(57)【要約】      （修正有）【課題】スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を一時的に載置するための載置部１２２に、上段載置室１２５および下段載置室１２６を設け、上段載置室１２５および下段載置室１２６に、載置ユニット１２７，１２８をそれぞれ設ける。上段載置室１２５および下段載置室１２６に、塗布処理室２１，２２，２３，２４にそれぞれ対応する複数のローカルアームＬＲ，ＬＢ、複数の熱処理ユニットＴＰに対応する複数のローカルアームＬＴＰ、複数の密着強化処理ユニットＡＨＰに対応する複数のローカルアームＬＡＨＰ、複数の冷却ユニットＣＰに対応する複数のローカルアームＬＣＰを設ける。載置ユニット１２７，１２８と、塗布処理室２１，２２，２３，２４、熱処理ユニットＴＰ、密着強化処理ユニットＡＨＰ、冷却ユニットＣＰとの間の搬送を、それぞれ異なるローカルアームを用いて行うことで搬送効率を高める。【選択図】図５
2013247197.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理部と、
前記処理部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、
前記処理部および前記搬入搬出部は、一方向に並ぶように配置され、
前記処理部は、
基板に処理液を用いた液処理を行うための液処理部と、
基板に熱処理を行うための熱処理部と、
基板を一時的に載置するための載置部と、
前記載置部と前記液処理部との間で基板を搬送するように構成される第１の搬送機構と、
前記載置部と前記熱処理部との間で基板を搬送するように構成される第２の搬送機構とを含み、
前記一方向に関して、前記液処理部は前記載置部の一方側に配置され、前記熱処理部は前記載置部の他方側に配置され、前記液処理部、前記載置部および前記熱処理部が並ぶように配置され、
前記搬入搬出部は、
基板を収納する収納容器が載置される容器載置部と、
前記容器載置部に載置される前記収納容器と前記処理部の前記載置部との間で基板を搬送するように構成される第３の搬送機構とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記載置部は、複数の基板を上下に載置可能に構成される、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記液処理部は、上下に配置された複数の液処理ユニットを含む、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１の搬送機構は、１または複数の第１の搬送ユニットを含み、
各第１の搬送ユニットは、前記複数の液処理ユニットのうち少なくとも１つに対応し、対応する液処理ユニットと前記載置部との間で基板を搬送するように構成される、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
少なくとも１つの前記第１の搬送ユニットは、上下に移動可能に構成される、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記熱処理部は、上下に配置された複数の熱処理ユニットを含む、請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第２の搬送機構は、１または複数の第２の搬送ユニットを含み、
各第２の搬送ユニットは、前記複数の熱処理ユニットのうち少なくとも１つに対応し、対応する熱処理ユニットと前記載置部との間で基板を搬送するように構成される、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
少なくとも１つの前記第２の搬送ユニットは、上下に移動可能に構成される、請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記載置部に載置された基板を上下に移動させるように構成された昇降機構をさらに備える、請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載される基板処理装置は、複数の処理ブロックを備える。各処理ブロックには、複数の熱処理部、複数の薬液処理部および搬送機構が設けられる。各処理ブロックにおいて、搬送機構が基板の搬送を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
スループットの向上のために、基板の搬送時間を短縮することが求められる。上記特許文献１の基板処理装置において、基板の搬送時間を短縮するためには、搬送機構の動作速度を高める必要がある。しかしながら、搬送機構の動作速度を高めるには限界がある。特に、基板の寸法が大きい場合には、搬送機構の負担が大きくなるので、搬送機構の動作速度を高めることがより困難となる。
【０００６】
本発明の目的は、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る基板処理装置は、処理部と、処理部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、処理部および搬入搬出部は、一方向に並ぶように配置され、処理部は、基板に処理液を用いた液処理を行うための液処理部と、基板に熱処理を行うための熱処理部と、基板を一時的に載置するための載置部と、載置部と液処理部との間で基板を搬送するように構成される第１の搬送機構と、載置部と熱処理部との間で基板を搬送するように構成される第２の搬送機構とを含み、一方向に関して、液処理部は載置部の一方側に配置され、熱処理部は載置部の他方側に配置され、液処理部、載置部および熱処理部が並ぶように配置され、搬入搬出部は、基板を収納する収納容器が載置される容器載置部と、容器載置部に載置される収納容器と処理部の載置部との間で基板を搬送するように構成される第３の搬送機構とを含むものである。
【０００８】
その基板処理装置においては、処理部および搬入搬出部が一方向に並ぶように配置される。搬入搬出部の容器載置部に基板を収納する収納容器が載置される。第３の搬送機構により収納容器から処理部の載置部に未処理の基板が搬送される。また、第３の搬送機構により処理部の載置部から搬入搬出部の収納容器に処理後の基板が搬送される。
【０００９】
第１の搬送機構により、載置部から上記一方向に関して載置部の一方側に配置された液処理部に基板が搬送される。液処理部において、基板に処理液を用いた液処理が行われる。液処理後の基板は、第１の搬送機構により液処理部から載置部に搬送される。また、第２の搬送機構により、載置部から上記一方向に関して載置部の他方側に配置された熱処理部に基板が搬送される。熱処理部において、基板に熱処理が行われる。熱処理後の基板は、第１の搬送機構により熱処理部から載置部に搬送される。
【００１０】
このように、処理部において、液処理部と熱処理部との間に載置部が配置され、載置部と液処理部との間における基板の搬送、および載置部と熱処理部との間における基板の搬送が異なる第１および第２の搬送機構によりそれぞれ行われる。それにより、液処理部および熱処理部への基板の搬送効率が高くなる。その結果、スループットを向上させることが可能となる。
【００１１】
（２）載置部は、複数の基板を上下に載置可能に構成されてもよい。この場合、載置部の占有面積を増加させることなく、複数の基板をより効率良く液処理部および熱処理部に搬送することができる。
【００１２】
（３）液処理部は、上下に配置された複数の液処理ユニットを含んでもよい。この場合、液処理部の占有面積を増加させることなく、複数の液処理ユニットにおいて、複数の基板に同時に液処理を行うことができる。それにより、スループットがさらに向上される。
【００１３】
（４）第１の搬送機構は、１または複数の第１の搬送ユニットを含み、各第１の搬送ユニットは、複数の液処理ユニットのうち少なくとも１つに対応し、対応する液処理ユニットと載置部との間で基板を搬送するように構成されてもよい。
【００１４】
この場合、複数の液処理ユニットと載置部との間で効率良く基板を搬送することができる。
【００１５】
（５）少なくとも１つの第１の搬送ユニットは、上下に移動可能に構成されてもよい。この場合、第１の搬送ユニットの数を削減しつつ複数の液処理ユニットと載置部との間で基板を搬送することができる。それにより、コストを削減することができる。
【００１６】
（６）熱処理部は、上下に配置された複数の熱処理ユニットを含んでもよい。この場合、熱処理部の占有面積を増加させることなく、複数の熱処理ユニットにおいて、複数の基板に同時に熱処理を行うことができる。それにより、スループットがさらに向上される。
【００１７】
（７）第２の搬送機構は、１または複数の第２の搬送ユニットを含み、各第２の搬送ユニットは、複数の熱処理ユニットのうち少なくとも１つに対応し、対応する熱処理ユニットと載置部との間で基板を搬送するように構成されてもよい。
【００１８】
この場合、複数の熱処理ユニットと載置部との間で効率良く基板を搬送することができる。
【００１９】
（８）少なくとも１つの第２の搬送ユニットは、上下に移動可能に構成されてもよい。この場合、第２の搬送ユニットの数を削減しつつ複数の熱処理ユニットと載置部との間で基板を搬送することができる。それにより、コストを削減することができる。
【００２０】
（９）基板処理装置は、載置部に載置された基板を上下に移動させるように構成された昇降機構をさらに備えてもよい。
【００２１】
この場合、載置部に載置された基板の高さを第１および第２の搬送機構により受け取り可能な高さに調整することができる。それにより、第１および第２の搬送機構の動作を簡略化することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、スループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【図２】塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部の概略側面図である。
【図３】熱処理部および洗浄乾燥処理部の概略側面図である。
【図４】載置部の概略側面図である。
【図５】塗布処理部、載置部および熱処理部の概略側面図である。
【図６】塗布現像処理部、載置部および熱処理部の概略側面図である。
【図７】載置部の概略平面図である。
【図８】載置部の概略側面図である。
【図９】塗布処理部、載置部および熱処理部の概略側面図である。
【図１０】塗布現像処理部、載置部および熱処理部の概略側面図である。
【図１１】載置部の概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板およびフォトマスク用基板等をいう。
【００２５】
（１）第１の実施の形態
（１−１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【００２６】
図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００２７】
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を備える。インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３およびインターフェイスブロック１４は、一方向（Ｘ方向）に並ぶように配置される。インターフェイスブロック１４に隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００２８】
インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。
【００２９】
搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持して搬送する。
【００３０】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、載置部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１、載置部１２２および熱処理部１２３は、Ｙ方向に並ぶように設けられる。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、載置部１２２を挟んで対向する。Ｙ方向において、塗布処理部１２１、載置部１２２および熱処理部１２３が互いにずれるように配置されてもよい。
【００３１】
第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、載置部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１、載置部１３２および熱処理部１３３は、Ｙ方向に並ぶように設けられる。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、載置部１３２を挟んで対向する。Ｙ方向において、塗布現像処理部１３１、載置部１３２および熱処理部１３３が互いにずれるように配置されてもよい。
【００３２】
載置部１２２と載置部１３２との間には、基板Ｗを保持して搬送するローカルアームＬ１および後述するローカルアームＬ２（後述の図４）が設けられる。
【００３３】
インターフェイスブロック１４は、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行うための搬送機構（図示せず）が設けられる。載置部１３２と搬送部１６３との間には、基板Ｗを保持して搬送するローカルアームＬ３および後述するローカルアームＬ４（後述の図４）が設けられる。
【００３４】
（１−２）塗布処理部および塗布現像処理部の構成
図２は、図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の概略側面図である。
【００３５】
図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４の各々には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。現像処理室３１，３３の各々には、現像処理ユニット１３９が設けられ、各塗布処理室３２，３４の各々には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。
【００３６】
各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。
【００３７】
塗布処理ユニット１２９においては、スピンチャック２５により保持された基板Ｗに図示しない処理液ノズルから処理液が吐出されることにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。それにより、基板Ｗ上に処理液の膜が形成される。
【００３８】
本実施の形態においては、塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。
【００３９】
現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。現像処理ユニット１３９においては、スピンチャック３５により保持された基板Ｗに図示しない現像液ノズルから現像液が供給される。それにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。
【００４０】
図２の例では、塗布処理ユニット１２９が２組のスピンチャック２５およびカップ２７を有し、現像処理ユニット１３９が３組のスピンチャック３５およびカップ３７を有するが、これらの個数は適宜変更されてもよい。
【００４１】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が階層的に設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理が行われる。
【００４２】
（１−３）熱処理部の構成
図３は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の概略側面図である。
【００４３】
図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２の各々には、複数の熱処理ユニットＴＰ、複数の密着強化処理ユニットＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが３列で設けられる。ここで、列は、上下方向における複数のユニットの並びを意味する。
【００４４】
熱処理ユニットＴＰにおいては、基板Ｗの熱処理が行われる。具体的には、加熱プレートＴＨ（後述の図５および図６）による基板Ｗの加熱処理および冷却プレートＴＣ（後述の図５および図６）による基板Ｗの冷却処理が連続的に行われる。密着強化処理ユニットＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００４５】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の各々には、複数の熱処理ユニットＴＰ、エッジ露光部ＥＥＷおよび冷却ユニットＣＰが４列で設けられる。
【００４６】
エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。これにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。
【００４７】
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理が行われる。
【００４８】
（１−４）載置部の構成
図４は、載置部１２２，１３２の概略側面図である。図５は、塗布処理部１２１、載置部１２２および熱処理部１２３の概略側面図である。図６は、塗布現像処理部１３１、載置部１３２および熱処理部１３３の概略側面図である。図７は、載置部１２２，１３２の概略平面図である。なお、図７（ａ）には後述の上段載置室１２５，１３５が示され、図７（ｂ）には後述の下段載置室１２６，１３６が示される。
【００４９】
図４に示すように、載置部１２２は、上段載置室１２５および下段載置室１２６を有する。載置部１３２は、上段載置室１３５および下段載置室１３６を有する。上段載置室１２５と上段載置室１３５との間にローカルアームＬ１が設けられ、下段載置室１２６と下段載置室１３６との間にローカルアームＬ２が設けられる。上段載置室１３５とインターフェイスブロック１４の搬送部１６３との間にローカルアームＬ３が設けられ、下段載置室１３６とインターフェイスブロック１４の搬送部１６３との間にローカルアームＬ４が設けられる。
【００５０】
上段載置室１２５には載置ユニット１２７が設けられ、下段搬送室１２６には載置ユニット１２８が設けられる。また、上段載置室１３５には載置ユニット１３７が設けられ、下段載置室１３６には載置ユニット１３８が設けられる。載置ユニット１２７，１２８，１３７，１３８の各々は、複数段の棚ＳＴおよび昇降装置ＬＩＤを備える。複数段の棚ＳＴの各々に基板Ｗが一時的に載置される。昇降装置ＬＩＤは、複数段の棚ＳＴをそれぞれ個別に昇降させる。
【００５１】
図５に示すように、塗布処理室２１，２２は、上段載置室１２５を挟んで上段熱処理部３０１と対向し、塗布処理室２３，２４は、下段載置室１２６を挟んで下段熱処理部３０２と対向する。
【００５２】
上段載置室１２５には、塗布処理室２１に対応するローカルアームＬＲおよび塗布処理室２２に対応するローカルアームＬＢが設けられ、下段載置室１２６には、塗布処理室２３に対応するローカルアームＬＲおよび塗布処理室２４に対応するローカルアームＬＢが設けられる。上段載置室１２５において、ローカルアームＬＲは塗布処理室２１に隣り合うように設けられ、ローカルアームＬＢは塗布処理室２２に隣り合うように設けられる。下段載置室１２６において、ローカルアームＬＲは塗布処理室２３に隣り合うように設けられ、ローカルアームＬＢは塗布処理室２４に隣り合うように設けられる。
【００５３】
上段載置室１２５のローカルアームＬＲは、載置ユニット１２７と塗布処理室２１との間で基板Ｗを搬送し、上段載置室１２５のローカルアームＬＢは、載置ユニット１２７と塗布処理室２２との間で基板Ｗを搬送する。下段載置室１２６のローカルアームＬＲは、載置ユニット１２８と塗布処理室２３との間で基板Ｗを搬送し、下段載置室１２６のローカルアームＬＢは、載置ユニット１２８と塗布処理室２４との間で基板Ｗを搬送する。
【００５４】
ローカルアームＬＲ，ＬＢの各々は、塗布処理ユニット１２９の複数のスピンチャック２５のうち任意のスピンチャック２５上に選択的に基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００５５】
また、上段載置室１２５および下段載置室１２６には、複数の熱処理ユニットＴＰにそれぞれ対応する複数のローカルアームＬＴＰ、複数の密着強化処理ユニットＡＨＰにそれぞれ対応する複数のローカルアームＬＡＨＰ、複数の冷却ユニットＣＰにそれぞれ対応する複数のローカルアームＬＣＰが設けられる。上段載置室１２５および下段載置室１２６において、各ローカルアームＬＴＰは対応する熱処理ユニットＴＰに隣り合うように設けられ、各ローカルアームＬＡＨＰは対応する密着強化処理ユニットＡＨＰに隣り合うように設けられ、各ローカルアームＬＣＰは対応する冷却ユニットＣＰに隣り合うように設けられる。
【００５６】
上段載置室１２５の各ローカルアームＬＴＰは、載置ユニット１２７と対応する熱処理ユニットＴＰとの間で基板Ｗを搬送し、上段載置室１２５の各ローカルアームＬＡＨＰは、載置ユニット１２７と対応する密着強化処理ユニットＡＨＰとの間で基板Ｗを搬送し、上段載置室１２５の各ローカルアームＬＣＰは、載置ユニット１２７と対応する冷却ユニットＣＰとの間で基板Ｗを搬送する。下段載置室１２６の各ローカルアームＬＴＰは、載置ユニット１２８と対応する熱処理ユニットＴＰとの間で基板Ｗを搬送し、下段載置室１２６の各ローカルアームＬＡＨＰは、載置ユニット１２８と対応する密着強化処理ユニットＡＨＰとの間で基板Ｗを搬送し、下段載置室１２６の各ローカルアームＬＣＰは、載置ユニット１２８と対応する冷却ユニットＣＰとの間で基板Ｗを搬送する。
【００５７】
また、各ローカルアームＬＴＰは、対応する熱処理ユニットＴＰの加熱プレートＴＨと冷却プレートＴＣとの間で基板Ｗを搬送する。本例では、各熱処理ユニットＴＰにおいて、加熱プレートＴＨおよび冷却プレートＴＣがＹ方向に並ぶように設けられるが、加熱プレートＴＨおよび冷却プレートＴＣが上下に重なるように配置されてもよい。
【００５８】
上段載置室１２５の各ローカルアームにより載置ユニット１２７から基板Ｗが受け取られる際には、受け取られるべき基板Ｗの高さがそのローカルアームにより受け取り可能な高さとなるように、載置ユニット１２７の昇降装置ＬＩＤ（図４）が棚ＳＴの高さを調整する。また、ローカルアームＬ１により載置ユニット１２７から基板Ｗが受け取られる際には、受け取られるべき基板Ｗの高さがローカルアームＬ１により受け取り可能な高さとなるように、載置ユニット１２７の昇降装置ＬＩＤ（図４）が棚ＳＴの高さを調整する。
【００５９】
下段載置室１２６の各ローカルアームにより載置ユニット１２８ら基板Ｗが受け取られる際には、受け取られるべき基板Ｗの高さがそのローカルアームにより受け取り可能な高さとなるように、載置ユニット１２８の昇降装置ＬＩＤ（図４）が棚ＳＴの高さを調整する。また、ローカルアームＬ２により載置ユニット１２８から基板Ｗが受け取られる際には、受け取られるべき基板Ｗの高さがローカルアームＬ２により受け取り可能な高さとなるように、載置ユニット１２８の昇降装置ＬＩＤ（図４）が棚ＳＴの高さを調整する。
【００６０】
図６に示すように、現像処理室３１および塗布処理室３２は、上段載置室１３５を挟んで上段熱処理部３０３と対向し、現像処理室３３および塗布処理室３４は、下段載置室１３６を挟んで下段熱処理部３０４と対向する。
【００６１】
上段載置室１３５には、現像処理室３１に対応するローカルアームＬＤおよび塗布処理室３２に対応するローカルアームＬＣが設けられ、下段載置室１３６には、現像処理室３３に対応するローカルアームＬＤおよび塗布処理室３４に対応するローカルアームＬＣが設けられる。上段載置室１３５において、ローカルアームＬＤは現像処理室３１に隣り合うように設けられ、ローカルアームＬＣは塗布処理室３２に隣り合うように設けられる。下段載置室１３６において、ローカルアームＬＤは現像処理室３３に隣り合うように設けられ、ローカルアームＬＣは塗布処理室３４に隣り合うように設けられる。
【００６２】
上段載置室１３５のローカルアームＬＤは、載置ユニット１３７と現像処理室３１との間で基板Ｗを搬送し、上段載置室１３５のローカルアームＬＣは、載置ユニット１３７と塗布処理室３２との間で基板Ｗを搬送する。下段載置室１３６のローカルアームＬＤは、載置ユニット１３８と現像処理室３３との間で基板Ｗを搬送し、下段載置室１３６のローカルアームＬＣは、載置ユニット１３８と塗布処理室３４との間で基板Ｗを搬送する。
【００６３】
ローカルアームＬＣは、塗布処理ユニット１２９の複数のスピンチャック２５のうち任意のスピンチャック２５上に選択的に基板Ｗを搬送可能に構成される。ローカルアームＬＤは、現像処理ユニット１３９の複数のスピンチャック３５のうち任意のスピンチャック２５上に選択的に基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００６４】
また、上段載置室１３５および下段載置室１３６には、複数の熱処理ユニットＴＰにそれぞれ対応する複数のローカルアームＬＴＰ、複数の冷却ユニットＣＰ（図３）にそれぞれ対応する複数のローカルアームＬＣＰ（図７）、および複数のエッジ露光部ＥＥＷ（図３）にそれぞれ対応する複数のローカルアームＬＥＥＷ（図７）が設けられる。上段載置室１３５および下段載置室１３６において、各ローカルアームＬＴＰは対応する熱処理ユニットＴＰに隣り合うように設けられ、各ローカルアームＬＣＰは対応する冷却ユニットＣＰに隣り合うように設けられ、各ローカルアームＬＥＥＷは対応するエッジ露光部ＥＥＷに隣り合うように設けられる。
【００６５】
上段載置室１３５の各ローカルアームＬＴＰは、載置ユニット１３７と対応する熱処理ユニットＴＰとの間で基板Ｗを搬送し、上段載置室１３５のローカルアームＬＣＰ（図７）は、載置ユニット１３７と対応する冷却ユニットＣＰ（図３）との間で基板Ｗを搬送し、上段載置室１３５のローカルアームＬＥＥＷ（図７）は、載置ユニット１３７と対応するエッジ露光部ＥＥＷ（図３）との間で基板Ｗを搬送する。下段載置室１３６の各ローカルアームＬＴＰは、載置ユニット１３８と対応する熱処理ユニットＴＰとの間で基板Ｗを搬送し、下段載置室１３６のローカルアームＬＣＰ（図７）は、載置ユニット１３８と対応する冷却ユニットＣＰ（図３）との間で基板Ｗを搬送し、下段載置室１３６のローカルアームＬＥＥＷ（図７）は、載置ユニット１３８と対応するエッジ露光部ＥＥＷ（図３）との間で基板Ｗを搬送する。
【００６６】
上段載置室１３５の各ローカルアームにより載置ユニット１３７から基板Ｗが受け取られる際には、受け取られるべき基板Ｗの高さがそのローカルアームにより受け取り可能な高さとなるように、載置ユニット１３７の昇降装置ＬＩＤ（図４）が棚ＳＴの高さを調整する。また、ローカルアームＬ１，Ｌ３（図４）により載置ユニット１３７から基板Ｗが受け取られる際には、受け取られるべき基板Ｗの高さがローカルアームＬ１，Ｌ３により受け取り可能な高さとなるように、載置ユニット１３７の昇降装置ＬＩＤ（図４）が棚ＳＴの高さを調整する。
【００６７】
また、下段載置室１３６のローカルアームにより載置ユニット１３８から基板Ｗが受け取られる際には、受け取られるべき基板Ｗの高さが該当するローカルアームにより受け取り可能な高さとなるように、載置ユニット１３８の昇降装置ＬＩＤ（図４）が棚ＳＴの高さを調整する。また、ローカルアームＬ２，Ｌ４（図４）により載置ユニット１３８から基板Ｗが受け取られる際には、受け取られるべき基板Ｗの高さがローカルアームＬ２，Ｌ４により受け取り可能な高さとなるように、載置ユニット１３８の昇降装置ＬＩＤ（図４）が棚ＳＴの高さを調整する。
【００６８】
（１−５）基板処理装置の動作
図１〜図７を用いて、本実施の形態に係る基板処理装置１００の各構成要素の動作について説明する。以下の説明において、上段載置室１２５,１３５、上段熱処理部３０１，３０３、塗布処理室２１，２２，３２、および現像処理室３１を上段処理領域と呼び、下段載置室１２６,１３６、下段熱処理部３０２，３０４、塗布処理室２３，２４，３４、および現像処理室３３を下段処理領域と呼ぶ。本実施の形態では、上段処理領域における基板Ｗの処理と下段処理領域における基板Ｗの処理とが並行して行われる。
【００６９】
まず、インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から上段載置室１２５（図５）の載置ユニット１２７の棚ＳＴおよび下段載置室１２６（図５）の載置ユニット１２８の棚ＳＴに交互に基板Ｗを搬送する。
【００７０】
以下、上段処理領域の動作について説明し、下段処理領域の動作の説明を省略する。下段処理領域の動作は、上段処理領域の動作と同様である。
【００７１】
上段載置室１２５（図５）の各ローカルアームＬＡＨＰは、載置ユニット１２７の棚ＳＴから未処理の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを対応する密着強化処理ユニットＡＨＰに搬送する。各密着強化処理ユニットＡＨＰにおいて、基板Ｗの密着強化処理が行われる。各ローカルアームＬＡＨＰは、密着強化処理後の基板Ｗを対応する密着強化処理ユニットＡＨＰから載置ユニット１２７の棚ＳＴに搬送する。
【００７２】
上段載置室１２５の各ローカルアームＬＣＰは、載置ユニット１２７の棚ＳＴから密着強化処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを対応する冷却ユニットＣＰに搬送する。各冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。なお、適正に反射防止膜を形成することが可能であれば、反射防止膜の形成前に基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。各ローカルアームＬＣＰは、冷却処理後の基板Ｗを対応する冷却ユニットＣＰから載置ユニット１２７の棚ＳＴに搬送する。
【００７３】
上段載置室１２５のローカルアームＬＢは、載置ユニット１２７の棚ＳＴから冷却処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを塗布処理室２２に搬送し、塗布処理ユニット１２９のスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。各ローカルアームＬＢは、反射防止膜の形成後の基板Ｗを塗布処理室２２から載置ユニット１２７の棚ＳＴに搬送する。
【００７４】
上段載置室１２５の各ローカルアームＬＴＰは、載置ユニット１２７の棚ＳＴから反射防止膜の形成後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを対応する熱処理ユニットＴＰに搬送する。各熱処理ユニットＴＰにおいて、反射防止膜の形成後の基板Ｗの熱処理が行われる。各ローカルアームＬＴＰは、熱処理後の基板Ｗを対応する熱処理ユニットＴＰから載置ユニット１２７の棚ＳＴに搬送する。
【００７５】
上段載置室１２５の各ローカルアームＬＣＰは、載置ユニット１２７の棚ＳＴから熱処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを対応する冷却ユニットＣＰに搬送する。各冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。各ローカルアームＬＣＰは、冷却処理後の基板Ｗを対応する冷却ユニットＣＰから載置ユニット１２７の棚ＳＴに搬送する。
【００７６】
上段載置室１２５のローカルアームＬＲは、載置ユニット１２７の棚ＳＴから反射防止膜の形成後でかつ冷却処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを塗布処理室２１に搬送し、塗布処理ユニット１２９のスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９により基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。ローカルアームＬＲは、レジスト膜の形成後の基板Ｗを塗布処理室２１から載置ユニット１２７の棚ＳＴに搬送する。
【００７７】
上段載置室１２５の各ローカルアームＬＴＰは、載置ユニット１２７の棚ＳＴからレジスト膜の形成後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを対応する熱処理ユニットＴＰに搬送する。各熱処理ユニットＴＰにおいて、レジスト膜の形成後の基板Ｗの熱処理が行われる。各ローカルアームＬＴＰは、熱処理後の基板Ｗを対応する熱処理ユニットＴＰから載置ユニット１２７の棚ＳＴに搬送する。
【００７８】
ローカルアームＬ１（図４）は、載置ユニット１２７の棚ＳＴからレジスト膜の形成後でかつ熱処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを載置ユニット１３７の棚ＳＴに搬送する。
【００７９】
上段載置室１３５（図６）のローカルアームＬＣは、ローカルアームＬ１によって搬送されたレジスト膜の形成後でかつ熱処理後の基板Ｗを載置ユニット１３７の棚ＳＴから受け取り、その基板Ｗを塗布処理室３２に搬送し、塗布処理ユニット１２９のスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室３２において、塗布処理ユニット１２９により基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。ローカルアームＬＣは、レジストカバー膜の形成後の基板Ｗを塗布処理室３２から載置ユニット１３７の棚ＳＴに搬送する。
【００８０】
上段載置室１３５の各ローカルアームＬＴＰは、載置ユニット１３７の棚ＳＴからレジストカバー膜の形成後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを対応する熱処理ユニットＴＰに搬送する。各熱処理ユニットＴＰにおいて、レジストカバー膜の形成後の基板Ｗの熱処理が行われる。各ローカルアームＬＴＰは、熱処理後の基板Ｗを対応する熱処理ユニットＴＰから載置ユニット１３７の棚ＳＴに搬送する。
【００８１】
上段載置室１３５のローカルアームＬＥＥＷは、載置ユニット１３７の棚ＳＴからレジストカバー膜の形成後でかつ熱処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを対応するエッジ露光部ＥＥＷに搬送する。エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗのエッジ露光処理が行われる。ローカルアームＬＥＥＷは、エッジ露光処理後の基板Ｗを対応するエッジ露光部ＥＥＷから載置ユニット１３７の棚ＳＴに搬送する。
【００８２】
ローカルアームＬ３（図４）は、載置ユニット１３７の棚ＳＴからエッジ露光処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗをインターフェイスブロック１４の搬送部１６３に搬送する。インターフェイスブロック１４の搬送部１６３に搬送されたエッジ露光処理後の基板Ｗは、洗浄乾燥処理部１６１のいずれかの洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において洗浄処理および乾燥処理が行われた後、図示しない搬送機構により露光装置１５（図１）に搬入される。
【００８３】
露光装置１５において、液浸法による露光処理が行われる。露光処理後の基板Ｗは、図示しない搬送機構により露光装置１５から搬出され、洗浄乾燥処理部１６２のいずれかの洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄処理および乾燥処理が行われる。ローカルアームＬ３（図４）は、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２による洗浄処理および乾燥処理後の基板Ｗを載置ユニット１３７の棚ＳＴに搬送する。
【００８４】
上段載置室１３５（図６）の各ローカルアームＬＴＰは、載置ユニット１３７の棚ＳＴから露光処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを対応する熱処理ユニットＴＰに搬送する。各熱処理ユニットＴＰにおいて、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。各ローカルアームＬＴＰは、ＰＥＢ処理後の基板Ｗを対応する熱処理ユニットＴＰから載置ユニット１３７の棚ＳＴに搬送する。なお、インターフェイスブロック１４に、露光後ベーク処理を行うための熱処理ユニットＴＰが設けられてもよい。この場合、各基板Ｗに対して、露光処理が行われてから露光後ベーク処理が行われるまでの時間が短縮される。また、その時間にばらつきが生じることが抑制される。それにより、より良好な露光パターンを得ることができる。
【００８５】
上段載置室１３５の各ローカルアームＬＣＰは、載置ユニット１３７の棚ＳＴからＰＥＢ処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを対応する冷却ユニットＣＰに搬送する。各冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。なお、適正に現像処理を行うことが可能であれば、現像処理前に基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。各ローカルアームＬＣＰは、冷却処理後の基板Ｗを対応する冷却ユニットＣＰから載置ユニット１３７の棚ＳＴに搬送する。
【００８６】
上段載置室１３５のローカルアームＬＤは、載置ユニット１３７の棚ＳＴから冷却処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを現像処理室３１に搬送し、現像処理ユニット１３９のスピンチャック３５上に載置する。現像処理室３１において、現像処理ユニット１３９によりレジストカバー膜の除去処理および現像処理が行われる。ローカルアームＬＤは、現像処理後の基板Ｗを現像処理室３１から載置ユニット１３７の棚ＳＴに搬送する。
【００８７】
上段載置室１３５の各ローカルアームＬＴＰは、載置ユニット１３７の棚ＳＴから現像処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを対応する熱処理ユニットＴＰに搬送する。各熱処理ユニットＴＰにおいて、現像処理後の基板Ｗの熱処理が行われる。各ローカルアームＬＴＰは、熱処理後の基板Ｗを対応する熱処理ユニットＴＰから載置ユニット１３７の棚ＳＴに搬送する。
【００８８】
ローカルアームＬ１（図４）は、載置ユニット１３７の棚ＳＴから現像処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを載置ユニット１２７の棚ＳＴに搬送する。搬送機構１１５（図１）は、載置ユニット１２７の棚ＳＴから現像処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【００８９】
下段処理領域においても、上段処理領域と同様に基板Ｗの処理が行われる。下段処理領域において、現像処理後でかつ熱処理後の基板Ｗが載置ユニット１３７の棚ＳＴに搬送される。搬送機構１１５は、載置ユニット１３７の棚ＳＴから現像処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。このようにして、各基板Ｗに対する一連の処理が終了する。
【００９０】
（１−６）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、第１の処理ブロック１２において、ローカルアームＬＲ，ＬＢにより載置部１２２と塗布処理部１２１との間で基板Ｗが搬送され、ローカルアームＬＴＰ，ＬＡＨＰ，ＬＣＰにより載置部１２２と熱処理部１２３との間で基板Ｗが搬送される。また、第２の処理ブロック１３において、ローカルアームＬＤ，ＬＣにより載置部１３２と塗布現像処理部１３１との間で基板Ｗが搬送され、ローカルアームＬＴＰ，ＬＣＰ，ＬＥＥＷにより載置部１３２と熱処理部１３３との間で基板Ｗが搬送される。
【００９１】
このように、第１の処理ブロック１２において、載置部１２２と塗布処理部１２１との間における基板Ｗの搬送と載置部１２２と熱処理部１２３との間における基板Ｗの搬送とが異なるローカルアームによりそれぞれ行われる。また、第２の処理ブロック１３において、載置部１３２と塗布現像処理部１３１との間における基板Ｗの搬送と載置部１３２と熱処理部１３３との間における基板Ｗの搬送とが異なるローカルアームによりそれぞれ行われる。それにより、塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および熱処理部１２３，１３３への基板Ｗの搬送効率が高くなる。その結果、スループットが向上される。
【００９２】
また、熱処理部１２３，１３３への基板Ｗの搬送と塗布処理部１２１および塗布現像処理部１３１への基板Ｗの搬送とが異なるローカルアームによりそれぞれ行われるので、熱処理部１２３，１３３への基板Ｗの搬送時に生じるローカルアームの蓄熱が、塗布処理部１２１および塗布現像処理部１３１への基板Ｗの搬送時に影響することがない。それにより、基板Ｗの塗布処理および現像処理を適正な温度で行うことできる。
【００９３】
また、本実施の形態では、載置部１２２の上段載置室１２５および下段載置室１２６ならびに載置部１３２の上段載置室１３５および下段載置室１３６の各々において、複数の基板Ｗを載置ユニットの複数段の棚ＳＴに載置可能である。それにより、載置部１２２，１３２の占有面積を増加させることなく、複数の基板Ｗを効率良く塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および熱処理部１２３，１３３に搬送することができる。
【００９４】
また、本実施の形態では、塗布処理部１２１が上下に配置された複数の塗布処理ユニット１２９を含み、塗布現像処理部１３１が上下に配置された複数の塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９を含む。これにより、塗布処理部１２１の占有面積を増加させることなく、複数の塗布処理ユニット１２９において、複数の基板Ｗに同時に塗布処理を行うことができる。また、塗布現像処理部１３１の占有面積を増加させることなく、複数の塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９において、複数の基板Ｗに同時に塗布処理および現像処理を行うことができる。それにより、スループットがさらに向上される。
【００９５】
また、本実施の形態では、複数の塗布処理ユニット１２９および複数の現像処理ユニット１３９にそれぞれ対応するように複数のローカルアームＬＲ，ＬＢ，ＬＤ，ＬＣが設けられる。それにより、複数の塗布処理ユニット１２９および複数の現像処理ユニット１３９に対して効率よく基板Ｗを搬送することができる。
【００９６】
また、本実施の形態では、熱処理部１２３が上下に配置された複数の熱処理ユニットＴＰ、複数の密着強化処理ユニットＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰを含み、熱処理部１３３が上下に配置された複数の熱処理ユニットＴＰ、複数のエッジ露光部ＥＥＷおよび複数の冷却ユニットＣＰを含む。これにより、熱処理部１２３の占有面積を増加させることなく、複数の熱処理ユニットＴＰ、複数の密着強化処理ユニットＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰにおいて、複数の基板Ｗに同時に熱処理を行うことができる。また、熱処理部１３３の占有面積を増加させることなく、複数の熱処理ユニットＴＰ、複数のエッジ露光部ＥＥＷおよび複数の冷却ユニットＣＰにおいて、複数の基板Ｗに同時に熱処理を行うことができる。それにより、スループットがさらに向上される。
【００９７】
また、本実施の形態では、複数の熱処理ユニットＴＰ、複数の密着強化処理ユニットＡＨＰ、複数の冷却ユニットＣＰおよび複数のエッジ露光部ＥＥＷにそれぞれ対応するように複数のローカルアームＬＴＰ，ＬＡＨＰ，ＬＣＰ，ＬＥＥＷが設けられる。それにより、複数の熱処理ユニットＴＰ、複数の密着強化処理ユニットＡＨＰ、複数の冷却ユニットＣＰおよび複数のエッジ露光部ＥＥＷに対して効率よく基板Ｗを搬送することができる。
【００９８】
また、本実施の形態では、載置ユニット１２７，１２８，１３７，１３８の各々が、複数段の棚ＳＴを昇降させる昇降装置ＬＩＤを含む。これにより、各棚ＳＴに載置された基板Ｗの高さを各ローカルアームにより受け取り可能な高さに調整することができる。それにより、各ローカルアームの動作を簡略化することができる。
【００９９】
また、複数の処理ユニット間の搬送が共通の搬送機構により行われる場合には、その搬送機構の負担が大きいので、メンテナンスの頻度および時間が多大になる。また、スループットを高めるために基板Ｗの搬送速度を高くする必要があるので、基板Ｗが落下するリスクが大きくなる。それに対して、本実施の形態では、処理ユニット毎にローカルアームが設けられるので、各ローカルアームの負担が軽減され、メンテナンスの頻度および時間を低減することができる。また、各ローカルアームの動作が単純化されるとともに、基板Ｗの搬送速度を抑制することができるので、基板Ｗが落下するリスクが低減される。
【０１００】
（２）第２の実施の形態
本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置１００について、上記第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【０１０１】
（２−１）載置部の構成
図８は、載置部１２２，１３２の概略側面図である。図９は、塗布処理部１２１、載置部１２２および熱処理部１２３の概略側面図である。図１０は、塗布現像処理部１３１、載置部１３２および熱処理部１３３の概略側面図である。図１１は、載置部１２２，１３２の概略平面図である。なお、図１１（ａ）には上段載置室１２５，１３５が示され、図１１（ｂ）には下段載置室１２６，１３６が示される。
【０１０２】
図８に示すように、載置ユニット１２７，１２８，１３７，１３８の各々は、昇降装置ＬＩＤを有さない。そのため、載置ユニット１２７，１２８，１３７，１３８の各棚ＳＴの高さは固定される。ローカルアームＬ１〜Ｌ４の各々は、上下に移動可能に構成される。
【０１０３】
図９に示すように、上段載置室１２５および下段載置室１２６の各々には、ローカルアームＬＲ，ＬＢの代わりにローカルアームＬｘが設けられ、複数のローカルアームＬＴＰ，ＬＡＨＰ，ＬＣＰの代わりに複数のローカルアームＬｙが設けられる。図１１に示すように、上段載置室１２５の各ローカルアームＬｙは、上段熱処理部３０１の各列に対応し、下段載置室１２６の各ローカルアームＬｙは、下段熱処理部３０２の各列に対応する。ローカルアームＬｘ，Ｌｙは、上下に移動可能にそれぞれ構成される。
【０１０４】
上段載置室１２５のローカルアームＬｘは、上下に移動しつつ載置ユニット１２７と塗布処理室２１との間、および載置ユニット１２７と塗布処理室２２との間で基板Ｗを搬送する。上段載置室１２５の各ローカルアームＬｙは、上下に移動しつつ載置ユニット１２７と上段熱処理部３０１の対応する列の各ユニットとの間で基板Ｗを搬送する。
【０１０５】
下段載置室１２６のローカルアームＬｘは、上下に移動しつつ載置ユニット１２８と塗布処理室２３との間、および載置ユニット１２８と塗布処理室２４との間で基板Ｗを搬送する。下段載置室１２６の各ローカルアームＬｙは、上下に移動しつつ載置ユニット１２８と下段熱処理部３０２の対応する列の各ユニットとの間で基板Ｗを搬送する。
【０１０６】
図１０に示すように、上段載置室１３５および下段載置室１３６の各々には、ローカルアームＬＤ，ＬＣの代わりにローカルアームＬｘが設けられ、複数のローカルアームＬＴＰ，ＬＣＰ，ＬＥＥＷの代わりに複数のローカルアームＬｙが設けられる。図１１に示すように、上段載置室１３５の各ローカルアームＬｙは、上段熱処理部３０３の各列に対応し、下段載置室１３６の各ローカルアームＬｙは、下段熱処理部３０４の各列に対応する。
【０１０７】
上段載置室１３５のローカルアームＬｘは、上下に移動しつつ載置ユニット１３７と現像処理室３１との間、および載置ユニット１３７と塗布処理室３２との間で基板Ｗを搬送する。上段載置室１３５の各ローカルアームＬｙは、上下に移動しつつ載置ユニット１３７と上段熱処理部３０３の対応する列の各ユニットとの間で基板Ｗを搬送する。
【０１０８】
下段載置室１３６の各ローカルアームＬｘは、上下に移動しつつ載置ユニット１３８と現像処理室３３との間、および載置ユニット１３８と塗布処理室３４との間で基板Ｗを搬送する。下段載置室１３６の各ローカルアームＬｙは、上下に移動しつつ載置ユニット１３８と下段熱処理部３０４の対応する列の各ユニットとの間で基板Ｗを搬送する。
【０１０９】
このように、本実施の形態では、ローカルアームＬｘ，Ｌｙが上下に移動可能であるので、各載置ユニットの棚ＳＴを昇降させることなく、各載置ユニットと各処理室との間、各載置ユニットと各熱処理部の各ユニットとの間で基板Ｗを搬送することができる。したがって、各載置ユニットの構成を簡略化することができる。また、ローカルアームの数を削減することができるので、コストの低減が可能となる。
【０１１０】
（２−２）変形例
（２−２−１）
図８〜図１１の例では、上段熱処理部３０１，３０３および下段熱処理部３０２，３０４の各列に対して１つのローカルアームＬｙが設けられるが、これに限らない。上段熱処理部３０１，３０３および下段熱処理部３０２，３０４の各々に対して１つのローカルアームＬｙが設けられてもよい。この場合、各ローカルアームＬｙは、上下に移動可能でかつＸ方向に移動可能に設けられる。また、上段熱処理部３０１，３０３および下段熱処理部３０２，３０４の各列に対して、２以上のローカルアームＬｙが設けられてもよい。
【０１１１】
（２−２−２）
図８〜図１１の例において、載置ユニット１２７，１２８，１３７，１３８が昇降機構ＬＩＤを有してもよい。この場合、各ローカルアームにより基板Ｗを受け取り可能な高さ、および各載置ユニットの棚ＳＴに載置された基板Ｗの高さの両方を調整可能となる。それにより、各ローカルアームによる各載置ユニットからの基板Ｗの受け取り、および各載置ユニットへの基板Ｗの搬送をより効率よく行うことが可能となる。
【０１１２】
（３）さらに他の実施の形態
（３−１）
上記第１および第２の実施の形態では、上段載置室１２５，１３５および下段載置室１２６，１３６に、各処理室および各熱処理部の各ユニットに対応するローカルアームが設けられるが、これに限らない。例えば、各処理室内および各熱処理部の各ユニット内に、対応するローカルアームが設けられてもよい。
【０１１３】
（３−２）
上記第１および第２の実施の形態では、上段載置室１２５，１３５および下段載置室１２６，１３６の各々にそれぞれ１つの載置ユニット１２７，１２８，１３７，１３８が設けられるが、これに限らない。上段載置室１２５，１３５および下段載置室１２６，１３６の各々に、２以上の載置ユニットが設けられてもよい。また、この場合に、上段載置室１２５，１３５および下段載置室１２６，１３６の各々において、複数の載置ユニット間で基板を搬送するためのローカルアームが別途設けられてもよい。
【０１１４】
（３−３）
第１および第２の処理ブロック１２，１３の載置部１２２，１３２と同様に、インターフェイスブロック１４の搬送部１６３に載置ユニットおよび複数のローカルアームが設けられてもよい。この場合、インターフェイスブロック１４における基板Ｗの搬送効率を高めることができる。
【０１１５】
（３−４）
上記第１および第２の実施の形態は、液浸法による露光処理を行う露光装置に隣接するように配置され、基板Ｗの成膜処理および現像処理を行う基板処理装置の例であるが、本発明の実施の形態はこれに限らない。例えば、液体を用いない乾燥雰囲気下で露光処理を行う露光装置に隣接するように配置され、基板Ｗの成膜処理および現像処理を行う基板処理装置に本発明が適用されてもよい。また、基板Ｗの成膜処理および熱処理のみを行う基板処理装置、または基板Ｗの現像処理および熱処理のみを行う基板処理装置等に本願発明が適用されてもよい。
【０１１６】
（４）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１１７】
上記実施の形態では、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、第１の処理ブロック１２が処理部の例であり、インデクサブロック１１が搬入搬出部の例であり、塗布処理部１２１が液処理部の例であり、熱処理部１２３が熱処理部の例であり、載置部１２２が載置部の例であり、ローカルアームＬＢ，ＬＲが第１の搬送機構および第１の搬送ユニットの例であり、ローカルアームＬＴＰ，ＬＡＨＰ，ＬＣＰが第２の搬送機構および第２の搬送ユニットの例であり、キャリア載置部１１１が容器載置部の例であり、搬送機構１１５が第３の搬送機構の例である。
【０１１８】
また、塗布処理ユニット１２９が液処理ユニットの例であり、熱処理ユニットＴＰ、密着強化処理ユニットＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰが熱処理ユニットの例であり、昇降装置ＬＩＤが昇降機構の例である。
【０１１９】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用可能である。
【符号の説明】
【０１２１】
１１  インデクサブロック
１２  第１の処理ブロック
１３  第２の処理ブロック
１４  インターフェイスブロック
１５  露光装置
１００  基板処理装置
１１４  制御部
１１５  搬送機構
１２１  塗布処理部
１２２  載置部
１２３  熱処理部
１２９  塗布処理ユニット
１３１  塗布現像処理部
１３２  載置部
１３３  熱処理部
１３９  現像処理ユニット
１６１，１６２  洗浄乾燥処理部
１６３  搬送部
２１，２２，２３，２４，３２，３４  塗布処理室
３１，３３  現像処理室
３０１，３０３  上段熱処理部
３０２，３０４  下段熱処理部
ＡＨＰ  密着強化処理ユニット
ＣＰ  冷却ユニット
ＥＥＷ  エッジ露光部
Ｌ１〜Ｌ４，ＬＡＨＰ，ＬＢ，ＬＣ，ＬＣＰ，ＬＤ，ＬＥＥＷ，ＬＲ，ＬＴＰ  ローカルアーム
ＴＰ  熱処理ユニット
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第１の搬送機構により、載置部から上記一方向に関して載置部の一方側に配置された液処理部に基板が搬送される。液処理部において、基板に処理液を用いた液処理が行われる。液処理後の基板は、第１の搬送機構により液処理部から載置部に搬送される。また、第２の搬送機構により、載置部から上記一方向に関して載置部の他方側に配置された熱処理部に基板が搬送される。熱処理部において、基板に熱処理が行われる。熱処理後の基板は、第２の搬送機構により熱処理部から載置部に搬送される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
上段載置室１２５には載置ユニット１２７が設けられ、下段載置室１２６には載置ユニット１２８が設けられる。また、上段載置室１３５には載置ユニット１３７が設けられ、下段載置室１３６には載置ユニット１３８が設けられる。載置ユニット１２７，１２８，１３７，１３８の各々は、複数段の棚ＳＴおよび昇降装置ＬＩＤを備える。複数段の棚ＳＴの各々に基板Ｗが一時的に載置される。昇降装置ＬＩＤは、複数段の棚ＳＴをそれぞれ個別に昇降させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
下段載置室１２６の各ローカルアームにより載置ユニット１２８から基板Ｗが受け取られる際には、受け取られるべき基板Ｗの高さがそのローカルアームにより受け取り可能な高さとなるように、載置ユニット１２８の昇降装置ＬＩＤ（図４）が棚ＳＴの高さを調整する。また、ローカルアームＬ２により載置ユニット１２８から基板Ｗが受け取られる際には、受け取られるべき基板Ｗの高さがローカルアームＬ２により受け取り可能な高さとなるように、載置ユニット１２８の昇降装置ＬＩＤ（図４）が棚ＳＴの高さを調整する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
ローカルアームＬＣは、塗布処理ユニット１２９の複数のスピンチャック２５のうち任意のスピンチャック２５上に選択的に基板Ｗを搬送可能に構成される。ローカルアームＬＤは、現像処理ユニット１３９の複数のスピンチャック３５のうち任意のスピンチャック３５上に選択的に基板Ｗを搬送可能に構成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
下段処理領域においても、上段処理領域と同様に基板Ｗの処理が行われる。下段処理領域において、現像処理後でかつ熱処理後の基板Ｗが載置ユニット１２８の棚ＳＴに搬送される。搬送機構１１５は、載置ユニット１２８の棚ＳＴから現像処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。このようにして、各基板Ｗに対する一連の処理が終了する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
（２−２−２）
図８〜図１１の例において、載置ユニット１２７，１２８，１３７，１３８が昇降装置ＬＩＤを有してもよい。この場合、各ローカルアームにより基板Ｗを受け取り可能な高さ、および各載置ユニットの棚ＳＴに載置された基板Ｗの高さの両方を調整可能となる。それにより、各ローカルアームによる各載置ユニットからの基板Ｗの受け取り、および各載置ユニットへの基板Ｗの搬送をより効率よく行うことが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
（３−２）
上記第１および第２の実施の形態では、上段載置室１２５，１３５および下段載置室１２６，１３６の各々にそれぞれ１つの載置ユニット１２７，１２８，１３７，１３８が設けられるが、これに限らない。上段載置室１２５，１３５および下段載置室１２６，１３６の各々に、２以上の載置ユニットが設けられてもよい。また、この場合に、上段載置室１２５，１３５および下段載置室１２６，１３６の各々において、複数の載置ユニット間で基板Ｗを搬送するためのローカルアームが別途設けられてもよい。