(57)【要約】      （修正有）【課題】簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、固体材料の残量を簡便に精度よく検知することができる固体材料ガスの供給装置および供給方法を提供する。【解決手段】キャリアガスにより所定量の昇華・供給が可能な固体材料が、溶剤を添加してあるいはスプレー状に加工され、該溶剤を蒸発除去させて固体試料を作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスが供給される供給部１と、供給されたキャリアガスを分散させる分散部２と、前記固体試料が設置される試料設置部３と、該試料設置部から供出される固体材料ガスが供出される供出部４と、を有することを特徴とする固体材料ガスの供給装置。【選択図】図１
2013256709.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の方法を含むことを特徴とする半導体や太陽電池等を生産する製造装置への固体材料ガスの供給方法。
（ａ）１以上のトレーへの固体材料の導入
（ｂ）該トレー中の固体材料の表面への溶剤の噴射
（ｃ）固体材料供給装置への前記１以上のトレーの導入
（ｄ）不活性ガス雰囲気下での前記溶剤の蒸発除去
（ｅ）固体材料ガスの作製のための前記固体試料の昇華
【請求項２】
約１〜１０重量％の前記溶剤が、トレー中の固体材料の表面に噴射されることを特徴とする請求項１記載の固体材料ガスの供給方法。
【請求項３】
前記固体試料が、塩化ハフニウム，塩化ジルコニウム，トリメチルインジウム，ビスシクロペンタジエニルマグネシウム，テトラエチル亜鉛，フタル酸，ナフタレンおよびアントラセンからなる群より選択されることを特徴とする請求項１または２記載の固体材料ガスの供給方法。
【請求項４】
前記固体試料が、塩化ハフニウム，塩化ジルコニウムおよびアントラセンからなる群より選択されることを特徴とする請求項３記載の固体材料ガスの供給方法。
【請求項５】
前記溶剤が、ｎ−ヘキサン，ｎ−オクタン、アセトン，トルエン，テトラヒドロフラン，エタノール，エチルメチルケトンおよび１，４−ジオキサンからなる群より選択されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の固体材料ガスの供給方法。
【請求項６】
前記固体試料が、塩化ハフニウムまたは塩化ジルコニウムであり、前記溶剤が、ｎ−ヘキサン，ｎ−オクタン、アセトンおよびトルエンからなる群より選択されることを特徴とする請求項１または２記載の固体材料ガスの供給方法。
【請求項７】
前記固体試料が、アントラセンであり、前記溶剤が、ｎ−ヘキサン，ｎ−オクタン、アセトン，テトラヒドロフラン，エタノール，エチルメチルケトンおよび１，４−ジオキサンからなる群より選択されることを特徴とする請求項１または２記載の固体材料ガスの供給方法。
【請求項８】
さらに、前記固体材料の導入後に、前記１以上のトレーの各々の重量を測定し、前記溶剤の噴射後に、前記１以上のトレーの各々の重量を測定し、前記溶剤の蒸発除去後に、１以上のトレーの各々の重量を測定することによって該溶剤の蒸発除去を検証することを含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の固体材料ガスの供給方法。
【請求項９】
前記１以上のトレーを前記固体材料供給装置に導入する前に、前記溶剤が、蒸発除去されることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の固体材料ガスの供給方法。
【請求項１０】
さらに、前記固体材料ガスを、キャリアガスによって、前記固体材料供給装置から半導体や太陽電池等を生産する製造装置へ供給することを含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の固体材料ガスの供給方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体材料ガスの供給方法に関し、例えば、半導体や太陽電池等の生産装置や研究設備等において使用される固体有機化合物や固体有機金属化合物の固体材料ガスの供給方法に関するものである。なお、本願にいう「固体材料」とは、広く工業的に用いられるキャリアガスにより所定量の昇華（気化）・供給が可能な固体材料をいい、例えば、塩化ハフニウム等の無機金属化合物、トリメチルインジウム等の固体有機金属化合物、あるいはフタル酸等の固体有機化合物を挙げることができる。
【背景技術】
【０００２】
半導体や太陽電池等を生産する製造装置や新たな素材を開発する研究設備、あるいは高純度品が要求される半導体の材料等（例えば成膜材料等）として、気体材料や液体材料が多用されてきたが、近年では、昇華（気化）させた上記のような固体材料をキャリアガスに同伴させて使用することも多い（例えば特許文献１参照）。こうした固体材料は、ヘリウムやアルゴン等の希ガス等の反応性が低く安定性の高い不活性ガスによって昇華・搬送されたガス（以下「固体成分ガス」という）として、上記製造装置等に供給されて消費される。
【０００３】
例えば、図６（Ａ），（Ｂ）に示すような、化学気相成長（ＣＶＤ）法、原子層化学気相成長（ＡＬＣＶＤ）法およびイオン注入法において用いられる液体および固体ソース試薬などの液体および固体材料の蒸発のために、拡大した表面積を提供する多数の容器を有する蒸発器配送システム１１０の構成例を挙げることができる（例えば特許文献２参照）。アンプル１１２には、内室を形成する底部１１４および側壁１１６が含まれる複数の垂直に積重された容器１２２が、アンプルの内室内に配置されている。積重された容器は、容易な洗浄および補充のために互いに分離可能でアンプルから着脱自在である。内部キャリアガス部材１２３がアンプル内に配置されているが、この内部キャリアガス部材１２３は、キャリアガス入口１２０に接続（溶接）され、内室の底部および垂直に積重された容器における最も下側の容器の下にキャリアガスを導く。内部キャリアガス部材１２３は、各容器キャビティ１２７および容器底部１２４を通過している。個別容器１２２は、それぞれ、底部１２４および側壁１２６を備えて、好ましいソース材料１２８を配置するための容器キャビティ１２７を形成する。個別容器のそれぞれには、複数の突出部１３０が含まれ、各突出部には、突出部を通してキャリアガスが移動するための通路１３２が含まれる（特許文献２段落００１８〜００２３参照）。ここで、１３８は封止用Ｏ−リング、１４０はガス出口バルブを示す。
【０００４】
しかし、上記のような固体材料ガスの供給装置や供給方法においては、以下の課題が生じることがあった。
（ｉ）固体材料は、常態として粉状または顆粒状であり、供給装置への移送や設置等の操作における固体材料の飛散や偏在を回避することは難しく、キャリアガスによる均一な昇華・供給が困難であった。
（ii）また、特に粉状体の場合には、設置された状態で乾燥されたキャリアガスとの接触によって生じる静電気の発生に伴う周辺への飛散や付着が生じることがあった。付着した固体材料は、供給装置への次なる固体材料の設置を妨げるだけでなく、固体材料の残量を正確に把握することを困難にする。
（iii）さらに、固体材料の残量が材料濃度に大きな影響を与えるだけではなく、固体材料の形状や形態が材料濃度に大きな影響を与える。特に、粉状または顆粒状の固体材料にあっては、所定の残量があっても、その表面でのキャリアガスとの接触状態の変化等から十分な材料濃度を得ることできないことが判った。
（iｖ）上記蒸発器配送システム１１０の構成にあっては、容器傾斜時にトレー上の材料配置が不均一となり、材料濃度が不安定となる恐れがあるほか、容器構造が複雑であるため材料の設置および容器の洗浄が簡便ではないという問題点がある。
（ｖ）一般的に、固体材料の残量を検知する方法として、重量測定が用いられることがあるが、重量管理だけでは、固体材料の局部的な減少に伴う材料濃度の変化を検知することができない。
【０００５】
特許文献３には、こうした課題に対処する多くの機構が開示されている（同段落０１０３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００９／０８７６０９号公報
【特許文献２】特開２００６−５０３１７８号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ２００８／０２８１７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
依然必要となるのは、簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、固体材料の残量を簡便に精度よく検知することができる固体材料ガスの供給装置および供給方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
半導体あるいは太陽電池等を生産する製造装置へ固体材料のガスを供給する方法が、開示される。固体材料が、１以上のトレーへ導入される。溶剤が、該トレー中の固体材料の表面に噴射される。該１以上のトレーが、固体材料供給装置へ導入される。該溶剤が、不活性ガス雰囲気下で蒸発除去される。該固体試料が、固体材料ガスを作製するために昇華される。当該開示された方法は、さらに１以上の下記の項を含む。
（ｉ）約１〜１０重量％の溶剤が、トレー中の固体材料の表面に噴射されること
（ii）約５重量％の溶剤が、トレー中の固体材料の表面に噴射されること
（iii）固体試料が、塩化ハフニウム，塩化ジルコニウム，トリメチルインジウム，ビスシクロペンタジエニルマグネシウム，テトラエチル亜鉛，フタル酸，ナフタレンおよびアントラセンからなる群より選択されること
（iｖ）固体試料が、塩化ハフニウム，塩化ジルコニウムおよびアントラセンからなる群より選択されること
（ｖ）溶剤が、ｎ−ヘキサン，ｎ−オクタン、アセトン，トルエン，テトラヒドロフラン，エタノール，エチルメチルケトンおよび１，４−ジオキサンからなる群より選択されること
（ｖi）固体試料が、塩化ハフニウムまたは塩化ジルコニウムであり、溶剤が、ｎ−ヘキサン，ｎ−オクタン、アセトンおよびトルエンからなる群より選択されること
（ｖii）固体試料が、アントラセンであり、溶剤が、ｎ−ヘキサン，ｎ−オクタン、アセトン，テトラヒドロフラン，エタノール，エチルメチルケトンおよび１，４−ジオキサンからなる群より選択されること
（ｖiii）固体材料の導入後に、１以上のトレーの各々の重量を測定し、溶剤の噴射後に、１以上のトレーの各々の重量を測定し、溶剤の蒸発除去後に、１以上のトレーの各々の重量を測定することによって該溶剤の蒸発除去を検証すること
（ｖiｖ）１以上のトレーを固体材料供給装置に導入する前に、溶剤が、蒸発除去されること
（ｖｖ）固体材料ガスを、キャリアガスによって、固体材料供給装置から半導体や太陽電池等を生産する製造装置へ供給すること
【０００９】
また、キャリアガスにより所定量の昇華・供給が可能な固体材料が、溶剤を添加してペースト状あるいはスプレー状に加工され、該溶剤を蒸発除去させて固体試料を作製する固体試料作製手段と、キャリアガスが供給される供給部と、供給されたキャリアガスを分散させる分散部と、前記固体試料が設置される試料設置部と、該試料設置部から供出される固体材料ガスが供出される供出部と、を有することを特徴とする固体材料ガスの供給装置が開示される。該供給装置は、１以上の下記の態様を含む。
（ｉ）不活性ガス導入部および固体試料設置用のトレーが備えられ、ペースト状あるいはスプレー状に加工された固体材料が、該不活性ガス雰囲気中に大気圧下で静置され、前記溶剤を蒸発除去させて前記トレーに載置された固体試料が作製される、前記固体試料作製手段
（ii）前記供給部と接続され、キャリアガスを分岐する複数の分岐流路と、各分岐流路に設けられ、前記トレーに載置され、前記試料設置部に設置された固体試料に対してキャリアガスが噴射される１以上の噴出口と、を有する、前記分散部
【００１０】
また、上記供給装置を用い、以下の前置工程によって作製された固体試料を設置し、キャリアガスにより所定量の固体材料の昇華・供給を行うことを特徴とする固体材料ガスの供給方法が開示される。
（１）粉状または顆粒状の固体材料を準備する工程
（２）所定容量の容器内に、所定量の前記固体材料を採取する工程
（３）前記容器内に、所定量の溶剤を添加し、前記固体材料と混合・攪拌し、ペースト状の固体材料を作製する工程
（４）前記ペースト状の固体材料を、平坦面を有する成型体に形成する工程
（５）前記固体試料を、所定の密閉容器に静置し、不活性ガス雰囲気下で溶剤を蒸発除去させて固体試料を作製する工程
開示された固体材料ガスの供給方法は、１以上の下記の項を含む。
（ｉ）前記固体試料が載置された固体試料設置用のトレーが試料設置部に設置され、分散されたキャリアガスが該試料設置部に供給され、固体材料を同伴するキャリアガスが分散・混合され、固体材料ガスとして供出される。
（ii）前記固体材料ガス中の固体材料の濃度と前記キャリアガスの流量が監視されるとともに、予め求めた前記固体試料の残量と前記固体材料ガス中の固体材料の濃度との関係を基に、前記固体試料中の固体材料の残量が管理される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
本発明の性質や対象をさらに理解するために、以下の詳細な説明に対して、参照が作成され、添付図面に関連付けられる。ここでは、要素により、同一または類似の参照番号が付与される。
【００１２】
【図１】本発明に係る固体材料ガスの供給装置の基本構成例を示す概略図
【図２】本発明に係る固体試料ガスの供給装置の固体試料のペースト作製手順を例示する説明図
【図３】本発明に係る固体材料ガスの供給装置の第２の構成例を示す概略図
【図４】実施例１における固体材料ガス中の固体材料成分濃度の固体試料の残量に対する依存度を例示する説明図
【図５】実施例２における固体材料ガス中の固体材料成分濃度の固体試料の残量に対する依存度を例示する説明図
【図６】従来技術に係る液体および固体材料の蒸発のための蒸発器配送システムを例示する概略図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、以下に示す固体材料ガスの供給装置および供給方法によって上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００１４】
キャリアガスにより所定量の昇華・供給が可能な固体材料が、溶剤を添加してあるいはスプレー状に加工され、該溶剤を蒸発除去させて固体試料を作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスが供給される供給部と、供給されたキャリアガスを分散させる分散部と、前記固体試料が設置される試料設置部と、該試料設置部から供出される固体材料ガスが供出される供出部と、を有することを特徴とする固体材料ガスの供給装置が開示される。開示された供給装置は、昇華された固体材料ガスが利用される唯一の実施態様を示す。当業者であれば、開示された方法が、同様に、キャリアガスを用いずに、例えばイオン注入装置において、固体材料ガスの供給にも用いることができることが判るであろう。
【００１５】
上記のように、固体材料を昇華させて安定な材料濃度の固体材料ガスを供給することには、いくつかの課題があった。開示された装置および方法は、１つに固体材料と接触するキャリアガスを分散させて均一な流れを形成し、固体材料を均一に昇華させとともに、溶剤を添加してペースト状あるいはスプレー状に加工し、該溶剤を蒸発除去させて固体試料を作製することによって、こうした課題を解消する。つまり、こうして作製された固体試料は、操作あるいは静電気による飛散や偏在を生じることもなく、分散されたキャリアガスを接触させることによって、固体材料を均一に昇華させるとともに、材料濃度の均一な固体材料ガスを取り出すことができる。また、固体材料を均一に昇華させることによって、固体材料を均一に減量させ、固体材料の均一な昇華を維持することができ、簡便な手法・構成で、長期間固体材料ガスを安定した濃度で供給することができる固体材料ガスの供給装置を提供することが可能となった。
【００１６】
上記固体材料ガスの供給装置は、前記固体試料作製手段が、不活性ガス導入部および固体試料設置用のトレーを有し、ペースト状あるいはスプレー状に加工された固体材料を該不活性ガス雰囲気中に大気圧下で静置し、前記溶剤を蒸発除去させて前記トレーに載置された固体試料を作製することを特徴とする。
【００１７】
安定した濃度の固体材料ガスの供給には、キャリアガスが接触する固体試料の形状や細孔の状態が影響する。開示された固体材料ガスの供給方法は、ペースト状あるいはスプレー状に加工され、固体材料が均一に分散した固体試料から溶剤を蒸発除去させることによって、操作あるいは静電気による飛散や偏在を生じることもなく、細孔な内部まで均一に分布し表面積の大きな固体試料を作製することを可能とした。また、こうした方法で作製された固体試料から固体材料成分を均一に昇華させることによって、材料濃度が均一な固体材料ガスを取り出すことができる。
【００１８】
上記固体材料ガスの供給装置は、前記分散部が前記供給部と接続され、キャリアガスを分岐する複数の分岐流路と、各分岐流路に設けられ、前記トレーに載置され、前記試料設置部に設置された固体試料に対してキャリアガスが噴射される１以上の噴出口を有することを特徴とする。
【００１９】
均一な固体材料ガスの形成には、試料設置部に導入されるキャリアガスの分散機能が重要な役割を果たす。本発明は、キャリアガスを分岐し、分岐流路に設けられた１以上の噴出口から分散されたキャリアガスをトレーに載置された固体試料に対して供給することによって、優れた分散機能を形成し、固体材料を均一に昇華させるとともに、材料濃度の均一な固体材料ガスを取り出すことを可能とした。
【００２０】
開示された固体材料ガスの供給方法は、キャリアガスを用いて上記供給装置から固体材料ガスを供給する。しかし、当業者であれば、開示された方法が、同様に、キャリアガスを用いずに、例えばイオン注入装置に、固体材料ガスの供給にも用いられることが判るであろう。
【００２１】
開示された固体材料ガスの供給方法の１つは、以下の前置工程によって作製された固体試料を設置し、キャリアガスにより所定量の固体材料の昇華・供給を行うことを特徴とする（以下「本ペースト法」ということがある）。
（１）粉状または顆粒状の固体材料を準備する工程
（２）所定容量の容器内に、所定量の前記固体材料を採取する工程
（３）前記容器内に、所定量の溶剤を添加し、前記固体材料と混合・攪拌し、ペースト状の固体材料を作製する工程
（４）前記ペースト状の固体材料を、平坦面を有する成型体に形成する工程
（５）前記固体試料を、所定の密閉容器に静置し、不活性ガス雰囲気下で溶剤を蒸発除去させて固体試料を作製する工程
【００２２】
他の実施態様において、開示された固体材料ガスの供給方法は、以下の前置工程によって作製された固体試料を設置し、キャリアガスにより所定量の固体材料の昇華・供給を行うことを特徴とする（以下「本スプレー法」ということがある）。
（１）粉状または顆粒状の固体材料を準備する工程
（２）トレー内に、所定量の前記固体材料を導入する工程
（３）トレー中の固体材料の表面に、所定量の溶剤を噴射する工程
（４）前記トレーを、所定の密閉容器内に静置し、不活性ガス雰囲気下で溶剤を蒸発除去させて固体試料を作製する工程
【００２３】
材料濃度の安定性を確保するためには、固体試料からの個体材料成分の安定した昇華が１つの重要な要素となる。開示された方法は、所定の溶剤による固体材料のペースト状の形成、その後の溶剤の蒸発除去を行なうことによって、操作あるいは静電気による飛散や偏在を生じることもなく、固体試料の表面から固体材料を均一に昇華させるとともに、均一に分散されたキャリアガスに同伴させることによって、安定した濃度の固体材料ガスを供給することが可能となった。
【００２４】
開示された固体材料ガスの供給方法は、前記固体試料が載置されたトレーが試料設置部に設置され、分散されたキャリアガスが該試料設置部に供給され、固体材料を同伴するキャリアガスが分散・混合し、固体材料ガスとして前記試料設置部から供出されることを特徴とする。
【００２５】
上記のように、前置工程によって作製された固体試料は、固体試料の表面から固体材料を均一に昇華させることが可能であり、専用のトレーに載置された状態で、均一に分散されたキャリアガスに同伴させることによって、安定した濃度の固体材料成分を含む固体材料ガスを作製し、供出することができる。
【００２６】
開示された固体材料ガスの供給方法は、前記固体材料ガス中の固体材料の濃度と前記キャリアガスの流量が監視されるとともに、予め求めた前記固体試料の残量と前記固体材料ガス中の固体材料の濃度との関係を基に、前記固体試料中の固体材料の残量が制御されることを特徴とする。
【００２７】
試料設置部内の固体材料の残量は、固体材料ガスの材料濃度に大きな影響を与える。つまり、固体材料の残量が所定量以下となると、昇華された固体材料の総量だけではなく、残量自体および固体材料の形状や形態等（性状）によって、材料濃度の低下を招来することが判った。開示された方法は、固体材料ガス中の固体材料の濃度とキャリアガスの流量を監視することによって、昇華された固体材料の総量を把握するとともに、予め求めた前記固体試料の残量と前記固体材料ガス中の固体材料の濃度との関係を基に固体試料中の固体材料の残量を管理することによって、固体材料ガスの材料濃度の安定化を図るものである。
【００２８】
前記固体材料ガスの供給装置および該装置を用いた前記固体材料ガスの供給方法を実施する態様は、以下の図面を基本として示される。しかし、当業者であれば、開示された方法が、同様に、キャリアガスを用いずに、例えばイオン注入装置において、固体材料ガスの供給にも用いることができることが判るであろう。
【００２９】
本固体材料ガスの供給装置は、固体試料を作製する固体試料作製手段と、キャリアガスが供給される供給部と、供給されたキャリアガスを分散させる分散部と、固体試料が設置される試料設置部と、試料設置部から供出される固体材料ガスが供出される供出部と、を備える。固体材料に溶剤を添加してペースト状あるいはスプレー状に加工し、溶剤を蒸発除去させて作製された固体試料に分散されたキャリアガスを接触させることによって、操作あるいは静電気による飛散や偏在を生じることもなく、固体材料を均一に昇華させるとともに、材料濃度の均一な固体材料ガスを取り出すことができる。
【００３０】
ここでいう「固体材料」は、既述のように、広く工業的に用いられる所定の温度で昇華（気化）する固体の材料をいい、具体的には、例えば塩化ハフニウム（ＨｆＣＬ４）や塩化ジルコニウム（ＺｒＣＬ４）等の無機金属化合物、トリメチルインジウム（（ＣＨ３）３Ｉｎ），ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｍｇ（Ｃｐ）２，ＭｇＨ２[（ＣＨ２）５]２）等の固体有機金属化合物、あるいはフタル酸（Ｃ６Ｈ４（ＣＯＯＨ）２）やナフタレン（Ｃ１０Ｈ８）あるいはアントラセン（Ｃ１４Ｈ１０）等の固体有機化合物を挙げることができる。一般に常温（２０〜３０℃）常圧（約０．１ＭＰａ）で固体の材料（例えば塩化ハフニウム等）に加え、ここでは、広く加圧条件下あるいは低温条件下において固体の材料をも含む。下表１に、固体材料、設定温度およびそのときの蒸気圧を例示する。むろん、これらの物質および設定条件に限定されるものではない。
【００３１】
【表１】
2013256709.tif 000003
【００３２】
溶剤としては、適正な蒸気圧を有し、固体材料との反応性がない、いかなる溶剤をも使用されうる。代表的な溶剤には、ｎ−ヘキサン，ｎ−オクタン、アセトン，トルエン，テトラヒドロフラン，エタノール，エチルメチルケトン，あるいは１，４−ジオキサンが含まれる。塩化ハフニウムまたは塩化ジルコニウムに対しては、溶剤が、ｎ−ヘキサン，ｎ−オクタン、アセトンあるいはトルエンが好ましい。アントラセンに対しては、溶剤が、ｎ−ヘキサン，ｎ−オクタン，アセトン，テトラヒドロフラン，エタノール，エチルメチルケトン，あるいは１，４−ジオキサンが好ましい。
【００３３】
キャリアガスとしては、反応性が低く安定性の高いガスが好ましく、例えばヘリウムやアルゴン等の希ガスあるいは窒素ガス等を用いることができる。また、固体材料の昇華を安定的に行なうためには、熱容量の大きなキャリアガスが好ましく、アルゴンガスが最も好適である。
【００３４】
図１は、本装置の基本構成例の供給装置本体を示す概略図である。本装置は、前置処理手段となる固体試料作製手段（図示せず、詳細は後述する）を含め、キャリアガスＣの供給部１と、キャリアガスＣの分散手段２と、固体試料Ｓが設置される試料設置部３と、試料設置部３から供出される固体材料ガスＧを合流させる供出室４と、から構成される。また、試料設置部３を容器１０の外部から加熱する加熱部５が設けられることが好ましい。上表１のように、各固体試料Ｓに応じた設定温度に加熱することによって固体試料Ｓの昇華（気化）を促し、所定の材料濃度の固体材料ガスＧを供給することが可能となる。
【００３５】
供給部１から供給されたキャリアガスＣは、試料設置部３の中心部に配設された分散手段２によって、試料設置部３内全体に放射状に噴出される。キャリアガスＣの噴出の方向は、トレー３ａに載置された固体試料Ｓの表面を掃くように、試料設置部３の水平方向となるようにすることが好ましい。試料設置部３内に均等に分散されたキャリアガスＣは、固体試料Ｓと接触し、昇華する固体材料成分を同伴し、混合・攪拌されながら試料設置部３から、これに繋がる供出室４を介して、固体材料ガスＧとして供出される。
【００３６】
処理対象となる固体試料Ｓは、操作あるいは静電気による飛散や偏在を生じることもなく、トレー３ａに載置された状態で、試料設置部３に所定量設置される。本ペースト法によって作製された固体試料Ｓの形状は、特に制限されないが、キャリアガスＣとの接触面積が大きく、ペレットあるいは多孔質体やハニカム等に成形されたものが好ましい。本スプレー法によって作製された固体試料Ｓの形状は、固体の粉状または顆粒状と同一または類似のままとなる。試料設置部３に設置された固体試料Ｓは、昇華された減少量が把握され、所定時間ごとに補充あるいは交換される。
【００３７】
本装置のキャリアガスＣの分散手段２は、キャリアガスＣを試料設置部３の垂直断面において試料設置部３内の各所から噴出させる構成を有することによって、分散室３内に広く分散させることができる。分散手段２は、供給部１と接続され、試料設置部３との境界に分散機能を有する部材を設けた構成が好ましい。分散機能を有する部材は、例えば、数１０〜数１００メッシュの孔径を有し、所定の厚み（例えば数ｍｍ程度）を有するステンレスその他の材質からなる金網、細孔付き金属板、金属焼結体、グラスウール等あるいは多孔質セラミックス等を用いることができる。キャリアガスＣの供給流路と試料設置部３を仕切るとともに、キャリアガスＣの均一な分散機能と同時に、キャリアガスＣの均一加熱機能（熱拡散機能）を有することができる。これによって、試料設置部３に設置された固体試料ＳとキャリアガスＣの均等な接触かつ均一な熱伝導を形成することができ、均一な材料濃度と均一な温度特性を有する固体材料ガスＧを形成し、供出することができる。
【００３８】
トレー３ａは、試料設置部３の水平方向に、中心部から外周部に対して放射状にかつ複数の固体試料Ｓが均等に載置できる構成が好ましい。均一に分散されたキャリアガスＣとの均等な接触を図り、均一な材料濃度を有する固体材料ガスＧを形成することができる。また、トレー３ａは、試料設置部３の垂直方向に複数段のトレー３ａが配設できる構成が好ましい。所定の容量の容器内に複数の固体試料Ｓを効率よく収容しながら、キャリアガスＣとの均等な接触を確保し、均一な材料濃度を有する固体材料ガスＧを形成することができる。
【００３９】
固体試料Ｓの残量は、後述する〔検証〕結果を利用することによって監視することができる。つまり、固体材料の残量が所定量以下となると、昇華された固体材料の総量だけではなく、残量自体および固体材料の形状や形態等（性状）によって、材料濃度の低下を招来するとの知見から、固体材料ガスＧ中の材料濃度とキャリアガスＣの流量を監視するとともに、予め求めた固体試料Ｓの残量と固体材料ガスＧ中の材料濃度との関係を基に、固体試料Ｓ中の固体材料の残量を管理することができる。具体的な残量の算出および管理方法の詳細については、後述する。また、得られた固体試料Ｓの残量情報を利用して、キャリアガスＣの流量を調整することによって、安定した材料濃度を有する固体材料ガスＧを供給することができる。つまり、監視された試料設置部３内の残量が設定量よりも少なくなり、補充までに所定の時間が必要な場合には、全体のキャリアガスＣの流量を減少させることによって、所定の材料濃度を確保することができる。キャリアガスＣの流量は、分数手段２に設けられた絞り弁や開閉弁あるいはダンバー等（図示せず）によって調整することができる。
【００４０】
固体試料Ｓは、不活性ガス導入部および固体試料設置用のトレー３ａを有する固体試料作製手段において作製される（図示せず）。溶剤を添加してペースト状あるいはスプレー状に加工された固体材料を不活性ガス雰囲気中に大気圧下で静置し、溶剤を蒸発除去させてトレー３ａに載置された固体試料Ｓが作製される。ペースト状あるいはスプレー状に加工され、固体材料が均一に分散した固体試料から溶剤を蒸発除去させることによって、操作あるいは静電気による飛散や偏在を生じることもなく、細孔な内部まで均一に分布し表面積の大きな固体試料Ｓを作製することができる。
【００４１】
固体試料Ｓを作製するプロセス、および試料設置部３に所定量の固体試料Ｓが設置され、試料設置部３が所定温度に加温された状態で、キャリアガスＣを導入し、所定の材料濃度の固体材料ガスＧを取り出すプロセスについて詳述する。
【００４２】
固体材料ガスＧの供給プロセスにおいて、以下の前置工程によって固体試料Ｓが作製される。所定の溶剤による固体材料のペースト状あるいはスプレー状の形成、その後の溶剤の蒸発除去を行なうことによって、表面から固体材料を均一に昇華させることができる固体試料Ｓを作製することができる。
【００４３】
図２に例示する本ペースト法の手順に従い、詳細を説明する。
（１）固体材料を準備する工程
常態として粉状または顆粒状の固体材料の所定量が準備される。不揃いの粒状の固体材料の場合には、粉砕して粉状またはサイズの揃った顆粒状とすることが好ましい。また、反応性を有する固体材料の場合には、以下の操作は不活性ガス雰囲気中で行なわれる。
（２）固体材料を採取する工程
所定容量の容器が準備され、所定量の固体材料が採取されて容器内に投入される。固体材料の成型にバインダー（結合剤）が必要な場合には、予め所定量のバインダーを準備して容器内に投入され、固体材料と混合される。
（３）溶剤を添加し、固体材料と混合・攪拌する工程
所定量の溶剤が容器に添加され、固体材料と混合・攪拌される。混合・攪拌時に発熱する固体材料にあっては、溶剤の添加速度および混合・攪拌速度が制御される。添加された溶剤の量は、ペースト材料を形成するのに十分なものとする（ペーストは、バックグランドとなる流体中において材料の懸濁物であり、十分に大きな負荷あるいは圧力が掛かるまでは固体としてふるまう。）。
（４）ペースト状の固体材料を作製する工程
固体材料は、ペースト状の固体材料を作製するために、容器内で溶剤と混合・攪拌される。
（５）成型体を形成する工程
ペースト状の固体材料から、平坦面を有する成型体が形成される。所定の型枠にペースト状の固体材料を流し込む方法や容器を型枠として用いる方法等を用いることができる。
（６）溶剤を蒸発除去する工程
固体試料が、所定の密閉容器に静置され、不活性ガス雰囲気下で溶剤が蒸発除去される。不活性ガスを流通させる方法や密閉容器を減圧する方法等を用いることができる。本装置では、成型されたペースト状の固体材料が固体試料充填用のトレーに載置された状態で、溶剤が蒸発・除去処理される。
（７）固体試料を作製する工程
溶剤を蒸発除去させて、固体試料Ｓが作製される。成型体を構成する平坦面から昇華した個体材料成分をキャリアガスに同伴させることによって、安定した濃度の固体材料ガスを供給することができる。
【００４４】
他の実施態様において、本スプレー法の手順に従い、詳細を説明する。
（１）固体材料を準備する工程
常態として粉状または顆粒状の固体材料の所定量が準備される。不揃いの粒状の固体材料の場合には、粉砕して粉状またはサイズの揃った顆粒状とすることが好ましい。また、反応性を有する固体材料の場合には、以下の操作は不活性ガス雰囲気中で行なわれる。
（２）トレー内に、所定量の前記固体材料を導入する工程
所定容量のトレーが準備され、所定量の固体材料が採取されてトレー内に投入される。固体材料の成型にバインダー（結合剤）が必要な場合には、予め所定量のバインダーを準備してトレー内に投入され、固体材料と混合される。
（３）トレー中の固体材料の表面に、所定量の溶剤を噴射する工程
所定量の溶剤が、トレー中の固体材料の表面に、均一に噴射される。好ましくは、約１〜１０重量％の溶剤が、トレー中の固体材料の表面に噴射される。
（４）溶剤を蒸発除去する工程
固体試料を備えたトレーが、所定の密閉容器に静置され、不活性ガス雰囲気下で溶剤が蒸発除去される。不活性ガスを流通させる方法や密閉容器を減圧する方法等を用いることができる。蒸発プオセスは、装置内部で、あるいは予めトレーを装置に導入して行われる。
（５）固体試料を作製する工程
溶剤を蒸発除去させて、固体試料Ｓが作製される。その表面から昇華した個体材料成分を有することによって、安定した濃度の固体材料ガスを供給することができる。
【００４５】
本ペースト法が、所定の製剤に適している一方、本スプレー法が、他の製剤に適していることは、当業者であれば、判るであろう。例えば、および下記の実施例に示すように、塩化ハフニウムとｎ−ヘキサンのペーストからｎ−ヘキサンを除去するには長時間が必要であった。しかし、少なくとも、ペースト材料がバルク量で産出されトレーに加えられる一方、各トレーが本スプレー法によって個別的に準備される必要があるとの理由から、ペースト材料は、本スプレー法によって準備された材料よりも準備や操作が容易である。具体的な溶剤，固体材料、および固体材料の形態は、どちらの固体試料の準備方法が用いられるべきかを規定する。例えば、たとえ同じ固体材料と同じ溶剤の異なる粒径であれば、異なる固体試料を準備する方法が利用される結果となる。
【００４６】
〔固体試料を設置し固体材料ガスを供給するプロセス〕
（１）固体試料の設置
それぞれの方法で作製された固体試料Ｓは、平坦面を上面としてトレー３ａに載置した状態で、供給装置本体の試料設置部３内に設置される。キャリアガスＣとの接触を効率よく行なうことができる。このとき、複数段のトレー３ａが、垂直方向に配設され、かつ複数の固体試料Ｓが、試料設置部３の水平方向に、中心部から外周部に対して放射状に均等に広げて載置されることが好ましい。
【００４７】
（２）キャリアガスの供給
固体試料Ｓが設置された状態で、キャリアガスＣが、供給部１から供給される。供給されるキャリアガスＣの圧力および流量は、所望の設定値に調整される。圧力および流量条件の調整は、供給装置への供給前後のいずれにも限定されるものではない。
【００４８】
（３）キャリアガスの分散
供給されたキャリアガスＣは、まず供給部１に接続された分散手段２によって分散された状態で、試料設置部３に導入される。このとき、キャリアガスＣは、試料設置部３の水平断面において分散しながら噴射されるとともに、試料設置部３の垂直断面においても分配され試料設置部３内に噴出させることによって、試料設置部３内に広く分散させることができる。
【００４９】
（４）固体材料ガスの作製
キャリアガスＣが、試料設置部３内に広く分散され、各固体試料Ｓに応じた設定温度に加熱された条件で、トレー３ａにおけるキャリアガスＣの固体試料Ｓとの接触により、昇華された所望の固体材料成分の蒸気圧を有する固体材料ガスＧが作製される。予め所望の空間速度となるように、キャリアガスＣの流量と試料設置部３の容積を設定することによって、十分な接触時間を確保し、安定した材料濃度の固体材料ガスＧを得ることができる。固体材料ガスＧの作製に伴い、固体試料Ｓの上表面から固体試料Ｓの減量が生じる。固体試料Ｓの減少は、監視窓（図示せず）による目視の監視あるいは後述する光センサ出力（図示せず）による監視によって把握することができる。固体試料Ｓの減少に伴う材料濃度の低下は、所定量以上のトレー３ａ（固体試料Ｓ）を設置することによって防止することができる。
【００５０】
（５）固体材料ガスの供給
試料設置部３において作製された固体材料ガスＧは、試料設置部３の上部空間において合流し、混合・均一化されて所望の材料濃度の固体材料ガスＧが作製される。作製された固体材料ガスＧは、供出部４から供出される。
【００５１】
＜固体材料ガスの供給装置の他の構成例＞
図３は、本装置の第２構成例を示す概略図である。本装置は、試料設置部３内部に、分散部２が供給部１と接続されキャリアガスＣを分岐する複数の分岐流路６と、各分岐流路６に設けられ、トレー３ａに載置され、試料設置部３に設置された固体試料Ｓに対してキャリアガスＣが噴射される１以上の噴出口６ａを有する。トレー３ａに載置された固体試料Ｓの上表面に対して、分散部２において分散されたキャリアガスＣによる水平方向からの接触と同時に、噴出口６ａからの分岐・分散されたキャリアガスＣによる垂直方向からの接触によって、優れた分散機能を形成し、固体材料を均一に昇華させるとともに、材料濃度の均一な固体材料ガスＧを取り出すことができる。各固体試料Ｓの昇華効率の向上は、試料設置部３内の配置による各固体試料Ｓにおける固体材料の昇華率のバラツキをなくし、より均一化された固体材料ガスＧを形成することができる。
【００５２】
分岐流路６は、１〜２０本の範囲が好ましいが、試料設置部３の容量と固体試料Ｓの物性によってはこの範囲に限らない。噴出口６ａは、直径０．２ｍｍ〜３ｍｍの範囲が好ましいが、試料設置部３の容量，固体試料Ｓの物性，分岐流路６の配管径によってはこの範囲に限らない。噴出口６ａの位置は、分岐流路６の末端部分から上流数ｃｍの範囲に設けることができる。噴出口６ａの個数は、１の分岐流路６当り１〜数１０程度が好ましい。なお、供給部１からガス噴出口６ａまでの構造はシャワーヘッド状としてもよい。また、噴出口６ａに伝熱性が高く、耐食性のある多孔性の部材を設けることも可能である。固体試料Ｓに対する垂直方向から噴射されるキャリアガスＣを、さらに分散させることによって、固体試料Ｓに接触するキャリアガスＣの均一性をさらに向上させることができる。
【実施例】
【００５３】
本発明の実施態様をさらに例証するために、以下のような非限定的な実施例を示す。しかしながら、実施例は、全てを包括することを意図するものではなく、ここに記載された発明の範囲に限定することを意図するものではない。
【実施例１】
【００５４】
本ペースト法によって作製された固体試料Ｓの機能を、固体材料として、四塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ４）を用い、以下の通り検証した。
【００５５】
（ｉ）検証条件
常態である固体・顆粒状（以下「粉体試料」という）と、開示された本ペースト法によって作製された固体試料のＨｆＣｌ４が、各々７５０ｇ採取され、ステンレス製トレー（トレー３ａに相当）８個に分取され、ステンレス特殊容器（以下「容器」という）に挿入された。
【００５６】
（ii）固体試料Ｓの作製
固体試料Ｓとして、窒素雰囲気としたグローブボックス内において、ステンレス容器中に固体材料である粉状のＨｆＣｌ４７５０ｇが採取され、溶剤としてｎ−ヘキサン１００ｇが添加された。ＨｆＣｌ４／ヘキサン混合物が、テフロン（登録商標）製スパチュラを用いて攪拌され、ペースト状とされた。得られたペーストは、ステンレス製トレー８個に分取され、ペースト表面が、テフロン（登録商標）製ヘラを用いて平坦にされた。このトレーは、グローブボックス内に３日間静置され、ｎ−ヘキサンを蒸発させた。蒸発前後の重量差を計測することによりｎ−ヘキサンの蒸発完了が確認された（蒸発前には８５０ｇであったペーストの重量は、ｎ−ヘキサン蒸発後には７５０ｇとなった）。
【００５７】
（iii）検証項目
固体試料Ｓと粉体試料を用いて「ＨｆＣＬ４の残量のＨｆＣＬ４濃度に対する依存度」について検証した。より具体的には、両試料が設置された容器を横９０℃まで横転させ、１０分間放置し、その後に両容器を元の立直した位置に戻し、容器から導出される固体材料濃度が測定された。恒温器を用いて１５０℃に加熱され、Ｎ２キャリアガス０．１ＳＬＭが導入された場合の固体材料濃度変化が追跡された。なお、固体材料濃度の計測には、ＴＣＤ検出器（Ｖａｌｃｏ社製、Ｍｉｃｒｏｖｏｌｕｍｅ  ＴＣＤ  ＴＣＤ２−ＮＩＦＥ−１１０）が使用された。
【００５８】
（iｖ）検証結果
以上の検証条件の下で、固体試料Ｓと粉体試料について、図４に例示するような「ＨｆＣＬ４の残量のＨｆＣＬ４濃度に対する依存度」に係る検証結果が得られた。
（iｖ−１）固体試料Ｓの場合には、トレー内に均一にＨｆＣｌ４が配置されていることから、残量１００％（設置初期）から１０％（９０％消費時）まで、一定濃度の気化が確認された。ＨｆＣｌ４は容器内で昇華し、キャリアガスに同伴して導出されるが、キャリアガスは均一な固体材料ＨｆＣｌ４からなる固体試料Ｓの表面上を通過するため、濃度も一定となった。
（iｖ−２）粉状試料の場合には、容器を傾斜させたことにより、トレー内のＨｆＣｌ４分布に偏りが発生したこと、トレーからＨｆＣｌ４が落下したことにより、キャリアガスの流路がＨｆＣｌ４の比較的少ない経路に偏るため全体的濃度が低くなった。また残量が４０％以下になるとＨｆＣｌ４に接触しない流路が増加する（ＨｆＣｌ４が載っていないトレー部分を通過する）ことから、濃度が低下した。
【００５９】
（ｖ）まとめ
以上のように、ペースト状の固体試料Ｓを用いることによって、移送中の傾斜の影響を受けなくすることができるとともに、キャリアガスＣとの均一な接触による安定した固体成分の昇華、その結果安定した材料濃度を有する固体材料ガスＧの供給ができることを確認することができた。しかしながら、ペーストから溶剤を蒸散させるには、長時間を要した。加えて、ＨｆＣｌ４やｎ−ヘキサンに対して、溶剤を除去した後の固体表面は、でこぼこした状態であった。でこぼこ状態の表面は、装置内でのトレーの積み重ねを困難にする。さらに、でこぼこ状態の表面は、キャリアガスＣの流通を阻害し、結果として不安定なガス濃度となりうる。
【００６０】
本装置においては、上記検証結果のように、予め供給対象となる固体材料について、固体試料Ｓの残量と固体材料ガスＧ中の材料濃度との関係を把握することによって、固体試料Ｓ中の固体材料の残量を管理することができる。
【００６１】
固体材料ガスＧ中の材料濃度ＭとキャリアガスＣの流量Ｆを監視することによって、固体試料Ｓから昇華した固体材料の減量ΔＳを算出することができる。つまり、下式１のように、材料濃度と流量により単位時間当りの減量が算出され、これを積算（Σ）することによって、減量ΔＳが算出される。
ΔＳ＝Σ（Ｍ×Ｆ）    …（式１）
従って、固体材料の初期設定値Ｓｏから減量ΔＳを減算することによって、固体試料Ｓの残量（通常、固体試料Ｓ中の固体材料の残量と等価となる）を算出することができる。また、固体試料Ｓの追加あるいは交換が必要となる程度の固体試料Ｓの減量状態では、固体試料Ｓの減量の進行は、固体材料ガスＧ中の材料濃度の低下に伴うことから、予め求めた「固体試料の残量と固体材料ガス中の材料濃度との関係」を基に、固体試料中の固体材料の残量を得ることができる（関係式から演算可能な場合には、残量を算出することができる）。
【００６２】
上記のように、固体試料Ｓ中の固体材料の残量を精度よく把握（算出）することができることは、本装置において長期間固体材料ガスＧを安定した材料濃度で供給することを可能とする。つまり、固体材料の残量を監視することによって、予め求めた「固体試料の残量と固体材料ガス中の材料濃度との関係」を基に、材料濃度を精度よく予測し管理することができる。また、固体試料Ｓ中の固体材料の残量を基に、固体試料Ｓの追加あるいは交換が必要となる時期あるいは固体材料の量を推算することができることから、固体試料Ｓの準備等の保守管理することができる。
【実施例２】
【００６３】
スプレー試料Ｓ（後述）の機能を、固体材料として、四塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ４）を用い、以下の通り検証した。
【００６４】
（ｉ）検証条件
常態である粉状のＨｆＣｌ４（以下「粉体試料」という）７５０ｇが採取され、ステンレス製トレー（トレー３ａに相当）８個に分取されて、ステンレス特殊容器（以下「容器」という）に挿入された。固体試料（以下「スプレー試料Ｓ」という）が、開示された本方法によって作製された。
【００６５】
（ii）スプレー試料Ｓの作製
スプレー試料Ｓとして、ステンレストレー中に固体材料である固体・顆粒状のＨｆＣｌ４１００ｇが添加された。溶剤としてアセトン５ｇが、噴出口（スプレーノズル）を用いてＨｆＣｌ４の表面に均一に噴霧された。各ステップは、８個のステンレス製トレーが準備できるまで繰り返された。こうしたプロセスは、窒素雰囲気としたグローブボックス内において行われた。こうしたトレーは、グローブボックス内に１２時間静置され、アセトンを蒸発させた。蒸発前後の重量差を計測することにより蒸発完了が確認された（蒸発前には４２６ｇであったステンレス製トレーの重量は、アセトン蒸発後には４２１ｇとなった）。
【００６６】
（iii）検証項目
スプレー試料Ｓと粉体試料を用いて「ＨｆＣＬ４の残量のＨｆＣＬ４濃度に対する依存度」について検証した。より具体的には、両試料が設置された容器を横９０℃まで横転させ、１０分間放置し、その後に両容器を元の立直した位置に戻し、容器から導出される固体材料濃度が測定された。恒温器を用いて１５０℃に加熱され、Ｎ２キャリアガス０．１ＳＬＭが導入された場合の固体材料濃度変化が追跡された。なお、固体材料濃度の計測には、ＴＣＤ検出器（Ｖａｌｃｏ社製、Ｍｉｃｒｏｖｏｌｕｍｅ  ＴＣＤ  ＴＣＤ２−ＮＩＦＥ−１１０）が使用された。
【００６７】
（iｖ）検証結果
以上の検証条件の下で、固体試料Ｓと粉体試料について、図５に例示するような「ＨｆＣＬ４の残量のＨｆＣＬ４濃度に対する依存度」に係る検証結果が得られた。
（iｖ−１）スプレー試料Ｓの場合には、トレー内に均一にＨｆＣｌ４が配置されていることから、残量１００％（設置初期）から１０％（９０％消費時）まで、一定濃度の気化が確認された。ＨｆＣｌ４は容器内で昇華し、キャリアガスに同伴して導出されるが、キャリアガスは均一な固体材料ＨｆＣｌ４からなるスプレー試料Ｓの表面上を通過するため、濃度も一定となった。
（iｖ−２）粉状試料の場合には、容器を傾斜させたことにより、トレー内のＨｆＣｌ４分布に偏りが発生したこと、トレーからＨｆＣｌ４が落下したことにより、キャリアガスの流路がＨｆＣｌ４の比較的少ない経路に偏るため全体的濃度が低くなった。また残量が４０％以下になるとＨｆＣｌ４に接触しない流路が増加する（ＨｆＣｌ４が載っていないトレー部分を通過する）ことから、濃度が低下した。
【００６８】
（ｖ）まとめ
以上のように、スプレー状の固体試料Ｓを用いることによって、移送中の傾斜の影響を受けなくすることができるとともに、キャリアガスＣとの均一な接触による安定した固体成分の昇華、その結果安定した材料濃度を有する固体材料ガスＧの供給ができることを確認することができた。溶剤は、本ペースト法によって準備された固体材料からよりも、本スプレー法によって準備された固体材料から、より迅速に蒸発した。さらに、溶剤が除去された後の固体表面は、平坦であった。平坦な表面は、装置内のトレーの積み重ねを、より容易にする。さらに、平坦な表面は、キャリアガスＣの流通を阻害せずに、より安定なガス濃度を作り出す。
【００６９】
実施例１と同様、開示された本スプレー法において、上記検証結果のように、予め供給対象となる固体材料について、スプレー試料Ｓの残量と固体材料ガスＧ中の材料濃度との関係を把握することによって、スプレー試料Ｓ中の固体材料の残量を管理することができる。
【００７０】
最後に、本ペースト法によってｎ−ヘキサンを蒸発させるよりも、本スプレー法によりアセトンを蒸発させる方が、より短時間となり、より効率的な給送方法であるとの結果であった。
【００７１】
本発明の特質を説明するために、ここに記載され、示された詳細部分，材料，ステップおよび部品の配置については、付記された請求項に表現されるような本発明の原理や適用範囲の範囲内において、当該分野の当業者によって、多くの追加的な変更がされるであろうことが理解できるであろう。従って、本発明は、上記実施例および／または添付図面の具体的な実施態様に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００７２】
１    供給部
２    分散部
３    試料設置部
３ａ  トレー
４    供出部
５    加熱部
６    分岐流路
６ａ  噴出口
Ｃ    キャリアガス
Ｇ    固体材料ガス
Ｓ    固体試料
【図１】
2013256709.tif 000004
【図２】
2013256709.tif 000005
【図３】
2013256709.tif 000006
【図４】
2013256709.tif 000007
【図５】
2013256709.tif 000008
【図６】
2013256709.tif 000009