(57)【要約】【課題】反りの生じた基板に対して電子部品を半田付けすることができる電子機器モジュールを提供すること。【解決手段】熱電変換素子モジュール１１は、第１及び第２の基板１５，２６の一面に熱電変換素子２２が半田付けされるとともに他面に第１及び第２の熱交換器１２，２５が接合されている。第１及び第２の基板１５，２６の中央側に配置される第１熱電変換素子２２ａを半田付けする第１の半田層Ｓ１の厚さに比べて、その外側に配置される第２及び第３熱電変換素子２２ｂ，２２ｃを半田付けする第２及び第３の半田層Ｓ２，Ｓ３の厚さを厚くした。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一面に電子部品が半田付けされるとともに他面に熱交換器が接合されてなる電子機器モジュールであって、
前記基板における中央部と前記電子部品との間に設けられる半田の厚さと、
前記基板における前記中央部よりも外側の部分と前記電子部品との間に設けられる半田の厚さを異ならせたことを特徴とする電子機器モジュール。
【請求項２】
前記基板と前記熱交換器が異素材で形成され、前記基板の中央部と前記電子部品との間に設けられる半田の厚さに比べて、前記中央部よりも外側の部分と前記電子部品との間に設けられる半田の厚さを厚くした請求項１に記載の電子機器モジュール。
【請求項３】
前記半田の厚さは、前記半田の凝固点における前記基板の反り量に合わせて調節されている請求項１又は請求項２に記載の電子機器モジュール。
【請求項４】
前記電子部品は、該電子部品を挟んで対向する一対の前記基板の他面に半田付けされている請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の電子機器モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の一面に電子部品が半田付けされるとともに他面に熱交換器が接合されてなる電子機器モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子機器モジュールは、基板の一面に電子部品が半田付けされるとともに、基板の他面に熱交換器（例えば、フィン）が接合されている。この電子機器モジュールにおいては、基板に対して熱交換器を半田付けやろう付けによって接合する際、基板が高温に加温されたとき、基板と熱交換器との線膨張係数の差により、基板には反りが発生してしまう。この基板の反りの向きをコントロールするために、基板の両面に銅板を設けた基板が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
図４に示すように、特許文献１の放熱基板９０は、窒化珪素基板９１の一面に積層された活性金属層９４ａ及び結合層９５ａを備えるとともに、結合層９５ａ上に配置された銅板９２を回路部材として備える。また、放熱基板９０は、窒化珪素基板９１の他面に積層された活性金属層９４ｂ及び結合層９５ｂを備えるとともに、結合層９５ｂ上に配置された銅板９３を放熱部材として備える。そして、回路部材として機能する銅板９２は、放熱部材として機能する銅板９３より硬度が高い。よって、放熱基板９０においては、放熱部材側（銅板９３側）に比べて回路部材側（銅板９２側）の剛性が高くなり、放熱基板９０に発生する反りの向きを放熱部材（銅板９３）側に凸となるようにコントロールされる。したがって、放熱基板９０においては、放熱部材側（銅板９３側）に熱交換器を接合する際の密着性を高め、放熱基板の放熱特性を高めている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１７６３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、放熱基板９０に電子部品を半田付けする際、半田を溶融させるために放熱基板９０は加温され、溶融した半田を凝固させるために、放熱基板９０は冷却される。このため、反りの向きがコントロールされた放熱基板９０であっても、半田付けのための加温及び冷却によって反りが発生してしまい、電子部品の半田付けが行いにくいという問題が生じる。
【０００６】
本発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、反りの生じた基板に対して電子部品を半田付けすることができる電子機器モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、基板の一面に電子部品が半田付けされるとともに他面に熱交換器が接合されてなる電子機器モジュールであって、前記基板における中央部と前記電子部品との間に設けられる半田の厚さと、前記基板における前記中央部よりも外側の部分と前記電子部品との間に設けられる半田の厚さを異ならせた。
【０００８】
これによれば、半田付けのために基板が加温、冷却されると、基板は、その中央部より外側の部分が電子部品から離間する方向に向けて反る場合と、中央部より外側の部分が電子部品に向けて反る場合とがある。いずれの場合も、基板の中央部と、中央部より外側の部分とでは、電子部品と基板の一面との間の距離が異なる。よって、本発明のように、基板の中央部と、中央部より外側の部分とで半田の厚さを異ならせることで、基板に反りが生じ、基板の中央部と、中央部より外側の部分とで、電子部品と基板の一面との間の距離が違っていても、その距離に半田の厚さが合い、電子部品と基板とを半田付けすることができる。
【０００９】
また、前記基板と前記熱交換器が異素材で形成され、前記基板の中央部と前記電子部品との間に設けられる半田の厚さに比べて、前記中央部よりも外側の部分と前記電子部品との間に設けられる半田の厚さを厚くしてもよい。
【００１０】
異素材の熱交換器と基板が接合されていると、基板は、その中央部より外側の部分が電子部品から離間する方向に向けて反る。この場合、基板の中央部の半田の厚さに比べて、中央部より外側の部分の半田の厚さを厚くすることで、基板の中央部と、基板における中央部より外側の部分で共に電子部品を半田付けすることができる。
【００１１】
また、前記半田の厚さは、前記半田の凝固点における前記基板の反り量に合わせて調節される。これによれば、半田の凝固点で、電子部品が基板の一面に半田付けされると、半田の凝固後は、半田によって基板の形状が維持され、基板の反りを抑えることができる。
【００１２】
また、前記電子部品は、該電子部品を挟んで対向する一対の前記基板の他面に半田付けされていてもよい。
これによれば、一対の基板が互いに反っても、基板と電子部品を半田付けすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、反りの生じた基板に対して電子部品を半田付けすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態の熱電変換素子モジュールを示す分解斜視図。
【図２】第１の基板上の第１の電極層及び半田層の配置を示す平面図。
【図３】熱電変換素子モジュールを示す図１の３−３線部分拡大断面図。
【図４】背景技術を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の電子機器モジュールを熱電変換素子モジュールに具体化した一実施形態を図１〜図３にしたがって説明する。
図１に示すように、熱電変換素子モジュール１１の第１の熱交換器１２は、金属材料からなり、正方形状の基部１２ａに対して、複数のフィン１２ｂを一定の間隔をおいて並設して形成されている。第１の熱交換器１２の基部１２ａにおいて、フィン１２ｂの並設面と反対側の面には、第１の基板１５が蝋付けによって接合されている。この第１の基板１５は、セラミックス等の絶縁材料によって正方形に形成された第１の絶縁基板１５ａと、この第１の絶縁基板１５ａの一面に形成されたアルミニウム製の第１の電極層１４と、第１の絶縁基板１５ａの他面に形成されたアルミニウム製の第１の接合層１６と、からなる。そして、蝋付けによって第１の接合層１６と基部１２ａとが接合されて第１の基板１５と第１の熱交換器１２が接合されている。第１の電極層１４には、交互に配置されたｎ型及びｐ型の熱電変換素子２２（電子部品）の一端が半田としての半田層Ｓによって半田付けされている。
【００１６】
また、図３に示すように、ｎ型及びｐ型の熱電変換素子２２の他端は、第２の基板２６の第２の電極層２４に、半田としての半田層Ｓによって半田付けされている。なお、第２の基板２６は、セラミックス等の絶縁材料によって正方形に形成された第２の絶縁基板２６ａと、この第２の絶縁基板２６ａの一面に形成されたアルミニウム製の第２の電極層２４と、第２の絶縁基板２６ａの他面に形成されたアルミニウム製の第２の接合層２７と、からなる。そして、ｎ型及びｐ型の熱電変換素子２２は、第１の電極層１４と第２の電極層２４によって電気的に直列に接続されている。
【００１７】
また、第２の基板２６は、熱電変換素子２２を挟むように第１の基板１５に対向配置されている。第２の基板２６において、第２の接合層２７には第２の熱交換器２５が蝋付けによって接合されている。第２の熱交換器２５は、第１の熱交換器１２と同様に、基部２５ａに複数のフィン２５ｂを並設した構成とされている。
【００１８】
図１に示すように、熱電変換素子モジュール１１において、第１及び第２の基板１５，２６の中央部に配置されたｎ型及びｐ型の熱電変換素子２２を、第１熱電変換素子２２ａとする。なお、第１及び第２の基板１５，２６の中央部とは、各基板１５，２６の中央そのものを含むとともに、中央付近も含むものとする。また、第１及び第２の基板１５，２６の中央部よりも外側の部分で、第１熱電変換素子２２ａを略同心円状に取り囲むように配置されたｎ型及びｐ型の熱電変換素子２２を、第２熱電変換素子２２ｂとする。さらに、第１及び第２の基板１５，２６の中央部よりも外側の部分であって、第２熱電変換素子２２ｂの外側で、第２熱電変換素子２２ｂを略同心円状に取り囲むように配置されるとともに第１及び第２の基板１５，２６の周縁に配置されたｎ型及びｐ型の熱電変換素子２２を、第３熱電変換素子２２ｃとする。
【００１９】
また、図２に示すように、各基板１５，２６の中央部と第１熱電変換素子２２ａとの間に設けられる半田層Ｓを第１の半田層Ｓ１とする。第１及び第２の基板１５，２６の中央部よりも外側の部分と、第２熱電変換素子２２ｂとの間に設けられる半田層Ｓを第２の半田層Ｓ２とする。さらに、第１及び第２の基板１５，２６の中央部よりも外側の部分と第３熱電変換素子２２ｃとの間に設けられる半田層Ｓを第３の半田層Ｓ３とする。
【００２０】
図３及び図４に示すように、第１の半田層Ｓ１の厚みは、その他の第２及び第３の半田層Ｓ２，Ｓ３の厚みより薄くなっている。具体的には、第１及び第２の基板１５，２６の周縁に配置された第３の半田層Ｓ３の厚みが最も厚く、その次に、第２の半田層Ｓ２の厚みが厚くなっている。すなわち、第１及び第２の基板１５，２６の中央部から離れるに従い、第１の半田層Ｓ１、第２の半田層Ｓ２、及び第３の半田層Ｓ３の順序で厚みが厚くなっている。
【００２１】
全ての熱電変換素子２２において、第１〜第３の半田層Ｓ１〜Ｓ３との接合面の大きさは同じであるため、第１の半田層Ｓ１は、その量が第２及び第３の半田層Ｓ２，Ｓ３よりも少なくなっている。そして、第３の半田層Ｓ３の半田の量が最も多く、その次に、第２の半田層Ｓ２の半田の量が多くなっている。
【００２２】
次に、第１の基板１５及び第２の基板２６の反りについて説明する。
第１の基板１５の第１の絶縁基板１５ａには、第１の電極層１４及び第１の接合層１６が接合されるとともに、第２の基板２６の第２の絶縁基板２６ａには、第２の電極層２４及び第２の接合層２７が接合されている。各電極層１４，２４と、各接合層１６，２７とでは、各接合層１６，２７の方が各絶縁基板１５ａ，２６ａに対する接合面積が大きい。このため、各絶縁基板１５ａ，２６ａと、各電極層１４，２４と、各接合層１６，２７を加温・冷却して半田等によって接合すると、各接合層１６，２７の収縮によって各絶縁基板１５ａ，２６ａが引っ張られる。よって、第１の基板１５は、中央より外側（周縁）が第１の接合層１６側に向けて反り、第２の基板２６は、中央より外側（周縁）が第２の接合層２７側に向けて沿っている。
【００２３】
上記のように予め反りのある各基板１５，２６に対する各熱交換器１２，２５の蝋付けは、各熱交換器１２，２５と各基板１５，２６の間に蝋材を介した状態で、蝋材の融点まで昇温させた後、凝固点まで降温させ、溶融した蝋材を凝固させることで行われる。
【００２４】
絶縁材料製の各絶縁基板１５ａ，２６ａと、金属材料製の各熱交換器１２，２５とでは、各熱交換器１２，２５の方が、線膨張係数が大きい。そして、各絶縁基板１５ａ，２６ａは、中央より外側の部分が各接合層１６，２７側（各熱交換器１２，２５側）に向けて沿っている。そして、蝋材を溶融させるために蝋材の融点まで昇温させていくと、各絶縁基板１５ａ，２６ａは熱膨張によって反り状態が徐々に収まっていき、ほぼ平坦状になる。各絶縁基板１５ａ，２６ａの温度が蝋材の融点以上になるようにさらに昇温させていくと、各絶縁基板１５ａ，２６ａの中央部より外側の部分が、逆に各電極層１４，２４側に向けて反っていく。
【００２５】
蝋材の融点以上から降温させていくと、各絶縁基板１５ａ，２６ａは反り状態が徐々に収まっていき、ほぼ平坦状になった後、逆に中央部より外側の部分が各接合層１６，２７（各熱交換器１２，２５）側に向けて反って行く。そして、蝋材の凝固点では、各絶縁基板１５ａ，２６ａの中央部より外側の部分は各接合層１６，２７（各熱交換器１２，２５）側に向けて若干反っており、反った状態で各接合層１６，２７と各熱交換器１２，２５とが接合される。その後、さらに、降温させていくと、各絶縁基板１５ａ，２６ａは加温する前の状態に戻っていき、中央部より外側の部分が各接合層１６，２７（熱交換器１２，２５）側に向けて反っていく。そして、各絶縁基板１５ａ，２６ａに各熱交換器１２，２５が接合されてなる各基板１５，２６においては、中央部より外側の部分が各接合層１６，２７（各熱交換器１２，２５）側に向けて反っている。
【００２６】
次に、第１の熱交換器１２が接合された第１の基板１５、及び第２の熱交換器２５が接合された第２の基板２６と、熱電変換素子２２との半田付けについて、各基板１５，２６の変形と共に説明する。なお、第１及び第２の基板１５，２６の変形は、ＣＡＥ等による弾塑性解析や、電気抵抗ひずみ計測、光弾性法、幾何モアレ法、モアレ干渉法等による実測によって把握される。
【００２７】
また、熱電変換素子２２に対し、第１の電極層１４と第２の電極層２４を半田付けする際は、各熱電変換素子２２と各電極層１４，２４の間に半田を介した状態で、半田の融点まで昇温させた後、降温させ、溶融した半田を凝固させることで行われる。このとき、半田は、各熱電変換素子２２に対応して第１の基板１５及び第２の基板２６の所定箇所に碁盤目状に配置される。また、半田は、シリンジ（図示せず）を用いて、熱電変換素子２２に対応して所定量ずつ各基板１５，２６に塗布される。なお、半田の供給は第１〜第３熱電変換素子２２ａ〜２２ｃに応じて設定量が供給されるのであれば、シリンジを用いた方法以外でもよく、例えば、第１〜第３熱電変換素子２２ａ〜２２ｃに応じた位置に所定量の半田が配置されたシートを用いてもよい。
【００２８】
さて、第１の基板１５と第２の基板２６は、対向配置されるとともに、第１の基板１５と第２の基板２６の間には第１〜第３の半田層Ｓ１〜Ｓ３を介して第１〜第３熱電変換素子２２ａ〜２２ｃが配設されている。昇温前では、各基板１５，２６は、各熱交換器１２，２５の接合によって中央部より外側の部分が熱電変換素子２２から離間する方向（各熱交換器１２，２５側）に向けて反った状態になっている。そして、各基板１５，２６を昇温させていくと、各基板１５，２６は熱膨張によって反り状態が徐々に収まっていき、ほぼ平坦状になる。各基板１５，２６の温度が半田の融点以上になるようにさらに昇温させていくと、各基板１５，２６の中央部より外側の部分が、逆に熱電変換素子２２に近付く方向に向けて反っていく。つまり、半田の融点、及びその前後では、各基板１５，２６の中央部より外側の部分が、熱電変換素子２２に近付く方向に向けて反っている。このため、第１の基板１５と第２の基板２６を対向させた状態では、両基板１５，２６の周縁が互いに近付く方向に向けて反った状態となる。
【００２９】
半田の融点以上から降温させていくと、各基板１５，２６は反り状態が徐々に収まっていき、ほぼ平坦状になった後、逆に中央部より外側の部分が熱電変換素子２２から離間する方向に向けて反って行く。そして、半田の凝固点では、各基板１５，２６の中央部より外側の部分は熱電変換素子２２から離間する方向に向けて反る。
【００３０】
ここで、熱電変換素子モジュール１１では、半田の凝固点近くでの各基板１５，２６の反り量に合わせて、第１〜第３の半田層Ｓ１〜Ｓ３の半田の厚さが設定されている。具体的には、半田の凝固点では、各基板１５，２６は、中央部より外側の部分が熱電変換素子２２から離間するように変形するため、各基板１５，２６の中央部と、その中央部の第１熱電変換素子２２ａとの間に設けられる第１の半田層Ｓ１の厚さはその他の第２及び第３の半田層Ｓ２，Ｓ３の厚さより薄くなっている。また、各基板１５，２６は、中央部より外側の部分ほど熱電変換素子２２から離間する方向に向けて反っている。このため、各基板１５，２６における中央部より外側の部分と、その部分の第２熱電変換素子２２ｂとの間に設けられる第２の半田層Ｓ２の厚さは、第１の半田層Ｓ１より厚く、各基板１５，２６の最外周部分と、その最外周部分の第３熱電変換素子２２ｃとの間に設けられる第３の半田層Ｓ３の厚さが最も厚くなっている。
【００３１】
よって、半田の凝固点では、半田の厚さが設定された第１〜第３の半田層Ｓ１〜Ｓ３によって、反った状態の第１の基板１５と第２の基板２６に対し熱電変換素子２２が半田付けされる。その後、さらに、降温させていくと、各基板１５，２６は加温する前の状態に戻ろうとするが、凝固した第１〜第３の半田層Ｓ１〜Ｓ３によって第１及び第２の基板１５，２６が平坦状に維持され、反りが抑えられる。
【００３２】
次に、熱電変換素子モジュール１１の作用について説明する。
第１及び第２の基板１５，２６の中央部から最も離れた部分（最外周）であり、各基板１５，２６の周縁に配置された第３の半田層Ｓ３の厚さが最も厚くなっている。このため、熱電変換素子２２の半田付けの際、半田の凝固点で第１の基板１５と第２の基板２６が、中央部より外側の部分（周縁）が熱電変換素子２２から離間する方向に向けて反っても、厚さの厚い第３の半田層Ｓ３によって熱電変換素子２２を第１及び第２の基板１５，２６に半田付けすることができる。
【００３３】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）各基板１５，２６の中央部と第１熱電変換素子２２ａとの間に設けられる第１の半田層Ｓ１の厚さよりも、各基板１５，２６の中央部より外側の部分と第２及び第３熱電変換素子２２ｂ，２２ｃとの間に設けられる第２及び第３の半田層Ｓ２，Ｓ３の厚さを厚くした。このため、熱電変換素子２２の半田付けの際、第１及び第２の基板１５，２６の中央部より外側の部分が熱電変換素子２２から離間する方向に向けて反っても、第１〜第３熱電変換素子２２ａ〜２２ｃと各基板１５，２６を半田付けすることができる。
【００３４】
（２）各基板１５，２６の反り量は、中央部より外側の部分ほど大きくなる。そして、この基板１５，２６の反り量に合わせて、各基板１５，２６の中央部の第１の半田層Ｓ１の厚さを薄く、中央部より外側の部分の第２及び第３の半田層Ｓ２，Ｓ３の厚さを厚くした。したがって、各基板１５，２６の反り量に合わせて第１〜第３の半田層Ｓ１〜Ｓ３の厚さを調節することで、各基板１５，２６の位置毎で好適に熱電変換素子２２を半田付けすることができる。
【００３５】
（３）熱電変換素子モジュール１１は、第１の基板１５と第２の基板２６が熱電変換素子２２を挟むように配置して形成されている。そして、各基板１５，２６の中央部と第１熱電変換素子２２ａとの間に設けられる第１の半田層Ｓ１の厚さよりも、各基板１５，２６の中央部より外側の部分と第２及び第３熱電変換素子２２ｂ，２２ｃとの間に設けられる第２及び第３の半田層Ｓ２，Ｓ３の厚さを厚くした。このため、第１の基板１５と第２の基板２６の中央部より外側の部分が互いに離間する方向に反っても、中央部より外側の部分の第２及び第３の半田層Ｓ２，Ｓ３の厚さが厚いので、挟んだ基板１５，２６同士を接合できる。
【００３６】
（４）第１及び第２の基板１５，２６は、絶縁材料製の第１及び第２の絶縁基板１５ａ，２６ａを備え、第１及び第２の熱交換器１２，２５は金属材料より形成され、第１及び第２の基板１５，２６と、第１及び第２の熱交換器１２，２５は異素材となる。このため、第１及び第２の基板１５，２６と第１及び第２の熱交換器１２，２５は、線膨張係数が異なり、第１及び第２の基板１５，２６は半田凝固点付近で中央部より外側の部分が熱電変換素子２２から離間する方向に向けて反ってしまう。そして、この反りを把握し、半田の凝固点での反りに対応できるように第１〜第３の半田層Ｓ１〜Ｓ３の厚さを設定している。よって、各基板１５，２６に異素材の熱交換器１２，２５が接合されていても、熱電変換素子２２を各基板１５，２６に半田付けすることができる。
【００３７】
（５）半田の凝固点での各基板１５，２６の反り状態に合わせて、第１〜第３の半田層Ｓ１〜Ｓ３の厚さが設定される。半田の凝固後は、第１及び第２の基板１５，２６の温度が降下しても、第１〜第３の半田層Ｓ１〜Ｓ３によって第１及び第２の基板１５，２６の形状が維持される。このため、半田の凝固後に、第１及び第２の基板１５，２６がさらに反ってしまう場合と比べると、各基板１５，２６と各熱交換器１２，２５との接合面積を大きく取って、各熱交換器１２，２５による熱交換性能を向上させることができる。
【００３８】
（６）各基板１５，２６の反り量は、中央部より外側の部分（周縁側）ほど大きくなる。そして、この基板１５，２６の反り量に合わせて、各基板１５，２６の中央部の第１の半田層Ｓ１の厚さに比べて、中央部より外側の部分の第２及び第３の半田層Ｓ２，Ｓ３の厚さを厚くした。このため、半田の厚さを調節するだけで、各基板１５，２６に反りが発生しても熱電変換素子２２を半田付けすることができる。したがって、熱電変換素子２２の半田付けのために、各基板１５，２６の反りを抑える部材を別途設けたり、各基板１５，２６の厚みを変更する必要がなく、コストを大幅に増やすことなく熱電変換素子２２を半田付けすることができる。
【００３９】
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○  実施形態では、各熱交換器１２，２５を矩形板状のフィン１２ｂ，２５ｂを複数並設したタイプに具体化したが、フィン１２ｂ，２５ｂの形状はピン状であってもよいし、フィンの配置等は適宜変更してもよく、フィンが無いタイプであってもよい。そして、各熱交換器１２，２５におけるフィンの形状、配置、有無等や、各基板１５，２６の中央部からの距離により、各基板１５，２６のどの部分が反るかが決まる。よって、各基板１５，２６の反り量を予め測定しておき、半田の凝固点を考えて半田の量を決めるようにする。
【００４０】
○  実施形態では、電子部品として熱電変換素子２２に具体化したが、電子部品はその他の半導体素子やコンデンサ等に変更してもよい。
○  実施形態では、絶縁材料製の絶縁基板１５ａ，２６ａを備える第１及び第２の基板１５，２６に対し、異素材である金属材料製の第１及び第２の熱交換器１２，２５を接合したが、これに限らない。例えば、絶縁材料としてのセラミックス製の第１及び第２の絶縁基板１５ａ，２６ａを備える第１及び第２の基板１５，２６に対し、同素材であるセラミックス製の熱交換器を接合してもよい。この場合、各基板１５，２６に熱交換器を接合すると、中央部より外側の部分が互いに近付く方向に向けて変形する。この場合、基板１５，２６の中央部と、第１熱電変換素子２２ａとの間に設けられる第１の半田層Ｓ１の厚さを厚く、中央部より外側の部分と、第２及び第３熱電変換素子２２ｂ，２２ｃとの間の第２及び第３の半田層Ｓ２，Ｓ３の厚さを薄くする。
【００４１】
○  実施形態では、熱電変換素子モジュール１１を、各基板１５，２６の一面に各熱交換器１２，２５を接合するとともに、各基板１５，２６の他面に熱電変換素子２２を半田付けした構成としたが、これに限らない。電子機器モジュールを、一枚の基板のみを用いた構成とし、その基板の一面に熱交換器を接合するとともに、他面に電子部品を半田付けした構成としてもよい。
【００４２】
○  実施形態では、複数の熱電変換素子２２を、各基板１５，２６の中央部の第１熱電変換素子２２ａ、その外側の第２熱電変換素子２２ｂ、その外側の第３熱電変換素子２２ｃで構成し、第１〜第３熱電変換素子２２ａ〜２２ｃに合わせて第１〜第３の半田層Ｓ１〜Ｓ３の量を設定したが、これに限らない。各基板１５，２６の中央部の第１熱電変換素子２２ａを取り囲む熱電変換素子２２の群の数は任意に変更してもよく、それに合わせて半田の厚さを適宜変更してもよい。例えば、熱電変換素子モジュール１１を、各基板１５，２６の中央部の第１熱電変換素子２２ａの外側に第２熱電変換素子２２ｂだけを配置した構成としてもよく、この場合は、第２熱電変換素子２２ｂを半田付けする第２の半田層Ｓ２の厚さが最も厚くなる。さらには、熱電変換素子モジュール１１を、第３熱電変換素子２２ｃよりも外側にさらに熱電変換素子２２を配置してもよく、この場合は、最も外側の熱電変換素子２２を半田付けする半田の厚さが最も厚くなり、この半田の厚さに比べて中央部の半田の厚さが薄くなる。なお、半田の厚さは、最も外側の熱電変換素子２２を半田付けする半田の厚さが最も厚くなり、中央部に向けて徐々に厚さが薄くなってもよい。
【００４３】
○  実施形態では、半田の厚さを、第１の半田層Ｓ１、第２の半田層Ｓ２、第３の半田層Ｓ３の順序で厚くしたが、第１の半田層Ｓ１の厚さに比べて第３の半田層Ｓ３の厚さが厚ければ、第２の半田層Ｓ２の厚さは第１の半田層Ｓ１又は第３の半田層Ｓ３の厚さと同じであってもよい。
【００４４】
○  実施形態では、各基板１５，２６に各熱交換器１２，２５を接合した構成としたが、各基板１５，２６は、熱交換器１２，２５が接合されていないものであってもよい。
○  実施形態では、各基板１５，２６に複数の熱電変換素子２２を半田付けしてなる熱電変換素子モジュール１１に本発明を適用したが、１個の電子部品を１枚の基板の中央部に半田付けしてなる電子機器モジュールに本発明を適用してもよい。この場合、半田付けのために基板が加温、冷却されると、基板は、その中央部より外側の部分が電子部品から離間する方向に向けて反る場合がある。この場合は、１つの電子部品の半田付け面の中央部となる位置（基板の中央部）と、電子部品との間の半田の厚さを薄くし、上記半田付け面の中央部より外側の部分に設けられる半田の厚さを厚くする。また、中央部より外側の部分が電子部品に近付く方向に向けて反る場合がある。この場合は、１つの電子部品の半田付け面の中央部となる位置（基板の中央部）に設けられる半田の厚さを厚くし、上記半田付け面の中央部より外側の部分に設けられる半田の厚さを薄くする。
【００４５】
○  実施形態では、各熱電変換素子２２ａ〜２２ｃと、各半田層Ｓ１〜Ｓ３との接合面の大きさが同じで、各半田層Ｓ１〜Ｓ３の厚さを異ならせたが、各熱電変換素子２２ａ〜２２ｃと、各半田層Ｓ１〜Ｓ３との接合面の大きさが異なっていても、各半田層Ｓ１〜Ｓ３の厚さを異ならせてもよい。
【００４６】
次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想について以下に追記する。
（イ）前記電子部品は、熱電変換素子である請求項４に記載の電子機器モジュール。
【符号の説明】
【００４７】
Ｓ（Ｓ１〜Ｓ３）…半田としての半田層、１１…電子機器モジュールとしての熱電変換素子モジュール、１２…第１の熱交換器、１５…第１の基板、２２（２２ａ〜２２ｃ）…熱電変換素子、２５…第２の熱交換器、２６…第２の基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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