(57)【要約】【課題】本発明は、基板が大型化しても高精度に蒸着できる成膜装置または成膜方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、少なくとも画素領域の周辺に存在する非画素領域に検査蒸着開口部を有する前記マスクと、表面に成膜材料を蒸着する基板と前記マスクとをアライメントし、前記基板に成膜材料を真空蒸着する成膜装置または成膜方法において、前記基板は前記蒸着後複数の基板に分割される基板単位を有する基板であって、前記分割位置に対応して設けられた前記検査蒸着開口部によって前記蒸着により前記基板上に形成されたパターンを撮像し、前記撮像結果に基づいて前記位置ズレを検出し、前記検出結果に基づいて前記アライメントの補正量を決定し、前記補正量に基づいてアライメント量を補正しアライメントすることを特徴とする。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
すくなくとも画素領域の周辺に存在する非画素領域に検査蒸着開口部を有するマスクと、表面に成膜材料を蒸着する基板と前記マスクとをアライメントするアライメント手段と、前記基板に成膜材料を蒸着する真空蒸着チャンバとを有する成膜装置において、
前記基板は複数の基板に分割される基板単位を有する基板であって、前記分割位置に対応して設けられた前記検査蒸着開口部によって前記蒸着により前記基板上に形成されたパターンを撮像する撮像手段と、前記撮像結果に基づいて前記マスクと前記基板の位置ズレを検出し、前記検出結果に基づいて前記アライメントの補正量を決定する検査手段とを有し、前記アライメント手段は、前記補正量に基づいてアライメント量を補正しアライメントする制御手段を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記検査蒸着開口部は前記基板単位の少なくとも対角線上又は四隅に設けられたていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記検査蒸着開口部は前記非画素領域の少なくとも一辺に３つ以上設けられていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記検査蒸着開口部の一部は前記画素領域に形成された画素蒸着開口部であることを特徴とする請求項１に記載の請求項１に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記検査手段は前記位置ズレを前記基板に設けたアライメントマークを基準位置として求めることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記検査手段は前記位置ズレを検査蒸着開口部に対応する前記基板の位置に設けられた金属膜の枠を基準位置として求めることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記検査手段は、前記基板の複数枚の前記位置ズレ結果に基づいて、前記補正量を決定することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記検査手段は、前記補正量のトレンドから蒸着の不良時期を予測することを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項９】
すくなくとも画素領域の周辺に存在する非画素領域に検査蒸着開口部を有する前記マスクと、表面に成膜材料を蒸着する基板と前記マスクとをアライメントし、前記基板に成膜材料を真空蒸着する成膜方法において、
前記基板は前記蒸着後複数の基板に分割される基板単位を有する基板であって、前記分割位置に対応して設けられた前記検査蒸着開口部によって前記蒸着により前記基板上に形成されたパターンを撮像し、前記撮像結果に基づいて前記位置ズレを検出し、前記検出結果に基づいて前記アライメントの補正量を決定し、前記補正量に基づいてアライメント量を補正しアライメントすることを特徴とする成膜方法。
【請求項１０】
前記検出は前記位置ズレを前記基板に設けたアライメントマークを基準位置として求めることを特徴とする請求項９に記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記検査は、複数枚の前記基板の前記位置ズレ結果に基づいて、前記補正量を決定することを特徴とする請求項９に記載の成膜方法。
【請求項１２】
前記検査は、前記補正量がトレンドから蒸着の不良時期を予測することを特徴とする請求項９に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空蒸着膜を形成する成膜装置及び成膜方法に係り、特に大型の基板上に厚さの均一性のよい薄膜を形成するのに好適な成膜装置及び成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置や照明装置に用いられる有機ＥＬ素子は、有機材料からなる有機層を上下から陽極と陰極の一対の電極で挟み込んだ構造で、電極に電圧を印加することにより陽極側から正孔が陰極側から電子がそれぞれ有機層に注入されそれらが再結合することにより発光する仕組みになっている。
【０００３】
この有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電化注入層を含む多層膜が積層された構造になっている。
多層膜の積層構造は、それぞれ高精度で蒸着される必要がある。そこで基板とマスクとを高精度で位置合わせして、蒸着し、蒸着後に位置確認する技術が必要である。
【０００４】
このような従来技術として、特許文献１には画素領域の外側に開口部を複数個設け、その開口部との位置関係に相当する基板の位置に検査領域を示す金属膜等の枠を有する基準部を設けて、その枠を基準に位置ズレを検出し、蒸着後の位置を確認する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１５８３２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
昨今の有機ＥＬ表示装置は現在主力の携帯電話向けからＴＶ向け等に転換する兆しが見え、基板の大型化の要求が高まり、蒸着後の位置確認の必要性がさらに重要になってきた。何故ならば、基板の大型化に伴いマスクも大型化し、マスク・基板、特にマスクの熱膨張より蒸着時の位置ズレがより大きくなる可能性があるからである。
【０００７】
しかしながら、上記従来技術では基板の対角線上の２箇所に検査領域を設けること、及び対角線上に以外にも配置することが開示されているが、基板の大型に伴い高精度に蒸着するために、前記以外の配置をどのように配置すべきかが記載されていない。
【０００８】
本発明は、上記の課題を鑑みてなされたもので、本発明の目的は基板が大型化しても高精度に蒸着できる成膜装置または成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するために、画素領域の周辺に存在する非画素領域に少なくともマスクの位置ズレを検出する検査蒸着開口部を有する前記マスクと基板とをアライメントし、前記基板に成膜材料を真空蒸着する成膜装置または成膜方法において、前記基板は前記蒸着後複数の基板に分割される基板単位を有する基板であって、前記分割位置に対応して設けられた前記検査蒸着開口部によって前記蒸着により基板上に形成された検査蒸着物であるパターンを撮像し、前記撮像結果に基づいて前記位置ズレを検出し、前記検出結果に基づいて前記アライメントの補正量を決定し、前記補正量に基づいてアライメント量を補正しアライメントすることを第１の特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、上記目的を達成するために、第１の特徴に加え、前記非画素領域は四角形を有し、前記検査蒸着開口部は前記基板単位の少なくとも対角線上又は四隅に設けられたていることを特徴とする。
さらに、本発明は、上記目的を達成するために、第１の特徴に加え、前記検査蒸着開口部は前記非画素領域の少なくとも一辺に等間隔に３つ以上設けられていることを第２の特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、上記目的を達成するために、第１の特徴に加え、前記検出は前記位置ズレを前記基板に設けたアライメントマークを基準位置として求めることを第３の特徴とする。
さらに、本発明は、上記目的を達成するために、第１の特徴に加え、前記検査は、複数枚の前記基板の前記位置ズレ結果に基づいて、前記補正量を決定することを第４の特徴とする。
また、本発明は、上記目的を達成するために、第１の特徴に加え、前記検査は、前記補正量がトレンドから蒸着の不良時期を予測することを第５の特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板が大型になっても高精度に蒸着できる成膜装置または成膜方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】有機ＥＬ表示装置製造装置の構成の一実施形態を示した図である。
【図２】図1に示す装置における搬送チャンバと処理チャンバの内部構成の概要を示す図である。
【図３】本発明の特徴の一つであるマスクの第1の実施形態を示す図である。
【図４】マスク・基板の熱膨張等より生じる位置ズレを測定する検査ユニットの一実施形態を有する搬送チャンバの内部構成の概要を主体に示す図である。
【図５】本実施形態の真空蒸着チャンバ及び搬送チャンバにおけるアライメント・蒸着及び位置ズレの検査処理のフローを示す図である。
【図６】４分割される基板単位を含む蒸着後の状態を模式的に示す図である。
【図７】有機ＥＬ表示装置を製造するため正孔注入層から電子注入層までの一連のアライメント及び蒸着の流れをアライメントの位置ズレ補正を主体に示した図である。
【図８】本発明の特徴の一つであるマスクの第２の実施形態を示したものである。
【図９】基板分割の必要のないマスクの周囲に検査領域を設けた図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明にかかる真空成膜装置の一例として、有機ＥＬ表示装置の製造に適用した例を説明する。有機ＥＬ表示装置の製造装置は、陽極の上に正孔注入層や正孔輸送層、発光層（有機膜層）、陰極の上に電子注入層や輸送層など様々な材料の薄膜層を真空蒸着により多層積層して形成する装置である。
【００１５】
図１は有機ＥＬ表示装置製造装置構成の一実施形態を示したものである。本実施形態における有機ＥＬ表示装置製造装置１００は、大別して処理対象の基板２００を搬入するロードクラスタ３、前記基板２００を処理する４つのクラスタ(Ａ〜Ｄ)、隣接する各クラスタ２ａ〜ｄ間又はクラスタとロードクラスタ３あるいは次工程(封止工程)との間に設置された５つの受渡室４ａ〜ｅを備えて構成されている。
【００１６】
ロードクラスタ３は、前後に真空を維持するためにゲート弁１０を有するロードロック室３１とロードロック室３１から基板２００を受取り、旋回して受渡室４ａに基板２００を搬入する搬送ロボット５Ｒを備えている。各ロードロック室３１及び各受渡室４aは前後にゲート弁１０を有し、当該ゲート弁１０の開閉を制御し真空を維持しながら（真空を維持するための手段、例えば真空排気ポンプの図は省略）ロードクラスタ３あるいは次のクラスタ等へ基板を受渡する。
【００１７】
各クラスタ(Ａ〜Ｄ)は、搬送ロボット５ａ〜ｄを備えた搬送チャンバ２ａ〜ｄと、搬送ロボット５ａ〜ｄから基板を受取り、所定の処理を行う図面上で上下に配置された２つの処理チャンバ１ａ〜ｄ,ｕ又はｄ(第１の添え字ａ〜ｄはクラスタを示し、第２の添え字ｕ、ｄは上側下側を示す)を有する。各搬送チャンバ２ａ〜ｄと各処理チャンバ(１ａｕ〜１ｄｕ、１ａｄ〜１ｄｄ)の間には、それぞれゲート弁１０が設けてある。
【００１８】
図２は、搬送チャンバ(２ａ〜２ｄ)と処理チャンバ(１ａｕ〜１ｄｕ、１ａｄ〜１ｄｄ)の内部構成の概要を示す。処理チャンバ(２ａ〜２ｄ)の構成は処理内容によって異なるが、発光材料を蒸着しＥＬ層を形成する真空蒸着チャンバ１ｂｕを例にとって説明する。搬送チャンバ２ｂの内部に設置された搬送ロボット５ｂに、左右に旋回可能な構造のアーム５１を有し、その先端には基板搬送用の櫛歯状ハンド５２を装着している。
【００１９】
一方、真空蒸着チャンバ１ｂｕは、図２に示すように、大別して、発光材料を蒸発（引き出し図符号７３参照）させ基板２００に蒸着させる蒸発源部７１が垂直に保持された基板２００に沿って平行に上下方向に駆動させる上下駆動部７２と、基板２００の必要な部分に発光材料を蒸着させるマスク８１と、基板２００を処理チャンバ用櫛歯状ハンド６１との間で受渡しを行う櫛歯状ハンド５１と、櫛歯状ハンド５１で受け取った基板２００を旋回させて直立させ基板保持手段８２に移動させる基板旋回手段６０を備えている。
【００２０】
次にアライメント部を説明する。マスク８１が所望の位置にセットされたかどうかは、本実施形態ではアライメント光学系８３を利用する。アライメントは基板２００上に設けたアライメントマーク８４がマスク８１上に設けたアライメント窓８５の中心付近に重なるように制御する。重なるように移動するため、マスク８１はスロープガイド９０と上下方向移動モータ９１ａ、９１ｂを利用して上下方向に移動させる上下駆動、左右方向移動モータ９２により左右方向に移動させる左右駆動する機構を有する。
【００２１】
次に、本発明の特徴の一つであるマスク８１の一実施形態を図３に示す。図３に示すマスク８１は、分割の例として基板２００を４分割する場合に適用するマスクである。
【００２２】
マスク８１は、画素領域８６を有するマスク部８１Ｍと、マスク部に一定の張力を与え、マスク部を支持するフレーム部８１Ｆとから構成されている。基板２００は４分割されるために、マスク部８１Ｍにも４つの画素領域８６が存在する。即ち、マスク部８１Ｍの周辺領域８８ａと十字型の分割領域８８ｂとに画素領域ではない非画素領域８８が存在する。高精細の基板を得るためには、分割される単位で画素領域の位置ズレが小さくなるように管理することが重要である。
【００２３】
そこで、本実施形態では、４つの画素領域の四隅の外側に存在する非画素領域８８に位置ズレを検出する検査領域８７を設ける。図３に示すよう、本実施形態における検査領域には、各画素領域の境界領域では共用するので計９箇所に設けられる。そして、９箇所の位置ズレ検査結果に基づき、例えば、４つの画素領域の位置ズレが平均化するようにアライメントをする。
【００２４】
次に、検査領域８７の構成を説明する。検査領域は、引出図Ａに示すように、例えば数μｍ程度の検査蒸着開口部として検査蒸着孔８７ｈが設けられている。マスク８１には画素を構成する赤(Ｒ)、Ｇ(緑)、Ｂ(青)用のそれぞれのマスクがあり、図３に示すマスクがＲ用であるならば実線で示す検査蒸着孔８７ｈｒが設けられている。Ｇ用、Ｂ用のマスクには破線で示すようにそれぞれの検査蒸着孔８７ｈｇ、８７ｈｂが基板上のずれた位置に蒸着されるように設けられている。本実施形態では検査蒸着孔を、例えば数μｍ程度の孔としたが、検査蒸着開口部の形状は長方形でも十字型でも何でもよく、その大きさは、例えば要求精細度によって決められる。なお、ここでいう検査領域とは、検査蒸着用開口部または後述する検査蒸着物を含むその周辺領域をいう。
【００２５】
なお、引出図Ｂは画素領域８６の構成を示したものである。引出図Ｂには、画素を構成する長方形の画素蒸着開口部８６ｈのうちＲ、Ｇ、Ｂに対応する全ての画素蒸着開口部８６ｈｒ、８６ｈｇ、８６ｈｂが描かれているが、実際のマスクには、例えば、赤色の蒸着材料を蒸着する場合は、画素蒸着開口部８６ｈｒが一定間隔(例えば数百μｍ)毎に設けられている。
【００２６】
一方、フレーム部８１Ｆには、図３に示すように、その四隅部であって基板と重ねあわさる位置に、基板の四隅部に設けられた金属膜アライメントマーク８４を覗くアライメントマークの窓８５が設けられている。
【００２７】
次に、マスク・基板の熱膨張等より生じる位置ズレを測定する検査ユニット３００の一実施形態を、図４を用いて説明する。検査ユニット３００は搬送チャンバ２ｂの上部に設けられている。検査ユニットは搬送チャンバに固定された固定軸３０２を矢印３０３方向に移動する検査軸３０１がある。検査軸には両端側及び中央部に検査光学系３０１ａ、３０１ｂ及び３０１ｃが設けられている。各検査光学系は検査領域に存在する検査蒸着物(後述する図６の８９)に紫外線を照射する照射部(図示せず)と、照射部からの蛍光を捉えるラインセンサ(図示せず)を有する。そこで、基板２００が真空蒸着チャンバ１ｂｕから搬送ロボット５ｂによって搬出され、検査ユニット３００の下に来て停止する。検査ユニットは検査軸３０１を固定軸３０２に沿って移動させ、基板２００上の検査領域を各々のラインセンサで走査し検査領域を撮像し、クラスタ２ａに存在する処理装置４００に撮像結果を送信する。
【００２８】
次に、真空蒸着チャンバ１ｂｕ及び搬送チャンバ２ｂにおけるアライメント・蒸着及び位置ズレの検査の処理フローを、図５を主体に図４を参照しながら説明する。図５において一点鎖線より左側は真空蒸着チャンバなどの処理チャンバ内での処理を、一点鎖線より右側は処理装置での処理を示す。
【００２９】
まず、アライメント蒸着処理を説明する。ステップＳ１０では、搬送チャンバ２ｂの内部に設置された搬送ロボット５ｂが基板２００を櫛歯状ハンド５２により真空蒸着チャンバ１ｂｕ内の処理チャンバ用櫛歯状ハンド６１に受け渡しする。ステップＳ１１では、受け取った基板２００を基板旋回手段６０にて旋回させて直立させ、基板保持手段８２に移動させる。
【００３０】
次に、ステップＳ１２ではマスク８１と基板２００が所望の位置にセットされたかを確認するため、まず、基板２００をマスク８１から一定の距離、例えば数ｍｍ離れた位置まで接近させる。次に基板２００の四隅近くにあるアライメントマーク８４を上部に２ヶ所下部２箇所計４ヶ所に設けられたアライメント光学系８３により基板中心における基板２００とマスク８１のアライメント量(ΔＸ、ΔＹ、Δθ)を検出する。この結果に基づいて、マスク８１に設けた上下駆動機構、左右駆動機構、θ駆動機構よりアライメント行う。上下駆動(△Ｘ)は上下方向移動モータ９１a、９１ｂを同時に駆動し、マスク８１がスロープガイド９０よって受動的に移動する。左右駆動(△Ｙ)は左右方向移動モータ９２を駆動し、マスク８１がスロープガイド９０よって受動的に移動する。さらに、θ駆動は上下方向移動モータ９０a、９０bの片方を移動し、マスク８１がスロープガイド９０よって受動的に移動する。
【００３１】
ステップＳ１３では基板旋回手段６０を前後一定距離のところまで近づけ、その後、基板２００とマスク８１を密着させる。次にライン状の蒸着源７１を上又は下に移動させて蒸着する。
ステップＳ１４では基板旋回手段６０を利用し、基板２００を水平にする。搬送チャンバ２ｂの内部に設置された搬送ロボット５ｂは、基板を処理チャンバ用櫛歯状ハンド６１から搬送ロボット５ｂの櫛歯状ハンド５２に受け取る。受け取り後、基板を検査チャンバに移動する。本実施形態では、搬送チャンバを検査チャンバとし、基板２００を搬送チャンバ上部に固定された検査ユニット３００の下部に移動し、検査処理に移行する。
【００３２】
検査処理のステップＳ５０では、検査ユニット３００の検査軸３０１を移動し検査光学系３０１ａ、３０１ｂ及び３０１ｃを走査して、図３に示す検査蒸着孔８７ｈで蒸着された図６に示す９箇所の検査蒸着物８９と基板２００の４箇所のアライメントマーク８４を撮像し、撮像データを処理装置４００に取り込む。
ステップＳ５１では、前記撮像データに基づきアライメントマークの位置を検出し、左上のアライメントマーク８４ULを基準位置として９箇所の検査蒸着物８９の位置を検出する。
【００３３】
ステップ５２では、マスクを真空蒸着チャンバ１ｂｕに1枚目に搬入した基板の各検査蒸着物８９の位置を、あるいはある一定枚数の基板の各検査蒸着物８９の位置の平均位置を各検査蒸着物の規定位置として定める。処理対象である基板の各検査蒸着物８９に対して前記規定位置からの位置ズレ量を縦(Ｘ)方向、横(Ｙ)方向の位置ズレ量ΔＸ、ΔＹを求める。次に、９個の検査蒸着物８９の位置ズレ量ΔＸ、ΔＹの平均位置ズレ量△ＸＡＶＥ、△ＹＡＶＥを求め、アライメント位置を規定する基板中心位置の位置ズレ量とする。前記平均位置ズレ量△ＸＡＶＥ、△ＹＡＶＥから位置ズレによる前記の中心位置の角度ズレΔθを平均角度ズレ量△θＡＶＥとする。この、平均位置ズレ量△ＸＡＶＥ、△ＹＡＶＥ及び平均角度ズレ量△θＡＶＥがアライメント補正量△Ｘｈ、△Ｙｈ、△θｈとなる。
【００３４】
上記位置ズレ量は、基準位置とするアライメントマーク８４ULから遠い位置にある、或いは、マスク部８１の中心にある検査蒸着物程大きくなる可能性がある。その場合は、位置によって重みを付けて平均位置ズレ量△ＸＡＶＥ、△ＹＡＶＥを求めてもよい。
また、上記の場合は、左上の基板アライメントマーク８４ULのみを基準位置としたが、４つのアライメントマーク８４に対して上述した平均位置ズレ量△ＸＡＶＥ、△ＹＡＶＥを求め、４つの平均位置ズレ量△ＸＡＶＥ、△ＹＡＶＥの平均値を最終的な平均位置ズレ量、即ち補正量としてもよい。
さらに、図６に示す分割される基板単位２００ｃを囲む４つの検査有機部８９から上記に示した様々な方法などによって、それぞれの基板単位の平均位置ズレ量等△ＸＡＶＥ、△ＹＡＶＥ、△θＡＶＥを求め、４枚の基板単位の平均位置ズレ量等△ＸＡＶＥ、△ＹＡＶＥ、△θＡＶＥの平均値を最終的な平均位置ズレ量、即ち補正量としてもよい。
【００３５】
上記ステップ５２では、アライメントの位置ズレを、基板アライメントマーク８４を基準位置として求めた。アライメントマークを基準位置として用いると、補正量を補正すべきアライメントとの直接な関係で求めることができるので、精度良く補正量を求めることができる。しかしながら、図３の引出図Ａの検査領域８７に対応する基板上に金属膜の枠を設け、その枠を基準位置とし、金属膜からのズレを位置ズレとし、補正量を求めてもよい。
【００３６】
ステップ５２で求めた平均ズレ量が許容範囲より多き場合は、後述するステップ５８に行きエラー処理を行なう。小さい場合はステップ５４へ行く。
【００３７】
本実施形態では、Ｓ１３における蒸着及びＳ５０における検査蒸着物、アライメントマークの撮像計測のばらつきによる誤差を抑える為、指定枚数分、例えば１００枚分の検査をした後、アライメント量を補正するかどうかを判断する。そのために、ステップ５４では、ステップ５２で求めた平均位置ズレ量△ＸＡＶＥ、△ＹＡＶＥと平均角度ズレ量△θＡＶＥの指定枚数分の積分値を、指定枚数で割った指定枚数分の平均位置ズレ量の平均値を補正量△Ｘｈ、△Ｙｈ、△θｈとして求める。
【００３８】
ステップ５５では、ステップ５４で述べた理由から、指定枚数分の検査をしたかどうかを判断する。検査していなければ、ステップ５９に行き検査した基板を次の工程へ搬送する。検査していればステップ５６に行く。
ステップ５６では、前記補正量がアライメント量の補正を必要としない指定した閾値以内かを判断する。閾値以内であれば、ステップ５９に行き検査した基板を次の工程へ搬送する。閾値外であれば、ステップ５７へ行く。
【００３９】
ステップ５７では、前記補正量が許容範囲内、即ち補正ができる程度のマスクの歪めであるかを判定する。許容範囲外であれば、ステップ５８に行き、許容範囲内であれば、ステップ５９に行き検査した基板を次の工程へ搬送すると共に、蒸着処理のステップ部１０に行く。
ステップ５８では、操作員にその旨を伝え、少なくとも判定した基板２００はエラーとし、装置から排出する。その後、連続してエラー処理が続くようであれば、製品の信頼性を確保するために、生産を中止するなどのエラー処理をする。連続して続かなければ、指定枚数分のカウントをリセットする。
【００４０】
アライメント処理部では、ステップ２０でアライメントマーク８４、アライメント窓８５によりアライメント量を検出する。ステップ２１で補正量の有無を確認し、補正量がなければステップ２４に行きアライメントを実施する。補正量が存在すれば、ステップ２２で検査処理部から補正量を取り込み、ステップ２２でアライメント量を補正し、ステップ２４でアライメントを実施する。ステップ２３のアライメント量に補正において、過大な補正を防ぐ為、補正量に指定した一定の掛け率を掛け補正量としてもよい。
【００４１】
また、ステップ２３において、補正量であるフィードバック量のトレンド、例えば、常に同じ方向にずれていないかを監視し、そのフィードバック量から蒸着が不良となる時期を予測し、警告を出力することも可能である。
【００４２】
図７は、有機ＥＬ表示装置を製造するため正孔注入層から電子注入層までの一連のアライメント及び蒸着の流れをアライメントの位置ズレ補正を主体に示した図で、図５におけるステップ５３から５７及びステップ２２及び２３を抜粋して示したものである。図３乃至図５を用いて説明は図７のステップ３００乃至３１２で示される発光層赤(Ｒ)の例を示したが、図７に示すように本位置ズレを補正は様々蒸着工程に用いることができる。
【００４３】
以上、図１乃至図７を用いて説明したように、本実施形態によれば、カットされる４つの画素領域の四隅の外側に存在する非画素領域８８に位置ズレを検出する検査領域８７を設けることで、マスク・基板の熱膨張より蒸着後の位置ズレを画素領域毎の情報を反映した状態で補正できるので、基板が大型になっても高精度に蒸着できる有機ＥＬ表示装置の製造装置及び製造方法を提供できる。
【００４４】
上記の実施形態では、分割される基板単位の四隅に検査領域を設けたが、少なくとも対角線上に２箇所設ければ、分割される基板単位の情報を得ることができる。また、アライメントマークも分割される前の基板の四隅に設けたが、検査領域と同様に少なくとも基板の対角線上に２箇所設ければよい。
【００４５】
図８は本発明の特徴の一つであるマスクの第２の実施形態を示したものである。第２の実施形態では、分割される基板単位の四辺の周囲に検査領域８７を等間隔に複数個設け、これらの多くの検査領域の位置ズレから補正量を求める。本実施形態でも、第１の実施形態で実施した処理フロー同様な方法でアライメントの位置ズレの補正量を求めることができる。
【００４６】
本第２の実施形態によれば、多くの検査領域の検査領域の位置ズレ量を得ることができるので、位置ズレの全体の傾向を知ることができる。例えば、位置ズレが全体に伸縮しているとか、検査領域の位置ズレの分布によりマスクの熱変形の大きい箇所を知ることができる等である。前者の場合は、アライメント量が正常に行なわれ、補正する必要がないと判断する。
また、第２の実施形態によれば、上記に示した効果の他、第１の実施形態と同様な効果を奏することができる。
【００４７】
さらに、第２の本実施形態によれば、基板分割の必要のない図９に示すマスクにおいても、周囲に検査領域を設けることで、少なくとも第２の実施形態特有の効果を奏することができる。
また、蒸着後分割する基板に対して図９に示すような図３や図８に示す分割領域８８ｂを持たないマスクで蒸着する場合において、分割領域に相当する領域にある非画素領域を検査領域とすることで、第１又は第２の実施形態の有する効果を奏することができる。
【００４８】
また、以上第１及び第２の実施形態において、検査ユニット３００は搬送チャンバに固定して設けたが、搬送ロボット５ｂに固定してもよい。
さらにまた、検査光学系の撮像手段としてラインセンサを用いたが、ＣＣＤカメラなどのエリアカメラを使用してもよい。
【００４９】
以上説明では有機ＥＬ表示装置を製造する有機ＥＬ表示装置製造装置の例を説明したが、有機ＥＬ表示装置と同じ背景にある蒸着処理をする成膜装置および成膜方法にも適用できる。
【符号の説明】
【００５０】
３：ロードクラスタ                  Ａ〜Ｄ：処理クラスタ
１ａｕ〜１ｄｕ、１ａｄ〜１ｄｄ：処理チャンバ
２ａ〜２ｄ：搬送チャンバ            ４ａ〜４ｅ：受渡室
１０：ゲート弁                      ３１：ロードロック室
５１：ロボットアーム                ５２：櫛歯状ハンド
５Ｒ、５ａ〜５ｄ：搬送ロボット      ６０：基板旋回手段
６１：処理チャンバ用櫛歯状ハンド    ７１：蒸発源部
７２：蒸発源部上下駆動部            ８１：マスク
８１Ｍ：マスクのマスク部            ８１Ｆ：マスクのフレーム部
８２：基板保持手段                  ８４：基板アライメントマーク
８５：マスクアライメント窓          ８６：画素領域
８６ｈ：画素蒸着開口部              ８７：検査領域
８７ｈ：検査蒸着孔(開口部)          ８８：非画素領域
８８ａ：マスク部８１Ｍの周辺領域    ８８ｂ：マスク部８１Ｍの分割領域
８９：検査蒸着物(パターン)          ９０：スロープガイド
９１ａ、９１ｂ：上下方向移動モータ  ９２：左右方向移動モータ
１００：有機ＥＬ表示装置製造装置    ２００：基板
２００ｃ：分割される基板単位        ３００：検査ユニット
３０１ａ、３０１ｂ、３０１ｃ：検査用光学系
４００：処理装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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