(57)【要約】【課題】電気的なリーク耐性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、シリコンを含む半導体基板に一対の素子分離絶縁膜を形成し、一対の素子分離絶縁膜に挟まれた半導体基板の上面に、ゲート絶縁膜及びシリコンを含むゲート電極からなるゲート電極構造と、ゲート電極構造の側面を覆うゲート側壁膜とを形成し、ゲート電極構造を挟むように、半導体基板に拡散層を形成し、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｈ、Ｏ、Ａｒ、Ｎのいずれかの原子を有するガス雰囲気において、半導体基板にマイクロ波を照射し、拡散層の上面及びゲート電極の上面に生成した酸化膜を選択的に除去し、拡散層の上面及びゲート電極の上面に金属膜を形成し、熱処理を行うことにより、シリサイド膜を形成する。【選択図】図１
2013201225.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含む半導体基板に一対の素子分離絶縁膜を形成し、
前記一対の素子分離絶縁膜に挟まれた前記半導体基板の上面に、ゲート絶縁膜及びシリコンを含むゲート電極からなるゲート電極構造と、前記ゲート電極構造の側面を覆うゲート側壁膜とを形成し、
前記ゲート電極構造を挟むように、前記半導体基板に拡散層を形成し、
Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｈ、Ｏ、Ａｒ、Ｎのいずれかの原子を有するガス雰囲気において、前記半導体基板にマイクロ波を照射し、前記拡散層の上面及び前記ゲート電極の上面に生成した酸化膜を選択的に除去し、
前記拡散層の上面及び前記ゲート電極の上面に金属膜を形成し、熱処理を行うことにより、シリサイド膜を形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属膜は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏのいずれかを含む金属膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｈ、Ｏ、Ａｒ、Ｎのいずれかの原子を有するガス雰囲気において、前記半導体基板にマイクロ波を照射し、前記コンタクトホールから露出した前記半導体基板の上面上の酸化膜又は窒化膜を選択的に除去し、
前記コンタクトホールを埋め込むように金属膜を形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記マイクロ波は、２．４５ＧＨｚから２５ＧＨｚの周波数を有することを特徴とする請求項１から３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、拡散層、或いは、ゲート配線上にシリサイド膜を形成する際、あらかじめ、シリサイド膜形成予定領域の表面に生じた自然酸化膜を除去しておく。この酸化膜を除去する方法として、様々なウエットエッチングやドライエッチングが用いられている。
【０００３】
しかしながら、この自然酸化膜の除去の際、除去する必要のない個所、例えば、ＳＴＩ（Shallow  Trench  Isolation）として用いられる酸化絶縁膜や、ゲート配線側壁膜としての酸化絶縁膜等が除去されてしまい、それによりリーク等の半導体装置の不良が生じている。
【０００４】
同様にコンタクトホールの形成工程におけるエッチングにおいても、コンタクトホールの側面をなす絶縁膜の一部がエッチングされたり、ボーダーレス・コンタクトホールのようなコンタクトホール底に絶縁膜を有する場合にも、このコンタクトホール底の絶縁膜がエッチングされたりして、リークの原因となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−９７２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電気的なリーク耐性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、シリコンを含む半導体基板に一対の素子分離絶縁膜を形成し、前記一対の素子分離絶縁膜に挟まれた前記半導体基板の上面に、ゲート絶縁膜及びシリコンを含むゲート電極からなるゲート電極構造と、前記ゲート電極構造の側面を覆うゲート側壁膜とを形成し、前記ゲート電極構造を挟むように、前記半導体基板に拡散層を形成し、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｈ、Ｏ、Ａｒ、Ｎのいずれかの原子を有するガス雰囲気において、前記半導体基板にマイクロ波を照射し、前記拡散層の上面及び前記ゲート電極の上面に生成した酸化膜を選択的に除去し、前記拡散層の上面及び前記ゲート電極の上面に金属膜を形成し、熱処理を行うことにより、シリサイド膜を形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図（その１）である。
【図２】第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図（その２）である。
【図３】第２の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図（その１）である。
【図４】第２の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図（その２）である。
【図５】第３の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、実施形態を説明する。ただし、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。なお、全図面にわたり共通する部分には、共通する符号を付すものとし、重複する説明は省略する。また、図面は発明の説明とその理解を促すための模式図であり、その形状や寸法、比などは実際の装置とは異なる個所もあるが、これらは以下の説明と公知の技術を参酌して適宜、設計変更することができる。
【００１０】
（第１の実施形態）
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す要部断面図である図１及び図２を参照して、本実施形態を説明する。以下、半導体装置の製造工程におけるシリサイド膜の形成方法を例に説明するが、本発明は、このような製造工程やこのような半導体装置に限定されるものではなく、他の工程や他の構造の半導体装置においても用いることができる。
【００１１】
まず、図１（ａ）に示すように、周知の方法により、シリコン基板１１に形成されたＳＴＩ２に挟まれたチャネル領域２１上に、例えばシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２１と、多結晶シリコン膜３１とを堆積し、これらの膜をゲート電極としてエッチングする。なお、ＳＴＩ２にはシリコン酸化膜等からなる絶縁膜（素子分離絶縁膜）が含まれる。さらに、チャネル方向に沿ってチャネル領域２１を挟むようなシリコン基板１１の表面の２つの部分にＰ型又はＮ型の不純物を注入して、エクステンション層２３を形成する。そして、ゲート絶縁膜２１及び多結晶シリコン膜３１の側壁を覆うようなゲート側壁膜３２を形成する。例えば、ゲート側壁膜３２はシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、又は、これらの積層等からなる。次に、ゲート絶縁膜２１と多結晶シリコン膜３１とゲート側壁膜３２とをマスクとして用いて、エクステンション層２３を介してＰ型又はＮ型の不純物を注入することにより、拡散層１２を形成する。図１（ａ）に示すように、多結晶シリコン膜３１の上面や拡散層１２の上面には酸化膜層１３が存在する。この酸化膜層１３はシリコン酸化物からなり、詳細には、酸化膜層１３は、例えば、これまでの工程におけるエッチングにより発生した残渣からなる層であったり、これまでの工程におけるエッチング等によりダメージを受けて生成したシリコン酸化物からなる層であったり、これまでの工程において、表面が自然酸化したことにより生成した層である。従って、この酸化層１３の膜厚は、例えば１０ｎｍ以下である。
【００１２】
次に、シリコン基板１１に対し、例えば、Ｈ２、ＨＦ、又は、ＮＦ３/ＮＨ３雰囲気下で、２．４５ＧＨｚから２５ＧＨｚのマイクロ波を照射する。なお、本実施形態においては、マイクロ波はシリコン基板１１に対して照射するものであり、積極的に雰囲気中のガスに照射して、ガスをプラズマ化するために用いるものではない。このマイクロ波照射条件は、加熱によりシリコン基板１１上の各層が特性劣化を起こさないように、シリコン基板１１の基板温度が６００℃以下になるように設定することが好ましい。なお、雰囲気中のガスは、上記のガスに限定されるものではなく、一般的なドライエッチングで用いられるような、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｈ、Ｏ、Ａｒ、Ｎのうちの少なくとも１つの原子を有するガスであれば良い。また、これらのガスは、そのままの状態のガス種であっても良い。また、これらのガスの圧力、流量等は、除去したい層の状態やシリコン基板１１の上に形成された膜の組成等にあわせて調節することが好ましい。このような条件の下で、シリコン基板１１にマイクロ波を照射することにより、図１（ｂ）に示すように、ＳＴＩ２に含まれる絶縁膜及びゲート側壁膜３２がエッチングされることを避けつつ、選択的に酸化膜層１３をエッチングして、酸化膜層１３を除去することができる。この詳細については後で説明する。
【００１３】
次に、図２（ｃ）に示すように、酸化膜層１３を選択的に除去した後、シリコン基板１１を覆うように、詳細には、ＳＴＩ２の上面と多結晶シリコン膜３１の上面とゲート側壁膜３２の表面と拡散層１２の上面とを覆うように、ニッケル膜４１を堆積する。この際、マイクロ波照射後、シリコン基板１１を大気に晒すことなく、ニッケル膜４１を堆積させることが好ましい。ここでは、ニッケル膜４１を堆積するものとして説明するが、本実施形態においては、ニッケル膜に限定されるものではなく、シリコンとシリサイド膜を形成することができるような膜であれば良く、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏのいずれかを含む金属膜であれば良い。
【００１４】
そして、シリコン基板１１に対して熱処理を行うことにより、多結晶シリコン膜３１と拡散層１２とに含まれるシリコンが、ニッケル膜４１と反応し、多結晶シリコン膜３１の上面と拡散層１２の上面との上にニッケルシリサイド膜４２を形成する。さらに、未反応のニッケル膜４１をウエットエッチングにより除去することにより、図２（ｄ）に示すような半導体装置１を得ることができる。
【００１５】
本実施形態によれば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｈ、Ｏ、Ａｒ、Ｎのいずれかの原子を有するガス雰囲気において、シリコン基板１１にマイクロ波を照射することにより、ＳＴＩ２に含まれる絶縁膜及びゲート側壁膜３２がエッチングされることを避けつつ、ダメージ層や自然酸化膜等である酸化膜層１３を選択的にエッチングして、酸化膜層１３を除去することができる。すなわち、酸化膜層１３の除去の際、ＳＴＩ２に含まれる絶縁膜及びゲート側壁膜３２がエッチングされることを抑えることができるため、シリコン基板１１や多結晶シリコン膜３１がＳＴＩ２に含まれる絶縁膜及びゲート側壁膜３２から露出することを避けることができる。よって、ＳＴＩ２に含まれる絶縁膜及びゲート側壁膜３２から露出された面において、シリコンとニッケル膜４１とが反応しニッケルシリサイド膜が局所的に成長することを避けることができる。従って、本実施形態においては、このように局所的に成長したニッケルシリサイド膜によるリークパスが形成されにくいことから、電気的なリーク耐性に優れた半導体装置１を形成することができる。
【００１６】
詳細には、本実施形態においては、ＳＴＩ２に含まれる絶縁膜及びゲート側壁膜３２がエッチングされることを避けつつ、選択的に酸化膜層１３をエッチングして、酸化膜層１３を除去することができるが、この理由は、以下のように推察される。
【００１７】
シリコン基板１１に照射されたマイクロ波は、紫外線、可視光、赤外線等と比べて波長が長く、膜内部への浸透性が高いという性質を有する。また、マイクロ波の吸収率は組成により異なることから、シリコン基板１１や多結晶シリコン膜３１は、ＳＴＩ２に含まれる絶縁膜やゲート側壁膜３２と比べて、マイクロ波により温度上昇しやすい。従って、シリコン基板１１や多結晶シリコン膜３１の温度が上がることにより、その上に位置する薄い酸化膜層１３の温度も、ＳＴＩ２に含まれる絶縁膜やゲート側壁膜３２と比べて上昇することとなる。
【００１８】
さらに、このような状態においてドライエッチングを行った場合、温度上昇が大きい酸化膜層１３はエッチングされ、一方、温度上昇が小さいＳＴＩ２に含まれる絶縁膜やゲート側壁膜３２は、エッチングされにくい。詳細には、温度が高いと、エッチングにより生じたエッチング堆積物が揮発しやすいため、揮発することにより露出した表面がエッチングされやすく、一方、温度が低いと、エッチング堆積物が揮発しにくいため、表面にエッチング堆積物が残りエッチングを妨害するため、エッチングされにくい。従って、本実施形態においては、ＳＴＩ２に含まれる絶縁膜及びゲート側壁膜３２がエッチングされることを避けつつ、選択的に酸化膜層１３をエッチングして、酸化膜層１３を除去することができる。
【００１９】
なお、マイクロ波を照射すると、膜の誘電率やそれに含まれる水分量、不純物や双極子の量の違いにより、温度の差を生じさせることができる。従って、これまで説明したような膜だけでなく、このような特性を利用することができるような他の膜の組み合わせにも本実施形態は適用することができる。また、選択的にエッチングしようとする膜は、例えば、前の工程で行われたエッチングによる残渣からなる層であったり、前の工程で行われたエッチング等によりダメージを受けた層であったり、前の工程において自然酸化した層からなる酸化膜層１３に限るものではなく、酸化膜、窒化膜、有機塗布膜、高分子膜等の絶縁膜であっても良い。
【００２０】
また、本実施形態によれば、従来から用いられてきた半導体装置の製造工程を大幅に変更することなく、一般的なドライエッチングで用いられるようなガスの存在下で、マイクロ波を照射することにより、選択的に酸化膜層１３をエッチングし、それを除去することができる。
【００２１】
（第２の実施形態）
本実施形態の半導体装置のコンタクトプラグ３の製造方法を、図３及び図４を用いて説明する。なお、本発明は、以下に説明するような形態の半導体装置のコンタクトプラグ３に限定されるものではなく、他の形態の半導体装置の製造においても用いることができる。なお、以下の本実施形態の説明において、第１の実施形態と同じ構成および機能を有する部分は、第１の実施形態と同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。
【００２２】
図３（ａ）に示すように、シリコン基板１１上に、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜５１を設け、その上に、マスク（不図示）を形成する。さらに、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を用いて、コンタクトホール５２を形成する。その際に、第１の実施形態と同様に、コンタクトホール５２の底のシリコン基板１１上に酸化膜層１３が生成される。この酸化膜層１３は、例えば、前の工程におけるエッチングによる残渣からなる層であったり、前の工程におけるエッチング等によりダメージを受けた層であったり、前の工程において自然酸化した層である。なお、この酸化層１３の膜厚は、例えば１０ｎｍ以下である。
【００２３】
次に、マスク（不図示）を除去した後に、第１の実施形態と同様に、シリコン基板１１に対し、例えば、Ｈ２、ＨＦ、又はＮＦ３/ＮＨ３雰囲気下で、２．４５ＧＨｚから２５ＧＨｚのマイクロ波を照射する。なお、本実施形態においては、マイクロ波はシリコン基板１１に対して照射するものであり、積極的に雰囲気中のガスに照射して、ガスをプラズマ化するために用いるものではない。このマイクロ波照射条件は、加熱によりシリコン基板１１上の各層が特性劣化を起こさないように、シリコン基板１１の基板温度が６００℃以下になるように設定することが好ましい。なお、シリコン基板１１の代わりに、ニッケルシリサイド膜を用いた場合には、温度が４００℃以下になるように設定することが好ましい。また、雰囲気中のガスは、上記のガスに限定されるものではなく、一般的なドライエッチングで用いられるような、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｈ、Ｏ、Ａｒ、Ｎのうちの少なくとも１つの原子を有するガスであれば良い。さらに、圧力、流量等はシリコン基板１１の形状、組成等にあわせて調節することが好ましい。図３（ｂ）に示すように、このような条件の下で、シリコン基板１１にマイクロ波を照射することにより、第１の実施形態と同様に、絶縁膜５１がエッチングされることを避けつつ、選択的に酸化膜層１３をエッチングし、酸化膜層１３を除去することができる。すなわち、先に説明したように、本実施形態においては、マイクロ波の吸収率が組成により異なることから、シリコン基板１１は絶縁膜５１に比べて温度上昇しやすく、従って、シリコン基板１１上の酸化膜層１３の温度も絶縁膜５１に比べて温度上昇することから、絶縁膜５１がエッチングされることを避けつつ、選択的に酸化膜層１３をエッチングして、酸化膜層１３を除去することができる。
【００２４】
そして、コンタクトバリアメタル６１としてＴｉ／ＴｉＮの積層を堆積させ、更にタングステン膜６２を堆積させた後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて、コンタクトホール５２から突出したコンタクトバリアメタル６１とタングステン膜６２とを除去し、図３（ｃ）に示すようなコンタクトプラグ３を形成する。
【００２５】
本実施形態によれば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｈ、Ｏ、Ａｒ、Ｎのいずれかの原子を有するガス雰囲気において、シリコン基板１１にマイクロ波を照射することにより、絶縁膜５１がエッチングされることを避けつつ、選択的に酸化膜層１３をエッチングして、それを除去することができる。すなわち、酸化膜層１３のエッチングの際、コンタクトホール５２の側面をなす絶縁膜５１がエッチングされることを抑えることができるため、コンタクトホール５２のコンタクトホール径が大きくなることがない。従って、所望のコンタクトホール径を有するコンタクトプラグ３を形成することができる。また、コンタクトホール５２の側面をなす絶縁膜５１がエッチングされることを抑えることができるため、コンタクトプラグ５２を形成しない個所にタングステン膜６２が入り込むことがなく、それによるリークパスが形成されないことから、電気的なリーク耐性に優れたコンタクトプラグ３の形成が可能になる。
【００２６】
なお、マイクロ波を照射すると、膜の誘電率やそれに含まれる水分量、不純物や双極子の量の違いにより、温度の差を生じさせることができる。従って、これまで説明したような膜だけでなく、このような特性を利用することができるような他の膜の組み合わせにも本実施形態は適用することができる。また、選択的に除去しようとする膜は、例えば、前の工程におけるエッチングによる残渣からなる層であったり、前の工程におけるエッチング等によりダメージを受けた層であったり、前の工程において自然酸化した層からなる酸化膜層１３に限るものではなく、酸化膜、窒化膜、有機塗布膜、高分子膜等の絶縁膜であっても良い。
【００２７】
また、本実施形態によれば、従来から用いられてきた半導体装置の製造工程を大幅に変更することなく、一般的なドライエッチングで用いられるようなガスの存在下で、マイクロ波を照射することにより、選択的に酸化膜層１３をエッチングし、それを除去することができる。
【００２８】
（第３の実施形態）
本実施形態は、コンタクトホール５２の底にエッチングストッパ膜７１があらかじめ形成されており、このエッチングストッパ膜７１をエッチングして除去する点で、第２の実施形態と異なるものである。本実施形態の半導体装置のコンタクトプラグ３の製造方法を、図５を用いて説明する。なお、本発明は、以下に説明するような形態の半導体装置のコンタクトプラグ３に限定されるものではなく、他の形態の半導体装置の製造においても用いることができる。なお、以下の本実施形態の説明において、第１及び第２の実施形態と同じ構成および機能を有する部分は、第１及び第２の実施形態と同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。
【００２９】
図５（ａ）に示すように、シリコン基板１１上に、エッチングストッパ膜７１と絶縁膜５１とを設け、その上に、マスク５３を形成する。さらに、ＲＩＥ法を用いて絶縁膜５１をエッチングして、コンタクトホール５２を形成する。なお、エッチングストッパ膜７１は、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等の窒化膜、酸化膜からなり、その膜厚は、例えば２０ｎｍである。
【００３０】
次に、マスク５３を除去した後に、第２の実施形態と同様に、シリコン基板１１に対し、例えば、Ｈ２、ＨＦ、又はＮＦ３/ＮＨ３雰囲気下で、２．４５ＧＨｚから２５ＧＨｚのマイクロ波を照射する。なお、本実施形態においては、マイクロ波はシリコン基板１１に対して照射するものであり、積極的に雰囲気中のガスに照射して、ガスをプラズマ化するために用いるものではない。このマイクロ波照射条件は、加熱によりシリコン基板１１上の各層が特性劣化を起こさないように、シリコン基板１１の基板温度が６００℃以下になるように設定することが好ましい。なお、シリコン基板１１の代わりに、ニッケルシリサイド膜を用いた場合には、温度が４００℃以下になるように設定することが好ましい。また、雰囲気中のガスは、上記のものに限定されるものではなく、一般的なドライエッチングで用いられるような、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｈ、Ｏ、Ａｒ、Ｎのうちの少なくとも１つの原子を有するガスであれば良い。さらに、圧力、流量等はシリコン基板１１の形状、組成等にあわせて調節することが好ましい。図５（ｂ）に示すように、このような条件の下で、シリコン基板１１にマイクロ波を照射することにより、第２の実施形態と同様に、絶縁膜５１がエッチングされることを避けつつ、選択的にエッチングストッパ膜７１をエッチングして、エッチングストッパ膜７１を除去することができる。すなわち、先に説明したように、本実施形態においては、マイクロ波の吸収率が組成により異なることから、シリコン基板１１は絶縁膜５１に比べて温度上昇しやすく、従って、シリコン基板１１上のエッチングストッパ膜７１の温度も絶縁膜５１に比べて温度上昇することから、絶縁膜５１がエッチングされることを避けつつ、選択的にエッチングストッパ膜７１をエッチングして、エッチングストッパ膜７１を除去することができる。また、エッチングストッパ膜７１の下に、自然酸化膜が生成した場合は、エッチングストッパ膜７１とともに除去することが好ましい。
【００３１】
この後の工程は、コンタクトバリアメタル６１とタングステン膜６２とを堆積させ、コンタクトホール５２から突出したコンタクトバリアメタル６１とタングステン膜６２とを除去するのであるが、図４で示される第２の実施形態の工程と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００３２】
本実施形態によれば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｈ、Ｏ、Ａｒ、Ｎのいずれかの原子を有するガス雰囲気において、シリコン基板１１にマイクロ波を照射することにより、絶縁膜５１がエッチングされることを避けつつ、選択的にエッチングストッパ膜７１をエッチングして、それを除去することができる。すなわち、エッチングストッパ膜７１のエッチングの際、コンタクトホール５２の側面をなす絶縁膜５１がエッチングされることを抑えることができるため、コンタクトホール５２のコンタクトホール径が大きくなることがない。従って、所望のコンタクトホール径を有するコンタクトプラグ３を形成することができる。また、コンタクトホール５２の側面をなす絶縁膜５１がエッチングされることを抑えることができるため、コンタクトプラグ５２を形成しない個所にタングステン膜６２が入り込むことがなく、それによるリークパスが形成されないことから、電気的なリーク耐性に優れたコンタクトプラグ３の形成が可能になる。
【００３３】
なお、マイクロ波を照射すると、膜の誘電率やそれに含まれる水分量、不純物や双極子の量の違いにより、温度の差を生じさせることができる。従って、これまで説明したような膜だけでなく、このような特性を利用することができるような他の膜の組み合わせにも本実施形態は適用することができる。また、選択的に除去しようとする膜は、例えば、酸化膜又は窒化膜からなるエッチングストッパ膜７１に限るものではなく、有機塗布膜、高分子膜等の絶縁膜であっても良い。
【００３４】
また、本実施形態によれば、従来から用いられてきた半導体装置の製造工程を大幅に変更することなく、一般的なドライエッチングで用いられるようなガスの存在下で、マイクロ波を照射することにより、選択的に酸化膜層１３をエッチングし、それを除去することができる。
【００３５】
さらに、これまで説明してきた第１から第３の実施形態においては、基板は、必ずしもシリコン基板でなくてもよく、他の基板（例えば、ＳＯＩ（Silicon on insulator）基板やＳｉＧｅ基板など）でも良い。また、このような種々の基板上に半導体構造等が形成されたものでも良い。
【００３６】
本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３７】
１    半導体装置
２    ＳＴＩ
３    コンタクトプラグ
１１  シリコン基板
１２  拡散層
１３  酸化膜層
２１  チャネル領域
２２  ゲート絶縁膜
２３  エクステンション層
３１  多結晶シリコン膜
３２  ゲート側壁膜
４１  ニッケル膜
４２  ニッケルシリサイド膜
５１  絶縁膜
５２  コンタクトホール
６１  コンタクトバリアメタル
６２  タングステン膜
７１  エッチングストッパ膜
【図１】
2013201225.tif 000003
【図３】
2013201225.tif 000004
【図４】
2013201225.tif 000005
【図５】
2013201225.tif 000006
【図２】
2013201225.tif 000007