(57)【要約】【課題】高精細な複数種の薄膜パターンの形成を効率よく行い得るようにする。【解決手段】フィルム２に有機ＥＬ層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂと同形状の開口パターン４を設けたマスク１をフィルム２がＴＦＴ基板１９側となるようにして該ＴＦＴ基板１９上に位置決めし載置し、ＴＦＴ基板１９のＲ対応アノード電極２１Ｒ上にマスク１の開口パターン４を介して成膜し、Ｒ有機ＥＬ層１７Ｒを形成した後、マスク１を複数種の有機ＥＬ層１７Ｒ〜１７Ｂの配列ピッチと同寸法だけアノード電極２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの並び方向に移動し、ＴＦＴ基板１９のＧ対応アノード電極２１Ｇ上にマスク１の開口パターン４を介して成膜し、Ｇ有機ＥＬ層１７Ｇを形成する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に一定の配列ピッチで並べて一定形状の複数種の薄膜パターンを形成する薄膜パターン形成方法であって、
前記複数種の薄膜パターンのうち、一の薄膜パターンの形成領域に対応して該薄膜パターンよりも形状の大きい開口部を形成した平板状の保持部材の一面に、可視光を透過する樹脂製のフィルムを面接合して保持すると共に、前記保持部材の前記開口部内に位置する前記フィルムの部分に前記一の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンと同形状の開口パターンを設けたマスクを前記フィルムが前記基板側となるようにして該基板上に位置決めし載置するステップと、
前記基板の前記一の薄膜パターン形成領域に前記マスクの開口パターンを介して成膜し、前記一の薄膜パターンを形成するステップと、
前記マスクを前記複数種の薄膜パターンの配列ピッチと同寸法だけ前記複数種の薄膜パターンの並び方向に移動するステップと、
前記基板の他の薄膜パターン形成領域に前記マスクの開口パターンを介して成膜し、他の薄膜パターンを形成するステップと、
を行うことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項２】
前記基板には、前記複数種の薄膜パターン形成領域の各境界部に、成膜された薄膜パターンの面よりも突出するように高さが設定された隔壁が予め設けられていることを特徴とする請求項１記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項３】
前記保持部材は、細長状の複数のブリッジにより分離された複数の前記開口部を備えていることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項４】
前記フィルムの前記基板との接触面には、前記保持部材の前記ブリッジの形成位置に対応して該ブリッジの長軸に平行な突条部が設けられたことを特徴とする請求項３記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項５】
基板面に接触して設置され、基板上に一定の配列ピッチで並べて一定形状の複数種の薄膜パターンを形成するためのマスクであって、
可視光を透過する樹脂製のフィルムと、
前記基板上に予め定められた前記複数種の薄膜パターンの形成領域のうち、一の薄膜パターンの形成領域に対応して該一の薄膜パターンよりも形状が大きく、細長状の複数のブリッジにより分離された貫通する複数の開口部を形成した平板で構成され、一面に前記フィルムを面接合して保持する保持部材と、
を備え、
前記フィルムには、前記保持部材の前記開口部内に位置する部分に前記一の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンと同形状の開口パターンが設けられると共に、前記基板との接触面に、前記保持部材の前記ブリッジの形成位置に対応して該ブリッジの長軸に平行な突条部が設けられた、
ことを特徴とするマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に一定の配列ピッチで並べて一定形状の複数種の薄膜パターンを形成する薄膜パターン形成方法に関し、特に高精細な複数種の薄膜パターンの形成を効率よく行い得るようにする薄膜パターン形成方法及びマスクに係るものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の薄膜パターン形成方法は、所定のパターンに対応した形状の開口を有するマスクを基板に対して位置合わせした後、該基板上に密着させ、その後上記開口を介して基板に対するパターンニング成膜をするようになっていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、他の薄膜パターン形成方法は、所定の成膜パターンに対応した複数の開口が設けられた強磁性体から成るメタルマスクを基板の一面を覆うように基板に密着させると共に、基板の他面側に配置された磁石の磁力を利用して固定され、真空蒸着装置の真空槽内で上記開口を通して基板の一面に蒸着材料を付着させ、薄膜パターンを形成するようになっていた（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−７３８０４号公報
【特許文献２】特開２００９−１６４０２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、このような従来の薄膜パターン形成方法において、上記特許文献１に記載の方法は、一般に、薄い金属板に薄膜パターンに対応した開口を例えばエッチング等により形成してマスクが作られるので、開口を高精度に形成することが困難であり、又金属板の熱膨張による位置ずれや反り等の影響で例えば３００ｄｐｉ以上の高精細な薄膜パターンの形成が困難であった。
【０００６】
また、上記特許文献２に記載の方法は、上記特許文献１に記載の方法よりも基板との密着性は改善されるものの、特許文献１に記載の方法と同様に、薄い金属板に薄膜パターンに対応した開口を例えばエッチング等により形成してマスクが作られるので、開口を高精度に形成することが困難であり、例えば３００ｄｐｉ以上の高精細な薄膜パターンの形成が困難であった。
【０００７】
そして、上記いずれの特許文献に記載の方法においても、基板上に複数種の薄膜パターンを形成する場合には、各種薄膜パターンに対応した複数種のマスクを使用して行わなければならず、マスクを取替えた後、マスクを基板に対して位置決め調整する必要があり、作業が煩雑になるという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、高精細な複数種の薄膜パターンの形成を効率よく行い得るようにする薄膜パターン形成方法及びマスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明による薄膜パターン形成方法は、基板上に一定の配列ピッチで並べて一定形状の複数種の薄膜パターンを形成する薄膜パターン形成方法であって、前記複数種の薄膜パターンのうち、一の薄膜パターンの形成領域に対応して該薄膜パターンよりも形状の大きい開口部を形成した平板状の保持部材の一面に、可視光を透過する樹脂製のフィルムを面接合して保持すると共に、前記保持部材の前記開口部内に位置する前記フィルムの部分に前記一の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンと同形状の開口パターンを設けたマスクを前記フィルムが前記基板側となるようにして該基板上に位置決めし載置するステップと、前記基板の前記一の薄膜パターン形成領域に前記マスクの開口パターンを介して成膜し、前記一の薄膜パターンを形成するステップと、前記マスクを前記複数種の薄膜パターンの配列ピッチと同寸法だけ前記複数種の薄膜パターンの並び方向に移動するステップと、前記基板の他の薄膜パターン形成領域に前記マスクの開口パターンを介して成膜し、他の薄膜パターンを形成するステップと、を行うものである。
【００１０】
このような構成により、一定形状の複数種の薄膜パターンのうち、一の薄膜パターンの形成領域に対応して該薄膜パターンよりも形状の大きい開口部を形成した平板状の保持部材の一面に、可視光を透過する樹脂製のフィルムを面接合して保持すると共に、保持部材の開口部内に位置するフィルムの部分に一の薄膜パターン形成領域に対応して薄膜パターンと同形状の開口パターンを設けたマスクをフィルムが基板側となるようにして該基板上に位置決めし載置し、基板の上記一の薄膜パターン形成領域にマスクの開口パターンを介して成膜し、一の薄膜パターンを形成し、マスクを上記複数種の薄膜パターンの配列ピッチと同寸法だけ複数種の薄膜パターンの並び方向に移動し、基板の他の薄膜パターン形成領域にマスクの開口パターンを介して成膜し、他の薄膜パターンを形成し、基板上に一定の配列ピッチで並べて複数種の薄膜パターンを形成する。
【００１１】
好ましくは、前記基板には、前記複数種の薄膜パターン形成領域の各境界部に、成膜された薄膜パターンの面よりも突出するように高さが設定された隔壁が予め設けられているのが望ましい。
【００１２】
さらに好ましくは、前記保持部材は、細長状の複数のブリッジにより分離された複数の前記開口部を備えているのが望ましい。
より好ましくは、前記フィルムの前記基板との接触面には、前記保持部材の前記ブリッジの形成位置に対応して該ブリッジの長軸に平行な突条部が設けられるとよい。
【００１３】
また、本発明によるマスクは、基板面に接触して設置され、基板上に一定の配列ピッチで並べて一定形状の複数種の薄膜パターンを形成するためのマスクであって、可視光を透過する樹脂製のフィルムと、前記基板上に予め定められた前記複数種の薄膜パターンの形成領域のうち、一の薄膜パターンの形成領域に対応して該一の薄膜パターンよりも形状が大きく、細長状の複数のブリッジにより分離された貫通する複数の開口部を形成した平板で構成され、一面に前記フィルムを面接合して保持する保持部材と、を備え、前記フィルムには、前記保持部材の前記開口部内に位置する部分に前記一の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンと同形状の開口パターンが設けられると共に、前記基板との接触面に、前記保持部材の前記ブリッジの形成位置に対応して該ブリッジの長軸に平行な突条部が設けられたものである。
【００１４】
このような構成により、フィルムの基板との接触面に延設された突条部を基板上に接触させた状態で該突条部の延設方向にフィルムをステップ移動させて成膜し、フィルムの開口部を介して基板上に予め定められた複数種の薄膜パターン形成領域に複数種の薄膜パターンを順次形成する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の薄膜パターン形成方法によれば、薄いフィルムに開口パターンを形成するので、開口パターンの形成精度を向上することができる。また、開口パターンを形成したフィルムを基板上に設置するのでフィルムと基板との密着性が増し、薄膜パターンの形成精度を向上することができる。したがって、高精細な薄膜パターンの形成を容易に行なうことができる。さらに、基板上に複数種の薄膜パターンを形成する際には、一の薄膜パターンを形成した後、マスクを複数種の薄膜パターンの配列ピッチと同寸法だけ該複数種の薄膜パターンの並び方向に移動するだけでよく、従来技術と違ってマスクを取り替える必要がなく、高精細な複数種の薄膜パターンの形成を効率よく行なうことができる。
【００１６】
また、本発明のマスクによれば、上記効果に加えてマスクを横方向にスライド移動する際に、マスクのフィルムと基板との接触面積を小さくして、両者間の摩擦を低減することができる。したがって、マスクの移動を安定して行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明によるマスクの実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は（ａ）のＯ−Ｏ線断面矢視図、（ｄ）は（ｃ）の一部拡大図である。
【図２】本発明によるマスクの製造について説明する工程図である。
【図３】本発明のマスクに使用するフィルムの一構成例を示す平面図である。
【図４】本発明のマスクに使用するフィルムの他の構成例を示す平面図である。
【図５】本発明による薄膜パターン形成方法を説明する図であり、Ｒ有機ＥＬ層形成工程を示す工程図である。
【図６】本発明による薄膜パターン形成方法を説明する図であり、Ｇ有機ＥＬ層形成工程を示す工程図である。
【図７】本発明による薄膜パターン形成方法を説明する図であり、Ｂ有機ＥＬ層形成工程を示す工程図である。
【図８】本発明の薄膜パターン形成方法において使用するＴＦＴ基板の一構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明によるマスクの実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は（ａ）のＯ−Ｏ線断面矢視図、（ｄ）は（ｃ）の一部拡大図である。このマスク１は、基板面に接触して設置され、基板上に一定の配列ピッチで並べて複数種の薄膜パターンを形成するためのものであり、フィルム２と、保持部材３とを備えて構成されている。
【００１９】
上記フィルム２は、可視光を透過する一定面積の樹脂製シートであり、基板上に予め定められた複数種の薄膜パターンのうち、例えば一の薄膜パターン形成領域に対応して後述の保持部材３の開口部７内に薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターン４を備えている。この開口パターン４は、基板上に予め設けられた一の薄膜パターン形成領域全体に跨るストライプ状のものであってもよいが、好ましくは、図１（ａ），（ｂ）に示すように予め定められた位置（後述の保持部材３の細長状のブリッジ５に対応した位置）で分離された複数の開口パターン４として設けられたものが望ましい。
【００２０】
さらに、上記フィルム２には、図１（ｃ）に示すように、基板との接触面２ａに、保持部材３の細長状のブリッジ５の形成位置に対応して該ブリッジ５の長軸に平行な突条部６が設けられている。この突条部６は、基板との接触面積を減らしてフィルム２が基板上をスライドし易くするためのものであり、例えば基板との接触面２ａの上記突条部６を形成しようとする部分をマスキングして露光及び現像、又はエッチングして形成するとよい。
【００２１】
より詳細には、上記フィルム２は、例えば厚みが１０μｍ〜３０μｍ程度のフォトレジストや感光性ポリイミド等の感光性物質で、液相のものであっても、ドライフィルムレジストであってもよい。又はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の非感光性物質であってもよい。フィルム２が感光性物質であるときには、基板との接触面２ａの突条部６を形成しようとする部分をマスキングして露光及び現像し、フィルム２の上記接触面２ａの一部を一定深さだけ除去して突条部６を形成するとよい。また、フィルム２が非感光性物質であるときには、ＴＦＴ基板との接触面の突条部６を形成しようとする部分をマスキングしてドライエッチングし、フィルム２の上記接触面２ａの一部を一定深さのだけ除去して突条部６を形成するとよい。
【００２２】
上記保持部材３は、上記フィルム２の一面２ｂに面接触して該フィルム２を保持するものであり、例えばエッチングや、レーザ加工等の公知の技術を使用して、基板上の薄膜パターン形成領域に対応して薄膜パターンよりも形状が大きく、細長状の複数のブリッジ５により分離された貫通する複数の開口部７を形成した板体であり、例えば金属材料を含んで構成されている。なお、図１において、符号８は、基板に予め形成された基板側アライメントマークに対して位置合わせするためのマスク側アライメントマークである。
【００２３】
保持部材３は、非金属材料で構成されていてもよい。この場合、一定電圧を印加可能に構成された静電チャックステージ上にマスク１と基板とを載置した状態でステージに電圧を印加すれば、保持部材３を基板側に静電吸着させて上記フィルム２を基板面に密着させることができる。したがって、開口パターン４の形成精度を向上することがでる。
【００２４】
又は、保持部材３は、磁性材料を含んで構成されてもよい。この場合は、例えば電磁石を内蔵した磁気チャックステージ上にマスク１と基板とを載置した状態で電磁石をオンすれば、電磁石の磁力により保持部材３を吸着して、上記フィルム２を基板面に密着させることができる。したがって、この場合も、開口パターン４の形成精度を向上することができる。
【００２５】
なお、保持部材３の開口部７は、同色の複数のアノード電極を内側に収容可能なストライプ状に形成されたものであってもよいが、好ましくは、図１（ａ）に示すように、有機ＥＬ層の形成に影響を及ぼさない予め定められた部分に設けられたブリッジ５により複数の開口部７に分離されたものであるのが望ましい。これにより、保持部材３の剛性が増し、撓みを抑えることができる。したがって、マスク１と基板との位置合わせ精度をより向上して薄膜パターンの形成精度をより向上することができる。
【００２６】
次に、このように構成されたマスク１の製造について図２を参照して説明する。
先ず、図２（ａ）に示すように、フィルム２の基板との接触面２ａとは反対側の面２ｂと、基板の薄膜パターン形成領域に対応して薄膜パターンよりも形状が大きく、細長状の複数のブリッジ５により分離された貫通する複数の開口部７を形成した例えば金属材料からなる保持部材３とを、同図に矢印で示すように面接合し、同図（ｂ）に示すマスク用部材９を形成する。
【００２７】
上記面接合は、好ましくは、図３に示すように、一部（例えば周縁領域）に金属膜１０をコーティングしたフィルム２を使用して、該金属膜１０上に塗布されたノンフラックス半田１１によりフィルム２を保持部材３にノンフラックス半田付けするとよい。また、大面積の基板上の複数領域に薄膜パターン群を形成する場合には、図４に示すように、基板上の上記複数領域に対応したフィルム２の複数領域１２の周縁領域に金属膜１０をコーティングし、該金属膜１０上に上記各領域１２を囲んでノンフラックス半田１１を塗布したフィルム２を使用するとよい。このようなフィルム２と保持部材３とをノンフラックス半田付けして形成したマスク１を使用すれば、例えば薄膜パターンとしての有機ＥＬ層を真空蒸着して形成する際に半田からアウトガスが発生せず、アウトガスの不純物により有機ＥＬ層がダメージを受けるおそれがない。なお、図３及び図４に示す符号１３は、保持部材３に形成されたマスク側アライメントマーク８に対応して形成された開口であり、フィルム２を通して基板上の基板側アライメントマークを観察可能にするためのものである。
【００２８】
上記面接合には、保持部材３にフィルム状の樹脂を圧着させる方法、保持部材３にフィルム状の樹脂を接着させる方法、半乾燥状態の樹脂溶液に保持部材３を圧着する方法、又は保持部材３に溶液状の樹脂をコーティングする方法等が含まれる。
【００２９】
詳細には、上記フィルム状の樹脂を圧着させる方法には、熱可塑性のフィルム２や表面に融着性処理が施されたフィルム２に保持部材３を熱圧着する方法や、フィルム２の表面を改質処理して保持部材３を熱圧着する方法がある。この場合、フィルム２の表面にカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）やカルボニル基（−ＣＯＯ）等を形成して表面の改質を行えば、金属製の保持部材３との界面における化学結合により接着が可能となる。又は、フィルム２の表面を大気圧プラズマ又は減圧プラズマ中でプラズマ処理したり、アルカリ溶液でフィルム２の表面をウェットエッチングしたりしてフィルム２の表面を改質してもよい。
【００３０】
また、保持部材３にフィルム状の樹脂を接着させる方法には、溶剤を含まない、又は溶剤を極めて少ない量だけ含む硬化性樹脂により接着する方法があり、前述のノンフラックス半田による接着方法もこれに含まれる。
【００３１】
次いで、図２（ｃ）に示すように、マスク用部材９を基準パターン１４を形成した基板１５（例えば、有機ＥＬ表示用ＴＦＴ基板のダミー基板）上に載置した後、マスク側アライメントマーク７と図示省略の基板側アライメントマークとを例えば顕微鏡により観察しながら、各マークが一定の位置関係を成すように調整してマスク用部材９と基板１５との位置合わせを行う。
【００３２】
続いて、波長が４００ｎｍ以下の、例えばＫｒＦ２４８ｎｍのエキシマレーザを使用して、図２（ｄ）に示すように、保持部材３の開口部７内に位置するフィルム２の部分で、上記基板１５の基準パターン１４上の薄膜パターン形成領域に対応したフィルム２の部分にエネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２〜２０Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌを照射し、同図（ｅ）に示すように当該部分に２μｍ程度の薄い層を残して一定深さの穴部１６を形成する。このような紫外線のレーザ光Ｌを使用すれば、レーザ光Ｌの光エネルギーによりフィルム２の炭素結合が一瞬のうちに破壊されて除去されるため、残渣の無いクリーンな穴あけ加工を行うことができる。
【００３３】
その後、図２（ｆ）に示すように、フィルム２の基板１５との接触面２ａの突条部６を形成しようとする部分をマスキングして、フィルム２の材料に応じて露光及び現像、又はエッチングすることにより一定深さの溝を形成し、保持部材３のブリッジ５の形成位置に対応した上記接触面２ａにブリッジ５の長軸に平行な突条部６を形成する。このとき同時に、上記穴部１６が貫通して開口パターン４が形成される。これにより、本発明のマスク１が完成する。
【００３４】
次に、本発明のマスク１を使用して行う薄膜パターン形成方法について、図５〜図７を参照して説明する。ここでは、基板が、図８に示すように薄膜パターンとしてのＲ有機ＥＬ層１７Ｒ、Ｇ有機ＥＬ層１７Ｇ及びＢ有機ＥＬ層１７Ｂの形成領域（各色対応のアノード電極２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ上の領域）の各境界部に、成膜された各色有機ＥＬ層１７Ｒ〜１７Ｂの面よりも突出するように高さが設定された例えば窒化シリコン（ＳＩＮ）膜から成る隔壁１８が予め設けられた有機ＥＬ表示装置用のＴＦＴ基板１９である場合について説明する。
【００３５】
先ず、第１ステップにおいては、図５（ａ）に示すようにＴＦＴ基板１９上にマスク１を載置し、マスク１に形成されたマスク側アライメントマーク７とＴＦＴ基板１９に予め形成された図示省略の基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが予め定められた位置関係となるように調整してマスク１とＴＦＴ基板１９とを位置合わせする。これにより、同図（ａ）に示すように、マスク１の開口パターン４がＴＦＴ基板１９のＲ対応のアノード電極２１Ｒ上に合致することになる。
【００３６】
第２ステップにおいては、マスク１とＴＦＴ基板１９とを密着一体化させた状態で例えば真空蒸着装置の真空槽内に設置し、図５（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１９のＲ対応のアノード電極２１Ｒ上にマスク１の開口パターン４を介して正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ発光層、電子輸送層等の積層構造となるように順次成膜してＲ有機ＥＬ層１７Ｒを蒸着形成する。
【００３７】
第３ステップにおいては、マスク１とＴＦＴ基板１９とを密着一体化したものを真空蒸着装置の真空槽内から取り出し、マスク１を、図６（ａ）に矢印で示すようにＴＦＴ基板１９上を各色有機ＥＬ層２１Ｒ〜２１Ｂの配列ピッチと同寸法だけ各色有機ＥＬ層２１Ｒ〜２１Ｂの並び方向にＴＦＴ基板１９上をスライドさせて移動する。この場合、顕微鏡下でマスク面を観察しながら、マスク１の開口パターン４がＧ対応アノード電極２１Ｇ上に合致するように調整してもよく、又はＴＦＴ基板に形成したＧ用基板側アライメントマークとマスク側アライメントマーク８とが合致するように調整してもよい。
【００３８】
第４ステップにおいては、上記第２ステップと同様にして、マスク１とＴＦＴ基板１９とを密着一体化させた状態で例えば真空蒸着装置の真空槽内に設置し、図６（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１９のＧ対応のアノード電極２１Ｇ上にマスク１の開口パターン４を介して正孔注入層、正孔輸送層、Ｇ発光層、電子輸送層等の積層構造となるように順次成膜してＧ有機ＥＬ層１７Ｇを蒸着形成する。
【００３９】
第５ステップにおいては、上記第３ステップと同様にして、マスク１とＴＦＴ基板１９とを密着一体化したものを真空蒸着装置の真空槽内から取り出し、マスク１を、図７（ａ）に矢印で示すように各色有機ＥＬ層１７Ｒ〜１７Ｂの配列ピッチと同寸法だけ各色有機ＥＬ層１７Ｒ〜１７Ｂの並び方向にＴＦＴ基板１９上をスライドさせて移動し、マスク１の開口パターン４をＢ対応アノード電極２１Ｂ上に合致させる。
【００４０】
第６ステップにおいては、上記第２又は第４ステップと同様にして、マスク１とＴＦＴ基板１９とを密着一体化させた状態で例えば真空蒸着装置の真空槽内に設置し、図７（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１９のＧ対応のアノード電極２１Ｇ上にマスク１の開口パターン４を介して正孔注入層、正孔輸送層、Ｂ発光層、電子輸送層等の積層構造となるように順次成膜してＢ有機ＥＬ層１７Ｂを蒸着形成する。これにより、一枚のマスク１を使用して複数色の有機ＥＬ層２１Ｒ〜２１Ｂを順次形成することができ、有機ＥＬ層形成工程を効率よく行なうことができる。
【００４１】
この場合、マスク１を横方向にスライド移動する際には、フィルム２の面２ａが有機ＥＬ層１７Ｒ，１７Ｇに接触せず、且つフィルム２の面２ａに設けられた突条部６が隔壁１８上を滑るので、フィルム２と隔壁１８との間の摩擦を低減することができる。したがって、マスク１を安定してＴＦＴ基板１９上をスライド移動させることができる。
【符号の説明】
【００４２】
１…マスク
２…フィルム
２ａ…基板との接触面
３…保持部材
４…開口パターン
５…ブリッジ
６…突条部
７…開口部
１５…基板
１７Ｒ…Ｒ有機ＥＬ層（薄膜パターン）
１７Ｇ…Ｇ有機ＥＬ層（薄膜パターン）
１７Ｂ…Ｂ有機ＥＬ層（薄膜パターン）
１８…隔壁
１９…ＴＦＴ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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