(57)【要約】【課題】表面外周部をシール部材でシールして基板ホルダで保持した基板であっても、純水等の洗浄水の使用量を増加させることなく、基板の外周部を含む全表面を均一に洗浄できるようにする。【解決手段】表面外周部をシール部材でシールして基板を保持した基板ホルダを内部に鉛直に配置する洗浄槽１００と、洗浄槽１００の内部の該洗浄槽１００内に配置される基板ホルダ１８と対向する位置に配置され、基板ホルダ１００に向けて洗浄水を噴射する複数の洗浄ノズル１０２を有するノズルプレート１０４とを有し、複数の洗浄ノズル１０２は、基板の上半分の領域において、表面外周部のシール部材との接触部Ｄ１乃至その近傍に噴流が当たる位置に、該接触部Ｄ１と同心状に配置されている。【選択図】図７
2013211533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面外周部をシール部材でシールして基板を保持した基板ホルダを内部に鉛直に配置する洗浄槽と、
前記洗浄槽の内部の該洗浄槽内に配置される前記基板ホルダと対向する位置に配置され、前記基板ホルダに向けて洗浄水を噴射する複数の洗浄ノズルとを有し、
前記複数の洗浄ノズルは、基板の上半分の領域において、表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍に噴流が当たる位置に、該接触部と同心状に配置されていることを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
前記複数の洗浄ノズルは、基板の中心に対応する位置を原点として水平及び鉛直に延びる軸をＸ軸及びＹ軸とした時、Ｘ軸及びＹ軸上と、該Ｙ軸に対して左右対称で、互いに隣接する各洗浄ノズルと前記原点とをそれぞれ結ぶ線が成す角がＹ軸から離れるに従って徐々に大きくなる位置に設置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
基板の下側の領域において、基板の表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍に噴流が当たる位置に、該接触部と同心状に配置された複数の洗浄ノズルを更に有することを特徴とする請求項１または２記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
前記洗浄ノズルは、噴流が基板の表面外周部のシール部材との接触部に沿って横方向に直線状に拡がる扇形ノズルであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項５】
基板ホルダの保持部材間をシールするシール部材乃至その近傍に噴流が当たる位置に、該シール部材と同心状に配置されホルダ洗浄ノズルを更に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項６】
表面外周部をシール部材でシールして基板を保持した基板ホルダを洗浄槽内の洗浄水中に浸漬させ、
前記洗浄槽内の洗浄水を排水し、
表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍に噴流が当たるように洗浄水を基板に向けて洗浄ノズルから噴射しつつ、該洗浄ノズルから噴射された洗浄水を前記洗浄槽から排水し、
前記洗浄ノズルを通して前記洗浄槽の内部に洗浄水を供給して洗浄水中に前記基板ホルダを浸漬させ、
前記基板ホルダを前記洗浄槽から引き上げることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項７】
表面外周部をシール部材でシールして基板を保持した基板ホルダを洗浄槽内に配置し、
表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍に噴流が当たるように洗浄水を基板に向けて洗浄ノズルから噴射しつつ、該洗浄ノズルから噴射された洗浄水を前記洗浄槽から排水し、
前記洗浄ノズルを通して前記洗浄槽の内部に洗浄水を供給して洗浄水中に前記基板ホルダを浸漬させ、
前記洗浄槽内の洗浄水を排水し、
表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍に噴流が当たるように洗浄水を基板に向けて前記洗浄ノズルから噴射しつつ、該洗浄ノズルから噴射された洗浄水を前記洗浄槽から排水し、
前記基板ホルダを前記洗浄槽から引き上げることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項８】
表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍に噴流が当たるように洗浄水を基板に向けて噴射すると同時に、前記基板ホルダの保持部材間をシールするシール部材乃至その近傍に噴流が当たるよう洗浄水を前記基板ホルダに向けて噴射することを特徴とする請求項６または７に記載の基板洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば基板の被めっき面（表面）に一連のめっき処理を施して乾燥させるめっき装置に備えられ、表面外周部をシール部材でシールして基板ホルダで保持しためっき等の処理後の基板の該表面を純水等の洗浄水で洗浄する基板洗浄装置及び洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
出願人は、半導体ウエハ等の基板の表面にバンプ等を連続して形成するめっき装置として、第１保持部材（固定保持部材）と第２保持部材（可動保持部材）との間に基板を介在させ、第２保持部材に取付けた内側シール部材を基板の外周部に、第２保持部材に取付けた外側シール部材を第１保持部材にそれぞれ圧接させてシールしながら基板を着脱自在に保持するようにした基板ホルダを備え、この基板ホルダで保持した基板の表面にめっきを行った後、基板の表面を基板ホルダで保持したまま洗浄し乾燥させるようにしためっき装置を提案している（特許文献１参照）。
【０００３】
このめっき装置は、めっき処理後の基板を洗浄する基板洗浄装置としての水洗槽（洗浄槽）を備えており、水洗槽の内部に貯めた純水等の洗浄水中に基板を基板ホルダと共に浸漬させることで、基板と基板ホルダを同時に洗浄するようにしている。
【０００４】
図１は、基板ホルダで保持した半導体ウエハ等の基板を洗浄槽の純水等の洗浄水中に浸漬させて基板ホルダと共に洗浄する従来の一般的な基板洗浄方法を工程順に示す。
【０００５】
先ず、図１（ａ）に示すように、洗浄槽２００の内部を純水等の洗浄水２０２で満たしておき、基板を保持した基板ホルダ２０４を洗浄槽２００に向けて下降させ、図１（ｂ）に示すように、基板ホルダ２０４で保持した基板を洗浄槽２００内の洗浄水２０２に浸漬させる。これによって、基板の表面と基板ホルダ２０４の全体を洗浄槽２００内の洗浄水２０２で洗浄する。この洗浄は、基本的には液の濃度差による拡散によって基板や基板ホルダに付着した薬液を除去する洗浄である。
【０００６】
そして、図１（ｃ）に示すように、洗浄により薬液が拡散した洗浄水２０２を洗浄槽２００から排水し、しかる後、図１（ｄ）に示すように、洗浄槽２００の内部に新たな洗浄水２０２を供給して、この新たな洗浄水２０２で基板と基板ホルダ２０４の全体を洗浄するＱＤＲ（クイックダンプリンス）洗浄を必要な回数、例えば２〜３回繰り返す。
【０００７】
次に、図１（ｅ）に示すように、基板ホルダ２０４を洗浄槽２００内の洗浄水２０２から引き上げて洗浄を終了する。この基板ホルダ２０４の引上げ速度が遅いほど、基板ホルダや基板に付着する洗浄水の液量が少なくなって、次工程のめっき液等による汚染が少なくなる。洗浄槽２００内に残った洗浄水２０２は、洗浄水（純水）の使用量を削減するため、必要に応じて、次の基板の洗浄に使用される。
【０００８】
半導体ウエハを純水で洗浄する洗浄装置として、水洗槽の上部及び側部に設置したシャワーノズルにより半導体ウエハに向けて純水を噴射しつつ、純水の噴射で水洗槽内に貯まる純水を水洗槽から排水し、しかる後、水洗槽内に純水を供給して半導体ウエハを洗浄するようにしたもの（特許文献２参照）や、水洗槽の上部及び底部等に設置したシャワーノズルにより半導体ウエハに向けて純水を噴射させつつ、純水の噴射で水洗槽内に貯まる純水を水洗槽から排水して洗浄するようにしたもの（特許文献３参照）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−２４７０９８号公報
【特許文献２】特開昭６１−６１４２５号公報
【特許文献３】特開昭６２−１６０７２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来のめっき直後の基板表面を純水で洗浄するＱＤＲ洗浄では、ＱＤＲ洗浄回数を少なくすると、基板を乾燥させたときに、基板表面に乾きムラ（酸化ムラ）が生じる。この基板表面に乾きムラを生じさせる原因は、基板上に残った洗浄水中のめっき液濃度が高いためであり、基板上に残る洗浄水中のめっき液濃度が低いときには、基板表面に乾きムラが生じない。基板上に残る洗浄水は洗浄槽内の洗浄水である。
【００１１】
このため、従来のＱＤＲ洗浄では、基板を洗浄水で洗浄すると同時に、洗浄槽内の洗浄水中のめっき液濃度を低くする必要があり、ＱＤＲ洗浄回数が増えて洗浄水（純水）の使用量が多くなってしまう。
【００１２】
しかも、例えば表面外周部をシール部材でシールして基板を基板ホルダで保持すると、表面外周部のシール部材との接触部Ｄ１（図６参照）にリング状に連続した段差が生じ、従来のＱＤＲ洗浄では、洗浄槽内の洗浄水の対流が小さいため、上記接触部Ｄ１に生じた段差に付着しためっき液はあまり拡散されず、このため、基板の表面外周部のシール部材との接触部Ｄ１乃至その付近に付着しためっき液を洗浄することが一般に困難で、基板の外周部を含む全表面を均一に洗浄するためには、ＱＤＲ洗浄回数を更に増やす必要があった。
【００１３】
このように、基板の表面外周部のシール部材との接触部乃至その付近を洗浄することが困難であることは、基板表面に洗浄ノズル（シャワーノズル）のからの洗浄水の噴流を当てて基板表面を洗浄する方法にあってもほぼ同様で、基板の外周部を含む全表面を、乾燥ムラを生じさせることなく、均一に洗浄するためには、ノズルから噴射する洗浄水の流量を大きくする必要があると考えられる。
【００１４】
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、表面外周部をシール部材でシールして基板ホルダで保持した基板であっても、純水等の洗浄水の使用量を増加させることなく、基板の外周部を含む全表面を均一に洗浄できるようにした基板洗浄装置及び洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の基板洗浄装置は、表面外周部をシール部材でシールして基板を保持した基板ホルダを内部に鉛直に配置する洗浄槽と、前記洗浄槽の内部の該洗浄槽内に配置される前記基板ホルダと対向する位置に配置され、前記基板ホルダに向けて洗浄水を噴射する複数の洗浄ノズルとを有し、前記複数の洗浄ノズルは、基板の上半分の領域において、表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍に噴流が当たる位置に、該接触部と同心状に配置されている。
【００１６】
これにより、鉛直に配置される基板の上半分の領域において、表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍に洗浄ノズルから噴射される洗浄水の噴流を当てることで、前記接触部を該接触部に直接乃至基板で跳ね返って間接的に当たる洗浄水、及び該接触部に沿って下方に流れる洗浄水で効率的に洗浄し、しかも基板の表面に沿って鉛直方向に垂れ流れる洗浄水で基板の全表面を洗浄することができる。
【００１７】
本発明の好ましい一態様において、前記複数の洗浄ノズルは、基板の中心に対応する位置を原点として水平及び鉛直に延びる軸をＸ軸及びＹ軸とした時、Ｘ軸及びＹ軸上と、該Ｙ軸に対して左右対称で、互いに隣接する各洗浄ノズルと前記原点とをそれぞれ結ぶ線が成す角がＹ軸から離れるに従って徐々に大きくなる位置に設置されている。
これにより、互いに隣接する洗浄ノズル間のＸ軸に沿った長さをより等しくして、基板の表面に沿って鉛直方向に流れ落ちる洗浄水を基板上にムラなく行き渡らせることができる。
【００１８】
本発明の好ましい一態様において、基板の下側の領域において、基板の表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍に噴流が当たる位置に、該接触部と同心状に配置された複数の洗浄ノズルを更に有する。
これにより、基板の表面外周部のシール部材との接触部の洗浄効果を更に高めることができる。
【００１９】
本発明の好ましい一態様において、前記洗浄ノズルは、噴流が基板の表面外周部のシール部材との接触部に沿って横方向に直線状に拡がる扇形ノズルである。
これにより、各洗浄ノズルから噴射される洗浄水の噴流が、基板の表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍のより広い領域で当たって、基板の表面に沿って鉛直方向に流れ落ちるようにすることができる。
【００２０】
本発明の好ましい一態様において、基板ホルダの保持部材間をシールするシール部材乃至その近傍に噴流が当たる位置に、該シール部材と同心状に配置されホルダ洗浄ノズルを更に有する。
【００２１】
これにより、基板ホルダの保持部材間をシールするシール部材を、ホルダ洗浄ノズルから噴出されて該シール部材乃至その近傍に当たる洗浄水、及び該シール部材に沿って下方に流れる洗浄水で効率的に洗浄することができる。
【００２２】
本発明の基板洗浄方法は、表面外周部をシール部材でシールして基板を保持した基板ホルダを洗浄槽内の洗浄水中に浸漬させ、前記洗浄槽内の洗浄水を排水し、表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍に噴流が当たるように洗浄水を基板に向けて洗浄ノズルから噴射しつつ、該洗浄ノズルから噴射された洗浄水を前記洗浄槽から排水し、前記洗浄ノズルを通して前記洗浄槽の内部に洗浄水を供給して洗浄水中に前記基板ホルダを浸漬させ、前記基板ホルダを前記洗浄槽から引き上げる。
【００２３】
本発明の他の基板洗浄方法は、表面外周部をシール部材でシールして基板を保持した基板ホルダを洗浄槽内に配置し、表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍に噴流が当たるように洗浄水を基板に向けて洗浄ノズルから噴射しつつ、該洗浄ノズルから噴射された洗浄水を前記洗浄槽から排水し、前記洗浄ノズルを通して前記洗浄槽の内部に洗浄水を供給して洗浄水中に前記基板ホルダを浸漬させ、前記洗浄槽内の洗浄水を排水し、表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍に噴流が当たるように洗浄水を基板に向けて前記洗浄ノズルから噴射しつつ、該洗浄ノズルから噴射された洗浄水を前記洗浄槽から排水し、前記基板ホルダを前記洗浄槽から引き上げる。
【００２４】
本発明の好ましい一態様において、表面外周部のシール部材との接触部乃至その近傍に噴流が当たるように洗浄水を基板に向けて噴射すると同時に、前記基板ホルダの保持部材間をシールするシール部材乃至その近傍に噴流が当たるよう洗浄水を前記基板ホルダに向けて噴射する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、基板の表面外周部のシール部材との接触部を、該接触部に直接乃至基板で跳ね返って間接的に当たる洗浄水及び該接触部に沿って下方に流れる洗浄水で効率的に洗浄し、しかも基板の表面に沿って鉛直方向に垂れる洗浄水で基板の全表面を洗浄することができ、これによって、純水等の洗浄水の使用量を増加させることなく、基板の外周部を含む全表面を均一に洗浄することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】従来の基板洗浄方法の一例を工程順に示す概要図である。
【図２】本発明の実施形態の基板洗浄装置を備えためっき装置の全体配置図である。
【図３】図２に示す基板ホルダの概略を示す斜視図である。
【図４】図２に示す基板ホルダの平面図である。
【図５】図２に示す基板ホルダの右側面図である。
【図６】図５のＡ部拡大図である。
【図７】図２に示す基板洗浄装置の概要を、基板を保持した基板ホルダの概要と共に示す縦断正面図である
【図８】洗浄槽内の所定の位置に配置された基板ホルダとノズルプレートに設置された洗浄ノズルとの関係を示す概要図である。
【図９】ノズルプレートから噴出される洗浄水の噴流と基板の外周部表面のシール部材との接触部との関係を示す概要図である。
【図１０】図８の一部拡大図である。
【図１１】図７乃至図１０に示す基板洗浄装置を使用した第１の洗浄例を工程順に示す概要図である。
【図１２】図７乃至図１０に示す基板洗浄装置を使用した第２の洗浄例を工程順に示す概要図である。
【図１３】実施例１，２及び比較例１におけるコンタミ量を示すグラフである。
【図１４】実施例１，２及び比較例１における残液量を示すグラフである。
【図１５】実施例３，４及び比較例２における基板の表面及び外周部と、内側シール部材上に残留しているコンタミ量を示すグラフである。
【図１６】本発明の他の実施形態の基板洗浄装置を示す図８相当図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態について図２乃至図１６を参照して説明する。なお、以下の例では、基板表面に一連のめっき処理を施すめっき装置のめっき後の基板を洗浄する基板洗浄装置に本発明の基板洗浄装置を適用した例を示している。薬液を使用して基板を処理した後、洗浄し乾燥させる他の基板処理装置の基板洗浄装置に本発明の基板洗浄装置を適用しても良いことは勿論である。
【００２８】
図２は、本発明の基板洗浄装置を備えためっき装置の全体配置図を示す。図２に示すように、このめっき装置には、半導体ウエハ等の基板Ｗを収納したカセット１０を搭載する２台のカセットテーブル１２と、基板Ｗのオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ１４と、めっき処理後の基板Ｗを高速回転させて乾燥させるスピンドライヤ１６が備えられている。更に、この近くには、基板ホルダ１８を載置して基板Ｗの該基板ホルダ１８との着脱を行う基板着脱部２０が設けられ、これらのユニットの中央には、これらの間で基板Ｗを搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置２２が配置されている。
【００２９】
そして、基板着脱部２０側から順に、基板ホルダ１８の保管及び一時仮置きを行うストッカ２４、基板Ｗを純水に浸漬させるプリウェット槽２６、基板Ｗの表面に形成したシード層等の表面の酸化膜をエッチング除去するプリソーク槽２８、プリソーク後の基板を前述の図１に示す方法で洗浄する水洗槽３０ａ、洗浄後の基板Ｗの水切りを行うブロー槽３２、めっき後の基板を洗浄する本発明の実施形態の基板洗浄装置３０ｂ及びめっき槽３４が順に配置されている。このめっき槽３４は、オーバーフロー槽３６の内部に複数のめっきユニット３８を収納して構成され、各めっきユニット３８は、内部に１個の基板Ｗを収納して、銅めっき等のめっきを施すようになっている。なお、この例では、銅めっきについて説明するが、ニッケルやはんだ、銀、更には金めっきにおいても同様であることは勿論である。
【００３０】
更に、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダ１８を基板Ｗとともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置４０が備えられている。この基板ホルダ搬送装置４０は、基板着脱部２０とストッカ２４との間で基板Ｗを搬送する第１のトランスポータ４２と、ストッカ２４、プリウェット槽２６、プリソーク槽２８、水洗槽３０ａ、基板洗浄装置３０ｂ、ブロー槽３２及びめっき槽３４との間で基板Ｗを搬送する第２のトランスポータ４４を有している。なお、第２のトランスポータ４４を備えることなく、第１のトランスポータ４２のみを備えるようにしてもよい。
【００３１】
また、この基板ホルダ搬送装置４０のオーバーフロー槽３６を挟んだ反対側には、各めっきユニット３８の内部に位置してめっき液を攪拌する掻き混ぜ棒としてのパドル（図示せず）を駆動するパドル駆動装置４６が配置されている。
【００３２】
基板着脱部２０は、レール５０に沿って横方向にスライド自在な平板状の載置プレート５２を備えており、この載置プレート５２に２個の基板ホルダ１８を水平状態で並列に載置して、この一方の基板ホルダ１８と基板搬送装置２２との間で基板Ｗの受渡しを行った後、載置プレート５２を横方向にスライドさせて、他方の基板ホルダ１８と基板搬送装置２２との間で基板Ｗの受渡しを行うようになっている。
【００３３】
基板ホルダ１８は、図３乃至図６に示すように、例えば塩化ビニル製で矩形平板状の第１保持部材（固定保持部材）５４と、この第１保持部材５４にヒンジ５６を介して開閉自在に取付けた第２保持部材（可動保持部材）５８とを有している。なお、この例では、第２保持部材５８を、ヒンジ５６を介して開閉自在に構成した例を示しているが、例えば第２保持部材５８を第１保持部材５４に対峙した位置に配置し、この第２保持部材５８を第１保持部材５４に向けて前進させて開閉するようにしてもよい。
【００３４】
第２保持部材５８は、基部６０とリング状のシールホルダ６２とを有し、例えば塩化ビニル製で、下記の押えリング６４との滑りを良くしている。シールホルダ６２の第１保持部材５４と対向する面には、基板ホルダ１８で基板Ｗを保持した時、基板Ｗの表面外周部に圧接してここをシールする内側シール部材６６が内方に突出して取付けられている。更に、シールホルダ６２の第１保持部材５４と対向する面には、内側シール部材６６の外方位置で第１保持部材５４に圧接してここをシールする外側シール部材６８が取付けられている。
【００３５】
図６に示すように、内側シール部材６６は、シールホルダ６２と、該シールホルダ６２にボルト等の締結具６９ａを介して取付けられる第１固定リング７０ａとの間に挟持されてシールホルダ６２に取付けられ、外側シール部材６８は、シールホルダ６２と、該シールホルダ６２にボルト等の締結具６９ｂを介して取付けられる第２固定リング７０ｂとの間に挟持されてシールホルダ６２に取付けられている。
【００３６】
第２保持部材５８のシールホルダ６２の外周部には、段部が設けられ、この段部に、押えリング６４がスペーサ６５を介して回転自在に装着されている。なお、押えリング６４は、シールホルダ６２の側面に外方に突出ように取付けられた押え板７２（図４参照）により、脱出不能に装着されている。この押えリング６４は、酸に対して耐食性に優れ、十分な剛性を有する、例えばチタンから構成され、スペーサ６５は、押えリング６４がスムーズに回転できるように、摩擦係数の低い材料、例えばＰＴＥＦで構成されている。
【００３７】
押えリング６４の外側方に位置して、第１保持部材５４には、内方に突出する突出部を有する逆Ｌ字状のクランパ７４が円周方向に沿って等間隔で立設されている。一方、押えリング６４の円周方向に沿ったクランパ７４と対向する位置には、外方に突出する突起部６４ｂが設けられている。そして、クランパ７４の内方突出部の下面及び押えリング６４の突起部６４ａの上面は、回転方向に沿って互いに逆方向に傾斜するテーパ面となっている。押えリング６４の円周方向に沿った複数箇所（例えば4箇所）には、上方に突出するポッチ６４ａが設けられている。これにより、回転ピン（図示せず）を回転させてポッチ６４ａを横から押し回すことにより、押えリング６４を回転させることができる。
【００３８】
これにより、第２保持部材５８を開いた状態で、第１保持部材５４の中央部に基板Ｗを挿入し、ヒンジ５６を介して第２保持部材５８を閉じ、押えリング６４を時計回りに回転させて、押えリング６４の突起部６４ｂをクランパ７４の内方突出部の内部に滑り込ませることで、押えリング６４とクランパ７４にそれそれぞれ設けたテーパ面を介して、第１保持部材５４と第２保持部材５８とを互いに締付けてロックし、押えリング６４を反時計回りに回転させて逆Ｌ字状のクランパ７４の押えリング６４の突起部６４ｂから引き抜くことで、このロックを解くようになっている。そして、このようにして第２保持部材５８をロックした時、内側シール部材６６の内周面側の下方突出部下端が基板ホルダ１８で保持した基板Ｗの表面外周部に、外側シール部材６８にあっては、その外周側の下方突出部下端が第１保持部材５４の表面にそれぞれ圧接し、シール部材６６，６８を均一に押圧して、ここをシールする。
【００３９】
このように、基板Ｗの表面外周部を内側シール部材６６で押圧してシールすると、基板Ｗの表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１に沿って、基板Ｗの表面と内側シール部材６６の内周面との間にリング状に連続して延びる段差が形成される。同様に、外側シール部材６８の第１保持部材５４との外部接触部Ｄ２に沿って、第１保持部材５４と外側シール部材６８の外周面との間にリング状に連続して延びる段差が形成される。
【００４０】
第１保持部材５４の周縁部には、基板Ｗの大きさに合わせてリング状に突出し、表面が基板Ｗの周縁部に当接して該基板Ｗを支持する支持面８０となる突条部８２が設けられており、この突条部８２の円周方向に沿った所定位置に凹部８４が設けられている。
【００４１】
そして、図４に示すように、この各凹部８４内に、ハンド９０に設けた外部接点から延びる複数の配線にそれぞれ接続した複数（図示では１２個）の導電体（電気接点）８６が配置されて、第１保持部材５４の支持面８０上に基板Ｗを載置した際、この導電体８６の端部が基板Ｗの側方で第１保持部材５４の表面にばね性を有した状態で露出して、図６に示す電気接点８８の下部に接触するようになっている。
【００４２】
導電体８６に電気的に接続される電気接点８８は、ボルト等の締結具８９を介して第２保持部材５８のシールホルダ６２に固着されている。この電気接点８８は、板ばね形状に形成され、内側シール部材６６の外方に位置して、内方に板ばね状に突出する接点部を有しており、この接点部において、その弾性力によるばね性を有して容易に屈曲し、しかも第１保持部材５４と第２保持部材５８で基板Ｗを保持した時に、電気接点８８の接点部が、第１保持部材５４の支持面８０上に支持された基板Ｗの外周面に弾性的に接触するように構成されている。
【００４３】
第２保持部材５８の開閉は、図示しないシリンダと第２保持部材５８の自重によって行われる。つまり、第１保持部材５４には通孔５４ａが設けられ、載置プレート５２の上に基板ホルダ１８を載置した時に該通孔５４ａに対向する位置にシリンダが設けられている。これにより、シリンダロッドを伸展させ、通孔５４ａを通じて押圧棒で第２保持部材５８のシールホルダ６２を上方に押上げることで第２保持部材５８を開き、シリンダロッドを収縮させることで、第２保持部材５８をその自重で閉じるようになっている。
【００４４】
基板ホルダ１８の第１保持部材５４の端部には、基板ホルダ１８を搬送したり、吊下げ支持したりする際の支持部となる一対の略Ｔ字状のハンド９０が連接されている。そして、ストッカ２４内においては、この周壁上面にハンド９０の突出端部を引っ掛けることで、これを垂直に吊下げ保持し、この吊下げ保持した基板ホルダ１８のハンド９０を基板ホルダ搬送装置４０のトランスポータ４２で把持して基板ホルダ１８を搬送するようになっている。なお、プリウェット槽２６、プリソーク槽２８、水洗槽３０ａ，基板洗浄装置３０ｂ、ブロー槽３２及びめっき槽３４内においても、基板ホルダ１８は、ハンド９０を介してそれらの周壁に吊下げ保持される。
【００４５】
図７は、本発明の実施形態の基板洗浄装置３０ｂの概要を、基板Ｗを保持した基板ホルダ１８と共に示す縦断正面図である。図７に示すように、基板洗浄装置３０ｂは、上方に開放し、下端に排出口１００ａを有する洗浄槽１００を有し、基板ホルダ１８は、この洗浄槽１００の周壁に吊下げ支持されて、洗浄槽１００内の所定位置に鉛直に配置される。洗浄槽１００の内部には、基板ホルダ１８と対向する位置して、表面Ｗの外周部のシール部材６６との接触部Ｄ１乃至その近傍に噴流が当たる位置に、基板ホルダ１８に向けて純水等の洗浄水を噴射する複数の洗浄ノズル１０２が、接触部Ｄ１と同心状に配置されている。すなわち、複数の洗浄ノズル１０２は、基板Ｗの表面外周部のシール部材６６との接触部Ｄ１およびその付近に付着しためっき液を洗浄するために、該各洗浄ノズル１０２から噴流Ｓ（図９参照）となって噴出された洗浄液が接触部Ｄ１に直接当たるか、または各洗浄ノズル１０２からの噴流Ｓとなって噴出され基板Ｗに一度当たって跳ね返った洗浄液が、基板Ｗに沿って外方に拡がって、基板と略平行な方向から接触部Ｄ１に当たる位置に配置されている。
【００４６】
この例では、接触部Ｄ１に同心状に設置したノズルプレート１０４に各洗浄ノズル１０２が固定され、ノズルプレート１０４は、洗浄槽１００の周壁内周面に固定されている。洗浄槽１００の周壁内周面に複数の洗浄ノズル１０２を直接固定しても良い。複数の洗浄ノズル１０２を接触部Ｄ１の半径方向内側に該接触部Ｄ１と同心状に配置する場合、各洗浄ノズル１０２の各噴射口から噴霧される噴流が接触部Ｄ１に直接当たるように、洗浄ノズル１０２を水平面に対して角度を持たせて設置してもよく、これによって、より高い洗浄効果が得られる。
【００４７】
つまり、図７に示すように、この例では、各洗浄ノズル１０２の先端と基板ホルダ１８との距離Ｌ１は９ｍｍ（Ｌ１＝９ｍｍ）に、各洗浄ノズル１０２の先端と基板ホルダ１８で保持した基板Ｗとの距離Ｌ２は１５ｍｍ（Ｌ２＝１５ｍｍ）にそれぞれ設定されている。そして、図９に示すように、各洗浄ノズル１０２の中心と基板Ｗの表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１との距離Ｌ３は１〜６ｍｍ程度、例えば３ｍｍ（Ｌ３＝３ｍｍ）に設定されている。これによって、各洗浄ノズル１０２から噴射される洗浄水１０６の噴流Ｓが基板Ｗの表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１に直接当たるか、噴流Ｓとなって各洗浄ノズル１０２から噴射され基板Ｗに一度当たって跳ね返った洗浄水が、基板Ｗの表面に沿って外方に拡がって、接触部Ｄ１に基板に略平行な方向から当たるようになっている。
【００４８】
図８に示すように、ノズルプレート１０４には、この例では、合計１２個の洗浄ノズル１０２が設置されている。すなわち、基板Ｗの中心に対応する位置を原点０として、水平及び鉛直に延びる軸をそれぞれＸ軸及びＹ軸とした時、Ｙ軸上に上端洗浄ノズル１０２ａと下端洗浄ノズル１０２ｂが、Ｘ軸上に一対の中間洗浄ノズル１０２ｃが、上端洗浄ノズル１０２ａと中間洗浄ノズル１０２ｃとの間に位置して、Ｙ軸に対して左右対称位置に各一対（合計４個）の第１及び第２上側洗浄ノズル１０２ｄ，１０２ｅが、下端洗浄ノズル１０２ｂと中間洗浄ノズル１０２ｃとの間に位置して、Ｙ軸に対して左右対称位置に各一対（合計４個）の第１及び第２下側洗浄ノズル１０２ｆ，１０２ｇがそれぞれノズルプレート１０４に設置されている。
【００４９】
ここに、下端洗浄ノズル１０２ｂ、第１及び第２下側洗浄ノズル１０２ｆ，１０２ｇ、並びに中間洗浄ノズル１０２ｃは必ずしも必要ではなく、基板Ｗの表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１の洗浄効果を高めるために設けられている。
【００５０】
更に、この例においては、Ｙ軸と第１上側洗浄ノズル１０２ｄと原点０を結ぶ線が成す角度をθ１、第１上側洗浄ノズル１０２ｄと原点０を結ぶ線と第２上側洗浄ノズル１０２ｅと原点０を結ぶ線が成す角度をθ２、及び第２上側洗浄ノズル１０２ｅと原点０を結ぶ線とＸ軸が成す角度をθ３とした時に、これらの角度θ１〜θ３が徐々に大きくなる（θ１＜θ２＜θ３）よう、例えばθ１が２２°（θ１＝２２°）に、θ２が３１°（θ２＝３１°）に、θ３が３７°（θ３＝３７°）にそれぞれ設定されている。
【００５１】
これにより、上端洗浄ノズル１０２ａと第１上側洗浄ノズル１０２ｄの間のＸ軸に沿った長さ、第１上側洗浄ノズル１０２ｄと第２上側洗浄ノズル１０２ｅの間のＸ軸に沿った長さ、及び第２上側洗浄ノズル１０２ｅと中間洗浄ノズル１０２ｃの間のＸ軸に沿った長さがより等しくなり、洗浄ノズル１０２ａ，１０２ｄ，１０２ｅから噴出した洗浄水は、基板Ｗの表面に沿って鉛直方向に、Ｘ軸に沿ったほぼ等しい領域を互いにカバーしながら垂れ流れる。これによって、洗浄水を基板上にムラなく行き渡らせることができる。
【００５２】
なお、Ｘ軸と第１下側洗浄ノズル１０２ｆと原点０を結ぶ線が成す角度θ４、第１下側洗浄ノズル１０２ｆと原点０を結ぶ線と第２下側洗浄ノズル１０２ｇと原点０を結ぶ線が成す角度θ５、及び第２下側洗浄ノズル１０２ｇと原点０を結ぶ線とＹ軸が成す角度θ６は、全て等間隔（θ４＝θ５＝θ６＝３０°）に設定されている。
【００５３】
更に、この例においては、図１０に詳細に示すように、各洗浄ノズル１０２として、洗浄ノズル１０２から噴出される洗浄水の噴流Ｓが基板Ｗの表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１に沿って横方向に直線状に拡がる扇形ノズルが使用されている。これにより、各洗浄ノズル１０２から噴射される洗浄水の噴流Ｓが、基板Ｗの表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１乃至その近傍のより広い領域で当たって、基板Ｗの表面に沿って流れ落ちるようにすることができる。
【００５４】
この例の基板洗浄装置３０ｂによれば、例えばめっき直後の基板Ｗを保持した基板ホルダ１８を洗浄槽１００の所定の位置に鉛直に配置する。そして、各洗浄ノズル１０２から基板ホルダ１８に向けて、その噴流Ｓが基板Ｗの表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１乃至その近傍に当たるように洗浄水を噴射して、基板Ｗの表面を洗浄水で洗浄する。接触部Ｄ１近傍に供給された洗浄水の一部は、表面張力により、基板Ｗの表面に沿って鉛直方向に垂れ流れることなく、接触部Ｄ１に沿って基板Ｗの表面外周部を回るように流れる。
【００５５】
このように、基板Ｗの表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１乃至その近傍に洗浄ノズル１０２から噴射される洗浄水の噴流Ｓを当てることで、接触部Ｄ１に直接乃至基板で跳ね返って間接的に当たる洗浄水、及び該接触部Ｄ１、つまり基板Ｗの表面外周部と内側シール部材６６との間に形成されるリング状に連続した段差に沿って下方に流れる洗浄水で接触部Ｄ１を効率的に洗浄し、しかも基板Ｗの表面に沿って鉛直方向に下方に垂れ流れる洗浄水で基板Ｗの全表面を洗浄することができる。
【００５６】
基板洗浄装置３０ｂを使用した第１の洗浄例について、図１１を参照して説明する。先ず、図１１（ａ）に示すように、内部に洗浄水１０６を満たした洗浄槽１００に向けて、表面外周部を内部シール部材６６でシールして基板を保持した基板ホルダ１８を下降させ、図１１（ｂ）に示すように、基板ホルダ１８で保持した基板を洗浄槽１００内の洗浄水１０６に浸漬させる。これによって、基板Ｗの表面と基板ホルダ１８の全体を洗浄槽１００内の洗浄水１０６で洗浄する。この洗浄は、基本的には液の濃度差による拡散によって基板や基板ホルダ１８に付着した薬液を除去する洗浄である、基板ホルダ１８を洗浄水１０６に浸漬させておく時間が長いほど、基板ホルダ１８や基板から拡散する薬液の量が増加し洗浄効果が高まる。また、バブリングやパドル等によって洗浄水１０６を攪拌することによって短時間で洗浄効果を高めることができる。
【００５７】
そして、図１１（ｃ）に示すように、洗浄により薬液が拡散した洗浄水１０６を洗浄槽１００から排水する。洗浄槽１００の底板を排水口１００ａ（図７参照）に向けて傾斜させることで、洗浄水１０６が洗浄槽１００の内部に残らないようにすることができる。
【００５８】
次に、図１１（ｄ）に示すように、基板の表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１乃至その近傍に噴流Ｓが当たるように、各洗浄ノズル１０２から洗浄水１０６を基板に向けて噴射しつつ、該噴射された洗浄水１０６を洗浄槽１００から排水する。これにより、基板Ｗの表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１を効率よく洗浄し、しかもめっき液等の薬液が拡散した洗浄水１０６が洗浄槽１００の内部に残らないようにして、洗浄槽１００の内部の汚染を防止する。
【００５９】
次に、図１１（ｅ）に示すように、洗浄ノズル１０２からの基板ホルダ１８に向けた洗浄水の噴射を継続したまま、洗浄槽１００の排水口１００ａ（図７参照）を閉じ、これによって、洗浄槽１００内に新たな洗浄水１０６を供給して基板ホルダ１８を該洗浄水１０６に浸漬させ、液の拡散により基板と基板ホルダ１８の全体を洗浄する。
【００６０】
洗浄ノズルから噴射される洗浄水で基板ホルダを一様に洗浄するためには、多数の洗浄ノズルを配置する必要があり、洗浄水の使用量が増えるが、このように、洗浄槽１００内に貯めた洗浄水１０６中に基板ホルダ１８を浸漬させて、基板と基板ホルダ１８の全体を洗浄することで、洗浄水の使用量を増やすことなく、基板と基板ホルダ１８の全体をムラなく均一に洗浄することができる。
【００６１】
なお、洗浄槽１００の内部への洗浄水１０６の供給を、スプレー等を用いて洗浄水を攪拌しながら行うようにしても良く、また洗浄水供給用の別の太い配管を用いて短時間で行うようにしてもよい。
【００６２】
しかる後、図１１（ｆ）に示すように、基板ホルダ１８を洗浄槽１００内の洗浄水１０６から引き上げて洗浄を終了する。この基板ホルダ１８の引上げ速度が遅いほど、基板ホルダ１８や基板に付着する洗浄水の液量が少なくなって、次工程のめっき液等による汚染が少なくなる。洗浄槽１００内に残った洗浄水１０６は、洗浄水（純水）の使用量を削減するため、必要に応じて、次の基板の洗浄に使用する。
【００６３】
なお、この例において、基板の表面の洗浄度を更に高めるため、洗浄槽１００の内部に洗浄ノズル１０２から噴射されて供給される洗浄水１０６で基板と基板ホルダ１８の全体を洗浄する洗浄を複数回行ってもよい。
【００６４】
基板洗浄装置３０ｂを使用した第２の洗浄例について、図１２を参照して説明する。先ず、図１２（ａ）に示すように、内部に洗浄水１０６を満たしていない空の洗浄槽１００に向けて、表面外周部を内部シール部材６６でシールして基板を保持した基板ホルダ１８を下降させ、洗浄槽１００内の所定の位置に設置する。
【００６５】
次に、図１２（ｂ）に示すように、基板の表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１乃至その近傍に噴流Ｓが当たるように、各洗浄ノズル１０２から洗浄水１０６を基板に向けて噴射しつつ、該噴射された洗浄水１０６を洗浄槽１００から排水する。これにより、基板Ｗの表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１を効率よく洗浄し、しかもめっき液等の薬液が拡散した洗浄水１０６が洗浄槽１００の内部に残らないようにして、洗浄槽１００の内部の汚染を防止する。
【００６６】
次に、図１２（ｃ）に示すように、洗浄ノズル１０２からの基板ホルダ１８に向けた洗浄水の噴射を継続したまま、洗浄槽１００の排水口１００ａ（図７参照）を閉じ、これによって、洗浄槽１００内に新たな洗浄水１０６を供給して基板ホルダ１８を該洗浄水１０６に浸漬させ、液の拡散により基板と基板ホルダ１８の全体を洗浄する。第１の洗浄例と同様に、この基板ホルダ１８を該洗浄水１０６に浸漬させ、基板と基板ホルダ１８の全体を洗浄する工程は、複数回繰り返しても良い。
【００６７】
そして、図１２（ｄ）に示すように、洗浄により薬液が拡散した洗浄水１０６を洗浄槽１００から排水する。しかる後、図１２（ｅ）に示すように、基板の表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１乃至その近傍に噴流Ｓが当たるように、各洗浄ノズル１０２から洗浄水１０６を基板に向けて噴射しつつ、該噴射された洗浄水１０６を洗浄槽１００から排水する。
【００６８】
次に、図１２（ｆ）に示すように、基板ホルダ１８を洗浄槽１００から引き上げて洗浄を終了する。なお、この基板ホルダ１８を引き上げる時に、各洗浄ノズル１０２から洗浄水１０６を基板に向けて噴射しつつ、該噴射された洗浄水１０６を洗浄槽１００から排水するようにしてもよい。
【００６９】
この洗浄例によれば、最初に、洗浄ノズル１０２から基板ホルダ１８に向けて洗浄水を噴射して基板及び基板ホルダに付着した薬液を落とし、その洗浄水をそのまま排水することで洗浄槽１００の汚染を低減することができる。また、最後に、洗浄ノズル１０２から基板ホルダ１８に向けて洗浄水を噴射して、基板Ｗの表面外周部の内側シール部材６６との接触部Ｄ１を効率よく洗浄しつつ基板の全表面を洗浄することで、基板の洗浄度を高めることができる。つまり、基板（及び基板ホルダ１８）に対する洗浄度は、洗浄ノズル１０２から噴射される洗浄水と同等のレベルとなる。
【００７０】
上記のように構成しためっき装置による一連のめっき処理を説明する。先ず、カセットテーブル１２に搭載したカセット１０から、基板搬送装置２２で基板を１枚取出し、アライナ１４に載せてオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。このアライナ１４で方向を合わせた基板を基板搬送装置２２で基板着脱部２０まで搬送する。
【００７１】
基板着脱部２０においては、ストッカ２４内に収容されていた基板ホルダ１８を基板ホルダ搬送装置４０のトランスポータ４２で２基同時に把持して、基板着脱部２０まで搬送する。そして、基板ホルダ１８を水平な状態として下降させ、これによって、２基の基板ホルダ１８を基板着脱部２０の載置プレート５２の上に同時に載置し、シリンダを作動させて基板ホルダ１８の第２保持部材５８を開いた状態にしておく。
【００７２】
この状態で、中央側に位置する基板ホルダ１８に基板搬送装置２２で搬送した基板を挿入し、シリンダを逆作動させて第２保持部材５８を閉じ、しかる後、ロック・アンロック機構で第２保持部材５８をロックする。そして、一方の基板ホルダ１８への基板の装着が完了した後、載置プレート５２を横方向にスライドさせて、同様にして、他方の基板ホルダ１８に基板を装着し、しかる後、載置プレート５２を元の位置に戻す。
【００７３】
これにより、基板Ｗは、そのめっき処理を行う面を基板ホルダ１８の開口部から露出させた状態で、周囲をシール部材６６，６８でめっき液が浸入しないようにシールされ、シール部材６６，６８によってめっき液に触れない部分において複数の電気接点８８と電気的に導通するように固定される。ここで、電気接点８８からは基板ホルダ１８のハンド９０まで配線が繋がっており、ハンド９０の部分に電源を接続することにより基板のシード層等に給電することができる。なお、基板着脱部２０は、基板ホルダ１８に装着された基板Ｗと電気接点８８との接触状態を確認するセンサを有している。このセンサは、基板Ｗと電気接点８８の接触状態が不良であると判断した時に、その信号をコントローラ（図示せず）に入力する。
【００７４】
次に、基板Ｗを装着した基板ホルダ１８を基板ホルダ搬送装置４０のトランスポータ４２で２基同時に把持し、ストッカ２４まで搬送する。そして、基板ホルダ１８を垂直な状態となして下降させ、これによって、２基の基板ホルダ１８をストッカ２４に吊下げ保持（仮置き）する。これらの基板搬送装置２２、基板着脱部２０及び基板ホルダ搬送装置４０のトランスポータ４２においては、前記作業を順次繰り返して、ストッカ２４内に収容された基板ホルダ１８に順次基板を装着し、ストッカ２４の所定の位置に順次吊り下げ保持（仮置き）する。
【００７５】
なお、図示しないが、２基の基板ホルダ１８を水平に載置する基板着脱部２０の代わりに、トランスポータ４２で搬送された２基の基板ホルダを鉛直に支持するフィキシングステーションを備え、基板ホルダを鉛直に保持したフィキシングステーションを９０°回転させて基板ホルダを水平な状態となすようにしてもよい。
【００７６】
また、この例では、１つのロック・アンロック機構を備えた例を示しているが、２つのロック・アンロック機構を備え、互いに隣接した位置に配置される２基の基板ホルダのロック・アンロック機構によりロック・アンロックを同時に行うようにしてもよい。
【００７７】
一方、基板ホルダ搬送装置４０の他方のトランスポータ４４にあっては、基板を装着しストッカ２４に仮置きした基板ホルダ１８を２基同時に把持し、プリウェット槽２６まで搬送して下降させ、これによって、２基の基板ホルダ１８をプリウェット槽２６内に入れる。
【００７８】
なお、この時、基板着脱部２０に備えられていた基板と電気接点８８との接触状態を確認するセンサで、この接触状態が不良であると判断した基板を収納した基板ホルダ１８は、ストッカ２４に仮置きしたままにしておく。これにより、基板ホルダ１８に基板を装着した時に該基板と電気接点８８との間に接触不良が生じても、装置を停止させることなく、めっき作業を継続することができる。この接触不良を生じた基板にはめっき処理が施されないが、この場合には、カセットを戻した後にめっき未処理の基板をカセットから排除することで、これに対処することができる。
【００７９】
次に、この基板を装着した基板ホルダ１８を、前記と同様にして、プリソーク槽２８に搬送し、プリソーク槽２８で酸化膜をエッチングし、清浄な金属面を露出させる。更に、この基板を装着した基板ホルダ１８を、前記と同様にして、水洗槽３０ａに搬送し、前述の図１に示すＱＤＲ洗浄等によって、この水洗槽３０ａに入れた純水で基板の表面を水洗する。
【００８０】
水洗が終了した基板を装着した基板ホルダ１８を、前記と同様にして、めっき液を満たしためっき槽３４に搬送し、めっきユニット３８に吊り下げ保持する。基板ホルダ搬送装置４０のトランスポータ４４は、上記作業を順次繰り返し行って、基板を装着した基板ホルダ１８を順次めっき槽３４のめっきユニット３８に搬送して所定の位置に吊下げ保持する。
【００８１】
全ての基板ホルダ１８の吊下げ保持が完了した後、オーバーフロー槽３６のめっき液を循環させ、かつ、オーバーフローさせながら、めっき槽３４内のアノード（図示せず）と基板Ｗとの間にめっき電圧を印加し、同時にパドル駆動装置４６によりパドルを基板の表面と平行に往復移動させることで、基板の表面にめっきを施す。この時、基板ホルダ１８は、めっきユニット３８の上部でハンド９０により吊り下げられて固定され、めっき電源から導電体８６及び電気接点８８を通して、シード層等に給電される。
【００８２】
めっきが終了した後、めっき電源の印加、めっき液の供給及びパドル往復運動を停止し、めっき後の基板Ｗを装着した基板ホルダ１８を基板ホルダ搬送装置４０のトランスポータ４４で２基同時に把持し、前述と同様にして、基板洗浄装置３０ｂまで搬送する。
【００８３】
そして、前述のように、この基板洗浄装置３０ｂの洗浄槽１００の所定位置にめっき後の基板Ｗを保持した基板ホルダ１８を配置しつつ、洗浄ノズル１０２から洗浄水を基板ホルダ１８に向けて噴射し、更には基板ホルダ１８を洗浄槽１００内の洗浄水１０６に浸漬させて、基板Ｗの表面及び基板ホルダ１８を洗浄する。
【００８４】
次に、この洗浄後の基板Ｗを装着した基板ホルダ１８を、前記と同様にして、ブロー槽３２に搬送し、ここで、エアーの吹き付けによって、基板ホルダ１８で保持した基板Ｗの表面に付着した水滴を除去し乾燥させる。しかる後、この基板Ｗを装着した基板ホルダ１８を、前記と同様にして、ストッカ２４の所定の位置に戻して吊下げ保持する。
【００８５】
基板ホルダ搬送装置４０のトランスポータ４４は、上記作業を順次繰り返し、めっきが終了した基板を装着した基板ホルダ１８を順次ストッカ２４の所定の位置に戻して吊下げ保持する。
【００８６】
一方、基板ホルダ搬送装置４０の他方のトランスポータ４２にあっては、めっき処理後の基板Ｗを装着しストッカ２４に戻した基板ホルダ１８を２基同時に把持し、前記と同様にして、基板着脱部２０の載置プレート５２の上に載置する。この時、基板着脱部２０に備えられていた基板と電気接点８８との接触状態を確認するセンサで、この接触状態が不良であると判断した基板を装着しストッカ２４に仮置きしたままの基板ホルダ１８も同時に搬送して載置プレート５２の上に載置する。
【００８７】
そして、中央側に位置する基板ホルダ１８の第２保持部材５８のロックを、ロック・アンロック機構を介して解き、シリンダを作動させて第２保持部材５８を開く。この時、基板Ｗが第２保持部材５８にくっついたまま第２保持部材５８が開くことが防止される。この状態で、基板ホルダ１８内のめっき処理後の基板Ｗを基板搬送装置２２で取出して、スピンドライヤ１６に運び、このスピンドライヤ１６の高速回転によってスピンドライ（水切り）した基板を基板搬送装置２２でカセット１０に戻す。
【００８８】
そして、一方の基板ホルダ１８に装着した基板をカセット１０に戻した後、或いはこれと並行して、載置プレート５２を横方向にスライドさせて、同様にして、他方の基板ホルダ１８に装着した基板をスピンドライしてカセット１０に戻す。
【００８９】
載置プレート５２を元の状態に戻した後、基板を取出した基板ホルダ１８を基板ホルダ搬送装置４０のトランスポータ４２で２基同時に把持し、前記と同様にして、これをストッカ２４の所定の場所に戻す。しかる後、めっき処理後の基板を装着しストッカ２４に戻した基板ホルダ１８を基板ホルダ搬送装置４０で２基同時に把持し、前記と同様にして、基板着脱部２０の載置プレート５２の上に載置して、前記と同様な作業を繰り返す。
【００９０】
そして、めっき処理後の基板を装着しストッカ２４に戻した基板ホルダ１８から全ての基板を取出し、スピンドライしてカセット１０に戻して作業を完了する。
【００９１】
図１３は、図７乃至図１０に示す基板洗浄装置を使用し、図１１に示す洗浄例でめっき直後の基板表面を純水で洗浄した時のコンタミ（汚染）量を測定した結果を、図１に示す従来のＱＤＲ洗浄法で基板を純水で洗浄した時のコンタミ量を測定した結果と共に示す。コンタミ量は、洗浄後に基板及び基板ホルダに付着しているめっき液の液量であり、次工程へのコンタミを表している。
【００９２】
なお、図１３において、実施例１は、図７乃至図１０に示す基板洗浄装置に備えられている全ての洗浄ノズル１０２（１０２ａ〜１０２ｇ）から、総流量９．６Ｌ／ｍｉｎの純水を３０秒噴射して、図１１（ｄ）に示す洗浄を行った結果を示す。実施例２は、図７乃至図１０に示す基板洗浄装置に備えられている洗浄ノズル１０２の内の基板の上半分に相当する位置に位置する洗浄ノズル１０２ａ，１０２ｃ，１０２ｄ，１０２ｅから、総流量４Ｌ／ｍｉｎの純水を３０秒噴射して、図１１（ｄ）に示す洗浄を行った結果を示す。また、比較例１は、図１（ｄ）に示すＱＤＲ洗浄を３０秒行った結果を示す。なお、図１３のＱＤＲ回数は、上記洗浄の回数を示している。このことは、以下の図１４においても同様である。
【００９３】
図１３から、実施例１，２は、比較例１に比較して、１回の洗浄で従来のＱＤＲ洗浄を３回行った時以下のコンタミ量に抑えられ、これによって、洗浄水の使用量を減少させつつ、基板の洗浄度を高められることが判る。なお、実施例１，２において、基板全面に洗浄水が鉛直方向に流れるのが観察できたので、基板の洗浄中での基板表面の乾燥等に問題はなく、また、洗浄水が、基板の表面外周部の内側シール部材との接触部に沿って、上から下へ流れることが確認されている。
【００９４】
図１４は、実施例１，２及び比較例１における残液量を示す。残液量は、洗浄後に洗浄槽内に残る洗浄水に含まれるめっき液の液量である。図１４において、破線の基準ラインＲは、基板を洗浄後に乾燥させた時に乾燥ムラが生じるか否かの境を示している。
【００９５】
図１４から、比較例１では、基準ラインＲ以下の残液量を達成するためには、３回のＱＤＲ洗浄が必要となるが、これに対して、実施例１，２では、２回の洗浄で残液量を基準ラインＲ以下に抑えられることが判る。
【００９６】
図１５は、図７乃至図１０に示す基板洗浄装置を使用し、図１１および図１２に示す洗浄例でめっき直後の基板表面を純水で洗浄した時の基板の表面及び外周部と、内側シール部材６６上に残留しているコンタミ（汚染）量を測定した結果を、図１に示す従来のＱＤＲ洗浄法で基板を純水で洗浄した時の基板の表面及び外周部と、内側シール部材６６上に残留しているコンタミ量を測定した結果と共に示す。基板の表面及び外周部と、内側シール部材６６上に残留しているコンタミ量は、洗浄後に基板の表面及び外周部と、内側シール部材６６上に残留している金属量（例えば、Ｓｎ量）であり、次工程へのコンタミを表している。これは洗浄後の基板ホルダを水平にして、内側シール部材６６で囲われた基板表面に酸性薬液（硝酸）を滴下してその液面が内側シール部材６６の高さを超えないように液を張り、その酸性薬液に溶け込んだ金属量を測定したものである。図１３に示すコンタミ量や図１４に示す残液量は基板の表面および基板ホルダ１８全体の汚染量を反映しているが、図１５に示す実験における測定方法では、基板表面及び内側シール部材６６の汚染に限定して評価している。
【００９７】
なお、図１５において、実施例３は、図１１の(ａ)〜（ｆ)の工程に従って洗浄を行った結果であり、詳細には、図７乃至図１０に示す基板洗浄装置に備えられている全ての洗浄ノズル１０２（１０２ａ〜１０２ｇ）から、総流量７．０Ｌ／ｍｉｎの純水を３０秒噴射して、図１１（ｄ）に示す洗浄を行った結果を示す。実施例４は、図１２の（ａ）〜（ｆ）の工程に従って洗浄を行った結果であり、詳細には、図７乃至図１０に示す基板洗浄装置に備えられている全ての洗浄ノズル１０２（１０２ａ〜１０２ｇ）から、総流量７．０Ｌ／ｍｉｎの純水を３０秒噴射して、図１２（ｅ）に示す洗浄を行った結果を示す。また、比較例２は、図１（ｄ）に示すＱＤＲ洗浄を３０秒行った結果を示す。なお、実施例３，４と比較例２のそれぞれのＱＤＲ回数は２回である。
【００９８】
図１５から、実施例３，４は、比較例２に比較して、基板の表面及び外周部と、内側シール部材６６に残留している金属の量が少ないことがわかる。特に、最終洗浄工程で洗浄ノズル１０２から噴出される純水で基板を洗浄する実施例４が基板の表面及び外周部と、内側シール部材６６に残留しているコンタミ量を最も少なくできることが判る。
【００９９】
図１６は、本発明の他の実施形態の基板洗浄装置を示す。この例の図７乃至図１０に示す基板洗浄装置と異なる点は、図６に示す、基板ホルダ１８の第２保持部材５８に取付けられ、基板ホルダ１８で基板Ｗを保持した時に、第１保持部材５４の表面に圧接してここをシールする外側シール部材６８の第１保持部材５４との外側接触部Ｄ２乃至その周辺に噴流が当たる位置に位置して、ホルダ洗浄ノズル１０８が外側シール部材６８と同心状に配置されている点にある。このホルダ洗浄ノズル１０８は、図７に示すノズルプレート１０４に取付けられている。
【０１００】
すなわち、ホルダ洗浄ノズル１０８から噴流となって噴出された洗浄液は、外側接触部Ｄ２に直接当たるか、若しくホルダ洗浄ノズル１０８から噴流となって噴出され第１保持部材５４の表面に当たって跳ね返った洗浄水が、第１保持部材５４の表面に略平行な方向から外側接触部Ｄ２に当たるようになっている。
【０１０１】
このように、例では、ホルダ洗浄ノズル１０８を備え、前述のように、洗浄槽１００の所定の位置に配置された基板ホルダ１８の外側シール部材６８の第１保持部材５４との外側接触部Ｄ２に向けてホルダ洗浄ノズル１０８から洗浄水を噴射することで、外側接触部Ｄ２乃至その近傍に当たる洗浄水の噴流、及び該外側接触部Ｄ２に沿って下方に流れる洗浄水で洗浄することができる。
【０１０２】
このホルダ洗浄ノズル１０８から噴射される洗浄水による基板ホルダ１８の外側接触部Ｄ２の洗浄は、例えば前述の洗浄ノズル１０２から噴射される洗浄水による基板Ｗの表面及び基板ホルダ１８の洗浄と同時に行われる。
第１保持部材５４に立設されるクランパ７４に向けて洗浄水を噴射するノズルを別途設けても良い。
【０１０３】
なお、上記の例では、めっき後の基板を洗浄する洗浄する基板洗浄装置に本発明の基板洗浄装置を適用しているが、プリソーク後の基板を洗浄する水洗槽３０ａに本発明の基板洗浄装置を適用しても良いことは勿論である。
【０１０４】
これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１０５】
１８  基板ホルダ
２４  ストッカ
２６  プリウェット槽
２８  プリソーク槽
３０ａ  水洗槽
３０ｂ  基板洗浄装置
３２  ブロー槽
３４  めっき槽
３６  オーバーフロー槽
５４  第１保持部材
５８  第２保持部材
６２  シールホルダ
６４  押えリング
６６  内側シール部材
６８  外側シール部材
７４  クランパ
１００  洗浄槽
１０２  洗浄ノズル
１０４  ノズルプレート
１０８  ホルダ洗浄ノズル
Ｄ１  接触部
Ｄ２  外部接触部
【図１】
2013211533.tif 000003
【図２】
2013211533.tif 000004
【図３】
2013211533.tif 000005
【図４】
2013211533.tif 000006
【図５】
2013211533.tif 000007
【図６】
2013211533.tif 000008
【図７】
2013211533.tif 000009
【図８】
2013211533.tif 000010
【図９】
2013211533.tif 000011
【図１０】
2013211533.tif 000012
【図１１】
2013211533.tif 000013
【図１２】
2013211533.tif 000014
【図１３】
2013211533.tif 000015
【図１４】
2013211533.tif 000016
【図１５】
2013211533.tif 000017
【図１６】
2013211533.tif 000018