(57)【要約】【課題】出力画像の劣化を抑制することができる赤外線撮像装置を提供すること。【解決手段】実施形態に係る赤外線撮像装置である赤外線センサ１０は、感熱ダイオード部１１、周辺配線１２である垂直信号線１２−１、および支持脚１３、を具備する。感熱ダイオード部１１は、基板１４から離間して設けられており、照射される赤外線に応じて発生する熱を電気信号に変換する。垂直信号線１２−１は、基板１４の表面上において、感熱ダイオード部１１の周囲に設けられる。支持脚１３は、基板１４から離間して設けられており、感熱ダイオード部１１と垂直信号線１２−１とを接続する接続配線２６、およびこの配線２６の上下面を覆う絶縁膜２７、を含み、最上層にストッパー膜２１を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を有する基板と、
前記凹部上に設けられ、照射される赤外線に応じて発生する熱を電気信号に変換する感熱ダイオード部と、
前記凹部の周囲の前記基板の表面上において、前記感熱ダイオード部の周囲に設けられた周辺配線と、
前記凹部上に設けられるとともに、前記感熱ダイオード部と前記周辺配線との間において蛇行して設けられ、前記感熱ダイオード部と前記周辺配線とを接続する配線、およびこの配線の上下面を覆う絶縁膜、を含み、最上層にＳｉＮ膜を有し、前記ＳｉＮ膜の位置によって決定された高さを有する支持脚と、
を具備することを特徴とする赤外線撮像装置。
【請求項２】
基板から離間して設けられ、照射される赤外線に応じて発生する熱を電気信号に変換する感熱ダイオード部と、
前記基板の表面上において、前記感熱ダイオード部の周囲に設けられた周辺配線と、
前記基板から離間して設けられ、前記感熱ダイオード部と前記垂直信号線とを接続する配線、およびこの配線の上下面を覆う絶縁膜、を含み、最上層にストッパー膜を有する支持脚と、
を具備することを特徴とする赤外線撮像装置。
【請求項３】
前記支持脚は、前記ストッパー膜の位置によって決定される高さを有することを特徴とする請求項２に記載の赤外線撮像装置。
【請求項４】
前記ストッパー膜は、ＳｉＮ膜であることを特徴とする請求項２または３に記載の赤外線撮像装置。
【請求項５】
前記支持脚は、前記感熱ダイオード部と前記周辺配線との間において、蛇行していることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の赤外線撮像装置。
【請求項６】
前記基板は凹部を有し、前記感熱ダイオード部および前記支持脚は、前記基板の前記凹部上に設けられていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の赤外線撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、赤外線撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
赤外線撮像装置の一つに、赤外線を吸収し、その吸収量に応じて変化する温度を電気信号に変換する感熱ダイオード部を画素毎に有する、非冷却型（熱型）赤外線センサが知られている。この種の赤外線センサは、感熱ダイオード部において赤外線を吸収することにより発生した熱を、可能な限り周辺に逃がさないことが重要である。このため、感熱ダイオード部は、凹部を有する支持基板の凹部上に配置される。そして、感熱ダイオード部は、支持基板上に設けられた垂直信号線および水平信号線に接続された支持脚に支持される。支持脚は、感熱ダイオード部および垂直（水平）信号線に接続される配線および配線の上下面に形成された絶縁膜、からなる。
【０００３】
上述のように、赤外線センサは、感熱ダイオード部において赤外線を吸収することにより発生した熱を、可能な限り周辺に逃がさないことが重要である。従って、感熱ダイオード部を支持する支持脚の熱コンダクタンスも、可能な限り低くする必要がある。このため、従来の赤外線センサの支持脚は、所望の熱コンダクタンスを得るために、配線の上面側に形成された絶縁膜がドライエッチングによって除去され、低背化される。
【０００４】
しかし、低背化された支持脚の形状は、エッチングの特性によって、その先端が尖った形状となり、支持脚の高さが場所によってばらつく、という問題がある。この結果、支持脚の熱コンダクタンスにばらつきが生じて感度がばらつき、さらには、感熱ダイオード部において検出された電子信号にノイズが重畳され、赤外線センサから出力される画像が劣化する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２１５０３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
実施形態は、出力画像の劣化を抑制することができる赤外線撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る赤外線撮像装置は、感熱ダイオード部、周辺配線および支持脚、を具備する。前記感熱ダイオード部は、基板から離間して設けられており、照射される赤外線に応じて発生する熱を電気信号に変換する。前記周辺配線は、前記基板の表面上において、前記感熱ダイオード部の周囲に設けられる。前記支持脚は、前記基板から離間して設けられており、前記感熱ダイオード部と前記周辺配線とを接続する配線およびこの配線の上下面を覆う絶縁膜、を含み、最上層にストッパー膜を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係る赤外線撮像装置を示す上面図である。
【図２】図１の一点鎖線Ｘ−Ｘ´に沿って示す赤外線撮像装置の断面図である。
【図３】実施形態に係る赤外線撮像装置の製造工程を説明するための、赤外線撮像装置の断面図である。
【図４】実施形態に係る赤外線撮像装置の製造工程を説明するための、赤外線撮像装置の断面図である。
【図５】実施形態に係る赤外線撮像装置の製造工程を説明するための、赤外線撮像装置の断面図である。
【図６】実施形態に係る赤外線撮像装置の製造工程を説明するための、赤外線撮像装置の断面図である。
【図７】実施形態に係る赤外線撮像装置の製造工程を説明するための、赤外線撮像装置の断面図である。
【図８】実施形態に係る赤外線撮像装置の製造工程を説明するための、赤外線撮像装置の断面図である。
【図９】実施形態に係る赤外線撮像装置の製造工程を説明するための、赤外線撮像装置の断面図である。
【図１０】実施形態に係る赤外線撮像装置の製造工程を説明するための、赤外線撮像装置の断面図である。
【図１１】実施形態に係る赤外線撮像装置の製造工程を説明するための、赤外線撮像装置の断面図である。
【図１２】図１１に示す工程の変形例を説明するための、赤外線撮像装置の断面図である。
【図１３】実施形態に係る赤外線撮像装置の製造工程を説明するための、赤外線撮像装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、実施形態に係る赤外線撮像装置について説明する。なお、以下に説明する赤外線撮像装置は、非冷却型（熱型）赤外線センサであり、以下に、このセンサを赤外線センサと称して説明する。
【００１０】
図１は、本実施形態に係る赤外線センサ１０を示す上面図である。図１に示すように、赤外線センサ１０は、照射される赤外線を吸収し、その吸収量に応じて発生する熱を電気信号に変換する感熱ダイオード部１１を有する。
【００１１】
なお、赤外線センサは、実際には複数の感熱ダイオード部１１が２次元配列されたものであり、図１は、そのうちの一画素分を示している。
【００１２】
感熱ダイオード部１１は、ｐｎ接合部を有しており、以下のようにして、照射される赤外線に応じて発生した熱を電気信号に変換する。
【００１３】
まず、ｐｎ接合部に一定の順方向電流を流す。この状態の感熱ダイオード部１１に赤外線が照射されると、感熱ダイオード部１１は赤外線を吸収し、自身の温度を上昇させる。この温度上昇によってｐｎ接合部の抵抗が変化するため、ｐｎ接合部間の電位差も変化する。感熱ダイオード部１１は、この電位差の変化を電気信号として検出する。
【００１４】
感熱ダイオード部１１の周囲には、周辺配線１２が形成されている。周辺配線１２は、垂直信号線１２−１および水平信号線１２−２からなる。垂直信号線１２−１は、垂直方向に沿って配列した複数の感熱ダイオード部１１の一端にそれぞれに接続されている。水平信号線１２−２は、水平方向に沿って配列した複数の感熱ダイオード部１１の他端にそれぞれ接続されている。
【００１５】
つまり、垂直信号線１２−１は、感熱ダイオード部１１のｐｎ接合部の一端（アノード）に接続されており、水平信号線１２−２は、感熱ダイオード部１１のｐｎ接合部の他端（カソード）に接続されている。
【００１６】
感熱ダイオード部１１と垂直信号線１２−１との間には、両者間を接続する支持脚１３が設けられている。同様に、感熱ダイオード部１１と水平信号線１２−２との間には、両者間を接続する支持脚１３が設けられている。
【００１７】
それぞれの支持脚１３は、自身の長さを長くするために、蛇行した形状となっている。この理由は、赤外線センサ１０の感度を向上させるためであるが、具体的には以下の通りである。
【００１８】
まず、赤外線センサの感度について説明する。赤外線センサの感度の指標であるＮＥＴＤ（Ｎｏｉｓｅ  Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ）は、以下の式（１）で表わされる。
【００１９】
ＮＥＴＤ（Ｋ）＝ΔＴ／（ＶＳｉｇｎａｌ／ＶＮｏｉｓｅ）・・・式（１）
また、感熱ダイオード部において検出される電気信号に相当するＶＳｉｇｎａｌは、以下の式（２）で表わされる。
【００２０】
ＶＳｉｇｎａｌ＝ＰＡｒ（ｄＶ／ｄＴ）×（１／Ｇｔｈ）・・・式（２）
ただし、式（２）において、Ｐは吸収する赤外線エネルギー（Ｗ／ｍ２）、Ａは感熱ダイオード部の受光面積（ｍ２）、ｒは感熱ダイオード部の赤外線の吸収係数、(ｄＶ／ｄＴ)は感熱ダイオード部の熱電変換効率(Ｖ／Ｋ)、Ｇｔｈは、支持脚の熱コンダクタンスを示す。
【００２１】
式（１）、（２）より、赤外線センサの感度を向上させるためには、支持脚の熱コンダクタンスＧｔｈを小さくする必要がある。支持脚の熱コンダクタンスＧｔｈは、自身の長さが長いほど、垂直断面における断面積が小さいほど、小さくなる。そこで、図１に示すように、支持脚１３は、自身の長さを長くするために、蛇行した形状となっている。
【００２２】
このような赤外線センサ１０において、感熱ダイオード部１１において検出された電気信号は、支持脚１３を介して周辺配線１２に伝達される。周辺配線１２は、図示しない出力回路に接続されており、周辺回路１２に伝達された電気信号は、出力回路において処理され、出力画像を形成する。
【００２３】
図２は、図１の一点鎖線Ｘ−Ｘ´に沿って示す赤外線センサ１０の断面図である。図２に示すように、赤外線撮像センサ１０において、感熱ダイオード部１１および支持脚１３は、基板１４から離間した位置に設けられている。
【００２４】
基板１４は、例えばシリコン基板であり、この基板１４には、凹部１５が形成されている。感熱ダイオード部１１および支持脚１３は、この凹部１５上に設けられることによって、基板１４から離間した位置に配置される。感熱ダイオード部１１および支持脚１３をこのように配置することにより、感熱ダイオード部１１で発生した熱、および支持脚１３に伝達された熱が、基板１４に伝達されることを抑制することができ、赤外線センサ１０の感度が向上する。
【００２５】
感熱ダイオード部１１は、酸化膜１６上に設けられた感熱ダイオード１７が、絶縁膜１８で覆われたものである。感熱ダイオード１７は、照射される赤外線を吸収し、その吸収量に応じて発生する熱を電気信号に変換する。
【００２６】
絶縁膜１８は、第１のＴＥＯＳ膜１９、第２のＴＥＯＳ膜２０、ストッパー膜２１、第３のＴＥＯＳ膜２２、および例えばＳｉＮからなるパッシベーション膜２３が、この順に積層されたものである。
【００２７】
第１のＴＥＯＳ膜１９は、酸化膜１８の表面上に、感熱ダイオード１７を覆うように形成されている。第２のＴＥＯＳ膜２０、ストッパー膜２１、第３のＴＥＯＳ膜２２、およびパッシベーション膜２３は、第１のＴＥＯＳ膜１９上に、この順に積層されている。なお、ストッパー膜２１は、後述する支持脚１３の最上層に形成されるストッパー膜２１と同一工程により形成されるものである。
【００２８】
第１のＴＥＯＳ膜１９と第２のＴＥＯＳ膜２０との間には、感熱ダイオード１７に電気的に接続されるパッド部２４が形成されている。このパッド部２４は、第１のＴＥＯＳ膜１９を貫通するように設けられたコンタクト２５を介して、感熱ダイオード１７に電気的に接続される。なお、パッド部２４およびコンタクト２５は、例えばＴｉＮ等のバリアメタルからなる。
【００２９】
支持脚１３はそれぞれ、接続配線２６の上下面が絶縁膜２７で覆われた構成であり、接続配線２６の上面の絶縁膜２７上には、ストッパー膜２１が設けられている。すなわち、支持脚１３の最上層は、ストッパー膜２１となっている。
【００３０】
接続配線２６は、感熱ダイオード部１１、および周辺配線１２（垂直信号線１２−１および水平信号線１２−２（図１））に接続される。すなわち、接続配線２６は、感熱ダイオード部１１のパッド部２４と、周辺配線１２の信号配線２８と、を電気的に接続する。この接続配線２６は、例えばＴｉＮ等のバリアメタルからなる。
【００３１】
接続配線２６の下面の絶縁膜２７は、例えば感熱ダイオード部１１の絶縁膜１８を構成する第１のＴＥＯＳ膜１９と同一工程によって形成されたＴＥＯＳ膜である。すなわち、接続配線２６の下面の絶縁膜２７は、例えば第１のＴＥＯＳ膜１９である。
【００３２】
接続配線２６の上面の絶縁膜２７は、例えば感熱ダイオード部１１の絶縁膜１８を構成する第２のＴＥＯＳ膜２０と同一工程によって形成されたＴＥＯＳ膜である。すなわち、接続配線２６の上面の絶縁膜２７は、例えば第２のＴＥＯＳ膜２０である。
【００３３】
ストッパー膜２１は、具体的には後述するが、支持脚１３の低背化のためのエッチングの際に使用されるエッチングガスによってエッチングされない膜であり、例えばＳｉＮ膜である。
【００３４】
また、凹部１５を除く基板１４の表面上には、酸化膜１６を介して垂直信号線１２−１が設けられている。垂直信号線１２−１は、信号配線２８の上下面が絶縁膜２９で覆われたものである。
【００３５】
信号配線２８の下面の絶縁膜２９は、例えば感熱ダイオード部１１の絶縁膜１８および支持脚１３の絶縁膜２７を構成する第１のＴＥＯＳ膜１９と同一工程によって形成されたＴＥＯＳ膜である。すなわち、信号配線２８の下面の絶縁膜２９は、例えば第１のＴＥＯＳ膜１９である。
【００３６】
接続配線２８の上面の絶縁膜２９は、下層ＴＥＯＳ膜３０、ストッパー膜２１、上層ＴＥＯＳ膜３１、およびパッシベーション膜２３、がこの順に積層されたものである。
【００３７】
下層ＴＥＯＳ膜３０は、例えば感熱ダイオード部１１の絶縁膜１８を構成する第２のＴＥＯＳ膜２０と同一工程によって形成されたＴＥＯＳ膜である。すなわち、下層ＴＥＯＳ膜３０は、例えば第２のＴＥＯＳ膜２０である。
【００３８】
ストッパー膜２１は、上述の支持脚１３の最上層に形成されるストッパー膜２１と同一工程により形成されるものである。
【００３９】
上層ＴＥＯＳ膜３１は、例えば感熱ダイオード部１１の絶縁膜１８を構成する第３のＴＥＯＳ膜２２と同一工程によって形成されたＴＥＯＳ膜である。すなわち、上層ＴＥＯＳ膜３１は、例えば第３のＴＥＯＳ膜２２である。
【００４０】
パッシベーション膜２３は、例えば感熱ダイオード部１１の絶縁膜１８を構成するパッシベーション膜２３と同一工程によって形成された膜である。
【００４１】
なお、図２には図示されないが、水平信号線１２−２（図１）も、垂直信号線１２−１と同様の構成である。
【００４２】
次に、本実施形態に係る赤外線センサ１０の製造方法について、図３乃至図１３を参照して説明する。図３乃至図１３はそれぞれ、本実施形態に係る赤外線センサ１０の製造方法を説明するための、図２に対応する断面図である。
【００４３】
まず、図３に示すように、例えばシリコン基板からなる基板１４の表面全面に酸化膜１６を形成し、酸化膜１６上に感熱ダイオード１７を設ける。
【００４４】
次に、図４に示すように、感熱ダイオード１７を含む基板１４上に第１のレジスト膜３２を形成し、パターニングによって、支持脚が形成される所定の箇所に開口部３３を形成する。続いて、開口部３３から露出する酸化膜１６を、エッチングによって除去する。
【００４５】
第１のレジスト膜３２を除去した後、次に、図５に示すように、感熱ダイオード１７を含む基板１４上の全面に、例えばＣＶＤ法によって第１のＴＥＯＳ膜１９を成膜する。
【００４６】
次に、図６に示すように、第１のＴＥＯＳ膜１９のうち、感熱ダイオード１７上の一部にトレンチ３４を形成し、このトレンチ３４内に金属として、例えばＴｉＮを形成し、コンタクト２５を形成する。
【００４７】
次に、図７に示すように、第１のＴＥＯＳ膜１９の表面上に例えばＴｉＮ等のバリアメタル３５を形成する。そして、これをパターニングすることによって、感熱ダイオード部のパッド部２４、周辺配線（垂直および水平信号線）の信号配線２８を形成するとともに、支持脚が形成される箇所にバリアメタル３５を残す。
【００４８】
次に、図８に示すように、パッド部２４および信号配線２８を含むパターニングされたバリアメタル３５を含む第１のＴＥＯＳ膜１９上に、第２のＴＥＯＳ膜２０、ストッパー膜２１、第３のＴＥＯＳ膜２２、およびパッシベーション膜２３を、この順に成膜する。これらの膜もそれぞれ、例えばＣＶＤ法によって成膜する。このうち、ストッパー膜２１は、支持脚１３（図２）の高さを決定する膜である。従って、ストッパー膜２１は、支持脚１３（図２）が所望の高さとなる位置に形成する。なお、ストッパー膜２１およびパッシベーション膜２３は、それぞれ例えばＳｉＮ膜からなる。
【００４９】
次に、図９に示すように、パッシベーション膜２３上に第２のレジスト膜３６を形成し、このレジスト膜３６の所定の箇所に、パターニングによって開口部３７を形成する。
【００５０】
続いて、第２のレジスト膜３６の開口部３７から露出するパッシベーション膜２３、その下層である第３のＴＥＯＳ膜２２、ストッパー膜２１、第２のＴＥＯＳ膜２０、バリアメタル３５、および第１のＴＥＯＳ膜１９を、ＲＩＥによって除去する。これによって、感熱ダイオード部１１、および垂直信号線１２−１が形成される。さらに、後の工程において支持脚となる支持脚の母体３８が形成される。
【００５１】
この工程におけるエッチングは、パッシベーション膜２３、第３のＴＥＯＳ膜２２、ストッパー膜２１、第２のＴＥＯＳ膜２０、バリアメタル３５、および第１のＴＥＯＳ膜１９が全てエッチング可能なガスを用いて行われる。例えばパッシベーション膜２３およびストッパー膜２１がＳｉＮ膜からなる場合、エッチングガスとして、ＣＨＦ３系（ＣＨＦ３／ＣＯ／Ｏ２の混合）ガスが使用される。
【００５２】
第２のレジスト膜３６を除去した後、次に、図１０に示すように、支持脚の母体３８の最上層であるパッシベーション膜２３が開口部３９から露出する第３のレジスト膜４０を形成する。
【００５３】
次に、図１１に示すように、支持脚の母体３８を、ＲＩＥによって低背化する。この工程において、まずはじめに、少なくともパッシベーション膜２３をエッチング可能なエッチングガスを使用してパッシベーション膜２３を除去し、パッシベーション膜２３が除去されたタイミングで、第３のＴＥＯＳ膜２２がエッチングされ、かつストッパー膜２１がエッチングされないエッチングガスに切り替えて、第３のＴＥＯＳ膜２２を除去する。例えば、パッシベーション膜２３およびストッパー膜２１がＳｉＮ膜である場合、はじめに上述のＣＨＦ３系ガスを使用してパッシベーション膜２３をエッチングし、パッシベーション膜２３が除去されたタイミングでエッチングガスを、ストッパー膜２１がエッチングされないＣ４Ｆ８系（Ｃ４Ｆ８／ＣＯ／Ａｒの混合）ガスに切り替え、第３のＴＥＯＳ膜２２をエッチングする。
【００５４】
パッシベーション膜２３が除去されたタイミングでエッチングガスを上述のように切り替えることによって、支持脚の母体３８のうち、ストッパー膜２１の上層、すなわち第３のＴＥＯＳ膜２２のみが選択的にエッチングされ、ストッパー膜２１およびこの膜の下層はエッチングされない。従って、ストッパー膜２１の位置で決定される高さの支持脚１３が形成される。形成された支持脚１３の上面からはストッパー膜２１が露出しており、支持脚１３の上面の形状は平坦となる。
【００５５】
なお、パッシベーション膜２３および第３のＴＥＯＳ膜２２のエッチングは、製造時間を短縮するために同一工程において、エッチングガスを適宜切り替えて行われるが、図１２に示すように、初めにパッシベーション膜２３を除去し、次の工程において第２のＴＥＯＳ膜２２を除去してもよい。
【００５６】
次に、図１３に示すように、基板１４をウエットエッチングすることにより、基板１４に凹部１５を形成する。ウエットエッチングに使用されるエッチング溶液は、支持脚１３の間から基板１４に到達し、基板１４を表面からエッチングする。
【００５７】
最後に、第３のレジスト膜４０を除去し、図１、図２に示す赤外線センサ１０が製造される。
【００５８】
以上に説明したように、本実施形態に係る赤外線センサ１０によれば、支持脚１３の最上層に、支持脚の母体３８のエッチング工程においてエッチングされないストッパー膜２１が設けられている。すなわち、形成される支持脚１３は、ストッパー膜２１の位置によって決定される高さを有し、支持脚１３の上面は平坦な形状となる。このように、支持脚１３の高さは場所によらずほぼ一定となるため、支持脚１３の熱コンダクタンスがばらつくことが抑制される。この結果、感度のばらつきが抑制される。さらに、支持脚１３の形状の不均一さに起因して、感熱ダイオード部１１において検出された電気信号に重畳されるノイズも、低減される。従って、出力画像の劣化を抑制することができる赤外線センサを提供することができる。
【００５９】
以上に、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６０】
１０・・・赤外線センサ
１１・・・感熱ダイオード部
１２・・・周辺配線
１２−１・・・垂直信号線
１２−２・・・水平信号線
１３・・・支持脚
１４・・・基板
１５・・・凹部
１６・・・酸化膜
１７・・・感熱ダイオード
１８・・・絶縁膜
１９・・・第１のＴＥＯＳ膜
２０・・・第２のＴＥＯＳ膜
２１・・・ストッパー膜
２２・・・第３のＴＥＯＳ膜
２３・・・パッシベーション膜
２４・・・パッド部
２５・・・コンタクト
２６・・・接続配線
２７・・・絶縁膜
２８・・・信号配線
２９・・・絶縁膜
３０・・・下層ＴＥＯＳ膜
３１・・・上層ＴＥＯＳ膜
３２・・・第１のレジスト膜
３３・・・開口部
３４・・・トレンチ
３５・・・バリアメタル
３６・・・第２のレジスト膜
３７・・・開口部
３８・・・支持脚の母体
３９・・・開口部
４０・・・第３のレジスト膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2013195258.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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