(57)【要約】【課題】  高精細化及び製造コストの低減を図った上で配線に生じた欠陥を簡易に修復する。【解決手段】  ベース部として設けられた基板と、絶縁材料によって形成された絶縁層と、基板と絶縁層の間に形成された配線とを備え、基板に開口され配線に連通された少なくとも一つのコンタクトホールが形成され、少なくとも一部がコンタクトホールに挿入され配線に生じた欠陥を跨いで配線をバイパスするバイパス導体が設けられた。【選択図】        図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース部として設けられた基板と、
絶縁材料によって形成された絶縁層と、
前記基板と前記絶縁層の間に形成された配線とを備え、
前記基板に開口され前記配線に連通された少なくとも一つのコンタクトホールが形成され、
少なくとも一部が前記コンタクトホールに挿入され前記配線に生じた欠陥を跨いで前記配線をバイパスするバイパス導体が設けられた
回路基板。
【請求項２】
前記配線の欠陥がオープン欠陥であり、
前記コンタクトホールは前記オープン欠陥が生じた前記配線の部分に連通された
請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記コンタクトホールが一つの欠陥に対して二つ形成され、
前記バイパス導体が各コンタクトホールにそれぞれ挿入された
請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記コンタクトホールの形成位置を予め指定する孔形成部が形成された
請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記配線の欠陥がショート欠陥であり、
前記コンタクトホールのうち前記ショート欠陥が生じた領域の両側の部分がそれぞれ切断されて一対の切断部が形成され、
前記コンタクトホールは前記ショート欠陥が生じた領域以外の部分に対して二つ形成され、
前記バイパス導体が各コンタクトホールにそれぞれ挿入された
請求項１に記載の回路基板。
【請求項６】
前記バイパス導体がペースト状の材料を乾燥させることにより形成された
請求項１に記載の回路基板。
【請求項７】
前記基板が樹脂材料によって形成された
請求項１に記載の回路基板。
【請求項８】
ベース部として設けられた基板と、
絶縁材料によって形成された絶縁層と、
前記基板と前記絶縁層の間に形成された配線と、
画像を形成するための画素電極とを備え、
前記基板に開口され前記配線に連通された少なくとも一つのコンタクトホールが形成され、
少なくとも一部が前記コンタクトホールに挿入され前記配線に生じた欠陥を跨いで前記配線をバイパスするバイパス導体が設けられた
表示装置。
【請求項９】
ベース部として設けられた基板と絶縁材料によって形成された絶縁層との間に形成された配線に連通され前記基板に開口された少なくとも一つのコンタクトホールを形成し、
少なくとも一部が前記コンタクトホールに挿入され前記配線に生じた欠陥を跨いで前記配線をバイパスするバイパス導体を設けた
回路基板における欠陥の修復方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は回路基板、表示装置及び回路基板における欠陥の修復方法についての技術分野に関する。基板に開口され配線に連通されたコンタクトホールにバイパス導体を設けて配線に生じた欠陥を簡易に修復する技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気泳動ディスプレイや液晶ディスプレイや有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ等の表示部が用いられた表示装置として、例えば、テレビジョン受像器、パーソナルコンピューター、モニター、携帯電話、タブレット端末等の各種のものが開発又は製品化されている。
【０００３】
特に、近年は、書籍の内容等の情報がディスプレイに表示される電子書籍等の表示装置の普及も進んでいる。
【０００４】
このようなディスプレイは、ガラス基板やプラスチック基板上に走査線と信号線がマトリクス状に配置され、走査線と信号線によって区画された領域に配置された画素電極や走査線に平行な状態で配置された保持容量線等を有している。走査線と信号線の交差部分にはスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が設けられ、走査線に接続されたゲート電極と信号線に接続されたソース電極及びドレイン電極との間には絶縁膜（ゲート絶縁膜）が設けられている。また、画素電極と走査線、信号線、保持容量線等との間には絶縁層が設けられている。
【０００５】
ディスプレイのうち走査線、信号線、保持容量線等の各配線やトランジスタが設けられた部分はトランジスタ層として設けられている。例えば、電気泳動ディスプレイにおいては、トランジスタ層の画素電極と表面層である対向電極との間に複数の電気泳動素子が縦横に隙間なく配置されている。
【０００６】
トランジスタ層は一連のフォトリソグラフィ工程、即ち、成膜、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング及びフォトレジスト剥離の工程が繰り返し行われることにより形成される。
【０００７】
上記のような表示装置は、近年、高精細化に伴って画素数が大幅に増加しており、画素数が１００万個を超える場合もある。特に、このような画素数の増加した表示装置においては、多数の画素を無欠陥で形成することは困難であり、オープン欠陥やショート欠陥等の欠陥部が配線に生じてしまう。
【０００８】
そこで、上記のような欠陥を修復する方法として、予め走査線や信号線に平行な修復用のリペア線を形成しておき、欠陥の修復を行うようにした例がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
特許文献１に記載された表示装置においては、配線の欠陥が生じた部分に連通する第１のコンタクトホールとリペア線に連通する第２のコンタクトホールとを形成し、第１のコンタクトホールと第２のコンタクトホールに両者を接続するようなバイパス導体を設けて修復を行うようにしている。また、配線の欠陥が生じた部分に連通するコンタクトホールを形成し、コンタクトホールにおいて欠陥が生じた配線の部分をレーザーによって融解してリペア線に接続することにより修復を行うようにもしている。
【００１０】
【特許文献１】特開平９−２８８２８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところが、特許文献１に記載された表示装置にあっては、予め走査線や信号線に平行な修復用のリペア線を形成する冗長設計を行っているため、リペア線を形成するためのスペースが必要であり、各画素が配置されるスペースが小さくなってしまい、高精細化に支障を来してしまう。
【００１２】
また、リペア線を形成するために回路基板の製造工程が増加してしまい、その分、製造時間が長く製造コストも高騰してしまう。
【００１３】
さらに、レーザーにより融解する方法にあっては、レーザー光の強度を厳しい条件で設定する必要があり、修復について高い成功率を確保することが困難である。
【００１４】
そこで、本技術回路基板、表示装置及び回路基板における欠陥の修復方法は、上記した問題点を克服し、高精細化及び製造コストの低減を図った上で配線に生じた欠陥を簡易に修復することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
第１に、回路基板は、上記した課題を解決するために、ベース部として設けられた基板と、絶縁材料によって形成された絶縁層と、前記基板と前記絶縁層の間に形成された配線とを備え、前記基板に開口され前記配線に連通された少なくとも一つのコンタクトホールが形成され、少なくとも一部が前記コンタクトホールに挿入され前記配線に生じた欠陥を跨いで前記配線をバイパスするバイパス導体が設けられたものである。
【００１６】
従って、回路基板にあっては、欠陥の修復用のリペア線を形成する必要がない。
【００１７】
第２に、上記した回路基板においては、前記配線の欠陥がオープン欠陥であり、前記コンタクトホールは前記オープン欠陥が生じた前記配線の部分に連通されることが望ましい。
【００１８】
コンタクトホールはオープン欠陥が生じた配線の部分に連通されることにより、形成されるコンタクトホールが一つの欠陥に対して一つになる。
【００１９】
第３に、上記した回路基板においては、前記コンタクトホールが一つの欠陥に対して二つ形成され、前記バイパス導体が各コンタクトホールにそれぞれ挿入されることが望ましい。
【００２０】
コンタクトホールが一つの欠陥に対して二つ形成され、バイパス導体が各コンタクトホールにそれぞれ挿入されることにより、任意の位置にコンタクトホールを形成することが可能になる。
【００２１】
第４に、上記した回路基板においては、前記コンタクトホールの形成位置を予め指定する孔形成部が形成されることが望ましい。
【００２２】
コンタクトホールの形成位置を予め指定する孔形成部が形成されることにより、コンタクトホールの形成位置が明確になる。
【００２３】
第５に、上記した回路基板においては、前記配線の欠陥がショート欠陥であり、前記コンタクトホールのうち前記ショート欠陥が生じた領域の両側の部分がそれぞれ切断されて一対の切断部が形成され、前記コンタクトホールは前記ショート欠陥が生じた領域以外の部分に対して二つ形成され、前記バイパス導体が各コンタクトホールにそれぞれ挿入されることが望ましい。
【００２４】
コンタクトホールのうちショート欠陥が生じた領域の両側の部分がそれぞれ切断されて一対の切断部が形成され、コンタクトホールはショート欠陥が生じた領域以外の部分に対して二つ形成され、バイパス導体が各コンタクトホールにそれぞれ挿入されることにより、ショート欠陥が分離されて欠陥が修復される。
【００２５】
第６に、上記した回路基板においては、前記バイパス導体がペースト状の材料を乾燥させることにより形成されることが望ましい。
【００２６】
バイパス導体がペースト状の材料を乾燥させることにより形成されることにより、バイパス導体が流動されて配線に接合される。
【００２７】
第７に、上記した回路基板においては、前記基板が樹脂材料によって形成されることが望ましい。
【００２８】
基板が樹脂材料によって形成されることにより、基板がコンタクトホールの形成に適した材料によって形成される。
【００２９】
表示装置は、上記した課題を解決するために、ベース部として設けられた基板と、絶縁材料によって形成された絶縁層と、前記基板と前記絶縁層の間に形成された配線と、画像を形成するための画素電極とを備え、前記基板に開口され前記配線に連通された少なくとも一つのコンタクトホールが形成され、少なくとも一部が前記コンタクトホールに挿入され前記配線に生じた欠陥を跨いで前記配線をバイパスするバイパス導体が設けられたものである。
【００３０】
従って、表示装置にあっては、欠陥の修復用のリペア線を形成する必要がない。
【００３１】
回路基板における欠陥の修復方法は、上記した課題を解決するために、ベース部として設けられた基板と絶縁材料によって形成された絶縁層との間に形成された配線に連通され前記基板に開口された少なくとも一つのコンタクトホールを形成し、少なくとも一部が前記コンタクトホールに挿入され前記配線に生じた欠陥を跨いで前記配線をバイパスするバイパス導体を設けている。
【００３２】
従って、回路基板における欠陥の修復方法にあっては、欠陥の修復用のリペア線を形成する必要がない。
【発明の効果】
【００３３】
本技術回路基板は、ベース部として設けられた基板と、絶縁材料によって形成された絶縁層と、前記基板と前記絶縁層の間に形成された配線とを備え、前記基板に開口され前記配線に連通された少なくとも一つのコンタクトホールが形成され、少なくとも一部が前記コンタクトホールに挿入され前記配線に生じた欠陥を跨いで前記配線をバイパスするバイパス導体が設けられている。
【００３４】
従って、予め修復用のリペア線を形成する冗長設計を行う必要がないため、回路基板が設けられる表示装置の高精細化及び製造コストの低減を図った上で配線に生じた欠陥を簡易に修復することができる。
【００３５】
請求項２に記載した技術にあっては、前記配線の欠陥がオープン欠陥であり、前記コンタクトホールは前記オープン欠陥が生じた前記配線の部分に連通されている。
【００３６】
従って、形成されるコンタクトホールが一つの欠陥に対して一つでよく、修復作業における作業性の向上を図ることができる。
【００３７】
請求項３に記載した技術にあっては、前記コンタクトホールが一つの欠陥に対して二つ形成され、前記バイパス導体が各コンタクトホールにそれぞれ挿入されている。
【００３８】
従って、任意の位置にコンタクトホールを形成することが可能であり、他配線に対するダメージを回避する位置にコンタクトホールを形成することができ、他配線にダメージを与えることなく欠陥の修復を行うことができる。
【００３９】
請求項４に記載した技術にあっては、前記コンタクトホールの形成位置を予め指定する孔形成部が形成されている。
【００４０】
従って、欠陥の迅速な修復作業を行うことができると共に配線にダメージを与えることなく欠陥の修復を行うことができる。
【００４１】
請求項５に記載した技術にあっては、前記配線の欠陥がショート欠陥であり、前記コンタクトホールのうち前記ショート欠陥が生じた領域の両側の部分がそれぞれ切断されて一対の切断部が形成され、前記コンタクトホールは前記ショート欠陥が生じた領域以外の部分に対して二つ形成され、前記バイパス導体が各コンタクトホールにそれぞれ挿入されている。
【００４２】
従って、ショート欠陥を容易に修復することができる。
【００４３】
請求項６に記載した技術にあっては、前記バイパス導体がペースト状の材料を乾燥させることにより形成されている。
【００４４】
従って、バイパス導体の形成が容易であると共に配線に対するバイパス導体の良好な接合性を確保することができる。
【００４５】
請求項７に記載した技術にあっては、前記基板が樹脂材料によって形成されている。
【００４６】
従って、基板にコンタクトホールを容易に形成することができる。
【００４７】
本技術表示装置は、ベース部として設けられた基板と、絶縁材料によって形成された絶縁層と、前記基板と前記絶縁層の間に形成された配線と、画像を形成するための画素電極とを備え、前記基板に開口され前記配線に連通された少なくとも一つのコンタクトホールが形成され、少なくとも一部が前記コンタクトホールに挿入され前記配線に生じた欠陥を跨いで前記配線をバイパスするバイパス導体が設けられている。
【００４８】
従って、予め修復用のリペア線を形成する冗長設計を行う必要がないため、表示装置の高精細化及び製造コストの低減を図った上で配線に生じた欠陥を簡易に修復することができる。
【００４９】
本技術回路基板における欠陥の修復方法は、ベース部として設けられた基板と絶縁材料によって形成された絶縁層との間に形成された配線に連通され前記基板に開口された少なくとも一つのコンタクトホールを形成し、少なくとも一部が前記コンタクトホールに挿入され前記配線に生じた欠陥を跨いで前記配線をバイパスするバイパス導体を設けている。
【００５０】
従って、予め修復用のリペア線を形成する冗長設計を行う必要がないため、表示装置の高精細化及び製造コストの低減を図った上で配線に生じた欠陥を簡易に修復することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
以下に、本技術回路基板、表示装置及び回路基板における欠陥の修復方法を実施するための最良の形態を添付図面に従って説明する。
【００５２】
以下に示した最良の形態は、本技術表示装置を電子書籍等のタブレット端末として設けられた表示装置に適用し、本技術回路基板をこのタブレット端末に設けられた回路基板（ディスプレイ）に適用し、本技術回路基板における欠陥の修復方法をこのタブレット端末に設けられた回路基板における欠陥の修復方法に適用したものである。
【００５３】
尚、本技術回路基板の適用範囲はタブレット端末、タブレット端末に設けられた回路基板及びタブレット端末に設けられた回路基板における欠陥の修復方法に限られることはない。
【００５４】
本技術表示装置は、例えば、電子書籍以外のタブレット端末、テレビジョン受像器、パーソナルコンピューター、モニター、携帯電話、カメラ等の撮像装置等のディスプレイを有する各種の表示装置に広く適用することができる。また、本技術回路基板及び回路基板における欠陥の修復方法は、これらの各種の表示装置に設けられる回路基板及び回路基板における欠陥の修復方法に広く適用することができる。
【００５５】
［表示装置の概略構成］
以下に、表示装置の概略構成について説明する（図１参照）。
【００５６】
表示装置１は、例えば、電子書籍等のタブレット端末であり、薄型の筐体２と筐体２に保持されたディスプレイ３とを有している。ディスプレイ３は回路基板として機能する。
【００５７】
筐体２には各種の操作部４、４、・・・が配置されている。操作部４、４、・・・が操作されることにより、電源のオンオフやモードの切替、ディスプレイ３に対する画面の表示及び変更等の各種の操作が行われる。
【００５８】
ディスプレイ３は、例えば、電気泳動ディスプレイであり、前面が表示面３ａとして形成されている。尚、ディスプレイ３は電気泳動ディスプレイに限られることはなく、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイやプラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel）等の他のディスプレイであってもよい。
【００５９】
［ディスプレイの具体的構成］
次に、ディスプレイ３の具体的構成について説明する（図２及び図３参照）。
【００６０】
ディスプレイ３は厚み方向において前面側から順に積層された電極層５と表示体層６とトランジスタ層７を有している（図３参照）。
【００６１】
電極層５は表面層（カバー層）と表面層の内面に積層されたＩＴＯ層（透明電極層）とを有している。
【００６２】
表示体層６は縦横に隙間なく配置された複数のマイクロカプセル６ａ、６ａ、・・・を有している。マイクロカプセル６ａは電気泳動素子として機能し、内部に、例えば、白色と黒色の顔料粒子がオイルとともに収められて構成されている。白色と黒色の顔料粒子はそれぞれ正と負に帯電されている。
【００６３】
トランジスタ層７は、例えば、樹脂材料によって形成されベース部として設けられた基板８に所定の各部が積層状に設けられて成る（図２及び図３参照）。
【００６４】
基板８上には所定の方向に延びる走査線９、９、・・・と走査線９、９、・・・に平行に延びる補助容量線１０、１０、・・・とが設けられている。基板８上にはゲート絶縁膜１１が設けられ、ゲート絶縁膜１１によって走査線９、９、・・・と補助容量線１０、１０、・・・が覆われている。
【００６５】
ゲート絶縁膜１１上には信号線１２、１２、・・・が走査線９、９、・・・と補助容量線１０、１０、・・・に直交する状態で設けられている。ゲート絶縁膜１１上には絶縁層１３が設けられ、絶縁層１３によって信号線１２、１２、・・・が覆われている。
【００６６】
走査線９、９、・・・、補助容量線１０、１０、・・・及び信号線１２、１２、・・・は各種の電流（信号）が流れる配線として設けられている。
【００６７】
走査線９、９、・・・と信号線１２、１２、・・・が交差する部分には、それぞれゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有するトランジスタ（薄膜トランジスタ）１４、１４、・・・が構成されている。
【００６８】
絶縁層１３上には画素電極１５、１５、・・・が配置されている。画素電極１５、１５、・・・はそれぞれトランジスタ１４、１４、・・・に接続されている。
【００６９】
［表示装置の動作］
上記のように構成されたディスプレイ３において、図示しない制御回路から駆動電流が供給され電極層５と画素電極１５、１５、・・・の間に電界が生じると、表示体層６に配置された複数のマイクロカプセル６ａ、６ａ、・・・の白色と黒色の顔料粒子がそれぞれオイル中を泳動する。このとき正又は負の何れかの電圧によって白色又は黒色の顔料粒子がマイクロカプセル６ａ、６ａ、・・・内において電極層５側に集まることにより、白黒の表示が行われる。
【００７０】
［欠陥の修復］
次に、走査線９、９、・・・、補助容量線１０、１０、・・・及び信号線１２、１２、・・・の各配線に欠陥が生じたときの修復について説明する（図４乃至図１３参照）。
【００７１】
以下には、例として、信号線１２に生じた欠陥の修復について説明する。
【００７２】
＜第１の例＞
第１の例は、信号線１２にオープン欠陥が生じている例である（図４乃至図７参照）。
【００７３】
信号線１２にはオープン欠陥が生じ欠陥部１２ａが生じている。
【００７４】
信号線１２に欠陥部１２ａが生じている場合に、欠陥部１２ａが生じた信号線１２の部分１２ｂ、１２ｂに連通するコンタクトホール１６を形成する（図４及び図５参照）。部分１２ｂ、１２ｂは欠陥部１２ａを跨いだ二つの部分である。コンタクトホール１６は基板８とゲート絶縁層１１に、例えば、レーザー光を照射して融解させることにより形成される。
【００７５】
コンタクトホール１６は、それぞれ樹脂材料によって形成された基板８とゲート絶縁層１１を融解して部分１２ｂ、１２ｂに連通させることにより形成することができるため、融解に適するレーザー光の強度を選定すればよく、レーザー光の強度を厳しい条件で設定する必要はない。
【００７６】
次に、一部がコンタクトホール１６に挿入されるバイパス導体１７を形成し、バイパス導体１７を部分１２ｂ、１２ｂに接合しバイパス導体１７を介して部分１２ｂ、１２ｂを導通させて欠陥を修復する（図６及び図７参照）。バイパス導体１７はスパッタリング、蒸着、印刷等の各種の方法によって形成される。
【００７７】
尚、バイパス導体１７を形成して欠陥を修復した後には、導通状態を確認することが望ましい。
【００７８】
上記のように、オープン欠陥が生じた信号線１２の部分１２ｂ、１２ｂに連通されるコンタクトホール１６を形成して欠陥の修復を行うことにより、形成されるコンタクトホール１６が一つの欠陥に対して一つでよく、修復作業における作業性の向上を図ることができる。
【００７９】
尚、バイパス導体１７はペースト状の材料を塗布して乾燥させることにより形成されることが望ましい。
【００８０】
バイパス導体１７の材料としてペースト状の材料を用いることにより、バイパス導体１７の形成が容易であると共に信号線１２に対するバイパス導体１７の良好な接合性を確保することができる。
【００８１】
＜第２の例＞
第２の例は、信号線１２にオープン欠陥が生じている例である（図８及び図９参照）。
【００８２】
信号線１２にはオープン欠陥が生じ欠陥部１２ａが生じている。
【００８３】
信号線１２に欠陥部１２ａが生じている場合に、欠陥部１２ａが生じた信号線１２の部分１２ｂ、１２ｂとは異なる部分１２ｃ、１２ｃにそれぞれ連通するコンタクトホール１６、１６を形成する（図８参照）。部分１２ｃ、１２ｃは欠陥部１２ａを跨ぎ欠陥部１２ａから離隔した二つの部分である。コンタクトホール１６、１６は基板８とゲート絶縁層１１に、例えば、レーザー光を照射して融解させることにより形成される。
【００８４】
コンタクトホール１６、１６は、それぞれ樹脂材料によって形成された基板８とゲート絶縁層１１を融解して部分１２ｃ、１２ｃに連通させることにより形成することができるため、融解に適するレーザー光の強度を選定すればよく、レーザー光の強度を厳しい条件で設定する必要はない。
【００８５】
次に、各一部がそれぞれコンタクトホール１６、１６に挿入されるバイパス導体１７Ａを形成し、バイパス導体１７Ａを部分１２ｃ、１２ｃに接合しバイパス導体１７Ａを介して部分１２ｃ、１２ｃを導通させて欠陥を修復する（図９参照）。バイパス導体１７Ａはスパッタリング、蒸着、印刷等の各種の方法によって形成される。
【００８６】
尚、バイパス導体１７Ａを形成して欠陥を修復した後には、導通状態を確認することが望ましい。
【００８７】
上記のように、オープン欠陥が生じた信号線１２の部分１２ｃ、１２ｃに連通されるコンタクトホール１６、１６を形成して欠陥の修復を行うことにより、任意の位置にコンタクトホール１６、１６を形成することが可能である。
【００８８】
第２の例は、コンタクトホール１６の形成に支障を来たすような位置に欠陥部１２ａが生じた場合に好適である。例えば、欠陥部１２ａが配線の重なる位置に生じ、コンタクトホール１６を形成すると信号線１２以外の他の配線にダメージを与えてしまうような場合に、ダメージを回避する位置にコンタクトホール１６、１６を形成して配線にダメージを与えることなく欠陥の修復を行うことができる。
【００８９】
尚、バイパス導体１７Ａはペースト状の材料を塗布して乾燥させることにより形成されることが望ましい。
【００９０】
バイパス導体１７Ａの材料としてペースト状の材料を用いることにより、バイパス導体１７Ａの形成が容易であると共に信号線１２に対するバイパス導体１７Ａの良好な接合性を確保することができる。
【００９１】
＜第３の例＞
第３の例は、信号線１２にショート欠陥が生じている例である（図１０乃至図１２参照）。
【００９２】
信号線１２には、例えば、ディスプレイ３の製造工程中に混入するパーティクル等を起因としてショート欠陥が生じ欠陥部１２ｄが生じている。欠陥部１２ｄは、例えば、走査線９に短絡されている。
【００９３】
信号線１２に欠陥部１２ｄが生じている場合に、先ず、欠陥部１２ｄが生じた領域を信号線１２の他の領域から分離するために、欠陥部１２ｄが生じた領域の両側の部分をそれぞれ切断し切断部１８、１８を形成する（図１０参照）。切断部１８、１８の形成はレーザー光の照射によって行われる。
【００９４】
次に、欠陥部１２ｄが生じた領域以外の領域に存在する部分１２ｅ、１２ｅにそれぞれ連通するコンタクトホール１６、１６を形成する（図１１参照）。部分１２ｅ、１２ｅは欠陥部１２ｄを跨ぎ欠陥部１２ｄから離隔した二つの部分である。コンタクトホール１６、１６は基板８とゲート絶縁層１１に、例えば、レーザー光を照射して融解させることにより形成される。
【００９５】
コンタクトホール１６、１６は、それぞれ樹脂材料によって形成された基板８とゲート絶縁層１１を融解して部分１２ｅ、１２ｅに連通させることにより形成することができるため、融解に適するレーザー光の強度を選定すればよく、レーザー光の強度を厳しい条件で設定する必要はない。
【００９６】
次に、各一部がそれぞれコンタクトホール１６、１６に挿入されるバイパス導体１７Ａを形成し、バイパス導体１７Ａを部分１２ｅ、１２ｅに接合しバイパス導体１７Ａを介して部分１２ｅ、１２ｅを導通させて欠陥を修復する（図１２参照）。バイパス導体１７Ａはスパッタリング、蒸着、印刷等の各種の方法によって形成される。
【００９７】
尚、バイパス導体１７Ａを形成して欠陥を修復した後には、導通状態を確認することが望ましい。
【００９８】
上記のように、ショート欠陥が生じた信号線１２の部分１２ｅ、１２ｅに連通されるコンタクトホール１６、１６を形成して欠陥の修復を行うことにより、任意の位置にコンタクトホール１６、１６を形成することが可能である。
【００９９】
従って、コンタクトホール１６の形成に支障を来たすような位置に欠陥部１２ｄが生じた場合に好適である。例えば、欠陥部１２ｄが配線の重なる位置に生じ、コンタクトホール１６を形成すると信号線１２以外の他の配線にダメージを与えてしまうような場合に、ダメージを回避する位置にコンタクトホール１６、１６を形成して配線にダメージを与えることなく欠陥の修復を行うことができる。
【０１００】
また、上記のように、欠陥部１２ｄが生じた領域の両側の部分をそれぞれ切断して切断部１８、１８を形成し、コンタクトホール１６、１６を形成してバイパス導体１７Ａを形成することにより、ショート欠陥を容易に修復することができる。
【０１０１】
尚、バイパス導体１７Ａはペースト状の材料を塗布して乾燥させることにより形成されることが望ましい。
【０１０２】
バイパス導体１７Ａの材料としてペースト状の材料を用いることにより、バイパス導体１７Ａの形成が容易であると共に信号線１２に対するバイパス導体１７Ａの良好な接合性を確保することができる。
【０１０３】
＜他の例＞
表示装置１においては、以下のように、予めコンタクトホール１６、１６、・・・の形成位置を定めておくことが可能である（図１３参照）。例えば、基板８に予めコンタクトホール１６、１６、・・・の形成位置が指定された孔形成部８ａ、８ａ、・・・を形成することが可能である。孔形成部８ａ、８ａ、・・・は、コンタクトホール１６、１６、・・・が形成されると配線等にダメージを与えてしまうような部分を回避した位置に形成されている。
【０１０４】
このとき孔形成部８ａ、８ａ、・・・にそれぞれ対向する走査線９、９、・・・や補助容量線１０、１０、・・・や信号線１２、１２、・・・等の各部分は他の部分より幅広に形成されていてもよい。また、孔形成部８ａ、８ａ、・・・に外部から視認可能なように着色を施してもよい。
【０１０５】
このように孔形成部８ａ、８ａ、・・・に着色を施すことにより、コンタクトホール１６、１６、・・・の形成位置が明確になり、欠陥の迅速な修復作業を行うことができる。
【０１０６】
また、上記のように、コンタクトホール１６、１６、・・・の形成位置が予め指定された孔形成部８ａ、８ａ、・・・が形成されることにより、配線にダメージを与えることなく欠陥の修復を行うことができる。
【０１０７】
＜まとめ＞
以上に記載した通り、表示装置１にあっては、走査線９や補助容量線１０、１０や信号線１２、１２等の配線に連通され基板８に開口されたコンタクトホール１６が形成され、少なくとも一部がコンタクトホール１６に挿入され配線に生じた欠陥を跨いで配線をバイパスするバイパス導体１７、１７Ａが形成されている。
【０１０８】
従って、予め修復用のリペア線を形成する冗長設計を行う必要がないため、表示装置１の高精細化及び製造コストの低減を図った上で配線に生じた欠陥を簡易に修復することができる。
【０１０９】
また、基板８が樹脂材料によって形成されることにより、基板８に対してコンタクトホール１６、１６、・・・を容易に形成することができる。
【０１１０】
［本技術］
本技術は、以下のような構成にすることもできる。
【０１１１】
（１）ベース部として設けられた基板と、絶縁材料によって形成された絶縁層と、前記基板と前記絶縁層の間に形成された配線とを備え、前記基板に開口され前記配線に連通された少なくとも一つのコンタクトホールが形成され、少なくとも一部が前記コンタクトホールに挿入され前記配線に生じた欠陥を跨いで前記配線をバイパスするバイパス導体が設けられた回路基板。
【０１１２】
（２）前記配線の欠陥がオープン欠陥であり、前記コンタクトホールは前記オープン欠陥が生じた前記配線の部分に連通された前記（１）に記載の回路基板。
【０１１３】
（３）前記コンタクトホールが一つの欠陥に対して二つ形成され、前記バイパス導体が各コンタクトホールにそれぞれ挿入された前記（１）に記載の回路基板。
【０１１４】
（４）前記コンタクトホールの形成位置を予め指定する孔形成部が形成された前記（１）から前記（３）の何れかに記載の回路基板。
【０１１５】
（５）前記配線の欠陥がショート欠陥であり、前記コンタクトホールのうち前記ショート欠陥が生じた領域の両側の部分がそれぞれ切断されて一対の切断部が形成され、前記コンタクトホールは前記ショート欠陥が生じた領域以外の部分に対して二つ形成され、前記バイパス導体が各コンタクトホールにそれぞれ挿入された前記（１）に記載の回路基板。
【０１１６】
（６）前記バイパス導体がペースト状の材料を乾燥させることにより形成された前記（１）から前記（５）の何れかに記載の回路基板。
【０１１７】
（７）前記基板が樹脂材料によって形成された前記（１）から前記（６）の何れかに記載の回路基板。
【０１１８】
（８）ベース部として設けられた基板と、絶縁材料によって形成された絶縁層と、前記基板と前記絶縁層の間に形成された配線と、画像を形成するための画素電極とを備え、前記基板に開口され前記配線に連通された少なくとも一つのコンタクトホールが形成され、少なくとも一部が前記コンタクトホールに挿入され前記配線に生じた欠陥を跨いで前記配線をバイパスするバイパス導体が設けられた表示装置。
【０１１９】
（９）ベース部として設けられた基板と絶縁材料によって形成された絶縁層との間に形成された配線に連通され前記基板に開口された少なくとも一つのコンタクトホールを形成し、少なくとも一部が前記コンタクトホールに挿入され前記配線に生じた欠陥を跨いで前記配線をバイパスするバイパス導体を設けた回路基板における欠陥の修復方法。
【０１２０】
上記した最良の形態において示した各部の具体的な形状及び構造は、何れも本技術を実施する際の具体化のほんの一例を示したものにすぎず、これらによって本技術の技術的範囲が限定的に解釈されることがあってはならないものである。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】図２乃至図１３と共に本技術の最良の形態を示すものであり、本図は、表示装置の概略斜視図である。
【図２】回路基板として設けられたディスプレイの一部を示す底面図である。
【図３】回路基板として設けられたディスプレイの一部を示す断面図である。
【図４】図５乃至図７と共に第１の例を示すものであり、本図は、コンタクトホールが形成された状態を示す底面図である。
【図５】コンタクトホールが形成された状態を示す断面図である。
【図６】バイパス導体が形成されて欠陥が修復された状態を示す底面図である。
【図７】バイパス導体が形成されて欠陥が修復された状態を示す断面図である。
【図８】図９と共に第２の例を示すものであり、本図は、コンタクトホールが形成された状態を示す断面図である。
【図９】バイパス導体が形成されて欠陥が修復された状態を示す断面図である。
【図１０】図１１及び図１２と共に第３の例を示すものであり、本図は、欠陥が生じた領域が切断されて切断部が形成された状態を示す断面図である。
【図１１】コンタクトホールが形成された状態を示す断面図である。
【図１２】バイパス導体が形成されて欠陥が修復された状態を示す断面図である。
【図１３】予めコンタクトホールの形成位置を指定する孔形成部が形成されている例を示す底面図である。
【符号の説明】
【０１２２】
１…表示装置、３…ディスプレイ（回路基板）、８…基板、８ａ…孔形成部、９…走査線（配線）、１０…補助容量線（配線）、１２…信号線（配線）、１２ｂ…部分、１３…絶縁層、１５…画素電極、１６…コンタクトホール、１７…バイパス導体、１７Ａ…バイパス導体、１２ｃ…部分、１２ｅ…部分、１８…切断部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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