(57)【要約】【課題】  絶縁信頼性の向上を意図したポーラスコンデンサを提供する。【解決手段】  所定の距離を隔てて対向する第１の導電体層（２１）及び第２の導電体層（２２）と、第１の導電体層及び第２の導電体層の間に介装された弁金属の酸化物からなる誘電体層（２３）と、第１の導電体層及び第２の導電体層に略直交する方向で且つ第１の導電体層及び第２の導電体層の各々に届くように誘電体層に形成された多数の孔（２４）と、孔に導電材料を充填して形成された第１の電極（２５）及び第２の電極（２６）と、第１の電極と第２の導電体層とを電気的に非接続とするとともに第２の電極と第１の導電体層とを電気的に非接続とする絶縁部（２４ａ、２４ｂ）とを備え、前記第１の導電体層及び第２の導電体層の層厚（Ｈａ、Ｈｂ）を前記孔の内径の１／２以上とした。【選択図】  図５
2013201318.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の距離を隔てて対向する第１の導電体層及び第２の導電体層と、
前記第１の導電体層及び第２の導電体層の間に介装された弁金属の酸化物からなる誘電体層と、
前記第１の導電体層及び第２の導電体層に略直交する方向で且つ前記第１の導電体層及び第２の導電体層の各々に届くように前記誘電体層に形成された多数の孔と、
前記孔に導電材料を充填して形成され前記第１の導電体層とそれぞれ接続された複数の第１の電極と、
前記孔に電極材料を充填して形成され前記第２の導電体層とそれぞれ接続された複数の第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の導電体層とを電気的に非接続とするとともに前記第２の電極と前記第１の導電体層とを電気的に非接続とする絶縁部と、を備え、
前記第１の導電体層及び第２の導電体層の層厚を前記孔の内径の１／２以上としたことを特徴とするポーラスコンデンサ。
【請求項２】
前記第１の導電体層及び第２の導電体層の材料をＴｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷまたはＰｔのいずれかとしたことを特徴とする請求項１に記載のポーラスコンデンサ。
【請求項３】
前記第１の導電体層及び第２の導電体層の材料をＴｉ、ＴａまたはＰｔのいずれかとしたことを特徴とする請求項１に記載のポーラスコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサに関し、詳細には、容量の増加などを意図したポーラスコンデンサの改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、下記の特許文献１には、本件発明の先行技術として、所定の間隔で対向する一対の導電体層間に設けられた誘電体層に複数の略柱状の孔を形成し、これらの孔に電極材料を充填して第１の電極と第２の電極を形成するとともに、第１の電極を一方の導電体層のみに電気的に接続し、第２の電極を他方の導電体層のみに電気的に接続した構造のポーラスコンデンサが記載されている。
【０００３】
図６は、先行技術におけるポーラスコンデンサの構造図である。この図において、ポーラスコンデンサ１は、所定の距離を隔てて対向する一対の導電体層（以下、第１の導電体層２及び第２の導電体層３）の間に誘電体層４を介装し、その誘電体層４に、第１の導電体層２及び第２の導電体層３に直交する方向の、略直線的な管形状の多数の孔５を形成するとともに、それらの孔５に電極材料を充填して第１の電極６と第２の電極７を形成し、さらに、第１の電極６を一方の導電体層（ここでは第１の導電体層２）のみに電気的に接続し、且つ、第２の電極７を他方の導電体層（ここでは第２の導電体層３）のみに電気的に接続して構成されている。
【０００４】
この先行技術のポーラスコンデンサ１によれば、多孔質または多孔（ｐｏｒｕｓ：ポーラス）の誘電体層４に多数の電極（第１の電極６と第２の電極７）を形成し、これらの電極を第１の導電体層２及び第２の導電体層３に選択的に接続しているので、コンデンサのサイズを大きくすることなく、電極板の面積を大きくして容量の増加を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４４９３６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記のとおり、先行技術は、サイズを大きくすることなく、容量を増加できるという優れた利点を得ることができるが、本件発明者らの検討によって、絶縁信頼性の点で改善すべき余地があることが判明した。
【０００７】
図６に示すように、第１の電極６と第２の導電体層３との間、及び、第２の電極７と第１の導電体層２との間に、電極材料の非充填空間（以下、空隙８）が絶縁機能をもって存在している。空気中の水分が空隙８に至ってしまった場合に、この空隙８の絶縁抵抗が低下するという問題があった。
【０００８】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、その目的は、絶縁信頼性の向上を意図したポーラスコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るポーラスコンデンサは、所定の距離を隔てて対向する第１の導電体層及び第２の導電体層と、前記第１の導電体層及び第２の導電体層の間に介装された弁金属の酸化物からなる誘電体層と、前記第１の導電体層及び第２の導電体層に略直交する方向で且つ前記第１の導電体層及び第２の導電体層の各々に届くように前記誘電体層に形成された多数の孔と、前記孔に導電材料を充填して形成され前記第１の導電体層とそれぞれ接続された複数の第１の電極と、前記孔に電極材料を充填して形成され前記第２の導電体層とそれぞれ接続された複数の第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の導電体層とを電気的に非接続とするとともに前記第２の電極と前記第１の導電体層とを電気的に非接続とする絶縁部と、を備え、前記第１の導電体層及び第２の導電体層の層厚を前記孔の内径の１／２以上としたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ポーラスコンデンサの絶縁信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係わるポーラスコンデンサの構成図である。
【図２】ポーラスコンデンサ２０の空隙２４ａ、２４ｂの拡大図である。
【図３】製造工程図（１／３）である。
【図４】製造工程図（２／３）である。
【図５】製造工程図（３／３）である。
【図６】先行技術におけるポーラスコンデンサの構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は、実施形態に係わるポーラスコンデンサの構成図である。
実施形態のポーラスコンデンサ２０は、所定の距離を隔てて対向する一対の導電体層（以下、第１の導電体層２１及び第２の導電体層２２）の間に誘電体層２３を介装し、その誘電体層２３に、第１の導電体層２１及び第２の導電体層２２に直交する方向の、略直線的な管形状の多数の孔２４を形成するとともに、それらの孔２４に電極材料を充填して第１の電極２５と第２の電極２６を形成し、さらに、第１の電極２５を一方の導電体層（ここでは第１の導電体層２１）のみに電気的に接続し、且つ、第２の電極２６を他方の導電体層（ここでは第２の導電体層２２）のみに電気的に接続して構成する点で、先行技術のポーラスコンデンサ１（図６参照）と共通する。
【００１３】
加えて、第１の電極２５の第２の導電体層２２と接続されていない側の終端に接する孔２４を空隙２４ａとして残すと共に、同様に第２の電極２６の第１の導電体層２１と接続されていない側の終端に接する孔２４も空隙２４ｂとして残す点でも先行技術のポーラスコンデンサ１と共通する。
【００１４】
本件発明者らは、第１の導電体層２１の層厚Ｈａと第２の導電体層２２の層厚Ｈｂについて鋭意検討を重ねた結果、Ｈａ≧φ／２、Ｈｂ≧φ／２としたときに、第１の導電体層２１と第２の導電体層２２によって空隙２４ａ、２４ｂを閉鎖できる（すき間や開口部がないように空隙２４ａ、２４ｂを形成できる）という知見を得た。ここで、φは孔２４の内径である。したがって、上記の「Ｈａ≧φ／２」は、「第１の導電体層２１の層厚Ｈａを孔２４の内径φの１／２以上にする」ことを意味し、また、上記の「Ｈｂ≧φ／２」は、「第２の導電体層２２の層厚Ｈｂを孔２４の内径φの１／２以上にする」ことを意味する。このように、導電体層の層厚Ｈａ、Ｈｂを所定値（φ／２）以上に厚くすることによって環境負荷試験で絶縁破壊をおこしにくくなり、信頼性が向上することがわかった。
【００１５】
図２は、ポーラスコンデンサ２０の空隙２４ａ、２４ｂの拡大図である。上記のように導電体層を厚く形成した場合、図２に示すように第１の導電体層２１と第２の導電体層２２が空隙２４ｂ、２４ａのほうに入り込んで導電体層（第１の導電体層２１と第２の導電体層２２）の侵入部２１ａ、２２ａが生じることがある。このような侵入部２１ａ、２２ａの形状は、必ずしも必要でないが導電体層によって空隙２４ｂ、２４ａを密閉するためにより適した形状といえる。
【００１６】
前記の知見に至った環境負荷試験について説明する。試験は、温度８５℃、湿度８５％の環境下で、いくつかの時間（０ｈｒ、５ｈｒ、５０ｈｒ、５００ｈｒ、１０００ｈｒ）で暴露を行った。また、第１の導電体層２１と第２の導電体層２２の材料にＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕをそれぞれ用いて比較検討した。表１は、導電体層（第１の導電体層２１と第２の導電体層２２）の層厚Ｈａ、Ｈｂを孔２４の内径φの１／２以上にしたときの試験結果、表２は、同層厚Ｈａ、Ｈｂを孔２４の内径φの１／２未満にしたときの試験結果である。
【００１７】
【表１】
2013201318.tif 000003
【００１８】
【表２】
2013201318.tif 000004
【００１９】
表中の○印は絶縁破壊が生じなかったことを示し、×印は絶縁破壊が生じたことを示す。なお試験の信頼性を担保するために、Ｎ＝３で同じ内容の試験を５回繰り返して行ない、一つでも絶縁破壊が生じた場合は×とした。表１及び表２から、以下のことがいえる。
（１）導電体層の層厚Ｈａ、Ｈｂを孔２４の内径φの１／２未満にするとすべての材料において負荷試験５ｈｒ〜１０００ｈｒで絶縁破壊が発生する。この現象は、導電体層の層厚Ｈａ、Ｈｂが内径φの１／２未満なので空隙２４ａ、２４ｂの密閉が不完全となり、空隙２４ａ、２４ｂに入り込んだ水分によって絶縁破壊が起きやすくなるためである。
（２）導電体層の材料にＡｕ、Ｃｕを用いた場合、導電体層の層厚Ｈａ、Ｈｂを孔２４の内径φの１／２以上にして孔２４をふさぐようにしても密閉に欠陥が生じやすく、負荷試験５０ｈｒ〜１０００ｈｒで絶縁破壊が発生する。この現象は、当初空隙２４ａ、２４ｂの密閉は得られたが、Ａｕ、Ｃｕといった軟質材料で導電体層を形成したため、空隙２４ａ、２４ｂの密閉に欠陥が生じやすくなったものと考えられる。
（３）導電体層の材料に硬質材であるＴｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷまたはＰｔのいずれかを用い、且つ、導電体層の層厚Ｈａ、Ｈｂを孔２４の内径φの１／２以上にすると負荷試験５０ｈｒまで絶縁破壊が発生しない。この現象は、当初空隙２４ａ、２４ｂの密閉が得られ、且つ、機械的な強度のある硬質の金属材料で導電体層を形成したため、空隙２４ａ、２４ｂの密閉が比較的長く維持されたものと考えられる。
（４）導電体層の材料に耐食材であるＴｉ、ＴａまたはＰｔのいずれかを用い、且つ、導電体層の層厚Ｈａ、Ｈｂを孔２４の内径φの１／２以上にすると負荷試験１０００ｈｒまで絶縁破壊が発生しない。この現象は、当初空隙２４ａ、２４ｂの密閉が得られ、且つ、耐食性のある金属材料で導電体層を形成したため、空隙２４ａ、２４ｂの密閉が長く維持されたものと考えられる。
【００２０】
したがって、絶縁信頼性の向上を図るための“最善”の要件は、導電体層（第１の導電体層２１と第２の導電体層２２）の層厚Ｈａ、Ｈｂを孔２４の内径φの１／２以上にするとともに、導電体層（第１の導電体層２１と第２の導電体層２２）の材料に耐食材であるＴｉ、ＴａまたはＰｔのいずれかを用いることである。少なくとも温度８５℃、湿度８５％の環境下で４０日超相当の時間（１０００ｈｒ）暴露され続けても絶縁破壊が生じない。
【００２１】
また、絶縁信頼性の向上を図るための“次善”の要件は、導電体層（第１の導電体層２１と第２の導電体層２２）の層厚Ｈａ、Ｈｂを孔２４の内径φの１／２以上にするとともに、導電体層（第１の導電体層２１と第２の導電体層２２）の材料に硬質材であるＴｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷまたはＰｔのいずれかを用いることである。少なくとも温度８５℃、湿度８５％の環境下でほぼ二昼夜相当の時間（５０ｈｒ）暴露され続けても絶縁破壊が生じない。
【００２２】
このように、第１の導電体層２１と第２の導電体層２２の材料として金属全般のうちの硬質材であるＴｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷまたはＰｔのいずれかを用いることができ、あるいは、耐食材であるＴｉ、ＴａまたはＰｔのいずれかを用いることができる。いずれの材料を用いるかは、もっぱら絶縁破壊の耐性時間に依存する。長時間の耐性を得たければ耐食材であるＴｉ、ＴａまたはＰｔのいずれかを用い、それほどの耐性時間が求められなければ硬質材であるＴｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷまたはＰｔのいずれかを用いればよい。
【００２３】
なお、誘電体層２３には弁金属（Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｗ、Ｓｂなど）の酸化物を用いることができ、さらに、第１の電極２５と第２の電極２６にはメッキ可能な金属全般（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｔなど）やこれらの合金などを用いることができる。
【００２４】
以上のような構造を有するポーラスコンデンサ２０は、全体が絶縁フィルム２７（外装保護材）で被覆され、さらに、この絶縁フィルム２７の所定位置に設けられた開口から引き出されたリード線２８、２９を介して、絶縁フィルム２７の外側に設けられた外部電極（不図示）に接続されている。絶縁フィルム２７には、たとえば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、樹脂、金属酸化物などを用いることができ、その厚さは数１０ｎｍ〜数１０μｍ程度とすることができる。
【００２５】
次に、製造工程について説明する。
図３〜図５は、製造工程図である。以下、工程順に説明する。
＜図３（ａ）の工程＞
まず、前述の弁金属からなる、たとえば、アルミ基材３０を用意し、その基材３０の主面である表面３１に、以降の工程で実行する陽極酸化（電極になっている金属を電気分解で酸化処理する手法のこと）の基点となるピット３２を最密充填六方配列で形成する。基点となるピット３２は、基材３０より堅い材料のものを押しつけて凹ませればよい。
【００２６】
＜図３（ｂ）の工程＞
次いで、たとえば、シュウ酸溶液中で所定の低い電圧（以下、第１の電圧という）を基材３０に印加して低電圧陽極酸化処理を施すことにより、基材３０の厚み方向（図面の上下方向）に所定深さ（ないし所定長）の多数の孔３３を形成する。なお、この孔３３は、最終的に図１の孔２４になるが、今の段階ではまだ孔２４の形になっていないため、孔２４と区別するために“粗”を付して粗孔３３と称することにする。
【００２７】
＜図３（ｃ）の工程＞
引き続き、同溶液中で、前記第１の電圧よりも高い電圧（以下、第２の電圧という）で高電圧陽極酸化処理を施すことによって、粗孔３３のうちのいくつかをさらに掘り下げて、掘り下げられた粗孔３３の底部に所定深さの拡径部３３ａを形成する。以下、拡径部３３ａを有さない粗孔３３と拡径部３３ａを有する粗孔３３とを区別するために、拡径部３３ａを有さない粗孔３３を「浅粗孔３３」、拡径部３３ａを有する粗孔３３を「深粗孔３４」と称することにする。
【００２８】
ここで、浅粗孔３３と深粗孔３４の配列は理想的には交互であることが望ましい。実用上は、部分的に偏りがないランダムな配列になっていればよい。また、陽極酸化で発生する孔のピッチ（粗孔同士の間隔）は印加電圧に比例するため、大きな電圧（第２の電圧）で処理された深粗孔３４は発生ピッチが広くなる。適宜、電圧を調整して発生ピッチを調整すればよい。
【００２９】
陽極酸化処理の条件は、たとえば、０．１ｍｏｌ／ｌ、１５℃のシュウ酸溶液中で第１の電圧が数Ｖ〜数１００Ｖ、この第１の電圧による処理時間が数分〜数日であり、また、第２の電圧が前記第１の電圧の数倍、この第２の電圧による処理時間が数分〜数十分である。具体的にいえば、第１の電圧を４０Ｖとすることにより、孔の間隔が約１００ｎｍの浅粗孔３３が得られ、第２の電圧を８０Ｖとすることにより、孔の間隔が約２００ｎｍの深粗孔３４が得られる。
【００３０】
また、第２の電圧を上記の範囲内（第１の電圧の数倍）とすることにより、浅粗孔３３と深粗孔３４の数を概ね同等とすることができる。これにより、後述の工程において、浅粗孔３３の内部に形成される第１の電極２５と、深粗孔３４の内部に形成される第２の電極２６の数もほぼ同等にランダムに配列することができ、効率的に容量を取り出すことが可能になる。
【００３１】
＜図３（ｄ）の工程＞
次に、ウェットエッチ（化学薬品の水溶液を使い化学反応によって対象物を削る手法のこと）などの適宜手法により、基材３０の地金部分（酸化されずに残った部分）を除去し、酸化物基材３５の裏面３６を露出させる。
【００３２】
＜図３（ｅ）の工程＞
次いで、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive ion etching）などの適宜手法により、酸化物基材３５の裏面３６を破線３７に沿って所定の厚みで切除し、酸化物基材３５の裏側に深粗孔３４の下端面を開口させる。
【００３３】
＜図４（ａ）の工程＞
次いで、酸化物基材３５の表面３８に、物理気相成長法（ＰＶＤ：Physical vapor deposition）などの適宜手法により、導電体からなるシード層３９を形成する。
【００３４】
＜図４（ｂ）の工程＞
次いで、シード層３９をシードとして、深粗孔３４の内側に適量のメッキ導体４０を電解メッキによって埋め込むように形成する。このとき、浅粗孔３３は端部が閉じていてメッキのための電解液が接触しないので、浅粗孔３３にメッキ導体は形成されない。メッキ導体４０を形成する量は、後工程で形成する深粗孔３４のメッキ導体が浅粗孔３３のメッキ導体より充分に長くなる程度にすればよい。
【００３５】
＜図４（ｃ）の工程＞
次いで、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などの適宜手法により、酸化物基材３５の裏側を破線４１に沿って切除し、酸化物基材３５の裏側に浅粗孔３３を開口させる。このとき、深粗孔３４はすでに先の工程で酸化物基材３５の裏側に開口させられているので、この段階で浅粗孔３３と深粗孔３４の双方が酸化物基材３５の裏側に開口することになる。したがって、この段階で浅粗孔３３と深粗孔３４は、前記の実施形態（図１）における孔２４になる。
【００３６】
＜図４（ｄ）の工程＞
次いで、シード層３９をシードとして、浅粗孔３３及び深粗孔３４の双方の内側に電解メッキによってメッキ導体４２を成長させて形成する。このとき、深粗孔３４にはすでに先の工程でメッキ導体４０が埋め込まれているので、この深粗孔３４に埋め込まれたメッキの量はメッキ導体４０とメッキ導体４２を足し合わせたものとなり、一方、浅粗孔３３に埋め込まれたメッキの量はメッキ導体４２のみである。
【００３７】
したがって、この段階で、浅粗孔３３の内部にメッキ導体４２からなる電極、すなわち前記第１の電極２５になる電極が形成されるとともに、深粗孔３４の内部にメッキ導体４０とメッキ導体４２からなる電極、すなわち前記第２の電極２６になる電極が形成されることになる。すなわち、図４（ｂ）のメッキ導体４０によってすべての第２の電極２６は、第１の電極２５より裏面側に長く形成される。
【００３８】
＜図４（ｅ）の工程＞
次いで、化学的作用と機械的作用を併用する研磨加工（ＣＭＰ：Chemical
mechanical polishing）などの適宜手法により、酸化物基材３５の裏側を破線４３に沿って切除し、酸化物基材３５の裏側に第２の電極２６の下端面を露出させるとともに、第１の電極２５の下端面側に所定範囲のランダムな深さの空隙２４ａを形成する。なお、酸化物基材３５は図１の誘電体層２３として機能する。
【００３９】
＜図５（ａ）の工程＞
次いで、物理気相成長法（ＰＶＤ：Physical vapor deposition）などの適宜手法により、酸化物基材３５の裏側の面に第２の導電体層２２として機能する導電体層４４を形成する。導電体層４４の層厚Ｈｂは、孔２４の内径φの１／２以上、たとえば、Ｈｂ≧１５ｎｍであり、且つ、その材料は耐食材であるＴｉ、ＴａまたはＰｔのいずれか、若しくは、硬質材であるＴｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷまたはＰｔのいずれかである。導電体層４４の層厚Ｈｂは、物理気相成長法などの実施条件を選ぶことによって所望の値に調節することができる。たとえば、ターゲット材と導電体層を形成する誘電体層の一面との距離が５０ｍｍの場合に，チャンバー圧力を５Ｐａにする。スパッタ装置は、たとえば、アルバック社のＣＳ−２００である。導電体層の層厚は、他の条件が同じであればスパッタ時間にほぼ比例するので、時間管理によって層厚Ｈｂを所望の値に調整することができる。
【００４０】
＜図５（ｂ）の工程＞
次いで、ＣＭＰなどの適宜手法により、シード層３９を除去して、酸化物基材３５の表側の面に第１の電極２５と第２の電極２６の双方の上端面を露出させる。
【００４１】
＜図５（ｃ）の工程＞
次いで、第２の電極２６の長さを電解エッチングにより調整し、第２の電極２６の上端面側に所定深さの空隙２４ｂを形成する。
【００４２】
＜図５（ｄ）の工程＞
最後に、ＰＶＤなどの適宜手法により、酸化物基材３５の表側に第１の導電体層２１としての導電体層４５を形成した後、導電体層４５（第１の導電体層２１）と導電体層４４（第２の導電体層２２）から各々リード線（図１のリード線２８、２９）を引き出し、全体を絶縁フィルム（図１の絶縁フィルム２７）で被覆する。さらに、リード線の先を絶縁フィルムの外側に設けられた外部電極（図示しない）に接続する。導電体層４５の層厚Ｈａは、孔２４の内径φの１／２以上、たとえば、Ｈｂ≧１５ｎｍであり、且つ、その材料は耐食材であるＴｉ、ＴａまたはＰｔのいずれか、若しくは、硬質材であるＴｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷまたはＰｔのいずれかである。導電体層４５の層厚Ｈａも、前記の導電体層４４の層厚Ｈｂと同様にして調節することができる。
【００４３】
このように、第１の導電体層２１の層厚Ｈａを孔２４の内径φの１／２以上にするとともに、第２の導電体層２２の層厚Ｈｂを孔２４の内径φの１／２以上にすることによって、空隙２４ａ、２４ｂの開口端（第１の導電体層２１または第２の導電体層２２に接する側の端面）が、第１の導電体層２１と第２の導電体層２２によってしっかりと閉鎖された構造を有するポーラスコンデンサ２０が完成する。
【００４４】
このような特徴的構造を有する実施形態のポーラスコンデンサ２０によれば、導電体層（第１の導電体層２１と第２の導電体層２２）で孔２４の空隙２４ａ、２４ｂの開口端をふさぎ、水分の侵入をしづらくして絶縁信頼性の向上を図ることができる。
また、導電体層（第１の導電体層２１と第２の導電体層２２）の材料に、硬質材であるＴｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷまたはＰｔのいずれかを用いれば、ハンドリングに強くなるので、さらに孔２４の密閉を破壊しにくくして、より一層、絶縁信頼性の向上を図ることができる。
また、導電体層（第１の導電体層２１と第２の導電体層２２）の材料に、耐食材であるＴｉ、ＴａまたはＰｔのいずれかを用いれば、長時間の高温・高湿度環境下においても孔２４の密閉を破壊しにくくして、より一層、絶縁信頼性の向上を図ることができるので好ましい。
【００４５】
なお、以上の説明では、導電体層を第１の導電体層２１と第２の導電体層２２の表裏一層ずつとしているが、この態様に限定されない。孔２４に接することがない重ね導電体層（第１の導電体層２１や第２の導電体層２２に積層するもの）を形成してもよい。この場合、重ね導電体層としてＣｕやＡｕを使用すれば導電体層の電気抵抗値を低下させることができる。
また、導電体層の厚さを片側だけ（つまりＨａまたはＨｂのいずれか一方だけを）内径の１／２以上とする形態でも相応の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、容量の増加を意図したポーラスコンデンサに好適である。特に、ポーラスコンデンサの絶縁信頼性の向上を図ることができ、極めて有効である。
【符号の説明】
【００４７】
Ｈａ  第１の導電体層の層厚
Ｈｂ  第２の導電体層の層厚
２０  ポーラスコンデンサ
２１  第１の導電体層
２２  第２の導電体層
２３  誘電体層（酸化物基材）
２４  孔
２４ａ  空隙（絶縁部）
２４ｂ  空隙（絶縁部）
２５  第１の電極
２６  第２の電極
【図１】
2013201318.tif 000005
【図２】
2013201318.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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