(57)【要約】【課題】  エッチングの精度をより一層向上できる被ダイシング材料を提供する。【解決手段】  被ダイシング材料は、複数のチップ領域と、前記複数のチップ領域間に配置されるダイシングラインとが設定される被エッチング層と、前記被エッチング層上に積層されるレジスト層であって、前記被エッチング層に要求されるエッチングすべき範囲外を覆うレジスト層とを備える。前記レジスト層において、前記ダイシングライン上の前記レジスト量は、前記チップ領域上のレジスト被覆率に応じて決定される所定量である。【選択図】図１
2013201168.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップ領域と、前記複数のチップ領域間に配置されるダイシングラインとが設定される被エッチング層と、
前記被エッチング層上に積層されるレジスト層であって、前記被エッチング層に要求されるエッチングすべき範囲外を覆うレジスト層と
を具備し、
前記レジスト層において、前記ダイシングライン上の前記レジスト量は、前記チップ領域上のレジスト被覆率に応じて決定される所定量である
ことを特徴とする被ダイシング材料。
【請求項２】
前記レジスト層において、前記複数のチップ領域上の前記レジストが占める面積に応じて前記ダイシングライン上に配置される前記レジストの面積を変化させ、チップ領域とダイシングライン上のレジスト面積の総和を所定面積にする
ことを特徴とする請求項１に記載の被ダイシング材料。
【請求項３】
複数のチップ領域と、前記複数のチップ領域間のダイシングラインとが設定される被ダイシング材料の被エッチング層上にレジスト層を形成するレジスト層形成装置であって、
前記被エッチング層上に前記被エッチング層を覆うレジスト皮膜を形成するレジスト被膜形成手段と、
前記レジスト被膜に、パターンを転写するパターン転写手段と、
前記転写されたパターンを現像する現像手段と、
前記被エッチング層の前記ダイシングライン上に、前記チップ領域上の前記レジスト被覆率に応じた量のレジストを供給するレジスト供給手段と
を具備することを特徴とするレジスト層形成装置。
【請求項４】
前記レジスト供給手段は、複数種類の被ダイシング材料に対して、前記被エッチング層の前記ダイシングライン上に、現像後の前記複数のチップ領域内のレジストの占める面積と前記ダイシングライン上のレジストの占める面積との総和が、全ての被ダイシングラインで同じになるようにレジストを供給する
ことを特徴とする請求項３に記載のレジスト層形成装置。
【請求項５】
前記各被ダイシング材料において、現像後の前記複数のチップ領域内のレジストの占める面積と前記ダイシングライン上のレジストの占める面積との総和は、所定面積である
ことを特徴とする請求項４に記載のレジスト層形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、例えば、チップ領域とダイシングラインとが設定されるレジスト層とを備える半導体ウェーハに関する。本発明の実施形態は、被エッチング層上にレジスト層を形成するレジスト層形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を形成する際に、例えばシリコンウェーハ上に、酸化膜や窒化膜などのエッチングされる被エッチング層を形成し、被エッチング層上にレジスト層を形成する。レジスト層には、リソグラフィにより、パターンが転写されて現像されている。また、レジスト層には、複数のチップ領域と、これらチップ領域間に配置されるダイシングラインとが設定されている。
【０００３】
上記のように構成される被エッチング層とレジスト層とを備えるシリコンウェーハは、エッチング処理がなされた後、ダイシングソーなどによってダイシングラインに沿って切断されることによって、チップごとに分けられる。
【０００４】
一方、エッチング方法として、ドライエッチングがある。ドライエッチングでは、エッチング中にレジスト層から生じる生成物が、被エッチング層においてエッチングしない部分、つまり、レジスト層によって覆われている部分の側壁部に保護膜として付着し、被エッチング層においてエッチングしない部分がエッチングされることを防いでいる。
【０００５】
このため、エッチングの精度を向上するために、チップ領域中にダミーパターンを作成して、チップ領域中のレジスト被覆率とパターン周囲長とを調整し、ドライエッチング中に生じる側壁部保護成分の量を調整することが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１６０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
エッチングの精度をより一層向上することが求められている。
【０００８】
実施形態は、エッチングの精度を向上できる被ダイシング材料を提供することを目的とする。他の実施形態は、エッチングの精度を向上できるレジスト層を形成する、レジスト層形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施形態の被ダイシング材料は、複数のチップ領域と、前記複数のチップ領域間に配置されるダイシングラインとが設定される被エッチング層と、前記被エッチング層上に積層されるレジスト層であって、前記被エッチング層に要求されるエッチングすべき範囲外を覆うレジスト層とを備える。前記レジスト層において、前記ダイシングライン上の前記レジスト量は、前記チップ領域上のレジスト被覆率に応じて決定される所定量である。
【００１０】
実施形態のレジスト層形成装置は、複数のチップ領域と、前記複数のチップ領域間のダイシングラインとが設定される被ダイシング材料の被エッチング層上にレジスト層を形成するレジスト層形成装置である。前記レジスト層形成装置は、前記被エッチング層上に前記被エッチング層を覆うレジスト皮膜を形成するレジスト被膜形成手段と、前記レジスト被膜に、パターンを転写するパターン転写手段と、前記転写されたパターンを現像する現像手段と、前記被エッチング層の前記ダイシングライン上に、前記チップ領域上の前記レジスト被覆率に応じた量のレジストを供給するレジスト供給手段とを備える。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態に係るレジスト層形成装置を示す概略図。
【図２】同レジスト層形成装置によってレジスト層が形成される前のリソグラフィ前ウェーハを示す側面図。
【図３】同レジスト層形成装置のレジスト塗布装置によって被エッチング層上にレジストによる被膜が形成された状態を示す側面図。
【図４】同レジスト層形成装置の現像装置による現像処理後のエッチング前ウェーハを示す側面図。
【図５】同レジスト層形成装置のレジスト供給装置による処理が終了した後の、チップ領域を拡大して示す斜視図。
【図６】同レジスト供給装置によってダイシングライン上にレジストが供給された状態を示す側面図。
【図７】同レジスト供給装置によってダイシングライン上にレジストが塗布されたエッチング前ウェーハを拡大して示す平面図。
【図８】同レジスト供給装置によってダイシングライン上にレジストが塗布されたエッチング前ウェーハのチップ領域とその周囲に配置されるダイシングラインとを拡大して示す斜視図。
【図９】同レジスト供給装置によってダイシングライン上にレジストが供給された後のエッチング前ウェーハを示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施形態に係る被ダイシング材料およびレジスト層形成装置を、図１〜９を用いて説明する。図１は、本実施形態のレジスト層形成装置１０を示す概略図である。レジスト層形成装置１０は、被エッチング層５を備えるエッチング前ウェーハ１に、レジスト層６を形成する。
【００１３】
エッチング前ウェーハ１について、説明する。図２は、レジスト層６が形成される前のエッチング前ウェーハ１の側面図である。図２に示すように、エッチング前ウェーハ１は、シリコンウェーハ２と、シリコンウェーハ２上に積層される、酸化膜や窒化膜などを有する被エッチング層５とを備えている。本実施形態のエッチング前ウェーハ１は、一例である。なお、図２で示す側面図とは、エッチング前ウェーハ１の各層の積層方向に対して横切る方向に見た状態を示す。
【００１４】
エッチング前ウェーハ１は、例えば、半導体装置を形成するための途中の段階の状態である。このため、エッチング前ウェーハ１には、複数のチップ領域１２と、ダイシングライン８とが設定されている。ダイシングライン８は、複数のチップ領域１２間に配置されて、ダイシングソーなどの切断装置によって切断される箇所である。複数のチップ領域１２と、ダイシングライン８とについては、後で具体的に説明する。図２中、ダイシングライン１３とチップ領域１２とは、２点鎖線で示している。
【００１５】
図１に示すように、レジスト層形成装置１０は、レジスト塗布装置２０と、転写装置３０と、現像装置４０と、レジスト供給装置５０とを備えている。レジスト塗布装置２０は、レジスト層６が形成される前のエッチング前ウェーハ１にレジスト２１を塗布し、レジスト２１によるレジスト被膜１１を形成する。なお、本実施形態では、転写装置３０と現像装置４０とによる処理後のレジスト２１の被膜を、レジスト層６と称し、これら転写装置３０と現像装置４０とによる処理前の状態と区別する。
【００１６】
レジスト塗布装置２０（レジスト被膜形成手段の一例）は、レジストノズル２２と、駆動部２３と、レジスト貯蔵部２４と、レジスト供給部２５と、ウェーハ載置台２６と、ウェーハ回転駆動部２７とを備えている。
【００１７】
エッチング前ウェーハ１は、ウェーハ回転駆動部２７上に載置されて固定されている。レジストノズル２２は、エッチング前ウェーハ１にレジスト２１を滴下する。駆動部２３は、レジストノズル２２を、エッチング前ウェーハ１上で自在に移動させる。駆動部２３は、例えば、駆動源として電動モータ２３ａを備えている。レジスト供給部２５は、レジスト貯蔵部２４からレジストノズル２２にレジスト２１を供給する。レジスト供給部２５は、例えば、ポンプである。ウェーハ回転駆動部２７は、ウェーハ載置台２６に回転を与える。ウェーハ回転駆動部２７は、例えば、駆動源として電動モータ２７ａを備えている。
【００１８】
つぎに、レジスト塗布装置２０による、エッチング前ウェーハ１にレジスト２１によるレジスト被膜１１を形成する動作を説明する。図２は、レジスト２１によるレジスト被膜１１が形成される前のエッチング前ウェーハ１を示す側面図である。つまり、図２に示されるエッチング前ウェーハ１は、シリコンウェーハ２と、その上に積層される被エッチング層５のみを備えている。
【００１９】
まず、エッチング前ウェーハ１を、ウェーハ載置台２６に固定する。この固定構造としては、一例として、負圧を利用してエッチング前ウェーハ１をウェーハ載置台２６に固定する構造がある。なお、他の構造や手段によって、エッチング前ウェーハ１がウェーハ載置台２６に固定されてもよい。
【００２０】
ウェーハ載置台２６に固定されたエッチング前ウェーハ１の被エッチング層５上に、レジストノズル２２からレジスト２１が滴下される。塗布される量は、エッチング前ウェーハ１の大きさ、形成すべきレジスト層６の大きさに応じて、予め決定されている。
【００２１】
エッチング前ウェーハ１上にレジスト２１が滴下されると、ウェーハ回転駆動部２７によって、ウェーハ載置台２６が回転される。このことによって、ウェーハ載置台２６上に固定されたエッチング前ウェーハ１も一緒に回転するので、エッチング前ウェーハ１上に滴下されたレジスト２１が遠心力によってエッチング前ウェーハ１の被エッチング層５上に広げられ、厚みが均一のレジスト被膜１１が形成される。なお、ウェーハ回転駆動部２７によるウェーハ載置台２６の回転数、言い換えると、エッチング前ウェーハ１の回転数は、形成すべきレジスト層６の厚みなどによって、予め決定されている。図３は、レジスト塗布装置２０によって被エッチング層５上にレジスト２１によるレジスト被膜１１が形成された状態を示す側面図である。
【００２２】
図１に示すように、転写装置３０（パターン転写手段の一例）は、ステージ３１と、光源３２と、コンデンサレンズ３３と、マスク３４と、投影レンズ３５と、焼き固め部３６とを備えている。レジスト塗布装置２０によってレジスト２１のレジスト被膜１１が形成されたエッチング前ウェーハ１は、ステージ３１上に固定される。マスク３４は、被エッチング層５においてエッチングすべき範囲に応じたパターンが形成されている。
【００２３】
光源３２から照射された光は、コンデンサレンズ３３、マスク３４、投影レンズ３５を、記載の順番通りに通り、ステージ３１上に固定されたエッチング前ウェーハ１に照射される。このことによって、マスク３４に形成されるパターンがレジスト２１によって形成される皮膜１１に転写される。
【００２４】
マスク３４を通過した光は、エッチング前ウェーハ１に設定されている、チップ領域１２に照射される。言い換えると、チップ領域１２の大きさは、マスク３４を通して照射される光の照射範囲と同じ大きさである。上記照射が、ステージ３１を移動させることによって、エッチング前ウェーハ１に設定されているチップ領域１２の全てに対して行われる。
【００２５】
上記のように、エッチング前ウェーハ１の各チップ領域１２にマスク３４のパターンが転写されたエッチング前ウェーハ１は、焼き固め部３６で熱処理される。
【００２６】
現像装置４０（現像手段の一例）は、焼き固め部３６で熱処理されたエッチング前ウェーハ１を現像処理する。現像装置４０は、本実施形態では、一例としてスプレー現像を行う。このため、現像装置４０は、現像液を噴射する噴射部４１と、エッチング前ウェーハ１が固定される固定部４２とを備えている。
【００２７】
本実施形態では、レジスト２１は、ネガ型レジストである。このため、マスク３４に形成されるパターンは、被エッチング層５においてエッチングする範囲に光源３２からの光が照射されるように形成されている。
【００２８】
このため、レジスト２１によるレジスト被膜１１において、転写装置３０による処理時に、光源３２からの光が照射されなかった部分は、現像装置４０での処理によって、取り除かれる。エッチング前ウェーハ１に設定されるダイシングライン１３は、互いに隣り合うチップ領域１２間に規定される。このため、転写装置３０によって、マスク３４のパターンを各チップ領域１２に転写する際には、ダイシングライン１３上には、光源３２からの光は照射されない。このため、エッチング前ウェーハ１に設定されるダイシングライン１３上には、レジスト２１は、残らない。
【００２９】
図５は、後述されるレジスト供給装置５０による処理が終了した後の、チップ領域１２を拡大して示す斜視図である。また、図５中には、チップ領域１２の一部である範囲Ｆ５を拡大して斜視図で示している。図５に示すように、チップ領域１２内においてエッチングしない範囲上にはレジスト２１が残り、被エッチング層５においてエッチングすべき範囲上には、レジスト２１はない。
【００３０】
図４は、現像装置４０による現像処理後のエッチング前ウェーハ１を示す側面図である。図４に示すように、現像装置４０による現像処理後では、チップ領域１２の上のみにレジスト２１が残り、ダイシングライン１３上にはレジスト２１は残らない。なお、チップ領域１２においても、実際には、マスク３４のパターン転写された範囲以外、つまり、エッチングすべき範囲にはレジスト２１は残っていない。
【００３１】
図１に示すように、レジスト供給装置５０（レジスト供給手段の一例）は、現像装置４０によって現像処理されたエッチング前ウェーハ１のダイシングライン１３上に、レジスト２１を予め設定された量供給する。
【００３２】
レジスト供給装置５０は、ステージ５１と、ノズル５２と、レジスト貯蔵部５５と、ポンプ５６と、カメラ５３と、映像処理部５７と、記憶部５８と、制御装置５４とを備えている。エッチング前ウェーハ１は、ステージ５１上に固定される。ステージ５１は、エッチング前ウェーハ１の表面に沿う方向に移動可能である。ステージ５１の移動は、制御装置５４によって制御される。
【００３３】
ノズル５２は、レジスト２１をエッチング前ウェーハ１のダイシングライン１３上に供給する。具体的には、ノズル５２の位置は、固定されている。ステージ５１は、ノズル５２の位置を、エッチング前ウェーハ１のダイシングライン１３上に位置決める。そして、ステージ５１が移動することによって、ノズル５２がダイシングライン１３上を相対的に移動する。このとき、ノズル５２からレジスト２１が供給されることによって、ダイシングライン１３上にレジスト２１が線状に供給される。
【００３４】
レジスト貯蔵部５５は、レジスト２１を蓄えている。ポンプ５６は、レジスト貯蔵部５５内のレジスト２１を、ノズル５２に導く。ポンプ５６は、制御装置５４によって制御される。
【００３５】
ここで、レジスト供給装置５０によってダイシングライン１３上に供給されるレジスト２１の量について、具体的に説明する。
【００３６】
ダイシングライン１３上に塗布されるレジスト２１の量は、エッチング前ウェーハ１の全てのチップ領域１２内のレジスト被覆率に応じて決定される。ここで言う量とは、質量を示す。レジスト被覆率は、エッチング前ウェーハ１の被エッチング層５を平面視したときの面積に対する、被エッチング層５上のレジスト２１が占める面積の割合である。エッチング前ウェーハ１の被エッチング層５の表面の面積をＣ１とし、この表面内のレジスト２１の占める面積をＣ２とすると、レジスト被覆率Ｃは、Ｃ＝Ｃ２／Ｃ１となる。
【００３７】
カメラ５３は、ダイシングライン１３上にレジスト２１を供給する前に、エッチング前ウェーハ１の表面を撮影する。撮影された映像データは、映像処理部５７に送信される。映像処理部５７は、カメラ５３が撮影した映像から、エッチング前ウェーハ１上のレジスト２１の占める面積を検出する。検出結果は、制御装置５４に送信される。制御装置５４は、映像処理部５７の検出結果と、エッチング前ウェーハ１の面積とに基づいて、レジスト被覆率Ｃを算出する。なお、エッチング前ウェーハ１の面積は、予め入力されている。または、映像処理部５７によって検出されてもよい。
【００３８】
エッチング前ウェーハ１のレジスト被覆率に応じて決定されるダイシングライン１３内に供給されるレジスト２１の量を示すマップＭが設けられている。マップＭは、記憶部５８内に記憶されている。制御装置５４は、算出したレジスト被覆率Ｃに基づいて、マップＭから、ダイシングライン１３内に供給するレジスト２１の量を求める。
【００３９】
また、レジスト供給装置５０は、被エッチング層５上においてダイシングライン１３上に供給されるレジスト２１の占める面積と、全てのチップ領域１２内のレジストの占める面積との合計値が、所定面積になるように、ダイシングライン１３上にレジストを供給する。つまり、全てのチップ領域１２内のレジスト２１の占める面積がＣ２であり、ダイシングライン１３上においてレジスト２１が占める面積をＤ２とし、所定面積をＤとすると、Ｄ＝Ｃ２＋Ｄ２となる。
【００４０】
なお、所定面積Ｄは、後述するように、エッチング前ウェーハ１をエッチングする際に、エッチングの精度がよくなる値であり、予め実験によって得ることができる。所定面積Ｄのデータは、記憶部５８に記憶されている。ダイシングライン１３上のレジスト２１の占める面積とは、ダイシングライン１３においてレジスト２１によって覆われる範囲の面積である。
【００４１】
この点について具体的に説明する。レジスト被覆率Ｃを算出するために、エッチング前ウェーハ１上の全てのチップ領域１２内のレジスト２１の占める面積Ｃ２は、カメラ５３と映像処理部５７とによって上記のように求められている。
【００４２】
制御装置５４は、上記のようにレジスト被覆率Ｃに基づいてダイシングライン１３上に供給するレジストの質量を求めるとともに、全てのチップ領域１２内のレジスト２１の占める面積の合計値である面積Ｃ２に基づいて、ダイシングライン１３上に供給するレジスト２１の面積Ｄ２を求める。制御装置５４は、ダイシングライン１３上においてレジスト２１が占める面積Ｄ２が求められると、上記ダイシングライン１３上に供給するレジスト２１が面積Ｄ２に均等に振り分けられるようにする。具体的には、ポンプ５６の動作と、ステージ５１の移動速度を制御することによって、ダイシングライン１３上においてレジスト２１の占める面積を制御する。例えば、ポンプ５６によるレジストの吐出圧力を調整してレジスト２１の幅Ｌを調整してもよいし、ダイシングライン１３上に２筋のレジスト２１を供給して面積を調整してもよい。
【００４３】
図６は、レジスト供給装置５０によってダイシングライン１３上にレジスト２１が供給された状態のエッチング前ウェーハ１を示す側面図である。図７は、レジスト供給装置５０によってダイシングライン１３上にレジスト２１が供給された状態のエッチング前ウェーハ１の一部を拡大して示す平面図である。なお、図７中、ダイシングライン１３上に供給されたレジスト２１を明確にするために、ダイシングライン１３上に供給されたレジスト２１にハッチングを施して示している。このハッチングは、切断面を示すものではない。
【００４４】
図８は、レジスト供給装置５０によってダイシングライン１３上にレジスト２１が供給されたエッチング前ウェーハ１のチップ領域１２とその周囲に配置されるダイシングライン１３とを拡大して示す斜視図である。図８中では、ダイシングライン１３の一部とその周囲である範囲Ｆ８を拡大した斜視図を示している。図８中の範囲Ｆ８内では、チップ領域１２上に設けられるレジスト２１を、２点鎖線で示している。図８中の範囲Ｆ８内に示す２点鎖線のレジスト２１は、チップ領域１２の範囲を示しており、実際に転写されたパターンに対応する形状ではない。図６〜８に示すように、本実施形態では、一例として、ダイシングライン１３に供給されるレジスト２１は、ダイシングライン１３に沿って線上に供給される。
【００４５】
図９は、レジスト供給装置５０によってダイシングライン１３上にレジスト２１が供給された後のエッチング前ウェーハ１を示す斜視図である。図９に示すように、転写装置３０によってチップ領域１２にパターンが転写された後、現像装置４０によって不要なレジスト２１が除去されることによって、エッチング前ウェーハ１上には、各チップ領域１２間に、ダイシングライン１３に応じた隙間が設けられる。
【００４６】
レジスト供給装置５０によってダイシングライン１３上にレジスト２１が供給されたエッチング前ウェーハ１は、転写装置３０の焼き固め部３６で熱処理される。この熱処理が完了すると、エッチング前ウェーハ１は、エッチング処理されることによって、被エッチング層５においてエッチングすべき範囲が除去される。
【００４７】
本実施形態では、エッチングとして、ドライエッチングであるＲＩＥ(Reactive Ion Etching)が用いられる。
【００４８】
エッチング前ウェーハ１は、エッチング終了後、ダイシングソーなどの切断装置によって、ダイシングライン１３に沿って切断される。このことによって、エッチング前ウェーハ１は、チップ領域１２ごとに切り分けられる。
【００４９】
レジスト供給装置５０は、複数種のエッチング前ウェーハに対しても、上記エッチング前ウェーハ１と同様に、ダイシングライン上にレジストを供給する。なお、他の種類のエッチング前ウェーハは、エッチング前ウェーハ１と同様に、複数のチップ領域と、ダイシングラインとが設定されている。そして、レジスト供給装置５０は、他の種類のエッチング前ウェーハに対しても、全てのチップ領域内のレジストの占める面積と、ダイシングライン内のレジスト２１の占める面積との合計値が、所定面積Ｄとなるように、ダイシングライン上にレジスト２１を供給する。
【００５０】
上記のように所定面積Ｄは、エッチング前ウェーハをエッチングする際のエッチング精度が良いと判断された値であり、予め実験によって得られている。このため、複数種類のエッチング前ウェーハに対しても、全てのチップ領域内のレジストの占める面積とダイシングライン上においてレジストが占める面積との合計値を、所定面積Ｄにすることによって、複数種類のエッチング前ウェーハに対するエッチングの精度をよくすることができる。言い換えると、レジスト供給装置５０がレジストを共有する対象となる全てのエッチング前ウェーハに対して、全てのチップ領域内のレジストの占める面積の合計値と、ダイシングライン上においてレジスト２１が占める面積との合計値を、所定面積Ｄにすることによって、エッチングの精度をよくすることができる。
【００５１】
このように構成されるレジスト層形成装置１０によってレジスト層６が形成されたエッチング前ウェーハ１を、ＲＩＥを用いてエッチングすることによって、エッチングの精度を向上させることができる。この点について具体的に説明する。
【００５２】
ＲＩＥでは、エッチング処理中に生成される生成物が、被エッチング層５においてエッチングしない範囲の側壁部に付着することによって、この側壁部がエッチングされることを防ぐ。ここで言う側壁部は、より具体的には、被エッチング層５がエッチングされることによって、エッチングすべき範囲と、レジスト２１によって覆われている範囲との間に段差ができる。側壁部は、この段差部の側壁部である。
【００５３】
側壁部に付着し、側壁部を保護する機能を有する生成物は、レジスト２１の量に比例して発生する。つまり、レジスト２１の被覆率が小さい場合は、レジスト２１の量が少なく、それゆえ、エッチング処理中に、被エッチング層５の側壁部が削られてしまう場合が生じる。
【００５４】
本実施形態では、ダイシングライン１３上にレジスト２１を供給することによって、エッチング処理中の被エッチング層５の側壁部が削れることを抑制できる量のレジスト量を確保できる。このため、エッチング前ウェーハ１のエッチングの精度を向上することができる。
【００５５】
また、ダイシングライン１３上にレジスト２１を供給することによって、チップ領域１２内に例えばダミーパターンを形成してレジスト量を確保することがない。チップ領域１２内にダミーパターンを形成する場合、ダミーパターンは、チップ領域１２内のパターン以外の部位に形成される必要がある。チップ領域１２において広範囲にわたってパターンが形成される場合では、チップ領域１２内にダミーパターンを形成することができない。または、必要な量のレジストを確保することができないことが想定される。
【００５６】
しかしながら、本実施形態では、ダイシングライン１３上にレジスト２１を供給することによって、チップ領域１２内のパターンに干渉することなく、必要な量のレジスト２１を確保することができる。
【００５７】
また、エッチング前ウェーハ１上のダイシングライン１３に供給されるレジスト２１の量は、エッチング前ウェーハ１上の全てのチップ領域１２内のレジスト２１の被覆率に応じて決定されており、被エッチング層５の側壁部が削られることがないように考慮された値である。このため、エッチングの精度を向上することができる。この値は、実験などによって予め得ることができる。
【００５８】
また、本実施形態では、被エッチング層５上における全てのチップ領域１２内のレジスト２１の占める面積Ｃ２と、ダイシングライン１３上のレジスト２１の占める面積Ｄ２と合計値を、所定面積Ｄとし、他の種類のエッチング前ウェーハにおいても、被エッチング層上における全てのチップ領域内のレジストの占める面積と、ダイシングライン上のレジスト２１の占める面積と合計値を、所定面積Ｄにしている。
【００５９】
すなわち，あるエッチング前ウェーハでチップ領域内のレジストの占める面積が少ない場合，ダイシングライン上のレジスト占める面積を多くして、合計値を所定面積Ｄにあわせる。同様に、あるエッチング前ウェーハでチップ領域内のレジストの占める面積が多い場合，ダイシングライン上のレジスト占める面積を少なくして、合計値を所定面積Ｄにあわせる。これによって、複数種類のエッチング前ウェーハに対して、エッチング前ウェーハ上におけるレジストの占める面積に差がなくなるので，当該疎密により生じるマイクロローディング効果の発生を抑制することができる。
【００６０】
この発明は、上述した実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上述した実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、上述した実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても良い。
【符号の説明】
【００６１】
５…被エッチング層、６…レジスト層、１０…レジスト層形成装置、１１…レジスト被膜、１２…チップ領域、１３…ダイシングライン、２０…レジスト塗布装置（レジスト被膜形成手段）、３０…転写装置（転写手段）、４０…現像装置（現像手段）、５０…レジスト供給装置（レジスト供給手段）。
【図１】
2013201168.tif 000003
【図２】
2013201168.tif 000004
【図３】
2013201168.tif 000005
【図４】
2013201168.tif 000006
【図５】
2013201168.tif 000007
【図６】
2013201168.tif 000008
【図７】
2013201168.tif 000009
【図８】
2013201168.tif 000010
【図９】
2013201168.tif 000011