(57)【要約】【課題】非発光時の見栄えを損なうことなく、任意の意匠を表現することが可能な有機ＥＬパネルを提供する。【解決手段】陽極１２と陰極１５との間に有機発光層１４ｂ、１４ｃと電子注入層１４ｅとを少なくとも積層形成してなる有機ＥＬ素子を支持基板１１上に形成してなる有機ＥＬパネル１０であって、前記電子注入層が所定の意匠を成すように形成されてなる。また、電子注入層１４ｅは、大きさ及び／あるいは密度が部分的に異なる網点状に形成される。【選択図】  図１
2013157424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に有機発光層と電子注入層とを少なくとも積層形成してなる有機ＥＬ素子を支持基板上に形成してなる有機ＥＬパネルであって、
前記電子注入層が所定の意匠を成すように形成されてなることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記電子注入層は、大きさ及び／あるいは密度が部分的に異なる網点状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項３】
前記陽極と前記陰極との間に、前記電子注入層が形成されない領域の発光輝度が２０ｃｄ／ｍ２以下となる電圧が印加されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro  Luminescence）パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機材料によって形成される自発光素子として知られる有機ＥＬ素子は、例えば、陽極となるＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等からなる第１電極と、少なくとも発光層を有する有機層と、陰極となるアルミニウム（Ａｌ）等からなる非透光性の第２電極と、を順次積層してなるものである（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
かかる有機ＥＬ素子は、第１電極から正孔を注入し、また、第２電極から電子を注入して正孔及び電子が前記発光層にて再結合することによって光を発するものである。有機ＥＬ素子はディスプレイに採用されるほか、近年では面発光照明としても開発が進められている。さらには、主に陰極に光反射性の高い材料が用いられることから、特許文献２等に開示されるように透光性基板上に有機ＥＬ素子を形成して自発光型のミラーとするものも知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭５９−１９４３９３号公報
【特許文献２】特開２０００−４１８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬパネルにおいて、意匠を表現する簡易な方法としては、両電極間に絶縁膜を形成し、発光部を任意の形状とする方法が知られている（特許文献２参照）。
【０００６】
しかしながら、両電極間に絶縁膜を形成して発光部の形状を画定する方法においては、絶縁膜の色と膜厚とから非発光時に発光部と非発光部との境目が目立ち、見栄えを損なうという問題点があった。かかる問題は、特に有機ＥＬパネルをミラーに用いる場合においては非発光時に鏡面の見栄えが均一とならないため問題となる。かといって、高精細ディスプレイに用いられるように、発光部をマトリクス状に配置する方法は、製造工程や駆動方法を含めてコストが高く、簡易的なディスプレイや照明に用いる場合には採用することができない。
【０００７】
そこで本発明は、この問題に鑑みてなされたものであり、非発光時の見栄えを損なうことなく、任意の意匠を表現することが可能な有機ＥＬパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、前述の課題を解決するために、陽極と陰極との間に有機発光層と電子注入層とを少なくとも積層形成してなる有機ＥＬ素子を支持基板上に形成してなる有機ＥＬパネルであって、
前記電子注入層が所定の意匠を成すように形成されてなることを特徴とする。
【０００９】
また、前記電子注入層は、大きさ及び／あるいは密度が部分的に異なる網点状に形成されることを特徴とする。
【００１０】
また、前記陽極と前記陰極との間に、前記電子注入層が形成されない個所の発光輝度が２０ｃｄ／ｍ２以下となる電圧が印加されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、非発光時の見栄えを損なうことなく、任意の意匠を表現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態である有機ＥＬパネルを示す模式断面図。
【図２】同上有機ＥＬパネルの発光面を示す図。
【図３】本発明の実施例１における第１の領域と第２の領域との輝度−電圧特性及び電流密度−電圧特性を示す図。
【図４】本発明の実施例２における第１の領域と第２の領域との輝度−電圧特性及び電流密度−電圧特性を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面に基づいて本発明を有機ＥＬパネルに適用した実施形態について説明する。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態である有機ＥＬパネル１０を示す図である。有機ＥＬパネル１０は、図１（ａ）に示すように、支持基板１１と、透明電極である第１電極１２と、絶縁膜１３と、有機層１４と、反射電極である第２電極１５と、封止部材１６と、から主に構成される。支持基板１１上に形成される各部からなる積層体は有機ＥＬ素子を構成する。有機ＥＬ素子は両電極間に電圧を印加すると発光し、有機ＥＬ素子から発せられた光Ｌは、発光面である支持基板１１の表面（視認者側の面）側から外部に出射される。すなわち、有機ＥＬパネル１０は、ボトムエミッション型の有機ＥＬパネルである。
【００１５】
支持基板１１は、例えば透光性の無アルカリガラスからなる矩形状の基板である。なお、アルカリガラス等のその他のガラス基板を用いてもよく、ガラス厚についても特に限定されない。支持基板１１上には、第１電極１２、絶縁膜１３、有機層１４及び第２電極１５が順に積層形成される。
【００１６】
第１電極１２は、正孔を注入する陽極となるものであり、支持基板１１上にＩＴＯあるいはＡＺＯ等の透明導電材料をスパッタリング法あるいは真空蒸着法等の手段によって５０〜５００ｎｍの膜厚で層状に形成し、フォトリソグラフィー法等の手段によって所定の形状にパターニングしてなる透明電極である。また、第１電極１２は、その表面がＵＶ／Ｏ３処理やプラズマ処理等の表面処理を施される。
【００１７】
絶縁膜１３は、第１電極１２のエッジを含む支持基板１１の周辺領域を覆うものであり、例えばポリイミド系やフェノール系の絶縁材料をスピンコート法等の手段によって層状に形成し、フォトリソグラフィー法で所望の形状にパターニングしてなる。なお、本実施形態において、絶縁膜１３は、発光部の形状を画定するものではなく、単に周縁領域における両電極１２、１５の短絡を防止するためのものである。
【００１８】
有機層１４は、少なくとも有機材料からなる有機発光層を含む多層からなり、第１電極１２上に形成されるものである。本実施形態においては、図１（ｂ）に示すように、第１電極１２側から順に正孔注入輸送層１４ａ、第１の発光層１４ｂ、第２の発光層１４ｃ、電子輸送層１４ｄ及び電子注入層１４ｅが順に積層形成されてなる。
【００１９】
正孔注入輸送層１４ａは、第１電極１２から正孔を取り込み第１の発光層１４ｂへ伝達する機能を有し、例えばアミン系化合物等の正孔輸送性有機材料を蒸着法等の手段によって膜厚１５〜４０ｎｍ程度の層状に形成してなる。正孔注入輸送層１４ａは、ガラス転移温度が１３０℃以上であり、エネルギーギャップは３．１ｅＶ程度である。
【００２０】
第１の発光層１４ｂは、有機材料からなり、例えば橙色発光を示すフルオランテン骨格又はペンタセン骨格を有する蛍光材料を蒸着法等の手段によって、膜厚５ｎｍ以下の層状に形成した薄膜層からなる。なお、第１の発光層１４ｂとしては、蛍光材料のほか燐光材料や熱遅延蛍光材料を用いても良く、ホスト材料と発光ドーパントとの混合層であってもよい。
【００２１】
第２の発光層１４ｃは、ホスト材料と発光ドーパントとを共蒸着等の手段によって混合した膜厚１５〜６０ｎｍの混合層からなる。
前記ホスト材料は、正孔及び電子の輸送が可能であり、その分子内で正孔及び電子が再結合することで前記発光ドーパントを発光させる機能を有する。前記ホスト材料は、３．３ｅＶ程度のエネルギーギャップを持ち、ガラス転移温度が１２０℃程度である。具体的には例えばアントラセン誘導体からなる。
前記発光ドーパントは、正孔と電子との再結合に反応して発光する機能を有し、前述の前記第１の発光層１４ｂとは異なる所定の発光色を示す有機材料からなる。本実施形態では例えば青色発光を示すスチリルアミン、アミン置換スチリルアミン化合物からなる蛍光材料で濃度消光を起こさない程度のドーピング量で用いる。なお、前記発光ドーパントとしては、蛍光材料のほか燐光材料あるいは熱遅延蛍光材料を用いてもよい。
【００２２】
電子輸送層１４ｄは、電子を第２の発光層１４ｃへ伝達する機能を有し、例えばアルミニウムキノリン（Ａｌｑ３）やトリアジン系化合物等からなる電子輸送性材料を膜厚８〜３０ｎｍ程度の層状に形成してなるものである。
【００２３】
電子注入層１４ｅは、第２電極１５から電子を取り込む機能を有し、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）やリチウムキノリン（Ｌｉｑ）を蒸着法等の手段によって膜厚１ｎｍ程度の網点状に形成してなるものである。ここで、電子注入層１４ｅを網点状に形成する方法として、蒸着法においては網点状の開口部を有する蒸着マスクを介して電子注入層１４ｅとなる材料を支持基板１１に蒸着する。また、電子注入層１４ｅは、全体として前記蒸着マスクの開口部のパターンによって定められる所定の意匠を成すように形成される。ここで「意匠」とは、具体的には有機ＥＬパネル１０の発光面側から見て、数字、文字、図形、模様、画像、キャラクターあるいはこれらの組み合わせを表すものである。網点状の電子注入層１４ｅが所定の意匠を成す、とは、網点である電子注入層１４ｅによって意匠が描画されている状態を指す。また、網点状の電子注入層１４ｅは、その大きさ及び／あるいは密度が部分的に異なるように形成されている。すなわち、網点の大きさを変更するＡＭスクリーニング法、網点の密度を変更するＦＭスクリーニング法または両者を併用するハイブリッドスクリーニング法により、網点状の電子注入層１４ｅが成す意匠にグラデーション（濃淡）が施されている。電子注入層１４ｅの形成に用いられる前記蒸着マスクは、電子注入層１４ｅが成す意匠の精細度によって適宜加工方法が選択して作製される。意匠が比較的荒い（解像度が低い）場合には、基材となるＳＵＳ３０４にレーザー加工で網点状の前記開口部を形成し、レーザーメタルマスクを作製する。また、意匠の解像度を上げる場合は、フォトマスクを使用しＳＵＳ３０４にエッチングによって網点状の前記開口部を形成し、エッチングメタルマスクを作製する。エッチングメタルマスクで形成できる前記開口部は正方形状として一辺が１００μｍ程度であるが、さらに意匠を高精細にするマスクとしては基材にＮｉを用いたアクティブメタルマスクがある。例えば、アクティブメタルマスクを用いれば、前記開口部として、一辺が５２μｍの正方形状の開口部と一辺が３６μｍの正方形状の開口部と一辺が２４μｍの正方形状の開口部とそれぞれ形成して網点状の電子注入層１４ｅの大きさを部分的に変更し、ＡＭスクリーニング法により意匠に高精細な濃淡を施すことが可能である。
【００２４】
第２電極１５は、電子を注入する陰極となるものであり、電子注入層１４ｅあるいは電子輸送層１４ｄ上に例えばＡｌ，マグネシウム（Ｍｇ），コバルト（Ｃｏ），Ｌｉ，金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），亜鉛（Ｚｎ）等の低抵抗導電材料をスパッタリング法や真空蒸着法等の手段によって膜厚５０〜２００ｎｍの層状に形成した導電膜からなる反射電極である。
【００２５】
封止部材１６は、例えばガラス材料からなり、成型、サンドブラスト、切削あるいはエッチング等の適宜方法で凹形状に形成してなるものである。封止部材１６は、例えば紫外線硬化性エポキシ樹脂からなる接着剤１７を介して支持基板１１上に気密的に配設され、有機ＥＬ素子が封止される。支持基板１１と封止部材１６とで形成される封止空間内には吸湿剤（図示しない）が配設される。なお、封止部材１６は平板状であってもよく、その場合封止部材１６はスペーサーを介して支持基板１１上に配設される。
【００２６】
以上のように、有機ＥＬパネル１０が構成される。なお、支持基板１１上に形成され、第１電極１２あるいは第２電極１５と接続される引き回し配線や端子等の周知の内容については説明を簡略にするために適宜省略した。
【００２７】
図２は、有機ＥＬパネル１０の発光面を示す正面図である。本実施形態では、有機ＥＬパネル１０の発光面から見て、電子注入層１４ｅが形成される第１の領域Ａ１と電子注入層１４ｅが形成されない第２の領域Ａ２とが形成される。
有機ＥＬ素子は、電子注入層１４ｅを形成する場合と電子注入層１４ｅを形成しない場合とでは、電子注入層１４ｅを形成する場合と比べて電子注入層１４ｅを形成しない場合は電流が流れにくく、同じ値の電圧を印加した場合の発光輝度が大きく異なる。本願発明者は、鋭意検討の結果、この特性を利用して電子注入層１４ｅのみを所定の形状に形成することで任意の意匠を表現することが可能であることを見いだした。
すなわち、電子注入層１４ｅが形成される第１の領域Ａ１は電流効率が高い個所であるため発光輝度が高く、電子注入層１４ｅが形成されない第２の領域Ａ２は電流効率が低い個所であるため発光しないか発光輝度が極めて低いため、視認者は両領域Ａ１、Ａ２の輝度差により、網点状の第１の領域Ａ１の発光によって描画される所定の意匠（図２においては数字の「１」）を視認することができる。なお、厳密には第２の領域Ａ２も印加する電圧値によってはある程度の発光を示すため、視認者が意匠を良好に視認するためには印加する電圧値を第１の領域Ａ１の発光輝度が１０００ｃｄ／ｍ２程度である場合に第２の領域Ａ２の発光輝度が２０ｃｄ／ｍ２以下となる値とすることが望ましい。
さらに、本実施形態においては、電子注入層１４ｅが網点状に形成され、電子注入層１４ｅはその大きさ及び／あるいは密度が部分的に異なるように形成されている。図２においては、数字「１」の下方が電子注入層１４ｅの密度が最も高く、上方に向かって徐々に電子注入層１４ｅの密度が低くなるように形成されている。これによって、部分的に輝度を異ならせて意匠にグラデーション（濃淡）を表現することが可能となる。なお、図２においては便宜的に電子注入層１４ｅの密度のみを部分的に変更した例を示したが、前述のように電子注入層１４ｅの大きさを部分的に変更する、電子注入層１４ｅの大きさ及び密度を部分的に変更してもよい。また、本実施形態において、グラデーションを表現しない場合は、電子注入層１４ｅを単独であるいは複数の組み合わせで意匠を成すセグメント状に形成してもよい。また、輝度差（濃淡）によって意匠を視認することができれば、図２において背景となる数字「１」の周囲にも網点状の電子注入層１４ｅが形成されてもよい。この場合、数字「１」の内側の電子注入層１４ｅに対して、周囲の電子注入層１４ｅはその大きさ及び／あるいは密度が十分に小さく形成されることとなる。
【００２８】
本実施形態によれば、支持基板１１上に積層形成される、第１電極１２、正孔注入輸送層１４ａ、第１の発光層１４ｂ、第２の発光層１４ｃ、電子輸送層１４ｄ、電子注入層１４ｅ及び第２電極１５のうち、電子注入層１４ｅのみを所定の意匠を成すように形成する簡素な方法により、任意の意匠を表現することが可能となる。また、電子注入層１４ｅは１ｎｍ程度の薄膜であるため、絶縁膜によって発光形状を画定する方法のように非発光時に第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２との境界部分が視認者に視認されることがない。したがって、有機ＥＬパネル１０は発光時には簡易的なディスプレイや照明として用いるほか、非発光時にはパターンのない第２電極１５が視認されるため全面を鏡面として利用することができる。また、電子注入層１４ｅを有機ＥＬパネル１０の発光面の周辺部のみに形成し中央部に電子注入層１４ｅを形成しない、あるいは支持基板１１上に有機ＥＬ素子に隣接して第２電極１５を構成する光反射性の材料を層状に形成した鏡面部を設けるなどすれば、有機ＥＬパネル１０を任意の意匠からなる照明を有するミラーとすることも可能である。
【００２９】
以上の説明は本発明を例示するものであって、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更、変形が可能であることは言うまでもない。本発明における有機ＥＬ素子の積層構造は本実施形態に限定されるものではなく、正孔注入輸送層１４ａに替えて第１電極１２側より正孔注入層と正孔輸送層を形成してもよく、発光層が１層であったり、電子輸送層が複数層形成されるなどの構成であってもよい。
【００３０】
次に、実施例を挙げて本発明の効果を具体的に説明する。
【実施例１】
【００３１】
まず、ガラス材料からなる支持基板１１上にスパッタリング法でＩＴＯを膜厚１４５ｎｍで形成して第１電極１２を形成した。
次に、大気暴露することなく、第１電極１２上に正孔注入輸送層１４ａとして、正孔輸送性材料ＨＴ１を真空蒸着により膜厚３０ｎｍで形成した。正孔輸送性材料ＨＴ１は、ガラス転移温度Ｔｇ＝１３２℃、Ｉｐ＝５．４ｅＶ、μｈ＝４×１０−４ｃｍ２／Ｖｓである。
次に、正孔注入輸送層１４ａ上に第１の発光層１４ｂとして、橙色発光を示す蛍光材料ＡＤ１を真空蒸着により膜厚１ｎｍで形成した。蛍光材料ＡＤ１は、Ｅｇ（エネルギーギャップ）＝２．０ｅＶ、Ｉｐ（イオン化ポテンシャル）＝５．２ｅＶ、ガラス転移温度Ｔｇ＝１５６℃である。
次に、第１の発光層１４ｂ上に第２の発光層１４ｃとして、ホスト材料ＥＭ１と青緑色発光を示す蛍光ドーパントＢＤ１との混合層を、ＥＭ１：ＢＤ１＝４０：２のｗｔ％比率で含有させて共蒸着により膜厚４０ｎｍで形成した。ホスト材料ＥＭ１は、Ｉｐ＝５．９ｅＶ、Ｅａ（ＬＵＭＯエネルギー、すなわち電子親和力）＝２．９ｅＶ、μｅ（電子移動度）＝３×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ、μｈ（正孔移動度）＝２×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ、ガラス転移温度Ｔｇ＝１３０℃である。蛍光ドーパントＢＤ１は、Ｅｇ＝２．７ｅＶ、Ｉｐ＝５．６ｅＶ、ガラス転移温度Ｔｇ＝２００℃である。
次に、第２の発光層１４ｃ上に電子輸送層１４ｄとして、トリアジン誘導体である電子輸送性材料ＥＴ１を真空蒸着により膜厚２０ｎｍで形成した。電子輸送性材料ＥＴ１は、Ｉｐ＝６．０ｅＶ、Ｅａ＝３．０ｅＶ、μｅ＝４×１０−４ｃｍ２／Ｖｓ、ガラス転移温度Ｔｇ＝１３６℃である。
次に、電子輸送層１４ｄ上に電子注入層１４ｅとして、ＬｉＦを真空蒸着法により膜厚１ｎｍで形成した。このとき、網点状の前記開口部のパターンを有する前記蒸着マスクを用い、電子注入層１４ｅが開口率（電子注入層１４ｅ全体の面積／発光面全体の面積）が３０％の網点状に形成されるとともに、電子注入層１４ｅの全体で所定の意匠を成すように形成した。
次に、電子注入層１４ｅ上に第２電極１５として、Ａｌを真空蒸着により膜厚１００ｎｍで形成した。
その後、その後吸湿剤が塗布された封止部材１６を支持基板１１上に配設して封止し実施例１となる有機ＥＬパネルを作製した。
実施例１は、非通電時は鏡面であり境界線などは視認されず、電圧を印加して通電すると第１の領域Ａ１の白色発光による意匠が視認でき、発光輝度が１０００ｃｄ／ｍ２である際の消費電力は１２．９ｍＷ／ｃｍ２であった。
【００３２】
図３（ａ）は、実施例１における電子注入層１４ｅが形成された個所である第１の領域Ａ１と電子注入層１４ｅが形成されない個所である第２の領域Ａ２とにおける輝度−電圧（Ｌ−Ｖ）特性を示すものであり、図３（ｂ）は実施例１における第１の領域Ａ１と第２の領域とにおける電流密度−電圧（Ｊ−Ｖ）特性を示すものである。なお、輝度あるいは電流密度の測定に際しては、第１の領域Ａ１と同様の積層構造を有する（すなわち電子注入層１４ｅが形成される）有機ＥＬ素子と第２の領域Ａ２と同様の積層構造を有する（すなわち電子注入層１４ｅが形成されない）有機ＥＬ素子とを作製してその輝度あるいは電流密度を測定した。図３中、第１の領域Ａ１を示す特性は「電子注入層あり」と表記し、第２の領域Ａ２を示す特性は「電子注入層なし」と表記している。第１の領域Ａ１においては、印加電圧４．２Ｖで１０ｍＡ／ｃｍ２の電流が流れ発光輝度は１０００ｃｄ／ｍ２であるのに対し、第２の領域Ａ２においては、印加電圧４．２Ｖで０．１ｍＡ／ｃｍ２の電流が流れ発光輝度は４ｃｄ／ｃｍ２であった。かかる結果によれば、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２との輝度差は２５０倍であり、電子注入層１４ｅのみを所定の形状とすることで任意の意匠を表現することが可能であることは図３からも明らかである。また、第２の領域Ａ２は、第１の領域Ａ１と比較して流れる電流が低いことがわかる。また、網点状の前記開口部を有する前記蒸着マスクは前記開口部が目詰まりを生じさせやすいが、実施例１は１ｎｍ程度の電子注入層１４ｅの成膜に用いるのみであるので１シート作製時にマスクに堆積する材料は比較的少なく、前記蒸着マスクの目詰まりを生じさせることなく安定して作製することができた。前記開口部の大きさにもよるが、堆積膜厚０．１μｍで交換すると仮定すると１００シートを連続して生産することが可能となる。
【実施例２】
【００３３】
実施例２は有機発光層を第２の発光層１４ｃのみの単層とした。
まず、ガラス材料からなる支持基板１１上にスパッタリング法でＩＴＯを膜厚１４５ｎｍで形成して第１電極１２を形成した。
次に、大気暴露することなく、第１電極１２上に正孔注入輸送層１４ａとして、正孔輸送性材料ＨＴ１を真空蒸着により膜厚８０ｎｍで形成した。
次に、正孔注入輸送層１４ａ上に第２の発光層１４ｃとして、ホスト材料ＥＭ１と青緑色発光を示す蛍光ドーパントＢＤ１との混合層を、ＥＭ１：ＢＤ１＝４０：２のｗｔ％比率で含有させて共蒸着により膜厚４０ｎｍで形成した。
次に、第２の発光層１４ｃ上に電子輸送層１４ｄとして、Ａｌｑ３を真空蒸着により膜厚２０ｎｍで形成した。
次に、電子輸送層１４ｄ上に電子注入層１４ｅとして、ＬｉＦを真空蒸着法により膜厚１ｎｍで形成した。このとき、網点状の前記開口部のパターンを有する前記蒸着マスクを用い、電子注入層１４ｅが開口率（電子注入層１４ｅの面積／発光面全体の面積）が３０％の網点状に形成されるとともに、電子注入層１４ｅの全体で所定の意匠を成すように形成した。
次に、電子注入層１４ｅ上に第２電極１５として、Ａｌを真空蒸着により膜厚１００ｎｍで形成した。
その後、その後吸湿剤が塗布された封止部材１６を支持基板１１上に配設して封止し実施例２となる有機ＥＬパネルを作製した。
実施例２は、非通電時は鏡面であり境界線などは視認されず、電圧を印加して通電すると第１の領域Ａ１の青緑色発光による意匠が視認でき、発光輝度が１０００ｃｄ／ｍ２である際の消費電力は２４．４ｍＷ／ｃｍ２であった。
【００３４】
図４（ａ）は、実施例２における電子注入層１４ｅが形成された個所である第１の領域Ａ１と電子注入層１４ｅが形成されない個所である第２の領域Ａ２とにおける輝度−電圧（Ｌ−Ｖ）特性を示すものであり、図４（ｂ）は実施例２における第１の領域Ａ１と第２の領域とにおける電流密度−電圧（Ｊ−Ｖ）特性を示すものである。なお、輝度あるいは電流密度の測定に際しては、第１の領域Ａ１と同様の積層構造を有する（すなわち電子注入層１４ｅが形成される）有機ＥＬ素子と第２の領域Ａ２と同様の積層構造を有する（すなわち電子注入層１４ｅが形成されない）有機ＥＬ素子とを作製してその輝度あるいは電流密度を測定した。図４中、第１の領域Ａ１を示す特性は「電子注入層あり」と表記し、第２の領域Ａ２を示す特性は「電子注入層なし」と表記している。第１の領域Ａ１は、電圧７Ｖで９．３ｍＡ／ｃｍ２の電流が流れ発光輝度は１０００ｃｄ／ｍ２であるのに対し、第２の領域Ａ２は、電圧７Ｖで１ｍＡ／ｃｍ２の電流が流れ発光輝度は２０ｃｄ／ｃｍ２であった。かかる結果によれば、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２との輝度差は５０倍であり、電子注入層１４ｅのみを所定の形状とすることで任意の意匠を表現することが可能であることは図４からも明らかである。また、第２の領域Ａ２は、第１の領域Ａ１と比較して流れる電流が低いことがわかる。
【００３５】
（比較例１）
電子注入層１４ｅの形成時に網点状の開口パターンを有する蒸着マスクを用いず、電子輸送層１４ｄ上の全面に電子注入層１４ｅを層状に形成したほかは実施例１と同様にして比較例１となる有機ＥＬパネルを作製した。
比較例１においては、電圧を印加して通電すると全面が白色で発光し、発光輝度が１０００ｃｄ／ｍ２である際の消費電力は４２．０ｍＷ／ｃｍ２であった。これにより、実施例１は、比較例１よりも消費電力は少なく低電力による発光が可能であることがわかる。これは、実施例１においては電子注入層１４ｅを網点状にかつ所定の意匠を成すように形成したことで、図３（ｂ）に示したように、電子注入層１４ｅが形成されず、流れる電流が少ない個所が生じたことによる。
【００３６】
（比較例２）
電子注入層１４ｅの形成時に網点状の開口パターンを有する蒸着マスクを用いず、電子輸送層１４ｄ上の全面に電子注入層１４ｅを層状に形成したほかは実施例２と同様にして比較例１となる有機ＥＬパネルを作製した。
比較例１においては、電圧を印加して通電すると全面が白色で発光し、発光輝度が１０００ｃｄ／ｍ２である際の消費電力は６５．０ｍＷ／ｃｍ２であった。これにより、実施例２は、比較例２よりも消費電力は少なく低電力による発光が可能であることがわかる。これは、実施例１と同様に実施例２においては電子注入層１４ｅを網点状にかつ所定の意匠を成すように形成したことで、図４（ｂ）に示したように、電子注入層１４ｅが形成されず、流れる電流が少ない個所が生じたことによる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、任意の意匠を表現する有機ＥＬパネルに好適である。
【符号の説明】
【００３８】
１０  有機ＥＬパネル
１１  支持基板
１２  第１電極（陽極）
１４  有機層
１４ａ  正孔注入輸送層
１４ｂ  第１の発光層（有機発光層）
１４ｃ  第２の発光層（有機発光層）
１４ｄ  電子輸送層
１４ｅ  電子注入層
１５  第２電極（陰極）
Ａ１  第１の領域
Ａ２  第２の領域
【図１】
2013157424.tif 000003
【図２】
2013157424.tif 000004
【図３】
2013157424.tif 000005
【図４】
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