(57)【要約】【課題】  複数の円筒状基体を積み重ねた状態で設置し、各円筒状基体上に堆積膜を形成する際に生じやすい堆積膜の端部の特性の周方向のムラが抑えられた電子写真感光体の製造方法を提供する。【解決手段】  電極および円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を電極と複数の円筒状基体との間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成して、電子写真感光体を製造するにあたり、前記正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値および前記負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値であるようにし、リング状部材を円筒状基体の内周面側に配置し、リング状部材によって円筒状基体の内径拡大部に外向きの力を加える。【選択図】  図１Ａ
2013104927.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）内部に電極を有する減圧可能な反応容器の内部に、外径が略同一の複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態で設置する工程と、
（ｉｉ）前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、
（ｉｉｉ）前記電極および前記複数の円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を前記電極と前記複数の円筒状基体との間に印加して、前記複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する工程と、
を有するプラズマＣＶＤ法によって電子写真感光体を製造する方法において、
前記正になるときの前記電極と前記複数の円筒状基体の電位差および前記負になるときの前記電極と前記複数の円筒状基体の電位差の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値（Ｖ１）であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ２）であり、
前記複数の円筒状基体の各々は、その端部の内周面側に内径拡大部を有し、
前記内径拡大部の各々は、前記複数の円筒状基体を積み重ねた際に隣接する２つの内径拡大部の内径が略同一になるように形成されており、
前記複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態にするにあたっては、隣接する２つの内径拡大部の内径が略同一になる向きで前記複数の円筒状基体を積み重ね、前記複数の円筒状基体を積み重ねる際には、隣接する２つの内径拡大部の両方に接するようにリング状部材を円筒状基体の内周面側に配置し、当該リング状部材によって当該２つの内径拡大部に外向きの力を加えることで、前記複数の円筒状基体が略同軸に積み重なるようにする
ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記リング状部材が、その外周面の周方向３箇所の位置に凸部を有する請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記リング状部材が、拡径可能な部材であり、前記リング状部材の拡径によって、前記２つの内径拡大部に外向きの力を加える請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記リング状部材が、その温度の上昇によって拡径する部材である請求項３に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記リング状部材を円筒状基体の内周面側に配置する際、前記複数の円筒状基体の少なくとも１つに対して、前記複数の円筒状基体が互いに近づく方向の力を加え、前記凸部を前記２つの内径拡大部にくい込ませることによって、前記２つの内径拡大部に外向きの力を加える請求項２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
前記Ｖ１が、前記Ｖ２に対して２０％以上の値である請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
前記Ｖ１が、前記放電維持電圧の絶対値に対して９５％以下の値である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｉｉｉ）において、前記電極の電位が一定である請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ｉｉｉ）において、前記電極の電位がアース電位である請求項８に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１０】
前記矩形波が、周波数１０ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下の矩形波である請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１１】
前記原料ガスの少なくとも１種が水素化ケイ素ガスであり、前記堆積膜がアモルファス膜である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１２】
前記電極が、前記反応容器の内壁の少なくとも一部を構成している請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって電子写真感光体を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」とも表記する。）を用いた電子写真感光体は、円筒状基体上に光導電層などの堆積膜を形成することにより製造されている。堆積膜の形成方法としては、ＲＦ帯の高周波を用いたグロー放電により堆積膜形成用の原料ガスを分解し、その分解生成物を円筒状基体に被着させる方法、いわゆるＲＦプラズマＣＶＤ法が広く採用されている。
【０００３】
近年、電子写真装置の高画質化が強く要求されるようになってきており、これに対応して、電子写真感光体の堆積膜の均一性（堆積膜の膜厚および膜質の均一性）の改善や、堆積膜の特性の向上が強く要求されている。
【０００４】
従来のＲＦプラズマＣＶＤ法では、周波数が高いため、波長に応じた定在波が生じてプラズマ中に電界の小さい部分ができたり、用いるプラズマＣＶＤ装置のインピーダンスの影響による伝搬ムラのためにプラズマが不均一になったりする場合があり、堆積膜の均一性を向上させるうえでの課題となっていた。また、用いる電界が交播電界であるため、プラズマ中の荷電粒子（イオンや電子）が電界によって往復運動し、その往復運動の間に他の荷電粒子や中性活性種や原料ガスと二次反応を起こし、粉体状の物質となることがあった。この粉体状の物質が堆積膜中に取り込まれてしまうことが、堆積膜の特性を向上させるうえでの課題となっていた。
【０００５】
これらの課題のうち、堆積膜の均一性の向上に関しては、定在波やプラズマＣＶＤ装置のインピーダンスの影響が小さくなる低周波数でのグロー放電が検討されている。また、堆積膜の特性の向上に関しては、プラズマ中での二次反応を抑制するため、すべての電圧が正および負のいずれか一方の極性になるように調整する、すなわち、一方の極性の電圧のみを印加して放電させることが検討されている。以下、正および負のいずれか一方の極性の電圧のみを印加して放電させることを「片側極性放電」と表記し、正および負の両方の極性の電圧を交互に印加して放電させることを「両側極性放電」と表記する。
【０００６】
特許文献１には、３００ｋＨｚ以下の周波数で正および負のいずれか一方のみの極性の矩形波の電圧を用いる技術が開示されている。特許文献１によれば、３００ｋＨｚ以下の低周波数とすることで、堆積膜の均一性が向上するとされている。また、周波数が３００ｋＨｚ以下であっても、特許文献２に開示されているような両側極性放電の場合、上記二次反応が起きうるが、片側極性放電であれば、荷電粒子（イオンや電子）が一方向への移動しかしないため、上記二次反応が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＷＯ２００６／１３４７８１
【特許文献２】特開２００１−０６７６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、片側極性放電の場合、両側極性放電の場合と異なり、円筒状基体には主に正および負のいずれか一方の極性の荷電粒子のみが到達するため、円筒状基体がチャージアップしやすい。円筒状基体のチャージアップとは、より具体的には、堆積膜が形成された円筒状基体の表面（≒堆積膜の表面）のチャージアップである。片側極性放電では、堆積膜形成時の荷電粒子（イオンや電子）の運動が、円筒状基体のチャージアップの影響を大きく受け、堆積膜の特性にムラが生じやすい。
【０００９】
特に、反応容器の内部に、外径が略同一の複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態で設置し、各円筒状基体上に堆積膜を形成する場合、積み重ねられた各円筒状基体の軸にズレがある（各円筒状基体間の同軸性が低い）と、堆積膜形成時に円筒状基体の端面（積み重ねた円筒状基体同士を突き合わせている面）の一部が露出した状態で堆積膜の形成が行われることになり、端面の一部（露出した部分）にも堆積膜が形成されてしまうことになる。端面の一部に形成された堆積膜の表面において前述したようなチャージアップが起きると、円筒状基体の端部近傍に形成された堆積膜（堆積膜の端部）の特性に周方向のムラが生じやすくなる。
【００１０】
本発明の目的は、複数の円筒状基体を積み重ねた状態で設置し、各円筒状基体上に堆積膜を形成する際に生じやすい堆積膜の端部の特性の周方向のムラが抑えられる電子写真感光体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、
（ｉ）内部に電極を有する減圧可能な反応容器の内部に、外径が略同一の複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態で設置する工程と、
（ｉｉ）前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、
（ｉｉｉ）前記電極および前記複数の円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を前記電極と前記複数の円筒状基体との間に印加して、前記複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する工程と、
を有するプラズマＣＶＤ法によって電子写真感光体を製造する方法において、
前記正になるときの前記電極と前記複数の円筒状基体の電位差および前記負になるときの前記電極と前記複数の円筒状基体の電位差の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値（Ｖ１）であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ２）であり、
前記複数の円筒状基体の各々は、その端部の内周面側に内径拡大部を有し、
前記内径拡大部の各々は、前記複数の円筒状基体を積み重ねた際に隣接する２つの内径拡大部の内径が略同一になるように形成されており、
前記複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態にするにあたっては、隣接する２つの内径拡大部の内径が略同一になる向きで前記複数の円筒状基体を積み重ね、前記複数の円筒状基体を積み重ねる際には、隣接する２つの内径拡大部の両方に接するようにリング状部材を円筒状基体の内周面側に配置し、当該リング状部材によって当該２つの内径拡大部に外向きの力を加えることで、前記複数の円筒状基体が略同軸に積み重なるようにする
ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電子写真感光体の製造方法を用いることで、複数の円筒状基体を積み重ねた状態で設置し、各円筒状基体上に堆積膜を形成する際に生じやすい堆積膜の端部の特性の周方向のムラが抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】矩形波の交播電圧を説明するための図である。
【図１Ｂ】矩形波の交播電圧を説明するための図である。
【図２Ａ】本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置（プラズマＣＶＤ装置）の例を示す模式図である。
【図２Ｂ】本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置（プラズマＣＶＤ装置）の例を示す模式図である。
【図３Ａ】本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置（プラズマＣＶＤ装置）に用いることができるガスブロックの例を示す模式図である。
【図３Ｂ】本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置（プラズマＣＶＤ装置）に用いることができるガスブロックの例を示す模式図である。
【図３Ｃ】本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置（プラズマＣＶＤ装置）に用いることができるガスブロックの例を示す模式図である。
【図３Ｄ】本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置（プラズマＣＶＤ装置）に用いることができるガスブロックの例を示す模式図である。
【図４Ａ】放電開始電圧および放電維持電圧の測定方法を説明するための図である。
【図４Ｂ】放電開始電圧および放電維持電圧の測定方法を説明するための図である。
【図５Ａ】本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置（プラズマＣＶＤ装置）の例を示す模式図である。
【図５Ｂ】本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置（プラズマＣＶＤ装置）の例を示す模式図である。
【図６】比較例で用いたリング状部材を示す模式図である。
【図７】本発明の電子写真感光体の製造方法に用いられるリング状部材の例を示す模式図である。
【図８】本発明の電子写真感光体の製造方法に用いられるリング状部材の例を示す模式図である。
【図９】本発明の電子写真感光体の製造方法に用いられるリング状部材の例を示す模式図である。
【図１０Ａ】矩形波の交播電圧の例を示す図である。
【図１０Ｂ】矩形波の交播電圧の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、
（ｉ）内部に電極を有する減圧可能な反応容器の内部に、外径が略同一の複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態で設置する工程と、
（ｉｉ）前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、
（ｉｉｉ）前記電極および前記複数の円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を前記電極と前記複数の円筒状基体との間に印加して、前記複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する工程と、
を有するプラズマＣＶＤ法によって電子写真感光体を製造する方法において、
前記正になるときの前記電極と前記複数の円筒状基体の電位差および前記負になるときの前記電極と前記複数の円筒状基体の電位差の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値（Ｖ１）であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ２）であり、
前記複数の円筒状基体の各々は、その端部の内周面側に内径拡大部を有し、
前記内径拡大部の各々は、前記複数の円筒状基体を積み重ねた際に隣接する２つの内径拡大部の内径が略同一になるように形成されており、
前記複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態にするにあたっては、隣接する２つの内径拡大部の内径が略同一になる向きで前記複数の円筒状基体を積み重ね、前記複数の円筒状基体を積み重ねる際には、隣接する２つの内径拡大部の両方に接するようにリング状部材を円筒状基体の内周面側に配置し、当該リング状部材によって当該２つの内径拡大部に外向きの力を加えることで、前記複数の円筒状基体が略同軸に積み重なるようにする
ことを特徴としている。
【００１５】
本発明の電子写真感光体の製造方法に用いられるリング状部材は、円筒状基体の端部の内周面側に形成された内径拡大部に外向きの力を加えるための部材である。
【００１６】
リング状部材は、例えば、拡径可能な部材とすることができる。リング状部材が拡径可能な部材である場合、リング状部材の拡径によって、円筒状基体の端部の内周面側に形成された内径拡大部に外向きの力を加えることができる。
【００１７】
図８（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、本発明の電子写真感光体の製造方法に用いられるリング状部材の例を示す模式図である。図８（ａ）〜（ｆ）において、それぞれ上から順番に、上面図、Ａから見た図、Ｂから見た図である。
【００１８】
図８中、８００はリング状部材であり、８３０は配置治具である。
【００１９】
本発明においては、例えば、図８の切り欠き部８０１を有するような円弧状の部材（閉じていないリング状の部材）も、リング状部材に含まれる。
【００２０】
リング状部材８００は、切り欠き部８０１を有する弾性部材からなる円弧状の本体８０２と、本体８０２の外周面に設けられた半円球体状の凸部８０３および溝８０４とを有する。凸部８０３は、本体８０２の外周面に、周方向３箇所の位置に設けられている。さらに、凸部８０３は、周方向３箇所の各位置に、上下方向（本体８０２の幅方向）に２つずつ設けられており、これら２つは上下方向の同一直線上に設けられている。すなわち、本体８０２の外周面には、凸部８０３が合計で６つ設けられている。凸部８０３のうち、図中上側の凸部を上部凸部８０３−１ともいい、下側の凸部を下部凸部８０３−２ともいう。すなわち、本体８０２の外周面には、上部凸部８０３−１が合計で３つ設けられており、下部凸部８０３−２が合計で３つ設けられている。これらすべての凸部は、同一の形状である。溝８０４は、切り欠き部８０１の近傍の下側に設けられている。
【００２１】
配置治具８３０は、受け部８３１および駆動軸８３２からなるリング状部材保持部８３３と、リング状部材保持部８３３を駆動する駆動部（不図示）とからなっている。配置治具８３０には、リング状部材保持部８３３が２つあり、よって、受け部８３１および駆動軸８３２もそれぞれ２つあることになる。２つの受け部８３１は、それぞれ、２つの突出部（図中上側に突出している）を有するコの字型になっている。受け部８３１の２つの突出部のうち一方は、リング状部材８００の溝８０４に挿入可能となっている。
【００２２】
図８（ａ）は、リング状部材８００に配置治具８３０が取り付けられていない状態を示す図である。この状態では、リング状部材８００には、配置治具８３０による力が加わっていないため、本体８０２を構成する弾性部材の弾性力は働いておらず、切り欠き部８０１の切り欠き間隔は広がった状態である。このような状態を、以下「通常状態」ともいう。
【００２３】
まず、図８（ｂ）に示すように、リング状部材８００に配置治具８３０を取り付ける。取り付け方としては、２つの溝８０４のそれぞれに、２つの受け部８３１のそれぞれの２つの突出部の一方を挿入する。この際、受け部８３１の２つの突出部の他方（溝８０４に挿入しなかった方）が、リング状部材８００の内周面側に配置されるようにする。これにより、切り欠き部８０１の近傍の２箇所でリング状部材８００を挟み込む形で配置治具８３０が取り付けられる。
【００２４】
次に、駆動部（不図示）で、２つのリング状部材保持部８３３を互いに近づける方向に動かし、切り欠き部８０１の切り欠き間隔を狭くすることによって、リング状部材８００を縮径する（径を縮小する）。リング状部材８００が縮径した状態を図８（ｃ）に示す。このように、リング状部材保持部８３３を用いて、リング状部材８００が縮径する方向の力をリング状部材８００に加えることで、リング状部材８００を変形させる。この変形により、上面図において、周方向３箇所の位置にある凸部８０３の頂点を結んで得られる仮想円の直径が、図８（ａ）に示す通常状態時の仮想円の直径よりも小さくなる。
【００２５】
図８（ｄ）に示すように、円筒状基体８０５の端部（端面の近傍）の内周面８０６側および円筒状基体８０８の端部（端面の近傍）の内周面８０９側には、それぞれ、内径拡大部８０７および内径拡大部８１０が形成されている。円筒状基体８０５および円筒状基体８０８を図８（ｄ）に示すように積み重ねた場合、内径拡大部８０７および内径拡大部８１０は隣接することになるが、内径拡大部８０７および内径拡大部８１０は、それらの内径が略同一になるように形成されている。また、内径拡大部８０７および内径拡大部８１０は、電子写真感光体にフランジを取り付ける際、フランジを嵌める部分として利用することができる。
【００２６】
リング状部材８００、円筒状基体８０５および円筒状基体８０８の配置方法としては、まず、図８（ｄ）に示すように、内径が略同一になるように形成されている内径拡大部８０７および内径拡大部８１０が隣接する向きで円筒状基体８０５および円筒状基体８０８を積み重ねる。すなわち、円筒状基体８０５の端面８１１と円筒状基体８０８の端面８１２が向き合うように、円筒状基体８０５および円筒状基体８０８を積み重ねる。
【００２７】
円筒状基体８０５および円筒状基体８０８を積み重ねた後、リング状部材８００を、円筒状基体８０５の下側の開口部から円筒状基体８０５の内周面側を通し、上側へ向かって挿入する。このとき、前述のように、リング状部材保持部８３３を用いてリング状部材８００を縮径し（リング状部材８００の切り欠き間隔を狭くし）、周方向３箇所の位置にある凸部８０３の頂点を結んで形成される仮想円の直径が円筒状基体８０５の内周面８０６の内径よりも小さい状態にしておくことによって、円筒状基体８０５の内周面８０６にリング状部材８００が摺擦しにくくなり、リング状部材８００の挿入が容易になる。そして、挿入されたリング状部材８００は、図８（ｄ）に示すように、隣接する内径拡大部８０７と内径拡大部８１０の両方に接することが可能な位置に配置される。
【００２８】
次に、２つのリング状部材保持部８３３を互いに遠ざける方向に動かし、リング状部材８００を拡径し（リング状部材８００の切り欠き間隔を広くし）、リング状部材８００を通常状態に近づけ、リング状部材８００（の凸部８０３）が内径拡大部８０７と内径拡大部８１０の両方に接触するようにする。リング状部材８００が内径拡大部８０７と内径拡大部８１０の両方に接触した状態を図８（ｅ）に示す。図８（ｅ）のＢから見た図に示すように、上部凸部８０３−１は、円筒状基体８０８の内径拡大部８１０に接触し、下部凸部８０３−２は、円筒状基体８０５の内径拡大部８０７に接触している。
【００２９】
次に、リング状部材保持部８３３の受け部８３１をリング状部材８００の溝８０４から離脱させ、配置治具８３０を下降させる。ここで、通常状態のリング状部材８００の周方向３箇所の位置にある凸部８０３の頂点を結んで得られる仮想円の直径が、内径拡大部８０７および内径拡大部８１０の内径よりも大きければ、弾性部材からなる円弧状の本体８０２を有するリング状部材８００は、その弾性力によって、内径拡大部８０７および内径拡大部８１０に外向きの力を加えながら接触した状態になる。この状態を図８（ｆ）に示す。
【００３０】
リング状部材８００の厚さは、上記変形のしやすさの観点から、リング状部材８００の材質がニッケル合金の場合は、２．５ｍｍ以下であることが好ましい。
【００３１】
リング状部材８００の溝８０４の深さは、配置治具８３０の受け部８３１を溝８０４から離脱させる際に、受け部８３１が円筒状基体８０５、８０８の内周面（内径拡大部や内径拡大部と非拡大部との間の段差を含む。）８０７、８０９と摺擦しない深さであることが好ましい。例えば、円筒状基体８０５、８０８の内周面８０６、８０９の内径拡大部の内径がそれぞれ７９．７０ｍｍであり、非拡大部の内径がそれぞれ７８．００ｍｍである場合、円筒状基体の内周面の内径拡大部と非拡大部との段差はそれぞれ０．８５ｍｍとなる。ここで、配置治具８３３の受け部８３１の厚みが１．００ｍｍである場合、配置治具８３３の受け部８３１をリング状部材８００の溝８０４から離脱させる際に、リング状部材８００の外周面と円筒状基体８０５、８０８の内周面８０６、８０９の両方に摺擦しないように、配置治具８３３の受け部８３１の位置を制御することが好ましい。この位置制御に必要なスペースの余裕は、０．５０ｍｍ以上であることが好ましい。そのため、リング状部材８００の溝８０４の深さとしては、配置治具８３３の受け部８３１の位置制御に必要なスペースの余裕０．５０ｍｍと、段差０．８５ｍｍと、受け部８３１の厚み１．００ｍｍとの和である２．３５ｍｍ以上であることが好ましい。一例として、リング状部材８００の厚さを２．５０ｍｍとし、溝８０４の深さを２．３５ｍｍとすることが考えられる。
【００３２】
リング状部材８００の本体８０２の材質としては、弾性材料であることが好ましく、耐久性やコストの観点から、金属製のバネ材であることが好ましい。金属としては、例えば、モネル４００（商標）、モネルＫ（商標）、インコネル（商標）、ハステロイ（商標）などのニッケル合金や、ニッケルチタン合金（ＮｉＴｉ合金）などが挙げられる。また、オーステナイト系ステンレス鋼（ＳＵＳ３０１／ＳＵＳ３０４／ＳＵＳ３１６）、析出硬化型ステンレス鋼（ＳＵＳ６３０／ＳＵＳ６３１）、バネ鋼（ＳＵＰ−９／ＳＵＰ−９Ａ／ＳＵＰ−１０／ＳＵＰ−１１Ａ／ＳＵＰ−１２）なども挙げられる。また、これら材料の表面には、必要に応じて、無電解ニッケル−リンメッキ処理などの表面処理を施してもよい。
【００３３】
図９（ａ）〜（ｅ）も、それぞれ、本発明の電子写真感光体の製造方法に用いられるリング状部材の例を示す模式図である。図９（ａ）〜（ｅ）においても、それぞれ上から順番に、上面図、Ａから見た模式図、Ｂから見た模式図である。
【００３４】
図９中、９００はリング状部材であり、９３０は配置治具である。
リング状部材９００は、切り欠き部９０１を有する形状記憶合金からなる円弧状の本体９０２と、本体９０２の外周面に設けられた半円球体状の凸部９０３とを有する。凸部９０３は、本体９０２の外周面に、周方向３箇所の位置に設けられている。さらに、凸部９０３は、周方向３箇所の各位置には、幅方向（上下方向）に２つずつ設けられており、これら２つは上下方向の同一直線上に設けられている。すなわち、本体９０２の外周面には、凸部９０３が合計で６つ設けられている。凸部９０３のうち、図中上側の凸部を上部凸部９０３−１ともいい、下側の凸部を下部凸部９０３−２ともいう。すなわち、本体９０２の外周面には、上部凸部９０３−１が合計で３つ設けられており、下部凸部９０３−２が合計で３つ設けられている。これらすべての凸部は、同一の形状である。
配置治具９３０は、円盤状のリング状部材保持部９３１と、駆動軸９３２と、駆動軸９３２を駆動する駆動部（不図示）とからなっている。
【００３５】
図９（ａ）は、リング状部材９００が、本体９０２の形状記憶合金の変態温度より高い温度のときの状態を示す図である。例えば、本体９０２の材質がＮｉ含有率５６％のＮｉＴｉ合金である場合は、２０℃以上の温度（例えば２５℃）のときの状態である。図９（ｂ）は、リング状部材９００が、本体９０２の形状記憶合金の変態温度より低い温度のときの状態を示す図である。例えば、本体９０２の材質がＮｉ含有率５６％のＮｉＴｉ合金である場合は、２０℃より低い温度（例えば−５℃）のときの状態である。本体９０２の形状記憶合金の変態温度より低い温度のリング状部材９００は、変態温度より高い温度のときよりも径が小さくなっている。
【００３６】
リング状部材９００を低温状態にするには、例えば、冷凍庫のような雰囲気を低温状態に維持可能な機器内において作業を行えばよい。また、リング状部材９００を高温状態にするには、例えば、リング状部材９００を冷凍庫などの機器から取り出し、室温に戻してから作業を行ったり、配置治具９３０にヒーターを設けてリング状部材９００を加熱し、リング状部材９００の温度を上昇させながら作業を行ったり、円筒状基体８０５および／または円筒状基体８０８の内周面に温風を吹きかけ、リング状部材９００の温度を上昇させながら作業を行ったりすればよい。
【００３７】
リング状部材９００の本体９０２の材質としては、リング状部材９００を高温に維持する装置を必ずしも必要としない点から、変態温度が室温未満の形状記憶合金であることが好ましい。そのような形状記憶合金としては、例えば、変態温度が２０〜５０℃の範囲にあるＮｉ含有率５５．５〜５６％のＮｉＴｉ合金や、変態温度が−３０〜３０℃の範囲にあるＮｉ含有率５３〜５５％かつＣｏ含有率１〜３％のＮｉＴｉＣｏ合金などが挙げられる。
【００３８】
リング状部材９００、円筒状基体８０５および円筒状基体８０８の配置方法としては、まず、図９（ｃ）に示すように、内径が略同一になるように形成されている内径拡大部８０７および内径拡大部８１０が隣接する向きで円筒状基体８０５および円筒状基体８０８を積み重ねる。すなわち、円筒状基体８０５の端面８１１と円筒状基体８０８の端面８１２が向き合うように、円筒状基体８０５および円筒状基体８０８を積み重ねる。
【００３９】
円筒状基体８０５および円筒状基体８０８を積み重ねた後、低温状態にして縮径したリング状部材９００を、円筒状基体８０５の下側の開口部から円筒状基体８０５の内周面側を通して、上側へ向かって挿入する。このとき、前述のように、リング状部材９００を本体９０２の形状記憶合金の変態温度より低い温度（低温状態）にし、周方向３箇所の位置にある凸部９０３の頂点を結んで形成される仮想円の直径が円筒状基体８０５の内周面８０６の内径よりも小さい状態にしておくことによって、円筒状基体８０５の内周面８０６にリング状部材９００が摺擦しにくくなり、リング状部材９００の挿入が容易になる。そして、挿入されたリング状部材９００は、図９（ｃ）に示すように、隣接する内径拡大部８０７と内径拡大部８１０の両方に接することが可能な位置に配置される。
【００４０】
次に、リング状部材９００を本体９０２の形状記憶合金の変態温度より高い温度（高温状態）にし、リング状部材９００を拡径し（リング状部材９００の切り欠き間隔を広くし）、リング状部材９００（の凸部９０３）が内径拡大部８０７と内径拡大部８１０の両方に接触するようにする。リング状部材９００が内径拡大部８０７と内径拡大部８１０の両方に接触した状態を図９（ｄ）に示す。図９（ｄ）のＢから見た図に示すように、上部凸部９０３−１は、円筒状基体８０８の内径拡大部８１０に接触し、下部凸部９０３−２は、円筒状基体８０５の内径拡大部８０７と接触している。
【００４１】
次に、配置治具９３０をリング状部材９００から離脱させ、配置治具９３０を下降させる。ここで、高温状態のリング状部材９００の周方向３箇所の位置にある凸部９０３の頂点を結んで得られる仮想円の直径が、内径拡大部８０７および内径拡大部８１０の内径よりも大きければ、形状記憶合金からなる円弧状の本体９０２を有するリング状部材９００は、内径拡大部８０７および内径拡大部８１０に外向きの力を加えながら接触した状態になる。この状態を図９（ｅ）に示す。
【００４２】
次に、図８、図９における凸部８０３、９０３の配置、形状、材質などについて説明する。
【００４３】
凸部８０３、９０３は、図８、図９に示すように、本体８０２、９０２の周方向の同一位置で、円筒状基体８０５、８０８の内径拡大部８０７、８１０と接触するように配置されることが好ましい。また、凸部８０３、９０３は、図８、図９に示すように、同一形状の凸部を本体８０２、９０２の幅方向（上下方向）に２つずつ設け、これら２つを幅方向（上下方向）の同一直線上に設け、片方が円筒状基体８０５、他方が円筒状基体８０８と接触するように配置されることが好ましい。
【００４４】
凸部８０３、９０３の形状としては、例えば、半円球体状、四角錘状、円錘状などが挙げられる。
【００４５】
また、凸部は、図８（ｇ）、（ｆ）に示すように、上下方向（本体１６０２の幅方向）に伸びる形状にし（凸部１６０３）、各凸部が円筒状基体８０５、８０８の両方に接触するようにしてもよい。この場合、凸部１６０３の形状としては、例えば、Ｃ方向の投影図が半円形であって上下方向（本体１６０２の幅方向）の端部が球形となっている形状（図８（ｇ））や、Ｃ方向の投影図が三角形となっている多面体形状（図８（ｈ））などが挙げられる。
【００４６】
本発明においては、凸部８０３、９０３は、リング状部材８００、９００の本体８０２、９０２の外周面に周方向３箇所の位置に設けられていることが好ましい。また、リング状部材８００、９００が通常状態であるとき、凸部８０３、９０３の周方向３箇所の位置は、上面図において、凸部８０３、９０３の頂点を結んで得られる仮想三角形のすべての内角が９０．０°未満であることが好ましい。９０．０°未満であれば、凸部８０３、９０３が円筒状基体８０５、８０８の内径拡大部８０７、８１０と接触した際に、円筒状基体８０５と円筒状基体８０８の軸にズレが生じにくい。
【００４７】
リング状部材８００、９００が凸部８０３、９０３を有さない場合、リング状部材８００、９００の本体８０２、９０２の外周面が円筒状基体８０５、８０８の内径拡大部８０７、８１０と接触することになる。その場合でも本発明の効果は得られる。しかしながら、凸部８０３、９０３を有するほうが、本体８０２、９０２の真円度が低下した場合においても、各円筒状基体間の同軸性を維持しやすく、したがって、堆積膜の端部の特性の周方向のムラをより抑えることができる点で好適である。リング状部材８００、９００の本体８０２、９０２の外周面に周方向３箇所の位置に凸部８０３、９０３を設ける形態では、本体８０２、９０２の真円度が低下しても、円筒状基体８０５および円筒状基体８０８は、凸部８０３、９０３の頂点を結んで得られる仮想円で位置が決定されるので、円筒状基体８０５と円筒状基体８０８の同軸性を維持しやすい。
【００４８】
次に、凸部８０３、９０３のうち、上下方向（本体８０２、９０２の幅方向）に設けられている下部凸部８０３−２、９０３−２と上部凸部８０３−１、９０３−１との周方向のズレについて説明する。この周方向のズレは、周方向において０°以上１０°以下であることが好ましい。１０°以下であれば、本体８０２、９０２の真円度が低下しても、円筒状基体８０５、８０８の内径拡大部８０７、８１０に加える外向きの力が低下する箇所が発生しにくい。
【００４９】
凸部８０３、９０３は、例えば、本体８０２、９０２と一体的に形成してもよいし、本体８０２、９０２にネジ止めしてもよいし、本体８０２、９０２に溶接などで取り付けてもよい。
【００５０】
また、凸部８０３、９０２の材質は、本体８０２、９０２と同一の材質でもよいし、異なる材質でもよいが、円筒状基体８０５と円筒状基体８０８の電気的な導通性の安定性の観点から、導電性材料であることが好ましい。
【００５１】
図７（ａ）〜（ｅ）も、それぞれ、本発明の電子写真感光体の製造方法に用いられるリング状部材の例を示す模式図である。図７（ａ）においては、上から順番に、上面図、Ａ方向から見た模式図、Ｂ部およびＣ部の拡大模式図を示す。
【００５２】
リング状部材７００は、円筒状の本体７０１と、本体７０１の外周面に設けられた凸部７０２とを有する。凸部７０２は、上部のテーパー面７０３と、下部のテーパー面７０４と、平面７０５とを有している。すべての凸部は、同一の形状である。図７中、凸部７０２の長さをｌ０、幅をｗ０、高さをｈ０で表している。また、テーパー面７０３、７０４の代わりに曲面であってもよい。
【００５３】
破線で示す７０６は、本体７０１の外周面の３箇所の位置に設けられた凸部７０２の外接円を示し、外接円７０６の直径をｄ０で示している。ｄ０は、円筒状基体８０５、８０８の内周面の内径より大きく設定されていることが好ましい。
【００５４】
リング状部材７００、円筒状基体８０５および円筒状基体８０８の配置方法としては、まず、図７（ｂ）に示すように、リング状部材７００を円筒状基体８０５の上方に移動させる。次に、図７（ｃ）に示すように、リング状部材７００を円筒状基体８０５の内周面側に挿入し、リング状部材７００を円筒状基体８０５に取り付ける。リング状部材７００を円筒状基体８０５の内周面側に挿入すると、凸部７０２のテーパー面７０４が円筒状基体８０５の内径拡大部８０７の入り口部分で引っ掛かる。このときの凸部７０２近傍の拡大模式図を、図７（ｃ）右側の破線円内に示す。
【００５５】
次に、図７（ｄ）に示すように、リング状部材７００の上方に円筒状基体８０８を移動させる。そして、円筒状基体８０８をリング状部材７００に被せるようにすると、凸部７０２のテーパー面７０３が、円筒状基体８０８の内径拡大部８１０の入り口部分で引っ掛かる。このときの凸部７０２の近傍の拡大模式図を、図７（ｄ）右側の破線円内に示す。
【００５６】
このようにして、リング状部材７００を円筒状基体８０５および円筒状基体８０８の内周面側の所定の位置に設置した後、円筒状基体８０５および円筒状基体８０８の少なくとも１つに対して、円筒状基体８０５および円筒状基体８０８が互いに近づく方向の力を加える。すると、凸部７０２が、円筒状基体８０５の内径拡大部８０７および円筒状基体８０８の内径拡大部８１０の内周面にくい込んでいく。さらに、円筒状基体８０８の端面と円筒状基体８０５の端面が密着するまで力を加えていく。その状態を、図７（ｅ）に示す。また、凸部７０２近傍の拡大模式図を、図７（ｅ）右側の破線円内に示す。図７（ｅ）右側の破線円内では、凸部７０２の平面７０５、テーパー面７０３およびテーパー面７０４の一部を破線で表しており、この部分は、円筒状基体８０５の内径拡大部８０７および円筒状基体８０８の内径拡大部８１０の内周面にくい込んでいる部分である。また、図７（ｅ）右側の破線円内のＬは、くい込んでいる部分の長さを示している。
【００５７】
リング状部材７００の本体７０１の材質としては、円筒状基体８０５、８０８と同一の材質でもよいし、異なる材質でもよい。
【００５８】
リング状部材７００の凸部７０２の材質としては、円筒状基体８０５（の内径拡大部８０７）および円筒状基体８０８（の内径拡大部８１０）の内周面にくい込ませることが可能な材質であることが好ましく、円筒状基体８０５、８０８より高硬度の方が、円筒状基体８０５（の内径拡大部８０７）および円筒状基体８０８（の内径拡大部８１０）の内周面にくい込ませやすい。
【００５９】
また、リング状部材７００の本体７０１および凸部７０２の材質は、円筒状基体８０５と円筒状基体８０８の電気的な導通性の安定性の観点から、ステンレス鋼などの導電性材料であることが好ましい。
【００６０】
凸部７０２は、例えば、本体７０１と一体的に形成してもよいし、本体７０１にネジ止めしてもよいし、本体７０１に溶接などで取り付けてもよい。
凸部７０２は、円筒状基体８０５の内径拡大部８０７および円筒状基体８０８の内径拡大部８１０において、周方向の同一位置でくい込むことが好ましい。
【００６１】
本発明においては、凸部７０２は、円筒状基体８０５と円筒状基体８０８の同軸性を維持する観点から、リング状部材７００の本体７０１の外周面に周方向３箇所の位置に設けられていることが好ましい。また、例えば、図７（ａ）に示すように、凸部７０２は、各周方向の位置において、上下方向（本体７０１の幅方向）の中心に設けられていることが好ましい。
【００６２】
凸部７０２の外接円７０６の直径ｄ０は、円筒状基体８０５、８０８の内径拡大部８０７、８１０の内径（図７（ｂ）においてｄ１で示す。）以上であることが好ましく、ｄ１に対してｄ０を０．１ｍｍ以上大きくすることが好ましい。一方、円筒状基体８０５、８０８の内径拡大部８０７、８１０の内周面に凸部７０２をくい込ませやすくしたり、円筒状基体８０５、８０８の変形を抑えたりする観点から、ｄ１に対してｄ０を０．４ｍｍ以下大きくすることが好ましい。
【００６３】
また、凸部７０２がくい込んでいる部分の長さは、０．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であることが好ましい。また、凸部７０２をくい込ませる円筒状基体８０５、８０８の内径拡大部８０７、８１０の位置は、例えば、図７（ｅ）に示すように、円筒状基体８０５、８０８の端部近傍であることが好ましい。このようにすることで、円筒状基体８０５、８０８の端部が密着するときに、凸部７０２を内径拡大部８０７、８１０の内周面にくい込ませることが可能となり、くい込ませるときに発生する場合のある塵挨が、円筒状基体の外周面に付着するのを低減することができる。
【００６４】
以上のように、リング状部材７００を円筒状基体８０５、８０８の内径拡大部８０７、８１０にくい込ませることによって、内径拡大部８０７、８１０に外向きの力を加えることができる。
【００６５】
本発明の電子写真感光体の製造方法に用いられるリング状部材は前述したものに限られず、円筒状基体の内径拡大部に外向きの力を加えることができるものであればよい。
図１ＡおよびＢは、矩形波の交播電圧を説明するための図である。
図１Ａは、電極の電位をアース電位で一定とし、電極の電位に対する円筒状基体の電位が交互に正と負になるように矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体との間に印加した場合の円筒状基体の電位の変化を示す図である。図１Ａの例では、電極の電位に対する円筒状基体の電位が正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値（Ｖ１）となっており、負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ２）となっている。図１Ａの例では、電極の電位を一定としているため、円筒状基体の電位が図１Ａに示すように矩形状に変化する。
【００６６】
図１Ａ中のＴは、矩形波の周期を表しており、矩形波の周波数（パルス周波数）によって決まる。本発明では、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波が用いられ、好ましくは、周波数１０ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下の矩形波が用いられる。また、図１Ａ中のｔ１は、上記電極と円筒状基体の電位差の絶対値がＶ１となっている時間（期間）を表しており、ｔ２は、上記電極と円筒状基体の電位差の絶対値がＶ２となっている時間（期間）を表している。また、本発明では、ｔ２をＴで除した値（ｔ２／Ｔ）をＤｕｔｙ比（％）と定義する。図１Ａの例では、Ｄｕｔｙ比を３０％としている。
【００６７】
このような矩形波の交播電圧は、電極の電位に対する円筒状基体の電位が正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値がＶ１となる電圧、および、電極の電位に対する円筒状基体の電位が負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値がＶ２となる電圧を、ＤＣ電源から発生させて、スイッチ素子をＯＮ／ＯＦＦ制御し、ＤＣ電源からの電圧を時分割パルス状にすることによって得ることができる。スイッチ素子としては、例えば、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラートランジスター）、ＭＯＳＦＥＴなどの半導体スイッチ素子を用いたものがある。これらのスイッチ素子によれば、Ｄｕｔｙ比や周波数を変化させることもできる。
【００６８】
図２ＡおよびＢ（以下まとめて「図２」とも表記する。）は、本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置（プラズマＣＶＤ装置）の例を示す模式図である。図２Ａは縦断面図であり、図２Ｂは横断面図である。図２に示すプラズマＣＶＤ装置では、電極２１４の電位に対する円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）の電位が交互に正と負になるように、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を電極２１４と円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）との間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）上（円筒状基体２１２の外周面）に堆積膜を形成することができる。なお、図２Ｂ中、リング状部材（不図示）が、円筒状基体２１２Ａの下側の内径拡大部と円筒状基体２１２Ｂの上側の内径拡大部の両方に接するように配置されている。
【００６９】
電源２３１から出力され、電極２１４と電極２１４と離間させて設置された円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）との間に印加される矩形波の交播電圧は、制御部２３０によって周波数、Ｄｕｔｙ比などが制御される。本発明において、矩形波の交播電圧の周波数は、ＶＬＦ帯からＬＦ帯となる３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の範囲内にする。周波数が低くなりすぎると、円筒状基体のチャージアップを抑制しにくくなり、堆積膜の端部の特性の周方向のムラが生じやすくなる。一方、周波数が高くなりすぎると、波長に応じた定在波が生じてプラズマ中に電界の小さい部分ができたり、プラズマＣＶＤ装置のインピーダンスの影響による伝搬ムラのためにプラズマが不均一になったりして、堆積膜の均一性が低下しやすくなる。
【００７０】
図１Ａ中のｔ２の期間では、電極２１４と円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）の電位差の絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ２）となっているため、電極２１４と円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）との間に放電が生起し、プラズマが生成される。プラズマ中の中性活性種および陽イオンが円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）に到達し、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）上に堆積膜が形成される。この過程において、陽イオンが持つ正の電荷により、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）は正電位にチャージアップする。なお、「プラズマが生成される」とは、電極と円筒状基体との間に放電が生起し、原料ガスが電離して、荷電粒子（イオンや電子）が生成されることを意味している。
【００７１】
次に、ｔ１の期間になると、電極２１４と円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）の電位差の絶対値が放電維持電圧の絶対値未満になるため、放電が消滅し、プラズマは維持できなくなる。しかしながら、ｔ２の期間で生成された荷電粒子（イオンや電子）は、瞬時には消滅せずにｔ１の期間において徐々に減衰しながらしばらくの間は残存する。この状態は、一般にアフターグローと呼ばれ、新たに荷電粒子（イオンや電子）は生成されない。このアフターグローの寿命は、数十μ秒から数ｍ秒程度である。アフターグローの寿命は、圧力によって変化する。圧力が高くなるほど、ガス分子などに衝突しやすくなるため、アフターグローの寿命は短くなる傾向である。
【００７２】
本例においては、アフターグローの状態で電極２１４の電位に対する円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）の電位が正になるため、アフターグロー中の負の荷電粒子、すなわち電子および陰イオンが円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）に到達する。この過程において、電子および陰イオンが持つ負の電荷により、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）の正電位のチャージアップは緩和されることとなる。
【００７３】
本発明において、堆積膜の端部の特性の周方向のムラが抑制されるのは、このように円筒状基体のチャージアップが抑制されるためであると考えられる。
【００７４】
なお、アフターグロー中においては新たな荷電粒子（イオンや電子）は生成されず、アフターグロー中の荷電粒子の量は限られている。そのため、ｔ２の期間で生成された荷電粒子（イオンや電子）の運動の向きはｔ１の期間になると反転するが、その反転による二次反応は、堆積膜の特性に悪影響を与えるほどの物質は生じさせない。また、ｔ１の期間において荷電粒子（イオンや電子）が円筒状基体に到達しても、ｔ２の期間において生じた円筒状基体のチャージアップが緩和されるだけであり、逆の極性にまで円筒状基体がチャージアップすることはない。
【００７５】
また、図２に示すプラズマＣＶＤ装置においては、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）を保持するためのホルダー（以下「基体ホルダー」と表記する。）２１３にも円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）と同様の電圧が印加されるので、基体ホルダー２１３においても、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）と同様の上記現象が生じている。
【００７６】
図１Ａにおいては、Ｖ２からＶ１への切り替わりおよびＶ１からＶ２への切り替わりは瞬時に行われるように示しているが、一般的な市販電源では、電源回路特性の限界から、Ｖ２からＶ１への切り替わりおよびＶ１からＶ２への切り替わりには、ある程度の時間を要する。その切り替わりに要する時間は、一般的な市販電源においては１μ秒以下の程度である。前述したようにアフターグローの寿命は数十μ秒から数ｍ秒程度であり、１μ秒に比べて長いので、この程度の切り替わりに要する時間が本発明の効果に影響を及ぼすことはない。また、電源によっては、図１Ｂに示すように、Ｖ２からＶ１への切り替わり時およびＶ１からＶ２への切り替わり時に０Ｖでの時間が必要になるものがあるが、この０Ｖでの時間は０．５μ秒以下の程度であり、アフターグローの寿命に比べて十分に短いので、本発明の効果に影響を及ぼすことはない。
【００７７】
また、図１Ａにおいては、完全な矩形波を示しているが、一般的な市販電源では、矩形波のエッジ部になまりが生じたり、オーバーシュートによって若干鋭角状となったり、Ｖ１やＶ２になるときにリンギングが生じたりすることもある。このような場合でも、本発明の効果は得られる。
【００７８】
次に、放電開始電圧および放電維持電圧について詳細に述べる。
電極と円筒状基体との間の放電は、電極と円筒状基体との間にわずかながら存在している電子が電界によって正電位側に運ばれ、その途中でガス分子に衝突してこれを電離させて、電子とイオンを生成するα作用が継続することによって始まる。この電離を生じさせるためには、衝突時の電子のエネルギーが、ガス分子の電離エネルギー以上であることが必要となる。電子がガス分子に衝突する際のエネルギーは、電界が大きくなるほど、すなわち、電極と円筒状基体との間に印加する電圧が大きくなるほど大きくなる。電極と円筒状基体との間に印加する電圧を徐々に上げていき、電子がガス分子に衝突する際のエネルギーがガス分子の電離エネルギーに達すると、ガス分子の電離によって電極と円筒状基体との間に存在する電子が増加して、衝突によるガス分子の電離が継続して起こることで放電が始まる。この放電が始まる時点の電圧を放電開始電圧という。
【００７９】
また、放電が開始した状態から、電極と円筒状基体との間に印加する電圧を下げていくと、ある電圧よりも小さくなった時点で放電が維持できなくなる。放電が維持できる最低電圧を放電維持電圧という。放電維持電圧は、通常、放電開始電圧よりも低い。これは、放電が生起した状態では、放電が生起していない状態と比べて放電空間内の電子の数が多く、電極と円筒状基体との間の印加電圧の絶対値が放電開始電圧の絶対値未満になっても、放電維持電圧の絶対値以上であれば、ガス分子を電離可能なエネルギーを持った電子が放電維持に必要な数以上存在するためである。
【００８０】
また、γ作用と呼ばれる現象も、放電維持電圧が放電開始電圧よりも低くなる理由の１つとなっている。γ作用とは、ガス分子が電離して生じたイオンが電極や円筒状基体に衝突する際、それらから二次電子が放出される現象である。放電が生起した後は、このγ作用によって生じた電子もガス分子の電離に寄与するので、放電開始電圧よりも低い電圧で放電が維持可能となる。
【００８１】
このように、放電開始電圧および放電維持電圧は、ガス分子の電離電圧および電子がガス分子に衝突するときのエネルギーが支配的な要素となる。ガス分子の電離電圧は、ガス種が決まれば決定される。また、ガス分子に衝突するときの電子のエネルギーは、電界強度および電子がガス分子に衝突するまでの移動距離の関数となる。言い換えれば、印加電圧、電極と円筒状基体との間の距離および電子がガス分子に衝突するまでの移動距離の関数となる。また、電子がガス分子に衝突するまでの移動距離は、ガスの密度の関数、言い換えれば、圧力の関数となる。
【００８２】
なお、複数のガス種からなる混合ガスを用いる場合、各々のガスの電離電圧とともに、ガスの混合比率も、放電開始電圧および放電維持電圧を決定付ける要素となる。
【００８３】
これら以外に放電開始電圧および放電維持電圧に影響を及ぼすものとしては、電極の表面材質、形状および温度などがあるが、これらは電離電圧、印加電圧、電極と円筒状基体との間の距離および圧力に比べて影響度は小さい。
【００８４】
このように、放電開始電圧および放電維持電圧は、ガス種、ガスの混合比率、電極と円筒状基体との間の距離および圧力によって異なるため、使用するガス条件およびプラズマＣＶＤ装置の構成によって固有の値を持つこととなる。すなわち、使用するプラズマＣＶＤ装置と使用するガス条件が決まれば、放電開始電圧および放電維持電圧は一意に決まる。
【００８５】
本発明においては、放電開始電圧および放電維持電圧の値そのものよりも、正および負のいずれか一方の電界で放電を生起させ、続いて、それとは逆極性の電界で放電が維持しないレベルにすることが効果を得るために重要である。そのため、使用するガス条件およびプラズマＣＶＤ装置の構成によって放電開始電圧および放電維持電圧の値そのものは変わるものの、本発明の条件を満たせば、本発明の効果を得ることができる。例えば、シランガスおよび水素ガスの混合ガスを用いた場合と、シランガスおよび水素ガスおよびメタンガスの混合ガスを用いた場合では、放電開始電圧および放電維持電圧は異なる。しかしながら、どちらの場合においても、本発明の条件を満たすことによって、本発明の効果を得ることができる。
【００８６】
以上のように、本発明においては正または負のどちらか一方の電位を放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ２）として放電を生起させてプラズマを生成し、他方の電位を放電維持電圧の絶対値未満の値（Ｖ１）とすることで効果を得る。しかしより好ましくはＶ１をＶ２に対して２０％以上とする。このような条件とすることでチャージアップ抑制効果がより顕著に得られ、本発明の効果がより顕著に得られる。
【００８７】
また、放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ２）が大きいほど、円筒状基体のチャージアップの量は多くなるが、アフターグロー中の荷電粒子（イオンや電子）の密度も高くなるため、放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ２）の大きさによらず、同様の効果を得ることができる。
【００８８】
一方、放電維持電圧の絶対値未満の値（Ｖ１）は、チャージアップの抑制の観点から、放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ２）に対して２０％以上の値であることが好ましい。これは、放電維持電圧の絶対値未満の値（Ｖ１）を大きくしていくと、アフターグロー中の荷電粒子（イオンや電子）を円筒状基体に到達させる力が大きくなり、チャージアップを抑制するための単位時間当たりの電荷の入射密度が高まるためであると考えられる。ただし、２０％以上の条件では、チャージアップを抑制する効果はわずかにしか向上しない。これは、アフターグロー中の荷電粒子（イオンや電子）の量が限られるため、荷電粒子を円筒状基体に到達させる力を高めても、ｔ１の期間に円筒状基体に到達する荷電粒子の総量に大きな差が生じないためであると考えられる。
【００８９】
また、放電維持電圧の絶対値未満の値（Ｖ１）は、本発明の効果を安定して得る観点から、放電維持電圧の絶対値に対して９５％以下であることが好ましい。９５％以下とすることで、電源出力の変動や、プラズマＣＶＤ装置の反応容器の内壁面からの付着物の剥落による放電空間内の一時的な電界変動が生じても、放電維持電圧の絶対値未満の状態を維持することができるので、本発明の効果を安定して得やすくなる。
【００９０】
放電が開始したか否か、および、放電が維持されているか否かは、例えば、電圧−電流特性から判断する方法や、プラズマ発光を検知して判断する方法などがある。
【００９１】
図４ＡおよびＢは、放電開始電圧および放電維持電圧の測定方法を説明するための図である。図４Ａは、図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、電極と円筒状基体との間に電圧を印加し、放電開始電圧を求めたときの電圧−電流特性を示す図である。図４Ｂは、図４Ａと同様、図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、放電維持電圧を求めたときの電圧−電流特性を示す図である。このような電圧−電流特性から、放電が開始したか否か、および、放電が維持されているか否かを判断し、放電開始電圧および放電維持電圧を求めることができる。
【００９２】
電極の電位に対する円筒状基体の電位が負になったときに放電を生起させて電子写真感光体を製造しようとする場合には、図４Ａの例のように負電位の放電開始電圧と、図４Ｂの例のように正電位の放電維持電圧を求めることになる。
【００９３】
まず、図２に示すプラズマＣＶＤ装置の制御部２３０で、電圧を０Ｖと設定電圧を繰り返す矩形波の電圧（パルス電圧）として、周波数２５ｋＨｚおよびＤｕｔｙ比３０％の条件で出力波形を制御した。そして、設定電圧を０Ｖから負の方向に１０Ｖ刻みで大きくしていき（０Ｖ→−１０Ｖ→−２０Ｖ…）、そのときの電流変化を測定した。図４Ａに示すように、設定電圧を０Ｖから徐々に負の方向に大きくしていくと、電流が急に増加する点が観測される。そのときの電圧が放電開始電圧である。なお、放電開始電圧に至るまでも、若干の電流が計測されているが、その電流は放電に伴うものではなく、電極と円筒状基体との間に存在した荷電粒子が動くことによる暗流と、プラズマＣＶＤ装置内での漏れ電流である。なお、図４（ａ）においては、設定電圧が−６５０Ｖの際の電流を１００％として示している。
【００９４】
次に、図４Ｂに示すように、設定電圧を＋６５０Ｖまで上げて電極と円筒状基体との間に放電を生起させる。この状態から設定電圧を０Ｖの方向に１０Ｖ刻みで小さくしていくと（＋６５０Ｖ→＋６４０Ｖ→＋６３０Ｖ…）、電流が急に減少する点が観測される。電流が急に減少する直前の電圧が放電維持電圧である。なお、図４Ｂにおいては、設定電圧が＋６５０Ｖの際の電流を１００％として示している。
【００９５】
また、矩形波のＤｕｔｙ比は、生産性とチャージアップの抑制とを両立させる観点から、２０％以上８０％以下であることが好ましい。Ｄｕｔｙ比が大きくなるほど、原料ガスを電離させるｔ２の期間の比率が大きくなり、生産性が向上する傾向にある。一方、Ｄｕｔｙ比が小さくなるほど、円筒状基体のチャージアップを緩和するｔ１の期間の比率が大きくなり、チャージアップを抑制するレベルが大きくなる傾向にある。ただし、アフターグローには寿命があり、アフターグロー中の荷電粒子（イオンや電子）の量にも限りがあるため、Ｄｕｔｙ比を小さくしてｔ１の期間を長くしていっても、ある程度の長さでチャージアップを抑制するレベルは変わらなくなる。
【００９６】
なお、周波数３ｋＨｚのときは、周期Ｔが３３３μ秒強となる。このような周波数の低い条件において、Ｄｕｔｙ比が小さくなり、ｔ１の期間が長くなると、ｔ１の期間の途中でアフターグローが消滅する場合があるが、ｔ１の期間が長い分、ｔ２の期間は短くなり、ｔ２の期間における円筒状基体のチャージアップの量が小さくなるため、アフターグローの寿命の間で十分にチャージアップを緩和することができる。また、周波数３００ｋＨｚのときは、周期Ｔが３．３μ秒強となる。このような周波数が高い条件において、Ｄｕｔｙ比が大きくなると、ｔ１の期間は短くなるが、周波数が低い場合に比べればｔ２の期間が短く、ｔ２の期間における円筒状基体のチャージアップの量が小さいため、十分にチャージアップを緩和することができる。
【００９７】
以上、主として、電極の電位をアース電位で一定とし、電極の電位に対する円筒状基体の電位が交互に正と負になるように矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体との間に印加し、電極の電位に対する円筒状基体の電位が正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値（Ｖ１）となり、負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ２）となる場合を例にとって、本発明を説明したが、その他の場合も、本発明の条件を満たせば、本発明の効果を得ることができる。その他の場合として、例えば、電極の電位をアース電位以外の電位で一定としてもよいし、円筒状基体の電位をアース電位またはそれ以外の電位で一定としてもよいし、電極の電位および円筒状基体の電位のどちらも一定でないようにしてもよい。また、上記正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値（Ｖ２）となり、上記負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値（Ｖ１）となるようにしてもよい。
【００９８】
本発明では、円筒状基体上（円筒状基体の外周面）に、プラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する。堆積膜としては、例えば、下部電荷注入阻止層、光導電層、上部電荷注入阻止層、表面層などが挙げられ、これらの層を円筒状基体側から順次積層して電子写真感光体を製造することが一般的である。
【００９９】
下部電荷注入阻止層は、円筒状基体から光導電層への電荷の注入を抑制（阻止）するための層であり、例えばａ−Ｓｉ系材料により形成される。
【０１００】
光導電層は、電子写真感光体にレーザーなどの像露光光を照射することによって電荷を発生させるための層であり、例えばａ−Ｓｉ系材料により形成される。光導電層の膜厚は、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上６０μｍ以下であることがより好ましい。
【０１０１】
上部電荷注入阻止層は、電子写真感光体の表面を帯電した際の電子写真感光体の表面の電荷が光導電層に注入することを抑制（阻止）するための層であり、例えばａ−Ｓｉ系材料により形成される。また、上部電荷注入阻止層の材料は、ａ−Ｓｉに炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）または酸素（Ｏ）を含有させたものが好ましい。上部電荷注入阻止層の膜厚は、０．０１μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。
【０１０２】
表面層は、電子写真感光体の表面を摩耗などから保護するための層であり、例えば（水素化）アモルファスシリコンカーバイドや、（水素化）アモルファスシリコンナイトライドや、（水素化）アモルファスカーボンなどにより形成される。表面層は、電子写真感光体に照射される像露光光が吸収されることのないように、像露光光に対して十分に広い光学バンドギャップを有していることが好ましい。また、静電潜像を十分に保持しうる抵抗値（好適には１０１１Ω・ｃｍ以上）を有していることが好ましい。
【０１０３】
電子写真感光体は、例えば、図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いることによって製造することができる。
図２に示すプラズマＣＶＤ装置は、プラズマ処理によって円筒状基体２１２（上側円筒状基体２１２Ａ、下側円筒状基体２１２Ｂ）上（円筒状基体２１２の外周面）に堆積膜を形成するための円筒状の反応容器２１１と、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）を加熱するためのヒーター２１６を備えている。また、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）を保持する基体ホルダー２１３Ａおよび２１３Ｂ、反応容器２１１内に原料ガスを導入するためのガスブロック２３５を備えている。ガスブロック２３５は、電極２１４から取り外しが可能（脱着可能）な構造となっている。
【０１０４】
ガスブロック２３５とガス供給系との接続は、継ぎ手部材２３６を介して接続されている。このような構成とすることで、ガスブロックのみを入れ替えて品種ごとの製造に対応した構成の反応容器に段取り換えができる。
【０１０５】
図３Ａ〜Ｄは、本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置（プラズマＣＶＤ装置）に用いることができるガスブロックの例を示す模式図である。図３Ａは、ガスブロックの外観図であり、図３Ｂ〜Ｄは、ガスブロックの断面図である。ガスブロック３００は、管状空洞部３０３、原料ガス放出孔３０４、原料ガス導入継ぎ手部材３１７で構成されており、原料ガス放出孔３０４が、反応容器２１１の内面に配置されるように取り付けられている。原料ガスライン３１８と原料ガス導入継ぎ手部材３１７が接続されることにより、反応容器２１１内に原料ガスが導入可能な構成となる。
【０１０６】
ガスブロック２３５（３００）は、反応容器２１１に取り付けられた状態で電極２１４の一部となる。ガスブロック２３５（３００）は、電極２１４の他の部分と同電位になるように反応容器２１１に取り付けられることが好ましい。このことにより、ガスブロック２３５を含めた反応容器２１１内の側壁面全体が電極となり、より均一なプラズマを生成することができる。ガスブロック２３５の材質は、導電性の金属であることが好ましく、加工の容易性やコストの観点から、アルミニウム、ステンレス鋼がより好ましい。
【０１０７】
また、ガスブロック２３５の取り付け方法としては、例えば、導電性のネジで固定する方法が挙げられる。
ガスブロック２３５の形状に関しては、電極２１４の他の部分の内面との段差が少なくなる形状が好ましい。また、電極２１４の他の部分の内面と同じ面をなすガスブロックの面（ガス放出孔側の面）は平面でもよいが、電極２１４のその他の内面が曲面である場合、それと同じ曲率を持つ曲面であることが好ましい。また、図３Ｃに示すように、背板３０２が設けられ、ガスブロックの本体３０１と分離可能な構成になっていてもよい。  図３Ｄは、本体３０１および背板３０２を有するガスブロックの背板３０２を外した状態の模式図である。本体３０１と背板３０２は、Ｏリング３０５により気密が保持される構造になっている。図３Ｄに示すように、背板３０２を外すことで、内部管状空洞部３０３が開放状態となるため、ガスブロック内部のガス経路が清掃しやすくなる。堆積膜形成中の残渣やエッチング時に取りきれない残渣などがガス経路に残ると、電子写真感光体の画像欠陥の要因となる。
【０１０８】
ガスブロックのガス放出孔の直径は、０．５〜２．０ｍｍの範囲であることが好ましい。さらに、各ガス放出孔の精度は、直径の±２０％以内の精度であることが好ましい。ガス放出孔の精度によっては、電子写真感光体の長手方向（軸方向）の特性ムラのみならず、円筒状基体を回転させながら堆積膜を形成する場合、電子写真感光体の周方向の特性ムラを引き起こす場合もある。
【０１０９】
ガスブロックのガス放出孔の近傍の材質には、絶縁性セラミックを使用することが好ましい。堆積膜形成条件によっては、ガスの流れ（突出圧力）の影響で、ガス放出孔の近傍にプラズマが集中しやすい状態になる場合があるため、これを抑制するうえで絶縁性セラミックの使用は効果的である。ガスブロック２３５を電極２１４から取り外しが可能（脱着可能）な構造とすることにより、ガスブロック単体で加工が行えるので、管状のセラミック部品をガス放出孔の近傍に埋め込む加工も容易に行える。セラミックス材料としては、例えば、アルミナ、ジルコニア、ムライト、コージェライト、炭化ケイ素、チッ化ホウ素、チッ化アルミニウムなどが挙げられる。これらの中でも、絶縁抵抗の観点から、アルミナ、チッ化ホウ素、チッ化アルミニウムが好ましく、コストおよび加工性の観点から、アルミナがより好ましい。
【０１１０】
反応容器２１１内には、電極２１４、ベースプレート２１９および上蓋２２０により減圧可能な空間（放電空間）が形成されている。電極２１４は、一定の電位にすることが好ましく、アース電位にする（接地する）ことがより好ましい。電極２１４を一定の電位とすることで、電極２１４と反応容器２１１中の他の部分との電位差を一定に保つことができるため、製造する電子写真感光体の特性の再現性が向上する。さらに、電極２１４を接地することで、プラズマＣＶＤ装置の取り扱いが容易になる。なお、ベースプレート２１９、上蓋２２０を接地し、電極２１４を接地しない場合には、電極２１４とベースプレート２１９、上蓋２２０との間に絶縁性の部材を設けることが好ましい。図２に示すプラズマＣＶＤ装置においては、電極２１４、ベースプレート２１９および上蓋２２０のいずれも接地した。
【０１１１】
また、図２に示すプラズマＣＶＤ装置は、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラー（不図示）を内包する原料ガス混合装置２２５と原料ガス流入バルブ２２４を備えている。
【０１１２】
円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）を保持する基体ホルダー２１３Ａおよび２１３Ｂは回転可能に支持されている。この回転支持機構は、支軸２２２と、支軸２２２と歯車で接続されたモーター２２１とを有している。
【０１１３】
基体ホルダー２１３Ａおよび２１３Ｂの内側には、接合電極２１７Ａおよび２１７Ｂが接合している。接合電極２１７Ａおよび２１７Ｂは、支軸２２２を介して電源２３０に接続されている。電極２１４と円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）、基体ホルダー２１３Ａ、２１３Ｂは、中心軸が一致するように配置されている。
【０１１４】
ヒーター２１６の外面は接地されていて、ヒーター２１６と円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）との間に絶縁部材２１５Ａを設けられていることで、ヒーター２１６と円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）とは絶縁されている。ヒーター２１６の内側には、支軸２２２との間に絶縁部材２１５Ｂが設置され、ヒーター２１６と支軸２２２が絶縁されている。
【０１１５】
図２に示すプラズマＣＶＤ装置は、排気系として、反応容器２１１の排気口に連通された排気配管２２６と、排気メインバルブ２２７と、真空ポンプ２２８とを有している。真空ポンプとしては、例えば、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプなどが挙げられる。この排気系により、反応容器２１１に設けられた真空計２２３を見ながら、反応容器２１１内を所定の圧力に維持することができる。
【０１１６】
電源２３１からの出力は、制御部２３０によって制御される。制御部２３０は、電源２３１の出力を制御することにより、電極２１４と円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）との間に周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を印加可能になっている。
【０１１７】
堆積膜を形成するための放電空間（減圧可能な空間）は、接地された電極２１４と、接地されたベースプレート２１９に取り付けられた絶縁板２１８Ｂと、接地された上蓋２２０に取り付けられた絶縁板２１８Ａによって規定されている。
【０１１８】
円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）と電極２１４との間の距離Ｄについて説明する。距離Ｄが５ｍｍ以上であれば、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）設置時の円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）と電極２１４との同軸性のずれなどによって生じる距離Ｄのロットごとのばらつきの影響が生じにくいため、安定した再現性を得やすくなる。ただし、距離Ｄが大きいほど、反応容器２１１が大きくなるため、単位設置面積当たりの生産性は低下する。このため、距離Ｄは、５ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることが好ましい。
【０１１９】
以下、図２に示すプラズマ装置を用いた電子写真感光体の製造方法の一例について説明する。
旋盤などを用いて表面に鏡面加工を施した円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）を、基体ホルダー２１３Ａ、２１３Ｂに装着し、反応容器２１１内の円筒状基体加熱用のヒーター２１６を包含するように反応容器２１１内に設置する。
【０１２０】
次に、ガス供給装置内の排気を兼ねて、原料ガス流入バルブ２２４を開き、排気メインバルブ２２７を開いて、反応容器２１１およびガスブロック２３５内を排気する。真空計２２３の読みが所定の圧力（例えば０．６７Ｐａ以下）になった時点で、加熱用の不活性ガス（例えばアルゴンガス）をガスブロック２３５から反応容器２１１に導入する。そして、反応容器２１１内が所定の圧力になるように加熱用の不活性ガスの流量、排気メインバルブ２２７の開口、真空ポンプ２２８の排気速度などを調整する。その後、温度コントローラー（不図示）を作動させて、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）をヒーター２１６により加熱し、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）の温度を所定の温度（例えば２０〜５００℃）に制御する。円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）が所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止める。これと並行して、堆積膜（アモルファス膜）形成用の原料ガス（例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６などの水素化ケイ素ガスや、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６などの炭化水素ガスなど。少なくとも１種は水素化ケイ素ガスであることが好ましい。）を、また、ドーピングガス（例えば、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３など。）を、原料ガス混合装置２２５により混合した後に、反応容器２１１内に徐々に導入する。次に、原料ガス混合装置２２５内のマスフローコントローラー（不図示）によって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器２１１内が所定の圧力（例えば１〜１００Ｐａ）に維持されるように真空計２２３を見ながら、排気メインバルブ２２７の開口、真空ポンプ２２８の排気速度などを調整する。
【０１２１】
以上の手順によって堆積膜形成の準備を完了した後、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）上に堆積膜の形成を行う。具体的には、反応容器２１１内の圧力（反応容器内の圧力を、以下単に「内圧」とも表記する。）が安定したのを確認した後、電源２３１を所定の電圧に設定して、制御部２３０で所定の周波数およびＤｕｔｙ比に設定する。これにより、支軸２２２および基体ホルダー２１３Ａ、２１３Ｂを通じて円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）と電極２１４との間に矩形波の交播電圧を印加して、グロー放電を生起させる。この放電のエネルギーによって反応容器２１１内に導入した各原料ガスが分解され、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）上に所定の堆積膜が形成される。なお、膜形成を行っている間は、円筒状基体２１２（２１２Ａ、２１２Ｂ）をモーター２２１によって所定の速度で回転させてもよい。
【０１２２】
所定の膜厚の堆積膜の形成を行った後、交播電圧の印加を止め、反応容器２１１への各原料ガスの流入を止めて、反応容器内を一旦高真空になるように排気する。上記のような操作を繰り返し行うことによって、電子写真感光体を製造することができる。
【実施例】
【０１２３】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。
【０１２４】
（実施例１および比較例１）
実施例１−１〜１−３ならびに比較例１−１および１−２に関しては、２本の円筒状基体（円筒状基体８０５、８０８）のそれぞれの端部に設けた内径拡大部に、図８で示した方法でリング状部材８００を設置した。円筒状基体８０５、８０８としては、直径８４．０ｍｍ、長さ３７０．０ｍｍ、肉厚３．０ｍｍのアルミニウム製のものを用いた。円筒状基体８０５、８０８の内周面８０６、８０９の非拡大部の内径は７８．０ｍｍである。また、円筒状基体８０５、８０８の内径拡大部８０７、８１０の内径は７９．７ｍｍであり、深さ（円筒状基体の軸方向の長さ）は円筒状基体８０５、８０８の端面８１１、８１２から１３．０ｍｍである。
【０１２５】
リング状部材８００の本体８０２には、厚さ２．０ｍｍ、幅２５．０ｍｍのインコネル製のものを用いた。また、リング状部材８００が通常状態（図８（ａ）に示す状態）であるとき、周方向３箇所の位置にある凸部８０３の頂点を結んで得られる仮想円の直径は８１．０ｍｍである。また、リング状部材８００が縮径した状態（図８（ｃ）に示す状態）であるとき、周方向３箇所の位置にある凸部８０３の頂点を結んで得られる仮想円の直径は７６．７ｍｍである。また、リング状部材８００が通常状態（図８（ａ）に示す状態）であるとき、切り欠き部８０１の角度は２０．６°である。また、リング状部材８００が通常状態（図８（ａ）に示す状態）であるとき、上面図において凸部８０３の頂点を結んで得られる仮想三角形の内角は３箇所とも６０．０°である。また、６つの凸部８０３は、いずれも直径３．０ｍｍの半円球体状の凸型である。また、６つの凸部８０３は、いずれも本体８０２と一体的に形成されている。また、周方向３箇所の各位置に幅方向（上下方向）に同一直線上に設けられた上部凸部８０３−１と下部凸部８０３−２の中心間距離は１４．０ｍｍである。
【０１２６】
図８を用いて説明したように、円筒状基体８０５、８０８にリング状部材８００を配置した。そして、図２を用いて説明したように、リング状部材８００が配置された円筒状基体８０５、８０８を基体ホルダー２１３に装着し、図２に示すプラズマＣＶＤ装置の反応容器２１１内に設置した。
【０１２７】
比較例１−３〜１−７に関しては、リング状部材として図６に示す円筒状のリング状部材６００を用いた。図６（ａ）〜（ｃ）において、それぞれ上から順番に、上面図、Ａ−Ａ’断面図である。用いたリング状部材６００は、外周面の直径７８．９ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ、幅２５．０ｍｍのステンレス鋼製のものである。
【０１２８】
まず、図６（ａ）に示すように、円筒状基体８０５のみを所定の位置に設置した。そして、上方からリング状部材６００を円筒状基体８０５の内径拡大部８０７に設置した。このときの状態を図６（ｂ）に示す。
【０１２９】
次に、円筒状基体８０８の端面８１２と円筒状基体８０５の端面８１１が向き合うように、上方から円筒状基体８０８を設置した。そして、図２を用いて説明したように、リング状部材６００が配置された円筒状基体８０５、８０８（図２では円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂ）を基体ホルダー２１３に装着し、プラズマＣＶＤ装置の反応容器２１１内に設置した。
【０１３０】
そして、円筒状基体８０５、８０８（円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂ）上に、下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層、表面層の堆積膜をこの順に表１に示す条件で形成した。放電開始電圧および放電維持電圧は表１に示すとおりであった。光導電層の堆積膜形成時のＶ１に関しては、表２に示す条件とした。また、下部注入阻止層、上部注入阻止層および表面層の堆積膜形成時の周波数およびＤｕｔｙ比に関しては、光導電層の堆積膜形成時と同様にした。１例当たり１バッチ、つまり、１例当たり２本の電子写真感光体を製造した。放電開始電圧（負電位）および放電維持電圧（正電位）は、あらかじめ、それぞれの層の堆積膜を形成する際の反応容器内の圧力およびガス条件で、前述した方法により測定した値である。
【０１３１】
また、表２におけるリング状部材の種類に関しては、図８を用いて説明したリング状部材８００をａと表記し、図６を用いて説明したリング状部材６００をｂと表記している。
【０１３２】
実施例１および比較例１では、周波数１０ｋＨｚで、光導電層の堆積膜形成時のＶ１に対する電子写真特性の依存性を調べた。
【０１３３】
【表１】
2013104927.tif 000003
【０１３４】
【表２】
2013104927.tif 000004
【０１３５】
表２中の比較例１−１および１−６のＶ１（４４０Ｖ）は放電維持電圧の絶対値（４４０Ｖ）と等しいため、正確にはＶ１ではないが、実施例のＶ１と比較する値であるため、便宜上「Ｖ１」と表記している。以下同様である。
【０１３６】
実施例１および比較例１で製造したそれぞれ２本の電子写真感光体、合計２０本の電子写真感光体を以下の方法で評価した。評価結果を表３に示す。
【０１３７】
（光メモリー）
光メモリーについては、以下のように評価した。
製造した電子写真感光体を、マイナス帯電、反転現像方式に改造したキヤノン株式会社製の複写機（商品名：ｉＲＣ６８００）の改造機（評価装置）に設置した。また、この複写機の黒色用現像器を外し、表面電位計（Ｔｒｅｋ社製の表面電位計（商品名：Ｍｏｄｅｌ３４４）およびプローブ（商品名：Ｍｏｄｅｌ５５５−Ｐ））を設置して、電子写真感光体の表面電位の測定を行った。
【０１３８】
まず、ベタ白画像（静電潜像形成用レーザー非露光）出力動作を行いながら電子写真感光体の表面の暗部電位を測定し、一次帯電器の一次電流とグリッド電圧を調整して、電子写真感光体の表面の暗部電位が−４５０Ｖになるように調整した。
【０１３９】
次に、ベタ黒画像（静電潜像形成用レーザー露光）出力動作を行いながら電子写真感光体の表面の明部電位を測定し、静電潜像形成用レーザーの光量を調整して、電子写真感光体の表面の明部電位が−１００Ｖになるように調整した。
【０１４０】
上記の帯電設定およびレーザー露光設定に固定し、Ａ３サイズのベタ白画像１０枚、Ａ３サイズの電子写真感光体１周分のベタ黒画像（紙の搬送方向に関しては、電子写真感光体の周長約２６４ｍｍのすべてがベタ黒であり、紙の搬送方向に直交する方向に関しては、２９２ｍｍ分（画像形成領域の幅）がベタ黒、それ以外がベタ白である画像）１枚、Ａ３サイズのベタ白画像１枚、計１２枚の連続出力動作を行い、その間の表面電位の測定を行った。電子写真感光体の表面電位の測定は、電子写真感光体の軸方向７点（電子写真感光体の軸方向中心を０ｍｍとして±５０ｍｍ、±１００ｍｍ、±１５０ｍｍ）で測定した。なお、電子写真感光体の周方向は、９°間隔４０点のデータを取得した。
【０１４１】
表面電位の測定の後、各軸方向位置でベタ黒画像出力動作の１周前の暗部電位とベタ黒画像出力動作の１周後の暗部電位の電子写真感光体の同一周方向位置の電位差を求めた。
【０１４２】
次いで、各軸方向位置での電位差の平均値を算出し、最も電位差が大きい値を光メモリーと定義した。なお、各実施例および比較例の値は、１バッチで製造される２本の電子写真感光体のうち、値の大きい方を採用した。
電位差が小さいほど、光メモリーが小さく、電子写真特性が良好である。
【０１４３】
さらに、以下の基準でランク付けを行った。
Ａ・・・０．０Ｖ以上１．０Ｖ未満
Ｂ・・・１．０Ｖ以上２．０Ｖ未満
Ｃ・・・２．０Ｖ以上３．０Ｖ未満
Ｄ・・・３．０Ｖ以上
ランクＤでは、出力画像上で濃度差が明確に確認できるレベルであり、本発明の効果が得られていないと判断した。
【０１４４】
（膜厚均一性）
電子写真感光体の膜厚を以下の測定点で測定した。
電子写真感光体の軸方向の中央部位置を０ｃｍ位置とし、両側それぞれ２ｃｍ間隔で各９点（±２ｃｍ，±４ｃｍ，±６ｃｍ，±８ｃｍ，±１０ｃｍ，±１２ｃｍ，±１４ｃｍ，±１６ｃｍ，±１８ｃｍ）、０ｃｍ位置を含めて合計１９点とし、各軸方向位置において周方向に３０°間隔で１２点、計２２８点を測定位置とした。各測定点の膜厚の最大値と最小値の差分を平均膜厚で除した値を膜厚均一性とした。
【０１４５】
測定は、ＨＥＬＭＵＴＦＩＳＣＨＥＲ社製のＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥｍｍｓ（商品名）にプローブＥＴＡ３．３Ｈを装着して、渦電流法で行った。値が小さいほど、膜厚均一性が良好である。
【０１４６】
なお、各実施例および比較例の膜厚均一性の値は、それぞれ２本の電子写真感光体のうち、値が大きい方の値を採用した。
さらに、以下の基準でランク付けを行った。
Ａ・・・３．０％未満
Ｂ・・・３．０％以上４．０％未満
Ｃ・・・４．０％以上５．０％未満
Ｄ・・・５．０％以上
ランクＤでは、膜厚ムラに応じた濃度差が出力画像で確認できる場合があるため、本発明の効果が得られていないと判断した。
【０１４７】
（端部の特性の周方向のムラ）
評価装置としては光メモリーの評価で用いた上記改造機を用い、電子写真感光体の軸方向中央部の黒色用現像機の位置の表面電位が、表面電位計（Ｔｒｅｋ社製の表面電位計（商品名：Ｍｏｄｅｌ５５５Ｐ−４））で測定したときに−４５０Ｖ（暗部電位）になるよう、一次帯電器の一次電流とグリッド電圧を調整した。
【０１４８】
電子写真感光体の軸方向の中央部位置を０ｃｍ位置とし、±１４ｃｍの位置を起点として、両側それぞれ円筒状基体の端面に向かって軸方向に２ｃｍ間隔で各３点（±１４ｃｍ、±１６ｃｍ、±１８ｃｍ）の合計６点とし、各軸方向位置において周方向に９°間隔で４０点、計２４０点を電子写真感光体の表面の暗部電位の測定位置とした。各軸方向位置において測定された電位の最大値と最小値の差を求め、その差の中での最大値を堆積膜の端部の特性の周方向のムラとした。なお、各実施例および比較例の値は、１バッチで製造される２本の電子写真感光体のうち、値の大きい方を採用した。
【０１４９】
この値が小さいほど、堆積膜の端部の特性の周方向のムラが小さく、良好な画像が得られる。
さらに、以下の基準でランク付けを行った。
Ａ・・・２０．０Ｖ未満
Ｂ・・・２０．０Ｖ以上３０．０Ｖ未満
Ｃ・・・３０．０Ｖ以上４０．０Ｖ未満
Ｄ・・・４０．０Ｖ以上
ランクＤでは、堆積膜の端部における特性の周方向のムラが大きく、本発明の効果が得られていないと判断した。以下、堆積膜の端部における特性の周方向のムラを「端部特性周ムラ」とも表記する。
【０１５０】
（ダスト評価）
円筒状基体に付着したダスト量の指標として、ダストを核として異常成長する球状突起の個数を、円筒状基体の端面から１０ｃｍの領域における電子写真感光体の表面を光学顕微鏡（商品名：ＳＴＭ６−ＰＬＵＳ、Ｏｌｙｍｐｕｓ製）を用いた観察によってカウントした。カウントする対象は、外接円の直径が３０μｍ以上の球状突起とした。
【０１５１】
球状突起の個数が少ないほど、リング状部材設置時のダストの発生が少ないと判断した。
さらに、以下の基準でランク付けを行った。
Ａ・・・１０個未満
Ｂ・・・１０個以上１５個未満
Ｃ・・・１５個以上２０個未満
Ｄ・・・２０個以上
ランクＤでは、ダストを起因とする画像欠陥が多く、本発明の効果が得られていないと判断した。
【０１５２】
【表３】
2013104927.tif 000005
【０１５３】
表３の評価結果より、比較例１−２で、堆積膜の端部の特性の周方向のムラが増加していることから、チャージアップの抑制効果が十分に得られないことがわかる。さらに、Ｖ１をＶ２の２０％以上とした実施例１−２と１−３では、Ｖ１をＶ２の２０％未満とした実施例１−１と比べて堆積膜の端部の特性の周方向のムラが減少していることから、チャージアップの抑制効果も向上したと考えられる。
【０１５４】
光メモリーの評価結果より、比較例１−１で大きな値を示していることから、気相成長による物質が増加して堆積膜の特性が低下したことがわかる。これは、以下のように考えられる。Ｖ１が放電維持電圧の絶対値以上になると、原料ガスの電離が停止する状態が無く、プラズマ状態が継続する。このため、プラズマ中での荷電粒子（イオンや電子）の往復運動が生じ、プラズマ中での二次反応が増えて気相成長による物質が増加したためであると考えられる。
【０１５５】
また、比較例１−３〜１−７では、堆積膜の端部の特性の周方向のムラに関していずれも増加している。これは、図６で示すリング状部材ｂと内径拡大部の内面との間に０．４ｍｍのクリアランスがあるため、内径拡大部に外向きの力が加えられないことが原因と考えられる。このクリアランスのために、振動で円筒状基体８０５と円筒状基体８０８の軸にズレが生じたためであると考えられる。そのため、放電中に生じる堆積膜の表面のチャージアップに周方向のムラが発生し、その結果、堆積膜の端部の特性の周方向のムラが顕著となったものと推察される。
【０１５６】
比較例１−６は、両側極性放電であるが、その場合であっても、クリアランスによる軸のズレがある場合、印加される電圧波形の一周期内においてチャージアップが周方向のムラをもつ。その結果、堆積膜の端部の特性の周方向のムラが生じる。
【０１５７】
また、比較例１−３〜１−７では、ダストが増加している。これは、上述したクリアランスのために円筒状基体８０５、８０８およびリング状部材６００を基体ホルダーに設置するとき、あるいは、基体ホルダーをプラズマＣＶＤ装置に設置するときの振動により、円筒状基体８０５、８０８の端面で摺擦が生じ、ダストが発生したと考えられる。一方、リング状部材ａを使用した実施例１および比較例１−１〜１−２では、振動が生じても、円筒状基体８０５、８０８の端面の摺擦が大幅に抑えられ、ダストが低減されているものと考えられる。
【０１５８】
（実施例２および比較例２）
実施例２−１〜２−３ならびに比較例２−１および２−２に関しては、２本の円筒状基体（円筒状基体８０５、８０８）のそれぞれの端部に設けた内径拡大部に、図９で示した方法でリング状部材９００を設置した。円筒状基体８０５、８０８としては、直径８４．０ｍｍ、長さ３７０．０ｍｍ、肉厚３．０ｍｍのアルミニウム製のものを用いた。円筒状基体８０５、８０８の内周面８０６、８０９の非拡大部の内径は７８．０ｍｍである。また、円筒状基体８０５、８０８の内径拡大部８０７、８１０の内径は７９．７ｍｍであり、深さ（円筒状基体の軸方向の長さ）は円筒状基体８０５、８０８の端面８１１、８１２から１３．０ｍｍである。
【０１５９】
リング状部材９００の本体９０２には、厚さ１．０ｍｍ、幅２５．０ｍｍのＮｉＴｉ合金（Ｎｉ含有率が５５．５％）製のものを用いた。また、リング状部材９００が通常状態（図９（ａ）に示す状態）であるとき、周方向３箇所の位置にある凸部９０３の頂点を結んで得られる仮想円の直径を８２．０ｍｍである。また、リング状部材９００が縮径した状態（図９（ｂ）に示す状態）であるとき、周方向３箇所の位置にある凸部９０３の頂点を結んで得られる仮想円の直径は７５．７ｍｍである。また、リング状部材９００が通常状態（図９（ａ）に示す状態）であるとき、上面図において凸部９０３の頂点を結んで得られる仮想三角形の内角は３箇所とも６０．０°である。また、６つの凸部９０３は、いずれも直径３．０ｍｍの半円球体状の凸型である。また、６つの凸部９０３は、いずれも本体９０２と一体的に形成されている。また、周方向３箇所の各位置に幅方向（上下方向）に同一直線上に設けられた上部凸部９０３−１と下部凸部９０３−２の中心間距離は１４．０ｍｍである。
【０１６０】
図９を用いて説明したように、円筒状基体８０５、８０８にリング状部材９００を配置した。具体的には、リング状部材９００を−５℃に維持可能な雰囲気の冷凍庫内に５時間放置することで、リング状部材９００を低温状態とした。次に、リング状部材９００を大気中に放置して室温に戻すことで、リング状部材９００を高温状態とした。そして、図２を用いて説明したように、リング状部材９００が配置された円筒状基体８０５、８０８を基体ホルダー２１３に装着し、図２に示すプラズマＣＶＤ装置の反応容器２１１内に設置した。
【０１６１】
そして、円筒状基体８０５、８０８（円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂ）上に、下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層、表面層の堆積膜をこの順に表１に示す条件で形成した。放電開始電圧および放電維持電圧は表１に示すとおりであった。光導電層の堆積膜形成時のＶ１に関しては、表４に示す条件とした。また、下部注入阻止層、上部注入阻止層および表面層の堆積膜形成時の周波数およびＤｕｔｙ比に関しては、光導電層の堆積膜形成時と同様にした。１例当たり１バッチ、つまり、１例当たり２本の電子写真感光体を製造した。放電開始電圧（負電位）および放電維持電圧（正電位）は、あらかじめ、それぞれの層の堆積膜を形成する際の反応容器内の圧力およびガス条件で、前述した方法により測定した値である。
【０１６２】
また、表４におけるリング状部材の種類に関しては、図９を用いて説明したリング状部材９００をｃと表記している。
【０１６３】
実施例２および比較例２で製造したそれぞれ２本の電子写真感光体、合計１０本の電子写真感光体を、実施例１および比較例１と同様にして評価した。評価結果を表５に示す。
【０１６４】
【表４】
2013104927.tif 000006
【０１６５】
【表５】
2013104927.tif 000007
【０１６６】
表５の評価結果より、実施例１−１〜１−３ならびに比較例１−１および１−２と比較して、光メモリー、膜厚均一性、端部特性周ムラに関しては、ほぼ同様の結果が得られた。ただし、ダスト評価に関しては、実施例１−１〜１−３ならびに比較例１−１および１−２と比較して良化していることがわかる。これは、リング状部材ｃの円筒状基体への配置に使用する配置治具の機構が簡便であるため、配置治具とリング状部材との間で生じる摺擦が抑えられた結果、リング状部材の配置時に生じるダストが抑えられたと考えられる。
【０１６７】
（実施例３および比較例３）
実施例３−１〜３−３ならびに比較例３−１および３−２に関しては、２本の円筒状基体（円筒状基体８０５、８０８）のそれぞれの端部に設けた内径拡大部に、図７で示した方法でリング状部材７００を設置した。円筒状基体８０５、８０８としては、直径８４．０ｍｍ、長さ３７０．０ｍｍ、肉厚３．０ｍｍのアルミニウム製のものを用いた。円筒状基体８０５、８０８の内周面８０６、８０９の非拡大部の内径は７８．０ｍｍである。また、円筒状基体８０５、８０８の内径拡大部８０７、８１０の内径は７９．７ｍｍであり、深さ（円筒状基体の軸方向の長さ）は円筒状基体８０５、８０８の端面８１１、８１２から１３．０ｍｍである。
【０１６８】
リング状部材７００の本体７０１には、内径７７．２ｍｍ、外径７８．９ｍｍ、幅２５．８ｍｍのステンレス鋼製のものを用いた。凸部７０２は、いずれもステンレス鋼製であり、本体７０１と一体的に形成されている。凸部７０２は、図７（ａ）における長さｌ０は２．０ｍｍであり、幅ｗ０は２．０ｍｍであり、高さｈ０は０．４ｍｍであり、テーパー面７０３およびテーパー面７０４のｌ１は０．２ｍｍであり、ｈ１は０．２ｍｍである。周方向３箇所の位置にある凸部７０２の頂点を結んで得られる仮想円の直径ｄ０は７９．９ｍｍである。また、上面図において、３つの凸部７０２の頂点を結んで得られる仮想三角形の内角は３箇所とも６０．０°である。また、凸部７０２は、３箇所とも、軸方向は、本体７０１の中央部に設置した。そして、図２を用いて説明したように、リング状部材７００が配置された円筒状基体８０５、８０８を基体ホルダー２１３に装着し、図２に示すプラズマＣＶＤ装置の反応容器２１１内に設置した。
【０１６９】
そして、円筒状基体８０５、８０８（円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂ）上に、下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層、表面層の堆積膜をこの順に表１に示す条件で形成した。放電開始電圧および放電維持電圧は表１に示すとおりであった。光導電層の堆積膜形成時のＶ１に関しては、表６に示す条件とした。また、下部注入阻止層、上部注入阻止層および表面層の堆積膜形成時の周波数およびＤｕｔｙ比に関しては、光導電層の堆積膜形成時と同様にした。１例当たり１バッチ、つまり、１例当たり２本の電子写真感光体を製造した。放電開始電圧（負電位）および放電維持電圧（正電位）は、あらかじめ、それぞれの層の堆積膜を形成する際の反応容器内の圧力およびガス条件で、前述した方法により測定した値である。
【０１７０】
また、表６におけるリング状部材の種類に関しては、図７を用いて説明したリング状部材７００をｄと表記している。
【０１７１】
実施例３および比較例３で製造したそれぞれ２本の電子写真感光体、合計１０本の電子写真感光体を、実施例１および比較例１と同様にして評価した。評価結果を表７に示す。
【０１７２】
【表６】
2013104927.tif 000008
【０１７３】
【表７】
2013104927.tif 000009
【０１７４】
表７の評価結果より、実施例１−１〜１−３ならびに比較例１−１および１−２に比較して、光メモリー、膜厚均一性、端部特性周ムラに関しては、ほぼ同様の結果が得られた。ただし、ダスト評価に関しては、実施例１−１〜１−３ならびに比較例１−１および１−２に比較して良化していることがわかる。これは、リング状部材ｄを円筒状基体に配置する際、配置状態となるまでにリング状部材の凸部と円筒状基体との間には摺擦があるものの、配置治具は不要である。そのため、配置治具とリング状部材との間で生じる摺擦がなく、リング状部材の配置時に生じるダストの発生が抑えられたためであると考えられる。
【０１７５】
（実施例４および比較例４）
実施例４−１〜４−３ならびに比較例４−１および４−２に関しては、周波数を１０ｋＨｚとした以外は、実施例３と同様にして電子写真感光体を製造した。ただし、光導電層の堆積膜形成時のＶ１については、表９に示す条件とした。放電開始電圧および放電維持電圧は表８に示すとおりであった。
【０１７６】
実施例４および比較例４で製造したそれぞれ２本の電子写真感光体、合計１０本の電子写真感光体を、実施例１および比較例１と同様にして評価した。評価結果を表１２に示す。
【０１７７】
【表８】
2013104927.tif 000010
【０１７８】
【表９】
2013104927.tif 000011
【０１７９】
（実施例５および比較例５）
実施例５−１〜５−３ならびに比較例５−１および５−２に関しては、周波数を１００ｋＨｚとした以外は、実施例３と同様にして電子写真感光体を製造した。ただし、光導電層の堆積膜形成時のＶ１ついては、表１１に示す条件とした。放電開始電圧および放電維持電圧は表１０に示すとおりであった。
【０１８０】
実施例５および比較例５で製造したそれぞれ２本の電子写真感光体、合計１０本の電子写真感光体を、実施例１および比較例１と同様にして評価した。評価結果を表１２に示す。
【０１８１】
【表１０】
2013104927.tif 000012
【０１８２】
【表１１】
2013104927.tif 000013
【０１８３】
【表１２】
2013104927.tif 000014
【０１８４】
表１２の値をみると、実施例３および比較例３の評価結果の表７と同じ傾向を示している。
実施例３〜５および比較例３〜５の結果をランク付けしたものを表１３に示す。
【０１８５】
【表１３】
2013104927.tif 000015
【０１８６】
表１３の評価結果より、Ｖ１が０Ｖである比較例３−２、４−２および５−２では、端部特性周ムラがランクＤであることから、一方の極性のみの電圧印加では、チャージアップの抑制効果が得られないことがわかる。
【０１８７】
Ｖ１が１００Ｖである実施例３−１、４−１および５−１では、Ｖ１をＶ２の２０％以上とした実施例と比べて、端部特性周ムラのランクが低くなっていることから、チャージアップ抑制効果については、Ｖ１をＶ２の２０％以上にすることが好ましいことがわかる。
【０１８８】
光メモリーの評価結果より、比較例３−１、４−１および５−１でランクＤであることから、気相成長による物質が増加して、堆積膜の特性を低下させたことがわかる。これは、次のように考えられる。Ｖ１に対応する電圧が放電維持電圧の絶対値以上になると、原料ガスの電離が停止する状態が無く、プラズマ状態が継続する。このため、プラズマ中での荷電粒子（イオンや電子）の往復運動が繰り返され、プラズマ中での二次反応が増えて気相成長による物質が増加したためであると考えられる。
【０１８９】
（実施例６および比較例６）
実施例６−１〜６−３ならびに比較例６−１および６−２に関しては、内圧を４００Ｐａとし、周波数を１０ｋＨｚとし、Ｄｕｔｙ比を８０％とした以外は、実施例３と同様にして電子写真感光体を製造した（表１４参照）。ただし、光導電層の堆積膜形成時のＶ１については、表１５に示す条件とした。放電開始電圧および放電維持電圧は表１４に示すとおりであった。
【０１９０】
実施例６および比較例６で製造したそれぞれ２本の電子写真感光体、合計１０本の電子写真感光体を、実施例１および比較例１と同様にして評価した。評価結果を表１８に示す。
【０１９１】
【表１４】
2013104927.tif 000016
【０１９２】
【表１５】
2013104927.tif 000017
【０１９３】
（実施例７および比較例７）
実施例７−１〜７−３ならびに比較例７−１および７−２に関しては、周波数を６０ｋＨｚとした以外は、実施例６と同様にして電子写真感光体を製造した。ただし、光導電層の堆積膜形成時のＶ１については、表１７に示す条件とした。放電開始電圧および放電維持電圧は表１６に示すとおりであった。
【０１９４】
実施例７および比較例７で製造したそれぞれ２本の電子写真感光体、合計１０本の電子写真感光体を、実施例１および比較例１と同様にして評価した。評価結果を表１８に示す。
【０１９５】
【表１６】
2013104927.tif 000018
【０１９６】
【表１７】
2013104927.tif 000019
【０１９７】
【表１８】
2013104927.tif 000020
【０１９８】
実施例６および７ならびに比較例６および７の結果をランク付けしたものを表１９に示す。
【０１９９】
【表１９】
2013104927.tif 000021
【０２００】
表１９の評価結果より、実施例３および４に比べて、実施例６および７の光メモリーのランクが低くなっていることがわかる。これは、内圧が４００Ｐａと大きいために、気相成長による物質の生成がわずかながら生じたためであると考えられる。
【０２０１】
（実施例８および比較例８）
実施例８−１〜８−３ならびに比較例８−１および８−２に関しては、内圧を４０Ｐａとし、周波数を１０ｋＨｚとし、Ｄｕｔｙ比を２０％とした以外は、実施例３と同様にして電子写真感光体を製造した（表２０参照）。ただし、光導電層の堆積膜形成時のＶ１については、表２１に示す条件とした。放電開始電圧および放電維持電圧は表２０に示すとおりであった。
【０２０２】
実施例８および比較例８で製造したそれぞれ２本の電子写真感光体、合計１０本の電子写真感光体を、実施例１および比較例１と同様にして評価した。評価結果を表２４に示す。
【０２０３】
【表２０】
2013104927.tif 000022
【０２０４】
【表２１】
2013104927.tif 000023
【０２０５】
（実施例９および比較例９）
実施例９−１〜９−３ならびに比較例９−１および９−２に関しては、周波数を６０ｋＨｚにした以外は、実施例８と同様にして電子写真感光体を製造した。ただし、光導電層の堆積膜形成時のＶ１については、表２３に示す条件とした。放電開始電圧および放電維持電圧は表２２に示すとおりであった。
【０２０６】
実施例９および比較例９で製造したそれぞれ２本の電子写真感光体、合計１０本の電子写真感光体を、実施例１および比較例１と同様にして評価した。評価結果を表２４に示す。
【０２０７】
【表２２】
2013104927.tif 000024
【０２０８】
【表２３】
2013104927.tif 000025
【０２０９】
【表２４】
2013104927.tif 000026
【０２１０】
実施例８および９ならびに比較例８および９の結果をランク付けしたものを表２５に示す。
【０２１１】
【表２５】
2013104927.tif 000027
【０２１２】
表２５の評価結果より、実施例３および４とほぼ同様の結果が得られた。
【０２１３】
（実施例１０および比較例１０）
実施例１０−１〜１０−３ならびに比較例１０−１および１０−２に関しては、実施例１および比較例１と同じプラズマＣＶＤ装置を用いて、実施例１とは直径が異なる円筒状基体（直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、厚さ５ｍｍの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウム製の円筒状基体）上に表２６に示す条件で堆積膜を形成し、電子写真感光体を製造した。光導電層の堆積膜形成時のＶ１については、表２７に示す条件とした。
【０２１４】
実施例１０および比較例１０で製造したそれぞれ２本の電子写真感光体、合計１０本の電子写真感光体を、以下の点以外は、実施例１および比較例１と同様にして評価した。
【０２１５】
製造した電子写真感光体を設置する評価装置としては、マイナス帯電に改造したキヤノン株式会社製の複写機（商品名：ｉＲ−７０８６Ｎ）の改造機を用いた。
【０２１６】
光メモリーの評価については、ベタ黒画像として、紙の搬送方向に関しては、電子写真感光体の周長約３３９ｍｍのすべてがベタ黒であり、紙の搬送方向に直交する方向に関しては、２９２ｍｍ分（画像形成領域）がベタ黒、それ以外がベタ白である画像を用いた。その他は実施例１と同様にして評価した。
【０２１７】
膜厚均一性の評価については、電子写真感光体の長さが３５８ｍｍなので、測定点は以下のとおりとして、その他は実施例１と同様にして評価した。
【０２１８】
電子写真感光体を軸方向の中央部位置を０ｃｍ位置とし、両側それぞれ２ｃｍ間隔で各８点（±２ｃｍ，±４ｃｍ，±６ｃｍ，±８ｃｍ，±１０ｃｍ，±１２ｃｍ，±１４ｃｍ，±１６ｃｍ）、０ｃｍ位置を含めて合計１７点とし、各軸方向位置において周方向に３０°間隔で１２点、計２０４点を測定位置とした。
【０２１９】
堆積膜の端部の特性の周方向のムラの評価については、電子写真感光体の長さが３５８ｍｍなので、測定点は以下のとおりとして、その他は実施例１と同様にして評価した。
【０２２０】
電子写真感光体の軸方向の中央部位置を０ｃｍ位置とし、±１３．４ｃｍの位置を起点として、両側それぞれ端面へ向かって軸方向に２ｃｍ間隔で各３点（±１３．４ｃｍ、±１５．４ｃｍ、±１７．４ｃｍ）の合計６点とし、各軸方向位置において周方向に９°間隔で４０点、計２４０点を電子写真感光体の表面の暗部電位の測定位置とした。
ダストについては、実施例１と同様にして評価した。
評価結果を表２８に示す。
【０２２１】
【表２６】
2013104927.tif 000028
【０２２２】
【表２７】
2013104927.tif 000029
【０２２３】
【表２８】
2013104927.tif 000030
【０２２４】
円筒状基体の直径を８４ｍｍから１０８ｍｍに変更したので、電極と円筒状基体との間の距離が６０ｍｍから４８ｍｍに小さくなっている。表２８の評価結果より、実施例１と同様の結果を示していることがわかる。
【０２２５】
（実施例１１）
図５ＡおよびＢ（以下まとめて「図５」とも表記する。）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、円筒状基体（直径８４ｍｍ、長さ３７０ｍｍ、厚さ３ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウム製の円筒状基体）上に表２５に示す条件で堆積膜を形成し、電子写真感光体を製造した。なお、下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層および表面層の堆積膜形成時の円筒状基体の温度、膜厚および周波数に関しては、実施例１と同様にした。また、図５中、５１５Ａはヒーター５１６と円筒状基体５１２（５１２Ａ、５１２Ｂ）とを絶縁するための絶縁部材であり、５１５Ｂはヒーター５１６と支軸５２２とを絶縁するための絶縁部材である。また、５１７Ａおよび５１７Ｂは基体ホルダー５１３Ａおよび５１３Ｂの内側に接合している接合電極であり、５１８Ａは上蓋５２０に取り付けられた絶縁板であり、５１８Ｂはベースプレート５１９に取り付けられた絶縁板である。また、５１９は接地されたベースプレートであり、５２０は接地された上蓋である。５２１は円筒状基体５１２（５１２Ａ、５１２Ｂ）を所定の速度で回転させるためのモーターである。また、５２３は真空計であり、５２４は原料ガス流入バルブであり、５２５は原料ガス混合装置であり、５２６は反応容器５１１の排気口に連通された排気配管であり、５２７は排気メインバルブであり、５２８は真空ポンプである。制御部５３０は電源５３１の出力を制御するための制御部である。５３３Ａおよび５３３Ｂは真空気密兼絶縁部材（真空気密兼絶縁セラミック）であり、５３５はガスブロックである。特記した点以外は、図２に示すプラズマＣＶＤ装置の各要素とそれぞれ同様の働きをする。
【０２２６】
図５に示すプラズマＣＶＤ装置では、円筒状基体５１２（５１２Ａ、５１２Ｂ）に直流電圧をＯｎ／Ｏｆｆして所定電圧と０Ｖを矩形波で繰り返すＤＣパルスを印加する。また、容器壁面側の電極５１４に電源５３４よりＤＣ電圧を印加する。これらにより、電極の電位に対する円筒状基体の電位が交互に正と負になるようにしている。
【０２２７】
図１０ＡおよびＢは、矩形波の交播電圧の例を示す図である。
図１０Ａは、電極の電位をアース電位以外の電位で一定とし、電極の電位に対する円筒状基体の電位が交互に正と負になるように矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体との間に印加した場合の円筒状基体の電位の変化を示す図である。図１０Ａ中の実線が円筒状基体の電位であり、図１０Ａ中の破線が電極の電位である。図１０Ｂは、電極と円筒状基体の電位差の変化を示す図である。図１０Ｂ中の破線が電極と円筒状基体の電位差である。放電開始電圧（負電位）および放電維持電圧（正電位）は、あらかじめ、それぞれの層の堆積膜を形成する際の反応容器内の圧力およびガス条件で、前述した方法により測定した値である。測定結果を表３０に示す。
【０２２８】
光導電層の堆積膜形成時の周波数および放電維持電圧については、表３０に示す条件とした。１例当たり１バッチ、１バッチ当たり２本の電子写真感光体を、３バッチ（３例）で計６本製造した。
製造した電子写真感光体は、実施例１および比較例１と同様に評価した。
評価結果を表３１に示す。
【０２２９】
【表２９】
2013104927.tif 000031
【０２３０】
【表３０】
2013104927.tif 000032
【０２３１】
【表３１】
2013104927.tif 000033
【０２３２】
表３１の評価結果より、実施例１１−２は、実施例３−３と同様の結果を示していることがわかる。これより、電圧の印加方法が異なっても、本発明の条件を満たすことによって、本発明の効果を得られることがわかる。
【０２３３】
実施例１１−１では、周波数が３ｋＨｚと低いために、１周期でのｔ２の期間が長い。そのためにチャージアップの量が増加して、実施例４−３や実施例１１−２などに比べて堆積膜の端部の特性の周方向のムラが若干増加したものと考えられる。
【０２３４】
また、周波数が３００ｋＨｚである実施例１１−３では、膜厚均一性がやや低下しているものの、本発明の効果は得られている。
【符号の説明】
【０２３５】
Ｖ１  放電維持電圧の絶対値未満の値
Ｖ２  放電開始電圧の絶対値以上の値
ｔ１  電極と円筒状基体の電位差の絶対値がＶ１となっている時間（期間）
ｔ２  電極と円筒状基体の電位差の絶対値がＶ２となっている時間（期間）
Ｔ  矩形波の周期
【図１Ａ】
2013104927.tif 000034
【図１Ｂ】
2013104927.tif 000035
【図２Ａ】
2013104927.tif 000036
【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
2013104927.tif 000038
【図３Ｂ】
2013104927.tif 000039
【図３Ｃ】
2013104927.tif 000040
【図３Ｄ】
2013104927.tif 000041
【図４Ａ】
2013104927.tif 000042
【図４Ｂ】
2013104927.tif 000043
【図５Ａ】
2013104927.tif 000044
【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
2013104927.tif 000050
【図１０Ｂ】
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