(57)【要約】【課題】ＶＨＦ帯やＵＨＦ帯のように波長の長い周波数帯域に用いられる同軸ケーブルの終端部材１１０として好適に用いることができ、かつ小型化が可能な同軸ケーブル用終端部材１１０を提供する。【解決手段】本発明の同軸ケーブル用終端部材１１０は、同軸ケーブル１００の末端において同軸ケーブル１００の中心導体１０１と接地導体１０３との間に配置され、平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上の平板状磁性体粒子を絶縁材料中に含有してなる第１の複合磁性体１０４を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
同軸ケーブル用の終端部材であって、
前記同軸ケーブルの末端において前記同軸ケーブルの中心導体と接地導体との間に配置され、平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上の平板状磁性体粒子を絶縁材料中に含有してなる複合磁性体を有することを特徴とする、同軸ケーブル用終端部材。
【請求項２】
前記複合磁性体の複素透磁率の損失正接ｔａｎδμが０．０５以上、かつ複素誘電率の損失正接ｔａｎδεが０．１以上であることを特徴とする、請求項１記載の同軸ケーブル用終端部材。
【請求項３】
前記平板状磁性体粒子の平均厚みは０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下であり、その平均長径は０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の同軸ケーブル用終端部材。
【請求項４】
前記複合磁性体の複素透磁率の実部μｒ’が７以上、複素誘電率の実部εｒ’が１５以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の同軸ケーブル用終端部材。
【請求項５】
前記複合磁性体の７０ＭＨｚから５００ＭＨｚまでの周波数帯域における複素透磁率の実部μｒ’が７以上、複素誘電率の実部εｒ’が１５以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の同軸ケーブル用終端部材。
【請求項６】
前記複合磁性体の７０ＭＨｚから５００ＭＨｚまでの周波数帯域における複素透磁率の損失正接ｔａｎδμが０．０５以上、複素誘電率の損失正接ｔａｎδεが０．１以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の同軸ケーブル用終端部材。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項記載の同軸ケーブル用終端部材を備えたことを特徴とする同軸ケーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同軸ケーブル用終端部材及びそれを備えた同軸ケーブルに関し、特に詳しくは、ＶＨＦ帯やＵＨＦ帯等の高周波信号を伝送する同軸ケーブルの終端部に好適に用いられる同軸ケーブル用終端部材及びそれを備えた同軸ケーブルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報通信機器の高速化、高密度化に伴い、電子機器に搭載される電子部品においても、回路基板等の小型化や低消費電力化等が強く求められている。
このような電子機器等で使用される高周波の信号は、導体が誘電体を挟む構造をもった伝送線路によって送られる。ＶＨＦ帯やＵＨＦ帯の信号の伝送には、主に同軸ケーブルが使用される。同軸ケーブルの構造は、図２に示すように、中心導体の外周に誘電体、さらにその外周に接地導体があり、全体が被覆されている。すなわち、中心導体と接地導体で誘電体を挟む構造になっている。
【０００３】
同軸ケーブルのような伝送線路を通して信号を伝送する際には、その末端での信号の反射による波形の歪みを防ぐために、適当な方法で端部を終端する終端部材が必要となる。
【０００４】
終端部材としては例えば、伝送線路と特性インピーダンスの等しい抵抗が挙げられる。このような抵抗を終端部として同軸ケーブルに接続することにより、同軸ケーブルが無限に長く延びていることと等価になり、逆方向への反射が起こらないようになる。
【０００５】
また、マイクロ波帯およびミリ波帯のように波長の短い信号の伝送線路において、合成樹脂にカーボンまたは軟磁性粒子を含有した電磁波吸収部材を、終端部材として用いる方法が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２１７６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、伝送線路と特性インピーダンスの等しい抵抗を用いて終端部を構成した場合であっても、抵抗の長さや接続状態により、特性インピーダンスがわずかな不一致が起こる場合があった。そのために発生する反射をなるべく少なくしなくてはならないという問題があった。
長いケーブル状の抵抗を使用することで、同軸ケーブルが無限に長く延びていることに近づけようとする試みもされている。しかしこの場合には、終端部分は大きくなり、小型化が難しいという問題があった。
また、特許文献１で提案された電磁波吸収部材で同軸ケーブルの終端部分を構成した場合には、ＶＨＦ帯やＵＨＦ帯のような波長の長い伝送線路用の終端部材として用いるためには、電磁波吸収部材を大きくしなければならなかった。そのため、終端部の小型化が難しいという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、ＶＨＦ帯やＵＨＦ帯のように波長の長い周波数帯域に用いられる同軸ケーブルの終端部材として好適に用いることができ、かつ小型化が可能な同軸ケーブル用終端部材、及びこれを備えた同軸ケーブルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上の平板状磁性体粒子を絶縁材料中に含有してなる複合磁性体を終端部材に用いることにより、終端部材としての機能も果たし、かつ終端部の小型化が可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
本発明の同軸ケーブル用終端部材は、同軸ケーブル用の終端部材であって、前記同軸ケーブルの末端において前記同軸ケーブルの中心導体と接地導体との間に配置され、平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上の平板状磁性体粒子を絶縁材料中に含有してなる複合磁性体を有することを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、中心導体と接地導体との間に設けられた複合磁性体が、電磁波の波長を短縮し、かつ減衰させることにより電磁波を吸収する。これにより、小型であっても良好に反射を防止することができる終端部材を得ることができる。
【００１２】
また、前記同軸ケーブルの末端において前記同軸ケーブルの中心導体と接地導体との間に配置された第１の複合磁性体と、前記中心導体及び前記接地導体の先端側に配置された第２の複合磁性体とを有し、前記第１及び第２の複合磁性体は、平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上の平板状磁性体粒子を絶縁材料中に含有してなる複合磁性体である構成としてもよい。
【００１３】
前記複合磁性体の複素透磁率の損失正接ｔａｎδμが０．０５以上、かつ複素誘電率の損失正接ｔａｎδεが０．１以上である構成としてもよい。
前記平板状磁性体粒子の平均厚みは０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下であり、その平均長径は０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下である構成としてもよい。
前記複合磁性体の複素透磁率の実部μｒ’が７以上、複素誘電率の実部εｒ’が１５以上である構成としてもよい。
前記複合磁性体の７０ＭＨｚから５００ＭＨｚまでの周波数帯域における複素透磁率の実部μｒ’が７以上、複素誘電率の実部εｒ’が１５以上である構成としてもよい。
前記複合磁性体の７０ＭＨｚから５００ＭＨｚまでの周波数帯域における複素透磁率の損失正接ｔａｎδμが０．０５以上、複素誘電率の損失正接ｔａｎδεが０．１以上である構成としてもよい。
本発明の同軸ケーブルは、上記の同軸ケーブル用終端部材を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の同軸ケーブル用終端部材によれば、複合磁性体において高い磁気損失が得られるため、終端抵抗を設けることなく同軸ケーブルを終端させることができる。また、終端抵抗と比較してインピーダンスの不一致が生じにくいため、小型の同軸ケーブル用終端部材を得ることができる。
【００１５】
本発明によれば、終端部が小型化された同軸ケーブルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の同軸ケーブルを示す断面図である。
【図２】同軸ケーブルを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の同軸ケーブル用終端部材、及びそれを備えた同軸ケーブルを実施するための形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り本発明を限定するものではない。
【００１８】
［同軸ケーブル用終端部材］
図１は、本発明の一実施の形態である同軸ケーブル用終端部材を、同軸ケーブルに装着した状態を示す断面図である。図２は、同軸ケーブルの構成を示す斜視図である。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態の同軸ケーブル用終端部材１１０は、同軸ケーブル１００の末端に装着される概略円柱状の部材である。
ここで、同軸ケーブル１００は、図２に示すように、内部導体である中心導体１０１と、中心導体１０１の外周面に被覆された誘電体１０２と、誘電体１０２の外周面に被覆された外部導体としての接地導体１０３と、接地導体１０３の外周面に被覆された被覆層１０６とを備えている。
【００２０】
本実施形態の場合、図１に示すように、同軸ケーブル１００の端部において、中心導体１０１の先端部は誘電体１０２から露出されている。中心導体１０１は、誘電体１０２の端面１０２ａから長さＬ１だけ突出している。また、接地導体１０３は、中心導体１０１とほぼ同等の長さＬ１だけ、誘電体１０２の端面１０２ａから先端方向へ突出している。すなわち、同軸ケーブル１００の先端部は、長さＬ１の中心導体１０１と、中心導体１０１を取り囲むように配置された長さＬ１の接地導体１０３とからなる。
【００２１】
同軸ケーブル用終端部材１１０は、相対的に細く形成された第１の複合磁性体１０４と、相対的に太く形成された第２の複合磁性体１０５とが互いに同軸に連結された二段円柱状の部材である。
【００２２】
第１の複合磁性体１０４は、軸心位置に挿通孔を有する円筒状の部材である。挿通孔の径は、同軸ケーブル１００の中心導体１０１の径と同等である。第１の複合磁性体１０４の厚さ（挿通孔の開口端から外周端までの径）は、同軸ケーブル１００の誘電体１０２の厚さｄ１と同等である。第１の複合磁性体１０４の長さは、中心導体１０１の露出部分の長さＬ１と同等である。
【００２３】
第２の複合磁性体１０５は、第１の複合磁性体１０４の先端側（挿通孔の開口端と反対側）に接続された円柱状の部材である。本実施形態の場合、第１の複合磁性体１０４と第２の複合磁性体１０５は、共通の複合磁性材料を用いて一体に形成されている。第２の複合磁性体１０５は、第１の複合磁性体１０４と同軸に設けられるとともに、第１の複合磁性体１０４よりも大きい直径ｄ２を有する。この構成により、同軸ケーブル用終端部材１１０は、第１の複合磁性体１０４と第２の複合磁性体１０５との境界に段差を有する二段円柱状を成している。
【００２４】
同軸ケーブル用終端部材１１０は、図１に示すように、円柱状の第１の複合磁性体１０４を、同軸ケーブル１００の中心導体１０１と接地導体１０３との間に挿入することで、同軸ケーブル１００に装着される。装着状態の同軸ケーブル用終端部材１１０において、第１の複合磁性体１０４の先端部（第２の複合磁性体１０５と反対側の端部）は、誘電体１０２の端面１０２ａに突き当てられている。第１の複合磁性体１０４の挿通孔内には中心導体１０１が配置されている。第１の複合磁性体１０４の外周面に接地導体１０３が当接配置されている。
【００２５】
第２の複合磁性体１０５は、中心導体１０１及び接地導体１０３から先端側に配置されている。第２の複合磁性体１０５の直径は、第１の複合磁性体１０４とその外周面に配置された接地導体１０３とからなる部位の直径と同等である。したがって、接地導体１０３の外周面と第２の複合磁性体１０５の外周面とは、同軸ケーブル用終端部材１１０の軸方向においてほぼ段差無く連続している。
【００２６】
本実施形態の場合、同軸ケーブル１００の被覆層１０６が、中心導体１０１及び接地導体１０３の先端部に装着された同軸ケーブル用終端部材１１０を包み込むように先端まで延びている。すなわち、同軸ケーブル用終端部材１１０は、被覆層１０６の内側に封入されている。第２の複合磁性体１０５の先端面（第１の複合磁性体１０４とは反対側の面）には、被覆層１０６の先端内面１０６ａが当接して配置されている。
【００２７】
同軸ケーブル用終端部材１１０は、図１に示すように、同軸ケーブル１００の先端部における各部材の間隙を充填するように設けられていることが好ましい。すなわち、誘電体１０２から露出された中心導体１０１と、この露出部分を取り囲む接地導体１０３との間を隙間無く埋めるように第１の複合磁性体１０４が設けられていることが好ましい。中心導体１０１は、第１の複合磁性体１０４の挿通孔を隙間無く埋めるように配置されることが好ましい。接地導体１０３は、第１の複合磁性体１０４の外周面に密着するように配置されることが好ましい。
【００２８】
本実施形態の同軸ケーブル用終端部材１１０において、第１の複合磁性体１０４は、中心導体１０１の先端部で発生する電磁波を短縮し、かつ減衰させることにより、この電磁波を吸収する。したがって、第１の複合磁性体１０４の長さは、同軸ケーブル１００に入力される高周波の波長の１／４以上の長さとされる。
【００２９】
一方、第２の複合磁性体１０５は、必要に応じて中心導体１０１の先端１０１ａよりも先側に設置され、同軸ケーブル１００を確実に終端する。すなわち、第１の複合磁性体１０４のみでは電磁波を十分に吸収できない場合に、第２の複合磁性体１０５を付加的に設け、電磁波を吸収させることで同軸ケーブル１００を終端する。したがって、第２の複合磁性体１０５の長さＬ２は、終端に必要な長さとすればよく、過度に長くする必要はない。第１の複合磁性体１０４及び第２の複合磁性体１０５の長さは、同軸ケーブル１００に入力される高周波の周波数帯域等に応じて適宜調整すればよい。
【００３０】
なお、本実施形態では第１の複合磁性体１０４と第２の複合磁性体１０５を一体に形成しているが、これらは別体の複合磁性体としてもよい。
【００３１】
本実施形態において、第１の複合磁性体１０４及び第２の複合磁性体１０５は、平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上の平板状磁性体粒子を絶縁材料中に含有してなる複合磁性体からなる。
【００３２】
この複合磁性体は、複素誘電率の損失正接ｔａｎδμが０．０５以上、かつ複素誘電率の損失正接ｔａｎδεが０．１以上であることが好ましい。
【００３３】
この複合磁性体は、複素透磁率の実部μｒ’（以下、単にμｒ’と略記する場合がある）は７以上であることが好ましく、９以上であることがより好ましい。この複合磁性体の複素誘電率の実部εｒ’（以下、単にεｒ’と略記する場合がある）は１５以上であることが好ましく、２０以上であることがより好ましい。
上記範囲が好ましい理由は次のとおりである。
【００３４】
一般に、物質内を伝播する電磁波の波長λｇは、真空中を伝播する電磁波の波長λｏと物質の複素誘電率の実部εｒ’及び複素透磁率の実部μｒ’を用いて、
λｇ＝λｏ／（εｒ’・μｒ’）１／２    ……（１）
と表すことができる。
この式（１）によれば、εｒ’及びμｒ’が大きいほど波長λｇの短縮率が大きくなる。
【００３５】
したがって、複合磁性体中のεｒ’及びμｒ’を大きくすることで、波長λｇの短縮率が大きくなり、短い複合磁性体であっても誘電体１０２の先端に配置することで終端部を構成することができる。εｒ’及びμｒ’が大きい複合磁性体であれば、電磁波は短縮され、かつ減衰されることにより吸収されるので、小型でありながら、高周波信号を吸収できる終端部材となる。
【００３６】
μｒ’を７以上かつεｒ’を１５以上とすれば、（εｒ’・μｒ’）１／２が、１０．２以上になるために、波長が１／１０以下になる。たとえばＶＨＦ帯の３００ＭＨｚの信号は、波長が１ｍなので、波長短縮により１０ｃｍとなり、同軸ケーブルの終端部として適当な長さになる。
【００３７】
このμｒ’の上限値は特に制限されないが、実際に製造可能な平板状磁性体粒子のアスペクト比や含有率等から３０以下が好ましく、２０以下がより好ましい。
このεｒ’の上限値は特に制限されないが、実際に製造可能な平板状磁性体粒子のアスペクト比や含有率等から４０以下が好ましく、３０以下がより好ましい。
【００３８】
この複合磁性体の複素透磁率の損失正接ｔａｎδμ（以下、単にｔａｎδμと略記する場合がある）は０．０５以上が好ましく、より好ましくは０．０８以上である。
また、この複合磁性体の複素誘電率の損失正接ｔａｎδε（以下、単にｔａｎδεと略記する場合がある）は０．１以上が好ましく、より好ましくは０．２以上である。
また、７０ＭＨｚから５００ＭＨｚまでの周波数帯域において、ｔａｎδμは０．０５以上が好ましく、より好ましくは０．０８以上であり、ｔａｎδεは０．１以上が好ましく、より好ましくは０．２以上である。
【００３９】
ｔａｎδμ及びｔａｎδεの値が、それぞれ好ましい値に達しない場合には、複素透磁率の虚数部μｒ’’または複素誘電率の虚数部εｒ’’が小さくなる。複合磁性体内では、信号が複素透磁率の虚数部μｒ’’あるいは複素誘電率の虚数部εｒ’’に対応する部分だけ吸収されて熱に変わる。そのため、この吸収量が小さくなると信号の反射が起こり、波形の歪みが発生するので好ましくない。
【００４０】
さらに、この複合磁性体は、７０ＭＨｚから５００ＭＨｚまでの周波数帯域における複素透磁率の実部μｒ’が７以上かつ、複素誘電率の実部εｒ’が１５以上であることが好ましい。
【００４１】
現状では、７０ＭＨｚから５００ＭＨｚまでの周波数帯域では、電磁波の波長が長いことにより、インピーダンスの等しい抵抗の接続により終端部を構成せざるを得ない。
【００４２】
一方、本実施形態の複合磁性体では、７０ＭＨｚから５００ＭＨｚまでの周波数帯域における複素透磁率の実部μｒ’等の諸特性が上記の範囲を満足すれば、７０ＭＨｚから５００ＭＨｚまでの、好ましくは９０ＭＨｚから２２０ＭＨｚまでの周波数帯域で使用される同軸ケーブルで、インピーダンスが等しい抵抗を接続なしに終端部を構成することができる。
【００４３】
本実施形態の複合磁性体では、平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上の平板状磁性体粒子を用い、この平板状磁性体粒子を絶縁材料中に分散させることで、複合磁性体のμｒ’を向上させる。これにより、この複合磁性体が電磁波を吸収するので、同軸ケーブル終端部材として適用させることができ、かつ小型化させることができる。
【００４４】
ここで、本実施形態の複合磁性体を構成する平板状磁性体粒子及び絶縁材料について詳細に説明する。
【００４５】
「平板状磁性体粒子」
本実施形態における「平板状」とは、扁平状、鱗片状、フレーク状、薄板状等の厚みが薄い板状のものを意味する。
この平板状磁性体粒子の平均アスペクト比（長径（粒子内における最大長さ）／厚み）は、複数個の平板状磁性体粒子それぞれの長径と厚み、例えば、１００個以上の平板状磁性体粒子、好ましくは５００個の平板状磁性体粒子それぞれの長径と厚みを測定することにより、個々の平板状磁性体粒子それぞれのアスペクト比（長径／厚み）を求め、これらのアスペクト比（長径／厚み）の平均値を算出することで求められる。
【００４６】
このようにして得られる平均アスペクト比（長径／厚み）は、５以上が好ましく、７以上がより好ましい。
ここで、平板状磁性体粒子の平均アスペクト比（長径／厚み）が５未満では、粒子形状による反磁界係数が大きくなり、よって、複合磁性体を作製する際に印加される有効磁場が小さくなることで得られる複合磁性体のμｒ’が小さくなり、その結果、この複合磁性体を小型化させるために十分なμｒ’を得ることができない。
【００４７】
一方、平均アスペクト比が大きくなると、平板状磁性体粒子自体の機械的強度が低下する虞がある。そこで、平板状磁性体粒子が所望の機械的強度を確保するためには、平均アスペクト比は１５以下が好ましく、実用的には２０程度が上限となる。
さらに、平均アスペクト比が２０を超えると、平板状磁性体粒子の形状が扁平すぎることで、磁性体粒子同士の間が狭くなり、この間に絶縁性材料が進入し難い空間が形成され易くなり、その結果、複合磁性体中に気泡が生じ易くなり、この気泡の存在によりμｒ’が低下するので好ましくない。
以上の点を勘案すれば、平板状磁性体粒子の平均アスペクト比は５以上かつ２０以下であることが好ましく、７以上かつ１５以下であることがより好ましい。
【００４８】
この平板状磁性体粒子の平均厚み及び平均長径も、上記の平均アスペクト比（長径／厚み）と同様、複数個の平板状磁性体粒子それぞれの厚み及び長径、例えば、１００個以上の平板状磁性体粒子、好ましくは５００個の平板状磁性体粒子それぞれの厚み及び長径を測定し、厚み及び長径各々の平均値を算出することで求めることができる。
【００４９】
この平板状磁性体粒子の平均厚みは、０．１μｍ以上かつ１０μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．１μｍ以上かつ１μｍ以下である。
特に、この平板状磁性体粒子を７０ＭＨｚ以上の高周波帯域にて使用する場合には、平均厚みの好ましい範囲は０．１μｍ以上かつ０．５μｍ以下である。
ここで、平板状磁性体粒子の平均厚みが０．１μｍ未満では、平板状磁性体粒子自体の製造が難しく、複合磁性体を製造する際の取り扱いも難しく、その結果、配向が良好でありかつμｒ’の高い複合磁性体を得ることが難しくなるので好ましくない。一方、この平板状磁性体粒子の平均厚みが１０μｍを超えると、高周波を印加した際に渦電流等が生じ、得られる複合磁性体のμｒ’が低くなるので、好ましくない。
【００５０】
この平板状磁性体粒子の平均長径は、０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以上かつ１０μｍ以下がより好ましい。
ここで、平板状磁性体粒子の平均長径が０．０５μｍ未満では、平板状磁性体粒子自体の製造が難しく、複合磁性体を製造する際の取り扱いも難しく、その結果、配向が良好でありかつ複素透磁率の実部μｒ’が高い複合磁性体を得ることが難しくなるので好ましくない。
一方、この平板状磁性体粒子の平均長径が２０μｍを超えると、絶縁材料中での粒子の分散が不安定になり易くなり、さらには、平板状磁性体粒子間の間隙が小さくなり過ぎる等により、平板状磁性体粒子間の間隙に絶縁材料が進入し難くなり、その結果、気孔が生成され易くなり、所望のμｒ’が得られない虞があるので好ましくない。
【００５１】
この平板状磁性粒子を構成する材料としては、磁性を有する材料であればよく、特に限定されないが、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）等の強磁性金属、モリブデン（Ｍｏ）等の常磁性金属のうちいずれか１種からなる金属、または、これらのうち少なくとも１種以上を含む合金を用いることができる。
これらの金属または合金は、反磁性金属である銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ビスマス（Ｂｉ）等を含んでいてもよい。
【００５２】
これらの合金としては、二元素系合金、三元素系合金等が挙げられる。
二元素系合金としては、保磁力が７０エルステッド以下の軟磁性を示すパーマロイ（登録商標）等のＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金等が挙げられる。
三元素系合金としては、スーパーマロイ（登録商標）等のＦｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金、センダスト（登録商標）等のＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ合金等が挙げられる。
これらの合金の中でも、Ｆｅ−Ｎｉ合金としては、Ｎｉ７８質量％−Ｆｅ２２質量％の合金が、平板状磁性体粒子の平均厚みが０．２μｍ以下、平均長径が２μｍ以下のものが得られ易く、高透磁率とともに低磁気損失の複合磁性体を得られるので好ましい。
【００５３】
上記の合金に、その合金に含まれない金属元素で、その合金と性質が近い金属（合金に含まれている金属と周期律表で近接している金属）、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、インジウム（Ｉｎ）、すず（Ｓｎ）等の群から１種または２種以上を適宜選択して添加してもよい。
【００５４】
上記の金属元素を合金に添加する場合には、この金属元素の含有率は、この金属元素と合金との合計質量に対して０．１質量％以上かつ９０質量％以下が好ましく、１質量％以上かつ１２質量％以下がより好ましく、１質量％以上かつ５質量％以下がさらに好ましい。
ここで、上記の金属元素の含有率を上記の範囲に限定した理由は、金属元素の含有率が０．１質量％未満では、後述する球状の磁性体粒子を扁平状にさせるための十分な塑性変形能を付与することができず、一方、含有率が９０質量％を超えると、金属元素自体の磁気モーメントが小さいことから、この平板状磁性体粒子全体の飽和磁化が小さくなり、その結果、得られるμｒ’も小さくなるからである。
【００５５】
特に、アスペクト比が高くなり、結果として高いμｒ’の複合磁性体が得られ易い点で、柔らかい金属である、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）の群から選択される１種または２種以上の金属元素を１質量％以上かつ１２質量％以下、好ましくは１質量％以上かつ５質量％以下含む鉄−ニッケル合金を用いるのが好ましい。
【００５６】
これらの中でも、ニッケル−鉄−亜鉛（Ｎｉ−Ｆｅ−Ｚｎ）合金は、Ｆｅ−Ｎｉ合金へのＺｎの添加により、後述する球状の磁性体粒子の加工性が高くなるために、大きなアスペクト比を有する扁平状の磁性粉体が得られ易いので好ましい。合金の組成比としては、例えば、Ｎｉ７５質量％−Ｆｅ２０質量％−Ｚｎ５質量％の合金、Ｎｉ７６質量％−Ｆｅ２０質量％−Ｚｎ４質量％等を好適に用いることができる。
【００５７】
「絶縁材料」
絶縁材料は、絶縁性の材料であればよく、特に制限されないが、本実施形態の複合磁性体を携帯電話用アンテナや携帯情報端末用アンテナとして用いる場合には、機械的強度が高く、吸湿性が低く、しかも形状加工性に優れていることが好ましい。このような絶縁材料としては、例えば、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ノルボルネン樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が好適に用いられる。これらの樹脂は、１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５８】
エポキシ樹脂のなかでも、主鎖に環状構造、特に脂環式の環状構造を有し、かつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂は、平板状磁性体粒子と絡まり難いことから平板状磁性体粒子の配向を阻害する虞が無く、しかも高いμｒ’が得られ易いので、好ましい。このような樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエン型樹脂が挙げられる。
【００５９】
このジシクロペンタジエン型樹脂のような硬い樹脂を用いる場合、複合磁性体の気孔率を低減させるために、このような硬い樹脂に、複合磁性体に伸縮性や可撓性を付与する絶縁性樹脂を混合させてもよい。この伸縮性や可撓性を付与する絶縁性樹脂としては、上述した樹脂から適宜選択して用いればよく、特に、液状エポキシ樹脂やビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。
【００６０】
このジシクロペンタジエン型樹脂のような硬い樹脂と上記の液状エポキシ樹脂やビスフェノール型エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合には、ジシクロペンタジエン型樹脂等の樹脂全体量に対する含有率を５０質量％以上かつ９０質量％以下とすることが好ましい。このジシクロペンタジエン型樹脂の含有率を上記範囲とすることで、平板状磁性体粒子の配向性が向上し、かつ高いμｒ’を得ることができる。
【００６１】
また、上記絶縁材料に加えて、熱可塑性エラストマーを添加することとしてもよい。この熱可塑性エラストマーの添加により、複合磁性体の機械的強度や形状加工性を向上させることができる。したがって、この熱可塑性エラストマーが添加された複合磁性体は、靭性、柔軟性、変形性により優れたものとなる。
【００６２】
この熱可塑性エラストマーとしては、スチレン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ウレタン系エラストマー、エステル系エラストマー、アミド系エラストマーの群から選択される１種または２種以上を用いることができる。
この熱可塑性エラストマーの添加量は、複合磁性体の用途により必要とされる耐熱性を勘案して、適宜調整すればよい。
【００６３】
［複合磁性体の製造方法］
次に、本実施形態の複合磁性体の製造方法について説明する。
この複合磁性体の製造方法は、絶縁材料に平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上の平板状磁性体粒子を混合・分散させて混合物を得る混合工程と、得られた混合物を所定の形状に成形する成形工程と、得られた成形体を乾燥・硬化させる乾燥・硬化工程とを有する。
【００６４】
「混合工程」
この工程では、平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上の平板状磁性体粒子と、絶縁材料と、必要に応じて硬化剤と溶媒とを混合して、平板状磁性体粒子を絶縁材料中に混合させた混合物を作製する工程である。
【００６５】
平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上の平板状磁性体粒子を作製する方法は特に制限されないが、例えば、液相還元法、アトマイズ法等で合成した球状の磁性体粒子を溶媒中にて扁平化処理することにより得ることができる。
ここで、「扁平化処理」とは、球状の磁性体粒子に機械的なせん断エネルギーを加えて、この球状の磁性粒子を塑性変形させるとともに、これら磁性体粒子同士を凝着させることにより、平板状磁性体粒子を作製する方法である。
【００６６】
この扁平化処理装置としては、ビーズミル、ニーダ、ロールミル、遊星ボールミル、ジェットミル等が挙げられる。また、これらの装置で用いるボール等の分散媒体（メディア）としては、球状磁性体粒子に対して不純物とならず、かつ剪断エネルギーを効果的に加えることができるものであればよく、アルミニウム、スチール等の金属、アルミナ、ジルコニア、チタニア等の金属酸化物、二酸化ケイ素等の無機酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等の窒化物、炭化ケイ素等の炭化物、ソーダガラス、鉛ガラス、高比重ガラス等の各種ガラスが挙げられる。
【００６７】
たとえば、微細な平板状磁性体粒子が必要な場合には、液相還元法により作製された平均一次粒子径が１０ｎｍ〜３μｍの球状磁性体粒子に、上記装置にて扁平化処理を施せばよい。
球状磁性体粒子の平均一次粒子径を上記範囲とすれば、球状磁性体粒子の表面が高活性となり、粒子同士の親和性も高くなり、粒子同士の凝着を促進することができるので、好ましい。
【００６８】
絶縁材料については、既に述べているので、説明を省略する。
絶縁材料として熱硬化性樹脂を用いる場合、硬化剤の種類や添加量については、使用する熱硬化性樹脂の種類や量に応じて適宜調整すればよい。
【００６９】
上記の熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合には、エポキシ基同士の縮合反応を促進させて、複合磁性体の成形体における硬化不良による気孔の発生を防止する点で第３アミンが好ましい。
【００７０】
第３アミンとしては、例えば、１−イソブチル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール等が挙げられる。
硬化剤の添加量としては、官能基の縮合反応を促進させる点を考慮すると、熱硬化性樹脂の全体の質量に対して０．５質量％以上かつ３質量％以下、添加させればよい。
【００７１】
溶媒としては、上記の絶縁材料を溶解させることができるものであればよく、特に制限はされないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル（メチルセロソルブ）、エチレングリコールモノエチルエーテル（エチルセロソルブ）、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類、ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類が好適に用いられる。
これらの溶媒は、１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。特に、シクロヘキサノンやキシレン等の沸点の高い溶媒は、溶媒の揮発によるスラリーの増粘を抑制することができるので好ましい。
【００７２】
溶媒は、平板状磁性体粒子と絶縁材料との合計質量に対して３０質量％以上になるように混合させるのが好ましく、より好ましくは３５質量％以上である。
溶媒を３０質量％以上混合させることにより、得られた混合物の粘度が低下するので、混合時に平板状磁性体粒子同士が凝集していた場合においても、凝集がほぐれて絶縁材料中における分散性が向上する。これにより、複合磁性体の気孔率を低減させることができる。
なお、溶媒の量が多すぎると、後述する乾燥に時間がかかり、乾燥時に気孔が生成する虞があるので、溶媒の量は、平板状磁性体粒子と絶縁材料との合計質量に対して５０質量％以下であることが好ましい。
【００７３】
絶縁材料として熱硬化性樹脂を用いる場合、この混合物中の平板状磁性体粒子の含有率は、混合物中の熱硬化性樹脂と硬化剤との合計量が全体に対して、１０体積％以上かつ６０体積％以下が好ましく、より好ましくは３０体積％以上かつ５０体積％以下である。
【００７４】
ここで、平板状磁性体粒子の含有率が全体に対して１０体積％未満では、平板状磁性体粒子が少なすぎて複合磁性体としての磁気特性が低下してしまうので好ましくない。一方、この平板状磁性体粒子の含有率が６０体積％を超えると、平板状磁性体粒子が多すぎてしまい、この平板状磁性体粒子と熱硬化性樹脂と硬化剤と溶媒とを含む混合物の流動性が低下し、したがって、この混合物を用いて成形する際の成形性が低下してしまうので、好ましくない。
【００７５】
これら平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上の平板状磁性体粒子と、絶縁材料と、必要に応じて硬化剤と溶媒とを混合し、混合物を得る。
混合装置としては、これら平板状磁性体粒子、絶縁材料、硬化剤及び溶媒を均一に混合・分散させてスラリー状の混合物とすることができればよく、特に制限はされないが、例えば、ロールミル、自公転式ミキサー、ホモジナイザー、超音波ホモジナイザー、撹拌機等が挙げられる。これらの装置で混合する場合、平板状磁性体粒子が凝集しすぎず、絶縁材料中に均一に分散させるように、混合条件を適宜調整すればよい。
【００７６】
「成形工程」
上記の工程で得られた混合物を、二段円柱状に成形する工程である。
成形法としては、混合物を二段円柱状に成形することができ、かつ成形後の形状を保持することができればよく、特に制限されない。
例えば、二段円柱状の形状を成形できる型に混合物を流し込んで、複合磁性体１０４と１０５を一体として成形する方法が挙げられる。
また、混合物の一部を挿通孔を形成できる円柱状の型に混合物を流し込み、残りの混合物を、円柱状の型に流し込むことで、第１の複合磁性体１０４と第２の複合磁性体１０５を別々に成形してもよい。
【００７７】
なお、加工が容易な絶縁材料を用いた場合には、後の工程で図１に示すような二段円柱状に加工できるので、適当な大きさと形状を有する型に流し込んで大まかな形に成形してもよい。
【００７８】
「配向工程」
上記の成形工程で得られた成形体中の平均アスペクト比（長径／厚み）が５以上の平板状磁性体粒子を一方向に配向させる工程である。
上記の成形工程で得られた成形体が、所望のμｒ’を有している場合には、この配向工程は不要であるが、よりμｒ’が高い複合磁性体を得るためには、得られた成形体に磁場を印加して成形体中の平板状磁性体粒子を一方向に配向させる配向工程を施す必要がある。
【００７９】
成形体中の平板状磁性体粒子を配向させる方法としては、成形体中の平板状磁性体粒子を一方向に配向させることができるように磁場を印加すればよく、特に制限されない。
成形体中の平板状磁性体粒子に磁場を印加する場合、成形体中で磁力線が曲がると、平板状磁性体粒子を一方向に配向させることができない。したがって、磁場は発生する磁力線が成形体中で一様に平行な状態となるように印加することが好ましい。磁力線の方向は、図１に示す第１の複合磁性体１０４及び第２の複合磁性体１０５の軸方向（同軸ケーブルの延在方向）と略平行な方向とすることが好ましい。
【００８０】
印加する磁場の大きさは、１００ガウス以上かつ３０００ガウス以下であることが好ましい。磁場の大きさが１００ガウス未満であると、磁場が小さすぎてしまい、成形体中の平板状磁性体粒子を十分に一方向に配向させることができない場合がある。一方、３０００ガウスを超えると、磁場が大きすぎてしまい、この磁場により平板状磁性体粒子同士が凝集して絶縁材料である樹脂と分離してしまう虞があり、得られた複合磁性体の磁気特性に不均一が生じる虞があるので好ましくない。
【００８１】
「乾燥・硬化工程」
上記の配向工程で平板状磁性体粒子を配向させた成形体を、乾燥・硬化させ、複合磁性体とする工程である。
ここでは、平板状磁性体粒子が配向した成形体を乾燥させ、次いで、加熱あるいは紫外線照射等により絶縁材料である樹脂、例えば、熱硬化性樹脂を硬化させる。
乾燥・硬化条件（処理温度、処理時間等）は、使用する樹脂や溶媒の種類に応じて適宜調整すればよい。
また、必要に応じて、適宜、プレス工程を設けてもよい。プレス時の圧力は適宜調整すればよいが、５ＭＰａ〜２０ＭＰａ程度の圧力を加えるのが好ましい。
以上により、本実施形態の複合磁性体を得ることができる。
【００８２】
その後、上記製造工程で得られた複合磁性体を、必要に応じて図１に示した二段円柱状に加工することで、同軸ケーブルの先端に装着可能な同軸ケーブル用終端部材を得ることができる。
【００８３】
以上説明したように、本実施形態の同軸ケーブル用終端部材によれば、インピーダンスが等しい抵抗の接続なしで同軸ケーブルを終端させることができる終端部材を提供することができる。特に本実施形態では、複合磁性体の波長短縮効果により、ＶＨＦ帯のように波長の長い信号であっても良好に減衰させることができるため、小型で高性能の終端部材を得ることができる。
【００８４】
また、複合磁性体の複素透磁率の損失正接ｔａｎδμが０．０５以上、かつ複素誘電率の損失正接ｔａｎδεが０．１以上である場合には、電磁波が熱に変換されて吸収されるので、同軸ケーブル用終端部材のさらなる小型化を図ることができる。
【００８５】
上記平板状磁性体粒子の平均厚みが０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下であり、その平均長径は０．０５μｍ以上かつ２０μｍ以下である場合には、μｒ’が大きくなるため波長短縮効果が大きくなり、同軸ケーブル用終端部材をさらに小型化することができる。
【００８６】
複合磁性体の複素透磁率の実部μｒ’が７以上、複素誘電率の実部εｒ’が１５以上である場合には、波長短縮効果が大きいため、同軸ケーブル用終端部材をさらに小型化することができる。この場合、波長を１／１０短縮することができるため、７０ＭＨｚから５００ＭＨｚまでの波長が長い周波数帯域でも使用できる終端部材を得ることができる。
【００８７】
本実施形態の同軸ケーブルによれば、インピーダンスが等しい抵抗を用いなくても電磁波を終端させることができるので、小型化された同軸ケーブルが得られる。
【実施例】
【００８８】
以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【００８９】
［実施例１］
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂 ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｌ（ＤＩＣ株式会社製）と、硬化剤（１−イソブチル−２メチルイミダゾール）と、平板状磁性体粒子（平均長径が２．５μｍ、平均厚みが０．３μｍ、平均アスペクト比が８．３、Ｎｉ７５質量％−Ｆｅ２０質量％−Ｚｎ５質量％）と、シクロヘキサノンとを遊星撹拌機に投入し、１５分間混合してスラリー状の混合物を得た。この混合物の粘度は４００ｍＰａ・Ｓであった。
【００９０】
平板状磁性体粒子は、樹脂と平板状磁性体粒子と硬化剤との合計体積に対して４０体積％となるように混合された。
硬化剤は、樹脂と平板状磁性体粒子と硬化剤との合計質量に対して１質量％となるように混合された。
シクロヘキサノンは、樹脂と平板状磁性体粒子と溶媒との合計質量中、４０質量％となるように混合された。
【００９１】
次いで、この混合物をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にバーコーターにて０．１ｍｍの厚みになるように、シート成形を行った。
シート成形後、このシートの面に水平方向に９００ガウスの磁場を６分間印加した。次いで、８０℃の温風を当てて風乾させた。次いで、樹脂の軟化点以上である１１０℃で１０ＭＰａのプレス圧力を加えた後に、１６０℃にて２時間硬化反応を行い、実施例１の複合磁性体を得た。
【００９２】
次いで、複合磁性体の２００ＭＨｚにおける複素透磁率の実部μｒ’、複素誘電率の実部εｒ’、マテリアルアナライザー  Ｅ４９９１Ａ型（Agilent Technologies社製）にて、大気中室温（２５℃）にて測定した。複素透磁率の実部μｒ’は９．８、複素誘電率の実部εｒ’は２６．５であった。
【００９３】
この複合磁性体を用いて、図１の構造の同軸ケーブル終端部を作製した。そしてこの同軸ケーブル終端部に対して、ネットワークアナライザを用いて２００ＭＨｚにおける入力信号に対する反射率を測定したところ−１６ｄBであり、反射がほとんどなく、良好な終端特性を示した。
【符号の説明】
【００９４】
１００…同軸ケーブル、１０１…中心導体、１０２…誘電体、１０３…接地導体、１０４…第１の複合磁性体、１０５…第２の複合磁性体、１０６…被覆層、１１０…同軸ケーブル用終端部材
【図１】
2013247665.tif 000003
【図２】
2013247665.tif 000004