(57)【要約】【課題】活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる接合ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、接合体を形成し、面内複数個所の活性層の厚さを測定する。活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である必要取り代を算出し、かつ、活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である限界取り代を算出する。必要取り代、限界取り代および研磨レートから必要研磨時間と限界研磨時間を算出し、この間の研磨時間で接合体を研磨する。【選択図】図１
2013077770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持用ウェーハと活性層用ウェーハを準備する工程と、
支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、接合体を形成する工程と、
前記接合体の活性層用ウェーハ側を加工し、活性層を形成する工程と、
前記接合体の面内複数の測定箇所で前記活性層の厚さを測定する活性層膜厚測定工程と、
前記活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である必要取り代を算出し、かつ、前記活性層の厚さの最小値から前記活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である限界取り代を算出する取り代算出工程と、
あらかじめ準備される研磨レートで前記必要取り代を除すことで必要研磨時間を算出し、かつ、前記研磨レートで前記限界取り代を除すことで限界研磨時間を算出する研磨時間算出工程と、
前記必要研磨時間と前記限界研磨時間の間の所定の時間で前記活性層を研磨する研磨工程と、
を備えることを特徴とする接合ウェーハの製造方法。
【請求項２】
支持用ウェーハと活性層用ウェーハを準備する工程と、
支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、接合体を形成する工程と、
前記接合体の活性層用ウェーハ側を加工し、活性層を形成する工程と、
前記接合体の面内複数の測定箇所で前記活性層の厚さを測定する第１の活性層膜厚測定工程と、
第１の活性層膜厚測定工程の結果に基づき、前記活性層の厚さの最大値から、活性層規格値の最大値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最大プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値に所定のマージンを上乗せした規格プラス値を満たすために最低限必要な研磨量である第１の必要取り代を算出し、かつ、前記活性層の厚さの最小値から前記活性層規格値の最小値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最小プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記規格プラス値を満たすために最大限許容される研磨量である第１の限界取り代を算出する第１の取り代算出工程と、
あらかじめ準備される研磨レートで前記第１の必要取り代を除すことで第１の必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで前記第１の限界取り代を除すことで第１の限界研磨時間を算出する第１の研磨時間算出工程と、
前記第１の必要研磨時間と前記第１の限界研磨時間の間の所定の時間で前記活性層を研磨する第１の研磨工程と、
前記接合体の面内複数の測定箇所で前記活性層の厚さを測定する第２の活性層膜厚測定工程と、
第２の活性層膜厚測定工程の結果に基づき、前記活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である第２の必要取り代を算出し、かつ、前記活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である第２の限界取り代を算出する取り代算出工程と、
あらかじめ準備される研磨レートで前記第２の必要取り代を除すことで第２の必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで前記第２の限界取り代を除すことで第２の限界研磨時間を算出する第２の研磨時間算出工程と、
前記第２の必要研磨時間と前記第２の限界研磨時間の間の所定の時間で前記活性層を研磨する第２の研磨工程と、
を備えることを特徴とする接合ウェーハの製造方法。
【請求項３】
複数の支持用ウェーハと複数の活性層用ウェーハを準備する工程と、
前記支持用ウェーハと前記活性層用ウェーハとを接合し、複数の接合体を形成する工程と、
前記接合体の活性層用ウェーハ側を加工し、活性層を形成する工程と、
前記接合体の厚さを測定する工程と、
前記接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する活性層膜厚測定工程と、
それぞれの前記接合体について、前記活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である必要取り代を算出し、かつ、前記活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である限界取り代を算出する取り代算出工程と、
前記接合体の厚さの差が０．５μｍ以内、前記必要取り代の差が０．２μｍ以内におさまるよう選別された複数の前記接合体を同一の研磨用プレートに張り付ける工程と、
前記同一の研磨用プレートに張り付けられた前記接合体について前記必要取り代の最大値である最大必要取り代を抽出し、かつ、前記限界取り代の最小値である最小限界取り代を抽出する取り代抽出工程と、
あらかじめ準備される研磨レートで前記最大必要取り代を除すことで必要研磨時間を算出し、かつ、前記研磨レートで前記最小限界取り代を除すことで限界研磨時間を算出する研磨時間算出工程と、
前記必要研磨時間と前記限界研磨時間の間の所定の時間で前記活性層を研磨する研磨工程と、
を備えることを特徴とする接合ウェーハの製造方法。
【請求項４】
複数の支持用ウェーハと複数の活性層用ウェーハを準備する工程と、
前記支持用ウェーハと前記活性層用ウェーハとを接合し、複数の接合体を形成する工程と、
前記接合体の活性層用ウェーハ側を加工し、活性層を形成する工程と、
前記接合体の厚さを測定する工程と、
前記接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する第１の活性層膜厚測定工程と、
前記第１の活性層膜厚測定工程の結果に基づき、それぞれの前記接合体について前記活性層の厚さの最大値から、活性層規格値の最大値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最大プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値に所定のマージンを上乗せした規格プラス値を満たすために最低限必要な研磨量である第１の必要取り代を算出し、かつ、前記活性層の厚さの最小値から前記活性層規格値の最小値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最小プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記規格プラス値を満たすために最大限許容される研磨量である第１の限界取り代を算出する第１の取り代算出工程と、
前記接合体の厚さの差が０．５μｍ以内、前記第１の必要取り代の差が０．２μｍ以内におさまるよう選別された複数の前記接合体を同一の研磨用プレートに張り付ける工程と、
前記同一の研磨用プレートに張り付けられた前記接合体について前記第１の必要取り代の最大値である第１の最大必要取り代を抽出し、かつ、前記第１の限界取り代の最小値である第１の最小限界取り代を抽出する第１の取り代抽出工程と、
あらかじめ準備される研磨レートで前記第１の最大必要取り代を除すことで第１の必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで前記第１の最小限界取り代を除すことで第１の限界研磨時間を算出する第１の研磨時間算出工程と、
前記第１の必要研磨時間と前記第１の限界研磨時間の間の所定の時間で前記活性層を研磨する第１の研磨工程と、
前記接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する第２の活性層膜厚測定工程と、
前記第２の活性層膜厚測定工程に基づき、それぞれの前記接合体について前記活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である第２の必要取り代を算出し、かつ、前記活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である第２の限界取り代を算出する第２の取り代算出工程と、
前記同一の研磨用プレートに張り付けられた前記接合体について前記第２の必要取り代の最大値である第２の最大必要取り代を抽出し、かつ、前記第２の限界取り代の最小値である第２の最小限界取り代を抽出する第２の取り代抽出工程と、
あらかじめ準備される研磨レートで前記第２の最大必要取り代を除すことで第２の必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで前記第２の最小限界取り代を除すことで第２の限界研磨時間を算出する第２の研磨時間算出工程と、
前記第２の必要研磨時間と前記第２の限界研磨時間の間の所定の時間で前記活性層を研磨する第２の研磨工程と、
を備えることを特徴とする接合ウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合ウェーハの製造方法に関し、特に、活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる接合ウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
直接的に又は絶縁膜を介して、単結晶シリコンからなる支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合して得られる接合ウェーハは、活性層の厚さを所望の規格内に制御することが要求されている。
【０００３】
このような要求に対し、ＳＯＩウェーハの活性層の厚さを２ステップの研磨で追い込むことにより活性層の厚さの制御性を高める方法が開示されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１０１０５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
もっとも、ＳＯＩウェーハを用いて製造されるデバイスの微細化や高性能化にともない、活性層の厚さには、さらに厳しい規格が要求されるようになってきている。このため、より活性層の厚さの制御性に優れた接合ウェーハの製造方法が求められている。
【０００６】
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる接合ウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様の接合ウェーハの製造方法は、支持用ウェーハと活性層用ウェーハを準備する工程と、支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、接合体を形成する工程と、前記接合体の活性層用ウェーハ側を加工し、活性層を形成する工程と、前記接合体の面内複数の測定箇所で前記活性層の厚さを測定する活性層膜厚測定工程と、前記活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である必要取り代を算出し、かつ、前記活性層の厚さの最小値から前記活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である限界取り代を算出する取り代算出工程と、あらかじめ準備される研磨レートで前記必要取り代を除すことで必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで前記限界取り代を除すことで限界研磨時間を算出する研磨時間算出工程と、前記必要研磨時間と前記限界研磨時間の間の所定の時間で前記活性層を研磨する研磨工程と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の態様の接合ウェーハの製造方法は、支持用ウェーハと活性層用ウェーハを準備する工程と、支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、接合体を形成する工程と、前記接合体の活性層用ウェーハ側を加工し、活性層を形成する工程と、前記接合体の面内複数の測定箇所で前記活性層の厚さを測定する第１の活性層膜厚測定工程と、第１の活性層膜厚測定工程の結果に基づき、前記活性層の厚さの最大値から、活性層規格値の最大値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最大プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値に所定のマージンを上乗せした規格プラス値を満たすために最低限必要な研磨量である第１の必要取り代を算出し、かつ、前記活性層の厚さの最小値から前記活性層規格値の最小値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最小プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記規格プラス値を満たすために最大限許容される研磨量である第１の限界取り代を算出する第１の取り代算出工程と、あらかじめ準備される研磨レートで前記第１の必要取り代を除すことで第１の必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで前記第１の限界取り代を除すことで第１の限界研磨時間を算出する第１の研磨時間算出工程と、前記第１の必要研磨時間と前記第１の限界研磨時間の間の所定の時間で前記活性層を研磨する第１の研磨工程と、前記接合体の面内複数の測定箇所で前記活性層の厚さを測定する第２の活性層膜厚測定工程と、第２の活性層膜厚測定工程の結果に基づき、前記活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である第２の必要取り代を算出し、かつ、前記活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である第２の限界取り代を算出する取り代算出工程と、あらかじめ準備される研磨レートで前記第２の必要取り代を除すことで第２の必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで前記第２の限界取り代を除すことで第２の限界研磨時間を算出する第２の研磨時間算出工程と、
前記第２の必要研磨時間と前記第２の限界研磨時間の間の所定の時間で前記活性層を研磨する第２の研磨工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明の第３の態様の接合ウェーハの製造方法は、複数の支持用ウェーハと複数の活性層用ウェーハを準備する工程と、前記支持用ウェーハと前記活性層用ウェーハとを接合し、複数の接合体を形成する工程と、前記接合体の活性層用ウェーハ側を加工し、活性層を形成する工程と、前記接合体の厚さを測定する工程と、前記接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する活性層膜厚測定工程と、それぞれの前記接合体について前記活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である必要取り代を算出し、かつ、前記活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である限界取り代を算出する取り代算出工程と、前記接合体の厚さの差が０．５μｍ以内、前記必要取り代の差が０．２μｍ以内におさまるよう選別された複数の前記接合体を同一の研磨用プレートに張り付ける工程と、前記同一の研磨用プレートに張り付けられた前記接合体について前記必要取り代の最大値である最大必要取り代を抽出し、かつ、前記限界取り代の最小値である最小限界取り代を抽出する取り代抽出工程と、あらかじめ準備される研磨レートで前記最大必要取り代を除すことで必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで前記最小限界取り代を除すことで限界研磨時間を算出する研磨時間算出工程と、前記必要研磨時間と前記限界研磨時間の間の所定の時間で前記活性層を研磨する研磨工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明の第４の態様の接合ウェーハの製造方法は、複数の支持用ウェーハと複数の活性層用ウェーハを準備する工程と、前記支持用ウェーハと前記活性層用ウェーハとを接合し、複数の接合体を形成する工程と、前記接合体の活性層用ウェーハ側を加工し、活性層を形成する工程と、前記接合体の厚さを測定する工程と、前記接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する第１の活性層膜厚測定工程と、前記第１の活性層膜厚測定工程の結果に基づき、それぞれの前記接合体について前記活性層の厚さの最大値から、活性層規格値の最大値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最大プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値に所定のマージンを上乗せした規格プラス値を満たすために最低限必要な研磨量である第１の必要取り代を算出し、かつ、前記活性層の厚さの最小値から前記活性層規格値の最小値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最小プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記規格プラス値を満たすために最大限許容される研磨量である第１の限界取り代を算出する第１の取り代算出工程と、前記接合体の厚さの差が０．５μｍ以内、前記第１の必要取り代の差が０．２μｍ以内におさまるよう選別された複数の前記接合体を同一の研磨用プレートに張り付ける工程と、前記同一の研磨用プレートに張り付けられた前記接合体について前記第１の必要取り代の最大値である第１の最大必要取り代を抽出し、かつ、前記第１の限界取り代の最小値である第１の最小限界取り代を抽出する第１の取り代抽出工程と、あらかじめ準備される研磨レートで前記第１の最大必要取り代を除すことで第１の必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで前記第１の最小限界取り代を除すことで第１の限界研磨時間を算出する第１の研磨時間算出工程と、前記第１の必要研磨時間と前記第１の限界研磨時間の間の所定の時間で前記活性層を研磨する第１の研磨工程と、前記接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する第２の活性層膜厚測定工程と、前記第２の活性層膜厚測定工程に基づき、それぞれの前記接合体について前記活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である第２の必要取り代を算出し、かつ、前記活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが前記活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である第２の限界取り代を算出する第２の取り代算出工程と、前記同一の研磨用プレートに張り付けられた前記接合体について前記第２の必要取り代の最大値である第２の最大必要取り代を抽出し、かつ、前記第２の限界取り代の最小値である第２の最小限界取り代を抽出する第２の取り代抽出工程と、あらかじめ準備される研磨レートで前記第２の最大必要取り代を除すことで第２の必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで前記第２の最小限界取り代を除すことで第２の限界研磨時間を算出する第２の研磨時間算出工程と、前記第２の必要研磨時間と前記第２の限界研磨時間の間の所定の時間で前記活性層を研磨する第２の研磨工程と、を備えることを特徴とす��。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる接合ウェーハの製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施の形態の接合ウェーハの製造方法を示す工程フロー図である。
【図２】第１の実施の形態の接合体の測定箇所の一例を示す上面図である。
【図３】第２の実施の形態の接合ウェーハの製造方法を示す工程フロー図である。
【図４】第３の実施の形態の接合ウェーハの製造方法を示す工程フロー図である。
【図５】第３の実施の形態の研磨工程に用いられる研磨装置の一例を示す概念図である。
【図６】第３の実施の形態の研磨用プレートに接合体が複数枚貼り付けられた状態の一例を示す上面図である。
【図７】第３の実施の形態の第２の活性層膜厚測定工程で用いられる活性層の厚さを光学的に測定する測定装置の一例を示す概念図である。
【図８】第３の実施の形態の研磨用プレートに接合体が複数枚貼り付けられた状態における接合体の測定箇所の一例を示す上面図である。
【図９】第４の実施の形態の接合ウェーハの製造方法を示す工程フロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１４】
（第１の実施の形態）
本実施の形態の接合ウェーハの製造方法は、支持用ウェーハと活性層用ウェーハを準備する工程と、支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、接合体を形成する工程と、接合体の活性層用ウェーハ側を加工し、活性層を形成する工程と、接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する活性層膜厚測定工程と、活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である必要取り代を算出し、かつ、活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である限界取り代を算出する取り代算出工程と、あらかじめ準備される研磨レートで必要取り代を除すことで必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで限界取り代を除すことで限界研磨時間を算出する研磨時間算出工程と、必要研磨時間と限界研磨時間の間の所定の時間で活性層を研磨する研磨工程と、を備える。
【００１５】
図１は、本実施の形態の接合ウェーハの製造方法を示す工程フロー図である。本実施の形態は、研磨工程に枚葉式の研磨装置を用いた接合ウェーハの製造方法である。
【００１６】
本実施の形態の接合ウェーハの製造方法は、図１に示すように、ウェーハ準備工程（Ｓ１０１）、接合体形成工程（Ｓ１０２）、活性層形成工程（Ｓ１０３）、活性層膜厚測定工程（Ｓ１０４）、取り代算出工程（Ｓ１０５）、研磨時間算出工程（Ｓ１０６）、研磨工程（Ｓ１０７）を備える。
【００１７】
ウェーハ準備工程（Ｓ１０１）では、例えば、直径が５インチ（１２５ｍｍ）で厚さが６００μｍ〜８００μｍのシリコン単結晶からなる支持用ウェーハと、酸素濃度や抵抗値等が制御された、例えば、直径が５インチ（１２５ｍｍ）で厚さ６００μｍ〜８００μｍのシリコン単結晶からなる活性層用ウェーハを準備する。
【００１８】
接合体形成工程（Ｓ１０２）では、支持用ウェーハと活性層用ウェーハを接合して一枚の接合体を形成する。支持用ウェーハと活性層用ウェーハとの接合は周知の方法により行う。例えば、支持用ウェーハと活性層用ウェーハの各々の鏡面研磨された面同士を重ね合わせて仮接合した後、高温処理（例えば、１１００℃）を施すことにより、仮接合した面を強固に接合することで行う。
【００１９】
活性層形成工程（Ｓ１０３）では、接合体形成工程（Ｓ１０２）で得られた接合体に対して、最初に、外周部の未接着部を除去するための外周研削（接合体の小径化、例えば５インチから４インチ）を行った後に、接合体の活性層用ウェーハ側を、例えば、片面研削加工を行うことで活性層用ウェーハを薄膜化して、活性層を形成する。
【００２０】
なお、この時点での活性層の厚さは、活性層の厚さ規格（活性層規格値）の中心値（例えば、活性層規格値が６．０±１．０μｍである場合には、６．０μｍ）に、後述する研磨工程（Ｓ１０７）における研磨取代を加えた値であり、例えば、規格の中心値が６．０μｍである場合には、２０μｍ〜２５μｍ程度の厚さである。
【００２１】
活性層膜厚測定工程（Ｓ１０４）では、接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する。図２は、接合体の測定箇所の一例を示す上面図である。例えば、図２に示すように接合体２０の中心１箇所（Ｐ１）と、周辺４箇所（Ｐ２〜Ｐ５）の計５箇所の測定箇所で活性層の厚さを測定する。活性層の厚さの測定は、例えば、光干渉式の膜厚測定装置を用いて行う。
【００２２】
取り代算出工程（Ｓ１０５）では、活性層膜厚測定工程（Ｓ１０４）で得られる活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である必要取り代を算出する。
（必要取り代）＝（活性層の厚さの最大値）−（活性層規格値の最大値）
である。ここで、活性層規格値とは、研磨後最終的に活性層厚さに要求される規格値であり、中心値に対し一定の公差を備える値である。
【００２３】
また、取り代算出工程（Ｓ１０５）では、活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である限界取り代を算出する。
（限界取り代）＝（活性層の厚さの最小値）−（活性層規格値の最小値）
である。
【００２４】
研磨時間算出工程（Ｓ１０６）では、あらかじめ準備される研磨レートで必要取り代を除すことで第１の必要研磨時間を算出する。
（必要研磨時間）＝（必要取り代）÷（研磨レート）
である。
【００２５】
研磨レートは、例えば、先に行われた研磨における研磨量と研磨時間からあらかじめ準備することが可能である。
【００２６】
また、あらかじめ準備される研磨レートで限界取り代を除すことで限界研磨時間を算出する。
（限界研磨時間）＝（限界取り代）÷（研磨レート）
である。
【００２７】
研磨工程（Ｓ１０７）では、枚葉式の研磨装置を用いて接合体を研磨する。この時、研磨時間算出工程（Ｓ１０６）で算出される必要研磨時間と限界研磨時間の間の所定の時間で活性層を研磨する。所定の時間は、例えば、必要研磨時間であってもよいし、必要研磨時間と限界研磨時間の平均値であってもかまわない。
【００２８】
本実施の形態の接合ウェーハの製造方法では、複数の測定箇所における活性層の厚さの測定値と活性層規格値から、必要取り代と限界取り代を求める。そして、この必要取り代と限界取り代から研磨時間を決定する。すなわち、本実施の形態によれば、面内複数個所での研磨前の活性層の厚さのばらつきを考慮し、すべての箇所で研磨後の活性層の厚さが規格内におさまるよう研磨時間が決定される。このため、本実施の形態の接合ウェーハの製造方法によれば、活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる接合ウェーハの製造方法を提供することが可能となる。よって、研磨歩留りが向上する。
【００２９】
（第２の実施の形態）
本実施の形態の接合体ウェーハの製造方法は、支持用ウェーハと活性層用ウェーハを準備する工程と、支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、接合体を形成する工程と、接合体の活性層用ウェーハ側を加工し、活性層を形成する工程と、接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する第１の活性層膜厚測定工程と、第１の活性層膜厚測定工程の結果に基づき、活性層の厚さの最大値から、活性層規格値の最大値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最大プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値に所定のマージンを上乗せした規格プラス値を満たすために最低限必要な研磨量である第１の必要取り代を算出し、かつ、活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最小プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが規格プラス値を満たすために最大限許容される研磨量である第１の限界取り代を算出する第１の取り代算出工程と、あらかじめ準備される研磨レートで第１の必要取り代を除すことで第１の必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで第１の限界取り代を除すことで第１の限界研磨時間を算出する第１の研磨時間算出工程と、第１の必要研磨時間と第１の限界研磨時間の間の所定の時間で活性層を研磨する第１の研磨工程と、を備える。さらに、接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する第２の活性層膜厚測定工程と、第２の活性層膜厚測定工程の結果に基づき、活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である第２の必要取り代を算出し、かつ、活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である第２の限界取り代を算出する取り代算出工程と、あらかじめ準備される研磨レートで第２の必要取り代を除すことで第２の必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで第２の限界取り代を除すことで第２の限界研磨時間を算出する第２の研磨時間算出工程と、第２の必要研磨時間と第２の限界研磨時間の間の所定の時間で活性層を研磨する第２の研磨工程と、を備える。
【００３０】
本実施の形態の接合ウェーハの製造方法は、活性層規格値を狙った研磨の前に、活性層規格値所定のマージンを上乗せした規格プラス値を狙った研磨を行う２ステップの研磨方式である点で、第１の実施の形態と異なっている。以下、第１の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００３１】
図３は、本実施の形態の接合ウェーハの製造方法を示す工程フロー図である。本実施の形態は、研磨工程に枚葉式の研磨装置を用いた接合ウェーハの製造方法である。
【００３２】
本実施の形態の接合ウェーハの製造方法は、図３に示すように、ウェーハ準備工程（Ｓ２０１）、接合体形成工程（Ｓ２０２）、活性層形成工程（Ｓ２０３）、第１の活性層膜厚測定工程（Ｓ２０４）、第１の取り代算出工程（Ｓ２０５）、第１の研磨時間算出工程（Ｓ２０６）、第１の研磨工程（Ｓ２０７）、第２の活性層膜厚測定工程（Ｓ２０８）、第２の取り代算出工程（Ｓ２０９）、第２の研磨時間算出工程（Ｓ２１０）、第２の研磨工程（Ｓ２１１）を備える。
【００３３】
ウェーハ準備工程（Ｓ２０１）、接合体形成工程（Ｓ２０２）、活性層形成工程（Ｓ２０３）、第１の活性層膜厚測定工程（Ｓ２０４）については、第１の実施の形態のウェーハ準備工程（Ｓ１０１）、接合体形成工程（Ｓ１０２）、活性層形成工程（Ｓ１０３）、活性層膜厚測定工程（Ｓ１０４）とそれぞれ同様であるので、記述を省略する。
【００３４】
第１の取り代算出工程（Ｓ２０５）では、第１の活性層膜厚測定工程（Ｓ２０４）の結果に基づき、活性層の厚さの最大値から、活性層規格値の最大値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最大プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値に所定のマージンを上乗せした規格プラス値を満たすために最低限必要な研磨量である第１の必要取り代を算出する。
（第１の必要取り代）＝（活性層の厚さの最大値）−（活性層規格最大プラス値）
である。
【００３５】
例えば、活性層規格値が６．０±１．０μｍであり、所定のマージンを１．０μｍとすると、規格プラス値は７．０±１．０μｍ、活性層規格最大プラス値は、８．０（＝７．０＋１．０）μｍである。
【００３６】
また、第１の取り代算出工程（Ｓ２０５）では、第１の活性層膜厚測定工程（Ｓ２０４）の結果に基づき、活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最小プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが規格プラス値を満たすために最大限許容される研磨量である第１の限界取り代を算出する。
（第１の限界取り代）＝（活性層の厚さの最大値）−（活性層規格最小プラス値）
である。
【００３７】
例えば、活性層規格値が６．０±１．０μｍであり、所定のマージンを１．０μｍとすると、活性層規格最小プラス値は、６．０（＝５．０＋１．０）μｍである。
【００３８】
第１の研磨時間算出工程（Ｓ２０６）では、あらかじめ準備される研磨レートで第１の必要取り代を除すことで第１の必要研磨時間を算出する。
（第１の必要研磨時間）＝（第１の必要取り代）÷（研磨レート）
である。
【００３９】
研磨レートは、例えば、先に行われた研磨における研磨量と研磨時間からあらかじめ準備することが可能である。
【００４０】
また、第１の研磨時間算出工程（Ｓ２０６）では、あらかじめ準備される研磨レートで第１の限界取り代を除すことで第１の限界研磨時間を算出する。
（第１の限界研磨時間）＝（第１の限界取り代）÷（研磨レート）
である。
【００４１】
研磨工程（Ｓ２０７）では、枚葉式の研磨装置を用いて接合体を研磨する。この時、研磨時間算出工程（Ｓ２０６）で算出される必要研磨時間と限界研磨時間の間の所定の時間で活性層を研磨する。所定の時間は、例えば、必要研磨時間であってもよいし、必要研磨時間と限界研磨時間の平均値であってもかまわない。
【００４２】
このように、本実施の形態では、第１のステップとなる第１の活性層膜厚測定工程（Ｓ２０４）〜第１の研磨工程（Ｓ２０７）で、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値に所定のマージンを上乗せした規格プラス値を満たすようにする。
【００４３】
その後、第２のステップとして、第２の活性層膜厚測定工程（Ｓ２０８）、第２の取り代算出工程（Ｓ２０９）、第２の研磨時間算出工程（Ｓ２１０）、第２の研磨工程（Ｓ２１１）を行う。これらの工程により、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすようにする。
【００４４】
第２の活性層膜厚測定工程（Ｓ２０８）、第２の取り代算出工程（Ｓ２０９）、第２の研磨時間算出工程（Ｓ２１０）、第２の研磨工程（Ｓ２１１）は、第１の実施の形態における、活性層膜厚測定工程（Ｓ１０４）、取り代算出工程（Ｓ１０５）、研磨時間算出工程（Ｓ１０６）、研磨工程（Ｓ１０７）とそれぞれ同様であるので記述を省略する。
【００４５】
本実施の形態によれば、２ステップの研磨により、活性層の厚さを所望の規格内に制御することがさらに容易になる。よって、研磨歩留りが一層向上する。
【００４６】
（第３の実施の形態）
本実施の形態の接合ウェーハの製造方法は、複数の支持用ウェーハと複数の活性層用ウェーハを準備する工程と、支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、複数の接合体を形成する工程と、接合体の活性層用ウェーハ側を加工し、活性層を形成する工程と、接合体の厚さを測定する工程と、接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する活性層膜厚測定工程と、それぞれの接合体について活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である必要取り代を算出し、かつ、活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である限界取り代を算出する取り代算出工程と、接合体の厚さの差が０．５μｍ以内、必要取り代の差が０．２μｍ以内におさまるよう選別された複数の接合体を同一の研磨用プレートに張り付ける工程と、同一の研磨用プレートに張り付けられた接合体について必要取り代の最大値である最大必要取り代を抽出し、かつ、限界取り代の最小値である最小限界取り代を抽出する取り代抽出工程と、あらかじめ準備される研磨レートで最大必要取り代を除すことで必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで最小限界取り代を除すことで限界研磨時間を算出する研磨時間算出工程と、必要研磨時間と限界研磨時間の間の所定の時間で活性層を研磨する研磨工程と、を備える。
【００４７】
図４は、本実施の形態の接合ウェーハの製造方法を示す工程フロー図である。本実施の形態は、研磨工程に、複数枚の接合体を同時に研磨するバッチ式の研磨装置を用いる接合ウェーハの製造方法である。
【００４８】
本実施の形態の接合ウェーハの製造方法は、図４に示すように、ウェーハ準備工程（Ｓ３０１）、接合体形成工程（Ｓ３０２）、活性層形成工程（Ｓ３０３）、接合体厚さ測定工程（Ｓ３０４）、第１の活性層膜厚測定工程（Ｓ３０５）、取り代算出工程（Ｓ３０６）、プレート張り付け工程（Ｓ３０７）、取り代抽出工程（Ｓ３０８）、研磨時間算出工程（Ｓ３０９）、研磨工程（Ｓ３１０）、第２の活性層膜厚測定工程（Ｓ３１１）を備える。
【００４９】
ウェーハ準備工程（Ｓ３０１）では、例えば、直径が５インチ（１２５ｍｍ）で厚さが６００μｍ〜８００μｍのシリコン単結晶からなる複数の支持用ウェーハと、酸素濃度や抵抗値等が制御された、例えば、直径が５インチ（１２５ｍｍ）で厚さ６００μｍ〜８００μｍのシリコン単結晶からなる複数の活性層用ウェーハを準備する。
【００５０】
ここで、複数の支持用ウェーハの厚さ仕分けを行ってもかまわない。厚さ仕分けは、例えば、支持用ウェーハの中心厚さの差が、０．５μｍ以内におさまるように仕分けする。
【００５１】
接合体形成工程（Ｓ３０２）では、支持用ウェーハと活性層用ウェーハを接合して複数の接合体を形成する。支持用ウェーハと活性層用ウェーハとの接合は周知の方法により行う。例えば、支持用ウェーハと活性層用ウェーハの各々の鏡面研磨された面同士を重ね合わせて仮接合した後、高温処理（例えば、１１００℃）を施すことにより、仮接合した面を強固に接合することで行う。
【００５２】
活性層形成工程（Ｓ３０３）では、接合体形成工程（Ｓ３０２）で得られた接合体に対して、最初に、外周部の未接着部を除去するための外周研削（接合体の小径化、例えば５インチから４インチ）を行った後に、接合体の活性層用ウェーハ側を、例えば、片面研削加工を行うことで活性層用ウェーハを薄膜化して、活性層を形成する。
【００５３】
なお、この時点での活性層の厚さは、活性層の厚さ規格（活性層規格値）の中心値（例えば、活性層規格値が６．０±１．０μｍである場合には、６．０μｍ）に、後述する研磨工程（Ｓ１０７）における研磨取代を加えた値であり、例えば、規格の中心値が６．０μｍである場合には、２０μｍ〜２５μｍ程度の厚さである。
【００５４】
接合体厚さ測定工程（Ｓ３０４）では、それぞれの接合体の厚さを測定する。接合体の厚さの測定は、例えば、静電容量式平坦度測定装置を用いて行う。測定は、例えば、接合体の中心１箇所で行う。
【００５５】
第１の活性層膜厚測定工程（Ｓ３０５）では、それぞれに接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する。例えば、図２に示すように中心１箇所（Ｐ１）と、周辺４箇所（Ｐ２〜Ｐ５）の計５箇所の測定箇所で活性層の厚さを測定する。活性層の厚さの測定は、例えば、一般的に使用されている周知の測定系（ＦＴ−ＩＲ）を用いることができる。
【００５６】
取り代算出工程（Ｓ３０６）では、それぞれの接合体について、第１の活性層膜厚測定工程（Ｓ３０５）で得られる活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である必要取り代を算出する。
（必要取り代）＝（活性層の厚さの最大値）−（活性層規格値の最大値）
である。ここで、活性層規格値とは、研磨後最終的に活性層厚さに要求される規格値であり、中心値に対し一定の公差を備える値である。
【００５７】
また、取り代算出工程（Ｓ３０６）では、活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である限界取り代を算出する。
（限界取り代）＝（活性層の厚さの最小値）−（活性層規格値の最小値）
である。
【００５８】
プレート張り付け工程（Ｓ３０７）では、接合体の厚さの差が０．５μｍ以内、かつ、必要取り代の差が０．２μｍ以内におさまるよう選別された複数の接合体を同一の研磨用プレートに張り付ける。
【００５９】
取り代抽出工程（Ｓ３０８）では、同一の研磨用プレートに張り付けられた接合体について必要取り代の最大値である最大必要取り代を抽出する。また、限界取り代の最小値である最小限界取り代を抽出する。
【００６０】
研磨時間算出工程（Ｓ３０９）では、あらかじめ準備される研磨レートで最大必要取り代を除すことで必要研磨時間を算出する。
（必要研磨時間）＝（最大必要取り代）÷（研磨レート）
である。
【００６１】
研磨レートは、例えば、先に行われた研磨における研磨量と研磨時間からあらかじめ準備することが可能である。
【００６２】
また、あらかじめ準備される研磨レートで最小限界取り代を除すことで限界研磨時間を算出する。
（限界研磨時間）＝（最小限界取り代）÷（研磨レート）
である。
【００６３】
研磨工程（Ｓ３１０）では、バッチ式の研磨装置を用いて接合体の活性層を研磨する。この際、研磨時間算出工程（Ｓ３０９）で算出される必要研磨時間と限界研磨時間の間の所定の時間で活性層を研磨する。所定の時間は、例えば、必要研磨時間であってもよいし、必要研磨時間と限界研磨時間の平均値であってもかまわない。
【００６４】
図５は、本実施の形態の研磨工程（Ｓ３１０）に用いられる研磨装置の一例を示す概念図である。また、図６は、研磨用プレートに接合体が複数枚貼り付けられた状態の一例を示す上面図である。
【００６５】
研磨工程（Ｓ３１０）では、図５、６に示すように、接合体２０の活性層２０ａ側を研磨面、支持部２０ｂ側を接着面として、接着剤等を介して、例えば、アルミナプレートからなる研磨用プレート１０の表面に複数枚の接合体２０を貼り付けた後、研磨用プレート１０を研磨ヘッド３０に固定する。その後、定盤４０に配設された研磨布５０上にノズル６０から研磨剤７０を供給し、研磨ヘッド３０を下降して接合体２０の活性層２０ａ側を研磨布５０に押し付けながら研磨ヘッド３０と定盤４０を同方向又は逆方向に回転させて行う。
【００６６】
この際、活性層２０ａにおける研磨レート（研磨時間に対する研磨量）の制御は、研磨ヘッド制御部８０による研磨ヘッド３０の回転数や研磨布５０への荷重の制御、定盤制御部９０による定盤４０の回転数の制御、研磨剤７０の流量や種類による制御等、周知の方法にて行う。  
【００６７】
第２の活性層膜厚測定工程（Ｓ３１１）では、研磨工程（Ｓ３１０）後、活性層の厚さ規格内であるかどうかを確認する。この際、第１の研磨工程（Ｓ３１０）で研磨された接合体を、研磨用プレートから剥離することなく、研磨用プレートに張り付けた状態で、活性層の厚さを測定する。
【００６８】
図７は、本実施の形態の第２の活性層膜厚測定工程（Ｓ３１１）で用いられる活性層の厚さを光学的に測定する測定装置の一例を示す概念図である。
【００６９】
接合体２０の活性層２０ａの測定は、図７に示すように、研磨された接合体２０を研磨用プレート１０に貼り付けた状態で、例えばステンレス製のＸ−Ｙステージ１００上に略水平に載置して、測定系１１０を制御することで行う。測定系１１０は、例えば、光源１１２からハーフミラー１１４及び光ファイバ１１６を介して、赤外白色光の測定光を伝送させ、測定ヘッド１１８から接合体２０に照射し、接合体２０の表面及び活性層２０ａと支持部２０ｂとの接合界面からの反射光をそれぞれ検出して、光ファイバ１１６及びハーフミラー１１４を介して分光器１１９によって解析され、活性層２０ａの厚さが演算される。上述した測定系１１０は、一般的に使用されている周知の測定系（ＦＴ−ＩＲ）を用いることができる。
【００７０】
図８は、研磨用プレートに接合体が複数枚貼り付けられた状態における接合体の測定箇所の一例を示す上面図である。例えば、図９に示すように、研磨用プレートに３枚の接合体２０ａ、２０ｂ、２０ｃが張り付けられている場合には、それぞれの接合体２０ａ、２０ｂ、２０ｃについて、中心１箇所（Ｐ１）と、周辺４箇所（Ｐ２〜Ｐ５）の計５箇所の測定箇所で活性層の厚さを測定する。
【００７１】
この場合において、例えば、研磨布の目詰まり等により研磨レートが低下し、研磨した活性層の厚さがまだ活性層規格値より厚い場合は、再度、活性層を再研磨する。
【００７２】
なお、活性層の厚さが活性層規格値内である場合には、活性層の研磨を終了し、研磨用プレートから接合体を剥離して、洗浄等の次工程に送られる。
【００７３】
本実施の形態の接合ウェーハの製造方法では、複数の測定箇所における活性層の厚さの測定値と活性層規格値から、必要取り代と限界取り代を求める。そして、接合体の厚さと、必要取り代で複数の接合体を選別して同一の研磨用プレートに張り付ける。さらに、同一の研磨用プレートに張り付けられる接合体について、最大必要取り代および最小限界取り代を抽出し、この最大必要取り代と最小限界取り代から研磨時間を決定する。すなわち、本実施の形態によれば、複数の接合体について面内複数個所での研磨前の活性層の厚さのばらつきを考慮し、すべての箇所で研磨後の活性層の厚さが規格内におさまるよう研磨時間が決定される。
【００７４】
このため、本実施の形態の接合ウェーハの製造方法によれば、活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる接合ウェーハの製造方法を提供することが可能となる。よって、研磨歩留りが向上する。また、バッチ式の研磨装置で処理されるため、生産性も向上する。よって、接合ウェーハの製造コストを低減することが可能となる。
【００７５】
（第４の実施の形態）
本実施の形態の接合ウェーハの製造方法は、複数の支持用ウェーハと複数の活性層用ウェーハを準備する工程と、支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、複数の接合体を形成する工程と、接合体の活性層用ウェーハ側を加工し、活性層を形成する工程と、接合体の厚さを測定する工程と、接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する第１の活性層膜厚測定工程と、第１の活性層膜厚測定工程の結果に基づき、それぞれの接合体について活性層の厚さの最大値から、活性層規格値の最大値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最大プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値に所定のマージンを上乗せした規格プラス値を満たすために最低限必要な研磨量である第１の必要取り代を算出し、かつ、活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最小プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが規格プラス値を満たすために最大限許容される研磨量である第１の限界取り代を算出する第１の取り代算出工程と、接合体の厚さの差が０．５μｍ以内、第１の必要取り代の差が０．２μｍ以内におさまるよう選別された複数の接合体を同一の研磨用プレートに張り付ける工程と、同一の研磨用プレートに張り付けられた接合体について第１の必要取り代の最大値である第１の最大必要取り代を抽出し、かつ、第１の限界取り代の最小値である第１の最小限界取り代を抽出する第１の取り代抽出工程と、あらかじめ準備される研磨レートで第１の最大必要取り代を除すことで第１の必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで第１の最小限界取り代を除すことで第１の限界研磨時間を算出する第１の研磨時間算出工程と、第１の必要研磨時間と第１の限界研磨時間の間の所定の時間で活性層を研磨する第１の研磨工程と、を備える。さらに、接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する第２の活性層膜厚測定工程と、第２の活性層膜厚測定工程に基づき、それぞれの接合体について活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である第２の必要取り代を算出し、かつ、活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である第２の限界取り代を算出する第２の取り代算出工程と、同一の研磨用プレートに張り付けられた接合体について第２の必要取り代の最大値である第２の最大必要取り代を抽出し、かつ、第２の限界取り代の最小値である第２の最小限界取り代を抽出する第２の取り代抽出工程と、あらかじめ準備される研磨レートで第２の最大必要取り代を除すことで第２の必要研磨時間を算出し、かつ、あらかじめ準備される研磨レートで第２の最小限界取り代を除すことで第２の限界研磨時間を算出する第２の研磨時間算出工程と、第２の必要研磨時間と第２の限界研磨時間の間の所定の時間で活性層を研磨する第２の研磨工程と、を備える。
【００７６】
本実施の形態の接合ウェーハの製造方法は、活性層規格値を狙った研磨の前に、活性層規格値に所定のマージンを上乗せした規格プラス値を狙った研磨を行う２ステップの研磨方式である点で、第３の実施の形態と異なっている。以下、第３の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００７７】
図９は、本実施の形態の接合ウェーハの製造方法を示す工程フロー図である。本実施の形態は、研磨工程にバッチ式の研磨装置を用いた接合ウェーハの製造方法である。
【００７８】
本実施の形態の接合ウェーハの製造方法は、図９に示すように、ウェーハ準備工程（Ｓ４０１）、接合体形成工程（Ｓ４０２）、活性層形成工程（Ｓ４０３）、接合体厚さ測定工程（Ｓ４０４）、第１の活性層膜厚測定工程（Ｓ４０５）、第１の取り代算出工程（Ｓ４０６）、プレート張り付け工程（Ｓ４０７）、第１の取り代抽出工程（Ｓ４０８）、第１の研磨時間算出工程（Ｓ４０９）、第１の研磨工程（Ｓ４１０）を備える。さらに、第２の活性層膜厚測定工程（Ｓ４１１）、第２の取り代算出工程（Ｓ４１２）、第２の取り代抽出工程（Ｓ４１３）、第２の研磨時間算出工程（Ｓ４１４）、第２の研磨工程（Ｓ４１５）、第３の活性層膜厚測定工程（Ｓ４１６）を備える。
【００７９】
ウェーハ準備工程（Ｓ４０１）、接合体形成工程（Ｓ４０２）、活性層形成工程（Ｓ４０３）、接合体厚さ測定工程（Ｓ４０４）、第１の活性層膜厚測定工程（Ｓ４０５）については、第３の実施の形態のウェーハ準備工程（Ｓ３０１）、接合体形成工程（Ｓ３０２）、活性層形成工程（Ｓ３０３）、接合体厚さ測定工程（Ｓ３０４）、第１の活性層膜厚測定工程（Ｓ３０５）と同様であるので記述を省略する。
【００８０】
第１の取り代算出工程（Ｓ４０６）では、第１の活性層膜厚測定工程（Ｓ４０５）の結果に基づき、それぞれの接合体について活性層の厚さの最大値から、活性層規格値の最大値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最大プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値に所定のマージンを上乗せした規格プラス値を満たすために最低限必要な研磨量である第１の必要取り代を算出する。
（第１の必要取り代）＝（活性層の厚さの最大値）−（活性層規格最大プラス値）
である。
【００８１】
例えば、活性層規格値が６．０±１．０μｍであり、所定のマージンを１．０μｍとすると、規格プラス値は７．０±１．０μｍ、活性層規格最大プラス値は、８．０（＝７．０＋１．０）μｍである。
【００８２】
また、第１の取り代算出工程（Ｓ４０６）では、活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値に所定のマージンを上乗せした活性層規格最小プラス値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが規格プラス値を満たすために最大限許容される研磨量である第１の限界取り代を算出する。
（第１の限界取り代）＝（活性層の厚さの最大値）−（活性層規格最小プラス値）
である。
【００８３】
例えば、活性層規格値が６．０±１．０μｍであり、所定のマージンを１．０μｍとすると、活性層規格最小プラス値は、６．０（＝５．０＋１．０）μｍである。
【００８４】
プレート張り付け工程（Ｓ４０７）では、接合体の厚さの差が０．５μｍ以内、第１の必要取り代の差が０．２μｍ以内におさまるよう選別された複数の接合体を同一の研磨用プレートに張り付ける。
【００８５】
第１の取り代抽出工程（Ｓ４０８）では、同一の研磨用プレートに張り付けられた接合体について第１の必要取り代の最大値である第１の最大必要取り代を抽出する。そして、第１の限界取り代の最小値である第１の最小限界取り代を抽出する
【００８６】
第１の研磨時間算出工程（Ｓ４０９）では、あらかじめ準備される研磨レートで第１の最大必要取り代を除すことで第１の必要研磨時間を算出する。
（第１の必要研磨時間）＝（第１の最大必要取り代）÷（研磨レート）
である。
【００８７】
研磨レートは、例えば、先に行われた研磨における研磨量と研磨時間からあらかじめ準備することが可能である。
【００８８】
また、あらかじめ準備される研磨レートで第１の最小限界取り代を除すことで第２の限界研磨時間を算出する。
（第１の限界研磨時間）＝（第１の最小限界取り代）÷（研磨レート）
である。
【００８９】
第１の研磨工程（Ｓ４１０）では、例えば、図７に示したようなバッチ式の研磨装置を用いて接合体の活性層を研磨する。この際、第１の必要研磨時間と第１の限界研磨時間の間の所定の時間で活性層を研磨する。所定の時間は、例えば、必要研磨時間であってもよいし、必要研磨時間と限界研磨時間の平均値であってもかまわない。研磨方法は、第３の実施の形態の研磨工程（Ｓ３１０）と同様である。
【００９０】
第２の活性層膜厚測定工程（Ｓ４１１）では、接合体の面内複数の測定箇所で活性層の厚さを測定する。この際、第１の研磨工程（Ｓ４１０）で研磨された接合体を、研磨用プレートから剥離することなく、研磨用プレートに張り付けた状態で、活性層の厚さを測定する。
【００９１】
第２の取り代算出工程（Ｓ４１２）、第２の取り代抽出工程（Ｓ４１３）、第２の研磨時間算出工程（Ｓ４１４）、第２の研磨工程（Ｓ４１５）、第３の活性層膜厚測定工程（Ｓ４１６）については、第３の実施の形態における、取り代算出工程（Ｓ３０６）、取り代抽出工程（Ｓ３０８）、研磨時間算出工程（Ｓ３０９）、研磨工程（Ｓ３１０）、第２の活性層膜厚測定工程（Ｓ３１１）とそれぞれ同様であるので記述を省略する。
【００９２】
本実施の形態によれば、２ステップの研磨により、活性層の厚さを所望の規格内に制御することがさらに容易になる。よって、研磨歩留りが一層向上する。
【００９３】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。上記、実施の形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、実施の形態の説明においては、接合ウェーハ、接合ウェーハの製造方法等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる接合ウェーハ、接合ウェーハの製造方法等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。
【００９４】
例えば、実施の形態においては、活性層の測定箇所を面内５箇所とする場合を例に説明したが、必要に応じ、５箇所より多いあるいは５箇所より少ない箇所を測定するものであってもかまわない。
【００９５】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての接合ウェーハの製造方法が、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲およびその均等物の範囲によって定義されるものである。
【実施例】
【００９６】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により制限されるものではない。
【００９７】
図４に示すフローによって接合ウェーハを作製した。この時の共通研磨条件は下記の通りである。
・支持用ウェーハ：直径５インチ（１２５ｍｍ）、厚さが６２５±２５μｍのシリコンウェーハ
・活性層用ウェーハ：直径５インチ（１２５ｍｍ）、厚さが６２５±２５μｍのシリコンウェーハ
・接合ウェーハの活性層規格値：３．５μｍ±０．４８μｍ
【００９８】
（実施例）
１２枚の接合体について、接合体の中心１箇所で行った。また、１２枚の接合体について活性層の厚さを図２に示すような面内計５箇所の測定箇所で測定した。そして、各接合体について、必要取り代、限界取り代を算出した。測定結果・算出結果を表１に示す。
【００９９】
【表１】
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【０１００】
接合体の厚さの差が０．５μｍ以内、必要取り代の差が０．２μｍ以内におさまるよう選別された３枚の接合体を同一の研磨用プレートに張り付けた。表１のウェーハＮｏ．１〜３、Ｎｏ．４〜６、Ｎｏ．７〜９、Ｎｏ．１０〜１２のグループを同一の研磨用プレートに張り付けた。
【０１０１】
各グループについて、表１に示すように、最大必要取り代、最小限界取り代を抽出した。この最大必要取り代、最小限界取り代から、必要研磨時間、限界研磨時間を算出した。必要研磨時間と限界研磨時間の間の時間で活性層を研磨した。
【０１０２】
その結果、１００枚の加工において活性層の厚さ規格における加工歩留は１００％であった。
【符号の説明】
【０１０３】
１０  研磨用プレート
２０  接合体
３０  研磨ヘッド
４０  定盤
５０  研磨布
６０  ノズル
７０  研磨剤
１００  Ｘ−Ｙステージ
１１０  測定系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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