(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマの粒子密度測定用光源の電極部から堆積したスパッタリング粒子や被膜を除去する光源のクリーニング方法を提供する。【解決手段】陽極Ａ１０と陰極Ｋ１０との間に絶縁体Ｉ１０を配置するとともに、絶縁体Ｉ１０および陽極Ａ１０と陰極Ｋ１０との少なくとも一方に貫通孔Ａ１１を形成した電極部Ｅ１０を有する。クリーニングガスを電極対Ａ１０，Ｋ１０の箇所に供給しつつ、放電をし続ける。このクリーニングガスとして、ＨｅとＨ2とを混合した混合ガスを用いる。Ｈ2の混合比は、Ｈ2濃度で０．０５％以上５．０％以下の範囲内である。そして、この混合ガスでの放電時間は、少なくとも使用時間の８％以上の時間である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極対の間に放電させることにより光を発する光源のクリーニング方法において、
前記電極対の箇所にＨｅとＨ2 との混合ガスを供給しつつ放電を行うこと
を特徴とする光源のクリーニング方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光源のクリーニング方法において、
前記混合ガスにおけるＨ2 の混合比は、
Ｈ2 濃度で０．０５％以上５．０％以下の範囲内であること
を特徴とする光源のクリーニング方法。
【請求項３】
請求項２に記載の光源のクリーニング方法において、
前記混合ガスにおけるＨ2 の混合比は、
Ｈ2 濃度で０．１％以上１．０％以下の範囲内であること
を特徴とする光源のクリーニング方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の光源のクリーニング方法において、
前記光源の使用時間の８％以上の時間継続して放電を行うこと
を特徴とする光源のクリーニング方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の光源のクリーニング方法において、
前記光源は、
前記電極対の間に絶縁体を配置したものであり、
前記電極対の電極の少なくとも一方と前記絶縁体とは、
０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の貫通孔を設けられたものであること
を特徴とする光源のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源のクリーニング方法に関する。さらに詳細には、プラズマ雰囲気中の原子密度や分子密度を測定するための光源のクリーニング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ雰囲気中では、原料ガスの一部はラジカル化する。このラジカルは、原料ガスの薄膜を成膜処理したり、被処理体をエッチング処理する場合に用いられる。これらの処理を好適に行うためには、プラズマ雰囲気中の粒子密度を精密に測定し、プラズマの発生にフィードバックする制御を行うことが好ましい。粒子密度とは、原子密度や分子密度のことをいい、ラジカル密度をも含むものとする。
【０００３】
これらの粒子密度の測定のために、プラズマ雰囲気の吸光特性を利用する方法がある。そして、プラズマ雰囲気中に照射するための光を発する光源として、例えば、特許文献１に開示されているような光源がある。特許文献１には、貫通孔を形成された電極部（陽極、陰極、絶縁部材）を有する光源が開示されている（特許文献１の図１〜図５参照）。これは、陽極と陰極との間に電圧を印加して放電させることにより、光を発生させるものである。また、プラズマ雰囲気中で光源を移動させることにより、プラズマ雰囲気中のラジカルの空間的な分布を測定することができる旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２４３４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、光源の電極では、スパッタリング粒子が発生する。このスパッタリング粒子は、陽極と陰極との間に配置されている絶縁部材に付着することがある。そのため、光源を使用し続けると、絶縁部材に、スパッタリング粒子が堆積することとなる。スパッタリング粒子の堆積した堆積部は、導電性を呈することとなる。これにより、陽極と陰極との間で起こしていた放電の放電箇所にずれが生じる。そのため、測定に用いる光の光強度が変動してしまう。
【０００６】
また、放電箇所にずれが生じることにより、意図しないプラズマを発生させることがある。この場合には、陽極と陰極との間の導電率が変化する。そのため、陽極と陰極との間の放電が不安定となる。この場合にも、測定に用いる光の光強度が変動してしまう。
【０００７】
また、電極の表面に導電性被膜もしくは絶縁性被膜が形成されることもある。例えば、電極の表面に酸化被膜が形成されることがある。このような場合にももちろん、測定に用いる光の光強度が変動してしまう。絶縁性被膜が形成されると、電極対の間で放電が起こりにくくなる。一方、導電性被膜が形成されると、電極対の間の距離が変わったり、放電箇所にずれが生じることがある。ここで、導電性被膜や絶縁性被膜を合わせて、以下、「被膜」ということとする。もちろん、被膜は、酸化被膜をも含む概念である。この被膜の形成は、放電に使用するガスによる化学気相堆積が原因である。
【０００８】
このように、光源を継続的に使用することにより、絶縁部材へのスパッタリングの堆積や電極表面への被膜の形成により、電極等は劣化してしまう。
【０００９】
本発明は、前述した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは、光源の電極部から堆積したスパッタリング粒子や被膜を除去する光源のクリーニング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
第１の態様における光源のクリーニング方法は、電極対の間に放電させることにより光を発する光源のクリーニング方法である。そして、クリーニングに際して、電極対の箇所にＨｅとＨ2 との混合ガスを供給しつつ放電を行う。
【００１１】
この光源のクリーニング方法では、上記の混合ガスを導入しつつ放電を行うことで、電極や絶縁部材に堆積したスパッタリング粒子や電極の表面に形成された被膜を除去することができる。このクリーニング方法は、スパッタリング粒子の堆積や被膜の形成が再び生じた場合にも、繰り返し実施することができる。
【００１２】
第２の態様における光源のクリーニング方法では、混合ガスにおけるＨ2 の混合比は、Ｈ2 濃度で０．０５％以上５．０％以下の範囲内である。この範囲内のときに、光源の電極部を好適にクリーニングすることができる。
【００１３】
第３の態様における光源のクリーニング方法では、混合ガスにおけるＨ2 の混合比は、Ｈ2 濃度で０．１％以上１．０％以下の範囲内である。この範囲内のときに、光源の電極部をさらに好適にクリーニングすることができる。
【００１４】
第４の態様における光源のクリーニング方法では、光源の使用時間の８％以上の時間継続して放電を行う。この時間のクリーニングを実施することにより、堆積したスパッタリング粒子や被膜を除去することができる。
【００１５】
第５の態様における光源のクリーニング方法では、光源は、電極対の間に絶縁体を配置したものであり、電極対の電極の少なくとも一方と絶縁体とは、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の貫通孔を設けられたものである。このクリーニング方法は、上記の光源をクリーニングする際に好適である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、光源の電極部から堆積したスパッタリング粒子や被膜を除去する光源のクリーニング方法が提供されている。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】光源の概略構成を示す断面図である。
【図２】光源の先端部付近を拡大した断面図である。
【図３】第１の電極対を説明するための概念図である。
【図４】第２の電極対を説明するための概念図である。
【図５】光源における１秒間のパルス光強度波形を示すグラフ（その１）である。
【図６】光源の測定光強度の時間変化を示すグラフ（その１）である。
【図７】光源における１秒間のパルス光強度波形を示すグラフ（その２）である。
【図８】光源の測定光強度の時間変化を示すグラフ（その２）である。
【図９】光源における１秒間のパルス光強度波形を示すグラフ（その３）である。
【図１０】光源の測定光強度の時間変化を示すグラフ（その３）である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、具体的な実施形態について、光源のクリーニング方法を例に挙げて図を参照しつつ説明する。
【００１９】
１．光源の構成
図１は、本実施形態の光源のクリーニング方法を実施するための光源１０を説明するための図である。光源１０は、ＸＹＺチルト機構２４を設けて用いられる。つまり、光源１０の先端部が、プラズマを発生させる反応室２０の内部の各ＸＹＺ座標の各位置に配置されるようになっている。そのため、プラズマ反応室２０のＸＹＺ座標での粒子密度を測定することができる。
【００２０】
図２は、図１における光源１０の先端部周辺Ｘを拡大した拡大断面図である。光源１０は、筐体１２と、電極ホルダー４０と、レンズ５０と、を有している。筐体１２は、電極ホルダー４０およびレンズ５０を保持するためのものである。電極ホルダー４０は、電極部（図２では、例えば、Ｋ、Ａ、Ｉ）を保持するためのものである。レンズ５０は、電極部で発光する光を平行光とするためのものである。電極部の詳細については、後述する。
【００２１】
筐体１２は、外径９ｍｍの円筒形状をしている。この外径は、例示であり、必ずしもこの値に限らない。筐体１２には、冷却媒体流通路３０が形成されている。冷却媒体流通路３０は、筐体１２およびその内部の電極ホルダー４０を冷却する冷却媒体を流すためのものである。特に、熱を発生しやすい電極部周辺を冷却するためのものである。冷却媒体として、冷却水のほか、ガルデンやフロリナートなどの冷却溶媒や、冷却したガスを用いることができる。この冷却媒体を流すために、冷却媒体流通路３０には、往路３０１と、復路３０２とが設けられている。往路３０１と復路３０２とは、電極部付近で繋がっている。
【００２２】
光源１０には、間隙１５、６７が設けられている。間隙１５、６７は、放電ガスを流すためのガス流路である。間隙１５は、放電ガスを電極部に向けて導入するためのガス導入路である。間隙１５は、筐体１２の内壁面１３と、電極ホルダー４０の外壁面４９との間に形成されている。間隙６７は、放電ガスを外部に排出するための排出路である。間隙６７は、電極ホルダー４０の内部に設けられている。
【００２３】
また、電極ホルダー４０の内部には、金属シャフト６３と、コイルばね６０とが設けられている。金属シャフト６３は、コイルばね６０を電極部に押圧している。これにより、電極部は、フランジ６１とコイルばね６０により固定される。放電を継続したとしても、電極対間の間隔が変わってしまわないようにするためである。
【００２４】
レンズ５０は、フランジ５２と、筐体１２との間に固定されている。そして、筐体１２とレンズ５０との間にはＯリング５１が配置されている。フランジ５２とレンズ５０との間にはＯリング５３が配置されている。Ｏリング５１、５３は、密閉性を高いものとするためのものである。
【００２５】
２．電極部の構成
ここで、電極部について説明する。電極部は、陽極と陰極とからなる電極対と、これらを絶縁するために、これらの間に配置されている絶縁体からなっている。
【００２６】
２−１．第１の電極対
図３に第１の電極対を示す。図３に示すように、電極部Ｅ１０は、陽極Ａ１０と、陰極Ｋ１０と、絶縁体Ｉ１０とを有している。陽極Ａ１０は、平面板状の平面電極である。そして、陽極Ａ１０には、貫通孔Ａ１１が設けられている。陽極Ａ１０の材質は、無酸素銅である。陰極Ｋ１０は、平面板状の平面電極である。そして、陰極Ｋ１０には、貫通孔Ｋ１１が設けられている。陰極Ｋ１０の材質は、無酸素銅である。
【００２７】
陽極Ａ１０および陰極Ｋ１０の材質は、粒子密度測定の放電および本実施形態のクリーニング方法の放電により、変形等（変形・溶解・蒸発を含む）を起こさない金属であればよい。例えば、モリブデンやタングステン、チタン、ステンレス鋼が挙げられる。これらのうち、銅であると好ましい。より好ましくは、無酸素銅である。
【００２８】
絶縁体Ｉ１０は、陽極Ａ１０と陰極Ｋ１０との間に配置されている。絶縁体Ｉ１０には、貫通孔Ｉ１１が設けられている。貫通孔Ａ１１、Ｉ１１、Ｋ１１は、連通している連通孔である。そして、貫通孔Ａ１１、Ｉ１１、Ｋ１１は、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲内である。なお、必ずしもこの値に限らない。絶縁体Ｉ１０の材質は、例えば、セラミックである。そして、絶縁体Ｉ１０の幅は、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の範囲内であるとよい。もちろん、必ずしもこの値に限らない。なお、表１に、電極およびその形状をまとめる。
【００２９】
［表１］
電極の極性                      電極の形状
陽極（アノード）                平面電極
陰極（カソード）                平面電極
【００３０】
陽極Ａ１０と陰極Ｋ１０との間に電圧を印加すると、これらの陽極Ａ１０と陰極Ｋ１０との間に放電が生じる。そして、図３中の矢印Ｄ１の向きに、光が発せられる。この放電を行うことにより、陽極Ａ１０および陰極Ｋ１０からスパッタリング粒子が発生する。
【００３１】
２−２．第２の電極対
図４に第２の電極対を示す。図４に示すように、電極部Ｅ２０は、陽極Ａ２０と、陰極Ｋ２０と、絶縁体Ｉ２０とを有している。陽極Ａ２０は、針状の針状電極である。そして、陽極Ａ２０の先端部Ａ２１は尖っている形状をしている。陽極Ａ２０の材質は、無酸素銅である。陰極Ｋ２０は、平面板状の平面電極である。そして、陰極Ｋ２０には、貫通孔Ｋ２１が設けられている。陰極Ｋ２０の材質は、無酸素銅である。
【００３２】
陽極Ａ２０および陰極Ｋ２０の材質は、粒子密度測定の放電および本実施形態のクリーニング方法の放電により、変形等（変形・溶解・蒸発を含む）を起こさない金属であればよい。例えば、モリブデンやタングステン、チタン、ステンレス鋼が挙げられる。これらのうち、銅であると好ましい。より好ましくは、無酸素銅である。
【００３３】
絶縁体Ｉ２０は、陽極Ａ２０と陰極Ｋ２０との間に配置されている。絶縁体Ｉ２０には、貫通孔Ｉ２１が設けられている。貫通孔Ａ２１、Ｉ２１は、連通している連通孔である。そして、貫通孔Ａ２１、Ｉ２１は、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲内である。なお、必ずしもこの値に限らない。絶縁体Ｉ２０の材質は、例えば、セラミックである。そして、絶縁体Ｉ１０の幅は、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の範囲内であるとよい。もちろん、必ずしもこの値に限らない。なお、表２に、電極およびその形状をまとめる。
【００３４】
［表２］
電極の極性                      電極の形状
陽極（アノード）                針状電極
陰極（カソード）                平面電極
【００３５】
陽極Ａ２０と陰極Ｋ２０との間に電圧を印加すると、これらの陽極Ａ２０と陰極Ｋ２０との間に放電が生じる。そして、図４中の矢印Ｄ２の向きに、光が発せられる。この放電を行うことにより、陽極Ａ２０および陰極Ｋ２０からスパッタリング粒子が発生する。
【００３６】
以上説明したように、光源は、電極対の間に絶縁体を配置したものである。そして、電極対の電極の少なくとも一方と絶縁体とは、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の貫通孔を設けられたものである。
【００３７】
３．光源のクリーニング方法
ここで、本実施形態の特徴点である光源のクリーニング方法について説明する。本実施形態の光源のクリーニング方法では、表３に示すガスを電極対の箇所に供給しつつ、放電をし続ける。放電ガスとして、ＨｅとＨ2 とを混合した混合ガスを用いる。Ｈ2 の混合比は、Ｈ2 濃度で０．０５％以上５．０％以下の範囲内である。放電ガスの圧力は、陰極Ｋ１０、Ｋ２０の貫通孔Ｋ１１、Ｋ２１の内部でプラズマが生成する圧力であるとよい。例えば、大気圧近傍である。ここで、大気圧近傍とは、０．９気圧以上１．１気圧以下の範囲内の圧力をいう。そして、この混合ガスでの放電時間は、粒子密度測定での使用時間の少なくとも８％以上の時間である。ここで、使用時間とは、光源１０の製作後もしくは前回のクリーニング後からの累積放電時間である。もちろん、本実施形態における光源のクリーニング方法においては、クリーニング後には、この累積放電時間をゼロ時間とする。
【００３８】
［表３］
放電ガス
Ｈｅ
Ｈ2         ０．０５％以上５．０％以下
放電時間
粒子密度測定での使用時間の少なくとも８％以上の時間
【００３９】
また、表４に示す条件であると、より好ましい。つまり、放電ガスとして、ＨｅとＨ2 とを混合した混合ガスを用いる。Ｈ2 の混合比は、Ｈ2 濃度で０．１％以上１．０％以下の範囲内である。放電ガスの圧力は、大気圧近傍である。そして、この混合ガスでの放電時間は、粒子密度測定での使用時間の少なくとも１０％以上の時間である。なお、放電時間を粒子密度測定での使用時間の少なくとも８％以上の時間としてもよい。
【００４０】
［表４］
放電ガス
Ｈｅ
Ｈ2         ０．１％以上１．０％以下
放電時間
粒子密度測定での使用時間の少なくとも１０％以上の時間
【００４１】
この放電を行うことにより、絶縁体Ｉ１０、Ｉ２０に堆積していたスパッタリング粒子の堆積物が除去される。また、電極表面に生じていた被膜が除去される。したがって、これらの堆積物や被膜に起因する放電箇所のずれがほとんど生じなくなる。
【００４２】
そのクリーニングのメカニズムとして次のようなものが考えられる。このクリーニング方法では、放電により水素ラジカルが発生する。スパッタリング粒子の堆積物や被膜の多くは、酸素の含まれている酸化物であると考えられる。そのため、水素ラジカルが堆積物や被膜の酸素を還元する。その際に、その酸素と結合していたスパッタリング粒子の堆積物や被膜も、その酸素とともに除去されると考えられる。
【００４３】
４．光源のクリーニングの実施結果
４−１．粒子密度測定における放電の条件
粒子密度測定における放電の条件について説明する。ここでいう放電には、１）粒子密度測定のための放電と、２）光源のクリーニングのための放電とがある。まず、１）粒子密度測定のための放電について説明する。なお、この放電は電極等を劣化させるための放電であり、本形態に係る光源のクリーニング方法のための放電ではない。
【００４４】
放電を、直流パルス放電により行った。その周波数は１０Ｈｚ、デューティー比は５０％であった。ただし、陰極Ｋ１０、Ｋ２０の貫通孔Ｋ１１、Ｋ２１の内部でプラズマが生成するとともに、電極Ａ１０、Ｋ１０、Ａ２０、Ｋ２０や絶縁体Ｉ１０、Ｉ２０が損傷しない条件であれば、その他の周波数やデューティー比を用いてもよい。また、高周波電力を用いてもよい。放電の電流値は、１０ｍＡであった。電極Ａ１０、Ｋ１０、Ａ２０、Ｋ２０や絶縁体Ｉ１０、Ｉ２０が損傷しない程度の電流値であれば、その他の電流値を用いてもよい。
【００４５】
そして、光源１０を、炭素ラジカルを測定するための条件に設定した。そのため、放電ガスとして、ＨｅとＣＯ2 との混合ガスを用いた。この混合ガスにおけるＣＯ2 濃度を０．００４％とした。放電ガスの圧力を大気圧（１気圧）とした。
【００４６】
４−２．光強度の測定方法
光源１０からの光強度の測定については、真空紫外分光器および光電子増倍管を用いた。つまり、光源１０に対向して配置した真空紫外分光器により光の波長を分離し、炭素ラジカルの測定に用いる炭素原子光（波長１６５．７ｎｍ）を光電子増倍管により検出した。
【００４７】
４−３．通常の光源の光強度
通常の光源における光強度について説明する。ここで、通常の光源とは、電極等に劣化が生じておらず、安定した光を発する場合のことである。図５および図６に、安定した光を発する光源における光強度を示す。図５は、１秒間のパルス光強度波形を示すグラフである。図６は、測定に用いる光源の光強度を示すグラフである。
【００４８】
図５の横軸は、時間である。図５の縦軸は、光源におけるパルスの光強度である。これらの横軸、縦軸は、後述する図７および図９においても同様である。図５において、グラフの左端から右端までの時間は１秒である。つまり、図５に示すように、非常に短い時間でみて、パルスの光強度は、安定している。
【００４９】
図６の横軸は、時間である。図６の縦軸は、光源における光強度である。これらの横軸、縦軸は、後述する図８および図１０においても同様である。図６において、光源の光強度は、ほぼ安定している。ただし、図６中のＪ１、Ｊ２、Ｊ３、Ｊ４の箇所で、光源の光強度の変動がみられる。この変動は、光源の内部における圧力調整に起因するものである。
【００５０】
４−４．劣化した光源の光強度
次に、継続使用により電極部に劣化が生じている場合における光源の光強度について説明する。この場合には、継続して使用することにより電極等に劣化が生じている。図７および図８に、連続使用後（８３時間放電後）の光源における光強度を示す。図７は、１秒間のパルス光強度波形を示すグラフである。図８は、測定に用いる光源の光強度を示すグラフである。
【００５１】
図７に示すように、パルス光強度は、途中で変化している。図７における中央付近のやや右寄りの位置で、パルスの光強度が変動している。ここで、グラフの左端から右端までの時間は１秒である。つまり、非常に短い時間でみて、光源の光強度が変わってしまっている。これでは、この光源を用いて粒子密度を精度よく求めることは困難である。ゆえに、この光源を用いて粒子密度の測定を行った場合には、前述した通常時に比べて、測定精度は低い。
【００５２】
図８に示すように、光源の光強度は、大きく変動している。図６と比較すると、図８の光源の光強度は、非常に不安定である。このように光源の光強度が不安定であると、粒子密度の高精度な測定は困難である。
【００５３】
４−５．光源のクリーニングにおける放電条件
次に、２）光源のクリーニングのための放電の条件について説明する。２）光源のクリーニング方法においても、１）粒子密度測定のための放電とほぼ同様の放電条件を用いる。ただし、クリーニングに用いる放電ガスの種類が、粒子密度測定のための放電ガスの種類と異なっている。そのために、表３に示した条件を用いればよい。表４の条件であるとなおよい。実際には、放電ガスとして、ＨｅとＨ2 の混合ガスであって、Ｈ2 の混合比がＨ2 濃度で０．２％のものを用いた。また、放電時間は、７時間であった。
【００５４】
４−６．クリーニング後の光源の光強度
そして、クリーニング後の光源の光強度について説明する。この場合には、堆積物や被膜が電極等から除去されている。図９および図１０に、安定した光を発する光源における光強度を示す。図９は、１秒間のパルス光強度波形を示すグラフである。図１０は、測定に用いる光源の光強度を示すグラフである。
【００５５】
図９に示すように、クリーニング後には、光源から発せられる光のパルスの光強度は、ほとんど変わっていない。つまり、短時間でみて、光源からの光は安定している。このため、クリーニングにより、堆積したスパッタリング粒子や酸化被膜などの被膜は除去されたと考えられる。
【００５６】
図１０に示すように、クリーニング後には、光源から発せられる光の光強度は、ほとんど変わっていない。つまり、長い時間でみて、光源からの光は安定している。このため、クリーニングにより、堆積したスパッタリング粒子や酸化被膜などの被膜は除去されたと考えられる。
【００５７】
４−７．クリーニングの反復
また、本実施形態の光源のクリーニング方法を繰り返し行った場合について説明する。光源の継続使用により、一旦光強度が不安定になった光源に、７時間のクリーニングを実施した。その後、光源は３９時間にわたって安定に光を発した。そして、その光源に５時間のクリーニングを実施した。その後、４２．８時間にわたって安定に光を発した。そこで再び、５時間のクリーニングを実施した。このように、本形態のクリーニング方法を繰り返し実施してもよい。
【００５８】
５．変形例
５−１．電極対の形状
本実施形態では、光源に用いられる電極対として、第１の電極対および第２の電極対を例に挙げた。ここで、第２の電極対における陽極の形状と陰極の形状とを入れ換えることとしてもよい。その場合には、陽極が平面板状の平面電極であり、陰極が針状の針状電極である。
【００５９】
６．まとめ
以上詳細に説明したように、本実施形態に係る光源のクリーニング方法は、電極対の箇所に送る導入ガスとして、ＨｅとＨ2 とを混合した混合ガスを用いつつ、放電を行う。これにより、絶縁体に堆積したスパッタリング粒子の堆積物や、電極対に生じた被膜を除去することができる。
【００６０】
なお、本実施形態は単なる例示にすぎない。したがって当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能である。例えば、電極対の形状は、実施形態で説明したものに限らない。絶縁体は、陽極と陰極との間に配置されているとともに、貫通孔の設けられたものであれば、これ以外の形状であってもよい。また、電極および絶縁体の材質については、記載したものに限らない。
【符号の説明】
【００６１】
１０…光源
Ａ１０、Ａ２０…陽極
Ａ１１…貫通孔
Ａ２１…先端部
Ｋ１０、Ｋ２０…陰極
Ｋ１１、Ｋ２１…貫通孔
Ｉ１０、Ｉ２０…絶縁体
Ｉ１１、Ｉ２１…貫通孔
【図１】
2013201095.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2013201095.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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