(57)【要約】      （修正有）【課題】電子部品や電子機器を小型化する際に、この小型化に合わせて、高透磁率と低誘電損失とを両立させることができる絶縁性の平板状磁性粉体とそれを含む複合磁性体及びそれを備えたアンテナ及び通信装置並びに絶縁性の平板状磁性粉体の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性の平板状磁性粉体は、表面が絶縁性被膜により被覆されている平板状磁性粉体であり、平均アスペクト比（長径／厚み）は５以上、平均厚みは０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下、平均長径は０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が絶縁性被膜により被覆されている平板状磁性粉体であって、
平均アスペクト比（長径／厚み）は５以上、平均厚みは０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下、平均長径は０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下であることを特徴とする絶縁性の平板状磁性粉体。
【請求項２】
粉体抵抗値は２５ｍΩ・ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の絶縁性の平板状磁性粉体。
【請求項３】
請求項１または２記載の絶縁性の平板状磁性粉体と、絶縁材料とを含有してなり、
複素透磁率の損失正接ｔａｎδμは０．１以下、複素誘電率の損失正接ｔａｎδεは０．１以下であることを特徴とする複合磁性体。
【請求項４】
複素透磁率の実部μｒ’は７以上、複素誘電率の実部εｒ’は７以上であり、かつ、（μｒ’・εｒ’）−１／２は０．１以下、（μｒ’／εｒ’）１／２は０．５以上かつ１以下であることを特徴とする請求項３記載の複合磁性体。
【請求項５】
請求項３または４記載の複合磁性体を備えてなることを特徴とするアンテナ。
【請求項６】
請求項５記載のアンテナを備えてなることを特徴とする通信装置。
【請求項７】
平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上、平均厚みが０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下、かつ平均長径が０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下である平板状磁性粉体を、５０℃以上かつ２００℃以下の温度範囲にて加熱処理することを特徴とする絶縁性の平板状磁性粉体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性の平板状磁性粉体とそれを含む複合磁性体及びそれを備えたアンテナ及び通信装置並びに絶縁性の平板状磁性粉体の製造方法に関し、特に詳しくは、高周波回路基板、高周波電子部品等の各種電子部品に好適に用いられ、これらの電子部品の小型化及び電力損失を抑制することが可能な絶縁性の平板状磁性粉体、この絶縁性の平板状磁性粉体を含む複合磁性体、及びこの複合磁性体を備えることで、小型で、放射効率が高く、広帯域にて使用可能なアンテナ、及び、このアンテナを備えた携帯用電話機、携帯情報端末等の通信装置、並びに、絶縁性の平板状磁性粉体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁性材料は、電磁波に対する特性や生産性、使い勝手の良さ等から、有機高分子材料等のような絶縁材料中に混合・分散させた複合磁性体として使用されることが知られている。
この磁性材料は、電子機器に搭載される高周波回路基板、高周波電子部品、磁性シート、電磁干渉抑制シート、電磁波遮蔽シート等の各種電子部品、モーター、トランス等の電気製品、ビデオテープやフロッピー（登録商標）ディスク等の磁気記録媒体に用いられている。
【０００３】
近年、情報通信機器の高速化、高密度化に伴い、電子機器に搭載される電子部品においても、回路基板等の小型化や低消費電力化等が強く求められている。
一般に、物質内を伝播する電磁波の波長λｇは、真空中を伝播する電磁波の波長λｏと物質の複素誘電率の実部εｒ’（以下εｒ’と略記する場合がある）及び複素透磁率の実部μｒ’（以下、μｒ’と略記する場合がある）を用いて、
λｇ＝λｏ／（εｒ’・μｒ’）１／２    ……（１）
と表すことができる。
この式（１）によれば、εｒ’及びμｒ’が大きいほど波長λｇの短縮率が大きくなる。したがって、上記の各種電子部品を構成する複合磁性体中の磁性粉体のεｒ’及びμｒ’を大きくすることで、波長λｇの短縮率が大きくなり、高周波を用いる電子部品や回路基板等の各種電子部品の小型化が可能になる。
そこで、波長λｇの短縮率を大きくすることで電子部品をさらに小型化するために、扁平状の磁性粉体を絶縁材料中に分散してなる複合磁性体が提案されている（特許文献１）。
【０００４】
ところで、物質の特性インピーダンスＺｇは真空の特性インピーダンスＺ０を用いて、以下の式（２）で表すことができる。
Ｚｇ＝Ｚ０・（μｒ’／εｒ’）１／２    ……（２）
式（２）によれば、εｒ’とμｒ’の値の差が小さいほど、真空中の特性インピーダンスＺ０と、複合磁性体の特性インピーダンスＺｇの値の差も小さくなる。一方、電磁波が飛ぶ空間の特性インピーダンスは、真空の特性インピーダンスＺ０とほとんど同じ値であるから、εｒ’とμｒ’の値の差が小さいほど、インピーダンスマッチングのための電力損失が抑制される。
また、式（１）により、電磁波の波長を短縮する際には、εｒ’及びμｒ’の値を大きくとればよいが、εｒ’の値とμｒ’の値との差が大きいと送受信できる周波数帯域が狭くなるということも知られている。そこで、広周波数帯域で多くの情報を送受信するためにもεｒ’の値とμｒ’の値との差が小さいことが必要である。
【０００５】
そこで、電子部品及び電子機器の小型化と電力損失を抑制しつつ、広い周波数帯域で多くの情報を送受信するための複合磁性体として、球状の磁性粒子を絶縁材料中に分散することにより、１ＧＨｚの周波数におけるμｒ’が５以上、（μｒ’・εｒ’）−１／２が０．２以下、かつ（μｒ’／εｒ’）１／２が０．５以上かつ１以下となる複合磁性体が提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２６３０９８号公報
【特許文献２】特開２０１０−１０３４２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２に記載された複合磁性体では、球状の磁性粒子を用いていることから、磁性体粒子個々における反磁界係数が大きくなり、したがって、得られる複合磁性体のμｒ’が十分なものではなく、インピーダンスマッチングによる電力損失を抑制することができても、電子部品や電子機器の小型化が十分ではないという問題点があった。
【０００８】
一方、特許文献１に記載された複合磁性体では、反磁界が小さい扁平状の磁性粉体を用いているので、複合磁性体のμｒ’の値は大きくなるが、この扁平状の磁性粉体と絶縁材料との界面が静電容量を有することにより、誘電損失（複素誘電率の損失正接ｔａｎδε）が大きくなってしまうという問題点があった。
その結果、この複合磁性体を高周波電子部品に適用した場合には、高周波信号のエネルギーが減衰する上に、Ｓ／Ｎ比の低下や発熱等の問題が生じる虞があった。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、電子部品や電子機器を小型化する際に、この小型化に合わせて、高透磁率と低誘電損失とを両立させることができる絶縁性の平板状磁性粉体とそれを含む複合磁性体及びそれを備えたアンテナ及び通信装置並びに絶縁性の平板状磁性粉体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、平板状磁性粉体を５０℃以上かつ２００℃以下の温度範囲にて加熱処理することにより作製した絶縁性の平板状磁性粉体は、高透磁率と低誘電損失とを両立させることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明の絶縁性の平板状磁性粉体は、表面が絶縁性被膜により被覆されている平板状磁性粉体であって、平均アスペクト比（長径／厚み）は５以上、平均厚みは０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下、平均長径は０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下であることを特徴とする。
【００１２】
本発明の絶縁性の平板状磁性粉体では、粉体抵抗値は２５ｍΩ・ｃｍ以上であることが好ましい。
【００１３】
本発明の複合磁性体は、本発明の絶縁性の平板状磁性粉体と、絶縁材料とを含有してなり、複素透磁率の損失正接ｔａｎδμは０．１以下、複素誘電率の損失正接ｔａｎδεは０．１以下であることを特徴とする。
【００１４】
本発明の複合磁性体では、複素透磁率の実部μｒ’は７以上、複素誘電率の実部εｒ’は７以上であり、かつ、（μｒ’・εｒ’）−１／２は０．１以下、（μｒ’／εｒ’）１／２は０．５以上かつ１以下であることが好ましい。
【００１５】
本発明のアンテナは、本発明の複合磁性体を備えてなることを特徴とする。
【００１６】
本発明の通信装置は、本発明のアンテナを備えてなることを特徴とする。
【００１７】
本発明の絶縁性の平板状磁性粉体の製造方法は、平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上、平均厚みが０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下、かつ平均長径が０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下である平板状磁性粉体を、５０℃以上かつ２００℃以下の温度範囲にて加熱処理することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の絶縁性の平板状磁性粉体によれば、表面を絶縁性被膜により被覆した平板状磁性粉体の平均アスペクト比（長径／厚み）を５以上、平均厚みを０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下、平均長径を０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下としたので、絶縁材料と共に複合磁性体を形成した場合に、複素透磁率の実部μｒ’を大きく、かつ複素誘電率の損失正接ｔａｎδεを小さくすることができる。したがって、高透磁率と低誘電損失とを両立させることができる複合磁性体を提供することができる。
【００１９】
本発明の複合磁性体によれば、本発明の絶縁性の平板状磁性粉体と、絶縁材料とを含有したので、高透磁率と低誘電損失とを両立させることができる。したがって、高透磁率かつ低誘電損失の複合磁性体を提供することができる。
【００２０】
本発明のアンテナによれば、本発明の複合磁性体を備えたので、小型で、利得が高く、広帯域にて使用することができるアンテナを提供することができる。
【００２１】
本発明の通信装置によれば、本発明のアンテナを備えたので、小型で、利得が高く、広帯域にて使用することができるアンテナを用いることにより、通信装置全体の小型化、利得の向上及び広帯域化を図ることができる。よって、さらに小型化され、利得が高く、広帯域にて使用することができる通信装置を提供することができる。
【００２２】
本発明の絶縁性の平板状磁性粉体の製造方法によれば、平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上、平均厚みが０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下、かつ平均長径が０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下である平板状磁性粉体を、５０℃以上かつ２００℃以下の温度範囲にて加熱処理するので、簡単な装置を用いるだけで、収率よく、本発明の絶縁性の平板状磁性粉体を製造することができ、製造コストも低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】密閉容器を用いてスラリー及び分散媒体を撹拌する様子を示す模式図である。
【図２】本発明の一実施形態のアンテナの一例であるモノポールアンテナの給電方法を示す模式図である。
【図３】本発明の一実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機の一例を示す斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機の他の一例を示す斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機のさらに他の一例を示す斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機のさらに他の一例を示す斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態の通信装置の一種の保護カバー付き携帯用電話機の一例を示す斜視図である。
【図８】本発明の一実施形態の通信装置の一種の保護カバー付き携帯用電話機の他の一例を示す平面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の絶縁性の平板状磁性粉体とそれを含む複合磁性体及びそれを備えたアンテナ及び通信装置並びに絶縁性の平板状磁性粉体の製造方法を実施するための形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００２５】
［絶縁性の平板状磁性粉体］
本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体は、表面が絶縁性被膜により被覆されている平板状磁性粉体であって、平均アスペクト比（長径／厚み）は５以上、平均厚みは０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下、平均長径は０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下である．
本実施形態における「平板状」とは、扁平状、鱗片状、フレーク状、薄板状等、厚みが薄い板状のものを全て含む。
【００２６】
この平板状磁性粉体の平均厚み及び平均長径は、複数個の平板状磁性粉体それぞれの厚み及び長径、例えば、１００個以上の平板状磁性粉体、好ましくは５００個の平板状磁性粉体それぞれの厚み及び長径を測定し、厚み及び長径各々の平均値を算出することで求めることができる。
【００２７】
この平板状磁性粉体の平均アスペクト比（長径（粒子内における最大長さ）／厚み）も、上記の平均厚み及び平均長径と同様、複数個の平板状磁性粉体それぞれの長径と厚み、例えば、１００個以上の平板状磁性粉体、好ましくは５００個の平板状磁性粉体それぞれの長径と厚みを測定することにより、個々の平板状磁性粉体それぞれのアスペクト比（長径／厚み）を求め、これらのアスペクト比（長径／厚み）の平均値を算出することで求めることができる。
【００２８】
この平板状磁性粉体の平均厚みは、０．１μｍ以上かつ１０μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．１μｍ以上かつ１μｍ以下である。
特に、この平板状磁性粉体を７０ＭＨｚ以上の高周波帯域にて使用する場合には、平均厚みの好ましい範囲は０．１μｍ以上かつ０．５μｍ以下である。
ここで、平板状磁性粉体の平均厚みが０．１μｍ未満では、平板状磁性粉体自体の製造が難しく、複合磁性体を製造する際の取り扱いも難しく、その結果、配向が良好でありかつμｒ’の高い複合磁性体を得ることが難しくなるので好ましくない。一方、この平板状磁性粉体の平均厚みが１０μｍを超えると、高周波を印加した際に渦電流等が生じ、得られる複合磁性体のμｒ’が低くなるので、好ましくない。
【００２９】
この平板状磁性粉体の平均長径は、０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以上かつ１０μｍ以下がより好ましい。
ここで、平板状磁性粉体の平均長径が０．０５μｍ未満では、平板状磁性粉体自体の製造が難しく、複合磁性体を製造する際の取り扱いも難しく、その結果、配向が良好でありかつ複素透磁率の実部μｒ’が高い複合磁性体を得ることが難しくなるので好ましくない。
一方、この平板状磁性粉体の平均長径が２０μｍを超えると、絶縁材料中での粒子の分散が不安定になり易くなり、さらには、平板状磁性粉体間の間隙が小さくなり過ぎる等により、平板状磁性粉体間の間隙に絶縁材料が進入し難くなり、その結果、気孔が生成され易くなり、所望のμｒ’が得られない虞があるので好ましくない。
【００３０】
この平板状磁性粉体の平均アスペクト比（長径／厚み）は、５以上が好ましく、７以上がより好ましい。
ここで、この平板状磁性粉体の平均アスペクト比（長径／厚み）が５未満では、粒子形状による反磁界係数が大きくなり、よって、複合磁性体を作製する際に印加される有効磁場が小さくなることで得られる複合磁性体のμｒ’が小さくなり、その結果、電子部品や電子機器を小型化させるために十分なμｒ’を得ることができない。
【００３１】
一方、平均アスペクト比が大きくなりすぎると、平板状磁性粉体自体の機械的強度が低下する虞がある。そこで、平板状磁性粉体が所望の機械的強度を確保するためには、平均アスペクト比は１５以下が好ましく、実用的には２０程度が上限となる。
さらに、平均アスペクト比が２０を超えると、平板状磁性粉体の形状が扁平になりすぎることで、磁性粉体同士の間が狭くなり、この間に絶縁性材料が進入し難い空間が形成され易くなり、その結果、複合磁性体中に気泡が生じ易くなり、この気泡の存在によりμｒ’が低下するので好ましくない。
以上の点を勘案すれば、平板状磁性粉体の平均アスペクト比は５以上かつ２０以下であることが好ましく、７以上かつ１５以下であることがより好ましい。
【００３２】
この平板状磁性粉体を構成する材料としては、磁性を有する材料であればよく、特に限定されないが、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）等の強磁性金属、モリブデン（Ｍｏ）等の常磁性金属のうちいずれか１種からなる金属、または、これらのうち少なくとも１種以上を含む合金を用いることができる。
これらの金属または合金は、反磁性金属である銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ビスマス（Ｂｉ）等を含んでいてもよい。
【００３３】
これらの合金としては、二元素系合金、三元素系合金等が挙げられる。
二元素系合金としては、保持力が７０エルステッド（Ｏｅ）以下の軟磁性を示すパーマロイ（登録商標）等のＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金等が挙げられる。
三元素系合金としては、スーパーマロイ（登録商標）等のＦｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金、センダスト（登録商標）等のＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ合金等が挙げられる。
これらの合金の中でも、Ｆｅ−Ｎｉ合金としては、Ｎｉ７８質量％−Ｆｅ２２質量％の合金が、平板状磁性粉体の平均厚みが０．２μｍ以下、平均長径が２μｍ以下のものが得られ易く、高透磁率とともに低磁気損失の複合磁性体を得られるので好ましい。
【００３４】
上記の合金に、その合金に含まれない金属元素で、その合金と性質が近い金属（合金に含まれている金属と周期律表で近接している金属）、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、インジウム（Ｉｎ）、すず（Ｓｎ）等の群から１種または２種以上を適宜選択して添加してもよい。
【００３５】
上記の金属元素を合金に添加する場合には、この金属元素の含有率は、この金属元素と合金との合計質量に対して０．１質量％以上かつ９０質量％以下が好ましく、１質量％以上かつ１２質量％以下がより好ましく、１質量％以上かつ５質量％以下がさらに好ましい。
ここで、上記の金属元素の含有率を上記の範囲に限定した理由は、金属元素の含有率が０．１質量％未満では、後述する球状の磁性粒子を扁平状にさせるための十分な塑性変形能を付与することができず、一方、含有率が９０質量％を超えると、金属元素自体の磁気モーメントが小さいことから、この平板状磁性粉体全体の飽和磁化が小さくなり、その結果、得られるμｒ’も小さくなるからである。
【００３６】
特に、アスペクト比が高くなり、結果として高いμｒ’の複合磁性体が得られ易い点で、柔らかい金属である、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）の群から選択される１種または２種以上の金属元素を１質量％以上かつ１２質量％以下、好ましくは１質量％以上かつ５質量％以下含む鉄−ニッケル合金を用いるのが好ましい。
【００３７】
これらの中でも、ニッケル−鉄−亜鉛（Ｎｉ−Ｆｅ−Ｚｎ）合金は、Ｆｅ−Ｎｉ合金へのＺｎの添加により、後述する球状の磁性粒子の加工性が高くなるために、大きなアスペクト比を有する扁平状の磁性粉体が得られ易いので好ましい。合金の組成比としては、例えば、Ｎｉ７５質量％−Ｆｅ２０質量％−Ｚｎ５質量％の合金、Ｎｉ７６質量％−Ｆｅ２０質量％−Ｚｎ４質量％等を好適に用いることができる。
【００３８】
「絶縁性被膜」
本実施形態の絶縁性被膜は、平板状磁性粉体を絶縁することができる被膜であり、かつ磁性粉体の磁力線を過剰に遮るものでなければよく、特に限定されない。このような被膜としては、例えば、平板状磁性粉体を酸化して形成される酸化被膜や、酸化ケイ素、リン酸塩等の絶縁性の無機物質からなる被膜や、樹脂や界面活性剤等の絶縁性の有機物質からなる被膜等が挙げられる。これらの被膜の中でも、酸化被膜が好ましい。
【００３９】
これらの被膜は１種または２種以上であってもよく、単層または複数層であってもよい。要は、本実施形態の平板状磁性粉体を用いて複合磁性体を得た際に、その複合磁性体のｔａｎδεが所望の値が得られる程度の絶縁性が得られればよい。
【００４０】
本実施形態の平板状磁性粉体の粉体抵抗率は２５ｍΩ・ｃｍ以上であることが好ましい。また、この平板状磁性粉体の粉体抵抗率は高いほうが好ましい。一方、粉体抵抗率を大きくするために酸化被膜を厚くしすぎると、複合磁性体のμｒ’が小さくなる場合があるので、粉体抵抗率は１５０００ｍΩ・ｃｍ以下が好ましく、上限は１×１０８ｍΩ・ｃｍ程度である。
なお、本実施形態における粉体抵抗値とは、５１ＭＰａの圧力をかけた場合に、３．０〜３．５ｍｍの厚みとなる粉体量に対して、５１ＭＰａの圧力を１分間加えた時点での抵抗率を、４端子法の抵抗率計で測定した値であるが、４端子法の抵抗率計と同等の測定精度を有する測定器であればよく、特に限定されない。
【００４１】
絶縁性被膜として酸化被膜を用いる場合には、本実施形態の平板状磁性粉体に含まれる酸素量は３．５質量％以上であることが好ましい。酸素量は多いほうが好ましいが、酸素量が多くなりすぎると、磁気特性に寄与する平板状磁性粉体の量が相対的に減少してμｒ’が小さくなるので、５．０質量％以下が好ましい。
なお、本実施形態における酸素量は、例えば、酸素窒素分析装置  ＴＣ−４３６（ＬＥＣＯ社製）により測定することができる。
【００４２】
平板状磁性粉体の表面に絶縁性被膜を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、平板状磁性粉体の表面に５ｎｍ程度の絶縁性の酸化被膜を形成する方法が挙げられる。
この酸化被膜を形成する方法は特に限定されず、長期にわたる自然酸化でもよく、加熱処理等による強制酸化でもよい。自然酸化させる場合には、平板状磁性粉体を、酸化を促進させる環境、例えば高湿度下で保管するのが好ましい。
通常、平板状磁性粉体を大気中で取り扱うことにより、この平板状磁性粉体の表面に自然に酸化被膜が形成されるが、自然に形成される酸化被膜では、絶縁性が不十分である場合が多く、また製造ロットにより絶縁性能が変動しやすくなるので、複合磁性体とした時に製造ロットによっては誘電損失を低減することが難しい場合がある。そこで、安定して複合磁性体の誘電損失を低減させるためには、５０℃以上かつ２００℃以下の温度にて、１時間〜数時間程度加熱処理することにより、平板状磁性粉体の表面に厚みが５ｎｍ程度の絶縁性の酸化被膜を形成することが好ましい。
【００４３】
本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体が、複合磁性体の複素誘電率の損失正接ｔａｎδε（以下、ｔａｎδεと略記する場合がある）の増加を抑制することができる理由は、次のように考えられる。
複合磁性体のμｒ’を大きくするためには、複合磁性体中の平板状磁性粉体の量をある一定量より多く含有されなければならない。
【００４４】
しかしながら、平板状磁性粉体は金属材料で構成されるので、複合磁性体中で平板状磁性粉体の含有量を増加させれば、これらの磁性粉体同士が接触することで複合磁性体中に導電パスが形成され、ｔａｎδεが高くなる。また、このような導電パスが形成されると、複合磁性体内で電荷が動き易くなることによりεｒ’の値も大きくなる。
また、平板状磁性粉体による導電パスは、複合磁性体中の磁性粉体量が増大するほど、複合磁性体の位置により特性が変わり易くなり、複合磁性体の品質安定性が劣りやすくなる虞がある。
【００４５】
一方、本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体は絶縁性であるから、複合磁性体中で磁性粉体同士が接触して導電パスが形成されるのを抑制することができる。したがって、ｔａｎδεの増大を抑制することができると考えられる。
したがって、絶縁性被膜は、少なくとも平板状磁性粉体の表面が絶縁性を有していればよく、平板状磁性粉体は絶縁性被膜に部分的に被覆されていてもよく、完全に被覆されていてもよい。
このように、本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体は、ｔａｎδεの増大を抑制することができると、εｒ’の値の増大も抑制することができるので、その結果、インピーダンスマッチングによる電力損失も低減させることができる。
【００４６】
［絶縁性の平板状磁性粉体の製造方法］
本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体の製造方法は、平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上、平均厚みが０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下、かつ平均長径が０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下である平板状磁性粉体を、５０℃以上かつ２００℃以下の温度範囲にて加熱処理する方法である。
【００４７】
より具体的には、例えば、液相還元法、アトマイズ法等で合成した球状の磁性粒子を溶媒中にて扁平化処理する工程と、扁平化処理工程により得られた平板状磁性粉体を加熱処理する工程とを有する方法であり、これにより絶縁性の平板状磁性粉体を得ることができる。
ここで「扁平化処理」とは、球状の磁性粒子に機械的応力（機械的なせん断エネルギー）を加えて、この球状の磁性粒子を塑性変形させるとともに、これら磁性粒子同士を凝着させることにより、平板状の磁性粉体を作製する方法である。
【００４８】
「扁平化処理工程」
この扁平化処理工程に用いられる扁平化処理装置としては、ビーズミル、ニーダ、ロールミル、遊星ボールミル、ジェットミル等が挙げられる。また、これらの装置で用いるボール等の分散媒体（メディア）としては、球状の磁性粒子に対して不純物とならず、かつ剪断エネルギーを効果的に加えることができるものであればよく、アルミニウム、スチール等の金属、アルミナ、ジルコニア、チタニア等の金属酸化物、二酸化ケイ素等の無機酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等の窒化物、炭化ケイ素等の炭化物、ソーダガラス、鉛ガラス、高比重ガラス等の各種ガラスが挙げられる。
この混合工程においては、分散媒体から球状粒子へのせん断エネルギーの付与を効果的に行うために、界面活性剤等を添加してもよい。
【００４９】
ここで用いられる球状の磁性粒子の平均一次粒子径は、所望の形状が得られる大きさであれば特に限定されないが、液相還元法、水アトマイズ法等により作製された平均一次粒子径が１０ｎｍ以上かつ３μｍ以下の球状の磁性粒子を用いるのが好ましい。
球状の磁性粒子の平均一次粒子径を上記範囲とすれば、球状の磁性粒子の表面が高活性となり、粒子同士の親和性も高くなり、粒子同士の凝着を促進することができるので、好ましい。
【００５０】
この平板状磁性粉体を作製する好ましい方法としては、平均粒子径が３μｍ以下の球状の磁性粒子を界面活性剤を含む溶液中に分散したスラリーと、分散媒体とを、密閉可能な容器内に、上記のスラリー及び分散媒体の合計の体積量が、密閉容器内の体積と等しくなるように充填し、このスラリーを分散媒体と共に密閉状態にて撹拌することにより、球状の磁性粒子に機械的応力（機械的なせん断エネルギー）を加えて塑性変形させるとともに、これら磁性粒子同士を凝着させることにより、複数個の球状の磁性粒子から１個の平板状磁性粒子を得る方法がある。
この方法により、アスペクト比が２以上かつ２０以下で、厚みや長径等の形状が略均一の平板状磁性粉体を容易に作製することができる。
【００５１】
以下、この平板状磁性粉体の製造方法について、図１に基づき詳細に説明する。
まず、平均粒子径が３μｍ以下の球状の磁性粒子２を界面活性剤を含む溶液中に分散してスラリー３とする。磁性粒子２の組成は、上記の平板状磁性粉体の組成と全く同様である。
界面活性剤としては、磁性粒子２の表面と相性の良い窒素、リン、イオウ等の元素を含有している界面活性剤が好ましく、例えば、窒素含有ブロックコポリマー、燐酸塩、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。
【００５２】
この界面活性剤を溶解させる溶媒としては、特に限定されないが、磁性粒子に含まれる金属元素の酸化を防止する必要がある点を考慮すると、有機溶媒が好ましく、特に、キシレン、トルエン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等の非極性有機溶媒が好ましい。
【００５３】
次いで、スラリー３及び分散媒体４を、密閉容器１内に、スラリー３及分散媒体４の合計の体積が密閉容器１内の体積と同じくなるように充填し、スラリー３を分散媒体４と共に密閉状態にて撹拌し、球状の磁性粒子２同士を融着させながら扁平状に変形させて平板状磁性粉体とする。
ここでは、スラリー３及び分散媒体４の密閉容器１内への充填量を、密閉容器１内の体積と同一とする。換言すれば、スラリー３及び分散媒体４を、密閉容器１内に隙間なく充填する。
【００５４】
ここで、密閉容器１内に隙間があるようにスラリー３及び分散媒体４を加えた場合には、一軸回転体５が回転した際に、遠心力によりスラリー３及び分散媒体４の液面は、中心軸近傍が低く、周縁部が高いすり鉢状となる。
一軸回転体５により球状の磁性粒子２を含むスラリー３及び分散媒体４に加えられた機械的応力は、すり鉢状の空間に逃げていくので、密閉容器１内全体で分散媒体４を介して球状の磁性粒子２に伝搬される機械的応力は不均一なものとなり、得られる平板状磁性粉体の厚みがばらつく要因となる。このような平板状磁性粉体の厚みのばらつきや割れや欠けは、磁気損失が増加する要因となる。
【００５５】
また、すり鉢状の空間の底部近傍（中心軸近傍）で平板状となった磁性粒子は、分散媒体４と共にすり鉢状の空間に放出されて不規則な衝撃を受けることとなり、割れや欠け等が生じる場合がある。
【００５６】
そこで、図１に示すように、密閉容器１内が球状の磁性粒子２を含むスラリー３及び分散媒体４により満たされた状態で機械的応力を加えることにより、一軸回転体５が高速で回転したとしても、すり鉢状の空間が生じる虞は無い。したがって、一軸回転体５により球状の磁性粒子２を含むスラリー３及び分散媒体４に加えられた機械的応力は、密閉容器１内全体で分散媒体４を介して球状の磁性粒子２に均一に伝搬され、得られた平板状磁性粉体の厚みがばらつく虞は無い。また、平板状磁性粉体は、機械的応力を加えられる際に、不規則な衝撃を受けることもないので、割れや欠け等がほとんど生じない。
【００５７】
なお、密閉容器１に、スラリー３を密閉容器１内に導入・導出するための流入口及び流出口を設け、スラリー３を密閉容器１内に循環するようにしてもかまわない。この場合、予め分散媒体４を密閉容器１内に収納しておき、球状の磁性粒子２と界面活性剤と溶媒とを混合したスラリー３を流入口から投入して密閉容器１内に空間がないように充填し、流出口から排出されるスラリー３を再度密閉容器１内へ戻すようにすればよい。
【００５８】
分散媒体４としては、球状の磁性粒子２よりも硬度が高いことが必要であり、例えば、アルミニウム、鋼（スチール）、ステンレススチール、鉛等の金属球、アルミナ、ジルコニア、二酸化ケイ素、チタニア等の金属酸化物あるいは無機酸化物からなる球状焼結体、窒化ケイ素等の無機窒化物からなる球状焼結体、炭化ケイ素等の無機炭化物からなる球状焼結体、ソーダガラス、鉛ガラス、高比重ガラス等からなるビーズと称される球状粒子が挙げられ、中でも、比重６以上のジルコニア、鋼（スチール）、ステンレススチール等が効率の点から好ましい。
【００５９】
球状の磁性粒子２への機械的応力の付加は、分散媒体４同士の衝突の際、または分散媒体４と密閉容器１の内壁との衝突の際に、磁性粒子２がこれらの間に挟まれることで与えられる衝撃によって行われる。この場合、分散媒体４同士または分散媒体４と密閉容器１の内壁との衝突回数が増加するにつれて、球状の磁性粒子２同士の融着性及び変形性が向上する。
【００６０】
ここでは、分散媒体４の平均粒径が小さいほど、単位体積当たりに存在する分散媒体４の個数が増加し、衝突回数も多くなる。したがって、磁性粒子２の融着性及び変形性も向上する。一方、分散媒体４の平均粒径が小さすぎると、分散媒体４をスラリー３から分離することが困難となる。したがって、分散媒体４の平均粒径は、少なくとも０．０３ｍｍ以上、好ましくは０．０４ｍｍ以上であることが必要である。
また、分散媒体４の平均粒径が大き過ぎると、衝突回数が減少することにより、球状の磁性粒子２同士の変形及び融着性が低下する。したがって、分散媒体の平均粒径の上限値は３．０ｍｍである。
【００６１】
密閉容器１としては、ディスク、スクリュー、羽根、ピン等の一軸回転体５を高速回転することで、分散媒体４をスラリー３とともに高速回転できる構成を有するものが好ましい。
密閉容器１は、単純な１軸回転方式であることから、大型化も容易であり、工業生産上も有利である。
【００６２】
この一軸回転体５の回転数は、密閉容器１の大きさにより決定される。例えば、内径が１２０ｍｍの密閉容器１の場合、球状の磁性粒子２を含むスラリー３及び分散媒体４の一軸回転体５の径方向の外周端５ａ付近の流速が５ｍ／秒以上となるように一軸回転体５の回転数を設定することが好ましく、さらには、外周端５ａ付近の流速が８ｍ／秒以上となるように一軸回転体５の回転数を設定することがより好ましい。
一方、外周端５ａ付近の流速が１５ｍ／ｓを超えると、エネルギーが大きすぎるために平板状になった粒子を破壊してしまう虞があるので、外周端５ａ付近の流速は１５ｍ／ｓ以下であることが好ましい。
【００６３】
なお、密閉容器１の内容積が小さいと、得られた平板状磁性粉体に球状の磁性粒子２が残留する虞がある。残留した球状の磁性粒子２は、球状の磁性粒子２同士の接触、または球状の磁性粒子２と平板状磁性粉体との接触により、磁気損失を増加させたり、平板状磁性粉体の配向を阻害したりする虞がある。したがって、平板状磁性粉体は、磁性粒子全体量の９０質量％以上が好ましく、より好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９９質量％以上であり、球状の磁性粒子２を実質的に含まないことが望ましい。
【００６４】
ここで、密閉容器１の内容積が小さい場合に球状の磁性粒子２が残留する理由は、密閉容器１の角や一軸回転体５と密閉容器１との摺動部等、機械的応力が十分に伝わらないデッドスペースが相対的に大きくなるからと考えられる。そこで、密閉容器１の内容積を大きくすると、相対的にデッドスペースが小さくなり、よって、球状の磁性粒子２に機械的応力が十分に伝わり、球状の磁性粒子２同士の融着性及び変形性が向上し、その結果、球状の磁性粒子２の残留が少なくなり、実質的に球状の磁性粒子２がなくなることとなる。
このように、実質的に球状の磁性粒子２が残留しなくなる密閉容器１の体積は、１Ｌ以上が好ましく、より好ましくは５Ｌ以上である。
以上により、球状の磁性粒子２同士は、一軸回転体５により加えられた機械的応力により融着しながら変形し、平板状磁性粉体となる。
【００６５】
次いで、この平板状磁性粉体を分散媒体４及び溶媒から分離する。
溶媒を分離する方法としては、平板状磁性粉体を作製した後のスラリー３から溶媒を除去することができれば特に限定されず、加熱乾燥、真空乾燥、フリーズドライ等が挙げられるが、乾燥効率や乾燥途中での過剰な酸化を防ぐことができる点で真空乾燥が好ましい。また、乾燥効率を高めるために、乾燥工程の前に、固液分離等の手法によりある程度の溶媒を除去してもよい。固液分離の方法としては、フィルタープレスや吸引ろ過等のろ過操作や、デカンターや遠心分離機による遠心分離操作等、通常の方法を用いればよい。
【００６６】
「加熱処理」
加熱処理工程では、溶媒が除去された平板状磁性粉体を、５０℃以上かつ２００℃以下の温度範囲、酸素存在下、例えば大気中にて、１時間以上かつ数時間以下加熱処理するのが好ましい。この加熱処理により、平板状磁性粉体の表面に酸化被膜を形成することができ、本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体を得ることができる。
加熱処理で絶縁性の酸化被膜を形成する方法は、加熱処理前の平板状磁性粉体の保管条件に左右されずに、所定の厚みの絶縁性被膜を安定して形成することができるので、絶縁性の平板状磁性粉体の品質を安定させ、ひいては、複合磁性体の品質を安定させることができる。
【００６７】
加熱処理工程で用いられる装置は特に限定されず、乾燥機等を用いることができる。
上記乾燥工程で加熱乾燥機を用いた場合には、同じ加熱乾燥機で、乾燥工程と加熱処理工程を連続して行ってもよい。例えば、多量の平板状磁性粉体を加熱処理する場合には、均一な酸化被膜を形成させるために、ロータリーキルンや流動床乾燥装置等のように、平板状磁性粉体を流動させながら加熱処理することのできる装置を用いることが好ましい。
【００６８】
なお、上記乾燥工程及び加熱処理工程では、平板状磁性粉体の形状や処理量に合わせて、乾燥または加熱させる雰囲気の酸素分圧、湿度を適宜調整することが好ましい。
【００６９】
［複合磁性体］
本実施形態の複合磁性体は、本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体と、絶縁材料とを含有したもので、複素透磁率の損失正接ｔａｎδμは０．１以下が好ましく、より好ましくは０．０５以下、さらに好ましくは０．０４以下である。また、複素誘電率の損失正接ｔａｎδεは０．１以下が好ましく、より好ましくは０．０７以下である。
【００７０】
また、本実施形態の複合磁性体は、７０ＭＨｚ以上かつ２２０ＭＨｚ以下までの周波数帯域におけるｔａｎδμは０．１以下が好ましく、より好ましくは０．０５以下、さらに好ましくは０．０４以下であり、また、ｔａｎδεは０．１以下が好ましく、より好ましくは０．０７以下である。
さらに、本実施形態の複合磁性体は、７０ＭＨｚ以上かつ５００ＭＨｚ以下の周波数帯域において、ｔａｎδμは０．１以下が好ましく、より好ましくは０．０５以下、さらに好ましくは０．０４以下であり、また、ｔａｎδεは０．１以下が好ましく、より好ましくは０．０７以下である。
【００７１】
ここで、ｔａｎδμ及びｔａｎδεの値が、それぞれの値を超えた場合には、複合磁性体内にて高周波が複素透磁率の虚数部μｒ’’あるいは複素誘電率の虚数部εｒ’’に対応する部分だけ吸収されて熱に変わるので、高周波信号のエネルギーが減衰する上に、Ｓ／Ｎ比の低下や発熱等の問題が生じる虞があるので好ましくない。
【００７２】
この複合磁性体は、複素透磁率の実部μｒ’は７以上、複素誘電率の実部εｒ’は７以上、（μｒ’・εｒ’）−１／２は０．１以下、（μｒ’／εｒ’）１／２は０．５以上かつ１以下であることが好ましい。
さらに、この複合磁性体は、７０ＭＨｚ以上かつ５００ＭＨｚ以下の周波数帯域において、μｒ’は７以上、εｒ’は７以上、（μｒ’・εｒ’）−１／２は０．１以下、（μｒ’／εｒ’）１／２は０．５以上かつ１以下であることが好ましい。
この複合磁性体では、複素透磁率の実部μｒ’及び複素誘電率εｒ’を上記範囲とすることにより、本実施形態の複合磁性体を備えた電子部品や電子機器は、小型化が可能となり、電力損失を抑制することができる。
【００７３】
以下、この複合磁性体においては、上記の複素透磁率の実部μｒ’、複素誘電率の実部εｒ’、（μｒ’・εｒ’）−１／２及び（μｒ’／εｒ’）１／２の値として上記の範囲が好ましい理由を、この複合磁性体をアンテナに装荷した場合を例に取り詳細に説明する。
なお、同様の効果は、上記のアンテナ以外の高周波を用いた電子部品全てで得られる。
【００７４】
まず、複素透磁率の実部μｒ’は７以上が好ましく、より好ましくは９以上である。ここで、μｒ’を７以上とした理由は、複素誘電率の実部εｒ’は通常１５以上の大きな値を示すので、μｒ’を７未満とした場合には、μｒ’がεｒ’と比べて極端に小さな値となり、特性インピーダンスの不一致による電力損失が大きくなるからである。
このμｒ’の上限値は特に制限されないが、実際に製造可能な平板状磁性粉体のアスペクト比や含有率等から２０以下が好ましく、１５以下がより好ましい。
【００７５】
複素誘電率の実部εｒ’は、７以上が好ましく、より好ましくは１０以上、さらに好ましくは１２以上である。ここで、εｒ’を７以上とした理由は、上記の式（１）にしたがってアンテナの小型化を達成するために有効な値であるからである。
また、εｒ’は３０以下が好ましく、２５以下がより好ましく、２０以下がさらに好ましい。
【００７６】
この複合磁性体では、μｒ’及びεｒ’の値を上記の範囲とした場合、さらに（μｒ’・εｒ’）−１／２は０．１以下であることが好ましい。その理由は以下のとおりである。
この（μｒ’・εｒ’）−１／２の値は、式（１）に示したとおり、複合磁性体中の高周波波長の真空中の波長に対する短縮率である。なお、真空中の波長と通常の大気中の波長は、ほぼ等しい値を示す。
【００７７】
一般に、アンテナは、通常は波長の１／２あるいは１／４の長さの導線等からなるアンテナ導体により構成されている。周波数の低い長波長領域、特に７０ＭＨｚ〜５００ＭＨｚの周波数帯域では波長は６０ｃｍ以上であり、アンテナ導体の長さが３０ｃｍ以上または１５ｃｍ以上と、アンテナ自体が大きなものになってしまう。そこで、整合回路を用いて長い波長の信号を電子回路と整合して送受信しており、アンテナの長さを短くした場合は、アンテナ導体上の電流量が少なくなるために、送受信の周波数帯域が狭くなったり、放射効率が低下したりする等の問題が生じる。特に、アンテナの長さを波長の１／１０以下にした場合には、電波の送受信が困難となり、実用上問題となる。
【００７８】
そこで、（μｒ’・εｒ’）−１／２が０．１以下の複合磁性体をアンテナに装荷すれば、複合磁性体上では、理論的には、高周波波長はほぼ１／１０以下に短縮される。そのため整合回路を用いたときのように、帯域を狭くさせたり、放射効率を低下させたりすることなくアンテナの大きさを小型化することが可能となる。
【００７９】
上記の（μｒ’／εｒ’）１／２は、０．５以上かつ１以下であることが好ましい。その理由は以下のようである。
この（μｒ’／εｒ’）１／２の値は、上記の式（２）に示したとおり、複合磁性体の特性インピーダンスＺｇと真空の特性インピーダンスＺ０との比（Ｚｇ／Ｚ０）であるから、複合磁性体の特性インピーダンスＺｇは真空の特性インピーダンスＺ０の（μｒ’／εｒ’）１／２倍となる。なお、ここでは、真空の特性インピーダンスと通常の大気の特性インピーダンスは、ほぼ等しい値を示すこととする。
【００８０】
通常、複合磁性体のμｒ’はεｒ’より小さいので、複合磁性体の特性インピーダンスＺｇは、大気の特性インピーダンスＺＡ（≒真空の特性インピーダンスＺ０）の値よりも小さなものとなる。なお、高周波信号は、特性インピーダンスの大きな領域から小さな領域へ伝播する際に、反射や吸収が生じて減衰することが知られている。
【００８１】
そこで、複合磁性体の特性インピーダンスＺｇが大気の特性インピーダンスＺＡより５０％以上も小さくなる場合には、高周波の減衰率は極めて大きくなり、実用上問題となる。そこで、（μｒ’／εｒ’）１／２の値を０．５以上とすると、大気から複合磁性体に電磁波が伝播する際に、特性インピーダンスの変化を５０％以内に抑えることができる。したがって、高周波信号の減衰を抑制することができるのである。また、複合磁性体の特性インピーダンスＺｇが、大気のインピーダンスＺＡより大きくなる場合には、これらの特性インピーダンスの差がわずかでも電磁波が大きく減衰する。したがって、（μｒ’／εｒ’）１／２の値は１以下であることが好ましい。
【００８２】
なお、上記のμｒ’、εｒ’、ｔａｎδμ及びｔａｎδεは、マテリアルアナライザーにて測定した値であるが、測定装置としては、上記の各値がマテリアルアナライザーと同様の精度で測定することのできる装置であればよく、マテリアルアナライザーに限定されない。
【００８３】
現状では、７０ＭＨｚ以上かつ５００ＭＨｚ以下の周波数帯域では、電磁波の波長が長いことによりアンテナの小型化が難しく、したがって、携帯用電話機、携帯情報端末、多機能型携帯用情報機器等のような特に小型化の要求される用途では、ホィップアンテナを筐体の数倍の長さに伸ばして使用したり、イヤホンコードをアンテナとして代用せざるを得ない。
【００８４】
一方、本実施形態の複合磁性体では、７０ＭＨｚ以上かつ５００ＭＨｚ以下、好ましくは９０ＭＨｚ以上かつ２２０ＭＨｚ以下の周波数帯域におけるμｒ’及びｔａｎδεが上記の範囲を満足すれば、７０ＭＨｚ以上かつ５００ＭＨｚ以下、好ましくは９０ＭＨｚ以上かつ２２０ＭＨｚ以下の周波数帯域で使用される電子部品や電子機器、例えば、携帯用電話機、携帯情報端末、多機能型携帯用情報機器等の通信装置のアンテナにおいても、小型化と高利得化を両立させることができる。
【００８５】
本実施形態の複合磁性体中における気孔率は、２０％以下であることが好ましい。
この複合磁性体の気孔率を２０％以下とした場合においても、εｒ’はほとんど変化しないからである。これにより、この複合磁性体が適用される電子部品や電子機器、例えば、携帯用電話機、携帯情報端末、多機能型携帯用情報機器等の通信装置のアンテナの電力損失をより抑制することができる。
このような効果が得られるメカニズムとしては、次のように考えられる。
【００８６】
複合磁性体中の気孔率が増大すると、複合磁性体の単位体積当たりの磁性粉体の量が少なくなるので、μｒ’は小さくなる。一方、気孔の表面は絶縁材料と同様に平板状磁性粉体との界面で静電容量を有するので、気孔率が高くなったとしてもεｒ’の値はほとんど変化しない。
【００８７】
また、複合磁性体中の気孔率が減少すると、複合磁性体の単位体積当たりの磁性粉体の量が多くなるので、μｒ’は大きくなる。一方、上述したとおり、εｒ’の値は気孔率の影響をほとんど受けないので、εｒ’の値はほぼ同じ値となる。
すなわち、複合磁性体中の気孔率を減少させることにより、μｒ’の値は大きくなるが、εｒ’の値は殆ど変化しないので、μｒ’の値とεｒ’の値との差は小さくなる。よって、本実施形態の平板状磁性粉体を絶縁材料中に分散させた複合磁性体の気孔率を２０％以下とすることで、この複合磁性体を備えた電子部品や電子機器のインピーダンスマッチングによる電力損失をより抑制することができる。
【００８８】
なお、複合磁性体の気孔率を減少させる方法としては、複合磁性体の気孔率を２０％以下に減少させることができる方法であればよく、特に制限されない。例えば、本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体の絶縁材料への分散性を向上させることで、磁性粒子同士の凝集を防ぐ方法、硬化剤の種類や量の最適化により絶縁材料の硬化性を向上させる方法、流動性の高い絶縁材料を選定し、絶縁材料が絶縁性の平板状磁性粒子と絶縁性の平板状磁性粒子の間の間隙に進入し易くする方法、得られた複合磁性体を加圧することで内部の気孔を減少させる方法等、さらには、これらの方法を組み合わせた方法等が挙げられる。
【００８９】
「絶縁材料」
絶縁材料は、絶縁性の材料であればよく、特に制限されないが、本実施形態の複合磁性体を携帯電話用アンテナや携帯情報端末用アンテナとして用いる場合には、機械的強度が高く、吸湿性が低く、しかも形状加工性に優れていることが好ましい。このような絶縁材料としては、例えば、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ノルボルネン樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が好適に用いられる。これらの樹脂は、１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９０】
特に、エポキシ樹脂のなかでも、主鎖に環状構造、特に脂環式の環状構造を有し、かつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂は、平板状磁性粉体と絡まり難いことから平板状磁性粉体の配向を阻害する虞が無く、しかも高いμｒ’が得られ易いので、好ましい。このような樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエン型樹脂が挙げられる。
【００９１】
このジシクロペンタジエン型樹脂のような硬い樹脂を用いる場合、複合磁性体の気孔率を低減させるために、このような硬い樹脂に、複合磁性体に伸縮性や可撓性を付与する絶縁性樹脂を混合させてもよい。この伸縮性や可撓性を付与する絶縁性樹脂としては、上述した樹脂から適宜選択して用いればよく、特に、液状エポキシ樹脂やビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。
【００９２】
このジシクロペンタジエン型樹脂のような硬い樹脂と上記の液状エポキシ樹脂やビスフェノール型エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合には、ジシクロペンタジエン型樹脂の樹脂全体量に対する含有率を５０質量％以上かつ９０質量％以下とすることが好ましい。このジシクロペンタジエン型樹脂の含有率を上記範囲とすることで、平板状磁性粉体の配向性が向上し、かつ高いμｒ’を得ることができる。
さらに、伸縮性や可撓性を付与する絶縁性樹脂を１０質量％以上かつ５０質量％以下含有するので、平板状磁性粉体同士の間隙に樹脂が進入し易くなり、複合磁性体の気孔の生成を抑制し、気孔率を低減させることができるので好ましい。
【００９３】
また、上記絶縁材料に加えて、熱可塑性エラストマーを添加することとしてもよい。この熱可塑性エラストマーの添加により、複合磁性体の機械的強度や形状加工性を向上させることができる。したがって、この熱可塑性エラストマーが添加された複合磁性体は、靭性、柔軟性、変形性により優れたものとなる。
この熱可塑性エラストマーとしては、スチレン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ウレタン系エラストマー、エステル系エラストマー、アミド系エラストマーの群から選択される１種または２種以上を用いることができる。
この熱可塑性エラストマーの添加量は、複合磁性体の用途により必要とされる耐熱性を勘案して、適宜調整すればよい。
【００９４】
［複合磁性体の製造方法］
次に、本実施形態の複合磁性体の製造方法について説明する。
この複合磁性体の製造方法は、絶縁材料に本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体を混合・分散させて混合物を得る混合工程と、得られた混合物を所定の形状に成形する成形工程と、得られた成形体を乾燥・硬化させる乾燥・硬化工程とを有する。
【００９５】
「混合工程」
この工程では、本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体と、絶縁材料と、必要に応じて硬化剤と溶媒とを混合して、本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体を絶縁材料中に分散させた混合物を作製する工程である。
【００９６】
絶縁材料については、既に述べているので、説明を省略する。
絶縁材料として熱硬化性樹脂を用いる場合、硬化剤の種類や添加量については、使用する熱硬化性樹脂の種類や量に応じて適宜調整すればよい。
上記の熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合には、エポキシ基同士の縮合反応を促進させて、複合磁性体の成形体における硬化不良による気孔の発生を防止する点で第３アミンが好ましい。
【００９７】
第３アミンとしては、例えば、１−イソブチル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール等が挙げられる。
硬化剤の添加量としては、官能基の縮合反応を促進させる点を考慮すると、熱硬化性樹脂の全体の質量に対して０．５質量％以上かつ３質量％以下、添加させればよい。
なお、絶縁材料として熱可塑性樹脂を用いる場合には、硬化剤は不要である。
【００９８】
溶媒としては、上記の絶縁材料を溶解させることができるものであればよく、特に制限はされないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル（メチルセロソルブ）、エチレングリコールモノエチルエーテル（エチルセロソルブ）、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類、ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類が好適に用いられる。
これらの溶媒は、１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。特に、シクロヘキサノンやキシレン等の沸点の高い溶媒は、溶媒の揮発によるスラリーの増粘を抑制することができるので好ましい。
【００９９】
溶媒は、絶縁材料と絶縁性の平板状磁性粉体との混合物中に３０質量％以上になるように混合させるのが好ましく、より好ましくは３５質量％以上である。
溶媒を３０質量％以上混合させることにより、得られた混合物の粘度が低下するので、混合時に絶縁性の平板状磁性粉体同士が凝集していた場合においても、凝集がほぐれて絶縁材料中における分散性が向上する。これにより、複合磁性体の気孔率を低減させることができる。
なお、溶媒の量が多すぎると、後述する乾燥に時間がかかり、乾燥時に気孔が生成する虞があるので、溶媒の量は、絶縁性の平板状磁性粉体と絶縁材料との合計質量に対して５０質量％以下であることが好ましい。
【０１００】
絶縁材料として熱硬化性樹脂を用いる場合、この混合物中の絶縁性の平板状磁性粉体の含有率は、熱硬化性樹脂と硬化剤と絶縁性の平板状磁性粉体の合計体積量中、１０体積％以上かつ６０体積％以下が好ましく、より好ましくは３０体積％以上かつ５０体積％以下である。
ここで、絶縁性の平板状磁性粉体の含有率が１０体積％未満では、絶縁性の平板状磁性粉体が少なすぎて複合磁性体としての磁気特性が低下してしまうので好ましくない。一方、この絶縁性の平板状磁性粉体の含有率が６０体積％を超えると、絶縁性の平板状磁性粉体が多すぎてしまい、この絶縁性の平板状磁性粉体と熱硬化性樹脂と硬化剤と溶媒とを含む混合物の流動性が低下し、したがって、この混合物を用いて成形する際の成形性が低下してしまうので、好ましくない。
なお、この複合磁性体中には、球状の磁性粒子が含まれていないことが好ましい。
【０１０１】
絶縁材料として熱可塑性樹脂を用いる場合、この混合物中の絶縁性の平板状磁性粉体の含有率は、熱可塑性樹脂と絶縁性の平板状磁性粉体の合計体積量中、１０体積％以上かつ８０体積％以下が好ましく、より好ましくは３０体積％以上かつ６０体積％以下である。
ここで、絶縁性の平板状磁性粉体の含有率が１０体積％未満では、絶縁性の平板状磁性粉体が少なすぎて複合磁性体としての磁気特性が低下してしまうので好ましくない。一方、この絶縁性の平板状磁性粉体の含有率が８０体積％を超えると、絶縁性の平板状磁性粉体が多すぎてしまい、この絶縁性の平板状磁性粉体と熱可塑性樹脂と溶媒とを含む混合物の流動性が低下し、したがって、この混合物を用いて成形する際の成形性が低下してしまうので、好ましくない。
なお、この複合磁性体中には、球状の磁性粒子が含まれていないことが好ましい。
【０１０２】
上記混合物の粘度は０．１Ｐａ・ｓ以上かつ１０６Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、より好ましくは０．３Ｐａ・ｓ以上かつ１０４Ｐａ・ｓ以下である。
ここで、粘度が０．１Ｐａ・ｓ未満の場合には、流動性が大きくなりすぎて乾燥工程での生産性が悪くなり、一方、粘度が１０６Ｐａ・ｓを超えると、粘性が高すぎて絶縁性の平板状磁性粉体の配向が生じ難くなり、その結果、複合磁性体中における絶縁性の平板状磁性粉体の配向性が低下してしまうので、好ましくない。
【０１０３】
これら本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体と、絶縁材料と、必要に応じて硬化剤と溶媒とを混合し、混合物を得る。
混合装置としては、これら絶縁性の平板状磁性粉体、絶縁材料、硬化剤及び溶媒を均一に混合・分散させてスラリー状の混合物とすることができればよく、特に制限はされないが、例えば、ロールミル、自公転式ミキサー、ホモジナイザー、超音波ホモジナイザー、撹拌機等が挙げられる。これらの装置で混合する場合、絶縁性の平板状磁性粉体が凝集しすぎず、絶縁材料中に均一に分散させるように、混合条件を適宜調整すればよい。
【０１０４】
「成形工程」
上記の工程で得られた混合物を、所定の形状のシート状、フィルム状またはバルク状に成形する工程である。
成形法としては、混合物を一定の形状に成形することができ、かつ成形後の形状を保持することができればよく、特に制限されない。
また、成形体の形状や大きさも特に制限はされず、例えば、シート状またはフィルム状に成形してもよく、直方体状等の厚みがある形状、例えばバルク状に成形してもよい。
【０１０５】
シート状またはフィルム状に成形する場合、シート状またはフィルム状の基体上に上記の混合物を塗布することで容易に得ることができる。この方法は、量産性に優れているので好ましい。
シート状またはフィルム状に成形する方法としては、ドクターブレード法、バーコート法、ダイコート法、プレス法等を挙げることができる。また、薄板状等の厚みがある形状に成形する場合、例えば、任意の形状の型に混合物を流し込む方法等が挙げられる。
また、複合磁性体を積層して積層構造体とする場合には、ドクターブレード法によりシート状またはフィルム状に成形した複合磁性体を積層することが好ましい。
【０１０６】
「配向工程」
上記の成形工程で得られた成形体中の本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体を一方向に配向させる工程である。
上記の成形工程で得られた成形体が、所望のμｒ’を有している場合には、この配向工程は不要であるが、よりμｒ’が高い複合磁性体を得るためには、得られた成形体に磁場を印加して成形体中の絶縁性の平板状磁性粉体を一方向に配向させる配向工程を施す必要がある。
【０１０７】
成形体中の絶縁性の平板状磁性粉体を配向させる方法としては、成形体中の絶縁性の平板状磁性粉体を一方向に配向させることができるように磁場を印加すればよく、特に制限されない。
成形体中の絶縁性の平板状磁性粉体に磁場を印加する場合、成形体中で磁力線が曲がると、絶縁性の平板状磁性粉体を一方向に配向させることができない。したがって、磁場は発生する磁力線が成形体の表面に対して略平行となるように印加することが好ましい。
【０１０８】
印加する磁場の大きさは、１００ガウス以上かつ３０００ガウス以下であることが好ましい。磁場の大きさが１００ガウス未満であると、磁場が小さすぎてしまい、成形体中の絶縁性の平板状磁性粉体を十分に一方向に配向させることができない場合がある。一方、３０００ガウスを超えると、磁場が大きすぎてしまい、この磁場により絶縁性の平板状磁性粉体同士が凝集して絶縁材料である樹脂と分離してしまう虞があり、得られた複合磁性体の磁気特性に不均一が生じる虞があるので好ましくない。
【０１０９】
「乾燥・硬化工程」
上記の配向工程で絶縁性の平板状磁性粉体を配向させた成形体を、乾燥・硬化させ、複合磁性体とする工程である。
ここでは、絶縁性の平板状磁性粉体が配向した成形体を乾燥させ、次いで、加熱あるいは紫外線照射等により絶縁材料である樹脂、例えば、熱硬化性樹脂を硬化させる。
乾燥・硬化条件（処理温度、処理時間等）は、使用する樹脂や溶媒の種類に応じて適宜調整すればよい。例えば、熱可塑性樹脂の場合、乾燥により溶媒を除去することが好ましい。
【０１１０】
「プレス工程」
上記の乾燥工程で得られた成形体の気孔率が２０％以下であれば、このプレス工程は不要であるが、成形体の気孔率が２０％を超える場合や、成形体の気孔率をさらに減少させたい場合には、上記の乾燥工程後に、成形体をプレスする工程を施すことが好ましい。プレス装置は公知のものを適宜用いればよい。
【０１１１】
プレス装置で成形体に圧力を加える際に、絶縁材料として樹脂を用いる場合には、効果的に気孔を減少させるために、樹脂の軟化温度以上かつ硬化開始温度以下で圧力を加えることが好ましい。特に、熱可塑性樹脂を使用した場合には、樹脂の軟化温度以上の温度で圧力を加えて、樹脂同士を融着させる必要がある。
プレス時の圧力は適宜調整すればよいが、５ＭＰａ〜２０ＭＰａ程度の圧力を加えるのが好ましい。
以上により、本実施形態の複合磁性体を得ることができる。
【０１１２】
［アンテナ］
本実施形態のアンテナは、本実施形態の複合磁性体を備えたものである。
この複合磁性体を備えたアンテナの一形態として、本実施形態の複合磁性体を装荷したアンテナがある。
アンテナに本実施形態の複合磁性体を装荷させる方法としては、特に制限されず、アンテナを構成する銅線等の導体（以下、「アンテナ導体」と称する）に本実施形態の複合磁性体を被覆させる等、公知の方法で装荷させればよい。
ここで、「装荷」とは、電磁的な相互作用により波長短縮等の効果が得られるようにするために、アンテナ導体に複合磁性体を接触させたり、あるいは近づけたりすることを意味する。
【０１１３】
アンテナの種類及び形状は、特に制限されず、モノポールアンテナ、ダイポールアンテナ、ループアンテナ、ミアンダアンテナ、ヘリカルアンテナ、パッチアンテナ、Ｆ型アンテナ、Ｌ型アンテナ等が好適に用いられる。また、アンテナをより小型化させるために、整合回路を併用してもよい。
例えば、モノポールアンテナやＬ字アンテナは、アンテナ導体を中心として、上記の複合磁性体を棒状あるいは長尺の板状に加工したもので挟み込むように形成することで得ることができる。
また、ヘリカルアンテナは、上記の複合磁性体を棒状に加工した棒状複合磁性体の周囲に、銅線等からなる長尺かつ極細のアンテナ導体をコイル状に巻回することで得ることができる。
これらのアンテナでは、波長短縮効果により、所望波長の１／４よりも長さが短い小型アンテナを得ることが可能である。
【０１１４】
図２は、本実施形態のアンテナの一例であるモノポールアンテナの給電方法を示す模式図であり、このモノポールアンテナ１１は、棒状のアンテナ導体１２と、このアンテナ導体１２を埋め込むことによりその表面を被覆した板状の複合磁性体１３とを備えている。
このモノポールアンテナ１１は、所定形状の導体からなる地板１４に同軸コネクタ等を介して接続され、この同軸コネクタ等の内導体である接続部１５を給電点とするように交流信号発信機１６が接続されている。給電点と地板１４とは、電気的に絶縁されている。
その他の種類及び形状のアンテナにおける給電方法も上記と同様、アンテナは地板１４に同軸コネクタ等を介して接続され、この接続部１５を給電点とするように交流信号発信機１６が接続される。
【０１１５】
［通信装置］
本実施形態の通信装置は、上記のアンテナを備えている。
この通信装置としては、電磁波を介して各種情報の送信、受信、送受信のいずれかを行う装置であればよく、特に限定されない。例えば、パーソナルコンピューター、携帯用電話機、携帯情報端末、スマートフォン等の多機能携帯用情報端末、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等の通信機器、オーディオ機器、ビデオ機器、カメラ機器等の各種電子機器等が挙げられる。
【０１１６】
本実施形態の通信装置には、上述した各種機器の他、これらの各種機器に付随する保護カバー等の各種アクセサリー（補助用具）に上記のアンテナを設けた補助アンテナを装着した通信装置も含まれる。
これらの通信装置においては、上記のアンテナは、通信装置の外部に設けられていてもよく、また、内蔵されていてもよく、いずれでもよい。
【０１１７】
ここで、通信装置として携帯用電話機を例に取り、上記のアンテナの様々な取り付け方について説明する。
図３は、本実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機の一例を示す斜視図であり、この携帯用電話機２１は、筐体２２の前面に液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等からなる表示機能を有する表示部２３が設けられ、この表示部２３の裏面側には地板（図示略）が設けられ、この地板にコネクタ等を介して棒状のモノポールアンテナ２４内に配設されたアンテナ導体２５が接続され、この接続部を介して携帯用電話機の電子回路（図示略）が接続されている。このモノポールアンテナ２４は、銅線等の導体からなるアンテナ導体２５が複合磁性体２６により被覆されている。
【０１１８】
このモノポールアンテナ２４は、筐体２２から取り出し可能かつ筐体２２に収納可能とされており、通信時は、必要に応じて筐体２２から引き出して通信を行い、通信しない時には、筐体２２に押し込んで収納するようになっている。
このモノポールアンテナ２４は、棒状である必要はなく、伸縮自在であってもよい。
このモノポールアンテナ２４は、アンテナ利得を向上させることを考慮すると、表示部２３等と重ならない位置に設けることが好ましい。なお、表示部２３等と重なる位置に設ける場合には、筐体２２の厚みをとって、筐体２２内部でモノポールアンテナ２４と表示部２３の間隔をとることが望ましい。
【０１１９】
図４は、本実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機の他の一例を示す斜視図であり、この携帯用電話機３１は、筐体３２の前面に液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等からなる表示機能を有する表示部３３が設けられ、側面に外部アンテナ用端子３４が設けられ、この外部アンテナ用端子３４には、棒状のモノポールアンテナ３５の側面に設けられた接続端子３６が嵌め込まれており、このモノポールアンテナ３５内に配設されたアンテナ導体３７が、表示部３３の裏面側に設けられた地板（図示略）に接続端子３６及び外部アンテナ用端子３４を介して電気的に接続され、この接続部を介して携帯用電話機の電子回路（図示略）が接続されている。このモノポールアンテナ３５は、銅線等の導体からなるアンテナ導体３７が複合磁性体３８により被覆されている。
この携帯用電話機３１では、モノポールアンテナ３５の接続端子３６を外部アンテナ用端子３４に挿入・取り外しすることで、モノポールアンテナ３５の装着及び取り外し可能とされている。
【０１２０】
図５は、本実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機のさらに他の一例の一部を示す部分斜視図であり、この携帯用電話機４１は、筐体４２の前面の液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等からなる表示機能を有する表示部（図示略）の背面側に地板４３が設けられ、この地板４３と重ならない位置（図５では、地板４３の上方）にＬ字アンテナ４４が設けられ、このＬ字アンテナ４４内に配設されたアンテナ導体４５が地板４３にコネクタ等を介して接続され、この接続部を介して携帯用電話機の電子回路（図示略）が接続されている。このＬ字アンテナ４４は、銅線等の導体からなるアンテナ導体４５が複合磁性体４６により被覆されている。
【０１２１】
図６は、本実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機のさらに他の一例の一部を示す部分斜視図であり、この携帯用電話機５１は、筐体５２の前面の液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等からなる表示機能を有する表示部（図示略）の背面側に地板５３が設けられ、この地板５３と重ならない位置（図６では、地板５３の上方）にヘリカルアンテナ５４が設けられ、このヘリカルアンテナ５４の螺旋状のアンテナ導体５６が地板５３にコネクタ等を介して接続され、この接続部を介して携帯用電話機の電子回路（図示略）が接続されている。このヘリカルアンテナ５４は、棒状の複合磁性体５５を取り巻くように、銅線等の導体からなるアンテナ導体５６が螺旋状に巻回されている。
【０１２２】
図７は、本実施形態の通信装置の一種の保護カバー付き携帯用電話機の一例を示す斜視図であり、この保護カバー付き携帯用電話機６１は、携帯用電話機６２と、この携帯用電話機６２に装着されたアクセサリーの一種である保護カバー６３とにより構成され、携帯用電話機６２は、筐体６４の前面に液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等からなる表示機能を有する表示部６５が設けられ、この筐体６４の一方の側面に表示部６５の裏面側に設けられた地板（図示略）に接続する外部アンテナ用端子６６が設けられている。
【０１２３】
一方、保護カバー６３は、柔軟性を有する樹脂等からなる変形可能なもので、筐体６４の表示部６５を除く周縁部及び背面を覆うように設けられ、この保護カバー６３の一方の側部にはダイポールアンテナ７１が設けられ、このダイポールアンテナ７１は、銅線等の導体からなるアンテナ導体７２が複合磁性体７３により被覆されている。このダイポールアンテナ７１には、このダイポールアンテナ７１を外部アンテナ用端子６６に接続するための接続端子７４が設けられている。
ダイポールアンテナ７１は、モノポールアンテナを対にして２つ備えたもので、保護カバー６３を携帯用電話機６２に装着したときに、表示部６５と重ならない位置に備えられていることが好ましい。なお、表示部６５と重なる位置に設ける場合には、保護カバー６３の厚みを厚くし、保護カバー６３内部でダイポールアンテナ７１と表示部６５の間隔を適宜空けることが望ましい。
【０１２４】
この保護カバー付き携帯用電話機６１は、ダイポールアンテナ７１が表示部６５の裏面側に設けられた地板（図示略）に接続端子７４及び外部アンテナ用端子６６を介して接続され、この接続部を介して携帯用電話機の電子回路（図示略）が接続されている。
この保護カバー付き携帯用電話機６１では、保護カバー６３の接続端子７４を携帯用電話機６２の外部アンテナ用端子６６に挿入し、この状態を保持したまま、保護カバー６３を携帯用電話機６２に被せることで、ダイポールアンテナ７１を携帯用電話機６２に接続することができる。
また、保護カバー６３を携帯用電話機６２から取り外すことで、ダイポールアンテナ７１を携帯用電話機６２から取り外すことができる。
【０１２５】
図８は、本実施形態の通信装置の一種の保護カバー付き携帯用電話機の他の一例を示す平面図、図９は図８のＡ−Ａ線に沿う断面図であり、この保護カバー付き携帯用電話機８１は、携帯用電話機８２と、保護カバー８３とにより構成され、携帯用電話機８２は、筐体８４の前面に液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等からなる表示機能を有する表示部８５が設けられ、この筐体８４の上面に表示部８５の裏面側に設けられた地板（図示略）に接続する外部アンテナ用端子８６が設けられている。
【０１２６】
一方、保護カバー８３は、柔軟性を有する樹脂等からなる変形可能なもので、筐体８４の周縁部及び背面を覆うように設けられ、この保護カバー８３の背面の上部にはスパイラルアンテナ９１が設けられている。このスパイラルアンテナ９１は、スパイラル状にしたアンテナ導体９２を複合磁性体９３により被覆したもので、このスパイラルアンテナ９１には、外部アンテナ用端子８６に接続するための接続端子９４が設けられている。
このスパイラルアンテナ９１は、保護カバー８３を携帯用電話機８２に装着したときに、表示部８５と重ならない位置に備えられていることが好ましい。なお、表示部８５と重なる位置に設ける場合には、保護カバー８３の厚みを厚くし、保護カバー８３内部でスパイラルアンテナ９１と表示部８５の間隔を適宜空けることが望ましい。
【０１２７】
この保護カバー付き携帯用電話機８１は、スパイラルアンテナ９１が、表示部８５の裏面側に設けられた地板（図示略）に接続端子９４及び外部アンテナ用端子８６を介して接続され、この接続部を介して携帯用電話機の電子回路（図示略）が接続されている。
この保護カバー付き携帯用電話機８１では、保護カバー８３の接続端子９４を携帯用電話機８２の外部アンテナ用端子８６に挿入し、この状態を保持したまま、保護カバー８３を携帯用電話機８２に被せることで、スパイラルアンテナ９１を携帯用電話機８２に接続することができる。
また、保護カバー８３を携帯用電話機８２から取り外すことで、スパイラルアンテナ９１を携帯用電話機８２から取り外すことができる。
【０１２８】
上記の各例によれば、搭載しているモノポールアンテナ２４、３５、Ｌ字アンテナ４４、ヘリカルアンテナ５４、ダイポールアンテナ７１及びスパイラルアンテナ９１が共に小型であるから、アンテナを携帯用電話機内の狭い空間に配置させることができ、アンテナ以外の部品により電波が遮断されることなく、アンテナ利得の高い携帯用電話機を得ることができる。
特に、ダイポールアンテナ７１及びスパイラルアンテナ９１は、保護カバー６３、８３のようなアクセサリー内にも設置が可能であるから、携帯用電話機の筐体内の領域を占有することなく、携帯用電話機に補助アンテナを設けることができ、アンテナの性能を向上させることができる。
【０１２９】
以上説明したように、本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体によれば、表面を絶縁性被膜により被覆した平板状磁性粉体の平均アスペクト比（長径／厚み）を５以上、平均厚みを０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下、平均長径を０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下としたので、絶縁材料と共に複合磁性体を形成した場合に、複素透磁率の実部μｒ’を大きく、かつ複素誘電率の損失正接ｔａｎδεを小さくすることができる。したがって、高透磁率と低誘電損失とを両立させることができる複合磁性体を提供することができる。
【０１３０】
本実施形態の複合磁性体によれば、本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体を絶縁材料中に含有させたので、高透磁率と低誘電損失とを両立させることができる。したがって、高透磁率かつ低誘電損失の複合磁性体を提供することができる。
【０１３１】
また、この複合磁性体中に含有される磁性粉体のうち、９５質量％以上を本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体とすれば、ｔａｎδμ及びｔａｎδεをより低くすることができる。したがって、電子部品や電子機器の利得を向上させることができる。
【０１３２】
さらに、この複合磁性体中に含有される磁性粉体のうち、９５質量％以上が本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体である場合、すなわち、球状の磁性粒子を実質的に含まない場合には、ｔａｎδμ及びｔａｎδεをさらに低くすることができる。したがって、電子部品や電子機器の利得をより向上させることができる。
【０１３３】
本実施形態のアンテナによれば、本実施形態の複合磁性体を備えたので、小型で、利得が高く、広帯域にて使用することができるアンテナを提供することができる。
【０１３４】
本実施形態の通信装置によれば、本実施形態の小型のアンテナを備えたので、小型で利得が高く、広帯域にて使用することができるアンテナを用いることにより、通信装置全体の小型化、利得の向上及び広帯域にて使用できる通信装置を得ることができる。
【０１３５】
本実施形態の絶縁性の平板状磁性粉体の製造方法によれば、平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上、平均厚みが０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下、かつ平均長径が０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下である平板状磁性粉体を、５０℃以上かつ２００℃以下の温度範囲にて加熱処理するので、簡単な装置を用いるだけで、収率よく、本発明の絶縁性の平板状磁性粉体を製造することができ、製造コストも低減することができる。
【実施例】
【０１３６】
以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【０１３７】
［実施例１］
「平板状磁性粉体の作製」
平均粒径０．２５μｍのパーマロイ（登録商標）に亜鉛を４質量％含有した磁性粉体２０ｇを、窒素を含有するグラフトポリマー（界面活性剤）を溶解したキシレン８０ｇに混合し、スラリーを作製した。
【０１３８】
次いで、このスラリーを密閉容器内に投入し、さらに、平均粒径２００μｍのジルコニアビーズ（分散媒）を投入し、これらスラリー及びジルコニアビーズを、この密閉容器の一軸回転体の径方向の外周端の流速が１０ｍ／秒となる回転数で攪拌し、平均長径が２．５μｍ、平均厚みが０．３μｍの平板状磁性粉体を得た。
ここでは、密閉容器として、循環密閉型のサンドミル  ウルトラアペックスミルＵＡＭ−０１５（寿工業社製）を用いた。
【０１３９】
次いで、真空乾燥機を用いて、得られた平板状磁性粉体を、真空中、１００℃にて乾燥させて溶媒を散逸させた。次いで、この真空乾燥機を３０℃以下にまで自然冷却した後、平板状磁性粉体を取り出し、この平板状磁性粉体をポリエチレン製の容器内に投入した後、温度１５℃、湿度３５％の恒温恒湿環境下にて１週間保管した。
【０１４０】
「絶縁性被膜の形成」
この保管していた平板状磁性粉体を上記の容器から取り出し、大気中、１００℃にて１時間加熱することで、平板状磁性粉体の表面に絶縁性被膜を形成し、実施例１の絶縁性の平板状磁性粉体を得た。
【０１４１】
「絶縁性の平板状磁性粉体の評価」
絶縁性の平板状磁性粉体の粉体抵抗及び酸素量を、以下の方法にて評価した。
（１）粉体抵抗
測定装置としては、粉体抵抗測定ユニット  ＭＣＰ−ＰＤ１５１（ダイヤインスツルメンツ社製）と、粉体用低抵抗プローブユニット  ＭＣＰ−ＰＤ５１１（ダイヤインスツルメンツ社製）と、抵抗率計  ロレスタＧＰ ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学社製）とを組み合わせたものを用いた。
粉体抵抗の測定は、所定量の絶縁性の平板状磁性粉体に５１ＭＰａの圧力を掛けて厚みが３．０〜３．５ｍｍの測定用試料を作製し、この測定用試料に５１ＭＰaの圧力を１分間かけた時点での抵抗率を測定することで行った。
【０１４２】
（２）酸素量
酸素窒素分析装置  ＴＣ−４３６（ＬＥＣＯ社製）を使用して、不活性ガス溶融・赤外線吸収法にて測定した。
これらの測定の結果、粉体抵抗は５０ｍΩ・ｃｍであり、酸素量は３．９質量％であった。結果を表１に示す。
【０１４３】
「複合磁性体の作製」
上記で得られた絶縁性の平板状磁性粉体と、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂  ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｌ（ＤＩＣ株式会社製）と、１−イソブチル−２メチルイミダゾール（硬化剤）と、シクロヘキサノンとを遊星撹拌機に投入し、１５分間混合してスラリー状の混合物を得た。この混合物の粘度は４００ｍＰａ・ｓであった。
【０１４４】
ここでは、各材料の投入量は、シクロヘキサノンは、混合物中の含有率が４０質量％となるように投入した。硬化剤は、樹脂と硬化剤との合計質量に対して１質量％となるように投入した。絶縁性の平板状磁性粉体は、樹脂と硬化剤と絶縁性の平板状磁性粉体との合計体積に対して４０体積％となるように投入した。
【０１４５】
次いで、このスラリー状の混合物を、乾燥後の膜厚が０．１ｍｍになるように、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にバーコーターにてシート成形を行った。
シート成形後、このシートの面に水平方向に９００ガウスの磁場を６分間印加した。次いで、このシート上に８０℃の温風を導入して風乾させた。次いで、樹脂の軟化点である１１０℃にて１０ＭＰａのプレス圧力を加えた後、１６０℃にて２時間硬化反応を行い、実施例１の複合磁性体を得た。
【０１４６】
「複合磁性体の評価」
次いで、この複合磁性体の電磁気特性を次の方法により評価した。
マテリアルアナライザー  Ｅ４９９１Ａ型（Agilent Technologies社製）を用いて、大気中、室温（２５℃）にて、複合磁性体の２００ＭＨｚにおける複素透磁率の実部μｒ’、複素誘電率の実部εｒ’、複素透磁率のｔａｎδμ及び複素誘電率のｔａｎδεを測定した。その後、これらμｒ’及びεｒ’の測定値を基に（μｒ’・εｒ’）−１／２及び（μｒ’／εｒ’）１／２の各値を算出した。
得られた電磁気特性の結果を表２に示す。
【０１４７】
［実施例２］
実施例１にて作製された平板状磁性粉体をポリエチレン製の容器内に投入した後の保管条件を、温度１５℃、湿度３５％の恒温恒湿環境下から温度３０℃、湿度７８％の恒温恒湿環境下に変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２の絶縁性の平板状磁性粉体及び複合磁性体を得た。
この絶縁性の平板状磁性粉体を実施例１と同様にして評価したところ、粉体抵抗は６７ｍΩ・ｃｍ、酸素量は３．９質量％であった。結果を表１に示す。
また、実施例２の複合磁性体を実施例１と同様にして評価した。その評価結果を表２に示す。
【０１４８】
［実施例３］
実施例１の絶縁性被膜の形成における加熱条件を、１００℃にて１時間加熱から５０℃にて１時間加熱に変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例３の絶縁性の平板状磁性粉体及び複合磁性体を得た。
この絶縁性の平板状磁性粉体を実施例１と同様にして評価したところ、粉体抵抗は２５ｍΩ・ｃｍ、酸素量は３．８質量％であった。結果を表１に示す。
また、実施例３の複合磁性体を実施例１と同様にして評価した。その評価結果を表２に示す。
【０１４９】
［実施例４］
実施例１の絶縁性被膜の形成における加熱条件を、１００℃にて１時間加熱から１５０℃にて１時間加熱に変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例４の絶縁性の平板状磁性粉体及び複合磁性体を得た。
この絶縁性の平板状磁性粉体を実施例１と同様にして評価したところ、粉体抵抗は４５０ｍΩ・ｃｍ、酸素量は４．０質量％であった。結果を表１に示す。
また、実施例４の複合磁性体を実施例１と同様にして評価した。その評価結果を表２に示す。
【０１５０】
［実施例５］
実施例１の絶縁性被膜の形成における加熱条件を、１００℃にて１時間加熱から２００℃にて１時間加熱に変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例５の絶縁性の平板状磁性粉体及び複合磁性体を得た。
この絶縁性の平板状磁性粉体を実施例１と同様にして評価したところ、粉体抵抗は１４０００ｍΩ・ｃｍ、酸素量は４．５質量％であった。結果を表１に示す。
また、実施例５の複合磁性体を実施例１と同様にして評価した。その評価結果を表２に示す。
【０１５１】
［実施例６］
実施例１にて作製された平板状磁性粉体をポリエチレン製の容器内に投入した後の保管条件を、温度１５℃、湿度３５％の恒温恒湿環境下から温度３０℃、湿度７８％の恒温恒湿環境下に変更し、さらに、この平板状磁性粉体の表面に絶縁性被膜を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、実施例６の平板状磁性粉体及び複合磁性体を得た。
この平板状磁性粉体を実施例１と同様にして評価したところ、粉体抵抗は５．８ｍΩ・ｃｍ、酸素量は４．０質量％であった。結果を表１に示す。
また、実施例６の複合磁性体を実施例１と同様にして評価した。その評価結果を表２に示す。
【０１５２】
［比較例１］
平板状磁性粉体の表面に絶縁性被膜を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、比較例１の平板状磁性粉体及び複合磁性体を得た。
この平板状磁性粉体を実施例１と同様にして評価したところ、粉体抵抗は２．６ｍΩ・ｃｍ、酸素量は３．９質量％であった。結果を表１に示す。
また、比較例１の複合磁性体を実施例１と同様にして評価した。その評価結果を表２に示す。
【０１５３】
［比較例２］
実施例１の絶縁性被膜の形成における加熱条件を、１００℃にて１時間加熱から２５０℃にて１時間加熱に変更したところ、酸化が進行し過ぎて平板状磁性粉体が燃焼してしまい、表面が絶縁性被膜により被覆された平板状磁性粉体を得ることができなかった。
【０１５４】
【表１】
2013247351.tif 000003
【０１５５】
【表２】
2013247351.tif 000004
【０１５６】
実施例１〜６の複合磁性体は、ｔａｎδεが０．０５以下と小さく、比較例１の複合磁性体より誘電損失が小さいことが確認された。
また、実施例１〜６の複合磁性体を比較例１の複合磁性体と比較したところ、μｒ’は同等であるが、実施例１〜６の複合磁性体のεｒ’は、比較例１の複合磁性体のεｒ’よりも低いことが確認された。
【符号の説明】
【０１５７】
１  密閉容器
２  磁性粒子
３  スラリー
４  分散媒体
５  一軸回転体
５ａ  外周端
１１  モノポールアンテナ
１２  アンテナ導体
１３  複合磁性体
１４  地板
１５  接続部
１６  交流信号発信機
２１  携帯用電話機
２２  筐体
２３  表示部
２４  モノポールアンテナ
２５  アンテナ導体
２６  複合磁性体
３１  携帯用電話機
３２  筐体
３３  表示部
３４  外部アンテナ用端子
３５  モノポールアンテナ
３６  接続端子
３７  アンテナ導体
３８  複合磁性体
４１  携帯用電話機
４２  筐体
４３  地板
４４  Ｌ字アンテナ
４５  アンテナ導体
４６  複合磁性体
５１  携帯用電話機
５２  筐体
５３  地板
５４  ヘリカルアンテナ
５５  複合磁性体
５６  アンテナ導体
６１  保護カバー付き携帯用電話機
６２  携帯用電話機
６３  保護カバー
６４  筐体
６５  表示部
６６  外部アンテナ用端子
７１  ダイポールアンテナ
７２  アンテナ導体
７３  複合磁性体
７４  接続端子
８１  保護カバー付き携帯用電話機
８２  携帯用電話機
８３  保護カバー
８４  筐体
８５  表示部
８６  外部アンテナ用端子
９１  スパイラルアンテナ
９２  アンテナ導体
９３  複合磁性体
９４  接続端子
【図１】
2013247351.tif 000005
【図２】
2013247351.tif 000006
【図３】
2013247351.tif 000007
【図４】
2013247351.tif 000008
【図５】
2013247351.tif 000009
【図６】
2013247351.tif 000010
【図７】
2013247351.tif 000011
【図８】
2013247351.tif 000012
【図９】
2013247351.tif 000013