(57)【要約】【課題】半導体装置の実装強度を向上させる。【解決手段】半導体チップを封止する封止体６の下面６ｂから露出するリードＴ２は、第１の厚さから成る部分（第１部分）４ａ、および第１の厚さよりも小さい第２の厚さから成る部分（第２部分）４ｂを有している。部分４ｂは、部分４ａとチップ搭載部の間に配置され、部分４ａと一体に形成される。また、部分４ａと部分４ｂの境界には、側面４ｃが配置される。ここで、例えばレーザＬＺを照射することにより部分４ａの側面４ｃに隣接して溝Ｍ１を形成し、側面４ｃおよび部分４ｂの下面４ｂｂを封止体６から露出させる。【選択図】図３４
2013143445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）ダム部と、平面視において前記ダム部の内側に配置されたチップ搭載部と、第１の厚さから成り、かつ前記ダム部と繋がる第１部分、および前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さから成り、前記第１部分と前記チップ搭載部の間に配置され、前記第１部分と一体に形成された第２部分を有するリードと、を備えたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）表面、前記表面に形成されたパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記チップ搭載部上に搭載する工程；
（ｃ）前記半導体チップの前記パッドと前記リードとを導電性部材を介して電気的に接続する工程；
（ｄ）前記リードの前記第１部分の一部が露出し、かつ前記リードの前記第２部分の下面が覆われるように、前記半導体チップおよび前記導電性部材を樹脂で封止し、前記半導体チップの前記表面側に位置する上面、および前記上面とは反対側の下面を有する封止体を形成する工程；
（ｅ）前記封止体の下面からレーザを照射し、前記リードの前記第１部分の第１側面を露出させる工程。
【請求項２】
請求項１において、
前記（ｅ）工程では、前記第２部分の下面のうち、前記第１側面に連なる一部を露出させ、他部は前記封止体に覆われるように前記レーザを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記リードは、前記第１部分と前記ダム部の間に前記第１の厚さよりも薄い第３の厚さから成る第３部分を有し、
前記（ｄ）工程では、前記リードの前記第３部分の下面が覆われるように前記半導体チップおよび前記導電性部材を樹脂で封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１部分は、前記第１側面の反対側に位置し、前記第３部分の下面に連なる第２側面を有し、
前記（ｅ）工程では、前記第３部分の前記下面のうち、前記第２側面に連なる一部を露出させ、他部は前記封止体に覆われるように前記レーザを照射して前記第１部分の前記第２側面を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１部分は、前記第１側面と交差する第３側面を有し、
前記（ｅ）工程では、前記第３側面を露出させるように前記レーザを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第３側面は、前記第１の厚さよりも薄い第４の厚さから成る第４部分に連なり、
前記（ｄ）工程では、前記リードの前記第４部分の下面が覆われるように前記半導体チップおよび前記導電性部材を樹脂で封止し、
前記（ｅ）工程では、前記リードの前記第４部分の下面が露出するように前記レーザを照射し、前記リードの前記第１部分の前記第３側面を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記リードフレームは前記チップ搭載部と前記ダム部の間に複数のリードを備え、
前記複数のリードには、
前記第１部分が前記ダム部に隣接するように配置される第１リードと、
前記第１部分と前記ダム部の間に前記第１の厚さよりも薄い第３の厚さから成る第３部分が配置され、前記第３部分が前記ダム部と前記第１部分を連結する第２リードと、が含まれ、
前記（ｅ）工程では、前記第２リードの前記第１部分の前記第１側面、および前記第２リードの前記第２部分の前記下面を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２リードの前記第１部分は、前記第１側面の反対側に位置し、前記第３部分の下面に連なる第２側面を有し、
前記（ｅ）工程では、前記第３部分の前記下面のうち、前記第２側面に連なる一部を露出させ、他部は前記封止体に覆われるように前記レーザを照射して前記第１部分の前記第２側面を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記（ｅ）工程では、前記第１リードの前記第１部分の前記第１側面、および前記第１リードの前記第２部分の前記下面を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、
前記（ｅ）工程で、平面視における前記レーザの照射範囲は、前記第２部分と重なる範囲内に収めることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１において、
前記（ｅ）工程で、平面視における前記レーザの照射範囲は、前記第２部分と重なる範囲を超えて照射され、
前記レーザが照射される領域には前記封止体以外の部材が配置されていないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）チップ搭載部と、平面視において前記チップ搭載部の周囲に配置されたダム部と、第１の厚さから成る第１部分、前記第１の厚さよりも小さい第２の厚さから成り前記第１部分と一体に形成された第２部分、および前記第１部分と前記第２部分の境界に位置する第１側面を有し、かつ前記ダム部に連結されるリードと、を備えたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）表面、前記表面に形成されたパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記チップ搭載部上に搭載する工程；
（ｃ）前記半導体チップの前記パッドと前記リードとを導電性部材を介して電気的に接続する工程；
（ｄ）前記リードの前記第１部分の一部が露出し、かつ前記リードの前記第２部分の下面および前記リードの前記第１側面が覆われるように、前記半導体チップおよび前記導電性部材を樹脂で封止し、封止体を形成する工程；
（ｅ）前記封止体の前記下面からレーザを照射し、前記リードの前記第１部分の前記第１側面に隣接する第１溝を形成する工程。
【請求項１３】
表面、前記表面に形成されたパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップと、
前記半導体チップが搭載されたチップ搭載部と、
平面視において前記半導体チップの周囲に配置され、導電性部材を介して前記パッドと電気的に接続されるリードと、
上面、前記上面の反対側に位置する下面を有し、前記半導体チップおよび前記導電性部材を封止する樹脂から成る封止体と、
を備え、
前記リードは、第１の厚さから成る第１部分、前記第１の厚さよりも小さい第２の厚さから成り、前記第１部分と前記チップ搭載部の間に配置され、前記第１部分と一体に形成された第２部分、および前記第１部分と前記第２部分の境界に位置する第１側面を有し、
前記第１部分の下面は前記封止体の下面において前記封止体から露出し、かつ、前記第１側面および前記第２部分の下面は前記封止体から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記第２部分の下面のうち、前記第１側面に連なる一部は前記封止体から露出し、他部は前記封止体に覆われることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記リードは、前記第１部分の前記チップ搭載部側とは反対側に、前記第１の厚さよりも薄い第３の厚さから成る第３部分を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記第１部分は、前記第１側面の反対側に位置し、前記第３部分の下面に連なる第２側面を有し、
前記第３部分の下面のうち、前記第２側面に連なる一部は前記封止体から露出し、他部は前記封止体に覆われることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第１部分は、前記第１側面と交差する第３側面を有し、
前記第３側面は前記封止体から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記第３側面は、前記第１の厚さよりも薄い第４の厚さから成る第４部分に連なり、
前記第４部分の下面のうち、前記第３側面に連なる一部は前記封止体から露出し、他部は前記封止体に覆われることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１３において、
平面視において四辺形を成す前記封止体の各辺に沿って複数のリードを備え、
前記複数のリードには、
前記第１部分が前記封止体の周縁部側に配置される第１リードと、
前記第１部分と前記封止体の周縁部の間に前記第１の厚さよりも薄い第３の厚さから成る第３部分が配置され、前記第３部分が前記ダム部と前記第１部分を連結する第２リードと、が含まれ、
前記第２部分の下面のうち、前記第１側面に連なる一部は前記封止体から露出し、他部は前記封止体に覆われることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１３において、
前記リードは前記封止体の側面から外側に向かって突出する突出部を有していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、例えば半導体チップを封止する封止体の実装面側において、複数の端子を露出させる半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開２００２−１８４７９５号公報（特許文献１）には、ＱＦＮ（Quad Flat Nonleaded package）型の半導体装置の製造工程において、リードにレーザを照射してレジンバリを除去することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１８４７９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本願発明者は、封止体の下面（実装面）において外部端子の一部を封止体から露出させた半導体装置について検討を行い、以下の課題を見出した。
【０００５】
例えばＳＯＮ（Small Outline Nonleaded package）型やＱＦＮ型などの半導体装置のように、半導体チップを封止する封止体の下面（実装面）において、外部端子であるリードの一部を封止体から露出させる構造がある。このような半導体装置は、封止体の下面側をリードの接合領域として活用できるので、実装面積を低減することができる。
【０００６】
ところが、ＳＯＮ型やＱＦＮ型などの半導体装置の実装強度は、主としてリードの下面と接合材（例えば半田）の接合強度により決定される。このため、例えばＱＦＰ（Quad Flat Package）型の半導体装置のように、リードの下面および側面および上面に接合材を形成する実装方式と比較すると、実装強度が低くなる。
【０００７】
本願において開示される実施の形態は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置の実装強度を向上させる技術を提供することにある。
【０００８】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１０】
すなわち、本願の一態様である半導体装置の製造方法は、チップ搭載部、前記チップ搭載部の周囲に配置されるダム部、および前記ダム部と前記チップ搭載部の間に配置され、前記ダム部に繋がるリードを備えるリードフレームの前記チップ搭載部上に半導体チップを搭載する。その後、前記半導体チップと前記リードとを、導電性部材を介して電気的に接続する。その後、前記リードの一部が露出し、かつ前記半導体チップと前記導電性部材を封止するように封止体を形成する。その後、前記封止体の実装面側からレーザを照射して、前記リードの露出部隣の前記封止体を取り除き、前記露出部に連なる側面を露出させるものである。
【発明の効果】
【００１１】
本願において開示される代表的な実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００１２】
すなわち、本願において開示される代表的な実施の形態によれば、半導体装置の実装強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一実施の形態である半導体装置の上面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の下面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図４】図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図５】図１に示す封止体を取り除いた状態で半導体装置の内部構造を示す平面図である。
【図６】図１のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図７】図３に示すリード周辺を拡大して示す拡大断面図ある。
【図８】図４に示すリード周辺を拡大して示す拡大断面図である。
【図９】図７に示すリードを実装基板の端子に接合した状態を示す拡大断面図である。
【図１０】図８に示すリードを実装基板の端子に接合した状態を示す拡大断面図である。
【図１１】図２のＤ部の拡大平面図である。
【図１２】図１１に対する変形例である半導体装置の拡大平面図である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図１４】図１１に対する他の変形例である半導体装置の拡大平面図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図１６】図１４に対する変形例を示す拡大平面図である。
【図１７】図１６のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図１８】一実施の形態である半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。
【図１９】リードフレーム準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図である。
【図２０】図１９に示す複数の製品形成領域のうち、２つの製品形成領域周辺の拡大平面図である。
【図２１】図２０に示す一つのリードの断面構造を示す拡大断面図である。
【図２２】図２０に示す他のリードの断面構造を示す拡大断面図である。
【図２３】図２０に示すダイパッド上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。
【図２４】図２３のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図２５】図２３に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す平面図である。
【図２６】図２５のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図２７】図２５に示すリードフレームの製品形成領域に、封止体を形成した状態を示す拡大平面図である。
【図２８】図２７のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図２９】図２５に示すリードフレームを成形金型内に配置してクランプした状態を示す拡大断面図である。
【図３０】図２９に示すモールド工程に対する変形例を示す拡大断面図である。
【図３１】図２９に示すモールド工程に対する他の変形例を示す拡大断面図である。
【図３２】図２７に示すリードフレームにレーザを照射して封止体の一部を取り除いた後の下面側を示す拡大平面図である。
【図３３】図３２のＤ部の拡大平面図である。
【図３４】図３３のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図３５】図３３に対する変形例を示す拡大平面図である。
【図３６】図３３に対する他の変形例を示す拡大平面図である。
【図３７】図３４に対する変形例を示す拡大断面図である。
【図３８】図３３のＢ−Ｂ線に沿った拡大平面図である。
【図３９】図３４に示す封止体から露出する複数のリードの露出面に外装めっき膜（半田膜）を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図４０】図３５に示す複数のリードの露出面に外装めっき膜（半田膜）を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図４１】図２７に示すリードフレームに金属膜を形成した後、リードおよび吊りリードを枠部（ダム部）から切り離した状態を示す拡大平面図である。
【図４２】図２に対する変形例を示す平面図である。
【図４３】図２に対する他の変形例を示す平面図である。
【図４４】図１０に対する比較例である半導体装置を実装基板の端子に接合した状態を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００１５】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００１６】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００１７】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００１８】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。
【００１９】
本実施の形態では、半導体装置の一例として、本願発明者が具体的に検討した、四角形の平面形状を成す封止体の角部の外側において、吊りリードの一部が露出するタイプのＱＦＮに適用した実施態様について説明する。図１は本実施の形態の半導体装置の上面図、図２は、図１に示す半導体装置の下面図、図３は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図、図４は図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。また、図５は図１に示す封止体を取り除いた状態で半導体装置の内部構造を示す平面図である。また、図６は、図１のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【００２０】
＜半導体装置＞
まず、本実施の形態の半導体装置１の構成の概要について、図１〜図６を用いて説明する。本実施の形態の半導体装置１は、ダイパッド（チップ搭載部、タブ）２（図３〜図５参照）と、ダイパッド２上にダイボンド材７（図３〜図５参照）を介して搭載された半導体チップ３（図３〜図５参照）と、を備えている。また、半導体装置１は、半導体チップ３の周囲に配置された複数のリード（端子、外部端子）４と、半導体チップ３の複数のパッド（電極、ボンディングパッド）ＰＤ（図３〜図５参照）と複数のリード４とを、それぞれ電気的に接続する複数のワイヤ（導電性部材）５（図３〜図５参照）と、を有している。また、半導体装置１は半導体チップ３、複数のワイヤ５、および複数のリード４を封止する封止体（樹脂体）６を備えている。また、ダイパッド２には、複数の吊りリード１０が接続されている。
【００２１】
＜外観構造＞
まず、半導体装置１の外観構造について説明する。図１に示す封止体（樹脂体）６の平面形状は矩形状からなり、本実施の形態では、例えば、正方形である。詳細には、各角部６ｄが面取り加工されており、これにより封止体６の欠けを抑制している。封止体６は上面６ａと、この上面６ａとは反対側の下面（裏面、実装面）６ｂ（図２参照）と、この上面６ａと下面６ｂとの間に位置する側面６ｃとを有している。側面６ｃは、図３および図４に示すように傾斜面となっている。封止体６の角部６ｄとは、封止体６の四辺（四つの主辺）のうち、交差する任意の二辺（二つの主辺）の交点である角の周辺領域を含んでいる。なお、厳密には、図１に示すように、封止体６の角部６ｄは、一部が面取り加工されているので、主辺の交点は封止体６の角部６ｄよりも外側に配置される。しかし、面取り加工部は、主辺の長さと比較して十分に小さいため、本願では、面取り加工部の中心を封止体６の角と見做して説明する。つまり、本願においては、封止体６の四辺（四つの主辺）のうち、任意の二辺（二つの主辺）が交差する領域であって、該領域が面取り加工されている場合にはその面取り加工部が角部６ｄに相当し、該領域が面取り加工されていない場合には、任意の二辺（二つの主辺）の交点が角部６ｄに相当する。以下、本願において、封止体６の角部６ｄと説明するときは、特に異なる意味、内容で用いている旨を明記した場合を除き、上記と同様の意味、内容として用いる。
【００２２】
また、図１および図２に示すように、半導体装置１では、封止体６の各辺（各主辺）に沿って、それぞれ複数のリード４が配置されている。複数のリード４は、それぞれ金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）、または銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に例えばニッケル（Ｎｉ）からなる金属膜（図示は省略）が形成された積層金属膜から成る。また複数のリード４は、図２に示すように封止体６の下面６ｂにおいて一部が封止体６からそれぞれ露出している。またリード４の封止体６からの露出部には、金属膜ＳＤが形成され、前記した基材の下面を覆っている。金属膜ＳＤは、例えばめっき法により形成された半田膜から成り、リード４を図示しない実装基板側の端子と接合する際に接合材として機能する。なお、図１では図示を省略しているが、図２に示す金属膜ＳＤはリード４の露出部の上面側にも形成されている。リード４のその他の特徴は、後述する。
【００２３】
次に、図２に示すように、ダイパッド（チップ搭載部、タブ）２の下面２ｂは、封止体６の下面６ｂにおいて、封止体６から露出している。つまり、半導体装置１は、ダイパッド露出型（タブ露出型）の半導体装置である。また、ダイパッド２は、封止体６よりも熱伝導率が高い金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）、または銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に例えばニッケル（Ｎｉ）からなる金属膜（図示は省略）が形成された積層金属膜から成る。このように、ダイパッド露出型の半導体装置は、熱伝導率が封止体６よりも高い、例えば、銅（Ｃｕ）などの金属部材（ダイパッド２）を露出させることで、ダイパッド２が露出しない半導体装置と比較して、パッケージの放熱性を向上させることができる。また、半導体装置１を図示しない実装基板に実装する際に、ダイパッド２の下面２ｂを実装基板の端子と、例えば半田材（接合材）を介して接続すれば、半導体装置１で発生した熱をさらに効率的に実装基板側に放熱することができる。図２に示す例では、ダイパッド２の下面２ｂには、実装時に接合材として機能する金属膜ＳＤが形成され、前記基材の下面を覆っている。金属膜ＳＤは前記したように例えばめっき法により形成された半田膜である。
【００２４】
また、図１および図２に示すように、半導体装置１は、封止体６の角部６ｄの外側において、吊りリード１０の一部が封止体６から露出している。詳しくは、図５および図６に示すように、吊りリード１０の一方の端部は、ダイパッド２に接続され（一体に形成され）、他方の端部は、角部６ｄにおいて封止体６から露出している。吊りリード１０は、ダイパッド２と一体に形成されるので、吊りリード１０はダイパッド２と同じ金属材料から成り、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）、または銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に例えばニッケル（Ｎｉ）からなる金属膜（図示は省略）が形成された積層金属膜から成る。このように吊りリード１０の一部を封止体６から露出させることにより、半導体装置１を図示しない実装基板に実装する際に、吊りリード１０の露出部を実装基板の端子と接合できる。これにより、半導体装置１の実装強度を向上させることができる。また、図２に示すように、吊りリード１０の露出部の下面には、実装時に接合材として機能する金属膜ＳＤが形成され、前記基材の下面を覆っている。金属膜ＳＤは前記したように例えばめっき法により形成された半田膜である。
【００２５】
＜内部構造＞
次に半導体装置１の内部構造について説明する。図５に示すように、ダイパッド２の上面（チップ搭載面）２ａは、平面形状が四角形（四辺形）から成る。本実施の形態では、例えば正方形である。また、本実施の形態では、半導体チップ３の外形サイズ（裏面３ｂの平面サイズ）よりも、ダイパッド２の外形サイズ（平面サイズ）の方が大きい。このように半導体チップ３を、その外形サイズよりも大きい面積を有するダイパッド２に搭載し、ダイパッド２の下面２ｂを封止体６から露出させることで、放熱性を向上させることができる。
【００２６】
また、ダイパッド２の外縁部には、下面２ｂ側からエッチング加工が施されており、図２に示す、封止体６から露出するダイパッド２の下面２ｂの外形サイズは、図５に示す上面２ａの外形サイズよりも小さい。言い換えれば、ダイパッド２は、第１の厚さを有する部分（厚板部）と、第１の厚さよりも小さい（薄い）第２の厚さを有する部分（薄板部）と、を有し、薄板部は厚板部の周縁部に配置されている。このようにダイパッド２の周縁部にハーフエッチング加工を施す事で、ダイパッド２が封止体６から抜け落ちることを防止することができる。このハーフエッチング加工は、下面２ｂから上面２ａに向かって施され、本実施の形態では、上面２ａと下面２ｂの中間位置まで形成されている。
【００２７】
また、ダイパッド２上には、半導体チップ３が搭載されている。半導体チップ３はダイパッド２の中央に搭載されている。半導体チップ３は、裏面３ｂがダイパッド２の上面２ａと対向した状態で、ダイボンド材（接着材）７を介してダイパッド２上に搭載されている。つまり、複数のパッドＰＤが形成された表面（主面）３ａの反対面（裏面３ｂ）をチップ搭載面（上面２ａ）と対向させる、所謂、フェイスアップ実装方式により搭載されている。このダイボンド材７は、半導体チップ３をダイボンディングする際の接着材であって、本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂に、銀（Ａｇ）などから成る金属粒子を含有させたダイボンド材７を用いている。
【００２８】
図５に示すように、ダイパッド２上に搭載される半導体チップ３の平面形状は四角形から成る。本実施の形態では、例えば、正方形である。また、図３および図４に示すように、半導体チップ３は、表面（主面、上面）３ａと、表面３ａとは反対側の裏面（主面、下面）３ｂと、この表面３ａと裏面３ｂとの間に位置する側面とを有している。そして、図３〜図５に示すように、半導体チップ３の表面３ａには、複数のパッド（ボンディングパッド）ＰＤが形成されており、本実施の形態では、複数のパッドＰＤが表面３ａの各辺に沿って形成されている。また、図示は省略するが、半導体チップ３の主面（詳しくは、半導体チップ３の基材（半導体基板）の上面に設けられた半導体素子形成領域）には、複数の半導体素子（回路素子）が形成されており、複数のパッドＰＤは、半導体チップ３の内部（詳しくは、表面３ａと図示しない半導体素子形成領域の間）に配置される配線層に形成された配線（図示は省略）を介して、この半導体素子と電気的に接続されている。
【００２９】
半導体チップ３（詳しくは、半導体チップ３の基材）は、例えばシリコン（Ｓｉ）から成る。また、表面３ａには、半導体チップ３の基材および配線を覆う絶縁膜が形成されており、複数のパッドＰＤのそれぞれの表面は、この絶縁膜に形成された開口部において、絶縁膜から露出している。また、このパッドＰＤは金属からなり、本実施の形態では、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる。さらに、このパッドＰＤの表面には、めっき膜が形成されており、本実施の形態では、例えばニッケル（Ｎｉ）膜を介して、金（Ａｕ）膜が形成された多層構造である。パッドＰＤの表面をニッケル膜で覆うことにより、パッドＰＤの腐食（汚染）を抑制することができる。
【００３０】
また、図５に示すように、半導体チップ３の周囲（詳しくは、ダイパッド２の周囲）には、例えば、ダイパッド２と同じ銅（Ｃｕ）から成る複数のリード４が配置されている。そして、半導体チップ３の表面３ａに形成された複数のパッド（ボンディングパッド）ＰＤは、複数のリード４と、複数のワイヤ（導電性部材）５を介してそれぞれ電気的に接続されている。ワイヤ５は、例えば、金（Ａｕ）から成り、ワイヤ５の一部（例えば一方の端部）がパッドＰＤに接合され、他部（例えば他方の端部）がリード４のボンディング領域に接合されている。なお、図示は省略するが、リード４のボンディング領域の表面（詳しくはニッケル（Ｎｉ）から成るめっき膜の表面）には、めっき膜が形成されている。めっき膜は例えば、銀（Ａｇ）、あるいは金（Ａｕ）から成る。リード４（部分４ｂ）のボンディング領域（ワイヤボンディング領域）の表面に、銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）から成るめっき膜を形成することにより、金（Ａｕ）からなるワイヤ５との接合強度を向上させることができる。
【００３１】
また、図５に示すように、ダイパッド２には、複数の吊りリード１０が接続（連結）されている。複数の吊りリード１０は、それぞれ一方の端部が、平面視において四角形を成すダイパッド２の角部（角）に接続されている。また複数の吊りリード１０はそれぞれ他方の端部が封止体６の角部６ｄ（図１参照）に向かって延び、角部６ｄにおいて封止体６から露出している。吊りリード１０を封止体６の角部６ｄ（図１参照）に向かって、延ばすことにより、封止体６の各辺（各主辺）に沿って配置される複数のリード４の配列を阻害することなく配置できるので、リード４の数、すなわち、半導体装置１の端子数を増加させることができる。また、図６に示すように、吊りリード１０の一部（封止部）には、下面側からハーフエッチング加工が施され、下面側が封止体６により封止されている。これにより、吊りリード１０と封止体６をしっかりと固定することができるので、吊りリード１０が封止体６から抜け落ちることを防止することができる。
【００３２】
＜リードの詳細＞
次に、半導体装置１のリード４の詳細について説明する。図７は、図３に示すリード周辺を拡大して示す拡大断面図、図８は図４に示すリード周辺を拡大して示す拡大断面図である。また、図９は図７に示すリードを実装基板の端子に接合した状態を示す拡大断面図、図１０は図８に示すリードを実装基板の端子に接合した状態を示す拡大断面図である。また、図４４は図１０に対する比較例である半導体装置を実装基板の端子に接合した状態を示す拡大断面図である。また、図１１は図２のＤ部の拡大平面図である。
【００３３】
図３および図４に示すように複数のリード４のそれぞれは、第１の厚さから成る部分（厚板部、実装部、領域）４ａと、第１の厚さよりも小さい（薄い）第２の厚さから成る部分（薄板部、被封止部、ハーフエッチング部、領域）４ｂを有している。部分４ｂはダイパッド２と部分４ａの間（部分４ａよりもダイパッド２に近い位置）に配置され、部分４ａと一体に形成されている。また、部分４ａの下面４ａｂ（図７、図８参照）は封止体６から露出し、その露出面には金属膜ＳＤが形成されている。つまり、部分４ａはリード４の封止体６からの露出部を構成する。一方、部分４ｂは封止体６に封止されている。部分４ａと部分４ｂの境界には、部分４ａの下面に連なる側面４ｃが配置されている。また、図３および図４に示す例では、部分４ｂには、ワイヤ５を接合するボンディング領域が含まれる。このように、リード４の一部（部分４ａ）を封止体６から露出させ、他部（部分４ｂ）は封止体６内に配置することで、リード４が封止体６から脱落することを防止できる。
【００３４】
また、図２に示すように、複数のリード４は、封止体６の各側面６ｃ（各辺）に沿って複数列（図２では２列）でリード４の露出部が配置されている。詳しくは、半導体装置１は、形状が異なる複数種類（図２では２種類）のリード４を備えている。リードＴ１は、図３に示すように封止体６の周縁部側の列（外周列）に部分４ａが配置され、この外周列において封止体６から露出している。また、リードＴ２は、図４に示すように外周列よりもダイパッド２側の列（内周列）に部分４ａが配置され、この内周列において封止体６から露出している。言い換えれば、リードＴ２は、ダイパッド２と封止体６の周縁部の間の列（内周列）に露出部（部分４ａ）が配置され、リードＴ１は、内周列よりも封止体６の周縁部側の列（外周列）に露出部（部分４ａ）が配置される。さらに言い換えれば、リードＴ２は、第１の厚さから成る部分（厚板部、実装部、領域）４ａ、第１の厚さよりも小さい（薄い）第２の厚さから成り、部分４ａのダイパッド２側に連結する部分（薄板部、被封止部、ハーフエッチング部、領域）４ｂ、および第１の厚さよりも小さい（薄い）第３の厚さから成り、部分４ａのダイパッド２側とは反対側に連結する部分（薄板部、被封止部、ハーフエッチング部、領域）４ｅを有している。本実施の形態では部分４ｂと部分４ｅは同じ厚さになっている。そして、部分４ｂ、４ｅはそれぞれ封止体６に封止されている。また、図２に示すように、リードＴ１、Ｔ２は、平面視において封止体６の各側面６ｃ（各辺）に沿って交互に配置されている。言い換えれば、複数のリード４の露出部（部分４ａ）は、封止体６の各側面６ｃ（各辺）に沿って、千鳥配列で配置されている。このようにリード４の露出部を千鳥配列で配置することにより、隣り合うリード４間の配置ピッチを狭く（短く）しても、露出部間の距離は長くすることができるので、短絡不良を防止ないしは抑制できる。このため、隣り合うリード４間の配置ピッチを狭く（短く）することで、実装面積の増大を抑制し、かつ、外部端子数を増加させることができる。
【００３５】
ここで、半導体装置１を実装基板に搭載した時の実装強度について説明する。図９および図１０に示すように半導体装置１を実装基板（マザーボード）２０に実装する際には、実装基板２０の上面（基板側実装面）２０ａと半導体装置１の下面（デバイス側実装面；封止体６の下面６ｂ）を対向させた状態でリード４と実装基板２０のランド（実装基板側の端子）２１を接合する。例えば図９および図１０に示す例では、リード４とランド２１を接合材である半田材２２を介して接合している。この時、半田材２２とリード４の接合強度は、接合面積（半田材２２とリード４の接触面積）に比例して大きくなる。また、接合面積が等しい場合、互いに交差する複数の面（例えば図９に示す下面４ａｂと側面４ｄ）において接合する方が、接合強度が向上する。
【００３６】
図９に示すようにリードＴ１は、部分４ａと部分４ｂの境界に配置される側面４ｃの反対側の側面４ｄが封止体６から露出している。このため、実装基板２０のランド（実装基板側の端子）２１に半田材（接合材）２２を介して接合する場合、側面４ｄに半田材２２が濡れ上がる。このため、リードＴ１の場合は、部分４ａの下面４ａｂおよび側面４ｄにおいてリードＴ１と半田材２２を接合させるため、単に部分４ａの下面４ａｂのみが接合する場合と比較して接合強度を向上させることができる。また、図９に示すリードＴ１は、部分４ａの一部（側面４ｄを含む端部）が封止体６の側面６ｃよりも外側に突出している。このため、この突出部の長さを長くすることで、部分４ａの下面４ａｂの面積を増加させることができる。また、図１１に示すリードＴ１の突出部の側面４ｆ、４ｇは封止体６から露出しているので、この側面４ｆ、４ｇの面積は接合面積に含まれることになる。つまり、リードＴ１の場合は、部分４ａの一部を封止体６の側面６ｃよりも外側に突出させることで、接合面積を増大させることができるので、リードＴ２と比較して接合強度を向上させることができる。なお、図９では、側面４ｄの下面４ａｂ側の一部が半田材２２と接合した例を示しているが、変形例としては、側面４ｄ全体が半田材２２に覆われた形状とする場合もある。ただし、側面４ｄ全体を覆う場合には、半田材２２の量を増やす必要がある。したがって、半田材２２の量を低減し、隣り合うリード４間で半田材２２がブリッジすることを抑制する観点からは、図９に示すように側面４ｄの一部が半田材２２に覆われた状態が好ましい。
【００３７】
一方、図１０に示すようにリードＴ２の場合、部分４ａは封止体６の側面６ｃよりも内側（ダイパッド側）に配置されている。言い換えれば、リードＴ２の部分４ａの側面４ｄは封止体６の側面６ｃよりも外側には突出していない。したがって、部分４ａの周囲の封止体６を除去しなければ、図４４に比較例として示す半導体装置Ｃ１のように、リード４の部分４ａの側面４ｃ、４ｄは封止体６に覆われる。この場合、実装基板２０のランド２１に接合するための半田材（接合材）２２との接合面積は、部分４ａの下面（実装面）４ａｂにより規定される。つまり、図４４に示すリードＴ２の実装強度は、部分４ａの面積により規定され、図９に示すように側面４ｄの少なくとも一部が半田材２２と接合する場合と比較して、実装強度が低くなる。そして、実装基板２０に実装された半導体装置１に温度サイクル（温度変化の繰り返し）負荷を与えると、実装強度が低い端子において半田材２２との接合部の剥離などの不良が発生し、信頼性低下の原因となる懸念がある。例えば自動車用など、温度サイクル条件が厳しい用途に半導体装置１を使用する場合には、実装強度を向上させることが要求される。
【００３８】
そこで、本実施の形態の半導体装置１は、図１０に示すようにリードＴ２の部分４ａの側面４ｃに隣接して溝Ｍ１が形成されている。溝Ｍ１は、封止体６を貫通せず、溝Ｍ１の底部は部分４ｂの下面４ｂｂまで到達している。このように溝Ｍ１を形成することで、側面４ｃ、および側面４ｃに連なる部分４ｂの下面４ｂｂの一部を封止体６から露出させている。また、図１０に示す例では、側面４ｃの反対側に位置する側面４ｄに隣接して溝Ｍ１が形成されている。側面４ｄに隣接する溝Ｍ１は、封止体６を貫通せず、溝Ｍ１の底部は部分４ｅの下面４ｅｂまで到達している。このように溝Ｍ１を形成することで、側面４ｄおよび側面４ｄに連なる部分４ｅの下面４ｅｂの一部を封止体６から露出させている。また図１１に示すように、溝Ｍ１は側面４ｃ、４ｄに沿って、側面４ｃ、４ｄの全体が封止体６から露出するように形成されている。このように部分４ａの側面４ｃ、４ｄを封止体６から露出させると、実装時に半田材２２が側面４ｃ、４ｄに濡れ上がることになる。また、側面４ｃ、４ｄに連なる下面４ｂｂ、４ｅｂまで露出させると、より確実に側面４ｃ、４ｄに半田材２２が濡れ上がる。これにより、半田材２２とリードＴ２の部分４ａの接合面積を増大させることができるので、実装強度を向上させることができる。
【００３９】
なお、図示は省略するが、図１０に示す実施態様の変形例として、側面４ｃまたは側面４ｄのいずれか一方に隣接して溝Ｍ１を形成し、側面４ｃと下面４ｂｂ、または側面４ｄと下面４ｅｂの一方のみを露出させることができる。この変形例の構成であっても、図４４に示す比較例の半導体装置Ｃ１よりも半田材２２との接合面積を増大させることができるので、実装強度を向上させることができる。ただし、接合面積を増大させる観点からは図１０に示すように、側面４ｃと下面４ｂｂ、および側面４ｄと下面４ｅｂの両方を露出させる構成が特に好ましい。また、対向配置される側面４ｃと側面４ｄの両方を露出させることで、図１０に示すように部分４ａを挟むように半田材２２が接合される。このため、側面４ｃまたは側面４ｄの一方を露出させる場合よりも接合強度をさらに向上させることができる。
【００４０】
また、図２では、全てのリードＴ２の部分４ａに隣接するように溝Ｍ１を形成し、側面４ｃ、４ｄ（図１１参照）を露出させる例を示しているが、図２に示す態様には限定されない。複数のリードＴ２のうちの一つについて部分４ａに隣接する溝Ｍ１を形成し、側面４ｃを露出させれば、側面４ｃが露出したリードＴ２の接合強度を向上させることができる。例えば、本件製品を実装する実装環境により複数のリードＴ２に対する応力の分布が異なる場合には、特に応力が集中し易い領域に配置されたリードＴ２（複数のリードＴ２のうちの一部）の側面４ｃ、４ｄを露出させ、他の領域（相対的に応力が低い領域）に配置されたリードＴ２の側面４ｃ、４ｄは封止体６に覆われた状態とすることもできる。ただし、温度サイクル負荷による応力分布によらず、確実に接合不良を抑制する観点からは、図２に示すように全てのリードＴ２について溝Ｍ１を形成し、側面４ｃ、４ｄ（図１１参照）を露出させることが好ましい。
【００４１】
また、図１１に示す例では、リードＴ２については部分４ａに隣接して溝Ｍ１を形成し、部分４ａの一部が封止体６の側面６ｃから外側に突出するリードＴ１については、溝Ｍ１を形成していない。このため、リードＴ１の内側（ダイパッド側）の側面４ｃは、封止体６に覆われ、露出していない。図９を用いて説明したようにリードＴ１は封止体６の側面６ｃから露出するリードＴ１の側面（端面）４ｄに半田材２２が濡れ上がることで、図４４に比較例として示す半導体装置Ｃ１のリードＴ２と比較して接合強度を向上させることができる。また、リードＴ１の部分４ａを封止体６の側面６ｃよりも外側に突出させるように配置する場合、部分４ａの下面４ａｂの面積を大きくすることができるので、これにより、半田材２２との接触面積をさらに大きくすることができるので、実装強度を向上させることができる。
【００４２】
なお、本実施の形態では、リードＴ１の内側（ダイパッド側）の側面４ｃを封止体６で覆う構成について説明したが、これに限定するものではなく、図１２および図１３に示すようにリードＴ１の内側（ダイパッド側）に、部分４ａの側面４ｃに隣接して溝Ｍ１が形成された構成としてもよい。図１２は、図１１に対する変形例である半導体装置の拡大平面図である。また、図１３は、図１２のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。なお、図１３では、半導体装置２５を実装基板２０に実装した時の状態を示している。図１２および図１３に示す半導体装置２５は、リードＴ１の部分４ａの内側（ダイパッド側）の側面４ｃに隣接して溝Ｍ１が形成され、側面４ｃおよび側面４ｃに連なる部分４ｂの下面４ｂｂの一部が封止体６から露出している点で、図１１および図９に示す半導体装置１とは異なる。その他の点では、半導体装置１と同様なので重複する説明は省略する。
【００４３】
図１２および図１３に示すように、封止体６の側面６ｃから部分４ａが突出するリードＴ１の場合であっても、側面４ｄと対向する側面４ｃに隣接して溝Ｍ１を設け、側面４ｃを露出させることで、図１３に示すように部分４ａを挟むように半田材２２が接合される。このため、図９に示すように側面４ｃが封止体６に覆われている場合と比較して接合強度をさらに向上させることができる。また、部分４ｂの下面４ｂｂを露出させることにより、この下面４ｂｂが半田材２２との接合面積として寄与するので、接合強度をさらに向上させることができる。見方を変えると、半導体装置２５は、部分４ａの側面４ｃおよび部分４ｂの下面４ｂｂにより半田材２２との接合面積を向上させることができるので、部分４ａの封止体６からの突出部の長さを短くすることができる。このため、実装面積を低減し、かつ、実装強度を向上させることができる。
【００４４】
また、図１１に示す例では、部分４ａの内側の側面４ｃおよび側面４ｃと対向する側面４ｄに隣接させて溝Ｍ１を形成する実施態様について説明した。しかし、さらに実装強度を向上させる変形例として、図１４および図１５に示すように側面４ｃ、４ｄと交差する方向（リード４の延在方向）に沿って溝Ｍ２を形成することができる。図１４は、図１１に対する他の変形例である半導体装置の拡大平面図である。また、図１５は、図１４のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。なお、図１５では、半導体装置２６を実装基板２０に実装した時の状態を示している。図１４および図１５に示す半導体装置２６は、リードＴ２の部分４ａの側面４ｆ、４ｇに隣接して溝Ｍ２が形成され、側面４ｆ、４ｇが封止体６から露出している点で相違する。その他の点では、半導体装置１と同様なので重複する説明は省略する。
【００４５】
図１４および図１５に示す半導体装置２６は、複数のリード４の配列方向（幅方向）に沿って形成された溝Ｍ１（図１４参照）に加え、リード４の延在方向（長手方向）に沿って溝Ｍ２が形成されている。言い換えれば、半導体装置２６のリードＴ２には、部分４ａの側面４ｃ、４ｄ、４ｆ、４ｇの周囲を連続的に囲むように、溝Ｍ１、Ｍ２が形成されている。これにより、リードＴ２の部分４ａの下面４ａｂおよび４つの側面４ｃ、４ｄ、４ｆ、４ｇは、封止体６から露出している。このように、部分４ａの側面４ｃ、４ｄ、４ｆ、４ｇを連続的に露出させた半導体装置２６を図１５に示す実装基板２０に実装すると、部分４ａの封止体６からの露出面を覆うように半田材２２が形成される。つまり、部分４ａを包むように半田材２２が形成される。このため、単に半田材２２と部分４ａの接合面積を増大させる場合よりもさらに実装強度を向上させることができる。また、図１４および図１５では、図１１および図１０に対する変形例として、リードＴ２に溝Ｍ２を形成する実施態様について説明したが、図１２および図３を用いて説明した変形例と組み合わせて適用することができる。つまり、リードＴ１の部分４ａの周囲を連続的に囲むように溝Ｍ１、Ｍ２を形成することができる。
【００４６】
ただし、溝Ｍ２の形成方法によっては、溝Ｍ２の深さは溝Ｍ１の深さよりも制御し難い。詳細は後述するが、例えば、本実施の形態では、溝Ｍ１、Ｍ２の形成箇所にレーザを照射して封止体６を除去することで、溝Ｍ１、Ｍ２を形成する。レーザを照射して溝Ｍ１を形成する場合には、部分４ａに連なる部分４ｂ（または部分４ｅ）が溝Ｍ１の深さを規定するストッパとして機能するため、溝Ｍ１の深さ制御は容易である。しかし、側面４ｆ、４ｇ側にはレーザを照射する際にストッパとして機能する部材が存在しないため、レーザ出力、焦点距離、あるいは照射時間を高精度で制御する必要がある。したがって、レーザを用いて容易に溝を形成する観点からは、図９〜図１３に示すようにリード４の延在方向に沿った溝Ｍ２は形成せず、溝Ｍ１を形成する方が好ましい。あるいは、図１６および図１７に示す半導体装置２７のように、側面４ｆ、４ｇに沿って部分４ａに連結し、部分４ａの厚さよりも小さい（薄い）第４の厚さから成る部分４ｈ、４ｉを形成し、溝Ｍ２の底面において部分４ｈ、４ｉの下面４ｈｂ、４ｉｂをそれぞれ露出させることが好ましい。図１６は図１４に対する変形例を示す拡大平面図、図１７は図１６のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。なお、図１７では、半導体装置２７を実装基板２０に実装した時の状態を示している。図１６および図１７に示すように部分４ａの側面４ｆ、４ｇに沿ってハーフエッチングされた部分４ｈ、４ｉを設けることで、レーザを照射して溝Ｍ２を形成する場合であっても、部分４ｈ、４ｉをストッパとして機能させることができる。このため、溝Ｍ２については溝Ｍ１と同様に、容易に深さを制御することができる。
【００４７】
ところで、図１６に示すように、部分４ａの側面４ｆ、４ｇに沿って部分４ｈ、４ｉを設ける場合、リード４の幅（複数のリード４の配列方向の側面間距離）が大きくなる。一方、実装面積の増大を抑制しつつ、端子数を増加させる観点からは、隣り合うリード４間の配置ピッチは短くすることが好ましい。そこで、図１６に示すように、部分４ｈ、４ｉは、部分４ａの隣に局所的に形成することが好ましい。言い換えると、リードＴ２の幅を全て大きくするのではなく、部分４ａの位置に、局所的に幅広部を設けることが好ましい。また、図１６に示すようにリードＴ２の幅広部に挟まれるリードＴ１の部分４ｂには、局所的に幅狭部を設けることが好ましい。これにより、部分４ｈ、４ｉを設けることによる、端子数の低下、あるいは実装面積の増大を抑制することができる。
【００４８】
＜半導体装置の製造工程＞
次に、図１〜図１１に示す半導体装置１の製造工程について、説明する。本実施の形態における半導体装置１は、図１８に示す組立てフローに沿って製造される。図１８は、本実施の形態の半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。
【００４９】
１．リードフレーム準備工程；
図１９は、リードフレーム準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図、図２０は、図１９に示す複数の製品形成領域のうち、２つの製品形成領域周辺の拡大平面図である。また、図２１は図２０に示す一つのリードの断面構造を示す拡大断面図である。また、図２２は図２０に示す他のリードの断面構造を示す拡大断面図である。
【００５０】
まず、図１８に示すリードフレーム準備工程として、図１９に示すようなリードフレーム３０を準備する。本工程で準備するリードフレーム３０は、外枠３０ｂの内側に複数の製品形成領域３０ａを備えている。図１９に示す例では、リードフレーム３０は、行方向に８個、列方向に４個の製品形成領域３０ａが、マトリクス状に配置され、合計３２個の製品形成領域３０ａを備えている。リードフレーム３０は、金属から成り、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）、または銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に例えばニッケル（Ｎｉ）からなる金属膜（図示は省略）が形成された積層金属膜から成る。
【００５１】
また、各製品形成領域３０ａの間には、各製品形成領域３０ａの周囲をそれぞれ囲む枠部（ダム部）３０ｃが配置されている。この枠部３０ｃは、後述するモールド工程（図１８参照）において、キャビティ内に圧入した封止用の樹脂を堰き止めるダム部としての機能を備えている。また、図２０に示すように枠部３０ｃは、複数のリード４の周囲を囲むように形成され、図１９に示す外枠３０ｂと一体に形成されている。
【００５２】
図２０に示すように、各製品形成領域３０ａの中央部には、平面視において四角形を成すダイパッド２が形成されている。ダイパッド２の４つの角部には、それぞれ複数の吊りリード１０が接続され、製品形成領域３０ａの角部に向かって延びるように配置されている。また、ダイパッド２の周囲には、複数の吊りリード１０の間に、それぞれ複数のリード４が形成されている。また、複数のリード４は、ダイパッド２に対して、複数のリード４よりも外側に配置される枠部（ダム部）３０ｃにそれぞれ接続されている。言い換えれば、リードフレーム３０は、枠部３０ｃ、平面視において枠部３０ｃの内側に配置されたダイパッド２、ダイパッド２と枠部３０ｃを連結する複数の吊りリード１０、およびダイパッド２と枠部３０ｃの間に配置され枠部３０ｃに接続される複数のリード４、を備えている。
【００５３】
また、図２１および図２２に示すように複数のリード４のそれぞれは、第１の厚さから成り、かつ枠部３０ｃと繋がる部分（厚板部）４ａ、および第１の厚さよりも薄い第２の厚さから成り、部分４ａとダイパッド２の間に配置され、部分４ａと一体に形成された部分４ｂを有する。詳しくは、複数のリード４には、図２１に示すように、部分４ａが枠部３０ｃに隣接するように配置されるリードＴ１と、図２２に示すように部分４ａと枠部３０ｃの間に第１の厚さよりも薄い第３の厚さから成る部分４ｅが配置され、部分４ｅが枠部３０ｃと部分４ａを連結するリードＴ２が含まれる。言い換えれば、言い換えれば、リードＴ２は、ダイパッド２と枠部３０ｃの間の列（内周列）に露出部（部分４ａ）が配置され、リードＴ１は、内周列よりも封止体６の枠部３０ｃ側の列（外周列）に露出部（部分４ａ）が配置される。そして図２０に示すように、リードＴ１とリードＴ２は、複数のリード４の配列方向に沿って交互に配置される。したがって、平面視において、複数のリードＴ１の部分４ａは、枠部３０ｃとダイパッド２の間の最外周の第１列目に配置され、複数のリードＴ２の部分４ａは、第１列目とダイパッド２の間の第２列目に配置される。言い換えれば、リード４の部分４ａは、平面視において千鳥配列で配置されている。このようにリード４の部分４ａを千鳥配列で配置することにより、半導体装置１（図１〜図１１参照）の実装面積の増大を抑制し、かつ、外部端子数を増加させることができることは前記した通りである。
【００５４】
また、リード４の部分４ｂ、４ｅにはリードフレームの下面側に窪みが形成され、窪みの分だけ部分４ａよりも厚さが小さく（薄く）なっている。言い換えれば、部分４ｂ、４ｅに窪みを形成することで、部分４ｂ、４ｅと部分４ａの境界に側面４ｃ、４ｄが形成される。なお、図２１に示す例では、リードＴ１と枠部３０ｃは隣接しているので、本工程の段階では、図９に示すリードＴ１の側面４ｄは形成されていない。リード４に窪みを形成する方法は、例えばエッチングマスクを介してエッチング材と金属板（リードフレーム）を接触させることにより、化学反応を発生させて金属板の一部を除去するエッチング方式を用いることができる。あるいは、金型を用いて金属板（リードフレーム）を塑性変形させて成形する、プレス加工方式を用いることができる。いずれの方式を適用した場合も、部分４ｂおよび部分４ｅを完全には除去せず、上面４ｔ側の一部を残して加工を終了する。このため、得られるリード４は、上面４ｔは部分４ａ、４ｂ、４ｅとも一様な高さで揃い、且つ、下面側に凹凸が形成された形状を成す。なお、エッチング方式により、板厚の中間付近まで金属板を除去して上記窪みを形成する方式は、特にハーフエッチング加工と呼ばれる。ただし、ハーフエッチング加工の終点は厳密に板厚の中間地点である必要はなく、加工後のリード４の部分４ｂ、４ｅの強度を維持できる範囲であれば、上面４ｔと下面の中間位置、あるいは中間位置よりも上面４ｔ側まで除去することが好ましい。これにより、側面４ｃ、４ｄの面積が増大するので、実装時の接合強度を向上させることができる。
【００５５】
２．ダイボンディング工程；
図２３は、図２０に示すダイパッド上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図、図２４は、図２３のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【００５６】
次に、図１８に示すダイボンディング工程として、図２３および図２４に示すように半導体チップ３を、ダイパッド２上にダイボンド材７を介して搭載する。本実施の形態では、図２４に示すように、半導体チップ３の裏面３ｂ（複数のパッドＰＤが形成された表面３ａの反対側の面）をダイパッド２の上面２ａと対向させた状態で搭載する、所謂フェイスアップ実装方式で搭載する。また、図２３に示すように、半導体チップ３はダイパッド２の中央部に、表面３ａの各辺が、ダイパッド２の各辺に沿って配置されるように搭載する。
【００５７】
本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂であるダイボンド材７を介して半導体チップ３を搭載するが、ダイボンド材７は、硬化（熱硬化）させる前には流動性を有するペースト材である。このようにペースト材をダイボンド材７として用いる場合には、まず、ダイパッド２上に、ダイボンド材７を塗布し、その後、半導体チップ３の裏面３ｂをダイパッド２の上面２ａに接着する。そして、接着後に、ダイボンド材７を硬化させる（例えば熱処理を施す）と、図２４に示すように、半導体チップ３はダイボンド材７を介してダイパッド２上に固定される。
【００５８】
なお、本実施の形態では、ダイボンド材７に、熱硬化性樹脂からなるペースト材を用いる実施態様について説明したが、種々の変形例を適用することができる。例えば、ペースト材ではなく、両面に接着層を備えるテープ材（フィルム材）である接着材を、予め半導体チップ３の裏面３ｂに貼り付けておき、テープ材を介して半導体チップ３をダイパッド２上に搭載しても良い。
【００５９】
３．ワイヤボンディング工程；
図２５は、図２３に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す平面図、図２６は、図２５のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【００６０】
次に、図１８に示すワイヤボンディング工程として、図２５および図２６に示すように、半導体チップ３の複数のパッドＰＤと複数のリード４とを、複数のワイヤ（導電性部材）５を介して、それぞれ電気的に接続する。
【００６１】
本工程では、例えば、ヒートステージ（図示は省略）を準備し、各製品形成領域３０ａのダイパッド２上に、半導体チップ３が搭載されたリードフレーム３０をヒートステージ上に配置する。そして、半導体チップ３のパッドＰＤとリード４とを、ワイヤ５を介して電気的に接続する。ここで、本実施の形態では、キャピラリ（図示は省略）を介してワイヤ５を供給し、超音波と熱圧着を併用してワイヤ５を接合する、所謂、ネイルヘッドボンディング方式によりワイヤ５を接続している。
【００６２】
リード４の一部（部分４ｂの先端に配置されたボンディング領域）には、例えば、銀（Ａｇ）、あるいは金（Ａｕ）から成るめっき膜が形成されており、ワイヤ５の一部は、このめっき膜を介してリード４と電気的に接続されている。また、ワイヤ５は金属からなり、本実施の形態では、例えば金（Ａｕ）からなる。そのため、上記したように、半導体チップ３のパッドＰＤの表面に金（Ａｕ）を形成しておくことで、ワイヤ５とパッドＰＤとの密着性を向上できる。
【００６３】
また、本実施の形態では、半導体チップ３のパッドＰＤにワイヤの一部を接続した後、ワイヤ５の他部をリード４におけるボンディング領域（リード４の上面において、めっき膜が形成された部分）に接続する、所謂、正ボンディング方式によりワイヤを接続している。
【００６４】
４．モールド工程；
図２７は、図２５に示すリードフレームの製品形成領域に、封止体を形成した状態を示す拡大平面図、図２８は図２７のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。また図２９は、図２５に示すリードフレームを成形金型内に配置してクランプした状態を示す拡大断面図である。また、図３０は図２９に示すモールド工程に対する変形例を示す拡大断面図である。また、図３１は図２９に示すモールド工程に対する他の変形例を示す拡大断面図である。
【００６５】
次に、図１８に示すモールド工程として、図２７および図２８に示すように、封止体（封止体）６を形成し、半導体チップ３（図２８参照）および複数のワイヤ５（図２８参照）を封止する。本工程では、本実施の形態ではダイパッド２の下面２ｂが封止体６から露出するように封止体６を形成する。ダイパッド２は上面２ａ、側面および周縁部のハーフエッチング加工領域（薄板領域）が封止体６により封止され、下面２ｂは、封止体６から露出させる。ただし、ダイパッド２の下面２ｂを露出させるか否かは、製品仕様に応じて決定することが可能であり、下面２ｂを封止することもできる。また、本実施の形態では、吊りリード１０の一部が露出するように封止体６を形成する。
【００６６】
また、本工程では、図２８に示すように、リード４の一部（部分４ｂの下面４ａｂ）が封止体６から露出するように、封止体６を形成する。詳しくは、リード４の部分４ａの下面４ａｂ、および部分４ｅのうち封止体６の側面６ｃよりも外側に突出した領域の上面４ｔを除き、封止体６により覆われる。言い換えれば、リードＴ２の部分４ａの下面４ａｂが露出し、かつ部分４ｂの下面４ｂｂが覆われるように、半導体チップ３およびワイヤ５を樹脂で封止する。また、リードＴ２の部分４ｅの下面４ｅｂが覆われるように、半導体チップ３およびワイヤ５を樹脂で封止する。また、図示は省略するが、リードＴ１の部分４ａの下面４ａｂが露出し、かつ部分４ｂの下面４ｂｂが覆われるように、半導体チップ３およびワイヤ５を樹脂で封止する。ここで、前記した図８に示すように半導体装置１が完成した段階では、リードＴ２の部分４ａの側面４ｃ、４ｄは封止体６から露出するが、図２８に示す例では、本工程の終了時点では側面４ｃ、４ｄは封止体６に覆われる。本実施の形態では、図１８に示すレーザ照射工程において溝Ｍ１を形成し、側面４ｃ、４ｄを露出させる。このため、モールド工程の段階では、特に側面４ｃ、４ｄを露出させなくても良い。
【００６７】
本工程では、例えば、図２９に示すように成形金型３５でリードフレーム３０を挟んだ状態で、成形金型３５内に軟化した樹脂を圧入した後、硬化させる、所謂トランスファモールド方式により図２８に示す封止体６を形成する。成形金型３５は、金型面（クランプ面）３６ａ、およびこの金型面３６ａに形成されたキャビティ（凹部）３６ｂを有する上型（金型）３６と、上型３６の金型面３６ａに対向する金型面（クランプ面）３７ａを有する下型（金型）３７とを有する。この上型３６と下型３７を組み合わせると、キャビティ３６ｂ内に中空空間が形成される。そして、金型面３６ａ、３７ａでリードフレーム３０をクランプすることでキャビティ３６ｂ内の中空空間の外側に封止用の樹脂（硬化前の樹脂）が漏れ出すことを抑制できる。このように成形金型３５を用いたトラスファモールド方式により封止体６を形成する場合、リードフレーム３０の封止体６（図２９に示すキャビティ３６ｂと重なる領域）と枠部３０ｃの間の領域に樹脂が充填され、図２７に示すようにダム内樹脂６ｚが形成される。このダム内樹脂６ｚは、封止体６（図２９に示すキャビティ３６ｂと重なる領域）と枠部３０ｃの間において、隣り合うリード４間、および吊りリード１０の露出部とリード４の間に形成される。
【００６８】
ところで、中空空間内の気密性を向上させる技術として、図３０に変形例として示すように、下型３７の金型面３７ａとリードフレームの下面（ダイパッド２の下面２ｂやリード４の下面４ａｂ）の間に、樹脂フィルムなどのシート（弾性シート、弾性フィルム、樹脂フィルム）３８を配置し、シート３８を介してリードフレーム３０をクランプする方法がある（以下シートモールド方式と記載する）。シートモールド方式の場合、ダイパッド２の下面２ｂやリード４の部分４ａの下面４ａｂがシート３８に食い込んだ状態で保持されるため、下面２ｂや下面４ａｂに樹脂が廻り込んで形成されるバリ（樹脂バリ）の発生を抑制することができる。このシートモールド方式を適用した場合、シート３８がリード４の部分４ａの下面４ａｂに食い込んだ状態で封止用の樹脂を供給するので、部分４ａの側面４ｃ、４ｄの一部（下面４ａｂに連なる部分）が封止体６（図２８参照）から露出する場合がある。
【００６９】
そこで、本願発明者は、このシートモールド方式により、側面４ｃ、４ｄを確実に露出させて実装強度を向上させることが可能かどうか検討した。検討の結果、単に平坦なシート３８をリードフレーム３０と下型３７の間に配置するのみでは、実装強度を向上させることが困難であることが判った。シートモールド方式により側面４ｃ、４ｄを露出させる場合、部分４ａの下面４ａｂを確実にシート３８に食い込ませる必要があるため、クランプ圧力の平面分布を制御することが重要になる。しかし、図２７に示すように複数の製品形成領域３０ａに一括して封止体６を形成する場合、クランプ圧力の平面分布がばらつき易くなるため、側面４ｃ、４ｄを確実に露出させることが難しい。また、側面４ｄ、４ｃを露出させる程度を制御すること、言い換えれば、図８に示す溝Ｍ１の深さを制御することが、上記の理由により難しい。このため、部分４ｂの下面４ｂｂ（図８参照）や部分４ｅの下面４ｅｂを露出させることは極めて困難である。
【００７０】
図３１に示すシート３９のように、リード４の部分４ａに隣接するように突起部３９ａを設けたシート３９を用いれば、突起部３９ａが封止用樹脂の侵入を阻害するマスクとして機能するので、図８にしめすような溝Ｍ１を形成することができる。また、この場合、図１４および図１５を用いて説明した溝Ｍ２の深さ制御を行うこともできる。ただし、突起部３９ａを封止用樹脂の侵入阻害用のマスクとして機能させるためには、露出させたい側面４ｃ、４ｄと密着させる必要がある。したがって、本工程において、シート３９とリードフレーム３０の位置合わせを高精度で行う必要があり、作業が煩雑になる。したがって、容易、かつ、確実に図８に示す溝Ｍ１を形成する観点からは、本実施の形態の後で、封止体６を除去することにより、溝Ｍ１を形成することが好ましい。
【００７１】
５．レーザ照射工程；
図３２は、図２７に示すリードフレームにレーザを照射して封止体の一部を取り除いた後の下面側を示す拡大平面図である。また、図３３は図３２のＤ部の拡大平面図、図３４は図３３のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。また、図３５は図３３に対する変形例を示す拡大平面図、図３６は、図３３に対する他の変形例を示す拡大平面図である。また、図３７は図３４に対する変形例を示す拡大断面図である。また、図３８は図３３のＢ−Ｂ線に沿った拡大平面図であって、ダム内樹脂を取り除く様子を模式的に示している。
【００７２】
次に、図１８に示すレーザ照射工程として、リードフレームにレーザを照射して封止体６の一部を取り除く。本工程では、封止体６の下面側からレーザを照射することで、溝Ｍ１を形成し、部分４ａの側面４ｃ、４ｄおよび部分４ｂ、４ｅの下面４ｂｂ、４ｅｂの一部を露出させる（溝形成工程）。また、本工程では隣り合うリード４の間にレーザを照射して、リード４と枠部（ダム部）３０ｃで囲まれた領域に充填されたダム内樹脂６ｚ（図２７参照）を取り除く（ダム内樹脂除去工程）。この溝形成工程と、ダム内樹脂除去工程は、それぞれ独立した別工程として行うことができる。しかし、本実施の形態のように溝形成工程とダム内樹脂除去工程を一括して行うことで、製造効率を向上させることができる。ただし、以下の説明では、判り易さのため、溝形成工程とダム内樹脂除去工程を区別して順に説明する。
【００７３】
溝形成工程としてのレーザ照射工程では、図３４に示すように、リードＴ２の部分４ｂ、４ｅの下面４ｂｂ、４ｅｂと重なる位置に封止体６の下面６ｂからレーザＬＺ１を照射し、リードＴ２の部分４ａの側面４ｃ、４ｄを露出させる。言い換えれば、溝形成工程としてのレーザ照射工程では、封止体６の下面６ｂからレーザＬＺ１を照射し、封止体６の一部を取り除くことで、部分４ａの側面４ｃ、４ｄに隣接し、かつ、部分４ｂ、４ｅの下面４ｂｂ、４ｅｂに到達する溝Ｍ１を形成する。本実施の形態では、部分４ａの側面４ｃを露出させる溝Ｍ１と、側面４ｄを露出させる溝Ｍ１をそれぞれ形成する実施態様について説明するが、いずれか一方の溝Ｍ１を形成すれば、接合強度を向上させられる点は、既に説明した通りである。
【００７４】
溝Ｍ１の形成方法として、レーザＬＺ１を照射して、封止体６の一部をする方法を適用した場合、レーザＬＺ１が照射された領域を選択的に除去できるので、レーザＬＺ１の照射位置精度により溝Ｍ１の加工精度が規定される。したがって、前記モールド工程において変形例として説明したように、図３１に示す突起部３９ａを有するシート３９を用いて溝Ｍ１を形成する方法と比較して、確実に側面４ｃ、４ｄを露出させることができる。本工程で側面４ｃ、４ｄを確実に露出させることで、図１０を用いて説明したように、半導体装置１を実装する際の接合材である半田材２２を側面４ｃ、４ｄに確実に接合させることができる。このため半導体装置１の接合強度を向上させることができる。
【００７５】
また、リードフレーム３０を構成する金属部材（例えば銅）は、封止体６を構成する樹脂（シリカなどのフィラ材を含有する場合も含む）と比較して、レーザＬＺ１が照射された時に除去され難い。レーザＬＺ１の照射時間やエネルギー密度によっては金属部材であっても除去される場合がある。しかし、レーザ照射により除去される割合は、樹脂材料の方が金属材料よりも選択比が高い（除去され易い）。したがって、溝Ｍ１を形成する際にレーザＬＺ１がリードＴ２の部分４ａに照射された場合でも、短時間の照射に留まるため、リードＴ２の損傷を抑制できる。
【００７６】
また、リードフレーム３０を構成する金属部材は、封止体６を構成する樹脂材料よりも除去され難いという特徴を利用して、リードＴ２の一部を溝Ｍ１の溝深さを制御するストッパとして活用することができる。レーザＬＺ１を照射して溝Ｍ１を形成する場合、非常に短い時間で溝Ｍ１が形成されるため、レーザＬＺ１の照射時間で溝Ｍ１の深さを制御することは困難である。レーザＬＺ１のレーザ出力を低くし、照射時間を延長することで制御し易くする方法も考えられるが、この場合、溝Ｍ１を形成するための作業時間が長くなるため製造効率が低下する。そこで、本実施の形態では、図３４に示すように、リードＴ２の部分４ｂ、４ｅの下面４ｂｂ、４ｅｂと重なる位置に封止体６の下面６ｂからレーザＬＺ１を照射する。言い換えれば、リードＴ２の部分４ｂ、４ｅの下面４ｂｂ、４ｅｂに向かってレーザＬＺ１を照射する。この場合、溝Ｍ１の端部（底面）が部分４ｂ、４ｅの下面４ｂｂ、４ｅｂに到達するまでの時間は非常に短いが、部分４ａに連なる部分４ｂ（または部分４ｅ）が溝Ｍ１の深さを規定するストッパとして機能する。このため溝Ｍ１は部分４ｂ、４ｅよりもさらに上方（上面側）には進展せず、溝Ｍ１の深さを容易に制御することができる。つまり、図１０を用いて説明したように、半導体装置１を実装する際の接合材である半田材２２との接合面積を規定する、側面４ｃ（または側面４ｄ）の露出面積を容易に制御することができる。また、部分４ａに連なる部分４ｂ（または部分４ｅ）の下面４ｂｂ（または下面４ｅｂ）を露出させることで、半田材２２（図１０参照）との接合面積をさらに大きくし、接合強度を向上させることができる。ただし、前記したように、レーザＬＺ１の照射時間やエネルギー密度によっては金属部材であっても除去される場合がある。したがって、レーザＬＺ１を照射することで、リードＴ２が破断してしまうことを抑制する観点からは、リードＴ２の部分４ｂ、４ｅの厚さ（下面４ｂｂ、４ｅｂから上面４ｔまでの距離）は、ワイヤ５（図２６参照）の線径よりも大きくすることが好ましい。
【００７７】
また、図３３に矢印ＬＳ１を付して示すように、平面視においてレーザ光を側面４ｃ（または側面４ｄ）に沿って走査させることで、側面４ｃ（または側面４ｄ）に隣接する溝Ｍ１を形成することができる。また、平面視におけるレーザＬＺ１の照射範囲は、矢印ＬＳ１を付して示すように部分４ｂ（または部分４ｅ）と重なる範囲内に収めることが好ましい。部分４ｂ（または部分４ｅ）と（厚さ方向に）重なる範囲内でレーザＬＺ１（図３４参照）を照射することで、溝Ｍ１の深さを一定にすることができる。ただし、図１０に示す半田材２２との接合面積を広くする観点からは、側面４ｃ、４ｄの露出面積を出来る限り大きくすることが好ましい。したがって、この観点からは、側面４ｃ、４ｄの幅方向の端部（部分４ａの長手方向の側面４ｆ、４ｇと交差する部分）が露出するようにレーザＬＺ１（図３４参照）を照射することが好ましい。側面４ｃ、４ｄの幅方向の端部を露出させるようにレーザＬＺ１を照射する場合、溝Ｍ１の深さが端部周辺で深くなる場合がある。しかし、溝Ｍ１が深くなる領域と（厚さ方向に）重なる位置に封止体以外の部材（例えばワイヤなど）が配置されていなければ、部分４ｂ（または部分４ｅ）と重なる範囲を超えてレーザＬＺ１を照射しても溝Ｍ１が局所的に深くなることによる不具合（例えば電気的特性不良）の発生を抑制できる。
【００７８】
また、溝Ｍ１が深くなる領域と（厚さ方向に）重なる位置に封止体以外の部材（例えばワイヤなど）が配置されていない場合には、図３５に矢印ＬＳ２を付して示すように、部分４ａの側面のうち、側面４ｃ、４ｄと交差する側面４ｆ、４ｇに沿ってレーザ光を照射することができる。図３５に示す例では、溝Ｍ２の深さによっては、部分４ａの側面４ｆ、４ｇ全体が露出する場合もあるが、レーザ照射領域に封止体６以外の部材が配置されていなければ、溝Ｍ２が深くなることによる不具合（例えば電気的特性不良）の発生を抑制できる。ただし、レーザ光が封止体６を貫通した場合、外観上好ましくない場合がある。そこで、図３６に更なる変形例として示すように、部分４ａの側面４ｆ、４ｇに沿って、部分４ａよりも薄い（厚さが小さい）部分４ｈ、４ｉを設け、部分４ｈ、４ｉをストッパ（レーザストッパ）として機能させることが好ましい。これにより、レーザ照射領域と重なる領域に封止体６以外の部材（例えばワイヤ）が配置される場合であっても、溝Ｍ２を形成することができる。また、溝Ｍ２の底面において部分４ｈ、４ｉの下面４ｈｂ、４ｉｂを露出させることで、図１０に示す半田材２２との接合面積をさらに増大させることができる。
【００７９】
また、図３４に示す例では、リードＴ２の部分４ｂの下面４ｂｂのうち、側面４ｃに連なる一部は露出させるが、他部は封止体６に覆われている。言い換えれば、リードＴ２の部分４ｂの下面４ｂｂの一部は封止体６に封止されている。このように部分４ｂの一部を封止することで、リードＴ２が封止体６から脱落することを抑制できる。しかし、図３４に示すように部分４ｂの延在方向の長さ（封止体６の側面６ｃ側からダイパッドに向かう距離）が長い場合には、リードＴ２の部分４ｂの下面４ｂｂの一部を露出させ、他部を封止するように構成できるが、レイアウトによっては、図３７に変形例として示すようにワイヤ５を接合するボンディング領域と部分４ａの距離が近く、部分４ｂの延在方向の長さが短くなる場合がある。図１０に示す半田材２２とリードＴ２の接合強度を向上させる観点からは、リードＴ２の部分４ｂの下面４ｂｂ全体を露出させた方が、接合面積が大きくなる。したがって、半田材２２とリードＴ２の接合強度向上の観点からは、部分４ｂの下面４ｂｂ全体が露出した実施態様を排除するものではない。ただし、リードＴ２の先端部にはワイヤ５をボンディングするボンディング領域が配置されるため、レーザ照射により部分４ｂの下面４ｂｂ全体を露出させる場合に、照射位置がずれると、リードＴ２の先端面４ｓよりもさらに内側の封止体６が除去され、ワイヤ５の一部が露出する懸念が生じる。また、ワイヤ５の線径はリードＴ２の部分４ｂの厚さよりも小さいので、照射されるレーザＬＺ１のエネルギー値によっては、ワイヤ５がレーザにより分断される懸念が生じる。したがって、図３７に示すように部分４ｂの距離が短い場合であっても、先端面４ｓに連なる下面４ｂｂの一部を残すようにレーザＬＺ１を照射することが好ましい。言い換えれば、先端面４ｓに連なる下面４ｂｂの一部にはレーザＬＺ１は照射しないことが好ましい。下面４ｂｂのうち、封止体６により封止される領域が小さい場合、封止体６からの脱落を抑制する効果は小さくなるが、これによりワイヤ５の露出、あるいはワイヤ５の分断による不具合を防止できる。
【００８０】
一方、リードＴ２の部分４ｅの下面４ｅｂは、図３３に示すように一部を封止することにより、隣に配置されるリードＴ１と短絡することを抑制する効果が得られる。したがって、隣り合うリード４同士の短絡不良を抑制する観点からリードＴ２の部分４ｅの下面４ｅｂの少なくとも一部は封止体６により覆われていることが好ましい。言い換えれば、本工程では、リードＴ２の部分４ｅの下面４ｂｂのうち、側面４ｄに連なる一部は露出し、他部は封止体６に覆わるようにレーザＬＺ１を照射することが好ましい。
【００８１】
また、図１２および図１３を用いて説明した変形例のように、リードＴ１に溝Ｍ１を形成する場合には、部分４ｂの下面４ｂｂ全体を露出させるとリードＴ１が封止体６から脱落する懸念が生じる。したがって、リードＴ１に溝Ｍ１を形成する場合には、リードＴ１の脱落を抑制する観点から、リードＴ１の部分４ｂの下面４ｂｂのうち、側面４ｃに連なる一部は露出さ、他部は封止体６に覆わるようにレーザＬＺ１を照射することが好ましい。
【００８２】
次に、ダム内樹脂除去工程としてのレーザ照射工程では、図３８に示すように、隣り合うリード４の間にレーザＬＺ２を照射することでリード４間に充填されたダム内樹脂６ｚを取り除く。言い換えれば、ダム内樹脂除去工程では、リードＴ１の部分４ａの側面のうち、リードＴ１の延在方向に沿って配置される側面４ｆ、４ｇを露出させるように、レーザＬＺ２を照射する。これにより、リードＴ１の側面４ｆ、４ｇを露出させることができるので、図９に示す半田材２２とリードＴ１の接合面積を増大させることができる。本工程では、ダム内樹脂６ｚを除去することができれば、除去方法はレーザ照射には限定されないが、リードＴ１の側面４ｆ、４ｇを確実に露出させる観点からは、図３８に示すようにレーザＬＺ２を照射する方法が好ましい。また、レーザＬＺ２を照射する方法にすれば、レーザＬＺ１を照射する装置と同じ装置を用いて連続的に処理することができるので、製造効率向上の観点からレーザＬＺ２を照射する方法が好ましい。
【００８３】
また、ダム内樹脂除去工程としてのレーザ照射工程では、ダム内樹脂６ｚの一部を残す必要はないので、レーザＬＺ２の照射方向は特に限定されない。ただし、前記した溝形成工程としてのレーザ照射工程と一括して処理を行う観点からは、レーザＬＺ２の照射方向をレーザＬＺ１の照射方向と揃えることが好ましい。すなわち、レーザＬＺ２を封止体６（図３３参照）の下面６ｂ側から照射することが好ましい。これにより、レーザ照射方向を変更するためにリードフレーム３０を反転させる工程を省略できるので、製造効率を向上させることができる。
【００８４】
また、本工程では図３２に示すように、吊りリード１０の周囲のダム内樹脂６ｚ（図２７参照）も例えばレーザ照射により取り除き、吊りリード１０の露出部の側面を露出させる。これにより、吊りリード１０の接合強度を向上させることができるので、半導体装置１の実装強度を向上させることができる。
【００８５】
図１８では図示を省略したが、レーザ照射工程の後、クリーニング工程を行う。クリーニング工程では、モールド工程やレーザ照射工程で発生した加工屑を除去する。クリーニング方法は特に限定されないが、例えば、加圧水をリードフレーム３０に吹き付けることで加工屑を除去することができる。
【００８６】
６．めっき工程
図３９は、図３４に示す封止体から露出する複数のリードの露出面に外装めっき膜（半田膜）を形成した状態を示す拡大断面図、図４０は図３５に示す複数のリードの露出面に外装めっき膜（半田膜）を形成した状態を示す拡大断面図である。
【００８７】
次に、図１８に示すめっき工程として、図３９および図４０に示すように封止体６から露出する複数のリード４の露出面に金属膜（外装めっき膜、半田膜）ＳＤを形成する。本実施の形態の金属膜ＳＤは、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなり、例えば錫（Ｓｎ）のみ、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）、または錫−銅−銀（Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ）などである。ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨｓ（Restriction of Hazardous Substances）指令の基準として定められている。以下、本実施の形態において、半田、あるいは半田ボールについて説明する場合には、特にそうでない旨明示した場合を除き、鉛フリー半田を指す。
【００８８】
本工程では、被めっき加工物であるリードフレーム３０を、めっき液（図示は省略）が入っためっき槽（図示は省略）内に配置して、例えば、電解めっき法により金属膜ＳＤを形成する。この電解めっき法によれば、封止体６から露出しているリードフレーム３０の各領域に一括して外装めっき膜を形成することができる。したがって、図３９に示すように、部分４ａの下面４ａｂに加え、溝Ｍ１を形成することにより露出した側面４ｃ、４ｄおよび下面４ｂｂ、４ｅｂを覆うように金属膜ＳＤが形成される。また、枠部３０ｃにも金属膜ＳＤが形成される。これにより、図１０に示す半田材２２の濡れ性を向上させることができる。また、図４０に示すようにリードＴ１の部分４ａの下面４ａｂ、側面４ｆ、４ｇを覆うように金属膜ＳＤが形成される。これにより、図９に示す半田材２２の濡れ性を向上させることができる。また図示は省略するが、封止体６（図３２参照）から露出するダイパッド２（図３２参照）の下面２ｂ（図３２参照）および吊りリード１０（図３２参照）の露出面を覆うように金属膜ＳＤが形成される。
【００８９】
７．マーク工程
次に、図１８に示すマーク工程として、半導体装置を識別する識別記号などをマーキングする。本実施の形態では、例えば、図２７に示す封止体６の上面６ａにレーザを照射することにより、識別記号をマーキングする。
【００９０】
８．個片化工程
図４１は、図２７に示すリードフレームに金属膜を形成した後、リードおよび吊りリードを枠部（ダム部）から切り離した状態を示す拡大平面図である。
【００９１】
次に、図１８に示す個片化工程として、図３８に示すように、枠部３０ｃ（図３４参照）に連結されている複数のリード４および複数の吊りリード１０を切断し、製品形成領域３０ａ毎に個片化して複数の半導体装置１（図１参照）を取得する。個片化方法は特に限定されないが、図示しない切断金型を用いてプレス加工により切断する方法を適用することができる。この時、リードＴ１は、封止体６の側面６ｃから突出する突出部を残すように切断することで、リードＴ１の実装強度を向上させることができる。一方リードＴ２は、リードＴ１の突出部の間に挟まれた部分を図示しない切断金型で取り除くことにより、隣り合うリード４同士の短絡不良を抑制できる。その後、外観検査、電気的試験など、必要な検査、試験を行い、合格したものが、図１〜図１１に示す完成品の半導体装置１となる。そして、半導体装置１は出荷され、あるいは図９や図１０に示す実装基板２０に実装される。
【００９２】
以上、本願発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００９３】
例えば、前記実施の形態では、リード４の露出部（部分４ａ）が封止体６の各辺に沿って複数列で配置される実施態様について説明した。しかし、図４２に示す半導体装置２８のように、封止体６の下面６ｂの周縁部に一列でリード４の露出部（部分４ａ）が配置される実施態様に適用することができる。図４２は、図２に対する変形例を示す平面図である。図４２に示す半導体装置２８は、封止体６の下面６ｂの周縁部に配置される側面（辺）６ｃのそれぞれに沿って複数のリード４が配置され、リード４が封止体６から露出する露出部（部分４ａ）に隣接して溝Ｍ１が形成されている。言い換えれば、部分４ａのダイパッド側の側面４ｃを露出させている。したがって、側面４ｃが封止体６に覆われている場合と比較して半導体装置２８を実装基板に実装した時の実装強度を向上させることができる。
【００９４】
また、例えば、前記実施の形態では、封止体６の周縁部に配置されるリード４が封止体６の側面６ｃよりも外側に向かって突出した突出部を備えた構造のＱＦＮ型半導体装置に適用した実施態様について説明した。しかし、図４３に示す半導体装置２９のようにリード４が封止体６の側面６ｃから外側に向かって突出しない構造の半導体装置に適用することができる。また半導体装置２９は、吊りリードが封止体６の下面において露出していない点でも前記実施の形態で説明した半導体装置１と相違する。図４３は図２に対する他の変形例を示す平面図である。半導体装置２９のようにリード４が封止体６の側面６ｃよりも外側に向かって突出せず、側面６ｃと同じ位置で切断されている場合、前記実施の形態で説明した半導体装置１と比較して実装面積を低減することができるが、実装強度は低下する。そこで、図４３に示すように、溝Ｍ１を形成し、側面４ｃを露出させることで、実装面積を低減しつつ、かつ、実装強度の低下を抑制することができる。
【００９５】
また、前記実施の形態では、四辺形を成す封止体６の各辺に沿って、それぞれ複数のリード４が配置される、所謂ＱＦＮ型の半導体装置について適用した。しかし、適用可能なパッケージ形態はＱＦＮには限定されず、例えば平面視において長方形を成す封止体の互いに対向する長辺に沿って、複数のリード４が配置される、所謂ＳＯＮ（Small Outline Nonleaded package）に適用することができる。
【００９６】
また例えば、前記実施の形態のレーザ照射工程では説明を省略したが、リードＴ２の部分４ａの側面４ｃ、４ｄに加えて、リードＴ１の部分４ａの側面４ｃをレーザ照射により露出させることができる。これにより、図１２を用いて説明した半導体装置２５が得られる。
【００９７】
また、例えば、上記した各種変形例同士をそれぞれ組み合わせて適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
半導体チップを封止する封止体の実装面側において、複数の端子を露出させる半導体装置に利用可能である。
【符号の説明】
【００９９】
１、２５、２６、２７、２８、２９、Ｃ１  半導体装置
２    ダイパッド（チップ搭載部、タブ）
２ａ  上面
２ｂ  下面
３  半導体チップ
３ａ  表面
３ｂ  裏面
４  リード（端子）
４ａ、４ｂ、４ｅ、４ｈ、４ｉ  部分
４ａｂ、４ｂｂ、４ｅｂ、４ｈｂ、４ｉｂ  下面
４ｃ、４ｄ、３ｆ、４ｇ  側面
４ｓ  先端面
４ｔ  上面
５  ワイヤ（導電性部材）
６  封止体（樹脂体）
６ａ  上面
６ｂ  下面
６ｃ  側面
６ｄ  角部
６ｚ  ダム内樹脂
７  ダイボンド材
１０  吊りリード
２０  実装基板
２１  ランド（端子）
２２  半田材
３０  リードフレーム
３０ａ  製品形成領域
３０ｂ  外枠
３０ｃ  枠部（ダム部）
３５  成形金型
３６  上型
３６ａ  金型面
３６ｂ  キャビティ
３７  下型
３７ａ  金型面
３８、３９  シート
３９ａ  突起部
ＬＳ１、ＬＳ２  矢印
ＬＺ、ＬＺ１、ＬＺ２  レーザ
Ｍ１、Ｍ２  溝
ＰＤ  パッド（ボンディングパッド、電極）
ＳＤ  金属膜（外装めっき膜、半田膜）
Ｔ１、Ｔ２  リード（端子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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