(57)【要約】【課題】高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るようにする。【解決手段】基板２上に一定形状の薄膜パターン４を成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、箔状の磁性部材５に薄膜パターン形成領域９に対応して該薄膜パターン４と同形状の貫通する開口パターン６を形成し、磁性部材５が磁力により第１の磁気チャック３の平坦な吸着面３ａに吸着されて保持されたマスク１の開口パターン６を、第２の磁気チャック８上に載置された基板２の薄膜パターン形成領域９に位置合わせするステップと、第２の磁気チャック８の磁力により磁性部材５を吸着してマスク１を第１の磁気チャック３から基板２上に移すステップと、マスク１の開口パターン６を介して基板２上の薄膜パターン形成領域９に成膜し、薄膜パターン４を形成するステップと、を行うものである。【選択図】図１
2013091836.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に一定形状の薄膜パターンを成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、
箔状の磁性部材に前記薄膜パターンの形成領域に対応して該薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成し、前記磁性部材が磁力により第１の磁気チャックの平坦な吸着面に吸着されて保持されたマスクの前記開口パターンを、第２の磁気チャック上に載置された前記基板の前記薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、
前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記基板上の薄膜パターン形成領域に成膜し、薄膜パターンを形成するステップと、
を行うことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項２】
基板上に一定形状の複数種の薄膜パターンを順次成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、
箔状の磁性部材に一の薄膜パターンの形成領域に対応して該一の薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成し、前記磁性部材が磁力により第１の磁気チャックの平坦な吸着面に吸着されて保持されたマスクの前記開口パターンを、第２の磁気チャック上に載置された前記基板の前記一の薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、
前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記基板上の前記一の薄膜パターン形成領域に成膜し、一の薄膜パターンを形成するステップと、
前記マスクの前記磁性部材を磁力により前記第１の磁気チャックの前記吸着面に吸着して、前記マスクを前記基板上から前記第１の磁気チャックに移すステップと、
前記マスクの開口パターンを前記基板の他の薄膜パターン形成領域に位置合わせした後、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記他の薄膜パターン形成領域に成膜し、他の薄膜パターンを形成するステップと、
を行うことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項３】
前記マスクは、
平板状の金属基材の一面に感光性材料を塗布するステップと、
前記感光性材料を露光現像して前記薄膜パターン形成領域に対応した部分に前記薄膜パターンと同形状の島パターンを形成するステップと、
前記金属基材の前記島パターンの周辺領域に箔状の磁性部材をメッキ形成するステップと、
前記金属基材の他面側を保持手段に吸着して前記金属基材を保持した状態で、平坦な吸着面を有する第３の磁気チャック上に前記磁性部材側を密着するステップと、
前記第３の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を前記第３の磁気チャックの前記吸着面に吸着した状態で前記金属基材を離隔し、前記島パターンを除去して前記磁性部材に前記島パターンに対応する前記開口パターンを形成するステップと、
を行って作製されることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項４】
前記マスクは、前記磁性部材が磁力により前記第１の磁気チャックに吸着された状態で保管及びハンドリングされることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項５】
有機ＥＬ表示用ＴＦＴ基板上に一定形状の３色対応有機ＥＬ層を順次形成して有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、
箔状の磁性部材に第１の有機ＥＬ層の形成領域に対応して該第１の有機ＥＬ層と同形状の貫通する開口パターンを形成し、前記磁性部材が磁力により第１の磁気チャックの平坦な吸着面に吸着されて保持されたマスクの前記開口パターンを、第２の磁気チャック上に載置された前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせするステップと、
前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に真空蒸着し、第１の有機ＥＬ層を形成するステップと、
前記マスクの磁性部材を磁力により前記第１の磁気チャックの前記吸着面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記第１の磁気チャックに移すステップと、
前記マスクの開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第２の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記第２の有機ＥＬ層形成領域に真空蒸着し、第２の有機ＥＬ層を形成するステップと、
前記マスクの磁性部材を磁力により前記第１の磁気チャックの前記吸着面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記第１の磁気チャックに移すステップと、
前記マスクの開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第３の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記第３の有機ＥＬ層形成領域に真空蒸着し、第３の有機ＥＬ層を形成するステップと、
を含む工程を実行することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
ＴＦＴ基板上に一定形状の３色対応の有機ＥＬ層を順次成膜形成して製造される有機ＥＬ表示装置であって、
箔状の磁性部材に第１の有機ＥＬ層の形成領域に対応して該第１の有機ＥＬ層と同形状の貫通する開口パターンを形成し、前記磁性部材が磁力により第１の磁気チャックの平坦な吸着面に吸着して保持されたマスクの前記開口パターンを、第２の磁気チャック上に載置された前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせするステップと、
前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に真空蒸着し、第１の有機ＥＬ層を形成するステップと、
前記マスクの磁性部材を磁力により前記第１の磁気チャックの前記吸着面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記第１の磁気チャックに移すステップと、
前記マスクの開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第２の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記第２の有機ＥＬ層形成領域に真空蒸着し、第２の有機ＥＬ層を形成するステップと、
前記マスクの磁性部材を磁力により前記第１の磁気チャックの前記吸着面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記第１の磁気チャックに移すステップと、
前記マスクの開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第３の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記第３の有機ＥＬ層形成領域に真空蒸着し、第３の有機ＥＬ層を形成するステップと、
を含む工程を実行して製造されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に一定形状の薄膜パターンを成膜形成する薄膜パターン形成方法に関し、特に高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るようにする薄膜パターン形成方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法並びに有機ＥＬ表示装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の薄膜パターン形成方法は、所定の成膜パターンに対応した複数の開口が設けられた強磁性体から成るメタルマスクを基板の一面を覆うように基板に密着させると共に、基板の他面側に配置された磁石の磁力を利用して固定され、真空蒸着装置の真空槽内で上記開口を通して基板の一面に蒸着材料を付着させ、薄膜パターンを形成するようになっていた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１６４０２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、このような従来の薄膜パターン形成方法において、一般に、数十μｍ〜数ｍｍの厚みの金属板に薄膜パターンに対応した開口を例えばエッチング等により形成してマスクが作られるので、金属板の厚みが厚い場合には開口を高精度に形成することが困難であり、又金属板の熱膨張による位置ずれや反り等の影響で例えば３００ｄｐｉ以上の高精細な薄膜パターンの形成が困難であった。
【０００５】
また、マスク用金属板の厚みを３０μｍ程度まで薄くした場合には、３００ｄｐｉに相当する開口を形成することは可能となるものの、開口を形成した部分の金属板が極めて薄いためよじれやたわみが生じ、開口の形状及び位置を精度よく保持することが困難である。したがって、基板上の薄膜パターン形成領域にマスクの開口を精度よく位置合わせすることができず、それ故、ただ単に、マスク用金属板の厚みを薄くしただけでは、３００ｄｐｉ以上の高精細な薄膜パターンを形成することは困難である。
【０００６】
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るようにする薄膜パターン形成方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法並びに有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、第１の発明による薄膜パターン形成方法は、基板上に一定形状の薄膜パターンを成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、箔状の磁性部材に前記薄膜パターンの形成領域に対応して該薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成し、前記磁性部材が磁力により第１の磁気チャックの平坦な吸着面に吸着されて保持されたマスクの前記開口パターンを、第２の磁気チャック上に載置された前記基板の前記薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記基板上の薄膜パターン形成領域に成膜し、薄膜パターンを形成するステップと、を行うものである。
【０００８】
このような構成により、箔状の磁性部材に薄膜パターンの形成領域に対応して該薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成し、磁性部材が磁力により第１の磁気チャックの平坦な吸着面に吸着して保持されたマスクの開口パターンを、第２の磁気チャック上に載置された基板の薄膜パターン形成領域に位置合わせした後、第２の磁気チャックの磁力により上記磁性部材を吸着してマスクを第１の磁気チャックから基板上に移し、マスクの開口パターンを介して基板上の薄膜パターン形成領域に成膜し、薄膜パターンを形成する。
【０００９】
また、第２の発明による薄膜パターン形成方法は、基板上に一定形状の複数種の薄膜パターンを順次成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、箔状の磁性部材に一の薄膜パターンの形成領域に対応して該一の薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成し、前記磁性部材が磁力により第１の磁気チャックの平坦な吸着面に吸着されて保持されたマスクの前記開口パターンを、第２の磁気チャック上に載置された前記基板の前記一の薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記基板上の前記一の薄膜パターン形成領域に成膜し、一の薄膜パターンを形成するステップと、前記マスクの前記磁性部材を磁力により前記第１の磁気チャックの前記吸着面に吸着して、前記マスクを前記基板上から前記第１の磁気チャックに移すステップと、前記マスクの開口パターンを前記基板の他の薄膜パターン形成領域に位置合わせした後、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記他の薄膜パターン形成領域に成膜し、他の薄膜パターンを形成するステップと、を行うものである。
【００１０】
このような構成により、箔状の磁性部材に一の薄膜パターンの形成領域に対応して該一の薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成し、磁性部材を磁力により第１の磁気チャックの平坦な吸着面に吸着して保持されたマスクの開口パターンを、第２の磁気チャック上に載置された基板の上記一の薄膜パターン形成領域に位置合わせした後、第２の磁気チャックの磁力により磁性部材を吸着してマスクを第１の磁気チャックから基板上に移し、マスクの開口パターンを介して基板上の上記一の薄膜パターン形成領域に成膜し、一の薄膜パターンを形成し、マスクの磁性部材を第１の磁気チャックの吸着面に吸着して、マスクを基板上から第１の磁気チャックに移し、マスクの開口パターンを基板の他の薄膜パターン形成領域に位置合わせした後、第２の磁気チャックの磁力により磁性部材を吸着してマスクを第１の磁気チャックから基板上に移し、マスクの開口パターンを介して上記他の薄膜パターン形成領域に成膜し、他の薄膜パターンを形成する。
【００１１】
好ましくは、前記マスクは、平板状の金属基材の一面に感光性材料を塗布するステップと、前記感光性材料を露光現像して前記薄膜パターン形成領域に対応した部分に前記薄膜パターンと同形状の島パターンを形成するステップと、前記金属基材の前記島パターンの周辺領域に箔状の磁性部材をメッキ形成するステップと、前記金属基材の他面側を保持手段に吸着して前記金属基材を保持した状態で、平坦な吸着面を有する第３の磁気チャック上に前記磁性部材側を密着するステップと、前記第３の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を前記第３の磁気チャックの前記吸着面に吸着した状態で前記金属基材を離隔し、前記島パターンを除去して前記磁性部材に前記島パターンに対応する前記開口パターンを形成するステップと、を行って作製されるのが望ましい。
【００１２】
この場合、前記マスクは、前記磁性部材が磁力により前記第１の磁気チャックに吸着された状態で保管及びハンドリングされるのがよい。
【００１３】
また、本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ表示用ＴＦＴ基板上に一定形状の３色対応有機ＥＬ層を順次形成して有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、箔状の磁性部材に第１の有機ＥＬ層の形成領域に対応して該第１の有機ＥＬ層と同形状の貫通する開口パターンを形成し、前記磁性部材が磁力により第１の磁気チャックの平坦な吸着面に吸着されて保持されたマスクの前記開口パターンを、第２の磁気チャック上に載置された前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせするステップと、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に真空蒸着し、第１の有機ＥＬ層を形成するステップと、前記マスクの磁性部材を磁力により前記第１の磁気チャックの前記吸着面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記第１の磁気チャックに移すステップと、前記マスクの開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第２の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記第２の有機ＥＬ層形成領域に真空蒸着し、第２の有機ＥＬ層を形成するステップと、前記マスクの磁性部材を磁力により前記第１の磁気チャックの前記吸着面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記第１の磁気チャックに移すステップと、前記マスクの開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第３の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記第３の有機ＥＬ層形成領域に真空蒸着し、第３の有機ＥＬ層を形成するステップと、を含む工程を実行するものである。
【００１４】
さらに、本発明の有機ＥＬ表示装置は、ＴＦＴ基板上に一定形状の３色対応の有機ＥＬ層を順次成膜形成して製造される有機ＥＬ表示装置であって、箔状の磁性部材に第１の有機ＥＬ層の形成領域に対応して該第１の有機ＥＬ層と同形状の貫通する開口パターンを形成し、前記磁性部材が磁力により第１の磁気チャックの平坦な吸着面に吸着して保持されたマスクの前記開口パターンを、第２の磁気チャック上に載置された前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせするステップと、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に真空蒸着し、第１の有機ＥＬ層を形成するステップと、前記マスクの磁性部材を磁力により前記第１の磁気チャックの前記吸着面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記第１の磁気チャックに移すステップと、前記マスクの開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第２の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記第２の有機ＥＬ層形成領域に真空蒸着し、第２の有機ＥＬ層を形成するステップと、前記マスクの磁性部材を磁力により前記第１の磁気チャックの前記吸着面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記第１の磁気チャックに移すステップと、前記マスクの開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第３の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記第２の磁気チャックの磁力により前記磁性部材を吸着して前記マスクを前記第１の磁気チャックから前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記第３の有機ＥＬ層形成領域に真空蒸着し、第３の有機ＥＬ層を形成するステップと、を含む工程を実行して製造されるものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、基板上の薄膜パターン形成領域に対応して開口パターンを形成した箔状の磁性部材で構成されたマスクは、第１の磁気チャックの平坦な吸着面に吸着されて保持されるので、厚みが３０μｍ程度の薄い箔状の磁性部材に高精細な開口パターンが形成されていても、マスクによじれやたわみが生じることがなく、開口パターンの形状及び位置を精度よく保つことができる。
【００１６】
また、薄膜パターン形成時には、第１の磁気チャックに磁性部材が吸着して保持されたマスクを第２の磁気チャック上に載置された基板に対して位置合わせした後、第２の磁気チャックによりマスクの磁性部材を吸着してマスクを第１の磁気チャックから基板上に移すようにしているので、基板上に移されたマスクの開口パターンの形状及び位置は元のまま維持される。したがって、マスクの開口パターンを基板の薄膜パターン形成領域上に位置精度よく合致させることができ、高精細な薄膜パターンの形成を容易に行なうことができる。これにより、３００ｄｐｉ以上の高精細な有機ＥＬ表示装置の製造も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明による薄膜パターン形成方法の実施形態を示す工程図である。
【図２】本発明による薄膜パターン形成方法に使用するマスクの一構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＯ−Ｏ線断面矢視図である。
【図３】上記マスクの作製工程の前半工程を示す断面図である。
【図４】上記マスクの作製工程の途中工程を示す断面図である。
【図５】上記マスクの作製工程の後半工程を示す断面図である。
【図６】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図であり、赤色有機ＥＬ層の形成工程の前半工程を示す断面図である。
【図７】赤色有機ＥＬ層の形成工程の後半工程を示す断面図である。
【図８】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図であり、緑色有機ＥＬ層の形成工程の前半工程を示す断面図である。
【図９】緑色有機ＥＬ層の形成工程の後半工程を示す断面図である。
【図１０】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図であり、青色有機ＥＬ層の形成工程の前半工程を示す断面図である。
【図１１】青色有機ＥＬ層の形成工程の後半工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明による薄膜パターン形成方法の実施形態を示す工程図である。この薄膜パターン形成方法は、基板上に一定形状の薄膜パターンを成膜形成するものであり、第１の磁気チャック３の平坦な吸着面に吸着して保持されたマスク１を基板２に対して位置合わせする第１ステップと、マスク１を第１の磁気チャック３から基板２上に移す第２ステップと、薄膜パターン４を形成する第３ステップとを含んで構成されている。
【００１９】
先ず、第１ステップにおいては、図１（ａ）に示すように、箔状の磁性部材５に薄膜パターン４の形成領域に対応して該薄膜パターン４と同形状の貫通する開口パターン６を形成し、電磁石７を備えて構成された第１の磁気チャック３の平坦な吸着面３ａに、電磁石７の磁力により上記磁性部材５が吸着して保持されたマスク１（図２参照）の開口パターン６を、同図（ｂ）に示すように、第２の磁気チャック８上に載置された基板２の薄膜パターン形成領域９に位置合わせする。この場合、マスク１の開口パターン６と基板２の薄膜パターン形成領域９との位置合わせは、マスク１に予め形成したマスク側アライメントマーク１０と基板２に予め形成した図示省略の基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整して行われる。なお、第１及び第２の磁気チャック３，８の吸着面３ａ，８ａは、ガラスや緻密なセラミック等の硬質材料により平坦に形成されるとよい。これにより、吸着面３ａ，８ａを滑らかに形成することができ、マスク１及び基板２を夫々吸着面３ａ，８ａ全面で均一に吸着して保持することができる。この場合、上記硬質材料（例えばガラス１１）の厚みは、基板２上に載置されたマスク１の磁性部材５に作用する第１及び第２の磁気チャック３，８の磁力の大きさが略等しくなるように決められるのが望ましい。
【００２０】
また、以下の説明において、磁気チャックの図中黒く塗りつぶした電磁石７は「オン状態」を示し、白抜きの電磁石７は「オフ状態」を示す。
【００２１】
次に、第２ステップにおいては、図１（ｃ）に示すように第２の磁気チャック８の電磁石７をオンすると共に第１の磁気チャック３の電磁石７をオフし、第２の磁気チャック８の磁力により磁性部材５を吸着してマスク１を第１の磁気チャック３から基板２上に移す。
【００２２】
次いで、第３ステップにおいては、図１（ｄ）に示すように、基板２をマスク１と一体的に第２の磁気チャック８に保持した状態で例えば真空蒸着装置の真空槽内に設置し、蒸着材料をマスク１の開口パターン６を介して基板２に被着させ、基板２上の薄膜パターン形成領域９に薄膜パターン４を形成する。
【００２３】
ここで、上記マスク１は次のようにして作製することができる。以下、図３〜図５を参照してマスク１の作製方法を説明する。
先ず、図３（ａ）に示すように、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）のような平板状の金属基材１２の一面１２ａに３０μｍ程度の厚みのレジスト１３（感光性材料）を例えばスピンコートする。
【００２４】
次いで、図３（ｂ）に示すように、フォトマスク１４を使用して露光し、同図（ｃ）に示すように現像して、基板２上の薄膜パターン形成領域９に対応した部分に薄膜パターン４と同形状の島パターン１５を形成する。この場合、レジスト１３がネガ型であるときには、使用するフォトマスク１４は、基板２上の薄膜パターン形成領域９に対応した部分に開口を形成したものであり、レジスト１３がポジ型であるときには、フォトマスク１４は、基板２上の薄膜パターン形成領域９に対応した部分を遮光するものである。
【００２５】
続いて、図３（ｄ）に示すように、金属基材１２上の上記島パターン１５の周辺領域にニッケル（Ｎｉ）等の磁性部材５を３０μｍ程度の厚みにメッキ形成する。
【００２６】
さらに、図４（ａ）に示すように、金属基材１２の他面側を保持手段としての真空チャック１６により真空吸着して金属基材１２を保持した状態で、同図（ｂ）に示すようにガラス１１等により平坦に形成された第３の磁気チャック１７の吸着面１７ａに磁性部材５側を密着する。なお、上記保持手段は、静電チャックでもよいが、ここでは真空チャック１６である場合で説明する。
【００２７】
次に、図４（ｃ）に示すように、第３の磁気チャック１７の電磁石７をオンして、電磁石７の磁力により磁性部材５を第３の磁気チャック１７の吸着面１７ａに吸着した状態で真空チャック１６に吸着された金属基材１２を離隔する。これにより、金属基材１２に付着した島パターン１５が磁性部材５側から除去されて磁性部材５に島パターン１５に対応する開口パターン６が形成される。その結果、マスク１が作製される。なお、マスク１の予め定められた位置には、上記島パターン１５を形成する際に、同時に基板２との位置合わせをするためのマスク側アライメントマーク１０が形成される。
【００２８】
続いて、図５（ａ）に示すように、マスク１の上方に第１の磁気チャック３を位置づけた後、同図（ｂ）に示すように、第１の磁気チャック３の平坦な吸着面３ａを磁性部材５上に密着する。
【００２９】
そして、図５（ｃ）に示すように、第１の磁気チャック３の電磁石７をオンすると共に第３の磁気チャック１７の電磁石７をオフして、マスク１を第３の磁気チャック１７から第１の磁気チャック３に移す。以後、マスク１は、第１の磁気チャック３の吸着面３ａに吸着して保持された状態で保管及びハンドリングされる。これにより、箔状のマスク１が保管中又はハンドリング中によじれたり、たわんだりするおそれがない。
【００３０】
次に、上記マスク１を使用して、ＴＦＴ基板上に一定形状の複数種の薄膜パターン４としてのＲ（赤色）有機ＥＬ層、Ｇ（緑色）有機ＥＬ層及びＢ（青色）有機ＥＬ層を形成して有機ＥＬ表示装置を製造する方法について説明する。
最初に、図６及び図７を参照してＴＦＴ基板１８上に正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ発光層、電子輸送層等の積層構造となるように順次成膜してＲ有機ＥＬ層を形成する場合について説明する。この場合、先ず、図６（ａ）に示すように、第１の磁気チャック３に吸着して保持されたマスク１を第２の磁気チャック８上に載置されたＴＦＴ基板１８の上方に位置付け、同図（ｂ）に示すように、マスク側アライメントマーク１０と図示省略のＲ用基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整してマスク１とＴＦＴ基板１８とを位置合わせした後、ＴＦＴ基板１８上に磁性部材５を密着させる。これにより、マスク１の開口パターン６がＴＦＴ基板１８のＲ対応アノード電極１９Ｒ上に位置付けられる。
【００３１】
その後、図６（ｃ）に示すように、第２の磁気チャック８の電磁石７をオンすると共に第１の磁気チャック３の電磁石７をオフし、第２の磁気チャック８の磁力によりマスク１の磁性部材５を吸着してマスク１を第１の磁気チャック３からＴＦＴ基板１８上に移す。
【００３２】
次に、図７（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１８とマスク１とを一体的に第２の磁気チャック８に保持した状態で図示省略の真空蒸着装置の真空槽内に設置し、マスク１の開口パターン６を介してＴＦＴ基板１８のＲ対応アノード電極１９Ｒ上のＲ有機ＥＬ層形成領域にＲ有機ＥＬ層２０Ｒ用の蒸着材料を真空蒸着する。
【００３３】
次いで、真空槽内から第２の磁気チャック８を取り出し、図７（ｂ）に示すように、マスク１上に第１の磁気チャック３を置き、同図（ｃ）に示すように第１の磁気チャック３の電磁石７をオンすると共に第２の磁気チャック８の電磁石７をオフし、マスク１の磁性部材５を第１の磁気チャック３の磁力により吸着してマスク１をＴＦＴ基板１８側から第１の磁気チャック３側に移す。これにより、ＴＦＴ基板１８のＲ対応アノード電極１９Ｒ上にＲ有機ＥＬ層２０Ｒが形成される。なお、真空蒸着中、マスク１は、磁力により第２の磁気チャック８に吸着されているので、マスク１はＴＦＴ基板１８上に密着しており、位置ずれが生ずるおそれがない。したがって、Ｒ対応アノード電極１９Ｒ上にＲ有機ＥＬ層２０Ｒが位置精度よく形成されることになる。以下、Ｇ有機ＥＬ層及びＢ有機ＥＬ層についても同様である。
【００３４】
次に、図８及び図９を参照してＴＦＴ基板１８上にＧ有機ＥＬ層を形成する場合について説明する。この場合、先ず、図８（ａ）に示すように、第１の磁気チャック３に吸着して保持されたマスク１を第２の磁気チャック８上に載置されたＴＦＴ基板１８の上方に位置付け、同図（ｂ）に示すように、マスク側アライメントマーク１０と図示省略のＧ用基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整してマスク１とＴＦＴ基板１８とを位置合わせした後、ＴＦＴ基板１８上に磁性部材５を密着させる。これにより、マスク１の開口パターン６がＴＦＴ基板１８のＧ対応アノード電極１９Ｇ上に位置付けられる。
【００３５】
その後、図８（ｃ）に示すように、第２の磁気チャック８の電磁石７をオンすると共に第１の磁気チャック３の電磁石７をオフし、第２の磁気チャック８の磁力によりマスク１の磁性部材５を吸着してマスク１を第１の磁気チャック３からＴＦＴ基板１８上に移す。
【００３６】
次に、図９（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１８とマスク１とを一体的に第２の磁気チャック８に保持した状態で真空蒸着装置の真空槽内に設置し、マスク１の開口パターン６を介してＴＦＴ基板１８のＧ対応アノード電極１９Ｇ上のＧ有機ＥＬ層形成領域にＧ有機ＥＬ層２０Ｇ用の蒸着材料を真空蒸着する。
【００３７】
次いで、真空槽内から第２の磁気チャック８を取り出し、図９（ｂ）に示すようにマスク１上に第１の磁気チャック３を置き、同図（ｃ）に示すように第１の磁気チャック３の電磁石７をオンすると共に第２の磁気チャック８の電磁石７をオフし、マスク１の磁性部材５を第１の磁気チャック３の磁力により吸着してマスク１をＴＦＴ基板１８側から第１の磁気チャック３側に移す。これにより、ＴＦＴ基板１８のＧ対応アノード電極１９Ｇ上にＧ有機ＥＬ層２０Ｇが形成される。
【００３８】
次に、図１０及び図１１を参照してＴＦＴ基板１８上にＢ有機ＥＬ層を形成する場合について説明する。この場合、先ず、図１０（ａ）に示すように、第１の磁気チャック３に吸着して保持されたマスク１を第２の磁気チャック８上に載置されたＴＦＴ基板１８の上方に位置付け、同図（ｂ）に示すように、マスク側アライメントマーク１０と図示省略のＢ用基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整してマスク１とＴＦＴ基板１８とを位置合わせした後、ＴＦＴ基板１８上に磁性部材５を密着させる。これにより、マスク１の開口パターン６がＴＦＴ基板１８のＢ対応アノード電極１９Ｂ上に位置付けられる。
【００３９】
その後、図１０（ｃ）に示すように、第２の磁気チャック８の電磁石７をオンすると共に第１の磁気チャック３の電磁石７をオフし、第２の磁気チャック８の磁力によりマスク１の磁性部材５を吸着してマスク１を第１の磁気チャック３からＴＦＴ基板１８上に移す。
【００４０】
次に、図１１（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１８とマスク１とを一体的に第２の磁気チャック８に保持した状態で真空蒸着装置の真空槽内に設置し、マスク１の開口パターン６を介してＴＦＴ基板１８のＢ対応アノード電極１９Ｂ上のＢ有機ＥＬ層形成領域にＢ有機ＥＬ層２０Ｂ用の蒸着材料を真空蒸着する。
【００４１】
次いで、真空槽内から第２の磁気チャック８を取り出し、図１１（ｂ）に示すように、マスク１上に第１の磁気チャック３を置き、同図（ｃ）に示すように第１の磁気チャック３の電磁石７をオンすると共に第２の磁気チャック８の電磁石７をオフし、マスク１の磁性部材５を第１の磁気チャック３の磁力により吸着してマスク１をＴＦＴ基板１８上から第１の磁気チャック３側に移す。これにより、ＴＦＴ基板１８のＢ対応アノード電極１９Ｂ上にＢ有機ＥＬ層２０Ｂが形成される。
【００４２】
その後、ＴＦＴ基板１８の各有機ＥＬ層上には、公知の技術を使用してＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の透明導電膜が形成され、さらにその上に透明な保護基板が接着されて有機ＥＬ表示装置が製造される。
【００４３】
一方、マスク１は、上述と同様にして第１の磁気チャック３側から第２の磁気チャック８側に移され、プラズマ処理装置内でプラズマ処理してマスク１上に付着した有機ＥＬ蒸着材料が除去される。そして、このようにして洗浄されたマスク１は、再び第１の磁気チャック３に移されて第１の磁気チャック３に保持された状態で、又は第２の磁気チャック８に保持されたままで保管される。したがって、マスク１がよじれたり撓んだりして開口パターン６の形状が崩れたり位置がずれたりするおそれがない。
【００４４】
なお、上記Ｒ有機ＥＬ層２０Ｒ、Ｇ有機ＥＬ層２０Ｇ及びＢ有機ＥＬ層２０Ｂの形成工程は、同一のマスク１を使用して一連の工程として実行することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１…マスク
２…基板
３…第１の磁気チャック
３ａ…吸着面
４…薄膜パターン
６…開口パターン
８…第２の磁気チャック
８ａ…吸着面
９…薄膜パターン形成領域
１２…金属基材
１３…レジスト（感光材料）
１５…島パターン
１６…保持手段
１７…第３の磁気チャック
１７ａ…吸着面
１８…ＴＦＴ基板
２０Ｒ…Ｒ有機ＥＬ層
２０Ｇ…Ｇ有機ＥＬ層
２０Ｂ…Ｂ有機ＥＬ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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