(57)【要約】【課題】１回の加工で深さの異なるイオンミリング加工をすることができるイオンミリング装置を提供する。【解決手段】プラズマ生成室と処理室との間に配置され、正電圧が印加される加速電極２１と負電圧が印加される減速電極２２とを有し、プラズマ生成室から処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極２０を備えたイオンミリング装置であって、加速電極２１は平板状に形成され、減速電極２２の加速電極２１と対向する面には、第２引き出し穴２４の周縁部に減速電極２２の厚み方向に段差部２５ａ，２５ｂ，２５ｃが設けられ、加速電極２１の第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと、向かい合う減速電極２２の第２引き出し穴２４のエッジ２４ａとの間の直交距離ｈ１，ｈ２，ｈ３が異なるように構成する。【選択図】図５
2013137870.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室と、
前記プラズマ生成室に連通する処理室と、
前記プラズマ生成室と前記処理室との間に配置され、正電圧が印加される加速電極と負電圧が印加される減速電極とを有し、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、
前記処理室内に設けられ前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載する被加工物ホルダーと、を備えたイオンミリング装置であって、
前記加速電極は前記イオンビームが通過する複数の第１引き出し穴を有し、
前記減速電極は前記加速電極と隙間を隔てて対向し、
前記減速電極は前記第１引き出し穴を通過した前記イオンビームが通過する複数の第２引き出し穴を有し、
前記第１引き出し穴のエッジと、前記第２引き出し穴のエッジとの間の直交距離が異なるものを含む
ことを特徴とするイオンミリング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のイオンミリング装置において、
前記加速電極は平板状であって、
前記減速電極の前記加速電極と対向する面には、前記第２引き出し穴の周縁部に前記減速電極の厚み方向に段差部が設けられている
ことを特徴とするイオンミリング装置。
【請求項３】
請求項２に記載のイオンミリング装置において、
前記段差部は同心円として複数形成されている
ことを特徴とするイオンミリング装置。
【請求項４】
請求項１に記載のイオンミリング装置において、
前記加速電極は平板状であって、
前記減速電極の前記加速電極と対向する面は、前記加速電極に向かって凸面または凹面となる曲面を有し、前記曲面に前記第２引き出し穴を備える
ことを特徴とするイオンミリング装置。
【請求項５】
プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室と、
前記プラズマ生成室に連通する処理室と、
前記プラズマ生成室と前記処理室との間に配置され、正電圧が印加される加速電極と負電圧が印加される減速電極とを有し、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、
前記処理室内に設けられ前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載する被加工物ホルダーと、を備えたイオンミリング装置であって、
前記加速電極は前記イオンビームが通過する複数の第１引き出し穴を有し、
前記減速電極は前記加速電極と隙間を隔てて対向し、
前記減速電極は前記加速電極と対向する面に絶縁性の絶縁パターンが設けられた導電基板であり、かつ前記第１引き出し穴を通過した前記イオンビームが通過する複数の第２引き出し穴を有し、
前記加速電極の前記第１引き出し穴のエッジと、向かい合う前記減速電極の前記絶縁パターンが形成されていない前記導電基板表面との間の直交距離が異なるものを含む
ことを特徴とするイオンミリング装置。
【請求項６】
請求項５に記載のイオンミリング装置において、
前記加速電極は平板状であって、
前記減速電極の前記加速電極と対向する面には、前記第２引き出し穴の周縁部に前記減速電極の厚み方向に段差部が設けられている
ことを特徴とするイオンミリング装置。
【請求項７】
プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室と、
前記プラズマ生成室に連通する処理室と、
前記プラズマ生成室と前記処理室との間に配置され、正電圧が印加される加速電極と負電圧が印加される減速電極とを有し、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、
前記処理室内に設けられ前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載する被加工物ホルダーと、を備えたイオンミリング装置であって、
前記加速電極は前記イオンビームが通過する複数の第１引き出し穴を有し、
前記減速電極は前記加速電極と隙間を隔てて対向し、
前記減速電極は前記加速電極と対向する面に導電の導電パターンが設けられた絶縁基板であり、かつ前記第１引き出し穴を通過した前記イオンビームが通過する複数の第２引き出し穴を有し、
前記第１引き出し穴のエッジと、前記減速電極の前記導電パターンとの間の直交距離が異なるものを含む
ことを特徴とするイオンミリング装置。
【請求項８】
請求項７に記載のイオンミリング装置において、
前記加速電極は平板状であって、
前記減速電極の前記加速電極と対向する面には、前記第２引き出し穴の周縁部に前記減速電極の厚み方向に段差部が設けられている
ことを特徴とするイオンミリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物にイオンビームを照射して被加工物をミリング加工するイオンミリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオンミリング加工として、基板などの被加工物にイオンビームを照射して表面をミリング加工する技術が知られ、この加工にはイオンミリング装置が用いられている。
イオンミリング装置は、プラズマ生成室でプラズマを生成し、プラズマ生成室から引き出し電極を用いてイオンビームを被加工物が配置される処理室に引き出す構造を有している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１１８２９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のイオンミリング装置では、被加工物の表面を均一に加工することに主眼がおかれ、１回の加工で深さの異なる加工はできない。このため、例えば、１つの被加工物で深さが異なる加工する場合には、所定の深さまで加工した後、加工をしない部分をマスクして再度加工をする必要がある。このように、１つの被加工物で深さの異なる加工では、複数の工程を経る必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかるイオンミリング装置は、プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室に連通する処理室と、前記プラズマ生成室と前記処理室との間に配置され、正電圧が印加される加速電極と負電圧が印加される減速電極とを有し、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、前記処理室内に設けられ前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載する被加工物ホルダーと、を備えたイオンミリング装置であって、前記加速電極は前記イオンビームが通過する複数の第１引き出し穴を有し、前記減速電極は前記加速電極と隙間を隔てて対向し、前記減速電極は前記第１引き出し穴を通過した前記イオンビームが通過する複数の第２引き出し穴を有し、前記第１引き出し穴のエッジと、前記第２引き出し穴のエッジとの間の直交距離が異なるものを含むことを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、正電位が印加される加速電極の第１引き出し穴のエッジと、負電位が印加される減速電極の第２引き出し穴のエッジとの間の直交距離が異なるものを含んでいる。
そして、加速電極と減速電極との間には一定の電位差が生じている。このため、第１引き出し穴と第２引き出し穴との直交距離が小さい場合には両電極間の等電位線の密度が高く、この直交距離が大きい場合には等電位線の密度が低くなる。
加速電極と減速電極との間の等電位線の密度が高い場合、多くのイオンを引き出すことができ、等電位線の密度が低い場合は引き出すイオンが少ない。イオンの放出量が多ければ基板などの被加工物の加工量を大きくでき、イオンの放出量に応じて基板などの被加工物の加工量を変えることができる。
このようにして、イオンを放出する第１引き出し穴のエッジと第２引き出し穴のエッジの間の直交距離を異ならせることで、引き出し穴からのイオン放出量を制御でき、１回の加工で深さの異なるイオンミリング加工をすることが可能となる。
なお、本明細書で直交距離とは、導電性を有する導電部と導電部との間で概ね直交する距離または最短距離のことを言う。つまり、一点を基準にして、電位差の生じる最も短い距離のことを言う。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記加速電極は平板状であって、前記減速電極の前記加速電極と対向する面には、前記第２引き出し穴の周縁部に前記減速電極の厚み方向に段差部が設けられていることが望ましい。
【０００９】
この構成によれば、減速電極の加速電極と対向する面には、第２引き出し穴の周縁部に減速電極の厚み方向に段差部が設けられている。
このように、段差部を設けることで容易に第１引き出し穴のエッジと第２引き出し穴のエッジとの直交距離を変えることができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記段差部は同心円として複数形成されていることが望ましい。
【００１１】
この構成によれば、段差部が同心円状に複数形成されているため、漸次、第１引き出し穴のエッジと第２引き出し穴のエッジとの直交距離を変更でき、被加工物を凸状または凹状に加工することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記加速電極は平板状であって、前記減速電極の前記加速電極と対向する面は、前記加速電極に向かって凸面または凹面となる曲面を有し、前記曲面に前記第２引き出し穴を備えることが望ましい。
【００１３】
この構成によれば、加速電極に向かって凸面または凹面となる曲面を有し、この曲面に第２引き出し穴が形成されている。
このため、被加工物を連続した凸面または凹面となる曲面を有する形状に加工することが可能である。
【００１４】
［適用例５］本適用例にかかるイオンミリング装置は、プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室に連通する処理室と、前記プラズマ生成室と前記処理室との間に配置され、正電圧が印加される加速電極と負電圧が印加される減速電極とを有し、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、前記処理室内に設けられ前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載する被加工物ホルダーと、を備えたイオンミリング装置であって、前記加速電極は前記イオンビームが通過する複数の第１引き出し穴を有し、前記減速電極は前記加速電極と隙間を隔てて対向し、前記減速電極は前記加速電極と対向する面に絶縁性の絶縁パターンが設けられた導電基板であり、かつ前記第１引き出し穴を通過した前記イオンビームが通過する複数の第２引き出し穴を有し、前記加速電極の前記第１引き出し穴のエッジと、向かい合う前記減速電極の前記絶縁パターンが形成されていない前記導電基板表面との間の直交距離が異なるものを含むことを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、減速電極は導電基板に絶縁性の絶縁パターンが設けられて形成されている。そして、加速電極の第１引き出し穴のエッジと、減速電極の第２引き出し穴の周辺の絶縁パターンが形成されていない導電基板表面との間の直交距離が異なるものを含んでいる。
そして、加速電極と減速電極との間には一定の電位差が生じている。このため、第１引き出し穴と第２引き出し穴の周辺の絶縁パターンが形成されていない導電基板表面との間の直交距離が小さい場合には両電極間の等電位線の密度が高く、この直交距離が大きい場合には等電位線の密度が低くなる。
加速電極と減速電極との間の等電位線の密度が高い場合、多くのイオンを引き出すことができ、等電位線の密度が低い場合は引き出すイオンが少ない。イオンの放出量が多ければ基板などの被加工物の加工量を大きくでき、イオンの放出量に応じて基板などの被加工物の加工量を変えることができる。
このようにして、イオンを放出する第１引き出し穴のエッジと第２引き出し穴の周辺の絶縁パターンが形成されていない導電基板表面との間の直交距離を異ならせることで、引き出し穴からのイオン放出量を制御でき、１回の加工で深さの異なるイオンミリング加工をすることが可能となる。
【００１６】
［適用例６］上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記加速電極は平板状であって、前記減速電極の前記加速電極と対向する面には、前記第２引き出し穴の周縁部に前記減速電極の厚み方向に段差部が設けられていることが望ましい。
【００１７】
この構成によれば、減速電極の加速電極と対向する面には、第２引き出し穴の周縁部に減速電極の厚み方向に段差部が設けられている。
このように、段差部を設けることで第１引き出し穴のエッジと第２引き出し穴の周辺の絶縁パターンが形成されていない導電基板表面との間の直交距離を変えることができる。
【００１８】
［適用例７］本適用例にかかるイオンミリング装置は、プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室に連通する処理室と、前記プラズマ生成室と前記処理室との間に配置され、正電圧が印加される加速電極と負電圧が印加される減速電極とを有し、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、前記処理室内に設けられ前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載する被加工物ホルダーと、を備えたイオンミリング装置であって、前記加速電極は前記イオンビームが通過する複数の第１引き出し穴を有し、前記減速電極は前記加速電極と隙間を隔てて対向し、前記減速電極は前記加速電極と対向する面に導電の導電パターンが設けられた絶縁基板であり、かつ前記第１引き出し穴を通過した前記イオンビームが通過する複数の第２引き出し穴を有し、前記第１引き出し穴のエッジと、前記減速電極の前記導電パターンとの間の直交距離が異なるものを含むことを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、減速電極の絶縁基板に加速電極と対向する面に、導電性の導電パターンが設けられて形成されている。
そして、加速電極の第１引き出し穴のエッジと、向かい合う減速電極の第２引き出し穴の周辺の前記導電パターンとの間の直交距離が異なるものを含んでいる。
そして、加速電極と減速電極との間には一定の電位差が生じている。このため、第１引き出し穴と第２引き出し穴の周辺の導電パターンとの間の直交距離が小さい場合には等電位線の密度が高く、この直交距離が大きい場合には等電位線の密度が低くなる。
加速電極と減速電極との間の等電位線の密度が高い場合、多くのイオンを引き出すことができ、等電位線の密度が低い場合は引き出すイオンが少ない。イオンの放出量が多ければ基板などの被加工物の加工量を大きくでき、イオンの放出量に応じて基板などの被加工物の加工量を変えることができる。
このようにして、イオンを放出する第１引き出し穴のエッジと、第２引き出し穴の周辺の導電パターンとの直交距離を異ならせることで、引き出し穴からのイオン放出量を制御でき、１回の加工で深さの異なるイオンミリング加工をすることが可能となる。
【００２０】
［適用例８］上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記加速電極は平板状であって、前記減速電極の前記加速電極と対向する面には、前記第２引き出し穴の周縁部に前記減速電極の厚み方向に段差部が設けられていることが望ましい。
【００２１】
この構成によれば、減速電極の加速電極と対向する面には、第２引き出し穴の周縁部に減速電極の厚み方向に段差部が設けられている。
このように、段差部を設けることで第１引き出し穴のエッジと第２引き出し穴の周辺の導電パターンとの間の直交距離を変えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態のイオンミリング装置の構成を示す              模式図。
【図２】第１実施形態における減速電極の構成を示す平面図および断面図。
【図３】第１実施形態における基板の加工例を示す断面図。
【図４】第１実施形態におけるプラズマ雰囲気からイオンの引き出しを説明する模式図。
【図５】第１実施形態における減速電極と基板の加工について説明する模式図。
【図６】第１実施形態の変形例における引き出し電極の構成を示す模式図。
【図７】第２実施形態における引き出し電極の構成を説明する模式図。
【図８】第２実施形態における第２引き出し穴と絶縁パターンの構成を示す平面図。
【図９】第２実施形態におけるプラズマ雰囲気からイオンの引き出しを説明する模式図。
【図１０】第２実施形態の変形例における引き出し電極の構成を示す模式図。
【図１１】第３実施形態における引き出し電極の構成を説明する模式図。
【図１２】第３実施形態におけるプラズマ雰囲気からイオンの引き出しを説明する模式図。
【図１３】第３実施形態の変形例における引き出し電極の構成を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更している。
（第１実施形態）
【００２４】
＜イオンミリング装置の構成＞
図１は本実施形態のイオンミリング装置の構成を示す模式図である。図２は減速電極の構成を示す平面図および断面図である。図３は本実施形態のイオンミリング装置で加工された基板の形状を示す断面図である。
イオンミリング装置１は、プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室１０と、プラズマ生成室１０からイオンビームを引き出す引き出し電極２０と、引き出されたイオンビームが導入される処理室３０と、を備えている。
プラズマ生成室１０は、高周波プラズマ室１１と、これに連結するプラズマ拡張室１４とから構成されている。
高周波プラズマ室１１は石英円筒管１２に高周波コイル１３が巻かれて形成され、ガス導入口１７から外部よりＡｒなどの放電ガスが供給できる構成となっている。
高周波コイル１３には高周波電源１６が接続され、高周波コイル１３に高周波電力が供給される。
【００２５】
そして、高周波プラズマ室１１に連結されたプラズマ拡張室１４は、高周波プラズマ室１１よりも大きな径を持って形成され、外周に多極の永久磁石１５ａ，１５ｂが配置されている。
永久磁石１５ａは、プラズマ拡張室１４の外周に配置され、隣り合う永久磁石は反対の極となるように配置されている。永久磁石１５ｂも同様に、隣り合う永久磁石は反対の極となるように配置されている（図示せず）。
この永久磁石１５ａ，１５ｂは、磁力線によりプラズマをプラズマ拡張室１４に閉じ込めるとともに、放電領域に磁界をかけてイオンの飛程距離を長くしてイオン化率を増大させる機能を有する。
このように、本実施形態におけるイオンミリング装置１のプラズマ生成手段は高周波放電を利用した高周波イオン源が用いられている。
なお、プラズマ生成手段としてフィラメントを用い直流放電を利用したイオン源であってもよい。
【００２６】
プラズマ拡張室１４の処理室３０との間には引き出し電極２０が配置されている。
引き出し電極２０は、加速電極２１、減速電極２２の２枚の電極から構成され、電極取り付け板３８に取り付けられている。この引き出し電極２０は、プラズマの生成源に近い方から加速電極２１、減速電極２２の順に隙間を隔てて対向配置されている。各電極は導電性で円板状に形成され、モリブデンなどの高融点材料が用いられている。なお、加速電極２１と減速電極２２との隙間は１．５〜２ｍｍ程度に設定されている。
【００２７】
そして、加速電極２１にはイオンビームが通過する多数の第１引き出し穴２３が形成され、減速電極２２にはイオンビームが通過する多数の第２引き出し穴２４が形成されている。
第１引き出し穴２３、第２引き出し穴２４は径が１〜２ｍｍ程度の円形の貫通穴であり、一つの第１引き出し穴２３に対して、一つの第２引き出し穴２４が備えられ、両者はほぼ同一の径で形成されている。この第１引き出し穴２３および第２引き出し穴２４は平面視において重なるように配置され、イオンビームが損失なく加速電極２１から減速電極２２を経て処理室３０に引き出せるように構成されている。
【００２８】
加速電極２１は平板状に形成され、減速電極２２は、加速電極２１と向かい合う面において、減速電極２２の厚み方向に段差部が設けられている。
図２（ａ）は減速電極２２の構成を示す平面図であり、図２（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う断面図である。
【００２９】
減速電極２２の一面には同心円状に段差部２５ａ，２５ｂ，２５ｃが形成され、中央部に向かって凹形状となっている。減速電極２２の外周側より段差部２５ａが形成され、その内周側に段差部２５ｂ、さらに内周側に段差部２５ｃが設けられている。
段差部２５ａと段差部２５ｂの間には平面状に形成された第１平面２６ａが設けられ、段差部２５ｂと段差部２５ｃの間には平面状に形成された第２平面２６ｂが設けられている。そして、減速電極２２の中央には段差部２５ｃに囲まれた平面状の第３平面２６ｃが設けられている。
【００３０】
そして、第１平面２６ａ，第２平面２６ｂ，第３平面２６ｃにはそれぞれ多数の第２引き出し穴２４が形成されている。
このような減速電極２２の形状から、加速電極２１と減速電極２２との隙間が第１平面２６ａ，第２平面２６ｂ，第３平面２６ｃのそれぞれにおいて異なることになる。減速電極２２は中央部に向かって凹形状となっているため、第１平面２６ａが加速電極２１に一番近く、第３平面２６ｃが加速電極２１に一番遠い配置になっている。
【００３１】
図１に戻り、加速電極２１には加速電源３５が接続され、減速電極２２には減速電源３６が接続されている。加速電源３５からは５００Ｖから２０００Ｖの間の電圧が加速電極２１に印加され、減速電源３６からは−１００Ｖから−５００Ｖの間の電圧が減速電極２２に印加される。
これらの加速電極２１および減速電極２２に印加する電圧を調整することによって、引き出し電極２０から引き出されるイオンビームのエネルギーを調整することができる。
また、引き出し電極２０として、接地電極を被加工物側に設けてもよい。接地電極は接地、または接地に対して−１００Ｖ未満の電圧が印加されるものであり、イオンビームの安定的な引き出しに効果がある。
【００３２】
そして、処理室３０にはマイクロ波プラズマニュートライザー３１が配置されている。
マイクロ波プラズマニュートライザー３１は、引き出し電極２０の下流にマイクロ波放電によるプラズマを生成する。この、マイクロ波放電によるプラズマは、基板などの被加工物の表面にイオンビームが照射されて帯電するのを防止するための電子供給源として用いられる。
【００３３】
処理室３０には、排気装置（図示せず）が接続され、処理室３０およびそれに連結されるプラズマ拡張室１４、高周波プラズマ室１１を減圧状態に保つことが可能である。
そして、処理室３０には基板などの被加工物を保持する基板ホルダー３２が設置されている。基板ホルダー３２は円板状に形成され、基板ホルダー３２の中心部に軸が設けられて軸を中心に回転可能に形成されている。また、基板ホルダー３２は、被加工物の材質により所望の加工速度（ミリングレート）に合わせて、イオンビームに対して傾いて配置されている。
【００３４】
さらに、引き出し電極２０と基板ホルダー３２との間に、シャッターを設けても良い。
シャッターは基板ホルダー３２に保持された被加工物に対してイオンビームを照射するときにはシャッターを開き、イオンビームを照射しないときにはシャッターを閉じてイオンビームの照射を制御することができる。
なお、処理室３０はイオンビームの導入の安定性を確保するために電気的に接地された状態となっている。
【００３５】
＜イオンミリング装置の動作＞
次に、上記のイオンミリング装置１の動作について説明する。
排気装置により、処理室３０、プラズマ生成室１０、が排気され、その後、一定流量の放電ガスが各イオンガンの高周波プラズマ室１１に供給される。そして、高周波コイル１３に高周波電力を印加すると、放電ガスが放電しプラズマが高周波プラズマ室１１に生成する。生成されたプラズマはプラズマ拡張室１４に拡張する。プラズマ拡張室１４からイオンが引き出し電極２０を用いてイオンビームとして処理室３０に引き出される。
処理室３０に導入されたイオンビームは、回転する基板ホルダー３２に保持された被加工物に照射してイオンミリング加工が行われる。
本実施形態では、加速電極２１と減速電極２２の間の隙間が第１平面２６ａで加速電極２１に一番近く、第３平面２６ｃで加速電極２１に一番遠い配置になっている。
このため、イオンミリング加工された基板４０は、図３に示すように、段差部４２ａ，４２ｂを有する凸形状となる。
【００３６】
＜イオンビームの引き出しについて＞
ここで、本実施形態の引き出し電極からのイオンビームの引き出しについて詳細に説明する。
図４は、引き出し電極を用いてプラズマ雰囲気からイオンを引き出すことを説明する模式図である。
【００３７】
図４（ａ）に示すように、第１引き出し穴２３が形成された加速電極２１と、第２引き出し穴２４が形成された減速電極２２とは、両者の直交距離Ｈ１を隔てて平行に配置されている。加速電極２１には正（＋）の電圧が印加され、減速電極２２には負（−）の電圧が印加されている。このため、加速電極２１と減速電極２２との間には電位差が生じている。
この電極間の等電位線Ｌについて考察すると、平行平板の電極が対向している部分では、電極に沿って平行な等電位線Ｌとなり、電位差が大きいと等電位線の密度が高くなる。そして、第１引き出し穴２３および第２引き出し穴２４が形成された部分では、等電位線Ｌが変形し、電極間の中央を挟んで各引き出し穴に近い方に引き寄せられたように、曲線状の等電位線Ｌとなる。
なお、等電位線とは電場中で電位が一定となる点を結んだ仮想の線のことである。
【００３８】
このような状態において、加速電極２１の減速電極２２と対向する面とは反対の面の側にプラズマ雰囲気４が生成されていると、イオン５が加速電極２１の第１引き出し穴２３に引き寄せられ、等電位線Ｌと直交する電場（電界）に沿って移動する。
このことから、イオン５はプラズマ雰囲気４から加速電極２１の第１引き出し穴２３を経て減速電極２２の第２引き出し穴２４からイオンビーム６として放出される。
【００３９】
次に、図４（ｂ）に示すように、加速電極２１と減速電極２２との間の隙間が大きくなった場合について説明する。
加速電極２１と減速電極２２との直交距離Ｈ２は、図４（ａ）で説明した直交距離Ｈ１に対して、Ｈ１＜Ｈ２の関係にある。また、加速電極２１の減速電極２２との間には図４（ａ）で説明したのと同じ電位差が生じているものとする。
このとき、加速電極２１と減速電極２２との間の等電位線Ｌは、上記図４（ａ）と同様な等電位線Ｌとなるが、電極間の直交距離が大きくなるため等電位線Ｌの密度が低くなる。
【００４０】
このような状態において、加速電極２１の減速電極２２と対向する面とは反対の面の側にプラズマ雰囲気４が生成されていると、イオン５はプラズマ雰囲気４から加速電極２１の第１引き出し穴２３を経て減速電極２２の第２引き出し穴２４からイオンビーム６として放出されるが、等電位線Ｌの密度が低いため放出されるイオン５の量も低下する。
【００４１】
次に、本実施形態における電極表面に段差部を設けて電極間の隙間寸法を変化させることでイオン放出量を制御する例について説明する。
図５は引き出し電極の隙間と基板のイオンミリング加工について説明する模式図である。
引き出し電極２０は、加速電極２１と減速電極２２が隙間を隔てて対向配置されている。減速電極２２の加速電極２１と対向する面には減速電極２２の厚み方向に段差となる段差部２５ａ，２５ｂ，２５ｃが設けられ、第１引き出し穴２３と第２引き出し穴２４との隙間寸法が異なるように形成されている。詳しくは、加速電極２１の第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと、減速電極２２の第２引き出し穴２４とのエッジ２４ａとの間の直交距離が異なるように構成されている。
【００４２】
減速電極２２には、段差部２５ａに繋がる第１平面２６ａと、段差部２５ｂに繋がる第２平面２６ｂと、段差部２５ｃに繋がる第３平面２６ｃが形成されている。そして、第１平面２６ａ、第２平面２６ｂ、第３平面２６ｃは加速電極２１と対向している。
第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと第１平面２６ａに形成された第２引き出し穴２４とのエッジ２４ａとの間の直交距離ｈ１、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと第２平面２６ｂに形成された第２引き出し穴２４のエッジ２４ａとの間の直交距離ｈ２、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと第３平面２６ｃに形成された第２引き出し穴２４とのエッジ２４ａとの間の直交距離ｈ３、とすると、ｈ１＜ｈ２＜ｈ３の関係にある。
【００４３】
加速電極２１と減速電極２２の間には電位差が生じており、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと第２引き出し穴２４のエッジ２４ａとの間の直交距離ｈ１，ｈ２，ｈ３に応じてイオン放出がなされる。つまり、直交距離の小さい方が、イオンの放出量が多くなる。
このことから、例えば、図５に示すように、それぞれのイオンビーム６に対応して加工部分を除きレジスト４１を塗布した基板４０では、イオンビーム６による基板の加工量がそれぞれ異なることになる。
直交距離の小さい第２引き出し穴２４からはイオン放出量が多く、基板４０を深く加工ができる。直交距離の大きい第２引き出し穴２４からはイオン放出量が少なく、基板４０の加工は浅くなる。
【００４４】
以上、本実施形態のイオンミリング装置１は、加速電極２１の第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと、減速電極２２の第２引き出し穴２４のエッジ２４ａとの間の直交距離が異なるものを含んでいる。減速電極２２の加速電極２１と対向する面には、第２引き出し穴２４の周縁部に減速電極２２の厚み方向に段差部２５ａ，２５ｂ，２５ｃが設けられている。
このため、第１引き出し穴２３と第２引き出し穴２４との直交距離が小さい場合には等電位線Ｌの密度が高く、この直交距離が大きい場合には等電位線Ｌの密度が低くなる。
加速電極２１と減速電極２２との間の等電位線Ｌの密度が高い場合、多くのイオン５を引き出すことができ、等電位線Ｌの密度が低い場合は引き出すイオン５が少ない。
このようにして、イオン５を放出する第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと第２引き出し穴２４のエッジ２４ａの間の直交距離を異ならせることで、引き出し穴からのイオン放出量を制御でき、１回の加工で深さの異なるイオンミリング加工をすることが可能となる。
【００４５】
例えば、本実施形態のイオンミリング装置を用いて、１つの基板内に深さの異なる溝を形成するなど複雑なパターンを形成することができる。
なお、本実施形態では減速電極２２の厚み方向に段差部２５ａ，２５ｂ，２５ｃを設けたが、逆に加速電極２１の厚み方向に段差部を設けても良い。さらに、両者の電極に段差部を設けて電極間の直交距離を変化させてもよい。
（第１実施形態の変形例）
【００４６】
次に、第１実施形態のおけるイオンミリング装置の変形例について説明する。
本変形例では引き出し電極の形状のみが第１実施形態と異なり、この引き出し電極について説明する。
【００４７】
図６は第１実施形態の変形例における引き出し電極の構成を示す模式図である。
引き出し電極２０は、加速電極２１と減速電極２２を備え、両者は隙間を隔てて対向配置されている。そして、加速電極２１にはイオンビーム６が通過する第１引き出し穴２３が形成され、減速電極２２にはイオンビーム６が通過する第２引き出し穴２４が形成されている。
減速電極２２の加速電極２１と対向する面は、加速電極２１に向かって凸となるように曲面Ｒで形成されている。この曲面Ｒには第２引き出し穴２４が形成され、第１引き出し穴２３と第２引き出し穴２４との隙間が異なるものが含まれている。詳しくは、加速電極２１の第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと減速電極２２の第２引き出し穴２４とのエッジ２４ａとの間の直交距離が異なる。
【００４８】
本変形例では、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと減速電極２２の中央部に形成された第２引き出し穴２４とのエッジ２４ａとの間の直交距離ｈ１１、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと減速電極２２の周辺に形成された第２引き出し穴２４のエッジ２４ａとの間の直交距離ｈ１２、ｈ１３、とすると、ｈ１１＜ｈ１２＝ｈ１３の関係にある。
【００４９】
加速電極２１と減速電極２２の間には電位差が生じており、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと第２引き出し穴２４とのエッジ２４ａの間の直交距離ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３に応じてイオン放出がなされる。つまり、加速電極２１に一番近い中央部はイオンの放出量が多く、他はそれに比べてイオン放出量が少ない。
このことから、例えば、基板４０にイオンビーム６を照射して加工すると、中央部は加工量が多く、その周辺は加工量が少なく減速電極２２の曲面Ｒが転写されたような凹部が形成される。
【００５０】
このように、加速電極２１と向かい合う減速電極２２の面に曲面Ｒを設けることで、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと第２引き出し穴２４のエッジ２４ａとの間の直交距離を１組の引き出し電極２０の中で変えることができる。そして、この直交距離に応じたイオンビーム６による加工量を確保することができる。
【００５１】
なお、本変形例では減速電極２２を加速電極２１に向かって凸形状の曲面としたが、凹形状の曲面としてもよい。この場合、中央部の加工が少なく中央部が凸となる形状に加工することができる。このように、被加工物を任意の形状に加工することが可能である。
また、本変形例では減速電極２２の表面に曲面Ｒを設けたが、逆に加速電極２１に曲面Ｒを設けても良い。さらに、両者の電極に曲面Ｒを設けて電極間の直交距離を変化させてもよい。
（第２実施形態）
【００５２】
次に第２実施形態のイオンミリング装置について説明する。本実施形態では引き出し電極の構成のみが第１実施形態と異なるため、引き出し電極について説明し、他の構成要素の説明は省略する。
【００５３】
図７は第２実施形態における引き出し電極の構成を示す模式図である。図８は第２引き出し穴と絶縁パターンの構成を示す平面図である。
引き出し電極２０は、加速電極２１と減速電極２２を備え、両者は隙間を隔てて対向配置されている。そして、加速電極２１にはイオンビーム６が通過する第１引き出し穴２３が形成され、減速電極２２にはイオンビーム６が通過する第２引き出し穴２４が形成されている。
【００５４】
減速電極２２は導電性の導電基板２２ａと、加速電極２１と対向する面に形成された絶縁パターン２２ｂから構成されている。導電基板２２ａはステンレススチール、アルミニウム、高密度カーボンなどの材料で形成されている。
絶縁パターン２２ｂは、図８に示すように、一部の第２引き出し穴２４の外縁部に同心円状に形成されている。また、同心円の大きさも異なるように形成されている。この絶縁パターン２２ｂは、酸化シリコンなどの薄膜にフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングされている。
【００５５】
第２引き出し穴２４の外周縁に絶縁パターン２２ｂが形成されていないところでは、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと第２引き出し穴２４とのエッジ２４ａとの間が電位差のかかる直交距離ｈ２１となる。
これに対して、第２引き出し穴２４の外周縁に絶縁パターン２２ｂが形成されているところでは、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａからの直交距離である絶縁パターン２２ｂの外周の導電基板２２ａとの境部２４ｂとの間が電位差のかかる直交距離ｈ２２となる。そして、直交距離は、ｈ２１＜ｈ２２となる関係にある。
このように、第２引き出し穴２４の外周縁に絶縁パターン２２ｂを形成することで、引き出し電極２０の中で直交距離が異なるように構成することができる。
【００５６】
ここで、本実施形態の引き出し電極からイオンビームの引き出しについて詳細に説明する。
図９はプラズマ雰囲気からイオンの引き出しを説明する模式図である。
図９（ａ）に示すように、第１引き出し穴２３が形成された加速電極２１と、第２引き出し穴２４が形成された減速電極２２とは、両者の電位差がかかる直交距離Ｈ１を隔てて平行に配置されている。
この電極間の等電位線Ｌについて考察すると、平行平板の電極が対向している部分では、電極に沿って平行な等電位線Ｌとなり、第１引き出し穴２３および第２引き出し穴２４が形成された部分では、中央を挟んで各引き出し穴に近い方に引き寄せられた曲線状の等電位線Ｌとなる。
【００５７】
これに対して、図９（ｂ）に示すように、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａから絶縁パターン２２ｂの外周の導電基板２２ａとの境との間が電位差のかかる直交距離Ｈ２となる。この直交距離はＨ１＜Ｈ２となり、電極間の隙間寸法が大きくなった効果がある。つまり、加速電極２１と減速電極２２との間の等電位線Ｌは、上記図９（ａ）と比べて等電位線Ｌの密度が低くなる。
【００５８】
このような状態において、加速電極２１の減速電極２２と対向する面とは反対の面の側にプラズマ雰囲気４が生成されていると、イオン５はプラズマ雰囲気４から加速電極２１の第１引き出し穴２３を経て減速電極２２の第２引き出し穴２４からイオンビーム６として放出されるが、等電位線Ｌの密度が低いため放出されるイオン５の量は図９（ａ）の状態と比べて低下する。
【００５９】
このことから、例えば、図７に示すように、それぞれのイオンビーム６に対応して加工部分を除きレジスト４１を塗布した基板４０では、イオンビーム６による基板の加工量がそれぞれ異なることになる。
直交距離の小さい第２引き出し穴２４からはイオン放出量が多く、基板４０を深く加工ができる。直交距離の大きい第２引き出し穴２４からはイオン放出量が少なく、基板４０の加工は浅くなる。
このようにして、第２引き出し穴２４の外周縁に絶縁パターン２２ｂを形成することで、引き出し穴からのイオン放出量を制御でき、１回の加工で深さの異なるイオンミリング加工をすることが可能となる。
なお、本変形例では減速電極２２の表面に絶縁パターン２２ｂを設けたが、逆に加速電極２１に絶縁パターン２２ｂを設けても良い。
（第２実施形態の変形例）
【００６０】
次に、第２実施形態のおけるイオンミリング装置の変形例について説明する。
本変形例では引き出し電極の形状のみが第２実施形態と異なり、この引き出し電極について説明する。
本変形例では、減速電極に段差部と絶縁パターンを設けることで、イオン放出量の制御を行う。
【００６１】
図１０は、第２実施形態の変形例における引き出し電極の構成を示す模式図である。
引き出し電極２０は、加速電極２１と減速電極２２を備え、両者は隙間を隔てて対向配置されている。減速電極２２の加速電極２１と対向する面には段差部２５ａ，２５ｂ，２５ｃが設けられ、第１引き出し穴２３と第２引き出し穴２４との隙間寸法が異なるように形成されている。さらに、一部の第２引き出し穴２４の外周縁には絶縁パターン２２ｂが形成されている。絶縁パターン２２ｂは第２引き出し穴２４と同心円状に設けられている。また、同心円の大きさも異なるように形成されている。
【００６２】
第２引き出し穴２４の外周縁に絶縁パターン２２ｂが形成されていないところでは、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと第２引き出し穴２４のエッジ２４ａとの間が電位差のかかる直交距離ｈ３１となる。
これに対して、第２引き出し穴２４の外周縁に絶縁パターン２２ｂが形成されているところでは、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａから絶縁パターン２２ｂの外周の導電基板２２ａとの境との間が電位差のかかる直交距離ｈ３２，３３となる。そして、直交距離は、ｈ３１＜ｈ３２＜ｈ３３となる関係にある。
このように、減速電極２２に段差部２５ａ，２５ｂ，２５ｃを設け、さらに第２引き出し穴２４の外周縁に絶縁パターン２２ｂを形成することで、引き出し電極２０の中で直交距離が異なるように構成することができる。
【００６３】
加速電極２１と減速電極２２の間には電位差が生じており、第１引き出し穴２３のエッジとの間の直交距離ｈ３１，ｈ３２，ｈ３３に応じてイオン放出がなされる。つまり、直交距離の小さい方が、イオンの放出量が多くなる。
このことから、例えば、図１０に示すように、それぞれのイオンビーム６に対応して加工部分を除きレジスト４１を塗布した基板４０では、イオンビーム６による基板の加工量がそれぞれ異なることになる。
直交距離の小さい第２引き出し穴２４からはイオン放出量が多く、基板４０を深く加工ができる。直交距離の大きい第２引き出し穴２４からはイオン放出量が少なく、基板４０の加工は浅くなる。
このように、本変形例では第１、第２実施形態と同様な効果を有することができる。
（第３実施形態）
【００６４】
次に第３実施形態のイオンミリング装置について説明する。本実施形態では引き出し電極の構成のみが第１実施形態と異なるため、引き出し電極について説明し、他の構成要素の説明は省略する。
【００６５】
図１１は第２実施形態における引き出し電極の構成を示す模式図である。
引き出し電極２０は、加速電極２１と減速電極２２を備え、両者は隙間を隔てて対向配置されている。そして、加速電極２１にはイオンビーム６が通過する第１引き出し穴２３が形成され、減速電極２２にはイオンビーム６が通過する第２引き出し穴２４が形成されている。
【００６６】
減速電極２２は絶縁性の絶縁基板２２ｃと、加速電極２１と対向する面に形成された導電パターン２２ｄから構成されている。絶縁基板２２ｃはアルミナなどの材料で形成されている。
導電パターン２２ｄは、第２引き出し穴２４の外縁部に同心円状に形成されている。一部の導電パターン２２ｄは、第２引き出し穴２４の外周縁に沿って形成され、他の導電パターン２２ｄは、第２引き出し穴２４の外周縁から隙間をあけて同心円状に形成されている。この導電パターン２２ｄは、金などの導電材料がメッキまたは印刷などにより形成されている。
【００６７】
第２引き出し穴２４の外周縁に沿って導電パターン２２ｄが形成されているところでは、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと導電パターン２２ｄの端部２４ｃとの間が電位差のかかる直交距離ｈ４１となる。
これに対して、第２引き出し穴２４の外周縁から離れて導電パターン２２ｄが形成されているところでは、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａから導電パターン２２ｄの端部２４ｃとの間が電位差のかかる直交距離ｈ４２となる。そして、直交距離は、ｈ４１＜ｈ４２となる関係にある。
このように、第２引き出し穴２４の外周縁およびその周辺に導電パターン２２ｄを形成することで、引き出し電極２０の中で直交距離が異なるように構成することができる。
【００６８】
ここで、本実施形態の引き出し電極からのイオンビームの引き出しについて詳細に説明する。
図１２はプラズマ雰囲気からイオンの引き出しを説明する模式図である。
図１２（ａ）に示すように、第１引き出し穴２３が形成された加速電極２１と、第２引き出し穴２４が形成された減速電極２２とは、両者の電位差がかかる直交距離Ｈ１を隔てて平行に配置されている。第２引き出し穴２４の外周に沿って導電パターン２２ｄが形成されているため、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと、導電パターン２２ｄの端部２４ｃとの間が直交距離Ｈ１となる。
この電極間の等電位線Ｌについて考察すると、平行平板の電極が対向している部分では、電極に沿って平行な等電位線Ｌとなり、第１引き出し穴２３および第２引き出し穴２４が形成された部分では、中央を挟んで各引き出し穴に近い方に引き寄せられた曲線状の等電位線Ｌとなる。
【００６９】
これに対して、図１２（ｂ）に示すように、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａから導電パターン２２ｄの端部２４ｃとの間が電位差のかかる直交距離Ｈ２となる。この直交距離はＨ１＜Ｈ２となり、電極間の隙間寸法が大きくなった効果がある。つまり、加速電極２１と減速電極２２との間の等電位線Ｌは、上記図９（ａ）と比べて等電位線Ｌの密度が低くなる。
【００７０】
このような状態において、加速電極２１の減速電極２２と対向する面とは反対の面の側にプラズマ雰囲気４が生成されていると、イオン５はプラズマ雰囲気４から加速電極２１の第１引き出し穴２３を経て減速電極２２の第２引き出し穴２４からイオンビーム６として放出されるが、等電位線Ｌの密度が低いため放出されるイオン５の量は図１２（ａ）の状態と比べて低下する。
【００７１】
このことから、例えば、図１１に示すように、それぞれのイオンビーム６に対応して加工部分を除きレジスト４１を塗布した基板４０では、イオンビーム６による基板の加工量がそれぞれ異なることになる。
直交距離の小さい第２引き出し穴２４からはイオン放出量が多く、基板４０を深く加工ができる。直交距離の大きい第２引き出し穴２４からはイオン放出量が少なく、基板４０の加工は浅くなる。
このようにして、第２引き出し穴２４の外周縁およびその周辺に導電パターン２２ｄを形成することで、引き出し穴からのイオン放出量を制御でき、１回の加工で深さの異なるイオンミリング加工をすることが可能となる。
なお、本変形例では減速電極２２の表面に導電パターン２２ｄを設けたが、逆に加速電極２１を絶縁基板で構成し、その表面に導電パターン２２ｄを設けても良い。
（第３実施形態の変形例）
【００７２】
次に、第３実施形態のおけるイオンミリング装置の変形例について説明する。
本変形例では引き出し電極の形状のみが第２実施形態と異なり、この引き出し電極について説明する。
本変形例では、減速電極に段差部と導電パターンを設けることで、イオン放出量の制御を行う。
【００７３】
図１３は、第３実施形態の変形例における引き出し電極の構成を示す模式図である。
引き出し電極２０は、加速電極２１と減速電極２２を備え、両者は隙間を隔てて対向配置されている。減速電極２２の加速電極２１と対向する面には段差部２５ａ，２５ｂ，２５ｃが設けられ、第１引き出し穴２３と第２引き出し穴２４との隙間寸法が異なるように形成されている。さらに、第２引き出し穴２４の外周縁またはその周辺には導電パターン２２ｄが形成されている。減速電極２２には第２引き出し穴２４の外周縁に沿って導電パターン２２ｄが設けられ箇所と、第２引き出し穴２４の外周縁から間隔をあけて同心円状に導電パターン２２ｄが設けられる箇所とを有している。
【００７４】
第２引き出し穴２４の外周縁に導電パターン２２ｄが形成されているところでは、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａと導電パターン２２ｄの端部２４ｃとの間が電位差のかかる直交距離ｈ５１となる。
これに対して、第２引き出し穴２４の外周縁から間隔をあけて導電パターン２２ｄが形成されているところでは、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａから導電パターン２２ｄの端部２４ｃとの間が電位差のかかる直交距離ｈ５２，５３となる。そして、直交距離は、ｈ５１＜ｈ５２＜ｈ５３となる関係にある。
このように、減速電極２２に段差部２５ａ，２５ｂ，２５ｃを設け、さらに第２引き出し穴２４の外周縁に導電パターン２２ｄを形成することで、引き出し電極２０の中で直交距離が異なるように構成することができる。
【００７５】
加速電極２１と減速電極２２の間には電位差が生じており、第１引き出し穴２３のエッジ２３ａとの間の直交距離ｈ５１，ｈ５２，ｈ５３に応じてイオン放出がなされる。つまり、直交距離の小さい方が、イオンの放出量が多くなる。
このことから、例えば、図１３に示すように、それぞれのイオンビーム６に対応して加工部分を除きレジスト４１を塗布した基板４０では、イオンビーム６による基板の加工量がそれぞれ異なることになる。
直交距離の小さい第２引き出し穴２４からはイオン放出量が多く、基板４０を深く加工ができる。直交距離の大きい第２引き出し穴２４からはイオン放出量が少なく、基板４０の加工は浅くなる。
このように、本変形例では第１、第２、第３実施形態と同様な効果を有することができる。
【００７６】
なお、第１、第２、第３実施形態ではイオンミリング加工を行う実施形態を説明したが、このイオンミリング装置を用いて基板表面の親水処理や撥水処理などの表面処理を行うことも可能である。
本発明によれば、例えば、撥水処理において所定の部分は強い撥水処理を行い、他の部分は弱い撥水処理を行うなど、処理の強弱を同時に施すことができる。
【００７７】
本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更することができる。そして、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有するものにより可能である。
【符号の説明】
【００７８】
１…イオンミリング装置、４…プラズマ雰囲気、５…イオン、６…イオンビーム、１０…プラズマ生成室、１１…高周波プラズマ室、１２…石英円筒管、１３…高周波コイル、１４…プラズマ拡張室、１５ａ，１５ｂ…永久磁石、１６…高周波電源、１７…ガス導入口、２０…引き出し電極、２１…加速電極、２２…減速電極、２２ａ…導電基板、２２ｂ…絶縁パターン、２２ｃ…絶縁基板、２２ｄ…導電パターン、２３…第１引き出し穴、２３ａ…第１引き出し穴のエッジ、２４…第２引き出し穴、２４ａ…第２引き出し穴のエッジ、２４ｂ…境部、２４ｃ…導電パターンの端部、２５ａ，２５ｂ，２５ｃ…段差部、２６ａ…第１平面、２６ｂ…第２平面、２６ｃ…第３平面、３０…処理室、３１…マイクロ波プラズマニュートライザー、３２…基板ホルダー、３５…加速電源、３６…減速電源、３８…電極取り付け板、４０…基板、４１…レジスト、４２ａ，４２ｂ…段差部、Ｈ１，Ｈ２…直交距離、ｈ１，ｈ２，ｈ３…直交距離、Ｌ…等電位線、Ｒ…曲面。
【図１】
2013137870.tif 000003
【図２】
2013137870.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2013137870.tif 000009
【図８】
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【図９】
2013137870.tif 000011
【図１０】
2013137870.tif 000012
【図１１】
2013137870.tif 000013
【図１２】
2013137870.tif 000014
【図１３】
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