(57)【要約】【課題】３次元表示装置用パターン位相差フィルムのパターニングを高精度で行うための３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法を提供する。【解決手段】微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第１凹凸構造領域と、前記第１凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第２凹凸構造領域とが交互に形成されている３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法であって、一方の凹凸構造領域をマスキングするために帯状のレジストパターンを形成する際に、レジストの塗布後で露光現像前に、レジストの残留溶剤を０．０５質量％以上１．０質量％以下とする乾燥工程を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第１凹凸構造領域と、前記第１凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第２凹凸構造領域とが交互に形成されている３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法であって、
帯状の一方の凹凸構造領域上、又は、該凹凸構造が後に形成される領域上に、一時的なマスキングするためのレジスト部をパターン形成する工程を備え、
前記レジスト部のパターン形成において、レジストの塗布後で露光前に、前記レジストの残留溶剤を０．０５質量％以上１．０質量％以下とする乾燥工程を備えることを特徴とする３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【請求項２】
前記乾燥工程における前記レジストの残留溶剤が０．０５質量％以上０．８質量％以下である請求項１に記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【請求項３】
前記レジストの残留溶剤として、酢酸ブチルを１とした場合の蒸発速度が１以下の溶剤を含む請求項１又は２に記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【請求項４】
前記レジストの残留溶剤として、水酸基を有する多価アルコール、水酸基を有する多価アルコールエーテル、水酸基を有する多価アルコールエステルより選択される１種以上を含む請求項１から３のいずれかに記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【請求項５】
前記レジストの残留溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルを含む請求項１から４のいずれかに記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【請求項６】
前記乾燥工程における前記プロピレングリコールモノメチルエーテルの残留量が０．４質量％以下である請求項５に記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【請求項７】
前記レジスト部の膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下である請求項１から６のいずれかに記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【請求項８】
前記レジストが、スチレン−マレイン酸系樹脂を含む請求項１から７のいずれかに記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【請求項９】
前記乾燥工程を１０℃から３０℃で１０時間以上行う請求項１から８のいずれかに記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、３次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能な３次元表示用パターン配向膜を作製するための３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、３次元表示可能なフラットパネルディスプレイの検討が幅広い分野において進められている。３次元表示をするには、通常、視聴者に対して何らかの方式で右目用の映像と、左目用の映像とを別個に表示することが必要とされ、この一方式としてパッシブ方式がある。
【０００３】
図５はパッシブ方式の３次元表示の一例を示す概略図である。この方式では、フラットパネルディスプレイを構成する画素を、右目用映像表示画素と左目用映像表示画素の２種類の複数の画素にパターン状に分割し、一方のグループの画素では右目用の映像を表示させ、他方のグループの画素では左目用の映像を表示させる。また、直線偏光板と当該画素の分割パターンに対応したパターン状の位相差層が形成されたパターン位相差フィルムとを用い、右目用の映像と、左目用の映像とを円偏光に変換する。さらに、視聴者には右目用と左目用の円偏光メガネを装着させ、右目用の映像が右目のみに届き、左目用の映像が左目のみに届くようにすることによって３次元表示を可能とする。このようにパッシブ方式においてはパターン位相差フィルムが必須になる。
【０００４】
このパターン位相差フィルムの従来技術として、下記の特許文献１には、特定の方向に延在する複数の溝を表面に有する基板上に、溝の延在方向に沿って配向すると共に重合した液晶材料が位相差層として存在する位相差板が開示されている。そして、この基板は、第１の方向に延在した溝を含む第１の溝領域と、これに直交する第２の方向に延在した溝を含む第２の溝領域とを有し、第１及び第２の溝領域はそれぞれストライプ状であると共に交互に配置されている型（版）を転写して得られ、この型の溝をパルスレーザー、研磨、バイト切削などにより形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１５２２９６号公報
【特許文献２】特開平１０−２３９８３２号公報
【特許文献３】特開２００７−１０１７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように、パターン位相差フィルムでは、異なるパターンをストライプ状で交互に形成する必要がある。このような、微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第１凹凸構造領域と、前記第１凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第２凹凸構造領域とが交互に形成されている３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法として、例えば、図１から図２に示す方法が検討されている。
【０００７】
この方法は、具体的には、図１（ａ）に示す無機材料からなる第１層の表面に、図１（ｂ）に示すように第１凹凸構造領域を形成する第１研磨工程と、図１（ｃ）に示すように第１層の第１凹凸構造領域の表面に帯状のレジスト部をパターン形成する工程と、図２（ｄ）に示すようにレジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第２層膜を形成する第２層形成工程と、図２（ｅ）に示すように第２層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第２凹凸構造領域を形成する第２研磨工程と、図２（ｆ）に示すようにレジスト部及び該レジスト部上の第２層膜を剥離するレジスト剥離工程とからなる。すなわち、帯状のレジスト部の形成によって一方の凹凸構造領域（将来凹凸構造領域が形成される領域でもよい）を一時的にマスキングし、その後にレジスト部を剥離することによって異なる凹凸構造領域を帯状に交互に配列させる方法である。
【０００８】
本発明等は、このレジストのパターニング精度を向上させるために、レジストの残留溶剤量の調整が有効であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
なお、レジスト中の残留溶剤を検討した従来技術としては、例えば特許文献２や特許文献３が存在するが、特許文献２は感光性平版印刷版に関するものであり、特許文献３はシリコンウエハのリソグラフィーに用いられる膜厚５００ｎｍのレジスト層に関するものであり、いずれも用途、目的が異なるものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、３次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で作製することができる３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法を提供する。具体的には本発明は以下のものを提供する。
【００１１】
（１）  微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第１凹凸構造領域と、前記第１凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第２凹凸構造領域とが交互に形成されている３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法であって、
帯状の一方の凹凸構造領域上、又は、該凹凸構造が後に形成される領域上に、一時的なマスキングするためのレジスト部をパターン形成する工程を備え、
前記レジスト部のパターン形成において、レジストの塗布後で露光前に、前記レジストの残留溶剤を０．０５質量％以上１．０質量％以下とする乾燥工程を備えることを特徴とする３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【００１２】
（２）  前記乾燥工程における前記レジストの残留溶剤が０．０５質量％以上０．８質量％以下である（１）に記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【００１３】
（３）  前記レジストの残留溶剤として、酢酸ブチルを１とした場合の蒸発速度が１以下の溶剤を含む（１）又は（２）に記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【００１４】
（４）  前記レジストの残留溶剤として、水酸基を有する多価アルコール、水酸基を有する多価アルコールエーテル、水酸基を有する多価アルコールエステルより選択される１種以上を含む（１）から（４）のいずれかに記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【００１５】
（５）  前記レジストの残留溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルを含む（１）から（５）のいずれかに記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【００１６】
（６）  前記乾燥工程における前記プロピレングリコールモノメチルエーテルの残留量が０．４質量％以下である（６）に記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【００１７】
（７）  前記レジスト部の膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下である（１）から（７）のいずれかに記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【００１８】
（８）  前記レジストが、スチレン−マレイン酸系樹脂を含む（１）から（８）のいずれかに記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【００１９】
（９）  前記乾燥工程を１０℃から３０℃で１０時間以上行う（１）から（９）のいずれかに記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、３次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で作製することができる３次元表示用パターン配向膜用原版を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法の一例を示す工程図であり、工程（ａ）から（ｃ）を示す図である。
【図２】図１に続き、工程（ｄ）から（ｆ）を示す図である。
【図３】本発明の製造方法によって得られた版を用いて賦型転写した３次元表示用パターン配向膜の斜視図である。
【図４】図３の３次元表示用パターン配向膜上に液晶層が配向形成されたパターン位相差フィルムの斜視図である。
【図５】パッシブ方式で３次元映像を表示可能な液晶表示装置の例を示す概略図である。
【図６】実施例における乾燥時間と残留溶剤量の関係を示す図表である。
【図７】他の実施例における乾燥時間と残留溶剤量の関係を示す図表である。
【図８】他の実施例における乾燥時間と残留溶剤量の関係を示す図表である。
【図９】他の実施例における乾燥時間と残留溶剤量の関係を示す図表である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図面を用いて本発明を具体的に説明する。図１及び図２は、本発明の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法の一例を示す工程図である。この製造プロセスは、工程（ａ）から（ｆ）で構成されている。具体的には、図１（ａ）に示す無機材料からなる第１層の表面に、図１（ｂ）に示すように第１凹凸構造領域を形成する第１研磨工程と、図１（ｃ）に示すように第１層の第１凹凸構造領域の表面に帯状のレジスト部をパターン形成する工程と、図２（ｄ）に示すようにレジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第２層膜を形成する第２層形成工程と、図２（ｅ）に示すように第２層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第２凹凸構造領域を形成する第２研磨工程と、図２（ｆ）に示すようにレジスト部及び該レジスト部上の第２層膜を剥離するレジスト剥離工程と、からなる。以下、各工程について詳細に説明する。
【００２３】
＜第１研磨工程＞
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、第１層１０の表面を研磨して、その略全面に微小なライン状凹凸構造である、第１凹凸構造領域１２を形成する。
【００２４】
第１層１０は基材の最表層として存在する無機材料層である。無機材料としては、後述する第２層を剥離除去可能に積層できるものであれば特に限定されるものではなく、ニッケル、銅、アルミニウム、スズ、クロム、ステンレス、鉄等の金属材料；ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ３等の無機酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等の無機窒化物；ＳｉＯｘＮｙ等の無機酸化窒化物；ＳｉＣ等の無機炭化物；ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等を挙げることができ、なかでも、後述する第２層や第３層を剥離除去可能に積層できる観点から、金属材料、ＤＬＣ等であることが好ましく、チタン、ニッケル、クロム、ＤＬＣであることがより好ましい。
【００２５】
第１凹凸構造領域１２は、第１層１０の表面に略一定方向にランダムに形成されたものである。ここで、略一定方向にランダムに形成された微小なライン状凹凸構造とは、例えば、表面にラビング処理がなされた場合等に形成されるような微小な傷のようなライン状凹凸構造が、略一定方向に形成されたものである。微小なライン状凹凸構造としては、本発明の原版を用いて形成されたパターン配向膜により３次元表示可能なパターン位相差フィルムとすることができるものであれば特に限定されるものではない。
【００２６】
微小なライン状凹凸構造の断面形状としては、凹凸構造を有し、上記液晶化合物を所定の方向に配列できるものであれば特に限定されるものではなく、略矩形、略三角形、略台形等とすることができる。また、一定の形状でなくともよい。微小なライン状凹凸構造の高さ、幅、及び周期としては、液晶化合物を配列させることができる範囲内であれば特に限定されるものではない。本発明において、微小なライン状凹凸構造の幅は、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、なかでも、１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることがより好ましく、特に、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。また、微小なライン状凹凸構造の高さは、１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、なかでも、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることがより好ましく、特に、１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。さらに、微小なライン状凹凸構造の周期は、必ずしも一定ではなくてもよいが、概ね１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、なかでも１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。微小なライン状凹凸構造が上述のサイズであることにより、安定的に液晶化合物を配列させることができるからである。
【００２７】
研磨方法としては、砥石研磨、ペーパー研磨、テープ研磨、バフ研磨、サンドブラスト法、ショットブラスト法、グリットブラスト法、ガラスビーズブラスト法等のブラスト法、ナイロン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹脂、レーヨン、コットンなどの合成繊維からなる合成樹脂毛、不織布、動物毛、スチールワイヤ等のブラシ材を用いる、ラビング法を含むブラシグレイニング法、金属ワイヤーで引っかくワイヤーグレイニング法、研磨剤を含有するスラリー液を供給しながらブラシ研磨する方法（ブラシグレイニング法）、ボールグレイン法、液体ホーニング法等のバフ研磨法、ショットピーニング法等を挙げることができる。
【００２８】
第１層１０がＤＬＣのような硬い基材表面の場合には、テープ研磨法、ペーパー研磨であることが好ましいが、本発明においては第１層１０をクロムやニッケルのような金属材料とすることもできるので、この場合にはラビンク法も好ましく用いられる。
【００２９】
＜第２層形成工程＞
まず、図１（ｃ）に示すように、第１凹凸構造領域１２が形成された第１層１０の表面に帯状の第１レジスト部３１と非レジスト部３２とをパターン形成する。
【００３０】
レジストを平行な帯状に形成する方法としては、レジスト材料を塗布することによりレジスト膜（図示せず）を形成した後、平行な帯状に露光し、次いで、現像することにより、第１レジスト部３１と非レジスト部３２とをパターン形成することができる。
【００３１】
本工程に用いられるレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料（光照射部分が溶解するもの）およびネガ型レジスト材料（光照射部分が固まるもの）のいずれも用いることができる。ポジ型レジスト材料としては、例えばノボラック樹脂をベース樹脂とした化学増幅型レジスト等が挙げられる。また、ネガ型レジスト材料としては、例えば架橋型樹脂をベースとした化学増幅型レジスト、具体的にはポリビニルフェノールに架橋剤を加え、さらに酸発生剤を加えた化学増幅型レジスト等が挙げられる。なかでも、レジスト剥離工程におけるレジスト剥離の容易さ、溶解容易性、ポットタイム（可使時間）の観点からポジ型レジスト材料であることが好ましい。
【００３２】
レジスト材料は、化学増幅レジスト、非化学増幅レジストいずれも使用可能であるが、後述する残留溶剤との関係から親水性のものをなるべく含まないレジストであることが好ましい。ポジ型レジストとしては、スチレン−マレイン酸系樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリビニルフェノール系樹脂、ノボラック樹脂などのベース樹脂において、フェノール基やカルボキシル基などの水素原子を酸の作用により解離する基で置換した樹脂が例示できる。ネガ型のレジストとしては、上記のベース樹脂において、フェノール基やカルボキシル基などの水素原子を酸や光により重合する基で置換した樹脂が例示できる。
【００３３】
スチレン−マレイン酸系樹脂を含むポジ型レジストとしては、例えば、ＷＯ２００５／００１５７６号国際公開公報に記載の、スチレン／マレイン酸系共重合体のように分子中に少なくとも１つのカルボキシル基を有する高分子物質、及び、露光光源の赤外線を吸収して熱に変換する光熱変換物質（赤外線吸収色素）、を含有するポジ型感光性組成物などが例示できる。ここで、スチレン／マレイン酸系共重合体は、スチレン系単量体と、無水マレイン酸との共重合物であるスチレン／無水マレイン酸系共重合体に、水アルコールなどの水酸基を有する化合物を反応させて部分エステル化させて得ることができる。このスチレン／マレイン酸系共重合体は公知であり、例えば、ＳＡＲＴＯＭＥＲ社製の商品名ＳＭＡ１１４０などを使用できる。
【００３４】
レジスト材料は溶剤を含む組成物であり、レジスト組成物は、通常、前記各成分を溶剤に溶解させ、この溶液を必要に応じて濾過することにより調製することができる。ここで用いられる溶媒としては、例えば、シクロヘキサノン、アセトン、エチルメチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒；メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブ系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、γ−ブチロラクトン、３−メトキシプロピオン酸メチルなどのエステル系溶媒；プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコール系溶媒；ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックトリアミドジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどの含窒素系溶媒や、溶解性向上のためこれらにジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアルデヒド、Ｎ−メチルピロリジノン等を添加した混合溶媒を用いることができる。また、メチルプロピオン酸メチル等のプロピオン酸誘導体、乳酸エチル等の乳酸エステル類や、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノエチルアセテート）等も、低毒性であり好ましく用いられ得る。さらにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、エチルアルコール、メチルアルコール（ＭｅＯＨ）、ｎ-ブチルアルコール、ｓ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、イソブチルアルコールなどの脂肪族アルコールや、トルエン、キシレンなどの芳香族溶媒が含有されていても構わない。なお本発明において、このような溶媒は単独または２種以上を混合して用いることができる。
【００３５】
本発明のレジスト材料に用いられる溶剤としては、酢酸ブチルを１とした場合の蒸発速度が１以下の溶剤を含むことが好ましい。露光現像後の洗浄（リンス）工程において水を用いる場合、特に蒸発速度が低いこれらの溶剤は残留し易く、更に、この溶剤が水との相溶性が高いと、レジスト中に入り込んで剥離や膨潤を起しやすくなり、結果として端部の欠けなどの欠陥に繋がる。このため、これらの溶剤を含む場合に特に残留溶剤を制限することで、レジストパターンの欠陥を防止できる。このような溶媒としては、水酸基を有する多価アルコール、水酸基を有する多価アルコールエーテル、水酸基を有する多価アルコールエステルより選択される１種以上が例示でき、より具体的には、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコール系溶媒である。
【００３６】
上記レジスト材料を塗工してレジスト膜を形成する方法としては、一般的な塗工方法を用いることができ、例えばスピンコート法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法等を使用することができる。
【００３７】
そして、本発明においては、レジスト部のパターン形成において、レジストの塗布後で露光前に、前記レジストの残留溶剤を０．０５質量％以上１．０質量％以下、好ましくは０．８％以下とする乾燥工程を備えることを特徴とする。０．０５質量％未満では乾燥によるクラックが発生し易くなるので好ましくなく、１．０質量％を超えるとレジスト部の端部の剥離により欠けが顕著になるので好ましくない。なお、プロピレングリコールモノメチルエーテルを含有する場合、その残留量が０．４質量％以下であることが好ましく、０．３質量％以下であることがより好ましい。
【００３８】
残留溶剤の調整は、従来公知の乾燥工程を用いればよいが、本発明においては、１０℃から３０℃、好ましくは１５℃から２５℃で、１０時間以上、好ましくは２０時間以上のいわゆる室温乾燥が乾燥ムラや溶剤の蒸発を阻害しうる皮膜形成を抑制できる観点から好ましい。
【００３９】
上記レジスト膜を平行な帯状に露光する方法としては、通常のフォトマスク描画に用いられる電子線描画法、もしくはレーザー描画法等を用いることができる。また、マスクを介して紫外線照射を行う方法を用いることもできる。なかでも、レーザー描画法であることが好ましい。上記金属基材の形状がロール状である場合であっても、精度よくパターン状に露光することができるからである。また、露光後のレジスト膜の現像方法としては、一般的なアルカリ現像などの現像方法を用いることができる。
【００４０】
このようにして形成されたレジスト部３１の膜厚は１μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。１μｍ未満であると膜厚ムラが大きく、レジスト色の濃淡の違いで線幅のバラツキが大きくなること、また後述する２層目の研磨（ラビング）工程において、レジスト膜下にある１層目チタン膜へレジストを突き抜けて傷つけてしまうため好ましくなく、１０μｍを超えると露光時の減衰が大きくなりレジストの深い部分が露光不足となったり、近在する２層目間の段差が大きく（図２（ｄ）の隣接する第２層膜２０間の段差）、図２（ｅ）において高さが低い２層目へラビング布の毛の先端が入りにくくなり、後述する液晶の塗工時に、液晶が一方向に配向する領域が狭くなるため好ましくない。
【００４１】
次いで、図２（ｄ）に示すように、レジスト部３１及び非レジスト部３２上に、無機材料の第２層膜２０が、好ましくは０．０１μｍ以上１μｍ以下で薄膜形成される。これにより、非レジスト部３２の凹部内に第２層膜２０からなる第２層パターンが形成される。この第２層膜２０の膜厚が０．０１μｍ未満であると第1層表面に研磨又はラビングにより形成された微小な凹凸が第2層膜により埋まらず、第1層の微小な凹凸と第2層の微小な凹凸が混在し配向不良となるので好ましくなく、１μｍを越えると段差が大きくなり位相差量が変化するので好ましくない。薄膜形成の方法は、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ）、気相成長法（ＣＶＤ法）、めっき法、塗布法等を挙げることができる。
【００４２】
無機材料としては、上記の第１層１０と同じでもよく、異なっていてもよいが、層間の密着性や生産性の観点から同一の無機材料を用いることが好ましい。具体的には、第１層／第２層膜を、チタン／チタン、ＤＬＣ／ＤＬＣ、クロム／クロム、ニッケル／ニッケルなどの構成とすることが好ましい。なお、特に同一材料にこだわる必要は無く、ＤＬＣ／Ｎｉ、ＤＬＣ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｒであってもよい。
【００４３】
＜第２研磨工程＞
次に、図２（ｅ）に示すように、第２層膜２０の全面、すなわちレジスト部３１及び非レジスト部３２上の第２層膜２０の表面を、第１凹凸構造領域１２ａと異なる方向に研磨して、第２層パターン２１の表面に、微小なライン状凹凸構造である、第２凹凸構造領域２１ａを形成する。この工程は、研磨方向が第１凹凸構造領域１２ａと異なる方向である点を除いては、基本的に図１（ｂ）で説明した上記の第１研磨工程と同じ工程である。よって研磨方向以外の詳細説明を省略する。
【００４４】
第１凹凸構造領域１２ａと第２凹凸構造領域２１ａとは、上記微小なライン状凹凸構造の形成方向が異なる。図１（ｂ）の第１研磨工程と、図２（ｅ）の第２研磨工程とでは、ＸＹ平面における相互の微小なライン状凹凸構造の形成方向θが、それぞれ１３５度及び４５度であり９０度異なる場合（図２（ｆ）のθ１＝１３５度、θ２＝４５度参照を示しているが、これに限らず、例えば４５度異なっていてもよい。なお、θ１＝０度、θ２＝９０度であってもよい。
【００４５】
最後に、図２（ｆ）に示すように、この状態でアルカリ処理や溶剤処理などによりレジスト部３１を剥離する。このとき、レジスト部３１上に形成される第２層膜２０も併せて除去されて第１層１０上の第１凹凸構造領域１２ａが形成されると共に表面に第２凹凸構造領域２１ａが形成された第２層パターン２１が残り、３次元表示用パターン配向膜用原版１００が得られる。
【００４６】
図２（ｆ）に示すように、この３次元表示用パターン配向膜用原版１００は平面視Ａにおいては、第１凹凸構造領域１２ａと第２凹凸構造領域２１ａとが帯状交互に形成されている。また、断面視Ｂにおいては第１層１０上に、第２層パターン２１が凸部として存在して、第２層パターン２１の膜厚ｈ分の段差が形成されている。
【００４７】
＜パターン配向膜／パターン位相差フィルム＞
このようにして得られた３次元表示用パターン配向膜用原版１００は、図３に示すように、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）やＣＯＰ（環状オレフィン樹脂）やアクリル樹脂などからなる位相差の小さいフィルム１１０上に、従来公知のＵＶ硬化樹脂などの賦型樹脂１２０を積層した積層体の賦型樹脂面を圧着され、３次元表示用パターン配向膜用原版１００の第１凹凸構造領域１２ａと第２凹凸構造領域２１ａで構成される微小なライン状凹凸構造が賦型樹脂表面１２１に転写され、その後ＵＶ硬化させる。これによりパターン配向膜１５０が得られる。
【００４８】
さらに、図４に示すように、この賦型樹脂表面１２１上には重合性の液晶化合物１６０が塗布されることで、微小なライン状凹凸構造に沿って液晶分子が配向し、その後に重合硬化することでパターン位相差フィルム２００が得られる。
【００４９】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５０】
例えば、上記実施形態の説明は、第１凹凸構造領域１２ａと第２凹凸構造領域２１ａとで段差を有する版を基に説明したが、本発明はこれに限らず、第１凹凸構造領域と第２凹凸構造領域とが、同一平面に交互に形成されている３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法でも適用可能である。
【００５１】
また、例えば、上記実施形態の説明は平板状の版を基に説明したが、本発明はこれに限らず、ロール状のロール版に対しても適用可能である。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。以下の実施例は図１、図２に示す工程（ａ）から（ｆ）を、最表面に第１層を備える円筒状のロール基材に適用して形成したものである。
【００５３】
［試験例１］
＜第１研磨工程＞
図１（ａ）（ｂ）：円筒状の基材の最表面クロム層５μｍ（第１層）の円周方向に対し、円筒の円周方向から＋４５度方向でラビング処理し、全面に第１凹凸構造領域を形成した。
【００５４】
＜第２層形成工程＞
レジスト材料として、上記のスチレン−マレイン酸系樹脂及び赤外線吸収色素を含むポジ型レジストを、固形分５％となるように下記の溶剤で希釈した。
ＰＧＭＥ（蒸発速度０．７５）：４０質量％
ＭｅＯＨ（蒸発速度６．１：２０質量％
ＭＥＫ（蒸発速度４．５２：２０質量％
ＩＰＡ（蒸発速度１．５９：２０質量％
【００５５】
円周方向に対し上記のレジストをコーティングし、１５℃から２５℃で所定時間乾燥した（本発明における乾燥工程）。その際の、全溶剤合計の残留溶剤量、及びそれぞれの溶剤の残留量を図６に示す。図６の横軸の乾燥時間において、表１に示すように（表中の数値は質量％である）、１時間（残留溶剤１．８９質量％、ＰＧＭＥ残留量１．３５質量％）及び３時間（残留溶剤１．３１質量％、ＰＧＭＥ残留量０．８２質量％）の乾燥後のものが、それぞれ比較例１、２であり、１６時間（残留溶剤０．６９質量％、ＰＧＭＥ残留量０．２６質量％）、２４時間（残留溶剤０．６１質量％、ＰＧＭＥ残留量０．１８質量％）、４０時間（残留溶剤０．４３質量％、ＰＧＭＥ残留量０．０８質量％）、４８時間（残留溶剤０．５４質量％、ＰＧＭＥ残留量０．０８質量％）の乾燥後のものが、それぞれ実施例１から４である。
【００５６】
【表１】
2013113939.tif 000003
【００５７】
その後、実施例及び比較例について、赤外線レーザー露光方法で３６０μｍ幅の平行な帯状にパターンを形成し、アルカリ溶液にて現像処理を行い、その後、洗浄として水にてレジストの残渣を除去することにより、３６０μｍ幅の非レジスト部と、３６０μｍピッチで高さ５μｍの第１レジスト部とをクロム層上に交互に形成した。
【００５８】
このとき、レジスト形状を目視で観察したところ、残留溶剤の低い実施例では欠けが見つからなかったが、残留溶剤の高い比較例においてはレジストのストライプパタン切れやレジストの端部に欠けなどの欠陥が発生していた。
【００５９】
図１（ｄ）：第１レジスト部及び非レジスト部に、第２層膜として高さ０．１μｍのクロム層をスパッタリングで形成した。
【００６０】
＜第２研磨工程＞
図２（ｅ）：第２層膜の全面を、円筒の円周方向から＋１３５度方向にラビング処理して第２凹凸構造領域を形成した。
【００６１】
＜レジスト剥離工程＞
図２（ｆ）：レジスト部及び該レジスト部上の第２層膜を、ＭＥＫ，ＩＰＡ，メタノールの混合溶剤で剥離して、第１凹凸構造領域及び第２凹凸構造領域を３６０μｍピッチで交互に形成し、本発明の３次元表示用パターン配向膜用原版を得た。
【００６２】
＜パターン配向膜の作製＞
透明フィルム基材として６０μｍのＴＡＣに、希釈溶剤としてＭＥＫとＭＩＢＫとが質量比４対１で混合されてなる希釈溶剤で希釈された固形分４５％、２５００ｍＰａ・ｓのアクリル系紫外線硬化樹脂組成物を厚み８μｍとなるようにコーティングし、溶剤を８０℃で３０秒間で乾燥蒸発させた後、上記で作製した版にゴムロールで１０００ＭＰａ/ｃｍの加重で押し付けた後、紫外線を照射し、固化させたのち剥離し、パターン配向層をもつ基材（パターン配向膜）を得た。
【００６３】
得られたパターン配向膜表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、表面の凹凸形状を測定したところ、微小なライン状凹凸構造の周期（ピッチ）は、ほぼ５ｎｍ〜５００μｍの範囲内でランダムに分布していた。また、微小なライン状凹凸構造の高さは１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、幅は５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であった。このように、実施例１ではパターン配向膜を容易に形成できることが確認できた。
【００６４】
［試験例２］
レジストの溶剤をＰＧＭＥ：ＭｅＯＨ＝５０：５０とし、円筒状の基材の最表面層及び第２層膜をニッケル層とした以外は、試験例１と同様の試験を行なった。第２層形成工程においては、３６０μｍ幅の非レジスト部と、３６０μｍピッチで高さ５μｍの第１レジスト部とをニッケル層上に交互に形成した。その際の乾燥工程における残留溶剤の結果を図７、表２に示す。試験例１と同じく、乾燥時間１時間と３時間が、それぞれ比較例３、４であり、乾燥時間１６時間、２４時間、４０時間、４８時間が、それぞれ実施例５から８である。
【００６５】
この場合においても、パターン形成後のレジスト形状を目視で観察したところ、残留溶剤の低い実施例では欠けが見つからなかったが、残留溶剤の高い比較例においてはレジストのストライプパタン切れやレジストの端部に欠けなどの欠陥が発生していた。
【００６６】
【表２】
2013113939.tif 000004
【００６７】
［試験例３］
レジストの溶剤をＰＧＭＥ：ＭＥＫ＝７０：３０とし、円筒状の基材の最表面層及び第２層膜をチタン層とした以外は、試験例１と同様の試験を行なった。第２層形成工程においては、３６０μｍ幅の非レジスト部と、３６０μｍピッチで高さ５μｍの第１レジスト部とをチタン層上に交互に形成した。その際の乾燥工程における残留溶剤の結果を図８、表３に示す。試験例１と同じく、乾燥時間１時間と３時間が、それぞれ比較例５、６であり、乾燥時間１６時間、２４時間、４０時間、４８時間が、それぞれ実施例９から１２である。
【００６８】
この場合においても、パターン形成後のレジスト形状を目視で観察したところ、残留溶剤の低い実施例では欠けが見つからなかったが、残留溶剤の高い比較例においてはレジストのストライプパタン切れやレジストの端部に欠けなどの欠陥が発生していた。
【００６９】
【表３】
2013113939.tif 000005
【００７０】
［試験例４］
レジストの溶剤をＰＧＭＥ＝１００％とし、円筒状の基材の最表面層及び第２層膜をクロム層とした以外は、試験例１と同様の試験を行なった。第２層形成工程においては、３６０μｍ幅の非レジスト部と、３６０μｍピッチで高さ５μｍの第１レジスト部とをクロム層上に交互に形成した。その際の乾燥工程における残留溶剤の結果を図９、表４に示す。試験例１と同じく、乾燥時間１時間と３時間が、それぞれ比較例７、８であり、乾燥時間１６時間、２４時間、４０時間、４８時間が、それぞれ実施例１３から１６である。
【００７１】
この場合においても、パターン形成後のレジスト形状を目視で観察したところ、残留溶剤の低い実施例では欠けが見つからなかったが、残留溶剤の高い比較例においてはレジストのストライプパタン切れやレジストの端部に欠けなどの欠陥が発生していた。
【００７２】
【表４】
2013113939.tif 000006
【符号の説明】
【００７３】
１０  第１層
１２ａ  第１凹凸構造領域
２０  第２層膜
２１  第２層パターン
２１ａ  第２凹凸構造領域
３１  レジスト部
３２  非レジスト部
１００  ３次元表示用パターン配向膜用原版
１１０  位相差の小さいフィルム
１２０  賦型樹脂
１２１  賦型樹脂表面
１５０  パターン配向膜
１６０  液晶化合物
２００  パターン位相差フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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