(57)【要約】【課題】ウェハに反りが生じていても、現像後のレジストパターンの出来栄えバラツキを抑制できるレジスト塗布処理装置を提供するを提供する。【解決手段】本発明のレジスト塗布処理装置１００は、ウェハ上のレジストを加熱するベークヒータ１０７ｂと、レジストを加熱する際のベークヒータ１０７ｂの温度分布を制御する制御部１０１を有し、制御部１０１は、ウェハの反り量に応じて加熱する際のベークヒータ１０７ｂの温度分布を制御する。【選択図】図３
2013207030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のレジストを加熱する加熱部と、
前記レジストを加熱する際の前記加熱部の温度分布を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、
前記基板の反り量に応じて、加熱する際の前記加熱部の温度分布を制御する、レジスト塗布処理装置。
【請求項２】
前記基板を搭載する搭載面を備えたベークプレートと、
前記基板の反り量を測定する反り量測定部を有し、
前記加熱部は、前記ベークプレートの内部または前記搭載面と反対側の面に前記搭載面を加熱可能に設けられ、
前記制御部は、前記反り量測定部が測定した前記基板の反り量に応じて、前記基板の温度分布が均一になるように、前記加熱部の温度分布を制御する、請求項１記載のレジスト塗布処理装置。
【請求項３】
前記搭載面の温度分布を測定する測定部を有し、
前記制御部は、前記反り量測定部が測定した前記基板の反り量に応じて前記加熱部の温度分布を制御し、かつ、前記測定部が測定した温度分布に基づいて前記基板の温度分布が均一になるように、前記加熱部の温度分布を補正する、請求項２記載のレジスト塗布処理装置。
【請求項４】
前記加熱部は、前記反り量が大きくなるほど、対応する前記加熱部の対応する部分の温度を高くし、前記反り量が小さくなるほど、前記加熱部の対応する部分の温度を低くすることを特徴とする請求項２または３のいずれか一項に記載のレジスト塗布処理装置。
【請求項５】
前記加熱部は、環状の平面形状を有する複数のベークヒータを有し、
複数の前記ベークヒータは、平面形状が同心円状に配置されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載のレジスト塗布処理装置。
【請求項６】
前記加熱部は、複数のベークヒータを有し、
複数の前記ベークヒータは、平面形状がブロック状に配置されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載のレジスト塗布処理装置。
【請求項７】
前記加熱部は、前記基板上に塗布されたレジストを加熱して乾燥させる加熱部であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のレジスト塗布処理装置。
【請求項８】
前記加熱部は、露光後の前記基板上のレジストを加熱する加熱部であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のレジスト塗布処理装置。
【請求項９】
基板上のレジストを加熱する際に、前記基板の反り量に応じて加熱する際の加熱部の温度分布を制御する、レジスト塗布処理方法。
【請求項１０】
前記基板の反り量を測定し、
前記基板をベークプレートの搭載面に搭載し、
前記反り量測定部が測定した前記基板の反り量に応じて、前記基板の温度分布が均一になるように、前記ベークプレートの内部または前記搭載面と反対側の面に設けられた加熱部が前記搭載面を加熱する際の温度分布を制御する、請求項９記載のレジスト塗布処理方法。
【請求項１１】
前記搭載面の温度分布を測定し、
前記反り量測定部が測定した前記基板の反り量に応じて前記加熱部の温度分布を制御し、かつ、前記測定部が測定した温度分布に基づいて、前記基板の温度分布が均一になるように、前記加熱部の温度分布を補正する、請求項１０記載のレジスト塗布処理方法。
【請求項１２】
前記反り量が大きくなるほど、前記加熱部の対応する部分の温度を高くし、前記反り量が小さくなるほど、前記加熱部の対応する部分の温度を低くすることを特徴とする請求項１０または１１のいずれか一項に記載のレジスト塗布処理方法。
【請求項１３】
前記加熱部は、環状の平面形状を有する複数のベークヒータを有し、
複数の前記ベークヒータは、平面形状が同心円状に配置されていることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載のレジスト塗布処理方法。
【請求項１４】
前記加熱部は、複数のベークヒータを有し、
複数の前記ベークヒータは、平面形状がブロック状に配置されていることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載のレジスト塗布処理方法。
【請求項１５】
前記基板上に塗布されたレジストを加熱して乾燥させることを特徴とする、請求項９〜１４のいずれか一項に記載のレジスト塗布処理方法。
【請求項１６】
前記加熱部は、露光後の前記基板上のレジストを加熱することを特徴とする、請求項９〜１４のいずれか一項に記載のレジスト塗布処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト塗布処理装置およびレジスト塗布処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置におけるレジスト塗布処理装置は、シリコン等のウェハ上にフォトレジスト膜を形成するレジスト塗布処理と、塗布されたフォトレジスト膜を所定のパターンで露光する露光処理と、露光されたフォトレジストを所定パターンに現像する現像処理を行うことにより、ウェハ上のフォトレジストに所望のレジストパターンを形成している。
【０００３】
ここで、レジスト塗布処理の際には、ウェハ上に塗布したレジストを乾燥させるため、ウェハを搭載したプレート（ベークプレート）を加熱することにより、ウェハを加熱し、乾燥させている。
【０００４】
また、現像処理の際にも、ベークプレートを加熱することにより、ウェハを加熱する場合がある（特許文献１）。
【０００５】
ここで、レジストを加熱する際に、レジストへの熱の加わり方がばらつくと、現像処理後のレジストパターンの出来栄えにばらつきが発生する。
【０００６】
このようなバラツキを防ぐ方法として、特許文献１では、加熱の際に、ベークプレート面内の温度分布を均一に保つように加熱部の制御を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−０２８６１９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１のように、ベークプレート面内の温度分布を均一に保った場合でも、ウェハに反りが生じていると、ウェハとベークプレートの距離が一定にならないため、ベークプレートからウェハに伝わる熱量がウェハの面内でばらつき、現像後のレジストパターンの出来栄えにバラツキを生じるという問題があった。
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、ウェハに反りが生じていても、現像後のレジストパターンの出来栄えバラツキを抑制できるレジスト塗布処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述した目的を達成するために、本発明の第１の態様は、基板上のレジストを加熱する加熱部と、前記レジストを加熱する際の前記加熱部の温度分布を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記基板の反り量に応じて加熱する際の前記加熱部の温度分布を制御する、レジスト塗布処理装置である。
【００１１】
本発明の第２の態様は、基板上のレジストを加熱する際に、前記基板の反り量に応じて加熱する際の加熱部の温度分布を制御する、レジスト塗布処理方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ウェハに反りが生じていても、現像後のレジストパターンの出来栄えバラツキを抑制できるレジスト塗布処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態に係るレジスト塗布処理装置１００の構成を示すブロック図である。
【図２】第１の実施形態に係るウェハベークユニット１０７の平面図である。
【図３】第１の実施形態に係るレジスト塗布処理装置１００の動作を示すフロー図である。
【図４】ウェハの反りを示す図であって、横軸は測定方向（ウェハの中心を通る方向）であって「０」はウェハの中心を意味し、縦軸はウェハの反り量を示している。
【図５】ウェハ・ベークプレート１０７ａ間の距離と、ウェハの温度との関係を示す図である。
【図６】図４に示すウェハに対応したベークプレート１０７ａ表面（搭載面）の温度分布を示す図であって、横軸の「０」はウェハの中心を意味する。
【図７】第２の実施形態に係るウェハベークユニット１０９の平面図である。
【図８】第２の実施形態に係るレジスト塗布処理装置１００の動作を示すフロー図である。
【図９】第３の実施形態に係るウェハベークユニット１０７、１０９の平面図である。
【図１０】ウェハの反りを示す図であって、横軸は測定方向（ウェハの中心を通る方向）であって「０」はウェハの中心を意味し、縦軸はウェハの反り量を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面に基づいて本発明に好適な実施形態を詳細に説明する。
【００１５】
まず、図１および図２を参照して、本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布処理装置１００の構造について説明する。
【００１６】
ここではレジスト塗布処理装置１００として、半導体装置の製造に用いられる装置が例示されている。
【００１７】
図１に示すように、レジスト塗布処理装置１００は、装置を構成する各ユニットの動作を制御する制御部１０１と、装置外部から搬送された半導体基板等のウェハを装置内部に搬入するロードポート１０２と、装置内部でウェハを移動する際に用いられるウェハ搬送ロボット１０３を有している。
【００１８】
レジスト塗布処理装置１００は、さらに、後述するＨＭＤＳ処理に用いられるＨＭＤＳ処理ユニット１０４と、レジストを塗布するレジスト塗布ユニット１０６と、現像に用いられる現像処理ユニット１１１と、レジスト塗布後にウェハを加熱して乾燥させるウェハベークユニット１０７を有している。
【００１９】
レジスト塗布処理装置１００は、また、露光後にウェハを加熱するＰＥＢ（ポストエクスポージャーベーク）ユニット１０９と、現像後にウェハを加熱するポストベークユニット１１２と、ウェハを冷却する４つのウェハクーリングユニット（ウェハクーリングユニットＡ１０５、ウェハクーリングユニットＢ１０８、ウェハクーリングユニットＣ１１０、ウェハクーリングユニットＤ１１３）とウェハの反りを測定する反り量測定部としてのウェハ反り測定ユニット１１４を有している。
【００２０】
各ユニットは、トランスファーユニット２００を介して露光装置３００と接続されている。なお、トランスファーユニット２００は露光装置３００と各装置の間でウェハを受け渡すユニットである。
【００２１】
図２に示すように、ウェハベークユニット１０７は、ウェハを搭載する搭載面（ここでは紙面表側）を備え、ウェハの平面形状に対応した平面形状（円形）を有するベークプレート１０７ａと、搭載面と反対側の面（ここでは紙面裏側）またはベークプレート１０７ａ内に設けられ、搭載面を加熱することによってウェハを加熱・乾燥可能な加熱部としてのベークヒータ１０７ｂと、ベークプレート１０７ａの表面（搭載面）各部の温度を測定できる測定部としての複数の温度センサ１０７ｃ（例えば熱伝対）を有する。
【００２２】
図２では、ベークヒータ１０７ｂは、平面形状が環状の形状を有しており、ベークプレート１０７ａの中心を中心とした同心円状に複数設けられている。
【００２３】
次に図１および図３〜図６を用いて、レジスト塗布処理装置１００を用いたウェハの処理手順を説明する。
【００２４】
まず、処理の概略について説明する。 
図３に示すように、ウェハの処理は、レジストをウェハに塗布する塗布処理（図３のＳ１）、塗布したレジストを露光する露光処理（図３のＳ２）、および露光したレジストを現像する現像処理（図３のＳ３）を有している。 
以下、具体的な処理方法について説明する。
【００２５】
＜塗布処理＞
まず、図１に示すロードポート１０２にあるウェハをウェハ搬送ロボット１０３がウェハ反り測定ユニット１１４搬送し、ウェハ反り測定ユニット１１４はウェハの反り量を測定する（図３のＳ２１）。このウェハ反り測定ユニット１１４は、単独の装置でもかまわない。
【００２６】
図４は、ウェハを直径方向にウェハ反り測定ユニット１１４で測定した結果の例を示すグラフである。ウェハは同心円状に反っていることが多いため、得られるグラフは、該グラフのような下に凸または逆に上に凸になる場合が多い。
【００２７】
なお、ここではウェハの上面の法線の向きを正の向きとし、負の向きの成分が最も大きな部分（即ち、反りが生じていない部分）を反り量０としている。
【００２８】
制御部１０１は、この測定結果から図４に示すウェハの反りデータを取得する（図３のＳ４１）。
【００２９】
次に、ウェハ搬送ロボット１０３はウェハをＨＭＤＳ処理ユニット１０４へ搬入し、ＨＭＤＳ処理ユニット１０４はウェハにＨＭＤＳ処理を加える（図１のＳ２２）。
【００３０】
ここで、ＨＭＤＳ処理とは、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）等をウェハ表面に蒸気として吹きつけ、ウェハの表面を親水性から疎水性に変換する処理である。
【００３１】
次に、ウェハ搬送ロボット１０３はＨＭＤＳ処理ユニット１０４からウェハを取り出し、ウェハクーリングユニットＡ１０５へ搬送し、ウェハクーリングユニットＡ１０５はウェハを冷却して常温（２４℃程度）にする（図３のＳ２３）。
【００３２】
次に、ウェハ搬送ロボット１０３はウェハクーリングユニットＡ１０５からウェハを取り出し、レジスト塗布ユニット１０６へ搬送し、レジスト塗布ユニット１０６はウェハ表面にレジストを塗布する（図３のＳ２４）。
【００３３】
次に、ウェハ搬送ロボット１０３はレジスト塗布ユニット１０６からウェハを取り出し、ウェハベークユニット１０７へ搬送し、ウェハベークユニット１０７はウェハ表面のレジストを焼きしめる（プリベーク処理、図３のＳ２５）。
【００３４】
具体的には、ウェハがウェハベークユニット１０７へ搬送された後、先にウェハ反り測定ユニット１１４で測定したウェハの反り量のデータと、あらかじめ測定されているウェハとベークプレート間距離とウェハ表面温度の関係から、制御部１０１がプリベーク処理におけるウェハ面内の温度差分布を求め（図３のＳ４２）、ベークプレート１０７ａの表面各部の温度を温度センサ１０７ｃで測定し、ベークプレート１０７ａの表面各部の温度分布が、該ウェハ面内の温度差分布を補正し、ウェハ表面での温度が一様になるように（ウェハの温度分布が均一になるように）ベークヒータ１０７ｂを制御する（図３のＳ４３）。
【００３５】
ここで具体的なプリベーク処理制御方法を説明する。前述のように、ウェハは同心円状に反っている場合が多いため、得られる反り量のグラフは、図４のグラフのような下に凸または逆に上に凸になる。
【００３６】
ここで、例えば、ウェハ上のある点で０．６ｍｍの反りがあるとする。図５は、ウェハとベークプレート１０７ａの距離と温度の関係を示すグラフで、ベークプレート１０７ａの温度を１１０℃に制御したものである。
【００３７】
図５から明らかなように、ウェハがベークプレート１０７ａから離れるとウェハ温度が低下する。
【００３８】
そこで、制御部１０１は、図４と図５のグラフから、ウェハ温度を面内で一定にするには、ベークプレート中心温度（ウェハが反っていない部分の温度）に対して、ベークプレート各部分の温度を何度上げればよいか（即ち、ウェハが反っている部分に対応するベークヒータ１０７ｂの部分を何度に加熱すればよいか）を計算する。例えば、上記のように、ウェハ上のある点で０．６ｍｍの反りがある場合、図５から温度差が約８度になることが読み取れる。各部分に同じ計算を行い、図４のグラフをウェハの直径方向の位置に対する温度差に置き換えたものが図６のグラフとなる。図２に示すように、第１の実施形態のウェハベークユニット１０７は、ベークヒータ１０７ｂとベークプレート１０７ａの表面各部の温度を測定できる複数の温度センサ１０７ｃを有するので、制御部１０１は、ベークプレート１０７ａ内のベークヒータ１０７ｂの温度を温度センサ１０７ｃの値が図６のグラフに一致するように制御する。
【００３９】
即ち、制御部１０１は、反り量が大きくなるほど、ベークヒータ１０７ｂの当該部分の温度を高くし、反り量が小さくなるほど、ベークヒータ１０７ｂの当該部分の温度を低くする。図２に示すように、ベークヒータ１０７ｂが同心円状に配置されている場合、制御部１０１は、ベークヒータ１０７ｂのうち、同心円の外側になればなるほど温度が高くなるように各ベークヒータ１０７ｂを制御する。
【００４０】
以上が具体的なプリベーク処理制御方法の説明である。
【００４１】
次に、ウェハ搬送ロボット１０３はウェハベークユニット１０７からウェハを取り出し、ウェハクーリングユニットＢ１０８へ搬送し、ウェハクーリングユニットＢ１０８はウェハを冷却して常温（２４℃程度）にする（図３のＳ２６）。
【００４２】
次に、ウェハ搬送ロボット１０３はウェハクーリングユニットＢ１０８からウェハを取り出し、トランスファーユニット２００を介して、露光装置３００に渡す。 
以上が塗布処理の手順である。
【００４３】
＜露光処理＞
ウェハを受け取った露光装置３００は、図示しないマスク等を用いてレジスト上に所定のパターンが形成されるように露光を行う。
【００４４】
＜現像処理＞
現像処理の手順としては、まず、ウェハ搬送ロボット１０３はトランスファーユニット２００を介して露光装置３００から露光後のウェハを受け取り、ＰＥＢユニット１０９（ポストエクスポージャーベークユニット）に入れ、ＰＥＢユニット１０９はレジストに熱処理を加える（図３のＳ２７）。
【００４５】
化学増感レジストではこの熱処理により熱拡散反応が促進し感度が改善され、ｉ線レジストでは定在波効果が低減しレジストの形状が改善される。
【００４６】
次に、ウェハ搬送ロボット１０３はＰＥＢユニット１０９からウェハを取り出し、ウェハクーリングユニットＣ１１０へ搬送し、ウェハクーリングユニットＣ１１０はウェハを冷却して常温（２４℃程度）にする（図３のＳ２８）。
【００４７】
次に、ウェハ搬送ロボット１０３はウェハクーリングユニットＣ１１０からウェハを取り出し、現像処理ユニット１１１へ搬送し、現像処理ユニット１１１はウェハ表面に現像液を塗布し、レジストを現像した後、純水でウェハ表面をリンスする（図３のＳ２９）。
【００４８】
次に、ウェハ搬送ロボット１０３は現像処理ユニット１１１からウェハを取り出し、ポストベークユニット１１２へ搬送し、ポストベークユニット１１２は約１００度の熱によりウェハ表面のレジストを焼きしめる（ポストベーク処理、図３のＳ３０）。
【００４９】
次に、ウェハ搬送ロボット１０３はポストベークユニット１１２からウェハを取り出し、ウェハクーリングユニットＤ１１３へ搬送し、ウェハクーリングユニットＤ１１３はウェハを冷却して常温（２４℃程度）にする（図３のＳ３１）。
【００５０】
最後に、ウェハ搬送ロボット１０３はウェハクーリングユニットＤ１１３からウェハを取り出し、ロードポート１０２へ返却する。 
以上が現像処理の手順である。
【００５１】
このように、第１の実施形態によれば、レジスト塗布処理装置１００はウェハ上のレジストを加熱するベークヒータ１０７ｂと、レジストを加熱する際のベークヒータ１０７ｂの温度分布を制御する制御部１０１を有し、制御部１０１は、ウェハ反り量に応じて加熱する際のベークヒータ１０７ｂの温度分布を制御する。
【００５２】
そのため、ウェハに反りが生じていても、現像後のレジストパターンの出来栄えバラツキを抑制できる。
【００５３】
次に、第２の実施形態について、図７および図８を参照して説明する。
【００５４】
第２の実施形態は、第１の実施形態において、制御部１０１が、プリベークの時だけでなく、現像処理のＰＥＢ処理の際にも、ベークプレート１０９ａの表面各部の温度分布に応じて、ベークヒータ１０９ｂの温度分布を制御する構成としたものである。
【００５５】
なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の機能を果たす要素については同一の番号を付し、主に第１の実施形態と異なる部分について説明する。
【００５６】
まず、図７を参照して第２の実施形態に係るＰＥＢユニット１０９の構成について説明する。
【００５７】
図７に示すように、ＰＥＢユニット１０９は、ウェハベークユニット１０７と同様の構成を有している。
【００５８】
具体的には、ＰＥＢユニット１０９は、ウェハを搭載する搭載面（ここでは紙面表側）を備えたベークプレート１０９ａと、搭載面と反対側の面（ここでは紙面裏側）またはベークプレート１０９ａ内に設けられ、搭載面を加熱することによって（露光後の）ウェハを加熱可能なベークヒータ１０９ｂと、ベークプレート１０９ａの表面各部の温度を測定できる複数の温度センサ１０９ｃ（例えば熱伝対）を有する。
【００５９】
図７では、ベークヒータ１０９ｂは、平面形状が環状の形状を有しており、ベークプレート１０９ａの中心を中心とした同心円状に複数設けられている。
【００６０】
次に、第２の実施形態におけるウェハの処理の手順について図７および図８を参照して説明する。
【００６１】
まず、図８に示すように、塗布処理（図８のＳ１）および露光処理（図８のＳ２）が行われる。
【００６２】
なお、塗布処理および露光処理の具体的な手順については第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００６３】
次に、現像処理が行われる（図８のＳ３）。
【００６４】
具体的には、ウェハがウェハベークユニット１１９へ搬送された後、以下の手順でＰＥＢ処理を行う（図８のＳ２７）。
【００６５】
まず、制御部１０１は、先にウェハ反り測定ユニット１１４（図１参照）で測定したウェハの反り量のデータとあらかじめ測定されているウェハとベークプレート間距離とウェハ表面温度の関係から、ＰＥＢ処理におけるウェハ面内の温度差分布を求め（図８のＳ４４）、図７のベークプレート１０９ａの表面各部の温度を温度センサ１０９ｃで測定し、ベークプレート１０９ａの表面各部の温度分布が、該ウェハ面内の温度差分布を補正し、ウェハ表面での温度が均一になるようにベークヒータ１０９ｂを制御する（図８のＳ４５）。ここで制御の方法は第１の実施形態のベークヒータ１０７ｂの制御の方法と同じである。 
以上がＰＥＢ処理の手順である。
【００６６】
なお、ＰＥＢ処理後のウェハの処理の手順（図８のＳ２８〜Ｓ３１）は第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００６７】
このように、第２の実施形態によれば、レジスト塗布処理装置１００はウェハ上のレジストを加熱するベークヒータ１０７ｂ、１０９ｂと、レジストを加熱する際のベークヒータ１０７ｂ、１０９ｂの温度分布を制御する制御部１０１を有し、制御部１０１は、ウェハ反り量に応じて加熱する際のベークヒータ１０７ｂ、１０９ｂの温度分布を制御する。
従って、第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【００６８】
また、第２の実施形態によれば、制御部１０１が、ベークプレート１０９ａの表面各部の温度分布に応じて、ベークヒータ１０９ｂの温度分布を補正する。
【００６９】
そのため、第１の実施形態と比較して、現像後のレジストパターンの出来栄えバラツキをさらに抑制できる。
【００７０】
次に、第３の実施形態について図９および図１０を参照して説明する。
【００７１】
第３の実施形態は、第１の実施形態において、ベークヒータ１０７ｂ、１０９ｂを同心円状ではなく、ブロック状に配置し、ウェハの反りが同心円状でないウェハに対応可能としたものである。
【００７２】
なお、第３の実施形態において、第１の実施形態と同様の機能を果たす要素については同一の番号を付し、主に第１の実施形態と異なる部分について説明する。
【００７３】
図９に示すように、第３の実施形態に係るレジスト塗布処理装置１００は、平面形状が円形状のベークヒータ１０７ｂ、１０９ｂを有するが、ベークヒータ１０７ｂ、１０９ｂは、ベークプレート１０７ａ、１０９ａの表面を、ブロック分けして各ブロックに対応したブロック状の平面形状になるように配置されている。
【００７４】
このように、ベークヒータ１０７ｂ、１０９ｂを、平面形状がブロック状になるように配置し、制御部１０１がベークヒータ１０７ｂ、１０９ｂを個別に制御することで、図１０に示すような、ウェハの反りが同心円状でない場合でも、反りに応じた適切な温度分布の制御が可能である。
【００７５】
このように、第３の実施形態によれば、レジスト塗布処理装置１００はウェハ上のレジストを加熱するベークヒータ１０７ｂ、１０９ｂと、レジストを加熱する際のベークヒータ１０７ｂ、１０９ｂの温度分布を制御する制御部１０１を有し、制御部１０１は、ウェハ反り量に応じて加熱する際のベークヒータ１０７ｂ、１０９ｂの温度分布を制御する。
従って、第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【００７６】
また、第３の実施形態によれば、ベークヒータ１０７ｂ、１０９ｂを同心円状ではなく、ブロック状に配置し、制御部１０１がベークヒータ１０７ｂ、１０９ｂを個別に制御する。
【００７７】
そのため、第１の実施形態と比較して、ウェハの反りが同心円状でない場合でも、反りに応じた適切な温度分布の制御が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００７９】
１００    レジスト塗布処理装置
１０１    制御部
１０２    ロードポート
１０３    ウェハ搬送ロボット
１０４    ＨＭＤＳ処理ユニット
１０５    ウェハクーリングユニットＡ
１０６    レジスト塗布ユニット
１０７    ウェハベークユニット
１０７ａ  ベークプレート
１０７ｂ  ベークヒータ
１０７ｃ  温度センサ
１０８    ウェハクーリングユニットＢ
１０９    ＰＥＢユニット
１０９ａ  ベークプレート
１０９ｂ  ベークヒータ
１０９ｃ  温度センサ
１１０    ウェハクーリングユニットＣ
１１１    現像処理ユニット
１１２    ポストベークユニット
１１３    ウェハクーリングユニットＤ
１１４    ウェハ反り測定ユニット
２００    トランスファーユニット
３００    露光装置
【図１】
2013207030.tif 000003
【図２】
2013207030.tif 000004
【図３】
2013207030.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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