(57)【要約】      （修正有）【課題】素子片とパッケージの素子片収容部との隙間を規制する素子片外形から、折り取り部の破断部が内側となるように折り取り部を形成し、小型の電子デバイスに形成することができる素子を提供する。【解決手段】複数の個片１と、前記個片１から延設されている一対の連結部３ａ、３ｂと、前記連結部の延設端部が接続されている保持部２と、を含み、前記連結部は、前記個片が接続されている個片接続部と前記保持部が接続されている保持接続部と、の間にくびれ部が設けられ、前記個片は、前記一対の連結部の間の前記個片の前記個片接続部側端部より、前記連結部の延設方向に延出されている凸部１ｄを含み、前記くびれ部が、前記凸部の延出方向端部よりも前記個片接続部側に設けられている基板１０。【選択図】図１
2013157844.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の個片と、
前記個片から延設されている一対の連結部と、
前記連結部の延設端部が接続されている保持部と、を含み、
前記連結部は、前記個片が接続されている個片接続部と前記保持部が接続されている保持接続部と、の間にくびれ部が設けられ、
前記個片は、前記一対の連結部の間の前記個片の前記個片接続部側端部より、前記連結部の延設方向に延出されている凸部を含み、
前記くびれ部が、前記凸部の延出方向端部よりも前記個片接続部側に設けられている、
ことを特徴とする基板。
【請求項２】
請求項1において、
前記凸部の前記延出方向端部と前記保持部との隙間をδとし、
前記基板の板厚をｔとし、
前記δと前記ｔとの関係が、
δ＞ｔ
を満足している、
ことを特徴とする基板。
【請求項３】
請求項1または２において、
前記基板が水晶であり、
前記水晶の結晶軸である、電気軸としてのＸ軸と、機械軸としてのＹ軸と、光学軸としてのＺ軸と、からなる直交座標系の前記Ｘ軸を中心として、前記Ｚ軸を前記Ｙ軸の−Ｙ方向へ傾けた軸をＺ´軸とし、前記Ｙ軸を前記Ｚ軸の＋Ｚ方向へ傾けた軸をＹ´軸とした場合、
前記基板の主面は前記Ｘ軸と前記Ｚ´軸に平行であり、
前記Ｙ´軸に平行な方向を厚みとし、
前記連結部が前記Ｘ軸に沿って延在されている、
ことを特徴とする基板。
【請求項４】
請求項３において、
前記水晶がＡＴカット水晶であることを特徴とする基板。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項において、
前記個片に電極が設けられている、
ことを特徴とする基板。
【請求項６】
請求項５に記載の基板から、前記連結部を破断して前記個片を分離して得られる素子と、
前記素子が収容されるパッケージと、を備えていることを特徴とする電子デバイス 。
【請求項７】
請求項５に記載の基板から、前記連結部を破断して前記個片を分離して得られる素子と、
前記素子を駆動する発振回路と、
を備えていることを特徴とする発振器。
【請求項８】
請求項６に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、素子基板、電子デバイス、発振器、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子（ＩＣ）あるいは圧電振動素子などを製造する方法として、一般的にウエハーと呼ばれる基板に、複数の素子をエッチング法などによって形成し、この基板の形態で配線や電極などを形成し、その後、基板から各素子をダイシング、エッチング、あるいは折り取りによって個片化して素子単体を得る方法が知られている。中でも、折り取りにより個片化する方法は、特別な装置や工程を必要とせず、低コストで製造する方法として多用されている。
【０００３】
この折り取りによる個片化においては、折り取り部における破断位置のばらつきが大きく、素子個片の寸法のばらつきにも影響するという課題があった。この課題に対して、水晶片とフレーム部とを接続するアーム部に細幅部を形成し、細幅部が破断して水晶片が折り取られる水晶片集合体が提案された（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１８６８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上述の特許文献１であっても、細幅部においては微少であっても凹凸のある破断面になり、特に近年、素子の超小型化によって、微少の凹凸であっても、例えば素子をパッケージに収容する場合に、破断面の凹凸分を考慮して収容寸法を大きくしなければならない、という課題があった。
【０００６】
そこで、素子片とパッケージの素子片収容部との隙間を規制する素子片外形から、折り取り部の破断部が内側となるように折り取り部を形成し、小型の電子デバイスに形成することができる素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、少なくとも上述の課題の一つを解決するように、下記の形態または適用例として実現され得る。
【０００８】
〔適用例１〕本適用例の基板は、複数の個片と、前記個片から延設されている一対の連結部と、前記連結部の延設端部が接続されている保持部と、を含み、前記連結部は、前記個片が接続されている個片接続部と前記保持部が接続されている保持接続部と、の間にくびれ部が設けられ、前記個片は、前記一対の連結部の間の前記個片の前記個片接続部側端部より、前記連結部の延設方向に延出されている凸部を含み、前記くびれ部が、前記凸部の延出方向端部よりも前記個片接続部側に設けられていることを特徴とする。
【０００９】
本適用例の基板によれば、基板に形成された個片を基板から切り離す場合、連結部に設けられたくびれ部が破断される。くびれ部に発生する破断部は、制御されない形状、例えばのこぎり歯状、に形成され、個片が基板から切り離された状態の個片単体での寸法にばらつきを発生してしまう。そこで、凸部を予め形成しておき、凸部の延出方向端部よりも破断部が生じるくびれ部が超えない位置に形成することにより、正確な外形寸法を有する個片を得ることができる。従って、電子デバイスに組み立てる場合に、個片を収納するパッケージを小さくすることができ、小型の電子デバイスを得ることができる。
【００１０】
〔適用例２〕上述の適用例において、前記凸部の前記延出方向端部と前記保持部との隙間をδとし、前記基板の板厚をｔとし、前記δと前記ｔとの関係が、
δ＞ｔ
を満足していることを特徴とする。
【００１１】
上述の適用例によれば、基板から個片を折り取る場合に、凸部と保持部との干渉が発生しないため、個片化（折り取り）し易くなり、生産性、歩留まりの低下を抑制することができる。
【００１２】
〔適用例３〕上述の適用例において、前記基板が水晶であり、前記水晶の結晶軸である、電気軸としてのＸ軸と、機械軸としてのＹ軸と、光学軸としてのＺ軸と、からなる直交座標系の前記Ｘ軸を中心として、前記Ｚ軸を前記Ｙ軸の−Ｙ方向へ傾けた軸をＺ´軸とし、前記Ｙ軸を前記Ｚ軸の＋Ｚ方向へ傾けた軸をＹ´軸とした場合、前記基板の主面は前記Ｘ軸と前記Ｚ´軸に平行であり、前記Ｙ´軸に平行な方向を厚みとし、前記連結部が前記Ｘ軸に沿って延在されていることを特徴とする。
【００１３】
上述の適用例によれば、要求仕様により適したカット角度で基板を形成することが可能となり、且つ仕様に沿った周波数温度特性を有し、ＣＩ値が小さい高周波振動素子を得ることができる。
【００１４】
〔適用例４〕上述の適用例において、前記水晶がＡＴカット水晶であることを特徴とする。
【００１５】
上述の適用例によれば、小型の周波数温度特性に優れた高周波振動素子を得ることができる。
【００１６】
〔適用例５〕上述の適用例において、前記個片に電極が設けられていることを特徴とする。
【００１７】
上述の適用例によれば、一体的に形成された個片を有する基板であるので、電極形成の際の装置への保持を確実にすることができ、取り扱い性、生産性の高い基板を得ることができる。
【００１８】
〔適用例６〕本適用例の電子デバイスは、上述の基板から、前記連結部を破断して前記個片を分離して得られる素子と、前記素子が収容されるパッケージと、を備えていることを特徴とする。
【００１９】
本適用例の電子デバイスは、個片に凸部を予め形成しておき、凸部の延出方向端部よりも破断部が生じるくびれ部が超えない位置に形成することにより、正確な外形寸法を有する個片を得ることができる。従って、電子デバイスに組み立てる場合に、個片を収納するパッケージを小さくすることができ、小型の電子デバイスを得ることができる。
【００２０】
〔適用例７〕本適用例の発振器は、上述の基板から、前記連結部を破断して前記個片を分離して得られる素子と、前記素子を駆動する発振回路と、を備えていることを特徴とする。
【００２１】
本適用例の発振器は、個片に凸部を予め形成しておき、凸部の延出方向端部よりも破断部が生じるくびれ部が超えない位置に形成することにより、正確な外形寸法を有する個片を得ることができる。従って、発振器に組み立てる場合に、個片を収納するパッケージを小さくすることができ、小型の発振器を得ることができる。
【００２２】
〔適用例８〕本適用例の電子機器は、上述の電子デバイスを備えることを特徴とする。
【００２３】
本適用例の電子機器は、小型化された電子デバイスを備えることにより、電子回路の小型化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施形態に係る基板を示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ部の拡大平面図、（ｃ）は（ｂ）に示すＢ−Ｂ´部の断面図、（ｄ）は（ｂ）に示すＣ−Ｃ´部の断面図、（ｅ）は（ｂ）に示すＤ−Ｄ´部の断面図。
【図２】ＡＴカット水晶基板と結晶軸との関係を説明する斜視図。
【図３】第１実施形態に係る基板の部分拡大平面図。
【図４】第２実施形態に係る素子基板を示す、（ａ）は１個の個片部を拡大した平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＥ−Ｅ´部の断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＦ−Ｆ´部の断面図。
【図５】第２実施形態に係る素子片の電極の構成を説明する拡大断面図。
【図６】第２実施形態に係る素子基板から個片化された振動素子を示す平面図。
【図７】第３実施形態に係る振動子を示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＧ−Ｇ´部の断面図。
【図８】第４実施形態に係る発振器を示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＨ−Ｈ´部の断面図。
【図９】第５実施形態に係る電子機器の模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態を説明する。
【００２６】
（第１実施形態）
図１は第１実施形態に係る基板を示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ部の拡大平面図、（ｃ）は（ｂ）に示すＢ−Ｂ´部の断面図、（ｄ）は（ｂ）に示すＣ−Ｃ´部の断面図、（ｅ）は（ｂ）に示すＤ−Ｄ´部の断面図である。図１（ａ）に示すように、基板１０には、複数形成された個片１と、個片１を基板１０に接続、保持する保持部２と、が形成されている。本実施形態に係る基板１０は、圧電材料である水晶から形成される基板１０（以降、水晶基板１０という）であり、個片１は素子片として形成される（個片１を、以降、素子片１という）。
【００２７】
水晶基板１０は、図２に示すように、三方晶系の圧電材料に属する水晶を用いて形成され、互いに直交する結晶軸Ｘ，Ｙ，Ｚを有する。Ｘ軸は電気軸、Ｙ軸は機械軸、Ｚ軸は光学軸と、それぞれ呼称され、ＸＺ面をＸ軸の回りに所定の角度θだけ回転させた平面に沿って、切り出された平板が水晶基板１０として用いられる。例えば、ＡＴカット水晶基板の場合、角度θは３５．２５°（３５°１５′）である。ここで、Ｙ軸とＺ軸とをＸ軸の回りに角度θ回転させ、Ｙ´軸およびＺ´軸とすると、ＡＴカット水晶基板は、直交する結晶軸Ｘ，Ｙ´，Ｚ´を有する。従ってＡＴカット水晶基板は、厚み方向がＹ´軸であり、Ｙ´軸に直交するＸ軸とＺ´軸を含む面が主面であり、主面に厚み滑り振動が主振動として励振される。このように形成されるＡＴカット水晶基板から水晶基板１０が形成される。なお、本実施形態に係る水晶基板１０は、図２に示す角度θが３５．２５°のＡＴカットに限定されず、例えば、厚み滑り振動を励振するＢＴカットなどの圧電基板であってもよい。
【００２８】
水晶基板１０に形成された素子片１は、図１（ｂ）〜（ｅ）に示すように、基板１０の一方の主面側に凹部１ａが形成されて薄肉とした矩形状の振動部１ｂと、振動部１ｂの３辺には振動部１ｂを支持する支持部１ｃが水晶基板１０の厚さで形成されている。保持部２に対向する支持部１ｃからは一対の連結部３ａ，３ｂが延設され、保持部２と繋がっている。この連結部３ａ，３ｂによって素子片１と保持部２とは一体に形成され、図１（ａ）に示すように、素子片１を複数集合させた水晶基板１０が形成される。
【００２９】
連結部３ａ，３ｂの詳細について、図３に示す部分拡大図により説明する。なお、連結部３ａと連結部３ｂとは同じ構成のため、連結部３ａによって説明する。連結部３ａは素子片１と保持部２との間に延設されている。そして、素子片１と連結部３ａとの接続部１ｆと、保持部２と連結部３ａとの接続部２ａと、の間に切り欠き部３ｃが形成されている。言い換えると、切り欠き部３ｃによってくびれ部３ｄが形成される。連結部３ａに細く形成されるくびれ部３ｄが、素子片１を保持部２から折り取る場合に、連結部３ａにおいては強度の弱い部位となり、選択的に破断される。連結部３ｂにおいても接続部１ｇと接続部２ｂとの間に形成されるくびれ部３ｅが、素子片１の折り取りの場合の破断部となる。
【００３０】
また、素子片１は、連結部３ａと連結部３ｂとの間に連結部３ａ，３ｂの延設方向に保持部２に向かって凸部１ｄが形成されている。凸部１ｄは、凸部１ｄの延設端部１ｅが、くびれ部３ｄ，３ｅに対して、保持部２側となるように形成されている。すなわち、素子片１と連結部３ａとの接続部１ｆから延設端部１ｅまでの距離Ｍ、接続部１ｆからくびれ部３ｄの保持側までの距離Ｎ、とした場合、
Ｍ＞Ｎ
となるように形成される。このように連結部３ａが形成されることにより、素子片１を折り取った場合に、くびれ部３ｄの破断部が延設端部１ｅより外形側に飛び出すことが防止できる。連結部３ｂにおいても同様に、くびれ部３ｅの破断部が延設端部１ｅより外形側に飛び出すことが防止できる。
【００３１】
更に、延設端部１ｅと保持部２との間隙δは、水晶基板１０の厚みをｔとすると、
δ＞ｔ
を満足するように形成されている。このように形成することにより、素子片１を折り取る場合に延設端部１ｅと保持部２との干渉を避けることができ、折り取りを容易にすることができる。
【００３２】
（第２実施形態）
図４は、第２実施形態に係る素子基板を示す、（ａ）は１個の個片部を拡大した平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＥ−Ｅ´部の断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＦ−Ｆ´部の断面図である。図４（ａ）に示すように、素子基板１０Ａは、第１実施形態に係る水晶基板１０に所定の電極が形成され、素子片１を振動素子片１００に形成されたものである。以降、素子基板１０Ａは振動素子基板１０Ａという。なお、水晶基板１０および素子片１と共通の構成には同じ符号を付し、説明は省略する。
【００３３】
振動素子片１００は、振動部１ｂの一方の主面１ｈと他方の主面１ｊに、振動部１ｂを励振する励振電極１１０ａ，１２０ａが形成されている。更に、励振電極１１０ａ，１２０ａに連続して支持部１ｃの一方の主面側の面１ｋと他方の主面側の面１ｍと、にリード電極１１０ｂ，１２０ｂが形成されている。更に、凸部１ｄの一方の主面側の面１ｎと他方の主面側の面１ｐと、にリード電極１１０ｂ，１２０ｂに連続して、振動素子片１００が収納される図示しないパッケージに備える接続電極と接続されるパッド電極１１０ｃ，１２０ｃが形成されている。
【００３４】
このように、振動素子片１００は、一方の主面側に励振電極１１０ａとリード電極１１０ｂとパッド電極１１０ｃとにより構成される第１電極１１０と、他方の主面側に励振電極１２０ａとリード電極１２０ｂとパッド電極１２０ｃとにより構成される第２電極１２０と、を備えている。第１電極１１０および第２電極１２０は、少なくとも１層以上の導電膜を備える導電層であって、電極の構成の一例を図５に示す。図５に示すように、第１電極１１０の励振電極１１０ａは、第１電極層２１０ａと第２電極層２１０ｂの２層の電極層により形成されている。第１電極層２１０ａは素子片１を形成する水晶との密着性に優れるＮｉ（ニッケル）が成膜され、第１電極層２１０ａの表層には第２電極層２１０ｂとして導電性に優れるＡｕ（金）が積層されている。第１電極１１０のリード電極１１０ｂおよびパッド電極１１０ｃは、励振電極１１０ａと共通電極層として第１電極層２１０ａと第２電極層２１０ｂが形成され、更に第２電極層２１０ｂの表層に第３電極層２１０ｃとしてＡｕが積層されている。
【００３５】
第２電極１２０も、第１電極１１０同様に、第２電極１２０の励振電極１２０ａは、第１電極層２２０ａと第２電極層２２０ｂの２層の電極層により形成されている。第１電極層２２０ａは素子片１を形成する水晶との密着性に優れるＮｉ（ニッケル）が成膜され、第１電極層２２０ａの表層には第２電極層２２０ｂとして導電性に優れるＡｕ（金）が積層されている。第２電極１２０のリード電極１２０ｂおよびパッド電極１２０ｃは、励振電極１２０ａと共通電極層として第１電極層２２０ａと第２電極層２２０ｂが形成され、更に第２電極層２２０ｂの表層に第３電極層２２０ｃとしてＡｕが積層されている。このように、第１電極１１０および第２電極１２０が形成されることにより、励振電極１１０ａ，１２０ａの層厚より厚い層厚を有するリード電極１１０ｂ，１２０ｃおよびパッド電極１１０ｃ，１２０ｃを有する振動素子片１００が形成される。
【００３６】
振動素子片１００において、励振電極１１０ａ，１２０ａは振動部１ｂの振動性能を高めるために極力薄く成膜されるが、薄膜にするに従って増加する抵抗による損失、すなわちオーミックロスを低減するために、リード電極１１０ｂ，１２０ｂを第３電極層２１０ｃ，２２０ｃを積層させて厚く形成させることによってオーミックロスを低減し、ＣＩ値の劣化を抑制することができる。また、励振電極１１０ａ，１２０ａの第１電極層２１０ａ，２２０ａおよび第２電極層２１０ｂ，２２０ｂが、リード電極１１０ｂ，１２０ｂの共通電極層として構成されていることにより、励振電極１１０ａ，１２０ａとリード電極１１０ｂ，１２０ｂとの電気的な接続が確実に行われ、高い信頼性を有する振動素子片１００を得ることができる。
【００３７】
上述のように形成される、振動素子片１００を有する振動素子基板１０Ａから、振動素子片１００に外力を与え、図６に示すように、くびれ部３ｄ，３ｅを破断させて個片化し、振動素子１００Ａを得る。この場合、破断し易いくびれ部３ｄ，３ｅ領域内で破断部Ｐ，Ｑが発生する。すなわち、図３によって説明したが、図３に示すように素子片１は、素子片１と連結部３ａとの接続部１ｆから延設端部１ｅまでの距離Ｍ、接続部１ｆからくびれ部３ｄの保持側までの距離Ｎ、とした場合、
Ｍ＞Ｎ
となるように形成されている。これにより、振動素子片１００を折り取ることによりくびれ部３ｄ，３ｅの領域に生じる破断部Ｐ，Ｑが、延設端部１ｅより外形側に飛び出すことを防止できる。
【００３８】
（第３実施形態）
第３実施形態の電子デバイスの一実施形態として、第２実施形態に係る振動素子１００Ａを備える振動子を説明する。図７は、第３実施形態に係る振動子１０００を示し、（ａ）は蓋部材を省略した平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＧ−Ｇ´部の断面図である。振動子１０００は、図７（ａ），（ｂ）に示すように、矩形の箱状に形成されたパッケージ本体３００と、金属あるいはセラミックスもしくはガラスなどから形成される蓋部材４００と、により形成されるパッケージ５００の内部に、振動素子１００Ａが気密に収納される構成となっている。
【００３９】
パッケージ本体３００は、図７（ｂ）に示すように、第１基板３１０と、第２基板３２０と、枠状に形成された第３基板３３０と、を積層し気密固定し、第１基板３１０の外部面３１０ａに実装端子３５０が複数形成され、第３基板３３０の上端面３３０ａにシーリング３４０が形成されている。第３基板３３０と第２基板３２０とにより、振動素子１００Ａが収納される凹部３００ａ（以下、キャビティ３００ａという）が形成される。また、第２基板３２０の振動素子１００Ａを載置する搭載面３２０ａには、後述する振動素子１００Ａのパッド電極１１０ｃ，１２０ｃと電気的に接続される搭載パッド３７０と電極端子３８０が形成されている。これらの搭載パッド３７０と電極端子３８０とは、パッケージ本体３００の内部に形成された内部配線３６０によって実装端子３５０と電気的に接続されている。なお搭載パッド３７０は、振動素子１００Ａをキャビティ３００ａ内に載置した場合に第１電極１１０のパッド電極１１０ｃに対応する領域に形成される。
【００４０】
パッケージ本体３００のキャビティ３００ａ内に、振動素子１００Ａは第１電極１１０が第２基板３２０の搭載面３２０ａと対向するように載置される。そして、振動素子１００Ａの第１電極１１０のパッド電極１１０ｃと、第２基板３２０の搭載面３２０ａに形成された搭載パッド３７０と、の間に導電性接着剤６００を塗布、硬化させることによりパッケージ本体３００に振動素子１００Ａが固定され、振動素子１００Ａの第２電極１２０のパッド電極１２０ｃと、第２基板３２０の搭載面３２０ａに形成された電極端子３８０と、はボンディングワイヤーＢＷによって導通接続されている。このようにキャビティ３００ａに振動素子１００Ａを載置固定し、蓋部材４００を第３基板３３０に備えるシーリング３４０によって気密固定することにより、振動子１０００が得られる。
【００４１】
第３実施形態に係る振動子１０００では、振動素子１００Ａが支持固定される部位が第１電極１１０のパッド電極１１０ｃ部の１点であるが、パッド電極１１０ｃが形成されている部位と振動部１ｂとの間に貫通溝１ｑ（図１参照）を形成することによって、導電性接着剤６００に起因して水晶基板１０に生じる応力を緩和することができるため、周波数再現性、周波数温度特性、ＣＩ温度特性、および周波数エージング特性に優れた振動子１０００を得ることができる。更に、凸部１ｄに第１電極１１０のパッド電極１１０ｃを形成することができるため、パッド電極１１０ｃの面積を大きくすることができることで、導電性接着剤６００の塗布面積も大きくすることができる。従って、第１電極１１０のパッド電極１１０ｃにおける１箇所での振動素子１００Ａの固定であっても、振動素子１００Ａの固定力を確保することができる振動子を得ることができる。
【００４２】
また、凸部１ｄは第１実施形態に係る水晶基板１０の製造段階で、エッチングなどの手法により正確な寸法で形成することができる。すなわち、凸部１ｄの延設端部１ｅを含む振動素子１００Ａの外形寸法であるＬ寸法も正確に成形することができる。これにより、第３基板３３０の内壁３３０ｂと振動素子１００Ａとの隙間αを最小にすることができ、小型の振動子１０００を得ることができる。
【００４３】
（第４実施形態）
第４実施形態として、第２実施形態に係る振動素子１００Ａを備える発振器を説明する。図８は、第３実施形態に係る発振器２０００を示し、（ａ）は蓋部材を省略した平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＨ−Ｈ´部の断面図である。発振器２０００は、図８（ａ），（ｂ）に示すように、パッケージ本体２１００と蓋部材２２００とにより形成されるパッケージ２３００の内部に、振動素子１００Ａと、振動素子１００Ａを励振させる発振回路を含む半導体装置２４１０と、電圧により容量が変化する可変容量素子、もしくは温度により抵抗値が変化するサーミスター、インダクターなどの少なくともどちらかである電子部品２４２０と、を備えている。
【００４４】
図８（ｂ）に示すように、パッケージ本体２１００は、第１基板２１１０と、第２基板２１２０と、第３基板２１３０と、を積層して形成されている。実装端子２１５０は第１基板２１１０の外部面２１１０ｂに複数形成されている。第２基板２１２０と第３基板２１３０とは、中央部が除去された枠状に形成され、第１基板２１１０と、第２基板２１２０と、第３基板２１３０と、を積層することにより、振動素子１００Ａ、半導体装置２４１０、電子部品２４２０などを収納する凹部２１００ａ（以下、キャビティ２１００ａという）が形成される。また、第２基板２１２０の振動素子１００Ａを載置する搭載面２１２０ａには、振動素子１００Ａのパッド電極１１０ｃ，１２０ｃと電気的に接続される搭載パッド２１７０と電極端子２１８０が形成されている。これらの搭載パッド２１７０と電極端子２１８０とは、パッケージ本体２１００の内部に形成された内部配線によって半導体装置２４１０もしくは電子部品２４２０と電気的に接続されている。なお搭載パッド２１７０は、振動素子１００Ａをキャビティ２１００ａ内に載置した場合に第１電極１１０のパッド電極１１０ｃに対応する領域に形成される。
【００４５】
振動素子１００Ａの第２基板２１２０への固定は、上述した第３実施形態と同様であるため、説明は省略する。半導体装置２４１０は、第１基板２１１０の電子部品搭載面２１１０ａの所定位置に接着剤などにより固定し、半導体装置２４１０の端子と、電子部品搭載面２１１０ａに設けられた電極端子２４３０とボンディングワイヤーＢＷによって電気的に接続する。また、電子部品２４２０は、電子部品搭載面２１１０ａの所定の固定位置に形成された金属バンプなどにより接続固定される。電極端子２４３０は第１基板２１１０の内部配線２１６０によって第１基板２１１０の外部面２１１０ｂに形成される複数の実装端子２１５０に接続されている。
【００４６】
キャビティ２１００ａに振動素子１００Ａ、半導体装置２４１０および電子部品２４２０を接続固定し、パッケージ本体２１００を蓋部材２２００により気密封止することにより発振器２０００を得る。
【００４７】
第４実施形態として上述の通り、パッケージ２３００の内部に振動素子１００Ａと、発振回路を含む半導体装置２４１０と、電子部品２４２０と、を備える発振器２０００を説明したが、これに限定されない。例えば、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）技術を応用し、電子機器のプリント基板等に振動素子１００Ａ、および発振回路を含む半導体装置２４１０と、電子部品２４２０と、を剥き出しの状態で実装し、その後、チップをモールドしたり、キャップを被せたりして発振器を形成してもよい。または、プリント基板に振動素子１００Ａを一方の電極で接合材を介して一点支持し電気的にも接続し、他方の電極をワイヤー接続しても良い。
【００４８】
（第５実施形態）
図９は、電子機器の一例を示す概略構成図である。電子機器３０００は、第３実施形態に係る振動子１０００を備えている。電子機器３０００としては、伝送機器などが挙げられ、電子機器３０００において振動子１０００は、基準信号源、あるいは電圧可変型発振器（ＶＣＸＯ）などとして用いられ、小型で特性の良好な電子機器３０００を得ることができる。
【符号の説明】
【００４９】
１…個片（素子片）、２…保持部、１０…基板（水晶基板）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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