(57)【要約】【課題】レーザートリミングを行う際にヒューズ素子を覆っているシリコン酸化膜について、その膜厚の制御性を高めることを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１上に層間絶縁膜３を介してヒューズ素子１０を形成する工程と、ヒューズ素子１０を覆うように層間絶縁膜３上にシリコン酸化膜２０を形成する工程と、シリコン酸化膜２０上にシリコン窒化膜３０を形成する工程と、シリコン窒化膜３０及びシリコン酸化膜２０を部分的にエッチングして除去することにより、ヒューズ素子１０を底部に露出したレーザートリミング用の開口部３５を形成する工程と、開口部３５の底部にシリコン酸化膜４０を形成してヒューズ素子１０を覆う工程と、を含む。【選択図】図４
2013157468.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に絶縁膜を介してヒューズ素子を形成する工程と、
前記ヒューズ素子を覆うように前記絶縁膜上に第１のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第１のシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜及び前記第１のシリコン酸化膜を部分的にエッチングして除去することにより、前記ヒューズ素子を底部に露出したレーザートリミング用の開口部を形成する工程と、
前記開口部内に第２のシリコン酸化膜を形成して前記ヒューズ素子を覆う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板上に前記絶縁膜を介してパッド電極を形成する工程、をさらに含み、
前記第１のシリコン酸化膜を形成する工程では、
前記ヒューズ素子と前記パッド電極とを覆うように前記第１のシリコン酸化膜を形成し、
前記シリコン窒化膜及び前記第１のシリコン酸化膜を部分的にエッチングして除去する工程では、
前記シリコン窒化膜及び前記第１のシリコン酸化膜のうちの前記ヒューズ素子上に位置する部分と前記パッド電極上に位置する部分とをエッチングして除去することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２のシリコン酸化膜の厚さに関して、前記レーザートリミングを行う際の最適な厚さを予め求めておき、
前記第２のシリコン酸化膜を形成する工程では、
前記第２のシリコン酸化膜を前記最適な厚さに形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、ヒューズ素子を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図９は、従来例に係るヒューズ素子１１０と、その周辺構造の一例を示す断面図である。図９に示すように、半導体基板１０１上には第１層間絶縁膜１０３が形成されており、この第１層間絶縁膜１０３上にメタルからなるヒューズ素子１１０が形成されている。また、ヒューズ素子１１０上には第２層間絶縁膜１２０が形成されており、第２層間絶縁膜１２０上には保護膜（パシベーション膜）１３０が形成されている。
【０００３】
ヒューズ素子１１０のヒューズカット領域（即ち、図９において、断面で示されている部位）の上方では、保護膜１３０は除去されており、さらに、第２層間絶縁膜１２０が薄膜化されている。即ち、ヒューズカット領域の上方には、保護膜１３０を貫通し、且つ、第２層間絶縁膜１２０が周囲と比べて薄いレーザートリミング用の開口部１３５が設けられている。
【０００４】
レーザートリミングを行う工程では、この開口部１３５を通して、第２層間絶縁膜１２０及びヒューズ素子１１０にレーザー光を照射する。そして、レーザー光の照射により生じる熱で、ヒューズ素子１１０を溶断（即ち、カット）する。ここで、ヒューズカット領域の上方に位置する第２層間絶縁膜１２０が薄すぎると、ヒューズ素子１１０の温度がその融点まで上がりきらないうちに第２層間絶縁膜１２０がなくなる。この場合は、ヒューズ素子１１０を構成しているメタル成分は十分に噴出せず、ヒューズ素子１１０のカットが不十分となる可能性がある。
【０００５】
一方、ヒューズ素子１１０上の第２層間絶縁膜１２０が厚すぎると、ヒューズカット領域及びその周辺にレーザー光が過剰に照射されて、ヒューズカット領域の周辺がダメージを受けてしまう可能性がある。このため、例えば特許文献１に開示されているように、ヒューズ素子上の層間絶縁膜の厚さを制御する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１３５７９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１では、ヒューズ素子上にシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）からなる層間絶縁膜を形成した後、その上に新たな層間絶縁膜を形成する。次に、この新たな層間絶縁膜をエッチングして、ヒューズ素子上に開口部を形成する。さらに、この開口部を埋めるように、保護膜用のシリコン酸化膜（ＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ膜）とシリコン窒化膜とを形成する。そして、これらシリコン窒化膜、シリコン酸化膜をエッチングして、開口部の底面に層間絶縁膜を露出させる。これにより、保護膜のエッチング処理時に、ヒューズ素子上の層間絶縁膜のエッチング除去量が少なくなり、ヒューズ素子上の層間絶縁膜の残膜厚の制御性を向上させることができる、と記載されている。
【０００８】
しかしながら、特許文献１では、ヒューズ素子の上方で複数の絶縁膜（即ち、新たな層間絶縁膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜）の堆積とそのエッチングを行っている。このため、レーザートリミングを行う際にヒューズ素子上に残存しているシリコン酸化膜の厚さ（即ち、残膜厚）は、上記の各絶縁膜のウエハ面内における堆積膜厚のばらつきや、ウエハ面内におけるエッチングレートのばらつきの影響を受けて変動し易く、残膜厚を制御することは難しい、という課題があった。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、レーザートリミングを行う際にヒューズ素子を覆っているシリコン酸化膜について、その膜厚の制御性を高めることを可能とした半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を介してヒューズ素子を形成する工程と、前記ヒューズ素子を覆うように前記絶縁膜上に第１のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記第１のシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜及び前記第１のシリコン酸化膜を部分的にエッチングして除去することにより、前記ヒューズ素子を底部に露出したレーザートリミング用の開口部を形成する工程と、前記開口部内に第２のシリコン酸化膜を形成して前記ヒューズ素子を覆う工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
このような製造方法であれば、従来のシリコン酸化膜のエッチング量を制御する方法と異なり、ヒューズ素子上からシリコン窒化膜とシリコン酸化膜を全てエッチングして除去し、改めて、ヒューズ素子上にシリコン酸化膜を形成する。これにより、レーザートリミングを行う際にヒューズ素子を覆っているシリコン酸化膜の膜厚を所望の値に近づけることが容易となり、その膜厚の制御性を高めることができる。
【００１１】
即ち、上記の製造方法によれば、レーザートリミングを行う際にヒューズ素子を覆っている第２のシリコン酸化膜は、１回の成膜プロセスで形成することができる。また、レーザートリミングを行う前に、第２のシリコン酸化膜をエッチングする必要もない。このため、第２のシリコン酸化膜の半導体基板（例えば、ウエハ）面内のばらつきを小さくすることができ、その膜厚を高精度に制御することが可能となる。ヒューズ素子上に膜厚の面内ばらつきが小さい、均一な厚さの第２のシリコン酸化膜を配置した状態で、ヒューズ素子をトリミングすることが可能となる。
【００１２】
なお、本発明の「絶縁膜」としては、例えば、後述する層間絶縁膜３が該当する。「第１のシリコン酸化膜」としては、例えば、後述するシリコン酸化膜２０（第１実施形態）、又は、シリコン酸化膜２０Ａ及び２０Ｂ（第２実施形態）が該当する。「第２のシリコン酸化膜」としては、例えば、後述するシリコン酸化膜４０が該当する。
【００１３】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に前記絶縁膜を介してパッド電極を形成する工程、をさらに含み、前記第１のシリコン酸化膜を形成する工程では、前記ヒューズ素子と前記パッド電極とを覆うように前記第１のシリコン酸化膜を形成し、前記シリコン窒化膜及び前記第１のシリコン酸化膜を部分的にエッチングして除去する工程では、前記シリコン窒化膜及び前記第１のシリコン酸化膜のうちの前記ヒューズ素子上に位置する部分と前記パッド電極上に位置する部分とをエッチングして除去することを特徴とする。このような製造方法であれば、後の工程で、パッド電極上から第２のシリコン酸化膜を除去してパッド電極上を再び開口する際に、パッド電極上からは既にシリコン窒化膜とシリコン酸化膜とが取り除かれている。従って、後の工程で、パッド電極上を開口する際のエッチング処理を短縮することができる。
【００１４】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記第２のシリコン酸化膜の厚さに関して、前記レーザートリミングを行う際の最適な厚さを予め求めておき、前記第２のシリコン酸化膜を形成する工程では、前記第２のシリコン酸化膜を前記最適な厚さに形成する。ここで、「最適な厚さ」とは、レーザー光の照射に伴うヒューズ素子周辺へのダメージを抑えつつ、ヒューズ素子を再現性高くカットすることが可能な厚さのことである。このような製造方法であれば、レーザートリミングを行う際にヒューズ素子を覆っているシリコン酸化膜の厚さは、上記の「最適な厚さ」若しくはそれに近い値となる。従って、ヒューズ素子周囲へのダメージを抑えつつ、ヒューズ素子を再現性高くカットすることができる。レーザートリミング工程の品質の向上と、歩留まりの向上に寄与することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、レーザートリミングを行う際にヒューズ素子を覆っているシリコン酸化膜について、その膜厚を所望の値に近づけることが容易となり、その膜厚の制御性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図（その１）。
【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図（その２）。
【図３】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図（その３）。
【図４】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図（その４）。
【図５】複数本のヒューズ素子１０に対して形成される開口部３５の一例を示す図。
【図６】図４（ｂ）に対応する平面図。
【図７】複数本のヒューズ素子１０に対して形成される開口部３５の他の例を示す図。
【図８】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図。
【図９】従来例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明による実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
（１）第１実施形態
図１（ａ）〜図４（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。ここでは、半導体基板上に層間絶縁膜を介してヒューズ素子を形成しの後必要に応じて、ヒューズ素子にレーザー光を照射して溶断する（即ち、レーザートリミングを行う）場合について説明する。
【００１８】
図１（ａ）に示すように、まず始めに、半導体基板１上に層間絶縁膜３を形成する。半導体基板１は、例えば単結晶のシリコンウエハ、又は、絶縁層上にシリコン層が形成された構造のＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハである。この半導体基板１には、例えば、ＭＯＳ（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）電界効果トランジスタ、バイポーラトランジスター、キャパシタ、抵抗又はコイル等の各種素子が形成されている。これら各種素子を層間絶縁膜３で覆う。また、層間絶縁膜３は例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）であり、その形成方法は例えばプラズマＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）法である。ここでは、層間絶縁膜３を例えば３μｍ以上の厚さに形成する。
【００１９】
次に、図１（ｂ）に示すように、層間絶縁膜３上にメタル膜１０´を形成する。ここでは、メタル膜１０´として、上から順に窒化チタン膜（ＴｉＮ）１１を６０ｎｍ、チタン膜（Ｔｉ）１２を１１．５ｎｍ、アルミニウム膜（Ａｌ）１３を３６２ｎｍ、窒化チタン膜１４を３３ｎｍ、チタン膜１５を１１．５ｎｍを積層する。即ち、メタル膜１０´として、例えば、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ／ＴｉＮ＝１１．５／３３／３６２／１１．５／６０ｎｍの積層構造を有する膜を形成する。メタル膜１０´の形成方法は、例えばスパッタ法である。
【００２０】
次に、図１（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術により、メタル膜１０´上にレジストパターン１６を形成する。ここでは、レジストパターン１６を、配線が形成される領域とヒューズ素子が形成される領域とを覆い、それ以外の領域を露出する形状に形成する。そして、このレジストパターン１６をマスクに用いて、メタル膜１０´をエッチングする。これにより、図２（ａ）に示すように、メタル膜１０´からなるヒューズ素子１０と、メタル膜１０´からなる配線５０とを形成する。ヒューズ素子１０と配線５０とを形成した後で、レジストパターン１６を例えばアッシングして除去する。図２（ｂ）に示すように、レジストパターンを除去した後は、ヒューズ素子１０と配線５０とがそれぞれ露出した状態となる。
【００２１】
次に、図２（ｃ）に示すように、ヒューズ素子１０及び配線５０を覆うように層間絶縁膜３上にシリコン酸化膜２０を形成する。このシリコン酸化膜２０は、例えば、半導体基板１上に形成される複数の層間絶縁膜のうちの最上層の層間絶縁膜であり、保護膜（即ち、パシベーション膜）の一部でもある。このシリコン酸化膜２０の形成方法は、例えばプラズマＣＶＤ法である。ここでは、シリコン酸化膜２０を例えば４００〜６００ｎｍの厚さに形成する。
【００２２】
次に、図３（ａ）に示すように、シリコン酸化膜２０上にシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）３０を形成する。シリコン窒化膜３０は、例えば、シリコン酸化膜２０と同様に保護膜の一部である。シリコン窒化膜３０の形成方法は、例えば、プラズマＣＶＤである。ここでは、シリコン窒化膜３０を例えば６００〜１０００ｎｍの厚さに形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術により、シリコン窒化膜３０上にレジストパターン３１を形成する。このレジストパターン３１は、ヒューズ素子１０のうちの、レーザートリミングでカットされることが予定されている領域（即ち、ヒューズカット領域）の上方を露出し、それ以外の領域を覆う形状に形成する。
【００２３】
ここでは、例えば、ヒューズ素子１０のヒューズカット領域の幅をＬ１とし、レジストパターン３１の開口部３２の幅Ｌ２としたとき、幅Ｌ２が幅Ｌ１よりも大きくなるように（即ち、Ｌ２＞Ｌ１となるように）レジストパターン３１を形成する。また、後述する幅Ｌ２´´がヒューズ素子１０の幅Ｌ１よりも確実に大きな値となるように、幅Ｌ２を幅Ｌ１よりも十分に大きな値に設定しておくことが好ましい。
【００２４】
次に、レジストパターン３１をマスクに用いてシリコン窒化膜３０とシリコン酸化膜２０とを順次エッチングする。これにより、図３（ｃ）に示すように、ヒューズ素子１０のヒューズカット領域の上方からシリコン窒化膜３０とシリコン酸化膜２０とを除去して、ヒューズ素子１０を底部に露出したレーザートリミング用の開口部３５を形成する。上述したように、レジストパターン３１の開口部３２は、ヒューズ素子１０のヒューズカット領域よりも幅広に形成されている（Ｌ２＞Ｌ１）。このため、開口部３５も、ヒューズカット領域よりも幅広に形成される。即ち、開口部３５の幅をＬ２´としたとき、Ｌ２≒Ｌ２´であり、Ｌ２´＞Ｌ１となる。このような開口部３５を形成するためのエッチング処理は、ドライエッチングで行ってもよいし、ウェットエッチングで行ってもよい。開口部３５を形成した後で、レジストパターン３１を例えばアッシングして除去する。
【００２５】
次に、図４（ａ）に示すように、半導体基板１の上方にシリコン酸化膜４０を形成する。これにより、開口部３５内にもシリコン酸化膜４０が形成され、このシリコン酸化膜４０によってヒューズ素子１０が覆われる。シリコン酸化膜４０の形成方法は、例えば、プラズマＣＶＤである。シリコン酸化膜４０の厚さは例えば２００〜６００ｎｍである。
なお、シリコン酸化膜４０は、開口部３５の底面だけでなく側面にも形成される。このため、開口部３５の幅は、シリコン酸化膜４０の厚さに相当する分だけ小さくなる。例えば、シリコン酸化膜４０が形成された後の開口部３５の幅をＬ２´´とし、シリコン酸化膜４０のうちの開口部３５の側面に形成された部分の厚さをＴとしたとき、Ｌ２´´＝Ｌ２´−Ｔ×２となる。
【００２６】
次に、図４（ｂ）に示すように、必要に応じて、レーザートリミングを行う。例えば図５に示すように、層間絶縁膜３上には複数本のヒューズ素子１０が形成されている。これら複数本のヒューズ素子１０の各々の上方には、シリコン酸化膜４０を底面とする開口部３５がそれぞれ形成されている。レーザートリミングを行う工程では、これら複数本のヒューズ素子１０のうちの少なくとも一部に対して、レーザートリミングを行う。
【００２７】
例えば、半導体装置がアナログ回路を含み、そのアナログ特性（抵抗値、容量値など）の微調整が必要な場合は、複数本のヒューズ素子１０のうちの少なくとも一部にレーザー光を照射して、そのヒューズカット領域をカットする。これにより、アナログ特性を狙い値に近づけることができる。また、半導体装置がＤＲＡＭ、フラッシュメモリ等の記憶装置を含み、不良メモリセルを救済することが必要な場合は、複数本のヒューズ素子１０のうちの少なくとも一部にレーザー光を照射して、そのヒューズカット領域をカットする。これにより、不良メモリセルを予備の冗長セルに置き換えることができ、記憶容量を回復することができる。
【００２８】
図６は、図４（ｂ）に対応する平面図である。図６に示すように、この実施形態では、レーザー光の照射領域の径（即ち、ビーム径）Ｌ３よりも、開口部３５の幅Ｌ２´´の方が大きいことが好ましい（即ち、Ｌ３＜Ｌ２´´）。これにより、開口部３５の底面にのみ、レーザー光を照射することができる。開口部３５の周辺にレーザー光が照射されて、周辺がダメージを受けてしまうことを防ぐことができる。
また、この実施形態では、レーザー光のビーム径Ｌ３は、ヒューズ素子１０のヒューズカット領域の幅Ｌ１よりも大きいことが好ましい。これにより、複数本のヒューズ素子１０の各々に対して、レーザー光をスポット照射する（即ち、レーザー光を走査せずに、位置を固定して照射する）ことにより、それらを切断することができる。
【００２９】
以上説明したように、本発明の第１実施形態によれば、従来のシリコン酸化膜のエッチング量を制御する方法と異なり、ヒューズ素子１０上からシリコン窒化膜３０とシリコン酸化膜２０を全てエッチングして除去し、改めて、ヒューズ素子１０上にシリコン酸化膜４０を形成する。これにより、レーザートリミングを行う際にヒューズ素子１０を覆っているシリコン酸化膜の膜厚を所望の値に近づけることが容易となり、その膜厚の制御性を高めることができる。
【００３０】
即ち、上記の製造方法によれば、レーザートリミングを行う際にヒューズ素子１０を覆っているシリコン酸化膜４０は、１回の成膜プロセスで形成することができる。また、レーザートリミングを行う前に、シリコン酸化膜４０をエッチングする必要もない。このため、シリコン酸化膜４０のウエハ面内のばらつきを小さくすることができ、その膜厚を高精度に制御することが可能となる。ヒューズ素子１０上に膜厚の面内ばらつきが小さい、均一な厚さのシリコン酸化膜４０を配置した状態で、ヒューズ素子１０をトリミングすることが可能となる。
【００３１】
なお、上記の第１実施形態では、図５に示したように、複数本のヒューズ素子１０の各々の上方に、開口部３５をそれぞれ設ける場合について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。例えば図７に示すように、複数のヒューズ素子１０の上方に、一つの大きな開口部３５を設けてもよい。即ち、複数のヒューズ素子１０の上方を一括して開口するように、開口部３５を設けてもよい。このような場合であっても、上記の第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００３２】
（２）第２実施形態
上記の第１実施形態では、シリコン窒化膜３０及びシリコン酸化膜２０を部分的に除去して、ヒューズ素子１０上にレーザートリミング用の開口部３５を形成することについて説明した。本発明では、この開口部３５を形成するためのエッチング処理を利用して、パッド電極上に開口部を形成するようにしてもよい。第２実施形態では、この場合の製造方法について説明する。
【００３３】
図８（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図８（ａ）において、層間絶縁膜３上に複数本のヒューズ素子１０と配線５０とを形成する工程までは第１実施形態と同じである。複数本のヒューズ素子１０と配線５０とを形成した後で、層間絶縁膜３上にシリコン酸化膜２０Ａを形成する。シリコン酸化膜２０Ａの形成方法、及び、後述するシリコン酸化膜２０Ｂの形成方法は、第１実施形態で説明したシリコン酸化膜２０の形成方法と同様に、例えば、プラズマＣＶＤである。
【００３４】
次に、シリコン酸化膜２０Ａ上にメタル膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて部分的に除去する。これにより、シリコン酸化膜２０Ａ上に、パッド電極６０と配線７０とを形成する。なお、この第２実施形態では、シリコン酸化膜２０Ａ上にメタル膜を形成する前に、シリコン酸化膜２０Ａのうちの配線５０上に位置する部分にビアホール（貫通孔）を形成しても良い。ビアホールの形成は、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて行う。そして、このビアホールを埋め込むようにメタル膜を形成し、メタル膜をエッチングしてビアホール上にパッド電極６０を形成してもよい。これにより、図８（ａ）に示すように、配線５０に電気的に接続されたパッド電極６０を形成することができる。
【００３５】
次に、パッド電極６０及び配線７０が形成されたシリコン酸化膜２０Ａ上にシリコン酸化膜２０Ｂを形成する。これにより、パッド電極６０及び配線７０がシリコン酸化膜２０Ｂで覆われる。そして、シリコン酸化膜２０Ｂ上にシリコン窒化膜３０を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により、シリコン窒化膜３０と、シリコン酸化膜２０Ａ及び３０Ｂをそれぞれ部分的に除去する。これにより、図８（ｂ）に示すように、ヒューズ素子１０を底部に露出したレーザートリミング用の開口部３５と、パッド電極６０を底部に露出したパッド開口部８０とを形成する。
【００３６】
次に、図８（ｃ）に示すように、半導体基板１の上方にシリコン酸化膜４０を形成する。これにより、レーザートリミング用の開口部３５の内側とパッド開口部８０の内側とにそれぞれシリコン酸化膜４０が形成され、このシリコン酸化膜４０によってヒューズ素子１０とパッド電極６０とが覆われる。その後、必要に応じて、複数本のヒューズ素子１０のうちの少なくとも一部に対して、レーザートリミングを行う。
【００３７】
本発明の第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。また、後の工程で、パッド電極６０上からシリコン酸化膜４０を除去してパッド電極６０上を再び開口する際に、パッド電極６０上からは既にシリコン窒化膜３０とシリコン酸化膜２０Ｂとが取り除かれている。従って、後の工程で、パッド電極６０上を開口する際のエッチング処理を短縮することができる。
【００３８】
（３）その他の実施形態
上記の第１、第２実施形態では、シリコン酸化膜４０を、レーザートリミングを行う際の最適な厚さとなるように形成することが好ましい。例えば、シリコン酸化膜４０に関して、レーザートリミングを行う際の最適な厚さを実験又はシミュレーション等により予め求めておく。そして、シリコン酸化膜４０を形成する工程では、予め求めておいた最適な厚さとなるようにシリコン酸化膜４０を形成する。
このような形態であれば、レーザートリミングを行う際にヒューズ素子を覆っているシリコン酸化膜の厚さは、上記の「最適な厚さ」若しくはそれに近い値となる。従って、ヒューズ素子１０周囲へのダメージを抑えつつ、ヒューズ素子１０を再現性高くカットすることができる。レーザートリミング工程の品質の向上と、歩留まりの向上に寄与することができる。
【符号の説明】
【００３９】
１  半導体基板
３  層間絶縁膜
１０  ヒューズ素子
１０´  メタル膜
１１、１４  窒化チタン膜
１２、１５  チタン膜
１３  アルミニウム膜
１６、３１  レジストパターン
２０、２０Ａ、２０Ｂ  シリコン酸化膜
３０  シリコン窒化膜
３２  （レジストパターンの）開口部
３５  （シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の）開口部
４０  シリコン酸化膜
５０、７０  配線
６０  パッド電極
８０  パッド開口部
【図１】
2013157468.tif 000003
【図２】
2013157468.tif 000004
【図３】
2013157468.tif 000005
【図４】
2013157468.tif 000006
【図５】
2013157468.tif 000007
【図６】
2013157468.tif 000008
【図７】
2013157468.tif 000009
【図８】
2013157468.tif 000010
【図９】
2013157468.tif 000011