(57)【要約】【課題】ポリシラザン等の吸水性を有するケイ素含有ポリマーが有する吸湿能力を生かしつつ表示性能の信頼性が高い有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】基板１０と、基板１０上に形成される有機ＥＬ素子２０と、有機ＥＬ素子２０を被覆する吸湿層３０と、吸湿層３０に接触して設けられるガス放出部材（ガス放出層４１）と、吸湿層３０上に設けられる封止部材（封止基板５０）と、を備え、吸湿層３０が、吸湿性を有するケイ素含有ポリマーを含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置１。【選択図】図１
2013201055.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子を被覆する吸湿層と、
前記吸湿層に接触して設けられるガス放出部材と、
前記吸湿層上に設けられる封止部材と、を備え、
前記吸湿層が、吸湿性を有するケイ素含有ポリマーを含むことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記吸湿性を有するケイ素含有ポリマーがポリシラザンであることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記ガス放出部材が、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂又は熱可塑性樹脂からなるガス放出層であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記ガス放出層が、ガス透過層と、ガス放出層と、からなることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、陽極と陰極と、陰極と陽極との間に配置されている有機化合物層と、からなる有機発光素子を複数有する表示装置である。ここで有機発光素子は、陰極と陽極との間に電流を印加することによって、両電極間にある有機化合物層が発光する電子素子である。ここで有機ＥＬ表示装置が有する有機発光素子は、自発光性であるため、視認性が高く、また液晶表示装置に比べて薄型軽量化が可能であるという特長を有する。このため、有機ＥＬ表示装置は、特に、モバイル用途での応用展開が進められており、携帯電話等の表示装置として実用化されている。
【０００３】
しかし有機ＥＬ表示装置は、ごく微量の水分や酸素等により、構成材料の一つである有機発光材料が変質したり、発光層と電極との間で剥離等が生じたりする。これにより、発光効率の低下、非発光領域（ダークスポット）の増大等の表示性能の劣化を招くという問題がある。
【０００４】
このような問題に対する具体的な対策の一つとして、特許文献１に開示されるポリシラザン膜を用いた封止方法がある。この方法によれば、外部からの水分の浸入をポリシラザン膜が極力抑制するため、より防湿性を高めることが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２５９７８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところでポリシラザンは、下記一般式（Ａ）で示される繰り返し構造単位を有している。
【０００７】
【化１】
2013201055.tif 000003
【０００８】
（式（Ａ）において、Ｒ1乃至Ｒ3は、それぞれ水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アルコキシ基又は金属原子を表す。ただし、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも１つは水素原子である。）
【０００９】
式（Ａ）において、例えば、Ｒ1乃至Ｒ3がいずれも水素原子であるポリシラザンは、大気中の水分を吸収して下記反応式で示されるように防湿性に優れたシリカ（ＳｉＯ2）に転化する。
【００１０】
【化２】
2013201055.tif 000004
【００１１】
このためポリシラザンは、大気中の水分を吸収する吸湿材としての機能を有すると共に、大気中の水分を吸収したときには防湿材としての機能をも併せ持っている。従って、ポリシラザンは、ごく微量の水分や酸素等により、発光効率の低下やダークスポットの増大等の表示性能の劣化を招いてしまう有機ＥＬ表示装置においては、有用な材料であるといえる。
【００１２】
しかし上記反応式で示されるように、ポリシラザンは、水と反応する際に反応副生成物として水素ガスやアンモニアガスが生成することから、ポリシラザンをガス不透過性の膜で密封すると、気泡の発生や界面の剥離等の問題が生じていた。
【００１３】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ポリシラザン等の吸水性を有するケイ素含有ポリマーが有する吸湿能力を生かしつつ表示性能の信頼性が高い有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、
前記基板上に形成される有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子を被覆する吸湿層と、
前記吸湿層に接触して設けられるガス放出部材と、
前記吸湿層上に設けられる封止部材と、を備え、
前記吸湿層が、吸湿性を有するケイ素含有ポリマーを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ポリシラザン等の吸水性を有するケイ素含有ポリマーが有する吸湿能力を生かしつつ表示性能の信頼性が高い有機ＥＬ表示装置を提供することができる。即ち、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、ポリシラザン等の吸湿性を有するケイ素含有ポリマーを含む吸湿層に接するようにガス放出部材が設けられている。ここで、吸湿性を有するケイ素含有ポリマーが水と反応してシリカ膜へと転化すると、当該反応の際に放出される水素ガスやアンモニアガスがガス放出部材を介して素子外部へと放出される。その結果、吸湿層と他の層との界面において気泡の発生や界面剥離を抑えることができる。その結果、表示性能の信頼性がより高いＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態を示す断面概略図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置における第二の実施形態を示す断面概略図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ表示装置における第三の実施形態を示す断面概略図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ表示装置における第四の実施形態を示す断面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、基板上に形成される有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を被覆する吸湿層と、吸湿層に接触して設けられるガス放出部材と、吸湿層上に設けられる封止部材と、を備えている。また本発明の有機ＥＬ表示装置は、吸湿層が、吸湿性を有するケイ素含有ポリマーを含んでいる。ここで吸湿性を有するケイ素含有ポリマーは、好ましくは、ポリシラザンである。尚、本発明において、ガス放出部材は、単一の層で構成されていてもよいし、複数の層で構成されてもよい。ガス放出部材が複数の層で構成される場合、ガス放出部材は、例えば、ガス透過層と、ガス放出層と、からなる積層体である。また有機ＥＬ表示装置を構成する封止部材とは、具体的には、封止基板、封止膜等である。
【００１８】
以下、図面を参照しながら本発明の有機ＥＬ表示装置について説明する。尚、以下の説明において特に図示又は記載されていない部分に関しては、当該技術分野における周知技術又は公知技術を適用することができる。また以下に説明する事項は、あくまでも本発明の実施形態の一例であり、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１９】
［第一の実施形態］
図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態を示す断面概略図である。
【００２０】
図１の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０上に、第一電極２１と、有機化合物層２２と、第二電極２３と、がこの順に積層してなる有機ＥＬ素子２０が設けられている。図１の有機ＥＬ表示装置１において、有機ＥＬ素子２０は、吸湿層３０に被覆されており、また吸湿層３０は、ガス放出部材であるガス放出層４１に被覆されている。ガス放出層４１上には、このガス放出層４１を覆うように封止基板５０が設けられている。ところで、図１の有機ＥＬ表示装置１には、基板１０上に有機発光素子２０が１基設けられているが、本発明においては、図１の態様に限定されず、基板１０に有機発光素子２０が複数基設けられていてもよい。
【００２１】
有機ＥＬ表示装置１の構成部材である基板１０は、例えば、ガラス基板、合成樹脂等からなる絶縁性基板、表面に酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁層が形成した導電性基板、半導体基板等が挙げられる。また基板１０自体は、透明であっても不透明であってもよい。
【００２２】
第一電極２１は、基板１０上に設けられる電極であって、下部電極とも呼ばれる導電性薄膜である。第一電極２１は、透明電極であってもよいし反射電極であってもよい。第一電極２１が透明電極である場合、その構成材料としては、ＩＴＯ、Ｉｎ2Ｏ3等の透明導電性材料が挙げられる。一方、第一電極２１が反射電極である場合、その構成材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｉｒ等の金属単体、これら金属単体を複数組み合わせた合金、ヨウ化銅等の金属化合物等が挙げられる。第一電極２１の膜厚は、好ましくは、０．１μｍ〜１μｍである。
【００２３】
第一電極２１上に設けられる有機化合物層２２は、少なくとも発光層を有する一層又は複数の層で構成される積層体である。有機化合物層２２が複数の層で構成される場合、有機化合物層２２を構成する層としては、有機ＥＬ素子の発光機能を考慮して適宜選択することができる。有機化合物層２２を構成する層のうち発光層以外の層として、具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。また有機化合物層２２の構成材料としては、公知の化合物を使用することができる。さらに、有機化合物層２２は、真空蒸着法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により形成することができる。
【００２４】
有機化合物層２２上に形成される第二電極２３は、上部電極とも呼ばれる導電性薄膜である。第二電極２３は、透明電極であってもよいし反射電極であってもよいが、第一電極２１の性質に応じて適宜選択する。また第二電極２３の構成材料は、上述した第一電極２１と同様の材料を使用することができる。
【００２５】
有機ＥＬ素子２０上には吸湿層３０が、有機ＥＬ素子２０を被覆するように形成される。吸湿層３０は、吸水性を有するケイ素含有ポリマーで構成される層である。吸湿層３０の構成材料であるケイ素含有ポリマーとしては、ケイ素を含み大気中の水分を吸収することができるポリマーであれば特に限定されないが、好ましくは、下記式（Ａ）に示される繰り返し構造を有するポリシラザンである。
【００２６】
【化３】
2013201055.tif 000005
【００２７】
（式（Ａ）において、Ｒ1乃至Ｒ3は、それぞれ水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アルコキシ基又は金属原子を表す。ただし、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも１つは水素原子である。）
【００２８】
例えば、式（Ａ）において、Ｒ1が低級アルキル基、Ｒ2及びＲ3が水素原子であるポリマーが吸湿層３０の構成材料である場合では、吸湿層３０は、水と反応した際に構造内に低級アルキル基を含んだシリカ膜へと転化する。このため、係る場合では、膜の緻密性は無機シリカ膜と比べて劣るものの膜厚を厚くした状態で吸湿層３０の形成が可能である。
【００２９】
一方、式（Ａ）において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3が全て水素原子で表されるポリシラザンは、別名パーヒドロポリシラザンと呼ばれる。パーヒドロポリシラザンは、下記反応式に示されるように水と反応して緻密なシリカ（ＳｉＯ2）膜を生成することから吸湿膜として用いる際には特に好適である。
【００３０】
【化４】
2013201055.tif 000006
【００３１】
吸湿層３０を形成する際には、スピンコート等の塗布方法を利用することができる。例えば、吸水性を有するケイ素含有ポリマーを有機溶媒に溶解させてなる溶液を有機ＥＬ素子２０及び基板１０上に滴下・塗布することにより形成可能である。形成される吸湿層３０の膜厚は、外部環境から侵入する水分量と、吸湿層として用いるケイ素含有ポリマーの吸水能力から適宜設計されるものであり、特に限定されるものではない。ここで有機ＥＬ素子２０上に吸湿層３０を均一に形成させるという観点からすると、吸湿層３０の膜厚は、好ましくは、１０ｎｍ以上である。またケイ素含有ポリマーとしてパーヒドロポリシラザンを用いる場合は、成膜後に吸湿層３０にて発生し得るひび割れ等を抑制するという観点から、吸湿層３０の膜厚は、好ましくは、２０００ｎｍ以下である。
【００３２】
尚、図１の有機ＥＬ表示装置１には図示していないが、吸湿層３０を形成する前に、有機ＥＬ素子２０への損傷を防止するための保護層を設けてもよい。保護層として、好ましくは、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2等の無機絶縁膜である。
【００３３】
吸湿層３０上に形成されるガス放出層４１は、吸湿層３０に接するように設けられる層であり、吸湿層３０から発生するガスを放出するためのガス放出部材として機能する層である。
【００３４】
ガス放出層４１は、樹脂材料からなる層である。ガス放出層４１の構成材料である樹脂材料として、好ましくは、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂又は熱可塑性樹脂である。ガス放出層４１は、例えば、スリットコーターやスクリーン印刷等により上述した樹脂材料を成膜することで形成される。また上述した樹脂材料をシート状に加工して、吸湿層３０上に設置することでガス放出層４１を設けてもよい。
【００３５】
図１の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０と封止基板５０とを接着することで封止処理が施されている。
【００３６】
封止基板５０としては、ガラス基板、合成樹脂等からなる絶縁性基板、表面に酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁層を形成した導電性基板等が挙げられる。また封止基板５０は、透明であっても不透明であってもよいが、基板１０が不透明な基板である場合は透明の基板を用いる。
【００３７】
封止処理を行う具体的な方法として、例えば、接着性を有する部材をガス放出層４１上に設けて基板１０と封止基板５０とを接着する方法が挙げられる。接着性を有する部材としては、特に限定されるものではないが、樹脂材料が好ましく、ガス放出層４１と同様に紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂又は熱可塑性樹脂がより好ましい。尚、接着性を有する部材は、ガス放出層４１と同様にスリットコーターやスクリーン印刷等により樹脂材料を成膜することで形成される。また上述した樹脂材料をシート状に加工して、ガス放出層４１上に設置する方法で形成してもよい。
【００３８】
一方、ガス放出層４１の構成材料が接着性を有する材料である場合は、ガス放出層４１自体を接着層として用いて封止基板５０と貼り合わせることが可能である。
【００３９】
［第二の実施形態］
図２は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第二の実施形態を示す断面概略図である。以下、図２を参照しながら、本発明の第二の実施形態を説明する。尚、以下の説明では第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００４０】
図２の有機ＥＬ表示装置２は、吸湿層３０から発生するガスを放出するためのガス放出部材４０が、ガス透過層４２と、ガス放出層４１とがこの順に積層してなる積層体である点で第一の実施形態と異なる。
【００４１】
ポリシラザンは、水酸基（−ＯＨ）を有する化合物であれば、水以外の化合物であっても当該化合物との反応性を有する。そのため吸湿層３０上に形成されるガス放出層４１の構成材料が水酸基を有する化合物である場合やガス放出層４１の構成材料の脱水処理が不十分な場合では、吸湿層３０上にガス放出層４１を形成したときに、両者が接触した段階で吸湿層３０が転化することがある。また場合によっては吸湿層３０とガス放出層４１との界面で発泡等が生じることがある。
【００４２】
そこで、吸湿層３０とガス放出層４１とが直接接触するのを避けるために、吸湿層３０とガス放出層４１との間にガス透過層４２を設ける。ガス透過層４２の構成材料としては、吸湿層３０とガス放出層４１との直接的な接触を避けることができればよく、特にその材質を限定するものではない。例えばＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2等の無機材料やＡｌ2Ｏ3等の多孔質材料を用いることができる。またガス透過層４２の膜厚は、吸湿層３０で発生したガスをガス放出層４１に流入させる程度のガス透過性を有することが必要であることから、好ましくは１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、より好ましくは、５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００４３】
ガス透過層４２の構成材料がＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2等の無機材料である場合、ガス透過層４２は、スパッタ法やＣＶＤ法等の真空成膜法により形成することができる。
【００４４】
［第三の実施形態］
図３は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第三の実施形態を示す断面概略図である。以下、図３を参照しながら、本発明の第三の実施形態を説明する。尚、以下の説明では第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００４５】
図３の有機ＥＬ表示装置３は、吸湿層３０から発生するガスを放出するためのガス放出部材４０が、吸湿層３０上だけでなく吸湿層３０の直下に設けられている点で第一の実施形態と異なる。即ち、本実施形態では、ガス放出部材４０は、吸湿層３０を上下面から挟むようにして設けられている。図３の有機ＥＬ表示装置３を構成するガス放出部材４０は、具体的には、有機発光素子２０又は基板１０と吸湿層３０との間に設けられる第一ガス放出層４１ａと、吸湿層３０と封止基板５０との間に設けられる第二ガス放出層４１ｂと、からなる複合部材である。尚、第一ガス放出層４１ａ及び第二ガス放出層４１ｂは、いずれも吸湿層３０と接している。本実施形態のようにガス放出層の数を増やすことでガス放出の効率を向上させることができる。
【００４６】
本実施形態において、ガス放出層（４１ａ、４１ｂ）は、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等の樹脂材料で形成される。また有機ＥＬ素子２０上に、例えば、樹脂性カラーフィルター等を形成する必要がある場合は、二種類のガス放出層（４１ａ、４１ｂ）のうちいずれかにカラーフィルターの機能を持たせることも可能である。尚、本実施形態において、第一ガス放出層４１ａを設ける際には、有機ＥＬ素子２０を保護する目的で第一ガス放出層４１ａの形成に先立ってＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2等の無機材料からなる保護層（不図示）を形成してもよい。
【００４７】
［第四の実施形態］
図４は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第四の実施形態を示す断面概略図である。以下、図４を参照しながら、本発明の第四の実施形態を説明する。尚、以下の説明では第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００４８】
図４の有機ＥＬ表示装置４は、吸湿層３０から発生するガスを放出するためのガス放出部材であるガス放出層４１が、吸湿層３０の直下に設けられている点で第一の実施形態と異なる。尚、図４の有機ＥＬ表示装置４において、ガス放出層４１は、吸湿層３０と接するようにして設けられている。
【００４９】
このように、本発明においてガス放出部材は、吸湿層３０に接するように設けられているが、その配置位置は特に限定されるものではない。尚、本実施形態においては、ガス放出層４１を設ける際に、有機ＥＬ素子２０を保護する目的でガス放出層４１の形成に先立ってＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2等の無機材料からなる保護層（不図示）を形成してもよい。
【００５０】
また図４の有機ＥＬ表示装置４は、図１乃至図３にて示される封止基板５０の代わりに、封止膜５１が吸湿層３０上であって吸湿層３０に直接接する態様で設けられており、この封止膜５１により有機発光素子２０を封止している。
【００５１】
封止膜５１の構成材料としては、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2等の無機材料が挙げられる。また封止膜５１が上述した無機材料からなる場合、封止膜５１は、スパッタ法やＣＶＤ法等の真空成膜法により形成される。さらに封止膜５１の膜厚は、外部からの水分侵入を阻害することができればよく特に限定されるものではないが、好ましくは、１μｍ〜１０μｍ程度である。また、封止膜５１は単層で構成されていてもよいし、あるいは複数の層からなる積層構成であってもよい。尚、封止膜５１が積層構成である場合、各層の構成材料は同種の材料であってもよいし、異種の材料であってもよい。
【００５２】
本実施形態のように、吸湿層３０上に直接封止膜５１を形成することで薄型でかつ防湿性能の高い有機ＥＬ表示装置が得られる。
【実施例】
【００５３】
［実施例１］
本実施例（実施例１）では、図１の有機ＥＬ表示装置を以下に説明する方法により作製した。
【００５４】
（１）電極付基板の作製工程
ガラス基板上に、低温ポリシリコンＴＦＴを含む画素回路を形成した後、この画素回路上にＳｉＮからなる半導体保護層とポリイミド樹脂からなる平坦化膜とを順次形成することで基板１０を作製した。次に、スパッタリング法により、基板１０上に、ＡｌＮｄとＩＴＯをこの順に成膜してＡｌＮｄ膜とＩＴＯ膜とからなる積層電極膜を形成した。このときＡｌＮｄ膜の膜厚を１００ｎｍとし、ＩＴＯ膜の膜厚を３８ｎｍとした。次に、積層電極膜を画素毎にパターニングすることで第一電極２１を形成した。次に、基板１０上及び第一電極２１上に、ポリイミド樹脂をスピンコートし、フォトリソグラフィー技術により第一電極２１が形成された部分に開口（この開口部が画素に相当）が形成されるようにパターニングすることで画素分離層（不図示）を形成した。このとき、各画素のピッチを３０μｍとし、開口による第一電極２１の露出部の形状を１０μｍ四方の正方形とした。次に、基板１０をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で超音波洗浄した後、煮沸洗浄後乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄した。以上の工程で得られた電極付基板を次の工程で使用した。
【００５５】
（２）有機化合物層の形成工程
真空蒸着法により、第一電極２１上に有機化合物層２２を形成した。以下に具体的な工程を説明する。
【００５６】
まず下記式に示されるＨＴ−１（ＦＬ０３）を成膜し正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を８７ｎｍとした。
【００５７】
【化５】
2013201055.tif 000007
【００５８】
次に、赤色有機ＥＬ素子を設ける領域に開口を有するシャドーマスクを用いて、ＣＢＰ（カルバゾール化合物、ホスト）とＩｒ（ｐｉｑ）3（ゲスト、ゲストはホストとゲストとを合わせた全重量に対して９重量％添加）と、を共蒸着して赤色発光層を形成した。このとき赤色発光層の膜厚を３０ｎｍとした。次に、緑色有機ＥＬ素子を設ける領域に開口を有するシャドーマスクを用いて、Ａｌｑ3（アルミキレート錯体、ホスト）とクマリン６（ゲスト、ゲストはホストとゲストとを合わせた全重量に対して１重量％添加）と、を共蒸着して緑色発光層を形成した。このとき緑色発光層の膜厚を４０ｎｍとした。次に、青色有機ＥＬ素子を設ける領域に開口を有するシャドーマスクを用いて、ＢＡｌｑ（アルミキレート錯体、ホスト）とペリレン（ゲスト、ゲストはホストとゲストとを合わせた全重量に対して３重量％添加）と、を共蒸着して青色発光層を形成した。このとき青色発光層の膜厚を２５ｎｍとした。
【００５９】
次に、発光層上に、フェナントロリン化合物であるＢｐｈｅｎを成膜して電子輸送層を形成した。このとき電子輸送層の膜厚を１０ｎｍとした。次に、電子輸送層上に、Ｂｐｈｅｎと炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）とを共蒸着（重量比は、Ｂｐｈｅｎ：Ｃｓ2ＣＯ3＝９０：１０）して電子注入層を形成した。このとき電子注入層の膜厚を４０ｎｍとした。以上の工程で、有機化合物層２２を形成した。
【００６０】
（３）第二電極の形成工程
次に、有機化合物層２２まで形成した基板１０を、真空を破ることなくスパッタ装置内へ移動した後、スパッタ法により、有機化合物層２２上に、Ａｇとインジウム亜鉛酸化物とを順次成膜した。これにより、極薄Ａｇ膜と透明電極膜とがこの順に積層してなる積層電極層を形成した。このとき極薄Ａｇ膜の膜厚を１０ｎｍとし、透明電極膜の膜厚を５０ｎｍとした。以上の工程により、基板１０上に、第一電極２１と、有機化合物層２２と、第二電極２３と、がこの順に形成されてなる有機ＥＬ素子２０を作製した。
【００６１】
（４）保護層の形成工程
次に、真空を破ることなく、ＳｉＨ4ガス、Ｎ2ガス及びＨ2ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、有機ＥＬ素子２０上及び基板１０上に、ＳｉＮからなる保護層（不図示）を形成した。このとき保護層の膜厚を０．５μｍとした。
【００６２】
（５）吸湿層の形成工程
次に、保護層まで形成した基板１０を、窒素雰囲気下のグローブボックス内へ移動させた。次に、ポリシラザン（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製、アクアミカＮＡＸ１２０−２０）をジブチルエーテルで５倍に希釈して調製した塗布液を、保護層上に滴下してスピンコート法により塗布した。次に、真空乾燥炉内へ基板１０を搬送した後、真空乾燥炉内を６０℃に保持してジブチルエーテルを完全に蒸発させることで吸湿層３０を形成した。このとき吸湿層３０の膜厚は１３０ｎｍであった。
【００６３】
（６）ガス放出層の形成工程
次に、封止基板５０上に、厚さが２０μｍのアクリル系熱硬化性樹脂シートを貼り合わせた。尚、アクリル系熱硬化性樹脂シートはガス放出層４１として機能すると共に、次の工程において、基板１０と封止基板５０とを接着させる接着層としても機能する。
【００６４】
（７）封止工程
次に、真空下において、封止基板５０と吸湿層３０までを形成した基板１０とを、ガス放出層４１が吸湿層３０に接触するように貼り合わせた後、８０℃でプリベイクを行った。次に、グローブボックス内へ移動させて貼り合わせた基板を１００℃のホットプレート上で加熱硬化させることで有機ＥＬ素子２０の封止を行った。以上の工程により、図１の有機ＥＬ表示装置１を得た。
【００６５】
得られた有機ＥＬ表示装置は、吸湿層３０上に、吸湿層３０に接触するようにガス放出層４１が配置されているため、温度８５℃湿度８５％の環境で行われた耐久試験においては、５００時間経過しても気泡の発生や封止基板との剥離は認められなかった。
【００６６】
［実施例２］
本実施例（実施例２）では、図２の有機ＥＬ表示装置を以下に説明する方法により作製した。また以下の説明では、実施例１との相違点を中心に説明する。
【００６７】
（１）電極付基板の作製工程
実施例１と同様の方法により、第一電極２１を有する基板１０を作製した。
【００６８】
（２）有機化合物層の形成工程
実施例１と同様の方法により、有機化合物層２２を形成した。
【００６９】
（３）第二電極の形成工程
実施例１と同様の方法により、第二電極２３を形成した。
【００７０】
（４）保護層の形成工程
実施例１と同様の方法により保護層（不図示）を形成した。
【００７１】
（５）吸湿層の形成工程
実施例１と同様の方法により吸湿層３０を形成した。
【００７２】
（６）ガス放出部材の形成工程
次に、吸湿層３０までを形成した基板１０を、ＣＶＤチャンバー内へ搬送した後、ＳｉＨ4ガス、Ｎ2ガス及びＨ2ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、吸湿層３０上に、ＳｉＮ膜を成膜することでガス透過層４２を形成した。このときガス透過層４２の膜厚を０．２μｍとした。
【００７３】
次に、封止基板５０上に、厚さが２０μｍのエポキシ系熱硬化性樹脂シートを貼り合わせた。尚、エポキシ系熱硬化性樹脂シートはガス放出層４１として機能すると共に、次の工程において、基板１０と封止基板５０とを接着させる接着層としても機能する。
【００７４】
（７）封止工程
次に、真空下において、封止基板５０と吸湿層３０までを形成した基板１０とを、ガス放出層４１がガス透過層４２に接触するように貼り合わせた後、８０℃でプリベイクを行った。次に、グローブボックス内へ移動させて貼り合わせた基板を１００℃のホットプレート上で加熱硬化させることで有機ＥＬ素子２０の封止を行った。以上の工程により、有機ＥＬ表示装置を得た。尚、本実施例において、吸湿層３０は、ガス透過層４２とガス放出層４１とがこの順に積層してなるガス放出部材４０と接触していた。以上の工程により、図２の有機ＥＬ表示装置２を得た。
【００７５】
得られた有機ＥＬ表示装置は、吸湿層３０上に、吸湿層３０に接触するようにガス放出部材４０が配置されているため、温度８５℃湿度８５％の環境で行われた耐久試験においては、５００時間経過しても気泡の発生や封止基板との剥離は認められなかった。尚、本実施例にて作製された有機ＥＬ表示装置２は、吸湿層３０上にガス透過層４２が形成されているため、吸湿層３０とエポキシ樹脂膜（ガス放出層４１）とが直接接触することはない。従って、エポキシ樹脂骨格に含まれる水酸基とポリシラザンとの反応に起因すると思われる微小気泡の発生が抑制される。
【００７６】
［実施例３］
本実施例（実施例３）では、図３の有機ＥＬ表示装置を以下に説明する方法により作製した。また以下の説明では、実施例１との相違点を中心に説明する。
【００７７】
（１）電極付基板の作製工程
実施例１と同様の方法により、第一電極２１を有する基板１０を作製した。
【００７８】
（２）有機化合物層の形成工程
真空蒸着法により、第一電極２１上に有機化合物層２２を形成した。以下に具体的な工程を説明する。
【００７９】
まず下記式に示されるＨＴ−１（ＦＬ０３）を成膜し正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を８７ｎｍとした。
【００８０】
【化６】
2013201055.tif 000008
【００８１】
次に、正孔輸送層上に、ＣＢＰ（カルバゾール化合物、ホスト）とＦｉｒｐｉｃ（フッ素置換Ｉｒ錯体系化合物、ゲスト、ゲストはホストとゲストとを合わせた全重量に対して６重量％添加）と、を共蒸着して青色発光層を形成した。このとき青色発光層の膜厚を２０ｎｍとした。次に、青色発光層上に、ＣＢＰ（カルバゾール化合物、ホスト）とＢｔｐ2Ｉｒ（ａｃａｃ）（Ｉｒ錯体系化合物、ゲスト、ゲストはホストとゲストとを合わせた全重量に対して８重量％添加）と、を共蒸着して赤色発光層を形成した。このとき赤色発光層の膜厚を２ｎｍとした。
【００８２】
次に、赤色発光層上に、フェナントロリン化合物であるＢｐｈｅｎを成膜して電子輸送層を形成した。このとき電子輸送層の膜厚を１０ｎｍとした。次に、電子輸送層上に、Ｂｐｈｅｎと炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）とを共蒸着（重量比は、Ｂｐｈｅｎ：Ｃｓ2ＣＯ3＝９０：１０）して電子注入層を形成した。このとき電子注入層の膜厚を４０ｎｍとした。以上の工程で、白色発光を出力する有機化合物層２２を形成した。
【００８３】
（３）第二電極の形成工程
実施例１と同様の方法により、第二電極２３を形成した。以上の工程により、基板１０上に、第一電極２１と、白色発光する有機化合物層２２と、第二電極２３と、がこの順に形成されてなる有機ＥＬ素子２０を作製した。
【００８４】
（４）保護層（第一保護層）の形成工程
実施例１と同様の方法により保護層（不図示）を形成した。尚、本工程で形成された保護層は、第一保護層として機能する。
【００８５】
（５）第一ガス放出層の形成工程
次に、保護層上に、アクリル樹脂からなるカラーフィルター層を形成した。尚、このカラーフィルター層は第一ガス放出層４１ａとして機能する。
【００８６】
（６）吸湿層の形成工程
次に、第一ガス放出層４１まで形成した基板１０を、真空乾燥炉内で１０時間乾燥させて十分に脱水処理を行った。次に、基板１０を、窒素雰囲気下のグローブボックスに移動させた。次に、実施例１と同様の方法により、第一ガス放出層４１上に吸湿層３０を形成した。このとき吸湿層３０の膜厚は４００ｎｍであった。
【００８７】
（７）保護層（第二保護層）の形成工程
次に、吸湿層３０までを形成した基板１０を、ＣＶＤチャンバーに搬送した後、ＳｉＨ4ガス、Ｎ2ガス、Ｈ2ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、吸湿層３０上に、ＳｉＮ膜を成膜して保護層（不図示）を形成した。尚、本工程で形成された保護層は、第二保護層として機能する。また第二保護層の膜厚は０．２μｍであった。
【００８８】
（８）第二ガス放出層の形成工程
次に、封止基板５０上に、厚さが２０μｍのエポキシ系熱硬化性樹脂シートを貼り合わせた。尚、エポキシ系熱硬化性樹脂シートは第二ガス放出層４１ｂとして機能すると共に、次の工程において、基板１０と封止基板５０とを接着させる接着層としても機能する。
【００８９】
（９）封止工程
次に、真空下において、封止基板５０と吸湿層３０までを形成した基板１０とを、第二ガス放出層４１ｂが吸湿層３０に接触するように貼り合わせた後、８０℃でプリベイクを行った。次に、グローブボックス内へ移動させて貼り合わせた基板を１００℃のホットプレート上で加熱硬化させることで有機ＥＬ素子２０の封止を行った。以上の工程により、図３の有機ＥＬ表示装置３を得た。
【００９０】
得られた有機ＥＬ表示装置３は、吸湿層３０を挟み込み、かつ吸湿層３０に接触するようにガス放出層（４１ａ、４１ｂ）が配置されている。このため、温度８５℃湿度８５％の環境で行われた耐久試験においては、５００時間経過しても気泡の発生や封止基板との剥離は認められなかった。
【００９１】
［実施例４］
本実施例（実施例４）では、図４の有機ＥＬ表示装置を以下に説明する方法により作製した。また以下の説明では、実施例３との相違点を中心に説明する。
【００９２】
（１）電極付基板の作製工程
実施例３と同様の方法により、第一電極２１を有する基板１０を作製した。
【００９３】
（２）有機化合物層の形成工程
実施例３と同様の方法により、有機化合物層２２を形成した。
【００９４】
（３）第二電極の形成工程
実施例３と同様の方法により、第二電極２３を形成した。
【００９５】
（４）保護層の形成工程
実施例３と同様の方法により、保護層（実施例３でいう第一保護層に相当）を形成した。
【００９６】
（５）ガス放出層の形成工程
実施例３と同様の方法により、ガス放出層４１（実施例３でいう第一ガス放出層４１ａに相当）を形成した。
【００９７】
（６）吸湿層の形成工程
実施例３と同様の方法により、吸湿層３０を形成した。
【００９８】
（７）封止膜の形成工程
次に、吸湿層３０までを形成した基板１０を、ＣＶＤチャンバーに搬送した後、ＳｉＨ4ガス、Ｎ2ガス、Ｈ2ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によりＳｉＮからなる封止膜５１を形成した。このとき封止膜５１の膜厚を２μｍとした。以上により、有機ＥＬ表示装置を得た。
【００９９】
得られた有機ＥＬ表示装置は、吸湿層３０の底面に接触するようにガス放出層４１が配置されている。このため、温度８５℃湿度８５％の環境で行われた耐久試験においては、５００時間経過しても気泡の発生や封止基板との剥離は認められなかった。
【符号の説明】
【０１００】
１（２、３、４）：有機ＥＬ表示装置、１０：基板、２０：有機ＥＬ素子、２１：第一電極、２２：有機化合物層、２３：第二電極、３０：吸湿層、４０：ガス放出部材、４１：ガス放出層、４１ａ：第一ガス放出層、４１ｂ：第二ガス放出層、４２：ガス透過層、５０：封止基板、５１：封止膜
【図１】
2013201055.tif 000009
【図２】
2013201055.tif 000010
【図３】
2013201055.tif 000011
【図４】
2013201055.tif 000012