(57)【要約】【課題】コントラストの変動が抑えられ表示品質を向上させることが可能な液晶装置、電子機器、及び位相差補償板を提供する。【解決手段】液晶装置は、基板と、基板に対して屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体である負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層と、を含むＯプレートと、を備え、Ｏプレートは、Ｏプレートの法線方向の正面位相差値が５ｎｍ以上１５ｎｍ以上であり、且つ法線方向を基準としてカラムの成長方向に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、法線方向を基準としてカラムの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比が３．５以上４．５以下である。【選択図】図８
2013113869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子からなる液晶層と、
前記一対の基板のうち少なくとも一方における前記液晶層と反対側に配置された、支持体と、前記支持体に対して屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体である負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層と、を含む位相差補償板と、
を備え、
前記位相差補償板の法線方向の正面位相差値をｘとし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比をｙとするとき、ｙは次の数式によって近似されることを特徴とする液晶装置。
ｙ＝０．２５ｘ＋１．５
【請求項２】
一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子からなる液晶層と、
前記一対の基板のうち少なくとも一方における前記液晶層と反対側に配置された、支持体と、前記支持体に対して屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体である負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層と、を含む位相差補償板と、
を備え、
前記位相差補償板は、前記位相差補償板の法線方向の正面位相差値が５ｎｍ以上１５ｎｍ以上であり、且つ前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比が３．５以上４．５以下であることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子からなる液晶層と、
前記一対の基板のうち少なくとも一方における前記液晶層と反対側に配置された、支持体と、前記支持体に対して屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体である負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層と、を含む位相差補償板と、
を備え、
前記位相差補償板は、前記位相差補償板の法線方向の正面位相差値が１５ｎｍ以上２５ｎｍ以上であり、且つ前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比が６以上７以下であることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記一対の基板を挟んで配置された一対の偏光板を備え、
前記一対の偏光板の間に、前記位相差補償板が配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
一対の基板と、前記一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子からなる液晶層とを有する液晶装置の前記一対の基板のうち少なくとも一方における前記液晶層と反対側に配置される位相差補償板であって、
支持体と、
前記支持体に対して屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体である負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層と、
を備え、
前記位相差補償板の法線方向の正面位相差値をｘとし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比をｙとするとき、ｙは次の数式によって近似されることを特徴とする位相差補償板。
ｙ＝０．２５ｘ＋１．５
【請求項７】
一対の基板と、前記一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子からなる液晶層とを有する液晶装置の前記一対の基板のうち少なくとも一方における前記液晶層と反対側に配置される位相差補償板であって、
支持体と、
前記支持体に対して屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体である負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層と、
を備え、
前記位相差補償板の法線方向の正面位相差値が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であり、且つ前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比が３．５以上４．５以下であることを特徴とする位相差補償板。
【請求項８】
一対の基板と、前記一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子からなる液晶層とを有する液晶装置の前記一対の基板のうち少なくとも一方における前記液晶層と反対側に配置される位相差補償板であって、
支持体と、
前記支持体に対して屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体である負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層と、
を備え、
前記位相差補償板の法線方向の正面位相差値が１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、且つ前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比が６以上７以下であることを特徴とする位相差補償板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、電子機器、及び位相差補償板に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。この液晶装置は、例えば、液晶プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる。
【０００３】
具体的には、正面から観察したときのコントラストに優れているとして、垂直配向（Vertical Alignment、以下、ＶＡと称する）モードの液晶ライトバルブを備えた液晶プロジェクターが提案されている。ＶＡモードの液晶ライトバルブは、一対の基板間に負の誘電率異方性を有する液晶層を挟持し、電圧無印加状態において液晶分子を略垂直に配向させたものである。
【０００４】
このような液晶ライトバルブのコントラストを向上させる技術として、例えば、特許文献１に記載のように、基板の厚さ方向に沿う光学軸を有する位相差補償素子いわゆるＣプレートと、二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償素子いわゆるＯプレートとを用いて、プレチルトが与えられて略垂直配向する液晶分子からなる液晶層の光学的な位相差値を補償して、コントラストを高める手法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１４５８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、Ｏプレートが屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られた蒸着膜によって構成されていることから、液晶装置に水分が含まれた場合など、湿度に起因してＯプレートの光学特性（例えば、位相差値など）が変わってしまうことがある。その結果、適正に位相差補償が行えずコントラストが低下するという信頼性に係わる課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、一対の基板と、前記一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子からなる液晶層と、前記一対の基板のうち少なくとも一方における前記液晶層と反対側に配置された、支持体と、前記支持体に対して屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体である負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層と、を含む位相差補償板と、を備え、前記位相差補償板の法線方向の正面位相差値をｘとし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比をｙとするとき、ｙは次の数式によって近似されることを特徴とする。
ｙ＝０．２５ｘ＋１．５
【０００９】
本適用例によれば、上記比ｙは、支持体における屈折率異方性媒質のカラムの法線方向に対する成長方向の角度によって変化する。具体的には、カラムの成長方向の角度が法線方向に近づくほど比ｙの値は小さくなり、法線方向から遠ざかるほど比ｙの値は大きくなる。上記数式は支持体上におけるカラムの密集度合いを位相差値ｘに基づいて規定するものである。上記数式によって近似されるように比ｙの値を制御する、つまりカラムの密集度合いを制御することにより、水分の影響を受け難い位相差補償板を提供できる。これにより、湿度変化に対する位相差値の変化を抑えることが可能となり、コントラストが変動することを抑えることができる。その結果、液晶装置の表示品質を向上させることができる。
【００１０】
［適用例２］本適用例に係る液晶装置は、一対の基板と、前記一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子からなる液晶層と、前記一対の基板のうち少なくとも一方における前記液晶層と反対側に配置された、支持体と、前記支持体に対して屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体である負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層と、を含む位相差補償板と、を備え、前記位相差補償板は、前記位相差補償板の法線方向の正面位相差値が５ｎｍ以上１５ｎｍ以上であり、且つ前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比が３．５以上４．５以下であることを特徴とする。
【００１１】
［適用例３］本適用例に係る液晶装置は、一対の基板と、前記一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子からなる液晶層と、前記一対の基板のうち少なくとも一方における前記液晶層と反対側に配置された、支持体と、前記支持体に対して屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体である負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層と、を含む位相差補償板と、を備え、前記位相差補償板は、前記位相差補償板の法線方向の正面位相差値が１５ｎｍ以上２５ｎｍ以上であり、且つ前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比が６以上７以下であることを特徴とする。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記一対の基板を挟んで配置された一対の偏光板を備え、前記一対の偏光板の間に、前記位相差補償板が配置されていることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、一対の偏光板の間に、上記に記載の条件を満たす位相差補償板を配置するので、コントラストの変動が抑えられた、例えば、透過型の液晶装置を提供することができる。
【００１４】
［適用例５］本適用例に係る電子機器は、上記した液晶装置を備えることを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、上記に記載の液晶装置を備えているので、コントラストの変動が抑えられ表示品質が向上した電子機器を提供することができる。
【００１６】
［適用例６］本適用例に係る位相差補償板は、一対の基板と、前記一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子からなる液晶層とを有する液晶装置の前記一対の基板のうち少なくとも一方における前記液晶層と反対側に配置される位相差補償板であって、支持体と、前記支持体に対して屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体である負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層と、を備え、前記位相差補償板の法線方向の正面位相差値をｘとし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比をｙとするとき、ｙは次の数式によって近似されることを特徴とする。
ｙ＝０．２５ｘ＋１．５
【００１７】
本適用例によれば、上記比ｙは、支持体における屈折率異方性媒質のカラムの法線方向に対する成長方向の角度によって変化する。具体的には、カラムの成長方向の角度が法線方向に近づくほど比ｙの値は小さくなり、法線方向から遠ざかるほど比ｙの値は大きくなる。上記数式は支持体上におけるカラムの密集度合いを位相差値ｘに基づいて規定するものである。上記数式によって近似されるように比ｙの値を制御する、つまりカラムの密集度合いを制御することにより、水分の影響を受け難い位相差補償板を提供できる。これにより、湿度変化に対する位相差値の変化を抑えることが可能となり、コントラストが変動することを抑えることができる。
【００１８】
［適用例７］本適用例に係る位相差補償板は、一対の基板と、前記一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子からなる液晶層とを有する液晶装置の前記一対の基板のうち少なくとも一方における前記液晶層と反対側に配置される位相差補償板であって、支持体と、前記支持体に対して屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体である負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層と、を備え、前記位相差補償板の法線方向の正面位相差値が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であり、且つ前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比が３．５以上４．５以下であることを特徴とする。
【００１９】
［適用例８］本適用例に係る位相差補償板は、一対の基板と、前記一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子からなる液晶層とを有する液晶装置の前記一対の基板のうち少なくとも一方における前記液晶層と反対側に配置される位相差補償板であって、支持体と、前記支持体に対して屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体である負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層と、を備え、前記位相差補償板の法線方向の正面位相差値が１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、且つ前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、前記法線方向を基準として前記カラムの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比が６以上７以下であることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態の液晶装置を構成する液晶パネルの構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶パネルのＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の構成を示す模式断面図。
【図５】Ｏプレートの光学異方性を説明するための模式図。
【図６】液晶分子の配向方向とワイヤーグリッド偏光板の透過軸とＯプレートの遅相軸との関係を示す図。
【図７】Ｏプレートの具体的な構成を示す模式図。
【図８】位相差値の比（Ｒｅ比）を変えた場合の正面位相差値と位相差変化率との関係を示すグラフ。
【図９】Ｏプレートの位相差値の比とコントラストとの関係を示す図表。
【図１０】液晶装置を備えた電子機器の構成を示す模式図。
【図１１】プロジェクターの液晶ライトバルブ周辺の構成を示す斜視図。
【図１２】液晶ライトバルブを保持する三角柱ユニットの構造を示す断面図。
【図１３】第２実施形態の液晶装置の構成を示す模式断面図。
【図１４】位相差値の比（Ｒｅ比）を変えた場合の正面位相差値と位相差変化率との関係を示すグラフ。
【図１５】Ｏプレートの位相差値の比とコントラストとの関係を示す図表。
【図１６】第３実施形態の液晶装置の構成を示す模式断面図。
【図１７】（ａ）はＣプレートの光学異方性を説明するための模式図、（ｂ）はＯプレートの光学異方性を説明するための模式図。
【図１８】変形例の液晶装置の構成を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大又は縮小して表示している。
【００２２】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２３】
本実施形態では、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２４】
（第１実施形態）
＜液晶装置を構成する液晶パネルの構成＞
図１は、液晶装置を構成する液晶パネルの構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶パネルのＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶パネルの構造を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２５】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶パネル１００ａは、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基板１１、および対向基板２０を構成する第２基板１２は、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。なお、第１基板１１は、シリコン基板を用いるようにしてもよい。
【００２６】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合され、その隙間に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのギャップ材が混入されている。
【００２７】
シール材１４の内側に、複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅを有している。シール材１４と表示領域Ｅとの間に表示領域Ｅを囲むように遮光性の例えば金属あるいは金属酸化物などからなる遮光層１８（見切り部）が配置されている。なお、表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐを囲むように配置された複数のダミー画素を含んでいてもよい。
【００２８】
第１基板１１の１辺部と、１辺部に沿ったシール材１４との間にデータ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４の内側に検査回路（図示せず）が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部には、２つの走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００２９】
これらデータ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００３０】
図２に示すように、第１基板１１の液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光反射性を有する画素電極２７およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター３０（以降、「ＴＦＴ３０」と称する。）と、信号配線と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。
【００３１】
画素電極２７は、光反射性の例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）またはこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成することができる。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。このように素子基板１０は、少なくともＴＦＴ３０と画素電極２７と第１配向膜２８とを有している。
【００３２】
第２基板１２の液晶層１５側の表面には、遮光層１８と、これを覆うように成膜された絶縁層１３と、絶縁層１３を覆うように設けられた共通電極３１と、共通電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。
【００３３】
共通電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁層などを覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３４】
画素電極２７を覆う第１配向膜２８および共通電極３１を覆う第２配向膜３２は、無機配向膜であって、液晶パネル１００ａの光学設計に基づいて選定される。例えば、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。このように対向基板２０は、少なくとも共通電極３１と第２配向膜３２とを有している。
【００３５】
このような液晶パネル１００ａは反射型であって、画素Ｐが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側（射出側）に偏光板が配置されて用いられる。
【００３６】
図３に示すように、液晶パネル１００ａは、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、走査線３ａと並行して延在する容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。なお、容量線３ｂはデータ線６ａと並行して延在するように配置することもできる。
【００３７】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３８】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソース／ドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソース／ドレイン領域に電気的に接続されている。
【００３９】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４０】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４１】
液晶パネル１００ａは、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された共通電極３１との間で一定期間保持される。
【００４２】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と共通電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソース／ドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。
【００４３】
図４は、液晶装置の構成を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構成について、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、斜方蒸着の蒸着方向に沿って切断したときの断面図である。
【００４４】
図４に示すように、第１配向膜２８および第２配向膜３２は、それぞれ対応する基板面に対して例えば酸化シリコンなどの無機配向材料を所定の方向から斜方蒸着して得られた柱状結晶体（カラム）の集合体である。液晶層１５に面した基板面に対する配向膜２８，３２における蒸着方向の角度θｂはおよそ４５°である。また、基板面に対するカラムの成長方向の角度θｃはおよそ７０°となっている。このような第１配向膜２８および第２配向膜３２によれば、負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣを配向膜面に対して所定の方位角方向に傾斜するプレチルト角θｐを与えて略垂直配向させることができる。プレチルト角θｐがそれぞれの基板の法線方向に対しておよそ３°〜５°となるように第１配向膜２８および第２配向膜３２が形成されている。
【００４５】
このような液晶分子ＬＣの配向状態に起因する液晶層１５の厚み方向における光学的な位相差を補償する目的で液晶装置１００は、液晶パネル１００ａの光の射出側に配置された本発明における位相差補償板としてのＯプレート５５を有している。画素電極２７と共通電極３１との間に駆動電圧を印加して液晶層１５を駆動すると、液晶分子ＬＣがプレチルトの方位角方向に倒れることにより、高いコントラストが得られる光学的な配置となっている。
【００４６】
Ｏプレート５５は、光学軸が厚さ方向に沿った負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層を含む位相差補償板である。以下、図５〜図７を参照しながら、Ｏプレート５５について具体的に説明する。
【００４７】
図５は、Ｏプレートの光学異方性を説明するための模式図である。図６は、液晶分子の配向方向とワイヤーグリッド偏光板の透過軸とＯプレートの遅相軸との関係を示す図である。図７は、Ｏプレートの具体的な構成を示す模式図である。以下、Ｏプレートの構造について、図５〜図７を参照しながら説明する。
【００４８】
図５に屈折率楕円体で示すように、Ｏプレート５５は、各方向の屈折率の関係がｎｘ＜ｎｙ＜ｎｚであり、二軸の屈折率異方性を有する複屈折体である。Ｏプレート５５は、カラム５５ｂ（図７参照）を形成した無機材料（屈折率異方性媒質）により遅相軸を有している。Ｏプレート５５の遅相軸は、図５に示した屈折率楕円体を、基板の法線方向から見て基板上（基板面）に投影した楕円形の長軸５５ｃに一致する。
【００４９】
図６に示すように、本実施形態においては、液晶パネル１００ａに入射する光の光軸に沿う方向から見て、液晶分子ＬＣの配向方向と後述するワイヤーグリッド偏光板１２６３（図１２参照）の透過軸とのなす角度αが例えば４５°（１３５°）、ワイヤーグリッド偏光板１２６３の透過軸とＯプレート５５の遅相軸とのなす角度θが例えば３°に設定されている。また、ワイヤーグリッド偏光板１２６３の透過軸と補助偏光板１２６４（図１２参照）の透過軸とは等しい。
【００５０】
図７に示すように、Ｏプレート５５は、透光性の例えば石英ガラス製の支持体としての基板５５ａの一方の面に、Ｔａ2Ｏ5等の無機材料（屈折率異方性媒質）が斜方蒸着されて形成されたものである。Ｏプレート５５は、微視的に見て、無機材料が斜め方向に沿って成長したカラム５５ｂ（柱状構造体）を有する位相差補償層５５ｄを有している。言い換えれば、Ｏプレート５５は、屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラム５５ｂの集合体であり、光学軸が基板５５ａの厚さ方向に沿った負の二軸性の屈折率異方性を有する。このような構造からなる位相差補償層５５ｄは、その微細構造に起因して位相差を生じさせる。
【００５１】
本実施形態のＯプレート５５は、Ｏプレート５５の法線方向の正面位相差値をｘ（Ｒｅ（０））とし、法線方向を基準としてカラム５５ｂの成長方向（図７においてチルト方向として表示）に対し反対方向に３０°傾斜した第１方向の位相差値をＲｅ（３０）とし、カラム５５ｂの成長方向に３０°傾斜した第２方向の位相差値をＲｅ（−３０）とし、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比をｙとするとき、ｙは次の数式（１）によって近似される。
ｙ＝０．２５ｘ＋１．５…（１）
【００５２】
具体的には、Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０）の比ｙ（位相差値の比：Ｒｅ比）が３．５以上４．５以下であり、かつ、Ｏプレート５５の法線方向の正面位相差値Ｒｅ（０）が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。
【００５３】
図８は、位相差値の比（Ｒｅ比）を変えた場合の正面位相差値と位相差変化率との関係を示すグラフである。図９は、Ｏプレートの位相差値の比とコントラストとの関係を示す図表である。以下、Ｏプレート５５の光学特性について、図８及び図９を参照しながら説明する。
【００５４】
図８に示すグラフは、横軸が正面位相差値の値であり、０ｎｍ〜２５ｎｍまでを表示している。一方、縦軸が位相差変化率であり、−６％〜＋１０％までを表示している。
【００５５】
具体的には、特に、位相差値の比（Ｒｅ比）が「２」の場合と、「４」の場合と、「６．５」の場合とにおける、正面位相差値Ｒｅ（０）と位相差変化率との関係を示している。また、Ｏプレート５５の基準温度を２５℃（相対湿度４０％程度）〜１００℃（相対湿度０％程度）に変化させたときの３０分後の正面位相差値の位相差変化率を示している。
【００５６】
湿度変化による位相差変化は、０％が望ましいものの、正面位相差値Ｒｅ（０）の変動によってもばらついてしまう。Ｏプレート５５の正面位相差値Ｒｅ（０）は、斜方蒸着によるカラム５５ｂの成長状態によって変動する。
【００５７】
正面位相差値Ｒｅ（０）が１０ｎｍの場合、Ｒｅ比「２」ときの位相差変化率は７％を示す。Ｒｅ比「４」のときには位相差変化率が０％となる。つまりＲｅ比「２」よりもＲｅ比「４」の方が、正面位相差値Ｒｅ（０）が５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲でばらついたとしても、位相差変化率を−４％程度〜４％程度の範囲に納めることができる。Ｒｅ比が「２」の場合では、正面位相差値Ｒｅ（０）が５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲でばらつくと、位相差変化率が２％程度〜８％程度であり、所望の正面位相差値からのずれが大きくなるので光学的な補償の観点で好ましくない。すなわち、Ｒｅ比２よりもＲｅ比４の方がコントラストの変動を小さくすることができる。
【００５８】
このように設定することにより、湿度変化に対するＯプレート５５の屈折率楕円体の変化が正面位相差値の変化にあまり影響を及ぼさなくなる。言い換えれば、このようなＯプレート５５を用いることにより、水分の影響を受け難くすることができる。つまり、湿度変化が生じても適正な光学補償を行うことができる。これにより、コントラストが変動することを抑えることができる。その結果、液晶装置１００の表示品質を向上させることができる。
【００５９】
また、図９に示す図表は、Ｏプレート５５の正面位相差値Ｒｅ（０）を一定にし、位相差値の比（Ｒｅ比）を変えたときのコントラストの状態を示している。具体的には、正面位相差値Ｒｅ（０）を１０ｎｍに設定し、位相差値の比を「２」、「４」、「６．５」と変化させたときのコントラストの程度を示している。
【００６０】
正面位相差値Ｒｅ（０）を１０ｎｍに設定した場合において、位相差値の比「２」のときのコントラストは△である。また、位相差値の比「４」のときのコントラストは○である。また、位相差値の比「６．５」のときのコントラストは△である。以上のことから、Ｏプレート５５の位相差補償層５５ｄの形成におけるばらつきを考慮して、正面位相差値Ｒｅ（０）を５ｎｍ以上１５ｎｍ以下とした場合、位相差値の比（Ｒｅ比）を３．５以上４．５以下とすることが好ましい。
【００６１】
＜電子機器の構成＞
図１０は、上記した液晶装置を備えた電子機器（反射型の投射型表示装置：液晶プロジェクター）の構成を示す模式図である。図１１は、プロジェクターの液晶ライトバルブ周辺の構成を示す斜視図である。図１２は、液晶ライトバルブを保持する三角柱ユニットの構造を示す断面図である。以下、電子機器の構成について、図１０〜図１２を参照しながら説明する。
【００６２】
図１０に示すように、本実施形態の電子機器としての液晶プロジェクター１５００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変調素子としての反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００６３】
偏光照明装置１１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００６４】
偏光照明装置１１００から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光（Ｒ）を反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを反射する。
【００６５】
反射した赤色光（Ｒ）は反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１２５０に入射する。一方、反射した緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とは反射ミラー１１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイクロイックミラー１１１５は緑色光（Ｇ）を反射し、青色光（Ｂ）を透過する。反射した緑色光（Ｇ）は液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光（Ｂ）は液晶ライトバルブ１２７０に入射する。
【００６６】
液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１と、Ｏプレート５５と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板１２５３とを備えている。
【００６７】
液晶ライトバルブ１２５０は、ワイヤーグリッド偏光板１２５３によって反射した赤色光（Ｒ）がクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射するように配置されている。また、ワイヤーグリッド偏光板１２５３の偏光度を補う補助偏光板１２５４が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光（Ｒ）の入射側に配置され、もう１つの補助偏光板１２５５が赤色光（Ｒ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板１２５４，１２５５を省略することも可能である。
【００６８】
このような反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。
【００６９】
液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板１２５３，１２６３，１２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００７０】
本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０における反射型の液晶パネル１２５１，１２６１，１２７１として上記実施形態における液晶パネル１００ａが適用されている。
【００７１】
このような液晶プロジェクター１５００によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に用いているので、位相差補償を行うことが可能となり、高い表示品質を有する反射型の液晶プロジェクター１５００を提供できる。
【００７２】
本実施形態の場合、図１１に示すように、赤色光用画像形成光学系１２５０ａ、緑色光用画像形成光学系１２６０ａ、青色光用画像形成光学系１２７０ａはいずれもユニット化されており、同様の構成になっている。ユニット化された３つの画像形成光学系１２５０ａ，１２６０ａ，１２７０ａは、クロスダイクロイックプリズム１２０６の３つの光入射面に接合されている。ここで、画像形成光学系を代表して、緑色光用画像形成光学系１２６０ａの構成について説明する。
【００７３】
図１２に示すように、緑色光用画像形成光学系１２６０ａは、補助偏光板１２６４と、ワイヤーグリッド偏光板１２６３と、緑色光用液晶ライトバルブ１２６０と、Ｏプレート５５と、補助偏光板１２６５と、を備えている。これら構成要素のうち、補助偏光板１２６４を除いて、ワイヤーグリッド偏光板１２６３、緑色光用液晶ライトバルブ１２６０、Ｏプレート５５、および補助偏光板１２６５は、略三角柱の形状を有する筐体１４００に固定されている。筐体１４００は、例えばアルミニウム等の熱伝導性の高い材料で構成されている。
【００７４】
筐体１４００の３つの側面１４００ａ，１４００ｂ，１４００ｃには、光を通過させる開口部１４００ａｔ，１４００ｂｔ，１４００ｃｔがそれぞれ設けられている。筐体１４００の３つの側面１４００ａ，１４００ｂ，１４００ｃのうち、互いに直角に接する２つの面を第１側面１４００ａ、第２側面１４００ｂとし、第１側面１４００ａおよび第２側面１４００ｂに対して４５°の角度で接する面を第３側面１４００ｃとする。
【００７５】
第１側面１４００ａの外面側には開口部１４００ａｔを塞ぐように緑色光用液晶ライトバルブ１２６０が固定され、第１側面１４００ａの内面側には開口部１４００ａｔを塞ぐようにＯプレート５５が固定されている。第２側面１４００ｂの外面側には開口部１４００ｂｔを塞ぐように補助偏光板１２６５が固定されている。第３側面１４００ｃの外面側には開口部１４００ｃｔを塞ぐようにワイヤーグリッド偏光板１２６３が固定されている。このような構成により、筐体１４００の内部は密閉された空間となっている。
【００７６】
緑色光用画像形成光学系１２６０ａにおいて、光源光から分離された緑色光ＬＧは補助偏光板１２６４に入射する。補助偏光板１２６４は所定の方向に振動する直線偏光を透過するものであり、次に説明するワイヤーグリッド偏光板１２６３の偏光分離面に対するＰ偏光を透過するように透過軸が設定されている。以下、ワイヤーグリッド偏光板１２６３の偏光分離面に対するＰ偏光を単にＰ偏光と称し、ワイヤーグリッド偏光板１２６３の偏光分離面に対するＳ偏光を単にＳ偏光と称する。上述したように、インテグレーター光学系１４１０（図１０参照）を通った光源光は、偏光状態がＰ偏光に揃えられているため、緑色光ＬＧの略全てが補助偏光板１２６４を透過してワイヤーグリッド偏光板１２６３に入射する。
【００７７】
本実施形態のワイヤーグリッド偏光板１２６３は、例えばガラス基板とその上に形成された複数の金属線とにより構成されている（図示略）。複数の金属線は、全てが一方向に延在しており、互いに略平行に離間してガラス基板上に形成されている。複数の金属線が形成されたガラス基板の主面が偏光分離面となり、複数の金属線の延在方向が反射軸方向であり、複数の金属線の配列方向が透過軸方向である。
【００７８】
ワイヤーグリッド偏光板１２６３と緑色光用液晶ライトバルブ１２６０との間の光路上にＯプレート５５が配置されている。ワイヤーグリッド偏光板１２６３を透過した緑色光ＬＧは、Ｏプレート５５、緑色光用液晶ライトバルブ１２６０の対向基板２０を順次透過し、液晶層１５に入射した後に素子基板１０上で反射して折り返される。緑色光ＬＧは、液晶層１５を透過する間に変調されて変調光となり、対向基板２０、Ｏプレート５５を再度透過する。
【００７９】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００、電子機器、及び位相差補償板（Ｏプレート５５）によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８０】
（１）第１実施形態の液晶装置１００及びＯプレート５５によれば、上記数式（１）に記載の条件を満たすＯプレート５５を用いるので、カラム５５ｂの成長方向の角度が制御され、水分の影響を受け難い。言い換えれば、湿度に起因する屈折率楕円体の変化を抑え、適正な光学補償を実現して位相差値の変化がコントラストに与える影響を小さくすることができる。その結果、液晶装置１００の表示品質を向上させることができる。加えて、製造可能な位相差値の比を有するＯプレート５５を利用して位相差を補償することができる。また、液晶層１５を入射光と反射光が通過してプレチルトの影響を受けやすい反射型の液晶装置１００にＯプレート５５を用いることにより、透過型の液晶装置と比べてコントラスト変動の影響を最小限にすることができる。
【００８１】
（２）本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置を備えているので、コントラストの変動が抑えられ表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００８２】
（第２実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１３は、第２実施形態の液晶装置の構成を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構成について、図１３を参照しながら説明する。
【００８３】
第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態の液晶装置１００と比べて、Ｏプレートの正面位相差値が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００８４】
図１３に示すように、第２実施形態に係る液晶装置２００は、第１実施形態に示したように、液晶パネル１００ａの光の射出側にＯプレート１５５が配置されている。
【００８５】
第２実施形態のＯプレート１５５は、上記したように、光学軸が厚さ方向に沿った負の二軸性の屈折率異方性を有する位相差補償層を含む位相差補償板である。
【００８６】
本実施形態のＯプレート１５５は、位相差値の比（Ｒｅ比：Ｒｅ（−３０）／Ｒｅ（３０））が６以上７以下であり、かつ、Ｏプレートの法線方向の正面位相差値が１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である（正面位相差値は、２０ｎｍ±５ｎｍの範囲に制御されている）。
【００８７】
正面位相差値を変える方法としては、例えば、Ｏプレート１５５を構成するカラム５５ｂの成長角度を調整することにより可能となる。
【００８８】
図１４は、位相差値の比（Ｒｅ比）を変えた場合の正面位相差値と位相差変化率との関係を示すグラフである。図１５は、Ｏプレートの位相差値の比とコントラストとの関係を示す図表である。以下、Ｏプレートの光学特性について、図１４及び図１５を参照しながら説明する。
【００８９】
図１４に示すグラフは、横軸が正面位相差値であり、０ｎｍ〜２５ｎｍまでを表示している。一方、縦軸が位相差変化率であり、−６％〜＋１０％までを表示している。
【００９０】
具体的には、位相差値の比（Ｒｅ比）を「２」の場合と、「４」の場合と、「６．５」の場合とにおける、正面位相差値Ｒｅ（０）と位相差変化率との関係を示している。また、Ｏプレート１５５の基準温度を２５℃〜１００℃に変化させたときの３０分後の正面位相差値の位相差変化率を示している。
【００９１】
湿度変化による位相差変化は、０％が望ましいものの、正面位相差値Ｒｅ（０）の変動によってもばらついてしまう。Ｏプレート１５５の正面位相差値Ｒｅ（０）は、斜方蒸着によるカラム５５ｂの成長状態によって変動する。
【００９２】
正面位相差値Ｒｅ（０）が２０ｎｍでＲｅ比が６．５であれば、位相差変化率は略０％となる。具体的には、正面位相差値Ｒｅ（０）が１５ｎｍ〜２５ｎｍの範囲でばらついたとしても、位相差変化率を−４％程度〜４％程度の範囲に納めることができる。
【００９３】
このように設定することにより、湿度変化に対するＯプレート１５５の屈折率楕円体の変化が正面位相差値の変化にあまり影響を及ぼさなくなる。言い換えれば、このようなＯプレート１５５を用いることにより、水分の影響を受け難くすることができる。つまり、湿度変化が生じても適正な光学補償を行うことができる。これにより、コントラストが変動することを抑えることができる。
【００９４】
また、図１５に示す図表は、Ｏプレート１５５の正面位相差値Ｒｅ（０）を一定にし、位相差値の比（Ｒｅ比）を変えたときのコントラストの状態を示している。具体的には、正面位相差値Ｒｅ（０）を２０ｎｍに設定し、位相差値の比を「２」、「４」、「６．５」と変化させたときのコントラストの程度を示している。
【００９５】
正面位相差値Ｒｅ（０）を２０ｎｍに設定した場合において、位相差値の比「２」のときのコントラストは×である。また、位相差値の比「４」のときのコントラストは△である。また、位相差値の比「６．５」のときのコントラストは○である。以上のことから、位相差層の形成ばらつきを考慮して正面位相差値を１５ｎｍ以上２５ｎｍとした場合、位相差値の比を６以上７以下とすることが好ましい。位相差変化率を−４％〜４％の範囲内に納めることができる。
【００９６】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００及びＯプレート１５５によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９７】
（３）第２実施形態の液晶装置２００及びＯプレート１５５によれば、上記に記載の条件を満たすＯプレート１５５を用いるので、カラム５５ｂの成長方向を制御することができ、水分の影響を制御することができる。言い換えれば、屈折率楕円体の変化を湿度に起因して位相差などに影響させないようにすることができる。つまり、光学補償を行うことができる。これにより、湿度変化に対する位相差値の変化を抑えることが可能となり、コントラストが変動することを抑えることができる。その結果、液晶装置２００の表示品質を向上させることができる。加えて、製造可能な位相差値の比を有するＯプレート１５５を利用して位相差を補償することができる。
【００９８】
（第３実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１６は、第３実施形態の液晶装置の構成を示す模式断面図である。図１７（ａ）は、Ｃプレートの光学異方性を説明するための模式図である。図１７（ｂ）は、Ｏプレートの光学異方性を説明するための模式図である。以下、第３実施形態の液晶装置の構成について、図１６及び図１７を参照しながら説明する。
【００９９】
第３実施形態の液晶装置３００は、上述の第１実施形態と比べて、位相差補償板としてＯプレート５５にＣプレート５６を組み合わせている部分が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１００】
図１６に示すように、第３実施形態に係る液晶装置３００は、第１実施形態に示したように、液晶パネル１００ａの光の射出側に位相差補償板が配置されている。本実施形態の位相差補償板は、石英ガラス製の基板の一方の面にＯプレート５５が形成され、Ｏプレート５５の上にＣプレート５６が形成されたものである。すなわち、本実施形態では、Ｃプレート５６とＯプレート５５とは一体化されている。
【０１０１】
Ｃプレート５６は、スパッタ法等によって基板上に高屈折率層と低屈折率層とが交互に積層された多層膜からなり、光学軸が厚さ方向に沿う一軸性の負の屈折率異方性を有する複屈折率体である。
【０１０２】
Ｃプレート５６は、表面に対して垂直な光学軸を有し、緑色光用液晶ライトバルブ１２６０（液晶パネル１２６１）から射出された斜め方向の光の位相差を補償する。高屈折率層は相対的に高屈折率の誘電体であるＴｉＯ2やＺｒＯ2等からなり、低屈折率層は低屈折率の誘電体であるＳｉＯ2やＭｇＦ2等からなる。このような構成のＣプレート５６は、これを透過する光が各層間で反射して干渉するのを防ぐため、各屈折率層の厚さは薄いことが好ましい。
【０１０３】
Ｃプレート５６は、位相差値Ｒｅ（３０）が２０ｎｍになるように設定されている。
【０１０４】
本実施形態のＯプレート５５は、第１実施形態と同様に、位相差値の比：Ｒｅ比が３．５以上４．５以下であり、かつ、Ｏプレート５５の法線方向の正面位相差値が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。
【０１０５】
図１７（ａ）に屈折率楕円体で示すように、Ｃプレート５６の各方向の屈折率の関係は、ｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚであり、Ｃプレート５６の光学軸に平行に入射する光に対しては等方的であることから、位相差を補償することができない。すなわち、緑色光用液晶ライトバルブ１２６０からＣプレート５６に垂直に入射した光に対しては、位相差を補償することができない。
【０１０６】
一方、緑色光用液晶ライトバルブ１２６０から射出された光のうち、斜め成分の光、つまりＶＡモードの液晶の斜め成分については、その位相差を光学補償する。なお、Ｃプレート５６は、ｎｘ＝ｎｙを完全に満たす必要はなく、僅かに位相差を有していてもよい。ただし、ｎｘ、ｎｙは、図１７（ａ）に示したＣプレート５６において、面方向の主屈折率を示し、ｎｚは、同じく厚さ方向の主屈折率を示している。一方、図１７（ｂ）に示すＯプレート５５の構成は、第１実施形態と同様である。
【０１０７】
このように設定することにより、湿度変化に対するＯプレート５５の屈折率楕円体の変化が正面の位相差値変化にあまり影響を及ぼさなくなる。言い換えれば、このようなＯプレート５５を用いることにより、カラム５５ｂの成長方向の角度が制御され、水分の影響を受け難くなる。つまり、湿度変化が生じても適正な光学補償が行われる。これにより、コントラストが変動することを抑えることができる。その結果、液晶装置３００の表示品質を向上させることができる。
【０１０８】
以上詳述したように、第３実施形態の液晶装置３００及び位相差補償板（Ｏプレート５５＋Ｃプレート５６）によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１０９】
（４）第３実施形態の液晶装置３００及び位相差補償板によれば、上記に記載の条件を満たすＯプレート１５５を用いるので、カラム５５ｂの成長方向を制御することができ、水分の影響を制御することができる。言い換えれば、屈折率楕円体の変化を湿度に起因して位相差などに影響させないようにすることができる。つまり、光学補償を行うことができる。これにより、湿度変化に対する位相差値の変化を抑えることが可能となり、コントラストが変動することを抑えることができる。その結果、液晶装置３００の表示品質を向上させることができる。Ｏプレート５５による光学補償に加えて、Ｃプレート５６により液晶層１５を斜めに透過する光の位相差が補償されるので、広い視野角に亘って高いコントラストを得ることができる。
【０１１０】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１１１】
（変形例１）
上記したように、反射型の液晶装置１００〜３００にＯプレート５５，１５５を適用することに限定されず、例えば、図１８に示すように、透過型の液晶装置４００に上記したＯプレート５５を適用するようにしてもよい。
【０１１２】
これによれば、反射型の液晶装置１００〜３００に比べてコントラストの変動が見えにくいと思われる透過型の液晶装置４００に関しても、湿度変化に対する位相差値の変化を抑えることが可能となり、コントラストが変動することを抑えることができる。その結果、液晶装置４００の表示品質を向上させることができる。言い換えれば、反射型の液晶装置１００〜３００に本実施例のＯプレート５５，１５５を適用する方がメリットが高い。
【０１１３】
また、透過型の液晶装置４００の場合、液晶パネル１００ａに対して光の射出側にＯプレート５５を配置することに限定されず、例えば、入射側に配置するようにしてもよいし、入射側と射出側の両方に配置するようにしてもよい。本適用例によれば、一対の偏光板５１，５２の間に、上記に記載の条件を満たす位相差補償板（Ｏプレート５５）を配置するので、コントラストの変動が抑えられた透過型の液晶装置４００を提供することができる。また、液晶パネル１００ａの素子基板１０側から光を入射しているが、対向基板２０側から光を入射するようにしてもよい。
【０１１４】
（変形例２）
上記した液晶装置１００〜４００は、Ｏプレート５５，１５５やＣプレート５６に反射防止（ＡＲ）コートを積層するようにしてもよい。
【０１１５】
（変形例３）
上記したように、電子機器として投射型表示装置１５００（プロジェクター）を例に説明してきたが、これに限定されず、例えば、ビューワー、ビューファインダー、ヘッドマウントディスプレイなどに適用するようにしてもよい。また、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、モバイル型のパーソナルコンピューター、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ページャー、電卓、タッチパネルなどの各種電子機器、また、電子ペーパーなどの電気泳動装置、カーナビゲーション装置等に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１１６】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１１…第１基板、１２…第２基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１８…遮光層、２０…対向基板、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３１…共通電極、３２…第２配向膜、５５，１５５…Ｏプレート、５５ａ…支持体としての基板、５５ｂ…カラム、５５ｃ…長軸、５５ｄ…位相差補償層、５６…Ｃプレート、６１…外部接続端子、１００，２００，３００，４００…液晶装置、１００ａ…液晶パネル、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１１１，１１１２，１１１５…ダイクロイックミラー、１１１３，１１１４…反射ミラー、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２５０，１２６０，１２７０…液晶ライトバルブ、１２５０ａ…画像形成光学系、１２５１，１２６１，１２７１…反射型の液晶パネル、１２５３，１２６３，１２７３…ワイヤーグリッド偏光板、１２５４，１２５５…補助偏光板、１２６０ａ…緑色光用画像形成光学系、１２６３…ワイヤーグリッド偏光板、１２６４…補助偏光板、１２６５…補助偏光板、１２７０ａ…青色光用画像形成光学系、１３００…スクリーン、１４００…筐体、１４００ａ，１４００ｂ，１４００ｃ…側面、１４００ａｔ，１４００ｂｔ，１４００ｃｔ…開口部、１４１０…インテグレーター光学系、１５００…液晶プロジェクター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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