(57)【要約】【課題】スルーホール上に銅めっきから成る突起が形成されることがなく、電子部品を搭載する際に電子部品を正常に搭載することが可能であるとともに、さらに別の絶縁層と導体層とを正常に積層することが可能な配線基板の製造方法を提供することにある。【解決手段】絶縁板１の両面に銅箔２が張着された両面銅張り板３を準備する工程と、両面銅張り板３に、両面の銅箔２およびその間の絶縁板１を第１の直径Ｄ１で貫通するスルーホール４を穿孔する工程と、スルーホール４上に第１の直径Ｄ１よりも小さな第２の直径Ｄ２の開口部６を有するとともに開口部６の周辺がスルーホール４上に突出するめっきレジスト層５を両面の銅箔２上に形成する工程と、スルーホール４の内壁に銅めっきから成るスルーホール導体７を、スルーホール導体７の両端がめっきレジスト層５の開口部６内にはみ出さないように被着させる工程と、を行なう。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁板の両面に銅箔が張着された両面銅張り板を準備する工程と、前記両面銅張り板に、前記両面の銅箔およびその間の絶縁板を第１の直径で貫通するスルーホールを穿孔する工程と、該スルーホール上に前記第１の直径よりも小さな第２の直径の開口部を有するとともに該開口部の周辺が前記スルーホール上に突出するめっきレジスト層を前記両面の銅箔上に形成する工程と、前記スルーホールの内壁に銅めっきから成るスルーホール導体を、該スルーホール導体の両端が前記めっきレジスト層の前記開口部内にはみ出さないように被着させる工程と、を行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面銅張り板に設けられたスルーホール内に銅めっきによりスルーホール導体を形成する工程を含む配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の電子部品を搭載する配線基板として、絶縁板の両面に銅箔が張着されて成る両面銅張り板を出発材料として用い、この両面銅張り板にドリル加工やレーザ加工によりスルーホールを形成した後、スルーホール内壁および銅箔表面に無電解めっきおよびその上の電解めっきから成る銅めっき層を被着させることによりスルーホール内にスルーホール導体を形成し、しかる後、絶縁板上の銅箔およびその上の銅めっき層を所定のパターンにエッチングして絶縁板の両面に銅箔およびその上の銅めっき層から成る配線導体を有するとともに両面の配線導体同士をスルーホール導体により接続して成る配線基板が知られている。
【０００３】
ところが、このような配線基板においては、スルーホール内壁および銅箔表面に電解めっきにより銅めっき層を被着させる際に、両面銅張り板の外周部と中央部とで加わる電界の強さが異なることから、銅箔上の銅めっき層の厚みに大きなバラツキが発生しやすい。このような銅めっき層の厚みのバラツキは、銅箔およびその上の銅めっき層を所定のパターンにエッチングして配線導体を形成する際に、部分的にエッチングの過多や不足を生じさせ、その結果、配線導体を所定のパターンで正確に形成することができずに、配線導体に断線やショート等を発生させやすいとともに微細なパターンの配線導体を形成することが困難であるという問題点を有していた。
【０００４】
そこで、両面銅張り板にスルーホールを形成するとともにスルーホール内壁および銅箔表面に無電解銅めっき層を被着させた後、その両面銅張り板の両面に、スルーホールの開口と一致する開口部を有するとともに銅箔表面を覆うめっきレジスト層を形成し、その状態でスルーホール内に電解銅めっきを被着させてスルーホール導体を形成する方法が提案されている。
【０００５】
この方法によれば、銅箔の表面には無電解銅めっきが被着されているものの、電解銅めっきが被着されないので、均一な厚みの銅箔およびその上の電解銅めっきのみを所定パターンにエッチングすることによって微細なパターンの配線導体を正確に形成することができる。しかしながら、この方法においては、スルーホール内壁に電解銅めっきから成るスルーホール導体を被着させる際に、スルーホール上にはめっきレジスト層が存在しないので、電解銅めっきがめっきレジスト層の開口部内壁に沿ってスルーホールの外側に向けても析出し、その結果、スルーホール上に電解銅めっきから成る突起が形成されてしまい易い。
【０００６】
このように、配線基板におけるスルーホール上に銅めっきから成る突起が形成されていると、その配線基板に半導体素子等の電子部品を搭載する際に、電子部品の正常な搭載が銅めっきから成る突起により阻害されてしまう危険性が高くなる。また、この配線基板上に、さらに別の絶縁層と導体層とを積層して配線基板を多層化する場合、別の絶縁層と導体層との正常な積層が銅めっきから成る突起により阻害されてしまう危険性が高くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１３５９４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、両面銅張り板に穿孔したスルーホール内に銅めっき層から成るスルーホール導体を形成する際に、スルーホール上に銅めっきから成る突起が形成されることがなく、電子部品を搭載する際に電子部品を正常に搭載することが可能であるとともに、またその上にさらに別の絶縁層と導体層とを積層して配線基板を多層化する場合であっても、それらの別の絶縁層と導体層とを正常に積層することが可能な配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁板の両面に銅箔が張着された両面銅張り板を準備する工程と、前記両面銅張り板に、前記両面の銅箔およびその間の絶縁板を第１の直径で貫通するスルーホールを穿孔する工程と、該スルーホール上に前記第１の直径よりも小さな第２の直径の開口部を有するとともに該開口部の周辺が前記スルーホール上に突出するめっきレジスト層を前記両面の銅箔上に形成する工程と、前記スルーホールの内壁に銅めっきから成るスルーホール導体を、該スルーホール導体の両端が前記めっきレジスト層の前記開口部内にはみ出さないように被着させる工程と、を行なうことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の配線基板の製造方法によれば、スルーホールが形成された両面銅張り板の両面に、スルーホールの直径より小さい直径の開口部をスルーホール上に有するめっきレジスト層を、その開口部の周辺がスルーホール上に突出するように形成しておくとともに、銅めっきから成るスルーホール導体をその両端がめっきレジスト層の開口部内にはみ出さないようにスルーホール内壁に被着させることから、スルーホール上に銅めっきから成る突起が形成されることがない。したがって、電子部品を搭載する際に電子部品を正常に搭載することが可能である。また、その上にさらに別の絶縁層と導体層とを積層して配線基板を多層化する場合であっても、それらの別の絶縁層と導体層とを正常に積層することが可能な配線基板の製造方法を提供することにある。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を説明するための工程毎の要部概略断面図である。
【図２】図２（ｄ）〜（ｆ）は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を説明するための工程毎の要部概略断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の別の例を説明するための工程毎の要部概略断面図である。
【図４】図４（ｄ）〜（ｆ）は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の別の例を説明するための工程毎の要部概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
次に、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を添付の図１（ａ）〜（ｃ）および図２（ｄ）〜（ｅ）を基に説明する。
【００１３】
先ず、図１（ａ）に示すように、絶縁板１の両面に銅箔２が張着された両面銅張り板３を準備する。
【００１４】
絶縁板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて熱硬化させた板状体から成り、例えば４０〜８００μｍ程度の厚みである。
【００１５】
銅箔２は、例えば厚みが５〜１８μｍ程度の電解銅箔から成り、硬化前の絶縁板１の両面に積層するとともに絶縁板１を熱硬化させることにより絶縁板１の両面に張着される。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示すように、両面銅張り板３に、両面の銅箔２およびそれらの間の絶縁板１を貫通するスルーホール４を穿孔する。スルーホール４の直径Ｄ１は、例えば７０〜１５０μｍ程度である。スルーホール４の穿孔は、ドリル加工やレーザ加工、ブラスト加工等の穿孔技術を採用することにより行なわれる。
【００１７】
次に、スルーホール４の内壁および銅箔２の表面に図示しない無電解銅めっき層を被着させる。無電解銅めっき層の厚みは、例えば０．１〜１μｍ程度である。このような無電解銅めっき層は、スルーホール４の内壁および銅箔２の表面に無電解めっき用のパラジウム触媒を付着させるとともに、パラジウム触媒が付着された両面銅張り板３を周知の無電解銅めっき液中に浸漬することにより形成される。
【００１８】
次に、図１（ｃ）に示すように、無電解銅めっき層が被着された両面の銅箔２の上に、めっきレジスト層５を形成する。めっきレジスト層５は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成り、スルーホール４上に開口部６を有している。開口部６の直径Ｄ２はスルーホール４の直径Ｄ１より３０〜５０μｍ程度小さく、それにより開口部６の周囲のめっきレジスト層５がスルーホール４上に庇のように１５〜２５μｍ程度突出している。めっきレジスト層５の厚みは、例えば２５〜５０μｍ程度である。このようなめっきレジスト層５は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する樹脂から成るドライフィルムをスルーホール４が形成された銅箔２上に貼着するとともに、フォトリソグラフィー技術を採用して開口部６を有するように露光および現像することにより形成される。
【００１９】
次に、図２（ｄ）に示すように、無電解銅めっき層が被着されたスルーホール４の内壁に電解銅めっきを被着させて無電解銅めっきおよびその上の電解銅めっきから成るスルーホール導体７を形成する。このような電解銅めっきは、めっきレジスト層５が形成された両面銅張り板３を周知の電解銅めっき液中に浸漬するとともに、両面銅張り板３の表面に被着された無電解銅めっき層を介して電解めっきのための電荷を供給することにより形成される。このとき、スルーホール導体７の両端がめっきレジスト層５の開口部６内にはみ出さないように被着させることが重要である。具体的にはスルーホール導体７の両端の厚みが１０〜２０μｍ程度となるように被着させる。それにより、スルーホール上に銅めっきから成る突起が形成されることが防止される。なお、スルーホール４の両端部では、めっきレジスト層５の開口部６の周囲がスルーホール４上に庇のように突出していることから、電解銅めっき液の流れが滞る。そのため、スルーホール４の両端部においては電解銅めっきの析出が抑制されて、スルーホール導体７の両端部の厚みはめっきレジスト層５側に向けて徐々に薄くなる。したがって、スルーホール導体７の両端がめっきレジスト層５の開口部６内にはみ出さない１０〜２０μｍ程度の厚みであっても、スルーホール４の中央部では、１５〜２５μｍ程度の厚みのスルーホール導体７を被着させることができる。
【００２０】
次に、図２（ｅ）に示すように、両面銅張り板３からめっきレジスト層５を剥離除去する。めっきレジスト層５の剥離には周知のアルカリ系のレジスト剥離液を用いればよい。
【００２１】
次に、図２（ｆ）に示すように、両面の銅箔２およびその上の無電解銅めっき層を周知のサブトラクティブ法により所定パターンにエッチングすることにより、絶縁板１の上下面に銅箔およびその上の無電解銅めっき層から成る配線導体８を形成する。これによって、本発明による配線基板が完成する。この場合、銅箔２の表面には無電解銅めっきが被着されているものの、電解銅めっきが被着されていないので、均一な厚みの銅箔２およびその上の電解銅めっきのみを所定パターンにエッチングすることによって微細なパターンの配線導体８を正確に形成することができる。さらに、スルーホール４上に銅めっきから成る突起が形成されることがない。したがって、電子部品を搭載する際に電子部品を正常に搭載することが可能である。また、その上にさらに別の絶縁層と導体層とを積層して配線基板を多層化する場合であっても、それらの別の絶縁層と導体層とを正常に積層することが可能となる。
【００２２】
なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更は可能であることはいうまでもない。例えば、上述の実施の形態の一例では、スルーホール導体７を形成した後に、両面の銅箔を所定パターンにエッチングして配線導体８を形成したが、スルーホール導体７を形成する前に両面の銅箔を所定パターンにエッチングして配線導体８を形成してもよい。そのような例を図３（ａ）〜（ｃ）および図４（ｄ）〜（ｆ）を基にして以下に説明する。なお、この例において、上述した実施形態の一例と同様の部分には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００２３】
先ず、図３（ａ）に示すように、両面銅張り板３を準備する。この両面銅張り板３は、上述した実施形態の一例で説明したものと同様のものである。
【００２４】
次に、図３（ｂ）に示すように、両面の銅箔２を周知のサブトラクティブ法により所定パターンにエッチングすることにより、絶縁板１の上下面に銅箔から成る配線導体８を形成する。この場合、均一な厚みの銅箔２のみを所定パターンにエッチングすることによって微細なパターンの配線導体８を正確に形成することができる。
【００２５】
次に、図３（ｃ）に示すように、両面の銅箔から成る配線導体８およびそれらの間の絶縁板１を貫通するスルーホール４を穿孔する。スルーホール４の直径Ｄ１や穿孔方法は、上述した実施形態の一例で説明したものと同様のものである。
【００２６】
次に、スルーホール４の内壁および配線導体８の表面および絶縁板１の表面に図示しない無電解銅めっき層を被着させる。無電解銅めっき層の厚みや被着方法は、上述した実施形態の一例で説明したものと同様のものである。
【００２７】
次に、図４（ｄ）に示すように、無電解銅めっき層が被着された両面の配線導体８の上に、めっきレジスト層５を形成する。めっきレジスト層５は、スルーホール４上に開口部６を有している。開口部６の直径Ｄ２はスルーホール４の直径Ｄ１より３０〜５０μｍ程度小さく、それにより開口部６の周囲のめっきレジスト層５がスルーホール４上に庇のように１５〜２５μｍ程度突出している。めっきレジスト５の組成や厚み、形成方法は上述した実施形態の一例で説明したものと同様のものである。
【００２８】
次に、図４（ｅ）に示すように、無電解銅めっき層が被着されたスルーホール４の内壁に電解銅めっきを被着させて無電解銅めっきおよびその上の電解銅めっきから成るスルーホール導体７を形成する。このとき、上述した実施形態の一例と同様に、スルーホール導体７の両端がめっきレジスト層５の開口部６内にはみ出さないように被着させることが重要である。具体的にはスルーホール導体７の両端の厚みが１０〜２０μｍ程度となるように被着させる。それにより、スルーホール上に銅めっきから成る突起が形成されることが防止される。なお、スルーホール４の両端部では、めっきレジスト層５の開口部６の周囲がスルーホール４上に庇のように突出していることから、電解銅めっき液の流れが滞る。そのため、スルーホール４の両端部においては電解銅めっきの析出が抑制されて、スルーホール導体７の両端部の厚みはめっきレジスト層５側に向けて徐々に薄くなる。したがって、スルーホール導体７の両端がめっきレジスト層５の開口部６内にはみ出さない１０〜２０μｍ程度の厚みであっても、スルーホール４の中央部では、１５〜２５μｍ程度の厚みのスルーホール導体７を被着させることができる。
【００２９】
次に、図４（ｆ）に示すように、めっきレジスト層５を剥離除去する。めっきレジスト層５の剥離は、上述した実施形態の一例で説明したものと同様にして行なう。
【００３０】
最後に、配線導体８および絶縁板１表面の無電解銅めっき層をエッチング除去することにより本発明の実施形態の他の例による配線基板が完成する。この場合、均一な厚みの銅箔２のみを所定パターンにエッチングすることによって微細なパターンの配線導体８を正確に形成することができる。また、スルーホール４上に銅めっきから成る突起が形成されることがない。したがって、電子部品を搭載する際に電子部品を正常に搭載することが可能である。また、その上にさらに別の絶縁層と導体層とを積層して配線基板を多層化する場合であっても、それらの別の絶縁層と導体層とを正常に積層することが可能となる。
【符号の説明】
【００３１】
１    絶縁板
２    銅箔
３    両面銅張り板
４    スルーホール
５    めっきレジスト層
６    めっきレジスト層の開口部
７    スルーホール導体
８    配線導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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