(57)【要約】      （修正有）【課題】書込み信号が複数スロープ・データ変化を伴う記憶装置を提供する。【解決手段】ディスク式記憶装置は、記憶ディスクからデータを読み取り、読取り／書込みヘッドと、制御回路とを備える。制御回路は、書込みドライバと、書込みドライバに関連付けられた複数スロープ変化コントローラであって、それぞれに異なるスロープを有する少なくとも２つの異なるセグメントをデータ変化が有するように書込み信号中のデータ変化を制御するように構成され、セグメントのそれぞれに対して別個のスロープ制御機構を備える複数スロープ変化コントローラとを備える。一例として、データ変化は、データ変化の始点と終点の間で第１と第２のセグメントが連続して配置され、第１のセグメントのスロープが第２のセグメントのスロープよりも大きいかまたは小さいデュアル・スロープ変化を有しうる。【選択図】図５
2013186936.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶ディスクからデータを読み取り記憶ディスクにデータを書き込むように構成された読取り／書込みヘッドに関連付けて構成された制御回路であって、前記読取り／書込みヘッドから受け取ったデータおよび前記読取り／書込みヘッドに供給するデータを処理するように構成された制御回路を備えた装置において、
前記制御回路は、
前記記憶ディスクにデータを書き込むための書込み信号を生成するように構成された書込みドライバと、
データ変化がそれぞれに異なるスロープを有する少なくとも２つの異なるセグメントを有するように前記書込み信号中の前記データ変化を制御するように構成され、前記書込みドライバに関連付けられた複数スロープ変化コントローラとを含み、
前記複数スロープ変化コントローラは、前記セグメントのそれぞれに対して別個のスロープ制御機構を含む、装置。
【請求項２】
前記データ変化は、前記データ変化の始点と終点の間で第１と第２のセグメントが連続して配置され、前記第１のセグメントのスロープが前記第２のセグメントのスロープよりも大きいデュアル・スロープ変化を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記データ変化は、前記データ変化の始点と終点の間で第１と第２のセグメントが連続して配置され、前記第１のセグメントのスロープが前記第２のセグメントのスロープよりも小さいデュアル・スロープ変化を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記データ変化は、前記データ変化の始点と終点の間に配置された少なくとも１つのニー・ポイントを有し、前記データ変化の２つの連続して配置されたセグメントを所与のニー・ポイントが分離する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記データ変化が立上がり変化であり、前記ニー・ポイントが座標［Ｔ＿０，−Ｉｗ］および［Ｔ＿０＋Ｔ＿立上がり，Ｉｗ＋ＯＳＡ］によって定義された矩形内に配置されており、ここで、Ｔ＿０が前記データ変化の開始時点を示し、Ｔ＿立上がりが前記データ変化の立上がり時間を示し、Ｉｗが定常状態電流を示し、ＯＳＡがオーバーシュート振幅を示し、−Ｉｗが前記データ変化の開始電流振幅を示し、Ｉｗ＋ＯＳＡが前記データ変化の終了電流振幅を示す、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記データ変化が立下がり変化であり、前記ニー・ポイントが座標［Ｔ＿０，Ｉｗ］および［Ｔ＿０＋Ｔ＿立下がり，−Ｉｗ−ＯＳＡ］によって定義された矩形内に配置されており、ここで、Ｔ＿０が前記データ変化の開始時点を示し、Ｔ＿立下がりが前記データ変化の立下がり時間を示し、Ｉｗが定常状態電流を示し、ＯＳＡがオーバーシュート振幅を示し、Ｉｗが前記データ変化の開始電流振幅を示し、−Ｉｗ−ＯＳＡが前記データ変化の終了電流振幅を示す、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記別個のスロープ制御機構は、
前記セグメントのうちの第１のセグメントのスロープを制御するために前記書込みドライバの定常状態経路に配置された第１の制御可能な遅延要素と、
前記セグメントのうちの第２のセグメントのスロープを制御するために前記書込みドライバのオーバーシュート経路に配置された第２の制御可能な遅延要素と
を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第１と第２の制御可能な遅延要素は、前記データ変化の定常状態セグメントとオーバーシュートセグメントに対して異なるスロープが確立されることを可能にする方法で独立して制御可能である、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
記憶装置の記憶ディスクに書き込まれるべきデータを受信するステップと、
前記記憶ディスクに書き込まれるべきデータの書込み信号を生成するステップであって、前記書込み信号は複数のデータ変化を有し、前記データ変化の少なくとも１つは、それぞれに異なるスロープを有する少なくとも２つの異なるセグメントを備える、ステップとを具備し、
前記生成するステップは、前記セグメントのそれぞれを別個に制御することを含む、方法。
【請求項１０】
処理装置と、
前記処理装置に連結され、少なくとも１つの記憶ディスクを備える記憶装置とを備える処理システムにおいて、
前記記憶装置は、
前記記憶ディスクからデータを読み取り、前記記憶ディスクにデータを書き込むように構成された読取り／書込みヘッドと、
前記読取り／書込みヘッドから受け取ったデータおよび前記読取り／書込みヘッドに供給すべきデータを処理するように構成された制御回路とをさらに含み、
前記制御回路は、
前記記憶ディスクにデータを書き込むための書込み信号を生成するように構成された書込みドライバと、
データ変化がそれぞれに異なるスロープを有する少なくとも２つの異なるセグメントを有するように前記書込み信号中の前記データ変化を制御するように構成され、前記書込みドライバに関連付けられた複数スロープ変化コントローラとを含み、
前記複数スロープ変化コントローラは、前記セグメントのそれぞれに対して別個のスロープ制御機構を含む、処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、書込み信号が複数スロープ・データ変化を伴う記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
多様な異なるタイプのデータ処理システムの不揮発性データ記憶装置を提供するためにハード・ディスク・ドライブ（ＨＤＤ）などのディスク式記憶装置が用いられている。典型的なＨＤＤは、プラターとも称される１つまたは複数の円盤型記憶ディスクを保持するスピンドルを含む。各記憶ディスクは、１層または複数層の磁性体の薄層でコーティングした、アルミニウムまたは硝子などの非磁性体で作られた基板を含む。運用中、データは、記憶ディスクが高速で回転する際にポジショニング・アームによってディスク表面を正確に横断するように移動される読取り／書込みヘッドによって記憶ディスクのトラックから読み取られ、また記憶ディスクのトラックに書き込まれる。
【０００３】
ＨＤＤの記憶容量は増大の一途を辿っており、現在では数テラバイト（ＴＢ）のデータを記憶できるＨＤＤが入手可能である。しかしながら、記憶容量の増大は、より多くのデータを各記憶ディスクに詰め込もうとするために、しばしばトラック寸法、ビット長、または他の特徴を縮小させることになり、これが、オントラックの記録性能の低下、並びに隣接トラックの消去などのオフトラックの記録性能の問題を含む様々な問題を引き起こす危険性がある。
【０００４】
記憶容量をさらに増大させることを目指していくつもの技術が開発されてきた。例えば、瓦記憶方式（ＳＭＲ：ｓｈｉｎｇｌｅｄ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）として知られた技術は、記憶ディスク上の既に書き込まれた隣接トラック上を「瓦を葺くように」所与のトラックを「重ねること」によってＨＤＤの記憶容量の増大を試みる。ビット・パターン媒体（ＢＰＭ）と称される別の技術では、記憶ディスクの表面上に磁気アイランドの高密度トラックが前もって形成され、これらのアイランドの１つ１つにデータのビットが書き込まれる。その他の技術には、例えば、熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）およびマイクロ波アシスト磁気記録（ＭＡＭＲ）が含まれる。ＨＡＭＲ技術は、ディスク表面のあるエリアに記録する前に、レーザを利用してそのエリアを局所的に予熱する。ＭＡＭＲ技術では、追加の書込みヘッドが交流磁界を放射するように構成されており、この交流磁界が媒体の強磁性共鳴を励起し、エネルギーを増強して、データを書き込むプロセスを容易にする。
【０００５】
ＨＤＤは、多くの場合、システム・オン・チップ（ＳＯＣ）を含んでおり、それによってコンピュータまたは他の処理装置のデータを記憶ディスクに書き込むべき適切な形式になるように処理し、また、記憶ディスクからリード・バックされた信号波形をコンピュータに渡すデータに変換している。ＳＯＣは、広範囲のデジタル回路を有し、一般に、先進の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）技術を利用してコスト目標および性能目標を達成してきた。ＨＤＤは、記憶ディスクからデータを読み取り、記憶ディスクにデータを書き込むために使用される読取り／書込みヘッドに対してＳＯＣをインタフェースするプリアンプも一般的には含んでいる。
【０００６】
プリアンプは、データを記憶ディスクに書き込むために、対応する書込み信号を読取り／書込みヘッドに提供する１つまたは複数の書込みドライバを一般に含んでいる。このような書込み信号は一般には電流信号とみなされているが、そうではなくて電圧信号ともみなされうる。データ・ビットは、通常はそれぞれが、共通の磁化方向（例えば、上または下）に向けられた一群の媒体の粒として記憶される。所与のデータ・ビットを記録するために、書込みドライバは、負の書込み電流から正の書込み電流に、またはその逆に変化する書込み信号を生成する。この場合、ゼロからピーク値までの書込み電流の大きさはおよそ１５から６５ミリアンペア（ｍＡ）の範囲内でありうるが、異なる値を使用することも可能である。
【０００７】
典型的な従来の配列では、書込みドライバの出力部にある所与の書込み信号は、シングル・スロープ型の低−高データ変化（すなわち、「０」から「１」）とシングル・スロープ型の高−低データ変化（すなわち、「１」から「０」）を有する。これら低−高変化と高−低変化は、それぞれ立上がり変化と立下がり変化とも称される。立上がり変化または立下がり変化のスロープは、立上がり時間または立下がり時間、並びに始点と終点の間の振幅の差によって特徴付けられる。本明細書では、立下がり時間を反対の極性の変化の立上がり時間ともみなす。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】ｔｈｅ  Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍｉｃｒｏｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ  Ｂｕｓ  Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ  （ＡＭＢＡ）  ＡＸＩ  ｖ２．０  Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
シングル・スロープのデータ変化を有する従来の書込み信号を利用する場合、記憶ディスクへのデータの高速書込みは難題となりうる。例えば、そのような書込み信号の使用は、記録されたデータの忠実度の点ではオントラックの記録性能に、また、隣接トラックの消去などの問題によりオフトラックの記録性能に不利な影響を与えかねない。これは、主要な書込みポールにシールドが近接している、ラップ・アラウンドの、すなわちサイド・シールドされた書込みヘッドを有する記憶装置の場合には特に言えることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の例示の実施形態は、デュアル・スロープ・データ変化または他のタイプの複数スロープ・データ変化によって書込み信号を生成することにより高度化した動作性能を示すＨＤＤまたは他のタイプのディスク式記憶装置を提供する。このような複数スロープ・データ変化は、立上がり変化もしくは立下がり変化、または立上がり変化と立下がり変化両方の組み合わせであってよい。
【００１１】
一実施形態では、ＨＤＤまたは他のディスク式記憶装置は、記憶ディスクと、記憶ディスクからデータを読み取り、記憶ディスクにデータを書き込むように構成された読取り／書込みヘッドと、読取り／書込みヘッドから受け取ったデータおよび読取り／書込みヘッドに供給するデータを処理するように構成された制御回路とを備える。制御回路は、より詳細には、記憶ディスクにデータを書き込むための書込み信号を生成するように構成された書込みドライバと、書込みドライバに関連付けられた複数スロープ変化コントローラであって、それぞれに異なるスロープを有する少なくとも２つの異なるセグメントをデータ変化が有するように書込み信号中のデータ変化を制御するように構成された複数スロープ変化コントローラとを備える。複数スロープ変化コントローラは、セグメントのそれぞれに対して別個のスロープ制御機構を備える。
【００１２】
一例として、データ変化は、データ変化の始点と終点の間で第１と第２のセグメントが連続して配置され、第１のセグメントのスロープが第２のセグメントのスロープよりも大きいかまたは小さいデュアル・スロープ変化を有することができる。
【００１３】
このような配置で、別個のスロープ制御機構は、セグメントのうちの第１のセグメントのスロープを制御するために書込みドライバの定常状態経路に配置された第１の制御可能な遅延要素と、セグメントのうちの第２のセグメントのスロープを制御するために書込みドライバのオーバーシュート経路に配置された第２の制御可能な遅延要素とを備えることができる。第１と第２の制御可能な遅延要素は、データ変化の定常状態セグメントとオーバーシュートセグメントに対して異なるスロープが確立されることを可能にする方法で独立して制御可能であってよい。
【００１４】
本発明の１つまたは複数の実施形態は、ディスク式記憶装置に顕著な改良を提供する。例えば、高速で、主要な書込みポールがラップ・アラウンドの、すなわちサイド・シールドされた書込みヘッドを使用して書き込まれたデータであっても、複数スロープ・データ変化を有する書込み信号を利用することによって、記録されたデータの忠実度が強化され、隣接トラックの消去などの不利な影響を大幅に低減することができる。これは、オントラックの記録性能とオフトラックの記録性能の両方を含めてディスク式記憶装置の全体的な動作性能の改善につながる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の説明のための実施形態によるディスク式記憶装置の透視図である。
【図２】図１の記憶装置の記憶ディスクの平面図である。
【図３】書込みドライバとデュアル・スロープ変化コントローラとを備えるプリアンプを含めた、図１の記憶装置の部分のブロック図である。
【図４】単一スロープ立上がり変化および立下がり変化を有する書込み信号の一例を示す図である。
【図５】図４の書込み信号をデュアル・スロープ立上がり変化を含むように変更することのできる方法を示す図である。
【図６】図３の書込みドライバの部分と図３の書込みドライバに関連付けられたデュアル・スロープ変化コントローラのさらに詳細な図である。
【図７】図５に類似したデュアル・スロープ立上がり変化を有する書込み信号の別の一例を示す図である。
【図８】読取り／書込みヘッドの部分が磁化されて、図７の書込み信号を使用して記憶ディスクのデータ層にデータを書き込む方法を示す図である。
【図９】デュアル・スロープ立上がり変化を有する書込み信号のさらに別の一例を示す図である。
【図１０】読取り／書込みヘッドの部分が磁化されて、図９の書込み信号を使用して記憶ディスクのデータ層にデータを書き込む方法を示す図である。
【図１１】データ処理システム内における図１の記憶装置とホスト処理装置の相互接続を示す図である。
【図１２】図１に示すタイプの複数のディスク式記憶装置を組み込んだ仮想記憶システムを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本明細書では、本発明の実施形態を、例示のディスク式記憶装置、書込みドライバ、および関連付けられた複数スロープ変化コントローラに関して説明する。しかしながら、本発明のこれらおよび他の実施形態は、記録されたデータの忠実度と動作性能との改良が望まれるいかなる記憶装置に対しても、より総体的に適用可能であることを理解されたい。さらなる実施形態は、説明のための実施形態に関して具体的に図示し説明した構成要素以外の構成要素を使用して実施することができる。
【００１７】
図１は、本発明の説明のための実施形態によるディスク式記憶装置１００を示す図である。本実施形態の記憶装置１００は、さらに具体的には、記憶ディスク１１０を含むＨＤＤを備える。記憶ディスク１１０は、共通の磁化方向（例えば、上または下）に向けられた媒体の粒の個々の群の形態でデータ・ビットを記憶することができる１種または複数種の磁性体でコーティングした記憶表面を有する。記憶ディスク１１０はスピンドル１２０に接続されている。スピンドル１２０は、高速に記憶ディスク１１０を回転させるために、明示的には図示しないスピンドル・モータによって駆動される。
【００１８】
データは、ポジショニング・アーム１４０に装着された読取り／書込みヘッド１３０によって記憶ディスク１１０から読み取られ、また記憶ディスク１１０に書き込まれる。ヘッド１３０は、図１に単に全般的に示されているのみであるが、そのようなヘッドの様々な特徴のさらに詳細な例が図８および１０に示されていることを理解されたい。記憶ディスク１１０の磁気表面上の読取り／書込みヘッド１３０の位置は、電磁波アクチュエータ１５０によって制御される。本実施形態の電磁波アクチュエータ１５０とその関連するドライバ回路とは、本明細書ではさらに総称的に記憶装置１００の「制御回路」と称される部分を含むものとみなされうる。本実施形態のそのような制御回路は、アセンブリの反対側に配置されたさらなる電子部品をさらに含むものと想定されており、したがって図１の透視図では不可視である。したがって、本明細書で使用する「制御回路」という用語は、限定ではなく例示として駆動電子機器、信号処理電子機器、および関連する処理回路およびメモリ回路を包含するものと幅広く解釈されることが意図されており、記憶装置の記憶ディスクの記憶表面に対する読取り／書込みヘッドの位置決めを制御するために利用されるさらなる要素または代替の要素を包含しうる。コネクタ１６０は、記憶装置１００をホスト・コンピュータまたは他の関連する処理装置に接続するために使用される。
【００１９】
図１は本発明の一実施形態を、単一の記憶ディスク１１０、読取り／書込みヘッド１３０、およびポジショニング・アーム１４０のそれぞれについて１つの例だけで示しているが、これは説明のための例示にすぎず、本発明の代替形態は、これらまたは他の駆動機器類のうちの１つまたは複数について複数の例を含みうることを理解されたい。例えば、そのような代替の実施形態の一例は、複数の記憶ディスクすべてが同じ速度で回転するように同じスピンドルに取り付けられた複数の記憶ディスクと、複数の読取り／書込みヘッドと、１つまたは複数のアクチュエータに連結された関連するポジショニング・アームとを含みうる。
【００２０】
所与の読取り／書込みヘッドは、本明細書でその用語が幅広く使用されているように、別個の読取りヘッドと書込みヘッドの組み合わせの形式で実施されうる。より詳細には、本明細書で使用される「読取り／書込み」という用語は、読取り／書込みヘッドが、読取りヘッドのみ、書込みヘッドのみ、読取りと書込みの両方に用いられる単一のヘッド、または別個の読取りヘッドと書込みヘッドの組み合わせを含みうるように、読取り、および／または書込みと広範囲に解釈されることが意図される。このようなヘッドは、例えば、主要な書込みポールがラップ・アラウンドの、すなわちサイド・シールドされた書込みヘッド、または記憶ディスク上にデータを記録し、かつ／または記憶ディスク上からデータを読み取るために適したいかなる他のタイプのヘッドをも含みうる。読取り／書込みヘッド１３０が書込み動作を実行する際には、本明細書ではそれを単純に書込みヘッドと称する場合がある。
【００２１】
同様に、図１に示す記憶装置１００は、そのような記憶装置の従来の実施態様に共通して見られるようなタイプの要素のうちの１つまたは複数の要素を含めて、具体的に示す要素に加えて、または具体的に示す要素の代わりに他の要素を含みうる。当業者が良く理解しているそれらの、またその他の従来の要素は、本明細書では詳細には説明しない。図１に示す要素の特定の配置は説明のための例示としてのみ提示されていることも理解されたい。当業者には、本発明の実施形態を実施するために多様な他の記憶装置の構成が使用されうることが理解されよう。
【００２２】
図２は、記憶ディスク１１０の記憶表面をさらに詳細に示す図である。図示するように、記憶ディスク１１０の記憶表面は、複数の同心円状のトラック２１０を含む。各トラックは複数のセクタ２２０に再分割されており、これらのセクタは、後で取り出すためにデータのブロックを記憶することができる。記憶ディスクの外縁の方に位置するトラックは、記憶ディスクの中心の方に位置するトラックよりも円周が大きい。トラックはいくつかの環状ゾーン２３０にグループ分けされており、これら複数のゾーンのうちの所与の１ゾーン内にあるトラックは同数のセクタを有する。外側のゾーンにあるトラックは内側のゾーンに位置するトラックよりも多くのセクタを有する。本例では、記憶ディスク１１０は、一番外側のゾーン２３０−０と一番内側のゾーン２３０−Ｍを含むＭ＋１ゾーンを備えるものと想定する。
【００２３】
記憶ディスク１１０の外側のゾーンは内側のゾーンよりもデータ転送率が高い。この一部の理由としては、本実施形態の記憶ディスクは、一度、動作速度で回転するまで加速されると、読取り／書込みヘッドの位置決めにかかわらず一定の角速度または放射速度で回転するが、内側のゾーンのトラックは外側のゾーンのトラックよりも円周が小さいという事実がある。したがって、外側のゾーンにあるトラックのうちの１つの上に読取り／書込みヘッドが位置決めされた場合、記憶ディスクの所与の１回転３６０度に対して、読取り／書込みヘッドがカバーするディスク表面に沿った直線距離は、読取り／書込みヘッドが内側のゾーンにあるトラックのうちの１つのトラック上に位置決めされた場合よりも長くなる。記憶ディスクの各３６０度の回転は同じ時間を要するので、上記のような配置は回転速度一定（ＣＡＶ）と称される。但し、ＣＡＶ動作は本発明の実施形態の必要条件ではないことを理解されたい。
【００２４】
記憶ディスク１１０の記憶表面全体でデータ・ビットの密度は一般的に一定であり、その結果、外側のゾーンではデータ転送率が高くなる。したがって、記憶ディスクの一番外側の環状ゾーン２３０−０は記憶ディスクの一番内側の環状ゾーン２３０−Ｍよりも平均データ転送率が高い。平均データ転送率の差は、所与の実施形態では一番内側の環状ゾーンと一番外側の環状ゾーンの間でおよそ２倍より大きくなりうる。説明のためにのみ提供される例示の一実施形態として、一番外側の環状ゾーンは毎秒約２．３ギガビット（Ｇｂ／ｓ）のデータ転送率を有する場合があり、一方、一番内側の環状ゾーンは約１．０Ｇｂ／ｓのデータ転送率を有する。このような一実施態様では、ＨＤＤは、より詳細には、総記憶容量５００ＧＢ、スピンドル速度７２００ＲＰＭを有し、データ転送率は上記の通り、一番外側のゾーンの約２．３Ｇｂ／ｓから一番内側のゾーンの約１．０Ｇｂ／ｓの範囲となる。
【００２５】
記憶ディスク１１０は記憶表面上に形成されたタイミング・パターンを含むものと想定されうる。このようなタイミング・パターンは、従来の方法で特定のセクタに形成されたサーボ・アドレス・マーク（ＳＡＭ）または他のタイプのサーボ・マークの１つまたは複数の組を含みうる。したがって、ＳＡＭは、本明細書でさらに具体的にサーボ・マークと称するものの一例とみなされうる。
【００２６】
上記の実施形態で言及した詳細なデータ転送率および他の特徴は説明のためにのみ提示されており、限定するものとは一切みなされるべきではない。多様な他のデータ転送率および記憶ディスク構成は、他の実施形態で使用されうる。
【００２７】
本発明の実施形態を図３から１０に関して以下で説明する。図３から１０では、図１の記憶装置１００は、関連する１つの複数スロープ変化コントローラを有する少なくとも１つの書込みドライバを実装（implement）するように構成されている。書込みドライバは、記憶ディスクにデータを書き込むための書込み信号を生成するように構成されており、複数スロープ変化コントローラは、それぞれに異なるスロープを有する少なくとも２つの異なるセグメントをデータ変化が有するように書込み信号中のデータ変化を制御するように構成されている。より詳細には、これらの実施形態では、複数スロープ変化コントローラは、デュアル・スロープ変化コントローラとして実装される。デュアル・スロープ・コントローラによって制御される所与の書込み信号データ変化は立上がり変化または立下がり変化を含むことができ、この書込み信号データ変化は、データ変化の始点と終点の間で第１と第２のセグメントが連続して配置され、第１のセグメントのスロープが第２のセグメントのスロープよりも大きいかまたは小さい、デュアル・スロープ変化である。しかしながら、他の実施形態は、所与の変化内にスロープの異なる３つ以上のセグメントが存在する変化コントローラを実施しうることを理解されたい。
【００２８】
図３は、図１の記憶装置１００の部分をさらに詳細に示す図である。この図では、記憶装置１００は、バス３０６を介して通信するプロセッサ３００と、メモリ３０２と、システム・オン・チップ（ＳＯＣ）３０４とを備える。記憶装置は、ＳＯＣ３０４と読取り／書込みヘッド１３０の間にインタフェースを提供するプリアンプ３０８をさらに備える。メモリ３０２は、ＳＯＣ３０４および記憶装置１００の他の構成要素に対しては外部メモリであるが、記憶装置に対しては内部メモリである。本実施形態のＳＯＣ３０４は読取りチャネル回路３１０とディスク・コントローラ３１２とを含んでおり、記憶ディスク１１０からデータを読み取り、記憶ディスク１１０にデータを書き込む際に読取り／書込みヘッド１３０の動作を指示する。
【００２９】
バス３０６は、例えば１つまたは複数のインターコネクト・ファブリックを備えうる。本実施形態では、このようなファブリックは、例えば、参照により本明細書に組み込んだｔｈｅ  Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍｉｃｒｏｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ  Ｂｕｓ  Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ  （ＡＭＢＡ）  ＡＸＩ  ｖ２．０  Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎにさらに詳細に記載されているＡｄｖａｎｃｅｄ  ｅＸｔｅｎｓｉｂｌｅ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  （ＡＸＩ）ファブリックとして実施することができる。バスは、ＳＯＣ３０４とプリアンプ３０８の間など、他のシステム構成要素間の通信をサポートするためにも使用されうる。ＡＸＩ相互接続は必須ではなく、多様な他のタイプのバス構成が本発明の実施形態で使用されうることを理解されたい。
【００３０】
プロセッサ３００、メモリ３０２、ＳＯＣ３０４、およびプリアンプ３０８は、本明細書で「制御回路」という用語が使用される際に「制御回路」の１つの可能な例を共同して含むものとみなすことができる。制御回路の多数の代替の配置を他の実施形態で使用することができ、そのような配置は、構成要素３００、３０２、３０４、および３０８の部分集合またはそれら構成要素のうちの１つまたは複数の部分のみを含みうる。例えば、ＳＯＣ３０４自体を「制御回路」の一例とみなすことができる。図３に示すような本実施形態の記憶装置１００の制御回路は、一般的に、読取り／書込みヘッド１３０から受け取ったデータを処理し、また、読取り／書込みヘッド１３０に供給するデータを処理し、かつ、記憶ディスク１１０に対する読取り／書込みヘッド１３０の位置決めを制御するように構成されている。
【００３１】
図３の記憶装置１００のＳＯＣ３０４の一定の動作はプロセッサ３００によって指示されるものであり、プロセッサ３００は外部メモリ３０２に記憶されているコードを実行する場合があることに留意されたい。例えば、プロセッサ３００は、ＳＯＣ３０４によって遂行される書込み信号変化制御プロセスの少なくとも一部を実行するために、メモリ３０２に記憶されているコードを実行するように構成することができる。したがって、記憶装置１００の変化制御機能の少なくとも一部は、少なくともある程度ソフトウェア・コードの形式で実装されうる。
【００３２】
外部メモリ３０２は、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）または読取り専用メモリ（ＲＯＭ）などの電子メモリを任意の組み合わせで含みうる。本実施形態では、限定はしないが、外部メモリ３０２は少なくとも一部がダブル・データ・レート（ＤＤＲ）方式シンクロナス・ダイナミックＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）として実施されることを想定している。但し、他の実施形態では多様な他のタイプのメモリを使用することができる。メモリ３０２は、本明細書でさらに一般的に「コンピュータ可読記憶媒体」と称するものの一例である。このような媒体は書込み可能でもありうる。
【００３３】
本実施形態では、ＳＯＣ３０４は単一の集積回路上に実装されるものと想定しており、その集積回路は、プロセッサ３００、メモリ３０２、バス３０６、およびプリアンプ３０８の部分をさらに備えうる。あるいは、プロセッサ３００、メモリ３０２、バス３０６、およびプリアンプ３０８の部分は、少なくとも部分的に、ＨＤＤで使用するように設計され、本明細書に開示するように複数スロープ変化制御回路を実装するように適切に変更された別の従来型集積回路といった１つまたは複数の追加の集積回路の形式で実装されうる。
【００３４】
本発明の実施形態で使用するように変更されうるＳＯＣ集積回路の一例は、本発明と共通して譲渡され、参照により本明細書に組み込んだ「Ｄａｔａ  Ｓｔｏｒａｇｅ  Ｄｒｉｖｅ  ｗｉｔｈ  Ｒｅｄｕｃｅｄ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ（消費電力を低減したデータ記憶ドライブ）」という名称の米国特許第７，８７２，８２５号に開示されている。
【００３５】
所与の実施形態のプロセッサ、メモリ、または他の記憶装置の構成要素を実施するために使用されうる他のタイプの集積回路は、例えば、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、利用者書込み可能ゲート配列（ＦＰＧＡ）、または他の集積回路デバイスを含む。
【００３６】
集積回路の実施態様を含む一実施態様では、複数の集積回路ダイがウェハ表面上に繰り返しパターンで形成されうる。このようなダイはそれぞれ、本明細書に記載する装置を含むことができ、また他の構造または回路を含むことができる。ダイはウェハから切り取られ、すなわちダイシングされ、次いで集積回路としてパッケージングされる。当業者には、パッケージングされた集積回路を作製するためにウェハをダイシングし、ダイをパッケージングする方法は周知であろう。このようにして製造された集積回路は本発明の実施形態とみなされる。
【００３７】
本実施形態の記憶装置１００の一部として示されているが、プロセッサ３００およびメモリ３０２の一方または両方は、少なくとも部分的に、記憶装置を内部に取り付けたホスト・コンピュータまたはサーバといった関連する処理装置内に実装されうる。したがって、図３の実施形態の要素３００および３０２は、記憶装置１００とは別個のものとして、すなわち記憶装置とその関連する処理装置の両方とは別個の処理またはメモリ回路構成要素をそれぞれが含む複合要素を表すものとみなされうる。上記のように、本明細書では「制御回路」という用語が幅広く定義されているので、プロセッサ３００およびメモリ３０２の少なくとも一部は「制御回路」を含むものとみなすことができる。
【００３８】
次に、さらに詳細に記憶装置１００のプリアンプ３０８を参照すると、本実施形態のプリアンプは、関連するデュアル・スロープ変化コントローラ３２２を有する書込みドライバ３２０を少なくとも１つ備える。本実施形態の書込みドライバ３２０は、少なくとも１つのデータ経路を備えると想定する。したがって、例えば、書込みドライバ３２０は高側データ経路と低側データ経路の２つのデータ経路を備えうるが、但し、他の実施形態では異なる数のデータ経路を使用することができる。この点に関して、本明細書で使用する「データ経路」という用語は、例えばプリアンプ３０８または別の記憶装置構成要素内のデータ信号が通過するＣＭＯＳ回路または他のタイプの回路を包含するように幅広く解釈されることが意図されることに留意されたい。同様に、「書込みドライバ」という用語は、１つまたは複数の複数スロープ・データ変化をそれぞれが有する１つまたは複数の書込み信号を生成するために使用することができるいかなるタイプのドライバ回路をも包含することが意図される。
【００３９】
説明のために書込みドライバ３２０内で実施されているように図３には示しているが、その代替として、デュアル・スロープ変化コントローラ３２２は、例えば、プリアンプ３０８の他の回路を使用して少なくとも一部が書込みドライバの外部で実施することができる。
【００４０】
図４および５はそれぞれ、デュアル・スロープ変化コントローラ３２２を使用して書込みドライバ３２０内で生成されうる書込み信号の部分と、デュアル・スロープ変化コントローラ３２２を使用せずに書込みドライバ３２０内で生成されうる書込み信号の部分とを示している。より詳細には、図４は、単一スロープの立上がり変化と立下がり変化とを有する書込み信号の一例を示しており、図５は、デュアル・スロープ立上がり変化を含むように図４の書込み信号を変更することのできる方法を示している。どちらの図においても、記憶媒体１１０に単一データ・ビットを書き込む際の使用に適した単一の書込みパルスが示されており、ミリアンペア（ｍＡ）表示による書込みパルス電流がナノ秒（ｎｓ）単位で示された時間との相関関係でプロットされている。
【００４１】
最初に図４を参照すると、図中の書込みパルスは、開始時点Ｔ＿０と負の書込み電流−Ｉｗから開始する単一スロープ立上がり変化４００を含む。ここで、Ｉｗは定常書込み電流を示す。既に指摘した通り、典型的な書込み電流の大きさはゼロ値からピーク値までの振幅約１５から６５ｍＡの範囲内であるが、他の値も使用することができる。単一スロープ立上がり変化４００は、Ｔ＿０＋Ｔ＿立上がり時および書込み電流Ｉｗ＋ＯＳＡの時点で終了する。ここで、Ｔ＿立上がりはデータ変化の立上がり時点を示し、ＯＳＡはオーバーシュート振幅（OverShoot Amplitude）を示している。この数値は、書込みパルスのオーバーシュート期間（OverShoot Duration: ＯＳＤ）も示している。図４の書込みパルスの立下がり変化４０２は、立上がり変化に類似しているが、但し、書込み電流Ｉｗで開始し、書込み電流−Ｉｗ−ＯＳＡで終了する。
【００４２】
書込みパルスオーバーシュートパラメータであるＴ＿立上がり、ＯＳＡ、およびＯＳＤの強度が高まることによって（すなわち、Ｔ＿立上がりが短縮され、ＯＳＡがより強くなり、ＯＳＤがより長くなることによって）、書込みヘッドにおける磁気スイッチングの促進を助長しうるものであり、これは高データ転送率での記録性能の向上につながる。しかしながら、オーバーシュートパラメータを積極的に強化して設定しても、通常は、少なくとも一部には書込みヘッドの飽和と他の非線形の挙動との原因により、一定の最大データ転送率までの記録向上しかもたらさない。この非線形の挙動は、加えられた書込み信号の立上がり時間と比較してより長い立上がり時間と、重大な時間遅延（例えば、２００〜５００ｐｓ）によって特徴付けられる磁化応答波形を生成する可能性がある。上記で指摘した最大データ転送率に一度達すると、このタイプのゆっくりした磁気スイッチングは、主としてオントラックの記録性能に関して記録性能をすぐに低下させる可能性があるが、隣接トラックの消去などの問題によりオフトラックの記録性能にも不利な影響を与えかねない。
【００４３】
図５は、デュアル・スロープ立上がり変化を含む変更された書込みパルスを示しているが、この書込みパルスは、特に高データ転送率で、オントラックおよびオフトラックの記録性能を向上させることができる。このパルスの立上がり変化は、変化の始点と終点の間で第１と第２のセグメント５００Ａおよび５００Ｂが連続して配置され、第１のセグメントのスロープが第２のセグメントのスロープよりも大きいデュアル・スロープ変化である。変化の始点と終点は、それぞれ座標［Ｔ＿０，−Ｉｗ］と［Ｔ＿０＋Ｔ＿立上がり，Ｉｗ＋ＯＳＡ］にある。
【００４４】
図示するように、立上がり変化では、ニー・ポイントが、データ変化の連続して配置された２つのセグメント５００Ａおよび５００Ｂを分離するようにデータ変化の始点と終点の間に配置されている。本明細書で使用する「ニー・ポイント」という用語は、所与の書込み信号データ変化において異なるスロープを有するセグメント間のポイントを包含するように広範囲に解釈されることが意図されることに留意されたい。本実施形態では、ニー・ポイントは、データ変化における不連続の第１のデリバティブ点を示す。しかしながら、幅広く解釈されるこの用語は、データ変化のスロープにおける他のタイプの不連続性も包含するものと理解されるべきである。本実施形態の変化のニー・ポイントは、座標［Ｔ＿０，−Ｉｗ］と［Ｔ＿０＋Ｔ＿立上がり，Ｉｗ＋ＯＳＡ］によって規定された矩形５０４内に配置される。
【００４５】
さらに詳細な実施例として、所与の実施形態におけるニー・ポイントは、ニー・ポイントからＩｗ＋ＯＳＡまでの立上がり時間を約４０ピコ秒（ｐｓ）とし、総立上がり時間を１００ｐｓのＴ＿立上がりとしてＩｗに配置することができる。別の実施例として、所与の実施形態におけるニー・ポイントは、ニー・ポイントからＩｗ＋ＯＳＡまでの立上がり時間を約１００ピコ秒（ｐｓ）とし、総立上がり時間を１５０ｐｓのＴ＿立上がりとして５ｍＡに配置することができる。これらおよび他の実施形態におけるＩｗとＯＳＡの値の適切な範囲は、Ｉｗが約１５〜６５ｍＡであり、ＯＳＡが約０〜６５ｍＡでありうる。立上がり変化の総立上がり時間は約５０から３００ｐｓの範囲内であってよい。当然ながら、多数の他のパラメータ値を他の実施形態で使用することができる。
【００４６】
図５の実施形態の立下がり変化５０２は単一スロープ変化であるが、この立下がり変化は、デュアル・スロープ変化を形成するように変化コントローラ３２２によって制御することもできる。このような配置において、立下がり変化は、座標［Ｔ＿０，Ｉｗ］と［Ｔ＿０＋Ｔ＿立下がり，−Ｉｗ−ＯＳＡ］によって規定された矩形内に配置されるニー・ポイントを含みうる。ここで、Ｔ＿立下がりは、データ変化の立下がり時間を示す。したがって、他の実施形態では、書込みパルスの立上がり変化と立下がり変化の一方または両方は複数スロープ変化であってよい。上記で指摘した通り、立下がり時間は、代わりに、反対の極性の変化の立上がり時間とみなすことができる。
【００４７】
同様に、他の実施形態では、立上がり変化の第１のセグメント５００Ａのスロープは立上がり変化の第２のセグメント５００Ｂのスロープよりも小さくてよい。このタイプの書込みパルスの一例を図９に示す。このような配置では、立上がり変化のニー・ポイントは、座標［Ｔ＿０，−Ｉｗ］と［Ｔ＿０＋Ｔ＿立上がり，Ｉｗ＋ＯＳＡ］によって規定された矩形５０４内に依然として配置されている。
【００４８】
次に図６を参照すると、書込みドライバ３２０とその関連するデュアル・スロープ変化コントローラ３２２がさらに詳細に示されている。書込みドライバは、通常、図示されている回路の範囲を超えてさらなる回路を含むことになることに留意されたい。例えば、図６に示す書込みドライバ３２０の部分は、複数のデータ経路を備える書込みドライバの高側データ経路かまたは低側データ経路の部分だけを表すものとみなされうる。少なくともそのようなデータ経路のそれぞれの部分は、別個の定常状態（ＳＳ）経路とオーバーシュート（ＯＳ）経路とを含みうるが、これらは定常状態波形とオーバーシュート波形に対するそれぞれの回路ブロックを含む。同様に、変化コントローラ３２２は本実施形態では書込みドライバ３２０に内蔵されているが、上記で指摘した通り、他の実施形態では、少なくともその一部は、書込みドライバと別個ではあるが別の方法で関連付けられた回路を使用して実施することができる。
【００４９】
図６の実施形態では、複数スロープ変化コントローラ３２２は、書込みドライバ３２０の定常状態経路６０２Ａに配置された第１の制御可能な遅延要素６００Ａと、書込みドライバのオーバーシュート経路６０２Ｂに配置された第２の制御可能な遅延要素６００Ｂとを備える。第１と第２の制御可能な遅延要素６００Ａおよび６００Ｂは、図５の書込みパルスの立上がり変化の定常状態とオーバーシュートセグメント５００Ａおよび５００Ｂに対して異なるスロープが確立されることを可能にする方法で、独立して制御可能であってよい。より詳細には、これらの遅延要素は、それぞれＳＳＤｅｌａｙ＜１：０＞とＯＳＤｅｌａｙ＜１：０＞で示される別個の制御ビットの組を使用して制御される。第１と第２の制御可能な遅延要素それぞれの入力部はどちらも、ＤａｔａＩｎで示される入力端子を介して、記憶ディスクに書き込まれるべきデータを受け取るように構成される。
【００５０】
第１と第２の制御可能な遅延要素６００Ａおよび６００Ｂは、複数スロープ変化のそれぞれのセグメントに関して本明細書ではより一般的に「スロープ制御機構」と称するものの一例とみなされうる。他の実施形態では多数の他のタイプのスロープ制御機構を使用することができ、それらは、提供される遅延量は加えられた制御信号に応じて制御される要素６００Ａおよび６００Ｂといった動的スロープ制御機構と、所望の遅延量は固定回路要素を使用して確立され、記憶装置の動作中は可変ではない静的スロープ制御機構とを含みうる。本明細書のそれぞれの変化セグメントのスロープの別個の制御は、それぞれの変化セグメントに対して異なるスロープを設定することを可能にする多様な異なる配置のいずれをも包含するように幅広く解釈されることも意図される。
【００５１】
第１の制御可能な遅延要素６００Ａの出力部は定常状態経路６０２Ａの第１の駆動要素６０４の入力部に連結され、第１の駆動要素６０４は次いで定常状態経路６０２Ａの第２の駆動要素６０６の入力部を駆動し、ＳＳｏｕｔで示された定常状態出力を生成する。第２の制御可能な遅延要素６００Ｂの出力部はオーバーシュート経路６０２Ｂのオーバーシュートジェネレータ（ＯＳＧｅｎ）６０８の入力部に連結され、オーバーシュートジェネレータ６０８は次いでオーバーシュート制御駆動要素６１０を駆動し、ＯＳｏｕｔで示されたオーバーシュート出力を生成する。オーバーシュート制御駆動要素６１０は、ＯＳＲＴＣ＜１：０＞で示される制御ビットに応じて、オーバーシュートパルス幅などの１つまたは複数のオーバーシュートパラメータを制御するように機能する。オーバーシュート制御駆動要素６１０は、例えば、オーバーシュートパルス幅を設定するプログラム可能なパルス生成セルを備えることができる。本実施形態では、ＳＳｏｕｔ信号とＯＳｏｕｔ信号が適切に組み合わされて書込みパルスを形成することができるように、定常状態駆動要素６０４および６０６はオーバーシュート駆動要素６０８および６１０と適合される。
【００５２】
運用中、制御ビットの値を制御可能な遅延要素６００Ａおよび６００Ｂのそれぞれに対して別個に調整することによって、変化セグメントのそれぞれのスロープ５００Ａおよび５００Ｂは独立して制御され、それによって定常状態とオーバーシュート経路６０２Ａおよび６０２Ｂの間の相対的な遅延が変えられる。制御ビット値は、所望のデュアル・スロープ変化を提供するために、必要に応じてプロセッサ３００、ＳＯＣ３０４、または１つまたは複数の他の記憶装置構成要素を任意の組み合わせで使用してプログラムすることができる。定常状態およびオーバーシュート経路６０２Ａおよび６０２Ｂのうちの一方を他方に対して遅延させることによって、図５の矩形５０４内のニー・ポイントの位置を、書込みパルスに対してデュアル・スロープ波形が達成されるように変更することができる。
【００５３】
本実施形態では、定常状態遅延制御およびオーバーシュート遅延制御のそれぞれに対して制御ビットが２つしか提供されないが、他の実施形態は、定常状態遅延制御、オーバーシュート遅延制御、またはこれらの両方に対して３つ以上の制御ビットを使用することができる。同様に、定常状態遅延制御およびオーバーシュート遅延制御に対して異なる数の制御ビットを使用することができる。それぞれの制御ビットの論理レベルは、それぞれのセグメント５００Ａおよび５００Ｂのスロープを変更するような方法で、対応する定常状態およびオーバーシュート経路の遅延を調整する。制御ビット値に応じたこの遅延の調整は、例えば、対応する制御ビットの論理レベルに応じて、１つまたは複数の回路時定数を、レジスタを含めるかまたは除外することなどによって調整するように動作可能な回路を使用して実施することができる。制御ビットに応じて制御可能な遅延を提供するための多数の他の技術が、当業者には明らかになろう。同様に、上記で示したように、遅延が動的に制御可能ではなく代わりに設計によって固定されている静的なスロープ制御回路を使用することができる。本明細書では「スロープ制御機構」という用語が幅広く利用されているので、後者の静的な配置は「スロープ制御機構」の１つのタイプとみなされる。
【００５４】
次に、本発明の１つまたは複数の実施形態に関するさらなる詳細を、図７から１０を参照して説明する。図７は、図５に関連して既に説明した書込みパルスに類似しているがニー・ポイントが電流値Ｉｗと一致する、書込みパルスの別の一例を示している。図９は、デュアル・スロープ変化の低い方のセグメントのスロープが、図５および７の例にあるように高い方のセグメントのスロープよりも大きいのではなく、高い方のセグメントのスロープよりも小さい書込みパルスの別の一例を示している。図７および９の書込みパルスに関連したヘッド磁化プロセスの例を、それぞれ図８および１０に関連して説明する。
【００５５】
図７の書込みパルス波形は、−ＩｗからおよそＩｗの事前定義された値のニー・ポイントまでの高速な第１のスロープと、それに続く、そのニー・ポイントからＩｗ＋ＯＳＡまでのゆっくりした第２のスロープとを有する。この波形は、オントラックの記録性能を犠牲にせずにオフトラックの記録性能を向上させるために有益でありうる。高速な第１のスロープは単一スロープ波形の磁気効果に類似した磁気効果を有するが、ゆっくりした第２のスロープはヘッド・シールドの強力な面外磁化励起を防止する。さらに、書込みヘッドの磁気スイッチング・レベルに対応する臨界電流レベルを超えてより多くの時間が費やされたために、特定のデータ転送率およびＯＳＤ設定ではオントラック性能における改善を観察することができる。
【００５６】
次に図８を参照すると、図７に示す書込みパルス波形は、テーパー８００と細長い磁極端（elongated pole tip）８０２とを有し、記憶ディスク１１０のデータ層８０４にデータを記録するように構成されたヘッド１３０’などの特定のヘッドの設計には特に有用でありうる。この配置では、高速のスロープはテーパー８００で磁気スイッチングを開始し、一方、ゆっくりしたスロープはさらなるトルクを与え、反転した縦方向の磁壁が磁極端８０２に達すると磁極端８０２の磁化をスイッチングする。
【００５７】
図９の書込みパルス波形は、−Ｉｗからおよそ＋５ｍＡの事前定義された値のニー・ポイントまでのゆっくりした第１のスロープと、それに続く、そのニー・ポイントからＩｗ＋ＯＳＡまでの高速の第２のスロープとを有する。この波形は、図１０に示すようにヘッド１３０の飽和状態からの変化を書き込むために有益でありうる。図１０は、さらに緩やかなテーパー１０００とあまり細長くない磁極端（less elongated pole tip）１００２とを有し、記憶ディスク１１０のデータ層１００４にデータを記録するように構成されたヘッド１３０”に関して書込みパルス中のヘッドの磁化におけるバリエーションを示す。
【００５８】
本実施形態では、書込みパルス波形は、ゆっくりした準備期があるため、ヘッドの飽和状態からの変化の書込みを容易にする。ゆっくりした第１のスロープは、以前のビットの記録を低下させずに磁気スイッチング前のヘッドのテーパーの不飽和化を促進し、磁極端の磁化状態をゆっくりした第１のスロープの前と同じ状態に維持する。これに続く高速の第２のスロープは、磁極端での磁気スイッチングに非常に有効である。得られた磁気立上がり時間は著しく短縮され、これは、高速のデータ転送率で頻繁な変化を記録すること（例えば、０１０１０１０）、または変化なしの長いビット列の後で変化を記録すること（例えば、０００００１または１１１１１０）などの多くの場合に非常に有益である。同様に、単一スロープ波形の電流のジャンプと比較して第２のスロープの電流のジャンプが小さい（すなわち、ニー・ポイントからＩｗ＋ＯＳＡまで）ことから、オフトラック性能の向上が得られる。上述の通り、より高速な立上がり時間およびより大きな振幅といった要因は、スイッチング中のヘッド・シールドのより強力な磁化励起をもたらし、隣接トラックの寄生消去（ｐａｒａｓｉｔｉｃ  ｅｒａｓｕｒｅ）の原因となる可能性があることが観察されている。
【００５９】
図３〜１０に示す特定の回路の配置、書込み信号の波形、およびヘッドの磁化構成は例示としてのみ提示されており、本発明の他の実施形態は、本明細書に開示したような１つまたは複数の書込み信号に対して複数スロープ変化制御機能を実施するために他のタイプおよび配置の要素を利用することができることを理解されたい。
【００６０】
上述の通り、記憶装置の構成は本発明の他の実施形態では異なりうる。例えば、記憶装置は、１つまたは複数の記憶ディスクに加えてフラッシュ・メモリを含むハイブリッドＨＤＤを備えうる。
【００６１】
特定の記憶ディスクの構成および記録機構は本発明の他の実施形態では異なりうることを理解されたい。例えば、ＳＭＲ、ＢＰＭ、ＨＡＭＲ、およびＭＡＭＲを含む様々な記録技術を本発明の１つまたは複数の実施形態で使用することができる。
【００６２】
図１１は、コンピュータ、サーバ、通信装置などのホスト処理装置１１０２に連結されたディスク式記憶装置１００を備える処理システム１１００を示す図である。この図では別個の要素として示されているが、記憶装置１００はホスト処理装置に内蔵することができる。記憶装置１００に対して指示された読取りコマンドおよび書込みコマンドなどの命令は処理装置１１０２から発せられうるものであり、処理装置１１０２は、図３に関連して既に説明したプロセッサおよびメモリ要素に類似したプロセッサおよびメモリ要素を備えうる。
【００６３】
図１２に示す仮想記憶システム１２００には、複数のディスク式記憶装置１００が内蔵されうる。記憶仮想化システムとも称される仮想記憶システム１２００は、ＲＡＩＤシステム（ＲＡＩＤ：独立ディスク冗長アレイ（Ｒｅｄｕｎｄａｎｔ  Ａｒｒａｙ  ｏｆ  Ｉｎｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｄｉｓｋｓ））１２０４に連結された仮想記憶コントローラ１２０２を例証として備える。より具体的には、ＲＡＩＤシステムは、１００−１、１００−２、…１００−Ｎで示されるＮ個の別個の記憶装置を備える。これら記憶装置の１つまたは複数は、本明細書に開示したように書込み信号の複数スロープ変化制御を含むように構成されていると想定する。本明細書に開示したタイプのＨＤＤまたは他のディスク式記憶装置を備えたこれらおよび他の仮想記憶システムは本発明の実施形態とみなされる。図１１のホスト処理装置１１０２も仮想記憶システムの一要素であってよく、仮想記憶コントローラ１２０２を内蔵しうる。
【００６４】
ここで再び、本発明の上記の実施形態は例証にすぎないことが意図されることを強調する。例えば、他の実施形態は、上記の変化制御機能を実施するために異なるタイプおよび配置の記憶ディスク、読取り／書込みヘッド、制御回路、プリアンプ、書込みドライバ、および他の記憶装置要素を使用することができる。同様に、書込み信号変化が複数のスロープを含むように構成される具体的な方法は、他の実施形態では異なりうる。以下の特許請求の範囲に含まれるこれらおよび多数の他の代替形態が、当業者には明らかになろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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