(57)【要約】【課題】処理室のメンテナンス時期をコントロールすることにより予期しない装置の停止を防ぎ、真空処理装置の生産性を向上させる。【解決手段】減圧された内部の空間を処理対象の試料が搬送される真空搬送室と、真空搬送室に連結されその内部に配置されて減圧された処理室に配置された前記試料がこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理される複数の真空処理容器と、この真空搬送室に連結され処理前または処理済の前記試料が収納されるロック室と、を備えた真空処理装置において、処理前の試料をロック室からいずれかの処理室に搬送してこの試料を処理した後、前記試料を処理室からロック室に戻すまでの時間の増減またはロック室からの搬出の時刻の調節により当該処理室の保守作業の開始までの時間を他方の処理室の保守作業の開始時間と所定の時間以上異ならせる。する。【選択図】図４
2013207013.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧された内部の空間を処理対象の試料が搬送される真空搬送室と、この真空搬送室に連結されその内部に配置されて減圧された処理室に配置された前記試料がこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理される複数の真空処理容器と、この真空搬送室に連結され処理前または処理済の前記試料が収納されるロック室と、を備え、
前記処理前の試料を前記ロック室からいずれかの前記処理室に搬送してこの試料を処理した後、前記試料を処理室から前記ロック室に戻すまでの時間の増減または前記ロック室からの搬出の時刻の調節により当該処理室の保守作業の開始までの時間を他方の処理室の保守作業の開始時間と所定の時間以上異ならせることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置であって、前記複数の真空処理容器各々の処理室で行われた前記処理の累積時間に基づいてこれらの処理室の保守作業の開始までの時間を所定の時間以上異ならせることを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の真空処理装置であって、前記複数の処理室における搬送された前記試料の処理の頻度または稼働率を調節してこれらの処理室の保守作業の開始までの時間を所定の時間以上異ならせることを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の真空処理装置であって、前記試料の搬送先である前記複数の処理室のいずれかを選択してこれらの処理室の保守作業の開始までの時間を所定の時間以上異ならせることを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の処理室を有して、各処理室内で半導体ウエハ等の試料を処理する真空処理装置に係り、特に、真空容器と連結されその内部を被処理基板が搬送される搬送容器を備えたものに関する。
【背景技術】
【０００２】
上記のような装置において、半導体ウエハ等の試料（以下、試料と呼ぶ）を処理室で処理する際、処理室内での処理時間等の条件により、各処理室間で使用頻度に差が生じ、処理を行う試料の枚数や稼働時間に差が生じている。
【０００３】
また、真空処理装置が設置される半導体製造ラインにおいては処理による異物の発生や部品の経時変化等を抑制するために定期的な装置のメンテナンスが行われることが通例となっており、メンテナンスは装置毎もしくは処理室毎に行われる。
【０００４】
しかしながら、前述した処理室間での使用頻度の違いにより、メンテナンスが必要となる時期は処理室毎に異なり、またその予測は困難なものとなっている。
【０００５】
この問題について、特許文献１のような、直前に試料を搬送した処理室を記憶しておき、次回の試料は次の処理室に搬送するようにしたり、累積処理枚数を保存して処理枚数の少ない処理室を優先して使用することで処理室間の使用頻度の差をなくし、メンテナンスの時期を各処理室で同一にするような技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許４３３１８１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の従来技術では、以下の点について考慮が不十分であるため、問題が生じていた。
【０００８】
すなわち、メンテナンスは前述の通り装置毎もしくは処理室毎に行われるが、特許文献１では全ての処理室のメンテナンスを同時に行う必要があり、処理室毎にメンテナンス時期をずらして装置を運用することができない。
【０００９】
また、予定されたメンテナンス時期に対して処理室のメンテナンスが必要となる時期をコントロールすることについても考慮されていない。そのため、予期しないメンテナンスが必要となった場合に装置全体を停止する必要があり、半導体の生産ラインが停止して生産計画に多大な影響を与えてしまっていた。
【００１０】
本発明の目的は、処理室のメンテナンス時期をコントロールすることにより、予期しない装置の停止を防ぎ、真空処理装置の生産性を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の真空処理装置は、減圧された内部の空間を処理対象の試料が搬送される真空搬送室と、この真空搬送室に連結されその内部に配置されて減圧された処理室に配置された前記試料がこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理される複数の真空処理容器と、この真空搬送室に連結され処理前または処理済の前記試料が収納されるロック室と、を備え、前記処理前の試料を前記ロック室からいずれかの前記処理室に搬送してこの試料を処理した後、前記試料を処理室から前記ロック室に戻すまでの時間の増減または前記ロック室からの搬出の時刻の調節により当該処理室の保守作業の開始までの時間を他方の処理室の保守作業の開始時間と所定の時間以上異ならせることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の真空処理装置は、前記複数の真空処理容器各々の処理室で行われた前記処理の累積時間に基づいてこれらの処理室の保守作業の開始までの時間を所定の時間以上異ならせる。
【００１３】
また、本発明の真空処理装置は、前記複数の処理室における搬送された前記試料の処理の頻度または稼働率を調節してこれらの処理室の保守作業の開始までの時間を所定の時間以上異ならせる。
【００１４】
また、本発明の真空処理装置は、前記試料の搬送先である前記複数の処理室のいずれかを選択してこれらの処理室の保守作業の開始までの時間を所定の時間以上異ならせる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、各処理室のメンテナンスを設定した時期に行うことが可能となるため、予期しないタイミングでのメンテナンスを抑制することが出来る。また、各処理室でメンテナンスの時期をずらすことにより、装置の停止を防ぐことができ、半導体生産ラインへの影響を抑えることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は本発明の第１の実施例における装置の構成を示した図である。
【図２】図２は第１の実施例における試料の搬送先を決定する処理のフローチャートである。
【図３】図３は本発明の第２の実施例における装置の構成を示した図である。
【図４】図４は第２の実施例における試料の搬送先を決定する処理のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１及び図２を用いて本発明の第１の実施例について説明する。図１は、本発明の第１の実施例に係る真空処理装置の全体的な構成の概略を示す図である。
【００１９】
図１に示す本実施例に係る真空処理装置１００は、大きく分けて、搬送モジュール１０１とプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４とを備えている。搬送モジュール１０１は試料の搬送を行うモジュールであり、大気圧下で試料の搬送を行う大気搬送部１０３と、大気圧から減圧された圧力下で試料の搬送を行う真空搬送部１０２からなる。プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４は、真空圧下で試料の処理等を行うモジュールである。各プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４は、モジュールコントローラ１１３及びモジュールコントローラ１１４−１〜１１４−４よって制御され、ユーザインターフェース装置１１１、ホスト１１２と信号線１１５によって接続されている。
【００２０】
大気搬送部１０３は、内部に大気搬送ロボット１０９を備えた略直方体形状の筐体１０６を有し、この筐体１０６の前面側（図上右側）に取付けられ、処理用又はクリーニング用の試料が収納されているカセットがその上に載せられる複数のカセット台１０７−１〜１０７−３を備えている。
【００２１】
真空搬送部１０２は、平面形状が略多角形状（本実施例では５角形状）の真空搬送室１０４と、真空搬送室１０４と大気搬送部１０３との間に配置され試料を大気側と真空側との間でやりとりする２つのロック室１０５，１０５’を備えている。この真空搬送部１０２は減圧されて高い真空度の圧力に維持可能である。
【００２２】
真空搬送室１０４内の搬送室には、真空下で試料をロック室１０５，１０５’とプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４内の処理室との間で搬送する真空搬送ロボット１０８がその中央に配置されている。この真空搬送ロボット１０８のアーム上に試料が載せられて、プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の処理室内に配置された試料台上と何れかのロック室１０５，１０５’内の試料台との間で搬入、搬出が行われる。これらプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４、ロック室１０５，１０５’と真空搬送室１０４内の搬送室との間は、各々気密に閉塞、開放可能なバルブにより連通する通路が開閉される。
【００２３】
カセット台１０７−１〜１０７−３の何れか上に載せられたカセット内に収納された複数の半導体試料等の試料は、真空処理装置１００の動作を調節するユーザインターフェース装置１１１が判断し、または、真空処理装置１００が設置される製造ラインのホスト１１２等からの指令を受けて、その処理（以下、ロットと称する）が開始される。
【００２４】
ロック室１０５，１０５’では、搬送された試料を収納した状態でバルブが閉塞されて密封され、所定の圧力まで減圧される。その後、真空搬送室１０４内の搬送室に面した側のバルブが開放されてロック室１０５，１０５’内と真空搬送室１０４内とが連通され、真空搬送ロボット１０８のアームがロック室１０５，１０５’内に伸張して、内部の試料を搬出する。真空搬送ロボット１０８上のアームに載せられた試料は、カセットから取り出される際に予め定められたプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の何れか内の真空にされた処理室内に搬入される。
【００２５】
試料が何れかのプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４内の処理室に搬送された後、この処理室内と真空搬送室１０４搬送室との間を開放、遮蔽するバルブが閉じられて処理室が封止される。この後、処理室内に処理用のガスが導入されプラズマが処理室内に形成されて試料が処理される。
【００２６】
試料の処理が終了したことが検出されると、前記バルブが開放されて真空搬送ロボット１０８により、処理室内に搬入された場合と逆にロック室１０５，１０５’へ向けて搬出される。ロック室１０５，１０５’の何れかに試料が搬送されると、このロック室１０５，１０５’内と真空搬送室１０４とを連通する通路を開閉するバルブが閉じられて内部が密封され、ロック室１０５，１０５’内の圧力が大気圧まで上昇させられる。
【００２７】
この後、筐体１０６の内側のバルブが開放されてロック室１０５，１０５’内と筐体１０６内の大気搬送室とが連通され、大気搬送ロボット１０９によりロック室１０５，１０５’から元のカセットに試料が搬送され、カセット内の元の位置に戻される。
【００２８】
本実施例では、真空搬送部１０２、大気搬送部１０３の各々における試料の搬送は、大気搬送ロボット１０９及び真空搬送ロボット１０８によりカセット台１０７−１〜１０７−３上のカセット、或いは大気搬送室１０６の前方から見て左右の少なくとも一方の端部に配置される位置合わせ機、ロック室１０５，１０５’、プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４を含む試料の保持ステーションとの間で実施されるが、これらの保持ステーションにおいてはプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４で処理された処理済の試料と処理前の試料とが交換または入れ換えされる。
【００２９】
つまり、真空搬送ロボット１０８、大気搬送ロボット１０９は、これらが備える複数（本実施例では各々２個）のアームの一方に、処理前の試料の何れかを一枚載せ且つ他方のアームには試料を載せていない状態で、他方のアームを上記保持ステーションの内部まで伸張させて処理後の試料をそのアームの先端部に配置された試料保持用のハンド上に載せてアームを収縮して処理後の試料を搬出後、一方のアームを伸張してその先端部のハンド上に載せた処理前の試料を先の保持ステーション内に搬入し当該保持ステーションに受け渡す動作を連続的に行うものである。
【００３０】
ここで、試料をどのプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４に搬送するかの判断及び大気搬送ロボット１０９や真空搬送ロボット１０８等の試料の搬送に必要な機器の制御は搬送モジュール１０１のモジュールコントローラ１１３によって行われる。
【００３１】
なお、本実施例では、真空搬送部１０２内での搬送時間が大気搬送部１０３内でのものと比較して長くされており、カセット台１０７−１〜１０７−３上のカセットと各プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４との間で行われる試料の搬送（カセットから取り出されてからプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４で処理を施された後に元のカセットのもとの位置に戻されるまでの動作）の時間または回数の単位時間当たりの値が最適に調節される例を示す。また、各プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の真空容器内部に配置された処理室内で搬送された試料に対して行われる処理に要する時間は真空搬送部１０２での搬送に要する時間よりも大きくされている。
【００３２】
より具体的には真空搬送ロボット１０８が処理後の試料を搬出するために処理室内に進入してから、処理前の試料が処理室内に搬入された後処理を施されて処理室から搬出される準備が整うまでの間の時間は、真空搬送室１０４内の真空搬送ロボット１０８によるロック室１０５と真空搬送室１０４に連結されたいずれかのプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４との間での試料の搬送の時間と同じかまたはこれ以下の値になっており、真空処理装置１００全体の単位時間での試料の処理の枚数には、搬送の時間がより大きな影響を特に支配的な影響を与えている。
【００３３】
図２は本実施例において試料をどのプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４に搬送するかを決定するための処理のフローチャートである。尚、図２のフローチャートの処理を実行する前にユーザインターフェース装置１１１もしくはホスト１１２から各処理室に対して予めメンテナンス時期の設定を行っているものとする。
【００３４】
ロット処理が開始されると、まず、ステップＳ２０１において、各プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４でメンテナンスが必要となるまでの期間を算出する。本実施例では、前回メンテナンスからの期間及び累積処理時間と、予め定められたメンテナンスが必要となるまでの累積処理時間から求めることとする。
【００３５】
ステップＳ２０２において、算出したメンテナンス期間と予め設定されたメンテナンス予定とをプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４毎に比較する。その結果、ステップＳ２０３において、全てのプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４にメンテナンス予定よりも早くメンテナンスが必要となった場合（Ｙｅｓ）には、ステップＳ２０４において、ユーザインターフェース装置１１１及びホスト１１２に対してアラームを発生させて半導体製造ラインのオペレータに通知すると共に、ステップＳ２０５において、メンテナンス予定の再設定を促す。メンテナンス予定の再設定後は、ステップＳ２０２に移行し、比較をやり直す。
【００３６】
ステップＳ２０３において、算出したメンテナンス時期が設定されたメンテナンス予定よりも長いプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４が存在する場合（Ｎｏ）、ステップＳ２０６において、各プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４に対してメンテナンス予定を基準にしてメンテナンス時期との差の比率を求める。
【００３７】
ステップＳ２０７において、求めた比率に従い、各プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４で処理する試料の枚数を決定する。例えば、２５枚の試料を処理するロット処理で、プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の比率が１：２：３：４であった場合、試料の枚数は２：５：８：１０となる。
【００３８】
ステップＳ２０８において、各プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４を残りの処理枚数が多い順にソートし、ステップＳ２０９において、そのプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４に試料を搬入可能であるかどうかをチェックする。搬入可能な場合（Ｙｅｓ）には、ステップＳ２１０において、当該プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４に試料を搬入し、処理を開始する。処理中等の理由により搬入不可能な場合（Ｎｏ）には、ステップＳ２１２において、当該当該プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の次に残りの処理枚数が多いプロセスモジュールに対して搬入可能であるかチェックを行う。ステップＳ２１３において、全モジュール当該プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４をチェックしても搬入可能なプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４がなかった場合（Ｎｏ）には、ステップＳ２１３において、何れかのプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４での処理が完了するまで待ちを行う。上記処理をロットで処理する試料がなくなるまで繰り返す。
【実施例２】
【００３９】
次に、図３及び図４を用いて本発明の第２の実施例を説明する。図３は本発明の第２の実施例に係る真空処理装置１００の全体的な構成の概略を示す図である。
【００４０】
図３に示す真空処理装置１００は、図１に示す本発明の第一の実施例に係る真空処理装置において、真空搬送室１０４が中間室１１６を介して複数接続され、複数のプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４が真空搬送室１０４−ａ，１０４−ｂに接続されるものである。また、中間室１１６においては複数の試料を保持可能な構成となっている。
【００４１】
本構成においては、カセットから試料をプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４に搬送する際、試料の搬送先が図上上側の奥側のプロセスモジュール１１０−３〜１１０−４であった場合には、試料は中間室１１６を経由して真空搬送室１０４−ｂに搬送され、真空搬送室１０４−ｂの真空搬送ロボット１０８−ｂにより所定のプロセスモジュール１１０−３〜１１０−４内の処理室へ搬入される。
【００４２】
また、本実施例でも図１の実施例と同様に、大気側ブロック１０１、真空側ブロック１０２の各々における試料の搬送は、大気搬送ロボット１０９及び真空搬送ロボット１０８によりカセット台１０７−１〜１０７−３上のカセット、或いは大気搬送室１０６の前方から見て左右の少なくとも一方の端部に配置される位置合わせ機、ロック室１０５、プロセスモジュール１１０−３〜１１０−４、中間室１１６を含む試料の保持ステーションとの間で実施されるが、これらの保持ステーションにおいてはプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４で処理された処理済の試料と処理前の試料とが交換または入れ換えされる。
【００４３】
つまり、真空搬送ロボット１０８、大気搬送ロボット１０９は、これらが備える複数（本実施例では各々２個）のアームの一方に、処理前の試料の何れかを一枚載せ且つ他方のアームには試料を載せていない状態で、他方のアームを上記保持ステーションの内部まで伸張させて処理後の試料をそのアームの先端部に配置された試料保持用のハンド上に載せてアームを収縮して処理後の試料を搬出後、一方のアームを伸張してその先端部のハンド上に載せた処理前の試料を先の保持ステーション内に搬入し当該保持ステーションに受け渡す動作を連続的に行うものである。
【００４４】
なお、本実施例でも、真空搬送部１０２内での搬送時間が大気搬送部１０３内でのものと比較して長くされており、カセット台１０７−１〜１０７−３上のカセットと各プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４との間で行われる試料の搬送（カセットから取り出されてからプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４で処理を施された後に元のカセットのもとの位置に戻されるまでの動作）の時間または回数の単位時間当たりの値が最適に調節される例を示す。
【００４５】
また、各プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の真空容器内部に配置された処理室内で搬送された試料に対して行われる処理の時間は、真空搬送室１０４内の真空搬送ロボット１０８によるロック室１０５，１０５’或いは中間室１１６と各真空搬送室１０４に連結されたいずれかのプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４との間での試料の搬送の時間あるいはと同じかまたはこれ以下の値になっており、真空処理装置１００全体の単位時間での試料の処理の枚数には、搬送の時間がより大きな影響を特に支配的な影響を与えている。
【００４６】
このような構成では、奥側のプロセスモジュール１１０−３〜１１０−４の使用頻度を手前側のプロセスモジュール１１０−１〜１１０−２の使用頻度よりも高くすることで装置のスループットを向上させることが出来る。そのため、処理室のメンテナンスにより手前側もしくは奥側のプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４が稼働できない状態になると装置のスループットを激減させてしまうため、それぞれ１つはプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４が処理可能な状態であることが必要となる。
【００４７】
そのため、本実施例においては各真空搬送室１０４に接続されるプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４をグループ化し、そのグループ内で使用頻度を増減させることによりプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４のメンテナンス時期をコントロールする。本実施例では、上記グループは複数の真空搬送室１０４−ａ、１０４−ｂ毎にこれに連結されたプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４から構成され、グループに所属する複数のプロセスモジュール１１０同士の間で、各プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４で処理される試料の枚数、すなわち試料である半導体試料の搬送のスケジュールが設定される。
【００４８】
特に、任意の真空搬送室１０４に連結された複数のプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４のプラズマを用いたクリーニングや各プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４を構成する真空容器の大気開放等試料の処理を行うことができないダウンタイムの期間を異ならせて、真空処理装置が製品用の試料の処理を行っている通常の運転の状態においては、各真空搬送室１０４に連結されたプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４のうち少なくとも１つのものが試料の処理を実施できる運転を行っている状態にする。このため、一方のプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の保守の動作の終了後所定の時間を開けて他方のプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の保守の動作を開始する。
【００４９】
このような保守の動作を開始する時間を異ならせるために、各グループに属するプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の各々が処理を行う枚数または時間は、真空処理装置１００の試料の搬送の動作を調節するモジュールコントローラ１１３からの指令に応じて、相互に異なるように設定される。つまり、同じ真空搬送室１０４に連結された複数のプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４は、実質的に同じ構成の膜構造がその表面に配置された試料を同じ条件で処理を実施するものであっても、単位時間当たり試料が搬送されて処理が実行される頻度、或いは単位時間当たりの処理の枚数、処理の実行時間は、例え長い期間で平均した場合に近接した値になるとしても、短い期間当たりで算出される値は異なるように設定される。
【００５０】
例えば、真空搬送室１０４−ｂに連結された２つのプロセスモジュール１１０−３，１１０−４のうちの一方は、真空処理装置１００の運転中の任意の期間、他方のプロセスモジュールより試料の処理の頻度が高くなるように、試料がより短周期で搬送され、当該プロセスモジュール１１０保守の開始までの期間は他方のプロセスモジュール１１０の保守の開始までの期間との差が保守に要する時間よりも所定時間長くなるようにされる。
【００５１】
この後、中間室１１６と２つのプロセスモジュール１１０−３，１１０−４との間で試料を均等に搬送するようにしても良い。このことにより、一方のプロセスモジュール１１０の保守が開始されて終了される間も、他方のプロセスモジュールが保守を開始するように予め設定されている試料の処理の累積枚数や期間に到達してしまい、他方のプロセスモジュール１１０での処理が行えず、プロセスモジュール１１０−３，１１０−４が連結された真空搬送室１０４での試料の処理が実行できないため、真空処理装置１００の処理のスループットが大きく損われたり、設定された保守の開始を遅らせて処理を延長して実行してしまうことで当該プロセスモジュール１１０を損傷したり、部品の交換や保守の作業にさらに時間を要してしまい、結果として上記スループットを低減させてしまうことが抑制される。
【００５２】
図４は本実施例における試料の搬送先を決めるための処理のフローチャートである。本実施例においては、ステップＳ４０６において、メンテナンスの予定と算出したメンテナンス期間の差の比を算出し、ステップＳ４０７において、グループ毎に各モジュールの処理枚数の比率を決定し、ステップＳ４０８において、搬送先グループを決定し、ステップＳ４０９において、処理枚数の比により搬送先モジュールを決定し、ステップＳ４１０において、当該モジュールに試料搬入可（Ｙｅｓ）であれば、試料をプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４に搬入する。
【００５３】
また、本実施例における構成では、ステップＳ４１０において、搬送先となったモジュール１１０−１〜１１０−４が処理中等の理由で試料を搬入出来ない場合（Ｎｏ）、ステップＳ４１２において、中間室１１６に試料を搬送して、ステップＳ４１３において、当該モジュール１１０−１〜１１０−４の処理が完了するのを待ち、終了後に順次搬送する。
【００５４】
上記のプロセスモジュールでの搬送や処理の頻度、或いはプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４の稼働率の調節は、モジュールコントローラ１１３により各プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４での処理の累積時間に基づいて設定され、真空搬送ロボット１０８の動作が調節されて行われる。上記の実施例の頻度や稼働率の調節の結果、任意の真空搬送室１０４に連結された複数のプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４のうちの任意のものは、他のモジュールより優先的に試料の処理を行うために搬送が実施され、他のプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４での試料の処理が終了して待時間が生じても、当該任意のプロセスモジュール１１０−１〜１１０−４での試料の処理が連続して実施されるような期間が生じる場合が有る。
【００５５】
以上の通り、各プロセスモジュール１１０−１〜１１０−４での試料の処理枚数を増減させることによりメンテナンス周期をコントロールでき、真空処理装置の生産性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００５６】
１００  真空処理装置
１０１  搬送モジュール
１０２  真空搬送部
１０３  大気搬送部
１０４，１０４−ａ，１０４−ｂ  真空搬送室
１０５，１０５’  ロック室
１０６  筐体
１０７−１〜１０７−３  カセット台
１０８，１０８−ａ，１０８−ｂ  真空搬送ロボット
１０９  大気搬送ロボット
１１０  プロセスモジュール
１１０−１〜１１０−４  プロセスモジュール
１１０−１，１１０−２  手前側のプロセスモジュール
１１０−３，１１０−４  奥側のプロセスモジュール
１１１  ユーザインターフェース装置
１１２  ホスト
１１３  モジュールコントローラ
１１４−１〜１１０−４  モジュールコントローラ
１１５  信号線
１１６  中間室
【図１】
2013207013.tif 000003
【図２】
2013207013.tif 000004
【図３】
2013207013.tif 000005
【図４】
2013207013.tif 000006