(57)【要約】【課題】複数の基板間における処理の均一性を向上させることができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置は、処理室と、処理ガス供給部と、基板が載置される複数個の載置部が同一平面内に設けられた基板載置台と、基板載置台に設けられた加熱部と、基板の温度を検出する温度検出部と、複数個の載置部に基板を順に載置する載置機構と、複数個の載置部に１つの載置部を除いて基板が配置された状態で、１つの載置部に基板を載置し、１つの載置部に載置された基板が予め定められた所定の温度となった後に基板を処理する処理シーケンスを実行するよう制御する制御部とを有する。【選択図】図７
2013201333.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理に用いられる処理室と、
前記処理室に、基板の処理に用いられる処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室内に配置されていて、基板が載置される複数個の載置部が同一平面内に設けられた基板載置台と、
前記基板載置台に設けられた加熱部と、
前記基板載置部に載置された基板の温度を検出する温度検出部と、
前記複数個の載置部に基板を順に載置する載置機構と、
前記複数個の載置部に１つの載置部を除いて基板が配置された状態で、前記１つの載置部に基板を載置し、前記１つの載置部に載置された基板が前記加熱部による加熱により予め定められた温度となったことが前記温度検出部により検出された後に基板を処理する処理シーケンスを実行するよう制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記温度検出部は、温度検出器具を有し、
前記温度検出器具は、少なくとも一部分が、前記基板載置台の外側から前記基板載置台の内部に向けて挿入された状態となる挿入位置と、前記基板載置台から離間した状態となる離間位置との間で移動可能であって、
前記制御部は、前記１つの載置部に載置された基板の温度を検出する際は前記温度検出器具が前記挿入位置に位置し、処理シーケンスを実行する際には、前記温度検出具が前記離間位置に位置するように制御する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板の処理に用いられる処理室と、
前記処理室に、基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室内に配置されていて、基板が載置される複数個の載置部が同一平面内に設けられた基板載置台と、
前記基板載置台に設けられた加熱部と、
前記基板載置部に載置された基板の温度を検出する温度検出部と、
前記複数個の載置部に順に基板を載置する載置機構と、
少なくとも前記加熱部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記載置機構が、前記複数の載置部に１つの載置部を除いて基板を載置する基板載置工程と、
前記複数の載置部に前記１つの載置部を除いて基板が載置された後に、前記１つの載置部に基板を載置し、前記温度検出部が前記１つの載置部に載置された基板の温度を検出する温度検出工程と、
前記温度検出工程において検出された前記１つの載置部に載置された基板の温度が前記加熱部による加熱により予め定められた温度となったことが前記温度検出部により検出された後に、前記制御部が基板を処理する処理シーケンスを実行する処理工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板の処理に用いられる処理室と、
前記処理室に、基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室内に配置されていて、基板が載置される複数個の載置部が同一平面内に設けられた基板載置台と、
前記基板載置台に設けられた加熱部と、
前記基板載置部に載置された基板の温度を検出する温度検出部と、
前記複数個の載置部に順に基板を載置する載置機構と、
少なくとも前記加熱部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記載置機構が、前記複数の載置部に１つの載置部を除いて基板を載置する基板載置工程と、
前記複数の載置部に前記１つの載置部を除いて基板が載置された後に、前記１つの載置部に基板を載置し、前記温度検出部が前記１つの載置部に載置された基板の温度を検出する温度検出工程と、
前記温度検出工程において検出された前記１つの載置部に載置された基板の温度が前記加熱部による加熱により予め定められた温度となったことが前記温度検出部により検出された後に、前記制御部が基板を処理する処理シーケンスを実行する処理工程と、
を有する基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、フラッシュメモリやＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄａｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の半導体装置の一工程として、基板（ウエハ）上に薄膜を形成する基板処理工程が実施される。
基板を処理する際は、高スループットや、基板面内の膜厚の均一性や膜質の均一性の向上を再現性良くすることが求められている。
【０００３】
特許文献１には、係る基板処理工程を実施する基板処理装置として、複数枚の基板をサセプタ上に載置し、薄膜を形成する装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５２４８４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述のように、高スループットや、基板面内の膜厚の均一性や膜質の均一性の向上を再現性良くすることが求められている。しかしながら、従来の基板処理装置では、複数の基板を処理する際に、基板ごとに温度条件を始めとした処理条件が異なってしまうことがあった。この結果、処理室内における複数のウエハ間や、一つのポッドで搬送された複数のウエハ間で、処理が均一になされないことがあるとの問題が生じることがあった。
【０００６】
本発明の目的は、複数の基板間における処理の均一性を向上させることができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、基板の処理に用いられる処理室と、前記処理室に、基板の処理に用いられる処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に配置されていて、基板が載置される複数個の載置部が同一平面内に設けられた基板載置台と、前記基板載置台に設けられた加熱部と、前記基板載置部に載置された基板の温度を検出する温度検出部と、前記複数個の載置部に基板を順に載置する載置機構と、前記複数個の載置部に１つの載置部を除いて基板が配置された状態で、前記１つの載置部に基板を載置し、前記１つの載置部に載置された基板が前記加熱部による加熱により予め定められた温度となったことが前記温度検出部により検出された後に基板を処理する処理シーケンスを実行するよう制御する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、基板の処理に用いられる処理室と、前記処理室に、基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に配置されていて、基板が載置される複数個の載置部が同一平面内に設けられた基板載置台と、前記基板載置台に設けられた加熱部と、前記基板載置部に載置された基板の温度を検出する温度検出部と、前記複数個の載置部に順に基板を載置する載置機構と、少なくとも前記加熱部を制御する制御部と、を有する基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、前記載置機構が、前記複数の載置部に１つの載置部を除いて基板を載置する基板載置工程と、前記複数の載置部に前記１つの載置部を除いて基板が載置された後に、前記１つの載置部に基板を載置し、前記温度検出部が前記１つの載置部に載置された基板の温度を検出する温度検出工程と、前記温度検出工程において検出された前記１つの載置部に載置された基板の温度が前記加熱部による加熱により予め定められた温度となったことが前記温度検出部により検出された後に、前記制御部が基板を処理する処理シーケンスを実行する処理工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、基板の処理に用いられる処理室と、前記処理室に、基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に配置されていて、基板が載置される複数個の載置部が同一平面内に設けられた基板載置台と、前記基板載置台に設けられた加熱部と、前記基板載置部に載置された基板の温度を検出する温度検出部と、前記複数個の載置部に順に基板を載置する載置機構と、少なくとも前記加熱部を制御する制御部と、を有する基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、前記載置機構が、前記複数の載置部に１つの載置部を除いて基板を載置する基板載置工程と、前記複数の載置部に前記１つの載置部を除いて基板が載置された後に、前記１つの載置部に基板を載置し、前記温度検出部が前記１つの載置部に載置された基板の温度を検出する温度検出工程と、前記温度検出工程において検出された前記１つの載置部に載置された基板の温度が前記加熱部による加熱により予め定められた温度となったことが前記温度検出部により検出された後に、前記制御部が基板を処理する処理シーケンスを実行する処理工程と、を有する基板処理方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、複数の基板間における処理の均一性を向上させることができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置を上方から示す図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の図１のおけるＡ−Ａ面で切断した断面を示す図である。
【図３】図１及び図２に示す基板処理装置が有する処理炉を鉛直な断面で切断した断面を示す図である。
【図４】図１及び図２に示す基板処理装置を図３に示すＢ−Ｂ面で切断した断面を示す図である。
【図５】図１及び図２に示す基板処理装置が有する搬送装置を示し、図５（ａ）は搬送装置が基板を搬送中の状態を示す図であり、図５（ｂ）は基板を搬送していない状態にある搬送装置を示す図である。
【図６】図３乃至図５に示す処理炉の一部を拡大して示す図である。
【図７】図３乃至図５に示す処理炉が有するリフターピンの動作と、温度センサの移動とを説明し、図７（ａ）は、基板の温度を測定する状態におけるリフターピンと温度センサとを示す図であり、図７（ｂ）は、基板に処理を施す状態におけるリフターピンと温度センサとの状態を示す図である。
【図８】図３乃至図５に示す処理炉が有する不活性ガス供給部の作用を説明する図である。
【図９】図１に示す基板処理装置による基板処理の工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
次に、本発明の好ましい実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図１及び図２には、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０が示されている。基板処理装置１０は、基板載置部に複数の基板を載置した多枚葉式の基板処理装置であり、基板処理装置１０により、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法が実施される。以下の説明においては、前後左右は、図１中に矢印で示されている前後左右を基準とする。
【００１３】
図１及び図２に示されているように、基板処理装置１０においては、シリコン（Ｓｉ）等で形成される基板（以下、「ウエハ２」と称す）を複数枚搬送する基板収容容器としてＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod；以下、「ポッド４」と称す）が用いられている。また、基板処理装置１０は、ウエハ２を搬送する機能を有するＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）２０と、同じくウエハ２を搬送する機能を有するロードロック機構２２と、同じウエハ２を搬送する機能を有する搬送機構２４と、ウエハ２を処理する機能を有する処理機構２６と、制御装置４００とを有する。
【００１４】
ＥＦＥＭ２０は、ロードポートとも称される載置台３２と、搬送部３４とを有する。
【００１５】
載置台３２は、工程内搬送装置（非図示）によって搬送されたポッド４が載置されるようになっている。本実施形態においては、載置台３２には三つのポッド４が載置できるようになっている。
【００１６】
搬送部３４は筺体３４ａを備え、この筺体３４ａ内に第１の搬送室３６が形成されている。第１の搬送室３６は、略大気圧条件下で用いられる。第１の搬送室３６には、ウエハ２を搬送する第１の搬送装置３８が配置されている。第１の搬送装置３８の下方には、昇降装置４０及び水平移動装置４２が設けられており、この第１の搬送装置３８は上下左右方向に移動自在となっている。
【００１７】
また、第１の搬送室３６には、ウエハ２の位置合わせ（プリアライナ）を行う位置合わせ装置４４が設けられている。具体的には、位置合わせ装置４４は、ウエハ２に形成されているノッチ又はオリエンテーションフラットの位置を合わせるようになっている。
【００１８】
筺体３４ａの上部には、第１の搬送室３６内に清浄気体（クリーンエア）を供給する清浄気体供給装置４６が設けられている。
【００１９】
筺体３４ａの前側には、搬入出口５０が形成されており、搬入出口５０に対応するようにしてポッドオープナーとも称されるポッド開閉装置５２が配置されている。ポッド開閉装置５２は、ポッド４の蓋体を開閉するとともに搬入出口５０を閉塞する開閉部５４を有する。ポッド開閉装置５２は、載置台３２に載置されたポッド４のキャップを開閉し、このポッド４に対してウエハ２の搬入、搬出をすることができる状態とする。
【００２０】
筺体３４ａの後側には、ゲートバルブとも称される開閉弁５６ａと開閉弁５６ｂが設けられており、開閉弁５６ａと開閉弁５６ｂを介してロードロック機構２２が取り付けられている。
【００２１】
ロードロック機構２２は、ウエハ２を搬入する際に用いられる搬入予備室６０と、ウエハ２を搬出する際に用いられる搬出予備室６２とを有する。搬入予備室６０及び搬出予備室６２は、それぞれが大気圧未満の圧力（負圧）に耐える構造となっている。搬入予備室６０は、ウエハ２を支持する基板支持部６４ａと開閉弁６６ａとを有し、搬出予備室６２は、ウエハ２を支持する基板支持部６４ｂと開閉弁６６ｂとを有している。
【００２２】
ロードロック機構２２の後方には、開閉弁６６ａと開閉弁６６ｂを介して第２の搬送機構２４が取り付けられている。
【００２３】
第２の搬送機構２４は、真空容器として用いられている筺体２４ａを有し、筺体２４ａ内に第２の搬送室７０が形成されている。第２の搬送室７０は、真空条件下で用いられる。また、第２の搬送室７０は負圧に耐える構造となっており、例えばアルミニウム（Ａｌ）で構成されている。第２の搬送室７０の内壁にはアルマイト処理が施され、熱放射率が、例えば、０．７〜０．９９％となっており比較的、熱を吸収し易い状態となっている。また、第２の搬送室７０の側壁内部には冷却水が流れるようになっており、この側壁が冷却されるように構成されている。
【００２４】
第２の搬送室７０には、ウエハ２を搬送する機能を有し、後述する複数の載置部２９０に順にウエハ２を載置する載置機構として用いられている第２の搬送装置３４０が取り付けられている。第２の搬送装置３４０の下方には、昇降回転装置７４が設けられていて、第２の搬送装置３４０は、第２の搬送室７０内の気密性を保ちながら上下左右方向に移動自在となっている。
【００２５】
また、第２の搬送室７０には、例えば４つの開閉弁（開閉弁７６ａ、開閉弁７６ｂ、開閉弁７６ｃ、及び開閉弁７６ｄ）が設けられており、開閉弁７６ａ、開閉弁７６ｂ、開閉弁７６ｃ、開閉弁７６ｄを介して例えば４つの処理炉２００（処理炉２００ａ、処理炉２００ｂ、処理炉２００ｃ、及び処理炉２００ｄ）が取り付けられている。処理炉２００ａ、処理炉２００ｂ、処理炉２００ｃ、及び処理炉２００ｄの詳細は後述する。
【００２６】
図３及び図４には、処理炉２００ｂ（以下の説明においては、処理炉２００と称する）が示されている。尚、処理炉２００ａ、処理炉２００ｃ、処理炉２００ｄは、以下に説明する処理炉２００ｂと同様の構成としても良いし、ウエハ２に施す処理に応じて、処理炉２００ｂとは異なる構成としても良い。
【００２７】
図３及び図４に示すように、処理炉２００は、ウエハ２を処理するための処理室２１２を内部に形成する筐体２１４を有する。筐体２１４は円筒形状に形成されており、筒中空部が処理室２１２を形成している。処理室２１２は、円状の反応室壁２１６に囲まれて形成されている。また、反応室壁２１６には、処理室２１２内にウエハ２を搬入し、処理室２１２内からウエハ２を搬出するために用いられる搬入搬出口２１３が形成されている。搬入搬出口２１３は、開閉弁７６ｂによって開閉されるように構成されている。
【００２８】
処理室２１２内には、ウエハ２が載置される基板載置台として用いられているサセプタ２１８が設けられている。サセプタ２１８には、サセプタ２１８を加熱する加熱部として用いられているヒータ２２０が設けられていて、ウエハ２を所望の温度まで加熱することが可能となっている。サセプタ２１８は、基板を載置する載置部２９０を複数個有し、複数個の載置部２９０が同一の平面２９２内に設けられている。この実施形態においては、平面２９２に４個の載置部２９０が設けられている場合を一例として説明をするものの、例えば５個等、４個以外の複数個の載置部２９０を平面２９２内に設けるようにしても良い。
【００２９】
また、サセプタ２１８の下部には、回転軸部として用いられているシャフト２２４が接続されていて、シャフト２２４には、駆動部として用いられている回転器２２６が連結されている。すなわち、回転器２２６がシャフト２２４を回転させることでサセプタ２１８が回転する。サセプタ２１８の平面２９２より上の空間には、中心にガス分配部材２２８が設けられ、放射状に仕切板２３０が配置されている。
【００３０】
本実施形態においては、仕切板２３０は、処理室２１２を、第１の領域２３１、第２の領域２３２、第３の領域２３３及び第４の領域２３４の４つの領域に分割している。
【００３１】
また、ガス分配部材２２８は、円形状で構成され、後述する第１のガス用バッファ室２３６ｅ、第２のガス用バッファ室２３８ｅ、第３のガス用バッファ室２４０ｅを有する。
【００３２】
第１のガス用バッファ室２３６ｅの反応室壁２１６側のガス分配部材２２８には複数の供給孔を有する第１のガス供給孔２３６ｆが、第２のガス用バッファ室２３８ｅの反応室壁２１６側のガス分配部材２２８、２２８には複数の供給孔を有する第２のガス供給孔２３８ｆ、２３８ｆが、第３のガス用バッファ室２４０ｅの反応室壁２１６側のガス分配部材２２８には複数の供給孔を有する第３のガス供給孔２４０ｆが形成されている。
【００３３】
すなわち、第１のガスが第１のガス供給孔２３６ｆから第１の領域２３１に、第２のガスが第２のガス供給孔２３８ｆ、２３８ｆから第２の領域２３２、第４の領域２３４に、第３のガスが第３のガス供給孔２４０ｆから第３の領域２３３に、処理室２１２の中心から反応室壁２１６に向けてそれぞれガスが供給されるようになっている。
【００３４】
また、サセプタ２１８の平面２９２より上の空間、より具体的には、筐体２１４の天井には、処理室２１２内の第１の領域２３１へ第１のガスを供給する第１のガス供給部２３６、処理室２１２内の第２の領域２３２及び第４の領域２３４へ第２のガスを供給する第２のガス供給部２３８、処理室２１２内の第３の領域２３３へ第３のガスを供給する第３のガス供給部２４０が設けられている。ここで、第１のガス供給部２３６、第２のガス供給部２３８、第３のガス供給部２４０は、それぞれがウエハ２の処理に用いられる処理ガスを処理室２１２に供給するガス供給部として用いられている。
【００３５】
第１のガス供給部２３６は、第１のガス供給管２３６ａ、第１のガス供給源２３６ｂ、第１のガスの流量を調整する流量制御装置としてのマスフローコントローラ２３６ｃ、ガス流路を開閉するバルブ２３６ｄ、上述した第１のガス供給用バッファ室２３６ｅ及び第１のガス供給孔２３６ｆから構成されている。
【００３６】
第１のガス供給管２３６ａは、筐体２１４の上面に設けられた第１のガス導入ポート２４２に接続され、第１のガス供給管２３６ａの上流から順に、第１のガス供給源２３６ｂ、マスフローコントローラ２３６ｃ、バルブ２３６ｄが設けられ、バルブ２３６ｄを開閉することで、第１のガス供給管２３６ａから第１のガス導入ポート２４２、第１のガス供給用バッファ室２３６ｅ、第１のガス供給孔２３６ｆを介して処理室２１２内の第１の領域２３１に第１のガスが供給、又は供給停止される。第１のガス供給部２３６は、第１のガスとして、例えば、第１の元素である例えばシリコン（Ｓｉ）を含む例えばトリシリルアミン（ＴＳＡ）を供給する。
【００３７】
第２のガス供給部２３８は、第２のガス供給管２３８ａ、第２のガス供給源２３８ｂ、第２のガスの流量を調整する流量制御装置としてのマスフローコントローラ２３８ｃ、ガス流路を開閉するバルブ２３８ｄ、上述した第２のガス供給用バッファ室２３８ｅ及び第２のガス供給孔２３８ｆから構成されている。
【００３８】
第２のガス供給管２３８ａは、筐体２１４の上面に設けられた第２のガス導入ポート２４４に接続され、第２のガス供給管２３８ａの上流から順に、第２のガス供給源２３８ｂ、マスフローコントローラ２３８ｃ、バルブ２３８ｄが設けられ、バルブ２３８ｄを開閉することで、第２のガス供給管２３８ａから第２のガス導入ポート２４４、第２のガス供給用バッファ室２３８ｅ、第２のガス供給孔２３８ｆ、２３８ｆを介して処理室２１２内の第２の領域２３２及び第４の領域２３４に第２のガスが供給、又は供給停止される。第２のガス供給部２３８は、第２のガスとして、不活性ガス（パージガス）として用いられる例えば窒素（Ｎ２）ガスを供給する。
【００３９】
第３のガス供給部２４０は、第３のガス供給管２４０ａ、第３のガス供給源２４０ｂ、第３のガスの流量を調整する流量制御装置としてのマスフローコントローラ２４０ｃ、ガス流路を開閉するバルブ２４０ｄ、上述した第３のガス供給用バッファ室２４０ｅ及び第３のガス供給孔２４０ｆから構成される。
【００４０】
第３のガス供給管２４０ａは、筐体２１４の上面に設けられた第３のガス導入ポート２４６に接続され、第３のガス供給管２４０ａの上流から順に、第３のガス供給源２４０ｂ、マスフローコントローラ２４０ｃ、バルブ２４０ｄが設けられ、バルブ２４０ｄを開閉することで、第３のガス供給管２４０ａから第３のガス導入ポート２４６、第３のガス供給用バッファ室２４０ｅ、第３のガス供給孔２４０ｆを介して処理室２１２内の第３の領域２３３に第３のガスが供給、又は供給停止される。第３のガス供給部２４０は、第３のガスとして、第２の元素である例えば酸素含有ガスである酸素（Ｏ２）ガスを供給する。
【００４１】
第３のガスが供給される第３の領域２３３のサセプタ２１８の平面２９２上方には、プラズマ生成部２４１が設けられている。プラズマ生成部は、プラズマを生成するための電極とその電極を制御するための電源等で構成される。
【００４２】
筐体２１４には、処理室２１２内の第１の領域２３１内のガスを排気する排気部２４８が設けられている。排気部２４８は、ガスを排気するガス排気管２４８ａ、処理室２１２内の圧力を制御する流量調整バルブ２４８ｂ、ＡＰＣバルブ２４８ｃ及び排気ポンプ２４８ｄから構成されている。ガス排気管２４８ａは、筐体２１４に接続され、上流側から順に、流量調整バルブ２４８ｂ、ＡＰＣバルブ２４８ｃ及び排気ポンプ２４８ｄが設けられていて、ＡＰＣバルブ２４８ｃを開閉することで、ガス排気管２４８ａから処理室２１２内のガスが排気される。
【００４３】
次に、ヒータ２２０へ電力を供給する電力供給手段３００について説明する。
電力供給手段３００においては、サセプタ２１８と共に回転し、ヒータ２２０に電力を供給するために、スリップリング３０２を用いる。また、電力供給手段３００は、サセプタ２１８に設けられた温度センサ２６３で測定された信号が温度測定子線３０３を用いて送信される温度測定器３０４と、電源３０８と、電源３０８とヒータ２２０とに接続されている電力調整器３１０と有する。電力供給手段３００においては、サセプタ２１８に設けられた温度センサ２６３で測定された信号が温度測定器３０４に送信され、温度測定器３０４からヒータ２２０の温度が設定温度となるように、温度測定器３０４と電力調整器３１０の作用でヒータ２２０に供給される電力を調節し、フィードバック制御を行って、サセプタ２１８の温度を所望の温度に保つように制御がなされている。
【００４４】
図５には、搬送装置３４０が示されている。図５に示されているように、搬送装置３４０は、開閉弁７６ｂが開かれた状態で、処理室１２内へウエハ２を搬送し、ウエハ２を平面２９２が有する４つの載置部２９０に順に載置する。
【００４５】
すなわち、載置部２９０にウエハ２を載置する際には、図５（ａ）に示すように、４個の載置部２９０のうちの一つが開閉弁７６ｂに向かい合うようにサセプタ２１８の位置が調整された状態で、開閉弁７６ｂが開かれ、搬送装置３４０によって、開閉弁７６ｂに近接する位置にある載置部２９０にウエハ２が搬送される。
【００４６】
４つの載置部２９０の中の一つにウエハ２が載置された後、サセプタ２１８が反時計方向に９０度回転し、ウエハ２が載置されていない空の載置部２９０が開閉弁７６ｂに近接するように移動する。そして、搬送装置３４０によって、開閉弁７６ｂに近接する載置部２９０に２番目のウエハ２が載置される。この動作を繰り返し、４枚のウエハ２を４つの載置部２９０に、それぞれに順に載置する。
【００４７】
ウエハ２に処理を施す際には、図５（ｂ）に示すように、搬送装置３４０は、処理炉２００の外部に配置された状態となり、開閉弁７６ｂは閉じられる。
【００４８】
図６、図７には、処理炉２００の一部が拡大して示されている。
図６に示すように、サセプタ２１８の平面２９２における載置部２９０（図４を参照）には、ウエハ２を重力方向下側から支持するためのリフターピン２７０が取り付けられている。図６においては、図示の便宜上、２つのリフターピン２７０だけが示されているものの、リフターピン２７０は、それぞれの載置部２９０に、例えば３個取り付けられている。
【００４９】
リフターピン２７０には、１つのウエハ２を支持する３個のリフターピン２７０を一体として上下動させるために用いられるリフターピン移動機構２７２が連結されている。リフターピン移動機構２７２は、図７（ａ）に示される上昇位置と、上昇位置から重力方向下側に移動した位置である図７（ｂ）に示す下降位置との間でリフターピンを移動させる。リフターピン２７０が上昇位置にある場合は、ウエハ２は、サセプタ２１８から離間した状態となる。一方、リフターピン２７０が下降位置にある場合、ウエハ２は、サセプタ２１８に接触した状態となる。
【００５０】
リフターピン移動機構２７２は、制御装置４００によって制御され、リフターピン２７０を上昇させ、降下させる。
【００５１】
また、サセプタ２１８には、第１の貫通孔として用いられている貫通孔２１８ａが形成されている。図６においては、図示の便宜上、１つの貫通孔２１８ａだけが示されているものの、サセプタ２１８には４個の貫通孔２１８ａが形成されている。４個の貫通孔２１８ａは、４個の載置部２９０（図４を参照）にそれぞれウエハ２を載置した際に、ウエハ２の中心と重力方向において重なるように、それぞれが形成されている。
【００５２】
ヒータ２２０には、第２の貫通孔として用いられている貫通孔２２０ａが形成されている。図６においては、図示の便宜上、１つの貫通孔２２０ａだけが示されているものの、ヒータ２２０には４個の貫通孔２２０ａが形成されている。４個の貫通孔２２０ａは、４個の載置部（図４を参照）にそれぞれウエハ２を載置した際に、ウエハ２の中心と重力方向において重なるように、それぞれが形成されている。
【００５３】
処理室２１２内には、サセプタ２１８の載置部２９０に載置されたウエハ２の温度を検出する温度検出部として用いられているとともに、温度検出部が有する温度検出器具として用いられているウエハ温度センサ２７４が配置されている。ウエハ温度センサ２７４としては、例えば熱電対を用いることができる。ウエハ温度センサ２７４による検出値は、制御装置４００に入力されるようになっている。また、ウエハ温度センサ２７４には、ウエハ温度センサ２７４を移動させるために用いられる温度センサ移動機構２７６が連結されている。
【００５４】
温度センサ移動機構２７６は、図７（ａ）に示される位置であり、ウエハ温度センサ２７４の少なくとも一部分がサセプタ２１８の外側からサセプタ２１８の内側に向けて挿入された状態となる挿入位置と、図７（ｂ）に示す位置であり、ウエハ温度センサ２７４がサセプタ２１８から離間した位置である離間位置との間でウエハ温度センサ２７４を移動させる。図７（ａ）に示す挿入位置においては、ウエハ温度センサ２７４は、リフターピン２７０に支えられたウエハ２に接触する。ウエハ温度センサ２７４が挿入位置と離間位置との間を移動する際には、図７（ａ）、図７（ｂ）に示されているように、ウエハ温度センサ２７４は、貫通孔２１８ａ内、貫通孔２２０ａ内、及び仕切り２０４に形成された貫通孔２０４ａを介して移動する。
【００５５】
温度センサ移動機構２７６は、制御装置４００によって制御され、挿入位置と離間位置との間でウエハ温度センサ２７４を移動させる。より具体的には、制御装置４００は、載置部２９０に載置されたウエハ２の温度を検出する際は、ウエハ温度センサ２７４が挿入位置に位置し、ウエハ２に対して処理を施す処理シーケンスを実行する際には、ウエハ温度センサ２７４が貫通孔２０４ａより下の離間位置に位置するように温度センサ移動機構２７６を制御し、ウエハ温度センサ２７４を移動させる。
【００５６】
制御装置４００が、上述のようにウエハ温度センサ２７４を移動させるため、処理シーケンスの実行時に、ウエハ温度センサ２７４がサセプタ２１８の外側に配置された状態となり、ウエハ温度センサ２７４と干渉することなく、サセプタ２１８がスムーズに回転する。また、ウエハ２の温度測定時には、ウエハ温度センサ２７４をウエハ２に接触させたり、ウエハ２に近接した位置に配置したりすることができ、本構成を有しない場合と比較して、ウエハ２の温度を正確に、且つ迅速に測定できる。
【００５７】
筐体２１４には、不活性ガス供給部２８０が取り付けられている。不活性ガス供給部２８０は、貫通孔２１８ａ、貫通孔２２０ａに向けて、サセプタ２１８及びヒータ２２０に対する処理室２１２と逆側から、処理室２１２側に向けて、例えば窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスを供給することができるように構成されている。不活性ガス供給部２８０は、ガス供給管２８０ａと、不活性ガスの流量を調整するマスフローコントローラ２８０ｂと、ガス供給管２８０ｃと、ガス供給源２８０ｄとを有する。
【００５８】
図８には、不活性ガス供給部２８０の作用が説明されている。
例えばウエハ２を処理する際には、不活性ガス供給部２８０から不活性ガスが供給される。そうすると、図８に矢印で示すように、サセプタ２１８及びヒータ２２０の下側から、貫通孔２０４ａを経由して、貫通孔２１８ａ内と貫通孔２２０ａ内へと不活性ガスが流れこむ。このため、サセプタ２１８及びヒータ２２０の上側、即ち処理室２１２側にある処理ガスがウエハ温度センサ２７４に到達しにくくなり、処理ガスによるウエハ温度センサ２７４の劣化が抑制される。尚、ウエハ２に処理を施す際には、ウエハ２によって貫通孔２１８ａと貫通孔２２０ａとが塞がれた状態となり、ウエハ温度センサ２７４へと処理ガスが到達しくにいものの、不活性ガス供給部２８０で不活性ガスを供給することによって、さらにウエハ温度センサ２７４に処理ガスが到達しにくくなる。
【００５９】
以上のように構成された基板処理装置１０においては、以下に説明をするようにウエハ２を処理する。基板を処理する際には、基板処理装置１０の各部は制御装置４００によって制御される。制御装置４００は、ウエハ温度センサ２７４から出力等に応じて、基板処理装置１０の各部を制御する。
【００６０】
以下の説明においては、半導体製造方法の一工程として、ウエハ２上に絶縁膜であるシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）を形成する例について説明する。ここでは、ウエハ２を処理するために用いられる第１の元素としてシリコン（Ｓｉ）を用い、第２の元素として酸素（Ｏ）を用いる例であって、第１の元素を含む処理ガス（第１のガス）としてシリコン含有ガスであるトリシリルアミンン（ＴＳＡ、（SｉＨ３）３Ｎ）ガスを用い、第２の元素を含む処理ガス（第２の処理ガス）として酸素含有ガスである酸素（Ｏ２）を用いている。
【００６１】
図９には、ウエハ２を処理する工程が示されている。
最初のステップであるステップＳ１０では、第１のウエハ搬入工程がなされる。第１のウエハ搬入工程においては、まず、ヒータ２２０を発熱させた状態で、搬送装置３４０によって処理室２１２内に３枚のウエハ２が搬入され、３枚のウエハがサセプタ２１８の平面２９２における４個の載置部２９０のうちの３個の載置部２９０に順に載置される。すなわち、ステップＳ１０が完了した時点で、サセプタ２１８の平面２９２は、１つの載置部２９０を除いて、他の３個の載置部２９０にウエハ２が載置された状態となる。
【００６２】
ステップＳ１０においては、リフターピン２７０は、上昇した状態にある。このため、３枚のウエハ２は、リフターピン２７０に重力方向下側から支持されていて、平面２９２から離間している。
【００６３】
次のステップであるステップＳ２０では、第２のウエハ搬入工程がなされる。第２のウエハ搬入工程においては、４個の載置部のうち、未だウエハ２が載置されていない１つの載置部２９０に、搬送装置３４０によってウエハ２が載置される。ステップＳ２０で載置されるウエハ２は、他の３枚のウエハ２よりも遅れて処理室２１２内に搬送され、他の３枚のウエハ２よりも遅れてヒータ２２０による加熱が開始される。このため、ステップＳ２０で載置部２９０に載置されたウエハ２は、ステップＳ１０で載置部２９０に載置されたウエハ２よりも温度が低い。
【００６４】
ここで、ステップＳ２０で載置部２９０に載置されたウエハ２の温度がウエハ２を処理
することができる程度に十分な温度まで加熱されたとすると、ステップＳ１０で載置部２９０に載置され、先に加熱が開始された他の３枚のウエハ２の温度も、ウエハ２を処理
することができる程度に十分な温度まで加熱されているはずである。このため、処理室２１２内に搬送され、載置された４枚のウエハ２の全ての温度がウエハ２を処理することができる程度に十分な温度まで加熱されたか否かを判別するために、４枚のウエハ２の全ての温度を測定する必要はなく、ステップＳ２０で処理室２１２内に搬送され、４枚のウエハ２のうち最後に加熱が開始されたウエハ２の温度を測定し、この温度がウエハ２を処理することができる程度に十分な温度になっているかを判別すれば良い。
【００６５】
ステップＳ２０においては、リフターピン２７０は、上昇した状態にある。このため、４枚のウエハ２は、全てがリフターピン２７０に重力方向下側から支持されて、平面２９２から離間している。また、４個のウエハ２を支持するリフターピン２７０の高さは、４個のウエハ２とヒータ２２０との距離が程同じとなるように、略同じ高さとされている。
【００６６】
次のステップであるステップＳ３０では温度判別工程がなされる。温度判別工程においては、ステップＳ２０で処理室２１２内に搬入されたウエハ２の温度が、ウエハ温度センサ２７４によって測定され、この温度がウエハ２に成膜処理をすることが可能な十分な温度まで到達しているか否かが、制御装置４００によって判別される。ステップＳ３０においては、ウエハ温度センサ２７４は、図７（ａ）に示されている挿入位置にあり、ウエハ温度センサ２７４はウエハ２に接触している。このため、ウエハ２から離間した温度センサでウエハ２の温度を測定する場合と比較して、正確かつ迅速にウエハ２の温度が測定される。
【００６７】
制御装置４００によって、ウエハ２の温度がウエハ２に成膜処理をすることが可能な十分な温度まで到達しているとの判別がなされた後に、以下に説明をする一連のウエハ２を処理する処理シーケンスが実行される。処理シーケンスを実行するに先立ち、ウエハ温度センサ２７４を、図７（ａ）に示す挿入位置から、図７（ｂ）に示す離間位置へと移動させる。これにより、サセプタ２１８が、ウエハ温度センサ２７４と干渉することなく回転することができるようになる。また、処理シーケンスを実行するに先立ち、全てのリフターピン２７０を図７（ｂ）に示す下降位置へと移動させる。これにより４枚のウエハ２の全てが、サセプタ２１８に接触した状態となる。
【００６８】
このように、基板処理装置１０においては、制御装置４００は、複数個の載置部２９０に１つの載置部２９０を除いてウエハ２が配置された状態で、ウエハ２が載置されていない１つの載置部２９０にウエハ２を載置し、この１つの載置部に載置された温度が、予め定められた所定の温度、即ち、ウエハ２に成膜処理をすることが可能な十分な温度となった後にウエハ２を処理する処理シーケンスを実行するように制御する。
【００６９】
また、以上で説明をした処理シーケンスを実行することに替わり、最後に加熱が開始されたウエハ２の加熱時間を計測し、予め設定した所定時間となった場合に、リフターピン２７０を下げ、処理シーケンスを実行する方法も考えられる。しかしながら、半導体製造装置では処理室２１２の環境変化等の様々な要因により、所定の温度に達するための加熱時間にばらつきが発生することがある。ここで、処理室２１２の環境変化の一例としては、例えば、成膜処理の繰り返しで発生したパーティクルが処理室２１２の壁に付着する等を挙げることができる。
【００７０】
そこで、所定の加熱時間を設定する際は、様々な要因から影響を受けた場合でもウエハ２を所定の温度に加熱できるよう、余裕を持った時間に設定している。
しかしながら、装置環境によっては、ウエハ２を過度に加熱してしまうことがあり、その結果余分な加熱時間が発生することがある。この場合、スループットが低下してしまい、スループットの低下が歩留りの低下につながってしまう。これに対して、本実施形態においては、最後に加熱が開始されたウエハの温度に基づいてシーケンスを開始するため、余分な加熱時間が発生せず、高いスループットで処理をすることが可能となる。
【００７１】
次のステップであるステップＳ４０では、圧力調整工程がなされる。圧力調整工程においては、排気ポンプ２４８ｄを作動させ、バルブ２４８ｃの開度を調整し、処理室２１２内が所望の圧力（成膜圧力）になるように制御する。また、ヒータ２２０を制御し、４枚のウエハ２の温度（成膜温度）を所望の温度（例えば３５０℃）に維持するように制御する。また、回転器２２６がサセプタ２１８を、例えば、１（回転／秒）で回転させる。また、第２のガス供給部２３８に、不活性ガスを供給させる。
【００７２】
次のステップであるステップＳ５０では、成膜工程がなされる。成膜工程においては、サセプタ２１８を回転させた状態で、第１のガス供給部２３６に、第１のガスとして用いられ、シリコン（Ｓｉ）を含むトリシリルアミン（ＴＳＡ）を処理室２１２に供給させる。ＴＳＡガスの供給により、ウエハ２表面の下地膜上に、第１の元素としてのシリコンを含む第１の層が形成される。すなわち、ウエハ２の下地膜上にシリコン含有層が形成される。尚、シリコンは、それ単独で固体となる元素である。
【００７３】
次に、第３のガス供給部２４０から供給され、第３のガスとして用いられ、第２の元素である例えば酸素含有ガスである酸素（Ｏ２）ガスを、プラズマ供給部２４１に活性化させる。この際、酸素ガスの流量をマスフローコントローラ２４０ｃに調整させる。酸素ガスは反応温度が高く、上述したウエハ温度、処理室内圧力では反応しづらい。このため、プラズマ励起することにより活性種とした状態で用いるようにしている。このためウエハ２の温度は、上述のように設定した低い温度範囲のままでよい。よって、ヒータ２２０の温度を変化させる必要がない。尚、第３のガス供給部２４０にリモートプラズマ機構を設けてプラズマを生成しても良い。リモートプラズマ機構を用いることで、処理室内にプラズマ生成部を設けることより、処理室を小さくすることが可能となる。
【００７４】
尚、酸素ガスを供給する際にプラズマ励起せず、ヒータ２２０の温度を適正に調整して、ウエハ２の温度を例えば６００℃以上の温度とするとともに、処理室２１２内の圧力を例えば５０〜３０００Pａの範囲内の圧力とすることで、酸素ガスをノンプラズマで熱的に活性化させたりすることも可能である。尚、酸素ガスは、熱で活性化させて供給すると、ソフトな反応を生じさせることができるが高温にする必要がある。また、酸素ガスを供給して熱的に活性化させたり、プラズマ励起させたりする替わりに、Ｏ３ガスを供給することで代替することも可能である。
【００７５】
ウエハ２として、高温処理に弱いウエハを処理する場合は熱による活性化は適さない。ここで、高温処理に弱いウエハとは、例えば、アルミニウム等を含む配線を有するウエハである。このようなウエハの場合、高温処理することで、配線が酸化、あるいは、変形するおそれがある。また、第１のガスによる処理温度（ウエハ温度）も上昇してしまうため、第１のガスによる処理が所望の温度範囲を超えてしまうことが考えられる。このため、熱によって活性化したガスを使用する場合は、高温処理でも可能なウエハであって、さらには第１のガス処理が高温でも可能な処理であることが望ましい。
【００７６】
一方、プラズマ供給部２４１によりガスを活性化させた場合には、次の利点がある。
すなわち、第１のガスと第２のガスで処理するウエハ温度が異なる場合、いずれか低いウエハ温度に合わせてヒータ２２０を制御すればよい。このため、高温処理に弱いウエハにおいても処理が可能となる。
【００７７】
この成膜工程においては、ウエハ２上に、第１の層としてのシリコン含有層が形成されて、活性種となった酸素ガスがシリコン含有層の一部と反応する。これにより、シリコン含有層が酸化されて、シリコン（第１の元素）及び酸素（第２の元素）を含む第２の層、すなわち、シリコン酸化層（SｉＯ層）へと改質される。そして、ウエハ２上へのシリコン酸化膜形成処理を繰り返すことで、所望の膜厚のシリコン酸化膜が形成される。
【００７８】
所定時間が経過して、ウエハ２に所望の膜厚のシリコン酸化膜が形成されたら、ＴＳＡの供給と、酸素ガスの供給とを停止させる。
【００７９】
以上で説明をした成膜工程においては、サセプタ２１８の回転が安定した後に処理室２１２内への処理ガスの供給がなされるようにすることが望ましい。これにより、サセプタ２１８の回転が安定する前に処理ガスを供給する場合と比較して、各ウエハ２の処理条件が安定し、各ウエハ２間で均一な処理がなされるようになる。
【００８０】
以上の説明においては、処理されるウエハ２の枚数が載置部２９０の数と同数である４個である場合を例として説明した。処理されるウエハ２の枚数が、１個、２個、又は３個と載置部２９０の数よりも少ない場合は、複数の載置部２９０の処理がなされるウエハ２が載置されない載置部２９０にダミー用のウエハを載置して、一連の処理がなされる。すなわち、第１のウエハ搬入工程と第２のウエハ搬入工程とにおいて、処理がなされるウエハ２にダミー用のウエハを加えて４個のウエハが４個の載置部２９０に載置され、４個の載置部２９０の全てに、処理がなされウエハ２又はダミー用のウエハが載置された状態で成膜工程がなされる。仮に、４個の載置部２９０のいずれかに、ウエハ２もダミー用のウエハ２も載置されていない状態で成膜工程がなされたとすると、ウエハ２もダミー用のウエハ２も載置されていない載置部２９０にパーティクルが発生する虞が高くなる。これに対して、４個の載置部２９０の全てに、処理がなされウエハ２又はダミー用のウエハが載置された状態で成膜工程がなされるようしすれば、パーティクルの発生を防止、又は抑制することができる。
【００８１】
また、以上で説明をした成膜工程においては、不活性ガス供給部２８０から不活性ガスが供給される。これにより、処理室２１２側にある処理ガスがウエハ温度センサ２７４に到達しにくくなり、ウエハ温度センサ２７４の処理ガスによる劣化が抑制される。
【００８２】
次のステップであるステップＳ６０では、冷却工程がなされる。冷却工程においては、第２のガス供給管２３８ａのバルブ２３８ｄを引き続き開として、マスフローコントローラ２３８ｃにより流量調整された窒素（Ｎ２）ガスを処理室２１２内に供給する。このとき、サセプタ２１８を引き続き回転しており、各ウエハ２は窒素に晒されている。このようにすることで、ウエハ２を早急に冷却することが可能となる。
【００８３】
次のステップであるステップＳ７０では、真空引き工程がなされる。真空引き工程においては、第２ガス供給管２３８ａに設けられたバルブ２３８ｄを引き続き開として、マスフローコントローラ２３８ｃにより流量調整された窒素ガスを処理室２１２内に供給する。このとき、ＡＰＣバルブ２４８ｃは開状態を維持し、排気ポンプ２４８ｄにより処理室２１２内が２０Pａ以下となるよう、残留したガスを排気する。これにより、処理室２１２を窒素に置換する。
【００８４】
次のステップであるステップＳ８０では、ウエハ搬出工程がなされる。ウエハ搬出工程においては、ＡＰＣバルブ２４８ｃは開状態を維持し、処理室２１２内を搬出予備室６２同程度の圧力（例えば、大気圧）に復帰させる。そして、上述の工程の逆工程により処理済みのウエハ２を処理室２１２内から搬出する。
【００８５】
本発明は、特許請求の範囲に記載した事項を特徴とするが、さらに次に付記した事項も含まれる。
【００８６】
〔付記１〕
基板の処理に用いられる処理室と、
前記処理室に、基板の処理に用いられる処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室内に配置されていて、基板が載置される複数個の載置部が同一平面内に設けられた基板載置台と、
前記基板載置台に設けられた加熱部と、
前記基板載置部に載置された基板の温度を検出する温度検出部と、
前記複数個の載置部に基板を順に載置する載置機構と、
前記複数個の載置部に１つの載置部を除いて基板が配置された状態で、前記１つの載置部に基板を載置し、前記１つの載置部に載置された基板が前記加熱部による加熱により予め定められた温度となったことが前記温度検出部により検出された後に基板を処理する処理シーケンスを実行するよう制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【００８７】
〔付記２〕
前記温度検出部は、温度検出器具を有し、
前記温度検出器具は、少なくとも一部分が、前記基板載置台の外側から前記基板載置台の内部に向けて挿入された状態となる挿入位置と、前記基板載置台から離間した状態となる離間位置との間で移動可能であって、
前記制御部は、前記１つの載置部に載置された基板の温度を検出する際は前記温度検出器具が前記挿入位置に位置し、処理シーケンスを実行する際には、前記温度検出具が前記離間位置に位置するように制御する付記２記載の基板処理装置。
【００８８】
〔付記３〕
前記基板載置台は回転可能であって、
前記制御部は、前記処理シーケンスにおいて、前記基板載置台の回転が安定した後、前記処理ガス供給部から処理ガスを供給するよう制御する付記１又は２記載の基板処理装置。
【００８９】
〔付記４〕
前記挿入位置と前記離間位置との間で前記温度検出器具を移動させる移動機構をさらに有する付記２又は３記載の基板処理装置。
【００９０】
〔付記５〕
前記基板載置台に第１の貫通孔が形成されていて、
前記加熱部に第２の貫通孔が形成されていて、
前記温度検出器具は、前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔内を移動するように前記挿入位置と前記離間位置との間を移動する付記２乃至４いずれか記載の基板処理装置。
【００９１】
〔付記６〕
前記制御部は、前記温度検出部により検知された前記１つの載置部に載置された基板の温度に基づいて制御する付記１乃至５いずれか記載の基板処理装置。
【００９２】
〔付記７〕
前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔に向けて、前記基板載置台及び前記加熱部に対する前記処理室と逆側から前記処理室の側に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給部をさらに有する付記５又は６記載の基板処理装置。
【００９３】
〔付記８〕
基板の処理に用いられる処理室と、
前記処理室に、基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室内に配置されていて、基板が載置される複数個の載置部が同一平面内に設けられた基板載置台と、
前記基板載置台に設けられた加熱部と、
前記基板載置部に載置された基板の温度を検出する温度検出部と、
前記複数個の載置部に順に基板を載置する載置機構と、
少なくとも前記加熱部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記載置機構が、前記複数の載置部に１つの載置部を除いて基板を載置する基板載置工程と、
前記複数の載置部に前記１つの載置部を除いて基板が載置された後に、前記１つの載置部に基板を載置し、前記温度検出部が前記１つの載置部に載置された基板の温度を検出する温度検出工程と、
前記温度検出工程において検出された前記１つの載置部に載置された基板の温度が前記加熱部による加熱により予め定められた温度となったことが前記温度検出部により検出された後に、前記制御部が基板を処理する処理シーケンスを実行する処理工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【００９４】
〔付記９〕
前記基板処理装置は、前記基板載置台に第１の貫通孔が形成され、前記加熱部に第２の貫通孔が形成されていて、
前記処理工程時に、前記処理室側から前記処理室と逆側に向けて不活性ガスが供給される付記８記載の半導体装置の製造方法。
【００９５】
〔付記１０〕
前記基板載置工程において、前記複数の載置部の数よりも処理される基板の数が少ない場合に、前記複数の載置部の処理される基板が載置されない載置部にダミー用の基板を載置する付記８又は９記載の半導体装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
以上述べたように、本発明は、基板処理装置と半導体装置の製造方法とに適用することができる。
【符号の説明】
【００９７】
２：ウエハ
１０：基板処理装置
２００：処理炉
２１２：処理室
２１８：サセプタ
２１８ａ：貫通孔
２２０：ヒータ
２２０ａ：貫通孔
２３６：第１のガス供給部
２３８：第２のガス供給部
２４０：第３のガス供給部
２７０：リフターピン
２７２：リフターピン移動機構
２７４：ウエハ温度センサ
２７６：温度センサ移動機構
２８０：不活性ガス供給部
２９０：載置部
２９２：平面
３４０：搬送装置
４００：制御装置
【図１】
2013201333.tif 000003
【図２】
2013201333.tif 000004
【図３】
2013201333.tif 000005
【図４】
2013201333.tif 000006
【図５】
2013201333.tif 000007
【図６】
2013201333.tif 000008
【図７】
2013201333.tif 000009
【図８】
2013201333.tif 000010
【図９】
2013201333.tif 000011