(57)【要約】【課題】  本発明は、液晶ディスプレイ等の表示素子に関し、より詳細には表示素子の透明電極基板の導電性ナノワイヤ電極層からの反射を抑制する技術に関するものである。【解決手段】  発明の表示素子は、導電性ナノワイヤを配置した透明電極基板を複数枚積層した表示素子であって、透明電極基板の少なくとも一つ以上において、導電性ナノワイヤは透明電極基板内で一方向に配向され、配向された透明電極基板は同じ向きに配置される、よう構成する。【選択図】  図１１
2013195969.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性ナノワイヤを配置した透明電極基板を複数枚積層した表示素子であって、
前記透明電極基板の少なくとも一つ以上において、前記導電性ナノワイヤは該透明電極基板内で一方向に配向され、該配向された該透明電極基板は同じ向きに配置される
ことを特徴とする表示素子。
【請求項２】
前記表示素子は、更にもう一つの前記導電性ナノワイヤが透明電極基板内で一方向に配向され透明電極基板を有し、該透明電極基板は配向された他の透明電極基板と同じ向きに配置される
ことを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項３】
前記導電性ナノワイヤは、線径が１００ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の表示素子。
【請求項４】
前記導電性ナノワイヤは、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、白金ナノワイヤ、カーボンナノチューブのいずれかである
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示素子。
【請求項５】
前記導電性ナノワイヤは、所定の樹脂によるバインダーにより該透明電極基板の基材上固定され、該バインダーの屈折率は該基材の屈折率に合わせたものである
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示素子。
【請求項６】
導電性ナノワイヤを配置した透明電極基板を複数枚積層し、該透明電極基板の観察面側に偏光板を配置した表示素子であって、
前記透明電極基板は、該透明電極基板の少なくとも一つ以上において、前記導電性ナノワイヤは該透明電極基板内で一方向に配向され、該配向された該透明電極基板は同じ向きに配置され、
前記偏光板の透過軸は、前記配向された透明電極基板の導電性ナノワイヤの配向の方向と直交する
ことを特徴とする表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ等の表示素子に関し、より詳細には表示素子の電極層からの反射を抑制する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイや電子ペーパー等の表示素子には透明電極が用いられているが、この透明電極に可撓性や低反射性に優れているとして導電性ナノワイヤを用いることが検討されている。導電性ナノワイヤを用いたナノワイヤ電極は、直径が数十ｎｍ、長さが１０μｍ程度の導電性ナノワイヤを基板上に分散配置し、導電性ナノワイヤ間を樹脂等のバインダーで埋めた構造である。この導電性ナノワイヤ電極において、導電性ナノワイヤの直径が可視光波長（数百ｎｍ）よりも小さいため、基板を通して入射した光の導電性ナノワイヤにおける反射が少ないことと、バインダーの屈折率を基板の素材の屈折率と合わせることで、高品質の表示を行なうことができる技術として期待されている。
【０００３】
導電性ナノワイヤ電極の形成方法としては、金属ナノワイヤを溶媒に分散させて塗布し、加熱により溶媒を除去した後に金属ナノワイヤの交点部分を圧着する方法が知られている。
透明電極は光透過率と表面抵抗とがトレードオフの関係にあるが、この方法により、高い全光線透過率を備えながら低い面積抵抗を有する透明電極を形成することができる、とするものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２５１２７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記したように、導電性ナノワイヤを用いた透明電極は可撓性があり低反射であることから高品質の表示を行なう技術として注目されている。しかしながら、導電性ナノワイヤの直径の大きさは可視光の波長より小さいが、長さは可視光波長より大きいために長さ方向に平行に振動する光（偏光）に対しては反射する。このため、僅かではあるが電極中に分散された導電性ナノワイヤ表面から反射が起こることになる。特に、カラー電子ペーパーのように電極層が多くなると（ＲＧＢのパネルを積層した構造である場合、６層の電極層となる）、1層の電極層からの反射は僅かであっても表示素子全体の反射量は大きくなり、コントラストの低下は表示品質を著しく損なうことになる。このため、多くの電極層を有する構造の表示素子においては、より高いコントラストを実現するために電極層の反射をさらに低減する必要がある。
【０００６】
本発明は、上記の問題に鑑み、導電性ナノワイヤ電極からの反射を抑制することにより、高いコントラストで表示ができる表示素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
発明の一観点によれば、導電性ナノワイヤを配置した透明電極基板を複数枚積層した表示素子であって、透明電極基板の少なくとも一つ以上において、導電性ナノワイヤは透明電極基板内で一方向に配向され、配向された透明電極基板は同じ向きに配置される、表示素子を提供できる。
【発明の効果】
【０００８】
開示の表示素子によれば、ナノワイヤを一方向に配向したので、配向方向に直交して振動する成分の光の入射に対し、ナノワイヤの配向はこの光の透過軸と一致しているので反射を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一般的なナノワイヤ電極を備えた表示素子の構造例を示す図である。
【図２】本発明のナノワイヤ電極を備えた表示素子の構造例を示す図である。
【図３】ナノワイヤの配向方向に対する反射率を説明する図である。
【図４】２層ナノワイヤ電極の反射例−その１（実施例１）を示す図である。
【図５】２層ナノワイヤ電極の反射例−その２（実施例１）を示す図である。
【図６】２層ナノワイヤ電極の反射例−その３（実施例１）を示す図である。
【図７】２層ナノワイヤ電極の反射例−その４（実施例１）を示す図である。
【図８】表示素子の構造例（実施例１）を示す図である。
【図９】表示素子の作製フロー例−その１（実施例１）を示す図である。
【図１０】表示素子の作製フロー例−その２（実施例１）を示す図である。
【図１１】６層ナノワイヤ電極の反射例その１（実施例２）を示す図である。
【図１２】６層ナノワイヤ電極の反射例その２（実施例２）を示す図である。
【図１３】６層ナノワイヤ電極の反射例その３（実施例２）を示す図である。
【図１４】表示素子の構造例（実施例２）を示す図である。
【図１５】偏光板を用いた２層ナノワイヤ電極の反射例（実施例３）を示す図である。
【図１６】表示素子の構造例（実施例３）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施形態の理解を容易にするために、導電性ナノワイヤ電極（以降、単にナノワイヤ電極と言う）を用いた一般的な表示素子について説明する。
【００１１】
図１は、ナノワイヤ電極を用いた表示素子の構造を説明する図で、表示素子の断面を模式的に示している。表示素子１０は、２枚の液晶パネル３０、４０、および光吸収層２０で構成されている。液晶パネル３０は、２枚の基板３０ａ、３０ｅの一面にナノワイヤ電極３０ｂ、３０ｄを形成し、そのナノワイヤ電極３０ｂ、３０ｄを向かい合わせにした間隙に液晶材料３０ｃを封じ込んでいる。ナノワイヤ電極３０ｂ、３０ｄは、前述のように直径が数十ｎｍ、長さが１０μｍ程度の導電性ナノワイヤ（以降、単にナノワイヤと言う）を基板３０ａ、３０ｅの一面に分散配置し、ナノワイヤ同士を接触させて電気的に接続している。また、ナノワイヤ間は数μｍ程度の隙間があり、その隙間は樹脂等のバインダーで埋めている。光はバインダーを透過するので、透明電極として成り立つことになる。なお、バイダーの屈折率は基板３０ａ、３０ｅの素材（例えば、ガラスや樹脂）の屈折率と合わせており、基板３０ａ、３０ｂとの界面反射が起こらないようにしている。なお、液晶パネル４０も液晶パネル３０と同じ構造である。
【００１２】
表示の仕組みは、外光が図１の上方から下方に向かって入射し、ナノワイヤ電極３０ｂ、３０ｄ、４０ｂ、４０ｄに電圧をＯＮ／ＯＦＦ制御することで液晶材料３０ｃ、４０ｃで入射した光を反射、または透過することで表示が行なわれる。入射光が液晶材料３０ｃ、４０ｃを透過した場合は、最下層の光吸収層２０で吸収され、観察面から見た状態は「黒」となる。
【００１３】
図１の右側の図は、左の図に示した表示素子１０から取り出したナノワイヤ電極３０ｂ、３０ｄ、４０ｂ、４０ｄの俯瞰図を示し、４枚のナノワイヤ電極３０ｂ、３０ｄ、４０ｂ、４０ｄのナノワイヤの長さ方向の向きはランダムである。ところで、個々のナノワイヤの軸方向（長さ方向）の偏光に対する反射率は高く、軸と直交する方向の偏光に対する反射率は低い性質がある。これは、可視光の波長と、上記に示したナノワイヤの長さと直径の大きさとの関係に依存する。即ち、ナノワイヤの軸方向（長さ方向）は光の波長に対して十分大きいため反射が起こるが、軸と直交する方向は光の波長に対して小さいため透過することによる（レイリー散乱が少なくなり光はほぼ透過する）。従って、ナノワイヤ電極は透明電極であるとは言うものの、ナノワイヤの表面から僅かではあるが反射が起こる。図１に示されるように、４枚のナノワイヤ電極３０ｂ、３０ｄ、４０ｂ、４０ｄのそれぞれで反射が起こるため反射は無視できなくなり、反射を抑制することが求められる。
【００１４】
反射を抑制した本発明の表示素子１１の構造の１例は図２に示される。図２は、図１に示される一般的な表示素子１０の構造と比較できるように同じ構図で描き、同じ構成要素には同一の符号を付けている。図２に示したように、図１と異なるのはナノワイヤ電極３１ｂ、３１ｄ、４１ｂ、４１ｄのみで、他の構成要素は同一である。ナノワイヤ電極３１ｂ、３１ｄ、４１ｂ、４１ｄが図１のナノワイヤ電極３０ｂ、３０ｄ、４０ｂ、４０ｄと異なる点は、ナノワイヤを一方向になるように基板３０ａ、３０ｅ、４０ａ、４０ｅ上に配向させて配置し（図１に示した分散配置に対して、「配向配置」と言うことにする）、配向したそれぞれのナノワイヤ電極３１ｂ、３１ｄ、４１ｂ、４１ｄを同じ向きに揃えて配置している点である。
【００１５】
図２に示したナノワイヤを配向配置したナノワイヤ電極の反射は次のように考えることができる。図３は配向配置したナノワイヤ電極５０に対し、入射光を配向方向と一致して振動する入射光の成分を偏光Ｘ、直交する成分を偏光Ｙとし、それらを入射光として代表させて考える。即ち、入射光に対して、それぞれ５０％ずつの偏光Ｘ、偏光Ｙがあると考える。上記したように、配向方向と平行な偏光Ｘに対する反射率は高く、それと直交する偏光Ｙに対する反射率は低くなるので、偏光Ｘの反射率をＲｘ、偏光Ｙの反射率をＲｙとすると、ＲｘとＲｙは次の関係にある。
【００１６】
Ｒｘ＞Ｒｙ
例えば、Ｒｘが１０％に対して、Ｒｙは１％である。ナノワイヤ電極５０における反射はそれぞれの偏光に対する反射を合計したものと考えることができる。
（実施例１）
実施例１では、ナノワイヤ電極が２層の場合（単一液晶パネルに相当）の例を示し、図４を用いてナノワイヤ電極で起こる反射量を求める。反射は電極層に配置したナノワイヤの表面で起こるので、ナノワイヤ電極のみで説明する。１層目のナノワイヤ電極５１と２層目のナノワイヤ電極５２とはナノワイヤの配向方向は同一のＸ方向であり（Ｙ方向はナノワイヤの軸と直交する方向となる）、配向方向を揃えて配置されている。また、２層のナノワイヤ電極５１、５２のＸ方向の反射率Ｒｘは１０％、Ｙ方向の反射率Ｒｙは１％とする。
【００１７】
図４は、外光として入射したＰ１の光量が１層目のナノワイヤ電極５１でＲ１の光量の反射が起こり、ナノワイヤ電極５１を透過したＰ２の光量が２層目のナノワイヤ電極５２に入射し、Ｒ２の光量の反射が起こる状態を示している。
【００１８】
図４の下方の表は、上の図のＰ１の光量を１００としたときのＰ２、Ｒ１、Ｒ２のそれぞれの光量を求めたものである。表中の値は次のようにして求めたものである。
【００１９】
入射光であるＰ１の光量を１００としたとき、上記のようにＰ１をＸ方向とＹ方向の偏光が５０％ずつあると考えて、それぞれ光量５０のＰ１ｘとＰ１ｙとが入射するものとする。このＰ１ｘとＰ１ｙに対する反射量Ｒ１ｘとＲ１ｙは次のように求められる。
【００２０】
Ｒ１ｘ＝Ｐ１ｘ×Ｒｘ＝５０×１０％＝５
Ｒ１ｙ＝Ｐ１ｙ×Ｒｙ＝５０×１％＝０．５
従って、１層目のナノワイヤ電極５０の反射量Ｒ１は、次のようになる。
【００２１】
Ｒ１＝Ｒ１ｘ＋Ｒ１ｙ＝５＋０．５＝５．５
２層目のナノワイヤ電極５１には、１層目の入射量から反射量を差し引いた量の光が入射するので、それぞれの光量は次のように求められる。
【００２２】
Ｐ２ｘ＝Ｐ１ｘ−Ｒ１ｘ＝５０−５＝４５
Ｐ２ｙ＝Ｐ１ｙ−Ｒ１ｙ＝５０−０．５＝４９．５
Ｐ２＝Ｐ２ｘ＋Ｐ２ｙ＝４５＋４９．５＝９４．５
また、２層目における反射量は１層目の計算と同様に、求めることができる。即ち、
Ｒ２ｘ＝Ｐ２ｘ×Ｒｘ＝４５×１０％＝４．５
Ｒ２ｙ＝Ｐ２ｙ×Ｒｙ＝４９．５×１％＝０．５
Ｒ２＝Ｒ２ｘ＋Ｒ２ｙ＝４．５＋０．５＝５．０
従って、全体の反射率Ｒ（以降、全体反射率Ｒと言う）は、次のようになる。
【００２３】
Ｒ＝［（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｐ１］×１００
＝［（５．５＋５．０）／１００］×１００＝１０．５％
以上に示したように、ナノワイヤを一方向に配向した２層のナノワイヤ電極を同一方向に揃えた状態における反射率は１０．５％となる。
【００２４】
次に、比較のために一般的に行なわれているナノワイヤの方向がランダムな場合の反射率を求める。図５は、図４と同様に描いた図で、上の図に示されるように、１層目と２層目のナノワイヤ電極５３、５４のナノワイヤの方向はランダムである。このときの反射率は、配向した場合のＲｘ＝１０％、Ｒｙ＝１％を実現し得るナノワイヤと同等の反射率として（Ｒｘ＋Ｒｙ）／２＝５．５％を用いる。図５の表に示されるように、ナノワイヤの方向がランダムな場合の全体反射率Ｒは１０．７％となり、同一方向に揃えた場合の反射率と較べて０．２％アップしたことになる。
【００２５】
以上から、電極層内のナノワイヤを一定方向に配向し、１層と２層の配向方向を揃えた場合は、１層目に入射した光はナノワイヤの長さに直交する方向に振動する光の成分の偏光が多く含まれて透過し、２層目に入射することになる（前述した、ナノワイヤの線径の大きさが光の波長に対して十分小さいため透過することによる）。２層目のナノワイヤの配向はこの偏光の透過軸と一致しているので反射を抑制することができる。
【００２６】
上記まで反射率をＲｘ１０％、Ｒｙ１％とした場合について説明してきたが、この反射率の大きさを変えた場合に、全体反射率がどのようになるかを説明する。図６は、ＲｘとＲｙの値を変えた場合の全体反射率Ｒを求めた結果を示す。ＲｘとＲｙの値を変えると言うことは、ナノワイヤの配向の度合いを変えることでもある。配向度合いを強くすると、Ｒｙの値に対してＲｘの値が大きくなる。また、ナノワイヤの密度を変えることでＲｘとＲｙの値を変化させることができる。例えば、ナノワイヤの密度を増やすとＲｘとＲｙの値は大きくなる。
図６（ａ）は図４で説明した配向方向を揃えた場合の例を示し、図６（ｂ）はランダムな配向の場合の例を示している。図６（ａ）において、横軸はナノワイヤの配向方向と平行な偏光に対する反射率Ｒｘ、縦軸がナノワイヤの配向方向と直交する偏光の反射率Ｒｙを示している。求める反射率は等高線で表され、グラフ中の数字で表される等高線はラウンドナンバーの反射率の値を示している。ここではＲｘ＞Ｒｙとしているため、左上の領域に反射率の等高線を示していない。また、図６（ｂ）における求める反射率は、ＲｘとＲｙは同一であるので４５°の線上に示される。
【００２７】
ナノワイヤの配向方向を揃えた場合の反射率の有利性を表すために、図６（ａ）と図６（ｂ）における全体反射率Ｒの差分を図７に示す。図７は、配向した場合を基準としてこの反射率ＲｘとＲｙを横軸と縦軸に取り、配向した場合の図６（ａ）に示されるＲｘとＲｙの全体反射率Ｒから、このＲｘとＲｙに相当するランダムの場合の値とで求まる全体反射率Ｒとの差分がラウンドナンバーとなるＲｘとＲｙと示したものである。図７に示されるように、全体反射率Ｒの差は（配向した場合からランダムの場合の全体反射率Ｒの差）常に負になっており、配向方向が揃っている方の反射率がランダムな場合より小さいことが分かる。即ち、配向方向を揃えることで反射量を抑制できる。
【００２８】
次に、本発明の表示素子の作製方法を図８〜図１０を用いて説明する。工程別に説明する前に、表示素子の完成体の構造を先に説明する。図８は、表示素子３００の断面を模式的に示した図である。表示素子３００は光吸収層２００の上に液晶パネル１００が配置されている。液晶パネル１００は、ナノワイヤ電極１２０、１４０を形成した２枚の基板１１０、１３０を電極が対向するように配置し、その間にスペーサ１６０を散布し液晶材料１７０を封じ込んだ構成になっている。ナノワイヤ電極１２０、１４０は図４に示されるようにナノワイヤが一方向に配向され、ナノワイヤ電極１２０とナノワイヤ電極１４０の向きは同じ方向に揃えてある。スペーサ１６０は液晶材料１７０が封入される基板１１０、１３０間を一定の間隙を保持するために入れられる。また、間隙の端部から液晶材料１７０が漏れないように、端部をシール材１５０で塞いでいる。なお、下層の基板１１０上に形成されたナノワイヤ電極１２０は、画素を形成するためパターニングされている。表示素子３００は、アクティブ型の表示素子の例であり、基板１１０上にはＴＦＴ回路やＴＦＴ回路と接続する配線パターンが形成されているが、図８に示した断面より後方、または前方の位置にそれらが形成されており、図８には表していない。
【００２９】
次に、図９と図１０とを用いて、工程順に表示素子３００の作製過程を説明する。図９（ａ）は、下層の基板１１０を示し、基板１１０には不図示のＴＦＴ回路や配線パターンが形成された状態にある。この基板１１０上にここでは線径（直径）が５０ｎｍ、長さ１０μｍの銀ナノワイヤを樹脂バインダーに分散させた分散液１２１を、スリットコーター１２２を用いて一方向（図９では左方向）に向かって塗布する。このとき、塗布された膜の内部に適度なずり応力が発生し、所定の膜厚に膜厚になるようにスリットコーター１２２の塗布スピードが制御される。スリットコーター１２２で塗布された膜は、スリットコーター１２２に連動する温風乾燥機１２３により直ちに数十℃の温風を吹きつけ、塗布膜を仮乾燥する。このように銀ナノワイヤの分散液をずり応力を発生させながら塗布し、塗布後の短い時間に仮乾燥することで、銀ナノワイヤを一方向に配向させることが出来る。なお、分散液１２１の樹脂バインダーの屈折率は、基板１１０の屈折率に合わせてある（図９（ｂ））。本実施例では５０ｎｍの線径のナノワイヤを用いたが、線径は可視光の波長以下であればよく凡そ１００ｎｍ以下が望ましい。また、ナノワイヤの素材は、実施例の銀ナノワイヤの他に、金ナノワイヤや白金ナノワイヤ、カーボンナノチューブであってもよい。
【００３０】
続いて、乾燥炉により本乾燥を行い（図９（ｃ））、冷却した後に基板１１０上にレジストをスプレーコーター等により塗布する。レジスト乾燥の後にフォトマスクを用いて露光、現像、エッチング、レジスト剥離のフォトリソ工程を経て銀ナノワイヤ電極を矩形状にパターニングする（図９（ｄ））。
【００３１】
続いて、基板１１０と対向する基板１３０についても、図９（ａ）〜（ｄ）の工程を経て基板１３０上に銀ナノワイヤを配向させつつ塗布し、対向電極となるナノワイヤ電極１４０を形成する。
【００３２】
基板１３０に形成されたナノワイヤ電極１４０の面上に、セルギャップ保持のためのスペーサ１６０を散布し、基板１３０の周辺部にシール材１５０を塗布する（図１０（ｅ）、（ｆ））。
【００３３】
基板１１０のナノワイヤ電極１２０の面を、基板１３０のナノワイヤ電極１４０の面に向かい合うようにし、更にナノワイヤ電極１４０の配向方向が一致するように貼り合わせる（図１０（ｇ））。
【００３４】
続いて、予めシール材１５０に設けられた液晶注入口（不図示）から液晶材料１７０であるコレステリック液晶を注入し、注入後に液晶注入口を封止することで液晶パネル１００が完成する（図１０（ｈ））。
【００３５】
最後に、基板１１０に光吸収層２００を貼付して表示素子３００が完成する（図１０（ｉ））。なお、図１０（ｉ）は図８と天地が逆になって描かれている。
（実施例２）
実施例１では、ナノワイヤ電極が２層の場合の実施例を示した。実施例２では、ナノワイヤ電極を６層とした場合の実施例を説明する。
【００３６】
図１１（ａ）は、６層のナノワイヤ電極の配向方向がＸ方向に総て揃っている例を示している。ここでも、各ナノワイヤ電極における反射率はＲｘ＝１０％、Ｒｙ＝１％とした場合、実施例１と同様に求めた全体反射率Ｒは２６．４％となる。これに対し、図１１（ｂ）は、６層とも配向方向はランダムであり、この場合の全体反射率Ｒは２８．８％である。配向方向を同一とした場合はランダムな配向に較べて全体反射率Ｒは２．４％少なくなっている。ナノワイヤ電極の層数が増すことで反射量はより顕著に抑制される。
【００３７】
図６と同様に、ここでも横軸を反射率Ｒｘ、縦軸を反射率Ｒｙとしたときの全体反射率Ｒを、配向方向を揃えた場合とランダムな場合とを図１２（ａ）と（ｂ）に示し、図１２（ａ）と（ｂ）との全体反射率Ｒの差分を図１３に示す。図１３においては、図７と同様に、配向した場合の全体反射率Ｒからランダムの場合の全体反射率Ｒの差は常に負になっており、配向方向を揃えることで反射量を抑制できることを示している。図７との比較において、同じＲｘとＲｙにおける差分の値はマイナスにより大きくなり、６層の各層の配向方向が揃うことで、全体反射率Ｒはより顕著に抑制されることが分かる。
【００３８】
次に、実施例２における表示素子の例を説明する。図１４は、ナノワイヤ電極が６層の表示素子３１０の構造で、３枚の液晶パネル１０１〜１０３を積層配置している。それぞれの液晶パネル１０１〜１０３は２枚のナノワイヤ電極が形成された基板の間にコレステリック液晶を挟んでいる。コレステリック液晶は、特定の波長領域の光を反射する反射状態と、光を透過する透過状態の２つの状態が電圧印加によって切り替わる。３枚の液晶パネル１０１〜１０３にそれぞれ異なる波長を反射するコレステリック液晶を用いることで、様々な色を表示することが出来る。図１４の上から順に赤を反射する液晶パネル１０１、緑を反射する液晶パネル１０２、青を反射する液晶パネル１０３の順に並んでいる。最下層には光を吸収する光吸収層２００が設置されている。それぞれの液晶パネル１０１〜１０３の作製方法は実施例１と同様であるので、説明は省略する。
（実施例３）
実施例３は、偏光板を用いた表示素子の例である。図１５（ａ）は、観察面であるナノワイヤ電極の前面に偏光板を設置し、偏光板の透過軸をナノワイヤの配向方向に直交するように配置した例を示している。このようにすることで、１層目への入射光の振動方向をＹ方向に限定している。Ｘ方向とＹ方向の反射率を、実施例１と同様にＲｘ＝１０％、Ｒｙ＝１％としたときの１層目の反射率Ｒは０．５％、１層と２層を合わせた全体の反射率Ｒ１％となる（図４で示したＲ１ｙの０．５とＲ２ｙの０．５の合計したものと考えてよい）。
【００３９】
図１５（ｂ）は比較のためにナノワイヤの配向方向がランダムの例を示した。Ｒｘ＝１０％、Ｒｙ＝１％に同等なＲｘ＝Ｒｙ＝５．５％として求めた１層目の反射率Ｒは２．７５％、１層と２層を合わせた全体反射率Ｒは５．３５％となる（図５で示したＲ１ｙの２．７５とＲ２ｙの２．６０の合計したものと考えてよい）。
【００４０】
図１５（ａ）、（ｂ）から分かるように、偏光板の透過軸とナノワイヤの配向方向を直交することで、反射の抑制効果はより顕著になる。
【００４１】
表示素子としての実際の構造は、図１６に示される。表示素子４００は、２枚の偏光板４２０、４３０と１枚の液晶パネル１００と、バックライト４１０で構成される。２枚の基板１１０、１３０の間にはネマティック液晶の液晶材料１７０が挟まれている。２枚の偏光板４２０、４３０は透過軸が直交するように設置されている。２枚の基板１１０、１３０の電極はナノワイヤ電極１２０、１４０であり、それぞれの電極中のナノワイヤは、観察面側の偏光板の透過軸と直交するように配向されている。また、ネマティック液晶は電圧印加時に黒表示となるノーマリーホワイトモードになるように配向されている。このような構成にすることで、黒表示時に、外部から入ってきた光の電極面での反射を最小限にすることができ、明るい環境下でも高コントラストの表示素子４００を実現できる。
実施例３は表示素子に偏光板を用いた例であるが、偏光板を用いずに外部から入射する光が偏光した光を用いることができれば、１枚のナノワイヤ電極でも反射を抑制する効果がある（この場合、ナノワイヤ電極の配向方向を偏光の振動方向に直交するように合わせる必要がある）。
【００４２】
本発明は、ナノワイヤ電極におけるナノワイヤを一定の方向に配向させ、ナノワイヤ電極からの反射を抑制することを要旨とするもので、上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
【符号の説明】
【００４３】
１０    表示素子
１１    表示素子
２０    光吸収層
３０    液晶パネル
３０ａ  基板
３０ｂ  ナノワイヤ電極
３０ｃ  液晶材料
３０ｄ  ナノワイヤ電極
３０ｅ  基板
３１    液晶パネル
３１ｂ  ナノワイヤ電極
３１ｄ  ナノワイヤ電極
４０    液晶パネル
４０ａ  基板
４０ｂ  ナノワイヤ電極
４０ｃ  液晶材料
４０ｄ  ナノワイヤ電極
４０ｅ  基板
４１    液晶パネル
４１ｂ  ナノワイヤ電極
４１ｄ  ナノワイヤ電極
５０    ナノワイヤ電極
５１    ナノワイヤ電極
５２    ナノワイヤ電極
５３    ナノワイヤ電極
５４    ナノワイヤ電極
１００  液晶パネル
１０１  液晶パネル（赤）
１０２  液晶パネル（緑）
１０３  液晶パネル（青）
１１０  基板
１２０  ナノワイヤ電極
１２１  分散液
１２２  スリットコーター
１２３  温風乾燥機
１３０  基板
１４０  ナノワイヤ電極
１５０  シール材
１６０  スペーサ
１７０  液晶材料
２００  光吸収層
３００  表示素子
３１０  表示素子
４００  表示素子
４１０  バックライト
４２０  偏光板
４３０  偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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