(57)【要約】【課題】低温で焼成しても焼結性を確保し、優れた誘電特性と機械強度を有する誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。【解決手段】誘電体磁器組成物の主成分として、α｛（１−Ｘ−Ｙ）ＭｇＯ・（Ｘ）ＣｕＯ・（Ｙ）ＭｎＯ｝・βＡｌ２Ｏ３・γＳｉＯ２で構成され、１＜α＜３、１＜β＜３、４＜γ＜７、０＜Ｘ＜０．３、０＜Ｙ＜０．５であることを特徴とする誘電体磁器組成物である。さらに副成分として、Ｂ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏ等の副成分を主成分１００質量部に対し、０．１質量部以上８質量部以下の副成分を含むことを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式α｛（１−Ｘ−Ｙ）ＭｇＯ・（Ｘ）ＣｕＯ・（Ｙ）ＭｎＯ｝・βＡｌ２Ｏ３・γＳｉＯ２（但し、１＜α＜３、１＜β＜３、４＜γ＜７、０＜Ｘ＜０．３、０＜Ｙ＜０．５）で表される主成分を含むことを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項２】
一般式α｛（１−Ｘ−Ｙ）ＭｇＯ・（Ｘ）ＣｕＯ・（Ｙ）ＭｎＯ｝・βＡｌ２Ｏ３・γＳｉＯ２（但し、１＜α＜３、１＜β＜３、４＜γ＜７、０＜Ｘ＜０．３、０＜Ｙ＜０．５）で表される主成分と、該主成分１００質量部に対し、０．１質量部以上８質量部以下の副成分を含むことを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記副成分は、Ｂ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏのいずれか一種を含むことを特徴とする請求項２記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
前記誘電体磁器組成物を焼結して得られた請求項１乃至請求項３記載の誘電体磁器。
【請求項５】
請求項４記載の誘電体磁器を備えていることを特徴とする、電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層回路基板用等の焼成磁器組成物に関し、特に、高周波での低い誘電率、高いＱｆ値（ｆは共振周波数）、機械強度を有し、低融点電極材料との低温焼成が可能な誘電体磁器組成物、誘電体磁器および電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来からＩＣ等の半導体素子や各種電子部品を搭載し、内層回路を配したセラミックス積層回路基板が知られている。この様な積層回路基板の材料としてはアルミナ基板が用いられて来た。アルミナ基板は焼成温度が１３００〜１６００℃と高いため、電極材料にはＷ，Ｍｏ等の高融点金属が使用されている。しかし、これらの電極材料は電気抵抗率が高く、信号の伝送損失が大きくなる問題があった。
また、アルミナ自体の比誘電率が１０と高いため、伝送信号の遅延といった問題がある。そこで、伝送信号の遅延防止に対応した回路基板に適した材料として特許文献１、２、３には、電気抵抗率の小さい銀や銅電極材料等との同時焼成が可能で比誘電率が６．０程度と低い値を有するコージェライトを主成分とした低温焼成磁器組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３１０４６８号公報
【特許文献２】特開２００４−３５２５１４号公報
【特許文献３】特開２００５−２７２１９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１、３のようにコージェライトを主成分とした誘電体磁器組成物では、緻密な磁器を得るために多量な酸化物、ガラス等の副成分が必要となり、誘電損失値が大きいといった問題点がある。また、特許文献２のようにガラスを主成分として結晶相を析出させることで低温焼成化を試みる材料ではガラスを結晶化させるのに一定の焼成温度を必要とし、電気抵抗率の最も小さい銀電極材料を使用しての同時焼成は不可能であり、信号の伝送損失を最小限に抑えることは出来ないといった問題点がある。また、電気特性以外にも基板の薄層化に伴い、材料としての機械強度が大きいことが望ましいが、焼結助剤が多いと機械強度に影響を与える問題点も挙げられる。
【０００５】
そのため、コージェライトを主成分とした誘電体磁器組成物では、副成分となる酸化物やガラスの使用量を少なくしながら、低温焼成で銀電極材料と同時焼成することが望ましく、比誘電率が低く、高いＱ・ｆ値を有し、一定の抗折強度を有するような誘電体磁器が求められている。
【０００６】
ここでＱは、誘電体における現実の電流と電圧の位相差と、理想の電流と電圧の位相差９０度との差である損失角度δの正接ｔａｎδの逆数であり、ｆは共振周波数である。Ｑ・ｆ値は、品質係数Ｑ＝１／ｔａｎδと共振周波数ｆとの積で表され、Ｑ・ｆ値が大きくなると、誘電損失は小さくなる。
【０００７】
本発明は上記に鑑みてなされたものであって、低温焼成しても緻密に焼結し、優れた誘電特性と機械強度を有する誘電体磁器およびこれを用いた電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、低温焼成しても焼結性を確保し、優れた誘電特性と機械強度を有する誘電体磁器組成物の検討を行った結果、下記の発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明の誘電体磁器組成物は、一般式α｛（１−Ｘ−Ｙ）ＭｇＯ・（Ｘ）ＣｕＯ・（Ｙ）ＭｎＯ｝・βＡｌ２Ｏ３・γＳｉＯ２（但し、１＜α＜３、１＜β＜３、４＜γ＜７、０＜Ｘ＜０．３、０＜Ｙ＜０．５）で表される主成分とする誘電体磁器組成物である。一般に、コージェライトは２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２からなる化合物で、緻密に焼結させるためには１４００℃以上の焼成温度が必要である。しかしながら、本発明では、主成分であるコージェライトのＭｇＯ部分をＭｎＯとＣｕＯで置換することにより、適正な焼成温度で焼結することで緻密化することが可能となる。これにより、高い抗折強度や低い誘電損失を得ることができる。
【０００９】
また本発明の誘電体磁器組成物は、一般式α｛（１−Ｘ−Ｙ）ＭｇＯ・（Ｘ）ＣｕＯ・（Ｙ）ＭｎＯ｝・βＡｌ２Ｏ３・γＳｉＯ２（但し、１＜α＜３、１＜β＜３、４＜γ＜７、０＜Ｘ＜０．３、０＜Ｙ＜０．５）で表される主成分と、該主成分１００質量部に対し、０．１質量部以上８質量部以下の副成分を含むことを特徴とする誘電体磁器組成物である。本発明では、前記主成分を焼結させるための副成分を０．１質量部以上８質量部以下含ませることにより焼結性を確保することができる。
【００１０】
前記副成分としては、Ｂ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏのいずれか一種を含み、これらの成分が、低温焼結を促進させる効果があるため誘電体磁器の焼結性を確保することが出来る。また、誘電体磁器組成物の焼成温度の低下に伴う、誘電体磁器の抗折強度の低下を抑制することができる。
【００１１】
前述の誘電体磁器組成物を焼結させることによって得られる焼結体が誘電体磁器である。
【００１２】
本発明の誘電体磁器が、優れた誘電特性や機械強度を有する理由は、副成分の添加量が少量であり、コージェライト結晶相が主相として析出していることが寄与している。そのため低温焼成しても焼結性を確保し、優れた誘電特性と機械強度を有する誘電体磁器を提供する事が可能となる。
【００１３】
また本発明は、上述の誘電体磁器を備えるような電子部品を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は低温焼結可能な材料であるため、電気抵抗率の最も小さい電極材料と同時焼成し積層回路基板を形成することが可能となる。また低い比誘電率（ε５．５以下）と高いＱ・ｆ値（Ｑ・ｆ値で１３０００ＧＨｚ以上）を有し、２８０ＭＰａ以上の抗折強度を有する材料であるため、信号の伝送損失の最小化と伝播時間遅延防止に対応した薄層回路基板等の電子部品に適用することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を好適に実施するための形態（以下、実施形態という。）につき、詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に記載した内容により限定されるものではない。また、以下に記載した実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、以下に記載した実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００１６】
本実施形態において、誘電体磁器組成物とは、誘電体磁器の原料組成物であり、誘電体磁器とは、誘電体磁器組成物を焼結させることによって得られる焼結体である。また、焼結とは、誘電体磁器組成物を加熱することで、誘電体磁器組成物が焼結体となり、緻密な物体になる現象である。一般に、加熱前の誘電体磁器組成物に比べて、焼結体（誘電体磁器）の密度、機械的強度等は大きくなる。また、焼結温度とは、誘電体磁器組成物が焼結する際の誘電体磁器組成物の温度である。また、焼成とは、焼結を目的とした加熱処理を意味し、焼成温度とは、加熱処理の際に誘電体磁器組成物が曝される雰囲気の温度である。
【００１７】
本発明において、主成分、副成分の各添加量を特定した理由は以下の通りである。
まず主成分である、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＣｕＯ、ＭｎＯについて説明する。一般に、コージェライト結晶相を発現させるにはＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２の酸化物を用い、１４００℃以上の焼成温度を必要とする。１４００℃という高温で熱処理しないとコージェライト相は発現せず、またコージェライト相の融点が１４６０℃であるため合成しづらい。一方、本発明者らは、前記コージェライト相の主成分酸化物に、ＣｕＯとＭｎＯを含有させて合成を行うと１２００℃〜１２４０℃の熱処理でコージェライト相を容易に合成できることを見出した。よって本発明では、主成分はＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＣｕＯ、ＭｎＯの酸化物で構成している。コージェライトの主成分であるＭｇＯの一部を、ＭｎＯとＣｕＯで置換することにより、適正な焼成温度で焼結する可能となり、緻密化することが可能となる。これにより、高い抗折強度や低い誘電損失を得るに至った。
【００１８】
主成分における各酸化物の望ましい組成としては、α｛（１−Ｘ−Ｙ）ＭｇＯ・（Ｘ）ＣｕＯ・（Ｙ）ＭｎＯ｝・βＡｌ２Ｏ３・γＳｉＯ２の定義に対し、１＜α＜３、１＜β＜３、４＜γ＜７、０＜Ｘ＜０．３、０＜Ｙ＜０．４が好ましく、１．５＜α＜２．５、１．５＜β＜２．５、４．５＜γ＜５．５、０．１０≦Ｘ＜０．２５、０．１０≦Ｙ＜０．３がより好ましい。好ましい範囲をずれると、コージェライト結晶相以外の結晶相が支配的に発現して焼結性が好ましくなくなり、誘電特性等の確保が厳しくなる。
【００１９】
主成分であるＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＣｕＯ、ＭｎＯからなる組成系においては、コージェライト結晶が主相として析出するため、低い比誘電率（ε５．５以下）と高いＱ・ｆ値（Ｑ・ｆ値で１３０００ＧＨｚ以上）を有し、２８０ＭＰａ以上の抗折強度を有する材料を得ることが可能になる。
【００２０】
上記主成分に対しては、以下の副成分を添加する。副成分としてはＢ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏのいずれか一種を含む化合物を添加する。主成分１００質量部に対し、０．１質量部以上８質量部以下の副成分を含有する。
【００２１】
Ｂ２Ｏ３は低温焼結促進の効果があるため副成分として添加を行う。主成分を１００質量部とした場合、Ｂ２Ｏ３は０．１質量部以上６．０質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上２．０質量部以下であることがより好ましい。
【００２２】
Ｂ２Ｏ３の添加量が０．１質量部未満となると、低温焼結効果（より低い温度での誘電体磁器組成物の焼結を可能とする効果）が不充分となる傾向があり、また焼成後の誘電体磁器組成物（誘電体磁器）の抗折強度が向上する効果が小さくなる傾向がある。一方、Ｂ２Ｏ３の添加量が６．０質量部を超えると、焼結体に発泡が生じ誘電損失が大きくなり、Ｑが低下して、誘電損失が大きくなる傾向がある。そこで、Ｂ２Ｏ３の添加量を上記の好適範囲内とすることによって、これらの傾向を抑制できる。
【００２３】
Ｌｉ２Ｏを含む化合物は低温焼結促進の効果があるため副成分として添加を行う。主成分を１００質量部とした場合、Ｌｉ２Ｏを含む化合物中のＬｉ２Ｏ量が０．１質量部以上４質量部以下であることが好ましく、０．４質量部以上１．０質量部以下であることがより好ましい。
【００２４】
Ｌｉ２Ｏを含む化合物中のＬｉ２Ｏ量の添加量が０．１質量部未満となると、低温焼結効果（より低い温度での誘電体磁器組成物の焼結を可能とする効果）が不充分となる傾向があり、また焼成後の誘電体磁器組成物（誘電体磁器）の抗折強度が向上する効果が小さくなる傾向がある。一方、Ｌｉ２Ｏを含む化合物中のＬｉ２Ｏ量の添加量が４．０質量部を超えると、焼結体に発泡が生じ誘電損失が大きくなり、Ｑが低下して、誘電損失が大きくなる傾向がある。そこで、Ｌｉ２Ｏを含む化合物中のＬｉ２Ｏ量の添加量を上記の好適範囲内とすることによって、これらの傾向を抑制できる。
【００２５】
Ｌｉ２Ｏを含む化合物は、炭酸塩の形でも、硝酸塩の形でも、ガラスの形であっても良い。酸化物の一例としてＬｉ２ＣＯ３が挙げられ、硝酸塩の一例としてＬｉＮＯ３が挙げられる。
【００２６】
Ｌｉ２Ｏを含む化合物でガラスの形態として、ＳｉＯ２−ＲＯ−Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３（ＲＯはアルカリ土類金属酸化物を１種類以上含む）系ガラスが好ましい具体的には、ＳｉＯ２−ＲＯ−Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ系ガラスとしては、ＳｉＯ２−ＣａＯ−Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ２−ＳｒＯ−Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ２−ＢａＯ−Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ２−ＳｒＯ−Ｃａ〇−Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ２−Ｓｒ〇−ＢａＯ−Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ２−Ｃａ〇−ＢａＯ−Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ系ガラスなどが挙げられる。Ｂ２Ｏ３−ＲＯ−Ｌｉ２Ｏ系ガラスとしては、Ｂ２Ｏ３−ＣａＯ−Ｌｉ２Ｏ系ガラス、Ｂ２Ｏ３−ＳｒＯ−Ｌｉ２Ｏ系ガラス、Ｂ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｌｉ２Ｏ系ガラス、Ｂ２Ｏ３−ＣａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ２Ｏ系ガラス、Ｂ２Ｏ３−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｌｉ２Ｏ系ガラス、Ｂ２Ｏ３−ＳｒＯ−ＢａＯ−Ｌｉ２Ｏ系ガラス、Ｂ２Ｏ３−ＣａＯ−ＳｒＯ−ＢａＯ−Ｌｉ２Ｏ系ガラスなどが挙げられる。
これらの中でも、ＳｉＯ２−Ｃａ〇−ＢａＯ−Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ系ガラスが好ましい。
【００２７】
Ｂ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏを含む化合物を副成分として添加した組成系においては、少量の副成分で緻密に焼結が可能になり、コージェライト結晶が主相として存在するため、低い比誘電率（ε５．５以下）と高いＱ・ｆ値（Ｑ・ｆ値で１３０００ＧＨｚ以上）を有し、２８０ＭＰａ以上の抗折強度を有することが可能となる。
【実施例１】
【００２８】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００２９】
［実施例１］
コージェエライトの原料となるＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＣｕＯ、ＭｎＣＯ３粉末を表１に示す質量比率に従って秤量し、純水と市販のアニオン系分散剤と共に、ボールミルで２４時間混合を行い混合スラリーを得た。混合スラリーを１２０℃で加熱乾燥した後、瑪瑙乳鉢で解砕し、＃３００メッシュふるいを通過させ整粒し、アルミナ坩堝に入れ１２００〜１２４０℃の温度範囲内で２時間仮焼をした。ＭｎＣＯ３粉末については、仮焼後にＭｎＯになる秤量値を採用した。
【００３０】
この主成分の段階での誘電特性等の評価も行うため、仮焼粉を分取し、エタノールと一緒にボールミルで２４時間混合を行った。混合スラリーを８０℃〜１２０℃で段階的に加熱乾燥した後、瑪瑙乳鉢で解砕し、＃３００メッシュふるいを通過させ整粒し主成分が表１になるように誘電体粉末を調整した。
【００３１】
前記の方法で得られた誘電体粉末に市販のアクリル樹脂系ラッカー溶液を誘電体粉末質量に対して樹脂固形分８質量％添加した後、瑪瑙乳鉢にて混練し、＃３００メッシュふるいを通過させ整粒し、造粒粉を得た。この造粒粉を金型に入れ、加圧成形し、円柱状の成形体試料を得た。この試料を空気中にて３５０℃で脱バインダー処理を施した後、１２００℃で一定時間熱処理をして、室温まで冷却して焼成し焼結体を得た。
【００３２】
［実施例２〜２０、比較例１〜４］
誘電体粉末の各々の配合を表１に示すように調整したこと以外は、実施例１と同様の方法で焼結体を作製した。作製した誘電体磁器の各々の組成を表１に示す。
【表１】
2013147385.tif 000002
【００３３】
［実施例２１］
次に、上記の方法で得た主成分とＢ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏを含む化合物（ここでは、ＳｉＯ２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ系ガラス）を表２に示す質量比率となるように秤量し、エタノールと共にボールミルで２４時間混合を行った。混合スラリーを８０℃〜１２０℃で段階的に加熱乾燥した後、瑪瑙乳鉢で解砕し、＃３００メッシュふるいを通過させ整粒し主成分と副成分を含む誘電体粉末を得た。
【００３４】
［実施例２１〜５９、比較例５〜１２］
誘電体粉末の各々の配合量をを表２に示すように調整したこと以外は、実施例２１と同様の方法で、誘電体焼結体を作製した。
【００３５】
［実施例２１］
前記方法で得られた主成分と副成分を含む誘電体粉末に市販のアクリル樹脂系ラッカー溶液を誘電体粉末質量に対して樹脂固形分８質量％添加した後、瑪瑙乳鉢にて混練し、＃３００メッシュふるいを通過させ整粒し、造粒粉を得た。この造粒粉を金型に入れ、加圧成形し、円柱状の成形体試料を得た。この試料を空気中にて３５０℃で脱バインダー処理を施した後、９００℃で一定時間熱処理をして、室温まで冷却して焼成し焼結体を得た。作製した誘電体磁器の各々の組成を表２に示す。
【００３６】
［実施例２２〜５９、比較例５から〜１２］
上記に記載の実施例２１と同様の方法で、誘電体磁器を得た。作製した誘電体磁器の各々の組成を表２に示す。
【表２】
2013147385.tif 000003
2013147385.tif 000004
【００３７】
＜評価＞
得られた誘電体磁器の焼結後の相対密度（主成分は高温焼成での実験値を理論密度と策定、副成分との配合比から計算理論密度を算出）、比誘電率、Ｑ値、Ｑ・ｆ値、抗折強度を各々求めた。
【００３８】
［焼結密度の測定］
得られた焼結体の寸法と重量から焼結密度を算出し、材料組成による相対密度値で焼結性を評価した。相対密度値で９４％以上のものを焼結性良好と判断した。
【００３９】
［誘電特性の測定］
誘電体磁器組成物を低温で焼成することが可能であるか否か（低温焼結性）の評価は、誘電体磁器組成物の焼成温度を徐々に下げて焼成し、本実施形態に係る誘電体磁器が所望の誘電体高周波特性が得られる程度に誘電体磁器組成物が焼結しているかどうかで判断することができる。また、本実施形態に係る誘電体磁器についての誘電特性は、Ｑ・ｆ値、温度変化による共振周波数の変化（共振周波数の温度係数τｆ）、及び比誘電率εｒによって評価することができる。Ｑ・ｆ値、比誘電率εｒは、日本工業規格「マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法」（ＪＩＳ  Ｒ１６２７  １９９６年度）に従って測定することができる。
誘電特性の評価として、両端短絡形誘電体共振器法により共振周波数ｆ０と無負荷Ｑ値Ｑ０を求めた。  焼成体（焼結体）の寸法とｆ０とＱ０より、比誘電率および誘電損失係数ｔａｎδの逆数であるＱ値とｆ０の積であるＱ・ｆ値を算出した。共振周波数ｆ０は１８．０〜１９．５ＧＨｚの範囲であった。
【００４０】
［抗折強度の測定］
各誘電体磁器の試験片の厚みが０．４ｍｍ前後、幅が２．６ｍｍ前後になるように切断加工し、３点曲げ強度を測定した。測定器（商品名：５５４３、Ｉｎｓｔｒｏｎ社製）を用いて３点曲げ強度を測定した。３点曲げ強度試験により測定して得られた結果から抗折強度を求めた。測定時に試験片を支える２点間の治具距離は１５ｍｍとし、測定速度は０．５ｍｍ／ｍｉｎとし、１０箇所で測定を行い、試験数１０個で測定して得られた値の平均値（単位：ＭＰａ）を測定値とした。
【００４１】
表１の結果から、実施例１から実施例２０は主成分のみの範囲が発明の範囲内にあるため、主成分としての誘電体特性を満足しており、結果として表２の実施例２１から５９まで誘電体特性等を満足する主成分としての使用が可能になる。
【００４２】
表２の結果から、実施例２１から実施例５９は主成分と副成分の比率が本発明の範囲内にあるため、低温焼成時においてコージェライト相の析出量が多くなり比誘電率が５．５以下、Ｑ・値が１３０００ＧＨｚ以上の誘電体磁器が得られる。
【００４３】
表１の結果から、比較例１から比較例４は主成分のみでの組成が、本発明の組成範囲から外れ、焼成時に析出するコージェライト結晶の比率が少なくなり誘電特性測定が不可能となる。
表２の結果から、比較例５から比較例１２は主成分、副成分、ガラスの軟化点範囲、Ｌｉ２Ｏを含むガラス使用のいずれかが発明の範囲から外れるため、焼成時に析出するコージェライト結晶の比率が少なくなり誘電特性測定が不能であるか、サンプルが発泡するため測定評価不可能となり、比誘電率が５．５以下、Ｑ・値が１３０００ＧＨｚ以上の誘電体磁器が得られない。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は低温での焼結可能な材料であるため、電気抵抗率の最も小さい銀電極材料と同時焼成し積層回路基板を形成することが可能となる。また低い比誘電率（ε５．５以下）と高いＱ・ｆ値（Ｑ・ｆ値で１３０００ＧＨｚ以上）を有し、２８０ＭＰａ以上の抗折強度を有する材料であるため、信号の伝送損失の最小化と伝播時間遅延化防止に対応した薄層回路基板に適用することができる。