(57)【要約】【課題】  本発明は、製造が容易であり、反射効率が高く、放熱性に優れ、生産性も向上できる光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、それらの製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】  光半導体装置用リードフレームを、電極部と光反射部とが一体的に形成された複数の金属部材で構成し、前記電極部の前記光反射部が形成されていない側が互いに近接するように、かつ、前記光反射部が前記電極部を囲むように、前記複数の金属部材を互いに隔離して配置することにより、上記課題を解決する。【選択図】      図１
2013207105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の金属部材を有する光半導体装置用リードフレームであって、
前記複数の金属部材は、いずれも電極部と光反射部とが一体的に形成されたものであり、
前記電極部は、
前記光反射部が形成されている側である第１の側と、
前記光反射部が形成されていない側である第２の側を有しており、
前記複数の金属部材が、
前記電極部の前記第２の側が互いに近接するように、かつ、前記光反射部が前記電極部を囲むように、互いに隔離されて配置されていることを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
【請求項２】
前記光反射部は光反射面を有しており、
前記光反射面の前記電極部側の第１の辺の長さが、前記第1の辺と対向する第２の辺の長さよりも短いことを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項３】
前記電極部と前記光反射部が、前記電極部よりも厚さが薄く、かつ、前記光反射部よりも厚さの薄い屈曲部を介して連結されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項４】
前記光反射部の光反射面が前記電極部の主面に対して上方に傾斜するように、前記光反射部が立設されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項５】
前記電極部の前記第２の側で互いに近接する前記複数の金属部材の間に、絶縁性樹脂が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項６】
請求項１に記載の光半導体装置用リードフレーム複数個を、連結部を介して前記光反射部同士で連結して多面付け配置したことを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
【請求項７】
請求項５に記載の光半導体装置用リードフレームと、前記電極部の主面に電気的に接続された光半導体素子と、前記光半導体素子を封止し、前記光半導体素子が発する光を透過する透光性樹脂と、を備えたことを特徴とする光半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の光半導体装置用リードフレーム複数個を、連結部を介して前記光反射部同士で連結して多面付け配置した光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、
平板状の金属基板の片方の面に、多面付け配置された前記光半導体装置用リードフレームの前記電極部および前記光反射部となる領域を被覆する第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンをエッチングマスクに用いて前記金属基板をハーフエッチングする第１のエッチング工程と、
前記金属基板のもう一方の面に、前記連結部、前記電極部、および、前記光反射部となる領域を被覆する第２のレジストパターンを形成し、前記第２のレジストパターンをエッチングマスクに用いて前記金属基板をハーフエッチングする第２のエッチング工程と、
を備えることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項９】
請求項３に記載の光半導体装置用リードフレーム複数個を、連結部を介して前記光反射部同士で連結して多面付け配置した光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、
平板状の金属基板の片方の面に、多面付け配置された前記光半導体装置用リードフレームの前記電極部、前記光反射部、および、前記屈曲部となる領域を被覆する第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンをエッチングマスクに用いて前記金属基板をハーフエッチングする第１のエッチング工程と、
前記金属基板のもう一方の面に、前記連結部、前記電極部、および、前記光反射部となる領域を被覆する第２のレジストパターンを形成し、前記第２のレジストパターンをエッチングマスクに用いて前記金属基板をハーフエッチングする第２のエッチング工程と、
を備えることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の製造方法により得られた半導体装置用リードフレームに対し、
前記電極部においては、主面側から反対面の側へ押圧し、
前記光反射部においては、前記光反射部の光反射面の反対側から光反射面の側へ押圧して、
前記光反射部の光反射面を、前記電極部の主面に対して上方に傾斜させる工程を、
備えることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項に記載の製造方法により得られた半導体装置用リードフレームにおける前記電極部の前記第２の側で互いに近接する複数の金属部材の間に、絶縁性樹脂を形成する工程を備えることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の製造方法により得られた光半導体装置用リードフレームの前記電極部の主面に光半導体素子を電気的に接続する工程と、透光性樹脂を充填して前記光半導体素子を封止する工程と、前記連結部を切断して個々の光半導体装置を得る工程と、を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ等の光半導体素子を載置する光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、それらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、互いに絶縁された電極部を有する表面実装型のリードフレームとＬＥＤ素子とを有する光半導体装置を含むものがある。
【０００３】
ここで、上述のような光半導体装置においては、効率良く光を取り出すために、リフレクター（反射器、反射板）を設ける必要がある。光半導体装置において、金属製の基板またはリードフレームを用いた場合には、リフレクターは樹脂により形成されることが一般的である。
しかしながら、樹脂製のリフレクターは反射率が十分でなく、かつ、樹脂劣化による反射率の低下が問題となる。また、ＬＥＤ素子の発光により生じた熱を、放熱する特性も十分ではない。
【０００４】
そこで、反射率や放熱特性を向上させることを目的に、リフレクターを金属製とし、リフレクターと光半導体素子を載置するダイパッド部とを一体に形成することが提案されている（特許文献１〜２）。
【０００５】
例えば、特許文献１には、枠体状の金属リフレクターとダイパッド部を一体に形成し、絶縁性接着層を介して２個の電極部が固定されている発光装置が記載されている。
【０００６】
また、特許文献２には、平板状の２個の電極部のうち、ダイパッド部を兼ねる一の電極部にリフレクターとなる平板状のパターン部を連結させ、前記パターン部を略垂直に立てて反射面を形成する発光ダイオード素子の製造方法が記載されている。
なお、この特許文献２には、金属リフレクターが、ダイパッド部を兼ねる一の電極部に連結した対向する２個の反射面から構成される形態の他に、ダイパッド部を兼ねる一の電極部に連結した４個の反射面で、前記ダイパッド部を兼ねる一の電極部を取り囲む形態も記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−４９１６７号公報
【特許文献２】特開２００４−３６３５３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の枠体状の金属リフレクターとダイパッド部を一体形成する方法では、この一体化した部材は立体的に複雑な構造を有しているため、前記部材を製造することには困難性があり、これに伴い、発光装置の生産性も低下する。
【０００９】
また、特許文献２に記載の形態のうち、金属リフレクターが、ダイパッド部を兼ねる一の電極部に連結した対向する２個の反射面から構成される形態においては、光半導体素子を載置する電極部（ダイパッド部）の四方が金属リフレクターで囲まれていないため、反射効率が十分でない。
【００１０】
また、特許文献２に記載の形態のうち、金属リフレクターが、ダイパッド部を兼ねる一の電極部に連結した４個の反射面で、前記電極部（ダイパッド部）を取り囲む形態においては、光半導体素子を載置する電極部（ダイパッド部）の四方は金属リフレクターで囲まれているものの、光半導体素子を載置しない電極部は金属リフレクターで囲まれる領域の外側に配置されている。
それゆえ、光半導体素子を載置しない電極部と、金属リフレクターで囲まれた電極部（ダイパッド部）に載置された光半導体素子と、を接続するためには、前記金属リフレクターを越えて接続する必要があり、接続構造に困難性がある。また、このような形態では、接続ワイヤーの断線のおそれがあり、信頼性にも問題がある。
【００１１】
さらに、特許文献２に記載の上記２つの形態は、いずれも光半導体装置１個を形成する１組の電極部（１組のリードフレーム）の形態しか開示されておらず、かつ、反射面を立設する方法も、個片化した１組のリードフレームにおける例しか開示されていない。
すなわち、上記のように反射面を立設したリードフレームを、１枚の金属材料から複数組一括して製造する方法は、何ら開示されておらず、上記のように、個々の平板状の１組のリードフレームに対し、個々、反射面を立設する工程を要するようでは、生産性が著しく低下し、現実的ではない。
【００１２】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、製造が容易であり、反射効率が高く、放熱性に優れ、生産性も向上できる光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、それらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は、種々研究した結果、光半導体装置用リードフレームを、電極部と光反射部とが一体的に形成された複数の金属部材で構成し、前記電極部の前記光反射部が形成されていない側が互いに近接するように、かつ、前記光反射部が前記電極部を囲むように、前記複数の金属部材を互いに隔離して配置することで、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００１４】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、複数の金属部材を有する光半導体装置用リードフレームであって、前記複数の金属部材は、いずれも電極部と光反射部とが一体的に形成されたものであり、前記電極部は、前記光反射部が形成されている側である第１の側と、前記光反射部が形成されていない側である第２の側を有しており、前記複数の金属部材が、前記電極部の前記第２の側が互いに近接するように、かつ、前記光反射部が前記電極部を囲むように、互いに隔離されて配置されていることを特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
【００１５】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記光反射部は光反射面を有しており、前記光反射面の前記電極部側の第１の辺の長さが、前記第１の辺と対向する第２の辺の長さよりも短いことを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームである。
【００１６】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記電極部と前記光反射部が、前記電極部よりも厚さが薄く、かつ、前記光反射部よりも厚さの薄い屈曲部を介して連結されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光半導体装置用リードフレームである。
【００１７】
また、本発明の請求項４に係る発明は、前記光反射部の光反射面が前記電極部の主面に対して上方に傾斜するように、前記光反射部が立設されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームである。
【００１８】
また、本発明の請求項５に係る発明は、前記電極部の前記第２の側で互いに近接する前記複数の金属部材の間に、絶縁性樹脂が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームである。
【００１９】
また、本発明の請求項６に係る発明は、請求項１に記載の光半導体装置用リードフレーム複数個を、連結部を介して前記光反射部同士で連結して多面付け配置したことを特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
【００２０】
また、本発明の請求項７に係る発明は、請求項５に記載の光半導体装置用リードフレームと、前記電極部の主面に電気的に接続された光半導体素子と、前記光半導体素子を封止し、前記光半導体素子が発する光を透過する透光性樹脂と、を備えたことを特徴とする光半導体装置である。
【００２１】
また、本発明の請求項８に係る発明は、請求項１に記載の光半導体装置用リードフレーム複数個を、連結部を介して前記光反射部同士で連結して多面付け配置した光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、平板状の金属基板の片方の面に、多面付け配置された前記光半導体装置用リードフレームの前記電極部および前記光反射部となる領域を被覆する第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンをエッチングマスクに用いて前記金属基板をハーフエッチングする第１のエッチング工程と、前記金属基板のもう一方の面に、前記連結部、前記電極部、および、前記光反射部となる領域を被覆する第２のレジストパターンを形成し、前記第２のレジストパターンをエッチングマスクに用いて前記金属基板をハーフエッチングする第２のエッチング工程と、を備えることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法である。
【００２２】
また、本発明の請求項９に係る発明は、請求項３に記載の光半導体装置用リードフレーム複数個を、連結部を介して前記光反射部同士で連結して多面付け配置した光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、平板状の金属基板の片方の面に、多面付け配置された前記光半導体装置用リードフレームの前記電極部、前記光反射部、および、前記屈曲部となる領域を被覆する第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンをエッチングマスクに用いて前記金属基板をハーフエッチングする第１のエッチング工程と、前記金属基板のもう一方の面に、前記連結部、前記電極部、および、前記光反射部となる領域を被覆する第２のレジストパターンを形成し、前記第２のレジストパターンをエッチングマスクに用いて前記金属基板をハーフエッチングする第２のエッチング工程と、を備えることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法である。
【００２３】
また、本発明の請求項１０に係る発明は、請求項８または請求項９に記載の製造方法により得られた半導体装置用リードフレームに対し、前記電極部においては、主面側から反対面の側へ押圧し、前記光反射部においては、前記光反射部の光反射面の反対側から光反射面の側へ押圧して、前記光反射部の光反射面を、前記電極部の主面に対して上方に傾斜させる工程を、備えることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法である。
【００２４】
また、本発明の請求項１１に係る発明は、請求項８乃至請求項１０のいずれか一項に記載の製造方法により得られた半導体装置用リードフレームにおける前記電極部の前記第２の側で互いに近接する複数の金属部材の間に、絶縁性樹脂を形成する工程を備えることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法である。
【００２５】
また、本発明の請求項１２に係る発明は、請求項１１に記載の製造方法により得られた光半導体装置用リードフレームの前記電極部の主面に光半導体素子を電気的に接続する工程と、透光性樹脂を充填して前記光半導体素子を封止する工程と、前記連結部を切断して個々の光半導体装置を得る工程と、を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２６】
上述のような構成を有するため、本発明によれば、製造が容易であり、反射効率が高く、放熱性に優れ、生産性も向上できる光半導体装置用リードフレームを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係る光半導体装置用リードフレームの一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図１に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレームの光反射部が立設されている形態の例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】本発明に係る光半導体装置用リードフレームの他の例を示す平面図であり、（ａ）は平板状の形態、（ｂ）は光反射部が立設されている形態を示す。
【図４】本発明に係る光半導体装置用リードフレームの他の例を示す説明図であり、（ａ）は平板状の形態、（ｂ）は光反射部が立設されている形態を示す。
【図５】図２に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレームに絶縁性樹脂を形成した形態の例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】光半導体装置の例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
【図７】図１に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレームが多面付け配置された形態の光半導体装置用リードフレームの例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
【図８】図７に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレームの光反射部が立設されている形態の例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【図９】図８に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレームに絶縁性樹脂を形成した形態の例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ断面図である。
【図１０】本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図１１】図１０に続く本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図１２】本発明に係る光半導体装置の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図１３】図９に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレームに光半導体装置を載置した例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、それらの製造方法について詳細に説明する。
【００２９】
［光半導体装置用リードフレーム］
ここでは、まず、パッケージ単位の本発明に係る光半導体装置用リードフレームについて説明する。
ここで、上記「パッケージ単位」の光半導体装置用リードフレームとは、１単位の光半導体装置を構成するのに必要な一組の光半導体装置用リードフレームの構成を指し、例えば、１単位の光半導体装置が１個の光半導体素子から構成される場合、通常、陽極（アノード）として機能する部分と、陰極（カソード）として機能する部分の、２つの隔離された電極部を有する構成となる。
【００３０】
本発明に係る光半導体装置用リードフレームは、複数の金属部材を有する光半導体装置用リードフレームであって、前記複数の金属部材は、いずれも電極部と光反射部とが一体的に形成されたものであり、前記電極部は、前記光反射部が形成されている側である第１の側と、前記光反射部が形成されていない側である第２の側を有しており、前記複数の金属部材が、前記電極部の前記第２の側が互いに近接するように、かつ、前記光反射部が前記電極部を囲むように、互いに隔離されて配置されていることを特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
【００３１】
図１は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図２は、図１に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレームの光反射部が立設されている形態の例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図ある。
【００３２】
図１に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１は、Ｐ１〜Ｐ１８を頂点とする多角形状の平面を有する金属部材２、および、Ｑ１〜Ｑ１０を頂点とする多角形状の平面を有する金属部材３から構成されている。
ここで、前記金属部材２は、電極部２１と光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃとが一体的に形成されたものであり、前記金属部材３は、電極部３１と光反射部３５とが一体的に形成されたものである。
【００３３】
なお、前記金属部材２の前記電極部２１は、図１（ａ）におけるＰ４、Ｐ９、Ｐ１５、Ｐ１６を頂点とする矩形状の平面（主面２２）を有する部分である。
また、前記金属部材２の前記光反射部２５ａは、図１（ａ）におけるＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ１８を頂点とする台形状の平面（光反射面２６ａ）を有する部分である。
同様に、前記金属部材２の前記光反射部２５ｂは、図１（ａ）におけるＰ５、Ｐ６、Ｐ７、Ｐ８を頂点とする台形状の平面（光反射面２６ｂ）を有する部分であり、前記金属部材２の前記光反射部２５ｃは、図１（ａ）におけるＰ１０、Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３を頂点とする台形状の平面（光反射面２６ｃ）を有する部分である。
【００３４】
また、前記金属部材３の前記電極部３１は、図１（ａ）におけるＱ４、Ｑ５、Ｑ６、Ｑ７を頂点とする矩形状の平面（主面３２）を有する部分である。
また、前記金属部材３の前記光反射部３５は、図１（ａ）におけるＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ８、Ｑ９、Ｑ１０を頂点とする台形状の平面（光反射面３６）を有する部分である。
【００３５】
ここで、前記金属部材２の前記電極部２１のＰ４とＰ１６を結ぶ辺の側には、前記光反射部２５ａが形成されており、同様に、前記電極部２１のＰ４とＰ９を結ぶ辺の側には、前記光反射部２５ｂが形成されており、前記電極部２１のＰ９とＰ１５を結ぶ辺の側には、前記光反射部２５ｃが形成されているが、前記電極部２１のＰ１５とＰ１６を結ぶ辺の側には、光反射部は形成されていない。
【００３６】
また、前記金属部材３の前記電極部３１のＱ４とＱ７を結ぶ辺の側には、前記光反射部３５が形成されているが、前記電極部３１のＱ４とＱ５を結ぶ辺の側、Ｑ５とＱ６を結ぶ辺の側、および、Ｑ６とＱ７を結ぶ辺の側には、光反射部は形成されていない。
【００３７】
そして、前記金属部材２と前記金属部材３は、前記電極部２１のＰ１５とＰ１６を結ぶ辺の側と、前記電極部３１のＱ５とＱ６を結ぶ辺の側が互いに近接するように、かつ、前記光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５が前記電極部２１、３１を囲むように、互いに隔離されて配置されている。
【００３８】
上記のように、光半導体装置用リードフレーム１は、平板状の金属部材から構成されているため、従前公知のフォトリソグラフィ技術を用いることで、容易に製造することができる。
すなわち、本発明に係る光半導体装置用リードフレームにおいては、電極部と光反射部とを一体形成する場合であっても、この一体化した金属部材は平面的な構造で形成することができるため、従来のような立体的に複雑な構造を形成する場合よりも、容易に製造することができる。
【００３９】
ここで、図１に示す光半導体装置用リードフレーム１においては、前記電極部２１、３１の主面２２、３２と、前記光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５の光反射面２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、３６が、いずれも同一平面上にある平板状の形態を例示しているが、例えば、前記光半導体装置用リードフレーム１に所定のプレス加工等を施すことによって、図２に示す光半導体装置用リードフレーム１Ａのように、前記光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５の光反射面２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、３６が前記電極部２１、３１の主面２２、３２に対して上方に傾斜するように、前記光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５が立設された形態とすることができる。
すなわち、上記の光半導体装置用リードフレーム１Ａにおいては、近接配置された２つの電極部２１、３１の四方を、傾斜立設された４つの光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５で囲むことができる。
【００４０】
それゆえ、前記電極部２１、３１のいずれかの主面に光半導体素子を載置する場合（例えば、図６参照）、前記光半導体素子が四方に発する光を、４つの光反射面２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、３６で４方向とも反射させることができ、従来のような、２つの反射面で２方向のみの光を反射させる場合に比べて、反射効率を著しく向上させることができる。
【００４１】
また、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１Ａにおいては、上述のように、電極部２１、３１が互いに近接するように配置した状態で、電極部２１、３１の四方を４つの光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５で囲むことができる。
それゆえ、従来のような、光半導体素子を載置しない電極部が金属リフレクターで囲まれる領域の外側に配置されるような形態の光半導体装置用リードフレームに比べて、本発明に係る光半導体装置用リードフレームにおいては、前記電極部２１、３１のいずれも光半導体素子との電気的な接続に困難性は無く、また、前記電極部２１、３１の両方の主面に跨るように光半導体素子を載置することもできる。
【００４２】
また、本発明に係る光半導体装置用リードフレームを構成する金属材料は、電極部と光反射部とが一体的に形成されたものであるため、本発明に係る光半導体装置用リードフレームにおいては、電極部に載置される光半導体素子の熱を効率良く光反射部に伝えることができ、この光反射部からも放熱できるため、放熱性に優れた光半導体装置用リードフレームとすることができる。
さらに、図１に示す光半導体装置用リードフレーム１においては、電極部２１は３つの光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃと一体的に形成されているため、この電極部２１に光半導体素子を載置することで、光半導体素子の熱を、前記３つの反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃに分散させることができ、さらに、前記３つの反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃからも放熱できるため、さらに放熱性に優れた光半導体装置用リードフレームとすることができる。
【００４３】
ここで、本発明に係る光半導体装置用リードフレームにおいては、前記光反射面の前記電極部側の第１の辺の長さが、前記第１の辺と対向する第２の辺の長さよりも短いことが好ましい。
前記光反射部の光反射面を、前記電極部の主面に対して上方に傾斜立設させて前記電極部を囲む際に、その傾斜角が９０度未満であっても、隣り合う光反射面同士の隙間を小さくすることができるからである。
【００４４】
例えば、図１に示す光半導体装置用リードフレーム１においては、金属部材２における光反射面２６ａの電極部２１側の辺（Ｐ３とＰ１８を結ぶ線）の長さは、前記電極部２１側の辺と対向する辺（Ｐ１とＰ２を結ぶ線）の長さよりも短い。
同様に、光反射面２６ｂの電極部２１側の辺（Ｐ５とＰ８を結ぶ線）の長さは、前記電極部２１側の辺と対向する辺（Ｐ６とＰ７を結ぶ線）の長さよりも短く、光反射面２６ｃの電極部２１側の辺（Ｐ１０とＰ１３を結ぶ線）の長さは、前記電極部２１側の辺と対向する辺（Ｐ１１とＰ１２を結ぶ線）の長さよりも短い。
また、金属部材３における光反射面３６の電極部３１側の辺（Ｑ２とＱ９を結ぶ線）の長さは、前記電極部２１側の辺と対向する辺（Ｑ１とＱ１０を結ぶ線）の長さよりも短い。
【００４５】
このような構成を有していれば、上述のように、前記光反射部の光反射面が前記電極部の主面に対して上方に傾斜するように、前記光反射部を立設させて前記電極部を囲む際に、その傾斜角が９０度未満であっても、隣り合う光反射面同士の隙間を小さくすることができる。
それゆえ、本発明の光半導体装置用リードフレームにおいては、光半導体素子が発する光を反射する効率を、より向上させることができる。
なぜならば、本発明の光半導体装置用リードフレームに光半導体素子を載置した光半導体装置を照明装置として用いる場合、上記の傾斜角は、通常、９０度未満が好ましく、電極部の主面と垂直な方向に光を反射したい場合には、例えば、３０度〜６０度の範囲とすることが効率的であり、本発明の光半導体装置用リードフレームにおいては、このように光反射面の傾斜角が９０度未満であっても、隣り合う光反射面同士の隙間を小さくすることができる（すなわち、光を反射しない部分を小さくすることができる）ため、その結果、光半導体素子が発する光を反射する効率をより向上させることができるからである。
【００４６】
より具体的に説明すると、例えば、仮に図１に示す金属部材３のＱ２とＱ９を結ぶ線の長さと、Ｑ１とＱ１０を結ぶ線の長さが同じ場合や、Ｑ２とＱ９を結ぶ線の長さが、Ｑ１とＱ１０を結ぶ線の長さよりも長い場合には、前記光反射面の傾斜角が９０度未満では、金属部材２のＰ１とＰ１８を結ぶ線と金属部材３のＱ１とＱ２を結ぶ線を含む平面において、金属部材２のＰ１とＰ１８を結ぶ線と金属部材３のＱ１とＱ２を結ぶ線を平行関係にし、かつ、金属部材２のＰ１２とＰ１３を結ぶ線と金属部材３のＱ９とＱ１０を結ぶ線を含む平面において、金属部材２のＰ１２とＰ１３を結ぶ線と金属部材３のＱ９とＱ１０を結ぶ線を平行関係にすることはできない。
言い換えれば、前記光反射面の傾斜角が９０度未満では、光反射面３６と光反射面２６ａとの隙間と、光反射面３６と光反射面２６ｃとの隙間の、少なくとも一方において、隙間が狭い箇所と、隙間が広い箇所が存在することになる。そして、この隙間が広い箇所は、光反射面によって光が反射されない箇所となるため、反射効率は低下することになる。
【００４７】
一方、図１に示すように、金属部材３のＱ２とＱ９を結ぶ線の長さが、Ｑ１とＱ１０を結ぶ線の長さよりも短い場合には、金属部材２および金属部材３の平面形状を構成する多角形の各頂点の位置関係を適宜設計することで、図２に示すように、光反射面３６が所望の傾斜角（例えば、４５度）になるように光反射部３５を傾斜させた際に、金属部材３のＱ１とＱ２を結ぶ線と金属部材２のＰ１とＰ１８を結ぶ線を含む平面において、金属部材３のＱ１とＱ２を結ぶ線と金属部材２のＰ１とＰ１８を結ぶ線を平行関係にし、かつ、金属部材３のＱ９とＱ１０を結ぶ線と金属部材２のＰ１２とＰ１３を結ぶ線を含む平面において、金属部材３のＱ９とＱ１０を結ぶ線と金属部材２のＰ１２とＰ１３を結ぶ線を平行関係にすることができる。
言い換えれば、前記光反射面の傾斜角が３０度〜６０度の範囲でも、光反射面３６と光反射面２６ａとの隙間と、光反射面３６と光反射面２６ｃとの隙間の、両方において、隙間の大きさを均一にでき、かつ、その大きさを狭くすることができる。
それゆえ、本発明の光半導体装置用リードフレームにおいては、光反射面によって光が反射されない箇所を減らすことができ、反射効率をより向上させることができる。
【００４８】
上記においては、金属部材３の光反射面３６と、その両脇に位置する各光反射面とで形成する隙間を小さくできる理由について説明したが、このような効果は、金属部材２の各光反射面２６ａ、２６ｂ、２６ｃと各両脇に位置する各光反射部との関係についても、同様に作用する。
例えば、金属部材２の光反射面２６ａについて説明すると、図１に示す金属部材２のＰ３とＰ１８を結ぶ線の長さが、Ｐ１とＰ２を結ぶ線の長さよりも短い場合には、光反射面２６ａが所望の傾斜角（例えば、４５度）になるように光反射部２５ａを傾斜させた際に、金属部材２および金属部材３の平面形状を構成する多角形の各頂点の位置関係を適宜設計することで、金属部材２のＰ１とＰ１８を結ぶ線と金属部材３のＱ１とＱ２を結ぶ線を含む平面において、金属部材２のＰ１とＰ１８を結ぶ線と金属部材３のＱ１とＱ２を結ぶ線を平行関係にし、かつ、金属部材２のＰ２とＰ３を結ぶ線と金属部材２のＰ５とＰ６を結ぶ線を含む平面において、金属部材２のＰ２とＰ３を結ぶ線と金属部材２のＰ５とＰ６を結ぶ線を平行関係にすることが可能となる。
それゆえ、光反射面２６ａと光反射面３６との隙間と、光反射面２６ａと光反射面２６ｂとの隙間の両方において、隙間の大きさを均一にでき、かつ、その大きさを狭くすることができる。
金属部材２の他の光反射面２６ｂ、２６ｃについても、上述と同様の理由で、その両脇に位置する各光反射面とで形成する隙間を小さくできる。
【００４９】
したがって、本発明の光半導体装置用リードフレームにおいては、上述のように、前記光反射部の光反射面が前記電極部の主面に対して上方に傾斜するように、前記光反射部を立設させて前記電極部を囲む際に、その傾斜角が９０度未満であっても、隣り合う光反射面同士の隙間を小さくすることができ、前記光半導体素子が発する光を反射する効率を、より向上させることができる。
【００５０】
一方、例えば、上述の特許文献２に記載の例のように、前記光反射面の形状が長方形の場合には、前記光反射部の光反射面の傾斜角が、前記電極部の主面に対して垂直な場合を除いて、隣り合う光反射面同士の隙間は大きくなり、光半導体素子が発する光を反射する効率は低下することになる。
【００５１】
また、本発明に係る光半導体装置用リードフレームにおいては、前記電極部と前記光反射部が、前記電極部よりも厚さが薄く、かつ、前記光反射部よりも厚さの薄い屈曲部を介して連結されていることが好ましい。
このような構成を有していれば、前記屈曲部の強度は、前記電極部や前記光反射部の強度に比べて小さくなるため、この屈曲部の部分で容易に折り曲げることができ、前記光反射部の光反射面が前記電極部の主面に対して上方に傾斜するように、前記光反射部が立設されているような形態を、容易に形成できるからである。
【００５２】
例えば、図１（ｂ）に示すように、光半導体装置用リードフレーム１は、金属部材２の電極部２１と光反射部２５ｂの間に屈曲部２３ｂを有しており、前記屈曲部２３ｂを介して前記電極部２１と前記光反射部２５ｂが連結されている。
そして、前記屈曲部２３ｂの裏面側（電極部２１の主面２２が設けられている面とは反対側）には凹部２４ｂが形成されており、それゆえ、屈曲部２３ｂの厚みは、光反射部２５ｂの厚みよりも小さくなっている。
【００５３】
同様に、光半導体装置用リードフレーム１は、金属部材３の電極部３１と光反射部３５の間に屈曲部３３を有しており、前記屈曲部３３を介して前記電極部３１と前記光反射部３５が連結されている。
そして、前記屈曲部３３の裏面側（電極部３１の主面３３が設けられている面とは反対側）には凹部３４が形成されており、それゆえ、屈曲部３３の厚みは、光反射部３５の厚みよりも小さくなっている。
【００５４】
なお、煩雑となるため、断面図は省略しているが、光半導体装置用リードフレーム１は、金属部材２の電極部２１と光反射部２５ａの間に屈曲部２３ａを有しており、前記屈曲部２３ａを介して前記電極部２１と前記光反射部２５ａが連結されている。
ここで、前記屈曲部２３ａは、図１（ａ）に示す金属部材２におけるＰ３、Ｐ４、Ｐ１６、Ｐ１７を頂点とする矩形状の部分である。
そして、前記屈曲部２３ａの裏面側には凹部２４ａ（図示せず）が形成されており、それゆえ、屈曲部２３ａの厚みは、光反射部２５ａの厚みよりも小さくなっている。
【００５５】
同様に、断面図は省略しているが、光半導体装置用リードフレーム１は、金属部材２の電極部２１と光反射部２５ｃの間に屈曲部２３ｃを有しており、前記屈曲部２３ｃを介して前記電極部２１と前記光反射部２５ｃが連結されている。
ここで、前記屈曲部２３ｃは、図１（ａ）に示す金属部材２におけるＰ９、Ｐ１０、Ｐ１４、Ｐ１５を頂点とする矩形状の部分である。
そして、前記屈曲部２３ｃの裏面側には凹部２４ｃ（図示せず）が形成されており、それゆえ、屈曲部２３ｃの厚みは、光反射部２５ａの厚みよりも小さくなっている。
【００５６】
上記のような構成を有するため、各屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３の強度は、いずれも、電極部２１、３１や反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５の強度に比べて小さくなる。
それゆえ、前記屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３の部分で容易に折り曲げることができ、図２に示す光半導体装置用リードフレーム１Ａのような、前記光反射部の光反射面が前記電極部の主面に対して上方に傾斜するように、前記光反射部が立設されているような形態を、容易に形成することができる。
【００５７】
ここで、上述の金属部材２、３の材料としては、金属であれば用いることができるが、好ましくは、銅（Ｃｕ）、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）である。
【００５８】
また、前記電極部２１、３１の主面２２、３２、および前記光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５の光反射面２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、３６には、銀（Ａｇ）を含むめっき膜が形成されていても良い。光半導体素子からの光を、より効率良く反射することができるからである。
【００５９】
なお、図１および図２においては、光半導体装置用リードフレームが、２つの金属部材から構成される形態について例示したが、本発明の光半導体装置用リードフレームは、載置する光半導体素子の数や種類に応じて、３つ以上の金属部材から構成される形態であってもよい。
【００６０】
例えば、図３（ａ）に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００は、３つの平板状の金属部材１０１、１０２、１０３から構成されていてもよい。
ここで、前記金属部材１０１は、電極部１１１および光反射部１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃを有しており、前記金属部材１０２は、電極部１２１および光反射部１２５を有しており、前記金属部材１０３は、電極部１３１および光反射部１３５を有している。
そして、３つの金属部材１０１、１０２、１０３は、電極部１１１、１２１、１３１の光反射部が形成されていない側が互いに近接するように、かつ、前記光反射部１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１２５、１３５が前記電極部１１１、１２１、１３１を囲むように、互いに隔離されて配置されている。
【００６１】
そして、前記平板状の光半導体装置用リードフレーム１００の前記光反射部１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１２５、１３５を傾斜立設することにより、図３（ｂ）に示す形態の本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００Ａを得ることができる。
【００６２】
なお、煩雑となるのを避けるため、詳述は省略するが、上述の図１に示す光半導体装置用リードフレーム１と同様に、図３（ａ）に示す光半導体装置用リードフレーム１００は、前記光反射部１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１２５、１３５に、それぞれ光反射面を有しており、前記光反射面の前記電極部側の第１の辺の長さが、前記第１の辺と対向する第２の辺の長さよりも短いことが好ましい。
また、上述の図１に示す光半導体装置用リードフレーム１と同様に、図３（ａ）に示す光半導体装置用リードフレーム１００においても、前記電極部１１１、１２１、１３１とそれぞれ連結する各光反射部１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１２５、１３５は、それぞれ、前記電極部よりも厚さが薄く、かつ、前記光反射部よりも厚さの薄い屈曲部１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１２３、１３３を介して連結されていることが好ましい。
【００６３】
また、本発明に係る光半導体装置用リードフレームは、図４（ａ）または図４（ｂ）に示すように、一の金属部材を他の金属部材で挟むような形態であっても良い。
【００６４】
例えば、図４（ａ）に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム２００は、３つの平板状の金属部材２０１、２０２、２０３から構成されており、金属部材２０１が、金属部材２０２と金属部材２０３で挟まれるような配置形態になっている。
【００６５】
ここで、前記金属部材２０１は、電極部２１１および光反射部２１５ａ、２１５ｂを有しており、前記金属部材２０２は、電極部２２１および光反射部２２５を有しており、前記金属部材２０３は、電極部２３１および光反射部２３５を有している。
そして、３つの金属部材２０１、２０２、２０３は、電極部２１１、２２１、２３１の光反射部が形成されていない側が互いに近接するように、かつ、前記光反射部２１５ａ、２１５ｂ、２２５、２３５が前記電極部２１１、２２１、２３１を囲むように、互いに隔離されて配置されている。
【００６６】
そして、前記平板状の光半導体装置用リードフレーム２００の前記光反射部２１５ａ、２１５ｂ、２２５、２３５を傾斜立設することにより、図４（ｂ）に示す形態の本発明に係る光半導体装置用リードフレーム２００Ａを得ることができる。
【００６７】
なお、煩雑となるのを避けるため、詳述は省略するが、上述の図１に示す光半導体装置用リードフレーム１と同様に、図４（ａ）に示す光半導体装置用リードフレーム２００は、前記光反射部２１５ａ、２１５ｂ、２２５、２３５に、それぞれ光反射面を有しており、前記光反射面の前記電極部側の第１の辺の長さが、前記第１の辺と対向する第２の辺の長さよりも短いことが好ましい。
また、上述の図１に示す光半導体装置用リードフレーム１と同様に、図４（ａ）に示す光半導体装置用リードフレーム２００においても、前記電極部２１１、２２１、２３１とそれぞれ連結する各光反射部は、前記光反射部よりも厚さの薄い屈曲部２１３ａ、２１３ｂ、２２３、２３３を介して連結されていることが好ましい。
【００６８】
（樹脂付き形態の光半導体装置用リードフレーム）
次に、絶縁性樹脂を形成した形態の本発明に係る光半導体装置用リードフレームにについて説明する。
図５は、図２に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１Ａに絶縁性樹脂を形成した形態の例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
図５に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１Ｂは、互いに近接する金属部材２、３の間に、絶縁性樹脂４１が形成されている形態を有するものである。
より具体的には、図５に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１Ｂは、少なくとも、前記光半導体装置用リードフレーム１Ａにおける電極部２１と電極部３１との隙間、電極部３１と光反射部２５ａとの隙間、電極部３１と光反射部２５ｃとの隙間、光反射部２５ａと光反射部３５との隙間、および、光反射部２５ｃと光反射部３５との隙間に、絶縁性樹脂４１が形成されている形態を有するものである。
【００６９】
このような形態を有しているため、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１Ｂは、金属部材２と金属部材３との間の絶縁性、すなわち、電極部２１と電極部３１との間の絶縁性が確保されたものになる。
より具体的に説明すると、本発明の光半導体装置用リードフレーム１Ｂにおいては、上述のように、電極部２１と電極部３１との隙間には、絶縁性樹脂４１が形成されているため、電極部２１と電極部３１とが、直接短絡することは無い。
また、電極部３１と光反射部２５ａとの隙間、および、電極部３１と光反射部２５ｃとの隙間にも、絶縁性樹脂４１が形成されているため、前記光反射部を介して電極部２１と電極部３１とが、間接的に短絡することも無い。
同様に、光反射部２５ａと光反射部３５の隙間、および、光反射部２５ｃと光反射部３５の隙間にも、絶縁性樹脂４１が形成されているため、前記光反射部を介して電極部２１と電極部３１とが、間接的に短絡することも無い。
それゆえ、本発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームは、電極部２１と電極部３１との間の絶縁性が確保されたものになる。
【００７０】
また、絶縁性樹脂４１を構成する樹脂中に光反射剤を添加することによって、前記絶縁性樹脂４１が形成される部分からの光の反射率を向上させることも可能である。
【００７１】
また、本発明においては、光反射部２５ａと光反射部２５ｂの隙間、および、光反射部２５ｂと光反射部２５ｃの隙間にも、絶縁性樹脂４１が形成されていてもよい。
このような構成を有していれば、例えば、光半導体素子を電極部２１の主面２２に載置する場合、前記光半導体素子を封止するように充填する透光性樹脂が上記の光反射部同士の隙間から漏れることや、前記光半導体素子の発する光が上記の光反射部同士の隙間から漏れることを防止することができるからである。
【００７２】
本発明において、絶縁性樹脂４１は絶縁性を有する樹脂であれば用いることができ、例えば、従来の光半導体装置のリフレクターに用いられている熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を用いることができる。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタンおよびポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることも可能である。
【００７３】
なお、電極部２１等、光半導体装置用リードフレームを構成するその他の各部材については、上述の本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１について説明した内容と同様であるので、ここでの詳述は省略する。
【００７４】
［光半導体装置］
次に、本発明の光半導体装置について説明する。
図６は、光半導体装置の例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
【００７５】
図６に示すように、本発明に係る光半導体装置５０は、上述の光半導体装置用リードフレーム１Ｂと、電極部２１、３１の主面２２、３２に電気的に接続された光半導体素子５１と、前記光半導体素子５１を封止し、前記光半導体素子５１が発する光を透過する透光性樹脂５４と、を備えたものである。
【００７６】
本発明に係る光半導体装置においては、リードフレームとして、上述の本発明に係る光半導体装置用リードフレームを用いているため、製造が容易であり、反射効率が高く、放熱性に優れ、生産性も向上できる光半導体装置とすることができる。
【００７７】
上述の光半導体素子としては、例えば、従来一般に用いられているＬＥＤ素子を用いることができる。ここで、ＬＥＤ素子は、発光層として、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、または、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができるものである。
【００７８】
光半導体素子の載置形態としては、例えば、図６に示すように、電極部２１の主面２２に１個の光半導体素子５１が載置され、２本のボンディングワイヤ５２により、電極部２１の主面２２および電極部３１の主面３２に電気的に接続される形態がある。
また、図示はしないが、光半導体素子が、電極部２１の主面２２と電極部３１の主面３２に跨るように載置され、ボンディングワイヤに代えて、半田や、導電性および伝熱性を有する接着剤等によって、電極部２１の主面２２と電極部３１の主面３２に電気的に接続される形態（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）もある。
【００７９】
また、上述の図３（ｂ）に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００Ａを用いる場合は、電極部１１１の主面１１２に２個の光半導体素子が載置され、ボンディングワイヤにより、それぞれ、電極部１１１の主面１１２と電極部１２１の主面１２２、および、電極部１１１の主面１１２と電極部１３１の主面１３２に接続される形態が挙げられる。
【００８０】
また、上述の図４（ｂ）に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレーム２００Ａを用いる場合は、電極部２１１の主面２１２に２個の光半導体素子が載置され、ボンディングワイヤにより、それぞれ、電極部２１１の主面２１２と電極部２２１の主面２２２、および、電極部２１１の主面２１２と電極部２３１の主面２３２に接続される形態が挙げられる。
【００８１】
なお、光半導体素子５１は、一般に、半田や、伝熱性を有する接着剤５３により固定実装される。ここで、半田の代わりにダイボンディングペーストを用いる場合には、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。
【００８２】
また、ボンディングワイヤ５２は、例えば、金（Ａｕ）等の導電性の良い材料からなり、１本のボンディングワイヤ５２により光半導体素子５１と電極部２１の主面２２が接続され、別のボンディングワイヤ２２により光半導体素子５１と電極部３１の主面３２が接続される。
【００８３】
なお、光半導体素子５１と電極部２１、３１との接続には、上述のようなボンディングワイヤに代えて、半田や、導電性を有する接着剤等によって、接続される方法もある。
また、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）、ＡＣＰ（異方性導電ペースト）、ＮＣＦ（非導電性フィルム）、またはＮＣＰ（非導電性ペースト）等を用いて光半導体素子の端子を各電極部の主面に直接接続する方法もある。
【００８４】
次に、透光性樹脂５４について説明する。
本発明に係る透光性樹脂としては、光の取り出し効率を向上させるために、光半導体素子の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。
例えば、耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、光半導体素子として高輝度ＬＥＤを用いる場合、透光性樹脂は強い光にさらされるため、透光性樹脂は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。
【００８５】
なお、絶縁性樹脂４１等、樹脂付き形態の光半導体装置用リードフレームを構成するその他の各部材については、上述の光半導体装置用リードフレーム１Ｂにおいて説明した内容と同様であるので、ここでの詳述は省略する。
【００８６】
［多面付け形態の光半導体装置用リードフレーム］
次に、上述のパッケージ単位の本発明の光半導体装置用リードフレーム複数個を、多面付け配置した形態の本発明の光半導体装置用リードフレームについて説明する。
本発明においては、上述のパッケージ単位の本発明の光半導体装置用リードフレーム複数個を、多面付け配置した形態とすることもできる。
例えば、図７に示すように、本発明の光半導体装置用リードフレーム１００１は、上述の平板状の光半導体装置用リードフレーム１を複数個多面付け配置した形態とすることができる。
なお、図７は、図１に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレーム複数個が多面付け配置された形態の光半導体装置用リードフレームの例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
【００８７】
そして、例えば、図８に示すように、上述の本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１に、プレス加工等を施すことにより、前記多面付け配置された光半導体装置用リードフレーム１の各光反射部の全てを一括して傾斜立設させて、上述の光半導体装置用リードフレーム１Ａが複数個多面付け配置された形態の本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１Ａを製造することもできる。
なお、図８は、図７に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレームの光反射部が立設されている形態の例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【００８８】
さらに、図９に示すように、前記多面付け配置された光半導体装置用リードフレーム１Ａの互いに近接する金属部材間の全てに、一括して絶縁性樹脂を形成することで、上述の光半導体装置用リードフレーム１Ｂが多面付け配置された形態に相当する本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１Ｂを製造することもできる。
なお、図９は、図８に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレームに絶縁性樹脂を形成した形態の例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ断面図である。
【００８９】
（平板状の多面付け形態の光半導体装置用リードフレーム）
まず、図７に示す形態の本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１について説明する。
図７に示すように、本形態に係る光半導体装置用リードフレーム１００１は、上述の光半導体装置用リードフレーム１の複数個を、連結部１０１１ｃ、１０１１ｄを介して前記光反射部同士で連結して多面付け配置した形態を有するものである。
また、光半導体装置用リードフレーム１００１は、その最外周に、前記連結部を介した連結だけでは不足する全体の強度を補うために、外枠部１０２１を備えており、前記多面付け配置された光半導体装置用リードフレーム１とは、連結部１０１１ａ、１０１１ｂによって連結されている。
【００９０】
より具体的に説明すると、まず、図７（ａ）のＸ方向の連結については、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、一の光半導体装置用リードフレーム１の金属部材３と、前記一の光半導体装置用リードフレーム１に隣接する他の光半導体装置用リードフレーム１の金属部材２は、前記金属部材３の光反射部３５と前記金属部材２の光反射部２５ｂとの間の連結部１０１１ｄを介して、互いに連結されている。
なお、最外周に位置する光半導体装置用リードフレーム１は、光反射部２５ｂ（若しくは光反射部３５）と外枠部１０２１との間の連結部１０１１ｂを介して、外枠部１０２１に連結されている。
【００９１】
次に、図７（ａ）のＹ方向の連結について説明すると、一の光半導体装置用リードフレーム１の金属部材２と、前記一の光半導体装置用リードフレーム１に隣接する他の光半導体装置用リードフレーム１の金属部材２は、互いの光反射部２５ａと光反射部２５ｃとの間の連結部１０１１ｃを介して連結されている。
なお、最外周に位置する光半導体装置用リードフレーム１は、光反射部２５ａ（若しくは光反射部２５ｃ）と外枠部１０２１との間の連結部１０１１ａを介して、外枠部１０２１に連結されている。
【００９２】
上記のように、前記連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄは、各金属部材の光反射部の外縁の側面に形成されている。
このような構成を有することにより、本発明の光半導体装置用リードフレーム１００１は、パッケージ単位の光半導体装置用リードフレーム１の複数個を多面付け配置した形態とすることができ、例えば、１枚の金属材料から複数個のパッケージ単位の光半導体装置用リードフレーム１を一括して製造することができ、後述するように、複数個の光半導体装置が多面付け配置された形態を一括して製造した後に、前記連結部の部分で個々に切断することで、容易に、個々の光半導体装置を得ることができる。
【００９３】
また、本発明においては、前記連結部の厚みは、前記光反射部の厚みよりも小さいことが好ましい。
例えば、図７（ｂ）に示すように、外枠部１０２１と連結している連結部１０１１ｂの表面側（電極部２１の主面２２が設けられている面の側）には、凹部１０１２ｂが形成されており、それゆえ、連結部１０１１ｂの厚みは、連結する光反射部２５ｂの厚みよりも小さくなっている。
【００９４】
同様に、隣接する光半導体装置用リードフレーム１の間を連結している連結部１０１１ｄの表面側（電極部２１の主面２２が設けられている面の側）には、凹部１０１２ｄが形成されており、それゆえ、連結部１０１１ｄの厚みは、連結する光反射部３５および光反射部２５ｂの厚みよりも小さくなっている。
【００９５】
なお、図示はしないが、図７（ａ）のＹ方向の連結部１０１１ａ、１０１１ｃも、同様に、その厚みは、連結する各光反射部の厚みよりも小さくなっている。
【００９６】
上記のような構成を有するため、連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄの強度は、それぞれ連結する光反射部の強度に比べて小さくなり、容易に折り曲げられることが可能となる。
【００９７】
なお、上記においては、前記連結部の強度を前記光反射部の強度よりも小さくする手段の一例として、前記連結部の厚みを前記光反射部の厚みよりも小さくした形態について具体的に説明したが、上記の実施形態は例示であり、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
また、図７（ａ）に示す例においては、Ｘ方向の連結部１０１１ｂ、１０１１ｄをそれぞれ１本とし、Ｙ方向の連結部１０１１ａ、１０１１ｃをそれぞれ２本としているが、上記の実施形態は例示であり、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００９８】
（光反射部を傾斜立設した多面付け形態の光半導体装置用リードフレーム）
次に、図８に示す形態の本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１Ａについて説明する。
図８に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１Ａは、図７に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１の各光反射部が立設されている形態をしており、最外周には、外枠部１０２１を有するものである。
言い換えれば、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１Ａは、図２に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１Ａが複数個、連結部を介して多面付け配置された形態をしており、最外周には、外枠部１０２１を有するものである。
【００９９】
図８に示す光半導体装置用リードフレーム１００１Ａは、図７に示す平板状の光半導体装置用リードフレーム１００１の各連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄ、および、各屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３を、それぞれ所定の方向に折り曲げることにより形成することができる。
例えば、プレス加工機を用いて、図７に示す平板状の光半導体装置用リードフレーム１００１の外枠部１０２１を保持し、各電極部２１、３１を主面２２、３２側（表面側）からその反対側（裏面側）の方向に押圧することにより、図８に示す光半導体装置用リードフレーム１００１Ａを形成することができる。
【０１００】
なお、このプレス加工において、前記連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄは、折り曲げられることのみならず、延伸されることが好ましい。プレス加工前の光半導体装置用リードフレーム１００１の全体の平面サイズと、プレス加工後の光半導体装置用リードフレーム１００１Ａの全体の平面サイズを一定に保てるからである。
【０１０１】
ここで、前記連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄが、プレス加工時に延伸されるようにするためには、例えば、図７（ａ）や図８（ａ）に示すように、前記連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄを、細い棒状に形成すればよい。
このような構成であれば、例え、前記連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄの厚みが、前記屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３の厚みと同程度の場合でも、棒状の連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄの断面積は、板状の屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３の断面積よりも小さくなり、連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄが、その他の部（屈曲部、電極部、光反射部）に比べて強度が小さくなるからである。
【０１０２】
また、上記に加えて、若しくは、上記とは別に、前記連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄの厚みを、前記屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３の厚みよりも小さく形成しても良い。この場合も、連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄの強度を、その他の部（屈曲部、電極部、光反射部）に比べて小さくすることができるからである。
【０１０３】
（樹脂形成した多面付け形態の光半導体装置用リードフレーム）
次に、図９に示す形態の本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１Ｂについて説明する。
図９に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１Ｂは、少なくとも、前記光半導体装置用リードフレーム１００１Ａにおける各パッケージ単位の光半導体装置用リードフレーム１Ａの互いに近接する金属部材２と金属部材３の間に、絶縁性樹脂４１が形成されているものである。
【０１０４】
また、本発明においては、上述の本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１Ｂについて説明したように、金属部材２が有する３つの光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃの各隙間に絶縁性樹脂４１が形成されていてもよい。
【０１０５】
本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１Ｂは、前記光半導体装置用リードフレーム１００１Ａの所定の部位に絶縁性樹脂４１を形成することで製造することができる。すなわち、光半導体装置用リードフレーム１００１Ｂを製造することで、上述のパッケージ単位の光半導体装置用リードフレーム１Ｂ複数個を一括して製造することができる。
【０１０６】
なお、図９に示す本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム１００１Ｂにおいては、個々の光半導体装置用リードフレーム１Ｂ同士の間にも絶縁性樹脂４１が形成されているが、上記の実施形態は例示であり、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
【０１０７】
［光半導体装置用リードフレームの製造方法］
次に、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法について説明する。
本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法は、上述のパッケージ単位の光半導体装置用リードフレーム複数個を、連結部を介して前記光反射部同士で連結して多面付け配置した光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、平板状の金属基板の片方の面に、多面付け配置された前記光半導体装置用リードフレームの前記電極部および前記光反射部となる領域を被覆する第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンをエッチングマスクに用いて前記金属基板をハーフエッチングする第１のエッチング工程と、前記金属基板のもう一方の面に、前記連結部、前記電極部、および、前記光反射部となる領域を被覆する第２のレジストパターンを形成し、前記第２のレジストパターンをエッチングマスクに用いて前記金属基板をハーフエッチングする第２のエッチング工程と、を備えるものである。
【０１０８】
上記のような工程を備えているため、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法によれば、本発明に係るパッケージ単位の光半導体装置用リードフレーム複数個が前記連結部を介して各光反射部同士で連結して多面付け配置された形態の光半導体装置用リードフレームを、一括して製造することができ、本発明に係るパッケージ単位の光半導体装置用リードフレームの生産性を向上させることができる。
さらに、前記連結部の厚さを、前記光反射部の厚さよりも薄く形成することができる。それゆえ、前記連結部の強度は、それぞれ連結する前記光反射部の強度に比べて小さくなり、容易に折り曲げられることが可能となる。
【０１０９】
また、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法は、前記電極部と前記光反射部が、前記電極部よりも厚さが薄く、かつ、前記光反射部よりも厚さの薄い屈曲部を介して連結されているパッケージ単位の光半導体装置用リードフレーム複数個を、連結部を介して前記光反射部同士で連結して多面付け配置した光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、平板状の金属基板の片方の面に、多面付け配置された前記光半導体装置用リードフレームの前記電極部、前記光反射部、および、前記屈曲部となる領域を被覆する第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンをエッチングマスクに用いて前記金属基板をハーフエッチングする第１のエッチング工程と、前記金属基板のもう一方の面に、前記連結部、前記電極部、および、前記光反射部となる領域を被覆する第２のレジストパターンを形成し、前記第２のレジストパターンをエッチングマスクに用いて前記金属基板をハーフエッチングする第２のエッチング工程と、を備えるものであってもよい。
【０１１０】
前記第１のレジストパターンが上記のような形態であれば、前記第１のエッチング工程、および、前記第２のエッチング工程を施すことによって、前記電極部、前記光反射部、前記連結部に加えて、前記屈曲部も一括して製造することができる。
さらに、前記屈曲部を、前記電極部や前記光反射部よりも厚さが薄くなるように形成することができる。それゆえ、前記屈曲部の強度は、連結する前記電極部および前記光反射部の強度に比べて小さくなり、容易に折り曲げられることが可能となる。
ここで、前記屈曲部と前記連結部とは、ハーフエッチングされる面が反対の関係にある。それゆえ、続く前記光反射部を傾斜立設させる工程において、両者は互いに反対の方向に容易に折れ曲がることになる。
【０１１１】
また、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法は、上記の製造方法により得られた半導体装置用リードフレームに対し、前記電極部においては、主面側から反対面の側へ押圧し、前記光反射部においては、前記光反射部の光反射面の反対側から光反射面の側へ押圧して、前記光反射部の光反射面を、前記電極部の主面に対して上方に傾斜させる工程を、備えるものであってもよい。
【０１１２】
上記のような工程を備えていれば、前記多面付け配置されたパッケージ単位の光半導体装置用リードフレームの各光反射部に対し、前記光反射部の光反射面が各電極部の主面に対して上方に傾斜するように、前記光反射部を立設させることを、一括して行うことができる。
それゆえ、本発明によれば、従来のように、個々の平板状の１組のリードフレームに対し、個々、反射面を立設する工程を要していた場合に比べ、生産性を著しく向上させることができる。
【０１１３】
また、本発明においては、上述のように、前記屈曲部も一括して形成することができ、前記屈曲部と前記連結部とで、前記ハーフエッチングされる側（面）を反対に形成することができる。それゆえ、前記光反射部を傾斜立設させる工程において、両者は互いに反対の方向に、より具体的には、それぞれ、前記ハーフエッチングが施されていない側に容易に折り曲げられることになる。
【０１１４】
また、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法は、上記の製造方法により得られた半導体装置用リードフレームにおける前記電極部の前記第２の側で互いに近接する複数の金属部材の間に、絶縁性樹脂を形成する工程を備えるものである。
【０１１５】
上記のような工程を備えているため、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法によれば、上述の絶縁性樹脂を形成した形態のパッケージ単位の光半導体装置用リードフレームを、一括して製造することができ、個々に製造する場合に比べて生産性を向上させることができる。
【０１１６】
以下、図面を用いて詳細説明する。
図１０および図１１は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【０１１７】
例えば、図１０に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１の複数個が多面付け配置された形態の光半導体装置用リードフレーム１００１を得るには、まず、平板状の金属基板６１を準備し（図１０（ａ））、次に、金属基板６１の片面にレジストパターン７１Ａを形成し、金属基板６１のもう一方の面にレジストパターン７１Ｂを形成し（図１０（ｂ））、次いで、前記レジストパターン７１Ａ、７１Ｂをエッチングマスクに用いて前記金属基板６１を両面からハーフエッチングし（図１０（ｃ））、その後、前記レジストパターン７１Ａ、７１Ｂを除去することにより、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１を得ることができる（図１０（ｄ））。
【０１１８】
ここで、図１０（ｂ）に示すように、前記レジストパターン７１Ａは、上述の図７（ａ）に示す多面付け配置の形態で形成される複数個の光半導体装置用リードフレーム１の各電極部２１、３１、各光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５、および、各屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３となる領域を被覆している。
そして、前記レジストパターン７１Ｂは、前記多面付け配置の形態で形成される複数個の光半導体装置用リードフレーム１の隣接する各光反射部同士を連結する各連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄ、前記前記光半導体装置用リードフレーム１の各電極部２１、３１、および、各光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５となる領域を被覆している。
【０１１９】
すなわち、金属基板６１における各電極部２１、３１、および、各光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５となる領域は、レジストパターン７１Ａとレジストパターン７１Ｂによって、両面とも被覆されることになる。
一方、金属基板６１における各連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄとなる領域は、レジストパターン７１Ｂによっては被覆されるが、レジストパターン７１Ａからは露出することになる。
また、金属基板６１における各屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３となる領域は、レジストパターン７１Ａによっては被覆されるが、レジストパターン７１Ｂからは露出することになる。
【０１２０】
それゆえ、前記レジストパターン７１Ａ、および、前記レジストパターン７１Ｂを形成した前記金属基板６１を、両面からハーフエッチングすることにより、各電極部２１、３１、各光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５、各屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３、および、各連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄの外形を形成することができる。
さらに、金属基板６１における各連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄとなる領域においては、レジストパターン７１Ａを形成した側がハーフエッチングされ、各屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３となる領域においては、レジストパターン７１Ｂを形成した側がハーフエッチングされることから、各連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄ、および、各屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３の厚さを、各電極部２１、３１、および、各光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５よりも小さくすることができる。
【０１２１】
なお、金属基板６１のハーフエッチングは、両面からのエッチングにより、各電極部２１、３１、各光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５、各屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３、および、各連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄの外形を形成することができればよく、必ずしも両面で同じ条件とする必要は無い。
例えば、エッチング液のスプレー圧を変えて、各連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄの厚みを各屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３の厚みよりも小さく形成しても良い。
【０１２２】
また、図１０に示す例おいては、金属基板６１の各面に、それぞれレジストパターン７１Ａとレジストパターン７１Ｂを形成後、一の工程で金属基板６１の両面をハーフエッチングしているが、本発明においては、金属基板６１の片面ごとに、レジストパターン形成とハーフエッチングを施すようにしても良い。
例えば、まず、金属基板６１の片面にレジストパターン７１Ａを形成し、前記レジストパターン７１Ａをエッチングマスクに用いて前記金属基板の片面をハーフエッチングし、その後、金属基板６１のもう一方の面にレジストパターン７１Ｂを形成し、前記レジストパターン７１Ｂをエッチングマスクに用いて前記金属基板のもう一方の面をハーフエッチングする方法を用いても良い。
【０１２３】
なお、上述の図７（ａ）に示す光半導体装置用リードフレーム１００１は、外枠部１０２１も有していることから、上記に加えて、前記レジストパターン７１Ａは、上述の図７（ａ）に示す外枠部１０２１となる領域も被覆することが好ましく、かつ、前記レジストパターン７１Ｂは、上述の図７（ａ）に示す外枠部１０２１となる領域も被覆することが好ましい。
前記電極部２１、３１、前記光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５、前記連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄ、および前記屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３に加えて、外枠部１０２１も一括して製造することができるからである。
さらに、前記外枠部１０２１の厚さを、前記連結部１０１１ｂの厚さよりも厚く形成することができるため、前記連結部１０１１ｂの強度は、連結する前記外枠部１０２１の強度に比べて小さくなり、前記連結部１０１１ｂで容易に折り曲げることが可能となる。
【０１２４】
次に、前記平板状の形態の光半導体装置用リードフレーム１００１から、前記光反射部の各光反射面が連結する前記電極部の主面に対して上方に傾斜するように、前記光反射部が立設されている形態の本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１Ａを製造する方法について説明する。
【０１２５】
例えば、図１１（ｅ）に示すように、前記平板状の形態の光半導体装置用リードフレーム１００１に対し、各電極部２１、３１においては、各主面２２、３２側から反対面の側へ押圧し、各光反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５においては、各光反射面２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、３６が前記電極部の主面２２、３２に対して上方に傾斜するように、前記光反射部の光反射面２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、３６とは反対側から光反射面２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、３６の側へ押圧して、前記電極部２１、３１の主面２２、３２で構成される領域の四方を前記反射部２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５によって囲むように前記屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３、および前記連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄで折り曲げることにより、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１Ａが複数個多面付け配置された立体的な形態の本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１Ａを得ることができる（図１１（ｆ））。
【０１２６】
上記のような加工は、例えば、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１Ａの前記光反射面２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、３６からなる傾斜面と、同じ傾斜角を有する側面からなるメサ形状（台地形状）の金型を用いたプレス加工により、施すことができる。
【０１２７】
なお、このプレス加工において、前記連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄは、折り曲げられることのみならず、延伸されることが好ましい。
プレス加工前の光半導体装置用リードフレーム１００１の全体の平面サイズと、プレス加工後の光半導体装置用リードフレーム１００１Ａの全体の平面サイズを一定に保てるからである。
【０１２８】
ここで、連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄが、プレス加工時に延伸されるようにするためには、例えば、図７（ａ）や図８（ａ）に示すように、連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄを、細い棒状に形成すればよい。
このような構成であれば、例え、連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄの厚みが、各パッケージ単位の光半導体装置用リードフレーム１（若しくは、光半導体装置用リードフレーム１Ａ）の屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３の厚みと同程度の場合でも、棒状の連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄの断面積は、板状の屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３の断面積よりも小さくなり、連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄが、その他の部（屈曲部、電極部、光反射部）に比べて強度が小さくなるからである。
【０１２９】
また、上記に加えて、若しくは、上記とは別に、前記連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄの厚みを、前記屈曲部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３の厚みよりも小さく形成しても良い。この場合も、連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄの強度を、その他の部（屈曲部、電極部、光反射部）に比べて小さくすることができるからである。
【０１３０】
次に、前記立体的な形態の本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１Ａから、各パッケージ単位の光半導体装置用リードフレーム１Ａの互いに近接する金属部材２と金属部材３の間に、絶縁性樹脂４１が形成されている形態の本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１００１Ｂを製造する方法について説明する。
【０１３１】
例えば、図１１（ｇ）に示すように、光半導体装置用リードフレーム１００１Ｂの表面側（電極部２１の主面２２側）の形状を有する金型と、光半導体装置用リードフレーム１００１Ｂの裏面側（電極部２１の主面２２と反対側）の形状を有する金型と、を用意し、前記２種の金型で前記光半導体装置用リードフレーム１００１Ａを挟み、前記２種の金型の隙間に、熱可塑性樹脂からなる絶縁性樹脂４１を射出成型することにより、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム１Ｂが複数個多面付け配置された光半導体装置用リードフレーム１００１Ｂを得ることができる。
【０１３２】
上述のように、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法によれば、パッケージ単位の光半導体装置用リードフレーム１、１Ａ、および、１Ｂを、複数個一括して製造することができる。それゆえ、本発明によれば、生産性良く、前記光半導体装置用リードフレームを製造することができる。
【０１３３】
［光半導体装置の製造方法］
次に、本発明に係る光半導体装置の製造方法について説明する。
本発明に係る光半導体装置の製造方法は、上述の本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法により得られた光半導体装置用リードフレーム１００１Ｂの前記電極部の主面に光半導体素子を電気的に接続する工程と、透光性樹脂を充填して前記光半導体素子を封止する工程と、前記連結部を切断して個々の光半導体装置を得る工程と、を備えるものである。
【０１３４】
以下、図面を用いて詳細説明する。
図１２は、本発明に係る光半導体装置の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
また、図１３は、図９に示す本発明に係る光半導体装置用リードフレームに光半導体装置を載置した例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ断面図である。
【０１３５】
本発明に係る光半導体装置５０を製造するには、まず、図１２（ａ）に示すように、上述の製造方法により得られた光半導体装置用リードフレーム１００１Ｂを準備し、次いで、多面付け配置されている複数個のパッケージ単位の光半導体装置用リードフレーム１Ｂの各電極部２１の主面２２の上面に、半田、または伝熱性を有する接着剤５３を介して光半導体素子５１を載置し、ボンディングワイヤ５２により、前記光半導体素子５１と前記電極部２１、および、前記光半導体素子５１と前記電極部３１とを、それぞれ電気的に接続する。（図１２（ｂ））。なお、この図１２（ｂ）における状態の平面図が、図１３（ａ）に相当する。
【０１３６】
次に、図１２（ｃ）に示すように、複数個のパッケージ単位の光半導体装置用リードフレーム１Ｂの各光反射面２６ｂ、３６、および各光反射面２６ａ、２６ｃ（図示せず）で囲まれた各領域に透光性樹脂５４を充填して各光半導体素子５１を封止し、次いで、各連結部１０１１ｄ、および、各連結部１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ（図示せず）を、その上に形成された絶縁性樹脂４１と共に切断して、個片化された個々の光半導体装置５０を得る（図１２（ｄ）、（ｅ））。
【０１３７】
上述のように、本発明によれば、前記光半導体装置用リードフレームの製造方法により得られた多面付け形態の光半導体装置用リードフレームを用いて、複数個の光半導体装置を一括して製造することができる。それゆえ、本発明によれば、生産性良く、前記光半導体装置を製造することができる。
【０１３８】
以上、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、それらの製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１３９】
１、１Ａ、１Ｂ・・・光半導体装置用リードフレーム
２、３・・・金属部材
２１、３１・・・電極部
２２、３２・・・主面
２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、３３・・・屈曲部
２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、３４・・・凹部
２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、３５・・・光反射部
２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、３６・・・光反射面
４１・・・絶縁性樹脂
５０・・・光半導体装置
５１・・・光半導体素子
５２・・・ボンディングワイヤ
５３・・・接着剤
５４・・・透光性樹脂
６１・・・金属基板
７１Ａ、７１Ｂ・・・レジストパターン
１００、１００Ａ・・・光半導体装置用リードフレーム
１０１、１０２、１０３・・・金属部材
１１１、１２１、１３１・・・電極部
１１２、１２２、１３２・・・主面
１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１２３、１３３・・・屈曲部
１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１２５、１３５・・・光反射部
２００、２００Ａ・・・光半導体装置用リードフレーム
２０１、２０２、２０３・・・金属部材
２１１、２２１、２３１・・・電極部
２１２、２２２、２３２・・・主面
２１３ａ、２１３ｂ、２２３、２３３・・・屈曲部
２１５ａ、２１５ｂ、２２５、２３５・・・光反射部
１００１、１００１Ａ、１００１Ｂ・・・光半導体装置用リードフレーム
１０１１ａ、１０１１ｂ、１０１１ｃ、１０１１ｄ・・・連結部
１０１２ａ、１０１２ｂ、１０１２ｃ、１０１２ｄ・・・凹部
１０２１・・・外枠部
１００１Ｃ・・・光半導体素子を載置した形態の光半導体装置用リードフレーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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