(57)【要約】【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、比較的簡単な構成で、基板の表面の全域に亘ってめっき液がより均一に流れるようにして、膜厚や膜形状の面内均一性を高めためっき膜を形成できるようにする。【解決手段】内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽８０と、複数枚の基板Ｗを鉛直方向に並列に保持してめっき槽８０内のめっき液に浸漬させる基板ホルダ８４と、基板ホルダ８４で保持してめっき液に浸漬させた各基板Ｗの周囲をそれぞれ囲繞して、各基板Ｗの外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板１５０，１５２を有する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽と、
複数枚の基板を鉛直方向に並列に保持して前記めっき槽内のめっき液に浸漬させる基板ホルダと、
前記基板ホルダで保持してめっき液に浸漬させた各基板の周囲をそれぞれ囲繞して、各基板の外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板を有することを特徴とする無電解めっき装置。
【請求項２】
前記基板ホルダで保持される基板と該基板の周囲を囲繞する前記ガイド板との距離は、１〜１０ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の無電解めっき装置。
【請求項３】
前記複数枚のガイド板は、互いに隣接するガイド板間に配置されて鉛直方向に直線状に延びる複数枚の連結板で互いに平面格子状に連結されていることを特徴とする請求項１または２記載の無電解めっき装置。
【請求項４】
前記ガイド板は、基板ホルダで保持してめっき槽内のめっき液に浸漬させた基板の下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板と、基板の上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板とからなり、
前記下側ガイド板は前記基板ホルダに、前記上側ガイド板は前記めっき槽の上端開口部を開閉する蓋体の裏面にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の無電解めっき装置。
【請求項５】
前記ガイド板は、基板ホルダで保持してめっき槽内のめっき液に浸漬させた基板の下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板と、基板の上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板とからなり、
前記下側ガイド板は前記めっき槽の内部に、前記上側ガイド板は前記めっき槽の上端開口部を開閉する蓋体の裏面にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の無電解めっき装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無電解めっき装置に係り、特に生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、半導体ウェーハ等の基板の表面により均一な処理を安定して行うことができるようにした無電解めっき装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ間の電気的な接続を行う３次元実装として、例えば、図１に示すように、ＣＰＵ１０の所定位置に設けたマイクロバンプ１２と、メモリ１４の所定位置に設けたマイクロバンプ１６を共に電極として用い、マイクロバンプ（電極）１２，１６を互いに接合することが提案されている。
【０００３】
メモリ１４に設けたマイクロバンプ１６は、例えばＣｕ−Ｓｎからなる。ＣＰＵ１０に設けたマイクロバンプ１２は、例えばＡｌまたはＣｕからなるバンプパッド１８の表面に、例えば２〜１０μｍのＮｉめっき膜２０を成膜し、このＮｉめっき膜２０の表面に、例えば５０〜２００ｎｍのＡｕめっき膜２２を成膜して形成される。Ａｕめっき膜２２は、マイクロバンプ１２，１６の接合時に、例えばＣｕ−Ｓｎからなるマイクロバンプ１６へ拡散する。そのため、Ａｕめっき膜２２自身は、接合に影響しないが、Ｎｉめっき膜２０の表面の酸化を防止して接合強度を保つ役割を持つ。
【０００４】
また、ＴＳＶ（Through  Silicon  Via）配線接続においても、図２に示すように、ＴＳＶ３０の表面側にＮｉめっき膜３２とＡｕめっき膜３４とを順次積層して形成した表面バンプ３６と、ＴＳＶ３０の裏面側に形成した裏面バンプ３８とを互いに接合することが提案されている。
【０００５】
上記のような、Ｎｉめっき膜２０，３２やＡｕめっき膜２２，３４を成膜する手法として、電解めっきに代わって、無電解めっきの採用が検討されている。また、ＮｉやＡｕの他に、無電解めっき可能なＣｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｒｈ，Ｒｕ等の単体材料および複合材料からなるめっき膜にあっても、電解めっきに代わって、無電解めっきの採用が検討されている。
【０００６】
図１に示す、マイクロバンプ１２の下地金属（バンプパッド１８）には、ＡｌやＣｕ等が多く使われている。ＡｌやＣｕは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等のような触媒金属ではない。このため、めっき前処理として、下地金属がＡｌの場合はジンケート処理が、下地金属がＣｕの場合はＰｄ触媒付与処理（または初期通電）が一般に行われる。Ａｌ表面のジンケート処理では、一般に、置換めっきによってＡｌ表面に亜鉛を付与する。無電解めっきに際して、亜鉛は、無電解めっき可能な触媒金属に置換される。
【０００７】
無電解めっき装置は、一般に、基板を一枚ずつ処理する枚葉処理方式を採用した無電解めっき装置と、複数枚の基板を同時に保持して処理するバッチ処理方式を採用した無電解めっき装置に大別される。無電解めっきのめっきレートは、一般に１〜２０μｍ／ｓで、電解めっきのめっきレートと比較して格段に遅い。このため、無電解めっきをバンプ形成等の多大な時間を要する処理に適用する場合には、枚葉処理方式よりバッチ処理方式を検討するのが一般的である。バッチ処理方式の無電解めっき装置は、同一フットプリントでのスループットが枚葉処理方式のものに比べて非常に高いという利点がある。
【０００８】
バッチ処理方式を採用した基板処理装置として、出願人は、複数枚の基板を保持して処理槽内の処理液に浸漬させる基板ホルダを、複数枚の基板を保持したまま処理槽内の処理液中で回転させるようにしたものを提案している（特許文献１参照）。また、平板状の被めっき物表面に、均一な液流動を生じさせる無電解めっき槽として、被めっき物の両側に配置され同一方向に回転することにより被めっき物と案内板との間にめっき液の流れを形成する一対のインペラーを備え、このインペラーの回転方向を周期的に反転させるようにしたものが提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−５７５９３号公報
【特許文献２】特開平５−３１１４５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
無電解めっきでは、被めっき物としての基板の表面に沿っためっき液の流れの状態が、基板の表面に形成されるめっき膜の膜厚や膜形状に大きく影響することが知られている。
【００１１】
従来のバッチ処理方式を採用した無電解めっき装置としては、図３に示すように、側板４０に水平に設けた複数の支持棒４２で複数枚の基板Ｗを下方から支持して鉛直方向に並列に保持する基板ホルダ４４を備え、図示しないめっき槽内を上向きに流れるめっき液中に、基板ホルダ４４で保持した複数枚の基板を同時に浸漬させるようにしたものが広く知られている。
【００１２】
このように、上向きに流れるめっき液中に基板ホルダ４４で鉛直方向に並列に保持した複数枚の基板Ｗを同時に浸漬させると、図４に示すように、基板Ｗの下部にあっては、基板Ｗとの衝突によって基板から離れる方向に向かうめっき液の流れが、基板Ｗの上部にあっては、めっき液の回り込みによって、互いに近づく方向に向かうめっき液の流れがそれぞれ生じる。このように、基板Ｗの外周部でめっき液の流れに乱れが生じると、基板Ｗの表面に形成されるめっき膜の膜厚や膜形状が基板の中心部と外周部で異なってしまう。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、比較的簡単な構成で、基板の表面の全域に亘ってめっき液がより均一に流れるようにして、膜厚や膜形状の面内均一性を高めためっき膜を形成できるようにした無電解めっき装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１に記載の発明は、内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽と、複数枚の基板を鉛直方向に並列に保持して前記めっき槽内のめっき液に浸漬させる基板ホルダと、前記基板ホルダで保持しためっき液に浸漬させた各基板の外周部をそれぞれ囲繞して、各基板の外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板を有することを特徴とする無電解めっき装置である。
【００１５】
このように、めっき液に浸漬させた基板の外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成することで、基板の外周部にめっき液の流れに乱れが生じることを防止して、基板の表面に、膜厚や膜形状のより面内均一性を高めためっき膜を形成することができる。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、前記基板ホルダで保持される基板と該基板の周囲を囲繞する前記ガイド板との距離は、１〜１０ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の無電解めっき装置である。
前記基板ホルダで保持される基板と該基板の周囲を囲繞する前記ガイド板との距離は、可能な限り狭いことが望ましいが、加工精度等を考慮すると、１〜１０ｍｍであることが好ましい。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、前記複数枚のガイド板は、互いに隣接するガイド板間に配置されて鉛直方向に直線状に延びる複数枚の連結板で互いに平面格子状に連結されていることを特徴とする請求項１または２記載の無電解めっき装置である。
これにより、基板の側方を上方に向かって流れるめっき液の流れに乱れが生じること連結板で防止しつつ、ガイド板自体の強度及び安定性を増大させることができる。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、前記ガイド板は、基板ホルダで保持してめっき槽内のめっき液に浸漬させた基板の下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板と、基板の上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板とからなり、前記下側ガイド板は前記基板ホルダに、前記上側ガイド板は前記めっき槽の上端開口部を開閉する蓋体の裏面にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の無電解めっき装置である。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、前記ガイド板は、基板ホルダで保持してめっき槽内のめっき液に浸漬させた基板の下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板と、基板の上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板とからなり、前記下側ガイド板は前記めっき槽の内部に、前記上側ガイド板は前記めっき槽の上端開口部を開閉する蓋体の裏面にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の無電解めっき装置である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の無電解めっき装置によれば、基板の外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成することで、基板の外周部にめっき液の流れに乱れが生じることを防止して、基板の表面に、膜厚や膜形状のより面内均一性を高めためっき膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】マイクロバンプの接合例を示す断面図である。
【図２】ＴＳＶ配線の接続例を示す断面図である。
【図３】従来の無電解めっき装置に使用されている基板ホルダを示す斜視図である。
【図４】上向きに流れるめっき液中に、図３で示す基板ホルダで保持した複数枚の基板を同時に浸漬させた時のめっき液の流れを示す図である。
【図５】バンプパッドの表面にＮｉめっき膜及びＡｕめっき膜を無電解めっきで形成する例を工程順に示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態の無電解めっき装置を有する無電解めっきシステムの全体を示す縦断正面図である。
【図７】無電解Ｎｉめっき装置のＮｉめっき槽と基板ホルダを示す概略縦断正面図である。
【図８】無電解Ｎｉめっき装置のＮｉめっき槽と基板ホルダを示す概略側断面図である
【図９】Ｎｉめっき槽の上端開口部を開閉する蓋体を示す模式図である。
【図１０】上向きに流れるめっき液中に、下側ガイド板及び上側ガイド板で周囲を囲繞した複数枚の基板を同時に浸漬させた時のめっき液の流れを示す図である。
【図１１】図６に示す無電解めっきシステムによる一連の処理を示すブロック図である。
【図１２】無電解Ｎｉめっき装置の他のＮｉめっき槽と基板ホルダを示す概略縦断正面図である。
【図１３】無電解Ｎｉめっき装置の他のＮｉめっき槽と基板ホルダを示す概略側断面図である。
【図１４】下側ガイド板の連結板で連結して構成した平面格子状の下側ガイド板構造体を示す斜視図である。
【図１５】下側ガイド板構造体と上側ガイド板構造体で基板の周囲を囲繞した状態を示す正面図である。
【図１６】図１５のＢ−Ｂ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。なお、以下の例において、同一または相当部材には、同一符号を付して重複した説明を省略する。
【００２３】
以下の例では、図５（ａ）に示すように、例えば直径Ｄが数μｍのＡｌからなるバンプパッド５０を設けた半導体ウェーハ等の基板Ｗを用意する。そして、図５（ｂ）に示すように、この基板Ｗの表面に、めっき前処理としてのジンケート処理を行って、バンプパッド５０の表面に置換めっきにより亜鉛めっき膜５２を形成し、この亜鉛めっき膜５２の表面に、無電解めっきによって、例えば１．６μｍのＮｉめっき膜５４を形成し、このＮｉめっき膜５４の表面に、無電解めっき（置換めっき）によって、例えば０．１μｍのＡｕめっき膜５６を形成するようにしている。
【００２４】
図６は、本発明の実施形態の無電解めっき装置を有する無電解めっきシステムの全体を示す縦断正面図である。図６に示すように、この無電解めっきシステムは、前洗浄槽６０、水洗槽６２及び基板ホルダ６４を有する前洗浄装置６６と、ジンケート処理槽７０、水洗槽７２及び基板ホルダ７４を有するジンケート処理装置７６と、Ｎｉめっき槽８０、水洗槽８２及び基板ホルダ８４を有する、本発明の実施形態の無電解Ｎｉめっき装置８６と、Ａｕめっき槽９０、水洗槽９２及び基板ホルダ９４を有する、本発明の他の実施形態の無電解Ａｕめっき装置９６と、乾燥ユニット１００及び基板ホルダ１０２を有する乾燥装置１０４を備えている。
【００２５】
更に、これらの基板ホルダ６４，７４，８４，９４，１０４と平行に、ガイド１０６に沿って走行自在な基板保持具１０８を有し、複数枚の基板を同時に搬送して各基板ホルダ６４，７４，８４，９４，１０４との間で複数枚の基板の受け渡しを行う装置間基板搬送装置１１０が配置されている。
【００２６】
図７は、無電解Ｎｉめっき装置８６のＮｉめっき槽８０と基板ホルダ８４を示す概略縦断正面図で、図８は、同じく概略側断面図である。図７及び図８に示すように、Ｎｉめっき槽８０は、処理液としてのＮｉめっき液を内部に保持する、内槽１２０と外槽１２２とを有しており、内槽１２０と外槽１２２との間にオーバフロー槽１２４が形成されている。Ｎｉめっき槽８０のオーバフロー槽１２４の底部には、ポンプ１２６、温度調整器１２８及びフィルタ１３０を介装しためっき液循環ライン１３２の一端が接続され、このめっき液循環ライン１３２の他端は、内槽１２０の底部に接続されている。更に、内槽１２０の底部には、めっき液の流れを整える整流板１３４が配置されている。
【００２７】
これによって、Ｎｉめっき槽８０内のＮｉめっき液（処理液）は、ポンプ１２６の駆動に伴って、フィルタ１３０でフィルタリングされ、温度調整器１２８で、例えば８０℃に温度が調整されながら、内槽１２０の内部を上方に向かって流れ、オーバフロー槽１２４内に流入して循環するようになっている。
【００２８】
Ａｕめっき槽９０は、処理液としてＡｕめっき液を使用し、Ａｕめっき液（処理液）の温度を、例えば７５℃に調整する以外は、Ｎｉめっき槽８０とほぼ同様な構成を有している。前洗浄槽６０は、処理液として、例えば一般に温度を調整する必要がない（常温で使用される）硝酸（前洗浄液）を使用し、温度調整器１２８を省略している点以外は、Ｎｉめっき槽８０とほぼ同様な構成を有している。ジンケート処理槽７０は、処理液として、例えば水酸化ナトリウムベースの酸化亜鉛含有液からなるジンケート液を使用し、ジンケート液（処理液）の温度を、例えば５０℃に調整する以外は、Ｎｉめっき槽８０とほぼ同様な構成を有している。
【００２９】
Ｎｉめっき槽８０の上端には、Ｎｉめっき槽８０の上端開口部を閉塞して、内部に保持したＮｉめっき液の蒸発を防止する蓋体１３６がヒンジ１３８（図９参照）を介して開閉自在に設けられている。このことは、Ａｕめっき槽９０にあっても同様である。
【００３０】
図７及び図８に示すように、無電解Ｎｉめっき装置８６の基板ホルダ８４は、側板１４０と、側板１４０に一端を取り付けて水平方向に延び、複数枚の基板Ｗを下方から支持する複数の支持棒１４２を有している。これにより、基板ホルダ８４は、基板Ｗを支持棒１４２で下方から支持して、複数枚（例えば５０枚）の基板Ｗを並列に保持するようになっている。
【００３１】
支持棒１４２で下部を支持して基板ホルダ８４で保持される基板Ｗの下半分の周囲を囲繞する位置には、下側ガイド板１５０が支持棒に１４２に固定して配置されている。下側ガイド板１５０の厚さは、基板Ｗの厚さと同じ厚さに設定され、これによって、基板ホルダ８４で保持される基板Ｗの表面及び裏面と該基板Ｗの下半分の周囲を囲繞する下側ガイド１５０の表面及び裏面は、共に同一平面をなすようになっている。
【００３２】
また、基板ホルダ８４で保持される基板Ｗと該基板Ｗの下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板１５０との距離は、１〜１０ｍｍに設定されている。この基板ホルダ８４で保持される基板Ｗと該基板Ｗの下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板１５０との距離は、可能な限り狭いことが望ましいが、加工精度等を考慮すると、１〜１０ｍｍであることが好ましい。
【００３３】
一方、Ｎｉめっき槽８０の上端開口部を開閉する蓋体１３６の裏面には、図９に模式図で示すように、蓋体１３６を閉めた時に、基板ホルダ８４で保持される基板Ｗの上半分の周囲を囲繞する位置に位置して、上側ガイド板１５２が取り付けられている。この上側ガイド板１５２の厚さは、下側ガイド板１５０と同様に、基板Ｗの厚さと同じ厚さに設定され、また基板ホルダ８４で保持される基板Ｗと該基板Ｗの上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板１５２との距離は、１〜１０ｍｍに設定されている。このことは、Ａｕめっき槽９０にあっても同様である。
【００３４】
これによって、基板ホルダ８４で保持した複数枚の基板ＷをＮｉめっき槽８０内のめっき液に浸漬させて、蓋体１３６を閉じた時に、基板ホルダ８４で保持した各基板Ｗは、下側ガイド板１５０と上側ガイド板１５２で、そのほぼ全周囲を囲繞されるようになっている。
【００３５】
このように、基板ホルダ８４で保持した各基板Ｗのほぼ全周囲を下側ガイド板１５０と上側ガイド板１５２で囲繞した状態で、Ｎｉめっき槽８０の内部にめっき液の上向きの流れを形成すると、図１０に示すように、各基板Ｗの外周部に基板Ｗの表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れが形成される。つまり、下側ガイド板１５０の下部にあっては、下側ガイド板１５０との衝突によって基板から離れる方向に向かうめっき液の流れが、上側ガイド板１５２の上部にあっては、めっき液の回り込みによって、互いに近づく方向に向かうめっき液の流れがそれぞれ生じるが、これらのめっき液の流れは、基板Ｗの外周部に沿って流れるめっき液の流れに影響を与えることはない。
【００３６】
このように、基板Ｗの外周部に基板Ｗの表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成することで、基板の外周部にめっき液の流れに乱れが生じることを防止して、基板Ｗの表面に、膜厚や膜形状のより面内均一性を高めためっき膜を形成することができる。
【００３７】
なお、無電解Ａｕめっき装置９６の基板ホルダ９４も、上記無電解Ｎｉめっき装置８６の基板ホルダ８４と同様な構成を有している。前洗浄装置６６の基板ホルダ６４、ジンケート処理装置７６の基板ホルダ７４、及び乾燥装置１０４の基板ホルダ１０２は、上記無電解Ｎｉめっき装置８６の基板ホルダ８４の下側ガイド板１５０を除いた構成を有している。
【００３８】
次に、この例の無電解めっきシステムによる、一連の処理を、図１１を参照して説明する。
【００３９】
先ず、前洗浄装置６６の基板ホルダ６４は、装置間基板搬送装置１１０の基板保持部１０８から複数枚の基板Ｗを同時に受け取って鉛直方向に保持する。そして、基板ホルダ６４を下降させて、基板ホルダ６４で保持した複数枚の基板Ｗを、前洗浄槽６０内の処理液（硝酸）に、例えば１分間浸漬させ、これによって、基板Ｗの表面の酸化膜を除去する。
【００４０】
次に、基板ホルダ６４で保持した複数枚の基板Ｗを、前洗浄槽６０内の処理液（硝酸）から引き上げ、水洗槽６２の直上方に移動させる。そして、基板ホルダ６４を下降させて、基板ホルダ６４で保持した複数枚の基板Ｗを、水洗槽６０内の処理液（純水）に、例えば５分間浸漬させ、これによって、基板Ｗの表面を水洗する。しかる後、基板ホルダ６４で保持した複数枚の基板Ｗを、水洗槽６０内の処理液（純水）から引き上げる。
【００４１】
次に、基板ホルダ６４で鉛直方向に保持した複数枚の基板Ｗを、装置間基板搬送装置１１０の基板保持具１０８を経由して、ジンケート処理装置７６の基板ホルダ７４に受け渡す。そして、基板ホルダ７４を下降させて、基板ホルダ７４で保持した複数枚の基板Ｗを、ジンケート処理槽７０内の処理液（ジンケート液）に、例えば３０秒浸漬させ、これによって、Ａｌからなるバンプパッド５０（図５参照）の表面の１回目のジンケート処理を行う。そして、基板ホルダ７４で保持した複数枚の基板Ｗを、ジンケート処理槽７０内の処理液（ジンケート液）から引き上げる。
【００４２】
次に、前述とほぼ同様に、基板ホルダ７４で保持した複数枚の基板Ｗを、水洗槽７２の直上方に移動させる。そして、基板ホルダ７４を下降させて、基板ホルダ７４で保持した複数枚の基板Ｗを、水洗槽７２内の処理液（純水）に、例えば１分間浸漬させ、これによって、基板Ｗの表面を水洗する。しかる後、基板ホルダ７４で保持した複数枚の基板Ｗを水洗槽７２内の処理液（純水）から引き上げる。
【００４３】
上記基板の硝酸中への浸漬及びその後の水洗、ジンケート液中への浸漬及びその後の水洗を１サイクルとして、このサイクルを２回繰返し、これによって、いわゆるダブルジンケート処理を行う。このように、ダブルジンケート処理を行うことで、Ａｌからなるバンプパッド５０（図５参照）の表面に、１回目のジンケート処理で粗く付与された亜鉛（亜鉛めっき膜）を硝酸で除去し、しかる後、バンプパッド５０の表面を、２回目のジンケート処理で細かく亜鉛に置換することができる。これによって、図５（ｂ）に示す亜鉛めっき膜５２を形成する。
【００４４】
次に、ダブルジンケート処置後の基板を、装置間基板搬送装置１１０の基板保持具１０８を経由して、無電解Ｎｉめっき装置８６の基板ホルダ８４に受け渡す。そして、前述のジンケート処理とほぼ同様にして、基板ホルダ８４で鉛直方向に保持した複数枚の基板を、Ｎｉめっき槽８０内の、例えば液温が８０℃のＮｉめっき液に、例えば５０分間浸漬させ、これによって、図５（ｂ）に示すＮｉめっき膜５４を形成する。
【００４５】
このめっき時に、ポンプ１２６を駆動することで、めっき液循環ライン１３２を通して、図１０に示すように、Ｎｉめっき槽８０の内部に上向きのめっき液の流れを形成する。すると、基板ホルダ８４で保持した各基板は、前述のように、下側ガイド板１５０と上側ガイド板１５２でほぼ全周囲を囲繞された状態で、Ｎｉめっき槽８０の内部にめっき液に浸漬されているため、各基板の外周部に基板の表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れが形成される。これによって、基板の表面に、膜厚や膜形状のより面内均一性を高めたＮｉめっき膜５４が形成される。このことは、下記のＡｕめっき膜にあっても同様である。しかる後、Ｎｉめっき後の基板を、水洗槽８２内の処理液（純水）に、例えば５分間浸漬させて水洗する。
【００４６】
次に、Ｎｉめっき後の基板を、装置間基板搬送装置１１０の基板保持具１０８を経由して、無電解Ａｕめっき装置９６の基板ホルダ９４に受け渡す。そして、前述のジンケート処理とほぼ同様にして、基板ホルダ９４で鉛直方向に保持した複数枚の基板を、Ａｕめっき槽９０内の、例えば液温が７５℃のＡｕめっき液に、例えば１０分間浸漬させ、これによって、図５（ｂ）に示すＡｕめっき膜５６を形成する。しかる後、Ａｕめっき後の基板を、水洗槽９２内の処理液（純水）に、例えば５分間浸漬させて水洗する。
【００４７】
次に、Ａｕめっき後の基板を、装置間基板搬送装置１１０の基板保持具１０８で保持して乾燥装置１０４の基板ホルダ１０２に受け渡す。そして、乾燥ユニット１００で、例えばエアブローまたはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気を使用した乾燥方法で基板ホルダ１０２で保持した基板を乾燥させる。
【００４８】
そして、乾燥後の基板を装置間基板搬送装置１１０の基板保持具１０８で受け渡って次工程に搬送する。これにより、一連の無電解めっき処理を終了する。
【００４９】
なお、図１２及び図１３に示すように、下側ガイド板１５０を、Ｎｉめっき槽８０の内槽１２０の下部内周面に固定して、基板ホルダ８４で保持した基板ＷをＮｉめっき槽８０内のめっき液に浸漬させた時に、基板Ｗの周囲の下半分をＮｉめっき槽８０の内槽１２０に固定した下側ガイド板１５０で囲繞するようにしてもよい。このことは、Ａｕめっき槽９０にあっても同様である。
【００５０】
また、図１４及び図１５に示すように、互いに隣り合う下側ガイド板１５０の間に位置して鉛直方向に直線状に延びる複数枚の連結板１５４で下側ガイド板１５０を連結して構成した平面格子状の下側ガイド板構造体１５６と、互いに隣り合う上側ガイド板１５２の間に位置して鉛直方向に直線状に延びる複数枚の連結板（図示せず）で下側ガイド板１５２を連結して構成した平面格子状の上側ガイド板構造体１５８で、支持棒１４２で下方を支持し基板ホルダ８４で保持してＮｉめっき槽８０内のめっき液に浸漬させた各基板Ｗの周囲を包囲するようにしてもよい。
【００５１】
このように、平面格子状の下側ガイド板構造体１５６及び上側ガイド板構造体１５８でＮｉめっき槽８０内のめっき液に浸漬させた各基板Ｗの周囲を包囲することで、図１６に示すように、基板Ｗの側方に格子状の流路を形成して、基板Ｗの側方を上方に向かって流れるめっき液の流れに乱れが生じることを連結板１５６で防止することができる。しかも、下側ガイド板構造体１５６にあっては、下側ガイド板１５０を連結板１５６で補強して、下側ガイド板１５０自体の強度及び安定性を増大させることができる。このことは、上側ガイド板構造体１５８にあっても同様である。
【００５２】
これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５３】
５０  バンプパッド
５２  亜鉛めっき膜
５４  Ｎｉめっき膜
５６  Ａｕめっき膜
６０  前洗浄槽
６２，７２，８２，９２  水洗槽
６４，７４，８４，９４，１０２  基板ホルダ
６６  前洗浄装置
７０  ジンケート処理槽
７６  ジンケート処理装置
８０  Ｎｉめっき槽
８６  無電解Ｎｉめっき装置
９０  Ａｕめっき槽
９６  無電解Ａｕめっき装置
１００  乾燥ユニット
１０４  乾燥装置
１０８  基板保持具
１１０  装置間基板搬送装置
１２８  温度調節器
１３０  フィルタ
１３２  めっき液循環ライン
１３６  蓋体
１４０  側板
１４２  支持棒
１５０  下側ガイド板
１５２  上側ガイド板
１５４  連結板
１５６  上側ガイド板構造体
１５８  下側ガイド板構造体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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