(57)【要約】【課題】透明基材上に反射防止膜を有することで表示面への外観の映りこみを防ぎ、視認性が良好な静電容量式タッチパネル基板を提供する。さらに、カバーガラス一体型であることと、接続部や配線に塗布型の金属材料を用いることにより、安価な静電容量式タッチパネル基板を提供する。【解決手段】本願発明に係る静電容量式タッチパネル基板は、タッチパネルの最表面に位置するカバーガラスを透明基材とした静電容量式タッチパネル基板であって、透明基材の片面に少なくとも、第一の透明電極１と、第二の透明電極２と、第一の透明電極１を結ぶ第一の接続部３と、第二の透明電極２を結ぶ第二の接続部４と、第一の接続部３と第二の接続部４の交差する間に形成された絶縁層５と、第一の透明電極１および第二の透明電極２に接続された取出配線２０と、を有し、透明基材のもう一方の面に反射防止膜を有することを特徴とする。【選択図】  図１
2013246610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチパネルの最表面に位置するカバーガラスを透明基材とした静電容量式タッチパネル基板において、
前記透明基材の片面に少なくとも、（Ａ）第一の透明電極と、（Ｂ）第二の透明電極と、（Ｃ）前記（Ａ）第一の透明電極を結ぶ第一の接続部と、（Ｄ）前記（Ｂ）第二の透明電極を結ぶ第二の接続部と、（Ｅ）前記（Ｃ）第一の接続部と前記（Ｄ）第二の接続部の交差する間に形成された絶縁層と、（Ｆ）前記（Ａ）第一の透明電極および前記（Ｂ）第二の透明電極に接続された取出配線と、を有し、
前記透明基材のもう一方の面に（Ｇ）反射防止膜を有することを特徴とする静電容量式タッチパネル基板。
【請求項２】
前記（Ｄ）第二の接続部と、前記（Ｆ）取出配線の少なくとも一方は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃ、Ｆｅの群から選ばれる一つ以上の元素からなる金属材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の静電容量式タッチパネル基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の静電容量式タッチパネル基板を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の静電容量式タッチパネル基板の製造方法であって、
前記（Ｇ）反射防止膜は、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法、イオンプレーティング蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法の群から選ばれる一つ以上の方法によって成膜されることを特徴とする静電容量式タッチパネル基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の静電容量式タッチパネル基板の製造方法であって、
前記（Ｇ）反射防止膜は、スピンコート法、ロールコート法、スプレーコート法、ディップコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法の群から選ばれる一つ以上の方法によって成膜されることを特徴とする静電容量式タッチパネル基板の製造方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の製造方法で製造されたことを特徴とする静電容量式タッチパネル基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量式タッチパネル基板、表示装置及び静電容量式タッチパネル基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、表示画面上の透明な面を操作者が指またはペンでタッチすることにより、接触した位置を検出してデータ入力できる入力装置の構成要素となるものであって、キー入力より直接的、かつ直感的な入力を可能とすることから、近年、多用されるようになってきた。特に前記タッチパネルを液晶等の表示パネルと組み合わせて、情報の入出力を一体で行うことが多い。
【０００３】
タッチパネルの検出方式には、抵抗膜式、静電容量式、超音波式、光学式等があり、これまでは、製造コストの点で比較的優れていた抵抗膜式が主流であった。しかし、２枚の透明導電膜の間に空気層を設ける構造を有する抵抗膜式タッチパネルは、光学特性（例えば、透過率）が低く、耐久性や動作温度特性においても充分とは言えないため、改良が求められてきた。
【０００４】
一方、可動部分を有しない静電容量式タッチパネルは、光学特性（例えば、透過率）が高く、耐久性や動作温度特性においても抵抗膜式より優れているため、特に車載用等の高信頼性用途に向けて開発が進んでいる（例えば、特許文献１、２を参照）。
前記静電容量式タッチパネルは、表面型（ｓｕｒｆａｃｅ  ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）と投影型（ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ  ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）に大別でき、１０型（２５．４ｃｍサイズ）以上の大型品には表面型が、携帯機器向けの６型以下の小型品には投影型が使われる場合が多い。電極板の構造が単純な表面型は、大型化し易いが、２点以上の接触点を同時に検知することは困難である。一方、電極板の構造が複雑な投影型は、大型化には不利であるが、２点以上の接触点を同時に検知することが可能である。
【０００５】
投影型静電容量式タッチパネル基板は、一般的に、透明基材上に、ｘ方向に配列された第一の透明電極と、ｙ方向に配列された第二の透明電極と、第一の透明電極同士を結合する第一の接続部と、第二の透明電極同士を結合する第二の接続部と、第一の接続部と第二の接続部が交差する部位に、第一の接続部と第二の接続部を電気的に絶縁するための絶縁層と、を備えている。また、透明基材上には、これらの透明電極と制御回路を繋ぐ取出配線が形成され、透明電極、接続部および取出配線を腐食や接触による傷から守るために、制御回路と繋がる、取出配線の接続部位以外のほぼ全面を覆うように、保護層が形成されて用いられることが多くなっている（例えば、特許文献３を参照）。
【０００６】
投影型静電容量式タッチパネルには、透明基材に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂製のフィルムを用いるフィルム式と、無アルカリガラスやソーダガラスを用いるガラス式があり、フィルム式は製造コストが安く割れにくい利点があるが、透明性が劣ることや、フィルム上の透明電極の抵抗値が高いために電極部を小さくできないこと等から、ガラス式が携帯端末等の小型品に多く使用されている。
【０００７】
従来のガラス式タッチパネルは、カバーガラスと、タッチパネルセンサーが形成されたガラスとの二種類のガラスを用いているために、材料コストが高いことが問題である。これに対して、カバー一体型タッチパネルが提案されている（例えば、特許文献４を参照）。しかしながら、カバー一体型タッチパネルには、その最表面に外観の映りこみが生じるという視認性の問題がある。
【０００８】
また、前述の透明電極、接続部、絶縁層、および取出配線や保護層の形成には、成膜およびパターニング工程が複数回必要であり、多くの製造コストを要することが問題となっている。
取出配線としては導電性が高く微細加工が容易な点から、モリブデン（Ｍｏ）／アルミニウム（Ａｌ）／モリブデン膜（ＭＡＭ）が一般的に用いられており、製造工程としてはＭＡＭをスパッタ成膜した後、ポジレジストによるフォトリソグラフィ（以下“フォトリソ”と称する）工程を経た後、エッチング・レジスト剥離を行う方法が広く用いられている。
【０００９】
また、透明電極および接続部としては透明性が高く抵抗値に優れる点から、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が一般的に用いられるが、取出配線と同様、真空容器内に投入した基材にＩＴＯをスパッタ成膜した後、保護膜形成・エッチング・保護膜剥離を行う方法が広く用いられている。
取出配線を安価に製造する方法として、銀等の導電性粉末を有機バインダーに分散させ、感光性を持たせた導電ペーストを用いたフォトリソ法が知られている（例えば、特許文献５、６を参照）。また、銀等の導電性粉末を分散させたインクの塗膜を用いたエッチング法も知られている。このフォトリソ法、エッチング法を用いることにより、上記取出配線および透明電極を蒸着法で作製するよりも安価に作製することができる。
また、他にもフォトリソ法、エッチング法のメリットとして、スクリーン印刷や、グラビアオフセット印刷で形成する印刷法に比べて高精細な導電部を得ることが可能であることがあげられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開昭６３−１７４１２０号公報
【特許文献２】特開２００６−２３９０４号公報
【特許文献３】特開２００７−２７９８１９号公報
【特許文献４】特表２０１１−５２６０２３号公報
【特許文献５】特許第４３７４６５３号公報
【特許文献６】特許第３２３９７２３号公報
【特許文献７】特許第４８２６００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、安価且つ視認性にすぐれた静電容量式タッチパネル基板及びその基板を備えた表示装置を提供することである。さらには、安価且つ視認性にすぐれた静電容量式タッチパネル基板の製造方法及びその方法を用いて製造された静電容量式タッチパネル基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に係る第１の発明の一態様は、タッチパネルの最表面に位置するカバーガラスを透明基材とした静電容量式タッチパネル基板において、前記透明基材の片面に少なくとも、（Ａ）第一の透明電極と、（Ｂ）第二の透明電極と、（Ｃ）前記（Ａ）第一の透明電極を結ぶ第一の接続部と、（Ｄ）前記（Ｂ）第二の透明電極を結ぶ第二の接続部と、（Ｅ）前記（Ｃ）第一の接続部と前記（Ｄ）第二の接続部の交差する間に形成された絶縁層と、（Ｆ）前記（Ａ）第一の透明電極および前記（Ｂ）第二の透明電極に接続された取出配線と、を有し、前記透明基材のもう一方の面に（Ｇ）反射防止膜を有することを特徴とする静電容量式タッチパネル基板である。
【００１３】
請求項２に係る第２の発明の一態様は、前記（Ｄ）第二の接続部と、前記（Ｆ）取出配線の少なくとも一方は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃ、Ｆｅの群から選ばれる一つ以上の元素からなる金属材料で形成されていることを特徴とする静電容量式タッチパネル基板である。
請求項３に係る第３の発明の一態様は、上記記載の静電容量式タッチパネル基板を有することを特徴とする表示装置である。
請求項４に係る第４の発明の一態様は、上記記載の静電容量式タッチパネル基板の製造方法であって、前記（Ｇ）反射防止膜は、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法、イオンプレーティング蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法の群から選ばれる一つ以上の方法によって成膜されることを特徴とする静電容量式タッチパネル基板の製造方法である。
【００１４】
請求項５に係る第５の発明の一態様は、上記記載の静電容量式タッチパネル基板の製造方法であって、前記（Ｇ）反射防止膜は、スピンコート法、ロールコート法、スプレーコート法、ディップコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法の群から選ばれる一つ以上の方法によって成膜されることを特徴とする静電容量式タッチパネル基板の製造方法である。
請求項６に係る第６の発明の一態様は、上記記載の製造方法で製造されたことを特徴とする静電容量式タッチパネル基板である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、透明基材上に反射防止膜を有することで表示面への外観の映りこみを防ぎ、視認性が良好な静電容量式タッチパネル基板を提供することができる。
さらに、カバーガラス一体型であることと、接続部や配線に塗布型の金属材料を用いることにより、安価な静電容量式タッチパネル基板を提供することができる。
また、上記静電容量式タッチパネル基板を備えることで、視認性が良好な表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第一の透明電極、第二の透明電極、および第一の透明電極を結ぶ第一の接続部が形成された後、絶縁層を介して第二の接続部と取出配線が同時に形成された、静電容量式タッチパネルの一例を示す平面模式図。
【図２】第二の接続部と取出配線が同時に形成された後、第一の透明電極、第二の透明電極、および絶縁層を介して第一の透明電極を結ぶ第一の接続部が形成された、静電容量式タッチパネルの一例を示す平面模式図。
【図３】カバーガラス一体型静電容量式タッチパネルの一例を示す投影模式図（ａ）及び反射防止膜を有する静電容量式タッチパネル基板の一例を示す断面模式図（ｂ）。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明における投影型静電容量式タッチパネル基板の製造方法およびそれを用いて製造されるタッチパネル基板について、その実施の形態に基づいて詳細に説明する。なお、本発明のタッチパネル基板はその要旨を超えない限り、以下の構成に限定されるものではない。
≪投影型静電容量式タッチパネル基板≫
図１および図２は、保護膜６を透視した、タッチパネル基板平面図である。ここで、図１および図２は、第一の接続部３、第二の接続部４、および絶縁層５の位置関係が異なる例である。
本実施形態の投影型静電容量式タッチパネル基板は、図１に示すように、透明基材１０上に第一の透明電極１、第二の透明電極２、第一の接続部３、第二の接続部４、絶縁層５および取出配線２０を有する。絶縁層５は第一の接続部３と直交する第二の接続部４の導通を防止し、絶縁するために配設されている。なお、取出配線２０を見えなくすることを目的として、透明基材１０と取出配線２０の間に黒色、白色などの額縁層７を設けてもよい。
【００１８】
また、図１は、第一の接続部３が最下層に形成され、その上に絶縁層５を備え、第二の接続部４が絶縁層５の上に形成される構造を示すが、図２のように、第二の接続部４が最下層に形成され、その上に絶縁層５を備え、第一の接続部３が絶縁層５の上に形成される構造であってもよく、第一の接続部３と第二の接続部４が透明基材１０に対して、ｘ方向、ｙ方向のいずれの向きであってもよい。
透明基材１０としては、特に限定されるものではないが、例えば、ソーダ石灰ガラス、低アルカリ硼珪酸ガラス、無アルカリアルミノ硼珪酸ガラス等のガラス板、あるいはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等からなるプラスチック板、プラスチックフィルムが用いられる。
【００１９】
図３（ａ）は、カバーガラスを透明基材１０として用いた、カバーガラス一体型投影型静電容量式タッチパネル基板の構造を示す図である。
図３（ｂ）は、反射防止膜５０を有する、本実施形態のカバーガラス一体型投射型静電容量式タッチパネル基板の構造を示す図である。透明基材１０の表面に反射防止膜５０を有することで、表示面への外観の映りこみを防ぐことができる。
【００２０】
透明基材１０には、アルミノ珪酸ガラス（例えば、商品名「Ｇｏｌｌｉｒａ（コーニング社製）」、「Ｄｒａｇｏｎｔｒａｉｌ（旭硝子社製）」）や化学的に強化されたソーダライムガラス等の特殊ガラス板を用いることができ、これらはカバーガラスと、タッチパネルセンサーが形成されたガラスの両方を兼ねるガラスとして用いることができる。一枚のガラス上に、額縁層７（図３では図示しない。図１、図２において透明基材１０と取出配線２０の間に位置している。）とタッチパネルセンサー４０の両方を設けるために、ガラス一枚分の部品点数を減らすことができ、低コストでタッチパネルが製造可能になる。
【００２１】
第一の透明電極１および第二の透明電極２としては、透明基材１０表面に配設することができるものであれば特に限定されるものではないが、ＩＴＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の無機導電材料、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン、ポリピロール等の有機導電材料を用いることができる。これら材料は１種のみで用いてもよく、２種以上を併用してもよい。中でも、透明性と抵抗値の点でＩＴＯを用いることが好ましい。
【００２２】
第一の接続部３は、図１に示す構造の場合、すなわち、透明基材１０に対してｘ方向に配列された、隣接する第一の透明電極１を接続するための接続部である場合には、第一の透明電極１の材料と同一の透明導電材料を用いて第一の透明電極１と同時に形成される。言い換えれば、第一の透明電極１を形成する際に、第一の接続部３も同時に形成するので、ｘ方向には途切れることなく連なった透明電極パターンを形成することを意味する。
【００２３】
さらに、透明基材１０に対してｙ方向に配列された、第二の透明電極２も第一の透明電極１、および第一の接続部３と同時に形成されるが、第二の透明電極２は第二の接続部４と同時に形成されないので、この時点ではまだｙ方向には接続されていない状態となる。
第二の接続部４は、絶縁層５を間に積層することによって、第一の接続部３と直接接触しないように形成される。また、図１および図２に示す例では、透明基材１０に対してｘ方向の接続部を第一の接続部３、ｙ方向の接続部を第二の接続部４としているが、前述したとおり、ｘ方向とｙ方向が逆であってもよい。
【００２４】
第二の接続部４は、第一の透明電極１および第二の透明電極２の材料と同じように、ＩＴＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の無機導電材料、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン、ポリピロール等の有機導電材料を用いることができる。従来は透過性と抵抗値の観点からＩＴＯが好ましく用いられてきたが、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｃ（炭素）、Ｆｅ（鉄）等の金属も、微細加工により視認性を妨げることがなければ用いることができる。これらの金属が含まれる導電性ペーストまたは導電性インクをウェット法により成膜することで、蒸着法に比べてより安価なプロセスで第二の接続部４を得ることができる。
【００２５】
取出配線２０は、従来は導電性が高く微細加工が容易な点から、ＭＡＭが一般的に用いられてきたが、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｃ（炭素）、Ｆｅ（鉄）等の金属も好ましく用いることができる。これらの金属が含まれる導電性ペーストまたは導電性インクをウェット法により成膜することで、蒸着法に比べてより安価なプロセスで取出配線２０を得ることができる。
【００２６】
また、第二の接続部４と取出配線２０を同じ材料とした場合には、これらを同時形成することができるため製造コストがより安価となる。
絶縁層５および保護膜６は、従来絶縁層や保護膜に用いられていた公知の材料を用いて形成でき、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等の無機系膜や透明樹脂等の有機系材料が挙げられる。無機系膜は、ＳｉＯ２やＳｉＮｘをＣＶＤ法やスパッタリング法等により形成するために、エネルギー消費量が増加したり、工程数が増加したりする等、製造コストが高くなる課題があることから、有機系材料が好んで用いられる。有機系材料としては、重合性基含有オリゴマー、モノマー、光重合開始剤およびその他添加剤を含有するＵＶ硬化型コーティング組成物を用いることができる。
【００２７】
本実施形態における反射防止膜５０を構成する材料としては、有機材料でも無機材料であっても屈折率の関係を満足するものであれば特に限定されないが、セラミック薄膜が好ましく、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物などの材料が使用可能である。上記無機化合物からなる薄膜は、その材料により屈折率が異なり、その屈折率の異なるセラミック薄膜を特定の膜厚で複数層積層することにより、反射防止膜とすることが可能となる。
屈折率の低い材料としては、二酸化ケイ素（１．５）、フッ化マグネシウム（１．４）、フッ化カルシウム（１．３〜１．４）、フッ化アルミニウム（１．３）が挙げられる。
【００２８】
また、屈折率の高い材料としては、二酸化チタン（２．４）、二酸化ジルコニウム（２．０）、硫化亜鉛（２．３）、酸化タンタル（２．１）、酸化亜鉛（２．１）、酸化インジウム（２．０）が挙げられる。（例えば、特許文献７を参照）
なお、これら低屈折率材料、高い屈折率材料の間の屈折率をもつ材料として酸化マグネシウム（１．６）、窒化ケイ素（１．７）フッ化セリウム（１．６）などが挙げられる。但し、上記括弧内の数値は屈折率を表す。
【００２９】
これらの材料は真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法、イオンプレーティング蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などの蒸着法や、スピンコート法、ロールコート法、スプレーコート法、ディップコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法などのウェット法により成膜される。また、これらの材料を単独で用いても２種類以上組み合わせて用いてもよい。組み合わせる材料の含有比率を変更すると、得られる膜の内部構造を変化させることができ、屈折率を調整することが可能である。
【００３０】
＜静電容量型タッチパネル基板の製造方法＞
第一の透明電極１、第二の透明電極２、および第一の接続部３としては、一般的に多く使用されるＩＴＯが好適であるが限定されない。静電容量式タッチパネル機能の具体的な仕様により、ＩＴＯの特性、また、透明電極パターンとしての特性を選択する。例えば、ＩＴＯ膜として、膜厚３０ｎｍでシート抵抗値１００Ω／□程度の膜をスパッタリング装置の薄膜形成手段により成膜する。次いで、耐エッチング性の感光性樹脂を用いて、レジスト塗布、露光、現像の一連の工程を含むフォトリソ法によりレジストパターンを形成する。その後、ＩＴＯエッチング、レジスト剥離工程を経て、パターン形成される。例えば、第一の接続部３として、幅５０μｍから１００μｍで長さ２００μｍから５００μｍのパターンを多数形成する。
【００３１】
第二の接続部４としてはＩＴＯ、取出配線２０としてはＭＡＭが一般的ではあるが、前述のＡｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｃ（炭素）、Ｆｅ（鉄）等の金属も微細加工により視認性を妨げることがなければ用いることができる。
【００３２】
絶縁層５は、第一の接続部３または第二の接続部４の有効領域を含む範囲に被せて形成する。絶縁層５の製造方法としては、ＳｉＯ２膜を厚さ１００ｎｍ以上形成して絶縁機能を得ることはできるが、さらに容易な製造方法として、有機絶縁膜をフォトリソ法で形成することもできる。例えば、屈折率１．５３、体積固有抵抗値２×１０１５Ω・ｃｍ、の感光性有機絶縁膜材料を、スプレーコートやスピンコート、スリットダイコート、ロールコート、バーコート等の塗布方法により、乾燥膜厚が０．２〜１０μｍ、より好ましくは０．５〜５μｍとなるように塗布する。透明基材１０への塗布後、有機溶剤を蒸発させるために必要に応じてプリベークを実施する。プリベークには、熱風循環式オーブンやホットプレート、ＩＲオーブンを用いることができる。必要により乾燥された膜には、必要に応じてこの膜と接触あるいは非接触状態で設けられた所定のパターンを有するマスクを通して露光を行う。露光時の光線の種類は特に限定されるものではなく、可視光線、紫外線、遠赤外線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、中でも紫外線が好ましい。光線の照度は特に限定されるものではないが、３６５ｎｍにおいて５〜１５０ｍＷ／ｃｍ２であることが好ましく、１５〜３５ｍＷ／ｃｍ２であることが特に好ましい。
【００３３】
その後、必要に応じて炭酸ナトリウムや水酸化ナトリウム等の水性アルカリ現像液に浸漬するか、もしくはスプレー等により現像液を噴霧して未硬化部を除去し所望のパターンを形成する。さらに、感光性組成物の重合を促進して硬膜するため、それぞれ必要に応じて加熱（所謂ポストベーキング）を施す。これらの工程を経てパターン形成し、透過率９７％を超えるパターン状の絶縁層５とすることができる。
【００３４】
また、必要に応じて保護膜６を第一の透明電極１、第二の透明電極２、第一の接続部３、第二の接続部４、絶縁層５、および取出配線２０の有効領域を含む範囲に被せて形成する。保護膜６としては、絶縁層５の説明で述べた材料および方法を用いて乾燥膜厚が０．５〜２０μｍ、より好ましくは１．０〜１０μｍとなるように形成することができる。なお、保護膜６は、静電容量式タッチパネル基板の最外層を形成するので、平坦化層を兼ねて、できるだけ広く配置することが望ましい。また、形成された端子電極となる金属層の一部に重なる構造も可能である。
【００３５】
反射防止膜５０は、透明基材１０上に蒸着法または、ウェット法によって成膜する。
例えば、蒸着法の一例として、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法、スパッタ蒸着法、イオンプレーティング蒸着法、ＣＶＤ法などがある。蒸着法は、ナノレベルの薄膜の多層成膜が可能な点で優れた方法であるが、基材の大きさが限定され、又、連続生産には適さなく、生産コストが高いという課題がある。
【００３６】
また、ウェット法の一例として、スピンコート法、ロールコート法、スプレーコート法、ディップコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法などがある。これらの方法は蒸着法と比べると安価である一方、基材への塗布性を制御することが困難であることから、色ムラ、膜厚バラつきなどの不具合が発生しやすいという課題がある。
反射防止膜５０に適応する屈折率は、以下の計算式で求められる。
Ｎ１＝（Ｎ２）１／２    （Ｎ１：反射防止膜５０の屈折率、Ｎ２：透明基材１０の屈折率）……（式１）
【００３７】
式１は無反射条件を表すものである。例えば本実施形態の透明基材１０であるアルミノ珪酸ガラスの屈折率Ｎ２≒１．５を代入した場合、Ｎ１≒１．２と求められる。
したがって、反射防止膜５０としては低屈折材料が適している。具体的には、二酸化ケイ素（１．５）、フッ化マグネシウム（１．４）、フッ化カルシウム（１．３〜１．４）、フッ化アルミニウム（１．３）などを好ましく用いることができる。また、これらの材料を単独で用いても二種類以上組み合わせて用いてもよい。
【００３８】
＜金属ナノ粒子分散液＞
本実施形態に用いられる金属ナノ粒子分散液は、本実施形態の引出配線２０および接続部３、４を形成できるものであれば公知のものを使用でき、特に限定されない。例えば、本金属ナノ粒子分散液の一例として（Ｈ）銀粉、（Ｉ）溶剤を含有する金属ナノ粒子分散液を使用することができ、必要に応じてその他の分散剤、添加剤を含むことができる。本実施形態の静電容量式タッチパネル基板を構成する引出配線２０は金属ナノ粒子分散液を透明基材１０上に塗布後、ポジレジストによるフォトリソ工程を経た後、エッチング・レジスト剥離により形成する。
【００３９】
本実施形態に用いられる金属ナノ粒子分散液の（Ｈ）銀粉の平均粒子径は１〜５００ｎｍであることが好ましい。平均粒子径が５００ｎｍ以上の場合、微細パターンにおける直線性やパターン精度が低下するため好ましくない。また粒子サイズが小さくなるほど、金属ナノ粒子の接触面積が増える。このため粒径が５００ｎｍ以上であると、導電性が損なわれる。また、（Ｈ）銀粉の含有量としては、金属ナノ粒子分散液の全固形分量を基準として、１０〜６０重量％が好ましく、より好ましくは２０〜５０重量％である。（Ｈ）銀粉の添加量が１０重量％以下であると銀濃度の低下により、微細パターンを形成することが困難である。６０重量％以上であると銀の分散状態を維持することが困難である。
【００４０】
本実施形態に用いられる金属ナノ粒子分散液の（Ｉ）溶剤としては、水、エタノール、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、エチレングリコール系などの多価アルコール、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられ、これらを単独でもしくは混合して用いることができる。（Ｉ）溶剤の添加量として、金属ナノ粒子分散液全量を基準として、４０〜９０重量％の範囲で添加することが好ましい。
本実施形態に用いられる金属ナノ粒子分散液を基材に塗布後、熱風循環式オーブンに加熱処理行うことで、ナノ粒子同士が溶融しかつ、分散剤、添加剤が分解することで導電性が発現する。高温で加熱処理を行う方が、短時間で金属ナノ粒子を融着させることができるが、絶縁膜の分解が生じないために、加熱温度は１５０℃〜２５０℃が好ましい。
【００４１】
＜金属ナノ粒子分散液を用いた第二の接続部４および取出配線２０の製造方法＞
本実施形態における金属ナノ粒子分散液を用いた第二の接続部４および取出配線２０の製造方法について、以下に説明をする。
金属ナノ粒子分散液の透明基材１０への塗布方法としては、ピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、ダイコート法、バーコート法、およびスクリーン印刷法が挙げられる。透明基材１０への塗布後、有機溶剤を蒸発させるために必要に応じてプリベークを実施する。プリベークには、熱風循環式オーブンやホットプレート、ＩＲオーブンを用いることができる。
【００４２】
金属ナノ粒子分散液を透明基材１０に塗布後、熱風循環式オーブンに加熱処理を行い、銀薄膜とする。得られた銀薄膜上にポジレジストを塗布し、所望する第二の接続部４および取出配線２０に対応するフォトマスクを介して、パターン露光を行う。露光光源として、通常の高圧水銀灯を用いればよい。露光量としてはタクトタイムの観点から、１０〜２００ｍＪ／ｃｍ２程度が好ましい。
【００４３】
露光に続いて現像を行う。現像液にはアルカリ性水溶液を用いる。アルカリ性水溶液の例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、もしくは水酸化カリウム水溶液が好んで用いられるが、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液、または両者の混合水溶液、もしくはそれらに適当な界面活性剤等を加えたものを用いても良い。
現像に続いて、エッチングを行う。エッチング液には酸性水溶液を用いる。酸性水溶液の例としては、硝酸、酢酸、塩酸、燐酸、蓚酸などが用いられる。これらは、単独でまたは２種類以上混合して用いることができる。
エッチングに続いて、ポジレジストの剥離を行い、第二の接続部４および取出配線２０が得られる。剥離液には有機アルカリ液を用いられ、ケイ酸塩を含有する有機液が好んで用いられる。
【００４４】
≪表示装置≫
本実施形態に係る表示装置は、上述の投影型静電容量式タッチパネル基板を有する表示装置（図示せず）である。本実施形態に係る表示装置であれば、上述の投影型静電容量式タッチパネル基板を有しているので、視認性が良好な表示装置を提供することができる。
【００４５】
［実施例］
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲においてこれに限定されるものではない。
＜カバーガラス一体型静電容量式タッチパネル基板の作製＞
［実施例１］
アルミノ珪酸ガラス上に、トクセン工業社製の銀ナノ粒子分散液（粒径１０〜３０ｎｍ）をスピンコートにより塗布し、熱風循環式オーブンにて２３５℃で１８分間加熱処理を実施して膜厚が０．２５μｍの銀薄膜を作製した。銀薄膜上にポジレジストをスピン塗布し、ホットプレートにて１００℃で５分間乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて１００ｍＪ／ｃｍ２で所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、水酸化ナトリウムと炭酸ナトリウムの混合水溶液にて、シャワー現像を実施した。水洗後、ポストべークを行い、エッチング液ＳＥＡ−５（関東化学社製）を用いてウェットエッチングを行い、水酸化カリウム水溶液を用いてレジスト除去して第二の接続部４および取出配線２０を作製した。得られた第二の接続部４は、幅４μｍ×長さ２００μｍの大きさであった。銀薄膜のシート抵抗は０．１Ω／□であった。
【００４６】
次に、ネガレジスト（ＪＳＲ社製ＮＮ９０１）をスピン塗布し、ホットプレートにて１００℃で５分間乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて１００ｍＪ／ｃｍ２で所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、０．２重量％の炭酸水素ナトリウム水溶液にて、３０秒間シャワー現像を実施した。水洗後、熱風循環式オーブンにて２３０℃で３０分間加熱処理を実施して絶縁層５を形成した。絶縁層５は、第二の接続部４の有効部分のみを覆うように、幅６０μｍ×長さ１２０μｍの大きさとした。
【００４７】
続いて、スパッタリング装置により膜厚３０ｎｍでＩＴＯ膜を成膜し、ポジレジスト（ローム・アンド・ハース電子材料製ＬＣ１００−１０ｃｐ）をスピン塗布し、ホットプレートにて１００℃で５分間乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて１００ｍＪ／ｃｍ２で所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、２．３重量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液にて、２３℃で６０秒間シャワー現像を実施した。水洗後、シュウ酸からなるエッチング液（瑞穂化学工業社製ＩＴＯエッチング液）を用いてウェットエッチングを行い、２％水酸化カリウムのレジスト剥離液を用いてレジスト除去した後、熱風循環式オーブンにて２３０℃で３０分間加熱処理を実施して第一の透明電極１、第二の透明電極２、および第一の接続部３を形成した。ＩＴＯ膜のシート抵抗は１００Ω／□であった。
【００４８】
さらに、ネガレジスト（ＪＳＲ社製ＮＮ９０１）をスピン塗布し、ホットプレートにて１００℃で５分間乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて１００ｍＪ／ｃｍ２で所望する開口部を有するフォトマスクを介して露光を実施した後、０．２重量％の炭酸水素ナトリウム水溶液にて、３０秒間シャワー現像を実施した。水洗後、熱風循環式オーブンにて２３０℃で３０分間加熱処理を実施して保護層６を形成して、静電容量式タッチパネル基板を得た。絶縁層５は、タッチパネル基板のガラス端部から内側２ｍｍの、取出配線２０と制御回路と繋がる接続部位を除く領域全面を覆うように形成してカバーガラス一体型タッチパネルを得た。
【００４９】
得られたカバーガラス一体型タッチパネルのタッチパネルセンサー４０を有する側とは逆の面に、プラズマＣＶＤ法によってＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を酸素プラズマ雰囲気中で蒸着することによりＳｉＯ２膜からなる反射防止膜５０を得た。なお、得られたＳｉＯ２の膜厚は９０ｎｍであり、屈折率は１．４７であった。以上の工程により、カバーガラス一体型タッチパネル１００を得た。
また、アルミノ珪酸ガラスの片面を黒色処理し、もう一方の面に上記ＣＶＤ法によってＳｉＯ２膜を作製し、反射率評価基板１０１を得た。
【００５０】
［実施例２］
実施例１と同じ工程を経て、カバーガラス一体型タッチパネル２００を得た。
得られたカバーガラス一体型タッチパネル２００のタッチパネルセンサー４０を有する側とは逆の面に、日産化学社製のＡ−２０１４をスピン塗布し、ホットプレートにて１００℃で５分間乾燥を行い、塗膜を乾燥させた。その後、光源として高圧水銀灯を用いて５０ｍＪ／ｃｍ２で露光を実施した後、熱風循環式オーブンにて２３０℃で３０分間加熱処理を実施して作製してＳｉＯ２−ＴｉＯ２複合膜からなる反射防止膜５０を得た。なおＳｉＯ２−ＴｉＯ２複合膜の膜厚は１００ｎｍであり、屈折率は１．４６であった。以上の工程により、カバーガラス一体型タッチパネル２００を得た。
また、アルミノ珪酸ガラス上の片面を黒色処理し、もう一方の面に上記コート法によってＡ−２０１４膜を作製し、反射率評価基板２０１を得た。
【００５１】
［比較例１］
実施例１の反射防止膜５０の工程を省き、カバーガラス一体型タッチパネル３００を得た。
また、アルミノ珪酸ガラスの片面を黒色処理し、反射率評価基板３０１とした。
【００５２】
［視認性の評価方法］
＜反射率評価＞
得られた反射率評価基板１０１、２０１、３０１の反射率評価を行った。測定装置は日立ハイテク製のＵ−４０００に積分球を取り付けたものを使用した。４００〜８００ｎｍの平均反射率を算出した結果を表１に示す。
＜外観映りこみ評価＞
得られたカバーガラス一体型タッチパネル１００、２００、３００を、蛍光灯照明の室内で角度を変えて反射させて見たときに、それぞれ目視で外観の映りこみを評価した。
○・・・外観の映りこみ像の輪郭がぼやけており、明瞭には観測されない
×・・・外観の映り込みがはっきり見える
なお、○が使用可能レベルである。評価結果を表１に示す。
【００５３】
【表１】
2013246610.tif 000003
【００５４】
本実施例１〜２により、反射防止膜５０を有することで、反射率を低減することができた。また、成膜法に関わらず、反射防止膜５０を有することで、表示面への外観映りこみの程度が少ない静電容量式カバー一体型のタッチパネルを得ることができた。
【符号の説明】
【００５５】
１  …第一の透明電極
２  …第二の透明電極
３  …第一の接続部
４  …第二の接続部
５  …絶縁層
６  …保護膜
７  …額縁層
１０…透明基材
２０…取出配線
４０…タッチパネルセンサー
５０…反射防止膜
【図１】
2013246610.tif 000004
【図２】
2013246610.tif 000005
【図３】
2013246610.tif 000006