(57)【要約】【課題】外観から実装向きを確認することができる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、発光層と、前記発光層の第１半導体層に接続された第１導電体と、前記発光層の第２半導体層に接続された第２導電体と、前記発光層、前記第１導電体及び前記第２導電体を覆う第１樹脂体と、側面に露出し、前記第１樹脂体によって前記発光層、前記第１導電体及び前記第２導電体から離隔され、その色が前記第１樹脂体の色とは異なり、前記第１導電体から前記第２導電体に向かう方向に関して非対称に配置された第２樹脂体と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層と、
前記発光層の第１半導体層に接続された第１導電体と、
前記発光層の第２半導体層に接続された第２導電体と、
前記発光層、前記第１導電体及び前記第２導電体を覆う第１樹脂体と、
側面に露出し、前記第１樹脂体によって前記発光層、前記第１導電体及び前記第２導電体から離隔され、その色が前記第１樹脂体の色とは異なり、前記第１導電体から前記第２導電体に向かう方向に関して非対称に配置された第２樹脂体と、
を備えた半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１樹脂体の弾性係数は前記第２樹脂体の弾性係数よりも高い請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第１樹脂体は遮光性の樹脂からなり、前記第２樹脂体は透明樹脂又は遮光性の樹脂からなる請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
支持基板上に、発光層、前記発光層の第１半導体層に接続された第１導電体、及び前記発光層の第２半導体層に接続された第２導電体を含む発光ユニットを複数形成する工程と、
前記支持基板上に、前記複数の発光ユニットを覆う第１樹脂体を形成する工程と、
前記発光ユニットに到達しないように、前記第１樹脂体に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に、その色が前記第１樹脂体の色とは異なる第２樹脂体を配置する工程と、
前記支持基板を除去する工程と、
前記第１樹脂体をダイシングして、前記発光ユニット毎に切り分ける工程と、
を備え、
前記凹部を形成する工程において、前記凹部の一部を、前記第１樹脂体をダイシングしたときに除去される予定の領域内に位置させ、
前記第１樹脂体を切り分けた後、前記第２樹脂体は、前記第１導電体から前記第２導電体に向かう方向に関して非対称に配置される半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２樹脂体を配置する工程において、前記第２樹脂体を前記第１樹脂体上の全面に配置し、
前記第２樹脂体のうち、前記第１樹脂体上に配置された部分を除去して、前記凹部の内部に残留させる工程をさらに備え、
前記第１樹脂体の弾性係数を前記第２樹脂体の弾性係数よりも高くする請求項４記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）パッケージとして、ウェーハ上に発光層を形成し、電極及び樹脂層を形成した後、シリコンウェーハを除去し、個片化することにより、製造する技術が開発されている。これにより、小型で、発光層が樹脂体によって封止されたパッケージを効率よく製造することができる。しかしながら、このようなＬＥＤパッケージについては、基板に実装された後、第１電極と第２電極を外観から識別することができず、「実装向き」が正しいか否かを確認することができないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１９９４８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、外観から実装向きを確認することができる半導体発光装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体発光装置は、発光層と、前記発光層の第１半導体層に接続された第１導電体と、前記発光層の第２半導体層に接続された第２導電体と、前記発光層、前記第１導電体及び前記第２導電体を覆う第１樹脂体と、側面に露出し、前記第１樹脂体によって前記発光層、前記第１導電体及び前記第２導電体から離隔され、その色が前記第１樹脂体の色とは異なり、前記第１導電体から前記第２導電体に向かう方向に関して非対称に配置された第２樹脂体と、を備える。
【０００６】
実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、支持基板上に、発光層、前記発光層の第１半導体層に接続された第１導電体、及び前記発光層の第２半導体層に接続された第２導電体を含む発光ユニットを複数形成する工程と、前記支持基板上に、前記複数の発光ユニットを覆う第１樹脂体を形成する工程と、前記発光ユニットに到達しないように、前記第１樹脂体に凹部を形成する工程と、前記凹部内に、その色が前記第１樹脂体の色とは異なる第２樹脂体を配置する工程と、前記支持基板を除去する工程と、前記第１樹脂体をダイシングして、前記発光ユニット毎に切り分ける工程と、を備える。前記凹部を形成する工程において、前記凹部の一部を、前記第１樹脂体をダイシングしたときに除去される予定の領域内に位置させる。そして、前記第１樹脂体を切り分けた後、前記第２樹脂体は、前記第１導電体から前記第２導電体に向かう方向に関して非対称に配置される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は、実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図であり、（ｂ）は下面図であり、（ｃ）は側方から見た断面図である。
【図２】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図３】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図４】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図５】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図６】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図７】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図８】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図９】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図１０】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図１１】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図１２】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図１３】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図１４】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図１５】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図１６】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図１７】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図１８】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図１９】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図２０】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図２１】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図２２】（ａ）は実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図２３】（ａ）〜（ｄ）は、封止樹脂体の弾性係数が構造体の反りに及ぼす影響を例示する模式的断面図である。
【図２４】（ａ）〜（ｈ）は、実施形態及びその変形例に係る半導体発光装置を例示する下面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図１（ａ）は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図であり、（ｂ）は下面図であり、（ｃ）は側方から見た断面図である。
【０００９】
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置１においては、発光層１１が設けられている。発光層１１においては、下層側から順に、第１導電形のＧａＮ（ガリウム窒化物）からなる第１半導体層１１ｐ、活性層（図示せず）、第２導電形のＧａＮからなる第２半導体層１１ｎ、及び下地バッファ層（図示せず）が積層されている。なお、例えば、第１導電形はｐ形であり、第２導電形はｎ形であるが、これらは逆でもよい。第２半導体層１１ｎの下面の一部は第１半導体層１１ｐによって覆われておらず、露出している。発光層１１の上面１１ｕには、微細な凹凸が形成されている。
【００１０】
発光層１１の第１半導体層１１ｐの下面上には、第１電極１２が設けられており、第１半導体層１１ｐに接続されている。発光層１１の第２半導体層１１ｎの下面における露出領域上には、第２電極１３が設けられており、第２半導体層１１ｎに接続されている。第１電極１２及び第２電極１３は、金属、例えば、銀、銀合金、アルミニウム、又はアルミニウム合金により形成されている。
【００１１】
発光層１１、第１電極１２及び第２電極１３を覆うように、絶縁膜１４が設けられている。絶縁膜１４は、例えば、感光性ポリイミド若しくはＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）からなる有機絶縁膜、又は、シリコン酸化物若しくはシリコン窒化物からなる無機絶縁膜である。絶縁膜１４には、複数のビアホール１４ａが形成されている。発光層１１の下面及び側面は絶縁膜１４によって覆われており、上面１１ｕは、絶縁膜１４の上面において露出している。
【００１２】
絶縁膜１４の下方には、第１再配線層１５及び第２再配線層１６が相互に離隔して設けられている。第１再配線層１５及び第２再配線層１６は、それぞれ、チタン層と銅層の（Ｔｉ／Ｃｕ）積層膜からなるバリアメタル膜１５ａ及び１６ａの下面上に、銅（Ｃｕ）からなる本体部１５ｂ及び１６ｂが積層されて形成されている。第１再配線層１５は、絶縁膜１４のビアホール１４ａを介して、第１電極１２に接続されている。同様に、第２再配線層１６もビアホール１４ａを介して、第２電極１３に接続されている。
【００１３】
第１再配線層１５の直下域の一部には、第１導電体１７が設けられており、第１再配線層１５に接続されている。第２再配線層１６の直下域の一部には、第２導電体１８が設けられており、第２再配線層１６に接続されている。これにより、第１導電体１７は、第１再配線層１５及び第１電極１２を介して、発光層１１の第１半導体層１１ｐに接続されており、第２導電体１８は、第２再配線層１６及び第２電極１３を介して、発光層１１の第２半導体層１１ｎに接続されている。第１導電体１７及び第２導電体１８は、例えば、銅により形成されており、その形状は、上下方向に延びるピラー状である。
【００１４】
絶縁膜１４の下方には、第１再配線層１５の下部及び第１導電体１７、第２再配線層１６の下部及び第２導電体１８を覆うように、封止樹脂体２１が設けられている。但し、第１導電体１７の下面及び第２導電体１８の下面は、封止樹脂体２１の下面において露出している。封止樹脂体２１は、例えばエポキシ樹脂からなり、チタン酸化物が添加されることにより、白色とされている。
【００１５】
封止樹脂体２１における第１導電体１７側（以下、「第１導電体側」ともいう）の下側の角部には切欠２１ａが形成されており、この切欠２１ａ内には封止樹脂体２２が配置されている。封止樹脂体２２の色は封止樹脂体２１の色とは異なり、例えば、黒色である。封止樹脂体２２は、例えばエポキシ樹脂からなり、炭素（カーボンブラック）が添加されることにより、黒色とされている。また、封止樹脂体２２の弾性係数は、封止樹脂体２１の弾性係数よりも低い。
【００１６】
封止樹脂体２２は、封止樹脂体２１によって、他の部材、すなわち、発光層１１、第１電極１２、第２電極１３、絶縁膜１４、第１再配線層１５、第２再配線層１６、第１導電体１７及び第２導電体１８から離隔されている。また、封止樹脂体２２は、第１導電体１７から第２導電体１８に向かう方向（以下、「ｐｎ方向」という）及び上下方向の双方に対して直交する方向（以下、「幅方向」ともいう）に延び、この幅方向において半導体発光装置１を貫通している。このように、封止樹脂体２２は、ｐｎ方向に関して非対称に配置されている。
【００１７】
発光層１１上及び絶縁膜１４上には、蛍光体層２５が設けられている。蛍光体層２５に一方、おいては、透明樹脂からなる母材中に、蛍光体が分散されている。この蛍光体は、発光層１１から出射される光を吸収して、より波長が長い光を出射する。発光層１１から出射される光の色と蛍光体から出射される光の色の組合せによって、半導体発光素子１全体から出射される光の色が決定される。発光層１１から出射される光の色は特に限定されず、例えば、青又は青紫であってもよい。発光層１１から出射される光の色によっては、蛍光体層に蛍光体が含有されていなくてもよい。また、発光層１１は紫外線（ＵＶ）を出射してもよい。この場合は、紫外線を吸収して可視光線を出射する蛍光体が蛍光体層２５内に含まれている必要がある。発光層１１における蛍光体層２５との界面、すなわち、上面１１ｕには微細な凹凸が形成されているため、発光層１１から出射された光は蛍光体層２５との界面において反射されにくく、蛍光体層２５内に導入されやすい。
【００１８】
半導体発光装置１の外形は直方体である。そして、封止樹脂体２２は、半導体発光装置１の外面のうち、第１導電体側の側面の下部、ｐｎ方向に対して平行な両側面における第１導電体側の下部、及び、下面における第１導電体側の領域において露出している。すなわち、封止樹脂体２２は、半導体発光装置１の下面及び３側面のそれぞれ一部において露出している。一方、半導体発光装置１の上面及び側面の上部には、蛍光体層２５が露出しており、側面の中部には絶縁膜１４が露出しており、下面の一部には第１導電体１７の下面及び第２導電体１８の下面が露出しており、側面の下部及び下面における封止樹脂体２２、第１導電体１７及び第２導電体１８が露出していない領域には、封止樹脂体２１が露出している。
【００１９】
次に、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。
図２（ａ）及び（ｂ）〜図２２（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程図であり、各図の（ａ）は下面図であり、（ｂ）は断面図である。
【００２０】
図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持基板５０を用意する。支持基板５０には、例えば、シリコンウェーハ又はサファイアウェーハを用いる。支持基板５０においては、複数の矩形の素子領域６０がマトリクス状に設定されており、素子領域６０間は、格子状のダイシング領域６１となっている。素子領域６０は、半導体発光装置１が形成される予定の領域であり、ダイシング領域６１は、後述するダイシング工程によって除去される予定の領域である。以後、この支持基板５０の下面上に、複数の発光ユニットを形成していく。
【００２１】
先ず、例えば、ＭＯＣＶＤ法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長法）により、支持基板５０下面上に、下地バッファ層（図示せず）、第２半導体層１１ｎ、活性層（図示せず）及び第１半導体層１１ｐを、この順にエピタキシャル成長させる。例えば、第２半導体層１１は第２導電形、例えばｎ形のＧａＮにより形成し、第１半導体層１１ｐは第１導電形、例えばｐ形のＧａＮにより形成する。これにより、支持基板５０の下面上に、発光層１１が形成される。
【００２２】
次に、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えば、ＲＩＥ（reactive ion etching：反応性イオンエッチング）法により、発光層１１を選択的に除去して、パターニングする。これにより、素子領域６０毎に１つの矩形の発光層１１を島状に配置する。
【００２３】
次に、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えばＲＩＥ法により、第１半導体層１１ｐ及び活性層（図示せず）を選択的に除去して、第２半導体層１１ｎの一部を露出させる。
なお、図３（ａ）及び（ｂ）に示す発光層１１全体のパターニングは、本工程の後に実施してもよい。
【００２４】
次に、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えばスパッタ法又は蒸着法等により、例えば、銀、銀合金、アルミニウム又はアルミニウム合金等の金属を堆積させて、金属膜を形成する。なお、この金属膜の硫化及び酸化を防止するために、金属膜を覆うように保護層を形成してもよい。次に、この金属膜をパターニングすることにより、第１半導体層１１ｐの下面上の一部に第１電極１２を形成し、第２半導体層１１ｎの下面上の一部に第２電極１３を形成する。次に、必要に応じて、オーミックコンタクトを取るために活性化アニール等の処理を行う。これにより、第１電極１２は第１半導体層１１ｐに接続され、第２電極１３は第２半導体層１１ｎに接続される。
【００２５】
なお、このとき、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）又はシリコン酸化物（ＳｉＯ）をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法によって堆積させることにより、第１電極１２と第２電極１３との間、及び、活性層（図示せず）の端面上に、パッシベーション膜を形成してもよい。
また、図３（ａ）及び（ｂ）に示す発光層１１全体のパターニングは、本工程の後に実施してもよい。
【００２６】
次に、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持基板５０の下面上に、発光層１１、第１電極１２及び第２電極１３を覆うように、絶縁膜１４を成膜する。絶縁膜１４は、例えば、感光性ポリイミド若しくはＢＣＢを塗布した有機絶縁膜、又は、シリコン窒化物若しくはシリコン酸化物をＣＶＤ法によって堆積させた無機絶縁膜とする。絶縁膜１４には、第２半導体層１１ｎ及び第１半導体層１１ｐにそれぞれ到達するように、ビアホール１４ａを形成する。絶縁膜１４を無機絶縁膜とする場合は、レジストパターンをマスクとしてエッチングを施し、絶縁膜１４をパターニングしてビアホール１４ａを形成する。
【００２７】
次に、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えばスパッタ法により、全面に、チタン層と銅層との（Ｔｉ／Ｃｕ）積層膜５１を薄く形成する。
【００２８】
次に、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜を成膜する。次に、このフォトレジスト膜をパターニングすることにより、第１再配線層１５の本体部１５ｂ（図１（ｃ）参照）及び第２再配線層１６の本体部１６ｂ（図１（ｃ）参照）を形成する予定の領域を開口させる。これにより、（Ｔｉ／Ｃｕ）積層膜５１上に、格子状のレジストパターン５２が形成される。
【００２９】
次に、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えば、電解めっき法により、（Ｔｉ／Ｃｕ）積層膜５１をシード層として銅層を形成する。この銅層は、レジストパターン５２が形成されている領域には形成されない。これにより、第１再配線層１５の本体部１５ｂ及び第２再配線層１６の本体部１６ｂが形成される。本体部１５ｂ及び１６ｂは、各素子領域６０に１つずつ配置される。
【００３０】
次に、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えば、溶剤による処理を行い、レジストパターン５２（図９（ｂ）参照）を剥離する。
【００３１】
次に、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜を成膜し、パターニングして、第１導電体１７（図１（ｃ）参照）及び第２導電体１８（図１（ｃ）参照）を形成する予定の領域を開口させる。これにより、格子状のレジストパターン５３を形成する。各素子領域６０には一対の開口部を形成し、この一対の開口部には、それぞれ、本体部１５ｂ又は本体部１６ｂを露出させる。
【００３２】
次に、図１２（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えば、電解めっき法により、銅層を形成する。この銅層は、レジストパターン５３が形成されている領域には形成されない。これにより、第１導電体１７及び第２導電体１８がピラー状に形成される。各素子領域６０において、第１導電体１７及び第２導電体１８は１つずつ配置される。
【００３３】
次に、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えば、溶剤による剥離を行い、レジストパターン５３（図１２（ｂ）参照）を除去する。なお、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すレジストパターン５２の除去工程を省略し、本工程において、レジストパターン５３と共にレジストパターン５２を除去してもよい。
【００３４】
次に、図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように、銅からなる第１導電体１７及び第２導電体１８をマスクとしてウェットエッチングを行い、（Ｔｉ／Ｃｕ）積層膜５１をパターニングする。これにより、（Ｔｉ／Ｃｕ）積層膜５１における本体部１５ｂによって覆われた部分がバリアメタル膜１５ａとなり、本体部１６ｂによって覆われた部分がバリアメタル膜１６ａとなる。本工程によって、バリアメタル膜１５ａ及び本体部１５ｂからなる第１再配線層１５と、バリアメタル膜１６ａ及び本体部１６ｂからなる第２再配線層１６とが、相互に分離した状態で形成される。これにより、素子領域６０（図２（ａ）参照）毎に、発光層１１、第１電極１２、第２電極１３、第１再配線層１５、第２再配線層１６、第１導電体１７及び第２導電体１８を含む発光ユニット２０が形成される。
【００３５】
次に、図１５（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えば印刷法又はモールド法により、絶縁膜１４の下面、第１導電体１７及び第２導電体１８を覆うように、封止樹脂体２１を形成する。封止樹脂体２１は、例えば、エポキシ樹脂にチタン酸化物が添加された白色の樹脂により形成する。
【００３６】
次に、図１６（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシングを行い、封止樹脂体２１に溝２１ｂを形成する。溝２１ｂは、一列に配列された複数の素子領域６０からなる列毎に一方向に延びるように形成し、溝２１ｂの一方の側面はダイシング領域６１内に位置させ、他方の側面は素子領域６０内に位置させる。すなわち、溝２１ｂの一部は、ダイシング領域６１内に位置させる。また、溝２１ｂは、絶縁膜１４及び発光ユニット２１に到達しないように形成する。
【００３７】
次に、図１７（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えば印刷法又はモールド法により、封止樹脂体２１の下面上に、封止樹脂体２２を形成する。封止樹脂体２２の厚さは、封止樹脂体２１よりも厚くし、例えば２〜９倍、例えば８倍とする。封止樹脂体２２は、例えば、エポキシ樹脂に炭素（カーボンブラック）が添加された黒色の樹脂により形成する。また、封止樹脂体２２の弾性係数は封止樹脂体２１の弾性係数よりも低くし、例えば、１〜１９ＧＰａとする。封止樹脂体２２は、溝２１ｂ内にも進入する。
【００３８】
このとき、例えば、フィラーの含有量を異ならせることによって、封止樹脂体２１の弾性係数と封止樹脂体２２の弾性係数とを相互に異ならせることができる。一般に、フィラーの含有量が多いほど樹脂材料の弾性係数は高くなるため、封止樹脂体２１及び２２の母材を同一種類の樹脂、例えばエポキシ樹脂により形成し、封止樹脂体２１におけるフィラーの濃度を封止樹脂体２２におけるフィラーの濃度よりも高くすればよい。又は、弾性係数は、樹脂の硬化温度を制御することにより調整することもできる。一般に、硬化温度が高いほど弾性係数は高くなるため、封止樹脂体２１及び２２の母材を同一種類の樹脂により形成し、封止樹脂体２１の硬化温度を封止樹脂体２２の硬化温度よりも高くすればよい。なお、封止樹脂体２１と封止樹脂体２２との間で弾性係数を異ならせる手段はこれには限定されず、例えば、母材自体を異ならせてもよい。
【００３９】
次に、図１８（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持基板５０（図１７（ｂ）参照）を除去する。これにより、発光層１１の上面１１ｕ及び絶縁膜１４の上面が露出する。
【００４０】
次に、図１９（ａ）及び（ｂ）に示すように、露出している発光層１１の上面１１ｕに対して薬液処理を施す。薬液処理に用いる薬液としては、例えば、水酸化カリウム（ＫＯＨ）又はＴＭＡＨ（Tetramethyl ammonium hydroxide：水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液等の強アルカリ性の水溶液を用いる。これにより、発光層１１の上面１１ｕのエッチング速度は、第２半導体層１１ｎの結晶面方位によって微視的に異なるため、上面１１ｕに結晶粒に対応した微細な凹凸が形成される。なお、薬液処理の替わりに、レジストパターンを用いてエッチングを行い、上面１１ｕに所望の形態の凹凸を形成してもよい。
【００４１】
次に、図２０（ａ）及び（ｂ）に示すように、発光層１１及び絶縁膜１４の上面上に、樹脂層として蛍光体層２５を形成する。蛍光体層２５は、所望の蛍光体が分散された樹脂材料により形成する。なお、発光層１１の発光色によっては、蛍光体を分散させなくてもよい。
【００４２】
次に、図２１（ａ）及び（ｂ）に示すように、封止樹脂体２２を下面側から研削し、第１導電体１７及び第２導電体１８を露出させる。このとき、封止樹脂体２２のうち、封止樹脂体２１の下面上に配置された部分が除去され、溝２１ｂ内のみに残留する。
【００４３】
次に、図２２（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシングを行い、封止樹脂体２２、封止樹脂体２１、絶縁膜１４及び蛍光体層２５におけるダイシング領域６１に配置された部分を除去する。これにより、図２１（ａ）及び（ｂ）に示す工程までに作製された構造体が、発光ユニット２０毎に切り分けられ、半導体発光装置１となる。このとき、溝２１ｂ（図２２（ｂ）参照）のうち、ダイシング領域６１内に位置していた幅方向の片側が除去され、溝２１ｂは切欠２１ａとなる。これにより、溝２１ｂ内に埋め込まれていた封止樹脂体２２は、一部が除去され、残部は切欠２１ａ内に残留し、半導体発光装置１の下方第１導電体側の角部において露出する。このように、ダイシングにより個片化された各素子領域６０において、封止樹脂体２２はｐｎ方向に関して非対称に配置される。
【００４４】
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態に係る半導体発光装置１においては、封止樹脂体２２が半導体発光装置１の側面に露出し、ｐｎ方向に関して非対称に配置され、封止樹脂体２２の色は封止樹脂体２１の色とは異なっている。このため、半導体発光装置１を基板に実装した後においても、半導体発光装置１を斜め上方から観察して封止樹脂体２２を識別することにより、半導体発光装置１の実装向きを容易に確認することができる。特に、本実施形態においては、封止樹脂体２２を半導体発光装置１の３つの側面において露出させているため、視認性が高く、実装向きの確認がより容易である。
【００４５】
なお、封止樹脂体２２の高さは、カメラにより半導体発光装置１の外観を観察したときに、封止樹脂体２２が識別できる程度とし、且つ、絶縁膜１４に接しない程度とすることが好ましく、例えば、１μｍ程度以上６０μｍ未満とすることが好ましい。
【００４６】
また、本実施形態においては、封止樹脂体２１の弾性係数を封止樹脂体２２の弾性係数よりも高くしている。封止樹脂体２１の弾性係数を高くすることにより、封止樹脂体２１を硬くすることができる。封止樹脂体２１を硬くすることにより、発光層１１の収縮力に対抗し、支持基板５０を除去した後の構造体の反りを抑制することができる。
【００４７】
以下、この効果について詳細に説明する。
図２３（ａ）〜（ｄ）は、封止樹脂体の弾性係数が構造体の反りに及ぼす影響を例示する模式的断面図である。
【００４８】
先ず、比較例として、封止樹脂体の弾性係数が低く軟質な場合について説明する。
図２３（ａ）に示すように、支持基板５０を除去する直前の構造体は、それまでに受けた熱履歴により、ＧａＮからなる発光層１１に収縮応力が生じているため、支持基板５０側を凸とする方向に反っていることが多い。
そして、図２３（ｂ）に示すように、支持基板５０を除去すると、発光層１１の収縮応力に抵抗する力が消失するため、発光層１１の収縮応力により、封止樹脂体２９側を凸とする方向に大きく反ってしまうことが多い。これにより、以後の工程が困難になる。
【００４９】
一方、本実施形態においても、図２３（ｃ）に示すように、支持基板５０を除去する直前の構造体は、比較例と同様に、支持基板５０側を凸とする方向に反っていることが多い。しかしながら、本実施形態においては、図２３（ｄ）に示すように、封止樹脂体２１の弾性係数を高くしているため、封止樹脂体２１が硬質であり、発光層１１の収縮力に対抗することができる。これにより、支持基板５０を除去した後においても、構造体の反りを抑制することができる。
【００５０】
なお、比較例において、封止樹脂体２９の弾性係数を高くすることも考えられるが、封止樹脂体２９全体の弾性係数を高くすると、支持基板５０を除去する前における構造体の反りが却って増大してしまい、ハンドリング及び製造装置への吸着が困難になる。
【００５１】
これに対して、本実施形態によれば、半導体発光装置１の製造プロセスの途中においては、封止樹脂体を封止樹脂体２１及び２２からなる２層構造とし、相対的に薄い封止樹脂体２１の弾性係数を相対的に高くし、相対的に厚い封止樹脂体２２の弾性係数を相対的に低くしている。これにより、封止樹脂体全体を硬質にする場合と比較して、反り量を低減することができる。一方、支持基板５０を除去し、封止樹脂体２２における封止樹脂体２１の下面上に配置された部分を除去した後においても、封止樹脂体２１の大部分は残留するため、発光層１１の収縮力に対抗し、反りを抑制できる。このように、本実施形態によれば、製造プロセス全体を通じて、構造体の反りを抑制することができる。この結果、半導体発光装置１の製造が容易になる。
【００５２】
次に、本実施形態の変形例について説明する。
図２４（ａ）〜（ｈ）は、本実施形態及びその変形例に係る半導体発光装置を例示する下面図である。
図２４（ａ）〜（ｈ）においては、図を見やすくするために、封止樹脂体２２は斜線を付して示している。
【００５３】
図２４（ａ）は、本実施形態に係る半導体発光装置１を示している。前述の如く、半導体発光装置１においては、封止樹脂体２２は第１導電体側の３側面において露出している。但し、封止樹脂体２２の配置はこれには限定されず、半導体発光装置の側面において露出し、且つ、ｐｎ方向に関して非対称であればよい。
【００５４】
例えば、図２４（ｂ）及び（ｃ）に示すように、封止樹脂体２２は２側面において露出していてもよく、図２４（ｄ）及び（ｅ）に示すように、１側面において露出していてもよい。また、図２４（ｆ）及び（ｇ）に示すように、封止樹脂体２２は、相互に分離した２ヶ所以上の領域に配置されていてもよい。図２４（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）に示す半導体発光装置においては、封止樹脂体２２は半導体発光装置を幅方向に貫通していない。このような半導体発光装置は、図１６（ａ）及び（ｂ）に示す工程において、溝２１ｂの替わりに穴を形成することにより、製造することができる。本明細書においては、溝及び穴を総称して、「凹部」という。更に、図２４（ｈ）に示すように、封止樹脂体２２は第１導電体側及び第２導電体側の双方に配置されていても、ｐｎ方向に関して非対称であればよい。この場合は、溝２１ｂの幅を広くすることができる。
【００５５】
なお、本実施形態においては、封止樹脂体２１の色を白色とし、封止樹脂体２２の色を黒色とする例を示したが、これには限定されない。封止樹脂体２１及び２２の色の組合せは任意であり、例えば、外観検査の際に、画像の二値化処理により区別できる組合せであればよい。また、色には透明も含まれる。但し、光の漏洩を防止するために、封止樹脂体２１は遮光性であることが必要である。例えば、封止樹脂体２１を遮光性の樹脂により形成し、封止樹脂体２２を透明な樹脂により形成してもよい。また、本実施形態においては、封止樹脂体２２を第１導電体側に配置する例を示したが、第２導電体側に配置してもよい。
【００５６】
更に、本実施形態においては、図２１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング前の構造体において、第１導電体１７と第２導電体１８とを交互に配列させる例を示したが、これには限定されない。すなわち、各素子領域６０に第１導電体１７及び第２導電体１８がそれぞれ１つ以上含まれていればよく、配列は任意である。更にまた、本実施形態においては、支持基板としてシリコンウェーハ又はサファイアウェーハを使用する例を示したが、これには限定されない。
【００５７】
以上説明した実施形態によれば、外観から実装向きを確認することができる半導体発光装置及びその製造方法を実現することができる。
【００５８】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１：半導体発光装置、１１：発光層、１１ｎ：第２半導体層、１１ｐ：第１半導体層、１１ｕ：上面、１２：第１電極、１３：第２電極、１４：絶縁膜、１４ａ：ビアホール、１５：第１再配線層、１５ａ：バリアメタル膜、１５ｂ：本体部、１６：第２再配線層、１６ａ：バリアメタル膜、１６ｂ：本体部、１７：第１導電体、１８：第２導電体、２０：発光ユニット、２１：封止樹脂体、２１ａ：切欠、２１ｂ：溝、２２：封止樹脂体、２５：蛍光体層、２９：封止樹脂体、５０：支持基板、５１：（Ｔｉ／Ｃｕ）積層膜、５２：レジストパターン、５３：レジストパターン、６０：素子領域、６１：ダイシング領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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