(57)【要約】【課題】副走査方向の面精度が確保された光学素子の製造方法および光学素子を提供する。【解決手段】画像形成装置の光走査装置に用いられ主走査方向に走査されるレーザー光を集光するための光学素子を、金型により成形して製造する光学素子の製造方法であって、光学素子または金型の表面を測定し、レーザー光の光束幅に相当する副走査方向の評価幅における誤差形状の高さを求める測定工程と、測定工程による測定結果に基づいて、誤差形状の高さが小さくなるように金型を修正加工する加工工程と、を有する光学素子の製造方法。【選択図】図５
2013246388.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置の光走査装置に用いられ主走査方向に走査されるレーザー光を集光するための光学素子を、金型により成形して製造する光学素子の製造方法であって、
前記光学素子または前記金型の表面を測定し、前記レーザー光の光束幅に相当する副走査方向の評価幅における誤差形状の高さを求める測定工程と、
前記測定工程による測定結果に基づいて、前記誤差形状の高さが小さくなるように前記金型を修正加工する加工工程と、
を有する光学素子の製造方法。
【請求項２】
前記光束幅に相当する評価幅は、前記光束幅の１／２〜２倍である請求項１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項３】
前記光束幅の１／２〜２倍の評価幅における誤差形状の高さが１０ｎｍより高いとき、前記加工工程において、前記金型が修正加工される請求項２に記載の光学素子の製造方法。
【請求項４】
前記測定工程において、前記光束幅の１／２倍より小さい評価幅における誤差形状の高さがさらに求められる請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法。
【請求項５】
前記光束幅の１／２倍より小さい評価幅における誤差形状の高さが１５ｎｍより高いとき、前記加工工程において、前記金型が修正加工される請求項４に記載の光学素子の製造方法。
【請求項６】
前記測定工程において、前記光束幅の２倍より大きい評価幅における誤差形状の高さがさらに求められる請求項１〜５のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法。
【請求項７】
前記光束幅の２倍より大きい評価幅における誤差形状の高さが２０ｎｍより高いとき、前記加工工程において、前記金型が修正加工される請求項６に記載の光学素子の製造方法。
【請求項８】
前記加工工程において修正加工された前記金型を用いて前記光学素子を成形する成形工程をさらに有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法。
【請求項９】
前記金型の表面には無電解ニッケルメッキが施されている請求項１〜８のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法。
【請求項１０】
前記光学素子の表面にアルミニウムを蒸着して反射層を形成する成膜工程をさらに有する請求項１〜９のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法。
【請求項１１】
画像形成装置の光走査装置に用いられ主走査方向に走査されるレーザー光を集光するための光学素子であって、
副走査方向に沿って生じ、前記レーザー光の光束幅の１／２〜２倍の評価幅における誤差形状の高さが１０ｎｍ以下である光学素子。
【請求項１２】
前記光学素子の表面には反射層が形成されている請求項１１に記載の光学素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子の製造方法および光学素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザービームプリンターや複写機などの画像形成装置の光走査装置に用いられる光学素子は、レーザー光源から照射されポリゴンミラーによって主走査方向に走査されるレーザー光を、感光ドラム上に集光する。レーザー光を感光ドラム上のより正確な位置に集光させるため、精度の良い光学素子が求められている。
【０００３】
これに関連して、下記の特許文献１には、光走査装置用のレンズ表面にレーザー光を当て、当該レンズ表面からの反射光を検出器に取り込み、計算処理によって主走査方向に沿った曲率分布を算出し、算出された曲率分布の変動幅を許容範囲内に抑えるようにレンズを加工する方法が開示されている。この方法によれば、主走査方向に沿った曲率分布の変動幅が許容範囲内に抑えられるレンズが製造されるため、主走査方向に精度の良いレンズが得られる。
【０００４】
ところで近年、印刷速度を高速化するために、光源をマルチビーム化する技術が採用され始めている。マルチビームの光源を使用する場合には、従来考慮する必要がなかった光学素子の副走査方向の精度も考慮する必要がある。
【０００５】
また、画像形成装置の高画質化に向けて、画像形成装置の光源として、従来の赤外レーザー（波長７８０ｎｍ）よりも波長が短いためビーム径の小径化に有利である青色レーザー（波長４０５ｎｍ）が使用され始めている。青色レーザーを使用する場合、耐光性の問題から光学素子はミラーが使用される。ミラーが使用される場合は、レンズが使用される場合と比較して４倍の形状感度を有するため、より一層副走査方向の精度を考慮する必要がある。しかしながら、特許文献１の技術では、光学素子の副走査方向に沿った精度は考慮されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２５８１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、副走査方向の面精度が確保された光学素子の製造方法および光学素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の上記目的は、下記の手段により達成される。
【０００９】
（１）画像形成装置の光走査装置に用いられ主走査方向に走査されるレーザー光を集光するための光学素子を、金型により成形して製造する光学素子の製造方法であって、前記光学素子または前記金型の表面を測定し、前記レーザー光の光束幅に相当する副走査方向の評価幅における誤差形状の高さを求める測定工程と、前記測定工程による測定結果に基づいて、前記誤差形状の高さが小さくなるように前記金型を修正加工する加工工程と、を有する光学素子の製造方法。
【００１０】
（２）前記光束幅に相当する評価幅は、前記光束幅の１／２〜２倍である上記（１）に記載の光学素子の製造方法。
【００１１】
（３）前記光束幅の１／２〜２倍の評価幅における誤差形状の高さが１０ｎｍより高いとき、前記加工工程において、前記金型が修正加工される上記（２）に記載の光学素子の製造方法。
【００１２】
（４）前記測定工程において、前記光束幅の１／２倍より小さい評価幅における誤差形状の高さがさらに求められる上記（１）〜（３）のいずれか１つに記載の光学素子の製造方法。
【００１３】
（５）前記光束幅の１／２倍より小さい評価幅における誤差形状の高さが１５ｎｍより高いとき、前記加工工程において、前記金型が修正加工される上記（４）に記載の光学素子の製造方法。
【００１４】
（６）前記測定工程において、前記光束幅の２倍より大きい評価幅における誤差形状の高さがさらに求められる上記（１）〜（５）のいずれか１つに記載の光学素子の製造方法。
【００１５】
（７）前記光束幅の２倍より大きい評価幅における誤差形状の高さが２０ｎｍより高いとき、前記加工工程において、前記金型が修正加工される上記（６）に記載の光学素子の製造方法。
【００１６】
（８）前記加工工程において修正加工された前記金型を用いて前記光学素子を成形する成形工程をさらに有する上記（１）〜（７）のいずれか１つに記載の光学素子の製造方法。
【００１７】
（９）前記金型の表面には無電解ニッケルメッキが施されている上記（１）〜（８）のいずれか１つに記載の光学素子の製造方法。
【００１８】
（１０）前記光学素子の表面にアルミニウムを蒸着して反射層を形成する成膜工程をさらに有する上記（１）〜（９）のいずれか１つに記載の光学素子の製造方法。
【００１９】
（１１）画像形成装置の光走査装置に用いられ主走査方向に走査されるレーザー光を集光するための光学素子であって、副走査方向に沿って生じ、前記レーザー光の光束幅の１／２〜２倍の評価幅における誤差形状の高さが１０ｎｍ以下である光学素子。
【００２０】
（１２）前記光学素子の表面には反射層が形成されている上記（１１）に記載の光学素子。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、副走査方向に沿って形成される誤差形状の高さを小さくすることができる。すなわち副走査方向の面精度が確保された光学素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】光学素子を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る製造装置の概略構成を示すブロック図である。
【図３】加工部の概略構成を示す斜視図である。
【図４】測定部の概略構成を示す正面図である。
【図５】製造装置による光学素子の製造手順を示すフローチャートである。
【図６】１回の測定動作によって得られる光学素子の微小領域の形状データを示す図である。
【図７】光学素子の表面形状を測定するときの測定経路を示す図である。
【図８】複数回の測定動作によって得られる光学素子の一定領域の形状データを示す図である。
【図９】誤差形状の高さの許容値を説明するための図である。
【図１０】誤差形状の高さの許容値を説明するための図である。
【図１１】白色光干渉型の形状測定機の効果を説明するための図である。
【図１２】白色光干渉型の形状測定機の効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、図面の寸法比率は、説明の都合上、誇張されて実際の比率とは異なる場合がある。
【００２４】
まず、図１を参照して本発明の一実施形態に係る製造方法により製造される光学素子について説明する。
【００２５】
図１は、光学素子Ｅを示す斜視図である。光学素子Ｅは、画像形成装置の光走査装置に用いられる光学素子であり、図１に示されるように、レーザー光の主走査方向を長手方向とし、長手方向に延在する形状を有する。光学素子Ｅは、反射型の光学素子であり、ベース部Ｅ１に反射層ＲＬが形成されて構成される。ベース部Ｅ１は、金型を用いて樹脂により射出成形される。反射層ＲＬは、ベース部Ｅ１にアルミニウム層が成膜されて形成される。光学素子Ｅは、反射層ＲＬが形成されているため、青色レーザーに対して耐光性が保証され得る。
【００２６】
以下、図１に示される光学素子Ｅを製造する場合を例に挙げて、本実施形態を説明する。
【００２７】
図２は、本発明の一実施形態に係る製造装置１の概略構成を示すブロック図であり、図３は、図２に示される加工部１０の概略構成を示す斜視図であり、図４は、図２に示される測定部３０の概略構成を示す正面図である。
【００２８】
図２に示されるように、本実施形態に係る製造装置１は、加工部１０、成形部２０、測定部３０、成膜部４０、および制御部５０を備える。
【００２９】
加工部１０は、光学素子Ｅを成形するための金型Ｍを加工する。加工部１０は、切削加工機であって、光学素子Ｅの有効領域に対応する金型Ｍの表面領域を加工する。ここで有効領域とは、光学素子Ｅの表面において、ポリゴンミラーによってレーザー光が走査される領域のことである。図３に示されるように、加工部１０は、軸周りに回転する回転工具１１を有し、回転工具１１の回転軸が移動されることにより金型Ｍを切削加工する。具体的には、回転工具１１は、金型表面の高さの式にしたがって、金型Ｍの長手方向（すなわち、光学素子Ｅの主走査方向）に連続的に移動することにより、金型Ｍの表面が回転工具１１の幅だけ加工される。回転工具１１は、例えばダイヤモンド製のバイトである。金型Ｍの一方の端部から他方の端部まで移動された回転工具１１は、金型Ｍの短手方向（すなわち、光学素子Ｅの副走査方向）に一定の送り量だけ移動され、再び、一方の端部から他方の端部まで移動される。なお、回転工具１１の副走査方向の送り量は例えば２０〜２５μｍであるが、これに限られない。このように回転工具１１の幅単位の加工が副走査方向に繰り返されることにより、金型表面の高さの式に対応する形状の金型Ｍが加工される。
【００３０】
成形部２０は、金型Ｍを用いて光学素子Ｅを成形する。成形部２０は、加工部１０において加工された金型Ｍを用いて、光学素子Ｅのベース部Ｅ１を成形する。成形部２０は、射出成形機であり、射出成形機にセットされた金型Ｍに樹脂を射出して光学素子Ｅを成形する。
【００３１】
測定部３０は、光学素子Ｅの表面形状を測定する。測定部３０は、成形部２０において成形された光学素子Ｅの表面形状を測定する。図４に示されるように、測定部３０は、白色光干渉型の形状測定機であり、光学素子Ｅ上に発生される白色干渉縞をエリアセンサ３１で撮像することにより、光学素子Ｅの微小領域の表面形状を非接触に測定する。測定部３０は、ステージ３２によって測定位置を変更しつつ測定を繰り返すことにより、光学素子Ｅの全体的な表面形状を測定することができる。なお、白色光干渉型の形状測定機自体は一般的な測定機であるため、詳細な説明は省略する。
【００３２】
成膜部４０は、光学素子Ｅの表面に反射層ＲＬを形成する。成膜部４０は、蒸着装置であり、光学素子Ｅのベース部Ｅ１にアルミニウムを蒸着して反射層ＲＬを形成する。
【００３３】
制御部５０は、加工部１０および測定部３０を制御する。制御部５０は、例えば、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）であり、加工部１０の加工動作の制御や測定部３０のステージ移動動作の制御などを行う。
【００３４】
以上のとおり構成される製造装置１では、測定部３０による測定結果に基づいて、加工部１０により金型Ｍが修正加工され、光学素子Ｅが製造される。以下、図５〜図８を参照して、本実施形態に係る光学素子の製造方法について説明する。
【００３５】
図５は、製造装置１による光学素子Ｅの製造手順を示すフローチャートである。
【００３６】
Ｓ０１では、予め設定された金型表面の高さの式Ｘに基づいて、金型Ｍが加工される。具体的には、加工部１０において、下記（１）式に示される金型表面高さの式Ｘに基づいて、金型Ｍが加工される。
【００３７】
【数１】
2013246388.tif 000003
【００３８】
ここで、図３に示されるように、Ｙは、金型Ｍの短手方向における座標であり、Ｚは、金型Ｍの長手方向における座標である。
【００３９】
本実施形態では、上記（１）式にしたがって、制御部５０によって、回転工具１１の動作が制御されることにより、金型Ｍが加工される。
【００４０】
なお、金型Ｍの表面には無電解ニッケルメッキが施されている。このような構成によれば、回転工具１１により、金型Ｍを繰り返し精度良く加工することができる。
【００４１】
Ｓ０２では、金型Ｍを用いて光学素子Ｅが射出成形される。具体的には、成形部２０において、Ｓ０１で加工された金型Ｍに樹脂が射出され、光学素子Ｅのベース部Ｅ１が射出成形される。光学素子Ｅの表面形状は、金型Ｍの表面形状と同様の形状を有する。
【００４２】
Ｓ０３では、光学素子Ｅの表面形状が測定される。具体的には、測定部３０において、Ｓ０２で射出成形された光学素子Ｅの有効領域の表面形状が測定される。
【００４３】
光学素子Ｅの有効領域の表面形状を測定する際、まず、エリアセンサ３１の撮像領域に対応する光学素子Ｅの微小領域の表面形状が測定される。具体的には、白色光干渉型の形状測定機での１回の測定動作により、エリアセンサ３１の撮像領域の全ての画素について高さデータが取得される。図６は、１回の測定動作によって取得される光学素子Ｅの微小領域の形状データを示す図である。図６において、左右方向が主走査方向であって幅は０．４ｍｍ、上下方向が副走査方向であって幅は０．３ｍｍである。なお、Ｓ０２において回転工具１１の副走査方向の送り量が２０〜２５μｍであるため、図６に示されるように、上下方向（副走査方向）にはおよそ２０〜２５μｍ周期の加工痕が生じている。
【００４４】
そして、上述の１回の測定動作が終了する度に、エリアセンサ３１の撮像領域に相当する量だけ測定位置を移動して、測定動作を繰り返すことにより光学素子Ｅの有効領域の形状データが取得される。具体的には、図７に示されるように、測定位置がスタート位置ＳＰから副走査方向上向き、主走査方向右向き、副走査方向下向き、主走査方向右向きにジグザグ状に有効領域内を移動して、有効領域における光学素子Ｅの形状データが取得される。なお、回転工具１１が主走査方向に移動されつつ金型Ｍが加工されるため、主走査方向の加工誤差は比較的少なく、光学素子Ｅを主走査方向に細かく測定する必要はない。
【００４５】
Ｓ０４では、光学素子Ｅの副走査方向の誤差形状の高さＨが算出される。ここで誤差形状は、光学素子Ｅの表面形状のＳ０３において測定された測定値と設計値との差分として定義される。本実施形態では、光学素子Ｅの表面におけるレーザー光の光束幅Ｗを基準として、光束幅Ｗに相当する副走査方向の評価幅Ｐにおける誤差形状の高さＨが算出される。
【００４６】
以下、光束幅Ｗに相当する評価幅Ｐにおける誤差形状の高さＨの具体的な算出方法について示す。
【００４７】
図８は複数回の測定動作によって取得された光学素子Ｅの一定領域の形状データＲＤを示す図である。図８において、左右方向がＸ方向を、上下方向がＹ方向を示しており、副走査方向における光学素子Ｅの形状データＲＤを示している。
【００４８】
まず、図８に示されるように、副走査方向にレーザー光の光束幅Ｗに相当する幅の形状データＲＤを抽出し、抽出された形状データＲＤを２次関数ＲＥで近似する。近似された２次関数ＲＥの頂点の高さが誤差形状の高さＨとして算出される。具体的には、両端高さの平均と中央高さとの差分によって算出される。そして、例えば０．１ｍｍ間隔で評価幅Ｐの抽出位置をずらして、誤差形状の高さＨを順次算出することにより、誤差形状の高さＨが複数箇所において算出される。
【００４９】
Ｓ０５では、Ｓ０４において算出された誤差形状の高さＨが、予め規定された許容値の範囲内であるかが判断される。具体的には、Ｓ０４において算出された誤差形状の高さＨが１０ｎｍ以下であるかが判断される。なお、１０ｎｍ以下の判断に用いられる数値は、複数箇所算出された誤差形状の高さＨの平均値または最大値もしくは最小値のいずれであってもよい。
【００５０】
Ｓ０５において、誤差形状の高さＨが許容値の範囲内にあると判断される場合（Ｓ０５：ＹＥＳ）、Ｓ０８の処理に移る。一方、誤差形状の高さＨが許容値の範囲内にないと判断される場合（Ｓ０５：ＮＯ）、Ｓ０６およびＳ０７の処理が行われ、Ｓ０１の処理に戻る。
【００５１】
Ｓ０６では、下記（２）式に示される、光学素子Ｅの表面形状の測定値と設計値との誤差関数ｕが算出される。具体的には、Ｓ０３において測定された光学素子Ｅの表面形状の形状データと理想とする表面形状の設計データとの差分に基づいて誤差関数ｕが算出される。
【００５２】
【数２】
2013246388.tif 000004
【００５３】
Ｓ０７では、上記（２）式に基づいて、新たな金型表面の式Ｘ’が算出される。具体的には、Ｓ０１で使用された金型表面の式Ｘに、Ｓ０６で算出された誤差関数ｕが加算される。そして下記（３）式に示す新たな金型表面の式Ｘ’が算出される。
【００５４】
【数３】
2013246388.tif 000005
【００５５】
そして、新たな金型表面の式Ｘ’に基づいて、Ｓ０１において金型Ｍの修正加工が行われる。
【００５６】
以上のとおり、Ｓ０１〜Ｓ０７に示す処理によれば、光学素子Ｅの副走査方向に沿って形成される誤差形状の高さＨが予め規定された許容値以下になるまで、金型Ｍが繰り返し修正加工される。
【００５７】
Ｓ０８では、光学素子Ｅの表面にアルミニウムが蒸着される。具体的には、成膜部４０において、光学素子Ｅのベース部Ｅ１の表面にアルミニウムが蒸着される。光学素子Ｅのベース部Ｅ１上に形成されたアルミニウム層は、反射型の光学素子Ｅの反射層ＲＬを構成する。
【００５８】
以上のとおり、図５に示される光学素子の製造方法によれば、光学素子Ｅの副走査方向に沿って形成される誤差形状の高さＨを小さくすることができる。すなわち、副走査方向の面精度が確保された光学素子Ｅが提供される。
【００５９】
また、図５に示される光学素子の製造方法によれば、光学素子Ｅの表面におけるレーザー光の光束幅Ｗに相当する副走査方向の評価幅Ｐにおける誤差形状の高さＨが１０ｎｍ以下である光学素子Ｅが製造される。
【００６０】
なお、本実施形態のＳ０４では光束幅Ｗに相当する評価幅Ｐにおける誤差形状の高さＨが算出された。しかしながら、光束幅Ｗの１／２〜２倍の評価幅Ｐにおける誤差形状の高さＨ１が算出されてもよい。さらに光束幅Ｗの１／２倍より小さい評価幅Ｐにおける誤差形状の高さＨ２、または光束幅Ｗの２倍より大きい評価幅Ｐにおける誤差形状の高さＨ３が算出されてもよい。このときＳ０５において、各評価幅Ｐにおける誤差形状の高さＨ１，Ｈ２，Ｈ３は、下記の表１に示される許容値以下であるか否かが判断される。
【００６１】
【表１】
2013246388.tif 000006
【００６２】
また、本実施形態では抽出された形状データＲＤは２次関数ＲＥで近似されたが、三角関数で近似されてもよい。
【００６３】
次に、図９および図１０を参照して、誤差形状の高さＨ１，Ｈ２，Ｈ３の許容値について説明する。
【００６４】
図９（Ａ）は、誤差形状として、周期が３ｍｍで、高さが１０ｎｍであるうねりを示す図である。図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示される高さのうねりを有する光学素子Ｅを用いて、レーザー光を感光ドラム上に集光した場合のデフォーカス値Ｄを算出したものである。ここでデフォーカス値Ｄとは、集光位置における光軸方向の焦点位置のずれ量を示す。
【００６５】
図９（Ｂ）に示されるように、周期が３ｍｍかつうねりの高さが１０ｎｍのときのデフォーカス値は０．８ｍｍであって、この数値は光学素子Ｅの製品公差の許容範囲の上限値ＵＬに相当する。うねりの高さが高くなるほど、デフォーカス値Ｄは大きくなるため、うねりの高さＨが１０ｎｍを超えれば、デフォーカス値Ｄが許容範囲を超えてしまう。よって、評価幅Ｐが３ｍｍであるときの、誤差形状の高さＨの許容値は１０ｎｍである。
【００６６】
図９（Ｂ）では、うねりの周期が３ｍｍのときのデフォーカス値Ｄが示されたが、うねりの周期が光束幅Ｗの１／２〜２倍であるときも周期が３ｍｍであるときと同様に、うねりの高さが１０ｎｍのとき、デフォーカス値Ｄは０．８ｍｍとなる。よって、光束幅Ｗの１／２〜２倍の評価幅Ｐにおける誤差形状の高さＨ１の許容値は１０ｎｍである。
【００６７】
図１０（Ａ）は、誤差形状として、周期が９ｍｍで、高さが１０ｎｍであるうねりを示す図である。図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）に示される高さのうねりを有する光学素子Ｅを用いてレーザー光を感光ドラム上に集光した場合のデフォーカス値Ｄを算出したものである。
【００６８】
図１０（Ｂ）に示されるように、周期が９ｍｍかつうねりの高さが１０ｎｍのときのデフォーカス値は０．４ｍｍであって、この数値は光学素子Ｅの製品公差の許容範囲の上限値ＵＬの１／２倍に相当する。よって、評価幅Ｐが９ｍｍであるとき、誤差形状の高さＨの許容値は、１０ｎｍの２倍である２０ｎｍである。
【００６９】
図１０（Ｂ）では、うねりの周期が９ｍｍのときのデフォーカス値Ｄが示されたが、うねりの周期が光束幅の２倍より大きいときも周期が９ｍｍであるときと同様に、うねりの高さＨが１０ｎｍのとき、デフォーカス値は０．４ｍｍである。よって、光束幅Ｗの２倍より大きい評価幅Ｐにおける誤差形状の高さＨ３の許容値は２０ｎｍである。
【００７０】
また、評価幅Ｐが光束幅Ｗの１／２倍より小さいときであって、誤差形状の高さＨが１５ｎｍより大きいときは、光学素子Ｅが回折格子として作用することによって、光学素子Ｅに入射されたレーザー光は回折してしまい、光学素子Ｅ本来の作用が発揮されない。よって、光束幅Ｗの１／２倍より小さい評価幅Ｐにおける誤差形状の高さＨ２の許容値は１５ｎｍである。
【００７１】
以下、図１１および図１２を参照して、白色光干渉型の形状測定機によって光学素子Ｅの表面形状を測定する効果について説明する。
【００７２】
図１１および図１２は、白色光干渉型の形状測定機の効果を説明するための図である。図１１において実線で示されるように、白色光干渉型の形状測定機によれば、光学素子Ｅの表面形状が精度良く測定される。したがって、白色光干渉型の形状測定機により得られる形状データＬＵから、抽出すべき誤差形状ＲＵが正確に算出される。
【００７３】
一方、接触式プローブ型の形状測定機では、所定の間隔で光学素子Ｅの表面形状の離散データＳＤが測定されるため、副走査方向の解像度が十分ではなく、接触式プローブ型の形状測定機により得られる形状データＦＵから、抽出すべき誤差形状ＲＵを正確に算出することができない。
【００７４】
また、図１２に示されるように、プローブが真球度誤差を有する場合、接触式プローブ型の形状測定機により得られる形状データＦＵ１の誤差がさらに大きくなる。なお、離散データＳＤの測定点を増やすことによって、接触式プローブ型の形状測定機の測定データＦＵから抽出すべき誤差形状ＲＵにより近い形状を算出可能だが、離散データＳＤの測定点を増やすことで、測定に時間がかかるという問題がある。
【００７５】
以上のとおり白色光干渉型の形状測定機によれば、所望の誤差形状の高さＨを精度良く算出することができる。
【００７６】
本発明は、上述した実施形態のみに限定されるものではなく、特許請求の範囲内において、種々改変することができる。
【００７７】
例えば、上述した実施形態では、画像形成装置の光走査装置に用いられる光学素子として、反射型の光学素子（ミラー）が製造された。しかしながら、本発明の製造方法により製造される光学素子は、反射型の光学素子に限定されるものではなく、透過型の光学素子（レンズ）が製造されてもよい。
【００７８】
また、上述した実施形態では測定部３０によって光学素子Ｅの表面形状が測定された。しかしながら、金型Ｍの表面形状が測定されてもよい。
【符号の説明】
【００７９】
１  製造装置、
１０  加工部、
２０  成形部、
３０  測定部、
４０  成膜部、
５０  制御部、
Ｅ  光学素子、
Ｈ，Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３  誤差形状の高さ、
Ｍ  金型、
Ｐ  評価幅、
ＲＬ  反射層、
Ｗ  光束幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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