(57)【要約】【課題】ウエハの切削時に生じるチッピングを低減でき、かつ、確実にウエハを半導体装置に分離することができる、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法であって、第１ダイシングブレード６を用いて、複数のデバイス領域２が形成された半導体基板１を第１主面側から切削し、デバイス領域２間に溝部を設ける第１切削工程Ｓ４と、第１ダイシングブレード６より小さい厚さを有する第２ダイシングブレード１６を用いて、半導体基板１を第２主面側から溝部に達するまで切削する第２切削工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ダイシングブレードを用いて、複数のデバイス領域が形成された半導体基板を第１主面側から切削し、デバイス領域間に溝部を設ける第１切削工程と、
第１ダイシングブレードより小さい厚さを有する第２ダイシングブレードを用いて、半導体基板を第２主面側から溝部に達するまで切削する第２切削工程とを含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１切削工程前に、半導体基板の第１主面側に位置決め穴を作成するマーキング工程を含むことを特徴とする、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記デバイス領域は、半導体基板の第１主面側に形成されており、
マーキング工程後に、半導体基板が所定の厚さになるまで第２主面を研削する研削工程を含み、
マーキング工程では、第１主面側から前記所定の厚さ以上の深さを有する位置決め穴を、前記デバイス領域の形成と同時に作成することを特徴とする、請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第２切削工程前に、半導体基板の第１主面側にダイシングテープを貼付する工程を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記デバイス領域は、半導体基板の第２主面側に形成されており、
第１切削工程前に、半導体基板の第２主面側に位置決め穴を作成するマーキング工程と、
マーキング工程後に、半導体基板が所定の厚さになるまで第１主面を研削する研削工程と、
第２切削工程前に、半導体基板の第２主面側にダイシングテープを貼付する工程とを含み、
マーキング工程では、第２主面側から前記所定の厚さ以上の深さを有する位置決め穴を、前記デバイス領域の形成と同時に作成し、
第１切削工程では、研削工程で第２主面側に貼付する表面保護部材を貼付した状態で切削することを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
第１切削工程では、吸引機構に接続されるステージ上に半導体基板を載置して切削することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウエハを半導体装置に分離する半導体装置の製造方法に係り、特に薄ウエハを使用する半導体装置に適した方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置は、生産効率を上げるために、ＳｉやＧａＡｓ等の半導体で作られたウエハ上に複数のデバイス領域を形成し、各個片に分割するダイシング工程を経て製造される。現在、一般的なダイシング方法として、砥粒を樹脂や金属で円盤状に成型したブレードを高速回転させて半導体装置を分割するブレードダイシングが行われている。
【０００３】
ブレードダイシングでは、通常、ウエハの表面へのデバイス領域形成時に削りしろとなるスクライブライン領域が、各デバイス領域間に設けられている。デバイス領域の形成完了後、ウエハ裏面にダイシングテープを貼り付けてウエハを固定し、高速回転させたダイシングブレードを用いて、裏面に貼付したダイシングテープに到達するまでスクライブライン領域を切削する。これと同時に、スクライブライン領域に沿って順次移動させることで、ウエハを半導体装置に分離している。
【０００４】
しかし、１つのダイシングブレードのみを用いて一度にスクライブライン領域を切削した場合、分離した半導体装置の表裏面のエッジには、チッピングと呼ばれる欠けが発生しやすい。チッピングは、ダイシング以降の工程、例えば半導体装置を樹脂で封止する際等に応力が集中する点となり、半導体装置の割れを生じさせやすい。また、チッピングで発生した欠片は、半導体装置上に付着し短絡を起こす等の悪影響を与えることも知られている。
【０００５】
そこで、チッピングを低減する手法として、例えば、図１３ａに示すように、第１ダイシングブレード６によってウエハ１の表面から深さｄ１まで切削し、その後、図１３ｂに示すように、第１ダイシングブレード６より小さい厚さを有する第２ダイシングブレード１６を用いて、ウエハ１の残りを完全に切削するステップカット法が知られている。
【０００６】
また、特許文献１には、ステップカット法をさらに発展させ、切削を多段化した方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１２７０１０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
切削後、半導体装置の裏面のサイドエッジにチッピングが発生する要因は複数考えられる。一因として、テストエレメントグループ（ＴＥＧ）によるダイシングブレードの目詰まりが考えられる。スクライブライン領域には、ウエハテスト用のＴＥＧが設けられており、電極としてＡｌやＡｕ等の金属が積層されている。切削時、ダイシングブレードはスクライブライン領域と共にＴＥＧを切削する。それゆえ、ＡｌやＡｕがブレードに詰まって目詰まりを起こし、裏面を切削する際にチッピングを発生させると考えられる。
【０００９】
また、他の要因として、ダイシングブレードの衝撃に起因するウエハの破砕が考えられる。ダイシングブレードによる切削が裏面に到達する直前には、スクライブライン領域が薄くなっている。それゆえ、ダイシングブレードの衝撃に耐え切れず、切削ではなく破砕することでチッピングが発生すると考えられる。
【００１０】
ステップカット法では、裏面まで貫通して切削する際には、ダイシングブレードが目詰まりを生じにくい。また、より小さい厚さを有するダイシングブレードを用いて半導体装置に分離するので、ダイシングブレードの切削抵抗を減少させることができる。それゆえ、裏面のチッピングを低減することができる。しかし、スクライブライン領域が最も薄くなる位置が裏面側にあるため、ダイシングブレードの衝撃に起因して生じる、ウエハの破砕によるチッピングという問題が未だ存在していた。
【００１１】
また、近年の半導体装置は、生産性を向上させるため、ウエハが大口径化しており、ウエハ内に多くのデバイス領域を形成することが求められている。さらに、スクライブライン領域の幅を狭くすることも求められている。
【００１２】
さらに、半導体装置のサイズを小さくし、ウエハの取れ率や半導体装置の性能を向上させるために、ウエハを非常に薄くした状態でダイシングを行うことが通例となり、その厚さは数十ミクロンに到達している。それゆえ、ダイシングの条件は年々厳しくなっていると言える。
【００１３】
また、既存のダイシング技術では、ウエハを完全に切断するために、ダイシングテープを任意の厚さで切断する必要がある。しかし、ダイシングテープは切断しすぎると破れてしまい、また、切断が少なすぎると、ウエハを半導体装置に完全に分離することができない。それゆえ、確実にウエハを半導体装置に分離するためには、ダイシングブレードによる切削の深さに非常に高い精度が要求されていた。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、ウエハの切削時に生じるチッピングを低減でき、かつ、確実にウエハを半導体装置に分離することができる、半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１ダイシングブレードを用いて、複数のデバイス領域が形成された半導体基板を第１主面側から切削し、デバイス領域間に溝部を設ける第１切削工程と、第１ダイシングブレードより小さい厚さを有する第２ダイシングブレードを用いて、半導体基板を第２主面側から溝部に達するまで切削する第２切削工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、第２切削工程で半導体基板を切削する際、半導体基板の第１、第２主面から離れた位置でウエハを半導体装置に分離するため、半導体基板の第１、第２主面でチッピングが発生する確率を低減することができる。
【００１７】
また、第１切削工程及び第２切削工程において、半導体基板にダイシングテープを貼付して切削を実施した場合には、ダイシングテープに破れを生じさせることがなく、また、デバイス領域間を完全に切断可能である。また、この際、切削の深さに高い精度が要求されることはない。それゆえ、容易に、かつ確実にウエハを半導体装置に分離することができる。
【００１８】
第２切削工程では、第１ダイシングブレードより小さい厚さを有する第２ダイシングブレードを用いて半導体基板を半導体装置に分離するため、第２ダイシングブレードの切削抵抗を減少させることができ、チッピングが発生する確率をさらに低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法で使用するウエハの断面図を示す。
【図２】実施の形態１による、半導体装置の製造方法のフローチャートを示す。
【図３ａ】マーキング工程の第１段階のレジスト塗布を説明する説明図を示す。
【図３ｂ】マーキング工程の第２段階の露光を説明する説明図を示す。
【図３ｃ】マーキング工程の第３段階のレジスト除去を説明する説明図を示す。
【図３ｄ】マーキング工程の第４段階のエッチングを説明する説明図を示す。
【図４】実施の形態１による研削工程を説明する説明図を示す。
【図５】実施の形態１による、第１ダイシングテープを貼付する第１貼付工程を説明する説明図を示す。
【図６】実施の形態１による第１切削工程を説明する説明図を示す。
【図７ａ】実施の形態１による、第１ダイシングテープの剥離工程を説明する説明図を示す。
【図７ｂ】実施の形態１による、第２ダイシングテープを貼付する第２貼付工程を説明する説明図を示す。
【図８】実施の形態１による第２切削工程を説明する説明図を示す。
【図９】実施の形態２による第１切削工程を説明する説明図を示す。
【図１０】実施の形態３による第１切削工程を説明する説明図を示す。
【図１１ａ】実施の形態３による、第２ダイシングテープを貼付する第２貼付工程を説明する説明図を示す。
【図１１ｂ】実施の形態３による剥離工程を説明する説明図を示す。
【図１２】実施の形態３による第２切削工程を説明する説明図を示す。
【図１３】先行技術のステップカット法による半導体装置の製造方法を示しており、図１３（ａ）は第１段階の切削を、図１３（ｂ）は第２段階の切削を、図１３（ｃ）は切削後のウエハの断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法で使用するウエハの断面図を示す。
図１に示すように、ウエハ１にはデバイス領域２が形成されている。デバイス領域２は、例えばスパッタリング、めっき、蒸着、エッチング等の薄膜形成、除去技術を用いて形成可能である。以下、ウエハ１にデバイス領域２が形成されている面をデバイス面とし、反対側の面を裏面とする。
【００２１】
また、本実施形態で、ウエハ１にはシリコンウエハを用いるが、高周波を対象とした半導体装置やパワーデバイス等を製造する場合には、例えばＧａＡｓ、ＧａＮ、ＳｉＣ等の材料で作成されたウエハを用いることができる。これらの材料は、全般的に硬く脆性を有するため、欠けやすいが、本発明による半導体装置の製造方法は、これらの材料で作成されたウエハにも適用可能である。
【００２２】
実施の形態１．
図２は、本発明の実施の形態１による、半導体装置の製造方法のフローチャートを示す。
本実施形態による半導体装置の製造方法は、ウエハのデバイス面に位置決め用のビアホールを作成するマーキング工程Ｓ１と、ウエハが所定の厚さになるまで裏面を研削する研削工程Ｓ２と、ウエハの裏面に第１ダイシングテープを貼付する第１貼付工程Ｓ３と、第１ダイシングブレードを用いて、ウエハをデバイス面側から切削し、デバイス領域間に溝部を設ける第１切削工程Ｓ４と、第１切削工程Ｓ２後にウエハを洗浄する洗浄工程Ｓ５と、ウエハのデバイス面に第２ダイシングテープを貼付する第２貼付工程Ｓ６と、ウエハの裏面側に貼付された第１ダイシングテープを剥離する剥離工程Ｓ７と、第２ダイシングブレードを用いて、ウエハを裏面側から溝部に達するまで切削する第２切削工程Ｓ８、等を含む。
【００２３】
図３ａ〜図３ｄは、実施の形態１によるマーキング工程の説明図を示す。
マーキング工程Ｓ１では、デバイス面に位置決め用のビアホール１０を作成する。ビアホール１０は、例えばドライエッチング又はウエットエッチングを用いて作成可能である。位置決め用に使用するので、ビアホール１０の形状には高い精度が必要である。それゆえ、プラズマを使用したドライエッチングを用いてビアホール１０を作成するのが好ましい。
【００２４】
図３ａに示すように、マーキング工程Ｓ１ではまず、コーターを用いてウエハ１のデバイス面にレジスト４を塗布する。続いて、図３ｂに示すように、フォトマスク５を用いてウエハ１を露光させる。フォトマスク５のパターンは、ビアホール１０を設ける位置のみ開口させる。レジスト４は、精度を向上させるために、ポジ型のレジストを使用することが好ましい。続いて、ウエハ１を現像液に浸してパターンを現像し、その後、リンス液、例えば純水を用いて洗浄する。これにより、図３ｃに示すように、レジスト４を除去する。続いて、図３ｄに示すように、レジスト４をマスクとして、プラズマエッチング装置を用いてエッチングを行い、ビアホール１０を作成する。
【００２５】
この際、後述する研削工程Ｓ２での仕上げ厚さｙ１を超える深さ以上の深さを有するビアホール１０を作成する。
【００２６】
ここで、マーキング工程Ｓ１を単独で実施してもよいが、デバイス領域２の形成にエッチングを用いる場合、デバイス領域２の形成と同時に実施することができる。デバイス領域２の形成後に仕上げ厚さｙ１に到達していない場合には、更なるエッチング工程を設けることができる。最後に、有機溶剤等を用いてレジスト４を除去する。
【００２７】
図４は、実施の形態１による研削工程を説明する説明図を示す。
研削工程Ｓ２では、まず、ウエハ１のデバイス面に表面保護テープ４０を貼付してウエハ１を保持する。続いて、上述のように、ウエハ１が仕上げ厚さｙ１になるまで研削する。研削は、砥石等によって機械研削してもよいし、エッチング研削してもよい。ビアホール１０の深さはｙ１を超えるので、研削によりビアホール１０が裏面に露出する。
【００２８】
次に、ウエハ１のデバイス面から表面保護テープ４０を剥離する。続いて、めっき、スパッタリング、蒸着等により、ＮｉやＡｕ等の金属膜を形成してもよい。
【００２９】
裏面の金属膜形成をめっきで行う場合、研削時に表面保護テープ４０でなくガラス基板を貼付してウエハ１を保持してもよい。この場合も、研削後にガラス基板を剥離する。
【００３０】
図５は、実施の形態１による、第１ダイシングテープを貼付する第１貼付工程を説明する説明図を示す。
第１貼付工程Ｓ３では、マウンタを用いてウエハ１の裏面側に第１ダイシングテープ７を貼付する。続いて、第１ダイシングテープ７に張力を加えて金属リング９に貼付し、金属リング９の外周に沿って第１ダイシングテープ７を切断する。これにより、しわを生じさせずに第１ダイシングテープ７を金属リング９の内側に貼付することができる。続いて、この金属リング９内側の第１ダイシングテープ７上にウエハ１を貼付する。
【００３１】
図６は、実施の形態１による第１切削工程を説明する説明図を示す。
第１切削工程Ｓ４では、まず、吸着ステージ８上にウエハ１を載置する。吸着ステージ８は、好ましくは多孔質材料で作成された吸着ステージを使用する。該吸着ステージ８は、真空ポンプ３０に接続されており、第１ダイシングテープ７越しにウエハ１を吸着して固定する。
【００３２】
続いて、ウエハ１のデバイス面側に設けられた画像処理装置２０によって、ビアホール１０を認識し、削りしろとなるスクライブライン領域３上に第１ダイシングブレード６を正確に配置する。続いて、第１ダイシングブレード６を用いて、スクライブライン領域３に沿って切削を行う。
【００３３】
この際、画像処理装置２０によって、吸着ステージ８のデバイス面から第１ダイシングブレード６までの距離を正確に認識することにより、ウエハ１の厚さを適切に残した状態で切削することが可能となる。一例として、ウエハ１の厚さの約半分を残した深さまで切削を行うことができる。
【００３４】
また、スクライブライン領域３の幅が小さい場合、第１ダイシングブレード６の位置決め誤差や、切削時の第１ダイシングブレード６の振動により、デバイス領域２を切削してしまう可能性がある。それゆえ、スクライブライン領域３の幅は、少なくとも第１ダイシングブレード６の厚さより大きいことが好ましい。
【００３５】
次に、第１ダイシングブレード６をウエハ１に必要な位置まで近づけて、数万ｒｐｍの速度で高速回転させ、ウエハ１のデバイス面に溝部を設ける。この際、吸着ステージ８ごとウエハ１を前後に移動させて、スクライブライン領域３を切削する。続いて、左右の隣接するスクライブライン領域へ第１ダイシングブレード６を移動させ、再度スクライブライン領域を切削する。これを繰り返し、平行に設けられたスクライブライン領域を全て切削する。続いて、ステージを９０度回転し、切削したスクライブライン領域に対して９０度傾けて設けられているスクライブライン領域の切削を同様に行う。これにより、ウエハ１を各半導体装置に分離する。
【００３６】
次に、洗浄ステップＳ５を実施する。洗浄ステップＳ５では、例えば高圧ガスを用いて流体を霧状にし、加速させて洗浄物に吹き付ける二流体洗浄によってウエハ１を洗浄する。これにより、切削時に生じる微細なパーティクルを除去することができる。
【００３７】
洗浄ステップＳ５は、吸着ステージ８とは異なる洗浄ステージ上で実施してもよい。この場合、第１切削工程における切削後、吸着ステージ８から洗浄ステージにウエハ１を移動させ、次のウエハ１の切削と同時に洗浄を行うことができる。これにより、生産効率を向上させることができる。続いて、吸着ステージ８を高速回転させてウエハ１を乾燥させる。
【００３８】
図７ａ、図７ｂは、それぞれ実施の形態１による、第２ダイシングテープを貼付する第２貼付工程、及び第１ダイシングテープの剥離工程を説明する説明図を示す。
第２貼付工程Ｓ６では、切削したデバイス面に、マウンタを用いて第２ダイシングテープ１７を貼付する。また、剥離工程Ｓ７では、ウエハ１に紫外線を照射する等により、第１ダイシングテープ７の粘着材を硬化させる。これにより、第１ダイシングテープ７とウエハ１との接着力を低下させ、第１ダイシングテープ７をウエハ１から剥離する。
【００３９】
ここで、第２貼付工程Ｓ６及び剥離工程Ｓ７では、第２貼付工程Ｓ６を先に実施することが好ましい。つまり、第１ダイシングテープ７の剥離前に、ウエハ１の裏面を第１ダイシングテープ７で保持した状態で、ウエハ１のデバイス面に第２ダイシングテープ１７を貼付し、続いて第１ダイシングテープ７を裏面から剥離する。これにより、ウエハ１のハンドリングが容易になるため、第２ダイシングテープ１７を貼付する際に生じる可能性がある、ウエハ１の割れを防止することが可能である。
【００４０】
図８は、実施の形態１による第２切削工程を説明する説明図を示す。
第２切削工程Ｓ８では、まず、真空ポンプ３０に接続された吸着ステージ８上にウエハ１を載置し、第２ダイシングテープ１７越しにウエハ１を吸着して固定する。続いて、第１切削工程Ｓ４と同様に、ウエハ１の裏面側に設けられた画像処理装置２０によってビアホール１０を認識し、スクライブライン領域３上に第２ダイシングブレード１６を正確に配置する。第２ダイシングブレード１６を用いて、スクライブライン領域３に沿って切削を行う。
【００４１】
続いて、第２ダイシングブレード１６を必要な位置までウエハ１に近づけて、数万ｒｐｍの速度で高速回転させる。この際、吸着ステージ８ごとウエハ１を前後に移動させて、スクライブライン領域３を切削する。切削したスクライブライン領域３と平行に設けられたスクライブライン領域を全て切削し、続いて、ステージを９０度回転し、切削したスクライブライン領域に対して９０度傾いて設けられたスクライブライン領域の切削を同様に行う。
【００４２】
続いて、第２ダイシングブレード１６を用いて、裏面側から、第１切削工程Ｓ４で設けた溝部に達するまでウエハ１を切削する。ここで、第２ダイシングブレード１６は、第１切削工程Ｓ３で用いた第１ダイシングブレード６よりも小さい厚さを有するものを使用する。
【００４３】
第２ダイシングブレード１６の厚さは、切削するウエハ１の厚さやスクライブライン領域３の幅、及び第１ダイシングブレード６の厚さ等の要因を考慮して決定する。例えば、ウエハ１の厚さが３００μｍ以下で、スクライブライン領域３の幅が５０μｍの場合、第１ダイシングブレード６の厚さを３０〜４０μｍとし、第２ダイシングブレード１６の厚さは、第１ダイシングブレード６より２〜２０μｍ程度小さくすることができる。
【００４４】
吸着ステージ８から第２ダイシングブレード１６までの距離は、完全にスクライブライン領域３を切削しきり、ウエハ１を半導体装置に分離できる距離に調整する。かかる距離の調整は、画像処理装置２０を使用して実施する。距離の調整には微小な誤差が生じる場合がある。それゆえ、完全にウエハ１を半導体装置に分離可能な位置から、適当な距離だけ大きく切削することが好ましい。
【００４５】
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の効果を説明する。
本実施形態によれば、第２切削工程Ｓ８でウエハ１を切削する際、ウエハ１のデバイス面及び裏面から離れた位置でウエハ１を半導体装置に分離する。それゆえ、ウエハ１のデバイス面又は裏面でチッピングが発生する確率を低減することができる。
【００４６】
また、第２切削工程Ｓ８では、第１ダイシングブレード６より小さい厚さを有する第２ダイシングブレード１６を用いてウエハ１を半導体装置に分離するため、第２ダイシングブレード１６の切削抵抗を減少させることができる。それゆえ、チッピングが発生する確率をさらに低減することができる。
【００４７】
また、第１切削工程Ｓ４及び第２切削工程Ｓ８でウエハ１を切削する際、ダイシングブレード６，１６がダイシングテープ７，１７と接触することがない。それゆえ、過度の切削によりダイシングテープを破ることがなく、スクライブライン領域３を完全に切断可能である。また、この際、切削の深さに高い精度が要求されることはない。つまり、第１切削工程Ｓ４で切削の深さにずれが生じた場合でも、第２切削工程Ｓ８で、完全にウエハ１を半導体装置に分離可能な位置から、適当な距離だけ大きく切削することでずれを補償することができる。また、第２切削工程Ｓ８では、半導体装置への分離後に、第２ダイシングブレード１６から第２ダイシングテープ１７までの距離を充分大きくすることができる。それゆえ、容易に、かつ確実にウエハ１を半導体装置に分離することができる。
【００４８】
また、マーキング工程Ｓ１では、研削工程Ｓ２での仕上げ厚さを超える深さまでビアホール１０を作成するため、研削によりビアホール１０がウエハ１の裏面に露出する。それゆえ、研削工程Ｓ２において、ビアホール１０を研削の位置決めとして使用可能である。また、ビアホール１０はウエハ１のデバイス面に作成するので、ビアホール１０を第１切削工程Ｓ３において位置決めとして使用可能である。
【００４９】
一般に、研削後のウエハの裏面は、研削された状態、或いは金属膜が形成された状態であり、位置決めとなるものが存在しない。本実施形態では、マーキング工程Ｓ１で、ビアホール１０を裏面側に露出させる。それゆえ、第２切削工程Ｓ８においても、ビアホール１０を位置決めとして使用することができる。
【００５０】
また、マーキング工程Ｓ１では、ウエハ１にデバイス領域２を形成する際のエッチング等と同時にビアホール１０を作成する。それゆえ、デバイス領域２の形成時に作成したビアホール１０の厚さが不充分であった場合のみ、更なるエッチングを実施すればよく、生産性が向上する。
【００５１】
一般に、ダイシングテープとウエハとの接着が不充分な場合、ダイシングブレードに大きいぶれや振動が生じ、チッピングの原因となる可能性がある。本実施形態では、第１貼付工程で、ウエハ１のデバイス面側に第１ダイシングテープ７を貼付し、第２切削工第２貼付工程Ｓ７で、ウエハ１の裏面側に第２ダイシングテープ１７を貼付している。それゆえ、ダイシングテープ７，１７とウエハ１とを確実に接着させることができ、チッピングが生じる可能性をさらに低減することができる。
【００５２】
本実施形態では、デバイス領域２が形成されたウエハ１のデバイス面側を切削した後に、ウエハ１の裏面側を切削する方法について説明したが、ウエハ１の裏面側を切削した後にウエハ１のデバイス面側を切削してもよい。
【００５３】
この場合、第１貼付工程Ｓ３では、第１ダイシングテープ７をデバイス面側に貼付する。続いて、第１切削工程Ｓ４では、裏面側から切削し、溝部を設ける。続いて、第２貼付工程Ｓ６では、第２ダイシングテープ１７を裏面側に貼付し、剥離工程Ｓ７では、第１ダイシングテープ７をデバイス面側から剥離する。第２切削工程Ｓ８では、デバイス面側から、第１切削工程Ｓ４で設けた溝部まで切削する。
【００５４】
また、本発明では、第１切削工程Ｓ４又は第２切削工程Ｓ８の際に、１つのダイシングブレードを用いて切削を行ったが、さらに多くのダイシングブレードを同時に用いて切削を行うことも可能である。例えば、２つのダイシングブレードを有するデュアルスピンドルダイサーで切削を行う場合、１つのスクライブライン領域３を２つのダイシングブレードで同時に切削することが可能であり、或いは、２つのスクライブライン領域３を２つのダイシングブレードで同時に切削することも可能である。これらにより、生産効率をさらに向上させることができる。
【００５５】
実施の形態２．
図９は、実施の形態２による第１切削工程を説明する説明図を示す。
実施形態２では、第１切削工程Ｓ４で第１ダイシングテープ７を使用しない点で、実施形態１と異なる。つまり、本実施形態では、切削工程Ｓ２の後、第１貼付工程Ｓ３及び剥離工程Ｓ７を実施せず、第１切削工程Ｓ４を実施する。その他の構成は実施形態１と同様であり、同一の符号を付して説明を省略する。
【００５６】
図９に示すように、第１切削工程Ｓ４では、ウエハ１の裏面を直接吸着ステージ８によって保持し、デバイス面側から切削する。この際、ダイシングテープを用いてウエハ１を保持する場合よりも、真空ポンプ３０による吸引力を大きくし、ウエハ１を確実に保持することによって、チッピングが生じる可能性を低減することができる。
【００５７】
一般に、ウエハの一面のみから切削する半導体装置の製造方法では、ダイシングテープを貼付せずに切削した場合、ダイシングブレードを吸着ステージ等と接触させないでウエハを半導体装置に分離するのは、ダイシングブレードの位置の誤差や振動を考慮すると非常に難しい。
【００５８】
一方、本実施形態による半導体装置の製造方法では、第１切削工程Ｓ４においてウエハ１の厚さの一部のみを切削するため、ダイシングテープを貼付せずに切削可能である。それゆえ、本実施形態による半導体装置の製造方法では、第１ダイシングテープ７の貼付及び剥離に必要な時間を省くことができる。
【００５９】
実施の形態３．
以下、実施形態３の構成のうち、実施形態１と異なる部分のみを説明する。その他の構成は実施形態１と同様であり、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１では、研削工程Ｓ２において、ウエハ１のデバイス面に表面保護テープ４０又はガラス基板（以下、表面保護テープ４０等）を貼付してウエハ１を保持し、研削後、ウエハ１のデバイス面から表面保護テープ４０等を剥離した。
【００６０】
一方、本実施形態では、研削工程Ｓ２後に表面保護テープ４０等を剥離しない。この場合、裏面に表面保護テープ４０等を貼付した状態では、金属膜を形成することはできない。それゆえ、表面保護テープ４０等の剥離後に、ウエハ１の裏面に金属膜を形成する。また、本実施形態では、第１貼付工程Ｓ３を実施しない。
【００６１】
図１０は、実施の形態３による第１切削工程を説明する説明図を示す。
図１０に示すように、本実施形態では、第１ダイシングテープ７を貼付せず、表面保護テープ４０等をデバイス面に貼付した状態で切削を実施する。それゆえ、第１切削工程Ｓ４では、ウエハ１のデバイス面を吸着ステージ８によって保持し、ウエハ１の裏面側から切削を実施する。
【００６２】
図１１ａは、実施の形態３による第２ダイシングテープ１７を貼付する第２貼付工程を説明する説明図を示し、図１１ｂは、剥離工程を説明する説明図を示す。
第２貼付工程Ｓ６では、切削したウエハ１の裏面に、マウンタを用いて第２ダイシングテープ１７を貼付する。続いて、剥離工程Ｓ７では、表面保護テープ４０等をウエハ１のデバイス面から剥離する。かかる剥離は、例えば剥離テープを使用して機械的に行うことができる。ここで、剥離工程Ｓ７を先に実施し、第２貼付工程Ｓ６を続いて実施してもよい。
【００６３】
図１２は、実施の形態３による第２切削工程を説明する説明図を示す。
第２切削工程Ｓ８では、ウエハ１の裏面を吸着ステージ８によって保持し、ウエハ１のデバイス面側から切削を実施する。
【００６４】
本実施形態による半導体装置の製造方法では、第１貼付工程Ｓ３を実施しないため、第１ダイシングテープ７の貼付に必要な時間を省くことができる。
【００６５】
また、ウエハ１のデバイス面に表面保護シート２０等を貼付して第１切削工程Ｓ４を実施することによって、切削により生じる破片等がデバイス領域２に付着することがない。それゆえ、デバイス領域２の清浄度を保持することができる。
【００６６】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明に係る半導体装置の製造方法は、実施の形態で説明した方法に限定されるものではなく、種々の改良及び設計上の変更が可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１  ウエハ、  ２  デバイス形成領域、  ３  スクライブライン領域、  ４  レジスト、  ５  フォトマスク、  ６  第１ダイシングブレード、  ７  第１ダイシングテープ、  ８  吸着ステージ、  ９  金属リング、  １０  ビアホール、  １６  第２ダイシングブレード、  １７  第２ダイシングテープ、  ２０  画像処理装置、  ３０  真空ポンプ、  ４０  表面保護テープ
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１ａ】
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【図１１ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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