(57)【要約】      （修正有）【課題】マトリクス型リードフレームを使用したトランスファ樹脂モールドに於いては、樹脂充填流路が長くなる結果、樹脂使用量の増大、樹脂充填特性のばらつき増大等の問題が重要となっている。特に、ＱＦＰ系のパッケージにおいては、これらの問題の解決手段を提供する。【解決手段】ＱＦＰ系のパッケージ形状を有する樹脂封止型半導体回路装置の製造方法に於いて、トランスファ樹脂モールドにより、マトリクス型リードフレーム３の各ＱＦＰ系単位デバイス領域に樹脂封止体を形成する際に、以下のようにするものである。すなわち、複数列状に並んだマルチポット５３の各々の両側に一対又は２対のキャビティ５２を連結するような一対の金型を準備し、複数列状に並んだマルチポットおよび、それらに連結されたキャビティ群を覆うようにマトリクス型リードフレームをクランプした状態で、封止樹脂を充填するものである。【選択図】図８
2013247275.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）第１の主面および第２の主面を有し、複数のＱｕａｄ系単位デバイス領域が２次元マトリクス状に配置されたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）前記リードフレームの前記第１の主面上であって、各Ｑｕａｄ系単位デバイス領域に半導体チップを配置する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記リードフレームを、第１のモールド金型および第２のモールド金型でクランプする工程； 
（ｄ）前記リードフレームを前記第１のモールド金型および前記第２のモールド金型でクランプした状態で、トランスファ樹脂封止を実行することにより、前記リードフレームの各Ｑｕａｄ系単位デバイス領域に樹脂封止体を形成する工程；
（ｅ）前記第１のモールド金型および前記第２のモールド金型を開き、前記樹脂封止体が形成された前記リードフレームを取り出す工程、
ここで、前記工程（ｄ）においては、前記第１のモールド金型および前記第２のモールド金型間には、第１の方向に延在する第１の樹脂ポット−キャビティセル列が形成されており、前記リードフレームは、前記第１の樹脂ポット−キャビティセル列の領域を覆うようにセットされており、前記第１の樹脂ポット−キャビティセル列は、列状に配置された複数の樹脂ポット−キャビティセルを有し、各樹脂ポット−キャビティセルは、以下を有する：
（ｘ１）樹脂ポット；
（ｘ２）前記樹脂ポットの一方の側に、かつ前記樹脂ポットの隣に設けられ、これに連結された一つ又は二つのモールドキャビティ；
（ｘ３）前記樹脂ポットの他方の側に、かつ前記樹脂ポットの隣に、前記一方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティと対を成すように設けられ、前記樹脂ポットに連結された一つ又は二つのモールドキャビティ；
（ｘ４）前記樹脂ポットと、前記一方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティを連結する一つ又は二つの樹脂流路；
（ｘ５）前記樹脂ポットと、前記他方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティを連結する一つ又は二つの樹脂流路。
【請求項２】
請求項１の半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットには、他のキャビティは連結されていない。
【請求項３】
請求項２の半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットは、他の樹脂ポットと連結されていない。
【請求項４】
請求項３の半導体装置の製造方法において、各モールドキャビティは、他のモールドキャビティを経由することなく、前記樹脂ポットに連結されている。
【請求項５】
請求項４の半導体装置の製造方法において、各樹脂流路は、相互に独立している。
【請求項６】
請求項５の半導体装置の製造方法において、各樹脂ポット−キャビティセルは、更に、以下を有する：
（ｘ６）各キャビティのコーナ部であって前記樹脂流路が連結された部分に設けられたゲート。
【請求項７】
請求項６の半導体装置の製造方法において、各樹脂ポット−キャビティセルは、更に、以下を有する：
（ｘ７）前記樹脂ポットと各キャビティの間の各樹脂流路上に於いて、前記ゲートと前記樹脂ポットの間に設けられたゲート前樹脂溜まり。
【請求項８】
請求項５の半導体装置の製造方法において、各ＱＦＰ系単位デバイス領域は、多数のリードを有し、
更に以下の工程を含む：
（ｆ）前記工程（ｂ）の後であって前記工程（ｃ）の前に、各リードと前記半導体チップの表面に設けられた複数のボンディングパッド間をボンディングワイヤで接続する工程。
【請求項９】
請求項６の半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットに連結される前記キャビティの数は、２個である。
【請求項１０】
請求項６の半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットに連結される前記キャビティの数は、４個である。
【請求項１１】
請求項６の半導体装置の製造方法において、前記第１の樹脂ポット−キャビティセル列の内部に於いて、前記樹脂ポットは、ほぼ前記第１の方向の第１の直線に沿って並び、前記一方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティは、ほぼ前記第１の直線に平行な第２の直線に沿って並び、前記他方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティは、ほぼ前記第１の直線に平行な第３の直線に沿って並ぶ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法に関し、特に樹脂封止技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本特開２００５−３５３８７８号公報（特許文献１）は、同様に、リードフレームを用いたＱＦＰ系のパッケージ構造を有する半導体装置のトランスファモールドによる樹脂封止技術に関するものである。そこで、中央にポット列を有するマルチポット方式のモールド金型に於いて、各ポットをその両側の多数のキャビティに連結したキャビティ列群が示されている。そして、これらの両側のキャビティ列群のそれぞれに対して各一枚のリードフレームをセットする技術が開示されている。
【０００３】
日本特開平７−２５４６７８号公報（特許文献２）は、リードフレームを用いたＳＯＰ系のパッケージ構造を有する半導体装置のトランスファモールドによる樹脂封止技術に関するものである。そこで、先行技術として、複数列のポット列を有するマルチポット方式のモールド金型に於いて、各列の各ポットをその両側の一対のキャビティに連結したポット−キャビティ列群が示されている。そして、このポット−キャビティ列群を構成する各キャビティ列のそれぞれに対して各一枚のリードフレームをセットする技術が開示されている。また、当該出願に係る発明として、複数列のポット列を有するマルチポット方式のモールド金型に於いて、各列の各ポットをその両側の一対のキャビティに連結したポット−キャビティ列群が示されている。そして、これらのポット−キャビティ列のそれぞれに対して各一枚のリードフレームをセットする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３５３８７８号公報
【特許文献２】特開平７−２５４６７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
たとえば、マトリクス型リードフレーム（多連多列型リードフレーム）を使用したトランスファ樹脂モールド（封止樹脂を用いたトランスファモールド）に於いては、樹脂充填流路が長くなる結果、樹脂使用量の増大、樹脂充填特性のばらつき増大等の問題が重要となっている。特に、リード数が多くパッケージ面積も大きいＱＦＰ系のパッケージ（たとえば、ＱＦＰ，ＱＦＮ，ＬＱＦＰ，ＴＱＦＰ，ＨＱＦＰ等のＱｕａｄ系）においては、これらの問題の解決は、更に重要となっている。
【０００６】
このような課題を解決するための手段等を以下に説明するが、その他の課題と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願において開示される実施の形態のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【０００８】
本願の一実施の形態の概要は、ＱＦＰ系のパッケージ形状を有する樹脂封止型半導体回路装置の製造方法に於いて、トランスファ樹脂モールドにより、マトリクス型リードフレームの各ＱＦＰ系単位デバイス領域に樹脂封止体を形成する際に、以下のようにするものである。すなわち、列状に並んだマルチポットの両側に一対又は２対のキャビティを連結するような金型を準備し、列状に並んだマルチポットおよび、それらに連結されたキャビティ群を覆うようにマトリクス型リードフレームをクランプした状態で、封止樹脂を充填するものである。
【発明の効果】
【０００９】
本願において開示される実施の形態のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１０】
すなわち、前記本願の一実施の形態によれば、樹脂充填流路が長くなることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立てプロセスの前半の概要等を説明するためのリードフレームの一例を示す大域的上面図（リードフレーム準備完了段階）である。
【図２】図１のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の拡大上面図である。
【図３】図２の単位デバイス領域３ａ（ＱＦＰ系単位デバイス領域）の拡大上面図である。
【図４】図３に対応する部分（ただし、リードフレームの微細部分は図示の都合上、省略している）のリードフレーム斜視図（ダイボンディング完了時点）である。
【図５】図４に対応する部分のワイヤボンディング工程完了時点におけるリードフレーム斜視図である。
【図６】図５における模式的断面図（図３のＢ−Ｂ’断面に対応）である。
【図７】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するトランスファモールド装置の模式的上面図である。
【図８】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスの詳細を説明するためのモールド金型間のリードフレームとキャビティ等の関係を示す模式的広域平面図である。
【図９】図８の樹脂ポット−キャビティセル６１の具体的構成の一例を示す樹脂ポット−キャビティセル６１の模式的平面図である。
【図１０】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスのフローを説明するための樹脂モールド工程中（リードフレームセット工程）における金型＆リードフレーム断面図である。
【図１１】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスのフローを説明するための樹脂モールド工程中（クランプ工程）における金型＆リードフレーム断面図である。
【図１２】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスのフローを説明するための樹脂モールド工程中（樹脂充填工程）における金型＆リードフレーム断面図である。
【図１３】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスのフローを説明するための樹脂モールド工程中（リードフレーム取り出し工程）における金型＆リードフレーム断面図である。
【図１４】図１２に対応する工程（樹脂充填工程）における図１に対応するリードフレームの大域的上面図（上金型を透過させて内部を表示したもの）ある。
【図１５】図１４のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の拡大上面図である。
【図１６】図１５の単位デバイス領域３ａ（ＱＦＰ系単位デバイス領域）およびその周辺の拡大上面図である。
【図１７】図１６に於いて、樹脂等を透過させて、リードフレーム、半導体チップ、ボンディングワイヤ等を破線で表示した拡大上面図である。
【図１８】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立てプロセスの後半の概要等を説明するための図３に対応する部分（単位デバイス領域３ａ）の樹脂モールド完了後の斜視図（マトリクス状のリードフレームの単位デバイス領域３ａのみを示す）である。
【図１９】図３に対応する部分（単位デバイス領域３ａ）のデバイス分離およびリード成形完了後の斜視図（マトリクス状のリードフレームの単位デバイス領域３ａのみを示す）である。
【図２０】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルのキャビティ数に関する変形例等を説明するための図９に対応するセル簡易構成図（キャビティ１対方式）である。
【図２１】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルのキャビティ数に関する変形例等を説明するための図９に対応するセル簡易構成図（キャビティ２対方式）である。
【図２２】図２１のキャビティ２対方式における図８に対応する模式的広域平面図である。
【図２３】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルの構成に関する変形例（ゲート前樹脂溜まりレス方式）を説明するための図８の樹脂ポット−キャビティセル６１の具体的構成を示す模式的平面図である。
【図２４】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルの構成に関する変形例（ゲート前樹脂溜まりレス方式）を説明するための図３に対応する単位デバイス領域３ａ（ＱＦＰ系単位デバイス領域）の拡大上面図である。
【図２５】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルの構成に関する変形例（ゲート前樹脂溜まりレス方式）を説明するための図１７に対応する拡大透過上面図である。
【図２６】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルの構成に関する変形例（ゲート前樹脂溜まりレス方式）を説明するための図１１に対応する樹脂モールド工程中（クランプ工程）における金型＆リードフレーム断面図である。
【図２７】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールド工程のアウトラインを説明するための図８に対応するモールド金型間のリードフレームとキャビティ等の関係を示す模式的広域平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１３】
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）第１の主面および第２の主面を有し、複数のＱｕａｄ系単位デバイス領域が２次元マトリクス状に配置されたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）前記リードフレームの前記第１の主面上であって、各Ｑｕａｄ系単位デバイス領域に半導体チップを配置する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記リードフレームを、第１のモールド金型および第２のモールド金型でクランプする工程； 
（ｄ）前記リードフレームを前記第１のモールド金型および前記第２のモールド金型でクランプした状態で、トランスファ樹脂封止を実行することにより、前記リードフレームの各Ｑｕａｄ系単位デバイス領域に樹脂封止体を形成する工程；
（ｅ）前記第１のモールド金型および前記第２のモールド金型を開き、前記樹脂封止体が形成された前記リードフレームを取り出す工程、
ここで、前記工程（ｄ）においては、前記第１のモールド金型および前記第２のモールド金型間には、第１の方向に延在する第１の樹脂ポット−キャビティセル列が形成されており、前記リードフレームは、前記第１の樹脂ポット−キャビティセル列の領域を覆うようにセットされており、前記第１の樹脂ポット−キャビティセル列は、列状に配置された複数の樹脂ポット−キャビティセルを有し、各樹脂ポット−キャビティセルは、以下を有する：
（ｘ１）樹脂ポット；
（ｘ２）前記樹脂ポットの一方の側に、かつ前記樹脂ポットの隣に設けられ、これに連結された一つ又は二つのモールドキャビティ；
（ｘ３）前記樹脂ポットの他方の側に、かつ前記樹脂ポットの隣に、前記一方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティと対を成すように設けられ、前記樹脂ポットに連結された一つ又は二つのモールドキャビティ；
（ｘ４）前記樹脂ポットと、前記一方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティを連結する一つ又は二つの樹脂流路；
（ｘ５）前記樹脂ポットと、前記他方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティを連結する一つ又は二つの樹脂流路。
【００１４】
２．前記項１の半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットには、他のキャビティは連結されていない。
【００１５】
３．前記項１または２の半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットは、他の樹脂ポットと連結されていない。
【００１６】
４．前記項１から３のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各モールドキャビティは、他のモールドキャビティを経由することなく、前記樹脂ポットに連結されている。
【００１７】
５．前記項１から４のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各樹脂流路は、相互に独立している。
【００１８】
６．前記項１から５のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各樹脂ポット−キャビティセルは、更に、以下を有する：
（ｘ６）各キャビティのコーナ部であって前記樹脂流路が連結された部分に設けられたゲート。
【００１９】
７．前記項６の半導体装置の製造方法において、各樹脂ポット−キャビティセルは、更に、以下を有する：
（ｘ７）前記樹脂ポットと各キャビティの間の各樹脂流路上に於いて、前記ゲートと前記樹脂ポットの間に設けられたゲート前樹脂溜まり。
【００２０】
８．前記項１から７のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各ＱＦＰ系単位デバイス領域は、多数のリードを有し、
更に以下の工程を含む：
（ｆ）前記工程（ｂ）の後であって前記工程（ｃ）の前に、各リードと前記半導体チップの表面に設けられた複数のボンディングパッド間をボンディングワイヤで接続する工程。
【００２１】
９．前記項１から８のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットに連結される前記キャビティの数は、２個である。
【００２２】
１０．前記項１から８のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットに連結される前記キャビティの数は、４個である。
【００２３】
１１．前記項１から１０のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第１の樹脂ポット−キャビティセル列の内部に於いて、前記樹脂ポットは、ほぼ前記第１の方向の第１の直線に沿って並び、前記一方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティは、ほぼ前記第１の直線に平行な第２の直線に沿って並び、前記他方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティは、ほぼ前記第１の直線に平行な第３の直線に沿って並ぶ。
【００２４】
次に、本願において開示される代表的な実施の形態について、その他の概要を説明する。
【００２５】
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）第１の主面および第２の主面を有し、複数のＱＦＰ系単位デバイス領域が２次元マトリクス状に配置されたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）前記リードフレームの前記第１の主面上であって、各ＱＦＰ系単位デバイス領域に、接着部材層を介して、半導体チップをボンディングする工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記リードフレームを、第１のモールド金型および第２のモールド金型間にクランプする工程； 
（ｄ）前記リードフレームを前記第１のモールド金型および前記第２のモールド金型によってクランプした状態で、トランスファ樹脂封止を実行することにより、前記リードフレームの各ＱＦＰ系単位デバイス領域に樹脂封止体を形成する工程；
（ｅ）前記第１のモールド金型および前記第２のモールド金型を開き、前記樹脂封止体が形成された前記リードフレームを取り出す工程、
ここで、前記工程（ｄ）においては、前記第１のモールド金型および前記第２のモールド金型間には、第１の方向に延在する第１の樹脂ポット−キャビティセル列が形成されており、前記リードフレームは、前記第１の樹脂ポット−キャビティセル列の領域を覆うようにセットされており、前記第１の樹脂ポット−キャビティセル列は、列状に配置された複数の樹脂ポット−キャビティセルを有し、各樹脂ポット−キャビティセルは、以下を有する：
（ｘ１）樹脂ポット；
（ｘ２）前記樹脂ポットの一方の側にこれに隣接して設けられ、これに連結された一つ又は二つのモールドキャビティ；
（ｘ３）前記樹脂ポットの他方の側にこれに隣接して、前記一方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティと対を成すように設けられ、前記樹脂ポットに連結された一つ又は二つのモールドキャビティ；
（ｘ４）前記樹脂ポットと、前記一方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティを連結する一つ又は二つの樹脂流路；
（ｘ５）前記樹脂ポットと、前記他方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティを連結する一つ又は二つの樹脂流路。
【００２６】
２．前記項１の半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットには、他のキャビティは連結されていない。
【００２７】
３．前記項１または２の半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットは、他の樹脂ポットと連結されていない。
【００２８】
４．前記項１から３のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各モールドキャビティは、他のモールドキャビティを経由することなく、前記樹脂ポットに連結されている。
【００２９】
５．前記項１から４のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各樹脂流路は、相互に独立している。
【００３０】
６．前記項１から５のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各樹脂ポット−キャビティセルは、更に、以下を有する：
（ｘ６）各キャビティのコーナ部であって前記樹脂流路が連結された部分に設けられたゲート。
【００３１】
７．前記項６の半導体装置の製造方法において、各樹脂ポット−キャビティセルは、更に、以下を有する：
（ｘ７）前記樹脂ポットと各キャビティの間の各樹脂流路上に於いて、前記ゲートと前記樹脂ポットの間に設けられたゲート前樹脂溜まり。
【００３２】
８．前記項１から７のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各ＱＦＰ系単位デバイス領域は、多数のリードを有し、
更に以下の工程を含む：
（ｆ）前記工程（ｂ）の後であって前記工程（ｃ）の前に、各リードと前記半導体チップの表面に設けられた複数のボンディングパッド間をボンディングワイヤで接続する工程。
【００３３】
９．前記項１から８のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットに連結される前記キャビティの数は、２個である。
【００３４】
１０．前記項１から８のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットに連結される前記キャビティの数は、４個である。
【００３５】
１１．前記項１から１０のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第１の樹脂ポット−キャビティセル列の内部に於いて、前記樹脂ポットは、ほぼ前記第１の方向の第１の直線に沿って並び、前記一方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティは、ほぼ前記第１の直線に平行な第２の直線に沿って並び、前記他方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティは、ほぼ前記第１の直線に平行な第３の直線に沿って並ぶ。
【００３６】
次に、本願において開示される代表的な実施の形態について、更に、その他の概要を説明する。
【００３７】
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）第１の主面および第２の主面を有し、複数のＱＦＰ系単位デバイス領域が２次元マトリクス状に配置されたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）前記リードフレームの前記第１の主面上であって、各ＱＦＰ系単位デバイス領域に、接着部材層を介して、半導体チップをボンディングする工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記リードフレームを、第１のモールド金型および第２のモールド金型間にクランプする工程； 
（ｄ）前記リードフレームを前記第１のモールド金型および前記第２のモールド金型によってクランプした状態で、トランスファ樹脂封止を実行することにより、前記リードフレームの各ＱＦＰ系単位デバイス領域に樹脂封止体を形成する工程；
（ｅ）前記第１のモールド金型および前記第２のモールド金型を開き、前記樹脂封止体が形成された前記リードフレームを取り出す工程、
ここで、前記工程（ｄ）においては、前記第１のモールド金型および前記第２のモールド金型間には、それぞれ第１の方向に延在し、これと直交する第２の方向に相互に隣接して並べられた第１の樹脂ポット−キャビティセル列および第２の樹脂ポット−キャビティセル列が形成されており、前記リードフレームは、前記第１の樹脂ポット−キャビティセル列および前記第２の樹脂ポット−キャビティセル列の領域を覆うようにセットされており、前記第１の樹脂ポット−キャビティセル列および前記第２の樹脂ポット−キャビティセル列は、それぞれ列状に配置された複数の樹脂ポット−キャビティセルを有し、各樹脂ポット−キャビティセルは、以下を有する：
（ｘ１）樹脂ポット；
（ｘ２）前記樹脂ポットの一方の側にこれに隣接して設けられ、これに連結された一つ又は二つのモールドキャビティ；
（ｘ３）前記樹脂ポットの他方の側にこれに隣接して、前記一方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティと対を成すように設けられ、前記樹脂ポットに連結された一つ又は二つのモールドキャビティ；
（ｘ４）前記樹脂ポットと、前記一方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティを連結する一つ又は二つの樹脂流路；
（ｘ５）前記樹脂ポットと、前記他方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティを連結する一つ又は二つの樹脂流路。
【００３８】
２．前記項１の半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットには、他のキャビティは連結されていない。
【００３９】
３．前記項１または２の半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットは、他の樹脂ポットと連結されていない。
【００４０】
４．前記項１から３のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各モールドキャビティは、他のモールドキャビティを経由することなく、前記樹脂ポットに連結されている。
【００４１】
５．前記項１から４のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各樹脂流路は、相互に独立している。
【００４２】
６．前記項１から５のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各樹脂ポット−キャビティセルは、更に、以下を有する：
（ｘ６）各キャビティのコーナ部であって前記樹脂流路が連結された部分に設けられたゲート。
【００４３】
７．前記項６の半導体装置の製造方法において、各樹脂ポット−キャビティセルは、更に、以下を有する：
（ｘ７）前記樹脂ポットと各キャビティの間の各樹脂流路上に於いて、前記ゲートと前記樹脂ポットの間に設けられたゲート前樹脂溜まり。
【００４４】
８．前記項１から７のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各ＱＦＰ系単位デバイス領域は、多数のリードを有し、
更に以下の工程を含む：
（ｆ）前記工程（ｂ）の後であって前記工程（ｃ）の前に、各リードと前記半導体チップの表面に設けられた複数のボンディングパッド間をボンディングワイヤで接続する工程。
【００４５】
９．前記項１から８のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットに連結される前記キャビティの数は、２個である。
【００４６】
１０．前記項１から８のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記樹脂ポットに連結される前記キャビティの数は、４個である。
【００４７】
１１．前記項１から１０のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第１の樹脂ポット−キャビティセル列および前記第２の樹脂ポット−キャビティセル列のそれぞれの内部に於いて、前記樹脂ポットは、ほぼ前記第１の方向の第１の直線に沿って並び、前記一方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティは、ほぼ前記第１の直線に平行な第２の直線に沿って並び、前記他方の側に設けられた前記一つ又は二つのモールドキャビティは、ほぼ前記第１の直線に平行な第３の直線に沿って並ぶ。
【００４８】
〔本願における記載形式、基本的用語、用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００４９】
更に、本願において、「半導体装置」というときは、主に、各種トランジスタ（能動素子）を中心に、抵抗、コンデンサ等を半導体チップ等（たとえば単結晶シリコン基板）上に集積したもの、および、半導体チップ等をパッケージングしたものをいう。ここで、各種トランジスタの代表的なものとしては、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に代表されるＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を例示することができる。このとき、集積回路構成の代表的なものとしては、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを組み合わせたＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型集積回路に代表されるＣＭＩＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型集積回路を例示することができる。
【００５０】
なお、「半導体装置」には、パワー・トランジスタ等の単体電子デバイスが含まれる。
【００５１】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかに、そうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。
【００５２】
３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。
【００５３】
４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００５４】
５．「ウエハ」というときは、通常は半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、ＳＯＩ基板、ＬＣＤガラス基板等の絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。
【００５５】
６．本願に於いて、「ＱＦＰ系単位デバイス領域」または「Ｑｕａｄ系単位デバイス領域」とは、一つのＱＦＰ系デバイス（またはＱｕａｄ系単位デバイス）を形成するリードフレームの領域を言う。ここで、「ＱＦＰ系デバイス」または「Ｑｕａｄ系デバイス」とは、パッケージ形状がＱＦＰ系（またはＱｕａｄ系）のデバイスを指す。典型的には、たとえば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇ）、ＬＱＦＰ（Ｌｏｗ  Ｐｒｏｆｉｌｅ  Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇ）、ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ  Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇ）、ＨＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇ  ｗｉｔｈ  Ｈｅａｔ−ｓｉｎｋ）等がこれに属する。なお、そのほかに関しては、比較的平面的なパッケージであって、平面的な形状が、ほぼ矩形（正方形、長方形）であり、その４個の辺またはその近傍から多数の外部リードが露出しているものがこれに属する。
【００５６】
本願に於いて、「モールドキャビティ」とは、モールドの際に、その内部に半導体チップ等を収容する空洞をいう。
【００５７】
本願に於いて、「樹脂溜まり」とは、モールドキャビティの外部に設けられた樹脂を収容するスペースである。樹脂流路上に於いて、モールドキャビティに関して、樹脂ポットに近い位置にあるものを「ゲート前樹脂溜まり」と呼び、樹脂ポットに遠い位置にあるものを「オーバフロー樹脂溜まり」と呼ぶ。なお、本願に於いては、樹脂溜まりは、モールドキャビティではない。
【００５８】
本願に於いて、「樹脂ポット−キャビティセル」とは、少なくとも、樹脂ポット、モールドキャビティ、および、その間を連結する樹脂流路から構成されたモールド金型内（たとえば、上金型と下金型の間）の多岐管（Ｍａｎｉｆｏｌｄ）を指す。また、「樹脂ポット−キャビティセル列」とは、この樹脂ポット−キャビティセルが、たとえば、Ｙ方向（すなわち列方向）に並んだものである。なお、本願に於いては、この樹脂ポット−キャビティセル列が、たとえば、Ｙ方向とほぼ直交するＸ方向（すなわち行方向）に並んだものを「樹脂ポット−キャビティセル行列」と呼ぶことがある。
【００５９】
本願に於いて、「樹脂流路（または樹脂流動経路）が相互に独立している」とは、ある樹脂ポット−キャビティセルを考えたとき、セル内においては、複数の樹脂流路間が、他の樹脂流路によって相互に連結されていないことを言い、他のセルとの関係に於いては、あるセルが他のセルと樹脂流路によって相互に連結されていないことを言う。
【００６０】
更に、本願に於いて、樹脂ポットとモールドキャビティの位置関係に関して、「モールドキャビティが樹脂ポットに隣接する」または「モールドキャビティが樹脂ポットの隣にある」等というときは、当該樹脂ポットと当該モールドキャビティの間に同種の他のモールドキャビティが割り込まないことを言う。
【００６１】
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００６２】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。
【００６３】
なお、二者択一の場合の呼称に関して、一方を「第１」等として、他方を「第２」等と呼ぶ場合に於いて、代表的な実施の形態に沿って、対応付けして例示する場合があるが、たとえば「第１」といっても、例示した当該選択肢に限定されるものではないことは言うまでもない。
【００６４】
なお、本願発明者らによって開発された樹脂封止技術について開示した先行特許出願としては、たとえば日本特願第２０１１−１０７１２７号（日本出願日２０１１年５月１２日）がある。
【００６５】
１．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立てプロセスの前半の概要等の説明（主に図１から図６）
このセクションでは、単位デバイス領域３ａ（図１参照）についていえば、主に縦４個＆横１２個構成のマトリクスリードフレーム（ただし、図上では、表示の線名声を確保するため、一部のみを表示している）を例に取り説明するが、それ以外の構成でも良いことは言うまでもない。なお、縦４個＆横１２個構成は、樹脂ポット−キャビティセル６１（図８参照）についていえば、主に縦４個＆横６個構成のマトリクスリードフレームである。
【００６６】
また、このセクションでは、パッケージ形態として、比較的単純な外部リード付きパッケージ、すなわち、ＱＦＰ、ＬＱＦＰ、ＴＱＦＰ等について具体的に説明するが、これ以外の外部リード付きパッケージ（たとえば、ＨＱＦＰ）やＱＦＮその他のＱＦＰ系パッケージでも良いことは言うまでもない。
【００６７】
図１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立てプロセスの前半の概要等を説明するためのリードフレーム（たとえばＴＱＦＰ用リードフレーム）の一例を示す大域的上面図（リードフレーム準備完了段階）である。図２は図１のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の拡大上面図である。図３は図２の単位デバイス領域３ａ（ＱＦＰ系単位デバイス領域）の拡大上面図である。図４は図３に対応する部分（ただし、リードフレームの微細部分は図示の都合上、省略している）のリードフレーム斜視図（ダイボンディング完了時点）である。図５は図４に対応する部分のワイヤボンディング工程完了時点におけるリードフレーム斜視図である。図６は図５における模式的断面図（図３のＢ−Ｂ’断面に対応）である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立てプロセスの前半の概要を説明する。
【００６８】
まず、図１に本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立てプロセスに使用するリードフレーム３の一例を示す。図１に示すように、リードフレーム３上には、２次元マトリクス状に複数の（多数の）単位デバイス領域３ａ（ＱＦＰ系単位デバイス領域）が設けられており、リードフレーム３の両側部分には、位置決め又は送りに使用するリードフレーム位置決め孔１２（またはリードフレーム送り孔）が設けられている。リードフレーム３上であって、金型５１（図８参照）の樹脂ポット５３に対応する部分には、リードフレーム樹脂ポット開口１４が設けられている。また、図１のリードフレーム３上に第１の樹脂ポット−キャビティセル列６２ａおよび第２の樹脂ポット−キャビティセル列６２ｂを示す。
【００６９】
次に、図１のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１を図２に示す。図２に示すように、各単位デバイス領域３ａの周辺部のリードフレーム３には、スリット１５が設けられており、各単位デバイス領域３ａ一つのコーナ部には、ゲート前樹脂溜まり開口１７が設けられている。
【００７０】
次に、図１および図２の単位デバイス領域３ａ（ＱＦＰ系単位デバイス領域）の詳細上面図を図３に示す。図３に示すように、単位デバイス領域３ａの中央部には、ダイパッド１０が設けられており、このダイパッド１０は、たとえば、４本のダイパッドサポートバー８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ（または、吊りリード）によって、外枠４のコーナ部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに連結されている。各ダイパッドサポートバー８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄの外端部において、分岐しており、その分岐部分に当たるリードフレーム３には、ダイパッドサポートバー分岐部開口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが設けられている（なお、このような分岐は、必須ではなく、直線的なバーやその他の形状でも良い）。また、リードフレーム３の外枠コーナ部４ｄには、この例では、４個の開口から構成されたゲート前樹脂溜まり開口１７が設けられており、一つの開口は、ダイパッドサポートバー分岐部開口１６ｄと連結している。
【００７１】
ダイパッド１０の周辺には、リードフレーム３の外枠４の各辺から多数（複数）のリード１が配置されており、これらの各辺から延びたリード１は、それらの中間部をダムバー７（またはタイバー）によって支持されている。各リード１は、ダムバー７を境に、インナリード５とアウタリード６に分かれている。
【００７２】
なお、このリードフレーム３では、リードフレーム３の第１の主面３ｆ側（第２の主面３ｓの反対側の面）の形状と、第２の主面３ｓ側の形状はほぼ同じである。なお、ダイパッドのダウンセット（ダイパッドおよび、その近傍を他の部分よりも低くすること）
次に、図３に対応する部分について、ダイボンディング完了時点の斜視図を図４に示す。図４に示すように、半導体チップ２は、たとえば、銀ペースト（またはダイアタッチフィルム、いわゆるＤＡＦ）等の接着部材層１９（図６参照）を介して、リードフレーム３の第１の主面３ｆ側のダイパッド１０上にダイボンディングされる。
【００７３】
次に、図３に対応する部分について、ワイヤボンディング完了時点の斜視図を図５に示す。図５および図６に示すように、接着部材層１９を介して、半導体チップ２は、その表面２ａ（裏面２ｂの反対の面）を上に向けてダイパッド１０にダイボンディングされた状態で、ワイヤボンディング工程が実行される。ワイヤボンディング工程においては、半導体チップ２の表面２ａ上のボンディングパッド１８（例えば、アルミニウム系ボンディングパッド）とインナリード５の間が、たとえば、ボール＆ウエッジ形式により、たとえば、金ワイヤ９等のボンディングワイヤを用いてワイヤボンディングされる。ワイヤボンディングの方法としては、たとえば、キャピラリを用いたサーモソニック法を好適なものとして例示することができる。ここで、通常、半導体チップ２の側をボールボンディング（第１ボンディング点）とし、インナリード５の側をウエッジボンディング（第２ボンディング点）とする順方向ボンディングを採用するが、一部又は全部、逆方向ボンディングを採用してもよい。ここで、逆方向ボンディングとは、インナリード５の側をボールボンディング（第１ボンディング点）とし、半導体チップ２の側をウエッジボンディング（第２ボンディング点）とする方式を言う。
【００７４】
ワイヤボンディング工程が完了すると、リードフレーム３は、例えば、次のセクションで説明する樹脂モールド装置５０に送られ、そこで、セクション３に説明する樹脂モールド工程が実行される。
【００７５】
２．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するトランスファモールド装置および樹脂モールドプロセスの流れのアウトラインの説明（主に図７）
このセクションでは、前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するトランスファモールド装置の一例を示すが、これ以外の構成の装置であっても良いことは言うまでもない。
【００７６】
図７は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するトランスファモールド装置の模式的上面図である。これに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するトランスファモールド装置を説明する。
【００７７】
図７に示すように、ワイヤボンディング工程が完了したリードフレーム３は、まず、樹脂モールド装置５０のリードフレームローダ７１に収納される。次に、リードフレーム３は、フレーム整列部７２に移送され、そこで、整列される。これらと並行して、タブレット供給部７６によって、樹脂タブレット５９が、モールド金型５１内にセットされる。次に、リードフレーム３は、フレーム搬入部７３に移送され、そこから、フレーム搬入部７３によって、プレス部７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，７４ｄのいずれかに搬送され、そこで、モールド金型５１内にセットされる。各プレス部７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，７４ｄのコーナ部にあるのは、プレスの位置決めピン７５である。
【００７８】
次に、モールド金型５１内での処理が完了したリードフレーム３は、フレーム搬出部７７によって、モールド金型５１外のゲートブレーク部７８に搬出され、そこで、ゲートブレーク工程等が実行される。ゲートブレーク工程等が完了したリードフレーム３は、モールド後リードフレーム収納部７９に移送され、そこから、たとえば、樹脂モールド装置５０の外部へ搬出され、たとえば、摂氏１７５度程度の温度に於いて、ポストモールドキュア処理工程（例えば、数時間程度）が実行される。その後、セクション４に示すように、リードフレーム３は、組み立てプロセスの後半処理に供される。
【００７９】
３．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスの詳細説明（主に図８から図１７）
このセクションでは、樹脂ポット−キャビティセルの一例として、ゲート前樹脂溜まり、オーバフロー樹脂溜まり、および一対のモールドキャビティを有するものを具体的に説明する。しかし、ゲート前樹脂溜まり、オーバフロー樹脂溜まり等は、必須ではないことは言うまでもない。
【００８０】
また、モールドキャビティの数は、一対でも二対でも良い。
【００８１】
なお、このセクション等では、モールドキャビティ５２（図８参照）の平面構造として、ほぼ正方形のものを例に取り具体的に説明するが、モールドキャビティ５２の平面構造としては、ほぼ正方形のもののほか、ほぼ長方形のものでも良いことは言うまでもない。
【００８２】
また、このセクションでは、主にＴＱＦＰを前提に具体的に説明するが、他のＱＦＰ系デバイスでも良いことは言うまでもない。
【００８３】
図８は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスの詳細を説明するためのモールド金型間のリードフレームとキャビティ等の関係を示す模式的広域平面図である（本図に於いては、図示の都合上、各種の樹脂溜まりの表示を省略している。図２０から図２２について同じ）。図９は図８の樹脂ポット−キャビティセル６１の具体的構成の一例を示す樹脂ポット−キャビティセル６１の模式的平面図である。図１０は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスのフローを説明するための樹脂モールド工程中（リードフレームセット工程）における金型＆リードフレーム断面図である。図１１は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスのフローを説明するための樹脂モールド工程中（クランプ工程）における金型＆リードフレーム断面図である。図１２は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスのフローを説明するための樹脂モールド工程中（樹脂充填工程）における金型＆リードフレーム断面図である。図１３は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスのフローを説明するための樹脂モールド工程中（リードフレーム取り出し工程）における金型＆リードフレーム断面図である。図１４は図１２に対応する工程（樹脂充填工程）における図１に対応するリードフレームの大域的上面図（上金型を透過させて内部を表示したもの）ある。図１５は図１４のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の拡大上面図である。図１６は図１５の単位デバイス領域３ａ（ＱＦＰ系単位デバイス領域）およびその周辺の拡大上面図である。図１７は図１６に於いて、樹脂等を透過させて、リードフレーム、半導体チップ、ボンディングワイヤ等を破線で表示した拡大上面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスの詳細を説明する。
【００８４】
樹脂モールド前のリードフレーム３がモールド金型５１内にセットされた状態（より正確にはクランプされた状態）におけるモールド金型５１の内部構造とリードフレーム３との関係を示す透過平面図すなわち、上金型５１ａ（図１０参照）を透過させて見たリードフレーム３および下金型５１ｂ等（またはモールド金型５１）の図８に示す。図８に示すように、モールド金型５１の内部にリードフレーム３がセットされており、更に、リードフレーム３の占める領域の内部であって、モールド金型５１の内部に、すなわち、上金型５１ａ（第１のモールド金型）と下金型５１ｂ（第２のモールド金型）の間にモールド金型５１の内部構造として、複数の樹脂ポット−キャビティセル列６２（６２ａ、６２ｂ）が設けられている。各樹脂ポット−キャビティセル列６２は、たとえば、第１の方向Ｙに並んだ複数の樹脂ポット−キャビティセル６１から構成されている。各樹脂ポット−キャビティセル６１は、この例では、基本的に、中央にある樹脂ポット５３、その両側にほぼ線対称に（樹脂ポット５３の中心を通り、第１の方向Ｙの直線に関して線対称に）樹脂流路５４で、それぞれ樹脂ポット５３と連結された一対のモールドキャビティ５２から構成されている。一方、各樹脂ポット−キャビティセル列６２は、第１の方向Ｙに延在しており、複数の樹脂ポット−キャビティセル列６２ａ、６２ｂは、第１の方向Ｙと直交する第２の方向Ｘに相互に隣接するように並べられている。
【００８５】
更に、この例では、各樹脂ポット−キャビティセル列６２内に於いて、樹脂ポット−キャビティセル列６２を構成する樹脂ポット５３は、第１の方向Ｙの第１の直線Ｌ１に沿って並んでおり、この第１の直線Ｌ１の一方の側に設けられたモールドキャビティ５２は、第１の直線Ｌ１に平行な第２の直線Ｌ２に沿って並んでいる。そして、第１の直線Ｌ１の他方の側に設けられたモールドキャビティ５２は、第１の直線Ｌ１に平行な第３の直線Ｌ３に沿って並んでいる。
【００８６】
次に、図８の樹脂ポット−キャビティセル６１の具体的構造を図９に模式的に示す。図９に示すように、この例では、樹脂ポット−キャビティセル６１の中心には、樹脂ポット５３があり、この中心を通る対称軸Ｌ１に関して、ほぼ線対称に、一対のモールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ）および、これらと樹脂ポット５３を連結する樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）がある。各樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）の一端は樹脂ポット５３に連結されており、他端は各モールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ）のコーナ部に連結されている。これらの樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）の他端は、それぞれゲート５８（５８ａ，５８ｂ）となっており、各樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）の中間部、すなわち、ゲート５８（５８ａ，５８ｂ）に隣接する部分には、ゲート前樹脂溜まり５５（５５ａ，５５ｂ）が設けられている。各樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）の内、ゲート５８（５８ａ，５８ｂ）やゲート前樹脂溜まり５５（５５ａ，５５ｂ）がない部分は、ランナまたはサブランナである。各モールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ）のコーナ部であって、ゲート５８（５８ａ，５８ｂ）が設けられているコーナ部と対向する部分には、オーバフロー樹脂溜まり５６（５６ａ，５６ｂ）が設けられている。
【００８７】
この図８および図９に示すセル構造（樹脂ポット−キャビティセル６１の構造）および樹脂ポット−キャビティセル行列のレイアウトの主要な特徴は以下のごとくである（これらの各特徴は、いずれも必須ではない）。すなわち、
（１）このセル構造では、一つのセル６１は、一つの樹脂ポット５３のみを有し、この唯一の樹脂ポットは、他の樹脂ポットに連結されていない。このことにより、セル内の複数のキャビティへの樹脂流路は、各キャビティ側から見ると単一且つ均等となり、充填条件の同一化が可能となる。すなわち、他の樹脂ポットに連結されていないので、履歴の異なるポットからの樹脂が混ざり合うことがない。
（２）また、一つのセル６１は、それぞれ樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）で樹脂ポット５３と連結された一対のモールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ）のみを有する。
（３）更に、各樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）は、相互に独立している。このことにより、各キャビティへの流路は単一且つ等価な距離（流動距離もコンダクタンスもほぼ同一）となり、セルの位置による充填条件の相違も無関係となる。
（４）また、各モールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ）は、それぞれ、他のモールドキャビティを経由することなく、各樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）を介して直接、樹脂ポット５３に連結されている。もちろん、各樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）上に、モールドキャビティ以外の流路要素、すなわち、ゲート、ゲート前樹脂溜まり等の存在は許容する。
（５）ゲートは、各モールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ）の同一のコーナ部に設けられている。別のコーナ部にもうけてもよいが、同一のコーナ部に設けられている場合は、集積密度を高密度にすることができる。
（６）各セルの構造および配向は、ほぼ同一である。すなわち、ポット、キャビティ、樹脂流路等の各要素の寸法、形状は、ほぼ同じである。なお、構造または配向は、ほぼ同一にしなくても良いが、同一にした場合は、集積密度を高密度にすることができる。
【００８８】
次に、図２のＡ−Ａ’断面に対応する金型断面を図１０に示し、金型構造を説明する。図１０に示すように、モールド金型５１は、たとえば、上金型５１ａ（第１のモールド金型）および下金型５１ｂ（第２のモールド金型）から構成されている。この例では、上金型５１ａおよび下金型５１ｂの内面には、複数のモールドキャビティ５２ａ，５２ｂ、ゲート前樹脂溜まり５５ａ，５５ｂ、オーバフロー樹脂溜まり５６ａ，５６ｂ、ゲート５８ａ，５８ｂ等が設けられている。また、この例では、下金型５１ｂの上面に樹脂ポット５３が設けられており、ポットブロック５３、プランジャ６４等から構成されている。一方、上金型５１ａの下面には、この例では、カルブロック６０等で規定されたカル５７、樹脂流路５４ａ，５４ｂ（ランナまたはサブランナ）等が設けられている。また、上金型５１ａおよび下金型５１ｂ内には、複数のエジェクタピン６３が設けられている。
【００８９】
図１０により、リードフレームセット工程を説明する。図１０に示すように、モールド金型５１すなわち上金型５１ａ（第１のモールド金型）および下金型５１ｂ（第２のモールド金型）を開いた状態で、たとえば、下金型５１ｂの上面（クランプ面）に、リードフレーム３をセットする。このとき、この例では、たとえば、半導体チップ２を搭載している面を上に向けた状態で、各単位デバイス領域３ａ（ＱＦＰ系単位デバイス領域）が各対応するモールドキャビティ５２ａ，５２ｂの部分に来るようにする。また、これに前後して、樹脂ポット５３に樹脂タブレット６５ｔをセットする。なお、リードフレーム３の向きは、必要に応じて、表裏逆向きにしてもよい。
【００９０】
次に、図１１により、リードフレームクランプ工程（金型クランプ工程）を説明する。図１１に示すように、モールド金型５１すなわち上金型５１ａ（第１のモールド金型）および下金型５１ｂ（第２のモールド金型）を閉じて、クランプ圧を印加する。
【００９１】
次に、図１２により、樹脂充填工程を説明する。図１２に示すように、クランプ状態で、プランジャ６４を押し上げることにより、溶融樹脂６５ｍ（封止樹脂）を各モールドキャビティ５２ａ，５２ｂに充填し、充填圧を印加した状態で、モールド樹脂の硬化反応（キュア）の進行を待つ。この際、この例に於いては、溶融樹脂６５ｍは、樹脂ポット５３からリードフレーム樹脂ポット開口１４を貫通して、カル５７に至り、そこで方向を変えて、サブランナ５４ａ，５４ｂを経由して、ゲート前樹脂溜まり５５ａ，５５ｂに入る。溶融樹脂６５ｍは、ゲート前樹脂溜まり５５ａ，５５ｂにおいて、ゲート前樹脂溜まり開口１７を貫通して、逆側へも回り込み、両側ゲート５８ａ，５８ｂを介して、各モールドキャビティ５２ａ，５２ｂを充填する。余剰の溶融樹脂６５ｍは、オーバフローゲート６９を介して、各オーバフロー樹脂溜まり５６ａ，５６ｂに排出される。
【００９２】
この例では、ゲート構造が両側ゲートとなっているので、樹脂厚が薄いパッケージでも、十分なゲート深さを確保することができるので、樹脂厚が比較的薄いＴＱＦＰタイプ、ＬＱＦＰタイプ等のパッケージに特に有効である。ここで、各パッケージ形態における典型的な寸法を例示する。ＱＦＰタイプは、たとえば、パッケージ総厚：２．７ミリメートル程度、リードフレーム厚さ：０．１５ミリメートル程度、上下の各樹脂厚：１．２５ミリメートル程度である。
【００９３】
これに対して、ＬＱＦＰタイプは、たとえば、パッケージ総厚：１．４ミリメートル程度、リードフレーム厚さ：０．１２５ミリメートル程度、上下の各樹脂厚：０．６５ミリメートル程度である。
【００９４】
また、ＴＱＦＰタイプは、たとえば、パッケージ総厚：１．０ミリメートル程度、リードフレーム厚さ：０．１２５ミリメートル程度、上下の各樹脂厚：０．４４ミリメートル程度である。なお、ゲート深さは、ＱＦＰ系パッケージでは、通常、たとえば０．３ミリメートル程度は必要とされている。
【００９５】
次に、図１３により、リードフレーム取り出し工程を説明する。図１３に示すように、モールド金型５１すなわち上金型５１ａ（第１のモールド金型）および下金型５１ｂ（第２のモールド金型）を開いて、樹脂封止体１１が形成されたリードフレーム３をモールド金型５１の外部に取り出す。その後、図７に関して説明したように、ゲートブレーク工程に於いて、たとえば、ピン等により突くことにより、カル＆ランナ樹脂体２１ｇをリードフレーム３から除去する。なお、溜まり部樹脂体２１ｐは、たとえば、パンチング金型等により、ダムバー除去等と相前後して切断除去される。
【００９６】
次に、図１２の樹脂充填状態におけるモールド金型５１の内部の様子を図１４（図１に対応する広域平面図）に示す。図１４に示すように、モールド金型５１内にマトリクス状に配置された各モールドキャビティ５２に、列状の樹脂ポット５３から封止樹脂が移送され、各モールドキャビティ５２を満たし、樹脂封止体１１を形成しているのがわかる。このとき、リードフレーム３は、第１の樹脂ポット−キャビティセル列６２ａおよび第２の樹脂ポット−キャビティセル列６２ｂの占める領域を覆っている。
【００９７】
次に、図１４のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の拡大平面図を図１５に、更に図１５の単位デバイス領域３ａ（ＱＦＰ系単位デバイス領域）および、その周辺の拡大平面図を図１６に示す。図１５および図１６に示すように、リードフレーム樹脂ポット開口１４と樹脂ポット５３は、ほぼ重なっており、樹脂ポット５３から樹脂流路５４、ゲート前樹脂溜まり５５、ゲート５８を経由して、モールドキャビティ５２を満たした溶融樹脂の一部は、オーバフロー樹脂溜まり５６へ排出される。また、溶融樹脂中のガス成分は、ゲート５８とオーバフロー樹脂溜まり５６を結ぶ対角線の両側のコーナ部に設けられたエアベン６８から外部に排出される。また、図１６からわかるように、モールドキャビティ５２の周りには、リング状のクランプ面６６があり、ダムバー７（図１７参照）とともに、この内端で、樹脂封止体１１の外端を規定している。このリング状のクランプ面６６の周辺は、リセス部６７となっており、リング状のクランプ面６６へのクランプ圧の集中を確保している。樹脂封止体１１の上面１１ｕには、エジェクタピンの投影２０が見える。
【００９８】
図１６に於いて、ボンディングワイヤ９、半導体チップ２およびリードフレーム３のリード１、ダイパッドサポートバー８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ、ダムバー７、スリット１５、ダイパッドサポートバー分岐部開口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ等を表示したものを図１７に示す。図１７に示すように、リング状のクランプ面６６とダムバー７（またはタイバー）は、位置的に重なるようになっている。一方、ゲート前樹脂溜まり開口１７内には、クロス枠体２２が設けられており、カル＆ランナ樹脂体２１ｇを除去する際に、その影響が隣接する溜まり部樹脂体２１ｐを介して、本体の樹脂封止体１１に及ぶのを防止している。
【００９９】
４．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立てプロセスの後半の概要等の説明（主に図１８および図１９）
このセクションでは、樹脂モールドプロセス完了後の組み立てプロセスの概要を説明するが、図示の都合上、単位デバイス領域３ａ（図１等参照）に対応する部分を切り出して説明する。また、説明に直接関係のないリードフレームの詳細構造は、図面の明瞭さを確保するために省略している。
【０１００】
図１８は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立てプロセスの後半の概要等を説明するための図３に対応する部分（単位デバイス領域３ａ）の樹脂モールド完了後の斜視図（マトリクス状のリードフレームの単位デバイス領域３ａのみを示す）である（この図では、溜まり部樹脂体２１ｐ等は表示を省略している）。図１９は図３に対応する部分（単位デバイス領域３ａ）のデバイス分離およびリード成形完了後の斜視図（マトリクス状のリードフレームの単位デバイス領域３ａのみを示す）である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立てプロセスの後半の概要等を説明する。
【０１０１】
セクション２で説明したポストモールドキュア処理工程（キュアベーク処理工程）の後のリードフレーム３の単位デバイス領域３ａ（ＱＦＰ系単位デバイス領域）の斜視図を図１８に示す。図１８に示すように、各単位デバイス領域３ａには、樹脂封止体１１が形成されており、樹脂封止体１１は、たとえば、上面１１ｕ、周辺テーパ面１１ｔ、コーナ面１１ｃ等を有している。この状態では、単位デバイス領域３ａは、リードフレーム３の外枠４を介して、他の単位デバイス領域３ａと一体となっている。
【０１０２】
この後、たとえば、ダムバー切断工程、アウターリードメッキ工程、デバイス分離工程、リード成形工程等を経て、図１９のような状態となる。
【０１０３】
５．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルの構成に関する各種変形例の説明（主に図２０から図２６）
前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルの構成は、種々変形して使用することができる。たとえば、モールドキャビティの数は、２又は４等の変更が可能であり、各種の樹脂溜まり（ゲート前樹脂溜まり、オーバフロー樹脂溜まり）の設置の有無も自由である。
【０１０４】
図２０は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルのキャビティ数に関する変形例等を説明するための図９に対応するセル簡易構成図（キャビティ１対方式）である。図２１は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルのキャビティ数に関する変形例等を説明するための図９に対応するセル簡易構成図（キャビティ２対方式）である。図２２は図２１のキャビティ２対方式における図８に対応する模式的広域平面図である。図２３は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルの構成に関する変形例（ゲート前樹脂溜まりレス方式）を説明するための図８の樹脂ポット−キャビティセル６１の具体的構成を示す模式的平面図である。図２４は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルの構成に関する変形例（ゲート前樹脂溜まりレス方式）を説明するための図３に対応する単位デバイス領域３ａ（ＱＦＰ系単位デバイス領域）の拡大上面図である。図２５は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルの構成に関する変形例（ゲート前樹脂溜まりレス方式）を説明するための図１７に対応する拡大透過上面図である。図２６は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルの構成に関する変形例（ゲート前樹脂溜まりレス方式）を説明するための図１１に対応する樹脂モールド工程中（クランプ工程）における金型＆リードフレーム断面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂ポット−キャビティセルの構成に関する各種変形例を説明する。
【０１０５】
（１）キャビティ数に関する変形例等の説明（主に図２０から図２２）：
図８および図９の樹脂ポット−キャビティセル６１の基本構造に対応する「２葉セル構造」を図２０に示す。図２０に示すように、このセル構造では、一つのセル６１は、一つの樹脂ポット５３のみを有し、この唯一の樹脂ポットは、他の樹脂ポットに連結されていない。また、一つのセル６１は、それぞれ樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）で樹脂ポット５３と連結された一対のモールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ）のみを有する。ここで、各樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）は、相互に独立している。また、各モールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ）は、それぞれ、モールドキャビティを経由することなく、各樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）を介して直接、樹脂ポット５３に連結されている。もちろん、各樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）上に、モールドキャビティ以外の流路要素、すなわち、ゲート、ゲート前樹脂溜まり等の存在は許容する。ゲートは、各モールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ）の同一のコーナ部に設けられている。別のコーナ部にもうけてもよいが、同一のコーナ部に設けられている場合は、集積密度を高密度にすることができる。各セルの構造および配向は、ほぼ同一である。すなわち、ポット、キャビティ、樹脂流路等の各要素の寸法、形状は、ほぼ同じである。なお、構造または配向は、ほぼ同一にしなくても良いが、同一にした場合は、集積密度を高密度にすることができる。
【０１０６】
次に、図２０に対応して、「４葉セル構造」を図２１に示す。図２１に示すように、このセル構造では、一つのセル６１は、先と同様に、一つの樹脂ポット５３のみを有し、この唯一の樹脂ポットは、他の樹脂ポットに連結されていない。また、一つのセル６１は、それぞれ樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ）で樹脂ポット５３と連結された４個のモールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）のみを有する。ここで、各樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ）は、相互に独立している。また、各モールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）は、それぞれ、モールドキャビティを経由することなく、各樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ）を介して直接、樹脂ポット５３に連結されている。もちろん、各樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ）上に、モールドキャビティ以外の流路要素、すなわち、ゲート、ゲート前樹脂溜まり等の存在は許容する。
【０１０７】
なお、この４葉セル構造においては、樹脂ポット５３の中心を通る対称軸Ｌ１に関して、ほぼ線対称となるように、各モールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）が配置されている。また、樹脂ポット５３の中心を通り、対称軸Ｌ１と直交する第４の直線Ｌ４（他のセルの対称軸）に関して、ほぼ線対称となるように、各モールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）が配置されている。
【０１０８】
従って、ゲートは、各モールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）のコーナ部に、対称軸Ｌ１、Ｌ４に関する対象性をほぼ維持するように、設けられている。別のコーナ部にもうけてもよいが、同一のコーナ部に設けられている場合は、集積密度を高密度にすることができる。各セルの構造および配向は、ほぼ同一である。すなわち、ポット、キャビティ、樹脂流路等の各要素の寸法、形状は、ほぼ同じである。なお、構造または配向は、ほぼ同一にしなくても良いが、同一にした場合は、集積密度を高密度にすることができる。
【０１０９】
次に、図２１の４葉セル構造を図８と同様にマトリクス状に配列したレイアウト（樹脂ポット−キャビティセル行列）を図２２に示す。図２２に示すように、モールド金型５１の内部にリードフレーム３がセットされており、更に、リードフレーム３の占める領域の内部であって、モールド金型５１の内部に、すなわち、上金型５１ａ（第１のモールド金型）と下金型５１ｂ（第２のモールド金型）の間にモールド金型５１の内部構造として、複数の樹脂ポット−キャビティセル列６２（６２ａ、６２ｂ）が設けられている。各樹脂ポット−キャビティセル列６２は、たとえば、第１の方向Ｙに並んだ複数の樹脂ポット−キャビティセル６１から構成されている。各樹脂ポット−キャビティセル６１は、この例では、基本的に、中央にある樹脂ポット５３、その両側にほぼ線対称に（樹脂ポット５３の中心を通り、第１の方向Ｙの直線に関して線対称に）樹脂流路５４で、それぞれ樹脂ポット５３と連結された４個のモールドキャビティ５２から構成されている。一方、各樹脂ポット−キャビティセル列６２は、第１の方向Ｙに延在しており、複数の樹脂ポット−キャビティセル列６２ａ、６２ｂは、第１の方向Ｙと直交する第２の方向Ｘに相互に隣接するように並べられている。
【０１１０】
更に、この例では、各樹脂ポット−キャビティセル列６２内に於いて、樹脂ポット−キャビティセル列６２を構成する樹脂ポット５３は、第１の方向Ｙの第１の直線Ｌ１に沿って並んでおり、この第１の直線Ｌ１の一方の側に設けられたモールドキャビティ５２は、第１の直線Ｌ１に平行な第２の直線Ｌ２に沿って並んでいる。そして、第１の直線Ｌ１の他方の側に設けられたモールドキャビティ５２は、第１の直線Ｌ１に平行な第３の直線Ｌ３に沿って並んでいる。
【０１１１】
（２）ゲート前樹脂溜まりの有無に関する変形例等の説明（主に図２３から図２６）：
このサブセクションで説明する樹脂ポット−キャビティセル６１の具体的構成は、図９に場合と異なり、各樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）上に、ゲート前樹脂溜まり５５（図９参照）を有していない。
【０１１２】
このセル構造を有する場合の図３に示すリードフレーム３の単位デバイス領域３ａ（ＱＦＰ系単位デバイス領域）の平面構造を図２４に示す。図２４に示すように、図３と異なり、ゲート前樹脂溜まり開口１７がなく、その代わりに、ダイパッドサポートバー分岐部開口１６ｄに連結したキャビティ外コーナ部開口２７が設けられている。
【０１１３】
次に、このセル構造を有する場合の図１７に対応する単位デバイス領域３ａ（ＱＦＰ系単位デバイス領域）および、その周辺の拡大平面図を図２５に示す。図２５に示すように、図１７と異なり、ゲート前樹脂溜まり５５やゲート前樹脂溜まり開口１７がない外、樹脂ポット５３の枠部のポットブロックに樹脂流路５４（ランナまたはサブランナ）に連結した溝５３ｇが設けられている。
【０１１４】
次に、この例における溶融樹脂６５ｍ（図１２参照）の流れを説明するために、図１１に対応するクランプ工程における金型の断面図を図２６に示す。図２６に示すように、カル５７は、樹脂移送圧を受け止める働きで設けられており、図１１等の場合と比較して、比較的容積の小さいものとなっている。溶融樹脂６５ｍの流路は、樹脂ポット側壁の溝５３ｇを介して、リードフレーム３の下側の樹脂流路５４（５４ａ，５４ｂ）に入る。そこから、片側ゲート５８（５８ａ，５８ｂ）およびダイパッドサポートバー分岐部開口１６ｄ（キャビティ外コーナ部開口２７を含む）を介して、各モールドキャビティ５２（５２ａ，５２ｂ）内のリードフレーム３の上下両側に供給される。
【０１１５】
この例では、ゲート構造が片側ゲートとなっているので、樹脂厚が薄いパッケージでは、十分なゲート深さを確保することが困難になるので、樹脂厚が比較的厚い通常のＱＦＰタイプのパッケージ等に特に適合している。
【０１１６】
６．前記実施の形態（変形例を含む）に関する補足的説明並びに全般についての考察（主に図８、図２７等を参照）
前記各実施の形態（変形例を含む）に関する補足的説明並びに全般についての考察を行う。
【０１１７】
（１）パッケージに関する一般的考察：
半導体チップを樹脂で封止する方式として、個別モールド技術と、一括モールド技術などがある。個別モールド技術の場合、１つの基材に対して形成される樹脂の体積が一括モールド技術の場合に比べて少ない分、モールド工程後の基材（例えば、リードフレーム）の反り量を低減できる点で有効である。
【０１１８】
しかし、個別モールド技術の場合、例えば前記特許文献１（特開２００５−３５３８７８号公報）のように、１つのポット部と繋がるランナを分岐させ、各キャビティのそれぞれに樹脂を供給する（コンベンショナル方式ともよぶ）ため、ポット部から最も遠いキャビティまで樹脂が均等に供給され難い。言い換えると、ポット部に最も近いキャビティに供給される樹脂の充填圧力は、ポット部から最も遠いキャビティに供給される樹脂の充填圧力と異なる。
【０１１９】
ここで、半導体装置の小型化や低コスト化に伴い、例えばボンディングワイヤを用いて半導体チップと基材の端子とを電気的に接続するようは半導体装置では、使用するワイヤの径は細くなる傾向にある（たとえば、ワイヤ径２３マイクロメートルから１８マイクロメートル）。そのため、ポット部から最も遠いキャビティ内に樹脂を確実に供給するために、樹脂の充填圧を高くすると、ポット部に最も近いキャビティに供給される樹脂の充填圧力は必要以上に高くなり、この結果、このキャビティ内に配置されたワイヤが流される（倒れる）、所謂、ワイヤ流れが生じることとなる。
【０１２０】
また、モールドキャビティを直列接続することで、高密度化が可能なスルーモールド（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｍｏｌｄ）方式の採用が可能なＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）系デバイス等と異なり、パッケージ面積が比較的大きいＱＦＰ系デバイスでは、硬化反応の時間的制約の関係でスルーモールド方式を採用することが困難である。また、リードのない辺にゲートを設けることが可能なＳＯＰ系デバイスと異なり、全ての辺に多数のリードがあるＱＦＰ系デバイスでは、コーナ部にゲートを設けなければならないという制約もある。
【０１２１】
更に、圧縮モールドの適用やモールドキャビティに連続して、樹脂ポットを設けること（キャビティ併設樹脂ポッド）も考えられるが、圧縮モールドでは、樹脂供給が複雑になる問題があり、キャビティ併設樹脂ポッドでは、樹脂ポットの存在がパッケージ外形に反映される等の問題がある。
【０１２２】
（２）前記各実施の形態（変形例を含む）のアウトラインの説明（主に図２７）：
前記各実施の形態（変形例を含む）においては、例えば、図２７に示すように、ＱＦＰ系パッケージの個別モールド方式による半導体装置の製造方法に於いて、少なくとも一対の樹脂ポット−キャビティセル６１を有する樹脂ポット−キャビティセル列６２を覆うように、リードフレームをモールド金型にセットして、トランスファモールド（Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｍｏｌｄ）を実行している。このようにすることによって、リードフレーム３の領域とオーバラップする位置に樹脂ポット５３を配置することができるので、樹脂流路５４の対象性を確保しやすいため、各モールドキャビティ間の樹脂充填特性を均一化できる外、ランナ長を短くすることができる。
【０１２３】
（３）前記各実施の形態（変形例を含む）の他のアウトラインの説明（主に図８を参照）：
また、前記各実施の形態（変形例を含む）においては、例えば、図８に示すように、ＱＦＰ系パッケージの個別モールド方式による半導体装置の製造方法に於いて、少なくとも一対の樹脂ポット−キャビティセル６１を有する樹脂ポット−キャビティセル列６２を複数跨ぐように、リードフレームをモールド金型にセットして、トランスファモールドを実行している。このようにすることによって、樹脂ポット−キャビティセル列６２内に於いては、リードフレーム３の領域とオーバラップする位置に樹脂ポット５３を配置することができるので、樹脂流路５４の対象性を確保しやすいため、各モールドキャビティ間の樹脂充填特性を均一化できる外、ランナ長を短くすることができる。一方、複数の樹脂ポット−キャビティセル列６２ａ、６２ｂに跨って、一つのリードフレームがセットされるので、複数の樹脂ポット−キャビティセル列６２を密集して配置することができる。
【０１２４】
７．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１２５】
例えば、前記実施の形態では、主にダイパッドの外形サイズが、半導体チップの外形サイズよりも小さいものを例にとって説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、ダイパッドの外形サイズが半導体チップの外形サイズより大きいリードフレームにも適用できることは言うまでもない。
【０１２６】
更に、前記実施の形態においては、主にゲート部が下金型および上金型の両方に設けられた例を示したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、下金型または上金型の一方のみに設けられたものにも適用できることは言うまでもない。
【０１２７】
また、前記実施の形態では、主にダウンセット加工されたリードフレームを例に取り具体的に説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、ダウンセット加工されていないリードフレームを用いたものにも適用できることは言うまでもない。
【０１２８】
なお、前記実施の形態では、主にチップ上のボンディングパッドとインナリードをボンディングワイヤによって相互接続したデバイスについて具体的に説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、その他の接続形態によるものでも良いことは言うまでもない。また、ボンディングワイヤは、金ワイヤのほか、銀、銅、パラジウム等でも良いことは言うまでもない。ボンディングパッドについても、アルミニウム系のほか、銅系、タングステン系、チタニウム系、金系、パラジウム系などでも良い。
【符号の説明】
【０１２９】
１  リード
２  半導体チップ
２ａ  半導体チップの表面
２ｂ  半導体チップの裏面
３  （マトリクス状の）リードフレーム
３ａ  単位デバイス領域（ＱＦＰ系またはＱｕａｄ系単位デバイス領域）
３ｆ  （リードフレームの）第１の主面
３ｓ  （リードフレームの）第２の主面
４  （リードフレームの）外枠
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ  外枠コーナ部
５  インナリード
６  アウタリード
７  ダムバー（またはタイバー）
８、８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ  ダイパッドサポートバー
９  ボンディングワイヤ
１０  ダイパッド
１１  樹脂封止体（パッケージ本体）またはその外縁
１１ｃ  レジン封止体のコーナ部（コーナ面）または対応するキャビティ内面
１１ｔ  レジン封止体の周辺テーパ面
１１ｕ  レジン封止体の上面（またはその外縁）
１２  リードフレーム位置決め孔（またはリードフレーム送り孔）
１４  ポットに対応するリードフレーム樹脂ポット開口
１５  スリット
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ  ダイパッドサポートバー分岐部開口
１７  ゲート前樹脂溜まり開口
１８  ボンディングパッド
１９  接着部材層
２０  エジェクタピン跡（エジェクタピンの投影）
２１ｇ  ゲートブレーク工程で除去される不要樹脂封止部分（カル＆ランナ樹脂体）
２１ｐ  ダムバー除去等と相前後して切断除去される不要樹脂封止部分（溜まり部樹脂体）
２２  ゲート前樹脂溜まり開口内クロス枠体
２７  キャビティ外コーナ部開口
５０  樹脂モールド装置
５１  モールド金型
５１ａ  上金型（第１のモールド金型）
５１ｂ  下金型（第２のモールド金型）
５２，５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ  モールドキャビティ
５３  樹脂ポット（またはポットブロック）
５３ｇ  樹脂ポット側壁の溝
５４，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ  樹脂流路（ランナまたはサブランナ）
５５，５５ａ，５５ｂ  ゲート前樹脂溜まり
５６，５６ａ，５６ｂ  オーバフロー樹脂溜まり
５７  カル
５８，５８ａ，５８ｂ  ゲート
５９  樹脂タブレット
６０  カルブロック
６１  樹脂ポット−キャビティセル
６２  樹脂ポット−キャビティセル列
６２ａ  第１の樹脂ポット−キャビティセル列
６２ｂ  第２の樹脂ポット−キャビティセル列
６３  エジェクタピン
６４  プランジャ
６５ｍ  溶融樹脂（封止樹脂）
６５ｔ  樹脂タブレット
６６  クランプ面
６７  リセス部
６８  エアベント
６９  オーバフローゲート
７１  リードフレームローダ
７２  フレーム整列部
７３  フレーム搬入部
７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，７４ｄ  プレス部
７５  位置決めピン
７６  タブレット供給部
７７  フレーム搬出部
７８  ゲートブレーク部
７９  モールド後リードフレーム収納部
Ｌ１  第１の直線（セルの対称軸）
Ｌ２  第２の直線
Ｌ３  第３の直線
Ｌ４  第１の直線と直交する第４の直線（他のセルの対称軸）
Ｒ１  リードフレーム部分切り出し領域
Ｘ  第２の方向
Ｙ  第１の方向
【図１】
2013247275.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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