(57)【要約】【課題】記録時にピラーに与える熱が隣接するピラーに伝熱することによって生じるクロスイレース特性の劣化を抑制できる記録媒体を提供する。【解決手段】記録媒体は、複数の凸部が島状に配列された基板と、基板の上に設けられた、記録材料からなる記録層を含む１層以上の薄膜と、を備え、隣接する凸部の間にわたって凸部の上面を除く凸部の側壁面及び凸部の間の底面において、薄膜のうち少なくとも記録層の膜厚が、凸部上面に堆積する薄膜の膜厚の２％以下の膜厚となる領域が存在する。【選択図】図１
2013157059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の凸部が島状に配列された基板と、
前記基板の上に設けられた、記録材料からなる記録層を含む１層以上の薄膜と、
を備え、
隣接する凸部の間にわたって前記凸部の上面を除く前記凸部の側壁面及び前記凸部の間の底面において、前記薄膜のうち少なくとも前記記録層の膜厚が、前記凸部上面に堆積する前記薄膜の膜厚の２％以下の膜厚となる領域が存在することを特徴とする記録媒体。
【請求項２】
前記凸部の上面と前記底面との高低差が１ｎｍ以上であって、１５０ｎｍ以下であり、且つ、隣接する前記凸部の中心間距離が２ｎｍ以上であって、１００ｎｍ以下である、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項３】
隣接する凸部の間の前記凸部の側壁面において、前記薄膜のうち少なくとも前記記録層が形成されていない領域が存在する、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項４】
隣接する凸部の間の底面において、前記薄膜のうち少なくとも前記記録層が形成されていない領域が存在する、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項５】
前記凸部の上面の記録層は、近接場光により熱記録可能であることを特徴とする、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項６】
前記凸部の上面の前記記録層の膜厚は、３ｎｍ以上であって、３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の記録媒体。
【請求項７】
隣接する凸部の間の前記凸部の側壁面には、前記凸部の上面の前記薄膜の膜厚の２％以下の膜厚となる領域が、前記凸部の側壁面の面積に対して１０％以上５０％以下の範囲で存在することを特徴とする請求項１に記載の記録媒体。
【請求項８】
隣接する凸部の間の底面において、前記凸部の上面の前記薄膜の膜厚の２％以下の膜厚となる領域が、前記底面の面積に対して５％以上３０％以下の範囲で存在することを特徴とする請求項１に記載の記録媒体。
【請求項９】
前記記録層は、前記基板の面の法線に対して角度１５°以上であって、６５°以下の範囲の方向からスパッタリングによって前記記録材料を積層して形成したものであることを特徴とする請求項１に記載の記録媒体。
【請求項１０】
複数の凸部が島状に配列された基板上に記録材料からなる記録層を含む１層以上の薄膜を形成した記録媒体を製造するスパッタリング装置であって、
前記基板を搭載する基板ホルダーと、
前記記録材料からなるターゲットを設置するカソードと、
を備え、
前記基板ホルダーの面の法線と、前記ターゲットの面の法線とのなす角度をθとし、前記ターゲットの面と平行となるｘ−ｙ平面について、前記基板ホルダーの面の法線を射影した線分と前記ｘ−ｙ平面のｘ軸の正方向とのなす角度をφとした場合、前記基板ホルダーの前記角度θ及び前記角度φをそれぞれ独立に調整できる角度調整機構を有することを特徴とする、記録媒体を製造するためのスパッタリング装置。
【請求項１１】
前記角度調整機構は、前記角度θを０°〜７５°の範囲で調整できることを特徴とする請求項１０に記載のスパッタリング装置。
【請求項１２】
前記カソードと前記基板ホルダーとの距離が、２００ｍｍ以上であって、１０００ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１０に記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録材料を含む凸部を基板上に配列し、情報の記録および再生を行う記録媒体と記録媒体を製造するためのスパッタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報記録の分野では様々な研究が進められており、中でも光情報記録媒体は、長期間安定して保存できる情報記録媒体として、これまでに多くの研究・開発がなされてきた。現在までに、商品として、ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ−ｒａｙディスクなどが開発されており、世の中に広く普及している。
【０００３】
さらなる情報記録分野の進歩に伴って、より高密度の光メモリが求められるようになりつつある。ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ−ｒａｙディスクは、最短マーク長をそれぞれ、０．８３μｍ、０．４０μｍ、０．１５μｍと小さくすることによって高密度化を実現してきた。しかしながら現行の光記録方式では、光の回折限界から、これ以上の大幅な記録マークの微小化は困難と考えられている。
【０００４】
近年、近接場光を用いた光記録方式がこの回折限界を打破する技術として大きな注目を集めるようになった。上記近接場光は、光の波長以下の寸法の開口やナノ粒子等に光が入射したとき、それらのごく近傍に局在化した形で、発生する光をいう。この近接場光で形成されるスポット径は、入射光の波長には依らず、入射した開口や微粒子等の寸法で決まる。
【０００５】
従来の近接場光による記録方法として、先鋭化したファイバーフロープ等に光を入射し、その先端に設けた微小開口に近接場光を発生させる方法が多く採られてきたが、入射光に対する光の利用効率が低いという課題があった。近年、この光利用効率を大幅に向上させる技術として、金属の表面フラズモン共鳴を利用した近接場光発生素子が提案されている（例えば、特許文献１参照。)。
【０００６】
この技術は、微小な金属膜に適当な波長の光を照射して表面プラズモン共鳴を誘起し、金属膜近傍に近接場光を発生させて記録再生を行うものである。また、記録密度を向上させるために、予め基板にパターンを形成しておくことにより安定した記録再生を行う方法も多く提案されている(例えば、特許文献２及び特許文献３参照。)。
【０００７】
これらを利用してより微小な記録マークを記録することで、光メモリのさらなる高密度化、大容量化を実現することができる。特に書換型のＣＤ、ＤＶＤ、及びＢｌｕ−ｒａｙディスクでは、記録膜として相変化記録材料が広く用いられている（例えば特許文献４参照。）。この場合、相変化記録材料を光スポットによって加熱・急冷することでアモルファス化する、あるいは加熱・徐冷することで結晶化する等により、マークを記録する。この相変化記録材料の研究及び開発は、これまで広く盛んに行われてきている。現在の光記録媒体における高密度化の限界は、相変化記録材料によるものでなく、現行の光記録方式の回折限界（形成される光スポットの大きさ）で決まっている。従って、より小さな光スポット、あるいは、より小さな加熱領域を形成することができれば、相変化記録材料は高密度記録用材料としてまだまだ大きな可能性を秘めている。よって、相変化記録材料は、今後さらなる高密度記録においても有望な材料であると考えられる。
【０００８】
上記方式に適した媒体として、例えば、基板と、基板上に孤立した状態で配列された情報記録材料を含む粒子部とを含み、前記粒子部の情報記録方向の幅を３０ｎｍ以下とした媒体が提案されている（例えば、特許文献５参照。）。すなわち、記録領域のサイズをナノオーダーとして、高密度化、大容量化を実現する提案であり、情報記録媒体を含むナノオーダーの微粒子（以降、「ナノ粒子」と称す。）を基板上に孤立した状態で配列することが提案されている。
【０００９】
このような孤立した情報記録材料を含むナノ粒子を形成するには、エッチング法とスパッタリング法が有力である。
【００１０】
ところで、凹凸基板上に連続的に薄膜を形成する方法としては、サブミクロンオーダーの凹凸が設けられた基板と、スパッタリングターゲットとを対向させた状態でスパッタリングを行なう方法が、ＤＶＤ、もしくはＢｌｕ−ｒａｙの工法として従来より広く知られている。例えば、スパッタ条件を適宜設定することによって、基板の凹凸面の側壁に堆積する膜厚を左右で均一化・薄膜化する方法等が提案されている（例えば、特許文献６参照。）。
【００１１】
このように側面の膜厚を制御することによって、隣接するトラック間に伝わる熱量を低減させて、隣接トラックの信号の劣化（いわゆるクロスイレース特性）を抑制している。
また、例えば、ＤＶＤ、もしくはＢｌｕ−ｒａｙディスクにおいては、記録マークと記録マークとの熱干渉を抑制する工夫として、１つのマークを記録する際に、光の発光パルスをマルチ上にして、連続的に光を照射させる、いわゆる記録ストラテジを記録マーク長に応じて最適化することにより、記録マークの歪を抑制する記録方式が広く知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００３−１１４１８４号公報
【特許文献２】特許第２５８４１２２号公報
【特許文献３】特許第３７９３０４０号公報
【特許文献４】特許第２５７４３２５号公報
【特許文献５】ＷＯ２０１０／１１６７０７Ａ１
【特許文献６】特開２００１−１４３３１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述のように、情報記録材料を含む孤立したナノ粒子の形成方法としては、エッチング法とスパッタリング法が有力である。このうち、エッチング法は、例えば、平らな基板上に記録材料を含む１層以上の薄膜を連続的に形成した後に、その表面上に網の目上のマスクを施して表面をエッチング処理し、マスクで覆われていない箇所の記録材料をエッチング処理して、マスクで覆われた箇所の記録材料を孤立化する方法である。
【００１４】
しかしながら、エッチング法による孤立したナノ粒子の形成は、エッチング工程およびエッチングのためのマスク形成工程等の複雑な工程を含むため、後に記すスパッタリング法で形成される光ディスクと比べた場合、量産性に劣るという課題がある。
【００１５】
一方、スパッタリング法では、例えば、あらかじめ基板上に孤立した状態で配列された島状の凹凸を形成した基板に、スパッタリングによって１層以上の記録材料を含む薄膜を連続的に形成する方法であり、形成方法がエッチング法に比べて複雑でないため、量産性に優れた方法である。
【００１６】
従来方法におけるスパッタリング工法では、ピラー基板上の凸部（以降、「ピラー」とも称す。）の側壁面、およびピラーとピラーとの間の平面には、上記特許文献６にも記されたように、ある程度の膜厚を有する膜が堆積されている。つまり、ピラー基板の全面にわたって、１つの記録材料からなる記録層が連続的に繋がった状態となっている。このことは、１つのピラーに記録する際に、そのピラーに与える熱エネルギーが膜面内に伝わりやすくなり、クロスイレースによって隣接するピラーの記録状態を変化させることによる信号劣化を発生させる問題がある。
【００１７】
本発明の目的は、記録時にピラーに与える熱が隣接するピラーに伝熱することによって生じるクロスイレースによる信号劣化を抑制できる記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係る記録媒体は、複数の凸部が島状に配列された基板と、
前記基板の上に設けられた、記録材料からなる記録層を含む１層以上の薄膜と、
を備え、
隣接する凸部の間にわたって前記凸部の上面を除く前記凸部の側壁面及び前記凸部の間の底面において、前記薄膜のうち少なくとも前記記録層の膜厚が、前記凸部上面に堆積する前記薄膜の膜厚の２％以下の膜厚となる領域が存在することを特徴とする。
【００１９】
また、前記凸部の上面と前記底面との高低差が１ｎｍ以上であって、１５０ｎｍ以下であり、且つ、隣接する前記凸部の中心間距離が２ｎｍ以上であって、１００ｎｍ以下であってもよい。
【００２０】
さらに、隣接する凸部の間の前記凸部の側壁面において、前記薄膜のうち少なくとも前記記録層が形成されていない領域が存在してもよい。
【００２１】
またさらに、隣接する凸部の間の底面において、前記薄膜のうち少なくとも前記記録層が形成されていない領域が存在してもよい。
【００２２】
また、前記凸部の上面の記録層は、近接場光により熱記録可能であってもよい。
【００２３】
さらに、前記凸部の上面の前記記録層の膜厚は、３ｎｍ以上であって、３０ｎｍ以下であってもよい。
【００２４】
またさらに、隣接する凸部の間の前記凸部の側壁面には、前記凸部の上面の前記薄膜の膜厚の２％以下の膜厚となる領域が、前記凸部の側壁面の面積に対して１０％以上５０％以下の範囲で存在してもよい。
【００２５】
また、隣接する凸部の間の底面において、前記凸部の上面の前記薄膜の膜厚の２％以下の膜厚となる領域が、前記底面の面積に対して５％以上３０％以下の範囲で存在してもよい。
【００２６】
さらに、前記記録層は、前記基板の面の法線に対して角度１５°以上であって、６５°以下の範囲の方向からスパッタリングによって前記記録材料を積層して形成したものであってもよい。
【００２７】
本発明に係る記録媒体を製造するスパッタリング装置は、複数の凸部が島状に配列された基板上に記録材料からなる記録層を含む１層以上の薄膜を形成した記録媒体を製造するスパッタリング装置であって、
前記基板を搭載する基板ホルダーと、
前記記録材料からなるターゲットを設置するカソードと、
を備え、
前記基板ホルダーの面の法線と、前記ターゲットの面の法線とのなす角度をθとし、前記ターゲットの面と平行となるｘ−ｙ平面について、前記基板ホルダーの面の法線を射影した線分と前記ｘ−ｙ平面のｘ軸の正方向とのなす角度をφとした場合、前記基板ホルダーの前記角度θ及び前記角度φをそれぞれ独立に調整できる角度調整機構を有することを特徴とする。
【００２８】
また、前記角度調整機構は、前記角度θを０°〜７５°の範囲で調整できるものであってもよい。
【００２９】
さらに、前記カソードと前記基板ホルダーとの距離が、２００ｍｍ以上であって、１０００ｍｍ以下の範囲であってもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の記録媒体及びその製造装置によれば、隣接し合う凸部との間、もしくは隣接しあう凹部との間には、ピラー上面に堆積する膜厚の２％以下の膜厚となる領域を設けることによって、基板凸部上に形成された薄膜間に伝わる熱量を抑制することができる。これによって、記録時のクロスイレースによる隣接するピラーの信号劣化を抑制することができ、記録特性に優れた記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施の形態２における記録媒体についての一部断面図
【図２】本発明の実施の形態２におけるピラー基板の外観を示す模式図
【図３】本発明の実施の形態２における記録媒体を成膜するスパッタ装置の一部断面図
【図４】基板ホルダーの面の基準面に対する傾きを極座標表示する場合の概略図
【図５】本発明の実施例１における記録媒体の断面ＴＥＭ断面図
【図６】本発明の実施の形態２における記録媒体の記録方法を示す模式図
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下に、本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
まず、本発明の効果を検証する目的で、ナノオーダーに連続的に配列した記録材料を含む孤立する一つのピラーを過熱したときに、上記ピラーに隣接するピラーの記録材料に伝わる熱量について、熱シミュレーションを行った結果を説明する。
【００３３】
シミュレーションモデルとしては、直径２５ｎｍ、高さ３５ｎｍ、ピラー上面の中心位置と、ピラーに最も隣接するピラー上面の中心位置との平均距離は４０ｎｍとして、島状に孤立的に配列したピラー基板上に、記録材料が隣接するピラー間にわたって連続的に設けられており、その膜厚がそれぞれ
１）ピラー上面には記録材料が均一に２０ｎｍ形成され、ピラー側壁面には膜厚０．１ｎｍ形成され、ピラーとピラーとの間の平面（底面）には、膜厚０．１ｎｍ形成された場合と、
２）ピラー上面には記録材料が均一に２０ｎｍ形成され、かつ、ピラーとピラーとの間の底面には均一に膜厚１０ｎｍ形成され、ピラー側壁面には膜厚０．１ｎｍ形成された場合と、
３）ピラー上面には記録材料が均一に２０ｎｍ形成され、かつ、ピラーとピラーとの間の底面には均一に膜厚１０ｎｍ形成され、かつピラー側壁面には均一に膜厚５ｎｍ形成された場合、
との３つの場合について検討した。なお、１）〜３）のいずれの場合もピラーの周囲３６０°にわたるピラー側壁面について均一に膜が形成されている。これらの場合において、任意のピラー上面の記録材料の中心温度を、室温（２０℃）から５０ｐ（ピコ）秒間かけて、５００℃にしたときの、隣接するピラーの上面の記録材料の中心温度を調べた。記録材料としてはＧｅ１０Ｓｂ９０（ｍｏｌ％）とし、ピラー材質は石英ガラスとし、ピラーとピラーとの間は空気として、熱シミュレーションを実施した。
【００３４】
熱シミュレーションの結果、隣接するピラーの中心温度が１）の場合においては、１９０℃であり、２）の場合では２４０℃であり、３）の場合では２９０℃であった。
すなわち、熱シミュレーションの結果から、ナノオーダーの膜厚の記録材料を含む任意のピラー上面に、数ピコ秒オーダーの極めて短い時間で熱を加えた場合、ピラー上面以外の膜、つまりピラー側壁面に設けられた膜、底面に設けられた膜、を通して隣接するピラー上面に熱が伝わることが分かる。また、これらの場合に、ピラー上面以外の膜、つまりピラー側壁面に設けられた膜、底面に設けられた膜の膜厚が薄いほど隣接するピラーに伝わる熱量は小さくなることが分かる。
本結果から、ピラー上面以外の膜の膜厚が薄いほど、記録時にピラーに与える熱が隣接するピラーに伝熱することによって生じるクロスイレースを抑制できることを見出した。
【００３５】
（実施の形態２）
図１は、本発明の実施の形態２に係る記録媒体１００の構成を示す概略図である。図１に示すように、この記録媒体１００は、ガラスからなる基板上にあらかじめ複数のピラー１０１が島状に孤立して形成された基板１０２と、その上に設けられた相変化膜と、を備えている。ここで、相変化膜のうち、ピラー上面１０６に形成された相変化膜を、ピラー上面膜１０３と称する。また、ピラー１０１とピラー１０１との間の底面１０７に形成された相変化膜を、底面膜１０４と称する。さらに、ピラー１０１の側壁面１０８に堆積した相変化膜を側壁膜１０５と称する。なお、図１においては側壁面１０８に部分的に側壁膜１０５が付着した図を模式的に示している。
なお、近接場光により情報の記録・再生を担う相変化膜としては、主にピラー上面膜１０３である。
また、記録媒体１００は、後述するように、それぞれの相変化膜１０３〜１０５を保護する保護層を有していてもよい。
【００３６】
以下に、この記録媒体を構成する各構成部材について説明する。
【００３７】
＜基板＞
基板１０２は、円盤形状でも多角形状でもいずれでも良く、基板１０２を構成する材料としては、平坦性が高く、記録再生のために情報記録媒体１００を移動させたときの安定性が高いものが好ましい。本実施の形態では、平坦性に優れた５ｍｍ角状のガラスを用いたが、これに限定されるものではなく、アルミなどの金属や、ポリカーボネートなどのフラスティック材料を用いてもよい。
【００３８】
＜ピラー＞
基板１０２上のピラー１０１の形状は、おおむね円柱形であることが好ましいが、四角柱であってもよく、ピラー１０１が島状に孤立していれば良い。その直径２０１は略２５ｎｍに形成されている。隣接しあうピラー１０１間の間隔２０３は、略４０ｎｍであり、ピラー上面１０６の中心位置と、底面１０７の中心位置との平均的な距離は１５ｎｍ、ピラー１０１の平均的な高さ２０４は３５ｎｍに形成されている。
【００３９】
ピラー１０１の大きさが小さいほど、また、隣接するピラー１０１間の間隔２０３が小さいほど、単位面積当たりの記録容量が大きく出来る為、好ましいが、あまり小さすぎると、ナノ粒子を安定・均一に形成することが困難となる。そのため、ピラー直径２０１ならびにピラー１０１の間隔２０３は２ｎｍ以上が好ましい。また、ピラー直径２０１もしくはピラー１０１の間隔２０３が大きすぎると、高密度記録が困難となるため、ピラー１０１の直径２０１、およびピラー１０１間隔は１００ｎｍ以下が好ましい。
【００４０】
ピラー１０１を基板１０２上に形成する方法としては、例えば、基板１０２上に適宜マスキングを施した後に、Ａｒ等のガスによってエッチングする手法が用いられる。ポリカーボネートなどのフラスティック材料を基板とする場合では、エッチング工法のほかに、あらかじめ微細な穴が形成された金型に、基板１０２を押し付けることによって転写する方法が使用できる。
【００４１】
ピラー高さ２０４の下限としては、後で詳細に説明するが、スパッタリング遮蔽効果を有効的に利用できるようにするため、ピラー直径２０１に対して１／３以上が好ましい。ピラー高さ２０４が高すぎると、エッチング工法でピラー１０１を作成した場合、ピラー高さ２０４が高いとエッチング時間が長くなってしまい、量産性が乏しくなる。
また、ピラー１０１を上述の金型転写方法により形成する場合では、ピラー高さ２０４が高いと剥離ムラが発生しやすくなるため、量産性が乏しくなる。したがって、ピラー高さ２０４には上限があり、量産性を考慮すると、ピラー１０１の直径に対して３倍を上限とすることが好ましい。
【００４２】
＜薄膜＞
薄膜は、少なくとも記録材料からなる記録層（記録膜）を含む１層以上の層からなる。
本発明においては、ピラー上面膜１０３、底面膜１０４、側壁膜１０５の膜厚はそれぞれ異なり、ピラー上面膜１０３の膜厚は、３ｎｍ以上、３０ｎｍ以下が好ましい。相変化材料が結晶のときの薄膜の光学特性と、相変化材料がアモルファスのときの薄膜の光学特性との差が、膜厚に乗じて小さくなる。そのため、ピラー上面膜１０３の膜厚が３ｎｍより薄いと充分に安定した記録信号を得ることが困難となるためである。
【００４３】
また、ピラー上面膜１０３が３０ｎｍよりも厚いと、ピラー１０１の凸部と凸部との間隔が狭い場合には、ピラー上面膜１０３の膜厚に比例して側壁面１０８に形成される側壁膜１０５の膜厚が厚くなる。このため、側壁膜１０５が隣接するピラー１０１のピラー上面膜１０３と繋がってしまう可能性があり、ピラー上面膜１０３を島状に孤立化させることが困難となるためである。
【００４４】
また、ピラー上面膜１０３の膜厚は、ピラー上面１０６に均一であることが、記録信号を安定化させる上で好ましいが、必ずしも均一である必要はない。例えば、一方向に膜厚ムラが生じていてもよく、膜厚に傾斜が生じていても良い。その場合、基板１０２上のすべてのピラー上面１０６で同じ膜厚ムラを有していれば、個々のピラー上面膜１０３で同一の光照射条件によって、記録・再生することができる。
【００４５】
ピラー１０１とピラー１０１との間の底面１０７に形成される底面膜１０４と、ピラー１０１の側壁面１０５に形成される側壁膜１０５のうち少なくともいずれかの膜の膜厚が、ピラー上面１０６に形成されるピラー上面膜１０３の膜厚の２％以下の膜厚となる領域が存在することが好ましい。さらに、底面膜１０４又は側壁膜１０５には、部分的に記録膜がついていない部分が含まれることが好ましい。
【００４６】
図１には、一例として、ピラー１０１とピラー１０１との間の底面１０７の一部に記録膜が堆積した底面膜１０４を示し、ピラー１０１の左右側壁面１０８の一部に膜が堆積した側壁膜１０５を示している。
【００４７】
図１に示す記録媒体１００の成膜作成方法としては、スパッタリングターゲット３０２と基板３０３との距離（ＴＳ距離）が長いスパッタリング装置を用いることが好ましい。スパッタリングターゲット３０２と基板３０３との距離を長くすることによって、スパッタリング粒子の直進性を向上させることができる。このようなスパッタリング粒子の直進性が優れたスパッタ装置を使用して、基板３０３をターゲット面に対して任意の角度傾けて、薄膜を形成することで達成できる。
【００４８】
スパッタ放電中において、ターゲット３０２からスパッタされた粒子は、ターゲット表面に対してさまざまな角度分布を持ってスパッタされるが、ターゲット３０２と基板３０３との距離が長いほど、基板３０３に堆積するスパッタ粒子は、ターゲット３０２表面に対して垂直方向に進行する粒子である確率が高くなり、ピラー１０１の側壁部には膜が付着されにくくなるために、ターゲット３０２と基板３０３との距離が長いほどスパッタ粒子の直進性の点においては好ましい。スパッタリングターゲット３０２と基板３０３との距離（「ＴＳ距離」）は、使用するスパッタリング材の面積、およびスパッタ放電を促進させるためにターゲット裏面に磁石を設置する、いわゆるマグネトロンスパッタ法による高密度プラズマの発生領域（エロージョンと称す）にもよるが、直進性を考慮すると、エロージョン径の４倍以上が好ましい。スパッタリングターゲット３０２と基板３０３との距離（「ＴＳ距離」）は、例えば、ターゲットサイズをφ１００ｍｍ、エロージョン径をφ６０ｍｍとした場合には、直進性の観点からみて、２４０ｍｍ以上が好ましく、より好ましくは２００ｍｍ以上が好ましい。
【００４９】
一方、ターゲット３０２と基板３０３との距離が長すぎると、基板３０３に堆積するスパッタ粒子の数が減り、スパッタレートが著しく遅くなる。また、スパッタ装置が大型となり、装置費用が高額になりやすく、装置メンテナンスがしづらくなるので、ターゲット３０２と基板３０３との距離（ＴＳ距離）は、スパッタレートの観点から、１０００ｍｍ以下が好ましいが、特に上限を設けるものではない。
【００５０】
すなわち、個々のピラー１０１がスパッタリング粒子の直進性を遮る効果（スパッタシャドーイング）を利用することによって、隣接するピラー１０１間の底面１０７に形成する底面膜１０４の一部と側壁面１０８に形成する側壁膜１０５の一部に、ピラー上面膜１０３の膜厚の２％以下となる領域を有することが好ましい。さらに、底面膜１０４又は側壁膜１０５として、膜厚０ｎｍとなる領域を含むことがより好ましい。膜厚２％よりも厚いと、底面膜１０４あるいは側壁膜１０５を通じて隣接するピラー上面膜１０３に熱が伝わりやすくなるためである。
【００５１】
＜底面膜について＞
底面１０７に形成する底面膜１０４の最大膜厚は、ピラー上面膜１０３の上限膜厚範囲である２０ｎｍ以下であることが好ましい。
ピラー１０１とピラー１０１との間の底面１０７全体が占める面積に対して、シャドーイング効果によってピラー上面膜１０３の膜厚の２％以下となる領域（さらに好ましくは、膜が堆積されない領域）の底面積の割合は、ピラー形状やピラー上面１０６の面積、ピラー高さ２０４、および基板１０２とターゲット面との傾斜角度によって変化するが、その割合は５％以上、３０％以下が好ましい。さらに、１０％以上、３０％以下がより好ましい。
【００５２】
先に説明したシミュレーション３）において、底面積の膜厚である１０ｎｍのうち、その一部を、底面の膜の膜厚がピラー上面の膜の膜厚の１％（０．２ｎｍ）となる領域の底面積の割合を変化させて、熱シミュレーションを実施した。その結果、その割合が増すほど、隣接するピラーの温度を低く出来ることが分かった。具体的には、割合が５％であったとき、隣接するピラーの加熱温度が２８０℃となり、割合が１０％であったとき、隣接するピラーの加熱温度が２７０℃であり、その割合が０％であったときの２９０℃と比べて低い温度になる。
【００５３】
上限を３０％とする理由は、例えば、ピラー形状を長方形として、長方形の長辺側がスパッタの影になるようにスパッタリングすれば３０％よりも高い割合とすることが可能であるが、ピラー形状を大きくすることは記録容量の点から不利であるためである。
【００５４】
＜側壁膜について＞
側壁面１０８に形成する側壁膜１０５の最大膜厚は、ピラー１０１が孤立状態を保つ範囲内で薄いほうが好ましい。ピラー１０１間の間隔にもよるが、側壁膜１０５の膜厚が厚いと、ピラー１０１とピラー１０１とが膜で繋がってしまう可能性があり、側壁面１０８を通じて熱が伝わり易くなる。また、ピラー間隔２０３が狭い場合には、側壁膜１０５の膜厚が厚いと、ピラー１０１を孤立させることが困難となるためである。具体的には、側壁膜１０５の最大膜厚は、２０ｎｍ以下が好ましく、さらに１０ｎｍ以下がより好ましい。側壁面１０８には、ピラー上面１０６の上限膜厚（２０ｎｍ）以上に膜を堆積させることが困難であるためである。
側壁膜１０５においても底面膜１０４と同様に、ピラー上面膜１０３の膜厚に対して２％以下の膜厚である箇所（さらに好ましくは、部分的に側壁膜１０５をつけない箇所）を設けることによって、ピラー上面膜１０３の熱干渉を断ち切ることができ、クロスイレースによる隣接するピラーの信号劣化を抑制することができる上で好ましい。
【００５５】
側壁面１０８の面積に対して、側壁膜１０５において、ピラー上面膜１０３の膜厚に対して２％以下の膜厚である領域の割合は、ピラー形状やピラー上面１０６の面積、ピラー高さ２０４、および基板１０２とターゲット面との傾斜角度θによって変化するが、その割合は１０％以上、５０％以下が好ましい。より好ましくは２０％以上４０％以下が好ましい。
【００５６】
先に説明したシミュレーション３）において、側壁面の膜の膜厚である５ｎｍのうち、その一部を、ピラー上面の膜の膜厚の１％（０．２ｎｍ）として、その割合を変化させて、熱シミュレーションを実施した。その結果、側壁面の膜の膜厚が０．２ｎｍである割合が増すほど、隣接するピラーの温度が低く出来ることがわかった。具体的には、その割合が１０％であったとき、隣接するピラーの加熱温度が２８０℃となり、割合が２０％であったとき、隣接するピラーの加熱温度が２７０℃であり、その割合が０％であったときの２９０℃と比べて低い温度になる。
【００５７】
上限を５０％とする理由は、ピラー基板１０２の法線方向に対して傾斜した方向からスパッタリングを行って側壁膜１０５及び底面膜１０４を堆積させる原理上の制約による。つまり、側壁面１０８に形成する側壁膜１０５において、ピラー上面膜１０３の膜厚の２％以内となる領域（さらに好ましくは、膜を堆積させない領域）をピラー１０１自身のスパッタ遮蔽効果を利用して形成する場合には、原理的に５０％よりも高くすることが困難である。
【００５８】
＜記録材料＞
情報記録を担うピラー上面膜１０３および、底面膜１０４、および側壁膜１０５の材料としては、情報記録媒体１００の書き込み速度を高めるために、結晶化速度が速いものが好ましい。特に、その材料としては、ＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３の混合材料、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３との混合材料、ＳｎＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３の混合材料、ＳｎＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３の混合材料、ＳｂもしくはＢｉを主成分として、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｎ，Ｇａ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、等の材料を混合させた材料、もしくはＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを使用しても良い。
本実施の形態では、Ｓｂを９０ｍｏｌ％、Ｇｅを１０ｍｏｌ％とした材料をピラー上面膜１０３の材料として用いたが、これに限定されるものではない。
【００５９】
＜保護層＞
ピラー上面膜１０３の保護層は、特に図には示さないが、ピラー上面膜１０３および、底面膜１０４、および側壁膜１０５の上側（相変化膜からみて基板とは逆側）に形成してもよく、下部(基板側)に形成してもよい。また、上下いずれに形成しても良い。
このように、保護層でピラー上面膜１０３を保護することで、ピラー上面膜1０３に、さらに安定的に情報を記録し、又は書き換えることができる。
【００６０】
保護層の材料としては、誘電体材料が望ましい。保護層の材料としては、例えば、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ２、及びＴｅＯ２等から選ばれる一種又は複数種の酸化物を用いることができる。また、保護層の材料として、Ｃ−Ｎ、T -N 、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓ−Ｎ、及びＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等から選ばれる一種又は複数の窒化物を用いることもできる。また、保護層の材料として、ＺｎＳ等の硫化物ＳｉＣ等の炭化物、ＬａＦ３，ＣｅＦ３，ＭｇＦｚ等の弗化物、及びＣを用いることもできる。また、上記材料から選ばれる1種又は複数種の材料の混合物を用いて、保護層を形成しても構わない。
【００６１】
保護層の厚みは、１０ｎｍ以下であることが好ましい。保護層の厚みを１０ｎｍより厚くすると、近接場光が相変化ナノ粒子に集中しにくくなり、記録が不安定になる可能性がある。保護層の厚みを１０ｎｍ以下にすることで、安定的な記録を行うことが可能となり、保護層の厚みは、５ｎｍ以下であることがより好ましい。
本実施例では、ピラー上面膜１０３および、底面膜１０４、および側壁膜１０５の上部および下部に、それぞれＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２膜を５ｎｍ形成した。
【００６２】
＜記録方法＞
図６は、記録媒体１００への記録方法を示す模式的図である。任意のピラー５０１の上に、金属アンテナ５０２を近づけて、金属アンテナ５０２に、例えば、図には示さないが偏光レーザーを金属アンテナ５０２の一部分に照射させ、金属アンテナ５０２の先端部近傍５０３に近接場を発生させて、ピラー５０１上に設けた記録材料を加熱し、その後冷却することによって記録材料を相転移させることによって、情報の記録を行なうことができる。
【００６３】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施例は一例であり、本発明は以下の実施例に限定されない。また、以下の実施例では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
【００６４】
（実施例１）
図２に、本実施例１において用いたピラー基板１０２の外観を示す。ピラー１０１が周期的に５ｍｍ角の領域に配列されたピラー基板１０２を用いた。膜面側から見たピラー形状は円形であり、その平均的な直径２０１はφ２５ｎｍであった。ピラー基板１０２の中心の断面を観察した結果、おおむね台形の形をしており、その平均的な底辺長２０２は３０ｎｍである。また、隣接するピラー１０１間の平均的な距離２０３は４０ｎｍ、ピラー１０１の平均的な高さ２０４は３５ｎｍであった。
【００６５】
＜スパッタ装置＞
図３に上記ピラー基板１０２に記録層を含む薄膜をスパッタするためのスパッタ装置の一部を示す。スパッタ装置には、カソード３０１とターゲット３０２と基板３０３を設置する基板ホルダー３０４と、基板ホルダー３０４を、複数のカソード直下に移動させるための搬送板３０５とが設けられている。
また、特に図には示さないが、スパッタ装置は複数のカソード３０１を有してもよい。例えば、カソード種として、ＲＦ波が印加できるカソード１台と、直流電圧を印加できるカソード２台とが並列して設けられていてもよい。
また、各カソード３０１は、取り付けるターゲット３０２として、直径φ１００のサイズのターゲット３０２が取り付けられるようになっており、成膜時には、ターゲット中心から下した垂線上に、基板３０３の中心がくるようにして成膜する。
このように、基板ホルダー３０４に基板３０３を搭載して、順次、それぞれのカソード３０１で成膜を行い、成膜後に基板３０３を搬送させることによって、順次、材料もしくは成膜条件が異なる薄膜を積層化することが可能である。
【００６６】
図４は、基板ホルダー３０４の面３０９の基準面３１０に対する傾きを極座標表示する場合の概略図である。基板ホルダー３０４には、基板を固定させる為の冶具３０６と、基板ホルダー３０４の角度を任意に変更できる治具３０７とが設けられている。ターゲット３０２の面と平行な面を基準面３１０として、ｘ−ｙ平面を規定し、基準面３１０からターゲット３０２の面に向かう法線方向をｚ軸とする。この基準面３１０のｚ軸に対して、基板ホルダー３０４の面３０８の法線がなす角をθとする。この角度θが基板ホルダー３０４の面３０９の基準面３１０に対する傾きを表す。また、基板ホルダー３０４の面３０９の法線ＯＡを基準面３１０に射影した線分ＯＢのｘ軸の正方向からの角度をφとする。この角度θ及びφは、基板ホルダー３０４の傾きを極座標表示したものである。このスパッタ装置では、基板ホルダー３０４の面３０９の基準面３１０に対する角度θ及びφを、スパッタ装置の外部から制御することができる。なお、基準面３１０の法線方向との角度θだけでなく、基準面３１０のｘ−ｙ平面に対する角度φを制御することで、側壁膜１０５、底面膜１０４の形成方向を適宜制御できる。さらに、保護層と記録層との形成方向を適宜変更することなどもできる。
【００６７】
ターゲット３０２の面と、基板３０３の面とが対向しているとき、ターゲット面から垂直に下した垂線と基板ホルダー面３０９から垂直に下した垂線との角度θは０°である。このスパッタ装置では、上記角度θは、０°〜７５°の範囲内で変更することが可能である。すなわち、スパッタリング粒子の直進方向と、基板１０２上に形成されたピラー１０１の直上方向との角度を調整することが可能となっている。
なお、基板３０３は基板ホルダー面３０９と水平になるように設置され、基板ホルダー３０４の中央に設置している。
【００６８】
ターゲット３０２中心から基板ホルダー３０４中心までに距離（以下、ＴＳ距離と略す。）は、その間に設けられたスパッタ装置筺体を交換することによって、任意に設定することが可能であり、本実施例では、ＴＳ距離が３００ｍｍとなるような筐体を設置した。
スパッタガスは、ターゲット３０２周辺から流れて、図中基板３０３の下部に設置されている真空ポンプ３０８にて排気される。
ターゲット３０２と基板ホルダー３０４の、おおよそ中間に位置する筺体にポートが設けられており、そのポートから真空度を計測している。
【００６９】
＜薄膜の作成方法＞
薄膜の作成方法は、ピラー基板１０２上に、順次、第一の保護層として、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２層を、相変化記録層として、Ｇｅ１０Ｓｂ９０（ａｔ％）層を、第二の保護層としてＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２層を形成した。
第一の保護層の成膜条件としては、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％材料をターゲット３０２として、Ａｒガスを３ｓｃｃｍ流し、カソード電極にＲＦ４００Ｗを４５秒間投入して、ピラー上面１０６の膜厚が５ｎｍとなるようにして形成した。成膜中の放電ガス圧は１．２Ｅ−２Ｐａであった。
相変化記録層の成膜条件としては、Ｇｅ１０Ｓｂ９０（ａｔ％）材料をターゲット３０２として、Ａｒガスを３ｓｃｃｍ流し、カソード電極にＤＣ１００Ｗを５５秒間投入して、ピラー上面１０６の膜厚が１０ｎｍとなるように形成した。成膜中の放電ガス圧は１．２Ｅ−２Ｐａであった。
第二の保護層の成膜条件としては、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％材料をターゲット３０２として、Ａｒガスを３ｓｃｃｍ流し、カソード電極にＲＦ４００Ｗを４５秒間投入して、ピラー上面の膜厚が５ｎｍとなるようにして形成した。成膜中の放電ガス圧は１．２Ｅ−２Ｐａであった。
これら全ての膜の成膜時には、基板３０３は回転させることなく、スパッタを行った。
記録膜の形成時には、基板ホルダー３０４の角度を変えて種々サンプルを作成した。
【００７０】
＜サンプルの評価＞
サンプル作成後、ターゲット面から下ろした垂線と、基板ホルダー面３０９から下ろした垂線とを含む平面でサンプルを切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察して、ピラー１０１に堆積する記録膜の膜厚を評価した。
図５は、このとき観察された断面ＴＥＭ像の模式図である。図中、符号４０１で示す層が記録膜に相当する。
【００７１】
また、別途、第二の保護層を設けないサンプルを作成し、その表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察することで記録膜の被覆率を調べた。
断面ＴＥＭ像から、ピラー上面膜１０３の平均的な膜厚をｔ１、側壁面１０８の一方側に堆積した側壁膜１０５の平均的な膜厚をｔ２、もう一方側に堆積した側壁膜１０５の平均的な膜厚をｔ３とし、底面１０７に堆積する底面膜１０４の膜厚の最小膜厚をｔ４とし、その最大膜厚をｔ５として評価した。
なお、断面ＴＥＭ像からは、分解能的に０．１ｎｍよりも薄い膜厚を計測することが困難であるため、観察像から０．１ｎｍ以下と思われる膜厚の場合は、膜が堆積されていないとみなして、０．０ｎｍとして計測した。
また、ＳＥＭ像からは、任意の４つのピラー１０１の中心を囲む範囲内で、ピラー側壁面１０８に堆積する側壁膜１０５の非被覆率、およびピラー１０１とピラー１０１との間の底面１０７に堆積する底面膜１０４の非被覆率を調べ、それぞれ、（側壁面１０８において側壁膜１０５が堆積されていない面積／ピラー側壁面積）、（底面１０７において底面膜１０４が堆積されていない面積／底面積）として求めた。
【００７２】
＜作成条件＞
第一の保護層の形成時は、基板ホルダー３０４の角度θを０°として形成し、記録膜の形成時には、基板ホルダー３０４の角度を３５°として形成し、第二の保護層の形成時は、基板ホルダー３０４の角度θを０°として形成した。
ピラー基板１０２に堆積した第一の保護層および第二の保護層の膜厚は、ｔ１＝５ｎｍ、ｔ２＝ｔ３＝０．４ｎｍ、ｔ４＝ｔ５＝４．６ｎｍであった。
ピラー基板１０２上に堆積した記録膜の膜厚は、ｔ１＝９．８ｎｍ、ｔ２＝０．０ｎｍ、ｔ３＝２．０ｎｍ、ｔ４＝０ｎｍ、ｔ５＝９．１ｎｍであった。
側壁面１０８における膜の非被覆率は２８％であり、底面１０７の膜の非被覆率は１４％であった。
すなわち、基板１０２を適宜角度θで傾けることによって、ピラー側壁面１０８に堆積する側壁膜１０５の膜厚、および底面１０７に堆積する底面膜１０４の膜厚を部分的に０ｎｍとすることが可能であることが判明した。
【００７３】
（実施例２）
第一の保護層の形成時は、基板ホルダー３０４の角度θを０°として形成し、記録膜の形成時には、基板ホルダー３０４の角度θを１５°として形成し、第二の保護層の形成時は、基板ホルダー３０４の角度θを０°とした以外は実施例１と同様に、記録媒体１００を形成した。
ピラー基板１０２に堆積した第一の保護層および第二の保護層の膜厚は、ｔ１＝５ｎｍ、ｔ２＝ｔ３＝０．４ｎｍ、ｔ４＝ｔ５＝４．６ｎｍであった。
ピラー基板１０２上に堆積した記録膜の膜厚は、ｔ１＝９．８ｎｍ、ｔ２＝０．０ｎｍ、ｔ３＝０．６ｎｍ、ｔ４＝０ｎｍ、ｔ５＝９．３ｎｍであった。
側壁面１０８における側壁膜１０５の非被覆率は２０％であり、底面１０７の底面膜１０４の非被覆率は１０％であった。
【００７４】
（実施例３）
記録膜の形成時に、基板ホルダー３０４の角度θを６５°とした以外は実施例１と同様に、記録媒体１００を形成した。ピラー基板１０２に堆積した第一の保護層および第二の保護層の膜厚は、ｔ１＝５ｎｍ、ｔ２＝ｔ３＝０．４ｎｍ、ｔ４＝ｔ５＝４．６ｎｍであった。
ピラー基板１０２上に堆積した記録膜の膜厚は、ｔ１＝８．４ｎｍ、ｔ２＝０．０ｎｍ、ｔ３＝８．３ｎｍ、ｔ４＝０．０ｎｍ、ｔ５＝５．２ｎｍであった。
側壁面１０８における側壁膜１０５の非被覆率は３４％であり、底面１０７の底面膜１０４の非被覆率は２６％であった。
ピラー上面に堆積する膜厚と、ピラー側壁面１０８に堆積する膜厚とが部分的にほぼ等しくなるが、本実施例においても、ピラー側壁面１０８に堆積する側壁膜１０５、および底面１０７に堆積する底面膜１０４の膜厚を部分的に０．０ｎｍとすることが可能であった。
【００７５】
（比較例１）
記録膜の形成時に、基板ホルダー３０４の角度θを０°とした。すなわち、ターゲット面と基板面とが平行になるようにして成膜した。
ピラー基板１０２に堆積した第一の保護層および第二の保護層の膜厚は、ｔ１＝５．０ｎｍ、ｔ２＝ｔ３＝０．４ｎｍ、ｔ４＝ｔ５＝４．６ｎｍであった。ピラー基板１０２上に堆積した記録膜の膜厚は、ｔ１＝１０．０ｎｍ、ｔ２＝ｔ３＝０．３ｎｍ、ｔ４＝ｔ５＝９．０ｎｍであった。
側壁面１０８における側壁膜１０５の非被覆率は０％であり、底面１０７の底面膜１０４の非被覆率は０％であった。
すなわち、ターゲット面と基板面とが平行になるようにして成膜した場合では、ピラー周辺に堆積する膜の膜厚を０．０ｎｍとすることができなかった。
【００７６】
（比較例２）
記録膜の形成時に、基板ホルダー３０４の角度θを１０°とした。ピラー基板１０２に堆積した第一の保護層および第二の保護層の膜厚は、ｔ１＝５.０ｎｍ、ｔ２＝ｔ３＝０．４ｎｍ、ｔ４＝ｔ５＝４．６ｎｍであった。
ピラー基板１０２上に堆積した記録膜の膜厚は、ｔ１＝１０．０ｎｍ、ｔ２＝０．１ｎｍ、ｔ３＝０．５ｎｍ、ｔ４＝２．４ｎｍ、ｔ５＝８．８ｎｍであった。
側壁面１０８における側壁膜１０５の非被覆率は６％であり、底面１０７の底面膜１０４の非被覆率は４％であった。
すなわち、基板ホルダー３０４の角度θを１０°とした場合においては、ピラー周辺に堆積する側壁膜１０５及び底面膜１０４の膜厚を０．０ｎｍとすることができず、非被覆率も高くすることができなかった。
【００７７】
（比較例３）
スパッタ装置の筺体を変えて、ＴＳ距離を１００ｍｍとした以外は、実施例１と同様に薄膜を形成した。第一の保護層の形成時は、基板ホルダー３０４の角度θを０°として形成し、記録膜の形成時には、基板ホルダー３０４の角度θを３５°として形成し、第二の保護層の形成時は、基板ホルダー３０４の角度θを０°として形成した。
なお、このとき第一の保護層および第二の保護層を１０ｎｍ形成するための成膜時間は１０秒であり、記録層を１０ｎｍ形成するための成膜時間は１５秒であった。
ピラー基板１０２に堆積した第一の保護層および第二の保護層の膜厚は、ｔ１＝５ｎｍ、ｔ２＝ｔ３＝１．３ｎｍ、ｔ４＝ｔ５＝３．９ｎｍであった。
ピラー基板１０２上に堆積した記録膜の膜厚は、ｔ１＝９．８ｎｍ、ｔ２＝０．２ｎｍ、ｔ３＝４．３ｎｍ、ｔ４＝０．６ｎｍ、ｔ５＝７．２ｎｍであった。
また、側壁面１０８における側壁膜１０５の非被覆率は０％であり、底面１０７の底面膜１０４の非被覆率は０％であった。
すなわち、ＴＳ距離を１００ｍｍとした場合においては、ターゲット３０２と基板３０３との距離が短いため、スパッタ粒子の直進性が悪く、基板ホルダー３０４を傾けても、ピラー周辺に堆積する膜の膜厚を０．０ｎｍとすることができないことがわかった。
【００７８】
以上、実施例に示したとおり、基板ホルダー３０４の角度θを１５°〜６５°の範囲内で調整し、かつ、ＴＳ距離を３００ｍｍとすることによって、ピラー周辺に堆積する膜の膜厚を０．０ｎｍとすることができることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明に係る記録媒体は、凸部が島状に設けられた基板上に記録層が形成され、近接場光により、基板上の凸部に形成された薄膜に情報の記録を行なう記録媒体に関する。この記録媒体では、隣接する凸部の間にわたって凸部の上面を除く凸部の側壁面及び凸部の間の底面において、薄膜のうち少なくとも記録層の膜厚が、前記凸部上面に堆積する薄膜の膜厚の２％以下の膜厚となる領域を設けている。これによって、基板上の凸部の上に形成された薄膜間に伝わる熱量を抑制することができる。そこで、一つの凸部への記録時の薄膜を介した伝熱によるクロスイレースによる隣接する凸部の信号劣化を抑制することができ、記録特性に優れた記録媒体を提供することが可能である。
【符号の説明】
【００８０】
１００  記録媒体
１０１  ピラー
１０２  基板
１０３  ピラー上面膜
１０４  底面膜
１０５  側壁膜
１０６  ピラー上面
１０７  底面
１０８  側壁面
２０１  ピラー上面直径
２０２  ピラー底辺長
２０３  ピラー間距離
２０４  ピラー高さ
３０１  カソード
３０２  ターゲット
３０３  基板
３０４  基板ホルダー
３０５  搬送板
３０６  基板固定冶具
３０７  基板ホルダー角度調整治具
３０８  真空ポンプ
３０９  基板ホルダー面
３１０  基準面（ｘ−ｙ平面）
４０１  記録膜
５０１  ピラー
５０２  金属アンテナ
５０３  金属アンテナ先端近傍
【図１】
2013157059.tif 000003
【図２】
2013157059.tif 000004
【図３】
2013157059.tif 000005
【図４】
2013157059.tif 000006
【図５】
2013157059.tif 000007
【図６】
2013157059.tif 000008