(57)【要約】      （修正有）【課題】低い動的エラーベクトル振幅（ＥＶＭ）を有する多段無線（ＲＦ）パワー増幅器（ＰＡ）を提供する。【解決手段】ＲＦＰＡの第１段は、イネーブル信号を受けると共にイネーブル信号に応じてターンオンし、もって該第１段をアクティブ化するよう構成された第１アクティブデバイスを含んでもよい。ＲＦＰＡはさらに、第１アクティブデバイスと直列に結合され、メインサプライ電圧を受けるよう構成された第２アクティブデバイスを含んでもよい。第２アクティブデバイスは、メインサプライ電圧よりも低くかつその電圧とは独立した第１サプライ電圧を第１アクティブデバイスに提供してもよい。第１アクティブデバイスまたは第２アクティブデバイスのいずれか一方は、ＲＦ入力信号を受け、増幅されたＲＦ出力信号をＲＦＰＡ回路の第２段へと通過させるよう構成されてもよい。【選択図】図１
2013207801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イネーブル信号を受けるよう構成されたイネーブル端子と、
メインサプライ電圧を受けるよう構成されたメインサプライ端子と、
前記イネーブル端子および前記サプライ端子と結合された第１無線（ＲＦ）パワー増幅（ＰＡ）段と、を備え、
前記第１ＲＦＰＡ段は、
前記イネーブル信号を受けると共に前記イネーブル信号に応じてターンオンすることにより前記第１ＲＦＰＡ段をアクティブ化するよう構成された第１アクティブデバイスと、
前記第１アクティブデバイスと直列に結合された第２アクティブデバイスであって前記メインサプライ電圧を受けると共に前記メインサプライ電圧よりも低くかつその電圧とは独立した第１サプライ電圧を前記第１アクティブデバイスに提供するよう構成された第２アクティブデバイスと、
前記第１アクティブデバイスと前記第２アクティブデバイスとの間のノードと結合され、該ノードにおいてＲＦ信号をそらすバイパスキャパシタと、を含み、
前記第１アクティブデバイスまたは前記第２アクティブデバイスのいずれか一方は、ＲＦ入力信号を受け、増幅されたＲＦ出力信号を第２ＲＦＰＡ段へと通過させるよう構成される回路。
【請求項２】
前記第１アクティブデバイスは、前記ＲＦ入力信号を受け、前記増幅されたＲＦ出力信号を前記第２ＲＦＰＡ段へと通過させるよう構成される、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記第２アクティブデバイスは、前記第１アクティブデバイスと前記メインサプライ端子との間にアクティブ負荷を提供するよう構成される、請求項２に記載の回路。
【請求項４】
前記第２アクティブデバイスは、前記ＲＦ入力信号を受け、前記増幅されたＲＦ出力信号を前記第２ＲＦＰＡ段へと通過させるよう構成される、請求項１に記載の回路。
【請求項５】
前記イネーブル端子と前記第１アクティブデバイスとの間に結合され、前記第１アクティブデバイスをバイアスするバイアス制御モジュールをさらに備える、請求項１に記載の回路。
【請求項６】
前記第２ＲＦＰＡ段は、前記第１ＲＦＰＡ段の前記ＲＦ出力信号を増幅するよう構成された第３アクティブデバイスを含み、
前記第３アクティブデバイスは、前記メインサプライ電圧と等しい第２サプライ電圧を受けるよう構成される、請求項１に記載の回路。
【請求項７】
前記ＲＦパワー増幅器はさらに第３ＲＦＰＡ段を含み、
前記第３ＲＦＰＡ段は、前記第２ＲＦＰＡ段のＲＦ出力信号を増幅するよう構成された第４アクティブデバイスを含み、
前記第４アクティブデバイスは、前記メインサプライ電圧と等しい第３サプライ電圧を受けるよう構成される、請求項６に記載の回路。
【請求項８】
前記第２ＲＦＰＡ段は、前記第１ＲＦＰＡ段の前記ＲＦ出力信号を増幅するよう構成された第３アクティブデバイスを含み、
前記第３アクティブデバイスは、前記メインサプライ電圧よりも低い第２サプライ電圧を受けるよう構成され、
本回路はさらに、前記第２段のＲＦ出力信号を増幅するよう構成された第４アクティブデバイスを含む第３ＲＦＰＡ段を備え、
前記第４アクティブデバイスは、前記メインサプライ電圧と等しい第３サプライ電圧を受けるよう構成される、請求項１に記載の回路。
【請求項９】
本回路の動的エラーベクトル振幅（ＥＶＭ）は３パーセント以下である、請求項１に記載の回路。
【請求項１０】
前記第１アクティブデバイスは第１ヘテロ接合バイポーラトランジスタを含み、
前記第２アクティブデバイスは第２ヘテロ接合バイポーラトランジスタを含む、請求項１に記載の回路。
【請求項１１】
メインサプライ電圧を受けるよう構成されたメインサプライ端子と、
本ＲＦパワー増幅器をターンオンするためのイネーブル電圧を受けるよう構成されたイネーブル端子と、
前記イネーブル端子と結合されたベース端子と、グランド端子と結合されたエミッタ端子と、コレクタ端子と、を有する第１トランジスタと、
前記メインサプライ端子と結合されたコレクタ端子と、前記第１トランジスタの前記コレクタ端子と結合されたエミッタ端子と、を有する第２トランジスタと、を備え、
前記第１トランジスタまたは前記第２トランジスタのいずれか一方は、ＲＦ入力信号を受けると共に増幅されたＲＦ出力信号を生成するよう構成される無線（ＲＦ）パワー増幅器。
【請求項１２】
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタは本ＲＦパワー増幅器の第１段に含まれており、
本ＲＦパワー増幅器はさらに、前記第１段の前記ＲＦ出力信号を増幅するよう構成された第３トランジスタを有する第２段を含み、
前記第３トランジスタは、前記イネーブル端子と結合されたベース端子と、前記メインサプライ端子と結合されたコレクタ端子と、前記グランド端子と結合されたエミッタ端子と、を有する、請求項１１に記載のＲＦパワー増幅器。
【請求項１３】
前記イネーブル端子と前記第１トランジスタの前記ベース端子との間に結合されたバイアス制御モジュールをさらに含む、請求項１１に記載のＲＦパワー増幅器。
【請求項１４】
前記第１トランジスタは、前記ＲＦ入力信号を受けると共に前記増幅されたＲＦ出力信号を生成するよう構成される、請求項１１に記載のＲＦパワー増幅器。
【請求項１５】
前記第２トランジスタは、前記ＲＦ入力信号を受けると共に前記増幅されたＲＦ出力信号を生成するよう構成される、請求項１１に記載のＲＦパワー増幅器。
【請求項１６】
前記第２トランジスタの前記エミッタ端子と前記グランド端子との間に結合されたバイパスキャパシタをさらに備える、請求項１１に記載のＲＦパワー増幅器。
【請求項１７】
無線通信ネットワークを介して伝送されるべき無線（ＲＦ）入力信号を生成するよう構成されたトランスミッタと、
前記トランスミッタと結合され、前記ＲＦ入力信号を増幅するよう構成されたＲＦパワー増幅器と、を備え、
前記ＲＦパワー増幅器はメインサプライ電圧を受けるよう構成され、
前記ＲＦパワー増幅器は、第１段と第２段とを含み、
前記第１段は、
前記ＲＦ入力信号を受けると共に増幅されたＲＦ出力信号を生成するよう構成された第１トランジスタと、
前記第１トランジスタにかかる第１サプライ電圧が前記メインサプライ電圧よりも低くなるように前記第１トランジスタと直列に結合された第２トランジスタと、
前記第１トランジスタと前記第２トランジスタとの間の第１ノードと結合されたバイパスキャパシタと、を有し、
前記第２段は前記第１段の前記ＲＦ出力信号を増幅するよう構成され、
前記第２段は、第２サプライ電圧を受けるよう構成された第３トランジスタを有し、
前記第２サプライ電圧は前記第１サプライ電圧よりも高いシステム。
【請求項１８】
前記第１トランジスタはイネーブル端子と結合され、イネーブル信号を受けて前記第１トランジスタをターンオンするよう構成される、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記第２トランジスタはイネーブル端子と結合され、イネーブル信号を受けて前記第２トランジスタをターンオンするよう構成される、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
前記無線通信ネットワークは周波数分割複信（ＦＤＤ）を使用し、イネーブル信号は矩形波である、請求項１７に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施の形態は回路の分野に関し、特に低い動的エラーベクトル振幅を有する無線パワー増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮｓ）や無線メトロポリタンエリアネットワーク（ＷＭＡＮｓ）などの多くの無線通信システムは、高いデータレートを達成するために直交周波数多重（ＯＦＤＭ）変調を使用する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
エラーベクトル振幅（ＥＶＭ）は特により高いデータレートにおいて、ＯＦＤＭ信号の信号線形性を測定するための重要なパラメータである。多くのＯＦＤＭシステムは時分割複信（ＴＤＤ）を使用する。したがって、伝送チェーン内の無線パワー増幅器は動作中、パルス的にオンオフされる必要がある。これらの条件の下で測定されたＥＶＭは動的ＥＶＭと称される。理想的には、動的ＥＶＭは静的ＥＶＭと同じである。しかしながら、典型的には過渡効果のために動的ＥＶＭは静的ＥＶＭよりも高くなる。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
実施の形態は、添付の図面の図において、本願発明を限定するためではなく、一例として説明される。添付の図面の図において、同様の構成要素には同様の参照番号を付す。
【図１】種々の実施の形態に係る無線パワー増幅器の回路図を示す図である。
【０００５】
【図２】種々の実施の形態に係る無線パワー増幅器の代替的な構成を示す図である。
【０００６】
【図３】種々の実施の形態に係る例示的な無線通信デバイスのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
例示的な実施の形態の種々の態様が当業者が他の当業者に対して仕事の内容を伝えるために共通に使用する用語を用いて説明される。しかし、代替となる実施の形態が説明された態様のいくつかのみで実施されうることが当業者にとって明らかである。説明の目的のため、特定の装置および構成が例示的な実施の形態を十分に理解するために説明される。しかし、代替の実施の形態が特定の細部なしで実施されうることが当業者に理解される。他の例では、例示的な実施の形態を不明瞭にしないために、周知の特徴が省略または簡略化される。
【０００８】
さらに、本発明の理解に最も役立つように、種々の実施例が複数の個別の実施例として順に説明される。しかし、説明の順番は、これらの実施例が必ずしも順序に依存しないことを意図していると解されるべきである。特に、これらの実施例は、説明の順番にしたがって実施される必要はない。
【０００９】
「ある実施の形態」という用語は、繰り返し用いられる。この用語は、一般に、同じ実施の形態を意味しないが、同じ実施の形態を意味しうる。「含む」、「持つ」、「有する」という用語は、文脈が特に指示しない限り、同義である。
【００１０】
種々の実施の形態に関連して用いられる用語の趣旨を明確にするため、「Ａ／Ｂ」および「Ａおよび／またはＢ」という用語は「Ａ」、「Ｂ」または「ＡおよびＢ」を意味し、「Ａ、Ｂおよび／またはＣ」という用語は、「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」、「ＡおよびＢ」、「ＡおよびＣ」、「ＢおよびＣ」、または「Ａ、ＢおよびＣ」を意味する。
【００１１】
「と結合された（る）（coupled with）」という用語および派生する用語が使用される。「結合（coupled）」は、以下のうちのひとつ以上を意味してもよい。「結合（coupled）」は、２以上の要素が直接的に物理的または電気的に接触していることを意味する。しかし、「結合（coupled）」は、互いに協力または相互作用した状態で、２以上の要素が互いに間接的に接触すること、ならびに、互いに接続したというべき要素の間で１以上の他の要素が接続または接触していることをも意味する。
【００１２】
種々の実施の形態は、イネーブル信号を受けるよう構成されたイネーブル端子と、メインサプライ電圧を受けるよう構成されたメインサプライ端子と、を含む無線（ＲＦ）パワー増幅（ＰＡ）回路を提供してもよい。ＲＦＰＡ回路はさらに、第１段を含む複数の増幅段を含んでもよい。第１段は、イネーブル信号を受けると共にイネーブル信号に応じてターンオンすることで第１段をアクティブ化するよう構成された第１アクティブデバイスを含んでもよい。ＲＦＰＡ回路はさらに、第１アクティブデバイスと直列に結合され、メインサプライ電圧を受けるよう構成された第２アクティブデバイスを含んでもよい。第２アクティブデバイスは、メインサプライ電圧よりも低い第１サプライ電圧を第１アクティブデバイスに提供してもよい。バイパスキャパシタは、第１アクティブデバイスと第２アクティブデバイスとの間のノードと結合されてもよく、そのノードにおいてＲＦ信号をそらしてもよい。第１アクティブデバイスまたは第２アクティブデバイスのいずれか一方は、ＲＦ入力信号を受けると共に増幅されたＲＦ出力信号をＲＦＰＡ回路の第２段へと通過させるよう構成されてもよい。種々の実施の形態において、第１アクティブデバイスおよび／または第２アクティブデバイスは、バイポーラ接合（例えば、ヘテロ接合バイポーラ）トランジスタおよび／または電界効果トランジスタなどのひとつ以上のトランジスタを含んでもよい。
【００１３】
図１は、種々の実施の形態に係るＲＦＰＡ回路１００を示す。ＲＦＰＡ１００はＲＦ入力信号ＲＦｉｎを受け、増幅されたＲＦ出力信号ＲＦｏｕｔを生成してもよい。例えば、ＲＦＰＡ１００は、無線通信ネットワークを介した伝送のためにＲＦｉｎを増幅するために使用されてもよい。種々の実施の形態では、ＲＦＰＡ１００は、第１段１０４、第２段１０８および第３段１１２などの複数の増幅段を含んでもよい。ＲＦＰＡ１００の他の実施の形態は、図１に示される段の数よりも多いまたは少ない数の段を含んでもよい。ＲＦＰＡ１００はさらに、イネーブル端子１１６およびメインサプライ端子１２０を含んでもよい。メインサプライ端子１２０はメインサプライ電圧ＶＣＣを受けてもよい。イネーブル端子１１６は、ＲＦＰＡ１００をターンオンおよび／またはオフするためのイネーブル信号を受けてもよい。
【００１４】
第１段１０４は第１アクティブデバイス１２４（例えば、トランジスタＱ１）および第２アクティブデバイス１２８（例えば、トランジスタＱ２）を含んでもよい。第１アクティブデバイス１２４および第２アクティブデバイス１２８はいずれもひとつのトランジスタを含むよう描かれているが、他の実施の形態では、第１アクティブデバイス１２４および／または第２アクティブデバイス１２８は複数のトランジスタを含んでもよい。また、Ｑ１およびＱ２はヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴｓ）として描かれているが、他の実施の形態では、Ｑ１および／またはＱ２は、他のタイプのバイポーラ接合トランジスタおよび／または電界効果トランジスタなどの任意の適切なタイプのトランジスタであってもよい。
【００１５】
Ｑ１のベース端子はバイアス制御モジュール１３２ａを通じてイネーブル端子１１６と結合されてもよい。バイアス制御モジュール１３２ａはイネーブル信号をＱ１へと通過させてもよく、またアクティブモードにおいてＱ１をバイアスしてもよい。ある実施の形態では、バイアス制御モジュール１３２ａはカレントミラーを含んでもよい。
【００１６】
種々の実施の形態では、イネーブル信号は直流（ＤＣ）信号であってもよい。トランジスタＱ１は、イネーブル信号が第１論理状態（例えば、論理１）を有する場合はターンオンされ、イネーブル信号が第２論理状態（例えば、論理０）を有する場合はターンオフされてもよい。Ｑ１がオンの場合、Ｑ１はＲＦｉｎを増幅し、増幅された信号を第２段１０８へと通過させてもよい。第２段１０８は第３アクティブデバイス１３６（例えば、トランジスタＱ３）を含んでもよい。第３アクティブデバイス１３６はＱ１のＲＦ出力信号を増幅し、それを第３段１１２へと通過させる。第３段１１２は第４アクティブデバイス１４０（例えば、トランジスタＱ４）を含んでもよい。第４アクティブデバイス１４０はＱ３のＲＦ出力信号を増幅し、ＲＦＰＡ１００のＲＦｏｕｔ信号を生成する。マッチング回路１４４ａ−ｄは、（例えば、パワー輸送を最大化するおよび／または信号反射を最小化するために）各段の入力および出力におけるマッチされたインピーダンスを提供してもよい。トランジスタＱ３およびＱ４はそれぞれ、バイアス制御モジュール１３２ｂおよび１３２ｃによって（例えば、アクティブモードにおいて）バイアスされてもよい。
【００１７】
時分割複信（ＴＤＤ）を使用する通信システムなどのある実施の形態では、ＲＦＰＡ１００は動作中、パルス的にオンオフされてもよい。これらの実施の形態では、イネーブル信号は、ＲＦＰＡ１００を繰り返しオンオフする矩形波状となってもよい。（例えば、直交周波数多重（ＯＦＤＭ）を用いる通信システムでは、）ＲＦＰＡ１００は高い周波数でパルス的にオンオフされてもよい。
【００１８】
種々の実施の形態では、Ｑ１にかかる第１サプライ電圧（例えば、Ｑ１のコレクタノードからエミッタノードへの電圧降下）は、Ｑ３にかかる第２サプライ電圧および／またはＱ４にかかる第３サプライ電圧よりも低くてもよい。例えば、第２サプライ電圧および／または第３サプライ電圧はメインサプライ電圧と等しくてもよく、また第１サプライ電圧はメインサプライ電圧よりも低くてもよい。種々の実施の形態では、第１サプライ電圧はメインサプライ電圧とは独立なものであってもよい（例えば、第１サプライ電圧の値はメインサプライ電圧の値に依存しなくてもよい）。
【００１９】
種々の実施の形態では、第１サプライ電圧はＱ２によってＶＣＣから隔離されてもよい。トランジスタＱ２はＱ１と直列に結合されてもよく、また（例えば、Ｑ２のコレクタノードにおいて）メインサプライ端子１２０と結合されてメインサプライ電圧を受けてもよい。したがって、Ｑ２は、第１サプライ電圧がメインサプライ電圧より低くかつその電圧とは独立したものとなるよう、メインサプライ端子１２０とＱ１との間のアクティブ負荷を提供してもよい。バイアス回路１４８はＱ２のベースと結合され、（例えば、アクティブモードにおいて）Ｑ２をバイアスしてもよい。バイアス回路１４８は入力電圧Ｖｉｎを受けてもよい。入力電圧は調節されてもよく、ＶＣＣと共に変化しなくてもよい。入力電圧はスイッチングレギュレータ型電圧サプライによって提供されてもよい。例えば、バイアス回路１４８はイネーブル端子１１６と結合され、調節されたイネーブル信号を入力電圧として受けてもよい。これらの実施の形態では、イネーブル信号がＲＦＰＡ１００をターンオンするときＱ２はターンオンしてもよい。他の実施の形態では、バイアス回路１４８は、メインサプライ端子１２０などの他の電圧源と結合されてもよい。
【００２０】
チョークインダクタ１５２はＱ１とＱ２との間に結合され、ＲＦ信号がＱ２へと通過するのを妨げてもよい。また、バイパスキャパシタ１５６は、Ｑ１とＱ２との間のノード１６０と結合され、そのノードにおいてＲＦ信号をそらすことでＱ２をＲＦ経路から隔離してもよい。Ｑ２はＲＦＰＡ１００のＲＦ経路のなかにないので、Ｑ２がＲＦＰＡ１００に配置された場合にマッチング回路１４４ａおよび１４４ｂを変更する必要はないであろう（例えば、マッチング回路１４４ａおよび１４４ｂはＱ２を含まないＲＦＰＡ１００のデザインにおけるマッチング回路と同じであってもよい）。
【００２１】
ある実施の形態では、メインサプライ電圧は約３ボルト（Ｖ）から約５Ｖ程度であってもよい。上述の通り、Ｑ１にかかる第１サプライ電圧はバイアス回路１４８が受ける入力電圧に依存してもよい。バイアス回路１４８への調節された入力電圧は、約０．１Ｖの範囲などの比較的狭い範囲内に存在してもよい。ある実施の形態では、第１サプライ電圧は約０．２Ｖから約２Ｖ程度であってもよい。
【００２２】
サプライ電圧をより低くすることで、Ｑ１の過渡応答を改善することができる。すなわち、Ｑ１がターンオンおよび／またはオフされるときの過渡応答を速くすることができる。したがって、Ｑ１によって提供されるゲインは速い過渡応答を示してもよい。その結果、ＲＦＰＡ１００の第１段１０４の動的エラーベクトル振幅（ＥＶＭ）は低くなる。また、Ｑ２はＱ１に対する電流源として動作してもよい。Ｑ２の低い電圧および速い電流過渡応答によって、Ｑ１は速いゲイン過渡応答を示すことができる。第１段１０４のゲインが高い実施の形態について、これは特に重要でありうる。このことは後述される。
【００２３】
ある実施の形態では、ＲＦＰＡ１００の動的ＥＶＭは約３パーセントかそれ以下であってもよく、または約２パーセントかそれ以下であってもよい。動的ＥＶＭが低いと、例えば高いデータレートにおいて、ＲＦＰＡ１００の信号線形性を改善することができる。
【００２４】
第１サプライ電圧の値が低いと、多くの利点が提供される。そのような利点は、第１段１０４の動的ＥＶＭを低くすることを容易にしうる。例えば、バイアス制御モジュール１３２ａがカレントミラーを含む実施の形態では、カレントミラーのミラートランジスタは比較的低いコレクタ電圧でバイアスされうる。（例えば、ミラートランジスタのコレクタ電圧をマッチするための）第１サプライ電圧の値が低いと、Ｑ１の過渡応答を改善することができる。また、第１サプライ電圧の値が低いと、パルス的にオンおよび／またはオフするときのＱ１の熱的変化は小さくなりうる。その結果、過渡応答を改善することができる。さらに、（例えば、電界効果トランジスタなどの）いくつかのトランジスタでは、サプライ電圧が高くなるとゲートラグ効果がより顕著となる。これは、ＥＶＭに寄与しうる。したがって、第１サプライ電圧の値をより低くすることで、（例えば、Ｑ１が電界効果トランジスタである実施の形態において）Ｑ１のゲートラグ効果を改善することができる。その結果、Ｑ１の過渡応答を改善することができる。
【００２５】
また、従来のＲＦＰＡデザインでは、Ｑ１にかかる第１サプライ電圧はＶＣＣに依存し、ＲＦＰＡはＶＣＣ電圧が高いときに高いＥＶＭを示す。ＲＦＰＡ１００では、Ｑ２はＱ１をＶＣＣから隔離し、Ｑ１に比較的低い第１サプライ電圧を提供する。Ｑ１の過渡応答はＶＣＣ電圧によって影響されなくなりうる。したがって、ＲＦＰＡ１００のＥＶＭはＶＣＣ電圧が高いときでも悪化しなくなる。
【００２６】
種々の実施の形態では、第１段１０４のゲインは第２段１０８のゲインおよび／または第３段１１２のゲインよりも高くてもよい。したがって、第１段１０４の過渡応答は、ＲＦＰＡ１００の全体としての過渡応答に対して、第２段１０８および／または第３段１１２よりも大きな影響を与えうる。一方、第３段１１２は第１段１０４または第２段１０８よりも大きな出力パワーを運んでもよく、したがってより高いサプライ電圧（例えば、第３サプライ電圧）を必要としうる。したがって、第３サプライ電圧はメインサプライ電圧と等しくてもよい。ある実施の形態では、図１に示されるように、第２サプライ電圧はメインサプライ電圧と等しくてもよい。他の実施の形態では、第２サプライ電圧はメインサプライ電圧よりも低くてもよい。例えば、第２サプライ電圧は第１サプライ電圧と実質的に等しくてもよく、または第１サプライ電圧よりも高く第３サプライ電圧よりも低い値を有してもよい。これらの実施の形態では、Ｑ３とメインサプライ端子１２０との間に、第２サプライ電圧を低下させるためのアクティブ負荷が設けられてもよい。
【００２７】
図２は、ＲＦＰＡ２００の代替的な実施の形態を示す。ＲＦＰＡ２００は第１段２０４を有する。第１段２０４においては、第１アクティブデバイス２０８（例えば、トランジスタＱ１）はイネーブル信号を受けるよう構成され、第２アクティブデバイス２１２（例えば、トランジスタＱ２）は（例えば、ＲＦｉｎを増幅するよう構成される）ＲＦ増幅器である。トランジスタＱ１はＱ２と直列に結合され、イネーブル信号を受けるよう（例えば、バイアス制御回路２２０を介してＱ１のベース端子において）イネーブル端子２１６と結合される。Ｑ１は、イネーブル信号に応じて第１段２０４をアクティブ化するＤＣトランジスタとして動作してもよい。Ｑ１は、Ｑ１とＱ２との間のノード２２８と結合されたバイパスキャパシタ２２４によって、ＲＦ経路から隔離されてもよい。Ｑ２は、メインサプライ電圧を受けるよう構成されたメインサプライ端子２３２と結合されてもよい。Ｑ２は、Ｑ１にかかる第１サプライ電圧を、メインサプライ電圧よりも低くならしめてもよい。Ｑ１にかかるサプライ電圧が低いことにより、Ｑ１は速い過渡応答を有することができる。Ｑ１はＱ２と直列に結合されているので（例えば、Ｑ２のエミッタ端子はＱ１のコレクタ端子と結合されているので）、Ｑ２はＱ１と実質的に同じＤＣ電流を有してもよい。したがって、Ｑ２もまた、サプライ電圧ＶＣＣとは独立した、速い過渡応答を有しうる。
【００２８】
種々の実施の形態では、Ｑ２は（例えば、Ｑ２のベース端子において）ＲＦ入力信号ＲＦｉｎを受け、増幅されたＲＦ出力信号をＲＦＰＡ２００の第２段２３６へと通過させてもよい。第２段２３６は第１段２０４の出力信号を増幅し、増幅されたＲＦ信号を第３段２４０へと通過させてもよい。第３段２４０はさらにＲＦ信号を増幅してＲＦｏｕｔを生成してもよい。
【００２９】
種々の実施の形態では、Ｑ１はアクティブ化デバイス（イネーブル信号を受けるよう構成されたデバイス）と称されてもよい。ＲＦＰＡ２００では、Ｑ２は増幅デバイス（例えば、ＲＦｉｎを増幅するよう構成されたデバイス）である一方、（図１に示される）ＲＦＰＡ１００ではＱ１が（アクティブ化デバイスであると共に）増幅デバイスである。
【００３０】
図１に示されるＲＦＰＡ１００と比べて、ＲＦＰＡ２００の構成によると、速い過渡応答（例えば、低い動的ＥＶＭ）を維持しつつ、増幅デバイスに亘る電圧降下を高めることができる。例えば、Ｑ２に亘る電圧降下はＱ１に亘る電圧降下よりも大きくてもよい。Ｑ１にかかる低い電圧は速い過渡応答を提供し、一方でＱ２にかかるより高い電圧はより高いパワー輸送を提供しうる。例えば、Ｑ２に亘る電圧降下は約ＶＣＣ−２Ｖから約ＶＣＣ−０．２Ｖであり、Ｑ１にかかる第１サプライ電圧は約０．２Ｖから約２Ｖであってもよい。
【００３１】
ＲＦＰＡ２００は、ＲＦＰＡ１００には含まれていなかった第２バイパスキャパシタ２４４を含んでもよい。第２バイパスキャパシタ２４４は、メインサプライ端子をＲＦ経路から隔離するよう、メインサプライ端子２３２と結合されてもよい。チョークインダクタ２４８はメインサプライ端子２３２とＱ２との間に結合されてもよい。
【００３２】
いくつかの実施の形態に係る例示的な無線通信デバイス３００のブロック図が図３に示されている。無線通信デバイス３００は、ＲＦＰＡ１００および／または２００と同様であってもよいひとつ以上のＲＦＰＡ３０８を含むＲＦＰＡモジュール３０４を有してもよい。ＲＦＰＡモジュール３０４に加えて、無線通信デバイス３００は、アンテナ構造３１４と、Ｔｘ／Ｒｘスイッチ３１８と、トランシーバ３２２と、メインプロセッサ３２６と、メモリ３３０と、を有してもよく、それらの部材は少なくとも図示されるように互いに結合されている。無線通信デバイス３００は伝送能力および受信能力を備えるよう描かれているが、他の実施の形態は、受信能力または伝送能力のいずれか一方のみを備えるデバイスを含んでもよい。
【００３３】
種々の実施の形態では、限定はしないが、無線通信デバイス３００は携帯電話、ページング装置（paging device）、ＰＤＡ（personal digital assistant）、テキストメッセージ装置、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、基地局、加入者局、アクセスポイント、レーダー、衛星通信デバイス、またはＲＦ信号を無線送信および／または無線受信可能な任意の他の装置であってもよい。
【００３４】
メインプロセッサ３２６は、メモリ３３０に格納されている基本オペレーティングシステムプログラムを実行し、無線通信デバイス３００の全体動作を制御してもよい。例えば、メインプロセッサ３２６は、トランシーバ３２２による信号の受信および信号の送信を制御してもよい。メインプロセッサ３２６は、メモリ３３０に常駐する他の処理およびプログラムを実行可能であり、実行中の処理の要求によってメモリ３３０内にデータを移動したり、メモリ３３０の外にデータを移動したりすることができる。
【００３５】
トランシーバ３２２は、メインプロセッサ３２６から発信データ（例えば、ボイスデータ、ウェブデータ、電子メール、シグナリングデータなど）を受信し、その発信データを表すＲＦｉｎ信号を生成し、そのＲＦｉｎ信号をＲＦＰＡモジュール３０４に提供してもよい。トランシーバ３２２はＲＦＰＡモジュール３０４を制御することにより、ＲＦＰＡモジュール３０４を選択された帯域およびフルパワーモードまたはバックオフパワーモードのいずれかで動作させてもよい。ある実施の形態では、トランシーバ３２２はＯＦＤＭ変調を使用してＲＦｉｎ信号を生成してもよい。
【００３６】
ＲＦＰＡモジュール３０４は、本明細書で記載された通り、ＲＦｉｎ信号を増幅してＲＦｏｕｔ信号を提供してもよい。ＲＦｏｕｔ信号はＴｘ／Ｒｘスイッチ３１８に送られ、その後無線通信を介した（ＯＴＡ）伝送のためにアンテナ構造３１４に送られる。ある実施の形態では、Ｔｘ／Ｒｘスイッチ３１８はデュプレクサを含んでもよい。
【００３７】
同様に、トランシーバ３２２はＴｘ／Ｒｘスイッチ３１８を通じてアンテナ構造３１４から入来ＯＴＡ信号を受信してもよい。トランシーバ３２２は入来信号を処理し、さらなる処理のためにメインプロセッサ３２６へ送ってもよい。
【００３８】
種々の実施の形態において、アンテナ構成３１４は、例えばダイポールアンテナ、モノポールアンテナ、パッチアンテナ、ループアンテナ、マイクロストリップアンテナ、およびＲＦ信号のＯＴＡ送信／受信に適した他の任意のタイプのアンテナを含む、１以上の指向性および／または無指向性のアンテナを含んでもよい。
【００３９】
当業者であれば、無線通信デバイス３００は例示として示されていること、および、単純化および明確化のために、無線通信デバイス３００の構成および動作を、実施の形態を理解する上で必要な程度に限って図示し説明していること、を認識するであろう。種々の実施の形態は、特定のニーズにしたがい、無線通信デバイス３００に関連して任意の適切なタスクを実行する適切なコンポーネントまたはコンポーネントの組み合わせを想定している。さらに、無線通信デバイス３００は、実施の形態が実装されうるタイプのデバイスを限定するものとしてみなされるべきではないことは理解される。
【００４０】
ここでは上述の実施の形態を示して説明してきた。当業者であれば、本開示の範囲を逸脱しない範囲で、同じ目的を達成すると予想される様々な代替的および／または同等な実装が、ここに示されて説明された特定の実施の形態に置き換えられてもよいことを理解するであろう。当業者であれば、本開示の教示が様々な実施の形態において実装されてもよいことを容易に理解するであろう。この説明は、限定的ではなく例示的としてみなされることが意図されている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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