(57)【要約】      （修正有）【課題】酸化セリウムを含む研磨液で研磨する粗研磨工程を行わない等、研磨工程を減らしたとしても、平滑性が充分に高く、端面だれの発生が充分に抑制された情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス素板１０上に、研磨液１６を供給した状態で、前記ガラス素板１０と研磨パッド１５とを相対的に移動させて、前記ガラス素板１０の表面を研磨する研磨工程を備え、前記研磨液１６として、平均粒子径が５〜１５ｎｍのコロイダルシリカが分散されたシリカゾルを含み、前記研磨液１６中での前記コロイダルシリカの平均粒子径が２０〜３０ｎｍである研磨液を用いる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス素板上に、研磨液を供給した状態で、前記ガラス素板と研磨パッドとを相対的に移動させて、前記ガラス素板の表面を研磨する研磨工程を備え、
前記研磨液として、平均粒子径が５〜１５ｎｍのコロイダルシリカが分散されたシリカゾルを含み、前記研磨液中での前記コロイダルシリカの平均粒子径が２０〜３０ｎｍである研磨液を用いることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記研磨工程における、研磨圧力の最大値が、１４０〜１８０ｇ／ｃｍ２である請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記研磨工程が、前記ガラス素板として、表面粗さが、算術平均粗さＲａで０．１〜０．５μｍであるガラス素板を研磨する工程である請求項１又は請求項２に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記研磨パッドとして、スエードパッドを用いる請求項１〜３のいずれか１項に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
ガラス素板の表面を研磨して、情報記録媒体用ガラス基板を製造する際に用いる研磨液であって、
平均粒子径が５〜１５ｎｍのコロイダルシリカが分散されたシリカゾルを含み、
前記研磨液中での前記コロイダルシリカの平均粒子径が２０〜３０ｎｍであることを特徴とする研磨液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び研磨液に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気、光及び光磁気等を利用することによって、情報を情報記録媒体に記録する情報記録装置が知られている。このような情報記録装置としては、代表的なものとして、例えば、ハードディスクドライブ装置等が挙げられる。ハードディスクドライブ装置は、基板上に記録層を形成した情報記録媒体としての磁気ディスク（ハードディスク）に、磁気ヘッドによって磁気的に情報を記録し（書き込み）、記録した情報を再生する（読み出す）装置である。このような情報記録媒体の基材、いわゆるサブストレートとしては、ガラス基板が好適に用いられている。
【０００３】
また、ハードディスクドライブ装置は、磁気ディスクに情報を記録したり、読み出したりする際、磁気ヘッドを、磁気ディスクに接触することなく、磁気ディスクに対し浮上させておくものである。そして、磁気ヘッドの浮上量を低減させることによって、記録密度の向上が図れることが知られている。近年は、磁気ディスクの記録密度の高密度化が図られ、磁気ヘッドの浮上量が、数ｎｍ程度にまで減少している。これらのことから、磁気ヘッドの浮上量をより低減させて、記録密度をより高めるためには、情報記録媒体用ガラス基板の平滑性が高いことが求められる。
【０００４】
このような情報記録媒体用ガラス基板は、溶融ガラスから得られたガラス素板（ガラスブランクス）を切削加工した後、研磨加工を施すこと等によって、製造される。具体的には、切削加工されたガラス素板に対して、まず、酸化セリウムを含む研磨液で研磨する粗研磨工程を施し、さらに、コロイダルシリカを含む研磨液で研磨する精密研磨工程を施す方法等が挙げられる。このように、複数回にわたって研磨加工を施すことによって、平滑性の高い情報記録媒体用ガラス基板を得ていた。
【０００５】
また、特許文献１に記載の方法等が挙げられる。特許文献１には、磁気記録媒体用ガラス基板の表面を、２種類の砥粒を含むスラリーを伴って研磨する仕上げ研磨工程を含み、前記仕上げ研磨工程により研磨された前記ガラス基板の表面における算術平均粗さ（Ｒａ）が、１．０ｎｍ以下において±０．０５ｎｍの範囲内で制御される磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法が記載されている。特許文献１によれば、ガラス基板の表面粗さを容易に精度よく、かつ、安定した状態で制御できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１９２０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のような粗研磨工程及び精密研磨工程等のように、複数回にわたって研磨加工を施すことによって、平滑性の高い情報記録媒体用ガラス基板を容易に得ることができる。しかしながら、複数回にわたる研磨加工は、洗浄工程が複雑になるという問題があった。特に、酸化セリウムを用いた場合、ガラスとの親和性が比較的高いため、ガラス素板上に残存しやすいという問題があった。
【０００８】
また、上述したような、近年のさらなる高密度化に伴い、これまで問題になっていなかったような小さな付着等も問題となってしまうことがあり、酸化セリウム等の、ガラスとの親和性が比較的高い成分を用いない研磨が求められている。
【０００９】
そこで、本発明者等は、研磨工程の回数を減らし、例えば、１回研磨とするために、酸化セリウムを含む研磨液で研磨する粗研磨工程を施さずに、２種類の研磨剤を含む研磨液を用いた研磨工程を施すことを検討した。具体的には、特許文献１に記載の発明は、１回研磨を目的としたものではないが、特許文献１に記載のような、粒径の互いに異なる２種類の砥粒を含むスラリーを用いた仕上げ研磨を適用すること等を検討した。
【００１０】
しかしながら、このような２種類の研磨剤を含む研磨液を用いた研磨工程を施す方法では、平滑性の充分に高いガラス基板が得られなかった。このことは、本発明者等の検討によれば、粒子径の大きな研磨剤によって、ガラス基板の表面に傷が発生するためと推察した。すなわち、平滑性は、研磨液に含まれる研磨剤のうち、粒子径の大きなものに依存するためと推察した。
【００１１】
また、粒子径の比較的小さい研磨剤を含む研磨液で、研磨することが考えられる。このような場合、研磨速度が低いため、充分な平滑性を得るためには、研磨に要する時間が長時間化してしまう。また、ガラス素板の研磨は、中央部より端部のほうが研磨パッドが強くあたり、優先的に進行するという傾向があるので、長時間にわたって研磨すると、ガラス基板の中央部より端部付近のほうが優先的に研磨される、いわゆる端面だれが発生してしまう。
【００１２】
本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであって、酸化セリウムを含む研磨液で研磨する粗研磨工程を行わない等、研磨工程を減らしたとしても、平滑性が充分に高く、端面だれの発生が充分に抑制された情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。また、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において用いられる研磨液を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、ガラス素板上に、研磨液を供給した状態で、前記ガラス素板と研磨パッドとを相対的に移動させて、前記ガラス素板の表面を研磨する研磨工程を備え、前記研磨液として、平均粒子径が５〜１５ｎｍのコロイダルシリカが分散されたシリカゾルを含み、前記研磨液中での前記コロイダルシリカの平均粒子径が２０〜３０ｎｍである研磨液を用いることを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、前記研磨工程を施せば、他の研磨工程を施さなくても、平滑性が充分に高いガラス基板を、比較的高い研磨速度で製造することができる。すなわち、酸化セリウムを含む研磨液で研磨する粗研磨工程を行わない等、研磨工程を減らしたとしても、平滑性が充分に高く、端面だれの発生が充分に抑制された情報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。
【００１５】
また、前記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記研磨工程における、研磨圧力の最大値が、１４０〜１８０ｇ／ｃｍ２であることが好ましい。
【００１６】
このような構成によれば、平滑性をより高く、端面だれの発生をより抑制することができる。
【００１７】
また、前記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記研磨工程が、前記ガラス素板として、表面粗さが、算術平均粗さＲａで０．１〜０．５μｍであるガラス素板を研磨する工程であることが好ましい。
【００１８】
このような構成によれば、平滑性をより高く、端面だれの発生をより抑制することができる。
【００１９】
また、前記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記研磨パッドとして、スエードパッドを用いることが好ましい。
【００２０】
このような構成によれば、平滑性をより高く、端面だれの発生をより抑制することができる。
【００２１】
また、本発明の他の一態様に係る研磨液は、ガラス素板の表面を研磨して、情報記録媒体用ガラス基板を製造する際に用いる研磨液であって、平均粒子径が５〜１５ｎｍのコロイダルシリカが分散されたシリカゾルを含み、前記研磨液中での前記コロイダルシリカの平均粒子径が２０〜３０ｎｍであることを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、ガラス素板の表面を研磨する際に用いた場合、平滑性が充分に高い情報記録媒体用ガラス基板を、比較的高い研磨速度で製造することができる。よって、酸化セリウムを含む研磨液で研磨する粗研磨工程を行わない等、研磨工程を減らしたとしても、平滑性が充分に高く、端面だれの発生が充分に抑制された情報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、酸化セリウムを含む研磨液で研磨する粗研磨工程を行わない等、研磨工程を減らしたとしても、平滑性が充分に高く、端面だれの発生が充分に抑制された情報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施形態に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法における研磨工程で用いる研磨装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本実施形態に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法で用いられるガラス素板を示す上面図である。
【図３】本実施形態に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法により製造された情報記録媒体用ガラス基板を用いた情報記録媒体の一例である磁気ディスクを示す一部断面斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明に係る実施形態について説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００２６】
本実施形態に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、ガラス素板上に、研磨液を供給した状態で、前記ガラス素板と研磨パッドとを相対的に移動させて、前記ガラス素板の表面を研磨する研磨工程を備え、前記研磨液として、平均粒子径が５〜１５ｎｍのコロイダルシリカが分散されたシリカゾルを含み、前記研磨液中での前記コロイダルシリカの平均粒子径が２０〜３０ｎｍである研磨液を用いる。
【００２７】
このような製造方法によれば、前記研磨工程を施せば、他の研磨工程を施さなくても、平滑性が充分に高いガラス基板を、比較的高い研磨速度で製造することができる。この研磨工程を、精密研磨工程として施し、酸化セリウムを含む研磨液で研磨する粗研磨工程を行わない等、研磨工程を減らしたとしても、平滑性が充分に高く、端面だれの発生が充分に抑制された情報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。
【００２８】
また、本実施形態に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、前記研磨工程を備えていれば、特に限定されない。具体的には、研磨工程が、上記のような工程であること以外、特に限定されず、従来公知の製造方法であればよい。また、従来の一般的な製造方法では、主表面を研磨する研磨工程として、粗研磨工程と精密研磨工程とを含む複数回の研磨を行うことが一般的である。上述したように、本実施形態に係る前記研磨工程は、平滑性が充分に高いガラス基板を、比較的高い研磨速度で製造することができるので、本実施形態では、精密研磨工程として、本実施形態に係る前記研磨工程を行い、粗研磨工程を省略してもよい。
【００２９】
ここで、本実施形態に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法における研磨工程について、説明する。
【００３０】
前記研磨工程は、上述した研磨工程であれば、特に限定されない。具体的には、ガラス素板上に、研磨液を供給した状態で、ガラス素板と研磨パッドとを相対的に移動させて、ガラス素板の表面を研磨する工程である。そして、その研磨液として、平均粒子径が５〜１５ｎｍのコロイダルシリカが分散されたシリカゾルを含み、研磨液中での前記コロイダルシリカの平均粒子径が２０〜３０ｎｍとなるように調整した研磨液を用いる。
【００３１】
なお、ここでの平均粒子径は、動的光散乱装置等を用いて測定することができる。
【００３２】
まず、この研磨工程で用いる研磨液は、上記のような研磨液であれば、特に限定されない。
【００３３】
具体的には、まず、研磨液に含まれるシリカゾルが、平均粒子径が５〜１５ｎｍのコロイダルシリカが分散されたものであり、平均粒子径が５〜８ｎｍのコロイダルシリカが分散されたものがより好ましい。シリカゾルに含まれるコロイダルシリカの平均粒子径が小さすぎると、研磨液中でのコロイダルシリカの平均粒子径を、上記範囲内にしても、研磨速度が充分に高まらない傾向がある。よって、端面だれが発生しやすい傾向がある。また、シリカゾルに含まれるコロイダルシリカの平均粒子径が大きすぎると、研磨液中でのコロイダルシリカの平均粒子径を、上記範囲内にしても、研磨性が充分に高まらない傾向がある。よって、表面への傷の発生を充分に抑制できない傾向がある。これらのことから、シリカゾルに含まれるコロイダルシリカの平均粒子径が小さすぎたり、大きすぎたりしなければ、研磨速度を維持しつつ、研磨性を充分に高めることができる。
【００３４】
そして、研磨液中でのコロイダルシリカが、平均粒子径が５〜１５ｎｍのままではなく、２０〜３０ｎｍとなるように調整した研磨液である。
【００３５】
このような、研磨液中の、平均粒子径が２０〜３０ｎｍのコロイダルシリカは、シリカゾルの状態のときの、平均粒子径が５〜１５ｎｍのコロイダルシリカが複数個集合したものである。この集合状態は、衝撃等を加えるとすぐに分散するような、比較的弱い凝集状態であると考えられる。
【００３６】
そして、このような比較的弱く凝集したコロイダルシリカを含む研磨液で研磨する、本実施形態に係る研磨工程は、コロイダルシリカの粒子径が比較的大きいので、ある程度高い研磨速度を確保することができると考えられる。また、その凝集状態が比較的弱いので、粒子径の比較的大きな研磨剤を用いて研磨したときのような傷の発生が抑制され、高い平滑性を確保することができると考えられる。よって、比較的高い研磨速度を確保しつつ、平滑性の高いガラス基板を製造することができると考えられる。
【００３７】
また、研磨液でのコロイダルシリカの平均粒子径が小さすぎると、シリカゾルに含まれるコロイダルシリカの平均粒子径を、上記範囲内にしても、研磨速度が充分に高まらない傾向がある。よって、端面だれが発生しやすい傾向がある。このことは、上記凝集状態が弱すぎることによると考えられる。また、研磨液でのコロイダルシリカの平均粒子径が大きすぎると、シリカゾルに含まれるコロイダルシリカの平均粒子径を、上記範囲内にしても、研磨性が充分に高まらない傾向がある。よって、表面への傷の発生を充分に抑制できない傾向がある。これらのことから、研磨液でのコロイダルシリカの平均粒子径が小さすぎたり、大きすぎたりしなければ、研磨速度を維持しつつ、研磨性を充分に高めることができる。
【００３８】
次に、前記研磨液の調製方法について、説明する。
【００３９】
前記研磨液の調製方法としては、平均粒子径が５〜１５ｎｍのコロイダルシリカが分散されたシリカゾルを含み、前記研磨液中での前記コロイダルシリカの平均粒子径が２０〜３０ｎｍである研磨液を調製することができれば、特に限定されない。具体的には、平均粒子径が５〜１５ｎｍのコロイダルシリカが分散されたシリカゾルを含ませて、さらに、研磨液中での前記コロイダルシリカの平均粒子径が２０〜３０ｎｍとなるように調整する方法等が挙げられる。また、研磨液は、研磨スラリーとも称する。
【００４０】
より具体的には、例えば、平均粒子径が５〜１５ｎｍのコロイダルシリカが分散されたシリカゾルに、酸等のｐＨ調整剤、分散剤、及び凝集剤等の添加剤を添加し、その添加量を調整することによって、研磨液中での前記コロイダルシリカの平均粒子径が２０〜３０ｎｍとなるように調整する方法が挙げられる。この研磨液中でのコロイダルシリカは、シリカゾルでのコロイダルシリカが複数個集合したものであり、比較的弱く凝集したものであると考えられる。この方法は、添加剤の添加量を、適切な凝集状態になるように調整する方法であると考えられる。
【００４１】
また、前記研磨液の調製方法としては、上記方法の中でも、酸等のｐＨ調整剤を添加する方法が好ましい。また、その方法としては、研磨液のｐＨを１〜３程度に調整する方法が挙げられる。この方法が、研磨特性に与える悪影響が少なく、コロイダルシリカの粒子径の調整が容易である。
【００４２】
前記ｐＨ調整剤としては、コロイダルシリカの粒子径を調整することができるものであれば、特に限定されない。具体的には、ガラス基板の表面への傷つき防止、すなわち、スクラッチ低減の観点から、無機酸、有機ホスホン酸、及びカルボン酸等が挙げられる。また、前記無機酸としては、例えば、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、及びスルファミン酸（アミド硫酸）等が挙げられる。また、前記有機ホスホン酸としては、例えば、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１，−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、及びα−メチルホスホノコハク酸等が挙げられる。また、前記カルボン酸としては、例えば、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸、ギ酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、プロパン酸、ヒドロキシプロパン酸、酪酸、安息香酸、グリシン、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、イタコン酸、リンゴ酸、イソクエン酸、フタル酸、ニトロトリ酢酸、エチレンジアミン四酢酸等が挙げられる。これらの中でも、ガラス基板の表面への傷つき防止、すなわち、スクラッチ低減の観点から、無機酸、及び有機ホスホン酸を用いることが好ましい。また、無機酸としては、リン酸、硝酸、及び硫酸が好ましく、硝酸がより好ましい。また、有機ホスホン酸としては、ＨＥＤＰ、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が好ましく、ＨＥＤＰ、アミノトリ（メチレンホスホン酸）がより好ましく、ＨＥＤＰがさらに好ましい。すなわち、硝酸とＨＥＤＰとを用いることが特に好ましい。
【００４３】
また、前記研磨液は、前記シリカゾルと、必要に応じて添加する、コロイダルシリカの粒子径を調整するための添加剤とを含み、さらに、研磨液に一般的に含有される成分等の他の成分を含んでいてもよい。
【００４４】
次に、研磨工程で用いる研磨装置について説明する。
【００４５】
この研磨工程で用いる研磨装置は、情報記録媒体用ガラス基板の製造に用いる研磨装置であれば、特に限定されない。具体的には、図１に示すような研磨装置１１が挙げられる。なお、図１は、本実施形態に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法における研磨工程で用いる研磨装置の一例を示す概略断面図である。
【００４６】
図１に示すような研磨装置１１は、ガラス素板の主表面の両面を、同時に研磨可能な装置である。また、この研磨装置１１は、装置本体部１１ａと、装置本体部１１ａに研磨液（研磨スラリー）を供給する研磨液供給部１１ｂとを備えている。
【００４７】
研磨本体部１１ａは、互いに対向して配置される２枚の定盤１２，１３を備えている。それぞれの定盤の位置関係は、上下に限定されないが、例えば、２枚の定盤のうち、上側に配置される定盤を、上定盤１２とし、下側に配置される定盤を、下定盤１３と称する。すなわち、研磨本体部１１ａは、円盤状の上定盤１２と円盤状の下定盤１３とを備えており、それらが互いに平行になるように上下に間隔を隔てて配置されている。そして、円盤状の上定盤１２と円盤状の下定盤１３とが、互いに逆方向に回転する。
【００４８】
この円盤状の上定盤１２と円盤状の下定盤１３との対向するそれぞれの面に、ガラス素板１０の表裏の両面を研磨するための研磨パッド１５が貼り付けられている。
【００４９】
また、円盤状の上定盤１２と円盤状の下定盤１３との間には、回転可能な複数のキャリア１４が設けられている。このキャリア１４は、複数の素板保持用孔５１が形成されており、この素板保持用孔５１にガラス素板１０をはめ込んで配置することができる。キャリア１４としては、例えば、素板保持用孔５１が１００個形成されていて、１００枚のガラス素板１０をはめ込んで配置できるように構成されていてもよい。そうすると、１回の処理（１バッチ）で１００枚のガラス素板を処理できる。
【００５０】
研磨パッド１５を介して定盤１２，１３に挟まれているキャリア１４は、ガラス素板１０を保持した状態で、自転しながら、定盤１２，１３の回転中心に対して下定盤１３と同じ方向に公転する。なお、円盤状の上定盤１２と円盤状の下定盤１３とは、別駆動で動作することができる。このように動作している研磨装置１１において、研磨液１６を、上定盤１２とガラス素板１０との間、及び下定盤１３とガラス素板１０との間に、それぞれ供給することによって、ガラス素板１０の研磨を行うことができる。なお、研磨液１６は、上述した研磨液である。
【００５１】
また、研磨液供給部１１ｂは、液貯留部１１０と液回収部１２０とを備えている。液貯留部１１０は、液貯留部本体１１０ａと、液貯留部本体１１０ａから装置本体部１１ａに延ばされた吐出口１１０ｅを有する液供給管１１０ｂとを備えている。液回収部１２０は、液回収部本体１２０ａと、液回収部本体１２０ａから装置本体部１１ａに延ばされた液回収管１２０ｂと、液回収部本体１２０ａから研磨液供給部１１ｂに延ばされた液戻し管１２０ｃとを備えている。
【００５２】
そして、液貯留部本体１１０ａに入れられた研磨液１６は、液供給管１１０ｂの吐出口１１０ｅから装置本体部１１ａに供給され、装置本体部１１ａから液回収管１２０ｂを介して液回収部本体１２０ａに回収される。また、回収された研磨液１６は、液戻し管１２０ｃを介して液貯留部１１０に戻され、再度、装置本体部１１ａに供給可能とされている。
【００５３】
ここでは、回収した研磨液を循環して使用する場合（循環使用）について説明したが、研磨に供された研磨液を回収せずに、新たな研磨液を使用する、いわゆる、かけ流しで研磨液を使用する場合（かけ流し使用）であってもよい。また、研磨液を循環使用で研磨した後に、かけ流し使用で研磨を行ってもよい。研磨液をかけ流しで使用する理由は、研磨によって発生する研磨スラッジ（研磨くず）が、研磨液中に存在すると、ガラス基板の表面に傷を発生させる可能性があるからである。また、シリカゾル中に分散されているコロイダルシリカの平均粒子径、及び研磨液中のコロイダルシリカの平均粒子径が、それぞれ上記範囲内であれば、循環使用とかけ流し使用とで、それぞれ変更してもよい。
【００５４】
また、研磨工程で用いられる研磨パッドは、情報記録媒体用ガラス基板を製造する際の研磨工程に用いられるものであれば、特に限定されない。その中でも、一般的な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法における精密研磨工程で用いる研磨パッドが好ましい。具体的には、例えば、スエードパッド等が挙げられる。スエードパッドとは、表面部（研磨層）が、軟質発泡ポリウレタン等の軟質発泡樹脂で構成されるスエードタイプの軟質発泡樹脂パッドである。また、スエードパッドは、気泡が表面（パッド面）に開放されており、気泡を仕切る壁が軟らかいものが相対的に多い研磨パッドである。そして、研磨パッドのパッド面の硬さが、アスカーＣ硬度で、８０〜８４であることが好ましい。また、パッド面に開放されている気泡の直径（開放径）が、２０〜８０μｍであることが好ましい。また、研磨パッドの表面に配置される研磨層の密度が、０．５５〜０．６２ｇ／ｍ３であることが好ましい。また、研磨パッドのパッド面をバフ研磨していない、いわゆるノンバフの研磨パッドであることが好ましい。
【００５５】
また、前記研磨工程における研磨条件としては、研磨パッドをガラス素板に押圧する圧力（研磨圧力）の最大値が、１４０〜１８０ｇ／ｃｍ２であることが好ましい。研磨圧力が低すぎる場合、研磨速度を高めにくい傾向がある。よって、端面だれが発生しやすい傾向がある。また、研磨圧力が高すぎると、研磨性を高めにくい傾向がある。これらのことから、研磨圧力が低すぎたり、高すぎたりしなければ、研磨速度を維持しつつ、研磨性をより高めることができる。
【００５６】
また、前記研磨工程に供されるガラス素板は、情報記録媒体用ガラス基板を製造する際に研磨対象となるようなガラス素板であれば、特に限定されない。一般的な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法における精密研磨工程に供されるガラス素板のような、粗研磨工程を施した平滑性の高いものである必要はなく、粗研磨工程に供されるガラス素板であってもよい。すなわち、本実施形態に係る製造方法によれば、粗研磨工程を行わなくても、本実施形態における研磨工程を行えば、情報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。
【００５７】
また、前記研磨工程に供されるガラス素板は、その表面粗さが低いことが好ましい。例えば、算術平均粗さＲａで、０．１〜０．５μｍであるものが好ましい。このようなＲａを満たすガラス素板は、例えば、研磨工程の前に施す研削工程の条件を調整することによって、得られたもの等があげられる。この表面粗さが高すぎると、研磨工程での加工時間が長時間化してしまい、端面だれの発生しやすくなる傾向がある。また、表面粗さが低すぎる場合、研削工程での条件設定が困難になったり、本研磨工程の前に別途研磨工程を施す等の工夫が必要になる場合がある。
【００５８】
以上のような研磨工程を施すことによって、上述したように、研磨工程を減らしたとしても、平滑性が充分に高く、端面だれの発生が充分に抑制された情報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。
【００５９】
また、本実施形態に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法としては、前記研磨工程を備えていればよいが、その他の工程を備えていてもよい。例えば、円盤加工工程、研削工程（ラッピング工程）、内外研削工程、端面研磨工程、化学強化工程、研磨工程（ポリッシング工程）、及び洗浄工程を備える方法等が挙げられる。そして、前記各工程を、この順番で行うものであってもよいし、研磨工程の後に化学強化工程を行うものであってもよい。さらに、これら以外の工程を備える方法であってもよい。また、研磨工程は、上記研磨工程を行うものである。
【００６０】
前記円盤加工工程は、原料ガラスを、図２に示すような、内周及び外周が同心円となるように、中心部に貫通孔１０ａが形成された円盤状のガラス素板１０に加工する工程である。具体的には、原料ガラスを、溶融炉で溶融して、溶融ガラスとするガラス溶融工程と、溶融ガラスを円盤状のガラス素板に形成する成形工程と、形成された円盤状のガラス素板の中心部に貫通孔１０ａを形成するコアリング加工を施し、図２に示すような、円盤状のガラス素板１０に加工するコアリング加工工程等を備える。なお、図２は、本実施形態に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法で用いられるガラス素板を示す上面図である。
【００６１】
前記ガラス溶融工程は、原料ガラスを、溶融炉で溶融して、溶融ガラスとすることができれば、特に限定されない。原料ガラスとしては、特に限定されず、例えば、ＳｉＯ２、Ｎａ２Ｏ、及びＣａＯを主成分とするソーダライムガラス、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、及びＲ１２Ｏ（式中、Ｒ１は、Ｋ、Ｎａ、又はＬｉを示す。）で表される酸化物を主成分とするアルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２系ガラス、Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラス、Ｒ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラス（式中、Ｒ２は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａを示す。）等が挙げられる。より具体的には、例えば、ガラス組成が、ＳｉＯ２が５５〜７５質量％、Ａｌ２Ｏ３が５〜１８質量％、Ｌｉ２Ｏが１〜１０質量％、Ｎａ２Ｏが３〜１５質量％、Ｋ２Ｏが０．１〜５質量％、ＭｇＯが０．１〜５質量％、ＣａＯが０．１〜５質量％であるもの等が挙げられる。これらの中でも、アルミノシリケートガラス、及びボロシリケートガラスが、耐衝撃性や耐振動性に優れる点で好ましい。また、原料ガラスの溶融方法としては、特に限定されず、通常は上記ガラス素材を公知の温度、時間にて高温で溶融する方法を採用することができる。
【００６２】
前記成形工程は、溶融ガラスを円盤状のガラス素板に形成することができれば、特に限定されない。具体的には、溶融ガラスをプレス成形により、円盤状のガラス素板を形成するプレス工程等が挙げられる。また、前記成形工程は、プレス工程に限らず、例えば、ダウンドロー法やフロート法等で形成したシートガラスを研削砥石で切り出して、円盤状のガラス素板を作製する工程であってもよい。なお、フロート法とは、例えば、ガラス素材を溶融させた溶融液を、溶融したスズの上に流し、そのまま固化させる方法である。得られたガラス素板は、一方の面がガラスの自由表面であり、他方の面が、ガラスとスズとの界面であるため、平滑性の高い、例えば、算術平均粗さＲａが０．００１μｍ以下の鏡面を備えたものとなる。また、ガラス素板の厚みとしては、例えば、０．９５ｍｍのものが挙げられる。なお、ガラス素板やガラス基板の表面粗さ、例えばＲａやＲｍａｘは、一般的な表面粗さ測定機を用いて測定することができる。
【００６３】
また、前記コアリング加工工程は、前記成形工程で形成された円盤状のガラス素板の中心部に貫通孔１０ａを形成するコアリング加工を施す工程である。そうすることによって、図２に示すような、中心部に貫通孔１０ａが形成された円盤状のガラス素板１０が得られる。コアリング加工は、ガラス素板の中心部に貫通孔を形成する穴あけ加工であれば、特に限定されない。例えば、カッター部にダイヤモンド砥石等を備えたコアドリルや、円筒状のダイヤモンドドリル等で研削することで、ガラス素板の中心部に貫通孔を形成させる方法等が挙げられる。そうすることで、ガラス素板の中心部に貫通孔を形成され、平面視で円環状のガラス素板が得られる。
【００６４】
前記円盤加工工程によって、例えば、外径ｒ１が２．５インチ（約６４ｍｍ）、１．８インチ（約４６ｍｍ）、１インチ（約２５ｍｍ）、０．８インチ（約２０ｍｍ）等で、厚みが２ｍｍ、１ｍｍ、０．６３ｍｍ等の円盤状のガラス素板が得られる。また、外径ｒ１が２．５インチ（約６４ｍｍ）のときは、例えば、内径ｒ２が０．８インチ（約２０ｍｍ）等に加工される。
【００６５】
前記研削工程（ラッピング工程）は、前記ガラス素板を所定の板厚に加工する工程である。具体的には、例えば、ガラス素板の両面を研削（ラッピング）加工する工程等が挙げられる。そうすることによって、ガラス素板の平行度、平坦度及び厚みを調整する。また、このラッピング工程は、１回であってもよいし、２回以上であってもよい。例えば、２回行う場合、１回目のラッピング工程（第１ラッピング工程）で、ガラス素板の平行度、平坦度及び厚みを予備調整し、２回目のラッピング工程（第２ラッピング工程）で、ガラス素板の平行度、平坦度及び厚みを微調整する。また、研削工程を２回行う場合、第１ラッピング工程と第２ラッピング工程とを連続で行ってもよいが、これらの工程の間に、後述する、内外研削工程、及び端面研磨工程を行ってもよい。
【００６６】
また、研削工程で用いる研削装置は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法における研削工程で用いる研削装置として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、前記研磨工程で用いる研磨装置と同様のものであって、研磨パッドの代わりに、固定砥粒としてダイヤモンドを使用した樹脂シート（研削シート）を用いたものが挙げられる。
【００６７】
また、前記第１ラッピング工程としては、ガラス素板の表面全体が略均一の表面粗さとなるようにした工程等が挙げられる。また、第１ラッピング工程で用いる研削シートとしては、例えば、固定砥粒の平均粒子径が、６〜１２μｍのものを用いることが好ましい。また、前記第１ラッピング工程は、ガラス素板の算術平均粗さＲａを複数個所測定した際に、得られたＲａの最小値と最大値との差が、０．０１〜０．４μｍ程度にすることが好ましい。
【００６８】
また、前記第２ラッピング工程としては、大きなうねり、欠け、ひび等の欠陥を除去したガラス素板が得られるようにした工程等が挙げられる。また、第２ラッピング工程で用いる研削シートとしては、例えば、固定砥粒の平均粒子径が、０．５〜４μｍのものを用いることが好ましく、１〜２μｍのものを用いることが好ましい。また、前記第２ラッピング工程は、得られたガラス素板のＲｍａｘが、０．５〜２μｍにすることが好ましい。また、Ｒａが、０．１〜０．５μｍにすることが好ましい。前記第２ラッピング工程後のガラス素板の表面が荒れすぎていると、前述の研磨工程を施しても、平滑性が充分に高いガラス基板が得られにくい傾向がある。また、前記第２ラッピング工程後のガラス素板は、表面が平滑であればあるほど、つまり、Ｒａが小さいほど好ましいが、ラッピング工程では、０．０１μｍ程度が限界であり、この０．０１μｍが前記第２ラッピング工程後のガラス素板の算術平均粗さＲａの下限値になると考えられる。
【００６９】
前記内外研削工程は、ガラス素板の外周端面及び内周端面を研削する工程である。具体的には、鼓状のダイヤモンド砥石等の研削砥石により、ガラス素板の外周端面および内周端面を研削する工程等が挙げられる。
【００７０】
前記端面研磨工程は、ガラス素板の外周端面及び内周端面を研磨する工程である。具体的には、前記内外研削工程を施したガラス素板を複数枚、例えば、１００枚程度積み重ねて積層し、その状態で外周端面及び内周端面の研磨加工を、端面研磨機を用いて研磨する工程等が挙げられる。
【００７１】
前記化学強化工程は、特に限定されず、具体的には、ガラス素板を化学強化液（強化処理液）に浸漬して、ガラス素板に化学強化層を形成する工程等が挙げられる。このような工程を施すことによって、ガラス素板の表面、例えば、ガラス素板表面から５μｍの領域に化学強化層を形成することができる。そして、化学強化層を形成することで耐衝撃性、耐振動性及び耐熱性等を向上させることができる。
【００７２】
より詳しくは、化学強化工程は、加熱された化学強化処理液にガラス素板を浸漬させることによって、ガラス素板に含まれるリチウムイオンやナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンをそれよりイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンに置換するイオン交換法によって行われる。イオン半径の違いによって生じる歪みにより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス素板の表面が強化される。すなわち、この化学強化工程により、ガラス素板に強化層が好適に形成されると考えられる。
【００７３】
化学強化処理液としては、磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法における化学強化工程で用いられる化学強化処理液であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、カリウムイオンを含む溶融液、及びカリウムイオンやナトリウムイオンを含む溶融液等が挙げられる。
【００７４】
これらの溶融液としては、例えば、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、炭酸カリウム、及び炭酸ナトリウム等を溶融させて得られた溶融液等が挙げられる。この中でも、硝酸カリウムを溶融させて得られた溶融液と硝酸ナトリウムを溶融させて得られた溶融液とを組み合わせて用いることが、融点が低く、ガラス素板の変形を防止する観点から好ましい。その際、硝酸カリウムを溶融させて得られた溶融液と硝酸ナトリウムを溶融させて得られた溶融液とを、ほぼ同量ずつの混合させた混合液であることが好ましい。
【００７５】
前記洗浄工程は、ガラス素板を洗浄する工程である。洗浄工程は、各工程の後に適宜行うことが好ましい。また、前記洗浄工程のうち、前記研磨工程により研磨されたガラス基板を洗浄する最終洗浄工程としては、例えば、スクラブ洗浄が挙げられる。スクラブ洗浄とは、湿式の物理洗浄方法であり、ガラス基板の表面に洗浄液を供給しながら、スクラブ部材をガラス基板に押圧した状態で、スクラブ部材とガラス基板とを相対的に移動させる方法である。そうすることで、ガラス基板の表面上の汚れをこすり取ることができる。また、このスクラブ洗浄を行う装置（スクラブ洗浄装置）としては、情報記録媒体用ガラス基板をスクラブ洗浄できる装置であれば、特に限定されない。具体的には、スクラブ部材が円筒形のロールスクラブであるロールスクラブ洗浄装置や、スクラブ部材がカップ型のカップスクラブ洗浄装置等が挙げられる。
【００７６】
また、この最終洗浄工程等の洗浄工程を施す前のガラス素板やガラス基板は、表面への異物が付着されることを防止するために、ガラス素板やガラス基板を液体と接触させておくことが好ましい。
【００７７】
また、最終洗浄工程としては、スクラブ洗浄をした後、超音波による洗浄を行うことが好ましい。
【００７８】
また、最終洗浄後は、ガラス基板を乾燥させる。その乾燥方法としては、例えば、ＩＰＡ蒸気による乾燥、スピン乾燥、及び温水乾燥等が挙げられる。
【００７９】
次に、本実施形態に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法により製造された情報記録媒体用ガラス基板を用いた磁気記録媒体について説明する。
【００８０】
図３は、本実施形態に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法により製造された情報記録媒体用ガラス基板を用いた磁気記録媒体の一例である磁気ディスクを示す一部断面斜視図である。この磁気ディスクＤは、円形の情報記録媒体用ガラス基板１０１の主表面に形成された磁性膜１０２を備えている。磁性膜１０２の形成には、公知の常套手段による形成方法が用いられる。例えば、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を情報記録媒体用ガラス基板１０１上にスピンコートすることによって磁性膜１０２を形成する形成方法（スピンコート法）や、情報記録媒体用ガラス基板１０１上にスパッタリングによって磁性膜１０２を形成する形成方法（スパッタリング法）や、情報記録媒体用ガラス基板１０１上に無電解めっきによって磁性膜１０２を形成する形成方法（無電解めっき法）等が挙げられる。磁性膜１０２の膜厚は、スピンコート法による場合では、約０．３〜１．２μｍ程度であり、スパッタリング法による場合では、約０．０４〜０．０８μｍ程度であり、無電解めっき法による場合では、約０．０５〜０．１μｍ程度である。薄膜化および高密度化の観点から、スパッタリング法による膜形成が好ましく、また、無電解めっき法による膜形成が好ましい。
【００８１】
磁性膜１０２に用いる磁性材料は、公知の任意の材料を用いることができ、特に限定されない。磁性材料は、例えば、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金等が好ましい。より具体的には、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯ等が挙げられる。磁性膜１０２は、ノイズの低減を図るために、非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶ等）で分割された多層構成（例えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａ等）であってもよい。磁性膜１０２に用いる磁性材料は、上記磁性材料の他、フェライト系や鉄−希土類系であってもよく、また、ＳｉＯ２、ＢＮ等からなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子を分散した構造のグラニュラー等であってもよい。また、磁性膜１０２への記録には、内面型および垂直型のいずれかの記録形式が用いられてよい。
【００８２】
また、磁気ヘッドの滑りをよくするために、磁性膜１０２の表面には、潤滑剤が薄くコーティングされてもよい。潤滑剤として、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。
【００８３】
さらに必要により磁性膜１０２に対し下地層や保護層が設けられてもよい。磁気ディスクＤにおける下地層は、磁性膜１０２に応じて適宜に選択される。下地層の材料として、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉ等の非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。例えば、Ｃｏを主成分とする磁性膜１０２の場合には、下地層の材料は、磁気特性向上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であることが好ましい。また、下地層は、単層とは限らず、同一または異種の層を積層した複数層構造であってもよい。このような複数層構造の下地層は、例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層が挙げられる。磁性膜１０２の摩耗や腐食を防止する保護層として、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層等が挙げられる。これら保護層は、下地層および磁性膜１０２と共にインライン型スパッタ装置で連続して形成することができる。また、これら保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一または異種の層からなる複数層構成であってもよい。なお、上記保護層上に、あるいは、上記保護層に代えて、他の保護層が形成されてもよい。例えば、上記保護層に代えて、Ｃｒ層の上にＳｉＯ２層が形成されてもよい。このようなＳｉＯ２層は、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成することによって形成される。
【００８４】
このような本実施形態における情報記録媒体用ガラス基板１０１を基体とした磁気記録媒体は、情報記録媒体用ガラス基板１０１が上述した組成により形成されるので、情報の記録再生を長期に亘り高い信頼性で行うことができる。
【００８５】
なお、上述では、本実施形態における情報記録媒体用ガラス基板１０１を磁気記録媒体（磁気ディスク）に用いた場合について説明したが、これに限定されるものではなく、本実施形態における情報記録媒体用ガラス基板１０１は、光磁気ディスクや光ディスク等にも用いることが可能である。
【００８６】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００８７】
［実施例Ａ：実施例１〜４、比較例１〜４］
実施例Ａでは、研磨工程で用いる研磨液について検討した結果を示す。
【００８８】
まず、研磨工程に用いる研磨液の調製方法について説明する。
【００８９】
（研磨液の調製）
まず、シリカゾル（日産化学工業株式会社製）を用意した。
【００９０】
そして、各実施例及び比較例におけるシリカゾルは、そのシリカゾル中に分散されているコロイダルシリカの平均粒子径が表１に示す値のものを用いた。具体的には、日産化学工業株式会社製のスノーテックシリーズのものを用い、平均粒子径５ｎｍのシリカゾルとしてスノーテックスＸＳ、平均粒子径１０ｎｍのシリカゾルとしてスノーテックスＳ、平均粒子径２０ｎｍのシリカゾルとしてスノーテックス２０を用いた。なお、平均粒子径が２ｎｍのシリカゾルは、スノーテックスＸＳを分級したものを用い、平均粒子径が１５ｎｍのシリカゾルは、スノーテックス２０を分級したものを用いた。
【００９１】
次に、研磨液中でのコロイダルシリカの平均粒子径が、表１に示す平均粒子径になるように、シリカゾルに、ＨＥＤＰ及び硝酸を添加した。また、場合によっては、各研磨液をフィルタにてろ過することによって、研磨液中でのコロイダルシリカの平均粒子径が、表１に示す平均粒子径になるように調整してもよい。そうすることによって、各実施例及び比較例における研磨工程で用いる研磨液（研磨スラリー）が得られた。
【００９２】
なお、ここでの平均粒子径は、大塚電子株式会社製の動的光散乱装置ＤＬＳ−６５００を用いて測定した平均粒子径である。
【００９３】
（ガラス基板の製造方法）
まず、原料ガラスとして、ガラス転移温度Ｔｇが６００℃のアルミノシリケートガラスを用いて、円盤加工工程を行った。具体的には、原料ガラスを、公知の方法により、溶融し、得られた溶融ガラスをプレス成形して円盤状のガラス素板を得た。そして、ダイヤモンド砥石等を備えたコアドリルを用いて、ガラス素板の中心部に貫通孔を形成した。そうすることによって、図２に示すようなガラス素板（外径ｒ１が６８ｍｍ、内径ｒ２が１８ｍｍ、厚さが１．３ｍｍ）を製造した。
【００９４】
次に、第１ラッピング工程を行った。具体的には、研磨機（ＨＡＭＡＩ社製）を用いて、ガラス素板の表面を研削（ラッピング）した。その際、固定砥粒としてダイヤモンドを使用した樹脂シートであって、固定砥粒の平均粒子径が、１０μｍのものを用いた。そして、加工条件として、荷重１００ｇ／ｃｍ２で、上定盤の回転数３０ｒｐｍ、下定盤の回転数１０ｒｐｍとした。
【００９５】
次に、内外研削工程を行った。具体的には、第１ラッピング工程を施したガラス素板の外周端面及び内周端面を、鼓状のダイヤモンド砥石で研削した。そうすることによって、外径ｒ１が６５ｍｍ、内径ｒ２が２０ｍｍとなった。
【００９６】
次に、端面研磨工程を行った。具体的には、内外研削工程を施したガラス素板を１００枚積み重ねて積層し、その状態で外周端面及び内周端面の研磨加工を、端面研磨機を用いて研磨した。
【００９７】
次に、第２ラッピング工程を行った。具体的には、研磨機（ＨＡＭＡＩ社製）を用いて、ガラス素板の表面を研削（ラッピング）した。その際、固定砥粒としてダイヤモンドを使用した樹脂シートであって、固定砥粒の平均粒子径が、３μｍのものを用いた。そして、加工条件として、荷重１００ｇ／ｃｍ２で、上定盤の回転数３０ｒｐｍ、下定盤の回転数１０ｒｐｍとした。そうすることによって、ガラス素板の表面粗さが、Ｒｍａｘで３μｍ、Ｒａで０．３μｍとなった。
【００９８】
なお、表面粗さは、後述の方法で測定した。
【００９９】
次に、化学強化工程を行った。具体的には、まず、硝酸カリウム（ＫＮＯ３）と硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ３）とを溶融させた混合溶融液を用意した。なお、この混合溶融液は、硝酸カリウムと硝酸ナトリウムとの混合比が質量比で１：１となるように混合させたものを、４００℃まで加熱して溶融液にしたものであった。そして、この混合溶融液を、４００℃のまま、その混合溶融液に、洗浄したガラス素板を、４０分間浸漬させた。
【０１００】
次に、研磨工程を行った。具体的には、研磨機（ＨＡＭＡＩ社製）を用いて、ガラス素板の表面を研磨（ポリッシング）した。その際、研磨パッドとして、スエードパッドを用いた。そして、加工条件としては、荷重（研磨圧力）の最大値が、１２０ｇ／ｃｍ２で、上定盤の回転数３０ｒｐｍ、下定盤の回転数１０ｒｐｍとした。
【０１０１】
次に、最終研磨工程を行った。具体的には、スクラブ洗浄を行った後、超音波洗浄を行った。
【０１０２】
その後、純水でリンスを行い、ＩＰＡ乾燥させた。
【０１０３】
そして、このようにして得られたガラス基板について、以下の方法により評価した。
【０１０４】
（表面粗さＲａ）
得られたガラス基板の表面粗さＲａを以下のように測定した。
【０１０５】
まずは、表面粗さ測定機（株式会社小坂研究所製のＳＥ３５００）を用いて、測定した。そのときに得られたＲａが、０．１μｍ以上であれば、そのまま、その値を採用した。そして、得られたＲａが、０．１μｍ未満であれば、原子間力顕微鏡ＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ社製のＤｉｍｅｎｓｉｏｎ  Ｖ）を用い、１μｍ×１μｍの範囲を、２５６スキャンによって、測定し、得られた結果から、表面粗さＲａを算出した。
【０１０６】
なお、製造途中のＲａも同様の方法で測定した。また、その際に測定したＲｍａｘも、Ｒａと同様の方法で測定した。
【０１０７】
（端面だれ）
得られたガラス基板の端面だれを、ＯＳＡ  Ｃａｎｄｅｌａ社製のＯＳＡ  ７１２０を用いて測定した。その際、中心からの距離Ｒが３２．１ｍｍの地点でのだれ量（ｎｍ）を測定した。
【０１０８】
（評価）
以上の測定結果から、Ｒａが１．９Å以下であって、端面だれが８００ｎｍ以下であれば、「◎」と評価した。また、Ｒａが２．１Å以下であって、端面だれが１０００ｎｍ以下であれば、「○」と評価した。また、Ｒａが２．３Å未満であって、端面だれが１２００ｎｍ未満であれば、「△」と評価した。また、Ｒａが２．３Å以上、又は端面だれが１２００ｎｍ以上であれば、「×」と評価した。
【０１０９】
評価結果を、シリカゾルでのコロイダルシリカの平均粒子径、及び研磨液でのコロイダルシリカの平均粒子径とともに示す。
【０１１０】
【表１】
2013211068.tif 000003
【０１１１】
表１からわかるように、平均粒子径が５〜１５ｎｍのコロイダルシリカが分散されたシリカゾルを含み、研磨液中でのコロイダルシリカの平均粒子径が２０〜３０ｎｍである研磨液を用いた場合（実施例１〜４）は、これ以外の研磨液を用いた場合（比較例１〜４）より、得られたガラス基板の表面粗さＲａが小さく、表面だれの発生も抑制されていた。
【０１１２】
また、研磨液中でのコロイダルシリカの平均粒子径が２０〜３０ｎｍであっても、原料のシリカゾルでのコロイダルシリカの平均粒子径が５〜１５ｎｍでない場合（比較例１や比較例２）であっても、実施例１〜４より、Ｒａが大きかったり、表面だれの抑制効果の低いものであった。
【０１１３】
また、原料のシリカゾルでのコロイダルシリカの平均粒子径が５〜１５ｎｍであっても、研磨液中でのコロイダルシリカの平均粒子径が２０〜３０ｎｍでない場合（比較例３や比較例４）であっても、実施例１〜４より、Ｒａが大きかったり、表面だれの抑制効果の低いものであった。
【０１１４】
これらのことから、シリカゾルでのコロイダルシリカの平均粒子径も、研磨液でのコロイダルシリカの平均粒子径も、Ｒａや表面だれに影響することがわかった。
【０１１５】
［実施例Ｂ：実施例１、５〜７］
実施例Ｂでは、研磨工程での研磨圧力について検討した結果を示す。
【０１１６】
（実施例５）
実施例５は、研磨工程における、荷重（研磨圧力）の最大値が、１４０ｇ／ｃｍ２になるように変更したこと以外、実施例１と同様である。
【０１１７】
（実施例６）
実施例６は、研磨工程における、荷重（研磨圧力）の最大値が、１８０ｇ／ｃｍ２になるように変更したこと以外、実施例１と同様である。
【０１１８】
（実施例７）
実施例７は、研磨工程における、荷重（研磨圧力）の最大値が、２００ｇ／ｃｍ２になるように変更したこと以外、実施例１と同様である。
【０１１９】
そして、実施例Ａでの評価と同様の評価を行い、その結果を、研磨圧力とともに、表２に示す。
【０１２０】
【表２】
2013211068.tif 000004
【０１２１】
表２からわかるように、研磨圧力の最大値が、１４０〜１８０ｇ／ｃｍ２である場合（実施例５，６）は、この圧力より低すぎる場合（実施例１）やこの圧力より高すぎる場合（実施例７）より、得られたガラス基板の表面粗さＲａが小さく、表面だれの発生も抑制されていた。このことから、研磨圧力の最大値が、１４０〜１８０ｇ／ｃｍ２であることが好ましいことがわかった。
【０１２２】
［実施例Ｃ：実施例１、８〜１０］
実施例Ｃでは、研磨工程に供されるガラス素板の表面粗さＲａ（研磨工程前表面粗さＲａ）について検討した結果を示す。
【０１２３】
（実施例８）
実施例８は、第２ラッピング工程によって得られるガラス素板の表面粗さＲａが、０．１μｍとなるようなラッピング工程に代えたこと以外、実施例１と同様である。すなわち、研磨工程に供されるガラス素板の表面粗さＲａが、０．１μｍであった。
【０１２４】
（実施例９）
実施例９は、第２ラッピング工程によって得られるガラス素板の表面粗さＲａが、０．５μｍとなるようなラッピング工程に代えたこと以外、実施例１と同様である。すなわち、研磨工程に供されるガラス素板の表面粗さＲａが、０．５μｍであった。
【０１２５】
（実施例１０）
実施例１０は、第２ラッピング工程によって得られるガラス素板の表面粗さＲａが、１μｍとなるようなラッピング工程に代えたこと以外、実施例１と同様である。すなわち、研磨工程に供されるガラス素板の表面粗さＲａが、１μｍであった。
【０１２６】
そして、実施例Ａでの評価と同様の評価を行い、その結果を、研磨工程に供されるガラス素板の表面粗さＲａとともに、表３に示す。
【０１２７】
【表３】
2013211068.tif 000005
【０１２８】
表３からわかるように、研磨工程前表面粗さＲａが、０．１〜０．５μｍである場合（実施例１〜３）は、研磨工程前表面粗さＲａが０．５μｍを超える場合（実施例１０）より、得られたガラス基板の表面粗さＲａが小さく、表面だれの発生も抑制されていた。このことから、研磨工程前表面粗さＲａが、０．１〜０．５μｍであることが好ましいことがわかった。
【符号の説明】
【０１２９】
１０  ガラス素板
１１  研磨装置
１０１  情報記録媒体用ガラス基板
１０２  磁性膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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