(57)【要約】【課題】より確実にデバイスを動作させることができるようにする。【解決手段】周期的な凹凸構造を有し、凹凸構造の凸部である隔壁の側面に設けられた第１の駆動電極と、第１の駆動電極が設けられた隔壁の側面と対抗する側面に、第１の駆動電極と電気的に分離されて設けられた第２の駆動電極と、凹凸構造の凹部、および隔壁の側面の一部であって、第１の駆動電極と接触する部分に設けられた第１の結合電極と、凹凸構造の凹部、および隔壁の側面の一部であって、第２の駆動電極と接触する部分に、第１の結合電極と電気的に分離されて設けられた第２の結合電極とを備え、第１の結合電極または第２の結合電極を通じて第１の駆動電極または第２の駆動電極のそれぞれに、所定の電圧が印加され、駆動電極のそれぞれは、結合電極のそれぞれとは異なる材料によって形成される。【選択図】図６
2013250500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周期的な凹凸構造を有し、
前記凹凸構造の凸部である隔壁の側面に設けられた第１の駆動電極と、
前記第１の駆動電極が設けられた隔壁の側面と対向する側面に、前記第１の駆動電極と電気的に分離されて設けられた第２の駆動電極と、
前記凹凸構造の凹部、および前記隔壁の側面の一部であって、前記第１の駆動電極と接触する部分に設けられた第１の結合電極と、
前記凹凸構造の凹部、および前記隔壁の側面の一部であって、前記第２の駆動電極と接触する部分に、前記第１の結合電極と電気的に分離されて設けられた第２の結合電極とを備え、
前記第１の結合電極または前記第２の結合電極を通じて前記第１の駆動電極または前記第２の駆動電極のそれぞれに、所定の電圧が印加され、
前記駆動電極のそれぞれは、前記結合電極のそれぞれとは異なる材料によって形成される
光学素子基板。
【請求項２】
前記駆動電極のそれぞれ、および、前記結合電極のそれぞれは、導電膜により構成され、
前記結合電極のそれぞれを構成する導電膜は、前記凹凸構造の凹部、および前記対向する隔壁の側面のうち、一方の側面にのみ形成される
請求項１に記載の光学素子基板。
【請求項３】
前記結合電極のそれぞれを構成する導電膜は、
前記凹凸構造の凹部、および前記対向する隔壁の側面の両方の側面において予め形成された前記導電膜がエッチングされることにより、前記対向する隔壁の側面のうち、一方の側面に形成された前記導電膜が除去されて、前記対向する隔壁の側面のうち、一方の側面にのみ前記導電膜が形成される
請求項２に記載の光学素子基板。
【請求項４】
同一の方式でエッチングされる場合、
前記駆動電極のそれぞれを構成する第１の材料のエッチング速度と、前記結合電極のそれぞれを構成する第２の材料のエッチング速度との比が所定の値以上となる
請求項１に記載の光学素子基板。
【請求項５】
前記駆動電極のそれぞれを構成する材料は、ＩＴＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＩＺＯ、Ａｌ、Ａｇ、またはＣｕを主成分とする材料とされ、
前記結合電極のそれぞれを構成する材料は、ＭｏまたはＷとされる
請求項１に記載の光学素子基板。
【請求項６】
透明な樹脂基板を成型した成型フィルムにより、前記凹凸構造が形成される
請求項１に記載の光学素子基板。
【請求項７】
前記凹凸構造によって形成される複数のセルの内部のそれぞれに、電解液およびオイルが充てんされ、
前記第１の駆動電極と前記第２の駆動電極にそれぞれ異なる電圧が印加されることにより、エレクトロウェッティングによるレンチキュラーレンズが形成される
請求項１に記載の光学素子基板。
【請求項８】
エレクトロウェッティングを利用した液体光学素子アレイの製造方法であって、
周期的な凹凸構造を有する成型フィルムであって、前記凹凸構造の凸部である隔壁の側面に第１の材料によって構成される導電膜が形成された成型フィルムにおいて、前記凹凸構造の凹部および前記隔壁の側面に、前記第１の材料とは異なる第２の材料によって構成される導電膜を塗布する第１の工程と、
前記第１の材料によって形成された導電膜および前記第２の材料によって形成された導電膜をエッチングして、対向する前記隔壁の側面のうち、一方の側面に形成された前記導電膜を除去する第２の工程とを含み、
前記第１の工程では、前記対向する前記隔壁の側面において、膜厚差をつけて前記第２の材料によって構成される導電膜が塗布される
光学素子アレイ製造方法。
【請求項９】
前記第１の工程では、前記成型フィルムを傾けた状態で前記第２の材料によって構成される導電膜が塗布される
請求項８に記載の光学素子アレイ製造方法。
【請求項１０】
前記第１の材料のエッチング速度と、前記第２の材料のエッチング速度との比が所定の値以上となる
請求項８に記載の光学素子アレイ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、光学素子基板および光学素子アレイ製造方法に関し、特に、より確実にデバイスを動作させることができるようにする光学素子基板および光学素子アレイ製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、厚膜フォトレジスト等を利用した高アスペクト比を有する微細な立体構造（三次元構造）の開発が盛んに行われている。例えば、特許文献１には、立体構造をレンズアレイの形成に応用することが記載されている。
【０００３】
また、エレクトロウェッティングと微細な立体構造を組み合わせ、微小ミラーを作製することで、光線方向を制御するデバイスが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。エレクトロウェッティングとは、電極と導電性を有する液体（極性液体）との間に電圧を印加した場合に、その電極の表面と液体との界面エネルギーが変化し、液体の表面形状が変化する現象をいう。
【０００４】
このようなエレクトロウェッティングを利用した液体光学素子アレイの作製では、凹凸な立体構造の側壁に電極をパターニングする必要がある。
【０００５】
さらに、近年、軽量化に対する要求が強くなっており、基材自体を、例えば、ガラスよりも軽量性の高いＰＣ、ＰＥＴ、ＰＥＮなどの透明フィルムでの代替させることが期待されている。
【０００６】
立体構造を有する液体光学素子アレイの作製方法として、立体構造が形成された部材に電極パターンを高精度に形成することが要求されている。例えば、立体構造の側壁に電極を形成する方法としては、レジスト材料を霧状にして噴出するスプレー法を用いる方法が提案されている。
【０００７】
ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical System)等の分野では、スプレー法によって立体構造全面にレジストを塗布し、さらに、スパッタ法などで立体構造全面に電極膜を成膜した後、露光・現像工程を経て、電極をパターニングする手法が提案されている。
【０００８】
また、成形フィルム上に側面電極を形成し、その後レーザにより対向する電極を電気的に切り離すことによって、電極をパターニングすることも提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−４０４５５号公報
【非特許文献１】10 July 2006 / Vol.14, No.14 / OPTICS EXPRESS 6557
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、側面電極を形成し、その後レーザにより対向する電極を電気的に切り離す方式を用いた場合、側面電極のレーザーカット時にＩｎ、Ｓｎなどの飛散ダストが発生し、例えば、電極間での微小のリークを引き起こすことがある。
【００１１】
このため、従来の側面電極の形成方式では、デバイスが正常に動作しないことがあるという問題があった。
【００１２】
本技術はこのような状況に鑑みて開示するものであり、より確実にデバイスを動作させることができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本技術の第１の側面は、周期的な凹凸構造を有し、前記凹凸構造の凸部である隔壁の側面に設けられた第１の駆動電極と、前記第１の駆動電極が設けられた隔壁の側面と対向する側面に、前記第１の駆動電極と電気的に分離されて設けられた第２の駆動電極と、前記凹凸構造の凹部、および前記隔壁の側面の一部であって、前記第１の駆動電極と接触する部分に設けられた第１の結合電極と、前記凹凸構造の凹部、および前記隔壁の側面の一部であって、前記第２の駆動電極と接触する部分に、前記第１の結合電極と電気的に分離されて設けられた第２の結合電極とを備え、前記第１の結合電極または前記第２の結合電極を通じて前記第１の駆動電極または前記第２の駆動電極のそれぞれに、所定の電圧が印加され、前記駆動電極のそれぞれは、前記結合電極のそれぞれとは異なる材料によって形成される光学素子基板である。
【００１４】
前記駆動電極のそれぞれ、および、前記結合電極のそれぞれは、導電膜により構成され、前記結合電極のそれぞれを構成する導電膜は、前記凹凸構造の凹部、および前記対向する隔壁の側面のうち、一方の側面にのみ形成されるようにすることができる。
【００１５】
前記結合電極のそれぞれを構成する導電膜は、前記凹凸構造の凹部、および前記対向する隔壁の側面の両方の側面において予め形成された前記導電膜がエッチングされることにより、前記対向する隔壁の側面のうち、一方の側面に形成された前記導電膜が除去されて、前記対向する隔壁の側面のうち、一方の側面にのみ前記導電膜が形成されるようにすることができる。
【００１６】
同一の方式でエッチングされる場合、前記駆動電極のそれぞれを構成する第１の材料のエッチング速度と、前記結合電極のそれぞれを構成する第２の材料のエッチング速度との比が所定の値以上となるようにすることができる。
【００１７】
前記駆動電極のそれぞれを構成する材料は、ＩＴＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＩＺＯ、Ａｌ、Ａｇ、またはＣｕを主成分とする材料とされ、前記結合電極のそれぞれを構成する材料は、ＭｏまたはＷとされるようにすることができる。
【００１８】
透明な樹脂基板を成型した成型フィルムにより、前記凹凸構造が形成されるようにすることができる。
【００１９】
前記凹凸構造によって形成される複数のセルの内部のそれぞれに、電解液およびオイルが充てんされ、前記第１の駆動電極と前記第２の駆動電極にそれぞれ異なる電圧が印加されることにより、エレクトロウェッティングによるレンチキュラーレンズが形成されるようにすることができる。
【００２０】
本技術の第１の側面においては、前記凹凸構造の凸部である隔壁の側面に第１の駆動電極が設けられ、前記第１の駆動電極が設けられた隔壁の側面と対向する側面に、前記第１の駆動電極と電気的に分離されて第２の駆動電極が設けられ、前記凹凸構造の凹部、および前記隔壁の側面の一部であって、前記第１の駆動電極と接触する部分に第１の結合電極が設けられ、前記凹凸構造の凹部、および前記隔壁の側面の一部であって、前記第２の駆動電極と接触する部分に、前記第１の結合電極と電気的に分離されて第２の結合電極が設けられ、前記第１の結合電極または前記第２の結合電極を通じて前記第１の駆動電極または前記第２の駆動電極のそれぞれに、所定の電圧が印加され、前記駆動電極のそれぞれは、前記結合電極のそれぞれとは異なる材料によって形成される。
【００２１】
本技術の第２の側面は、エレクトロウェッティングを利用した液体光学素子アレイの製造方法であって、周期的な凹凸構造を有する成型フィルムであって、前記凹凸構造の凸部である隔壁の側面に第１の材料によって構成される導電膜が形成された成型フィルムにおいて、前記凹凸構造の凹部および前記隔壁の側面に、前記第１の材料とは異なる第２の材料によって構成される導電膜を塗布する第１の工程と、前記第１の材料によって形成された導電膜および前記第２の材料によって形成された導電膜をエッチングして、対向する前記隔壁の側面のうち、一方の側面に形成された前記導電膜を除去する第２の工程とを含み、前記第１の工程では、前記対向する前記隔壁の側面において、膜厚差をつけて前記第２の材料によって構成される導電膜が塗布される光学素子アレイ製造方法である。
【００２２】
前記第１の工程では、前記成型フィルムを傾けた状態で前記第２の材料によって構成される導電膜が塗布されるようにすることができる。
【００２３】
前記第１の材料のエッチング速度と、前記第２の材料のエッチング速度との比が所定の値以上となるようにすることができる。
【００２４】
本技術の第２の側面においては、周期的な凹凸構造を有する成型フィルムであって、前記凹凸構造の凸部である隔壁の側面に第１の材料によって構成される導電膜が形成された成型フィルムにおいて、前記凹凸構造の凹部および前記隔壁の側面に、前記第１の材料とは異なる第２の材料によって構成される導電膜が塗布され、前記第１の材料によって形成された導電膜および前記第２の材料によって形成された導電膜をエッチングして、対向する前記隔壁の側面のうち、一方の側面に形成された前記導電膜が除去され、前記対向する前記隔壁の側面において、膜厚差をつけて前記第２の材料によって構成される導電膜が塗布される。
【発明の効果】
【００２５】
本技術によれば、より確実にデバイスを動作させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】エレクトロウェッティングを利用した液体光学素子アレイを用いた立体表示装置の、水平面内における構成例を表す概略図である。
【図２】図１の波面変換偏向部の要部を表す斜視図である。
【図３】表示画像光の進行方向から眺めた波面変換偏光部のＸＹ平面における平面図である。
【図４】図３に示したIV−IV線に沿った断面図である。
【図５】図３に示したV−V線に沿った断面図である。
【図６】本技術を適用した液体光学素子アレイの一実施の形態に係る構成例を示す斜視図である。
【図７】図６の上方向から見た液体光学素子アレイのＸＹ平面における平面図である。
【図８】図６のＺ軸方向の断面図である。
【図９】エレクトロウェッティングを説明する図である。
【図１０】エレクトロウェッティングによりレンチキュラーレンズを構成する例を説明する図である。
【図１１】レンチキュラーレンズを用いた多視点立体画像の表示について説明する図である。
【図１２】成型フィルムの例を示す斜視図である。
【図１３】レジストの塗布について説明する図である。
【図１４】ＩＴＯ膜の成膜について説明する図である。
【図１５】図１３と図１４に示される工程をさらに詳細に説明する図である。
【図１６】図１３と図１４に示される工程をさらに詳細に説明する図である。
【図１７】図１３と図１４に示される工程をさらに詳細に説明する図である。
【図１８】図１３と図１４に示される工程をさらに詳細に説明する図である。
【図１９】図１８に示される状態における成型フィルムの斜視図である。
【図２０】Ｍｏ膜の成膜について説明する図である。
【図２１】図２０に示される状態における成型フィルムの斜視図である。
【図２２】隔壁の上部の面上の導電膜が除去された成型フィルムの例を示す斜視図である。
【図２３】液体光学素子アレイ製造処理の例を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照して、ここで開示する技術の実施の形態について説明する。
【００２８】
最初に、エレクトロウェッティングを利用した液体光学素子アレイについて説明する。
【００２９】
図１は、エレクトロウェッティングを利用した液体光学素子アレイを用いた立体表示装置の、水平面内における構成例を表す概略図である。
【００３０】
図１に示されるように、この立体表示装置は、光源（図示せず）の側から、画素１２を複数有する表示部１と、液体光学素子アレイとしての波面変換偏向部２とを順に備えている。ここでは、光源からの光の進行方向をＺ軸方向とし、水平方向をＸ軸方向とし、鉛直方向をＹ軸方向としている。
【００３１】
表示部１は、映像信号に応じた２次元表示画像を生成するものであり、例えばバックライトＢＬが照射されることにより表示画像光を射出するカラー液晶ディスプレイである。
【００３２】
表示部１は、光源の側からガラス基板１１と、それぞれ画素電極および液晶層を含む複数の画素１２（１２Ｌ，１２Ｒ）と、ガラス基板１３とが順に積層された構造を有している。ガラス基板１１およびガラス基板１３は透明であり、いずれか一方には例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の着色層を有するカラーフィルタが設けられている。このため、画
素１２は、赤色を表示する画素Ｒ−１２と緑色を表示する画素Ｇ−１２と青色を表示する画素Ｂ−１２とに分類される。
【００３３】
この表示部１では、Ｘ軸方向においては画素Ｒ−１２と、画素Ｇ−１２と、画素Ｂ−１２とが順に繰り返し配置される一方、Ｙ軸方向においては同色の画素１２が揃うように配置されている。
【００３４】
さらに、画素１２は、左眼用の画像を形成する表示画像光を射出するものと、右眼用の画像を形成する表示画像光を射出するものとに分類され、それらはＸ軸方向において交互に配置されている。図１では、左眼用の表示画像光を射出する画素１２を画素１２Ｌと表し、右眼用の表示画像光を射出する画素１２を画素１２Ｒと表している。
【００３５】
波面変換偏向部２は、例えばＸ軸方向に隣り合う１組の画素１２Ｌ，１２Ｒに対応して設けられた１つの液体光学素子２０が、Ｘ軸方向に複数配列されたアレイ状をなすものである。波面変換偏向部２は、表示部１から射出された表示画像光に対し、波面変換処理および偏向処理を行う。
【００３６】
具体的には、波面変換偏向部２では、各画素１２に対応する各液体光学素子２０がシリンドリカルレンズとして機能する。すなわち、波面変換偏向部２は、全体としてレンチキュラーレンズとして機能する。これによって各画素１２Ｌ，１２Ｒからの表示画像光の波面が、鉛直方向（Ｙ軸方向）に並ぶ一群の画素１２を一単位として所定の曲率を有する波面に一括して変換される。波面変換偏向部２では、併せて、必要に応じてそれらの表示画像光を水平面内（ＸＺ平面内）において一括して偏向することも可能となっている。
【００３７】
図２乃至図５を参照して、波面変換偏向部２の具体的な構成について説明する。
【００３８】
図２は、波面変換偏向部２の要部を表す斜視図である。また、図３は、表示画像光の進行方向から眺めた波面変換偏光部２のＸＹ平面における平面図である。また、図４は、図３に示したIV−IV線に沿った断面図である。さらに、図５は、図３に示したV−V線に沿った断面図である。
【００３９】
図２乃至図５に示されるように、波面変換偏向部２は、対向配置された一対の平面基板２１および平面基板２２と、平面基板２１における平面基板２２と対向する内面２１Ｓに立設し、接着層３１を介して平面基板２２を支持する側壁２３および隔壁２４とを備えている。
【００４０】
波面変換偏向部２では、Ｙ軸方向へ延在する複数の隔壁２４によって区画された複数の液体光学素子２０がＸ軸方向へ並び、全体として液体光学素子アレイを構成している。液体光学素子２０は、屈折率の異なる２種の液体（極性液体２９Ｐおよび無極性液体２９Ｎ）を含み、入射光線に対して偏向や屈折などの光学的作用（すなわち、波面変換作用および偏向作用）を及ぼすものである。なお、図２および図３では、接着層３１、側壁２３、平面基板２２、極性液体２９Ｐおよび無極性液体２９Ｎのほか、絶縁膜２８（後出）および第３の電極２７（後出）の図示を省略している。
【００４１】
平面基板２１、および平面基板２２は、例えばガラスや透明なプラスチックなど、可視光を透過する透明な絶縁材料によって構成される。例えば、図４に示されるように、平面基板２１の内面２１Ｓには、この平面基板２１上の空間領域を、複数の液体光学素子２０ごとに仕切る複数の隔壁２４が立設している。
【００４２】
すなわち、液体光学素子２０は、例えば、図３に示されるように、隣り合う隔壁２４同士に挟まれた空間である素子領域２０Ｒごとに設けられている。複数の隔壁２４は各々Ｙ軸方向へ延在していることから、液体光学素子２０（素子領域２０Ｒ）は、Ｙ軸方向に並ぶ一群の表示画素１２に対応して矩形状の平面形状を有している。
【００４３】
図４に示されるように、各素子領域２０Ｒには、それぞれ無極性液体２９Ｎが保持されている。すなわち、無極性液体２９Ｎは、隔壁２４の存在により、隣り合う他の素子領域２０Ｒへ移動（流出）しないようになっている。隔壁２４は、極性液体２９Ｐおよび無極性液体２９Ｎに溶解等しない材料、例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂などによって構成されることが望ましい。
【００４４】
なお、平面基板２１と隔壁２４とが同種の透明なプラスチック材料からなり、一体成型されたものであってもよい。また、隔壁２４は、保護層３５によって覆われていることが望ましい。後述する第１および第２の電極２５，２６を形成する際に受けるダメージを緩和すると共に、第１および第２の電極２５，２６との密着性を高めるためである。
【００４５】
図４の例では、隔壁２４の壁面２４Ｓおよび上面２４Ｔ、並びに平面基板２１の内面２１Ｓの全てを覆うように保護層３５が設けられているが、保護層３５は、少なくとも隔壁２４の側面である壁面２４Ｓと第１の電極２５および第２の電極２６との間に設けられていればよい。なお、図１乃至図３、図５では、保護層３５の図示が省略されている。
【００４６】
保護層３５は、例えば、反応性イオンエッチングに耐性を示し、有機溶剤に溶解せず、かつ、第１の電極２５および第２の電極２６との密着性に優れるものであることが望ましい。そのような構成材料としては、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯｘ），窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ），酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）および酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）のうちの少なくとも１種を含むものが挙げられる。
【００４７】
例えば、図４に示されるように、各隔壁２４の壁面２４Ｓには、互いに対向するように配置された第１の電極２５および第２の電極２６が保護層３５を介して設けられている。第１の電極２５および第２の電極２６の構成材料としては、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）系のＡＺＯなどの透明な導電性材料が用いられる。あるいはまた、第１の電極２５および第２の電極２６の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）などの金属材料、または導電性高分子などの他の導電性材料が用いられるようにしてもよい。
【００４８】
第１の電極２５および第２の電極２６は、いずれも帯状をなしており、Ｙ軸方向において隔壁２４の一端から他端に至るまで分離部３２および分離部３３を除いて途切れることなく連続している。例えば、図３に示されるように、第１の電極２５は、分離部３２において２つの部分２５Ａと部分２５Ｂとに分離されている。また、第２の電極２６は、分離部３３において２つの部分２６Ａと部分２６Ｂとに分離されている。
【００４９】
なお、以下では、部分２５Ａ、部分２５Ｂについては第１の電極２５Ａ、第１の電極２５Ｂと記載し、部分２６Ａ、部分２６Ｂについては第２の電極２６Ａ、第２の電極２６Ｂと記載する。
【００５０】
分離部３２および分離部３３は、例えば、レーザビームを照射することによって形成され、隔壁２４および平面基板２１の表面の一部をも除去された凹部である。分離部３２は、Ｙ軸方向における隔壁２４の一方の端部近傍に設けられており、分離部３３は、Ｙ軸方向における隔壁２４の他方の端部近傍に設けられている。
【００５１】
素子領域２０Ｒのうち、これら分離部３２と分離部３３との間の領域、すなわち第１の電極２５Ａと第２の電極２６Ｂとが重なり合う領域（対向する領域）が有効領域２０Ｚとなっている。有効領域２０Ｚとは、表示部１から射出された表示画像光に対し、波面変換処理および偏向処理を行うことのできる領域である。
【００５２】
第１の電極２５および第２の電極２６は、隔壁２４の壁面の全てを覆っているわけではなく、壁面の下方部分、すなわち平面基板２１の近傍には設けられていない。このため、第１の電極２５および第２の電極２６は、平面基板２１と接することなく、離間して設けられている。ただし、各素子領域２０ＲのＹ軸方向における両端部分には、接続部３４（３４Ａ，３４Ｂ）が、平面基板２１の表面と、隔壁２４の壁面の下方部分とを覆うように設けられている。
【００５３】
接続部３４Ａ、接続部３４Ｂには、例えば、スクリーン印刷法により形成された銀ペースト３４Ｈがそれぞれ設けられており、外部電源からの導線と接続され、電圧供給が可能となっている。よって、接続部３３Ａならびに、これと接する第１の電極２５Ａおよび第２の電極２６Ａは、相互に導通した状態となっている。同様に、接続部３３Ｂならびに、これと接する第１の電極２５Ｂおよび第２の電極２６Ｂは、相互に導通した状態となっている。
【００５４】
第１の電極２５および第２の電極２６は、例えば、平面基板２１の裏面に設けられた制御部（図示せず）によってそれぞれ所定の大きさの電位に設定できるようになっている。
【００５５】
第１の電極２５および第２の電極２６は、例えば、図４に示されるように、絶縁膜２８によって密に覆われている。絶縁膜２８は、第１の電極および第２の電極２６だけでなく、隔壁２４および平面基板２１を全面的に覆うように形成されていてもよい。
【００５６】
この絶縁膜２８は、極性液体２９Ｐに対して疎水性（撥水性）を示す（より厳密には無電界下において無極性液体２９Ｎに親和性を示す）と共に、電気的絶縁性に優れた性質を有する材料からなるものとされる。具体的には、フッ素系の高分子であるポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、あるいはシリコーンなどが挙げられる。
【００５７】
絶縁膜２８は、例えば、エレクトロウェッティング動作時に、第１の電極２５または第２の電極２６を電解液による腐食から守る役割を果たしている。
【００５８】
例えば、図４、図５に示されるように、平面基板２２の、平面基板２１と対向する内面には、第３の電極２７が設けられている。第３の電極２７は、例えばＩＴＯ、ＡＺＯ，ＧＺＯなどの透明な導電材料によって構成されており、接地電極として機能する。
【００５９】
平面基板２１，平面基板２２および隔壁２４などによって完全に密閉された空間領域は、セルと称される。セル内には、シリコーン等のオイル、さらには塩化リチウムなどの電解液が充てんされる。そして、第１の電極２５Ａおよび第２の電極２６Ｂにおいてそれぞれ所定の電圧を印加することにより、絶縁膜２８上の電解液５２の接触角を変化させる。
【００６０】
例えば、第１の電極２５Ａおよび第２の電極２６Ｂにおいてそれぞれ所定の電圧を印加することにより、各セル内で電解液の表面を水平にしたり、斜めに傾くようにすることができる。第１の電極２５Ａの電圧値と第２の電極２６Ｂの電圧値とが等しくなれば、電解液の表面が水平になり、第１の電極２５Ａの電圧値と第２の電極２６Ｂの電圧値とが異なれば、電解液の表面が斜めに傾く。
【００６１】
電解液の表面が斜めに傾いた場合、入射してきた光は界面角度と電解液とオイルの屈折率に応じて光線方向が変化する。このように、エレクトロウェッティングによって光線方向の制御が可能となる。
【００６２】
例えば、４つのセル内の第１の電極および第２の電極のそれぞれに電圧Ｖ１乃至電圧Ｖ８を印加して、電解液５２の表面が斜めに傾けることにより、レンチキュラーレンズを形成することができる。このようにして形成されたレンチキュラーレンズを用いて、例えば、多視点の画像を表示する３Ｄディスプレイを構成することもできる。すなわち、液晶ディスプレイとレンチキュラーレンズのギャップ距離および観察位置を調整することにより、例えば、４視点による多眼方式の３Ｄディスプレイの実現が可能となる。
【００６３】
このように、波面変換偏向部２のエレクトロウェッティングによって、３Ｄディスプレイを構成することができる。また、印加する電圧を変化させることによって、電解液５２の表面を水平にすることも可能となる。
【００６４】
ところで、上述したように、第１の電極２５は、分離部３２において２つの部分２５Ａと部分２５Ｂとに分離され、第２の電極２６は、分離部３３において２つの部分２６Ａと部分２６Ｂとに分離されている。また、分離部３２および分離部３３は、例えば、レーザビームを照射することによって形成され、隔壁２４および平面基板２１の表面の一部をも除去された凹部とされる。
【００６５】
しかしながら、レーザビームを照射して分離部３２および分離部３３を形成する際に、例えば、Ｉｎ、Ｓｎなどの飛散ダストが発生する。これにより、例えば、第１の電極２５Ａと第１の電極２５Ｂとの間、また、第２の電極２６Ａと第１の電極２６Ｂとの間で、微小のリークが発生することがある。
【００６６】
リークが発生すると、例えば、各電極の電圧を所望の電圧値とすることができなくなってしまう。このような場合、レンチキュラーレンズを適正に形成することができず、波面変換偏向部２のエレクトロウェッティングによって、３Ｄディスプレイを構成することができない。
【００６７】
そこで、本技術では、電極間でのリークが発生しないようにする。
【００６８】
図６は、本技術を適用したエレクトロウェッティングを利用した液体光学素子アレイの一実施の形態に係る構成例を示す斜視図である。同図に示される液体光学素子アレイ１１０は、例えば、図１の波面変換偏向部２として用いられる。
【００６９】
この液体光学素子アレイ１１０は、平面基板１２１と、平面基板１２１上でＹ軸方向に延在する隔壁１２４−１乃至隔壁１２４−５とを備えている。なお、平面基板１２１と隔壁１２４−１乃至隔壁１２４−５とは、同種の透明な樹脂などによって一体成型されるようにしてもよい。
【００７０】
また、この液体光学素子アレイ１１０のＹ軸方向の両端には、Ｘ軸方向に延在する側壁が設けられ、平面基板１２１と対向して、隔壁１２４−１乃至隔壁１２４−５によって支持された別の平面基板（封止ガラス）が設けられる。従って、例えば、平面基板１２１および封止ガラス、Ｙ軸方向の両端の側壁、並びに隔壁１２４−１および隔壁１２４−２によって密閉された空間（セルと称する）が形成される。図６の液体光学素子アレイ１１０の場合、このようなセルが４つ形成されることになる。
【００７１】
なお、ここでは、セルが４つ構成される例を示しているが、実際にはもっと多くのセルが構成される。すなわち、平面基板１２１上に、隔壁１２４−１、１２４−２、・・・１２４−５、・・・１２４−ｎのように多数の隔壁が設けられて、周期的な凹凸が形成されることなる。
【００７２】
各セル内の隔壁の側面には、駆動電極が設けられる。例えば、図中最も左側のセルにおいて隔壁１２４−１の図中右側の側面に駆動電極１３１−１が設けられている。駆動電極１３１−１などの駆動電極が、図２乃至図５を参照して上述した構成における第１の電極２５に対応する。
【００７３】
また、同図には図示されていないが、隔壁１２４−２の図中左側の側面にも、駆動電極１３１−１と同様にＹ軸方向に延在する駆動電極１３２−１が設けられている。駆動電極１３２−１などの駆動電極が、図２乃至図５を参照して上述した構成における第２の電極２６に対応する。
【００７４】
また、各セル内のＹ軸方向の両端部において、平面基板と隔壁に接するように結合電極が設けられる。例えば、図中最も左側のセルにおいて図中下側に、平面基板１２１と隔壁１２４−１に接するように結合電極１３３−１が設けられている。この結合電極１３３−１は、その一部が駆動電極１３１−１と接触するように設けられている。結合電極１３３−１などの結合電極が、図２乃至図５を参照して上述した構成における接続部３４Ａに対応する。
【００７５】
また、図中最も左側のセルにおいて図中上側に、結合電極１３４−１が設けられている。ここでは、図示されていないが、結合電極１３４−１は、平面基板１２１と隔壁１２４−２に接するように設けられ、その一部が駆動電極１３２−１と接触するように設けられている。結合電極１３４−１などの結合電極が、図２乃至図５を参照して上述した構成における接続部３４Ｂに対応する。
【００７６】
さらに、結合電極１３３−１には、コンタクト部１４１−１が設けられ、結合電極１３４−１には、コンタクト部１４２−１が設けられている。コンタクト部１４１−１は、図示せぬ電源などに接続され、コンタクト部１４１−１を介して結合電極１３３−１および駆動電極１３１−１に所定の電圧が印加される。同様に、コンタクト部１４２−１は、図示せぬ別の電源などに接続され、コンタクト部１４２−１を介して結合電極１３４−１および駆動電極１３２−１に所定の電圧が印加される。
【００７７】
ここでは、図６において図中最も左側のセルの構成についてのみ説明したが、他のセルも同様に構成される。
【００７８】
図７は、図６の上方向から見た液体光学素子アレイ１１０のＸＹ平面における平面図である。同図には、図中左から２番目のセルのみ詳細な構成が記載され、その他のセルは、詳細な構成の記載が省略されている。
【００７９】
図７に示されるように、結合電極１３３−２は、駆動電極１３１−２と接触するが、駆動電極１３２−２とは接触しないように設けられている。また、結合電極１３４−２は、駆動電極１３２−２と接触するが、駆動電極１３１−２とは接触しないように設けられている。このようにすることで、駆動電極１３１−２の電圧値と、駆動電極１３２−２の電圧値をそれぞれ所望の値に制御することが可能となる。
【００８０】
なお、以下においては、駆動電極１３１−１、駆動電極１３１−２、・・・を個々に区別する必要がない場合、適宜、単に駆動電極１３１と称し、駆動電極１３２−１、駆動電極１３２−２、・・・を個々に区別する必要がない場合、適宜、単に駆動電極１３２と称する。同様に、結合電極についても、適宜、単に結合電極１３３、または、結合電極１３４と称し、コンタクト部についても、適宜、単にコンタクト部１４１、または、コンタクト部１４２と称する。さらに、隔壁１２４−１、隔壁１２４−２、・・・も、個々に区別する必要がない場合、適宜、単に隔壁１２４と称する。
【００８１】
液体光学素子アレイ１１０の各セル内においては、後述するように、駆動電極１３１、駆動電極１３２、結合電極１３３、および結合電極１３４が液体に接触して腐食することを防止する絶縁膜が設けられる。そして、液体光学素子アレイ１１０の各セル内には、シリコーン等のオイル１５１、さらには塩化リチウムなどの電解液１５２などの液体が充てんされる。
【００８２】
次に、液体光学素子アレイ１１０のエレクトロウェッティングの構造について説明する。図８は、図６のＺ軸方向の断面図である。図６の例では、２つのセルのみ断面図が示されており、駆動電極１３１および駆動電極１３２を覆う絶縁膜１２８が形成されている。
【００８３】
同図に示されるように、平面基板１２１、封止ガラス１２２および隔壁１２４によって密閉された空間領域がセルとされる。上述したように、セル内には、シリコーン等のオイル１５１、さらには塩化リチウムなどの電解液１５２が充てんされる。そして、駆動電極１３１および駆動電極１３２においてそれぞれ所定の電圧を印加することにより、絶縁膜１２８上の電解液１５２の接触角を変化させる。
【００８４】
エレクトロウェッティング動作時の印加電圧および絶縁膜１２８上の電解液１５２の接触角の関係は、式（１）により表される。
【００８５】
cosθV=cosθ0＋ε0εV2/2eγLG
・・・（１）
【００８６】
なお、式（１）において、γLGは、電解液１５２の表面張力とされ、θ0は、印加電圧０の場合の絶縁膜２８上の電解液１５２の接触角とされ、θVは、印加電圧Ｖの場合の絶縁膜１２８上の電解液１５２の接触角とされる。また、eは、絶縁膜１２８の膜厚とされ、εは、絶縁膜の比誘電率とされ、ε0は、真空の誘電率とされる。
【００８７】
例えば、図９Ａまたは図９Ｂに示されるように、駆動電極１３１および駆動電極１３２にそれぞれ電圧Ｖ１乃至電圧Ｖ４を印加する。なお、図９Ａまたは図９Ｂでは、駆動電極１３１−１には、電圧Ｖ１が印加され、駆動電極１３２−１には、電圧Ｖ２が印加されている。また、駆動電極１３１−２には、電圧Ｖ３が印加され、駆動電極１３２−２には、電圧Ｖ４が印加されている。
【００８８】
いま、Ｖ１＝Ｖ２、Ｖ３＝Ｖ４であったとすると、図９Ａに示されるように、各セル内で電解液１５２の表面は水平になる。
【００８９】
一方、Ｖ１＞Ｖ２、Ｖ３＜Ｖ４であったとすると、図９Ｂに示されるように、各セル内で電解液１５２の表面が斜めに傾くことになる。この場合、入射してきた光は界面角度と電解液１５２とオイル１５１の屈折率に応じて光線方向が変化する。このように、エレクトロウェッティング動作によって光線方向の制御が可能となる。
【００９０】
例えば、図１０に示されるように、４つのセル内の駆動電極１３１および駆動電極１３２のそれぞれに電圧Ｖ１乃至電圧Ｖ８を印加して、電解液１５２の表面が斜めに傾けることにより、レンチキュラーレンズを形成することができる。この例では、４つのセルを用いて１つのレンチキュラーレンズが形成されている。
【００９１】
このようにして形成されたレンチキュラーレンズを用いて、例えば、多視点の画像を表示する３Ｄディスプレイを構成することができる。図１１は、レンチキュラーレンズを用いた３Ｄディスプレイの例を説明する図である。同図の例では、１つのレンチキュラーレンズの下に液晶ディスプレイの画素が４つずつ配置され、視点Ａ乃至視点Ｄの４視点の画像を表示させることができるようになされている。
【００９２】
すなわち、液晶ディスプレイとレンチキュラーレンズのギャップ距離および観察位置を調整することにより、４視点による多眼方式の３Ｄディスプレイの実現が可能となる。
【００９３】
このように、波面変換偏向部２のエレクトロウェッティングによって、３Ｄディスプレイを構成することができる。また、図９を参照して上述したように、印加する電圧を変化させることによって、電解液１５２の表面を水平にすることも可能なので、２Ｄと３Ｄ切り替えが可能なディスプレイを構成することができる。さらに、エレクトロウェッティングは、高速応答性を有するため、例えば、高速に画像を切り換えることにより、解像度を向上させることも可能である。また、エレクトロウェッティング方式は、液晶レンズなどの液晶デバイスと比較して、無偏光であるため、例えば、表示パネル側に有機ＥＬなどの無偏光パネルを用いた場合、輝度の低下を抑制することも可能である。
【００９４】
次に、液体光学素子アレイ１１０の製造方式について説明する。
【００９５】
最初に、例えば、図１２に示されるような、成型フィルムを用意する。この成型フィルムは、ＰＥＮ、ＰＣ、ＰＥＴ等の透明な樹脂基板からなる。例えば、２００um厚のＰＥＮフィルムを熱成型して周期的な凹凸構造を有する成型フィルムを作成することができる。この成形フィルムによって、上述した平面基板１２１および隔壁１２４が構成されている。
【００９６】
例えば、成型フィルムの凸部が隔壁１２４を構成し、その高さは６０um、ピッチは７０um、トップの幅は１０um、テーパー角度を１０°とされる。なお、光学的な特性を向上させるためには、傾斜角度は小さければ小さいほど望ましいが、傾斜角度が小さいほど型が抜けにくくなるため、製造が難しくなる。
【００９７】
次に、図１２に示される成型フィルム上に、例えば、有機溶剤に溶解するＵＶ硬化型レジストをスピンコート法で１２００rpm、２０secの条件で塗布した後、約８００mJ/cm2のＵＶ照射を４回行い、レジストを硬化させる。これにより、例えば、図１３Ａに示されるように、硬化したレジストが成型フィルムのセル内に付着する。なお、図１３と図１４は、図１２のＺ軸方向の断面図とされる。
【００９８】
次に、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置を用い、酸素５０sccm、圧力２０Pa、パワー５０W、エッチング時間２分にて、各セル内の隔壁１２４の側面に付着したレジストを除去する。これにより、例えば、図１３Ｂに示されるように、各セル内の隔壁１２４の側面に付着したレジストが除去される。ここでは、ＲＩＥ装置によるアッシングを用いたが、ＩＣＰ（Inductive Coupling Plasma）などを用いてもよい。
【００９９】
そして、ＤＣスパッタ法を用い、中抜きのメタルマスクを用いて、無加熱にて約３００nmの透明の導電性の高い材料から成る膜を成膜する。透明の導電性の高い材料としては、例えば、ＩＴＯが用いられる。これにより、図１４Ａに示されるように、隔壁１２４の形状に沿ってＩＴＯ膜が形成されることになる。
【０１００】
その後、剥離液として、有機溶剤（例えば、アセトンや酢酸エチル）を用いて、例えば、超音波洗浄を５分間行うことで、レジストとともにＩＴＯ膜を除去する。超音波洗浄を用いることで短時間でのレジストを剥離することが可能となる。これにより、図１４Ｂに示されるように、レジストとともにＩＴＯ膜が除去される。
【０１０１】
ここで、図１３と図１４に示される工程をさらに詳細に説明する。図１５乃至１８は、図１２のＺ軸方向の断面図とされる。
【０１０２】
図１５に示されるように、隔壁１２４と平面基板１２１の全体を覆うように、例えば、スパッタリング法により所定材料からなる絶縁層１５３を形成する。その後、絶縁層１５３よって覆われた隔壁１２４の側面と、平面基板１２１の表面とを連続的に覆うようにレジスト層Ｒを形成する。
【０１０３】
例えば、所定の有機溶剤に溶解する紫外線硬化樹脂をディスペンサにより所定量を滴下し、スピンコート法により全体に広げるように塗布したのち、紫外線を照射してレジストを硬化させるようにする。なお、レジスト層Ｒの構成材料としては、例えばケミシールＵ−４５１Ｍ（ケミテック株式会社製）などが好適である。
【０１０４】
レジスト層Ｒを形成したのち、図１６に示されるように、ＲＩＥ装置によるエッチング処理などによりレジスト層Ｒを除去し、隔壁１２４の側面の上部を露出させる。
【０１０５】
その後、図１７に示されるように、全体を覆うように導電性の高い材料で構成される導電膜ＭＬを形成する。例えば、直流スパッタリング法によりＩＴＯからなる導電膜ＭＬを形成する。
【０１０６】
続いて、レジスト層Ｒを溶解可能な有機溶剤（アセトンや酢酸エチルなど）に浸漬し、必要に応じて超音波の振動を加えることにより、残存していたレジスト層Ｒを溶解除去する。その際、図１８に示されるように、レジスト層Ｒを覆っていた一部の導電膜ＭＬをも除去される。ここで、残存していたレジスト層Ｒは、導電膜ＭＬを形成した際のイオンの衝突によるダメージなどによって表面が粗面化しているため、有機溶剤の浸透がし易い状態となっている。
【０１０７】
図１９は、図１８に示される状態における成型フィルムの斜視図である。同図に示されるように、隔壁１２４を覆うように導電膜ＭＬ（いまの場合、ＩＴＯ膜）が形成されている。隔壁１２４の上部の導電膜ＭＬを除去することにより、駆動電極１３１および駆動電極１３２を形成することができる。
【０１０８】
ここでは、駆動電極１３１および駆動電極１３２を構成する導電膜の材料としてＩＴＯを用いる例について説明したが、例えば、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＩＺＯなどの導電性の高い材料を用いるようにしてもよい。あるいはまた、アルミ（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、または銅（Ｃｕ）などの金属を主成分とする材料を用いるようにしてもよい。また、駆動電極１３１および駆動電極１３２を構成する導電膜の膜厚は、５０nm以下とすることが望ましい。
【０１０９】
次に、図１９に示される状態の成型フィルムに結合電極を形成する。
【０１１０】
まず、図１９の成型フィルムを、Ｙ軸を軸として２５°傾けた状態で、結合電極１３４の部分だけ開口しているメタルマスクを用いて、Ｍｏ膜を成膜する。この際、例えば、無加熱で２００W、０.２５Pa、約１００nmのＭｏ膜をスパッタリングによって成膜する。また、同様に、図１９の成型フィルムを、Ｙ軸を軸として２５°傾けた状態で、結合電極１３３の部分だけ開口しているメタルマスクを用いて、Ｍｏ膜を成膜する。
【０１１１】
この際、成型フィルムを傾けて成膜することで、隔壁１２４の側面においてＭｏ膜に膜厚差が生じることになる。
【０１１２】
次に、ＲＩＥ装置によって、ＳＦ６ガスを用いて５０W、４８Pa、６０秒でＭｏ膜をエッチングする。これにより、上述のＭｏ膜の中の膜厚の薄い部分が除去される。
【０１１３】
ここで、ＳＦ６ガスを用いたのは、ＳＦ６ガスのＲＩＥでは、Ｍｏはエッチングされるが、ＩＴＯはほとんどエッチングされないからである。例えば、Ｍｏのエッチング速度を1とすると、ＩＴＯでは１/１０以下である。このように、異なる材料であって、十分に選択比のとれた（エッチング速度が異なる）材料で駆動電極用の導電膜と結合電極用の導電膜を形成することにより、エッチング時のメタルマスク等も必要なくなる。さらに、エッチングによるＩＴＯ膜の劣化なども回避することができる。
【０１１４】
なお、ここでは、ＳＦ６ガスのＲＩＥを例として説明したが、エッチングの方式は、これに限られるものではない。すなわち、駆動電極用の材料と結合電極用の材料とはそれぞれ異なるものとされ、同一のエッチングガス、エッチング液を用いたエッチングにおいて、エッチング速度が所定の比率以上異なっている２つの材料がそれぞれ選択されるようにすればよい。
【０１１５】
また、隔壁１２４の片側の側面にのみＭｏ膜を残すためには、スパッタリングの際に左右の膜厚比をできるだけ大きくすることが重要である。また、平面基板１２１上にもＭｏ膜を残すことを考慮すると、隔壁１２４のテーパー角と平面基板１２１の傾き角の和が４５°の時に、最も左右の膜厚比が最大となるので、スパッタリングの際には、このように成型フィルムを傾けることが望ましい。
【０１１６】
なお、ここでは、成型フィルムを傾けてＭｏ膜を成膜することにより、隔壁１２４の側面においてＭｏ膜に膜厚差が生じさせる例について説明したが、他の方式を用いてＭｏ膜を成膜するようにしても構わない。要は、成膜されたＭｏ膜が、隔壁１２４の側面において膜厚差を有しているようにすればよい。
【０１１７】
また、ここでは、結合電極を構成する導電膜の材料としてＭｏを使用する例について説明したが、例えば、Ｍｏに代えてＷ（タングステン）を使用するようにしてもよい。
【０１１８】
また、ＲＩＥでは、圧力の増加とともに、面内分布は改善するが、斜めイオンによるダメージにより、エッチングが不安定になる傾向がある。このため、プロセス圧力はできるだけ低くすることが望ましい。
【０１１９】
図２０は、図１２のＺ軸方向の断面図であって、結合電極１３４が形成される部分の断面図とされる。
【０１２０】
図２０Ａは、スパッタリングした後の成型フィルムの断面図である。図２０Ａの例では、隔壁１２４の形状に沿ってＭｏ膜が形成されている。ただし、図１９の成型フィルムを、Ｙ軸を軸として２５°傾けたことにより、隔壁１２４の側面においてＭｏ膜に膜厚差がつけられている。同図の例では、隔壁１２４の図中左側の側面において膜厚が厚くなっており、図中右側の側面において膜厚が薄くなっている。
【０１２１】
図２０Ａに示される成型フィルムがエッチングされることにより、上述したように、Ｍｏ膜の中の膜厚の薄い部分が除去される。
【０１２２】
図２０Ｂは、スパッタリングした後の成型フィルムの断面図である。図２０の例では、隔壁１２４の図中右側の側面のみＭｏ膜が除去されており、図中左側の側面にはＭｏ膜が残っている。すなわち、図２０Ａにおいて、膜厚の薄かった部分のみＭｏ膜が除去されたのである。
【０１２３】
図２１は、図２０Ｂに示される状態における成型フィルムの斜視図である。図２１に示されるように、平面基板１２１と隔壁１２４の右側の側面を覆うように、結合電極用の導電膜（Ｍｏ膜）が形成されている。また、結合電極用の導電膜（Ｍｏ膜）は、駆動電極用の導電膜（ＩＴＯ膜）と一部が接触するように形成されている。
【０１２４】
そして、図２１に示される状態から、隔壁１２４の上部の面上の導電膜を除去する。例えば、ＣＭＰ(化学機械研磨法)によりＭｏ用のスラリーを用いて、Ｍｏ膜を研磨して除去し、次にＩＴＯ用のスラリーを用いて、ＩＴＯ膜を研磨して除去する。これにより、図２１に示される成型フィルムは、図２２に示されるような状態となる。
【０１２５】
図２２に示されるように、隔壁１２４の上部の面上の導電膜が除去されたことにより、駆動電極１３１、駆動電極１３２（ここでは図示せず）、結合電極１３３、および結合電極１３４が形成されている。これにより、結合電極１３３を構成する導電膜は、対向する隔壁１２４の側面のうち図中左側の側面にのみ形成され、結合電極１３４を構成する導電膜は、対向する隔壁１２４の側面のうち図中右側の側面にのみ形成されたことになる。
【０１２６】
本技術では、上述したように、エッチングによって隔壁１２４の図中右側の側面のみＭｏ膜が除去されるようにしたので、例えば、従来の構成のように、レーザビームを照射することによって分離部３２および分離部３３を形成する必要がない。このため、本技術の場合、分離部３２および分離部３３を形成する際に、例えば、Ｉｎ、Ｓｎなどの飛散ダストが発生することはなく、駆動電極１３１と駆動電極１３２との間でのリークの発生などもない。
【０１２７】
従って、図２２に示される状態においては、駆動電極１３１と駆動電極１３２は、完全に電気的に分離された状態となっている。また、結合電極１３３は、駆動電極１３１とのみ導通し、駆動電極１３２とは導通せず、結合電極１３４は、駆動電極１３２とのみ導通し、駆動電極１３１とは導通しない状態となっている。
【０１２８】
なお、ここでは、研磨のためにＣＭＰを用いると説明したが、単なる表面研磨で代用することも可能である。ただし、ミクロン精度が要求される場合、ＣＭＰを用いることが望ましい。
【０１２９】
最後に、ＣＯ２レーザを用いて、平面基板１２１の裏面から約３０um径のＶｉａホールを開口し、更にスクリーン印刷法で銀ペーストを用いてコンタクト部１４１とコンタクト部１４２を形成する。これにより、図６を参照して上述したような、液体光学素子アレイ１１０が完成する。
【０１３０】
次に、図２３のフローチャートを参照して、本技術を適用した液体光学素子アレイの製造方法の例について説明する。
【０１３１】
ステップＳ１１において、成型フィルムを生成する。このとき、例えば、図１２に示されるような、成型フィルムが生成される。
【０１３２】
ステップＳ１２において、ステップＳ１１で生成した成型フィルム上に、レジストを付着させる。このとき、例えば、有機溶剤に溶解するＵＶ硬化型レジストをスピンコート法で１２００rpm、２０secの条件で塗布した後、約８００mJ/cm2のＵＶ照射を４回行い、レジストを硬化させる。これにより、例えば、図１３Ａに示されるように、硬化したレジストが成型フィルムのセル内に付着する。そして、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置を用い、酸素５０sccm、圧力２０Pa、パワー５０W、エッチング時間２分にて、各セル内の隔壁１２４の側面に付着したレジストを除去する。これにより、例えば、図１３Ｂに示されるように、各セル内の隔壁１２４の側面に付着したレジストが除去される。
【０１３３】
ステップＳ１３において、駆動電極用の導電膜（例えば、ＩＴＯ膜）を成膜する。このとき、例えば、ＤＣスパッタ法を用い、中抜きのメタルマスクを用いて、無加熱にて約３００nmのＩＴＯを成膜する。これにより、図１４Ａに示されるように、隔壁１２４の形状に沿ってＩＴＯ膜が形成されることになる。
【０１３４】
ステップＳ１４において、レジストとＩＴＯ膜を除去する。このとき、例えば、剥離液として、有機溶剤を用いて、超音波洗浄を５分間行うことで、レジストとともにＩＴＯ膜を除去する。これにより、図１４Ｂに示されるように、レジストとともにＩＴＯ膜が除去される。
【０１３５】
ステップＳ１５において、成型フォルムを傾けて結合電極用の導電膜（例えば、Ｍｏ膜）を成膜する。このとき、例えば、図１９の成型フィルムを、Ｙ軸を軸として２５°傾けた状態で、結合電極１３４の部分だけ開口しているメタルマスクを用いて、Ｍｏ膜を成膜する。この際、例えば、無加熱で２００W、０.２５Pa、約１００nmのＭｏ膜をスパッタリングによって成膜する。また、同様に、図１９の成型フィルムを、Ｙ軸を軸として２５°傾けた状態で、結合電極１３４の部分だけ開口しているメタルマスクを用いて、Ｍｏ膜を成膜する。このように、成型フィルムを傾けて成膜することで、隔壁１２４の側面においてＭｏ膜に膜厚差が生じることになる。
【０１３６】
なお、ここでは、成型フィルムを傾けてＭｏ膜を成膜することにより、隔壁１２４の側面においてＭｏ膜に膜厚差が生じさせる例について説明したが、他の方式を用いてＭｏ膜を成膜するようにしても構わない。要は、成膜されたＭｏ膜が、隔壁１２４の側面において膜厚差を有しているようにすればよい。
【０１３７】
ステップＳ１６において、ステップＳ１５の処理でＭｏ膜が成膜された成型フィルムがエッチングされる。これにより、図２０Ｂに示されるように、Ｍｏ膜の中の膜厚の薄い部分が除去される。
【０１３８】
ステップＳ１７において、隔壁１２４の上部の面上の導電膜を除去すべく、例えば、ＣＭＰを用いて、Ｍｏ膜とＩＴＯ膜を研磨して除去する。これにより、成型フィルムは、図２２に示されるような状態となる。
【０１３９】
ステップＳ１８において、コンタクト部を形成する。このとき、例えば、ＣＯ２レーザを用いて、平面基板１２１の裏面から約３０um径のＶｉａホールを開口し、更にスクリーン印刷法で銀ペーストを用いてコンタクト部１４１とコンタクト部１４２を形成する。
【０１４０】
このようにして、液体光学素子アレイ製造処理が実行され、その結果、図６を参照して上述したような、液体光学素子アレイ１１０が完成する。
【０１４１】
なお、本明細書において上述した一連の処理は、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理をも含むものである。
【０１４２】
また、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【０１４３】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
【０１４４】
（１）
周期的な凹凸構造を有し、
前記凹凸構造の凸部である隔壁の側面に設けられた第１の駆動電極と、
前記第１の駆動電極が設けられた隔壁の側面と対向する側面に、前記第１の駆動電極と電気的に分離されて設けられた第２の駆動電極と、
前記凹凸構造の凹部、および前記隔壁の側面の一部であって、前記第１の駆動電極と接触する部分に設けられた第１の結合電極と、
前記凹凸構造の凹部、および前記隔壁の側面の一部であって、前記第２の駆動電極と接触する部分に、前記第１の結合電極と電気的に分離されて設けられた第２の結合電極とを備え、
前記第１の結合電極または前記第２の結合電極を通じて前記第１の駆動電極または前記第２の駆動電極のそれぞれに、所定の電圧が印加され、
前記駆動電極のそれぞれは、前記結合電極のそれぞれとは異なる材料によって形成される
光学素子基板。
（２）
前記駆動電極のそれぞれ、および、前記結合電極のそれぞれは、導電膜により構成され、
前記結合電極のそれぞれを構成する導電膜は、前記凹凸構造の凹部、および前記対向する隔壁の側面のうち、一方の側面にのみ形成される
（１）に記載の光学素子基板。
（３）
前記結合電極のそれぞれを構成する導電膜は、
前記凹凸構造の凹部、および前記対向する隔壁の側面の両方の側面において予め形成された前記導電膜がエッチングされることにより、前記対向する隔壁の側面のうち、一方の側面に形成された前記導電膜が除去されて、前記対向する隔壁の側面のうち、一方の側面にのみ前記導電膜が形成される
（２）に記載の光学素子基板。
（４）
同一の方式でエッチングされる場合、
前記駆動電極のそれぞれを構成する第１の材料のエッチング速度と、前記結合電極のそれぞれを構成する第２の材料のエッチング速度との比が所定の値以上となる
（１）乃至（３）のいずれかに記載の光学素子基板。
（５）
前記駆動電極のそれぞれを構成する材料は、ＩＴＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＩＺＯ、Ａｌ、Ａｇ、またはＣｕを主成分とする材料とされ、
前記結合電極のそれぞれを構成する材料は、ＭｏまたはＷとされる
（１）乃至（４）のいずれかに記載の光学素子基板。
（６）
透明な樹脂基板を成型した成型フィルムにより、前記凹凸構造が形成される
（１）乃至（５）のいずれかに記載の光学素子基板。
（７）
前記凹凸構造によって形成される複数のセルの内部のそれぞれに、電解液およびオイルが充てんされ、
前記第１の駆動電極と前記第２の駆動電極にそれぞれ異なる電圧が印加されることにより、エレクトロウェッティングによるレンチキュラーレンズが形成される
（１）乃至（６）のいずれかに記載の光学素子基板。
（８）
エレクトロウェッティングを利用した液体光学素子アレイの製造方法であって、
周期的な凹凸構造を有する成型フィルムであって、前記凹凸構造の凸部である隔壁の側面に第１の材料によって構成される導電膜が形成された成型フィルムにおいて、前記凹凸構造の凹部および前記隔壁の側面に、前記第１の材料とは異なる第２の材料によって構成される導電膜を塗布する第１の工程と、
前記第１の材料によって形成された導電膜および前記第２の材料によって形成された導電膜をエッチングして、対向する前記隔壁の側面のうち、一方の側面に形成された前記導電膜を除去する第２の工程とを含み、
前記第１の工程では、前記対向する前記隔壁の側面において、膜厚差をつけて前記第２の材料によって構成される導電膜が塗布される
光学素子アレイ製造方法。
（９）
前記第１の工程では、前記成型フィルムを傾けた状態で前記第２の材料によって構成される導電膜が塗布される
（８）に記載の光学素子アレイ製造方法。
（１０）
前記第１の材料のエッチング速度と、前記第２の材料のエッチング速度との比が所定の値以上となる
（８）または（９）に記載の光学素子アレイ製造方法。
【符号の説明】
【０１４５】
１  表示部，  ２  波面変換変更部，  １１０  液体光学素子アレイ，  １２１  平面基板，  １２２  封止ガラス，  １２４  隔壁，  １２８  絶縁膜，  １３１  駆動電極，  １３２  駆動電極，  １３３  コンタクト電極，  １３４  結合電極，  １４１  コンタクト部，  １４２  コンタクト部，  １５１  オイル，  １５２  電解液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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