(57)【要約】【課題】誘電体組成物及びセラミック電子部品に関する。【解決手段】本組成物は、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末；母材粉末１００モルに対し原子価可変アクセプタ元素酸化物又は炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％（ｘ）を含む第１副成分；母材粉末１００モルに対し原子価固定アクセプタ元素酸化物又は炭酸塩０．０１〜３．０ａｔ％（ｙ）を含む第２副成分；母材粉末１００モルに対しセリウムｚ  ａｔ％及び他の１以上の希土類元素ｗ  ａｔ％の酸化物又は炭酸塩を含み、０．０１≦ｚ≦ｘ＋４ｙ及び０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ＋４ｙである第３副成分；バリウム、カルシウム、アルミニウム及び／又はケイ素を含む酸化物又は炭酸塩、またはケイ素を含むガラスのうち少なくとも１つを含む第４副成分；母材粉末１００モルに対しジルコニウム酸化物０．０１〜１０．０ａｔ％を含む第５副成分；を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、
前記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価可変アクセプタ（ｖａｒｉａｂｌｅ−ｖａｌｅｎｃｅ  ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％（ｘ）を含む第１副成分と、
前記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ  ｖａｌｅｎｃｅ  ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素酸化物または炭酸塩０．０１〜３．０ａｔ％（ｙ）を含む第２副成分と、
前記母材粉末１００モルに対して、セリウム（Ｃｅ）ｚ  ａｔ％及び他の一つ以上の希土類元素ｗ  ａｔ％の酸化物または炭酸塩を含み、０．０１≦ｚ≦ｘ＋４ｙ及び０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ＋４ｙである第３副成分と、
バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）のうち少なくとも１つを含む少なくとも１つの酸化物または炭酸塩、またはケイ素（Ｓｉ）を含むガラス（ｇｌａｓｓ）のうち少なくとも１つを含む第４副成分と、
前記母材粉末１００モルに対して、ジルコニウム（Ｚｒ）酸化物０．０１〜１０．０ａｔ％を含む第５副成分と、を含む誘電体組成物。
【請求項２】
前記第４副成分は、前記母材粉末１００モルに対して０．１〜８．０モル含まれることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項３】
前記第１副成分の原子価可変アクセプタ元素は、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）及び亜鉛（Ｚｎ）からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項４】
前記第２副成分の原子価固定アクセプタ元素は、マグネシウム（Ｍｇ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項５】
前記第３副成分の希土類元素は、イットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）及びイッテルビウム（Ｙｂ）からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項６】
前記第４副成分の遷移金属は、ケイ素（Ｓｉ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項７】
ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、
前記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価可変アクセプタ元素酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％（ｘ）を含む第１副成分と、
少なくとも１つの原子価固定アクセプタ元素酸化物または炭酸塩を含む第２副成分と、
前記母材粉末１００モルに対して、セリウム（Ｃｅ）ｚ  ａｔ％及び他の一つ以上の希土類元素ｗ  ａｔ％の酸化物または炭酸塩を含み、０．０１≦ｚ＋ｗ≦４ｘである第３副成分と、
前記母材粉末１００モルに対して、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）のうち少なくとも１つを含む少なくとも１つの酸化物または炭酸塩、またはケイ素（Ｓｉ）を含むガラス（ｇｌａｓｓ）のうち少なくとも１つを０．１〜８．０モル含む第４副成分と、
前記母材粉末１００モルに対して、ジルコニウム（Ｚｒ）酸化物０．０１〜１０．０ａｔ％を含む第５副成分と、を含む誘電体組成物。
【請求項８】
前記第２副成分は、前記母材粉末１００モルに対して０．０１〜３．０ａｔ％含まれることを特徴とする請求項７に記載の誘電体組成物。
【請求項９】
前記第１副成分の原子価可変アクセプタ元素は、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）及び亜鉛（Ｚｎ）からなる群から選択されることを特徴とする請求項７に記載の誘電体組成物。
【請求項１０】
前記第２副成分の原子価固定アクセプタ元素は、マグネシウム（Ｍｇ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択されることを特徴とする請求項７に記載の誘電体組成物。
【請求項１１】
前記第３副成分の希土類元素は、イットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）及びイッテルビウム（Ｙｂ）からなる群から選択されることを特徴とする請求項７に記載の誘電体組成物。
【請求項１２】
前記第４副成分の遷移金属は、ケイ素（Ｓｉ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択されることを特徴とする請求項７に記載の誘電体組成物。
【請求項１３】
複数の誘電体層が積層されたセラミック素体と、
前記セラミック素体の内部に形成された複数の内部電極と、
前記セラミック素体の外側面に、前記内部電極と電気的に連結されるように備えられた少なくとも一対の外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、
ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、
前記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価可変アクセプタ（ｖａｒｉａｂｌｅ−ｖａｌｅｎｃｅ  ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％（ｘ）を含む第１副成分と、
前記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ  ｖａｌｅｎｃｅ  ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素酸化物または炭酸塩０．０１〜３．０ａｔ％（ｙ）を含む第２副成分と、
前記母材粉末１００モルに対して、セリウム（Ｃｅ）ｚ  ａｔ％及び他の一つ以上の希土類元素ｗ  ａｔ％の酸化物または炭酸塩を含み、０．０１≦ｚ≦ｘ＋４ｙ及び０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ＋４ｙである第３副成分と、
バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）のうち少なくとも１つを含む少なくとも１つの酸化物または炭酸塩、またはケイ素（Ｓｉ）を含むガラス（ｇｌａｓｓ）のうち少なくとも１つを含む第４副成分と、
前記母材粉末１００モルに対して、ジルコニウム（Ｚｒ）酸化物０．０１〜１０．０ａｔ％を含む第５副成分と、を含む積層セラミック電子部品。
【請求項１４】
前記各誘電体層の厚さは０．１〜１０．０μｍであることを特徴とする請求項１３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１５】
前記内部電極は、ニッケル（Ｎｉ）またはニッケル（Ｎｉ）合金を含むことを特徴とする請求項１３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１６】
前記内部電極は、前記誘電体層と交互に積層されることを特徴とする請求項１３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１７】
複数の誘電体層が積層されたセラミック素体と、
前記セラミック素体の内部に形成された複数の内部電極と、
前記セラミック素体の外側面に、前記内部電極と電気的に連結されるように備えられた少なくとも一対の外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、
ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、
前記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価可変アクセプタ元素酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％（ｘ）を含む第１副成分と、
少なくとも１つの原子価固定アクセプタ元素酸化物または炭酸塩を含む第２副成分と、
前記母材粉末１００モルに対して、セリウム（Ｃｅ）ｚ  ａｔ％及び他の一つ以上の希土類元素ｗ  ａｔ％の酸化物または炭酸塩を含み、０．０１≦ｚ＋ｗ≦４ｘである第３副成分と、
前記母材粉末１００モルに対して、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）のうち少なくとも１つを含む少なくとも１つの酸化物または炭酸塩、またはケイ素（Ｓｉ）を含むガラス（ｇｌａｓｓ）のうち少なくとも１つを０．１〜８．０モル含む第４副成分と、
前記母材粉末１００モルに対して、ジルコニウム（Ｚｒ）酸化物０．０１〜１０．０ａｔ％を含む第５副成分と、を含む積層セラミック電子部品。
【請求項１８】
前記各誘電体層の厚さは０．１〜１０．０μｍであることを特徴とする請求項１７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１９】
前記内部電極は、ニッケル（Ｎｉ）またはニッケル（Ｎｉ）合金を含むことを特徴とする請求項１７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項２０】
前記内部電極は、前記誘電体層と交互に積層されることを特徴とする請求項１７に記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック材料を用いる電子部品には、キャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタ及びサーミスタなどがある。
【０００３】
上記セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという長所を有する。
【０００４】
上記積層セラミックキャパシタは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）またはプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、個人携帯端末機（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）及び携帯電話などの様々な電子製品の回路基板に装着され、電気を充電または放電させる重要な役割をするチップ形態のコンデンサである。
【０００５】
最近、映像機器の大型化やコンピュータの中央処理装置（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）の速度上昇などにより、電子機器の発熱がひどくなっている。
【０００６】
従って、上記積層セラミックキャパシタは、電子機器に設けられた集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）の安定した動作のために、高い温度でも安定した容量と信頼性を確保することが要求されている。
【０００７】
また、上記積層セラミックキャパシタは、用いられる用途及び容量によって多様なサイズと積層形態を有する。
【０００８】
特に、最近の電子製品の小型軽量化及び多機能化の傾向に応えるべく、上記電子製品に用いられる積層セラミックキャパシタも超小型化、超高容量化及び昇圧化が求められている。
【０００９】
そのため、製品の超小型化のために誘電体層及び内部電極層の厚さを薄くし、超高容量化のためにできるだけ多い数の誘電体層を積層した積層セラミックキャパシタが製造されている。
【００１０】
しかし、上記のように積層セラミックキャパシタを製造する際、誘電体層の厚さを薄くして昇圧化させると、昇圧化によって誘電体層にかかる電界強度が高くなるため、ＤＣ−バイアス（ｂｉａｓ）特性及び信頼性が悪くなる恐れがある。
【００１１】
また、薄層化によって微細構造上の欠陥が発生して、積層セラミックキャパシタの破壊電圧（ＢＤＶ：Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ）及び高温絶縁抵抗（ＩＲ：Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）などの高温耐電圧特性が悪くなるという問題点が発生し得る。
【００１２】
これを防止するために母材粉末を微粒化する方法を考慮することができる。しかし、母材粉末の粒子が小さくなると、使用者が所望する容量及び温度特性を実現することが困難になるだけでなく、誘電率が減少するという問題点が発生し得る。
【００１３】
先行技術文献１は、本発明と夫々の副成分の成分及び含量が相違しており、誘電体磁気組成物が低誘電率の特性を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００８−２３０９２８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
当技術分野では、信頼性を確保するために、誘電体層の厚さを薄くしなくても高誘電率及び優れた高温耐電圧特性を実現することができる新しい方法が求められてきた。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一側面によると、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価可変アクセプタ（ｖａｒｉａｂｌｅ−ｖａｌｅｎｃｅ  ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％（ｘ）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ  ｖａｌｅｎｃｅ  ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素酸化物または炭酸塩０．０１〜３．０ａｔ％（ｙ）を含む第２副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、セリウム（Ｃｅ）ｚ  ａｔ％及び他の１つ以上の希土類元素ｗ  ａｔ％の酸化物または炭酸塩を含み、０．０１≦ｚ≦ｘ＋４ｙ及び０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ＋４ｙである第３副成分と、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）のうち少なくとも１つを含む少なくとも１つの酸化物または炭酸塩、またはケイ素（Ｓｉ）を含むガラス（ｇｌａｓｓ）のうち少なくとも１つを含む第４副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、ジルコニウム（Ｚｒ）酸化物０．０１〜１０．０ａｔ％を含む第５副成分と、を含む誘電体組成物が提供される。
【００１７】
本発明の一実施形態において、上記第４副成分は、上記母材粉末１００モルに対して、０．１〜８．０モル含まれることができる。
【００１８】
本発明の他の側面によると、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価可変アクセプタ元素酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％（ｘ）を含む第１副成分と、少なくとも１つの原子価固定アクセプタ元素酸化物または炭酸塩を含む第２副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、セリウム（Ｃｅ）ｚ  ａｔ％及び他の一つ以上の希土類元素ｗ  ａｔ％の酸化物または炭酸塩を含み、０．０１≦ｚ＋ｗ≦４ｘである第３副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）のうち少なくとも１つを含む少なくとも１つの酸化物または炭酸塩、またはケイ素（Ｓｉ）を含むガラス（ｇｌａｓｓ）のうち少なくとも１つを０．１〜８．０モル含む第４副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、ジルコニウム（Ｚｒ）酸化物０．０１〜１０．０ａｔ％を含む第５副成分と、を含む誘電体組成物が提供される。
【００１９】
本発明の一実施形態において、上記第２副成分は、上記母材粉末１００モルに対して、０．０１〜３．０ａｔ％含まれることができる。
【００２０】
本発明の一実施形態において、上記第１副成分の原子価可変アクセプタ元素は、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）及び亜鉛（Ｚｎ）からなる群から選択されることができる。
【００２１】
本発明の一実施形態において、上記第２副成分の原子価固定アクセプタ元素は、マグネシウム（Ｍｇ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択されることができる。
【００２２】
本発明の一実施形態において、上記第３副成分の希土類元素は、イットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）及びイッテルビウム（Ｙｂ）からなる群から選択されることができる。
【００２３】
本発明の一実施形態において、上記第４副成分の遷移金属は、ケイ素（Ｓｉ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択されることができる。
【００２４】
本発明のさらに他の側面によると、複数の誘電体層が積層されたセラミック素体と、上記セラミック素体の内部に形成された複数の内部電極と、上記セラミック素体の外側面に、上記内部電極と電気的に連結されるように備えられた少なくとも一対の外部電極とを含み、上記誘電体層は、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価可変アクセプタ（ｖａｒｉａｂｌｅ−ｖａｌｅｎｃｅ  ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％（ｘ）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ  ｖａｌｅｎｃｅ  ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素酸化物または炭酸塩０．０１〜３．０ａｔ％（ｙ）を含む第２副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、セリウム（Ｃｅ）ｚ  ａｔ％及び他の１つ以上の希土類元素ｗ  ａｔ％の酸化物または炭酸塩を含み、０．０１≦ｚ≦ｘ＋４ｙ及び０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ＋４ｙである第３副成分と、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）のうち少なくとも１つを含む少なくとも１つの酸化物または炭酸塩、またはケイ素（Ｓｉ）を含むガラス（ｇｌａｓｓ）のうち少なくとも１つを含む第４副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、ジルコニウム（Ｚｒ）酸化物０．０１〜１０．０ａｔ％を含む第５副成分と、を含む積層セラミック電子部品が提供される。
【００２５】
本発明のさらに他の側面によると、複数の誘電体層が積層されたセラミック素体と、上記セラミック素体の内部に形成された複数の内部電極と、上記セラミック素体の外側面に、上記内部電極と電気的に連結されるように備えられた少なくとも一対の外部電極とを含み、上記誘電体層は、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価可変アクセプタ元素酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％（ｘ）を含む第１副成分と、少なくとも１つの原子価固定アクセプタ元素酸化物または炭酸塩を含む第２副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、セリウム（Ｃｅ）ｚ  ａｔ％及び他の一つ以上の希土類元素ｗ  ａｔ％の酸化物または炭酸塩を含み、０．０１≦ｚ＋ｗ≦４ｘである第３副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）のうち少なくとも１つを含む少なくとも１つの酸化物または炭酸塩、またはケイ素（Ｓｉ）を含むガラス（ｇｌａｓｓ）のうち少なくとも１つを０．１〜８．０モル含む第４副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、ジルコニウム（Ｚｒ）酸化物０．０１〜１０．０ａｔ％を含む第５副成分と、を含む積層セラミック電子部品が提供される。
【００２６】
本発明の一実施形態において、上記各誘電体層の厚さは０．１〜１０．０μｍで構成されることができる。
【００２７】
本発明の一実施形態において、上記内部電極は、ニッケル（Ｎｉ）またはニッケル（Ｎｉ）合金を含むことができる。
【００２８】
本発明の一実施形態において、上記内部電極は、上記誘電体層と交互に積層されることができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の一実施形態によると、信頼性を確保するために、誘電体層の厚さを薄くしなくても既存の誘電体組成物と同等の水準の容量を実現することができる誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミック電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に図示した斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００３２】
但し、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。
【００３３】
また、本発明の実施形態は当技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
【００３４】
従って、図面における要素の形状及び大きさ等はより明確な説明のために誇張されることがあり、図面上において同一の符号で表される要素は同一の要素である
【００３５】
また、類似の機能及び作用をする部分に対しては図面全体にわたって同一の符号を用いる。
【００３６】
尚、明細書の全体において、ある構成要素を「含む」ということは、特別に反対する記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。
【００３７】
本発明は誘電体組成物に関するものであって、本発明の一実施形態による誘電体組成物を含むセラミック電子部品には、積層セラミックキャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタ（ｖａｒｉｓｔｏｒ）、チップ抵抗及びサーミスタなどがあり、下記ではセラミック電子製品の一例として、積層セラミックキャパシタについて説明する。
【００３８】
図１及び図２を参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、複数の誘電体層１１１と、互いに異なる極性を有する複数の第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂが交互に積層されたセラミック素体１１０を有する。
【００３９】
セラミック素体１１０の両端部には、セラミック素体１１０の内部に交互に配置された第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂと夫々電気的に連結された第１及び第２外部電極１２０ａ、１２０ｂが形成されている。
【００４０】
セラミック素体１１０の形状は特に制限されないが、直方体状であることが好ましい。
【００４１】
また、セラミック素体１１０の寸法は、特に制限されず、用途に応じて適切な寸法に形成することができる。
【００４２】
誘電体層１１１の厚さは、キャパシタの容量設計に応じて任意に変更することができる。この際、薄すぎる厚さで誘電体層１１１を構成すると、一層内に存在する結晶粒の数が少ないため信頼性に悪影響を与える恐れがある。
【００４３】
従って、本実施形態では、焼成後の誘電体層１１１の厚さが１層当り０．１μｍ以上となるように設定する。
【００４４】
この際、誘電体層１１１の厚さは、０．１〜１０．０μｍとなるように設定することが好ましいが、本発明がこれに限定されるものではない。
【００４５】
第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂは、各断面がセラミック素体１１０の対向する両端部の表面に交互に露出されるように積層されることができる。
【００４６】
この際、第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂに含有される導電材は、特に限定されないが、誘電体層１１１の構成材料が耐還元性を有しなければならないため、非金属を用いることが好ましい。
【００４７】
上記非金属として、ニッケル（Ｎｉ）またはニッケル（Ｎｉ）合金を用いることができる。
【００４８】
また、上記ニッケル（Ｎｉ）合金に用いられる元素は、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）及びアルミニウム（Ａｌ）から少なくとも１つを選択することができる。
【００４９】
第１及び第２外部電極１２０ａ、１２０ｂは、セラミック素体１１０の両端部を包む形態に形成され、セラミック素体１１０の両端部に交互に露出された第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂの露出断面に電気的に連結されてキャパシタ回路を構成することができる。
【００５０】
このような第１及び第２外部電極１２０ａ、１２０ｂに含有される導電材は、特に限定されないが、電気伝導性に優れたニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、またはこれらからなる合金を用いることが好ましい。
【００５１】
このようなセラミック素体１１０を構成する誘電体層１１１は、耐還元性の誘電体組成物を含むことができる。
【００５２】
本実施形態による誘電体組成物は、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価可変アクセプタ（ｖａｒｉａｂｌｅ−ｖａｌｅｎｃｅ  ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％（ｘ）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも１つの原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ  ｖａｌｅｎｃｅ  ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素酸化物または炭酸塩０．０１〜３．０ａｔ％（ｙ）を含む第２副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、一つ以上の希土類元素ｗ  ａｔ％及びセリウム（Ｃｅ）ｚ  ａｔ％の酸化物または炭酸塩を含み、０．０１≦ｚ≦ｘ＋４ｙ及び０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ＋４ｙである第３副成分と、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）のうち少なくとも１つを含む少なくとも１つの酸化物または炭酸塩、またはケイ素（Ｓｉ）を含むガラス（ｇｌａｓｓ）のうち少なくとも１つを含む第４副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、ジルコニウム（Ｚｒ）酸化物または炭酸塩０．０１〜１０．０ａｔ％を含む第５副成分と、を含むことができる。
【００５３】
上記第４副成分は、上記母材粉末１００モルに対して０．１〜０．８モル含まれることができる。
【００５４】
この際、上記第１〜第５副成分の含量（ａｔ％）は下記例示した原子モル（ａｔｏｍｉｃ  ｍｏｌｅ）で示す。
【００５５】
ここで、原子モルとは、酸化物の形態またはイオン状態に関わらず各元素のモル（ｍｏｌｅ％）を意味し、例えば、Ｙ酸化物がＹ２Ｏ３の場合においてＹの含量はＹ＋３の含量モルとみなして計算したものを意味する。
【００５６】
このように構成された誘電体組成物は、既存の誘電体組成物に比べ、同等の水準の高温耐電圧特性、即ち、高温加速寿命を維持しながらも、常温及び０．５Ｖ／μｍの条件で誘電定数４，０００以上の高誘電率を確保して、高い静電容量を実現することができる。
【００５７】
また、約１，２６０℃以下の還元雰囲気での焼成が可能であるため、セラミック電子製品を製作する際、ニッケル（Ｎｉ）またはニッケル（Ｎｉ）合金を含む内部電極を用いることができる。
【００５８】
以下、本発明の一実施形態による誘電体組成物の各成分をより具体的に説明する。
【００５９】
ａ）母材粉末
母材粉末は、誘電体組成物の主成分であり、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）系誘電体粉末を用いることができる。また、上記母材粉末の粒子は１．０μｍ以下となるようにすることが好ましい。
【００６０】
この際、上記ｍ値が０．９９５未満であると、還元性雰囲気の焼成で還元されやすいため半導性物質に変わりやすく、上記ｍ値が１．０１０を超過すると、焼成温度が上昇しすぎるという問題点が発生する恐れがある。
【００６１】
ｂ）第１副成分
第１副成分として、原子価可変アクセプタ（Ｖａｒｉａｂｌｅ−Ｖａｌｅｎｃｅ  Ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素酸化物または炭酸塩を含むことができる。
【００６２】
上記原子価可変アクセプタ元素酸化物または炭酸塩は、耐還元性及び信頼性を向上させる役割をする。
【００６３】
上記原子価可変アクセプタ元素は、例えば、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）及び亜鉛（Ｚｎ）からなる群から選択されることができ、本発明の原子価可変アクセプタ元素はこれに限定されない。
【００６４】
また、上記酸化物または炭酸塩の形態は、特に制限されず、例えば、酸化マンガン（ＭｎＯ２）または炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）などを用いることができる。
【００６５】
この際、第１副成分の好ましい含量は、母材粉末１００モルに対して０．１〜１．０ａｔ％であることができる。
【００６６】
もし、第１副成分の含量が０．１ａｔ％未満であると、高温耐電圧特性が低下し、１．０ａｔ％を超過すると、エージングレート（ａｇｉｎｇ  ｒａｔｅ）が大きくなり、誘電率が低くなるだけでなく、高温耐電圧特性が低下するという問題点が発生する恐れがある。
【００６７】
ｃ）第２副成分
第２副成分として、原子価固定アクセプタ（Ｆｉｘｅｄ  Ｖａｌｅｎｃｅ  Ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素酸化物または炭酸塩を含むことができる。
【００６８】
上記原子価固定アクセプタ元素酸化物または炭酸塩は、誘電体組成物の微細構造を調節して異常粒成長を抑制することにより、焼結安定性を付与する役割をする。
【００６９】
上記原子価固定アクセプタ元素は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択されることができ、本発明の原子価固定アクセプタ元素はこれに限定されない。
【００７０】
また、上記酸化物または炭酸塩の形態は、特に制限されず、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）または炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）などを用いることができる。
【００７１】
この際、第２副成分の好ましい含量は、母材粉末１００モルに対して０．０１〜３．０ａｔ％であることができる。
【００７２】
もし、第２副成分の含量が３．０ａｔ％を超過すると、焼成温度が過度に上昇し、高温耐電圧特性が低下するという問題点が発生する恐れがある。
【００７３】
ｄ）第３副成分
第３副成分として、少なくとも１つの希土類元素（ｒａｒｅ  ｅａｒｔｈ  ｅｌｅｍｅｎｔ）酸化物または炭酸塩を含むことができる。この際、希土類元素のうちセリウム（Ｃｅ）は、必須構成要素として含ませることが好ましい。
【００７４】
即ち、上記第３副成分は、セリウム（Ｃｅ）を基準に、このセリウム（Ｃｅ）と組み合わせることができる他の希土類元素をさらに含んで構成されることができる。
【００７５】
上記希土類元素は、高温加速寿命を向上させ、相転移温度（Ｔｃ：Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）以上で容量変化を安定化させて信頼性を向上させることにより、所望の温度特性を確保して誘電率を上昇させる役割をすることができる。
【００７６】
上記希土類元素は、イットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）及びイッテルビウム（Ｙｂ）からなる群から選択されることができ、本発明の希土類元素はこれに限定されない。
【００７７】
また、上記希土類元素を含む酸化物または炭酸塩の形態は、特に制限されない。
【００７８】
この際、誘電体組成物の信頼性を高めることができる第３副成分の好ましい含量は、母材粉末１００モルに対して、上記第１副成分の含量をｘ  ａｔ％、上記第２副成分の含量をｙ  ａｔ％、セリウム（Ｃｅ）の含量をｚ  ａｔ％、他の希土類元素の含量をｗ  ａｔ％としたとき、０．０１≦ｚ≦ｘ＋４ｙ及び０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ＋４ｙであることができる。
【００７９】
もし、上記セリウム（Ｃｅ）の含量ｚが上記範囲を超過すると、耐還元性が低下するという問題点が発生する恐れがある。上記第２副成分及び第３副成分が上記範囲内で誘電体組成物にコドーピング（ｃｏ−ｄｏｐｉｎｇ）されると、第１副成分のみが含まれた誘電体組成物に比べ、信頼性がより向上されるという効果をもたらす。
【００８０】
一方、本発明の他の実施形態として、第２副成分の含量が特定されていない場合や第２副成分が本誘電体組成物に含まれていない場合、第３副成分は、上記母材粉末１００モルに対して、セリウム（Ｃｅ）ｚ  ａｔ％及び他の一つ以上の希土類元素ｗ  ａｔ％の酸化物または炭酸塩を含み、この際、第３副成分の範囲は０．０１≦ｚ＋ｗ≦４ｘであることができる。
【００８１】
ｅ）第４副成分
第４副成分は、焼結助剤の役割をするものであり、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）のうち少なくとも１つを含む少なくとも１つの酸化物または炭酸塩、またはケイ素（Ｓｉ）を含むガラス（ｇｌａｓｓ）のうち少なくとも１つを含むことができる。
【００８２】
上記遷移金属酸化物または炭酸塩は、焼結温度を低下させ、焼結を促進する役割をすることができる。
【００８３】
上記遷移金属は、ケイ素（Ｓｉ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択されることができ、本発明の遷移金属はこれに限定されない。
【００８４】
また、上記バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）のうち少なくとも１つを含む少なくとも１つの酸化物または炭酸塩の形態は、特に制限されない。
【００８５】
この際、第４副成分の好ましい含量は、母材粉末１００モルに対して０．１〜８．０モルであることができる。
【００８６】
もし、第４副成分の含量が０．１モル未満であるか、８．０モルを超過すると、焼結性が低下するという問題点が発生する恐れがある。
【００８７】
ｆ）第５副成分
第５副成分は、ジルコニウム（Ｚｒ）酸化物を含み、誘電率を上昇させる役割をすることができる。
【００８８】
上記ジルコニウム（Ｚｒ）を含む酸化物の形態は、特に制限されず、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）などを用いることができる。
【００８９】
この際、第５副成分の好ましい含量は、母材粉末１００モルに対して０．０１〜１０．０ａｔ％であることができる。
【００９０】
もし、第４副成分の含量が１０．０ａｔ％を超過すると、冷結晶化温度（ＴＣＣ：Ｃｏｌｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）特性が低下するという問題点が発生する恐れがある。
【００９１】
以下、実施例及び比較例を通じて本発明をより詳細に説明するが、これは発明の具体的な理解を容易にするためのものであり、本発明の範囲は下記実施例により限定されない。
【００９２】
［実施例］
主成分である母材粉末と第１〜第５副成分とが含まれた原料粉末に、溶媒であるエタノール及びトルエン、分散剤及びバインダーを混合した。
【００９３】
上記母材粉末は、平均粒子サイズが１７０ｎｍであるＢａＴｉＯ３を用いた。
【００９４】
次に、上記混合された原料粉末を、ジルコニアボールを混合及び分散メディアとして用いて約２０時間ボールミルして、スラリーを製造した。
【００９５】
次に、上記製造されたスラリーを小型ドクターブレード（ｄｏｃｔｏｒ  ｂｌａｄｅ）方式のコータ（ｃｏａｔｅｒ）を利用して３．５μｍ及び１０〜１３μｍの厚さのセラミック成形シートに製造した。
【００９６】
次に、上記製造されたセラミック成形シートにニッケル（Ｎｉ）内部電極を印刷して、活性シートを製造した。
【００９７】
次に、上記内部電極が印刷された活性シートを約２１層積層した後加圧し、その上下部に１０〜１３μｍの厚さのカバー用シートを積層して、バー（ｂａｒ）を製作した。
【００９８】
次に、上記バー（ｂａｒ）を切断機を利用して３．２ｍｍ×１．６ｍｍサイズのチップ（ｃｈｉｐ）に切断した。
【００９９】
このように切断されたチップは脱バインダーのためにか焼した後、水素（Ｈ２、０．１％）／窒素（Ｎ２、９９．９％）の還元雰囲気で、約１１５０〜１２５０℃の温度で約２時間焼成した。それから、窒素雰囲気で、約１０００℃の温度で再酸化のために約３時間熱処理した。
【０１００】
次に、焼成されたチップに銅（Ｃｕ）ペーストでターミネート工程及び電極焼成工程を施し、外部電極を完成した。
【０１０１】
これにより、３．２ｍｍ×１．６ｍｍサイズの積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ）チップを製作し、ＤＦ（Ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ  Ｆａｃｔｏｒ）、ＴＣＣ、高温１５０℃で電圧段階の増加による抵抗劣化挙動などを評価した。
【０１０２】
［評価］
積層セラミックキャパシタチップの常温静電容量及び誘電損失は、ＬＣＲメータ（ｍｅｔｅｒ）を利用して、１ｋＨｚ及び１Ｖの条件で測定した。
【０１０３】
次に、上記測定された静電容量と積層セラミックキャパシタチップの誘電体の厚さ、内部電極の面積及び誘電体層の積層数から、積層セラミックキャパシタチップの誘電率を計算した。
【０１０４】
常温絶縁抵抗は、１０個ずつサンプルを取って、夫々ＤＣ１０Ｖ／μｍを印加した状態で６０秒経過後に測定した。
【０１０５】
次に、高温絶縁抵抗（ＩＲ）昇圧実験は、１５０℃及び１Ｖｒ＝１０Ｖ／μｍの条件で、電圧段階（ｖｏｌｔａｇｅ  ｓｔｅｐ）をＤＣ１０Ｖ／μｍずつ増加させながら抵抗劣化挙動を測定した。ここで、各段階の時間は１０分であり、５秒間隔で抵抗値を測定した。
【０１０６】
上記高温絶縁抵抗（ＩＲ）昇圧実験から高温耐電圧を導出した。
【０１０７】
上記高温耐電圧とは、上記高温絶縁抵抗（ＩＲ）昇圧実験で絶縁抵抗（ＩＲ）が１０５Ω以上に耐える電圧を意味する。
【０１０８】
ＲＣ値は、ＡＣ０．５Ｖ／μｍ、１ｋＨｚで測定した常温容量値とＤＣ１０Ｖ／μｍで測定した絶縁抵抗値を掛けて求めることができる。
【０１０９】
下記表１はＸ５ＲまたはＸ７Ｒタイプの誘電体における夫々の副成分の組成を示すものであり、表２は表１に記載された組成からなる誘電体組成物により製造されたプロト−タイプ（ｐｒｏｔｏ−ｔｙｐｅ）チップの特性を示すものである。
【０１１０】
【表１】
2013193955.tif 000003
＜本発明の一実施例による誘電体組成物の主成分と副成分の組成及び含量＞
【０１１１】
【表２】
2013193955.tif 000004
＜表１の誘電体組成物により構成されたプロトタイプチップの特性＞
【０１１２】
上記表１及び表２を参照すると、第１副成分である酸化マンガン（ＭｎＯ２）と酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）の和が０．３ａｔ％（酸化マンガン０．１モル％＋酸化バナジウム０．１モル％）、第２副成分である炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）が１．０モル％、第３副成分である酸化ジスプロシウム（Ｄｙ２Ｏ３）と酸化セリウム（ＣｅＯ２）の和が１．０ａｔ％と固定された条件で、第３副成分の酸化セリウムの比率が増加するにつれ（サンプル１〜６）、誘電率が３２５０から４６９１に増加し、高温耐電圧はサンプル２（酸化ジスプロシウム０．４モル％＋酸化セリウム０．２モル％）で最高値である７０Ｖ／μｍを示した後、少しずつ減少する傾向を示す。
【０１１３】
従って、第３副成分の酸化セリウムの比率を一定範囲内に調節すると、良好な水準の高温耐電圧特性を維持しながら、誘電率が上昇するということを確認することができる。
【０１１４】
このような酸化セリウムの好ましい範囲をさらに確認するために、ジスプロシウム（Ｄｙ）とセリウム（Ｃｅ）の比率を３：２に維持した状態で、ジスプロシウムとセリウムの和を増加させた（サンプル７−１１）。
【０１１５】
サンプル７〜１１を参照すると、誘電率は３１１０から５１２４に増加し続けており、高温耐電圧はサンプル９（酸化ジスプロシウム０．６モル％（ジスプロシウム１．２ａｔ％）＋酸化セリウム１．８モル％）で最高値である５０を示した後減少し、サンプル１１（酸化ジスプロシウム１．３５モル％＋酸化セリウム１．８モル％）で急激に低くなる傾向を示す。
【０１１６】
従って、第３副成分のジスプロシウムとセリウムの和の含量が特定数値以下の範囲内では、耐還元性及び信頼性が良好であるが、特定数値を超過すると、耐還元性及び高温耐電圧特性（信頼性）が急激に低下することを確認することができる。
【０１１７】
また、第２副成分である炭酸マグネシウムの含量が増加するにつれ、上記耐還元性及び高温耐電圧が急激に低下させる第３副成分の含量が増加することを確認することができる。
【０１１８】
即ち、炭酸マグネシウムが夫々０モル％、０．５モル％、１．０モル％、２．０モル％及び３．０モル％である場合、第３副成分のａｔ％は夫々０．５ａｔ％（サンプル１３）、２．５ａｔ％（サンプル１５）、４．５ａｔ％（サンプル１１）、８．５モル％（サンプル１７）及び１２．５モル％（サンプル１９）であり、この際、常温ＲＣ値及び高温耐電圧が急激に低下することを確認することができる。
【０１１９】
また、第２副成分である炭酸マグネシウムの含量が３．０モル％と過量である場合（サンプル１８）、焼成温度が−２６．８℃に上昇するだけでなく、誘電率及び高温耐電圧も低下することを確認することができる。
【０１２０】
また、サンプル２０〜２３は第２副成分が１．０モル％であり、第３副成分が酸化ジスプロシウム０．３モル％＋酸化セリウム０．４モル％と同様である。
【０１２１】
上記サンプル２０〜２３と、マンガン／バナジウム（Ｍｎ／Ｖ）の和が０ａｔ％であるサンプル１６の場合、常温ＲＣ値と高温耐電圧が非常に低く（特に、サンプル２０）、第１副成分の和が１ａｔ％以上になると（サンプル２３）、誘電率及び高温耐電圧特性が低下するという問題点がある。
【０１２２】
従って、主成分である母材粉末１００モルに対して、第１副成分のａｔ％の量をｘ、第２副成分のａｔ％の量をｙ、第３副成分のセリウム及び他の希土類元素のａｔ％の量を夫々ｚ及びｗとしたとき、ＢａＴｉＯ３を適用するＸ５ＲまたはＸ７Ｒタイプの誘電体で好ましい誘電特性、耐還元性及び信頼性が具現される上記ｘ、ｙ、ｚ及びｗの範囲は、０．０１≦ｚ≦ｘ＋４ｙ及び０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ＋４ｙであることができる。
【０１２３】
上記のように第３副成分が希土類元素とセリウムとの組み合わせからなる場合（例えば、サンプル３及び４）、セリウムを除いて他の希土類元素のみからなる場合（例えば、サンプル１）に比べ、同等の水準の高温耐電圧特性を維持しながら、誘電率は約３０％上昇するという効果を期待することができる。
【０１２４】
下記表３はＸ５ＲまたはＸ７Ｒタイプの誘電体においてジルコニウム（Ｚｒ）を添加したサンプルの組成を示すものであり、表４は表３に記載された組成からなる誘電体組成物により製造されたプロト−タイプ（ｐｒｏｔｏ−ｔｙｐｅ）チップの特性を示すものである。
【０１２５】
【表３】
2013193955.tif 000005
＜本発明の一実施例による誘電体組成物の主成分と副成分の組成及び含量＞
【０１２６】
【表４】
2013193955.tif 000006
＜表３の誘電体組成物により構成されたプロトタイプチップの特性＞
【０１２７】
上記表３及び表４を参照すると、第１副成分である酸化マンガン（ＭｎＯ２）と酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）の和が０．３ａｔ％（酸化マンガン０．１モル％＋酸化バナジウム０．１モル％）、第２副成分である炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）が１．０モル％、第３副成分である酸化ジスプロシウム（Ｄｙ２Ｏ３）と酸化セリウム（ＣｅＯ２）の和が１．０ａｔ％と固定された条件で、第５副成分である酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）の比率が増加するにつれ（サンプル２４〜３０）、ジルコニウムが含有されていないサンプル２４に比べ誘電率が約１０％以上増加しながらも、それと同等の水準の高温耐電圧特性が維持されることを確認することができる。
【０１２８】
このように第５副成分の含量が増加するにつれてＴＣＣ特性が少しずつ低下することを確認することができるが、第５副成分の含量が１０ａｔ％以下になるまではＸ５ＲのＴＣＣ特性を維持することを確認することができる。
【０１２９】
従って、第５副成分が一定範囲内に含まれると、比較的良好な水準の高温耐電圧特性を維持しながら、誘電率が上昇することを確認することができる。
【０１３０】
上記サンプル１〜２３において、耐電圧特性が良好な他の組成でも、第５副成分が添加されることにより誘電率が全て上昇する効果を確認することができた。
【０１３１】
上記のように、本発明の実施例を満たす範囲で誘電体組成物を製造する場合、信頼性を確保するために、誘電体層の厚さを薄くしなくても既存の誘電体層を有する誘電体組成物と同等の水準の容量を実現することができる。
【０１３２】
従って、誘電体の薄い超高容量積層セラミックキャパシタなどの開発に効果的に適用することができる。
【０１３３】
本発明は、上述の実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求範囲により限定される。
【０１３４】
従って、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で、当技術分野の通常の知識を有する者によって様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【０１３５】
１００  積層セラミックキャパシタ
１１０  セラミック素体
１１１  誘電体層
１２０ａ、１２０ｂ  第１及び第２外部電極
１３０ａ、１３０ｂ  第１及び第２内部電極
【図１】
2013193955.tif 000007
【図２】
2013193955.tif 000008