(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性を長期間維持できる太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】基板１１１、基板１１１の後面の第１隅方向に位置し、第１方向に延びた第１電極用集電部１１４、及び基板の後面の第２隅方向に位置し、第１方向に延びた第２電極用集電部１１５をそれぞれ有する複数の太陽電池と、互いに隣接した２個の太陽電池のうち、何れか一つの太陽電池の第２電極用集電部１１５及び残りの太陽電池の第１電極用集電部１１４のうち、少なくとも一つと接触する導電性接着フィルムと、導電性接着フィルムと接触し、互いに隣接した２個の太陽電池を電気的に接続するインターコネクタ１２０と、太陽電池を保護する前面密封材及び後面密封材と、基板１１１の前面側に前面密封材の上部に配置される透明部材と、基板１１１の後面側に後面密封材の下部に配置される後面シートとを備える。【選択図】図１
2013077820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、前記基板の後面の第１隅方向に位置し、第１方向に延びた第１電極用集電部、及び前記基板の後面の第２隅方向に位置し、前記第１方向に延びた第２電極用集電部をそれぞれ有する複数の太陽電池と、
互いに隣接した２個の太陽電池のうち、何れか一つの太陽電池の第２電極用集電部及び残りの太陽電池の第１電極用集電部のうち、少なくとも一つと接触する導電性接着フィルムと、
前記導電性接着フィルムと接触し、前記互いに隣接した２個の太陽電池を電気的に接続するインターコネクタと、
前記太陽電池を保護する前面密封材及び後面密封材と、
前記基板の前面側に前記前面密封材の上部に配置される透明部材と、
前記基板の後面側に前記後面密封材の下部に配置される後面シートと
を備える太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記太陽電池は、後面接合型太陽電池である請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記後面接合型太陽電池の前記基板は、結晶質の半導体基板からなり、前記基板の後面には、エミッタ部及び後面電界部が位置する請求項２に記載の太陽電池モジュール。
【請求項４】
前記後面接合型太陽電池は、前記第１電極用集電部により片方端部が接続した複数の第１電極、及び前記第２電極用集電部により片方端部が接続した複数の第２電極をさらに備え、前記複数の第１電極及び複数の第２電極は、交互に位置し、前記第１電極は、前記エミッタ部に接触し、前記第２電極は、前記後面電界部に接触する請求項３に記載の太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記導電性接着フィルムは、前記いずれか一つの太陽電池の第１電極用集電部と接触する第１導電性接着フィルム、及び前記残りの太陽電池の第２電極用集電部と接触する第２導電性接着フィルムを備え、前記インターコネクタは、前記第１導電性接着フィルム及び前記第２導電性接着フィルムともに接触する請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記第１導電性接着フィルムの幅は、前記第１電極用集電部の幅以下に形成され、前記第２導電性接着フィルムの幅は、前記第２電極用集電部の幅以下に形成される請求項５に記載の太陽電池モジュール。
【請求項７】
前記第１導電性接着フィルムの長さは、前記第１電極用集電部の長さ以下に形成され、前記第２導電性接着フィルムの長さは、前記第２電極用集電部の長さ以下に形成される請求項５に記載の太陽電池モジュール。
【請求項８】
前記太陽電池は、前記第１方向と直交する第２方向に延び、第１端部が前記第１電極用集電部と接続した複数の第１電極、及び前記第１電極の間の空間に位置し前記第２方向に延びて、第１端部が前記第２電極用集電部と接続した複数の第２電極をさらに備え、前記第１導電性接着フィルムは、前記第１電極と接触せず、前記第２導電性接着フィルムは、前記第２電極と接触しない請求項５に記載の太陽電池モジュール。
【請求項９】
前記インターコネクタの長さは、前記第１導電性接着フィルム及び前記第２導電性接着フィルムの長さ以下に形成される請求項５に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１０】
前記インターコネクタの幅は、互いに隣接した第１導電性接着フィルムと第２導電性接着フィルムとの互いに隣接した端部間の間隔より大きく形成される請求項５に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１１】
前記導電性接着フィルムは、前記いずれか一つの太陽電池の第１電極用集電部及び前記残りの太陽電池の第２電極用集電部に接触し、前記第１電極用集電部から第２電極用集電部まで延び、前記インターコネクタは、前記導電性接着フィルムと接触する請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１２】
前記導電性接着フィルムの幅は、前記インターコネクタの幅以上に形成される請求項１１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１３】
前記インターコネクタの長さは、前記導電性接着フィルムの長さ以下に形成される請求項１１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１４】
前記太陽電池は、前記第１方向と直交する第２方向に延び、第１端部が前記第１電極用集電部と接続した複数の第１電極、及び前記第１電極間の空間に位置し前記第２方向に延びて、第１端部が前記第２電極用集電部と接続した複数の第２電極をさらに備え、前記導電性接着フィルムは、前記第１電極及び前記第２電極と接触しない請求項１１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１５】
前記互いに隣接した２個の太陽電池の間にスペーサが位置する請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１６】
前記導電性接着フィルムは、前記スペーサの一部が埋められる溝を備える請求項１５に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１７】
前記スペーサは、互いに隣接した２個の太陽電池の基板間の空間に位置し、前記スペーサと前記インターコネクタとの間の空間には、前記前面密封材又は後面密封材が充填される請求項１５に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１８】
前記スペーサは、前記いずれか一つの太陽電池の第１電極用集電部と前記残りの太陽電池の第２電極用集電部との間の空間に位置し、互いに隣接した２個の基板間の空間には、前記前面密封材又は後面密封材が充填される請求項１５に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１９】
前記スペーサは、前記互いに隣接した２個の太陽電池の基板間の空間及び前記いずれか一つの太陽電池の第１電極用集電部と前記残りの太陽電池の第２電極用集電部との間の空間に位置する請求項１５に記載の太陽電池モジュール。
【請求項２０】
前記スペーサは、前記基板と同じ厚さを有するように形成され、前記インターコネクタと前記スペーサとの間の空間には、前記前面密封材又は後面密封材が充填される請求項１５に記載の太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、石油や石炭のような既存のエネルギー資源の枯渇が予測されながら、これらを代替する新再生エネルギーに対する関心が高まるにつれて、太陽エネルギーから電気エネルギーを生産する太陽電池が注目されつつある。最近は、電子用電極と正孔用電極とを基板の後面、すなわち光が入射されない面の全面に形成することによって、受光面積を増加させて太陽電池の効率を向上させる後面接合型太陽電池が開発されている。
【０００３】
かかる後面接合型太陽電池は、所望の出力を得るためにいくつかが直列又は並列に接続された後、パネル（ｐａｎｅｌ）形態で防水処理された形態の太陽電池モジュールとして使用される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板の厚さが２００μｍであるとき、ホットエアー（ｈｏｔ  ａｉｒ）を利用してフラックスを溶融させる従来のタブ方式によれば、基板曲げ量が約２．１mm以上になる。
【０００５】
基板曲げ量が一定範囲、例えば２．５mmを超えると、以後に実施するラミネート工程にてモジュールの内部に基板クラックが発生し、気泡が発生する等の問題点があるので、従来のタブ方式を利用する場合には、基板の厚さを薄く形成することが不可能である。
【０００６】
また、フラックスを利用した従来のタブ方式では、集電部とインターコネクタとの界面からクラック（ｃｒａｃｋ）が発生するか、又はインターコネクタのソルダー内部で複数の物質間の剥離現象が発生するなどの問題によって太陽電池モジュールの出力が低下するという問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によれば、太陽電池モジュールは、基板、基板の後面の第１隅方向に位置し、第１方向に延びた第１電極用集電部、及び基板の後面の第２隅方向に位置し、第１方向に延びた第２電極用集電部をそれぞれ有する複数の太陽電池と、互いに隣接した２個の太陽電池のうち、何れか一つの太陽電池の第２電極用集電部及び残りの太陽電池の第１電極用集電部のうち、少なくとも一つと接触する導電性接着フィルムと、導電性接着フィルムと接触し、互いに隣接した２個の太陽電池を電気的に接続するインターコネクタと、太陽電池を保護する前面密封材及び後面密封材と、基板の前面側に前面密封材の上部に配置される透明部材と、基板の後面側に後面密封材の下部に配置される後面シートとを備える。
【０００８】
太陽電池は、後面接合型太陽電池でありうる。後面接合型太陽電池の基板は、結晶質の半導体基板からなり、基板の後面には、エミッタ部及び後面電界部が位置しうる。
【０００９】
そして、後面接合型太陽電池は、第１電極用集電部により片方端部が接続した複数の第１電極、及び第２電極用集電部により片方端部が接続した複数の第２電極をさらに備え、複数の第１電極及び複数の第２電極は、交互に位置し、第１電極は、エミッタ部に接触し、第２電極は、後面電界部に接触する。
【００１０】
一例として、導電性接着フィルムは、互いに隣接した２個の太陽電池のうち、いずれか一つの太陽電池の第１電極用集電部と接触する第１導電性接着フィルム、及び残りの太陽電池の第２電極用集電部と接触する第２導電性接着フィルムを備えることができる。このとき、インターコネクタは、第１導電性接着フィルム及び第２導電性接着フィルムともに接触することができる。
【００１１】
第１導電性接着フィルムの幅は、第１電極用集電部の幅以下に形成され、第２導電性接着フィルムの幅は、第２電極用集電部の幅以下に形成することができる。
【００１２】
第１導電性接着フィルムの長さは、第１電極用集電部の長さ以下に形成され、第２導電性接着フィルムの長さは、第２電極用集電部の長さ以下に形成することができる。
【００１３】
太陽電池は、第１方向と直交する第２方向に延び、第１端部が第１電極用集電部と接続した複数の第１電極、及び第１電極の間の空間に位置し第２方向に延びて、第１端部が第２電極用集電部と接続した複数の第２電極をさらに備え、第１導電性接着フィルムは、第１電極と接触しないし、第２導電性接着フィルムは、第２電極と接触しない。
【００１４】
インターコネクタの長さは、第１導電性接着フィルム及び第２導電性接着フィルムの長さ以下に形成することができる。
【００１５】
インターコネクタの幅は、互いに隣接した第１導電性接着フィルムと第２導電性接着フィルムとの端部間の間隔より大きく形成することができる。
【００１６】
他の例として、導電性接着フィルムは、いずれか一つの太陽電池の第１電極用集電部及び残りの太陽電池の第２電極用集電部に接触し、第１電極用集電部から第２電極用集電部まで延び、インターコネクタは、導電性接着フィルムと接触することができる。
【００１７】
このとき、導電性接着フィルムの幅は、インターコネクタの幅以上に形成することができ、インターコネクタの長さは、導電性接着フィルムの長さ以下に形成することができる。
【００１８】
太陽電池は、第１方向と直交する第２方向に延び、第１端部が第１電極用集電部と接続した複数の第１電極、及び第１電極間の空間に位置し第２方向に延びて、第１端部が第２電極用集電部と接続した複数の第２電極をさらに備え、導電性接着フィルムは、第１電極及び第２電極と接触しない。
【００１９】
互いに隣接した２個の太陽電池の間にはスペーサが位置でき、導電性接着フィルムは、スペーサの一部が埋められる溝を備えることができる。
【００２０】
スペーサは、互いに隣接した２個の太陽電池の基板間の空間に位置するか、いずれか一つの太陽電池の第１電極用集電部と残りの太陽電池の第２電極用集電部との間の空間に位置するか、互いに隣接した２個の基板間の空間及びいずれか一つの太陽電池の第１電極用集電部と残りの太陽電池の第２電極用集電部との間の空間に位置できる。
【００２１】
スペーサが互いに隣接した２個の太陽電池の基板間の空間に位置する場合、スペーサとインターコネクタとの間の空間には、前面密封材又は後面密封材を充填することができる。
【００２２】
そして、スペーサが互いに隣接した第１電極用集電部と第２電極用集電部との間の空間に位置する場合、互いに隣接した２個の基板間の空間には、前面密封材又は後面密封材を充填することができる。
【００２３】
スペーサは、基板と同じ厚さを有するように形成され、集電部と導電性接着フィルムとの厚さを合せた大きさの厚さを有するように形成され、又は、基板、集電部及び導電性接着フィルムの厚さを合せた大きさの厚さを有するように形成されることができる。
【００２４】
スペーサが基板と同じ厚さを有するように形成される場合、インターコネクタとスペーサとの間の空間には、前面密封材又は後面密封材を充填することができる。
【００２５】
そして、スペーサが集電部と導電性接着フィルムとの厚さを合せた大きさの厚さを有するように形成される場合、互いに隣接した２個の基板間の空間には、前面密封材又は後面密封材を充填することができる。
【００２６】
これとは異なり、導電性接着フィルムは、スペーサと同様な作用を果たす間隔維持部を一体に具備できる。ここで、導電性接着フィルムが間隔維持部を一体に具備するということは、間隔維持部が導電性接着フィルムと同じ材質から形成され、導電性接着フィルムと一体に形成されるということを意味する。
【００２７】
このような特徴によれば、導電性接着フィルムを利用して集電部とインターコネクタとを直接接続できるので、タブ作業を低温（１４０℃ないし１８０℃）で実施できる。
【００２８】
異種接合構造の後面接合型太陽電池は、エミッタ部と後面電界部が非晶質シリコン層から形成されるので、タブ作業時に高い温度が加えられれば、エミッタ部と後面電界部が損傷しやすい。しかしながら、本実施形態の後面接合型太陽電池は、低温でタブ作業が実施されるので、非晶質シリコン層から形成されたエミッタ部と後面電界部とが損傷するのを防止できる。
【００２９】
そして、薄い厚さの基板を使用することができる。例えば、基板の厚さが２００μｍであるとき、ホットエアー（ｈｏｔ  ａｉｒ）を利用してフラックスを溶融させる従来のタブ方式によれば、基板曲げ量が約２．１mm以上になるが、導電性接着フィルムを利用したタブ方式によれば、基板曲げ量が約０．５mm程度となる。
【００３０】
ここで、曲げ量は、基板の下部面において、基板の中心部と基板の周辺部での高さ差で表すことができる。
【００３１】
このような基板曲げ現象は、基板の厚さが薄くなるほど、さらに大きく発生する。例えば、基板の厚さが８０μｍである場合、ホットエアー（ｈｏｔ  ａｉｒ）を利用してフラックスを溶融させる従来のタブ方式によれば、基板曲げ量が約１４mm以上になるが、導電性接着フィルムを利用したタブ方式によれば、基板曲げ量が約１．８mm程度となる。
【００３２】
しかしながら、導電性接着フィルムを利用したタブ方式は、基板曲げ量を従来に比べて顕著に減少させることができるので、薄い厚さの基板を使用することができる。
【発明の効果】
【００３３】
例えば、導電性接着フィルムを利用したタブ方式を使用すれば、８０μｍないし１８０μｍの厚さを有する基板を使用することができる。したがって、基板の厚さ減少によって材料費を低減することができるという効果がある。
【００３４】
また、フラックスを利用した従来のタブ方式では、集電部とインターコネクタとの界面からクラック（ｃｒａｃｋ）が発生するか、又はインターコネクタのソルダー内部で複数の物質間の剥離現象が発生するなどの問題によって太陽電池モジュールの出力が低下するという問題点があるが、導電性接着フィルムを利用したタブ方式では、上述の問題点を解決できる。したがって、太陽電池モジュールの信頼性を長期間維持できる。
【００３５】
そして、インターコネクタに加えられる熱的ストレスを導電性接着フィルムが吸収するので、熱的ストレスによってインターコネクタと集電部との電気的接続が損傷するのを防止できるから、信頼性及び耐久性をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る太陽電池モジュールの平面図であって、後面シートの除去された状態を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールに使用される後面接合型太陽電池の構成を示す主要部斜視図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る太陽電池モジュールに使用される後面接合型太陽電池の構成を示す主要部断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る太陽電池モジュールの部分断面図である。
【図５】図４の第１の変形実施形態に係る太陽電池モジュールの部分断面図である。
【図６】図４の第２の変形実施形態に係る太陽電池モジュールの部分断面図である。
【図７】図４の第３の変形実施形態に係る太陽電池モジュールの部分断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る太陽電池モジュールの平面図であって、後面シートの除去された状態を示す平面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る太陽電池モジュールの部分断面図である。
【図１０】図９の第１の変形実施形態に係る太陽電池モジュールの部分断面図である。
【図１１】図９の第２の変形実施形態に係る太陽電池モジュールの部分断面図である。
【図１２】図９の第３の変形実施形態に係る太陽電池モジュールの部分断面図である。
【図１３】図９の第４の変形実施形態に係る太陽電池モジュールの部分断面図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態に係る太陽電池モジュールの平面図であって、後面シートの除去された状態を示す平面図である。
【図１５】本発明の第４の実施形態に係る太陽電池モジュールの平面図であって、後面シートの除去された状態を示す平面図である。
【図１６】本発明の第５の実施形態に係る太陽電池モジュールの平面図であって、後面シートの除去された状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、添付した図面を参考にして、本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかしながら、本発明は、様々な形態により具現化されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略しており、明細書の全体にわたって類似の部分に対しては、類似の図面符号を付している。
【００３８】
図面において複数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとするとき、これは、他の部分の「真上に」ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。
【００３９】
反対に、ある部分が他の部分の「真上に」あるとするときには、中間に他の部分がないことを意味する。また、ある部分が他の部分上に「全体的」に形成されているとするときには、他の部分の全体面（又は全面）に形成されていることだけでなく、エッジの一部には形成されないことも含む。
【００４０】
以下、添付した図面を参考して、本発明の実施形態に係る後面接合型太陽電池モジュールについて説明する。
【００４１】
まず、図１ないし図４を参考して、本発明の第１の実施形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る太陽電池モジュールの平面図であって、後面シートの除去された状態を示す平面図で、図２は、本発明の後面接合型太陽電池モジュールに使用される太陽電池の一実施形態を示す主要部斜視図である。そして、図３は、本発明の後面接合型太陽電池モジュールに使用される太陽電池の他の実施形態を示す主要部断面図であり、図４は、本発明の第１の実施形態に係る太陽電池モジュールの部分断面図である。
【００４２】
本実施形態に係る太陽電池モジュールは、複数の後面接合型太陽電池１１０、太陽電池１１０の後面に配置されて隣接した太陽電池１１０を電気的に接続するインターコネクタ１２０、太陽電池１１０を保護する前面密封材１３０と後面密封材１４０、太陽電池１１０の受光面側に前面密封材１３０上に配置される透明部材１５０、及び受光面の反対側に後面密封材の下部に配置される後面シート１６０を備える。
【００４３】
図１及び図４は、２個の太陽電池１１０のみが示しているが、太陽電池１１０の個数は制限されない。
【００４４】
太陽電池モジュールに使用される後面接合型太陽電池１１０は、図２に示すように、結晶質の半導体基板１１１、光が入射される結晶質半導体基板１１１の面の入射面［以下、前面（ｆｒｏｎｔ  ｓｕｒｆａｃｅ）とする］上に位置する前面保護膜１１６ａ、前面保護膜１１６ａ上に位置する前面電界部（ｆｒｏｎｔ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｆｉｅｌｄ、ＦＳＦ）１１７、前面電界部１１７上に位置する反射防止膜１１８、光が入射されずに入射面の反対側面の結晶質半導体基板１１１の面［以下、後面（ｒｅａｒ  ｓｕｒｆａｃｅ）とする］上に位置する後面保護膜１１６ｂ、後面保護膜１１６ｂ上に位置する複数の第１非晶質シリコン層１１９ａ、後面保護膜１１６ｂ上に位置して複数の第１非晶質シリコン層１１９ａと離隔している複数の第２非晶質シリコン１１９ｂ、第１非晶質シリコン層１１９ａ上に位置する複数の第１電極１１２と第１電極用集電部１１４（図１参照）、第２非晶質シリコン層１１９ｂ上に位置する複数の第２電極１１３及び第２電極用集電部１１５（図１参照）を備える。
【００４５】
図２では、第１後面接合型太陽電池１１０が前面電界部１１７、第２非晶質シリコン層１１９ｂ及び後面保護膜１１６ｂを備えることを一例として示しているが、前面電界部１１７、第２非晶質シリコン層１１９ｂ及び後面保護膜１１６ｂは省略できる。
【００４６】
第１非晶質シリコン層１１９ａは、エミッタ部として作用し、第２非晶質シリコン層１１９ｂは、後面電界部（ＢＳＦ、Ｂａｃｋ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｉｅｌｄ）として作用する。したがって、以下、第１非晶質シリコン層１１９ａをエミッタ部として表現し、第２非晶質シリコン層１１９ｂを後面電界部として表現する。
【００４７】
結晶質半導体基板１１１は、第１導電型、例えばｎ型導電型のシリコンからなる結晶質半導体基板である。このとき、シリコンは、単結晶シリコン又は多結晶シリコンなどのような結晶質シリコンである。
【００４８】
結晶質半導体基板１１１がｎ型の導電型を有する場合に、結晶質半導体基板１１１には、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などのように５価元素の不純物がドープされる。
【００４９】
これとは異なり、結晶質半導体基板１１１は、ｐ型導電型でありえ、シリコン外の他の半導体物質からなることができる。結晶質半導体基板１１１がｐ型の導電型を有する場合に、結晶質半導体基板１１１には、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などのような３価元素の不純物がドープされる。
【００５０】
結晶質半導体基板１１１の入射面は、テクスチャ表面（ｔｅｘｔｕｒｅｄ  ｓｕｒｆａｃｅ）を有することができる。
【００５１】
図２では、結晶質半導体基板１１１、前面保護膜１１６ａ、前面電界部１１７及び反射防止膜１１８のエッジ部分のみをテクスチャ表面として示したが、実質的には、結晶質半導体基板１１１、前面保護膜１１６ａ、前面電界部１１７及び反射防止膜１１８の前面（ｆｒｏｎｔ  ｓｕｒｆａｃｅ）の全体がテクスチャ表面を有する。
【００５２】
結晶質半導体基板１１１の前面（ｆｒｏｎｔ  ｓｕｒｆａｃｅ）上に位置した前面保護膜１１６ａは、真性非晶質シリコン［ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ（ａ−Ｓｉ）］膜、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）又はシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）のうち、何れか一つを含んで形成することができる。
【００５３】
このような前面保護膜１１６ａは、結晶質半導体基板１１１の表面及びその近くに主に存在するダングリングボンド（ｄａｎｇｌｉｎｇ  ｂｏｎｄ）のような欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）を安定な結合に変えて、結晶質半導体基板１１１の表面側に移動した電荷が欠陥により消滅されることを減少させるパッシべーション機能（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を有する。したがって、結晶質半導体基板１１１の表面やその近くで失われる電荷の量が減少する。
【００５４】
前面保護膜１１６ａの厚さが約１ｎｍ以上であると、結晶質半導体基板１１１の前面に前面保護膜１１６ａが均一に塗布されるので、パッシべーション機能を良好に備えることができ、前面保護膜１１６ａの厚さが約３０ｎｍ以下であると、前面保護膜１１６ａ内で吸収される光の量が減少して、結晶質半導体基板１１１内に入射される光の量を増加させることができる。したがって、前面保護膜１１６ａは、約１ｎｍないし３０ｎｍの範囲の厚さを有することが好ましい。
【００５５】
前面保護膜１１６ａ上に位置する前面電界部１１７は、結晶質半導体基板１１１と同じ導電型（例、ｎ型）の不純物が結晶質半導体基板１１１より高濃度で含有された不純物部であって、前面電界部１１７の不純物ドープ濃度は、約１０１０ないし１０２１原子（ａｔｏｍｓ）／ｃｍ３でありうる。
【００５６】
前面電界部１１７は、非晶質シリコン、非晶質シリコン酸化物（ａ−ＳｉＯｘ）、又は非晶質炭化ケイ素（ａ−ＳｉＣ）のうち、何れか一つを含んで形成されることができる。
【００５７】
このように、前面電界部１１７を形成すれば、結晶質半導体基板１１１と前面電界部１１７との不純物濃度差によって電位バリアが形成されるので、結晶質半導体基板１１１の前面方向への電荷（例、正孔）移動を防止する電界効果を得ることができる。
【００５８】
一般に、非晶質シリコン酸化物（ａ−ＳｉＯｘ）と非晶質炭化ケイ素（ａ−ＳｉＣ）とのエネルギーバンドギャップ（ｅｎｅｒｇｙ  ｂａｎｄ  ｇａｐ）は、それぞれ約２．１ｅＶと約２．８ｅＶであるから、非晶質シリコン酸化物と非晶質炭化ケイ素とのエネルギーバンドギャップは、約１．７ｅＶないし１．９ｅＶのエネルギーバンドギャップを有する非晶質シリコンより広い。
【００５９】
したがって、前面電界部１１７が非晶質シリコン酸化物（ａ−ＳｉＯｘ）や非晶質炭化ケイ素（ａ−ＳｉＣ）からなる場合に、前面電界部１１７自体で吸収される光の量が減少して結晶質半導体基板１１１側に入射される光の量は、さらに増加する。
【００６０】
前面電界部１１７上に位置した反射防止膜１１８は、後面接合型太陽電池１１０に入射される光の反射度を減らし特定の波長領域の選択性を増加させることによって、後面接合型太陽電池１１０の効率を上げる。
【００６１】
このような反射防止膜１１８は、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）やシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）などからなることができ、単一膜構造又は多層膜構造を有することができ、必要によって省略できる。
【００６２】
結晶質半導体基板１１１の後面に接して位置した後面保護膜１１６ｂは、前面保護膜１１６ａと同様にパッシべーション機能を備え、結晶質半導体基板１１１の後面側に移動した電荷が欠陥により消滅されるのを減少させる。
【００６３】
このような後面保護膜１１６ｂは、前面保護膜１１６ａと同様に非晶質シリコンなどから形成されることができる。
【００６４】
後面保護膜１１６ｂは、結晶質半導体基板１１１の後面側に移動した電荷が後面保護膜１１６ｂを通過して複数の後面電界部１１９ｂ又は複数のエミッタ部１１９ａに移動できる厚さを有する。
【００６５】
後面保護膜１１６ｂの厚さが約１ｎｍ以上であると、結晶質半導体基板１１１の後面に後面保護膜１１６ｂが均一に塗布されるので、パッシべーション効果をさらに得ることができ、後面保護膜１１６ｂの厚さが約１０ｎｍ以下であると、結晶質半導体基板１１１を通過した光が後面保護膜１１６ｂ内で吸収される光の量が減少して、結晶質半導体基板１１１の内部に再入射される光の量を増加させることができる。
【００６６】
したがって、後面保護膜１１６ｂは、約１ないし１０ｎｍの厚さを有することが好ましい。
【００６７】
複数の後面電界部１１９ｂは、結晶質半導体基板１１１と同じ導電型の不純物が結晶質半導体基板１１１より高濃度でドープされた領域である。例えば、複数の後面電界部１１９ｂは、ｎ＋の不純物領域でありうる。
【００６８】
複数の後面電界部１１９ｂは、後面保護膜１１６ｂの上で互いに離隔して並んで決まった方向にのびている。本実施形態において、複数の後面電界部１１９ｂは、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）のような非結晶質半導体から形成することができる。
【００６９】
このような後面電界部１１９ｂは、前面電界部１１７と同様に結晶質半導体基板１１１と後面電界部１１９ｂとの不純物濃度差による電位バリアにより、後面電界部１１９ｂ方向への正孔移動を妨害することに対し、後面電界部１１９ｂ方向への電子移動を容易にする。
【００７０】
したがって、後面電界部１１９ｂ及びその付近又は第１電極部１１２、１１４及び第２電極部１１３、１１５において電子と正孔との再結合により損失される電荷の量を減少させ、電子移動を加速化させて後面電界部１１９ｂへの電子移動量を増加させる。
【００７１】
ここで、第１電極部１１２、１１４は、複数の第１電極１１２及び第１電極用集電部１１４を備え、第２電極部１１３、１１５は、複数の第２電極１１３及び第２電極用集電部１１５を備える。
【００７２】
それぞれの後面電界部１１９ｂは、約１０ｎｍないし２５ｎｍの厚さを有することができる。後面電界部１１９ｂの厚さが約１０ｎｍ以上であると、正孔の移動を妨害する電位バリアをさらに良好に形成できるから電荷損失をより減少することができ、約２５ｎｍ以下であると、後面電界部１１９ｂ内で吸収される光の量を減少させて結晶質半導体基板１１１内に再入射される光の量を増加させることができる。
【００７３】
複数のエミッタ部１１９ａは、結晶質半導体基板１１１の後面上で複数の後面電界部１１９ｂと離隔しており、複数の後面電界部１１９ｂと並んでのびている。
【００７４】
したがって、図２に示すように、後面電界部１１９ｂとエミッタ部１１９ａとは、結晶質半導体基板１１１上において交互に位置する。
【００７５】
各エミッタ部１１９ａは、結晶質半導体基板１１１の後面に形成され、結晶質半導体基板１１１の導電型と反対である第２導電型、例えば、ｐ型の導電型を有しており、結晶質半導体基板１１１と異なる半導体、例えば、非晶質シリコンを含む。
【００７６】
したがって、エミッタ部１１９ａは、結晶質半導体基板１１１とｐ−ｎ接合だけでなく異種接合（ｈｅｔｅｒｏ  ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を形成する。
【００７７】
このような構成によれば、結晶質半導体基板１１１と複数のエミッタ部１１９ａとの間に形成されたｐ−ｎ接合による内部電位差（ｂｕｉｌｔ−ｉｎ  ｐｏｔｅｎｔｉａｌ  ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ）により結晶質半導体基板１１１に入射された光により生成された電荷である電子−正孔対は、電子と正孔に分離されて、電子は、ｎ型側に移動し、正孔は、ｐ型側に移動する。
【００７８】
したがって、結晶質半導体基板１１１がｎ型で複数のエミッタ部１１９ａがｐ型である場合、分離された正孔は、後面保護膜１１６ｂを貫通して各エミッタ部１１９ａ側に移動し、分離された電子は、後面保護膜１１６ｂを貫通して結晶質半導体基板１１１より不純物濃度の高い複数の後面電界部１１９ｂ側に移動する。
【００７９】
各エミッタ部１１９ａは、約５ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有することができる。エミッタ部１１９ａの厚さが約５ｎｍ以上であると、ｐ−ｎ接合をさらに良好に形成でき、約１５ｎｍ以下であると、エミッタ部１１９ａ内で吸収される光の量が減少して結晶質半導体基板１１１内に再入射される光の量を増加させることができる。
【００８０】
一方、不純物が存在しないか、ほぼない真性半導体物質（真性ａ−Ｓｉ）から形成された後面保護膜１１６ｂが複数のエミッタ部１１９ａと複数の後面電界部１１９ｂの下部に位置するので、結晶質半導体基板１１１上に接して複数のエミッタ部１１９ａと複数の後面電界部１１９ｂとが位置する場合に比べて、エミッタ部１１９ａと後面電界部１１９ｂとを形成する時に結晶化現象が減少する。
【００８１】
したがって、非晶質シリコン上に位置する複数のエミッタ部１１９ａと複数の後面電界部１１９ｂの特性が向上する。
【００８２】
エミッタ部１１９ａと接触する第１電極１１２は、エミッタ部１１９ａに沿って第２方向Ｘ−Ｘ’に延びており、エミッタ部１１９ａと電気的に接続されており、該当エミッタ部１１９ａ側に移動した電荷、例えば、正孔を収集する。
【００８３】
そして、後面電界部１１９ｂと接触する第２電極１１３は、後面電界部１１９ｂに沿って第２方向Ｘ−Ｘ’に延びており、複数の後面電界部１１９ｂと電気的に接続されており、該当後面電界部１１９ｂ側に移動する電荷、例えば、電子を収集する。
【００８４】
複数の第１電極１１２及び第２電極１１３は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）及びこれらの組み合わせからなる群より選択された少なくとも一つの導電性物質からなることができるが、これら以外の他の導電性金属物質からなることができる。
【００８５】
一方、エミッタ部１１９ａは、第１電極用集電部１１４が形成される領域にも位置し、後面電界部１１９ｂは、第２電極用集電部１１５が形成される領域にも位置する。
【００８６】
ここで、第１電極用集電部１１４は、エミッタ部１１９ａと接触してエミッタ部１１９ａと電気的に接続され、結晶質半導体基板１１１の第１隅方向に位置し、第２方向と直交する第１方向Ｙ−Ｙ’に延びて第１電極１１２の第１端部を物理的に接続する。
【００８７】
そして、第２電極用集電部１１５は、後面電界部１１９ｂと接触して後面電気的電界部１１９ｂと電気的に接続され、結晶質半導体基板１１１の第２隅方向に位置し、第２方向と直交する第１方向Ｙ−Ｙ’に延びて、第２電極１１３の第１端部を物理的に接続する。
【００８８】
したがって、第１電極用集電部１１４は、第１電極１１２へ移動した電荷を収集し、第２電極用集電部１１５は、第２電極１１３へ移動した電荷を収集する。
【００８９】
このような構成の第１電極用集電部１１４及び第２電極用集電部１１５は、第１電極１１２及び第２電極１１３と同じ物質から形成されることができる。
【００９０】
図３は、他の実施形態に係る後面接合型太陽電池２１０の断面図を示している。
【００９１】
後面接合型太陽電池２１０は、第１導電型の半導体基板２１１、半導体基板２１１の一面、例えば受光面に形成された前面保護膜２１６ａ、前面保護膜２１６ａ上に形成された反射防止膜２１８、半導体基板２１１の他の面、すなわち裏面に形成されており、第１導電型の不純物が高濃度でドープされた第１ドープ部２１９ａ、第１ドープ部２１９ａと隣接した位置で半導体基板２１１の裏面に形成され、第１導電型と反対導電型である第２導電型の不純物が高濃度でドープされた第２ドープ部２１９ｂ、第１ドープ部２１９ａと第２ドープ部２１９ｂの一部を露出する後面保護膜２１６ｂ、後面保護膜２１６ｂにより露出した第１ドープ部２１９ａと電気的に接続する第１電極２１２と第１電極用集電部（図１参照）、及び後面保護膜２１６ｂにより露出した第２ドープ部２１９ｂと電気的に接続する第２電極２１３と第２電極用集電部を備える。
【００９２】
半導体基板２１１の受光面に形成された前面保護膜２１６ａは、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などのように５価元素の不純物が半導体基板２１１より高い高濃度でドープされた膜であって、後面電界部（ＢＳＦ：ｂａｃｋ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｆｉｅｌｄ）と同様な前面電界部（ＦＳＦ：ｆｒｏｎｔ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｆｉｅｌｄ）として作用する。したがって、入射される光により分離された電子と正孔が半導体基板２１１の受光面の表面で再結合されて消滅することが防止される。
【００９３】
前面保護膜２１６ａの表面に形成された反射防止膜２１８は、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）やシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）などからなる。
【００９４】
半導体基板２１１の裏面に形成された第１ドープ部２１９ａには、ｎ型不純物が半導体基板２１１より高い高濃度でドープされており、第２ドープ部２１９ｂには、ｐ型不純物が高濃度でドープされている。したがって、第２ドープ部２１９ｂは、ｎ型の半導体基板２１１とｐ−ｎ接合を形成する。
【００９５】
第１ドープ部２１９ａと第２ドープ部２１９ｂとは、キャリア（電子と正孔）の移動通路として作用し、電子と正孔がそれぞれ第１ドープ部２１９ａと第２ドープ部２１９ｂの方向に集まるようになる。
【００９６】
第１ドープ部２１９ａと第２ドープ部２１９ｂの一部分を露出する後面保護膜２１６ｂは、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）又はこれらの組み合わせなどから形成される。後面保護膜２１６ｂは、電子と正孔に分離されたキャリアが再結合するのを防止し、入射された光が外部に失われないように太陽電池の内部に反射させて外部に失われる光の量を減少させる。
【００９７】
後面保護膜２１６ｂは、単一膜から形成されうるが、二重膜又は三重膜と同じ多層構造を有することができる。
【００９８】
後面保護膜２１６ｂで覆われない第１ドープ部２１９ａと該第１ドープ部２１９ａに隣接した後面保護膜２１６ｂ部分の上には、第１電極２１２が形成され、後面保護膜２１６ｂで覆われない第２ドープ部２１９ｂと該第２ドープ部２１９ｂに隣接した後面保護膜２１６ｂ部分の上には、第２電極２１３が形成される。
【００９９】
したがって、第１電極２１２は、第１ドープ部２１９ａと電気的に接続され、第２電極２１３は、第２ドープ部２１９ｂと電気的に接続される。
【０１００】
既に説明したように、第１及び第２電極１６０、１７０の一部が後面保護膜１５０の一部と重なってバスバー（ｂｕｓｂａｒ）領域に接続されているので、外部駆動回路などとの接続の際、接触抵抗及びシリーズ抵抗が減少してセル効率が高まる。
【０１０１】
後面シート１６０は、太陽電池モジュールの後面から湿気が侵入するのを防止して、太陽電池１１０を外部環境から保護する。このような後面シート１６０は、水分と酸素の侵入を防止する層、化学的腐食を防止する層、絶縁特性を有する層のような多層構造を有することができる。
【０１０２】
前面密封材１３０と後面密封材１４０とは、太陽電池１１０の上部及び下部にそれぞれ配置された状態で互いに接合されて、太陽電池１１０と一体化するものであって、前面密封材１３０と後面密封材１４０とは、湿気の侵入による太陽電池１１０の腐食を防止して太陽電池１１０を衝撃から保護する。
【０１０３】
本発明の実施形態において、前面密封材１３０と後面密封材１４０とは、互いに同じ物質からなることができる。
【０１０４】
例えば、前面密封材１３０と後面密封材１４０とは、液状の化合物を熱処理により硬化した物質、例えばポリジアルキルシロキサン（ＰＤＭＳ：ｐｏｌｙ  ｄｉａｌｋｙｌ  ｓｉｌｏｘａｎｅ）を含む硬化されたシロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）からなることができる。
【０１０５】
液状の化合物、すなわち液状のシロキサンが太陽電池１１０上に塗布されると、塗布されたシロキサン前駆体のうちの一部は、流動性により太陽電池１１０の間の空間に充填されるようになり、この状態で熱処理により硬化される。
【０１０６】
これとは異なり、前面密封材１３０と後面密封材１４０とは、フィルム形態で製造されたエチレンビニールアセテート（ＥＶＡ、ｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｖｉｎｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ）のような物質からなることができる。
【０１０７】
これとは異なり、前面密封材１３０と後面密封材１４０とは、互いに異なる物質からなることができる。
【０１０８】
例えば、前面密封材１３０は、フィルム形態のエチレンビニールアセテートからなる反面に、後面密封材１４０は、硬化されたシロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）からなることができる。
【０１０９】
前面密封材１３０上に位置する透明部材１５０は、透過率が高く、破損防止機能に優れた強化ガラスなどからなっている。このとき、強化ガラスは、鉄成分の含有量が低い低鉄分強化ガラス（ｌｏｗ  ｉｒｏｎ  ｔｅｍｐｅｒｅｄ  ｇｌａｓｓ）でありうる。このような透明部材１５０は、光の散乱効果を高めるために、内側面がエンボス（ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）処理されうる。
【０１１０】
そして、インターコネクタ１２０は、導電性金属からなり、隣接した太陽電池１１０を電気的に接続する。このとき、インターコネクタ１２０は、１，０００ｐｐｍ以下の鉛成分を含有する無鉛材質の導電性金属からなるか、導電性金属の表面に被服された有鉛材質のソルダー（ｓｏｌｄｅｒ）をさらに含むことができる。
【０１１１】
隣接した太陽電池１１０を電気的に接続するために、インターコネクタ１２０は、導電性接着フィルムと接触する。
【０１１２】
本実施形態において、導電性接着フィルムは、第１電極用集電部１１４と接触する第１導電性接着フィルムＣＦ１と、第２電極用集電部１１５と接触する第２導電性接着フィルムＣＦ２とから形成される。
【０１１３】
以下では、インターコネクタと集電部との間の接合構造について詳細に説明する。
【０１１４】
第１電極用集電部１１４上には、第１導電性接着フィルムＣＦ１が位置し、第２電極用集電部１１５上には、第２導電性接着フィルムＣＦ２が位置する。
【０１１５】
第１導電性接着フィルムＣＦ１は、樹脂ＣＦ１−１及び樹脂ＣＦ１−１に分散された複数の導電性粒子ＣＦ１−２を含む。
【０１１６】
樹脂ＣＦ１−１は、接着性を有する材質であれば、特に限定されない。但し、接着信頼性を高めるためには、熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。
【０１１７】
熱硬化性樹脂には、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂、フェノキシ（ｐｈｅｎｏｘｙ）樹脂、アクリル（ａｃｒｙｌ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）樹脂、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）樹脂の中から選択された少なくとも１種以上の樹脂を使用することができる。
【０１１８】
樹脂ＣＦ１−１は、熱硬化性樹脂以外の任意成分として、公知の硬化剤及び硬化促進剤を含有できる。
【０１１９】
例えば、樹脂ＣＦ１−１は、第１電極用集電部１１４とインターコネクタ１２０との接着性を向上させるためにシラン（ｓｉｌａｎｅ）系カップリング（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）剤、チタネート（ｔｉｔａｎａｔｅ）系カップリング剤、アルミネート（ａｌｕｍｉｎａｔｅ）系カップリング剤などの改質材料を含有できる。
【０１２０】
また、樹脂ＣＦ１−１は、導電性粒子ＣＦ１−２の分散性を向上させるために、リン酸カルシウムや炭酸カルシウムなどの分散剤を含有でき、弾性率を制御するためにアクリルゴム、シリコンゴム、ウレタンなどのゴム成分を含有できる。
【０１２１】
導電性粒子ＣＦ１−２は、導電性を有するものであれば、その材料は特に限定されない。
【０１２２】
導電性粒子ＣＦ１−２は、多様な大きさのラジカル金属粒子から構成されることができる。ここで、「ラジカル金属粒子」とは、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、チタニウム（Ｔｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）から選択された１種以上の金属を主成分とするほぼ球体形状を有する金属粒子の表面に複数の突起が不規則的に形成された金属粒子のことを言う。
【０１２３】
インターコネクタ１２０と第１電極用集電部１１４との間の電流の流れがスムーズになるようにするために、第１導電性接着フィルムＣＦ１は、樹脂ＣＦ１−１の厚さより大きなサイズの放射形金属粒子を少なくとも一つ以上含むことができる。
【０１２４】
このような構成によれば、樹脂ＣＦ１−１の厚さより大きなサイズで形成されたラジカル金属粒子の一部分が第１電極用集電部１１４及び／又はインターコネクタ１２０に埋められる。
【０１２５】
したがって、ラジカル金属粒子と第１電極用集電部１１４及び／又はラジカル金属粒子とインターコネクタ１２０との間の接触面積が増加して、接触抵抗を減少させうるという効果がある。接触抵抗が減少すれば、第１電極用集電部１１４とインターコネクタ１２０との間の電流の流れがスムーズになる。
【０１２６】
以上では、導電性粒子ＣＦ１−２がラジカル金属粒子から形成されるのを例に挙げて説明したが、導電性粒子ＣＦ１−２は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、チタニウム（Ｔｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）から選択された１種以上の金属を主成分として含む金属被覆樹脂粒子からなることができる。
【０１２７】
導電性粒子ＣＦ１−２が金属被覆樹脂粒子からなる場合、導電性粒子ＣＦ１−２は、円形又は楕円形の形状に形成されることができる。
【０１２８】
一方、導電性粒子ＣＦ１−２は、隣接したものと互いに物理的に接触することもできる。
【０１２９】
樹脂ＣＦ１−１が硬化した後の接続信頼性の側面で、樹脂ＣＦ１−１内に分散される導電性粒子ＣＦ１−２の配合量は、第１導電性接着フィルムＣＦ１の全体体積に対して０．５体積％ないし２０体積％にすることが好ましい。
【０１３０】
導電性粒子ＣＦ１−２の配合量が０．５体積％未満であれば、第１電極用集電部１１４との物理的な接点が減少するので、電流の流れがスムーズにならないこともありえ、配合量が２０体積％を超えると、樹脂ＣＦ１−１の相対的量が減少して接着強度が低下できる。
【０１３１】
第１導電性接着フィルムＣＦ１は、第１電極用集電部１１４と平行な方向に第１電極用集電部１１４に接着される。
【０１３２】
このとき、タブ（ｔａｂｂｉｎｇ）作業は、第１電極用集電部１１４に第１導電性接着フィルムＣＦ１を予備接合（ｐｒｅ−ｂｏｎｄｉｎｇ）するステップと、インターコネクタ１２０と第１導電性接着フィルムＣＦ１とを最終接合（ｆｉｎａｌ−ｂｏｎｄｉｎｇ）するステップに従って行われる。
【０１３３】
第１導電性接着フィルムＣＦ１を利用してタブ作業を行うとき、電気的接続確保及び接着力維持が可能な範囲であれば、加熱温度及び加圧圧力の条件は、特に制限されない。
【０１３４】
例えば、予備接合ステップでの加熱温度は、約１００℃以下に設定でき、最終接合ステップでの加熱温度は、樹脂ＣＦ１−１が硬化される温度範囲、例えば１４０℃ないし１８０℃の範囲に設定できる。
【０１３５】
そして、予備接合ステップでの加圧圧力は、約１ＭＰａに設定でき、最終接合ステップでの加圧圧力は、第１電極用集電部１１４及びインターコネクタ１２０が第１導電性接着フィルムＣＦ１に十分に密着される範囲、例えば約２ＭＰａないし３ＭＰａに設定できる。
【０１３６】
このとき、加圧圧力は、導電性粒子ＣＦ１−２の少なくとも一部が第１電極用集電部１１４及び／又はインターコネクタ１２０の内部に流入できるようにする。
【０１３７】
また、予備接合ステップでの加熱及び加圧時間は、約５秒内外に設定でき、最終接合ステップでの加熱及び加圧時間は、第１電極用集電部１１４及びインターコネクタ１２０などが熱による損傷又は変質しない範囲、例えば約１０秒程度に設定できる。
【０１３８】
一方、第１導電性接着フィルムＣＦ１の幅、すなわち第２方向Ｘ−Ｘ’への幅は、第１電極用集電部１１４の幅以下に形成され、第２導電性接着フィルムＣＦ２の幅は、第２電極用集電部１１５の幅以下に形成されることができる。
【０１３９】
このような構成によれば、第１導電性接着フィルムＣＦ１は、第１電極１１２と接触せず、第２導電性接着フィルムＣＦ２は、第２電極１１３と接触しない。
【０１４０】
また、第１導電性接着フィルムＣＦ１は、第２電極１１３とも接触せず、第２導電性接着フィルムＣＦ２は、第１電極１１３とも接触しない。
【０１４１】
１導電性接着フィルムＣＦ１の長さ、すなわち第１方向Ｙ−Ｙ’に測定された長さは、第１電極用集電部１１４の長さ以下に形成され、第２導電性接着フィルムＣＦ２の長さは、第２電極用集電部１１５の長さ以下に形成されることができる。
【０１４２】
そして、インターコネクタ１２０の長さは、第１導電性接着フィルムＣＦ１及び第２導電性接着フィルムＣＦ２の長さ以下に形成することができる。
【０１４３】
一方、インターコネクタ１２０の幅は、互いに隣接した第１導電性接着フィルムＣＦ１と第２導電性接着フィルムＣＦ２との間の間隔より大きく形成することができる。
【０１４４】
このとき、インターコネクタ１２０の幅は、インターコネクタ１２０と第１導電性接着フィルムＣＦ１とが重なる領域及びインターコネクタ１２０と第２導電性接着フィルムＣＦ２とが重なる領域を考慮して適切な範囲内で形成できる。
【０１４５】
そして、インターコネクタ１２０には、熱による収縮及び膨張に起因する歪（ｓｔｒａｉｎ）を減少させるための目的で、スリット（ｓｌｉｔ）又はホール（ｈｏｌｅ）１２２を形成できる。
【０１４６】
そして、後面密封材１４０を硬化されたシロキサンから形成する場合には、互いに隣接した２個の太陽電池の間に後面密封材１４０を充填することができる。
【０１４７】
しかしながら、これとは異なり、前面密封材１３０及び後面密封材１４０をエチレンビニールアセテート又は硬化されたシロキサンから形成する場合には、空間に前面密封材１３０が充填されることもでき、前面密封材１３０と後面密封材１４０の材料に応じて前面密封材１３０と後面密封材１４０とを共に充填することもできる。
【０１４８】
以下、図５ないし図７を参照して、図３の多様な変形実施形態を説明する。
【０１４９】
図５ないし図７の太陽電池モジュールは、互いに隣接した２個の太陽電池１１０の間にスペーサ１７０が位置するのを除いては、図４の実施形態と同一である。したがって、以下では、スペーサ１７０についてのみ説明する。図４の実施形態において、後面密封材１４０は、前面密封材１３０からインターコネクタ１２０まで延びる。
【０１５０】
スペーサ１７０は、図５に示すように互いに隣接した第１電極用集電部１１４と第２電極用集電部１１５との間の空間に位置する。図５の実施形態において、後面密封材１４０は、前面密封材１３０からスペーサ１７０まで延び、スペーサ１７０は、後面密封材１４０からインターコネクタ１２０まで延びる。これとは異なり、スペーサ１７０は、図６に示すように互いに隣接した２個の基板１１１間の空間に位置できる。図６の実施形態において、スペーサ１７０は、前面密封材１３０から後面密封材１４０まで延び、後面密封材１４０は、スペーサ１７０からインターコネクタ１２０まで延びる。これとは異なり、スペーサ１７０は、図７に示すように互いに隣接した２個の基板１１１間の空間及び互いに隣接した第１電極用集電部１１４と第２電極用集電部１１５との間の空間に位置できる。図７の実施形態において、スペーサ１７０は、前面密封材１３０からインターコネクタ１２０まで延びる。
【０１５１】
図５に示すように、スペーサ１７０が互いに隣接した第１電極用集電部１１４と第２電極用集電部１１５との間の空間に位置する場合に、スペーサ１７０は、集電部１１４、１１５と導電性接着フィルムＣＦ１、ＣＦ２の厚さを合せた大きさの厚さを有するように形成することができ、後面密封材１４０を硬化されたシロキサンから形成する場合には、互いに隣接した２個の基板１１１間の空間に後面密封材１４０を充填することができる。
【０１５２】
しかしながら、これとは異なり、前面密封材１３０及び後面密封材１４０をエチレンビニールアセテート又は硬化されたシロキサンのうち、一つの材料から形成する場合には、互いに隣接した２個の基板１１１間の空間に前面密封材１３０を充填することができ、前面密封材１３０と後面密封材１４０の材料に応じて、前面密封材１３０と後面密封材１４０を共に充填することができる。
【０１５３】
そして、図６に示すようにスペーサ１７０が互いに隣接した２個の基板１１１間の空間に位置する場合に、スペーサ１７０は、基板１１１と同じ厚さを有するように形成することができ、スペーサ１７０とインターコネクタ１２０との間の空間には、後面密封材１４０を充填することができる。
【０１５４】
しかしながら、これとは異なり、スペーサ１７０とインターコネクタ１２０との間の空間に前面密封材１３０を充填することができ、前面密封材１３０と後面密封材１４０を共に充填することができる。
【０１５５】
そして、図７に示すように、スペーサ１７０が互いに隣接した２個の基板１１１間の空間及び互いに隣接した第１電極用集電部１１４と第２電極用集電部１１５との間の空間に位置する場合、スペーサ１７０は、基板１１１、集電部１１４、１１５及び導電性接着フィルムＣＦ１、ＣＦ２の厚さを合せた大きさの厚さを有するように形成することができる。
【０１５６】
一方、本発明の実施形態によれば、隣接太陽電池１１０間の間隔及び電気的絶縁がスペーサ１７０によりなされるようになる。したがって、太陽電池モジュールの受光面側から観測する時に、隣接太陽電池１１０間の空間にインターコネクタ１２０が観測されうる。
【０１５７】
ところが、インターコネクタ１２０は、太陽電池１１０とは異なる色相の導電性金属からなる。したがって、美観を向上させるためにスペーサ１７０は、受光面に向かう表面を太陽電池１１０の半導体基板１１１と同じ色相又は後面シートと同じ色相、例えば黒色又は白色で処理できる。
【０１５８】
このような構成の太陽電池モジュールは、透明部材１５０上に前面密封材１３０を形成し、前面密封材１３０上に複数の後面接合型太陽電池１１０を一定の間隔で配置した後、第１電極用集電部１１４と第２電極用集電部１１５上にそれぞれ第１導電性接着フィルムＣＦ１と第２導電性接着フィルムＣＦ２とを配置し、インターコネクタ１２０を第１導電性接着フィルムＣＦ１と第２導電性接着フィルムＣＦ２とにタブし、その上に後面密封材１４０を形成し、後面密封材１４０上に後面シート１６０を配置した後にラミネート工程を実施することによって製造できる。
【０１５９】
このとき、前面密封材１３０と後面密封材１４０とは、液状のシロキサン前駆体、例えばジメチルシリルオキシアクリレート（ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｏｘｙａｃｒｙｌａｔｅ）を塗布及び硬化して形成できる。
【０１６０】
このように液状のシロキサン前駆体を塗布すれば、塗布された液状のシロキサン前駆体の一部分が隣接した太陽電池１１０の間の空間に充填されるようになる。
【０１６１】
以下、図８及び図９を参照して、本発明の第２の実施形態に係る太陽電池モジュールを説明する。
【０１６２】
前述した第１の実施形態では、インターコネクタ１２０を第１電極用集電部１１４と電気的に接続するために、第１導電性接着フィルムＣＦ１を使用し、インターコネクタ１２０を第２電極用集電部１１５と電気的に接続するために、第２導電性接着フィルムＣＦ２を使用した。
【０１６３】
しかしながら、本実施形態では、第３導電性接着フィルムＣＦ３のみを使用して第１電極用集電部１１４と第２電極用集電部１１５とをインターコネクタ１２０と電気的に接続する。第２の実施形態を説明するにあたって、前述した第１の実施形態と同じ構成要素に対しては、同じ図面符号を付し、これについての詳細な説明は省略する。
【０１６４】
このために、第３導電性接着フィルムＣＦ３の幅は、インターコネクタ１２０の幅以上に形成することができ、インターコネクタ１２０の長さは、第３導電性接着フィルムＣＦ３の長さ以下に形成することができる。
【０１６５】
このような構造によれば、第３導電性接着フィルムＣＦ３は、第１電極１１２及び第２電極１１３と接触しなくても良く、インターコネクタ１２０は、スリット又はホール１２２を具備できる。
【０１６６】
以下、図１０ないし図１３を参照して、図９の変形実施形態を説明する。
【０１６７】
図９に示す太陽電池モジュールにおいて、後面密封材１４０は、前面密封材１３０から第３導電性接着フィルムＣＦ３まで延びる。
【０１６８】
図１０の太陽電池モジュールは、第３導電性接着フィルムＣＦ３が前述した第１の実施形態のスペーサ１７０と同様な作用を果たす間隔維持部１７０’を一体に備えたことであって、間隔維持部１７０’は、第３導電性接着フィルムＣＦ３と同じ材質から形成され、導電性接着フィルムと一体に形成される。
【０１６９】
一方、図１０には、第３導電性接着フィルムＣＦ３の間隔維持部１７０’が基板１１１と接触することが示されているが、基板１１１の表面には、後面保護膜１１６ｂが位置しているので、間隔維持部１７０’は、基板１１１と直接には接触しない。図１０に示す太陽電池モジュールにおいて、後面密封材１４０は、前面密封材１３０から間隔維持部１７０’まで延び、間隔維持部１７０’は、後面密封材１４０から第３導電性接着フィルムＣＦ３まで延びる。
【０１７０】
これとは異なり、第２の実施形態に係る太陽電池モジュールも前述した第１の実施形態と同様にスペーサ１７０を具備できる。
【０１７１】
スペーサ１７０は、図１１に示すように、互いに隣接した第１電極用集電部１１４と第２電極用集電部１１５との間の空間に位置する。図１１に示す太陽電池モジュールにおいて、後面密封材１４０は、前面密封材１３０からスペーサ１７０まで延び、スペーサ１７０は、後面密封材１４０から第３導電性接着フィルムＣＦ３まで延びる。これとは異なり、スペーサ１７０は、図１２に示すように、互いに隣接した２個の基板１１１間の空間に位置できる。図１２に示す太陽電池モジュールにおいて、スペーサ１７０は、前面密封材１３０から後面密封材１４０まで延び、後面密封材１４０は、スペーサ１７０から第３導電性接着フィルムＣＦ３まで延びる。これとは異なり、スペーサ１７０は、図１３に示すように、互いに隣接した２個の基板１１１間の空間及び互いに隣接した第１電極用集電部１１４と第２電極用集電部１１５との間の空間に位置できる。図１３に示す太陽電池モジュールにおいて、スペーサ１７０は、前面密封材１３０から第３導電性接着フィルムＣＦ３まで延びる。
【０１７２】
図１１に示すように、スペーサ１７０が互いに隣接した第１電極用集電部１１４と第２電極用集電部１１５との間の空間に位置する場合、スペーサ１７０は、集電部１１４、１１５の厚さと同一であるか、又は集電部１１４、１１５の厚さよりさらに厚く形成することができる。
【０１７３】
スペーサ１７０の厚さが集電部１１４、１１５の厚さより厚い場合、第３導電性接着フィルムＣＦ３は、スペーサ１７０の一部が埋められる溝Ｈ１を具備できる。
【０１７４】
そして、後面密封材１４０を硬化されたシロキサンから形成する場合には、互いに隣接した２個の基板１１１間の空間に後面密封材１４０を充填することができる。
【０１７５】
しかしながら、これとは異なり、互いに隣接した２個の基板１１１間の空間には、前面密封材１３０を充填することができ、前面密封材１３０と後面密封材１４０を共に充填することができる。
【０１７６】
そして、図１２に示すように、スペーサ１７０が互いに隣接した２個の基板１１１間の空間に位置する場合、スペーサ１７０は、基板１１１と同じ厚さを有するように形成することができ、スペーサ１７０と第３導電性接着フィルムＣＦ３との間の空間には、後面密封材１４０を充填することができる。
【０１７７】
しかしながら、これとは異なり、スペーサ１７０と第３導電性接着フィルムＣＦ３との間の空間には、前面密封材１３０を充填することができ、前面密封材１３０と後面密封材１４０を共に充填することができる。
【０１７８】
そして、図１３に示すようにスペーサ１７０が互いに隣接した２個の基板１１１間の空間及び互いに隣接した第１電極用集電部１１４と第２電極用集電部１１５との間の空間に位置する場合、スペーサ１７０は、基板１１１及び集電部１１４、１１５の厚さを合せた大きさと同じ厚さ又はそれ以上の厚さを有するように形成することができる。
【０１７９】
スペーサ１７０の厚さが基板１１１及び集電部１１４、１１５の厚さより厚い場合、第３導電性接着フィルムＣＦ３は、スペーサ１７０の一部が埋められる溝Ｈ１を具備できる。
【０１８０】
一方、本発明の実施形態によれば、隣接太陽電池１１０間の間隔及び電気的絶縁がスペーサ１７０によりなされるようになる。したがって、太陽電池モジュールの受光面側から観測する時に隣接太陽電池１１０間の空間にインターコネクタ１２０が観測されうる。
【０１８１】
ところが、インターコネクタ１２０は、太陽電池１１０とは異なる色相の導電性金属からなる。したがって、美観を向上させるためにスペーサ１７０は、受光面に向かう表面を太陽電池１１０の半導体基板１１１と同じ色相又は後面シートと同じ色相、例えば黒色又は白色で処理できる。
【０１８２】
以下、図１４を参照して本発明の第３の実施形態に係る太陽電池モジュールを説明する。図１４は、本発明の第３の実施形態に係る太陽電池モジュールの平面図であって、後面シートの除去された状態を示す平面図である。
【０１８３】
本実施形態の太陽電池モジュールは、互いに隣接した後面接合型太陽電池１１０が複数のインターコネクタ１２０により電気的に接続されるのを除いて、図８の実施形態と同様に構成される。
【０１８４】
すなわち、図１４に示すように、第３導電性接着フィルムＣＦ３は、一部領域で左側に位置した後面接合型太陽電池１１０の第２電極用集電部１１５と接触し、また一部領域で右側に位置した後面接合型太陽電池１１０の第１電極用集電部１１４と接触する。
【０１８５】
そして、第３導電性接着フィルムＣＦ３上には、２個以上のインターコネクタ１２０が第３導電性接着フィルムＣＦ３の長さ方向、すなわち第１方向Ｙ−Ｙ’に沿って位置する。
【０１８６】
このように、少なくとも２個のインターコネクタ１２０を使用する実施形態は、前述した図１の実施形態にも同様に適用できる。
【０１８７】
図１４の実施形態では、１個の第３導電性接着フィルムＣＦ３上に２個以上のインターコネクタ１２０が接着されたことを例に挙げて説明した。
【０１８８】
しかしながら、図１５の第３の実施形態に示すように、第３導電性接着フィルムＣＦ３もインターコネクタ１２０のように分割形成することが可能である。
【０１８９】
この場合、いずれか一つの太陽電池１１０の第２電極用集電部１１５と隣接した太陽電池１１０の第１電極用集電部１１４は、２個以上の第３導電性接着フィルムＣＦ３及び第３導電性接着フィルムＣＦ３と同じ個数のインターコネクタ１２０により電気的に接続することができる。
【０１９０】
これとは異なり、図１６の第４の実施形態に示すように、いずれか一つの太陽電池１１０の第２電極用集電部１１５と隣接した太陽電池１１０の第１電極用集電部１１４は、２個以上の第３導電性接着フィルムＣＦ３と接触し、２個以上の第３導電性接着フィルムＣＦ３は、１個のインターコネクタ１２０と接触することも可能である。
【０１９１】
一方、本発明の太陽電池モジュールに使用される後面接合型太陽電池は、集電部、例えばバスバー（ｂｕｓ−ｂａｒ）のないノン（ｎｏｎ）−バスバー構造でありうる。
【０１９２】
ノン−バスバー構造の後面接合型太陽電池において、第１電極部は、第１方向と直交する第２方向に延びた複数の第１電極のみを備え、第２電極部は、第１電極と交互に配列されるように第２方向に延びた複数の第２電極のみを備える。
【０１９３】
そして、互いに隣接した第１電極は、第１電極を形成する電極物質により互いに物理的に接続せず、互いに隣接した第２電極は、第２電極を形成する電極物質により互いに物理的に接続しない。
【０１９４】
このような構造は、ノン−バスバー構造においてのみ現れることであって、ノン−バスバー構造の後面接合型太陽電池は、バスバー形成による材料費及び工数を減らすことができる。
【０１９５】
ノン−バスバー構造の後面接合型太陽電池において、導電性接着フィルムは、複数の第１電極の片方端部又は複数の第２電極の片方端部と物理的に接触し、複数の第１電極の片方端部又は複数の第２電極の片方端部を電気的に接続する。
【０１９６】
そして、複数の第１電極の片方端部及び複数の第２電極の片方端部は、拡大された線幅の接触部を各々具備できる。
【図１】
2013077820.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2013077820.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2013077820.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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