(57)【要約】【課題】本発明の目的は、評価するための、水やガスなどの媒体を使用することなく、非破壊で、簡便にＭＥＭＳの封止状態を評価することができる、評価装置を提供することにある。【解決手段】本発明の封止状態評価装置は、空洞を有するＭＥＭＳを透過させ、テラヘルツ波を発生する発生器と、投光用光学系と、受光用光学系と、テラヘルツ波を検出する検出器と、ＭＥＭＳを収納し、テラヘルツ波の光路を窒素充填状態または乾燥空気充填状態に保持する試料室と、ＭＥＭＳを載置及び固定し、試料室内の任意の位置にＭＥＭＳを位置決めする試料ステージと、発生器、検出器、試料室、試料ステージを制御するシステムコントローラと、テラヘルツ波による測定データを記録するメモリを備え、ＭＥＭＳの空洞部をテラヘルツ波により透過または反射測定し、測定データから空洞内の水蒸気有無を判断し、封止状態の良否をシステムコントローラにて判断する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に気密的な空洞を有し、テラヘルツ波が透過する材料を用いたＭＥＭＳに対し、任意の周波数帯域のテラヘルツ波により空洞部を測定し、該測定で得た測定データを元に、該ＭＥＭＳの封止状態の良否を非破壊で判定することを特徴とするＭＥＭＳの封止状態評価方法。
【請求項２】
請求項１において、
評価対象の該空洞部は、良品では真空状態であり、封止不良があった場合に該空洞部に大気が侵入し水蒸気が含まれた状態になることから、該測定で得たテラヘルツ波の水蒸気による吸収スペクトルの有無によって、該ＭＥＭＳの封止状態の良否を非破壊で判定することを特徴とする評価方法。
【請求項３】
内部に気密的な空洞を有し、テラヘルツ波が透過する材料を用いたＭＥＭＳの封止状態評価において、該ＭＥＭＳを透過する周波数帯域のテラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生器と、該テラヘルツ波を接合部に照射するテラヘルツ波投光用光学系と、該接合部の情報を持ったテラヘルツ波を受けるためのテラヘルツ波受光用光学系と、該テラヘルツ波を検出するためのテラヘルツ波検出器と、該ＭＥＭＳを収納する、及び該テラヘルツ波光路を窒素充填状態または乾燥空気充填状態に保持する試料室と、該ＭＥＭＳを載置及び固定し、試料室内の任意の位置に該ＭＥＭＳを位置決めする試料ステージと、前記テラヘルツ波発生器、テラヘルツ波検出器、試料室、試料ステージを制御し、テラヘルツ波による測定データを記録するメモリを備え、測定データから水蒸気の吸収スペクトル有無を判定し、該ＭＥＭＳの封止状態の良否を自動判定するシステムコントローラまたはＰＣとを有することを特徴とするＭＥＭＳの封止状態評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（密閉構造部品）の封止状態を評価するための方法およびその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）や、ＮＥＭＳ（Nano Electro Mechanical Systems）は、内部構造物（可動部）を外乱から守るため、空洞部に蓋をして密閉させている。この時、空洞部は真空状態にしている場合が多い。
【０００３】
蓋を密閉させる接合方法は、陽極接合、直接接合、プラズマ活性化接合、ハイブリッド接合、表面活性化接合、はんだ接合、融接、共晶接合、ガラスフリット接合、接着剤による間接接合、などの様々な方法がデバイスや材料に応じて選択されている。
【０００４】
蓋の接合部分は、弱い接合強度、異物の挟み込みなど、様々な原因で、密閉度が悪くなり、大気が内部の空洞部に侵入し、構造体を劣化させる、あるいは性能が低下するといった不具合が発生する。
【０００５】
従来の代表的な封止状態試験方法として、以下のような水没法やボンビング法が一般的に使われている。
【０００６】
特許文献１では水没法による封止状態の評価方法が開示されている。  
試験液を貯留した圧力容器内の空気相に試料を配置し、圧力容器内の空気相を加圧する。試料に封止不良があれば、この不良部分から気体が空洞部分に侵入する。この状態で、試料を試験液中に浸漬した後、空気相を負圧まで減圧する。減圧状態で試験液中の試料から発生する気泡の有無により、試料の封止性を評価することができる。
【０００７】
特許文献２では、一般的なボンビング法（JIS Z 2331）の欠点を改善した封止状態の評価方法が開示されている。
【０００８】
一般的なボンビング法は、ヘリウムリークディテクタを使用したリークテストであり、真空ポンプからなる排気装置およびヘリウムボンベからなるトレーサガス源を接続した加圧用チャンバ（ボンビングタンク）内に試料を配置し、所定の真空度となるまで加圧チャンバ内を真空排気した後、トレーサガス源から加圧用チャンバ内にトレーサガスであるヘリウムガスを供給して加圧用チャンバ内の圧力を規定時間（例えば、２時間以上）だけ大気圧を超える規定圧力に維持することで、ヘリウムガスにより試料を加圧する。試料に封止不良があれば、この不良部分からヘリウムガスが試料の空洞部分に侵入する。
【０００９】
上述のようにして試料をヘリウムガスにより加圧した後、加圧用チャンバ内の圧力を大気圧に戻した後で、加圧用チャンバから試料を取り出し、試料の表面に空気を吹き付けた後、低真空用の真空ポンプからなる排気装置およびヘリウムリークディテクタからなるリーク検出装置が接続された測定用チャンバ内に試料を入れ、測定用チャンバ内を真空排気した後、測定用チャンバ内のヘリウムガスをリーク検出装置により測定し、閾値を超える量のヘリウムガスが検出されたときに試料を不良品と判定する。
【００１０】
しかし、試料の容器の材質によってはトレーサガスによる加圧時に試料外側部位にトレーサガスが付着、侵入し、当該外側部位から放出されるトレーサガスがリーク検出装置により検出されて良品が不良品と誤判定されることがあった。
【００１１】
特許文献２では、試料と同体積かつ同材質で内部空洞のないリファレンス品とを１つの加圧用チャンバ内で大気圧を超える圧力のトレーサガスにより加圧した後、試料およびリファレンス品それぞれを別々の測定用チャンバ内に入れて各測定用チャンバ内を真空排気し、その後、一方の測定用チャンバ内の試料から放出されるトレーサガスの量と他方の測定用チャンバ内のリファレンス品から放出されるトレーサガスの量との差に基づいて試料の良否判定を行うように改善されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００４−２４５７５２号公報
【特許文献２】特開２００７−３２９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
前記、特許文献に開示されている方法で、封止状態の試験が可能であるが、特許文献１の方法は、試料を水に浸し、加圧と減圧を行い、気泡を目視で確認する方法であり、自動化インラインでの使用は困難である。
【００１４】
また、特許文献２の方法は、加圧用チャンバで試料にトレーサガスを加圧後、試料を測定用チャンバに移し変え、真空排気しながらトレーサガス量を測定するという方式であり、試験方法が煩雑で効率が悪いといった欠点がある。また、トレーサガスが試料外側部位に付着、侵入することが懸念される。
【００１５】
本発明の目的は、評価するための、水やガスなどの媒体を使用することなく、非破壊で、簡便にＭＥＭＳの封止状態を評価することができる、評価装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のＭＥＭＳ封止状態の評価装置は、空洞を有するＭＥＭＳを透過させ、かつ水蒸気の吸収に敏感な帯域のテラヘルツ波を発生する発生器と、該テラヘルツ波を部品に照射する投光用光学系と、該空洞部の情報を持ったテラヘルツ波を受けるための受光用光学系と、該テラヘルツ波を検出するための検出器と、該ＭＥＭＳ部品を収納し、該テラヘルツ波の光路を窒素充填状態または乾燥空気充填状態に保持する試料室と、該ＭＥＭＳを載置及び固定し、試料室内の任意の位置に該ＭＥＭＳを位置決めする試料ステージと、前記発生器、検出器、試料室、試料ステージを制御するシステムコントローラと、テラヘルツ波による測定データを記録するメモリを備え、ＭＥＭＳの空洞部をテラヘルツ波により透過または反射測定し、該測定データから空洞内の水蒸気有無を判断し、封止状態の良否をシステムコントローラにて判断する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、試料（ＭＥＭＳ）の封止状態を非破壊で評価可能な装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施例であるＭＥＭＳの封止状態評価装置の構成図。
【図２】評価対象試料となるＭＥＭＳの概要。
【図３】大気を透過したテラヘルツ波の時間波形。
【図４】時間波形をフーリエ変換して得られた、テラヘルツ帯域における水蒸気の吸収スペクトルを示すグラフ。
【図５】大気中の水蒸気量の違いによる、テラヘルツ帯域における水蒸気の吸収スペクトルを示すグラフ。
【図６】図５の０.５〜０.８ＴＨｚ付近の拡大図。
【図７】ＭＥＭＳの封止状態評価方法の実施例（透過方式）。
【図８】ＭＥＭＳの封止状態評価方法の実施例（反射方式）。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を用いて、本発明の実施例を説明する。  
テラヘルツ波とは、一般的に０.１〜１００ＴＨｚの電磁波をさし、適度な透過性を有しており、水素結合などによる分子間相互作用などに相当するエネルギーを有している。テラヘルツ波は、半導体材料、ガラス、樹脂系材料の他、幅広い材料を透過し、しかも水蒸気に非常に敏感であるため、ＭＥＭＳの空洞部の水蒸気を検出するのに適した電磁波である。使用する周波数帯域は、ＭＥＭＳの材料に合わせて選択する。
【００２０】
本実施例は、テラヘルツ波の発生及び検出を、テラヘルツ時間領域分光法（ＴＨｚ−ＴＤＳ：ＴＨｚ Time-Domain Spectroscopy）の基本構成により実施する。
【００２１】
図１に本発明の実施形態の一例である、テラヘルツ時間領域分光法を用いた封止状態評価装置１００の構成図を示す。
【００２２】
封止状態評価装置１００は、ＭＥＭＳである試料２００の空洞部をテラヘルツ波により測定し、水蒸気による吸収スペクトルの出現有無により、封止状態を評価する装置である。封止状態評価装置１００は、試料室１０１と、パーソナルコンピュータ（以下、ＰＣと記す）１０２と、システムコントローラ１０３と、フェムト秒レーザ（超短パルスレーザ）１０４と、変調機能付きバイアス電源（以下ファンクションジェネレータと記す）１０５と、時間遅延ステージ（可動ミラー）１０６と、ロックインアンプ１０７と、プリアンプ１０８と、可動部コントローラ１０９と、試料室調整管理機器１１０を有している。
【００２３】
ＰＣ１０２は、システムコントローラ１０３と接続され、試料２００の封止状態評価に関する命令や結果の送受信を行い、作業者に評価結果などの状態を表示する。ＰＣ１０２は、作業者により操作され、試料２００の封止状態評価を行うが、システムコントローラ１０３に接続されるコンピュータはＰＣ１０２である必要はなく、上位システムにより任意でかまわない。また表示部は、必ずしもＰＣ１０２である必要はなく、モニタや表示パネルなど任意の機器でかまわなく、その場合はシステムコントローラ１０３により制御を行う。
【００２４】
システムコントローラ１０３は、封止状態評価装置１００内の各ユニットである、フェムト秒レーザ１０４と、ファンクションジェネレータ１０５と、時間遅延ステージ１０６と、ロックインアンプ１０７と、可動部コントローラ１０９と、試料室調整管理機器１１０などと接続され、ＰＣ１０２からの命令や予め組み込まれたプログラムやトリガに応じて、試料２００の封止状態評価を行うための前記各ユニットの機能を満たす制御を行う。システムコントローラ１０３は、テラヘルツ波により測定した封止状態の測定データを記録するメモリを備え、その測定データから水蒸気吸収スペクトルを算出、試料内部の空洞部に大気が含まれているか否かを判定し、封止状態を評価する機能を有している。システムコントローラ１０３は、ＰＣ１０２と兼用でもよいし、可動部コントローラ１０９と兼用でもよい。
【００２５】
試料室１０１は、テラヘルツ波発生器１１１と、テラヘルツ波投光用光学系１１２と、テラヘルツ波検出器１１３と、テラヘルツ波受光用光学系１１４と、試料ステージ１１５と、試料室内調整管理機器端末１１６と、試料室開閉機構１１７を有している。試料室１０１は密封構造で、試料室調整管理機器１１０、または外部装置により試料室内を窒素充填状態（窒素パージ）や乾燥空気充填状態（ドライエアーパージ）の雰囲気にされ、それを保持し、テラヘルツ波が安定するように水蒸気や温度変化などの外乱を除去することができる。
【００２６】
試料室内調整管理機器端末１１６は、試料室１０１の内部に設置され、例えば温度計、湿度計、ヒータ、電子冷却器、などであり、温度や湿度などの試料室内雰囲気を測定したり調整したりし、試料室１０１の外部に設置された、試料室調整管理機器１１０により監視および制御され、試料室１０１の状態は、システムコントローラとの電気系接続１３０を通じて、システムコントローラ１０３を介し、ＰＣ１０２またはモニタなどに表示される。
【００２７】
試料２００の試料室１０１内部への搬送は、システムコントローラ１０３により、試料室調整管理機器１１０を介し試料室１０１内の雰囲気を制御しながら、可動部コントローラ１０９を介し、試料室開閉機構１１７を開閉することで行われる。
【００２８】
試料２００は、例えば外部から自動搬送ロボット、あるいは手動で試料ステージ１１５に配置される。
【００２９】
試料ステージ１１５は、試料２００を把持するためのチャック機構と、試料２００をテラヘルツ波に照射するのに必要とされる任意の試料室１０１内の場所に位置決めする機構と、昇降機構などを有しており、可動部コントローラ１０９またはシステムコントローラ１０３により制御される。試料ステージ１１５のチャック機構は、試料２００の裏面を差圧によって吸着する吸着方式や、試料２００のエッジを挟む把持機構方式などにより、試料２００を載置および固定する。
【００３０】
テラヘルツ波発生器１１１と、テラヘルツ波投光用光学系１１２と、テラヘルツ波検出器１１３と、テラヘルツ波受光用光学系１１４と、を含むテラヘルツ波光学系と、試料ステージ１１５は、試料２００を複数個並行して測定するため、試料室１０１のスペースの許す限りでそれぞれ複数あっても良い。
【００３１】
フェムト秒レーザ１０４より発振されるレーザ光は、ビームスプリッタ１１８により、ポンプ光１１９とプローブ光１２０に分岐され、光ファイバ内を伝播する。フェムト秒レーザ光は、光ファイバ内を伝播させることで、空間に伝播させる場合と比べフェムト秒レーザの光学系のアライメントを簡略化することができ、また、装置を小型にできる。
【００３２】
ポンプ光１１９は、テラヘルツ波発生のための励起光としてテラヘルツ波発生器１１１内に導かれ、集光レンズ１２１により集光され、ファンクションジェネレータ１０５で変調したバイアス電圧をかけた光伝導スイッチや非線形光学結晶などのテラヘルツ波発生素子１２２に照射し、テラヘルツ波（テラヘルツパルス波）を発生する。
【００３３】
前記変調は、必ずしもファンクションジェネレータ１０５による必要はなく、テラヘルツ波もしくはフェムト秒レーザのポンプ光１１９を光チョッパにて行ってもかまわない。
【００３４】
発生したテラヘルツ波は、レンズ１２３を介し放射され、楕円面ミラーや放物面ミラーなどのテラヘルツ波投光用光学系１１２により集光し、試料２００に入射する。試料２００より透過してきたテラヘルツ波は、放物面ミラーやウィンストンコーンミラーなどのテラヘルツ波受光用光学系１１４により集光し、テラヘルツ波検出器１１３に入射する。
【００３５】
プローブ光１２０は、テラヘルツ波検出のための励起光として、時間遅延ステージ１０６を介し、テラヘルツ波検出器１１３へ導かれ、ポンプ光１１９と同様に、集光レンズにより集光し、プリアンプ１０８を介しロックインアンプ１０７に接続された光伝導スイッチなどのテラヘルツ波検出素子へ照射し、テラヘルツ波を検出する。
【００３６】
テラヘルツ波とフェムト秒レーザによってテラヘルツ波検出器１１３を流れる電流は、プリアンプ１０８により、増幅電圧変換し、Ｓ／Ｎ比を向上させるために、ファンクションジェネレータ１０５や光チョッパによりかけた変調との同期検波をロックインアンプ１０７にて行う。
【００３７】
時間遅延ステージ１０６は、直進動作１２５のできる可動ミラー１２４を有しており、プローブ光１２０の光路長を変化させ、プローブ光１２０のポンプ光１１９に対する時間遅延を発生させる。
【００３８】
テラヘルツ波検出器１１３は、プローブ光１２０があたった時のみ動作するので、プローブ光１２０と同時にテラヘルツ波が検出素子に到達すれば振動電場は計測され、前記時間遅延を発生させながら、繰り返し到達するテラヘルツパルス波の振動電場の測定を行うことにより、時間波形は計測される。
【００３９】
図２に、試料２００の構造例を示す。  
試料２００は空洞部２０５を有するＭＥＭＳであり、図２の（ａ）に示すように、凹形のケース２０２の底部に、素子または微小構造部品２０６を収容するとともに、ケース２０２の開口部を蓋２０１で閉鎖したものや、図２（ｂ）のように基板２０４の上に、素子または微小構造部品２０６を搭載し、その上からカバー２０３を被せたもの等がある。
【００４０】
通常、空洞部２０５は、素子または微小構造部品２０６の性能実現、あるいは経年劣化防止などの理由により真空状態で密閉されているが、蓋２０１とケース２０２、あるいはカバー２０３と基板２０４との封止部に不具合があり、密着されていないと、空洞部に大気が侵入し、真空状態が維持できなくなる。これにより、素子または微小構造部品の性能が出せない、あるいは経年劣化によって数年後に不具合が発生するといった、影響が及ぼす恐れがある。
【００４１】
試料２００の素材は、一般的にシリコン、ガラス、樹脂であり、いずれもテラヘルツ波が透過する材料であるため、テラヘルツ波の透過測定が可能である。
【００４２】
図３に、テラヘルツ波検出器１１３で計測した、水蒸気を含む大気を透過したテラヘルツパルス波の時間波形を示す。本波形は、０.５〜３ＴＨｚ程度の白色光であり、フーリエ変換することにより、各周波数毎の吸収スペクトルを算出することができる。
【００４３】
図４は、図３の時間波形をフーリエ変換して得られた、テラヘルツ帯域における透過率を示す。下側に沈んでいる部分は透過率の低いことを示しており、水蒸気の吸収スペクトルを表している。
【００４４】
水蒸気の吸収スペクトルは、例えば、０.５ＴＨｚ付近の吸収スペクトル４０１、０.７ＴＨｚ付近の吸収スペクトル４０２、１.０ＴＨｚ付近の吸収スペクトル４０３、１.１ＴＨｚ付近の吸収スペクトル４０４など、複数の周波数帯域に存在し、吸収率も大小様々である。
【００４５】
図５に、大気中の水蒸気量の違いによる、水蒸気吸収スペクトルを示す。  
水蒸気の吸収率は、水蒸気量が少ないほど小さい。
【００４６】
図６に、図５で示した水蒸気の吸収スペクトルの、０.５ＴＨｚ付近の吸収スペクトル４０１と０.７ＴＨｚ付近の吸収スペクトル４０２の拡大図を示す。
【００４７】
３本の水蒸気吸収スペクトルは、それぞれ、露点温度１３℃の時の吸収スペクトル６０１、露点温度０℃の時の吸収スペクトル６０２、露点温度−３０℃の時の吸収スペクトル６０３を示す。露点−３０℃の水蒸気量は０.３３８ｇ／ｍ3であり、露点温度−３０℃の時の吸収スペクトル６０３は真空時の吸収スペクトルに近似であると考えられる。
【００４８】
図７に、空洞部にテラヘルツ波を透過させ、空洞部の真空度を測定し、密閉構造が正常であるか否かを評価する方法を示す。
【００４９】
テラヘルツ波は、各条件にもよるが半導体、セラミックスなどの化合物は電波と同様に透過する。前記のように、試料２００（ＭＥＭＳ）の素材は、シリコン、ガラス、樹脂が一般的であり、いずれもテラヘルツ波が透過する材料である。
【００５０】
密閉構造が正常で、真空状態に保たれている空洞部７０３は、水蒸気が含まれていないため、空洞部７０３を透過したテラヘルツ波７０１の透過率グラフ７０４には、前記、０.５ＴＨｚ付近の吸収スペクトル４０１や０.７ＴＨｚ付近の吸収スペクトル４０２は出現しない。
【００５１】
一方、密閉構造が異常で、大気が流入した空洞部７０６は、水蒸気が含まれているため、空洞部７０６を透過したテラヘルツ波７０１の透過率グラフ７０７には、前記、０.５ＴＨｚ付近の吸収スペクトル４０１や０.７ＴＨｚ付近の吸収スペクトル４０２が出現する。
【００５２】
これらの水蒸気の吸収スペクトルの出現を観測することにより、ＭＥＭＳの封止状態を評価することができる。
【００５３】
図８に、空洞部にテラヘルツ波を透過させ、空洞部の底部からのテラヘルツ反射波により真空度を測定し、密閉構造が正常であるか否かを評価する方法を示す。
【００５４】
前記のように、試料２００（ＭＥＭＳ）の素材は、シリコン、ガラス、樹脂が一般的であるが、その一部がテラヘルツ波を反射させる材料で構成されている場合もある。例えば、蓋８０３がテラヘルツ波を透過させる材料で、ケース８０４がテラヘルツ波を反射させる材料で構成されている場合や、カバー８０５がテラヘルツ波を透過させる材料で、基板８０６がテラヘルツ波を反射させる材料で構成されている場合である。
【００５５】
この場合は、空洞部に照射テラヘルツ波８０１を透過させ、空洞部の底部（ケース８０４や基板８０６）からの反射テラヘルツ波８０２により、水蒸気の吸収スペクトルの出現を観測することにより、ＭＥＭＳの封止状態を評価することができる。
【００５６】
具体的な運用実施例は以下のとおりである。  
まず、封止状態が悪いＭＥＭＳ（不良品）の空洞部の水蒸気吸収スペクトルを測定する。水蒸気の吸収スペクトルは、前記のように複数の周波数帯域に出現する。ＭＥＭＳの材質、構造により、水蒸気の吸収スペクトルと素材の吸収スペクトルが相互に干渉し合う周波数帯が存在する可能性があるので、複数の水蒸気吸収スペクトルの中から、最適な周波数帯域を選定して観測すると良い。
【００５７】
次に、封止状態が良いＭＥＭＳ（良品）の空洞部の水蒸気吸収スペクトルを測定する。
前記、封止状態が悪いＭＥＭＳの水蒸気吸収スペクトル測定結果から求めた最適な周波数帯域について、封止状態が悪いＭＥＭＳと封止状態が良いＭＥＭＳとの水蒸気吸収スペクトルを比較し、その差分を基に、不良品の判別基準を決める。
【００５８】
ＰＣ１０２に、前記、封止状態が悪いＭＥＭＳの水蒸気吸収スペクトル測定結果から求めた最適な周波数帯域や、不良品の判別基準を設定することで、ＰＣ１０２またはシステムコントローラ１０３で自動的に不良品の判別をすることができる。
【００５９】
また、試料室開閉機構１１７を介して試料ステージ１１５に配置された試料２００を、自動的に試料ステージ１１５によってテラヘルツ波に照射するのに必要とされる任意の試料室１０１内の場所に位置決めし、水蒸気吸収スペクトルを測定し、不良品を判別することにより、自動化インライン装置として使用することができる。
【００６０】
ＰＣ１０２に表示された水蒸気吸収スペクトルから、目視により作業者が判断しても良いことはもちろんである。
【００６１】
前記方法で試料２００（ＭＥＭＳ）の封止状態を評価できる範囲で、本実施例の構成の限りではなく、例えば、ＴＨｚ波の分光法または発生及び検出をＴＨｚ−ＴＤＳの構成により実現しているが、他のＴＨｚ波分光装置の構成でも良いし、ＴＨｚ発生器（光源）は、パラメトリック発振器やＴＨｚ量子カスケードレーザ、後進波管、ガンダイオード、共鳴トンネルダイオード、高圧水銀灯、遠赤外ヒータ、黒体炉などでも良いし、ＴＨｚ検出器は、焦電センサやボロメータ、ゴーレイセル、ＴＨｚカメラなどでも良い。
【符号の説明】
【００６２】
１００  封止状態評価装置
１０１  試料室
１０２  ＰＣ
１０３  システムコントローラ
１０４  フェムト秒レーザ
１０５  変調機能付きバイアス電源（ファンクションジェネレータ）
１０６  時間遅延ステージ
１０７  ロックインアンプ
１０８  プリアンプ
１０９  可動部コントローラ
１１０  試料室調整管理機器
１１１  テラヘルツ波発生器
１１２  テラヘルツ波投光用光学系
１１３  テラヘルツ波検出器
１１４  テラヘルツ波受光用光学系
１１５  試料ステージ
１１６  試料室内調整管理機器端末
１１７  試料室開閉機構
１１８  ビームスプリッタ
１１９  ポンプ光
１２０  プローブ光
１２１  集光レンズ
１２２  テラヘルツ波発生素子
１２３  レンズ
１２４  可動ミラー
１２５  可動ミラーの動作方向（直進動作）
１３０  システムコントローラとの電気系接続
２００  試料（ＭＥＭＳ）
２０１、８０３  蓋
２０２、８０４  ケース
２０３、８０５  カバー
２０４、８０６  基板
２０５、７０３、７０６  空洞部
２０６  素子または微小構造部品
３０１  大気を透過したテラヘルツ波の時間波形
４０１  ０.５ＴＨｚ付近の吸収スペクトル
４０２  ０.７ＴＨｚ付近の吸収スペクトル
４０３  １.０ＴＨｚ付近の吸収スペクトル
４０４  １.１ＴＨｚ付近の吸収スペクトル
６０１  露点温度１３℃の時の吸収スペクトル
６０２  露点温度０℃の時の吸収スペクトル
６０３  露点温度−３０℃の時の吸収スペクトル
７０１  テラヘルツ波
７０４  空洞部７０３を透過したテラヘルツ波７０１の透過率グラフ
７０７  空洞部７０６を透過したテラヘルツ波７０１の透過率グラフ
８０１  照射テラヘルツ波
８０２  反射テラヘルツ波
【図１】
2013186022.tif 000003
【図２】
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【図３】
2013186022.tif 000005
【図４】
2013186022.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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