(57)【要約】【課題】  本発明は、リニアソースのヒータと坩堝の相対位置が変化しても、坩堝内温度の変化の影響が小さく、蒸発レートの変化が小さい真空蒸着装置用のリニアソースを有する蒸発源を提供することである。【解決手段】  本発明は、長手方向を有し、基板の対向面の前記長手方向に並んで設けられた複数のノズルと、内部に蒸着材料を格納する材料室とを備える坩堝と、前記坩堝を格納するケーシングと、前記坩堝と前記ケーシングとの間に設けられ、坩堝奥行き方向に所定幅で前記長手方向に延伸して設けられたヒータと、前記坩堝と前記ヒータとの間に設けられ、一端が前記坩堝の前記ノズル近傍と、前記坩堝奥行き方向に少なくとも前記ノズル近傍以外の1箇所とで前記坩堝と接触する部分を有する伝熱板と、を有する。【選択図】  図５
2013237915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向を有し、基板の対向面に前記長手方向に並んで設けられた複数のノズルと、内部に蒸着材料を格納する材料室とを備える坩堝と、
前記坩堝を格納するケーシングと、
前記坩堝と前記ケーシングとの間に設けられ、坩堝奥行き方向に所定幅で前記長手方向に延伸して設けられたヒータと、
前記坩堝と前記ヒータとの間に設けられ、一端が前記坩堝の前記ノズル近傍と、前記坩堝奥行き方向に少なくとも前記ノズル近傍以外の1箇所と、で前記坩堝と接触する部分を有する伝熱板と
を有することを特徴とする蒸発源。
【請求項２】
請求項１記載の蒸発源において、
前記伝熱板は、前記坩堝の対向面を覆うように設けられたことを特徴とする蒸発源。
【請求項３】
請求項１記載の蒸発源において、
前記伝熱板は、前記奥行き方向に前記ヒータの前記一定幅より長い前記奥行き方向の幅を有することを特徴とする蒸発源。
【請求項４】
請求項１または２記載の蒸発源において、
前記１箇所は、前記前記ノズル近傍とは前記奥行き方向に反対側端部であることを特徴とする蒸発源。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の蒸発源において、伝熱板の材質が、ステンレス、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム、鉄、チタン、カーボン、窒化アルミ、窒化ホウ素、もしくはそれらの複合材料のいずれかであることを特徴とする蒸発源。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の蒸発源において、
前記坩堝と前記伝熱板の間の前記接触部分にガスケットを設けたことを特徴とする蒸発源。
【請求項７】
請求項６記載の蒸発源において、
前記ガスケットの材質が、ステンレス、該ガスケットの材質が、ステンレス、カーボン、銅、アルミニウム、銀、もしくはそれらの複合材料のいずれかであることを特徴とする蒸発源。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の蒸発源において、
前記伝熱板取り付け方法を溶接とした坩堝を有することを特徴とする蒸発源。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の蒸発源と、前記蒸発源を前記基板に沿って移動させる移動機構と、前記基板への一定の蒸着パターンを備えるマスクとを有することを特徴とする真空蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ）などの薄膜デバイスを大形基板に形成する際に、大型基板に対して材料蒸気を放出し成膜する蒸着坩堝及び真空蒸着装置に関する。また、本発明は有機ＥＬに限らず、他のＦＰＤ、半導体、太陽電池等の分野に適用可能である。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ装置のうち、有機ＥＬディスプレイ装置は、視野角が広いだけでなく、応答性も良いため、次世代のディスプレイとして注目されている。有機ＥＬディスプレイを構成する発光素子は、アノードとカソードの両電極にはさまれた有機膜の発光層からなる。発光効率を高めるため、さらに電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層ならびに正孔注入層などの中間層を、選択的に挿入している。これらの電極、発光層ならびに中間層は、数ｎｍから数百ｎｍの薄膜である。この薄膜を形成する技術の一つが真空蒸着（以下、蒸着とする）である。
【０００３】
蒸発源は、一般的に以下の要素から構成される。蒸着材料を封入する坩堝、非接触または一部部材を介して坩堝を加熱するヒータ、ヒータの周囲に設けて蒸発源の周囲に熱を漏らさないための断熱材、上記の要素を収めるハウジングである。坩堝は、主に加熱により気化した蒸着材料を放射するノズル、蒸着材料を収納する材料室から構成される。坩堝の加熱は、ヒータからの熱輻射のみで加熱する方法、坩堝の一部と接して加熱する方法がある。
【０００４】
有機ＥＬ素子を形成する基板は、年々大型化している。特にリニアソースと呼ばれる一方向に長く、基板の対向面に該長手方向に線状にノズルを配する蒸発源では、蒸発源の中に設置する坩堝も長手方向に１〜２ｍの長さを持つものも必要とされている。リニアソースでは、膜厚を均一に成膜する為には、坩堝長手方向における均一な加熱が必要となる。しかし、実際には熱によるヒータ、坩堝、構成部材の膨張などによって、ヒータとの位置関係が坩堝両端で異なり、坩堝に温度分布が生じる。特に高レートで蒸着する場合には、小さな温度差であっても、蒸着材料の蒸気圧は大きく変化を生じ、膜厚分布に偏りが生じてしまう。
【０００５】
坩堝内の温度分布を緩やかにするための工夫としては、例えば、ヒータに面する坩堝の外部に伝熱板を設置する方法がある。特許文献１は、坩堝のノズル部分に伝熱板を設置する方法である。特許文献１においては、ノズル部分から伸びた伝熱板がヒータからの輻射熱が直接材料室に当たることを防ぐと共に、伝熱によりノズル部分へ熱を供給している。この方法により、伝熱板で覆われている材料室への熱供給を減らし、ノズル側への熱供給を増加させることで、ノズル部分と本体部分の温度差を低減している。
【０００６】
また、特許文献２では、伝熱部材と坩堝の間に間隔を設けた技術が開示されている。両特許文献では、ノズルに固定された伝熱部材がヒータから熱を受け取り、ノズルから坩堝本体へ熱供給が行われるため、坩堝温度に対してノズル温度を高く維持できる構造となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３１５８９８号公報
【特許文献２】特開２００８−０８８４９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記特許文献では、伝熱部材を有する蒸発源において、ノズルと本体部分の温度差を低減する技術が開示されている。しかし、前記特許文献は、ノズル詰まりを解消する為のノズル−材料室間温度分布を低減する発明であり、１ｍを超えるリニアソースに適用する場合での坩堝長手方向、つまりノズル配列方向に生じる温度分布の低減に言及したものではない。
【０００９】
大型のリニアソースでは、坩堝の温度分布は蒸発レートへと影響を与える。ヒータと坩堝の位置関係は、熱によるヒータ、坩堝、構造部材の膨張などにより数ｍｍ程度の誤差を生じる場合がある。また、昇温時の熱膨張によっても、ヒータや坩堝の寸法が変化し、位置関係に変化が生じ得る。これによりリニアソースの坩堝長手方向において温度分布が生じ、長手方向の蒸発レートが変化し、膜厚均一性の悪化をもたらす。
【００１０】
本発明の課題は、従来例の技術を踏まえ、リニアソースのヒータと坩堝の相対位置が変化しても、坩堝内温度の変化の影響が小さく、蒸発レートの変化が小さい真空蒸着装置用のリニアソースを有する蒸発源を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するものであり、少なくとも以下の特徴を有する。
本発明は、長手方向を有し、基板の対向面の前記長手方向に並んで設けられた複数のノズルと、内部に蒸着材料を格納する材料室とを備える坩堝と、前記坩堝を格納するケーシングと、前記坩堝と前記ケーシングとの間に設けられ、坩堝奥行き方向に所定幅で前記長手方向に延伸して設けられたヒータと、前記ヒータに対向面を備え、前記坩堝と前記ヒータとの間に設けられ、一端が前記坩堝の前記ノズル近傍と、前記坩堝奥行き方向に少なくとも前記ノズル近傍以外の1箇所とで前記坩堝と接触する部分を有する伝熱板と、を有する蒸発源である。
【００１２】
また、本発明は、上記蒸発源と、前記蒸発源を前記基板に沿って移動させる移動機構と、前記基板への一定の蒸着パターンを備えるマスクとを有する真空蒸着装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、リニアソースにおいて、加熱によるひずみで坩堝とヒータの相対位置が変化しても材料室温度の変化を抑制することができる。これにより安定した蒸発レートのリニアソースを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態であるアライメントと蒸着を同一の真空蒸着装置で実現する有機ＥＬデバイス製造装置を示す図である。
【図２】図１における真空搬送室と真空蒸着装置の構成の模式図と動作説明図である。
【図３】本発明の実施形態であるリニアソースの蒸発源の外観を示す模式図である。
【図４】図３に示すリニアソースの蒸発源の諸元の一例を示す図である。
【図５】図３に示す実施形態における第1の実施例の蒸発源の断面を詳細に示した図である。
【図６】図５に示す断面に相当する従来構造における蒸発源の断面図である。
【図７】他の従来構造と、ヒータと坩堝の位置変化による温度変化を説明する為の蒸発源断面温度分布を示す図である。
【図８】本実施例１の蒸発源における蒸発源断面の温度分布の例を示す図である。
【図９】従来構造の蒸発源における蒸発源断面の温度分布の例を示す図である。
【図１０】Ｍｇ蒸着を想定した温度でのシミュレーション結果である材料室の平均温度を示す図である。
【図１１】図１０の材料室の平均温度から得られるＭｇのノズルの蒸気圧を示す図である。
【図１２】図１１のＭｇのノズルの蒸気圧から得られるＭｇの蒸気流量変化を示す図である。
【図１３】本実施形態における蒸発源の第２の実施例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
図１は、本発明の実施形態であるアライメントと蒸着を同一の真空蒸着装置１で実現する有機ＥＬデバイス製造装置１００を示す。有機ＥＬデバイス製造装置１００は中心部に真空搬送ロボット５を持った多角形の真空搬送室２と、その周辺部に放射状に基板ストッカ室３や成膜室である真空蒸着装置１を配置したクラスタ型の有機ＥＬデバイス製造装置の構成を有している。各真空蒸着装置１は基板６を保持する基板保持部９とマスク８とを有する。また、真空蒸着装置１及び基板ストッカ室３と真空搬送室２との間には互いの真空を隔離するゲート弁１０が設けられている。
【００１６】
図２は、図１における真空搬送室２と真空蒸着装置１の構成の模式図と動作説明図である。図２における真空搬送ロボット５は、全体を上下に移動可能（図示せず）で、左右に旋回可能な２リンク構造のアーム５７を有し、その先端には基板搬送用の櫛歯状ハンド５８を有する。
【００１７】
一方、真空蒸着装置１は、真空搬送ロボット５から搬入された基板６を保持する基板保持部９と、発光層を形成する蒸着材料を蒸発させ、基板６に成膜させる蒸発源７と、蒸発源を上下方向移動させる蒸発源走査手段４３、基板６への蒸着パターンを規定するマスク８とを有する。基板保持部９は、櫛歯状ハンド９１と基板保持部９を旋回させて直立しているマスク８に正対させる基板旋回手段９３とを有する。また真空蒸着装置１は、マスク８の上部にマスク８と基板６とにそれぞれ存在するアライメントマーク８５、８４（引出図参照）を撮像するアライメントカメラ８６と、その撮像結果に基づいてマスク８移動させるアライメント駆動部（図示せず）とを有する。
【００１８】
このような構成によって、真空搬送ロボット５は基板ストッカ室３から基板を取出し、所定に真空蒸着装置１の基板保持部９に搬入する。そして、真空蒸着装置１では、搬入された基板６を基板旋回手段９３でマスク８に正対させ、アライメントし、蒸発源７を上下に移動させて基板６に蒸着する。蒸着後、基板６を水平状態に戻す。その後、真空搬送ロボット２により基板６を真空蒸着装置１から搬出し、他の真空蒸着装置１に搬入又は基板ストッカ室３に戻す。このような処理における基板６の搬出入おいて、各真空蒸着装置１の処理に影響を与えないように関連するゲート弁１０が制御される。
【００１９】
以下、本発明の実施例を図を用いて内容を詳細に説明する。なお、本実施例では、ガラス基板６を縦置きし、蒸発させた蒸着材料を横方向に噴射する真空蒸着装置に関して記述するが、基板の向き、蒸発源からの蒸気の吹き出し方向によらず同様な効果が得られる。なお、ガラス基板に限らず樹脂材料やシリコンウエハ等の基板を用いても有機ＥＬ発光素子は製作できる。以下、単に基板という。
【００２０】
図３は本実施形態である一方向に長手方向を有する長尺のリニアソースの蒸発源７の外観を示す模式図である。図４は、図３に示すリニアソースの蒸発源の諸元の一例を示す図である。図４において、蒸発源７の長手方向の長さをＬｗで、坩堝１１の長手方向に垂直方向である奥行き方向の長さをＬｄで、高さをＬｈで表す。また、ヒータ２４の長手方向に所定幅はＨｄで表し、奥行き方向の長さＬｄのＩ／４以上が望ましい。
【００２１】
（実施例１）
次に、第1の実施例の蒸発源７の構造について説明する。図５は、図３に示す実施形態における第1の実施例の蒸発源７の断面を詳細に示した図である。図６は、図５に示す断面に相当する従来構造における蒸発源の断面図である。
【００２２】
蒸発源７は、蒸着材料２３を保持する材料室２２及び蒸発した材料を基板６の方向へと放出させるノズル２１とを備える坩堝１１と、該坩堝を加熱する図３の長手方向に所定幅を備えるヒータ２４とを有する。また、蒸発源７は、該ヒータに対する対向面を備え、前記ヒータからの輻射熱を吸収し、坩堝１１との接触部分２５ｂに熱を伝える伝熱板２５と、坩堝１１、ヒータ２４、伝熱板２５を内蔵するハウジング２６とを有する。坩堝１１のノズル側にはノズル２１と対向するように基板６を設置する。ここでは坩堝１１の基板側のノズル付近を坩堝前部、その反対側を坩堝後部と呼ぶ。また、伝熱板２５の素材としては、ステンレス、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム、鉄、チタン、カーボン、窒化アルミ、窒化ホウ素、あるいはそれらの複合材料などが挙げられる。
【００２３】
ハウジング２６とヒータ２４、坩堝１１との間には、坩堝１１を効率的に保温するため、断熱手段を配しても良い。例えば、断熱手段としては、冷却水を流して冷却機能を持たせたものでも良いし、図７に示すように複数の非接触の平行平板で作られたリフレクタ２８を設けても良い。後者の場合、反射率の高い板厚の薄い平板が良い。さらに、吸着ノズル２１から噴射した蒸着材料２３がハウジング２６とリフレクタ２８との間及びリフレクタ２８と坩堝１１との間に流入しないようにする防着板２７を設けてもよい。
【００２４】
図５もしくは図６のようにして作られた蒸発源７は、基板６に対向して用いられる。すなわち、図５もしくは図６の紙面左側、ノズル２１の方向に垂直に基板が存在している。基板６と蒸発源７は真空蒸着装置１の中に設置されている。蒸発源７の中のヒータ２４は、蒸着実施時には、蒸発源７から放出される蒸着材料２３の蒸発レートが所望値となるように図示しない水晶振動子式レートセンサを用い、ヒータへの投入電力と蒸発源７のスキャンスピードが制御されている。なお、蒸発源７を構成する部材（坩堝やヒータ等）や内部空間の温度を図示しない熱電対で計測し、所定の温度になるように制御しても良い。
【００２５】
基板６に蒸着膜を均一に蒸着するため、蒸発源７は一般的に一方向に長尺化させたリニアソースを用いる。例えば、図３に示すように、紙面奥方向に長いものが存在する。その場合、蒸発源７もしくは基板６を紙面上下方向に移動させ、基板主面に所望の厚さの膜が形成されるように制御する。本実施形態では、図２に示すように、蒸発源走査手段４３で蒸発源を上下方向に移動させている。
【００２６】
図７の上図は、他の従来構造を示す。図７の上図において、図５と同じ機能を果たすものは同じ符号を示している。図７の上図のような従来構造において、坩堝１１は、ハウジングの開口部であるノズル２１と、ヒータ２４が存在しない材料室２２の後部で冷えやすい。特に、ノズル２１の周辺には、断熱部材が無く、外部に向って直接熱放射するため、冷えやすい構造となっている。ノズル２１の材料室２２に対する温度低下は、ノズル２１での材料の析出につながり、メンテナンス時に析出材料の除去や洗浄といった付帯作業を行う必要があった。そこで、図６に示すように、特許文献1では、伝熱板２５をノズル２１付近に接続することで、ヒータ２４からの輻射熱により積極的に加熱することで、ノズル２１と材料室２２の温度差を低減することに用いていた。
【００２７】
一方、図６のような従来構造において、熱によるヒータ２４、坩堝１１などの構造部材の膨張などにより、坩堝１１とヒータ２４の相対位置を一定に保つことが難しいという問題が生じる。特に、長手方向に１ｍ以上の長さを必要とするリニアソースでは、坩堝１１とヒータ２４の相対位置が長手方向でばらつく。その為、加熱時に坩堝長手方向に温度分布が生じ、材料の蒸発量に分布を持つようになる。結果、膜厚均一性が悪化する。
【００２８】
坩堝１１とヒータ２４の相対位置が変化すると坩堝温度が変化する理由としては、坩堝加熱位置の変化による坩堝内温度勾配の変化が挙げられる。そこで、図４の長尺リニアソースの蒸発源の諸元で、図５の実施例１の構造と、図６の従来構造及び図７の上図に示す伝熱板の無い他の従来構造において、材料室２２の温度分布を示すシミュレーションを行った。図７、図８及び図９の各下図はそのシミュレーション結果の一例である。図８は、図５に示す本実施例１の蒸発源における蒸発源断面の温度分布の例を示す図である。図９は、従来構造の蒸発源における蒸発源断面の温度分布の例を示す図である。図７は、他の従来構造の蒸発源における蒸発源断面の温度分布の例を示す図である。
【００２９】
シミュレーションの具体的方法としては、２次元断面の定常放射伝熱計算を行い、蒸発源７内の熱分布について解析した。ヒータ温度は、蒸着材料２３である金属（例えばアルミニウム：Ａリットル）材料の蒸着プロセスを想定し、１５００℃に設定した。蒸発源７内部は真空とし、真空部分での熱伝導は考えず、熱放射のみによる伝熱を考えた。また、ハウジング２６の周囲は常温の外部環境と熱放射により熱のやりとりをする。坩堝１１の奥行きＬｄは１６７ｍｍであり、ノズル２１先端から坩堝後部に３ｍｍずらしてあるヒータ２４の位置を設計位置とした。以下、有限要素法によるシミュレーションにてヒータ２４が設計位置にある場合（各図実線で示すグラフ）と、さらに５ｍｍ材料室２２側にずらした場合（各図破線で示すグラフ）の、材料室底部２２ｂの温度分布を計算した。
【００３０】
図６のように、坩堝のノズル付近にヒータが存在する場合を考える。この際に、坩堝１１の奥行（Ｘ）方向には、図７に示されるような温度勾配が存在する。ヒータ２４が後方に移動すると、坩堝加熱部分も後ろにずれる。図７のグラフ破線部が示すように、坩堝温度のピークは坩堝前部での温度勾配を等しくするように、ヒータが後ろにずれた分上昇する。以上より、ヒータを後部へ移動させると、熱の逃げが少なくなり、坩堝全体の温度が上昇する。
【００３１】
坩堝の温度変化を生じさせないための方法として、坩堝１１内での温度勾配を小さくしておき、ヒータ移動時のピーク温度上昇を小さくする方法がある。その為には、本実施例１のように伝熱板２５を用いる方法が考えられる。まず、図７の上図に示す伝熱板２５の無い他の従来構造と、図５に示す伝熱板２５を有する本実施例１と、の材料室底部２２ｂの温度分布のシミュレーション結果示す図７及び図８を用いて、伝熱板２５の効果を説明する。
【００３２】
ヒータが５ｍｍ後方移動した時の破線グラフで示す両シミュレーション結果を比較すると、共にピーク位置は伝熱板２５の有無で変化していない。それに対して、材料室温度差は伝熱板無しの図７で６６℃、伝熱板有りの図８で５３℃と、伝熱板２５により坩堝温度勾配の低減効果が確認できる。伝熱板２５の効果として、ヒータ２４からの輻射熱の一様化が挙げられる。伝熱板２５は、ヒータ２４からの輻射熱をまず吸収する。吸収した熱は伝導により伝熱板２５内で一様に拡散する。そして、伝熱板２５は輻射で坩堝本体１１ａに熱を伝える。これにより坩堝本体１１ａへの加熱が一様となり、坩堝１１内での温度分布が緩やかになるため、ヒータの位置が変化しても、温度勾配の低下に伴いピーク温度の増加が抑えられる。一度輻射熱を伝熱板２５で吸収させる必要がある為、本実施例１では坩堝のヒータ対向面に対して伝熱板２５で覆う構造とした。
【００３３】
また、伝熱板２５の効果として、伝熱により冷えやすい部分へ熱を移動させ、温度勾配を低減できる。本発明では冷えやすい坩堝前部と後部へと熱を移動させるために、伝熱板の坩堝への接触部分を前部２５ａと後部２５ｂで行っている。
【００３４】
次に、図５の実施形１の構造と、図６の従来構造との比較を示す。本実施例１と従来構造との違いは、伝熱板の構造である。その他の点は同じである。従来構造の伝熱板２５ｊは、坩堝後部側でヒータ２４よりノズル２１側で終端部を有し、その終端部は坩堝本体１１ａと接触部分を有していない点である。一方、本実施例１に伝熱板２５は、坩堝後部の終端部迄達し、しかもその終端部には坩堝本体１１ａと接触部分２５ｂを有している点である。
【００３５】
本実施１によれば、坩堝のヒータ対向面に対して伝熱板２５で覆う構造としているために、ヒータからの輻射熱を一度伝熱板２５で吸収し、吸収した熱は伝導により伝熱板２５内で一様に拡散させる。その結果、当該終端部迄達した伝熱板２５の全領域から坩堝本体１１の奥行き方向全域に亘って輻射熱よる加熱を行うことができる。この効果を、ここでは全域輻射熱効果という。一方、図６の従来構造では、輻射熱による効果は、伝熱板２５ｊが存在する領域に制限される。
【００３６】
また、本実施例１によれば、当該終端部で坩堝本体１１ａとの接触部分２５ｂがあるので、接触部分２５ａの他、接触部分２５ｂからも坩堝本体１１ａに伝熱し、坩堝後部側の温度の低下が抑制される。ここでは、この効果を伝熱効果という。一方、図６の従来構造では、この効果はない。
【００３７】
以上説明した２つの効果によって、図８、図９に示すように、ヒータを５ｍｍ後方へずらした場合の材料室底部２２ａの平均温度は、本実施例１では１.８９℃上昇するのに対し、従来構造では１.１℃高い２.９９℃に上昇する。
このことにより、本実施例１によれば、ヒータ２４の位置ずれによる材料室底部２２ｂの平均温度変動を従来構造に比べて低く抑えることができる。
【００３８】
また、図８、図９より、本実施例１によれば、図６の従来構造と同様に、ノズル２１の温度を坩堝本体１１ａより高く維持することができるので、ノズル詰まりが発生しにくくすることができる。さらに、本実施例１によれば、図６の従来構造と同様に、材料室側の温度低減を防ぐことができ材料を有効に蒸発させることができる。
【００３９】
この効果をさらに直接的に確認するために、Ｍｇ蒸着を想定したシミュレーションおける材料室２２の平均温度から算出したノズル２１からの蒸気流量変化量を求める。図１０は、Ｍｇ蒸着を想定した際の材料室２２の平均温度を示す。図１１は、図１０に示す平均温度から得られるＭｇのノズル２１の蒸気圧を示す。図１２は、図１１の蒸気圧から得られるＭｇの蒸気流量変化を示す。
【００４０】
図１０より、ヒータを５ｍｍ後方へずらした場合の材料室２２の平均温度は、従来構造では０．９℃上昇しているのに対し、本実施例１では０．１℃上昇と小さい。また、坩堝１１の外圧力が０Ｐａ（パスカル）と仮定した場合、図１１より、ノズル２１の蒸気圧の変化は、従来構造では０．０１１Ｐａ上昇しているのに対し、本実施例１では０．００１Ｐａ上昇と小さい。図５、図６に示す坩堝１１の構造では、蒸気流量は材料室内の蒸気圧に比例するので、蒸気圧の変化をＭｇの蒸気流量変化に換算すると、従来構造では３．５％上昇しているのに対し、本実施例１では０．３％上昇と１／１０以下と小さい。従来技術の３．５％の上昇は、膜厚均一性に求められる±３から数％に比較して小さくなく。一方、本実施例１では、＋０．３％であり、より膜厚均一性が保たれる。
【００４１】
以上より、本実施例１の構造では、材料室底部温度変化が低減されることにより、坩堝とヒータの位置関係にはロバスト性が得られ、蒸発レートの変化が小さくなる結果が得られた。
【００４２】
（実施例２）
図１３は、蒸発源７の２の第２実施例を示す図である。図５に示す実施例１と異なる点は、伝熱板２５と坩堝１１の間に高熱伝導かつやわらかい材質のガスケット２０を挟み、坩堝１１への熱伝動を高めている点である。その結果、ノズル２１の温度を坩堝本体１１ａより高く維持することができるので、ノズル詰まりが発生しにくい。ガスケット２０の素材としては、薄いカーボン、銅、アルミニウム、銀などが挙げられるが、高温で使用するため坩堝１１や伝熱板２５との熱膨張率の違いや蒸着材料との反応性の有無を鑑みて決めるとよい。また、伝熱板２５と坩堝１１の一体化、溶接による接続でも同様の効果が得られる。
【００４３】
実施例２においても、実施例１同様に、上述した全域輻射熱効果や伝熱効果を得ることができる。
【００４４】
以上説明した実施例では、伝熱板２５を坩堝１１の奥行き方向全域に設けたが、従来構造の伝熱板２５ｊにおいても、その終端部に接触部分２５ｂを設けても、上述した全域輻射熱効果を得ることはできないが、伝熱効果を得ることができる。
【００４５】
また、上述した接触部分は、終端部ではなく、或いは終端部だけではなく、ノズル側の接触部分２５ａと終端部の接触部分２５ｂとの間に、他の接触部分を設けても、伝熱効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００４６】
１；真空蒸着装置                    ２：真空搬送室
３：基板ストッカ室                  ５：真空搬送ロボット
６：基板                            ７：蒸発源
８：マスク                          ９：基板保持部
１０：ゲート弁                      １１：坩堝
２０：ガスケット                    ２１：ノズル
２２：材料室                        ２２ｂ：材料室底部
２３：蒸着材料                      ２４：ヒータ
２５：伝熱板
２５ａ：伝熱板のノズル側終端部における坩堝本体との接触部分
２５ｂ：伝熱板のノズル側と反対側の終端部における坩堝本体との接触部分
２６：ハウジング                    ２７：防着板
２８：断熱機構                      ４３：蒸発源走査手段
９３：基板旋回駆動手段              １００：有機ＥＬデバイス製造装置
【図１】
2013237915.tif 000003
【図２】
2013237915.tif 000004
【図３】
2013237915.tif 000005
【図４】
2013237915.tif 000006
【図５】
2013237915.tif 000007
【図６】
2013237915.tif 000008
【図７】
2013237915.tif 000009
【図８】
2013237915.tif 000010
【図９】
2013237915.tif 000011
【図１０】
2013237915.tif 000012
【図１１】
2013237915.tif 000013
【図１２】
2013237915.tif 000014
【図１３】
2013237915.tif 000015