(57)【要約】【課題】純度が非常に高く、有機不純物、特にアルデヒド誘導体を効率よく低減し、シリコン基板用テクスチャー形成剤の添加剤として好適に使用できる、アルキルスルホン酸塩の製造方法を提供することにある。【解決の手段】平均粒子径が１００μｍ以下である炭素数３〜１２の粗アルキルスルホン酸塩とエーテル溶媒とを混合して該アルキルスルホン酸塩が分散したスラリーを得た後、該スラリーからアルキルスルホン酸塩を分離することを特徴とするアルキルスルホン酸塩の製造方法を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒子径が１００μｍ以下である炭素数３〜１２の粗アルキルスルホン酸塩とエーテル溶媒とを混合して該アルキルスルホン酸塩が分散したスラリーを得た後、該スラリーからアルキルスルホン酸塩を分離することを特徴とするアルキルスルホン酸塩の製造方法。
【請求項２】
前記エーテル溶媒が、テトラヒドロフランであることを特徴とする請求項１に記載のアルキルスルホン酸塩の製造方法。
【請求項３】
前記スラリーの温度を５℃以上６０℃以下とすることを特徴とする請求項１記載のアルキルスルホン酸塩の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法によりアルキルスルホン酸塩を製造した後、得られたアルキルスルホン酸塩、水、及び塩基を混合してシリコン基板用テクスチャー形成剤を製造する方法。
【請求項５】
水１００質量部に対して、塩基を０．３〜１５質量部、請求項１に記載の方法で製造したアルキルスルホン酸塩を０．００１〜１０質量部含むアルカリ水溶液からなるシリコン基板用テクスチャー形成剤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルキルスルホン酸塩の新規な製造方法に関する。詳しくは、不純物を低減した純度の高いアルキルスルホン酸塩の新規な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルキルスルホン酸塩、アルキル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、カルボン酸塩等のアニオン界面活性剤は、洗浄剤、帯電防止剤等の様々な用途で使用されている。さらに、アルカリ水溶液にアニオン界面活性剤を配合した溶液は、シリコン基板のエッチング剤として使用されている。
【０００３】
アニオン界面活性剤を配合したエッチング剤としては、例えば、シリコン基板の表面を鏡面にするエッチング剤（例えば、特許文献１参照）、シリコン基板結晶面の溶解性の違いを利用した異方性エッチング剤（例えば、特許文献２）などが知られている。また、異方性エッチング剤の中には、シリコン基板表面にピラミッド状の凹凸（テクスチャー）を複数形成するためのテクスチャー形成剤としての使用がある。このテクスチャー形成剤を使用してシリコン基板表面にピラミッド状の凹凸（テクスチャー）を形成した基板は、太陽光を効率よく基板内部に取り込めるため、太陽電池用途に使用されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００４】
アニオン界面活性剤は、以上のような用途を含めて、他の成分と混合して使用される場合が多い。そのため、用途によっては、他の成分の性能を低下させたりすることがないように、または、配合して得られたそのものの性能を低下させたりすることがないように、純度の高いものが望まれている。このアニオン界面活性剤は、当然、製造方法、製造ロットの違いによって、不純物の種類、及び不純物量に違いがある。そのため、高純度のものを安定的に製造する方法の開発が望まれており、多くの精製方法が提案されている。
【０００５】
例えば、粗製原料（アニオン界面活性剤）をアルコールに溶解させて、その際、析出した無機塩を分離する方法が提案されている（特許文献４参照）。この方法によれば、無機塩を効率よく除去できる。
【０００６】
しかしながら、この方法では、アニオン界面活性剤をアルコールに溶解させるため、アニオン界面活性剤の種類によっては、大量のアルコールが必要になるという点で改善の余地があった。また、精製されたアニオン界面活性剤を得るためには、そのアルコールを濃縮乾燥しなければならず、操作性といった点でも改善の余地があった。
【０００７】
一方、アニオン界面活性剤に含まれる溶剤、未反応原料の不純物を低減する方法として、抽出溶剤を用いて該不純物を低減する方法（特許文献５）が知られている。この方法によれば、例えば、未反応の原料である高級アルコール等の不純物が効率よく低減できる。この方法を詳細に説明すると、例えば、炭素数８〜２０の高級アルコールを硫酸化した後、中和して得られたアルキル又はアルケニル硫酸塩（粒子径１０００〜１１８０μｍ）を、抽出溶剤としてアセトン等を使用して精製する方法である。
【０００８】
しかしながら、本発明者等が、前記方法に準じて炭素数３〜１２のアルキルスルホン酸塩を精製したところ、純度を十分に高くすることができない場合があることが判明した。特に、得られたアルキルスルホン酸塩をシリコン基板用テクスチャー形成剤（アルカリ水溶液）に配合したところ、良好なテクスチャー形成効果が発揮されない場合があることが分かった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特公昭４９−３９２２７号公報
【特許文献２】特開平４−３３８６４３号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ２００９／０７２４３８号パンフレット
【特許文献４】特開平８−２４３３０２号公報
【特許文献５】特開２００６−２７４１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、本発明の目的は、炭素数３〜１２のアルキルスルホン酸塩を高度に精製することができる方法を提供することにある。
【００１１】
さらに、本発明の目的は、シリコン基板用テクスチャー形成剤に好適に配合できる、炭素数３〜１２のアルキルスルホン酸塩の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者等は、上記課題を解決するため、鋭意検討を行った。先ず、特許文献５に記載の方法がそのまま適用できない理由について検討したところ、アルキルスルホン酸塩とアルキル硫酸塩とに含まれる不純物の違いによるものと考えられた。即ち、アルキルスルホン酸塩とアルキル硫酸塩とは、原料、及び製造方法が異なるため、含まれる不純物も異なる。そのため、特許文献５に記載の精製方法をそのままアルキルスルホン酸塩の精製に使用した場合、不純物を十分に低減できなかったものと考えられた。そして、特に、シリコン基板用テクスチャー形成剤の用途に得られたアルキルスルホン酸塩を使用したところ、純度を十分に高くすることができなかったため、良好なピラミッドが形成できなかったものと推定された。
【００１３】
このような結果から本発明者等は、アルキルスルホン酸塩の精製方法を検討したところ、特定の平均粒子径のアルキルスルホン酸塩を、特定の溶媒に分散させてスラリーとし、そのスラリーから該アルキルスルホン酸塩を分取することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１４】
即ち、第一の本発明は、
平均粒子径が１００μｍ以下である炭素数３〜１２の粗アルキルスルホン酸塩とエーテル溶媒とを混合して該アルキルスルホン酸塩が分散したスラリーを得た後、該スラリーからアルキルスルホン酸塩を分離することを特徴とするアルキルスルホン酸塩の製造方法である。
【００１５】
上記発明においては、前記エーテル溶媒が、テトラヒドロフランであることが好ましく、また、前記粗アルキルスルホン酸塩とエーテル溶媒とを混合したスラリーの温度を５℃以上６０℃以下とすることが好ましい。
【００１６】
第二の本発明は、前記方法によりアルキルスルホン酸塩を製造した後、得られたアルキルスルホン酸塩、水、及び塩基を混合してシリコン基板用テクスチャー形成剤を製造する方法である。本発明の方法により製造されたアルキルスルホン酸塩は、非常に純度が高く、シリコン基板用のテクスチャー形成剤の用途に好適に使用できる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の方法によれば、高純度のアルキルスルホン酸塩を得ることができる。この方法により得られたアルキルスルホン酸塩は、特に、シリコン基板表面にテクスチャーを形成するために使用する、テクスチャー形成剤に好適に配合することができる。そのため、本発明は、工業的利用価値が高い。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明は、粗アルキルスルホン酸塩とエーテル溶媒とを混合して該アルキルスルホン酸塩が分散したスラリーを得た後、該スラリーからアルキルスルホン酸塩を分離することにより、アルキルスルホン酸塩を高度に精製する方法である。
以下、順を追って説明する。
【００１９】
（粗アルキルスルホン酸塩）
本発明において、粗アルキルスルホン酸塩は、精製の対象物である。この粗アルキルスルホン酸塩は、下記式（１）
【００２０】
【化１】
2013159580.tif 000002
【００２１】
（式中、
Ｒは、炭素数３〜１２のアルキル基であり、
Ｘは、アルカリ金属である。）で示されるアルキルスルホン酸塩と不純物とを含むものである。
【００２２】
前記式（１）におけるＲは、炭素数３〜１２のアルキル基である。このアルキル基は、直鎖アルキル基、及び分岐アルキル基のどちらであってもよいが、好適には直鎖アルキル基である。中でも、本発明の効果が最も発揮され、さらに得られるアルキルスルホン酸塩の有用性、特に、テクスチャー形成剤の添加剤として好適に用いられるものとして、Ｒは、炭素数６〜１０のアルキル基であることが好ましく、炭素数６〜８のアルキル基がさらに好ましい。
【００２３】
Ｘは、アルカリ金属であり、リチウム、ナトリウム、カリウム等であり、中でも、ナトリウムが好適である。
【００２４】
好適な対象物となる粗アルキルスルホン酸塩に含まれるアルキルスルホン酸塩としては、具体的には、１−プロパンスルホン酸のアルカリ金属塩、１−ブタンスルホン酸のアルカリ金属塩、１−ペンタンスルホン酸のアルカリ金属塩、１−ヘキサンスルホン酸のアルカリ金属塩、１−ヘプタンスルホン酸のアルカリ金属塩、１−オクタンスルホン酸のアルカリ金属塩、１−ノナンスルホン酸のアルカリ金属塩、１−デカンスルホン酸のアルカリ金属塩、１−ウンデカンスルホン酸のアルカリ金属塩、および１−ドデカンスルホン酸のアルカリ金属塩から選ばれる少なくとも１種のアルキルスルホン酸塩が挙げられる。特に、得られたアルキルスルホン酸塩をテクスチャー形成剤に配合する場合、より均一で反射率を低くすることができる凹凸部を有するシリコン基板を製造するためには、１−ペンタンスルホン酸のアルカリ金属塩、１−ヘキサンスルホン酸のアルカリ金属塩、１−ヘプタンスルホン酸のアルカリ金属塩、１−オクタンスルホン酸のアルカリ金属塩、および１−ノナンスルホン酸のアルカリ金属塩から選ばれる少なくとも１種のアルキルスルホン酸塩であることが好ましい。さらに、その中でも、１−ヘキサンスルホン酸のアルカリ金属塩、１−ヘプタンスルホン酸のアルカリ金属塩、および１−オクタンスルホン酸のアルカリ金属塩から選ばれる少なくとも１種のアルキルスルホン酸塩であることが好ましい。なお、アルカリ金属としては、前記の通り、ナトリウムが好ましい。
【００２５】
前記式（１）で示されるアルキルスルホン酸塩を含む粗アルキルスルホン酸塩は、公知の方法で製造することができる。例えば、ハロゲン化アルキルと亜硫酸ナトリウムとを反応させて製造することができる。また、本発明の方法においては、下記に詳述する有機不純物を含む市販のアルキルスルホン酸塩を精製の対象物（粗アルキルスルホン酸塩）とすることができる。
【００２６】
本発明において、粗アルキルスルホン酸塩に含まれる不純物は、原料の未反応物、反応時に生成する副反応物である。本発明の方法によれば、これら不純物を効率よく低減することができる。特に、本発明の方法は、炭素数６〜１０のアルキルスルホン酸塩、より好ましくは炭素数６〜８のアルキルスルホン酸塩を含む粗アルキルスルホン酸塩の精製に効果を発揮する。それは、本発明の方法が、例えば、炭素数５〜９（好ましくは炭素数５〜７）のアルキル基を有するアルデヒド誘導体、炭素数１２〜２０（好ましくは炭素数１２〜１６）のジアルキルエーテル、その他、反応から副生した沸点が１９６℃を超える炭化水素系化合物や重合物（以下、反応不純物とする場合もある）などの有機不純物を効率よく除去できるためであると推定される。
【００２７】
なお、前記有機不純物の炭素数は、製造しようとするアルキルスルホン酸塩の炭素数によって決まる（原料化合物によって決定される）。つまり、例えば、粗１−ヘキサンスルホン酸ナトリウムを対象物とするのであれば、他の有機不純物も含まれるが、ヘキサナール、ジヘキシルエーテル等が有機不純物の主成分となる。また、粗１−オクタンスルホン酸ナトリウムを対象物とするのであれば、他の有機不純物も含まれるが、オクタナール、ジオクチルエーテル等が有機不純物の主成分となる。
【００２８】
また、前記反応不純物は、非常に多くの種類が存在し、複雑な化合物になっているため、同定が困難である。沸点が１９６℃を超える不純物であることは、実施例で記載したガスクロマトグラフィーの測定条件において、ウンデカン（沸点１９６℃）のリテンションタイム（Ｒｅｔｅｎｔｉｏｎ  ｔｉｍｅ）より遅いリテンションタイムで検出される化合物であることから確認した。本発明によれば、このような反応不純物を低減することができる。
【００２９】
中でも、本発明の方法は、前記有機不純物の中でも、炭素数５〜９（好ましくは炭素数５〜７）のアルキル基を有するアルデヒド誘導体を効率よく除去できるため、得られるアルキルスルホン酸塩の有用性が高くなるものと考えられる。この理由は明らかではないが、本発明者等は以下の通りに推定している。
【００３０】
つまり、該アルデヒド誘導体は、反応性が高く、他の不純物等と反応して様々な不純物に変換される可能性が高い（前記反応不純物を生成している可能性が高い。）。本発明の方法は、このように反応性の高いアルデヒド誘導体を効率よく除去できる。そのため、得られるアルキルスルホン酸塩は、他の成分に配合した場合に不純物を増大させることがないため、特に、シリコン基板用テクスチャー形成剤の添加剤として好適に使用できるものと考えられる。
【００３１】
本発明において、粗アルキルスルホン酸塩に含まれる有機不純物の量、特に、アルデヒド誘導体、ジアルキルエーテル類、及び前記反応不純物の総量は、特に制限されるものではないが、実施例に記載した条件で測定したガスクロマトグラフィー（ＧＣ）測定において、粗アルキルスルホン酸塩中に、５〜２００００ｗｔｐｐｍであることが好ましく、さらに１０〜１０００ｗｔｐｐｍであることが好ましく、特に１０〜５００ｗｔｐｐｍであることが好ましい。
【００３２】
本発明において、精製の対象物である粗アルキルスルホン酸塩は、平均粒子径が１００μｍ以下でなければならない。この粒子径は、ＪＩＳ  Ｚ  ８８０１の標準ふるいを用いて５分間振動させた後の篩目のサイズによる重量分率から算術平均粒子径を測定したものである。平均粒子径が１００μｍを超える場合には、下記に詳述する方法で有機不純物が十分に低減できないため好ましくない。中でも、得られた精製アルキルスルホン酸塩をテクスチャー形成剤の配合剤として使用する場合、シリコン基板の反射率をより低減させる効果を発揮するためには、粗アルキルスルホン酸塩の平均粒子径は９０μｍ以下であることが好ましく、８５μｍ以下であることがさらに好ましく、８０μｍ以下であることが特に好ましい。特に、目開きが９０μｍの篩目を通過する粗アルキルスルホン酸塩が好ましい。有機不純物等を測定器の検出限界とした同じ場合であっても、好ましくは９０μｍ以下、さらに好ましくは８５μｍ以下、特に好ましくは８０μｍ以下の平均粒子径の粗アルキルスルホン酸塩を対象物とすることにより、テクスチャー形成剤の配合剤として好適に使用できる。
【００３３】
一方、粗アルキルスルホン酸塩の平均粒子径の下限は、特に制限されるものではないが、操作性、及び本発明における効果の顕著性を考慮すると、１μｍ以上であることが好ましい。
【００３４】
なお、粗アルキルスルホン酸塩の平均粒子径が１００μｍを超える場合には、公知の方法により粉砕等の操作を行い、１００μｍ以下とすればよい。
【００３５】
本発明は、以上のような粗アルキルスルホン酸塩とエーテル溶媒とを混合し、特に、前記有機不純物をエーテル溶媒中に溶解させることにより、アルキルスルホン酸塩を製造する方法である。
次に、使用するエーテル溶媒について説明する。
【００３６】
（エーテル溶媒）
本発明において、使用するエーテル溶媒は、使用時の温度で液体であれば特に制限されるものではない。具体的には、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルエチルエーテル、ジプロピルエーテル、イソプロピルエーテル、ブチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等が挙げられる。中でも、有機不純物、特にアルデヒド誘導体を効率よく低減でき、操作性にも優れた溶媒として、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）が挙げられる。また、テトラヒドロフランを使用することにより、得られた精製アルキルスルホン酸塩を、テクスチャー形成剤の配合剤としてより好適に使用できる。
【００３７】
このような溶媒は、純度の高いものを使用することが好ましく、純度が９９．０質量％以上であることが好ましい。
【００３８】
次に、このような溶媒と粗アルキルスルホン酸塩とを混合し、不純物を低減する方法について説明する。
【００３９】
（精製方法）
本発明においては、先ず、前記粗アルキルスルホン酸塩と前記エーテル溶媒とを混合する。そして、アルキルスルホン酸塩がエーテル溶媒中に分散したスラリーとする。スラリーとすることにより操作性を向上しつつ、有機不純物量を低減することができる。
【００４０】
エーテル溶媒の使用量は、混合時の温度、対象となる粗アルキルスルホン酸塩の種類、溶媒の種類に応じて適宜最適な使用量を決定すればよいが、粗アルキルスルホン酸塩  １ｇに対して、エーテル溶媒を好ましくは３ｇ〜２０ｇ、さらに好ましくは３ｇ〜１０ｇ使用することが好ましい。この範囲であれば、十分にアルキルスルホン酸塩がエーテル溶媒中に分散したスラリーとできる。また、使用した溶媒は再利用が可能であり、再利用する場合には、蒸留を行って不純物を低減したものを使用することが好ましい。
【００４１】
また、粗アルキルスルホン酸塩とエーテル溶媒との混合は、特に制限されるものではなく、公知の混合装置を使用して混合すればよい。例えば、容器内で撹拌羽により撹拌する方法、ロッキングミキサー等に両者を入れ揺動混合する方法が挙げられる。
【００４２】
混合に使用する容器も、特に制限されるものではなく、公知の材質で製造された容器が使用できる。具体的には、グラスライニング、ステンレス（ＳＵＳ）等の材質で製造された容器を使用することができる。中でも、得られるアルキルスルホン酸塩をテクスチャー形成剤の添加剤として使用する場合には、グラスライニング製の容器を使用することが好ましい。
【００４３】
本発明において、前記アルキルスルホン酸塩と前記エーテル溶媒とを混合する際の温度、及びスラリーの温度は、対象となる粗アルキルスルホン酸塩の種類、エーテル溶媒の種類・使用量等に応じて決定すればよい。具体的には、５〜６０℃の範囲で実施することにより、効率よく有機不純物を低減することができ、操作性を向上することができる。中でも、エーテル溶媒としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を使用した場合には、１０〜５０℃とすることが特に好ましい。
【００４４】
なお、前記条件であれば、対象となる粗アルキルスルホン酸塩、使用するエーテル溶媒の組み合わせによっては一部アルキルスルホン酸塩が溶解することもあるが、大部分がエーテル溶媒に不要となり、アルキルスルホン酸塩がエーテル溶媒中に分散したスラリーを得ることができる。
【００４５】
前記アルキルスルホン酸塩と前記エーテル溶媒との混合時間は、特に制限されるものではなく、有機不純物の低減量を確認して決定すればよい。例えば、精製したアルキルスルホン酸塩に含まれる有機不純物、特に、アルデヒド誘導体、ジアルキルエーテル類、及び前記反応不純物の総量が、アルキルスルホン酸塩に対して０．１ｗｔｐｐｍ未満となる混合時間とすればよい。この総量は、下記実施例のガスクロマトグラフィー（ＧＣ）の測定条件で検出されるものである。通常、混合時間は、１０分以上８時間以下であれば十分である。
【００４６】
このようにしてアルキルスルホン酸塩がエーテル溶媒中に分散したスラリーからアルキルスルホン酸塩を分離する方法は、特に制限されるものではなく、デカンテーションによる分離、ろ過による分離、遠心ろ過等の方法を採用すればよい。また、これらの方法により分離したアルキルスルホン酸塩は、使用したエーテル溶媒で洗浄することもできる。
【００４７】
エーテル溶媒と分離したアルキルスルホン酸塩は、公知の方法で乾燥して溶媒を除去してやればよい。乾燥温度は、特に制限されるものではないが、熱劣化を防止する観点から４０〜１００℃の温度が好ましく、更に４０〜８０℃の温度で乾燥することが好ましい。乾燥時の圧力としては、熱負荷軽減や乾燥効率の観点から、大気圧以下が好ましく、４０ ． ０ｋＰａ以下が更に好ましく、１６．０ｋＰａ以下が特に好ましく、６．７ｋＰａ以下が最も好ましい。また、乾燥時間は、エーテル溶媒が十分に低減できる時間、例えば、４〜２４時間であればよい。この時間は、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により測定して溶媒が除去されたことを確認してその時間を決定することもできる。
【００４８】
本発明によれば、粗アルキルスルホン酸塩に含まれる有機不純物を効率よく低減できる。特に、アルデヒド誘導体を効率よく低減できると考えられるため、得られたアルキルスルホン酸塩は、シリコン基板用テクスチャー形成剤の添加剤として好適に使用できる。
【００４９】
（精製されたアルキルスルホン酸塩の用途）
本発明に方法により得られたアルキルスルホン酸塩は、有機不純物が低減されたものとなる。そのため、様々な用途に使用できる。中でも、シリコン基板用テクスチャー形成剤の配合剤として好適に使用できる。
【００５０】
得られたアルキルスルホン酸塩を該テクスチャー形成剤の配合剤として使用する場合には、水１００質量部に対して、塩基を０．３〜１５質量部、アルキルスルホン酸塩を０．００１〜１０質量部配合したアルカリ水溶液として使用することが好ましい。塩基としては、無機塩基、有機塩基の何れであってもよい。中でも、操作性、テクスチャー形成能、コスト等を考慮すると、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機塩基が好ましい。そして、テクスチャー形成剤に使用する塩基に含まれるアルカリ金属と、アルキルスルホン酸塩を形成するアルカリ金属とは、同一のものを使用することが好ましい。
【００５１】
上記アルカリ水溶液よりなるテクスチャー形成剤は、水、塩基、及びアルキルスルホン酸を混合することにより製造することができる。混合方法は、特に制限されるものではなく、３成分を同時に混合することもできるし、水で希釈した塩基、及び水で希釈したアルキルスルホン酸塩等を混合し、さらに所望の濃度となるように水を混合することもできる。
【００５２】
得られたアルカリ水溶液（精製したアルキルスルホン酸塩を含むアルカリ水溶液：シリコン基板用テクスチャー形成剤）を使用してシリコン基板表面にテクスチャーを形成するには、前記濃度範囲を満足するテクスチャー形成剤（アルカリ水溶液）とシリコン基板とを公知の方法により接触させればよい。
【００５３】
上記の方法により得られるシリコン基板は、表面に均一なテクスチャー（凹凸構造）を有する。この均一なテクスチャー（凹凸構造）は、波長７００ｎｍの光に対する光反射率が１３．０％以下となるような構造とすることができる。そして、本発明においては、該凹凸構造は、波長７００ｎｍの光の反射率がより好ましくは１１．０％以下、さらに好ましくは１０．０％以下となるような構造とすることも可能である。また、実施例に詳細に示すが、波長７００ｎｍの光に対する反射率をシリコン基板表面の５箇所で測定した際、その標準偏差を１以下とすることができ、均一な凹凸構造を形成できる。本発明においては、該標準偏差は、好ましくは０．７５以下、より好ましくは０．６以下、さらに好ましくは０．４以下とすることも可能である。
【実施例】
【００５４】
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５５】
実施例１
撹拌羽を取り付けた５Ｌの四つ口フラスコに、粉砕処理を行って平均粒子径を７５μｍとした粗１−ヘキサンスルホン酸ナトリウム５００ｇを入れ、これに純度９９．９５質量％のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０００ｇを注ぎ入れた。次いで、該粗１−ヘキサンスルホン酸ナトリウムが分散したＴＨＦ溶媒の温度を２３℃として２時間撹拌を行った後、減圧ろ過により固液分離を行った。
【００５６】
ろ過後の１−ヘキサンスルホン酸ナトリウムを真空乾燥機にて８０℃で１５時間乾燥を行った。乾燥後のヘキサンスルホン酸ナトリウムに含まれるヘキサナール（アルデヒド誘導体）、ジヘキシルエーテル（ジアルキルエーテル）、及び沸点が１９６℃を超える有機不純物（反応不純物）の量の分析を下記条件で行った結果、０．１ｐｐｍ未満（質量基準）であった。表１に、粗１−ヘキサンスルホン酸ナトリウムの平均粒子径、粗１−ヘキサンスルホン酸ナトリウムに含まれるヘキサナール（アルデヒド誘導体）、ジヘキシルエーテル、及び沸点が１９６℃を超える有機不純物（反応不純物）の総量（有機不純物量）、その他の条件等をまとめた。
【００５７】
アルキルスルホン酸塩に含まれる有機不純物の総量（有機不純物量）の分析方法
アルキルスルホン酸塩に含まれる有機不純物の総量（アルデヒド誘導体、ジアルキルエーテル、及び反応不純物の総量）をガスクロマトグラフィー（ＧＣ）測定で行った。アルキルスルホン酸塩１０ｇを純水９０ｇに溶解させたものに、ジエチルエーテル２０ｇを加え、２時間揺動した。このジエチルエーテルをさらに１０倍に濃縮し、ＧＣで分析を行った。ＧＣの測定条件を下記に示す。
【００５８】
ガスクロマトグラフィーの条件
カラム：DB-1（ID:0.25mm×30m、膜厚0.25μm）。
キャリアーガス：ヘリウム。
昇温パターン：40℃（５分保持）→300℃（１５分保持）（昇温速度：20℃/min）。
検出器：水素炎イオン化検出器（FID） スプリット比：100/1。
【００５９】
この条件でウンデカン（沸点１９６℃）を測定したところ、リテンションタイム（Ｒｅｔｅｎｔｉｏｎ  ｔｉｍｅ）は９．７分であった。このウンデカンを標準サンプルとし、このウンデカンよりもリテンションタイム（Ｒｅｔｅｎｔｉｏｎ  ｔｉｍｅ）が遅い化合物を、沸点が１９６℃を超える反応不純物としてその量を求めた。
【００６０】
なお、有機不純物量（アルデヒド誘導体、ジアルキルエーテル、及び反応不純物の総量）は、濃縮倍率を勘案してアルキルスルホン酸塩に含まれる量として算出した。
【００６１】
実施例２〜６
実施例１において使用したアルキルスルホン酸塩、および、溶媒の種類、その他の条件を表１に記載した通りに変更した以外は、実施例１と同様にして精製処理を行った。その結果を表１に示す。
【００６２】
なお、実施例２、実施例６の有機不純物量は、実施例１と同じ不純物の総量を指す。また、実施例３における有機不純物量は、ヘプタナール、ジヘプチルエーテル、沸点が１９６℃を超える有機不純物（反応不純物）の総量である。また、実施例４、５における有機不純物量は、オクタナール、ジオクチルエーテル、沸点が１９６℃を超える有機不純物（反応不純物）の総量である。
【００６３】
【表１】
2013159580.tif 000003
【００６４】
比較例１〜４
実施例１において使用したアルキルスルホン酸塩、および、溶媒の種類、その他の条件を表２に記載した通りに変更した以外は、実施例１と同様にして精製処理を行った。処理物（実施例の精製物に該当）に含まれるアルデヒド誘導体、ジアルキルエーテル、沸点が１９６℃を超える有機不純物（反応不純物）の総量も、実施例１と同様の方法で測定を行った。
【００６５】
【表２】
2013159580.tif 000004
【００６６】
実施例７  
（テクスチャー形成用組成物（テクスチャー形成剤）の調製）
水酸化ナトリウム５．０ｇを純水１００．０ｇに溶解させた。この溶液にスルホン酸化合物として、実施例１で得られた１−ヘキサンスルホン酸ナトリウム２．０ｇを混合溶解し、テクスチャー形成用組成物を調製した。配合割合を表３に示す。
【００６７】
（シリコン基板の処理方法）
上記のようにして得られたテクスチャー形成用組成物を処理槽中で８０℃に加温した。このテクスチャー形成用組成物中に基板表面の面方位が（１００）である単結晶シリコン基板１枚を３０分浸漬した後シリコン基板を該組成物中から取り出し、基板表面を純水で洗浄及び乾燥させて、テクスチャー形成基板を得た。
【００６８】
（反射率の測定）
上記のようにして得られたテクスチャー形成基板表面の光反射率を測定した。光反射率の測定は、日本分光株式会社製紫外可視赤外分光光度計Ｖ−６７０を使用した。波長７００ｎｍの光の反射率を基板上の５箇所で測定した。この５箇所の測定結果の平均値である平均反射率の結果を表１に示す。また、凹凸部の均一性は、５箇所で測定した５つの光反射率の値の標準偏差値で評価した。その結果を表３に示した。
【００６９】
実施例８〜１２
実施例７のテクスチャー形成用組成物の調製において、使用した塩基の種類、塩基の量、使用したアルキルスルホン酸塩の種類（実施例No．）、アルキルスルホン酸塩の量を表３に記載した通りに変更した以外は実施例７と同様の操作を行い、テクスチャー形成用組成物を調製した。次いで、実施例７と同様の方法によりシリコン基板の表面処理を行い、同じく実施例７と同様の方法によりテクスチャー形成基板表面の光反射率を測定した。その結果を表３に示す。
【００７０】
【表３】
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【００７１】
比較例４〜７
実施例７のテクスチャー形成用組成物の調製において、比較例４（比較例１で得られた１−ヘキサンスルホン酸ナトリウム）、比較例５（比較例２で得られた１−オクタンスルホン酸ナトリウム）、比較例６（比較例３で得られた１−ヘキサンスルホン酸ナトリウム）、比較例７（実施例１で使用した粗１−ヘキサンスルホン酸ナトリウム）でそれぞれのアルキルスルホン酸塩を使用した以外は、実施例７と同様の操作でテクスチャー形成用組成物を調製し、同様の操作でシリコン基板表面にテクスチャーを形成させ、同様の評価を行った。その結果を表４に示す。
【００７２】
【表４】
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