(57)【要約】【課題】ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部での接合と内側部での分離とを容易にする。【解決手段】接合状態で互いに対向する領域の一方の表面全体が粗面に形成された相対的に厚いガラス製の支持基板６１ａ及び相対的に薄いガラス製の被成膜基板１０ａを互いの外周部Ｆで接合してガラス接合体７０ａを形成する工程と、ガラス接合体７０ａの被成膜基板１０ａの外周部Ｆよりも内側の内側部Ｃの表面に薄膜素子を形成する工程と、薄膜素子が形成されたガラス接合体７０ａの外周部Ｆを切断することにより、ガラス接合体７０ａから薄膜素子が形成された被成膜基板１０ａの部分を分離する工程とを備える。【選択図】図２
2013246400.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合状態で互いに対向する領域の一方の表面全体が粗面に形成された相対的に厚いガラス製の支持基板及び相対的に薄いガラス製の被成膜基板を互いの外周部で接合することにより、ガラス接合体を形成する接合工程と、
上記接合工程で形成されたガラス接合体の上記被成膜基板の外周部よりも内側の内側部の表面に薄膜素子を形成する薄膜素子形成工程と、
上記薄膜素子形成工程で薄膜素子が形成されたガラス接合体の外周部を切断することにより、該ガラス接合体から上記薄膜素子が形成された被成膜基板の部分を分離する分離工程とを備える、薄膜素子基板の製造方法。
【請求項２】
上記支持基板は、上記被成膜基板に対向する側の表面全体が粗面に形成されている、請求項１に記載の薄膜素子基板の製造方法。
【請求項３】
上記接合工程では、上記支持基板及び被成膜基板の界面において、上記外周部にガラス製のテープ材を配置するように、上記ガラス接合体を形成する、請求項２に記載の薄膜素子基板の製造方法。
【請求項４】
上記接合工程では、上記被成膜基板の周端が上記支持基板の周端よりも内側に配置すると共に、上記テープ材の外周端が上記被成膜基板の周端と上記支持基板の周端との間に配置するように、上記ガラス接合体を形成する、請求項３に記載の薄膜素子基板の製造方法。
【請求項５】
上記接合工程では、減圧雰囲気下において、上記支持基板及び被成膜基板を互いの外周部で接合する、請求項１乃至４の何れか１つに記載の薄膜素子基板の製造方法。
【請求項６】
上記被成膜基板は、厚さ方向に沿う断面形状における上記支持基板側の角部が直角になっており、
上記接合工程では、上記被成膜基板の周端が上記支持基板の周端よりも内側に配置するように、上記ガラス接合体を形成する、請求項１乃至５の何れか１つに記載の薄膜素子基板の製造方法。
【請求項７】
接合状態で互いに対向する領域の一方の表面全体が粗面に形成された相対的に厚いガラス製の第１支持基板及び相対的に薄いガラス製の第１被成膜基板を互いの外周部で接合することにより、第１ガラス接合体を形成する第１接合工程と、
上記第１接合工程で形成された第１ガラス接合体の上記第１被成膜基板の外周部よりも内側の内側部の表面に第１薄膜素子を形成する第１薄膜素子形成工程と、
接合状態で互いに対向する領域の一方の表面全体が粗面に形成された相対的に厚いガラス製の第２支持基板及び相対的に薄いガラス製の第２被成膜基板を互いの外周部で接合することにより、第２ガラス接合体を形成する第２接合工程と、
上記第２接合工程で形成された第２ガラス接合体の上記第２被成膜基板の外周部よりも内側の内側部の表面に第２薄膜素子を形成する第２薄膜素子形成工程と、
上記第１薄膜素子形成工程で第１薄膜素子が形成された第１ガラス接合体、及び上記第２薄膜素子形成工程で第２薄膜素子が形成された第２ガラス接合体を該第１薄膜素子及び第２薄膜素子が互いに対向するように貼り合わせることにより、貼合体を形成する貼合工程と、
上記貼合工程で形成された貼合体における第１ガラス接合体及び第２ガラス接合体の各外周部を切断することにより、該貼合体から上記第１薄膜素子が形成された第１被成膜基板の部分、及び上記第２薄膜素子が形成された第２被成膜基板の部分を分離する分離工程とを備える、表示パネルの製造方法。
【請求項８】
上記第１接合工程では、上記第１支持基板及び第１被成膜基板の界面において、外周部にガラス製の第１テープ材を配置するように、上記第１ガラス接合体を形成し、
上記第２接合工程では、上記第２支持基板及び第２被成膜基板の界面において、外周部にガラス製の第２テープ材を配置すると共に、該第２被成膜基板の大きさが上記第１ガラス接合体の内側部の大きさよりも小さくなるように、上記第２ガラス接合体を形成し、
上記貼合工程では、上記第１ガラス接合体及び第２ガラス接合体を上記第２テープ材の厚さ以上の間隔で貼り合わせる、請求項７に記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜素子基板及び表示パネルの製造方法に関し、特に、薄厚のガラス基板を用いた薄型の薄膜素子基板及び表示パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは、例えば、互いに対向するように薄膜素子基板としてそれぞれ設けられたＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板及びＣＦ（Color Filter）基板と、それらの両基板の間に設けられた液晶層とを備えている。ここで、携帯電話機などのモバイル用途の液晶表示パネルでは、例えば、ＴＦＴ基板やＣＦ基板などの薄膜素子基板の薄型化、及びそれによる軽量化が強く要望されている。
【０００３】
薄型の液晶表示パネルを製造する方法としては、例えば、厚さ０．７ｍｍ程度の一対のガラス基板を用いてＴＦＴ基板及びＣＦ基板をそれぞれ作製して、厚さ１．４ｍｍ程度の液晶表示パネルを作製した後に、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板を構成する各ガラス基板をエッチングにより薄板化する製造方法がよく知られている。
【０００４】
また、薄型の液晶表示パネルを製造する方法として、例えば、相対的に厚いガラス製の支持基板上に相対的に薄いガラス製の被成膜基板を固定して、被成膜基板上に薄膜デバイスなどを形成した後に、支持基板及び被成膜基板を分離する製造方法が提案されている（例えば、特許文献１及び２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２１６０６８号公報（第１図、第３図）
【特許文献２】特開２００５−３３８２８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記特許文献１には、相対的に薄いガラス基板上に相対的に厚いガラス基板を配置し、２枚のガラス基板の外周部をレーザー光の照射により融合させる第１の製造方法と、相対的に薄いガラス基板上にスペーサを介して相対的に厚いガラス基板を配置し、２枚のガラス基板の外周部をレーザー光の照射により融合させる第２の製造方法とが開示されている。しかしながら、上記第１の製造方法では、融合させた２枚のガラス基板において、外周部よりも内側の内側部でも互いに密着する部分ができ、その部分に極めて強い密着力が生じるので、２枚のガラス基板を互いに分離することができなくなるおそれがある。また、上記第２の製造方法では、直径数μｍ〜数１０μｍのスペーサにより離間された２枚のガラス基板の外周部において、相対的に薄いガラス基板の外周部が変形して相対的に厚いガラス基板の外周部に接触するまで融合させる必要があるので、冷却時に発生する局所的なストレスにより、ガラス基板が破損するおそれがあり、２枚のガラス基板の外周部での接合において、改善の余地がある。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部での接合と内側部での分離とを容易にすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、支持基板及び被成膜基板の接合状態で互いに対向する領域の一方の表面全体を粗面に形成するようにしたものである。
【０００９】
具体的に本発明に係る薄膜素子基板の製造方法は、接合状態で互いに対向する領域の一方の表面全体が粗面に形成された相対的に厚いガラス製の支持基板及び相対的に薄いガラス製の被成膜基板を互いの外周部で接合することにより、ガラス接合体を形成する接合工程と、上記接合工程で形成されたガラス接合体の上記被成膜基板の外周部よりも内側の内側部の表面に薄膜素子を形成する薄膜素子形成工程と、上記薄膜素子形成工程で薄膜素子が形成されたガラス接合体の外周部を切断することにより、該ガラス接合体から上記薄膜素子が形成された被成膜基板の部分を分離する分離工程とを備える。
【００１０】
上記の方法によれば、相対的に厚いガラス製の支持基板及び相対的に薄いガラス製の被成膜基板を互いの外周部で接合する接合工程では、支持基板及び被成膜基板の接合状態で互いに対向する領域の一方の表面全体が粗面（例えば、算術平均粗さＲａが５ｎｍ〜１００ｎｍ程度）に形成されているので、外周部で面接触に近い状態で接触する支持基板及び被成膜基板の端面部に、例えば、レーザー光を照射して、端面部を少し溶融させるだけで、支持基板及び被成膜基板が接合することになり、支持基板及び被成膜基板の外周部での接合が容易になる。また、支持基板及び被成膜基板の一方の表面に形成された粗面により、ガラス接合体の内側部での支持基板と被成膜基板との接触面積が抑制されるので、その後の薄膜素子形成工程でガラス接合体の被成膜基板の表面に薄膜素子を形成する際に、ガラス接合体の支持基板及び被成膜基板が内側部で密着しても、ガラス接合体の支持基板及び被成膜基板の界面における内側部での固着が抑制される。そのため、分離工程において、ガラス接合体の外周部を切断することにより、ガラス接合体から薄膜素子が形成された被成膜基板の部分が容易に分離されるので、被成膜基板、すなわち、薄厚のガラス基板を用いて、薄型の薄膜素子基板が確実に製造される。したがって、薄型の薄膜素子基板の製造方法において、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部での接合と内側部での分離とを容易にすることが可能になる。
【００１１】
上記支持基板は、上記被成膜基板に対向する側の表面全体が粗面に形成されていてもよい。
【００１２】
上記の方法によれば、被成膜基板に対向する側の支持基板の表面全体が粗面に形成されているので、例えば、支持基板の周端部を覆うマスクなどが不必要になると共に、支持基板と被成膜基板との間の精密な位置合わせが不必要になる。
【００１３】
上記接合工程では、上記支持基板及び被成膜基板の界面において、上記外周部にガラス製のテープ材を配置するように、上記ガラス接合体を形成してもよい。
【００１４】
上記の方法によれば、ガラス接合体を形成する際に、支持基板及び被成膜基板の界面において、外周部にガラス製のテープ材を配置するので、ガラス接合体の支持基板及び被成膜基板の界面における外周部では、支持基板及び被成膜基板の表面同士がテープ材を介して間接的に面接触に近い状態で接触することになる。
【００１５】
上記接合工程では、上記被成膜基板の周端が上記支持基板の周端よりも内側に配置すると共に、上記テープ材の外周端が上記被成膜基板の周端と上記支持基板の周端との間に配置するように、上記ガラス接合体を形成してもよい。
【００１６】
上記の方法によれば、ガラス接合体を形成する際に、テープ材の外周端を被成膜基板の周端と支持基板の周端との間に配置させるので、支持基板とテープ材との界面、及びテープ材と被成膜基板との界面にレーザー光をそれぞれ照射し易くなり、支持基板及び被成膜基板が効率よく接合される。
【００１７】
上記接合工程では、減圧雰囲気下において、上記支持基板及び被成膜基板を互いの外周部で接合してもよい。
【００１８】
上記の方法によれば、減圧雰囲気下において、支持基板及び被成膜基板を互いの外周部で接合して、ガラス接合体を形成するので、支持基板及び被成膜基板の界面において、空気層が形成され難くなり、真空や高温下でのガラス接合体の破損が抑制される。
【００１９】
上記被成膜基板は、厚さ方向に沿う断面形状における上記支持基板側の角部が直角になっており、上記接合工程では、上記被成膜基板の周端が上記支持基板の周端よりも内側に配置するように、上記ガラス接合体を形成してもよい。
【００２０】
上記の方法によれば、被成膜基板の厚さ方向に沿う断面形状における支持基板側の角部が直角であり、ガラス接合体を形成する際に、被成膜基板の周端が支持基板の周端よりも内側に配置するので、支持基板と被成膜基板との界面部分に隙間が形成され難くなり、その界面部分に、例えば、レーザー光が不要な反射や吸収を抑制して確実に照射され、支持基板及び被成膜基板が容易に接合される。
【００２１】
また、本発明に係る表示パネルの製造方法は、接合状態で互いに対向する領域の一方の表面全体が粗面に形成された相対的に厚いガラス製の第１支持基板及び相対的に薄いガラス製の第１被成膜基板を互いの外周部で接合することにより、第１ガラス接合体を形成する第１接合工程と、上記第１接合工程で形成された第１ガラス接合体の上記第１被成膜基板の外周部よりも内側の内側部の表面に第１薄膜素子を形成する第１薄膜素子形成工程と、接合状態で互いに対向する領域の一方の表面全体が粗面に形成された相対的に厚いガラス製の第２支持基板及び相対的に薄いガラス製の第２被成膜基板を互いの外周部で接合することにより、第２ガラス接合体を形成する第２接合工程と、上記第２接合工程で形成された第２ガラス接合体の上記第２被成膜基板の外周部よりも内側の内側部の表面に第２薄膜素子を形成する第２薄膜素子形成工程と、上記第１薄膜素子形成工程で第１薄膜素子が形成された第１ガラス接合体、及び上記第２薄膜素子形成工程で第２薄膜素子が形成された第２ガラス接合体を該第１薄膜素子及び第２薄膜素子が互いに対向するように貼り合わせることにより、貼合体を形成する貼合工程と、上記貼合工程で形成された貼合体における第１ガラス接合体及び第２ガラス接合体の各外周部を切断することにより、該貼合体から上記第１薄膜素子が形成された第１被成膜基板の部分、及び上記第２薄膜素子が形成された第２被成膜基板の部分を分離する分離工程とを備える。
【００２２】
上記の方法によれば、相対的に厚いガラス製の第１支持基板及び相対的に薄いガラス製の第１被成膜基板を互いの外周部で接合する第１接合工程では、第１支持基板及び第１被成膜基板の接合状態で互いに対向する領域の一方の表面全体が粗面（例えば、算術平均粗さＲａが５ｎｍ〜１００ｎｍ程度）に形成されているので、外周部で面接触に近い状態で接触する第１支持基板及び第１被成膜基板の端面部に、例えば、レーザー光を照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第１支持基板及び第１被成膜基板が接合することになり、第１支持基板及び第１被成膜基板の外周部での接合が容易になる。また、第１支持基板及び第１被成膜基板の一方の表面に形成された粗面により、第１ガラス接合体の内側部での第１支持基板と第１被成膜基板との接触面積が抑制されるので、その後の第１薄膜素子形成工程で第１ガラス接合体の第１被成膜基板の表面に第１薄膜素子を形成する際に、第１ガラス接合体の第１支持基板及び第１被成膜基板が内側部で密着しても、第１ガラス接合体の第１支持基板及び第１被成膜基板の界面における内側部での固着が抑制される。一方、相対的に厚いガラス製の第２支持基板及び相対的に薄いガラス製の第２被成膜基板を互いの外周部で接合する第２接合工程では、第２支持基板及び第２被成膜基板の接合状態で互いに対向する領域の一方の表面全体が粗面（例えば、算術平均粗さＲａが５ｎｍ〜１００ｎｍ程度）に形成されているので、外周部で面接触に近い状態で接触する第２支持基板及び第２被成膜基板の端面部に、例えば、レーザー光を照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第２支持基板及び第２被成膜基板が接合することになり、第２支持基板及び第２被成膜基板の外周部での接合が容易になる。また、第２支持基板及び第２被成膜基板の一方の表面に形成された粗面により、第２ガラス接合体の内側部での第２支持基板と第２被成膜基板との接触面積が抑制されるので、その後の第２薄膜素子形成工程で第２ガラス接合体の第２被成膜基板の表面に第２薄膜素子を形成する際に、第２ガラス接合体の第２支持基板及び第２被成膜基板が内側部で密着しても、第２ガラス接合体の第２支持基板及び第２被成膜基板の界面における内側部での固着が抑制される。そのため、第１薄膜素子が形成された第１ガラス接合体と、第２薄膜素子が形成された第２ガラス接合体とを貼り合わせる貼合工程の後に行う分離工程において、第１ガラス接合体及び第２ガラス接合体の各外周部を切断することにより、第１ガラス接合体から第１薄膜素子が形成された第１被成膜基板の部分が容易に分離されると共に、第２ガラス接合体から第２薄膜素子が形成された第２被成膜基板の部分が容易に分離されるので、第１被成膜基板及び第２被成膜基板、すなわち、薄厚のガラス基板を用いて、薄型の表示パネルが確実に製造される。したがって、薄型の表示パネルの製造方法において、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部での接合と内側部での分離とを容易にすることが可能になる。
【００２３】
上記第１接合工程では、上記第１支持基板及び第１被成膜基板の界面において、外周部にガラス製の第１テープ材を配置するように、上記第１ガラス接合体を形成し、上記第２接合工程では、上記第２支持基板及び第２被成膜基板の界面において、外周部にガラス製の第２テープ材を配置すると共に、該第２被成膜基板の大きさが上記第１ガラス接合体の内側部の大きさよりも小さくなるように、上記第２ガラス接合体を形成し、上記貼合工程では、上記第１ガラス接合体及び第２ガラス接合体を上記第２テープ材の厚さ以上の間隔で貼り合わせてもよい。
【００２４】
上記の方法によれば、第１接合工程では、第１支持基板及び第１被成膜基板の界面における外周部にガラス製の第１テープ材を配置し、第２接合工程では、第２支持基板及び第２被成膜基板の界面における外周部にガラス製の第２テープ材を配置すると共に、第２被成膜基板の大きさが第１ガラス接合体の内側部の大きさよりも小さくなるように、第２ガラス接合体を形成し、貼合工程では、第１ガラス接合体及び第２ガラス接合体を第２テープ材の厚さ以上の間隔で貼り合わせるので、第１ガラス接合体の第１被成膜基板の表面に第１テープ材の厚さに起因して形成される表面段差、及び第２ガラス接合体の第２被成膜基板の表面に第２テープ材の厚さに起因して形成される表面段差に影響されることなく、第１ガラス接合体及び第２ガラス接合体を確実に貼り合わせることが可能になる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、支持基板及び被成膜基板の接合状態で互いに対向する領域の一方の表面全体が粗面に形成されているので、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部での接合と内側部での分離とを容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施形態１に係る液晶表示パネルの断面図である。
【図２】実施形態１に係る液晶表示パネルを製造するための第１接合工程、第２接合工程及び貼合工程を示す断面図である。
【図３】実施形態１に係る液晶表示パネルを製造するための第１接合工程の変形例を示す断面図である。
【図４】実施形態２に係る液晶表示パネルを製造するための第１接合工程を示す断面図である。
【図５】実施形態３に係る液晶表示パネルを製造するための第１接合工程を示す断面図である。
【図６】実施形態４に係る液晶表示パネルを製造するための第１接合工程を示す断面図である。
【図７】実施形態５に係る液晶表示パネルを製造するための第１接合工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
【００２８】
《発明の実施形態１》
図１〜図３は、本発明に係る薄膜素子基板及び表示パネルの製造方法の実施形態１を示している。ここで、図１は、本実施形態の液晶表示パネル５０の断面図である。また、図２は、液晶表示パネル５０を製造するための第１接合工程、第２接合工程及び貼合工程を示す断面図である。具体的に、図２（ａ）は、第１接合工程で形成される第１ガラス接合体７０ａの断面図であり、図２（ｂ）は、第２接合工程で形成される第２ガラス接合体８０の断面図であり、図２（ｃ）は、貼合工程で形成される貼合体９０の断面図である。さらに、図３は、液晶表示パネル５０を製造するための第１接合工程の変形例で形成される第１ガラス接合体７０ｂの断面図である。
【００２９】
液晶表示パネル５０は、図１に示すように、互いに対向するように薄膜素子基板としてそれぞれ設けられたＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板４０と、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板４０の間に設けられた液晶層４５と、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板４０を互いに接着すると共に、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板４０の間に液晶層４５を封入するために設けられたシール材４６（図２（ｃ）参照）とを備えている。
【００３０】
ＴＦＴ基板２０は、図１に示すように、薄厚（例えば、０．０５ｍｍ程度）のガラス基板１０と、ガラス基板１０上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線と、各ゲート線を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に各ゲート線と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線と、各ゲート線及び各ソース線の交差部分毎、すなわち、画像の最小単位である各副画素毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ５と、各ＴＦＴ５を覆うように設けられた層間絶縁膜１５と、層間絶縁膜１５上にマトリクス状に設けられ、各ＴＦＴ５にそれぞれ接続された複数の画素電極１６と、各画素電極１６を覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。
【００３１】
ＴＦＴ５は、図１に示すように、ガラス基板１０上に設けられたゲート電極１１と、ゲート電極１１を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極１１に重なるように島状に設けられた半導体層１３と、半導体層１３上に互いに離間するように設けられたソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂとを備えている。
【００３２】
ゲート電極１１は、例えば、上記ゲート線の各副画素毎の一部又は側方への突出部である。
【００３３】
半導体層１３は、例えば、チャネル領域を有する真性アモルファスシリコン層と、チャネル領域が露出するように真性アモルファスシリコン層上に設けられ、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂにそれぞれ接続されたｎ＋アモルファスシリコン層とを備えている。
【００３４】
ソース電極１４ａは、例えば、上記ソース線の各副画素毎の一部又は側方への突出部である。
【００３５】
ドレイン電極１４ｂは、層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホール（不図示）を介して画素電極１６に接続されている。
【００３６】
上記構成のＴＦＴ基板２０では、図１に示すように、上述したゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導体層１３、ソース電極１４ａ、ドレイン電極１４ｂ、層間絶縁膜１５及び画素電極１６などを備えたＴＦＴアレイ層１７がガラス基板１０上に薄膜素子として設けられている。
【００３７】
対向基板４０は、図１に示すように、薄厚（例えば、０．０５ｍｍ程度）のガラス基板３０と、ガラス基板３０上に格子状に設けられたブラックマトリクス３１と、ブラックマトリクス３１の各格子間にそれぞれ設けられた赤色層、緑色層及び青色層などの複数の着色層３２と、ブラックマトリクス３１及び各着色層３２を覆うように設けられた共通電極３３と、共通電極３３上に高さ５μｍ程度に柱状に設けられた複数のフォトスペーサ（不図示）と、共通電極３３及び各フォトスペーサを覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。そして、対向基板４０では、図１に示すように、上述したブラックマトリクス３１、着色層３２及び共通電極３３などを備えたカラーフィルター層３４がガラス基板３０上に薄膜素子として設けられている。
【００３８】
液晶層４５は、例えば、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料などにより構成されている。
【００３９】
上記構成の液晶表示パネル５０は、アクティブマトリクス基板２０上の各画素電極１６と対向基板４０上の共通電極３３との間に配置する液晶層４５に各副画素毎に所定の電圧を印加して液晶層４５の配向状態を変えることにより、例えば、バックライトからの光の透過率を各副画素に調整して、画像表示を行うように構成されている。
【００４０】
次に、本実施形態の液晶表示パネル５０の製造方法について、図２を用いて一例を挙げて説明する。ここで、本実施形態の液晶表示パネル５０の製造方法は、第１接合工程、第１薄膜素子形成工程、第２接合工程、第２薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を備える。なお、図２（ｃ）では、第１被成膜基板１０ａの表面に形成されたＴＦＴアレイ層１７、及び第２被成膜基板３０の表面に形成されたカラーフィルター層３４をそれぞれ省略して、貼合体９０を図示している。
【００４１】
＜第１接合工程＞
まず、例えば、厚さ０．７ｍｍ程度の無アルカリガラスのガラス基板の表面全体に対して、サンドブラスト加工やエンボス加工などの直接的な加工、又は微細なレジストパターンを用いるエッチング加工などの間接的な加工を行うことにより、表面全体を算術平均粗さＲａが５ｎｍ〜１００ｎｍ程度になるように粗面化して、第１支持基板６１ａ（図２（ａ）参照）を形成する。
【００４２】
続いて、第１支持基板６１ａの外周部Ｆに、例えば、厚さ５μｍ程度、幅３ｍｍ程度の無アルカリガラスの第１テープ材６２ａ（図２（ａ）参照）を配置する。ここで、第１テープ材６２ａの厚さとしては、５μｍ〜５０μｍ程度が好ましい。
【００４３】
さらに、図２（ａ）に示すように、第１テープ材６２ａが配置された第１支持基板６１ａ上に、例えば、厚さ０．０５ｍｍ程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第１被成膜基板１０ａを配置した後に、第１支持基板６１ａと第１テープ材６２ａとの界面、及び第１テープ材６２ａと第１被成膜基板１０ａとの界面に対して、減圧雰囲気（例えば、０．１Ｐａ程度）下でレーザー光Ｌをそれぞれ照射することにより、各ガラス材の界面を軟化及び融着させ、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａを互いの外周部Ｆで全周に亘って接合することにより、第１ガラス接合体７０ａを形成する。ここで、第１被成膜基板１０ａの厚さとしては、０．０３ｍｍ〜０．１ｍｍ程度が好ましい。なお、本実施形態では、図２（ａ）に示すように、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの各外周部Ｆがそれらの界面で第１テープ材６２ａを介して間接的に面接触に近い状態で接触する第１ガラス接合体７０ａを例示したが、図３に示すように、第１テープ材６２ａが省略されて、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの各外周部Ｆがそれらの界面で直接的に面接触に近い状態で接触する第１ガラス接合体７０ｂであってもよい。
【００４４】
＜第１薄膜素子形成工程＞
上記第１接合工程で形成された第１ガラス接合体７０ａの第１被成膜基板１０ａの外周部Ｆよりも内側の内側部Ｃの表面に、周知の方法を用いて、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導体層１３、ソース電極１４ａ、ドレイン電極１４ｂ、層間絶縁膜１５及び画素電極１６などを形成して、ＴＦＴアレイ層１７を形成する。
【００４５】
＜第２接合工程＞
まず、例えば、厚さ０．７ｍｍ程度の無アルカリガラスのガラス基板の表面全体に対して、サンドブラスト加工やエンボス加工などの直接的な加工、又は微細なレジストパターンを用いるエッチング加工などの間接的な加工を行うことにより、表面全体を算術平均粗さＲａが５ｎｍ〜１００ｎｍ程度になるように粗面化して、第２支持基板７１ａ（図２（ｂ）参照）を形成する。
【００４６】
続いて、第２支持基板７１ａの外周部Ｆに、例えば、厚さ５μｍ程度、幅２ｍｍ程度の無アルカリガラスの第２テープ材７２（図２（ｂ）参照）を配置する。ここで、第２テープ材７２の厚さとしては、５μｍ〜５０μｍ程度が例示されるが、カラーフィルター層３４のフォトスペーサの高さ以下とすることが好ましい。
【００４７】
さらに、図２（ｂ）に示すように、第２テープ材７２が配置された第２支持基板７１上に、例えば、厚さ０．０５ｍｍ程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第２被成膜基板３０ａを配置した後に、第２支持基板７１ａと第２テープ材７２との界面、及び第２テープ材７２と第２被成膜基板３０ａとの界面に対して、減圧雰囲気（例えば、０．１Ｐａ程度）下でレーザー光Ｌをそれぞれ照射することにより、各ガラス材の界面を軟化及び融着させ、第２支持基板７１ａ及び第２被成膜基板３０ａを互いの外周部Ｆで全周に亘って接合することにより、第２ガラス接合体８０を形成する。ここで、第２被成膜基板３０ａの厚さとしては、０．０３ｍｍ〜０．１ｍｍ程度が好ましい。また、第２ガラス接合体８０では、図２（ｃ）に示すように、第２被成膜基板３０ａの平面視での大きさが第１ガラス接合体７０ａの内側部Ｃの平面視での大きさよりも小さくなっている。なお、本実施形態では、図２（ｂ）に示すように、第２支持基板７１ａ及び第２被成膜基板３０ａの外周部Ｆの界面に第２テープ材７２が介在する第２ガラス接合体８０を例示したが、第１ガラス接合体７０ｂと同様に、第２テープ材７２が省略されていてもよい。
【００４８】
＜第２薄膜素子形成工程＞
上記第２接合工程で形成された第２ガラス接合体８０の第２被成膜基板３０ａの外周部Ｆよりも内側の内側部Ｃの表面に、周知の方法を用いて、ブラックマトリクス３１、着色層３２及び共通電極３３などを形成して、カラーフィルター層３４を形成する。
【００４９】
＜貼合工程＞
まず、例えば、上記第２薄膜素子形成工程でカラーフィルター層３４が形成された第２ガラス接合体８０の第２被成膜基板３０ａの表面に、ディスペンサを用いて、シール材４６を枠状に描画する。
【００５０】
続いて、例えば、ディスペンサを用いて、シール材４６が描画された第２被成膜基板３０ａの表面のシール材４６に囲まれた領域に液晶材料（４５）を滴下する。
【００５１】
さらに、液晶材料（４５）が滴下された第２被成膜基板３０ａを備えた第２ガラス接合体８０と、上記第１薄膜素子形成工程でＴＦＴアレイ層１７が形成された第１ガラス接合体７０ａとを減圧下で貼り合わせた後に、大気圧に開放し、シール材４６を硬化させることにより、図２（ｃ）に示すように、貼合体９０を形成する。
【００５２】
＜分離工程＞
上記貼合工程で形成された貼合体９０の第１ガラス接合体７０ａ及び第２ガラス接合体８０の各表面において、切断線Ｂ（図２（ｃ）参照）に沿って、例えば、レーザー光を照射することにより、貼合体９０からＴＦＴアレイ層１７が形成された第１被成膜基板１０ａの部分（１０）、及びカラーフィルター層３４が形成された第２被成膜基板３０ａの部分（３０）を分離する。
【００５３】
以上のようにして、本実施形態のＴＦＴ基板２０、ＣＦ基板４０及びそれらを備えた液晶表示パネル５０を製造することができる。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル５０の製造方法によれば、相対的に厚いガラス製の第１支持基板６１ａ及び相対的に薄いガラス製の第１被成膜基板１０ａを互いの外周部Ｆで接合する第１接合工程では、接合状態で第１被成膜基板１０ａに対向する第１支持基板６１ａの表面全体が粗面に形成されているので、外周部Ｆで面接触に近い状態で接触する第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの端面部に、レーザー光Ｌを照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａが接合することになり、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの外周部Ｆでの接合を容易にすることができる。また、第１支持基板６１ａの表面に形成された粗面により、第１ガラス接合体７０ａの内側部Ｃでの第１支持基板６１ａと第１被成膜基板１０ａとの接触面積が抑制されるので、その後の第１薄膜素子形成工程で第１ガラス接合体７０ａの第１被成膜基板１０ａの表面にＴＦＴアレイ層１７を形成する際に、第１ガラス接合体７０ａの第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａが内側部Ｃで密着しても、第１ガラス接合体７０ａの第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの界面における内側部Ｃでの固着を抑制することができる。一方、相対的に厚いガラス製の第２支持基板７１ａ及び相対的に薄いガラス製の第２被成膜基板３０ａを互いの外周部Ｆで接合する第２接合工程では、接合状態で第２被成膜基板３０ａに対向する第２支持基板７１ａの表面全体が粗面に形成されているので、外周部Ｆで面接触に近い状態で接触する第２支持基板７１ａ及び第２被成膜基板３０ａの端面部に、レーザー光Ｌを照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第２支持基板７１ａ及び第２被成膜基板３０ａが接合することになり、第２支持基板７１ａ及び第２被成膜基板３０ａの外周部Ｆでの接合を容易にすることができる。また、第２支持基板７１ａの表面に形成された粗面により、第２ガラス接合体８０の内側部Ｃでの第２支持基板７１ａと第２被成膜基板３０ａとの接触面積が抑制されるので、その後の第２薄膜素子形成工程で第２ガラス接合体８０の第２被成膜基板３０ａの表面にカラーフィルター層３４を形成する際に、第２ガラス接合体８０の第２支持基板７１ａ及び第２被成膜基板３０ａが内側部Ｃで密着しても、第２ガラス接合体８０の第２支持基板７１ａ及び第２被成膜基板３０ａの界面における内側部Ｃでの固着を抑制することができる。そのため、ＴＦＴアレイ層１７が形成された第１ガラス接合体７０ａと、カラーフィルター層３４が形成された第２ガラス接合体８０とを貼り合わせる貼合工程の後に行う分離工程において、第１ガラス接合体７０ａ及び第２ガラス接合体８０の各外周部Ｆを切断することにより、第１ガラス接合体７０ａからＴＦＴアレイ層１７が形成された第１被成膜基板１０ａの部分を容易に分離することができると共に、第２ガラス接合体８０からカラーフィルター層３４が形成された第２被成膜基板３０ａの部分を容易に分離することができるので、第１被成膜基板１０ａ及び第２被成膜基板３０ａ、すなわち、薄厚のガラス基板を用いて、薄型の液晶表示パネル５０を確実に製造することができる。したがって、薄型の液晶表示パネル５０の製造方法において、ガラス製の第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａ、並びに第２支持基板７１ａ及び被成膜基板３０ａにおける外周部Ｆでの接合と内側部Ｃでの分離とを容易にすることができる。
【００５５】
また、本実施形態の液晶表示パネル５０の製造方法によれば、第１被成膜基板１０ａに対向する側の第１支持基板６１ａの表面全体、並びに第２被成膜基板３０ａに対向する側の第２支持基板７１ａの表面全体が粗面に形成されているので、例えば、第１支持基板６１ａ及び第２支持基板７１ａの各周端部を覆うマスクなどが不必要になると共に、第１支持基板６１ａと第１被成膜基板１０ａとの間の精密な位置合わせ、及び第２支持基板７１ａと第２被成膜基板３０ａとの間の精密な位置合わせが不必要になり、製造コストを低減することができる。
【００５６】
また、本実施形態の液晶表示パネル５０の製造方法によれば、第１接合工程では、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの界面における外周部Ｆにガラス製の第１テープ材６２ａを配置し、第２接合工程では、第２支持基板７１ａ及び第２被成膜基板３０ａの界面における外周部Ｆにガラス製の第２テープ材７２を配置すると共に、第２被成膜基板３０ａの大きさが第１ガラス接合体７０ａの内側部Ｃの大きさよりも小さくなるように、第２ガラス接合体８０を形成し、貼合工程では、第１ガラス接合体７０ａ及び第２ガラス接合体８０を第２テープ材７２の厚さ以上の間隔で貼り合わせるので、第１ガラス接合体７０ａの第１被成膜基板１０ａの表面に第１テープ材６２ａの厚さに起因して形成される表面段差、及び第２ガラス接合体８０の第２被成膜基板３０ａの表面に第２テープ材７２の厚さに起因して形成される表面段差に影響されることなく、第１ガラス接合体７０ａ及び第２ガラス接合体８０を確実に貼り合わせることができる。
【００５７】
また、本実施形態の液晶表示パネル５０の製造方法によれば、減圧雰囲気下において、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａを互いの外周部Ｆで接合して、第１ガラス接合体７０ａ（７０ｂ）を形成すると共に、第２支持基板７１ａ及び第２被成膜基板３０ａを互いの外周部Ｆで接合して、第２ガラス接合体８０を形成するので、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの界面において、並びに第２支持基板７１ａ及び第２被成膜基板３０ａの界面において、空気層が形成され難くなり、真空や高温下での第１ガラス接合体７０ａ（７０ｂ）及び第２ガラス接合体８０の破損を抑制することができる。
【００５８】
なお、本実施形態では、第１支持基板６１ａ及び第２支持基板７１ａの各表面を粗面化する液晶表示パネルの製造方法を例示したが、本発明は、第１被成膜基板１０ａ及び第２成膜基板３０ａの各表面を粗面化する液晶表示パネルの製造方法にも適用することができる。
【００５９】
《発明の実施形態２》
図４は、本実施形態の液晶表示パネルを製造するための第１接合工程で形成される第１ガラス接合体７０ｃの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１〜図３と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００６０】
上記実施形態１では、第１被成膜基板の端面と第１テープ材の端面とが一致するように第１ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本実施形態では、第１テープ材の端部が第１被成膜基板の端面から突出するように第１ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示する。
【００６１】
本実施形態の液晶表示パネルの製造方法は、第１接合工程、第１薄膜素子形成工程、第２接合工程、第２薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を備えるものの、第１薄膜素子形成工程、第２薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程は、上記実施形態１の対応する各工程と実質的に同じであり、第２接合工程は、第１接合工程と基板の大きさだけが異なるので、本実施形態では、第１接合工程を中心に説明する。
【００６２】
＜第１接合工程＞
まず、例えば、厚さ０．７ｍｍ程度の無アルカリガラスのガラス基板の表面全体に対して、サンドブラスト加工やエンボス加工などの直接的な加工、又は微細なレジストパターンを用いるエッチング加工などの間接的な加工を行うことにより、表面全体を算術平均粗さＲａが５ｎｍ〜１００ｎｍ程度になるように粗面化して、第１支持基板６１ａを形成する。
【００６３】
続いて、第１支持基板６１ａの外周部Ｆに、例えば、厚さ５μｍ程度、幅３ｍｍ程度の無アルカリガラスの第１テープ材６２ｂ（図４参照）を配置する。ここで、第１テープ材６２ｂは、図４に示すように、その外周端が第１支持基板６１ａの周端よりも内側に配置させる。
【００６４】
そして、第１テープ材６２ｂが配置された第１支持基板６１ａ上に、例えば、厚さ０．０５ｍｍ程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第１被成膜基板１０ａを配置する。ここで、第１被成膜基板１０ａは、図４に示すように、その周端が第１テープ材６２ｂの外周端よりも内側に配置させる。
【００６５】
さらに、図４に示すように、第１支持基板６１ａと第１テープ材６２ｂとの界面、及び第１テープ材６２ｂと第１被成膜基板１０ａとの界面に対して、減圧雰囲気（例えば、０．１Ｐａ程度）下でレーザー光Ｌをそれぞれ照射することにより、各ガラス材の界面を軟化及び融着させ、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａを互いの外周部Ｆで全周に亘って接合することにより、第１ガラス接合体７０ｃを形成する。
【００６６】
その後、上記実施形態１と同様に、第１薄膜素子形成工程、（本実施形態の第１接合工程と同様の）第２接合工程、第２薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を順次行うことにより、本実施形態の液晶表示パネルを製造することができる。
【００６７】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法によれば、上記実施形態１と同様に、相対的に厚いガラス製の第１支持基板６１ａ及び相対的に薄いガラス製の第１被成膜基板１０ａを互いの外周部Ｆで接合する第１接合工程では、接合状態で第１被成膜基板１０ａに対向する第１支持基板６１ａの表面全体が粗面に形成されているので、外周部Ｆで面接触に近い状態で接触する第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの端面部に、レーザー光Ｌを照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａが接合することになり、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの外周部Ｆでの接合を容易にすることができる。また、第１支持基板６１ａの表面に形成された粗面により、第１ガラス接合体７０ｃの内側部Ｃでの第１支持基板６１ａと第１被成膜基板１０ａとの接触面積が抑制されるので、その後の第１薄膜素子形成工程で第１ガラス接合体７０ｃの第１被成膜基板１０ａの表面にＴＦＴアレイ層１７を形成する際に、第１ガラス接合体７０ｃの第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａが内側部Ｃで密着しても、第１ガラス接合体７０ｃの第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの界面における内側部Ｃでの固着を抑制することができる。さらに、第２接合工程においても、第１接合工程と同様に、第２支持基板及び第２被成膜基板の外周部での接合を容易にすることができると共に、第２ガラス接合体の第２支持基板及び第２被成膜基板の界面における内側部での固着を抑制することができるので、薄型の液晶表示パネルの製造方法において、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部Ｆでの接合と内側部Ｃでの分離とを容易にすることができる。
【００６８】
また、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法によれば、第１ガラス接合体７０ｃを形成する際に、第１テープ材６２ｂの外周端を第１被成膜基板１０ａの周端と第１支持基板６１ａの周端との間に配置させるので、第１支持基板６１ａと第１テープ材６２ｂとの界面、及び第１テープ材６２ｂと被成膜基板１０ａとの界面にレーザー光Ｌをそれぞれ照射し易くなり、第１支持基板６１ａ及び被成膜基板１０ａを効率よく接合することができる。
【００６９】
《発明の実施形態３》
図５は、本実施形態の液晶表示パネルを製造するための第１接合工程で形成される第１ガラス接合体７０ｄの断面図である。
【００７０】
上記実施形態１及び２では、第１支持基板及び第１被成膜基板の界面における外周部にガラス製の第１テープ材が介在するように第１ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本実施形態では、第１支持基板及び第１被成膜基板の界面における外周部にガラス製の不定形材が介在するように第１ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示する。
【００７１】
本実施形態の液晶表示パネルの製造方法は、第１接合工程、第１薄膜素子形成工程、第２接合工程、第２薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を備えるものの、第１薄膜素子形成工程、第２薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程は、上記実施形態１の対応する各工程と実質的に同じであり、第２接合工程は、第１接合工程と基板の大きさだけが異なるので、本実施形態では、第１接合工程を中心に説明する。
【００７２】
＜第１接合工程＞
まず、例えば、厚さ０．７ｍｍ程度の無アルカリガラスのガラス基板の表面全体に対して、サンドブラスト加工やエンボス加工などの直接的な加工、又は微細なレジストパターンを用いるエッチング加工などの間接的な加工を行うことにより、表面全体を算術平均粗さＲａが５ｎｍ〜１００ｎｍ程度になるように粗面化して、第１支持基板６１ａを形成する。
【００７３】
続いて、第１支持基板６１ａの外周部Ｆに、例えば、幅３ｍｍ程度に、無アルカリガラスの粉末ガラスやガラスペーストなどの不定形材６２ｃ（図５参照）を配置する。
【００７４】
さらに、不定形材６２ｃが配置された第１支持基板６１ａ上に、例えば、厚さ０．０５ｍｍ程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第１被成膜基板１０ａを配置した後に、不定形材６２ｃの側面に対して、減圧雰囲気（例えば、０．１Ｐａ程度）下でレーザー光Ｌを照射することにより、各ガラス材の界面を軟化及び融着させ、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａを互いの外周部Ｆで全周に亘って接合することにより、第１ガラス接合体７０ｄを形成する。
【００７５】
その後、上記実施形態１と同様に、第１薄膜素子形成工程、（本実施形態の第１接合工程と同様の）第２接合工程、第２薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を順次行うことにより、本実施形態の液晶表示パネルを製造することができる。
【００７６】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法によれば、上記実施形態１と同様に、相対的に厚いガラス製の第１支持基板６１ａ及び相対的に薄いガラス製の第１被成膜基板１０ａを互いの外周部Ｆで接合する第１接合工程では、接合状態で第１被成膜基板１０ａに対向する第１支持基板６１ａの表面全体が粗面に形成されているので、外周部Ｆで面接触に近い状態で接触する第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの端面部に、レーザー光Ｌを照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａが接合することになり、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの外周部Ｆでの接合を容易にすることができる。また、第１支持基板６１ａの表面に形成された粗面により、第１ガラス接合体７０ｄの内側部Ｃでの第１支持基板６１ａと第１被成膜基板１０ａとの接触面積が抑制されるので、その後の第１薄膜素子形成工程で第１ガラス接合体７０ｄの第１被成膜基板１０ａの表面にＴＦＴアレイ層１７を形成する際に、第１ガラス接合体７０ｄの第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａが内側部Ｃで密着しても、第１ガラス接合体７０ｄの第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの界面における内側部Ｃでの固着を抑制することができる。さらに、第２接合工程においても、第１接合工程と同様に、第２支持基板及び第２被成膜基板の外周部での接合を容易にすることができると共に、第２ガラス接合体の第２支持基板及び第２被成膜基板の界面における内側部での固着を抑制することができるので、薄型の液晶表示パネルの製造方法において、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部Ｆでの接合と内側部Ｃでの分離とを容易にすることができる。
【００７７】
《発明の実施形態４》
図６は、本実施形態の液晶表示パネルを製造するための第１接合工程で形成される第１ガラス接合体７０ｅの断面図である。
【００７８】
上記実施形態３では、第１支持基板及び第１被成膜基板の界面における外周部にガラス製の不定形材が介在するように第１ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本実施形態では、第１支持基板上の第１被成膜基板の端面に沿ってガラス製の不定形材が介在するように第１ガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示する。
【００７９】
本実施形態の液晶表示パネルの製造方法は、第１接合工程、第１薄膜素子形成工程、第２接合工程、第２薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を備えるものの、第１薄膜素子形成工程、第２薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程は、上記実施形態１の対応する各工程と実質的に同じであり、第２接合工程は、第１接合工程と基板の大きさだけが異なるので、本実施形態では、第１接合工程を中心に説明する。
【００８０】
＜第１接合工程＞
まず、例えば、例えば、厚さ０．７ｍｍ程度の無アルカリガラスのガラス基板の表面全体に対して、サンドブラスト加工やエンボス加工などの直接的な加工、又は微細なレジストパターンを用いるエッチング加工などの間接的な加工を行うことにより、表面全体を算術平均粗さＲａが５ｎｍ〜１００ｎｍ程度になるように粗面化して、第１支持基板６１ａを形成する。
【００８１】
続いて、第１支持基板６１ａ上に、例えば、厚さ０．０５ｍｍ程度の無アルカリガラスのガラス基板からなる第１被成膜基板１０ａを配置した後に、第１被成膜基板１０ａの端面の図中下部に無アルカリガラスの粉末ガラスやガラスペーストなどの不定形材６２ｄ（図６参照）を塗布する。
【００８２】
さらに、図６に示すように、塗布された不定形材６２ｄに対して、減圧雰囲気（例えば、０．１Ｐａ程度）下でレーザー光Ｌを照射することにより、各ガラス材の界面を軟化及び融着させ、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａを互いの外周部Ｆで全周に亘って接合することにより、第１ガラス接合体７０ｅを形成する。
【００８３】
その後、上記実施形態１と同様に、第１薄膜素子形成工程、（本実施形態の第１接合工程と同様の）第２接合工程、第２薄膜素子形成工程、貼合工程及び分離工程を順次行うことにより、本実施形態の液晶表示パネルを製造することができる。
【００８４】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法によれば、上記実施形態１と同様に、相対的に厚いガラス製の第１支持基板６１ａ及び相対的に薄いガラス製の第１被成膜基板１０ａを互いの外周部Ｆで接合する第１接合工程では、接合状態で第１被成膜基板１０ａに対向する第１支持基板６１ａの表面全体が粗面に形成されているので、外周部Ｆで面接触に近い状態で接触する第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの端面部に、レーザー光Ｌを照射して、端面部を少し溶融させるだけで、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａが接合することになり、第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの外周部Ｆでの接合を容易にすることができる。また、第１支持基板６１ａの表面に形成された粗面により、第１ガラス接合体７０ｅの内側部Ｃでの第１支持基板６１ａと第１被成膜基板１０ａとの接触面積が抑制されるので、その後の第１薄膜素子形成工程で第１ガラス接合体７０ｅの第１被成膜基板１０ａの表面にＴＦＴアレイ層１７を形成する際に、第１ガラス接合体７０ｅの第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａが内側部Ｃで密着しても、第１ガラス接合体７０ｅの第１支持基板６１ａ及び第１被成膜基板１０ａの界面における内側部Ｃでの固着を抑制することができる。さらに、第２接合工程においても、第１接合工程と同様に、第２支持基板及び第２被成膜基板の外周部での接合を容易にすることができると共に、第２ガラス接合体の第２支持基板及び第２被成膜基板の界面における内側部での固着を抑制することができるので、薄型の液晶表示パネルの製造方法において、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部Ｆでの接合と内側部Ｃでの分離とを容易にすることができる。
【００８５】
《発明の実施形態５》
上記各実施形態では、端面が面取り処理されていない支持基板及び被成膜基板を備えたガラス接合体を形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本実施形態では、図７に示すように、外部からの衝撃による破損を抑制するために、端面が面取り処理された第１支持基板６１ｂ及び第１被成膜基板１０ｂ〜１０ｄを備えた第１ガラス接合体７０ｆ〜７０ｈを形成して、液晶表示パネルを製造する方法を例示する。ここで、図７（ａ）〜図７（ｃ）は、本実施形態の液晶表示パネルを製造するための第１接合工程で形成される第１ガラス接合体７０ｆ〜７０ｈの各断面図である。なお、図７（ａ）〜図７（ｃ）では、第１支持基板６１ｂの第１被成膜基板１０ｂ〜１０ｄ側の表面が簡略化されて平滑に図示されているが、第１支持基板６１ｂの第１被成膜基板１０ｂ〜１０ｄ側の表面は、粗面に形成されている。
【００８６】
第１ガラス接合体７０ｆでは、図７（ａ）に示すように、端面の上部及び下部が面取り処理された第１支持基板６１ｂ上の第１被成膜基板１０ｂの端面の上部が面取りされている。
【００８７】
第１ガラス接合体７０ｇでは、図７（ｂ）に示すように、第１支持基板６１ｂ上の第１被成膜基板１０ｃの端面の上部及び下部が面取りされている。
【００８８】
第１ガラス接合体７０ｈでは、図７（ｃ）に示すように、第１支持基板６１ｂ上の第１被成膜基板１０ｄの端面がレーザー光などにより切断されたために曲面になっている。
【００８９】
ここで、第１ガラス接合体７０ｇ及び７０ｈでは、図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示すように、レーザー光Ｌの被照射部で不要な反射や吸収が発生して、第１支持基板６１ｂと第１被成膜基板１０ｃ及び１０ｄとの界面での光量が減少するおそれがあるものの、第１ガラス接合体７０ｆでは、図７（ａ）に示すように、第１被成膜基板１０ｂの周端が第１支持基板６１ｂの周端よりも内側に配置し、第１被成膜基板１０ｂの厚さ方向に沿う断面形状における第１支持基板６１ｂ側の角部が直角であるので、第１ガラス接合体７０ｆを形成する際に、第１支持基板６１ｂと第１被成膜基板１０ｂとの界面部分に隙間が形成され難くなり、その界面部分にレーザー光Ｌを確実に照射することができ、第１支持基板６１ｂ及び第１被成膜基板１０ｂを容易に接合することができる。
【００９０】
なお、上記各実施形態では、液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本発明は、液晶表示パネルを構成するＴＦＴ基板及びＣＦ基板だけをそれぞれ製造する方法にも適用することができる。
【００９１】
また、上記各実施形態では、表示パネルとして、液晶表示パネルを例示したが、本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネル、エレクトロウエッティング方式の表示パネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）方式の表示パネルなどの他の表示パネルにも適用することができる。
【００９２】
また、上記各実施形態では、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極としたＴＦＴ基板を例示したが、本発明は、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶＴＦＴ基板にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
以上説明したように、本発明は、ガラス製の支持基板及び被成膜基板における外周部での接合と内側部での分離とを容易にすることができるので、薄厚のガラス基板を用いた薄型の薄膜素子基板、及びそれを備えた表示パネルについて有用である。
【符号の説明】
【００９４】
Ｃ        内側部
Ｆ        外周部
１０ａ〜１０ｄ    第１被成膜基板
１７      ＴＦＴアレイ層（第１薄膜素子）
２０      ＴＦＴ基板（薄膜素子基板）
３０ａ    第２被成膜基板
３４      カラーフィルター層（第２薄膜素子）
４０      ＣＦ基板（薄膜素子基板）
５０      液晶表示パネル
６１ａ，６１ｂ    第１支持基板
６２ａ，６２ｂ    第１テープ材
７０ａ〜７０ｈ    第１ガラス接合体
７１ａ    第２支持基板
７２      第２テープ材
９０      貼合体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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