(57)【要約】【課題】集電極と透明導電膜間の接続抵抗を改善して出力特性に優れた太陽電池が製造可能な太陽電池セルの製造方法を得ること。【解決手段】半導体層上に透明導電膜を形成した後に前記透明導電膜上の一部に集電極を形成する工程を有する太陽電池セルの製造方法であって、前記透明導電膜上に前記集電極を形成した後または前記集電極の形成途中において、前記半導体層と前記透明導電膜との温度を前記集電極の温度よりも低くして前記太陽電池セルの熱処理を行う熱処理工程を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に透明導電膜を形成した後に前記透明導電膜上の一部に集電極を形成する工程を有する太陽電池セルの製造方法であって、
前記透明導電膜上に前記集電極を形成した後または前記集電極の形成途中において、前記半導体層と前記透明導電膜との温度を前記集電極の温度よりも低くして前記太陽電池セルの熱処理を行う熱処理工程を含むこと、
を特徴とする太陽電池セルの製造方法。
【請求項２】
前記熱処理工程では、前記集電極が形成されていない領域の前記透明導電膜と、前記半導体層と、の特性が変化しない温度条件および時間条件で熱処理すること、
を特徴とする請求項１に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項３】
前記熱処理工程では、前記集電極のみに対して選択的に加熱を実施することにより前記太陽電池セルの熱処理を行うこと、
を特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項４】
前記集電極が、細長形状のフィンガー部と前記フィンガー部よりも太幅を有するバスバー部とを有し、
前記熱処理工程では、前記バスバー部のみに対して選択的に加熱を実施することにより前記太陽電池セルの熱処理を行うこと、
を特徴とする請求項３に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項５】
前記熱処理工程では、前記集電極に接する部材を介して前記集電極のみに対して選択的に加熱を実施すること、
を特徴とする請求項３または４に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項６】
前記熱処理工程では、前記集電極に接する部材を介して加熱を実施するとともに前記集電極に接する部材により前記集電極を加圧すること、
を特徴とする請求項５に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項７】
前記太陽電池セルが、非晶質シリコン層と結晶系シリコン層とを組み合わせることにより構成されたヘテロ半導体接合を有する太陽電池セルであり、
前記熱処理工程では、前記非晶質シリコン層の温度を２００℃以下とすること、
を特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の太陽電池セルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池セルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
非晶質シリコンと結晶系シリコンとを組み合わせて構成されているヘテロ半導体接合を有するヘテロ接合太陽電池セルは、このヘテロ半導体接合を２００℃以下のプラズマＣＶＤ法などの低温プロセスで形成することができ、高い光電変換効率が得られることから注目されている。このヘテロ接合太陽電池セルには、集電極と透明電極層、半導体層と透明電極層、半導体内の界面接合部などの各接合部分があり、その界面特性を改善することによってセル出力が向上することが知られている。このため、界面特性を改善するために、一般的に水素パッシベーションや熱アニールが行われることが多い。
【０００３】
例えば特許文献１に示されるように、太陽電池セル全体に高温加熱処理を実施した後に、太陽電池セルを接続部材により電気的に接続して太陽電池モジュールを製造する方法が提案されている。この高温加熱処理としては、少なくとも光照射装置による光照射を使用し、ヒータによる加熱を併用してもよいとされている。そして、ヒータ温度を２００℃以上の温度に保持して光照射を行うことによりセル出力が〜３％程度改善している一例が示されている。この特許文献１に示されているように、ヘテロ半導体接合を有する太陽電池セルの出力を改善するためには、熱アニールが有効であることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２９４８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ヘテロ半導体接合を有する太陽電池セルは、２００℃以上の高温で長時間加熱するとセルの出力特性が劣化する問題があることがわかっている。すなわち、ＣＶＤ法で形成した非晶質シリコンを有するヘテロ接合太陽電池セルなどにおいては、短時間といえども２００℃を超える高温加熱を実施すると、セルの出力特性が劣化する傾向がある、という問題があった。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、集電極と透明導電膜間の接続抵抗を改善して出力特性に優れた太陽電池が製造可能な太陽電池セルの製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる太陽電池セルの製造方法は、半導体層上に透明導電膜を形成した後に前記透明導電膜上の一部に集電極を形成する工程を有する太陽電池セルの製造方法であって、前記透明導電膜上に前記集電極を形成した後または前記集電極の形成途中において、前記半導体層と前記透明導電膜との温度を前記集電極の温度よりも低くして前記太陽電池セルの熱処理を行う熱処理工程を含むこと、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、透明導電膜上に集電極を形成した後または集電極の形成途中において、集電極の半導体層と透明導電膜との温度を集電極の温度よりも低くして太陽電池セルの熱処理を行うため、太陽電池セルの出力特性の劣化を防止するとともに集電極と透明導電膜間の接続抵抗を改善して出力特性に優れた太陽電池が得られる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１にかかるヘテロ接合太陽電池セルの構造を示す要部断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１にかかるヘテロ接合太陽電池セルの構造を示す上面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１にかかるヘテロ接合太陽電池セルの構造を示す下面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１においてヘテロ接合太陽電池セルの集電極に短時間の昇降温加熱処理を実施する状態を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態２においてヘテロ接合太陽電池セルの集電極に短時間の昇降温加熱処理を実施する状態を模式的に示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態２においてヘテロ接合太陽電池セルの集電極に短時間の昇降温加熱処理を実施する他の状態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明にかかる太陽電池セルの製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。また、平面図であっても、図面を見易くするためにハッチングを付す場合がある。
【００１１】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１にかかるヘテロ接合太陽電池セル（以下、太陽電池セルと呼ぶ）Ｃの構造を示す要部断面図である。実施の形態１にかかる太陽電池セルＣは、光電変換層を構成する結晶系半導体基板として１００μｍから２００μｍ程度の厚みを有するとともに主面に（１００）面を有するｎ型単結晶シリコン基板１を備えている。図１中には示されていないが、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面には、光閉じ込めのために、数μｍから数十μｍの高さを有するピラミッド状の凹凸構造が形成されている。
【００１２】
ｎ型単結晶シリコン基板１の受光面側である一面上には、水素を含有する実質的に真性な非晶質半導体薄膜層として、例えばＣＶＤ法により形成されて膜厚が数ｎｍから数十ｎｍ程度のｉ型非晶質シリコン層２が形成されている。
【００１３】
ｉ型非晶質シリコン層２上には、水素を含有する荷電子制御された非晶質半導体薄膜層として、例えばＣＶＤ法により形成されて膜厚が数ｎｍから数十ｎｍ程度のｐ型非晶質シリコン層３が形成されている。
【００１４】
ｐ型非晶質シリコン層３の上には、受光面側透明導電膜６として膜厚が１０ｎｍから１００ｎｍ程度のＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、Ｉｎ２Ｏ３（インジウム酸化膜）などからなる膜が、例えばスパッタリング法により形成されている。
【００１５】
受光面側透明導電膜６の上面の所定領域には、銀（Ａｇ）ペーストを焼成して形成された櫛形状の受光面側集電極８が設けられている。受光面側集電極８としては、例えば図２に示すように長尺細幅の受光面側フィンガー部１１が複数並べて設けられ、この受光面側フィンガー部１１と導通する受光面側バスバー部１２が該受光面側フィンガー部１１と略直交するように設けられており、それぞれ底面部において受光面側透明導電膜６に電気的に接続している。受光面側フィンガー部１１および受光面側バスバー部１２は銀材料により構成されている。図２は、実施の形態１にかかる太陽電池セルＣの構造を示す上面図である。
【００１６】
受光面側フィンガー部１１は、例えば５０μｍ〜１００μｍ程度の幅を有するとともに所定の間隔で略平行に複数本が配置され、ｎ型単結晶シリコン基板１の内部で発電した電気を集電する。また、受光面側バスバー部１２は、受光面側フィンガー部１１よりも太幅の例えば５００μｍ〜１０００μｍ程度の幅を有するとともに太陽電池セル１枚当たりに数本配置され、受光面側フィンガー部１１で集電した電気を集合させて外部に取り出す。受光面側集電極８はｎ型単結晶シリコン基板１に入射する太陽光を遮ってしまうため、可能なかぎり面積を小さくすることが発電効率向上の観点では好ましい。
【００１７】
また、ｎ型単結晶シリコン基板１の他面上には、水素を含有する実質的に真性な非晶質半導体薄膜層として、例えばＣＶＤ法により形成されて膜厚が数ｎｍから数十ｎｍ程度のｉ型非晶質シリコン層４が形成されている。
【００１８】
ｉ型非晶質シリコン層４上には、水素を含有する荷電子制御された非晶質半導体薄膜層として、例えばＣＶＤ法により形成されて膜厚が数ｎｍから数十ｎｍ程度のｎ型非晶質シリコン層５が形成されている。このようにｎ型単結晶シリコン基板１の他面上に、ｉ型非晶質シリコン層４およびｎ型非晶質シリコン層５が順番に形成されることにより、いわゆるＢＳＦ（Back  Surface  Field）構造が形成されている。
【００１９】
ｎ型非晶質シリコン層５上には、裏面側透明導電膜７として膜厚が１０ｎｍから１００ｎｍ程度のＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、Ｉｎ２Ｏ３（インジウム酸化膜）などからなる膜が、例えばスパッタリング法により形成されている。
【００２０】
裏面側透明導電膜７の上面の所定領域には、銀（Ａｇ）ペーストを焼成して形成された、受光面側集電極８と同様のパターンの櫛形状の裏面側集電極９が設けられている。裏面側集電極９としては、例えば図３に示すように長尺細幅の裏面側フィンガー部１３が複数並べて設けられ、この裏面側フィンガー部１３と導通する裏面側バスバー部１４が該裏面側フィンガー部１３と略直交するように設けられており、それぞれ底面部において裏面側透明導電膜７に電気的に接続している。裏面側フィンガー部１３および裏面側バスバー部１４は銀材料により構成されている。図３は、実施の形態１にかかる太陽電池セルＣの構造を示す下面図である。
【００２１】
ここで、受光面側集電極８は、太陽光を遮らない様可能な限り小さくしないといけないものの、裏面側ではその制約がなく、裏面側のフィンガー幅、バス幅は受光面側に対し大きくしても性能上の問題は起こらない。フィンガー間隔については、裏面側で小さくしても構わない。
【００２２】
なお、以下では受光面側集電極８と裏面側集電極９とを総称して集電極と、受光面側透明導電膜６と裏面側透明導電膜７とを総称して透明導電膜と呼ぶ場合がある。また、受光面側フィンガー部１１と裏面側フィンガー部１３とを総称してフィンガー部と、受光面側バスバー部１２と裏面側バスバー部１４とを総称してバスバー部と呼ぶ場合がある。
【００２３】
受光面側集電極８の受光面側バスバー部１２および裏面側集電極９の裏面側バスバー部１４に接続タブが半田により取り付けられ、他の太陽電池セルと電気的に接続されることにより、最終的に太陽電池モジュールが形成される。
【００２４】
つぎに、上記のように構成された実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造方法について説明する。まず、表面にテクスチャと呼ばれるピラミッド状の凹凸構造を有するｎ型単結晶シリコン基板１を形成する。すなわち、ｎ型単結晶シリコンのインゴットから主面が（１００）面となるように結晶シリコン基板をスライスした後、アルカリ水溶液、例えばＮａＯＨ水溶液やＫＯＨ水溶液などを用いたウェットエッチングにより該結晶シリコン基板の表面に凹凸構造を形成する。シリコン基板は面方位によってアルカリ水溶液によるエッチング速度が異なる。このため、例えば面方位が（１００）のシリコン基板をエッチングするとエッチングされにくい（１１１）面が斜め方向に現れ、最終的にはピラミッド形状の凹凸構造がシリコン基板上に施される。これにより、表面にテクスチャを有するｎ型単結晶シリコン基板１が得られる。
【００２５】
つぎに、このｎ型単結晶シリコン基板１の一面側（受光面側）に、水素を含有する実質的に真性な非晶質半導体薄膜層としてｉ型非晶質シリコン層２を形成する。つぎに、ｉ型非晶質シリコン層２上に、水素を含有する荷電子制御された非晶質半導体薄膜層としてｐ型非晶質シリコン層３を形成する。
【００２６】
つぎに、ｎ型単結晶シリコン基板１の他面側（裏面側）に、水素を含有する実質的に真性な非晶質半導体薄膜層としてｉ型非晶質シリコン層４を形成する。つぎに、ｉ型非晶質シリコン層４上に、水素を含有する荷電子制御された非晶質半導体薄膜層としてｎ型非晶質シリコン層５を形成してＢＳＦ構造を形成する。このようなｎ型単結晶シリコン基板１への非晶質シリコン系薄膜の成膜方法としては、例えばＣＶＤ法を用いることができる。
【００２７】
つぎに、ｐ型非晶質シリコン層３上の全面に受光面側透明導電膜６として例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を形成し、ｎ型非晶質シリコン層５上の全面に裏面側透明導電膜７として例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を形成する。受光面側透明導電膜６および裏面側透明導電膜７の成膜方法としては、例えばスパッタリング法やＭＯＣＶＤ法などを用いることができる。
【００２８】
つぎに、受光面側透明導電膜６上の所定の位置に受光面側集電極８を形成し、また裏面側透明導電膜７上の所定の位置に裏面側集電極９を形成する。受光面側集電極８および裏面側集電極９の形成には、例えばインクジェット、スクリーン印刷、導線接着、スプレー等の公知技術を用いることができるが、生産性の観点からスクリーン印刷がより好ましい。
【００２９】
受光面側集電極８および裏面側集電極９は、例えばエポキシ樹脂などに銀（Ａｇ）の微粉末を練りこんだ銀（Ａｇ）ペーストを用いて、スクリーン印刷法によりフィンガー部とバスバー部とが高さ約１０μｍ〜５０μｍ、フィンガー部の幅５０μｍ〜１００μｍ、バスバー部の幅５００μｍ〜１０００μｍの寸法で櫛形状に形成され、その後２００℃程度の温度で６０分間の焼成（硬化）を行って形成される。フィンガー部は、例えば０．５ｍｍ〜１０ｍｍ間隔で複数のラインが互いに平行に形成される。
【００３０】
つぎに、図４に示すように、太陽電池セルＣの両面に対して同時に、受光面側集電極８および裏面側集電極９のみに選択的に短時間の昇降温加熱を実施して太陽電池セルＣに熱処理を行う。図４は、実施の形態１において太陽電池セルＣの集電極に短時間の昇降温加熱処理を実施する状態を模式的に示す断面図である。また、図４においては、受光面側集電極８のうち受光面側フィンガー部１１のみが、裏面側集電極９のうち裏面側フィンガー部１３のみが示されている。
【００３１】
集電極のみに短時間の昇降温加熱を実施する方法としては、加熱部材２１を例えば集電極の上面に接触させ、この加熱部材２１に対してのみ光照射装置２３による光照射を実施して短時間の昇降温加熱を行う。加熱部材２１は、例えばシリコン、カーボン、シリコンカーバイト等からなり、例えば太陽電池セルＣと略同等の面積を有する平板状とされる。このような加熱部材２１で集電極形成後の太陽電池セルＣの上面および下面を挟むことで、加熱部材２１は集電極のみに接触する。光照射装置２３は、ランプ２２のような加熱源（光照射源）を有する。
【００３２】
例えば、光照射装置２３として線集光タイプの赤外線ヒータユニットを用いて、電圧制御により温度調整と昇降温速度を制御する。例えば２００Ｖ、１９６０Ｗ、焦点距離２５ｍｍ仕様のヒータユニットを用いる場合は、１００Ｖ程度の電圧のオン、オフ制御を行う。
【００３３】
この加熱部材２１に対する加熱は、例えば３００℃程度の高温まで且つ１０秒までの短時間昇降温加熱を実施することを特徴とする一方で、太陽電池セルＣの出力の劣化を防止するため、太陽電池セルＣの構成のうち集電極形成部直下界面の透明電極膜と集電極とを除いたセル本体部１０としては、２００℃まで且つ１０秒までの短時間昇降温加熱に抑えることを特徴とする。
【００３４】
この短時間の昇降温熱処理は、集電極の直下の透明導電膜の特性と集電極を形成していない部分の透明導電膜の特性とを異ならせ、また集電極と透明導電膜との界面の状況を変えることを目的として行う。すなわち、このような熱処理を行うことにより、集電極直下以外の透明導電膜の膜特性（屈折率、吸収係数、結晶構造、導電率等）を、成膜時のままの最適値に保ちながら、集電極と透明導電膜間の接続抵抗を改善することができる。これにより、太陽電池セルＣの出力特性を向上させることができる。
【００３５】
この短時間の昇降温加熱処理により、太陽電池セルＣの熱処理を行わない場合に比べて集電極と透明導電膜間の接続抵抗を１０％程度改善できる。このような改善効果が得られる理由は、銀、インジウム、酸素、錫等の構成元素が集電極と透明導電膜間の界面層で混合されることによる。より高い改善効果を得るためには、加熱温度を高くすることが望まれる。その一方で、加熱温度を高くした場合には、集電極直下の透明導電膜の屈折率、吸収係数、結晶構造、導電率等の膜特性が、最適な膜特性からわずかながらもずれてしまうことになる。このため、劣化量はわずかであり（〜０．２％程度）であるが、太陽電池セルＣの開放電圧（Ｖｏｃ）、フィルファクター（ＦＦ）等が劣化してしまう。
【００３６】
例えば、この加熱時におけるセル本体部１０の昇温温度を２００℃以下の設定から２４０℃以下の設定に変更すると、２００℃以下の設定の場合は太陽電池セルＣの熱処理を行わない場合に比べて光電変換効率が０．５％改善するのに対して、２４０℃以下の設定の場合には太陽電池セルＣの熱処理を行わない場合に比べて光電変換効率が数％以上劣化することがわかっている。これは、開放電圧（Ｖｏｃ）、フィルファクター（ＦＦ）の変動に起因している。
【００３７】
また、ＣＶＤ法で形成した非晶質シリコン層を有するヘテロ接合太陽電池セルにおいては、短時間といえども２００℃を超える昇降温加熱を実施すると、非晶質シリコン層を含む半導体界面接合部の変質により太陽電池セルの開放電圧（Ｖｏｃ）、フィルファクター（ＦＦ）等が劣化し、光電変換効率が悪化する。
【００３８】
しかしながら、この短時間の昇降温加熱処理でこの加熱時におけるセル本体部１０の昇温温度を２００℃以下とすることにより、上記のようなセル特性の劣化を防止することができる。この場合、集電極や加熱部材２１等の条件にもよるが、上記の構成においては加熱部材２１に対する加熱を例えば３００℃程度の高温まで且つ１０秒までの短時間昇温とすることにより、セル本体部１０の昇温温度を２００℃以下とすることが可能である。
【００３９】
すなわち、この短時間の昇降温加熱処理により、熱処理による非晶質シリコン層を含む半導体界面接合部の変質に起因した太陽電池セルＣの出力特性の劣化が生じないうえに、本来は太陽電池セルＣの出力特性が劣化する程度の高い温度まで集電極のみを加熱することが可能となるため、集電極と透明電極間の接続抵抗をより改善することができ、太陽電池セルＣの出力特性をより改善することが可能となる。
【００４０】
上記においては、受光面側集電極８および裏面側集電極９の形成後に、太陽電池セルＣの両面の集電極に対して同時に短時間の昇降温加熱処理を実施する場合について説明したが、片面の集電極ずつ短時間の昇降温加熱処理を実施してもよい。
【００４１】
また、上記においては、２００℃程度の温度で６０分間の焼成（硬化）を行った後に短時間の昇降温加熱処理を実施する場合について説明したが、例えば２００℃程度の温度で１５分間程度の仮焼成を行った後に、短時間の昇降温加熱処理を実施しても構わない。この場合は、短時間の昇降温加熱処理において受光面側集電極８および裏面側集電極９の焼成（硬化）を行うことができる。
【００４２】
また、例えば集電極を積層構造として形成する場合は、集電極の初期層の形成後のみ、短時間の昇降温加熱処理を実施してもよく、また集電極の初期層の形成後および積層構造の形成後の両方の時点で実施してもよい。
【００４３】
また、ランプ２２による加熱部材２１の加熱と同時に、加熱部材２１により集電極を加圧することにより、集電極と透明導電膜間の密着度を向上させて集電極と透明導電膜間の接続抵抗をより改善することができる。すなわち、受光面側集電極８と受光面側透明導電膜６間の接続抵抗および裏面側集電極９と裏面側透明導電膜７間の接続抵抗を改善することができる。この時の加圧は、太陽電池セルＣを破壊しない程度の数ｋｇ／ｃｍ２〜数十ｋｇ／ｃｍ２程度とすることが好ましい。
【００４４】
上述したように、実施の形態１においては、透明導電膜上に集電極を形成した後または集電極の形成途中において、非晶質シリコン層と透明導電膜との温度を集電極の温度よりも低くし、半導体層および集電極が形成されていない領域の透明導電膜の特性が変化しない温度条件および時間条件で太陽電池セルの熱処理を行う。すなわち、ｉ型非晶質シリコン層２、ｐ型非晶質シリコン層３、ｉ型非晶質シリコン層４およびｎ型非晶質シリコン層５の温度を２００℃以下となるようにして、加熱部材２１を用いて集電極のみに対して選択的に加熱を実施する。これにより、太陽電池セルＣの出力特性の劣化を防止するとともに、集電極と透明導電膜間の接続抵抗を改善して、出力特性の向上が可能である。
【００４５】
非晶質シリコン層と結晶系シリコン層とを組み合わせることにより構成されたヘテロ半導体接合を有する太陽電池セルＣ全体が２００℃を超える高温加熱を実施した場合のセルの出力特性の劣化としては、半導体界面接合部の変質による開放電圧（Ｖｏｃ）およびフィルファクター（ＦＦ）の低下、透明導電膜の変質による短絡電流（Ｊｓｃ）の低下などが挙げられる。そして、これらの特性の低下により、太陽電池セルの光電変換効率が劣化する。
【００４６】
しかしながら、実施の形態１においては、半導体層と透明導電膜との温度を集電極の温度よりも低くして集電極以外の温度を２００℃までに抑えることができるため、上記のような高温加熱に起因したセルの出力特性の劣化がないうえに、本来ならセルの出力特性が劣化する程度の温度まで集電極全体（バスバー部、グリッド部）のみを加熱することが可能となるため、集電極と透明導電膜間の接続抵抗をより改善することができる。
【００４７】
したがって、実施の形態１によれば、太陽電池セルＣの出力特性の劣化を防止するとともに集電極と透明導電膜間の接続抵抗を改善して出力特性に優れた太陽電池が得られる。
【００４８】
実施の形態２．
図５は、実施の形態２において太陽電池セルＣの集電極に短時間の昇降温加熱処理を実施する状態を模式的に示す断面図である。実施の形態２において集電極のみに短時間の昇降温加熱を実施する方法としては、実施の形態１の場合と同様に加熱部材２１を例えば集電極の上面に接触させ、この加熱部材２１に対してのみ光照射装置２３による光照射を実施して短時間の昇降温加熱を行う。
【００４９】
このとき、太陽電池セルＣの受光面側では、受光面側フィンガー部１１に比べて配線幅の太い受光面側バスバー部１２の直上にのみランプ２２を配置して、特に受光面側バスバー部１２を短時間昇降温加熱する。同様に、太陽電池セルＣの裏面側では、裏面側フィンガー部１３に比べて配線幅の太い裏面側バスバー部１４の直上にのみランプ２２を配置して、特に裏面側バスバー部１４を短時間昇降温加熱する。
【００５０】
この加熱部材２１に対する加熱は、例えば３００℃程度の高温まで且つ１０秒までの短時間昇降温加熱を実施することを特徴とする一方で、太陽電池セルＣの出力特性の劣化を防止するため、太陽電池セルＣの構成のうちセル本体部１０としては、２００℃まで且つ１０秒までの短時間昇降温加熱に抑えることを特徴とする。
【００５１】
また、受光面側フィンガー部１１に関しては、受光面側バスバー部１２を介しての加熱のみに抑えることで、セル本体部１０としてはより確実に２００℃まで且つ１０秒までの短時間昇降温に抑えられ、セル出力の劣化をより効果的に防止できる。同様に、裏面側フィンガー部１３に関しては、裏面側バスバー部１４を介しての加熱のみに抑えることで、セル本体部１０としては、より確実に２００℃まで且つ１０秒までの短時間昇降温に抑えられ、セル出力の劣化をより効果的に防止できる。
【００５２】
また、このような熱処理における構成をより簡易にした方法として、バスバー部の直上に配置したランプ２２等による光照射により、直接バスバー部の集電極のみを短時間昇降温加熱し、且つバスバー部を介してフィンガー部の集電極のみを短時間昇降温加熱する方法が挙げられる。図６は、実施の形態２において太陽電池セルＣの集電極に短時間の昇降温加熱を実施する他の状態を模式的に示す断面図であり、バスバー部を簡易に短時間昇降温加熱する状態を示している。この方法では、加熱部材２１を用いずに、ランプ２２を直接バスバー部の直上に配置している。この場合は、フィンガー部に対しては、バスバー部が加熱部材２１としての役割を果たしている。
【００５３】
このような短時間の昇降温加熱処理は、集電極の直下の透明導電膜自体の特性と集電極を形成しない部分の透明導電膜自体の特性とを異ならせ、また集電極と透明導電膜との界面の状況を変えることを目的として行う。すなわち、このような熱処理を行うことにより、集電極直下以外の透明導電膜の膜特性（屈折率、吸収係数、結晶構造、導電率等）を、成膜時のままの最適値に保ちながら、集電極と透明導電膜間の接続抵抗を改善することができる。
【００５４】
そして、ランプ２２による短時間の昇降温加熱処理をバスバー部のみとし、フィンガー部の加熱はバスバー部を介しての加熱のみに抑えることで、フィンガー部下部の加熱に起因した出力特性の劣化をより効果的に抑えつつ、集電極と透明電極間の接続抵抗を低減することができ、太陽電池セルＣ全体としての光電変換効率の更なる改善が得られる。
【００５５】
また、実施の形態２においては、集電極のバスバー部直上を加熱する場合は、バスバー部直下の透明導電膜の膜特性と、フィンガー部直下の透明導電膜の膜特性とにも、わずかながらの差が生じることになる。また、集電極と透明導電膜間界面の銀、インジウム、酸素、錫等の構成元素の拡散度合いにもわずかの差が生じる。
【００５６】
上述したように、実施の形態２においては、実施の形態１の場合と同様に太陽電池セルＣの出力特性の劣化を防止するとともに集電極と透明導電膜間の接続抵抗を改善して出力特性に優れた太陽電池が得られる。
【００５７】
なお、上記においてはヘテロ接合太陽電池セルを例に説明したが、上記の実施の形態は透明導電膜上に集電極が形成された構造を有する他の太陽電池に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
以上のように、本発明にかかる太陽電池セルの製造方法は、集電極と透明導電膜間の接続抵抗が改善された出力特性に優れた太陽電池セルの製造に有用である。
【符号の説明】
【００５９】
１  ｎ型単結晶シリコン基板
２  ｉ型非晶質シリコン層
３  ｐ型非晶質シリコン層
４  ｉ型非晶質シリコン層
５  ｎ型非晶質シリコン層
６  受光面側透明導電膜
７  裏面側透明導電膜
８  受光面側集電極
９  裏面側集電極
１０   セル本体部
１１  受光面側フィンガー部
１２  受光面側バスバー部
１３  裏面側フィンガー部
１４  裏面側バスバー部
２１  加熱部材
２２  ランプ
２３  光照射装置
Ｃ  ヘテロ接合太陽電池セル（太陽電池セル）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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