(57)【要約】      （修正有）【課題】電界効果移動度に優れる有機トランジスタの製造に有用な高分子化合物を提供する。【解決手段】式（１）で表される構造単位と、式（２）で表される構造単位と、を含む高分子化合物。2013237767.tif 0000242013237767.tif 000025【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表される構造単位と、式（２）で表される構造単位と、を含む高分子化合物。
【化１】
2013237767.tif 000019
〔式中、
Ａｒ１は、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、−ＣＲｇ＝ＣＲｇ−で表される基または−Ｃ≡Ｃ−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒｇは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲｇは同一でも異なっていてもよい。
Ｅ１は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｎ（ＲＮ）−または−Ｃ（ＲＣ１）＝Ｃ（Ｒｃ２）−を表す。複数存在するＥ１は同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、＝Ｃ（Ｒ１）−または＝Ｎ−を表す。複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ１、ＲＮ、Ｒｃ１およびＲｃ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
【化２】
2013237767.tif 000020
〔式中、
Ａｒ２およびＡｒ３は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。但し、Ａｒ２およびＡｒ３のからなる群から選ばれる少なくとも一方は、芳香族複素環を表す。
Ｚは、２価の基を表す。
但し、式（２）で表される基は、前記Ａｒ１で表される基とは異なる。〕
【請求項２】
前記Ａｒ１が有するアルキル基が、０〜３個である、請求項１に記載の高分子化合物。
【請求項３】
前記式（１）で表される構造単位が、式（３）で表される構造単位である、請求項１または２に記載の高分子化合物。
【化３】
2013237767.tif 000021
〔式中、
Ｅ１およびＸは、前記と同じ意味を表す。
Ｒ３は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ３は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環状構造を形成してもよい。〕
【請求項４】
前記式（２）で表される構造単位が、式（４）で表される構造単位である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【化４】
2013237767.tif 000022
〔式中、
Ｚは、前記と同じ意味を表す。
Ｅ２は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−Ｎ（ＲＮ）−を表す。複数存在するＥ２は同一でも異なっていてもよい。
ＲＮは、前記と同じ意味を表す。
Ｒ２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ２は同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項５】
前記Ｚが、式（Ｚ−１）〜式（Ｚ−６）のいずれかで表される基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【化５】
2013237767.tif 000023
〔式中、
Ｒ４は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ４は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子またはケイ素原子とともに、環状構造を形成していてもよい。
Ｅ２は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−ＳＯ２−、−Ｓｉ（Ｒ５）（Ｒ５）−、−Ｎ（Ｒ５）−、−Ｂ（Ｒ５）−、−Ｐ（Ｒ５）−またはＰ（＝Ｏ）（Ｒ５）−を表す。
Ｒ５は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ５は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合するケイ素原子とともに環状構造を形成していてもよい。〕
【請求項６】
前記Ｅ１が、−Ｓ−または−Ｏ−である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項７】
前記Ｘが、＝ＣＨ−である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項８】
共役高分子化合物である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有する有機半導体材料。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機半導体材料を含有する有機層を有する、有機半導体素子。
【請求項１１】
ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極および活性層を有し、該活性層に請求項９に記載の有機半導体材料を含有する、有機トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物およびそれを用いた有機トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体材料を用いた有機トランジスタは、従来の無機半導体材料を用いたトランジスタと比較して、低温で製造できるほか、デバイスの軽量化や製造コストの低下が期待されるため、盛んに研究開発が行われている。
【０００３】
有機トランジスタの性能を示す指標の一つである電界効果移動度は、活性層に含有される有機半導体材料の電界効果移動度に大きく依存する。そのため、有機トランジスタの活性層に用いる材料として、様々な有機半導体材料が検討されている。
【０００４】
例えば、非特許文献１には、有機トランジスタに用いる有機半導体材料として、下記式で表される高分子化合物が開示されている。
【０００５】
【化１】
2013237767.tif 000002
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｎａｔｕｒｅ  （２００５）Ｖｏｌ．４３４  Ｐ．１９４−１９９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の高分子化合物を活性層に用いた有機トランジスタの電界効果移動度は、必ずしも十分ではなかった。
【０００８】
そこで、本発明は、電界効果移動度に優れる有機トランジスタの製造に有用な高分子化合物を提供することを目的とする。本発明はまた、当該高分子化合物を含有する有機半導体材料、並びに、当該有機半導体材料を含有する有機半導体素子および有機トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下の高分子化合物、当該高分子化合物を含有する有機半導体材料、並びに、当該有機半導体材料を含有する有機半導体素子および有機トランジスタを提供する。
【００１０】
［１］  式（１）で表される構造単位と、式（２）で表される構造単位と、を含む高分子化合物。
【化２】
2013237767.tif 000003
〔式中、
Ａｒ１は、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、−ＣＲｇ＝ＣＲｇ−で表される基または−Ｃ≡Ｃ−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒｇは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲｇは同一でも異なっていてもよい。
Ｅ１は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｎ（ＲＮ）−または−Ｃ（ＲＣ１）＝Ｃ（Ｒｃ２）−を表す。複数存在するＥ１は同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、＝Ｃ（Ｒ１）−または＝Ｎ−を表す。複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ１、ＲＮ、Ｒｃ１およびＲｃ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
【化３】
2013237767.tif 000004
〔式中、
Ａｒ２およびＡｒ３は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。但し、Ａｒ２およびＡｒ３のからなる群から選ばれる少なくとも一方は、芳香族複素環を表す。
Ｚは、２価の基を表す。
但し、式（２）で表される基は、前記Ａｒ１で表される基とは異なる。〕
［２］  前記Ａｒ１が有するアルキル基が、０〜３個である、［１］に記載の高分子化合物。
［３］  前記式（１）で表される構造単位が、式（３）で表される構造単位である、［１］または［２］に記載の高分子化合物。
【化４】
2013237767.tif 000005
〔式中、
Ｅ１およびＸは、前記と同じ意味を表す。
Ｒ３は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ３は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環状構造を形成してもよい。〕
［４］  前記式（２）で表される構造単位が、式（４）で表される構造単位である、［１］〜［３］のいずれか一つに記載の高分子化合物。
【化５】
2013237767.tif 000006
〔式中、
Ｚは、前記と同じ意味を表す。
Ｅ２は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−Ｎ（ＲＮ）−を表す。複数存在するＥ２は同一でも異なっていてもよい。
ＲＮは、前記と同じ意味を表す。
Ｒ２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ２は同一でも異なっていてもよい。〕
［５］  前記Ｚが、式（Ｚ−１）〜式（Ｚ−６）のいずれかで表される基である［１］〜［４］のいずれか一つに記載の高分子化合物。
【化６】
2013237767.tif 000007
〔式中、
Ｒ４は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ４は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子またはケイ素原子とともに、環状構造を形成していてもよい。
Ｅ２は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−ＳＯ２−、−Ｓｉ（Ｒ５）（Ｒ５）−、−Ｎ（Ｒ５）−、−Ｂ（Ｒ５）−、−Ｐ（Ｒ５）−またはＰ（＝Ｏ）（Ｒ５）−を表す。
Ｒ５は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ５は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合するケイ素原子とともに環状構造を形成していてもよい。〕
［６］  前記Ｅ１が、−Ｓ−または−Ｏ−である、［１］〜［５］のいずれか一つに記載の高分子化合物。
［７］  前記Ｘが、＝ＣＨ−である、［１］〜［６］のいずれか一つに記載の高分子化合物。
［８］  共役高分子化合物である、［１］〜［７］のいずれか一項に記載の高分子化合物。
［９］  ［１］〜［８］のいずれか一つに記載の高分子化合物を含有する有機半導体材料。
［１０］  ［９］に記載の有機半導体材料を含有する有機層を有する、有機半導体素子。
［１１］  ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極および活性層を有し、該活性層に［９］に記載の有機半導体材料を含有する、有機トランジスタ。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、電界効果移動度に優れる有機トランジスタの製造に有用な高分子化合物を提供することができる。また、本発明によれば、当該高分子化合物を含有する有機半導体材料、並びに、当該有機半導体材料を含有する有機半導体素子および有機トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の有機トランジスタの一例を示す模式断面図である。
【図２】本発明の有機トランジスタの他の例を示す模式断面図である。
【図３】本発明の有機トランジスタの他の例を示す模式断面図である。
【図４】本発明の有機トランジスタの他の例を示す模式断面図である。
【図５】本発明の有機トランジスタの他の例を示す模式断面図である。
【図６】本発明の有機トランジスタの他の例を示す模式断面図である。
【図７】本発明の有機トランジスタの他の例を示す模式断面図である。
【図８】本発明の有機トランジスタの他の例を示す模式断面図である。
【図９】本発明の有機トランジスタの他の例を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、必要に応じて図面を参照することにより、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
本明細書中、「構造単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位構造を意味する。「構造単位」は、「繰り返し単位」（即ち、高分子化合物中に２個以上存在する単位構造）として高分子化合物中に含まれることが好ましい。
【００１５】
＜高分子化合物＞
（第１構造単位）
本発明の高分子化合物は、式（１）で表される構造単位（以下、「第１構造単位」という場合がある。）を含む。第１構造単位は、高分子化合物中に一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。
【００１６】
【化７】
2013237767.tif 000008
【００１７】
式（１）中、Ｅ１は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｎ（ＲＮ）−、−Ｃ（ＲＣ１）＝Ｃ（ＲＣ２）−を表す。複数存在するＥ１は同一でも異なっていてもよい。
【００１８】
Ｅ１は、本発明の高分子化合物の原料となるモノマーの合成の容易さの観点からは、−Ｓ−または−Ｏ−が好ましく、−Ｓ−がより好ましい。
【００１９】
式（１）中、Ｘは、＝Ｃ（Ｒ１）−または＝Ｎ−を表す。複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ１は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環状構造を形成してもよい。
【００２０】
Ｘは、本発明の高分子化合物の原料となるモノマーの合成の容易さの観点からは、＝Ｃ（Ｒ１）−であることが好ましく、＝ＣＨ−であることが好ましい。
【００２１】
式（１）中、Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＣ１およびＲＣ２は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環状構造を形成してもよい。
【００２２】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれであってもよく、置換基を有していてもよい。直鎖状アルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜６０であり、１〜２０であることが好ましい。分岐状アルキル基および環状アルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜２０であり、４〜２０であることが好ましい。これらのアルキル基の中でも、直鎖状アルキル基および分岐状アルキル基が好ましく、直鎖状アルキル基がより好ましい。
アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ヘキサデシル基等の直鎖状アルキル基；イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基等の分岐状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基が挙げられる。
上記のアルキル基が有していてもよい置換基としては、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。置換基を有するアルキル基の具体例としては、メトキシエチル基、ベンジル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。
【００２３】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すアルコキシ基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれであってもよく、置換基を有していてもよい。直鎖状アルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０である。分岐状アルコキシ基および環状アルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜２０である。これらのアルコキシ基の中でも、直鎖状アルコキシ基が好ましい。
アルコキシ基の具体例としては、ｎ−ブチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基等が挙げられ、ｎ−ブチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ等の直鎖状アルコキシ基が好ましい。
上記のアルコキシ基が有していてもよい置換基としては、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００２４】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すアルキルチオ基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれであってもよく、置換基を有していてもよい。直鎖状アルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０である。分岐状アルキルチオ基および環状アルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜２０である。これらのアルキルチオ基の中でも、直鎖状アルキルチオ基が好ましい。
アルキルチオ基の具体例としては、ｎ−ブチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ｎ−ドデシルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ等が挙げられ、ｎ−ブチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、ｎ−ドデシルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ等の直鎖状アルキルチオ基が好ましい。
上記のアルキルチオ基が有していてもよい置換基としては、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００２５】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すアリール基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団であり、ベンゼン環を有する基、縮合環を有する基、独立したベンゼン環および縮合環からなる群から選ばれる２個以上の環が直接結合した基も含む。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、６〜２０であることが好ましい。
アリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、４−フェニルフェニル基等が挙げられる。
アリール基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、１価の芳香族複素環基、ハロゲン原子等が挙げられ、これらの中でもアルキル基が好ましい。置換基を有するアリール基の具体例としては、４−ヘキシルフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。
【００２６】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表す１価の芳香族複素環基は、置換基を有していてもよい芳香族複素環式化合物から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団であり、縮合環を有する基、独立した芳香族複素環および縮合環からなる群から選ばれる２個以上の環が直接結合した基も含む。１価の芳香族複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、３〜２０であることが好ましい。ここで、芳香族複素環式化合物とは、芳香環構造を有する有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
１価の芳香族複素環基の具体例としては、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、２−オキサゾリル基、２−チアゾリル基、２−イミダゾリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基、２−チエノチエニル基等が挙げられる。
１価の芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられ、これらの中でもアルキル基が好ましい。置換基を有する１価の芳香族複素環基の具体例としては、５−オクチル−２−チエニル基、５−フェニル−２−フリル基等が挙げられる。
【００２７】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すアリールオキシ基は、置換基を有していてもよい。アリールオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜２０である。
アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
アリールオキシ基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられ、これらの中でもアルキル基が好ましい。
【００２８】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すアリールチオ基は、置換基を有していてもよい。アリールチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜２０である。
アリールチオ基の具体例としては、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基等が挙げられる。
アリールチオ基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられ、これらの中でもアルキル基が好ましい。
【００２９】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すアルケニル基は、置換基を有していてもよい。アルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜２０である。
アルケニル基の具体例としては、ビニル基、１−オクテニル基等が挙げられる。
アルケニル基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００３０】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すアルキニル基は、置換基を有していてもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜２０である。
アルキニル基の具体例としては、エチニル基、１−オクチニル基等が挙げられる。
アルキニル基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、シリル基等が挙げられる。置換基を有するアルキニル基の具体例としては、２−フェニルエチニル基、トリメチルシリルエチニル基等が挙げられる。
【００３１】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すアミノ基は、置換基を有していてもよい。アミノ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めて、通常０〜４０である。
アミノ基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基等が挙げられる。置換基を有するアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ピリジルアミノ基等が挙げられる。
【００３２】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すシリル基は、置換基を有していてもよい。シリル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めて、通常０〜６０である。
シリル基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基等が挙げられる。置換基を有するシリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。
【００３３】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子であることが好ましい。
【００３４】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すアシル基は、置換基を有していてもよい。アシル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
アシル基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。置換基を有するアシル基の具体例としては、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。
【００３５】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すアシルオキシ基は、置換基を有していてもよい。アシルオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜２０である。アシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
アシルオキシ基が有していてもよいアシルオキシ基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。置換基を有するアシルオキシ基の具体例としては、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
【００３６】
Ｒ１、ＲＮ、ＲＣ１およびＲＣ２が表すアミド基は、置換基を有していてもよい。置換基を有していてもよいアミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジベンズアミド基等が挙げられる。
【００３７】
Ｒ１は、本発明の高分子化合物の原料となるモノマーの合成の容易さの観点からは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子が好ましく、水素原子またはハロゲン原子がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
【００３８】
ＲＮは、本発明の高分子化合物の原料となるモノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基またはアリールチオ基が好ましく、アルキル基またはアリール基がより好ましい。
【００３９】
ＲＣ１およびＲＣ２は、本発明の高分子化合物の原料となるモノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基またはアリールチオ基が好ましく、アルキル基またはアリール基がより好ましい。
【００４０】
式（１）中、Ａｒ１は、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、−ＣＲｇ＝ＣＲｇ−で表される基または−Ｃ≡Ｃ−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒｇは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲｇは同一でも異なっていてもよい。
【００４１】
Ａｒ１が表すアリーレン基は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団であり、ベンゼン環を有する基、縮合環を有する基も含むが、独立したベンゼン環および縮合環から選ばれる２個以上の環が直接結合した基は含まない。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、６〜２０であることが好ましい。
アリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、テトラセンジイル基、ピレンジイル基、ペンタセンジイル基、ペリレンジイル基、フルオレンジイル基等が挙げられ、ナフタレンジイル基、フェナントレンジイル基、ピレンジイル基またはペリレンジイル基が好ましい。
アリーレン基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、ハロゲン原子等が挙げられ、これらの中でもアルキル基が好ましい。
【００４２】
Ａｒ１が表す２価の芳香族複素環基とは、置換基を有してもよい芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団であり、縮合環を有する基も含むが、独立した芳香族複素環および縮合環からなる群から選ばれる２個以上の環が直接結合した基は含まない。２価の芳香族複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、３〜２０であることが好ましい。ここで、芳香族複素環式化合物とは、芳香環構造を有する有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
２価の芳香族複素環基としては、オキサジアゾールジイル基、チアジアゾールジイル基、オキサゾールジイル基、チアゾールジイル基、チオフェンジイル基、ピロールジイル基、フランジイル基、セレノフェンジイル基、ピリジンジイル基、ピラジンジイル基、ピリミジンジイル基、トリアジンジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、ベンゾピロールジイル基、ベンゾフランジイル基、キノリンジイル基、イソキノリンジイル基、チエノチオフェンジイル基、ベンゾジチオフェンジイル基、ベンゾチアジアゾールジイル基、キノキサリンジイル基等が挙げられる。
２価の芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられ、これらの中でもアルキル基が好ましい。
【００４３】
Ｒｇが表すアルキル基、アリール基および１価の芳香族複素環基の定義、具体例は、前述のＲ１が表すアルキル基、アリール基および１価の芳香族複素環基の定義、具体例と同じである。
【００４４】
Ｒｇは、本発明の高分子化合物の原料となるモノマーの合成の容易さの観点からは、水素原子またはアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【００４５】
Ａｒ１が有するアルキル基は、本発明の高分子化合物を有機トランジスタの製造に用いた場合に、得られる電解効果移動度がより優れるため、０〜６個であることが好ましく、０〜３個であることがより好ましい。
【００４６】
式（１）で表される構造単位は、本発明の高分子化合物を有機トランジスタの製造に用いた場合に、得られる電解効果移動度がより優れるため、式（３）で表される構造単位であることが好ましい。
【００４７】
【化８】
2013237767.tif 000009
【００４８】
式（３）中、Ｅ１およびＸは、前記と同じ意味を表す。Ｒ３は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ３は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環状構造を形成してもよい。
【００４９】
Ｒ３が表すアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基およびアミド基の定義、具体例は、前述のＲ１が表すアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基およびアミド基の定義、具体例と同じである。
【００５０】
本発明の高分子化合物の原料となるモノマーの合成の容易さの観点からは、Ｒ３は水素原子、アルキル基またはハロゲン原子が好ましく、水素原子がより好ましい。
【００５１】
第１構造単位としては、例えば、式（１−１）〜式（１−１９）で表される構造単位が挙げられる。
【００５２】
【化９】
2013237767.tif 000010
【００５３】
【化１０】
2013237767.tif 000011
〔式中、
Ｒ１、ＲＮ、Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒ３およびＲｇは前記と同じ意味を表す。
Ｒａは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲａは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに、環構造を形成していてもよい。〕
【００５４】
Ｒａが表すアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基およびアミド基の定義、具体例は、上記のＲ１が表すアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基およびアミド基の定義、具体例と同じである。
【００５５】
本発明の高分子化合物の原料となるモノマーの合成の容易さの観点からは、式（１−１）、式（１−２）または式（１−９）〜式（１−１９）で表される構造単位が好ましく、式（１−１）、式（１−２）、式（１−１１）〜式（１−１３）または式（１−１９）で表される構造単位がより好ましい。
【００５６】
（第２構造単位）
本発明の高分子化合物は、式（２）で表される構造単位（以下、「第２構造単位」という場合がある。）を含む。第２構造単位は、高分子化合物中に一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。
【００５７】
【化１１】
2013237767.tif 000012
〔式中、
Ａｒ２およびＡｒ３は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。但し、Ａｒ２およびＡｒ３からなる群から選ばれる少なくとも一方は、芳香族複素環を表す。
Ｚは、２価の基を表す。
但し、式（２）で表される基は、前記Ａｒ１で表される基とは異なる。〕
【００５８】
Ａｒ２およびＡｒ３が表す芳香族炭化水素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜２２であり、さらに好ましくは６〜１４である。
芳香族炭化水素環の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、クリセン環等が挙げられ、これらの芳香族炭化水素環は置換基を有していてもよい。
【００５９】
Ａｒ２およびＡｒ３が表す芳香族複素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、好ましくは２〜３０であり、より好ましくは２〜２２であり、さらに好ましくは３〜１４である。
芳香族複素環の具体例としては、チアゾール環、チオフェン環、ピロール環、フラン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ベンゾチオフェン環、ベンゾピロール環、ベンゾフラン環、キノリン環、イソキノリン環、チエノチオフェン環、ベンゾチアジアゾール環等が挙げられ、これらの芳香族複素環は置換基を有していてもよい。
【００６０】
Ａｒ２およびＡｒ３は、本発明の高分子化合物の原料となるモノマーの合成の容易さの観点からは、同一であることが好ましく、共役高分子鎖を形成できるため、本発明の高分子化合物を用いて有機トランジスタを製造した場合、得られる電界効果移動度がより優れるため、芳香族複素環であることが好ましく、５〜６員環の芳香族複素環であることがより好ましく、主鎖の捩れが少なく共役系の広がりが大きくなることから５員環の芳香族複素環であることが更に好ましい。
【００６１】
Ｚで表される２価の基は、式（Ｚ−１）〜式（Ｚ−６）で表される基が好ましい。
【００６２】
【化１２】
2013237767.tif 000013
〔式中、
Ｒ４は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ４は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子またはケイ素原子とともに、環状構造を形成していてもよい。
Ｅ２は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−ＳＯ２−、−Ｓｉ（Ｒ５）（Ｒ５）−、−Ｎ（Ｒ５）−、−Ｂ（Ｒ５）−、−Ｐ（Ｒ５）−またはＰ（＝Ｏ）（Ｒ５）−を表す。
Ｒ５は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表す。複数存在するＲ５は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合するケイ素原子とともに環状構造を形成していてもよい。〕
【００６３】
Ｒ４およびＲ５が表すアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基およびアミド基の定義、具体例は、上記のＲ１が表すアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基およびアミド基の定義、具体例と同じである。
【００６４】
Ｚは、本発明の高分子化合物を用いて有機トランジスタを製造した場合、得られる電界効果移動度がより優れるため、式（Ｚ−１）、式（Ｚ−２）、式（Ｚ−４）または式（Ｚ−５）であることが好ましく、式（Ｚ−１）、式（Ｚ−４）または式（Ｚ−５）であることがより好ましい。
【００６５】
式（２）で表される構造単位は、本発明の高分子化合物を用いて有機トランジスタを製造した場合、得られる電界効果移動度がより優れるため、式（４）で表される構造単位が好ましい。
【００６６】
【化１３】
2013237767.tif 000014
〔式中、
Ｚは、前記と同じ意味を表す。
Ｅ２は−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−Ｎ（ＲＮ）−を表す。複数存在するＥ２は同一でも異なっていてもよい。
ＲＮは、前記と同じ意味を表す。
Ｒ２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ２は同一でも異なっていてもよい。〕
【００６７】
Ｒ２が表すアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基およびハロゲン原子の定義、具体例は、上記のＲ１が表すアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールオキシ基およびハロゲン原子の定義、具体例と同じである。
【００６８】
Ｒ２は、本発明の高分子化合物を用いて有機トランジスタを製造した場合、得られる電界効果移動度がより優れるため、水素原子またはハロゲン原子であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
【００６９】
Ｅ２は、本発明の高分子化合物の原料となるモノマー合成の容易さの観点からは、−Ｏ−または−Ｓ−が好ましく、−Ｓ−がより好ましい。
【００７０】
第２構造単位としては、例えば、式（４−１）〜式（４−１２）で表される構造単位が挙げられる。これらの中でも、本発明の高分子化合物を用いて有機トランジスタを製造した場合、得られる電界効果移動度がより優れるため、式（４−１）〜式（４−７）で表される構造単位であることが好ましく、式（４−１）〜式（４−４）で表される構造単位であることがより好ましい。
【００７１】
【化１４】
2013237767.tif 000015
〔式中、Ｒ２、Ｒ４およびＲＮは、前記と同じ意味を表す。〕
【００７２】
（他の構造単位）
本発明の高分子化合物は、上記の第１構造単位および第２構造単位以外の構造単位（以下、「他の構造単位」という場合がある。）を含んでいてもよい。他の構造単位は、高分子化合物中に一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。
【００７３】
他の構造単位としては、例えば、２価の芳香族複素環基、−ＣＲｃ＝ＣＲｄ−で表される基、−Ｃ≡Ｃ−で表される基、−ＣＲｇ’２−で表される基、−Ｃ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で表される基が挙げられる。
【００７４】
２価の芳香族複素環の定義や具体例は、上記のＡｒ１で表される２価の芳香族複素環基の定義や具体例と同じである。
【００７５】
−ＣＲｃ＝ＣＲｄ−で表される基および−ＣＲｇ’２−で表される基において、Ｒｃ、ＲｄおよびＲｇ’は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、ハロゲン原子またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒｃ、ＲｄおよびＲｇ’が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基、ハロゲン原子等が挙げられ、これらの中でもアルキル基が好ましい。
【００７６】
Ｒｃ、ＲｄおよびＲｇ’が表すアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基およびハロゲン原子の定義や具体例は、上記のＲ１が表すアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基およびハロゲン原子の定義や具体例と同じである。
【００７７】
他の構造単位としては、本発明の高分子化合物を用いて有機トランジスタを製造した場合、得られる電界効果移動度がより優れるため、２価の芳香族複素環基、−ＣＲｃ＝ＣＲｄ−で表される基または−Ｃ≡Ｃ−で表される基であることが好ましく、２価の芳香族複素環基であることがより好ましい。
【００７８】
（高分子化合物）
本発明の高分子化合物は、当該高分子化合物を用いて有機トランジスタを製造した場合、得られる電界効果移動度がより優れるため、共役高分子化合物であることが好ましい。
【００７９】
本発明の高分子化合物は、当該高分子化合物を用いて有機トランジスタを製造した場合、得られる電界効果移動度がより優れるため、高分子化合物を構成する全構造単位に対して、第１構造単位および第２構造単位の合計のモル比率が、５０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上であることがより好ましく、１００モル％であることがさらに好ましい。
【００８０】
本発明の高分子化合物は、分子鎖末端に重合反応に活性を示す基が残っていると、当該高分子化合物を用いて有機トランジスタを製造した場合、得られる電界効果移動度が低下する可能性がある。そのため、分子鎖末端は、アリール基、１価の芳香族複素環基等の安定な基であることが好ましい。
【００８１】
本発明の高分子化合物は、いかなる種類の共重合体であってもよく、例えば、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体等のいずれであってもよいが、本発明の高分子化合物を用いて有機トランジスタを製造した場合、得られる電界効果移動度がより優れるため、ブロック共重合体、ランダム共重合体または交互共重合体であることが好ましく、交互共重合体であることがより好ましい。
【００８２】
本発明の高分子化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と言う。）で測定したポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は、通常、１×１０３〜１×１０８であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常、１×１０３〜２×１０８である。薄膜作製時に良好な薄膜を形成する観点から、数平均分子量は１×１０３以上が好ましく、重量平均分子量は１×１０３以上が好ましい。溶解性および成膜性の観点から、数平均分子量は１×１０６以下であることが好ましく、重量平均分子量は１×１０６以下であることが好ましい。
【００８３】
＜高分子化合物の製造方法＞
次に、本発明の高分子化合物の製造方法を説明する。
本発明の高分子化合物は、いかなる方法で製造してもよいが、例えば、式：Ｘ11−Ａ11−Ｘ12で表される化合物と、式：Ｘ13−Ａ12−Ｘ14で表される化合物とを、必要に応じて有機溶媒に溶解し、必要に応じて塩基を加え、適切な触媒を用いた公知のアリールカップリング等の重合方法により合成することができる。
【００８４】
上記式中、Ａ11は、式（１）で表される構造単位を表し、Ａ12は、式（２）で表される構造単位を表す。なお、上記式中、Ｘ11、Ｘ12、Ｘ13およびＸ14は、それぞれ独立に、重合反応性基を表す。
【００８５】
重合反応性基としては、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基（−Ｂ（ＯＨ）2）、トリアルキルスタンニル基等が挙げられる。
【００８６】
重合反応性基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００８７】
重合反応性基であるホウ酸エステル残基としては、下記式で表わされる基が挙げられる。
【００８８】
【化１５】
2013237767.tif 000016
【００８９】
重合反応性基であるトリアルキルスタンニル基としては、トリメチルスタンニル基、トリブチルスタンニル基が挙げられる。
【００９０】
アリールカップリング等の重合方法としては、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｒｅｖｉｅｗ、１９９５年、第９５巻、２４５７−２４８３頁）、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応により重合する方法（Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｊｏｕｒｎａｌ、２００５年、第４１巻、２９２３−２９３３頁）等が挙げられる。
【００９１】
重合反応性基は、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等のニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いる場合には、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基等である。重合反応の簡便さの観点からは、臭素原子、ヨウ素原子またはホウ酸エステル残基が好ましい。
本発明の高分子化合物をＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する場合は、重合反応性基である、臭素原子およびヨウ素原子の合計モル数とホウ酸エステル残基の合計モル数との比率が０．７〜１．３とすることが好ましく、０．８〜１．２とすることがより好ましい。
【００９２】
重合反応性基は、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のパラジウム触媒を用いる場合には、ハロゲン原子、トリアルキルスタンニル基等である。重合反応の簡便さの観点からは、臭素原子、ヨウ素原子またはトリアルキルスタンニル基が好ましい。
本発明の高分子化合物をＳｔｉｌｌｅカップリング反応により重合する場合は、重合反応性基である、臭素原子およびヨウ素原子の合計モル数とトリアルキルスタンニル基の合計モル数との比率が０．７〜１．３とすることが好ましく、０．８〜１．２とすることがより好ましい。
【００９３】
重合に用いられる有機溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が挙げられる。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【００９４】
重合に用いられる塩基としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基が挙げられる。
【００９５】
重合に用いられる触媒としては、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、パラジウムアセテート、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム等のパラジウム錯体等の遷移金属錯体と、必要に応じて、トリフェニルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の配位子とからなる触媒である。これらの触媒は、予め合成したものを用いてもよいし、反応系中で調製したものをそのまま用いてもよい。また、これらの触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【００９６】
重合の反応温度は、好ましくは０〜２００℃であり、より好ましくは０〜１５０℃であり、更に好ましくは０〜１２０℃である。
【００９７】
重合の反応時間は、通常、１時間以上であり、好ましくは２〜５００時間である。
【００９８】
重合の後処理は、公知の方法で行うことができ、例えば、メタノール等の低級アルコールに前記重合で得られた反応液を加えて析出させた沈殿を濾過、乾燥させる方法で行うことができる。
【００９９】
本発明の高分子化合物の純度が低い場合には、再結晶、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の方法にて精製すればよい。
【０１００】
＜有機半導体材料＞
本明細書中、有機半導体材料とは、本発明の高分子化合物と、本発明の高分子化合物とは異なる化合物と、を有するものを意味する。本発明の高分子化合物とは異なる化合物は、キャリア輸送性を有する化合物であることが好ましく、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。また、有機半導体材料に含まれる本発明の高分子化合物は、１種類単独であってもよく、２種類以上であってもよい。有機半導体材料は、本発明の高分子化合物を３０重量％以上含むことが好ましく、５０重量％以上含むことがより好ましい。
【０１０１】
キャリア輸送性を有する化合物としては、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、オリゴチオフェンおよびその誘導体、オキサジアゾール誘導体、フラーレン類およびその誘導体等の低分子化合物；ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体が挙げられる。
【０１０２】
有機半導体材料は、その特性を向上させるために、本発明の高分子化合物とは異なる高分子化合物を高分子バインダーとして含んでいてもよい。
【０１０３】
高分子バインダーの具体例としては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）およびその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）およびその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが挙げられる。
【０１０４】
＜有機半導体素子＞
本発明の高分子化合物は、優れた移動度を示すことから、有機半導体素子の有機層に好適に用いることができる。有機半導体素子としては、有機トランジスタ、有機太陽電池、有機エレクトロルミネッセンス素子等が挙げられる。本発明の高分子化合物は、これらの有機半導体素子の中でも、有機トランジスタの有機層に特に好適に用いることができる。
【０１０５】
＜有機トランジスタ＞
本発明の有機トランジスタとしては、ソース電極およびドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となり、本発明の高分子化合物を含む活性層と、該電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを備えた構成を有するものが挙げられる。このような構成を有する有機トランジスタとしては、電界効果型有機トランジスタ、静電誘導型有機トランジスタ等が挙げられる。
【０１０６】
電界効果型有機トランジスタは、通常、ソース電極およびドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となり、本発明の高分子化合物を含む活性層と、該電流経路を通る電流量を制御するゲート電極と、活性層とゲート電極との間に配置される絶縁層とを有する有機トランジスタである。特に、ソース電極およびドレイン電極が、活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられている電界効果型有機トランジスタが好ましい。
【０１０７】
静電誘導型有機トランジスタは、通常、ソース電極およびドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となり、本発明の高分子化合物を含む活性層と、該電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを有し、該ゲート電極が活性層中に設けられている有機トランジスタである。特に、ソース電極、ドレイン電極および前記ゲート電極が、活性層に接して設けられている静電誘導型有機トランジスタが好ましい。
【０１０８】
ゲート電極は、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成でき、かつ、ゲート電極に印加した電圧で該電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、くし型電極である。
【０１０９】
図１は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の一例を示す模式断面図である。図１に示す有機トランジスタ１００は、基板１と、基板１上に所定の間隔を持って形成されたソース電極５およびドレイン電極６と、ソース電極５およびドレイン電極６を覆うようにして基板１上に形成された活性層２と、活性層２上に形成された絶縁層３と、ソース電極５とドレイン電極６との間の領域上の絶縁層３を覆うように絶縁層３上に形成されたゲート電極４とを備えるものである。
【０１１０】
図２は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の他の例を示す模式断面図である。図２に示す有機トランジスタ１１０は、基板１と基板１上に形成されたソース電極５と、ソース電極５を覆うようにして基板１上に形成された活性層２と、ソース電極５と所定の間隔を持って活性層２上に形成されたドレイン電極６と、活性層２およびドレイン電極６上に形成された絶縁層３と、ソース電極５とドレイン電極６との間の領域上の絶縁層３を覆うように絶縁層３上に形成されたゲート電極４とを備えるものである。
【０１１１】
図３は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の他の例を示す模式断面図である。図３に示す有機トランジスタ１２０は、基板１と基板１上に形成されたゲート電極４と、ゲート電極４を覆うようにして基板１上に形成された絶縁層３と、ゲート電極４が下部に形成されている絶縁層３の領域の一部を覆うように、絶縁層３上に所定の間隔を持って形成されたソース電極５およびドレイン電極６と、ソース電極５およびドレイン電極６の一部を覆うように絶縁層３上に形成された活性層２とを備えるものである。
【０１１２】
図４は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の他の例を示す模式断面図である。図４に示す有機トランジスタ１３０は、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極４と、ゲート電極４を覆うようにして基板１上に形成された絶縁層３と、ゲート電極４が下部に形成されている絶縁層３の領域の一部を覆うように絶縁層３上に形成されたソース電極５と、ソース電極５の一部を覆うようにして絶縁層３上に形成された活性層２と、活性層２の一部を覆うように、ソース電極５と所定の間隔を持って絶縁層３上に形成されたドレイン電極６とを備えるものである。
【０１１３】
図５は、本発明の有機トランジスタ（静電誘導型有機トランジスタ）の他の例を示す模式断面図である。図５に示す有機トランジスタ１４０は、基板１と、基板１上に形成されたソース電極５と、ソース電極５上に形成された活性層２と、活性層２上に所定の間隔を持って複数形成されたゲート電極４と、ゲート電極４の全てを覆うようにして活性層２上に形成された活性層２ａ（活性層２ａを構成する材料は、活性層２と同一であっても異なっていてもよい）と、活性層２ａ上に形成されたドレイン電極６とを備えるものである。
【０１１４】
図６は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の他の例を示す模式断面図である。図６に示す有機トランジスタ１５０は、基板１と、基板１上に形成された活性層２と、活性層２上に所定の間隔を持って形成されたソース電極５およびドレイン電極６と、ソース電極５およびドレイン電極６の一部を覆うようにして活性層２上に形成された絶縁層３と、ソース電極５が下部に形成されている絶縁層３の領域とドレイン電極６が下部に形成されている絶縁層３の領域とをそれぞれ一部覆うように、絶縁層３上に形成されたゲート電極４とを備えるものである。
【０１１５】
図７は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の他の例を示す模式断面図である。図７に示す有機トランジスタ１６０は、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極４と、ゲート電極４を覆うようにして基板１上に形成された絶縁層３と、ゲート電極４が下部に形成されている絶縁層３の領域を覆うように形成された活性層２と、活性層２の一部を覆うように活性層２上に形成されたソース電極５と、活性層２の一部を覆うように、ソース電極５と所定の間隔を持って活性層２上に形成されたドレイン電極６とを備えるものである。
【０１１６】
図８は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の他の例を示す模式断面図である。図８に示す有機トランジスタ１７０は、ゲート電極４と、ゲート電極４上に形成された絶縁層３と、絶縁層３上に形成された活性層２と、活性層２上に所定の間隔を持って形成されたソース電極５およびドレイン電極６と、を備えるものである。この場合、ゲート電極４は基板１を兼ねる構成となっている。
【０１１７】
図９は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の他の例を示す模式断面図である。図９に示す有機トランジスタ１８０は、ゲート電極４と、ゲート電極４上に形成された絶縁層３と、絶縁層３上に所定の間隔を持って形成されたソース電極５およびドレイン電極６と、ソース電極５およびドレイン電極６の一部を覆うように絶縁層３上に形成された活性層２とを備えるものである。
【０１１８】
上述した本発明の有機トランジスタにおいては、活性層２および／または活性層２ａは、本発明の高分子化合物を含む有機層によって構成され、ソース電極５とドレイン電極６との間の電流通路（チャネル）となる。また、ゲート電極４は、電圧を印加することにより電流通路（チャネル）を通る電流量を制御する。
【０１１９】
このような電界効果型有機トランジスタは、公知の方法、例えば特開平５−１１００６９号公報記載の方法により製造することができる。また、静電誘導型有機トランジスタは、特開２００４−００６４７６号に公報記載の方法等の公知の方法により製造することができる。
【０１２０】
基板１の材料は、有機トランジスタの特性を阻害しない材料であればよい。基板としては、ガラス基板、フレキシブルなフィルム基板、プラスチック基板を用いることができる。
【０１２１】
絶縁層３の材料は、電気の絶縁性が高い材料であればよく、ＳｉＯx、ＳｉＮx、Ｔａ2Ｏ5、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、有機ガラス、フォトレジスト等を用いることができるが、低電圧化の観点からは、誘電率の高い材料を用いることが好ましい。
【０１２２】
絶縁層３の上に活性層２を形成する場合は、絶縁層３と活性層２の界面特性を改善するため、シランカップリング剤等の表面処理剤で絶縁層３の表面を処理して表面改質した後に活性層２を形成することも可能である。
【０１２３】
有機電界効果型トランジスタの場合、電子やホール等の電荷は、一般に絶縁層と活性層の界面付近を通過する。従って、この界面の状態がトランジスタの移動度に大きな影響を与える。そこで、界面状態を改良して特性を向上させる方法として、シランカップリング剤による界面の制御が提案されている（例えば、表面化学、２００７年、第２８巻、第５号、ｐ．２４２−２４８）。
【０１２４】
シランカップリング剤の例としては、アルキルクロロシラン類（オクチルトリクロロシラン（ＯＴＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＤＴＳ）、フェニルエチルトリクロロシラン等）、アルキルアルコキシしラン類、フッ素化アルキルクロロシラン類、フッ素化アルキルアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等のシリルアミン化合物が挙げられる。また、表面処理剤で処理する前に、絶縁層表面をオゾンＵＶ処理、Ｏ２プラズマ処理してもよい。
【０１２５】
このような処理によって、絶縁層として用いられるシリコン酸化膜等の表面エネルギーを制御することができる。また、表面処理により、活性層を構成している膜の絶縁層上での配向性が向上し、高い電荷輸送性（移動度）が得られる。
【０１２６】
ゲート電極４には、金、白金、銀、銅、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、低抵抗ポリシリコン、低抵抗アモルファスシリコン等の金属や、錫酸化物、酸化インジウム、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の材料を用いることができる。これらの材料は、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。なお、ゲート電極４としては、高濃度にドープされたシリコン基板を用いることも可能である。高濃度にドープされたシリコン基板は、ゲート電極としての性能とともに、基板としての性能も併有する。このような基板としての性能も有するゲート電極４を用いる場合には、基板１とゲート電極４とが接している有機トランジスタにおいて、基板１を省略してもよい。
【０１２７】
ソース電極５およびドレイン電極６は、低抵抗の材料から構成されることが好ましく、金、白金、銀、銅、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン等から構成されることが特に好ましい。これらの材料は１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【０１２８】
上記の有機トランジスタにおいて、ソース電極５およびドレイン電極６と、活性層２との間には、更に他の化合物から構成された層が介在していてもよい。このような層としては、電子輸送性を有する低分子化合物、ホール輸送性を有する低分子化合物、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、これらの金属と有機化合物との錯体、ヨウ素、臭素、塩素、塩化ヨウ素等のハロゲン、硫酸、無水硫酸、二酸化硫黄、硫酸塩等の酸化硫黄化合物、硝酸、二酸化窒素、硝酸塩等の酸化窒素化合物、過塩素酸、次亜塩素酸等のハロゲン化化合物、アルキルチオール化合物、芳香族チオール類、フッ素化アルキル芳香族チオール類等の芳香族チオール化合物等からなる層が挙げられる。
【０１２９】
また、上記の有機トランジスタを作製した後には、素子を保護するため、有機トランジスタ上に保護膜を形成することが好ましい。これにより、有機トランジスタが大気から遮断され、有機トランジスタの特性の低下を抑制することができる。また、有機トランジスタの上に駆動する表示デバイスを形成する場合、その形成工程における有機トランジスタへの影響も該保護膜により低減することができる。
【０１３０】
保護膜を形成する方法としては、有機トランジスタを、ＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮx膜等で覆う方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため、有機トランジスタを作製後、有機トランジスタを大気にさらすことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で）保護膜を形成することが好ましい。
【０１３１】
このように構成された有機トランジスタの一種である有機電界効果型トランジスタは、アクティブマトリックス駆動方式の液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの画素駆動スイッチング素子等として適用できる。そして、上述した本実施形態の有機電界効果トランジスタは、活性層として、本発明の高分子化合物を含有し、そのことにより移動度に優れる活性層を備えているため、その電界効果移動度が高いものとなる。したがって、十分な応答速度を持つディスプレイの製造等に有用である。
【実施例】
【０１３２】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１３３】
（ＮＭＲ分析）
ＮＭＲ測定は、化合物を重クロロホルムに溶解させ、ＮＭＲ装置（Ｖａｒｉａｎ社製、ＩＮＯＶＡ３００）を用いて行った。
【０１３４】
（分子量分析）
高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィ（以下、「ＧＰＣ」と呼ぶことがある。）（Ｗａｔｅｒｓ社製、商品名：Ａｌｌｉａｎｃｅ  ＧＰＣ  ２０００）を用いて測定した。測定する高分子化合物は、オルトジクロロベンゼンに溶解させ、ＧＰＣに注入した。ＧＰＣの移動相にはオルトジクロロベンゼンを用いた。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨＨＲ−Ｈ（Ｓ）ＨＴ（２本連結、東ソー製）を用いた。検出器にはＵＶ検出器を用いた。
【０１３５】
（合成例１：化合物２の合成）
【０１３６】
【化１６】
2013237767.tif 000017
【０１３７】
２００ｍＬ四口フラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物１（２４．４ｇ、８３ｍｍｏｌ）および乾燥トルエン（２０ｍＬ）を加え、アルゴンガスで３０分間バブリングすることによって脱気した。その後、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（２９０ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）を加え、１１０℃に加熱した。その後、別途準備した化合物２（５．５ｇ、８．３ｍｍｏｌ）および乾燥トルエン（６３ｍＬ）からなる溶液をアルゴンガスで３０分間バブリングすることによって脱気した溶液を、１．５時間かけて滴下し、１１０℃で３時間攪拌した。その後、得られた反応溶液を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、該固体をヘキサン（１００ｍＬ）で洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで精製することで、化合物３を赤色固体として得た。化合物２の得量は０．７７ｇであり、収率は１０％であった。
【０１３８】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８３（ｄ、２Ｈ）、７．９０（ｄ、２Ｈ）、８．１９（ｓ、２Ｈ）．
【０１３９】
（実施例１：高分子化合物Ａの合成）
【０１４０】
【化１７】
2013237767.tif 000018
【０１４１】
還流管を取り付けた１００ｍＬ四口フラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物４（９４．５ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）、化合物３（４９．２ｍｇ、０．１００ｍｍｏｌ）および乾燥トルエン（１０ｍＬ）を加え、アルゴンガスで３０分間バブリングすることによって脱気した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（２．８ｍｇ、３μｍｏｌ）およびトリス（ｏ−トルイル）ホスフィン（３．７ｍｇ、１２μｍｏｌ）を加え、１３０℃で３時間攪拌した。その後、別途準備したフェニルブロマイド（７０ｍｇ、０．４５ｍｍｏｌ）およびｏ−ジクロロベンゼン（４．２ｍＬ）からなる溶液をアルゴンガスで３０分間バブリングすることにより脱気した溶液を加え、１３０℃で３時間攪拌した。その後、得られた反応溶液をメタノール（１００ｍＬ）に注ぎ、析出した固体を濾取した。得られた個体を、ソックスレー抽出器を用いて、メタノール、アセトン、ヘキサンの順序で４時間ずつ洗浄した。
その後、２００ｍＬ四口フラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、上記で得られた固体（１２１ｍｇ）をｏージクロロベンゼン（３２ｍＬ）に溶解させ、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．９ｇ）および水（７．９ｇ）を加え、１０５℃で３時間攪拌した。その後、得られた反応溶液を静置し、分液した有機層を水および１０重量％酢酸水溶液の順序で洗浄した。その後、分液した有機層をアセトン（１００ｍＬ）に滴下し、析出物を得た。得られた析出物を、ｏ−ジクロロベンゼンを展開溶媒として用いたシリカゲルカラムで精製した。その後、得られたｏ−ジクロロベンゼン溶液をメタノールに注ぎ、固体を析出させた。得られた固体を濾過後、乾燥することで、高分子化合物Ａを９７ｍｇ得た。収率は６６％であった。高分子化合物Ａのポリスチレン換算の数平均分子量は１．３×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は６．３×１０４であった。
【０１４２】
（実施例２：有機トランジスタ１の作製および評価）
高分子化合物Ａを含む溶液を用いて、図３に示す構造を有する有機トランジスタ１を作製した。
【０１４３】
ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板の表面を熱酸化し、シリコン酸化膜（以下、「熱酸化膜」という。）を形成した。熱酸化膜は絶縁層として機能する。
次に、フォトリソグラフィー工程により熱酸化膜上にソース電極およびドレイン電極を作製した。該ソース電極および該ドレイン電極は、熱酸化膜側からクロム（Ｃｒ）層と金（Ａｕ）層とを有し、チャネル長が２０μｍ、チャネル幅が２ｍｍであった。
こうして得られた熱酸化膜、ソース電極およびドレイン電極を形成した基板をアセトンで超音波洗浄を行ない、オゾンＵＶクリーナーでＵＶオゾン処理を行なった。その後、β−フェネチルトリクロロシランで熱酸化膜の表面を修飾した。
次に、上記表面処理した熱酸化膜、ソース電極およびドレイン電極上に、０．５重量％の高分子化合物Ａのオルトジクロロベンゼン溶液を１０００ｒｐｍの回転速度でスピンコートし、有機半導体層（活性層）を形成した。その後、有機半導体層を窒素ガス雰囲気下において１７０℃で３０分間加熱することでし、有機トランジスタ１を作製した。
【０１４４】
得られた有機トランジスタ１のゲート電圧Ｖｇ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを変化させ、トランジスタ特性を測定した。電界効果移動度は、８．４×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。
【符号の説明】
【０１４５】
１…基板、２、２ａ…活性層、３…絶縁層、４…ゲート電極、５…ソース電極、６…ドレイン電極、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０…有機トランジスタ。
【図１】
2013237767.tif 000026
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2013237767.tif 000032
【図８】
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【図９】
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