお、同一の電圧を２回ずつ印加させるとした場合には、Ｖ１→Ｖ１→Ｖ２→Ｖ２→…→Ｖ１０→Ｖ１０という印加電圧の変化を含む印加電圧パターンを用意しておくことになる。
【００５８】
ある逆方向電圧を印加させる印加時間や、前後する印加間の時間間隔は、以下の有機ＥＬパネル１の特性を考慮して定める。
【００５９】
図８（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、有機ＥＬパネル１の等価回路を示しており、図８（Ｂ）は短絡部分を有する場合の等価回路を示している。
【００６０】
アノード端子部８及びカソード端子部９間には、フォトダイオードＰＤが接続され、このフォトダイオードＰＤに接合容量Ｃｊ及び潜在的に存在している抵抗成分（並列抵抗）ＲＳＨが並列に接続され、フォトダイオードＰＤに対する直列的な抵抗成分（直列抵抗）ＲＳも存在する。
【００６１】
上述したように、短絡部分の除去には逆方向に電圧を印加するので、接合容量Ｃｊは非常に小さくなり、無視する。アノード電極層３とカソード電極層７間の短絡は、並列抵抗ＲＳＨに影響する。アノード電極層３には透明電極を適用するので、直列抵抗ＲＳの値も無視できない。
【００６２】
従って、発光層５（フォトダイオードＰＤ）へ印加される電圧（２つの抵抗成分による分圧電圧）及び電流は、直列抵抗ＲＳと並列抵抗ＲＳＨの比率によって決定される。アノード電極層３及びカソード電極層７間に逆方向電圧を印加し、短絡部分を焼き切ることで除去すると、並列抵抗ＲＳＨの抵抗値が急激に増加することになり、その結果として発光層５に過電圧が加わり破損する危険性がある。仮に、潜在的に存在している並列抵抗ＲＳＨと短絡部分により存在する並列抵抗ＲＳＨ’があるとした場合、有機ＥＬパネル１の発光素子（フォトダイオードＰＤ）全体の並列抵抗分としては、これら２つの並列抵抗ＲＳＨ、ＲＳＨ’の合成値となる。並列抵抗ＲＳＨ’は短絡電流の流路に係るので潜在的に存在する並列抵抗ＲＳＨより十分に小さくそのため、合成並列抵抗値は限りなく並列抵抗ＲＳＨ’の抵抗値に近い値となる。
【００６３】
このような状態において、逆方向電圧を印加して短絡部分を除去すると、短絡部分に係る並列抵抗ＲＳＨ’が急に非常に大きな値となる（ＲＳＨ＜＜ＲＳＨ’）。その結果、合成並列抵抗値は限りなく並列抵抗ＲＳＨの抵抗値に近い値となる。すなわち、短絡部分の除去前後で、有機ＥＬパネル１の発光素子（フォトダイオードＰＤ）全体の並列抵抗値が急激に増加し、発光素子に印加される電圧も急激に増加することになる。
【００６４】
印加電圧の急激な増加による不都合が生じないように、この実施形態においては、アノード電極層３及びカソード電極層７間にパルス状に逆方向電圧を印加することとし、また、短絡部分が除去された時点で逆方向電圧の印加を停止し、短絡部分を除去した逆方向電圧より大きい印加すべき逆方向電圧があっても、大きい逆方向電圧の印加を実行させないこととした。例えば、仮に、印加すべき逆方向電圧が絶対値の小さい順にＶ１、Ｖ２及びＶ３の場合、図９に示すように、逆方向電圧Ｖ１を所定の印加時間（０〜Ｔ１）だけ印加した後、所定の待ち時間（Ｔ１〜Ｔ２）を待って、次の逆方向電圧Ｖ２を所定の印加時間（Ｔ２〜Ｔ３）だけ印加し、さらに、所定の待ち時間（Ｔ３〜Ｔ４）を待って、最後の逆方向電圧Ｖ３を所定の印加時間（Ｔ４〜Ｔ５）だけ印加する。ここで、逆方向電圧Ｖ１の印加によって短絡部分を除去できた場合には、逆方向電圧Ｖ２、Ｖ３の印加は実行されず、また、逆方向電圧Ｖ１の印加によって短絡部分が除去できないが、逆方向電圧Ｖ２の印加によって短絡部分を除去できた場合には、逆方向電圧Ｖ３の印加は実行されない。
【００６５】
ここで、パルス状の逆方向電圧を印加する理由は、第１に、上述したように、任意の逆方向電圧で短絡部分が除去された後に過電圧として印加される時間を可能な限り短くすることで、ダメージを軽減することにあり、第２に、パルス状ではなく、図１０（Ａ）に示すように、階段状に逆方向電圧を印加しようとした場合、以下の不都合が生じるためである。すなわち、階段状に逆方向電圧を印加しようとした場合、接合容量Ｃｊにチャージされた電圧による過渡的な電圧が次の逆方向電圧に重畳されて発光素子ＰＤへ印加させることとなり、図１０（Ｂ）に示すように、実際に、発光素子ＰＤに印加される電圧切替時の電圧は、階段状の波形に微分された電圧がオーバーシュートとなって加算された過電圧となるためである。
【００６６】
そのため、逆方向電圧を印加した後は、０［Ｖ］に戻して、その影響をなくすことが好適である（Ｔ１〜Ｔ２、Ｔ３〜Ｔ４）。
【００６７】
以上説明した種々の理由からは、逆方向電圧の印加時間（パルス幅）は短いほど良いということになるが、有機ＥＬパネル１は積層構造であるため、接合容量Ｃｊが無視できない。図８（Ｂ）に示す等価回路において、接合容量Ｃｊと直列抵抗Ｒｓとによって積分回路が形成されるため、逆方向電圧の印加時間（パルス幅）が短いと、この積分回路の時定数によって、図１１に示すように、目的とする逆方向電圧が正確に印加されないことがある。そのため、逆方向電圧の印加時間（パルス幅）を適切に定めることが好ましい。
【００６８】
図１２は、有機ＥＬパネル１への印加時間とＩ−Ｖ特性との関係を示すグラフである。図１２は、逆方向電圧の印加ではなく順方向電圧の印加の場合を示しているが、積分回路の影響を判断するので、図１２の特性を用いて判断することができる。
【００６９】
電圧の印加時間（パルス幅）が０．１［ｍｓ］や０．２［ｍｓ］の場合には、積分回路の影響を受けてＩ−Ｖ特性は本来の特性曲線からかなりずれたものとなっている。一方、電圧の印加時間（パルス幅）が１．０［ｍｓ］や１００［ｍｓ］の場合には、積分回路の影響を受けずに、Ｉ−Ｖ特性は本来の特性曲線と同様な曲線を呈している。作業効率から電圧の印加時間（パルス幅）が短い方が好ましく、図１２のグラフからは、電圧の印加時間（パルス幅）を１．０［ｍｓ］に選定すれば良いことが分かる。すなわち、図９に示す印加時間０〜Ｔ１、Ｔ２〜Ｔ３、Ｔ４〜Ｔ５をそれぞれ、１．０［ｍｓ］に選定すれば良いことが分かる。
【００７０】
なお、各層の厚みや材料元素等が、図１２のグラフを得た有機ＥＬパネル１と異なる有機ＥＬパネルに対しても、電圧の印加時間（パルス幅）を変えて得たＩ−Ｖ特性に基づいて、上述と同様にして、電圧の印加時間（パルス幅）を定めるようにすれば良い。
【００７１】
図１３は、印加する逆方向電圧として適用できない電圧値の説明図である。図１３において、横軸は、電圧（及び時間）を表しており、縦軸は、電流を表している。図１３は、電圧Ｖ１１、Ｖ１２、Ｖ１３をそれぞれ印加した場合の電流値の過渡的な変化を表している。電圧Ｖ１２は、電圧Ｖ１１及びＶ１３の中間値である。
【００７２】
逆方向電圧の範囲においては、図７に示したように、印加電圧と電流とは概ね線形関係にある。しかしながら、過渡的な特性において、線形関係を満足しない印加電圧が存在する。接合容量Ｃｊは、発光素子ＰＤの誘電分極により変化する場合があり、特定の印加電圧において、誘電分極による容量変化によって電流の過渡特性が変化して電流値が変化する場合がある。電流値に基づいて短絡部分の除去ができたか否かを判別しているので、電流値が線形的に表れない、誘電分極が発生する領域の電圧は、印加電圧として適用しない方が好ましい。例えば、材料元素のバンドキャップ電圧から定めた印加電圧候補の電流の過渡特性を確認し、過渡特性から、誘電分極が発生する領域の電圧か否かを定めて、印加電圧にするか否かを決定する。例えば、適用できない場合において、それより大きいバンドキャップ電圧から定めた印加電圧（候補）があれば、その印加電圧に短絡部分の除去を委ねる。また例えば、適用できない場合において、それより大きいバンドキャップ電圧から定めた印加電圧（候補）がなければ、現在の印加電圧候補より大きい任意の印加電圧を印加することに定める。
【００７３】
例えば、電圧Ｖ１２が印加電圧候補になった場合には、それから所定電圧だけ小さい電圧Ｖ１１と、それから所定電圧だけ大きい電圧Ｖ１３の過渡特性を測定する。印加時点から、予め定めた時間経過後の電流値Ｉ１１、Ｉ１２若しくはＩ１２’、Ｉ１３を、図１３のようにプロットする。電圧Ｖ１２が、誘電分極が発生する領域の電圧でなければ、電流値Ｉ１１、Ｉ１２、Ｉ１３は同一直線を通るが、電圧Ｖ１２が、誘電分極が発生する領域の電圧でなければ、電流値Ｉ１１、Ｉ１２’、Ｉ１３は同一直線を通らない。電流値Ｉ１１及びＩ１３を結んだ直線と、電圧Ｖ１２の測定電流値Ｉ１２若しくはＩ１２’のずれ量を、閾値と比較することにより、電圧Ｖ１２が、誘電分極が発生する領域の電圧か否かを捉えることができる。
【００７４】
（Ａ−３）実施形態の効果
上記実施形態によれば、逆方向電圧を所定時間だけ印加して短絡部分を除去するようにしたので、レーザの照射構成等、複雑、大型な構成を不要とでき、装置の構成を小形、簡単なものにすることができる。
【００７５】
また、上記実施形態によれば、逆方向電圧をパルス状に印加すると共に、印加する逆方向電圧を短絡部分が除去されるまで徐々に大きくするようにしたので、短絡部分の周囲を損傷させることなく、短絡部分を短時間かつ効率的に除去することができる。
【００７６】
さらに、上記実施形態によれば、処理対象の有機ＥＬパネルが短絡部分を有するか否か、有する場合における短絡種類を判別して、短絡部分の除去処理に移行し、その判別結果に応じて、短絡部分の除去処理を切り替えて実行するようにしたので、この面からも、短絡部分を短時間かつ効率的に除去することができる。例えば、短絡部分を有しない有機ＥＬパネルに対しては、不要なストレスを与えないことも可能となる。
【００７７】
さらにまた、上記実施形態によれば、処理対象の有機ＥＬパネルが短絡部分を有するか否か、有する場合における短絡種類を判別し、その判別結果を蓄積するようにしたので、短絡部分の発生を未然に抑えるための情報の一つとして、蓄積情報を、有機ＥＬパネルの製造工程にフィードバックすることができる。
【００７８】
（Ｂ）他の実施形態
上記実施形態の説明においても、種々変形実施形態に言及したが、さらに、以下に例示するような変形実施形態を挙げることができる。
【００７９】
上記実施形態においては、処理対象の有機ＥＬパネルが短絡部分を有するか否か、有する場合における短絡種類を判別し、判別結果に応じて、短絡部分の除去処理を行うものを示したが、上記判別を行うことなく、全ての短絡種類に対応した印加電圧パターンに従って、逆方向電圧の印加を行うようにしても良い。このような場合においても、全て若しくは一部の有機ＥＬパネルについて（例えば、一部のパネルは乱数を用いて定める（抜取り検査））、短絡部分を有するか否か、有する場合における短絡種類を判別し、製造工程へのフィードバック情報を得るようにしても良い。
【００８０】
上記実施形態においては、短絡種類特定・短絡除去装置を示したが、欠陥種類特定装置と欠陥除去装置とを別々に構築し、欠陥種類特定装置における処理を欠陥除去装置における処理より先に行うようにしても良い。
【００８１】
上記実施形態においては、どの逆方向電圧であろうと印加時間（パルス幅）が同一であるものを示したが、逆方向電圧の大きさによって印加時間を変更するようにしても良い。例えば、実験により、各逆方向電圧について、印加から短絡部分が除去されるまでの時間の実測値を複数得て、その複数の実測値に基づいて、印加時間を定めるようにしても良い。
【００８２】
上記実施形態では、処理対象が照明用の有機ＥＬパネルであるものを示したが、本発明の処理対象となる有機ＥＬ素子は、照明用の有機ＥＬパネルに限定されない。例えば、表示用の有機ＥＬ素子に対しても、本発明の処理対象とすることができる。
【符号の説明】
【００８３】
１…照明用の有機ＥＬパネル、３…アノード電極層、４…正孔輸送層、５…発光層、５Ｒ…赤発光層、５Ｇ…緑発光層、５Ｂ…青発光層、６…電子輸送層、７…カソード電極層、
１０…短絡種類特定・短絡除去装置、１１…電圧印加部、１２…電流計、１３…上位制御部、１６…短絡種類特定制御部、１７…基準Ｖ−Ｉ特性記憶部、１８…Ｖ−Ｉ特性測定部、１９…短絡種類情報蓄積部、２０…短絡除去制御部、２１…短絡除去印加電圧パターン記憶部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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