(57)【要約】【課題】ＫＴＮ光偏向器において、バースト電圧を印加しても、駆動電圧を長時間連続して印加し続けると、次第に偏向角の振れ幅が減少してくる問題があった偏向角の振れ幅が減少することは、光偏向器の性能の変動につながり、ＫＴＮ結晶を用いた光偏向器の利用範囲を著しく制限してしまう。【解決手段】本発明は、ＫＴＮ結晶およびこれを動作させるために必要な冶具などを外界の光から遮蔽する光遮蔽構造を設けたことを特徴とするＫＴＮ結晶の動作機構を提供する。光偏向器は、ＫＴＮ結晶などの電気光学結晶に対して、電気光学結晶のトラップ準位に起因する光吸収を生じさせる波長および光吸収を生じさせる波長より短波長側の帯域の光を遮蔽する遮蔽構造物であって、前記電気光学結晶への入射光および前記電気光学結晶からの出射光を通過させる少なくとも１つの窓を有する遮蔽構造物を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する面に少なくとも２つの電極を形成した電気光学結晶であって、前記電極に制御電圧を印加して、電気光学効果により内部の屈折率分布の傾斜を生成することによって、前記制御電圧により形成される電界に概ね垂直に入射する入射光を偏向させる電気光学結晶を用いた光偏向器において、
前記電気光学結晶に対して、前記電気光学結晶のトラップ準位に起因する光吸収を生じさせる波長および前記光吸収を生じさせる波長より短波長側の帯域の光を遮蔽する遮蔽構造物であって、前記電気光学結晶への入射光および前記電気光学結晶からの出射光を通過させる少なくとも１つの窓を有する遮蔽構造物
を備えたことを特徴とする光偏向器。
【請求項２】
前記電気光学結晶は、タンタル酸ニオブ酸リチウム（ＫＴａ1-xＮｂxＯ3（０＜ｘ＜１））結晶、またはリチウムを添加したＫ1-yＬｉyＴａ1-xＮｂxＯ3（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の光偏向器。
【請求項３】
前記遮蔽構造物によって遮断される前記帯域は、７５０ｎｍより短波長側の可視光を含むことを特徴とする請求項１に記載の光偏向器。
【請求項４】
前記電気光学結晶は、入射光の入射する面に形成された無反射面と、前記電気光学結晶前記無反射面に対向する面に形成された高反射面とを有し、
前記遮蔽構造物は、前記入射光および前記高反射面を反射して前記電気光学結晶から出射する出射光が通過する１つの窓を有すること
を特徴とする請求項１に記載の光偏向器。
【請求項５】
前記遮蔽構造物の前記窓に、偏向をさせる対象光の波長のみを透過させるフィルタまたは前記対象光の前記波長を透過させ前記対象光の波長より短波長側の波長を除去する帯域フィルタを形成したことを特徴とする請求項１に記載の光偏向器。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
本発明は、光偏向器に関する。より詳細には、ＫＴＮを使用した光偏向器の光遮蔽機構に関する。
【０００２】
現在、プロジェクタをはじめとする映像機器、レーザプリンタ、高分解能な共焦点顕微鏡、バーコードリーダ等において、レーザ光を偏向するための光制御素子に対する要求が高まっている。従来、ポリゴンミラーを回転させる技術、ガルバノミラーにより光の偏向方向を制御する技術、音響光学効果を利用した光回折技術、ＭＥＭＳと呼ばれるマイクロマシーン技術が提案されている。
【０００３】
さらに近年では、電気光学結晶への電荷注入により空間電荷制御状態を実現して電界の傾斜を発生させ、電気光学効果により屈折率の傾斜を生じさせた結果、光偏向させる光偏向器が提案されている（特許文献１）。この電気光学結晶を用いた光偏向器は、ガルバノミラーやポリゴンミラー、ＭＥＭＳミラー等と異なり可動部を持たないため、高速の光偏向が可能となる。上述の電気光学結晶としては、タンタル酸ニオブ酸リチウム（ＫＴａ1-xＮｂxＯ3（０＜ｘ＜１）：以下ＫＴＮ）結晶、またはＫＴＮと同様な効果を持つ材料として、他にさらにリチウムを添加したＫ1-yＬｉyＴａ1-xＮｂxＯ3（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）などが知られている。以下では、上述のような電気光学結晶として、ＫＴＮを用いた光偏向器を例に説明する。
【０００４】
図６は、ＫＴＮを用いた光偏向器の構成を示す図である。ＫＴＮ結晶１０１の上下面には、電極１０２、１０３が形成されている。２つの電極間には、制御電圧源１０４から制御電圧が印加される。入射光１０５は、ＫＴＮ結晶１０１の図面左側端面からｚ方向に進み、ＫＴＮ結晶１０１内において偏向を受けて、ｘ軸方向に進行方向を変えた出射光１０６が得られる。制御電圧源１０４からの印加電圧の大きさに応じて、対応する偏向角θが得られる。
【０００５】
ＫＴＮの電気光学効果の詳細については、ＫＴＮの結晶構造および屈折率の変化について、温度との関係が解析されている（非特許文献１）。さらに、ＫＴＮにおいて特有の空間電荷制御電気光学効果に基づいて、光偏向器としての動作も定量的に解析されている。ＫＴＮは、既存の材料と比べて、より小さい駆動電圧およびより小さな結晶で駆動できるという特徴を持っている。さらに、ＫＴＮは、光の方向を変えるという基本的なデバイスであるため、光通信に限らず、光を扱う様々な分野への応用が考えられている。分光器や医療機器への実用化は既に始まっており、さらに加工機や顕微鏡の分野にも応用が検討されている（非特許文献１）。
【０００６】
図６に示したように、ＫＴＮを偏向動作させるためにはＫＴＮ結晶１０１に制御電圧を加える必要がある。また、ＫＴＮ結晶の温度を一定の動作温度に維持する機構も必要となる。したがって、ＫＴＮ結晶を利用した光偏向器を駆動してその特性を測定したり、光偏向機能を利用した機器を動作させたりするためには、ＫＴＮ結晶を所定の条件で物理的に保持するための機構または冶具が使用される。
【０００７】
また、図６に示したように、ＫＴＮによって光を偏向するときは、制御電圧源１０４からその応用分野に適合した信号形式の駆動電圧をＫＴＮ結晶に印加する。さらに、ＫＴＮ結晶において高速に偏向動作を行うためには、駆動電圧を印加する前に、バースト電圧を印加して、ＫＴＮ結晶中への電子の注入、およびトラップへの電子の捕獲を行うことが好ましい。ここでバースト電圧とは、駆動電圧の周波数に対して十分に低速な周波数の電圧信号を意味する。
【０００８】
図７は、ＫＴＮ結晶の駆動方法の一例を説明する図である。  図７において、バースト電圧は正の定電圧と負の定電圧を一定時間ずつ印加し、その電圧の振幅２０１は、正負ともに同じＶ’＝４００Ｖとし、正と負の電圧印加時間２０２の合計ｔ’は例えば５ｍｓｅｃとした。駆動電圧の振幅２０３は、Ｖ＝４００Ｖのサイン波で継続時間を３０ｍｓｅｃとした場合、バースト電圧と駆動電圧を繰り返し印加することで、十分な偏向角の振れ幅を維持できる。
【０００９】
図７に示したように駆動電圧の前にバースト電圧を印加することによって、バースト電圧を印加中に結晶中への電子の注入、及びトラップへの電子の捕獲が行われる。駆動電圧印加期間２０４中には電子の注入無しでも、トラップに捕獲された電子により電界の傾斜が発生し、その結果電気光学効果による屈折率の傾斜が生じるため、駆動電圧を高速化しても広角な光偏向を実現することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】国際公開第２００６／１３７４０８号パンフレット
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】ＮＴＴ技術ジャーナル  ２００９年１１月号、p.12-15
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、バースト電圧を印加しても、駆動電圧を長時間連続して印加し続けると、次第に偏向角の振れ幅が減少してくる問題があった。ＫＴＮ結晶に対して連続して駆動電圧を印加すると、例えば、バースト電圧を±３００Ｖで、正負各極性に１０秒ずつ印加した場合、その後、±３００Ｖの駆動電圧（２００ｋＨｚ）を１０分間連続して印加すると偏向角の振れ幅が、駆動開始時から２０％程度減少する。さらに、３０分間連続して印加すれば、偏向角の振れ幅は駆動開始時から４０％を越えて減少していた。偏向角の振れ幅が減少することは、光偏向器の性能の変動につながり、ＫＴＮ結晶を用いた光偏向器の利用範囲を著しく制限してしまう。
【００１３】
上述のように、高速で駆動電圧を長時間連続して印加するようなＫＴＮの応用の場合には、偏向角の振れ幅を維持できない問題があった。本発明は、上述の課題に鑑みて、ＫＴＮ結晶を用いた光偏向器の、連続駆動時における偏向特性を維持して、長時間の連続駆動が可能なＫＴＮ結晶を動作させる機構および光偏向器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、対向する面に少なくとも２つの電極を形成した電気光学結晶であって、前記電極に制御電圧を印加して、電気光学効果により内部の屈折率分布の傾斜を生成することによって、前記制御電圧により形成される電界に概ね垂直に入射する入射光を偏向させる電気光学結晶を用いた光偏向器において、前記電気光学結晶に対して、前記電気光学結晶のトラップ準位に起因する光吸収を生じさせる波長および前記光吸収を生じさせる波長より短波長側の帯域の光を遮蔽する遮蔽構造物であって、前記電気光学結晶への入射光および前記電気光学結晶からの出射光を通過させる少なくとも１つの窓を有する遮蔽構造物を備えたことを特徴とする光偏向器である。
【００１５】
請求項２の発明は、請求項１の光偏向器であって、前記電気光学結晶は、タンタル酸ニオブ酸リチウム（ＫＴａ1-xＮｂxＯ3（０＜ｘ＜１））結晶、またはリチウムを添加したＫ1-yＬｉyＴａ1-xＮｂxＯ3（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）のいずれかであることを特徴とする。
【００１６】
請求項３の発明は、請求項１の光偏向器であって、前記遮蔽構造物によって遮断される前記帯域は、７５０ｎｍより短波長側の可視光を含むことを特徴とする。
【００１７】
請求項４の発明は、請求項１の光偏向器であって、記電気光学結晶は、入射光の入射する面に形成された無反射面と、前記電気光学結晶前記無反射面に対向する面に形成された高反射面とを有し、前記遮蔽構造物は、前記入射光および前記高反射面を反射して前記電気光学結晶から出射する出射光が通過する１つの窓を有することを特徴とする。
【００１８】
請求項５の発明は、請求項１の光偏向器であって、前記遮蔽構造物の前記窓に、偏向をさせる対象光の波長のみを透過させるフィルタまたは前記対象光の前記波長を透過させ前記対象光の波長より短波長側の波長を除去する帯域フィルタを形成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明によれば、ＫＴＮ結晶を用いた光偏向器の、連続駆動時における偏向特性を安定化し維持して、長時間の連続駆動が可能なＫＴＮ結晶を動作させる機構を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の光遮蔽構造を持つＫＴＮ光偏向器の構成を示す概念図である。
【図２】図２は、ＫＴＮ結晶の光吸収スペクトルを示す図である。
【図３】図３は、光遮蔽構造を備えたＫＴＮ光偏向器の偏向角の時間依存性を示す図である。
【図４】図４は、実施例１のＫＴＮ光偏向器におけるＫＴＮ結晶の構成を示す図である。
【図５】図５は、実施例１の遮蔽構造を持つＫＴＮ光偏向器の構成を示す図である。
【図６】図６は、ＫＴＮを用いた光偏向器の構成を示す図である。
【図７】図７は、ＫＴＮ結晶の駆動方法の一例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明は、ＫＴＮ結晶およびこれを動作させるために必要な冶具などを外界の光から遮蔽する光遮蔽構造を設けたことを特徴とするＫＴＮ結晶の光遮蔽機構を提供する。より具体的には、光偏向器は、ＫＴＮ結晶などの電気光学結晶に対して、電気光学結晶のトラップ準位に起因する光吸収を生じさせる波長および光吸収を生じさせる波長よりも短波長側の帯域の光を遮蔽する遮蔽構造物であって、前記電気光学結晶への入射光および前記電気光学結晶からの出射光を通過させる少なくとも１つの窓を有する遮蔽構造物を備える。遮蔽構造物は、ＫＴＮおよび冶具全体を覆う光遮蔽効果を持つ箱のほか、ＫＴＮ結晶上に形成する材料による構造物も含む。発明者らは、経験的に外界からＫＴＮ結晶に当たる可視光が偏向角の振れ幅に影響を与えることに注目した。
【００２２】
本発明において、冶具という用語は、ＫＴＮ結晶を物理的に保持する機構または構造物を意味する。さらに、冶具はＫＴＮによって偏向動作を行うための回路・機構（駆動電圧の電気配線、温度制御回路など）を含む。したがって、冶具は、光偏向機能を利用するＫＴＮ結晶が含まれている装置内の機構の一部でもあり得る。また、ＫＴＮ結晶の偏向特性などを評価する実験的な用途に使用するための機構でもあり得る。
【００２３】
図１は、本発明の光遮蔽構造を持つＫＴＮ光偏向器の構成を示す概念図である。直方体で示されたＫＴＮ結晶を含む冶具１は、調整台２の上に固定されている。冶具１は、ＫＴＮ結晶、および、ＫＴＮ結晶を保持し動作させるためのすべて機構を含み、概念的に直方体として表したものである。調整台２は、冶具１内のＫＴＮ結晶への入射光またはＫＴＮ結晶からの出射光の垂直位置を調整するためのものであって、必須のものではない。冶具１が高さ調整可能な機構を含んでいても良い。
【００２４】
本発明のＫＴＮ光偏向器は、冶具１全体を遮蔽構造物である遮蔽箱３によって覆っているところに特徴がある。遮蔽箱３は、少なくとも可視光および可視光よりも波長の短い光を遮蔽する効果があるものであれば、どのような材料で構成されていても良い。遮蔽箱３は、ＫＴＮ結晶へ光を入射させる入射窓６と、偏向させた光を出射する出射窓７とを有する。さらに、ＫＴＮ結晶に制御電圧を印加するための配線や、ＫＴＮ結晶および冶具全体の温度制御のための配線７を入出力するための配線窓８を有する。
【００２５】
後述するが、ＫＴＮ結晶における偏向のための光路の構成によっては、入射窓６と出射窓７を１つの窓で兼用することもできる。また、配線窓８は、可視光などの入射をできる限り抑えるために冶具１の直下から調整台２の内部を貫通して調整台２の下面に配置することもできる。
【００２６】
調整台２によって、冶具１の中に含まれるＫＴＮ結晶への入射光１の位置を入射窓６に適合させ、偏向させた出射光５ａ、５ｂの位置を出射窓６に適合させることができる。入射窓６、出射窓７の形状・大きさは、入射光４、出射光５ａ、５ｂに干渉しないものであって、できる限り小さいほうが良い。（この辺での、限定次項のアイデアが欲しいところ）
【００２７】
図２は、ＫＴＮ結晶の光吸収スペクトルを示す図である。横軸には波長を、縦軸には吸収係数αを示している。図２から明らかなように、ＫＴＮ結晶では、バンドギャップ波長（４００ｎｍ）よりも短い波長の光を遮断することは必須である。バンドギャップ波長以下の波長の光は、その光で励起される電子によって、通常の偏向動作からの状況から変化してしまうからである。バンドギャップ波長以下の光を遮光することは当然として、さらに、トラップ準位に起因すると考えられる光吸収が残っている、４００〜７５０ｎｍの範囲の可視光も遮光可能であれば良い。したがって、遮蔽箱３の材料としては、金属、あるいは７５０ｎｍ以下の波長を遮光可能な帯域フィルタが施されたガラス、プラスチック、アクリル等でも良い。
【００２８】
図３は、光遮蔽構造を備えたＫＴＮ光偏向器の偏向角の時間依存性を示す図である。光遮蔽構造を持たない場合と比較して示している。ＫＴＮ結晶（静電容量１．７１ｎＦ、比誘電率εｒ＝１５０００）に対して、バースト電圧（±３００Ｖ、１０秒間）を印加した後で、駆動電圧として±３００Ｖ、２００ｋＨｚの交流電圧を連続した印加した場合の、偏向角の最大振れ幅の時間変化を示している。光遮蔽構造を持たない場合では、偏向角の振れ幅は３０分で４０％以上低下したのに対して、光遮蔽構造を持つ本発明のＫＴＮ光偏向器では、偏向角の振れ幅は数％の低下に抑えられている。したがって、ＫＴＮ光偏向器を連続して駆動する応用にも実用的に十分に適用できる。
【００２９】
次に、光遮蔽構造を持つＫＴＮ光偏向器のより具体的な構成について説明する。
【実施例１】
【００３０】
本実施例では、光入射窓および光出射窓を１つに兼用する構成について説明する。すなわち、ＫＴＮ結晶などの電気光学結晶は、入射光の入射する面に形成された無反射面と、前記電気光学結晶前記無反射面に対向する面に形成された高反射面とを有し、遮蔽構造物は、入射光および高反射面を反射して電気光学結晶から出射する出射光が通過する１つの窓を有する。最初に、本実施例で使用するこのＫＴＮ結晶の構成を説明する。
【００３１】
図４は、実施例１のＫＴＮ光偏向器におけるＫＴＮ結晶の構成を示す図である。ＫＴＮ結晶１０は、図４において図面奥から手前に（ｚ方向）向かって入射光４が入射する。入射光４は、ＫＴＮ結晶内で偏向を受けた後に、入射したのと同一の面から出射する。図４においてＫＴＮ結晶１０の上下面には駆動電圧を印加するための電極１１ａ、１１ｂが形成されており、ｘ軸方向に偏向を生じさせる。
【００３２】
光が入射しおよび出射する奥の面は、無反射コーティングされた面１２（ＡＲ面：Anti-Refection）となっている。一方で、手前の面は、高反射コーティングされた面１３（ＨＲ面：High Reflection）となっている。このＡＲ面１２およびＨＲ面１３を有する構成により、ＡＲ面１３に入射した入射光は、ＫＴＮ結晶内で偏向を受け、ＨＲ面１３において反射される。反射された光はさらにＫＴＮ結晶内で再び偏向を受けて、ＡＲ面１２から出射することになる。
【００３３】
図５は、実施例１の遮蔽構造を持つＫＴＮ光偏向器の構成を示す図である。図４に示したＫＴＮ結晶を使用している。図５の（ａ）は、ＫＴＮ結晶の側面から偏向面を含む面を見た図である。（ｂ）は、入射光の光源（図示せず）側からＫＴＮ結晶のＡＲ面１２を見た図である。（ｃ）は、ＫＴＮ結晶の駆動電圧の印加電極１１ａ、１１ｂに平行な面を見た図である。図５では、ＫＴＮ結晶を詳細に描いているが、ＫＴＮ結晶を含む冶具１および調整台２は、概念的に単純な直方体で描いている。冶具１および調整台２は、遮蔽構造物である光遮蔽箱３によって全体を覆われている。本実施例では、図５の（ｂ）に明示されているように、光遮蔽箱３は、光の入射および出射を行う１つの窓２０を備えている。さらに、本実施例のＫＴＮ光偏向器は、出射光５ａ、５ｂの方向を変えるミラー２１を備えている。
【００３４】
冶具１および調整台２の全体の大きさは、概ね３ｍｍ角である。また、遮蔽箱３の大きさは概ね６ｍｍ角である。
【００３５】
入射光４は、窓２０を通過して、ＡＲ面１２からＫＴＮ結晶内に入る。ＫＴＮ結晶内を進む光は、電極１１ａ、１１ｂに印加される駆動電圧によってｘ軸方向に偏向を受ける。ＫＴＮ結晶内で偏向を受けた光は、ＨＲ面１３で反射されてｚ軸を逆方向に進み、再びＫＴＮ結晶内で偏向を受ける。偏向を受けた光は、その後ＡＲ面１２から出射して窓２０を通過して、ミラー２１にてさらに進行方向の向きを変えて、出射光５ａ、５ｂとして利用される。図５の（ｃ）から分かるように、入射光４はｚ軸よりわずかに傾斜して入射することによって、出射光５ａ、５ｂも傾斜してＫＴＮ結晶から出射するので、入射光４と干渉することなく簡単に出射光５ａ、５ｂを取り出すことができる。
【００３６】
図４に示した構成のＫＴＮ結晶を利用し、光遮蔽箱３の光入出力用の窓を１つにすることによって、光遮蔽箱３をより効果的に利用することができる。図５では、制御電圧印加や温度制御のための配線９の出し入れのための配線窓８を、光遮蔽箱３の側面に持っているが、調整台２の中を貫いて配線を行えば、配線窓８は底面に形成できる。図５に示した光偏向器の光路の構成では、全反射のミラー２１を用いているが、ハーフミラーなどを使用して異なる光路を形成しても良い。この場合には、必ずしも入射光４を斜め入射させる必要はない。
【００３７】
窓２０の形状は入射光４および出射光５ａ、５ｂを干渉なく入出力させられものである限り、小さいものであれば良い。すなわち、窓２０のｘ軸方向の長さについては、ｚ軸上におけるＫＴＮ結晶の位置および窓２０の位置と、出射光の最大偏向角との関係で決定される、最大偏向角に対応した長さとすれば良い。
【００３８】
本実施例の構成のＫＴＮ光偏向器によれば、光の入出力を行う窓を１つにして、光遮蔽箱の効果を高めることができる。
【実施例２】
【００３９】
実施例１では、遮蔽箱に形成する窓を１つにした構成であって、窓２０は物理的に遮蔽箱３の一部を除去して形成された隙間を利用していた。しかしながら、所定の波長帯域の光に対して遮蔽効果を持つ窓であれば良い。したがって、図５に示した光偏向器における窓２０に、偏向を行う対象となる光のみを選択的に透過させる帯域通過フィルタを配置すれば、さらに可視光等による偏向角の振れ幅低下を抑えることができる。すなわち、遮蔽構造物の窓に、偏向をさせる対象光の波長のみを透過させるフィルタまたは対象光の波長を透過させ対象光の波長より短波長側の波長を除去する帯域フィルタを形成することで実現できる。
【００４０】
また、ＫＴＮ結晶自体に対して、偏向の対象となる光の波長のみを選択的に透過させるようなフィルタ機能を持つ材料を、ＫＴＮ結晶の各面上に形成することによっても同等の効果が得られる。ＫＴＮ結晶で制御電圧を印加する面（図３のｙ−ｚ面に対応）は、電極が形成されるため不要であるが、光を入射または出射する対向する２つの面（図３のｘ−ｙ面に対応）に対しては、光の入出力に必要な部分を除いて、部分的にフィルタ機能を持つ材料を形成できる。さらに、偏向面に平行な対向する２つの面（図３のｘ−ｚ面に対応）に対しては、全面的にフィルタ機能を持つ材料を形成することができる。したがって、実施例１における遮蔽箱３は、ＫＴＮ結晶を含む冶具全体に対するものであったが、ＫＴＮ結晶上に直接形成したまたはＫＴＮ結晶に接して配置されたフィルタ作用を持つ材料で形成される構造物（膜、層を含む）に拡張することができることに留意されたい。
【００４１】
以上、詳細に説明してきたように、本本発明によれば、ＫＴＮ結晶を用いた光偏向器の、連続駆動時における偏向特性を安定化し維持して、長時間の連続駆動が可能なＫＴＮ結晶を動作させる機構を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、光学機器に利用することができる。特にＫＴＮ結晶を用いた光学機器に利用できる。
【符号の説明】
【００４３】
１  ＫＴＮ結晶および冶具
２  調整台
３  光遮蔽箱
６、７、８、２０  窓
９  配線
１０、１０１  ＫＴＮ結晶
１１ａ、１１ｂ、１０２、１０３  電極
１２  ＡＲ面
１３  ＨＲ面
２１  ミラー
１０４  制御電圧源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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