(57)【要約】【課題】高精度な外形形状を有する振動片の製造方法を実現する。【解決手段】金属フッ化膜６０と金属酸化膜７０とを積層して積層体層を形成した後、金属酸化膜７０の表面にレジスト層８０を形成してレジスト層８０のパターニングを行い、積層体層のパターニングを行うマスク９０を形成する。次いでこのマスク９０を用いて積層体層をパターニングして振動片１０の外形形状を形成する際に用いるマスク９１を形成し、マスク９１を用いてドライエッチングにより振動片１０の外形形状を形成する。金属酸化膜７０は、金属フッ化膜６０とレジスト層８０の両方に対して密着性がよいことから、金属フッ化膜６０にサイドエッチングが発生すること、レジスト層８０の剥離が発生することを抑制することができる。そのことによって高精度なマスク９１を形成することができ、その結果、振動片１０の外形形状を高精度に形成することができる。【選択図】図３
2013207332.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、金属フッ化膜、金属酸化膜の順に積層して積層体層を形成する工程と、
前記金属酸化膜の表面にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングする工程と、
パターニングされた前記レジスト層をマスクとして、前記積層体層をパターニングする工程と、
パターニングされた前記積層体層をマスクとし、前記基板を所定の形状に形成する工程と、
を含むことを特徴とする振動片の製造方法。
【請求項２】
前記積層体層のパターニングは、イオンミリングによって行われること、
を特徴とする請求項１に記載の振動片の製造方法。
【請求項３】
前記基板を所定の形状に形成する工程は、ＣｘＦｙ系ガスを用いたドライエッチングによって行われること、
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の振動片の製造方法。
【請求項４】
前記レジスト層の形成前に、前記金属酸化膜の表面にシアン処理を行うこと、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の振動片の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動片の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、圧電基板や半導体基板等をエッチングにより加工する場合、これら基板の主平面にエッチングマスクとして用いられる金属フッ化物層を形成し、この金属フッ化物層のパターニングをレジストを用いたフォトリソグラフィによって行い、パターニングされた金属フッ化物層をマスクとしてウェットエッチングによって基板を所定の形状に加工するという製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１３５４７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような特許文献１による製造方法では、基板の主平面にエッチングマスクとなる金属フッ化物層を形成し、金属フッ化物層の表面に、エッチングマスクのパターニングのためにレジスト層を形成している。一般に、レジスト層と金属フッ化物層とは密着性が必ずしもよくないことが知られている。金属フッ化物層をパターニングする際、レジスト層との密着性が悪いと、金属フッ化物層にサイドエッチングが発生すること、レジスト層の剥離が発生すること、などから高精度なパターニングができないという課題があった。
【０００５】
また、ウェットエッチングを用いて基板の加工を行う場合、高精度加工は難しい。例えば、エッチング異方性がある基板材料では、加工位置によってエッチングレートが異なることから、高精度加工は期待できない。また、ウェットエッチングでは、加工できる基板材料が限定されるという課題もある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る振動片の製造方法は、基板の主平面の表面に、金属フッ化膜、金属酸化膜の順に積層して積層体層を形成する工程と、前記金属酸化膜の表面にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をパターニングする工程と、パターニングされた前記レジスト層をマスクとして、前記積層体層をパターニングする工程と、パターニングされた前記積層体層をマスクとし、前記基板を所定の形状に形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、金属フッ化膜と金属酸化膜とを積層して積層体層を形成した後、金属酸化膜の表面にレジスト層を形成してレジスト層のパターニングを行い、積層体層のパターニングを行うマスクを形成する。次いでこのマスクを用いて積層体層をパターニングして振動片の外形形状を形成する際に用いるマスクを形成する。金属酸化膜は、金属フッ化膜とレジスト層の両方に対して密着性がよいことから、従来技術のように、金属フッ化膜の表面にレジスト層を直接成膜する方法に比べ、金属フッ化膜にサイドエッチングが発生すること、レジスト層の剥離が発生することを抑制することができる。そのことによって高精度なマスクを形成することができ、その結果、振動片の外形形状を高精度に形成することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る振動片の製造方法において、前記積層体層のパターニングは、イオンミリングによって行われること、が好ましい。
【００１０】
積層体層のパターニングをイオンミリングを用いて行えば、金属酸化膜と金属フッ化膜のパターニングを同時工程で行うことができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る振動片の製造方法において、前記基板を所定の形状に形成する工程は、ＣｘＦｙ系ガスを用いたドライエッチングによって行われること、が好ましい。
【００１２】
ドライエッチングを用いて基板の加工を行う場合、ウェットエッチングと比べて、エッチング異方性の影響が小さいことから、マスクパターンに近い形状で外形形成が可能となり、設計自由度が高くなる利点がある。例えば、水晶基板のように、エッチング異方性がある基板材料でも、ドライエッチングによれば、結晶面におけるエッチングレートの差が小さくなることから、高精度加工が可能となる。
【００１３】
また、エッチングガスとしてＣｘＦｙ系ガスを用いる場合、リデポジション（再堆積）によって、振動片の側面のサイドエッチングが抑制され、かつ主平面に対してほぼ垂直な側面が得られることから、外形形状を高精度に形成することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る振動片の製造方法において、前記金属酸化膜の表面にシアン処理を行うこと、が好ましい。
なお、シアン処理とは、シアンカップリング剤を用いた液体処理である。
【００１５】
このように、シアン処理を行うことによって、金属酸化膜とレジスト層との密着性をより高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】振動片の概略構成の１実施例を示す斜視図。
【図２】基板に複数の振動片を形成する場合を示す平面図。
【図３】第１実施例に係る振動片の製造方法の主要工程を示す断面図。
【図４】第２実施例に係る振動片の製造方法の主要工程を示す断面図。
【図５】振動子の概略構成を示す断面図。
【図６】電子機器の一例として示す携帯電話機の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
なお、以下の説明で参照する図は、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材ないし部分の縦横の縮尺は実際のものとは異なる模式図である。
（振動片）
【００１８】
まず、振動片の１例をあげ説明する。
図１は、振動片の概略構成の１実施例を示す斜視図である。振動片１０は、Ｘ軸とＸ軸に直交するＹ軸とからなる平面に展開され、互いに表裏関係にある第１主面１１と第２主面１２とを有する。なお、第１主面１１及び第２主面１２に垂直な軸をＺ軸とする。振動片１０が水晶の場合、Ｘ軸は電気軸、Ｙ軸は機械軸、Ｚ軸は光学軸である。振動片１０は、基部２０の端部から＋Ｙ方向に延設される振動腕部３０と、−Ｙ方向に延設される振動腕部４０とを有している。振動腕部３０は、第１振動腕３１と第２振動腕３２とを有する。また、振動腕部４０は、第３振動腕４１と第４振動腕４２とを有する。
【００１９】
図１に示すように、基部２０と第１振動腕３１と第２振動腕３２とで音叉形振動片を構成し、基部２０と第３振動腕４１と第４振動腕４２とで音叉形振動片を構成している。この二つの音叉形振動片は基部２０で結合されている。このような構成の振動片１０をＨ型振動片と呼ぶことがある。
【００２０】
なお、第１振動腕３１と第２振動腕３２は互いに平行で同じ長さ、同じ断面形状で構成され、第３振動腕４１と第４振動腕４２は互いに平行で同じ長さ、同じ断面形状で構成されている。本実施形態では、振動片１０は、角速度センサー素子を例示している。従って、第１振動腕３１と第２振動腕３２とが駆動腕（励振腕）であって、第３振動腕４１と第４振動腕４２とが検出腕である。よって、以降の説明では、第３振動腕４１を第１検出腕４１、第４振動腕４２を第２検出腕４２と表す。
第１振動腕３１及び第２振動腕３２は、図１のＡ−Ａ切断面において断面形状が矩形である。また、本実施形態では、第１検出腕４１と第２検出腕４２の断面形状は、第１振動腕３１及び第２振動腕３２と同形状とする。
【００２１】
図示は省略するが、第１振動腕３１と第２振動腕３２の第１主面１１及び第２主面１２、第１主面１１と第２主面１２との間の側面には電極が形成されており、この電極は励振電極（駆動電極）である。また、第１検出腕４１と第２検出腕４２の第１主面１１及び第２主面１２、第１主面１１と第２主面１２との間の側面には電極が形成されており、この電極は検出電極である。励振電極は、第１振動腕３１と第２振動腕３２の表面を介して基部２０の第１主面１１及び第２主面１２に延設され、検出電極は第１検出腕４１と第２検出腕４２の表面を介して基部２０の第１主面１１及び第２主面１２に延設されている。
【００２２】
このように構成される振動片１０は、角速度センサー素子を構成しており、第１振動腕３１と第２振動腕３２は、それぞれ−Ｘ方向と＋Ｘ方向に変位可能である。そして、励振電極に励振信号（交流信号）を入力することで、第１振動腕３１と第２振動腕３２とは、±Ｘ方向に屈曲振動する。
【００２３】
励振信号を入力しているときにＹ軸（検出軸という）まわりに振動片１０を回転させると、第１振動腕３１と第２振動腕３２の振動方向（面内振動）に対して直角方向にコリオリの力が発生し、このコリオリの力によって第１振動腕３１と第２振動腕及び第１検出腕４１と第２検出腕４２が±Ｚ方向に面外振動する固有振動が励起される。そのとき、第１検出腕４１と第２検出腕４２には圧電効果によって電気軸であるＸ軸方向に分極が生じる。そして、検出電極に発生する表面電荷量を測定することで角速度を検出することができる。
（振動片１０の製造方法・第１実施例）
【００２４】
次に、第１実施例に係る振動片１０の製造方法について１実施例をあげ説明する。なお、本実施例の製造方法は、単一の基板に複数の振動片１０を形成し、振動片１０の集合体として一括して製造する製造方法を例示する。なお、製造方法としては、このように集合体による一括製造に限らず、一つの基板に対して一つの振動片１０を形成する製造方法でも、適用可能である。
【００２５】
図２は、基板１に複数の振動片１０を形成する場合を示す平面図である。なお、基板１としては、水晶基板、水晶以外の圧電基板、石英基板、ガラス基板、Ｓｉ基板や、圧電膜、ＧａＮ等の機能性膜が含まれる。
振動片１０は、図２に示すように、基板１に複数配置され、基部２０と、基部２０から延設された第１振動腕３１、第２振動腕３２、及び第１検出腕４１、第２検出腕４２とが形成される。この時点では、振動片１０は基部２０において連結部２で基板１と連結されている。以降の説明は、このように、基板１に振動片１０を形成する場合の製造方法を説明する。
【００２６】
図３は、振動片１０の製造方法の主要工程を示す断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、基板１の主平面１１（振動片１０の第１主面１１に相当する）に金属フッ化膜６０、金属酸化膜７０の順に積層し、積層体層を形成する。さらに金属酸化膜７０の表面にレジスト層８０を形成する。
【００２７】
金属フッ化膜６０には、基板１に対して高選択比の材料が選択される。ここで、基板１と金属フッ化膜６０のエッチング選択比は１００以上にすることが望ましい。例えば、基板１が水晶基板の場合には、ＭｇＦ2、ＣａＦ2、ＣｅＦ3、ＬａＦ3、ＳｒＦ2、ＡｌＦ3、ＢａＦ2、等を用いる。
金属フッ化膜６０は、スパッタ法、蒸着法等の成膜方法を用いて形成する。
【００２８】
金属酸化膜７０は、金属フッ化膜６０との密着性がよい材料を選択し、本実施例ではＳｉＯ2等を用いる。金属酸化膜７０は、スパッタ法、蒸着法等の成膜方法を用いて形成される。
【００２９】
レジスト層８０は、例えば、レジストベース樹脂等の金属酸化膜７０との密着性がよい材料が用いられ、スピンコート法、スプレー塗布法やディップ法などの成膜法を用いて形成される。
【００３０】
次に、フォトリソグラフィー法（露光・現像）を用いて、レジスト層８０を振動片１０の外形形状にパターニングする。つまり、基板１の除去すべき部分に開口部８０ａを形成する。例えば、図３（ｂ）に示すように、第１振動腕３１及び第２振動腕３２の形状に合わせて遮蔽部（レジスト層８０のうち、図示斜線部）が形成される。このようにして、次の積層体層のパターニングに用いるマスク９０が形成される。
【００３１】
次に、図３（ｃ）に示すように、パターニングされたレジスト層８０をマスク９０を用いて、金属酸化膜７０と金属フッ化膜６０とをパターニングする。金属酸化膜７０と金属フッ化膜６０とのパターニングは、Ａｒガス環境下でイオンミリング法を用いて行う。
【００３２】
そして、図３（ｄ）に示すように、レジスト層８０を除去し、金属酸化膜７０と金属フッ化膜６０の積層体からなるマスク９１を形成する。
【００３３】
次に、図３（ｅ）に示すように、ドライエッチングによって基板１に振動片１０の外形形状を形成する。このドライエッチング工程では、エッチングガスとしてＣｘＦｙガスを用いる。または、アルゴンに代表される希ガスや酸素ガス等の混合ガスを用いることもできる。
【００３４】
第１主面１１側からドライエッチングを開始すれば、加工位置が深くなるにつれて加工部分の入口側（第１主面１１側）はエッチングガスや被エッチング材料から生成されたリデポジション（再堆積）によって、振動片１０の側面のサイドエッチングが抑制され、かつ第１主面１１に対してほぼ垂直な側面を形成できることから、振動片１０の外形形状を高精度に形成することができる。
【００３５】
次に、図３（ｆ）に示すように、金属酸化膜７０と金属フッ化膜６０とを除去する。この工程終了時の振動片１０の形態は、図２に示すように、振動片１０が基板１に連結部２で連結された形態である。続いて、連結部２を切断して振動片１０に個片化すると、図１に示すような振動片１０が形成される。
【００３６】
上述した振動片１０の製造方法によれば、金属フッ化膜６０と金属酸化膜７０とを積層して積層体層を形成した後、金属酸化膜７０の表面にレジスト層８０を形成し、レジスト層８０のパターニングを行い、積層体層のパターニングを行うマスク９０を形成する。次いでマスク９０を用いて積層体層をパターニングして振動片１０の外形形状を形成する際に用いるマスク９１を形成する。金属酸化膜７０は、金属フッ化膜６０とレジスト層８０の両方に対して密着性がよいことから、従来技術のように、金属フッ化膜６０の表面にレジスト層８０を直接成膜する方法に比べ、金属フッ化膜６０にサイドエッチングが発生すること、レジスト層８０の剥離が発生することを抑制することができる。そのことによって高精度なマスクを形成することができ、その結果、振動片１０の外形形状を高精度に形成することができる。
【００３７】
また、金属フッ化膜６０と金属酸化膜７０からなる積層体層のパターニングは、アルゴンイオンミリングによって行う。イオンミリングでは、金属酸化膜７０と金属フッ化膜６０のパターニングを同時工程で行うことができる。また、イオンミリングは、加速されたイオンを加工対象物に照射させて除去対象物を除去する加工方法であるため、細密で高精度なパターニングを行うことができる。
【００３８】
また、ドライエッチングを用いて基板１に振動片１０の外形形状の形成加工を行う場合、ウェットエッチングに比べて、エッチング異方性の影響が小さいことから、マスクパターンに近い形状で外形形成が可能となり、設計自由度が高くなる利点がある。例えば、水晶基板のように、エッチング異方性がある基板材料でも、ドライエッチングによれば、結晶面におけるエッチングレートの差が小さくなることから、高精度加工が可能となるという効果がある。
【００３９】
また、エッチングガスとしてＣｘＦｙ系ガスを用いる場合、リデポジション（再堆積）によって、振動片１０の側面のサイドエッチングが抑制され、かつ主平面１１（第１主面１１）に対してほぼ垂直な側面が得られることから、外形形状を高精度に形成することができる。
【００４０】
なお、金属酸化膜７０の表面にシアン処理を行ってもよい。ここで、シアン処理とは、シアンカップリング剤を用いた液体処理である。シアンカップリング剤は、金属酸化膜７０とレジスト層８０との密着性をより一層高めることができる。このことによって、金属フッ化膜６０にサイドエッチングが発生すること、レジスト層８０の剥離が発生することをさらに抑制することができる。
（振動片１０の製造方法・第２実施例）
【００４１】
続いて、振動片１０の製造方法における第２実施例について説明する。前述した第１実施例では、振動片１０の外形形状を形成する製造方法について説明したが、第２実施例は、振動片１０に第１実施例の製造方法を適用しながら、振動片１０に溝を形成する例である。
図４は、第２実施例に係る振動片１０の製造方法の主要工程を示す断面図である。なお、図３も参照する。
なお、製造方法としては、基板１に溝を形成した後、振動片１０の外形形状を形成する製造方法と、振動片１０の外形形状を形成した後、溝を形成する製造方法があり、どちらも同じ技術思想で製造できるが、ここでは、前者の製造方法を例にあげ説明する。
【００４２】
まず、図３（ａ）に示すように、基板１の主平面１１に金属フッ化膜６０、金属酸化膜７０、レジスト層８０の順に形成し、次いで、レジスト層８０を溝形成部分に位置する開口部を有するマスクを形成する。その後、このマスクを用いて金属フッ化膜６０と金属酸化膜７０とをイオンミリング法を用いて、溝を形成するためのマスク９２を形成する。これらの工程は、マスクパターンが異なるものの第１実施例の図３（ａ），（ｂ），（ｃ）の工程を踏襲する。このような工程を経て、図４（ａ）に示すように、第１振動腕３１及び第２振動腕３２の形成位置に開口部９２ａが開口されたマスク９２が形成される。
【００４３】
次に、図４（ｂ）に示すように、マスク９２を用いて、ドライエッチングによって基板１に溝５０を形成する。このドライエッチング工程では、エッチングガスとしてＣｘＦｙガスを用いる。または、アルゴンに代表される希ガスや酸素ガス等の混合ガスを用いることもできる。このドライエッチング工程は、ハーフドライエッチングであって、所定の溝深さになるまで加工する。第１主面１１側からハーフドライエッチングを開始すれば、加工位置が深くなるにつれて入口側（第１主面１１側）はエッチングガスや被エッチング材料から生成されたリデポジション（再堆積）によって、溝５０の内側側面のサイドエッチングが抑制されることから、溝形状を高精度に形成することができる。
【００４４】
そして、マスク９２を除去し、第１実施例の図３（ａ）〜（ｆ）までの工程を実施することによって、図４（ｃ）に示すような、第１振動腕３１及び第２振動腕３２の第１主面１１に溝５０が形成された振動片１０を形成することができる。溝５０の深さは、加工時間によって調整可能である。
なお、同じ工程で、第１検出腕４１及び第２検出腕４２にも溝５０を形成することもできる。
また、第２実施例においても、第１実施例と同様に、金属酸化膜７０の表面にシアン処理を行ってもよい。
【００４５】
図示は省略するが、第１振動腕３１と第２振動腕３２の第１主面１１及び第２主面１２、第１主面１１と第２主面１２との間の側面には電極が形成されている。この電極は励振電極（駆動電極）である。また、第１検出腕４１と第２検出腕４２の第１主面１１及び第２主面１２、第１主面１１と第２主面１２との間の側面には電極が形成されている。この電極は検出電極である。励振電極は、第１振動腕３１と第２振動腕３２の表面を介して基部２０の第２主面１２に延設され、検出電極は第１検出腕４１と第２検出腕４２の表面を介して基部２０の第２主面１２に延設されている。また、溝５０の内面にも電極を形成することができる。
【００４６】
なお、前述した第１実施例及び第２実施例に記載の振動片１０の製造方法は、振動片に限らず応用することが可能である。例えば、基板上に半導体層が形成されている場合に、この半導体層に凹部形成することや、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等の製造に適用することが可能である。
また、前述した第１実施例及び第２実施例に記載の振動片１０の製造方法は、Ｈ型振動片に限らず、音叉型振動片、ダブルＴ型振動片、等各種振動片に適用することが可能である。
上記振動片の製造方法を用いて製造された振動片１０は、以下に説明する振動子、電子部品、電子機器に適用することができるので、それらの１例をあげ説明する。
（振動子）
【００４７】
続いて、前述した振動片１０を備えた振動子について説明する。
図５は、振動子の概略構成を示す断面図である。振動子１００は、前述した第１実施例または第２実施例に記載の振動片１０と、振動片１０を格納するパッケージ１０１と、から構成されている。
【００４８】
パッケージ１０１は、パッケージベース１０２と、シームリング１０４と、リッド１０３等から構成されている。パッケージベース１０２は、振動片１０を収納できるように凹部が形成され、その凹部に振動片１０を載置する支持台部１０５が設けられている。
振動片１０の基部２０（詳しくは第２主面１２側表面）には、前述した第１振動腕３１、第２振動腕３２に励振電極（図示せず）が設けられ、第１検出腕４１、第２検出腕４２に図示しない検出電極が設けられている。励振電極及び検出電極の各々は、基部２０の第２主面１２に設けられる接続端子（図示せず）に延設されている。
【００４９】
支持台部１０５には、振動片１０に設けられる接続端子と接合するための接続パッド（図示せず）が設けられており、接続端子と接続パッドとが接合される。接続パッドは、パッケージベース１０２内の図示しない配線に接続され、パッケージベース１０２の外底面に設けられた外部接続端子１０６，１０７と接続されている。
そして、振動片１０を支持台部１０５に接合した後、シームリング１０４を用いてパッケージベース１０２とリッド１０３とを接合し、内部を減圧状態で封止する。
なお、パッケージベース１０２内に、発振回路を備える構成としてもよい。
【００５０】
上述したように、振動子１００は、前述した振動片１０を備えていることから、前述した第１実施例及び第２実施例に記載の効果を有する振動子を実現できる。
また、振動片１０をパッケージ１０１内に密閉すれば、外部からの水分や塵埃の浸入を防ぎ、振動の安定性を持続させることができる。
（電子部品）
【００５１】
続いて、電子部品について説明する。図示は省略するが、電子部品は、前述した振動片１０または振動子１００が、回路基板や他の回路装置に実装されている。
前述した振動片１０が角速度センサーや加速度センサーである場合、手振れ検出回路装置、位置検出装置、傾斜計装置等の物理量検出装置に適用可能である。さらに、センシングデバイスやタイミングデバイスとしても適用可能である。
（電子機器）
【００５２】
続いて、前述した振動片１０または振動子１００を備えた電子機器について説明する。
図６は、電子機器の一例として示す携帯電話機の斜視図である。携帯電話機１０００は表示部１００１と、複数の操作ボタン１００２と、受話口１００３と、送話口１００４とを備え、内部回路構成要素のタイミングデバイスなどとして上述した振動片１０また振動子１００を備えて構成されている。
【００５３】
なお、本発明を適用した電子機器としては、上述したような携帯電話機１０００に限らず、例えば、電子ブック、パーソナルコンピューター、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などに好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００５４】
１…基板、１０…振動片、１１…第１主面（主平面）、１２…第２主面、３１…第１振動腕、３２…第２振動腕、６０…金属フッ化膜、７０…金属酸化膜、８０…レジスト層、８０ａ…レジスト層の開口部、９０…マスク（レジスト層）、９１…マスク（積層体層）。
【図１】
2013207332.tif 000003
【図２】
2013207332.tif 000004
【図３】
2013207332.tif 000005
【図４】
2013207332.tif 000006
【図５】
2013207332.tif 000007
【図６】
2013207332.tif 000008