(57)【要約】【課題】取得した画像に現れるアーチファクトを抑えることが可能な放射線検出器を提供することを目的とする。【解決手段】ＦＰＤ１において、アクティブマトリクス基板３と光照射機構４の光照射領域ｒａとの間に、接地された金網４３または透明導電層４１が設けられている。そのため、アクティブマトリクス基板３のデータ線１５と、金網４３または透明導電層４１との間で閉回路Ｃを形成することとなり、閉回路Ｃの面積を小さくすることができる。そのため、その閉回路Ｃに時間的に変化する磁束が鎖交することによりデータ線１５に重畳する磁気ノイズが抑えられる。これにより、取得した画像に現れるアーチファクトを抑えることができる。また、金網４３または透明導電層４１は、光を通過することができるので、光照射機構４からの光をＸ線変換層２に照射することができる。【選択図】図１
2013250202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を検出する放射線検出器において、
入射した放射線を電荷信号に直接変換する変換層と、
前記変換層で変換された電荷信号を、データ線を通じて読み出すためのアクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板を介在させて前記変換層に光を照射する光照射手段と、
前記アクティブマトリクス基板と前記光照射手段の光照射領域との間に設けられると共に接地された金網と、
を備えていることを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
請求項１に記載の放射線検出器において、
前記金網は、前記変換層と前記アクティブマトリクス基板とが積層する積層方向の厚みが０．１ｍｍ以上であることを特徴とする放射線検出器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の放射線検出器において、
前記金網は、前記アクティブマトリクス基板に直接接触して設けられていることを特徴とする放射線検出器。
【請求項４】
請求項１または２に記載の放射線検出器において、
前記金網は、前記アクティブマトリクス基板の前記変換層とは反対側の面に直接接触して設けられた透明樹脂層に、さらに直接接触して設けられていることを特徴とする放射線検出器。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の放射線検出器において、
前記金網は、非磁性体材料で構成されることを特徴とする放射線検出器。
【請求項６】
放射線を検出する放射線検出器において、
入射した放射線を電荷信号に直接変換する変換層と、
前記変換層で変換された電荷信号を、データ線を通じて読み出すためのアクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板を介在させて前記変換層に光を照射する光照射手段と、
前記アクティブマトリクス基板と前記光照射手段の光照射領域との間に設けられると共に接地された透明導電層と、
を備えていることを特徴とする放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医用診断や非破壊検査に用いられ、放射線（例えばＸ線）を検出する放射線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、フラットパネル型Ｘ線検出器（以下適宜、「ＦＰＤ」と称する）がある（例えば、特許文献１参照）。ＦＰＤ１０１は、図８に示すように、Ｘ線を電荷信号に変換するＸ線変換層１０２と、Ｘ線変換層１０２と積層して設けられ、Ｘ線変換層１０２で変換された電荷信号を読み出すためのアクティブマトリクス基板１０３と、アクティブマトリクス基板１０３ごしにＸ線変換層１０２に検出特性改善用の光を照射する光照射機構１０４とを備えている。Ｘ線変換層１０２、アクティブマトリクス基板１０３および光照射機構１０４等は、筐体１３７に収められている。
【０００３】
光照射機構１０４は、次のような効果を有する。すなわち、光照射機構１０４によりＸ線変換層１０２に検出特性改善用の光が照射されている間に、Ｘ線を検出することで、検出感度の変動を抑えられるのに加えて、Ｘ線の入射停止時も検出特性改善用の光を照射することで残留電荷の発生を抑えられる。
【０００４】
また、特許文献１には、検出特性改善用の光を照射する光照射領域ｒａの外側の非光照射領域ｒｂにおいて、光照射機構１０４の光源および基板支持部材（筐体１３７）とアクティブマトリクス基板１０３との間に電磁シールドが設けられることが開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、アクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板の放射線の入射面とは逆側の面に配設された恒温機構との間にパーマロイで形成された磁気シールドが配設されることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許４６２２６７０号公報
【特許文献２】登録実用新案第３１３１１０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、環境（例えばサーボモータ）から与えられる変動磁場（例えば数百ｋＨｚ帯）の影響を受け、強いアーチファクトが画像に現れる問題がある。この問題について次のような知見を得た。すなわち、図８のＦＰＤ１０１を横から見た場合、アクティブマトリクス基板１０３に設けられたデータ線１１５は、筐体１３７から浮いた位置に存在する。また、データ線１１５と筐体１３７との間には、意図しない寄生成分（浮遊容量・インダクタ等）が存在する。そのため、図９に示すように、データ線１１５、筐体１３７および寄生容量１８１で閉回路Ｃが形成される。この閉回路Ｃに時間的に変化する磁束が鎖交すると、電磁誘導により閉回路Ｃ周りに流れる電流が生じてしまう。閉回路Ｃに経時変化する磁束が閉回路Ｃの電磁誘導を引き起こし電磁ノイズを発生させ、閉回路を形成する要素であるデータ線１１５に磁気ノイズが重畳する。
【０００８】
閉回路Ｃは、光照射機構１０４を設けることにより、データ線１１５と筐体１３７との間の距離ｄが大きくなる。すると、閉回路Ｃの面積が大きくなる。そして、閉回路Ｃの面積が大きくなると、電磁誘導により発生する磁気ノイズが大きくなる。閉回路Ｃの面積の増大に伴い閉回路Ｃが捉える磁束が増加するからである。これにより、大きな磁気ノイズがデータ線１１５に重畳し、取得した画像にアーチファクトとして現れる。
【０００９】
なお、特許文献２の構成に光照射機構１０４を採用した構成を図８において説明すると、光照射機構１０４と筐体１３７との間に、磁気シールドが設けられた構成となる。そのため、アクティブマトリクス基板１０３のデータ線１１５と、磁気シールドとの間には、光照射機構１０４が介在するので、閉回路Ｃは大きいままである。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、取得した画像に現れるアーチファクトを抑えることが可能な放射線検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る放射線検出器は、放射線を検出する放射線検出器において、入射した放射線を電荷信号に直接変換する変換層と、前記変換層で変換された電荷信号を、データ線を通じて読み出すためのアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板を介在させて前記変換層に光を照射する光照射手段と、前記アクティブマトリクス基板と前記光照射手段の光照射領域との間に設けられると共に接地された金網と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明に係る放射線検出器によれば、アクティブマトリクス基板と光照射手段の光照射領域との間に、接地された金網が設けられている。そのため、アクティブマトリクス基板のデータ線と、例えば筐体との間で閉回路が形成されず、アクティブマトリクス基板のデータ線と金網との間で閉回路を形成することとなる。すなわち、閉回路の面積を小さくすることができる。そのため、その閉回路に時間的に変化する磁束が鎖交することによりデータ線に重畳する磁気ノイズが抑えられる。これにより、取得した画像に現れるアーチファクトを抑えることができる。また、金網は、光を通過することができるので、光照射手段からの光を変換層に照射することができる。
【００１３】
また、本発明に係る放射線検出器において、前記金網は、前記変換層と前記アクティブマトリクス基板とが積層する積層方向の厚みが０．１ｍｍ以上であることが好ましい。金網の厚みが０．１ｍｍ未満である場合、変動磁場がＧＨｚ帯では、磁気の多くを吸収し打ち消すシールド効果が得られる。しかしながら、本発明の対象となる、環境から与えられる例えば数百ｋＨｚ帯の変動磁場では、磁気の多くが貫通してしまい、変動磁場に対するシールド効果が得られない。一方、金網の厚みが０．１ｍｍ以上である場合は、数百ｋＨｚ帯の変動磁場に対するシールド効果を得ることができる。シールド効果が得られると、閉回路の面積を小さくすることができ、閉回路を鎖交する磁束を少なくすることができる。これにより、データ線に重畳する磁気ノイズを抑えることができる。
【００１４】
また、本発明に係る放射線検出器において、前記金網は、前記アクティブマトリクス基板に直接接触して設けられていることが好ましい。これにより、アクティブマトリクス基板のデータ線と、金網との距離を小さくすることができるので、閉回路の面積をより小さくすることができるからである。
【００１５】
また、本発明に係る放射線検出器において、前記金網は、前記アクティブマトリクス基板の前記変換層とは反対側の面に直接接触して設けられた透明樹脂層に、さらに直接接触して設けられていることが好ましい。これにより、金網によってアクティブマトリクス基板を傷つける可能性があるので、これを防止することができる。透明樹脂層が十分薄ければアクティブマトリクス基板のデータ線と、金網との距離を小さくすることができるので、閉回路の面積をより小さくすることができる。
【００１６】
また、本発明に係る放射線検出器において、前記金網は、非磁性体材料で構成されることが好ましい。金網が磁性体（強磁性体）材料で構成される場合、磁界が磁性体材料の面に沿って流れる。また、アクティブマトリクス基板のデータ線と金網との間の閉回路内側に鎖交する磁束線だけでなく、閉回路の外側を通る磁束線も引き寄せてしまう。そのため、閉回路と鎖交する磁束が多くなり、データ線に重畳する磁気ノイズを増やしてしまう。しかしながら、金網が非磁性体材料で構成されていることにより、閉回路と鎖交する磁束が多くなることを防止することができる。
【００１７】
また、本発明に係る放射線検出器は、放射線を検出する放射線検出器において、入射した放射線を電荷信号に直接変換する変換層と、前記変換層で変換された電荷信号を、データ線を通じて読み出すためのアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板を介在させて前記変換層に光を照射する光照射手段と、前記アクティブマトリクス基板と前記光照射手段の光照射領域との間に設けられると共に接地された透明導電層と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明に係る放射線検出器によれば、アクティブマトリクス基板と光照射手段の光照射領域との間に、接地された透明導電層が設けられている。そのため、アクティブマトリクス基板のデータ線と、例えば筐体との間で閉回路が形成されず、アクティブマトリクス基板のデータ線と透明導電層との間で閉回路を形成することとなる。すなわち、閉回路の面積を小さくすることができる。そのため、その閉回路に時間的に変化する磁束が鎖交することによりデータ線に重畳する磁気ノイズが抑えられる。これにより、取得した画像に現れるアーチファクトを抑えることができる。また、透明導電層は、光を通過することができるので、光照射手段からの光を変換層に照射することができる。
【００１９】
なお、本明細書は、次のような放射線検出器に係る発明も開示している。
【００２０】
（１）本発明に係る放射線検出器において、前記透明導電層は、前記変換層と前記アクティブマトリクス基板とが積層する積層方向の厚みが０．１ｍｍ以上であることが好ましい。透明導電層の厚みが０．１ｍｍ未満である場合、変動磁場がＧＨｚ帯では、磁気の多くを吸収し打ち消すシールド効果が得られる。しかしながら、本発明の対象となる、環境から与えられる例えば数百ｋＨｚ帯の変動磁場では、磁気の多くが貫通してしまい、変動磁場に対するシールド効果が得られない。一方、透明導電層の厚みが０．１ｍｍ以上である場合は、数百ｋＨｚ帯の変動磁場に対するシールド効果を得ることができる。シールド効果が得られると、閉回路の面積を小さくすることができ、閉回路を鎖交する磁束を少なくすることができる。これにより、データ線に重畳する磁気ノイズを抑えることができる。
【００２１】
（２）本発明に係る放射線検出器において、前記透明導電層は、前記アクティブマトリクス基板に直接接触して設けられていることが好ましい。これにより、アクティブマトリクス基板のデータ線と、透明導電層との距離を小さくすることができるので、閉回路の面積をより小さくすることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る放射線検出器によれば、アクティブマトリクス基板と光照射手段の光照射領域との間に、接地された金網または透明導電層が設けられている。そのため、アクティブマトリクス基板のデータ線と、例えば筐体との間で閉回路が形成されず、アクティブマトリクス基板のデータ線と、金網または透明導電層との間で閉回路を形成することとなる。すなわち、閉回路の面積を小さくすることができる。そのため、その閉回路に時間的に変化する磁束が鎖交することによりデータ線に重畳する磁気ノイズが抑えられる。これにより、取得した画像に現れるアーチファクトを抑えることができる。また、金網または透明導電層は、光を通過することができるので、光照射手段からの光を変換層に照射することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施例１および２に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の概略構成を示す縦断面図である。
【図２】実施例１および２に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の概略構成を示す平面図である。
【図３】光照射機構の一例を詳細に示す図である。
【図４】金網および透明導電層の効果の説明に供する図である。
【図５】金網の一例であるエキスパンドメタルの説明に供する図である。
【図６】変形例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の概略構成を示す縦断面図である。
【図７】変形例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器の概略構成を示す縦断面図である。
【図８】従来のフラットパネル型Ｘ線検出器の概略構成を示す縦断面図である。
【図９】従来のフラットパネル型Ｘ線検出器において、アクティブマトリクス基板のデータ線と筐体との間に形成される閉回路を示す図である。
【実施例１】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、フラットパネル型Ｘ線検出器の概略構成を示す縦断面図であり、図２は、フラットパネル型Ｘ線検出器の概略構成を示す平面図である。
【００２５】
図１を参照する。フラットパネル型Ｘ線検出器（以下適宜、「ＦＰＤ」と称する）１は、入射したＸ線を電荷信号に直接変換するＸ線変換層２と、Ｘ線変換層２で変換された電荷信号を、後述するデータ線１５を通じて読み出すためのアクティブマトリクス基板３と、アクティブマトリクス基板３を介在させてＸ線変換層２に光を照射する光照射機構４とを備えている。なお、Ｘ線変換層２は、本発明の変換層に相当する。
【００２６】
Ｘ線変換層２は、例えばａ−Ｓｅ（アモルファス・セレン）等の半導体層で構成されている。Ｘ線変換層２のＸ線（符号ｘ）入射側の表面には、金属薄膜等のバイアス電圧印加用の共通電極５が設けられている。Ｘ線変換層２を挟むアクティブマトリクス基板３の反対側には、透明ガラス等の電気絶縁性を有する対向絶縁基板６が設けられている。アクティブマトリクス基板３と対向絶縁基板６との間には、Ｘ線変換層２を覆うように、絶縁樹脂７が充填されている。また、Ｘ線が入射してＸ線変換層２で変換された電荷信号（キャリア）は、Ｘ線変換層２の裏面に二次元マトリクス状に分離して設けられた複数の電荷収集電極（図示しない）により収集される。
【００２７】
アクティブマトリクス基板３は、透明ガラス等の電気絶縁性を有する絶縁基板８上に、Ｘ線変換層２で変換された電荷信号を読み出すための読み出し回路９が形成されている。読み出し回路９は、図２に示すように、コンデンサ１０と、薄膜トランジスタ（以下適宜、「ＴＦＴ」と称する）１１とを備えている。一組の電荷収集電極（図示しない）とコンデンサ１０とＴＦＴ１１は、これに応じた領域のＸ線変換層２と共通電極５とを合わせて、１個の検出素子１２を形成する。
【００２８】
したがって、ＦＰＤ１の検出面には、多数個の検出素子１２が交差する２軸方向である行方向Ｘと列方向Ｙに配列される。図２では、検出素子１２は３×３個で構成されるが、
図示の便宜上簡略化して示している。検出素子１２は、取得するＸ線画像を構成する各画素と対応関係にある。
【００２９】
コンデンサ１０は、変換された電荷信号を検出素子１２ごとに蓄積するものである。ＴＦＴ１１は、コンデンサ１０に蓄積された電荷信号を読み出すためのＯＮ・ＯＦＦを切り替えるスイッチ素子である。
【００３０】
さらに、読み出し回路９には、検出素子１２の行ごとにゲート線１３が配設されていると共に、検出素子１２の列ごとにデータ線１５が配設されている。ゲート線１３は、各行（行方向Ｘ）のＴＦＴ１１のゲートに共通接続されている。また、データ線１５は、各列（列方向Ｙ）のＴＦＴ１１のドレインに共通接続されている。
【００３１】
また、ゲート線１３は、ゲート駆動部１７に接続されている。ゲート駆動部１７は、各ゲート線１３にＴＦＴ１１の駆動信号を送信するものである。ゲート線１３に駆動信号を送信すると、そのゲート線１３に共通接続されたＴＦＴ１１が駆動されてＯＮ（接続）状態になる。これにより、コンデンサ１０とデータ線１５とを接続させることができる。ゲート駆動部１７は、図２において、例えば読み出し回路９の上側のゲート線１３から順番に駆動信号が与えられるようになっている。
【００３２】
データ線１５の下流には、順番に、電荷電圧変換増幅器１９、マルチプレクサ２１およびＡ／Ｄ変換器２３が設けられている。電荷電圧変換増幅器１９は、電荷信号を増幅して電圧信号に変換するものである。マルチプレクサ２１は、複数の電圧信号のうちの１つを順番に選択して出力するものである。Ａ／Ｄ変換器２３は、電圧信号をデジタル信号に変換するものである。
【００３３】
ゲート駆動部１７、電荷電圧変換増幅器１９、マルチプレクサ２１およびＡ／Ｄ変換器２３は、コントローラ２５で制御される。コントローラ２５は、例えば外部装置の指示を受けて、読み出し動作のタイミング等の指示をそれぞれの構成に与えられるようになっている。
【００３４】
なお、ゲート駆動部１７、電荷電圧変換増幅器１９、マルチプレクサ２１、Ａ／Ｄ変換器２３、コントローラ２５および電源（図示しない）は、周辺回路部２７または、この周辺回路部２７と読み出し回路９とを結ぶフレキシブル配線基板（図示しない）に設けられている。
【００３５】
図３は、光照射機構４の一例を詳細に示す図である。光照射機構４は、アクティブマトリクス基板３ごしにＸ線変換層２に向けて、検出特性改善用の均一な光を照射するものである。光照射機構４は、均一な光を光照射領域ｒａで示す領域に照射するようになっている。光照射機構４は、光源２９、導光板３１、光反射板３３および光拡散板３５を備えている。なお、光反射板３３および光拡散板３５は、シート状またはフィルム状で構成される。
【００３６】
光源２９は、導光板３１に対して側方から可視光を照射するものである。導光板３１は、光源２９からの光を光拡散板３５に導くものである。光反射板３３は、導光板３１の少なくとも底面を覆って光を反射するものである。なお、光反射板３３は、光源２９および光拡散板３５が覆われていない側面に設けるようにしてもよい。光拡散板３５は、導光板３１のＸ線変換層２側に設けられており、導光板３１で導かれた光を拡散して均一な光として照射するものである。すなわち、光源２９から照射された光は、光反射板３３で反射されつつ導光板３１で導かれ、光拡散板３５によってＸ線変換層２に向けて面で均一に照射される。なお、光照射機構４は本発明の光照射手段に相当する。
【００３７】
なお、光照射機構４は、図３に示す構成に限定されず、アクティブマトリクス基板３ごしにＸ線変換層２に向けて、検出特性改善用の均一な光を照射するものであればよい。
【００３８】
図１に戻る。ＦＰＤ１は、Ｘ線変換層２、アクティブマトリクス基板３および光照射機構４を収める筐体３７をさらに備えている。筐体３７は、後述する透明導電層４１を介在させてアクティブマトリクス基板３を支持すると共に、光照射機構４を支持する。筐体３７は、例えばＡｌ（アルミニウム）で構成されている。筐体３７は、接地されている。また、筐体３７は、蓋部３９が取り付けられる。なお、筐体３７は、アクティブマトリクス基板３および光照射機構４を支持する部分３７ａと、Ｘ線変換層２、アクティブマトリクス基板３および光照射機構４を取り囲む部分３７ｂとが一体的に構成されるが、着脱自在に分離して構成してもよい。なお、符号４０は空洞部分を示す。
【００３９】
次に、本実施例の特徴部分である透明導電層４１について説明する。透明導電層４１は、図４に示すように、データ線１５と筐体３７との間の距離ｄを小さくして、閉回路Ｃの面積を小さくするために設けられる。この様にすると、閉回路Ｃが捉える磁束を最小限にすることができる。この構成によれば、データ線１５に入力されるノイズ成分を最小限に抑制することができるのである。
【００４０】
透明誘電層４１の具体的構成について説明する。透明導電層４１は、アクティブマトリクス基板３と光照射機構４の光照射領域ｒａとの間に設けられている。また、透明導電層４１は、筐体３７に電気的に接続され、筐体３７と等電位になっている。すなわち、透明導電層４１は接地されている。また、データ線１５と透明導電層４１との閉回路Ｃを小さくするために、透明導電層４１は、アクティブマトリクス基板３の絶縁基板８に、何も介在せずに、直接接触して設けられている。なお、符号ｒｂは、光照射機構４により光が照射されないアクティブマトリクス基板３の領域を示す。
【００４１】
透明導電層４１は、光照射機構４からの光を透過させると共に、導電性を有する板状またはシート状のもので構成される。透明導電層４１は、例えばアクティブマトリクス基板３のうち、光照射領域ｒａでかつ、データ線１５が形成される領域に置かれる。なお、図１において、透明導電層４１は、アクティブマトリクス基板３とほぼ同じ大きさの領域で構成されている。透明導電層４１は、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯｘ）、およびＺｎＯ（酸化亜鉛）などの一般的に透明電極となる材料で構成される。
【００４２】
透明導電層４１は、Ｘ線変換層２とアクティブマトリクス基板３とが積層する積層方向の厚みが０．１ｍｍ以上で構成されていることが望ましい。透明導電層４１の厚みが０．１ｍｍ未満である場合、変動磁場がＧＨｚ帯では、磁気の多くを吸収し打ち消すシールド効果が得られる。しかしながら、本実施例の対象となる、環境から与えられる例えば数百ｋＨｚ帯の変動磁場では、磁気の多くが貫通してしまい、変動磁場に対するシールド効果が得られない。一方、透明導電層４１の厚みが０．１ｍｍ以上である場合は、数百ｋＨｚ帯の変動磁場に対するシールド効果を得ることができる。透明導電層４１の厚さの上限は、特に制限はないが、望ましくは２０ｍｍ以下がよい。
【００４３】
シールド効果が得られると、図４に示すように、閉回路Ｃの面積を小さくすることができ、閉回路Ｃを鎖交する磁束を少なくすることができる。これにより、データ線１５に重畳する磁気ノイズを抑えることができる。一方、シールド効果が得られないと磁気が貫通してしまい、図９に示すように、閉回路Ｃの面積はそのままであり、鎖交する磁束を少なくすることができない。
【００４４】
次に、ＦＰＤ１の動作について説明する。共通電極５にバイアス電圧ｖを印加した状態でＦＰＤ１にＸ線が入射されると、Ｘ線変換層２によりＸ線が電荷信号に変換される。変換された電荷信号は、画素ごとにコンデンサ１０に蓄積される。
【００４５】
コントローラ２５は、ゲート駆動部１７にゲート線１３駆動の指示を行う。ゲート駆動部１７は、コントローラ２５の指示により、例えば、図２の上側から順番に選択してゲート駆動信号を出力する。ＴＦＴ１１のゲートには、１行ごとにゲート駆動信号が供給され、ＴＦＴ１１がＯＮ状態となる。コンデンサ１０に蓄積された電荷信号は、ＯＮ状態となったＴＦＴ１１を通ってデータ線１５に移動する。移動した電荷信号はデータ線１５によって、電荷電圧変換増幅器１９に送られる。
【００４６】
電荷電圧変換増幅器１９は、電荷信号を増幅して電圧信号に変換する。マルチプレクサ２１は、複数の電圧信号のうちの１つを順番に選択して出力する。Ａ／Ｄ変換器２３は、マルチプレクサ２１で選択して出力された電圧信号をデジタル信号に変換する。以上のようにして、得られた電圧信号（Ｘ線画像）は、ＦＰＤ１から出力される。ＦＰＤ１から出力された電圧信号は、図示しない画像処理部により階調処理など必要な処理が行われ、図示しないモニタ等の表示部に表示される。
【００４７】
以上のように本発明の実施例１によれば、アクティブマトリクス基板３と光照射機構４の光照射領域ｒａとの間に、接地された透明導電層４１が設けられている。そのため、アクティブマトリクス基板３のデータ線１５と、例えば筐体３７との間で閉回路Ｃが形成されず（図９参照）、アクティブマトリクス基板３のデータ線１５と透明導電層４１との間で閉回路Ｃを形成することとなる（図４参照）。すなわち、閉回路Ｃの面積を小さくすることができる。そのため、その閉回路Ｃに時間的に変化する磁束が鎖交することによりデータ線１５に重畳する磁気ノイズが抑えられる。これにより、取得した画像に現れるアーチファクトを抑えることができる。また、透明導電層４１は、光を通過することができるので、光照射機構４からの光をＸ線変換層２に照射することができる。
【００４８】
また、透明導電層４１は、アクティブマトリクス基板３裏面に直接接触して設けられている。これにより、アクティブマトリクス基板３のデータ線１５と、透明導電層４１との距離を小さくすることができるので、閉回路Ｃの面積をより小さくすることができる。
【実施例２】
【００４９】
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。図５は、金網の一例であるエキスパンドメタルの説明に供する図である。なお、実施例１と重複する説明は省略する。
【００５０】
実施例１では、図１に示すように、アクティブマトリクス基板３と光照射機構４の光照射領域ｒａとの間に接地された透明導電層４１が設けられていた。この点、実施例２では、透明導電層４１に代えて、金網４３が設けられる。
【００５１】
金網４３は、光照射機構４からの光を網目から透過させると共に、導電性を有する板状またはシート状のもので構成される。金網４３は、例えば、板（シート）状のものに切れ目を入れて引き延ばすことで、ひし形状の網目が形成されたエキスパンドメタルを用いる。図５に示すように、網目の大きさを短手方向ＳＷおよび長手方向ＬＷで示すとすると、網目の大きさは、例えばＳＷ：４ｍｍ×ＬＷ：８ｍｍのものを用いる。なお、網目の大きさは、限定されず、任意の大きさのものを用いる。
【００５２】
また、金網４３は、例えばパーマロイのような磁性体（強磁性体）材料を採用せずに、非磁性体材料を採用する。非磁性体材料として、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）などが挙げられる。また、金網４３は、実施例１の透明導電層４１と同様に、Ｘ線変換層２とアクティブマトリクス基板３とが積層する積層方向の厚みが０．１ｍｍ以上で構成される。金網４３の厚さの上限は、特に制限はないが、望ましくは２０ｍｍ以下がよい。
【００５３】
また、金網４３は、エキスパンドメタルに限定されない。金網４３は、板（シート）状のものに多数の孔を形成したパンチングメタルで構成されていてもよい。なお、多数の孔は、円形や多角形に形成される。また、金網４３は、針金を例えば平織や綾織などに編んで形成された織金網で構成されていてもよい。すなわち、金網４３は、エキスパンドメタル、パンチングメタルおよび織金網などのうちいずれかで構成される。
【００５４】
以上のように本発明の実施例２によれば、実施例１と同様の効果を有し、取得した画像に現れるアーチファクトを抑えることができる。また、金網４３は、光を通過することができるので、光照射機構４からの光をＸ線変換層２に照射することができる。また、金網４３の厚みが０．１ｍｍ以上である場合は、実施例１と同様に、例えば数百ｋＨｚ帯の変動磁場に対するシールド効果を得ることができる。シールド効果が得られると、図４に示すように、閉回路Ｃの面積を小さくすることができ、閉回路Ｃを鎖交する磁束を少なくすることができる。
【００５５】
また、金網４３は、アクティブマトリクス基板３裏面に直接接触して設けられている。これにより、アクティブマトリクス基板３のデータ線１５と、金網４３との距離を小さくすることができるので、閉回路Ｃの面積をより小さくすることができる。
【００５６】
また、金網４３は、非磁性体（弱磁性）材料（例えば，アルミニウム）で構成されている。金網４３が磁性体（強磁性体）材料（例えば，鉄）で構成される場合、磁界が磁性体材料の面に沿って流れる。また、アクティブマトリクス基板３のデータ線１５と金網４３との間の閉回路Ｃ内側に鎖交する磁束線だけでなく、閉回路Ｃの外側を通る磁束線も引き寄せてしまう。そのため、閉回路Ｃと鎖交する磁束が多くなり、データ線１５に重畳する磁気ノイズを増やしてしまう。しかしながら、金網４３が非磁性体材料で構成されていることにより、閉回路Ｃと鎖交する磁束が多くなることを防止することができる。
【００５７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００５８】
（１）上述した実施例２において、金網４３は、アクティブマトリクス基板３に直接接触して設けられていた。しかしながら、金網４３は、図６に示すように、アクティブマトリクス基板３のＸ線変換層２とは反対側の面８ａに直接接触して設けられた透明樹脂層４５に、さらに直接接触して設けられていてもよい。透明樹脂層４５は、例えばシート状または板状の透明な樹脂で構成される。
【００５９】
これにより、金網４３によりアクティブマトリクス基板３を傷つける可能性があるので、これを防止することができる。透明樹脂層が十分薄ければアクティブマトリクス基板３のデータ線１５と、金網４３との距離を小さくすることができるので、閉回路Ｃの面積をより小さくすることができる。
【００６０】
また、金網４３の金属部分は光を通さない。そのため、影になる部分に光を当てるために、透明樹脂層４５に拡散機能を有するようにしてもよい。なお、透明樹脂層４５は、例えば、光の拡散機能を有する層と透明層との２層で構成されていてもよい。
【００６１】
（２）上述した各実施例および変形例（１）において、透明導電層４１又は金網４３は、アクティブマトリクス基板３とほぼ同じ大きさの領域で構成されていたが、これに限定されない。例えば、図７に示すように、光照射機構４の光照射領域ｒａは、透明導電層４１又は金網４３で構成する。一方、アクティブマトリクス基板３のうち非光照射領域ｒｂは、シート状または板状であって光を通さない導電層４７を設けてもよい。導電層４７は、例えばＡｌやＣｕ等で構成される。これにより、透明導電層４１は、形成領域を小さくすることができる。金網４３は、金網４３以外の導電層４７の非光照射領域ｒｂで金網４３よりも磁気ノイズを小さくすることができる。
【００６２】
また、透明導電層４１又は金網４３と、導電層４７は、それぞれ接地する。例えば、透明導電層４１又は金網４３と、導電層４７は、ＡｌやＣｕ等の金属テープで固定して電気的に接続させた後、接地する。
【００６３】
（３）上述した各実施例および各変形例では、図２に示すように、２次元状のＸ線像を検出するものであったが、検出素子１２が１列に並ぶだけの１次元のＸ線像を検出するものであってもよい。
【００６４】
（４）上述した各実施例および各変形例では、Ｘ線変換層２は、Ｘ線を電荷信号に変換していた。しかしながら、γ線または光（可視光や紫外線、赤外線等）等であってもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１    …  フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）
２    …  Ｘ線変換層
３    …  アクティブマトリクス基板
４    …  光照射部
１５  …  データ線
３７  …  筐体
４１  …  透明導電層
４３  …  金網
４５  …  透明樹脂層
４７  …  導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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