(57)【要約】【課題】導電接着剤の塗布量に依存せず且つ枕を用いることなく、水晶振動子片の姿勢を制御できる電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。【解決手段】電子デバイス１００の製造方法であって、第一の基板１の厚み方向にわたって孔２０を形成する工程と、孔２０に当該孔２０よりも小さな支持体２を遊挿する工程と、少なくとも一部が孔２０の上方に位置するように第一の素子４を第一の基板１の上面に搭載する工程と、支持体４を下方から押し上げて第一の素子４の下面を押圧することで、第一の素子４の第一の基板１の上面に対してなす角度を調整する工程と、支持体２を下方に移動させて第一の基板１に固定する工程と、を有するように構成した。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子を封止した電子デバイスの製造方法であって、
第一の基板の厚み方向にわたって孔を形成し当該第一の基板に中空構造を設ける中空構造工程と、
前記第一の基板の前記孔に当該孔よりも小さな支持体を遊挿する遊挿工程と、
少なくとも一部が前記孔の上方に位置するように第一の素子を前記第一の基板の上面に搭載する搭載工程と、
前記支持体を前記孔の内部を介して下方から押し上げて前記第一の素子の下面を押圧することで、前記第一の素子の前記第一の基板の上面に対してなす角度を調整する調整工程と、
前記支持体を下方に移動させて前記第一の基板に固定する固定工程と、
を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第一の基板の上面には導電材が塗布されており、前記第一の素子は当該導電材を介して前記第一の基板の上面に搭載され、
前記調整工程の後に前記導電材を焼成する焼成工程を有することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記導電材は、シリコーン樹脂をバインダとした導電ペーストからなることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記支持体は、上面と下面が平行な面からなることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記孔は、上面が前記支持体の底面よりも面積が小さくなるように形成されることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記支持体は、周面が縦断面視において前記孔の周面と平行な辺を有するように形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記支持体は、前記第一の基板と同じ材料からなることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記支持体は第２の素子からなることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記固定工程において、前記支持体と前記第１の基板とは、接着部剤によって前記孔と前記支持体とで形成される間隙を塞ぐように固定されることを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記接着部材は、樹脂接着剤からなることを特徴とする請求項９に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記第一の素子は、圧電素子片であることを特徴とする請求項１〜１０の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴とする電子デバイス。
【請求項１３】
前記第一の基板の上面に形成された内部電極と、
前記第一の基板の下面に形成された外部電極と、
前記内部電極と前記外部電極とを電気的に接続する配線と、
下面に凹状のキャビティが形成され、当該下面が前記第一の基板の上面に接合された第二の基板と、
を有し、
前記第一の素子は、前記キャビティの内部に収容されることを特徴とする請求項１２に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動子や圧電素子に代表される電子デバイスの製造方法及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子などの圧電素子に代表される電子デバイスは、温度や湿度といった外部環境の変化によって特性が微妙に変動することや、機械的振動や衝撃によって破損しやすいという特徴を有する。このため、上述した素子は、パッケージに封止して使用に供されている。
【０００３】
一例として、図１２に、従来の水晶振動子の一例（特許文献１参照）を示す説明図を図示する。図１２において、従来の水晶振動子では、セラミックパッケージ１４の内部に水晶振動子片１５が収容されており、セラミックパッケージ１４は、水晶振動子片１５を実装するベース材１４１と、当該ベース材１４１に実装された水晶振動子片１５を封止するためのキャップ１４２と、からなっている。水晶振動子片１５は導電部材１６によってセラミックパッケージ１４上に支持されるとともに、電気的に接続され、セラミックパッケージ１４外部に形成された外部電極１７から他の電子機器へと出力される。さらに、導電部材１６の逆端には水晶振動子片１５を受けるための枕１８がある。
【０００４】
水晶振動子片１５は導電部材１６によって保持されているが、この導電部材１６はエポキシ、シリコーンといった樹脂をバインダとした導電接着剤が用いられている。導電接着剤は金属のみの導電部材と比較して柔軟性が大きく、水晶振動子片１５の振動への影響が小さいという利点がある。そのため、導電接着剤は水晶振動子片１５の支持部材として広く用いられている。
【０００５】
しかし、導電接着剤はその柔軟性により水晶振動子片１５の姿勢を保持しにくいという欠点がある。そのため、図１３のように水晶振動子片１５の自重で支持部（水晶振動子片１５のうち導電部材１６との接着部）の逆端がベース材１４１に触れてしまう恐れがある。ここで、水晶振動子片１５では振動を電気信号に変換しているため、支持部以外の部分が何かに接してしまうと特性の劣化、さらには不発振につながる。そのため、図１２に示すように、従来よりベース材１４１上の支持部の逆端に枕１８を設けるということがなされている。枕１８を設けることで、実装時に水晶振動子片１５を支持し且つ水晶振動子片１５の傾きを小さくすることができる。これにより、導電接着剤硬化の際に導電接着剤の収縮を利用して水晶振動子片１５を枕１８から持ち上げ、水晶振動子片１５が支持部以外の部分に接することを防ぐことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−２５６４１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述した従来の水晶振動子片に対する姿勢制御技術では、導電接着剤の収縮による水晶振動子片の持ち上げ量は導電接着剤の量や水晶振動子片の実装位置に依存するので、十分な持ち上げ量が確保出来ない可能性がある。さらに、電子デバイスの小型化を図る場合、導電接着剤の塗布量も当然少量であることが要求されるので、導電接着剤の収縮による水晶振動子片の持ち上げ量の制御がさらに困難となる。また、枕は通常樹脂材にて形成されるが、外部衝撃等で枕がパッケージから脱落することにより水晶振動子片に接触し、当該水晶振動子片を破壊してしまう可能性がある。
【０００８】
そこで、本発明は、導電接着剤の塗布量に依存せず且つ枕を用いることなく、水晶振動子片の姿勢を制御できる電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
請求項１に記載の発明は、素子を封止した電子デバイスの製造方法であって、第一の基板の厚み方向にわたって孔を形成し当該第一の基板に中空構造を設ける中空構造工程と、前記第一の基板の前記孔に当該孔よりも小さな支持体を遊挿する遊挿工程と、少なくとも一部が前記孔の上方に位置するように第一の素子を前記第一の基板の上面に搭載する搭載工程と、前記支持体を前記孔の内部を介して下方から押し上げて前記第一の素子の下面を押圧することで、前記第一の素子の前記第一の基板の上面に対してなす角度を調整する調整工程と、前記支持体を下方に移動させて前記第一の基板に固定する固定工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法において、前記第一の基板の上面には導電材が塗布されており、前記第一の素子は当該導電材を介して前記第一の基板の上面に搭載され、前記調整工程の後に前記導電材を焼成する焼成工程を有することを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の電子デバイスの製造方法において、前記導電材は、シリコーン樹脂をバインダとした導電ペーストからなることを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、前記支持体は、上面と下面が平行な面からなることを特徴とする。
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、前記孔は、上面が前記支持体の底面よりも面積が小さくなるように形成されることを特徴とする。
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、記支持体は、周面が縦断面視において前記孔の周面と平行な辺を有するように形成されることを特徴とする。
【００１１】
請求項７に記載の発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、前記支持体は、前記第一の基板と同じ材料からなることを特徴とする。
請求項８に記載の発明は、請求項１〜６の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、前記支持体は第２の素子からなることを特徴とする。
請求項９に記載の発明は、請求項１〜８の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、前記固定工程において、前記支持体と前記第１の基板とは、接着部剤によって前記孔と前記支持体とで形成される間隙を塞ぐように固定されることを特徴とする。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の電子デバイスの製造方法において、前記接着部材は、樹脂接着剤からなることを特徴とする。
請求項１１に記載の発明は、請求項１〜１０の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、前記第一の素子は、圧電素子片であることを特徴とする。
【００１２】
請求項１２に記載の発明は、電子デバイスにおいて、請求項１〜１１の何れかに記載の電子デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴とする。
請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の電子デバイスにおいて、前記第一の基板の上面に形成された内部電極と、前記第一の基板の下面に形成された外部電極と、前記内部電極と前記外部電極とを電気的に接続する配線と、下面に凹状のキャビティが形成され、当該下面が前記第一の基板の上面に接合された第二の基板と、を有し、前記第一の素子は、前記キャビティの内部に収容されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１記載の発明によると、第一の素子実装時に支持体を押し上げ支持体の上面を第一の素子の下面に接触させることで、第一の素子の姿勢（第一の基板の上面に対してなす角度）を一意に決めることができる。また、第一の素子の姿勢調整後、支持体を下方に移動させて第一の基板に固定することで、第一の素子は支持部以外に外部と接触することがない。
【００１４】
また、請求項２記載の発明によると、第一の基板の上面に塗布された導電材は、調整工程の後に焼成することで接合に利用できる。
また、請求項３記載の発明によると、導電部材にシリコーン樹脂をバインダとした導電ペーストを用いた場合に、第一の素子を支持部高さに対して逆端が低くなることなく実装することができる。
また、請求項４記載の発明によると、支持体を押し上げる際に、より高精度で第一の素子の姿勢を決めることができる。
また、請求項５記載の発明によると、支持体の可動範囲を限定することができる。これにより、第一の素子実装時に支持体が偶発的に設定高さを超えることを防ぐことができる。
また、請求項６記載の発明では、第一の基板の孔の側面に沿って支持体を移動させることで、安定した支持体の動作を提供できる。
【００１５】
また、請求項７記載の発明によると、第一の基板と支持体は熱膨張率が等しくなるため、熱履歴による破壊を防ぐことができる。
また、請求項８記載の発明によると、複数の素子を１つのパッケージに収容できるので本発明を用いて製造した電子デバイス（電子機器）の小型化が可能となる。
また、請求項９、１０記載の発明によると、第一の基板と支持体とを低温で接着することができるので、第一の素子に与える熱履歴を小さくすることができる。
また、請求項１１記載の発明によると、電子デバイスに圧電素子を搭載することができる。
【００１６】
また、請求項１２、１３記載の発明によると、上記の効果を備えた電子デバイスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る他の電子デバイスの断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る電子デバイスで、第二の基板を省略した状態での上面図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る第３の電子デバイスの断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
【図１０】図７に示す電子デバイスの変形例を表す断面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る電子デバイスの断面図である。
【図１２】従来の電子デバイスの断面図である。
【図１３】従来の電子デバイスの枕を搭載していないものについて、キャップを省略した状態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態を図１に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る第１実施形態における電子デバイスの断面図である。電子デバイス１００は、上下方向に貫通する孔２０を有する中空構造からなる第一の基板１，第一の基板１に形成された孔２０に設置される支持体２及び、下面に凹状のキャビティを有する第二の基板３で囲まれた素子収容部内に、第一の素子４が実装されてなる。そして、第一の素子４は、導電部材５、内部電極６、配線７を介して、プリント基板等に実装される端子である外部電極８と電気的に接続されている。支持体２は接着部材９を介して第一の基板１に固定されている。
【００１９】
第一の基板１はベースガラス、第二の基板３はリッドガラスで構成される。ここで、第一の基板１、第二の基板３は、ベースガラスやリッドガラスに換えて、セラミックやシリコン等を用いて構成してもよい。
【００２０】
第一の基板１は、図１に示すように、導電部材５の設けられる位置より離間した位置に、孔２０を備える。そして、第一の基板１において、孔２０の形成方法としてはエッチング、サンドブラスト、レーザーカット等を用いることができる。また、孔２０は、プレス加工により第一の基板１を形成すると同時に形成してもよい。なお、図１において孔２０の壁面は上下面に対して垂直形状となっているが、他の形状でもよい。具体的には、孔２０の壁面は、図２に示すように、上下方向の中心位置で最も径の小さくなるくびれ状等に形成してもよい。
【００２１】
第二の基板３は、下面に凹状のキャビティを有し、当該キャビティ周囲の下面が第一の基板１の上面に接合されてなる。ここで、キャビティの形成方法としてはエッチング、プレス、サンドブラスト等を用いることができる。
【００２２】
支持体２は、上面と下面が平行な面からなり、第一の基板１に形成された孔２０よりも小さい部材であり、孔２０内に配設される。また、支持体２は、第一の基板１と同材料のガラスを用いている。これにより、第一の基板１との熱膨張係数が等しいため熱履歴による破壊を防ぐことができる。支持体２の周面は上下面に対して垂直形状（周面が縦断面視において孔２０の周面と平行な辺を有するような形状）となっているが、他の形状でもよい。具体的には、支持体２の側面は、図２に示すように、くびれ状の孔２０の上下方向の中心位置で最も孔２０の壁面に対して突出した形状に形成してもよい。
【００２３】
また、第一の素子４は、ＡＴカット水晶振動子片（圧電素子片）である。当該第一の素子４は、下面の一端側（図１に示す左端側）が導電部材５に接合支持される。なお、本願発明において、第一の素子４は、ＡＴカット水晶振動子片に限らず、半導体回路、ＬＥＤ、各種センサなどを用いることができる。
【００２４】
導電部材５（導電材）は、導電接着剤からなり、シリコーンをバインダとした導電ペーストを用いて形成され、内部電極６の上面と第一の素子４の下面の一端側との間に設けられる。つまり、内部電極６と第一の素子４とは、導電部材５を焼成して接合される。ただし、第一の素子４が半導体回路、ＬＥＤといった、自身が機械運動をしない素子の場合には、導電部材５として、エポキシやアクリル等をバインダとした導電ペーストや、金属バンプでもよい。特に第一の素子４がＡＴカット水晶振動子片で、導電部材５としてシリコーンをバインダとした導電ペーストを用いた場合に、導電部材５による支持部以外の部分が第一の素子４に接触せず振動特性を阻害しないという本発明の効果が大きい。
【００２５】
接着剤９は、樹脂接着剤からなり、支持体２と第一の基板１（孔２０）との間に形成された間隙を塞ぐとともに第一の基板１と支持体２を固定している。樹脂接着剤は一般的に焼成温度が低く、第一の素子４に与える熱履歴が少ないという利点がある。このとき、樹脂接着剤はアウトガスが少ないものが望ましい。また、接着剤９は樹脂接着剤に換えて、金属接合やガラスフリットを用いることができる。この場合、金属接合やガラスフリットにおける焼成温度が樹脂接着剤と比較して高くなるため、第一の素子４の種類に応じて接着剤９を選択することが望ましい。
【００２６】
内部電極６、外部電極８は、それぞれ、第一の基板１の上端、第一の基板１の下端（外部と接触する位置）に設けられる電極である。当該内部電極６、外部電極８は、それぞれ金属膜で形成され、最表面に金を、下地にクロムまたはニッケルが用いられる。なお、最表面は、金の他に銀や白金等の貴金属を使用して形成される表面層としてもよい。一般に、貴金属は、イオン化傾向が小さく、耐腐食性がある。そのため、電子デバイス１００は、当該貴金属により長期的劣化が抑えられるので、信頼性が向上する。また、下地のクロムまたはニッケルは、貴金属とベース材との密着性を向上させる効果がある。なお、内部電極６、外部電極８は、同一の材料を用いて形成することもできるが、異なる材料を用いて形成してもよい。
【００２７】
ここで、内部電極６、外部電極８の形成方法には、スパッタ法とフォトリソ法を組み合わせたものがある。スパッタ法以外の形成方法としては、真空蒸着法やめっき法を用いることができる。各金属膜は同様の形成方法により形成することもできるが、異なる方法を用いて形成してもよい。
【００２８】
配線７は、第一の基板１を上下に亘って貫通し、内部電極６と外部電極８とを電気的に接続する貫通電極である。配線７は、鉄−ニッケル合金、コバール合金、鉄−ニッケル−クロム合金等が望ましい。ここで、この鉄ニッケル合金には、例えば３６％Ｎｉ−Ｆｅ合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金、４５％Ｎｉ−Ｆｅ合金、４７％Ｎｉ−Ｆｅ合金、５０％Ｎｉ−Ｆｅ合金、５２％Ｎｉ−Ｆｅ合金等が使用できる。またこの鉄ニッケルクロムとしては、例えば、４２Ｎｉ−６Ｃｒ−Ｆｅがあげられる。これらは、ベースガラスである第一の基板１に熱膨張係数の近い材料のため、製品の安定性が向上する。しかし、これら以外の金属でもよく、例えば、ベースガラスと熱膨張係数が近く、熱履歴による破壊を防ぐことができるものを用いることができる。
【００２９】
次に、電子デバイス１００の製造方法を図３〜図５を用いて説明する。図３〜図５は、ウェハレベルで作製され、最後にダイシング等で切断されて得られる電子デバイスの製造方法を示す。なお、本願発明は、これに限定されず、はじめから個別パッケージで形成されてもよい。
【００３０】
図３（ａ）は、第一の基板１であるベースガラスを形成する工程を示す図である。ベースガラスはプレス形成によって形成される。このときに配線７である貫通電極を同時に埋め込む。貫通電極の別の形成方法として、ベースガラスにサンドブラスト等で貫通孔を形成した後、貫通電極を挿入して周囲をガラスフリット等で固着させる工程を用いてもよい。
【００３１】
図３（ｂ）は、内部電極６と外部電極８をそれぞれ配線７の上端と下端にスパッタ法およびフォトリソ法を用いて形成する工程を示す図である。内部配線６と外部電極８の金属は表層を金とし、下地層にクロムまたはニッケルを用いる。
【００３２】
図３（ｃ）は、第一の基板１（ベースガラス）の上下方向に亘って孔２０を形成して中空構造を設ける工程（中空構造工程）を示す図である。孔２０はレーザーカットによって形成される。
【００３３】
図４（ａ）は、支持体２を第一の基板１（ベースガラス）の孔２０内に遊挿する工程（遊挿工程）を示す図である。支持体２は、ベースガラスと同一のガラスが用いられ、第一の基板１に形成された孔２０よりも僅かに小さくなるように形成されている。そのため、支持体２は孔２０内を上下方向に移動できる。
【００３４】
図４（ｂ）は、導電部材５を内部電極６の上面に形成する工程を示す図である。導電部材５はシリコーン樹脂をバインダ、導電材を銀とした導電ペーストを用いている。導電部材５はディスペンサを用いて内部電極６上に塗布することにより形成している。また、その他の方法として、スクリーン印刷等を用いる方法がある。ウェハレベルの場合、スクリーン印刷を用いることで多数の内部電極上に一括で導電ペーストを形成することができる。
【００３５】
図４（ｃ）は、第一の素子４であるＡＴカット水晶振動子片を導電部材５の上面に搭載し、支持体２を用いて第一の素子４の高さ調整を行い、当該導電部材５の焼成を行う工程（搭載工程、調整工程、焼成工程）を示す図である。ここで、第一の素子４は、少なくとも一部が孔２０の上方に位置するように第一の基板１の上面に搭載される。また、第一の素子４の高さ調整は、支持体２を治具で上方に移動させて支持体２の上面と第一の素子４の下面を当接させ、その状態からさらに支持体２を上方へ移動させることで第一の素子４を下面から押し上げる（押圧する）ことにより行う。
【００３６】
ここで、図４（ｃ）では、支持体２の上面が第一の基板１上面から２０μｍ高くなるように支持体２を押し上げている。この高さはＡＴカット水晶振動子片を搭載したときの姿勢に影響する。そのため、この高さと支持体２上面の高さを合わせることで搭載後のＡＴカット水晶振動子片がベースガラスに対し水平になる。支持体の押し上げ量精度は、押し上げる治具の精度に依っており、適当な治具を選択することで誤差数μm程度に抑えることができる。なお。支持体２は、導電部材５の焼成が終わるまで、第一の素子４と当接して押し上げられた状態が維持される。
【００３７】
図５（ａ）は、支持体２の高さを元に（第一の素子４から離間した位置に）戻す工程を示す図である。支持体２の高さを元に戻すことで、支持部および内部電極６との電気的接続部である導電部材５以外のものが第一の素子４と接触していない状態となり、第一の素子４の特性劣化を防ぐことができる。
【００３８】
図５（ｂ）は、接着部材９である樹脂接着剤を用いて支持体２を第一の基板１に固定する工程（固定工程）を示す図である。樹脂接着剤として低アウトガスエポキシ接着剤を用いる。
【００３９】
図５（ｃ）は、第二の基板３であるリッドガラスを第一の基板１に接合する工程を示す図である。キャビティを有するリッドガラスを接合することで素子収容部を真空封止することができる。第二の基板３にキャビティを形成する方法としては、エッチング法、プレス法、サンドブラスト法等を用いることができる。ウェハレベルの場合、プレス法を用いることにより製造コストを下げることができる。リッドガラスとベースガラスの接合方法としては、例えば接着や陽極接合、金−金接合等を用いることができる。ただし、第一の素子４を実装する場合には接合時の温度が低い方法が望ましい。そのため、本工程では陽極接合にて接合を行う。
【００４０】
図５（ｄ）は、ダイシングによりパッケージを個片化する工程を示す図である。すなわち、複数の第一の素子４を実装してパッケージを生成した後、それらを個片化して電子デバイス１００を生成する工程である。この工程は、ダイシング以外の方法として、レーザーカット法を用いることができる。
【００４１】
以上、本実施形態に係る電子デバイス１００の製造方法及び電子デバイス１００によれば、第一の素子４の姿勢を一意に決めることができ、第一の素子４が導電部材５による支持部位外に外部との接触箇所をなくすことができる。その結果、第一の素子４の特性劣化を防ぐことができる。
【００４２】
（第２実施形態）
次いで、本発明に係る電子デバイスの第２実施形態について説明する。図６は本実施形態に係る電子デバイス１００ａの上面図である。ここで、簡単化のため、図６において第二の基板３は省略している。なお、電子デバイス１００ａのうち、第１実施形態に係る電子デバイス１００と同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００４３】
第１実施形態に係る電子デバイス１００では、支持体２の大きさを特に規定していなかったが、図６に示すように、電子デバイス１００ａでは、矩形状の第一の素子４の短辺に平行な支持体２の辺の寸法が、当該第一の素子４の短辺の寸法よりも大きくなっている。
ここで、符号４１は、第一の素子４の上面に形成される励振電極である。また、符号４２は、第一の素子４の上面に形成される実装電極である。
【００４４】
これにより、電子デバイス１００ａは、電子デバイス１００と同様の効果が得られることは勿論、第一の素子４の短辺方向の両端一様に支持することができるので、より安定してＡＴカット水晶振動子片の姿勢を制御できる。
【００４５】
（第３実施形態）
次いで、本発明に係る電子デバイスの第３実施形態について説明する。図７は、本実施形態に係る電子デバイス１００ｂを示す図である。なお、電子デバイス１００や電子デバイス１００ａと同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略する。図７に示す電子デバイス１００ｂでは、支持体２として、第一の素子４とは異なる第二の素子１０を上部に実装したガラスを用いている。これにより、ひとつのパッケージ内に複数の素子を収容することができる。ここで、第二の素子１０としては、半導体回路、ＬＥＤ、各種センサなどを用いることができる。なお、図７において、符号１１ｂは内部電極を、符号１２ｂは配線を、符号１３ｂは外部電極を、それぞれ表し、内部電極６、配線７、外部電極８と同一の構成であるので説明は省略する。
【００４６】
次に、電子デバイス１００ｂの製造方法について図８及び図９を用いて説明する。図８及び図９は、ウェハレベルで作製され、最後にダイシング等で切断されて得られる電子デバイスの製造方法を示す。なお、以下では、図８及び図９に示す各工程のうち、図３〜図５に示した電子デバイス１００の製造工程と同一の工程については、その説明を省略する。図８（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、ガラスからなる支持体２には、内部電極１１ｂ、配線１２ｂ、外部電極１３ｂ、を用いて、第二の素子１０が実装される。そして、当該第二の素子１０が実装された支持体２により、図８（ｃ）以降の工程が実現される。
【００４７】
ここで、図８及び図９に示される、内部電極１１ｂ、配線１２ｂ、外部電極１３ｂ、については、第１実施形態で述べた内部電極６、配線７、外部電極８、と同じように形成しても良いし、配線１２ｂを金属ピンを支持体２に押し込むことにより形成しても良い。また、第二の素子１０と内部電極６とを接合するに際しては、調整工程時に位置ずれ等が生じないように、半田等を用いて強固に固着しておくことが好ましい。
【００４８】
なお、図７において、電子デバイス１００ｂは、支持体２としてのガラス上に第二の素子１０を搭載した構成としているが、図１０に示すように第二の素子１０そのものを支持体としてもよい。この場合、第一の素子４の実装時に第一の素子４と第二の素子１０が損傷しないように第一の素子実装時の荷重や時間といった実装条件を調整することが望ましい。また、例えば、図８及び図９に示す工程では、図９（ｂ）のような第一の素子４の傾きを調整する時点で、支持体２へ第二の素子１０を搭載しておくこととしたが、第一の素子４の傾きの調整後、支持体２を第一の素子４から離間した位置に移動させて、第二の素子１０を搭載し、第一の基板１に固定するように構成しても勿論良い。
【００４９】
（第４実施形態）
次いで、本発明に係る電子デバイスの第４実施形態について説明する。図１１は、本実施形態に係る電子デバイス１００ｄを示す図である。図１１は、本発明に係る電子デバイスの第４実施形態を示す図である。なお、電子デバイス１００ｄのうち、第１実施形態に係る電子デバイス１００と同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略する。図１１に示すように、電子デバイス１００ｄは、第一の基板１の孔２０ｄを上面のいずれか一辺が対応する下面の一辺よりも短くなるように形成し、支持体２を上面のいずれか一辺が対応する下面の一辺よりも長くなるように形成することで、支持体２の上下動についての可動範囲を制限することができる。これにより、第一の素子４を実装した時に支持体２の位置ずれを防止することができ、支持体２が偶発的に設定高さを超えてしまうということがなくなる。このときのそれぞれの側面の上面に対する鋭角部の角度が第一の基板１の中空構造の側面の方が支持体２の側面の角度よりも大きいことが望ましい。
【符号の説明】
【００５０】
１００  電子デバイス
１      第一の基板
２      支持体
３      第二の基板
４      第一の素子
５      導電性接着剤
６      内部電極
７      配線（貫通電極）
８      外部電極
９      接着剤
２０    孔
１ａ    第一の基板
２ａ    支持体
４１    励振電極
４２    引き出し電極
１０    第二の素子
１１ｂ  内部電極
１２ｂ  配線（貫通電極）
１３ｂ  外部電極
１０ｃ  第二の素子
１３ｃ  外部電極
１ｄ    第一の基板
２ｄ    支持体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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