(57)【要約】【課題】情報記録媒体の記録層の温度を適切に制御できる近接場光発生装置、情報記録装置、および情報記録方法を提供する。【解決手段】  光学情報記録再生装置１は、記録光Ｂ１を出射する光源４１と、記録光Ｂ１が照射されることによって近接場光Ａ１を発生させる近接場光発生素子３２と、を備える。ここで、近接場光発生素子３２は、情報記録媒体２の走査方向に整列された第１から第ｍ（ｍは２以上の整数）の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体に情報を記録するための近接場光を発生させる装置であって、
記録光を出射する光源と、
前記記録光が照射されることによって近接場光を発生させる近接場光発生素子と、を備え、
前記近接場光発生素子は、前記情報記録媒体の走査方向に整列された第１から第ｍ（ｍは２以上の整数）の近接場光発生領域を備える、
ことを特徴とする近接場光発生装置。
【請求項２】
請求項１に記載の近接場光発生装置において、
前記第１から第ｍの近接場光発生領域と前記情報記録媒体の表面との間の距離ＷＤｋ（ｋは１≦ｋ≦ｍを満たす整数）は、ＷＤ１≦ＷＤ２≦…≦ＷＤｍの関係を満たす、
ことを特徴とする近接場光発生装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の近接場光発生装置において、
前記第１から第ｍの近接場光発生領域は、前記走査方向に関して前記情報記録媒体の記録間隔の自然数倍の間隔で、前記近接場光発生素子に配されている、
ことを特徴とする近接場光発生装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の近接場光発生装置において、
前記記録層は、分散して配列された、前記近接場光によって光学定数が変化可能な微粒子を含む、
ことを特徴とする近接場光発生装置。
【請求項５】
請求項４に記載の近接場光発生装置において、
前記微粒子の主成分は、相変化記録材料である、
ことを特徴とする近接場光発生装置。
【請求項６】
近接場光を用いて情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、
記録光を出射する光源と、
前記光源から出射された記録光を集光する集光部と、
前記集光部により集光された前記記録光が照射されることによって近接場光を発生させる近接場光発生素子と、を備え、
前記第近接場光発生素子は、前記情報記録媒体の走査方向に整列された第１から第ｍ（ｍは２以上の整数）の近接場光発生領域を備え、
前記第１から第ｍの近接場光発生領域において発生した近接場光は、前記記録層に照射される、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項７】
請求項６に記載の情報記録装置において、
前記第１から第ｍの近接場光発生領域と前記情報記録媒体の表面との間の距離ＷＤｋ（ｋは１≦ｋ≦ｍを満たす整数）は、ＷＤ１≦ＷＤ２≦…≦ＷＤｍの関係を満たす、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の情報記録装置において、
前記第１から第ｍの近接場光発生領域は、前記走査方向に関して前記情報記録媒体の記録間隔の自然数倍の間隔で、前記近接場光発生素子に配されている、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項９】
請求項６ないし８のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
前記記録層は、分散して配列された、前記近接場光によって光学定数が変化可能な微粒子を含む、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の情報記録装置において、
前記微粒子の主成分は、相変化記録材料である、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項１１】
請求項６ないし１０のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
前記第１から第ｍの近接場光発生領域の数ｍは、前記近接場光発生素子と前記情報記録媒体との相対速度に応じて設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の情報記録装置において、
前記第１から第ｍの近接場光発生領域の数ｍは、前記近接場光発生素子と前記情報記録媒体との相対速度の増加に応じて増やされるよう設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項１３】
請求項６ないし１２のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
前記第１から第ｍの近接場光発生領域の前記走査方向における間隔は、前記近接場光発生素子と前記情報記録媒体との相対速度に応じて設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の情報記録装置において、
前記第１から第ｍの近接場光発生領域の前記走査方向における間隔は、前記近接場光発生素子と前記情報記録媒体との相対速度の増加に応じて増やされるよう設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項１５】
請求項６ないし１４のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
前記第１から第ｍの近接場光発生領域の数ｍは、前記記録層への情報の記録に要する時間に応じて設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の情報記録装置において、
前記第１から第ｍの近接場光発生領域の数ｍは、前記記録層への情報の記録に要する時間の増加に応じて増やされるよう設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項１７】
請求項６ないし１６のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
前記第１から第ｍの近接場光発生領域の前記走査方向における間隔は、前記記録層への情報の記録に要する時間に応じて設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の情報記録装置において、
前記第１から第ｍの近接場光発生領域の前記走査方向における間隔は、前記記録層への情報の記録に要する時間の増加に応じて増やされるよう設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項１９】
請求項６ないし１８のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
前記近接場光発生素子は、前記第１から第ｍの近接場光発生領域の各々を備える複数の素子から構成される、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項２０】
請求項６ないし１９のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
前記情報記録媒体に近接配置され、前記情報記録媒体に記録された情報を再生するための近接場光を発生させる、前記近接場光発生素子とは別の近接場光発生素子と、
前記別の近接場光発生素子からの前記近接場光が前記記録層に照射されることにより発生した散乱光を検出する光検出器と、をさらに備える、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項２１】
請求項６ないし１９のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
記録光を出射する別の光源と、
前記別の光源から出射された記録光を集光する別の集光部と、
前記情報記録媒体に近接配置され、前記別の集光部により集光された前記記録光が照射されることによって近接場光を発生させる、前記近接場光発生素子とは別の近接場光発生素子と、をさらに備える、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項２２】
近接場光を用いて情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、
走査方向に整列された第１から第ｍ（ｍは２以上の整数）の近接場光発生領域を有する近接場光発生素子を、前記情報記録媒体に対して相対的に走査方向へ移動させるステップと、
記録光を出射するステップと、
前記記録光を集光し、集光された記録光を前記近接場光発生素子に照射するステップと、
前記記録光が照射されることに基づいて、前記第１から第ｍの近接場光発生領域から近接場光を発生させ、前記記録層に照射するステップと、を含む、
ことを特徴とする情報記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接場光の発生装置、ならびに近接場光を用いた情報の記録装置及び記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、情報や映像を記録するための情報記録媒体として、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）やＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ）等の光ディスクが用いられている。
【０００３】
近年、インターネットの普及、個人用途の映像やテレビ放送の高画質化等に伴い、流通する情報量が増大している。このため、ＢＤ以上に大きな記録密度を有する情報記録媒体が望まれている。
【０００４】
そこで、近接場光を用いて情報を記録できる、記録密度が大きな情報記録媒体が提案されている(たとえば、特許文献１参照）。近接場光とは、物質に光を照射したときに、伝播せず物質表面のごく限られた領域、すなわち物質表面に近接した領域にのみ局在する光のことである。近接場光は、ＤＶＤやＢＤの場合に一般に用いられる光の回折限界の寸法より小さい領域において、発生することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＷＯ２０１０／１１６７０７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
光を用いて情報記録媒体に情報が記録されるとき、光が照射される領域の温度は上昇する。記録密度が大きな情報記録媒体が用いられる場合には、記録層の温度を適切に制御する必要があるという課題がある。
【０００７】
たとえば、光の照射による熱が記録層中に拡散することによって、記録マークが、光が照射される領域のサイズよりも大きくなる場合がある。特許文献１では、熱拡散を抑制するため、予め規則的または準規則的に島状に配列された記録層を有する情報記録媒体が提案されている。
【０００８】
本発明は、情報記録媒体の記録層の温度を適切に制御できる近接場光発生装置、情報記録装置、および情報記録方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様は、情報記録媒体に情報を記録するための近接場光を発生させる近接場光発生装置に関する。本態様に係る近接場光発生装置は、記録光を出射する光源と、前記記録光が照射されることによって近接場光を発生させる近接場光発生素子と、を備える。ここで、前記近接場光発生素子は、前記情報記録媒体の走査方向に整列された第１から第ｍ（ｍは２以上の整数）の近接場光発生領域を備える。
【００１０】
本発明の第２の態様は、近接場光を用いて情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置に関する。本態様に係る情報記録装置は、記録光を出射する光源と、前記光源から出射された記録光を集光する集光部と、前記集光部により集光された前記記録光が照射されることによって近接場光を発生させる近接場光発生素子と、を備える。ここで、前記第近接場光発生素子は、前記情報記録媒体の走査方向に整列された第１から第ｍ（ｍは２以上の整数）の近接場光発生領域を備え、前記第１から第ｍの近接場光発生領域において発生した近接場光は、前記記録層に照射される。
【００１１】
本発明の第３の態様は、近接場光を用いて情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法に関する。本態様に係る情報記録方法は、走査方向に整列された第１から第ｍ（ｍは２以上の整数）の近接場光発生領域を有する近接場光発生素子を、前記情報記録媒体に対して相対的に走査方向へ移動させるステップと、記録光を出射するステップと、前記記録光を集光し、集光された記録光を前記近接場光発生素子に照射するステップと、前記記録光が照射されることに基づいて、前記第１から第ｍの近接場光発生領域から近接場光を発生させ、前記記録層に照射するステップと、を含む。
【００１２】
上記の概括的且つ特定の態様は、装置、方法、および装置並びに方法の任意の組み合わせにより実現してもよい。
【発明の効果】
【００１３】
情報記録媒体の記録層の温度を適切に制御できる近接場光発生装置、情報記録装置、および情報記録方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光学情報記録再生装置を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの近接場光発生素子の構成を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る情報記録の際の、第１から第３の近接場光発生領域と、情報記録媒体との相対的な位置関係を表す図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る記録層の温度変化を示すグラフである。
【図５】本発明の実施の形態２に係る光学情報記録再生装置を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態３に係る光学情報記録再生装置を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係る光学情報記録装置を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態４に係る記録層の温度変化を示すグラフである。
【図９】従来技術に係る記録層の温度変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜本発明者が得た知見＞
ＤＶＤやＢＤは、ランダムアクセス性、可搬性、保存性等を有する情報記録媒体として、用いられている。ＤＶＤやＢＤでは、集光レンズにより集光されたレーザ光が、記録層に集光スポットを形成することによって、情報記録媒体に情報が記録され、また、記録された情報が再生される。
【００１６】
集光スポット径は入射光の波長に比例し、対物レンズの開口数ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）に反比例する。したがって、ＤＶＤやＢＤに係る従来の技術に基づいて光ディスクの記録密度のさらなる高密度化を実現するためには、レーザ光の波長の短波長化、高ＮＡ化等が必要である。しかしながら、レーザ波長は既に可視光領域最短の４００ｎｍに達しており、且つ、開口数も上限限界に近づきつつある。すなわち、ＤＶＤやＢＤに係る従来の技術に基づく場合、情報の記録密度はほぼ限界に達している。
【００１７】
このような回折限界の壁を超えて記録密度の高密度化を実現できる情報記録媒体として、近接場光を用いた光記録メディアが提案されている。
【００１８】
従来の近接場光発生装置として、たとえば、光学ヘッド内の近接場光発光素子として基板に平行なＸＹ平面で３角形状となる金属膜を用いる構成が考えられる。この近接場光発生素子にＹ軸方向の直線偏光のレーザ光を照射することにより、金属膜内で表面プラズモン共鳴が誘起される。表面プラズモン共鳴によって、入射した光の光強度に比べて光強度が増大した近接場光が金属膜の先端近傍に発生し、この近接場光を用いて情報が記録または再生される。従来の情報記録媒体は、基板と、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３等の相変化記録材料からなり、記録領域を配列した記録層と、保護層とを備える。情報記録媒体へ情報が記録される際、近接場光発生素子と情報記録媒体とは、エアギャップとしてのワーキングディスタンス（ＷＤ）の間隔をあけて近接配置される。近接場光が記録層に照射されることにより、情報記録媒体の記録層が相変化し、記録マークが形成される。
【００１９】
記録層の相変化記録材料は、融点以上に加熱された後に急冷されることによって非結晶化（アモルファス化）する。相変化記録材料は、融点以上に加熱された後に徐冷されることにより結晶化する。また、相変化記録材料は、結晶化温度以上且つ融点以下の温度に、結晶化時間以上保持されることによっても結晶化する。ここで、結晶化温度とは、相変化記録材料がその温度で結晶に変化し得るための必要最低の温度である。記録層の相変化記録材料が結晶化または非結晶化することにより、情報が記録される。このような２つの状態（結晶化、非結晶化）における相変化記録材料の、光学定数等の光学特性は互いに異なるため、相変化記録材料へ光が照射されることにより発生した散乱光を検出することにより、情報記録媒体に記録されている情報を再生できる。
【００２０】
上記特許文献１の情報記録媒体の記録層は予め規則的または準規則的に島状（分散した状態）に配列されているため、隣接した記録マークへの熱拡散が抑制される。本発明者は、特許文献１に開示される構成を有する情報記録媒体に対して情報が記録される際における、記録層の温度の変化を解析した。図９は、本発明者により解析された、従来技術に基づき情報記録媒体へ情報が記録される際における記録層の温度の変化を示すグラフである。
【００２１】
図９のグラフは、近接場光が近接場光発生素子に近接配置された記録層に照射されることにより、記録層が所望の温度（この例においては約５２０度）まで加熱され、その後記録層への近接場光の照射が止められ、そして記録層が冷却するまでの温度変化の過程を示している。
【００２２】
記録層を所望の温度（約５２０℃）まで加熱した後、記録層の温度が１５０℃まで低下するまでの冷却時間は、相変化記録材料の結晶化時間（たとえば数ｎｓ程度）に比較して短い。
【００２３】
本発明者は、光の照射後に記録層が急冷してしまうため、相変化記録材料が結晶化するのに必要な時間（たとえば数ｎｓ）が十分に得られず、精度よく情報の書き込みが行えないという問題があることを発見した。これは、島状に、すなわち分散して配列された記録層では、記録層が連続的につながっている薄膜形状の場合と比べて、加熱後結晶化温度まで記録層が冷却する時間が１／１０程度以下まで短縮するからである。
【００２４】
上記問題の対処のため、近接場光の長時間の照射によって相変化記録材料を結晶化することが考えられる。しかしながら、近接場光を発生させるために照射する光のエネルギーの一部は、近接場光発生素子に吸収される。このため、長時間近接場光発生素子に光が照射された場合、近接場光発生素子の温度が上昇し、近接場光発生素子の腐食や変形が促進される。つまり、近接場光発生素子としての機能が損なわれる場合がある。よって、近接場光の照射時間を単に長くすることは、上記問題の解決には適切ではない。
【００２５】
本発明者は、以上の点を考慮して、複数の近接場光発生領域から近接場光を記録層に照射することにより、情報の書き込みの際の記録層の温度を適切に制御する、との構成を見出した。
【００２６】
本発明の１つの態様は、情報記録媒体に情報を記録するための近接場光を発生させる近接場光発生装置に関する。本態様に係る近接場光発生装置は、記録光を出射する光源と、前記記録光が照射されることによって近接場光を発生させる近接場光発生素子と、を備える。ここで、前記近接場光発生素子は、前記情報記録媒体の走査方向に整列された第１から第ｍ（ｍは２以上の整数）の近接場光発生領域を備える。
【００２７】
本発明の実施の形態について、図を用いて以下に説明する。本発明の実施の形態は以下に説明される実施の形態により限定されるものではない。
【００２８】
＜実施の形態１＞
１．光学情報記録再生装置の構成
図１は、光学情報記録再生装置１の構成を示す平面図である。図１において、情報記録の際の走査線方向に接し、且つＹ軸方向とＺ軸方向とに平行な面で切断した、光学情報記録再生装置１の断面構造が示される。
【００２９】
光学情報記録再生装置１は、情報記録媒体２に情報を記録するとともに、情報記録媒体２に記録された情報を再生するための装置である。光学情報記録再生装置１は、情報の記録または再生のための近接場光Ａ１、Ａ２を発生させる光学ヘッド３と、記録用の近接場光Ａ１を発生させるための記録光を光学ヘッド３に照射する記録光照射部４と、再生用の近接場光Ａ２を発生させるための再生光を光学ヘッド３に照射する再生光照射部５と、を備える。
【００３０】
１．１  情報記録媒体
情報記録媒体２は、ディスク状の形状を有し、近接場光を利用して情報の記録および再生が可能な情報記録媒体である。情報記録媒体２は、光学情報記録再生装置１に装着され、光学情報記録再生装置１に内蔵されている駆動部により回転される。情報記録媒体２の回転により、情報の書き込みおよび読み込みが行われる光学ヘッド３の下において、情報記録媒体２の記録層は、光学ヘッド３に対して相対的に右方向（Ｙ軸正方向）へ移動する。すなわち、光学ヘッド３は、情報記録媒体２の記録層を、情報記録媒体２の円周方向に走査する。情報の記録および再生に関する光学ヘッド３の走査方向（光学ヘッド３が情報記録媒体２を走査する方向）は、図１において左方向（Ｙ軸負方向）である。
【００３１】
情報記録媒体２は、基板２１と、誘電体層２２と、記録層２３と、誘電体層２４と、保護層２５とから構成される。
【００３２】
基板２１は、平坦な上面を有する円盤板状の基板である。基板２１は、例えば、ガラス基板又はアルミニウム等の金属板、もしくは、ポリカーボネート、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル樹脂）等の樹脂を用いて形成される。基板２１は、情報記録媒体２が回転されても形状が保たれる程度の強度を持つよう構成されている。
【００３３】
誘電体層２２は、基板２１の上に形成されたＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる層である。
【００３４】
記録層２３は、誘電体層２２の上に形成された、相変化記録材料を主成分とする情報を記録するための層である。記録層２３の相変化記録材料として、成分比２２：１のＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３が用いられている。
【００３５】
記録層２３は、規則的また準規則的に島状に配列された、光学定数が変化可能な微粒子から構成される。各微粒子が記録層２３の各記録領域を形成する。ここで、「微粒子」は、大きさ数ｎｍ〜数１０ｎｍ程度を有する粒子である。「微粒子」の形状は、たとえば球体状、ピラー状等の形状を有し得るが、これらの形状に限られる必要はない。各微粒子の形状は、光の照射に応じて光学定数が変化可能に形成されていれば、球体状またはピラー状以外の各種の形状であってもよい。微粒子が島状に配列されているため、記録領域は互いに離散する。
【００３６】
記録層２３を構成する微粒子は、誘電体層２２上において円周方向に添って循環的に、規則的または準規則的に配列される。走査方向（円周方向）の周期Λｙ、直径方向の周期Λｘ、かつ高さｔとなるよう、微粒子が誘電体操２２の上に配列される。周期Λｘ、Λｙおよび高さｔは、それぞれ数ｎｍ〜数１０ｎｍ程度に設定される。
【００３７】
結晶化した記録層２３と非結晶化（アモルファス化）した記録層２３とは、光学特性が互い異なる。情報記録媒体２は、記録層２３を構成する各微粒子が結晶化または非結晶化することで、書き込まれた情報を保持する。
【００３８】
記録層２３の相変化記録材料として、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３以外に、ＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３、Ｔｅ６０Ｇｅ４Ｓｎ１１Ａｕ２５、Ａｇ４Ｉｎ４Ｓｂ７６Ｔｅ１６、ＧｅＴｅ、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）２Ｔｅ３、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）２Ｔｅ３，ＧｅＴｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）２Ｔｅ３、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）２Ｔｅ３、Ｓｂ−Ｇａ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａ，Ｓｂ−Ｇｅ，（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｍｎ−Ｇｅ，Ｓｂ−Ｓｎ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｍｎ−Ｓｎ−Ｇｅ，及び（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ａｇ−Ｉｎのいずれかを含む材料が用いられてもよい。
【００３９】
誘電体層２４は、誘電体層２２と記録層２３の上に形成されたＳｉＮからなる層である。
【００４０】
誘電体層２２、２４の材料としてはそれぞれＺｎＳ−ＳｉＯ２とＳｉＮが用いられている。しかしながら、誘電体層２２、２４の材料としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ２とＳｉＮ以外に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＺｒＳｉＯ４、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）２０、ＳｉＣｒ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２，Ａｌ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，Ｇｄ２Ｏ３，Ｄｙ２Ｏ３，Ｙｂ２Ｏ３，ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ２、及びＴｅＯ２等から選ばれる１または複数の酸化物が用いられてもよい。
【００４１】
誘電体層２２、２４の材料としては、上記酸化物以外に、例えば、Ｃ−Ｎ，Ｔｉ−Ｎ，Ｚｒ−Ｎ，Ｎｂ−Ｎ，Ｔａ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎ，Ｃｒ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ，Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ，及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等から選ばれる１または複数の窒化物が用いられてもよい。あるいは、誘電体層２２、２４の材料として、ＺｎＳなどの硫化物、ＳｉＣなどの炭化物、ＬａＦ３及びＭｇＦ２などの弗化物、及びＣが用いられてもよい。また、誘電体層２２としては、上記材料から選ばれる１または複数の混合物を用いて、形成されてもよい。
【００４２】
保護層２５は、誘電体層２４の上に形成される、たとえばダイヤモンドライクカーボンからなる層である。保護層７は、光学ヘッド３が情報記録媒体２に近接配置された状態（記録光Ｂ１の波長以下の距離まで情報記録媒体２に近づいた状態）において高速に走引すること等による記録層２３の磨耗を防ぐための層である。記録または再生のための近接場光Ａ１、Ａ２が適切な光強度で記録層２３へ達することができるように、保護層２５は光の波長より薄く（たとえば１０ｎｍ以下に）形成される。保護層２５の材料は、ダイヤモンドライクカーボン以外に、上記の誘電体層２４及び誘電体層２２の材料として用いられた無機材料等であってもよい。
【００４３】
１．２  光学ヘッドおよび近接場光発生素子
図１に示すように、光学ヘッド３は、取り付け基板３１と、記録のための近接場光発生素子３２と、再生のための近接場光発生素子３３と、を備える。情報記録媒体２が光学情報記録再生装置１に装着されている状態において、情報の記録または再生時、光学ヘッド３は情報記録媒体２に近接配置される。光学ヘッド３は、図１に示すように一体的に形成されているが、一体的に形成されなくてもよい。たとえば、２つの光学ヘッド３のそれぞれが、近接場光発生素子３２、３３のそれぞれを保持してもよい。
【００４４】
取り付け基板３１には、近接場光発生素子３２、３３が装着され固定される。取り付け基板３１の材料として、金属以外の熱伝導率の比較的高い材料（たとえば石英）が用いられてもよい。この場合、近接場光の発生に係る近接場光発生素子３２、３３の発熱による取り付け基板３１の過熱が抑制される。
【００４５】
２つの近接場光発生素子３２、３３は、腐食を防ぐために取り付け基板３１に埋め込まれるように形成されても良い。あるいは、近接場光発生素子３２、３３は、取り付け基板３１表面上に形成されても良い。
【００４６】
１．２．１  情報記録のための近接場光発生素子
図２（ａ）は、情報記録のための近接場光発生素子３２を記録光照射部４の側から見た平面図である。図２（ｂ）は、近接場光発生素子３２を、走査方向（Ｙ軸方向）と垂直方向（Ｚ軸方向）に直交する側方から見た平面図である。
【００４７】
図２（ａ）に示すように、近接場光発生素子３２は、記録光照射部３の側から見て、逆二等辺三角形状の形状を有する。図２（ａ）と図２（ｂ）に示すように、近接場光発生素子３２の下の部分には、下へ向けて先が尖った形状を有する第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３が形成されている。第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３は、垂直方向から見て走査方向に、且つ、記録光照射部４の側から順番に並ぶ。
【００４８】
本実施の形態において、近接場光発生素子３２は３つの近接場光発生領域を備える。しかしながら、近接場光発生領域の数は、ｍ個（ｍは２以上の整数）設けてもよい（本実施の形態の構成ではｍ＝３）。
【００４９】
近接場光発生素子３２は、銀等により製作されている。近接場光発生素子３２の材料としては、使用されるレーザ光の波長に合わせてプラズモン共鳴をするような材料を選択できる。例えば、銀の他、金、銅、アルミニウム、プラチナ等が、近接場光発生素子３２の材料として選ばれてよい。
【００５０】
近接場光発生素子３２に対して、記録光照射部３から記録光Ｂ１（Ｚ軸方向の直線偏光のレーザ光）が照射される。記録光Ｂ１に基づいて、近接場光発生素子３２の金属膜内で表面プラズモン共鳴が誘起される。この結果、入射した記録光Ｂ１によりも大きな光強度を有する近接場光Ａ１が、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３から発生する。
【００５１】
近接場光が発生できるように各領域３２１、３２２、３２３の先端が尖った形状を有するよう近接場光発生素子３２が構成されれば、近接場光発生素子３２は、図２（ａ）と図２（ｂ）に示す形状以外の形状を有してもよい。たとえば、近接場光発生素子３２は、記録光照射部４の側から見て、逆三角形ではなくたとえば四角形等の形状を有してもよい。
【００５２】
図１に示すように、近接場光発生素子３２は、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３のそれぞれの走査方向における間隔が、情報記録媒体２の記録層２３の走査方向に関する記録領域の周期Λｙに一致するよう構成されている。この構成により、記録光照射部４からの記録光Ｂ１が近接場光発生素子３２に照射されることに応じて、各近接場光発生領域３２１、３２２、３２３の下にある記録層２３の記録領域（微粒子が配された領域）へ、近接場光Ａ１が同時に照射されることが可能となる。また、近接場光Ａ１の照射による、隣接する記録領域への熱的なクロストークを最小限にすることができる。
【００５３】
近接場光発生素子３２は、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３のそれぞれの走査方向における間隔が、情報記録媒体２の記録層２３の走査方向に関する記録領域の周期（Λｙ）の２以上の整数倍に設定されてもよい。この場合にも、近接場光の照射による、隣接する記録領域への熱的なクロストークを最小限にすることができる。
【００５４】
上記間隔は全て同じである必要はない。例えば、第１と第２の近接場光発生領域３２１、３２２の間隔が周期Λｙに一致し、第２と第３の近接場光発生領域３２２、３２３の間隔が周期Λｙの２倍に一致してもよい。
【００５５】
なお、図１において、記録光照射部３からの記録光Ｂ１は、第２および第３の近接場光発生領域３２２、３２３のいずれにも照射されていないかのように示されている。しかしながら、実際には、記録光照射部３からの記録光Ｂ１は、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３のすべてに照射される。なぜならば、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３は全体として数ｎｍから数１０ｎｍ程度の走査線方向の幅を有して配されおり、この幅は情報の記録または再生に用いられる光の波長（数１００ｎｍ程度）より短いからである。よって、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３から、記録光Ｂ１の照射に基づいて同時に近接場光が発生する。
【００５６】
図１に示すように、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３は、情報記録媒体２の表面（近接場光の入射面）から所定の距離（第１から第３の距離）ＷＤ１〜ＷＤ３だけ離れた位置にある。近接場光Ａ１は近接場光発生素子３２の表面から波長程度の距離程度の範囲内で局在し、近接場光Ａ１の光強度は伝搬距離に応じて指数関数的に減少する。第１から第３の距離ＷＤ１〜ＷＤ３は、記録層２３へ到達する近接場光Ａ１の光強度を調節するために、たとえば３ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内で設定される。
【００５７】
さらに、本実施の形態では、ＷＤ１≦ＷＤ２≦ＷＤ３なる関係を有するよう、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３の位置が調整されている。このため、近接場光Ａ１の光強度に関して、第１の近接場光発生領域３１２からの近接場光Ａ１の光強度が最も強く、第２の近接場光発生領域３２２からの近接場光Ａ１からの光強度が２番目に強く、第３の近接場光発生領域３２３からの近接場光Ａ１の光強度が３番目に強い。ただし、上記の関係ＷＤ１≦ＷＤ２≦ＷＤ３が満たされないよう近接場光発生素子３２が構成されてもよい。
【００５８】
１．２．２  情報再生のための近接場光発生素子
再生のための近接場光発生素子３３も、記録のための近接場光発生素子３２とほぼ同様に製作されている。近接場光発生素子３３は、図２（ａ）と同様に、再生光照射部５が配される側から見て、逆二等辺三角形状の形状を有する。図２（ｃ）に示すように、近接場光発生素子３２の下の部分には、下へ向けて先端が尖った形状を有する近接場光発生領域３３１が形成されている。近接場光発生領域３３１は、走査線上に位置する。
【００５９】
近接場光発生素子３３は、銀、金、銅、アルミニウム、プラチナ等で形成される。記録のための近接場光発生素子３２と同様の物理的効果により、再生光照射部５からの再生光Ｂ２の照射に基づいて近接場光発生素子３２の金属膜内で表面プラズモン共鳴が誘起される。この結果、近接場光発生領域３３１から、入射した再生光Ｂ２の光強度に比べて光強度が増大した再生のための近接場光Ａ２が発生する。
【００６０】
近接場光発生素子３３は、近接場光発生領域３３１と情報記録媒体２の表面（近接場光の入射面）とが所定の距離ＷＤｐ（たとえば数ｎｍ〜数１０ｎｍ程度）だけ離れた位置にあるよう配される。
【００６１】
近接場光発生素子３１は、記録層２３の各記録領域（微粒子）に近接場光が照射されることによって発生した散乱光を検出できるよう構成されていれば、上述のような突起状の近接場光発生領域を有する素子である必要はない。たとえば、微小な開口から近接場光を発生させる近接場光発生素子が用いられてもよい。
【００６２】
１．３  記録光照射部
記録光照射部４は、近接場光発生素子３２へ記録光Ｂ１を照射することによって、情報記録媒体２の記録層２３を結晶化させるための装置である。図１に示すように、記録光照射部４は、水平方向から角度θ下方へ傾いた方向（図１のＹ’軸方向）へ、且つ、光学情報記録再生装置１の上側から見て走査方向とは逆方向（Ｙ軸正方向）へ向けて、記録光Ｂ１を照射する。
【００６３】
記録光照射部４は、光源４１と、コリメータレンズ４２と、ビームスプリッタ４３と、集光レンズ４４と、検出レンズ４５と、光検出器４６とを備える。
【００６４】
光源４１は、記録光Ｂ１を出射する。光源４１は、例えば、レーザ光を記録光Ｂ１として出射する半導体レーザを備える。記録光Ｂ１の情報記録媒体２の記録層２３と垂直なＺ軸方向に関する偏光成分が、情報記録媒体と平行をなすＹ軸方向に関する偏光成分よりも大きい関係を満たす範囲にあるように、記録光照射部４の向き（角度θ）が設定されることが好ましい。光源４１は、比較的パワーの大きなＺ軸方向に直線偏光するレーザ光を記録光Ｂ１として出射する半導体レーザを備えてもよい。
【００６５】
コリメータレンズ４２は、光源４１より出射された記録光Ｂ１を平行光束へ変換する。ビームスプリッタ４３は、コリメータレンズ４２からの記録光を集光レンズ４４へ通過させるとともに、近接場光Ａ１に基づき発生した情報記録媒体２からの散乱光Ｃ１を検出レンズ４５へ反射させる。集光レンズ４４は、ビームスプリッタ４３を通過した記録光Ｂ１を、近接場光発生素子３２へ集光させる。集光レンズ４４は、たとえば、開口数ＮＡが０．８５であるような集光レンズである。
【００６６】
記録光照射部４は、記録光Ｂ１を出射する構成に加えて、以下に説明するように、記録光Ｂ１を照射するタイミングを制御するための構成をさらに有する。
【００６７】
記録層２３へ照射された近接場光Ａ１は、記録層３２において反射し、反射した近接場光の少なくとも一部が、散乱光Ｃ１として集光レンズ４４に入射する。集光レンズ４４は、入射した散乱光Ｃ１を平行化する。平行光束となった散乱光Ｃ１は、ビームスプリッタ４３により偏向され、そして、検出レンズ４５により集光される。検出レンズ４５により集光された散乱光Ｃ１は、光検出器４６に入射する。
【００６８】
光検出器４６は、入射した散乱光Ｃ１に基づいてサーボ信号を生成し、記録光照射部４に配された記録制御部４７へ出力する。ここで、記録制御部４７は、記録光Ｂ１の照射のタイミングを調整する制御を行う。記録制御部４７は、光検出器４６からのサーボ信号に基づいて、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３のそれぞれの中心が記録層２３の記録領域上を通過するタイミングを検出し、検出したタイミングに基づいて記録光Ｂ１を近接場光発生素子３２へ照射させるように光源５１を制御する。
【００６９】
１．４  再生光照射部
再生光照射部５の構成は、記録照射部４の構成にほぼ同じである。再生光照射部５は、再生光Ｂ２を光学ヘッド３に配された再生のための近接場光発生素子３３へ照射する。より具体的には、再生光照射部４は、水平方向から角度θ’下方へ傾いた方向（図１のＹ’’軸負方向）へ、且つ、光学情報記録再生装置１の上側から見て走査方向（Ｙ軸負方向）へ照射する。再生光Ｂ２に基づいて、近接場光発生領域３３１において近接場光Ａ２が発生し、この近接場光Ａ２が情報記録媒体２の記録層２３へ照射される。
【００７０】
記録光照射部４と同様に、再生光照射部５は、光源５１と、コリメータレンズ５２と、ビームスプリッタ５３と、集光レンズ５４と、検出レンズ５５と、光検出器５６とを備える。光源５１から出射した再生光は、コリメータレンズ５２とビームスプリッタ５３を通過した後、集光レンズ５４により集光され、光学レンズ５４へ照射される。光検出器５６は、近接場光Ａ２に基づいて発生した散乱光Ｃ２を検出し、サーボ信号を生成する。
【００７１】
ただし、情報の再生の際には情報記録媒体の記録層２３の光学特性を変化させる程度の光強度は必要でないため、再生のための光源５１は、記録のための光源２１に比較して光強度が弱い再生光Ｂ２を出射する。
【００７２】
なお、光源５１は、記録用の光源５１と異なる波長の光（レーザ光）を再生光Ｂ２として出射してもよい。
【００７３】
光検出器５６は、入射した散乱光Ｃ２に基づいてサーボ信号を生成し、再生光照射部５に配された再生制御部５７へ出力する。ここで、再生制御部５７は、再生光の照射のタイミングを調整する制御を行う。再生制御部５７は、光検出器５６からのサーボ信号に基づいて、近接場光発生領域４２の中心が記録層２３の記録領域の上を通過するタイミングを求め、このタイミングで再生光Ｂ２を照射するように、光源２１を制御する。
【００７４】
出射のタイミングが調整された再生光Ｂ２が再生光照射部５から情報記録媒体２の記録層２３へ照射されることにより、光検出器５６は、記録層２３の各記録領域（微粒子が配された領域）の状態（結晶化、非結晶化）を、散乱光Ｃ２の光強度の強弱（明暗）に基づいて検出する。これにより、情報記録媒体２に記録された情報が再生される。
【００７５】
２．情報記録媒体への情報の記録
本実施の形態の光学情報記録再生装置１による情報記録媒体２への情報の記録動作について説明する。
【００７６】
図３（ａ）、図３（ｂ）および図３（ｃ）は、情報記録の際の、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３と、情報記録媒体２との相対的な位置関係を表す図である。情報記録の際、情報記録媒体２は駆動部により回転される。情報記録媒体２の回転により、情報記録媒体２の記録層２３は、図中、光学ヘッド３に対して相対的に右方向（矢印の方向）へ移動する。
【００７７】
情報記録媒体２の回転により、記録層２３の１つ微粒子に対応する１つの記録領域２３ａは、第１の近接場光発生領域３２１の下（図３（ａ））から第２の近接場光発生領域３２２の下（図３（ｂ））へ移動し、さらに第３の近接場光発生領域３２２の下（図３（ｃ））へ移動する。すなわち、情報記録の際、記録層２３の１つ微粒子に対応する１つの記録領域２３ａには、近接場光発生領域３２１、３２２、３２３の数だけ繰り返して、すなわち３回繰り返して、近接場光Ａ１が照射される。
【００７８】
図３（ａ）に示すように、情報記録媒体２の回転により、記録領域２３ａは、光学ヘッド３の左側から、走査方向に沿って第１の近接場光発生領域３１２の下へ移動する。記録領域２３ａが第１の近接場光発生領域３１２の下にある間、記録制御部４７による制御のもと、記録のための近接場光Ａ１が記録領域２３ａに照射される。
【００７９】
その後、記録領域２３ａは、情報記録媒体２の回転によりさらに右方向へさらに移動し、第２の近接場光発生領域３２２の下を通り（図３（ｂ））、さらにその後、第３の近接場光発生領域３２２の下へ到達する（図３（ｃ））。記録領域２３ａが第２または第３の近接場光発生領域３２２、３２３の下にある間、記録制御部４７による制御のもと、記録のための近接場光Ａ１が記録領域２３ａに照射される。
【００８０】
つまり、１つの記録領域２３ａに、近接場光発生素子３２に設けられた第１から第ｍ（ｍ＝３）の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３の数ｍと同じ数の回数だけ、繰り返して近接場光Ａ１が照射される。記録領域２３ａを形成する微粒子は、近接場光Ａ１が間欠的に照射されることにより、加熱が３度繰り返される。このため、記録層２３の記録領域２３ａに近接場光Ａ１を照射する記録時間は、１回のみ近接場光Ａ１が照射される場合に比較して、実質的に延長される。
【００８１】
例えば、記録層２３の記録領域の大きさ５ｎｍ、記録方向の周期Λｙ＝６．５ｎｍであるような情報記録媒体２を想定する。このような情報記録媒体２に対して、記録間隔３５０ｐｓ（単位ｐｓはピコ秒。走査速度１８．４ｍ／ｓに対応）で情報を記録する場合、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３から近接場光Ａ１が照射される時間は、それぞれ約３５０ｐｓ（＝６．５／１８．４×１０３ｐｓ）である。本実施の形態の構成では、１つの記録領域２３ａ（図３（ａ）、３（ｂ）、３（ｃ）参照）に３回近接場光が照射されるため、記録時間は、実質的に約１．０５ｎｓまで延長する。
【００８２】
２．１  情報記録媒体の温度変化
図４は、記録層の温度変化を示す図である。具体的には、図４は、本実施の形態の光学情報記録再生装置１を用いた情報記録媒体２への情報記録の際の、記録層２３の温度変化に係る数値解析の結果を示すグラフである。
【００８３】
図４において、本実施の形態に係る１つの構成例に関する結果が実線ａ１により示される。また、比較例に関する結果が破線ａ２により示される。
【００８４】
本実施の形態に対応する実線ａ１は、記録層２３の１つの記録領域を構成する相変化微粒子の中心の温度変化を示す。この解析において、記録層２３の記録領域の大きさ５ｎｍ、記録方向の周期Λｙ＝６．５ｎｍ、記録時間である記録光の照射時間ｔｓ＝５０ｐｓ、記録間隔が３５０ｐｓ、近接場光発生素子３２の第１から第３の近接場光発生領域のそれぞれの間隔６．５ｎｍ（Λｙの１倍）、ＷＤ１＝５ｎｍ、ＷＤ２＝６ｎｍ、ＷＤ３＝７ｎｍ（ＷＤ１＜ＷＤ２＜ＷＤ３）なる設定が用いられた。
【００８５】
記録層２３の温度変化の解析方法として、３次元ＦＤＴＤ法（Ｆｉｎｉｔｅ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ  Ｔｉｍｅ  Ｄｏｍａｉｎ  Ｍｅｔｈｏｄ、有限差分時間領域法）が採用された。３次元ＦＤＴＤ解析において、誘電損失が解析され、その誘電損失を熱源として用いて熱伝導解析を行うことによって計算が実行された。また、近接場光発生素子に照射する光として、波長７８０ｎｍの平面波が用いられた。そして、境界からの反射波の影響を無視するため、解析領域境界において吸収境界条件が設定された。このような条件のもとで、下記の熱伝導方程式が本熱伝導解析へ適用された。
【００８６】
【数１】
2013246848.tif 000003
【００８７】
ここで、Ｔは温度（初期値２０℃）、ρは密度、ｃは比熱、κは熱伝導率、σは電気伝導度、|Ｅ|２は電界強度である。右辺第２項のσ｜Ｅ｜２／２は誘電損失を示す。熱伝導率κは等方的であると仮定されている。また、情報記録媒体５の光学定数及び熱物性値は温度依存性がないと仮定されている。また、情報記録媒体５の光学定数及び熱物性値は温度依存性がないと仮定されている。さらに、計算領域境界面が熱伝導率κ＝０．０２５９（Ｗ／ｍ／Ｋ）、温度２０℃の一定温度の媒質に接している、という境界条件が設定されている。
【００８８】
記録層２３（微粒子）の温度変化の過程は、以下のようにして解析される。１回目の光照射を始める時間を基準時間（ｔ＝０．０秒）とし、近接場光Ａ１の照射時間ｔｓの間に情報記録媒体５に一定量の熱量を与え、すなわち熱伝導計算式において電磁解析により得られた誘電損失項σ|Ｅ|２／２を与える。ｔ＝ｔｓ以降、熱伝導計算式の誘電損失項をゼロとすることにより求めた。２回目と３回目の光照射における過程も同様にして解析される。すなわち、ｔ＝０．３５、０．５７ｎｓにおいて、近接場光Ａ１の照射時間ｔｓの間に情報記録媒体５に一定量の熱量を与え、そのｔｓ経過後、次の光照射のタイミングまで熱伝導計算式の誘電損失項がゼロに設定される。記録光の照射時間ｔｓは、記録層５３の記録方向の周期Λｙと情報記録媒体の回転数から算出される。また、ｔｓは、近接場光発生領域４が記録層５３上を通過する時間ｔｐより小さい値に設定されている（ｔｓ≦ｔｐ）。
【００８９】
比較例に対応する破線ａ２は、上記構成から２回目と３回目の光照射が省かれた構成に基づいて解析された結果を示す。曲線ａ２によれば、加熱後、およそ時間ｔ＝０．４ｎｓにおいて、記録層２３の温度は結晶化温度（１５０℃）を下回る（ｔ＝３５０ｐｓ）。つまり、たとえば記録層２３を構成する相変化記録材料が、融点６００℃、結晶化温度１５０℃、結晶化時間１ｎｓなる特性を有する場合、比較例の構成（ａ２）によれば、記録層２３は、融点以上に加熱後された後に急冷することによって非結晶化する。すなわち、比較例に係る構成が用いられる場合、記録層２３を結晶化させることはできない。
【００９０】
これに対し、本実施の形態に対応する曲線ａ１によれば、記録層２３の温度は、約１ｎｓの間、つまり結晶化時間すなわち記録層２３への情報の記録に要する時間の間、結晶化温度以上融点未満の範囲内に維持される。この結果、記録層２３の温度が結晶化時間以下まで下がったとき（ｔ＝約１ｎｓ）、記録層２３は結晶化した状態に至る。
【００９１】
３．まとめ
以上、本実施の形態の構成によれば、近接場光発生素子３２に複数の近接場光発生領域（第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３）を用いて、情報記録媒体２の記録層２３に情報を記録する。これにより、近接場光Ａ１が記録層２３に間欠的に照射されるため、記録層２３の加熱直後の冷却速度を制御できる。よって、本実施の形態の構成によれば、情報記録の際における記録層２３の温度変化を制御でき、良好な情報の記録と高密度化を実現できる。
【００９２】
１つの記録領域２３ａに複数回近接場光Ａ１が照射される場合、記録領域２３ａの温度は、近接場光Ａ１が照射される度に上昇し、融点を超える可能性がある。一方、上述の通り、記録領域２３ａにおける相変化記録材料を結晶化させるためには、相変化記録材料の温度を融点未満に抑制する必要がある。そこで、本実施の形態では、近接場光発生素子３２は、距離ＷＤｋ（１≦ｋ≦ｍ）はＷＤ１≦ＷＤ２≦・・・≦ＷＤｍなる関係が満たされるよう構成されている。この構成により、第１から第ｍの近接場光発生領域のうち１つの領域（たとえば、第ｋの近接場光発生領域）から１つの記録領域に照射される近接場光Ａ１の光強度は、それより以前に照射された（つまり第１から第（ｋ−１）の近接場光発生領域からの）近接場光Ａ１の光強度よりも弱くなる。よって、複数回近接場光Ａ１が照射されても、１つの記録領域が高温すなわち融点以上の温度に加熱されることが抑制され、記録層２３の結晶化が安定的に進む。
【００９３】
たとえば、ＷＤ１＝ＷＤ２＝・・・＝ＷＤｍなる関係が成り立つようよう近接場光発生素子３２が構成されてもよい。構成記録光照射部４は、第１の近接場光発生領域３２１の側から記録光Ｂ１を照射するため、第１から第ｍの近接場光発生領域から発生される各近接場光Ａ１の光強度は、第１の近接場光発生領域、第２の近接場光発生領域、・・・、第ｍの近接場光発生領域の順番で強い。したがって、この場合においても、第ｋの近接場光発生領域（２≦ｋ≦ｍ）からの近接場光Ａ１が照射されるときの記録領域の温度は、第（ｋ−１）の近接場光発生領域からの近接場光Ａ１の照射時ほどには上昇しない。よって、記録領域の温度を適切に制御できる場合がある。
【００９４】
さらに、図４に示すように、２回目以降の近接場光Ａ１の照射直前における記録層２３の温度は、記録層２３の結晶化温度はわずかに上回る温度（数１０度程度上回る状態）である。このような構成により、必要以上に記録層２３が加熱されることが抑制される。よって、隣接する記録領域への熱的なクロストークを抑制できる。
【００９５】
＜実施の形態２＞
図５は、本実施の形態２に係る光学情報記録再生装置１の構成例を示す平面図である。図５において、情報記録の際の走査線方向に接し、Ｙ軸方向とＺ軸方向とに平行な面で切断した、光学情報記録再生装置１の断面構造が示される。
【００９６】
本実施の形態の構成は、上記実施の形態１にほぼ同じであるが、光学ヘッド３の近接場光発生素子３２の構成が、実施の形態１の場合と異なる。上記実施の形態１では、近接場光発生素子３２は一体的に構成されているのに対して、本実施の形態２では、近接場光発生素子３２は、一体的に構成されておらず、第１から第３の素子３２ａ、３２ｂ、３２ｃから構成される。第１から第３の素子３２ａ、３２ｂ、３２ｃは、それぞれ、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３を備える。第１から第３の素子３２ａ、３２ｂ、３２ｃは、取り付け基板３１に、それぞれ取り付け固定される。
【００９７】
このように近接場光発生素子３２が構成されることにより、光学ヘッド３の製作時において、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３の配置状態を調整しやすいという利点がある。たとえば、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３に係る記録方向の間隔や、距離ＷＤ１〜ＷＤ３を、製作時において適宜調整しやすい。
【００９８】
＜実施の形態３＞
上記実施の形態１、２の光学情報記録再生装置１は、近接場光発生素子３２の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３に係る設定を変化させるための構成を有しない。しかしながら、本実施の形態３の光学情報記録再生装置１のように、当該設定を変化可能に構成されてもよい。以下に、近接場光発生領域（３２１、３２２、３２３）に係る設定について説明する。
【００９９】
近接場光発生領域（３２１、３２２、３２３）に係る設定は、たとえば、第１から第ｍの近接場光発生領域の数ｍの設定や、第１から第ｍの近接場光発生領域の走査方向における間隔の設定である。これらの設定は、記録層２３の記録領域への近接場光Ａ１の実質的な照射時間が、当該記録領域における相変化記録材料が結晶化される程度の長さ程度とするためのものである。ここで、近接場光Ａ１の実質的な照射時間とは、近接場光発生素子３２に配された第１の近接場光発生領域３２１から１つの記録領域への近接場光Ａ１の照射開始時から、第ｍ（ｍ＝３）の近接場光発生領域３２３から当該記録了領域への近接場光Ａ１の照射終了時までの間の時間を指す。
【０１００】
上記の実質的な照射時間は、光学情報記録再生装置１の動作条件や情報記録媒体２の特性に応じて、設定される。
【０１０１】
たとえば、近接場光発生素子と情報記録媒体との相対速度（または情報記録媒体２の回転速度）が速く（遅く）なると、記録層２３の記録領域への近接場光Ａ１の実質的な照射時間は短く（長く）なる。この実質的な照射時間の変化を補うべく上記設定が用いられることができる。
【０１０２】
あるいは、情報記録媒体２の特性によって、記録層２３の記録領域における相変化記録材料の結晶化時間は異なる場合がある。このため、上記の実質的な照射時間は、結晶化時間に対して相対的に変化する。この実質的な照射時間の（結晶化時間に対する相対的な）変化を補うべく上記設定が用いられることができる。
【０１０３】
以上をまとめると、以下（１）〜（４）に示す設定を行うことができる。
（１)近接場光発生素子３２に設けられる近接場光発生領域（第１から第ｍの近接場光発生領域）の数ｍは、近接場光発生素子と情報記録媒体２との相対速度（または情報記録媒体２２の回転速度）に応じて設定される。たとえば、第１から第ｍの近接場光発生領域の数ｍは、近接場光発生素子と情報記録媒体２との相対速度の増加に応じて増やされるよう設定される。
（２）近接場光発生素子３２に設けられる第１から第ｍの近接場光発生領域の走査方向における間隔は、近接場光発生素子３２と情報記録媒体２との相対速度に応じて設定される。たとえば、第１から第ｍの近接場光発生領域の走査方向における間隔は、近接場光発生素子３２と情報記録媒体２との相対速度の増加に応じて増やされるよう設定される。
（３) 近接場光発生素子３２に設けられる第１から第ｍの近接場光発生領域の数ｍは、記録層２３への情報の記録に要する時間に応じて設定される。たとえば、第１から第ｍの近接場光発生領域の数ｍは、記録層２３への情報の記録に要する時間の増加に応じて増やされるよう設定される。
（４)第１から第ｍの近接場光発生領域の走査方向における間隔は、記録層２３への情報の記録に要する時間に応じて設定される。たとえば、第１から第ｍの近接場光発生領域の走査方向における間隔は、記録層２３への情報の記録に要する時間の増加に応じて増やされるよう設定される。
【０１０４】
上記（１）〜（４）の設定は、適宜組み合わされることができる。
【０１０５】
上記（１）〜（４）の設定が行われることによって、効果的に情報記録媒体２の記録層２３の温度を適切に制御できる。
【０１０６】
上記（１）〜（４）の設定は、手動で光学情報記録再生装置１の光学ヘッド３が交換されることによりなされてよい。すなわち、光学情報記録再生装置１の動作条件や情報記録媒体２の特性に適応した光学ヘッド３が選択されて光学情報記録再生装置１に手動で装着される。
【０１０７】
あるいは、上記（１）〜（４）の設定は、光学情報記録再生装置１に複数の光学ヘッド３が備えられることによりなされてよい。複数の光学ヘッド３のそれぞれには、互いに異なる上記（１）〜（４）に関する設定が適用される。複数の光学ヘッド３のうち所定の操作により選択された光学ヘッド３が、情報記録媒体２に近接する位置へ配置される。光学情報記録再生装置１は、このように光学ヘッド３を配置する駆動部を備える。
【０１０８】
あるいは、複数の近接場光発生領域（第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３）の配置状態を調整するための構成が光学情報記録再生装置１に備えられ、この構成により上記（１）〜（４）の設定がなされてもよい。以下に、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３の配置状態を調整するためのこのような構成について説明する。
【０１０９】
図６（ａ）は、実施の形態３に係る光学情報記録再生装置１の構成を示す図である。図６（ｂ）は、近接場光発生素子３２の各第１から第３の素子３２ａ、３２ｂ、３２ｃの位置を調整するための機能を示す機能ブロック図である。
【０１１０】
本実施の形態に係る光情報記録再生装置１は、上記実施の形態２における光情報記録再生部１の構成とほぼ同様であるが、さらに入力部７と調整部８を備える。
【０１１１】
入力部７は、近接場光発生素子と情報記録媒体２との相対速度、記録層２３への情報の記録に要する時間等の入力を受け付ける。調整部８は、入力部７に入力された情報に基づいて、上記（１）〜（４）に示される設定を行う。（１）〜（４）のうちいずれか１項に係る設定が調整部８によりなされてもよいし、２項以上に係る設定が調整部８により同時になされてもよい。
【０１１２】
ここで、調整部８は、（１）または（３）に係る設定を行う際、第１から第３の素子の３２ａ、３２ｂ、３２ｃうち、所定の数の素子を、当該素子に対応する近接場光発生領域（３１２、３２２、３２３）が情報記録媒体２に近接する位置に配置する。そして、調整部８は、残りの素子を、当該残りの素子に対応する近接場光発生領域が情報記録媒体２に近接しない位置（または、記録光照射部４からの記録光が当たらない位置）に配置する。
【０１１３】
なお、調整部８は、ＣＰＵと、サーボ機構を備える。ＣＰＵは、入力部７に対して入力された情報に基づいて、サーボ機構を制御することにより、第１から第３の素子３２ａ、３２ｂ、３２ｃの位置を調整する。入力部７と調整部８は、機械的に構成されてもよい。
【０１１４】
＜実施の形態４＞
上記実施の形態１〜３の光学情報記録再生装置１は、情報記録媒体２の記録層２３を結晶化させる機能、すなわち１値を情報記録媒体２に書き込む機能を有する。これに対し、本実施の形態の光学情報記録装置１ａは、情報記録媒体２の記録層２３を結晶化および非結晶化させる機能、すなわち、情報記録媒体２に、結晶化および非結晶化を２値に対応させたデジタル形式の情報を記録する機能を有する。
【０１１５】
図７は、本実施の形態４に係る光学情報記録装置１ａの構成例を示す平面図である。
【０１１６】
光学情報記録装置１ａは、光学ヘッド３と記録光照射部４に加え、第２の記録光照射部６をさらに備える（以下、本実施の形態において、記録光照射部４を、第２の記録光照射部６と区別するため「第１の記録光照射部４」という。）。
【０１１７】
光学ヘッド３は、実施の形態１と同様の構成を有する近接場光発生素子３２に加え、第２の記録光照射部６からの記録光Ｂ３に基づいて、記録領域３ａの非結晶化のための近接場光Ａ３を発生させる近接場光発生素子３４をさらに備える。
【０１１８】
近接場光発生素子３４は、近接場光発生素子３２とほぼ同様の構成を有する。ただし、図７に示すように、近接場光発生素子３２は複数の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３を備えるのに対し、近接場光発生素子３４は、１つの近接場光発生領域３４１を備える。近接場光発生領域３４１と情報記録媒体２の表面（近接場光の入射面）との間には、所定の距離ＷＤｑの間隙が設けられている。距離ＷＤｑは、近接場光Ａ３が記録層２３の非結晶化に適する光強度を有した状態で記録層２３へ到達できる距離となるよう、たとえば３ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内で設定される。
【０１１９】
第２の記録光照射部６の構成は、第１の記録光照射部４の構成にほぼ同じである。第２の記録光照射部６は、記録光Ｂ３を光学ヘッド３に配された記録のための第２の近接場光発生素子３４へ照射する。より具体的には、第２の記録光照射部６は、水平方向から角度θ’’下方へ傾いた方向（図７のＹ’’’軸負方向）へ、且つ、光学情報記録装置１ａの上側から見て走査方向（Ｙ軸負方向）へ照射する。記録光Ｂ３に基づいて、近接場光発生領域３４１において近接場光Ａ３が発生し、この近接場光Ａ３が情報記録媒体２の記録層２３へ照射される。
【０１２０】
第１の記録光照射部４と同様に、第２の記録光照射部６は、光源６１と、コリメータレンズ６２と、ビームスプリッタ６３と、集光レンズ６４と、検出レンズ６５と、光検出器６６とを備える。光源６１から出射した記録光Ｂ３は、コリメータレンズ６２とビームスプリッタ６３を通過した後、集光レンズ６４により集光される。集光された記録光Ｂ３は、近接場光Ａ３を発生させるため、近接場光発生素子３４へ照射される。光検出器６６は、近接場光Ａ３に基づいて発生した散乱光Ｃ３を検出し、サーボ信号を生成する。光源６１は、第１の記録光照射部４の光源６１と異なる波長の光（レーザ光）を記録光Ｂ３として出射してもよい。
【０１２１】
光検出器６６は、入射した散乱光Ｃ３に基づいてサーボ信号を生成し、記録光照射部６に配された記録制御部６７へ出力する。ここで、記録制御部６７は、記録光Ｂ３の照射のタイミングを調整する制御を行う。記録制御部６７は、光検出器６６からのサーボ信号に基づいて、近接場光発生領域４２の中心が記録層２３の記録領域の上を通過するタイミングを求め、このタイミングで記録光Ｂ３を照射するように、光源６１を制御する。
【０１２２】
上記の通り、第２の記録光照射部６は、記録層２３上の所定の記録領域を非結晶化させるための記録光Ｂ３を光学ヘッド３の近接場光発生素子３３へ照射する。第１と第２の記録光照射部４、６を組み合わせて使用することにより、情報記録媒体２の記録層に、「０」と「１」の２値から構成されるデジタル情報を記録できる。すなわち、あらかじめ第１の記録光照射部４を用いて、記録層２３の記録領域全体を結晶化させておき、その後に第２の記録光照射部６を用いて、所望の記録領域だけを非結晶化（たとえば、「１」に対応）させる。これにより、例えば記録領域が結晶化している状態を「０」とし、非結晶化している状態を「１」とすることで、任意のビット情報を、情報記録媒体２に記録することができる。
【０１２３】
第２の記録光照射部６は、第１の記録光照射部３と同様に、光源６１と、コリメータレンズ６２と、ビームスプリッタ６３と、集光レンズ６４と、検出レンズ６５と、光検出器６６とを備え、これら各部の構成も第１の記録光照射部３とほぼ同様である。光源６１が出射する記録光Ｂ３の光強度は、第１の記録光照射部３の光源３１が出射する記録光Ｂ１の光強度と同程度である。
【０１２４】
第２の記録光照射部６からの非結晶化させるための記録光Ｂ３に基づいて近接場光Ａ３が記録層２３に照射された場合、照射された相変化微粒子の中心温度は、図８のグラフのように変化する。近接場光発生素子３３が１つの近接場光発生領域３３１を有するため、図８のグラフの曲線ａ３は、図４の曲線ａ２と同様の曲線を描く。図８に示すように、第２の記録光照射部６からの記録光Ｂ３に基づいて近接場光Ａ３が記録層２３に照射された場合、相変化微粒子が融点（６００度とする）まで加熱された後に、結晶化時間（約１ｎｓ）が経過する前に、相変化微粒子の温度は結晶化温度より低くなる。つまり、第２の記録光照射部６による光の照射により、記録領域において非結晶化が起きる。
【０１２５】
第２の記録光照射部６は、第１の記録光照射部４の場合と同様に、記録制御部６７をさらに備える。ただし、第２の記録光照射部６の記録制御部６７は、光検出器６６からのサーボ信号のみならず、情報記録媒体２に記録すべき情報にも基づいて、光源６１を制御する。すなわち、記録制御部６７は、記録すべき情報であるデジタルデータの各ビット情報を、光源６１のオン、オフに対応させて制御する。
【０１２６】
光源６１から光が出射されると、記録層２３の記録領域が非結晶化される。光源６１から光が出射されないと、記録層２３の記録領域の結晶状態は変化せず、初期の結晶化した状態が維持される。
【０１２７】
このように、記録層２３を非結晶化させる装置が用いられることによって、情報記録媒体２に任意のデジタル情報を記録できる。
【０１２８】
本実施の形態４に、上記実施の形態１、２または３の構成が組み合わされてもよい。たとえば、光学情報記録再生装置１は、記録光照射部４、６と、再生光照射部５と、近接場光発生素子３２、３３、３４とを備えるよう構成されてよい。この場合、光学情報記録再生装置１に、実施の形態２または実施の形態３の構成がさらに適用されてもよい。
【０１２９】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明の実施の形態は、上記実施の形態によって何ら制限されるものではなく、また、本発明の実施の形態は、上記以外に種々の変更が可能である。
【０１３０】
＜その他の形態＞
【０１３１】
上記実施の形態では、ＷＤ１≦ＷＤ２≦・・・≦ＷＤｍなる関係が成り立つようよう近接場光発生素子３２が構成されるが、図４を用いて説明したように結晶化時間の間結晶化温度以上融点以下の範囲に記録領域の温度を維持できるよう構成されていれば、上記関係は成り立たなくともよい。
【０１３２】
たとえば、ＷＤ１＝ＷＤ２＝・・・＝ＷＤｍなる関係が成り立つようよう近接場光発生素子３２が構成されてもよい。構成記録光照射部４は、第１の近接場光発生領域３２１の側から記録光Ｂ１を照射するため、第１から第ｍの近接場光発生領域から発生される各近接場光Ａ１の光強度は、第１の近接場光発生領域、第２の近接場光発生領域、・・・、第ｍの近接場光発生領域の順番で強い。したがって、この場合においても、第ｋの近接場光発生領域（２≦ｋ≦ｍ）からの近接場光Ａ１が照射されるときの記録領域の温度は、第（ｋ−１）の近接場光発生領域からの近接場光Ａ１の照射時ほどには上昇しない。よって、記録領域の温度を適切に制御できる場合がある。
【０１３３】
さらに、光学情報記録再生装置１の動作状態や情報記録媒体２の特性等に応じて、距離ＷＤｋは、上記のＷＤ１≦ＷＤ２≦・・・≦ＷＤｍなる関係に限らず、各種の関係を満たすよう設定されてよい。たとえば記録領域の温度を徐々に上昇させる制御を行うため、ＷＤ１≧ＷＤ２≧・・・≧ＷＤｍなる設定が用いられてもよい。
【０１３４】
上記実施の形態では、情報記録媒体２の記録層２３は、島状に分散して配された微粒子により構成されている。記録層２３は、必ずしも分散して配される必要はなく、連続的に形成されていてもよい。この場合においても、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３から、間欠的に記録領域２３に近接場光Ａ１が照射されるため、記録領域の温度を、結晶化時間の間結晶化温度以上融点以下の範囲に記録領域の温度を維持できるよう構成できる。
【０１３５】
この他、本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。たとえば、上記実施の形態の一部または全部を組み合わせることができる。
【０１３６】
（本発明の態様）
上記の開示は、以下の発明の態様を開示する。
１．  情報記録媒体に情報を記録するための近接場光を発生させる装置であって、
記録光を出射する光源と、
記録光が照射されることによって近接場光を発生させる近接場光発生素子と、を備え、
近接場光発生素子は、情報記録媒体の走査方向に整列された第１から第ｍ（ｍは２以上の整数）の近接場光発生領域を備える、
ことを特徴とする近接場光発生装置。
この構成により、情報記録の際、記録層の１つの記録領域には、近接場光が複数回、間欠的に照射される。記録領域に近接場光を複数回照射することによって、記録領域における温度を結晶化温度以上融点未満に保つことができる。よって、記録領域の相変化記録材料を適切に結晶化させることができる。つまり、情報記録媒体の記録層の温度を適切に制御できる。
２．  上記１に記載の近接場光発生装置において、
第１から第ｍの近接場光発生領域と情報記録媒体の表面との間の距離ＷＤｋ（ｋは１≦ｋ≦ｍを満たす整数）は、ＷＤ１≦ＷＤ２≦…≦ＷＤｍの関係を満たす、
ことを特徴とする近接場光発生装置。
この構成により、近接場光Ａ１が記録層の記録領域に複数回照射されても、記録領域における温度が融点を超えることが抑制され、記録層２３の結晶化が安定的に進む。
３．  上記１または２に記載の近接場光発生装置において、
第１から第ｍの近接場光発生領域は、走査方向に関して情報記録媒体の記録間隔の自然数倍の間隔で、近接場光発生素子に配されている、
ことを特徴とする近接場光発生装置。
この構成により、第１から第ｍの近接場光発生領域において発生した近接場光が、記録層の各記録領域に同時に照射され、隣接する記録領域への熱的なクロストークを抑制できる。
記録領域が同時に
４．  上記１ないし３のいずれか一項に記載の近接場光発生装置において、
記録層は、分散して配列された、近接場光によって光学定数が変化可能な微粒子を含む、
ことを特徴とする近接場光発生装置。
５．  上記４に記載の近接場光発生装置において、
微粒子の主成分は、相変化記録材料である、
ことを特徴とする近接場光発生装置。
６．  近接場光を用いて情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、
記録光を出射する光源と、
光源から出射された記録光を集光する集光部と、
集光部により集光された録光が照射されることによって近接場光を発生させる近接場光発生素子と、を備え、
第近接場光発生素子は、情報記録媒体の走査方向に整列された第１から第ｍ（ｍは２以上の整数）の近接場光発生領域を備え、
第１から第ｍの近接場光発生領域において発生した近接場光は、記録層に照射される、
ことを特徴とする情報記録装置。
７．  上記６に記載の情報記録装置において、
第１から第ｍの近接場光発生領域と情報記録媒体の表面との間の距離ＷＤｋ（ｋは１≦ｋ≦ｍを満たす整数）は、ＷＤ１≦ＷＤ２≦…≦ＷＤｍの関係を満たす、
ことを特徴とする情報記録装置。
８．  上記６または７に記載の情報記録装置において、
第１から第ｍの近接場光発生領域は、走査方向に関して情報記録媒体の記録間隔の自然数倍の間隔で、近接場光発生素子に配されている、
ことを特徴とする情報記録装置。
９．  上記６ないし８のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
記録層は、分散して配列された、近接場光によって光学定数が変化可能な微粒子を含む、
ことを特徴とする情報記録装置。
１０．  上記９に記載の情報記録装置において、
微粒子の主成分は、相変化記録材料である、
ことを特徴とする情報記録装置。
１１．  上記６ないし１０のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
第１から第ｍの近接場光発生領域の数ｍは、近接場光発生素子と情報記録媒体との相対速度に応じて設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
この構成により、相対速度の変化に対応して近接場光発生領域の数ｍを設定することにより、適切な近接場光の照射時間を確保できる。
１２．  上記１１に記載の情報記録装置において、
第１から第ｍの近接場光発生領域の数ｍは、近接場光発生素子と情報記録媒体との相対速度の増加に応じて増やされるよう設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
この構成により、相対速度が増加したとしても、近接場光発生領域の数ｍを増やすことにより、十分な長さの近接場光の照射時間を確保できる。
１３．  上記６ないし１２のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
第１から第ｍの近接場光発生領域の走査方向における間隔は、近接場光発生素子と情報記録媒体との相対速度に応じて設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
この構成により、相対速度の変化に対応して第１から第ｍの近接場光発生領域の走査方向における間隔を設定することにより、適切な近接場光の照射時間を確保できる。
１４．  上記１３に記載の情報記録装置において、
第１から第ｍの近接場光発生領域の走査方向における間隔は、近接場光発生素子と情報記録媒体との相対速度の増加に応じて増やされるよう設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
この構成により、相対速度が増加したとしても、第１から第ｍの近接場光発生領域の走査方向における間隔を設定することにより、十分な長さの近接場光の照射時間を確保できる。
１５．  上記６ないし１４のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
第１から第ｍの近接場光発生領域の数ｍは、記録層への情報の記録に要する時間に応じて設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
この構成により、近接場光発生領域の数ｍを調節することで、近接場光の照射時間を、記録層への情報の記録に要する時間に応じて適切に設定できる。
１６．  上記１５に記載の情報記録装置において、
第１から第ｍの近接場光発生領域の数ｍは、記録層への情報の記録に要する時間の増加に応じて増やされるよう設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
この構成により、記録層への情報の記録に要する時間の増加に対応して近接場光発生領域の数ｍを増やすことで、十分な長さの近接場光の照射時間を確保できる。
１７．  上記６ないし１６のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
第１から第ｍの近接場光発生領域の走査方向における間隔は、記録層への情報の記録に要する時間に応じて設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
この構成により、第１から第ｍの近接場光発生領域の走査方向における間隔を調節することで、近接場光の照射時間を、記録層への情報の記録に要する時間に応じて適切に設定できる。
１８．  上記１７に記載の情報記録装置において、
第１から第ｍの近接場光発生領域の走査方向における間隔は、記録層への情報の記録に要する時間の増加に応じて増やされるよう設定される、
ことを特徴とする情報記録装置。
この構成により、記録層への情報の記録に要する時間の増加に対応して第１から第ｍの近接場光発生領域の走査方向における間隔を長く設定することで、十分な長さの近接場光の照射時間を確保できる。
１９．  上記６ないし８のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
近接場光発生素子は、第１から第ｍの近接場光発生領域の各々を備える複数の素子から構成される、
ことを特徴とする情報記録装置。
この構成により、情報記録装置の組み立て時において、第１から第３の近接場光発生領域３２１、３２２、３２３に係る記録方向の間隔や、距離ＷＤ１〜ＷＤ３を容易に調整できる。
２０．  上記６ないし１９のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
情報記録媒体に近接配置され、情報記録媒体に記録された情報を再生するための近接場光を発生させる、近接場光発生素子とは別の近接場光発生素子と、
別の近接場光発生素子からの近接場光が記録層に照射されることにより発生した散乱光を検出する光検出器と、をさらに備える、
ことを特徴とする情報記録装置。
この構成により、情報記録装置を用いて、情報記録媒体に記録された情報を再生できる。
２１．  上記６ないし１９のいずれか一項に記載の情報記録装置において、
記録光を出射する別の光源と、
別の光源から出射された記録光を集光する別の集光部と、
情報記録媒体に近接配置され、別の集光部により集光された録光が照射されることによって近接場光を発生させるさらに別の近接場光発生素子と、をさらに備える、
ことを特徴とする情報記録装置。
この構成により、情報記録装置を用いて、情報記録媒体にビット情報を、情報記録媒体２に記録できる。
２２．  近接場光を用いて情報記録媒体に情報を記録する情報記録方法であって、
走査方向に整列された第１から第ｍ（ｍは２以上の整数）の近接場光発生領域を有する近接場光発生素子を、情報記録媒体に対して相対的に走査方向へ移動させるステップと、
記録光を出射するステップと、
記録光を集光し、集光された記録光を近接場光発生素子に照射するステップと、
記録光が照射されることに基づいて、第１から第ｍの近接場光発生領域から近接場光を発生させ、記録層に照射するステップと、を含む、
ことを特徴とする情報記録方法。
【産業上の利用可能性】
【０１３７】
本発明の構成によれば、情報記録媒体の記録層の温度を適切に制御できる近接場光発生装置、情報記録装置、および情報記録方法を提供することができる。
【符号の説明】
【０１３８】
１  光学情報記録再生装置  （近接場光場発生装置、情報記録装置）
１ａ  光学情報記録装置  （近接場光発生装置、情報記録装置）
２  情報記録媒体
３  光学ヘッド
２３  記録層
３２  近接場光発生素子  （近接場光発生素子）
３３  近接場光発生素子  （別の近接場光発生素子）
３４  近接場光発生素子  （別の近接場光発生素子）
４１  光源
４４  集光レンズ  （集光部）
５６  光検出器
６１  光源  （別の光源）
６４  集光レンズ  （別の集光部）
Ａ１、Ａ３  記録光
Ａ２  再生光
Λｙ  記録間隔
ＷＤｋ  距離（１≦ｋ≦ｍ）
３２ａ、３２ｂ、３２ｃ  第１から第３の素子  （複数の素子）
３２１、３２２、３２３  第１から第３の近接場光発生領域  （第１から第ｍの近接場光発生領域）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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