(57)【要約】【課題】Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物のフェノキシカルボニル基を簡便かつ効率よく脱離させる方法及び該方法を利用したペプチド化合物の合成方法の提供。【解決手段】Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物を、水存在下熱処理することを特徴とする前記Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物のフェノキシカルボニル基を脱離させる方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物を、水の存在下熱処理することを特徴とする前記Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物のフェノキシカルボニル基を脱離させる方法。
【請求項２】
下記式（１）
【化１】
2013095735.tif 000017
〔式（１）中、Ｒ1は、カルボキシル基の保護基、固相樹脂又は水素原子を示し、Ｘは、それぞれ独立してアミノ酸残基を示し、ｎは１以上の整数を示す。〕
で表される、アミノ酸又はペプチドシーケンスを、水の存在下熱処理することを特徴とする前記アミノ酸又はペプチドシーケンスのフェノキシカルボニル基を脱離させる方法。
【請求項３】
Ｒ1が、カルボキシル基の保護基又は固相樹脂であり、前記アミノ酸又はペプチドシーケンスのフェノキシカルボニル基を選択的に脱離させる請求項２記載の脱離方法。
【請求項４】
水溶液（２５℃）中の１段目の酸解離定数（ｐＫａ）が−４〜５の酸を用いる請求項１〜３のいずれか１項に記載の脱離方法。
【請求項５】
Ｃ末端からＮ末端へ逐次ペプチド鎖を伸長させるペプチド化合物の合成方法であって、下記式（２）
【化２】
2013095735.tif 000018
〔式（２）中、Ｒ2は、Ｃ末端アミノ酸のカルボキシル基の保護基又は固相樹脂を示し、Ｘは、それぞれ独立してアミノ酸残基を示し、ｍは２以上の整数を示す。〕
で表されるペプチドシーケンスのフェノキシカルボニル基を、水存在下熱処理により脱離させる工程を含むことを特徴とするペプチド化合物の合成方法。
【請求項６】
前記脱離工程において、酸を用いる請求項５記載の合成方法。
【請求項７】
前記酸として、水溶液（２５℃）中の１段目の酸解離定数（ｐＫａ）が２〜５の酸を用いる請求項６記載の合成方法。
【請求項８】
Ｎ末端からＣ末端へ逐次ペプチド鎖を伸長させるペプチド化合物の合成方法であって、下記式（３）
【化３】
2013095735.tif 000019
〔式（３）中、Ｘは、それぞれ独立してアミノ酸残基を示し、ｍは２以上の整数を示す。〕
で表されるペプチドシーケンスのフェノキシカルボニル基を、水存在下熱処理により脱離させる工程を含むことを特徴とするペプチド化合物の合成方法。
【請求項９】
前記脱離工程において、酸を用いる請求項８記載の合成方法。
【請求項１０】
前記酸として、水溶液（２５℃）中の１段目の酸解離定数（ｐＫａ）が２〜５の酸を用いる請求項９記載の合成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フェノキシカルボニル基の脱離方法及び該方法を利用したペプチド化合物の合成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｎ−フェノキシカルボニルアミノ酸は、ポリアミノ酸の合成等に利用されている有用な化合物である（特許文献１）。この化合物は、α−アミノ酸のアミノ基がフェノキシカルボニル基で保護された構造を有しており、ペプチド合成における出発アミノ酸や、これに逐次結合させるアミノ酸の供給源として利用できると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−７４０３５号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】HELVETICA CHIMICA ACTA,Vol.36，875-886(1953)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ペプチド化合物の段階的伸長法においては、アミノ保護基が脱離しやすいことが要求される。フェノキシカルボニル基は一般的な脱保護条件に対し安定であり、脱離させるのが困難なため、Ｎ−フェノキシカルボニルアミノ酸はペプチド合成原料として利用されることはなかった。フェノキシカルボニル基の脱離方法の数少ない例として、特定のＮ−フェノキシカルボニルアミノ酸のフェノキシカルボニル基を特定の還元剤や強酸を用いて脱離させる方法が報告されているものの（非特許文献１）、斯かる方法では、還元剤や強酸の分離が必要なだけでなく、副反応が生じやすいため、還元剤や強酸に弱いアミノ酸種やペプチドシーケンスから効率的にフェノキシカルボニル基を脱離させるのが難しい。
【０００６】
したがって、本発明の課題は、Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物のフェノキシカルボニル基を簡便かつ効率よく脱離させる方法及び該方法を利用したペプチド化合物の合成方法の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、本発明者は、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物を、水の存在下熱処理することによって、該化合物のフェノキシカルボニル基を簡便かつ効率よく脱離させることができることを見出し、本発明を完成した。
【０００８】
すなわち、本発明は、Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物を、水の存在下熱処理することを特徴とする前記Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物のフェノキシカルボニル基を脱離させる方法を提供するものである。
【０００９】
また、本発明は、下記式（１）
【００１０】
【化１】
2013095735.tif 000002
【００１１】
〔式（１）中、Ｒ1は、カルボキシル基の保護基、固相樹脂又は水素原子を示し、Ｘは、それぞれ独立してアミノ酸残基を示し、ｎは１以上の整数を示す。〕
で表される、アミノ酸又はペプチドシーケンスを、水の存在下熱処理することを特徴とする前記アミノ酸又はペプチドシーケンスのフェノキシカルボニル基を脱離させる方法を提供するものである。
【００１２】
更に、本発明は、Ｃ末端からＮ末端へ逐次ペプチド鎖を伸長させるペプチド化合物の合成方法であって、下記式（２）
【００１３】
【化２】
2013095735.tif 000003
【００１４】
〔式（２）中、Ｒ2は、Ｃ末端アミノ酸のカルボキシル基の保護基又は固相樹脂を示し、Ｘは、それぞれ独立してアミノ酸残基を示し、ｍは２以上の整数を示す。〕
で表されるペプチドシーケンスのフェノキシカルボニル基を、水存在下熱処理により脱離させる工程を含むことを特徴とするペプチド化合物の合成方法を提供するものである。
【００１５】
更に、本発明は、Ｎ末端からＣ末端へ逐次ペプチド鎖を伸長させるペプチド化合物の合成方法であって、下記式（３）
【００１６】
【化３】
2013095735.tif 000004
【００１７】
〔式（３）中、Ｘ及びｍは前記と同義である。〕
で表されるペプチドシーケンスのフェノキシカルボニル基を、水存在下熱処理により脱離させる工程を含むことを特徴とするペプチド化合物の合成方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のフェノキシカルボニル基の脱離方法によれば、Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物のフェノキシカルボニル基を簡便かつ効率よく脱離させることができる。したがって、該脱離方法を利用することにより、フェノキシカルボニル基をアミノ保護基として用い、簡便かつ効率よく目的とするペプチド化合物を合成できる。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明のフェノキシカルボニル基の脱離方法は、Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物を水の存在下熱処理することを特徴とするものである。まず、斯かる脱離方法について詳細に説明する。
【００２０】
上記Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物としては、化合物中のアミノ基がフェノキシカルボニル化されているものであれば特に限定されないが、アミノ基がフェノキシカルボニル化されているアミノ酸やペプチドシーケンスが好ましく、下記式（１）
【００２１】
【化４】
2013095735.tif 000005
【００２２】
〔式（１）中、Ｒ1は、カルボキシル基の保護基、固相樹脂又は水素原子を示し、Ｘは、それぞれ独立してアミノ酸残基を示し、ｎは１以上の整数を示す。〕
で表される、アミノ酸又はペプチドシーケンスがより好ましい。本発明の脱離方法によれば、フェノキシカルボニル基を脱離させるときに副反応が生じやすいペプチドシーケンスのフェノキシカルボニル基も簡便かつ効率よく選択的に脱離させることができる。
【００２３】
前記Ｒ1で示されるカルボキシル基の保護基としては、カルボキシル基を保護できるものであれば特に限定されないが、カルボン酸エステルのエステル残基が挙げられる。斯かる保護基の炭素数としては、フェノキシカルボニル基の脱離効率の観点から、１〜１６が好ましく、１〜１２がより好ましく、１〜８が更に好ましく、１〜４が特に好ましい。
また、エステル残基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。なお、上記アルキル基、アルケニル基は直鎖状でも分岐状でもよい。
また、エステル残基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ニトロ基；フェニル基；Ｃ1〜3アルコキシ基；ベンゾイル基；ピリジル基等の置換基が置換していてもよく、置換基の位置及び数は任意であり、置換基を２以上有する場合、該置換基は同一でも異なっていてもよい。
斯様なエステル残基の中でも、フェノキシカルボニル基の脱離効率の観点から、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、トリクロロエチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェナシル基、４−ピコリル基等の置換又は非置換のアルキル基；シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；ベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、ジフェニルメチル基等の置換又は非置換のアラルキル基が好ましく、置換又は非置換のアルキル基が特に好ましい。
【００２４】
また、Ｒ1で示される固相樹脂は、ペプチド固相合成法に通常用いられる樹脂であればよい。斯様な固相樹脂としては、例えば、ワング樹脂等の水酸基を有するポリスチレン樹脂、メリフィールド樹脂等の塩素原子を有するポリスチレン樹脂等が挙げられる。
【００２５】
上述のようなＲ1の中でも、カルボキシル基の保護基、固相樹脂が好ましい。本発明の脱離方法によれば、Ｒ1がカルボキシル基の保護基や固相樹脂であっても、これらの脱離を抑えつつ、フェノキシカルボニル基を選択的に脱離させることができる。
【００２６】
また、Ｘは、それぞれ独立してアミノ酸残基を示す。アミノ酸残基としては、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、トリプトファン、プロリン等の中性アミノ酸の残基；アスパラギン酸等の酸性アミノ酸の残基；リシン、アルギニン等の塩基性アミノ酸の残基が挙げられる。斯様なアミノ酸残基の中でも、−ＮＨ−ＣＨＲ’−（Ｃ＝Ｏ）−で表されるもの（Ｒ’はアミノ酸側鎖を示す。）が好ましい。
また、ｎ個のＸのうち、少なくとも１個以上がフェニルアラニンであるのが好ましい。
【００２７】
また、ｎは１以上の整数を示すが、１〜５の整数が好ましく、１〜３の整数がより好ましく、２又は３が特に好ましい。
【００２８】
また、本発明の脱離方法は酸存在下で行うのが好ましい。酸を用いることによりヒダントインの生成を抑制できる。
上記酸としては、副反応を抑制し、簡便かつ効率よくフェノキシカルボニル基を脱離させる観点から、ｐＫａが−４〜５の範囲のものが好ましい。斯かるｐＫａは、水溶液（２５℃）中の１段目の酸解離定数を意味し、その下限としては、−１以上が好ましく、１以上がより好ましく、上記と同様の観点から、２以上が更に好ましく、３以上が更に好ましく、３．５以上が特に好ましい。一方、上限としては、上記と同様の観点から、４．５以下が好ましく、４以下がより好ましい。
【００２９】
また、使用する酸としては、ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、クエン酸等の有機酸；リン酸、塩酸、亜硫酸水素塩（例えば、亜硫酸水素ナトリウム）等の無機酸が挙げられる（これらは強酸と弱酸とに大別することもできるが弱酸が好ましい）。
また、酸の合計使用量は特に限定されないが、Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物に対して、通常、０．１〜１００質量倍程度であり、好ましくは０．５〜１０質量倍である。
【００３０】
また、本発明の脱離方法は、ｐＨ１〜７（好ましくは１．５〜５であり、より好ましくは２〜４である）の酸性条件で行うのが好ましい。斯様な条件とするためのｐＨの調整は前記酸を用いればよい。
【００３１】
また、本発明の脱離方法はＮ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物を熱処理するものである。熱処理の温度（反応温度）としては１０５〜１８０℃が好ましい。斯様な反応温度とすることにより、フェノキシカルボニル基とアミノ基との間の結合が熱的に分解され、フェノキシカルボニル基の脱離効率を向上させることができる。上記反応温度の下限としては、副反応を抑制し、簡便かつ効率よくフェノキシカルボニル基を脱離させる観点から、１１０℃以上が好ましく、１１５℃以上がより好ましい。一方、上限としては、下限と同様の観点から、１７０℃以下が好ましく、１６０℃以下がより好ましく、１５０℃以下が更に好ましく、１４０℃以下が更に好ましく、１３０℃以下が特に好ましい。
【００３２】
また、本発明の脱離方法は水存在下で行うものである。斯かる水の使用量としては、副反応を抑制し、簡便かつ効率よくフェノキシカルボニル基を脱離させる観点から、Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物に対して、１０〜７０質量倍が好ましく、２０〜７０質量倍がより好ましく、３０〜７０質量倍が特に好ましい。
【００３３】
また、本発明の脱離方法は他の溶媒を用いてもよい。斯かる他の溶媒としては、他の極性溶媒が好ましい。斯かる他の極性溶媒としては、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルホルムアミド等のアミド類；テトラヒドロフラン等のエーテル類等が挙げられ、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。
また、上記他の溶媒の合計使用量は特に限定されないが、Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物に対して、通常、１０〜１００質量倍程度であり、好ましくは２０〜１００質量倍である。
また、反応時間は特に限定されないが、通常、１〜４８時間程度である。
【００３４】
そして、上述の本発明の脱離方法によれば、Ｎ−フェノキシカルボニル化アミノ化合物のフェノキシカルボニル基を簡便かつ効率よく脱離させることができ、脱離に伴いフェノールが生じるがこれも極めて容易に分離できる。また、斯かる脱離方法によれば、脱離させるときに副反応が生じやすいペプチドシーケンスのフェノキシカルボニル基も簡便かつ効率よく選択的に脱離させることができる。
したがって、本発明の脱離方法を、Ｃ末端からＮ末端へ又はＮ末端からＣ末端へ逐次ペプチド鎖を伸長させるペプチド化合物の合成方法に利用することにより、フェノキシカルボニル基をアミノ保護基として用いて簡便かつ効率よく目的とするペプチド化合物を合成できる。
ここで、本発明のＣ末端からＮ末端へ逐次ペプチド鎖を伸長させるペプチド化合物の合成方法（以下、Ｎ末端伸長合成法とも称する）について、詳細に説明する。
【００３５】
本発明のＮ末端伸長合成法は、下記式（２）
【００３６】
【化５】
2013095735.tif 000006
【００３７】
〔式（２）中、Ｒ2は、Ｃ末端アミノ酸のカルボキシル基の保護基又は固相樹脂を示し、ｍは２以上の整数を示し、Ｘは前記と同義である。〕
で表されるペプチドシーケンスのフェノキシカルボニル基を、水存在下熱処理により脱離させる工程を含むことを特徴とするものである。
【００３８】
Ｒ2は、Ｃ末端アミノ酸のカルボキシル基の保護基又は固相樹脂を示す。これら保護基、固相樹脂としては、Ｒ1で示されるＣ末端アミノ酸のカルボキシル基の保護基、固相樹脂と同様のものが好ましい。
また、ｍとしては、前記ｎと同様のものが好ましい。
【００３９】
次に、本発明のＮ末端伸長合成法を、ｍ＝２の場合を例に挙げて具体的に説明する。
【００４０】
【化６】
2013095735.tif 000007
【００４１】
（式中、Ｒ2及びＸは前記と同義である。）
【００４２】
＜工程１−１＞
工程１−１は、出発アミノ酸（４）に対し、保護α−アミノ酸（５）を反応させ、ペプチドシーケンス（２’）を得る工程である。
本反応で用いる出発アミノ酸（４）としては、例えば、バリンメチルエステル、バリンエチルエステル、バリンｔｅｒｔ−ブチルエステル、グリシンメチルエステル、グリシンエチルエステル、グリシンｔｅｒｔ−ブチルエステル、フェニルアラニンメチルエステル、フェニルアラニンエチルエステル、フェニルアラニンｔｅｒｔ−ブチルエステル、プロリンメチルエステル、プロリンエチルエステル、プロリンｔｅｒｔ−ブチルエステル、これらの塩等が挙げられる。なお、塩は、好ましくは無機酸塩である。
斯かる出発アミノ酸（４）は、対応するアミノ酸のカルボキシ基の保護や対応するアミノ酸のカルボキシ基を固相樹脂上に固定することにより得られる。
【００４３】
また、本反応で用いる保護α−アミノ酸（５）としては、例えば、Ｎ−フェノキシカルボニルバリン、Ｎ−フェノキシカルボニルフェニルアラニン、Ｎ−フェノキシカルボニルプロリン等が挙げられる。
保護α−アミノ酸（５）の使用量は特に限定されないが、出発アミノ酸（４）に対して、通常、１〜２モル当量程度であり、好ましくは１〜１．１モル当量である。
【００４４】
また、上記出発アミノ酸（４）として塩を用いる場合、本反応は塩基存在下で行うのが好ましい。斯かる塩基は、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基に大別される。なお、塩基は１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。
【００４５】
また、本反応は、カップリング剤存在下で行うのが好ましい。カップリング剤としては、カルボジイミド類、アジド類、シアニド類が挙げられる。
カルボジイミド類のカップリング剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジイミド、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩等が挙げられる。
また、アジド類のカップリング剤としては、例えば、ジフェニルリン酸アジドが挙げられ、シアニド類のカップリング剤としては、例えば、ジエチルリン酸シアニド等が挙げられる。
なお、カップリング剤は１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。
【００４６】
また、本反応には、エピメリ化抑制剤を使用してもよい。斯様なエピメリ化抑制剤としては、例えば、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド、１−ヒドロキシベンゾロリアゾール、３−ヒドロキシ−４−オキソ−３，４−ジヒドロ−１，２，３−ベンゾトリアジン、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸イミド、２−ヒドロキシイミノ−２−シアノ酢酸エチルエステル、そのアミドが挙げられる。なお、エピメリ化抑制剤は１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。
また、前記塩基、カップリング剤及びエピメリ化抑制剤は、いずれも、出発アミノ酸（４）に対して、通常、１〜１．５モル当量程度使用され、好ましくは１〜１．１モル当量である。
【００４７】
また、本反応は、溶媒存在下又は非存在下で行うことができるが、溶媒存在下で行うのが好ましい。該溶媒としては、極性溶媒が好ましく、斯かる極性溶媒としては、前記他の極性溶媒と同様のものが挙げられる。
また、溶媒の合計使用量は特に限定されないが、出発アミノ酸（４）に対して、通常、５〜７０質量倍程度である。
また、本反応の反応温度は、通常−２０〜５０℃程度であり、反応時間は、通常１〜７２時間程度である。
【００４８】
＜工程１−２＞
工程１−２は、工程１−１で得たペプチドシーケンス（２’）のフェノキシカルボニル基を水存在下熱処理により脱離させて、ペプチドシーケンス（６）を得る工程である。すなわち、Ｎ末端伸長合成法においては、斯様な脱保護工程に本発明の脱離方法が利用される。本反応は前記脱離方法と同様にして行えばよい。
本反応で用いるペプチドシーケンス（２’）としては、例えば、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｐｈｅ−Ｖａｌ−ＯｔＢｕ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｐｈｅ−Ｇｌｙ−ＯｔＢｕ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｐｈｅ−Ｐｒｏ−ＯｔＢｕ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−Ｇｌｙ−ＯｔＢｕ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−Ｐｈｅ−ＯｔＢｕ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−Ｐｒｏ−ＯｔＢｕ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｇｌｙ−Ｖａｌ−ＯｔＢｕ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｇｌｙ−Ｐｈｅ−ＯｔＢｕ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｇｌｙ−Ｐｒｏ−ＯｔＢｕ等が挙げられる。
なお、ここで得たペプチドシーケンス（６）を使用して、工程１−１と工程１−２とを繰り返しペプチド鎖を伸長させていき、得られたｍ＝３以上のペプチドシーケンスを後述する工程１−３に使用すれば、ｍ＝３以上のペプチド化合物が得られる。
【００４９】
＜工程１−３＞
工程１−３は、工程１−２で得たペプチドシーケンス（６）のＲ2を脱離させ、ペプチド化合物（７）を得る工程である。
本反応で用いるペプチドシーケンス（６）としては、Ｈ−Ｐｈｅ−Ｖａｌ−ＯｔＢｕ、Ｈ−Ｐｈｅ−Ｇｌｙ−ＯｔＢｕ、Ｈ−Ｐｈｅ−Ｐｒｏ−ＯｔＢｕ、Ｈ−Ｖａｌ−Ｇｌｙ−ＯｔＢｕ、Ｈ−Ｖａｌ−Ｐｈｅ−ＯｔＢｕ、Ｈ−Ｖａｌ−Ｐｒｏ−ＯｔＢｕ、Ｈ−Ｇｌｙ−Ｖａｌ−ＯｔＢｕ、Ｈ−Ｇｌｙ−Ｐｈｅ−ＯｔＢｕ、Ｈ−Ｇｌｙ−Ｐｒｏ−ＯｔＢｕ等が挙げられる。
【００５０】
また、本反応は、酸、塩基等を用い、通常のＣ末端アミノ酸のカルボキシル基を脱保護させる方法に従い行えばよい。酸としては、前記脱保護方法で使用できるものが挙げられ、塩基としては、前記工程１−１で使用できるものが挙げられる。
酸、塩基の使用量は、いずれも、ペプチドシーケンス（６）に対して、通常、１〜１００質量倍程度である。
また、本反応の反応温度は、通常０℃〜室温程度であり、反応時間は、通常０．５〜１０時間程度であり、好ましくは１〜２時間である。
【００５１】
次に、本発明のＮ末端からＣ末端へ逐次ペプチド鎖を伸長させるペプチド化合物の合成方法（以下、Ｃ末端伸長合成法とも称する）について説明する。
本発明のＣ末端伸長合成法は、下記式（３）
【００５２】
【化７】
2013095735.tif 000008
【００５３】
〔式（３）中、Ｘ及びｍは前記と同義である。〕
で表されるペプチドシーケンスのフェノキシカルボニル基を、水存在下熱処理により脱離させる工程を含むことを特徴とするものである。斯かるＣ末端伸長合成法を、ｍ＝２の場合を例に挙げて具体的に説明する。
【００５４】
【化８】
2013095735.tif 000009
【００５５】
（式中、Ｒ3は、Ｃ末端アミノ酸のカルボキシル基の保護基を示し、Ｘは前記と同義である。）
なお、Ｒ3で示される保護基としては、Ｒ1で示されるＣ末端アミノ酸のカルボキシル基の保護基と同様のものが好ましい。
【００５６】
＜工程２−１及び工程２−２＞
工程２−１は、出発アミノ酸（５）に対し、保護α−アミノ酸（４）を反応させ、ペプチドシーケンス（２’）を得る工程である。
また、工程２−２は、工程２−１で得たペプチドシーケンス（２’）のＲ2を脱離させ、ペプチドシーケンス（３’）を得る工程である。
工程２−１は、前記工程１−１と同様にして、工程２−２は、前記工程１−３と同様にして、それぞれ行えばよい。
【００５７】
＜工程２−３＞
工程２−３は、工程２−２で得たペプチドシーケンス（３’）のフェノキシカルボニル基を水存在下熱処理により脱離させて、ペプチド化合物（７）を得る工程である。すなわち、Ｃ末端伸長合成法においては、斯様な脱保護工程に本発明の脱離方法が利用される。本反応は前記脱離方法と同様にして行えばよい。本反応で用いるペプチドシーケンス（３’）としては、例えば、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｐｈｅ−Ｖａｌ−ＯＨ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｐｈｅ−Ｇｌｙ−ＯＨ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｐｈｅ−Ｐｒｏ−ＯＨ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−Ｇｌｙ−ＯＨ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−Ｐｈｅ−ＯＨ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−Ｐｒｏ−ＯＨ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｇｌｙ−Ｖａｌ−ＯＨ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｇｌｙ−Ｐｈｅ−ＯＨ、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｇｌｙ−Ｐｒｏ−ＯＨ等が挙げられる。
【００５８】
なお、Ｎ末端伸長合成法及びＣ末端伸長合成法の前記各工程において、各反応生成物の単離は、必要に応じて、ろ過、洗浄（固相樹脂の除去等）、乾燥、再結晶、遠心分離、各種溶媒による抽出、中和、クロマトグラフィー等の通常の手段を適宜組み合わせて行えばよい。
【００５９】
斯様にして、本発明のペプチド化合物の合成方法によれば、フェノキシカルボニル基をアミノ保護基として用いて簡便かつ効率よく目的とするペプチド化合物を合成できる。
【実施例】
【００６０】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、実施例における1Ｈ−ＮＭＲスペクトルはＢｒｕｋｅｒ社製ＡＶＡＮＣＥ５００により測定した。
【００６１】
合成例１  Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｐｈｅ−ＯＨの合成
フェニルアラニン（１．４５ｇ，８．００ｍｍｏｌ）とテトラブチルアンモニウム硫酸水素塩（２．７２ｇ，８．００ｍｍｏｌ）を２０．８％−水酸化ナトリウム水溶液３．０８ｇに懸濁させ、室温で３０分攪拌した。この懸濁液に、あらかじめメチルイソブチルケトン５ｍＬに溶解しておいた炭酸ジフェニル（１．７１ｇ，８．００ｍｍｏｌ）を滴下して加え、室温で３時間攪拌した。次いでこの溶液に、メチルイソブチルケトン４５ｍＬ、ヘキサン９ｍＬ、水４ｍＬ及び０．５Ｍ−硫酸水溶液４０ｍＬを加え抽出した。有機層を０．５Ｍ−硫酸水溶液で１回、水で３回洗浄し、さらに、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で塩基抽出した（なお、水層は１Ｍ−硫酸で中和した）。さらに、有機層をメチルイソブチルケトンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去して、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｐｈｅ−ＯＨ（白色固体）を得た（１．７１ｇ，７５％）。
得られたＮ−フェノキシカルボニル−Ｐｈｅ−ＯＨの構造式とＮＭＲスペクトルを以下に示す。
【００６２】
【化９】
2013095735.tif 000010
【００６３】
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ3.27 (dm, 2H), 4.76 (dd, 1H), 5.44 (d, 1H), 7.09 (d, 2H), 7.24-7.52 (m, 8H).
【００６４】
合成例２  Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−ＯＨの合成
バリン（１６．５ｇ，１４１ｍｍｏｌ）とテトラブチルアンモニウム硫酸水素塩（４３．５ｇ，１２８ｍｍｏｌ）を２０．８％−水酸化ナトリウム水溶液４９．３ｇに懸濁させ、室温で３０分攪拌した。この懸濁液に、あらかじめメチルイソブチルケトン８０ｍＬに溶解しておいた炭酸ジフェニル（２７．４ｇ，１２８ｍｍｏｌ）を滴下して加え、室温で３時間攪拌した。次いでこの溶液に、メチルイソブチルケトン７２０ｍＬ、ヘキサン１４６ｍＬ及び０．５Ｍ−硫酸水溶液５６７ｍＬを加え抽出した。有機層を０．５Ｍ−硫酸水溶液で１回、水で３回洗浄し、さらに、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で塩基抽出した（なお、水層は１Ｍ−硫酸で中和した）。一方、有機層をメチルイソブチルケトンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去して、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−ＯＨ（うす黄色透明の粘稠液体）を得た（１６．７ｇ，５５％）。
得られたＮ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−ＯＨの構造式とＮＭＲスペクトルを以下に示す。
【００６５】
【化１０】
2013095735.tif 000011
【００６６】
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ1.00 (d, 3H), 1.07 (d, 3H), 2.31 (m, 1H), 4.41 (q, 1H), 5.50 (d, 1H), 7.13 (d, 2H), 7.19 (t, 1H), 7.32 (t, 2H).
【００６７】
実施例１  フェニルアラニルバリンの合成
＜１＞以下の合成経路に従い、Ｎ−フェノキシカルボニル−フェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステルを合成した。
【００６８】
【化１１】
2013095735.tif 000012
【００６９】
合成例１で得たＮ−フェノキシカルボニル−Ｐｈｅ−ＯＨ（１．５０ｇ，５．２６ｍｍｏｌ）をジメチルホルムアミド１５ｍＬに溶解し、この溶液に、ジシクロヘキシルカルボジイミド（１．２０ｇ，５．７９ｍｍｏｌ）、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール一水和物（０．８９ｇ，５．７９ｍｍｏｌ）、バリンｔ−ブチルエステル塩酸塩（１．０１ｇ，５．７９ｍｍｏｌ）及びトリエチルアミン（０．８２ｍＬ，５．７９ｍｍｏｌ）を加え、０℃で一晩攪拌した。次いで、ジシクロヘキシルウレアをろ別した後、ろ液をジエチルエーテルで３回抽出した。有機層を、１Ｎ−塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル）で精製して、Ｎ−フェノキシカルボニル−フェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステル（白色固体）を得た（２．００ｇ，８６％）。
ＮＭＲ測定により、得られた化合物がＮ−フェノキシカルボニル−フェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステルであることを確認した。得られたＮ−フェノキシカルボニル−フェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステルのＮＭＲスペクトルを以下に示す。
【００７０】
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ0.88 (d, 3H), 0.91 (d, 3H), 1.48 (s, 9H), 2.14 (m, 1H), 3.18 (d, 2H), 4.38 (q, 1H), 4.50 (t, 1H), 5.67 (d, 1H), 6.21 (d, 1H), 7.09 (d, 2H), 7.21-7.36 (m, 8H).
【００７１】
＜２＞以下の合成経路に従い、フェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステルを合成した。
【００７２】
【化１２】
2013095735.tif 000013
【００７３】
上記で得られたＮ−フェノキシカルボニル−フェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステル１００ｍｇ（０．２２７ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド７．５ｍＬと１％−ギ酸水溶液（ｐＨ２．２）５．５ｍＬの混合溶媒に懸濁させ、１２０℃で８時間攪拌した。次いで、この反応液（ＨＰＬＣより算出したフェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステルの収量３７ｍｇ，５１％）にジエチルエーテルと１Ｎ−ＨＣｌを加えて抽出した。有機層を飽和食塩水で洗い（なお、水層は炭酸水素ナトリウムで中和した後、酢酸エチルで再度抽出した）、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去してフェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステル（白色固体）を得た（収量２７．５ｍｇ，３８％）。
ＮＭＲ測定により、得られた化合物がフェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステルであることを確認した。得られたフェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステルのＮＭＲスペクトルを以下に示す。
【００７４】
1H NMR (CDCl3, 400 MHz):  δ0.94 (d, 3H), 0.95 (d, 3H), 1.48 (s, 9H), 2.18 (m, 1H), 3.02 (ddd, 2H), 3.69 (m, 1H), 4.44 (q, 1H), 7.23 (d, 2H), 7.26 (t, 1H), 7.34 (t, 2H), 7.78 (d, 1H).
【００７５】
＜３＞以下の合成経路に従い、フェニルアラニルバリンを合成した。
【００７６】
【化１３】
2013095735.tif 000014
【００７７】
上記で得られたフェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステル７０ｍｇ（０．２１８ｍｍｏｌ）をトリフルオロ酢酸０．６６ｍＬに溶解し、室温で２時間攪拌した。トリフルオロ酢酸を減圧下留去し、残渣を水に溶解して乾燥する操作を二回繰り返してフェニルアラニルバリン（白色固体）を得た（収量７６ｍｇ，９８％）。
ＮＭＲ測定により、得られた化合物がフェニルアラニルバリンであることを確認した。得られたフェニルアラニルバリンのＮＭＲスペクトルを以下に示す。
【００７８】
1H NMR (DMSO-d6, 400 MHz):  δ0.88-0.90 (dd, 6H), 2.06 (m, 1H), 3.19 (d, 2H), 4.17 (d, 1H), 4.29 (t, 1H), 7.25 (d, 2H), 7.19, 7.34-7.38 (m, 3H).
【００７９】
合成例３  Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−Ｐｈｅ−Ｖａｌ−ＯｔＢｕの合成
実施例１の＜１＞及び＜２＞と同様にしてフェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステルを得た後、以下の合成経路に従い、Ｎ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−Ｐｈｅ−Ｖａｌ−ＯｔＢｕを合成した。
【００８０】
【化１４】
2013095735.tif 000015
【００８１】
フェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステル（５０ｍｇ，１５６μｍｏｌ）を、ジメチルホルムアミド０．５０ｍＬに溶解させ、この溶液に、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール一水和物（２６ｍｇ，１７２μｍｏｌ）と合成例２で得たＮ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−ＯＨ（４１ｍｇ，１７２μｍｏｌ）を加え、氷水浴で０℃に冷却した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド（３６ｍｇ，１７２μｍｏｌ）を加え室温で一晩攪拌した。その後、析出したジシクロヘキシルウレアをろ別し、ろ液にジエチルエーテルを加えて抽出した。有機層を１Ｎ−塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル）で精製後、溶媒を減圧留去してＮ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−Ｐｈｅ−Ｖａｌ−ＯｔＢｕ（白色固体）を得た（収量７９ｍｇ，９４％）。
ＮＭＲ測定により、得られた化合物がＮ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−Ｐｈｅ−Ｖａｌ−ＯｔＢｕであることを確認した。得られたＮ−フェノキシカルボニル−Ｖａｌ−Ｐｈｅ−Ｖａｌ−ＯｔＢｕのＮＭＲスペクトルを以下に示す。
【００８２】
1H NMR (CDCl3, 400 MHz):  δ0.83(d, 3H), 0.87 (d, 3H), 0.94 (d, 3H), 1.00 (d, 3H), 1.48 (s, 9H), 2.08 (m, 1H), 2.16 (m, 1H), 3.10 (q, 2H), 4.07 (m, 1H), 4.33 (q, 1H), 4.78 (q, 1H), 5.71 (d, 1H), 6.36 (d, 1H), 6.58 (d, 1H), 7.12-7.38 (m, 10H).
【００８３】
実施例２  フェニルアラニルバリンの合成
実施例１の＜１＞と同様にしてＮ−フェノキシカルボニル−フェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステルを得た後、以下の合成経路に従い、フェニルアラニルバリンを合成した。
【００８４】
【化１５】
2013095735.tif 000016
【００８５】
Ｎ−フェノキシカルボニル−フェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステル１００ｍｇ（０．２２７ｍｍｏｌ）をトリフルオロ酢酸０．７５ｍＬに溶解し、室温で２時間攪拌した。トリフルオロ酢酸を減圧下留去し、残渣を酢酸エチル／ヘキサン＝２／５溶液で晶析してＮ−フェノキシカルボニル−フェニルアラニルバリン（白色固体）を得た（収量７３ｍｇ，７５％）。
ＮＭＲ測定により、得られた化合物がＮ−フェノキシカルボニル−フェニルアラニルバリンであることを確認した。得られたＮ−フェノキシカルボニル−フェニルアラニルバリンのＮＭＲスペクトルを以下に示す。
【００８６】
1H NMR (DMSO-d6, 400 MHz):  δ0.89-0.95 (dd, 6H), 2.12 (m, 1H), 2.96 (ddd, 2H), 4.24 (t, 1H), 4.59 (q, 1H), 6.96 (d, 2H), 7.19 (d, 2H), 7.26 (d, 2H), 7.32-7.36 (m, 4H), 7.39 (d, 2H), 7.97 (d, 2H), 8.20 (d, 2H), 12.69 (br, 1H).
【００８７】
上記で得られたＮ−フェノキシカルボニル−フェニルアラニルバリン５２ｍｇ（０．１３５ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド３．７５ｍＬと２％−亜硫酸水素ナトリウム水溶液（ｐＨ３．８）２．７５ｍＬの混合溶媒に懸濁させ、１２０℃で８時間攪拌した。これをイオン交換樹脂で精製し、フェニルアラニルバリン（白色固体）を得た（収量８．２ｍｇ，２３％）。
ＮＭＲ測定により、得られた化合物がフェニルアラニルバリンであることを確認した。得られたフェニルアラニルバリンのＮＭＲスペクトルを以下に示す。
【００８８】
1H NMR (400 MHz, D2O):  δ0.89 (d, 3H), 0.90 (d, 3H), 2.06 (m, 1H), 3.19 (d, 2H), 4.17 (d, 1H), 4.29 (t, 1H), 7.25 (d, 2H), 7.34-7.38 (m, 3H).
【００８９】
比較例１
Ｎ−フェノキシカルボニル−フェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステル１００ｍｇ（０．２５０ｍｍｏｌ）を氷酢酸５ｍＬに溶解し、酸化白金１６ｍｇを加え、バルーンを用いて水素雰囲気下とし、室温で２４時間攪拌した。白金触媒をろ別した後、ジエチルエーテルと１Ｎ−ＨＣｌを加えて振り混ぜ、分離した。水層を炭酸水素ナトリウムで中和した。一方、有機層を酢酸エチルで抽出し、飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去して無色透明固体を得た。
得られた化合物をＮＭＲで同定した。その結果、目的とするフェニルアラニルバリンｔ−ブチルエステルは得られておらず、得られた化合物は、フェノキシカルボニル基が脱離しているだけでなく側鎖のフェニル基が水素化されたシクロヘキシルアラニルバリンｔ−ブチルエステルであることがわかった（収量２２ｍｇ，２７％）。
【００９０】
1H NMR (CDCl3, 400 MHz):  δ0.94-0.95 (dd, 6H), 1.47 (s, 9H), 2.16 (m, 1H), 3.47 (dd, 1H), 4.41 (dq, 1H), 7.72 (d, 1H).