(57)【要約】【課題】高い信頼性を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、リフトオフ法により下地層２８ａを形成する工程と、下地層２８ａを含む全面に金属層２９を設ける工程と、下地層２８ａを覆うパターンを備えたマスク３６を金属層２９上に形成し、金属層２９にエッチングを実施することによりＡｕ層２８ｂを形成する工程と、Ａｕ層２８ｂ上に、Ａｕ層２８ｂにより形成される段差２８ｄを反映した段差２２ａを有する絶縁膜２２を設ける工程と、絶縁膜２２の段差２２ａを覆う位置に金属層３０を設ける工程と、を有する半導体装置の製造方法である。【選択図】図２
2013211484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リフトオフ法により第１ゲート電極層を形成する工程と、
前記第１ゲート電極層を含む全面に第１金属層を設ける工程と、
前記第１ゲート電極層を覆うパターンを備えたマスクを前記第１金属層上に形成し、前記第１金属層にエッチングを実施することにより第２ゲート電極層を形成する工程と、
前記第２ゲート電極層上に、前記第２ゲート電極層により形成される段差を反映した段差を有する絶縁膜を設ける工程と、
前記絶縁膜の段差を覆う位置に第２金属層を設ける工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２ゲート電極層の表面にウェットエッチングを行う工程を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２ゲート電極層を形成するためのエッチングは、ウェットエッチング又はイオンミリングの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２ゲート電極層を形成した後、前記マスクに覆われていない前記第１ゲート電極層の側面及び前記第２ゲート電極層の側面に、第３金属層を設ける工程を有することを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２金属層は、ソースウォール又はフィールドプレートの少なくとも一方として機能することを特徴とする請求項１から４いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＥＴ（Field Effect Transistor：電界効果トランジスタ）において、耐湿性及び耐圧を高めるため、半導体層の上に絶縁膜を設けることがある。特許文献１には、半導体層上に窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜を設ける発明が記載されている。またゲート電極とドレイン電極との間の絶縁膜上に金属層を設けることがある。金属層がソースウォール及びフィールドプレートとして機能することにより、ゲート電極とドレイン電極との間の容量（ゲート・ドレイン間容量）を抑制し、さらに電流コラプスを抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２６１２５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ゲート電極の形状が、半導体層から上に向けて垂直に立ち上がる形状、又は側面の傾きが急峻なテーパー形状である場合、絶縁膜の緻密性が低下し、かつ絶縁膜が薄くなることがある。この場合、半導体装置の信頼性が低下する。本願発明は、上記課題に鑑み、高い信頼性を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、リフトオフ法により第１ゲート電極層を形成する工程と、前記第１ゲート電極層を含む全面に第１金属層を設ける工程と、前記第１ゲート電極層を覆うパターンを備えたマスクを前記第１金属層上に形成し、前記第１金属層にエッチングを実施することにより第２ゲート電極層を形成する工程と、前記第２ゲート電極層上に、前記第２ゲート電極層により形成される段差を反映した段差を有する絶縁膜を設ける工程と、前記絶縁膜の段差を覆う位置に第２金属層を設ける工程と、を有する半導体装置の製造方法である。
【０００６】
上記構成において、前記第２ゲート電極層の表面にウェットエッチングを行う工程を有する構成とすることができる。
【０００７】
上記構成において、前記第２ゲート電極層を形成するためのエッチングは、ウェットエッチング又はイオンミリングの少なくとも一方を含む構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第２ゲート電極層を形成した後、前記マスクに覆われていない前記第１ゲート電極層の側面及び前記第２ゲート電極層の側面に、第３金属層を設ける工程を有する構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第２金属層は、ソースウォール又はフィールドプレートの少なくとも一方として機能する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高い信頼性を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）は比較例に係る半導体装置を例示する断面図である。図１（ｂ）はソース電極及びゲート電極付近を拡大した断面図である。
【図２】図２（ａ）は実施例１に係る半導体装置を例示する断面図である。図２（ｂ）はソース電極及びゲート電極付近を拡大した断面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｃ）は半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｃ）は実施例２に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図８】図８（ａ）は実施例３に係る半導体装置を例示する断面図である。図８（ｂ）はソース電極及びゲート電極付近を拡大した断面図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図１０】図１０は金属層がフィールドプレートとして機能する半導体装置を例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
まず比較例について説明する。図１（ａ）は比較例に係る半導体装置１００Ｒを例示する断面図である。図１（ｂ）はソース電極２４及びゲート電極２８付近を拡大した断面図である。図１（ｂ）において、絶縁膜２２のハッチングの一部を省略している。
【００１３】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、半導体装置１００Ｒにおいては、下から順に、基板１０、バリア層１２、チャネル層１４、電子供給層１６、及びキャップ層１８が積層されている。キャップ層１８上には絶縁膜２０が設けられている。絶縁膜２０には複数の開口部が形成されている。開口部には、キャップ層１８の上面から絶縁膜２０の上面にわたって、ソース電極２４、ドレイン電極２６及びゲート電極２８が設けられている。絶縁膜２０上に絶縁膜２２が設けられている。絶縁膜２２の開口部において、ソース電極２４は金属層３０と接触し、かつ電気的に接続している。ドレイン電極２６は配線層３２と接触し、かつ電気的に接続している。金属層３０は、絶縁膜２２のゲート電極２８と重なる位置に設けられている。図１（ａ）においては絶縁膜２２がゲート電極２８を覆っているが、不図示の領域ではゲート電極２８は配線層（不図示）と接触している。絶縁膜２２、金属層３０及び配線層３２を覆うように、絶縁膜３４が設けられている。
【００１４】
基板１０は例えば炭化シリコン（ＳｉＣ）、Ｓｉ（シリコン）又はサファイア等を含む。バリア層１２は、例えば厚さ３００ｎｍの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）により形成されている。チャネル層１４は、例えば厚さ１０００ｎｍの窒化ガリウム（ｉ−ＧａＮ）により形成されている。電子供給層１６は、例えば厚さ２０ｎｍの窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）により形成されている。キャップ層１８は、例えば厚さ５ｎｍのｎ−ＧａＮにより形成されている。このように、半導体装置１００Ｒは、窒化物半導体を含むＦＥＴである。絶縁膜２０、２２及び３４は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）等の絶縁体により形成されている。絶縁膜２０の厚さは例えば１００ｎｍである。絶縁膜２２の厚さは例えば４００ｎｍである。絶縁膜３４の厚さは例えば６００ｎｍである。
【００１５】
ソース電極２４及びドレイン電極２６は、例えば下から順にチタン／アルミニウム（Ｔｉ／Ａｌ）、又はタンタル／アルミニウム（Ｔａ／Ａｌ）等の金属を積層して形成されたオーミック電極である。金属層３０及び配線層３２は例えば金（Ａｕ）等の金属を含む。金属層３０の厚さは例えば１０００ｎｍである。配線層３２の厚さは例えば１０００ｎｍである。金属層３０は、ソース電極２４に接続された配線層、ソースウォール及びフィールドプレートとして機能する。ゲート電極２８は、例えばニッケル（Ｎｉ）等の金属により形成された下地層２８ａ、及びＡｕ層２８ｂを含む。下地層２８ａは、絶縁膜２０に形成された複数の開口部のうちの開口部２０ａに設けられ、キャップ層１８の上面及び絶縁膜２０の上面に接触している。Ａｕ層２８ｂは下地層２８ａの上面及び絶縁膜２０の上面に接触している。下地層２８ａの厚さは例えば１００ｎｍである、Ａｕ層２８ｂの厚さは例えば３００〜４００ｎｍである。
【００１６】
ゲート電極２８は、例えばマスクを用いた蒸着・リフトオフ法により形成される。ゲート電極２８は、側面の傾きが急峻なテーパー形状、又は側面が垂直に立ち上がった形状を有する。つまり絶縁膜２０とＡｕ層２８ｂとの境界に急峻な段差２８ｄが形成される。絶縁膜２２の下面はゲート電極２８の表面に接触し、絶縁膜２２の上面はゲート電極２８の上面の形状を反映した形状を有する。従って絶縁膜２２には、段差２８ｄを反映した段差２２ａが形成される。このため、ゲート電極２８の側面を覆う領域の厚さが小さくなり、かつ緻密性も低下する。このため、ゲート電極２８と金属層３０とが短絡する。また半導体装置１００Ｒの耐圧が低下する。さらに、ゲート電極２８は、絶縁膜２０の開口部２０ａに跨って形成されている。絶縁膜２０とキャップ層１８との間の段差に起因して、Ａｕ層２８ｂの上面にエッジ２８ｃが形成される。例えば半導体装置１００Ｒの動作時の電圧を印加した場合、エッジ２８ｃにおいて絶縁膜２２への電界集中が生じ、絶縁膜２２の耐圧破壊が発生する。絶縁膜２２を厚くすることで、耐圧を高めることができる。しかし、絶縁膜２２が厚くなることで、ゲート電極２８とドレイン電極２６との間における金属層３０のシールド効果が低減する。この結果、ゲート・ドレイン間容量が増大する。ゲート電極２８よりドレイン電極２６側において半導体層と金属層３０との距離が大きくなることで、電流コラプスの抑制が不十分となる。
【００１７】
絶縁膜２２が薄くなり、また緻密性が低下することで、半導体装置１００Ｒの耐湿性が低下する。絶縁膜２２から、ゲート電極２８側に水分が浸入しやすくなる。図１（ｂ）中に楕円で示した、絶縁膜２２の上面と側面との間の領域２２ｂ、及び側面と底面との間の領域２２ｃにおいて、絶縁膜２０の緻密性が大きく低下するため、水分が浸入しやすい。水分により下地層２８ａのＮｉが溶け出す。これにより下地層２８ａに欠損が生じ、ゲート電極２８のショットキー接合が不良となる。溶出したＮｉが例えばソース電極２４まで移動することにより、ソース電極２４とゲート電極２８とが短絡する。さらに、絶縁膜２２のゲート電極２８を覆う面の傾きが急峻になるため、金属層３０のゲート電極２８を覆う領域が薄くなる。このため、金属層３０に断線が発生しやすくなる。また絶縁膜３４も薄くなり、かつ絶縁膜３４の緻密性が低下する。このため半導体装置１００Ｒの耐湿性がさらに低下する。金属層３０を厚くすることで、断線を抑制することができる。しかし、金属層３０の段差が大きくなることで、絶縁膜３４の被覆性が悪化する。これにより、耐湿性がさらに低下してしまう。次に実施例１について説明する。
【実施例１】
【００１８】
実施例１はゲート電極２８をウェットエッチングにより形成する例である。一般的に、ゲート電極２８は、前述のように半導体層上に開口部を有するマスクを形成し、マスクを用いて金属を蒸着し、リフトオフすることで形成される。図２（ａ）は実施例１に係る半導体装置１００を例示する断面図である。図２（ｂ）はソース電極２４及びゲート電極２８付近を拡大した断面図である。
【００１９】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、ゲート電極２８の形状は、例えば逆Ｕ字状のような曲線状であり、下から上に向けて幅が小さくなるテーパー形状である。ゲート電極２８の側面の傾斜は、比較例に比べ緩やかである。Ａｕ層２８ｂにはエッジ２８ｃが形成されておらず、表面は滑らかである。絶縁膜２２及び３４、並びに金属層３０のうちゲート電極２８と重なる領域は、曲線状となる。
【００２０】
半導体装置１００の製造方法について説明する。図３（ａ）から図６（ｃ）は半導体装置１００の製造方法を例示する断面図である。
【００２１】
図３（ａ）に示すように、例えばＭＯＣＶＤ法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長法）を用いて、基板１０上に半導体層（バリア層１２、チャネル層１４、電子供給層１６及びキャップ層１８）をエピタキシャル成長させる。図３（ｂ）に示すように、例えば蒸着・リフトオフ法により、ソース電極２４及びドレイン電極２６を形成する。図３（ｃ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法（Plasma Chemical Vapor Deposition）を用いて、キャップ層１８、ソース電極２４及びドレイン電極２６の上に絶縁膜２０を設ける。
【００２２】
図４（ａ）に示すように、例えばウェットエッチングにより、絶縁膜２０に開口部２０ａを形成する。これによりキャップ層１８上に、開口部２０ａの設けられた絶縁膜２０が形成される。開口部２０ａからはキャップ層１８が露出する。図４（ｂ）に示すように、リフトオフ法により、開口部２０ａを覆う下地層２８ａ（第１ゲート電極層）を設ける。下地層２８ａはキャップ層１８及び絶縁膜２０に接触する。図４（ｃ）に示すように、例えばスパッタリング法により、絶縁膜２０及び下地層２８ａ上に金属層２９（第１金属層）を設ける。金属層２９は例えばＡｕ等の金属により形成され、開口部２０ａ及び下地層２８ａを覆うようにウェハ全面に設けられる。
【００２３】
図５（ａ）に示すように、金属層２９の開口部２０ａと重なる領域の上に、マスク３６を設ける。マスク３６は下地層２８ａを覆うパターンを備える。図５（ｂ）に示すように、マスク３６の設けられた金属層２９に、ウェットエッチングを行う。金属層２９のうちマスク３６に覆われてない領域は除去される。金属層２９のうちマスク３６に覆われた領域が残存し、Ａｕ層２８ｂ（第２ゲート電極層）を形成する。エッチャントはマスク３６の内側に入り込むため、マスク３６の内側の金属層２９に対してもウェットエッチングは進行する。従ってＡｕ層２８ｂは、上面の端部がマスク３６より内側に位置するようなテーパー形状を有する。またＡｕ層２８ｂの上面にエッジ２８ｃが形成される。図５（ｃ）に示すように、マスク３６を除去する。
【００２４】
図６（ａ）に示すように、Ａｕ層２８ｂの表面に対し、さらにウェットエッチングを行う。エッジ２８ｃは除去され、また上面と側面との間の領域が曲線状となる。このようにゲート電極２８が形成される。図６（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により、絶縁膜２０上に絶縁膜２２を設ける。絶縁膜２２は、ソース電極２４、ドレイン電極２６及びゲート電極２８を覆う。図６（ｃ）に示すように、例えばウェットエッチングにより、絶縁膜２２にソース電極２４及びドレイン電極２６が露出するような開口部を形成する。例えば蒸着・リフトオフ法により、絶縁膜２２上に、金属層３０（第２金属層）及び配線層３２を設ける。金属層３０は、段差２２ａを覆う位置に配置される。例えばＣＶＤ法により、絶縁膜２２、金属層３０及び配線層３２の上に、絶縁膜３４を設けることで、半導体装置１００が形成される。
【００２５】
実施例１においては、Ａｕ層２８ｂをウェットエッチングすることにより、ゲート電極２８が形成される。ゲート電極２８はテーパー形状を有し、かつ比較例に比べゲート電極２８の側面の傾きは緩やかになる。従って段差２８ｄは緩やかになる。段差２８ｄを反映して絶縁膜２２に形成される段差２２ａも緩やかになる。このため、比較例に比べ、絶縁膜２２のゲート電極２８を覆う領域は厚くなり、かつ絶縁膜２２の緻密性が高くなる。従って、ゲート電極２８と金属層３０との短絡が抑制される。また半導体装置１００の耐圧が向上する。図６（ａ）に示したように、マスク３６を除去した後にウェットエッチングを行うことで、エッジ２８ｃが除去され、かつＡｕ層２８ｂの上面と側面との間の角が丸くなる。このため、電界集中が起こりにくく、耐圧破壊が効果的に抑制される。以上のように、実施例１によれば、半導体装置１００の信頼性が高くなる。また上記理由から、絶縁膜２２の厚さを大きくしなくてよい。従って、ドレイン電極２６とゲート電極２８との間で金属層３０のシールド効果が大きくなり、ゲート・ドレイン間容量の低減が可能である。半導体層と金属層３０との距離を大きくしなくてよいため、電流コラプスの抑制が可能である。
【００２６】
さらに、半導体装置１００の耐湿性が向上する。従って、水分の浸入、及び下地層２８ａのＮｉの溶出が抑制される。この結果、電極間の短絡、及びショットキー接合の不良が抑制される。ゲート電極２８の側面の傾きが緩やかなため、絶縁膜２２のゲート電極２８を覆う面の傾きも緩やかになる。従って、絶縁膜２２の上に設けられる金属層３０も薄くなりにくく、金属層３０の断線が抑制される。また、絶縁膜３４は薄くなりにくく、かつ高い緻密性を有する。従って、より高い耐湿性が得られる。
【００２７】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示した形状を有するゲート電極２８を得るためには、金属層２９の少なくとも一部にウェットエッチングを行えばよい。図５（ｂ）に示したように、ウェットエッチングは、金属層２９のマスク３６の内側の領域にも進行する。これによりテーパー形状のＡｕ層２８ｂが形成される。例えば、マスク３６の幅を所望するゲート電極２８の幅以上とすることで、ゲート電極２８の側面の傾きをより緩やかにすることができる。図６（ａ）に示したように、エッジ２８ｃを取り除くためには、マスク３６を除去した後にＡｕ層２８ｂの上面をウェットエッチングすることが好ましい。Ａｕ層２８ｂの上面と側面との間の角を丸くするためには、マスク３６除去後にＡｕ層２８ｂを上面から側面にわたってウェットエッチングすることが好ましい。例えばシアン系のエッチャント、又はノンシアン系のエッチャントを用いることができる。
【実施例２】
【００２８】
実施例２はイオンミリング及びウェットエッチングを行う例である。実施例２に係る半導体装置の構成は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示した半導体装置１００と同じであるため、説明を省略する。図７（ａ）から図７（ｃ）は実施例２に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。実施例２においても、図３（ａ）から図４（ｃ）に示した工程を実施する。
【００２９】
図７（ａ）に示すように、金属層２９の開口部２０ａと重なる領域の上にマスク３６を設ける。加熱することで、マスク３６の形状を例えば上に凸な曲線状とする。マスク３６の厚さは、開口部２０ａの中心の領域において大きく、開口部２０ａの周縁の領域において小さい。図７（ｂ）に示すように、金属層２９及びマスク３６に対して、例えばアルゴン（Ａｒ）イオン等を用いたイオンミリングを行う。マスク３６が薄い領域ほど、金属層２９は大きく削られる。金属層２９のうち、イオンミリング前にマスク３６に覆われていた領域は、イオンミリング後においてテーパー形状を有する。金属層２９のうち、マスク３６に覆われた領域以外の領域は、イオンミリング後において厚さ１００〜１５０ｎｍを有する。
【００３０】
図７（ｃ）に示すように、マスク３６を除去する。金属層２９の開口部２０ａ上の領域における上面と側面との間には角が形成されている。図６（ａ）に示すように、金属層２９にウェットエッチングを行う。これにより、金属層２９からＡｕ層２８ｂが形成され、金属層２９のうちＡｕ層２８ｂとなる部分以外の部分は除去される。Ａｕ層２８ｂの上面と側面との間の角は丸くなる。
【００３１】
実施例２によれば、実施例１と同様に、絶縁膜２２のゲート電極２８を覆う領域は厚くなり、かつ絶縁膜２２の緻密性が高くなる。ゲート電極２８はエッジ２８ｃを有さず、かつＡｕ層２８ｂの上面と側面との間の角が丸くなる。従って、半導体装置の信頼性が向上する。なおマスク３６の形状は曲線状以外でもよく、イオンミリング及びウェットエッチングにより、所望の形状を有するゲート電極２８が形成されればよい。金属層２９からゲート電極２８を形成するために、実施例２においても、マスク３６の幅を所望するゲート電極２８の幅以上とすることが好ましい。なお、例えばイオンミリングにより金属層２９のマスク３６に覆われない領域を除去し、Ａｕ層２８ｂを形成してもよい。
【実施例３】
【００３２】
実施例３はゲート電極２８が金属層３８を含む例である。金属層３８により、さらに耐湿性の向上およびＮｉの溶出を抑制することができる。それは、本発明において、ゲート電極２８の側面の傾きを緩やかに形成することができるため、ゲート電極２８上を金属層３８（例えば一様な膜厚を有する）で覆うことができるからである。図８（ａ）は実施例３に係る半導体装置３００を例示する断面図である。図８（ｂ）はソース電極２４及びゲート電極２８付近を拡大した断面図である。
【００３３】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、Ａｕ層２８ｂの上に、例えば厚さ１００ｎｍで、チタン（Ｔｉ）又はタンタル（Ｔａ）等の金属を含む金属層３８（第３金属層）が設けられている。金属層３８はＡｕ層２８ｂの上面及び側面を覆い、かつ接触する。金属層３８の上に絶縁膜２２が設けられている。Ａｕ層２８ｂと絶縁膜２２とは接触しないが、金属層３８と絶縁膜２２とは接触する。段差２８ｄは絶縁膜２２と金属層３８との境界に形成される。
【００３４】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は半導体装置３００の製造方法を例示する断面図である。実施例３においても、図３（ａ）から図６（ａ）に示した工程を実施する。
【００３５】
図９（ａ）に示すように、Ａｕ層２８ｂを形成した後、マスク３６を除去する。例えばスパッタリング法により、金属層３８を設ける。金属層３８は、マスク３６に覆われていない下地層２８ａの上面及び側面、Ａｕ層２８ｂの上面及び側面を覆うように設けられる。これによりゲート電極２８が形成される。図９（ｂ）に示すように、金属層３８の上に絶縁膜２２を設ける。図６（ｃ）に示した工程を行うことで、半導体装置３００が形成される。
【００３６】
実施例３によれば、実施例１及び２と同様に、半導体装置３００の信頼性が向上する。また、金属層３８が下地層２８ａ及びＡｕ層２８ｂを覆うため、Ａｕ層２８ｂのＡｕと、絶縁膜２２のＳｉとの結合が抑制される。従って、より効果的に高い耐圧を得ることができる。Ａｕ層２８ｂが下地層２８ａを完全に覆うとしたが、Ａｕ層２８ｂは下地層２８ａを完全に覆わなくてもよい。例えば下地層２８ａの側面がＡｕ層２８ｂに覆われていない場合、金属層３８は下地層２８ａの側面、Ａｕ層２８ｂの側面及び上面に設ければよい。Ａｕ層２８ｂは、実施例１のようにウェットエッチングにより形成されてもよいし、実施例２のようにイオンミリングとウェットエッチングとにより形成されてもよい。上述のようにイオンミリングによりＡｕ層２８ｂを形成してもよい。つまりＡｕ層２８ｂを形成するためのエッチングは、ウェットエッチング又はイオンミリングの少なくとも一方を含めばよい。
【００３７】
金属層３０はソースウォール及びフィールドプレートの少なくとも一方として機能すればよい。図１０は金属層３０がフィールドプレートとして機能する半導体装置を例示する断面図である。図１０に示すように、金属層３０は絶縁膜２２の上であってゲート電極２８と重なる位置に設けられている。金属層３０はソース電極２４と電気的に接続されておらず、ソースウォールとしては機能せず、フィールドプレートとして機能する。ソース電極２４の上には、ソース電極２４と電気的に接続された配線層３２が設けられている。ゲート電極２８と金属層３０との距離を大きくしなくてよいため、効果的に電流コラプスを抑制することができる。図６（ｂ）に示した工程の後、絶縁膜２２の任意の領域に金属層３０を設けることにより、図２（ｂ）の構成及び図１０の構成、いずれでも得ることができる。
【００３８】
ＣＶＤ法により絶縁膜２２及び３４を設ける場合、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示したようなＡｕ層２８ｂの側面の急峻な傾斜により、緻密性の低下が生じやすい。実施例１〜３によれば、ＣＶＤ法を用いた場合でも絶縁膜２２及び３４の緻密性が高くなる。絶縁膜２０、２２及び３４はＳｉＮ以外に、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の絶縁体を含んでもよい。下地層２８ａとＡｕ層２８ｂとの間に、例えばチタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）又はチタンタングステンナイトライド（Ｔｉ−Ｗ−Ｎ）を含むバリア層（不図示）を設けてもよい。下地層２８ａのＮｉとＡｕとの反応を抑制するためである。
【００３９】
実施例１〜３における半導体層は窒化物半導体を含む。窒化物半導体とは、窒素（Ｎ）を含む半導体であり、既述したＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＡｌＮ以外に例えば窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、及び窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）等がある。なお半導体層は、例えばガリウム砒素（ＧａＡｓ）を含むＧａＡｓ系半導体等、窒化物半導体以外の半導体を含んでもよい。
【００４０】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１０                      基板
１２                      バリア層
１４                      チャネル層
１６                      電子供給層
１８                      キャップ層
２０、２２、３４          絶縁膜
２４                      ソース電極
２６                      ドレイン電極
２８                      ゲート電極
２８ａ                    下地層
２８ｂ                    Ａｕ層
２２ａ、２８ｄ            段差
２９、３０、３８          金属層
３２                      配線層
３６                      マスク
１００、２００、３００    ＦＥＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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