(57)【要約】【課題】接合信頼性を大きく低下させることなく、基板にＩＣなどの電子部品を内蔵することができる部品内蔵基板を提供する。【解決手段】ビア導体９が設けられた層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇにＩＣパッケージ１０が内蔵された部品内蔵基板６において、ＩＣパッケージ１０は、ＩＣチップ２ｂと、ＩＣチップ２ｂの一方主面に形成されたポスト電極１２と、ＩＣチップ２ｂの一方主面およびポスト電極１２を覆うように、ポスト電極１２のＩＣチップ２ｂの一方主面からの高さよりも厚く設けられた封止樹脂層１３とを備え、封止樹脂層１３のＩＣチップ２ｂとの非対向面側からポスト電極１２の他方端面が露出する凹部が形成され、ビア導体９は、凹部内において、凹部内に露出したポスト電極１２の他方端面と接続され、封止樹脂層１３に積層された層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇの一部が凹部に入り込んでいる。【選択図】図２
2013157371.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間接続用のビア導体が設けられた熱可塑性樹脂からなる層間絶縁用樹脂層にＩＣパッケージが内蔵された部品内蔵基板において、
前記ＩＣパッケージは、ＩＣチップと、前記ＩＣチップの一方主面に形成された入出力パッド電極にその一方端面が接続されたポスト電極と、前記ＩＣチップの一方主面および前記ポスト電極を覆うように、前記ポスト電極の前記ＩＣチップの一方主面からの高さよりも厚く設けられた封止樹脂層とを備え、
前記封止樹脂層の前記ＩＣチップとの非対向面側から前記ポスト電極の他方端面が露出する凹部が形成され、
前記ビア導体は、前記凹部内において、前記凹部内に露出した前記ポスト電極の前記他方端面と直接接続され、
前記封止樹脂層に積層された前記層間絶縁用樹脂層の前記熱可塑性樹脂の一部が前記凹部に入り込んでいる
ことを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項２】
前記凹部に露出するポスト電極の前記他方端面が、前記ビア導体の前記ポスト電極との接続面よりも大きく形成され、
前記ビア導体の前記接続面の全面が前記ポスト電極の前記他方端面と直接接続され、
前記凹部内において、前記ビア導体の外周面と前記凹部の内周面との間に全周に渡る隙間があり、該隙間が前記熱可塑性樹脂により充填されていることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板。
【請求項３】
前記封止樹脂層を形成する樹脂が、前記層間絶縁用樹脂層を形成する樹脂よりも高い硬度を有することを特徴とする請求項１または２に記載の部品内蔵基板。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の部品内蔵基板を製造する製造方法において、
前記ＩＣパッケージを準備する準備工程と、
前記ＩＣパッケージを埋設するための凹部を有する第１積層体を、前記熱可塑性樹脂からなる樹脂層を積層することにより形成する第１積層工程と、
前記第１積層体の凹部に前記ＩＣパッケージを埋設するＩＣ埋設工程と、
前記第１積層体の凹部と該凹部に埋設された前記ＩＣパッケージとを覆う第２積層体を、前記熱可塑性樹脂からなる樹脂層を積層することにより形成する第２積層工程と、
前記第１積層体と前記第２積層体との一体化、および、前記ポスト電極の他方端面と前記ビア導体の前記一方端面との接続を熱圧着により行う熱圧着工程と
を備えることを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱可塑性樹脂からなる層間絶縁用樹脂層に部品が内蔵された部品内蔵基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機などの電子機器の小型化に伴って、その内部に搭載されるモジュールの小型化が要求されている。そこで、従来では、図５に示すように、配線基板の表面に実装される電子部品を配線基板に内蔵することにより、モジュールの小型化を図る技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
この場合、主面上に配線パターン５０１が形成されるとともに内部に層間接続用のビア導体５０３が形成された熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルム５０４をＩＣ５０５などの電子部品を内蔵した状態で積層することにより部品内蔵多層基板５００を形成し、ＩＣ５０５の能動面に形成された電極５０６と樹脂フィルム５０４に形成されたビア導体５０３とが直接接続されることにより、ＩＣ５０５の電極５０６と樹脂フィルム５０４に形成された配線パターン５０１とがビア導体５０３を介して電気的に接続される。このように、ＩＣ５０５を樹脂フィルム５０４の積層体に内蔵することで、実装密度を高めることができ、モジュールの小型化を実現できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−９３４３９号（段落００２４〜００２７、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した部品内蔵多層基板５００を形成する樹脂は、樹脂層の一括積層・圧着が可能であり、いわゆるシート多層プロセスを利用できるため、生産性が高いこと、また、一括積層・圧着時の温度が比較的低いことから、樹脂層の積層・圧着時におけるＩＣへの熱ダメージを軽減できることなどの理由により、熱可塑性の樹脂が用いられる場合がある。
【０００６】
しかし、熱可塑性樹脂は、焼結金属からなるビア導体と比較して柔らかいため、上記した従来技術の部品内蔵多層基板５００のように、樹脂層（樹脂フィルム５０４）の内部に形成されたビア導体５０３とＩＣ５０５の電極５０６とを直接接続させる構造では、部品内蔵多層基板５００を誤って落下させた場合など、外部から衝撃が加わると、その時に発生する部品内蔵多層基板５００内の応力が、ビア導体５０３とＩＣ５０５の電極と５０６の接続面に集中しやすく、ビア導体５０３とＩＣ５０５の電極５０６との接合信頼性が低くなるという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、接合信頼性を大きく低下させることなく、基板にＩＣなどの電子部品を内蔵することができる部品内蔵基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した目的を達成するために、本発明の部品内蔵基板は、層間接続用のビア導体が設けられた熱可塑性樹脂からなる層間絶縁用樹脂層にＩＣパッケージが内蔵された部品内蔵基板において、前記ＩＣパッケージは、ＩＣチップと、前記ＩＣチップの一方主面に形成された入出力パッド電極にその一方端面が接続されたポスト電極と、前記ＩＣチップの一方主面および前記ポスト電極を覆うように、前記ポスト電極の前記ＩＣチップの一方主面からの高さよりも厚く設けられた封止樹脂層とを備え、前記封止樹脂層の前記ＩＣチップとの非対向面側から前記ポスト電極の他方端面が露出する凹部が形成され、前記ビア導体は、前記凹部内において、前記凹部内に露出した前記ポスト電極の前記他方端面と直接接続され、前記封止樹脂層に積層された前記層間絶縁用樹脂層の前記熱可塑性樹脂の一部が前記凹部に入り込んでいることを特徴としている。
【０００９】
このような構成によれば、ＩＣチップの入出力パッド電極に接続されたポスト電極とビア導体との接続部は、封止樹脂層に設けられた凹部内にあり、部品内蔵基板に外部から衝撃が加わった場合でも、その衝撃から生じる基板内の応力は、各層間絶縁用樹脂層間の界面および封止樹脂層と層間絶縁用樹脂層との接着界面に集中するため、ポスト電極とビア導体との接続部にかかる応力を緩和することができる。そのため、接合信頼性が高く、耐衝撃性に優れた部品内蔵基板を提供することができる。
【００１０】
また、前記凹部に露出するポスト電極の前記他方端面が、前記ビア導体の前記ポスト電極との接続面よりも大きく形成され、前記ビア導体の前記接続面の全面が前記ポスト電極の前記他方端面と直接接続され、前記凹部内において、前記ビア導体の外周面と前記凹部の内周面との間に全周に渡る隙間があり、該隙間が前記熱可塑性樹脂により充填されていることが好ましい。
【００１１】
このような構成によれば、ポスト電極とビア導体との接合部の全面が熱可塑性樹脂により保護され、さらにビア導体とポスト電極との接合信頼性の向上が図れる。
【００１２】
また、前記封止樹脂層を形成する樹脂が、前記層間絶縁用樹脂層を形成する樹脂よりも高い硬度を有することが好ましい。
【００１３】
このような構成によれば、高い硬度を有する封止樹脂層が、ポスト電極とビア導体との接続部を保護することにより、より一層、接合信頼性の高い部品内蔵基板を提供することができる。
【００１４】
また、請求項１ないし３のいずれかに記載の部品内蔵基板を製造する製造方法において、前記ＩＣパッケージを準備する準備工程と、前記ＩＣパッケージを埋設するための凹部を有する第１積層体を、前記熱可塑性樹脂からなる樹脂層を積層することにより形成する第１積層工程と、前記第１積層体の凹部に前記ＩＣパッケージを埋設するＩＣ埋設工程と、前記第１積層体の凹部と該凹部に埋設された前記ＩＣパッケージとを覆う第２積層体を、前記熱可塑性樹脂からなる樹脂層を積層することにより形成する第２積層工程と、前記第１積層体と前記第２積層体との一体化、および、前記ポスト電極の他方端面と前記ビア導体の前記一方端面との接続を熱圧着により行う熱圧着工程とを備えるようにしてもよい。
【００１５】
このような構成によれば、第１積層体と第２積層体との一体化、および、ポスト電極の端面とビア導体の端面との接合を熱圧着により一括して行なうため、ポスト電極とビア導体との接合信頼性の高い部品内蔵基板を効率よく生産することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ＩＣパッケージに設けられた封止樹脂層のＩＣチップとの非対向面側からポスト電極の端面が露出する凹部を形成することにより、層間絶縁用樹脂層に形成されたビア導体とＩＣチップの入出力パッド電極と接続されたポスト電極との接続部が封止樹脂層の凹部内に位置することになるため、外部からの衝撃により生じる部品内蔵基板内の応力が各層間絶縁用樹脂層間の界面および封止樹脂層と層間絶縁用樹脂層との接着界面に集中し、ポスト電極とビア導体との接続部にかかる応力を緩和することができる。そのため、接合信頼性が高く、耐衝撃性に優れた部品内蔵基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態にかかる部品内蔵基板を備えるモジュールの回路の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる部品内蔵基板を備えるモジュールの断面図である。
【図３】図２のＡ領域の拡大図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる部品内蔵基板の製造方法の説明図である。
【図５】従来の部品内蔵基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の一実施形態にかかる部品内蔵基板について、図１〜図３を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態にかかる部品内蔵基板を備えるモジュールの回路の概略構成図、図２は部品内蔵基板の断面図、図３は図２におけるビア導体とポスト電極との接続部の拡大図である。なお、図を見やすくするために、図２、図３において、ビア導体９、入出力パッド電極１１、ポスト電極１２、封止樹脂層１３はハッチングを図示省略している。
【００１９】
この実施形態における部品内蔵基板を備えるモジュール１は、ＩＣＯＣＡ、ＦｅｌｉＣａ、Ｓｕｉｃａ（それぞれ登録商標）、などで知られるＩＤ情報が埋め込まれたＲＦ−タグ（ＩＣカード）から電波などを利用して情報のやりとりを行なう技術（ＲＦ−ＩＤ：Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）において、ＩＣカードからの情報の読み込みおよび書き込みを行なうリーダライタ（以下、ＲＷとする）用の電子機器に搭載される高周波用モジュールであり、図１に示すように、ＲＦ−ＩＣ２ａ、セキュアＩＣ２ｂ、ＲＦ整合回路３を備える。
【００２０】
ＲＦ−ＩＣ２ａは、外部に形成されたベースバンド回路からの信号をアンテナ素子４から送信する送信周波数（例えば、１３．５６Ｍｚ）へと変換し、また、アンテナ素子４からの受信信号をベースバンド回路で処理できる周波数へと変換するＩＣである。ＲＦ整合回路３は、アンテナ素子４とＲＦ−ＩＣ２ａとの間のインピーダンス整合を行なう回路であり、周知のＬ（インダクタ）、Ｃ（キャパシタ）、Ｒ（抵抗）から構成される回路である。また、セキュアＩＣ２ｂは、ＩＣカードとＲＷ用の電子機器との間の相互認証やＲＷ用の電子機器からＩＣカードに情報を送信する場合の送信信号の暗号化を行なうＩＣである。なお、ＲＦ−ＩＣ２ａとセキュアＩＣ２ｂは、外部で形成されたホストＩＣ電源回路５から駆動電圧が供給されることにより駆動する。
【００２１】
また、モジュール１は、図２に示すように、主面または内部に配線パターン８やビア導体９が形成されるとともに、内部にセキュアＩＣ２ｂを備えるＩＣパッケージ１０が内蔵された部品内蔵基板６と、部品内蔵基板６の表面に実装されるＲＦ−ＩＣ２ａと、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタからなる電子部品７とを備える。なお、部品内蔵基板６の表面に実装されるＲＦ−ＩＣ２ａと電子部品７は、周知の表面実装技術により実装される。
【００２２】
部品内蔵基板６は、熱可塑性樹脂からなる層間絶縁用樹脂層が７層、積層された積層体であり、各層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇの表面（または裏面）には、配線パターン８が形成され、また、内部にはビア導体９が形成される。そして、内部にＩＣパッケージ１０を内蔵した状態で熱圧着することにより隣接した層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇどうしが一体化されて形成される。
【００２３】
また、配線パターン８は、比抵抗の小さな金属を主成分とする金属膜（例えば、Ｃｕ箔やＡｇ箔）で形成され、ビア導体９は、熱可塑性樹脂からなる層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇを圧着する際の温度で焼結するような金属ペースト（例えば、Ｓｎを主成分とする金属ペースト）を焼結させることにより形成される。
【００２４】
各層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇを形成する熱可塑性樹脂として、例えば、ポリイミドや液晶ポリマなどが挙げられるが、液晶ポリマは、低誘電正接の特性を有し、高速信号（高周波）において損失が少なく、また、配線パターンが長い回路であっても信号が減衰しにくいため、この実施形態では、各層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇを形成する熱可塑性樹脂に、液晶ポリマを使用する。
【００２５】
ＩＣパッケージ１０は、ＳｉやＧａＡｓなどの半導体基板の能動面にダイオードやキャパシタなどからなる集積回路や入出力パッド電極１１が形成されたセキュアＩＣ２ｂと、入出力パッド電極１１に接続されたポスト電極１２と、セキュアＩＣ２ｂの能動面およびポスト電極１２を覆うように、ポスト電極１２のセキュアＩＣ２ｂの能動面からの高さよりも厚く設けられた封止樹脂層１３とを備えたウェハレベルＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）であり、封止樹脂層１３には、セキュアＩＣ２ｂとの非対向面側からポスト電極１２の端面が露出する凹部１４が形成される。なお、この実施形態において、封止樹脂層１３は、例えば、エポキシ樹脂で形成される。
【００２６】
各層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇに形成されたビア導体９とＩＣパッケージ１０においてセキュアＩＣ２ｂの入出力パッド電極１１に接続されたポスト電極１２との接続は、各層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇ間の熱圧着時に行なわれる。この場合、上記したように、ビア導体９は、熱圧着する際の温度で焼結する金属ペースト、すなわち、熱圧着する際の温度で溶ける金属ペーストを使用しているため、熱圧着時にビア導体９が溶け、ＩＣパッケージ１０の封止樹脂層１３に形成された凹部１４で露出したポスト電極１２の端面とビア導体９とが接し、ビア導体９がポスト電極１２の端面上で濡れ広がることにより、ビア導体９とポスト電極１２とが直接接続される。そして、熱圧着後は、図３に示すような、ビア導体９のポスト電極１２との接続部がフィレット状に形成される。
【００２７】
また、図３に示すように、ポスト電極１２のビア導体９との接合側の端面は、ビア導体９におけるポスト電極１２との接続面よりも大きく形成されており、ビア導体９の接続面の全面がポスト電極１２の端面と接続される。また、ＩＣパッケージ１０の封止樹脂層１３に設けられた凹部１４内において、ビア導体９の外周面と当該凹部１４の内周面との間に全周に渡る隙間があり、該隙間に熱圧着時に溶けた層間絶縁用樹脂層を形成する熱可塑性樹脂（液晶ポリマ）が入り込み、凹部１４内の隙間に液晶ポリマが充填される。
【００２８】
なお、熱圧着時にビア導体９がポスト電極１２の端面上に濡れ広がる場合であっても、その濡れ広がりは、ＩＣパッケージ１０の封止樹脂層１３に設けられた凹部１４の内周面で止まるため、それ以上に金属ペーストが濡れ広がることはない。
【００２９】
（部品内蔵基板の製造方法）
この実施形態にかかる部品内蔵基板６の製造方法について、図４を参照して説明する。
なお、図をみやすくするために、ビア導体９、入出力パッド電極１１、ポスト電極１２、封止樹脂層１３はハッチングを図示省略している。
【００３０】
まず、セキュアＩＣ２ｂの能動面にスクリーン印刷技術などを用いて絶縁材料（例えば、エポキシ樹脂）からなる樹脂層を形成し、レーザ加工などによりセキュアＩＣ２ｂの入出力パッド電極１１が露出するような穴を当該樹脂層に形成し、その穴に金属ペースト（例えばＣｕ）などを充填してポスト電極１２を形成する。そして、スクリーン印刷技術などを用いてさらにその上に樹脂層（例えば、エポキシ樹脂）を形成して、レーザ加工などにより、上層の樹脂層においてポスト電極１２の端面が露出するように凹部１４を形成する（ＩＣパッケージ１０準備工程）。
【００３１】
次に、各層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇの表面（または裏面）にフォトレジスト技術などにより配線パターン８を形成するとともに、レーザ加工などによりビアホールを形成し、ビアホールに金属ペーストを充填・焼結することにより各層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇにビア導体９を形成する。
【００３２】
次に、層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄを積層し、仮圧着することにより第１積層体を形成する（第１積層工程）。この場合、層間絶縁用樹脂層６ｃ，６ｄには、ＩＣパッケージ１０の埋設用の開口部が形成されており、第１積層体を形成したときにはＩＣパッケージ１０の埋設用の凹部が形成される。
【００３３】
次に、第１積層体の凹部に、セキュアＩＣ２ｂの能動面が上になるようにＩＣパッケージ１０を埋設する（ＩＣ埋設工程）。
【００３４】
そして、第１積層体の最上層に配置される層間絶縁用樹脂層６ｄの上から順に層間絶縁用樹脂層６ｅ，６ｆ，６ｇを積層することにより第２積層体を形成する（第２積層工程）。
【００３５】
最後に、積層された第２積層体を熱圧着することにより、各層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇどうしの一体化、ならびに、ＩＣパッケージ１０のポスト電極１２の端面とビア導体９の端面との接続を同時に行なう（熱圧着工程）。
【００３６】
なお、上記した部品内蔵基板６の製造方法において、第１積層体を各層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃで形成した上で、一部が層間絶縁用樹脂層６ｃから突出した状態でＩＣパッケージ１０を埋設し、層間絶縁用樹脂層６ｃの上から順に、各層間絶縁用樹脂層６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇを積層することにより第２積層体を形成するようにしてもかまわない。
【００３７】
したがって、上記した実施形態によれば、ＩＣパッケージ１０は、セキュアＩＣ２ｂとセキュアＩＣ２ｂの能動面に形成された入出力パッド電極１１に接続されたポスト電極１２と、該ポスト電極１２のセキュアＩＣ２ｂの能動面からの高さよりも厚く設けられた封止樹脂層１３とを備え、封止樹脂層１３のセキュアＩＣ２ｂとの非対向面側からポスト電極１２の端面が露出する凹部１４が形成され、凹部１４から露出したポスト電極１２の端面と層間絶縁用樹脂層６ｅの内部に形成されたビア導体９の端面とが直接接続される。
【００３８】
つまり、セキュアＩＣ２ｂの入出力パッド電極１１に接続されたポスト電極１２とビア導体９との接続部は、封止樹脂層１３に設けられた凹部１４内にあり、部品内蔵基板６に外部から衝撃が加わった場合でも、その衝撃から生じる部品内蔵基板６内の応力は、各層間絶縁用樹脂層間６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇの界面および封止樹脂層１３と層間絶縁用樹脂層６ｅとの接着界面に集中するため、外部応力に対して接続強度の最も弱いポスト電極１２とビア導体９との接続部にかかる応力を緩和することができる。そのため、外部から衝撃が加わった場合であっても、ポスト電極１２とビア導体９とが当該接続部で断線することを防止することができ、接合信頼性が高く、耐衝撃性に優れた部品内蔵基板６を提供することができる。
【００３９】
また、図３に示すように、封止樹脂層１３の凹部１４において露出したポスト電極１２の端面が、ビア導体９のポスト電極１２との接続面よりも大きく形成され、ビア導体９の接続面の全面が凹部１４において露出したポスト電極１２の端面と直接接続され、凹部１４内において、ビア導体９の外周面と凹部１４の内周面との間に全周に渡る隙間が熱可塑性樹脂により充填されているため、ポスト電極１２とビア導体９との接続部の全面が熱可塑性樹脂により保護され、さらにビア導体９とポスト電極１２との接合信頼性の向上が図れる。
【００４０】
また、ビア導体９とポスト電極１２との接続時（熱圧着時）において、ビア導体９を形成する金属ペーストがＩＣパッケージ１０の封止樹脂層１３の凹部１４において露出したポスト電極１２の端面上に濡れ広がる場合であっても、その濡れ広がりは、封止樹脂層１３に設けられた凹部１４の内周面で止まるため、それ以上に金属ペーストが濡れ広がることはない。そのため、例えば、ポスト電極１２を狭ピッチに配置しても、ポスト電極１２とビア導体９との接続時に隣接するビア導体９どうしがショートしにくく、狭ピッチ化した多ピンのＩＣチップを、接合信頼性を大きく低下させることなく、部品内蔵基板６に内蔵することができる。
【００４１】
また、ＩＣパッケージ１０に設けられた封止樹脂層１３を形成する樹脂に、各層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇを形成する液晶ポリマよりも高い硬度を有するエポキシ樹脂を用いているため、高い硬度を有するエポキシ樹脂からなる封止樹脂層１３に形成された凹部１４が、ポスト電極１２とビア導体９との接続部を保護することにより、より一層、接合信頼性の高い部品内蔵基板６を提供することができる。
【００４２】
また、各層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇの一体化、および、ポスト電極１２の端面とビア導体９の端面との接続を熱圧着により一括して行なうため、ポスト電極１２とビア導体９との接合信頼性の高い部品内蔵基板６を効率よく生産することができる。
【００４３】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。
【００４４】
例えば、上記した実施形態では、部品内蔵基板６を７層の層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇで形成したが、部品内蔵基板６を形成する層の数は、モジュールの回路構成や内蔵するＩＣパッケージ１０の大きさに応じて、適宜、増減させるとよい。
【００４５】
また、この実施形態では、ＲＦ−ＩＣ２ａが発熱し易く、また、能動面に形成される電極の数がセキュアＩＣ２ｂよりも多いなどの理由より、セキュアＩＣ２ｂを部品内蔵基板６に内蔵し、ＲＦ−ＩＣ２ａを部品内蔵基板６の表面に実装したが、都合に応じて、ＲＦ−ＩＣ２ａを部品内蔵基板６に内蔵し、セキュアＩＣ２ｂを部品内蔵基板６の表面に実装してもかまわない。
【００４６】
また、ビア導体９とポスト電極１２との接合信頼性は、ＩＣパッケージ１０に設けられた封止樹脂層１３に凹部１４を形成し、その凹部１４内でビア導体９とポスト電極１２とを接続することにより向上させることができるため、封止樹脂層１３を形成する樹脂は、エポキシ樹脂に限らず、例えば、各層間絶縁用樹脂層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇを形成する樹脂と同じ液晶ポリマを使用してもよいし、ポリイミドなど、種々の樹脂を使用してもよい。
【００４７】
また、この実施形態では、ビア導体９とポスト電極１２とを直接接続したが、例えば、異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を介して接続してもよい。
【符号の説明】
【００４８】
２ｂ    セキュアＩＣ（ＩＣチップ）
６    部品内蔵基板
６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ，６ｇ    層間絶縁用樹脂層
９    ビア導体
１０    ＩＣパッケージ
１１    入出力パッド電極
１２    ポスト電極
１３    封止樹脂層
１４    凹部
【図１】
2013157371.tif 000003
【図２】
2013157371.tif 000004
【図３】
2013157371.tif 000005
【図４】
2013157371.tif 000006
【図５】
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