(57)【要約】      （修正有）【課題】導通性及び絶縁信頼性が高い接続構造体を得ることができる異方性導電フィルム材料を提供する。【解決手段】異方性導電フィルム材料１１は、電極を表面に有する接続対象部材の接続に用いられる。電極は、銅電極部と、銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える。異方性導電フィルム材料１１は、第１の層１と、第１の層１の一方の表面に積層されているか又は第１の層１の一方の表面に積層されて用いられる第２の層２とを備える。第１の層１は、融点が４００℃以上である金属を導電性の表面に有する導電性粒子３と、バインダー樹脂とを含む。第２の層２は、導電性粒子を含まず、かつバインダー樹脂を含む。第２の層２の厚みは、上記電極の厚みよりも薄い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える突出した電極を表面に有する接続対象部材の接続に用いられる異方性導電フィルム材料であって、
第１の層と、前記第１の層の一方の表面に積層されているか又は前記第１の層の一方の表面に積層されて用いられる第２の層とを備え、
前記電極を表面に有する接続対象部材において、前記電極側の表面に前記第２の層側から積層された状態で用いられ、
前記第１の層が、融点が４００℃以上である金属を導電性の表面に有する導電性粒子と、バインダー樹脂とを含み、
前記第２の層が、導電性粒子を含まず、かつバインダー樹脂を含み、
前記第２の層の厚みが、前記電極の厚みよりも薄い、異方性導電フィルム材料。
【請求項２】
前記第２の層の厚みが、前記電極における前記銅電極部の厚みの１／２以上である、請求項１に記載の異方性導電フィルム材料。
【請求項３】
前記第２の層の厚みが、前記電極における前記銅電極部の厚みと同じか、又は前記電極における前記銅電極部の厚みよりも厚い、請求項１に記載の異方性導電フィルム材料。
【請求項４】
前記第１の層中の前記バインダー樹脂及び前記第２の層中の前記バインダー樹脂が、加熱により硬化可能な硬化性化合物を含み、
前記第１の層中の前記バインダー樹脂及び前記第２の層中の前記バインダー樹脂の内の少なくとも一方が、熱カチオン発生剤を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の異方性導電フィルム材料。
【請求項５】
前記第１の層及び前記第２の層の内の少なくとも一方が、フラックスを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方性導電フィルム材料。
【請求項６】
前記融点が４００℃以上である金属が、金、ニッケル、パラジウム又は銅を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の異方性導電フィルム材料。
【請求項７】
前記突出した電極を表面に有する接続対象部材が、半導体ウェーハ又は半導体チップである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の異方性導電フィルム材料。
【請求項８】
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材の前記第１の電極側及び前記第２の接続対象部材の前記第２の電極側に配置されており、かつ前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材との間に配置されている接続部とを備え、
前記第１の電極及び前記第２の電極の内の少なくとも一方の電極が、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える突出した電極であり、
前記接続部が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の異方性導電フィルム材料により形成されており、
前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
【請求項９】
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、請求項１〜７のいずれか１項に記載の異方性導電フィルム材料とを用いて、
前記第１の接続対象部材の前記第１の電極側及び前記第２の接続対象部材の前記第２の電極側に前記異方性導電フィルム材料を配置して、かつ前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材との間に前記異方性導電フィルム材料を配置して、前記異方性導電フィルム材料により異方性導電フィルム材料層を形成する工程と、
前記異方性導電フィルム材料層により接続部を形成する接続工程とを備え、
前記第１の電極及び前記第２の電極の内の少なくとも一方の電極が、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える突出した電極であり、
前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る、接続構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅電極部と該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える突出した電極を表面に有する接続対象部材の接続に用いられる異方性導電フィルム材料に関する。また、本発明は、該異方性導電フィルム材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に複数の導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。
【０００４】
上記接続構造体の製造方法の一例として、下記の特許文献１には、電子部品の主面上に突出して形成された突出電極を実装基板上に形成された接続用電極に接続させ、上記主面を上記実装基板に対向させた状態で上記電子部品を上記実装基板上に実装する接続構造体の製造方法が開示されている。特許文献１に記載の接続構造体の製造方法は、上記主面上の上記突出電極を埋め込むように絶縁性接着剤層が上記主面上に形成された上記電子部品を準備する電子部品準備工程と、上記実装基板上に、絶縁性の接着剤基材及び該接着剤基材中に分散された導電性粒子を含む異方導電接着剤層を形成する実装基板準備工程と、上記電子部品準備工程で準備された上記電子部品と上記実装基板準備工程で準備された実装基板とを加圧し圧着させる電子部品圧着工程とを備える。
【０００５】
上記電子部品準備工程では、上記電子部品の上記絶縁性接着剤層の厚みが、上記突出電極の高さと略同じに形成される。上記実装基板準備工程では、上記異方導電接着剤層の厚みが、上記導電性粒子の粒径と略同じに形成される。
【０００６】
下記の特許文献２では、突起電極を有する第１の基板と、該突起電極と相対峙する突起電極を有する第２の基板の少なくとも一方の突起電極面に、絶縁性の接着剤層を突起電極の高さと同じまたは突起電極の高さより厚く配置するとともに、上記第１の基板と上記第２の基板との間に絶縁性を有する接着剤に導電性の粒子が分散された異方導電性接着剤を配置し、加圧又は加圧加熱することにより、上記第１の基板と上記第２の基板との相対峙する突起電極を、導電性の粒子に接触することにより電気的に接続し、隣接する突起電極間を絶縁して固定する接続構造体の製造方法が開示されている。
【０００７】
また、多層の異方性導電フィルムが知られている。下記の特許文献３には、第１の層と第２の層とを備える異方性導電フィルムが開示されている。上記第１の層は、カチオン系硬化剤及びエポキシ樹脂を含む。上記第２の層は、ラジカル系硬化剤、アクリル樹脂及びエポキシ化合物を含む。上記第１の層及び上記第２の層の内、一方は導電性粒子を含み、他方は導電性粒子を含まない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１４７２３１号公報
【特許文献２】特許第３５９６５７２号公報
【特許文献３】ＷＯ２０１０／０５８７８２Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
銅電極を表面に有する接続対象部材を、電極を表面に有する他の接続対象部材と電気的に接続して、接続構造体を得ることがある。このような銅電極の接続に、従来の異方性導電材料を用いた場合には、銅電極のマイグレーションが生じて、絶縁不良が生じやすいという問題がある。
【００１０】
特許文献１，２に記載のような従来の接続構造体の製造方法では、導通性及び絶縁信頼性を良好にすることが困難である。また、特許文献３に記載の多層の異方性導電フィルムを用いた場合でも、絶縁信頼性を良好にすることは困難である。
【００１１】
本発明の目的は、銅電極部と該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える突出した電極を表面に有する接続対象部材を接続した場合に、導通性及び絶縁信頼性が高い接続構造体を得ることができる異方性導電フィルム材料、並びに該異方性導電フィルム材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の広い局面によれば、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える突出した電極を表面に有する接続対象部材の接続に用いられる異方性導電フィルム材料であって、第１の層と、該第１の層の一方の表面に積層されているか又は該第１の層の一方の表面に積層されて用いられる第２の層とを備え、上記電極を表面に有する接続対象部材において、上記電極側の表面に上記第２の層側から積層された状態で用いられ、上記第１の層が、融点が４００℃以上である金属を導電性の表面に有する導電性粒子と、バインダー樹脂とを含み、上記第２の層が、導電性粒子を含まず、かつバインダー樹脂を含み、上記第２の層の厚みが、上記電極の厚みよりも薄い、異方性導電フィルム材料が提供される。
【００１３】
本発明に係る異方性導電フィルム材料のある特定の局面では、上記第２の層の厚みが、上記電極における上記銅電極部の厚みの１／２以上である。
【００１４】
本発明に係る異方性導電フィルム材料の他の特定の局面では、上記第２の層の厚みが、上記電極における上記銅電極部の厚みと同じか、又は上記電極における上記銅電極部の厚みよりも厚い。
【００１５】
本発明に係る異方性導電フィルム材料のさらに他の特定の局面では、上記第１の層中の上記バインダー樹脂及び上記第２の層中の上記バインダー樹脂が、加熱により硬化可能な硬化性化合物を含み、上記第１の層中の上記バインダー樹脂及び上記第２の層中の上記バインダー樹脂の内の少なくとも一方が、熱カチオン発生剤を含む。
【００１６】
本発明に係る異方性導電フィルム材料の別の特定の局面では、上記第１の層及び上記第２の層の内の少なくとも一方が、フラックスを含む。
【００１７】
本発明に係る異方性導電フィルム材料の他の特定の局面では、上記融点が４００℃以上である金属が、金、ニッケル、パラジウム又は銅を含む。
【００１８】
本発明に係る異方性導電フィルム材料の他の特定の局面では、上記突出した電極を表面に有する接続対象部材は、半導体ウェーハ又は半導体チップである。
【００１９】
本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材の上記第１の電極側及び上記第２の接続対象部材の上記第２の電極側に配置されており、かつ上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材との間に配置されている接続部とを備え、上記第１の電極及び上記第２の電極の内の少なくとも一方の電極が、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える突出した電極であり、上記接続部が、上述した異方性導電フィルム材料により形成されており、上記第１の電極と上記第２の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。
【００２０】
本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上述した異方性導電フィルム材料とを用いて、上記第１の接続対象部材の上記第１の電極側及び上記第２の接続対象部材の上記第２の電極側に上記異方性導電フィルム材料を配置して、かつ上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材との間に上記異方性導電フィルム材料を配置して、上記異方性導電フィルム材料により異方性導電フィルム材料層を形成する工程と、上記異方性導電フィルム材料層により接続部を形成する工程とを備え、上記第１の電極及び上記第２の電極の内の少なくとも一方の電極が、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える突出した電極であり、上記第１の電極と上記第２の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る、接続構造体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る異方性導電フィルム材料は、第１の層と該第１の層の一方の表面に積層されているか又は該第１の層の一方の表面に積層されて用いられる第２の層とを備えており、更に上記第１の層が、融点が４００℃以上である金属を導電性の表面に有する導電性粒子とバインダー樹脂とを含み、上記第２の層が、導電性粒子を含まずかつバインダー樹脂を含み、上記第２の層の厚みが上記電極の厚みよりも薄いので、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える突出した電極を表面に有する接続対象部材を接続した場合に、導通性及び絶縁信頼性が高い接続構造体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る異方性導電フィルム材料を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示す異方性導電フィルム材料を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、図２に示す接続構造体の一部の領域を拡大して示す模式的な断面図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は、図２に示す接続構造体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２４】
（異方性導電フィルム材料）
本発明に係る異方性導電フィルム材料は、突出した電極を表面に有する接続対象部材の接続に用いられる。上記電極は、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える。本発明に係る異方性導電フィルム材料は、第１の層と、該第１の層の一方の表面に積層されているか又は該第１の層の一方の表面に積層されて用いられる第２の層とを備える。本発明に係る異方性導電フィルム材料は、第１の層と、該第１の層の一方の表面に積層されている第２の層とを備えていてもよい。本発明に係る異方性導電フィルム材料は、第１の層と、該第１の層の一方の表面に積層されて用いられる第２の層とを備えていてもよい。第１の層の一方の表面に第２の層が積層されていない場合には、本発明に係る異方性導電フィルム材料の使用時に、第１の層の一方の表面に第２の層が積層されることが好ましい。
【００２５】
本発明に係る異方性導電フィルム材料は、上記電極を表面に有する接続対象部材において、上記電極側の表面に上記第２の層側から積層された状態で用いられる。
【００２６】
上記第１の層は、融点が４００℃以上である金属を導電性の表面に有する導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記第２の層は、導電性粒子を含まず、かつバインダー樹脂を含む。
【００２７】
上記第２の層の厚みは、上記電極の厚みよりも薄い。上記第２の層が突出した電極を表面に有する接続対象部材上に形成される場合に、上記第２の層の厚みは、電極がない部分の厚み、すなわち電極間の隙間上での厚みを示す。上記電極の厚みは、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部との合計の厚みである。上記電極の厚みは、平均厚みである。
【００２８】
図１に、本発明の一実施形態に係る異方性導電フィルム材料を模式的に断面図で示す。
【００２９】
図１に示す異方性導電フィルム材料１１は、第１の層１と、第１の層１の一方の表面に積層された第２の層２とを備える。異方性導電フィルム材料１１は多層である。第１の層１の外側の表面に、離型フィルムが積層されていてもよい。第２の層２の外側の表面に、離型フィルムが積層されていてもよい。
【００３０】
第１の層１は、融点が４００℃以上である金属を導電性の表面に有する導電性粒子３と、バインダー樹脂とを含む。第２の層２は、導電性粒子を含まず、かつバインダー樹脂を含む。第２の層２の厚みは、上記電極の厚みよりも薄い。
【００３１】
本発明に係る異方性導電フィルム材料は、上述した構成を備えているので、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える突出した電極を表面に有する接続対象部材を接続した場合に、導通性及び絶縁信頼性が高い接続構造体を得ることができる。上記第２の層の厚みが、上記電極の厚みよりも薄いことは、導通性及び絶縁信頼性の向上に大きく寄与する。さらに、上記導電性粒子は融点が４００℃以上である金属を導電性の表面に有するので、導通性がかなり高くなる。
【００３２】
本発明に係る異方性導電フィルム材料は、特定の上記電極を表面に有する接続対象部材と、電極を表面に有する接続対象部材との接続に用いられることが好ましい。本発明に係る異方性導電フィルム材料は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材との接続に用いられることが好ましい。上記第１の電極及び上記第２の電極の内の少なくとも一方の電極が、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える突出した電極である。上記第１の電極及び上記第２の電極の双方の電極が、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備えていてもよい。上記第１の電極と上記第２の電極とを、上記導電性粒子により電気的に接続することが好ましい。
【００３３】
接続構造体における導通性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、接続構造体において第２の層（硬化した第２の層）の厚みは、上記電極の厚みよりも薄いことが好ましい。
【００３４】
接続構造体における導通性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記第２の層の厚み及び接続構造体において第２の層（硬化した第２の層）の厚みは、上記電極における上記銅電極部の厚みの１／２以上であることが好ましく、２／３以上であることがより好ましい。
【００３５】
接続構造体における導通性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記第２の層の厚み及び接続構造体において第２の層（硬化した第２の層）の厚みは、上記電極における上記銅電極部の厚みと同じか、又は上記電極における上記銅電極部の厚みよりも厚いことが好ましい。
【００３６】
上記第１の接続対象部材は、突出した第１の電極を表面に有することが好ましい。上記第１の接続対象部材は、複数の第１の電極を有することが好ましい。上記第２の接続対象部材は、突出した第２の電極を表面に有することが好ましい。上記第２の接続対象部材は、複数の第２の電極を有することが好ましい。
【００３７】
上記銅電極部の厚みは、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは６μｍ以上、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。
【００３８】
上記金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部の厚みは、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。
【００３９】
銅電極部の外側の表面に、金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部が積層されている。銅電極部の外側の表面は、導電性粒子により接続される側に位置する。金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部は、導電性粒子により接続される電極表面に位置する。銅電極部の側面に、金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部が積層されていてもよく、金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部が積層されていなくてもよい。
【００４０】
電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記第１の層の厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは８μｍ以上、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下である。
【００４１】
電極間の絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記第２の層の厚みは、好ましくは６μｍ以上、より好ましくは９μｍ以上、好ましくは２５μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。
【００４２】
本発明に係る異方性導電フィルム材料は、フィルム状である。第１の層及び第２の層はそれぞれ、フィルム状である。フィルムには、シートが含まれる。
【００４３】
上記接続対象部材（第１，第２の接続対象部材）としては、具体的には、半導体ウェーハ、半導体チップ（分割後半導体ウェーハ）、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラス基板及びガラスエポキシ基板等の回路基板である電子部品等が挙げられる。
【００４４】
銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える電極を表面に有する接続対象部材は、半導体ウェーハ又は半導体チップであることが好ましい。
【００４５】
上記銅電極部であり、銅により形成される。上記銅電極部の主成分は銅である。上記銅電極部は、銅を５０重量％以上含むことが好ましく、７５重量％以上含むことがより好ましい。
【００４６】
上記金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部は、金及びニッケルの内の少なくとも一方により形成されている。上記金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部の主成分は、金及びニッケルの内の少なくとも一方である。上記金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部は、金とニッケルとを合計で５０重量％以上含むことが好ましく、７５重量％以上含むことがより好ましい。
【００４７】
上記金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部は、１層の構造を有していてもよく、２層以上の積層構造を有していてもよい。例えば、銅電極部の外側の表面にニッケル電極部が積層されており、該ニッケル電極部の外側の表面に金電極部が積層されていてもよい。
【００４８】
銅電極部を備える電極を用いることで、電極間の接続抵抗が低くなり、接続構造体の導通性が高くなる。銅電極部を備える電極と他の電極とを電気的に接続する場合には、銅電極部を有する電極以外の電極は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ又は金属等により形成される。銅電極部は腐食及び酸化しやすく、マイグレーションが問題となりやすい。これに対して、銅電極部を備える電極を表面に有する接続対象部材の電極側に、本発明に係る異方性導電フィルム材料を第２の層側から配置して、銅電極部を備える電極と他の電極とを上記導電性粒子により電気的に接続することによって、銅電極部の腐食及び酸化が抑えられ、耐マイグレーション性が効果的に高くなる。
【００４９】
異方性導電フィルム材料の硬化性と銅電極部における耐マイグレーション性との双方をバランスよく良好にする観点からは、上記第１の層中の上記バインダー樹脂及び上記第２の層中の上記バインダー樹脂が、加熱により硬化可能な硬化性化合物を含み、上記第１の層中の上記バインダー樹脂及び上記第２の層中の上記バインダー樹脂の内の少なくとも一方は、熱カチオン発生剤を含むことが好ましい。
【００５０】
銅電極部における耐マイグレーション性をより一層良好にする観点からは、上記第１の層及び上記第２の層の内の少なくとも一方が、フラックスを含むことが好ましい。
【００５１】
異方性導電フィルム材料の硬化性と銅電極部における耐マイグレーション性との双方をバランスよく良好にする観点からは、上記第２の層は、熱カチオン発生剤を含むことが好ましい。
【００５２】
銅電極部における耐マイグレーション性をより一層良好にする観点からは、上記第２の層は、熱カチオン発生剤とフラックスとの双方を含むことが好ましい。
【００５３】
異方性導電フィルム材料の硬化性と銅電極部における耐マイグレーション性との双方をバランスよく良好にする観点からは、上記第１の層は、熱カチオン発生剤を含むことが好ましい。
【００５４】
以下、上記異方性導電フィルム材料に含まれている各成分の詳細を説明する。
【００５５】
［導電性粒子］
上記異方性導電フィルム材料に含まれている導電性粒子は、銅電極部を備える電極と他の電極とを電気的に接続する。上記第１の層は導電性粒子を含む。上記導電性粒子は、第１，第２の接続対象部材の電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、融点が４００℃以上である金属を導電性の表面に有する。上記導電性粒子は、導電性を有する表面に、融点が４００℃以上である金属を有する。上記導電性粒子は、導電性の表面のうち少なくとも外表面が、融点が４００℃以上である金属により形成されている。上記金属の融点は、４５０℃を超えていてもよく、５００℃以上であってもよい。なお、一般に、はんだの融点は４００℃未満である。従って、導電性粒子における融点が４００℃以上である金属の導電性の表面は、はんだではない。上記導電性粒子ははんだ粒子及びはんだ被覆粒子ではない。
【００５６】
導電性粒子の導電性の表面が絶縁層により被覆されていてもよい。導電性粒子の導電性の表面が、絶縁性粒子により被覆されていてもよい。本発明に係る異方性導電フィルム材料に用いられる導電性粒子は上記絶縁層を有していてもよく、絶縁性粒子を有していてもよい。これらの場合には、接続対象部材の接続時に、導電層と電極との間の絶縁層又は絶縁性粒子が排除される。
【００５７】
上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を導電層で被覆した導電性粒子、並びに実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。上記導電層の外側の表面及び上記金属粒子の導電性の表面が、融点が４００℃以上である金属により形成されていればよい。上記導電層の外側の表面及び上記金属粒子の表面が、融点が４００℃以上である金属（高融点金属層）であればよい。
【００５８】
電極と導電性粒子との接触面積を大きくし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有することが好ましい。
【００５９】
上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の外側の表面が上記高融点金属層であり、上記樹脂粒子と上記高融点金属層との間に、上記高融点金属層とは別に第２の導電層を有していてもよい。この場合に、上記高融点金属層は上記導電層全体の一部であり、上記第２の導電層は上記導電層全体の一部である。
【００６０】
上記融点が４００℃以上である金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６１】
上記融点が４００℃以上である金属は、金、ニッケル、パラジウム又は銅を含むことが好ましい。上記融点が４００℃以上である金属は、金、ニッケル、パラジウム及び銅を合計で５０重量％以上含むことが好ましく、７５重量％以上含むことがより好ましい。上記高融点金属層は、金層、ニッケル層、パラジウム層又は銅層であることが好ましい。導電性粒子は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層を外側の表面に有することが好ましい。これらの好ましい金属表面を有する導電性粒子を電極間の接続に用いることにより、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
【００６２】
上記導電層が多層構造を有する場の最外層の厚み及び上記高融点金属層の厚みは、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．１μｍ以上、更に好ましくは１μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。上記最外層及び上記高融点金属層の厚みが上記下限以上であると、導電性が十分に高くなる。上記最外層及び上記高融点金属層の厚みが上記上限以下であると、樹脂粒子と高融点金属層との熱膨張率の差が小さくなり、上記最外層及び高融点金属層の剥離が生じ難くなる。
【００６３】
上記導電層の全体厚みは、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．１μｍ以上、更に好ましくは１μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。
【００６４】
上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ未満、更に好ましくは１５μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。導電性粒子の粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上である。
【００６５】
異方性導電フィルム材料における導電性粒子に適した大きさであり、かつ電極間の間隔をより一層小さくすることができるので、上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは１５μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下、最も好ましくは５μｍ未満である。
【００６６】
上記導電性粒子における粒子径は、導電性粒子が真球状である場合には直径を意味し、導電性粒子が真球状以外の形状である場合には最大径を示す。
【００６７】
上記導電性粒子の「平均粒子径」は、メディアン径を示す。該メディアン径は、レーザー回折式粒度分測定装置を用いて求められる。レーザー回折式粒度分測定装置としては、島津製作所社製「ＳＡＬＤ−２１００」等が挙げられる。異方性導電フィルム材料中の導電性粒子に関しては、硬化前であれば、粒子を溶剤に分散し、レーザー回折式粒度分測定装置を用いて粒度分布を求める方法や、各１００個の粒子の粒径を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、粒度分布を求める方法により「平均粒子径」を算出可能である。
【００６８】
［バインダー樹脂］
上記第１の層はバインダー樹脂を含む。上記第２の層はバインダー樹脂を含む。上記バインダー樹脂は、熱可塑性化合物を含むか、又は加熱により硬化可能な硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことが好ましい。上記バインダー樹脂は、加熱により硬化可能な硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことが好ましい。上記第１の層及び上記第２の層の内の少なくとも一方が、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物を含むことが好ましい。上記第１の層及び上記第２の層の双方が、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物を含むことが好ましい。上記第１の層及び上記第２の層の内の少なくとも一方が、上記熱硬化剤を含むことが好ましい。上記第１の層及び上記第２の層の双方が、上記熱硬化剤を含むことが好ましい。上記第１の層及び上記第２の層の内の少なくとも一方が、熱カチオン発生剤を含むことが好ましい。上記第１の層及び上記第２の層の双方が、上記熱カチオン発生剤を含むことが好ましい。
【００６９】
上記熱可塑性化合物としては、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂及びポリアミド樹脂等が挙げられる。
【００７０】
上記異方性導電フィルム材料は、加熱により硬化可能な異方性導電フィルム材料であり、上記バインダー樹脂として、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物を含むことが好ましい。該加熱により硬化可能な硬化性化合物は、光の照射により硬化しない硬化性化合物（熱硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。
【００７１】
また、上記異方性導電フィルム材料は、光の照射と加熱との双方により硬化可能な異方性導電フィルム材料であり、上記バインダー樹脂として、光の照射により硬化可能な硬化性化合物（光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）をさらに含むことが好ましい。上記光の照射により硬化可能な硬化性化合物は、加熱により硬化しない硬化性化合物（光硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。上記異方性導電フィルム材料は、光硬化開始剤を含むことが好ましい。本発明に係る異方性導電フィルム材料は、上記光硬化開始剤として、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記異方性導電フィルム材料は、上記硬化性化合物として、熱硬化性化合物を含み、光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物をさらに含むことが好ましい。上記異方性導電フィルム材料は、上記硬化性化合物として、熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを含むことが好ましい。
【００７２】
また、上記異方性導電フィルム材料は、反応開始温度が異なる２種以上の熱硬化剤を含むことが好ましい。また、反応開始温度が低温側の熱硬化剤が、熱ラジカル発生剤であることが好ましい。
【００７３】
上記硬化性化合物としては特に限定されず、不飽和二重結合を有する硬化性化合物及びエポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物等が挙げられる。
【００７４】
また、上記異方性導電フィルム材料の硬化性を高め、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記硬化性化合物は、不飽和二重結合を有する硬化性化合物を含むことが好ましく、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物を含むことが好ましい。上記不飽和二重結合は、（メタ）アクリロイル基であることが好ましい。上記不飽和二重結合を有する硬化性化合物としては、エポキシ基又はチイラン基を有さず、かつ不飽和二重結合を有する硬化性化合物、及びエポキシ基又はチイラン基を有し、かつ不飽和二重結合を有する硬化性化合物が挙げられる。
【００７５】
上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物として、（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、（メタ）アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレート等が好適に用いられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを示す。上記「（メタ）アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。上記「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。
【００７６】
上記（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、２官能のエステル化合物及び３官能以上のエステル化合物のいずれも使用可能である。
【００７７】
上記異方性導電フィルム材料の硬化性を高め、電極間の導通信頼性をより一層高め、更に硬化物の接着力をより一層高める観点からは、上記第１の層は、不飽和二重結合と熱硬化性官能基との双方を有する硬化性化合物を含むことが好ましい。上記第２の層は、不飽和二重結合と熱硬化性官能基との双方を有する硬化性化合物を含むことが好ましい。上記熱硬化性官能基としては、エポキシ基、チイラン基及びオキセタニル基等が挙げられる。上記不飽和二重結合と熱硬化性官能基との双方を有する硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ不飽和二重結合を有する硬化性化合物であることが好ましく、熱硬化性官能基と（メタ）アクリロイル基との双方を有する硬化性化合物であることが好ましく、エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物であることが好ましい。
【００７８】
上記エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する硬化性化合物の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を、（メタ）アクリロイル基に変換することにより得られる硬化性化合物であることが好ましい。このような硬化性化合物は、部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物又は部分（メタ）アクリレート化エピスルフィド化合物である。
【００７９】
上記硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と、（メタ）アクリル酸との反応物であることが好ましい。この反応物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って塩基性触媒の存在下で反応することにより得られる。エポキシ基又はチイラン基の２０％以上が（メタ）アクリロイル基に変換（転化率）されていることが好ましい。該転化率は、より好ましくは３０％以上、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下である。エポキシ基又はチイラン基の４０％以上、６０％以下が（メタ）アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。
【００８０】
上記部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ（メタ）アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００８１】
上記硬化性化合物として、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を（メタ）アクリロイル基に変換した変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基又はチイラン基と（メタ）アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。
【００８２】
上記「フェノキシ樹脂」は、一般的には、例えばエピハロヒドリンと２価のフェノール化合物とを反応させて得られる樹脂、又は２価のエポキシ化合物と２価のフェノール化合物とを反応させて得られる樹脂である。
【００８３】
また、上記硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。
【００８４】
上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、（メタ）アクリル酸アリル、（メタ）アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００８５】
上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート及びテトラデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００８６】
さらに、上記硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。
【００８７】
上記異方性導電フィルム材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物を含むことが好ましい。エポキシ基を有する硬化性化合物は、エポキシ化合物である。チイラン基を有する硬化性化合物は、エピスルフィド化合物である。異方性導電フィルム材料の硬化性を高める観点からは、上記硬化性化合物１００重量％中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記硬化性化合物の全量が上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物であってもよい。取り扱い性を良好にし、かつ接続構造体における導通信頼性をより一層高める観点からは、上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物は、エポキシ化合物であることが好ましい。
【００８８】
また、上記異方性導電フィルム材料は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物と、不飽和二重結合を有する硬化性化合物とを含むことが好ましい。
【００８９】
上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化可能であることから好ましい。
【００９０】
熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを併用する場合には、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。上記異方性導電フィルム材料は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜９０：１０で含むことが好ましく、５：９５〜６０：４０で含むことがより好ましく、１０：９０〜４０：６０で含むことが更に好ましい。
【００９１】
上記第１の層及び上記第２の層の内の少なくとも一方は、熱硬化剤を含むことが好ましい。上記第１の層は、熱硬化剤を含むことが好ましい。上記第２の層は、熱硬化剤を含むことが好ましい。
【００９２】
上記熱硬化剤は、熱カチオン発生剤であることが好ましい。該熱カチオン発生剤は、銅電極表面に形成された酸化膜を除去することに大きく寄与する。従って、熱カチオン発生剤の使用により、銅電極部における耐マイグレーション性が良好になる。また、熱カチオン発生剤の使用により、電極との金属接合が形成しやすくなり、接続信頼性がより一層高くなる。上記熱カチオン発生剤は、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物を硬化させる。上記熱カチオン発生剤として、従来公知の熱カチオン発生剤を使用可能である。上記熱カチオン発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００９３】
上記熱カチオン発生剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボレート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ−ｐ−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。
【００９４】
上記熱カチオン発生剤は、加熱により無機酸イオンを放出するか、又は加熱によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出することが好ましい。上記熱カチオン発生剤は、加熱により無機酸イオンを放出する成分であることが好ましく、加熱によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する成分であることも好ましい。
【００９５】
加熱により無機酸イオンを放出する熱カチオン発生剤は、アニオン部分としてＳｂＦ６−又はＰＦ６−を有する化合物であることが好ましい。上記熱カチオン発生剤は、アニオン部分としてＳｂＦ６−を有する化合物であることが好ましく、アニオン部分としてＰＦ６−を有する化合物であることも好ましい。
【００９６】
銅電極部における耐マイグレーション性をより一層良好にする観点からは、熱カチオン発生剤のアニオン部分がＢ（Ｃ６Ｘ５）４−で表されることが好ましい。ホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する熱カチオン発生剤は、下記式（１）で表されるアニオン部分を有する化合物であることが好ましい。
【００９７】
【化１】
2013157416.tif 000003
【００９８】
上記式（１）中、Ｘはハロゲン原子を表す。上記式（１）中のＸは、塩素原子、臭素原子又はフッ素原子であることが好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。
【００９９】
銅電極部における耐マイグレーション性をより一層良好にする観点からは、熱カチオン発生剤のアニオン部分がＢ（Ｃ６Ｆ５）４−で表されることが好ましい。上記ホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する熱カチオン発生剤は、下記式（１Ａ）で表されるアニオン部分を有する化合物であることがより好ましい。
【０１００】
【化２】
2013157416.tif 000004
【０１０１】
上記異方性導電フィルム材料全体（第１，第２の層全体）において、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱カチオン発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。上記熱カチオン発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電フィルム材料が充分に熱硬化する。
【０１０２】
上記第１の層は、上記熱カチオン発生剤以外の熱硬化剤を含むことが好ましい。上記第２の層は、上記熱カチオン発生剤以外の熱硬化剤を含むことが好ましい。該熱硬化剤は、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物を硬化させる。該熱硬化剤として、従来公知の熱硬化剤を使用可能である。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０３】
上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤、酸無水物及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。なかでも、異方性導電フィルム材料を低温でより一層速やかに硬化可能であるので、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤が好ましい。また、加熱により硬化可能な硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときに保存安定性が高くなるので、潜在性の硬化剤が好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。これらの熱硬化剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。
【０１０４】
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。
【０１０５】
上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。
【０１０６】
上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
【０１０７】
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記異方性導電フィルム材料全体（第１，第２の層全体）において、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは１重量部以上、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは１００重量部以下、更に好ましくは７５重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、異方性導電フィルム材料を充分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。
【０１０８】
上記第１の層は、熱ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記第２の層は、熱ラジカル発生剤を含むことが好ましい。該熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤として、従来公知の熱ラジカル発生剤を使用可能である。熱ラジカル発生剤の使用により、電極間の導通信頼性及び接続構造体の接続信頼性がより一層高くなる。上記熱ラジカル発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０９】
上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイゾブチロニトリル（ＡＩＢＮ）等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。
【０１１０】
上記異方性導電フィルム材料全体（第１，第２の層全体）において、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱ラジカル発生剤の含有量は好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、好ましくは５重量部以下、より好ましくは３重量部以下である。上記熱ラジカル発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電フィルム材料が適度に熱硬化する。異方性導電フィルム材料を、Ｂステージ化することにより、異方性導電フィルム材料の流動が抑えられ、更に接合時のボイドの発生が抑えられる。
【０１１１】
上記第１の層は、光硬化開始剤を含むことが好ましい。上記第２の層は、光硬化開始剤を含むことが好ましい。該光硬化開始剤は特に限定されない。上記光硬化開始剤として、従来公知の光硬化開始剤を使用可能である。電極間の導通信頼性及び接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記第１の層は、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記第２の層は、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記光硬化開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１１２】
上記光硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤（アセトフェノン光ラジカル発生剤）、ベンゾフェノン光硬化開始剤（ベンゾフェノン光ラジカル発生剤）、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤（ケタール光ラジカル発生剤）、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。
【０１１３】
上記アセトフェノン光硬化開始剤の具体例としては、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、及び２−ヒドロキシ−２−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光硬化開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。
【０１１４】
上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。上記異方性導電フィルム材料全体（第１，第２の層全体）において、光の照射により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量（光硬化開始剤が光ラジカル発生剤である場合には光ラジカル発生剤の含有量）は、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記光硬化開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電フィルム材料が適度に光硬化する。異方性導電フィルム材料に光を照射し、Ｂステージ化することにより、異方性導電フィルム材料の流動が抑えられる。
【０１１５】
［フラックス］
上記第１の層及び上記第２の層の内の少なくとも一方が、フラックスを含むことが好ましい。上記第１の層は、フラックスを含むことが好ましい。上記第２の層は、フラックスを含むことが好ましい。該フラックスの使用により、銅電極表面に形成された酸化膜を効果的に除去できる。この結果、接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。上記熱カチオン発生剤と上記フラックスとの併用は、銅電極部における耐マイグレーション性を良好にすることに大きく寄与する。
【０１１６】
上記フラックスは特に限定されない。該フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用可能である。上記フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１１７】
上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、コハク酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びヒドラジン等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、松脂であることが好ましい。松脂の使用により、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
【０１１８】
上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。上記フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
【０１１９】
銅電極部における耐マイグレーション性をより一層良好にする観点からは、上記フラックスはグルタル酸であることが好ましい。
【０１２０】
上記フラックスは、バインダー樹脂中に分散されていてもよく、上記導電性粒子の表面上に付着していてもよい。
【０１２１】
上記異方性導電フィルム材料全体（第１，第２の層全体）１００重量％中、上記フラックスの含有量は好ましくは０．５重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、銅電極表面に形成された酸化膜をより一層効果的に除去できる。また、上記フラックスの含有量が上記下限以上であると、フラックスの添加効果がより一層効果的に発現する。上記フラックスの含有量が上記上限以下であると、硬化物の吸湿性がより一層低くなり、接続構造体の信頼性がより一層高くなる。
【０１２２】
［他の成分］
上記第１の層は、フィラーを含むことが好ましい。上記第２の層は、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、異方性導電フィルム材料の硬化物の熱線膨張率が低くなる。上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム、アルミナ、ガラス、窒化ボロン、窒化ケイ素、シリコーン、カーボン、グラファイト、グラフェン及びタルク等が挙げられる。フィラーは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。熱伝導率が高いフィラーを用いると、本硬化時間が短くなる。
【０１２３】
上記第１の層は、溶剤を含んでいてもよい。上記第２の層は、溶剤を含んでいてもよい。上記異方性導電フィルム材料を形成するために、溶剤を用いてもよい。上記接続対象部材の表面上に、溶剤を含む異方性導電材料を塗布し、乾燥により溶剤を除去して、異方性導電フィルム材料を形成してもよい。
【０１２４】
上記溶剤としては、脂肪族系溶剤、ケトン系溶剤、芳香族系溶剤、エステル系溶剤、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、パラフィン系溶剤及び石油系溶剤等が挙げられる。
【０１２５】
上記溶剤を乾燥除去する温度は、用いる溶剤の種類に応じて適宜設定される。上記溶剤を乾燥除去する温度は、例えば、６０〜１３０℃程度である。上記溶剤を乾燥除去する温度が低いほど、接続対象部材の熱劣化を抑制できる。
【０１２６】
熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性をさらに一層高める観点からは、上記第１の層は、チクソ付与剤を含むことが好ましい。上記第２の層は、チクソ付与剤を含むことが好ましい。該チクソ付与剤としては、エラストマー粒子及びシリカ等が挙げられる。該エラストマー粒子としては、ゴム粒子が挙げられる。該ゴム粒子としては、天然ゴム粒子、イソプレンゴム粒子、ブタジエンゴム粒子、スチレンブタジエンゴム粒子、クロロプレンゴム粒子及びアクリロニトリルブタジエンゴム粒子等が挙げられる。上記シリカは、ナノシリカであることが好ましい。上記ナノシリカの平均粒子径は１０００ｎｍ未満である。
【０１２７】
上記異方性導電フィルム材料全体（第１，第２の層全体）１００重量％中、上記チクソ付与剤の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下である。上記チクソ付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性がより一層高くなる。
【０１２８】
第１，第２の接続対象部材の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記第１の層は、接着付与剤を含むことが好ましい。上記第２の層は、接着付与剤を含むことが好ましい。該接着付与剤としては、カップリング剤及び可撓性材料等が挙げられる。
【０１２９】
上記異方性導電フィルム材料全体（第１，第２の層全体）１００重量％中、上記接着付与剤の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記接着付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、第１，第２の接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。
【０１３０】
（接続構造体及び接続構造体の製造方法）
本発明に係る接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材の上記第１の電極側及び上記第２の接続対象部材の上記第２の電極側に配置されており、かつ上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材との間に配置されている接続部とを備える。上記第１の電極及び上記第２の電極の内の少なくとも一方の電極が、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える突出した電極である。上記接続部が、上述した異方性導電フィルム材料により形成されている。上記第１の電極と上記第２の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている。上記接続部は、上述した異方性導電フィルム材料を硬化させることにより形成されていることが好ましい。
【０１３１】
本発明に係る接続構造体の製造方法では、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上述した異方性導電フィルム材料とが用いられる。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記第１の接続対象部材の上記第１の電極側及び上記第２の接続対象部材の上記第２の電極側に上記異方性導電フィルム材料を配置して、かつ上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材との間に上記異方性導電フィルム材料を配置して、上記異方性導電フィルム材料により異方性導電フィルム材料層を形成する工程と、上記異方性導電フィルム材料層により接続部を形成し、該接続部により上記第１，第２の接続対象部材を接続する工程とを備える。上記第１の電極及び上記第２の電極の内の少なくとも一方の電極が、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える突出した電極である。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の電極と上記第２の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る。上記異方性導電フィルム材料層を硬化させることにより接続部を形成し、該接続部により上記第１，第２の接続対象部材を接続することが好ましい。
【０１３２】
本発明に係る接続構造体、及び本発明に係る接続構造体の製造方法では、第１の層と第２の層とを別々に用意して、第１，第２の接続対象部材間に第１，第２の層を配置して、第１，第２の接続対象部材間で、第１の層と該第１の層の一方の表面に積層されている第２の層とを備える異方性導電フィルム材料を形成してもよい。
【０１３３】
本発明に係る接続構造体、及び本発明に係る接続構造体の製造方法により得られる接続構造体では、第２の層（硬化した第２の層）の厚みが、銅電極部と、該銅電極部の外側の表面に積層されておりかつ金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部とを備える電極の厚みよりも薄いことが好ましい。
【０１３４】
図２に、図１に示す異方性導電フィルム材料を用いた接続構造体の一例を模式的に断面図で示す。なお、図２では、図示の便宜上、第２の電極は略図的に示されている。また、図３に、図２に示す接続構造体における破線Ｘで囲まれた領域を拡大して模式的に断面図で示す。
【０１３５】
図２に示す接続構造体２１は、第１の接続対象部材２２と、第２の接続対象部材２３と、硬化した第１の層１Ａと、硬化した第２の層２Ａとを備える。硬化した第１の層１Ａと硬化した第２の層２Ａとは、第１，第２の接続対象部材２２，２３の間に配置されている。第１の接続対象部材２２と、硬化した第１の層１Ａと、硬化した第２の層２Ａと、第２の接続対象部材２３とがこの順で積層されている。第１の層１Ａ及び第２の層２Ａは接続部である。該接続部は硬化物層である。該硬化物層は、硬化した第１の層１Ａ（第１の層１が硬化した硬化物層部分）と、硬化した第２の層２Ａ（第２の層２が硬化した硬化物層部分）とを有する。
【０１３６】
第１の接続対象部材２２は表面２２ａ（上面）に、複数の第１の電極２２ｂを有する。第２の接続対象部材２３は表面２３ａ（下面）に、複数の第２の電極２３ｂを有する。硬化した第１の層１Ａは導電性粒子３を含む。導電性粒子３は、融点が４００℃以上である金属を導電性の表面に有する。導電性粒子３は、樹脂粒子と該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを備える。導電性粒子３にかえて金属粒子を用いてもよい。第１の電極２２ｂと第２の電極２３ｂとが、１つ又は複数の導電性粒子３により電気的に接続されている。導電性粒子３と第２の電極２３ｂとの間には、硬化した第２の層２Ａは配置されていない。
【０１３７】
第２の電極２３ｂは突出した電極である。第２の電極２３ｂは、銅電極部２３ｂ１と、銅電極部２３ｂ１の外側の表面に積層されているニッケル電極部２３ｂ２と、ニッケル電極部２３ｂ２の外側の表面に積層されている金電極部２３ｂ３とを備える。銅電極部２３ｂ１は、第２の電極２３ｂにおける内層である。ニッケル電極部２３ｂ２は、第２の電極部２３ｂにおける中間層である。金電極部２３ｂ３は、第２の電極部２３ｂにおける外層である。なお、図３において、厚みＴ１が銅電極部の厚みであり、厚みＴ２が電極の厚みであり、厚みＴ３が硬化した第２の層の厚みである。
【０１３８】
ニッケル電極部２３ｂ２と金電極部２３ｂ３とが、金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部である。第２の電極２３ｂは、金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部を２層構造で有する。金及びニッケルの内の少なくとも一方を含む電極部は、単層であってもよい。
【０１３９】
接続構造体２１を作製する際には、図４（ａ），（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２２の第１の電極２２ｂ側及び第２の接続対象部材２３の第２の電極２３ｂ側に異方性導電フィルム材料１１を配置して、かつ第１の接続対象部材２２と第２の接続対象部材２３との間に異方性導電フィルム材料１１を配置する。異方性導電フィルム材料１１により異方性導電フィルム材料層を形成する。この結果、第１の接続対象部材２２と異方性導電フィルム材料１１と第２の接続対象部材２３とがこの順で積層された状態になる。具体的には、第１の接続対象部材２２と第１の層１と第２の層２と第２の接続対象部材２３とがこの順で積層された状態になる。
【０１４０】
第１の接続対象部材２２上に、異方性導電フィルム材料１１を積層してもよく、第２の接続対象部材２３上に異方性導電フィルム材料１１を積層してもよい。第１の接続対象部材２２上に第２の層２側から異方性導電フィルム材料１１を積層することが好ましい。第２の接続対象部材２３上に第１の層１側から異方性導電フィルム材料１１を積層することが好ましい。
【０１４１】
次に、異方性導電フィルム材料１１を硬化させて硬化した第１の層１Ａと硬化した第２の層２Ａとを形成する。硬化した第１の層１Ａと硬化した第２の層２Ａとにより第１，第２の接続対象部材２２，２３を接続する。また、圧着時に異方性導電フィルム材料１１に含まれている導電性粒子３と第２の電極２３ｂとの間の第２の層２及び第１の層１中の導電性粒子ではない他の成分（バインダー樹脂など）を排除する。第１の電極２２ｂと第２の電極２３ｂとを導電性粒子３により電気的に接続する。この結果、図２に示す接続構造体２１が得られる。
【０１４２】
上記接続構造体の製造方法では、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材との間に上記異方性導電フィルム材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧することが好ましい。加熱及び加圧により、第１，第２の電極に導電性粒子がより一層効果的に接触する。上記加圧の圧力は９．８×１０４〜４．９×１０６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０〜２２０℃程度である。
【０１４３】
以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１４４】
また、実施例及び比較例では、異方性導電フィルム材料に以下の成分を用いた。
【０１４５】
（導電性粒子）
導電性粒子１：ジビニルベンゼン樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０５」、平均粒子径５．０μｍ）の表面が、厚み０．５μｍのニッケル層（融点５００℃以上）により被覆されており、該ニッケル層の表面が、厚み０．５μｍの金層（融点５００℃以上）により被覆されている
導電性粒子２：ジビニルベンゼン樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＰ−２０５」、平均粒子径５．０μｍ）の表面が、厚み０．５μｍのニッケル層（融点５００℃以上）により被覆されている
導電性粒子３：ジビニルベンゼン樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０５」、平均粒子径５．０μｍ）の表面が、厚み０．５μｍのニッケル層（融点５００℃以上）により被覆されており、該ニッケル層の表面が、厚み０．５μｍのパラジウム層（融点５００℃以上）により被覆されている
導電性粒子４：ジビニルベンゼン樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＰ−２０５」、平均粒子径５．０μｍ）の表面が、厚み０．５μｍの銅層（融点５００℃以上）により被覆されており、該銅層の表面が、厚み０．５μｍのはんだ層（融点４００℃未満）により被覆されている
【０１４６】
（バインダー樹脂）
熱硬化性化合物１（エポキシ基含有アクリル樹脂、三菱化学社製「ブレンマーＣＰ−３０」）
熱硬化性化合物２（ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、三菱化学社製「ＹＬ９８０」）
熱硬化性化合物３（レゾルシノール型エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製「ＥＸ−２０１」）
熱硬化性化合物４（ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰＲ−４０２３」）
熱硬化剤１（イミダゾール化合物、四国化成工業社製「２Ｐ−４ＭＺ」）
熱硬化剤２（イミダゾール化合物、日本曹達社製「ＴＥＰ−２Ｅ４ＭＺ」）
熱カチオン発生剤１（下記式（１１）で表される化合物、加熱によりリン原子を含む無機酸イオンを放出する化合物）
【０１４７】
【化３】
2013157416.tif 000005
【０１４８】
熱カチオン発生剤２（下記式（１２）で表される化合物、加熱によりアンチモン原子を含む無機酸イオンを放出する化合物）
【０１４９】
【化４】
2013157416.tif 000006
【０１５０】
熱カチオン発生剤３（下記式（１３）で表される化合物、加熱によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する化合物）
【０１５１】
【化５】
2013157416.tif 000007
【０１５２】
接着付与剤：信越化学工業社製「ＫＢＥ−４０３」
【０１５３】
増粘剤：トクヤマ社製「ＭＴ−１０」
【０１５４】
（フラックス）
フラックス：和光純薬社製「グルタル酸」
【０１５５】
（実施例１〜８及び比較例１，２）
（実施例１）
接続構造体の作製：
バンプサイズが２０μｍ×１００μｍ、ピッチが３０μｍである銅電極（高さ１２μｍ）であり、該銅電極部の外側の表面に、ニッケル（高さ１μｍ）が積層され、該ニッケルで局部の外側の表面に金（高さ２μｍ）が積層されている突出した電極を上面に有する半導体ウェーハ（厚み４００μｍ）を用意した。この半導体ウェーハの上面全面に、下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量で配合して得られた絶縁材料をスピンコートにより塗布した。その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥により除去し、複数の電極間の隙間上のみに絶縁材料層（第２の層）を形成した。突出した電極上の絶縁材料層の厚みは０μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁材料層の厚みは１３μｍであった。
【０１５６】
その後、ダイサー（ＤＩＳＣＯ社製「ＤＦＤ６３６１」）を用いて、絶縁材料層付き半導体ウェーハをダイシングし、１５ｍｍ×１．６ｍｍ×０．４１５ｍｍの大きさに個片化した。このようにして、突出した複数の電極を上面に有する半導体チップ（分割後半導体ウェーハ、第１の接続対象部材）と、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに絶縁材料層（第２の層）とを有する第１の積層体を得た。
【０１５７】
Ｌ／Ｓが２０μｍ／１０μｍのＩＴＯ電極を上面に有するガラス基板（第２の接続対象部材）を用意した。該ガラス基板上に、下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量で配合して得られた異方導電材料をスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層（第１の層）を形成し、第２の積層体を得た。得られた異方性導電材料の厚さは１２μｍであった。
【０１５８】
次に、得られた第２の積層体の異方性導電材料層のガラス基板側と反対の表面上に、得られた第１の積層体を絶縁材料層側から電極／バンプ同士が対向するように積層した。その後、異方性導電材料層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、２．０ＭＰａの圧力をかけて、異方性導電材料層を１８５℃で硬化させて、接続構造体を得た。得られた接続構造体における硬化した第２の層の厚みを下記の表１に記載した。
【０１５９】
（実施例２〜７）
第１の層の配合を、表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１６０】
（実施例８）
実施例１で用いた半導体ウェーハに、絶縁材料をスピンコートにより塗布する際に、複数の電極間の隙間上のみに絶縁材料層（第２の層）を厚みを変えて形成して、突出した電極上の絶縁材料層の厚みは０μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁材料層（第２の層）の厚みは７μｍになるように変更した。その後、ダイサーを用いて、絶縁材料層付き半導体ウェーハをダイシングし、第１の積層体を得た。また、第１の層の配合を、表１に示すように変更し、上記ガラス基板上に異方導電材料層（第１の層）が１８μｍになるようにスクリーン印刷により塗工し、第２の積層体を得た。得られた第１の積層体、第２の積層体を用いた以外は、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１６１】
（比較例１）
第１の層の配合を、表１に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１６２】
（比較例２）
実施例１で用いた半導体ウェーハに、絶縁材料をスピンコートにより塗布する際に、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、複数の電極を覆うように絶縁材料層（第２の層）を形成して、突出した電極上の絶縁材料層の厚みは５μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁材料層（第２の層）の厚みは２０μｍになるように変更した。その後、ダイサーを用いて、絶縁材料層付き半導体ウェーハをダイシングし、第１の積層体を得た。また、第１の層の配合を、表１に示すように変更し、上記ガラス基板上に異方導電材料層（第１の層）が１２μｍになるようにスクリーン印刷により塗工し、第２の積層体を得た。得られた第１の積層体、第２の積層体を用いた以外は、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１６３】
（評価）
（１）導通性
得られた接続構造体の２０箇所の抵抗値を４端子法にて評価した。導通性を下記の基準で判定した。
【０１６４】
［導通性の判定基準］
○：全ての箇所で抵抗値が３Ω以下にある
△：抵抗値が３Ωを超える箇所が１箇所以上ある
×：全く導通していない箇所が１箇所以上ある
【０１６５】
（２）絶縁性
得られた接続構造体の隣り合う電極２０個においてリークが生じているか否かを、テスターで測定した。絶縁性を下記の基準で判定した。
【０１６６】
［絶縁性の判定基準］
○：リーク箇所が全くない
×：リーク箇所がある
【０１６７】
（３）耐マイグレーション性
得られた接続構造体の互いに絶縁された測定用端子間に２０Ｖの電圧を印加した状態で８５℃及び８５％ＲＨの雰囲気下にて５００時間暴露した（絶縁信頼性試験）。この間、測定用端子間の抵抗値変化を測定した。抵抗値が１０５Ω以下となった場合を絶縁不良と判断した。耐マイグレーション性を下記基準で判定した。
【０１６８】
［耐マイグレーション性の判定基準］
○○：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０７Ω以上
○：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０６Ω以上、１０７Ω未満
△：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０５Ω以上、１０６Ω未満
×：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体が１個以上ある
【０１６９】
結果を下記の表１に示す。
【０１７０】
【表１】
2013157416.tif 000008
【符号の説明】
【０１７１】
１…第１の層（硬化前）
１Ａ…硬化した第１の層
２…第２の層（硬化前）
２Ａ…硬化した第２の層
３…導電性粒子
１１…異方性導電フィルム材料
２１…接続構造体
２２…第１の接続対象部材
２２ａ…表面
２２ｂ…第１の電極
２３…第２の接続対象部材
２３ａ…表面
２３ｂ…第２の電極
２３ｂ１…銅電極部
２３ｂ２…ニッケル電極部
２３ｂ３…金電極部
【図１】
2013157416.tif 000009
【図２】
2013157416.tif 000010
【図３】
2013157416.tif 000011
【図４】
2013157416.tif 000012