(57)【要約】【課題】ＩＴＯ膜の形成に好適なさらなる高密度化と成分の均一性に優れたＩＴＯ焼結体、このＩＴＯ焼結体の原材料として好適な酸化スズ粉末、酸化スズと酸化インジウムとの混合粉末を提供する。【解決手段】酸化スズ原料粉末を、湿式ビーズミルで、Ｄ５０が０．４μｍを超えて１．１μｍ以下の範囲、Ｄ９０が２．５μｍ以下、かつ、ＢＥＴ比表面積が１３ｍ2／ｇ以上となるまで粉砕し、得られた酸化スズ粉末と酸化インジウム粉末とを混合した混合粉末スラリーを、湿式ビーズミルで、Ｄ５０が０．４μｍを超えて０．５μｍ以下の範囲、Ｄ９０が１．０μｍ以下、かつ、ＢＥＴ比表面積が１２．３ｍ2／ｇ以上となるまで粉砕する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒度分布から求めたメジアン径が０．４μｍを超えて１．１μｍ以下の範囲にあり、粒度分布から求めた粒子全体の９０％を含む粒径が２．５μｍ以下であり、かつ、ＢＥＴ比表面積が１３ｍ2／ｇ以上であることを特徴とする、ＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化スズ粉末。
【請求項２】
酸化スズ原料粉末を、湿式ビーズミルを用いて、粒度分布から求めたメジアン径が０．４μｍを超えて１．１μｍ以下の範囲、粒度分布から求めた粒子全体の９０％を含む粒径が２．５μｍ以下、かつ、ＢＥＴ比表面積が１３ｍ2／ｇ以上となるまで粉砕し、得られた酸化スズ粉末と、酸化インジウム粉末とを混合してスラリーとし、湿式ビーズミルを用いて、得られた混合粉末スラリーを、混合粉末の粒度分布から求めたメジアン径が０．４μｍを超えて０．５μｍ以下の範囲、粒度分布から求めた粒子全体の９０％を含む粒径が１．０μｍ以下、かつ、ＢＥＴ比表面積が１２．３ｍ2／ｇ以上となるまで粉砕することを特徴とする、ＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化スズおよび酸化インジウムの混合粉末の製造方法。
【請求項３】
前記酸化スズ原料粉末として、金属スズを硝酸に反応させて、水酸化スズを沈澱させ、得られた沈殿物を濾別回収して乾燥し、焼成することにより得られた、粒度分布から求めたメジアン径が１．５μｍ〜１．８μｍの範囲にあり、粒度分布から求めた粒子全体の９０％を含む粒径が５．０μｍ以下であり、かつ、ＢＥＴ比表面積が１１．０ｍ2／ｇ以上である粉末を用いる、請求項２に記載のＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化スズおよび酸化インジウムの混合粉末の製造方法。
【請求項４】
請求項２または３に記載の製造方法により得られ、粒度分布から求めたメジアン径が０．４μｍを超えて０．５μｍ以下の範囲にあり、粒度分布から求めた粒子全体の９０％を含む粒径が１．０μｍ以下であり、かつ、ＢＥＴ比表面積が１２．３ｍ2／ｇ以上であることを特徴とする、ＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化スズおよび酸化インジウムの混合粉末。
【請求項５】
請求項４に記載のＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化スズおよび酸化インジウムの混合粉末を成形し、焼結することにより得られ、質量と体積から計算した密度で、７．１４０ｇ／ｃｍ3以上である、ＩＴＯスパッタリングターゲット用焼結体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＴＯスパッタリングターゲットの原材料の１つとしての酸化スズ粉末、および、該酸化スズ粉末を用いたＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化スズおよび酸化インジウムの混合粉末の製造方法、さらには、該混合粉末を原材料として用いて得られ、加工によりＩＴＯスパッタリングターゲットとして使用されるＩＴＯ焼結体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム）膜は、高い導電性と高い可視光透過性を併せ持つため、太陽電池、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネルなどの透明電極や、窓ガラス用結露防止発熱膜などのように、透明導電膜を必要とするさまざまな用途に広く用いられている。
【０００３】
このようなＩＴＯ膜を製造する方法として、スパッタリング法、真空蒸着法、ゾル・ゲル法、クラスタービーム蒸着法、ＰＬＤ（パルスレーザ堆積）などの方法が挙げられるが、これらの中でも、マグネトロンスパッタリング法を含むスパッタリング法が、大面積基板上に低抵抗な膜を比較的低温で作製できるため、工業的に広く用いられている。
【０００４】
スパッタリング法による膜の形成は、陰極に設置したスパッタリングターゲット（以下、「ターゲット」と称する）にＡｒイオンなどの正イオンを物理的に衝突させ、その衝突エネルギで、ターゲットを構成する材料を放出させて、対面している陽極側の基板に、ターゲット材料とほぼ同組成の膜を積層することによって行われる。
【０００５】
スパッタリング法による被覆法は、処理時間や供給電力などを調節することによって、安定した成膜速度で、数十ｎｍの薄い膜から数十μｍの厚い膜まで形成できるという特徴を有している。
【０００６】
ＩＴＯ膜を形成する場合に、特に問題となるのは、ＩＴＯターゲットのエロージョン部やその周辺にノジュールと呼ばれる異常突起物が発生することである。このノジュールが発生すると、スパッタリングレートの低下や異常放電（マイクロアーキング）を引き起こし、著しく生産性を低下させてしまう。
【０００７】
また、ノジュールや異常放電に起因して、スパッタリングチャンバ内に、粗大化した粒子（パーティクル）が浮遊するようになり、これが生成した薄膜に再付着して、薄膜の欠陥（ピンホール）や突起物の原因となり、膜の品質を低下させるという問題が発生する。
【０００８】
ノジュールの発生を抑える対策としては、一般的にターゲットの密度を上げ、ターゲット中の空孔を減少させることが知られている。ターゲットの密度向上には、焼結体の原料粉末となる酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を微細化し、それぞれの分散性を上げることにより、ターゲット中の組成のばらつきを減少させることが効果的である。これは、酸化スズが絶縁性であるため、酸化スズ粉末の分散性が悪いと、成膜時にターゲット表面にノジュールとして出現し、膜組成が不均一になる要因となるからである。
【０００９】
また、原料粉末中に粗大粒子が存在すると、成形体中で空孔を作る原因になり、これが焼結体中に残存してしまい、焼結体の高密度化を阻害する要因となる。
【００１０】
酸化スズ粉末を微細化するためには、原料粉末を機械的に粉砕する方法が、最も簡便かつ低コストである。特にＩＴＯターゲット用の焼結体を得るための酸化スズおよび酸化インジウムの混合粉末を得るためには、それぞれの原料粉末を粉砕するに際して、メディア攪拌型の粉砕機を使用することが好ましく、原料粉末の凝集を制御するのに容易な湿式ビーズミルを使用することが最適である。
【００１１】
このビーズミルにおいて粉砕動力またはパス回数を増すと、より微粉化するが、余り強すぎると粉砕量の制御が困難となり、逆に弱すぎるとビーズミル内のビーズとスラリーの動きが悪くなって、粉砕効率が著しく低下するため、適度な強さに制御して粉砕を行うことが要求される。
【００１２】
ＩＴＯターゲットの原料粉末である酸化インジウム粉末については、粗い粒子の粉砕は容易であるが、酸化スズ粉末は、固く、凝集性が強いため、酸化インジウム粉末に比べて、その粉砕が難しくなる。したがって、酸化インジウムと酸化スズを同時に投入して粉砕を行う場合には、粗い粒子が残らないように、粉砕条件を酸化スズに合わせて行っている。このため、混合粉砕では、スラリー中の酸化インジウム粉末は、過剰に粉砕されることとなり、かつ、粉砕時間も余分に必要とされることとなる。
【００１３】
以上のことから、ＩＴＯ膜の形成には、成分が均一で、かつ、高密度の焼結体ターゲットを得ることが必要であるが、これらの要求に満足できる最適な酸化スズ粉末および高密度のＩＴＯターゲットが得られていないというのが実情である。
【００１４】
このような問題に関して、これまでもさまざまな改善案が提案されており、たとえば、特許第４０２２６７６号公報や特開２００９−２９７０６号公報では、酸化スズ粉末を微細化する改善案が提示されている。
【００１５】
特許第４０２２６７６号公報では、粒度分布から求めたメジアン径（粉体をある粒子径から２つに分けたとき、大きい側と小さい側が等量となる径、Ｄ５０）が０．４μｍ以下であり、かつ、最大粒径が１．０μｍ以下の酸化スズ粉末を用いたＩＴＯターゲットの製造方法が提案されている。しかしながら、メジアン径が０．４μｍ以下と、原料粉末があまりに微細であるため、原料粉末同士が凝集して歪な形状の凝集体として焼結されてしまうため、ＩＴＯターゲットとなるＩＴＯ焼結体中に空孔が生成し、ＩＴＯ焼結体の高密度化が阻害される要因となっている。
【００１６】
また、特開２００９−２９７０６号公報では、ＩＴＯターゲットの原材料となる酸化スズ粉末として、酸化スズ粉末スラリーをビーズミルを用いて粉砕し、粒度分布から求めたメジアン径が０．４０μｍを超えて１．０μｍ以下の範囲にあり、かつ、粒度分布から求めた９０％粒径が３．０μｍ以下の範囲とし、好ましくは粒度分布から求めたメジアン径が０．４０μｍ〜０．６０μｍの範囲にあり、かつ、粒度分布から求めた９０％粒径が１．０μｍ以下の範囲としたものを用いて、７．１２ｇ／ｃｍ3（相対密度９９．４％〜９９．５％）以上、具体的には７．１３０ｇ／ｃｍ3の高密度（相対密度９９．５％〜９９．６％）、かつ、高品質のＩＴＯ焼結体を得ることが開示されている。しかしながら、この方法では、この実証値を超える高密度化は困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特許第４０２２６７６号公報
【特許文献２】特開２００９−２９７０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、ＩＴＯ膜の形成に好適なさらなる高密度化と成分の均一性に優れたＩＴＯ焼結体、および、このような優れた特性を備えたＩＴＯ焼結体を得ることを可能とする、その原材料としての酸化スズ粉末とその製造方法を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題に対して、本発明者は鋭意検討を行い、ＩＴＯ焼結体の密度と成分の均一性に、原材料となる酸化スズ粉末の粒径だけでなく、そのＢＥＴ比表面積が影響を及ぼしているとの知見、および、酸化スズ粉末のＢＥＴ比表面積を厳密に管理することにより、この酸化スズ粉末を用いることにより、ＩＴＯ膜の成膜用のスパッタリングターゲットとして適した高密度のＩＴＯ焼結体が得られるとの知見を得て、本発明を完成したものである。
【００２０】
すなわち、本発明のＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化スズ粉末は、粒度分布から求めたメジアン径が０．４μｍを超えて１．１μｍ以下の範囲にあり、粒度分布から求めた粒子全体の９０％を含む粒径が２．５μｍ以下であり、かつ、ＢＥＴ比表面積が１３ｍ2／ｇ以上であることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明のＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化スズおよび酸化インジウムの混合粉末の製造方法は、酸化スズ原料粉末を、湿式ビーズミルを用いて、粒度分布から求めたメジアン径が０．４μｍを超えて１．１μｍ以下の範囲、粒度分布から求めた粒子全体の９０％を含む粒径が２．５μｍ以下、かつ、ＢＥＴ比表面積が１３ｍ2／ｇ以上となるまで粉砕し、得られた酸化スズ粉末と、酸化インジウム粉末とを混合してスラリーとし、湿式ビーズミルを用いて、得られた混合粉末スラリーを、混合粉末の粒度分布から求めたメジアン径が０．４μｍを超えて０．５μｍ以下の範囲、粒度分布から求めた粒子全体の９０％を含む粒径が１．０μｍ以下、かつ、ＢＥＴ比表面積が１２．３ｍ2／ｇ以上となるまで粉砕することを特徴とする。
【００２２】
前記酸化スズ原料粉末として、金属スズを硝酸に反応させて、水酸化スズを沈澱させ、得られた沈殿物を濾別回収して乾燥し、焼成することにより得られた、粒度分布から求めたメジアン径が１．５μｍ〜１．８μｍの範囲にあり、粒度分布から求めた粒子全体の９０％を含む粒径が５．０μｍ以下であり、かつ、ＢＥＴ比表面積が１１．０ｍ2／ｇ以上である粉末を用いることが好ましい。
【００２３】
さらに、本発明のＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化スズおよび酸化インジウムの混合粉末は、上記本発明の製造方法により得られ、粒度分布から求めたメジアン径が０．４μｍを超えて０．５μｍ以下の範囲にあり、粒度分布から求めた粒子全体の９０％を含む粒径が１．０μｍ以下であり、かつ、ＢＥＴ比表面積が１２．３ｍ2／ｇ以上であることを特徴とする。
【００２４】
本発明のＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化スズおよび酸化インジウムの混合粉末を成形し、焼結することにより、質量と体積から計算した密度で、７．１４０ｇ／ｃｍ3以上と高密度である、本発明のＩＴＯスパッタリングターゲット用焼結体が得られる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の酸化スズ粉末を用いることにより、ＩＴＯ膜の形成に好適な、より高密度で、かつ、成分の均一性に優れたＩＴＯ焼結体を得ることができる。このように優れた特性を備えたＩＴＯ焼結体をＩＴＯターゲットとして用いることにより、ＩＴＯ膜の成膜時において、ＩＴＯターゲットの不均一性に起因するノジュールの発生、このノジュールの発生によるスパッタリングレートの低下や異常放電の発生、さらにはこれらの発生の基づくＩＴＯ膜の品質の低下を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明のＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化スズ粉末は、粒度分布から求めたメジアン径（Ｄ５０）が０．４μｍを超えて１．１μｍ以下の範囲にあり、粒度分布から求めた粒子全体の９０％を含む粒径（Ｄ９０）が２．５μｍ以下であり、かつ、ＢＥＴ比表面積が１３ｍ2／ｇ以上であることを特徴とする。好ましくは、Ｄ５０が０．４μｍを超えて０．５μｍ以下の範囲にあり、Ｄ９０が２．４μｍ以下であり、かつ、ＢＥＴ比表面積が１５ｍ2／ｇ以上である。
【００２７】
従来のＩＴＯスパッタリングターゲットの製造では、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を所定の割合で混合し、得られた混合粉末を、湿式ビーズミルにて、所望の粒度になるまで粉砕することが行われていた。しかしながら、混合粉末スラリーの状態では、酸化インジウムと酸化スズの粉砕具合が判別できないため、相対的な粉砕の困難性に起因して、酸化スズの方が、粒径が大きい状態で存在していると考えられる。この粒径差が焼結時に空孔の原因となり、得られるＩＴＯ焼結体の密度の上昇を阻害しているものと考えられる。そして、このようにＩＴＯ焼結体が十分な密度を得られていないために、このＩＴＯ焼結体をスパッタリングターゲットとして用いたスパッタリング成膜の際にばらつきを生じ、ＩＴＯ膜の品質の低下を招いているといえる。
【００２８】
一方、特開２００９−２９７０６号公報では、最初に酸化スズ粉末スラリーを単独でビーズミルを用いて粉砕し、その後、粉砕後の酸化スズ粉末スラリーを酸化インジウム粉末と混合し、得られた混合スラリーを用いて、混合粉末をさらに混合および粉砕することにより、７．１３０ｇ／ｃｍ3（相対密度９９．５％〜９９．６％）という高密度、かつ、高品質のＩＴＯ焼結体を得ているが、本発明者が検討したところ、当該実証値が密度の上限値であった。
【００２９】
本発明者は、酸化スズ粉末のＢＥＴ比表面積に着目し、鋭意検討したところ、酸化インジウム粉末と混合する際における酸化スズ粉末のＢＥＴ比表面積を１３ｍ2／ｇ以上とすることにより、この酸化スズ粉末を原材料として用いて得られるＩＴＯ焼結体において、７．１３ｇ／ｃｍ3（相対密度９９．５％〜９９．６％）を超える、具体的には７．１４０ｇ／ｃｍ3以上という高密度（相対密度９９．７％〜９９．８％）、かつ、高品質のＩＴＯ焼結体が得られるとの知見を得ることができたのである。これは、酸化スズ粉末のＢＥＴ比表面積を厳格に制御することにより、原料粉末同士の凝集を抑えつつ微細化することができたためと考えられる。すなわち、微細な原料粉は焼結性を向上させるが凝集しやすく、焼結時に空孔となって焼結体の密度を低下させるが、本発明では、上述したようにＢＥＴ比表面積を厳格に制御することで凝集体の発生を抑え、これにより、焼結時に凝集体起因で発生する空孔を抑えることができ、高密度化のさらなる向上が図られたものと考えられる。
【００３０】
酸化スズ粉末の特性について、Ｄ５０が０．４μｍを超えて０．５μｍ以下の範囲、Ｄ９０が２．４μｍ以下、かつ、ＢＥＴ比表面積が１５ｍ2／ｇ以上と好適な範囲となるように調整することにより、原料粉末同士の凝集を抑制できることから、ＩＴＯ焼結体における高密度化のみならず、より高い成分の均一性を達成することができる。
【００３１】
なお、このような特性を備える酸化スズ粉末は、市販の酸化スズ粉末を、Ｄ５０が０．４μｍを超えて０．５μｍ以下の範囲となるように制御して、粉砕することにより得られるが、その際に、本発明では、ＢＥＴ比表面積についても厳密に制御している。すなわち、本発明では、粉砕前の前記酸化スズ原料粉末として、粒度分布から求めたメジアン径が１．５μｍ〜１．８μｍの範囲にあり、粒度分布から求めた粒子全体の９０％を含む粒径が５．０μｍ以下であり、かつ、ＢＥＴ比表面積が１１．０ｍ2／ｇ以上である粉末を用いる。
【００３２】
粉砕には、湿式ビーズミルを用いることが好ましい。湿式ビーズミルは、乾式に比べて取り扱いやすく、分散剤やＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などと均一に混合することができ、さらには、スプレードライヤを用いることにより、流動性のよい均一な球形の混合原料を作製することができる。また、微粉砕に適したビーズミルを用いることにより、原料粉を本発明の粉砕状態に容易に調整できる。この粉砕の際、酸化スズ粒子の粒径の調整は、粉砕時の回転数調整、パス回数、粉砕に使用するビーズの径や材質の調整、酸化スズ粉末スラリー濃度の調整によって行うが、上記の条件が達成できるように適宜コントロールすることによって行うことができる。
【００３３】
なお、本発明では、湿式ビーズミルのキャリアとしてジルコニアビーズを使用する。特開２００９−２９７０６号に記載されているように、ジルコニウムのコンタミの問題から、スラリー濃度６５％以上の酸化スズ粉末スラリーを使用することが、コンタミの問題を極力抑制でき、これにより無理のない粉砕が可能となり、優れた焼結性を持つ焼結粉末を得ることができることから好ましい。
【００３４】
本発明では、酸化スズ原料粉末スラリーを、湿式ビーズミルを用いて粉砕することにより得られ、上記特性を備えた酸化スズ粉末と、酸化インジウム粉末とを混合してスラリーとし、湿式ビーズミルを用いて、得られた混合粉末スラリーを、混合粉末の粒度分布から求めたメジアン径が０．４μｍを超えて０．５μｍ以下の範囲、粒度分布から求めた粒子全体の９０％を含む粒径が１．０μｍ以下、かつ、ＢＥＴ比表面積が１２．３ｍ2／ｇ以上、となるまで粉砕する。
【００３５】
すなわち、ＩＴＯスパッタリングターゲットの原材料としての酸化スズおよび酸化インジウムの混合粉末の焼結性に関しても、微細な粒子であるほど焼結性は良好となる傾向にあるが、粒子が微細すぎると原料粉末同士が凝集してしまい、焼結時に空孔を発生させる原因となる。本発明では、混合スラリー状態で追加粉砕を行うことにより、得られる粉末の特性が上記範囲内となるように制御して、粒径が均一な状態で造粒を行うことにより、高密度の得られる原料粉末としている。
【００３６】
本発明のＩＴＯスパッタリングターゲット用焼結体は、本発明のＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化スズおよび酸化インジウムの混合粉末を成形し、焼結することにより、得ることができる。成形は、冷間静水等方圧プレス（ＣＩＰ）機を用いて、前記混合粉末をゴム型に充填し、９８ＭＰａ〜２９４ＭＰａの圧力で加圧成形することにより行う。また、焼結は、得られた成形体を、電気炉を用いて、１４００℃〜１５５０℃で、酸素雰囲気中で、２０時間〜３０時間の焼成することにより行う。
【実施例】
【００３７】
（実施例１）
Ｄ５０が１．８μｍ、Ｄ９０が５．０μｍ、ＢＥＴ比表面積が１１．４ｍ2／ｇの酸化スズ原料粉末を用意した。なお、粒度分布測定は、レーザ回折式粒度分布測定装置（株式会社島津製作所製、ＳＡＬＤ−２２００）、ＢＥＴ比表面積は、全自動比表面積測定装置（株式会社マウンテック製、Ｍａａｃｓｏｒｂ（登録商標）  ＨＭ  ｍｏｄｅｌ−１２０８）を使用した。
【００３８】
得られた酸化スズ原料粉末を純水に混合し、固形分６５％の酸化スズ粉末スラリーを作製した。この時、純水中の酸化スズ原料粉末を分散させるため、分散剤（三明化成株式会社、バンスターＸ７５４Ｂ）を添加した。
【００３９】
作製した酸化スズ粉末スラリーを、ビーズミルにて、パス回数を１５とし、Ｄ５０が０．４１μｍ、Ｄ９０が２．０μｍ、ＢＥＴ値が１６．０ｍ2／ｇとなるように粉砕し、酸化スズ粉末を得た。この時、粉砕ビーズは耐磨耗性を考慮して、φ０．５ｍｍジルコニアビーズ（ＹＴＺ）を使用した。このように粉砕した酸化スズ粉末が含まれるスラリーと、Ｄ５０が０．４３μｍ、Ｄ９０が０．７μｍ、ＢＥＴ比表面積が１１．２ｍ2／ｇの酸化インジウム粉末とを、固形分重量比率で酸化スズ：酸化インジウムが１：９となるよう、純水に混合し、固形分７０％の酸化スズと酸化インジウムの混合スラリーを作製した。
【００４０】
作製した酸化スズと酸化インジウムの混合スラリーを、ビーズミルにて、パス回数を５とし、この混合スラリーに含まれる混合粉末が、Ｄ５０が０．４１μｍ、Ｄ９０が０．６４μｍとなるように粉砕した。なお、このときのＢＥＴ値は１２．４ｍ2／ｇであった。
【００４１】
次に、粉砕後の酸化スズと酸化インジウムの混合スラリーに、バインダ（ＰＶＡ）を加え、スプレードライヤを用いて造粒および乾燥を行い、酸化スズと酸化インジウムの混合粉末を得た。この混合粉末を、硬度４０度のシリコンゴム型に充填した後、冷間等方静水圧プレス（ＣＩＰ）を用いて２９４ＭＰａの圧力で成形し、得られた成形体を、焼結温度１５５０℃で３０時間、常圧酸素雰囲気で焼結させた。得られた焼結体の密度は、質量と体積から計算した密度で７．１４４ｇ／ｃｍ3であった。
【００４２】
（実施例２）
実施例１と同様にして得た酸化スズ原料粉末を、実施例１と同様に、酸化スズ粉末スラリーとして、ビーズミルを用い、パス回数を４とし、Ｄ５０が１．０６μｍ、Ｄ９０が２．３３μｍ、ＢＥＴ値が１３．５ｍ2／ｇとなるまで粉砕した。
【００４３】
次に、この酸化スズ粉末が含まれるスラリーと、実施例１で用いた酸化インジウム粉末とを、実施例１と同様にして純水に混合し、酸化スズと酸化インジウムの混合スラリーとして、ビーズミルを用い、パス回数を５とし、この混合スラリーに含まれる混合粉末が、Ｄ５０が０．４１μｍ、Ｄ９０が０．６５μｍとなるよう粉砕した。なお、このときのＢＥＴ値は１２．３ｍ2／ｇであった。このスラリーにバインダ（ＰＶＡ）を加え、スプレードライヤを用いて、実施例１と同様に、造粒および乾燥を行い、酸化スズと酸化インジウムの混合粉末を得た。
【００４４】
さらに、得られた混合粉末を、実施例１と同様の条件で、成形および焼結を行った結果、得られた焼結体の密度は、質量と体積から計算した密度で７．１４０ｇ／ｃｍ3であった。
【００４５】
（実施例３）
実施例１と同様にして得た酸化スズ原料粉末を、実施例１と同様に、酸化スズ粉末スラリーとして、ビーズミルを用い、パス回数を５とし、Ｄ５０が０．９０μｍ、Ｄ９０が２．３３μｍ、ＢＥＴ値が１５．５ｍ2／ｇとなるまで粉砕した。
【００４６】
次に、この酸化スズ粉末が含まれるスラリーと、実施例１で用いた酸化インジウム粉末とを、実施例１と同様にして純水に混合し、酸化スズと酸化インジウムの混合スラリーとして、ビーズミルを用い、パス回数を５とし、この混合スラリーに含まれる混合粉末が、Ｄ５０が０．４１μｍ、Ｄ９０が０．５０μｍとなるよう粉砕した。なお、このときのＢＥＴ値は１２．４ｍ2／ｇであった。このスラリーにバインダ（ＰＶＡ）を加え、スプレードライヤを用いて、実施例１と同様に、造粒および乾燥を行い、酸化スズと酸化インジウムの混合粉末を得た。
【００４７】
さらに、得られた混合粉末を、実施例１と同様の条件で、成形および焼結を行った結果、得られた焼結体の密度は、質量と体積から計算した密度で７．１４１ｇ／ｃｍ3であった。
【００４８】
（実施例４）
実施例１と同様にして得た酸化スズ原料粉末を、実施例１と同様に、酸化スズ粉末スラリーとして、ビーズミルを用い、パス回数を３とし、Ｄ５０が１．０８μｍ、Ｄ９０が２．５０μｍ、ＢＥＴ値が１３．５ｍ2／ｇとなるまで粉砕した。
【００４９】
次に、この酸化スズ粉末が含まれるスラリーと、実施例１で用いた酸化インジウム粉末とを、実施例１と同様にして純水に混合し、酸化スズと酸化インジウムの混合スラリーとして、ビーズミルを用い、パス回数を５とし、この混合スラリーに含まれる混合粉末が、Ｄ５０が０．５０μｍ、Ｄ９０が０．７０μｍとなるよう粉砕した。なお、このときのＢＥＴ値は１２．４ｍ2／ｇであった。このスラリーにバインダ（ＰＶＡ）を加え、スプレードライヤを用いて、実施例１と同様に、造粒および乾燥を行い、酸化スズと酸化インジウムの混合粉末を得た。
【００５０】
さらに、得られた混合粉末を、実施例１と同様の条件で、成形および焼結を行った結果、得られた焼結体の密度は、質量と体積から計算した密度で７．１４０ｇ／ｃｍ3であった。
【００５１】
（比較例１）
Ｄ５０が１．８μｍ、Ｄ９０が６．０μｍ、ＢＥＴ比表面積が１１．１ｍ2／ｇの酸化スズ原料粉末を用意した。
【００５２】
この酸化スズ原料粉末と、実施例１で用いた酸化インジウム粉末とを、固形分重量比率で酸化スズ：酸化インジウムが１：９となるよう、純水に混合し、固形分７０％の酸化スズと酸化インジウムの混合スラリーを作製し、ビーズミルを用いて、パス回数を５とし、酸化スズと酸化インジウムの混合粉末のＤ５０が、実施例１と同様の０．４１μｍとなるように粉砕した結果、Ｄ５０が０．４０μｍ、Ｄ９０が０．７０μｍの混合粉末からなるスラリーを得た。なお、このときのＢＥＴ値は１２．１ｍ2／ｇであった。このスラリーにバインダ（ＰＶＡ）を加え、スプレードライヤを用いて、実施例１と同様に、造粒および乾燥を行い、酸化スズと酸化インジウムの混合粉末を得た。
【００５３】
さらに、得られた混合粉末を、実施例１と同様の条件で、成形および焼結を行った結果、得られた焼結体の密度は、質量と体積から計算した密度で７．１２４ｇ／ｃｍ3であった。
【００５４】
（比較例２）
Ｄ５０が２．０μｍ、Ｄ９０が５．０μｍ、ＢＥＴ比表面積が６．０ｍ2／ｇの酸化スズ原料粉末を用意した。
【００５５】
この酸化スズ原料粉末と、実施例１で用いた酸化インジウム粉末とを用いて、比較例１と同様にして、混合粉末を得た結果、Ｄ５０が０．４０μｍ、Ｄ９０が０．７０μｍの混合粉末からなるスラリーを得た。なお、このときのＢＥＴ値は１２．０ｍ2／ｇであった。このスラリーにバインダ（ＰＶＡ）を加え、スプレードライヤを用いて、実施例１と同様に、造粒および乾燥を行い、酸化スズと酸化インジウムの混合粉末を得た。
【００５６】
さらに、得られた混合粉末を、実施例１と同様の条件で、成形および焼結を行った結果、得られた焼結体の密度は、質量と体積から計算した密度で７．１２０ｇ／ｃｍ3であった。
【００５７】
（比較例３）
Ｄ５０が１．０μｍ、Ｄ９０が２．０μｍ、ＢＥＴ比表面積が６．０ｍ2／ｇの酸化スズ原料粉末を用意した。
【００５８】
この酸化スズ原料粉末と、実施例１で用いた酸化インジウム粉末とを用いて、比較例１と同様にして、混合粉末を得た結果、Ｄ５０が０．４２μｍ、Ｄ９０が０．７０μｍの混合粉末からなるスラリーを得た。なお、このときのＢＥＴ値は１１．８ｍ2／ｇであった。このスラリーにバインダ（ＰＶＡ）を加え、スプレードライヤを用いて、実施例１と同様に、造粒および乾燥を行い、酸化スズと酸化インジウムの混合粉末を得た。
【００５９】
さらに、得られた混合粉末を、実施例１と同様の条件で、成形および焼結を行った結果、得られた焼結体の密度は、質量と体積から計算した密度で７．１２７ｇ／ｃｍ3であった。
【００６０】
（比較例４）
Ｄ５０が０．３μｍ、Ｄ９０が１．０μｍ、ＢＥＴ比表面積が１１．０ｍ2／ｇの酸化スズ原料粉末を用意した。
【００６１】
この酸化スズ原料粉末と、実施例１で用いた酸化インジウム粉末とを用いて、比較例１と同様にして、混合粉末を得た結果、Ｄ５０が０．４２μｍ、Ｄ９０が０．７０μｍの混合粉末からなるスラリーを得た。なお、このときのＢＥＴ値は１２．２ｍ2／ｇであった。このスラリーにバインダ（ＰＶＡ）を加え、スプレードライヤを用いて、実施例１と同様に、造粒および乾燥を行い、酸化スズと酸化インジウムの混合粉末を得た。
【００６２】
さらに、得られた混合粉末を、実施例１と同様の条件で、成形および焼結を行った結果、得られた焼結体の密度は、質量と体積から計算した密度で７．１２５ｇ／ｃｍ3であった。
【００６３】
（比較例５）
Ｄ５０が１．８μｍ、Ｄ９０が６．０μｍ、ＢＥＴ比表面積が１１．０ｍ2／ｇの酸化スズ原料粉末を用意した。
【００６４】
この酸化スズ原料粉末と、実施例１で用いた酸化インジウム粉末とを用いて、比較例１と同様にして、混合粉末を得た結果、Ｄ５０が０．４２μｍ、Ｄ９０が１．２０μｍの混合粉末からなるスラリーを得た。なお、このときのＢＥＴ値は１２．２ｍ2／ｇであった。このスラリーにバインダ（ＰＶＡ）を加え、スプレードライヤを用いて、実施例１と同様に、造粒および乾燥を行い、酸化スズと酸化インジウムの混合粉末を得た。
【００６５】
さらに、得られた混合粉末を、実施例１と同様の条件で、成形および焼結を行った結果、得られた焼結体の密度は、質量と体積から計算した密度で７．１２０ｇ／ｃｍ3であった。
【００６６】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００６７】
高密度化と成分の均一性に優れた焼結体を得ることができるという優れた特徴を有し、これによってＩＴＯスパッタリング成膜が均一でない場合に生ずる品質の低下やノジュールなどの異常突起物を抑制でき、使用末期まで安定した使用が可能なため、ＩＴＯ膜形成用酸化スズ−酸化インジウムターゲットを低コストで得ることができるという優れた効果を有する。