(57)【要約】【課題】成膜時における防着板の変形を抑制する。【解決手段】本発明に係る除電シールド６は、基板にターゲットの微粒子を堆積して薄膜を形成するスパッタリング装置に用いられ、対向状態にある基板とターゲットとの間に配置されると共に、ターゲットの微粒子を基板に向けて通過させるための開口部６ａが形成された除電シールド６であって、開口部６ａの全周に沿って補強リブ６１が設けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にターゲット材の微粒子を堆積して薄膜を形成するスパッタリング装置に用いられ、対向状態にある前記基板と前記ターゲット材との間に配置されると共に、前記ターゲット材の微粒子を前記基板に向けて通過させるための開口部が形成された防着板であって、
前記開口部の全周に沿って補強リブが設けられていることを特徴とする防着板。
【請求項２】
前記補強リブは、前記開口部を規定する各辺に対応してそれぞれ設けられており、かつ、対応する前記各辺と前記補強リブとは、並列に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の防着板。
【請求項３】
前記開口部を規定する１つの辺に対応する前記補強リブは、当該辺に隣接する他の辺に対応する補強リブと連結されていることを特徴とする請求項１または２に記載の防着板。
【請求項４】
前記開口部は、長手方向を有する矩形形状であり、
少なくとも前記開口部の長手方向に沿った面に設けられた前記補強リブは、梯子状または格子状であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の防着板。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の防着板を備えることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項６】
前記ターゲット材は、銀であることを特徴とする請求項５に記載のスパッタリング装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載のスパッタリング装置を備えることを特徴とする薄膜太陽電池の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に薄膜を形成するスパッタリング装置に用いられる防着板に関し、より詳細には、成膜時に発生する熱などの影響による変形を抑制可能な防着板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板に薄膜を形成するスパッタリング装置において、成膜時に電界励起したターゲットの微粒子が、チャンバの側面などに付着・堆積することを防止するために、薄膜が形成される基板の被処理面以外の部分を覆うための防着板が用いられている（特許文献１参照）。
【０００３】
図５は、従来の防着板１０６を備えたスパッタリング装置１０１の要部構成を示す断面図であり、図６は、図５に示される防着板１０６を示す平面図である。
【０００４】
図５に示されるように、スパッタリング装置１０１では、基板Ｓは、搬送ローラ１０３によってターゲットＴの下方に搬送方向Ｘの向きで搬送される。また、図６に示されるように、防着板１０６にはターゲットＴの微粒子を通過させるための開口部１０６ａが形成されており、対向状態にあるターゲットＴと基板Ｓとの間に、この開口部１０６ａが位置するように防着板１０６が配置される。
【０００５】
このように、ターゲットＴと基板Ｓとの間に、基板Ｓの被処理面Ｓ１以外の部分を覆うように防着板１０６を配置することにより、成膜時に電界励起したターゲットＴの微粒子が、基板Ｓ以外の部分に付着・堆積することを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２２６９６５号公報（２００２年０８月１４日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、成膜時において、チャンバ１０２は高温となるので、その影響により防着板１０６が変形して、下方に垂れ下がることがある。
【０００８】
また、成膜処理の回数を重ねることで、防着板１０６にターゲットＴの微粒子が付着・堆積していく。特に、防着板１０６中心に近い、開口部１０６ａの長辺に沿った防着板１０６の面の中央部分（図６に示される破線部分）により多くのターゲットＴの微粒子が堆積する。そのため、防着板１０６の当該中央部分の重量が増えて、その重みで防着板１０６が変形して、下方に垂れ下がることがある。
【０００９】
図７は、図５に示される従来の防着板１０６が変形した状態を示す概略図である。なお、図７では、図５および図６に示される搬送方向Ｘの方向から見たときの、防着板１０６の状態を示している。図７に示されるように、防着板１０６は、その長辺が搬送方向Ｘに対して直交する向きで基板Ｓの上方に配置されると共に、短辺側両端部の下面を支持部１０７によって支持されている。
【００１０】
上述した成膜時に発生する熱やターゲットＴの微粒子の付着・堆積など影響によって、図６に示される破線部分が変形して、防着板１０６が下方に垂れ下がった場合、防着板１０６の直下を通過する基板Ｓの被処理面Ｓ１に、垂れ下がった防着板１０６が接触することがある。その結果、従来の防着板１０６を用いたスパッタリング装置１０１では、基板Ｓの被処理面Ｓ１に形成された薄膜の膜面に傷が付き、外観不良が連続して発生するという課題を有している。
【００１１】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、成膜時における変形を抑制して、基板との接触による薄膜の損傷を防止することが可能な防着板を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る防着板は、上記従来の課題を解決するために、基板にターゲット材の微粒子を堆積して薄膜を形成するスパッタリング装置に用いられ、対向状態にある前記基板と前記ターゲット材との間に配置されると共に、前記ターゲット材の微粒子を前記基板に向けて通過させるための開口部が形成された防着板であって、前記開口部の全周に沿って補強リブが設けられていることを特徴とする。
【００１３】
上記の構成では、防着板の開口部の全周に沿って補強リブが設けられているので、成膜時に発生する熱や、ターゲット材の微粒子の付着・堆積などによって、防着板が変形することを抑制することが可能となる。
【００１４】
従って、上記の構成によれば、成膜時における変形を抑制して、基板との接触による薄膜の損傷を防止することが可能な防着板を実現することができる。
【００１５】
また、本発明に係る防着板では、前記補強リブは、前記開口部を規定する各辺に対応してそれぞれ設けられており、かつ、対応する前記各辺と前記補強リブとは、並列に設けられていることが好ましい。
【００１６】
上記の構成では、補強リブは、開口部を規定する各辺に対応してそれぞれ設けられており、かつ、対応する前記各辺と前記補強リブとは、並列に設けられているため、開口部を形成したことによって強度が低下した防着板の部位を、効果的に補強することが可能となる。
【００１７】
従って、上記の構成によれば、補強リブによって、防着板の変形を効果的に抑制することができる。
【００１８】
また、本発明に係る防着板では、前記開口部を規定する１つの辺に対応する前記補強リブは、当該辺に隣接する他の辺に対応する補強リブと連結されていることが好ましい。
【００１９】
上記の構成によれば、開口部を規定する１つの辺に対応する補強リブは、当該辺に隣接する他の辺に対応する補強リブと連結されているため、防着板の強度をより一層向上させることができる。
【００２０】
また、本発明に係る防着板では、前記開口部は、長手方向を有する矩形形状であり、少なくとも前記開口部の長手方向に沿った面に設けられた前記補強リブは、梯子状または格子状であることが好ましい。
【００２１】
上記の構成では、開口部の長手方向に沿った面に、補強リブが梯子状または格子状に設けられている。ここで、長手方向を有する矩形形状の開口部が形成された防着板では、通常、開口部の長手方向に沿った防着板の面の中央部が最も変形し易い。そのため、当該面上に補強リブを梯子状または格子状に設けることにより、この部位の強度を大きく向上させることができる。
【００２２】
従って、上記の構成によれば、長手方向を有する矩形形状の開口部が形成された防着板の変形を効果的に抑制することができる。
【００２３】
本発明に係るスパッタリング装置は、上記の課題を解決するために、上記防着板を備えることを特徴としている。
【００２４】
上記の構成によれば、成膜時における防着板の変形を抑制して、防着板と基板との接触による薄膜の損傷を防止することが可能なスパッタリング装置を実現することができる。
【００２５】
また、本発明に係るスパッタリング装置では、前記ターゲット材は、銀であることが好ましい。
【００２６】
一般的に、銀（Ａｇ）は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの物質に比べて、防着板の表面に付着・堆積し易く、さらに、回り込みも大きい性質を有するので、ターゲット材として、銀（Ａｇ）を用いた場合、防着板の両面に銀（Ａｇ）の微粒子が付着・堆積することで、防着板の重みと厚みとが増すことになる。そのため、銀（Ａｇ）の薄膜を形成するスパッタリング装置において、防着板の変形が特に起こり易く、その結果、防着板と基板との接触による薄膜の損傷が多発する。
【００２７】
従って、ターゲット材に銀（Ａｇ）を用いて、基板に銀（Ａｇ）の薄膜を形成するスパッタリング装置に、上記の防着板を適用することにより、成膜時における防着板の変形を抑制して、防着板と基板との接触による薄膜の損傷を防止することができるので特に有効である。
【００２８】
本発明に係る薄膜太陽電池の製造装置は、上記の課題を解決するために、上記スパッタリング装置を備えることを特徴としている。
【００２９】
一般的に、薄膜太陽電池の製造には、各辺が１．０ｍ以上のサイズの基板が使用されるので、基板のサイズに対応した開口部を形成するために、大型の防着板が用いられる。これに伴い、防着板の自重が増すので、成膜時に発生する熱や、ターゲット材の微粒子の付着・堆積などによって、防着板が変形し易くなる。
【００３０】
そこで、薄膜太陽電池の製造装置に、上記の防着板を適用することにより、成膜時における防着板の変形を抑制して、防着板と基板との接触による薄膜の損傷を防止することができるので特に有効である。
【００３１】
従って、上記の構成によれば、成膜時における防着板の変形を抑制して、防着板と基板との接触による薄膜の損傷を防止することが可能な薄膜太陽電池の製造装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００３２】
以上のように、本発明に係る防着板は、基板にターゲット材の微粒子を堆積して薄膜を形成するスパッタリング装置に用いられ、対向状態にある前記基板と前記ターゲット材との間に配置されると共に、前記ターゲット材の微粒子を前記基板に向けて通過させるための開口部が形成された防着板であって、前記開口部の全周に沿って補強リブが設けられている構成である。
【００３３】
それゆえ、本発明に係る防着板によれば、成膜時における変形を抑制して、基板との接触による薄膜の損傷を防止することが可能な防着板を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】実施形態に係るスパッタリング装置の要部構成を示す断面図である。
【図２】薄膜太陽電池の膜構造を示す断面図である。
【図３】図１に示される除電シールドの外観構成を示す平面図である。
【図４】比較実験に用いた除電シールドの外観構成を示す平面図である。
【図５】従来の防着板を備えたスパッタリング装置の要部構成を示す断面図である。
【図６】図５に示される従来の防着板を示す平面図である。
【図７】図５に示される従来の防着板が変形した状態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
本発明に係る防着板の実施形態の一例について、図１〜図４に基づいて説明すれば、以下のとおりである。本実施形態では、本発明に係る防着板を備えたスパッタダウン方式のスパッタリング装置について説明する。
【００３６】
＜スパッタリング装置１の構成＞
まず、本実施形態に係るスパッタリング装置１の要部構成について、図１〜図３を参照して説明する。図１は、本実施形態に係るスパッタリング装置１の要部構成を示す断面図である。
【００３７】
図１に示されるように、スパッタリング装置１は、チャンバ２と、複数の搬送ローラ３と、ヘッド４と、ヒータ５と、除電シールド（防着板）６とを備えている。以下、スパッタリング装置１が備える各構成について、順に説明する。
【００３８】
（チャンバ２）
チャンバ２は、搬送ローラ３によって搬入された基板Ｓの被処理面（上面）Ｓ１に対して、成膜処理を行うための空間である。チャンバ２は、高真空排気装置（図示省略）などによって、大気圧より減圧され、真空状態に維持されている。
【００３９】
チャンバ２の側面の一つには、図中の矢印で示される搬送方向Ｘに向けて搬送される基板Ｓを、チャンバ２内に搬入するための搬入口２１が形成されている。また、搬入口２１が形成された側面と対向するチャンバ２の側面には、基板Ｓを搬出するための搬出口２２が形成されている。搬入口２１および搬出口２２には、搬入用扉２３または搬出用扉２４がそれぞれ取り付けられており、搬入用扉２３および搬出用扉２４によって、チャンバ２と外部とが、室間的に分離されている。
【００４０】
なお、チャンバ２は、チャンバ２内を真空状態に維持して大気に開放しないために、搬入口２１および搬出口２２が、それぞれロードロックチャンバ（図示省略）に連結されていてもよい。チャンバ２をロードロックチャンバに連結し、ロードロックチャンバ内が真空になった状態で、搬入用扉２３または搬出用扉２４の開閉を行うことで、チャンバ２内を真空状態に維持したまま、チャンバ２への基板Ｓの搬入、またはチャンバ２からの搬出を行うことができる。
【００４１】
また、チャンバ２は、エッチング処理を施すためのエッチング装置、或いは、他のスパッタリング装置に連結されていてもよい。
【００４２】
（搬送ローラ３）
搬送ローラ３は、チャンバ２に搬入された基板Ｓを、被処理面Ｓ１を上方に向けた状態で載置して、搬送方向Ｘに向かって搬送する水平搬送型の搬送機構である。各搬送ローラ３は、水平方向に並んで平行に配設されており、搬入口２１から搬出口２２に向けて基板Ｓを搬送する。
【００４３】
また、搬送ローラ３は、搬送ローラ３を回転駆動させるモータなどの駆動部（図示省略）に接続されており、その回転が制御される。
【００４４】
なお、本実施形態では、基板Ｓを搬送する搬送機構を、複数の搬送ローラ３を用いて実現しているが、搬送ローラ３以外にも、例えば、基板Ｓを下方から担持する搬送アーム、ベルトコンベアなどを用いて搬送機構を実現してもよい。
【００４５】
（ヘッド４）
ヘッド４は、ターゲット（ターゲット材）Ｔを構成する原子または分子などの微粒子を、下方に配置された基板Ｓの被処理面Ｓ１に向けて放出するものである。ターゲットＴには、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、銀（Ａｇ）などが用いられる。ヘッド４は、チャンバ２の上面に設けられており、電極シールド４１と、磁石４２とを備えている。
【００４６】
電極シールド４１は、スパッタリング時の放電空間を、基板Ｓが配置される空間に制限するためのものであり、ターゲットＴの側面側に設けられている。
【００４７】
また、スパッタリング装置１では、成膜速度を向上させるために、ターゲットＴの表面に磁界を作用させるマグネトロンスパッタ方式を採用しており、ターゲットＴの上部には、磁石４２が取り付けられている。
【００４８】
さらに、ヘッド４には、スパッタリングに必要な放電を発生させるための高周波の電源４３が、配線４４を介して接続されており、ヘッド４と電源４３との間には、ノイズカットのためのローパスフィルタ４５が設けられている。
【００４９】
（ヒータ５）
ヒータ５は、ヘッド４の下方に搬送された基板Ｓを、所定の温度まで加熱するものである。ヒータ５は、使用されるターゲットＴの種類に応じて、適宜、最適な温度に設定可能であり、基板Ｓの被載置面（下面）Ｓ２側から、基板Ｓを加熱できるように配置されている。
【００５０】
（除電シールド６）
除電シールド６は、成膜時に電界励起したターゲットの微粒子が、チャンバ２の側面など基板Ｓ以外の部分に付着・堆積することを防止すると共に、ターゲットＴの近傍に発生するプラズマ放電の広がりを抑制するものである。
【００５１】
除電シールド６には、ターゲットＴの微粒子を基板Ｓの被処理面Ｓ１に向けて通過させるための開口部６ａ（図３を参照）が形成されており、対向状態にあるターゲットＴと基板Ｓとの間に、この開口部６ａが位置するように配置される。具体的には、除電シールド６は、その長辺が搬送方向Ｘに対して直交する向きで配置されており、短辺側両端部の下面を支持部（図示省略によって支持されている。
【００５２】
除電シールド６によって、基板Ｓの被処理面Ｓ１以外の部分を覆うように除電シールド６を配置することにより、成膜時に電界励起したターゲットＴの微粒子が基板Ｓ以外の部分に付着・堆積することを防止することができる。
【００５３】
また、除電シールド６を、アルマイト（アルミニウム表面陽極酸化）やステンレス合金などの金属から構成することで、ターゲットＴの近傍に発生するプラズマ放電の広がりを抑制することができる。
【００５４】
本実施形態では、除電シールド６は、ターゲットＴから３．０ｃｍ以上、５．０ｃｍ以下程度の間隔をおいて、支持部（図示省略）によって支持されている。また、除電シールド６は、基板Ｓの被処理面Ｓ１から１．０ｃｍ以上、２．０ｃｍ以下程度の間隔をおいて、支持部によって支持されている。
【００５５】
ここで、スパッタリング装置１を、例えば、薄膜太陽電池の製造に用いた場合を例にして説明する。図２は、薄膜太陽電池３０の膜構造を示す断面図である。図２に示されるように、薄膜太陽電池３０は、基板Ｓ上に、表面電極３１と、光電変換層３２と、透明導電層３３と、裏面電極層３４とが、この順で積層された構造である。
【００５６】
このような膜構造を有する薄膜太陽電池３０の製造にスパッタリング装置１を用いた場合、成膜時において、チャンバ２は高温となり、除電シールド６は、１３０℃以上、１６００℃以下程度まで加熱される。そのため、この熱による影響で除電シールド６が膨張し、自重によって下方に垂れ下がるように変形することがある。
【００５７】
特に、薄膜太陽電池の製造では、各辺が１．０ｍ以上のサイズの基板Ｓが一般的に使用される。従って、このようなサイズの基板Ｓに対応した開口部６ａの長辺も１．０ｍ以上となり、当該開口部６ａを形成できる大型の除電シールド６を用いる必要がある。そのため、除電シールド６の自重が増すので、成膜時に発生する熱などによって、除電シールド６が変形し易くなる。
【００５８】
また、成膜処理の回数を重ねることで、除電シールド６にターゲットＴの微粒子が付着・堆積する。特に、裏面電極層３４の成膜に用いられる銀（Ａｇ）は、透明導電層３３の成膜に用いられる酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの物質と比べて除電シールド６に付着・堆積し易く、さらに、回り込みも大きい性質を有する。
【００５９】
そのため、裏面電極層３４を成膜する場合、除電シールド６の両面に銀（Ａｇ）の微粒子が付着・堆積することで、除電シールド６の重みと厚みとが増すことになる。これに伴い、上述した除電シールド６の変形が助長される。
【００６０】
このように、成膜時に発生した熱や、銀（Ａｇ）などの微粒子の付着・堆積の影響によって除電シールド６が変形して、下方に垂れ下がった場合、除電シールド６の直下（１．０ｃｍ以上、２．０ｃｍ以下程度）を通過する基板Ｓの被処理面Ｓ１に、垂れ下がった除電シールド６が接触する。そのため、基板Ｓに形成された銀（Ａｇ）の薄膜の膜面に傷が付き、外観不良が連続して発生する現象が起こる。
【００６１】
そこで、本実施形態に係る除電シールド６では、成膜時における熱や、ターゲットＴの微粒子の付着・堆積などによって生じる除電シールド６の変形を防止するために、除電シールド６の開口部６ａの全周に沿って補強リブ６１を設けている。
【００６２】
図３は、図１に示される除電シールド６の外観構成を示す平面図である。図３に示されるように、除電シールド６は、長方形の板状部材であり、ターゲットＴの微粒子を基板Ｓの被処理面Ｓ１に向けて通過させるための開口部６ａが中央部に形成されている。本実施形態では、基板Ｓの被処理面Ｓ１が長方形であることに対応して、ほぼ同じサイズの長方形形状（長手方向を有する矩形形状）の開口部６ａが形成されている。
【００６３】
また、上述した成膜時における熱や、ターゲットＴの微粒子の付着・堆積などによって生じる除電シールド６の変形を防止するために、除電シールド６には、開口部６ａの全周に沿って補強リブ６１が設けられている。
【００６４】
本実施形態では、除電シールド６全体を囲むように、除電シールド６の外縁部に連続した補強リブ６１が設けられている。
【００６５】
また、除電シールド６の面上には、開口部６ａを規定する各辺と並列に、当該各辺に対応する補強リブ６１がそれぞれ設けられている。補強リブ６１は、それぞれが隣接する補強リブ６１に連結されることで、開口部６ａを囲う枠状の補強リブ６１を形成している。
【００６６】
このような補強リブ６１を設けることにより、開口部６ａを形成したことによって強度が低下した除電シールド６の部位を効果的に補強して、除電シールド６の変形を抑制することができる。
【００６７】
また、除電シールド６には、開口部６ａを規定する２つの長辺に沿って、補強リブ６１が梯子状にそれぞれ設けられている。ここで、本実施形態のように、長方形形状の開口部６ａが形成された除電シールド６では、通常、開口部６ａの長辺に沿った面の中央部に最も荷重がかかるので、当該中央部が最も変形し易い。そのため、当該中央部を含む面上に補強リブ６１を梯子状または格子状に設けることにより、この部位の強度を大きく向上させることができる。
【００６８】
従って、上記の構成によれば、長手方向を有する矩形形状の開口部が形成された除電シールド６の変形を効果的に抑制することができる。
【００６９】
また、本実施形態のように、除電シールド６に設けられた補強リブ６１を、それぞれ連結することにより、除電シールド６の強度を向上させることができる。
【００７０】
なお、除電シールド６に設けられた補強リブ６１の配置は、特に限定されず、開口部６ａの全周に沿った除電シールド６上に補強リブ６１がそれぞれ設けられていればよい。従って、除電シールド６の形状、サイズ、材質、形成される開口部６ａの形状などの各種の要素に基づいて、適宜変更可能である。
【００７１】
＜比較実験＞
次に、本実施形態に係る除電シールド６を用いた比較実験について、図４を参照して説明する。
【００７２】
図４は、比較実験に用いた除電シールド１６の外観構成を示す平面図である。図３に示される本実施形態に係る除電シールド６は、開口部６ａの全周に沿って補強リブ６１が設けられた構成である。これに対して、比較実験で用いた除電シールド１６は、図４に示されるように、開口部１６ａを規定する各辺のうち、開口部１６ａの対向する２つの長辺のみに沿って補強リブ６２が設けられており、対向する２つの長２つの短辺に沿って補強リブ６２が設けられていない点で、本実施形態に係る除電シールド６と大きく異なる。
【００７３】
具体的には、除電シールド１６には、除電シールド１６の外縁部のうち、長辺側に補強リブ６２がそれぞれ設けられており、短辺側には補強リブ６２が設けられていない。
【００７４】
また、開口部１６ａの対向する２つの長辺に沿った除電シールド１６の面上には、開口部１６ａの長辺と直交する方向に並んだ３つの補強リブ６２がそれぞれ設けられており、除電シールド１６の外縁部に設けられた補強リブ６１に連結されている。
【００７５】
なお、除電シールド６と比較例である除電シールド１６とは、補強リブ６１が配置構成のみが異なっており、その他の構成は同一である。
【００７６】
本比較実験では、比較例である除電シールド１６を備えた薄膜太陽電池の製造装置（スパッタリング装置）、および本実施形態に係る除電シールド６を備えた薄膜太陽電池の製造装置（スパッタリング装置）を用いて、図２に示される裏面電極層３４を実際に形成した。
【００７７】
比較例である除電シールド１６を備えた薄膜太陽電池の製造装置に用いて、基板Ｓに銀（Ａｇ）の薄膜を形成した場合、一定時間が経過した時点で除電シールド１６の膨張および銀（Ａｇ）の微粒子の付着・堆積が確認され、その後、成膜処理の回数を重ねるにつれて、除電シールド１６が下方に垂れ下がるように徐々に変形した。
【００７８】
その結果、比較例である除電シールド１６を備えた薄膜太陽電池の製造装置では、所定時間が経過した時点で、除電シールド１６と基板Ｓとが接触して、基板Ｓに形成された薄膜の膜面に傷が付き、外観不良が連続して発生する現象が起こった。
【００７９】
これに対して、本実施形態に係る除電シールド６を備えた薄膜太陽電池の製造装置を用いて、同条件で基板Ｓに銀（Ａｇ）の薄膜を形成した場合、一定時間が経過した時点で、除電シールド６の膨張および銀（Ａｇ）の微粒子の付着・堆積が確認されたが、その後、成膜処理の回数を重ねても、基板Ｓと接触するほどの除電シールド６の変形は見られなかった。
【００８０】
その結果、本実施形態に係る除電シールド６を備えた薄膜太陽電池の製造装置では、除電シールド６の変形が抑制され、所定時間が経過しても、基板Ｓに形成された薄膜の膜面に傷が付き、外観不良が連続して発生する現象を回避することができた。
【００８１】
この比較実験により、除電シールド６によれば、成膜時における変形を抑制して、除電シールド６と基板Ｓとの接触による薄膜の損傷を防止することが可能であることが確認された。
【００８２】
＜実施形態の総括＞
以上のように、本実施形態に係る除電シールド６は、基板ＳにターゲットＴの微粒子を堆積して薄膜を形成するスパッタリング装置１に用いられ、対向状態にある基板ＳとターゲットＴとの間に配置されると共に、ターゲットＴの微粒子を基板Ｓに向けて通過させるための開口部６ａが形成された除電シールド６であって、開口部６ａの全周に沿って補強リブ６１が設けられている。
【００８３】
この構成では、除電シールド６の開口部６ａの全周に沿って補強リブ６１が設けられているので、成膜時に発生する熱や、ターゲットＴの微粒子の付着・堆積などによって、除電シールド６が変形することを抑制することが可能となる。
【００８４】
従って、本実施形態によれば、成膜時における変形を抑制して、除電シールド６と基板Ｓとの接触による薄膜の損傷を防止することが可能な除電シールド６を実現することができる。
【００８５】
本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法などの成膜装置に好適に使用することができる。
【符号の説明】
【００８７】
１    スパッタリング装置
２    チャンバ
３    搬送ローラ
４    ヘッド
５    ヒータ
６    除電シールド（防着板）
６ａ  開口部
１６    除電シールド（防着板）
３０    薄膜太陽電池
６１    補強リブ
６２    補強リブ
Ｓ    基板
Ｓ１  被処理面
Ｓ２  被載置面
Ｔ    ターゲット（ターゲット材）
Ｘ    搬送方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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