(57)【要約】【課題】容易且つ厳格にインプリント用マスクのパターン欠陥の管理を行うことができるインプリント用マスクと、その製造方法及び管理方法と、それを用いたパターン形成方法とを提供する。【解決手段】本実施形態にかかるインプリント用マスクは、凹凸形状のパターンと、このパターンの欠陥の情報を記録する凹凸形状の識別パターンとを有し、  識別パターンの有する凸部の高さ又は凹部の深さは、パターンの有する凸部の高さ又は凹部の深さに比べて小さい。【選択図】図６
2013201381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸形状のパターンと、前記パターンの欠陥の情報を記録する凹凸形状の識別パターンと、を備え、
前記識別パターンの備える凸部の高さ又は凹部の深さは、前記パターンの備える凸部の高さ又は凹部の深さに比べて小さい、ことを特徴とするインプリント用マスク。
【請求項２】
凹凸形状の第１のパターンと、前記第１のパターンの欠陥の情報を記録する凹凸形状の第１の識別パターンとを備える第１のマスクを用いて、インプリントを行うことにより、前記第１のパターンに対応する形状の第２のパターンと、前記第１の識別パターンに対応する形状の第２の識別パターンとを備える第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを用いてインプリントを行ったことにより前記第２のパターンに新たに欠陥が生じた際、新たに生じた前記欠陥の欠陥情報を付加するように前記第２の識別パターンを加工する、ことを備えることを特徴とするインプリント用マスクの製造方法。
【請求項３】
凹凸形状の第１のパターンと、前記第１のパターンの欠陥の情報を記録する凹凸形状の第１の識別パターンとを備える第１のマスクを用いてインプリントを行うことにより、
前記第１のパターンに対応する形状の第２のパターンと、前記第１の識別パターンに対応する形状の第２の識別パターンとを備える第２のマスクを形成し、
被加工基板上に硬化性樹脂を塗布し、
前記硬化性樹脂に前記第２のマスクを接触させて、前記被加工基板上に前記硬化性樹脂からなり、且つ、前記第２のパターンに対応する形状を有するパターンを形成する、
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
前記硬化性樹脂に前記第２の識別パターンが形成され、
前記硬化性樹脂をマスクとして被加工基板を加工し、前記第２のパターンに対応する形状のみ被加工基板に形成することを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
インプリント用のマザーマスクにより製造されたレプリカマスクにより形成した硬化性樹脂からなるパターンに対して光学的に検査を行い、
前記検査により欠陥が検出された場合には、その大きさや位置をサーバーに記録し、
前記サーバーに記録された前記マザーマスクのパターン欠陥情報の読み出し、
前記読み出したパターン欠陥情報に含まれる欠陥の座標と、前記検査により検出された欠陥の座標とが重なる場合、
前記マザーマスク及び前記レプリカマスクの使用可否を判断することを特徴とするインプリント用マスクの管理方法。
【請求項６】
前記読み出したパターン欠陥情報に含まれる欠陥の座標と、前記検査により検出された欠陥の座標とが重ならない場合、前記レプリカマスクの使用の可否を判定することを特徴とする請求項５に記載のインプリント用マスクの管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリント用マスク、その製造方法及び管理方法、及び、それを用いたパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の製造工程、ハードディスクの製造工程、フォトアレイの製造工程等において、微細パターンを形成する手法として、インプリントリソグラフィ法が注目されている。
【０００３】
インプリントリソグラフィ法は、例えば、被加工基板上に硬化性樹脂を塗布し、表面に凹凸形状のパターンが形成されたインプリント用マスクを接触させて、硬化性樹脂をパターンの凹部内に充填させる。その後、紫外線を照射する、あるいは、熱を加えるなどにより硬化性樹脂を硬化させ、次いで、インプリント用マスクを硬化性樹脂から離型することにより、被加工基板上に硬化性樹脂からなるパターンを形成する方法である。
【０００４】
このインプリントリソグラフィ法においては、インプリント用マスクの寿命と、インプリント用マスクを用いて製造される製品の生産量とを考慮して、同一製品の同一層のパターンを形成するための同一パターンを有するインプリント用マスクを複数準備する場合がある。
【０００５】
このようなインプリント用マスクとしては、例えば、原盤となるマザーマスク（親マスク）と、マザーマスクに基づいて作製されるレプリカマスク（コピーマスク、子マスク）とが挙げられる。詳細には、例えば、電子ビーム描画を用いて石英基板上にパターンを形成して、マザーマスクを形成する。そして、このマザーマスクを用いてインプリントリソグラフィ法によりレプリカマスクを複数作成する。さらに、そのレプリカマスクを用いて、インプリントを行うのである。
【０００６】
レプリカマスクがパターン欠陥（マスクに形成されたパターンの欠け等）を有する場合には、そのレプリカマスクを用いてインプリントを行った際、被加工基板上にパターンの欠けた部分に対応するパターンが形成されないこととなる。従って、インプリントリソグラフィ法により製品を量産しようとする場合、製品の高い歩留まりを維持するために、レプリカマスクのパターン欠陥を管理することとなる。詳細には、レプリカマスクにおけるパターン欠陥の数が一定数を超えないように管理し、一定数を超えた場合には、そのレプリカマスクの使用を中止するのである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１２９４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、容易、且つ、厳格にインプリント用マスクのパターン欠陥の管理を行うことができるインプリント用マスクと、その製造方法及び管理方法と、それを用いたパターン形成方法とを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の実施形態によれば、インプリント用マスクは、凹凸形状のパターンと、前記パターンの欠陥の情報を記録する凹凸形状の識別パターンと、を備え、前記識別パターンの備える凸部の高さ又は凹部の深さは、前記パターンの備える凸部の高さ又は凹部の深さに比べて小さい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、第１の実施形態にかかるマスクの一例を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施形態にかかる識別パターンの一例を示す図である。
【図３】図３は、第１の実施形態にかかる識別パターンの作成方法を説明するための図（その１）である。
【図４】図４は、第１の実施形態にかかる識別パターンの作成方法を説明するための図（その２）である。
【図５】図５は、第１の実施形態にかかる識別パターンの作成方法を説明するための図（その３）である。
【図６】図６は、第１の実施形態にかかるインプリントによるパターン形成のフローチャートである。
【図７】図７は、第１の実施形態にかかるデータ作成装置のブロック図である。
【図８】図８は、第１の実施形態にかかるマザーマスク用データの作成工程のフローチャートである。
【図９】図９は、第１の実施形態にかかるマザーマスクの形成工程のフローチャートである。
【図１０】図１０は、第１の実施形態にかかるマザーマスクの使用可否判定装置のブロック図である。
【図１１】図１１は、第１の実施形態にかかるマザーマスクの使用可否判定工程のフローチャートである。
【図１２】図１２は、第１の実施形態にかかるマザーマスク上に識別パターンを形成する工程のフローチャートである。
【図１３】図１３は、第１の実施形態にかかるレプリカマスクの作成工程のフローチャートである。
【図１４】図１４は、第１の実施形態にかかるレプリカマスクを用いたインプリント工程のフローチャートである。
【図１５】図１５は、第１の実施形態にかかるレプリカマスクの使用可否判定装置のブロック図である。
【図１６】図１６は、第１の実施形態にかかるレプリカマスクの使用可否判定工程のフローチャートである。
【図１７】図１７は、第１の実施形態にかかるレプリカマスク上に識別パターンを形成する工程のフローチャートである。
【図１８】図１８は、第２の実施形態にかかるインプリントによるパターン形成のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して実施形態を説明する。ただし、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。なお、全図面にわたり共通する部分には、共通する符号を付すものとし、重複する説明は省略する。また、図面は発明の説明とその理解を促すための模式図であり、その形状や寸法、比などは実際の装置とは異なる個所もあるが、これらは以下の説明と公知の技術とを参酌して適宜、設計変更することができる。
【００１２】
（第１の実施形態）
以下、図１から図１７を参照して、本実施形態を説明する。以下に説明する実施形態においては、マザーマスク（第１のマスク）とレプリカマスク（第２のマスク）とを作成し、作成したレプリカマスクを用いて被加工基板上に硬化性樹脂からなるパターンを形成するパターン形成方法を例に説明するが、先に説明したように、本発明は下記に説明するような実施形態に限定されるものではなく、適宜変形、分割、組み合わせ等を行うことができる。
【００１３】
まず、本実施形態の概略を説明すると、マザーマスクを形成し、マザーマスクを用いてインプリントを行うことによりレプリカマスクを形成する。さらに、レプリカマスクを用いてインプリントを行い、被加工基板上に硬化性樹脂からなる所望のパターンを形成する。ここでは説明は省略するが、この後、被加工基板上に形成された所望のパターンをマスクとして用いて、被加工基板をエッチングすることとなる。
【００１４】
ここで、マザーマスクにパターン欠陥があった場合には、レプリカマスクにも同様のパターン欠陥が引き継がれることとなる。さらに、レプリカマスクにおいては、このようなマザーマスク起因のパターン欠陥だけでなく、レプリカマスクを形成する際に発生するパターン欠陥を有する場合もあり、さらに、繰り返しインプリントを行うことによりパターン欠陥が付加される場合もあるため、レプリカマスクにおけるパターン欠陥を管理することは難しい。
【００１５】
そして、マザーマスク及びレプリカマスクにおいては、パターン欠陥が許容される領域と、許容されない領域があり、欠陥毎に、許容されるか否かの識別を行うこととなる。すなわち、パターン欠陥の位置が、Ｒ／Ｄ回路（冗長回路又はブロック回路）により回路的に救済することが可能な領域にある場合には、そのマスクの継続使用が可能となるが、パターン欠陥の位置が、Ｒ／Ｄ回路により回路的に救済することが不可能な領域にある場合には、マスクの使用を中止することとなる。
【００１６】
さらに、パターン欠陥の検出やパターン欠陥の位置に関する識別は、インプリントを行った後の被加工基板の特性検査で基本的に行われていたが、この段階においてパターン欠陥を検出することは、製造される製品の歩留まり低下と同じことを意味し、また、製造工程における時間的なロスの発生にもつながる。
【００１７】
また、フォトリソグラフィ法で用いられるマスクにおいては、光を使ってマスクに関するデータ（欠陥等に関するデータ）をマスク上に微細なパターンとして転写するＳＲＡＦ（sub-Resolution  assist  features）を用いた欠陥管理が用いられている。しかしながら、ナノインプリント用マスクにこのような技術を適用することは、その原理から理解されるように、難しいものである。
【００１８】
本実施形態においては、各段階においてマザーマスク及びレプリカマスクのパターンに生じたパターン欠陥の検出を行い、その情報に基づいてマザーマスク及びレプリカマスクの使用の可否を自動的に判定するものである。さらに、レプリカマスクのパターン欠陥の状況に応じて、その情報をマザーマスクの管理サーバーにフィードバックして、マザーマスクの使用の可否を再度自動的に判定することもできる。このようにすることにより、早い段階で問題のあるマスクを発見し、マスクの使用を中止することができ、製造工程における時間的なロスの発生を避けつつ、製造される製品の歩留まり低下を防ぐことができる。
【００１９】
なお、ここでパターン欠陥とは、例えば、マスク上に形成されたパターンの形状及び寸法が規格に入っていない場合や、マスク上に形成されたパターンに欠け等がある場合のことを示す。従って、このような欠陥を有するマスクを用いて、レプリカマスクをインプリントにより形成したり、被加工基板上の硬化性樹脂にインプリントを行ったりした際には、許容された範囲の形状及び寸法のパターンを形成することができないこととなる。
【００２０】
さらに、本実施形態においては、検出されたパターン欠陥の情報（欠陥数や欠陥の位置、大きさ等に関する情報）を、マザーマスク及びレプリカマスク上に凹凸形状の識別パターンとして記録する。このように、マスクとそれに対応するパターン欠陥の情報とが分離することがないため、パターン欠陥情報の管理が容易となり、取り違え等を起こす可能性を避けることができる。加えて、レプリカマスクは、マザーマスクを用いてインプリントを行うことにより形成されるため、レプリカマスクおいてもマザーマスクのパターン欠陥が引き継がれることとなる。本実施形態においては、マザーマスクの欠陥情報を記録するための凹凸形状の識別パターンをマザーマスク上に形成しておくことにより、レプリカマスク上においても、マザーマスクの識別パターンの形状に対応した形状を有するパターンがレプリカマスクの識別パターンとして形成されることとなり、レプリカマスクにもマザーマスクのパターン欠陥の情報を容易に引き継ぐことができる。
【００２１】
また、このようなレプリカマスクを用いて繰り返しインプリントを行うと、レプリカマスク上に新たなパターン欠陥が生じることがあるが、本実施形態においては、その情報についても追加的にレプリカマスクの識別パターンに記録する。
【００２２】
以下、本実施形態を詳細に説明する。
【００２３】
まず、図１及び図２を用いて、マスク上のパターン及び識別パターンについて説明する。マザーマスク及びそれを用いて作成されるレプリカマスクは、製品チップに対応する所望のパターンを形成するための凹凸形状のパターンを有する。例えば、図１にはマザーマスク及びレプリカマスク１１００の平面図が示されており、その中央部には、製品チップに対応する所望のパターン（パターンは不図示）を有するパターンデータ領域１１０１があり、その外周部には、識別パターン（識別パターンは不図示）を形成するためのパターン欠陥情報記憶領域１１０２を設けられている。ここでは、外周部にパターン欠陥情報記憶領域１１０２を設けることとして説明するが、本実施形態においては、パターン欠陥情報記憶領域を外周部に形成することに限定するものではなく、例えば、マスク１１００の中央部のパターンデータ領域１１０１に設けても良い。このような場合には、少しでも製品のためのパターンの領域を確保するようにパターン欠陥情報記億領域の面積を減らしたり、製品のためのパターンに影響を与えないように識別パターンの形状等を工夫したりすることが好ましい。
【００２４】
図２に識別パターン１２００の一例を示す。詳細には、図２は識別パターン１２００の平面図であり、識別パターン１２００は、凹凸形状を有する４つのパターン変更領域１２０１、１２０２、１２０３、１２０４を有する。ここでは、識別パターン１２００は、４つのパターン変更領域を有するものとして説明するが、本実施形態はこれに限定するものでなく、必要に応じてその数を増減させても良い。
【００２５】
図２（ａ）は、例えば、マスク１１００にパターン欠陥がない場合、すなわち、識別パターン１２００にパターン欠陥がゼロである旨の情報が記録された場合であり、図２（ｂ）は、マスク１１００にパターン欠陥がある場合、すなわち、識別パターン１２００にパターン欠陥がある旨の情報が記録された場合である。以下、図２に示されたマスク１１００がレプリカマスクである場合を例に説明すると、図２（ａ）は作成当初のパターン欠陥がない状態が記録された識別パターン１２００である（このレプリカマスク１１００を作成するために用いられたマザーマスクにもパターン欠陥がない）。そして、レプリカマスク１１００を用いてインプリントを繰り返し行うことにより、レプリカマスク１１００に新たなパターン欠陥が生じることがある。そこで、パターン欠陥が新たに増えるごとに、例えば、パターン変更領域１２０１、１２０２、１２０３、１２０４を順に加工していく。その結果、識別パターン１２００は、図２（ｂ）に示されるような、新たに生じたパターン欠陥の情報が追加的に記録されることになる。
【００２６】
次に、マザーマスク上に識別パターンを形成し、次いで、レプリカマスク上にも識別パターンを形成し、そのレプリカマスクを用いてパターンを形成するまでの流れの一例を図３及び図４を用いて説明する。なお、この図３及び図４は、各マスク及び被加工基板の断面の一部を模式的に示すものである。
【００２７】
まず、図３（ａ）に示されるようなマザーマスク１０を準備する。詳細には、マザーマスク１０上のパターン欠陥情報記憶領域の全体が、パターンデータ領域を取り囲む凸形状の凸部２０となっている。
【００２８】
そして、マザーマスク１０についてパターン欠陥が検出された場合には、その欠陥情報を記録する識別パターン３０を形成する。まず、図３（ｂ）に示すように、凸部２０の上に所望の形状のカバー材１２を形成する。このカバー材１２の形状は、検出されたパターン欠陥に関する情報を記録するための形状に対応するものである。
【００２９】
次に、図３（ｃ）に示すようにこのカバー材１２をマスクとして用いて凸部２０を加工したり（図３（ｃ）右側）、カバー材１２を凸部２０に付着させたり（図３（ｃ）左側）することにより、凸部２０上に、パターン欠陥の情報を記録するための凹凸形状の識別パターン３０を形成する。
【００３０】
凸形状の識別パターン３０（図３（ｃ）左側）を形成した場合には、凸形状の識別パターン３０の高さａ（図３（ｃ）左側）は、マザーマスク１０の中央部のパターンデータ領域に形成されているパターンの凸部の高さ、及び、図３（ａ）に示されるパターン欠陥情報記憶領域の凸部２０の高さｂ１に比べて小さいことが好ましい。また、凹形状の識別パターン３０（図３（ｃ）右側）を形成した場合には、凹形状の識別パターン３０の深さｃ（図３（ｃ）右側）は、マザーマスク１０の中央部のパターンデータ領域に形成されているパターンの凸部の高さ、及び、図３（ａ）に示されるパターン欠陥情報記憶領域の凸部２０の高さｂ３に比べて小さいことが好ましい。
【００３１】
また、例えば、マザーマスク１０上のパターン欠陥情報記憶領域の全体がパターンデータ領域を取り囲む凹部となっている場合には、以下のようにすることが好ましい。すなわち、凸形状の識別パターン３０（図３（ｃ）左側）を形成した場合には、凸形状の識別パターン３０の高さａ（図３（ｃ）左側）は、マザーマスク１０の中央部のパターンデータ領域に形成されているパターンの凹部の深さｂ１、及び、パターン欠陥情報記憶領域の凹部の深さｂ２に比べて小さいことが好ましい。また、凹形状の識別パターン３０（図３（ｃ）右側）を形成した場合には、凹形状の識別パターン３０の深さｃ（図３（ｃ）右側）は、マザーマスク１０の中央部のパターンデータ領域に形成されているパターンの凹部の深さｂ３、及び、パターン欠陥情報記憶領域の凹部の深さｂ４に比べて小さいことが好ましい。
【００３２】
さらに、図３（ｄ）に示すように、この識別パターン３０が形成されたマザーマスク１０を用いて、インプリントを行うことによりレプリカマスク１３を形成する。図３（ｄ）からわかるように、マザーマスク１０の識別パターン３０に対応する形状の識別パターン４０をレプリカマスク１３は有することとなる。
【００３３】
そして、このレプリカマスク１３を用いて、被加工基板１４上の硬化性樹脂１５にインプリントを行い、図４（ｅ）に示すような形状を得る。すなわち、硬化性樹脂１５は、レプリカマスク１３の識別パターン４０の形状に対応する形状のパターンを有する。
【００３４】
次に、インプリントで得られた硬化性樹脂１５をマスクとして、被加工基板１４をエッチングして、図４（ｆ）のようなパターンの形状を有する被加工基板１４を得る。先に説明したように識別パターン３０及び４０の凹凸部の高さ／深さはパターン２０の凹凸部の高さ／深さに比べて小さい。その結果、図４（ｆ）に示すように、硬化性樹脂１５をマスクとして用いてエッチングを行うことにより得られる被加工基板のパターンには識別パターン３０及び４０の凹凸部は形成されない。よって、被加工基板のパターンの形状に影響を与えることはなく、マザーマスク及びレプリカマスクにパターン欠陥の情報を記憶することができる。
【００３５】
以上、図３及び図４を用いてマザーマスク１０及びレプリカマスク１３上に識別パターンを形成する方法を説明したが、本実施形態においては、これに限定されるものではなく、他の方法を用いても良い。他の方法としては、例えば、図５（ａ）に示すように、あらかじめマザーマスク１０上に凹凸形状の識別パターン３０を形成しておき、マザーマスク１０について欠陥が検出された場合には、その欠陥情報を記録するために、図５（ｂ）に示すように凹凸形状の識別パターン３０を加工する。この工程においては、凸形状の識別パターン３０をエッチングしたり（図５（ｂ）左側）、凹形状の識別パターン３０を埋め込んだり（図５（ｂ）右側）、様々な方法を用いて加工することができる。なお、あらかじめマザーマスク１０上に形成する識別パターン３０の凹凸部の好ましい高さや深さについては、これまでの説明と同様である。
【００３６】
さらに、図５（ｃ）に示すように、加工された凹凸形状の識別パターン３０を有するマザーマスク１０を用いて、インプリントを行うことによりレプリカマスク１３を形成する。このレプリカマスク１３には、これまでの説明と同様に、マザーマスク１０の欠陥の情報が記録されることとなる。さらに、このレプリカマスク１３を用いて、被加工基板１４上の硬化性樹脂１５にインプリントを行い、図５（ｄ）に示すような形状を得る。この後については、これまでの説明と同様であるため、これ以降の説明を省略する。
【００３７】
次に、マザーマスクとレプリカマスクとを作成し、作成したレプリカマスクを用いて被加工基板上に硬化性樹脂からなるパターンを形成するパターン形成方法の一例を、図６から図１７を用いて説明する。
【００３８】
まず、本実施形態の流れを示すフローチャートである図６を用いて説明する。本実施形態の方法は、以下のようなステップで構成される。
【００３９】
（ステップ１）マザーマスク作成用データの作成
（ステップ２）マザーマスクの作成
（ステップ３）マザーマスクを用いたインプリント
（ステップ４）マザーマスクのパターン欠陥の検出
（ステップ５）マザーマスクの使用の可否を判定
（ステップ６）マザーマスクの廃棄
（ステップ７）マザーマスクに識別パターンを形成
（ステップ８）レプリカマスクの作成
（ステップ９）レプリカマスクを用いたインプリント
（ステップ１０）レプリカマスクのパターン欠陥の検出
（ステップ１１）レプリカマスクの使用の可否を判定
（ステップ１２）レプリカマスクに識別パターンを形成
（ステップ１３）レプリカマスクの廃棄
以下に各ステップの詳細を説明する。
【００４０】
（ステップ１）
まず、マザーマスク作成用データを作成する工程である、ステップ１を説明する。図７は、このステップ１で用いられる本実施形態におけるマスク作成装置１００の構成を示すブロック図である。図７に示すように、マスク作成装置１００は、レイアウトデータ２００が入力され、マスク用データ３００及びマスク検査用データ４００をサーバー１へ出力するものである。さらに、マスク作成装置１００は、レイヤ合成データ作成部１０１と、セルパターン抽出部１０２と、Ｒ／Ｄ回路適用可能領域／不可領域抽出部１０３と、適用／非適用領域アドレス／位置情報抽出部１０４と、位置情報データ生成部１０５と、転写パターン最適化部１０６と、マスク用データ変換部１０７と、データ変換部１０８とを有する。なお、マスク作成装置１００とサーバー１とが一体となった装置にすることもできる。
【００４１】
ステップ１は、先に説明したマスク作成装置１００を用いてマザーマスク作成用データを作成する工程である。ステップ１は、図８のフローチャートで示され、以下のような小ステップで構成される。
【００４２】
（ステップ１−１）レイヤ合成によりデータ作成
（ステップ１−２）セルアレイパターンを抽出
（ステップ１−３）データをマスク用データに変換
（ステップ１−４）セルアレイパターンのＲ／Ｄ適用／非適用領域の抽出
（ステップ１−５）Ｒ／Ｄ適用領域のアドレス／位置情報の抽出
（ステップ１−６）Ｒ／Ｄ適用／非定期用領域のアドレス／位置情報データの生成
（ステップ１−７）データをマスク検査装置用データに変換
（ステップ１−８）マスク検査用データの出力
（ステップ１−９）マスクパターンデータの出力
（ステップ１−１０）マスク検査用データ及びマスク用パターンデータの保存
以下にステップ１を構成する各小ステップの詳細を説明する。
【００４３】
（ステップ１−１）
入力されたレイアウトデータ２００に基づき、レイヤ合成データ作成部１０１により、そのデータに含まれる各レイヤ（レイヤを「層」と称する場合もある）の情報をレイヤ合成データとして作成し、次のセルパターン抽出部１０２と転写パターン最適化処理部１０６とに出力する。
【００４４】
（ステップ１−２）
セルパターン抽出部１０２により、入力されたレイヤ合成データから、各層のメモリセルのセルアレイパターン情報を抽出する。例えば、セルアレイパターンは複数個のメモリセルパターンが規則的に配列されたパターンである。ここで、数個のメモリセルパターンの形状が規格外になっても、リダンダンシ回路（Ｒ／Ｄ）で擬似的に他のメモリセルに置き換えることができる。セルパターン抽出部１０２は、セルアレイパターン情報を次のＲ／Ｄ回路適用可能領域／不可領域抽出部１０３に出力する。このセルパターン抽出部１０２においては、レイアウトデータの各層の情報と、レイヤ合成データと、回路接続情報とに基づいて処理を行う。なお、各層のレイアウトデータごとに処理を行っても良い。このセルアレイパターン抽出部１０２は、レイアウトデータ２００のデータに回路接続情報を合成して、作成するマスクパターンの図形データを回路ブロックごとに分ける。例えば、マスクパターンの図形データからセルアレイの範囲にある図形データを分離する。このセルアレイのパターンに接続される行線及び列線と、この行線及び列線に接続されるデコード回路、データ検知回路や、電圧印加回路等のセルアレイ内のパターンに接続される論理回路との対応関係を考慮して分離を行う。この分離されたデータに基づいて、後の工程でＲ／Ｄ回路適用／不適用領域を抽出することとなる。
【００４５】
（ステップ１−４）
Ｒ／Ｄ回路適用可能領域／不可領域抽出部１０３において、入力されたセルアレイパターン情報と、対応する層に影響を与える層の組み合わせにより、Ｒ／Ｄ回路適用可能領域／不可領域を抽出し、次の適用／非適用領域アドレス／位置情報抽出部１０４に出力する。この段階では、セルアレイ内におけるＲ／Ｄ回路の適用／不適用の領域と、位置情報とは、それぞれ別個の情報である。
【００４６】
（ステップ１−５）
適用／非適用領域アドレス／位置情報抽出部１０４により、入力されたＲ／Ｄ回路適用可能領域／不可領域からその位置情報等を、セルアレイに接続される論理回路の情報を考慮して連続したデータとして変換し、次のパターンデータ生成部１０５に出力する。
【００４７】
（ステップ１−６）
位置情報データ生成部１０５により、入力されたＲ／Ｄ回路適用可能領域／不可領域からその位置情報等を、凹凸形状のパターン等に変換し、そのパターンデータを次のデータ変換部１０８に出力する。
【００４８】
（ステップ１−７）
データ変換部１０８により、入力されたデータをマスク検査用データ４００として変換する。
【００４９】
（ステップ１−８）
データ変換部１０８は、マスク検査用データ４００として変換されたデータを出力する。
【００５０】
（ステップ１−３）
一方、転写パターン最適化部１０６は、各層のレイヤ合成データと、各層に対応するセルパターンのデータとを合わせ、マスク形成用に最適化し、次のマスク用データ変換部１０７に出力する。なお、各層のレイヤ合成データごとに処理を行っても良い。
【００５１】
（ステップ１−９）
マスク用データ変換部１０７により、入力されたデータをマスク用データ３００として変換して、出力し、サーバーに格納する。
【００５２】
（ステップ２）
次に、石英等の基板を用いてマザーマスクを作成する工程であるステップ２を説明する。ステップ２は、図９のフローチャートで示され、以下のような小ステップで構成される。
【００５３】
（ステップ２−１)マスク用パターンデータの読み出し
（ステップ２−２）マザーマスクの作成
以下にステップ２を構成する各小ステップの詳細を説明する。
【００５４】
（ステップ２−１）ステップ１で作成されたパターンデータをサーバー１から読み出す。
【００５５】
（ステップ２−２）ステップ２−１で読み出したパターンデータに基づき、例えば、石英板にレーザー等を用いてパターンを形成し、マザーマスクを形成する。次にステップ３に進む。
【００５６】
（ステップ３）
次に、形成したマザーマスクを用いてインプリントを行う。すなわち、試験用基板に硬化性樹脂を塗布し、マザーマスクの凹凸形状のパターンを有する面を硬化性樹脂に押し当てて、次いで離型し、硬化性樹脂に熱を印加するもしくは紫外線等を照射して、硬化性樹脂を硬化させて、試験用基板の上に硬化性樹脂からなる所望のパターンを形成する。
【００５７】
（ステップ４）
ステップ３において、インプリントを行い試験用基板上に形成したパターンに対して光学的に検査を行う。詳細には、硬化した硬化性樹脂からなるパターンの形状及び寸法が規格内に入っているか、欠け等がないかどうかを検査する。硬化性樹脂からなるパターンにおいて上記のような欠陥が検出された場合には、マザーマスクの硬化性樹脂の欠陥の位置に対応する位置にパターン欠陥があるものとして取り扱われることとなる。なお、検査は、例えば、光や電子線等を硬化性樹脂の表面に照射し、反射した光や電子線等を用いて行う。欠陥が検出された場合には、その大きさや位置をサーバー等に記録する。なお、ステップ３とステップ４とを省略し、その代わりに、直接マザーマスクのパターンを検査し、マザーマスクのパターン欠陥の検出を行っても良い。
【００５８】
また、上記においては、ステップ３にて、マザーマスクを用いて試験用基板の上に硬化性樹脂からなるパターンを形成し、ステップ４にて、試験用基板上に形成したパターンに対して光学的に検査を行っているが、本実施形態は、これに限定されるものではない。例えば、試験用基板の上に硬化性樹脂からなるパターンを形成する代わりに、マザーマスクを用いてインプリントによりレプリカマスク（もしくは、レプリカマスク相当品）を作成し、ステップ４にて、作成したレプリカマスクに形成したパターンに対して光学的に検査を行い、得られた結果に対してステップ５のマザーマスクの使用の可否を判定しても良い。また、硬化性樹脂からなるパターンを形成し検査することと、レプリカマスクを形成し検査することとを組み合わせて行い、得られた結果に対してステップ５のマザーマスクの使用の可否を判定しても良い。
【００５９】
（ステップ５）
次に、マザーマスクの使用の可否を判定するステップ５を図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は、このステップ５で用いられる本実施形態におけるマザーマスクの使用の可否を判定する判定装置の構成を示すブロック図である。図１０に示すように、判定装置５００は、サーバー１から検査用データが入力され、それに基づいてマザーマスクの使用の可否を判定し、その結果を出力するものである。判定装置５００は、検査用データを読み出す検査用データ読み出し部５０１と、欠陥数により判定する判定部５０２と、Ｒ／Ｄ回路の適用の可否を判定する判定部５０３と、その判定に基づきマザーマスクの使用の可否を判定する判定部５０４と、その結果を出力する出力部５０５とを有する。
【００６０】
ステップ５は、図１１のフローチャートで示され、以下のような小ステップで構成される。
【００６１】
（ステップ５−１）マスク検査用データの読み出し
（ステップ５−２）パターン欠陥の数が所定の数以下であるか否かを判定
（ステップ５−３）Ｒ／Ｄ回路の適用可否の判定
（ステップ５−４）マザーマスクの使用の可否を判定
（ステップ５−５）マザーマスクのパターン欠陥の情報データの出力及び保存
以下にステップ５を構成する各ステップの詳細を説明する。
【００６２】
（ステップ５−１）
ステップ１で作成し、サーバー１に保存したマスク検査用データを検査用データ読み出し部５０１により読み出す。この読み出したマスク検査用データは、ステップ５−３の判定に用いられる。
【００６３】
（ステップ５−２）
マザーマスクについて検出されたパターン欠陥の数の情報をサーバー１から読み出し、判定部５０２において、パターン欠陥の数が所定の数以下か否かを判定する。所定の数以下でない場合には、マザーマスクの使用を禁止する。なお、Ｒ／Ｄ回路が適用不可と判断されたマザーマスクは使用できないものとして廃棄することもできる。この場合は、ステップ６に進み、廃棄処分されることとなる。パターン欠陥の数が所定の数以下であった場合には、ステップ５−３に進み、次の判定を行う。
【００６４】
（ステップ５−３）
マザーマスクについてのパターン欠陥の位置及び大きさの情報と、検査用データとを比較し、１つ１つのパターン欠陥に対し、Ｒ／Ｄ回路を用いて半導体装置の不良を避けられるような位置及び大きさであるか否かを、判定部５０３において判定する。詳細には、パターン欠陥がＲ／Ｄ回路を適用することができる個所にあれば、そのパターン欠陥は、Ｒ／Ｄ回路を用いて半導体装置の不良を避けられる欠陥として取り扱われ、マザーマスクは、そのパターン欠陥の存在を認識したうえでレプリカマスクの作成に用いることができる。一方、パターン欠陥がＲ／Ｄ回路を適用することができない個所あれば、そのパターン欠陥は、Ｒ／Ｄ回路を用いても半導体装置の不良を避けられない欠陥として取り扱われ、マザーマスクは、レプリカマスクの作成に用いることができないこととなる。次に、ステップ５−４に進む。
【００６５】
（ステップ５−４）
マザーマスクの使用の可否を判定部５０４において判定する。詳細には、先に説明したような半導体装置の不良を避けられないパターン欠陥があった場合には、マザーマスクの使用を禁止する。なお、Ｒ／Ｄ回路が適用不可と判断されたマザーマスクは使用できないものとして廃棄することもできる。この場合は、ステップ６に進み廃棄処分されることとなる。半導体装置の不良を避けられるパターン欠陥しかない場合には、マザーマスクは使用することができるものとしてステップ５−５に進む。
【００６６】
（ステップ５−５）
結果出力部５０５により、使用することとなったマザーマスクについてのパターン欠陥の位置及び大きさ等の情報をサーバー１に保存する。
【００６７】
（ステップ６）
ステップ５において廃棄すると決定されたマザーマスクについて、廃棄処分を行う。
【００６８】
（ステップ７）
次に、マザーマスクのパターン欠陥の情報を記録する凹凸形状の識別パターンを形成するステップ７を説明する。ステップ７は、図１２のフローチャートで示され、以下のような小ステップで構成される。
【００６９】
（ステップ７−１）パターン欠陥情報の読み出し
（ステップ７−２）識別パターンのパターンデータの作成
（ステップ７−３）マザーマスクに識別パターンの形成
以下にステップ７を構成する各小ステップの詳細を説明する。
【００７０】
（ステップ７−１）
ステップ５において保存されたマザーマスクのパターン欠陥の情報をサーバー１から読み出す。
【００７１】
（ステップ７−２）
読み出したパターン欠陥の情報をもとに、その情報を記録する識別パターンを形成するためのパターンデータを作成する。
【００７２】
（ステップ７−３）
マザーマスクのパターン欠陥情報記憶領域に、ステップ７−２で作成したパターンデータに基づきマザーマスクに識別パターンを形成する。なお、識別パターンの形状や形成方法は、図１から図５を用いて先に説明したものと同様であるが、本発明においては先に説明したものだけに限られるものではない。
【００７３】
（ステップ８）
次に、形成したマザーマスクを用いてインプリントによりレプリカマスクを作成する。詳細には、レプリカマスクの中央部には、マザーマスクのパターンの形状に対応する形状が、言いかえると、マザーマスクのパターンが反転されたパターンが形成される。さらに、先に説明したように、レプリカマスクのパターン欠陥情報記憶領域には、マザーマスクの識別パターンの形状に対応する形状が、言いかえると、マザーマスクのパターンが反転されたパターンが形成される。この流れは図１３のフローチャートで示される。すなわち、以下のようなステップで構成される。
【００７４】
（ステップ８−１）マザーマスクの使用判定結果の読み出し
（ステップ８−２）マザーマスクの使用の可否を確認
（ステップ８−３）レプリカマスクの作成
以下にステップ８を構成する各小ステップの詳細を説明する。
【００７５】
（ステップ８−１）
ステップ５で出力されたマザーマスクの使用判定結果を読み出し、ステップ８−２へ進む。この判定結果はサーバー１から読み出しても良いし、マザーマスク上の識別パターンから読み出しても良い。
【００７６】
（ステップ８−２）
ステップ８−１で読み出した使用判定結果に基づき、マザーマスクが使用できるものかを確認する。ステップ８−１と合わせてこの工程を省略することもできるが、このように再度確認することにより、マザーマスクの誤使用を防ぐことができる。マザーマスクが使用できるものである場合には、ステップ８−３へ進む。マザーマスクが使用できるものでなかった場合には、ステップ２へ戻る。
【００７７】
（ステップ８−３）
ステップ８−２で使用可能と確認されたマザーマスクを用いてインプリントを行い、レプリカマスクを作成する。レプリカマスクの作成後は、ステップ９へ進む。
【００７８】
（ステップ９）
次に、形成したレプリカマスクを用いてインプリントを行う。確認のため、製品に対してインプリントを行う前に、レプリカマスクに記録されたパターン欠陥情報を読み出し、使用可能なレプリカマスクであることを確認し、インプリントを開始することが、レプリカマスクの誤使用を防ぐためには好ましいが、この確認工程は省略しても良い。ステップ９は、図１４のフローチャートで示され、以下のような小ステップで構成される。
【００７９】
（ステップ９−１）パターン欠陥の情報の読み出し
（ステップ９−２）レプリカマスクの使用の可否を確認
（ステップ９−３）インプリント
以下にステップ９を構成する各ステップの詳細を説明する。
【００８０】
（ステップ９−１）レプリカマスクに記録された識別パターンからパターン欠陥の情報を読み出す。この情報の読み出しには、光学的な読み出し、画像判定などが用いられる。
【００８１】
（ステップ９−２）読み出したパターン欠陥の情報に基づいて、レプリカマスクが使用可能なものかを判定する。レプリカマスクが使用不可なものであった場合には、ステップ８へ戻る。レプリカマスクが使用可能なものであった場合には、ステップ９−３へ進む。
【００８２】
（ステップ９−３）レプリカマスクを用いてインプリントを行う。この際、被加工基板上に複数の製品のためのパターンを形成するために、被加工基板上の位置を一定間隔ずらしながら連続してインプリント、すなわち、レプリカマスクを硬化性樹脂に押し付け、離型することを複数回繰り返す。
【００８３】
（ステップ１０）
ステップ９において、ステップ４と同様に、インプリントを行い形成した硬化性樹脂からなるパターンに対して光学的に検査を行う。欠陥が検出された場合には、その大きさや位置をサーバーに記録する。なお、この検査はレプリカマスクのインプリント回数が一定回数に達したときのみに行うこともできる。
【００８４】
（ステップ１１）
次に、レプリカマスクの使用の可否を判定するステップ１１を図１５及び図１６を用いて説明する。図１５は、このステップ１１で用いられる本実施形態におけるレプリカマスクの使用の可否を判定する判定装置の構成を示すブロック図である。図１５に示すように、判定装置６００は、サーバー１から必要な情報が入力され、それに基づいてレプリカマスクの使用の可否を判定し、その結果を出力するものである。詳細には、判定装置６００は、パターン欠陥の数によりレプリカマスクの使用の可否を判定する判定部６０１と、検査用データを読み出す読み出し部６０２と、欠陥の原因を選別する選別部６０３と、欠陥の再現性の回数を比較する判定部６０４と、マザーマスクのＲ／Ｄ回路の適用の可否を判定する判定部６０５と、その判定に基づきマザーマスクの使用の可否を判定する判定部６０６と、その結果を出力する出力部６０７と、レプリカマスクのＲ／Ｄ回路の適用の可否を判定する判定部６０８と、その判定に基づきレプリカマスクの使用の可否を判定する判定部６０９と、その結果を出力する出力部６１０と、を有する。
【００８５】
ステップ１１は図１６のフローチャートで示され、以下のような小ステップで構成される。
【００８６】
（ステップ１１−１）パターン欠陥の数が所定の数以下であるか否かを判定
（ステップ１１−２）マザーマスクの欠陥情報の読み出し
（ステップ１１−３）欠陥を原因別に選別
（ステップ１１−４）レプリカマスク起因の欠陥について、同じ座標に欠陥が生じた回数が所定の数以上であるか否かを判定
（ステップ１１−５）マスク検査用データの読み出し
（ステップ１１−６）マザーマスクについてＲ／Ｄ回路の適用可否の判定
（ステップ１１−７）マザーマスクの使用の可否の判定
（ステップ１１−８）レプリカマスクについてＲ／Ｄ回路の適用可否の判定
（ステップ１１−９）レプリカマスクの使用の可否の判定
（ステップ１１−１０）パターン欠陥データの出力、保存
以下にステップ１１を構成する各小ステップの詳細を説明する。
【００８７】
(ステップ１１−１) 
レプリカマスクによって硬化性樹脂に形成されたパターン、または、被加工基板表面のパターン欠陥の数を読み出し、判定部６０１において、検出されたパターン欠陥の数が所定の数以下か否かを判定する。検出されたパターン欠陥の数が、所定の数以上の場合には、レプリカマスクを使用禁止にする。なお、Ｒ／Ｄ回路が適用不可と判断されたマザーマスクは使用できないものとして廃棄することもできる。この場合は、ステップ１３に進む。パターン欠陥の数が所定の数以下であった場合には、ステップ１１−３に進む。
【００８８】
(ステップ１１−２)
読み出し部６０２により、サーバー１に記録されたマザーマスクのパターン欠陥情報の読み出しを行う。なお、マザーマスクのパターン欠陥情報は、レプリカマスクの識別パターンから読み出しても良い。
【００８９】
（ステップ１１−３）
パターン欠陥の原因を選別する選別部６０３により、読み出したマザーマスクのパターン欠陥情報を参照して、レプリカマスクのパターン欠陥の原因を選別する。
【００９０】
ここで、レプリカマスクの作成時のパターン欠陥は、マザーマスクの欠陥に起因して生じた欠陥（第１種類欠陥）と、レプリカマスクの作成時にパーティクルなどにより偶発的に発生した欠陥（第２種類欠陥）とが存在する。詳細には、レプリカマスクによって硬化性樹脂に形成されたパターン欠陥の座標とマザーマスクの欠陥の座標が重なるパターン欠陥については、マザーマスクの有するパターン欠陥起因（第１種類欠陥）であるとし、座標が重ならないパターン欠陥については、レプリカマスクの作成時、または、レプリカマスクのインプリント時に生じたパターン欠陥であるものとして判断する。ステップ１１−４へ進む。
【００９１】
（ステップ１１−４）
マザーマスクを用いてレプリカマスクを作成している場合に、マザーマスクにパターン欠陥が生じる場合がある。すなわち、第１種類欠陥に気付かずにレプリカマスクを用いてインプリントを行っている場合がある。レプリカマスク作成起因のパターン欠陥のうち、同じマザーマスクから作成した複数のレプリカマスクにより作成した各製品について同じ座標に生じているパターン欠陥が存在する場合には、第１種類欠陥である可能性が高い。そこで、各製品について同じ座標（位置）に存在するパターン欠陥の検出された回数をカウントし、所定の数以上か否かを判定部６０４により判定する。所定の数以上であった場合には、マザーマスクにおいても同じ座標にパターン欠陥が生じていると判断し、ステップ１１−６へ進む。パターン欠陥が、所定の数以上でない場合、もしくは、同じ座標に繰り返し発現していない場合には、マザーマスクには問題がなく、このパターン欠陥は、第２種類欠陥、または、レプリカマスクのインプリント時に生じたものであるとして、ステップ１１−８に進む。
【００９２】
すなわち、各製品のパターン欠陥を調べることにより、第１種類欠陥、第２種類欠陥、インプリント時に発生した偶発的な欠陥を分類することができる。その結果、簡易にマザーマスク、レプリカマスクにパターン欠陥情報を反映することができる。
【００９３】
（ステップ１１−５）
この後のステップで使用するマスク検査用データをサーバー１から読み出す。
【００９４】
（ステップ１１−６）
ステップ１１−４でマザーマスクにあるものとしてみなされたパターン欠陥（第１種類欠陥）について、ステップ１１−５で読み出したマスク検査用データに基づいて、Ｒ／Ｄ回路が適用可能か否かを判定部６０５において判定する。ステップ１１−７へ進む。
【００９５】
（ステップ１１−７）
判定部６０６においてマザーマスクの使用の可否を判定する。詳細には、ステップ１１−６において、パターン欠陥に対してＲ／Ｄ回路が適用可能であると判定された場合には、ステップ１１−７においては、マザーマスクは使用可能なものとしてステップ１１−８へ進む。一方、ステップ１１−６において、パターン欠陥に対してＲ／Ｄ回路が適用不可であると判定された場合には、ステップ１１−７においては、そのマザーマスクとそれを用いて作成されたレプリカマスクを使用禁止にする。なお、Ｒ／Ｄ回路が適用不可と判断されたマザーマスクは使用できないものとして廃棄することもできる。この場合は、ステップ６へ進む。これらの判定結果は、出力部６０７によりサーバー１に出力される。
【００９６】
また、パターン欠陥（第１種類欠陥）に対してＲ／Ｄ回路が適用可能であると判定された場合には、マザーマスクのパターン欠陥情報を更新することもできる。その結果、レプリカマスクの欠陥情報も自動的に更新することができる。
【００９７】
（ステップ１１−８）
ステップ１１−３及び１１−４において、第２種類欠陥、及び、レプリカマスクのインプリント時に生じた偶発的な欠陥と判断された欠陥に対して、第２種類欠陥であるか否かを判定し、さらに、読み出したマスク検査用データに基づいて、Ｒ／Ｄ回路が適用可能か否かを判定部６０８により判定する。
【００９８】
詳細には、ステップ１１−８において、判定部６０９は、同一のレプリカマスクのインプリント時に生じたパターン欠陥のうち、第１種類欠陥の位置とは異なる座標に生じ、かつ、同じ座標（位置）に存在するパターン欠陥の検出された回数をカウントし、所定の数以上が否かを判定部６０９により判定する。所定の数以上であった場合には、レプリカマスクにパターン欠陥が生じていると判断する（第２種類欠陥）。次に、この第２種類欠陥に対して、読み出したマスク検査用データに基づいて、Ｒ／Ｄ回路が適用可能か否かを判定部６０８により判定し、ステップ１１−９へ進む。一方、パターン欠陥が、所定の数以上でない場合、もしくは、同じ座標に繰り返し発現していない場合には、レプリカマスクには問題がなく、このパターン欠陥はレプリカマスクのインプリント時に生じた偶発的な欠陥であるとして、ステップ１１−９へ進む。
【００９９】
（ステップ１１−９）
判定部６０９においてレプリカマスクの使用の可否を判定する。ステップ１１−８における第２種類欠陥に対して、Ｒ／Ｄ回路が適用可能であると判定された場合には、ステップ１１−９においては、レプリカマスクは使用可能なものとしてステップ１１−１０へ進む。一方、ステップ１１−８における第２種類欠陥に対して、Ｒ／Ｄ回路が適用不可であると判定された場合には、ステップ１１−９においては、そのレプリカマスクの使用を禁止する。なお、そのレプリカマスクを製造したマザーマスクは使用禁止にしない。マザーマスクにはパターン欠陥に対してＲ／Ｄ回路が適用不可能ではない（Ｒ／Ｄ回路が適用可能）からである。すなわち、マザーマスクを用いて新たなレプリカマスクを製造することが可能である。なお、Ｒ／Ｄ回路が適用不可と判断されたレプリカマスクは使用できないものとして廃棄することもできる。この場合は、ステップ１３へ進む。一方、ステップ１１−８において、レプリカマスクのインプリント時に生じた偶発的な欠陥であるとして判断された場合には、ステップ１１−９においては、レプリカマスクは使用可能なものとしてステップ１１−１０へ進む。
【０１００】
（ステップ１１−１０）
使用可能なレプリカマスクのパターン欠陥の情報を出力部６１０により出力し、サーバー１に記録する。
【０１０１】
（ステップ１２）
次に、ステップ７と同様に、レプリカマスクの新たなパターン欠陥の情報を識別パターンに付加することもできる。先に説明したように、本実施形態の識別パターンは、パターン欠陥情報を新たに付加できるような形状を有しているため、容易に新たに生じたパターン欠陥の情報を付加することができる。このステップ１２を行った後、さらにこのレプリカマスクを用いてインプリントを繰り返し、その度にパターン欠陥が生じていないかを検査し、パターン欠陥を検出した場合には、その情報に基づいてレプリカマスクの使用の可否を判定し、さらに、識別パターンにそのパターン欠陥の情報を付加するように、識別パターンを加工することを繰り返す。このステップ１２は、図１７のフローチャートで示され、以下のような小ステップで構成される。なお、詳細な説明はステップ７と同様であるため、省略する。
【０１０２】
（ステップ１２−１）パターン欠陥の情報の読み出し
（ステップ１２−２）識別パターンデータの作成
（ステップ１２−３）レプリカマスクに識別パターンを形成する。
【０１０３】
（ステップ１３）
ステップ１１において廃棄することとされたレプリカマスクについて、廃棄処理を行う。
【０１０４】
本実施形態においては、パターン欠陥が検出された場合には、コンピュータにより自動的にパターン欠陥に対するＲ／Ｄ回路の適用の可否を判定し、次いで、マスクの使用の可否を判定することから、回路設計者等の人により判定する場合と比べて、迅速に行うことができる。加えて、判定が迅速であることから、製造工程を止める時間を少なくすることができ、生産性を向上させることができる。さらに、レプリカマスクのパターン欠陥の情報をすばやくマザーマスクの管理にフィードバックをかけることができることから、未然に不良品の大量製造を避けることができ、高い歩留まりの維持、及び製造時間のロスを防ぐことができる。特に、量産ラインにおいて大量に準備されるレプリカマスクおいては、その使用の可否の判定はより複雑となるため、このような状況に本実施形態を適用することにより、より生産性を向上させることができる。
【０１０５】
本実施形態においては、各マスクにパターン欠陥の情報が記録されることから、マスクとそれに対応するパターン欠陥情報とが分離することがないため、パターン欠陥情報の管理が容易となり、取り違え等を起こす可能性を避けることができる。マスクの外部にあるサーバー等にパターン欠陥の情報を保持している場合には、取り違えを防止するために情報管理の厳格化が必要になるが、本実施形態においてはそのような必要はない。
【０１０６】
また、レプリカマスクは、マザーマスクを用いてインプリントを行うことにより形成されるため、レプリカマスクおいてもマザーマスクのパターン欠陥が引き継がれることとなる。しかし、本実施形態によれば、マザーマスクの欠陥情報を記録するための識別パターンを凹凸形状にマザーマスク上に形成しておくことにより、レプリカマスク上においても、マザーマスクの識別パターンの形状に対応した形状を有するパターンがレプリカマスクの識別パターンとしてレプリカマスク上に形成されることとなる。その結果、レプリカマスクにもマザーマスクのパターン欠陥の情報を容易に引き継ぐことができる。さらに、破損や劣化などで、マスクが廃棄された場合には、マスクごと必要な情報が廃棄されるため、外部のサーバー等を併用して使う場合でも履歴を残すにとどめられる。すなわち、コンピュータ資源等の消費を抑えることができる。
【０１０７】
また、本実施形態においては、識別パターン３０の凹凸はパターン２０の凹凸に比べて低い又は浅いことから、被加工基板に識別パターンが転写されることがない。そのため、製品に影響を与えることはない。
【０１０８】
（第２の実施形態）
本実施形態においては、マスク上に識別パターンを形成せず、パターン欠陥の情報のマスクの外部にあるサーバーにより保管管理を行う点で、第１の実施形態と異なる。このようにすることにより、各マスクに対して識別パターンを形成する工程を行わないため、製造時間の短縮及び製造コストの削減を行うことができる。なお、先に説明したように、本発明は下記に説明するような実施形態に限定されるものではなく、適宜変形することができる。
【０１０９】
本実施形態は、第１の実施形態と同様に、以下のようなステップで構成されており、図１８のフローチャートで示される。先に説明したように識別パターンを形成しない点の他は第１の実施形態と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【０１１０】
（ステップ１）マザーマスク作成用のデータの作成
（ステップ２）マザーマスクの作成
（ステップ３）マザーマスクを用いたインプリント
（ステップ４）マザーマスクのパターン欠陥の検出
（ステップ５）作成したマザーマスクの使用の可否を判定
（ステップ６）マザーマスクの廃棄
（ステップ７）レプリカマスクの作成
（ステップ８）レプリカマスクを用いてインプリント
（ステップ９）レプリカマスクのパターン欠陥の検出
（ステップ１０）レプリカマスクの使用の可否を判定
（ステップ１１）レプリカマスクの廃棄
【０１１１】
本実施形態においては、第１の実施形態と同様に、パターン欠陥が検出された場合には、コンピュータにより自動的にパターン欠陥に対するＲ／Ｄ回路の適用の可否を判定し、次いで、マスクの使用の可否を判定することから、設計者等の人により判定する場合と比べて、迅速に行うことができる。加えて、判定が迅速であることから、製造工程を止める時間を少なくすることができ、生産性を向上させることができる。さらに、レプリカマスクのパターン欠陥の情報をすばやくマザーマスクの管理にフィードバックをかけることができることから、未然に不良品の大量製造を避けることができ、高い歩留まりの維持、及び製造時間のロスを防ぐことができる。
【０１１２】
本実施形態においては、パターン欠陥の情報管理はサーバーにより行い、各マスクに対して識別パターンを形成する工程を行わないため、製造時間の短縮及び製造コストの削減を行うことができる。
【０１１３】
上記の第１及び第２の実施形態においては、マザーマスクからレプリカマスクを形成し、レプリカマスクを用いてインプリントを行う場合について説明したが、このような親子関係のマスクの場合に限定されるものではなく、レプリカマスクからさらに孫レプリカマスクを形成し、孫レプリカマスクを用いてインプリントを行うような親子孫関係のマスクに対しても適用することができる。
【０１１４】
また、上記の第１及び第２の実施形態においては、被加工基板１は、必ずしもシリコンウエハでなくてもよく、他の基板でも良い。また、このような種々の基板上に半導体構造等が形成されたものでも良い。
【０１１５】
そして、上記の第１及び第２の実施形態においては、Ｒ／Ｄ回路適用可能領域／不可領域についての位置情報を含むマスク検査用データ４００は、サーバー１に保管するものとして説明しているが、これらの実施形態においては、このような方法に限定するものではなく、例えば、サーバー１にマスク検査用データ４００を保管する代わりに、Ｒ／Ｄ回路適用可能領域もしくは不可領域であることを示すような凹凸形状の識別パターン３０をあらかじめマザーマスク１０上に形成しても良い（図５（ａ）参照）。このようにすることで、各マスク上に、Ｒ／Ｄ回路適用可能領域／不可領域についての位置情報等が記録されることから、マスクとそれに対応する情報とが分離することがないため、情報の管理が容易となり、取り違え等を起こす可能性を避けることができる。
【０１１６】
さらに、上記の第１及び第２の実施形態にかかるマスク形成方法及びパターン形成方法の少なくとも一部は、ソフトウェアで構成することが可能であり、ソフトウェアで構成する場合には、これらの形成方法の少なくとも一部を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、インプリント装置又はマスク製造装置の備える、もしくは、これらの装置と接続されたコンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。さらに、これらの形成方法の少なくとも一部を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線（無線通信も含む）を介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。
【０１１７】
本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１１８】
１    サーバー
１０  マザーマスク
１１  マスク材
１２  カバー材
１３  レプリカマスク
１４  被加工基板
１５  樹脂
２０  凸部
３０、４０  識別パターン
１００  マスク作成装置
１０１  レイヤ合成データ作成部
１０２  セルパターン抽出部
１０３  Ｒ／Ｄ回路適用可能領域／不可領域抽出部
１０４  適用／非適用領域アドレス／位置情報抽出部
１０５  位置情報データ生成部
１０６  転写パターン最適化部
１０７  マスク用データ変換部
１０８  データ変換部
２００  レイアウトデータ
３００  マスク用データ
４００  マスク検査用データ
５００、６００  判定装置
５０１、６０２  読み出し部
５０２、５０３、５０４、６０４、６０５、６０６、６０８、６０９  判定部
５０５、６０７、６１０  出力部
６０３  選別部
１１００  マスク
１１０１  パターンデータ領域
１１０２  欠陥情報記録領域
１２００  識別パターン
１２０１、１２０２、１２０３、１２０４  パターン変更領域
【図１】
2013201381.tif 000003
【図２】
2013201381.tif 000004
【図３】
2013201381.tif 000005
【図４】
2013201381.tif 000006
【図５】
2013201381.tif 000007
【図６】
2013201381.tif 000008
【図７】
2013201381.tif 000009
【図８】
2013201381.tif 000010
【図９】
2013201381.tif 000011
【図１０】
2013201381.tif 000012
【図１１】
2013201381.tif 000013
【図１２】
2013201381.tif 000014
【図１３】
2013201381.tif 000015
【図１４】
2013201381.tif 000016
【図１５】
2013201381.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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