(57)【要約】【課題】共振特性に優れた静磁波素子及び静磁波装置を提供する。【解決手段】静磁波素子は、支持基板３と、支持基板３上に配置された磁性膜２と、複数の電極指を有して少なくとも電極指が磁性膜２上に配置された励振電極と、複数の電極指を覆うように磁性膜２上に配置されており空気よりも透磁率が高い材料からなる高透磁率層１０とを有する。また、静磁波素子の高透磁率層１０は、例えば、磁性膜２と同一の材料からなる。また、静磁波素子の高透磁率層１０は、例えば、磁性膜２よりも透磁率が高い材料からなる。【選択図】図２
2013207547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に配置された磁性膜と、
複数の電極指を有し、少なくとも前記電極指が前記磁性膜上に配置された励振電極と、
前記複数の電極指を覆うように前記磁性膜上に配置されており、空気よりも透磁率が高い材料からなる高透磁率層とを備える静磁波素子。
【請求項２】
前記高透磁率層は、前記磁性膜と同一の材料からなる請求項１に記載の静磁波素子。
【請求項３】
前記高透磁率層は、前記磁性膜よりも透磁率が高い材料からなる請求項１に記載の静磁波素子。
【請求項４】
前記高透磁率層は、絶縁性材料からなる請求項１乃至３のいずれか１項に記載の静磁波素子。
【請求項５】
前記高透磁率層は、導電性材料からなり、
前記高透磁率層と前記励振電極との間に介在する絶縁層をさらに備える請求項１乃至３のいずれか１項に記載の静磁波素子。
【請求項６】
前記励振電極は、前記支持基板上に前記磁性膜の一部または全部を間に位置させて互いに対向するように配置された第１バスバー及び第２バスバーを有し、
前記複数の電極指は、一方端が前記第１バスバーに接続されて前記第１バスバーから前記第２バスバーに向かう方向に伸びている複数の第１電極指と、一方端が前記第２バスバーに接続されて前記第２バスバーから前記第１バスバーに向かう方向に伸びている複数の第２電極指とを含み、
前記高透磁率層は、前記第１電極指を覆っている部分と、前記高透磁率層のうち前記第２電極指を覆っている部分とが分離されている請求項１乃至５のいずれか１項に記載の静磁波素子。
【請求項７】
前記高透磁率層の厚さは、前記磁性膜の厚さよりも大きい請求項１乃至６のいずれか１項に記載の静磁波素子。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の静磁波素子と、
前記静磁波素子が実装された実装基板とを備えた静磁波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタを構成する共振子などに使用される静磁波素子及び静磁波装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話をはじめとする無線通信機器などには、特定の周波数帯域の電気信号の取り出しなどを行うデバイスとして弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を利用したものがある。
【０００３】
また、磁性膜中を伝搬する静磁波を利用したデバイスもある。静磁波を利用したデバイスは、支持基板と支持基板の主面に形成された磁性膜と、磁性膜上に形成された励振電極とを有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−２２０９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら従来の静磁波を利用したデバイスでは、フィルタを構成するための共振子として使用する観点からの十分な考察がなされておらず、いずれも十分な共振特性が得られないという問題がある。
【０００６】
開示の技術は、上述に鑑みてなされたものであって、共振特性を向上可能な静磁波素子及び静磁波装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様としての静磁波素子は、支持基板と、前記支持基板上に配置された磁性膜と、複数の電極指を有し、少なくとも前記電極指が前記磁性膜上に配置された励振電極と、前記複数の電極指を覆うように前記磁性膜上に配置されており、空気よりも透磁率が高い材料からなる高透磁率層とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
上記の構成からなる静磁波素子及び静磁波装置は、共振特性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る静磁波素子の平面図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図１の静磁波素子の製造方法を説明する断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図１の静磁波素子の製造方法を説明する断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、図１の静磁波素子の製造方法を説明する断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態に係る静磁波装置の断面図である。
【図５】図５は、第１の実施形態の第１変形例に係る静磁波素子の平面図である。
【図６】図６は、第１の実施形態の第２変形例に係る静磁波素子の平面図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施形態に係る静磁波素子の平面図である。
【図８】図８は、本発明の第３の実施形態に係る静磁波素子の断面図である。
【図９】図９は、シミュレーションに使用した静磁波素子のＸＺ平面における断面図である。
【図１０】図１０は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁場の分布の計算結果を示す図である。
【図１１】図１１は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁束密度の分布の計算結果を示す図である。
【図１２】図１２は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁性膜中の磁場の大きさの計算結果を示す図である。
【図１３】図１３は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁性膜中の磁束密度の大きさの計算結果を示す図である。
【図１４】図１４は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁場の分布の計算結果を示す図である。
【図１５】図１５は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁束密度の分布の計算結果を示す図である。
【図１６】図１６は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁性膜中の磁場の大きさの計算結果を示す図である。
【図１７】図１７は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁性膜中の磁場の大きさの計算結果を示す図である。
【図１８】図１８は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁場の分布の計算結果を示す図である。
【図１９】図１９は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁束密度の分布の計算結果を示す図である。
【図２０】図２０は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁性膜中の磁場の大きさの計算結果を示す図である。
【図２１】図２１は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁性膜中の磁束密度の大きさの計算結果を示す図である。
【図２２】図２２は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁場の分布の計算結果を示す図である。
【図２３】図２３は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁束密度の分布の計算結果を示す図である。
【図２４】図２４は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁性膜中の磁場の大きさの計算結果を示す図である。
【図２５】図２５は、ミアンダ型電極を用いた場合における磁性膜中の磁束密度の大きさの計算結果を示す図である。
【図２６】図２６は、ミアンダ型電極についての計算結果をまとめた表である。
【図２７】図２７は、図２６の表に基づいて作成した磁性膜中の磁場の大きさを示すグラフである。
【図２８】図２８は、図２６の表に基づいて作成した磁性膜中の磁束密度の大きさを示すグラフである。
【図２９】図２９は、図２６の表に基づいて作成した磁性膜中の磁場の大きさを示すグラフである。
【図３０】図３０は、図２６の表に基づいて作成した磁性膜中の磁束密度の大きさを示すグラフである。
【図３１】図３１は、はしご型電極を用いた場合における磁場の分布の計算結果を示す図である。
【図３２】図３２は、はしご型電極を用いた場合における磁束密度の分布の計算結果を示す図である。
【図３３】図３３は、はしご型電極を用いた場合における磁性膜中の磁場の大きさの計算結果を示す図である。
【図３４】図３４は、はしご型電極を用いた場合における磁性膜中の磁束密度の大きさの計算結果を示す図である。
【図３５】図３５は、はしご型電極を用いた場合における磁場の分布の計算結果を示す図である。
【図３６】図３６は、はしご型電極を用いた場合における磁束密度の分布の計算結果を示す図である。
【図３７】図３７は、はしご型電極を用いた場合における磁性膜中の磁場の大きさの計算結果を示す図である。
【図３８】図３８は、はしご型電極を用いた場合における磁性膜中の磁束密度の大きさの計算結果を示す図である。
【図３９】図３９は、はしご型電極を用いた場合における磁場の分布の計算結果を示す図である。
【図４０】図４０は、はしご型電極を用いた場合における磁束密度の分布の計算結果を示す図である。
【図４１】図４１は、はしご型電極を用いた場合における磁性膜中の磁場の大きさの計算結果を示す図である。
【図４２】図４２は、はしご型電極を用いた場合における磁性膜中の磁束密度の大きさの計算結果を示す図である。
【図４３】図４３は、はしご型電極を用いた場合における磁場の分布の計算結果を示す図である。
【図４４】図４４は、はしご型電極を用いた場合における磁束密度の分布の計算結果を示す図である。
【図４５】図４５は、はしご型電極を用いた場合における磁性膜中の磁場の大きさの計算結果を示す図である。
【図４６】図４６は、はしご型電極を用いた場合における磁性膜中の磁束密度の大きさの計算結果を示す図である。
【図４７】図４７は、実施形態に係る静磁波素子における磁性膜と励振電極と高透磁率層との関係の一例を示す断面図である。
【図４８】図４８は、実施形態に係る静磁波素子における磁性膜と励振電極と高透磁率層との関係の一例を示す断面図である。
【図４９】図４９は、実施形態に係る静磁波素子における磁性膜と励振電極と高透磁率層との関係の一例を示す断面図である。
【図５０】図５０は、実施形態に係る静磁波素子における磁性膜と励振電極と高透磁率層との関係の一例を示す断面図である。
【図５１】図５１は、実施形態に係る静磁波素子における磁性膜と励振電極と高透磁率層との関係の一例を示す断面図である。
【図５２】図５２は、図５１に対応するＸＺ平面における図である。
【図５３】図５３は、電極指に相当する部分に高透磁率層を設ける場合について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態に係る静磁波素子及び静磁波装置について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１１】
第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態と共通又は類似する構成については、既に説明された実施形態と共通の符号を用い、図示や説明を省略することがある。
【００１２】
＜第１の実施形態＞
（静磁波素子の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る静磁波素子１の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【００１３】
静磁波素子１は、支持基板３と、支持基板３の主面３ａ上に設けられた磁性膜２と、支持基板３の主面３ａ及び磁性膜２の主面２ａに設けられた励振電極５とを有している。また、支持基板３の主面３ａには、励振電極５と電気的に接続されるパッド４、励振電極５とパッド４との接続を行う接続配線１１が形成されている。なお、図１では支持基板３の主面３ａに１つの励振電極５が設けられている例を示しているが、支持基板３の主面３ａには複数の励振電極５が形成されて良い。
【００１４】
支持基板３は、例えば、シリコン基板、ガドリウム−ガリウム−ガーネット（ＧＧＧ）基板などの非磁性材料からなる基板である。支持基板３は、例えば、直方体状に形成されている。支持基板３の大きさは適宜に設定されて良いが、例えば、厚さ（Ｚ方向）は０．２ｍｍ〜０．５ｍｍであり、１辺の長さ（ｘ方向又はｙ方向）は０．５ｍｍ〜３ｍｍである。
【００１５】
支持基板３の主面３ａには、磁性膜２が形成されている。磁性膜２は、例えば、ニッケル鉄合金（パーマロイ）、イットリウム−鉄−ガーネット（ＹＩＧ）などからなる。磁性膜２の厚みは、例えば、２０ｎｍ〜１０μｍである。磁性膜２には所定の方向に直流磁場が印加されており、これによって磁性膜２は磁化している。
【００１６】
磁性膜２は後述するように支持基板３の主面３ａのうち特定の領域にのみ形成されている。
【００１７】
励振電極５は、例えば、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極であり、一対の櫛歯状電極を有している。具体的には、励振電極５はｘ方向に伸びている第１バスバー６と、第１バスバー６に対向して配置され、ｘ方向に伸びている第２バスバー７と、一方端が第１バスバー６に接続されて第１バスバー６から第２バスバー７に向かう第１方向（ｙ方向）に伸びている複数の第１電極指８と、一方端が第２バスバー７に接続されて第２バスバー７から第１バスバー６に向かう方向（−ｙ方向）に伸びている複数の第２電極指９を有している。
【００１８】
静磁波素子１において、複数の第１電極指８と複数の第２電極指９とは、ｘ方向にみたときに第１電極指８と第２電極指９とが１本ずつ交互に位置するように配列されている。換言すれば、第１バスバー６及び複数の第１電極指８からなる櫛歯状電極と、第２バスバー７及び複数の第２電極指９からなる櫛歯状電極とが、それぞれの電極指が互いに噛み合うようにして配置されている。
【００１９】
磁性膜２を伝搬する静磁波の波長をλとすると第１電極指８と第２電極指９の中心間距離ｐは、例えば、λ／２に設定されている。具体的に中心間距離ｐは、例えば、４μｍ〜１２．５μｍである。また、静磁波素子１の使用時において第１バスバー６と第２バスバー７には異なる電位が印加される。
【００２０】
なお、図１などは模式図であることから数本の電極指を有する１対の櫛歯状電極を示しているが、実際にはこれよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられて良い。
【００２１】
励振電極５は、例えば、Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金、Ｃｕなどの導電性材料からなる。励振電極５の厚みは、例えば、１００〜５００ｎｍである。
【００２２】
ここで支持基板３の主面３ａのうち、第１バスバー６と第２バスバー７との間の領域及び第１バスバー６と第２バスバー７との間の領域をｘ方向と平行な方向に延長した領域を第１領域Ｔ１としたときに磁性膜２は、第１領域Ｔ１にのみ設けられている。第１領域Ｔ１に磁性膜２が設けられていることによって、第１電極指８及び第２電極指９はそのほとんどが磁性膜２の上に配置されていることになる。
【００２３】
所定の方向に磁化された磁性膜２の主面２ａにおいて、所定の間隔で配置された複数の第１電極指８及び複数の第２電極指９に電流が流れると各電極指の周りに高周波磁界が発生する。そうすると磁性膜２において、電子スピンによる磁気モーメントに歳差運動が発生し、その歳差運動を介してｘ方向に伝搬する静磁波が発生する。
【００２４】
静磁波には、表面静磁波モード（ＭＳＳＷ：MagnetoStatic Surface Wave）、体積前進静磁波モード（ＭＳＦＶＷ：MagnetoStatic Forward Volume Wave）、体積後退静磁波モード（ＭＳＢＶＷ：MagnetoStatic Backward Volume Wave）の３つの基本モードが存在するが、直流磁場の方向を選択することによっていずれかのモードを選択することができる。具体的には、直流磁場の方向を磁性膜２の膜面（ｘｙ平面）に平行で、かつ静磁波の伝搬方向（ｘ方向）に対し垂直な方向（ｙ方向）に選ぶとＭＳＳＷの静磁波が発生する。また、直流磁場の方向を膜面に対し垂直で、かつ静磁波の伝搬方向に対しても垂直な方向（ｚ方向）に選ぶとＭＳＦＶＷの静磁波が発生する。また、直流磁場の方向を膜面に対し平行で、かつ静磁波の伝搬方向に対しても平行な方向（ｘ方向）に選ぶとＭＳＢＶＷの静磁波が発生する。
【００２５】
静磁波素子１においてはＭＳＳＷを利用している。すなわち直流磁場はｙ方向に印加されている。直流磁場は、例えば、静磁波素子１の製造プロセスにおいて磁性膜２に対して印加される。あるいは静磁波素子１を搭載した静磁波装置に磁性膜２を挟む位置に一対の磁石を設けるようにしても良い。
【００２６】
静磁波素子１では、磁性膜２が第１領域Ｔ１にのみ形成されていることから、第１バスバー６及び第２バスバー７は支持基板３の主面３ａのうち第１領域Ｔ１以外の領域である第２領域Ｔ２に位置することになる。すなわち、第１バスバー６と第２バスバー７の下には磁性膜２が存在しない。仮に第１バスバー６及び第２バスバー７の下にも磁性膜２が形成されているとすると、その部分の磁性膜２にはＭＳＳＷとは異なるモードの静磁波が発生したり、不要な磁気共鳴が発生することが懸念される。ＭＳＳＷとは異なるモードの静磁波や不要な磁気共鳴は、リップルなどの発生要因となり共振特性の劣化を招く。
【００２７】
これに対し、静磁波素子１によれば磁性膜２が第１領域Ｔ１にのみ形成されていることから、第１、第２バスバーの直下領域においてＭＳＳＷとは異なるモードの静磁波の発生、あるいは不要な磁気共鳴の発生が抑制されるため共振特性の劣化を抑制することができる。よってこのような静磁波素子１を用いてフィルタを構成することによって損失を小さく抑えることができるなどフィルタの特性を向上させることができる。
【００２８】
また磁性膜２のｘ方向における端部は、複数の第１電極指８及び複数の第２電極指９のうちｘ方向において端に位置する電極指の中心からλ／４だけ外側に位置している。すなわち、図１における距離ｄはλ／４である。これによって磁性膜２のｘ方向における端において定在波が発生しやすいように静磁波の反射が起こり、静磁波素子１の共振を大きくすることができる。なお、距離ｄはλ／４＋ｎλ（ｎは正の整数）の範囲で変更されて良い。
【００２９】
図２は図１のＡ−Ａ’線における断面図である。同図に示すように励振電極５は高透磁率層１０によって被覆されている。高透磁率層１０は、励振電極５を覆うように磁性膜２上に設けられた層であって、空気よりも透磁率が高い材料で形成される。言い換えると、空気や非磁性体の透磁率は、「１（Ｈ／ｍ（ヘンリー／メートル））」程度となり、高透磁率層１０は、透磁率が「１」よりも高い材料で形成される。高透磁率層１０は、磁性膜２と同一の材料で形成されても良く、磁性膜２よりも透磁率が高い材料で形成されても良い。
【００３０】
より詳細な一例をあげて説明すると、高透磁率層１０は、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）、タフパーム（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）、パーメンダ（Ｆｅ−Ｃｏ−Ｖ）、方向性珪素鋼板（Ｆｅ−Ｓｉ）、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｃｏ基アモルファス合金（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍｎ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｂ）、ナノ結晶合金ファインメット（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｓｉ−Ｂ）、鉄ガーネット（ＹＩＧ）など、透磁率が空気よりも大きい任意の材料を用いて形成される。なかでも、ＹＩＧは絶縁性を有しており、高透磁率層１０による電極指同士の短絡の発生を抑制することができるため、高透磁率層１０の材料として好適である。高透磁率層１０の詳細については後述する。
【００３１】
（静磁波素子の製造方法）
図３Ａ乃至図３Ｃは、静磁波素子１の製造方法を説明する断面図である。なお、図３Ａ乃至図３Ｃの断面図は、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【００３２】
静磁波素子１の製造方法に対応する図３Ａ乃至図３Ｃの工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって支持基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分の静磁波素子１が形成される。ただし、図３Ａ乃至図３Ｃでは、１つの静磁波素子１に対応する部分のみを図示する。
【００３３】
図３Ａに示すように、まず、支持基板３の主面３ａ上には、磁性膜２が形成される。例えば、支持基板３がシリコンからなり、磁性膜２がパーマロイからなる場合には、磁性膜２に対応する開口部を有するレジスト層を支持基板３の主面３ａに形成し、その上からスパッタリング法、蒸着法などの薄膜形成方法によって、パーマロイの膜を形成する。その後、レジスト層を除去することにより磁性膜２が形成される。なお磁性膜２の形成方法はこれに限らず、メタルマスクを使用する方法、ドライエッチングを利用する方法なども可能である。
【００３４】
このように磁性膜２を形成した段階において、支持基板３を例えば一対の電磁石の間に配置するなどして磁性膜２の磁化を行う。このときに印加される磁場の大きさは、例えば、２０ｅ〜１００００ｅである。
【００３５】
次に図３Ｂに示すように、励振電極５が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの薄膜形成法によって、支持基板３の主面３ａ及び磁性膜２の主面２ａに金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法などによりパターニングが行われる。これにより、支持基板３の主面３ａに第１バスバー６及び第２バスバー７が形成され、磁性膜２の主面２ａに第１電極指８及び第２電極指９が形成され、励振電極５が完成する。なお、励振電極５の形成と同時にパッド４及び接続配線１１の形成も行なわれる。
【００３６】
次に図３Ｃに示すように、高透磁率層１０が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法により高透磁率層１０となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法もしくはＣＶＤである。次に、パッド４が露出するようにＲＩＥ等によって薄膜の一部が除去される。これにより高透磁率層１０が形成される。以上の工程を経て静磁波素子１が完成する。
【００３７】
（弾性波装置の構成）
図４は、静磁波素子１が実装された本発明の第１実施形態に係る静磁波装置５１を示す断面図である。
【００３８】
静磁波装置５１は、実装基板５３と、実装基板５３の実装面上に設けられたパッド５５と、パッド５５上に配置されたバンプ５７と、バンプ５７を介して実装面に実装された静磁波素子１と、静磁波素子１を封止する樹脂層５９とを有している。静磁波装置５１は、静磁波素子１によって構成されるフィルタを少なくとも１つ備えたデュプレクサを構成している。
【００３９】
実装基板５３は、例えば、セラミック基板、プリント配線板などからなり、１層板であっても良いし、２層以上の多層板であっても良い。実装基板５３の内部には内部配線５２が形成されている。内部配線５２は、例えば、インダクタンス、キャパシタンスなどを形成している。このインダクタンス及びキャパシタンスは、例えば、デュプレクサの整合回路を構成する。
【００４０】
実装基板５３の下面には、外部接続端子５６が設けられている。外部接続端子５６と静磁波素子１とは、実装基板５３の内部に形成されたビア導体５４などを介して電気的に接続されている。
【００４１】
バンプ５７は、静磁波素子１のパッド４及び実装基板５３のパッド５５の両方に当接している。バンプ５７は、加熱によって溶融してパッド４に接着される金属によって形成されている。バンプ５７は、例えば、はんだからなる。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであっても良いし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであっても良い。
【００４２】
樹脂層５９は、例えば、エポキシ樹脂、硬化材及びフィラーを主成分としている。樹脂層５９は、静磁波素子１全体を覆うようにして、静磁波素子１と実装基板５３との間にも充填されている。
【００４３】
なお、静磁波装置５１としては、例えば、実装基板５３に静磁波素子１以外にもＩＣ等が実装されることによってデュプレクサモジュールを構成しても良い。
【００４４】
（変形例）
図５は第１の実施形態における静磁波素子１の第１変形例を示す平面図である。なお、以下の変形例の図においては、図１において示していたパッド４及び接続配線１１を省略している。
【００４５】
この第１変形例に係る静磁波素子１は、励振電極５の構造が図１に示した静磁波素子１とは異なっている。具体的には、第１電極指８と第２電極指９とが第３電極指１２を介して接続されている。第３電極指１２は、第１電極指８及び第２電極指９とほぼ平行に配列されたｙ方向に伸びている電極指であり、一方端が第１電極指８の他方端に接続され、他方端が第２電極指９の他方端に接続されている。なお、第３電極指１２の一方端は、ｘ方向に伸びた電極指を介して第１電極指８の他方端と接続され、第３電極指１２の他方端は、ｘ方向に伸びた電極指を介して第２電極指９の他方端と接続されている。よって、第１電極指８、第２電極指９、第３電極指１２及びそれらを接続する電極指全体でみたときの形状はミアンダ状となっている。
【００４６】
第３電極指１２は、第１電極指８と第２電極指９との間のほぼ中央に位置している。すなわち、第１電極指８と第３電極指１２との中心間距離ｐ１は、第２電極指９と第３電極指１２との中心間距離ｐ２にほぼ等しい。また、中心間距離ｐ１、ｐ２はそれぞれλ／２（λは静磁波の波長）に設定され、例えば、２μｍ〜１２．５μｍである。また、隣接する第１電極指８と第２電極指９との中心間距離ｐ３はλに設定され、例えば、４μｍである。
【００４７】
なお、図５では第１電極指８と第２電極指９との間に配置される第３電極指１２が１本の場合を示しているが、第１電極指８と第２電極指９との間に配置される第３電極指１２の本数はこれに限らず、２本以上であっても良い。
【００４８】
図６は第１の実施形態における静磁波素子１の第２変形例を示す平面図である。
【００４９】
この第２変形例に係る静磁波素子１は、第１電極指８の他方端が第２バスバー７に接続され、第２電極指９の他方端が第１バスバー６に接続されている。よって、励振電極５は全体でみるとはしご型の形状になっている。このときの第１電極指８と第２電極指９との中心間距離ｐ４はλに設定され、例えば、４μｍである。
【００５０】
＜第２の実施形態＞
図７は、第２の実施形態の静磁波素子２０を示す平面図である。静磁波素子２０は、磁性膜２の形成領域が第１の実施形態の静磁波素子１とは異なっている。
【００５１】
具体的には、静磁波素子２０では、磁性膜２が第１領域Ｔ１の中の第１電極指８と第２電極指９との交差領域Ｔ３にのみ設けられている。このように磁性膜２を交差領域Ｔ３にのみ形成することによって、第１電極指８と第２電極指９との非交差領域（第１領域Ｔ１から交差領域Ｔ３を除いた領域）において所望のモード（静磁波素子２０ではＭＳＳＷ）と異なるモードの静磁波が発生するのが抑制され、共振特性をより向上させることができる。なお、交差領域とは、第１電極指８を静磁波の伝搬方向（ｘ方向）に延長したときに第２電極指９と重なる領域のことをいう。
【００５２】
＜第３の実施形態＞
図８は、第３の実施形態の静磁波素子３０を示す、図２に対応する断面図である。
【００５３】
静磁波素子３０は、第１電極指８及び第２電極指９と磁性膜２との間に介在した絶縁層３１を更に有するものである。絶縁層３１は、例えば、ＳｉＯ２などの絶縁材料からなり、磁性膜２の全体を被覆している。絶縁層３１を設けることによって、第１電極指８及び第２電極指９に流れる電流の磁性膜２への漏れが抑制される。これによって静磁波素子３０の共振特性を向上させることができる。係る絶縁層３１は、磁性膜２がパーマロイなどの導電性を有する磁性材料からなる場合に特に有効である。
【００５４】
（高透磁率層について）
上述した実施形態各々における高透磁率層１０について説明する。一般的に、磁力線の経路上に透磁率μの異なる部分があると、磁場Ｈは、透磁率μの小さい部分に集中する。この結果、透磁率μの小さい部分と比較して、他の部分の磁場Ｈは小さくなる。言い換えると、全体の磁場Ｈが透磁率μの小さい部分に支配されることになる。静磁波素子１において、磁性膜２における透磁率μが磁性膜２以外の他の部分に比べて大きい場合には、磁性膜２以外の部分に磁場Ｈが集中し、磁性膜２における磁場Ｈの大きさが小さくなる。磁場Ｈの大きさが小さくなると、第１電極指８及び第２電極指９を流れる電流が磁性膜２中のスピンに与える影響が小さくなるため、共振特性が劣化する。
【００５５】
ここで、上述の高透磁率層１０の代わりに非磁性体で形成された層が設けられている静磁波素及び高透磁率層１０が設けられる部分に何ら層が設けられておらず空気層となっている静磁波素子と、第１の実施形態に係る静磁波素子１とを比較すると、静磁波素子１は、透磁率μの大きい高透磁率層１０を有することから、相対的に透磁率μが小さい磁性膜２において、磁場Ｈの大きさが大きくなる。その結果、第１電極指８及び第２電極指９を流れる電流が磁性膜２中のスピンに与える影響が大きくなり、静磁波と電流との結合が大きくなる。それ故、静磁波素子１によれば、高透磁率層１０の代わりに非磁性体で形成された層が設けられている静磁波素子及び高透磁率層１０が設けられる部分に何ら層が設けられていない静磁波素子と比較して、共振特性を向上させることができる。
【００５６】
高透磁率層１０を形成することによって、磁性膜２における磁場Ｈと磁束密度Ｂがどのように変化するかについてシミュレーションによって調べた。図９は、シミュレーションに用いたモデルであり、静磁波素子のＸＺ平面における断面図である。なお、図２の断面図とは上下が逆になっている。
このモデルの条件は以下の通りである。
電極指の幅：１μｍ
電極指の厚み：０．３μｍ
電極指の中心間距離：６μｍ
磁性膜の材料：ＹＩＧ
磁性膜の厚み：１．９μｍ
全体の幅（ｘ方向の寸法）：３０μｍ（−１５μｍから１５μｍ）
全体の厚み（ｚ方向の寸法）：１５μｍ（−７．５μｍから７．５μｍ）
【００５７】
以下の説明では、磁性膜２の比透磁率μｒを「μＡ」、高透磁率層１０の比透磁率μｒを「μＢ」、磁場ＨのＸ軸方向の大きさを「Ｈｘ」、磁束密度ＢのＸ軸方向の大きさを「Ｂｘ」とそれぞれ表記することがある。
【００５８】
磁場Ｈと磁束密度Ｂの大きさは、励振電極５に一定の電流を流した条件の下で有限要素法（ＦＥＭ：Finite Element Method）によって算出した。なお、実際のデバイスでは励振電極５には高周波電流を印加するが、デバイスの大きさが波長よりも十分小さいため、一定の電流を流した条件下における算出でも同様の結果となる。
【００５９】
以下では、ミアンダ型電極の静磁波素子についての計算結果と、はしご型電極の静磁波素子の計算結果を示す。なお、ミアンダ型電極とは、例えば、図５に示した形状の電極であり、はしご型電極とは、例えば、図６に示した形状の電極である。
【００６０】
まず、ミアンダ型電極の静磁波素子についての計算結果を図１０〜図３０を用いて説明する。
図１０〜図１３は、ミアンダ型電極の静磁波素子において、磁性膜２及び高透磁率層１０の比透磁率μｒをともに「１」とした場合の計算結果である。これは、磁性膜２及び高透磁率層１０が非磁性体（空気層を含む）で形成されている場合に相当する。図１０は、ＸＺ平面における磁場Ｈの分布を示す図である。図１１は、ＸＺ平面における磁束密度Ｂの分布を示す図である。図１２は、励振電極５から磁性膜２側に「０．５μｍ」入った位置におけるＸ軸方向の磁場Ｈの大きさを示す図である。図１３は、励振電極５から磁性膜２側に「０．５μｍ」入った位置におけるＸ軸方向の磁束密度Ｂの大きさを示す図である。なお、図１０及び図１１のＸ軸とＺ軸における位置は図９のＸ軸とＺ軸における位置に対応する。すなわち、図１０及び図１１において、Ｚ軸が「０」の位置は、図９における磁性膜２と高透磁率層１０との境界に対応し、Ｚ軸の正方向１目盛りの位置（Ｚ≒「１．９」）は、図９における磁性膜２と支持基板３との境界に対応する。同様にして図１２及び図１３のＸ軸における位置は、図９におけるＸ軸の位置と対応する。図１４以降の図も図９とは同様の対応関係にある。なお、図面上では、便宜上、磁場Ｈの大きさ及び磁束密度Ｂの大きさを線の種類を変えることで示した。
【００６１】
図１０及び図１１に示すように、磁性膜２と高透磁率層１０との比透磁率μｒがともに「１」である場合は、磁場Ｈと磁束密度Ｂの分布は、磁性膜２と高透磁率層１０とでほぼ同一となることがわかる。
【００６２】
図１４〜図１７は、磁性膜２の比透磁率μＡを「１０」、高透磁率層１０の比透磁率μＢを「１」とした場合の計算結果に基づく図である。図１４〜図１７は、それぞれ図１０〜図１３と対応する図である。
【００６３】
図１４及び図１６に示すように、磁性膜２の比透磁率μＡと高透磁率層１０との比透磁率μＢの大小関係が「μＡ＞μＢ」であることから、磁場Ｈが高透磁率層１０側に集中する。そのため、図１６と図１２とを比較するとわかるように、図１６に示す磁性膜２における磁場Ｈの大きさは図１２に示す結果よりも小さくなることがわかる。一方、図１７に示すように、磁性膜２内の磁束密度Ｂは、磁性膜２の比透磁率μＡが「１」の場合である図１３の結果と比較して大きくなることがわかる。ただし、磁性膜２の比透磁率μＡは１０倍になっているものの、磁場Ｈが高透磁率層１０側に集中することから、磁性膜２内の磁束密度Ｂは１０倍にはならない。
【００６４】
図１８〜図２１は、磁性膜２の比透磁率μＡを「１０」、高透磁率層１０の比透磁率μＢを「１０」とした場合の計算結果に基づく図である。図１８〜図２１は、それぞれ図１０〜図１３と対応する図である。
【００６５】
図１８及び図１９に示すように、磁性膜２と高透磁率層１０との比透磁率μｒは同一であることから、磁場Ｈと磁束密度Ｂの分布は、磁性膜２と高透磁率層１０とでほぼ同一となったことがわかる。また、磁場Ｈの値は比透磁率μが「１」である図１２に示した結果と比較してほぼ同一であるが、磁束密度Ｂは図１３に示した結果と比較してほぼ１０倍になっている。
【００６６】
図２２〜図２５は、磁性膜の比透磁率μＡを「１０」として、高透磁率層の比透磁率μＢを「３０」とした場合の計算結果に基づく図である。図２２〜図２５は、それぞれ図１０〜図１３と対応する図である。
【００６７】
図２２に示すように、磁性膜２と高透磁率層１０との比透磁率μｒの大小関係は、「μＡ＜μＢ」であることから、磁場Ｈが磁性膜２側に集中することがわかる。また、図２４に示すように、磁場Ｈの強さは、高透磁率層１０の比透磁率μＢが「１０」である図２０と比較して増加している。また、図２５に示すように、磁束密度Ｂの値についても、高透磁率層１０の比透磁率μＢが「１０」となる図２１と比較して増加している。
【００６８】
図２６は、図１０〜図２５に示したミアンダ型電極の静磁波素子についての計算結果をまとめた表である。なお、図２６の表において、上の４行が図１０〜図２５に示したミアンダ型電極の静磁波素子についての計算結果であり、下の３行は図示していないが、（μＢ、μＡ）＝（５０，１０）、（１００，１０）、（２００，１０）としたときの計算結果である。
【００６９】
図２７は、図２６に示した表の上４行についてのＨｘの結果を棒グラフで示したものである。このグラフでは「μＢ」と「μＡ」との組み合わせを横軸に示し、縦軸に対応する「Ｈｘ」を示す。図２７の「μＡ」が「１０」となる範囲に示されるように、「μＢ」が小さいと「Ｈｘ」が小さくなり、「μＢ」が大きいと「Ｈｘ」が大きくなることがわかる。また、図２７のうち「μＢ」が「１」となる範囲に示されるように、「μＡ」を大きくしたとしても、「μＡ」と比較して「μＢ」が小さくなる場合には、「Ｈｘ」が大きくならないことがわかる。
【００７０】
図２８は、図２６に示した表の上４行についてのＢｘの結果を棒グラフで示したものである。このグラフでは「μＢ」と「μＡ」との組み合わせを横軸に示し、縦軸に対応する「Ｂｘ」を示している。図２８の「μＢ」が「１」となる範囲に示されるように、「μＡ」が「１」から「１０」へと増加したにもかかわらず、「Ｂｘ」は２倍程度にしかならない。一方、図２８の「μＢ」が「１０」又は「３０」になる範囲に示されるように、「μＢ」を「１」から大きくすると、「Ｂｘ」の値が「μＢ」が「１」の場合と比較して１０倍以上に増加した。
【００７１】
図２９は、図２６に示した表の２行目から８行目についてのＨｘの結果を折れ線グラフで示したものである。このグラフでは「（μＢ）／（μＡ）」を横軸に示し、縦軸に対応する「Ｈｘ」を示している。図２９に示すように、磁性膜２の比透磁率μＡに対する高透磁率層１０の比透磁率μＢの大きさが大きくなるに従って「Ｈｘ」が大きくなる一方、増加率は減少することがわかる。
【００７２】
図３０は、図２６に示した表の２行目から８行目についてのＢｘの結果を折れ線グラフで示したものである。このグラフでは「（μＢ）／（μＡ）」を横軸に示し、縦軸に対応する「Ｂｘ」を示している。図３０に示すように、「Ｈｘ」と同様に、磁性膜２の比透磁率μＡに対する高透磁率層１０の比透磁率μＢの大きさが大きくなるに従って「Ｂｘ」が大きくなる一方、増加率は減少することがわかる。
【００７３】
図２９や図３０に示すように、磁性膜２の比透磁率μＡに対する高透磁率層１０の比透磁率μＢの比（μＢ／μＡ）を１以上とすれば、磁性膜２の比透磁率μＡが高透磁率層１０の比透磁率μＢより小さい場合に比べて、磁性膜２中の磁場Ｈを大きくすることができる。また、５≦（μＢ／μＡ）とすれば磁性膜２における磁場Ｈ及び磁束密度Ｂの大きさが最大となる。
【００７４】
次に、はしご型電極の静磁波素子についての計算結果を図３１〜図４６を用いて説明する。なお、図３１〜図４６では基本的には図９に示したモデルと同じ寸法に設定したものを使用して計算を行っているが、電極指の本数は３本（図９において紙面左から数えて２番目と４番目の電極指を除いたもの）としている。
【００７５】
図３１〜図３４は、磁性膜２の比透磁率μＡ及び高透磁率層１０の比透磁率μＢがともに「１」である場合の計算結果である。これは、磁性膜２及び高透磁率層１０が非磁性体（空気層を含む）で形成されている場合に相当する。図３１は、ＸＺ平面における磁場Ｈの分布を示す図である。図３２は、ＸＺ平面における磁束密度Ｂの分布を示す図である。図３３は、励振電極５から磁性膜２側に「０．５μｍ」入った位置におけるＸ軸方向の磁場Ｈの大きさを示す図である。図３４は、励振電極５から磁性膜２側に「０．５μｍ」入った位置におけるＸ軸方向の磁束密度Ｂの大きさを示す図である。
【００７６】
図３１及び図３２に示すように、磁性膜２と高透磁率層１０との比透磁率は同一であることから、磁場Ｈ及び磁界密度Ｂ分布は、磁性膜２と高透磁率層１０とでほぼ同一となっていることがわかる。また、図３３及び図３４に示すように、電極指が存在する部分で磁場Ｈ及び磁界密度Ｂが大きくなっていることがわかる。
【００７７】
図３５〜図３８は、磁性膜２の比透磁率μＡが「１０」、高透磁率層１０の比透磁率μＢが「１」とした場合の計算結果に基づく図である。図３５〜図３８は、それぞれ図３１〜図３４と対応する図である。
【００７８】
図３５に示すように、磁性膜２と高透磁率層１０との比透磁率μｒの大小関係は、「μＡ＞μＢ」であることから、磁場Ｈが高透磁率層１０側に集中する。そのため、図３７と図３３とを比較するとわかるように、磁性膜２における磁場Ｈの大きさは小さくなってしまうことがわかる。一方、図３８と図３５とを比較するとわかるように、磁性膜２内の磁束密度Ｂは、磁性膜２の比透磁率が「１」の場合と比較して若干大きくなる。ただし、磁性膜２の比透磁率μＡは図３４に示すものより１０倍になっているものの、磁束密度Ｂの大きさは１０倍にはならない。これは、磁場Ｈが高透磁率層１０側に集中するためである。
【００７９】
図３９〜図４２は、磁性膜２の比透磁率μＡを「１０」、高透磁率層１０の比透磁率μＢを「１０」とした場合の計算結果に基づく図である。図３９〜図４２は、それぞれ図３１〜図３４と対応する図である。
【００８０】
図３９及び図４０に示すように、磁性膜２と高透磁率層１０との比透磁率μｒは同一であることから、磁場Ｈ及び磁界密度Ｂの分布は、磁性膜２と高透磁率層１０とでほぼ同一となったことがわかる。また、図４２に示す磁束密度Ｂの値は、比透磁率μｒが「１」である図３４に示した結果と比較して、ほぼ１０倍になっている。
【００８１】
図４３〜図４６は、磁性膜２の比透磁率μＡを「１０」、高透磁率層１０の比透磁率μＢを「３０」とした場合の計算結果に基づく図である。図４３〜図４６は、それぞれ図３１〜図３４と対応する図である。
【００８２】
図４３に示すように、磁性膜２と高透磁率層１０との比透磁率μｒの大小関係は、「μＡ＜μＢ」であることから、磁場Ｈが磁性膜２側に集中することがわかる。図４５に示すように、磁性膜２における磁場Ｈの大きさは、高透磁率層１０の比透磁率μＢが「１０」である図４１と比較して増加している。また、図４６に示すように、磁束密度Ｂの値についても、高透磁率層１０の比透磁率μＢが「１０」となる図４２と比較して増加している。
【００８３】
次に、高透磁率層１０を有する静磁波素子１について、種々の変形例について説明する。図４７〜図５１は、実施形態に係る静磁波素子における磁性膜と励振電極と高透磁率層との関係の一例を示す断面図である。図４７〜図５１に示す断面図は、ＺＸ方向における断面の一部を示す。
【００８４】
図４７に示すように、高透磁率層１０の上面は平らであっても良い。また、図４８に示すように、高透磁率層１０の上面は平らでなくても良い。なお、磁性膜２上に励振電極５が配置された状態において、その上部に高透磁率層１０を設けようとする場合、励振電極５に沿って凹凸ができることになる。励振電極５に沿ってできた凹凸をそのまま残しても良く、任意の手法を用いて凹凸をなくしても良い。
【００８５】
ここで、高透磁率層１０の厚さは、任意の厚さで良いが、磁性膜２以上であることが好ましく、磁性膜２と同等の厚さであることがより好ましい。すなわち、高透磁率層１０の厚さが薄かったとしても、高透磁率層１０の代わりに非磁性体で形成された層が設けられている場合や、高透磁率層１０が設けられる部分に何ら層が設けられておらず空気層となっている場合と比較して、磁性膜２における磁場Ｈの大きさが大きくなるという効果が得られる。また、磁性膜２における磁場Ｈの大きさは、高透磁率層１０の厚さを磁性膜２の厚さ以上大きくしたとしても余り変わらないと考えられることを踏まえ、高透磁率層１０の厚さを磁性膜２と同等としても良い。この場合、高透磁率層１０の厚さを磁性膜２の厚さより大きくした場合と比較して、磁性膜２における磁場Ｈの大きさを大きくしつつ、不要なインダクタンスの増加を抑えることが可能となる。
【００８６】
また、高透磁率層１０は、導電性がない材料で形成されても良く、導電性がある材料で形成されても良い。図４７や図４８に示すように、高透磁率層１０が導電性がない材料で形成される場合には、励振電極５を直接覆うように高透磁率層１０を設けて良い。また、図４９及び図５０に示すように、高透磁率層１０が導電性のある材料で形成される場合には、静磁波素子１は、高透磁率層１０と励振電極５との間に絶縁層が更に設けられる。この結果、励振電極５間が短絡を起こすことを防止可能となり、任意の材料を用いて高透磁率層１０を形成可能となる。
【００８７】
図４９に示す例では、第１電極指８及び第２電極指９が主面上に設けられた磁性膜２上に、第１電極指８及び第２電極指９を覆うように磁性膜２全面に絶縁層１３が設けられる場合を示した。図５０に示す例では、励振電極５の主面上に設けられた第１電極指８及び第２電極指９に、絶縁層１３が設けられる場合を例に示した。図５０に示す場合には、絶縁層１３のうち第１電極指８を覆う部分と、第２電極指９を覆う部分とは、接触していない場合を示した。
【００８８】
ここで、図４９や図５０に示す例では、励振電極５と磁性膜２との間には絶縁層１３がない場合を示した。この結果、励振電極５と磁性膜２との間に絶縁層１３がある場合と比較して、励振電極５と磁性膜２との距離を近くすることができ、共振特性を高くできる。ただし、これに限定されるものではなく、励振電極５と磁性膜２との間に絶縁層１３を設けても良い。例えば、絶縁層１３で予め覆われた励振電極５を磁性膜２に設けることで、励振電極５と絶縁層１３とを磁性膜２上に設けても良い。
【００８９】
図５１に示す例では、高透磁率層１０のうち第１電極指８を覆うように設けられた部分と、高透磁率層１０のうち第２電極指９を覆うように設けられた部分とが接触しない場合を示した。図５２に示すように、高透磁率層１０のうち第１電極指８を覆うように設けられた部分と、高透磁率層１０のうち第２電極指９を覆うように設けられた部分とが接触しないようにしても良い。図５２は、図５１に対応するＸＺ平面における図である。図５２に示すように、高透磁率層のうち第１電極指を覆うように設けられた部分と、高透磁率層のうち第２電極指を覆うように設けられた部分とが接触しない。
【００９０】
この結果、絶縁層１３を設けなかったとしても、導電体を用いて高透磁率層１０を形成することが可能となる。ここで、導電体を用いて高透磁率層１０を形成した場合、励振電極５と高透磁率層１０とが合わさって電極としての機能を奏することになる。また、例えば、高透磁率層が導電性で形成され、前記第１電極指を覆うように設けられた部分と第２電極指を覆うように設けられた部分とが接触している場合と比較して、電極間の相互作用により劣化が起こる可能性を低下することが可能となる。図５１に示す例は、図４９もしくは図５０に示した例と組み合わせて使用することができる。この場合、電極指９と電極子１０間の電流漏れをより効果的に低減することができる。
【００９１】
図５３は、電極指に相当する部分に高透磁率層を設ける場合について説明するための図である。図５３に示すように、高透磁率層１０は、第１電極指８と第２電極指９との上部に設ける一方、第１バスバー６と第２バスバー７との上部には設けなくても良い。言い換えると、図１の「第１領域Ｔ１」に相当する部分にのみ高透磁率層１０を設けても良い。この場合、不要なインダクタンスの増加を防止可能となる。
【００９２】
（その他）
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されて良く、また上述した実施形態は、適宜に組み合わされて良い。
【００９３】
例えば、第１実施形態における第１変形例及び第２変形例は、第２実施形態の静磁波素子２０及び第３実施形態の静磁波素子３０にも適用可能である。
【符号の説明】
【００９４】
１・・・静磁波素子
２・・・磁性膜
３・・・支持基板
４・・・パッド
５・・・励振電極
６・・・第１バスバー
７・・・第２バスバー
８・・・第１電極指
９・・・第２電極指
１０・・高透磁率層
Ｔ１・・・第１領域
Ｔ２・・・第２領域
【図１】
2013207547.tif 000003
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
2013207547.tif 000007
【図４】
2013207547.tif 000008
【図５】
2013207547.tif 000009
【図６】
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【図７】
2013207547.tif 000011
【図８】
2013207547.tif 000012
【図９】
2013207547.tif 000013
【図１０】
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【図１１】
2013207547.tif 000015
【図１２】
2013207547.tif 000016
【図１３】
2013207547.tif 000017
【図１４】
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【図１５】
2013207547.tif 000019
【図１６】
2013207547.tif 000020
【図１７】
2013207547.tif 000021
【図１８】
2013207547.tif 000022
【図１９】
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【図２０】
2013207547.tif 000024
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
2013207547.tif 000031
【図２８】
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【図２９】
2013207547.tif 000033
【図３０】
2013207547.tif 000034
【図３１】
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【図３２】
2013207547.tif 000036
【図３３】
2013207547.tif 000037
【図３４】
2013207547.tif 000038
【図３５】
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【図３６】
2013207547.tif 000040
【図３７】
2013207547.tif 000041
【図３８】
2013207547.tif 000042
【図３９】
2013207547.tif 000043
【図４０】
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【図４１】
2013207547.tif 000045
【図４２】
2013207547.tif 000046
【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
2013207547.tif 000050
【図４７】
2013207547.tif 000051
【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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