(57)【要約】【課題】低耐力化した線条体をボビンに対して負荷をかけずに巻き付けても、巻き緩みや巻き崩れなどが生じることなく所望の整列巻きした状態に保つことができ、低耐力化した線条体をボビンに巻き付けた状態からスムーズに送り出すことができる線条体巻付けボビン、線条体巻取り方法、及び、線条体巻取り装置の提供を目的とする。【解決手段】低耐力化した線条体１ｂをボビン胴部２０１に対して所定のトラバースピッチＰでトラバース巻きすることにより、線条体１ｂをボビン２００の半径方向へ巻き重ねた線条体巻付けボビン１０であって、所定のトラバースピッチＰを、定格ピッチｐの１．０倍となる値を除く値、且つ、線条体１ｂを巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、ボビン周方向の他の部分と比較して線条体１ｂが嵩張った巻き太り部分を構成しない巻き態様となる値に設定した。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
低耐力化した線条体をボビン胴部に対して所定のトラバースピッチでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねた線条体巻付けボビンであって、
前記所定のトラバースピッチを、
定格ピッチの１．０倍より大きい値に設定し、且つ、線条体を巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、ボビン周方向の他の部分と比較して線条体が嵩張った巻き太り部分の発生を防止する値に設定した
線条体巻付けボビン。
【請求項２】
前記トラバースピッチをＰ、前記定格ピッチをｐとしたとき、
１．０×ｐ＜Ｐ＜３．０×ｐ
に設定した
請求項１に記載の線条体巻付けボビン。
【請求項３】
１．０×ｐ＜Ｐ＜２．０×ｐ、且つ、
２．０×ｐ＜Ｐ＜３．０×ｐ
に設定した
請求項２に記載の線条体巻付けボビン。
【請求項４】
Ｐ＜１．５×ｐ
に設定した
請求項３に記載の線条体巻付けボビン。
【請求項５】
低耐力化した線条体をボビン胴部に対して所定のトラバースピッチでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねた線条体巻付けボビンであって、
前記トラバース巻きによって、
ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成する線条体の配列部分が、内側の巻き層を構成する線条体の配列部分を跨ぐ跨ぎ部分がボビン軸方向に沿って並んだ軸方向跨ぎラインが巻き層ごとに形成され、
前記所定のトラバースピッチを、
１．０×ｐ＜Ｐ＜１．５×ｐを満たす範囲において、
前記軸方向跨ぎラインが巻き層ごとにボビン周方向において分散する値に設定した
線条体巻付けボビン。
【請求項６】
低耐力化した線条体をボビン胴部に対して所定のトラバースピッチでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねる線条体巻取り方法であって、
前記所定のトラバースピッチを定格ピッチの１．０倍より大きい値に設定し、且つ、線条体を巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、ボビン周方向の他の部分と比較して線条体が嵩張った巻き太り部分の発生を防止する値に設定する
線条体巻取り方法。
【請求項７】
前記トラバースピッチをＰ、前記定格ピッチをｐとしたとき、
１．０×ｐ＜Ｐ＜３．０×ｐ
に設定した
請求項６に記載の線条体巻取り方法。
【請求項８】
１．０×ｐ＜Ｐ＜２．０×ｐ、且つ、
２．０×ｐ＜Ｐ＜３．０×ｐ
に設定した
請求項７に記載の線条体巻取り方法。
【請求項９】
Ｐ＜１．５×ｐ
に設定した
請求項８に記載の線条体巻取り方法。
【請求項１０】
低耐力化した線条体をボビン胴部に対して所定のトラバースピッチでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねる線条体巻取り方法であって、
前記トラバース巻きによって、
ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成する線条体の配列部分が、内側の巻き層を構成する線条体の配列部分を跨ぐ跨ぎ部分がボビン軸方向に沿って並んだ軸方向跨ぎラインが巻き層ごとに形成され、
前記所定のトラバースピッチを、
１．０×ｐ＜Ｐ＜１．５×ｐを満たす範囲において、
前記軸方向跨ぎラインが巻き層ごとにボビン周方向において分散する値に設定する
線条体巻取り方法。
【請求項１１】
低耐力化した線条体をボビン胴部に対して所定のトラバースピッチでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねる線条体巻取り装置であって、
前記所定のトラバースピッチを定格ピッチの１．０倍より大きい値に設定し、且つ、線条体を巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、ボビン周方向の他の部分と比較して線条体が嵩張った巻き太り部分の発生を防止する値に設定する
線条体巻取り装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば、太陽電池のリード線として用いるのに好適な低耐力特性を有する線条体をボビンに対して巻き付けた線条体巻付けボビン、線条体巻取り方法、及び、線条体巻取り装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、太陽電池セルとしてのシリコン結晶ウェハの所定の領域に接続用リード線を半田接合し、これを通じて電力を伝送する構成としている。太陽電池用リード線は、太陽電池セルとの接続部分が太陽電池セルの変形に追従する必要があるため、０．２％耐力値を低下させることが重要となる。このことから、太陽電池用リード線としては、０．２％耐力値が低いという低耐力特性を有することが要求され、０．２％耐力値を低下させた線条体（以下、「低耐力化した線条体」ともいう。）が用いられる。
【０００３】
最近では、太陽電池セルの構成材料となるシリコンの供給不足の影響を緩和するためや、材料コストの削減を図るため、太陽電池セルは薄型化が求められている。
【０００４】
しかし、太陽電池セルが薄型化すると強度が弱くなり、太陽電池セルにおける太陽電池用リード線を半田接続した接続部分は、互いの膨張率の違いにより太陽電池セルに反りや破損が発生し易くなるという問題があった。  
このことから太陽電池用リード線は、太陽電池セルとの接続部分が太陽電池セルの変形に追従するため、０．２％耐力値をより一層低下させることが重要となる
このような低耐力化した線条体は、０．２％耐力値を低い値に保つために、製造時において０．２％耐力値を低下させていない通常の線条体とは全く異なる巻き付け方法でボビンに対して巻き付ける必要がある。
【０００５】
詳しくは、０．２％耐力値を低下させていない通常の線条体の巻取り方法、及び巻取り装置として、例えば、特許文献１に記載の線条体巻取り方法及び装置が提案されている。  
特許文献１に記載の線条体巻取り方法及び巻取り装置は、線条体の巻取り時に、線条体の外周に加圧接触する押えローラユニットを設け、該押えローラユニットで線条体巻き付け層の外周を押え、巻付けピッチがずれようとしてもこれを修正して線条体を拘束しながら整列巻きするための巻取り方法及び巻取り装置である。
【０００６】
このように巻き取った線条体は、トラバースピッチを線条体の幅の約１．０倍の値の設定の下でボビンに対して巻き付けた巻き態様とすることができる。すなわち、巻き層を複数層に亘って積層した巻き態様となり、それぞれの巻き層は、線条体をボビン軸方向に沿って配列した複数の配列部分により構成される。線条体の配列部分は、隙間なくボビン軸方向に沿って配列され、且つ、複数の巻き層ごとにボビン軸方向に一致した態様で配列される。
【０００７】
上述した特許文献１に記載の線条体巻取り方法及び巻取り装置のように、低耐力化していない通常の線条体の場合、巻き付けテンションを十分に付与しながら巻き付けたり、押えローラユニットで線条体巻き付け層の外周を押えるなどしながら巻き付けることができるため、トラバースピッチが線条体の幅に相当する長さの約１．０倍の値の場合でも、巻きずれ、巻き緩みの影響を受けない。
【０００８】
しかし、低耐力化した線条体をボビンに対して巻き付ける際に、該線条体に負荷が作用すると０．２％耐力値を低い値に保つことができないため、通常の低耐力化していない線条体を巻き付ける場合と比較して、低い巻き付けテンションの下でボビンに対して巻き付ける必要がある。
【０００９】
さらに、低耐力化した線条体を、上述した特許文献１に記載の線条体巻取り方法及び装置を用いてボビンに対して巻き付ける場合、例えば、押えローラユニットで線条体巻き付け層の外周を押え付けながら巻き付けるなどによって線条体に負荷が加わり、０．２％耐力値を低い値に保つことができないというという課題も生じる。
【００１０】
ところが、上述したように、押えローラユニットで線条体巻き付け層の外周を押え付けず、或いは、線条体を低い巻き付けテンションで巻き付けた場合、ボビン軸方向に沿って螺旋状に巻き付けたリード角が小さくなるようにボビン軸方向にずれる巻きずれが発生し、この巻きずれは、線条体の巻き緩み（巻き解け）や巻き崩れの要因となる。
【００１１】
特に、特許文献１に記載の線条体巻取り方法及び巻取り装置のように、トラバースピッチが線条体の幅に相当する長さの約１．０倍の値の場合、すなわち、線条体のボビン軸方向における複数の配列部分の隙間が略無い状態で整列した場合、複数の配列部分の配列によって構成される巻き層表面は、略平坦状になる。
【００１２】
そうすると、ボビン半径方向に複数層に積層され、半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層は、略平坦状の面を構成する内側の巻き層に対してスライドし易くなり、上述したボビン軸方向への巻き緩み、巻き崩れが特に発生し易くなる。
【００１３】
このように、低耐力化した線条体の場合、０．２％耐力値を低い値に保つために、低い巻き付けテンションの下で巻き付けたり、押えローラユニットで線条体巻き付け層の外周を押えることができず、特に、トラバースピッチが線条体の幅に相当する長さの約１．０倍の値の場合であれば、上述した作用により巻きずれが発生し、巻きずれの影響により巻き緩みや巻き崩れが発生し易くなる。
【００１４】
巻き緩みが発生すると、ボビンに対する巻き付け状態を維持できないことになり、線条体が互いに擦れ合うことや、ボビン鍔部などの周辺の部材に接触し易くなるため、線条体が傷付いたり、負荷が加わるなどして線条体の品質を確保することが困難となる。そして、このような巻き緩みが一旦発生すると、例えば、線条体巻付けボビン運搬の際に、振動などによって巻き緩み具合がより進行することになる。
【００１５】
一方、巻き崩れが発生すると、線条体をボビンに巻き付けた状態から送り出す際に、線条体の送出し部分が例えば、巻き崩れ部分と干渉するなどして送り出そうとする線条体が引掛かる事態が発生する。
【００１６】
このように線条体をボビンに巻き付けた状態から送り出す際に、線条体が引掛かると線条体に負荷が加わるため、０．２％耐力値の低い優れた品質を確保することができないといった問題が生じる。  
さらに、線条体をボビンに巻き付けた状態から送り出す際に、線条体が引掛かると、線条体が断線したり、線条体のスムーズな送り出しに支障をきたし、その後の連続する生産ラインの全てを中断する必要があり、生産効率を著しく低下させることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２００２−２４１０５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
そこでこの発明は、低耐力化した線条体をボビンに対して負荷をかけずに巻き付けても、巻き緩みや巻き崩れなどが生じることなく所望の整列巻きした状態に保つことができ、低耐力化した線条体をボビンに巻き付けた状態からスムーズに送り出すことができる線条体巻付けボビン、線条体巻取り方法、及び、線条体巻取り装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、低耐力化した線条体をボビン胴部に対して所定のトラバースピッチでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねた線条体巻付けボビンであって、前記所定のトラバースピッチを、定格ピッチの１．０倍より大きい値に設定し、且つ、線条体を巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、ボビン周方向の他の部分と比較して線条体が嵩張った巻き太り部分の発生を防止する値に設定したことを特徴とする。
【００２０】
換言すると、前記所定のトラバースピッチは、定格ピッチの１．０倍となる値を除く値、且つ、線条体を巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、ボビン周方向の他の部分と比較して線条体が嵩張った巻き太り部分を構成しない巻き態様となる値に設定したことを特徴とする。
【００２１】
前記線条体巻付けボビンとは、低耐力化した線条体をボビンの胴部に巻き付けた状態のボビンを示す。
【００２２】
前記低耐力化した線条体とは、引張り試験における０．２％耐力値が６０ＭＰａ以下の線条体であり、例えば、断面平角状、断面円形状に形成した太陽電池用平角導体として用いる線条体である。
【００２３】
前記定格ピッチとは、ボビン軸方向に沿って配列する線条体の配列間隔のうち、線条体の幅に相当する値（線条体の幅の１倍）、或いは、線条体の長さ方向における線条体の幅のクリアランスや、ボビン胴部の軸方向のクリアランスを考慮して設定した値（線条体の幅の＋α倍）を線条体の幅に相当する値に加算した値（線条体の幅の（１＋α）倍）を示す。
【００２４】
前記巻き太り部分とは、線条体を巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分が、ボビン周方向の他の部分と比較して線条体が嵩張った部分であり、例えば、ボビン周方向における少なくとも一部分がボビン周方向の他の部分と比較してボビン軸方向の略全体が膨んだ膨らみ部分に限らず、例えば、凹部分と凸部分とがボビン軸方向に沿って交互に繰り返す構成の凹凸状巻き太り部分など、ボビン軸方向の少なくとも一部分がボビン軸方向の他の部分より凸状である部分を含むものとする。
【００２５】
なお、前記巻き太り部分が、凹部分と凸部分とがボビン軸方向に沿って交互に繰り返す構成である場合には、ボビンが振動するなどした際に、凸部分の線条体が、凹部分にスライドして落ち込むなどして、巻き緩み、巻き崩れ、巻きずれが発生することからこのような前記巻き太り部分は、巻き緩み、巻き崩れ、巻きずれの発生の要因となる。
【００２６】
前記線条体は、その形状、サイズは限定しないが、平角線であることが好ましい。前記線条体を、上述した純銅系導体材料により平角線で形成することにより、表面にメッキ処理を施すことで、シリコン結晶ウェハ（Ｓｉセル）の所定領域に接続する接続用リード線として、すなわち、太陽電池用半田メッキ線として用いることができるからである。
【００２７】
前記線条体は、純銅系材料で形成することが好ましい。前記純銅系材料とは、不純物が少なく、導電率が高い純銅系導体材料であれば特に限定せず、例えば、無酸素銅（ＯＦＣ）、タフピッチ銅、リン脱酸銅といった酸化物などの不純物を含まない純度が９９．９％以上である銅系材料であることが好ましい。
【００２８】
上述した構成により、低耐力化した線条体をボビンに対して負荷をかけずに巻き付けても、巻き緩みや巻き崩れなどが生じることなく所望の整列巻きした状態に保つことができ、低耐力化した線条体をボビンに巻き付けた状態からスムーズに送り出すことができる。
【００２９】
詳しくは、前記所定のトラバースピッチＰを定格ピッチｐの１．０倍より大きな値に設定することで、定格ピッチｐの１．０倍の場合と比較して、線条体の巻き付け部分同士の間隔を確保して、巻き層の表面が凹凸形状となる巻き付け状態とすることができるため、巻き層間の摩擦抵抗を向上させることができる。
【００３０】
これにより、線条体に負荷が加わらないよう低い巻き付けテンションの下で線条体を巻き付けても、該低耐力化した線条体に巻きずれ、巻き解けが生じることなくボビンに対して巻き付けることができるため、低耐力化した線条体の巻き付けに好適な巻き態様を実現することができる。
【００３１】
また、前記所定のトラバースピッチＰを定格ピッチｐの１．０倍より大きな値に設定することで、上述したように、低耐力線に巻き付けテンションがかからずに、且つ、巻きずれ、巻き崩れが生じることなくボビンに対して巻き付けることができる一方で、このようなトラバースピッチＰの場合、トラバースピッチＰの値によっては、ボビンの周方向における少なくとも一部分に、周方向の他の部分と比較して嵩張った巻き太り部分が発生するおそれがある。
【００３２】
このため、本発明によれば、上述したように、前記所定のトラバースピッチＰを、線条体を巻き付けたボビンの周方向における少なくとも一部分に、周方向の他の部分と比較して嵩張った巻き太り部分の発生を防止する値に設定することにより、巻き崩れや巻き解けの要因となる巻き太り部分の発生を防止することができる。
【００３３】
従って、巻き緩みや巻き崩れなどが生じることなく所望の整列巻きした状態に保つことができ、低耐力化した線条体をボビンに巻き付けた状態からスムーズに送り出すことができる。
【００３４】
この発明の態様として、前記トラバースピッチをＰ、前記定格ピッチをｐとしたとき、１．０×ｐ＜Ｐ＜３．０×ｐに設定することができる。
【００３５】
上述したように、前記トラバースピッチＰを、１．０倍×ｐ＜Ｐに設定することにより、例えば、１．０×ｐ＞Ｐに設定した場合のように、整列巻きした線条体をボビン軸方向に沿って配列した複数の巻き付け部分のうち、少なくともいずれかの巻き付け部分が隣り合う巻き付け部分に対して乗り上げるなどして傾くことがなく、安定した巻付け態様で巻き付けることができる。
【００３６】
また、上述したように、前記トラバースピッチＰを、１．０倍×ｐ＜Ｐに設定することにより、例えば、Ｐ＝１．０×ｐに設定した場合のように、ボビンに対して複数層に亘って巻き付けた線条体が略隙間なく整列することで、巻き層間における摩擦抵抗が低くなるという巻き態様を防ぐことができるため、巻きずれ、巻き解けの発生を防ぐことができる。
【００３７】
よって、巻きずれ、巻き解けが発生しないため、スムーズにボビンから送り出すことができるとともに、該線条体に歪や曲げの発生や、０．２％耐力値が高くなることを防ぐことができ、太陽電池用接続リード線としての優れた品質を確保することができる。
【００３８】
また上述したように、前記トラバースピッチＰを、Ｐ＜３．０倍×ｐに設定することにより、ボビンに巻き付けた線条体のボビン軸方向に対する傾斜角度（ボビン軸方向の直交方向に対する螺旋のリード角）が大きくなりすぎることを防ぐことができる。すなわち、ボビンに対する線条体の巻き付け軌道を、螺旋のリード角が小さくなる巻き付け軌道に抑制することができる。
【００３９】
これにより、ボビンに対して低いテンションの下で巻き付けた線条体であっても、ボビンに対して巻き緩みが生じることなく、また、巻きずれの影響による巻き崩れの発生を防止することができる。  
なお、上記の低いテンションとは、低耐力化した線条体の０．２％耐力値が６０ＭＰａ以下を保つテンションよりも低いテンションであることを示す
【００４０】
さらに、ボビンに対して線条体を巻き付ける際に、該線条体に負荷が加わることを抑制することができ、ボビンに対して巻き付けた線条体が捩れる、捩れクセが付く、さらには、線条体の角部が凹むなどの変形が生じることを防ぐことができる。
【００４１】
またこの発明の態様として、１．０×ｐ＜Ｐ＜２．０×ｐ、且つ、２．０×ｐ＜Ｐ＜３．０×ｐに設定することができる。
【００４２】
換言すると、前記トラバースピッチＰを、前記定格ピッチｐの２．０倍の値を除く値に設定することができる。
【００４３】
このように、前記トラバースピッチＰを前記定格ピッチｐの２．０倍の値を除く値に設定することで、ボビンに巻き付けた巻き付け線条体に凹凸状巻き太り部分が形成され難く、巻き崩れが発生しない巻き態様で巻き付けることができる。
【００４４】
よって、ボビンに巻き付けた線条体を送り出す送出し部分が、例えば、巻き太り部分が巻き崩れることによって覆われ、送出し部分の線条体と巻き太り部分の線条体とが干渉し、送出し部分を送り出す途中で線条体が引掛かることがないため、線条体をボビンに対して負荷が加わることなく送り出すことができる。
【００４５】
従って、ボビンに対して線条体を送り出す際に、線条体に対して過大な負荷が加わることがないため、０．２％耐力値の低い優れた品質を確保することができる。
【００４６】
またこの発明の態様として、前記トラバースピッチＰを、Ｐ＜１．５×ｐに設定することができる。
【００４７】
上述した構成により、例えば、Ｐ＞１．５×ｐのように、トラバースピッチＰが大きい値の場合、線条体は、ボビン軸方向において、ボビンに対する巻き付け軌道がより最短のトラバースピッチＰとなる方向へスライドする巻きずれが生じ易くなるが、前記トラバースピッチＰを、Ｐ＜１．５×ｐに設定することにより、このような事態を防ぐことができ、より好ましい巻き態様の線条体巻付けボビンを構成することができる。
【００４８】
さらに、線条体をボビンに対してトラバース巻きする際に、線条体に対して、ボビンの軸方向へ配索することにより加わるテンションが大きくなることや、巻きズレや線条体に対して負荷が加わることを確実に防止できる。
【００４９】
さらにまた、前記トラバースピッチＰを、Ｐ＜１．５倍×ｐに設定することで、同一の長さの線条体をボビンに対して巻き付けたとき、前記トラバースピッチＰがＰ＞１．５倍×ｐの場合と比較して、嵩張らずにボビンに対して巻き付けることができ、コンパクトな線条体巻付けボビンを構成することができる。
【００５０】
また本発明は、低耐力化した線条体をボビン胴部に対して所定のトラバースピッチでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねた線条体巻付けボビンであって、前記トラバース巻きによって、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成する線条体の配列部分が、内側の巻き層を構成する線条体の配列部分を跨ぐ跨ぎ部分がボビン軸方向に沿って並んだ軸方向跨ぎラインが巻き層ごとに形成され、前記所定のトラバースピッチを、１．０×ｐ＜Ｐ＜１．５×ｐを満たす範囲において、前記軸方向跨ぎラインが巻き層ごとにボビン周方向において分散する値に設定したことを特徴とする。
【００５１】
上述した構成によれば、低耐力化した線条体であっても、線条体に過大な負荷が加わることなく、且つ、巻き緩みが生じることなく巻き付けることができるとともに、巻き太り部分の発生を防止することができるため、巻き崩れや巻き緩みが発生することのない巻き態様を実現することができる。
【００５２】
詳述すると、低耐力化していない通常の線条体の場合であれば、しっかりと巻き付けテンションを付与しながらボビンに対してトラバース巻きすることができるため、トラバースピッチＰ＝１．０×ｐの設定でトラバース巻きしても、層間の摩擦抵抗が低いことにより巻き緩みが発生するという事態を最小限に留めることができる。そして、トラバースピッチＰ＝１．０×ｐの設定でトラバース巻きすることで、ボビン軸方向に沿った線条体の配列部分同士の隙間が小さいため、ボビン軸方向において、前記跨ぎ部分が該跨ぎ部分以外の部分に対して嵩高（凸形状）となる事態は生じない。
【００５３】
一方、低耐力化した線条体の場合、線条体にテンションをかけずに、且つ、巻き崩れが生じないよう巻き付けるため、上述したように、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍より大きな値に設定する。
【００５４】
ところで、トラバース巻きにより、ボビンに対して複数層に亘って巻き重ねた場合、このような前記跨ぎ部分がボビン軸方向に沿って並んだ前記軸方向跨ぎラインが巻き層ごとに形成される。
【００５５】
しかし、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍より大きな値によっては、特に、軸方向跨ぎラインが巻き層ごとにボビン周方向において一致するような巻き態様となる場合があり、このような巻き態様の場合、該軸方向跨ぎラインが巻き層ごとにボビン周方向において一致した部分が、ボビン周方向の他の部分と比較して線条体が嵩張った巻き太り部分となり、巻き崩れが発生し易い巻き態様となる。
【００５６】
よって、前記所定のトラバースピッチを、１．０×ｐ＜Ｐ＜１．５×ｐを満たす範囲において、前記軸方向跨ぎラインが巻き層ごとにボビン周方向において分散する値に設定することで、低耐力化した線条体であっても、負荷をかけずに、且つ、巻き緩みが生じることなく巻き付けることができるとともに、巻き太り部分の発生を防止することができ、巻き崩れが発生することのない巻き態様を実現することができる。
【００５７】
ここで、前記跨ぎ部分とは、前記外側の巻き層を構成する線条体の配列部分が、前記内側の巻き層を構成する線条体の配列部分を跨ぐ部分である。
【００５８】
詳しくは、トラバース巻きにより、ボビンに対して複数層に亘って巻き重ねた複数の巻き層のうち、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成する線条体の配列部分と、内側の巻き層を構成する線条体の配列部分とは、いずれも螺旋状の配列となるが、それぞれの配列部分の配列方向を示す螺旋のリード角は、外側の巻き層を構成する線条体の配列部分と、内側の巻き層を構成する線条体の配列部分とで、正負逆になる。
【００５９】
このため、トラバース巻きにより、ボビンに対して複数層に亘って巻き重ねたとき、複数の巻き層において、外側の巻き層を構成する線条体は、内側の巻き層を構成する線条体の配列部分を跨ぐように配列され、外側の巻き層を構成する線条体の配列部分には、内側の巻き層を構成する線条体の配列部分を跨ぐ部分が必然的に構成され、該跨ぐ部分を、上述した跨ぎ部分に設定している。
【００６０】
また、上述したボビン軸方向に沿ってとは、ボビン軸方向に平行な方向に限らず、ボビン軸方向に対して傾いた方向であってもよく、少なくともボビン軸方向の成分を含む方向を示す。
【００６１】
また本発明は、低耐力化した線条体をボビン胴部に対して所定のトラバースピッチでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねる線条体巻取り方法であって、前記所定のトラバースピッチを定格ピッチの１．０倍より大きい値に設定し、且つ、線条体を巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、ボビン周方向の他の部分と比較して線条体が嵩張った巻き太り部分の発生を防止する値に設定することを特徴とする。
【００６２】
また本発明は、低耐力化した線条体をボビン胴部に対して所定のトラバースピッチでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねる線条体巻取り方法であって、前記トラバース巻きによって、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成する線条体の配列部分が、内側の巻き層を構成する線条体の配列部分を跨ぐ跨ぎ部分がボビン軸方向に沿って並んだ軸方向跨ぎラインが巻き層ごとに形成され、前記所定のトラバースピッチを、１．０×ｐ＜Ｐ＜１．５×ｐを満たす範囲において、前記軸方向跨ぎラインが巻き層ごとにボビン周方向において分散する値に設定する線条体巻取り方法であることを特徴とする。
【００６３】
また本発明は、
低耐力化した線条体をボビン胴部に対して所定のトラバースピッチでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねる線条体巻取り装置であって、前記所定のトラバースピッチを定格ピッチの１．０倍より大きい値に設定し、且つ、線条体を巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、ボビン周方向の他の部分と比較して線条体が嵩張った巻き太り部分の発生を防止する値に設定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００６４】
この発明によれば、低耐力化した線条体をボビンに対して負荷をかけずに巻き付けても、巻き緩みや巻き崩れなどが生じることなく所望の整列巻きした状態に保つことができ、低耐力化した線条体をボビンに巻き付けた状態からスムーズに送り出すことができる線条体巻付けボビン、線条体巻取り方法、及び、線条体巻取り装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】半田メッキ線の製造装置の概略図。
【図２】巻取り手段の説明図。
【図３】本実施形態のボビントラバース方式巻取り機の説明図。
【図４】Ｐ＝ｐ×２．０倍の設定の下でメッキ線をボビンに巻き付ける様子を模式的に説明する説明図。
【図５】図５（ｂ）中のＡ−Ａ線端面図（ａ）、及び、Ｂ−Ｂ線端面図（ｂ）。
【図６】Ｐ＝ｐ×２．５倍の設定の下でメッキ線をボビンに巻き付ける様子を模式的に説明する説明図。
【図７】図６（ｂ）中のＡ−Ａ線端面図（ａ）、及び、Ｂ−Ｂ線端面図（ｂ）。
【図８】ボビン落下試験の様子を示す説明図。
【図９】ボビン落下試験の結果を示すグラフ。
【図１０】Ｐ＝ｐ×１．２倍の場合のメッキ線の巻付け態様を示す写真。
【図１１】Ｐ＝ｐ×１．２倍の場合のメッキ線の巻付け態様を示す写真。
【図１２】Ｐ＝ｐ×１．２倍の場合のメッキ線の巻付け態様を示す写真。
【図１３】Ｐ＝ｐ×２．０倍の場合のメッキ線の巻付け態様を示す写真。
【図１４】Ｐ＝ｐ×２．０倍の場合のメッキ線の巻付け態様を示す写真。
【発明を実施するための形態】
【００６６】
この発明の一実施形態を、以下図面を用いて説明する。  
本実施形態の半田メッキ線の製造装置１１は、図１に示すように、被メッキ線１ａに対してメッキ前処理を行うメッキ前処理手段２と、被メッキ線１ａの表面に半田メッキを施すメッキ手段６１と、表面にメッキを施したメッキ線１ｂを巻取る巻取り手段７１とで構成している。  
なお、図１は、半田メッキ線の製造装置１１を模式的に示した説明図である。
【００６７】
被メッキ線１ａには、別途備えた平角線製造機（図示せず）により、無酸素銅（ＯＦＣ）を厚みが０．０５〜０．５ｍｍ、幅が０．８〜１０ｍｍに、より好ましくは、厚みが０．０８〜０．２４ｍｍ、幅が１〜２ｍｍに圧延した平角銅線を用いている。
【００６８】
前記メッキ前処理手段２は、主にサプライヤ１２、加熱処理炉２２、酸洗浄槽３１、超音波水洗浄槽４１、及び、軟化焼鈍炉５１で構成している。  
サプライヤ１２は、ドラムに巻き付けた状態の被メッキ線１ａをドラムが回転することで、順に解いていきながら製造ラインに供給する。サプライヤ１２は、必要に応じてダンサー機能付きの構成であってもよく、また、通常の横繰り出しで繰り出す構成であってもよい。
【００６９】
加熱処理炉２２は、後述する軟化焼鈍炉５１と略同様の構成であり、厚み方向に対して走行方向に長い直方体形状をした外観形状で構成している。加熱処理炉２２は、走行方向に沿って走行方向の下流側端部が上流側端部よりも低位置になるよう傾斜配置している。加熱処理炉２２の内部を、約２００℃の設定温度の蒸気雰囲気となるよう設定する。
【００７０】
また、加熱処理炉２２に対して走行方向の下流側には、加熱処理炉２２の内部を通過した被メッキ線１ａを冷却する冷却水槽２３を設置している。加熱処理炉２２の下流側端部と冷却水槽２３は、加熱処理炉２２から導出した被メッキ線１ａが空気に触れないよう冷却水槽２３まで案内する連結管２４で互いに連結されている。
【００７１】
洗浄手段３０としての酸洗浄槽３１は、被メッキ線１ａの表面を酸洗浄するリン酸系洗浄液３２を貯溜している。  
洗浄手段３０としての超音波水洗浄槽４１では、被メッキ線１ａの表面に付着した水溶性潤滑剤やその他の不純物を、別途備えた超音波水洗浄機４２を用いて洗浄するための水４３を貯溜している。超音波水洗浄槽４１の底面には、被メッキ線１ａの走行方向に沿って超音波水洗浄機４２の一部を構成する超音波振動板４２ａを配置している。なお、超音波水洗浄槽４１の上方には、被メッキ線１ａの走行する軌道上の側方から被メッキ線１ａに向けてエアを吹き付けるエアワイパ４５を設置している。
【００７２】
前記軟化焼鈍炉５１は、走行方向の上流側端部よりも下流側端部が徐々に低位置になるよう傾斜配置している。前記軟化焼鈍炉５１は、加熱処理炉２２と同様に直方体形状で構成した軟化焼鈍炉本体５２と、該軟化焼鈍炉本体５２を貫通するように配置し、被メッキ線１ａの挿入を許容する内径を有するパイプ状の鞘管５３と、軟化焼鈍炉本体５２の内部に配置され、該内部を加熱するヒータ（図示省略）とで構成している。  
鞘管５３の内部は、還元ガス供給部５７から還元ガスＧを流入することで内部を還元ガス雰囲気としている。
【００７３】
メッキ手段６１は、溶融半田メッキ液６３が貯溜された溶融半田メッキ槽６２で構成し、溶融半田メッキ液６３は、２６０℃の設定温度とし、溶融錫（Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ）を用いている。
【００７４】
溶融半田メッキ槽６２の内部には、表面に溶融半田メッキ液６３が付着したメッキ線１ｂの走行方向を鉛直上方へ方向転換する槽中方向転換ローラ６４を配置している。
【００７５】
さらに、槽中方向転換ローラ６４の鉛直上方には、メッキ線１ｂを鉛直上方への走行方向から巻取り手段７１に向かう方向へ転換する槽上方向転換ローラ６５を備えている。
【００７６】
槽中方向転換ローラ６４、及び、槽上方向転換ローラ６５は、通常のφ２０ｍｍ程度のローラよりも大径である例えば、φ１００ｍｍ程度のローラで構成している。さらに、槽中方向転換ローラ６４、及び、槽上方向転換ローラ６５は、それぞれに備えた図示しない駆動モータによって、巻取り手段７１に備えた後述するボビン２００の回転速度と略同じ回転速度で自ら積極的に能動回転し、巻取り手段７１による巻取り速度と同調するように、メッキ線１ｂの方向転換を行う。
【００７７】
続いて巻取り手段７１について図２、及び、図３を用いて説明する。  
なお、図２は、巻取り手段７１を模式的に示した説明図であり、図３は、巻取り手段７１に備えたトラバース方式巻取りユニット８０を模式的に示した説明図である。
【００７８】
巻取り手段７１は、トラバース方式巻取りユニット８０と、トラバース方式巻取りユニット８０の上流側で、該トラバース方式巻取りユニット８０側へメッキ線１ｂを供給する供給ユニット９０とで構成している。
【００７９】
供給ユニット９０は、メッキ線１ｂをトラバース方式巻取りユニット８０に向けてガイドするよう配置された複数のガイドローラ９１（９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄ，９１ｅ）と、ガイドローラ９１を介して走行するメッキ線１ｂを引き取る引取りキャプスタン９２とで構成している。  
なお、供給ユニット９０には、メッキ線１ｂを引き取る際に、メッキ線１ｂに加わるテンションを調節する巻取り張力調節機としてのダンサーローラを備えた構成であってもよい。
【００８０】
引取りキャプスタン９２は、モータを備え（図示省略）、該モータの駆動によって能動的に回転し、メッキ前手段２からメッキ手段６１に亘って走行するメッキ線１ｂ（被メッキ線１ａ）の走行速度を決定する。
【００８１】
引取りキャプスタン９２は、メッキ線１ｂを引き取るとともに、下流側へ送り出すことで、トラバース方式巻取りユニット８０側へメッキ線１ｂを供給する。
【００８２】
トラバース方式巻取りユニット８０は、制御部と、図３に示すように、ボビン２００を軸回りに回転させるボビン回転手段１１０と、ボビン２００をボビン軸方向へ往復移動させる往復移動手段１２０とで構成し、メッキ線１ｂをボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き付け層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、メッキ線１ｂをボビン半径方向へ巻き重ねたメッキ線巻付けボビン１０を構成する。
【００８３】
制御部は、図示しないが、ボビン回転手段１１０によりボビン２００を軸回りに回転させながら往復移動手段１２０によりボビン２００を軸方向の両側へ往復する動作を繰り返し、ボビン胴部２０１に対して低耐力化したメッキ線１ｂを所定のトラバースピッチでトラバース巻きする制御を実行する。
【００８４】
ボビン回転手段１１０は、ボビン２００をその軸周りに回転させる巻取り駆動部１１１と、巻取り駆動部１１１の回転をボビン２００側へ伝達する動力伝達手段としての巻取り軸１１２と、該巻取り軸１１２を回転自在に支持する支持台１１３とで構成している。  
巻取り軸１１２の先端部には、上流側に配置したガイドローラ９１ｅの軸方向とボビン軸方向とが一致するようボビン２００の装着を許容するボビン装着部１１２ａを備えている。
【００８５】
往復移動手段１２０は、少なくともボビン軸方向長さを備えたネジ軸１２１と、往復可動部１２２と、往復移動駆動部１２３とで構成している。
【００８６】
往復可動部１２２は、ボビン回転手段１１０の支持台１１３と一体に固定され、往復移動駆動部１２３の駆動によってネジ軸１２１に沿って往復移動する。これにより、ボビン２００は、ボビン回転手段１１０ごとボビン軸方向の長さに相当するストローク分だけ往復動作する。
【００８７】
なお、往復移動手段１２０は、ネジ軸１２１におけるボビン胴部２０１の長さに対応する間隔を隔てたボビン胴部端部対応位置に、往復可動部１２２が当該ボビン胴部端部対応位置に到達したことを検出する端部到達検出センサ１２４（図３参照）を適宜、備えてもよい。
【００８８】
続いて上述したように構成した半田メッキ線の製造装置１１を用いた半田メッキ線の製造方法について説明する。  
半田メッキ線の製造方法は、被メッキ線１ａに対してメッキ前処理を行うメッキ前処理工程と、被メッキ線１ａの表面に半田メッキを施すメッキ工程を経てメッキ線１ｂを製造し、メッキ前処理工程とメッキ工程とを行っている間、メッキ線１ｂを巻取る巻取り工程とを行う製造方法である。
【００８９】
メッキ前処理工程は、加熱処理工程、酸洗浄工程、水洗浄工程、及び、軟化焼鈍工程をこの順で行う工程である。  
加熱処理工程では、蒸気雰囲気とした加熱処理炉２２の内部において被メッキ線１ａを走行させることで、被メッキ線１ａの表面を蒸気洗浄する工程である。この蒸気洗浄により、被メッキ線１ａの表面に付着した水溶性潤滑剤やその他の不純物を除去し易いよう表面から分離させることができる。
【００９０】
加熱処理炉２２を通過後の被メッキ線１ａは、連結管２４を通過後に冷却水槽２３の内部に貯溜した冷却水を走行することにより、所定の温度まで冷却される。
【００９１】
酸洗浄工程では、酸洗浄槽３１に貯溜したリン酸系の洗浄液３２中を走行させることで、この中を走行した被メッキ線１ａの表面の酸洗浄を行う。
【００９２】
水洗浄工程では、超音波水洗浄槽４１において、被メッキ線１ａの表面を超音波水洗浄し、該被メッキ線１ａの表面に付着した水溶性潤滑剤やその他の不純物を除去する。
【００９３】
軟化焼鈍工程では、内部を還元ガス雰囲気とするとともに、約８００℃程度にまで加熱した軟化焼鈍炉５１における内部に被メッキ線１ａを走行させることで該被メッキ線１ａを軟化焼鈍して低耐力化するとともに、被メッキ線１ａの表面の酸化層を還元する工程である。
【００９４】
続くメッキ工程では、被メッキ線１ａが、溶融半田メッキ槽６２に貯溜された溶融半田メッキ液６３中を走行することで、被メッキ線１ａの表面に溶融錫を付着させる。  
軟化焼鈍炉５１の内部から導出された被メッキ線１ａは、溶融半田メッキ液６３中に浸入するまで案内される。
【００９５】
溶融半田メッキ液６３に浸入した被メッキ線１ａは、表面に溶融半田メッキ液６３が付着し、表面全体が溶融半田メッキ液６３で被覆されたメッキ線１ｂとなる。メッキ線１ｂは、溶融半田メッキ槽６２の内部を走行する過程で溶融半田メッキ槽６２中に備えた槽中方向転換ローラ６４により、溶融半田メッキ槽６２を走行する過程で鉛直上方に方向転換され、溶融半田メッキ槽６２から鉛直上方に向けて導出される。
【００９６】
メッキ線１ｂは、溶融半田メッキ槽６２から導出された後、槽上方向転換ローラ６５により方向転換され、巻取り手段７１側へ走行する。
【００９７】
巻取り工程では、図２、及び、図３に示すように、被メッキ線１ａに対して上述したメッキ前処理工程及びメッキ工程を行っている間、これら工程を経たメッキ線１ｂを、巻取り手段７１において供給ユニット９０の引取りキャプスタン９２がメッキ線１ｂを引き取るとともに、トラバース方式巻取りユニット８０においてボビン２００に整列巻していく。
【００９８】
詳しくは、巻き付け工程では、往復移動手段１２０の往復移動駆動部１２３（モータ）の速度、或いはトルクを適宜、変更することで、ボビン胴部２０１にメッキ線をトラバース巻きする際のトラバースピッチを任意の値に設定可能としている。
【００９９】
巻取り工程では、
前記所定のトラバースピッチを、
定格ピッチの１．０倍より大きい値に設定し、且つ、メッキ線１ｂを巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、ボビン周方向の他の部分と比較して線条体が嵩張った巻き太り部分の発生を防止する値に設定の下で、ボビン胴部２０１に対してメッキ線１ｂをトラバース巻きしている。
【０１００】
詳しくは、前記トラバースピッチをＰ、前記定格ピッチをｐとしたとき、トラバースピッチＰを、１．０×ｐ＜Ｐ＜２．０×ｐ、且つ、２．０×ｐ＜Ｐ＜３．０×ｐに設定している。
【０１０１】
すなわち、トラバースピッチＰを、１．０倍×ｐ＜Ｐ＜３．０倍×ｐの範囲内で、且つ、定格ピッチｐの２．０倍の値を除く値となるよう設定している。
【０１０２】
また、巻取り工程では、往復可動部１２２がネジ軸１２１を移動する速度が略等速となるよう設定することで、ボビン２００は、ボビン胴部２０１に巻き付けるメッキ線１ｂがボビン胴部２０１の軸方向の一端側から他端側、或いは、他端側から一端側へ達するまでの間、略等速でボビン軸方向へ移動しながらメッキ線１ｂを巻き付けている。
【０１０３】
なお、往復可動部１２２は、ボビン軸方向に沿って所定のトラバースピッチごとに小刻みに移動と停止を繰り返す断続的な移動も可能であるが、上述したように、略等速で移動するよう設定することにより、ボビン２００に対して所定のトラバースピッチごとに整列巻きする場合において、ボビン２００が加減速を繰り返すことによって低耐力化したメッキ線１ｂに加わる負荷を軽減している。
【０１０４】
上述した半田メッキ線の製造装置１１および製造方法は、以下のように様々な作用、効果を得ることができる。  
半田メッキ線の製造装置１１は、メッキ前処理手段２としてのサプライヤ１２、加熱処理炉２２、酸洗浄槽３１、超音波水洗浄槽４１、及び、軟化焼鈍炉５１と、メッキ手段６１としての溶融半田メッキ槽６２と、巻取り手段７１を、それぞれメッキ線１ｂの走行方向の上流側から下流側へこの順にタンデムで配置、すなわち、一連配置している。
【０１０５】
このように各手段を一連配置し、各工程を連続して行うことで、製造中に低耐力化したメッキ線１ｂが無駄な距離を走行することを防ぐことができ、走行中にメッキ線１ｂにかかる負荷を低減することができる。
【０１０６】
従って、０．２％耐力値を十分に低下させた所望の品質のメッキ線１ｂを得ることができ、このようなメッキ線１ｂを安定して得ることで、製品歩留まりを向上させることができ、また、製造効率を向上させることができる。
【０１０７】
また、上述した巻取り装置１１、及び、巻取り工程において、メッキ線１ｂのボビン胴部２０１に対する所定のトラバースピッチＰを、定格ピッチｐの１．０倍より大きい値に設定し、且つ、メッキ線１ｂを巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、周方向の他の部分と比較して嵩張った巻き太り部分発生を防止する値となる設定の下で、メッキ線１ｂのボビン胴部２０１に対してトラバース巻きする。
【０１０８】
これにより、メッキ線１ｂの巻きずれの影響を大幅に回避することができ、巻き崩れや巻き緩みが生じることを防ぐことができる。
【０１０９】
詳しくは、メッキ線１ｂの０．２％耐力値を低い値に保つためには、メッキ線１ｂを低いテンションの下でボビン２００に巻き付ける必要があるが、このように低テンションの下でメッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けた場合、巻き緩み、巻きずれが生じ易いという課題がより顕著に生じることになる。
【０１１０】
例えば、前記所定のトラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍である場合、前記所定のトラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍より大きい場合と比較してボビン軸方向におけるメッキ線１ｂの配列部分同士の隙間が小さくなるため、前記複数の配列部分が配列することによって構成される巻き層表面は、メッキ線１ｂの配列部分同士の隙間が殆どない状態となり、該隙間を有することによる凹凸の影響が緩和され、略平坦形状となる。
【０１１１】
メッキ線１ｂが平角線である場合には、メッキ線１ｂをボビン軸方向に複数配列した構成の巻き層の表面は、特に、摩擦抵抗の少ない平滑面として構成されることになる。
【０１１２】
そして、一般に、低耐力化したメッキ線１ｂをボビン２００にトラバース巻きする際には、低耐力化したメッキ線１ｂに負荷がかからないよう、低耐力化していない通常のメッキ線と比較して低い巻き付けテンションの下でボビン２００に対してトラバース巻きする。
【０１１３】
そうすると、メッキ線１ｂをボビン２００に巻き重ねたとき、複数に亘って積層する巻き層のうち、所定の巻き層を構成するメッキ線１ｂは、巻き緩み、巻き解けなどが発生するという課題が生じていた。
【０１１４】
これに対して、前記所定のトラバースピッチＰを定格ピッチｐの１．０倍よりも大きな値に設定することで、定格ピッチｐの１．０倍の場合と比較して、メッキ線１ｂの配列部分同士の間隔を確保して、巻き層の表面が適度な凹凸形状となる巻き付け状態とすることができるため、巻き層間の摩擦抵抗を向上させることができる。
【０１１５】
これにより、メッキ線１ｂの巻きずれの影響を大幅に回避することができ、巻き解けや巻き緩みが生じることを防ぐことができる。
【０１１６】
また、上述したように、前記所定のトラバースピッチＰを定格ピッチｐの１．０倍よりも大きな値に設定した場合において、トラバースピッチＰによっては、前記所定のトラバースピッチＰを、メッキ線１ｂを巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、周方向の他の部分と比較して嵩張った巻き太り部分が発生することが経験的に明らかになっている。そこで、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの１．０倍よりも大きな値の中でも、巻き太り部分が発生しない値に設定することにより、巻き崩れや巻き解けが生じ難い巻き態様とすることができる。
【０１１７】
詳しくは、巻き太り部分は、トラバースピッチＰの設定値に応じて発生し、例えば、所定のトラバースピッチＰごとに、メッキ線１ｂをボビン軸方向に沿って配列した配列部分が干渉したり、巻き乱れた状態で巻き付けられるなど様々な要因により発生する。
【０１１８】
巻き太り部分が発生すると、その部分でメッキ線１ｂをボビン２００から送り出す際に引掛かり易くなり、また、巻き崩れが発生し易くなる。巻き崩れが発生すると、巻き崩れ部分が送り出し部分を覆うことで干渉し、メッキ線１ｂをボビン２００から送り出す際により一層、引っ掛かり易くなる。
【０１１９】
このため、トラバースピッチＰを適切に設定することが巻き太りを回避する上で重要となる。
【０１２０】
これに対して、前記所定のトラバースピッチＰを、メッキ線１ｂを巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、周方向の他の部分と比較して嵩張った巻き太り部分の発生を防止する値に設定することにより、巻き乱れなどが生じることなく、安定した巻き態様となるため、巻き崩れが発生し難くなる。
【０１２１】
よって、メッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けた状態から送り出す際に、メッキ線１ｂの送出し部分が例えば、巻き崩れ部分と干渉し、引掛かることがないため、メッキ線１ｂをボビン２００に対して負荷が加わることなく送り出すことができる。
【０１２２】
従って、メッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けた状態から送り出す際に、メッキ線１ｂに対して過大な負荷が加わることがないため、メッキ線１ｂが座屈することがなく、また、メッキ線１ｂの品質を０．２％耐力値の低い優れた品質に確保することができる。
【０１２３】
さらにメッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けた状態から送り出す際に、メッキ線１ｂの送出し部分が巻き崩れ部分に引掛かることで、メッキ線１ｂの送り出しを中断し、例えば、メッキ線１ｂの送出し部分と巻き崩れ部分との干渉を解消したり、別異のボビン２００と交換したりする手間を必要とせず、太陽電池の生産効率を向上させることができる。
【０１２４】
また、上述した巻き取り工程では、前記トラバースピッチをＰ、前記定格ピッチをｐとしたとき、  
１．０倍×ｐ＜Ｐ＜３．０倍×ｐ  
の設定の下で巻き取りを行っている。
【０１２５】
このように、トラバースピッチを、１．０倍×ｐ＜Ｐとなる範囲に設定することにより、メッキ線１ｂをボビン２００に負荷が加わることなく巻き付けることができるとともに、安定した巻付け態様で巻き付けることができ、メッキ線１ｂをスムーズにボビン２００から送り出すことができる。
【０１２６】
詳しくは、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの１．０倍未満の値とした場合、メッキ線１ｂをボビン軸方向に沿ってトラバースピッチＰごとずらしながら巻き付けたとき、メッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けた配列部分のうち、ボビン軸方向において互いに隣り合う配列部分の一方が他方に乗り上げるなどして傾く可能性が高くなる。このように傾いた状態で配列した配列部分の外側の層において、さらにメッキ線１ｂを巻き重ねると、巻き太りが発生し、巻き崩れ易い不安定な巻き付け状態となる。
【０１２７】
このような巻き付け状態の場合、スムーズな送り出しが阻害されることや、該メッキ線１ｂに歪みや曲げが発生し、０．２％耐力値が高くなり、太陽電池用接続リード線としての品質を確保することが困難となる。  
よって、トラバースピッチＰを、１．０倍×ｐ＜Ｐとなる範囲に設定している。
【０１２８】
また、上述したように、トラバースピッチＰを、Ｐ＜３．０倍×ｐとなる範囲に設定することにより、低耐力化したメッキ線１ｂをボビン２００に対して低いテンションの下で巻き付けた場合であっても、ボビン軸方向に対してメッキ線１ｂの巻きずれが生じることなく、巻き緩み、巻き崩れの発生を防止することができる。
【０１２９】
詳しくは、低耐力化したメッキ線１ｂをボビン２００に巻き付ける際には、メッキ線１ｂを低いテンションの下で巻き付けることで、メッキ線１ｂに加わる負荷を抑制している。
【０１３０】
ところが、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍の場合、メッキ線１ｂの配列部分同士の隙間が略皆無の状態となり、巻き層間の滑りが生じ易くなるため、巻き解けが生じ易くなる。このため、トラバースピッチを定格ピッチｐの１．０倍より大きい値に設定することで、巻き層間の適度な摩擦を確保し、巻き解けを防止していることは上述したとおりである。
【０１３１】
しかし、その一方で、トラバースピッチＰが大きくなればなる程、ボビン２００に巻き付けられたメッキ線１ｂは、ボビン軸方向の直交方向に対するリード角が大きな螺旋状の巻き付け軌道となる。換言すると、ボビン２００に螺旋状に巻き付けたメッキ線１ｂのボビン軸方向に対する傾斜角度が小さくなる。
【０１３２】
そうすると、ボビン２００に巻き付けたメッキ線１ｂには、ボビン軸方向において、メッキ線１ｂの巻き付け軌道がより短くなる方向、すなわち、螺旋のリード角度がより小さくなる方向へ該メッキ線１ｂ自体の復元力が大きく作用することになり、巻きずれがより生じ易くなるとともに、巻きずれが生じた場合の巻き緩みの度合いもより大きくなるという課題が生じる。
【０１３３】
さらに、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの３．０倍以上に設定した場合、ボビン２００の直交方向に対するリード角が大きな螺旋状に巻き付けられることになるため、メッキ線１ｂをボビン軸方向へ引張るようにしてボビン２００に対して巻き付ける必要があり、メッキ線１ｂに加わる負荷が大きくなるという課題も生じる。
【０１３４】
さらにまた、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの３．０倍以上に設定した場合、メッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けた状態において、メッキ線１ｂが捩れ易く、捩れクセが付いたり、角部が凹むなどの変形が生じ易くなるという課題も生じる。
【０１３５】
これに対して、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの３．０倍未満の値に設置することで、ボビン２００に対して低いテンションの下で巻き付けたメッキ線１ｂであっても、ボビン２００に対して巻きずれが生じることなく、巻き緩み、巻き崩れの発生を防ぐことができる。
【０１３６】
さらに、ボビン２００に対して巻き付ける際に、メッキ線１ｂに対してボビン軸方向へ配索する巻き付けテンションを付与する必要がないため、メッキ線１ｂに負荷が加わることを抑制することができる。また、ボビン２００に対してリード角が大きな螺旋状に巻き付けることがないため、メッキ線１ｂが捩れたり、捩れクセが付いたり、角部が凹むなどの変形が生じることを防ぐことができる。
【０１３７】
また、本実施形態のメッキ線１ｂの巻取り方法では、低耐力化したメッキ線１ｂをボビン２００に対して所定のトラバースピッチでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きによって、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分が、内側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分を跨ぐ跨ぎ部分がボビン軸方向に沿って並んだ軸方向跨ぎラインが巻き層ごと必然的に形成されることになる。
【０１３８】
このため、前記所定のトラバースピッチを、１．０×ｐ＜Ｐ＜１．５×ｐを満たす範囲において、前記軸方向跨ぎラインが巻き層ごとにボビン周方向において分散する値に設定している。
【０１３９】
すなわち、前記トラバースピッチＰを、少なくとも前記定格ピッチｐの２．０倍の値を除く値に設定することで、後述する凹凸状巻き太り部分１３３が生じる巻き態様を回避することができる。
【０１４０】
この点について、図４、乃至、図７を用いて詳述する。  
なお、図４（ａ），（ｂ）は、トラバースピッチＰを、定格ピッチｐの２．０倍の値に設定の下でメッキ線１ｂをボビン軸方向に沿って巻き付けたメッキ線巻付けボビン１０を模式的に示した展開図である。  
図６（ａ），（ｂ）は、トラバースピッチＰを、定格ピッチｐの２．５倍の値に設定の下でメッキ線１ｂをボビン軸方向に沿って巻き付けたメッキ線巻付けボビン１０を模式的に示した展開図である。
【０１４１】
図４（ａ），（ｂ）、及び、図６（ａ），（ｂ）は、いずれも簡略化のため、定格ピッチｐを決定する上で考慮するクリアランスやメッキ線１ｂの厚みを省略するとともに、巻き数も（ｎ−１）層目、ｎ層目、及び、（ｎ＋１）層目の３層のみを簡略化して図示している。
【０１４２】
図４（ａ）、及び、図６（ａ）中において、複数層に亘って積層した巻き層のうち、メッキ線１ｂをボビン軸方向の一端側から他端側へ配列した複数の配列部分によって構成するｎ層目の巻き層を実線で表し、ｎ層目の巻き層の一つ内側の層においてボビン軸方向の他端側から一端側へ配列した複数の配列部分によって構成する（ｎ−１）層目の巻き層を破線で表している。
【０１４３】
図４（ｂ）、及び、図６（ｂ）中において、メッキ線１ｂをボビン軸方向の一端側から他端側へ配列した複数の配列部分によって構成する（ｎ＋１）層目の巻き層を実線で表し、（ｎ＋１）層目の巻き層に対して一つ内側の層においてボビン軸方向の他端側から一端側へ配列した複数の配列部分によって構成するｎ層目の巻き層を破線で表している。
【０１４４】
また、図５（ａ）は、図４（ｂ）のＡ−Ａ線端面図であり、図５（ｂ）は、図４（ｂ）のＢ−Ｂ線端面図である。図７（ａ）は、図６（ｂ）のＡ−Ａ線端面図であり、図７（ｂ）は、図６（ｂ）のＢ−Ｂ線端面図である。
【０１４５】
図４（ａ），（ｂ）、及び、図６（ａ），（ｂ）に示すように、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、内側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分のリード角（α）と、外側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分のリード角（−α）とは互いに反転する方向、すなわち、ボビン軸方向に直交する直交方向に対して逆方向となる。
【０１４６】
このため、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分は、ボビン周方向の少なくとも一部分（ボビン周方向において２箇所）において内側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分を跨ぐ跨ぎ部分１３０、すなわち、重なり合う部分（クロスポイント）が生じる。
【０１４７】
このような跨ぎ部分１３０がボビン軸方向に沿って複数並ぶラインが軸方向跨ぎライン１３０Ｌ（クロスライン）として形成される。
【０１４８】
ここで図４乃至図７に示すように、（ｎ−１）層目を構成するメッキ線１ｂの配列部分に対して、ｎ層目を構成するメッキ線１ｂの配列部分が跨ぐ跨ぎ部分１３０がボビン軸方向に沿って配列することで構成される軸方向跨ぎライン１３０Ｌを、軸方向跨ぎライン１３０Ｌａに設定し、ｎ層目を構成するメッキ線１ｂの配列部分に対して、（ｎ＋１）層目を構成するメッキ線１ｂの配列部分が跨ぐ跨ぎ部分１３０がボビン軸方向に沿って配列することで構成される軸方向跨ぎライン１３０Ｌを、軸方向跨ぎライン１３０Ｌｂに設定する。
【０１４９】
そして、例えば、トラバースピッチＰが、定格ピッチｐの２．０倍となる値のように、トラバースピッチＰの設定によっては、図４（ａ），（ｂ）、及び、図５（ａ），（ｂ）のうち、特に、図４（ｂ）、及び、図５（ｂ）に示すように、巻き層を複数層に亘って積層したとき、軸方向跨ぎライン１３０Ｌ（１３０Ｌａ，１３０Ｌｂ）が、巻き層ごとに、ボビン周方向において偏った（一致した）場合、軸方向跨ぎライン１３０Ｌにおける、跨ぎ部分１３０が積層した部分が凸状部分１３１となり、跨ぎ部分１３０以外の部分が凹状部分１３２となる。このため、このように軸方向跨ぎライン１３０Ｌが、巻き層ごとに、ボビン周方向において偏った（一致した）場合、該一致する部分において凸状部分１３１と凹状部分１３２とがボビン軸方向に沿って並ぶ凹凸状巻き太り部分１３３ができる。
【０１５０】
このように、軸方向跨ぎライン１３０Ｌが、巻き層ごとにボビン周方向において一致する巻き態様、すなわち、凹凸状巻き太り部分１３３が生じる巻き態様は、トラバースピッチＰを所定の値に設定した場合に発生するが、トラバースピッチＰを高くするに従って凹凸状巻き太り部分１３３が発生する巻き態様となる可能性が高くなる。
【０１５１】
さらに、軸方向跨ぎライン１３０Ｌが、巻き層ごとにボビン周方向において一致する巻き態様、すなわち、上述した凹凸状巻き太り部分１３３が生じる巻き態様は、図４、及び、図５に示すように、トラバースピッチＰを、前記定格ピッチｐの２．０倍付近の値に設定した場合に、発生することが実験的に明らかとなっている。
【０１５２】
これに対して、図６、及び、図７に示すように、例えば、トラバースピッチＰが、定格ピッチｐの２．５倍となる値の場合のように、トラバースピッチＰの設定によっては、（ｎ−１）層目とｎ層目とで構成する軸方向跨ぎライン１３０Ｌａと、ｎ層目と（ｎ＋１）層目とで構成する軸方向跨ぎライン１３０Ｌｂとは、ボビン周方向において一致せず、このように、軸方向跨ぎライン１３０Ｌが、巻き層ごとにボビン周方向において分散させることができるため、凸状部分１３１と凹状部分１３２とがボビン軸方向に沿って並ぶ凹凸状巻き太り部分１３３発生を防止することができる。
【０１５３】
よって、この各層において生じる凹凸状巻き太り部分１３３が周方向において偏る巻き態様を回避するため、トラバースピッチＰを、定格ピッチｐの２．０倍の値を除く値に設定することが好ましい。
【０１５４】
以下、効果確認実験について説明する。
【０１５５】
（効果確認実験）  
本実験では、メッキ線１ｂをボビン２００に対して連続してトラバース巻きしたメッキ線巻付けボビン１０を、所定のトラバースピッチＰごとに複数作成し、これらメッキ線巻付けボビン１０を基に、低耐力化したメッキ線１ｂをボビン２００に巻き取る上で、巻き崩れ難さを示す巻き付け特性の観点で好ましいトラバースピッチＰを検証した。
【０１５６】
なお、ボビン２００に巻き取られるメッキ線１ｂは、上述した製造方法により低耐力化した上で、表１に示す条件によりメッキ厚が４０μｍとなるよう製造したメッキ線である。
【０１５７】
【表１】
2013075750.tif 000003
トラバースピッチＰは、表２に示すように、定格ピッチｐの１．０倍となる値から２．８倍までの所定の倍率で乗算した値の合計１５種類に設定し、各トラバースピッチＰに対応するメッキ線巻付けボビン１０を合計１５種類作成した。  
なお、定格ピッチｐは、ボビン軸方向に沿って配列したメッキ線１ｂの配列部分同士が乗り上げないように、メッキ線１ｂの幅やボビン軸方向の長さなどのクリアランスを考慮してメッキ線１ｂの幅（ｗ＝２．０ｍｍ）に対して０．４ｍｍを加算した２．４ｍｍに設定している。
【０１５８】
【表２】
2013075750.tif 000004
本実験では、上述した１５種類のメッキ線巻付けボビン１０のそれぞれについて巻き態様の外観評価と落下試験を行い、これらの結果に基づいて巻き付け特性の観点で好ましいトラバースピッチＰを明らかにした。
【０１５９】
巻き態様の外観評価では、メッキ線巻付けボビン１０の表面外周の凹凸の有無と膨らみの有無をそれぞれ確認した。
【０１６０】
なお、メッキ線巻付けボビン１０の表面外周の凹凸とは、メッキ線巻付けボビン１０の外周の少なくとも一部分において、ボビン２００の半径方向に凹状である凹部分と凸状である凸部分とがボビン軸方向に沿って交互に繰り返す構成の凹凸状巻き太り部分１３３が発生していることを示す。  
メッキ線巻付けボビン１０の表面外周の膨らみとは、メッキ線巻付けボビン１０の外周の少なくとも一部分において、ボビン軸方向の略全体が膨んだ部分を示す。
【０１６１】
また、ボビン落下試験は以下の要領で行った。  
図８に示すように、まず、メッキ線巻付けボビン１０を水平なコンクリート床に対して２．０ｃｍ（Ｈ）の高さまで持ち上げ、ボビン軸方向が水平となる姿勢とした状態から自然落下させることで衝撃を加えた。
【０１６２】
このようなメッキ線巻付けボビン１０の落下を繰り返すと、ボビン２００胴部に巻き回したメッキ線１ｂは、落下の衝撃でボビン胴部２０１の軸方向の両側に有するボビン鍔部２０２に対するずれが生じ、ボビン鍔部２０２とメッキ線１ｂとの間に隙間が生じる。この隙間をシックネスゲージで計測し、所定の隙間（０．５ｍｍ、１．０ｍｍ、２．０ｍｍ）となるまでの落下回数を数えて、トラバースピッチＰごとに比較した。
【０１６３】
すなわち、ボビン鍔部２０２とメッキ線１ｂとの間が所定の隙間に達するまでのボビン２００の落下回数が多いほど、巻き崩れが発生し難いことを示し、本ボビン落下試験では、ボビン鍔部２０２とメッキ線１ｂとの間の隙間が２．０ｍｍとなるまでの落下回数が１０回未満である場合に「不合格」とし、１０回以上の場合に「合格」とした。
【０１６４】
なお、本ボビン落下試験では、落下による巻き崩れの偏りを減らすため、１回の落下毎に、所定の水平姿勢での落下と該水平姿勢に対してボビン軸方向の一方の側と他方の側との向きを反転させた水平姿勢での落下を１セットとして行った。ボビン鍔部２０２とメッキ線１ｂとの隙間の計測は、計測の度に軸方向の一方の側と他方側とのそれぞれについて計測し、大きい方の値を採用した。  
上述した巻き態様の外観評価とボビン落下試験の結果は、前記表２、及び図９に示すとおりである。  
なお、図９は、上述の１５種類のトラバースピッチＰの設定ごとに、ボビン落下試験においてボビン鍔部２０２とメッキ線１ｂとの間の隙間が２．０ｍｍとなる場合の落下回数をグラフ化したものである。
【０１６５】
表２に示すように、巻き崩れ特性を検証するボビン落下試験において結果が「不合格」となったトラバースピッチＰの設定における巻き態様の外観評価の結果に着目すると、メッキ線巻付けボビン１０には、その外周表面に凹凸部分、及び、膨らみ部分みのうち少なくともいずれか一方が発生していることが明かとなった。
【０１６６】
この結果より、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面の凹凸部分、或いは、膨み部分と、巻き付け特性を示す落下回数との間に因果関係があり、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面に、凹凸部分、及び、膨み部分の双方が生じないような巻き態様とすることが巻き崩れを防止する上で重要になることが明らかとなった。
【０１６７】
例えば、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの２．０倍の値に設定した場合には、図１３、及び、図１４の写真に示すように、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面に、凹凸部分が発生したが、これは、図４（ｂ）、及び、図５（ｂ）に示すように、ボビン軸方向に沿って、凸状部分１３１と凹状部分１３２とが交互に表れる凹凸状巻き太り部分１３３が発生する巻き態様であった。  
なお、凸状部分１３１と凹状部分１３２とは、大よそ３ｍｍから８ｍｍ程度の段差が生じていた。
【０１６８】
この凹凸部分のうち、凸部について着目すると、図５（ｂ）に示すように、メッキ線１ｂを巻き付けた配列部分を異なる層の配列部分が跨いだ跨ぎ部分１３０が積層した凸状部分１３１であった。
【０１６９】
そして、実際に、凸状部分１３１を指で軽く触ると、凹状部分１３２の側へ巻き崩れ、巻きずれが発生したことから、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面の周方向の一部に凹凸状巻き太り部分１３３が発生する巻き態様である定格ピッチｐの２．０倍の値は、巻き崩れの観点で好ましくないことが立証できた。
【０１７０】
また、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍である場合のメッキ線巻付けボビン１０は、ボビン落下試験の前においては、ボビン軸方向におけるメッキ線１ｂの配列部分がそれぞれの間に隙間が略無い状態で整列していることから、一見すると、整った巻き態様で巻き崩れ難いようにも思われた。
【０１７１】
しかし、ボビン落下試験の後においては、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍の値のときには、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面に、膨み部分が確認され、落下試験で「不合格」となった。
【０１７２】
よって、低耐力化したメッキ線１ｂにおいては、メッキ線１ｂに負荷がかからないよう、低い巻き付けテンションに設定の下、メッキ線１ｂをボビン２００に対して巻き付ける必要があり、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍である場合、複数層に亘って積層するように巻き付けたメッキ線１ｂの巻き付け層間の摩擦抵抗が特に少なくなることから、巻き崩れが発生し易くなることを実証できた。
【０１７３】
さらに、図９に示すように、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍台後半である場合や２．０倍台であるからといって、ボビン落下試験において必ずしも「不合格」となるとは限らないが、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍の値に対して高い値になるに従って、ボビン落下試験において不合格となる場合が多くなることが明らかとなった。
【０１７４】
例えば、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの２．０倍後半の値になると、ボビン落下試験結果は、全て「不合格」となり、２．５倍以下であることが好ましいことを確認できた。
【０１７５】
さらに、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの２．０倍後半の値に設定すると、ボビン２００に巻き付けたメッキ線１ｂには、クセが付いたり、捩れが生じていた。  
この点からもトラバースピッチＰは、定格ピッチｐの２．５倍以下であることが好ましいことを確認できた。
【０１７６】
これに対して、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの１．２倍の値に設定した場合には、ボビン落下試験の結果は、「合格」であった。その他にも、例えば、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．８倍や２．５倍の場合にも、落下試験で「合格」となった。
【０１７７】
これらのメッキ線巻付けボビン１０についての巻き態様の外観評価は、表２に示すように、外周表面に凹凸部分、及び、膨らみ部分みのいずれも発生しておらず、図１０及至図１２の写真に示すように、メッキ線１ｂがボビン軸方向に沿って安定した巻き態様となった。  
なお、図１０中の写真でボビン２００に巻き付いたメッキ線１ｂの一部がボビン半径方向の外側へ突出しているがこれはメッキ線１ｂの先端部分であり、巻き太りによるものではない。
【０１７８】
すなわち、トラバース巻きにより、低耐力化したメッキ線１ｂをボビン胴部２０１に対して所定のトラバースピッチＰでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きの繰り返しが行われることによって、メッキ線１ｂがボビン軸方向に沿って整列した整列部分によって構成する巻き付け層が複数層に亘って積層する巻き態様となり、さらに、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分が、内側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分を跨ぐ跨ぎ部分がボビン軸方向に沿って並んだ軸方向跨ぎラインが巻き層ごとに必然的に形成されることになる巻き態様となる。
【０１７９】
本実施形態のメッキ線１ｂ巻取り方法によれば、トラバースピッチＰを、前記軸方向跨ぎライン１３０Ｌが巻き層ごとにボビン周方向において分散する値として、例えば、定格ピッチｐの１．２倍、１．８倍、或いは、２．５倍に設定しているため、軸方向跨ぎライン１３０Ｌが、巻き層ごとにボビン周方向において一致しないよう分散させることができ、凹凸状巻き太り部分１３３の発生を防止することができる。
【０１８０】
実際にメッキ線巻付けボビン１０の外周表面を、指などで触れても、巻きずれが生じることがなく、巻き崩れや巻き解けが生じなかった。
【０１８１】
このことから本実験の条件においては、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．２倍、１．８倍、２．５倍の場合が好ましく、これらの値は、０．２％耐力値を低い値に保つ必要がある太陽電池のリード線として用いる上で特に好ましいトラバースピッチＰであることが明らかとなった。特に、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．２倍の場合は、螺旋状に巻きつけることによる螺旋軌道のリード角を小さく抑えることができることからメッキ線１ｂの捩れの影響を受けることがないため、特に好ましい値といえる。
【０１８２】
また、効果確認実験では、前記表１の設定条件、製造条件とは異なる条件の下で上述した効果確認実験と同じ要領でメッキ線１ｂに対してボビン２００をトラバース巻きする補足的、追加的な実験（以下、「追加試験」という。）を行った。
【０１８３】
この追加実験では、例えば、ボビン軸方向の長さなどが異なるサイズのボビン２００にメッキ線１ｂを巻き付けたり、定格ピッチｐを異なる値に設定するなどして前記表１の設定条件、製造条件とは異なる条件に設定した。
【０１８４】
追加実験の結果、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍、或いは、２．０倍のとき、図９に示すように、上述した効果確認実験と同様に、不合格となる結果となり、巻き崩れが発生し易い巻き態様であることが明らかとなった。このことからトラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍、或いは、２．０倍のとき、巻き崩れが発生し易い巻き態様となるという再現性を確認でき、これらの値を除く値に設定することが有効となる。
【０１８５】
逆に、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．２倍の値の場合、ボビン落下試験の結果が「合格」となり、巻き崩れが発生し難いという再現性を確認できた。このことからトラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．２倍の値に設定することが好ましいことを確認できた。
【０１８６】
さらに、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍から２．５倍以下の範囲において、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．２倍となる値以外にも、好ましい巻き態様となる値が上述した定格ピッチｐの１．８倍や２．５倍の場合のように、ボビン落下試験の結果が「合格」となるトラバースピッチＰの値が断続的に表れるという上述の実験と同じ傾向が確認できた。
【０１８７】
但し、これら値は、ボビン軸方向の長さなどの製造条件や、製造過程で生じる誤差の影響により、必ずしも上述したトラバースピッチＰの値と完全に一致するわけではなく、必ずしも再現性があるとは限らない。
【０１８８】
しかし、以下の手順により、その製造条件における最適なトラバースピッチＰの値をスムーズ、且つ、正確に見極めることができる。
【０１８９】
まず、トラバースピッチＰを、定格ピッチｐの１．２倍となる値以外の好ましい値に設定する場合には、定格ピッチｐの１．０倍から２．５倍の範囲内で、且つ、経験的に巻き崩れが発生し易い確率が高い定格ピッチｐの２．０倍付近を除く所定の値を仮の値として設定する。
【０１９０】
そして、トラバースピッチＰを前記仮の値とする設定の下で巻き付けを行い、巻き付け途中で仮に、外周面に凹凸が発生したり、膨らみ部分が生じる巻き態様となった場合には、トラバースピッチＰの値を、定格ピッチｐの１．８倍や２．５倍となる上述した好ましい所定の値付近の値に設定し直して巻き付けを行うことで、その製造条件における最適なトラバースピッチＰの値をスムーズに見極めることができる。
【０１９１】
また、上述したトラバースピッチＰは、メッキ線１ｂをボビン２００に対してトラバース巻きする間、一定の値に固定するに限らず、メッキ線１ｂをボビン２００に対して巻き付けの途中においてトラバースピッチＰを、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面に凹凸部分が発生したり、膨らみ部分が生じないように変更可能に構成してもよい。
【０１９２】
このように、メッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けている最中において、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面における凹凸部分や膨らみ部分の発生の有無を確認する手段は、目視により確認し、手動で任意のトラバースピッチＰを入力することでトラバースピッチＰの値を変更してもよい。
【０１９３】
或いは、トラバース巻きしている最中にセンサによりリアルタイムで凹凸部分や膨らみ部分の発生の有無を測定し、センサの検出信号を基に、凹凸部分や膨らみ部分の発生が有りと判断した場合、凹凸部分や膨らみ部分が解消されるように自動でトラバースピッチＰの値を変更するよう制御する構成であってもよい。  
なお、センサとしては、例えば、赤外線センサやＣＣＤカメラを用いることができる。
【０１９４】
この発明の構成と、上述した実施形態との対応において、
線条体は、メッキ線１ｂに対応し、以下同様に、
線条体巻付けボビンは、メッキ線巻付けボビン１０に対応し、
線条体巻取り装置は、トラバース方式巻取りユニット８０に対応し、
巻き太り部分、凹凸部分（凹凸状巻き太り部分１３３）、或いは、膨らみ部分に対応するも、本発明は、上述した実施形態に限定せず、様々な実施形態で構成することができる。
【０１９５】
例えば、巻取り手段７１は、メッキ線の製造装置１１に組み込んだ構成に限らず、他の装置に組み込んだ構成であってもよく、或いは、単独で構成してもよい。
【０１９６】
また、巻取り手段７１は、トラバース方式巻取りユニット８０と供給ユニット９０との双方を備えた構成に限らず、例えば、トラバース方式巻取りユニット８０のみを備えた構成であってもよい。
【符号の説明】
【０１９７】
１ｂ…メッキ線
１０…メッキ線巻付けボビン
８０…トラバース方式巻取りユニット
２００…ボビン
２０１…ボビン胴部
１３０…跨ぎ部分
１３０Ｌ…軸方向跨ぎライン
１３３…凹凸状巻き太り部分
Ｐ…トラバースピッチ
ｐ…定格ピッチ
【図１】
2013075750.tif 000005
【図２】
2013075750.tif 000006
【図３】
2013075750.tif 000007
【図４】
2013075750.tif 000008
【図５】
2013075750.tif 000009
【図６】
2013075750.tif 000010
【図７】
2013075750.tif 000011
【図８】
2013075750.tif 000012
【図９】
2013075750.tif 000013
【図１０】
2013075750.tif 000014
【図１１】
2013075750.tif 000015
【図１２】
2013075750.tif 000016
【図１３】
2013075750.tif 000017
【図１４】
2013075750.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．２％耐力値が６０ＭＰａ以下である低耐力化した平角線条体を前記平角線条体の０．２％耐力値が６０ＭＰａ以下を保つ低いテンションの下で、ボビン胴部に対して所定のトラバースピッチＰでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて螺旋状の配列で整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けてリード角が正負逆となる螺旋状の配列で整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、前記平角線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねた線条体巻付けボビンであって、
トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍よりも大きな値の設定における前記トラバース巻きにより、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成する前記平角線条体の配列部分が、内側の巻き層を構成する前記平角線条体の配列部分を跨ぐ跨ぎ部分がボビン軸方向に沿って並んだ軸方向跨ぎラインが巻き層ごとに形成され、
前記所定のトラバースピッチＰを、
前記軸方向跨ぎラインが巻き層ごとにボビン周方向において分散させるとともに、整列巻きした前記平角線条体の捩れを防ぐように、
１．０×ｐ＜Ｐ＜２．０×ｐ、又は、
２．０×ｐ＜Ｐ＜３．０×ｐを満たす値に設定した
線条体巻付けボビン。
【請求項２】
Ｐ＜１．５×ｐ
に設定した
請求項１に記載の線条体巻付けボビン。
【請求項３】
Ｐ＝１．２×ｐ、Ｐ＝１．８×ｐ、又は、Ｐ＝２．５×ｐ
に設定した
請求項１に記載の線条体巻付けボビン。
【請求項４】
０．２％耐力値が６０ＭＰａ以下である低耐力化した平角線条体を前記平角線条体の０．２％耐力値が６０ＭＰａ以下を保つ低いテンションの下で、ボビン胴部に対して所定のトラバースピッチＰでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて螺旋状の配列で整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けてリード角が正負逆となる螺旋状の配列で整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、前記平角線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねる線条体巻取り方法であって、
トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍よりも大きな値の設定における前記トラバース巻きにより、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成する前記平角線条体の配列部分が、内側の巻き層を構成する前記平角線条体の配列部分を跨ぐ跨ぎ部分がボビン軸方向に沿って並んだ軸方向跨ぎラインが巻き層ごとに形成され、
前記所定のトラバースピッチＰを、
前記軸方向跨ぎラインが巻き層ごとにボビン周方向において分散させるとともに、整列巻きした前記平角線条体の捩れを防ぐように、
１．０×ｐ＜Ｐ＜２．０×ｐ、又は、
２．０×ｐ＜Ｐ＜３．０×ｐを満たす値に設定する
線条体巻取り方法。
【請求項５】
Ｐ＜１．５×ｐ
に設定した
請求項４に記載の線条体巻取り方法。
【請求項６】
Ｐ＝１．２×ｐ、Ｐ＝１．８×ｐ、又は、Ｐ＝２．５×ｐ
に設定した
請求項４に記載の線条体巻取り方法。
【請求項７】
０．２％耐力値が６０ＭＰａ以下である低耐力化した平角線条体を前記平角線条体の０．２％耐力値が６０ＭＰａ以下を保つ低いテンションの下で、ボビン胴部に対して所定のトラバースピッチＰでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて螺旋状の配列で整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けてリード角が正負逆となる螺旋状の配列で整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、前記平角線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねる線条体巻取り装置であって、
トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍よりも大きな値の設定における前記トラバース巻きにより、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成する前記平角線条体の配列部分が、内側の巻き層を構成する前記平角線条体の配列部分を跨ぐ跨ぎ部分がボビン軸方向に沿って並んだ軸方向跨ぎラインが巻き層ごとに形成され、
前記所定のトラバースピッチＰを、
前記軸方向跨ぎラインが巻き層ごとにボビン周方向において分散させるとともに、整列巻きした前記平角線条体の捩れを防ぐように、
１．０×ｐ＜Ｐ＜２．０×ｐ、又は、
２．０×ｐ＜Ｐ＜３．０×ｐを満たす値に設定する
線条体巻取り装置。
【請求項８】
Ｐ＜１．５×ｐ
に設定した
請求項７に記載の線条体巻取り装置。
【請求項９】
Ｐ＝１．２×ｐ、Ｐ＝１．８×ｐ、又は、Ｐ＝２．５×ｐ
に設定した
請求項７に記載の線条体巻取り装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば、太陽電池のリード線として用いるのに好適な低耐力特性を有する線条体をボビンに対して巻き付けた線条体巻付けボビン、線条体巻取り方法、及び、線条体巻取り装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、太陽電池セルとしてのシリコン結晶ウェハの所定の領域に接続用リード線を半田接合し、これを通じて電力を伝送する構成としている。太陽電池用リード線は、太陽電池セルとの接続部分が太陽電池セルの変形に追従する必要があるため、０．２％耐力値を低下させることが重要となる。このことから、太陽電池用リード線としては、０．２％耐力値が低いという低耐力特性を有することが要求され、０．２％耐力値を低下させた線条体（以下、「低耐力化した線条体」ともいう。）が用いられる。
【０００３】
最近では、太陽電池セルの構成材料となるシリコンの供給不足の影響を緩和するためや、材料コストの削減を図るため、太陽電池セルは薄型化が求められている。
【０００４】
しかし、太陽電池セルが薄型化すると強度が弱くなり、太陽電池セルにおける太陽電池用リード線を半田接続した接続部分は、互いの膨張率の違いにより太陽電池セルに反りや破損が発生し易くなるという問題があった。  
このことから太陽電池用リード線は、太陽電池セルとの接続部分が太陽電池セルの変形に追従するため、０．２％耐力値をより一層低下させることが重要となる
このような低耐力化した線条体は、０．２％耐力値を低い値に保つために、製造時において０．２％耐力値を低下させていない通常の線条体とは全く異なる巻き付け方法でボビンに対して巻き付ける必要がある。
【０００５】
詳しくは、０．２％耐力値を低下させていない通常の線条体の巻取り方法、及び巻取り装置として、例えば、特許文献１に記載の線条体巻取り方法及び装置が提案されている。  
特許文献１に記載の線条体巻取り方法及び巻取り装置は、線条体の巻取り時に、線条体の外周に加圧接触する押えローラユニットを設け、該押えローラユニットで線条体巻き付け層の外周を押え、巻付けピッチがずれようとしてもこれを修正して線条体を拘束しながら整列巻きするための巻取り方法及び巻取り装置である。
【０００６】
このように巻き取った線条体は、トラバースピッチを線条体の幅の約１．０倍の値の設定の下でボビンに対して巻き付けた巻き態様とすることができる。すなわち、巻き層を複数層に亘って積層した巻き態様となり、それぞれの巻き層は、線条体をボビン軸方向に沿って配列した複数の配列部分により構成される。線条体の配列部分は、隙間なくボビン軸方向に沿って配列され、且つ、複数の巻き層ごとにボビン軸方向に一致した態様で配列される。
【０００７】
上述した特許文献１に記載の線条体巻取り方法及び巻取り装置のように、低耐力化していない通常の線条体の場合、巻き付けテンションを十分に付与しながら巻き付けたり、押えローラユニットで線条体巻き付け層の外周を押えるなどしながら巻き付けることができるため、トラバースピッチが線条体の幅に相当する長さの約１．０倍の値の場合でも、巻きずれ、巻き緩みの影響を受けない。
【０００８】
しかし、低耐力化した線条体をボビンに対して巻き付ける際に、該線条体に負荷が作用すると０．２％耐力値を低い値に保つことができないため、通常の低耐力化していない線条体を巻き付ける場合と比較して、低い巻き付けテンションの下でボビンに対して巻き付ける必要がある。
【０００９】
さらに、低耐力化した線条体を、上述した特許文献１に記載の線条体巻取り方法及び装置を用いてボビンに対して巻き付ける場合、例えば、押えローラユニットで線条体巻き付け層の外周を押え付けながら巻き付けるなどによって線条体に負荷が加わり、０．２％耐力値を低い値に保つことができないというという課題も生じる。
【００１０】
ところが、上述したように、押えローラユニットで線条体巻き付け層の外周を押え付けず、或いは、線条体を低い巻き付けテンションで巻き付けた場合、ボビン軸方向に沿って螺旋状に巻き付けたリード角が小さくなるようにボビン軸方向にずれる巻きずれが発生し、この巻きずれは、線条体の巻き緩み（巻き解け）や巻き崩れの要因となる。
【００１１】
特に、特許文献１に記載の線条体巻取り方法及び巻取り装置のように、トラバースピッチが線条体の幅に相当する長さの約１．０倍の値の場合、すなわち、線条体のボビン軸方向における複数の配列部分の隙間が略無い状態で整列した場合、複数の配列部分の配列によって構成される巻き層表面は、略平坦状になる。
【００１２】
そうすると、ボビン半径方向に複数層に積層され、半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層は、略平坦状の面を構成する内側の巻き層に対してスライドし易くなり、上述したボビン軸方向への巻き緩み、巻き崩れが特に発生し易くなる。
【００１３】
このように、低耐力化した線条体の場合、０．２％耐力値を低い値に保つために、低い巻き付けテンションの下で巻き付けたり、押えローラユニットで線条体巻き付け層の外周を押えることができず、特に、トラバースピッチが線条体の幅に相当する長さの約１．０倍の値の場合であれば、上述した作用により巻きずれが発生し、巻きずれの影響により巻き緩みや巻き崩れが発生し易くなる。
【００１４】
巻き緩みが発生すると、ボビンに対する巻き付け状態を維持できないことになり、線条体が互いに擦れ合うことや、ボビン鍔部などの周辺の部材に接触し易くなるため、線条体が傷付いたり、負荷が加わるなどして線条体の品質を確保することが困難となる。そして、このような巻き緩みが一旦発生すると、例えば、線条体巻付けボビン運搬の際に、振動などによって巻き緩み具合がより進行することになる。
【００１５】
一方、巻き崩れが発生すると、線条体をボビンに巻き付けた状態から送り出す際に、線条体の送出し部分が例えば、巻き崩れ部分と干渉するなどして送り出そうとする線条体が引掛かる事態が発生する。
【００１６】
このように線条体をボビンに巻き付けた状態から送り出す際に、線条体が引掛かると線条体に負荷が加わるため、０．２％耐力値の低い優れた品質を確保することができないといった問題が生じる。  
さらに、線条体をボビンに巻き付けた状態から送り出す際に、線条体が引掛かると、線条体が断線したり、線条体のスムーズな送り出しに支障をきたし、その後の連続する生産ラインの全てを中断する必要があり、生産効率を著しく低下させることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２００２−２４１０５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
そこでこの発明は、低耐力化した線条体をボビンに対して負荷をかけずに巻き付けても、巻き緩みや巻き崩れなどが生じることなく所望の整列巻きした状態に保つことができ、低耐力化した線条体をボビンに巻き付けた状態からスムーズに送り出すことができる線条体巻付けボビン、線条体巻取り方法、及び、線条体巻取り装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、０．２％耐力値が６０ＭＰａ以下である低耐力化した平角線条体を前記平角線条体の０．２％耐力値が６０ＭＰａ以下を保つ低いテンションの下で、ボビン胴部に対して所定のトラバースピッチＰでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて螺旋状の配列で整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けてリード角が正負逆となる螺旋状の配列で整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、前記平角線条体をボビンの半径方向へ巻き重ねた線条体巻付けボビンであって、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍よりも大きな値の設定における前記トラバース巻きにより、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成する前記平角線条体の配列部分が、内側の巻き層を構成する前記平角線条体の配列部分を跨ぐ跨ぎ部分がボビン軸方向に沿って並んだ軸方向跨ぎラインが巻き層ごとに形成され、前記所定のトラバースピッチＰを、前記軸方向跨ぎラインが巻き層ごとにボビン周方向において分散させるとともに、整列巻きした前記平角線条体の捩れを防ぐように、１．０×ｐ＜Ｐ＜２．０×ｐ、又は、２．０×ｐ＜Ｐ＜３．０×ｐを満たす値に設定したことを特徴とする。
【００２０】
前記線条体巻付けボビンとは、低耐力化した平角線条体をボビンの胴部に巻き付けた状態のボビンを示す。
【００２１】
前記低耐力化した平角線条体とは、引張り試験における０．２％耐力値が６０ＭＰａ以下の平角線条体であり、例えば、断面平角状に形成した太陽電池用平角導体として用いる線条体である。
【００２２】
前記定格ピッチとは、ボビン軸方向に沿って配列する平角線条体の配列間隔のうち、平角線条体の幅に相当する値（平角線条体の幅の１倍）、或いは、平角線条体の長さ方向における平角線条体の幅のクリアランスや、ボビン胴部の軸方向のクリアランスを考慮して設定した値（平角線条体の幅の＋α倍）を平角線条体の幅に相当する値に加算した値（平角線条体の幅の（１＋α）倍）を示す。
【００２３】
前記平角線条体は、上述した純銅系導体材料により平角線で形成することにより、表面にメッキ処理を施すことで、シリコン結晶ウェハ（Ｓｉセル）の所定領域に接続する接続用リード線として、すなわち、太陽電池用半田メッキ線として用いることができるからである。
【００２４】
前記平角線条体は、純銅系材料で形成することが好ましい。前記純銅系材料とは、不純物が少なく、導電率が高い純銅系導体材料であれば特に限定せず、例えば、無酸素銅（ＯＦＣ）、タフピッチ銅、リン脱酸銅といった酸化物などの不純物を含まない純度が９９．９％以上である銅系材料であることが好ましい。
【００２５】
また、前記跨ぎ部分とは、前記外側の巻き層を構成する平角線条体の配列部分が、前記内側の巻き層を構成する平角線条体の配列部分を跨ぐ部分である。
【００２６】
詳しくは、トラバース巻きにより、ボビンに対して複数層に亘って巻き重ねた複数の巻き層のうち、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成する平角線条体の配列部分と、内側の巻き層を構成する平角線条体の配列部分とは、いずれも螺旋状の配列となるが、それぞれの配列部分の配列方向を示す螺旋のリード角は、外側の巻き層を構成する平角線条体の配列部分と、内側の巻き層を構成する平角線条体の配列部分とで、正負逆になる。
【００２７】
このため、トラバース巻きにより、ボビンに対して複数層に亘って巻き重ねたとき、複数の巻き層において、外側の巻き層を構成する平角線条体は、内側の巻き層を構成する平角線条体の配列部分を跨ぐように配列され、外側の巻き層を構成する平角線条体の配列部分には、内側の巻き層を構成する平角線条体の配列部分を跨ぐ部分が必然的に構成され、該跨ぐ部分を、上述した跨ぎ部分に設定している。
【００２８】
また、上述したボビン軸方向に沿ってとは、ボビン軸方向に平行な方向に限らず、ボビン軸方向に対して傾いた方向であってもよく、少なくともボビン軸方向の成分を含む方向を示す。
【００２９】
上述したように、前記トラバースピッチＰを、１．０倍×ｐ＜Ｐに設定することにより、例えば、１．０×ｐ＞Ｐに設定した場合のように、整列巻きした平角線条体をボビン軸方向に沿って配列した複数の巻き付け部分のうち、少なくともいずれかの巻き付け部分が隣り合う巻き付け部分に対して乗り上げるなどして傾くことがなく、安定した巻付け態様で巻き付けることができる。
【００３０】
また、上述したように、前記トラバースピッチＰを、１．０倍×ｐ＜Ｐに設定することにより、例えば、Ｐ＝１．０×ｐに設定した場合のように、ボビンに対して複数層に亘って巻き付けた平角線条体が略隙間なく整列することで、巻き層間における摩擦抵抗が低くなるという巻き態様を防ぐことができるため、巻きずれ、巻き解けの発生を防ぐことができる。
【００３１】
よって、巻きずれ、巻き解けが発生しないため、スムーズにボビンから送り出すことができるとともに、該平角線条体に歪や曲げの発生や、０．２％耐力値が高くなることを防ぐことができ、太陽電池用接続リード線としての優れた品質を確保することができる。
【００３２】
また上述したように、前記トラバースピッチＰを、Ｐ＜３．０倍×ｐに設定することにより、ボビンに巻き付けた平角線条体のボビン軸方向に対する傾斜角度（ボビン軸方向の直交方向に対する螺旋のリード角）が大きくなりすぎることを防ぐことができる。すなわち、ボビンに対する平角線条体の巻き付け軌道を、螺旋のリード角が小さくなる巻き付け軌道に抑制することができる。
【００３３】
これにより、ボビンに対して低いテンションの下で巻き付けた平角線条体であっても、ボビンに対して巻き緩みが生じることなく、また、巻きずれの影響による巻き崩れの発生を防止することができる。  
なお、上記の低いテンションとは、低耐力化した平角線条体の０．２％耐力値が６０ＭＰａ以下を保つテンションよりも低いテンションであることを示す
【００３４】
さらに、ボビンに対して平角線条体を巻き付ける際に、該線条体に負荷が加わることを抑制することができ、ボビンに対して巻き付けた線条体が捩れる、捩れクセが付く、さらには、線条体の角部が凹むなどの変形が生じることを防ぐことができる。
【００３５】
また上述したように、前記トラバースピッチＰを前記定格ピッチｐの２．０倍の値を除く値に設定することで、ボビンに巻き付けた巻き付け線条体に凹凸状の巻き太り部分が形成され難く、巻き崩れが発生しない巻き態様で巻き付けることができる。
【００３６】
なお、前記巻き太り部分とは、平角線条体を巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分が、ボビン周方向の他の部分と比較して平角線条体が嵩張った部分であり、例えば、ボビン周方向における少なくとも一部分がボビン周方向の他の部分と比較してボビン軸方向の略全体が膨んだ膨らみ部分に限らず、例えば、凹部分と凸部分とがボビン軸方向に沿って交互に繰り返す構成の凹凸状巻き太り部分など、ボビン軸方向の少なくとも一部分がボビン軸方向の他の部分より凸状である部分を含むものとする。
【００３７】
よって、ボビンに巻き付けた平角線条体を送り出す送出し部分が、例えば、巻き太り部分が巻き崩れることによって覆われ、送出し部分の平角線条体と巻き太り部分の平角線条体とが干渉し、送出し部分を送り出す途中で平角線条体が引掛かることがないため、平角線条体をボビンに対して負荷が加わることなく送り出すことができる。
【００３８】
従って、ボビンに対して平角線条体を送り出す際に、平角線条体に対して過大な負荷が加わることがないため、０．２％耐力値の低い優れた品質を確保することができる。
【００３９】
またこの発明の態様として、前記トラバースピッチＰを、Ｐ＜１．５×ｐに設定することができる。
【００４０】
上述した構成により、例えば、Ｐ＞１．５×ｐのように、トラバースピッチＰが大きい値の場合、平角線条体は、ボビン軸方向において、ボビンに対する巻き付け軌道がより最短のトラバースピッチＰとなる方向へスライドする巻きずれが生じ易くなるが、前記トラバースピッチＰを、Ｐ＜１．５×ｐに設定することにより、このような事態を防ぐことができ、より好ましい巻き態様の線条体巻付けボビンを構成することができる。
【００４１】
さらに、平角線条体をボビンに対してトラバース巻きする際に、平角線条体に対して、ボビンの軸方向へ配索することにより加わるテンションが大きくなることや、巻きズレや平角線条体に対して負荷が加わることを確実に防止できる。
【００４２】
さらにまた、前記トラバースピッチＰを、Ｐ＜１．５倍×ｐに設定することで、同一の長さの平角線条体をボビンに対して巻き付けたとき、前記トラバースピッチＰがＰ＞１．５倍×ｐの場合と比較して、嵩張らずにボビンに対して巻き付けることができ、コンパクトな線条体巻付けボビンを構成することができる。
【００４３】
またこの発明の態様として、前記トラバースピッチＰを、Ｐ＝１．２×ｐ、Ｐ＝１．８×ｐ、又は、Ｐ＝２．５×ｐに設定することができる。
【発明の効果】
【００４４】
この発明によれば、低耐力化した平角線条体をボビンに対して負荷をかけずに巻き付けても、巻き緩みや巻き崩れなどが生じることなく所望の整列巻きした状態に保つことができ、低耐力化した平角線条体をボビンに巻き付けた状態からスムーズに送り出すことができる線条体巻付けボビン、線条体巻取り方法、及び、線条体巻取り装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】半田メッキ線の製造装置の概略図。
【図２】巻取り手段の説明図。
【図３】本実施形態のボビントラバース方式巻取り機の説明図。
【図４】Ｐ＝ｐ×２．０倍の設定の下でメッキ線をボビンに巻き付ける様子を模式的に説明する説明図。
【図５】図５（ｂ）中のＡ−Ａ線端面図（ａ）、及び、Ｂ−Ｂ線端面図（ｂ）。
【図６】Ｐ＝ｐ×２．５倍の設定の下でメッキ線をボビンに巻き付ける様子を模式的に説明する説明図。
【図７】図６（ｂ）中のＡ−Ａ線端面図（ａ）、及び、Ｂ−Ｂ線端面図（ｂ）。
【図８】ボビン落下試験の様子を示す説明図。
【図９】ボビン落下試験の結果を示すグラフ。
【図１０】Ｐ＝ｐ×１．２倍の場合のメッキ線の巻付け態様を示す写真。
【図１１】Ｐ＝ｐ×１．２倍の場合のメッキ線の巻付け態様を示す写真。
【図１２】Ｐ＝ｐ×１．２倍の場合のメッキ線の巻付け態様を示す写真。
【図１３】Ｐ＝ｐ×２．０倍の場合のメッキ線の巻付け態様を示す写真。
【図１４】Ｐ＝ｐ×２．０倍の場合のメッキ線の巻付け態様を示す写真。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
この発明の一実施形態を、以下図面を用いて説明する。  
本実施形態の半田メッキ線の製造装置１１は、図１に示すように、被メッキ線１ａに対してメッキ前処理を行うメッキ前処理手段２と、被メッキ線１ａの表面に半田メッキを施すメッキ手段６１と、表面にメッキを施したメッキ線１ｂを巻取る巻取り手段７１とで構成している。  
なお、図１は、半田メッキ線の製造装置１１を模式的に示した説明図である。
【００４７】
被メッキ線１ａには、別途備えた平角線製造機（図示せず）により、無酸素銅（ＯＦＣ）を厚みが０．０５〜０．５ｍｍ、幅が０．８〜１０ｍｍに、より好ましくは、厚みが０．０８〜０．２４ｍｍ、幅が１〜２ｍｍに圧延した平角銅線を用いている。
【００４８】
前記メッキ前処理手段２は、主にサプライヤ１２、加熱処理炉２２、酸洗浄槽３１、超音波水洗浄槽４１、及び、軟化焼鈍炉５１で構成している。  
サプライヤ１２は、ドラムに巻き付けた状態の被メッキ線１ａをドラムが回転することで、順に解いていきながら製造ラインに供給する。サプライヤ１２は、必要に応じてダンサー機能付きの構成であってもよく、また、通常の横繰り出しで繰り出す構成であってもよい。
【００４９】
加熱処理炉２２は、後述する軟化焼鈍炉５１と略同様の構成であり、厚み方向に対して走行方向に長い直方体形状をした外観形状で構成している。加熱処理炉２２は、走行方向に沿って走行方向の下流側端部が上流側端部よりも低位置になるよう傾斜配置している。加熱処理炉２２の内部を、約２００℃の設定温度の蒸気雰囲気となるよう設定する。
【００５０】
また、加熱処理炉２２に対して走行方向の下流側には、加熱処理炉２２の内部を通過した被メッキ線１ａを冷却する冷却水槽２３を設置している。加熱処理炉２２の下流側端部と冷却水槽２３は、加熱処理炉２２から導出した被メッキ線１ａが空気に触れないよう冷却水槽２３まで案内する連結管２４で互いに連結されている。
【００５１】
洗浄手段３０としての酸洗浄槽３１は、被メッキ線１ａの表面を酸洗浄するリン酸系洗浄液３２を貯溜している。  
洗浄手段３０としての超音波水洗浄槽４１では、被メッキ線１ａの表面に付着した水溶性潤滑剤やその他の不純物を、別途備えた超音波水洗浄機４２を用いて洗浄するための水４３を貯溜している。超音波水洗浄槽４１の底面には、被メッキ線１ａの走行方向に沿って超音波水洗浄機４２の一部を構成する超音波振動板４２ａを配置している。なお、超音波水洗浄槽４１の上方には、被メッキ線１ａの走行する軌道上の側方から被メッキ線１ａに向けてエアを吹き付けるエアワイパ４５を設置している。
【００５２】
前記軟化焼鈍炉５１は、走行方向の上流側端部よりも下流側端部が徐々に低位置になるよう傾斜配置している。前記軟化焼鈍炉５１は、加熱処理炉２２と同様に直方体形状で構成した軟化焼鈍炉本体５２と、該軟化焼鈍炉本体５２を貫通するように配置し、被メッキ線１ａの挿入を許容する内径を有するパイプ状の鞘管５３と、軟化焼鈍炉本体５２の内部に配置され、該内部を加熱するヒータ（図示省略）とで構成している。  
鞘管５３の内部は、還元ガス供給部５７から還元ガスＧを流入することで内部を還元ガス雰囲気としている。
【００５３】
メッキ手段６１は、溶融半田メッキ液６３が貯溜された溶融半田メッキ槽６２で構成し、溶融半田メッキ液６３は、２６０℃の設定温度とし、溶融錫（Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ）を用いている。
【００５４】
溶融半田メッキ槽６２の内部には、表面に溶融半田メッキ液６３が付着したメッキ線１ｂの走行方向を鉛直上方へ方向転換する槽中方向転換ローラ６４を配置している。
【００５５】
さらに、槽中方向転換ローラ６４の鉛直上方には、メッキ線１ｂを鉛直上方への走行方向から巻取り手段７１に向かう方向へ転換する槽上方向転換ローラ６５を備えている。
【００５６】
槽中方向転換ローラ６４、及び、槽上方向転換ローラ６５は、通常のφ２０ｍｍ程度のローラよりも大径である例えば、φ１００ｍｍ程度のローラで構成している。さらに、槽中方向転換ローラ６４、及び、槽上方向転換ローラ６５は、それぞれに備えた図示しない駆動モータによって、巻取り手段７１に備えた後述するボビン２００の回転速度と略同じ回転速度で自ら積極的に能動回転し、巻取り手段７１による巻取り速度と同調するように、メッキ線１ｂの方向転換を行う。
【００５７】
続いて巻取り手段７１について図２、及び、図３を用いて説明する。  
なお、図２は、巻取り手段７１を模式的に示した説明図であり、図３は、巻取り手段７１に備えたトラバース方式巻取りユニット８０を模式的に示した説明図である。
【００５８】
巻取り手段７１は、トラバース方式巻取りユニット８０と、トラバース方式巻取りユニット８０の上流側で、該トラバース方式巻取りユニット８０側へメッキ線１ｂを供給する供給ユニット９０とで構成している。
【００５９】
供給ユニット９０は、メッキ線１ｂをトラバース方式巻取りユニット８０に向けてガイドするよう配置された複数のガイドローラ９１（９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄ，９１ｅ）と、ガイドローラ９１を介して走行するメッキ線１ｂを引き取る引取りキャプスタン９２とで構成している。  
なお、供給ユニット９０には、メッキ線１ｂを引き取る際に、メッキ線１ｂに加わるテンションを調節する巻取り張力調節機としてのダンサーローラを備えた構成であってもよい。
【００６０】
引取りキャプスタン９２は、モータを備え（図示省略）、該モータの駆動によって能動的に回転し、メッキ前手段２からメッキ手段６１に亘って走行するメッキ線１ｂ（被メッキ線１ａ）の走行速度を決定する。
【００６１】
引取りキャプスタン９２は、メッキ線１ｂを引き取るとともに、下流側へ送り出すことで、トラバース方式巻取りユニット８０側へメッキ線１ｂを供給する。
【００６２】
トラバース方式巻取りユニット８０は、制御部と、図３に示すように、ボビン２００を軸回りに回転させるボビン回転手段１１０と、ボビン２００をボビン軸方向へ往復移動させる往復移動手段１２０とで構成し、メッキ線１ｂをボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き付け層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きにより、メッキ線１ｂをボビン半径方向へ巻き重ねたメッキ線巻付けボビン１０を構成する。
【００６３】
制御部は、図示しないが、ボビン回転手段１１０によりボビン２００を軸回りに回転させながら往復移動手段１２０によりボビン２００を軸方向の両側へ往復する動作を繰り返し、ボビン胴部２０１に対して低耐力化したメッキ線１ｂを所定のトラバースピッチでトラバース巻きする制御を実行する。
【００６４】
ボビン回転手段１１０は、ボビン２００をその軸周りに回転させる巻取り駆動部１１１と、巻取り駆動部１１１の回転をボビン２００側へ伝達する動力伝達手段としての巻取り軸１１２と、該巻取り軸１１２を回転自在に支持する支持台１１３とで構成している。  
巻取り軸１１２の先端部には、上流側に配置したガイドローラ９１ｅの軸方向とボビン軸方向とが一致するようボビン２００の装着を許容するボビン装着部１１２ａを備えている。
【００６５】
往復移動手段１２０は、少なくともボビン軸方向長さを備えたネジ軸１２１と、往復可動部１２２と、往復移動駆動部１２３とで構成している。
【００６６】
往復可動部１２２は、ボビン回転手段１１０の支持台１１３と一体に固定され、往復移動駆動部１２３の駆動によってネジ軸１２１に沿って往復移動する。これにより、ボビン２００は、ボビン回転手段１１０ごとボビン軸方向の長さに相当するストローク分だけ往復動作する。
【００６７】
なお、往復移動手段１２０は、ネジ軸１２１におけるボビン胴部２０１の長さに対応する間隔を隔てたボビン胴部端部対応位置に、往復可動部１２２が当該ボビン胴部端部対応位置に到達したことを検出する端部到達検出センサ１２４（図３参照）を適宜、備えてもよい。
【００６８】
続いて上述したように構成した半田メッキ線の製造装置１１を用いた半田メッキ線の製造方法について説明する。  
半田メッキ線の製造方法は、被メッキ線１ａに対してメッキ前処理を行うメッキ前処理工程と、被メッキ線１ａの表面に半田メッキを施すメッキ工程を経てメッキ線１ｂを製造し、メッキ前処理工程とメッキ工程とを行っている間、メッキ線１ｂを巻取る巻取り工程とを行う製造方法である。
【００６９】
メッキ前処理工程は、加熱処理工程、酸洗浄工程、水洗浄工程、及び、軟化焼鈍工程をこの順で行う工程である。  
加熱処理工程では、蒸気雰囲気とした加熱処理炉２２の内部において被メッキ線１ａを走行させることで、被メッキ線１ａの表面を蒸気洗浄する工程である。この蒸気洗浄により、被メッキ線１ａの表面に付着した水溶性潤滑剤やその他の不純物を除去し易いよう表面から分離させることができる。
【００７０】
加熱処理炉２２を通過後の被メッキ線１ａは、連結管２４を通過後に冷却水槽２３の内部に貯溜した冷却水を走行することにより、所定の温度まで冷却される。
【００７１】
酸洗浄工程では、酸洗浄槽３１に貯溜したリン酸系の洗浄液３２中を走行させることで、この中を走行した被メッキ線１ａの表面の酸洗浄を行う。
【００７２】
水洗浄工程では、超音波水洗浄槽４１において、被メッキ線１ａの表面を超音波水洗浄し、該被メッキ線１ａの表面に付着した水溶性潤滑剤やその他の不純物を除去する。
【００７３】
軟化焼鈍工程では、内部を還元ガス雰囲気とするとともに、約８００℃程度にまで加熱した軟化焼鈍炉５１における内部に被メッキ線１ａを走行させることで該被メッキ線１ａを軟化焼鈍して低耐力化するとともに、被メッキ線１ａの表面の酸化層を還元する工程である。
【００７４】
続くメッキ工程では、被メッキ線１ａが、溶融半田メッキ槽６２に貯溜された溶融半田メッキ液６３中を走行することで、被メッキ線１ａの表面に溶融錫を付着させる。  
軟化焼鈍炉５１の内部から導出された被メッキ線１ａは、溶融半田メッキ液６３中に浸入するまで案内される。
【００７５】
溶融半田メッキ液６３に浸入した被メッキ線１ａは、表面に溶融半田メッキ液６３が付着し、表面全体が溶融半田メッキ液６３で被覆されたメッキ線１ｂとなる。メッキ線１ｂは、溶融半田メッキ槽６２の内部を走行する過程で溶融半田メッキ槽６２中に備えた槽中方向転換ローラ６４により、溶融半田メッキ槽６２を走行する過程で鉛直上方に方向転換され、溶融半田メッキ槽６２から鉛直上方に向けて導出される。
【００７６】
メッキ線１ｂは、溶融半田メッキ槽６２から導出された後、槽上方向転換ローラ６５により方向転換され、巻取り手段７１側へ走行する。
【００７７】
巻取り工程では、図２、及び、図３に示すように、被メッキ線１ａに対して上述したメッキ前処理工程及びメッキ工程を行っている間、これら工程を経たメッキ線１ｂを、巻取り手段７１において供給ユニット９０の引取りキャプスタン９２がメッキ線１ｂを引き取るとともに、トラバース方式巻取りユニット８０においてボビン２００に整列巻していく。
【００７８】
詳しくは、巻き付け工程では、往復移動手段１２０の往復移動駆動部１２３（モータ）の速度、或いはトルクを適宜、変更することで、ボビン胴部２０１にメッキ線をトラバース巻きする際のトラバースピッチを任意の値に設定可能としている。
【００７９】
巻取り工程では、
前記所定のトラバースピッチを、
定格ピッチの１．０倍より大きい値に設定し、且つ、メッキ線１ｂを巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、ボビン周方向の他の部分と比較して線条体が嵩張った巻き太り部分の発生を防止する値に設定の下で、ボビン胴部２０１に対してメッキ線１ｂをトラバース巻きしている。
【００８０】
詳しくは、前記トラバースピッチをＰ、前記定格ピッチをｐとしたとき、トラバースピッチＰを、１．０×ｐ＜Ｐ＜２．０×ｐ、又は、２．０×ｐ＜Ｐ＜３．０×ｐに設定している。
【００８１】
すなわち、トラバースピッチＰを、１．０倍×ｐ＜Ｐ＜３．０倍×ｐの範囲内で、且つ、定格ピッチｐの２．０倍の値を除く値となるよう設定している。
【００８２】
また、巻取り工程では、往復可動部１２２がネジ軸１２１を移動する速度が略等速となるよう設定することで、ボビン２００は、ボビン胴部２０１に巻き付けるメッキ線１ｂがボビン胴部２０１の軸方向の一端側から他端側、或いは、他端側から一端側へ達するまでの間、略等速でボビン軸方向へ移動しながらメッキ線１ｂを巻き付けている。
【００８３】
なお、往復可動部１２２は、ボビン軸方向に沿って所定のトラバースピッチごとに小刻みに移動と停止を繰り返す断続的な移動も可能であるが、上述したように、略等速で移動するよう設定することにより、ボビン２００に対して所定のトラバースピッチごとに整列巻きする場合において、ボビン２００が加減速を繰り返すことによって低耐力化したメッキ線１ｂに加わる負荷を軽減している。
【００８４】
上述した半田メッキ線の製造装置１１および製造方法は、以下のように様々な作用、効果を得ることができる。  
半田メッキ線の製造装置１１は、メッキ前処理手段２としてのサプライヤ１２、加熱処理炉２２、酸洗浄槽３１、超音波水洗浄槽４１、及び、軟化焼鈍炉５１と、メッキ手段６１としての溶融半田メッキ槽６２と、巻取り手段７１を、それぞれメッキ線１ｂの走行方向の上流側から下流側へこの順にタンデムで配置、すなわち、一連配置している。
【００８５】
このように各手段を一連配置し、各工程を連続して行うことで、製造中に低耐力化したメッキ線１ｂが無駄な距離を走行することを防ぐことができ、走行中にメッキ線１ｂにかかる負荷を低減することができる。
【００８６】
従って、０．２％耐力値を十分に低下させた所望の品質のメッキ線１ｂを得ることができ、このようなメッキ線１ｂを安定して得ることで、製品歩留まりを向上させることができ、また、製造効率を向上させることができる。
【００８７】
また、上述した巻取り装置１１、及び、巻取り工程において、メッキ線１ｂのボビン胴部２０１に対する所定のトラバースピッチＰを、定格ピッチｐの１．０倍より大きい値に設定し、且つ、メッキ線１ｂを巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、周方向の他の部分と比較して嵩張った巻き太り部分発生を防止する値となる設定の下で、メッキ線１ｂのボビン胴部２０１に対してトラバース巻きする。
【００８８】
これにより、メッキ線１ｂの巻きずれの影響を大幅に回避することができ、巻き崩れや巻き緩みが生じることを防ぐことができる。
【００８９】
詳しくは、メッキ線１ｂの０．２％耐力値を低い値に保つためには、メッキ線１ｂを低いテンションの下でボビン２００に巻き付ける必要があるが、このように低テンションの下でメッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けた場合、巻き緩み、巻きずれが生じ易いという課題がより顕著に生じることになる。
【００９０】
例えば、前記所定のトラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍である場合、前記所定のトラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍より大きい場合と比較してボビン軸方向におけるメッキ線１ｂの配列部分同士の隙間が小さくなるため、前記複数の配列部分が配列することによって構成される巻き層表面は、メッキ線１ｂの配列部分同士の隙間が殆どない状態となり、該隙間を有することによる凹凸の影響が緩和され、略平坦形状となる。
【００９１】
メッキ線１ｂが平角線である場合には、メッキ線１ｂをボビン軸方向に複数配列した構成の巻き層の表面は、特に、摩擦抵抗の少ない平滑面として構成されることになる。
【００９２】
そして、一般に、低耐力化したメッキ線１ｂをボビン２００にトラバース巻きする際には、低耐力化したメッキ線１ｂに負荷がかからないよう、低耐力化していない通常のメッキ線と比較して低い巻き付けテンションの下でボビン２００に対してトラバース巻きする。
【００９３】
そうすると、メッキ線１ｂをボビン２００に巻き重ねたとき、複数に亘って積層する巻き層のうち、所定の巻き層を構成するメッキ線１ｂは、巻き緩み、巻き解けなどが発生するという課題が生じていた。
【００９４】
これに対して、前記所定のトラバースピッチＰを定格ピッチｐの１．０倍よりも大きな値に設定することで、定格ピッチｐの１．０倍の場合と比較して、メッキ線１ｂの配列部分同士の間隔を確保して、巻き層の表面が適度な凹凸形状となる巻き付け状態とすることができるため、巻き層間の摩擦抵抗を向上させることができる。
【００９５】
これにより、メッキ線１ｂの巻きずれの影響を大幅に回避することができ、巻き解けや巻き緩みが生じることを防ぐことができる。
【００９６】
また、上述したように、前記所定のトラバースピッチＰを定格ピッチｐの１．０倍よりも大きな値に設定した場合において、トラバースピッチＰによっては、前記所定のトラバースピッチＰを、メッキ線１ｂを巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、周方向の他の部分と比較して嵩張った巻き太り部分が発生することが経験的に明らかになっている。そこで、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの１．０倍よりも大きな値の中でも、巻き太り部分が発生しない値に設定することにより、巻き崩れや巻き解けが生じ難い巻き態様とすることができる。
【００９７】
詳しくは、巻き太り部分は、トラバースピッチＰの設定値に応じて発生し、例えば、所定のトラバースピッチＰごとに、メッキ線１ｂをボビン軸方向に沿って配列した配列部分が干渉したり、巻き乱れた状態で巻き付けられるなど様々な要因により発生する。
【００９８】
巻き太り部分が発生すると、その部分でメッキ線１ｂをボビン２００から送り出す際に引掛かり易くなり、また、巻き崩れが発生し易くなる。巻き崩れが発生すると、巻き崩れ部分が送り出し部分を覆うことで干渉し、メッキ線１ｂをボビン２００から送り出す際により一層、引っ掛かり易くなる。
【００９９】
このため、トラバースピッチＰを適切に設定することが巻き太りを回避する上で重要となる。
【０１００】
これに対して、前記所定のトラバースピッチＰを、メッキ線１ｂを巻き付けたボビン周方向における少なくとも一部分に、周方向の他の部分と比較して嵩張った巻き太り部分の発生を防止する値に設定することにより、巻き乱れなどが生じることなく、安定した巻き態様となるため、巻き崩れが発生し難くなる。
【０１０１】
よって、メッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けた状態から送り出す際に、メッキ線１ｂの送出し部分が例えば、巻き崩れ部分と干渉し、引掛かることがないため、メッキ線１ｂをボビン２００に対して負荷が加わることなく送り出すことができる。
【０１０２】
従って、メッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けた状態から送り出す際に、メッキ線１ｂに対して過大な負荷が加わることがないため、メッキ線１ｂが座屈することがなく、また、メッキ線１ｂの品質を０．２％耐力値の低い優れた品質に確保することができる。
【０１０３】
さらにメッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けた状態から送り出す際に、メッキ線１ｂの送出し部分が巻き崩れ部分に引掛かることで、メッキ線１ｂの送り出しを中断し、例えば、メッキ線１ｂの送出し部分と巻き崩れ部分との干渉を解消したり、別異のボビン２００と交換したりする手間を必要とせず、太陽電池の生産効率を向上させることができる。
【０１０４】
また、上述した巻き取り工程では、前記トラバースピッチをＰ、前記定格ピッチをｐとしたとき、  
１．０倍×ｐ＜Ｐ＜３．０倍×ｐ  
の設定の下で巻き取りを行っている。
【０１０５】
このように、トラバースピッチを、１．０倍×ｐ＜Ｐとなる範囲に設定することにより、メッキ線１ｂをボビン２００に負荷が加わることなく巻き付けることができるとともに、安定した巻付け態様で巻き付けることができ、メッキ線１ｂをスムーズにボビン２００から送り出すことができる。
【０１０６】
詳しくは、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの１．０倍未満の値とした場合、メッキ線１ｂをボビン軸方向に沿ってトラバースピッチＰごとずらしながら巻き付けたとき、メッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けた配列部分のうち、ボビン軸方向において互いに隣り合う配列部分の一方が他方に乗り上げるなどして傾く可能性が高くなる。このように傾いた状態で配列した配列部分の外側の層において、さらにメッキ線１ｂを巻き重ねると、巻き太りが発生し、巻き崩れ易い不安定な巻き付け状態となる。
【０１０７】
このような巻き付け状態の場合、スムーズな送り出しが阻害されることや、該メッキ線１ｂに歪みや曲げが発生し、０．２％耐力値が高くなり、太陽電池用接続リード線としての品質を確保することが困難となる。  
よって、トラバースピッチＰを、１．０倍×ｐ＜Ｐとなる範囲に設定している。
【０１０８】
また、上述したように、トラバースピッチＰを、Ｐ＜３．０倍×ｐとなる範囲に設定することにより、低耐力化したメッキ線１ｂをボビン２００に対して低いテンションの下で巻き付けた場合であっても、ボビン軸方向に対してメッキ線１ｂの巻きずれが生じることなく、巻き緩み、巻き崩れの発生を防止することができる。
【０１０９】
詳しくは、低耐力化したメッキ線１ｂをボビン２００に巻き付ける際には、メッキ線１ｂを低いテンションの下で巻き付けることで、メッキ線１ｂに加わる負荷を抑制している。
【０１１０】
ところが、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍の場合、メッキ線１ｂの配列部分同士の隙間が略皆無の状態となり、巻き層間の滑りが生じ易くなるため、巻き解けが生じ易くなる。このため、トラバースピッチを定格ピッチｐの１．０倍より大きい値に設定することで、巻き層間の適度な摩擦を確保し、巻き解けを防止していることは上述したとおりである。
【０１１１】
しかし、その一方で、トラバースピッチＰが大きくなればなる程、ボビン２００に巻き付けられたメッキ線１ｂは、ボビン軸方向の直交方向に対するリード角が大きな螺旋状の巻き付け軌道となる。換言すると、ボビン２００に螺旋状に巻き付けたメッキ線１ｂのボビン軸方向に対する傾斜角度が小さくなる。
【０１１２】
そうすると、ボビン２００に巻き付けたメッキ線１ｂには、ボビン軸方向において、メッキ線１ｂの巻き付け軌道がより短くなる方向、すなわち、螺旋のリード角度がより小さくなる方向へ該メッキ線１ｂ自体の復元力が大きく作用することになり、巻きずれがより生じ易くなるとともに、巻きずれが生じた場合の巻き緩みの度合いもより大きくなるという課題が生じる。
【０１１３】
さらに、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの３．０倍以上に設定した場合、ボビン２００の直交方向に対するリード角が大きな螺旋状に巻き付けられることになるため、メッキ線１ｂをボビン軸方向へ引張るようにしてボビン２００に対して巻き付ける必要があり、メッキ線１ｂに加わる負荷が大きくなるという課題も生じる。
【０１１４】
さらにまた、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの３．０倍以上に設定した場合、メッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けた状態において、メッキ線１ｂが捩れ易く、捩れクセが付いたり、角部が凹むなどの変形が生じ易くなるという課題も生じる。
【０１１５】
これに対して、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの３．０倍未満の値に設置することで、ボビン２００に対して低いテンションの下で巻き付けたメッキ線１ｂであっても、ボビン２００に対して巻きずれが生じることなく、巻き緩み、巻き崩れの発生を防ぐことができる。
【０１１６】
さらに、ボビン２００に対して巻き付ける際に、メッキ線１ｂに対してボビン軸方向へ配索する巻き付けテンションを付与する必要がないため、メッキ線１ｂに負荷が加わることを抑制することができる。また、ボビン２００に対してリード角が大きな螺旋状に巻き付けることがないため、メッキ線１ｂが捩れたり、捩れクセが付いたり、角部が凹むなどの変形が生じることを防ぐことができる。
【０１１７】
また、本実施形態のメッキ線１ｂの巻取り方法では、低耐力化したメッキ線１ｂをボビン２００に対して所定のトラバースピッチでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きを繰り返すトラバース巻きによって、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分が、内側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分を跨ぐ跨ぎ部分がボビン軸方向に沿って並んだ軸方向跨ぎラインが巻き層ごと必然的に形成されることになる。
【０１１８】
このため、前記所定のトラバースピッチを、１．０×ｐ＜Ｐ＜１．５×ｐを満たす範囲において、前記軸方向跨ぎラインが巻き層ごとにボビン周方向において分散する値に設定している。
【０１１９】
すなわち、前記トラバースピッチＰを、少なくとも前記定格ピッチｐの２．０倍の値を除く値に設定することで、後述する凹凸状巻き太り部分１３３が生じる巻き態様を回避することができる。
【０１２０】
この点について、図４、乃至、図７を用いて詳述する。  
なお、図４（ａ），（ｂ）は、トラバースピッチＰを、定格ピッチｐの２．０倍の値に設定の下でメッキ線１ｂをボビン軸方向に沿って巻き付けたメッキ線巻付けボビン１０を模式的に示した展開図である。  
図６（ａ），（ｂ）は、トラバースピッチＰを、定格ピッチｐの２．５倍の値に設定の下でメッキ線１ｂをボビン軸方向に沿って巻き付けたメッキ線巻付けボビン１０を模式的に示した展開図である。
【０１２１】
図４（ａ），（ｂ）、及び、図６（ａ），（ｂ）は、いずれも簡略化のため、定格ピッチｐを決定する上で考慮するクリアランスやメッキ線１ｂの厚みを省略するとともに、巻き数も（ｎ−１）層目、ｎ層目、及び、（ｎ＋１）層目の３層のみを簡略化して図示している。
【０１２２】
図４（ａ）、及び、図６（ａ）中において、複数層に亘って積層した巻き層のうち、メッキ線１ｂをボビン軸方向の一端側から他端側へ配列した複数の配列部分によって構成するｎ層目の巻き層を実線で表し、ｎ層目の巻き層の一つ内側の層においてボビン軸方向の他端側から一端側へ配列した複数の配列部分によって構成する（ｎ−１）層目の巻き層を破線で表している。
【０１２３】
図４（ｂ）、及び、図６（ｂ）中において、メッキ線１ｂをボビン軸方向の一端側から他端側へ配列した複数の配列部分によって構成する（ｎ＋１）層目の巻き層を実線で表し、（ｎ＋１）層目の巻き層に対して一つ内側の層においてボビン軸方向の他端側から一端側へ配列した複数の配列部分によって構成するｎ層目の巻き層を破線で表している。
【０１２４】
また、図５（ａ）は、図４（ｂ）のＡ−Ａ線端面図であり、図５（ｂ）は、図４（ｂ）のＢ−Ｂ線端面図である。図７（ａ）は、図６（ｂ）のＡ−Ａ線端面図であり、図７（ｂ）は、図６（ｂ）のＢ−Ｂ線端面図である。
【０１２５】
図４（ａ），（ｂ）、及び、図６（ａ），（ｂ）に示すように、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、内側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分のリード角（α）と、外側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分のリード角（−α）とは互いに反転する方向、すなわち、ボビン軸方向に直交する直交方向に対して逆方向となる。
【０１２６】
このため、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分は、ボビン周方向の少なくとも一部分（ボビン周方向において２箇所）において内側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分を跨ぐ跨ぎ部分１３０、すなわち、重なり合う部分（クロスポイント）が生じる。
【０１２７】
このような跨ぎ部分１３０がボビン軸方向に沿って複数並ぶラインが軸方向跨ぎライン１３０Ｌ（クロスライン）として形成される。
【０１２８】
ここで図４乃至図７に示すように、（ｎ−１）層目を構成するメッキ線１ｂの配列部分に対して、ｎ層目を構成するメッキ線１ｂの配列部分が跨ぐ跨ぎ部分１３０がボビン軸方向に沿って配列することで構成される軸方向跨ぎライン１３０Ｌを、軸方向跨ぎライン１３０Ｌａに設定し、ｎ層目を構成するメッキ線１ｂの配列部分に対して、（ｎ＋１）層目を構成するメッキ線１ｂの配列部分が跨ぐ跨ぎ部分１３０がボビン軸方向に沿って配列することで構成される軸方向跨ぎライン１３０Ｌを、軸方向跨ぎライン１３０Ｌｂに設定する。
【０１２９】
そして、例えば、トラバースピッチＰが、定格ピッチｐの２．０倍となる値のように、トラバースピッチＰの設定によっては、図４（ａ），（ｂ）、及び、図５（ａ），（ｂ）のうち、特に、図４（ｂ）、及び、図５（ｂ）に示すように、巻き層を複数層に亘って積層したとき、軸方向跨ぎライン１３０Ｌ（１３０Ｌａ，１３０Ｌｂ）が、巻き層ごとに、ボビン周方向において偏った（一致した）場合、軸方向跨ぎライン１３０Ｌにおける、跨ぎ部分１３０が積層した部分が凸状部分１３１となり、跨ぎ部分１３０以外の部分が凹状部分１３２となる。このため、このように軸方向跨ぎライン１３０Ｌが、巻き層ごとに、ボビン周方向において偏った（一致した）場合、該一致する部分において凸状部分１３１と凹状部分１３２とがボビン軸方向に沿って並ぶ凹凸状巻き太り部分１３３ができる。
【０１３０】
このように、軸方向跨ぎライン１３０Ｌが、巻き層ごとにボビン周方向において一致する巻き態様、すなわち、凹凸状巻き太り部分１３３が生じる巻き態様は、トラバースピッチＰを所定の値に設定した場合に発生するが、トラバースピッチＰを高くするに従って凹凸状巻き太り部分１３３が発生する巻き態様となる可能性が高くなる。
【０１３１】
さらに、軸方向跨ぎライン１３０Ｌが、巻き層ごとにボビン周方向において一致する巻き態様、すなわち、上述した凹凸状巻き太り部分１３３が生じる巻き態様は、図４、及び、図５に示すように、トラバースピッチＰを、前記定格ピッチｐの２．０倍付近の値に設定した場合に、発生することが実験的に明らかとなっている。
【０１３２】
これに対して、図６、及び、図７に示すように、例えば、トラバースピッチＰが、定格ピッチｐの２．５倍となる値の場合のように、トラバースピッチＰの設定によっては、（ｎ−１）層目とｎ層目とで構成する軸方向跨ぎライン１３０Ｌａと、ｎ層目と（ｎ＋１）層目とで構成する軸方向跨ぎライン１３０Ｌｂとは、ボビン周方向において一致せず、このように、軸方向跨ぎライン１３０Ｌが、巻き層ごとにボビン周方向において分散させることができるため、凸状部分１３１と凹状部分１３２とがボビン軸方向に沿って並ぶ凹凸状巻き太り部分１３３発生を防止することができる。
【０１３３】
よって、この各層において生じる凹凸状巻き太り部分１３３が周方向において偏る巻き態様を回避するため、トラバースピッチＰを、定格ピッチｐの２．０倍の値を除く値に設定することが好ましい。
【０１３４】
以下、効果確認実験について説明する。
【０１３５】
（効果確認実験）  
本実験では、メッキ線１ｂをボビン２００に対して連続してトラバース巻きしたメッキ線巻付けボビン１０を、所定のトラバースピッチＰごとに複数作成し、これらメッキ線巻付けボビン１０を基に、低耐力化したメッキ線１ｂをボビン２００に巻き取る上で、巻き崩れ難さを示す巻き付け特性の観点で好ましいトラバースピッチＰを検証した。
【０１３６】
なお、ボビン２００に巻き取られるメッキ線１ｂは、上述した製造方法により低耐力化した上で、表１に示す条件によりメッキ厚が４０μｍとなるよう製造したメッキ線である。
【０１３７】
【表１】
2013075750.tif 000019
トラバースピッチＰは、表２に示すように、定格ピッチｐの１．０倍となる値から２．８倍までの所定の倍率で乗算した値の合計１５種類に設定し、各トラバースピッチＰに対応するメッキ線巻付けボビン１０を合計１５種類作成した。  
なお、定格ピッチｐは、ボビン軸方向に沿って配列したメッキ線１ｂの配列部分同士が乗り上げないように、メッキ線１ｂの幅やボビン軸方向の長さなどのクリアランスを考慮してメッキ線１ｂの幅（ｗ＝２．０ｍｍ）に対して０．４ｍｍを加算した２．４ｍｍに設定している。
【０１３８】
【表２】
2013075750.tif 000020
本実験では、上述した１５種類のメッキ線巻付けボビン１０のそれぞれについて巻き態様の外観評価と落下試験を行い、これらの結果に基づいて巻き付け特性の観点で好ましいトラバースピッチＰを明らかにした。
【０１３９】
巻き態様の外観評価では、メッキ線巻付けボビン１０の表面外周の凹凸の有無と膨らみの有無をそれぞれ確認した。
【０１４０】
なお、メッキ線巻付けボビン１０の表面外周の凹凸とは、メッキ線巻付けボビン１０の外周の少なくとも一部分において、ボビン２００の半径方向に凹状である凹部分と凸状である凸部分とがボビン軸方向に沿って交互に繰り返す構成の凹凸状巻き太り部分１３３が発生していることを示す。  
メッキ線巻付けボビン１０の表面外周の膨らみとは、メッキ線巻付けボビン１０の外周の少なくとも一部分において、ボビン軸方向の略全体が膨んだ部分を示す。
【０１４１】
また、ボビン落下試験は以下の要領で行った。  
図８に示すように、まず、メッキ線巻付けボビン１０を水平なコンクリート床に対して２．０ｃｍ（Ｈ）の高さまで持ち上げ、ボビン軸方向が水平となる姿勢とした状態から自然落下させることで衝撃を加えた。
【０１４２】
このようなメッキ線巻付けボビン１０の落下を繰り返すと、ボビン２００胴部に巻き回したメッキ線１ｂは、落下の衝撃でボビン胴部２０１の軸方向の両側に有するボビン鍔部２０２に対するずれが生じ、ボビン鍔部２０２とメッキ線１ｂとの間に隙間が生じる。この隙間をシックネスゲージで計測し、所定の隙間（０．５ｍｍ、１．０ｍｍ、２．０ｍｍ）となるまでの落下回数を数えて、トラバースピッチＰごとに比較した。
【０１４３】
すなわち、ボビン鍔部２０２とメッキ線１ｂとの間が所定の隙間に達するまでのボビン２００の落下回数が多いほど、巻き崩れが発生し難いことを示し、本ボビン落下試験では、ボビン鍔部２０２とメッキ線１ｂとの間の隙間が２．０ｍｍとなるまでの落下回数が１０回未満である場合に「不合格」とし、１０回以上の場合に「合格」とした。
【０１４４】
なお、本ボビン落下試験では、落下による巻き崩れの偏りを減らすため、１回の落下毎に、所定の水平姿勢での落下と該水平姿勢に対してボビン軸方向の一方の側と他方の側との向きを反転させた水平姿勢での落下を１セットとして行った。ボビン鍔部２０２とメッキ線１ｂとの隙間の計測は、計測の度に軸方向の一方の側と他方側とのそれぞれについて計測し、大きい方の値を採用した。  
上述した巻き態様の外観評価とボビン落下試験の結果は、前記表２、及び図９に示すとおりである。  
なお、図９は、上述の１５種類のトラバースピッチＰの設定ごとに、ボビン落下試験においてボビン鍔部２０２とメッキ線１ｂとの間の隙間が２．０ｍｍとなる場合の落下回数をグラフ化したものである。
【０１４５】
表２に示すように、巻き崩れ特性を検証するボビン落下試験において結果が「不合格」となったトラバースピッチＰの設定における巻き態様の外観評価の結果に着目すると、メッキ線巻付けボビン１０には、その外周表面に凹凸部分、及び、膨らみ部分みのうち少なくともいずれか一方が発生していることが明かとなった。
【０１４６】
この結果より、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面の凹凸部分、或いは、膨み部分と、巻き付け特性を示す落下回数との間に因果関係があり、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面に、凹凸部分、及び、膨み部分の双方が生じないような巻き態様とすることが巻き崩れを防止する上で重要になることが明らかとなった。
【０１４７】
例えば、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの２．０倍の値に設定した場合には、図１３、及び、図１４の写真に示すように、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面に、凹凸部分が発生したが、これは、図４（ｂ）、及び、図５（ｂ）に示すように、ボビン軸方向に沿って、凸状部分１３１と凹状部分１３２とが交互に表れる凹凸状巻き太り部分１３３が発生する巻き態様であった。  
なお、凸状部分１３１と凹状部分１３２とは、大よそ３ｍｍから８ｍｍ程度の段差が生じていた。
【０１４８】
この凹凸部分のうち、凸部について着目すると、図５（ｂ）に示すように、メッキ線１ｂを巻き付けた配列部分を異なる層の配列部分が跨いだ跨ぎ部分１３０が積層した凸状部分１３１であった。
【０１４９】
そして、実際に、凸状部分１３１を指で軽く触ると、凹状部分１３２の側へ巻き崩れ、巻きずれが発生したことから、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面の周方向の一部に凹凸状巻き太り部分１３３が発生する巻き態様である定格ピッチｐの２．０倍の値は、巻き崩れの観点で好ましくないことが立証できた。
【０１５０】
また、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍である場合のメッキ線巻付けボビン１０は、ボビン落下試験の前においては、ボビン軸方向におけるメッキ線１ｂの配列部分がそれぞれの間に隙間が略無い状態で整列していることから、一見すると、整った巻き態様で巻き崩れ難いようにも思われた。
【０１５１】
しかし、ボビン落下試験の後においては、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍の値のときには、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面に、膨み部分が確認され、落下試験で「不合格」となった。
【０１５２】
よって、低耐力化したメッキ線１ｂにおいては、メッキ線１ｂに負荷がかからないよう、低い巻き付けテンションに設定の下、メッキ線１ｂをボビン２００に対して巻き付ける必要があり、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍である場合、複数層に亘って積層するように巻き付けたメッキ線１ｂの巻き付け層間の摩擦抵抗が特に少なくなることから、巻き崩れが発生し易くなることを実証できた。
【０１５３】
さらに、図９に示すように、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍台後半である場合や２．０倍台であるからといって、ボビン落下試験において必ずしも「不合格」となるとは限らないが、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍の値に対して高い値になるに従って、ボビン落下試験において不合格となる場合が多くなることが明らかとなった。
【０１５４】
例えば、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの２．０倍後半の値になると、ボビン落下試験結果は、全て「不合格」となり、２．５倍以下であることが好ましいことを確認できた。
【０１５５】
さらに、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの２．０倍後半の値に設定すると、ボビン２００に巻き付けたメッキ線１ｂには、クセが付いたり、捩れが生じていた。  
この点からもトラバースピッチＰは、定格ピッチｐの２．５倍以下であることが好ましいことを確認できた。
【０１５６】
これに対して、トラバースピッチＰを定格ピッチｐの１．２倍の値に設定した場合には、ボビン落下試験の結果は、「合格」であった。その他にも、例えば、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．８倍や２．５倍の場合にも、落下試験で「合格」となった。
【０１５７】
これらのメッキ線巻付けボビン１０についての巻き態様の外観評価は、表２に示すように、外周表面に凹凸部分、及び、膨らみ部分みのいずれも発生しておらず、図１０乃至図１２の写真に示すように、メッキ線１ｂがボビン軸方向に沿って安定した巻き態様となった。  
なお、図１０中の写真でボビン２００に巻き付いたメッキ線１ｂの一部がボビン半径方向の外側へ突出しているがこれはメッキ線１ｂの先端部分であり、巻き太りによるものではない。
【０１５８】
すなわち、トラバース巻きにより、低耐力化したメッキ線１ｂをボビン胴部２０１に対して所定のトラバースピッチＰでボビン軸方向の一端側から他端側へ向けて整列巻きするとともに、整列巻きした巻き層の外側に、ボビン軸方向の他端側から一端側へ向けて整列巻きの繰り返しが行われることによって、メッキ線１ｂがボビン軸方向に沿って整列した整列部分によって構成する巻き付け層が複数層に亘って積層する巻き態様となり、さらに、ボビン半径方向の内側と外側とで隣り合う巻き層のうち、外側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分が、内側の巻き層を構成するメッキ線１ｂの配列部分を跨ぐ跨ぎ部分がボビン軸方向に沿って並んだ軸方向跨ぎラインが巻き層ごとに必然的に形成されることになる巻き態様となる。
【０１５９】
本実施形態のメッキ線１ｂ巻取り方法によれば、トラバースピッチＰを、前記軸方向跨ぎライン１３０Ｌが巻き層ごとにボビン周方向において分散する値として、例えば、定格ピッチｐの１．２倍、１．８倍、或いは、２．５倍に設定しているため、軸方向跨ぎライン１３０Ｌが、巻き層ごとにボビン周方向において一致しないよう分散させることができ、凹凸状巻き太り部分１３３の発生を防止することができる。
【０１６０】
実際にメッキ線巻付けボビン１０の外周表面を、指などで触れても、巻きずれが生じることがなく、巻き崩れや巻き解けが生じなかった。
【０１６１】
このことから本実験の条件においては、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．２倍、１．８倍、２．５倍の場合が好ましく、これらの値は、０．２％耐力値を低い値に保つ必要がある太陽電池のリード線として用いる上で特に好ましいトラバースピッチＰであることが明らかとなった。特に、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．２倍の場合は、螺旋状に巻きつけることによる螺旋軌道のリード角を小さく抑えることができることからメッキ線１ｂの捩れの影響を受けることがないため、特に好ましい値といえる。
【０１６２】
また、効果確認実験では、前記表１の設定条件、製造条件とは異なる条件の下で上述した効果確認実験と同じ要領でメッキ線１ｂに対してボビン２００をトラバース巻きする補足的、追加的な実験（以下、「追加試験」という。）を行った。
【０１６３】
この追加実験では、例えば、ボビン軸方向の長さなどが異なるサイズのボビン２００にメッキ線１ｂを巻き付けたり、定格ピッチｐを異なる値に設定するなどして前記表１の設定条件、製造条件とは異なる条件に設定した。
【０１６４】
追加実験の結果、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍、或いは、２．０倍のとき、図９に示すように、上述した効果確認実験と同様に、不合格となる結果となり、巻き崩れが発生し易い巻き態様であることが明らかとなった。このことからトラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍、或いは、２．０倍のとき、巻き崩れが発生し易い巻き態様となるという再現性を確認でき、これらの値を除く値に設定することが有効となる。
【０１６５】
逆に、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．２倍の値の場合、ボビン落下試験の結果が「合格」となり、巻き崩れが発生し難いという再現性を確認できた。このことからトラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．２倍の値に設定することが好ましいことを確認できた。
【０１６６】
さらに、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．０倍から２．５倍以下の範囲において、トラバースピッチＰが定格ピッチｐの１．２倍となる値以外にも、好ましい巻き態様となる値が上述した定格ピッチｐの１．８倍や２．５倍の場合のように、ボビン落下試験の結果が「合格」となるトラバースピッチＰの値が断続的に表れるという上述の実験と同じ傾向が確認できた。
【０１６７】
但し、これら値は、ボビン軸方向の長さなどの製造条件や、製造過程で生じる誤差の影響により、必ずしも上述したトラバースピッチＰの値と完全に一致するわけではなく、必ずしも再現性があるとは限らない。
【０１６８】
しかし、以下の手順により、その製造条件における最適なトラバースピッチＰの値をスムーズ、且つ、正確に見極めることができる。
【０１６９】
まず、トラバースピッチＰを、定格ピッチｐの１．２倍となる値以外の好ましい値に設定する場合には、定格ピッチｐの１．０倍から２．５倍の範囲内で、且つ、経験的に巻き崩れが発生し易い確率が高い定格ピッチｐの２．０倍付近を除く所定の値を仮の値として設定する。
【０１７０】
そして、トラバースピッチＰを前記仮の値とする設定の下で巻き付けを行い、巻き付け途中で仮に、外周面に凹凸が発生したり、膨らみ部分が生じる巻き態様となった場合には、トラバースピッチＰの値を、定格ピッチｐの１．８倍や２．５倍となる上述した好ましい所定の値付近の値に設定し直して巻き付けを行うことで、その製造条件における最適なトラバースピッチＰの値をスムーズに見極めることができる。
【０１７１】
また、上述したトラバースピッチＰは、メッキ線１ｂをボビン２００に対してトラバース巻きする間、一定の値に固定するに限らず、メッキ線１ｂをボビン２００に対して巻き付けの途中においてトラバースピッチＰを、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面に凹凸部分が発生したり、膨らみ部分が生じないように変更可能に構成してもよい。
【０１７２】
このように、メッキ線１ｂをボビン２００に巻き付けている最中において、メッキ線巻付けボビン１０の外周表面における凹凸部分や膨らみ部分の発生の有無を確認する手段は、目視により確認し、手動で任意のトラバースピッチＰを入力することでトラバースピッチＰの値を変更してもよい。
【０１７３】
或いは、トラバース巻きしている最中にセンサによりリアルタイムで凹凸部分や膨らみ部分の発生の有無を測定し、センサの検出信号を基に、凹凸部分や膨らみ部分の発生が有りと判断した場合、凹凸部分や膨らみ部分が解消されるように自動でトラバースピッチＰの値を変更するよう制御する構成であってもよい。  
なお、センサとしては、例えば、赤外線センサやＣＣＤカメラを用いることができる。
【０１７４】
この発明の構成と、上述した実施形態との対応において、
平角線条体は、メッキ線１ｂに対応し、以下同様に、
線条体巻付けボビンは、メッキ線巻付けボビン１０に対応し、
線条体巻取り装置は、トラバース方式巻取りユニット８０に対応するも、本発明は、上述した実施形態に限定せず、様々な実施形態で構成することができる。
【０１７５】
例えば、巻取り手段７１は、メッキ線の製造装置１１に組み込んだ構成に限らず、他の装置に組み込んだ構成であってもよく、或いは、単独で構成してもよい。
【０１７６】
また、巻取り手段７１は、トラバース方式巻取りユニット８０と供給ユニット９０との双方を備えた構成に限らず、例えば、トラバース方式巻取りユニット８０のみを備えた構成であってもよい。
【符号の説明】
【０１７７】
１ｂ…メッキ線
１０…メッキ線巻付けボビン
８０…トラバース方式巻取りユニット
２００…ボビン
２０１…ボビン胴部
１３０…跨ぎ部分
１３０Ｌ…軸方向跨ぎライン
１３３…凹凸状巻き太り部分
Ｐ…トラバースピッチ
ｐ…定格ピッチ