(57)【要約】【課題】電流の検出精度の低下を抑制できる電流検出装置を提供する。【解決手段】制御装置（１０）は、スイッチング素子（３１）により第１のバスバ（２１）に電流が流通している場合の検出装置（１００）の第１の検出値と、スイッチング素子（３１）により第２のバスバ（２２）に電流が流通している場合の検出装置（１００）の第２の検出値と、をそれぞれ検出し、第１の検出値と第２の検出値との差分値から、第１のバスバ（２１）及び第２のバスバ（２２）の少なくとも一方に流通する電流値を検出する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子を備えるパワーモジュールに電源からの直流電流を供給する第１のバスバ及び第２のバスバと、
前記第１のバスバ及び前記第２のバスバで発生する磁界を検出する検出装置と、
前記スイッチング素子の導通状態を制御し、前記検出装置の検出値に基づいて、前記第１のバスバ及び第２のバスバの少なくとも一方の電流値を検出する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、
前記スイッチング素子により前記第１のバスバに電流が流通している場合の前記検出装置の第１の検出値と、前記スイッチング素子により前記第２のバスバに電流が流通している場合の前記検出装置の第２の検出値と、をそれぞれ検出し、
前記第１の検出値と前記第２の検出値との差分値から、前記第１のバスバ及び前記第２のバスバの少なくとも一方に流通する電流値を検出することを特徴とする電流検出装置。
【請求項２】
前記制御装置は、
前記差分値と前記第１の検出値とから、前記第１のバスバ及び前記第２のバスバに対する外部磁界の影響を示すオフセット量を算出し、
前記第１の検出値と前記オフセット量との差から前記第１のバスバに流通する電流値を検出する、又は、前記第２の検出値と前記オフセット量との差から前記第２のバスバに流通する電流値を検出することを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項３】
前記制御装置は、
前記スイッチング素子が導通状態から遮断状態となったとき、前記電流センサによって前記第１の検出値と前記第２の検出値とを検出し、前記第１の検出値と前記第２の検出値との差分値から、前記第１のバスバ及び前記第２のバスバの少なくとも一方に流通する第１の電流値を検出し、
前記スイッチング素子が遮断状態から導通状態となったとき、前記電流センサによって前記第１の検出値と前記第２の検出値とを検出し、前記第１の検出値と前記第２の検出値と差分値から、前記第１のバスバ及び前記第２のバスバの少なくとも一方に流通する第２の電流値を検出し、
前記第１の電流値と前記第２の電流値との平均値から、前記第１のバスバ及び前記第２のバスバの少なくとも一方に流通する電流値を検出することを特徴とする請求項１又は２に記載の電流検出装置。
【請求項４】
前記検出装置は、前記第１のバスバに電流が流通している場合の第１の検出値と、前記第２のバスバに電流が流通している場合の第２の検出値とが、それぞれ正負が異なる値を検出するように構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載の電流検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体を導通する電流を検出する電流検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電動機等のインバータ制御に用いられる電力変換装置は、直流電流を複数のスイッチング素子によって交流電力に変換し、この出力によって電動機を駆動する。
【０００３】
このような電力変換装置には、スイッチング素子の電流を検出する電流検出装置が備えられている。電流検出装置として、電流が流通するバスバを周方向に取り囲むように磁性体のコアを嵌装し、コア内を通る磁界の強さをホール素子等のセンサによって検出するものが知られている。
【０００４】
しかしながら、このような構成ではバスバが大型化するとコアも大型化するため、電流検出装置が大型化するという問題があった。
【０００５】
この問題に対して、互いに反対方向に電流が流される第１及び第２の電極の間に、これらの磁束を検出することにより電流を検出する電流センサと、第１及び第２の電極によって両側から挟み込まれた空間を外側から磁気的に遮断する磁気遮蔽部とを備える半導体モジュールが開示されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４３８５８８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来技術では、磁性体のコアを省略して、電流センサの構造を小型化している。
【０００８】
しかしながら、従来技術では、第１の及び第２の電極以外の電極（バスバ）がさらに近接して設置されている場合など、他の電極等による磁界の影響を受けて検出精度が低下するという問題がある。この影響を防止するためには、磁気遮蔽部等を設ける必要があり、電流検出装置全体が大型化してしまうという問題があった。
【０００９】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、装置を大型化することなく、電流センサの検出対象の被測定部以外で発生する磁界による影響を小さくして電流の検出精度の低下を抑制できる電流検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施態様によると、スイッチング素子を備えるパワーモジュールに電源からの直流電流を供給する第１のバスバ及び第２のバスバと、が備えられている。この第１のバスバ及び第２のバスバで発生する磁界を検出する検出装置と、検出装置の検出値に基づいて、第１のバスバ及び第２のバスバの少なくとも一方の電流値を検出する制御装置と、を備える電流検出装置に適用される。
【００１１】
電流検出装置において、制御装置は、スイッチング素子により第１のバスバに電流が流通している場合の検出装置の第１の検出値と、スイッチング素子により第２のバスバに電流が流通している場合の検出装置の第２の検出値と、をそれぞれ検出する。この第１の検出値と第２の検出値との差分値から、第１のバスバ及び第２のバスバの少なくとも一方に流通する電流値を検出することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、パワーモジュールに直流電流を供給する第１のバスバ及び第２のバスバの磁界を検出する電流センサを用いて、第１の検出値と、第２の検出値と、これらの差分値とから、第１のバスバ又は第２のバスバに流通する電流を検出する。
【００１３】
このような構成によって、検出装置の検出対象の被測定部（第１のバスバ又は第２のバスバ）以外の磁界による影響を排除して、電流の検出精度の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体モジュールを含む駆動システムの説明図である。
【図２】本発明の第１の実施形態のパワーモジュールの説明図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の電流センサの説明図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の電流センサの電流検出を示す説明図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の変形例の電流センサの説明図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の電流値検出の動作を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明の第１の実施形態の駆動システム１の説明図である。
【００１７】
駆動システム１は、制御装置１０、バッテリ２０、駆動用モータＭ及び半導体装置５０によって構成され、制御装置１０の制御によって駆動用モータＭを制御する。
【００１８】
制御装置１０は、半導体装置５０を制御して、駆動用モータＭの出力を制御する。
【００１９】
バッテリ２０は駆動用モータＭに電力を供給するとともに、駆動用モータＭの回生電力を蓄電する。バッテリ２０は、例えば、鉛電池、ニッケル水素電池又はリチウムイオン電池等の二次電池が複数直列又は並列に接続されたバッテリモジュールとして構成されている。
【００２０】
半導体装置５０は、スイッチング素子３１及びダイオード３２を備える複数のパワーモジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗを備えている。スイッチング素子３１は、例えばＩＧＢＴ等の半導体素子によって構成される。ダイオード３２は、例えばファーストリカバリダイオード（ＦＲＤ）等の半導体素子によって構成される。ダイオード３２は、スイッチング素子３１に逆電流が加わることを防止してスイッチング素子３１を保護する。
【００２１】
本実施形態では、これらパワーモジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗが、それぞれ駆動用モータＭのＵ相、Ｖ相、Ｗ相に交流電力を供給する。
【００２２】
バッテリ２０の正極とパワーモジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗとは、Ｐバスバ２１（第１のバスバ）によって接続され、バッテリ２０の負極とパワーモジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗとは、Ｎバスバ２２（第２のバスバ）によって接続される。また、Ｐバスバ２１とＮバスバ２２との間には平滑コンデンサ４０が備えられる。
【００２３】
制御装置１０は、例えば駆動用モータＭの出力を上昇させるときは、半導体装置５０の各スイッチング素子３１にゲート電流を印可する。これにより、半導体モジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗが、バッテリ２０からの高電流を駆動用モータに供給する。
【００２４】
制御装置１０は、このゲート電流をデューティ比等によって制御することで、駆動用モータＭの出力を制御する。また、駆動用モータＭの回生時には、半導体装置５０を介して電力をバッテリ２０へと回生する。
【００２５】
図２は、本発明の第１の実施形態のパワーモジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗの説明図である。
【００２６】
パワーモジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗは、それぞれＰバスバ２１とＮバスバ２２とに接続されてバッテリ２０からの直流電流が入力される。また、パワーモジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗには、それぞれ出力端子２５Ｕ、２５Ｖ、２５Ｗが接続さる。各パワーモジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗは、出力端子２５Ｕ、２５Ｖ、２５Ｗを介して駆動用モータＭに交流電流を出力する。
【００２７】
パワーモジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗは、それぞれ、Ｐバスバ２１とＮバスバ２２との間に電流センサ１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗを備える。電流センサ１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗは、それぞれパワーモジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗに入力される直流電流を検出する検出装置として構成される。
【００２８】
電流センサ１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗは、例えばホール素子によって構成される。電流センサ１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗは、Ｐバスバ２１又はＮバスバ２２に電流が流れることにより発生する磁界を検出することにより、Ｐバスバ２１又はＮバスバ２２に流れる電流の値を検出する。
【００２９】
このように検出された電流値は、図示しない信号線を介して制御装置１０に送られる。制御装置１０は、電流センサ１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗの検出値に基づいて、パワーモジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗにおける電流値を検出する。制御装置１０は、検出した電流値に基づいて、パワーモジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗの動作を制御する。すなわち、半導体装置５０において制御装置１０が電流値を検出することにより、電流検出装置が構成される。
【００３０】
次に、このように構成されたパワーモジュール６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗにおける電流の検出を説明する。なお、以降は、特に区別する場合を除き、パワーモジュール６０Ｕにおける電流センサ１００Ｕの動作のみを説明するが、パワーモジュール６０Ｖ、６０Ｗにおける電流センサ１００Ｖ、１００Ｗについても同様である。
【００３１】
図３は、図２におけるＡ−Ａ断面図を示し、電流センサ１００Ｕの説明図である。なお、図３（Ａ）はＰバスバ２１に直流電流が流れている場合を示し、図３（Ｂ）はＮバスバ２２に直流電流が流れている場合を示す。
【００３２】
パワーモジュール６０Ｕは、制御装置１０からの制御信号によりスイッチング動作が行われる。
【００３３】
制御信号がＯＮの場合は、パワーモジュール６０Ｕは、スイッチング素子３１が駆動してＰバスバ２１からの直流電流を、出力端子２５Ｕを介して駆動用モータＭに出力する（図１に太点線矢印で示す）。
【００３４】
制御信号がＯＦＦの場合はスイッチング素子３１が遮断され、Ｐバスバ２１からの直流電流は出力されない。なお、このとき、駆動用モータＭの巻線のリアクトル等の影響によりスイッチング素子３１に逆起電力が発生するが、この電流はダイオード３２によりＮバスバ２２から駆動用モータＭ側に環流される（図１に太一点鎖線矢印で示す）。
【００３５】
Ｐバスバ２１に直流電流が流れている場合は、アンペールの法則によりＰバスバ２１の周囲に図３（Ａ）に点線で示すような磁界が発生する。電流センサ１００Ｕは、この磁界を検出することにより、Ｐバスバ２１に流れる電流値を検出することができる。
【００３６】
同様に、Ｎバスバ２２に直流電流が流れている場合は、Ｎバスバ２２の周囲に図３（Ｂ）に点線で示すような磁界が発生する。電流センサ１００Ｕは、この磁界を検出することにより、Ｎバスバ２２に流れる電流値を検出できる。なお、電流センサ１００Ｕは、Ｐバスバ２１とＮバスバ２２との中間部分に配置されて、Ｐバスバ２１の電流の検出値と、Ｎバスバ２２の電流の検出値とが互いに正負が逆となるように配置される。
【００３７】
次に、電流センサ１００Ｕの電流検出の動作を説明する。
【００３８】
本実施形態の電流センサ１００Ｕは、Ｐバスバ２１及びＮバスバ２２に発生する磁界を検出して電流値を検出する。このとき、近接して設けられる他のパワーモジュール６０Ｖ、６０ＷでのＰバスバ２１及びＮバスバ２２に流れる電流により発生する磁界の影響を受けて、電流センサ１００Ｕが検出する電流値が正確な値とならない可能性がある。
【００３９】
そこで本実施形態では、次のような制御によって、電流センサ１００Ｕにおける電流値を正確に検出できるように構成した。
【００４０】
図４は、制御装置１０によって実行されるパワーモジュール６０Ｕにおける電流センサ１００Ｕの電流検出を示す説明図である。
【００４１】
なお、図４において、縦軸は電流センサ１００Ｕが検出する電流センサ値を示し、横軸は時間の経過を示す。また。図４では、電流センサ１００Ｕにおいて、正方向に３０［Ａ］に相当する外部磁界の影響が加わっているものとする。
【００４２】
タイミングｔ０において、制御装置１０によりパワーモジュール６０ＵがＯＮとなり、Ｐバスバ２１からスイッチング素子３１、出力端子２５Ｕを介して駆動用モータＭへと電流が流れる。制御装置１０は、このときの電流センサ１００Ｕの検出値を記憶する。図４の例では１３０［Ａ］が検出値として記憶される。これは、外部磁界の影響を受けた電流値を検出している。
【００４３】
その後、所定時間の経過後、タイミングｔ１において、制御装置１０によりパワーモジュール６０ＵがＯＦＦとなり、Ｐバスバ２１からの電流が遮断される。このとき、ダイオード３２、Ｎバスバ２２を介して、駆動用モータＭへと電流が環流される。制御装置１０は、このときの電流センサ１００Ｕの検出値を記憶する。図４の例では−７０［Ａ］が検出値として記憶される。これは、外部磁界の影響を受けた電流値を検出している。
【００４４】
制御装置１０は、パワーモジュール６０ＵがＯＮのときの検出値とＯＦＦのときの検出値とから、外部磁界による影響を排除して電流センサ１００Ｕにおける電流値を算出する。
【００４５】
具体的には、パワーモジュール６０ＵがＯＮのときのＰバスバ２１の電流の検出値である１３０［Ａ］と、パワーモジュール６０ＵがＯＦＦのときのＮバスバ２２の電流の検出値である−７０［Ａ］との差分値を算出する。算出した値を半分（１／２を乗算）にする。算出されたこの値（図４の例では１００［Ａ］）は、電流センサ１００Ｕが備えられている被測定部におけるＰバスバ２１及びＮバスバ２２それぞれを流れる電流の値（相電流）となる。
【００４６】
また、算出された値（１００［Ａ］）とＰバスバ２１の電流の検出値（１３０［Ａ］）との差（３０［Ａ］）は、電流センサ１００Ｕの被測定部における他の磁界による影響を示す値であり、本発明ではこれを「オフセット量」と呼ぶ。
【００４７】
このように算出されたオフセット量を記憶しておき、電流センサ１００Ｕの電流の検出値とオフセット量との差を算出することにより、他の磁界による影響を排除した電流値を検出することができる。
【００４８】
なお、算出された値（１００［Ａ］）とＮバスバ２２の電流の検出値（−７０［Ａ］）との差（３０［Ａ］）も同様に、オフセット量となる。
【００４９】
このオフセット量は学習及び補正を行うことができる。すなわち、さらに続くタイミングｔ２において、制御装置１０によりパワーモジュール６０ＵがＯＮとなり駆動用モータＭへと電流が流れるときの電流センサ１００Ｕの電流の検出値を記憶する。また、さらにタイミングｔ３において、制御装置１０によりパワーモジュール６０ＵがＯＦＦとなり、Ｎバスバ２２を介して、駆動用モータＭへと電流が流れるときの電流センサ１００Ｕの検出値を記憶する。
【００５０】
制御装置１０は、この両時点での電流センサ１００Ｕの電流の検出値に基づいて、オフセット量を算出する。このオフセット量を学習することによって、電流センサ１００Ｕの電流の検出値と、オフセット量とによって、電流センサ１００Ｕが電流を検出した時点での被測定部の電流値を検出することができる。
【００５１】
図５は、本発明の第１の実施形態の変形例を示し、図２におけるＡ−Ａ断面図における電流センサ１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗの説明図である。
【００５２】
前述の図３では、電流センサ１００Ｕは、Ｐバスバ２１とＮバスバ２２との上方に、これらと等間隔に配置されていた。これに対して、図５（Ａ）に示す例では、Ｐバスバ２１とＮバスバ２２との中間にこれらと等間隔に電流センサ１００Ｕを配置してもよい。
【００５３】
また、図５（Ｂ）に示すように、Ｐバスバ２１とＮバスバ２２とが積層されて配置されている場合に、積層方向の略中心にこれらＰバスバ２１とＮバスバ２２と等間隔に配置してもよい。
【００５４】
また、図５（Ｃ）及び図５（Ｄ）に示すように、Ｐバスバ２１とＮバスバ２２との中間に等間隔に電流センサ１００Ｕを配置するのではなく、どちらか一方のバスバにより近接して電流センサ１００Ｕを配置してもよい。図５（Ｃ）及び図５（Ｄ）に示す例では、電流センサ１００Ｕが、Ｐバスバ２１側に接近して配置されている。
【００５５】
このように電流センサ１００Ｕを配置した場合は、電流センサ１００Ｕの検出感度を、Ｐバスバ２１とＮバスバ２２とで調整する。
【００５６】
具体的には、Ｐバスバ２１の電流を検出したときの感度、すなわち、図５（Ｃ）における下側の矢印方向の検出感度を、Ｎバスバ２２の電流を検出したときの感度、すなわち、図５（Ｄ）における上側の矢印方向の検出感度よりも小さくする。この感度は、電流センサ１００ＵとＰバスバ２１及びＮバスバ２２とのそれぞれの距離に基づいて決定してもよいし、実測値に基づいて決定してもよい。
【００５７】
このように、電流センサ１００Ｕと、Ｐバスバ２１及びＮバスバ２２との配置を変更することも可能である。なお、図５において電流センサ１００Ｕのみについて説明したが、電流センサ１００Ｖ、電流センサ１００Ｗについても同様である。なお、電流センサ（１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗ）は、いずれも、Ｐバスバ２１の電流の検出値と、Ｎバスバ２２の電流の検出値とが互いに正負が逆となるように配置される。
【００５８】
以上のように構成された本発明の第１の実施形態の電流センサ（１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗ）は、スイッチング素子３１を備えるパワーモジュール（６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗ）のＰバスバ２１及びＮバスバ２２に近接して備えられ、これらの磁界を検出する。
【００５９】
電流センサ（１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗ）は、パワーモジュール（６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗ）がＯＮに制御されてＰバスバ２１に直流電流が流通しているときの電流を検出（第１の検出値）する。また、パワーモジュール（６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗ）がＯＦＦに制御されてＮバスバ２２に直流電流が流通しているときの電流を検出（第２の検出値）する。
【００６０】
制御装置１０は、これら検出値の差分を算出し、差分に１／２を乗じた値とＰバスバ２１における検出値との差から、被測定部におけるＰバスバ２１を流れる電流値を検出する。
【００６１】
このような制御によって、電流センサ（１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗ）が備えられている被測定部における外部磁界の影響を排除することができ、Ｐバスバ２１又はＮバスバ２２を流れる電流値を正確に検出することができる。
【００６２】
また、このような構成によって、Ｐバスバ２１又はＮバスバ２２に磁性材料からなるコアを嵌装する必要がなくなる。従って、電流検出装置が大型化することがなく、スペース効率を向上できる。
【００６３】
また、電流センサ（１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗ）は、Ｐバスバ２１又はＮバスバ２２に近接して配置され、Ｐバスバ２１の電流の検出値と、Ｎバスバ２２の電流の検出値とが互いに正負が逆となるように配置される。このような配置であればどのような配置でもよいので、配置の自由度が増し、装置全体のスペース効率が向上して、小型軽量化が図れる。
【００６４】
次に、本発明の第２の実施形態の半導体装置５０を説明する。
【００６５】
前述の第１の実施形態では、電流センサ（１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗ）が備えられている被測定部における他の磁界の影響が略一定である場合の電流検出に好適である。
【００６６】
一方で、Ｐバスバ２１、Ｎバスバ２２又は出力端子（２５Ｕ、２５Ｖ、２５Ｗ）に流れる電流はパワーモジュール（６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗ）の動作により変動し、これらの影響による外部の磁界も変動する。
【００６７】
そこで、第２の実施形態では時間とともに変化するこれらの影響に対して、次のように構成することで、正確な電流値を検出する。なお、第１の実施形態と同一の構成には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００６８】
図６は、本発明の第２の実施形態の電流値検出の動作を示す説明図である。
【００６９】
図６において、縦軸は、パワーモジュール６０Ｕの出力端子２５Ｕにおける電流値を示し、横軸は時間を示す。出力端子２５Ｕの電流値は、パワーモジュール６０Ｕのスイッチング素子３１がＯＮのとき（タイミングｔ０−ｔ１）に上昇傾向を示し、スイッチング素子がＯＦＦとなったとき（タイミングｔ１）から、次回スイッチング素子３１がＯＮとなるまで（タイミングｔ２）、下降傾向を示す。
【００７０】
そこで、スイッチング素子３１がＯＮからＯＦＦに切り替わるタイミング（タイミングｔ１）と、スイッチング素子３１がＯＦＦからＯＮに切り替わるタイミング（タイミングｔ２）と、のそれぞれの時点での電流値を検出する。そして、これらの値を平均することにより、外部磁界の影響を排除するように構成した。
【００７１】
具体的には、制御装置１０は、スイッチング素子３１がＯＮからＯＦＦに切り替わるタイミング（タイミングｔ１）で電流センサ１００ＵによってＰバスバ２１の電流値を検出する。
【００７２】
電流値の検出は、前述の第１の実施形態と同様に、Ｐバスバ２１を電流が流れるときの電流値と、Ｎバスバ２２を電流が流れるときの電流値との差分値を算出してオフセット量を求める。このオフセット量に基づいて、Ｐバスバ２１の電流値（第１の電流検出値）を検出する。
【００７３】
次に、制御装置１０は、スイッチング素子３１がＯＦＦからＯＮに切り替わるタイミング（タイミングｔ２）で電流センサ１００ＵによってＰバスバ２１の電流値を検出する。
【００７４】
このときも同様に、Ｐバスバ２１を電流が流れるときの電流値と、Ｎバスバ２２を電流が流れるときの電流値との差分値を算出してオフセット量を求める。このオフセット量に基づいて、Ｐバスバ２１の電流値（第２の電流検出値）を検出する。
【００７５】
次に、制御装置１０は、タイミングｔ１での第１の電流検出値と、タイミングｔ２での第２の電流検出値との平均値を算出する。この平均値は、タイミングｔ１とタイミングｔ２との中間地点（タイミングｔ１２）における電流値と略等しくなる。
【００７６】
例えば、第１の電流検出値が９５［Ａ］であり、第２の電流検出値が８５［Ａ］であった場合に、これらの平均値である９０［Ａ］が、タイミングｔ１２における電流値となる。
【００７７】
このように、第２の実施形態では、時間とともに電流値や外部磁界の影響変化することに対して、連続する２回分の電流値の平均値を求めることにより、正確な電流値を検出することができる。
【００７８】
なお、スイッチング素子３１のＯＮ−ＯＦＦの切り替わりは制御装置１０によって信号が出力されるので、制御装置１０は、この信号に基づいて、前述のように電流値を検出することができる。
【００７９】
なお、以上説明した本発明の第１及び第２の実施形態では、スイッチング素子３１及びダイオード３２を備える半導体装置５０について説明したが、この構成に限られるものではない。直流電流を制御して駆動用モータＭ等の負荷インバータ制御を行う装置において、電流を検出する場合に前述の実施形態を同様に適用することができる。
【００８０】
また、本発明の第１及び第２の実施形態では、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の３相による駆動モータの制御を例に説明したがこれに限られるものでなはく、さらに多くのスイッチング素子３１とダイオード３２とを備えて、より多相の制御を行ってもよい。
【符号の説明】
【００８１】
１    駆動システム
１０    制御装置
２０    バッテリ
２１    Ｐバスバ
２２    Ｎバスバ
２５Ｕ、２５Ｖ、２５Ｗ    出力端子
３１    スイッチング素子
３２    ダイオード
４０    平滑コンデンサ
５０    半導体装置
６０Ｕ、６０Ｖ、６０Ｗ    パワーモジュール
１００Ｕ、１００Ｖ、１００Ｗ    電流センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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