(57)【要約】【課題】異なるガスを用いてプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理する際に、ガス間でガス解離の進行程度を異なるようにして、良好なプラズマ処理を可能にする。【解決手段】誘導結合型プラズマ処理装置を用いた高品質微結晶シリコン薄膜成膜のために、アンテナ２近傍に水素を供給する水素供給口４ａと、アンテナ２から離れた位置でシランを供給するための誘電体でできたシランガス供給筒体３ａを設置して処理位置にある被処理体９の近傍にシランガス供給口３ｂを位置させ、同じアンテナ２から発生する高周波電界によってプラズマを別々に発生させ、水素ラジカルとＳｉＨ３ラジカルを同時に増加させて被処理体上に微細なシリコン薄膜を形成することを可能にする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波放電によって、異なるガスをプラズマ化させて被処理体を処理するプラズマ処理装置において、
前記ガスを内部でプラズマ化させるチャンバと、該チャンバ内に配置されたアンテナと、前記チャンバ内に第１のガスを供給する第１ガス供給部と、前記チャンバ内に前記第１のガスと異なる第２のガスを供給する第２ガス供給部とを備え、
前記第１ガス供給部は、処理位置にある前記被処理体よりも前記アンテナに近接して位置する第１ガス供給口を有し、
前記第２ガス供給部は、前記チャンバ内で伸長する誘電体からなるガス供給筒体と、該ガス供給筒体に形成された第２ガス供給口とを有し、該第２ガス供給口は前記アンテナよりも処理位置にある前記被処理体に近接して位置していることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記ガス供給筒体は、前記アンテナに近接する領域を通過して伸張し、処理位置にある前記被処理体に近接して前記第２ガス供給口を位置させることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記第２ガス供給口は、前記被処理体側の空間内にガス送出することを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第２ガス供給口は、前記被処理体に向けてガス送出がなされることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記第１ガス供給口は、前記アンテナ側の空間内にガス送出することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第１のガスが水素であり、前記第２のガスがシランであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
高周波放電によって、異なるガスをプラズマ化させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記ガスをプラズマ化させるチャンバ内に、第１のガスと該第１のガスと異なる第２のガスを供給する際に、第１のガスを高周波を発生させるアンテナの近くに直接供給してプラズマ化させるとともに、第２のガスはアンテナからの高周波放電に直接接触させないようにチャンバ内で筒状の誘電体内を移動させて前記誘電体内で前記高周波誘電により緩やかにプラズマ化させ、またはプラズマ化させることなく、前記被処理体近くに供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高周波放電によって、異なるガスをプラズマ化させるプラズマ処理方法およびプラズマ装置に関するものであり、特に、同じチャンバ内で水素とシラン等の異なるガスを別々にプラズマ化させてシリコン薄膜形成時の膜質を向上させる分野などに好適に用いられるプラズマ処理方法およびその装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波放電によってガスをプラズマ化させる装置には、高周波を放電させるアンテナをチャンバの外部に備えるものと内部に備えるものとが知られている（例えば特許文献１、２参照）。
図６は、外部アンテナ型誘導結合型ＣＶＤ装置であり、図７は、内部アンテナ型誘導結合型ＣＶＤ装置を示すものであり、以下に説明する。
【０００３】
図６は外部アンテナ方式の誘導結合型ＣＶＤ装置８０を模式的に示す図である。
該ＣＶＤ装置８０は、半球状の石英容器を備えた反応室８１の外周に沿って上部から下部に向かって巻線状のヘリカルアンテナコイル８２が配置されており、該アンテナコイル８２に高周波電源８３が接続されている。すなわち、高周波電源８３の一端は、マッチングボックス８４を介してヘリカルアンテナコイル上部８２ａに接続され、他端はヘリカルアンテナコイル下部８２ｂと接続され接地されている。反応室８１は真空排気口８５を介して排気系８６に接続されている。反応室８１上部には、シャワーヘッド８９が配置されており、該シャワーヘッド８９にはガス導入管８８が接続され、ガス導入管８８にはガス導入系８７が接続されている。反応室８１内の下部には、処理対象物９０を載置するためのステージ９１が設置されていて、このステージ９１は接地されている。
【０００４】
上記ＣＶＤ装置８０の作用について説明する。
反応室８１は、真空排気口８５を介して排気系８６により真空排気される。ガスは、ガス導入系８７からガス導入管８８を介して反応室８１上部のシャワーヘッド８９に導入される。アンテナコイル８２に高周波電源８３から高周波が印加されると、プラズマを生成する。高周波電源８３によるアンテナ電流が作る磁界の時間変化により電界を誘導し、この電界で電子が加速してプラズマ放電が起き、原料ガスによって処理対象物９０表面に薄膜が形成される。
【０００５】
図７は内部アンテナ方式のプラズマ処理装置を模式的に示す図である。
矩形の真空槽１００の側壁１１２の各々より、導入フランジ１３０を介して、アンテナ１２５を内部に導入している。アンテナ１２５は一端がマッチングボックス１２６を介して、高周波電源１２７に接続されており、他端は接地電位に接続されている。真空槽１００の下部には、真空槽１００内の排気を行うための排気用ポート１２３とヒーターが埋め込まれた基板ホルダ１２４が設けられる。ガスは側壁１１２に取り付けられたガス導入ポート１２２を介して導入される。真空槽１００を所定圧力まで真空排気し、基板ホルダ１２４上に処理対象物１４０を配置した状態で、ヒーターにより加熱し、ガス導入ポート１２２よりガスを導入し、アンテナ１２５に高周波電圧を印加すると、アンテナ１２５の周囲にプラズマが形成され、活性化された原料ガスによって処理対象物１４０表面に薄膜が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−３０２６９４号公報
【特許文献２】特開２００４−３９７１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、高品質な微結晶Ｓｉ膜を成膜するためにプラズマ処理を行う場合、水素ラジカルとＳｉＨ３ラジカルが必要であると言われている。しかし、一般的にはシラン（ＳｉＨ４）と水素（Ｈ２）が同時に存在するような空間では、投入電力を大きくする等してプラズマエネルギーを上げると、水素の解離が進み、水素ラジカルが増えるが、同時にシランの解離も活発に進んでしまうため、付着係数の高いＳｉＨｘ（ｘ≦２）の生成が進み、膜質が劣化する。逆にシランの解離を抑えるために投入電力を小さくする等してプラズマエネルギーを下げると、水素の解離する割合も下がり、その結果として水素ラジカルの生成が減るため、水素ラジカルとＳｉＨ３ラジカルを同時に増やすということは相反することであると知られている。
従来のアンテナを用いたＩＣＰ(Inductively coupled plasma)−ＣＶＤ装置においても、水素ガスとシランガスとを用いると、ＩＣＰ−ＣＶＤ装置特有のアンテナ近傍における高密度プラズマによってシランの解離が進み、ＳｉＨ３の生成がうまくできず、ＳｉＨ３よりもＳｉ、ＳｉＨ、ＳｉＨ２の生成量が増加し、結果として膜の欠陥密度が増加し膜質が悪くなるという問題がある。上記のような理由により、従来の装置では、膜質向上のためにＳｉＨ３ラジカルと水素ラジカルの両方を増加させることは困難である。
【０００８】
この発明は上記のような従来の課題を解決するためになされたもので、例えば、水素とシランを別々に供給し、アンテナ付近には水素を供給することで水素ラジカルの生成を促進させ、シランをアンテナから離れた誘電体で構成された供給部を通して供給することで、シランがアンテナ近傍でプラズマに触れることを避け、適度な高周波放電を受けてプラズマを誘電体で構成された供給部の中で発生させ、シランをＳｉＨ３に解離させることができるプラズマ処理方法およびその装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち本発明のプラズマ処理装置は、高周波放電によって、異なるガスをプラズマ化させて被処理体を処理するプラズマ処理装置において、
前記ガスを内部でプラズマ化させるチャンバと、該チャンバ内に配置されたアンテナと、前記チャンバ内に第１のガスを供給する第１ガス供給部と、前記チャンバ内に前記第１のガスと異なる第２のガスを供給する第２ガス供給部とを備え、
前記第１ガス供給部は、処理位置にある前記被処理体よりも前記アンテナに近接して位置する第１ガス供給口を有し、
前記第２ガス供給部は、前記チャンバ内で伸長する誘電体からなるガス供給筒体と、該ガス供給筒体に形成された第２ガス供給口とを有し、該第２ガス供給口は前記アンテナよりも処理位置にある前記被処理体に近接して位置していることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明のプラズマ処理方法では、高周波放電によって、異なるガスをプラズマ化させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記ガスをプラズマ化させるチャンバ内に、第１のガスと該第１のガスと異なる第２のガスを供給する際に、第１のガスを高周波を発生させるアンテナの近くに直接供給してプラズマ化させるとともに、第２のガスはアンテナからの高周波放電に直接接触させないようにチャンバ内で筒状の誘電体内を移動させて前記誘電体内で前記高周波誘電により緩やかにプラズマ化させ、またはプラズマ化させることなく前記被処理体近くに供給することを特徴とする。
【００１１】
上記本発明によれば、第２のガスは誘電体からなるガス供給筒体で囲まれてチャンバ内を移動することができ、アンテナから放出される高周波による解離を抑制しつつ被処理体側に供給することができる。これによって第２のガスの解離が早期に進行することがなく、被処理体に対するプラズマ処理が良好になされる。第２のガスの解離は、誘電体の長さやガスの流速を設定することで進行程度を調整することができる。
第２のガスとしては、例えば解離したガスが被処理体に直接に作用することで被処理体上に薄膜形成されるものが挙げられる。このようなガスが早期にプラズマ化されてしまうと、所望の処理が十分になされなくなる。例えばシランガスがこのような第２のガスに相当する。シランの解離が進むと、所望のＳｉＨ３の生成がうまくできず、ＳｉＨ３よりもＳｉ、ＳｉＨ、ＳｉＨ２の生成量が増加し、結果として上記薄膜形成が良好になされない。また、第１のガスの例としては、成膜に際し、結晶、非結晶の調整や、結晶化に際しての結晶粒の大きさの調整を行う水素などが挙げられる。
ただし、本発明としては、第１のガス、第２のガスが上記に限定されるものではなく、種々の組み合わせを採り得る。
例えば、第１のガスとして水素、水素＋希ガス、水素＋ホスフィン、水素＋ホスフィン＋希ガス、水素＋ジボラン、水素＋ジボラン＋希ガスなどを挙げることができ、第２のガスとして、シラン、ジシランなどを挙げることができる。
ホスフィンを含むガスやジボランを含むガスに、シランやジシランを含むガスを混ぜてプラズマ処理することでＰドープやＢドープのシリコン膜を成膜することができる。
【００１２】
また、前記第１ガス供給口は、前記被処理体よりも前記アンテナに近接させており、第１ガス供給口から供給される第１のガスを早期にプラズマ化させてプラズマ処理効率を高めることができる。
さらに第１ガス供給口からアンテナ側の空間内にガス送出すれば、第１のガスの解離を助長して効率よくプラズマ処理を行うことを可能にする。
このようなガスとしては、解離によって生成される物質が安定したものが挙げられる。例えば、第１のガスとして、前記シランガスに対する水素ガスが挙げられる。
なお、アンテナ側の空間とは、アンテナから被処理体に至る間隙空間のうち、間隙方向において、アンテナが含まれる側の空間と被処理体よりもアンテナに近い側の空間とを含めていう。
【００１３】
また、本発明のプラズマ処理装置では、前記ガス供給筒体を、前記アンテナに近接する領域を通過するように伸張させて、処理位置にある前記被処理体に近接して前記第２ガス供給口を位置させるのが望ましい。ここでいう近接は、アンテナと被処理体との関係において、いずれかに対し相対的に近いことを意味している。
【００１４】
さらに、第２ガス供給口を、前記被処理体側の空間内にガス送出がなされるようにすれば、ガス吹き出し直後に高周波放電に晒されることがなく、また、高周波放電に向かって解離が助長されるのを防止して解離の進行を確実に緩やかにすることができる。このため、被処理体側の空間内にガス送出する際に、送出直後は被処理体側の空間内にガスが収まるようにガス送出するのが望ましい。また、第２ガス供給口がアンテナ側空間に向かないようにするのが望ましい。
なお、ここで被処理体側の空間とは、アンテナから被処理体に至る間隙空間のうち、間隙方向において被処理体に近い側の空間をいう。
なお、アンテナからの高周波放電に直接接触させないようにチャンバ内で第２のガスを移動させるガス供給筒体のような筒状の誘電体の内径を調整することで、第２のガスをプラズマ化させることなく被処理体の近くに供給してもよい。
また前記第２ガス供給口は、前記被処理体に向けて開口させれば、緩やかにプラズマ化したガスやプラズマ化されてないガスを効率よく被処理体側に供給してプラズマ処理することができる。なお、筒状誘電体内で第２のガスを移動させることで第２のガスのプラズマ化を抑制することができるが、筒状誘電体の内径を調整することでプラズマ化の程度を調整することができ、誘電体内でプラズマ化しないようにすることもできる。なお、筒状体の内部をガスが移動する際に、プラズマ化の程度は、内径に依存する。
【００１５】
本発明は、典型的な形態では、アンテナ近傍に水素を供給する供給口を設置することと、シランを供給するための誘電体で構成された供給部をアンテナから離れた位置に設置することと、その供給部の先端を処理対象物表面付近まで伸ばすように設けるものである。
【発明の効果】
【００１６】
すなわち、本発明によれば、ガスをプラズマ化させるチャンバ内に、第１のガスと該第１のガスと異なる第２のガスを供給する際に、第１のガスをアンテナの近くに直接供給して速やかにプラズマ化させるとともに、第２のガスをアンテナからの高周波放電に直接接触させないようにチャンバ内で筒状の誘電体内を移動させて前記誘電体内で前記高周波誘電によって緩やかにプラズマ化をさせ、またはプラズマ化させることなく前記被処理体近くに供給することができるので、同じアンテナから発生する高周波電界によりガスを別々にプラズマ化させてシリコン薄膜形成時の膜質などを向上させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の一実施形態を示す説明図である。
【図２】同じく、その平面構造を示す図である。
【図３】同じく、シラン供給部の設置位置を変えた他の実施形態のプラズマ処理装置の概略図である。
【図４】同じく、さらにシラン供給部の設置位置を変えた他の実施形態のプラズマ処理装置の概略図である。
【図５】同じく、さらにシラン供給部の設置位置を変えた他の実施形態のプラズマ処理装置の概略図である。
【図６】従来の外部アンテナ型誘導結合型プラズマ処理装置を模式的に示す図である。
【図７】従来の内部アンテナ型誘導結合型プラズマ処理装置を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、この発明の一実施形態を図に基づいて説明する。図１は本発明の第一例のプラズマ処理装置を示すものである。図２は該プラズマ処理装置の平面構造を示すものである。
このプラズマ処理装置では、本発明のチャンバに相当する真空槽１を有しており、該真空槽１には、真空排気系７が接続されている。また、真空槽１の底部には、基板ホルダ８が配置されており、該基板ホルダ８上に被処理体９を設置してプラズマ処理を行うことができる。基板ホルダ８には、図示しない基板加熱用ヒーターが埋め込まれており、基板ホルダ８上に被処理体９を設置して該被処理体９の加熱を行うことができる。
【００１９】
また、該真空槽１内には、高周波を印加するコイル状のアンテナ２と、第２のガス供給部に相当するシラン供給部３と、第１のガス供給部に相当する水素供給部４を有している。
アンテナ２は、真空槽１の天板側から下方に向けて所定の平面間隔で複数設けられている。これらアンテナ２には、マッチングボックス５を介して高周波電源６が接続されており、他瑞は接地電位に接続されている。なお、複数のアンテナ２、１個のマッチングボックス５、１個の高周波電源６で、１個の電源ユニットが構成されている。
【００２０】
シラン供給部３は、前記アンテナ２、２間に各アンテナ２から同じ距離を隔てるように複数設けられており、該シラン供給部３は、前記真空槽１の上部側から下方に向けて伸長するシランガス供給筒体３ａと該シランガス供給筒体３ａの先端に設けたシランガス供給口３ｂとを有している。シランガス供給口３ｂは、本発明の第２ガス供給口に相当する。シランガス供給筒体３ａは誘電体で構成され、前記アンテナ２、２間を下方に伸長し、基板ホルダ８に設置された被処理体９の上面付近にシランガス供給口３ｂを位置させている。なお、誘電体としての材質は本発明としては特に限定されるものではなく、種々の材料を使用することができる。なお、誘電体はアンテナから放出される高周波に対し誘電性を有することが必要である。
シランガス供給口３ｂは、前記アンテナ２の方向には向いておらず（背向している）、基板ホルダ８側に向いている。これによりアンテナ２の高周波放射方向にはシランガス供給口３ｂは開口しておらず、高周波が放射される領域では、シランガス供給筒体３ａが位置している。
上記各シラン供給部３は、シランガス供給管１１を介してガスソース１０に接続されている。
【００２１】
また、前記したアンテナ２、２間には、上記した複数の水素供給部４が配置されており、水素供給部４には、水素供給管１２を介してガスソース１０が接続されている。該水素供給部４の先端に水素供給口４ａが下向きに設けられている。
水素供給部４は、本発明の第１ガス供給部に相当し、水素供給口４ａは本発明の第１ガス供給口に相当する。水素供給口４ａは、アンテナ２の側方近傍に位置しており、アンテナ２の高周波放射方向に開口している。
【００２２】
次に、上記プラズマ処理装置の作用について説明する。
基板ホルダ８上に被処理体９を載置し、真空槽１の内部を真空排気系７で排気し、真空槽１内を所定圧力の真空雰囲気とする。所定圧力になった後、基板ホルダ８上に被処理体９を配置した状態で、被処理体９を基板ヒーターで３００℃前後に加熱し、ガスソース１０からシラン供給管１１を通してシラン供給部３にシランガスを供給し、同じくガスソース１０から水素供給管１２を通して水素供給部４に水素ガスを供給する。
また、アンテナ２には、高周波電源６、マッチングボックス５を介して高周波電圧を印加する。すると、アンテナ２の近傍では、水素供給口４ａを通して水素がアンテナに沿って送出され、アンテナ２から発生する高周波電界に直ちに晒されて水素プラズマが発生する。ＩＣＰプラズマ特有の高密度プラズマにより水素の解離は促進され、水素ラジカルの生成が増加するように作用する。
【００２３】
一方、シラン供給部３では、誘電体で構成されたシランガス供給筒体３ａ内をシランガスが移動しつつアンテナ２から相対的に離れた（被処理体９との対比）位置で該ガスが送出される。これにより同じアンテナ２から発生する高周波電界により、シランガス供給筒体３ａ内でシランガスが緩やかにプラズマ化する。または、シランガス供給筒体３ａの内径を調整することで、シランガスをプラズマ化させることなく被処理体９表面に輸送することができる。なお、シランガス供給筒体３ａはアンテナ２から離れた位置に設置されて、誘電体により構成されているため、投入電力が下がることでシランの解離が抑えられ、その結果、ＳｉＨ３ラジカルの生成量が増加する。シランガス供給口３ｂからはＳｉＨ３ラジカルが優先的に送出される。しかも、シランガス供給口３ｂは、被処理体９側の空間内かつ被処理体９に向けてガスが送出されるので、高周波電界に晒されて解離が進行するのを抑制する。また、アンテナ２近傍では、アンテナ２側の空間に水素供給口４ａから水素が供給されて高密度プラズマにより水素ラジカルの生成が増加する。この結果、ＳｉＨ３ラジカルと水素ラジカルの生成量を同時に増加させて被処理体９上に欠陥密度の低い微結晶シリコン薄膜を成膜することができる。
【００２４】
本発明のプラズマ処理装置を用いて生成したプラズマを用いて、被処理体９上に薄膜を形成される。これによって、これを用いて種々のデバイスを形成した場合、良好な電気的特性を得ることができる。
【００２５】
また、前記したアンテナ２とシランガス供給部３との位置関係は上記に限定されるものではなく、それぞれの数も適宜変更可能である。
図３は、その変更例を示すものであり、アンテナ２を等間隔で配置するとともに、各アンテナ２の周囲にそれぞれ複数のシランガス供給部３を配したものである。多くのシランガス供給部３を通してシランガスを供給することで緩やかにプラズマ化されたガスやプラズマ化されていないガスが真空槽１内により均等に供給され、プラズマ処理は良好になされる。
【００２６】
さらに図４は、複数のシランガス供給部３を真空槽１の中央部に配置し、真空槽１の周囲に複数のアンテナ２を配して周囲から中央に向けて高周波を放射するものである。シランガス供給部３を通して供給されるシランガスは、上記と同様に緩やかにプラズマ化され、またはプラズマ化されることなく被処理体９上に輸送されてプラズマ処理に利用される。
【００２７】
なお、上記各実施形態では、シラン供給筒体３ａをアンテナ２の側方から基板ホルダ８側に向けて伸長させているが、本発明としては、シラン供給筒体の伸長方向が上記に限定されるものではない。シラン供給筒体の伸長方向を変えた他の実施形態を図５に基づいて説明する。なお、上記実施形態と同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略または簡略化する。
【００２８】
この実施形態では、真空槽１の側方にシランガス供給部３０が設けられており、該シランガス供給部３０は、誘電体で構成されるシランガス供給筒体３０ａが基板ホルダ８の上面に沿って真空槽１内に伸長している。該シランガス供給筒体３０ａには、所定の間隔で下向きのシランガス供給口３０ｂが形成されている。これによりシランガス供給口３０ｂはアンテナ２に背向している。
この実施形態でも、シランガス供給筒体３０ａを通して供給されるシランガスは、アンテナ２から放射される高周波に直接接触することはなく、シランガス供給筒体３０ａを介して高周波が放射されるので、シランガスの解離が緩やかになされ、その後、シランガス供給口３０ｂによって被処理体側に効率よく供給され、良好なプラズマ処理がなされ、シランガス供給筒体３０ａの内径を調整することで、シランガスはプラズマ化することなく被処理体側に供給され、良好なプラズマ処理がなされる。
【実施例】
【００２９】
図１および図２に示すプラズマ処理装置を用い、被処理体９であるガラス基板上に、シリコン薄膜を成膜した。成膜条件は次のとおりとした。すなわち、真空槽１内に導入するシランガスと水素ガスとの混合比を流量比で１：５〜２０、真空槽１内の圧力を０．１Ｐａ〜１０Ｐａ、アンテナ２に印加する電力を５０Ｗ〜１ｋＷにそれぞれ設定した。
上記成膜条件下でのシリコン膜の成膜に際して、シランガス供給部３におけるシランガス供給筒体３ａの内径を３．０ｍｍ±１．０ｍｍに設定した。すると、シランガス供給筒体３ａの内部がシースで満たされて内部にプラズマ化した粒子が入れなくなり、内部で放電することなくシランガスをプラズマ化させずにガラス基板表面に輸送することができた。この結果、ガラス基板上に膜質に優れたシリコン薄膜を成膜することができた。また、シランガス供給筒体３ａの内径を上記内径よりも大きくして調整することでシランガスのプラズマ化の程度を調整することができた。
【符号の説明】
【００３０】
１    真空槽
２    アンテナ
３    シランガス供給部
３ａ  シランガス供給筒体
３ｂ  シランガス供給口
４    水素供給部
４ａ  水素供給口
６    高周波電源
９    被処理体
３０    シランガス供給部
３０ａ  シランガス供給筒体
３０ｂ  シランガス供給口
【図１】
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【図２】
2013143492.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2013143492.tif 000008
【図７】
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