(57)【要約】【課題】本発明は、ＬΕＤモジュール用基板の製造方法及びこれによって製造されたＬΕＤモジュール用基板に関する。【解決手段】本発明は、レジスト塗布工程及び表面処理工程による母基板の光反射率低下を防止するために、両面に金属層が形成されたベース基材を提供する段階と、前記金属層に回路パターンを形成する段階と、前記回路パターン上にソルダレジスト層を塗布する段階と、前記ベース基材を貫通する貫通孔を形成する段階と、前記ベース基材を上下に分離する段階と、前記分離されたそれぞれのベース基材を母基板に接合する段階と、を含むＬΕＤモジュール用基板の製造方法及びこれによって製造されたＬΕＤモジュール用基板を提供する。【選択図】図１４
2013207299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面に金属層が形成されたベース基材を提供する段階と、
前記金属層に回路パターンを形成する段階と、
前記回路パターン上にソルダレジスト層を塗布する段階と、
前記ベース基材を上下に分離する段階と、
前記分離されたそれぞれのベース基材を母基板に接合する段階と、
を含む基板の製造方法。
【請求項２】
一面に金属層が形成された二枚のベース基材を提供する段階と、
金属層が形成されていない面どうしが対向するように配置された前記二枚のベース基材の間に離型フィルムを付着して前記二枚のベース基材を接合する段階と、
前記金属層に回路パターンを形成する段階と、
前記回路パターン上にソルダレジスト層を塗布する段階と、
前記離型フィルムを剥離（ｐｅｅｌ  ｏｆｆ）して前記二枚のベース基材を分離する段階と、
前記分離されたそれぞれのベース基材を母基板に接合する段階と、
を含む基板の製造方法。
【請求項３】
前記回路パターン上にソルダレジスト層を塗布する段階の後、
露出した回路パターンに表面処理工程を施す段階をさらに含む請求項１または２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属層に回路パターンを形成する際に前記ベース基材を貫通する貫通孔を形成する段階をさらに含む請求項１から３の何れか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記分離されたそれぞれのベース基材を母基板に接合する段階の後、
前記母基板で前記貫通孔によって開口（ｏｐｅｎ）された領域をめっきする段階をさらに含む請求項４に記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記分離されたそれぞれのベース基材を母基板に接合する段階は、
前記ベース基材と母基板との間にボンディングシートを仮接着することにより行われる請求項１から５の何れか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
母基板と、
前記母基板でＬΕＤ素子が実装される領域を除いた部分に形成されたベース基材と、
前記ベース基材上に備えられ、回路パターンが形成された金属層と、
前記金属層上に形成されたソルダレジスト層と、
前記母基板でＬΕＤ素子が実装される領域に備えられためっき層と、
を含むＬΕＤモジュール用基板。
【請求項８】
前記母基板は、アルミニウム素材からなる金属基板である請求項７に記載のＬΕＤモジュール用基板。
【請求項９】
前記ベース基材と母基板との間に接合されたボンディングシートをさらに含む請求項７または８に記載のＬΕＤモジュール用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬΕＤモジュール用基板の製造方法及びこれによって製造されたＬΕＤモジュール用基板に関し、より詳細には、母基板の光反射率を維持することができるＬΕＤモジュール用基板の製造方法及びこれによって製造されたＬΕＤモジュール用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、軽量化、薄型化及び省力化が可能な照明、発光手段として発光ダイオード（以下、ＬΕＤ）が注目されている。ＬΕＤ素子は、半導体のｐｎ接合に順方向電流を流すことにより発光する素子であり、ＧａＡｓ、ＧａＮなどのIII−Ｖ族半導体結晶を用いて製造される。半導体のエピタキシャル成長技術と発光素子技術の進歩により、変換効率に優れたＬΕＤが開発され、様々な分野において幅広く使用されている。
【０００３】
このようなＬΕＤは、モジュールとして一体に製作されるが、ＬΕＤモジュールは一般的な印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）に表面実装技術（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔｅｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ；ＳＭＴ）の工程を施すことにより製作されることが一般的である。
【０００４】
ＬΕＤモジュールに使用される印刷回路基板（ＰＣＢ）の場合、その形態や材質もＬΕＤ素子の形態特性に合わせて製作されなければならないため、強度が高く熱変形性が少ない素材を使用する。特に、ＬΕＤ素子の光は直進性の特性があり印刷回路基板（ＰＣＢ）の素子実装形態によって反射板または導光板のような別途の部材を使用して製作しなければならない難点が伴う。即ち、従来の印刷回路基板（ＰＣＢ）にＬΕＤ素子を実装すると、ＬΕＤ光の直進性により一定の光が消失され効率性低下をもたらす。
【０００５】
そのため、ＬΕＤモジュールに使用される印刷回路基板（ＰＣＢ）の場合、その母基板として光反射率が高いアルミニウム素材が用いられる。また、より高い光反射率を具現するために、母基板の表面にミラー（ｍｉｒｒｏｒ）処理を施す場合もある。
【０００６】
これに係り、韓国特許公開第１０−２０１０−０１２３１５５号（以下、先行技術文献）には、このようなＬΕＤ特性を考慮して反射層が備えられたＬΕＤモジュール用印刷回路基板が開示されている。
【０００７】
しかし、先行技術文献の特許請求の範囲によると、従来の一般的な印刷回路基板の製造工程と同様に、母基板（またはベース基板）に回路パターンを形成し、前記回路パターンにフォトレジストを塗布する段階を行うが、このような従来の一般的な印刷回路基板の製造工程によると、母基板が損傷され、光反射率が低下する。
【０００８】
即ち、母基板に回路パターンが生成された状態で基板全体に対するレジスト塗布工程が行われるが、塗布されるレジストによって母基板が共に損傷される。
【０００９】
また、ＬΕＤモジュールで基板とＬΕＤ素子のワイヤボンディングのために露出した回路パターンに表面処理工程を施す場合もあるが、このような表面処理工程の過程でも従来の製造工程によると、母基板に回路パターンが生成された状態で基板全体に対して表面処理が施され、母基板が損傷される恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】韓国公開特許公報第１０−２０１０−０１２３１５５号
【特許文献２】韓国公開特許公報第１０−２０１１−００９２８０９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、前記のような問題を解決するためのものであり、母基板の光反射率を維持することができるＬΕＤモジュール用基板の製造方法及びこれによって製造されたＬΕＤモジュール用基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記のような目的を果たすために導き出された本発明は、両面に金属層が形成されたベース基材を提供する段階と、前記金属層に回路パターンを形成する段階と、前記回路パターン上にソルダレジスト層を塗布する段階と、前記ベース基材を上下に分離する段階と、前記分離されたそれぞれのベース基材を母基板に接合する段階と、を含む、ＬΕＤモジュール用基板の製造方法を提供する。
【００１３】
また、前記回路パターン上にソルダレジスト層を塗布する段階の後、露出した回路パターンに表面処理工程を施す段階をさらに含む、ＬΕＤモジュール用基板の製造方法を提供する。
【００１４】
また、前記金属層に回路パターンを形成する際に前記ベース基材を貫通する貫通孔を形成する段階をさらに含む、ＬΕＤモジュール用基板の製造方法を提供する。
【００１５】
また、前記分離されたそれぞれのベース基材を母基板に接合する段階の後、前記母基板で前記貫通孔によって開口（ｏｐｅｎ）された領域をめっきする段階をさらに含む、ＬΕＤモジュール用基板の製造方法を提供する。
【００１６】
また、前記分離されたそれぞれのベース基材を母基板に接合する段階は、前記ベース基材と母基板との間にボンディングシートを仮接着することにより行われる、ＬΕＤモジュール用基板の製造方法を提供する。
【００１７】
前記のような目的を果たすために導き出された本発明は、一面に金属層が形成された二枚のベース基材を提供する段階と、金属層が形成されていない面どうしが対向するように配置された前記二枚のベース基材の間に離型フィルムを付着して前記二枚のベース基材を接合する段階と、前記金属層に回路パターンを形成する段階と、前記回路パターン上にソルダレジスト層を塗布する段階と、前記離型フィルムを剥離（ｐｅｅｌ  ｏｆｆ）して前記二枚のベース基材を分離する段階と、前記分離されたそれぞれのベース基材を母基板に接合する段階と、を含む、ＬΕＤモジュール用基板の製造方法を提供する。
【００１８】
また、前記回路パターン上にソルダレジスト層を塗布する段階の後、露出した回路パターンに表面処理工程を施す段階をさらに含む、ＬΕＤモジュール用基板の製造方法を提供する。
【００１９】
また、前記金属層に回路パターンを形成する際に前記ベース基材を貫通する貫通孔を形成する段階をさらに含む、ＬΕＤモジュール用基板の製造方法を提供する。
【００２０】
また、前記分離されたそれぞれのベース基材を母基板に接合する段階の後、前記母基板で前記貫通孔によって開口（ｏｐｅｎ）された領域をめっきする段階をさらに含む、ＬΕＤモジュール用基板の製造方法を提供する。
【００２１】
前記のような目的を果たすために導き出された本発明は、母基板と、前記母基板でＬΕＤ素子が実装される領域を除いた部分に形成されたベース基材と、前記ベース基材上に備えられ、回路パターンが形成された金属層と、前記金属層上に形成されたソルダレジスト層と、前記母基板でＬΕＤ素子が実装される領域に備えられためっき層と、を含む、ＬΕＤモジュール用基板を提供する。
【００２２】
また、前記母基板は、アルミニウム素材からなる金属基板である、ＬΕＤモジュール用基板を提供する。
【００２３】
また、前記ベース基材と母基板との間に接合されたボンディングシートをさらに含む、ＬΕＤモジュール用基板を提供する。
【発明の効果】
【００２４】
本発明のＬΕＤモジュール用基板の製造方法によると、母基板と接合しない状態でソルダレジスト層の塗布工程が行われるため、従来の製造方法と異なり、ソルダレジスト層の塗布工程による母基板の損傷を防止することができ、これにより、母基板の光反射率を維持することができる。
【００２５】
また、母基板と接合しない状態で回路パターンに表面処理工程が施されるため、従来の製造方法と異なり、表面処理工程による母基板の損傷を防止することができ、これにより、母基板の光反射率を維持することができる。
【００２６】
また、本発明のＬΕＤモジュール用基板の製造方法によって製造されたＬΕＤモジュール用基板によると、母基板でＬΕＤ素子が実装される領域上に別途のめっき層が備えられるため、母基板の光反射率を高めるためのミラー（ｍｉｒｒｏｒ）処理工程を省略することができ、製造コストを下げ、製造リードタイムを短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【図２】本発明の一実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【図３】本発明の一実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【図４】本発明の一実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【図５】本発明の一実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【図６】本発明の一実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【図７】本発明の他の実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【図８】本発明の他の実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【図９】本発明の他の実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【図１０】本発明の他の実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【図１１】本発明の他の実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【図１２】本発明の他の実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【図１３】本発明の他の実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【図１４】本発明によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法によって製造されたＬΕＤモジュール用基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを果たす方法は、添付図面とともに詳細に後述される実施形態を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は以下で開示される実施形態に限定されず、相異なる多様な形態で具現されることができる。本実施形態は、本発明の開示が完全になるようにするとともに、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に伝達するために提供されることができる。明細書全体において、同一参照符号は同一構成要素を示す。
【００２９】
本明細書で用いられる用語は、実施形態を説明するためのものであり、本発明を限定しようとするものではない。本明細書で、単数型は文句で特別に言及しない限り複数型も含む。明細書で用いられる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及び／または「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された構成要素、段階、動作及び／または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作及び／または素子の存在または追加を排除しない。
【００３０】
以下、添付の図面を参照して本発明の構成及び作用効果をより詳細に説明する。
【００３１】
図１〜図６は本発明の一実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【００３２】
本発明の一実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法は、先ず、図１に図示されたように、両面に金属層１１が形成されたベース基材１０を提供する段階を行う。
【００３３】
ここで、前記ベース基材１０は、その後行われる工程で母基板（図６の１３）と接合する層であり、プリプレグ（ＰＲＥＰＲＥＧ）などのような接着性樹脂で形成され、前記金属層１１と母基板１３とを絶縁する機能をする。
【００３４】
前記ベース基材１０はその後行われる工程で上下に分離されるため、適した範囲内の厚さに提供されることが好ましい。
【００３５】
また、ＬΕＤモジュール用基板はＬΕＤ素子が発散する熱を効率的に放出しなければならないため、前記ベース基材１０は、熱伝導性を増加させるために熱伝導性粒子が充填されたエポキシまたはシリコーン樹脂からなることができる。
【００３６】
前記ベース基材１０の両面に形成される前記金属層１１は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄのうち何れか一つを用いて無電解めっき、電解めっき、スクリーン印刷（ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、蒸発法（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、インクジェッティング、ディスペンシングのうち何れか一つまたはこれらを組み合わせた方式によって形成されることができる。
【００３７】
次に、図２に図示されたように、前記金属層１１に回路パターンを形成する段階を行う。
【００３８】
このような回路パターンは、前記金属層１１上に一定パターンを有する感光フィルムを接着した後、露光、現像、及びエッチングなどの過程によるフォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、電子ビームリソグラフィ（Ｅ−ｂｅａｍ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、イオンビームリソグラフィ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｎ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、乾式食刻（Ｄｒｙ  ｅｔｃｈｉｎｇ）、湿式食刻（Ｗｅｔ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）、ナノインプリント（Ｎａｎｏ−ｉｍｐｒｉｎｔ）のうち何れか一つの方式により形成されることができる。
【００３９】
次に、図３に図示されたように、前記回路パターン上にソルダレジスト層１２を塗布する段階を行う。
【００４０】
前記ソルダレジスト層１２は、回路パターン及びベース基材１０の表面が外部環境によって腐食されたり損傷されないようにするための層であり、レジストには様々な色のものがあるが、本発明では光吸収率を減らすためにホワイトフォトソルダレジスト（Ｐｈｏｔｏ  ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ；ＰＳＲ）を用いて塗布する。この際、ＬΕＤ素子が実装される領域を除いて塗布することが好ましい。
【００４１】
一方、本発明によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法は、前記回路パターン上にソルダレジスト層１２を塗布する段階の後、露出した回路パターンに表面処理工程を施す段階をさらに行うことができる。
【００４２】
このような表面処理工程は、別途のめっき線を引き出すことなくＬΕＤ基板とＬΕＤ素子のワイヤボンディングを可能にするためのものであり、外部に露出した前記回路パターンにＯＳＰ（ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｏｌｄｅｒ  ｐｒｅｓｅｒｖｅ）、ＥＮＩＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｇｏｌｄ）、ＥＮＥＰＩＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｌｅｓｓ  Ｐａｌｌａｄｉｕｍ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｇｏｌｄ）のうち何れか一つの方式により表面処理工程を施す。このような表面処理工程により、難易度の高い基板デザイン製作が可能であり、より小さいサイズの基板に、より多いＬΕＤ素子を実装することができる。
【００４３】
このように、本発明のＬΕＤモジュール用基板の製造方法によると、従来のＬΕＤモジュール用基板の製造方法と異なり、母基板１３と接合しない状態でソルダレジスト層１２の塗布工程が行われるため、従来の製造方法と異なり、ソルダレジスト層の塗布工程による母基板１３の損傷を防止することができ、これにより、母基板１３の光反射率を維持することができる。
【００４４】
また、表面処理工程を行う場合にも母基板１３と接合しない状態で表面処理工程が行われるため、従来の製造方法と異なり、表面処理工程による母基板１３の損傷を防止することができ、これにより、母基板１３の光反射率を維持することができる。
【００４５】
次に、図４に図示されたように、前記ベース基材１０を貫通する貫通孔１５を形成する段階を行う。
【００４６】
前記貫通孔１５は、前記母基板１３でＬΕＤ素子が実装される領域のための空間であり、前記貫通孔１５は、例えば、ＣＮＣドリル（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ｎｕｍｅｒｉａｌ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  ｄｒｉｌｌ）、ＣＯ２またはＹａｇレーザドリルのようなドリリング作業によって形成されたり、または、ＣＮＣ  Ｒｏｕｔｅｒマシンまたはルータビット（Ｒｏｕｔｅｒ  Ｂｉｔ）を含むルータ工法によって形成されることができる。
【００４７】
次に、図５に図示されたように、前記ベース基材１０を上下に分離する段階を行う。即ち、ルータ（ｒｏｕｔｅｒ）などを用いて前記ベース基材１０の中央を切断する。これにより、回路パターンとソルダレジスト層１２が備えられた二枚のベース基材が形成されることができる。
【００４８】
最後に、図６に図示されたように、分離されたそれぞれのベース基材１０を母基板１３に接合する段階を行うことにより、最終的にＬΕＤモジュール用基板が完成されることができる。図６では、一つのベース基材１０を母基板１３に接合した状態を図示した。他のベース基材もまた図６のように、他の母基板と接合することができる。
【００４９】
このように、分離されたそれぞれのベース基材１０を母基板１３に接合する段階は、前記ベース基材１０と母基板１３との間にボンディングシート１４を仮接着することにより行われることができる。前記ボンディングシート１４の素材はエポキシ系熱硬化性樹脂またはプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）系の素材が用いられることができる。
【００５０】
さらに、本発明によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法は、分離されたそれぞれのベース基材１０を母基板１３に接合する段階の後、前記母基板１３でＬΕＤ素子が実装される領域をめっきする段階をさらに行うことができる。
【００５１】
これにより、前記母基板１３でＬΕＤ素子が実装される領域、即ち、図５で貫通孔１５によって露出した前記母基板１３の上面には、ＬΕＤ素子で発生する光を反射するためのめっき層が形成されることができる。
【００５２】
このようなめっき層は光に対する反射率が高い金属を用いることが好ましい。
【００５３】
代表的に、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）またはスズ（Ｓｎ）などが選択されることができ、前記めっき層は無電解めっき、電解めっき、スクリーン印刷（Ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、蒸発法（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、インクジェッティング、ディスペンシングのうち何れか一つまたはこれらを組み合わせた方式により形成されることができる。
【００５４】
以下、本発明の他の実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法について説明する。
【００５５】
図７〜図１３は本発明の他の実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法を図示した工程図である。
【００５６】
本発明の他の実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法は、先ず、図７に図示されたように、一面に金属層２１が形成された二枚のベース基材２０ａ、２０ｂを提供する段階を行う。
【００５７】
ここで、前記ベース基材２０ａ、２０ｂは、その後行われる工程で母基板（図１３の２３）と接合する層であり、プリプレグ（ＰＲＥＰＲＥＧ）などのような接着性樹脂からなることができる。また、前記ベース基材２０ａ、２０ｂは前記金属層２１と母基板２３とを絶縁する機能も行う。
【００５８】
前記ベース基材２０ａ、２０ｂの一面に形成される前記金属層２１はＣｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄのうち何れか一つからなることができ、無電解めっき、電解めっき、スクリーン印刷（Ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、蒸発法（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、インクジェッティング、ディスペンシングのうち何れか一つまたはこれらを組み合わせた方式により形成されることができる。
【００５９】
次に、図８に図示されたように、前記二枚のベース基材２０ａ、２０ｂを金属層２１が形成されていない面どうしが対向するように配置した後、その間に離型フィルム（ｒｅｌｅａｓｅ  ｆｉｌｍ）２６を付着して前記二枚のベース基材２０ａ、２０ｂを接合する段階を行う。
【００６０】
前記離型フィルム２６は、レジン系（ｒｅｓｉｎ−ｂａｓｅｄ）の樹脂などにより形成されることができる。これにより、その後行われる段階で、前記離型フィルム２６とそれぞれのベース基材２０ａ、２０ｂとの間に、例えば鋭いナイフを挿入した後、若干のせん断力を印加すると前記離型フィルム２６は容易に剥離（ｐｅｅｌ  ｏｆｆ）される。
【００６１】
次に、図９に図示されたように、前記金属層２１に回路パターンを形成する段階を行う。前記回路パターン形成方法は前記の通りであり、以下で詳細な説明は省略する。
【００６２】
次に、図１０に図示されたように、前記回路パターン及びベース基材２０ａ、２０ｂの表面が外部環境によって腐食されたり損傷されないようにするためのソルダレジスト層２２を塗布する段階を行う。
【００６３】
前記のように、前記ソルダレジスト層２２を塗布する際にホワイトフォトソルダレジスト（Ｐｈｏｔｏ  ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ；ＰＳＲ）を用いるが、ＬΕＤ素子が実装される領域を除いて塗布することが好ましい。
【００６４】
また、本発明の他の実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法は、前記回路パターン上にソルダレジスト層２２を塗布する段階の後、露出した回路パターンに表面処理工程を施す段階をさらに行うことができる。
【００６５】
次に、図１１に図示されたように、母基板２３でＬΕＤ素子が実装される領域のための貫通孔２５を形成する段階を行う。前記貫通孔２５を形成する方法については上述したため詳細な説明は省略する。
【００６６】
次に、図１２に図示されたように、前記のように前記離型フィルム２６を剥離（ｐｅｅｌ  ｏｆｆ）して前記二枚のベース基材２０ａ、２０ｂを分離する段階を行う。
【００６７】
最後に、前記分離されたベース基材２０ａ、２０ｂそれぞれを図１３に図示されたように、母基板２３に接合する段階を行うことにより、最終的にＬΕＤモジュール用基板が完成されることができる。これは、前記ベース基材２０ａ、２０ｂと母基板２３との間にエポキシ系熱硬化性樹脂またはプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）系素材からなるボンディングシート２４を仮接着することにより行われることができる。
【００６８】
さらに、本発明の他の実施形態によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法は、前記分離されたそれぞれのベース基材２０ａ、２０ｂを母基板２３に接合する段階の後、前記母基板２３でＬΕＤ素子が実装される領域をめっきする段階をさらに行うことができる。
【００６９】
以下、本発明によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法によって製造されたＬΕＤモジュール用基板について説明する。
【００７０】
図１４は本発明によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法によって製造されたＬΕＤモジュール用基板の断面図である。
【００７１】
図１４を参照すると、本発明によるＬΕＤモジュール用基板の製造方法によって製造されたＬΕＤモジュール用基板は、母基板３３、ベース基材３０、金属層３１、ソルダレジスト層３２及びめっき層３６を含むことができる。
【００７２】
ここで、前記母基板３３は、アルミニウム素材からなる金属基板であることができる。金属基板の場合、ＬΕＤ素子から発生する熱による変形が少なく、熱伝導性に優れ、ＬΕＤ素子から発生する熱を効率的に放出する。但し、本発明では金属基板に限定されず、ＬΕＤ素子の特性によって従来のエポキシ樹脂やポリイミド系の基板もまた母基板として使用されることができる。
【００７３】
前記ベース基材３０は、ＬΕＤ素子が実装される領域を除いた前記母基板３３上に形成される。即ち、前記ベース基材３０は、ＬΕＤ素子の実装空間のための貫通孔３５が形成されている。
【００７４】
このようなベース基材３０は、プリプレグ（ＰＲＥＰＲＥＧ）などのような接着性樹脂で形成され、前記金属層３１と母基板３３とを絶縁する機能を行う。
【００７５】
前記金属層３１は前記ベース基材３０上に備えられ、回路パターンが形成される。
【００７６】
前記ソルダレジスト層３２は、前記金属層３１上に形成され、前記金属層３１とベース基材３０の表面を外部から保護する。このようなレジストには様々な色のものがあるが、本発明では光吸収率を減らすためにホワイトフォトソルダレジスト（Ｐｈｏｔｏ  ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ；ＰＳＲ）を用いることが好ましい。
【００７７】
前記めっき層３６は前記母基板３３でＬΕＤ素子が実装される領域上に備えられる。
【００７８】
通常、ＬΕＤモジュール用基板の場合、一般的な印刷回路基板と異なり、光反射率を高めるために、母基板の表面に対して別途の工程、例えば、ミラー（ｍｉｒｒｏｒ）処理工程を施すが、これによって製造コストが高くなる。しかし、本発明のＬΕＤモジュール用基板は、ＬΕＤ素子が実装される領域に前記めっき層３６が備えられることにより、光反射率を高めるための別途の工程を省略することができる。結果、製造コストを下げ、製造工程を単純化し、製造リードタイムを短縮する効果をもたらす。
【００７９】
一方、前記ベース基材３０と母基板３３との接合力を高めるために、前記ベース基材３０と母基板３３との間にエポキシ系熱硬化性樹脂またはプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）系素材からなるボンディングシート３４がさらに備えられることができる。
【００８０】
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、上述の内容は本発明の好ましい実施形態を示して説明するものに過ぎず、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で用いることができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、述べた開示内容と均等な範囲及び／または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。上述の実施形態は本発明を実施するにおいて最善の状態を説明するためのものであり、本発明のような他の発明を用いるにおいて当業界に公知された他の状態での実施、そして発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。従って、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むと解釈されるべきであろう。
【符号の説明】
【００８１】
１０、２０ａ、２０ｂ、３０  ベース基材
１１、２１、３１  金属層
１２、２２、３２  ソルダレジスト層
１３、２３、３３  母基板
１４、２４、３４  ボンディングシート
１５、２５、３５  貫通孔
２６  離型フィルム
３６  めっき層
【図１】
2013207299.tif 000003
【図２】
2013207299.tif 000004
【図３】
2013207299.tif 000005
【図４】
2013207299.tif 000006
【図５】
2013207299.tif 000007
【図６】
2013207299.tif 000008
【図７】
2013207299.tif 000009
【図８】
2013207299.tif 000010
【図９】
2013207299.tif 000011
【図１０】
2013207299.tif 000012
【図１１】
2013207299.tif 000013
【図１２】
2013207299.tif 000014
【図１３】
2013207299.tif 000015
【図１４】
2013207299.tif 000016