(57)【要約】【課題】発光ダイオードをはじめとする電子部品が実装可能であるセラミック基板１を提供する。【解決手段】セラミック基板部２と、セラミック基板部２上に電子部品３を接続するために形成された、少なくとも１つの端子部８とを備え、セラミック基板部２内部に電気回路パターン７が形成されていることを特徴とするセラミック基板１としたので、発光ダイオードをはじめとする電子部品が実装可能であるセラミック基板１を提供することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板部と、
前記セラミック基板部上に電子部品を接続するために形成された、少なくとも１つの端子部と、
を備え、
前記セラミック基板部内部に電気回路パターンが形成されていること、
を特徴とするセラミック基板。
【請求項２】
前記セラミック基板表面は、前記電子部品を実装する実装領域と、前記電気回路パターンが形成された非実装領域とを備え、
前記非実装領域上には、反射膜が形成されていること、
を特徴とするセラミック基板。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか一つに記載のセラミック基板の前記端子部上に電子部品が搭載された電子部品モジュール。
【請求項４】
前記電子部品が発光ダイオード（ＬＥＤ）である請求項３に記載の電子部品モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック基板と、そのセラミック基板を用いた電子部品モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、セラミック基板上に電子部品を搭載した電子部品モジュールの開発は進んでいる。
【０００３】
特に、電子部品として発光ダイオード（ＬＥＤ、Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を搭載した電子回路モジュールは、そのセラミック基板部の優位点である耐熱性・耐湿性に優れ、また、素材自体が良好な反射率を有することから、高パワー発光ダイオードモジュール、また、液晶のバックライト向けの発光ダイオードモジュールとして用いられている。
【０００４】
従来の電子部品モジュールに用いられるセラミック基板は、セラミック基板部と、前記セラミック基板部上に電子部品を接続するために形成された、少なくとも１つの端子部と、前記セラミック基板部上に電気回路パターンが形成された少なくとも１つの配線部と、が設けられた構成となっていた（例えば、これに類似する技術は下記特許文献１に記載されている）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−０１０４６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記従来のセラミック基板においては、特に、電子部品として発光ダイオード（ＬＥＤ、Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を搭載した電子回路に用いられた場合、発光ダイオードから発光された光を効率よく反射させるため、前記セラミック基板上に、高反射率を有する樹脂性の反射膜が形成されている。
【０００７】
しかしながら、セラミック基板上に、この反射膜を形成すると、この反射膜によって、セラミック基板表面の平面度が悪化してしまう。このセラミック基板表面の平面度が悪化してしまうことによって、その後の電子部品実装工程において、発光ダイオードをはじめとする電子部品の実装ができない、という課題を有していた。
【０００８】
そこで本発明は、この課題を解決し、発光ダイオードをはじめとする電子部品の実装可能なセラミック基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして、この目的を達成するために本発明は、セラミック基板部と、前記セラミック基板部上に電子部品を接続するために形成された、少なくとも１つの端子部と、を備え、前記セラミック基板部内部に電気回路パターンが形成されていることを特徴とするセラミック基板とした。
【００１０】
これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように本発明は、セラミック基板部と、前記セラミック基板部上に電子部品を接続するために形成された、少なくとも１つの端子部と、を備え、前記セラミック基板部内部に電気回路パターンが形成されていること、を特徴とするセラミック基板としたので、電子部品の実装可能なセラミック基板を提供することができる。
【００１２】
すなわち、本発明においては、前記セラミック基板部内部に、電気回路パターンが形成されている構成としたので、前記配線部以外の表面には、電気回路パターンが存在せず、セラミック基板表面に直接（前記電気回路パターンを介さずに）反射膜を形成することができるので、反射膜の形成によるセラミック基板表面の平面度が悪化することもなく、その結果として、電子部品の実装可能なセラミック基板を提供することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの断面図を示し、図１（ａ）は、電子部品モジュールの上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）中の点線Ａ−Ａにおける切断面
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の電子部品モジュールの実施の形態を図面とともに詳細に説明する。
【００１５】
（実施の形態１）
［１］本実施形態におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール６の構成
まず、はじめに、本発明の実施の形態１におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの構成に関して説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施の形態１におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの断面図を示し、図１（ａ）は、電子部品モジュールの上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）中の点線Ａ−Ａにおける切断面を示すものである。図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、セラミック基板１は、セラミック基板部２と、セラミック基板部２上に電子部品３を接続するために形成された、少なくとも１つの端子部８が設けられている。また、図１（ｂ）に示すように、セラミック基板部２は、第１のセラミック部５上に、第２のセラミック部６が形成されている。
【００１７】
本実施形態においては、第１のセラミック部５として、一般にＨＴＣＣ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ、高温同時焼成型セラミック）と呼ばれる焼成されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を焼成することによって形成したものを用いた。本実施形態においては、第２のセラミック部６として、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ、低温同時焼成型セラミック）と呼ばれるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とガラス（ＳｉＯ２）とを混合し、その後、焼成することによって形成した。
【００１８】
ここで、本実施形態において、第２のセラミック部６として、ＨＴＣＣでなく、ＬＴＣＣを用いることによって、焼成時における電子部品３を実装する面（図１（ｂ）中の点線Ｂ−Ｂに相当）の収縮を略ゼロ（無収縮）とすることができ、その結果として、その電子部品３を実装する面（図１（ｂ）中の点線Ｂ−Ｂに相当）の寸法精度を大きく高めることができる。
【００１９】
更に、本実施形態においては、セラミック基板部２内部に、電気回路パターン７が形成されている。また、セラミック基板部２の表面（本実施形態においては、第２のセラミック部６の表面）には、少なくとも１つの端子部８が形成されている。更に、本実施形態において、この電気回路パターン７と端子部８とは、図１（ｂ）に示すように、第２のセラミック部６内部に形成されたビア９にて電気的に接続されている。また、本実施形態における電気回路パターン７は、第１のセラミック部５上に、銀（Ａｇ）粒子とガラス成分を含有する導体ペーストをスクリーン印刷法によって、所望のパターンにて印刷形成し、その後、加熱することによって形成した。また、本実施形態におけるビア９は、焼成前の第２のセラミック部６に、予め穴を形成し、その後、その穴に、銀（Ａｇ）粒子とガラス成分を含有する導体ペーストを充填し、その後、加熱することによって形成した。
【００２０】
また、図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、セラミック基板１の表面（本実施形態においては、第２のセラミック部６の表面）は、電子部品３を実装する実装領域１０と、電気回路パターンが形成された非実装領域１１とに分別されるが、本実施形態においては、すくなくとも非実装領域９上に、反射膜１２が形成されている。ここで、本実施形態においては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）あるいは酸化チタン（ＴｉＯ２）が含有された樹脂として、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）あるいは酸化チタン（ＴｉＯ２）が含有されたシリコーン系樹脂を、スクリーン印刷法によって塗布し、その後、乾燥することによって、反射膜１２を形成した。
【００２１】
更に、本実施形態においては、セラミック基板１の表面（本実施形態においては、第２のセラミック部６の表面）の非実装領域１１は、電気回路パターン７等の金属膜は形成されていない。よって、セラミック基板１の表面（本実施形態においては、第２のセラミック部６の表面）に直接、反射膜を形成してある。
【００２２】
また、本実施形態におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール１３は、セラミック基板１の端子部８上に電子部品３が実装され、電子部品３とセラミック基板１は電気的に接続されている。本実施形態においては、電子部品３として、発光ダイオード（ＬＥＤ、Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を用いた。
【００２３】
また、本実施形態においては、セラミック基板部２の第１のセラミック部５として、ＨＴＣＣと呼ばれる焼成されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を焼成することによって形成したが、その他、同じＨＴＣＣに分類される焼成された窒化アルミ（Ａｌ−Ｎ）や、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ、高温同時焼成型セラミック）と呼ばれるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とガラス（ＳｉＯ２）とを混合し、焼成して形成することもできる。
【００２４】
［３］本実施形態におけるセラミック基板１の効果
以上のように本実施形態のセラミック基板１は、セラミック基板部２と、セラミック基板部２上に電子部品３を接続するために形成された、少なくとも１つの端子部８と、を備え、セラミック基板部２内部に電気回路パターン７が形成されていること、を特徴とするセラミック基板１としたので、電子部品３の実装可能なセラミック基板１を提供することができる。
【００２５】
すなわち、本発明においては、セラミック基板部２内部に、電気回路パターン７が形成されている構成としたので、配線部８以外の表面には、電気回路パターン７が存在せず、セラミック基板１表面に直接（電気回路パターン７を介さずに）反射膜１２を形成することができるので、反射膜１２の形成によるセラミック基板１表面の平面度が悪化することもなく、その結果として、電子部品３の実装可能なセラミック基板１を提供することができるのである。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明にかかるセラミック基板と、そのセラミック基板を用いた電子部品モジュールは、電子部品３（特に、電子部品３が発光ダイオード（ＬＥＤ）である場合）が実装可能であるセラミック基板１を提供することできるので、特に、最近普及の進んでいる液晶テレビや携帯電話の液晶画面用のバックライト向けの電子部品モジュール用の基板として有用である。
【符号の説明】
【００２７】
１  セラミック基板
２  セラミック基板部
３  電子部品
５  第１のセラミック部
６  第２のセラミック部
７  電気回路パターン
８  端子部
９  ビア
１０  実装領域
１１  非実装領域
１２  反射膜
１３  電子部品モジュール
【図１】
2013143412.tif 000003