(57)【要約】【課題】コストを抑えながらノイズを低減するとともに、金属ワイヤとパッドとの接続強度を確保しつつ、円滑に連続してボンディングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置の製造方法は、キャピラリおよび閉状態と開状態とに切替え可能なクランパによって、基板に形成された基板側電極パッドと、チップに形成されたチップ側電極パッドとをワイヤで接続する半導体装置の製造方法である。無電解メッキによって基板側電極パッドの最表層に金メッキを形成する。基板側電極パッドに対してワイヤが接合される一次接合の位置の直上を越える位置までキャピラリ移動させてから基板側電極パッドに対してワイヤの一次接合が行われる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
先端から金製のワイヤが供給されるキャピラリおよび前記ワイヤを挟持する閉状態と前記ワイヤを開放する開状態とに切替え可能なクランパによって、基板の第一面上に形成された基板側電極パッドと、前記基板の第一面上に搭載されたチップに形成されたチップ側電極パッドとを前記ワイヤで接続する半導体装置の製造方法であって、
無電解メッキによって前記基板側電極パッドにニッケルメッキを形成し、
無電解メッキによって前記ニッケルメッキ上にパラジウムメッキを形成し、
無電解メッキによって前記パラジウムメッキ上となる最表層に金メッキを形成し、
前記キャピラリを前記チップに近接させて、前記ワイヤの一端を前記チップ側電極パッドに接続し、
前記クランパの開状態で、
前記キャピラリを前記チップの上方に移動させ、
前記キャピラリを前記基板側電極パッドに向かう第１の方向に移動させ、
前記キャピラリを、前記基板側電極パッドに近接させて前記ワイヤを前記基板側電極パッドに一次接合し、
前記キャピラリを移動させて、前記一次接合の位置よりも前記第１の方向に移動した位置で前記ワイヤを前記基板側電極パッドに二次接合し、
前記キャピラリを前記基板の上方に移動させ、
前記クランパを閉状態に切替え、
前記キャピラリを前記基板のさらに上方に移動させ、
前記キャピラリの前記第１の方向への移動は、前記一次接合の位置の直上を越える位置まで行われ、
前記一次接合は、前記キャピラリを、前記第１の方向と反対の第２の方向に移動させつつ前記基板側電極パッドに近接させて行われる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
先端からワイヤが供給されるキャピラリおよび前記ワイヤを挟持する閉状態と前記ワイヤを開放する開状態とに切替え可能なクランパによって、基板の第一面上に形成された基板側電極パッドと、前記基板の第一面上に搭載されたチップに形成されたチップ側電極パッドとを前記ワイヤで接続する半導体装置の製造方法であって、
無電解メッキによって前記基板側の電極パッドの最表層に金メッキを形成し、
前記キャピラリを前記チップに近接させて、前記ワイヤの一端を前記チップ側電極パッドに接続し、
前記クランパの開状態で、
前記キャピラリを前記チップの上方に移動させ、
前記キャピラリを前記基板側電極パッドに向かう第１の方向に移動させ、
前記キャピラリを前記基板側電極パッドに近接させて前記ワイヤを前記基板側電極パッドに一次接合し、
前記キャピラリの前記第１の方向への移動は、前記一次接合の位置の直上を越える位置まで行われ、
前記一次接合は、前記キャピラリを、前記第１の方向と反対の第２の方向に移動させつつ前記基板側電極パッドに近接させて行われる半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記一次接合の後に、
前記キャピラリを前記基板側電極パッドの上方に移動させ、
前記キャピラリを移動させて、前記一次接合の位置よりも前記第１の方向に移動した位置で前記ワイヤを二次接合する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記二次接合の後に、
前記キャピラリを前記基板の上方に移動させ、
前記クランパを閉状態に切替え、
前記キャピラリを前記基板のさらに上方に移動させる請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
無電解メッキによって前記基板側電極パッドにニッケルメッキを形成し、
無電解メッキによって前記ニッケルメッキ上にパラジウムメッキを形成し、
前記金メッキは、前記パラジウムメッキ上に形成される請求項２〜４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
基板の第一面上に形成された基板側電極パッドと、前記基板の第一面上に搭載されたチップに形成されたチップ側電極パッドとを金製のワイヤで接続するボンディング装置であって、
前記ワイヤを挟持する閉状態と前記ワイヤを開放する開状態とに切替え可能なクランパと、
先端からワイヤが供給されるキャピラリを前記チップに近接させて、前記ワイヤの一端を前記チップ側電極パッドに接続し、前記クランパの開状態で、前記キャピラリを前記チップの上方に移動させ、前記キャピラリを前記基板側電極パッドに向かう第１の方向に移動させ、前記キャピラリを前記基板側電極パッドに近接させて前記ワイヤを前記基板側電極パッドに一次接合し、前記キャピラリを前記基板側電極パッドの上方に移動させ、前記キャピラリを移動させて、前記一次接合の位置よりも前記第１の方向に移動した位置で前記ワイヤを二次接合し、前記キャピラリを前記基板の上方に移動させ、前記クランパを閉状態に切替え、前記キャピラリを前記基板のさらに上方に移動させる制御部と、を備え、
前記キャピラリの前記第１の方向への移動は、前記一次接合の位置の直上を越える位置まで行われ、
前記一次接合は、前記キャピラリを、前記第１の方向と反対の第２の方向に移動させつつ前記基板側電極パッドに近接させて行われるボンディング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法およびボンディング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線層が形成された基板上にコントローラチップやメモリチップ等のチップを載置した半導体装置が知られている。このような半導体装置では、基板上に設けられた電極パッドとチップ上に設けられた電極パッドとを、金属ワイヤで接続することで（以下、ボンディングともいう）、基板とチップとが互いに電気的に接続される。
【０００３】
このような半導体装置では、通信速度の高速化に伴って、コストを抑えながらノイズを低減することが望まれている。また、基板に形成された電極パッドの表面には、金メッキが形成される場合がある。そのため、金の使用量を抑えて、コストの抑制を図ることが望まれている。また、金の使用量を抑えることでパッド部分の金メッキが薄くなった場合であっても、金属ワイヤとパッドとの接続強度を確保しつつ、円滑に連続してボンディングを行うことが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２３８７５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、コストを抑えながらノイズを低減するとともに、金属ワイヤとパッドとの接続強度を確保しつつ、円滑に連続してボンディングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明の一態様によれば、先端から金製のワイヤが供給されるキャピラリおよびワイヤを挟持する閉状態とワイヤを開放する開状態とに切替え可能なクランパによって、基板の第一面上に形成された基板側電極パッドと、基板の第一面上に搭載されたチップに形成されたチップ側電極パッドとをワイヤで接続する半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。基板側電極パッドに、無電解メッキによってニッケルメッキを形成する。無電解メッキによってニッケルメッキ上にパラジウムメッキを形成する。無電解メッキによってパラジウムメッキ上となる最表層に金メッキを形成する。キャピラリをチップに近接させて、ワイヤの一端をチップ側電極パッドに接続する。クランパの開状態で、キャピラリをチップの上方に移動させ、キャピラリを基板側電極パッドに向かう第１の方向に移動させる。キャピラリの第１の方向への移動は、一次接合の位置の直上を越える位置まで行わせる。キャピラリを第１の方向と反対の第２の方向に移動させつつ基板側電極パッドに近接させてワイヤを基板側電極パッドに一次接合する。一次接合の位置よりも第１の方向に移動した位置でワイヤを二次接合する。キャピラリを基板の上方に移動させ、クランパを閉状態に切替え、キャピラリを基板のさらに上方に移動させる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施の形態にかかるボンディング装置の概略構成を示す図である。
【図２】図２は、図１に示すボンディング装置を用いて製造される半導体装置の一例を示す図である。
【図３】図３は、基板の基板側電極パッド部分を拡大した部分拡大平面図である。
【図４】図４は、図３に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。
【図５】図５は、ボンディングの手順を説明するためのフローチャートである。
【図６】図６は、ワイヤがボンディングされる部分の断面図であって、ボンディングの一工程を示す図である。
【図７】図７は、ワイヤがボンディングされる部分の断面図であって、ボンディングの一工程を示す図である。
【図８】図８は、ワイヤがボンディングされる部分の断面図であって、ボンディングの一工程を示す図である。
【図９】図９は、ワイヤがボンディングされる部分の断面図であって、ボンディングの一工程を示す図である。
【図１０】図１０は、ワイヤがボンディングされる部分の断面図であって、ボンディングの一工程を示す図である。
【図１１】図１１は、ワイヤがボンディングされる部分の断面図であって、ボンディングの一工程を示す図である。
【図１２】図１２は、ワイヤがボンディングされる部分の断面図であって、ボンディングの一工程を示す図である。
【図１３】図１３は、ワイヤがボンディングされる部分の断面図であって、ボンディングの一工程を示す図である。
【図１４】図１４は、ワイヤがボンディングされる部分の断面図であって、ボンディングの一工程を示す図である。
【図１５】図１５は、ワイヤがボンディングされる部分の断面図であって、ボンディングの一工程を示す図である。
【図１６】図１６は、ワイヤがボンディングされる部分の断面図であって、ボンディングの一工程を示す図である。
【図１７】図１７は、ワイヤがボンディングされる部分の断面図であって、ボンディングの一工程を示す図である。
【図１８】図１８は、ワイヤと基板側電極パッドとの接合強度を示す図である。
【図１９】図１９は、ワイヤと基板側電極パッドとの接合強度を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態にかかる半導体装置およびその製造方法を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態にかかるボンディング装置の概略構成を示す図である。ボンディング装置５０は、制御部１、記憶部２、キャピラリ３、クランパ４を備えて構成される。図２は、図１に示すボンディング装置を用いて製造される半導体装置の一例を示す図である。
【００１０】
まず、ボンディング装置５０を用いて製造される半導体装置６０の概略構成について説明する。半導体装置６０は、基板５、コントローラ（チップ）７、メモリチップ（チップ）９を備える。基板５は、例えば絶縁性樹脂基板の内部や表面に配線層を設けたものであり、素子搭載基板と端子形成基板とを兼ねる。このような基板５として、ガラス−エポキシ樹脂やガラス−ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）などを用いたプリント配線板が使用される。基板５の第一面５ａ上には、複数の電極パッド（基板側電極パッド６）が形成されている。
【００１１】
図３は、基板の基板側電極パッド部分を拡大した部分拡大平面図である。図４は、図３に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。図３および図４に示すように、基板５の内部には配線層としての配線パターン１３が形成されている。配線パターン１３は、例えば銅を用いて形成されており、電解メッキによって形成されたり、圧延銅箔を用いて形成されたりする。また、配線パターン１３は、電解メッキ、無電解メッキ、圧延銅箔を用いた多層構造で形成される場合もある。
【００１２】
配線パターン１３の表面は、ソルダレジスト等の保護膜１４で覆われている。保護膜１４の一部は、エッチングによって開口されて、配線パターン１３の一部が露出している。この露出された配線パターン１３部分が、基板側電極パッド６として機能する。
【００１３】
配線パターン１３の露出部分の表面には、まず、無電解メッキによりニッケル（Ｎｉ）メッキが施され、第１層３１が形成される。次に、ニッケルメッキの表面に、無電解メッキによりパラジウム（Ｐｄ）メッキが施され、第２層３２が形成される。そして、パラジウムメッキの表面に、無電解メッキにより金（Ａｕ）メッキが施され、第３層３３が形成される。したがって、基板側電極パッド６の最表層（第３層）には、無電解メッキによる金メッキが施されていることとなる。
【００１４】
コントローラ７は、複数のメモリチップ９から、データの書き込みや読み出しを行うメモリチップ９を選択する。コントローラ７は、選択したメモリチップ９へのデータの書き込みや、選択したメモリチップ９に記憶されたデータの読み出しなどを制御する。コントローラ７は、基板５の第一面５ａ上に搭載される。コントローラ７の上面には、複数の電極パッド（チップ側電極パッド８）が形成されている。
【００１５】
メモリチップ９は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどの記憶素子である。メモリチップ９は複数枚設けられ、基板５の第一面５ａ上に積層して搭載される。メモリチップ９同士は、平面的にわずかにずらして積層される。メモリチップ９の上面のうち、メモリチップ９をずらして積層することで露出する部分には、電極パッド（チップ側電極パッド１０）が形成されている。
【００１６】
基板側電極パッド６とチップ側電極パッド８，１０がワイヤ１１で接続されることで、基板５に形成された配線パターン１３とコントローラ７とメモリチップ９とが互いに電気的に接続される。ワイヤ１１は、ボンディング装置５０によるボンディングが行われることで、電極パッド６，８，１０間を接続するように設けられるが、その詳細については後述する。樹脂モールド部１２は、合成樹脂で構成されており、基板５の第一面５ａ側を覆って、第一面５ａ上に搭載されたコントローラ７、メモリチップ９、ワイヤ１１を封止する。
【００１７】
次に、ボンディング装置５０の概略構成について説明する。ボンディング装置５０は、制御部１、記憶部２、キャピラリ３、クランパ４を備える。制御部１は、記憶部２に記憶されたプログラムに基づいてキャピラリ３およびクランパ４を動作させて、半導体装置６０に設けられた電極パッド６，８，１０間をワイヤ１１で接続させる。
【００１８】
キャピラリ３は、その中心部に貫通孔３ａを有し、貫通孔３ａには金製のワイヤ１１が挿通される。ワイヤ１１は、貫通孔３ａを通って、キャピラリ３の先端から供給される。キャピラリ３の先端は、ワイヤ１１を電極パッド６，８，１０に押し付けて接続させることができる形状となっている。
【００１９】
クランパ４は、キャピラリ３の根元側に設けられており、キャピラリ３の貫通孔３ａに挿通されたワイヤ１１を挟持する閉状態と、ワイヤ１１を開放する開状態とに切替え可能とされている。キャピラリ３とクランパ４とは、図示しない駆動装置によって、３次元的に移動可能とされ、制御部１による制御によって、所定の動作を行う。
【００２０】
次に、ボンディング装置５０によって電極パッド６，８，１０にワイヤ１１をボンディングする手順を説明する。図５は、ボンディングの手順を説明するためのフローチャートである。図６〜図１７は、ワイヤ１１がボンディングされる部分の断面図であって、ボンディングの一工程を示す図である。なお、図６〜図１７において、基板５の第一面５ａと垂直な軸をＹ軸とし、基板５の第一面５ａから離れる方向を正の方向として説明する。また、Ｙ軸と直交し、チップ側電極パッド８から基板側電極パッド６に向かう方向と平行な軸をＸ軸とし、チップ側電極パッド８から基板側電極パッド６に向かう方向を正の方向として説明する。以下の手順は、記憶部２に記憶された制御プログラムにしたがって、キャピラリ３やクランパ４を制御部１が動作させることで行われる。
【００２１】
まず、コントローラ７のチップ側電極パッド８にワイヤ１１の先端をボンディングする（ステップＳ１）。なお、ボンディング対象となる電極パッドは、メモリチップ９のチップ側電極１０であっても構わない。図６に示すように、キャピラリ３の先端部から突出したワイヤ１１の先端には、ボール２０が形成されている。ボール２０は、トーチ（図示せず）とワイヤ１１と間に電圧が印加されて生じるスパークによって、キャピラリ３の先端から突出したワイヤ１１が溶融して形成される。ステップＳ１では、図７に示すように、チップ側電極パッド８の上方へと移動されたキャピラリ３を、Ｙ軸に沿って負の方向、すなわちチップ側電極パッド８に向けて下降させ、ボール２０をつぶすようにチップ側電極パッド８に押し付けてボンディングが行われる。ワイヤ１１のボンディングでは、キャピラリ３によって、ワイヤ１１に荷重と超音波が加えられる。
【００２２】
次に、図８に示すように、クランパ４を開状態にして、キャピラリ３をＹ軸に沿った正の方向、すなわち上方に移動させる（ステップＳ２）。一般的に、キャピラリ３を上方に移動させる際に、ワイヤ１１に対してループ形状のくせ付けを行うための他の方向への移動も行われるが、ここではその説明を省略する。
【００２３】
次に、キャピラリ３をＸ軸に沿った正の方向（第１の方向）、すなわち基板側電極パッド６に向かう方向に移動させる（ステップＳ３）。なお、後に詳説するが、基板側電極パッド６に対しては、キャピラリ３の先端でワイヤ１１を押し付けてボンディングする工程を２度行う。以下の説明において、１度目のボンディングを一次接合といい、２度目の接合を二次接合ともいう。また、一次接合が行われる位置を一次接合点２１として図示し、二次接合が行われる位置を二次接合点２２として図示する。ステップＳ３では、一次接合点２１の直上を越える位置までキャピラリ３を移動させる。すなわち、一次接合を行う際のキャピラリ３のＸ軸方向における位置よりもさらにＸ軸に沿った正の方向側へと移動させる。
【００２４】
次に、図１０に示すように、キャピラリ３をＸ軸に沿った負の方向（第１の方向と反対の第２の方向）に移動させつつ、一次接合点２１に向けて下降させて、一次接合点２１にワイヤ１１を一次接合させる（ステップＳ４）。ここで、ステップＳ４におけるキャピラリ３の動きは、矢印Ｐ１に示す軌跡を描くようになる。なお、ワイヤ１１の一次接合では、キャピラリ３によってワイヤ１１に荷重と超音波が加えられる。
【００２５】
次に、図１１に示すように、キャピラリ３をＹ軸に沿った正の方向、すなわち上方に移動させる（ステップＳ５）。そして、図１２に示すように、キャピラリ３を二次接合点２２の直上まで移動させる（ステップＳ６）。図１３に示すように、キャピラリ３を二次接合点２２に向けて下降させて、二次接合点２２にワイヤ１１を二次接合させる（ステップＳ７）。なお、ワイヤ１１の二次接合では、キャピラリ３によってワイヤ１１に荷重と超音波が加えられる。
【００２６】
次に、図１４に示すように、キャピラリ３をＹ軸に沿った正の方向、すなわち上方に移動させる（ステップＳ８）。ここで、ステップＳ３〜ステップＳ８までは、クランパ４が開状態に維持されていたが、図１５に示すように、クランパ４を閉状態に切り替えて、クランパ４にワイヤ１１を挟持させる（ステップＳ９）。そして、クランパ４によってワイヤ１１が挟持された状態で、キャピラリ３をＹ軸に沿った正の方向、すなわちさらに上方に移動させることで（ステップＳ１０）、ワイヤ１１のテールを引きちぎる。以上の手順により、電極パッド６，８間がワイヤ１１によって電気的に接合される。
【００２７】
なお、ワイヤ１１のテールを引きちぎった後に、キャピラリ３の先端から突出したワイヤ１１にトーチ（図示せず）を用いてスパークを生じさせて、ワイヤ１１の先端にボール２０が再度形成される（図１７も参照）。この状態から、ステップＳ１の工程に戻ることで、複数の電極パッドへのボンディングを連続して行うことが可能になる。
【００２８】
図１８は、ワイヤ１１と基板側電極パッド６との接合強度を示す図である。図１８では、接合強度を縦軸で示し、ステップＳ３においてキャピラリ３が一次接合点２１の直上を越えて移動した量である超過移動量を横軸で示している。また、超過移動量は、ワイヤ１１の直径（ワイヤ径）と同じ距離を超過して移動した場合を１００％として示している。また、Ｘ軸に沿った正の方向（第１の方向）を＋とし、Ｘ軸に沿った負の方向（第２の方向）を−としている。すなわち、図１８では、キャピラリ３の超過移動量とワイヤ１１の接合強度との関係を示している。
【００２９】
図１８に示すように、一次接合を行う前に一次接合点２１を一旦通過させて超過移動量を設けたほうが、ワイヤ１１の接合強度を向上させることができる。また、図１８に示すように、超過移動量を約７５％としたところで、接合強度がピークとなる。
【００３０】
図１９は、ワイヤ１１と基板側電極パッド６との接合強度を示す図である。図１９では、接合強度を縦軸で示し、一次接合点２１と二次接合点２２との距離を横軸で示している。なお、一次接合点２１と二次接合点２２との距離は、ワイヤ径と同じ距離を１００％として示している。また、Ｘ軸に沿った正の方向（第１の方向）を＋とし、Ｘ軸に沿った負の方向（第２の方向）を−としている。すなわち、図１９では、一次接合点２１と二次接合点２２との距離とワイヤ１１の接合強度との関係を示している。
【００３１】
図１９に示すように、一次接合点２１よりもＸ軸に沿った負の方向側となる二次接合点２２に対して二次接合を行っても接合強度は低下せず、超過移動量を設けた一次接合により向上させた接合強度を維持することができる。
【００３２】
以上説明したように、基板側電極パッド６に対して無電解メッキによりニッケルメッキ、パラジウムメッキ、金メッキを施すことで、電解メッキを施す場合のように基板５に電解メッキ線を設けずに済む。電解メッキ線は、電極パッド６にメッキを析出させるために電極パッド６や配線パターン１３から基板５の端部またはその近傍まで延出される配線である。電解メッキ線は、製品としての半導体装置６０に残存するため、送受信される信号の反射源となって反射ノイズの原因となりやすい。一方、本実施の形態では、無電解メッキによりニッケルメッキ、パラジウムメッキ、金メッキを施すことで、電解メッキ線を設けずに済むため、反射ノイズを抑制して、通信品質の向上を図ることができる。
【００３３】
また、無電解メッキを用いて電解メッキ線を排除することで、配線パターン１３間に電源エリア（コントローラ７やメモリチップ９に電源を供給する線またはコントローラ７やメモリチップ９をグランドに接地する線へ電気的に接続されるエリア）を設けるスペースを確保しやすくなる。電源エリアを設けることで、基板５の電源インダクタンスが小さくなり、電源スイッチングノイズの低減を図ることができる。なお、配線パターン１３を電解メッキで形成する場合に設けられる電解メッキ線は、保護膜１４を形成する前のエッチング工程によって除去することが可能であるため、配線パターン１３の形成に電解メッキを用いても反射ノイズの原因にはなりにくい。
【００３４】
また、基板側電極パッド６の最表層に設けられる金メッキは、無電解メッキによって形成されている。ここで、無電解メッキによる金メッキの形成は、第１層３１のニッケルと金が置換されることで行われる。このニッケルと金の置換には限界があり、第３層３３である金メッキを十分な厚さに形成できない場合がある。最表層となる金メッキの厚さが不足すると、ボンディングによるワイヤ１１との接合強度が低くなりやすい。しかし、本実施の形態では、超過移動量を設けたワイヤ１１の一次接合により、ワイヤ１１の接合強度の向上を図っている。そのため、最表層となる金メッキの厚さが不足した場合であっても、十分な接合強度を得やすくなる。なお、金メッキを薄く形成すれば、金の使用量を抑えることができ、コストの抑制を図ることができる。
【００３５】
また、一次接合に加えて二次接合を行ってからワイヤ１１のテールを引きちぎることで、テールの引きちぎりを安定して行うことができる。すなわち、キャピラリ３側ではボール２０の形成に必要なワイヤ１１の突出量（質量）を安定させることができる。また、基板側電極パッド６側では十分な接合面積を残したテールの引きちぎりを行うことができる。ワイヤ１１の突出量が安定することで、ボール２０の形成も安定するため、円滑に連続してボンディングを行うことができる。なお、図１９に示すように、二次接合によるワイヤ１１の接合強度への影響もほとんどない。
【００３６】
なお、本実施の形態では、コントローラ７とメモリチップ９の両方が基板５の第一面５ａ上に設けられた例を挙げて説明したが、これに限られない。たとえば、コントローラ７がメモリチップ９上に設けられてもよいし、メモリチップ９がコントローラ７上に設けられてもよい。すなわち、半導体装置６０内におけるコントローラ７やメモリチップ９の設置位置は限定されず、チップ側電極パッド８，１０が基板側電極パッド６とワイヤ１１で接続される構成であれば、本実施の形態を適用することができる。
【００３７】
また、基板側電極パッド６とワイヤ１１で接続される接続対象は、コントローラ７やメモリチップ９の電極パッドに限られず、半導体装置６０内に設けられる他のチップの電極パッドでも構わない。また、メモリチップ９の枚数は２枚に限られず、１枚または３枚以上でも構わない。
【００３８】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、以上のように表わしかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付のクレームおよびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１  制御部、２  記憶部、３  キャピラリ、３ａ  貫通孔、４  クランパ、５  基板、５ａ  第一面、６  基板側電極パッド、７  コントローラ（チップ）、８  チップ側電極パッド、９  メモリチップ、１０  チップ側電極パッド、１１  ワイヤ、１２  樹脂モールド部、１３  配線パターン、１４  保護膜、２０  ボール、２１  一次接合点、２２  二次接合点、３１  第１層、３２  第２層、３３  第３層、５０  ボンディング装置、６０  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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