(57)【要約】【課題】パワー半導体素子を多く搭載でき、簡易な構造の半導体モジュールを提供する。【解決手段】本発明の半導体モジュールは、パワー半導体素子を略一直線に配置し、制御半導体素子をパワー半導体素子に対し略直角状に配置することを特徴とする。また、制御半導体素子はドライバ半導体素子とコントロール半導体素子であり、ドライバ半導体素子には過熱保護回路が備えられ、ドライバ半導体素子はパワー半導体素子側に隣接して配置されていることを特徴とする。また、半導体素子はパワー半導体素子と制御半導体素子の他に保護半導体素子を搭載していることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドパッケージ内部のリードフレームを複数に分割したダイパッドを有し、複数の半導体素子を搭載する樹脂封止型半導体モジュールにおいて、パワー半導体素子を略一直線に配置し、制御半導体素子を前記パワー半導体素子に対し略直角状に配置することを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記制御半導体素子はドライバ半導体素子とコントロール半導体素子であり、前記ドライバ半導体素子には過熱保護回路が備えられ、前記ドライバ半導体素子は前記パワー半導体素子側に隣接して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記半導体素子は前記パワー半導体素子と前記制御半導体素子の他に保護半導体素子を搭載していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記モールドパッケージから突出する外部リードが折り曲げられたＤＩＰ型パッケージであることを特徴とする請求項１から請求項３に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールに関し、特にリードフレーム上に複数の半導体素子を搭載し、樹脂封止した半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半導体素子が使用される際には、リードフレームのダイパッド上に半導体素子が搭載され、絶縁性の高いモールド樹脂材料で樹脂封止された構成の半導体モジュールとされる場合が多い。こうした半導体モジュールにおいては、例えば単純なスイッチング動作だけでなく、安全性等が考慮されたより複雑な動作をするＩＰＭ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ  Ｐｏｗｅｒ  Ｍｏｄｕｌｅ）とされる場合も多い。ＩＰＭにおいては、スイッチング素子（ＩＧＢＴ：Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ等）が構成されたパワー半導体素子と、このスイッチング素子を制御するため集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の制御半導体素子とが同時に用いられ、これらを樹脂封止し、インバータなどの電力変換装置に使用されている。
【０００３】
この場合には、リードフレームとこれらの半導体素子を用いてＩＰＭ中の電気回路が構成され、リードフレームは、これらの半導体素子の支持基板となるだけでなく、この電気回路における配線も構成する。このため、この半導体モジュールの構成においては、パターニングされたリードフレームのダイパッド上に各半導体素子が搭載される。また、ダイパッド周囲に複数のリードが設けられ、モールド層から突出した構成になっている。この突出した部分は、この半導体モジュールにおける入出力端子とされる。リードフレームは配線の一部となるため、伝導度の高い銅や銅合金の素材で構成される。
【０００４】
また、リードフレーム以外にも、ヒートシンクにパワー半導体素子が搭載され、配線基板にマイコンと制御ＩＣが搭載された構成の電子装置が従来技術として知られている（例えば、特許文献１、図１）。これにより、種々の半導体素子を搭載した樹脂封止パッケージとすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１２９１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、複数の素子を内部に搭載する半導体モジュールでは、パッケージサイズが大きくなってしまうものである。
【０００７】
しかしながら、従来技術は、複数の電子部品を少量ずつ搭載するのにはよいが、パワー半導体素子が長方形パッケージの短手に並んでいるため、パワー半導体素子が多く搭載できないという課題がある。また、配線基板を用いているため、構造が複雑になるという課題がある。
【０００８】
従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、パワー半導体素子を多く搭載でき、簡易な構造の半導体モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決するために、本発明は、以下に掲げる構成とした。
本発明の半導体モジュールは、パワー半導体素子を略一直線に配置し、制御半導体素子をパワー半導体素子に対し略直角状に配置するものである。
また、制御半導体素子はドライバ半導体素子とコントロール半導体素子であり、ドライバ半導体素子には過熱保護回路が備えられ、ドライバ半導体素子はパワー半導体素子側に隣接して配置されているものである。
また、半導体素子はパワー半導体素子と制御半導体素子の他に保護半導体素子を搭載しているものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、長方形パッケージの長手方向にパワー半導体素子を配置することができるので、パワー半導体素子を多数配置することできる半導体モジュールを提供することができる。
また、リードフレームのパターンで構成するので、配線基板が不要になり、簡易な構造の半導体モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体モジュールの内部平面図である。
【図２】本発明の実施例２に係る半導体モジュールの内部平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態について、図を参照して詳細に説明する。ただし、本発明は以下の記載に何ら限定されるものではない。
【実施例１】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施例１に係る半導体モジュールを説明する。図１は、本発明の実施例１に係る半導体モジュールの内部平面図である。モールドパッケージ内部のリードフレームを複数に分割したダイパッドを有し、複数の半導体素子を搭載する樹脂封止型半導体モジュールである。
【００１４】
図１に示すように、半導体モジュール１は、リードフレーム２、パワー半導体素子７、ドライバ半導体素子８、コントロール半導体素子９、モールド樹脂１０とで構成されている。
【００１５】
リードフレーム２は、ダイパッド３、ダイパッド４、内部リード５、外部リード６とで構成されている。半導体に用いられるリードフレーム２は、一般的に、平板状の金属板からプレス加工によって製造される。例えば、リードフレーム２は、銅または銅合金で０．４ｍｍの板厚が使用できる。ここでは、半導体モジュールひとつ分のパターンを表している。実際のリードフレームとしては、このパターンが複数個連結されている。
【００１６】
ダイパッド３は、半導体素子等を搭載するための面積を有し、パワー半導体素子７を搭載するダイパッドである。パワー半導体素子７は出力用素子であり、動作時に高温に発熱する。これにより、パワーダイパッド３も高温になる。ローサイド側のダイパッドは個々の面積が小さく分割されている。ハイサイド側のダイパッドは３素子が搭載できるように大きく一体で形成されている。ダイパッド３は、パッケージの長手方向（図の左右方向）に略一直線に延伸している。
【００１７】
ダイパッド４は、半導体素子等を搭載するための面積を有し、制御用半導体素子を搭載するダイパッドである。制御用半導体素子は、ドライバ半導体素子８とコントロール半導体素子９であり、パワー半導体素子７を制御する信号を出し、発熱は少ない。図の上下方向に延伸している。さらに、ダイパッド３とは、隣接し、直交して、略直角状（Ｔ字形状）をしている。
【００１８】
内部リード５は、一方の端部を有し、ワイヤボンディング部として使用する。もう一方の端部は外部リード６へ連結している。
【００１９】
外部リード６は、一方の端部は内部リード５、または、各ダイパッドに連結されている。もう一方の端部は後述するモールド樹脂１０（モールドパッケージ）から突出している。この部位は半導体モジュールの外部入出力端子となる。パワーダイパッド側（図中上面）から突出している外部リード７はパワー端子である。制御ダイパッド側（図中下面）から突出している外部リード７は制御端子である。
【００２０】
パワー半導体素子７は、ここでは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）である。ローサイド側とハイサイド側とそれぞれ３素子、計６素子が搭載されている。例えば、ローサイド側ＭＯＳの外形寸法は１．８ｍｍＸ２．０ｍｍである。３つの素子がそれぞれ独立したダイパッド３（図中右側）に搭載されている。
【００２１】
同様に、ハイサイド側ＭＯＳで外形寸法は１．８ｍｍＸ２．０ｍｍである。３つの素子が共通したダイパッド３（図中左側）に搭載されている。
【００２２】
制御半導体素子は、ドライバ半導体素子８とコントロール半導体素子９である。ドライバ半導体素子８はＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）で外形寸法は４．０ｍｍＸ２．７ｍｍである。コントロール半導体素子９はＭＩＣで外形寸法は３．５ｍＸ２．０ｍｍである。
【００２３】
ダイパッド４上で、ドライバ半導体素子８はパワー半導体素子７側に隣接して配置している。また、ドライバ半導体素子８の内部機能に加熱保護回路（ＴＳＤ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｓｈｕｔ  Ｄｏｗｎ）を備えている。パワー半導体素子７に隣接しているので、パワー半導体素子７の発熱する熱によって、ドライバ半導体素子８の素子温度が設定温度を超えると保護回路機能が動作する。例えば、設定温度１７５度の場合、この温度を超えると、自動的に動作停止する。
【００２４】
なお、半導体素子と内部リードは金属細線等でワイヤボンディングし、電気的に接続するが、ここでは省略している。
【００２５】
モールド樹脂１０は、モールドパッケージであり、トランスファーモールド装置によって、各半導体素子が搭載されたリードフレーム２を樹脂封止する。樹脂封止はパワー半導体素子７とドライバ半導体素子８とコントロール半導体素子９が搭載されたダイパッド３、ダイパッド４と、内部リード５を覆うように樹脂封止する。例えば、モールド樹脂１０の材質は、熱硬化性エポキシ樹脂が使用できる。
【００２６】
また、モールド樹脂１０は、平面上で長方形をしており、図中左右方向に延伸している。長手方向の対向するモールド樹脂１０（モールドパッケージ）の端面から外部リード６が突出している。この外部リード６は、電気的な入出力の外部端子として使用され、基板実装に適した形状にリードフォーミングされる。（図示省略）９０度に折り曲げると一般的なＤＩＰ（Ｄｕａｌ  Ｉｎｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型パッケージとすることができる。
【００２７】
次に、上述の実施例１に係る半導体モジュール１の効果を説明する。
【００２８】
本発明の実施例１に係る半導体モジュール１は、パワー半導体素子をモールド樹脂の長手方向に略一直線に配置している。これにより、パワー半導体素子を片側に寄せ、パッケージの長さいっぱいに、多数配列させることが可能である。
【００２９】
また、制御半導体素子をパワー半導体素子に対して略直角状（Ｔ字形状）に配置している。これにより、半導体モジュール１において、パワー半導体素子が発熱する際に、近接する端面が少ないので、制御半導体素子搭載のダイパッドへ伝熱しにくい。略直角状（Ｔ字形状）に配置されているので、制御半導体素子が熱影響を受けにくいパッケージ内部構造とすることが可能である。半導体モジュールの誤動作を防止し、信頼性を向上することができる。
【００３０】
また、パワー半導体素子部が過度に発熱した場合は、隣接するドライバ半導体素子に加熱保護回路を備えているので、制御半導体素子に加わる発熱影響を最小限にすることが可能である。同様に、半導体モジュールの誤動作を防止し、信頼性を向上することができる。
【００３１】
また、リードフレームのみに半導体素子を搭載するので、金属放熱板が不要である。これにより、半導体モジュール１において、リードフレームと半導体素子とモールド樹脂だけで構成しているので、製造時における構成部品点数が少なく、簡易な構造でパッケージ化することが可能である。半導体モジュールをローコスト化することができる。
【００３２】
上述のように、本発明を実施するための形態を記載したが、この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例が可能であることが明らかになるはずである。
【００３３】
上述の例では、パワー半導体素子と制御半導体素子を配置したが、その他の部品を追加し配置してもよい。例えば、実施例２として、図２に示すような半導体モジュール１１とすることができる。
【００３４】
パワー半導体素子７をダイパッド３に、制御半導体素子（ドライバ半導体素子８とコントロール半導体素子９）をダイパッド４にはんだ付け等（図示せず）で搭載している。（図１と同様なので、符号を省略している）その他搭載部品として、保護半導体素子１３と配線基板１４を複数搭載している。
【００３５】
保護半導体素子１３は、入力保護回路としてのダイオード（１．２ｍｍＸ１．２ｍｍ）が搭載されている。配線基板１４は、ワイヤ配線の中継としてのプリント基板（２．４ｍｍＸ１．２ｍｍ）等が搭載されている。これにより、モジュール回路保護と内部配線の自由度を増すことができる。
【００３６】
ここでは、各半導体素子の表面電極と内部リード５の一方の端部とをワイヤボンディング装置によりワイヤ１２を使用し、金細線で直径３５ミクロンが使用され、電気的に接続している。
【００３７】
これにより、半導体モジュール１１はＩＰＭとして、実施例１と同様の効果を得ることができる。さらにその他部品を搭載することにより、保護機能の追加やリードフレームのパターンレイアウト設計に余裕がでる。よって、半導体モジュールの多機能化が可能である。
【符号の説明】
【００３８】
１、半導体モジュール
２、リードフレーム
３、ダイパッド（パワー半導体素子用ダイパッド）
４、ダイパッド（制御半導体素子用ダイパッド）
５、内部リード
６、外部リード
７、パワー半導体素子
８、ドライバ半導体素子（制御半導体素子）
９、コントロール半導体素子（制御半導体素子）
１０、モールド樹脂
１１半導体モジュール
１２、ワイヤ
１３、保護半導体素子
１４、配線基板
【図１】
2013207168.tif 000003
【図２】
2013207168.tif 000004