(57)【要約】【課題】  小型化に対応させながら、浮遊容量の悪影響を受けにくい電気的特性の優れたより信頼性の高い表面実装型圧電発振器を提供する。【解決手段】  絶縁性のベース１と、集積回路素子２と、平面視矩形状の圧電振動素子３とがあり、前記ベースの収納部の一短辺側に圧電振動素子用の内部端子パッド、前記ベースの収納部の他短辺側に交流出力用とグランド用の内部端子パッドとが形成されており、前記圧電振動素子は、当該圧電振動素子の表裏主面に形成され、圧電振動素子の表裏主面の一部でお互いに交差した一対の帯状電極とこの先端部に形成され圧電振動素子の一短辺側に形成された一対の接続電極とを有し、前記帯状電極のうちグランド用の内部端子パッドに近接する方向に延出される帯状電極は、圧電振動素子の主面のうち前記ベースの内底面から離隔する上主面側に形成した。【選択図】  図２
2013207512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
収納部が構成され、収納部に複数の内部端子パッドが形成された平面視矩形状の絶縁性のベースと、前記ベースの内部端子パッドの一部と電気的に接続されるパッドを有する集積回路素子と、前記集積回路素子と同じ収納部に収納されるとともに前記集積回路素子の上部に配置され、前記ベースの内部端子パッドの他の一部と電気的に接続される接続電極を有した平面視矩形状の圧電振動素子とを有する表面実装型圧電発振器であって、
前記ベースの収納部には、前記ベースの一短辺側に前記圧電振動素子の接続電極と接合される圧電振動素子用の内部端子パッドを形成し、前記ベースの一短辺に対向する他短辺側に交流出力用の内部端子パッドとグランド用の内部端子パッドとが形成されており、
前記圧電振動素子は、当該圧電振動素子の表裏主面に形成された一対の帯状電極と、当該帯状電極の先端部に形成され圧電振動素子の一短辺側に形成された一対の接続電極とを有し、
前記一対の帯状電極は、前記圧電振動素子の一短辺側の異なる端部領域から前記圧電振動素子の一短辺に対向する他短辺側に向かって延出しており、延出途中の圧電振動素子の表裏主面の一部でお互いに交差した状態で形成しており、
前記帯状電極のうちの圧電振動素子の表裏主面の一部でお互いに交差する領域を励振領域とし、これ以外を引出領域として構成しており、
前記帯状電極のうち励振領域とその近傍領域の幅寸法を同一幅として形成しており、
前記帯状電極のうちグランド用の内部端子パッドに近接する方向に延出される帯状電極は、圧電振動素子の主面のうち前記ベースの内底面から離隔する上主面側に形成したことを特徴とする表面実装型圧電発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性のベース上に圧電振動素子と集積回路素子が実装された表面実装型圧電発振器に関するものであって、特に表面実装型圧電発振器のパッケージ構造を改善するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動板等の圧電振動素子を用いた圧電発振器は、安定して精度の高い発振周波数を得ることができるため、電子機器等の基準周波数源として多種の分野で使用されている。表面実装型圧電発振器では、特許文献１にも示すように、絶縁性のベースとしてセラミック多層基板を用い、当該ベースの収納部に発振回路用の集積回路素子を配置するとともに、当該集積回路素子の上方に水晶振動板を支持固定し、蓋により気密封止を行ったものである。このような構成はＣ−ＭＯＳ等のインバータ増幅器（発振用増幅器）を内蔵したワンチップの集積回路素子のカスタム化により比較的部品点数が少なく、シンプルな構成であり、低コスト化に寄与している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２９１７４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このようなセラミック多層基板を用いた表面実装型圧電発振器では、各セラミック基板が積層されるとともにその層間部分に配線パターンが形成される構成であるため、配線パターンが上下の基板で重畳する領域では、浮遊容量（寄生容量）が形成されることになり、圧電発振器としての浮遊容量が増加するという問題がある。特に、圧電振動素子と集積回路素子との間で浮遊容量が大きくなると、圧電振動素子の安定した振動を妨げ、発振が不安定になることがある。このような配線パターンによる浮遊容量の問題は表面実装型圧電発振器の小型化に伴ってその悪影響を受けやすい。また、圧電振動素子が小型化されると、励振するための電極形成領域にも様々な制約が加わるとともに、励振電極の形成位置がばらついた場合にもその電気的特性のばらつきも無視できないようになっている。
【０００５】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、小型化に対応させながら、浮遊容量の悪影響を受けにくい電気的特性の優れたより信頼性の高い表面実装型圧電発振器を提供することを目的とする。
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の特許請求項１に示すように、収納部が構成され、収納部に複数の内部端子パッドが形成された平面視矩形状の絶縁性のベースと、前記ベースの内部端子パッドの一部と電気的に接続されるパッドを有する集積回路素子と、前記集積回路素子と同じ収納部に収納されるとともに前記集積回路素子の上部に配置され、前記ベースの内部端子パッドの他の一部と電気的に接続される接続電極を有した平面視矩形状の圧電振動素子とを有する表面実装型圧電発振器であって、前記ベースの収納部には、前記ベースの一短辺側に前記圧電振動素子の接続電極と接合される圧電振動素子用の内部端子パッドを形成し、前記ベースの一短辺に対向する他短辺側に交流出力用の内部端子パッドとグランド用の内部端子パッドとが形成されており、前記圧電振動素子は、当該圧電振動素子の表裏主面に形成された一対の帯状電極と、当該帯状電極の先端部に形成され圧電振動素子の一短辺側に形成された一対の接続電極とを有し、前記一対の帯状電極は、前記圧電振動素子の一短辺側の異なる端部領域から前記圧電振動素子の一短辺に対向する他短辺側に向かって延出しており、延出途中の圧電振動素子の表裏主面の一部でお互いに交差した状態で形成しており、前記帯状電極のうちの圧電振動素子の表裏主面の一部でお互いに交差する領域を励振領域とし、これ以外を引出領域として構成しており、前記帯状電極のうち励振領域とその近傍領域の幅寸法を同一幅として形成しており、前記帯状電極のうちグランド用の内部端子パッドに近接する方向に延出される帯状電極は、圧電振動素子の主面のうち前記ベースの内底面から離隔する上主面側に形成した。
【０００７】
上記構成により、前記一対の帯状電極は、前記圧電振動素子の一短辺側の異なる端部領域から前記圧電振動素子の一短辺に対向する他短辺側に向かって延出しており、延出途中の圧電振動素子の表裏主面の一部でお互いに交差した状態で形成しており、前記帯状電極のうちの圧電振動素子の表裏主面の一部でお互いに交差する領域を励振領域とし、これ以外を引出領域として構成しており、前記帯状電極のうち励振領域とその近傍領域の幅寸法を同一幅として形成しているので、前記圧電振動素子の表裏主面の帯状電極は位置ずれなどが生じても、お互いに交差する対向電極（励振領域）の面積が一定となり、電極間の容量（等価並列容量）ばらつきを生じない構成とすることができる。このため小型化された圧電振動素子の電極形状として好ましい形態となる。
【０００８】
また、前記帯状電極のうちグランド用の内部端子パッドに近接する方向に延出される帯状電極は、圧電振動素子の主面のうち前記ベースの内底面から離隔する上主面側に形成しているので、グランド用の内部端子パッドとこれに近接する帯状電極のギャップを離すことができる。このため、前記グランド用の内部端子パッドとこれに近接する帯状電極との電極間の容量（等価並列容量）が生じにくくなり、不要な浮遊容量（寄生容量）が形成されることがなくなる。結果として、圧電発振器として、圧電振動素子と集積回路素子との間で不要な浮遊容量が増加することがないので、圧電振動素子の振動を安定させる。発振回路全体としての浮遊容量による悪影響を軽減することができるので、表面実装型圧電発振器の発振回路の周波数決定に伴う設計ばらつきが抑えられる。特に電圧制御型圧電発振器では周波数可変量や周波数可変感度が低下することがなくなり、周波数可変バランスも良好なものとすることができる。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように、本発明は、小型化に対応させながら、浮遊容量の悪影響を受けにくい電気的特性の優れたより信頼性の高い表面実装型圧電発振器を提供することを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施例を示した封止前の表面実装型圧電発振器の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った封止後の表面実装型圧電発振器の断面図である。
【図３】図１の集積回路素子を搭載し圧電振動素子を搭載する前のベースの平面図である。
【図４】図１の圧電振動素子の平面図である。
【図５】圧電振動素子の変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明による好ましい実施形態につきセラミック多層基板のベースを用いた表面実装型水晶発振器（表面実装型圧電発振器）を例にとり図面とともに説明する。図１乃至図４は本発明の実施例を示し、図１は本発明の実施例を示した封止前の表面実装型圧電発振器の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図３は図１の集積回路素子を搭載し圧電振動素子を搭載する前のベースの平面図であり、図４は図１の圧電振動素子の平面図である。図５は圧電振動素子の変形例を示す平面図である。
【００１２】
表面実装型水晶発振器６は、上部のみが開口した凹部を有する絶縁性のセラミック多層基板からなるベース１と、ベース１の凹部の内底面１１１に収納される集積回路素子２と、同じくベース１の凹部の集積回路素子の上部に収納される圧電振動素子３と、ベースの開口部に接合される蓋４とからなる。この表面実装型水晶発振器では、ベース１と蓋４とが後述する封止材５を用いて加熱溶融接合されて気密封止され、表面実装型水晶発振器６が構成されている。
【００１３】
セラミック多層基板のベース１は全体として直方体で、最下層であるアルミナ等の絶縁性のセラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板の底部１１と、この底部１１上に積層した下部中間層のセラミック材料の平面視枠形状の堤部１２と、この底部１２上に積層した上部中間層のセラミック材料の平面視枠形状の堤部１３と、最上層のセラミック材料の平面視枠形状の堤部１４とから構成され、平面視矩形状で断面視凹形の収納部１０を有する箱状体に形成されている。収納部１０の周囲には堤部（側壁部）１２，１３，１４が形成されており、堤部１４の上面（端面）は平坦に形成されている。収納部１０は平面視矩形状であり第１の収納部１０ａ（下部収納部）と第２の収納部１０ｂ（上部収納部）からなり、それぞれ集積回路素子２と圧電振動素子３が収納される。なお、セラミック多層基板として本形態のように４層構造のベースに限定されるものではなく、ベースの収納部の構造に応じて単層や２層や３層の構成でもよく、５層以上で構成してもよい。
【００１４】
セラミック多層基板のベース１の最上層である堤部１４の上面（端面）は平坦であり、後述する蓋４との接合領域（金属膜）１４ａである。この接合領域１４ａは、タングステンあるいはモリブデン等のメタライズ材料からなるメタライズ層と、このメタライズ層に積層されたニッケル層と、このニッケル層に積層された金層とから構成される。タングステンあるいはモリブデンは厚膜印刷技術を活用してメタライズ技術によりセラミック焼成時に一体的に形成され、メタライズ層上にニッケル層、金層の順でメッキ形成される。
【００１５】
ベース１の外周壁の四隅には上下方向に伸長する複数のキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。当該キャスタレーションはベースの外周壁に対して円弧状の切り欠きが上下方向に形成された構成である。なお、接合領域１４ａはベースの堤部１２，１３，１４を上下に貫通接続する導電ビアＶ２やキャスタレーションＣ２上部に形成された図示しない配線パターンのいずれか少なくとも一方により、ベース底面側に形成された図示しない搭載用外部端子パッドに電気的に導出されている。当該搭載用外部端子パッドをアース接続することにより、後述する金属製の蓋が接合領域１４ａ、導電ビアやキャスタレーション上部の配線パターン等を介して接地され、表面実装型水晶発振器の電磁気的なシールド効果を得ることができる。
【００１６】
ベース１の内部において、下方面には前記堤部（側壁部）１２，１３により構成され、集積回路素子２を収納する平面視略矩形状の第１の収納部１０ａが形成されている。第１の収納部１０ａは、前記堤部（側壁部）１２により構成された集積回路素子の本体を収納する部分（内底面１１１）と、前記堤部（側壁部）１３により構成されるとともに一部の堤部（側壁部）１２の上面部が露出した下中段部１２１に接続される集積回路素子のワイヤを収納する部分とから構成されている。また第１の収納部１０ａの上方には前記堤部（側壁部）１４により構成された第２の収納部１０ｂが形成されている。第２の収納部１０ｂは、前記堤部（側壁部）１３の一部の上面部が露出して上中段部１３１として構成された後述する圧電振動素子の端部を保持する保持台１０ｃと、同じ上中段部として構成され第１の収納部１０ａを介して保持台１０ｃと対向位置する枕部１０ｄが形成されている。
【００１７】
セラミック多層基板のベース１の堤部（側壁部）１２の上面（前記第１の収納部１０ａの下中段部１２１）には、後述する集積回路素子２と接続される複数の矩形状の内部端子パッドＮＴとこれらを延出する配線パターンＨが並んで形成されている。具体的には図３に示すように、セラミック多層基板のベース１の堤部（側壁部）１２の上面（前記第１の収納部１０ａの下中段部１２１）の内部端子パッドＮＴとして、後述する圧電振動素子３と電気的に接続されかつ集積回路素子２の第１パッド２１，２２と接続される２つの第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と、後述する集積回路素子２の第２パッド２３，２４と接続される２つの第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と、後述する集積回路素子２の第３パッド２５，２６と接続される２つの第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６とが形成されている。また後述する集積回路素子２の交流出力である第２パッド２３と接続される第２内部端子パッドＮＴ３（交流出力用の内部端子パッド）と、集積回路素子２のアースである第２パッド２４と接続される第２内部端子パッドＮＴ４（グランド用の内部端子パッド）については、第１の収納部１０ａのうちベース１の一短辺側１０１に対向する他短辺側１０２に形成されている。セラミック多層基板のベース１の堤部（側壁部）１２の上面（前記第１の収納部１０ａの下中段部１２１）の配線パターンＨとして、第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２をそれぞれ延出する第１配線パターンＨ１，Ｈ２と、第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４をそれぞれ延出する第２配線パターンＨ３，Ｈ４と、第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６をそれぞれ延出する第３配線パターンＨ５，Ｈ６とが形成されている。
【００１８】
セラミック多層基板のベース１の最下層である底部１１の下面には、外部部品や外部機器と接続される複数の搭載用外部端子パッドが形成されている。またこれらの各搭載用外部端子パッドは図示しない導電ビアやキャスタレーション上部に形成された図示しない配線パターンのいずれか少なくとも一方により、第１の収納部１０ａの下中段部１２１に形成された各々の配線パターンＨの一つに電気的に導出されている。なお、搭載用外部端子パッドの一部は、後述する集積回路素子２の交流出力と接続される第２内部端子パッドＮＴ３（交流出力用の内部端子パッド）と接続され、最終的に交流出力外部端子として構成されている。
【００１９】
セラミック多層基板のベース１の堤部（側壁部）１３の上面（前記第２の収納部１０ｂの上中段部１３１）には、後述する圧電振動素子３の端部を保持搭載する保持台１０ｃが形成されており、その上面には後述する圧電振動素子３の帯状電極と接続される第４内部端子パッドＮＴ７，ＮＴ８が形成されている。より具体的には、後述する圧電振動素子３の一方の帯状電極３１と接続される第４内部端子パッドＮＴ７は、第１配線パターンＨ１と堤部１３を貫通接続する図示しない導電ビアにより電気的に導出されているとともに、後述する圧電振動素子３の他方の帯状電極３２と接続される第２内部端子パッドＮＴ８は、第１配線パターンＨ２と堤部１３を貫通接続する図示しない導電ビアにより電気的に導出されている。また後述する圧電振動素子３の各接続電極３３，３４と接合される第４内部端子パッドＮＴ７，ＮＴ８（圧電振動素子用の内部端子パッド）については、第２の収納部１０ｂのうちベース１の一短辺側１０１に形成されている。
【００２０】
以上のような構成のベース１は周知のセラミック積層技術やメタライズ技術を用いて形成され、前記各内部端子パッド、搭載用外部端子パッド、および配線パターンは前述の接合領域１４ａ形成と同様にタングステンあるいはモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成された構成である。
【００２１】
第１の収納部１０ａに搭載される集積回路素子２は、Ｃ−ＭＯＳ等のインバータ増幅器（発振用増幅器）を内蔵したワンチップの集積回路素子であり、圧電振動素子３とともに発振回路を構成する。図３に示すように、集積回路素子２のパッドは、例えば矩形状で形成されており、集積回路素子の第１辺２Ａの中央付近に形成された２つの第１パッド２１，２２と、第１辺２Ａの端部付近（対向する角部付近）に形成された２つの第３パッド２５，２６と、第１辺２Ａに対向する第２辺２Ｂの端部付近（対向する角部付近）に形成された２つの第２パッド２３，２４とが形成されている。これらのパッドのうち第１パッド２１，２２は後述する圧電振動素子３の励振電極と電気的に接続され、第２パッドのうちの一方の第２パッド２３は交流出力となるように構成され、他方の第２パッド２４はアースとして構成されている。集積回路素子２は、例えば集積回路素子２の底面側をベース２の第１の収納部１０ａの内底面１１１とダイボンディング接合（機械的な接合）されるとともに、金等の金属ワイヤＷを介して、集積回路素子２の上面側の複数のパッド２１〜２６とベース１に形成された内部端子パッドＮＴ１〜ＮＴ６とを例えばワイヤボンディング接合（電気的に接合）されている。
【００２２】
集積回路素子２の上方には所定の間隔を持って圧電振動素子３が搭載される。圧電振動素子３は例えば平面視矩形状のＡＴカット水晶振動板であり、その表裏面に一部交差（対向）した状態で帯状電極３１，３２が形成されている。帯状電極３１，３２は、お互いの帯状電極が交差する励振領域（励振電極）とそれ以外の引出領域（引出電極）とから構成されており、各領域の幅寸法は同一幅として帯状に一体形成されており、その端部には圧電振動素子３の上側主面と下側主面とが端面を介して共通接続する接続電極３３，３４が形成されている。また一対の帯状電極３１，３２は、圧電振動素子３の一短辺側３Ａの異なる端部領域から圧電振動素子３の一短辺に対向する他短辺側３Ｂに向かって延出しており、延出途中の圧電振動素子３の上下主面（表裏主面）の中央部分でお互いに交差した状態で形成されている。このような電極構成により、圧電振動素子３の上下主面（表裏主面）の帯状電極３１，３２は位置ずれなどが生じても、お互いに交差する対向電極の面積が一定となり、電極間の容量（等価並列容量）ばらつきを生じない構成とすることができる。このため小型化された圧電振動素子３の電極形状として好ましい形態となる。
【００２３】
より具体的には、帯状電極３１が圧電振動素子３の一短辺側３Ａの角部Ａ１から圧電振動素子３の他短辺側３Ｂの対角にある角部Ｂ２に向かって（角部Ａ１と角部Ｂ２の対角線に沿って）同一幅で一条に延出して形成されるとともに、帯状電極３２が圧電振動素子３の一短辺側３Ａの角部Ａ２から圧電振動素子３の他短辺側３Ｂの対角にある角部Ｂ１に向かって（角部Ａ２と角部Ｂ１の対角線に沿って）同一幅で一条に延出して形成され、延出途中である圧電振動素子３の中心点付近で帯状電極３１と帯状電極３２の一部がお互いに交差した状態で形成されている。また圧電振動素子３の一短辺側３Ａの両端部である角部Ａ１，Ａ２には、一対の接続電極３３，３４が形成され、帯状電極３１，３２と一体的に形成されている。これらの電極は、例えば、クロムまたはニッケルの下地電極層と、銀または金の中間電極層と、クロムまたはニッケルの上部電極層とから構成された積層薄膜、クロムやニッケルの下地電極層と、銀または金の上部電極層とから構成された積層薄膜である。これら各電極は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。
【００２４】
なお、本形態の帯状電極３１，３２は、対角線に沿って延出されており延出途中である圧電振動素子３の中心点付近でお互いに交差した状態となり、励振領域（励振電極）と引出領域（引出電極）の全ての幅寸法を同一幅として構成しているが、図５の変形例に示すような構成でもよい。つまり、図５（ａ）では帯状電極３１，３２を圧電振動素子３の対角線に沿わない状態で圧電振動素子の他短辺側３Ｂの手前の位置まで延出しており、圧電振動素子の他短辺側３Ｂよりの位置でお互いに交差して形成している。図５（ｂ）では帯状電極３１，３２のうち励振領域とその近傍領域のみを幅寸法を同一幅として形成しており、両端部ではこれらの領域より幅広に構成している。図５（ｃ）では帯状電極３１，３２のうち励振領域とその近傍領域のみを幅寸法を同一幅として形成しており、端部では次第に幅が狭くなるように構成している。
【００２５】
圧電振動素子３とベース１との接合は、例えばペースト状であり銀フィラー等の金属微小片を含有するシリコーン系の導電樹脂接着剤（導電性接合材）Ｓを用いている。図１に示すように、導電性樹脂接着剤Ｓは、前記第４内部端子パッドＮＴ７、および第４内部端子パッドＮＴ８の上面に塗布されるとともに、導電性樹脂接着剤Ｓを圧電振動素子３と保持台１０ｃの間に介在させ硬化させることで、お互いを電気的機械的に接合している。以上により、ベース１の第１の収納部１０ａ（内底面１１１や下中段部１２１の上面に形成された内部端子パッドＮＴと配線パターンＨ、集積回路素子２、金属ワイヤＷなど）から圧電振動素子３の一端部の隙間を設けながら、圧電振動素子３の対向する他端部を前記ベースの保持台１０ｃに接合して、ベース１の第２の収納部１０ｂの内部で片持ち保持される。
【００２６】
本発明では、このように搭載された圧電振動素子３の一短辺側３Ａに形成され上側主面と下側主面とを側端面を介して引回した接続電極３３，３４を、ベース１の他短辺側１０２に形成された第２内部端子パッドＮＴ３（交流出力用の内部端子パッド），第２内部端子パッドＮＴ４（グランド用の内部端子パッド）と隔離した位置で配置するとともに、圧電振動素子３の他短辺側３Ｂに形成された帯状電極３１，３２を、ベース１の他短辺側１０２に形成された第２内部端子パッドＮＴ３（交流出力用の内部端子パッド），第２内部端子パッドＮＴ４（グランド用の内部端子パッド）と少なくとも一部が重畳した位置で配置している。またこのような配置状態で、ベース１の第２内部端子パッドＮＴ４（グランド用の内部端子パッド）に近接する方向に延出される帯状電極３１は、圧電振動素子３の主面のうちベースの第１の収納部１０ａ（内底面）から離隔する上主面側に位置するように配置形成している。
【００２７】
ベース１を気密封止する蓋４は、例えば、コバール等からなるコア材に金属ろう材（封止材）が形成された構成であり、この金属ろう材からなる封止材５がベース１の接合領域（金属膜）１４ａと接合される構成となる。金属製の蓋の平面視外形はセラミックベースの当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。
【００２８】
収納部１０に集積回路素子２と圧電振動素子３が格納されたベース１の接合領域１４ａに対して金属製の蓋４にて被覆し、金属製の蓋４の封止材５とベースの接合領域１４ａを溶融硬化させ、気密封止を行うことで表面実装型水晶発振器６の完成となる。
【００２９】
上記実施形態により、圧電振動素子３の表裏主面の帯状電極３１，３２は位置ずれなどが生じても、お互いに交差する対向電極（励振領域）の面積が一定となり、電極間の容量（等価並列容量）ばらつきを生じない構成とすることができるので、小型化された圧電振動素子３の電極形状として好ましい。特に基本波で１００ＭＨｚ以上の高周波向けの圧電振動素子３では、低周波向けの圧電振動素子に比べて輪郭系の不要振動の影響を受けにくくより望ましい。また、グランド用の第２内部端子パッドＮＴ４とこれに近接する帯状電極３１のギャップを離すことができる。このため、グランド用の第２内部端子パッドＮＴ４とこれに近接する帯状電極３１との電極間の容量（等価並列容量）が生じにくくなり、不要な浮遊容量（寄生容量）が形成されることがなくなる。また上記実施例に開示したようなワイヤボンディング接合（電気的に接合）を用いたものでは、圧電振動素子３とグランド用の第２内部端子パッドＮＴ４とのギャップがより近接配置されることが多く、またこれらに接続される金属ワイヤＷ自体も圧電振動素子に近接するため、このような悪影響を受けやすくなるが、これらを改善するうえでさらに望ましいものとなる。結果として、圧電発振器として、圧電振動素子３と集積回路素子２との間で不要な浮遊容量が増加することがないので、圧電振動素子３の振動を安定させる。発振回路全体としての浮遊容量による悪影響を軽減することができるので、表面実装型圧電発振器の発振回路の周波数決定に伴う設計ばらつきが抑えられる。特に電圧制御型圧電発振器では周波数可変量や周波数可変感度が低下することがなくなり、周波数可変バランスも良好なものとすることができる。以上のように、本発明は、小型化に対応させながら、浮遊容量の悪影響を受けにくい電気的特性の優れたより信頼性の高い表面実装型圧電発振器を提供することができる。
【００３０】
なお、本発明の実施形態では、導電性接合材として、シリコーン系の導電樹脂接着剤を例にしているが、他の導電性樹脂接着剤でもよく、金属バンプや金属メッキバンプのバンプ材、ろう材等を用いてもよい。また、集積回路素子とベースとの電気的接続構成は、ワイヤバンプを用いた構成に限らず、金属バンプを用いたフリップチップボンディング構成であってもよい。また、金属ろう材による封止を例にしたが、これに限定されるものではなく、シーム封止、ビーム封止（例えば、レーザビーム、電子ビーム）やガラス封止等でも適用することができる。
【００３１】
なお、本発明は、その思想または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明は、表面実装型圧電振動発振器に適用できる。
【符号の説明】
【００３３】
１、７  ベース
２  集積回路素子
３  圧電振動素子
４  蓋
５  封止材
６、８  表面実装型水晶発振器
Ｓ  導電樹脂接着剤（導電性接合材）
Ｗ  金属ワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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