(57)【要約】  【課題】  外部衝撃による半導体層の損傷および剥離を抑制することのできる、生産性の高い複合基板を提供する。  【解決手段】  絶縁性材料からなる支持基板１０と、支持基板１０上に位置するとともに平面視で支持基板１０よりも内側に位置する半導体層２０とを有する複合基板１であって、半導体層２０は、平面視で外周部の少なくとも一部が凹部２１と凸部２２とを有する凹凸形状である。【選択図】  図１
2013077700.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性材料からなる支持基板と、該支持基板上に位置するとともに平面視で該支持基板よりも内側に位置する半導体層とを有する複合基板であって、
前記半導体層は、平面視で外周部の少なくとも一部が凹部と凸部とを有する凹凸形状である、複合基板。
【請求項２】
前記凸部は、平面視で前記支持基板の周縁部側に向かうに連れて幅が小さくなっている、請求項１に記載の複合基板。
【請求項３】
前記凹凸形状は、平面視で前記凸部の先端部から隣接する前記凹部の最凹部にかけて前記半導体層の中心側に凹んだ円弧状となっている、請求項１に記載の複合基板。
【請求項４】
前記凹凸形状は、平面視で前記凸部の前記先端部から前記前記半導体層の中心までの距離と隣接する前記凹部の前記最凹部から前記前記半導体層の中心までの距離との差が、前記半導体層の厚みに比べて大きい、請求項３に記載の複合基板。
【請求項５】
前記半導体層は、外周部の全体が前記凹凸形状である、請求項１乃至４のいずれかに記載の複合基板。
【請求項６】
前記半導体層は、側面が少なくとも前記凸部において前記支持基板側から上面側にかけて前記半導体層の中心側に傾斜している、請求項１乃至５のいずれかに記載の複合基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子に用いられる、半導体層を含む複合基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の性能向上を図るべく、放熱性を高めたり、素子の寄生容量を抑えたりする技術の開発が進められている。このような技術の一つとして、ＳＯＳ（Silicon On
Sapphire）構造がある。このＳＯＳ構造を形成する方法として、例えば特許文献１に記
載された技術がある。特許文献１に記載された技術は、平板サファイア基板の全面にシリコン層をエピタキシャル成長させた複合基板を提供するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１２５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載されたＳＯＳ構造の複合基板は、取扱いの際に破損しやすく、シリコン層に損傷が及び、生産性が低くなる恐れがあった。また、取り扱いの際にシリコン層の外周部が支持基板から剥離して、生産性が低くなる恐れがあった。
【０００５】
本発明は、上述の事情のもとで考え出されたものであって、生産性の高い複合基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の複合基板は、絶縁性材料からなる支持基板と、該支持基板上に位置するとともに平面視で該支持基板よりも内側に位置する半導体層とを有する複合基板であって、前記半導体層は、平面視で外周部の少なくとも一部が凹部と凸部とを有する凹凸形状である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、外部衝撃からの半導体層の損傷や剥離を抑制することのできる、生産性の高い複合基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）は本発明に係る複合基板の１つの実施形態の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示したＩｂ−Ｉｂ線に沿った断面図である。
【図２】図１（ａ）の要部拡大図である。
【図３】図１に示す複合基板１の変形例を示す、要部断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ凹凸形状の概略図である。
【図５】（ａ）は本発明に係る複合基板の１つの実施形態の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示したＶｂ−Ｖｂ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の複合基板の実施形態の一例である複合基板１について図面を参照しつつ、説明する。図１，図２に示した複合基板１は、支持基板１０と、半導体層２０とを含んで構成されている。
【００１０】
支持基板１０は、絶縁性材料からなり、半導体層２０の支持部材となるものである。本
実施形態では、酸化アルミニウム単結晶（以下、「サファイア」とする）によって形成されている。
【００１１】
支持基板１０は、中央に位置する主部１１とその周縁に位置する周縁部１２とを有する。そして、本実施形態において、周縁部１２は主部１１の周囲を囲むように配置されている。ここで、「中央」とは、主部１１と周縁部１２との相対的な位置関係を示すものであり、支持基板１全体に対する絶対的な位置関係を示すものではない。すなわち、支持基板１の「中心」と主部１１の「中心」は必ずしも一致する必要はない。支持基板１０を平面視したときに、周縁部１２が主部１１の周縁（外縁）に位置すればよい。
【００１２】
なお、図１（ｂ）において、主部１１と周縁部１２との境界を明確にするために、両者の境界部に破線を付した。以下の図面においても、同様の目的で破線を付すことある。
【００１３】
ここで、周縁部１２の上面１２ａの算術平均粗さは、主部１１の上面１１ａの算術平均粗さに比べて大きくしている。
【００１４】
主部１１の上面１１ａは、支持基板１０と後述する半導体層２０とを接合する観点からもその算術平均粗さは小さいことが好ましく、例えば、算術平均粗さを１０ｎｍ未満とすることが好ましい。これに対して、周縁部１２の上面１２ａは、その算術平均粗さを主部１１の上面１１ａに比べ大きくすればよい。具体的には、例えば、主部１１の上面１１ａの算術平均粗さを１ｎｍとしたときに、周縁部１２の上面１２ａの算術平均粗さを５ｎｍ以上とすればよい。
【００１５】
このように主部１１と周縁部１２とで上面（１１ａ，１２ａ）の算術平均粗さを変えるためには、例えば、周縁部１２の上面１２ａにおいてスパッタリング等の物理的手法を用いて加工したり、ウェットエッチング等の化学的手法を用いて上面１２ａを荒らすように加工したり、ブラスト加工のように機械的な手法を用いて加工を加えたりすればよい。
【００１６】
この支持基板１０の主部１１の上面１１ａには、半導体層２０が支持されて、貼り合わされている。この例では、半導体層２０は、主部１１の上面１１ａ全面を被覆するように配置されている。この半導体層２０の厚みとしては、例えば５０〜３００〔ｎｍ〕の範囲が挙げられる。
【００１７】
半導体層２０は、半導体素子として機能する素子機能部を一部に形成するものである。本例では、半導体層２０としてシリコン単結晶を採用している。
【００１８】
そして、支持基板１０と半導体層２０とを貼り合わせることで、支持基板１０上に半導体層２０を配置させる。支持基板１０と半導体層２０とを貼り合わせる方法としては、貼り合わせる面の表面を活性化して接合する方法、および静電気力を利用して接合する方法が挙げられる。表面を活性化する方法としては、例えば真空中でイオンビームを照射して表面をエッチングして活性化する方法などが挙げられる。この接合は常温で行うことが好ましい。この接合に際しては、樹脂系などの接着剤を使用しない方法が採用され、原子間力などを利用した固相接合（Solid State Bonding）によって接合される。
【００１９】
ここで、支持基板１０および半導体層２０は、接合する面の面粗さが小さいことが好ましく、例えば算術平均粗さＲａが１０ｎｍ未満の範囲が挙げられる。平均面粗さを小さくすることによって、互いに接合する際に加える圧力を小さくすることができる。特に、Ｒａを１ｎｍ以下とすることによって、極めて小さい加圧で接合することができる。
【００２０】
なお、この貼り合せ工程は、主部１１と周縁部１２とを有する支持基板１０を半導体層
２０に貼り合せてもよいし、支持基板１０となる平板状の支持基体と半導体層２０とを貼り合わせた後に、半導体層２０と接合されている側の主面（上面）の周縁において算術平均粗さを大きくするように表面を荒らすことで、支持基体を主部１１と周縁部１２とを有する支持基板１０に加工してもよい。
【００２１】
このように、支持基板１０と半導体層２０とを貼り合わせることにより、支持基板１０と半導体層２０との間において不純物の介在を抑制することができ、高品質な複合基板１とすることができる。また、半導体層２０に熱伝導率の高いサファイアからなる支持基板１０が直接接合されていることにより、放熱性の高い複合基板１とすることができる。さらに、半導体層２０として高い結晶性を有するシリコン単結晶を用いることができるので、支持基板１０上に格子定数の異なる半導体層を成長させる場合に比べ、半導体層２０Ａの品質を高めることができる。また、半導体層２０の直下に位置する支持基板１０が絶縁性を有しており、半導体層２０の厚みに対して少なくとも同等以上の厚みを有していることから、半導体層２０に半導体素子を作りこんだときに絶縁性を確保することができるので寄生容量を抑制することができる。
【００２２】
支持基体に周縁部１２を形成する方法としては、マスクを利用して所望の部分をエッチングしたり、機械的に荒らしたりする方法が挙げられる。エッチングとしては、化学的な方法、およびイオンビームなどの物理的な方法が挙げられる。また、マスクとしては、例えばメタルマスクおよびフォトマスクなどがあり、エッチングの方法に応じて適宜選択される。
【００２３】
そして、半導体層２０の外周部は、図２に示すように、平面視で凹部２１と凸部２２とを有する凹凸形状となっている。図２は、図１（ａ）において破線で囲んだ領域の拡大図である。この例では、複数の凹部２１および凸部２２が繰り返し交互に連続配置されることで半導体層２０の外周部を形成している。なお、凹部２１個々の形状は完全同一である必要はない。凸部２２についても同様である。
【００２４】
図２において、凸部２２は、平面視で支持基板１０の周縁部１２側に向かうに連れて幅が小さくなっている。言い換えると、先細りの形状となっている。そして、凸部２２の先端２２ａから隣接する凹部２１の最凹部２１ａにかけて、半導体層２０の中心側に凹んだ円弧状となっている。さらに、このような形状が連続することにより、隣り合う凸部２２の先端２２ａの間が、半導体層２０の中心側に凸の円弧状となっている。
【００２５】
ここで、半導体層２０の外周部に設ける凹凸形状としては、平面視における外周部の長さを長くすることで、半導体層２０の端部（平面視における外周部）における支持基板１０との接触を多くとることができれば、特にその形状，大きさおよび間隔等に制限はない。例えば、先端２２ａから半導体層２０の中心までの距離と最凹部２１ａから半導体層２０の中心までの距離との差分で表わされる凹凸高さ、及び複数の先端２２ａ同士の配置間隔が半導体層の直径の０．００１％から１％程度であれば、剥離防止に有効である。また、これらの凹凸形状は半導体層２０の外周部全体に設けられる必要はないが、剥離防止のためには全周の９０％以上に設けることが好ましい。
【００２６】
この例では、先端２２ａから半導体層２０の中心までの距離と最凹部２１ａから半導体層２０の中心までの距離との差分（以下、凹凸高さとすることがある）が半導体層２０の厚みに比べて大きくなっている。このような構成とすることにより、凹凸形状により生じる支持基板１０との密着強度増加により、半導体層２０の厚みに応じて生じる膜応力に対応することができる。そして、隣り合う凸部２２の先端２２ａの間を結ぶ稜線を形成する円弧状部分の曲率半径を、隣り合う凸部２２の先端２２ａの間隔および凹凸高さよりも大きくしている。
【００２７】
このような凹凸形状を予め形成した半導体層２０を支持基板１０に貼り合わせてもよいし、支持基板１０に貼り合わせた後に半導体層２０に凹凸形状を形成してもよい。貼り合わせた後に形成する方法としては、マスクを利用して所望の部分をエッチングしたり、機械的に荒らしたりする方法が挙げられる。エッチングとしては、化学的な方法、およびイオンビームなどの物理的な方法が挙げられる。また、マスクとしては、例えばメタルマスクおよびフォトマスクなどがあり、エッチングの方法に応じて適宜選択される。また、支持基体の表面を荒らして主部１１と周縁部１２とを有する支持基板１０に加工するときに同時に半導体層２０の外周部に凹凸形状を加工してもよい。
【００２８】
なお、凹部２１と凸部２２との境界は、凹凸高さの半分で定めるものとする。すなわち、凸部２２の先端２２ａから隣接する凹部２１の最凹部２１ａにかける区分において、半導体層２０の中心から最凹部２１ａまでの距離に凹凸高さの半分の距離を足し合わせた距離に位置する部分を境界とする。
【００２９】
このようにして、支持基板１０の主部１１の上面１１ａ上に半導体層２０が被覆する複合基板１を製造することができる。
【００３０】
上述の複合基板１は、半導体層２０の外周部が凹凸形状を有していることから、半導体層２０の端部（平面視における外周部）における線分を長くとることができる。このような構成により、半導体層２０の端部における支持基板１０との接触領域を増やすことができ、端部における接合強度を高めることができる。これにより、複合基板１において半導体層２０端部からの剥離を抑制することができ、生産性の高い複合基板１を提供することができる。
【００３１】
ここで、凸部２２の先端２２ａから隣接する凹部２１の最凹部２１ａにかけて、円弧状とすることは、半導体層２０の端部（平面視における外周部）における線分を長くするために有効である。
【００３２】
そして、凸部２２の幅が、支持基板１０の周縁部側に向かうに連れて小さくなっており、かつ、凸部２２の先端２２ａから隣接する凹部２１の最凹部２１ａにかけて、半導体層２０の中心側に凹んだ円弧状となっていることより、仮に先端２２ａで剥離が発生したとしても、剥離が半導体層２０の中心側に進行することを防ぐことができる。また、隣り合う凸部２２の先端２２ａの間を結ぶ稜線を形成する円弧状部分は、その曲率半径をｒとすると、この円弧状部分を含む、半径ｒの仮想扇形の中心角がπ／４以下となるようにすることが好ましい。すなわち、隣り合う凸部２２の先端２２ａの間隔は√２ｒ以下としている。このような形状とすることにより、半導体層２０の剥離を効果的に抑制することができ、仮に先端２２ａにおいて剥離が生じたとしても半導体層２０の中心側に進行することを防ぐことができる。
【００３３】
また、半導体層２０の外周部が凹凸形状を有していることから、半導体外周部における流体の流動抵抗を減少させることができる。これは、微小な凹凸形状によって流体が接触する表面積が増加し、濡れに伴う表面エネルギーの変化が強調されることから、流体の接触角が増加し、流体が弾かれるようになるためである。このため、たとえば、複合基板１を洗浄する際に、洗浄液の残渣が外周部付近に残ることを抑制したり、半導体層２０にレジストを塗布する際に、レジストの厚みが外周部付近で厚くなることを抑制したりすることができる。
【００３４】
また、複合基板１は、半導体素子として機能する素子機能部が形成される半導体層２０が配置されている主部１１に比べ、周縁部１２の上面１２ａの算術平均粗さが大きくなっ
ている。このような構成により、複合基板１に外部から衝撃が加えられたとしても、周縁部１２が衝撃を緩和し、半導体層２０へ衝撃による応力が加わることを抑制することができ、その結果、生産性の高いものとすることができる。言い換えると、半導体層２０が配置されている主部１１に比べ、敢えて強度の低い半導体層２０が配置されていない周縁部１２を設けることにより、例え外部からの衝撃により周縁部１２が破損したとしても、半導体素子が形成される半導体層２０を外部衝撃によるダメージから守ることができる。
【００３５】
また、複合基板１は、周縁部１２が主部１１の周囲を全て囲うように配置されているので、支持基板１０の厚み方向を除く全ての方向からの衝撃に対応できる。
【００３６】
さらに、支持基板１０の両主面のうち、半導体層２０が配置されている側の主面（上側の面）において、周縁部１２の上面１２ａの算術平均粗さを大きくしている。これにより、複合基板１に周囲から衝撃が加わったときに主部１１の上面１１ａに比べ周縁部１２の上面１２ａに破壊起点を集めることができる。周縁部１２の上面１２ａを破壊起点とすることにより、破壊を周縁部１２の下面１２ｂ側に進行させるよう制御することができ、周縁部１２より平面視で内側にある半導体層２０へのダメージを抑制することができる。
【００３７】
なお、支持基板１０の主部１１の上面１１ａと半導体層２０とは直接接合されている。この場合には、支持基板１０と半導体層２０の間に緩衝層が存在しないため、特に外部からの衝撃による応力から半導体層２０だけでなく支持基板１０をも保護する必要性が高まる。このような事情により、周縁部１２が重要となる。
【００３８】
また、本例において、支持基板１０は親水性材料であるサファイアからなり、半導体層２０は撥水性材料（疎水性材料）であるシリコンからなる。疎水性材料からなる半導体層２０を、例えば純水や水溶液で洗浄したり、エッチング等の目的により水溶液を接触させたりすることは困難である。これに対して、本実施形態の構成によれば、このような半導体層２０の周囲に半導体層２０に比べ濡れ性の高い周縁部１２を配置することにより、半導体層２０がはじいた純粋や水溶液を周縁部１２において保持し、半導体層２０の周囲に純水等の「壁」を形成することができる。この壁により半導体層２０に純水等を接触させることができる。
【００３９】
＜実施例＞
図１，図２に示す複合基板１において、半導体層２０の直径を１０．１６ｍｍ，１５．２４ｍｍとし、その外周部に、凹凸高さが、０．２μｍ〜１．５μｍの分布を有し平均が０．７μｍであり、複数の先端部２２ａの間隔が、２．３μｍ〜５．０μｍの分布を有し平均が２．９μｍであり、複数の先端部２２ａの間を結ぶ円弧状部分の曲率半径の平均が２μｍの、凹凸形状を形成した。
【００４０】
その結果、複合基板１に半導体素子機能部を作りこむ様々な工程を経た後も、外周部における半導体層２０の剥離を抑制することができ、さらに、上述の各工程において、半導体層２０の端部においてレジスト厚が不均一になったり、洗浄痕が残ったりすることなく、品質の安定した、半導体素子機能部を形成することができた。
【００４１】
＜変形例：半導体側面形状＞
上述の複合基板１は、図１（ｂ）に示すように、半導体層２０の側面は主面に対して垂直となっていたが、図３に示すように、半導体層２０Ａは、側面において、少なくとも凸部２２Ａにおいて支持基板１０Ａ側から上面側にかけて、半導体層２０Ａの中心側に傾斜していてもよい。すなわち傾斜面としてもよい。この場合には、凸部２２Ａにおける支持基板１０Ａとの密着強度を高めることができるので、剥離発生を抑制できる、生産性および信頼性の高い複合基板１Ａを提供することができる。
【００４２】
さらに、半導体層２０Ａの上面外周部は他の物体と接触しにくくなるとともに、接触した場合であっても鈍角となっているため、欠けが生じにくい構成とすることができる。
【００４３】
この例では、半導体層２０Ａの側面と主部１１Ａの上面１１Ａａとが成す角度は鋭角となっている。このような構成により、複合基板１Ａを用いて半導体素子を製造する際に、半導体層２０Ａ上にレジスト等を形成する工程において、レジスト膜の厚みが周縁（端部）において厚くなることを抑制し、均一とすることができる。これにより正確な加工を容易に行なうことのできる、生産性に優れた複合基板１Ａを提供することができる。
【００４４】
このような半導体層２０Ａの側面を傾斜面とする構成は、少なくとも凸部２２Ａにおいて設ければよいが、凹部２１Ａを含めた外周部全体に設けてもよい。言い換えると、支持基板１０Ａの主面と平行な面における半導体層１０Ａの断面積を、上面側から下面側（支持基板１０Ａ側）にかけて徐々に増加するようにしてもよい。
【００４５】
＜変形例：凹凸形状＞
上述の複合基板１は、図２に示す凹凸形状を例に説明したが、凹凸形状は図２に示す例に限定されない。
【００４６】
例えば、図４（ａ）に示すように、平面視で、幅が一定の凹部２１と凸部２２とを有する凹凸形状としてもよいし、図４（ｂ）に示すように、最凹部２１ａ’と先端部２２ａ’との間を直線で繋いだ形状としてもよいし、図４（ｃ）に示すように、上に凸の半円状の円弧と下に凸の半円状の円弧とを組み合わせたものとしてもよい。また、階段状の凹凸形状としてもよいし、最凹部２１ａと先端部２２ａとの間を結ぶ区分において複数の変極点を有するような曲線としてもよい。
【００４７】
＜変形例：支持基板形状＞
本発明の複合基板の他の実施形態である複合基板１Ｂについて図５を用いて説明する。
【００４８】
図５に示す複合基板１Ｂは、支持基板１０Ｂと半導体層２０Ｂとを有する。図１に示す複合基板１の支持基板１０が平板状であるのに対して、複合基板１Ｂの支持基板１０Ｂは、周縁部１２Ａにおける厚みが主部１１Ｂにおける厚みに比べ薄くなっており、周縁部１２Ｂの上面１２Ｂａが主部１１Ｂの上面１１Ｂａよりも下側に位置している点で異なる。
【００４９】
周縁部１２Ｂは、その上面１２Ｂａが主部１１Ｂの上面１１Ｂａに比べて下側に位置している。この例では、主部１１Ｂの下面１１Ｂｂと周縁部１２Ｂの下面１２Ｂｂとは揃えて配置され、同一平面に位置している。また、周縁部１２Ｂにおける支持基板１０Ｂの厚みｄ２は、主部１１Ｂにおける厚みｄ１に比べて薄くなっている。主部１１Ｂにおける厚みｄ１は、上部に位置する半導体層２０Ｂを支持できれば特に限定はされないが、例えば６００μｍ〜６５０μｍ程度とすればよい。周縁部１２Ｂにおける厚みｄ２は、例えばｄ１−ｄ２＞１０μｍ程度とすればよい。なお、支持基板１０Ｂは欠けを防ぐために外周部が面取りされていることがある。その場合には、周縁部１２Ｂの厚みｄ２としては、互いに平行な上面１２Ｂａと下面１２Ｂｂとの間で測定するものとする。
【００５０】
上述の複合基板１Ｂは、半導体素子として機能する素子機能部が形成される半導体層２０Ｂが配置されている主部１１Ｂに比べ、周縁部１２Ｂの厚みを薄くしている。このような構成により、複合基板１よりもさらに周縁部１２Ｂと主部１１Ｂとの強度の差を大きくすることができる。したがって、複合基板１Ｂに外部から衝撃が加えられたとしても、確実に周縁部１２Ｂが衝撃を緩和し、半導体層２０Ｂへ衝撃による応力が加わることを抑制することができ、その結果、生産性の高いものとすることができる。
【００５１】
特に、周縁部１２Ｂの上面１２Ｂａが主部１１Ｂの上面１１Ｂａよりも下側に位置することから、外部からの衝撃により周縁部１２Ｂの上面１２Ｂａが破壊起点となりが破損したとしても、破壊は上面１２Ｂａ側から下面１２Ｂｂ側に進行するため、周縁部１２Ｂの上面１２Ｂａよりも上側に位置する半導体層２０Ｂを外部衝撃によるダメージから守ることができる。
【００５２】
さらに、複合基板１Ｂは、主部１１Ｂと周縁部１２Ｂとの下面（１１Ｂｂ，１２Ｂｂ）が段差なく同一面に配置されているので、通常のウエハと同等の取り扱いが可能となり、ハンドリングの容易なものとすることができる。
【００５３】
このような周縁部１２Ｂにおける厚みを調整するには、例えば、支持基板１０Ｂとなる平板状の支持基体の周縁において、物理的，化学的，または機械的手法により、上面側の一部を除去して形成すればよい。このような、周縁部１２Ｂにおける厚みを調整する工程は、支持基板１０Ｂと半導体層２０Ｂとの接合前後のどちらにおいて設けてもよい。また、周縁部１２Ｂにおいて上面１２Ｂａの算術平均粗さを大きくするときと同時に、エッチング条件等を適宜調整して、周縁部１２Ｂにおける厚みを調整してもよい。
【００５４】
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【００５５】
例えば、図１〜図５に示す複合基板（１，１Ａ，１Ｂ）は、半導体層（２０，２０Ａ，２０Ｂ）は、主部（１１，１１Ａ，１１Ｂ）の上面全面を被覆するように配置されているが、必ずしも上面全面を被覆する必要はない。すなわち、支持基板１０の主部１１の上面は、半導体層２０が位置している被覆領域と、半導体層２０から露出する露出領域とを有するようにしてもよい。特に、主部１１の露出領域は被覆領域の周囲を囲むように配置してもよい。
【００５６】
また、図１〜図５に示す複合基板（１，１Ａ，１Ｂ）は、支持基板（１０，１０Ａ，１０Ｂ）のうち周縁部（１２，１２Ａ，１２Ｂ）を主部（１１，１１Ａ，１１Ｂ）に比べて算術平均粗さが大きくなるようにしていたが、同等の算術平均粗さであってもよい。
【００５７】
なお、上述の例では、支持基板（１０，１０Ａ，１０Ｂ）に直接半導体層（２０，２０Ａ，２０Ｂ）を貼り合わせた例について説明したが、酸化物層等を介して接合してもよいし、支持基板（１０，１０Ａ，１０Ｂ）上に半導体層（２０，２０Ａ，２０Ｂ）をエピタキシャル成長させてもよい。
【００５８】
また、支持基板（１０，１０Ａ，１０Ｂ）に直接半導体基板を貼り合わせ、半導体基板を所望の厚さになるように薄く加工することで半導体層（２０，２０Ａ，２０Ｂ）としてもよい。薄く加工する方法としては、砥粒研磨、化学エッチング、イオンビームエッチングなど種々のものが採用でき、複数の方法を組み合わせてもよい。
【００５９】
この薄く加工するのと併せて、精密エッチングによって、半導体基板の表面を平らにする加工を採用してもよい。この精密エッチングに用いるエッチング手段としては、例えばドライエッチングが挙げられる。このドライエッチングには、化学的な反応によるものと、物理的な衝突によるものとが含まれる。化学的な反応を利用するものとしては、反応性の気体（ガス）、イオンおよびイオンビーム、ならびにラジカルを利用するものなどが挙げられる。この反応性イオンに使われるエッチングガスとしては、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、四フッ化炭素（ＣＦ４）などが挙げられる。また、物理的な衝突によるものとしては、イオンビームを利用するものが挙げられる。このイオンビームを利用するものには、ガ
ス・クラスタ・イオンビーム（Gas Cluster Ion Beam；ＧＣＩＢ）を用いた方法が含まれている。これらのエッチング手段を用いて狭い領域をエッチングしながら、可動ステージで半導体基板を走査することで、大面積の素材基板であっても良好に精密エッチングをすることができる。さらにウェットエッチングや機械的研磨，メカノケミカル研磨を行なってもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１，１Ａ，１Ｂ・・・複合基板
１０，１０Ａ，１０Ｂ・・・支持基板
１０ａ・・・上面
１１，１１Ａ，１１Ｂ・・・主部
１２，１２Ａ，１２Ｂ・・・周縁部
２０，２０Ａ，２０Ｂ・・半導体層
２１・・・凹部
２１ａ・・・最凹部
２２・・・凸部
２２ａ・・・先端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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