(57)【要約】      （修正有）【課題】光効率を向上できる半導体発光装置、発光モジュール及び照明装置を提供する。【解決手段】基板５１と、基板上に形成され、アイソレーション領域によって分割されて複数の発光セルを提供する半導体積層体と、複数の発光セルを電気的に連結する配線部５６と、を含み、発光セルの側面における配線部が形成される領域は、発光セルの側面における他の領域より緩やかに傾斜する半導体発光装置。【選択図】図３
2013207305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、アイソレーション領域によって分割されて複数の発光セルを提供する半導体積層体と、
前記複数の発光セルを電気的に連結する配線部と、を含み、
前記発光セルの側面における前記配線部が形成される領域は、前記発光セルの側面における他の領域より緩やかに傾斜することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記配線部が形成される領域は、前記発光セルの少なくとも一つの側面における一部領域であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記配線部が形成される領域には、前記他の領域より緩やかな傾斜面を有するように凹んだ溝部が形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記配線部が形成される領域の側面の傾斜角は、前記発光セルの他の側面領域の側面の傾斜角より１０°以上小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記配線部が形成される領域の側面の傾斜角は４０乃至６０°であり、
前記発光セルの他の側面領域の側面の傾斜角は７０°以上であることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記半導体積層体は、第１及び第２導電型半導体層と、その間に位置する活性層と、を含み、
前記複数の発光セルは、それぞれ前記第１及び第２導電型半導体層に接続された第１及び第２コンタクトを含み、前記半導体発光装置は、第１及び第２ボンディングパッドをさらに含み、
前記配線部は、前記発光セルの第１及び第２コンタクトのうちいずれか一つに連結されたサブ連結配線と、前記サブ連結配線と前記第１または第２ボンディングパッドとを連結するメイン連結配線と、を含むことを特徴とする  請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
基板上に半導体積層体を形成する段階と、
前記半導体積層体が複数の発光セルに分離されるようにアイソレーション領域を形成する段階と、
前記発光セルの側面における一部領域は、前記発光セルの他の側面より緩やかに傾斜した配線領域を形成する段階と、
少なくとも一部が前記配線領域に沿って位置するように前記複数の発光セルを電気的に連結する配線部を形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記アイソレーション領域を形成する段階及び前記発光セルの側面に前記配線領域を形成する段階は、単一の工程で行われることを特徴とする請求項７に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記単一の工程は、フォトレジスト工程を用いて行われ、
前記フォトレジスト工程に用いられるマスクは、前記配線領域において露光量が漸進的に変化するパターンを有することを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から６のいずれか一項に記載の少なくとも一つの半導体発光装置を含むことを特徴とする照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に係り、より詳しくは、複数の発光セルが配列された構造を有する半導体発光装置とその製造方法、及びこれを含む照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体発光ダイオード（ＬＥＤ）は、出力及び効率や信頼性の面において光源として有益な長所を有するので、ディスプレイ装置のバックライトのみならず、多様な照明装置用の高出力、高効率光源として積極的に研究開発されつつある。
【０００３】
このようなＬＥＤを照明用光源として採用するには、所望する高い水準の出力を提供して光効率を高め、製造費用を減らす必要がある。しかしながら、高出力発光ダイオードにおいて、同一面積のＬＥＤチップにおける高い光束出力を得るために定格電流の密度を高めると、電流密度の増加によってむしろ光効率が低下し、素子の発熱によって光効率の低下が加速するという問題がある。
【０００４】
また、このような電流密度の問題を減らすため、発光ダイオードチップの面積を増加させる方案を考慮できるが、全体面積に対する均一な電流密度の具現が困難であり、高い効率を期待しにくいという問題がある。
【０００５】
このような問題を解決するための手段として、一つの基板に成長させたＬＥＤのためのエピタキシャル層をアイソレーション工程を通じて分割し複数のＬＥＤセルを具現し、これを相互連結する方案が考慮される。但し、この場合に適用されるアイソレーション工程は、複数のＬＥＤセルを相互連結するメタルを容易に蒸着するために、各ＬＥＤセルの傾斜面を十分緩やかに形成する必要がある。しかしながら、この場合、アイソレーション工程において除去されるエピタキシャル層の領域が大きくなるので、有効発光面積（即ち、活性層の面積）が顕著に減少するという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、当技術分野においては、アイソレーション工程による有効発光面積の減少を最小限にすることで、光効率を向上できるマルチセル半導体発光装置及びその製造方法、その応用製品が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面は、基板と、上記基板上に形成され、アイソレーション領域によって分割されて複数の発光セルを提供する半導体積層体と、上記複数の発光セルを電気的に連結する配線部と、を含み、上記発光セルの側面における上記配線部が形成される領域は、上記発光セルの側面における他の領域より緩やかに傾斜することを特徴とする半導体発光装置を提供する。
【０００８】
上記複数の発光セルは、それぞれ複数の側面を有し、上記配線部が形成される領域は、上記発光セルの少なくとも一つの側面における一部領域であることができる。
【０００９】
この場合、上記配線部が形成される領域には、上記他の領域より緩やかな傾斜面を有するように凹んだ溝部が形成されることができる。
【００１０】
上記配線部が形成される領域の側面の傾斜角は、上記発光セルの他の側面領域の側面の傾斜角より１０°以上小さいことができる。例えば、上記配線部が形成される領域の側面の傾斜角は４０〜６０°であり、上記発光セルの他の側面領域の側面の傾斜角は７０°以上である。
【００１１】
上記半導体積層体は、第１及び第２導電型半導体層と、その間に位置する活性層と、を含むことができる。
【００１２】
この場合、上記複数の発光セルは、それぞれ上記第１及び第２導電型半導体層に接続された第１及び第２コンタクトを含み、上記配線部は、上記発光セルの第１及び第２コンタクトのうちいずれか一つに連結されたサブ連結配線と、上記サブ連結配線と第１または第２ボンディングパッドとを連結するメイン連結配線と、を含むことができる。
【００１３】
上記複数の発光セルは、それぞれ複数の第１及び第２コンタクトを含むことができる。
【００１４】
特定の実施形態において、上記アイソレーション領域の底面には、凹凸部が形成されることができる。
【００１５】
上記配線部と上記発光セルの所望しない領域との電気的接続が防止されるように上記発光セルの側面に形成された絶縁層を含むことができる。
【００１６】
本発明の他の側面は、基板上に半導体積層体を形成する段階と、上記半導体積層体が上記複数の発光セルに分離されるようにアイソレーション領域を形成する段階と、上記発光セルの側面における一部領域は、上記発光セルの他の側面より緩やかに傾斜した配線領域を形成する段階と、少なくとも一部が上記配線領域に沿って位置するように上記複数の発光セルを電気的に連結する配線部を形成する段階と、を含む半導体発光装置の製造方法を提供する。
【００１７】
上記アイソレーション領域を形成する段階及び上記発光セルの側面に上記配線領域を形成する段階は、単一工程によって行い得る。
【００１８】
この場合、上記単一工程は、フォトレジスト工程を用いて行われ、上記フォトレジスト工程に用いられるマスクは、上記配線領域において露光量が漸進的に変化するパターンを有することができる。
【発明の効果】
【００１９】
配線部が形成される領域のみを他の領域に比べて緩やかな傾斜を有するように形成することで、セル間のアイソレーション工程によって減少する有効発光面積（例えば、活性層）を最小限にでき、これにより、光効率を向上できる。
【００２０】
また、上記した課題の解決手段及び効果は、本発明の特徴を全部列挙したものではない。本発明の多様な特徴とこれによる長所及び効果は以下の具体的な実施形態を参照してより詳細に理解できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態による半導体発光装置を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体発光装置の等価回路図である。
【図３】図１に示す半導体発光装置の発光セル間の連結を拡大して示す平面図である。
【図４】図３に示す部分をＸ１−Ｘ１’線に沿って切開した断面図である。
【図５】図３に示す部分をＸ２−Ｘ２’線に沿って切開した断面図である。
【図６】従来技術による発光セルの一例を示す平面図である。
【図７】本発明の他の実施形態による半導体発光装置を示す平面図である。
【図８】図７に示す半導体発光装置の等価回路図である。
【図９】本発明による半導体発光装置の製造方法に採用されるマスクの一例を示す平面図である。
【図１０】図９に示すマスクによる露光量の分布を示すグラフである。
【図１１】本発明による半導体発光装置の製造方法に採用されるフォトレジストのパターニング工程を説明する断面図である。
【図１２】本発明による半導体発光装置の製造方法に採用されるフォトレジストのパターニング工程を説明する断面図である。
【図１３】本発明による半導体発光装置の製造方法に採用されるフォトレジストのパターニング工程を説明する断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による半導体発光装置を有する照明装置を示す分解斜視図である。
【図１５】本発明の一実施形態による半導体発光装置を有する照明装置を示す概略斜視図（組立後の状態）である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下では、本発明の好ましい実施形態について添付の図面を参照して説明する。
【００２３】
図１は本発明の一実施形態による半導体発光装置を示す平面図であり、図２は図１に示す半導体発光装置の等価回路図である。
【００２４】
図１に示すように、本実施形態による半導体発光装置５０は、基板５１と、基板５１の上面に形成された複数の発光セルＣと、を含む。
【００２５】
複数の発光セルＣは、６×９で配列され、図４及び図５に示すように、基板５１の上面に順次形成された第１導電型半導体層５２ａ、活性層５２ｂ及び第２導電型半導体層５２ｃを有する半導体積層体５２を分離して得られる。
【００２６】
本実施形態において、発光セルＣは、図２の等価回路図に示すように、６個の列で配列される。また、各列は直列連結された３個の発光セルＣが３個ずつ連結された配列を有する。半導体発光装置５０は、直列連結された３個の発光セルＣが全部並列連結される配線部５６を有する。配線部５６は、第１及び第２ボンディングパッド５９ａ、５９ｂに連結される。
【００２７】
本実施形態に採用される配線部５６は、発光セルＣに直接接続するサブ連結配線５６ａと、サブ連結配線５６ａの一部及び第１及び第２ボンディングパッド５９ａ、５９ｂに連結するメイン連結配線５６ｂと、を含む。図１に示すように、配線部５６によって直列連結された３個の発光セルＣは、全部並列連結される（図２の等価回路図を参照）。
【００２８】
第１及び第２ボンディングパッド５９ａ、５９ｂは、これに限定されるわけではないが、Ｃｒ／Ａｕのような公知の金属／合金層で形成される。配線部５６は、反射率に優れ且つ伝導性が良いＡｌ、Ａｇのような金属で形成されることもできる。
【００２９】
このようなＬＥＤセルの配列及び配線部の構造は、所望する電圧仕様及び出力のようなニーズに応じて多様に変形できる。例えば、半導体発光装置の電圧仕様は、各発光セルの駆動電圧及び直列連結される発光セルの個数を選択して設計でき、発光セルの単位出力及び駆動される発光セルの個数を調節して所望する出力が得られる。
【００３０】
本実施形態において、メイン連結配線５６ｂは、基板５１の上面（即ち、アイソレートされた領域）に形成されるので、比較的平坦な面に形成される。これに対し、サブ連結配線５６ａは、アイソレートされた領域にわたって発光セルＣに連結されるので、平坦でない経路に沿って形成される。
【００３１】
具体的には、図３に示すように、サブ連結配線５６ａは、基板５１上に形成されたメイン連結配線５６ｂと発光セルＣとを連結し、あるいは、基板５１の上面を介して隣接した発光セルＣを相互連結するので、発光セルＣの側面に沿って形成される。
【００３２】
このような平坦でない面の傾斜度が激しいと、配線蒸着工程が困難であったり、断線のような不良が発生しやすいので、本実施形態においては、発光セルＣの側面におけるサブ連結配線５６ａが形成される領域は選択的に緩やかな傾斜を有するように形成する必要がある。これについては、図３から図５を参照してより詳細に説明する。
【００３３】
図４は図３に示す部分のうちＸ１−Ｘ１’線に沿って切開した部分（配線形成領域）の断面図を示し、図５は図３に示す部分のうちＸ２−Ｘ２’線に沿って切開した部分の断面図を示す。
【００３４】
図４及び図５を共に参照すると、本実施形態に採用された発光セルＣは、第１及び第２導電型半導体層５２ａ、５２ｃにそれぞれ接続された第１及び第２コンタクト５４ａ、５４ｂと、発光セルＣの側面に形成された絶縁層５５と、を含む。絶縁層５５は、サブ連結配線５６ａと発光セルＣの所望しない領域との電気的接続を防止する。
【００３５】
図４及び図５を比較すると、発光セルＣの側面におけるサブ連結配線５６ａが形成される領域（図４）が他の側面領域（図５）より緩やかに傾斜することを確認できる。
【００３６】
このような傾斜度は、基板５１の上面となす傾斜角で示され、説明できる。
【００３７】
本実施形態において、図４に示すように、配線形成領域は、第２コンタクト５４ｂに隣接した側面領域及びメサエッチングされた部分に形成された第１コンタクト５４ａに隣接した側面領域で区分できる。上記それぞれの側面領域は、円滑な配線蒸着工程を保障し、断線のような不良を減少できるように相対的に緩やかな傾斜角θ１、θ２を有する。ここで、２個の傾斜角θ１、θ２は一般に異なる角度を有するが、必要に応じて、同一に設定されることもできる。
【００３８】
これに対し、図５に示すように、配線形成領域を除外した上記発光セルの他の側面領域における少なくとも一部領域は、配線形成領域の傾斜角θ１、θ２より大きい傾斜角θ３を有する。好ましくは、配線形成領域を除外した他の側面領域全体が配線形成領域の傾斜角θ１、θ２より大きい傾斜角θ３を有する。このように、配線形成領域を除外した発光セルＣの側面領域における勾配の傾斜角θ３は、相対的に大きい有効発光面積を保証できる。
【００３９】
これを簡単に調べると、図４及び５に示す発光セルの断面で示される活性層５２ｂの長さのみを比較すると、上記他の領域に示される活性層の長さＬ２が上記配線形成領域における断面で示す活性層の長さＬ１より長いことが確認できる。
【００４０】
このように、発光セルの側面における配線形成領域は選択的に緩やかな傾斜を有するように具現し、他の領域はできる限り急勾配の傾斜角を維持することで、有効発光面積を十分に確保できる。これについては、図３及び図６を参照してより詳細に説明する。
【００４１】
まず、図３はサブ連結配線５６ａによって相互連結された発光セルＣの平面図を示す。ここで、ＳＴ及びＳＢは発光セルＣの上段面及び床面の面積を示し、Ｓａは活性層５２ｂの面積を示す。
【００４２】
上記の通り、サブ連結配線５６ａが形成される領域は緩やかな傾斜角を有するようにエッチングがさらに行われ、このような過程によって配線を形成するための適切な傾斜条件を満足できるが、一部活性層が不可避的に除去される。
【００４３】
このような点を勘案して、本実施形態においては、緩やかな傾斜面を配線形成領域に制限し、他の側面領域は相対的に大きい傾斜角θ３を有するように形成することで、活性層５２ｂの除去面積を減少させる方案を提供する。
【００４４】
図６は比較例として本実施形態とは異なって側面全体を緩やかな傾斜角で形成したセルの平面図を示す。ここで、Ｓ’Ｔ及びＳ’Ｂは、発光セルの上段面及び床面の面積であり、Ｓ’ａは配線工程に必要な緩やかな傾斜面を有するように側面全体を加工した発光セルにおける活性層の面積を示す。本比較例による活性層の面積Ｓ’ａに対し、図３に示したように配線形成領域のみを選択的に緩やかに加工する場合における活性層の面積をＳａとすると、本実施形態の活性層がより大きい面積を有することが確認できる。
【００４５】
このように、本実施形態によると、配線形成領域は緩やかな傾斜を有するように具現して配線の不良を最小限にすると共に、他の領域は相対的に大きい傾斜角を有するように具現することで、配線工程に必要な緩やかな傾斜で発光セルの側面全体を加工する形態より大きい活性層の面積を提供できる。
【００４６】
配線部５６が形成される領域の側面の傾斜角θ１、θ２は、発光セルＣの他の側面領域の側面の傾斜角θ３より１０°以上小さいことが好ましい。例えば、配線部５６が形成される領域の側面の傾斜角θ１、θ２は４０〜６０°であり、発光セルＣの他の側面領域の側面の傾斜角θ３は７０°以上であることが好ましい。もちろん理想である垂直な角を含むこともできる。
【００４７】
本実施形態において、上記配線形成領域において緩やかな傾斜を有するようにさらにエッチングされた部分は、さらにエッチングされていない他の領域に比べて凹んだ形状を有するので、配線形成領域は、実際には、「凹んだ溝部」と理解できる。
【００４８】
本発明は、発光セルの配列のみならず、他の特徴的な要素を含む多様な実施形態で具現できる。このような実施形態を、図７に示す。
【００４９】
図７に示す半導体発光装置１００は、基板１０１と、基板１０１の上面に縦方向に配列された４個の発光セルＣと、を含む。
【００５０】
本実施形態に採用された発光セルも、上記の実施形態と類似して、基板１０１の上面に順次形成された第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する半導体積層体を含む。但し、図７に示す発光セルＣは、図１に示す発光セルとは異なり、第１及び第２コンタクトをそれぞれ５個ずつ含む構造を有する。
【００５１】
このように、本発明においては、多様な形態の発光セルが用いられる。例えば、図１に示すように、アイソレーション領域として物理的に区分された一つの発光セルがそれぞれ一つずつの第１及び第２コンタクトを含み、実際駆動時に単一の発光要素として駆動でき、図７に示す実施形態のように、物理的に区分された一つの発光セルにおいて一定の間隔で複数個の第１及び第２コンタクトを具備して複数個の発光要素のように駆動することもできる。
【００５２】
その結果、物理的に分離された４個の発光セルが直列連結された形態を有するが、一定の間隔を有する５個のコンタクトによって同一の発光セルにおいてそれぞれ５個の発光要素として作用しており、その等価回路は、図８に示すように、５×４の配列と理解される。
【００５３】
本実施形態に採用された配線部１０６は、発光セルＣに直接接続するサブ連結配線１０６ａと、サブ連結配線１０６ａの一部及び第１及び第２ボンディングパッド１０９ａ、１０９ｂに連結するメイン連結配線１０６ｂと、を含む。
【００５４】
上記の実施形態と類似して、発光セルＣの側面におけるサブ連結配線１０６ａが形成される配線形成領域は、円滑な配線蒸着工程を保証し、断線のような不良を減少できる程の相対的に緩やかな傾斜角を有する。これに対し、配線形成領域を除外した他の側面領域における少なくとも一部領域は、配線形成領域の傾斜角より大きい傾斜角を有する。
【００５５】
このように、配線形成領域を除外した発光セルＣの側面領域における勾配の傾斜角は、相対的に大きい有効発光面積を保証できる。
【００５６】
また、本実施形態においては、アイソレーションによって露出した基板１０１の上面に多数の凹凸Ｉｒが形成される。このような凹凸を通じて光抽出効率を改善できる。
【００５７】
上記の通り、配線形成領域は緩やかな傾斜を有するように具現して配線の不良を最小限にすると共に、他の領域は相対的に大きい傾斜角を有するように具現することで、配線工程に必要な緩やかな傾斜で発光セルの側面全体を加工する場合より大きい活性層の面積を提供できる。
【００５８】
このような配線形成領域に選択的に緩やかな傾斜構造を採用する工程は、従来のアイソレーション工程及び／又はメサエッチング工程と別途に具現できるが、このような一連の工程は、単一のフォトレジスト工程を通じてより容易に具現できる。
【００５９】
例えば、フォトレジスト工程に用いられるマスクの露光量が漸進的に調節されるように改良することで、配線形成領域に選択的に所望する傾斜度を具現できる。図９に示すマスクは、本製造方法に採用できるマスクの一例である。
【００６０】
図９に示すマスクＭは、ポジティブフォトレジスト工程に用いられるマスクであり、アイソレーション工程及びメサエッチング工程と共に、配線形成領域に対する傾斜面形成工程を行う。
【００６１】
図９では説明のためマスクＭを２つだけ示してある。マスクＭの間の領域は、発光セルを分離するためのアイソレーション領域として完全に露出するようになり、Ｘ２−Ｘ２’で示す領域のように、配線形成領域及びメサエッチング領域と関連しない発光セル領域においては光が遮断される。
【００６２】
これとは異なり、メサエッチング領域及び配線形成領域には、第１及び第２オープンパターンＯＰ１、ＯＰ２を用いて露光量を調節することで、所望するフォトレジストパターンを形成できる。
【００６３】
所望する露光量の調節は、オープンパターンのサイズ及び数を用いて適切に調節できる。例えば、配線形成領域に求められる傾斜面は、その露光量が漸進的に変更されるパターンを採用することで具現できる。
【００６４】
本実施形態において、第１オープンパターンＯＰ１は、メサエッチング領域及びメサエッチング領域に提供される配線のための傾斜面の形成に用いられる。第２オープンパターンＯＰ２は、第２コンタクトに連結される配線のための傾斜面の形成に用いられる。
【００６５】
図１０のＥ１曲線で示すように、第１オープンパターンＯＰ１による露光量は、第１コンタクトが形成される領域ｄ３−ｄ４においては一定で、領域ｄ４−ｄ５においては発光セルの端ｄ５に行くほど増加し、第２オープンパターンＯＰ２による露光量は領域ｄ２−ｄ１においては発光セルの端ｄ１に行くほど増加する。
また、Ｅ２曲線はＸ２−Ｘ２’で示す領域の露光量を示す。
【００６６】
このようなマスクＭを用いてエッチング工程に用いられるフォトレジストパターン形成工程を、図１１から図１３に示す。
【００６７】
図１１に示すように、基板１５０上に第１導電型半導体層１５１ａ、活性層１５１ｂ及び第２導電型半導体層１５１ｃを順次成長させて複数の発光セルのための半導体積層体１５１を形成し、半導体積層体１５１上にフォトレジスト層Ｐを形成する。
【００６８】
次いで、図９に示すマスクを用いてフォトレジストＰを露光させる。上記の通り、Ｘ１−Ｘ１’で切開された部分及びＸ２−Ｘ２’で切開された部分は、異なる形態に露光し、現像された後に得られるフォトレジストパターンは相違する。
【００６９】
図１２及び図１３は、それぞれＸ２−Ｘ２’及びＸ１−Ｘ１’で切開された、部分的に露光し現像された後に残るフォトレジストパターンＰ１、Ｐ２の輪郭を示す。
【００７０】
図１２に示すように、実際に露光された領域Ｒ１が除去された後に得られるフォトレジストパターンＰ１は、マスクの端において不可避に発生する露光によって多少傾斜した面を有するが、比較的勾配の急な傾斜面を提供する。
【００７１】
これに対し、図１３に示すように、実際に露光された領域Ｒ２が除去された後に得られるフォトレジストパターンＰ２は、漸進的に露光量を調節することにより、メサエッチング領域はもちろんのこと、配線蒸着工程に有利かつ緩やかな傾斜面を提供できる。
【００７２】
図１２及び図１３の断面として示すフォトレジストパターンは、上記の通り、露光工程の後に適切な現像過程を通じて得られる。続いて、立体的に得られたフォトレジストパターンを用いてＩＣＰドライエッチングのような公知のエッチング工程を用いて図１２及び図１３に示す「Ｃ」のような形状の発光セルが得られる。
【００７３】
このように、側面領域に選択的に異なる傾斜角を有するように発光セルを形成する工程を、一つのマスクを用いるフォトレジスト工程及びエッチング工程で容易に具現できる。
【００７４】
本発明の多様な実施形態によるマルチチップアレイ半導体発光装置は、印刷回路基板のように電極部を有する器材を含む多様な形態のモジュールにおいてチップとして有用に用いられる。また、上記の多様な発光装置及び発光モジュールは、駆動部を含む照明装置として具現できる。
【００７５】
図１４及び図１５には、本発明による照明装置の一例としてバルブ型ランプを示す。図１４は照明装置の構成が容易に理解できるように各構成要素を分解した状態の斜視図であり、図１５は図１４において分解された構成要素が組立てられた状態（凸レンズ型カバーの結合は除外）を示す斜視図である。
【００７６】
図１４及び図１５を参照すると、照明装置３００は、発光モジュール３５０と、駆動部３３０と、外部接続部３１０と、を含む。また、外部及び内部ハウジング３４０、３２０及びカバー部３６０のような外型構造物をさらに含むことができる。
【００７７】
発光モジュール３５０は、半導体発光装置３５５と、その発光装置３５５が搭載された回路基板３５１と、を有する。本実施形態においては、１個の半導体発光装置３５５が回路基板３５１上に実装された形態を示しているが、必要に応じて、複数個装着することもできる。
【００７８】
本実施形態による照明装置３００において、発光モジュール３５０は、熱放出部として作用する外部ハウジング３４０を含む。外部ハウジング３４０は、発光モジュール３５０と直接接続して放熱効果を向上させる熱放出板３４５を含む。また、照明装置３００は、発光モジュール３５０上に装着されて凸レンズ状を有するカバー部３６０を含む。
【００７９】
本実施形態のように、駆動部３３０は、内部ハウジング３２０に装着されてソケット構造のような外部接続部３１０に連結されることで、外部電源から電源を提供される。
【００８０】
また、駆動部３３０は、外部電源を発光モジュール３５０の半導体発光装置３５５を駆動させる適正な電流源に変化させる役割をする。例えば、このような駆動部３３０は、ＡＣ−ＤＣコンバーターまたは整流回路部品等で構成される。
【００８１】
このように、上記の発光装置及び発光モジュールは、ランプのような多様な室内照明装置、街路灯、看板、表示灯のような室外照明装置や、自動車、航空機及び船舶用ヘッドランプ、後方灯のような交通手段用照明装置等、多様に利用できる。また、照明装置は、さらに放熱部材及び／又は反射板等の構造を含むことができる。
【００８２】
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面により限定されず、請求の範囲により限定される。また、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で多様な形態の置換、変形及び変更が可能であることは通常の知識を有する者に自明であろう。
【符号の説明】
【００８３】
５０、１００          半導体発光装置
５１、１０１、１５０  基板
５２、１５１          半導体積層体
５２ａ、１５１ａ      第１導電型半導体層
５２ｂ、１５１ｂ      活性層
５２ｃ、１５１ｃ      第２導電型半導体層
５４ａ                第１コンタクト
５４ｂ                第２コンタクト
５５                  絶縁層
５６、１０６          配線部
５６ａ、１０６ａ      サブ連結配線
５６ｂ、１０６ｂ      メイン連結配線
５９ａ、１０９ａ      第１ボンディングパッド
５９ｂ、１０９ｂ      第２ボンディングパッド
３００                照明装置
３１０                外部接続部
３２０                内部ハウジング
３３０                駆動部
３４０                外部ハウジング
３４５                熱放出板
３５０                発光モジュール
３５１                回路基板
３５５                半導体発光装置        
３６０                カバー部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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