(57)【要約】【課題】プローブの空間分解能の向上を図る。【解決手段】プローブは、絶縁層１の表裏面に設けられたシールド層２及びシールド層３と、その絶縁層１の内層に設けられた電界出力信号配線４及びその一端部に接続された電界センサ電極５を含む。電界センサ電極５は、シールド層２及びシールド層３に挟まれると共に、絶縁層１の内層に電界センサ電極５と離間して設けられてシールド層２及びシールド層３に接続されたサイドシールド層８及びサイドシールド層９に挟まれる。電界センサ電極５のシールド性を高め、プローブの空間分解能を向上させる。【選択図】図４
2013250241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の表面及び裏面にそれぞれ設けられた第１導体層及び第２導体層と、
前記絶縁層の内層に設けられた第１配線層と、
前記内層に、前記第１導体層と前記第２導体層に挟まれて設けられ、前記第１配線層の一端部に接続された電極部と、
前記内層に、前記電極部と離間され、前記電極部を挟んで設けられた第３導体層及び第４導体層と、
前記第３導体層及び前記第４導体層をそれぞれ、前記第１導体層と前記第２導体層に接続する第１導体部及び第２導体部と
を含むことを特徴とするプローブ。
【請求項２】
前記内層に設けられ、前記第１導体層と前記第２導体層に接続されたループ状の第２配線層を含むことを特徴とする請求項１に記載のプローブ。
【請求項３】
前記第２配線層は、前記第１導体部に接続され、前記第１導体部を介して前記第１導体層と前記第２導体層に接続されることを特徴とする請求項２に記載のプローブ。
【請求項４】
前記電極部は、前記第３導体層と前記第４導体層の対向方向について、前記第１導体層及び前記第２導体層の幅の中心部に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のプローブ。
【請求項５】
前記電極部を挟む前記第３導体層と前記第４導体層の間隔が、前記第１導体層と前記第２導体層の間隔よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のプローブ。
【請求項６】
前記第１導体層及び前記第２導体層はそれぞれ、一端部に細幅の部位を有し、前記電極部は、前記部位に挟まれて設けられることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のプローブ。
【請求項７】
プローブと、
前記プローブから出力される信号を計測する計測部と
を備え、
前記プローブは、
絶縁層と、
前記絶縁層の表面及び裏面にそれぞれ設けられた第１導体層及び第２導体層と、
前記絶縁層の内層に設けられた第１配線層と、
前記内層に、前記第１導体層と前記第２導体層に挟まれて設けられ、前記第１配線層の一端部に接続された電極部と、
前記内層に、前記電極部と離間され、前記電極部を挟んで設けられた第３導体層及び第４導体層と、
前記第３導体層及び前記第４導体層をそれぞれ、前記第１導体層と前記第２導体層に接続する第１導体部及び第２導体部と
を含むことを特徴とする測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブ、及びプローブを用いた測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器や、電子機器に搭載される電子回路等から発生する電界、磁界を、プローブを用いて測定する技術が知られている。
プローブとしては、例えば、同軸ケーブルの先端から露出させた芯線を、電界を感知する電界センサとして用いるプローブ（同軸型電界プローブ）がある。
【０００３】
このほか、プリント基板に設けた配線層の先端部を電界センサとして用いるプローブ（電界プローブ）が知られている。プリント基板に設けたループ状の配線層（コイル）を、磁界を感知する磁界センサとして用いるプローブ（磁界プローブ）も知られている。また、プリント基板に電界センサと磁界センサを共に設けたプローブ（電磁界プローブ）も知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０５−２６４６７２号公報
【特許文献２】特開２００９−２５７８５８号公報
【特許文献３】特開２０１０−２２３９３４号公報
【特許文献４】特開平０８−２４８０８０号公報
【特許文献５】特開２０００−３１４７５５号公報
【特許文献６】特開２００３−１２１４８３号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】アイ・イー・イー・イー・トランザクションズ・オン・アンテナズ・アンド・プロパゲーション（IEEE Transactions on Antennas and Propagation），１９７３年７月，第２１巻，第４号，ｐｐ．４４６〜４６０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
同軸型電界プローブに関しては、空間分解能を高めるために、例えば、プローブ先端部を細く絞る構造に加工したり、同軸ケーブルの切断面に開口を設けた電界絞り（シールド部品）を取り付けたりすることが行われる。しかし、プローブのサイズ等によっては、そのような加工や部品取り付けが難しくなる場合がある。
【０００７】
一方、プリント基板を用いたプローブ（電界プローブ、磁界プローブ、電磁界プローブ）では、センサとなる微細な配線層を精度良く低コストで形成できる等の利点がある。プリント基板を用いたプローブでは、空間分解能を高めるために、例えば、絶縁層内にセンサとなる配線層を配置し、その絶縁層の表裏面にシールド層を設けることが行われる。しかし、このような技術を用いても、充分なシールド効果が得られず、所望の空間分解能を得ることができない場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一観点によれば、絶縁層と、前記絶縁層の表面及び裏面にそれぞれ設けられた第１導体層及び第２導体層と、前記絶縁層の内層に設けられた第１配線層と、前記内層に、前記第１導体層と前記第２導体層に挟まれて設けられ、前記第１配線層の一端部に接続された電極部と、前記内層に、前記電極部と離間され、前記電極部を挟んで設けられた第３導体層及び第４導体層と、前記第３導体層及び前記第４導体層をそれぞれ、前記第１導体層と前記第２導体層に接続する第１導体部及び第２導体部とを含むプローブが提供される。
【０００９】
また、本発明の一観点によれば、前記プローブと、前記プローブから出力される信号を計測する計測部とを備える測定装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
開示の技術によれば、表裏面に導体層を設けた絶縁層の内層に、電極部及びそれを挟む導体層を設けることで、電極部のシールド効果を高め、プローブの空間分解能の向上を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】プローブの構成例を示す図である。
【図２】図１のＬ１−Ｌ１断面模式図である。
【図３】図１のＬ２−Ｌ２断面模式図である。
【図４】プローブ先端部の構成例を示す図（その１）である。
【図５】プローブ先端部の構成例を示す図（その２）である。
【図６】シミュレーションの説明図（その１）である。
【図７】シミュレーションの説明図（その２）である。
【図８】シミュレーションの説明図（その３）である。
【図９】電界プローブを用いたシミュレーション結果の一例を示す図（その１）である。
【図１０】電界プローブを用いたシミュレーション結果の一例を示す図（その２）である。
【図１１】電界プローブの別例の説明図である。
【図１２】電界プローブを用いたシミュレーション結果の別例を示す図である。
【図１３】電磁界プローブの一例の説明図（その１）である。
【図１４】電磁界プローブの一例の説明図（その２）である。
【図１５】電磁界プローブを用いたシミュレーション結果の一例を示す図である。
【図１６】電磁界プローブの別例の説明図（その１）である。
【図１７】電磁界プローブの別例の説明図（その２）である。
【図１８】電磁界プローブを用いたシミュレーション結果の別例を示す図である。
【図１９】測定装置の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１はプローブの構成例を示す図である。図１には、プローブの平面を模式的に図示している。また、図２は図１のＬ１−Ｌ１断面模式図、図３は図１のＬ２−Ｌ２断面模式図である。
【００１３】
図１には、電界を感知する電界プローブ１０を例示している。電界プローブ１０は、図２及び図３に示すように、絶縁層１、並びに絶縁層１の両主面（表面１ａ及び裏面１ｂ）に設けられたシールド層（導体層）２及びシールド層（導体層）３を有している。シールド層２及びシールド層３は、例えば、絶縁層１の表面１ａ及び裏面１ｂをそれぞれ被覆するように設けられる。
【００１４】
更に、電界プローブ１０は、図１及び図２に示すように、絶縁層１の内層に設けられた電界出力信号配線（配線層）４、及び電界出力信号配線４の一端に設けられた電界センサ電極（電極部）５を有している。電界出力信号配線４及び電界センサ電極５は、例えば、絶縁層１内の同層に、一体で形成される。
【００１５】
絶縁層１の表面１ａ及び裏面１ｂに設けられるシールド層２及びシールド層３は、図１及び図３に示すように、絶縁層１を貫通する複数の導体部６Ａにより接続されている。各導体部６Ａは、図３に示すように、絶縁層１の内層に設けられたランド６Ａａ、シールド層２とランド６Ａａを接続するビア６Ａｂ、及びシールド層３とランド６Ａａを接続するビア６Ａｃを含む。ランド６Ａａは、電界出力信号配線４及び電界センサ電極５と同層に設けられる。尚、この例では、ランド６Ａａ、ビア６Ａｂ及びビア６Ａｃ、並びにシールド層２及びシールド層３に、それらを貫通する貫通孔６Ａｄが形成されている。
【００１６】
電界プローブ１０は、多層プリント基板で形成することができる。ここでは、絶縁層１の表面１ａのシールド層２を第１層、絶縁層１の内層の電界出力信号配線４及び電界センサ電極５等を第２層、絶縁層１の裏面１ｂのシールド層３を第３層とする、３層構造の多層プリント基板で形成した電界プローブ１０を例示している。
【００１７】
電界プローブ１０の、電界センサ電極５側と反対の端部には、図１に示すように、プローブ出力コネクタ７が接続されている。プローブ出力コネクタ７には、同軸コネクタが用いられ、同軸コネクタの信号線が電界出力信号配線４に接続され、同軸コネクタのシールド線がシールド層２及びシールド層３に接続される。電界センサ電極５で感知された電界の信号は、電界出力信号配線４及びそれに接続されたプローブ出力コネクタ７を介して、電界プローブ１０の外部に出力される。
【００１８】
尚、電界プローブ１０の、電界センサ電極５側の端部には、例えば、図１及び図２に示すように、電界センサ電極５の側端面を被覆するように絶縁膜（絶縁体）１ｃが設けられてもよい。
【００１９】
上記のような構成を有する電界プローブ１０の、電界センサ電極５側の先端部（プローブ先端部）について、更に説明する。
図４及び図５はプローブ先端部の構成例を示す図である。図４において、（Ａ）はプローブ先端部の平面模式図、（Ｂ）はＬ３−Ｌ３断面模式図、（Ｃ）はＬ４−Ｌ４断面模式図である。図５において、（Ａ）は第１層の導体部の一例を示す図、（Ｂ）は第２層の導体部の一例を示す図、（Ｃ）は第３層の導体部の一例を示す図である。
【００２０】
電界プローブ１０の先端部には、上記のように絶縁層１の表面１ａ及び裏面１ｂのシールド層２及びシールド層３、並びに絶縁層１の内層の電界出力信号配線４に接続された電界センサ電極５が設けられる。電界センサ電極５は、図４（Ａ）に示すように、例えば、電界出力信号配線４と一体で形成され、電界出力信号配線４よりも小さい幅で形成される。更に、この電界プローブ１０の先端部には、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、絶縁層１の内層の電界センサ電極５と同層に、電界センサ電極５と一定の間隔Ｄ１で離間され、電界センサ電極５を挟むように、サイドシールド層（導体層）８及びサイドシールド層（導体層）９が設けられる。
【００２１】
電界プローブ１０の先端部において、第１層の導体部であるシールド層２（図５（Ａ））と、第３層の導体部であるシールド層３（図５（Ｃ））とは、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、絶縁層１の表面１ａ及び裏面１ｂをそれぞれ被覆するように設けられる。第２層の導体部である電界センサ電極５、サイドシールド層８及びサイドシールド層９（図５（Ｂ））は、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、シールド層２及びシールド層３に挟まれるように、絶縁層１の内層に配置される。
【００２２】
サイドシールド層８は、ここでは一例として図４（Ａ）に示すような平面Ｌ字形状とされ、その一端はランド８Ａａに接続され、他端は電界センサ電極５と間隔Ｄ１をあけて対向配置される。ランド８Ａａは、図４（Ｃ）に示すように、ビア８Ａｂで絶縁層１の表面１ａのシールド層２に接続され、ビア８Ａｃで絶縁層１の裏面１ｂのシールド層３に接続される。尚、この例では、ランド８Ａａ、ビア８Ａｂ及びビア８Ａｃ、並びにシールド層２及びシールド層３に、それらを貫通する貫通孔８Ａｄが形成されている。
【００２３】
サイドシールド層９も同様に、図４（Ａ）に示すような平面Ｌ字形状とされ、その一端はランド９Ａａに接続され、他端は電界センサ電極５と間隔Ｄ１をあけて対向配置される。このように間隔Ｄ１だけ離間して配置されたサイドシールド層９、及び、同様に間隔Ｄ１だけ離間して配置された上記サイドシールド層８によって、電界センサ電極５が挟まれる。ランド９Ａａは、図４（Ｃ）に示すように、ビア９Ａｂで絶縁層１の表面１ａのシールド層２に接続され、ビア９Ａｃで絶縁層１の裏面１ｂのシールド層３に接続される。尚、この例では、ランド９Ａａ、ビア９Ａｂ及びビア９Ａｃ、並びにシールド層２及びシールド層３に、それらを貫通する貫通孔９Ａｄが形成されている。
【００２４】
電界プローブ１０の電界センサ電極５は、サイドシールド層８とサイドシールド層９の対向方向について、シールド層２及びシールド層３の幅Ｄａの中心部に設けられる。また、電界プローブ１０では、電界センサ電極５を挟むサイドシールド層８とサイドシールド層９の間隔Ｄｂが、シールド層２とシールド層３の間隔Ｄｃよりも小さくなるように形成される。
【００２５】
電界センサ電極５は、絶縁層１の表面１ａ及び裏面１ｂに設けられたシールド層２及びシールド層３に挟まれると共に、絶縁層１の内層に設けられたサイドシールド層８及びサイドシールド層９に挟まれる。サイドシールド層８は、ランド８Ａａ、ビア８Ａｂ及びビア８Ａｃを介してシールド層２及びシールド層３に接続され、サイドシールド層９は、ランド９Ａａ、ビア９Ａｂ及びビア９Ａｃを介してシールド層２及びシールド層３に接続される。これにより、電界センサ電極５のシールド効果が高く、空間分解能の高い電界プローブ１０が実現される。
【００２６】
サイドシールド層８及びサイドシールド層９を設けない電界プローブの場合、第２層の電界センサ電極５及び電界出力信号配線４と、第１層のシールド層２との間、第３層のシールド層３との間の絶縁層を薄くすることで、高い電界空間分解能を得ることもできる。しかし、形成する絶縁層の厚さの製造限界や、電界出力信号配線４の特性インピーダンスの調整に伴い、形成可能な絶縁層の厚さが制限される場合があり、それにより、空間分解能が制限されてしまう場合がある。
【００２７】
更に、サイドシールド層８及びサイドシールド層９を設けない電界プローブでは、その平面方向に直交する方向の電界に比べ、平面方向の電界のシールド性が弱く、高い空間分解能が得られ難い場合がある。その結果、サイドシールド層８及びサイドシールド層９を設けない電界プローブでは、その平面方向とそれに直交する方向とで、空間分解能や感度プロファイルの形状に差が生じる場合がある。
【００２８】
一方、電界センサ電極５を挟むサイドシールド層８及びサイドシールド層９を設けた上記の電界プローブ１０では、その平面方向のシールド性を高めて空間分解能を高めることが可能になる。更に、電界プローブ１０の平面方向の空間分解能と、平面方向に直交する方向の空間分解能との差を低減することが可能になり、平面方向の空間分解能を、平面方向に直交する方向の空間分解能と同等、或いはそれ以上にすることも可能になる。上記の電界プローブ１０では、絶縁層１をその製造限界や電界出力信号配線４の特性インピーダンスを考慮した一定の厚みで形成した場合であっても、電界空間分解能、電界感度プロファイルの方位依存性を低減することが可能になる。
【００２９】
尚、上記のような電界プローブ１０は、例えば、次のようにして形成することができる。まず、絶縁層１の一部となる第１絶縁層上に、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術等を用い、電界出力信号配線４、電界センサ電極５、サイドシールド層８、サイドシールド層９、ランド６Ａａ、ランド８Ａａ、ランド９Ａａといった第２層の導体部を形成する。次いで、第２層の導体部を形成した第１絶縁層上に、絶縁層１の一部となる第２絶縁層を形成し、絶縁層１の内層に第２層の導体部が形成された構造を得る。次いで、ランド６Ａａ、ランド８Ａａ、ランド９Ａａの各形成位置に、レーザ加工、ドリル加工等の方法を用い、ビアホール（貫通孔６Ａｄ、貫通孔８Ａｄ、貫通孔９Ａｄ）を形成する。次いで、絶縁層１の表面１ａ及び裏面１ｂ、並びに、形成したビアホール内に、メッキ法等を用いて導体部を形成する。これにより、第１層及び第３層の導体部であるシールド層２及びシールド層３、並びに、ビア６Ａｂ、ビア６Ａｃ、ビア８Ａｂ、ビア８Ａｃ、ビア９Ａｂ、ビア９Ａｃを形成する。このような方法を用い、上記のような電界プローブ１０を形成することができる。
【００３０】
電界プローブ１０の導体部（シールド層２，３、電界出力信号配線４、電界センサ電極５、導体部６Ａ、サイドシールド層８，９、ランド８Ａａ，９Ａａ、ビア８Ａｂ，８Ａｃ，９Ａｂ，９Ａｃ）には、様々な導体材料を用いることができる。電界プローブ１０の導体部の材料には、例えば、銅（Ｃｕ）或いは銅を主体とする金属材料を用いることができる。
【００３１】
以上の説明では、電界を感知する電界プローブ１０を例示したが、絶縁層１の内層に、電界センサ電極５と共に、ループ状の配線層を設け、これを磁界センサループとし、電磁界プローブを得ることもできる。この場合、磁界センサループは、絶縁層１の表面１ａ及び裏面１ｂのシールド層２及びシールド層３に接続する。例えば、磁界センサループをサイドシールド層８のランド８Ａａに接続し、そのランド８Ａａに接続されたビア８Ａｂ及び８Ａｃを介して、シールド層２及びシールド層３に接続する。このような電磁界プローブの詳細については後述する。
【００３２】
以下、電界プローブ及び電磁界プローブの構成例、並びに有限要素法によるシミュレーションについて、説明する。
図６〜図８はシミュレーションの説明図である。図６はシミュレーションモデルの説明図である。図７及び図８は電界プローブの先端部の説明図であって、それぞれ、（Ａ）はシールド層（第１層及び第３層の導体部）の説明図、（Ｂ）は電界出力信号配線及び電界センサ電極（第２層の導体部）の説明図である。尚、図７には、サイドシールド層を設けない電界プローブの先端部の一例を図示し、図８には、サイドシールド層を設けた電界プローブの先端部の一例を図示している。
【００３３】
図６に示すシミュレーション領域２００は、一辺８ｍｍの立方体とし、下面にプローブ評価用のマイクロストリップライン（ＭＳＬ）２１０を配置している。ＭＳＬ２１０の入力部２１１に５０Ωの入力用ポートを接続して１ＧＨｚの正弦波を入力する。ＭＳＬ２１０の出力部２１２、及び電界プローブ１００のプローブ出力部１１１には、５０Ωの出力用ポートを接続する。ＭＳＬ２１０の両端の入力部２１１及び出力部２１２は、インピーダンスが５０Ωとなるように配線幅を太くし、それらの間の中央部は、電界プローブ１００の空間分解能を評価するために配線幅を細くしている。ＭＳＬ２１０の、配線幅を細くした中央部は、その断面形状を、ボトム幅６０μｍ、トップ幅３０μｍ、高さ３０μｍの台形状としている。電界プローブ１００の先端は、厚さ１０μｍの絶縁膜１１２で覆っている。
【００３４】
電界プローブ１００は、導体部が３層の多層プリント基板により形成されているものとする。第１層及び第３層の導体部として、図７（Ａ）及び図８（Ａ）に示すように、絶縁層１０１の表裏面に、幅１ｍｍのシールド層１０２及びシールド層１０３が設けられる。シールド層１０２及びシールド層１０３は、導体部１０６により接続される。尚、上記の電界プローブ１０（図１）では、シールド層２及びシールド層３を複数の導体部６Ａで接続するようにしたが、ここではシミュレーション上、シールド層１０２及びシールド層１０３の側面同士を導体部１０６で接続したモデルを用いる。実際の電界プローブ１００では、シールド層１０２とシールド層１０３を、上記の例のように、複数の導体部（導体ビア）を用いて接続することができる。
【００３５】
シールド層１０２及びシールド層１０３に挟まれる第２層の導体部として、図７（Ｂ）に示す電界プローブ１００では、絶縁層１０１の内層に設けられた電界出力信号配線１０４及びそれに接続された電界センサ電極１０５が設けられる。図８（Ｂ）に示す電界プローブ１００では、第２層の導体部として、絶縁層１０１の内層に設けられた電界出力信号配線１０４及び電界センサ電極１０５、並びにサイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９等が設けられる。
【００３６】
サイドシールド層１０８（図８（Ｂ））は、その一端に接続されたランド１０８Ａａと、そのランド１０８Ａａに接続されたビア１０８Ａｂ及びビア１０８Ａｃ（導体部）によってシールド層１０２及びシールド層１０３に接続される。サイドシールド層１０９（図８（Ｂ））は、その一端に接続されたランド１０９Ａａと、そのランド１０９Ａａに接続されたビア１０９Ａｂ及びビア１０９Ａｃ（導体部）によってシールド層１０２及びシールド層１０３に接続される。電界センサ電極１０５は、このようなサイドシールド層１０８（ランド１０８Ａａの接続側と反対の端部）とサイドシールド層１０９（ランド１０９Ａａの接続側と反対の端部）の間に挟まれるように配置される。電界センサ電極１０５は、サイドシールド層１０８とサイドシールド層１０９の対向方向について、シールド層１０２及びシールド層１０３の幅の中心部に設けられる。
【００３７】
多層プリント基板の配線パターンの製造可能な最小ライン幅、スペース幅は、製造設備や各種条件によって異なってくる。ここでは電界センサ電極１０５のライン幅を６０μｍ、電界センサ電極１０５とサイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９とのスペース幅を各々６０μｍとしている。従って、サイドシールド層１０８とサイドシールド層１０９の、電界センサ電極１０５を挟んだ対向方向の間隔は１８０μｍである。尚、この間隔は、シールド層１０２とシールド層１０３の間の厚み（例えば２５７μｍ）よりも狭くなるようにしている。また、電界出力信号配線１０４は、インピーダンスを５０Ωとするために、そのライン幅を、電界センサ電極１０５のライン幅６０μｍよりも太くしている。
【００３８】
尚、ここでは図示を省略するが、電界センサ電極１０５が一端に接続された電界出力信号配線１０４の他端のプローブ出力部１１１には、同軸コネクタ等のプローブ出力コネクタが接続される。例えば、同軸コネクタの信号線が電界出力信号配線１０４に接続され、同軸コネクタのシールド線がシールド層１０２及びシールド層１０３に接続される。電界センサ電極１０５で感知された電界の信号は、電界出力信号配線１０４及びそれに接続されたプローブ出力コネクタを介して、電界プローブ１００の外部に出力される。
【００３９】
シミュレーションでは、電界プローブ１００のＭＳＬ２１０のトップからの距離（高さ）を２５μｍとし、電界プローブ１００をＭＳＬ２１０に直交した方向Ｘに走査し、電界プローブ１００のプローブ出力部１１１からの出力を計算する。このプローブ出力部１１１からの出力をＭＳＬ２１０の入力で規格化し、ＭＳＬ２１０の入力から電界プローブ１００の出力への透過率を計算し、ラインプロファイルを計算する。更に、このラインプロファイルを、そのピークレベルで規格化する。
【００４０】
電界プローブ１００の平面方向Ｓが、ＭＳＬ２１０の延在方向Ｙと平行な時の電界プローブ１００の方位角θを０度（°）、直交する時の電界プローブ１００の方位角θを９０度と定義する。図６〜図８には、電界プローブ１００の方位角θが９０度である場合を例示している。また、空間分解能は、計算により得られたラインプロファイルのピークレベルから−６ｄＢまで低下する、ＭＳＬ２１０に対する左右のプローブ位置（電界プローブ１００の位置）の間隔の半値（半幅）で定義する。
【００４１】
図９及び図１０は電界プローブを用いたシミュレーション結果の一例を示す図である。図９（Ａ）及び図１０（Ａ）には、電界プローブ１００の位置（Probe X）に対するプローブ出力部１１１からの出力（Probe Out）とＭＳＬ２１０の入力（Line In）との比（Probe Out/Line In）の関係を表すラインプロファイルを示している。図９（Ｂ）及び図１０（Ｂ）には、ピークレベルで規格化したラインプロファイルを示している。
【００４２】
図９には、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けない電界プローブ１００（図７）を、その方位角θを０度、９０度として走査した場合のラインプロファイルの計算結果を示している。図９ではそれぞれ、「サイドシールド無，０度」、「サイドシールド無，９０度」と表している。図１０には、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けた電界プローブ１００（図８）を、その方位角θを０度、９０度として走査した場合のラインプロファイルの計算結果を示している。図１０ではそれぞれ、「サイドシールド有，０度」、「サイドシールド有，９０度」と表している。尚、ここでは、電界プローブ１００の対称性により、方位角θが０度、９０度のいずれの場合も得られるラインプロファイルが左右対称になるため、ラインプロファイルの中央（Probe X=0）から片側を計算により求めている。
【００４３】
図９及び図１０のラインプロファイルから求めた空間分解能（図９（Ｂ）及び図１０（Ｂ）の−６ｄＢのプローブ位置）を表１に示す。
【００４４】
【表１】
2013250241.tif 000003
【００４５】
表１に示すように、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けない図７の電界プローブ１００（表１の「サイドシールド無」）では、方位角θが０度での空間分解能は９１μｍ、方位角θが９０度での空間分解能は１０９μｍである。一方、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けた図８の電界プローブ１００（表１の「サイドシールド有」）では、方位角θが０度での空間分解能は８９μｍ、方位角θが９０度での空間分解能は８４μｍである。
【００４６】
図８に示したサイドシールド有りの電界プローブ１００では、方位角θが０度での空間分解能は、図７に示したサイドシールド無しの電界プローブ１００と同等であり、方位角θが９０度での空間分解能は０．７７倍に向上する。図８に示したサイドシールド有りの電界プローブ１００では、方位角θが０度と９０度での空間分解能の差が低減する。ここでは、電界センサ電極１０５と、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９との間隔を６０μｍとしているが、この間隔を広げれば、方位角θが０度と９０度での空間分解能の差を更に小さくすることも可能である。
【００４７】
但し、図８に示したサイドシールド有りの電界プローブ１００を用いた場合には、図１０（Ａ）に示すように、方位角θが９０度の時のラインプロファイルの裾野の途中部分Ｐ１に、一時的に感度の傾斜が緩くなる部分（瘤）が生じる。このような瘤は、図７に示したサイドシールド無しの電界プローブ１００を用いた場合にも、図９（Ａ）に示すように、方位角θが９０度の時のラインプロファイルの裾野の途中部分Ｐ２に、若干生じている。表裏面のシールド層１０２及びシールド層１０３を介してプローブ出力に僅かに混入する信号が、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９の追加によりラインプロファイルのピークからの減衰が急になったために、目立つようになったものと考えられる。
【００４８】
図１１は電界プローブの別例の説明図である。図１１には、電界プローブの先端部の別例を示している。
図１１に示す電界プローブ１００ａは、表裏面のシールド層１０２及びシールド層１０３の、電界センサ電極１０５を挟む先端部の幅Ｄ２を、他の部分に比べて細くしている点で、上記図８の電界プローブ１００と相違する。尚、図１１では、裏面側のシールド層１０３の図示が省略されているが、裏面側のシールド層１０３も、表面側のシールド層１０２と同様の形状で設けられている。この電界プローブ１００ａでは、シールド層１０２及びシールド層１０３の各々の先端部の幅Ｄ２を、シールド層１０２とシールド層１０３の間の距離に、シールド層１０２の厚み及びシールド層１０３の厚みを加えた距離（厚み）Ｄ３に一致させている。例えば、先端部の幅Ｄ２を、距離Ｄ３の３６７μｍに一致させた構造としている。
【００４９】
図１２は電界プローブを用いたシミュレーション結果の別例を示す図である。図１２（Ａ）には、電界プローブ１００ａの位置（Probe X）に対する出力部からの出力（Probe Out）とＭＳＬ２１０の入力（Line In）との比（Probe Out/Line In）の関係を表すラインプロファイルを示している。図１２（Ｂ）には、ピークレベルで規格化したラインプロファイルを示している。
【００５０】
図１２には、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設け、シールド層１０２及びシールド層１０３の先端部の幅Ｄ２を短くした電界プローブ１００ａを、その方位角θを０度、９０度として走査した場合のラインプロファイルの計算結果を示している。図１２ではそれぞれ、「シールド幅短，サイドシールド有，０度」、「シールド幅短，サイドシールド有，９０度」と表している。尚、ここでは、電界プローブ１００ａの対称性により、方位角θが０度、９０度のいずれの場合も得られるラインプロファイルが左右対称になるため、ラインプロファイルの中央（Probe X=0）から片側を計算により求めている。
【００５１】
サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設け、シールド層１０２及びシールド層１０３の先端部の幅Ｄ２を短くすることで、図１２に示すように、上記図１０の部分Ｐ１に見られていたような瘤は、ほぼ消滅するようになる。方位角θが０度と９０度の時のラインプロファイル形状は、ほぼ一致するようになる。
【００５２】
図１２のラインプロファイルから求めた空間分解能（図１２（Ｂ）の−６ｄＢのプローブ位置）を表２に示す。
【００５３】
【表２】
2013250241.tif 000004
【００５４】
表２に示すように、図１２の電界プローブ１００ａでは、方位角θが０度での空間分解能は９０μｍ、方位角θが９０度での空間分解能は８３μｍである。
図１１の電界プローブ１００ａのように、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設け、シールド層１０２及びシールド層１０３の先端部の幅Ｄ２を短くすることで、方位角θによるラインプロファイル、空間分解能の違いを抑えることが可能になる。
【００５５】
続いて、電界センサ電極と共に磁界センサループを設けた電磁界プローブ、及びそのシミュレーション結果について説明する。
図１３及び図１４は電磁界プローブの一例の説明図である。図１３には、サイドシールド層を設けない電界プローブの先端部を図示し、図１４には、サイドシールド層を設けた電界プローブの先端部を図示している。
【００５６】
磁界センサループ（配線層）１２０は、図１３及び図１４に示すように、電界センサ電極１０５と同層に並設され、その一端が磁界出力信号配線（配線層）１２１に接続される。
【００５７】
磁界センサループ１２０の他端は、図１３に示す、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けない電磁界プローブ１００ｂでは、ランド１２１Ａａに接続される。図１３の電磁界プローブ１００ｂの磁界センサループ１２０は、ランド１２１Ａａに接続されたビア１２１Ａｂ及びビア１２１Ａｃを介してシールド層１０２及びシールド層１０３に接続される。
【００５８】
一方、図１４に示す、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けた電磁界プローブ１００ｂでは、一端が磁界出力信号配線１２１に接続された磁界センサループ１２０の他端は、サイドシールド層１０８に接続されたランド１０８Ａａに接続される。図１４の電磁界プローブ１００ｂの磁界センサループ１２０は、ランド１０８Ａａに接続されたビア１０８Ａｂ及びビア１０８Ａｃを介してシールド層１０２及びシールド層１０３に接続される。即ち、磁界センサループ１２０とシールド層１０２及びシールド層１０３との接続、並びに、サイドシールド層１０８とシールド層１０２及びシールド層１０３との接続に、ランド１０８Ａａ、ビア１０８Ａｂ及びビア１０８Ａｃが共用される。このようにすることで、電磁界プローブ１００ｂの内層に設けるランド数、ビア数の低減を図ることができる。
【００５９】
尚、ここでは図示を省略するが、磁界センサループ１２０が一端に接続された磁界出力信号配線１２１の他端には、電界出力信号配線４と同様に、同軸コネクタ等のプローブ出力コネクタが接続される。例えば、同軸コネクタの信号線が磁界出力信号配線１２１に接続され、同軸コネクタのシールド線がシールド層２及びシールド層３に接続される。磁界センサループ１２０で感知された磁界の信号は、磁界出力信号配線１２１及びそれに接続されたプローブ出力コネクタを介して、電磁界プローブ１００ｂの外部に出力される。
【００６０】
図１３及び図１４に示す電磁界プローブ１００ｂでは、電界センサ電極１０５と並べて磁界センサループ１２０を設けるため、表裏面のシールド層１０２及びシールド層１０３の幅を、上記の電界プローブ１００に比べて拡大している。例えば、上記の電界プローブ１００では、シールド層１０２及びシールド層１０３の幅を１ｍｍとするが、電磁界プローブ１００ｂでは、シールド層１０２及びシールド層１０３の幅を１．４ｍｍとする。また、電磁界プローブ１００ｂでは、磁界センサループ１２０の一部がシールドから露出するように、表面側のシールド層１０２に開口部１２２が設けられる。尚、裏面側にも同様に、シールド層１０３に開口部が設けられる。
【００６１】
図１５は電磁界プローブを用いたシミュレーション結果の一例を示す図である。図１５（Ａ）には、電磁界プローブ１００ｂの位置（Probe X）に対する出力部からの出力（Probe Out）とＭＳＬ２１０の入力（Line In）との比（Probe Out/Line In）の関係を表すラインプロファイルを示している。図１５（Ｂ）には、ピークレベルで規格化したラインプロファイルを示している。
【００６２】
図１５には、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けない電磁界プローブ１００ｂ（図１３）を、その方位角θを０度、９０度として走査した場合のラインプロファイルの計算結果を示している。図１５ではそれぞれ、「サイドシールド無，０度」、「サイドシールド無，９０度」と表している。更に、図１５には、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けた電磁界プローブ１００ｂ（図１４）を、その方位角θを０度、９０度として走査した場合のラインプロファイルの計算結果を示している。図１５ではそれぞれ、「サイドシールド有，０度」、「サイドシールド有，９０度」と表している。尚、方位角θが０度の場合には、ラインプロファイルが左右対称になるため、ここではＭＳＬ２１０に対して右半分のラインプロファイルを計算により求めている。方位角θが９０度の場合には、電磁界プローブ１００ｂの左右非対称性により、ＭＳＬ２１０に対して両側のラインプロファイルを計算により求めている。尚、図１５（Ｂ）において、上側の横軸は方位角θが９０度の場合の電磁界プローブ１００ｂの位置（Probe X）を表し、下側の横軸は方位角θが０度の場合の電磁界プローブ１００ｂの位置（Probe X）を表している。
【００６３】
図１５のラインプロファイルから求めた空間分解能（図１５（Ｂ）の−６ｄＢのプローブ位置の半幅）を表３に示す。
【００６４】
【表３】
2013250241.tif 000005
【００６５】
表３に示すように、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けない図１３の電磁界プローブ１００ｂ（表３の「サイドシールド無」）では、方位角θが０度での空間分解能は９０μｍ、方位角θが９０度での空間分解能は１０７μｍである。一方、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けた図１４の電磁界プローブ１００ｂ（表３の「サイドシールド有」）では、方位角θが０度での空間分解能は８８μｍ、方位角θが９０度での空間分解能は８３μｍである。
【００６６】
図１４に示したサイドシールド有りの電磁界プローブ１００ｂでは、方位角θが０度での空間分解能は、図１３に示したサイドシールド無しの電磁界プローブ１００ｂと同等であり、方位角θが９０度での空間分解能は０．７８倍に向上する。図１４に示したサイドシールド有りの電磁界プローブ１００ｂでは、方位角θが０度と９０度での空間分解能の差が低減する。ここでは、電界センサ電極１０５と、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９との間隔を６０μｍとしているが、この間隔を広げれば、方位角θが０度と９０度での空間分解能の差を更に小さくすることも可能である。
【００６７】
図１５（Ａ）に示すように、ラインプロファイル左側の裾野の途中部分Ｐ３には、サイドシールド有り、無しのいずれの電磁界プローブ１００ｂ（図１３，図１４）を用いた場合にも、感度の傾斜が緩やかになる部分が生じる。一方、ラインプロファイル右側の裾野の途中部分Ｐ４には、サイドシールド有りの電磁界プローブ１００ｂ（図１４）を用いた場合の方が、サイドシールド無しの電磁界プローブ１００ｂ（図１３）を用いた場合に比べて、感度の傾斜が緩やかになる部分が顕著に現れる。サイドシールド有りの電磁界プローブ１００ｂ（図１４）を用いると、ラインプロファイルの左右対称性が改善すると言うことができる。
【００６８】
図１６及び図１７は電磁界プローブの別例の説明図である。図１６及び図１７には、電磁界プローブの先端部の別例を示している。
図１６に示す電磁界プローブ１００ｃは、上記図１３に示した電磁界プローブ１００ｂの電界センサ電極１０５の位置を、そのプローブ先端部（シールド層１０２及びシールド層１０３）の幅の中心部に配置したものである。図１７に示す電磁界プローブ１００ｃは、上記図１４に示した電磁界プローブ１００ｂの電界センサ電極１０５の位置を、そのプローブ先端部（シールド層１０２及びシールド層１０３）の幅の中心部に配置したものである。
【００６９】
図１８は電磁界プローブを用いたシミュレーション結果の別例を示す図である。図１８（Ａ）には、電磁界プローブ１００ｃの位置（Probe X）に対する出力部からの出力（Probe Out）とＭＳＬ２１０の入力（Line In）との比（Probe Out/Line In）の関係を表すラインプロファイルを示している。図１８（Ｂ）には、ピークレベルで規格化したラインプロファイルを示している。
【００７０】
図１８には、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けない電磁界プローブ１００ｃ（図１６）を、その方位角θを０度、９０度として走査した場合のラインプロファイルの計算結果を示している。図１８ではそれぞれ、「サイドシールド無，０度」、「サイドシールド無，９０度」と表している。更に、図１８には、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けた電磁界プローブ１００ｃ（図１７）を、その方位角θを０度、９０度として走査した場合のラインプロファイルの計算結果を示している。図１８ではそれぞれ、「サイドシールド有，０度」、「サイドシールド有，９０度」と表している。尚、方位角θが０度の場合には、ラインプロファイルが左右対称になるため、ここではＭＳＬ２１０に対して右半分のラインプロファイルを計算により求めている。方位角θが９０度の場合には、電磁界プローブ１００ｂの左右非対称性により、ＭＳＬ２１０に対して両側のラインプロファイルを計算により求めている。
【００７１】
図１８のラインプロファイルから求めた空間分解能（図１８（Ｂ）の−６ｄＢのプローブ位置の半幅）を表４に示す。
【００７２】
【表４】
2013250241.tif 000006
【００７３】
表４に示すように、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けない図１６の電磁界プローブ１００ｃ（表４の「サイドシールド無」）では、方位角θが０度での空間分解能は９０μｍ、方位角θが９０度での空間分解能は１０９μｍである。一方、サイドシールド層１０８及びサイドシールド層１０９を設けた図１７の電磁界プローブ１００ｃ（表４の「サイドシールド有」）では、方位角θが０度での空間分解能は８７μｍ、方位角θが９０度での空間分解能は８３μｍである。
【００７４】
図１７に示したサイドシールド有りの電磁界プローブ１００ｃでは、方位角θが０度での空間分解能は、図１６に示したサイドシールド無しの電磁界プローブ１００ｃと同等であり、方位角θが９０度での空間分解能は向上する。図１７に示したサイドシールド有りの電磁界プローブ１００ｃでは、方位角θが０度と９０度での空間分解能の差が低減する。
【００７５】
更に、図１８（Ａ）に示すように、ラインプロファイル左側及び右側の裾野の途中部分Ｐ５及びＰ６の感度の傾斜が緩やかになる部分は、左右ほぼ対称的に現れるようになる。電界センサ電極１０５の位置をプローブ先端部の幅の中央に配置した電磁界プローブ１００ｃを用いることで、得られるラインプロファイルの左右対称性を改善することができる。
【００７６】
尚、以上述べた電界プローブ１００，１００ａ及び電磁界プローブ１００ｂ，１００ｃの導体部には、様々な導体材料を用いることができる。ここで、導体部には、シールド層１０２，１０３、電界出力信号配線１０４、電界センサ電極１０５、導体部１０６、サイドシールド層１０８，１０９、ランド１０８Ａａ，１０９Ａａ、ビア１０８Ａｂ，１０８Ａｃ，１０９Ａｂ，１０９Ａｃが含まれる。更に、導体部には、磁界センサループ１２０、磁界出力信号配線１２１が含まれる。このような導体部の材料として、例えば、銅或いは銅を主体とする金属材料を用いることができる。
【００７７】
以上述べたような電界プローブ、電磁界プローブを用いた測定装置により、電子機器や、電子機器に搭載される電子回路等から発生する電界、磁界を測定することができる。
図１９は測定装置の構成例を示す図である。
【００７８】
図１９に示す測定装置３００は、プローブ３１０、計測部３２０、及び制御部３３０を有している。プローブ３１０には、電界プローブ或いは電磁界プローブ、例えば上記の電界プローブ１０，１００，１００ａ或いは電磁界プローブ１００ｂ，１００ｃが用いられる。計測部３２０は、プローブ３１０で感知された電界、磁界を計測するスペクトラムアナライザ等の計測機器を含む。プローブ３１０に電界プローブが用いられる場合には、その電界センサ電極に接続された電界出力信号配線が、同軸コネクタ、同軸ケーブル等を用いて計測部３２０の計測機器に接続される。プローブ３１０に電磁界プローブが用いられる場合には、その電界センサ電極に接続された電界出力信号配線、及び磁界センサループに接続された磁界出力信号配線が、それぞれ、同軸コネクタ、同軸ケーブル等を用いて計測部３２０の計測機器に接続される。制御部３３０は、計測部３２０の制御、計測部３２０で計測された信号を用いた演算処理を実行する。制御部３３０には、例えばコンピュータが用いられる。
【００７９】
このような測定装置３００を用い、そのプローブ３１０を測定対象の電子回路等に近接させ、プローブ３１０で感知される電界、磁界の信号を計測、演算処理することで、測定対象から発生する電界、磁界を測定することができる。プローブ３１０として、上記のように、絶縁層の表裏面にシールド層を設け、その絶縁層の内層に電界センサ電極及びそれを挟むサイドシールド層を設けた電界プローブ、電磁界プローブを用いることで、高い空間分解能で電界の測定を行うことができる。
【００８０】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  絶縁層と、
前記絶縁層の表面及び裏面にそれぞれ設けられた第１導体層及び第２導体層と、
前記絶縁層の内層に設けられた第１配線層と、
前記内層に、前記第１導体層と前記第２導体層に挟まれて設けられ、前記第１配線層の一端部に接続された電極部と、
前記内層に、前記電極部と離間され、前記電極部を挟んで設けられた第３導体層及び第４導体層と、
前記第３導体層及び前記第４導体層をそれぞれ、前記第１導体層と前記第２導体層に接続する第１導体部及び第２導体部と
を含むことを特徴とするプローブ。
【００８１】
（付記２）  前記内層に設けられ、前記第１導体層と前記第２導体層に接続されたループ状の第２配線層を含むことを特徴とする付記１に記載のプローブ。
（付記３）  前記第２配線層は、前記第１導体部に接続され、前記第１導体部を介して前記第１導体層と前記第２導体層に接続されることを特徴とする付記２に記載のプローブ。
【００８２】
（付記４）  前記第２配線層の一部が露出する開口部を含むことを特徴とする付記２又は３に記載のプローブ。
（付記５）  前記電極部は、前記第３導体層と前記第４導体層の対向方向について、前記第１導体層及び前記第２導体層の幅の中心部に設けられていることを特徴とする付記１乃至４のいずれかに記載のプローブ。
【００８３】
（付記６）  前記電極部を挟む前記第３導体層と前記第４導体層の間隔が、前記第１導体層と前記第２導体層の間隔よりも小さいことを特徴とする付記１乃至５のいずれかに記載のプローブ。
【００８４】
（付記７）  前記第１導体層及び前記第２導体層はそれぞれ、一端部に細幅の部位を有し、前記電極部は、前記部位に挟まれて設けられることを特徴とする付記１乃至６のいずれかに記載のプローブ。
【００８５】
（付記８）  前記部位の幅が、前記第１導体層から前記第２導体層までの厚みに等しいことを特徴とする付記７に記載のプローブ。
（付記９）  前記電極部の側端面が絶縁体で被覆されることを特徴とする付記１乃至８のいずれかに記載のプローブ。
【００８６】
（付記１０）  前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する第３導体部を含むことを特徴とする付記１乃至９のいずれかに記載のプローブ。
（付記１１）  前記第１配線層の前記電極部と反対側の他端部に接続された出力コネクタを含むことを特徴とする付記１乃至１０のいずれかに記載のプローブ。
【００８７】
（付記１２）  プローブと、
前記プローブから出力される信号を計測する計測部と
を備え、
前記プローブは、
絶縁層と、
前記絶縁層の表面及び裏面にそれぞれ設けられた第１導体層及び第２導体層と、
前記絶縁層の内層に設けられた第１配線層と、
前記内層に、前記第１導体層と前記第２導体層に挟まれて設けられ、前記第１配線層の一端部に接続された電極部と、
前記内層に、前記電極部と離間され、前記電極部を挟んで設けられた第３導体層及び第４導体層と、
前記第３導体層及び前記第４導体層をそれぞれ、前記第１導体層と前記第２導体層に接続する第１導体部及び第２導体部と
を含むことを特徴とする測定装置。
【符号の説明】
【００８８】
１，１０１  絶縁層
１ａ  表面
１ｂ  裏面
１ｃ，１１２  絶縁膜
２，３，１０２，１０３  シールド層
４，１０４  電界出力信号配線
５，１０５  電界センサ電極
６Ａ，１０６  導体部
６Ａａ，８Ａａ，９Ａａ，１０８Ａａ，１０９Ａａ，１２１Ａａ  ランド
６Ａｂ，６Ａｃ，８Ａｂ，８Ａｃ，９Ａｂ，９Ａｃ，１０８Ａｂ，１０８Ａｃ，１０９Ａｂ，１０９Ａｃ，１２１Ａｂ，１２１Ａｃ  ビア
６Ａｄ，８Ａｄ，９Ａｄ  貫通孔
７  プローブ出力コネクタ
８，９，１０８，１０９  サイドシールド層
１０，１００，１００ａ  電界プローブ
１００ｂ，１００ｃ  電磁界プローブ
１１１  プローブ出力部
１２０  磁界センサループ
１２１  磁界出力信号配線
１２２  開口部
２００  シミュレーション領域
２１０  ＭＳＬ
２１１  入力部
２１２  出力部
３００  測定装置
３１０  プローブ
３２０  計測部
３３０  制御部
【図１】
2013250241.tif 000007
【図２】
2013250241.tif 000008
【図３】
2013250241.tif 000009
【図４】
2013250241.tif 000010
【図５】
2013250241.tif 000011
【図６】
2013250241.tif 000012
【図７】
2013250241.tif 000013
【図８】
2013250241.tif 000014
【図９】
2013250241.tif 000015
【図１０】
2013250241.tif 000016
【図１１】
2013250241.tif 000017
【図１２】
2013250241.tif 000018
【図１３】
2013250241.tif 000019
【図１４】
2013250241.tif 000020
【図１５】
2013250241.tif 000021
【図１６】
2013250241.tif 000022
【図１７】
2013250241.tif 000023
【図１８】
2013250241.tif 000024
【図１９】
2013250241.tif 000025