(57)【要約】【課題】  本発明は、ベース膜厚のバラツキを低減できるスタンパ又はインプリント装置、精度のよい微細パターンを形成できる処理製品製造装置又は処理製品製造方法を提供することにある。【解決手段】  本発明は、スタンパ又は前記スタンパを用いてインプリントするインプリント装置又は前記インプリントによって処理製品を製造する処理製品製造装置又は処理製品製造方法において、前記スタンパは前記処理製品として機能を果たす正規パターンが必要とする深さ以上のダミー部分の深さを備えるダミーパターンを有する。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸形状のパターンを複数有するスタンパと、前記スタンパの前記パターンが転写された処理製品基材の表面に形成された成形材料を硬化するエネルギー源とを有するインプリント装置において、
前記スタンパは、前記処理製品として機能を果たす正規パターンが必要とする深さ以上のダミー部分の深さを備えるダミーパターンを有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
各前記ダミーパターンは、エッチマスクに形成に寄与しない成形材料の余剰部分が各前記ダミー部分で吸収され、ベース膜厚が均一になるような深さを有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
各前記ダミーパターンは、エッチマスクに形成に寄与しない成形材料の余剰部分を吸収するのに最も深さを必要とするダミーパターンの深さ以上の一定の深さを有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
最終的に処理製品となる処理製品基材の表面に成形材料を塗布する塗布装置と、前記塗布された成形材料にスタンパの有する凹凸形状のパターンを転写するインプリント装置と、前記転写されたパターンをエッチマスクとして前記処理製品基材をエッチングするエッチング装置とを有する処理製品製造装置において、
前記スタンパは、前記処理製品として機能を果たす正規パターンが必要とする深さ以上のダミー部分の深さを備えるダミーパターンを有することを特徴とする処理製品製造装置。
【請求項５】
前記インプリント装置は、エッチマスクに形成に寄与しない成形材料の余剰部分が各前記ダミー部分で吸収され、ベース膜厚が均一になるような深さのダミーパターンを具備する前記スタンパを有することを特徴とする請求項４に記載の処理製品製造装置。
【請求項６】
前記インプリント装置は、エッチマスクに形成に寄与しない成形材料の余剰部分を吸収するのに最も深さを必要とするダミーパターンの深さ以上の一定の深さの各前記ダミーパターンを具備するスタンパを有することを特徴とする請求項４に記載の処理製品製造装置。
【請求項７】
前記処理製品はドーナツ状の円板に同心円状にサーボパターンやデータを形成するパターンを有する磁気ディスクであって、前記インプリント装置は、前記ドーナツ状の円板の内側及び外側の前記正規パターンのない領域に接する前記正規パターンの領域、又は前記正規パターンの領域に前記ダミーパターンを形成することを特徴とする請求項４に記載の処理製品製造装置。
【請求項８】
前記処理製品は高周波デバイスであるＳＡＷデバイスであって、前記インプリント装置は、前記ＳＡＷデバイスの有するフィルタ部、電極パット部、アース部の少なくとも一つの部が、その周囲に存在するパターンの無い領域に接する領域に、前記ダミーパターンを形成することを特徴とする請求項４に記載の処理製品製造装置。
【請求項９】
前記処理製品は高周波デバイスであるＳＡＷデバイスであって、前記インプリント装置は、前記ＳＡＷデバイスの有するパターンが偏在し所定の機能を備える回路領域に前記ダミーパターンを形成することを有する特徴とする請求項４に記載の処理製品製造装置。
【請求項１０】
最終的に処理製品となる処理製品基材の表面に成形材料を塗布し、前記塗布された成形材料にスタンパの有する凹凸形状のパターンを転写し、転写されたパターンをマスクとして前記処理製品基材をエッチングする処理製品製造方法において、
前記転写は、前記処理製品として機能を果たす正規パターンが必要とする深さ以上のダミー部分の深さを備えるダミーパターンを転写することを特徴とする処理製品製造方法。
【請求項１１】
前記処理製品はドーナツ状の円板に同心円状にサーボパターンやデータを形成するパターンを有する磁気ディスクであって、前記ドーナツ状の円板の内側及び外側の前記正規パターンのない領域に接する前記正規パターンの領域、又は前記正規パターンの領域に前記ダミーパターンを転写することを特徴とする請求項１０に記載の処理製品製造方法。
【請求項１２】
前記処理製品は高周波デバイスであるＳＡＷデバイスであって、前記ＳＡＷデバイスの有するパターンが偏在し所定の機能を備える回路領域に前記ダミーパターンを転写することを特徴とする請求項１０に記載の処理製品製造方法。
【請求項１３】
表面に凹凸形状のパターンを備え、塗布された成形材料を有する処理製品基材の表面に有する成形材料に前記凹凸形状のパターンを転写するスタンパにおいて
前記処理製品基材から形成される処理製品の処理製品として機能を果たす正規パターンが必要とする深さ以上のダミー部分の深さを備えるダミーパターンを有することを特徴とするスタンパ。
【請求項１４】
各前記ダミーパターンは、エッチマスクに形成に寄与しない成形材料の余剰部分が各前記ダミー部分で吸収され、ベース膜厚が均一になるような深さを有することを特徴とする請求項１３に記載のスタンパ。
【請求項１５】
各前記ダミーパターンは、エッチマスクに形成に寄与しない成形材料の余剰部分を吸収するのに最も深さを必要とするダミーパターンの深さ以上の一定の深さを有することを特徴とする請求項１３に記載のスタンパ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント技術によるスタンパ、インプリント装置並びに処理製品製造装置及び処理製品製造方法に係わり、特に精度よくパターン形状できるスタンパ、インプリント装置並びに処理製品製造装置及び処理製品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクドライブや高周波デバイス等のＬＳＩ(Large Scale Integration)にパターンドメディアを用いて製造することが将来期待されている。例えば、ハードディスクドライブでは、サーバやコンピュータ向けの利用が増大するだけでなく、家庭用ハードディスクレコーダやカーナビゲーション、ポータブルＡＶ再生機器等様々な用途への利用が拡大しており、またその容量も種々の用途のデジタル化に伴い増大する傾向にある。
【０００３】
容量を増大することは、すなわちメディアディスクの記録密度を増大させることである。メディアディスクの記録密度を増大させる技術の一つがパターンドメディアである。パターンドメディアには、図２に示すように、ディスクリートトラックメディアとビットパターンドメディアの２つがある。ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）とはメディアディスク１上に同心円状のトラックパターン１４を形成する方式で、ビットパターンドメディアとは同図右に示すように無数のビットパターン１６を形成する方式である。
【０００４】
パターンの形成には、ナノインプリント技術を用いる方法が有力視されている。図３にナノインプリント技術を示す。まず、光を透過する例えば石英製のスタンパ２０Ｊを、磁性膜を形成したディスク基板などの処理製品基材１２の表面に塗布したレジスト(樹脂)Ｐに押し当てインプリントし、エッチマスク１５を形成する(ステップ１)。そして、プラズマガス１７でエッチング処理し、余剰樹脂によってスタンパ２０Jと処理製品基材との間にできるベース膜ＢＭを除去し、最終的なエッチマスク１５を形成する(ステップ２)。次にエッチマスク１５をマスクとしてプラズマガス１７によってエッチング（エッチ）加工し(Ｓｔｅｐ３)、所定のパターンを完成させる(Ｓｔｅｐ４)。特許文献１はこのようなナノインプリント技術を開示している。なお、ステップ２はベース膜厚が薄い場合は実施する必要がない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１２８４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ナノインプリント技術においては、精度よく微細パターンを形成する必要がある。図４に示すＬＥＤ製品の高輝度化を目的とするフォトニッククリスタルパターンのようにパターンが均一に配置され、形成する微細パターンに偏在や凹凸のデュティ比に相違がない場合には、レジスト(樹脂)を均一に塗布する技術で解決できる。
【０００７】
しかしながら、図５に示すように、パターンが有ったり無かったりして微細パターンが偏在したり、デュティ比が相違し疎密ができると、エッチマスク１５のパターンを成形するためのレジストの必要量が異なりベース膜ＢＭの厚さＢＭｔにバラつきができる(Ｓｔｅｐ１)。この場合、パターンがある又はパターンが密の場合、パターンを成形するのに必要なレジスト量が多くなりベース膜ＢＭの膜厚は薄くなり、パターンがない又はパターンが疎の場合、必要なレジスト量が少なくなりベース膜ＢＭの膜厚ＢＭｔは厚くなる。
【０００８】
ステップ２のベース膜除去プロセスでは、プラズマガス１７でエッチ処理によって全てのベース膜ＢＭを除去するために、最大ベース膜厚で除去する(Ｓｔｅｐ２)。その結果、プロセス時間が長くなる。プロセス時間が長くなると、第１にスループットが低下する。第２に、オーバエッチになり、ステップ３に示すように各パターンの高さ及び幅が減少する。
【０００９】
従って、本発明の第１の目的は、ベース膜厚のバラツキを低減できるスタンパ又はインプリント装置を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の第２の目的は、精度のよい微細パターンを有する処理製品或いは精度のよい微細パターンを形成できる処理製品製造装置又は処理製品製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記目的を達成するために、少なくとも下記の特徴を有する。
本発明は、表面に凹凸形状のパターンを備え、塗布された成形材料を有する処理製品基材の表面に有する成形材料に前記凹凸形状のパターンを転写するスタンパ、前記スタンパを用いて最終的に処理製品となる処理製品基材の表面に塗布された成形材料に前記パターンを転写するインプリント装置或いは前記インプリント装置を用いてエッチング処理をして前記処理製品を製造する処理製品製造装置又は処理製品製造方法において、前記スタンパは前記処理製品として機能を果たす正規パターンが必要とする深さ以上のダミー部分の深さを備えるダミーパターンを有することを第１の特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、各前記ダミーパターンは、エッチマスクに形成に寄与しない成形材料の余剰部分が各前記ダミー部分で吸収され、ベース膜厚が均一になるような深さを有することを第２の特徴とする
さらに、本発明は、各前記ダミーパターンは、エッチマスクに形成に寄与しない成形材料の余剰部分を吸収するのに最も深さを必要とするダミーパターンの深さ以上の一定の深さを有することを第３の特徴とする。
また、本発明は、前記処理製品はドーナツ状の円板に同心円状にサーボパターンやデータを形成するパターンを有する磁気ディスクであって、前記インプリント装置は、前記ドーナツ状の円板の内側及び外側の前記正規パターンのない領域に接する前記正規パターンの領域、又は前記正規パターンの領域に前記ダミーパターンを形成することを第４の特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明は、前記処理製品は高周波デバイスであるＳＡＷデバイスであって、前記インプリント装置は、前記ＳＡＷデバイスの有するフィルタ部、電極パット部、アース部の少なくとも一つの部が、その周囲に存在するパターンの無い領域に接する領域に、前記ダミーパターンを形成することを第５の特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、前記処理製品は高周波デバイスであるＳＡＷデバイスであって、前記インプリント装置は、前記ＳＡＷデバイスの有するパターンが偏在し所定の機能を備える回路領域に前記ダミーパターンを形成することを有することを第６の特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ベース膜厚のバラツキを低減できるスタンパ又はインプリント装置を提供できる。
【００１６】
また、本発明によれば、精度のよい微細パターンを有する処理製品或いは処理製品製造装置又は処理製品製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態であるインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】パターンドメディアの一例を示す概略図である。
【図３】ナノインプリントプロセスを示す工程図である。
【図４】微細パターンに偏在や凹凸のデュティ比に相違がないＬＥＤ製品の高輝度化を目的とするフォトニッククリスタルパターンの一例を示す図である。
【図５】本発明の課題を説明する図である。
【図６】本発明の実施形態の基本的な考え方を示す図である。
【図７】実施形態の第１の実施例１を示す図である。
【図８】実施形態の第２の実施例２を示す図である。
【図９】本発明の実施形態を磁気ディスクの製造に適用した例を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態をＳＡＷの製造に適用した例を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態である磁気ディスク製造装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。
まず、図１を用いて本発明の実施形態であるインプリント装置１の構成を説明する。インプリント装置１は、大別して、スタンパの成形材料であるレジストＰより上部に構成要素を持つ転写機構上部６０と、光源３０と、レジストＰより下部に構成要素を持つ転写機構下部７０と、ステージ８０とを有する。レジストＰは、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂及び熱可塑性材料のいずれも使用することができる。
【００１９】
転写機構上部６０は、スタンパ２０を平面に保持する。光源３０は、光硬化性樹脂の樹脂を硬化させるエネルギー源となるＵＶ光源である。また、熱硬化性樹脂用に、熱源となる光源３０を利用すると、熱硬化性樹脂を硬化させることもできる。なお、本実施形態のインプリント装置１は光源３０も備えているが、光源３０を別装置としてもよい。
【００２０】
一方、転写機構下部７０は、表面にスタンパ２０が有する凹凸が転写されるレジストＰを有し、最終的には処理製品となる処理製品基材１２を保持する。
【００２１】
また、ステージ８０は、処理製品基材１２を載せるベースである。スタンパ２０がレジストＰに転写する際に、スタンパの押圧を受け止めるので、処理製品基材１２にレジストＰが意図した形状になる。なお、ステージ８０の内部には、熱可塑性材料のレジストＰに転写する際にレジストＰを加熱して軟化するための熱源９０を備えている。
【００２２】
このようなインプリント装置１によってスタンパ２０のパターンをレジストＰに転写しエッチマスクを形成し、その後エッチング装置によりエッチング処理を行う。なお、インプリント装置１は露光装置を備えていても構わない。
また、インプリント装置１は、上記の構造とは逆に、レジストＰより上部に転写機構下部７０を設け、レジストＰより下部に転写機構上部６０と光源３０を設けてもよい。あるいは、上記の構造を９０度右又は左に傾けて、レジストＰの右（左）側に転写機構上部６０と光源３０を設け、レジストＰの左（右）側に転写機構下部７０を設けるようにしてもよい。さらに、スタンパ２０がレジストＰを転写することができれば、スタンパ２０の押圧する方向は垂直方向または水平方向だけでなく、任意の角度に傾いた方向でも構わない。
レジスト材料は、塗布厚みが薄いため流動性が低下し、傾けて押圧しても、レジスト材料が流れ出たり、転写できない部分が発生することはない。
【００２３】
本発明の特徴は、機能を果たすのに必要な正規パターンを成形する成形面内のレジスト必要量が、或いはベース膜ＢＭの厚さが均一になるようにすることである。言い換えれば、レジスト必要量が均一になるようにするとは、塗布したレジスト量のうち正規パターンを成形するのに使用されるレジスト量とベース膜に使用されるレジスト量との比が同一になるようにすることである。
以下の説明では、正規パターンを成形するのにダミー部分を有しているパターンをダミーパターンという。また、スタンパ２０に設けられたダミーパターンを２０Ｐで示す、そのダミーパターン２０ＰでレジストＰに形成されたエッチマスク１５上のダミーパターンをＤＰで示す。
【００２４】
上記を達成するために、本実施形態では、正規パターンを成形するスタンパの深さ以上の深さを有するダミーパターン２０Ｐを設ける。
【００２５】
図６は、本実施形態の基本的な考え方を示す図である。図７は図６の左側欄に示す本実施形態のステップ１を示す部分の拡大図である。図６の右側欄は、処理製品に必要な正規パターンのみを有するスタンパ２０ｊによる従来のインプリントプロセス（以下、単に従来プロセスという）を示す。図６の左側欄は、図７に示すように白で示す正規パターンの他に黒で示すダミー部分を有するダミーパターン２０Ｐを有するスタンパ２０による実施形態１のインプリントプロセス（以下、単に実施形態又実施例プロセスという）を示す。
【００２６】
従来プロセスは、図５で説明したように、パターンが有ったり無かったりして微細パターンが偏在したり、デュティ比が相違し疎密ができると、ステップ２に示すように正規パターンの成形に必要なレジスト必要量が異なりベース膜ＢＭの厚さにバラつきができる。その結果、プロセス時間が長くなりスループットが低下すると共に、オーバエッチになり、ステップ３に示すように各パターンの高さ及び幅が減少する。
【００２７】
一方、本実施形態プロセスでは、ステップ１に示すように、スタンパ２０に正規パターンの深さ以上の余剰深さのダミー部分を有するダミーパターン２０Ｐを設け、ダミー部分で余剰レジストを吸収し、スタンパ２０の面内のレジスト必要量を均一化してベース膜ＢＭの厚さの均一化を図る。
（実施例１）
図７は、図６に示す本実施形態のステップ１示す部分を拡大して示した図である。図７においてスタンパ２０の太枠で示す部分が正規パターンに必要な深さ以上の黒で示すダミー部分を有するダミーパターン２０Ｐである。本図では白で示す正規パターンＳＰのみを有するのは１箇所のみである。
【００２８】
処理製品基材１２にレジストで形成されたエッチマスク１５のダミーパターンＤＰは、格子状に示すダミー部分ＤＰｒと斜線で示す正規パターン部ＳＰｓとを有し、ダミー部分ＤＰｒがエッチマスクに形成に寄与しない余剰レジストを吸収すると、ダミーパターンの高さはＤＰｓとなる。
【００２９】
実施例１は、面内のレジスト必要量（ベース膜厚）が丁度均一になるように、且つ余剰レジストが各ダミー部分ＤＰｒで丁度吸収されように各ダミーパターンのそれぞれの深さを定めた例である。従って、パターンが疎或いは無い領域ではエッチマスク１５を形成するレジスト量が少ないので、その領域の、又はその領域に隣接したダミーパターンは深くなり、逆にパターンが密或いは有りの領域ではエッチマスク１５を形成するレジスト量が多いので、その領域の、又はその領域に隣接したダミーパターンは浅くなる。このような評価を予め実施し、且つベース膜厚が少なくなるように各ダミーパターンの深さを定める。
【００３０】
図６、図７は一次元で示しているが、実際には二次元的にインプリントする面内のレジスト必要量が同一になるようにダミーパターンＤＰの深さを定める。
【００３１】
このようにダミーパターンＤＰを設けることによって、ステップ２に示すようにベース膜ＢＭの厚さが薄膜化される。エッチング処理によるベース膜ＤＭの除去時間が短縮し、スループットの向上を図ることができる。エッチング処理は、例えばプラズマガス１７で行なう。ベース膜ＢＭの厚さを所定の厚さ以下に薄膜にできれば、ステップ２を省略すことができる。
【００３２】
その後、ベース膜ＢＭをエッチング処理した後、図７に示すように、正規パターンの深さに対応するＥＨ分だけ、エッチング処理する。そして、ダミー部分ＤＰｒに残った余剰レジストを洗浄除去し、ステップ３に示す処理製品基材１２に転写された正規パターンのみを得ることができる。
【００３３】
ステップ２において、ベース膜ＢＭの除去時間が短縮できれば、除去時間に起因するエッチマスクのオーバエッチ量が少なくなり、エッチマスク１５の高さ及び幅の減少を抑えることができ、精度のよい微細パターンを形成できる。
【００３４】
以上説明した本実施形態及び実施例１によれば、ベース膜厚のバラツキを低減できるスタンパ及びインプリント装置を提供できる。
【００３５】
また、本実施形態及び実施例１によれば、精度のよい微細パターンを有する処理製品或いは精度のよい微細パターンを形成できる処理製品製造装置又は処理製品製造方法を提供できる。
（実施例２）
図８は、本実施形態における第２の実施例２を示す図である。実施例２の実施例１と異なる点は、余剰レジストを吸収するのに最も深さを必要とするダミーパターンＤＰの深さＤＦで各ダミーパターンの深さを均一にした点である。実施例１では、レジスト必要量が均一になるように各パターン深さを決定したので、ベース膜ＢＭの均一化は保証されている。実施例２では余剰レジストの逃道に自由度ができるので、多少ベース膜ＢＭのバラツキはできる可能性がある。しかし、パターンの深さを均一したことにより、スタンパ製作が容易になる利点を有する。また、ダミーパターン２０Ｐの深さはＤＦ以上であってもよい。
【００３６】
従って、実施例２においても、従来に比べ数段ベース膜厚のバラツキを低減できるスタンパ又はインプリント装置を提供できる。
また、実施例２においても、精度のよい微細パターンを有する処理製品或いは精度のよい微細パターンを形成できる処理製品製造装置又は処理製品製造方法を提供できる。
【００３７】
さらに、実施例２によれば、スタンプを容易に製作できる。
（適用例１）
図９は、処理製品として磁気ディスク３０に実施形態を適用した例である。磁気ディスク３０は、ドーナツ状の円板に同心円状にサーボパターンやデータを備える正規パターン３１ｐを有する正規パターン領域３１と、正規パターン領域３１の内側及び外側には引出し図に示すようにパターンの無いパターン無し領域３２、３３とを有する。従って、パターン領域３１と同じレジスト量でインプリントすると、パターン無し領域３２、３３でのエッチマスクを形成するレジストは必要ないので、ベース膜厚が厚くなる。
【００３８】
そこで、実施例１，２に代表される本実施形態をパターン無し領域３２、３３に接するパターン３１ｐ領域に余剰レジストを吸収する正規の深さ以上の深さを有するダミーパターンＤＰを設ける。これによって、パターン無し領域３２、３３に発生するベース膜ＢＭ
の厚さを低減できる。
【００３９】
ダミーパターンＤＰの深さは一定の深さとしてもよいが、パターン無し領域３２、３３に近いほど余剰レジストを吸収することが求められるので、パターン無し領域３２、３３に近いダミーパターンＤＰほどその深さを深くしてもよい。また、接する部分だけでなく、全体の正規パターンの余剰レジストを吸収するダミーパターンとしてもよい。
【００４０】
さらに、サーボパターンやデータが存在する領域のパターン偏在又はパターンの有無に応じて、正規パターンの深さを変えたダミーパターンを設けてもよい。
（適用例２）
図１０は、処理製品として高周波デバイスである典型的なＳＡＷ(Surface Acoustic Wave)デバイス４０に実施形態を適用した例である。ＳＡＷデバイス４０は、電極パット部４１、フィルタ部４２等を有する。適用例２は、このフィルタ部４２に実施形態を適用した例である。図１０の引き出し図に示すように、フィルタ部４２には、フィルタ機能を有する正規パターンＳＰであるフィルタパターンＦＰと、パターンの無い領域４２ａある。フィルタ部４２は、フィルタパターンＦＰの凹凸の周波数に基づき高周波フィルタを構成する。図１０に示すフィルタパターンＦＰの寸法Ｌは、例えば５０μｍである。
【００４１】
そこで、実施例１，２に代表される本実施形態をパターン無し領４２ａに接するフィルタパターン領域ＦＰに余剰レジストを吸収する正規の深さ以上の深さを有するダミーパターンＤＰを設ける。これによって、パターン無し領４２ａに発生するベース膜ＢＭの厚さを低減できる。
【００４２】
適用例１と同様に、ダミーパターンＤＰの深さは一定の深さとしてもよいが、パターン無し領４２ａに近いほど余剰レジストを吸収することが求められるので、パターン無し領４２に近いダミーパターンＤＰほどその深さを深くしてもよい。また、接する部分だけでなく、フィルタパターン領域の全体の余剰レジストを吸収するダミーパターンとしてもよい。
【００４３】
さらに、フィルタ４２と同様に、電極パット部４１にも同様なダミーパターンを設けてもよい。さらにまた、別の部分のパターンにおいても、各パターンの偏在に応じて正規パターンの深さを変えたダミーパターンを設けてもよい。
【００４４】
図１１は、インプリントによる処理製品製造装置の一例として、磁気ディスクの例を示す図である。また、図１１は、磁気ディスク製造ラインのうちパターンニングに関係するパターンニング関連の磁気ディスク製造装置１００を示した図である。磁気ディスク製造ラインは、磁気ディスク製造装置の上流にはガラス基板に磁性層を形成するディスクを製造する工程の装置やディスクの表面を洗浄する工程の装置が、磁気ディスク製造装置の下流には潤滑膜を形成する装置がある。
【００４５】
磁気ディスク製造装置１００は、ディスク表面にレジストをスピンコートするレジスト塗布装置５１、サーボ情報やデータトラックなどのパターンが形成されたスタンパを用いてレジスト塗布面にパターンをインプリントするスタンピング５２と、スタンピング状態で露光する露光装置５３とを備えるインプリント装置１、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングしディスク表面に溝を形成するエッチング装置５４、該溝に非磁性層を埋め込む非磁性層形成装置５５、ディスク表面に保護膜を形成する及び保護膜形成装置５６を有する。
【００４６】
以上説明した磁気ディスク製造装置に本発明のインプリント装置１を用いることによって、磁気ディスク製造装置のスループットを向上できる。
【００４７】
以上説明した本実施形態によれば、精度のよいパターンを有する磁気ディスク或いは磁気ディスク製造装置又は磁気ディスク製造方法を提供できる。
【００４８】
以上では処理製品として磁気ディスクを例に説明したが、ＳＡＷやその他の処理製品での処理製品製造装置及び処理製品製造方法において同様に適用可能である。
【００４９】
また、以上の実施形態では、ディスクリートトラックメディアを対象に説明したが、ビットで形成されたダミーパターンを設ける、或いは、ビットの高さを変えることで本発明をビットパターンドメディアにも適用可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１：インプリント装置                    １２：：処理製品基材
１４：トラックパターン                  １５：エッチマスク
１５ｒ：格子状に示したダミー部分        １６：ビットパターン
１７：プラズマガス                      ２０：スタンパ
２０Ｊ：従来のスタンパ                  ２０ｐ：スタンパの各パターン
３０：磁気ディスク                      ３１：パターン領域
３１ｐ：正規パターン                    ３２、３３：パターン無し領域
４０：ＳＡＷ(Surface Acoustic Wave)デバイス
４１：電極パット部                      ４２：フィルタ部
４２ａ：フィルタ部のパターン無し領域    ４５：回路パターン
５１：レジスト塗布装置                  ５２：スタンピング装置
５３：露光装置                          ５４：エッチング装置
５５：非磁性層形成装置                  ５６：保護膜形成装置
１００：磁気ディスク製造装置            ＢＭ：ベース膜
ＤＰ：ダミーパターン                    ＥＨ：エッチング処理タ高さ
ＦＰ：フィルタパターン                  Ｐ：レジスト
【図１】
2013077600.tif 000003
【図２】
2013077600.tif 000004
【図３】
2013077600.tif 000005
【図４】
2013077600.tif 000006
【図５】
2013077600.tif 000007
【図６】
2013077600.tif 000008
【図７】
2013077600.tif 000009
【図８】
2013077600.tif 000010
【図９】
2013077600.tif 000011
【図１０】
2013077600.tif 000012
【図１１】
2013077600.tif 000013