(57)【要約】      （修正有）【課題】短絡による不良品が生じ難い光電変換装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板１と、第１方向に間隔を空けて基板１上に配された第１下部電極層２ａおよび第２下部電極層２ｂを含んだ複数の下部電極層２と、第１導電型の第１下部半導体層３１ａ、第２導電型の第１上部半導体層３２ａおよび第１上部電極部４ａが第２方向に順に積層された第１積層部３４ａと、第２下部電極層２ｂ上に配された、第１導電型の第２下部半導体層３１ｂ、第２導電型の第２上部半導体層３２ｂおよび第２上部電極部４１ｂが第２方向に順に積層された第２積層部３４ｂと、第１上部電極部４１ａと第２下部電極層とを電気的に接続する接続部５とを備えている。ここで、第２上部電極部４１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１は、第２下部半導体層３１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第２端部ＥＰ２から第１および第２方向にずれた位置に配されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
第１方向に間隔を空けて前記基板上に配された第１下部電極層および第２下部電極層を含んでいる複数の下部電極層と、
前記第１下部電極層上から、少なくとも前記第１下部電極層と前記第２下部電極層との隙間を経て前記基板上にかけた領域に配された、第１導電型の第１下部半導体層、第２導電型の第１上部半導体層および第１上部電極部が第２方向に順に積み重なっている第１積層部と、
前記第２下部電極層上に配された、前記第１導電型の第２下部半導体層、前記第２導電型の第２上部半導体層および第２上部電極部が前記第２方向に順に積み重なっている第２積層部と、
前記第１上部電極部と前記第２下部電極層とを電気的に接続している接続部とを備え、
前記第２上部電極部のうちの前記第１積層部側の第１端部は、前記第２下部半導体層のうちの前記第１積層部側の第２端部から前記第１方向および前記第２方向にずれた位置に配されている光電変換装置。
【請求項２】
前記第２積層部のうちの前記第１積層部側の端面は、前記第１積層部と前記第２積層部との間における前記第２下部電極層の一主面に対して鈍角を成している傾斜部を含んでいる請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第２積層部のうちの前記第１積層部側の端面は、前記第２下部電極層からの距離に応じて前記第１方向にずれている１つ以上の段差部を含んでいる請求項１または請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記１つ以上の段差部は、前記第２上部半導体層のうちの前記第２上部電極部側の一主面において、前記第２上部電極部のうちの前記第１積層部側の端部が、前記第２上部半導体層のうちの前記第１積層部側の端部よりも前記第１方向にずれている第１段差部を含んでいる請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第２端部と前記第１端部との前記第１方向における第１間隔は、前記第１上部電極部のうちの前記第２積層部側の第３端部と前記第１下部半導体層のうちの前記第２積層部側の第４端部との前記第１方向における第２間隔よりも大きい請求項１から請求項４のいずれか１つの請求項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第１上部電極部は、前記第１上部半導体層上に配されている第１上部電極層と、該第１上部電極層上に配されている第１線状電極とを含んでおり、前記第２上部電極部は、前記第２上部半導体層上に配されている第２上部電極層と、該第２上部電極層上に配されている第２線状電極とを含んでいる請求項１から請求項５のいずれか１つの請求項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第１積層部と前記第２積層部との間において、前記第２下部電極層上に、半導体および絶縁体のうちの少なくとも一方からなる膜が配されている請求項１から請求項６のいずれか１つの請求項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
基板上に、第１方向に間隔を空けて平面的に配される第１下部電極層および第２下部電極層を含む複数の下部電極層、第１導電型の下部半導体層、第２導電型の上部半導体層および上部電極部が第２方向に順に積み重ねられている積層体、ならびに前記上部半導体層および前記下部半導体層に配された隙間部を経て前記上部電極部と前記第２下部電極層とを電気的に接続している接続部を形成する第１形成工程と、
工具によって前記積層体のうちの少なくとも前記接続部よりも前記第１方向側に位置する部分を線状に削り、前記積層体に前記上部電極部から前記下部半導体層に至る線状の溝部を形成することで、前記第１方向に並んでいる、前記第１下部電極層上から少なくとも前記第１下部電極層と前記第２下部電極層との隙間部を経て前記基板上にかけた領域に配された第１積層部と、前記第２下部電極層上に配された第２積層部とを形成する第２形成工程とを有しており、
前記第２形成工程において、前記第２積層部に含まれている前記上部電極部のうちの前記第１積層部側の第１端部を、前記第２積層部に含まれている前記下部半導体層のうちの前記第１積層部側の第２端部から前記第１方向および前記第２方向にずれた位置に形成する光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２形成工程において、先端部分からの距離に応じて幅が一方向に拡がっている工具によって、前記積層体を線状に削ることで、前記第１積層部と前記第２積層部との間における前記第２下部電極層の一主面に対して鈍角を成している傾斜部を含む、前記第２積層部の前記第１積層部側における端面を形成する請求項８に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２形成工程において、先端部分からの距離に応じて幅が１箇所以上で一方向に段階的に拡がっている工具によって、前記積層体を線状に削ることで、前記第２下部電極層からの距離に応じて前記第１方向にずれている１つ以上の段差部を含む、前記第２積層部のうちの前記第１積層部側における端面を形成する請求項８に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２形成工程において、第１の幅の先端部分を有する第１工具によって前記積層体を線状に削ることで、線状の仮溝部を形成し、該線状の仮溝部に沿って前記第１の幅とは異なる第２の幅の先端部分を有する第２工具によって前記積層体をさらに線状に削ることで、前記１つ以上の段差部を含む、前記第２積層部のうちの前記第１積層部側における端面を形成する請求項１０に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１形成工程において、前記上部半導体層上に、上部電極層および該上部電極層上に配される線状電極を含む前記上部電極部を形成し、
前記第２形成工程において、前記工具によって前記線状電極を削ることで、該線状電極を、前記第１積層部に含まれる第１線状電極と、前記第２積層部に含まれる第２線状電極とに分離する請求項８から請求項１１のいずれか１つの請求項に記載の光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体等から成る光吸収層を具備した光電変換装置がある（例えば、特許文献１参照）。この光電変換装置では、例えば、複数の光電変換セルが平面的に並設されている。各光電変換セルでは、ガラス等の基板上に、主に金属電極等から成る下部電極と、光吸収層およびバッファ層等を主に含む半導体層から成る光電変換層と、主に透明電極および金属電極等から成る上部電極とが、この順に積層されている。また、複数の光電変換セルは、隣り合う一方の光電変換セルの上部電極と他方の光電変換セルの下部電極とが接続導体によって電気的に接続されることで、電気的に直列に接続されている。これにより、実用的な電圧が取得され得る。
【０００３】
この光電変換装置については、例えば、基板上に、第１溝部によって短冊状に分離された複数の下部電極が形成される。また、その上に形成される光電変換層を第１溝部に沿って分断する第２溝部が形成される。また、光電変換層上に上部電極が形成されるとともに、第２溝部に接続導体が形成される。さらに、複数の下部電極上に順に積層された光電変換層および上部電極を第２溝部に沿って分断する第３溝部が形成される。これにより、第３溝部によって、隣り合う一方の光電変換セルと他方の光電変換セルとが分離され得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１１８３４３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、光電変換層と上部電極とを分離する第３溝部が形成される際に、上部電極が綺麗に除去されず、第３溝部内において上部電極の残渣およびバリ等が生じ得る。このため、残渣およびバリ等によって、第３溝部内の下部電極と、他方の光電変換セルの上部電極とが短絡する虞がある。
【０００６】
そこで、短絡による不良品が生じ難い光電変換装置およびその製造方法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、一態様に係る光電変換装置は、基板と、第１方向に間隔を空けて前記基板上に配された第１下部電極層および第２下部電極層を含んでいる複数の下部電極層とを備えている。また、該光電変換装置は、前記第１下部電極層上から、少なくとも前記第１下部電極層と前記第２下部電極層との隙間を経て前記基板上にかけた領域に配された、第１導電型の第１下部半導体層、第２導電型の第１上部半導体層および第１上部電極部が第２方向に順に積み重なっている第１積層部を備えている。さらに、該光電変換装置は、前記第２下部電極層上に配された、前記第１導電型の第２下部半導体層、前記第２導電型の第２上部半導体層および第２上部電極部が前記第２方向に順に積み重なっている第２積層部と、前記第１上部電極部と前記第２下部電極層とを電気的に接続している接続部とを備えている。そして、前記第２上部電極部のうちの前記第１積層部側の第１端部は、前記第２下部半導体層のうちの前記第１積層部側の第２端部から前記第１方向および前記第２方向にずれた位置に配されている。
【０００８】
一態様に係る光電変換装置の製造方法は、第１方向に間隔を空けて平面的に配される第１下部電極層および第２下部電極層を含む複数の下部電極層、第１導電型の下部半導体層、第２導電型の上部半導体層および上部電極部が第２方向に順に積み重ねられている積層体、ならびに前記上部半導体層および前記下部半導体層に配された隙間部を経て前記上部電極部と前記第２下部電極層とを電気的に接続している接続部を形成する第１形成工程を有している。さらに、該光電変換装置の製造方法は、工具によって前記積層体のうちの少なくとも前記接続部よりも前記第１方向側に位置する部分を線状に削り、前記積層体に前記上部電極部から前記下部半導体層に至る線状の溝部を形成することで、前記第１方向に並んでいる、前記第１下部電極層上から少なくとも前記第１下部電極層と前記第２下部電極層との隙間部を経て前記基板上にかけた領域に配された第１積層部と、前記第２下部電極層上に配された第２積層部とを形成する第２形成工程とを有している。そして、前記第２形成工程において、前記第２積層部に含まれている前記上部電極部のうちの前記第１積層部側の第１端部を、前記第２積層部に含まれている前記下部半導体層のうちの前記第１積層部側の第２端部から前記第１方向および前記第２方向にずれた位置に形成する。
【発明の効果】
【０００９】
一態様に係る光電変換装置によれば、短絡による不良品が生じ難い。
【００１０】
また、一態様に係る光電変換装置の製造方法によれば、短絡による不良品が生じ難い光電変換装置が実現され得る。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態に係る光電変換装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図２】図１にて一点鎖線II−IIで示した位置におけるＸＺ断面を示す図である。
【図３】光電変換装置の製造フローを示すフローチャートである。
【図４】光電変換装置の製造途中の状態を模式的に示す図である。
【図５】光電変換装置の製造途中の状態を模式的に示す図である。
【図６】光電変換装置の製造途中の状態を模式的に示す図である。
【図７】光電変換装置の製造途中の状態を模式的に示す図である。
【図８】光電変換装置の製造途中の状態を模式的に示す図である。
【図９】光電変換装置の製造途中の状態を模式的に示す図である。
【図１０】光電変換装置の製造途中の状態を模式的に示す図である。
【図１１】光電変換装置の製造途中の状態を模式的に示す図である。
【図１２】光電変換装置の製造途中の状態を模式的に示す図である。
【図１３】スクライブ針の先端付近の形状を模式的に示す図である。
【図１４】第１変形例に係る光電変換装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図１５】図１４にて一点鎖線XV−XVで示した位置におけるＸＺ断面を示す図である。
【図１６】スクライブ針の先端付近の形状を模式的に示す図である。
【図１７】スクライブ針の先端付近の形状を模式的に示す図である。
【図１８】スクライブ針の先端付近の形状を模式的に示す図である。
【図１９】溝部Ｐ３の形成工程のフローを示すフローチャートである。
【図２０】第２変形例に係る光電変換装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図２１】図２０にて一点鎖線XXI−XXIで示した位置におけるＸＺ断面を示す図である。
【図２２】第３変形例に係る光電変換装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図２３】図２２にて一点鎖線XXIII−XXIIIで示した位置におけるＸＺ断面を示す図である。
【図２４】第４変形例に係る光電変換装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図２５】図２４にて一点鎖線XXV−XXVで示した位置におけるＸＺ断面を示す図である。
【図２６】第５変形例に係る光電変換装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図２７】図２６にて一点鎖線XXVII−XXVIIで示した位置におけるＸＺ断面を示す図である。
【図２８】その他の変形例に係る光電変換装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図２９】図２８にて一点鎖線XXIX−XXIXで示した位置におけるＸＺ断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態および各種変形例を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。なお、図１、図２、図４〜図１２、図１４、図１５、図２０から図２９には、光電変換セル１０の配列方向（図１の図面視右方向）を＋Ｘ方向とする右手系のＸＹＺ座標系が付されている。
【００１３】
＜(１)一実施形態＞
＜(１−１)光電変換装置の概略構成＞
図１および図２で示されるように、一実施形態に係る光電変換装置１００は、基板１と、該基板１の上に平面的に並べられた複数の光電変換セル１０とを備えている。隣り合う光電変換セル１０は溝部Ｐ３によって分離されている。図１および図２では、図示の都合上、２つの光電変換セル１０の一部のみが示されている。
【００１４】
光電変換装置１００には、図面の左右方向に、所定数の光電変換セル１０が平面的に配列され得る。ここで、所定数は、例えば８つ等であれば良い。そして、例えば、光電変換装置１００の±Ｘ方向の両端部に、発電によって生じる電圧および電流を出力するための電極が配され得る。なお、光電変換装置１００には、例えば、多数の光電変換セル１０が行列状に配置されていても良い。
【００１５】
光電変換装置１００では、多数の光電変換セル１０が高密度に平面的に配置されていれば、変換効率が向上する。変換効率は、光電変換装置１００において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示す。例えば、変換効率は、光電変換装置１００から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置１００に入射される太陽光のエネルギーの値で除されて、１００が乗じられることで導出され得る。
【００１６】
ところで、複数の光電変換セル１０は、第１方向としての＋Ｘ方向に順に配された第１光電変換セル１０ａおよび第２光電変換セル１０ｂを含んでいる。ここで、第１光電変換セル１０ａと第２光電変換セル１０ｂとを電気的に直列に接続する接続部５が、第１光電変換セル１０ａの溝部Ｐ２に配されている。また、接続部５が接続されている下部電極層２上に溝部Ｐ３が配されている。そして、第２光電変換セル１０ｂの上部電極部４のうちの溝部Ｐ３に面した第１端部ＥＰ１の位置が、第２光電変換セル１０ｂの光電変換層３のうちの溝部Ｐ３に面した第２端部ＥＰ２の位置から、第２方向としての＋Ｚ方向にずれているだけでなく、＋Ｘ方向にもずれている。すなわち、溝部Ｐ３の底面と、第２光電変換セル１０ｂの上部電極部４とが遠ざけられた構成が採用されている。
【００１７】
このような構成により、例えば、溝部Ｐ３が形成される際に生じ得る上部電極部４の残渣およびバリ等によって第２光電変換セル１０ｂの上部電極部４と溝部Ｐ３の下方に配されている下部電極層２とが短絡する不具合が生じ難い。
【００１８】
＜(１−２)光電変換セルの基本的な構成＞
各光電変換セル１０は、基板１上において、下部電極層２と光電変換層３と上部電極部４とが順に積み重なっている積層部３４とを備えている。また、各光電変換セル１０には、溝部Ｐ１および溝部Ｐ２が配されている。そして、各光電変換セル１０では、上部電極部４が配されている側の主面が受光面となっている。
【００１９】
基板１は、複数の光電変換セル１０を支持するものである。基板１に含まれる主な材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が採用され得る。なお、本実施形態では、基板１がソーダライムガラスである。また、基板１の厚さは、例えば、１ｍｍ以上で且つ３ｍｍ以下程度であれば良い。さらに、例えば、基板１の形状は平板状であれば良い。
【００２０】
下部電極層２は、基板１の＋Ｚ側の一主面（上面とも言う）の上に配されている導電層である。下部電極層２に含まれる主な材料としては、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴａおよびＡｕ等の導電性を有する各種金属等が採用され得る。また、下部電極層２の厚さは、例えば、０．２μｍ以上で且つ１μｍ以下程度であれば良い。下部電極層２は、例えば、スパッタリング法または蒸着法等によって形成され得る。
【００２１】
光電変換層３は、下部電極層２の上に配されている。該光電変換層３は、光吸収層３１とバッファ層３２とを備えている。光吸収層３１およびバッファ層３２は、この順に下部電極層２の上に積層されている。
【００２２】
光吸収層３１は、下部電極層２の＋Ｚ側の一主面（上面とも言う）の上に配されている。該光吸収層３１は、第１導電型を有する半導体を主に含んでおり、光を吸収して電荷を生じる。ここで、第１導電型を有する半導体としては、例えば、カルコパイライト系の化合物半導体であるＩ−III−VI族化合物半導体等が適用され得る。なお、第１導電型は、例えばｐ型の導電型であれば良い。
【００２３】
I−III−VI族化合物半導体とは、Ｉ−III−VI族化合物を主に含む半導体である。なお、Ｉ−III−VI族化合物を主に含む半導体とは、半導体がＩ−III−VI族化合物を７０ｍｏｌ％以上含むことを言う。以下の記載においても、「主に含む」は「７０ｍｏｌ％以上含む」ことを意味する。Ｉ−III−VI族化合物は、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素とも言う）とIII−Ｂ族元素（１３族元素とも言う）とVI−Ｂ族元素（１６族元素とも言う）とを主に含む化合物である。
【００２４】
I−III−VI族化合物としては、例えば、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳとも言う）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２（ＣＩＧＳＳとも言う）、およびＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳとも言う）等が採用され得る。なお、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２は、ＣｕとＩｎとＧａとＳｅとを主に含む化合物である。また、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２は、ＣｕとＩｎとＧａとＳｅとＳとを主に含む化合物である。ここでは、光吸収層３１が、ＣＩＧＳを主に含む。
【００２５】
なお、光吸収層３１がＩ−III−VI族化合物半導体を主に含んでいれば、光吸収層３１の厚さが１０μｍ以下であっても、光吸収層３１による光電変換の効率が高めら得る。このため、光吸収層３１の厚さは、例えば、１μｍ以上で且つ３μｍ以下程度であれば良い。
【００２６】
光吸収層３１は、スパッタリング法または蒸着法等といった真空プロセスによって形成され得る。また、光吸収層３１は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成され得る。塗布法あるいは印刷法では、例えば、光吸収層３１に主に含まれる金属元素を含む溶液が下部電極層２の上に塗布され、その後、乾燥および熱処理が行われる。
【００２７】
バッファ層３２は、光吸収層３１の＋Ｚ側の一主面（上面とも言う）の上に配されており、光吸収層３１の第１導電型とは異なる第２導電型を有する半導体を主に含む。ここで、導電型が異なる半導体とは、伝導担体（キャリア）が異なる半導体である。そして、第２導電型は、例えばｎ型の導電型であれば良い。なお、光吸収層３１の導電型がｎ型であり、バッファ層３２の導電型がｐ型であっても良い。ここでは、光吸収層３１とバッファ層３２との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、光電変換セル１０では、ヘテロ接合領域を形成する光吸収層３１とバッファ層３２とにおいて光電変換が生じ得る。
【００２８】
バッファ層３２は、化合物半導体を主に含む。バッファ層３２に含まれる化合物半導体としては、例えば、ＣｄＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）、（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）および（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ等が採用され得る。そして、バッファ層３２が１Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有していれば、リーク電流の発生が低減され得る。なお、バッファ層３２は、例えば、化学浴槽堆積（ＣＢＤ）法等によって形成され得る。
【００２９】
また、バッファ層３２の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上で且つ２００ｎｍ以下程度であれば良い。バッファ層３２の厚さが１００ｎｍ以上で且つ２００ｎｍ以下であれば、バッファ層３２の上に上部電極部４の上部電極層４１がスパッタリング法等で形成される際に、バッファ層３２においてダメージが生じ難い。
【００３０】
上部電極部４は、光電変換層３の＋Ｚ側の一主面（上面とも言う）の上に配されている。そして、該上部電極部４は、上部電極層４１と複数の線状電極４２とを備えている。上部電極層４１および線状電極４２は、この順に光電変換層３上に積み重ねられている。
【００３１】
上部電極層４１は、光電変換層３の＋Ｚ側の一主面（上面とも言う）の上に配されている。該上部電極層４１は、例えば、ｎ型の導電型を有する透明の導電層（透明導電層とも言う）である。上部電極層４１は、光電変換層３において生じた電荷を取り出す電極である。上部電極層４１は、バッファ層３２よりも低い抵抗率を有する材料を主に含んでいれば良い。上部電極層４１には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれても良いし、窓層と透明導電層とが含まれても良い。
【００３２】
上部電極層４１は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、ＺｎＯ、ＺｎＯの化合物、Ｓｎが含まれたＩＴＯおよびＳｎＯ２等の金属酸化物半導体等が採用され得る。ＺｎＯの化合物は、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、ＩｎおよびＦのうちの何れか１つの元素等が含まれたものであれば良い。
【００３３】
上部電極層４１は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって形成され得る。上部電極層４１の厚さは、例えば、０．０８μｍ以上で且つ２．０μｍ以下程度であれば良い。ここで、上部電極層４１が、１Ω・ｃｍ未満の抵抗率と、５０Ω／□以下のシート抵抗とを有していれば、上部電極層４１を介して光電変換層３から電荷が良好に取り出され得る。
【００３４】
ここで、バッファ層３２および上部電極層４１が、光吸収層３１が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質（光透過性とも言う）を有していれば、光吸収層３１における光の吸収効率の低下が低減され得る。また、上部電極層４１の厚さが０．０５μｍ以上で且つ０．５μｍ以下であれば、上部電極層４１における光透過性が高められ、光電変換によって生じた電流が上部電極層４１によって良好に伝送され得る。さらに、上部電極層４１の絶対屈折率とバッファ層３２の絶対屈折率とが略同一であれば、上部電極層４１とバッファ層３２との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。
【００３５】
複数の線状電極４２は、上部電極層４１の＋Ｚ側の一主面（上面とも言う）の上に配されている。該複数の線状電極４２は、例えば、金属ペーストが上部電極層４１の上面の上に塗布された後に乾燥されて該金属ペーストが固化されることで形成され得る。金属ペーストは、例えば、透光性を有する樹脂等のバインダーに光反射率が高く且つ導電性を有する粒子が添加されることで作製され得る。ここで、透光性を有する樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂等が採用され得る。また、金属ペーストに含まれる粒子としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、ＮｉならびにＺｎとＡｇの合金等の金属粒子が採用され得る。この場合、線状電極４２に導電性を有する多数の粒子が含まれており、該多数の粒子が相互に接触し合うことで、線状電極４２における良好な導電性が確保され得る。
【００３６】
複数の線状電極４２は、第１方向としての＋Ｘ方向と直交する＋Ｙ方向に離間しており、各線状電極４２が＋Ｘ方向に延在している。ここで、光電変換層３には、隙間部としてのスリット状の溝部Ｐ２が配されている。そして、複数の線状電極４２は、溝部Ｐ２に配されている接続部５によって、隣の光電変換セル１０の下部電極層２に電気的に接続されている。具体的には、第１光電変換セル１０ａにおける複数の第１線状電極４２ａは、溝部Ｐ２に配されている接続部５によって、第２光電変換セル１０ｂから第１光電変換セル１０ａ内まで延伸されている第２下部電極層２ｂに接続されている。つまり、隣り合う第１光電変換セル１０ａと第２光電変換セル１０ｂとの間で、第１光電変換セル１０ａに配されている第１上部電極部４ａと、隣の第２光電変換セル１０ｂに配されている第２下部電極層２ｂとが、接続部５によって接続されている。
【００３７】
複数の線状電極４２は、光電変換層３において発生して上部電極層４１において取り出された電荷を集電する役割を担う。複数の線状電極４２が配されていることで、上部電極層４１における導電性が補われる。このため、上部電極層４１の薄層化が可能となる。その結果、電荷の取り出し効率の確保と、上部電極層４１における光透過性の向上とが両立し得る。
【００３８】
上部電極層４１および複数の線状電極４２によって集電された電荷は、接続部５を通じて、隣の光電変換セル１０に伝達される。これにより、光電変換装置１００においては、隣り合う光電変換セル１０が電気的に直列に接続されている。
【００３９】
また、複数の線状電極４２の幅が２０μｍ以上で且つ４００μｍ以下程度であれば、隣り合う光電変換セル１０の間における良好な導電が確保され、光吸収層３１への光の入射量の低下が低減され得る。なお、１つの光電変換セル１０に配されている複数の線状電極４２の＋Ｙ方向における間隔は、例えば、２．５ｍｍ程度であれば良い。
【００４０】
＜(１−３)溝部の配置とその役割＞
溝部Ｐ１は、＋Ｙ方向に沿って延在している。そして、溝部Ｐ１は、下部電極層２の上面から基板１の上面に至るまで配されている。光電変換装置１００では、１以上の溝部Ｐ１が配されていることで、複数の下部電極層２が第１方向としての＋Ｘ方向に間隔を空けて基板１上に配されている。図２には、複数の下部電極層２として、基板１上に＋Ｘ方向に間隔を空けて第１〜３下部電極層２ａ〜２ｃが順に配されている様子が示されている。
【００４１】
また、図２で示されるように、１つの光電変換セル１０において、下部電極層２は、溝部Ｐ１の−Ｘ側に位置する第１領域２１と、溝部Ｐ１の＋Ｘ側に位置する第２領域２２とを含んでいる。そして、１つの光電変換セル１０では、溝部Ｐ１が、第１領域２１と第２領域２２とを電気的に分離している。
【００４２】
溝部Ｐ１には、直上に配された光吸収層３１の延在部分が埋入している。このため、１つの光電変換セル１０では、溝部Ｐ１によって第１領域２１と第２領域２２とが電気的に分離されている。
【００４３】
具体的には、第１光電変換セル１０ａにおいては、第１下部電極層２ａ上から基板１上を経て第２下部電極層２ｂ上にかけて第１積層部３４ａが配されている。該第１積層部３４ａでは、第１下部半導体層としての光吸収層３１ａ、第１上部半導体層としてのバッファ層３２ａ、および第１上部電極部４ａが、第２方向としての＋Ｚ方向に順に積み重なっている。また、第２光電変換セル１０ｂにおいては、第２下部電極層２ｂ上から基板１上を経て第３下部電極層２ｃ上にかけて、第２積層部３４ｂが配されている。該第２積層部３４ｂにおいては、第２下部半導体層としての光吸収層３１ｂ、第２上部半導体層としてのバッファ層３２ｂ、および第２上部電極部４ｂが＋Ｚ方向に順に積み重なっている。なお、溝部Ｐ１の幅は、例えば、５０μｍ以上で且つ４００μｍ以下程度であれば良い。
【００４４】
また、±Ｘ方向に隣り合う第１光電変換セル１０ａと第２光電変換セル１０ｂとの間で、第１光電変換セル１０ａの第２領域２２と、第２光電変換セル１０ｂの第１領域２１とが、１つの下部電極層２としての第２下部電極層２ｂに含まれている。換言すれば、第２下部電極層２ｂが、第２光電変換セル１０ｂから第１光電変換セル１０ａまで延伸されている。これにより、第１光電変換セル１０ａの第２領域２２と、第２光電変換セル１０ｂの第１領域２１とが電気的に接続されている。
【００４５】
溝部Ｐ２は、＋Ｙ方向に沿って延在しているスリット状の隙間部である。該溝部Ｐ２は、各光電変換セル１０において、光電変換層３を±Ｘ方向に分離している。
【００４６】
具体的には、例えば、溝部Ｐ２は、第１上部電極部４ａに含まれている第１上部電極層４１ａの上面から第２下部電極層２ｂの上面に至るまで配されている。ここで、溝部Ｐ２には、接続部５が配されている。該接続部５は、第１上部半導体層としてのバッファ層３２ａおよび第１下部半導体層としての光吸収層３１ａを貫通している。そして、該接続部５によって、第１上部電極部４ａと第２光電変換セル１０ｂから第１光電変換セル１０ａ内まで延伸されている第２下部電極層２ｂとが電気的に接続されている。ところで、第１上部電極部４ａは、第１上部半導体層としてのバッファ層３２ａ上に配されている第１上部電極層４１ａと、該第１上部電極層４１ａ上に配されている第１線状電極４２ａとを含んでいる。そして、接続部５は、例えば、第１上部電極部４ａの第１上部電極層４１ａ上に配されている第１線状電極４２ａと電気的に接続されている。なお、該接続部５は、例えば、第１線状電極４２ａと一体的に構成されていれば良い。
【００４７】
また、例えば、溝部Ｐ２は、第２上部電極部４ｂに含まれている第２上部電極層４１ｂの上面から第３下部電極層２ｃの上面に至るまで配されている。ここで、溝部Ｐ２には、接続部５が配されている。該接続部５は、第２上部半導体層としてのバッファ層３２ｂおよび第２下部半導体層としての光吸収層３１ｂを貫通している。そして、該接続部５によって、第２上部電極部４ｂと＋Ｘ側から第２光電変換セル１０ｂ内に延伸されている第３下部電極層２ｃとが電気的に接続されている。ところで、第２上部電極部４ｂは、第２上部半導体層としてのバッファ層３２ｂ上に配されている第２上部電極層４１ｂと、該第２上部電極層４１ｂ上に配されている第２線状電極４２ｂとを含んでいる。そして、該接続部５は、例えば、第２上部電極部４ｂの第２上部電極層４１ｂ上に配されている第２線状電極４２ｂと電気的に接続されている。なお、該接続部５は、例えば、第２線状電極４２ｂと一体的に構成されていれば良い。
【００４８】
溝部Ｐ３は、隣り合う２つの光電変換セル１０の間において＋Ｙ方向に延在している。そして、溝部Ｐ３は、光電変換セル１０の＋Ｚ側の一主面（上面とも言う）から下部電極層２の上面に至るまで配されている。つまり、溝部Ｐ３は、±Ｘ方向に隣り合う２つの光電変換セル１０との間において、両者の光電変換層３および上部電極部４のそれぞれを電気的に分離する領域である。具体的には、例えば、溝部Ｐ３は、±Ｘ方向に隣り合う第１光電変換セル１０ａと第２光電変換セル１０ｂとの間において、両者の光電変換層３および上部電極部４のそれぞれを電気的に分離している。なお、溝部Ｐ３の幅は、例えば、４０μｍ以上で且つ１０００μｍ以下程度であれば良い。また、各溝部Ｐ３には、光電変換装置１００がモジュール化される際に、例えば、樹脂等の絶縁材料が入り込む。
【００４９】
また、受光面の上方（ここでは＋Ｚ側）から各光電変換セル１０を平面透視した場合、各光電変換セル１０には、＋Ｘ方向に溝部Ｐ１と溝部Ｐ２と溝部Ｐ３とがこの順に配されている。そして、各光電変換セル１０には、溝部Ｐ２を包含して溝部Ｐ１と溝部Ｐ３とに挟まれた領域（第２領域２２）と、溝部Ｐ１が配されている領域と、残余の領域（第１領域２１）とがある。そして、該残余の領域が、発電に寄与する領域（発電領域とも言う）となる。
【００５０】
なお、本実施形態では、各光電変換セル１０において、光電変換層３が、下部電極層２の第１領域２１の上から第２領域２２の上にかけて配されていたが、これに限られない。例えば、光電変換層３が、下部電極層２の第１領域２１の上から溝部Ｐ１の内部に至るまで配されていれば良い。例えば、第１積層部３４ａが、第１下部電極層２ａから、少なくとも第１下部電極層２ａと第２下部電極層２ｂとの隙間としての溝部Ｐ２を経て基板１上にかけた領域に配されていれば良い。第１積層部３４ａでは、光吸収層３１ａとバッファ層３２ａと第１上部電極部４ａが＋Ｚ方向に順に積み重なっている。
【００５１】
＜(１−４)溝部Ｐ３付近の構造＞
図１および図２で示されるように、隣り合う第１光電変換セル１０ａと第２光電変換セル１０ｂとの間に配されている溝部Ｐ３では、光電変換層３が離隔されている距離よりも、上部電極部４が離隔されている距離の方が大きい。具体的には、第２上部電極部４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１が、第２下部半導体層としての光吸収層３１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第２端部ＥＰ２から＋Ｘ方向および＋Ｚ方向にずれた位置に配されている。
【００５２】
より具体的には、第２積層部３４ｂのうちの第１積層部側３４ａ側の端面ＥＷ２は、傾斜部ＳＬ１を含んでいる。該傾斜部ＳＬ１は、第１積層部３４ａと第２積層部３４ｂとの間に配された溝部Ｐ３の下部を構成する第２下部電極層２ｂの上面に対して、鈍角を成している。この傾斜部ＳＬ１の存在によって、溝部Ｐ３のＸＺ断面の形状において、該溝部Ｐ３の幅が−Ｚ側の底部よりも＋Ｚ側の上部の方で大きくなっている。
【００５３】
これにより、溝部Ｐ３の底面に位置している第２下部電極層２ｂと第２上部電極部４ｂとの距離が長くなる。つまり、第２下部電極層２ｂと第２上部電極部４ｂとが遠ざけられた構成が採用されている。具体的には、例えば、第１積層部３４ａと第１端部ＥＰ１との＋Ｘ方向における間隔Ｗ３は、溝部Ｐ３の−Ｚ側の底部における第１積層部３４ａと第２積層部３４ｂとの＋Ｘ方向における間隔Ｗ２よりも大きい。ここでは、溝部Ｐ３の＋Ｚ側の上部における第１積層部３４ａと第２積層部３４ｂとの＋Ｘ方向に沿った間隔Ｗ３は、＋Ｘ方向における第２端部ＥＰ２と第１端部ＥＰ１との間隔（第１間隔とも言う）Ｗ１と間隔Ｗ２との和である。
【００５４】
このような構成により、例えば、溝部Ｐ３が形成される際に生じ得る上部電極部４の残渣およびバリ等によって第２光電変換セル１０ｂの第２上部電極部４ｂと溝部Ｐ３の下方に配されている第２下部電極層２ｂとが短絡する不具合が生じ難い。
【００５５】
ところで、本実施形態では、第１積層部３４ａのうちの第２積層部側３４ｂ側の端面ＥＷ１は、ＹＺ平面に対して略平行である。このため、第１上部電極部４ａのうちの第２積層部３４ｂ側の第３端部ＥＰ３と光吸収層３１ａのうちの第２積層部３４ｂ側の第４端部ＥＰ４との＋Ｘ方向における間隔（第２間隔とも言う）は、略零である。つまり、第１間隔Ｗ１は、第２間隔よりも大きい。なお、第２間隔は、略零である必要はない。但し、第１間隔Ｗ１が第２間隔よりも大きい場合には、溝部Ｐ３の幅が必要以上に大きくなり過ぎず、第１領域２１に対応する大きな発電領域が確保され得る。これにより、発電効率の低下が低減され得る。
【００５６】
＜(１−５)光電変換装置の製造プロセス＞
ここで、上記構成を有する光電変換装置１００の製造プロセスの一例について説明する。図３は、光電変換装置１００の製造フローを例示するフローチャートである。図４から図１１は、光電変換装置１００の製造途中の様子を模式的に示すＸＺ断面図である。図１２は、光電変換装置１００の製造途中の様子を模式的に示す平面図である。
【００５７】
図３のステップＳｐ１では、基板１（図４参照）が準備される。基板１は、例えば、略矩形の盤面を有する平板状のものであれば良い。
【００５８】
ステップＳｐ２では、洗浄された基板１の一主面の略全面に、スパッタリング法または蒸着法等が用いられて、下部電極層２（図５参照）が形成される。
【００５９】
ステップＳｐ３では、下部電極層２の上面のうちの所定の形成対象位置からその直下の基板１の上面にかけて、＋Ｙ方向に延在する溝部Ｐ１（図６参照）が形成される。溝部Ｐ１は、例えば、ＹＡＧレーザーまたはその他のレーザーの光が走査されつつ所定の形成対象位置に照射されることで形成され得る。このとき、基板１上に、＋Ｘ方向に配列されている複数の下部電極層２が形成される。具体的には、例えば、図６で示されるように、＋Ｘ方向に順に配列されている第１〜３下部電極層２ａ〜２ｃが形成される。
【００６０】
ステップＳｐ４では、下部電極層２の上に、光吸収層３１（図７参照）が形成される。ここでは、例えば、下部電極層２の上に、光吸収層３１に主に含まれる金属元素を含む皮膜３１０（図７参照）が形成される。該皮膜３１０は、例えば、光吸収層３１に主に含まれる金属元素を含む溶液が下部電極層２の上に塗布された後に乾燥される処理が行われることで形成され得る。次に、皮膜３１０に対する加熱処理が行われることで、皮膜３１０における化合物半導体の結晶化が進み、光吸収層３１が形成され得る。
【００６１】
ステップＳｐ５では、光吸収層３１の上にバッファ層３２（図８参照）が形成される。これにより、光吸収層３１とバッファ層３２とが積層されている光電変換層３が形成される。バッファ層３２は、例えば、化学浴槽堆積（ＣＢＤ）法によって形成され得る。具体的には、例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニア水に溶解させられることで作製された溶液に光吸収層３１が浸漬されることで、ＣｄＳを主に含むバッファ層３２が形成され得る。
【００６２】
ステップＳｐ６では、光電変換層３の上に上部電極層４１（図９参照）が形成される。上部電極層４１は、例えば、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等で形成され得る。具体的には、例えば、バッファ層３２の上に、Ａｌが添加されたＺｎＯを主に含む透明な上部電極層４１が形成される。
【００６３】
ステップＳｐ７では、上部電極層４１の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層２の上面に至る領域に、＋Ｙ方向に延在する溝部Ｐ２（図１０参照）が形成される。溝部Ｐ２は、針状のスクライブ用の工具（スクライブ針とも言う）が用いられたメカニカルスクライビング等によって形成され得る。
【００６４】
ステップＳｐ８では、上部電極層４１の上面のうちの所定の形成対象位置から溝部Ｐ２の内部にかけて線状電極４２および接続部５（図１１および図１２参照）が形成される。線状電極４２および接続部５は、例えば、上部電極層４１の上面のうちの所定の形成対象位置から溝部Ｐ２の内部にかけて金属ペーストが所定のパターンを有するように塗布され、塗布後の金属ペーストが乾燥によって固化されることで形成され得る。ここでは、スクリーン印刷等によって、金属ペーストが塗布され得る。
【００６５】
以上のようにして、第１形成工程としてのステップＳｐ１〜Ｓｐ８において、基板１上に、複数の下部電極層２、光吸収層３１、バッファ層３２および上部電極部４が第２方向としての＋Ｚ方向に順に積み重ねられている積層体２３４が形成される（図１１参照）。また、該第１形成工程において、バッファ層３２および光吸収層３１に配置された隙間部としての溝部Ｐ２を経て上部電極部４と下部電極層２とを電気的に接続している接続部５が形成される。具体的には、例えば、図１１で示されるように、上部電極部４と第２下部電極層２ｂとを電気的に接続している接続部５、および上部電極部４と第３下部電極層２ｃとを電気的に接続している接続部５が形成される。さらに、バッファ層３２上に、上部電極層４１および該上部電極層４１上に配される線状電極４２を含む上部電極部４が形成される。
【００６６】
次のステップＳｐ９では、上部電極部４の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層２の上面に至る領域に、＋Ｙ方向に延在する溝部Ｐ３（図１および図２参照）が形成される。これにより、基板１の上に複数の光電変換セル１０が配されている光電変換装置１００が得られる。
【００６７】
具体的には、第２形成工程としてのステップＳｐ９では、工具によって、積層体２３４のうちの少なくとも接続部５よりも第１方向としての＋Ｘ方向側に位置する部分が線状に削られる。このとき、積層体２３４に上部電極部４から光吸収層３１に至る線状の溝部Ｐ３が形成される。該線状の溝部Ｐ３は、積層体２３４の上部電極部４の上面から下部電極層２の上面まで至っている。これにより、＋Ｘ方向に並んでいる、第１積層部３４ａと第２積層部３４ｂとが形成される。この第１積層部３４ａは、例えば、第１下部電極層２ａ上から少なくとも第１下部電極層２ａと第２下部電極層２ｂとの隙間部としての溝部Ｐ２を経て基板１上にかけた領域に配されていれば良い。また、第２積層部３４ｂは、例えば、第２下部電極層２ｂ上に配されていれば良い。
【００６８】
ここで、第２積層部３４ｂにおける第２上部電極部４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１が、第２積層部３４ｂにおける光吸収層３１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第２端部ＥＰ２から＋Ｘ方向および＋Ｚ方向にずれた位置に形成される。より具体的には、第２積層部３４ｂの第１積層部３４ａ側において傾斜部ＳＬ１を含む端面ＥＷ２が形成される。この傾斜部ＳＬ１は、第１積層部３４ａと第２積層部３４ｂとの間における第２下部電極層２ｂの上面に対して鈍角を成している。
【００６９】
溝部Ｐ３は、例えば、工具としてのスクライブ針が用いられたメカニカルスクライビング等によって形成され得る。上記傾斜部ＳＬ１は、先端部分の角部に対して、いわゆるＣ面加工が施されたスクライブ針が用いられることで形成され得る。
【００７０】
図１３は、スクライブ針ＳＣ１の先端付近の形状を例示する模式図である。スクライブ針ＳＣ１は、先端部分Ｈｒ１からの距離に応じて幅が一方向に拡がっている工具である。より具体的には、スクライブ針ＳＣ１は、該スクライブ針ＳＣ１の長手方向ＤＲ１に対して略垂直である先端部分Ｈｒ１と、該先端部分Ｈｒ１に接続され且つ該先端部分Ｈｒ１に対して鈍角を成す傾斜部ＳＥ１とを有している。ここで、長手方向ＤＲ１に垂直な方向における先端部分Ｈｒ１の幅Ｗ２Ａは、溝部Ｐ３の−Ｚ側の底部における第１積層部３４ａと第２積層部３４ｂとの＋Ｘ方向における間隔Ｗ２に対応する。また、長手方向ＤＲ１に垂直な方向における傾斜部ＳＥ１の幅Ｗ１Ａは、光吸収層３１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第２端部ＥＰ２と第２上部電極部４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１との＋Ｘ方向における第１間隔Ｗ１に対応する。
【００７１】
そして、第２形成工程としてのステップＳｐ９では、上記形状を有するスクライブ針ＳＣ１によって、積層体２３４が＋Ｙ方向に沿って線状に削られる。これにより、溝部Ｐ３が形成される。例えば、溝部Ｐ３の内壁のうちの、第２積層部３４ｂの第１積層部３４ａ側の端面ＥＷ１と、第１積層部３４ａの第２積層部３４ｂ側の端面ＥＷ２とが形成される。このとき、端面ＥＷ１は、第１積層部３４ａと第２積層部３４ｂとの間における第２下部電極層２ｂの上面に対して鈍角を成している傾斜部ＳＬ１を含んでいる。
【００７２】
また、第２形成工程としてのステップＳｐ９では、工具としてのスクライブ針によって線状電極４２が削られる。これにより、線状電極４２が、第１積層部３４ａに含まれる第１線状電極４２ａと、第２積層部３４ｂに含まれる第２線状電極４２ｂとに分離される。
【００７３】
ここで、上述したように、線状電極４２が配されることで、上部電極層４１における導電性が補われて、光電変換装置１００における変換効率が向上し得る。但し、線状電極４２が極力細く形成されることで、線状電極４２の存在による光電変換層３への光の入射量の低下が低減され得る。しかしながら、例えば、光電変換装置１００の受光面の大面積化等に伴って、接続部５における電気的な接続等を確保しつつ、線状電極４２を精度良く形成することが難しくなってきている。
【００７４】
これに対して、本実施形態では、積層体２３４が形成された後に、該積層体２３４に溝部Ｐ３が形成されることで複数の光電変換セル１０が形成される。積層体２３４では、基板１上に、複数の下部電極層２、光吸収層３１、バッファ層３２および上部電極部４が第２方向としての＋Ｚ方向に順に積み重ねられている。これにより、例えば、スクリーン印刷等によって金属ペーストが塗布されることで線状電極４２が形成される際に、金属ペーストが塗布される位置の調節における精度に余裕が生まれる。つまり、複数の光電変換セル１０が効率良く且つ精度良く形成され得る。その結果、受光面が大きな光電変換装置１００の製作が容易となり得る。
【００７５】
但し、積層体２３４に溝部Ｐ３が形成される際には、上部電極部４が綺麗に除去されず、溝部Ｐ３内に上部電極部４の残渣およびバリ等が生じ得る。このため、残渣およびバリ等によって、例えば、溝部Ｐ３内の第２下部電極層２ｂと、第２光電変換セル１０ｂの第２上部電極部４ｂとが短絡する虞がある。特に、複数の光電変換装置１００がラミネート加工によってモジュール化される際に、第２上部電極部４ｂのバリ等が押圧されて、第２下部電極層２ｂと第２上部電極部４ｂとが短絡する虞がある。
【００７６】
これに対して、本実施形態では、第２上部電極部４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１が、第２積層部３４ｂにおける光吸収層３１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第２端部ＥＰ２から＋Ｘ方向および＋Ｚ方向にずれた位置に形成される。つまり、溝部Ｐ３の底面と、第２光電変換セル１０ｂの第２上部電極部４ｂとが遠ざけられた構成が採用されている。これにより、第２下部電極層２ｂと第２上部電極部４ｂとが短絡する可能性が低減され得る。
【００７７】
なお、第２形成工程としてのステップＳｐ９の処理が行われた後に、溝部Ｐ３内等に存在している上部電極部４の残渣が取り除かれれば、第２下部電極層２ｂと第２上部電極部４ｂとが短絡する可能性が低減され得る。溝部Ｐ３内から上部電極部４の残渣を取り除く方法としては、例えば、高圧の窒素の吹きつけ、高圧の空気の吹きつけ、および溝部Ｐ３の周辺に存在する残渣の吸引等が採用され得る。
【００７８】
＜(１−６)一実施形態のまとめ＞
以上のように、本実施形態に係る光電変換装置１００では、第２上部電極部４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１が、光吸収層３１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第２端部ＥＰ２から＋Ｘ方向および＋Ｚ方向にずれた位置に配されている。これにより、短絡による不良品が生じ難い。
【００７９】
また、光電変換装置１００が製造される際に、第２上部電極部４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１が、光吸収層３１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第２端部ＥＰ２から＋Ｘ方向および＋Ｚ方向にずれた位置に形成される。これにより、短絡による不良品が生じ難い光電変換装置１００が実現され得る。
【００８０】
＜(２)変形例＞
なお、本発明は上述の一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００８１】
上記一実施形態では、傾斜部ＳＬ１の存在によって、第２上部電極部４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１が、光吸収層３１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第２端部ＥＰ２から＋Ｘ方向および＋Ｚ方向にずれた位置に配されていた。つまり、溝部Ｐ３の＋Ｘ方向に沿った幅が、溝部Ｐ３の底部から上部にかけて徐々に広くなっていた。しかしながら、これに限られない。
【００８２】
例えば、溝部Ｐ３の＋Ｘ方向に沿った幅が、段階的に拡げられても良い。具体的には、例えば、第２積層部３４ｂの第１積層部３４ａ側の端面に、第２下部電極層２ｂからの距離に応じて＋Ｘ方向にずれている１以上の段差部が配されることで、第１端部ＥＰ１が第２端部ＥＰ２から＋Ｘ方向および＋Ｚ方向にずれた位置に配されても良い。そして、この段差部の存在により、溝部Ｐ３が形成される際に生じ得る上部電極部４の残渣およびバリ等が、段差部に引っ掛かり易い。その結果、第２光電変換セル１０ｂにおける第２上部電極部４ｂと溝部Ｐ３の下方に配されている第２下部電極層２ｂとが短絡する不具合がさらに生じ難い。
【００８３】
ここで、段差部が配されることで溝部Ｐ３の＋Ｘ方向に沿った幅が段階的に拡げられる具体例として、第１〜５変形例に係る光電変換装置１００Ａ〜１００Ｅを示して説明する。
【００８４】
＜(２−１)第１変形例＞
図１４および図１５で示されるように、第１変形例に係る光電変換装置１００Ａは、上記一実施形態に係る光電変換装置１００のうちの端面ＥＷ２が、端面ＥＷ２Ａに変更されたものである。
【００８５】
端面ＥＷ２Ａは、段差部Ｓ１Ａを含んでいる。該段差部Ｓ１Ａでは、バッファ層３２ｂのうちの第２上部電極部４ｂ側の上面において、第２上部電極部４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１が、バッファ層３２ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第２端部ＥＰ２よりも＋Ｘ方向にずれている。ここでは、例えば、段差部Ｓ１Ａにおける第１端部ＥＰ１と第２端部ＥＰ２との＋Ｘ方向におけるズレ量が、上記間隔Ｗ１と等価な値に設定される。これにより、溝部Ｐ３では、下部における第１積層部３４ａと第２積層部３４ｂとの間隔Ｗ２よりも、上部における第１積層部３４ａと第２積層部３４ｂとの間隔Ｗ３が大きくなっている。
【００８６】
このような段差部Ｓ１Ａを含む端面ＥＷ２Ａの形成方法としては、例えば、次の第１形成方法および第２形成方法が採用され得る。
【００８７】
第１形成方法では、例えば、先端部分からの距離に応じて幅が１箇所以上で長手方向ＤＲ１に垂直な一方向に段階的に拡がっている工具としてのスクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングによって端面ＥＷ２Ａが形成され得る。ここでは、例えば、図１６で示される先端近傍の形状を有するスクライブ針ＳＣ１Ａが用いられれば良い。スクライブ針ＳＣ１Ａは、例えば、長手方向ＤＲ１に垂直であり且つ幅Ｗ２Ａを有する先端部分Ｈｒ１と、該先端部分Ｈｒ１よりも長手方向ＤＲ１に進んだ位置において長手方向ＤＲ１に垂直な方向に幅Ｗ１Ａを有する段差部Ｓｔ１とを備えている。つまり、スクライブ針ＳＣ１Ａでは、先端部分Ｈｒ１からの距離に応じて、幅Ｗ２Ａが、幅Ｗ１Ａの段差部Ｓｔ１によって幅Ｗ３Ａまで拡がっている。
【００８８】
そして、例えば、上記第２形成工程としてのステップＳｐ９において、スクライブ針ＳＣ１Ａによって積層体２３４が線状に削られることで、第２積層部３４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端面ＥＷ２Ａが形成され得る。該端面ＥＷ２Ａには、第２下部電極層２ｂからの距離に応じて＋Ｘ方向にずれている１つの段差部Ｓ１Ａが含まれている。
【００８９】
ところで、第２積層部３４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端面に、第２下部電極層２ｂからの距離に応じて＋Ｘ方向にずれている１つ以上の段差部が含まれている構造が採用される場合があり得る。この場合には、先端部分からの距離に応じて幅が１箇所以上で長手方向ＤＲ１に垂直な一方向に段階的に拡がっている工具としてのスクライブ針によって積層体２３４が線状に削られれば良い。これにより、１つ以上の段差部が含まれた端面が形成され得る。
【００９０】
第２形成方法では、例えば、図１７および図１８で示されるように、幅Ｗ２Ａの先端部分を有する第１工具としてのスクライブ針ＳＣ１１Ａと、幅Ｗ２Ａとは異なる幅Ｗ３Ａの先端部分を有する第２工具としてのスクライブ針ＳＣ１２Ａとが用いられる。ここでは、例えば、第１の幅である幅Ｗ２Ａが、第２の幅である幅Ｗ３Ａよりも小さければ良い。
【００９１】
図１９は、第２形成方法における溝部Ｐ３の形成工程のフローを示すフローチャートである。まず、ステップＳｐ１１では、第１の幅Ｗ２Ａの先端部分を有するスクライブ針ＳＣ１１Ａによって積層体２３４が線状に削られる第１のスクライブが行われることで、線状の仮の溝部（仮溝部とも言う）が形成される。該線状の仮溝部は、例えば、積層体２３４の上部電極部４の上面から下部電極層２の上面まで至っていれば良い。次に、ステップＳｐ１２では、仮溝部に沿って第２の幅Ｗ３Ａの先端部分を有するスクライブ針ＳＣ１２Ａによって積層体２３４がさらに線状に削られる第２のスクライブが行われることで、１つの段差部Ｓ１Ａを含む端面ＥＷ２Ａが形成される。この第２のスクライブでは、仮溝部を含み且つ該仮溝部から＋Ｘ方向に若干はみ出た領域が線状に削られれば良い。また、スクライブ針ＳＣ１２Ａの先端部分が、下部電極層２の上面まで達しないように、スクライブ針ＳＣ１２Ａによる積層体２３４への圧力およびスクライブ針ＳＣ１２Ａの＋Ｚ方向における高さ等が調整されれば良い。
【００９２】
ところで、まず、相対的に幅の広い先端部分を有するスクライブ針が用いられて、該スクライブ針の先端部分が下部電極層２の上面まで達しないように調節されながら、積層体２３４が線状に削られても良い。この場合、次に、相対的に幅の狭い先端部分を有するスクライブ針が用いられて、該スクライブ針の先端部分が下部電極層２の上面まで達するように調節されながら、積層体２３４が線状に削られても良い。
【００９３】
具体的には、例えば、まず、第１の幅Ｗ３Ａの先端部分を有するスクライブ針ＳＣ１２Ａによって積層体２３４が線状に削られる第１のスクライブが行われることで、線状の仮溝部が形成される。該線状の仮溝部は、例えば、積層体２３４の上部電極部４の上面から該積層体２３４の厚さ方向の途中まで形成されることで、下部電極層２の上面まで達していなければ良い。このとき、スクライブ針ＳＣ１２Ａの先端部分が、下部電極層２の上面まで達しないように、スクライブ針ＳＣ１２Ａによる積層体２３４への圧力およびスクライブ針ＳＣ１２Ａの＋Ｚ方向における高さ等が調整されれば良い。そして、次に、仮溝部に沿って第２の幅Ｗ２Ａの先端部分を有するスクライブ針ＳＣ１１Ａによって積層体２３４がさらに線状に削られる第２のスクライブが行われることで、１つの段差部Ｓ１Ａを含む端面ＥＷ２Ａが形成されれば良い。この第２のスクライブでは、仮溝部の底部のうちの−Ｘ側の部分に沿って積層体２３４が線状に削られれば良い。
【００９４】
なお、第２積層部３４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端面に、第２下部電極層２ｂからの距離に応じて＋Ｘ方向にずれている１つ以上の任意の数の段差部が含まれている構造が採用される場合が考えられ得る。この場合には、先端部分の幅が異なる２種類以上の工具としてのスクライブ針によって、順に積層体２３４が線状に削られれば良い。これにより、１つ以上の任意の数の段差部が含まれた端面が形成され得る。
【００９５】
＜(２−２)第２変形例＞
上記第１変形例に係る光電変換装置１００Ａでは、第２積層部３４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端面ＥＷ２Ａに１つの段差部Ｓ１Ａが含まれていたが、これに限られない。例えば、第２積層部３４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端面に２以上の段差部が配されても良い。
【００９６】
図２０および図２１で示されるように、第２変形例に係る光電変換装置１００Ｂは、上記第１変形例に係る光電変換装置１００Ａのうちの端面ＥＷ２Ａが、端面ＥＷ２Ｂに変更されたものである。ここでは、端面ＥＷ２Ｂにおいて、例えば、第２線状電極４２ｂが第２上部電極層４１ｂよりも＋Ｘ方向にずれている。
【００９７】
具体的には、例えば、端面ＥＷ２Ｂは、２つの段差部Ｓ１Ｂ，Ｓ２Ｂを含んでいる。段差部Ｓ１Ｂでは、バッファ層３２ｂのうちの第２上部電極部４ｂ側の上面において、第２上部電極部４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１が、バッファ層３２ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第２端部ＥＰ２よりも＋Ｘ方向にずれている。さらに、段差部Ｓ２Ｂでは、第２上部電極層４１ｂのうちの第２線状電極４２ｂ側の上面において、第２線状電極４２ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端部が、第２上部電極層４１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１よりも＋Ｘ方向にずれている。これにより、溝部Ｐ３では、下部の幅よりも上部の幅の方が大きい。
【００９８】
このような端面ＥＷ２Ｂは、例えば、上記第１形成方法および第２形成方法と同様な形成方法によって形成され得る。
【００９９】
以上のように、上記端面ＥＷ２Ｂが採用される場合には、第２上部電極層４１ｂよりも第２線状電極４２ｂの方が、溝部Ｐ３の底部から＋Ｘ方向にずらされている。また、段差部Ｓ２Ｂが配されているため、溝部Ｐ３が形成される際に生じ得る第２線状電極４２ｂの残渣およびバリ等が、段差部Ｓ２Ｂに引っ掛かり易い。これにより、溝部Ｐ３内に第２線状電極４２ｂの残渣およびバリ等がさらに入り込み難い。その結果、短絡による不良品がさらに生じ難い光電変換装置１００Ｂが実現され得る。
【０１００】
＜(２−３)第３変形例＞
図２２および図２３で示されるように、第３変形例に係る光電変換装置１００Ｃは、上記第２変形例に係る光電変換装置１００Ｂのうちの端面ＥＷ２Ｂが、端面ＥＷ２Ｃに変更されたものである。ここでは、端面ＥＷ２Ｃにおいて、例えば、バッファ層３２ｂが光吸収層３１ｂよりも＋Ｘ方向にずれている。
【０１０１】
具体的には、例えば、第２積層部３４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端面ＥＷ２Ｃは、段差部Ｓ１Ｃ，Ｓ２Ｃ，Ｓ３Ｃを含んでいる。段差部Ｓ１Ｃでは、光吸収層３１ｂのうちのバッファ層３２ｂ側の上面において、バッファ層３２ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端部が、光吸収層３１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端部ＥＰ２よりも＋Ｘ方向にずれている。また、段差部Ｓ２Ｃでは、バッファ層３２ｂのうちの第２上部電極部４ｂ側の上面において、第２上部電極部４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１が、バッファ層３２ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端部よりも＋Ｘ方向にずれている。さらに、段差部Ｓ３Ｃでは、第２上部電極層４１ｂのうちの第２線状電極４２ｂ側の上面において、第２線状電極４２ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端部が、第２上部電極層４１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１よりも＋Ｘ方向にずれている。これにより、溝部Ｐ３では、下部の幅よりも上部の幅の方が大きい。
【０１０２】
このような端面ＥＷ２Ｃは、例えば、上記第１形成方法および第２形成方法と同様な形成方法によって形成され得る。
【０１０３】
以上のように、上記端面ＥＷ２Ｃが採用される場合には、第２上部電極部４ｂが溝部Ｐ３の底部から＋Ｘ方向にさらにずらされている。また、３つの段差部Ｓ１Ｃ〜Ｓ３Ｃが配されているため、溝部Ｐ３が形成される際に生じ得る第２上部電極部４ｂの残渣およびバリ等が、３つの段差部Ｓ１Ｃ〜Ｓ３Ｃに引っ掛かり易い。これにより、溝部Ｐ３内に第２上部電極部４ｂの残渣およびバリ等がさらに入り込み難い。その結果、短絡による不良品がさらに生じ難い光電変換装置１００Ｃが実現され得る。
【０１０４】
＜(２−４)第４変形例＞
図２４および図２５で示されるように、第４変形例に係る光電変換装置１００Ｄは、上記第３変形例に係る光電変換装置１００Ｃのうちの端面ＥＷ２Ｃが、端面ＥＷ２Ｄに変更されたものである。ここでは、端面ＥＷ２Ｄにおいて、例えば、光吸収層３１ｂの途中の部分が＋Ｘ方向にずれている。
【０１０５】
具体的には、例えば、端面ＥＷ２Ｄは、段差部Ｓ１Ｄ〜Ｓ４Ｄを含んでいる。段差部Ｓ１Ｄでは、光吸収層３１ｂのうちの厚さ方向の途中の部分において、光吸収層３１ｂのうちの上部における第１積層部３４ａ側の端部が、光吸収層３１ｂのうちの下部における第１積層部３４ａ側の第２端部ＥＰ２よりも＋Ｘ方向にずれている。段差部Ｓ２Ｄでは、光吸収層３１ｂのうちのバッファ層３２ｂ側の上面において、バッファ層３２ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端部が、光吸収層３１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第２端部ＥＰ２よりも＋Ｘ方向にずれている。また、段差部Ｓ３Ｄでは、バッファ層３２ｂのうちの第２上部電極部４ｂ側の上面において、第２上部電極部４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１が、バッファ層３２ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端部よりも＋Ｘ方向にずれている。さらに、段差部Ｓ４Ｄでは、第２上部電極層４１ｂのうちの第２線状電極４２ｂ側の上面において、第２線状電極４２ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端部が、第２上部電極層４１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１よりも＋Ｘ方向にずれている。これにより、溝部Ｐ３では、下部の幅よりも上部の幅の方が大きい。
【０１０６】
このような端面ＥＷ２Ｄは、例えば、上記第１形成方法および第２形成方法と同様な形成方法によって形成され得る。
【０１０７】
以上のように、上記端面ＥＷ２Ｄが採用される場合には、第２上部電極部４ｂが溝部Ｐ３の底部から＋Ｘ方向にさらにずらされている。また、４つの段差部Ｓ１Ｄ〜Ｓ４Ｄが配されているため、溝部Ｐ３が形成される際に生じ得る第２上部電極部４ｂの残渣およびバリ等が、４つの段差部Ｓ１Ｄ〜Ｓ４Ｄに引っ掛かり易い。これにより、溝部Ｐ３内に第２上部電極部４ｂの残渣およびバリ等がさらに入り込み難い。その結果、短絡による不良品がさらに生じ難い光電変換装置１００Ｄが実現され得る。
【０１０８】
＜(２−５)第５変形例＞
図２６および図２７で示されるように、第５変形例に係る光電変換装置１００Ｅは、上記第２変形例に係る光電変換装置１００Ｂのうちの端面ＥＷ２Ｂが、端面ＥＷ２Ｅに変更されたものである。ここでは、端面ＥＷ２Ｅに、傾斜部ＳＬ１Ｅおよび２つの段差部Ｓ１Ｅ，Ｓ２Ｅが含まれている。つまり、端面ＥＷ２Ｅは、上記一実施形態に係る端面ＥＷ２と上記第２変形例に係る端面ＥＷ２Ｂとが組み合わされた様な構成を有している。
【０１０９】
傾斜部ＳＬ１Ｅは、光吸収層３１ａの第１積層部３４ａ側の端面に形成されている。そして、該傾斜部ＳＬ１Ｅは、溝部Ｐ３の下部を構成する第２下部電極層２ｂの上面に対して、鈍角を成している。この傾斜部ＳＬ１Ｅの存在によって、溝部Ｐ３のＸＺ断面において、該溝部Ｐ３の幅が−Ｚ側の底部よりも＋Ｚ側の上部の方で大きくなっている。
【０１１０】
また、段差部Ｓ１Ｅでは、バッファ層３２ｂのうちの第２上部電極部４ｂ側の上面において、第２上部電極部４ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１が、バッファ層３２ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端部よりも＋Ｘ方向にずれている。さらに、段差部Ｓ２Ｅでは、第２上部電極層４１ｂのうちの第２線状電極４２ｂ側の上面において、第２線状電極４２ｂのうちの第１積層部３４ａ側の端部が、第２上部電極層４１ｂのうちの第１積層部３４ａ側の第１端部ＥＰ１よりも＋Ｘ方向にずれている。これにより、溝部Ｐ３では、下部における幅よりも上部における幅の方が大きい。
【０１１１】
以上のように、上記端面ＥＷ２Ｅが採用される場合にも、第２上部電極部４ｂが溝部Ｐ３の底部から＋Ｘ方向にさらにずらされている。これにより、溝部Ｐ３内に第２上部電極部４ｂの残渣およびバリ等がさらに入り込み難い。その結果、短絡による不良品がさらに生じ難い光電変換装置１００Ｅが実現され得る。
【０１１２】
＜(２−６)その他の変形例＞
また、図２８および図２９で示されるように、例えば、第１積層部３４ａと第２積層部３４ｂとの間において、第２下部電極層２ｂ上に半導体および絶縁体のうちの少なくとも一方からなる膜が配されても良い。このような構成が採用されれば、第２下部電極層２ｂと第２上部電極部４ｂとがさらに短絡し難い。つまり、半導体および絶縁体のうちの少なくとも一方からなる膜が、高抵抗の膜として働くため、リーク電流の発生が低減され得る。この膜の材料は、例えば、光吸収層３１と同じ材料であれば良い。そして、この膜は、例えば、溝部Ｐ３が形成される際に、光吸収層３１の一部が残存させられた膜３Ｒであれば良い。膜３Ｒは、例えば、略均一な厚さを有し、第２下部電極層２ｂ上に配されていれば良い。膜３Ｒの厚さは、例えば、１０ｎｍ以上で且つ１００ｎｍ以下であれば良く、膜３Ｒの厚さとして、２０ｎｍ程度が好適に採用され得る。
【０１１３】
膜３Ｒの第１の形成方法としては、例えば、溝部Ｐ３が形成される際におけるスクライブ針による積層体２３４への押圧力が調整される形成方法等が採用され得る。ここでは、例えば、スクライブ針によって溝部Ｐ３が形成される際におけるスクライブ針による積層体２３４への押圧力が、スクライブ針によって溝部Ｐ２が形成される際におけるスクライブ針による押圧力よりも小さければ良い。これにより、スクライブ針によって相対的に小さな押圧力によって積層体２３４が削られるため、溝部Ｐ３内に光吸収層３１の一部が残存し得る。その結果、膜３Ｒが形成され得る。
【０１１４】
膜３Ｒの第２の形成方法としては、例えば、下部電極層２の厚さが、例えば、８０００ｎｍ以上まで大きくされることで、下部電極層２の表面に比較的大きな凹凸が形成され得る形成方法が採用され得る。ここでは、例えば、この凹凸に光吸収層３１の一部が入り込むことで、アンカー効果等によって、スクライブ針によるスクライビングによって溝部Ｐ３が形成される際に、光吸収層３１が取れ難くなり得る。これにより、溝部Ｐ３内に光吸収層３１の一部が残存し得る。その結果、膜３Ｒが形成され得る。
【０１１５】
また、上記一実施形態および第１〜５変形例では、線状電極４２が形成されたが、これに限られない。例えば、線状電極４２が形成されなくても構わない。
【０１１６】
また、上記一実施形態および第１〜５変形例では、溝部Ｐ２がスリット状の構成を有していたが、これに限られない。例えば、接続部５が配される溝部Ｐ２がスリット状のものではなく貫通孔であっても良い。すなわち、例えば、スリット状および貫通孔等の何れかの形態で隙間部が形成されれば良い。また、接続部５が、溝部Ｐ３に面しており、接続部５が、光吸収層３１ａおよびバッファ層３２ａを貫通していない態様も考えられ得る。
【０１１７】
なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【０１１８】
１  基板
２  下部電極層
２ａ〜２ｃ  第１〜第３下部電極層
３  光電変換層
３Ｒ  膜
４  上部電極部
４ａ，４ｂ  第１，第２上部電極部
５  接続部
１０  光電変換セル
１０ａ，１０ｂ  第１，第２光電変換セル
３１，３１ａ，３１ｂ  光吸収層
３２，３２ａ，３２ｂ  バッファ層
３４  積層部
３４ａ，３４ｂ  第１，第２積層部
４１  上部電極層
４１ａ，４１ｂ  第１，第２上部電極層
４２  線状電極
４２ａ，４２ｂ  第１，第２線状電極
１００，１００Ａ〜１００Ｅ  光電変換装置
２３４  積層体
ＥＰ１〜ＥＰ４  第１〜４端部
ＥＷ１，ＥＷ２，ＥＷ２Ａ〜ＥＷ２Ｅ  端面
Ｈｒ１  先端部分
Ｐ１〜Ｐ４  第１〜４溝部
Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂ，Ｓ２Ｂ，Ｓ１Ｃ〜Ｓ３Ｃ，Ｓ１Ｄ〜Ｓ４Ｄ，Ｓ１Ｅ，Ｓ２Ｅ  段差部
ＳＣ１，ＳＣ１Ａ，ＳＣ１１Ａ，ＳＣ１２Ａ  スクライブ針
ＳＬ１，ＳＬ１Ｅ，ＳＥ１  傾斜部
Ｓｔ１  段差部
【図１】
2013157503.tif 000003
【図２】
2013157503.tif 000004
【図３】
2013157503.tif 000005
【図４】
2013157503.tif 000006
【図５】
2013157503.tif 000007
【図６】
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【図７】
2013157503.tif 000009
【図８】
2013157503.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2013157503.tif 000012
【図１１】
2013157503.tif 000013
【図１２】
2013157503.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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