(57)【要約】【課題】基板により好適にパターンを露光することができること。【解決手段】マスク上の第１方向が長手方向となり、第１方向に直交する第２方向に並んで配置された複数のパターン部を有し、パターン部は、第１方向に沿って延在する端部の、パターンが形成されているパターン形成領域とパターンが形成されていない遮蔽領域とが、第２方向に隣接するパターン部の第１方向に沿って延在する端部の、パターンが形成されているパターン形成領域とパターンが形成されていない遮蔽領域とを反転させた配置であり、第１方向に沿った端部の、パターン形成領域と遮蔽領域との境界が第２方向の位置が変化する凹凸形状であること。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写用のパターンが形成されたマスクであって、
前記マスク上の第１方向が長手方向となり、前記第１方向に直交する第２方向に並んで配置された複数のパターン部を有し、
前記パターン部は、前記第１方向に沿って延在する端部の、前記パターンが形成されているパターン形成領域と前記パターンが形成されていない遮蔽領域とが、前記第２方向に隣接するパターン部の前記第１方向に沿って延在する端部の、前記パターン形成領域と前記遮蔽領域とを反転させた配置であり、
前記第１方向に沿った端部の、前記パターン形成領域と前記遮蔽領域との境界が前記第２方向の位置が変化する凹凸形状であることを特徴とするマスク。
【請求項２】
前記パターン部は、前記第１方向に沿って延在する端部に、前記遮蔽領域に囲まれた前記パターン形成領域を有することを特徴とする請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記パターン部は、前記第１方向に沿って延在する端部の、前記パターン形成領域と前記遮蔽領域との境界に曲線を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のマスク。
【請求項４】
前記複数のパターン部は、第１列パターン部と第２列パターン部とで構成され、
前記第１列パターン部の全体領域と前記第２列パターン部の全体領域とは、前記第１方向において所定量だけずれて配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項マスク。
【請求項５】
前記複数のパターン部は、前記第１方向における全体領域の配置位置が同一であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項マスク。
【請求項６】
投影光学系でマスクのパターンを基板へ投影露光する露光方法であって、
請求項１から５のいずれか一項に記載の前記マスクを前記投影光学系に対して設定するマスク設定ステップと、
前記マスク設定ステップで設定された前記マスクのパターンを前記投影光学系で投影倍率に拡大した像を前記基板に結像し、前記基板へ露光する露光ステップと、を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項７】
前記投影光学系は、複数の個別投影光学系で構成され、
前記露光ステップは、複数の前記個別投影光学系に対して前記マスクおよび前記基板を相対移動させつつ、前記マスクのパターンを前記基板へ露光することを特徴とする請求項６に記載の露光方法。
【請求項８】
前記基板は、外径が５００ｍｍより大きいことを特徴とする請求項６または７に記載の露光方法。
【請求項９】
請求項１から５のいずれか一項に記載の前記マスクを支持するマスクステージと、
前記マスクステージに支持された前記マスクの視野に照明光を照射する照明光学系と、
前記マスクステージに支持された前記マスクのパターンを投影倍率で拡大する投影光学系と、
基板を保持し、該基板を所定方向へ移動させるプレートステージと、
前記投影光学系と前記マスクステージと前記プレートステージとの動作を制御し、前記マスクの投影像を、前記基板上に転写する制御を行う制御部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
前記照明光学系は、前記マスクに向けて出力される照明光の視野の形状を変化させる視野可変機構を備え、
前記制御部は、前記マスクステージに支持されるマスクに応じて、前記視野可変機構を制御し、前記視野の形状を変化させることを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記視野可変機構は、前記視野の形状を、矩形と台形とに切り替えることができる請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項６から８のいずれか一項に記載の露光方法によって、前記マスクに形成されたパターンと同形状のパターンをプレートに転写する工程と、
前記同形状のパターンが転写された前記プレートを、転写されたパターンに基づいて加工することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、テレビ等の表示装置として、液晶表示パネルが多用されている。液晶表示パネルは、プレート上に透明薄膜電極等をフォトリソグラフィの手法を用いて形成することにより製造される。このフォトリソグラフィ工程においてマスクパターンを基板に投影露光する装置として、露光装置が使用される。特許文献１に記載の露光装置は、投影光学系を介して露光光を感光性の基板に照射して、その基板にパターンの像を形成する。その際、マスクに形成されたパターンを投影光学系の投影倍率に応じて拡大した像が基板に形成される。
【０００３】
また、露光装置によって２つのパターンを基板上で継ぎ合わせて露光する露光方法として、その継ぎ合わせ部分に対応するパターンが２度以上重複して露光されないように、その継ぎ合わせ部分に対応するパターンをマスク上で離散的かつ不規則に配置させる技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００８／１０８１２３号
【特許文献２】特開平６−３２４４７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の露光装置では、マスク上で互いに間隔を設けて配置されたパターンの像が、それぞれ異なる投影光学系を介して基板に拡大投影され、その各パターン像は、相互に一部が重ね合わされて基板に露光されることで、基板上で継ぎ合わされた状態で露光される。この場合、互いに異なる投影光学系を介して露光される各パターン像の露光条件に相対的な差が生じると、各パターン像が継ぎ合わされる領域（継ぎ領域）と他の領域とのそれぞれに形成される電極等に特性差が生じることとなり、例えば液晶表示パネルにおいては、継ぎ領域と他の領域との間で表示特性に差異が知覚される不都合が生じることがある。
【０００６】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、本発明の態様は、継ぎ領域における特性差を知覚され難くすることができるマスク、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様にかかるマスクは、転写用のパターンが形成されたマスクであって、前記マスク上の第１方向が長手方向となり、前記第１方向に直交する第２方向に並んで配置された複数のパターン部を有し、前記パターン部は、前記第１方向に沿って延在する端部の、前記パターンが形成されているパターン形成領域と前記パターンが形成されていない遮蔽領域とが、前記第２方向に隣接するパターン部の前記第１方向に沿って延在する端部の、前記パターン形成領域と前記遮蔽領域とを反転させた配置であり、前記第１方向に沿った端部の、前記パターン形成領域と前記遮蔽領域との境界が前記第２方向の位置が変化する凹凸形状である。
【０００８】
また、本発明の第２の態様にかかる露光方法は、投影光学系でマスクのパターンを基板へ投影露光する露光方法であって、本発明の第１の態様にかかるマスクを前記投影光学系に対して設定するマスク設定ステップと、前記マスク設定ステップで設定された前記マスクのパターンを前記投影光学系で投影倍率に拡大した像を前記基板に結像し、前記基板へ露光する露光ステップと、を含む。
【０００９】
また、本発明の第３の態様にかかる露光装置は、本発明の第１の態様にかかるマスクを支持するマスクステージと、前記マスクステージに支持された前記マスクの視野に照明光を照射する照明光学系と、前記マスクステージに支持された前記マスクのパターンを投影倍率で拡大する投影光学系と、基板を保持し、該基板を所定方向へ移動させるプレートステージと、前記投影光学系と前記マスクステージと前記プレートステージとの動作を制御し、前記マスクの投影像を、前記基板上に転写する制御を行う制御部と、を備える。
【００１０】
また、本発明の第４の態様にかかるデバイス製造方法は、本発明の第２の態様にかかる露光方法によって、前記マスクに形成されたパターンと同形状のパターンをプレートに転写することと、前記同形状のパターンが転写された前記プレートを、転写されたパターンに基づいて加工することを含む。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の態様によれば、継ぎ領域における特性差を知覚され難くすることができるマスク、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、第１実施形態に係る露光装置の一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す露光装置の２つの部分照明光学系及び２つの投影光学系の構成を示す図である。
【図３】図３は、図１に示すマスクに形成されるパターンの一例を示す平面図である。
【図４】図４は、図３に示すマスクの一部を拡大して示す拡大平面図である。
【図５】図５は、図１に示すプレートに形成されるパターンの一例を示す平面図である。
【図６】図６は、図５に示すプレートの一部を拡大して示す拡大平面図である。
【図７】図７は、他の例のマスクの一部を拡大して示す拡大平面図である。
【図８】図８は、他の例のマスクの一部を拡大して示す拡大平面図である。
【図９】図９は、図８に示すマスクでパターンが形成されたプレートの一部を拡大して示す拡大平面図である。
【図１０】図１０は、第２実施形態に係る露光装置の一例を示す斜視図である。
【図１１】図１１は、第２実施形態にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図１２】図１２は、図１０に示すマスクに形成されるパターンの一例を示す平面図である。
【図１３】図１３は、図１２に示すマスクの一部を拡大して示す拡大平面図である。
【図１４】図１４は、照明領域とマスクに形成されるパターンとの関係の一例を示す平面図である。
【図１５】図１５は、図１４に示す関係でパターンが形成されたプレートの一部を拡大して示す拡大平面図である。
【図１６】図１６は、照明領域とマスクに形成されるパターンとの関係の一例を示す平面図である。
【図１７】図１７は、図１６に示すマスクの一部を拡大して示す拡大平面図である。
【図１８】図１８は、デバイス製造方法の各ステップを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００１４】
（第１実施形態）
以下、図１から図９を用いて、第１実施形態の露光装置を説明する。まず、図１を用いて露光装置の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置の一例を示す斜視図である。
【００１５】
図１に示す露光装置１０１は、例えば超高圧水銀ランプからなる露光光源６１と、この露光光源６１からの光束でマスクＭのパターンを照明する照明装置ＩＵと、そのマスクＭを保持して移動するマスクステージ６２と、そのマスクＭのパターンの拡大像をプレート（基板）Ｐ上に投影する複数の反射屈折型の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７を含む投影光学装置ＰＬと、プレートＰを保持して移動するプレートステージ６３と、マスクステージ６２及びプレートステージ６３の動作を統括的に制御する制御装置６４と、を備えている。なお、本実施形態のプレートＰは、一例として液晶表示素子製造用のフォトレジスト（感光材料）が塗布された一辺の長さもしくは対角長が５００ｍｍ以上の平板状のガラスプレートである。なお、そのプレートＰとしては、薄膜磁気ヘッド製造用のセラミックス基板又は半導体素子製造用の円形の半導体ウエハ等も使用できる。
【００１６】
また、以下の説明においては、図１中に設定したＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。図１中のＸＹＺ直交座標系は、一例として、ＸＹ平面が水平面に平行に設定され、Ｚ軸が鉛直方向に設定される。また、この実施形態では、マスクＭ及びプレートＰを同期して移動する方向（走査方向）をＸ方向に設定している。本実施形態では、Ｘ方向が第１方向となり、Ｙ方向が第２方向となる。
【００１７】
図１において、露光光源６１より射出した光束は、照明装置ＩＵ内で楕円鏡２及びダイクロイックミラー３により反射されてコリメートレンズ４に入射する。この場合、楕円鏡２の反射膜及びダイクロイックミラー３の反射膜によりｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）及びｉ線（波長３６５ｎｍ）の光を含む波長域の光が取り出され、取り出された光がコリメートレンズ４に入射する。また、露光光源６１が楕円鏡２の第１焦点位置に配置されているため、ｇ、ｈ、ｉ線の光を含む波長域の光は、楕円鏡２の第２焦点位置に光源像を形成する。その光源像からの発散光束は、コリメートレンズ４により平行光となり、所定の露光波長域の光束のみを透過させる波長選択フィルタ５を透過する。
【００１８】
波長選択フィルタ５を通過した露光用の照明光は、減光フィルタ６を通過し、集光レンズ７によりライトガイドファイバ８の入射口８ａの入射端に集光される。ここで、ライトガイドファイバ８は、例えば多数のファイバ素線をランダムに束ねて構成されたランダムライトガイドファイバであって、入射口８ａと７つの射出口（以下、射出口８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅ、８ｆ、８ｇ、８ｈという。）を備えている。ライトガイドファイバ８の入射口８ａに入射した照明光は、ライトガイドファイバ８の内部を伝播した後、７つの射出口８ｂ〜８ｈより分割されて射出し、マスクＭを部分的に照明する７つの部分照明光学系（以下、部分照明光学系ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３、ＩＬ４、ＩＬ５、ＩＬ６、ＩＬ７という。）にそれぞれ入射する。各部分照明光学系（照明光学系）ＩＬ１〜ＩＬ７を通過した照明光は、それぞれマスクＭ上の対応する照明領域（視野）をほぼ均一に照明する。楕円鏡２から部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７までの光学部材から照明装置ＩＵが構成されている。
【００１９】
マスクＭ上の複数照明領域、即ち部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７によって照明される照明領域からの照明光は、各照明領域に対応するように配列されマスクＭのパターンの一部の像をプレートＰ上にそれぞれ投影する７つの投影光学系（以下、投影光学系ＰＬ１、ＰＬ２、ＰＬ３、ＰＬ４、ＰＬ５、ＰＬ６、ＰＬ７という。）のそれぞれに入射する。投影光学系（部分投影光学系）ＰＬ１〜ＰＬ７は、それぞれマスクＭのパターン面（第１面）のパターンの像をプレートＰの上面（第２面）上に結像する。
【００２０】
マスクステージ６２は、マスクＭを保持可能なマスクホルダを有する。マスクステージ６２は、マスクホルダでマスクＭを保持した状態で、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７及び投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７に対して移動可能である。本実施形態において、マスクホルダは、マスクＭの下面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ６２は、例えばリニアモータなどを含む駆動システムの駆動力によって移動可能である。本実施形態において、マスクステージ６２は、駆動システムにより、マスクホルダでマスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。ここで、マスクステージ６２の位置はマスクＭ側のレーザ干渉計によって計測されている。
【００２１】
プレートステージ６３は、プレートＰを保持可能なプレートホルダを有する。プレートステージ６３は、プレートＰを保持した状態で、第１〜第７投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７に対して移動可能である。本実施形態において、プレートホルダは、プレートＰの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、プレートＰを保持する。プレートステージ６３は、例えばリニアモータなどを含む駆動システムの駆動力によって移動可能である。本実施形態において、プレートステージ６３は、駆動システムの作動により、プレートホルダでプレートＰを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。プレートステージ６３には、移動鏡５０が設けられている。移動鏡５０を介してそのプレートステージ６３の位置がプレートＰ側のレーザ干渉計によって計測されている。
【００２２】
制御装置６４は、マスクＭ側及びプレートＰ側のレーザ干渉計の計測値に基づいて、マスクステージ６２及びプレートステージ６３の駆動システムを制御し、マスクステージ６２（マスクＭ）及びプレートステージ６３（プレートＰ）の位置及び速度を制御する。
【００２３】
ここで、露光装置１０１は、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７のうちの−Ｘ方向側の第１列の部分照明光学系ＩＬ１、ＩＬ３、ＩＬ５、ＩＬ７が、走査方向と直交する非走査方向（Ｙ方向）に所定間隔をもって配置され、部分照明光学系ＩＬ１、ＩＬ３、ＩＬ５、ＩＬ７に対応して設けられている第１列の投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７も同様に、投影光学装置ＰＬ内で−Ｘ方向側に、かつ非走査方向に所定間隔をもって配置されている。また、第２列の部分照明光学系ＩＬ２、ＩＬ４、ＩＬ６は、第１列に対して＋Ｘ方向側に、かつ非走査方向に所定間隔をもって配置されており、部分照明光学系ＩＬ２、ＩＬ４、ＩＬ６に対応して設けられている第２列の投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６も、第１列に対して＋Ｘ方向に、かつ非走査方向に所定間隔をもって配置されている。
【００２４】
ここで、第１列の投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７は、それぞれマスクＭが配置される第１面上の非走査方向に平行な直線に沿った視野Ｖ１、Ｖ３、Ｖ５、Ｖ７を持ち、プレートＰが配置される第２面上の非走査方向に平行な直線に沿って所定間隔で配列された像野（投影領域）Ｉ１、Ｉ３、Ｉ５、Ｉ７に像をそれぞれ形成する。また、第２列の投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６は、それぞれマスクＭが配置される第１面上の非走査方向に平行な直線に沿った視野Ｖ２、Ｖ４、Ｖ６を持ち、プレートＰが配置される第２面上の非走査方向に平行な直線に沿って所定間隔で配列された像野（投影領域）Ｉ２、Ｉ４、Ｉ６（Ｉ２、Ｉ４は不図示）に像をそれぞれ形成する。
【００２５】
また、露光装置１０１は、プレートＰの位置合わせを行うためのオフアクシスのアライメント系５２と、マスクＭ及びプレートＰのフォーカス位置（Ｚ方向の位置）を合わせるためのオートフォーカス系５４とが、第１列及び第２列の投影光学系の間に配置されている。
【００２６】
次に、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７及び投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７の構成につき詳細に説明する。本例の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７は、それぞれマスクＭ上における視野（ここでは照明領域に等しい）内に位置するパターンの拡大像をプレートＰ上の像野内に形成する反射屈折型の投影光学系である。本例の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７の走査方向（Ｘ方向）における投影倍率は＋１を超える拡大倍率であ、且つ非走査方向（Ｙ方向）における投影倍率（拡大倍率）は−１を下回る拡大倍率となっている。言い換えると、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７は、それぞれマスクＭのパターンの走査方向に正立で、かつ非走査方向に倒立の拡大像をプレートＰ上に形成する。走査方向及び非走査方向の投影倍率の絶対値は、一例として２．５程度である。
【００２７】
部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７は、配置位置が異なるが基本的に同一の構成である。また、第１列の投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７は同一構成であり、第２列の投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６は、同一構成である。以下、図２を用いて、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７及び投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７のうち、代表的として、第１列及び第２列の２つの部分照明光学系ＩＬ１、ＩＬ２及び２つの投影光学系ＰＬ１、ＰＬ２の構成を説明する。
【００２８】
図２は、図１に示す露光装置１０１の２つの部分照明光学系及び２つの投影光学系の構成を示す図である。図２において、ライトガイドファイバ８の射出口８ｂ及び８ｃから射出した光束は、部分照明光学系ＩＬ１及びＩＬ２に入射して、コリメートレンズ９ｂ及び９ｃにより集光される。集光された光束は、オプティカルインテグレータであるフライアイレンズ１０ｂ及び１０ｃに入射し、フライアイレンズ１０ｂ及び１０ｃの後側焦点面に形成された多数の二次光源からの光束は、それぞれコンデンサーレンズ１１ｂ及び１１ｃによりマスクＭを照明領域内でほぼ均一に照明する。
【００２９】
投影光学系ＰＬ１は、マスクＭとプレートＰとの間の光路中に配置される凹面反射鏡ＣＣＭｂと、マスクＭと凹面反射鏡ＣＣＭｂとの間の光路中に配置されたＺ軸に平行な光軸ＡＸ１１を持つ第１レンズ群Ｇ１ｂと、第１レンズ群Ｇ１ｂと凹面反射鏡ＣＣＭｂとの間の光路中に配置される第２レンズ群Ｇ２ｂと、第２レンズ群Ｇ２ｂとプレートＰとの間の光路中に配置されて、第２レンズ群Ｇ２ｂから＋Ｚ方向に進行する光を−Ｘ方向に光軸ＡＸ１１を横切るように光軸ＡＸ１２に沿って偏向する第１偏向部材ＦＭ１ｂと、第１偏向部材ＦＭ１ｂとプレートＰとの間の光路中に配置され、第１偏向部材ＦＭ１ｂから−Ｘ方向に進行する光を−Ｚ方向に偏向する第２偏向部材ＦＭ２ｂと、第２偏向部材ＦＭ２ｂとプレートＰとの間の光路中に配置されて、第１レンズ群Ｇ１ｂの光軸ＡＸ１１と平行な光軸ＡＸ１３を有する第３レンズ群Ｇ３ｂとを備えている。第２レンズ群Ｇ２ｂ及び凹面反射鏡ＣＣＭｂの光軸は、第１レンズ群Ｇ１ｂの光軸ＡＸ１１と共通である。
【００３０】
なお、２つの偏向部材ＦＭ１ｂ及びＦＭ２ｂは、例えば投影光学系ＰＬ１の視野内の所定の点（例えば中心）から発した後、第２レンズ群Ｇ２ｂを経てほぼ＋Ｚ方向に進行する光をほぼ−Ｘ方向に移送した後にほぼ−Ｚ方向に沿って進行させて、像野上の共役点に導く第１光束移送部を構成している。
【００３１】
ここで、投影光学系ＰＬ１は、一例として、マスクＭと凹面反射鏡ＣＣＭｂとの距離よりもマスクＭとプレートＰとの距離のほうが大きくなるように、かつ、マスクＭ側の作動距離よりもプレートＰ側の作動距離が大きくなるように、凹面反射鏡ＣＣＭｂ、第１レンズ群Ｇ１ｂ、第２レンズ群Ｇ２ｂ、第３レンズ群Ｇ３ｂ、及び偏向部材ＦＭ１ｂ、ＦＭ２ｂが配置されている。
【００３２】
なお、凹面反射鏡ＣＣＭｂと第２レンズ群Ｇ２ｂとの間の光路中、即ち、凹面反射鏡ＣＣＭｂの反射面の近傍には、投影光学系ＰＬ１のプレートＰ側の開口数を決定するための開口絞りＡＳｂが備えられており、開口絞りＡＳｂは、マスクＭ側及びプレートＰ側が略テレセントリックとなるように位置決めされている。この開口絞りＡＳｂの位置は投影光学系ＰＬ１の瞳面とみなすことができる。
【００３３】
また、投影光学系ＰＬ１において、第１レンズ群Ｇ１ｂ及び第３レンズ群Ｇ３ｂは、ともに正の屈折力を持ち、第２レンズ群Ｇ２ｂは正又は負の屈折力を持つ。さらに、第３レンズ群Ｇ３ｂの焦点距離ｆ３は、第１レンズ群Ｇ１ｂの焦点距離ｆ１よりも長く設定されている。そして、第３レンズ群Ｇ３ｂを構成するレンズの光軸ＡＸ１３から外周までの距離（半径）は、第１レンズ群Ｇ１ｂを構成するレンズの光軸ＡＸ１１から外周までの距離（半径）よりも大きい。
【００３４】
また、投影光学系ＰＬ１は、凹面反射鏡ＣＣＭｂを用いた軸外れ光学系であり、有効な結像光束は、第１レンズ群Ｇ１ｂ及び第３レンズ群Ｇ３ｂの各レンズでは光軸ＡＸ１１及びＡＸ１３に対して−Ｘ方向側の半面内を通過する。そこで、本例では、より大型のレンズから構成される第３レンズ群Ｇ３ｂの各レンズに対して、結像光束が通過しない部分である光軸ＡＸ１３から＋Ｘ方向側の半分を切断している。そのため、図２及び以降で参照する図面では、ほぼ光軸から半分側を削除したレンズのみからなるレンズ群（Ｇ３ｂ、Ｇ３ｃ等）を、光軸に対して半分側（切断した側）が無いレンズ群で表している。この結果、第３レンズ群Ｇ３ｂを構成する全部のレンズは、光軸ＡＸ１３から＋Ｘ方向側の半分が無い、回転非対称な外形を有している。
【００３５】
また、投影光学系ＰＬ２は、投影光学系ＰＬ１と走査方向に対称に配置された構成（投影光学系ＰＬ１をＺ軸に平行な軸の周りに１８０°回転した構成）を有し、投影光学系ＰＬ１と同様にマスクＭ上における視野内の拡大像である一次像をプレートＰ上の像野内に形成する反射屈折型の投影光学系である。すなわち、投影光学系ＰＬ２は、投影光学系ＰＬ１と同様に、Ｚ軸に平行な光軸ＡＸ２１に沿って配置された第１レンズ群Ｇ１ｃ、第２レンズ群Ｇ２ｃ、及び凹面反射鏡ＣＣＭｃと、Ｚ軸に平行な光軸ＡＸ２３を持つ第３レンズ群Ｇ３ｃと、第２レンズ群Ｇ２ｃから＋Ｚ方向に向かう光束を光軸ＡＸ２２に沿って＋Ｘ方向に折り曲げる第１偏向部材ＦＭ１ｃと、その＋Ｘ方向に向かう光束を−Ｚ方向に折り曲げる第２偏向部材ＦＭ２ｃと、投影光学系ＰＬ２の瞳面に配置された開口絞りＡＳｃとを備えている。また、２つの偏向部材ＦＭ１ｃ、ＦＭ２ｃは、投影光学系ＰＬ２の視野内の所定の点（例えば中心）から発した後、第２レンズ群Ｇ２ｃを経てほぼ＋Ｚ方向に進行する光をほぼ＋Ｘ方向に移送した後に、ほぼ−Ｚ方向に沿って進行させて像野上の共役点に導く第２光束移送部を構成している。
【００３６】
さらに、投影光学系ＰＬ１の第３レンズ群Ｇ３ｂと同様に、投影光学系ＰＬ２の第３レンズ群Ｇ３ｃを構成する全部のレンズは、光軸ＡＸ２３から−Ｘ方向側の半分が無い、回転非対称な外形を有している。なお、光軸ＡＸ１１、ＡＸ１３及びＡＸ２１、ＡＸ２３はＺ軸にほぼ平行でもよく、光軸ＡＸ１２及びＡＸ２２はＸ軸にほぼ平行でもよい。
【００３７】
図３は、図１に示すマスクに形成されるパターンの一例を示す平面図である。図３に示すように、マスクＭは、非走査方向（Ｙ方向）に沿って配置された７列の列パターン部Ｍ１１〜Ｍ１７を備えている。ここで列パターン部Ｍ１１は、投影光学系ＰＬ１の視野Ｖ１に対して位置決めされ、列パターン部Ｍ１２は、投影光学系ＰＬ２の視野Ｖ２に対して位置決めされる。つまり、列パターン部Ｍ１１は、投影光学系ＰＬ１の視野Ｖ１に対する照明光が照射され、列パターン部Ｍ１２は、投影光学系ＰＬ２の視野Ｖ２に対する照明光が照射される。また、同様に、列パターン部Ｍ１３〜Ｍ１７は、投影光学系ＰＬ３〜ＰＬ７の視野Ｖ３〜視野Ｖ７に対してそれぞれ位置決めされる。マスクＭの列パターン部Ｍ１１〜Ｍ１７の形状については後述する。図１の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７の視野Ｖ１〜Ｖ７は、それぞれ対応する列パターン部Ｍ１１〜Ｍ１７のＹ方向の全域を覆う大きさの矩形である。部分照明光学系ＩＬ１、ＩＬ２は、例えば、照明視野絞り及びリレー光学系を配置することで、マスクＭ上の視野Ｖ１、Ｖ２の形状を矩形に規定することができる。
【００３８】
ここで、投影光学系ＰＬ１、ＰＬ２は、視野Ｖ１、Ｖ２内のパターンを、Ｘ方向に正立させＹ方向に倒立させた拡大像を像野Ｉ１、Ｉ２内に形成する。また、視野Ｖ１及び像野Ｉ１は、それぞれ光軸ＡＸ１１、ＡＸ１３から−Ｘ方向に外れており、視野Ｖ２及び像野Ｉ２は、それぞれ光軸ＡＸ２１、ＡＸ２３から＋Ｘ方向に外れている。従って、第３レンズ群Ｇ３ｂ及びＧ３ｃを構成するレンズの形状を凹面反射鏡ＣＣＭｂ、ＣＣＭｃ側の半分を切り落とした回転非対称にしても、像野Ｉ１、Ｉ２に向かう結像光束にケラレが生じない。
【００３９】
また、投影光学装置ＰＬは、第１列の視野Ｖ１、Ｖ３等の中心ＶＣ１等を結ぶＹ軸に平行な直線と、第２列の視野Ｖ２等の中心ＶＣ２等を結ぶＹ軸に平行な直線とのＸ方向（走査方向）の間隔をＬｍとする。同様に、第１列の像野Ｉ１、Ｉ３等の中心ＩＣ１等を結ぶＹ軸に平行な直線と、第２列の像野Ｉ２等の中心ＩＣ２等を結ぶＹ軸に平行な直線とのＸ方向の間隔をＬｐ（不図示）とする。間隔Ｌｍ及びＬｐは、式（１）の関係を満足する。
Ｌｐ＝Ｌｍ×｜β｜…（１）
【００４０】
露光装置１０１は、上記式（１）の関係が成立することで、第１列の投影光学系用の列パターン部Ｍ１１、Ｍ１３等と、第２列の投影光学系用の列パターン部Ｍ１２、Ｍ１４等とをＸ方向の同じ位置に形成して、マスクオフセットＭＯ（図３参照）を０としても、その投影像をプレートＰ上で正確に繋ぎ合わせて露光できる。つまり、図３の２点鎖線の位置２１Ａ〜２１Ｃで示すように、第１列の視野Ｖ１、Ｖ３等用の列パターン部Ｍ１１、Ｍ１３等と、第２列の視野Ｖ２、Ｖ４等用の列パターン部Ｍ１２、Ｍ１４等との間にＸ方向のマスクオフセットＭＯを０以外の大きさに設けなくても、隣接する列パターン部Ｍ１１〜Ｍ１７の投影像をプレートＰ上で正確に繋ぎ合わせて露光できる。
【００４１】
次に、図３に加え、図４から図６を用いて、マスクＭの列パターン部の形状と、プレートＰに形成されるパターンとの関係を説明する。図４は、図３に示すマスクの一部を拡大（誇張）して示す拡大平面図である。図５は、図１に示すプレートに形成されるパターンの一例を示す平面図である。図６は、図５に示すプレートの一部を拡大（誇張）して示す拡大平面図である。
【００４２】
マスクＭは、上述したように列パターン部Ｍ１１〜Ｍ１７がＸ方向に延在する細長い帯形状である。ここで、図４は、マスクＭのうち、列パターン部Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１３、Ｍ１４の一部が形成されている領域を示している。マスクＭにおいて、列パターン部Ｍ１１〜Ｍ１７は、転写用のパターンが形成されたパターン形成領域となっている。マスクＭにおいて、列パターン部Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１３、Ｍ１４の周囲の領域は、照明光を遮光するための遮蔽領域７０となっている。遮蔽領域７０は、転写用のパターンが形成されていない領域であり、照明光が実質的に透過しない膜、例えばクロム膜が形成されている。
【００４３】
図４に示すようにマスクＭは、列パターン部Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１３、Ｍ１４のＸ方向（第１方向）に沿った端部が、Ｙ方向に凹凸を有する形状である。なお、マスクＭにおいて、列パターン部Ｍ１１および列パターン部Ｍ１７のように、列パターン部Ｍ１１〜Ｍ１７の端に配置されている列パターン部は、Ｘ方向（第１方向）に沿った端部の一方が直線形状となっている。
【００４４】
列パターン部Ｍ１１は、一方の端部７１ａの遮蔽領域７０との境界（つまりパターン形成領域と遮蔽領域との境界）が、三角波形状、つまり第２方向に突出した三角形を連続して配置させた形状となっており、他方の端部７１ｂの遮蔽領域７０との境界が直線となっている。列パターン部Ｍ１２は、一方の端部７２ａの遮蔽領域７０との境界が、正弦波形状となっており、他方の端部７２ｂの遮蔽領域７０との境界が三角波形状となっている。列パターン部Ｍ１３は、一方の端部７３ａの遮蔽領域７０との境界が、方形波形状となっており、他方の端部７３ｂの遮蔽領域７０との境界が正弦波形状となっている。列パターン部Ｍ１４は、一方の端部７４ａの遮蔽領域７０との境界が、三角波形状となっており、他方の端部７４ｂの遮蔽領域７０との境界が方形波形状となっている。
【００４５】
ここで、マスクＭは、列パターン部Ｍ１１の一方の端部７１ａと、列パターン部Ｍ１２の一方の端部７２ｂとが、パターン形成領域と遮蔽領域とを反転させた形状となる。マスクＭは、列パターン部Ｍ１１の一方の端部７１ａと列パターン部Ｍ１２の一方の端部７２ｂとを、所定の位置で重ねると列パターン部Ｍ１１の一方の端部７１ａのパターン形成領域と列パターン部Ｍ１２の一方の端部７２ｂの遮蔽領域とが重なり、列パターン部Ｍ１１の一方の端部７１ａの遮蔽領域と列パターン部Ｍ１２の一方の端部７２ｂのパターン形成領域とが重なる。露光装置１０１は、マスクＭの列パターン部の形状がＹ方向に倒立してプレートＰに結像されるため、列パターン部Ｍ１１の一方の端部７１ａと、列パターン部Ｍ１２の一方の端部７２ｂとは、互いに離れている側の端部の形状がパターン形成領域と遮蔽領域とを反転させた形状となる。つまり、マスクＭは、プレートＰへの結像時に隣接する側の端部がパターン形成領域と遮蔽領域とを反転させた形状となる。
【００４６】
マスクＭは、列パターン部Ｍ１２の一方の端部７２ａと、列パターン部Ｍ１３の一方の端部７３ｂとの関係、列パターン部Ｍ１３の一方の端部７３ａと、列パターン部Ｍ１４の一方の端部７４ｂとの関係も、列パターン部Ｍ１１の一方の端部７１ａと、列パターン部Ｍ１２の一方の端部７２ｂとの関係と同様となる。
【００４７】
露光装置１０１は、マスクＭを用いてプレートＰに露光を行うと、視野Ｖ１で照明光が照射され、列パターン部Ｍ１１を通過し、像野Ｉ１としてプレートＰに結像される。このとき、列パターン部Ｍ１１のパターンは、投影倍率で拡大して結像される。また、露光装置１０１は、マスクＭ及びプレートＰを、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７及び投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７に対してＸ方向に移動させつつ、露光を行う。これにより、図５に示すように、プレートＰには、マスクＭの列パターン部Ｍ１１〜Ｍ１７に対応するパターンが、パターン転写領域ＰＡ１〜ＰＡ７に形成される。
【００４８】
パターン転写領域ＰＡ１は、列パターン部Ｍ１１のパターンが転写された領域であり、境界８１ａと境界８１ｂで挟まれた領域である。ここで、境界８１ａと境界８１ｂは、それぞれ、列パターン部Ｍ１１でパターンが転写された領域のＹ方向の最も外側の領域を通過するＸ方向に平行な直線である。同様に、パターン転写領域ＰＡ２〜ＰＡ７は、それぞれ列パターン部Ｍ１２〜Ｍ１７のパターンが転写された領域である。パターン転写領域ＰＡ２〜ＰＡ７は、それぞれ境界８２ａ〜８７ａと境界８２ｂ〜８７ｂで挟まれた領域である。
【００４９】
ここで、パターン転写領域ＰＡ１の境界８１ａは、パターン転写領域ＰＡ２の境界８２ｂと隣接しており、パターン転写領域ＰＡ２の境界８２ｂよりも、境界８２ａ側となる。つまり、パターン転写領域ＰＡ１とパターン転写領域ＰＡ２とは、境界８１ａと境界８２ｂとで比較すると一部がオーバーラップしている形状となる。他のパターン転写領域も同様の関係となる。このように、露光装置１０１は、マスクＭを用いて露光を行うことで、パターン転写領域とパターン転写領域とが隣接する部分が、Ｙ方向において２つのパターン転写領域が形成される領域となる。
【００５０】
図６は、プレートＰのうち、パターン転写領域ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４の一部が形成されている領域を示している。上述したように、マスクＭは、隣接する列パターン部の端部、具体的にプレートＰへの結像時に隣接する側の端部が、パターン形成領域と遮蔽領域とが反転した形状となっている。これにより、図６に示すように、プレートＰの２つのパターン転写領域が形成されている領域、つまり、境界８１ａと境界８２ｂとの間、境界８２ａと境界８３ｂとの間、境界８３ａと境界８４ｂとの間の領域において、一方のパターン転写領域が形成されている領域は、他方のパターン転写領域が形成されていない。
【００５１】
２つのパターン転写領域が形成されている領域は、Ｘ方向の位置によってパターンを形成するパターン転写領域が変化する。具体的には、境界８１ａと境界８２ｂとの間の領域は、パターン境界８５を境界として、パターン転写領域ＰＡ１が形成されている領域と、パターン転写領域ＰＡ２が形成されている領域とが混在している。パターン境界８５は、列パターン部Ｍ１１の端部７１ａと列パターン部Ｍ１２の端部７２ｂの形状に対応した三角波形状である。なお、パターン境界８５は、列パターン部Ｍ１１の端部７１ａと列パターン部Ｍ１２の端部７２ｂの形状を投影倍率分拡大した形状となる。
【００５２】
同様に、境界８２ａと境界８３ｂとの間の領域は、パターン境界８６を境界として、パターン転写領域ＰＡ２が形成されている領域と、パターン転写領域ＰＡ３が形成されている領域とが混在している。パターン境界８６は、列パターン部Ｍ１２の端部７２ａ及び列パターン部Ｍ１３の端部７３ｂの形状に対応した正弦波形状である。
【００５３】
同様に、境界８３ａと境界８４ｂとの間の領域は、パターン境界８７を境界として、パターン転写領域ＰＡ３が形成されている領域と、パターン転写領域ＰＡ４が形成されている領域とが混在している。パターン境界８７は、列パターン部Ｍ１３の端部７３ａ及び列パターン部Ｍ１４の端部７４ｂの形状に対応した方形波形状である。
【００５４】
露光装置１０１は、図３及び図４に示すマスクＭを用いてプレートＰにパターンを露光することで、図５及び図６に示すパターン転写領域ＰＡ１〜ＰＡ７にパターンを形成することができる。また、マスクＭの列パターン部の、プレートＰへの結像時に隣接する側の端部の形状を、Ｙ方向に凹凸がある形状とし、パターン形成領域と遮蔽領域とが反転した形状とすることで、２つのパターン転写領域が形成されている領域において、２つのパターン転写領域のＹ方向の境界の位置がＸ方向の位置によって変化する形状とすることができる。これにより、露光装置１０１は、プレートＰに形成したパターンに帯むらが生じることを抑制することができ、より好適なパターンをプレートＰに形成することができる。つまり、露光装置１０１は、継ぎ領域における特性差を知覚され難くすることができる。ここで、帯むらとは、２つのパターン転写領域が継ぎ合わされる境界部近傍の帯状の領域（Ｘ方向に延在する領域）において、他の領域に比して転写の結果（転写特性）が異なった状態となることを意味している。
【００５５】
すなわち、露光装置１０１は、２つのパターン転写領域が継ぎ合わされる領域において２つのパターン転写領域が重ならないようにプレートＰにパターンが形成されているため、継ぎ領域において２つのパターン転写領域を重ねてパターンを形成する従来技術に比して、各パターン転写領域を形成するための露光量（ＤＯＳＥ）等の設定差を緩和することができ、露光の制御を容易にすることができる。
【００５６】
ここで、第１実施形態の露光装置１０１は、視野Ｖ１、Ｖ２内のパターンが、Ｘ方向に正立となり、Ｙ方向に倒立となり、さらに拡大された像として、像野Ｉ１、Ｉ２内に形成される構成としたが、これに限定されない。露光装置１０１は、視野Ｖ１、Ｖ２内のパターンが、Ｙ方向に正立となる像として像野Ｉ１、Ｉ２内に形成される構成としてもよい。露光装置１０１は、例えば、投影光学装置ＰＬにリレー光学系を１組追加することで像を反転させ、倒立から正立にすることができる。
【００５７】
図７は、他の例のマスクの一部を拡大して示す拡大平面図である。露光装置１０１は、視野Ｖ１、Ｖ２内のパターンが、Ｙ方向に正立となる像として像野Ｉ１、Ｉ２内に形成される構成の場合、図７に示すようにマスクＭ１の列パターン部Ｍ２０、２１、２２、２３が、図４の列パターン部Ｍ１１、１２、１３、１４を、Ｘ方向を回転軸として反転させた形状となる。マスクＭ１は、列パターン部の隣接する列パターン部に近接している端部が、隣接する列パターン部の近接している端部のパターン形成領域と遮蔽領域とを反転させた形状となる。つまり、マスクＭ１は、隣接する列パターン部をそのまま近接させ組み合わせることは、一方のパターン形成領域と他方の遮蔽領域とが重なる形状となっている。
【００５８】
以上のように、露光装置１０１は、マスクＭ、Ｍ１のパターンとプレートＰに形成されるパターンの像との相対関係に応じて、パターン形成領域と遮蔽領域とを反転させた形状とする端部を決定する。これにより、露光装置１０１及びマスクＭ、Ｍ１は、マスクＭ、Ｍ１のパターンとプレートＰに形成されるパターンの像との相対関係に関わらず、２つのパターン転写領域が形成されている領域も、２つのパターン転写領域が重ならない形状でプレートＰにパターンを形成することができる。
【００５９】
また、上記実施形態では、列パターン部の端部の形状を三角波、正弦波、方形波等としたが、これに限定されない。列パターン部の端部の形状は、規則性のない形状、つまり規則性がなくＹ方向に凹凸した凹凸形状としてもよい。また、列パターン部の端部の形状は、周囲が遮蔽領域に囲まれたパターン形成領域を備えている形状でもよい。
【００６０】
図８は、他の例のマスクの一部を拡大して示す拡大平面図である。図９は、図８に示すマスクでパターンが形成されたプレートの一部を拡大して示す拡大平面図である。図８に示すマスクＭ２は、列パターン部の端部の形状が、規則性のない形状であり、かつ、周囲が遮蔽領域に囲まれたパターン形成領域を備えている形状である。マスクＭ２は、列パターン部Ｍ１８と、列パターン部Ｍ１９と、を有する。マスクＭ２は、列パターン部Ｍ１８と列パターン部Ｍ１９がパターン形成領域９０で構成されている。また、マスクＭ２は、列パターン部Ｍ１８と列パターン部Ｍ１９の間に遮蔽領域９１が配置されている。なお、マスクＭ２は、列パターン部Ｍ１８と列パターン部Ｍ１９との図示している端部が、露光時に基板に形成される像が隣接する端部である。
【００６１】
列パターン部Ｍ１８は、図８に示すように、端部のパターン形成領域９０と遮蔽領域９１とのＸ方向に延在する境界が、不規則な凹凸形状となっている。また、列パターン部Ｍ１８は、端部のパターン形成領域９０と遮蔽領域９１とのＸ方向に延在する境界よりも遮蔽領域９１側にパターン形成領域９０ａ、９０ｂ、９０ｃが形成されている。パターン形成領域９０ａ、９０ｂ、９０ｃは他のパターン形成領域９０から独立しており、周囲を遮蔽領域９１に囲まれている。また、列パターン部Ｍ１８は、端部のパターン形成領域９０と遮蔽領域９１とのＸ方向に延在する境界よりもパターン形成領域９０側に遮蔽領域９１ｄが形成されている。
【００６２】
次に、列パターン部Ｍ１９は、図８に示すように、端部のパターン形成領域９０と遮蔽領域９１とのＸ方向に延在する境界が、不規則な凹凸形状となっている。また、列パターン部Ｍ１９は、端部のパターン形成領域９０と遮蔽領域９１とのＸ方向に延在する境界よりも遮蔽領域９１側にパターン形成領域９０ｄが形成されている。パターン形成領域９０ｄは他のパターン形成領域９０から独立しており、周囲を遮蔽領域９１に囲まれている。また、列パターン部Ｍ１９は、端部のパターン形成領域９０と遮蔽領域９１とのＸ方向に延在する境界よりもパターン形成領域９０側に遮蔽領域９１ａ、９１ｂ、９１ｃが形成されている。
【００６３】
マスクＭ２の、列パターン部Ｍ１９の端部のパターン形成領域９０、９０ｄと遮蔽領域９１、９１ａ、９１ｂ、９１ｃとは、列パターン部Ｍ１８の端部のパターン形成領域９０、９０ａ、９０ｂ、９０ｃと遮蔽領域９１、９１ｄとを反転させた形状である。つまり、列パターン部Ｍ１９の端部は、パターン形成領域９０と遮蔽領域９１とのＸ方向に延在する境界の形状が、列パターン部Ｍ１８の端部のパターン形成領域９０と遮蔽領域９１とのＸ方向に延在する境界の形状と同じ形状となる。また、列パターン部Ｍ１９の端部の当該Ｘ方向に延在する境界に対するパターン形成領域９０ｄと遮蔽領域９１ａ、９１ｂ、９１ｃの位置は、列パターン部Ｍ１８の端部の当該Ｘ方向に延在する境界に対する遮蔽領域９１ｄ、パターン形成領域９０ａ、９０ｂ、９０ｃの位置と一致する。
【００６４】
露光装置１０１は、図８に示すマスクＭ２を用いて露光を行うことで、図９に示すようにプレートＰにパターン転写領域９５、９５ａ、９５ｂ、９５ｃと、パターン転写領域９６、９６ａを形成することができる。なお、パターン転写領域９５、９５ａ、９５ｂ、９５ｃは、列パターン部Ｍ１８のパターン形成領域９０、９０ａ、９０ｂ、９０ｃのパターンが転写される領域である。パターン転写領域９６、９６ａは、列パターン部Ｍ１９のパターン形成領域９０、９０ｄのパターンが転写される領域である。
【００６５】
マスクは、列パターン部の端部の形状を、規則性のない形状とすることで、図８及び図９に示すように２つのパターン形成領域が重なる部分において、２つのパターン形成領域のＹ方向の境界の位置を、Ｘ方向の位置によって不規則に変化させることができる。これにより、２つのパターン形成領域で露光量等が異なり、パターンの形状が変化する場合でも、変化が不規則になるのでプレートＰに形成されるパターンに対する影響を小さくすることができる。
【００６６】
また、マスクは、列パターン部の端部の形状を、周囲が遮蔽領域に囲まれたパターン形成領域を備えていることで、２つのパターン形成領域が重なる部分において、２つのパターン形成領域をより混在させることができる。これにより、２つのパターン形成領域で露光量等が異なり、パターンの形状が変化する場合でも、変化が不規則になるのでプレートＰに形成されるパターンに対する影響を小さくすることができる。
【００６７】
〔第２実施形態〕
次に、図１０から図１３を用いて、第２実施形態について説明する。以下の説明において、第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。第２実施形態の露光装置２０１は、マスクＭ３の形状および投影光学装置ＰＬ´の構成を除いて、第１実施形態の露光装置１０１と同様の構成である。
【００６８】
図１０は、第２実施形態に係る露光装置の一例を示す斜視図である。図１１は、第２実施形態にかかる投影光学系の構成を示す図である。図１２は、図１０に示すマスクに形成されるパターンの一例を示す平面図である。図１３は、図１２に示すマスクの一部を拡大して示す拡大平面図である。
【００６９】
図１０に示す露光装置２０１は、露光光源６１と、照明装置ＩＵと、マスクＭ３を支持するマスクステージ６２と、投影光学系ＰＬ１１〜ＰＬ１７を含む投影光学装置ＰＬ´と、プレートステージ６３と、制御装置６４と、を備えている。露光光源６１と、照明装置ＩＵと、マスクステージ６２と、プレートステージ６３と、制御装置６４と、は、露光装置１０１と同等の構成である。また、移動鏡５０、アライメント系５２、オートフォーカス系５４も、露光装置１０１と同様である。
【００７０】
マスクＭ３の照明領域、即ち部分照明光学系ＩＬ１に対応する照明領域からの光は、各照明領域に対応するように配列されマスクＭ３のパターンの一部の像をプレートＰ上にそれぞれ投影する７つの投影光学系（以下、投影光学系ＰＬ１１，ＰＬ１２，ＰＬ１３，ＰＬ１４，ＰＬ１５，ＰＬ１６，ＰＬ１７という。）のうち、投影光学系ＰＬ１１に入射する。投影光学系ＰＬ１１を透過した光は、プレートＰ上にマスクＭ３のパターン像を結像する。なお、部分照明光学系ＩＬ２〜ＩＬ７に対応する照明領域からの光は、各照明領域に対応するように配置され、マスクＭ３のパターンの一部の像をプレートＰ上に投影する投影光学系ＰＬ１２〜ＰＬ１７に入射する。それぞれの投影光学系ＰＬ１２〜ＰＬ１７を透過した光は、プレートＰ上にマスクＭ３のパターン像をそれぞれ結像する。
【００７１】
部分照明光学系ＩＬ１、ＩＬ３、ＩＬ５、ＩＬ７は、第１実施形態と同様に、走査方向と直交する方向に所定間隔をもって第１列として走査方向の後方側に配置されており、部分照明光学系ＩＬ１、ＩＬ３、ＩＬ５、ＩＬ７に対応して設けられている投影光学系ＰＬ１１、ＰＬ１３、ＰＬ１５、ＰＬ１７も同様に走査方向と直交する方向に所定間隔をもって第１列として走査方向の後方側に配置されている。また、部分照明光学系ＩＬ２、ＩＬ４、ＩＬ６は、走査方向と直交する方向に所定間隔をもって第２列として走査方向の前方側に配置されており、部分照明光学系ＩＬ２、ＩＬ４、ＩＬ６に対応して設けられている投影光学系ＰＬ１２、ＰＬ１４、ＰＬ１６も同様に走査方向と直交する方向に所定間隔をもって第２列として走査方向の前方側に配置されている。
【００７２】
図１１は、投影光学系として、投影光学系ＰＬ１１の構成を示す。なお、投影光学系ＰＬ１２〜ＰＬ１７は、投影光学系ＰＬ１１と同一の構成を有する。投影光学系ＰＬ１１は、マスクＭ３上における視野内の拡大像をプレートＰ上の像野内に形成する投影光学系である。即ち、マスクＭ３の中間像を形成するほぼ等倍の投影倍率を有する第１結像光学系ＰＬ２１と、中間像とプレートＰとを光学的に共役にする拡大の投影倍率を有する第２結像光学系ＰＬ２２とを備える。
【００７３】
第１結像光学系ＰＬ２１は、マスクＭ３と中間像との間の光路中に配置される凹面反射鏡ＣＣＭ１１と、マスクＭ３と凹面反射鏡ＣＣＭ１１との間の光路中に配置される光学特性調整機構ＡＤと、光学特性調整機構ＡＤと凹面反射鏡ＣＣＭ１１との間の光路中に光学特性調整機構ＡＤから−Ｚ軸方向に進行する光を−Ｘ方向に反射するようにマスクＭ３面に対して４５°の角度で斜設され光路を偏向する第１光路偏向面ＦＭ１１と、第１光路偏向面ＦＭ１１と凹面反射鏡ＣＣＭ１１との間の光路中に配置される少なくとも１枚のレンズを有する第１主レンズ群ＭＬ１１と、第１主レンズ群ＭＬ１１と中間像との間の光路中に第１主レンズ群ＭＬ１１からＸ方向に進行する光を−Ｚ軸方向に反射するようにマスクＭ３面に対して４５°の角度で斜設され光路を偏向する第２光路偏向面ＦＭ１２とを備えている。なお、凹面反射鏡ＣＣＭ１１（瞳位置）の近傍には、開口絞りＡＳが設けられている。
【００７４】
ここで光学特性調整機構ＡＤは、平行平板Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を含み、第１主レンズ群ＭＬ１１は、両凸レンズＬ５、凹面反射鏡ＣＣＭ１１側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ６、両凸レンズＬ７、両凹レンズＬ８、凹面反射鏡ＣＣＭ１１側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ９を有する。
【００７５】
第２結像光学系ＰＬ２２は、中間像とプレートＰとの間の光路中に配置される凹面反射鏡ＣＣＭ１２と、中間像と凹面反射鏡ＣＣＭ１２との間の光路中に配置される拡大に寄与する第１レンズ群Ｇ１１と、第１レンズ群Ｇ１１と凹面反射鏡ＣＣＭ１２との間の光路中に第１レンズ群Ｇ１１から−Ｚ軸方向に進行する光を−Ｘ方向に反射するようにマスクＭ３面に対して４５°の角度で斜設され光路を偏向する第３光路偏向面ＦＭ１３と、第３光路偏向面ＦＭ１３と凹面反射鏡ＣＣＭ１２との間の光路中に配置される第２主レンズ群ＭＬ１２と、第２主レンズ群ＭＬ１２とプレートＰとの間の光路中に第２主レンズ群ＭＬ１２からＸ方向に進行する光を−Ｚ軸方向に反射するようにマスクＭ３面に対して４５°の角度で斜設され光路を偏向する第４光路偏向面ＦＭ１４と、第４光路偏向面ＦＭ１４とプレートＰとの間の光路中に配置される拡大に寄与する第２レンズ群Ｇ１２とを備えている。
【００７６】
ここで、第２結像光学系ＰＬ２２の第１レンズ群Ｇ１１は、第３光路偏向面ＦＭ１３側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ１０、第３光路偏向面ＦＭ１３側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ１１及び第３光路偏向面ＦＭ１３側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ１２を有する。また、第２主レンズ群ＭＬ１２は、両凸レンズＬ１３、第３光路偏向面ＦＭ１３側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ１４及び第３光路偏向面ＦＭ１３側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ１５を有する。また、第２レンズ群Ｇ１２は、第４光路偏向面ＦＭ１４側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ１６、第４光路偏向面ＦＭ１４側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ１７及び両凸レンズＬ１８を有する。
【００７７】
第１例の投影光学系と第２列の投影光学系との関係について、投影光学系ＰＬ１１及び投影光学系ＰＬ１２を用いて説明する。投影光学装置ＰＬ´は、投影光学系ＰＬ１１及び投影光学系ＰＬ１２の視野の中心同士の走査方向（Ｘ方向）における間隔をＤｍとし、投影光学系ＰＬ１１及び投影光学系ＰＬ１２による像野の中心同士の走査方向（Ｘ方向）における間隔をＤｐとし、投影光学系ＰＬ１１及び投影光学系ＰＬ１２のそれぞれの投影倍率をβとするとき、Ｄｐ＜Ｄｍ×｜β｜（但し、｜β｜＞１）を満たしている。なお、Ｄｐ、Ｄｍの基準は、上記実施形態と同じである。
【００７８】
以上のように、露光装置２０１は、走査方向の後方側（−Ｘ方向）に４つの投影光学系（以下、後方側投影光学系という。）を非走査方向に沿って所定間隔で配置し、走査方向の前方側（Ｘ方向）に３つの投影光学系（以下、前方側投影光学系という。）を非走査方向に沿って所定間隔で配置し、正立正像を形成する投影光学装置である。
【００７９】
次に、図１２を用いて、露光装置２０１で用いるマスクＭ３について説明する。図１２に示すようにマスクＭ３は、非走査方向（Ｙ方向）に沿って配置された第１列パターン部Ｍ３１、Ｍ３３、Ｍ３５、Ｍ３７及び第２列パターン部Ｍ３２、Ｍ３４、Ｍ３６を備えている。ここで、第１列パターン部Ｍ３１、Ｍ３３、Ｍ３５、Ｍ３７の全体領域と第２列パターン部Ｍ３２、Ｍ３４、Ｍ３６の全体領域とは、走査方向（Ｘ方向）において所定量（マスクオフセットＭＯ）だけずれて配置されている。つまり、マスクＭ３は、複数の列パターン部が、全体領域のＸ方向における配置によって、２つのグループに分けられる。
【００８０】
ここで第１列パターン部Ｍ３１、Ｍ３３、Ｍ３５、Ｍ３７には、投影光学装置ＰＬ´の後方側投影光学系の視野Ｖ１、Ｖ３、Ｖ５、Ｖ７が位置決めされ、第２列パターン部Ｍ３２、Ｍ３４、Ｍ３６には、投影光学装置ＰＬ´の前方側投影光学系の視野Ｖ２、Ｖ４、Ｖ６が位置決めされる。このマスクＭ３においては、後方側投影光学系（投影光学系ＰＬ１１等）と前方側投影光学系（投影光学系ＰＬ１２等）の視野の中心同士の走査方向における間隔をＤｍとし、後方側投影光学系及び前方側投影光学系による像野の中心同士の走査方向における間隔をＤｐとし、後方側投影光学系及び前方側投影光学系のそれぞれの投影倍率をβとするとき、マスクオフセットＭＯは、ＭＯ＝（Ｄｍ×｜β｜−Ｄｐ）÷｜β｜となる。
【００８１】
また、マスクＭ３の第１列パターン部Ｍ３１、Ｍ３３、Ｍ３５、Ｍ３７及び第２列パターン部Ｍ３２、Ｍ３４、Ｍ３６は、全体領域のＸ方向の位置がずれた位置となるが、Ｘ方向に沿って延在する端部の形状は、マスクＭと同様にパターンが形成されているパターン形成領域とパターンが形成されていない遮蔽領域とが、隣接する列パターン部の端部の、パターン形成領域と遮蔽領域とを反転させた配置となる。
【００８２】
図１３は、マスクＭ３のうち、第１列パターン部Ｍ３１、Ｍ３３の一部および第２列パターン部Ｍ３２、Ｍ３４の一部を示している。第１列パターン部Ｍ３１、Ｍ３３と第２列パターン部Ｍ３２、Ｍ３４とは、Ｘ方向の相対位置がずれたのみで形状は、図７に示す列パターン部Ｍ２０、Ｍ２２、列パターン部Ｍ２１、Ｍ２３と同様である。マスクＭ３は、第１列パターン部Ｍ３１、Ｍ３３と第２列パターン部Ｍ３２、Ｍ３４との相対位置をマスクオフセットＭＯが０となる位置に移動させ、隣接している端部を重ねると一方のパターン形成領域と他方の遮蔽領域とが重なる。
【００８３】
露光装置２０１は、マスクＭ３のパターンをプレートＰ上に転写露光する場合には、後方側投影光学系を用いてマスクＭ３上の第１列パターン部Ｍ３１、Ｍ３３、Ｍ３５、Ｍ３７をプレートＰ上のパターン転写領域に拡大して転写露光し、前方側投影光学系を用いてマスクＭ３上の第２列パターン部Ｍ３２、Ｍ３４、Ｍ３６をプレートＰ上のパターン転写領域に拡大して転写露光する。
【００８４】
第２実施形態の露光装置２０１の投影光学装置ＰＬ´は、拡大の投影倍率を有するが、後方側投影光学系と前方側投影光学系の像野の中心同士の走査方向（Ｘ方向）における間隔を、後方側投影光学系と前方側投影光学系の視野の中心同士の走査方向（Ｘ方向）における間隔に拡大の投影倍率を乗じた距離よりも小さくしている。しかしながら、後方側投影光学系の視野が位置決めされる第１列パターン部Ｍ３１、Ｍ３３、Ｍ３５、Ｍ３７の走査方向における位置と、投影光学装置ＰＬ´の前方側投影光学系の視野が位置決めされる第２列パターン部Ｍ３２、Ｍ３４、Ｍ３６の走査方向における位置とを拡大の投影倍率に応じた距離だけ走査方向にずらして配置することにより、プレートＰ上においては、第１パターン転写領域と第２パターン転写領域の走査方向の端部の位置が一致するように転写露光される。
【００８５】
つまり、露光装置２０１は、投影光学装置ＰＬ´がＤｐ＜Ｄｍ×｜β｜となる場合でも、ＤｐとＤｍとの関係に対応するマスクオフセットＭＯで列パターン部のＸ方向における位置をずらすことで、露光装置１０１と同様のパターンをプレートＰに形成することができる。つまり、プレートＰに、Ｙ方向において２つのパターン転写領域が重なる領域を有し、かつ、２つのパターン転写領域が重なる領域において一方のパターン転写領域が形成された領域に他方のパターン転写領域が形成されず、かつ、境界の位置がＹ方向の位置に応じて変化するパターンを形成することができる。
【００８６】
従って、この露光装置２０１によれば、大型のプレートに対してマスクのパターンを転写する場合においても第１列パターン部と第２列パターン部とをずらして配置した距離だけマスクの走査方向の長さを長くするだけで、それ以上のマスクの大型化を避けることができる。また、投影光学系が拡大倍率を有するにもかかわらず、後方側投影光学系及び前方側投影光学系の視野の中心同士の走査方向における間隔に対して、後方側投影光学系及び前方側投影光学系による像野の中心同士の走査方向における間隔を広げる必要がないため、投影光学系の設計自由度が大きくなり、製造コストを低下させることができる。
【００８７】
（他の実施形態）
図１４は、照明領域とマスクに形成されるパターンとの関係の一例を示す平面図である。図１５は、図１４に示す関係でパターンが形成されたプレートの一部を拡大して示す拡大平面図である。上記実施形態では、各列パターン部に対応する領域に照明光学系および投影光学系を配置した構成とし、１回の走査でマスクの全ての列パターン部のパターンを露光したがこれに限定されない。露光装置は、１回目の走査でマスクＭの一部の列パターン部のパターンを露光し、２回目の走査でマスクＭの残りの列パターン部のパターンを露光するようにしてもよい。つまり、複数回の走査でマスクの全ての列パターン部のパターンをプレートＰに露光するようにしてもよい。
【００８８】
図１４は、露光装置が、マスクＭの７つの列パターン部Ｍ１１〜Ｍ１７のうち、視野Ｖ１に列パターン部Ｍ１１が位置決めされ、視野Ｖ３に列パターン部Ｍ１３が位置決めされ、視野Ｖ５に列パターン部Ｍ１５が位置決めされ、視野Ｖ７に列パターン部Ｍ１７が位置決めされている例である。露光装置は、図１４に示す関係で一部の列パターン部の露光を行うと、図１５に示すように、プレートＰに視野が位置決めされた列パターン部のパターンのみが転写される。図１５に示すプレートＰは、列パターン部Ｍ１３に対応するパターン転写領域ＰＡ１と列パターン部Ｍ１３に対応するパターン転写領域ＰＡ１にパターンが転写され、パターン転写領域ＰＡ１とパターン転写領域ＰＡ３との間にはパターンが転写されていない。露光装置は、図１４及び図１５に示すように列パターン部Ｍ１１、Ｍ１３、Ｍ１５、Ｍ１７のパターンをプレートＰに転写したら、照射光学系および露光光学系とマスクＭ及びプレートＰとの相対位置をＹ方向に移動させ、視野Ｖ１に列パターン部Ｍ１２を位置決めし、視野Ｖ３に列パターン部Ｍ１４を位置決めし、視野Ｖ５に列パターン部Ｍ１６を位置決めし、残りの列パターン部のパターンをプレートＰに転写する。
【００８９】
このように、走査を複数回行って、列パターン部のパターンをプレートＰに転写する場合もマスクの列パターン部の端部の形状を上述した形状とすることで、上記効果を得ることができる。
【００９０】
図１６は、照明領域とマスクに形成されるパターンとの関係の一例を示す平面図である。図１７は、図１６に示すマスクの一部を拡大して示す拡大平面図である。上記実施形態の露光装置は、視野の形状を矩形としたが、視野の形状はマスクの列パターン部の形状に応じて変更可能とすることが好ましい。例えば、露光装置は、マスクとして、上述した形状ではなく、Ｙ方向において２つのパターン転写領域が形成される領域で、２つのパターン転写領域が重なるように列パターン部が形成されるマスクを用いることができるようにしてもよい。なお、図１６、図１７は、マスクのパターンをＹ方向に倒立で結像する投影光学装置を備えている場合とする。
【００９１】
図１６及び図１７に示すマスクＭ４は、列パターン部Ｍ４１〜Ｍ４７が形成されている。列パターン部Ｍ４１〜Ｍ４７は、図１７に列パターン部Ｍ４１〜Ｍ４４に代表して示すように、Ｘ方向に沿って延在する端部が直線形状である。また、列パターン部Ｍ４１〜Ｍ４７は、端部近傍の一部の領域に、隣接する列パターン部の対応する端部近傍と同じパターンで形成されている。
【００９２】
図１６に示すマスクＭ４のパターンをプレートＰに転写する場合、列パターン部Ｍ４１〜Ｍ４７のそれぞれに位置決めされる視野Ｖ１１〜１７は、台形形状である。なお、視野Ｖ１２〜１６は、等方台形となり、Ｙ方向の端の列パターン部Ｍ４１、Ｍ４７に対応付けられた視野Ｖ１１、Ｖ１７は、転写するパターンの端に対応する領域である左右の端部がＸ方向の高さが一定となる形状となる。視野Ｖ１１〜Ｖ１７の端部のＸ方向の高さが異なる領域は、位置決めされている列パターン部Ｍ４１〜Ｍ４７のうち、隣接する列パターン部の対応する端部近傍と同じパターンで形成されている領域である。この同一のパターンが形成されている領域の像は、プレートＰ上に重ねて転写される。つまり同じ位置に転写される。なお、露光装置による露光方法は、上記実施形態と同様である。
【００９３】
図１６及び図１７に示す例は、視野Ｖ１１〜Ｖ１７を台形状とすることで、継ぎ誤差を低減することができる。そのため、列パターン部Ｍ４１〜Ｍ４７の両端部には交互に同じパターンが形成されている。ただし、Ｙ方向の両端部の視野Ｖ１１、Ｖ１７の内側のエッジ部の像は重ねては露光されない部分であるため（非走査方向には倒立像となるため）、Ｘ軸に平行な直線状となっている。なお、本実施形態では、視野を台形状としたが、円弧状、又は端部が三角形状等でもよい。
【００９４】
露光装置は、図１６及び図１７に示すように、特開２００９−１５１２９８号公報に示す露光装置のように、パターンの一部を重ねて露光するマスクでもパターンを露光できるようにすることで、用途や目的に応じて、最適なマスクを用いて露光することができる。なお、露光装置は、例えば照明光学系に視野絞りを設け、視野絞りの形状を調整することで、視野を矩形から台形、台形から矩形に切り替えることができる。
【００９５】
なお、上述のプレートＰとしては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）などを用いることができる。
【００９６】
露光装置１０１、２０１は、マスクＭとプレートＰとを同期移動してマスクＭのパターンを介した露光光でプレートＰを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）とすることで、露光光源を小型化できる。また、露光装置１０１、２０１は、スキャニングステッパとすることで、各列パターン部に必要な光を適切に照射できるため、照明光の利用効率が向上できる。なお、露光装置１０１、２０１としては、他に、マスクＭとプレートＰとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、プレートＰを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、露光装置１０１は、投影光学系を複数備え、複数の投影光学系でマスクのそれぞれの領域に露光光を照射する構成としたが、１つの投影光学系でマスクの全域に露光光を照射する構成としてもよい。いずれの方式の場合でも、マスクＭを複数のマスクパターン列に分割し、マスクのパターンを拡大してプレートに結像させる場合は、マスクパターン列の端部を上述した形状とすることで、好適なパターンをプレートに形成することができる。
【００９７】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書などに開示されているような、複数のプレートステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００９８】
また、本発明は、米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書などに開示されているような、基板を保持するプレートステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数のプレートステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。
【００９９】
露光装置１０１の種類としては、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置に限られず、プレートＰに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１００】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。
【０１０１】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０１０２】
上述の実施形態の露光装置１０１、２０１は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続などが含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度などが管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１０３】
なお、上述の実施形態及び変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【０１０４】
なお、上述の実施形態では、本発明を露光装置に適用するものとして説明したが、本発明は、露光装置に限定されず、例えばプレートＰに設けられた複数の被処理領域を顕微鏡などで順次観察して検査する検査装置などにも適用することができる。
【０１０５】
次に、図１８を用いて、デバイス製造方法を説明する。図１８は、デバイス製造方法の各ステップを示すフローチャートである。本実施形態に係るデバイス製造方法でデバイスを製造するにあたって、まず、デバイス（電子デバイス）の機能及び性能の設計が行われる（ステップＳ２０１）。次に、ステップＳ２０１における設計に基づいたマスクＭが製造される（ステップＳ２０２）。次に、レジストが塗布されたプレートＰに、ステップＳ２０２で製造されたマスクＭのマスクパターンが投影露光される工程、露光したプレートＰを現像する工程、現像されたプレートＰの加熱工程及びエッチング工程等を含む基板処理が行われる（ステップＳ２０３）。
【０１０６】
基板処理においてマスクパターンがプレートＰに投影露光される工程では、露光装置１が本実施形態に係る露光方法を実行することにより、マスクＭに形成されたパターン、すなわちマスクパターンと同形状のパターンがプレートＰに転写される。マスクパターンが転写されたプレートＰは、現像、加熱及びエッチングによって、転写されたパターンに基づいて加工される。基板処理が終了したら、ダイシング工程、ボンディング工程及びパッケージ工程等の加工プロセスを含むデバイスの組み立てが行われ（ステップＳ２０４）、その後の検査（ステップＳ２０５）を経てデバイスが完成する。
【符号の説明】
【０１０７】
２  楕円鏡
３  ダイクロイックミラー
４  コリメートレンズ
５  波長選択フィルタ
６  減光フィルタ
７  集光レンズ
８  ライトガイドファイバ
５２  アライメント系
５４  オートフォーカス系
６１  露光光源
６２  マスクステージ
６３  プレートステージ
６４  制御装置
７０  遮蔽領域
７１ａ、７１ｂ、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ  端部
１０１、２０１  露光装置
ＣＣＭｂ、ＣＣＭｃ  凹面反射鏡
ＦＭ１ｂ，ＦＭ１ｃ  第１偏向部材
ＦＭ２ｂ，ＦＭ２ｃ  第２偏向部材
Ｇ１ｂ、Ｇ１ｃ  第１レンズ群
Ｇ２ｂ、Ｇ２ｃ  第２レンズ群
Ｇ３ｂ、Ｇ３ｃ  第３レンズ群
Ｉ１〜Ｉ７  像野
ＩＬ１〜ＩＬ７  部分照明光学系
Ｍ  マスク
Ｐ  プレート
ＰＡ１〜ＰＡ７  転写領域
ＰＬ１〜ＰＬ７、ＰＬ１１〜ＰＬ１７  投影光学系
Ｖ１〜Ｖ７  視野
【図１】
2013195583.tif 000003
【図２】
2013195583.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2013195583.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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