(57)【要約】【課題】ステージ角度の補正精度を向上させることが可能な試料加工装置および試料加工方法を提供する。【解決手段】実施形態による試料加工方法では、周期的に配置された複数の構造物を含む試料をステージ上に設置し、前記試料の加工面に露出した第１の構造物の座標を登録する。さらに、前記方法では、前記第１の構造物の座標の登録後に、前記加工面を削り、前記加工面を削った後に、前記加工面に露出した第２の構造物の座標を登録する。さらに、前記方法では、前記第１および第２の構造物の座標に基づいて、前記第１および第２の構造物を含む面の前記加工面に対する傾斜角度を算出し、算出された前記傾斜角度に基づいて、前記ステージの角度を補正する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
周期的に配置された複数の構造物を含む試料をステージ上に設置し、
前記試料の加工面に露出した第１の構造物の座標を登録し、
前記第１の構造物の座標の登録後に、前記加工面を削り、
前記加工面を削った後に、前記加工面に露出した第２の構造物の座標を登録し、
前記第１および第２の構造物の座標に基づいて、前記第１および第２の構造物を含む面の前記加工面に対する傾斜角度を算出し、
算出された前記傾斜角度に基づいて、前記ステージの角度を補正する、
試料加工方法であって、
前記第１の構造物の座標と前記第２の構造物の座標との差に基づいて、前記補正の際の前記ステージの回転方向を決定し、
前記第１および第２の構造物の座標と、前記加工面の削り量とに基づいて、前記傾斜角度を算出し、
前記構造物は、アイランド状の形状を有し、
前記構造物は、第１および第２方向に沿って周期的に配置されており、
前記第１および第２の構造物を含む面は、前記第１または第２方向に平行である、
試料加工方法。
【請求項２】
周期的に配置された複数の構造物を含む試料をステージ上に設置し、
前記試料の加工面に露出した第１の構造物の座標を登録し、
前記第１の構造物の座標の登録後に、前記加工面を削り、
前記加工面を削った後に、前記加工面に露出した第２の構造物の座標を登録し、
前記第１および第２の構造物の座標に基づいて、前記第１および第２の構造物を含む面の前記加工面に対する傾斜角度を算出し、
算出された前記傾斜角度に基づいて、前記ステージの角度を補正する、
試料加工方法。
【請求項３】
前記第１の構造物の座標と前記第２の構造物の座標との差に基づいて、前記補正の際の前記ステージの回転方向を決定する、請求項２に記載の試料加工方法。
【請求項４】
前記第１および第２の構造物の座標と、前記加工面の削り量とに基づいて、前記傾斜角度を算出する、請求項２または３に記載の試料加工方法。
【請求項５】
前記構造物は、アイランド状の形状を有する、請求項２から４のいずれか１項に記載の試料加工方法。
【請求項６】
前記構造物は、第１および第２方向に沿って周期的に配置されており、
前記第１および第２の構造物を含む面は、前記第１または第２方向に平行である、
請求項２から５のいずれか１項に記載の試料加工方法。
【請求項７】
周期的に配置された複数の構造物を含む試料を設置するためのステージと、
前記試料の加工面に露出した第１の構造物の座標を登録し、前記第１の構造物の座標を登録して前記加工面を削った後に、前記加工面に露出した第２の構造物の座標を登録する登録部と、
前記第１および第２の構造物の座標に基づいて、前記第１および第２の構造物を含む面の前記加工面に対する傾斜角度を算出する算出部と、
算出された前記傾斜角度に基づいて、前記ステージの角度を補正する補正部と、
を備える試料加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、試料加工装置および試料加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ウェハ表面をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察しながら、ウェハをＦＩＢ（Focus Ion Beam）で加工するＳＥＭ機能付きＦＩＢ装置が登場してきている。この装置を使用すれば、ウェハ表面を観察しながらウェハからラメラを切り出すことや、ラメラ加工面を観察しながらラメラを薄膜化することが可能である。このラメラの薄膜化においては、ラメラの表裏の加工面を交互に削っていくため、ステージの回転による表裏の加工面の入れ替えが必要となる。この際、ステージの回転機構には機械誤差が存在するため、ステージの回転後にステージ角度の補正を行う。しかしながら、現状ではこの補正を作業者の勘に頼って行っているため、補正の精度が良くないことが問題となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２６７４８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ステージ角度の補正精度を向上させることが可能な試料加工装置および試料加工方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一の実施形態による試料加工方法では、周期的に配置された複数の構造物を含む試料をステージ上に設置し、前記試料の加工面に露出した第１の構造物の座標を登録する。さらに、前記方法では、前記第１の構造物の座標の登録後に、前記加工面を削り、前記加工面を削った後に、前記加工面に露出した第２の構造物の座標を登録する。さらに、前記方法では、前記第１および第２の構造物の座標に基づいて、前記第１および第２の構造物を含む面の前記加工面に対する傾斜角度を算出し、算出された前記傾斜角度に基づいて、前記ステージの角度を補正する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態の試料加工装置の構成を示す概略図である。
【図２】第１実施形態の試料加工装置の詳細観察系の構成を示す概略図である。
【図３】第１実施形態の制御装置の構成を示すハードウェア構成図である。
【図４】第１実施形態の制御装置の機能構成を示すブロック図である。
【図５】理想的なラメラとその加工面のＳＥＭ画像の例を示した図である。
【図６】望ましくないラメラとその加工面のＳＥＭ画像の例を示した図である。
【図７】第１実施形態のラメラ加工方法を説明するための図である。
【図８】第１実施形態のステージ角度補正の流れを示した図である。
【図９】第１実施形態のラメラ加工方法を説明するためのフローチャートである。
【図１０】第２実施形態のラメラ加工方法を説明するための図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の試料加工装置の構成を示す概略図である。図１の試料加工装置は、ＳＥＭ機能付きＦＩＢ装置である。
【０００９】
図１の試料加工装置は、処理装置１０と、制御装置２０とを備えている。処理装置１０は、ウェハ５０から観察対象であるラメラ（微小試料）を切り出し、切り出したラメラを５０ｎｍ程度の厚さに薄膜化し、薄膜化したラメラの断面を撮像する。ラメラの切り出しや薄膜化は、ウェハ表面やラメラ加工面をＳＥＭで観察しながら、ＦＩＢを使用して行われる。処理装置１０の動作は、制御装置２０が制御する。
【００１０】
処理装置１０は、搬送ロボット１０１と、ハッチ１０２と、載置台１０３と、搬送ロボット１０４と、ステージ１０５と、ＦＩＢユニット１０６と、ＳＥＭユニット１０７と、真空試料室１０８と、真空ポンプ１０９とを備えている。
【００１１】
搬送ロボット１０１は、カセット台３０上に置かれたカセット４０内に収容されているウェハ５０を、真空試料室１０８内の載置台１０３へと搬送する。ハッチ１０２は、搬送ロボット１０１が載置台１０３へとウェハ５０を搬送する際にオープンする。ウェハ５０が載置台１０３へ搬送され、搬送ロボット１０１が安全位置へ退避すると、ハッチ１０２がクローズする。
【００１２】
搬送ロボット１０４は、載置台１０３上のウェハ５０を搬送し、ステージ１０５上に設置する。ステージ１０５は、図示しないステップモータ等により高精度で前後左右へ移動する。ステージ１０５は、ウェハ５０上の指定箇所がＦＩＢユニット１０６の真下に来るよう移動する。
【００１３】
ＦＩＢユニット１０６は、ステージ１０５上の試料（ウェハ５０やラメラ）を加工するためのイオンビームを発生して、試料に照射するイオンビーム照射部１０６ａと、イオンビーム照射部１０６ａが取り付けられたＦＩＢカラム１０６ｂを備えている。イオンビーム照射部１０６ａは、イオン源と、イオン源から放出されたイオンビームを集束、偏向するレンズおよび偏向器を有している。
【００１４】
ＳＥＭユニット１０７は、ステージ１０５上の試料を観察するための電子ビームを発生して、試料に照射する電子ビーム照射部１０７ａと、電子ビーム照射部１０７ａが取り付けられたＳＥＭカラム１０７ｂを備えている。電子ビーム照射部１０７ａは、電子銃と、電子銃から放出された電子ビームを集束、偏向するレンズおよび偏向器を有している。
【００１５】
ステージ１０５と、イオンビーム照射部１０６ａと、電子ビーム照射部１０７ａは、真空試料室１０８内に収容されている。また、ＦＩＢカラム１０６ｂとＳＥＭカラム１０７ｂは、真空試料室１０８を貫通している。真空試料室１０８の内部は、真空ポンプ１０９により真空引きされ、適切な圧力に維持される。
【００１６】
なお、ＦＩＢユニット１０６とＳＥＭユニット１０７は、イオンビーム照射部１０６ａの中心軸と電子ビーム照射部１０７ａの中心軸がウェハ５０の表面付近のほぼ一点で交わるように、処理装置１０に取り付けられている。
【００１７】
図２は、第１実施形態の試料加工装置の詳細観察系の構成を示す概略図である。
【００１８】
図２に示すように、処理装置１０は、二次電子検出器１１０と、Ｘ線検出器１１１と、プローブ１１２と、ガス供給装置１１３と、プローブ制御装置１１４とを備えている。
【００１９】
二次電子検出器１１０は、ウェハ５０やラメラに電子ビームを照射した際に放出される二次電子を検出する。試料加工装置は、この二次電子や反射電子を利用して、ウェハ５０やラメラのＳＥＭ画像を生成する。
【００２０】
Ｘ線検出器１１１は、ラメラに電子ビームを照射した際に得られるＸ線を検出する。試料加工装置は、このＸ線を利用して、ラメラのＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）画像を生成する。
【００２１】
ガス供給装置１１３は、ウェハ５０から切り出したラメラを固定するための堆積性ガスを供給する。堆積性ガスの例としては、タングステンガスが挙げられる。プローブ制御装置１１４は、ステージ１０５付近に設置されたプローブ１１２の動作を制御する。
【００２２】
図３は、第１実施形態の制御装置２０の構成を示すハードウェア構成図である。
【００２３】
図３に示すように、制御装置２０は、本体部２１と、表示部２２と、入力部２３とを備えている。本体部２１、表示部２２、入力部２３は、例えばそれぞれ、ＰＣ（Personal Computer）等の情報処理装置、液晶ディスプレイ等の表示デバイス、キーボードやマウス等の入力デバイスである。
【００２４】
本体部２１は、種々の情報処理を実行するＣＰＵ２０１と、ＣＰＵ２０１の動作コード等が格納されたＲＯＭ２０２と、ＣＰＵ２０１の作業領域として使用されるＲＡＭ２０３と、ＣＰＵ２０１の動作プログラム等が格納されたＨＤＤ２０４と、入力部２３等を接続するためのユーザＩ／Ｆ２０５と、処理装置１０等と通信を行うための通信Ｉ／Ｆ２０６とを備えている。表示部２２は、上述のＳＥＭ画像やＴＥＭ画像を表示する。入力部２３は、表示部２２の画面上で種々の操作を行うために使用される。
【００２５】
図４は、第１実施形態の制御装置２０の機能構成を示すブロック図である。
【００２６】
図４に示すように、制御装置２０は、データを記憶する記憶部３０１と、種々の算出処理を行う算出部３０２と、種々の判定処理を行う判定部３０３と、処理装置１０や制御装置２０の動作を制御する制御部３０４と、データを受信する受信部３０５と、データを送信する送信部３０６とを備えている。記憶部３０１、算出部３０２、制御部３０４はそれぞれ、本開示の登録部、算出部、補正部の例である。
【００２７】
これらの機能ブロックは、ＣＰＵ２０１が、ＲＯＭ２０２内の動作コードやＨＤＤ２０４内の動作プログラムをＲＡＭ２０３にロードして実行することにより実現される。
【００２８】
（１）ラメラの構造
次に、図５と図６を参照し、ラメラの構造について説明する。
【００２９】
図５は、理想的なラメラ６０とその加工面のＳＥＭ画像の例を示した図である。
【００３０】
図５(ａ)は、薄膜化後のラメラ６０の構造を模式的に示す平面図である。図５(ａ)に示すように、ラメラ６０は、観察対象である薄膜部６０ａと、薄膜部６０ａの強度を補強するための第１および第２の補強端部６０ｂ、６０ｃと、ラメラ６０内に周期的に配置された複数の構造物６０ｄとを有している。符号Ｓ1、Ｓ2はそれぞれ、ラメラ６０の表側と裏側の加工面を示す。なお、ラメラ６０は、補強端部６０ｂ、６０ｃを有していなくてもよい。
【００３１】
図５(ａ)は、ステージ１０５上に設置されたラメラ６０を示している。図５(ａ)には、ステージ１０５の表面に平行で、互いに垂直なＸ方向およびＹ方向と、ステージ１０５の表面に垂直なＺ方向が示されている。本実施形態の試料加工装置は、ステージ１０５をＸＹ平面内で回転させることで、ラメラ６０の表裏の加工面Ｓ1、Ｓ2の入れ替えを行う。
【００３２】
構造物６０ｄは、ラメラ６０を構成する導電層、半導体層、絶縁膜などの構成要素である。ラメラ６０は、これらの構造物６０ｄをＳＥＭで観察するために使用される。図５(ｂ)は、これらの構造物６０ｄを撮像したＳＥＭ画像を示す。
【００３３】
ラメラ６０をＴＥＭ画像の撮像用の試料として使用する場合、薄膜部６０ａは、１列分の構造物６０ｄを含むように、均一な厚さに加工することが望ましい。よって、図５(ａ)に示すラメラ６０は、理想的な試料である。
【００３４】
一方、図６(ａ)に示すラメラ６０は、傾いた２列以上の構造物６０ｄを含んでおり、望ましくない試料である。また、図６(ｃ)に示すラメラ６０は、ラメラ６０の厚さが均一でなく、望ましくない試料である。図６は、望ましくないラメラ６０とその加工面のＳＥＭ画像の例を示した図である。図６(ｂ)、図６(ｄ)はそれぞれ、図６(ａ)、図６(ｃ)に示すラメラ６０を撮像したＳＥＭ画像を示す。
【００３５】
理想的なラメラ６０を得るためには、ラメラ６０の薄膜化の際に、ステージ１０５の回転角度の誤差を正確に補正する必要がある。一般的な試料加工装置では、この補正をアライメントマークを使用して行う。しかしながら、一般にアライメントマークは、薄膜部６０ａの最終的な厚さよりもサイズが大きいため、薄膜化中に削られてしまい、薄膜化が終わるまで使用することができない。また、ラメラ６０を切り出す際には、アライメントマークを含まない位置でラメラ６０を切り出す場合もあり、この場合には、アライメントマークを使用して補正を行うことはできない。アライメントマークによる補正には、このような欠点がある。
【００３６】
そこで、本実施形態では、構造物６０ｄを利用してステージ１０５の角度補正を行う。これにより、アライメントマークによる補正の欠点を解消することが可能となる。構造物６０ｄを利用した角度補正の詳細については、後述する。
【００３７】
本実施形態では、ワード配線やビット配線のように帯状の形状を有する構造物６０ｄではなく、アイランド状の形状を有する構造物６０ｄを利用して、ステージ１０５の角度補正を行う。このような構造物６０ｄの例としては、メモリセルトランジスタの浮遊ゲートや、ＭＯＮＯＳ型セルトランジスタの電荷蓄積層、キャパシタの電極層や誘電膜、コンタクトプラグ、ビアプラグ、ＴＥＧ（Test Element Group）電極などが挙げられる。別の例としては、アイランド形状の素子領域（ＡＡ領域）や素子分離領域（ＳＴＩ領域）なども挙げられる。
【００３８】
なお、ステージ１０５の角度補正に利用する構造物６０ｄは、観察対象の構造物６０ｄと同じものでも別のものでもよい。
【００３９】
（２）第１実施形態のラメラ加工方法
次に、図７〜図９を参照し、第１実施形態のステージ角度補正方法と、これを利用したラメラ加工方法について説明する。
【００４０】
図７は、第１実施形態のラメラ加工方法を説明するための図である。
【００４１】
図７(ａ)は、ラメラ６０の加工面Ｓ1を削る様子を模式的に示した平面図である。図７(ａ)では、加工面Ｓ1を矢印Ｆ1、Ｆ2、Ｆ3のように削っていくことで、加工面Ｓ1がＳ1A、Ｓ1B、Ｓ1C、Ｓ1Dのように後退している。
【００４２】
図７(ｂ)は、ラメラ加工方法を説明するための平面図である。図７(ｂ)は、ステージ１０５の角度補正用に利用される構造物６０ｄの例を示している。これらの構造物６０ｄは、ラメラ６０内において、α方向とβ方向に沿って周期的に配置されている。α、β方向のいずれか一方は、本開示の第１方向の例であり、他方は、本開示の第２方向の例である。理想的なラメラ６０を得るためには、α方向がＸ方向と一致するように、ステージ１０５の角度を補正する必要がある。
【００４３】
以下、引き続き図７(ｂ)を参照し、第１実施形態のラメラ加工方法について説明する。
【００４４】
符号Ｓ1Aは、矢印Ｆ1〜Ｆ3で示す加工開始前の加工面Ｓ1を示す。本実施形態ではまず、加工面Ｓ1Aに露出したいずれかの構造物６０ｄを指定し、この構造物６０ｄの座標（Ｘ1，Ｙ1）を登録する。図７(ｂ)では、Ａ点にある構造物６０ｄが指定されている。Ａ点の構造物６０ｄは、本開示の第１の構造物の例である。
【００４５】
符号σは、Ａ点の構造物６０ｄを含む、α方向に平行な面を示している。本実施形態では、Ａ点の構造物６０ｄの登録後に、加工面Ｓ1を削っていき、面σに含まれる別の構造物６０ｄを加工面Ｓ1に露出させる。図７(ｂ)では、加工面Ｓ1をＳ1Dまで削った時点で、Ｂ点にある構造物６０ｄが加工面Ｓ1Dに露出している。そこで、本実施形態では、Ｂ点の構造物６０ｄを指定し、Ｂ点の構造物６０ｄの座標（Ｘ2，Ｙ2）を登録する。Ｂ点の構造物６０ｄは、本開示の第２の構造物の例である。
【００４６】
符号Ｌは、Ａ点とＢ点のＸ方向の距離を示す。符号ｄは、加工面Ｓ1のＹ方向の削り量を示す。角度θは、面σの加工面Ｓ1に対する傾斜角度を示す。なお、Ｘ方向とＹ方向はそれぞれ、加工面Ｓ1に平行な方向と、加工面Ｓ1に垂直な方向を示している。
【００４７】
本実施形態では次に、Ａ点とＢ点の座標に基づいて、Ａ点とＢ点のＸ方向の距離Ｌを算出する。距離Ｌは、以下の式（１）で算出される。
Ｌ＝｜Ｘ2−Ｘ1｜ ・・・（１）
ただし、｜Ｘ2−Ｘ1｜は、Ｘ2−Ｘ1の絶対値を示す。
【００４８】
次に、距離Ｌと削り量ｄに基づいて、面σの加工面Ｓ1に対する傾斜角度θを算出する。傾斜角度θは、以下の式（２）で算出される。
θ＝ｔａｎ−１（ｄ／Ｌ） ・・・（２）
ただし、ｔａｎ−１は、タンジェントの逆関数を示す。
【００４９】
次に、Ａ点とＢ点の座標に基づいて、ステージ１０５の角度の補正方向を決定する。例えば、図７(ｂ)に示すように、Ｘ2−Ｘ1の値が正である場合には、面σは加工面Ｓ1に対し反時計回り方向に傾いているため、補正方向を時計回り方向に決定する。一方、図７(ｃ)に示すように、Ｘ2−Ｘ1の値が負である場合には、面σは加工面Ｓ1に対し時計回り方向に傾いているため、補正方向を反時計回り方向に決定する。
【００５０】
次に、算出した傾斜角度θに基づいて、ステージ１０５の補正角度を決定する。本実施形態では、補正角度を、傾斜角度θの値に設定する。よって、本実施形態では、傾斜角度θの分だけ、ステージ１０５の角度を補正することとなる。
【００５１】
次に、決定した補正方向と補正角度に基づいて、ステージ１０５を回転させ、ステージ１０５の角度を補正する。これにより、α方向とＸ方向のずれを縮小し、α方向とＸ方向の一致度を高めることができる。その後、本実施形態では、加工面Ｓ1の削り加工を再開する。
【００５２】
図８は、第１実施形態のステージ角度補正の流れを示した図である。
【００５３】
図８(ａ)と図８(ｂ)はそれぞれ、Ａ点とＢ点の座標を登録する際のラメラ６０を示す。本実施形態では、これらの座標に基づいて、ステージ１０５の角度を補正する。図８(ｃ)は、角度補正後のラメラ６０を示す。本実施形態では、ラメラ６０の表裏の加工面Ｓ1、Ｓ2を入れ替えるごとに、このような角度補正を行うことで、理想的な構造に近いラメラ６０を得ることができる。
【００５４】
図９は、第１実施形態のラメラ加工方法を説明するためのフローチャートである。
【００５５】
図９のフローは、ラメラ６０の加工開始直後、または加工面Ｓ1、Ｓ2の入れ替え直後の処理を示している。
【００５６】
本処理ではまず、Ａ点を指定し、Ａ点の座標を登録する（ステップＳ１）。次に、現在の加工対象の加工面（Ｓ1またはＳ2）を削っていく（ステップＳ２）。次に、加工面に新たに露出したＢ点を指定し、Ｂ点の座標を登録する（ステップＳ３）。
【００５７】
次に、Ａ点とＢ点の座標を利用して、Ａ点とＢ点のＸ方向の距離Ｌを算出する（ステップＳ４）。次に、Ａ点とＢ点の座標を利用して、ステージ１０５の角度の補正方向を決定する（ステップＳ５）。次に、距離Ｌと削り量ｄを利用して、ステージ１０５の補正角度θを決定する（ステップＳ６）。
【００５８】
次に、決定した補正方向および補正角度へとステージ１０５を回転させて、ステージ１０５の角度を補正する（ステップＳ７）。その後、本処理では、現在の加工対象の加工面をさらに削っていく（ステップＳ８）。
【００５９】
なお、本実施形態の試料加工装置では、図４の記憶部（登録部）３０１が、ステップＳ１、Ｓ３の処理を実行する。さらに、算出部３０２が、ステップＳ４、Ｓ５、Ｓ６の処理を実行する。さらに、制御部（補正部）３０４が、処理装置１０を制御してステップＳ７の処理を実行する。
【００６０】
（３）第１実施形態の効果
最後に、第１実施形態の効果について説明する。
【００６１】
以上のように、本実施形態では、ラメラ６０内の第１および第２の構造物６０ｄの座標に基づいて、ステージ１０５の角度を補正する。よって、本実施形態によれば、作業者の勘ではなく、構造物６０ｄの座標という定量的なデータを利用することで、ステージ１０５の角度を正確に補正することが可能となる。
【００６２】
また、構造物６０ｄの座標は簡単に検出できるため、本実施形態によれば、正確な角度補正を簡単に行うことが可能となる。また、構造物６０ｄの座標の登録や、座標に基づく補正方向や補正角度の決定は、自動化が可能であるため、本実施形態によれば、角度補正を自動化することが可能となる。
【００６３】
また、角度補正を作業者の勘に頼って行う場合、正確に角度を補正できるまで、角度補正とＦＩＢ加工を何度も交互に繰り返す必要がある。そのため、ラメラ５０の補正に長い時間がかかる、ラメラ５０の薄膜化が完了する前にラメラ５０が破損してしまう、などの問題が生じる。これに対し、本実施形態によれば、少ない回数（多くの場合１回）の角度補正で正確な角度が得られるため、作業時間の短縮や、ラメラ５０の廃棄量の削減を実現することができる。
【００６４】
なお、距離Ｌから傾斜角度θを算出する際、距離Ｌが長いほど、正確な傾斜角度θを算出することができる。よって、第２の構造物６０ｄを指定する際には、できるだけ距離Ｌが長くなるような第２の構造物６０ｄを選択することが望ましい。例えば、第１の構造物６０ｄとの距離Ｌが閾値よりも長い構造物６０ｄは、第２の構造物６０ｄとして採用し、第１の構造物６０ｄとの距離Ｌが閾値よりも短い構造物６０ｄは、第２の構造物６０ｄとして採用しないようにしてもよい。このような処理の詳細については、後述する。
【００６５】
（第２実施形態）
図１０は、第２実施形態のラメラ加工方法を説明するための図である。
【００６６】
図１０は、面σに含まれるＡ点、Ｂ点、Ｃ点を示している。Ａ点とＢ点のＸ方向の距離は、Ｌ1であり、Ａ点とＣ点のＸ方向の距離は、Ｌ1よりも長いＬ2である。よって、第２の構造物６０ｄとしてＣ点の構造物６０ｄを採用すると、Ｂ点の構造物６０ｄを採用する場合に比べて、正確な角度補正を行うことができる。
【００６７】
よって、Ａ点の登録後のＦＩＢ加工によりＢ点を検出した際に、距離Ｌ1が短すぎる場合には、Ｂ点を登録しないことを決定してもよい。この場合には、距離Ｌ2が十分に長いＣ点を検出するまでＦＩＢ加工を継続し、このＣ点を登録する。
【００６８】
なお、距離Ｌ1、Ｌ2が長いか短いかの判断は、上述のように、閾値処理により行うことが可能である。閾値の値は、どのように設定してもよいが、例えば、ラメラ６０の長さのＸ％（０＜Ｘ＜１００）という形で設定可能である。
【００６９】
以上のように、本実施形態では、できるだけ距離Ｌが長くなるような第２の構造物６０ｄを選択する。よって、本実施形態によれば、ステージ１０５の角度補正の精度をさらに向上させることが可能となる。
【００７０】
以上、第１及び第２実施形態について説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施することができる。また、これらの実施形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことにより、様々な変形例を得ることもできる。これらの形態や変形例は、発明の範囲や要旨に含まれており、特許請求の範囲及びこれに均等な範囲には、これらの形態や変形例が含まれる。
【符号の説明】
【００７１】
１０：処理装置、２０：制御装置、２１：本体部、２２：表示部、２３：入力部、
３０：カセット台、４０：カセット、５０：ウェハ、６０：ラメラ、
１０１：搬送ロボット、１０２：ハッチ、１０３：載置台、１０４：搬送ロボット、
１０５：ステージ、１０６：ＦＩＢユニット、１０７：ＳＥＭユニット、
１０８：真空試料室、１０９：真空ポンプ、
１１０：二次電子検出器、１１１：Ｘ線検出器、１１２：プローブ、
１１３：ガス供給装置、１１４：プローブ制御装置、
２０１：ＣＰＵ、２０２：ＲＯＭ、２０３：ＲＡＭ、２０４：ＨＤＤ、
２０５：ユーザＩ／Ｆ、２０６：通信Ｉ／Ｆ、
３０１：記憶部、３０２：算出部、３０３：判定部、３０４：制御部、
３０５：受信部、３０６：送信部
【図１】
2013186973.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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