(57)【要約】【課題】走査型電子顕微鏡において、スキャン動作により試料が帯電すると、観察画像の画像ドリフトが発生する。帯電抑制のためにスキャン動作の高速化を可能とする手法を提供することにある。【解決手段】スキャン速度は、スキャン座標制御クロック１１１Ａのクロック周期と、スキャン動作の座標データを格納しているメモリのアクセス速度に依存する。座標制御クロックを生成する箇所を、偏向制御信号生成部１１２側へ備えることで、信号伝送によるクロックエッジのなまりを抑えて座標データ読み出しの誤動作を解消する。また、検出信号１０９のサンプリングクロックと同期を取ることで、高速スキャンを行いながら画像取得を可能にする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次電子線を発生させる電子源と、
試料上を前記一次電子線が走査するように前記一次電子線を偏向するためのクロック信号を生成するクロック信号生成部と、
前記クロック信号から偏向制御信号を生成する偏向制御信号生成部と、
前記偏向制御信号に基づいて前記一次電子線を偏向する偏向器と、
前記一次電子線を前記試料上に集束する対物レンズと、
前記一次電子線の照射によって前記試料から発生した二次粒子を検出する検出器と、
前記検出器からの信号に基づいて前記試料の画像を生成する画像生成部と、を備えた走査型電子顕微鏡であって、
前記偏向制御信号生成部は、前記クロック信号の周期より短い周期の高速スキャン用クロック信号を生成する高速スキャン用クロック信号生成部を備え、
前記クロック信号と前記高速スキャン用クロック信号との同期を取り、前記偏向制御信号を生成することを特徴とする走査型電子顕微鏡。
【請求項２】
請求項１に記載の走査型電子顕微鏡であって、
前記画像生成部は、前記高速スキャン用クロック信号と同じ周期の、第２の高速スキャン用クロック信号を生成する第二の高速スキャン用クロック信号生成部を有し、
前記第二の高速スキャン用クロック信号と前記クロック信号を同期し、当該同期された信号と前記検出器からの信号を対応付けて、前記試料の画像を生成することを特徴とする走査型電子顕微鏡。
【請求項３】
請求項１に記載の走査型電子顕微鏡であって、
前記クロック信号は、前記クロック信号生成部から前記偏向制御信号生成部までデジタル信号で伝送され、前記偏向制御信号生成部でアナログ信号に変換され、前記偏向器に入力されることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
【請求項４】
請求項１に記載の走査型電子顕微鏡であって、
前記偏向制御信号生成部は、
前記偏向器の動作条件を複数格納する第一のメモリと、
第一のメモリから読み出された動作条件を格納する第二のメモリとを備え、
前記第二のメモリは前記第一のメモリより高速に読み出し可能であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
【請求項５】
請求項４に記載の走査型電子顕微鏡であって、
前記動作条件は、前記一次電子線の偏向動作の歪みを補正した座標データからなることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
【請求項６】
請求項４に記載の走査型電子顕微鏡であって、
前記動作条件は、前記一次電子線の走査の動作前に、前記第二のメモリへ読み出されることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、走査型電子顕微鏡により試料を観察する際のスキャン制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
走査型電子顕微鏡では、偏向信号を偏向器に出力することにより一次電子線を走査し、試料から発生した二次電子や反射電子等の二次粒子を検出し、得られた二次粒子の量と偏向信号を対応付けて、試料の画像を形成する。
【０００３】
試料上に一次電子線が照射されると、その領域はプラスまたはマイナスに帯電する。これは、照射部から放出される二次電子の量に依存する。照射した電子ビームに対し、多くの二次電子が放出されるとプラスに帯電し、放出量が少ないとマイナスに帯電する。
【０００４】
試料上の同じ箇所を繰り返しスキャンすると帯電が進行して、帯電状況により、試料付近で一次電子線にクーロン力が働き、一次電子線を曲げる。すると、本来一次電子線を照射すべき箇所に照射することができず、画像ドリフトの原因となる。特に、走査型電子顕微鏡による測長を行った際には、数百ｎｍ幅のパターン幅を測定するため、画像ドリフトがおきると測長値の制度に影響がでる。
帯電抑制の手法として、スキャン速度を高速化する方法が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１５３８８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載の技術では、試料に端子をあてて帯電した電荷をアースに流すことで帯電抑制を実現するが、端子をあてた時の応力により試料の形状が変化したり、端子の先端の形状によっては試料を削ってしまう。すると、削られたゴミが、異物混入の要因となる可能性がある。
【０００７】
そこで、スキャンを高速に行い一次電子線を試料に照射する時間を短縮して帯電抑制する方法がある。
【０００８】
しかし、スキャン速度を高速にするには、偏向制御部から出力される偏向信号や、偏向制御部をコントロールするクロック信号の波形品質を保障しなければならない。ここで、通常、アナログ信号である偏向信号は、補正を加えることで波形品質を保障し、一次電子線の偏向動作を安定させている。一方、デジタル信号であるクロック信号は、なんら補正を加えていない。通常、クロック信号はデジタル信号で伝送され、クロック信号の周期毎に座標データを切り替えながら、この座標データを変換器によりアナログ信号に変換して偏向器に入力される。したがってデジタル信号の伝送途中で、ノイズによって信号にひずみが生じた場合には、意図しないタイミングで切り替えられた座標データを変換したアナログ信号が偏向器に伝送されてしまう。
【０００９】
本発明は、クロック信号の波形品質を保証して、スキャン速度の高速化を精度よく実現するためのスキャン制御方式を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一次電子線を偏向するためのクロック信号を生成するクロック信号生成部と、前記クロック信号から偏向制御信号を生成する偏向制御信号生成部と、を有する走査型電子顕微鏡であって、前記偏向制御信号生成部は、前記クロック信号の周期より短い周期の高速スキャン用クロック信号を生成する高速スキャン用クロック信号生成部を備え、前記クロック信号と前記高速スキャン用クロック信号との同期を取り、前記偏向制御信号を生成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、クロック周期の短い偏向信号を正確に偏向器に出力できるため、高速でスキャンを行うことができる。したがって、電子ビーム照射による試料の帯電を抑制し、画像ドリフトを抑えて観察画像の精度を保証することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】走査型電子顕微鏡の構成の概略図である。
【図２】従来のスキャン制御・観察画像生成部１１０と偏向制御信号生成部１１２の構成の説明図である。
【図３】信号が歪むことで観察画像の歪みにつながることについての説明図である。
【図４】実施例１におけるスキャン制御・観察画像生成部１１０と偏向制御信号生成部１１２の構成の説明図である。
【図５】座標データを読み出すクロック及び検出信号をサンプリングするクロックのそれぞれの同期関係を説明する図である。
【図６】従来の偏向制御信号生成内部回路２０１の構成の説明図である。
【図７】実施例２におけるスキャン動作を記憶しているメモリの構成の説明図である。
【図８】スキャン座標格納メモリ６０３と高速スキャン用座標格納メモリ７０２に格納された内容及びそれぞれの対応関係の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下では走査型電子顕微鏡を例に挙げて説明するが、走査型電子顕微鏡を応用したパターン測長装置（測長ＳＥＭ）や、欠陥観察装置など、その他荷電粒子線走査を伴う荷電粒子線装置であれば、本発明を適用可能である。
【実施例１】
【００１４】
図１は、本発明の実施形態に係る走査型電子顕微鏡の概略図である。  
図１において、走査型電子顕微鏡は鏡筒１０１に偏向器１０２と偏向制御部１０３と電子銃１０４と二次粒子検出器１０８を備えている。電子銃１０４から発せられる一次電子線１０５は、偏向器１０２によって二次元偏向する。偏向器１０２は、偏向制御信号１１３を偏向制御部１０３で観察画像の表示倍率に合わせて信号波形の振幅を調整したものを供給して作動する。二次元偏向することで一次電子線１０５は、鏡筒１０１の内部に配置された試料１０７の表面上をＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動しながら照射する。偏向制御信号生成部１１２では、全体制御部１１６より出力されるデジタル信号のスキャン座標データ１１５から、スキャン制御・観察画像生成部１１０から出力されるスキャン座標制御クロック１１１Ａのクロック周期毎にスキャンしようとしている任意の座標データを読み出し、この座標データをアナログ変換することで偏向制御信号１１３を生成する。なお、一次電子線１０５は、偏向器１０２により二次元偏向を行うが、この時、偏向器１０２からの偏向動作以外の力を受けると、試料１０７上での二次元偏向動作に歪みが生じる。そこで、全体制御部１１６からは、これら偏向動作の歪みを補正したスキャン座標データ１１５を出力し、偏向制御信号１１３を生成することで偏向動作を安定させる。一方、一次電子線１０５の照射により、試料１０７の表面から発せられる二次電子や反射電子等の二次粒子１０６は、二次粒子検出器１０８にて検出し、図示せぬシンチレータ、光電子倍増管により電気信号に変換され、検出信号１０９として画像データ生成部１１８へ伝送される。画像データ生成部１１８は、検出信号サンプリングクロック１１１Ｂのクロック周期毎に検出信号１０９をサンプリングして１画素単位に切り分け、画像データ１１４に変換して全体制御部１１６へ出力して取得した画像を表示する。
【００１５】
また、図１を構成する各ブロックの位置関係について説明する。偏向制御信号生成部１１２は、偏向制御部１０３付近に位置する。これは、より安定した二次元偏向を安定させることを目的とし、補正を加えている偏向制御信号１１３の波形品質をより精度よく伝送するためである。スキャン制御・観察画像生成部１１０は、全体制御部１１６付近に位置する。これは、画像データ１１４を全体制御部１１６に伝送するためである。そのため、偏向制御信号生成部１１２とスキャン制御・観察画像生成部１１０の距離は離れる。
【００１６】
次に図２を用いて、従来のスキャン動作の制御と画像データ１１４を生成する制御について説明する。
【００１７】
図２において、スキャン制御・観察画像生成部１１０はクロック生成部１１７と画像データ生成部１１８を備えている。また、偏向制御信号生成部１１２は偏向制御信号生成内部回路２０１を備えている。クロック生成部１１７は、スキャン座標制御クロック１１１Ａと、検出信号サンプリングクロック１１１Ｂを出力する。この二つのクロック信号は、同じ信号である。ただし、用途が異なるためそれぞれ信号名を分けて説明する。スキャン座標制御クロック１１１Ａは、スキャンを実行した時、一次電子線１０５を試料１０７のどこの座標に照射するかを制御することに用いる。全体制御部１１６から伝送されるスキャン座標データ１１５を、偏向制御信号生成内部回路２０１でスキャン座標制御クロック１１１Ａの１周期毎に１画素分の座標データを読み出す。そのため、スキャン座標制御クロック１１１Ａは、スキャン速度に応じて周期を調整する必要がある。検出信号サンプリングクロック１１１Ｂは、スキャンを行うことで試料１０７から発生する二次粒子１０６を基にした検出信号１０９を、画像データ生成部１１８で１周期毎に１画素分としてサンプリングし、画像データ１１４を生成する。そのため、スキャン座標制御クロック１１１Ａと同様に検出信号サンプリングクロック１１１Ｂもスキャン速度に応じて周期を調整する必要がある。なお、この二つのクロック信号が同一であるのは、スキャン動作と画像データ１１４の生成を関連付け、リアルタイムに行うためである。
【００１８】
次に図３を用いてスキャン座標制御クロック１１１Ａと検出信号サンプリングクロック１１１Ｂの関係性、及びスキャン速度を高速にしようとした時の問題について説明する。
【００１９】
図３では、それぞれスキャンの速度が速い場合と遅い場合、スキャン座標制御クロック１１１Ａがきれいな場合と信号伝送によりクロックのエッジがなまった場合を示している。スキャン座標３０１Ａ，３０１Ｂ，３０１Ｃ，３０１Ｄは、スキャン座標制御クロック１１１Ａの立上りエッジがある閾値を超えることで、スキャンしている座標が変化することを示している。
【００２０】
スキャン座標制御クロック１１１Ａを偏向制御信号生成内部回路２０１に伝送するうえで、きれいなクロックのまま伝送されれば良いが、実際には信号伝送によりエッジがなまってしまう。ただし、スキャン速度が遅い場合は、エッジがなまったとしてもクロック電圧の最大値まで立上ることができる。一方で、スキャン速度が速く、クロックの周期が短い場合は、クロック電圧が最大値まで立上ることなく次の立下りに入ってしまう。この時、スキャンする座標を切り替える閾値までクロック電圧が立上らなければ座標を切り替えることができず、同じ座標をスキャンし続けてしまう。一方、クロック電圧が閾値を超えたとしても、この時のクロック電圧の最大値と、閾値との間の余裕が小さくなってしまう。ここで、何かしらのノイズがスキャン座標制御クロック１１１Ａに入り込むと、誤動作の要因となってしまう。たとえば、閾値を跨ぐようなノイズが入り込むと、連続で座標が変化したり、スキャンする座標の変化を制御する回路のＩＣにアクセスするためのセットアップタイム／ホールドタイムを十分に確保できず、ＩＣの動作が不安定になり誤動作の要因となる。また、その他の問題として、１画素あたりの偏向位置のずれがある。スキャン速度が遅い時は、１画素領域３０３Ａに対する偏向位置ずれ３０２Ａの割合は小さい。しかし、スキャン速度が速い時は、１画素領域３０３Ｂに対する偏向位置ずれ３０２Ｂの割合は大きくなる。観察画像を構成する全ての１画素領域３０３Ｂに対して、同じだけ偏向位置ずれ３０２Ｂが入り込んだ場合は、試料１０７をスキャンする領域が偏向位置ずれ３０２Ｂの分だけずれることになる。だが、スキャン座標制御クロック１１１Ａの立上りエッジ毎のなまり方や、ノイズにより、各画素の偏向位置ずれ３０２Ｂは異なる。すると、スキャン速度が速いことにより１画素領域３０３Ｂが小さいため、各画素の１画素領域３０３Ｂに対する偏向位置ずれ３０２Ｂの割合の違いが、より顕著に観察画像に観えてきて、観察画像の精度低下になる。
【００２１】
そこで、図４を用いて、本実施例のクロック伝送の課題解決方法について説明する。  
図４の構成では、スキャン制御・観察画像生成部１１０に、新たに高速スキャン用検出信号サンプリングクロック生成部４０１と検出信号サンプリングクロック同期回路４０３を備える。また、偏向制御信号生成部１１２には、新たに高速スキャン用座標制御クロック生成部４０５とスキャン座標制御クロック同期回路４０７を備える。なお、スキャン座標制御クロック１１１Ａと検出信号サンプリングクロック１１１Ｂは、図２の構成と同様に同一信号であるが、スキャン速度に関係なく一定の周期のクロック信号とする。高速スキャン用検出信号サンプリングクロック生成部４０１は、スキャン速度に応じた周期に調整したクロック信号を高速スキャン用検出信号サンプリングクロック４０２として出力する。検出信号サンプリングクロック同期回路４０３は、検出信号サンプリングクロック１１１Ｂと高速スキャン用検出信号サンプリングクロック４０２を受けて、検出信号サンプリングクロック１１１Ｂの立上りエッジを基準にして高速スキャン用検出信号サンプリングクロック４０２の立上りエッジと同期を取る。検出信号サンプリングクロック１１１Ｂと同期を取ったクロック信号を同期済み検出信号サンプリングクロック４０４として出力する。同期済み検出信号サンプリングクロック４０４の用途は、図２の構成における検出信号サンプリングクロック１１１Ｂと同じである。同様にして偏向制御信号生成部１１２側では、高速スキャン用座標制御クロック生成部４０５がスキャン速度に応じて周期を調整した高速スキャン用座標制御クロック４０６をスキャン座標制御クロック同期回路４０７へ出力する。スキャン座標制御クロック同期回路４０７は、スキャン座標制御クロック１１１Ａと高速スキャン用座標制御クロック４０６を受けて、スキャン座標制御クロック１１１Ａの立上りエッジを基準にして高速スキャン用座標制御クロック４０６の立上りエッジと同期を取る。スキャン座標制御クロック１１１Ａと同期を取ったクロック信号を同期済みスキャン座標制御クロック４０８として出力する。同期済みスキャン座標制御クロック４０８の用途は、図２におけるスキャン座標制御クロック１１１Ａと同じである。図４の構成のように、同期済み検出信号サンプリングクロック４０４と同期済みスキャン座標制御クロック４０８をそれぞれ制御を行う部位で生成することで信号伝送による波形のなまりを抑える。また、検出信号サンプリングクロック１１１Ｂと同期済み検出信号サンプリングクロック４０４とを、および、スキャン座標制御クロック１１１Ａと同期済みスキャン座標制御クロック４０８とを、それぞれ同期を取ることで、従来通りスキャン動作と画像データ１１４の生成を関連付けることができる。
【００２２】
図５は、図４の構成で説明した各クロック信号の関係を示している。  
検出信号サンプリングクロック１１１Ｂの立上りエッジを基準に高速スキャン用検出信号サンプリングクロック４０２と同期を取って同期済み検出信号サンプリングクロック４０４を生成し、スキャン座標制御クロック１１１Ａの立上りエッジを基準に高速スキャン用座標制御クロック４０６と同期を取って同期済みスキャン座標制御クロック４０８を生成する。これら同期済み検出信号サンプリングクロック４０４と同期済みスキャン座標制御クロック４０８を用いることで、検出信号のサンプリングと座標データの読み出しのタイミングを合わせることができる。
【００２３】
以上、実施例１の構成により、スキャン速度の高速化により周期が短くなったクロック信号でも、偏向制御信号生成部１１２にクロック信号生成部を備えることで、座標データを読み出すためのクロック信号の波形品質を保証することができる。
【実施例２】
【００２４】
また、もう一つのスキャン速度を決定付ける要因のスキャン動作の座標データを格納しているメモリアクセス方法について説明する。本実施例は単独で用いても効果があるが、実施例１に記載した方法と組み合わせることで、高速なスキャン動作をより精度良く行うことができる。
【００２５】
図６を用いて、座標データをアナログ変換することで偏向制御信号１１３を生成している偏向制御信号生成内部回路２０１の従来の構成について説明する。
【００２６】
図６において、偏向制御信号生成内部回路２０１は、メモリアクセス制御信号生成部６０１とスキャン座標格納メモリ６０３とＤ／Ａ変換器６０５を備えている。メモリアクセス制御信号生成部６０１は、スキャン座標制御クロック１１１Ａを基にして、スキャン座標格納メモリ６０３にアクセスするために必要な各種制御信号を生成して、これらの信号をメモリアクセス制御信号６０２として出力する。スキャン座標格納メモリ６０３は、全体制御部１１６から転送されるスキャン座標データ１１５を、メモリアクセス制御信号６０２を用いて格納する。スキャン動作を実行するときは、メモリアクセス制御信号６０２を用いて事前に格納しておいた座標データをスキャン座標データ６０４として読み出してＤ／Ａ変換器６０５でアナログ変換して偏向制御信号１１３とする。ここで、スキャン座標格納メモリ６０３には選定条件がある。スキャン座標格納メモリ６０３に格納するスキャン座標データ１１５は、実施例１の冒頭で記述したとおり一次電子線１０５の二次元偏向動作の歪み補正を加味した座標データである。この歪み補正は、スキャンを行う時のスキャン速度や画素サイズによって異なる。これらスキャン動作の条件の数だけ座標データを用意し、全ての座標データをスキャン座標データ１１５としてスキャン座標格納メモリ６０３に格納するため、大容量のメモリを選定する必要がある。さらに、スキャン速度を高速にするためには、スキャン座標格納メモリ６０３から座標データを読み出す速度を上げなければいけない。そのため、スキャン座標格納メモリ６０３は「大容量」で尚且つ「速いアクセスが可能」なメモリを選定する必要がある。ただし、これらの条件を満たすメモリを容易に入手するのは難しい。
【００２７】
そこで、偏向制御信号生成内部回路２０１の構成を図７のようにすることで、スキャン速度を高速にするうえでのメモリ選定条件を緩和する。
【００２８】
図７によれば、偏向制御信号生成内部回路２０１に新たに高速スキャン用座標格納メモリ７０２を備える。高速スキャン用座標格納メモリ７０２は、スキャン座標格納メモリ６０３より、実際にスキャンを行う動作条件に見合った座標データを実動作用スキャン座標データ７０１として読み出し、これをコピーする。手順は、まず、従来構成と同様にスキャン座標制御クロック１１１Ａを基にしてメモリアクセス制御信号６０２を生成し、スキャン座標データ１１５をスキャン座標格納メモリ６０３へ格納する。次に、スキャン座標格納メモリ６０３から実動作用スキャン座標データ７０１を読み出して高速スキャン用座標格納メモリ７０２へコピーする。なお、この動作は、スキャン速度や画素サイズの動作条件を選択してから、スキャンを行うまでの間にあらかじめ実施しておく。この動作は、メモリへのアクセス速度は高速に行う必要は無いのでスキャン座標制御クロック１１１Ａを基にしてメモリアクセス制御信号６０２を生成し、スキャン座標格納メモリ６０３と高速スキャン用座標格納メモリ７０２の両方のメモリへアクセスして、スキャンの動作条件に見合った座標データをスキャン座標格納メモリ６０３から高速スキャン用座標格納メモリ７０２にコピーする。最後に、スキャンを行う際は、高速スキャン用座標格納メモリ７０２にあらかじめコピーしておいた座標データをスキャン座標データ６０４として読み出し、Ｄ／Ａ変換器６０５でアナログ変換して偏向制御信号１１３とする。ただし、この動作は、スキャン速度に応じて高速スキャン用座標格納メモリ７０２へのアクセス速度の高速化が要求される。そこで、スキャン座標制御クロック１１１Ａの代わりに、図４の構成で生成した同期済みスキャン座標制御クロック４０８を基にしてメモリアクセス制御信号６０２を生成し、高速スキャン用座標格納メモリ７０２のみにアクセスしてスキャン座標データ６０４を読み出す。以上、複数のメモリを用いることで、スキャン速度を高速にするうえでのメモリ選定条件である「大容量」をスキャン座標格納メモリ６０３が補い、「速いアクセスが可能」は高速スキャン用座標格納メモリ７０２が補う。メモリ選定条件をそれぞれのメモリで補うことでメモリの入手を容易にし、座標データを高速に読み出す構成を実現することができ、延いてはスキャン速度の高速化を可能とする。
【００２９】
図８は、図７を構成する各メモリに格納する座標データの関係を示す。  
スキャン座標格納メモリ６０３は、全体制御部１１６から転送されるスキャン座標データ１１５を格納する。ここでは、スキャン座標データ１１５はスキャン速度や画素サイズの動作条件について、四つ分の座標データとする。高速スキャン用座標格納メモリ７０２は、これからスキャンを行う動作条件に見合った座標データを、スキャン座標格納メモリ６０３からコピーする。図８では、動作条件１の座標データを実動作用スキャン座標データ７０１としてコピーした時の状態を示す。スキャンを行う動作条件によっては動作条件２，動作条件３，動作条件４のいずれかを実動作用スキャン座標データ７０１としてコピーする。スキャンを行う際は、高速スキャン用座標格納メモリ７０２にコピーした座標データをスキャン座標データ６０４として読み出す。
【００３０】
以上、実施例２の構成により、座標データを格納するメモリの選定条件を緩和することで、高速に座標データを読み出すことができる。
【００３１】
これら実施例１，実施例２を行うことで、スキャン動作の高速化を実現し、試料１０７の帯電を抑制して画像ドリフトを抑えることができる。
【符号の説明】
【００３２】
１０１  鏡筒
１０２  偏向器
１０３  偏向制御部
１０４  電子銃
１０５  一次電子線
１０６  二次粒子
１０７  試料
１０８  二次粒子検出器
１０９  検出信号
１１０  スキャン制御・観察画像生成部
１１１Ａ  スキャン座標制御クロック
１１１Ｂ  検出信号サンプリングクロック
１１２  偏向制御信号生成部
１１３  偏向制御信号
１１４  画像データ
１１５，６０４  スキャン座標データ
１１６  全体制御部
１１７  クロック生成部
１１８  画像データ生成部
２０１  偏向制御信号生成内部回路
３０１Ａ，３０１Ｂ，３０１Ｃ，３０１Ｄ  スキャン座標
３０２Ａ，３０２Ｂ  偏向位置ずれ
３０３Ａ，３０３Ｂ  １画素領域
４０１  高速スキャン用検出信号サンプリングクロック生成部
４０２  高速スキャン用検出信号サンプリングクロック
４０３  検出信号サンプリングクロック同期回路
４０４  同期済み検出信号サンプリングクロック
４０５  高速スキャン用座標制御クロック生成部
４０６  高速スキャン用座標制御クロック
４０７  スキャン座標制御クロック同期回路
４０８  同期済みスキャン座標制御クロック
６０１  メモリアクセス制御信号生成部
６０２  メモリアクセス制御信号
６０３  スキャン座標格納メモリ
６０５  Ｄ／Ａ変換器
７０１  実動作用スキャン座標データ
７０２  高速スキャン用座標格納メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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