(57)【要約】【課題】所望寸法の基板上パターンを形成することができる描画パターン形成方法を提供すること。【解決手段】実施形態の描画パターン形成方法は、基板上に描画する描画パターンのパターンデータに対して描画ショットの位置を設定することにより、前記パターンデータから描画データを生成する描画データ生成ステップと、前記描画データに応じた描画パターンを前記基板上に描画することによって前記基板上に前記描画パターンを形成するパターン形成ステップと、を含んでいる。そして、前記描画データを生成する際には、前記描画データ毎に描画ショットの位置を異なる位置に設定することによって、１種類のパターンデータから複数種類の描画データを生成する。また、前記描画パターンを形成する際には、前記複数種類の描画データを用いて前記基板に多重露光を行う。【選択図】図１
2013201239.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の抽出条件に基づいて、基板上に描画する描画パターンのパターンデータの中から前記基板に多重露光を行う多重露光設定領域を抽出する対象領域抽出ステップと、
前記多重露光設定領域のパターンデータに対して描画ショットの位置を設定することにより、前記パターンデータから描画データを生成する描画データ生成ステップと、
前記描画データに応じた描画パターンを前記基板上に描画することによって前記基板上に前記描画パターンを形成するパターン形成ステップと、
を含み、
前記描画データを生成する際には、前記描画データ毎に描画ショットの位置を異なる位置に設定することによって、１種類のパターンデータから複数種類の描画データを生成し、
前記描画パターンを形成する際には、前記複数種類の描画データを用いて前記基板の前記多重露光設定領域に対して多重露光を行ない、
前記複数種類の描画データは、前記パターンデータに対して設定する描画ショットの位置を、前記描画ショットの１辺のサイズを２以上の自然数で割った値ずつ前記パターンデータ内で描画データ毎にずらすことにより生成されることを特徴とする描画パターン形成方法。
【請求項２】
基板上に描画する描画パターンのパターンデータに対して描画ショットの位置を設定することにより、前記パターンデータから描画データを生成する描画データ生成ステップと、
前記描画データに応じた描画パターンを前記基板上に描画することによって前記基板上に前記描画パターンを形成するパターン形成ステップと、
を含み、
前記描画データを生成する際には、前記描画データ毎に描画ショットの位置を異なる位置に設定することによって、１種類のパターンデータから複数種類の描画データを生成し、
前記描画パターンを形成する際には、前記複数種類の描画データを用いて前記基板に多重露光を行うことを特徴とする描画パターン形成方法。
【請求項３】
前記複数種類の描画データは、前記パターンデータに対して設定する描画ショットの位置を前記パターンデータ内で描画データ毎にずらすことにより生成されることを特徴とする請求項２に記載の描画パターン形成方法。
【請求項４】
前記複数種類の描画データは、前記描画ショットの１辺のサイズを２以上の自然数で割った値ずつ、前記描画ショットの位置を前記パターンデータ内で描画データ毎にずらすことにより生成されることを特徴とする請求項３に記載の描画パターン形成方法。
【請求項５】
所定の抽出条件に基づいて、前記パターンデータの中から前記基板に多重露光を行う多重露光設定領域を抽出する対象領域抽出ステップをさらに含み、
前記描画データを生成する際には、前記多重露光設定領域のパターンデータに対して前記複数種類の描画データが生成され、
前記描画パターンを形成する際には、前記多重露光設定領域に対して多重露光を行うことを特徴とする請求項２または３に記載の描画パターン形成方法。
【請求項６】
基板上に描画する描画パターンのパターンデータに対して描画ショットの位置を設定することにより、前記パターンデータから描画データを生成する描画データ生成ステップを含み、
前記描画データを生成する際には、前記描画データ毎に描画ショットの位置を異なる位置に設定することによって、１種類のパターンデータから複数種類の描画データを生成することを特徴とする描画データ生成方法。
【請求項７】
基板上に描画する描画パターンのパターンデータを入力する入力部と、
前記パターンデータに対して描画ショットの位置を設定することにより、前記パターンデータから描画データを生成する描画ショット設定部と、
を有し、
前記描画ショット設定部は、前記描画データを生成する際に、前記描画データ毎に描画ショットの位置を異なる位置に設定することによって、１種類のパターンデータから複数種類の描画データを生成することを特徴とする描画データ生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、描画パターン形成方法、描画データ生成方法および描画データ生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する際のリソグラフィ工程で用いられるパターンデータとしては、フォトマスクのマスクデータ、インプリントマスク（テンプレート）のマスクデータ、ウエハなどの基板上にＥＢ描画されるパターンのデータなどがある。
【０００３】
パターンデータは、フォトマスクマスク、テンプレート、ウエハなどに描画されるパターンのデータであり、各描画ショットのパターンデータは、全体のパターンデータを描画ショット毎に分割することによって生成されている。そして、パターンデータに対応するパターンが描画ショット毎に基板上に描画されることにより、基板上パターンが形成される。
【０００４】
このような基板上パターンは、描画ショット間に繋ぎ目があるので、基板上パターンを形成した場合に、描画ショットの繋ぎ目でパターン寸法がばらつきやすい。このため、所望寸法の基板上パターンを形成することが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３９２７３号公報
【特許文献２】特許第３２２９９０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、所望寸法の基板上パターンを形成することができる描画パターン形成方法、描画データ生成方法および描画データ生成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、描画パターン形成方法が提供される。描画パターン形成方法は、基板上に描画する描画パターンのパターンデータに対して描画ショットの位置を設定することにより、前記パターンデータから描画データを生成する描画データ生成ステップと、前記描画データに応じた描画パターンを前記基板上に描画することによって前記基板上に前記描画パターンを形成するパターン形成ステップと、を含んでいる。そして、前記描画データを生成する際には、前記描画データ毎に描画ショットの位置を異なる位置に設定することによって、１種類のパターンデータから複数種類の描画データを生成する。また、前記描画パターンを形成する際には、前記複数種類の描画データを用いて前記基板に多重露光を行う。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態に係る描画パターン生成処理の概念を説明するための図である。
【図２】図２は、実施形態に係る描画データ生成装置の構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、描画パターン形成方法処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図４】図４は、描画データ生成処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図５】図５は、多重露光設定領域の一例を示す図である。
【図６】図６は、描画ショットの設定位置を説明するための図である。
【図７】図７は、オフセットの付与を用いたライン端設定処理を説明するための図である。
【図８】図８は、突起パターンの付加を用いたライン端設定処理を説明するための図である。
【図９】図９は、ライン端の伸縮を用いたライン端設定処理を説明するための図である。
【図１０】図１０は、ダミーパターンの追加を用いたライン端設定処理を説明するための図である。
【図１１】図１１は、パターンデータに対して複数の区切り位置を設定する処理を説明するための図である。
【図１２】図１２は、パターンデータから生成される描画データを説明するための図である。
【図１３】図１３は、複数種類の描画データを用いることによって基板上に形成される描画パターンの形状を説明するための図である。
【図１４】図１４は、１つのパターン毎に区切り位置を設定する処理を説明するための図である。
【図１５】図１５は、描画データ生成装置のハードウェア構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る描画パターン形成方法、描画データ生成方法および描画データ生成装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００１０】
（実施形態）
図１は、実施形態に係る描画パターン生成処理の概念を説明するための図である。基板（フォトマスク、テンプレート、ウエハなど）に形成（描画）する基板上パターンのパターンデータ３１を生成しておく（ＳＴ１）。この後、パターンデータ３１に所定の区切り位置を設定することにより、パターンデータ３１を描画ショット毎の領域に分割する。本実施形態では、種々の区切り位置でパターンデータ３１を分割することにより、分割位置をずらした複数種類の描画データ（ＶＳＢデータなどの図形データ）３２Ａ，３２Ｂを生成する（ＳＴ２）。生成される各描画データは、パターンデータ３１が描画ショットによって分割されたパターンデータである。パターンデータ３１に対応する描画パターンを基板上に形成する際には、描画ショット毎に基板上に描画パターンが形成される。ここでは、２種類の区切り方を用いて２種類の描画データを生成する場合について説明する。
【００１１】
例えば、第１の区切り方である２本の区切り位置３３Ａ，３４Ａを用いてパターンデータ３１を３つの領域にデータ分割することにより第１の描画データ３２Ａが生成される。これにより、第１の描画データ３２Ａは、描画パターン領域３６Ａ，３７Ａ，３８Ａで構成されることとなる。
【００１２】
同様に、第２の区切り方である３本の区切り位置３３Ｂ，３４Ｂ，３５Ｂを用いてパターンデータ３１を４つの領域にデータ分割することにより第２の描画データ３２Ｂが生成される。これにより、第２の描画データ３２Ｂは、描画パターン領域３６Ｂ，３７Ｂ，３８Ｂ，３９Ｂで構成されることとなる。
【００１３】
換言すると、パターンデータ３１が、３つの描画ショットで区切られることにより、描画パターン領域３６Ａ〜３８Ａが設定された第１の描画データ３２Ａが生成される。同様に、パターンデータ３１が、４つの描画ショットで区切られることにより、描画パターン領域３６Ｂ〜３９Ｂが設定された第２の描画データ３２Ｂが生成される。
【００１４】
この場合において、第１の描画データ３２Ａにおける区切り位置３３Ａ，３４Ａと、第２の描画データ３２Ｂにおける区切り位置３３Ｂ，３４Ｂ，３５Ｂと、を異なる区切り位置としておく。換言すると、描画パターン領域３６Ａ〜３８Ａは、何れも描画パターン領域３６Ｂ〜３９Ｂと異なる領域としておく。このように、描画データ毎に描画ショットの位置を異なる位置に設定することによって、１種類のパターンデータ３１から複数種類の描画データが生成される（ＳＴ３）。
【００１５】
この後、描画ショット毎に基板上に描画パターンが形成される。具体的には、描画データに応じた描画パターンが基板上に描画（例えばＥＢ描画）されることによって、基板上に描画パターンが形成される。
【００１６】
例えば、第１の描画データ３２Ａを用いて基板上に描画パターンが形成され、その後、第２の描画データ３２Ｂを用いて基板上に描画パターンが形成され、その後、基板上には、第１の描画データ３２Ａと第２の描画データ３２Ｂとを用いて多重露光が行われる。換言すると、第１の描画データ３２Ａを用いて第１の描画パターンが描画された後、第１の描画パターン上から第２の描画データ３２Ｂを用いて第２の描画パターンが描画される。
【００１７】
例えば、描画パターン領域３８Ａに対応する描画パターン４１Ａが形成され、その後、描画パターン領域３７Ａに対応する描画パターン４２Ａが形成される。さらに、描画パターン領域３６Ａに対応する描画パターン４３Ａが形成される。この後、描画パターン領域３９Ｂに対応する描画パターン４１Ｂが形成され、その後、描画パターン領域３８Ｂに対応する描画パターン４２Ｂが形成される。さらに、描画パターン領域３７Ｂに対応する描画パターン４３Ｂが形成され、その後、描画パターン領域３６Ｂに対応する描画パターン４４Ｂが形成される（ＳＴ３）。これにより、第１の描画パターンと第２の描画パターンとが重ね合わされた基板上パターン４５が基板上に形成される（ＳＴ４）。
【００１８】
描画データの区切り位置が、第１の描画データと第２の描画データとで重なっている場合、基板上に形成される第１の描画パターンと第２の描画パターンの区切り位置も重なってしまう。描画パターンの区切り位置が重なると、区切り位置近傍（ショットつなぎ部）でパターン寸法の寸法ばらつきが顕在化し、寸法ずれが発生しやすくなる。特にＮＩＬ（Nanoimprint  Lithography）などのインプリントでは、等倍マスクであるテンプレートが用いられるので、パターン寸法の寸法ばらつきは顕著となる。
【００１９】
一方、本実施形態では、描画パターンの区切り位置（分割位置）をずらして複数種類の描画データを生成し、多重描画しているので、区切り位置近傍のパターン寸法の寸法ずれ（ショットつなぎ起因のばらつき）を低減することが可能となる。
【００２０】
図２は、実施形態に係る描画データ生成装置の構成を示すブロック図である。描画データ生成装置１は、基板上に形成するパターンのパターンデータから複数種類の描画データを生成するコンピュータなどである。本実施形態の描画データ生成装置１は、描画パターンの区切り位置を種々の位置にずらすことにより、１つのパターンデータから複数種類の描画データを生成する。換言すると、描画データ生成装置１は、パターンデータに対して設定する描画ショットの位置をパターンデータ内でずらすことにより、複数種類の描画データを生成する。
【００２１】
なお、以下の説明では、描画データ生成装置１が、テンプレートパターンのパターンデータから複数種類の描画データを生成する場合について説明する。したがって、描画データ生成装置１が生成する描画データは、テンプレート（原版）に描画されるパターンのデータである。
【００２２】
描画データ生成装置１は、入力部１１、パターンデータ記憶部１２、対象領域抽出部１３、ライン端設定部１４、分割領域設定部（描画ショット設定部）１５、出力部１６を備えている。入力部１１は、外部装置（パターンデータを生成するパターンデータ生成装置など）から送られてくるパターンデータを入力してパターンデータ記憶部１２に送る。パターンデータ記憶部１２は、パターンデータを記憶するメモリなどである。
【００２３】
対象領域抽出部１３は、パターンデータ記憶部１２内のパターンデータ（後述のパターンデータ領域１００）から複数種類の描画データを生成する領域（多重露光を行う多重露光設定領域）を抽出する。対象領域抽出部１３は、描画精度が求められる領域（微細パターンの配置されている領域）を、パターンデータ内から多重露光設定領域として抽出する。対象領域抽出部１３は、抽出した多重露光設定領域をライン端設定部１４に送る。
【００２４】
ライン端設定部１４は、多重露光設定領域内のパターンにライン端（パターン端）を設定する。ライン端は、パターンデータに区切り位置を設定する際の基準位置であり、区切り位置を設定する際には、ライン端が描画ショットのショット区切りに一致するよう多重露光設定領域が区切られる。
【００２５】
本実施形態のライン端設定部１４は、多重露光設定領域内をパターン群毎に組分けする。ライン端設定部１４は、例えば、隣接するパターンのパターンピッチが同じであるパターンが同じ組になるよう、多重露光設定領域内のパターンを複数の組に組分けする。ライン端設定部１４は、組分けを行なった各パターン群から１つずつのパターンを抽出し、抽出した各パターンに対してＮ種類（Ｎは２以上の自然数）のライン端を設定する。ライン端設定部１４は、多重露光設定領域と、設定したライン端の位置に関する情報とを分割領域設定部１５に送る。
【００２６】
分割領域設定部１５は、ライン端設定部１４が設定したライン端の位置に基づいて、多重露光設定領域内の各パターン群を描画ショットで分割する。具体的には、分割領域設定部１５は、ライン端と描画ショットのショット区切りとが一致するように区切り位置を設定した後、各描画ショットが隣接して並ぶよう他の区切り位置を設定する。これにより、パターン群毎内の各パターンデータに区切り位置が設定される。換言すると、各パターン群が複数の描画ショットのショット区切りで複数の描画ショットに分割される。この結果、多重露光設定領域内の各パターンに描画ショットが設定される。
【００２７】
このように、分割領域設定部１５は、多重露光設定領域を、複数の描画ショット（描画パターン領域）に分割することによって描画データを生成する。本実施形態の分割領域設定部１５は、設定されたライン端毎に区切り位置を設定する。これにより、分割領域設定部１５は、各パターン群に対してＮ種類の描画データを生成する。分割領域設定部１５は、生成したＮ種類の描画データを出力部１６に送る。出力部１６は、描画データを外部装置（描画装置など）に出力する。
【００２８】
図３は、描画パターン形成処理の処理手順を示すフローチャートである。テンプレートなどの基板に形成するパターンの設計データ（レイアウトパターンデータ）が生成される（ステップＳ１）。さらに、設計データにＭＤＰ（Mask  Data  Preparation）やＯＰＣ（Optical  Proximity  Correction）が実行されることにより、パターンデータ３１が生成される（ステップＳ２）。
【００２９】
この後、描画データ生成装置１は、パターンデータ３１を所定の区切り位置で分割することにより、パターンデータ３１を描画ショット毎の領域にデータ分割する（ステップＳ３）。描画データ生成装置１は、種々のデータ分割を行うことにより、複数種類の描画データを生成する（ステップＳ４）。
【００３０】
基板にＥＢ（Electron  Beam）描画を行う描画装置は、生成された複数種類の描画データを用いて基板への多重露光を行う（ステップＳ５）。例えば、Ｎ種類の描画データが生成されている場合、描画装置は、Ｎ種類の描画データを順番に用いてＮ回の多重露光を行う。これにより、基板上に描画パターンが形成される。
【００３１】
図４は、描画データ生成処理の処理手順を示すフローチャートである。描画データ生成装置１の入力部１１は、外部装置から送られてくるパターンデータを入力してパターンデータ記憶部１２に送る。パターンデータ記憶部１２は、パターンデータを記憶しておく。
【００３２】
対象領域抽出部１３は、パターンデータ記憶部１２内のパターンデータ領域１００から、所定の抽出条件に基づいて、複数種類の分割設定を行う領域である多重露光設定領域を抽出し、ライン端設定部１４に送る（ステップＳ１１）。
【００３３】
図５は、多重露光設定領域の一例を示す図である。対象領域抽出部１３は、所定寸法よりも小さな微細パターンが配置されている領域（例えば、パターンが最小ピッチで形成される領域）を、多重露光設定領域５としてパターンデータ領域１００から抽出する。
【００３４】
ライン端設定部１４は、多重露光設定領域５内をパターン群に組分けするとともに、各パターン群から任意の１つのパターンを抽出し、抽出した１つのパターンに対して複数種類（Ｎ種類）のライン端を設定する（ステップＳ１２）。ライン端設定部１４は、多重露光設定領域５と、設定したライン端の位置に関する情報とを分割領域設定部１５に送る。
【００３５】
分割領域設定部１５は、ライン端設定部１４が設定したライン端の位置に基づいて、多重露光設定領域５に描画ショットを設定し（ステップＳ１３）、これにより、描画データを生成する。本実施形態の分割領域設定部１５は、ライン端毎に描画ショットを設定することにより、設定されたライン端の数と同数（Ｎ個）の描画データを生成する。
【００３６】
ここで、描画ショットの設定位置について説明する。図６は、描画ショットの設定位置を説明するための図である。図６では、多重露光設定領域５内のパターンデータ３１の一例を示している。なお、多重露光設定領域５以外のパターンデータ領域も、図５に示した多重露光設定領域５と同様の構成を有している。
【００３７】
多重露光設定領域５は、所定のフレーム幅５１Ａを有した１〜複数のフレーム５１Ｂで構成されている。フレーム５１Ｂは、ステージの移動で主偏向領域が移動することによって描画できる描画領域である。また、各フレーム５１Ｂには、所定のサブフィールド幅５２Ａを有した複数のサブフィールド５２Ｂが設定されている。換言すると、多重露光設定領域５は、複数のフレーム５１Ｂで分割され、各フレーム５１Ｂは複数のサブフィールド５２Ｂで分割されている。これにより、各パターンデータ３１は、複数のフレーム５１Ｂで分割されるとともに、複数のサブフィールド５２Ｂで分割されている。
【００３８】
さらに、各パターンデータ３１は、所定のショット幅５３Ａを有した複数の描画ショット５３Ｂで区切られている。このように、パターンデータ３１は、フレーム５１Ｂ、サブフィールド５２Ｂ、描画ショット５３Ｂで区切られている。換言すると、パターンデータ３１は、フレーム５１Ｂ間の境界であるフレーム境界、サブフィールド５２Ｂ間の境界であるサブフィールド境界、描画ショット５３Ｂの境界であるショット境界で分割されている。なお、多重露光設定領域５のうちパターンピッチが所定値よりも大きな大パターンに対しては、描画ショット５３Ｂよりも大きな描画ショットで分割してもよい。
【００３９】
つぎに、ライン端の設定処理例について説明する。ライン端設定部１４は、例えば、多重露光設定領域５内のパターンデータ３１（ライン端設定パターン）に対し、（１）ライン端にオフセットをつける、（２）突起パターンを付ける、（３）ライン端を伸縮させる、（４）ダミーパターンを追加するなどの方法によってライン端を設定する。
【００４０】
（１）ライン端にオフセットをつける
図７は、オフセットの付与を用いたライン端設定処理を説明するための図である。図７では、ライン端にオフセットをつけることによってライン端を設定する場合のライン端設定処理について説明する。多重露光設定領域５内のライン端設定パターンにオフセットをつける場合、ライン端設定部１４は、複数種類のオフセット寸法（大きさの異なるオフセット寸法）をライン端設定パターンに設定する。図７では、ライン端設定パターンに対して、大きさの異なる、第１のオフセット寸法２５Ａ、第２のオフセット寸法２５Ｂ、第３のオフセット寸法２５Ｃが設定される場合について説明する。
【００４１】
ライン端設定パターンに対して、第１のオフセット寸法２５Ａが設定されると、ライン端設定パターンのライン端は、本来のライン端２０から第１のオフセット寸法２５Ａだけ移動してライン端２１Ａとなる。このライン端２１Ａを基準にして描画ショットが設定されると、区切り位置７１Ａを有した描画データ６１Ａとなる。
【００４２】
同様に、ライン端設定パターンに対して、第２のオフセット寸法２５Ｂが設定されると、ライン端設定パターンのライン端は、本来のライン端２０から第２のオフセット寸法２５Ｂだけ移動してライン端２１Ｂとなる。このライン端２１Ｂを基準にして描画ショットが設定されると、区切り位置７１Ｂを有した描画データ６１Ｂとなる。
【００４３】
同様に、ライン端設定パターンに対して、第３のオフセット寸法２５Ｃが設定されると、パターンデータのライン端は、本来のライン端２０から第３のオフセット寸法２５Ｃだけ移動してライン端２１Ｃとなる。このライン端２１Ｃを基準にして描画ショットが設定されると、区切り位置７１Ｃを有した描画データ６１Ｃとなる。
【００４４】
（２）突起パターンを付ける
図８は、突起パターンの付加を用いたライン端設定処理を説明するための図である。図８では、ライン端設定パターンに突起パターンを付けることによってライン端を設定する場合のライン端設定処理について説明する。ライン端設定パターンに突起パターンを付ける場合、ライン端設定部１４は、ライン端設定パターンの種々の位置に突起パターンを付ける。図８では、ライン端設定パターンに対し、異なる位置である、第１の位置２２Ａ、第２の位置２２Ｂ、第３の位置２２Ｃに、それぞれ突起パターン２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃが設定される場合について説明する。
【００４５】
突起パターン２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃは、基板上パターンに影響を与えない微小なパターンである。基板がフォトマスクである場合、突起パターン２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃは、例えば、ウエハ上に解像されない微小パターンである。また、基板がテンプレートである場合、突起パターン２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃは、例えば、レジストが充填されない微小パターンである。
【００４６】
ライン端設定部１４は、突起パターンの位置をライン端に設定するものとする。これにより、ライン端設定パターンに対して、突起パターン２６Ａが設定されると、ライン端設定パターンのライン端は、突起パターン２６Ａの位置と略同じ位置のライン端２２Ａとなる。このライン端２２Ａを基準にして描画ショットが設定されると、区切り位置７２Ａを有した描画データ６２Ａとなる。
【００４７】
同様に、ライン端設定パターンに対して、突起パターン２６Ｂが設定されると、ライン端設定パターンのライン端は、突起パターン２６Ｂの位置と略同じ位置のライン端２２Ｂとなる。このライン端２２Ｂを基準にして描画ショットが設定されると、区切り位置７２Ｂを有した描画データ６２Ｂとなる。
【００４８】
同様に、ライン端設定パターンに対して、突起パターン２６Ｃが設定されると、ライン端設定パターンのライン端は、突起パターン２６Ｃの位置と略同じ位置のライン端２２Ｃとなる。このライン端２２Ｃを基準にして描画ショットが設定されると、区切り位置７２Ｃを有した描画データ６２Ｃとなる。
【００４９】
（３）ライン端を伸縮させる
図９は、ライン端の伸縮を用いたライン端設定処理を説明するための図である。図９では、ライン端設定パターンのライン端を伸縮させることによってライン端を設定する場合のライン端設定処理について説明する。ライン端設定パターンのライン端を伸縮させる場合、ライン端設定部１４は、複数種類の伸縮寸法をライン端設定パターンに設定する。図９では、ライン端設定パターンに対して、第１の伸縮寸法２７Ａ、第２の伸縮寸法２７Ｂ、第３の伸縮寸法２７Ｃが設定される場合について説明する。
【００５０】
ライン端設定パターンに対して、第１の伸縮寸法２７Ａが設定されると、ライン端設定パターンのライン端は、本来のライン端２０から第１の伸縮寸法２７Ａだけ移動してライン端２３Ａとなる。このライン端２３Ａを基準にして描画ショットが設定されると、区切り位置７３Ａを有した描画データ６３Ａとなる。
【００５１】
同様に、ライン端設定パターンに対して、第２の伸縮寸法２７Ｂが設定されると、ライン端設定パターンのライン端は、本来のライン端２０から第２の伸縮寸法２７Ｂだけ移動してライン端２３Ｂとなる。このライン端２３Ｂを基準にして描画ショットが設定されると、区切り位置７３Ｂを有した描画データ６３Ｂとなる。
【００５２】
同様に、ライン端設定パターンに対して、第３の伸縮寸法２７Ｃが設定されると、ライン端設定パターンのライン端は、本来のライン端２０から第３の伸縮寸法２７Ｃだけ移動してライン端２３Ｃとなる。このライン端２３Ｃを基準にして描画ショットが設定されると、区切り位置７３Ｃを有した描画データ６３Ｃとなる。
【００５３】
例えば、ライン端設定パターンのうち第１の伸縮寸法２７Ａが設定されたパターン（伸張した部分）は、多重露光の際に１回の露光しか行われないので、ウエハ上パターンに与える影響は少ない。このように、ライン端設定パターンを設定した場合であっても、多重露光後は、ライン端伸縮に伴うウエハイメージへの影響は少ない。
【００５４】
（４）ダミーパターンを追加する
図１０は、ダミーパターンの追加を用いたライン端設定処理を説明するための図である。図１０では、ライン端設定パターンの近傍にダミーパターンを追加することによってライン端を設定する場合のライン端設定処理について説明する。ライン端設定パターンの近傍にダミーパターンを追加する場合、ライン端設定部１４は、複数種類の位置にウエハ上に解像しないような小さなダミーパターン（例えばＳＲＡＦ：Sub-Resolution  Assist  Features）を追加する。ライン端設定部１４は、ライン端設定パターンを長手方向に伸ばした位置にダミーパターンを追加する。図１０では、距離の異なる、第１の距離２８Ａ、第２の距離２８Ｂだけ離れた位置にダミーパターンが設定される場合について説明する。
【００５５】
ダミーパターン２９Ａは、ライン端設定パターンの端部からライン端設定パターンの長手方向に第１の距離２８Ａだけ離れた位置に配置され、ダミーパターン２９Ｂは、ライン端設定パターンの端部からライン端設定パターンの長手方向に第２の距離２８Ｂだけ離れた位置に配置される。
【００５６】
ライン端設定パターンに対して、第１の距離２８Ａだけ離れた位置にダミーパターン２９Ａが追加されると、ライン端設定パターンのライン端は、ダミーパターン２９Ａのライン端２４Ａとなる。このライン端２４Ａを基準にして描画ショットが設定されると、区切り位置７４Ａを有した描画データ６４Ａとなる。
【００５７】
同様に、ライン端設定パターンに対して、第２の距離２８Ｂだけ離れた位置にダミーパターン２９Ｂが追加されると、ライン端設定パターンのライン端は、ダミーパターン２９Ｂのライン端２４Ｂとなる。このライン端２４Ｂを基準にして描画ショットが設定されると、区切り位置７４Ｂを有した描画データ６４Ｂとなる。
【００５８】
また、ライン端設定パターンに対して、ダミーパターンを追加しなければ、ライン端設定パターンのライン端は移動せず、ライン端設定パターンのライン端であるライン端２４Ｃとなる。このライン端２４Ｃを基準にして描画ショットが設定されると、区切り位置７４Ｃを有した描画データ６４Ｃとなる。
【００５９】
なお、突起パターン２６Ａ〜２６Ｃは、描画データ６２Ａ〜６２Ｃを生成した後に削除してもよいし、ウエハ上パターンに影響を与えない場合は残しておいてもよい。また、ライン端設定パターンを伸縮させた場合、描画データ６３Ａ〜６３Ｃを生成した後に伸縮を元に戻してもよいし、ウエハ上パターンに影響を与えない場合は伸縮させたままでもよい。また、ダミーパターン２９Ａ，２９Ｂは、描画データ６４Ａ〜６４Ｃを生成した後に削除してもよいし、ウエハ上パターンに影響を与えない場合は残しておいてもよい。
【００６０】
つぎに、複数の区切り位置を１つの描画データに対して設定する処理について説明する。図１１は、パターンデータに対して複数の区切り位置を設定する処理を説明するための図である。ここでは、ライン端設定パターンの長手方向の寸法がパターン長ｈであり、描画ショットの辺のうちパターン長ｈと同じ方向の辺の長さが寸法ｂである場合について説明する。
【００６１】
ライン端設定部１４は、分割条件を満たすパターンをライン端設定パターンに設定する。分割条件は、例えば、ライン端設定パターンのパターン長ｈが所定値以上であり、かつ短手方向の寸法（パターン幅Ｗ）が所定値以下を満たすパターンとする。ライン端設定部１４は、例えば、パターン長ｈが描画ショットの１辺の寸法ｂ以上であり、かつパターン幅Ｗが描画ショットの１辺の寸法ｂの１０分の１以下のパターンをライン端設定パターンに設定する。ライン端設定部１４が、ライン端設定パターンに対し、複数の位置にライン端を設定すると、分割領域設定部１５は、設定されたライン端毎に区切り位置の設定処理を行なう。
【００６２】
分割領域設定部１５は、例えば、ライン端の位置を１つ目の描画ショットの区切り位置に設定する。ライン端は、例えば、パターンデータ３１の長手方向の一方の端部から距離ａだけ離れた位置に設定されるとともに、この位置に１つ目の描画ショットの区切り位置Ｐ１が設定される。
【００６３】
分割領域設定部１５は、パターンデータ３１の長手方向に対し、１つ目の描画ショットの区切り位置Ｐ１から描画ショットの１辺の寸法ｂだけ離れた位置を、２つ目の描画ショットの区切り位置Ｐ２に設定する。
【００６４】
同様に、分割領域設定部１５は、パターンデータ３１の長手方向に対し、区切り位置Ｐ２からｂだけ離れた位置を、３つ目の描画ショットの区切り位置Ｐ３に設定する。以下、同様にパターンデータ３１に対し、４つ目、５つ目の区切り位置（図示せず）、ｍ番目（ｍは自然数）の区切り位置Ｐｍが順番に設定される。そして、パターンデータ３１のうち、区切り位置の設定されていない残りのパターン長が所定値以下になると、分割領域設定部１５は、区切り位置の設定処理を終了する。換言すると、分割領域設定部１５は、分割の余りのパターン長が所定値以下となれば、最後の分割を行わない。ここでの所定値は、描画ショットの１辺の寸法ｂに対して、描画ショットを広げることが可能な許容範囲内の値とする。これにより、微小図形の分割処理が回避される。なお、パターンデータ３１は、図１１に示すように、端部が長手方向に対して斜め方向になるよう生成されていてもよい。
【００６５】
パターンデータ３１の長手方向の一方の端部から距離ａだけ離れた位置に設定されるライン端には、複数種類の距離ａが設定される。例えば、描画ショットの１辺の寸法ｂに対して、Ｎ種類の距離ａを設定する場合、分割領域設定部１５は、寸法ｂをＮ等分した距離ずつずらしてＮ種類の距離ａを設定する。
【００６６】
例えば、描画ショットの１辺の長さが０．５μｍであり、４種類の距離ａをライン端に設定する場合、分割領域設定部１５は、ａ＝０μｍ、ａ＝１．２５μｍ、ａ＝２．５μｍ、ａ＝３．７５μｍの４種類をライン端に設定する。そして、４種類のライン端のそれぞれに対して、パターンデータ３１への区切り位置が設定され、この結果、分割位置のずらされた４種類の描画データが生成される。
【００６７】
なお、距離ａは、寸法ｂをＮ等分した距離ずつずらして設定する場合に限らず、何れの距離を設定してもよい。例えば、寸法ｂ内にＮ種類のランダムな値を設定し、設定したランダムな値を距離ａとしてもよい。この場合、描画ショットの１辺の長さが０．５μｍであれば、距離ａとして０．５μｍ未満の値がＮ種類設定される。
【００６８】
図１２は、パターンデータから生成される描画データを説明するための図である。同図に示すように、描画データ生成装置１は、複数のパターンデータ３１を含む多重露光設定領域５に対して、複数種類の描画領域データ（描画領域データ８２Ａ〜８２Ｃ）を生成する。描画領域データ８２Ａは、第１の区切り位置で区切られた描画データ８３Ａを用いて生成されており、描画領域データ８２Ｂは、第２の区切り位置で区切られた描画データ８３Ｂを用いて生成されている。さらに、描画領域データ８２Ｃは、第３の区切り位置で区切られた描画データ８３Ｃを用いて生成されている。このように、描画データ生成装置１は、パターンデータ３１に種々の区切り位置を設定することにより、複数種類の描画領域データを生成する。
【００６９】
図１３は、複数種類の描画データを用いることによって基板上に形成される描画パターンの形状を説明するための図である。例えば、パターンデータ３１に対して１種類の描画データ３２Ｃを生成し、この１種類の描画データ３２Ｃを用いて基板上に多重露光を行うと、描画データ３２Ｃの区切り位置近傍で基板上パターン４６の太りや細りが発生しやすくなる。これは、同じ位置で描画ショットのつなぎ目が重なるので、多重露光しても描画ショットのつなぎ目での寸法ばらつきが強調されたままだからである。
【００７０】
一方、本実施形態のように、パターンデータ３１に対して複数種類（ここでは２種類）の描画データ３２Ａ，３２Ｂを生成し、これらの描画データ３２Ａ，３２Ｂを用いて基板上に多重露光を行うと、描画データ３２Ａ，３２Ｂの区切り位置近傍でも安定した寸法の基板上パターン４５を形成することが可能となる。これは、複数種類の描画データを用いて多重露光を行うので、つなぎ目が多重露光の各露光でずれるからである。したがって、描画ショットの各つなぎ目がずれていない場合と比較して、基板上パターンの寸法ばらつきは低減される。換言すると、描画ショットのつなぎ位置をずらすことにより、描画ショットのつなぎ位置における寸法ばらつきが低減される。
【００７１】
パターンデータ３１を用いて描画データが生成された後、描画データを用いて基板上に基板上パターンが形成される。例えば、基板がテンプレートである場合、テンプレート上に描画データに応じたテンプレートパターンが描画される。これにより、描画データに応じたパターンを有したテンプレートが作製される。
【００７２】
テンプレートなどの基板上に基板上パターンを描画する際には、基板上にレジストを塗布しておく。そして、レジスト上から描画データに対応するパターンをＥＢ描画することにより、描画データに応じたパターンが基板上に形成される。
【００７３】
この後、作製されたテンプレートを用いて半導体装置（半導体集積回路）が製造される。具体的には、ウエハ上に被加工膜が成膜された後、被加工膜上にレジストが塗布される。そして、インプリント装置が、レジストの塗布されたウエハにテンプレートを用いてインプリント処理を行う。これにより、ウエハ上にレジストパターンが形成される。
【００７４】
なお、基板がフォトマスク（マスクブランクス）である場合、フォトマスク上に描画データに応じたマスクパターンが描画される。これにより、描画データに応じたフォトマスクが作製される。この場合も、作製されたフォトマスクを用いて半導体装置が製造される。具体的には、露光装置が、レジストの塗布されたウエハにフォトマスクを用いて露光処理を行う。その後、ウエハが現像されることにより、ウエハ上にレジストパターンが形成される。
【００７５】
ウエハ上にレジストパターンが形成された後、レジストパターンをマスクとしてウエハの下層側（被加工膜）がエッチングされる。これにより、レジストパターンに対応するウエハ上パターンがウエハ上に形成される。なお、基板がウエハである場合には、描画データに応じたウエハ上パターンがウエハ上に直接描画される。
【００７６】
半導体装置を製造する際には、上述したパターンデータ３１の生成、複数種類の描画データの生成、多重露光による基板上への描画パターンの形成、基板を用いたウエハへのリソグラフィ処理、被加工膜のエッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
【００７７】
なお、パターン群毎内の各パターンに同じ位置の区切り位置を設定する場合に限らず、パターン毎に異なる区切り位置を設定してもよい。図１４は、パターン毎に異なる区切り位置を設定した場合の描画データを説明するための図である。
【００７８】
描画データ８１Ｐ，８１Ｑ，８１Ｒは、パターン群内の各パターンに対して同一の区切り位置を設定した場合の描画データであり、描画データ８５Ｐ，８５Ｑ，８５Ｒは、パターン毎に異なる区切り位置を設定した場合の描画データである。
【００７９】
同一形状のパターンで構成されたパターン群に対して区切り位置を設定すると、各パターンは同一の区切り位置で区切られることとなる。すなわち、描画データ８１Ｐの区切り位置８２Ｐと、描画データ８１Ｑの区切り位置８２Ｑと、描画データ８１Ｒの区切り位置８２Ｒとがパターン内の同一位置に設定される。同様に、描画データ８１Ｐの区切り位置８３Ｐと、描画データ８１Ｑの区切り位置８３Ｑと、描画データ８１Ｒの区切り位置８３Ｒとがパターン内の同一位置に設定される。
【００８０】
一方、パターン毎に異なる区切り位置を設定すると、描画データ８５Ｐの区切り位置８６Ｐと、描画データ８５Ｑの区切り位置８６Ｑと、描画データ８５Ｒの区切り位置８６Ｒとがパターン内の異なる位置に設定される。同様に、描画データ８５Ｐの区切り位置８７Ｐと、描画データ８５Ｑの区切り位置８７Ｑと、描画データ８５Ｒの区切り位置８７Ｒとがパターン内の異なる位置に設定される。また、描画データ８５Ｐの区切り位置８８Ｐと、描画データ８５Ｒの区切り位置８８Ｒとがパターン内の異なる位置に設定される。パターン毎に異なる区切り位置を設定すると、このように、隣接するパターン同士で描画ショットのつなぎ目は隣接しない。そして、描画ショットのつなぎ目が隣接するパターン間でずれているので、隣接するパターン間で発生するショート（意図しないパターン接合）を防止することが可能となる。
【００８１】
つぎに、描画データ生成装置１のハードウェア構成について説明する。図１５は、描画データ生成装置のハードウェア構成を示す図である。描画データ生成装置１は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）９１、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）９２、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）９３、表示部９４、入力部９５を有している。描画データ生成装置１では、これらのＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、表示部９４、入力部９５がバスラインを介して接続されている。
【００８２】
ＣＰＵ９１は、コンピュータプログラムである描画データ生成プログラム９７を用いて描画データの生成を行う。描画データ生成プログラム９７は、コンピュータで実行可能な、描画データを生成するための複数の命令を含むコンピュータ読取り可能な記録媒体を有するコンピュータプログラムプロダクトである。描画データ生成プログラム９７では、前記複数の命令が描画データを生成することをコンピュータに実行させる。
【００８３】
表示部９４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ９１からの指示に基づいて、パターンデータ３１、複数種類の描画データ、多重露光設定領域５などを表示する。入力部９５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報（描画データの生成に必要なパラメータ等）を入力する。入力部９５へ入力された指示情報は、ＣＰＵ９１へ送られる。
【００８４】
描画データ生成プログラム９７は、ＲＯＭ９２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ９３へロードされる。図１５では、描画データ生成プログラム９７がＲＡＭ９３へロードされた状態を示している。
【００８５】
ＣＰＵ９１はＲＡＭ９３内にロードされた描画データ生成プログラム９７を実行する。具体的には、描画データ生成装置１では、使用者による入力部９５からの指示入力に従って、ＣＰＵ９１がＲＯＭ９２内から描画データ生成プログラム９７を読み出してＲＡＭ９３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。ＣＰＵ９１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ９３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。
【００８６】
描画データ生成装置１で実行される描画データ生成プログラム９７は、対象領域抽出部１３、ライン端設定部１４、分割領域設定部１５を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。
【００８７】
なお、本実施の形態では、パターンデータ３１を用いて複数種類の描画データを生成する場合について説明したが、１つの描画データから複数種類の描画データを生成してもよい。この場合、最初に生成された描画データの区切り位置を種々の位置にずらすことにより、他の新たな描画データが生成される。なお、最初に生成する描画データは、何れの方法によって生成してもよい。
【００８８】
また、多重露光設定領域以外の領域は、描画データ生成装置１で描画データを生成してもよいし、他の装置で生成してもよい。多重露光設定領域以外の領域は、例えば、１回の露光によって描画データに応じた基板上パターンが基板上に描画される。
【００８９】
このように実施形態によれば、描画ショットの区切り位置が異なる複数種類の描画データを生成し、生成した複数種類の描画データを用いて多重露光を行なうので、描画ショットのつなぎ目での寸法ばらつきを低減することが可能となる。したがって、所望寸法の基板上パターンを形成することが可能となる。
【００９０】
また、多重露光設定領域に対して複数種類の描画データを生成するので、描画データを生成する際に用いるデータのデータ量や描画データ生成の処理時間が膨大になること回避できる。
【００９１】
また、描画ショットの１辺の寸法ｂをＮ等分した距離ずつずらして複数種類のライン端を設定するので、描画ショットの区切り位置をパターンデータ３１上に均等に配置することが可能となる。したがって、パターンデータ３１に対応する基板上データを安定した寸法で基板上に描画することが可能となる。
【００９２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９３】
１…描画データ生成装置、５…多重露光設定領域、１３…対象領域抽出部、１４…ライン端設定部、１５…分割領域設定部、３１…パターンデータ、３２Ａ，３２Ｂ，６１Ａ〜６１Ｃ，６２Ａ〜６２Ｃ，６３Ａ〜６３Ｃ，６４Ａ〜６４Ｃ，８３Ａ〜８３Ｃ…描画データ、３３Ａ，３４Ａ，３３Ｂ〜３５Ｂ，Ｐ１〜Ｐｍ，７１Ａ〜７１Ｃ，７２Ａ〜７２Ｃ，７３Ａ〜７３Ｃ，７４Ａ〜７４Ｃ…区切り位置、４１Ａ〜４３Ａ，４１Ｂ〜４４Ｂ…描画パターン、４５…基板上パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2013201239.tif 000011
【図１０】
2013201239.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2013201239.tif 000014
【図１３】
2013201239.tif 000015
【図１４】
2013201239.tif 000016
【図１５】
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