(57)【要約】【課題】金属材料からなる低抵抗値の検知電極を備えたタッチパネルおよびその製造方法を提供する。【解決手段】タッチパネル１は、基板２上に第１検知電極３と第２検知電極４とをマトリクス状に配置して構成される。第１検知電極３および第２検知電極４は、（Ａ）ギ酸銅またはその水和物と（Ｂ）アミンとを含む電極形成組成物を用い、大気下または非酸化性雰囲気下で、（Ｂ）アミンの沸点Ｔｂｐ（℃）と下記式の関係にある温度Ｔ（℃）で加熱することにより形成される。2013156776.tif 000031【選択図】図１
2013156776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された検知電極を有するタッチパネルであって、
前記検知電極は、
（Ａ）銅塩と（Ｂ）還元剤とを含む電極形成組成物を用いて形成されることを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
前記基板は、樹脂基板であることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記検知電極は、
（Ａ）銅塩に（Ａ−１）ギ酸銅またはその水和物を用い、（Ｂ）還元剤に（Ｂ−１）アミンを用いる前記電極形成組成物を用い、
（Ｂ−１）アミンの沸点Ｔｂｐ（℃）と下記式の関係にある温度Ｔ（℃）での加熱により形成されることを特徴とする請求項１または２に記載のタッチパネル。
2013156776.tif 000023
【請求項４】
（Ｂ−１）アミンが、下記一般式（１）、下記一般式（２）および下記一般式（３）のうちの少なくとも１つで表されることを特徴とする請求項３に記載のタッチパネル。
【化１】
2013156776.tif 000024
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ３は、単結合、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ４は、水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基、アミノ基、ジメチルアミノ基、または、ジエチルアミノ基を示す。）
【化２】
2013156776.tif 000025
（一般式（２）中、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ７は、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ８は、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。但し、Ｒ５およびＲ６が水素原子の場合、Ｒ８はメチル基およびエチル基以外を示す。）
【化３】
2013156776.tif 000026
（一般式（３）中、Ｒ９、Ｒ１０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ１１は、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立に、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。）
【請求項５】
前記電極形成組成物は、（Ｃ）溶剤をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記電極形成組成物の（Ａ−１）ギ酸銅またはその水和物の含有量は、全成分の０．０１質量％〜５０質量％であることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項７】
（Ａ−１）ギ酸銅またはその水和物と（Ｂ−１）アミンとを含む電極形成組成物の塗膜を基板上に形成する工程と、
（Ｂ−１）アミンの沸点Ｔｂｐ（℃）と下記式の関係にある温度Ｔ（℃）で、大気下または非酸化性雰囲気下において、前記塗膜を加熱して検知電極を形成する工程と
を有することを特徴とするタッチパネルの製造方法。
2013156776.tif 000027
【請求項８】
（Ｂ−１）アミンが、下記一般式（１）、下記一般式（２）および下記一般式（３）のうちの少なくとも一つで表されることを特徴とする請求項７に記載のタッチパネルの製造方法。
【化４】
2013156776.tif 000028
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ３は、単結合、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ４は、水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基、アミノ基、ジメチルアミノ基、または、ジエチルアミノ基を示す。）
【化５】
2013156776.tif 000029
（一般式（２）中、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ７は、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ８は、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。但し、Ｒ５およびＲ６が水素原子の場合、Ｒ８はメチル基およびエチル基以外を示す。）
【化６】
2013156776.tif 000030
（一般式（３）中、Ｒ９、Ｒ１０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ１１は、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立に、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。）
【請求項９】
前記電極形成組成物は、（Ｃ）溶剤をさらに含むことを特徴とする請求項７または８に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記電極形成組成物の（Ａ−１）ギ酸銅またはその水和物の含有量は、全成分の０．０１質量％〜５０質量％であることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載のタッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルおよびタッチパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＰＤＡ（パーソナル・デジタル・アシスタント）、ノートＰＣ、ＯＡ機器またはカーナビゲーションシステム等の電子機器では、それらのディスプレイに入力装置としてタッチパネルが用いられるようになっている。
【０００３】
タッチパネルは、その表面を、操作者の指やペン等でタッチ（押圧）し、そのタッチ操作にかかるデータを各種処理装置に出力することで、電子機器の操作を可能とする。
タッチパネルは、キーボードに変わる入力装置であり、上述した電子機器等において、対話形式で簡便に情報入力することを可能にする。タッチパネルには、動作原理によって、抵抗膜方式、静電容量方式、赤外線方式、超音波方式および電磁誘導結合方式などがある。
【０００４】
こうしたタッチパネルでは、例えば、静電容量方式のように、所定方向に延在する複数の第１検知電極と、それと交差する方向に延在する第２検知電極とを組み合わせて、ガラスや樹脂基板等の透明基板上に配置して構成されるものがある。
【０００５】
図５は、従来のタッチパネルを示す平面図である。
【０００６】
図５に示す従来のタッチパネル１００は、絶縁性の透明な基板１０１の表面に、図面の水平方向であるＸ方向に延在する短冊状の第１検知電極１０２を配置する。そして、その裏面には、第１検知電極１０２と直交するＹ方向に延在する短冊状の第２検知電極１０３を配置する。タッチパネル１００は、第１検知電極１０２と、それに交差する第２検知電極１０３とが、絶縁性で透明な基板１０１を挟んで配置され構成されている。
【０００７】
従来のタッチパネル１００では、第１検知電極１０２および第２検知電極１０３をセンサとして静電容量を計測し、操作者の指等のタッチによって生じた静電容量の変化から、指等の接触位置を検知する。
【０００８】
こうした静電容量方式のタッチパネルとしては、図５に示す構造以外に、特許文献１に開示される構造が知られている。特許文献１に開示されるタッチパネルは、透明な基板の表面に形成された第１検知電極の上に、絶縁膜を介して第２検知電極を重畳する構造を有する。すなわち、特許文献１のタッチパネルでは、第１検知電極と第２検知電極とが、透明基板の一方の面で、絶縁膜を挟んで、異なる層に配置されている。
【０００９】
以上の構造のタッチパネルの場合、電子機器のディスプレイの入力装置として好適に使用できるように高い光透過性が求められる。その結果、タッチパネルの検知電極は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜をパターニングして形成された透明電極を用いるのが通常である。
【００１０】
しかしながら、例えば、ＩＴＯからなる検知電極の場合、ＩＴＯの低効率が高く、シート抵抗は、２００Ω／□〜１０００Ω／□が通常である。したがって、ディスプレイが大型化し、タッチパネルのサイズが大型化すると検知電極の端子間抵抗値が増大してしまう。その結果、静電容量の測定の感度が低下し、タッチパネルの構成が困難となる。
【００１１】
そこで、特許文献２には、タッチパネルの検知電極に、金属材料からなる極細帯状にパターニングされた電極を用いる技術が開示されている。
【００１２】
このようなタッチパネルを含む回路基板にパターニングされた検知電極等を形成する方法としては、特許文献２に開示されているように、フォトリソグラフィ技術を利用する方法が知られている。
【００１３】
この方法では、まず均質なベタ状の金属膜を基板上に形成する。金属膜の形成方法としては、メッキ法の他、蒸着法やスパッタ法等の利用が可能である。そして、形成された金属膜の上にレジスト液を塗布してレジスト層を形成する。次に、このレジスト層を、フォトマスクを用いて紫外線照射し、その後、現像することによりレジスト層のパターニングを行う。次いで、レジスト層で被覆されていない金属膜をエッチングして除去し、さらに残存するレジスト部分を剥離することでパターニングされた金属電極を得る。フォトリソグラフィ技術を利用する方法は、形成される電極パターンの線幅をサブミクロンオーダーにすることも可能とされ、有効なパターン形成方法となる。
【００１４】
しかしながら、金属膜の形成に用いられるメッキ法においては、通常、スパッタ法によるシード層の形成とメッキ処理が必要となる。スパッタ法は、真空中で行う必要があるので、装置や操作上の制約が大きい。また、処理に長時間を要して製造効率が低い。そして、メッキ処理は、メッキ液の廃液処理が環境上大きな問題となる。
同様に、金属膜の形成に蒸着法やスパッタ法等を用いる場合でも、真空中で膜形成を行う必要があるので、装置や操作上の制約が大きく、処理に長時間を要して効率良く金属膜を形成することができない。そして、いずれの方法においても、不要な金属膜を除去する必要がある等、原料の無駄が多く、タッチパネルの生産性が低下するという問題点があった。
【００１５】
こうしたフォトリソグラフィ技術を利用する方法に対し、近年、有機溶剤等に金属微粒子を分散させて得られた分散体を用い、パターニングされた金属電極を直接描画する技術が注目されている。例えば、金属微粒子の分散体を用い、インクジェット印刷法や、スクリーン印刷法により所望のパターンを形成する。金属微粒子の平均粒子径が数ｎｍ〜数１０ｎｍ程度である場合、バルクの金属よりも融点が降下し、３００℃程度の加熱で粒子同士の融着が起こる。前述の技術はこうした現象を利用し、金属微粒子を焼結させてパターニングされた金属電極を得る。
【００１６】
このような金属電極を形成するための組成物は、金属微粒子として、銀ナノ粒子を含有するものが知られている。
しかし、銀の場合、エレクトロマイグレーション（Ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ）が発生しやすいという問題がある。また、銀は貴金属であり、入手の容易な銅等に比べて高価な材料となる。そのため、銀ナノ粒子自体が高価であって金属膜の形成工程の高コスト化を招くといった問題がある。尚、エレクトロマイグレーションとは、電界の影響で、金属成分（例えば、配線や電極に使用した金属）が非金属媒体（例えば、絶縁物）の上や中を横切って移動する現象である。
【００１７】
また、金属微粒子を用いた技術は、低温での焼結によって金属微粒子を完全に融合させることが困難であった。そのため、焼結後に得られる金属パターンにおいて、バルク金属と比較して、所望とする電気抵抗特性、特に低抵抗化を実現できないという問題があった。
【００１８】
そこで、金属微粒子に代えて、原料として金属塩等を用いて金属電極を形成する技術が検討されている。例えば、入手の容易な銅塩と還元剤とを組み合わせて組成物を調製し、この組成物を用いて銅膜を得て、銅電極を形成する方法が知られている。
しかしながら、こうした入手の容易な銅塩を原料に用いる方法も、形成される銅膜の低抵抗化が容易ではなく、通常はバルク銅と同等まで抵抗を低下させることは難しい。
【００１９】
例えば、特許文献３および特許文献４に開示される技術では、原料となるギ酸銅とアミンとを組み合せ、微粒径銅粒子の製造を実現する。そして、製造された微粒径銅粒子を分散してインクを調製する。次いで、その微粒径銅粒子を含むインクを塗布し、塗膜をアルゴン（Ａｒ）雰囲気下、３００℃で焼成し、ライン状の銅電極を形成している。しかし、それらの特許文献には、形成される銅電極が低抵抗であるか否かは記述されていない。
したがって、こうした技術を用いて、低抵抗の検知電極を備えたタッチパネルを提供することができるかどうかは明確ではない。また、３００℃という焼成温度は、タッチパネルに用いられる基板をガラス基板等に制限し、樹脂基板の使用を困難にさせている。
【００２０】
さらに、インク塗布後の塗膜の加熱において、還元雰囲気下での加熱が必要となることがあった。還元性の雰囲気は、例えば、可燃性の水素ガスを用いる必要があり、高い生産性で簡便かつ安全に銅電極を形成できないことがある。例えば、特許文献５では、電極となる銅膜形成を、ギ酸銅とアルカノールアミンを組み合わせた組成物により実現している。しかし、銅膜形成時に、還元雰囲気下での焼成が必要とされ、大気下等での加熱のような簡便な方法によって銅電極を形成することはできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２１】
【特許文献１】特開２０１１−１８６７１７号公報
【特許文献２】特開２００６−３４４１６３号公報
【特許文献３】特開２００８−１３４６６号公報
【特許文献４】特開２００８−３１１０４号公報
【特許文献５】特開２０１０−２４２１１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
そこで、ＩＴＯ等の従来の透明電極を用いること無く、ガラス基板や樹脂基板上に、金属材料からなる低抵抗値の検知電極を配置して構成されたタッチパネルの提供が求められている。そして、ガラス基板や樹脂基板上に金属材料からなる低抵抗値の検知電極を形成するタッチパネルの製造方法が求められている。
【００２３】
より具体的には、求められるタッチパネルは、検知電極が金属材料からなり、電極形成用の組成物を用いて所望の塗布法を用いてパターニングされたものであることが好ましい。すなわち、検知電極が、原料に金属微粒子を用いることなく、銅塩等の入手の容易な材料を用いて調製された電極形成用の組成物を使用し、還元性ガス等による還元雰囲気の形成を不要として、樹脂基板上の低温の加熱でも形成が可能であるタッチパネルが求められており、そのようなタッチパネルの製造方法が求められている。
【００２４】
本発明は、以上の知見に基づいてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、金属材料からなる低抵抗値の検知電極を備えたタッチパネルを提供することにある。
【００２５】
また、本発明の目的は、金属材料からなる低抵抗値の検知電極を形成してタッチパネルを製造するタッチパネルの製造方法を提供することにある。
【００２６】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明の第１の態様は、
基板と、
その基板上に配置された検知電極を有するタッチパネルであって、
検知電極は、
（Ａ）銅塩と（Ｂ）還元剤とを含む電極形成組成物を用いて形成されることを特徴とするタッチパネルに関する。
【００２８】
本発明の第１の態様において、基板は、樹脂基板であることが好ましい。
【００２９】
本発明の第１の態様において、検知電極は、
（Ａ）銅塩に（Ａ−１）ギ酸銅またはその水和物を用い、（Ｂ）還元剤に（Ｂ−１）アミンを用いる電極形成組成物を用い、
（Ｂ−１）アミンの沸点Ｔｂｐ（℃）と下記（数式１）の関係にある温度Ｔ（℃）での加熱により形成されることが好ましい。
【００３０】
【数１】
2013156776.tif 000003
【００３１】
本発明の第１の態様において、（Ｂ−１）アミンが、下記一般式（１）、下記一般式（２）および下記一般式（３）のうちの少なくとも１つで表されることが好ましい。
【００３２】
【化１】
2013156776.tif 000004
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ３は、単結合、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ４は、水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基、アミノ基、ジメチルアミノ基、または、ジエチルアミノ基を示す。）
【００３３】
【化２】
2013156776.tif 000005
（一般式（２）中、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ７は、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ８は、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。但し、Ｒ５およびＲ６が水素原子の場合、Ｒ８はメチル基およびエチル基以外を示す。）
【００３４】
【化３】
2013156776.tif 000006
（一般式（３）中、Ｒ９、Ｒ１０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ１１は、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立に、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。）
【００３５】
本発明の第１の態様において、電極形成組成物は、（Ｃ）溶剤をさらに含むことが好ましい。
【００３６】
本発明の第１の態様において、電極形成組成物の（Ａ−１）ギ酸銅またはその水和物の含有量は、全成分の０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましい。
【００３７】
本発明の第２の態様は、
（Ａ−１）ギ酸銅またはその水和物と（Ｂ−１）アミンとを含む電極形成組成物の塗膜を基板上に形成する工程と、
（Ｂ−１）アミンの沸点Ｔｂｐ（℃）と下記（数式１）の関係にある温度Ｔ（℃）で、大気下または非酸化性雰囲気下において、その塗膜を加熱して検知電極を形成する工程と
を有することを特徴とするタッチパネルの製造方法に関する。
【００３８】
【数２】
2013156776.tif 000007
【００３９】
本発明の第２の態様において、（Ｂ−１）アミンが、下記一般式（１）、下記一般式（２）および下記一般式（３）のうちの少なくとも一つで表されることが好ましい。
【００４０】
【化４】
2013156776.tif 000008
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ３は、単結合、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ４は、水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基、アミノ基、ジメチルアミノ基、または、ジエチルアミノ基を示す。）
【００４１】
【化５】
2013156776.tif 000009
（一般式（２）中、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ７は、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ８は、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。但し、Ｒ５およびＲ６が水素原子の場合、Ｒ８はメチル基およびエチル基以外を示す。）
【００４２】
【化６】
2013156776.tif 000010
（一般式（３）中、Ｒ９、Ｒ１０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ１１は、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立に、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。）
【００４３】
本発明の第２の態様において、電極形成組成物は、（Ｃ）溶剤をさらに含むことが好ましい。
【００４４】
本発明の第２の態様において、電極形成組成物の（Ａ−１）ギ酸銅またはその水和物の含有量は、全成分の０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましい。
【発明の効果】
【００４５】
本発明の第１の態様によれば、金属材料からなる低抵抗値の検知電極を備えたタッチパネルが提供される。
【００４６】
本発明の第２の態様によれば、金属材料からなる低抵抗値の検知電極を形成してタッチパネルを製造するタッチパネルの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の第１実施形態であるタッチパネルの第１例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態であるタッチパネルの第２例の構造を示す断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態であるタッチパネルの第３例の構造を示す断面図である。
【図５】従来のタッチパネルを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
本発明では、タッチパネルを構成するにあたり、その主要な構成要素である検知電極の形成に有効な電極形成組成物を実現した。
【００４９】
この電極形成組成物は、電極形成のための原料として入手の容易な銅塩を用い、還元剤を用いて調製されたものである。
【００５０】
本発明において、銅塩とは、カチオンである銅イオンを含有する化合物のことを言う。このような銅塩には、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、亜硝酸塩、硝酸塩、亜硫酸塩、硫酸塩、亜リン酸塩、リン酸塩、ピロリン酸塩、カルボン酸塩等がある。本発明では、これらのうち、電極形成時に銅以外の成分の除去が容易なカルボン酸塩の使用が好ましい。そして、例えば、ギ酸銅、ヒドロキシ酢酸銅、グリオキシル酸銅、乳酸銅、シュウ酸銅、酒石酸銅、リンゴ酸銅およびクエン酸銅等を挙げることができる。本発明では、後述する理由により、銅塩として、特にギ酸銅の使用が好ましい。
【００５１】
また、還元剤としては、入手容易で、電極組成物に含有されて電極の形成に好適なアミンの使用が特に好ましい。
したがって本発明の電極形成組成物は、銅塩にギ酸銅を用い、還元剤にアミンを用いて調製することが可能である。
【００５２】
この電極形成組成物は、例えば、基板上に塗布して電極形成組成物の塗膜を形成し、その塗膜を加熱して銅膜を形成することができる。そして、公知の印刷方法を利用することで塗膜のパターニングが可能であり、そのパターニングされた電極形成組成物の塗膜を加熱することで、樹脂基板やガラス基板の上に、所望の形状にパターニングされた銅膜として、銅からなる検知電極を形成することができる。
【００５３】
本発明者は、鋭意検討の結果、銅塩としてギ酸銅を用い、還元剤としてアミンを使用し、ギ酸銅とともに用いるアミンの沸点Ｔｂｐ（℃）と銅膜形成時の加熱温度Ｔ（℃）とが、下記（数式１）の関係を満たす場合、形成される銅からなる検知電極において、低抵抗化を実現できることを見出した。
【００５４】
【数３】
2013156776.tif 000011
【００５５】
本実施の形態の電極形成組成物は、特に好ましい組成として、ギ酸銅とアミンを含有する場合、それらの混合により、２価の銅イオンとアミンの塩が形成され、反応系内にギ酸が発生する。このギ酸と、２価の銅イオンとアミンの塩とが熱反応して、反応系内に銅のナノ粒子が形成され、さらにこの銅のナノ粒子が加熱によって融着して銅膜として検知電極が形成されるものと解される。
【００５６】
したがって、揮発すること無く反応系内に還元剤であるアミンが留まり、安定して２価の銅イオンとの塩を形成する必要があり、アミンの沸点と銅膜形成時の加熱温度との関係が非常に重要となる。本発明者は鋭意検討を続け、上記（数式１）に示す関係を見出した。
【００５７】
例えば、還元剤となるアミンが検知電極形成反応中に揮発してしまうことがないように、加熱温度をアミンの沸点以下に設定することは通常行われる方法である。そして、銅のナノ粒子の融着を進めるため、高温での加熱を行い、そうした高温に耐えるように、高沸点のアミンを選択して用いることも通常行われる方法である。
【００５８】
しかしながら、本発明では、後に詳述するように、検知電極形成時の加熱温度が、還元剤として用いるアミンの沸点より高い場合でも、銅からなる低抵抗値の検知電極の形成を可能とする。具体的には、上記（数式１）に示すように、アミンの沸点から当該アミンの沸点より１００℃高い温度の範囲内で加熱温度を選択することにより、銅からなる低抵抗値の検知電極の形成を可能とする。
【００５９】
さらに、例えば、１００℃〜２００℃の低温の加熱条件でも、好適なアミンの選択を行って、上記（数式１）に示す関係を満足する限り、低抵抗値の検知電極を形成することができる。その結果、本発明の電極形成組成物は、例えば、２００℃以下の低温の加熱により、さらには、１００℃〜１５０℃のより低い温度での加熱によっても、低抵抗値の検知電極を形成することができる。
【００６０】
そしてさらに、本発明の電極形成組成物は、アミンを還元剤として含有して構成されており、膜形成時において、水素等の還元性ガスを用いた還元雰囲気下での加熱は特に必要としない。本発明の電極形成組成物は、大気下や、例えば、窒素やアルゴン（Ａｒ）等のガスを用いた非酸化性雰囲気下での加熱により銅膜を形成することができる。したがって、本発明の電極形成組成物は、銅膜形成時の加熱工程で爆発の危険がある水素ガスを使用すること無く、安全な加熱工程によって銅膜を形成することができる。
【００６１】
以下で、本発明の実施形態であるタッチパネルの構造について説明し、その後で主要な構成要素である検知電極を形成するための電極形成組成物と、この電極形成組成物を用いた検知電極の形成について説明する。
【００６２】
実施の形態１．
＜タッチパネル＞
本発明の第１実施形態のタッチパネルは、基板と、その基板上に配置された検知電極を有するタッチパネルである。検知電極には、ＩＴＯ等の透明導電膜から形成されたものではない、金属材料である銅からなる検知電極を用いる。本実施の形態のタッチパネルは、例えば、静電容量方式のタッチパネルとすることができる。
【００６３】
図１は、本発明の第１実施形態であるタッチパネルの第１例を示す平面図である。
【００６４】
図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【００６５】
図１に示すように、本実施形態の第１例であるタッチパネル１は、基板２上に、第１の方向に伸びる第１検知電極３と、第１の方向と異なる第２の方向に伸びる第２検知電極４とを配置して有する。
【００６６】
より具体的には、タッチパネル１は、基板２の表面に、図１の左右方向（水平方向）であるＸ方向に延在する複数の第１検知電極３を有する。複数の第１検知電極３は、基板２の表面で、所定の間隔で配列される。そして、基板２の裏面には、Ｘ方向と直交するＹ方向に延在する複数の第２検知電極４を有する。複数の第２検知電極４は、基板２の裏面に、所定の間隔で配列される。
【００６７】
第１検知電極３は、操作者によるタッチ位置のＹ方向の座標を検出するために用いられる。第２検知電極４は、操作者によるタッチ位置のＸ方向の座標を検出するために用いられる。
【００６８】
基板２は、可視光透過性を備えた透明基板とすることが好ましい。例えば、基板２はガラス基板とすることができる。
そして特に、基板２は、樹脂基板とすることもでき、その場合、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアクリルフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム、環状オレフィンの開環重合体フィルムおよびその水素添加物からなるフィルム等を用いることができる。基板２の厚みとしては、ガラス基板の場合、０．１ｍｍ〜２ｍｍとすることができる。樹脂基板の場合、１０μｍ〜２０００μｍとすることができる。
【００６９】
図１に示すように、第１検知電極３と第２検知電極４はそれぞれ、細いライン状の形状を有する。第１検知電極３と第２検知電極４はそれぞれ、上述のように所定の間隔で配置され、基板２を介して、互いに直交するように配置されている。そして、第１検知電極３と第２検知電極４はマトリクス状に配置されて、操作者がタッチ操作をするタッチパネル１の操作領域を構成する。
【００７０】
第１検知電極３および第２検知電極４はそれぞれ、銅からなるライン状の金属電極である。第１検知電極３および第２検知電極４は、本発明の実施形態の電極形成組成物を用いて形成される。
【００７１】
本発明の実施形態の電極形成組成物は、銅塩であるギ酸銅またはその水和物と、還元剤であるアミンとを含んで調製される。そして、上記基板２上に、スクリーン印刷法等、所望とする塗布法によってパターニングされた塗膜を形成した後、大気下または非酸化性雰囲気下において、アミンの沸点Ｔｂｐ（℃）と下記（数式１）の関係にある温度Ｔ（℃）での加熱によって、銅からなる第１検知電極３および第２検知電極４を形成する。
尚、本発明の実施形態の電極形成組成物については、後に詳述する。
【００７２】
【数４】
2013156776.tif 000012
【００７３】
第１検知電極３および第２検知電極４は、ライン幅が１０μｍ〜５００μｍであることが好ましく、タッチパネル１の光透過特性を向上するために、ライン幅１０μｍ〜２００μｍであることがより好ましい。
第１検知電極３および第２検知電極４の厚みは、低抵抗化を実現できるよう、０．０５μｍ〜２０μｍであることが好ましい。
【００７４】
尚、第１検知電極３および第２検知電極４それぞれの数は、図１の例に限られるものではなく、より多い数とすることや少ない数とすることが可能である。操作領域の大きさと要求されるタッチ操作の位置の検出精度にしたがい、また、タッチパネル１の光透過性を考慮して、第１検知電極３および第２検知電極４それぞれの数と配列間隔を決めることができる。
【００７５】
第１検知電極３および第２検知電極４の操作領域の外側に形成された部分は、引き出し配線として使用することができる。それぞれの端部は、接続端子（図示されない）を構成し、第１検知電極３と第２検知電極４への電圧印加や、タッチ操作の位置を検出する外部の制御回路（図示されない）に電気的に接続される。
【００７６】
尚、タッチパネル１においては、第１検知電極３の配置された基板２の表面に、第１検知電極３を覆うように、保護膜（図示されない）を配置することができる。同様に、第２検知電極４の配置された裏面側にも、第２検知電極４を覆うように、同様の保護膜を配置することができる。保護膜としては、特開２０１０−４３４号公報に記載の保護膜等を用いることができる。
【００７７】
タッチパネル１は、基板２の第２検知電極４の形成面に、例えば、アクリル系の透明接着剤からなる接着層（図示されない）を設けることができる。そして、例えば、液晶表示素子等であるディスプレイの上に取り付けることが可能である。また、基板２の第１検知電極３の形成面には、例えば、アクリル系の透明接着剤からなる接着層（図示されない）を用いて透明な樹脂からなるカバーフィルム（図示されない）を設けることが可能である。こうして、電子機器のディスプレイの入力装置として好適に使用することが可能である。
【００７８】
以上の構成を有するタッチパネル１は、ＩＴＯ等の従来の透明電極を用いること無く、金属材料からなる低抵抗値の検知電極を備えて構成される。タッチパネル１の第１検知電極３および第２検知電極４は、本発明の実施形態の電極形成組成物を用い、例えば、樹脂基板である基板２上に、スクリーン印刷等の塗布法を利用して形成されたものである。すなわち、タッチパネル１の第１検知電極３および第２検知電極４は、原料に金属微粒子を用いることなく、銅塩等の入手の容易な材料を用いて調製された電極形成組成物を使用し、還元性ガス等による還元雰囲気の形成を不要として低温の加熱でも形成が可能な検知電極である。そして、タッチパネル１の第１検知電極３および第２検知電極４は、金属材料からなり、所望の形状にパターニングされている。
【００７９】
したがって、タッチパネル１は、第１検知電極３と第２検知電極４がマトリクス状に配置された操作領域において静電容量を計測し、操作者の指等のタッチ操作があった場合に生じる静電容量の変化から、指等の接触位置を検知することができる。
【００８０】
本発明の第１実施形態であるタッチパネルでは、上述した第１例のタッチパネル１の第２検知電極４を基板２の裏面側に設けず、表面側の第１検知電極３の上に設けて、タッチパネルの第２例を構成することが可能である。
【００８１】
図３は、本発明の第１実施形態であるタッチパネルの第２例の構造を示す断面図である。
【００８２】
図３に示す本実施形態の第２例であるタッチパネル１１は、基板１２の表面に複数の第１検知電極１３を有し、絶縁層１７を介して、第２検知電極１４が重畳する構造を有する。すなわち、図１および図２に示した第１例のタッチパネル１において、裏面側に配置された第２検知電極４が、新たに設けられた絶縁層を介して表面側の第１検知電極３の上に重畳する構造を有する。第１検知電極１３および第２検知電極１４の平面配置構造は、絶縁層１７を介して第１検知電極１３と第２検知電極１４とが重畳する構造ではあるが、図１のタッチパネル１と同様となる。したがって、本実施形態の第２例であるタッチパネル１１は、基板１２の表面で、複数の第１検知電極１３がＸ方向に延在し、絶縁層１７を介して第１検知電極１３と重畳するように配置された複数の第２検知電極１４が、Ｙ方向に延在する。
【００８３】
タッチパネル１１の第１検知電極１３および第２検知電極１４は、それぞれ細いライン状の形状を有し、第２検知電極１４の配置が異なること以外、上述したタッチパネル１の第１検知電極３および第２検知電極４とそれぞれ同様のものである。すなわち、第１検知電極１３および第２検知電極１４は、本発明の実施形態の電極形成組成物を用いて形成された、銅からなるライン状の金属電極である。
【００８４】
そして、第１検知電極１３および第２検知電極１４は、図１のタッチパネル１の第１検知電極３および第２検知電極４と同様、マトリクス状に配置されて、タッチパネル１１の操作領域を構成する。そして、第１検知電極１３は、操作者によるタッチ位置のＹ方向の座標を検出するために用いられる。第２検知電極１４は、操作者によるタッチ位置のＸ方向の座標を検出するために用いられる。
【００８５】
また、基板１２もタッチパネル１の基板２と同様のものとすることができ、例えば、上記で例示した樹脂基板とすることが可能である。
【００８６】
タッチパネル１１の絶縁層１７は、第１検知電極１３と第２検知電極１４との間の絶縁性を確保するために設けられる層である。絶縁層１７は、誘電体層であって、タッチパネル１における基板２と同様の機能を果たす。絶縁層１７は、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、およびアクリルモノマー等の印刷法を用いて塗布し、必要な場合にパターニングを行った後、それを加熱硬化させて形成することができる。ポリシロキサンを用いて形成した場合には、絶縁層１７はシリコン酸化物（ＳｉＯ２）からなる無機絶縁層となる。また、アクリル系樹脂、およびアクリルモノマーを用いた場合には、絶縁層１７は樹脂からなる有機絶縁層となる。
【００８７】
尚、タッチパネル１１においては、第１検知電極１３および第２検知電極１４の配置された基板１２の表面に、第１検知電極１３および第２検知電極１４を覆うように、上述したタッチパネル１と同様の保護膜（図示されない）を配置することができる。
【００８８】
以上の構成を有するタッチパネル１１は、ＩＴＯ等の従来の透明電極を用いること無く、低抵抗値の金属材料からなる第１検知電極１３および第２検知電極１４を備えて構成される。タッチパネル１１は、第１検知電極１３と第２検知電極１４がマトリクス状に配置された操作領域において静電容量を計測し、操作者の指等のタッチ操作があった場合に生じる静電容量の変化から、指等の接触位置を検知することができる。
【００８９】
本発明の第１実施形態であるタッチパネルでは、上述した第２例のタッチパネル１１において、絶縁膜１７を第１検知電極１３と第２検知電極１４との間の交差部分にのみ設け、タッチパネルの第３例を構成することが可能である。
【００９０】
図４は、本発明の第１実施形態であるタッチパネルの第３例の構造を示す断面図である。
【００９１】
図４に示す本実施形態の第３例であるタッチパネル２１は、基板２２の表面に複数の第１検知電極２３を有し、タッチパネルの操作領域で、絶縁層２７を介して第２検知電極２４が重畳する構造を有する。すなわち、図１および図２に示した第１例のタッチパネル１において、裏面側に配置された第２検知電極４が、新たに設けられた絶縁層を介して表面側の第１検知電極３の上に重畳する構造を有する。そして、タッチパネル２１の絶縁層２７は、第１検知電極２３および第２検知電極２４の交差部分にのみ形成された構造を有する。
【００９２】
タッチパネル２１の第１検知電極２３および第２検知電極２４の平面配置構造は、絶縁層２７を介して第１検知電極２３と第２検知電極２４とが重畳する構造ではあるが、図１のタッチパネル１と同様となる。したがって、本実施形態の第３例であるタッチパネル２１は、基板２２の表面で、複数の第１検知電極２３がＸ方向に延在する。そして、絶縁層２７を介して第１検知電極２３に重畳するように配置された複数の第２検知電極２４が、Ｙ方向に延在する。
【００９３】
タッチパネル２１の第１検知電極２３および第２検知電極２４は、それぞれ細いライン状の形状を有し、上述したタッチパネル１１の第１検知電極１３および第２検知電極１４とそれぞれ同様のものであり、ひいては、上述したタッチパネル１の第１検知電極３および第２検知電極４とそれぞれ同様のものである。すなわち、第１検知電極２３および第２検知電極２４は、本発明の実施形態の電極形成組成物を用いて形成された、銅からなるライン状の金属電極である。
【００９４】
そして、第１検知電極２３および第２検知電極２４は、図１のタッチパネル１の第１検知電極３および第２検知電極４と同様、マトリクス状に配置されて、タッチパネル２１の操作領域を構成する。そして、第１検知電極２３は、操作者によるタッチ位置のＹ方向の座標を検出するために用いられる。第２検知電極２４は、操作者によるタッチ位置のＸ方向の座標を検出するために用いられる。
【００９５】
また、基板２２もタッチパネル１の基板２やタッチパネル１１の基板１２と同様とすることができ、例えば、上記で例示した樹脂基板とすることが可能である。
【００９６】
タッチパネル２１の絶縁層２７は複数が形成され、第１検知電極２３と第２検知電極２４との交差部分において、それらの間の絶縁性が確保されるように設けられている。
【００９７】
絶縁層２７は、誘電体層であって、タッチパネル１における基板２と同様の機能を果たし、第１検知電極２３と第２検知電極２４とが互いの交差部分で導通することを防止する。絶縁層２７は、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、およびアクリルモノマー等の印刷法を用いて塗布し、必要な場合にパターニングを行った後、それを加熱硬化させて形成することができる。ポリシロキサンを用いて形成した場合には、絶縁層２７はシリコン酸化物（ＳｉＯ２）からなる無機絶縁層となる。また、アクリル系樹脂、およびアクリルモノマーを用いた場合には、絶縁層２７は樹脂からなる有機絶縁層となる。
【００９８】
尚、タッチパネル２１においては、第１検知電極２３および第２検知電極２４の配置された基板２２の表面に、第１検知電極２３および第２検知電極２４を覆うように、上述したタッチパネル１やタッチパネル１１と同様の保護膜（図示されない）を配置することができる。
【００９９】
以上の構成を有するタッチパネル２１は、ＩＴＯ等の従来の透明電極を用いること無く、金属材料からなる低抵抗値の第１検知電極２３および第２検知電極２４を備えて構成される。タッチパネル２１は、第１検知電極２３と第２検知電極２４がマトリクス状に配置された操作領域において静電容量を計測し、操作者の指等のタッチ操作があった場合に生じる静電容量の変化から、指等の接触位置を検知することができる。
【０１００】
尚、本発明の第１実施形態のタッチパネルは、上述した例に限られず、基板上に本発明の実施形態の電極形成組成物を用いて形成された検知電極を備える構造であれば、他の構造を有することが可能である。例えば、１つの基板上に第１の方向に延在する第１検知電極を配置し、他の基板に第１の方向と異なる第２の方向に延在する第２検知電極を配置する。そして、それら一対の基板を、検知電極形成面が対向し、かつ第１検知電極と第２検知電極が交差するように、絶縁層となる粘着層を介して貼着し、タッチパネルを構成することが可能である。その場合、第１検知電極および第２検知電極が、本発明の実施形態の電極形成組成物を用いて形成された銅からなるライン状の検知電極となる。
【０１０１】
以上のように、本発明の第１実施形態のタッチパネルは、金属材料からなる低抵抗値の検知電極を有して構成される。タッチパネルの操作領域を構成する検知電極は、細くライン状であり、タッチパネルの光透過性が大きく低下することを抑える。したがって、本実施の形態のタッチパネルは、液晶パネル等のディスプレイパネルの上に配置されて、電子機器のディスプレイの入力装置として好適に使用できる。
次に、本発明の第１実施形態であるタッチパネルの検知電極の形成に用いられる、本発明の第２実施形態である電極形成組成物について詳しく説明する。
【０１０２】
実施の形態２． 
＜電極形成組成物＞
本実施の形態の電極形成組成物は、電極形成のための原料として入手の容易な銅塩を用い、還元剤を用いて調製されたものである。銅塩としては、カルボン酸銅であるギ酸銅を用いることができ、還元剤としては、アミンを用いることができる。すなわち、本実施の形態の電極形成組成物は、以下に説明する、ギ酸銅およびアミンを含有することができる。
【０１０３】
そして、本実施の形態の電極形成組成物は適当な基板上に塗布され、加熱されて金属膜である銅膜を形成する。本実施の形態の電極形成組成物は、多様な塗布法への適用が可能である。したがって、本実施の形態の電極形成組成物では、塗膜のパターニングが可能であり、所望の形状にパターニングされた銅膜として、タッチパネルの検知電極を形成することができる。
【０１０４】
〔ギ酸銅〕
本実施の形態の電極形成組成物は、金属銅の原料としてカルボン酸銅であるギ酸銅を含有することができ、形成される銅からなるタッチパネルの検知電極の低抵抗化を実現することができる。
【０１０５】
ギ酸銅は、無水和物でもよく、水和していてもよい。ギ酸銅の水和物としては、四水和物が知られている。以下の説明においては、「ギ酸銅」は、ギ酸銅とその水和物を含む概念とする。
【０１０６】
ギ酸銅の純度については特に限定するものではない。しかし、低純度であると、導電性の膜として検知電極を形成する際に、導電性を低下させる懸念がある。したがって、ギ酸銅の純度は９０％以上が好ましく、９５％以上がさらに好ましい。ギ酸銅は市販品の使用が可能であり、入手方法等については特に限定されない。
【０１０７】
本実施の形態の電極形成組成物中のギ酸銅の含有量としては、本実施の形態の電極形成組成物が含有する全成分の１００質量％に対して０．０１質量％〜５０質量％が好ましく、０．１質量％〜３０質量％がより好ましい。ギ酸銅の含有量を０．０１質量％〜５０質量％とすることによって、安定な電極形成組成物を得ることができ、また、優れた導電性を有する検知電極を形成できる。ギ酸銅の含有量が０．０１質量％より少ないと、低抵抗値の検知電極が形成できない場合がある。また、ギ酸銅の含有量が５０質量％を超えると安定した電極形成組成物を得ることができないことがある。
【０１０８】
〔アミン〕
本実施の形態の電極形成組成物が含有可能なアミンは、下記一般式（１）、下記一般式（２）および下記一般式（３）のうちの少なくとも１つの一般式で表されるアミンである。
【０１０９】
【化７】
2013156776.tif 000013
【０１１０】
上記一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ３は、単結合、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ４は、水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基、アミノ基、ジメチルアミノ基、または、ジエチルアミノ基を示す。
【０１１１】
【化８】
2013156776.tif 000014
【０１１２】
上記一般式（２）中、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ７は、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ８は、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。但し、Ｒ５およびＲ６が水素原子の場合、Ｒ８はメチル基およびエチル基以外を示す。
【０１１３】
【化９】
2013156776.tif 000015
【０１１４】
上記一般式（３）中、Ｒ９、Ｒ１０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ１１は、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立に、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。
【０１１５】
上記一般式（１）で表されるアミンが含む基Ｒ１およびＲ２の例としては、水素原子の他、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【０１１６】
そして、上記一般式（１）で表されるアミンが含む基Ｒ４の例としては、水素原子アミノ基、ジメチルアミノ基およびジエチルアミノ基の他、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【０１１７】
上記一般式（１）で表されるアミンの具体的な例としては、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、ステアリルアミン、イソプロピルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、イソペンチルアミン、ネオペンチルアミン、ｔｅｒｔ−ペンチルアミン、１−エチルプロピルアミン、１，１−ジメチルプロピルアミン、１，２−ジメチルプロピルアミン、１，１，２−トリメチルプロピルアミン、１，２，２−トリメチルプロピルアミン、１，３−ジメチルブチルアミン、ネオペンチルアミン、１，５−ジメチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、４−ヘプチルアミン、２−ヘプチルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロペンチルアミン等が挙げられる。
【０１１８】
上記一般式（２）で表されるアミンが含む基Ｒ５およびＲ６の例としては、水素原子の他、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【０１１９】
そして、上記一般式（２）で表されるアミンが含む基Ｒ８の例としては、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。但し、Ｒ５およびＲ６がともに水素原子である場合、Ｒ８はメチル基およびエチル基以外である。
【０１２０】
上記一般式（２）で表されるアミンの具体的な例としては、例えば、プロポキシメチルアミン、プロポキシエチルアミン、イソプロポキシプロピルアミン、プロポキシプロピルアミン、プロポキシブチルアミン、ブトキシメチルアミン、ブトキシエチルアミン、ブトキシプロピルアミン、（エチルヘキシルオキシ）プロピルアミン、イソブトキシプロピルアミン、ブトキシブチルアミン、オキシビス（エチルアミン）等が挙げられる。
【０１２１】
上記一般式（３）で表されるアミンが含む基Ｒ９およびＲ１０の例としては、水素原子の他、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【０１２２】
そして、上記一般式（３）で表されるアミンが含む基Ｒ１２およびＲ１３の例としては、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【０１２３】
上記一般式（３）で表されるアミンの具体的な例としては、例えば、アミノアセトアルデヒドジエチルアセタール等が挙げられる。
【０１２４】
本実施の形態の電極形成組成物は、これらの上記一般式（１）、上記一般式（２）および上記一般式（３）の少なくとも１つの一般式で表されるアミンよりなる群より選ばれる１種、または互いに相溶性のある２種以上を組み合わせて用いることが好ましい。これらのアミンは、市販品の使用が可能であり、入手方法等については特に限定されない。
【０１２５】
アミンの純度については特に限定するものではないが、タッチパネルの検知電極形成のための電子材料分野で使用されることを考慮し、不純な含有物を低減するように、９５％以上が好ましく、９９％以上がさらに好ましい。
【０１２６】
アミンの含有量としては、本実施の形態の電極形成組成物が含有する全成分の１００質量％に対して０．１質量％〜９９．９９質量％が好ましく、１質量％〜９９．９質量％がより好ましく、２質量％〜７０．０質量％がさらに好ましい。アミンの含有量を０．１質量％〜９９．９９質量％とすることによって、優れた導電性を有する銅膜を形成し、低抵抗値の検知電極を形成できる。アミンの含有量を１質量％〜９９．９質量％とすることによって、より低い抵抗値の検知電極を形成することができる。２質量％〜７０．０質量％とすることによって、低い抵抗値の検知電極の形成を達成できるとともに、生産性に優れた電極形成組成物を調製することができる。
【０１２７】
〔溶剤〕
本実施の形態の電極形成組成物において、溶剤を成分として添加することが可能である。溶剤を添加して電極形成組成物中に含有させることにより、電極形成組成物の均一性が向上し、安定した物性の銅膜として検知電極を形成することが可能となる。
【０１２８】
添加する溶剤としては、上述したギ酸銅およびアミンを用いる場合、それら混合した後、それらを溶解し、それらと反応しないものであれば、特に限定されない。例えば、水、アルコール類、グリコール類、エーテル類、エステル類、脂肪族炭化水素類および芳香族炭化水素類から選ばれる１種の他、相溶性のあるそれら２種以上の混合物が挙げられる。
【０１２９】
溶剤の具体例について、アルコール類としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール（１−プロパノール）、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール（１−ブタノール）、ｉ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノニルアルコール、デカノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ターピネオール等が挙げられる。
【０１３０】
グリコール類としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ペンタンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等が挙げられる。
【０１３１】
また、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル等の（ポリ）アルキレングリコールモノアルキルエーテル類；
酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、酢酸エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸３−メチル−３−メトキシブチル等の酢酸（ポリ）アルキレングリコールモノアルキルエーテル類；
ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等の他のエーテル類；
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、ジアセトンアルコール（４−ヒドロキシ−４−メチルペンタン−２−オン）、４−ヒドロキシ−４−メチルヘキサン−２−オン等のケトン類；
プロピレングリコールジアセテート、１，３−ブチレングリコールジアセテート、１，６−ヘキサンジオールジアセテート等のジアセテート類；
乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸アルキルエステル類；
酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、ぎ酸ｎ−ペンチル、酢酸ｉ−ペンチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、プロピオン酸ｎ−ブチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、酪酸エチル、酪酸ｎ−プロピル、酪酸ｉ−プロピル、酪酸ｎ−ブチル、ヒドロキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸ｎ−プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、２−オキソ酪酸エチル等の他のエステル類が挙げられる。
【０１３２】
脂肪族炭化水素類としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン、シクロヘキサン、デカリン等が挙げられる。
【０１３３】
芳香族炭化水素類としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、メシチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等が挙げられる。
さらに、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類等を挙げることができる。
【０１３４】
本実施の形態の電極形成組成物の成分として、これらの溶剤よりなる群より選ばれる１種、または互いに相溶性のある２種以上を組み合わせて用いることが好ましい。
【０１３５】
本実施の形態の電極形成組成物に含有される溶剤の含有量は特に制限されないが、本実施の形態の電極形成組成物が含有する全成分の１００質量％に対して０質量％〜９５質量％の範囲であることが好ましく、０質量％〜９０質量％の範囲とするのがより好ましい。
【０１３６】
〔その他任意成分〕
本実施の形態の電極形成組成物は、例えば、ギ酸銅である銅塩、および、例えば、アミンである還元剤に加え、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他任意成分として、分散剤、酸化防止剤、濃度調整剤、表面張力調整剤、粘度調整剤、塗膜形成補助剤を含有することが可能である。
【０１３７】
その他任意成分については、所望とする特性を備えているものであれば、特に制限するものではない。例えば、上述した各成分が溶解して反応をしない溶剤の中から選択し、その他任意成分として含有させることも可能である。そして、その溶剤を添加することにより、電極形成組成物を所望の濃度、表面張力、粘度となるよう調製することができる。
【０１３８】
本実施の形態の電極形成組成物におけるその他任意成分の含有量は特に制限はないが、本実施の形態の電極形成組成物が含有する全成分の１００質量％に対して０質量％〜５０質量％の範囲であることが好ましく、０質量％〜２０質量％の範囲とするのがより好ましい。その他任意成分の含有量が５０質量％を超えるように添加されても、含有量に対応するような、その他任意成分による効果は得られない。さらに、電極形成組成物の単位重量当たりの金属銅の形成量が低下し、所望とする特性の検知電極を高い製造効率で形成できないおそれがある。
【０１３９】
〔電極形成組成物の調製〕
［調整方法］
本実施の形態の電極形成組成物は、銅塩および還元剤を混合して調製することができ、上述したギ酸銅およびアミンを用いる場合、それらを混合することで、簡便に調製することができる。混合する順序は特に限定するものではない。
【０１４０】
電極形成組成物の製造方法において、上述したように溶剤を添加することが可能である。添加する溶剤としては、上述したように、例えば、ギ酸銅である銅塩および、例えば、アミンである還元剤を混合した後、それらを溶解し、それらと反応しないものであれば特に限定はされない。溶剤として、例えば、水、アルコール類、グリコール類、エーテル類、エステル類、脂肪族炭化水素類および芳香族炭化水素類等から選ばれる１種、または相溶性のある２種以上の混合物を添加することが可能である。
【０１４１】
本実施の形態の電極形成組成物の調製において、その他任意成分として、上述した分散剤、酸化防止剤、濃度調整剤、表面張力調整剤、粘度調整剤等を添加することができる。その他任意成分は、例えば、ギ酸銅である銅塩、および、例えば、アミンである還元剤を混合した後に添加することができる。そして、その他任意成分は、他の成分とともに溶解され、例えば、銅塩として用いたギ酸銅等と反応すること無く、本実施の形態の電極形成組成物が所望の濃度、表面張力、粘度等となるように調整する。
【０１４２】
［混合方法］
本実施の形態の電極形成組成物の調製において、混合方法としては、特に限定するものではないが、例えば、撹拌羽による撹拌、スターラーおよび撹拌子による撹拌、超音波ホモジナイザー、ビーズミル、ペイントシェーカー、攪拌脱泡装置等を使用した混合方法が挙げられる。
【０１４３】
実施の形態３．
＜タッチパネルの製造方法＞
本発明の第３実施形態であるタッチパネルの製造方法は、基板とその基板上に配置された検知電極を有する第１実施形態のタッチパネルの製造に好適である。そして、第３実施形態であるタッチパネルの製造方法は、上述した本発明の第２実施形態の電極形成組成物を用いて基板上に検知電極を形成する工程を主要な工程として含む。電極形成組成物としては、銅塩としてカルボン酸銅であるギ酸銅を用い、還元剤としてアミンを用いたものの使用が好ましい。
以下、ギ酸銅とアミンを含有する電極形成組成物を用いた、本実施形態のタッチパネルの製造方法について説明する。
【０１４４】
第３実施形態であるタッチパネルの製造方法では、上述したように、ギ酸銅およびアミンを含有した第２実施形態の電極形成組成物を用いて基板上に検知電極を形成することができる。すなわち、第２実施形態の電極形成組成物を後述する適当な基板上に塗布し、大気下（以下、空気雰囲気下とも言う。）または非酸化性雰囲気下で、後の詳述する温度条件で加熱することにより、当該基板上に銅膜として、銅からなる検知電極を簡便に形成することができる。
【０１４５】
第３実施形態であるタッチパネルの製造方法では、基板上に塗布された第２実施形態の電極形成組成物の塗膜を加熱することによって、電極形成組成物に含有される２価の銅イオンが還元され、金属銅を形成する。同時に、上記塗膜中に含有される有機物は、加熱によって揮発するか、または分解してから揮発して除去される。こうして形成される銅膜は、タッチパネルの検知電極に用いることができ、ひいてはタッチパネルの製造に好適なものとなる。
【０１４６】
以上から、本実施形態のタッチパネルの製造方法は、［１］ギ酸化銅（またはその水和物）と、下記一般式（１）、下記一般式（２）および下記一般式（３）のうちの少なくとも１つで表されるアミンとを含む、第２実施形態の電極形成組成物の塗膜を基板上に形成する工程（以下、［１］工程とも言う。）を有する。
【０１４７】
【化１０】
2013156776.tif 000016
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ３は、単結合、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ４は、水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基、アミノ基、ジメチルアミノ基、または、ジエチルアミノ基を示す。）
【０１４８】
【化１１】
2013156776.tif 000017
（一般式（２）中、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ７は、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ８は、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。但し、Ｒ５およびＲ６が水素原子の場合、Ｒ８はメチル基およびエチル基以外を示す。）
【０１４９】
【化１２】
2013156776.tif 000018
（一般式（３）中、Ｒ９、Ｒ１０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ１１は、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立に、炭素数１から１８のアルキル基、または、炭素数３から１８の脂環式炭化水素基を示す。）
【０１５０】
そして、本実施形態のタッチパネルの製造方法は、［１］工程の後に、［２］大気下または非酸化性雰囲気下において、［１］工程で形成された第２実施形態の電極形成組成物の塗膜を加熱する工程（以下、［２］工程とも言う。）を有する。
【０１５１】
そして、本実施形態のタッチパネルの製造方法では、［１］工程で用いる電極形成組成物に含有される、上記一般式（１）、上記一般式（２）および上記一般式（３）のうちの少なくとも１つで表されるアミンの沸点Ｔｂｐ（℃）と、［２］工程の塗膜を加熱する温度Ｔ（℃）とが、下記（数式１）で表される関係を満足する。［２］工程での塗膜の加熱について、こうした条件を設けることによって、本実施形態のタッチパネルの製造方法は、［２］工程の加熱温度が２００℃以下の比較的低温である場合でも、基板上に銅からなる低抵抗値の検知電極を形成することができる。そして、低抵抗値の検知電極を有するタッチパネルを製造することができる。
【０１５２】
【数５】
2013156776.tif 000019
【０１５３】
〔基板〕
本実施形態のタッチパネルの製造方法において、［１］工程で第２実施形態の電極形成組成物の塗膜を形成する基板は、タッチパネルの主要な構成部分をなす。したがって、可視光透過性を備えた透明な基板の使用が好ましい。そのような透明な基板としては、公知の透明材料からなる透明な基板を用いることができる。
【０１５４】
本実施形態のタッチパネルの製造方法において用いられ、タッチパネルの主要部を構成する透明な基板には、例えば、ガラス基板を用いることができる。より具体的には、ソーダガラス基板、ホウケイ酸ガラス基板、シリカガラス基板、石英ガラス基板等を挙げることができる。
【０１５５】
また、そのような透明な基板は、樹脂基板とすることができる。樹脂基板としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアクリルフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム、環状オレフィンの開環重合体フィルムおよびその水素添加物からなるフィルム等を挙げることができる。
【０１５６】
〔塗布方法〕
本実施形態のタッチパネルの製造方法において、［１］工程で第２実施形態の電極形成組成物を基板に塗布してその塗膜を形成する方法としては、公知の方法を用いることができ、特に限定はされない。例えば、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、キャスト法、バーコーティング法、スリットコーティング法、スピンコーティング法、ディスペンサーでの塗布法等が挙げられる。その中でも、スクリーン印刷法、インクジェット印刷、オフセット印刷、ディスペンサーでの塗布法等、タッチパネルの検知電極の形状が所望のものとなるように、電極形成組成物の塗膜を容易にパターニングできる塗布方法が好ましい。電極形成組成物を基板に塗布する塗布量としては、所望する導電膜の膜厚に応じて適宜調整することができる。
【０１５７】
〔検知電極形成の雰囲気と加熱条件〕
本実施形態のタッチパネルの製造方法において、［２］工程における、電極形成組成物の塗膜から検知電極を形成するための加熱は、上述したように、水素ガス等の還元性ガスを用いた還元雰囲気下で行う必要は特になく、空気雰囲気下または非酸化性雰囲気下で行うことができる。例えば、［１］工程で基板上に形成された電極形成組成物の塗膜を、窒素雰囲気下で加熱して、その基板上に検知電極を形成することができる。
【０１５８】
非酸化性雰囲気としては、窒素雰囲気、ヘリウム雰囲気、アルゴン雰囲気等が挙げられる。これらの中でも、安価な窒素ガスを用いることができる窒素雰囲気が好ましく、窒素雰囲気下で加熱することにより、基板上に検知電極を形成することが好ましい。すなわち、第２実施形態の電極形成組成物を用い、水素ガス等の還元性ガスを用いた還元雰囲気を形成すること無く、安全な状態で加熱することにより銅膜として銅からなる検知電極を形成することができる。
【０１５９】
［２］工程における塗膜の加熱温度（Ｔ（℃））については、上述したように、銅イオンが還元剤により還元され、有機物が揮発または分解してから揮発する温度であればよく、特に限定するものではない。例えば、５０℃〜３００℃の範囲が好ましく、１００℃〜２５０℃の範囲がより好ましい。低温での加熱により基板上に検知電極を形成しようとする場合、電極形成組成物のアミン成分の選択を好適に行って、５０℃〜２００℃の範囲とすることができ、１００℃〜２００℃の範囲とすることが好ましい。加熱温度が５０℃未満であると、ギ酸銅の還元が完全に進行せず、また有機物の残存が顕著になる場合があり、３００℃を超えるとタッチパネルの基板として樹脂基板等の有機基板を利用できなくなるおそれがある。
【０１６０】
そして、本実施形態のタッチパネルの製造方法の［２］工程の加熱温度（Ｔ（℃））は、上記の好ましい温度範囲の中で、電極形成組成物に含有されるアミンの沸点Ｔｂｐ（℃）との関係が、上記（数式１）を満足するように設定される。
【０１６１】
また、本実施形態のタッチパネルの製造方法では、逆に、まず上記の好ましい範囲内で［２］工程の加熱温度（Ｔ（℃））を決め、それに合わせて上記（数式１）を満足する沸点（Ｔｂｐ（℃））を有する、上記一般式（１）、上記一般式（２）および上記一般式（３）のうちの少なくとも１つで表されるアミンを選択し、電極形成組成物の調製に用いることも可能である。そして、そうして調整された電極形成組成物を使用して、上記各工程に従って、基板上に検知電極を形成してタッチパネルを製造することが可能である。
【０１６２】
［２］工程における加熱時間は、電極形成組成物の含有する溶剤種を考慮して、形成される検知電極の導電性（抵抗値）を向上できるように適宜選択すればよく、特に限定するものではない。そして、［２］工程において、２００℃程度の低温の加熱温度を設定した場合には、１分間〜３０分間程度とすることが好ましい。
【０１６３】
尚、［２］工程の後に、基板上に銅からなる低抵抗値の検知電極を形成した後、検知電極の配置された基板の面に、その検知電極を覆うよう、保護膜を形成する工程を設けることが可能である。保護膜については、特開２０１０−４３４号公報に記載の保護膜等とすることができる。すなわち、特開２０１０−４３４号公報に記載されるように、反応性官能基を有するポリマー等を含む保護膜形成用の組成物を用い、検知電極の配置された基板の面に、その検知電極を覆うよう、組成物の塗膜を形成し、次いで、その塗膜を加熱などの手段によって硬化させて保護膜を形成することができる。
【０１６４】
以上の本実施形態のタッチパネルの製造方法により、銅からなり、優れた抵抗値特性を有する所望形状の検知電極を基板上に形成し、その検知電極を備えたタッチパネルを提供することができる。
【実施例】
【０１６５】
以下、実施例に基づいて本発明の実施形態をより具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
本実施例では、まずタッチパネルの検知電極形成に好適な電極形成組成物を調製した。そして、得られた電極形成組成物を用いて、ガラス基板上に、タッチパネルの検知電極に対応する銅電極を形成し、その抵抗特性を評価した。次に、好適な電極形成組成物を用いてタッチパネルを製造した。
【０１６６】
＜実施例１〜４０および比較例１〜１５＞
〔電極形成組成物の調製〕
実施例１〜実施例４０および比較例１〜比較例１５では、表１、表２および表３に示す種類、配合量（表中には、添加量（ｗｔ％）として記載。）の各成分（ギ酸銅、アミン、および必要に応じて添加される溶剤）を混合し、電極形成組成物を調製した。表１、表２および表３の欄中の「−」は該当する成分を使用しなかったことを表す。
【０１６７】
表１、表２および表３には、得られた電極形成組成物から銅電極を形成するときの加熱温度（以下、焼成温度とも言う。尚、各表中には、焼成温度と記載する。）および焼成雰囲気を併せて示している。焼成温度は、１２０℃の比較的低い温度から３００℃までの広い範囲の温度が選択されている。そして、実施例１〜実施例４０では、各電極形成組成物の含有するアミンの沸点（各表中には、沸点と略記する。）（Ｔｂｐ（℃））と加熱温度（焼成温度）（Ｔ（℃））が、上述した（数式１）の関係を満足している。
【０１６８】
実施例１〜実施例４０および比較例１〜比較例１５において、電極形成組成物の調製に用いたギ酸銅、アミンおよび溶剤は、全て市販品を用いた。そして、ギ酸銅については、ギ酸銅・４水和物を用いた。
【０１６９】
〔銅電極の形成〕
実施例１〜実施例４０および比較例１〜比較例１５では、調製された電極形成組成物を用い、基板である縦１５０ｍｍ、横１５０ｍｍの正方形状の無アルカリガラス基板上に、バーコーターを用いて塗布し、縦５０ｍｍ、横１００ｍｍの長方形状にパターニングされた均一な塗膜を形成した。次に、ホットプレートを用い、焼成雰囲気を、水素ガス等の還元性ガスを用いた還元雰囲気とすること無く、表１、表２および表３に示すように、窒素雰囲気（各表中には、窒素下と記載する。）または空気雰囲気（各表中には、大気下と記載する。）とし、前述の塗膜の形成されたガラス基板を、表１、表２および表３に示す温度（各表中には、焼成温度として示す。）で１０分間加熱処理した。そして、膜厚が約０．１μｍ〜２０μｍ程度の上記形状にパターニングされた銅膜として銅電極を形成した。
【０１７０】
〔評価〕
［体積抵抗値測定］
実施例１〜実施例４０および比較例１〜比較例１５では、調製した電極形成組成物を用いて上述のように銅電極を形成し、それらの比抵抗値（体積抵抗値（μΩ・ｃｍ））を評価した。比抵抗値の測定は、四探針抵抗測定機（商品名：Ｍｏｄｅｌ  ｓｉｇｍａ−５、ＮＰＳ社）を用いて行った。評価結果は、表１、表２および表３に示す。尚、表３における体積抵抗値欄中の「−」は、銅電極が形成されなかったか、または形成された膜において導通が確認できなかったことを示す。
【０１７１】
【表１】
2013156776.tif 000020
【０１７２】
【表２】
2013156776.tif 000021
【０１７３】
【表３】
2013156776.tif 000022
【０１７４】
表１および表２に示すように、実施例１〜実施例４０では、調製した電極形成組成物を用いて銅電極を形成することができ、また得られた銅電極は、非常に低い値の体積抵抗値を示すことがわかった。また、実施例１〜実施例４０では、調製した電極形成組成物が、水素ガス等の還元性ガスを用いた還元雰囲気を形成することなく、低抵抗値の銅電極を形成できることがわかった。
さらに、実施例３と実施例２６の場合、調製した電極形成組成物は、空気雰囲気下（大気下）での焼成により銅電極を形成することができ、また得られた銅電極は、低い値の体積抵抗値を示すことがわかった。
【０１７５】
特に、実施例１〜実施例２８の場合、調製した電極形成組成物は、２００℃以下の加熱温度（焼成温度）で銅電極を形成することができ、また得られた銅電極は、非常に低い値の体積抵抗値を示すことがわかった。実施例１〜実施例２８の場合、調製した電極形成組成物は、比較的低温の加熱により、低抵抗値の銅電極を形成できることがわかった。すなわち、実施例１〜実施例２８の場合、調製した電極形成組成物は、特に、樹脂基板上に検知電極を形成してタッチパネルを構成するのに好適であることがわかった。
【０１７６】
また、実施例１１、実施例２５および実施例２６の場合、調製した電極形成組成物の焼成温度が、電極形成組成物に含有されるアミンの沸点より低く設定されているが、低抵抗値の銅電極を形成できることがわかった。それ以外の実施例では、電極形成組成物の焼成温度が、電極形成組成物に含有されるアミンの沸点より高く設定されているが、低抵抗値の銅電極を形成できることがわかった。
【０１７７】
表３に示すように、比較例１では、調製した電極形成組成物がアミンを含有せず、その結果、銅電極の形成ができないことがわかった。
【０１７８】
また、比較例２〜比較例１１では、調製した各電極形成組成物が含有するアミンの沸点（アミン沸点）（Ｔｂｐ（℃））と、銅電極形成のための加熱温度（焼成温度）（Ｔ（℃））が、上述した（数式１）の関係を満足しておらず、低抵抗値の銅電極を形成できないか、または低抵抗化できても実施例に比べて劣ることがわかった。特に、比較例４、比較例６、比較例７および比較例１１では、各電極形成組成物を高温の焼成温度で焼成しているにも関わらず、実施例に比べて劣ることがわかった。
【０１７９】
さらに、比較例１２〜比較例１５では、調製した各銅膜形成用組成物の含有するアミンが、上述した上記一般式（１）、上記一般式（２）および上記一般式（３）のうちの少なくとも１つの一般式で表されるアミンに該当せず、形成される銅電極は低抵抗化されても、実施例と比べて劣ることがわかった。
【０１８０】
＜実施例４１＞
〔タッチパネルの製造〕
実施例２で調製した電極形成組成物を用い、基板である縦１５０ｍｍ、横１５０ｍｍの正方形状の無アルカリガラス基板の表面に、スクリーン印刷法を利用して塗布し、複数のライン状にパターニングされた均一な塗膜を形成した。次に、ホットプレートを用い、焼成雰囲気を窒素雰囲気とし、前述の塗膜の形成されたガラス基板を１２０℃で１０分間加熱処理した。そして、基板の表面にパターニングされた銅電極として第１検知電極を形成した。次に同様の電極形成組成物を用い、上記と同様の方法で、その基板の裏面にパターニングされた銅電極として第２検知電極を形成し、タッチパネルを製造した。こうして製造されたタッチパネルは、図１および図２に示したタッチパネル１と同様の構造を有する。
【０１８１】
次に、製造されたタッチパネルを用い、第１検知電極および第２検知電極の端部を、タッチ操作の位置を検出するための外部の制御回路に接続した。そして、第１検知電極と第２検知電極とがマトリクス状に配置された操作領域において静電容量を計測し、操作者の指等のタッチ操作があった場合に生じる静電容量の変化から、タッチ操作の有無を確認し、併せてそのタッチ操作の位置を確認した。
【０１８２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、タッチパネルの構造については、従来、ＩＴＯ等の透明検知電極を用いて構成されていたものを、本発明の銅からなるライン状の検知電極に置き換えて構成することが可能であり、新たな構造のタッチパネルを提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１８３】
本発明のタッチパネルは、ＩＴＯ等からなる高抵抗で低透過率の材料を用いた従来の電極を用いること無く、金属材料からなる低抵抗値の検知電極を用いて構成されたものである。したがって、携帯用の小型電子機器のディスプレイの入力装置として用いることができるほか、従来のＩＴＯ等からなる電極を用いることが困難な、据え置き型の大型電子機器のディスプレイの高信頼性の入力装置としても好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１８４】
１、１１、２１、１００    タッチパネル
２、１２、２２、１０１    基板
３、１３、２３、１０２    第１検知電極
４、１４、２４、１０３    第２検知電極
１７、２７    絶縁層
【図１】
2013156776.tif 000032
【図２】
2013156776.tif 000033
【図３】
2013156776.tif 000034
【図４】
2013156776.tif 000035
【図５】
2013156776.tif 000036