(57)【要約】【課題】装置の大型化、工程の複雑化、コスト増大を防止しつつ、シール材にキズやクラック等が生じることを抑止することができ、装置の特性や製造歩留まりを向上させることができる撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板の第１面側に受光するための光学素子エリアが形成され、基板の第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子が形成された光学デバイスと、光学デバイスの光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材と、を有し、光学デバイスの光学素子エリア側とシール材の光入射側である前面と対向する面とが貼り合わされ、シール材は、前面において光学デバイスの少なくとも光学素子エリアと対向する画素領域が縁部領域より低くなるように形成されている。【選択図】図３
2013143520.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１面側に受光するための光学素子エリアが形成され、上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子が形成された光学デバイスと、
上記光学デバイスの上記光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材と、を有し、
上記光学デバイスの光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とが貼り合わされ、
上記シール材は、
上記前面において上記光学デバイスの少なくとも上記光学素子エリアと対向する画素領域が縁部領域より低くなるように形成されている
撮像装置。
【請求項２】
上記光学デバイスは、
上記光学素子エリアと並列的に形成された接続パッドと、
上記基板の第２面側から上記接続パッドにかけて貫通して当該接続パッドに接続され、かつ上記第２面側において上記配線に接続された貫通電極と、を有する
請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
少なくとも上記光学素子エリアと上記シール材の当該光学素子エリアとの対向面間に形成され、上記光学デバイスの光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とを全体にわたり貼り合わせた中間層を有する
請求項１記載の撮像装置。
【請求項４】
上記光学デバイスは、
少なくとも上記基板の第１面側に形成された絶縁膜を有し、
上記絶縁膜には、上記基板の第１面側から上記接続パッドに至る開口部が形成され、
上記中間層は、
上記開口部において上記接続パッドに接触するように充填されている
請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】
基板の第１面側に受光するための光学素子エリアが形成され、上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子が形成された光学デバイスと、
上記光学デバイスの上記光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材と、
少なくとも上記光学素子エリアと上記シール材の当該光学素子エリアとの対向面間に形成され、上記光学デバイスの光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とを全体にわたり貼り合わせた中間層と、
上記光学デバイスにおいて、上記光学素子エリアと並列的に形成された接続パッドと、
上記基板の第２面側から上記接続パッドにかけて貫通するように形成され、当該接続パッドに接続され、上記第２面側において上記配線に接続された貫通電極と、
上記光学デバイスにおいて、少なくとも上記基板の第１面側に形成された絶縁膜と、を有し、
上記絶縁膜には、
上記基板の第１面側から上記接続パッドに至る開口部が形成され、
上記中間層は、
上記開口部において上記接続パッドに接触するように充填されている
撮像装置。
【請求項６】
上記シール材の前面側に研磨処理が施されている
請求項５記載の撮像装置。
【請求項７】
光学デバイスの光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材において、光入射側である前面に光学デバイスの少なくとも上記光学素子エリアと対向する画素領域を縁部領域より低くなるように掘り込み部を形成する掘り込み部形成工程と、
基板の第１面側に受光するための上記光学素子エリアが形成された上記光学デバイスの当該光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とを貼り合わせる、貼り合わせ工程と、
上記シール材の上記前面側をサポート面として、上記光学デバイスの上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子を形成する配線形成工程と
を有する撮像装置の製造方法。
【請求項８】
上記配線形成工程の前に、上記基板の第２面側を貫通電極が形成可能な厚みまで薄く削る工程を含み、
上記配線形成工程は、
上記基板の第２面側から上記光学素子エリアと並列的に形成された接続パッドにかけて貫通して当該接続パッドに接続し、かつ、上記第２面側において上記配線に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を含む
請求項７記載の撮像装置の製造方法。
【請求項９】
上記貼り合わせ工程では、
少なくとも上記光学素子エリアと上記シール材の当該光学素子エリアとの対向面間の全体にわたり充填するように中間層を形成し、当該中間層により上記光学デバイスの光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とを貼り合わせる
請求項７記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
上記光学デバイスにおいて、少なくとも上記基板の第１面側に絶縁膜が形成されており、
上記貼り合わせ工程の前に、上記絶縁膜に上記基板の第１面側から上記接続パッドに至る開口部を形成する開口部形成工程を含み、
上記貼り合わせ工程では、
上記中間層を上記開口部において上記接続パッドに接触するように充填する
請求項９記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
基板の第１面側に受光するための光学素子エリアが形成された光学デバイスの当該光学素子エリア側と、光学デバイスの光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材の光入射側である前面と対向する面とを貼り合わせる、貼り合わせ工程と、
上記なシール材において、光入射側である前面側に対して保護材としてサポート機能板を、仮貼り合わせる、仮貼り合わせ工程と、
上記シール材の上記前面側のサポート機能板をサポート面として、上記光学デバイスの上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子を形成する配線形成工程と、を有し、
上記貼り合わせ工程と上記仮貼り合わせ工程は、いずれか一方が先に行われる
撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
基板の第１面側に受光するための光学素子エリアが形成された光学デバイスの当該光学素子エリア側と、光学デバイスの光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材の光入射側である前面と対向する面とを貼り合わせる、貼り合わせ工程と、
上記シール材の上記前面側のサポート機能板をサポート面として、上記光学デバイスの上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子を形成する配線形成工程と、
上記配線形成工程において、上記外部接続端子を形成した後、上記シール材の上記前面を研磨する工程と、を有する
撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
上記配線形成工程の前に、上記基板の第２面側を貫通電極が形成可能な厚みまで薄く削る工程を含み、
上記配線形成工程は、
上記基板の第２面側から上記光学素子エリアと並列的に形成された接続パッドにかけて貫通して当該接続パッドに接続し、かつ、上記第２面側において上記配線に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を含む
請求項１１記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
上記貼り合わせ工程では、
少なくとも上記光学素子エリアと上記シール材の当該光学素子エリアとの対向面間の全体にわたり充填するように中間層を形成し、当該中間層により上記光学デバイスの光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とを貼り合わせる
請求項１１記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
上記光学デバイスにおいて、少なくとも上記基板の第１面側に絶縁膜が形成されており、
上記貼り合わせ工程の前に、上記絶縁膜に上記基板の第１面側から上記接続パッドに至る開口部を形成する開口部形成工程を含み、
上記貼り合わせ工程では、
上記中間層を上記開口部において上記接続パッドに接触するように充填する
請求項１４記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１６】
上記配線形成工程は、
上記基板の第２面側から上記光学素子エリアと並列的に形成された接続パッドにかけて貫通して当該接続パッドに接続し、かつ、上記第２面側において上記配線に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を含み、
上記貫通電極形成工程では、
上記仮貼り合わされた上記サポート機能板をはがし、
上記貫通電極形成工程後の配線を形成する工程で再度仮貼り合わせる工程を含む
請求項１１記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
上記配線形成工程では、
上記配線を形成する工程において、上記仮貼り合わされた上記サポート機能板をはがし、
その後の配線を形成する工程で再度仮貼り合わせる工程を含む
請求項１１記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１８】
上記配線形成工程において、上記外部接続端子を形成した後、上記サポート機能板をはがして、上記シール材の上記前面を研磨する工程を有する
請求項１１記載の撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、ＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサ（ＣＩＳ）等の光学センサがチップスケールのパッケージとして構成される撮像装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光学センサの簡易なパッケージ方法として、ウエハチップスケールパッケージ（Wafer Chip Scale Package；ＷＣＳＰ)構造が提案されている。
【０００３】
図１は、ＷＣＳＰ構造の基本的な構成を示す図である。
ＷＣＳＰ構造１は、光学センサ（センサチップ）である光学デバイス２の前面の受光部である光学素子エリア２１の上部を保護するためのシール材としてのシールガラス（カバーガラス）３が配置される。
ＷＣＳＰ構造１においては、光学デバイス２の光学素子エリア（受光部）２１を除く周縁部において樹脂４を介してシールガラス３が配置されている。したがって、ＷＣＳＰ構造１では、光学デバイス２の受光部２１とシールガラス３の光学素子エリア（受光部）２１との対向面３１との間に空隙５が形成される。
【０００４】
このＣＳＰ構造は、センサチップの前面と裏面間を貫通する貫通ビア（ＴＳＶ；Thru Silicon Via)により電極６を形成することでワイヤーボンドによる配線を失くしクリーンルーム内においてウエハ状態でガラスを貼り合わせることができる。
このため、従来のＣＯＢ(Chip On Board)タイプのパッケージと比較し、小型化、低コスト化、ダストレス化が期待できる。
【０００５】
図２は、ＷＣＳＰ構造の他の構成を示す図である。
図２のＷＣＳＰ構造１Ａは、図１のＷＣＳＰ構造１における上記空隙５を樹脂４で埋めて空隙を持たないＷＣＳＰ構造として構成されている。
以下、この空隙を持たないＷＣＳＰ構造を、キャビティレス(Cavity less)ＷＣＳＰ構造という場合もある。
【０００６】
この空隙を持たないキャビティレスＣＳＰ構造を採用することにより、空隙を持つＣＳＰ構造の空隙内で発生していた熱応力を大幅に低減することで反りの発生を抑えることができる。
さらに、キャビティレスＣＳＰ構造は、光学的にも空隙（屈折率１）の界面で生じていた反射を屈折率が約１．５の樹脂で抑制することができるため光学デバイス２における受光量増大も期待することができる。
【０００７】
以上の構成を有するＷＣＳＰ構造の撮像装置は、基本的に次のようにして製造される。
光学デバイス２はウエハレベルで光学的に透明な接着剤により光学デバイス２と同サイズのシールガラス３と貼り合わされる。
そして、ガラス側を装置のステージ等に設置し、光学デバイス２が形成されるシリコン基板７側に加工が施される。
光学デバイス２の光学素子エリア２１が形成された第１面とは反対側の第２面側のシリコンを、貫通電極６を形成が可能な厚みまで薄く削る。
外部接続端子８と接続される貫通電極６を形成のための貫通孔を形成し、絶縁膜を形成し、さらに再配線９を形成し、保護膜を形成する。そして、外部接続端子８を形成した後に各光学デバイス２のサイズに個片化され、光学デバイスのＷＣＳＰが完成される。
【０００８】
ところが、この製造方法においては、ガラス側を装置のステージ等に設置することから、搬送時や加工装置のステージ等に設置する際に、ガラス基板の表面を直接触ることになるために、ガラス基板にキズやクラック等が生じやすいという問題を有している。
ガラス基板に生じたキズやクラックは入射光を散乱させ、光学素子エリア（受光部）の感度や製造歩留りを低下させる要因となる。
【０００９】
そこで、特許文献１には、図１に示すようなＷＣＳＰ構造において、図１中に破線に示すシールガラス３の表面（前面）に、光学素子エリア（受光部）に対向するエリアを開口する保護膜１０を備えた構造が記載されている。
【００１０】
この保護膜１０の構成材料としては、ウエハ工程における静電チャック性等を考慮して、たとえば次のような導電性材料が用いて形成される。
すなわち、保護膜１０は、高抵抗金属材料（Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＴａＮ、ＣｏＷＰ等）、低抵抗金属材料（Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等）により形成される。
あるいは、保護膜１０は、多結晶シリコン、導電性を有する高分子化合物、導電性粒子を含有したエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の導電性樹脂材料により形性される。
【００１１】
このように、シールガラス３の表面側の縁部に保護膜を形成することにより、シールガラス３の光入射領域の表面３ａは凹状となる。
これにより、ウエハ工程でシールガラス３の表面３ａに直接触れるがことが防止され、シールガラス３にキズやクラック等が生じることを抑止することができ、撮像装置の特性や製造歩留まりを向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００９−７６６２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、特許文献１に開示された装置では、シールガラスとは別体の保護膜を、スパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法、メッキ法、スピンコート法、スプレーコート法、印刷法等により形成する必要がある。
また、保護膜は、遮光性やウエハ工程における静電チャック性等を考慮して遮光性を有する導電性材料を用いる必要がある。
そのため、装置の大型化、製造工程や材料選定等の煩雑化を招き、ひいてはコスト増大を招くという不利益がある。
【００１４】
本技術は、装置の大型化、工程の複雑化、コスト増大を防止しつつ、シール材にキズやクラック等が生じることを抑止することができ、装置の特性や製造歩留まりを向上させることができる撮像装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本技術の第１の観点の撮像装置は、基板の第１面側に受光するための光学素子エリアが形成され、上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子が形成された光学デバイスと、上記光学デバイスの上記光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材と、を有し、上記光学デバイスの光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とが貼り合わされ、上記シール材は、上記前面において上記光学デバイスの少なくとも上記光学素子エリアと対向する画素領域が縁部領域より低くなるように形成されている。
【００１６】
本技術の第２の観点の撮像装置は、基板の第１面側に受光するための光学素子エリアが形成され、上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子が形成された光学デバイスと、上記光学デバイスの上記光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材と、少なくとも上記光学素子エリアと上記シール材の当該光学素子エリアとの対向面間に形成され、上記光学デバイスの光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とを全体にわたり貼り合わせた中間層と、上記光学デバイスにおいて、上記光学素子エリアと並列的に形成された接続パッドと、上記基板の第２面側から上記接続パッドにかけて貫通するように形成され、当該接続パッドに接続され、上記第２面側において上記配線に接続された貫通電極と、上記光学デバイスにおいて、少なくとも上記基板の第１面側に形成された絶縁膜と、を有し、上記絶縁膜には、上記基板の第１面側から上記接続パッドに至る開口部が形成され、上記中間層は、上記開口部において上記接続パッドに接触するように充填されている。
【００１７】
本技術の第３の観点の撮像装置の製造方法は、光学デバイスの光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材において、光入射側である前面に光学デバイスの少なくとも上記光学素子エリアと対向する画素領域を縁部領域より低くなるように掘り込み部を形成する掘り込み部形成工程と、基板の第１面側に受光するための上記光学素子エリアが形成された上記光学デバイスの当該光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とを貼り合わせる、貼り合わせ工程と、上記シール材の上記前面側をサポート面として、上記光学デバイスの上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子を形成する配線形成工程とを有する。
【００１８】
本技術の第４の観点の撮像装置の製造方法は、基板の第１面側に受光するための光学素子エリアが形成された光学デバイスの当該光学素子エリア側と、光学デバイスの光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材の光入射側である前面と対向する面とを貼り合わせる、貼り合わせ工程と、上記なシール材において、光入射側である前面側に対して保護材としてサポート機能板を、仮貼り合わせる、仮貼り合わせ工程と、上記シール材の上記前面側のサポート機能板をサポート面として、上記光学デバイスの上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子を形成する配線形成工程と、を有し、上記貼り合わせ工程と上記仮貼り合わせ工程は、いずれか一方が先に行われる。
【００１９】
本技術の第５の観点の撮像装置の製造方法は、基板の第１面側に受光するための光学素子エリアが形成された光学デバイスの当該光学素子エリア側と、光学デバイスの光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材の光入射側である前面と対向する面とを貼り合わせる、貼り合わせ工程と、上記シール材の上記前面側のサポート機能板をサポート面として、上記光学デバイスの上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子を形成する配線形成工程と、上記配線形成工程において、上記外部接続端子を形成した後、上記シール材の上記前面を研磨する工程を有する。
【発明の効果】
【００２０】
本技術によれば、装置の大型化、工程の複雑化、コスト増大を防止しつつ、シール材にキズやクラック等が生じることを抑止することができ、装置の特性や製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】ＷＣＳＰ構造の基本的な構成を示す図である。
【図２】空隙を持たないＷＣＳＰ構造の構成を示す図である。
【図３】本実施形態に係る撮像装置の第１の構成例を示す図である。
【図４】本実施形態に係るカラーフィルタの構成例を示す図である。
【図５】図３の撮像装置の製造方法を説明するための第１図である。
【図６】図３の撮像装置の製造方法を説明するための第２図である。
【図７】図３の撮像装置の製造方法を説明するための第３図である。
【図８】図３の撮像装置の製造方法を説明するための第４図である。
【図９】図３の撮像装置の製造方法を説明するための第５図である。
【図１０】図３の撮像装置の製造方法を説明するための第６図である。
【図１１】図３の撮像装置の製造方法を説明するための第７図である。
【図１２】ガラスウエハの外周縁部を内部よりも高くするようにガラスを加工した後に、シリコン基板との貼り合わせ処理等を行う製造方法を説明するための図である。
【図１３】本実施形態に係る撮像装置の第２の構成例を示す図である。
【図１４】本実施形態に係る撮像装置の第３の構成例を示す図である。
【図１５】図１４の撮像装置の第１の製造方法を説明するための図である。
【図１６】図１４の撮像装置の第２の製造方法を説明するための図である。
【図１７】図１４の撮像装置の第３の製造方法を説明するための図である。
【図１８】図１４の撮像装置の第２の製造方法を具体的に説明するための第１図である。
【図１９】図１４の撮像装置の第２の製造方法を具体的に説明するための第２図である。
【図２０】図１４の撮像装置の第２の製造方法を具体的に説明するための第３図である。
【図２１】図１４の撮像装置の第２の製造方法を具体的に説明するための第４図である。
【図２２】図１４の撮像装置の第２の製造方法を具体的に説明するための第５図である。
【図２３】図１４の撮像装置の第２の製造方法を具体的に説明するための第６図である。
【図２４】図１４の撮像装置の第２の製造方法を具体的に説明するための第７図である。
【図２５】本実施形態に係る撮像装置の第４の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本実施形態を図面に関連付けて説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．撮像装置の第１の構成例
２．撮像装置の第２の構成例
３．撮像装置の第３の構成例
４．撮像装置の第４の構成例
【００２３】
＜１．撮像装置の第１の構成例＞
図３（Ａ）および（Ｂ）は、本実施形態に係る撮像装置の第１の構成例を示す図である。
図３（Ａ）は基板の第１面側に樹脂層(中間層)が配置されている構成例を示す平面図であり、図３（Ｂ）は撮像装置の全体的な構成を示す簡略側面図である。
本実施形態においては、光学デバイス（光学センサ）としては一例としてＣＭＯＳイメージセンサ（ＣＩＳ：CMOS Image Sensor)が適用される。
【００２４】
本実施形態の撮像装置１００は、基本的に、光学センサチップサイズでパッケージするＷＣＳＰ構造を有する。
本撮像装置１００は、光学デバイスの光学素子エリア（受光部）とシールガラスの受光部との対向面との間に空隙が形成されるキャビディ構造、空隙を持たないキャビティレスＣＳＰ構造のいずれの構造も採用することができる。
本実施形態では、キャビティレスＣＳＰ構造について説明する。
本実施形態において、第１面（前面）とは撮像装置の光学センサである光学デバイスの受光部が形成された被写体の像光の入射側をいう。第２面（裏面）とは光入射が行われず、ハンダボール（バンプ）等の接続電極やインターポーザー等が配置される第１面と反対の面側をいう。
【００２５】
撮像装置１００は、光学デバイス１１０、シール材１２０、中間層としての樹脂層１３０、電極パッドや外部接続端子としての接続パッド１４０、貫通電極１５０（−１，−２）、および外部接続端子１６０を有する。
【００２６】
なお、樹脂層１３０およびシール材１２０は、光を透過する光に対して透明な材料により形成され、これらの屈折率は空気の屈折率より高く、たとえば樹脂層１３０およびシール材１２０は屈折率１．５程度の材料により形成される。
また、図３の構成において、シール材１２０はガラスにより形成される例を示しており、シール材１２０をシールガラスあるいはカバーガラスという場合もある。
樹脂層１３０は、光学素子エリアの保護膜としての機能に加えて、シール材として機能する。
【００２７】
光学デバイス１１０は、センサ基板（シリコン基板）１１１の第１面（前面）１１１ａ側に受光部として機能する光学素子エリア１１２が形成され、第２面（裏面）１１１ｂ側にバンプ等の外部との接続用電極である外部接続端子１６０が形成されている。
光学デバイス１１０において、センサ基板１１１の第１面１１１ａ側の側部（図３では左右の両側部）に電極パッド（１４０−１〜１４０−４）や外部接続端子としての接続パッド１４０が形成されている。
光学デバイス１１０において、センサ基板１１１の第１面１１１ａにおける光学素子エリア１１２のフィルタ部分を除く領域には絶縁膜１１３が形成されている。
絶縁膜１１３は、接続パッド１４０が埋め込まれ、センサ基板１１１の第１面１１１ａ側において、絶縁膜１１３の一部が開口されて開口部１１３−１，１１３−２が形成され、開口部を通して接続パッド１４０の非接続面が露出するように形成されている。
そして、絶縁膜１１３の開口内にまで樹脂層１３０が形成され、接続パッド１４０は、センサ基板１１１の第１面１１１ａ側において、樹脂層１３０により覆われている。
光学デバイス１１０のセンサ基板１１１の第１面１１１ａに形成される外部接続端子としての接続パッド１４０は、ワイヤーボンディングパッドとして開口されていてもよいし、開口されていなくても良い。また、光学デバイス１１０内の積層配線の最上層のメタル層でなくても良い。
なお、開口とは、絶縁膜１１３が除去されてパッドが露出し、製造時等においてテスト端子等が直接的に接続可能な状態をいう。
【００２８】
光学デバイス１１０において、センサ基板１１１の第１面１１１ａと第２面１１１ｂを貫通する貫通ビア（ＴＳＶ；Thru Silicon Via)１１４により貫通電極１５０（−１〜−２）が形成されている。これにより、ワイヤーボンドによる配線を失くしクリーンルーム内においてウエハ状態でガラスを貼り合わせることができる。
貫通電極１５０（−１〜−４）は、センサ基板１１１の第２面１１１ｂ側において、配線１１５により外部の基準電位（グランド電位）等の端子に接続される外部接続端子１６０に接続されている。
【００２９】
受光部としての光学素子エリア１１２は、センサ基板１１１の第１面１１１ａに形成されており、複数の画素（受光素子）がマトリクス状に配置された受光面（画素アレイ部）１１２１を有する。
光学素子エリア１１２には、画素アレイ部１１２１のさらに前面側にカラーフィルタ１１２２が形成されている。
カラーフィルタ１１２２は、色の３原色であるＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタが、たとえば図４に示すように、ベイヤー（Ｂａｙｅｒ）配列をもってオンチップカラーフィルタ（ＯＣＣＦ）としてアレイ状に形成されている。ただし、カラーフィルタの配置パターンはベイヤーパターンに限る必要はない。
なお、図４の例では、カラーフィルタ１１２２に重なるように、赤外カットフィルタ（ＩＲＣＦ：InfraRed Cutoff Filter）１７０が形成されている。
【００３０】
光学素子エリア１１２は、カラーフィルタ１１２２のさらに前面側に各画素に入射光を集光するためのマイクロレンズアレイ１１２３が配置されている。
光学素子エリア１１２は、このマイクロレンズアレイ１１２３のさらに前面側に、たとえば反射防止膜等が形成される。
【００３１】
シール材（シールガラス）１２０は、被写体の像光の入射側前面（表面）１２１において、光学デバイス１１０の光学素子エリアと対向する領域より一定領域広い画素領域１２１１より、外周の縁部領域１２１２が高く形成されている。
換言すれば、シールガラス１２０は、前面１２１において、中央側の画素領域１２１１が縁部領域１２１２より低く凹状となるように形成されている。
【００３２】
シールガラス１２０が、この構成を有することから、製造時のウエハ工程でシールガラス１２０の前面１２１の縁部領域１２１２の前面１２１２ａのみが、搬送時や加工装置のステージ等に設置する際に、ガラス基板の表面を直接触ることになる。
このため、ウエハ工程でシールガラス１２０の前面１２１の画素領域１２１１の面１２１１ａに直接触れるがことが防止され、キズやクラック等が生じることを抑止することができ、撮像装置の特性や製造歩留まりを向上させることができる。
このように、本実施形態のシールガラス１２０は、ガラス自身を画素領域１２１１に沿って掘り込み用別部材を用いていないことから、装置の大型化、工程の複雑化、コスト増大を防止しつつ、シール材にキズやクラック等が生じることを抑止することができる。
したがって、本実施形態のシールガラス１２０は、装置の特性や製造歩留まりを向上させている。
具体的な製造方法については、後で詳述する。
【００３３】
また、本実施形態のシールガラス１２０は、縁部領域１２１２の前面１２１２ａから縁部領域１２１２が画素領域１２１１の面１２１１ａまでに深さＤを有することから、次のような作用効果を発現する。
縁部領域１２１２は、周囲が空気に囲まれていることから、いわゆる導波路（導光路）として機能する。
したがって、縁部領域１２１２に、その前面１２１２ａ等から入射した光は、光学素子エリア１１２方向に向かおうとする光が、図３（Ｂ）に示す接続パッド１４０の形成領域に向かって直進するように所定の距離、導かれる。
これにより、周囲より高い縁部領域１２１２の前面１２１２ａに入射した光が、光学素子エリア１１２に対して迷光となることを抑止することができる。
その結果、光学素子エリア（受光部）の感度や製造歩留りを低下させることが抑止されることに寄与する。
【００３４】
樹脂層１３０は、上記構成を有する光学素子エリア１１２が形成されたセンサ基板１１１の第１面１１１ａと、シール材（シールガラス）１２０の第１面１１１ａとの対向面１２２間に充填するように形成されている。
また、樹脂層１３０は、上述したように、絶縁膜１１３に形成された開口内において接続パッド１４０の接続部に至る部分まで充填されている。
すなわち、本第１の実施形態の撮像装置１００は、いわゆるキャビティレス構造として形成されている。
なお、樹脂層１３０の厚さはたとえば１０μｍ〜１００μｍ程度に設定される。また、シールガラス１２０の厚さはたとえば４５０μｍ〜８００μｍ程度に設定される。
【００３５】
［図３の撮像装置の製造方法］
次に、以上の構成を有する撮像装置１００の製造方法について説明する。
図５〜図１１は、本実施形態に係る撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【００３６】
（ステップＳＴ１）：
ステップＳＴ１において、図５（Ａ）および（Ｂ）に示すように、クリーニングしたシールガラス１２０となる方形のガラス基板１２０Ａの前面１２１Ａ側に画素領域１２１１となる領域に深さＤの掘り込み部ＤＧＧを形成する。画素領域１２１１により外周部に縁部領域１２１２が形成される。
この場合、たとえば図５（Ｃ）に示すように、ガラス基板２００において、チップマップに従ってチップＣＰごとに掘り込み部ＤＧＧを形成する。
【００３７】
（ステップＳＴ２）：
ステップＳＴ２において、図６（Ａ）に示すように、シリコン基板（センサ基板）１１１Ａの第１面１１１ａに光学素子エリア１１２であるセンサ部、接続パッド１４０等を形成し、絶縁膜１１３を形成する。
そして、絶縁膜１１３に接続パッド１４０に至る穴の開口部１１３−１，１１３−２を形成する。この開口部は、あらかじめセンサ性能を測定し、良品チップを選定するためのものである。
【００３８】
（ステップＳＴ３）：
ステップＳＴ３において、図６（Ｂ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第１面１１１ａ側で、フィルム１３０Ａを光学素子エリア１１２および絶縁膜１１３を覆い、かつ開口部１１３−１，１１３−２内に充填して接続パッド１４０に至るように形成する。
このフィルム１３０Ａは、中間層である樹脂層１３０を形成する。
【００３９】
（ステップＳＴ４）：
ステップＳＴ４において、図６（Ｃ）に示すように、図５（Ｂ）に示すガラス基板１２０Ａの掘り込み部ＤＧＧが形成されない側の面１２２をフィルム１３０Ａに貼り合わせる。
すなわち、ステップＳＴ４においては、シリコン基板１１１Ａ上に形成された光学素子エリア１１２を含む光学デバイス１１０に、フィルム１３０Ａを介して掘り込み部ＤＧＧが形成されたガラス基板１２０Ａを貼り合わせる。
次の工程からは配線形成工程となる。
【００４０】
（ステップＳＴ５）：
ステップＳＴ５において、図７（Ａ）に示すように、ガラス基板１２０Ａの掘り込み部ＤＧＧが形成された面１２１Ａ側を加工装置に載置する。そして、シリコン基板１１１Ａの第２面１１１ｂ側を、たとえばＢＧＲおよびＣＭＰにより貫通電極を形成が可能な厚みまで薄く削る。
たとえば、厚さ７００μｍ程度のシリコン基板１１１Ａを１００μｍ〜５０μｍ程度にまで削る。
このように、本製造工程においては、ガラス基板１２０Ａの前面１２１Ａの縁部領域１２１２の前面１２１２ａのみが、搬送時や加工装置のステージ等に直接触ることになる。
このため、ウエハ工程でガラス基板１２０Ａの前面１２１Ａの画素領域１２１１の面１２１１ａに直接触れることが防止され、キズやクラック等が生じることを抑止することができ、撮像装置の特性や製造歩留まりを向上させることができる。
【００４１】
（ステップＳＴ６）：
ステップＳＴ６において、図７（Ｂ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面１１１ｂ側の所定の位置にＴＳＶのビアを形成するために、所定の位置２１１，２１２を除く領域にフォトリソグラフ技術等によってマスク２１０を成膜する。
【００４２】
（ステップＳＴ７）：
ステップＳＴ７において、図７（Ｃ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側に対してエッチング処理により所定の位置２１１，２１２に、接続パッド１４０に達するＴＳＶ２１３，２１４を形成する。
その後、マスク２１０を除去する。
【００４３】
（ステップＳＴ８）：
ステップＳＴ８において、図８（Ａ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４内を含めて全面に、たとえば酸化系絶縁膜２１５を１０μｍ程度の厚さに成膜する。
【００４４】
（ステップＳＴ９）：
ステップＳＴ９において、図８（Ｂ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側に対してエッチング処理によりＴＳＶ２１３，２１４の底面に成膜されている絶縁膜２１５を除去する。
これにより、ＴＳＶ２１３，２１４内における接続パッド１４０−１，１４０−２の表面が露出する。
また、残存する絶縁膜２１５は、厚さが１０μｍより薄くなる。
【００４５】
（ステップＳＴ１０）：
ステップＳＴ１０において、図８（Ｃ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４内を含めて全面に、導電層であるシード層２１６を０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さに成膜する。
シード層２１６は、たとえばチタン（Ｔｉ）と銅（Ｃｕ）の積層膜により形成される。
【００４６】
（ステップＳＴ１１）：
ステップＳＴ１１において、図９（Ａ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４上を含めて全面に、レジスト２１７を貼り合わせる。
【００４７】
（ステップＳＴ１２）：
ステップＳＴ１２において、図９（Ｂ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４内をおよびその周辺領域のレジスト２１７を除去する。
【００４８】
（ステップＳＴ１３）：
ステップＳＴ１３において、図９（Ｃ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４内およびその周辺領域に、配線層２１８を５μｍ程度の厚さに成膜する。
配線層２１８は、たとえばＣｕにより形成される。
そして、配線層２１８とシード層２１６により図３の配線１１５が形成される。
【００４９】
（ステップＳＴ１４）：
ステップＳＴ１４において、図１０（Ａ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側に残しておいたレジスト２１７を除去する。
【００５０】
（ステップＳＴ１５）：
ステップＳＴ１５において、図１０（Ｂ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側に対してエッチング処理により配線層２１８が形成されていない領域およびその境界領域におけるシード層２１６を除去する。
【００５１】
（ステップＳＴ１６）：
ステップＳＴ１６において、図１０（Ｃ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４上を含めて全面に、ハンダマスク(Solder Mask)２１９を成膜する。
【００５２】
（ステップＳＴ１７）：
ステップＳＴ１７において、図１１（Ａ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４に基板の内方側に隣接する領域におけるハンダマスクに、配線層２１８に達する開口部２２０−１，２２０−２を形成する。
【００５３】
（ステップＳＴ１８）：
ステップＳＴ１８において、図１１（Ｂ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側の開口部２２０−１，２２０−２に配線層２１８に達し、かつ、開口部２２０−１，２２０−２外に露出するように、ハンダ２２１−１，２２１−２をプリントないしはソルダーボールを設置する。
【００５４】
（ステップＳＴ１９）：
ステップＳＴ１９において、図１１（Ｃ）に示すように、リフロー処理によりハンダボール２２２−１，２２２−２を形成する。
このハンダボール２２２−１，２２２−２が図３の外部接続端子１６０を形成する。
【００５５】
以上により撮像装置１００の製造が完了する。
【００５６】
本実施形態によれば、シールガラス１２０は、前面１２１において、中央側の画素領域１２１１が縁部領域１２１２より低く凹状となるように形成されている。
シールガラス１２０が、この構成を有することから、製造時のウエハ工程でシールガラス１２０の前面１２１の縁部領域１２１２の前面１２１２ａのみが、搬送時や加工装置のステージ等に設置する際に、ガラス基板の表面を直接触ることになる。
このため、ウエハ工程でシールガラス１２０の前面１２１の画素領域１２１１の面１２１１ａに直接触れるがことが防止され、キズやクラック等が生じることを抑止することができ、撮像装置の特性や製造歩留まりを向上させることができる。
このように、本実施形態のシールガラス１２０は、ガラス自身を画素領域１２１１に沿って掘り込み用別部材を用いていないことから、装置の大型化、工程の複雑化、コスト増大を防止しつつ、シール材にキズやクラック等が生じることを抑止することができる。
したがって、本実施形態によれば、装置の特性や製造歩留まりを向上させることが可能である。
【００５７】
以上のように、本製造工程においては、ガラス基板１２０Ａの前面１２１Ａ側に画素領域１２１１となる領域に深さＤの掘り込み部ＤＧＧを形成する。これにより、ガラス基板１２０Ａの前面１２１Ａの縁部領域１２１２の前面１２１２ａのみが、搬送時や加工装置のステージ等に直接触ることになる。
このため、ウエハ工程でガラス基板１２０Ａの前面１２１Ａの画素領域１２１１の面１２１１ａに直接触れることが防止され、キズやクラック等が生じることを抑止することができ、撮像装置の特性や製造歩留まりを向上させることができる。
【００５８】
なお、以上の製造方法ではガラス基板２００において、チップマップに従ってチップＣＰごとに掘り込み部ＤＧＧを形成している。
本技術は、たとえば図１２（Ａ）および（Ｂ）に示すように、ガラスウエハ３００の外周縁部３１０を内部よりも高くするようにガラスを加工した後、上述したようなシリコン基板１１１との貼り合わせ等の各処理を行うことも可能である。
この製造方法においても、ウエハ工程でガラス基板１２０Ａの前面１２１Ａの画素領域１２１１の面１２１１ａに直接触れることが防止され、キズやクラック等が生じることを抑止することができ、撮像装置の特性や製造歩留まりを向上させることができる。
【００５９】
＜２．撮像装置の第２の構成例＞
図１３（Ａ）および（Ｂ）は、本実施形態に係る撮像装置の第２の構成例を示す図である。
図１３（Ａ）は基板の第１面側に樹脂層(中間層)が配置されている構成例を示す平面図であり、図１３（Ｂ）は撮像装置の全体的な構成を示す簡略側面図である。
【００６０】
本撮像装置１００Ｂが図３の撮像装置１００と異なる点は次の通りである。
撮像装置１００Ｂは、絶縁膜１１３Ｂに、中間層である樹脂層１３０Ｂを充填するための開口部が形成されていない。
したがって、撮像装置１００Ａにおいては、接続パッド１４０と樹脂層１３０Ｂと接続するような構成を有していない。
【００６１】
製造方法については、図６（Ａ）に関連付けて説明したステップＳＴ２における開口部の形成工程が不要である以外は、図５〜図１１の各工程に従って同様に行われる。
【００６２】
その他の構成は図３の撮像装置１００と同様であり、本撮像装置１００Ａにおいても、上述した図３の撮像装置１００の効果と同様の効果を得ることができる。
【００６３】
＜３．撮像装置の第３の構成例＞
図１４（Ａ）および（Ｂ）は、本実施形態に係る撮像装置の第２の構成例を示す図である。
図１４（Ａ）は基板の第１面側に樹脂層(中間層)が配置されている構成例を示す平面図であり、図１４（Ｂ）は撮像装置の全体的な構成を示す簡略側面図である。
【００６４】
本撮像装置１００Ｃが図３の撮像装置１００と異なる点は次の通りである。
撮像装置１００Ｃにおいては、シールガラス１２０Ｃの前面１２１Ｃに掘り込み部ＤＧＧが形成されていない。
すなわち、撮像装置１００Ｃにおいて、シールガラス１２０Ｃの前面１２１Ｃ側も加工が施されず平坦なままに構成されている。
ただし、製造方法においては、そのままガラス側を装置のステージ等に設置すると、搬送時や加工装置のステージ等に設置する際に、ガラス基板の表面を直接触ることになるために、ガラス基板にキズやクラック等が生じやすい。
そこで、図１４の構成の撮像装置１００Ｃを製造する場合、ガラス基板に掘り込み部を形成する代わりに、たとえば図１５、図１６および図１７に示すような方法が採用される。
【００６５】
［図１４の撮像装置の製造方法］
図１５の製造方法では、図１５（Ａ）に示すように、ガラス基板１２０Ｃとシリコン基板１１１Ａ上に形成された光学素子エリア１１２を含む光学デバイス１１０を接着剤で貼り合わせる。
次に、図１５（Ｂ）に示すように、前面１２１Ｃ側にサポート機能板としてのサポート基板４００を接着剤４１０で仮貼り合わせる。
そして、基本的に、図１５（Ｃ）に示すように、上述したＴＳＶの形成工程やハンダボールの形成工程の各処理を行って後、図１５（Ｄ）に示すように、仮貼り合わせしたサポート基板４００をはずす。
なお、サポート基板４００は、Ｓｉやガラス基板により形成される。
【００６６】
図１６の製造方法では、図１６（Ａ）に示すように、ガラス基板１２０Ｃとシリコン基板１１１Ａ上に形成された光学素子エリア１１２を含む光学デバイス１１０を接着剤で貼り合わせる。
次に、図１６（Ｂ）に示すように、前面１２１Ｃ側にサポート機能板としての保護フィルム５００を接着剤５１０で仮貼り合わせる。
そして、基本的に、図１６（Ｃ）に示すように、上述したＴＳＶの形成工程やハンダボールの形成工程の各処理を行って後、図１６（Ｄ）に示すように、仮貼り合わせした保護フィルム５００をはずす。
【００６７】
図１７の製造方法では、図１７（Ａ）に示すように、ガラス基板１２０Ｃとシリコン基板１１１Ａ上に形成された光学素子エリア１１２を含む光学デバイス１１０を接着剤で貼り合わせる。
そして、基本的に、図１７（Ｂ）に示すように、上述したＴＳＶの形成工程やハンダボールの形成工程の各処理を行う。
その後、図１７（Ｃ）に示すように、カラス基板１２０Ｃの前面１２１Ｃを研磨器６００で研磨する。
【００６８】
この研磨によるガラス研磨は、図１５および図１６の方法においてサポート基板４００や保護フィルム５００をはずした後に行うことも可能である。
【００６９】
以下に、図１４の撮像装置１００Ｃの製造方法について、保護フィルム５００を用いる場合を例に、重複する部分もあるが、図１８〜図２４に関連付けてより具体的に説明する。
【００７０】
図１８〜図２４は、図１４の撮像装置の第２の製造方法を具体的に説明するための第２図である。
なお、以下の説明においては、理解を容易にするために、図５〜図１１、図１６と同一構成部分は同一符号をもって表す。
【００７１】
（ステップＳＴ２１）：
ステップＳＴ２１において、図１８（Ａ）に示すように、シールガラス１２０となる方形のガラス基板１２０Ｃを用意し、ガラス基板１２０Ｃをクリーニングする。
【００７２】
（ステップＳＴ２２）：
ステップＳＴ２２において、図１８（Ｂ）に示すように、シリコン基板（センサ基板）１１１Ａの第１面１１１ａに光学素子エリア１１２であるセンサ部、接続パッド１４０等を形成し、絶縁膜１１３を形成する。
そして、絶縁膜１１３に接続パッド１４０に至る穴の開口部１１３−１，１１３−２を形成する。
【００７３】
（ステップＳＴ２３）：
ステップＳＴ２３において、図１８（Ｃ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第１面１１１ａ側で、フィルム１３０Ａを光学素子エリア１１２および絶縁膜１１３を覆い、かつ開口部１１３−１，１１３−２内に充填して接続パッド１４０に至るように形成する。
このフィルム１３０Ａは、中間層である樹脂層１３０を形成する。
【００７４】
（ステップＳＴ２４）：
ステップＳＴ２４において、図１９（Ａ）に示すように、ガラス基板１２０Ｃの前面側とならない面１２２をフィルム１３０Ａに貼り合わせる。
すなわち、ステップＳＴ２４においては、シリコン基板１１１Ａ上に形成された光学素子エリア１１２を含む光学デバイス１１０に、フィルム１３０Ａを介してガラス基板１２０Ｃを貼り合わせる。
この工程は貼り合わせ工程に相当する。
【００７５】
（ステップＳＴ２５）：
ステップＳＴ２５において、図１９（Ｂ）に示すように、ガラス基板１２０Ｃの光入射側の前面となる１２１Ｃ側に保護フィルム５００を接着剤５１０で仮貼り合わせる。
なお、ここでの説明では、図１６に対応して保護フィルムを貼り合わせているが、図１５に対応する場合はサポート基板４００を接着剤４１０で仮貼り合わせることになる。
この工程は仮貼り合わせ工程に相当する。
ステップＳＴ２４の貼り合わせ工程とステップＳＴ２５の仮貼り合わせ工程はいずれが先であっても後であってもよい。
次の工程からは配線形成工程となる。
【００７６】
（ステップＳＴ２６）：
ステップＳＴ２６において、図２０（Ａ）に示すように、ガラス基板１２０Ｃの保護フィルム５００が貼付された面１２１Ａ側を加工装置に載置する。そして、シリコン基板１１１Ａの第２面１１１ｂ側をたとえばＢＧＲおよびＣＭＰにより貫通電極を形成が可能な厚みまで薄く削る。
たとえば、厚さ７００μｍ程度のシリコン基板１１１Ａを１００μｍ〜５０μｍ程度にまで削る。
このように、本製造工程においては、ガラス基板１２０Ｃの前面１２１Ｃに貼付した保護フィルム５００のみが、搬送時や加工装置のステージ等に直接触ることになる。
このため、ウエハ工程でガラス基板１２０Ｃの前面１２１Ｃに直接触れることが防止され、キズやクラック等が生じることを抑止することができ、撮像装置の特性や製造歩留まりを向上させることができる。
【００７７】
（ステップＳＴ２７）：
ステップＳＴ２７において、図２０（Ｂ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面１１１ｂ側の所定の位置にＴＳＶのビアを形成するために、所定の位置２１１，２１２を除く領域にフォトリソグラフ技術等によってマスク２１０を成膜する。
【００７８】
（ステップＳＴ２８）：
ステップＳＴ２８において、図２０（Ｃ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側に対してエッチング処理により所定の位置２１１，２１２に、接続パッド１４０に達するＴＳＶ２１３，２１４を形成する。
その後、マスク２１０を除去する。
なお、このステップＳＴ２８の処理において、保護フィルム５００あるいはサポート基板４００を一旦はがす場合もある。その理由は、ＥＳＣチャックの影響を除くためである。
【００７９】
（ステップＳＴ２９）：
ステップＳＴ２９において、図２１（Ａ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４内を含めて全面に、たとえば酸化系絶縁膜２１５を１０μｍ程度の厚さに成膜する。
なお、このステップＳＴ２９の処理においても、保護フィルム５００あるいはサポート基板４００を一旦はがす場合もある。その理由は、プロセス熱耐性を考慮するためである。
【００８０】
（ステップＳＴ３０）：
ステップＳＴ３０において、図２１（Ｂ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側に対してエッチング処理によりＴＳＶ２１３，２１４の底面に成膜されている絶縁膜２１５を除去する。
これにより、ＴＳＶ２１３，２１４内における接続パッド１４０−１，１４０−２の表面が露出する。
また、残存する絶縁膜２１５は、厚さが１０μｍより薄くなる。
【００８１】
（ステップＳＴ３１）：
ステップＳＴ３１において、図２１（Ｃ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４内を含めて全面に、導電層であるシード層２１６を０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さに成膜する。
シード層２１６は、たとえばチタン（Ｔｉ）と銅（Ｃｕ）の積層膜により形成される。
なお、このステップＳＴ３１の処理においても、保護フィルム５００あるいはサポート基板４００を一旦はがす場合もある。その理由は、ＥＳＣチャックの影響を除くためである。
【００８２】
（ステップＳＴ３２）：
ステップＳＴ３２において、図２２（Ａ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４上を含めて全面に、レジスト２１７を貼り合わせる。
なお、ステップＳＴ２８〜ＳＴ３１において、保護フィルム５００あるいはサポート基板４００を一旦はがした場合、再び保護フィルム５００あるいはサポート基板４００を貼る処理を行う。
【００８３】
（ステップＳＴ３３）：
ステップＳＴ３３において、図２２（Ｂ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４内をおよびその周辺領域のレジスト２１７を除去する。
【００８４】
（ステップＳＴ３４）：
ステップＳＴ３４において、図２２（Ｃ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４内およびその周辺領域に、配線層２１８を５μｍ程度の厚さに成膜する。
配線層２１８は、たとえばＣｕにより形成される。
そして、配線層２１８とシード層２１６により図３の配線１１５が形成される。
【００８５】
（ステップＳＴ３５）：
ステップＳＴ３５において、図２３（Ａ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側に残しておいたレジスト２１７を除去する。
【００８６】
（ステップＳＴ３６）：
ステップＳＴ３６において、図２３（Ｂ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側に対してエッチング処理により配線層２１８が形成されていない領域およびその境界領域におけるシード層２１６を除去する。
【００８７】
（ステップＳＴ３７）：
ステップＳＴ３７において、図２３（Ｃ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４上を含めて全面に、ハンダマスク２１９を成膜する。
【００８８】
（ステップＳＴ３８）：
ステップＳＴ３８において、図２４（Ａ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側のＴＳＶ２１３，２１４に基板の内方側に隣接する領域におけるハンダマスクに、配線層２１８に達する開口部２２０−１，２２０−２を形成する。
なお、この開口部形成工程の後、ガラス基板１２０Ａの研磨工程を入れてもよい。
【００８９】
（ステップＳＴ３９）：
ステップＳＴ３９において、図２４（Ｂ）に示すように、シリコン基板１１１Ａの第２面側の開口部２２０−１，２２０−２に配線層２１８に達し、かつ、開口部２２０−１，２２０−２外に露出するように、ハンダ２２１−１，２２１−２をプリントする。
【００９０】
（ステップＳＴ４０）：
ステップＳＴ４０において、図２４（Ｃ）に示すように、リフロー処理によりハンダボール２２２−１，２２２−２を形成する。
このハンダボール２２２−１，２２２−２が図１４の外部接続端子１６０を形成する。
【００９１】
このリフロー処理後に、ガラス基板１２０Ａを研磨する工程を追加することも可能である。⇒テープがついたままになっているので、もしそれを入れるとすれば、その工程（テープをはがして研磨）を明記することが必要です。
その場合、ハンダボールを下側にして研磨するため、ハンダボールを保護できる保護テープをハンダボールに貼る。保護テープは研磨終了後にはがす。
【００９２】
以上により撮像装置１００Ｃの製造が完了する。
【００９３】
本実施形態によれば、製造工程において、ガラス基板１２０Ｃの前面１２１Ｃ側にサポート基板４００や保護フィルム５００を接着剤で仮貼り合わせる、あるいは製造工程が終了してから前面１２１Ｃを研磨する。
これにより、シールガラス１２０が、製造時のウエハ工程でシールガラス１２０の前面１２１に貼付されたサポート基板や保護フィルムのみが、搬送時や加工装置のステージ等に設置する際に、ガラス基板の表面を直接触ることになる。
このため、ウエハ工程でシールガラス１２０の前面１２１に直接触れるがことが防止され、キズやクラック等が生じることを抑止することができ、撮像装置の特性や製造歩留まりを向上させることができる。
このように、本実施形態のシールガラス１２０は、ガラス自身を画素領域１２１１に沿って掘り込み用別部材を用いていないことから、装置の大型化、工程の複雑化、コスト増大を防止しつつ、シール材にキズやクラック等が生じることを抑止することができる。
したがって、本実施形態によれば、装置の特性や製造歩留まりを向上させることが可能である。
【００９４】
＜４．撮像装置の第４の構成例＞
図２５（Ａ）および（Ｂ）は、本実施形態に係る撮像装置の第４の構成例を示す図である。
図２５（Ａ）は基板の第１面側に樹脂層(中間層)が配置されている構成例を示す平面図であり、図２５（Ｂ）は撮像装置の全体的な構成を示す簡略側面図である。
【００９５】
本撮像装置１００Ｄが図１４の撮像装置１００Ｃと異なる点は次の通りである。
撮像装置１００Ｄは、絶縁膜１１３Ｄに、中間層である樹脂層１３０Ｄを充填するための開口部が形成されていない。
したがって、撮像装置１００Ｄにおいては、接続パッド１４０と樹脂層１３０Ｄと接続するような構成を有していない。
【００９６】
製造方法については、図１８（Ｂ）に関連付けて説明したステップＳＴ２２における開口部の形成工程が不要である以外は、図１８〜図２５の各工程に従って同様に行われる。
【００９７】
その他の構成は図１４の撮像装置１００Ｃと同様であり、本撮像装置１００Ｄにおいても、上述した図１４の撮像装置１００Ｃの効果と同様の効果を得ることができる。
【００９８】
なお、本技術は以下のような構成をとることができる。
（１）基板の第１面側に受光するための光学素子エリアが形成され、上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子が形成された光学デバイスと、
上記光学デバイスの上記光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材と、を有し、
上記光学デバイスの光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とが貼り合わされ、
上記シール材は、
上記前面において上記光学デバイスの少なくとも上記光学素子エリアと対向する画素領域が縁部領域より低くなるように形成されている
撮像装置。
（２）上記光学デバイスは、
上記光学素子エリアと並列的に形成された接続パッドと、
上記基板の第２面側から上記接続パッドにかけて貫通して当該接続パッドに接続され、かつ上記第２面側において上記配線に接続された貫通電極と、を有する
上記（１）記載の撮像装置。
（３）少なくとも上記光学素子エリアと上記シール材の当該光学素子エリアとの対向面間に形成され、上記光学デバイスの光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とを全体にわたり貼り合わせた中間層を有する
上記（１）または（２）記載の撮像装置。
（４）上記光学デバイスは、
少なくとも上記基板の第１面側に形成された絶縁膜を有し、
上記絶縁膜には、上記基板の第１面側から上記接続パッドに至る開口部が形成され、
上記中間層は、
上記開口部において上記接続パッドに接触するように充填されている
上記（３）記載の撮像装置。
（５）基板の第１面側に受光するための光学素子エリアが形成され、上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子が形成された光学デバイスと、
上記光学デバイスの上記光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材と、
少なくとも上記光学素子エリアと上記シール材の当該光学素子エリアとの対向面間に形成され、上記光学デバイスの光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とを全体にわたり貼り合わせた中間層と、
上記光学デバイスにおいて、上記光学素子エリアと並列的に形成された接続パッドと、
上記基板の第２面側から上記接続パッドにかけて貫通するように形成され、当該接続パッドに接続され、上記第２面側において上記配線に接続された貫通電極と、
上記光学デバイスにおいて、少なくとも上記基板の第１面側に形成された絶縁膜と、を有し、
上記絶縁膜には、
上記基板の第１面側から上記接続パッドに至る開口部が形成され、
上記中間層は、
上記開口部において上記接続パッドに接触するように充填されている
撮像装置。
（６）上記シール材の前面側に研磨処理が施されている
上記（５）記載の撮像装置。
（７）光学デバイスの光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材において、光入射側である前面に光学デバイスの少なくとも上記光学素子エリアと対向する画素領域を縁部領域より低くなるように掘り込み部を形成する掘り込み部形成工程と、
基板の第１面側に受光するための上記光学素子エリアが形成された上記光学デバイスの当該光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とを貼り合わせる、貼り合わせ工程と、
上記シール材の上記前面側をサポート面として、上記光学デバイスの上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子を形成する配線形成工程と
を有する撮像装置の製造方法。
（８）上記配線形成工程の前に、上記基板の第２面側を貫通電極が形成可能な厚みまで薄く削る工程を含み、
上記配線形成工程は、
上記基板の第２面側から上記光学素子エリアと並列的に形成された接続パッドにかけて貫通して当該接続パッドに接続し、かつ、上記第２面側において上記配線に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を含む
上記（７）記載の撮像装置の製造方法。
（９）上記貼り合わせ工程では、
少なくとも上記光学素子エリアと上記シール材の当該光学素子エリアとの対向面間の全体にわたり充填するように中間層を形成し、当該中間層により上記光学デバイスの光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とを貼り合わせる
上記（７）または（８）記載の撮像装置の製造方法。
（１０）上記光学デバイスにおいて、少なくとも上記基板の第１面側に絶縁膜が形成されており、
上記貼り合わせ工程の前に、上記絶縁膜に上記基板の第１面側から上記接続パッドに至る開口部を形成する開口部形成工程を含み、
上記貼り合わせ工程では、
上記中間層を上記開口部において上記接続パッドに接触するように充填する
上記（９）記載の撮像装置の製造方法。
（１１）基板の第１面側に受光するための光学素子エリアが形成された光学デバイスの当該光学素子エリア側と、光学デバイスの光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材の光入射側である前面と対向する面とを貼り合わせる、貼り合わせ工程と、
上記なシール材において、光入射側である前面側に対して保護材としてサポート機能板を、仮貼り合わせる、仮貼り合わせ工程と、
上記シール材の上記前面側のサポート機能板をサポート面として、上記光学デバイスの上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子を形成する配線形成工程と、を有し、
上記貼り合わせ工程と上記仮貼り合わせ工程は、いずれか一方が先に行われる
撮像装置の製造方法。
（１２）基板の第１面側に受光するための光学素子エリアが形成された光学デバイスの当該光学素子エリア側と、光学デバイスの光学素子エリア側を保護するための光学的に透明なシール材の光入射側である前面と対向する面とを貼り合わせる、貼り合わせ工程と、
上記シール材の上記前面側のサポート機能板をサポート面として、上記光学デバイスの上記基板の上記第１面と反対側の第２面側に配線および外部接続端子を形成する配線形成工程と、
上記配線形成工程において、上記外部接続端子を形成した後、上記シール材の上記前面を研磨する工程と、を有する
撮像装置の製造方法。
（１３）上記配線形成工程の前に、上記基板の第２面側を貫通電極が形成可能な厚みまで薄く削る工程を含み、
上記配線形成工程は、
上記基板の第２面側から上記光学素子エリアと並列的に形成された接続パッドにかけて貫通して当該接続パッドに接続し、かつ、上記第２面側において上記配線に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を含む
上記（１１）または（１２）記載の撮像装置の製造方法。
（１４）上記貼り合わせ工程では、
少なくとも上記光学素子エリアと上記シール材の当該光学素子エリアとの対向面間の全体にわたり充填するように中間層を形成し、当該中間層により上記光学デバイスの光学素子エリア側と上記シール材の光入射側である前面と対向する面とを貼り合わせる
上記（１１）から（１３）のいずれか一に記載の撮像装置の製造方法。
（１５）上記光学デバイスにおいて、少なくとも上記基板の第１面側に絶縁膜が形成されており、
上記貼り合わせ工程の前に、上記絶縁膜に上記基板の第１面側から上記接続パッドに至る開口部を形成する開口部形成工程を含み、
上記貼り合わせ工程では、
上記中間層を上記開口部において上記接続パッドに接触するように充填する
上記（１４）記載の撮像装置の製造方法。
（１６）上記配線形成工程は、
上記基板の第２面側から上記光学素子エリアと並列的に形成された接続パッドにかけて貫通して当該接続パッドに接続し、かつ、上記第２面側において上記配線に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を含み、
上記貫通電極形成工程では、
上記仮貼り合わされた上記サポート機能板をはがし、
上記貫通電極形成工程後の配線を形成する工程で再度仮貼り合わせる工程を含む
上記（１１）から（１５）のいずれか一に記載の撮像装置の製造方法。
（１７）上記配線形成工程では、
上記配線を形成する工程において、上記仮貼り合わされた上記サポート機能板をはがし、
その後の配線を形成する工程で再度仮貼り合わせる工程を含む
上記（１１）から（１６）のいずれか一に記載の撮像装置の製造方法。
（１８）上記配線形成工程において、上記外部接続端子を形成した後、上記サポート機能板をはがして、上記シール材の上記前面を研磨する工程を有する
上記（１１）、（１３）から（１７）のいずれか一に記載の撮像装置の製造方法。
【符号の説明】
【００９９】
１００，１００Ａ〜１００Ｄ・・・撮像装置、１１０・・・光学センサ、１１１・・・センサ基板、１１２・・・受光部（受光素子エリア）、１１３・・・絶縁膜、１１３−１，１１３−２・・・開口部、１２０・・・シールガラス、１２１，１２１Ａ，１２１Ｃ・・・前面、１２１１・・・画素領域、１２１２・・・縁部領域、ＤＧＧ・・・掘り込み部、１３０・・・樹脂層（中間層）、１４０・・・接続パッド、１５０・・・貫通電極、１６０・・・外部接続端子、１７０・・・赤外カットフィルタ（ＩＲＣＦ）、２００・・・ガラス基板、３００・・・ガラスウエハ、４００・・・サポート基板、４１０・・・接着剤、５００・・・保護フィルム、５１０・・・接着剤、６００・・・研磨器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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