(57)【要約】【課題】従来技術のように媒体層を使って２種類の異方性材料を結合させる必要がない導電パターン薄膜基材及びその製造方法を提供する。【解決手段】導電パターン薄膜基材の製造方法は、媒体層を使用せずに、パターンを有する本体と、薄膜層との２つの異方性材料を結合させる。導電パターン薄膜基材の製造方法は、溶射源を生成して加熱工程又はスプレー工程を行うステップＳ１１と、薄膜材料を加熱して溶射状態又は半溶射状態で薄膜分子へ変換するステップＳ１２と、本体上にパターンに応じてパターン層を形成するステップＳ１３と、溶射源が本体へ薄膜分子を噴射し、薄膜分子を有する薄膜層をパターン層へ形成するステップＳ１４とを含む。【選択図】図１
2013207087.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体層を使用せずに、パターンを有する本体と、薄膜層との２つの異方性材料を結合させる導電パターン薄膜基材の製造方法であって、
溶射源を生成して加熱工程又はスプレー工程を行うステップと、
薄膜材料を加熱して溶射状態又は半溶射状態で薄膜分子へ変換するステップと、
前記本体上には、前記パターンに応じてパターン層を形成するステップと、
前記溶射源は、前記本体へ前記薄膜分子を噴射し、前記薄膜分子を有する前記薄膜層を前記パターン層へ形成するステップと、を含む導電パターン薄膜基材の製造方法。
【請求項２】
前記パターン層又は前記薄膜層は、エッチング源によりポジ型エッチング又はネガ型エッチングを利用してエッチング及び整形のうちの少なくとも何れか１つを行い、
前記エッチング源は、レーザ刻印、機械加工及び化学エッチングのうちの少なくとも何れか１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の導電パターン薄膜基材の製造方法。
【請求項３】
前記本体上にマスク層を形成し、前記パターンに基づき、前記マスク層を利用して前記本体に前記パターン層を形成し、選択的に、前記パターン層を形成した後に前記マスク層を除去し、前記マスク層上に予めパターンを選択的に形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の導電パターン薄膜基材の製造方法。
【請求項４】
前記薄膜分子は、前記パターンを有するマスク層を介して前記パターン層に噴射されることを特徴とする請求項３に記載の導電パターン薄膜基材の製造方法。
【請求項５】
前記エッチング源は、前記本体をエッチングし、トレンチを有するパターン層を形成することを特徴とする請求項２に記載の導電パターン薄膜基材の製造方法。
【請求項６】
前記本体に対して表面処理を行って粗化処理し、前記本体と前記薄膜層との間の被覆特性を変えるステップをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の導電パターン薄膜基材の製造方法。
【請求項７】
前記表面処理は、サンドブラスト処理、化学粗化、レーザ刻印、機械加工又はコロナ放電処理により行うことを特徴とする請求項６に記載の導電パターン薄膜基材の製造方法。
【請求項８】
前記溶射源は、熱エネルギ及び電気エネルギのうちの少なくとも何れか１つを含む溶射法により、前記薄膜材料に対して溶射及び半溶射を行うことを特徴とする請求項１に記載の導電パターン薄膜基材の製造方法。
【請求項９】
第１の材料を有する本体と、
前記本体中に嵌入され、電気特性を得るパターンを有するパターン層と、
前記第１の材料と異なる第２の材料を有し、溶射源により第２の材料を前記パターン層へ直接形成し、前記パターン層により電気特性を有するパターンが形成された薄膜層と、を備えることを特徴とする導電パターン薄膜基材。
【請求項１０】
前記パターンは、アンテナパターン、電子回路パターン及びその他の形状のパターンのうちの少なくとも何れか１つであることを特徴とする請求項９に記載の導電パターン薄膜基材。
【請求項１１】
前記パターン層は、トレンチ状で前記本体上に形成され、
前記トレンチは、エッチング源によりエッチングされて整形され、
前記パターン層中の前記薄膜層の厚さは、前記トレンチの深さに等しいか小さいことを特徴とする請求項１０に記載の導電パターン薄膜基材。
【請求項１２】
前記第１の材料は、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリカーボネート（ＡＢＳ＋ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、セラミック、金属及びガラスからなる群から選ばれる一種以上を含み、
前記第２の材料は、亜鉛、銅、アルミニウム、金、鉄、ニッケル及びクロムからなる群から選ばれる一種以上を含むことを特徴とする請求項９に記載の導電パターン薄膜基材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電パターン薄膜基材及びその製造方法に関し、特に、本体（例えば、セラミック、プラスチック、高分子プラスチック、ガラス、金属などの材料からなる）上に導電パターン薄膜を形成する基材及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、３次元回路（３−ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ  ｃｉｒｃｕｉｔ）は、電子製品のケーシングに応用し、レーザー技術及びめっき技術により、ケーシング上にプリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ：ＰＣＢ）のような回路レイアウトを形成する。例えば、レーザー直接構造化技術（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｒｅｃｔ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ：ＬＤＳ）を利用してケーシング上にアンテナを製作する。
【０００３】
しかし、上述のレーザー直接構造化技術は、高コスト、煩雑な工程、低収率、めっき工程による環境汚染などの問題点がある。例えば、レーザー直接構造化技術では、高価な専用のプラスチック材料（例えば、変性プラスチック材料）を使用してレーザーマーキングを行ってから、３つのめっき工程（即ち、銅めっき、ネッケルめっき、金めっき）を施して３次元回路の回路レイアウトを完成させる必要がある。
【０００４】
上述の従来技術の問題点に鑑み、中被覆層（ｍｉｄｄｌｅ  ｃｏｖｅｒ  ｌａｙｅｒ）（例えば、金属導電粒子と高分子材料とを結合して形成した導電性ペースト（或いは、導電性塗料とも称する）からなる）を使用して前述のアンテナを製作するものがあるが、このようなアンテナ製造技術は、レーザー直接構造化技術において、専用のプラスチック材料をレーザ活性化させる工程を導電性ペーストにより代替するだけのものがほとんである。
【０００５】
専用のプラスチック材料を使用しなければならないという問題を解決することができるが、導電性ペーストを使用した場合、依然として欠点があった。この欠点とは、例えば、大量の溶剤、フィラー及び一部の高分子樹脂などの添加剤を依然として加える必要がある点であり、これらの添加剤は、導電金属粒子と結合されて大量の排気ガスが発生して環境を汚染させる虞がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そのため、従来技術の問題点を解決することができる導電パターン薄膜基材及びその製造方法が求められていた。
【０００７】
本発明の第１の目的は、媒体層の補助なしにパターンを有する本体と、薄膜層との２つの異方性材料を加工処理することができる導電パターン薄膜基材の製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の第２の目的は、本体上に形成した多次元の電気パターンにより、電気信号の送受信を行ったり、電磁波妨害（ａｎｔｉ−ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｄｉｓｔｕｒｂａｎｃｅ）を防いだり、電磁遮蔽（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ）を行ったり、熱伝導（ｈｅａｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ）を行ったりすることができる導電パターン薄膜基材を提供することにある。
【０００９】
本発明の第３の目的は、溶射源を利用して金属（例えば、亜鉛、銅、ステンレス、アルミニウム、金又はその他の金属）を瞬間的に溶かして微小な金属粒子（又は小分子）に変換するとともに、微小な金属粒子をパターン層を有する本体（例えば、プラスチック、プラスチックシート、セラミック材料、金属、ガラスなどの材料）へ直接噴射し、本体上へ分子を重ねて金属の薄膜層を形成して多次元のパターン層（例えば、アンテナパターン、電子回路パターン又はその他のパターン）により所望の電気特性を得る導電パターン薄膜基材及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態によれば、媒体層を使用せずに、パターンを有する本体と、薄膜層との２つの異方性材料を結合させる導電パターン薄膜基材の製造方法であって、溶射源を生成して加熱工程又はスプレー工程を行うステップと、薄膜材料を加熱して溶射状態又は半溶射状態で薄膜分子へ変換するステップと、前記本体上には、前記パターンに応じてパターン層を形成するステップと、前記溶射源は、前記本体へ前記薄膜分子を噴射し、前記薄膜分子を有する前記薄膜層を前記パターン層へ形成するステップと、を含む導電パターン薄膜基材の製造方法が提供される。
【００１１】
また、前記パターン層又は前記薄膜層は、エッチング源によりポジ型エッチング又はネガ型エッチングを利用してエッチング及び整形のうちの少なくとも何れか１つを行い、前記エッチング源は、レーザ刻印、機械加工及び化学エッチングのうちの少なくとも何れか１つを含むことが好ましい。
【００１２】
また、前記本体上にマスク層を形成し、前記パターンに基づき、前記マスク層を利用して前記本体に前記パターン層を形成し、選択的に、前記パターン層を形成した後に前記マスク層を除去し、前記マスク層上に予めパターンを選択的に形成するステップをさらに含むことが好ましい。
【００１３】
また、前記薄膜分子は、前記パターンを有するマスク層を介して前記パターン層に噴射されることが好ましい。
【００１４】
また、前記エッチング源は、前記本体をエッチングし、トレンチを有するパターン層を形成することが好ましい。
【００１５】
また、前記本体に対して表面処理を行って粗化処理し、前記本体と前記薄膜層との間の被覆特性を変えるステップをさらに含むことが好ましい。
【００１６】
また、前記表面処理は、サンドブラスト処理、化学粗化、レーザ刻印、機械加工又はコロナ放電処理により行うことが好ましい。
【００１７】
また、前記溶射源は、熱エネルギ及び電気エネルギのうちの少なくとも何れか１つを含む溶射法により、前記薄膜材料に対して溶射及び半溶射を行うことが好ましい。
【００１８】
上記課題を解決するために、本発明の第２の形態によれば、第１の材料を有する本体と、前記本体中に嵌入され、電気特性を得るパターンを有するパターン層と、前記第１の材料と異なる第２の材料を有し、溶射源により第２の材料を前記パターン層へ直接形成し、前記パターン層により電気特性を有するパターンが形成された薄膜層と、を備えることを特徴とする導電パターン薄膜基材が提供される。
【００１９】
また、前記パターンは、アンテナパターン、電子回路パターン及びその他の形状のパターンのうちの少なくとも何れか１つであることが好ましい。
【００２０】
また、前記パターン層は、トレンチ状で前記本体上に形成され、前記トレンチは、エッチング源によりエッチングされて整形され、前記パターン層中の前記薄膜層の厚さは、前記トレンチの深さに等しいか小さいことが好ましい。
【００２１】
また、前記第１の材料は、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリカーボネート（ＡＢＳ＋ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、セラミック、金属及びガラスからなる群から選ばれる一種以上を含み、前記第２の材料は、亜鉛、銅、アルミニウム、金、鉄、ニッケル及びクロムからなる群から選ばれる一種以上を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の導電パターン薄膜基材及びその製造方法は、ユーザ所望のパターン（例えば、アンテナパターン、電子回路パターン及び任意の形状パターン）に基づいて、本体（例えば、セラミック、プラスチック、高分子プラスチック、ガラス、金属などの材料からなる）に所定の機能を備えたパターン層を形成し、パターン層上に薄膜層（例えば、亜鉛、銅、アルミニウム、金、鉄、ニッケル及びクロムからなる群から選ばれる一種以上を含む金属）を直接形成し、パターン層を利用して薄膜層にパターンを有する電気特性を持たせることができるため、従来技術のように媒体層を使って２種類の異方性材料を結合させる必要はない。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る導電パターン薄膜基材の製造方法を示す流れ図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る導電パターン薄膜基材の製造方法を示す流れ図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る導電パターン薄膜基材の構造を示す斜視図である。
【図４】図３の本体がシール態様であるときの状態を示す模式図である。
【図５】図３のマスク層の構造を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、これによって本発明が限定されるものではない。
【００２５】
（第１実施形態）
図１を参照する。図１に示すように、本発明の第１実施形態に係る導電パターン薄膜基材の製造方法は、媒体層を利用しなくとも、パターン（ｐａｔｔｅｒｎ）を有する本体と、薄膜層との２つの異方性材料を結合させることができる。ここで本体とは、シールの形態、タブレット型パソコンのハウジング、ノート型パソコンのハウジング、手持ち式電子装置のハウジング又はその他電子製品のハウジングなどでもよい。
【００２６】
第１実施形態に係る導電パターン薄膜基材の製造方法は、ステップＳ１１において、溶射源（ｓｐｒａｙ  ｓｏｕｒｃｅ）を発生させて加熱工程又は噴射工程を行う。このステップＳ１１において、溶射源は、エネルギ態様の種類に応じて熱エネルギと電気エネルギとに分けられる。溶射源は、火炎溶射法、粉末火炎溶射法、線材火炎溶射法、棒材火炎溶射法、高速火炎溶射法、冷溶射法、非透過式プラズマアーク溶射法、線材及び電子式アーク溶射法、直流大気プラズマ溶射法（ＤＣ  ｐｌａｓｍａ  ｓｐｒａｙｉｎｇ）、高周波大気プラズマ溶射法又は真空プラズマ溶射法により生成される。
【００２７】
続いて、ステップＳ１２において、薄膜材料を加熱させることにより、薄膜材料を溶射状態又は半溶射状態にして薄膜材料を薄膜分子へ変換する。言い換えると、薄膜材料は、加熱作用により固体状の金属を金属分子に変換する。例えば、この金属は、純亜鉛、純銅、純アルミニウム、純金、純鉄、純ニッケル、純クロム又はその他の金属及び合金の組合せである。
【００２８】
ステップＳ１３において、本体上には、パターンに応じてパターン層（ｐａｔｔｅｒｎ  ｌａｙｅｒ）が形成されている。このステップでは、パターン設計に基づき、本体上にパターンに対応したパターン層を形成する。このパターンは、電気特性（又は電気性能）の必要に応じて設計してもよい。例えば、このパターンは、アンテナパターン、電子回路パターン又はその他任意の形状パターンである。
【００２９】
続いて、ステップＳ１４において、溶射源により本体へ薄膜分子を噴射し、薄膜分子を有する薄膜層をパターン層へ形成する。このステップにおいて、金属を有する薄膜分子を本体及び／又はパターン層へ噴射し（例えば、高速で噴射する）、金属特性を有する薄膜層でパターン層を覆うことにより、パターンに電気特性を持たせる。
【００３０】
例えば、このパターンをアンテナパターンのパターン層に設計する際、金属を有する薄膜分子をパターン層上へ噴射して被覆すると、電気信号を送受信することができる金属アンテナをパターン層へ形成することができる。
【００３１】
本実施形態のパターン層又は薄膜層は、エッチング源によりポジ型エッチング（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｅｔｃｈｉｎｇ）又はネガ型エッチング（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｅｔｃｈｉｎｇ）を利用してエッチング及び整形を行う。本実施形態では、本体上に所定の深さのトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）を有するパターン層をエッチングして整形する。言い換えると、パターン層にトレンチを形成することにより、本体上にパターン層を形成することができる。上述のエッチング源はレーザ刻印、機械加工又は化学エッチングでもよい。
【００３２】
ポジ型エッチングの定義は、薄膜分子をまず本体の表面全体に薄膜層を形成し、例えば、パターニングされていない薄膜層をエッチング源により除去し、パターニングされた薄膜層を残して薄膜層を有するパターン層を本体から突出させる。ネガ型エッチングの定義は、パターンに対応し、本体上をエッチング源でエッチングしてパターン層を形成し、パターン層上に薄膜分子を噴射して薄膜層を形成する。例えば、ネガ型エッチングは、パターンに応じてマスク層又はマスクケース（ｍａｓｋ  ｃａｓｅ）を利用し、例えば、レーザ刻印、機械加工又は化学エッチングによりパターン層を形成する。
【００３３】
（第２実施形態）
図２を参照する。図２に示すように、本発明の第２実施形態に係る導電パターン薄膜基材の製造方法は、前述のステップＳ１１〜Ｓ１４以外に、ステップＳ２１を含む。このステップＳ２１では、本体上にパターンを有するマスク層（ｍａｓｋ  ｌａｙｅｒ）を形成し、エッチング源によりパターンに基づいてマスク層をエッチングして本体にパターン層を形成する。このステップには、複数の実態態様が含まれる。複数の実施態様のうちの実施態様１では、まず、マスク層又はマスクケースに、パターンに対応した開口（ａｐｅｒｔｕｒｅ）を形成し、本体上をマスク層で覆い、開口を介してエッチング源で本体に対してエッチングを行い、本体上にパターン層を形成する。実施態様２では、マスク層（又はマスクケース）で本体上を覆い、マスク層上に所望のパターンを形成したり、付加的なパターンを形成したりし、エッチング源によりマスク層にパターニングを行ったり、本体上にパターン層を形成したりする。例えば、マスク層は、テープ、印刷、液体スプレー塗装、浸漬塗装、シャワー塗装又はマスクケースなどを利用して本体上にパターン層を形成するマスク方式を利用してもよい。
【００３４】
ここで、パターン層が完成した後にマスク層を選択的に除去する。
【００３５】
このマスク層は、ステップＳ１４において、噴射する薄膜分子の量を節減することができる。節減することができる理由は、本体上に形成するパターン層の部分のみに薄膜分子を正確に噴射して、必要のないその他の部分に薄膜分子を噴射しないためである。
【００３６】
本実施形態の導電パターン薄膜基材の製造方法は、ステップＳ２２をさらに含む。このステップＳ２２では、まず、本体に対して表面処理を行って粗化処理し、本体と薄膜層との間の被覆特性を変える。このステップにおいて、本体の表面に対してサンドブラスト処理（ｓａｎｄｂｌａｓｔｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）、化学粗化、レーザ刻印、機械加工又はコロナ放電処理（ｃｏｒｏｎａ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  ｐｒｏｃｅｓｓ）により表面処理を行って本体と薄膜層との間の被覆性を高める。
【００３７】
上述のステップによると、以下数種類の製造工程を組み合わせることができるが、本発明の態様はこれらの例だけに限定されるわけではない。
【００３８】
（製造工程の組み合わせ態様１）
本体→マスク塗料→マスク層に基づいてパターンをレーザ刻印する→溶射源→残存するマスク塗料を除去する
（製造工程の組み合わせ態様２）
本体→溶射源→レーザ刻印
（製造工程の組み合わせ態様３）
本体→溶射源→化学エッチング
（製造工程の組み合わせ態様４）
本体→パターンのマスク治具を形成する→溶射源→パターンのマスク治具を取り外す
（製造工程の組み合わせ態様５）
本体→マスク治具→溶射源→パターンのマスク治具を取り外す→レーザトリミング（ｌａｓｅｒ  ｔｒｉｍｍｉｎｇ）
（製造工程の組み合わせ態様６）
本体→マスク層の封止（例えば、紙テープ）→レーザ刻印→溶射源→封止材料の除去
（製造工程の組み合わせ態様７）
本体→マスク塗料の印刷→溶射源→マスク塗料の除去
（製造工程の組み合わせ態様８）
本体→上マスク治具→マスク塗料のスプレー塗装→下マスク治具→溶射源→塗料の除去
図３を参照する。図３に示すように、導電パターン薄膜基材２は、本体４、パターン層６及び薄膜層８を含む。本体４は、第１の材料を含む。この第１の材料は、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリカーボネート（ＡＢＳ＋ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、セラミック、金属及びガラスからなる群から選ばれる一種以上を含む。この本体４は、例えば、電子製品のハウジング（図３参照）又はシール態様（図４参照）でもよい。
【００３９】
パターン層６は、本体４内へ嵌入されて、電気特性を発生させるパターン６２を有してもよい。このパターン６２は、アンテナパターン、電子回路パターン又はその他任意の形状でもよい。このパターン層６は、以下数種類の態様により形成してもよい。
【００４０】
（第１態様）
エッチング源により本体４上を直接エッチングし、パターン６２を有するパターン層６を形成する。
【００４１】
（第２態様）
パターン６２が形成されたマスク層１０を介し（図５参照）、エッチング源によりマスク層１０上のパターン６２を介してエッチングを行ってパターン層６を形成し、パターン層６が完成した後にマスク層１０を選択的に除去する。
【００４２】
（第３態様）
マスク層１０は、外部のパターン６２によりマスク層１０及び／又は本体４上に、パターン６２を有するパターン層６を形成する。
【００４３】
（第４態様）
パターン６２’は、矩形状を例に説明する。パターン６２’は、本体４上に矩形状のパターン層６’を直接形成する。
【００４４】
第１態様〜第３態様では、例えば、アンテナ又は電子回路を有するパターン層６を本体４上に形成する。本実施形態のエッチング源は、パターン６２に基づき、本体４において、エッチングして整形し、パターン層６を形成する。本実施形態のパターン層６は、トレンチ状に本体４に形成する。薄膜層８が形成されるパターン層６の厚さは、トレンチの深さに等しいか小さい。
【００４５】
第４態様では、例えば、本体４の形状をパターン層６’の形状と同じにする。例えば、本体４はテープ態様であり、パターン層６’は、本体４と類似した形状及び大きさを有する。
【００４６】
また、薄膜層８は、第１の材料と異なる第２の材料を有し、溶射源により本体４にパターン層６’を直接形成し、薄膜層８によりパターン層６に基づいてパターン６２に電気特性を与える。例えば、第２の材料は、亜鉛、銅、アルミニウム、金、鉄、ニッケル及びクロムからなる群から選ばれる一種以上を含む。第２の材料は、粉末、線材及び棒材から構成される。薄膜層８は、前述の方法により得た溶射源により、第２の材料を有する分子を蒸着して形成する。
【００４７】
本実施形態の薄膜層８の形成方式は、複数回繰り返すことにより１種類又は多種類の第２の材料により薄膜層８を得る。例えば、薄膜層８は、純亜鉛及び純銅を重ねて薄膜層を得てもよい。
【００４８】
本実施形態では、溶射源工程を行う前に、本体４の表面又は表面上のパターン層６に対し、例えば、サンドブラスト処理、化学粗化、レーザ刻印、機械加工又はコロナ放電処理により表面処理を行って粗化を行い、ラジカル（ｒａｄｉｃａｌ）を発生させて薄膜層８の被覆力（又は付着力）を高める。ここで、サンドブラスト処理、化学粗化、レーザ刻印、機械加工又はコロナ放電処理は、本体４の材料の違いに応じて選択してもよい。しかし、ここで一部の本体４（例えば、上釉処理していないセラミック又は一部のプラスチック薄膜材料）は、本体４の表面の毛細孔が比較的大きく、表面処理を行わなくとも同様の効果を得たり、直接溶射源の動作を行ったりしてもよい。
【００４９】
上述したことから分かるように、本発明の導電パターン薄膜基材及びその製造方法は、ユーザが設計したパターンに基づき、機能性を有するパターン層を本体に形成するとともにパターン層上に薄膜層を直接形成し、パターン層に基づいて薄膜層にパターンの電気特性を持たせることができるため、従来技術のように媒体層により異方性を有する本体と薄膜層とを結合させる必要はない。
【００５０】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と領域を逸脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００５１】
２  導電パターン薄膜基材
４  本体
６  パターン層
６’  パターン層
８  薄膜層
１０  マスク層
６２  パターン
６２’  パターン
【図１】
2013207087.tif 000003
【図２】
2013207087.tif 000004
【図３】
2013207087.tif 000005
【図４】
2013207087.tif 000006
【図５】
2013207087.tif 000007