(57)【要約】【課題】少ない部品点数で機械的な接続が補強され、信号の劣化が抑制された電子装置を提供すること。【解決手段】電子装置は、熱可塑性樹脂からなる絶縁基材と、該絶縁基材の一面に配置された複数のランドを含む配線を有する基板と、基板のランド形成面と対向する面に、ランドに対応して複数のバンプを有し、バンプが対応するランドと電気的且つ機械的に接続された電子部品と、樹脂からなり、電子部品のバンプ形成面と基板のランド形成面との対向領域に配置され、バンプ形成面とランド形成面の両方に接して機械的に接続する接続部と、を備える。絶縁基材は、自身の一部として、一面に配置された配線に隣接する配線周囲から突出する突出部を有する。そして、突出部のうち、対向領域内に位置する突出部が、接続部として、バンプとの間に空隙を有しつつ、電子部品のバンプ形成面に圧着されている。【選択図】図２
2013157403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂からなる絶縁基材（２０）と、該絶縁基材（２０）に配置された配線（２２）とを有し、前記絶縁基材（２０）の一面（１２ａ）に配置された配線（２２）として外部接続用のランド（２４）を含む配線を複数有する基板（１２）と、
前記基板のランド形成面（１２ａ）と対向する面に、前記ランド（２４）に対応して複数のバンプ（３２）を有し、前記バンプ（３２）が対応する前記ランド（２４）と電気的且つ機械的に接続された電子部品（１４）と、
樹脂からなり、前記電子部品（１４）のバンプ形成面（１４ａ）と前記基板（１２）のランド形成面（１２ａ）との対向領域に配置され、前記バンプ形成面（１４ａ）と前記ランド形成面（１２ａ）の両方に接して機械的に接続する接続部（２６ａ）と、を備える電子装置であって、
前記絶縁基材（２０）は、自身の一部として、前記一面（１２ａ）に配置された配線（２２）に隣接する配線周囲から突出する突出部（２６）を有し、
前記突出部（２６）のうち、前記対向領域内に位置する突出部が、前記接続部（２６ａ）として、前記バンプ（３２）との間に空隙（４０）を有しつつ、前記電子部品（１４）のバンプ形成面（１４ａ）に圧着されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記ランド（２４）を含む配線（２２）は、前記絶縁基材（２０）の一面（１２ａ）において、前記対向領域内に前記ランド（２４）を有しつつ前記対向領域よりも外側まで引き出されており、
前記空隙（４０）は、前記配線（２２）の引き出された方向において、前記対向領域よりも外側の外部雰囲気に連通していることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電子装置の製造方法であって、
熱プレスにより、金属箔（２８）を所定形状に打ち抜いて前記ランド（２４）を含む配線（２２）を形成しつつ、該配線（２２）を一面（１２ａ）側から前記絶縁基材（２０）に押し込んで熱圧着させるとともに、前記配線（２２）の押しこみにより、前記絶縁基材（２０）における前記配線（２２）に隣接する配線周囲を突出させて前記突出部（２６）を形成する基板形成工程と、
対応する前記バンプ（３２）と前記ランド（２４）とが対向するように、前記電子部品（１４）と前記基板（１２）とを位置合わせし、加熱しつつ加圧して、前記バンプ（３２）と前記ランド（２４）とを電気的且つ機械的に接続するとともに、前記対向領域内に位置する突出部（２６ａ）を前記電子部品（１４）のバンプ形成面（１４ａ）に熱圧着させる実装工程と、を備えることを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品のバンプが基板のランドに接続された電子装置及びその製造方法に関する。特に、電子部品のバンプ形成面と基板のランド形成面との対向領域とが、樹脂からなる接続部により機械的に接続された電子装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に記載のように、電子部品（半導体チップ）のバンプが基板のランド（電極）に接続された電子装置が知られている。この電子装置では、電子部品及び基板とは別に、電子部品のバンプ形成面と基板のランド形成面との対向領域に、樹脂からなる接続部（ＮＣＦ）が配置され、この接続部により、バンプ形成面とランド形成面が機械的に接続されている。このように、接続部により、基板に対する電子部品の機械的な接続が補強されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２２６０９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のように、従来の電子装置では、機械的な接続を補強するために、電子部品及び基板とは別の部材として、樹脂からなる接続部を必要とする。
【０００５】
また、バンプ形成面とランド形成面との対向領域は接続部によって埋められており、接続部は、各バンプに接しつつその周囲を覆っている。すなわち、バンプ間に接続部が充填されている。このため、誘電正接が生じ、特に高周波の信号が劣化するという問題がある。
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑み、少ない部品点数で機械的な接続が補強され、信号の劣化が抑制された電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、
熱可塑性樹脂からなる絶縁基材と、該絶縁基材に配置された配線とを有し、絶縁基材の一面に配置された配線として外部接続用のランドを含む配線を複数有する基板と、
基板のランド形成面と対向する面に、ランドに対応して複数のバンプを有し、バンプが対応するランドと電気的且つ機械的に接続された電子部品と、
樹脂からなり、電子部品のバンプ形成面と基板のランド形成面との対向領域に配置され、バンプ形成面とランド形成面の両方に接して機械的に接続する接続部と、を備える電子装置であって、
絶縁基材は、自身の一部として、一面に配置された配線に隣接する配線周囲から突出する突出部を有し、
突出部のうち、対向領域内に位置する突出部が、接続部として、バンプとの間に空隙を有しつつ、電子部品のバンプ形成面に圧着されていることを特徴とする。
【０００８】
このように本発明では、絶縁基材の一部を接続部とするため、電子部品及び基板とは別部材として接続部を必要とする従来の電子装置に較べて、少ない部品点数で機械的な接続を補強することができる。また、対向領域内に位置する突出部（接続部）は、バンプとの間に空隙を有する、すなわち接続部はバンプに非接触とされているので、誘電正接により信号が劣化するのを抑制することができる。
【０００９】
このような電子装置は、熱プレスにより、金属箔を所定形状に打ち抜いてランドを含む配線を形成しつつ、該配線を一面側から絶縁基材に押し込んで熱圧着させるとともに、配線の押し込みにより、絶縁基材における配線に隣接する配線周囲を突出させて突出部を形成する基板形成工程と、
対応するバンプとランドとが対向するように、電子部品と基板とを位置合わせし、加熱しつつ加圧して、バンプとランドとを電気的且つ機械的に接続するとともに、対向領域内に位置する突出部を電子部品のバンプ形成面に熱圧着させる実装工程と、を備えることで、形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係る電子装置の概略構成を示す上面視平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】突出部の形成位置を示す平面図である。
【図４】図１に示す電子装置の製造方法を示す断面図であり、基板形成工程を示している。
【図５】基板形成工程後の基板の概略構成を示す平面図である。
【図６】図１に示す電子装置の製造方法を示す断面図であり、実装工程を示している。
【図７】基板形成工程の変形例を示す断面図である。
【図８】その他変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、以下に示す各図において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。また、絶縁基材（基板）の厚さ方向（換言すれば、基板と電子部品とのスタック方向）を単に厚さ方向とする。
【００１２】
（実施形態）
先ず、図１〜図３により、特徴部分を除く電子装置１０の概略構成について説明する。
【００１３】
図１及び図２に示す電子装置１０は、基板１２の一面１２ａに配置されたランド２４に、電子部品１４の下面１４ａに配置されたバンプ３２が、電気的且つ機械的に接続された所謂フェイスダウン型の実装構造を有している。
【００１４】
基板１２は、電気絶縁性の熱可塑性樹脂からなる絶縁基材２０と、該絶縁基材２０に配置された配線２２と、を有している。そして、絶縁基材２０の一面１２ａに配置された配線２２として、外部接続用のランド２４（電極）を含む配線を複数有している。なお、絶縁基材２０の一面１２ａは、基板１２のランド形成面でもあり、以下、基板１２の一面１２ａとも示す。
【００１５】
絶縁基材２０を構成する熱可塑性樹脂としては、少なくとも以下の条件を満たすものを採用することができる。第１に、後述する基板１２の形成時に、熱プレスにより、金属箔２８を打ち抜いてなる配線２２を絶縁基材２０に押し込んで熱圧着できるように、軟化するものであること。第２に、後述する電子部品１４を基板１２に実装する際に、絶縁基材２０の一部として構成された接続部２６ａ（突出部２６）を、電子部品１４の下面１４ａに熱圧着できるように、軟化するものであること。本実施形態では、一例としてポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）を採用している。このＰＢＴの軟化点は、２１０℃程度である。
【００１６】
配線２２（ランド２４を含む）は、上記したように、金属箔２８を打ち抜き加工してなるものである。本実施形態では、一例として、銅からなる配線２２を採用している。なお、図１及び図３に示す符号２２ａは、配線２２のうち、突出部２６によって被覆されていない部分を示している。
【００１７】
絶縁基材２０に対する配線２２の厚さ方向の層数は特に限定されるものではない。少なくとも基板１２の一面１２ａにランド２４を含む配線２２を複数有すれば良い。例えば絶縁基材２０の内部に配線２２を備える多層構造の基板１２を採用することもできる。
【００１８】
本実施形態では、電子部品１４が４端子（４つのバンプ３２）を有しており、電子部品１４に対応して、それぞれ電気的に独立した４つの配線２２が設けられている。この４つの配線２２は、ランド２４を含む一端側が、電子部品１４（本体部３０）との対向領域内に位置しており、他端側が、対向領域よりも外側に位置している。すなわち、各配線２２は、対向領域内から対向領域外へ引き出されている。詳しくは、電子部品１４の本体部３０における厚さ方向に垂直な面内の外形輪郭が矩形状（略正方形）をなしており、これにより、基板１２の一面１２ａにおける電子部品１４とのオーバーラップ領域も矩形をなしている。そして、４つの配線２２は、矩形をなすオーバーラップ領域の互いに異なる辺から引き出されている。なお、図１及び図３に示す部分では、オーバーラップ領域の中心に対し、４つの配線２２が互いに回転対称の位置関係、すなわち中心角が９０度ずつずれた配置となっている。
【００１９】
電子部品１４は、本体部３０と、外部接続用のバンプ３２を有している。本体部３０としては、半導体チップ（ベアチップ）、又は、半導体チップを備えるパッケージを採用することができる。本体部３０における基板１２と対向する下面１４ａには、図示しない外部接続用のパッド（電極）が複数形成されている。そして、各パッド上にバンプ３２が配置されている。バンプ３２の構成材料としては、絶縁基材２０（接続部２６ａ）が軟化する温度で、ランド２４と電気的且つ機械的な接続を形成できるものを採用することができる。
【００２０】
本実施形態では、本体部３０として半導体チップを採用している。この半導体チップは、単結晶シリコンなどの半導体基板に、不純物の拡散などにより素子が形成され、素子や半導体基板上に形成された配線層などにより、論理回路、記憶回路、Ａ／Ｄ変換回路、増幅回路、或いはこれらの混合回路等が構成されたものである。また、錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）からなるはんだのバンプ３２を採用している。このバンプ３２の融点は２１８℃である。このようにバンプ３２として、絶縁基材２０を構成する熱可塑性樹脂の軟化点に近い融点を有する材料を選択している。なお、バンプ３２としては、上記例に限定されるものではない。例えばパッドに銅（Ｃｕ）ポストが接続され、このＣｕポストにはんだが接続されたもの、すなわちはんだ付きＣｕポストをバンプ３２として採用しても良い。さらには、絶縁基材２０の構成材料によっては、Ａｕからなるバンプ３２を採用しても良い。
【００２１】
次に、電子装置１０の特徴部分である突出部２６（接続部２６ａ）について説明する。
【００２２】
図１〜図３に示すように、絶縁基材２０は、自身の一部として、突出部２６を有している。すなわち、本実施形態では、突出部２６がＰＢＴからなる。この突出部２６は、基板１２の一面１２ａにおける、ランド２４を含む配線２２に隣接する部分、すなわち、該配線２２の周囲から、厚さ方向に突出して設けられている。突出部２６は、配線２２の表面（電子部品１４との対向面）に対し、配線２２が配置されていない部分の一面１２ａよりも上方に突出している。
【００２３】
そして、突出部２６のうち、基板１２の一面１２ａと電子部品１４の下面１４ａとの対向領域内に少なくとも一部が位置する突出部２６ａが、図２に示すようにバンプ３２との間に空隙４０を有しつつ、電子部品１４の下面１４ａに圧着されている。すなわち、対向領域内に位置する突出部２６ａが、一面１２ａと下面１４ａの両方に接して一面１２ａと下面１４ａとを機械的に接続する樹脂製の接続部となっている。以下、この突出部２６ａを接続部２６ａと示す。このように、接続部２６ａは、バンプ３２に対して非接触で設けられている。
【００２４】
この接続部２６ａは、対向領域内に位置する配線２２の部分、すなわちランド２４を含む矩形部分に対し、その３辺に沿って設けられており、空隙４０は、配線２２の引き出された方向において、対向領域よりも外側の外部雰囲気に連通している。換言すれば接続部２６ａは、バンプ３２を取り囲んではおらず、空隙４０が接続部２６ａによって閉じた空間となってはいない。
【００２５】
次に、上記した電子装置１０の製造方法について、図４〜図６を用いて説明する。
【００２６】
先ず、基板１２を形成する基板形成工程を実施する。この基板形成工程として、熱プレスにより、絶縁基材２０の一面１２ａに配線２２を形成する工程を含む。
【００２７】
図４（ａ）に示すように、別途準備した絶縁基材２０に対して、その一面１２ａに金属箔２８（銅箔）を配置し、一面１２ａと反対の面が下型１００の受け面に接するように、下型１００に絶縁基材２０を配置する。そして、この保持状態で上型１０２を下降させ、上型１０２の凹凸形状（凸部１０４及び凹部１０６）により、凸部１０４に接する金属箔２８の部分を打ち抜く。このとき、型１００，１０２の少なくとも一方（本実施形態では上型１０２）は図示しないヒータなどによって加熱されており、この熱で、熱可塑性樹脂からなる絶縁基材２０の一面１２ａ側表層が軟化する。したがって、打ち抜かれた金属箔２８、すなわち配線２２（ランド２４含む）は、絶縁基材２０の一面１２ａに押し込まれて溶着（熱圧着）する。このように、上型１０２にて金属箔２８を打ち抜き、熱圧着させて、絶縁基材２０の一面１２ａに配線２２を形成する。
【００２８】
なお、金属箔２８のうち、凸部１０４に接しない部分は、上型１０２の凹部１０６に位置するため、上型１０２によって絶縁基材２０に押し込まれずに、図４（ｂ）に示すごとく残る。したがって、型開き後に除去することができる。
【００２９】
また、この基板形成工程では、上記したように、熱プレスにより、打ち抜いた配線２２を、厚さ方向において一面１２ａ側から絶縁基材２０に押し込む。具体的には、配線２２の表面（電子部品１４との対向面）が、配線２２により押し込まれる部分及び突出部２６の形成される部分を除く部分の一面１２ａよりも深い位置となるように押し込む。この押し込みにより、配線２２直下の軟化した絶縁基材２０の部分が、絶縁基材２０の厚さ方向に垂直な方向において、配線２２の周囲に押しやられる。そして、図４（ｂ）に示すように、配線２２の周囲が盛り上がり、突出部２６（接続部２６ａ含む）が形成される。
【００３０】
なお、後述する実装工程で、接続部２６ａを、電子部品１４の下面１４ａに熱圧着することができるような高さを有する突出部２６を形成する。なお、突出部２６の突出高さは、絶縁基材２０に対する配線２２の押し込み量（深さ）、隣り合う配線２２の間隔などにより決定される。
【００３１】
上記基板形成工程により、図５に示す基板１２を得ることができる。図５では、配線２２の外形輪郭を破線で示している。基板１２において、突出部２６は、各配線２２の周囲に設けられる。本実施形態では、対向領域内において、隣り合う配線２２に対応する接続部２６ａ同士が一体化する。なお、図５では、配線２２の表面の縁部、すなわちランド２４のバンプ３２が接続される部分を除く部分の一部、を被覆するように突出部２６を設けている。しかしながら、配線２２の表面全域を露出させても良い。
【００３２】
次いで、電子部品１４を基板１２に実装する実装工程を実施する。具体的には、対応するバンプ３２とランド２４とが対向するように、電子部品１４と基板１２とを位置合わせする。そして、加熱しつつ加圧して、バンプ３２とランド２４とを電気的且つ機械的に接続するとともに、対向領域内に位置する接続部２６ａを電子部品１４の下面１４ａに熱圧着させる。
【００３３】
本実施形態では、図示しないヒートツールを電子部品１４の下面１４ａと反対の面に押し付け、図６（ａ）に示すように、厚さ方向であって基板１２方向に力を加えることで、電子部品１４を基板１２に実装する。ヒートツールによる印加温度を２２０℃程度とし、ヒートツールにより電子部品１４を基板１２側に押し込むと、バンプ３２がランド２４に接触し、バンプ３２を構成するはんだが、ランド２４の表面を濡れ広がり始める。一例として、この時点で、接続部２６ａの突出先端が、電子部品１４の下面１４ａに接触していないものとする。ヒートツールにより電子部品１４をさらに押し込むと、接続部２６ａが電子部品１４の下面１４ａに接触する。絶縁基材２０の一部として構成されている接続部２６ａは、電子部品１４を介してヒートツールの熱を受け、軟化する。したがって、電子部品１４の押し込みにともなって、図６（ｂ）に示すように、接続部２６ａは変形しつつ電子部品１４の下面１４ａに溶着（熱圧着）する。また、バンプ３２とランド２４が電気的且つ機械的に接続される。以上により、電子装置１０を得ることができる。
【００３４】
なお、電子部品１４を基板１２にとバンプ３２との間には、バンプ３２とランド２４が電気的且つ機械的に接続された状態で、接続部２６ａとバンプ３２との間に、空隙４０が確保される。空隙４０は、絶縁基材２０の厚さ方向に垂直な方向（以下、垂直方向と示す）における接続部２６ａとバンプ３２との位置関係、接続部２６ａの高さ（電子部品１４の潰しによる変形量）、垂直方向における接続部２６ａ及びバンプ３２の線膨張係数（実装工程ので膨張量）などを考慮することで、確保することができる。例えば、垂直方向において、接続部２６ａとバンプ３２の位置を離す、例えば配線２２の幅を広くすることで、バンプ３２に接続部２６ａが接触しないようにすることができる。
【００３５】
次に、本実施形態に係る電子装置１０の特徴部分の効果について説明する。
【００３６】
本実施形態では、電子部品１４と基板１２との機械的な接続を補強する接続部２６ａを、熱可塑性樹脂からなる絶縁基材２０の一部として設けている。このため、電子部品及び基板とは別部材として接続部を必要とする従来の電子装置に較べて、少ない部品点数で機械的な接続を補強することができる。このように、バンプ３２とランド２４との接続部位だけでなく、接続部２６ａを介した接続部位を有するため、接続信頼性を向上することができる。例えば耐落下衝撃性、耐温度衝撃性を向上することができる。
【００３７】
また、対向領域内に位置する突出部２６、すなわち接続部２６ａは、バンプ３２との間に空隙４０を有する、すなわち接続部２６ａはバンプ３２に非接触とされている。したがって、異なる電位のバンプ３２間にコンデンサが構成されて、誘電正接により信号が劣化するのを抑制することができる。
【００３８】
ところで、絶縁基材２０など電子装置１０の構成要素は、吸湿などにより水分を含んでいる。この水分は、上記した実装工程での加熱により水蒸気化する。ＮＣＦ（Non Conductive Film）やＮＣＰ(Non Conductive Paste)などの接続部により、対向領域が埋められた従来の電子装置では、接続部とバンプとの間に隙間（空隙、ボイド）が生じると、この隙間は閉じた空間となるため、隙間に水蒸気が溜まる。このため、例えば電子部品のパッド、バンプ３２，ランド２４などに腐食が生じる虞がある。水蒸気の溜まりを抑制するには、バンプとの間に隙間を有さないように、接続部を充填しなければならないが、温度変化によって接続部やバンプなどが収縮するため、接続部とバンプとの間に全く隙間がないようにするのは困難である。
【００３９】
これに対し、本実施形態では、接続部２６ａがバンプ３２を取り囲んでおらず、空隙４０は、接続部２６ａによって閉じた空間となっていない。空隙４０は、配線２２の引き出された方向において、対向領域よりも外側の外部雰囲気に連通している。したがって、絶縁基材２０などに含まれる水分が水蒸気化しても、空隙４０から外部雰囲気に逃がすことができる。これにより、例えば腐食を抑制することができる。
【００４０】
また、本実施形態では、絶縁基材２０の一面１２ａに配線２２を形成する熱プレスを利用して、絶縁基材２０に突出部２６（接続部２６ａ）を形成する。さらに、電子部品１４を基板１２に実装する加熱・加圧を利用して、接続部２６ａを電子部品１４の下面１４ａに熱圧着させる。したがって、別部材としての接続部を対向領域に配置する構成に較べて、電子装置１０の製造工程を簡素化することができる。
【００４１】
（変形例）
上記実施形態では、基板形成工程において、一度の熱プレスにより、配線２２の打ち抜き形成、絶縁基材２０への配線２２の熱圧着、突出部２６（接続部２６ａ）の形成を行う例を示した。しかしながら、熱プレスを２回に分けても良い。例えば図７（ａ）に示すように、１回目の熱プレスで、配線２２の打ち抜きと絶縁基材２０への熱圧着を行う。金属箔２８の不要部分２８ａは、１回目の熱プレスで除去される。１回目の熱プレスでも、配線２２を絶縁基材２０に熱圧着させる際に、配線２２に押された絶縁基材２０により、少なからず突出部２６（接続部２６ａ）が形成されるが、高さが不十分である。そこで、図７（ｂ）に示すように２回目の熱プレスを行う。なお、符号１０８は下型、符号１１０は上型、符号１１２は凸部、符号１１４は凹部である。下型１０８及び上型１１０は１回目の熱プレスの下型１００及び上型１０２とは異なるものである。２回目の熱プレスで、配線２２を１回目よりも深い位置まで押し込むことで、実装工程において電子部品１４の下面１４ａに接することのできる高さを確保することができる。
【００４２】
電子部品１４と接続部２６ａとの密着性を向上させるために、電子部品１４の下面にポリイミドなどの膜を形成し、この膜にプラズマを照射して膜の表面を活性化させ、この状態で、実装工程を行うようにしても良い。
【００４３】
隣り合うランド２４（配線２２）の間に設けられる接続部２６ａの個数としては１つに限定されるものではない。ランド２４の間隔や、熱プレスでの配線２２の埋め込み深さによっては、隣り合うランド２４間に複数（例えば２つ）の接続部２６ａが設けられても良い。また、図８（ａ），（ｂ）に示すように、隣り合うランド２４の間にダミー配線４２を設けることで、隣り合うランド２４間に位置する接続部２６ａの個数（４つ）を増やしている。これによれば、接続部２６ａによる、電子部品１４と基板１２との接続面積を増やして接続信頼性をより向上することもできる。
【００４４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１０・・・電子装置
１２・・・基板
１２ａ・・・一面（ランド形成面）
１４・・・電子部品
１４ａ・・・下面（バンプ形成面）
２０・・・絶縁基材
２２・・・配線
２４・・・ランド
２６・・・突出部
２６ａ・・・接続部
３２・・・バンプ
４０・・・空隙
【図１】
2013157403.tif 000003
【図２】
2013157403.tif 000004
【図３】
2013157403.tif 000005
【図４】
2013157403.tif 000006
【図５】
2013157403.tif 000007
【図６】
2013157403.tif 000008
【図７】
2013157403.tif 000009
【図８】
2013157403.tif 000010