(57)【要約】【課題】ＥＵＶ光の集光光率が向上し得るＥＵＶ光集光装置を提供すること。【解決手段】プラズマ生成領域２５においてパルスレーザ光３３を照射されたターゲット物質であるドロップレット２７から放射される少なくともＥＵＶ光を含む光２５０Ａ，２６０Ａを反射集光するＥＵＶ光集光装置９Ａであって、プラズマ生成領域２５を第１焦点とする回転楕円面の一部で構成された反射面９０１Ａを含む第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａと、プラズマ生成領域２５を第１焦点とする回転楕円面の一部であって、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａの反射面９０１Ａとは異なる範囲で構成された反射面９１１Ａを含み、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａの第２焦点と略同一の位置に第２焦点を有するように配置された第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａと、を含む。【選択図】図２
2013211517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ生成領域においてレーザ光を照射されたターゲット物質から放射される少なくともＥＵＶ光を反射集光するＥＵＶ光集光装置であって、
前記プラズマ生成領域を第１焦点とする回転楕円面の一部で構成された反射面を含む第１ＥＵＶ集光ミラーと、
前記プラズマ生成領域を第１焦点とする回転楕円面の一部であって、前記第１ＥＵＶ集光ミラーの反射面とは異なる範囲で構成された反射面を含み、前記第１ＥＵＶ集光ミラーの第２焦点と略同一の位置に第２焦点を有するように配置された第２ＥＵＶ集光ミラーと、を含むＥＵＶ光集光装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＥＵＶ光集光装置において、
前記第１ＥＵＶ集光ミラーおよび前記第２ＥＵＶ集光ミラーのうち、少なくとも一方の集光ミラーの姿勢を調節するためのミラー調節部と、
前記少なくとも一方の集光ミラーによって反射された前記ＥＵＶ光を検出するための集光検出部と、
前記集光検出部が検出した結果に基づいて、前記ＥＵＶ光が前記第２焦点に集光するように前記ミラー調節部を制御するための調節制御部と、を備えるＥＵＶ光集光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ＥＵＶ光集光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７４０５４１６号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の一態様によるＥＵＶ光集光装置は、プラズマ生成領域においてレーザ光を照射されたターゲット物質から放射される少なくともＥＵＶ光を反射集光するＥＵＶ光集光装置であって、前記プラズマ生成領域を第１焦点とする回転楕円面の一部で構成された反射面を含む第１ＥＵＶ集光ミラーと、前記プラズマ生成領域を第１焦点とする回転楕円面の一部であって、前記第１ＥＵＶ集光ミラーの反射面とは異なる範囲で構成された反射面を含み、前記第１ＥＵＶ集光ミラーの第２焦点と略同一の位置に第２焦点を有するように配置された第２ＥＵＶ集光ミラーと、を含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図２】図２は、第１実施形態に係るＥＵＶ光集光装置が適用されるＥＵＶ光生成装置のＹＺ平面による断面構成を概略的に示す。
【図３】図３は、ＥＵＶ光が第１ＥＵＶ集光ミラーと第２ＥＵＶ集光ミラーとで反射、集光される状態を概略的に示す。
【図４】図４は、露光装置に形成される第１ファーフィールドパターンと第２ファーフィールドパターンとを概略的に示す。
【図５】図５は、第２実施形態に係るＥＵＶ光集光装置が適用されるＥＵＶ光生成装置のＹＺ平面による断面構成を概略的に示す。
【図６】図６は、第１調整用ステージおよび第２調整用ステージの構成を概略的に示す。
【図７Ａ】図７Ａは、第１ＥＵＶ集光ミラーで反射されたＥＵＶ光が集光検出部に入射している状態を示す。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａに示す状態において集光検出部が計測した結果を示す。
【図８Ａ】図８Ａは、第２ＥＵＶ集光ミラーで反射されたＥＵＶ光が集光検出部に入射している状態を示す。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図８Ａに示す状態において集光検出部が計測した結果を示す。
【図９】図９は、ＥＵＶ光生成制御システムが、ＥＵＶ光の集光状態を調節（アライメント）するときの動作を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、調節制御部による第１ＥＵＶ集光ミラーのアライメント制御時の動作を示すサブルーチンのフローチャートである。
【図１１】図１１は、調節制御部による第１ＥＵＶ集光ミラーのアライメント制御時の動作を示すサブルーチンのフローチャートである。
【図１２】図１２は、調節制御部による第２ＥＵＶ集光ミラーのアライメント制御時の動作を示すサブルーチンのフローチャートである。
【図１３】図１３は、調節制御部による第２ＥＵＶ集光ミラーのアライメント制御時の動作を示すサブルーチンのフローチャートである。
【図１４】図１４は、第３実施形態に係るＥＵＶ光集光装置が適用されるＥＵＶ光生成装置のＹＺ平面による断面構成を概略的に示す。
【図１５】図１５は、ＥＵＶ光生成装置のＸＺ平面による断面構成を概略的に示す。
【図１６Ａ】図１６Ａは、集光検出部が第１ＥＵＶ集光ミラーで反射されたＥＵＶ光の強度分布を計測している状態を示す。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、図１６Ａに示す状態において集光検出部が計測した結果を示す。
【図１７】図１７は、第４実施形態に係るＥＵＶ光集光装置が適用されるＥＵＶ光生成装置のＹＺ平面による断面構成を概略的に示す。
【実施形態】
【０００７】
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
２．２  動作
３．ＥＵＶ光集光装置を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１  用語の説明
３．２  第１実施形態
３．２．１  概略
３．２．２  構成
３．２．３  動作
３．３  第２実施形態
３．３．１  概略
３．３．２  構成
３．３．３  動作
３．４  第３実施形態
３．４．１  概略
３．４．２  構成
３．４．３  動作
３．５  第４実施形態
３．５．１  概略
３．５．２  構成
３．５．３  動作
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
１．概要
本開示の実施形態においては、プラズマ生成領域においてレーザ光を照射されたターゲット物質から放射される少なくともＥＵＶ光を反射集光するＥＵＶ光集光装置であって、前記プラズマ生成領域を第１焦点とする回転楕円面の一部で構成された反射面を含む第１ＥＵＶ集光ミラーと、前記プラズマ生成領域を第１焦点とする回転楕円面の一部であって、前記第１ＥＵＶ集光ミラーの反射面とは異なる範囲で構成された反射面を含み、前記第１ＥＵＶ集光ミラーの第２焦点と略同一の位置に第２焦点を有するように配置された第２ＥＵＶ集光ミラーと、を含んでもよい。
【００１０】
ここで、ＥＵＶ光の集光位置での集光効率を上げるためには、立体角が大きい集光ミラーを用いてもよい。集光ミラーの立体角を大きくするためには、反射面における回転楕円面の長軸方向の寸法を大きくしてもよい。しかし、長軸方向の寸法を大きくすると、反射面を加工するための工具を当該長軸方向に移動させる距離が長くなり、工具を保持するための部材強度の確保が困難になり得る。結果として、長軸方向の寸法が大きな集光ミラーを加工する場合、反射面全体を高精度で加工することが困難となり得る。
これに対して、本開示の実施形態のＥＵＶ光集光装置では、第１ＥＵＶ集光ミラーと、当該第１ＥＵＶ集光ミラーに対してＥＵＶ光出射部側にずれた第２ＥＵＶ集光ミラーとを、互いの第１焦点同士および第２焦点同士が一致するように配置してもよい。このような構成によって、第１ＥＵＶ集光ミラーの反射面（第１反射面）と第２ＥＵＶ集光ミラーの反射面（第２反射面）との長軸方向の寸法を大きくしなくても、全体として立体角が大きい反射領域を形成し得る。したがって、高精度での加工が容易な第１反射面と第２反射面とを用いて、ＥＵＶ光を大きな立体角で焦点位置に集光し得る。
さらに、ＥＵＶ光集光装置は、ＥＵＶ光を第１反射面または第２反射面において１回だけ反射させてから、集光位置に集光し得る。このため、ＥＵＶ光の反射回数を最小限に抑えることが可能となり、反射面でのＥＵＶ光の吸収の影響を最小限に抑制し得る。
その結果、ＥＵＶ光集光装置におけるＥＵＶ光の集光効率が向上し得る。
【００１１】
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１を参照に、以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置７をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置７は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１２】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。あるいは、チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウインドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１焦点および第２焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１焦点がプラズマ生成位置またはその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）中間焦点２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２４が設けられてもよい。
【００１３】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでいてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。
【００１４】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させるための接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１５】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収装置２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１６】
２．２  動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。
【００１７】
ターゲット供給装置７からは、ドロップレット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光を含む光２５１が放射され得る。ＥＵＶ光を含む光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００１８】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７を出力するタイミングやドロップレット２７の出力速度等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。
【００１９】
３．ＥＵＶ光集光装置を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１  用語の説明
以下、第１ＥＵＶ集光ミラーの第１反射面で反射したＥＵＶ光が形成するファーフィールドパターンを「第１ファーフィールドパターン」と称して説明する。第２ＥＵＶ集光ミラーの第２反射面で反射したＥＵＶ光が形成するファーフィールドパターンを「第２ファーフィールドパターン」と称して説明する。
第１反射面が反射して集光位置に集光するＥＵＶ光のうち、当該第１反射面の第２ＥＵＶ集光ミラー側の端部が反射したＥＵＶ光を、「第１反射光」と称して説明する。第２反射面が反射して集光位置に集光するＥＵＶ光のうち、当該第２反射面の第１ＥＵＶ集光ミラー側の端部が反射したＥＵＶ光を、「第２反射光」と称して説明する。
第１ＥＵＶ集光ミラーおよび第２ＥＵＶ集光ミラーが集光するＥＵＶ光が、露光装置において利用されない角度の範囲に対応する領域を「オブスキュレーション領域」と称して説明する。
図２、図５、図１４、図１５、図１７に示すＥＵＶ光生成用チャンバの壁を特定する場合には、ＥＵＶ光生成用チャンバ内部から見て、＋Ｙ側の壁を「上壁」、−Ｙ側の壁を「下壁」、＋Ｚ側の壁の「左壁」、−Ｚ側の壁を「右壁」、＋Ｘ側の壁を「前壁」、−Ｘ側の壁を「後壁」と表現する場合がある。
【００２０】
３．２  第１実施形態
３．２．１  概略
本開示の第１実施形態によれば、第１ＥＵＶ集光ミラーの反射面および第２ＥＵＶ集光ミラーの反射面は、ひとつの回転楕円面の長軸を中心軸とする筒状に形成されてもよい。また、第１ＥＵＶ集光ミラーの反射面は回転楕円面の一部を形成し、第２ＥＵＶ集光ミラーの反射面は回転楕円面の他の一部を形成してもよい。
【００２１】
３．２．２  構成
図２は、第１実施形態に係るＥＵＶ光集光装置が適用されるＥＵＶ光生成装置のＹＺ平面による断面構成を概略的に示す。図３は、ＥＵＶ光が第１ＥＵＶ集光ミラーと第２ＥＵＶ集光ミラーとで反射、集光される状態を概略的に示す。図４は、露光装置に形成される第１ファーフィールドパターンと第２ファーフィールドパターンとを概略的に示す。
【００２２】
ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、ＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａと、ターゲット供給装置７とを備えてもよい。ターゲット供給装置７は、ターゲット生成部７０と、ターゲット制御装置８０とを備えてもよい。
ターゲット生成部７０は、ターゲット生成器７１と、図示しない圧力調整器とを備えてもよい。ターゲット生成器７１は、内部にターゲット物質２７０を収容するためのタンク７１１を備えてもよい。タンク７１１は、筒状であってもよい。タンク７１１には、当該タンク７１１内のターゲット物質２７０を、ドロップレット２７としてＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａ内に出力するためのノズル７１２が設けられていてもよい。ノズル７１２の先端部には、ノズル孔が設けられていてもよい。ターゲット生成器７１は、タンク７１１がＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａ外部に位置し、ノズル７１２がＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａ内部に位置するように設けられてもよい。圧力調整器は、タンク７１１に連結されていてもよい。
【００２３】
ＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａの右壁には、パルスレーザ光３３をＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａ内部に入射するためのレーザ光入射部としての第１貫通孔２００Ａが設けられてもよい。この第１貫通孔２００Ａには、ウインドウ２１が設けられてもよい。
また、ＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａの上壁には、ドロップレット２７をＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａ内部に導入するための第２貫通孔２０１Ａが設けられてもよい。ノズル７１２は、この第２貫通孔２０１Ａを介してＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａ内部に位置し、後述する第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａと第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａとの間にドロップレット２７を導入可能に設けられてもよい。
【００２４】
ＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａ内部には、図２および図３に示すように、ＥＵＶ光集光装置９Ａが設けられてもよい。ＥＵＶ光集光装置９Ａは、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａと、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａとを備えてもよい。第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａは、第１反射面９０１Ａを備えてもよい。第１反射面９０１Ａは、プラズマ生成領域２５を第１焦点９０８Ａとし、かつ、中間焦点２９２を第２焦点９０９Ａとする回転楕円面９００Ａの一部で形成されてもよい。第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａは、回転楕円面９００Ａの長軸を中心軸とする筒状に形成されてもよい。
第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａは、第１焦点９０８Ａ側に配置されるように、第１ホルダ９２ＡによってＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａの右壁側に保持されてもよい。第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａの第１焦点９０８Ａと反対側の開口部は、パルスレーザ光３３が通過するための貫通孔９０２Ａを構成してもよい。第１ホルダ９２Ａには、パルスレーザ光３３が通過するための貫通孔９２１Ａが設けられてもよい。
【００２５】
また、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａは、第２反射面９１１Ａを備えてもよい。第２反射面９１１Ａは、プラズマ生成領域２５を第１焦点９０８Ａとし、かつ、中間焦点２９２を第２焦点９０９Ａとする回転楕円面９００Ａの一部で形成されてもよい。すなわち、第２反射面９１１Ａは、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａの第１焦点９０８Ａと同じ位置を第１焦点とし、第２焦点９０９Ａと同じ位置を第２焦点とする形状であってもよい。第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａは、回転楕円面９００Ａの長軸を中心軸とする筒状に形成されてもよい。
第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａは、第１焦点９０８Ａに対して第２焦点９０９Ａ側に配置されるように、すなわち第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａに対して左壁側に配置されるように、第２ホルダ９３ＡによってＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａに保持されてもよい。あるいは、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａは、単に第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａに対してＥＵＶ光の出力側に配置されるように、第２ホルダ９３ＡによってＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａに保持されてもよい。この場合、ノズル７１２の設置の障害とならないように、またはドロップレット２７の通過すべき経路を空けるように、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａには貫通孔を設けてもよい。
【００２６】
第１反射面９０１Ａに入射するＥＵＶ光を含む光２５０Ａの入射角は、第２反射面９１１Ａに入射するＥＵＶ光を含む光２６０Ａの入射角よりも小さくなり得る。このような入射角が小さいＥＵＶ光を含む光２５０Ａの中の特にＥＵＶ光を効率よく反射するため、第１反射面９０１Ａは、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜で構成されてもよい。また、入射角が大きいＥＵＶ光を含む光２６０Ａを反射する第２反射面９１１Ａは、ルテニウムの単層膜で構成されてもよい。
【００２７】
さらに、図２に示すように、ＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａの接続部２９における露光装置６との接続部分は、開口孔２９３Ａを構成してもよい。この開口孔２９３Ａは、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａが反射したＥＵＶ光を含む光２５１Ａおよび第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａが反射したＥＵＶ光を含む光２６１Ａを、ＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａ外部に出射するためのＥＵＶ光出射部を構成してもよい。
さらに、ＥＵＶ光生成装置１Ａは、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２Ａ等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための第１光学素子３４１および第２光学素子３４２等を備えてもよい。レーザ光集光光学系２２Ａ等はレンズの替わりに少なくとも一枚のミラーであってもよい。そのミラーは、レーザ光をプラズマ生成領域へ集光するように配置されてもよい。
【００２８】
３．２．３  動作
図２に示すように、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２Ａ、ウインドウ２１を経てパルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に出力されてもよい。また、ターゲット供給装置７のターゲット生成部７０からは、ドロップレット２７がＥＵＶ光生成用チャンバ２Ａ内部のプラズマ生成領域２５に出力されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７からは、プラズマ生成領域２５よりも右壁側に向けてＥＵＶ光を含む光２５０Ａが放射され、プラズマ生成領域２５よりも左壁側に向けてＥＵＶ光を含む光２６０Ａが放射され得る。
ＥＵＶ光を含む光２５０Ａは、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａの第１反射面９０１Ａで反射されて、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａとして中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。同様に、ＥＵＶ光を含む光２６０Ａは、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａの第２反射面９１１Ａで反射されて、ＥＵＶ光を含む光２６１Ａとして中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。
【００２９】
具体的には、図３に示すように、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａのうち、第１反射面９０１Ａの第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａ側の端部で反射した光は、第１反射光２５２Ａとして中間焦点２９２に集光し得る。また、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａのうち、第１反射面９０１Ａの貫通孔９０２Ａ側の端部で反射した光は、ＥＵＶ光を含む光２５３Ａとして中間焦点２９２に集光し得る。このように、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａは、第１反射面９０１Ａの第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａ側端部から貫通孔９０２Ａ側端部に至る反射面に入射するＥＵＶ光を含む光を、中間焦点２９２に集光し得る。一方、ＥＵＶ光を含む光２６１Ａのうち、第２反射面９１１Ａの中間焦点２９２側の端部で反射した光は、ＥＵＶ光を含む光２６２Ａとして中間焦点２９２に集光し得る。また、ＥＵＶ光を含む光２６１Ａのうち、第２反射面９１１Ａの第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａ側の端部で反射した光は、第２反射光２６３Ａとして中間焦点２９２に集光し得る。このように、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａは、第２反射面９１１Ａの中間焦点２９２側端部から第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａ側端部に至る反射面に入射するＥＵＶ光を含む光を、中間焦点２９２に集光し得る。
【００３０】
そして、露光装置６内には、図４に示すように、第１ＥＵＶ光集光ミラー９０Ａによって円環状の第１ファーフィールドパターン１０１Ａが形成され得る。第１ファーフィールドパターン１０１Ａは、その内縁がＥＵＶ光を含む光２５３Ａで規定され、その外縁が第１反射光２５２Ａで規定されてもよい。また、第１ファーフィールドパターン１０１Ａの外側には、第２ＥＵＶ光集光ミラー９１Ａによって円環状の第２ファーフィールドパターン１０２Ａが形成され得る。第２ファーフィールドパターン１０２Ａは、その内縁が第２反射光２６３Ａで規定され、その外縁がＥＵＶ光を含む光２６２Ａで規定されてもよい。第１ファーフィールドパターン１０１Ａと第２ファーフィールドパターン１０２Ａとの間には、円環状の暗部１０３Ａが形成され得る。
暗部１０３Ａは、ＥＵＶ光が照射されない暗い領域であってもよい。暗部１０３Ａにおける円環状の幅寸法Ｐａ１について説明する。まず、第１焦点９０８Ａと第２焦点９０９Ａとを結ぶ直線を想定する。第１反射光２５２Ａの光路とその直線とが成す角をθ１ａとする。第２反射光２６３Ａの光路とその直線とが成す角をθ２ａとする。幅寸法Ｐａ１は、それらの入射角差θ２ａ−θ１ａ＝θｄａに対応する大きさとなり得る。この入射角差θｄａは、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａと第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａとの間隔寸法Ｐａ２に対応する大きさとなり得る。
【００３１】
上述のように、ＥＵＶ光集光装置９Ａは、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａを中間焦点２９２で集光して露光装置６に導くための第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａと、ＥＵＶ光を含む光２６１Ａを中間焦点２９２で集光して露光装置６に導くための第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａと、を備えてもよい。第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａは、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａに対して露光装置６側に設けられてもよい。第１，第２ＥＵＶ集光ミラー９０Ａ，９１Ａは、プラズマ生成領域２５を第１焦点９０８Ａとし、中間焦点２９２を第２焦点９０９Ａとする回転楕円面９００Ａの一部で形成された第１，第２反射面９０１Ａ，９１１Ａを有してもよい。そして、第２貫通孔２０１Ａは、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａと第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａとの間からドロップレット２７をプラズマ生成領域２５に導入してもよい。
これにより、第１反射面９０１Ａおよび第２反射面９１１Ａの立体角が小さくても、第１反射面９０１Ａおよび第２反射面９１１Ａを合わせた全体として、立体角が大きい反射領域を形成し得る。したがって、立体角が比較的小さく、高精度での加工が容易な第１反射面９０１Ａと第２反射面９１１Ａとを用いて、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａ，２６１Ａが大きな立体角で中間焦点２９２に集光し得る。
さらに、ＥＵＶ光集光装置９Ａは、ＥＵＶ光を含む光２５０Ａ，２６０Ａを第１，第２反射面９０１Ａ，９１１Ａにおいて１回だけ反射させてから、中間焦点２９２に集光し得る。このため、ＥＵＶ光を含む光２５０Ａ，２６０Ａの反射回数を最小限に抑えることが可能となり、第１，第２反射面９０１Ａ，９１１ＡにおけるＥＵＶ光の吸収の影響を最小限に抑制し得る。
その結果、ＥＵＶ光の集光効率が向上し得る。
【００３２】
また、第１，第２ＥＵＶ集光ミラー９０Ａ，９１Ａの各反射面は、回転楕円面９００Ａの長軸を中心軸とする筒状に形成されてもよい。そして、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａは、プラズマ生成領域２５側に配置されてもよいし、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａは、プラズマ生成領域２５よりも中間焦点２９２側に配置されてもよい。
これにより、第１，第２ＥＵＶ集光ミラー９０Ａ，９１Ａを略円弧筒状に形成する場合と比べて、多くのＥＵＶ光を含む光２５１Ａ，２６１Ａを中間焦点２９２に集光することが可能となり、集光効率が向上し得る。
【００３３】
３．３  第２実施形態
３．３．１  概略
本開示の第２実施形態によれば、ＥＵＶ光集光装置は、ミラー調節部と、集光検出部と、調節制御部と、を備えてもよい。ミラー調節部は、第１ＥＵＶ集光ミラーおよび第２ＥＵＶ集光ミラーのうち、少なくとも一方の集光ミラーの姿勢を調節してもよい。集光検出部は、前記少なくとも一方の集光ミラーによって反射されたＥＵＶ光を検出してもよい。調節制御部は、集光検出部が検出した結果に基づいて、ＥＵＶ光が予め定められた集光位置に集光するようにミラー調節部を制御してもよい。
以上のような構成により、実際のＥＵＶ光の集光状態に基づいて第１ＥＵＶ集光ミラーや第２ＥＵＶ集光ミラーの姿勢を調節することで、ＥＵＶ光を適切に集光させることが可能となり得る。
【００３４】
３．３．２  構成
図５は、第２実施形態に係るＥＵＶ光集光装置が適用されるＥＵＶ光生成装置のＹＺ平面による断面構成を概略的に示す。図６は、第１調整用ステージおよび第２調整用ステージの構成を概略的に示す。図７Ａは、第１ＥＵＶ集光ミラーで反射されたＥＵＶ光が集光検出部に入射している状態を示す。図７Ｂは、図７Ａに示す状態において集光検出部が計測した結果を示す。図８Ａは、第２ＥＵＶ集光ミラーで反射されたＥＵＶ光が集光検出部に入射している状態を示す。図８Ｂは、図８Ａに示す状態において集光検出部が計測した結果を示す。
【００３５】
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｃと、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａとの相違点は、図５に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５の代わりにＥＵＶ光生成制御システム５Ｃを設けた点と、ＥＵＶ光集光装置９Ａの代わりにＥＵＶ光集光装置９Ｃを設けた点であってもよい。
ＥＵＶ光集光装置９Ｃは、第１実施形態のＥＵＶ光集光装置９Ａに、第１ミラー調節部９４Ｃと、第２ミラー調節部９５Ｃと、集光検出部９６Ｃと、調節制御部９７Ｃと、を新たに設けた構成であってもよい。
【００３６】
第１ミラー調節部９４Ｃは、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａの姿勢を調節してもよい。第１ミラー調節部９４Ｃは、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａを保持するための第１調節用ステージ９４０Ｃと、第１調節用ステージ９４０Ｃの動作を制御するための第１ステージ制御部９４５Ｃと、を備えてもよい。
第１調節用ステージ９４０Ｃは、いわゆる５軸ステージであってもよい。第１調節用ステージ９４０Ｃは、図５および図６に示すように、固定プレート９４１Ｃと、可動プレート９４２Ｃと、６個の駆動部９４３Ｃと、を備えてもよい。
固定プレート９４１Ｃは、環状に形成されて、ＥＵＶ光生成用チャンバ２Ｃの右壁に固定されてもよい。可動プレート９４２Ｃは、環状に形成されて、第１ホルダ９２Ｃを介して第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａを保持してもよい。
６個の駆動部９４３Ｃは、固定プレート９４１Ｃ上の６箇所の点と、可動プレート９４２Ｃ上の６箇所の点と、をそれぞれ結合してもよい。各駆動部９４３Ｃは、伸縮可能に構成されてもよい。各駆動部９４３Ｃは、第１ステージ制御部９４５Ｃに電気的に接続されてもよい。
第１ステージ制御部９４５Ｃは、調節制御部９７Ｃに電気的に接続され、調節制御部９７Ｃの制御に基づいて各駆動部９４３Ｃを伸縮してもよい。
【００３７】
第１ステージ制御部９４５Ｃの制御によりそれぞれの駆動部９４３Ｃが伸縮することにより、固定プレート９４１Ｃに対する可動プレート９４２Ｃの姿勢が調節されてもよい。具体的には、固定プレート９４１Ｃのプレート面をＸＹ面とし、その法線をＺ軸とした場合に、可動プレート９４２ＣのＸ軸方向、Ｙ軸方向、および、Ｚ軸方向への平行移動、並びに、Ｘ軸周りの回転角度θｘおよびＹ軸周りの回転角度θｙの計５軸の調整が行われ得る。
【００３８】
第２ミラー調節部９５Ｃは、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａの姿勢を調節するものであり、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａを保持するための第２調節用ステージ９５０Ｃと、第２調節用ステージ９５０Ｃの動作を制御するための第２ステージ制御部９５５Ｃと、を備えてもよい。
第２調節用ステージ９５０Ｃは、第１調節用ステージ９４０Ｃの固定プレート９４１Ｃと、可動プレート９４２Ｃと、駆動部９４３Ｃと、それぞれ同様の構成を有する固定プレート９５１Ｃと、可動プレート９５２Ｃと、駆動部９５３Ｃと、を備えてもよい。
固定プレート９５１Ｃは、チャンバ２Ｃの内壁に固定されてもよい。可動プレート９５２Ｃは、第２ホルダ９３Ｃを介して第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａを保持してもよい。各駆動部９５３Ｃは、第２ステージ制御部９５５Ｃに電気的に接続されてもよい。
第２ステージ制御部９５５Ｃは、調節制御部９７Ｃに電気的に接続され、調節制御部９７Ｃの制御に基づいて各駆動部９５３Ｃを伸縮してもよい。この第２ステージ制御部９５５Ｃの制御により、第２調節用ステージ９５０Ｃでも第１調節用ステージ９４０Ｃと同様の５軸の調節が行われ得る。
【００３９】
集光検出部９６Ｃは、図５に示すように、分岐光学素子９６０Ｃと、ＩＦ検出システム９６１Ｃと、を備えてもよい。分岐光学素子９６０Ｃは、プラズマ生成領域２５と中間焦点２９２との間に配置されてもよい。分岐光学素子９６０Ｃは、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａの一部とＥＵＶ光を含む光２６１Ａの一部とをそれぞれ、ＥＵＶ光を含む光２５４ＣとＥＵＶ光を含む光２６４ＣとしてＩＦ検出システム９６１Ｃに向けて反射してもよい。分岐光学素子９６０Ｃは、たとえば多数の開口が形成された板であってよく、波長純化フィルタを兼ねてもよい。
ＩＦ検出システム９６１Ｃは、分岐光学素子９６０Ｃによって反射されたＥＵＶ光を含む光２５４ＣとＥＵＶ光を含む光２６４Ｃの光路上に配置されてもよい。ＩＦ検出システム９６１Ｃは、図７Ａに示すように、遮光切替部９６２Ｃと、蛍光板９６３Ｃと、転写光学系９６４Ｃと、イメージセンサ９６５Ｃと、を備えてもよい。
【００４０】
遮光切替部９６２Ｃは、ＥＵＶ光を含む光２５４ＣとＥＵＶ光を含む光２６４Ｃとを選択的に遮光してもよい。遮光切替部９６２Ｃは、調節制御部９７Ｃに電気的に接続されてもよい。遮光切替部９６２Ｃは、調節制御部９７Ｃの制御によって、図７Ａに示すように、第１遮光板９６６ＣをＥＵＶ光を含む光２６４Ｃの光路上にセットして、ＥＵＶ光を含む光２６４Ｃを遮光するとともに、ＥＵＶ光を含む光２５４Ｃを通過させてもよい。また、遮光切替部９６２Ｃは、図８Ａに示すように、第１遮光板９６６Ｃの替わりに第２遮光板９６７ＣをＥＵＶ光を含む光２５４Ｃの光路上にセットして、ＥＵＶ光を含む光２５４Ｃを遮光するとともに、ＥＵＶ光を含む光２６４Ｃを通過させてもよい。
蛍光板９６３Ｃは、図７Ａおよび図８Ａに示すように、遮光切替部９６２Ｃを通過したＥＵＶ光を含む光２５４ＣおよびＥＵＶ光を含む光２６４Ｃの予め定められた集光位置に配置されてもよい。蛍光板９６３Ｃの配置方法の一例を説明する。ＥＵＶ光を含む光２５１ＡとＥＵＶ光を含む光２６１Ａとが露光装置６の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）中間焦点２９２）に集光するように装置の各部が調整されている場合を想定する。その場合、ＥＵＶ光を含む光２５４Ｃと光２６４Ｃの焦点が蛍光板９６３Ｃ上に位置するように、蛍光板９６３Ｃの位置が調整されて配置されるようにするとよい。蛍光板９６３Ｃの位置が調整されていれば、第１ＥＵＶ光集光ミラー９０Ａや第２ＥＵＶ光集光ミラー９１Ａの姿勢のずれによって、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａ等が当該所望の集光位置に集光しない場合、ＥＵＶ光を含む光２５４Ｃ等が蛍光板９６３Ｃにおいて焦点を結ばない。また、蛍光板９６３Ｃは、入射したＥＵＶ光を含む光２５４ＣおよびＥＵＶ光を含む光２６４Ｃを、それぞれ可視光２５５Ｃおよび可視光２６５Ｃに変換してもよい。
転写光学系９６４Ｃは、可視光２５５Ｃおよび可視光２６５Ｃの光路上に配置されてもよい。転写光学系９６４Ｃは、可視光２５５Ｃまたは可視光２６５Ｃをイメージセンサ９６５Ｃ上で集光してもよい。ＥＵＶ光を含む光２５１Ａ等が露光装置６の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）中間焦点２９２）に集光するように装置の各部が調整されていればＥＵＶ光を含む光２５４Ｃ等が蛍光板９６３Ｃにおいて焦点を結ぶ。この場合、焦点を結んだスポットが転写光学系９６４Ｃによってイメージセンサ９６５Ｃの受光面に転写される。一方、第１ＥＵＶ光集光ミラー９０Ａや第２ＥＵＶ光集光ミラー９１Ａの姿勢のずれによって、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａ等が当該所望の集光位置に集光しない場合には、ＥＵＶ光を含む光２５４Ｃ等が蛍光板９６３Ｃにおいて焦点を結ばない。この場合、焦点の径よりも大きい径のスポットが転写光学系９６４Ｃによってイメージセンサ９６５Ｃの受光面に転写される。
【００４１】
イメージセンサ９６５Ｃは、調節制御部９７Ｃに電気的に接続されてもよい。イメージセンサ９６５Ｃは、可視光２５５Ｃおよび可視光２６５Ｃの強度分布を計測してもよい。イメージセンサ９６５Ｃは、可視光２５５Ｃの強度分布の計測結果に基づいて、図７Ｂに示すように、第１集光像ＰIF1を形成してもよい。イメージセンサ９６５Ｃからデータを受信した調節制御部９７Ｃは、第１集光像ＰIF1の中心位置ＣIF1と径ＤIF1とを計算してもよい。図７ＢのＰIFtは後に説明するように、中心位置ＣIF1の目標位置である。
また、イメージセンサ９６５Ｃは、図８Ｂに示すように、可視光２６５Ｃの第２集光像ＰIF2を形成してもよい。そして、イメージセンサ９６５Ｃからデータを受信した調節制御部９７Ｃは、当該第２集光像ＰIF2の中心位置ＣIF2と径ＤIF2とを計算してもよい。
図８ＢのＰIFtは中心位置ＣIF2の目標位置である。ＣIF2をＰIFtに近づけるための制御については後に説明する。
【００４２】
調節制御部９７Ｃは、図５に示すように、第１ステージ制御部９４５Ｃおよび第２ステージ制御部９５５Ｃとともに、ＥＵＶ光生成用チャンバ２Ｃのケース２０Ｃ内に収容されてもよい。調節制御部９７Ｃは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｃに電気的に接続されてもよい。調節制御部９７Ｃは、計算結果に基づいて、第１ステージ制御部９４５Ｃおよび第２ステージ制御部９５５Ｃを制御してもよい。
【００４３】
３．３．３  動作
図９は、ＥＵＶ光生成制御システムが、ＥＵＶ光の集光状態を調節（アライメント）するときの動作を示すフローチャートである。図１０および図１１は、調節制御部による第１ＥＵＶ集光ミラーのアライメント制御時の動作を示すサブルーチンのフローチャートである。図１２および図１３は、調節制御部による第２ＥＵＶ集光ミラーのアライメント制御時の動作を示すサブルーチンのフローチャートである。
【００４４】
ＥＵＶ光生成制御システム５Ｃは、レーザ装置３およびターゲット制御装置８０を制御して、図５に示すように、ＥＵＶ光を含む光２５０ＡおよびＥＵＶ光を含む光２６０Ａを生成してもよい。ＥＵＶ光を含む光２５０Ａは、第１反射面９０１Ａで反射して、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａとして露光装置６に出力されてもよい。ＥＵＶ光を含む光２６０Ａは、第２反射面９１１Ａで反射して、ＥＵＶ光を含む光２６１Ａとして露光装置６に出力されてもよい。
ＥＵＶ光を含む光２５１Ａの光路上には分岐光学素子９６０Ｃが配置されているため、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａは、分岐光学素子９６０Ｃで分岐する。そして、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａの一部が分岐光学素子９６０Ｃで反射してＥＵＶ光を含む光２５４ＣとしてＩＦ検出システム９６１Ｃに入力され、当該ＥＵＶ光を含む光２５１Ａの残りが分岐光学素子９６０Ｃを透過して露光装置６に出力され得る。同様に、ＥＵＶ光を含む光２６１Ａの一部が分岐光学素子９６０Ｃで反射してＥＵＶ光を含む光２６４ＣとしてＩＦ検出システム９６１Ｃに入力され、当該ＥＵＶ光を含む光２６１Ａの残りが分岐光学素子９６０Ｃを透過して露光装置６に出力され得る。
【００４５】
ＥＵＶ光生成制御システム５Ｃは、調節制御部９７Ｃにアライメント開始信号を出力して、図９に示すようにＥＵＶ光の集光状態をアライメントする制御を行ってもよい。この制御は、遅くともＥＵＶ光を含む光２５０ＡおよびＥＵＶ光を含む光２６０Ａが生成された後に開始されてもよい。
調節制御部９７Ｃは、アライメント開始信号を取得すると、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａのアライメント制御サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ１）。この制御で第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａの姿勢が調節されることによって、当該第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａで反射したＥＵＶ光を含む光２５１が、予め設定された状態で中間焦点２９２において集光し得る。
【００４６】
調節制御部９７Ｃは、図１０に示すように、遮光切替部９６２Ｃでセットする遮光板を第１遮光板９６６Ｃに切り替えてもよい（ステップＳ１１）。このとき、調節制御部９７Ｃは、第１遮光板セット用信号を遮光切替部９６２Ｃに出力してもよい。第１遮光板セット用信号を取得した遮光切替部９６２Ｃは、第１遮光板９６６Ｃをセットしている場合には、この第１遮光板９６６Ｃをセットした状態を維持し、第２遮光板９６７Ｃをセットしている場合には、第２遮光板９６７Ｃを第１遮光板９６６Ｃに切り替えてもよい。
第１遮光板９６６Ｃがセットされると、図７Ａに示すように、ＥＵＶ光を含む光２５４Ｃが遮光切替部９６２Ｃを通過する。そして、蛍光板９６３ＣによってＥＵＶ光を含む光２５４Ｃが可視光２５５Ｃに変換されて、当該可視光２５５Ｃがイメージセンサ９６５Ｃ上に集光し得る。
次に、イメージセンサ９６５Ｃは、図１０に示すように、可視光２５５Ｃの強度分布を計測してもよい（ステップＳ１２）。このとき、同時にイメージセンサ９６５Ｃは、調節制御部９７Ｃへ強度分布を示すデータを送信してもよい。そして、イメージセンサ９６５Ｃからデータを受信した調節制御部９７Ｃは、第１集光像ＰIF1の中心位置ＣIF1と径ＤIF1とを計算してもよい（ステップＳ１３）。
【００４７】
調節制御部９７Ｃは、中心位置ＣIF1が予め設定された目標位置ＰIFtに近づくように、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａの設置角度を制御してもよい（ステップＳ１４）。このとき調節制御部９７Ｃが制御する設置角度は、Ｘ軸周りの回転角度θｘ、Ｙ軸周りの回転角度θｙであってもよい。
調節制御部９７Ｃは、中心位置ＣIF1が図７Ｂに示すような位置の場合には、当該中心位置ＣIF1を図中左斜め下に移動すべきと判断する。そして、調節制御部９７Ｃは、中心位置ＣIF1が左斜め下に移動するように、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａの回転角度θｘ，θｙを調節するための第１ＸＹ調節信号を第１ステージ制御部９４５Ｃに出力してもよい。第１ＸＹ調節信号を取得した第１ステージ制御部９４５Ｃは、この第１ＸＹ調節信号に基づいて、各駆動部９４３Ｃを駆動してもよい。各駆動部９４３Ｃが駆動すると第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａの角度が変化して、イメージセンサ９６５Ｃで検出する中心位置ＣIF1も変化し得る。
【００４８】
この後、イメージセンサ９６５Ｃは、可視光２５５Ｃの強度分布を計測し（ステップＳ１５）、この計測結果に基づいて調節制御部９７Ｃは第１集光像ＰIF1の中心位置ＣIF1と径ＤIF1とを再度計算してもよい（ステップＳ１６）。
次に、調節制御部９７Ｃは、イメージセンサ９６５Ｃから計算結果を取得して、中心位置ＣIF1と目標位置ＰIFtとの距離が所定の範囲内か否かを判断してもよい（ステップＳ１７）。
このステップＳ１７において、調節制御部９７Ｃは、所定の範囲内でないと判断した場合、ステップＳ１４に戻って再度その処理を行ってもよい。一方で、ステップＳ１７において、調節制御部９７Ｃは、所定の範囲内であると判断した場合、図１１に示すように、第１集光像ＰIF1の径ＤIF1が小さくなるように、第１ＥＵＶ集光ミラー９０ＡのＺ軸方向の位置を制御してもよい（ステップＳ１８）。
調節制御部９７Ｃは、径ＤIF1が小さくなるように、第１ＥＵＶ集光ミラー９０ＡをＺ軸方向に移動させるための第１Ｚ調節信号を第１ステージ制御部９４５Ｃに出力してもよい。第１Ｚ調節信号を取得した第１ステージ制御部９４５Ｃは、この第１Ｚ調節信号に基づいて、各駆動部９４３Ｃを駆動してもよい。各駆動部９４３Ｃが駆動すると第１ＥＵＶ集光ミラー９０ＡのＺ軸方向の位置が変化して、イメージセンサ９６５Ｃで検出する径ＤIF1も変化し得る。
【００４９】
この後、イメージセンサ９６５Ｃからデータを受信した調節制御部９７Ｃは、可視光２５５Ｃの強度分布を計測して（ステップＳ１９）、第１集光像ＰIF1の中心位置ＣIF1と径ＤIF1を計算してもよい（ステップＳ２０）。
そして、調節制御部９７Ｃは、計算された径ＤIF1と予め設定された目標径との差が所定の範囲内であり、かつ、中心位置ＣIF1と目標位置ＰIFtとの距離が所定の範囲内か否かを判断してもよい（ステップＳ２１）。
このステップＳ２１において、調節制御部９７Ｃは、中心位置ＣIF1および径ＤIF1のうち少なくとも一方が前記条件を満たさないと判断した場合、ステップＳ１４の処理を行ってもよい。このとき、第１ＥＵＶ集光ミラー９０ＡのＺ軸方向の位置が変化した結果、イメージセンサ９６５Ｃで検出する径ＤIF1が前回計測時より大きくなった場合は、次回の第１ＥＵＶ集光ミラー９０ＡのＺ軸方向の移動方向を逆にしてもよい。一方で、ステップＳ２１において、調節制御部９７Ｃは、中心位置ＣIF1および径ＤIF1の両方が前記条件を満たすと判断した場合、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａのアライメント制御を終了してもよい。
以上のように、第１集光像ＰIF1の径ＤIF1と目標径との差が所定の範囲内となり、かつ、中心位置ＣIF1と目標位置ＰIFtとの距離が所定の範囲内となるような制御を行うことによって、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａで反射したＥＵＶ光を含む光２５１が、中間焦点２９２において適切に集光し得る。
【００５０】
次に、調節制御部９７Ｃは、図９に示すように、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａのアライメント制御サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ２）。この制御で第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａの姿勢が調節されることによって、当該第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａで反射したＥＵＶ光を含む光２６１Ａが、予め設定された状態で中間焦点２９２において集光し得る。
【００５１】
調節制御部９７Ｃは、図１２に示すように、遮光切替部９６２Ｃでセットする遮光板を第２遮光板９６７Ｃに切り替えてもよい（ステップＳ３１）。このとき、調節制御部９７Ｃは、第２遮光板セット用信号を遮光切替部９６２Ｃに出力してもよい。第２遮光板セット用信号を取得した遮光切替部９６２Ｃは、第２遮光板９６７Ｃをセットしている場合には、この第２遮光板９６７Ｃをセットした状態を維持し、第１遮光板９６６Ｃをセットしている場合には、第１遮光板９６６Ｃを第２遮光板９６７Ｃに切り替えてもよい。
第２遮光板９６７Ｃがセットされると、図８Ａに示すように、ＥＵＶ光を含む光２６４Ｃが遮光切替部９６２Ｃを通過する。そして、蛍光板９６３ＣによってＥＵＶ光を含む光２６４Ｃが可視光２６５Ｃに変換されて、当該可視光２６５Ｃがイメージセンサ９６５Ｃ上で集光し得る。
次に、イメージセンサ９６５Ｃは、図１２に示すように、可視光２６５Ｃの強度分布を計測して（ステップＳ３２）、同時に調節制御部９７Ｃへ強度分布を示すデータを送信してもよい。さらに、イメージセンサ９６５Ｃからデータを受信した調節制御部９７Ｃは第２集光像ＰIF2の中心位置ＣIF2と径ＤIF2とを計算してもよい（ステップＳ３３）。
【００５２】
調節制御部９７Ｃは、中心位置ＣIF2が予め設定された目標位置ＰIFtに近づくように、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａの設置角度（Ｘ軸周りの回転角度θｘ、Ｙ軸周りの回転角度θｙ）を制御してもよい（ステップＳ３４）。
調節制御部９７Ｃは、中心位置ＣIF2が図８Ｂに示すような位置の場合には、当該中心位置ＣIF2を図中右斜め下に移動すべきと判断する。そして、調節制御部９７Ｃは、中心位置ＣIF2が右斜め下に移動するように、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａの回転角度θｘ，θｙを調節するための第２ＸＹ調節信号を第２ステージ制御部９５５Ｃに出力してもよい。第２ＸＹ調節信号を取得した第２ステージ制御部９５５Ｃは、この第２ＸＹ調節信号に基づいて、各駆動部９５３Ｃを駆動してもよい。各駆動部９５３Ｃの駆動によって、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａの角度が変化して、イメージセンサ９６５Ｃで検出する中心位置ＣIF2も変化し得る。
【００５３】
この後、イメージセンサ９６５Ｃは、可視光２６５Ｃの強度分布を計測し（ステップＳ３５）、同時に調節制御部９７Ｃへ強度分布を示すデータを送信してもよい。さらに、イメージセンサ９６５Ｃからデータを受信した調節制御部９７Ｃは第２集光像ＰIF2の中心位置ＣIF2と径ＤIF2とを計算してもよい（ステップＳ３６）。
次に、調節制御部９７Ｃは、計算結果に基づいて、中心位置ＣIF2と目標位置ＰIFtとの距離が所定の範囲内か否かを判断してもよい（ステップＳ３７）。
このステップＳ３７において、調節制御部９７Ｃは、その距離が所定の範囲内でないと判断した場合、ステップＳ３４へ戻って再度その処理を行ってもよい。また、調節制御部９７Ｃは、その距離が所定の範囲内であると判断した場合、図１３に示すように、第２集光像ＰIF2の径ＤIF2が小さくなるように、第２ＥＵＶ集光ミラー９１ＡのＺ軸方向の位置を制御してもよい（ステップＳ３８）。
調節制御部９７Ｃは、径ＤIF2が小さくなるように、第２ＥＵＶ集光ミラー９１ＡをＺ軸方向に移動させるための第２Ｚ調節信号を第２ステージ制御部９５５Ｃに出力してもよい。第２ステージ制御部９５５Ｃは、この第２Ｚ調節信号に基づいて、各駆動部９５３Ｃを駆動してもよい。各駆動部９５３Ｃの駆動によって、第２ＥＵＶ集光ミラー９１ＡのＺ軸方向の位置が変化して、イメージセンサ９６５Ｃで検出する径ＤIF2も変化し得る。
【００５４】
この後、イメージセンサ９６５Ｃからデータを受信した調節制御部９７Ｃは、可視光２６５Ｃの強度分布の計測処理（ステップＳ３９）と、第２集光像ＰIF2の中心位置ＣIF2および径ＤIF2の計算処理を行ってもよい（ステップＳ４０）。
そして、調節制御部９７Ｃは、径ＤIF2と目標径との差が所定の範囲内であり、かつ、中心位置ＣIF2と目標位置ＰIFtとの距離が所定の範囲内か否かを判断してもよい（ステップＳ４１）。
このステップＳ４１において、調節制御部９７Ｃは、前記条件を満たさないと判断した場合、ステップＳ３４の処理を行ってもよい。このとき、第２ＥＵＶ集光ミラー９１ＡのＺ軸方向の位置が変化した結果、イメージセンサ９６５Ｃで検出する径ＤIF2が前回計測時より大きくなった場合は、次回の第２ＥＵＶ集光ミラー９１ＡのＺ軸方向の移動方向を逆にしてもよい。一方で、ステップＳ４１において、調節制御部９７Ｃは、前記条件を満たすと判断した場合、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａのアライメント制御を終了してもよい。
以上のように、第２集光像ＰIF2の径ＤIF2と目標径との差が所定の範囲内となり、かつ、中心位置ＣIF2と目標位置ＰIFtとの距離が所定の範囲内となるような制御を行うことによって、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａで反射したＥＵＶ光を含む光２６１Ａが、中間焦点２９２において適切に集光し得る。
【００５５】
次に、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｃは、図９に示すように、ＥＵＶ光のアライメント制御を中止するか否かを判断してもよい（ステップＳ３）。すなわち、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｃは、ユーザの操作あるいは露光装置６による露光開始信号等に基づくアライメント制御を中止する旨の信号を取得したか否かを判断してもよい。このステップＳ３において、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｃは、中止しないと判断した場合、ステップＳ１の処理を行い、中止すると判断した場合、制御を中止する。
【００５６】
上述のように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｃの制御下において、調節制御部９７Ｃは、ＥＵＶ光を含む光２５４ＣおよびＥＵＶ光を含む光２６４Ｃそれぞれが波長変換された可視光がイメージセンサ９６５Ｃにおいて集光している状態に基づいて、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａおよび第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａの姿勢（回転角度θｘ，θｙ、Ｚ軸方向の位置）を調節してもよい。これにより、例えば、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａや第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａのメンテナンス後であっても、上記の調整を行うことで、ＥＵＶ光を含む光２５１ＡおよびＥＵＶ光を含む光２６１Ａが適切に中間焦点２９２で集光し得る。
【００５７】
なお、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａおよび第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ａのうち一方の姿勢を調節する構成を省略してもよい。
また、例えば第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａの回転角度θｘと回転角度θｙとＺ軸方向の位置とを調節する構成を例示したが、これらのうちのいずれかまたは複数を調節するようにしてもよい。
【００５８】
３．４  第３実施形態
３．４．１  概略
本開示の第３実施形態によれば、集光検出部は、分岐光学素子と、ＩＦ検出システムと、を備えてもよい。分岐光学素子は、ターゲット物質にレーザ光を照射する位置と、ＥＵＶ光の予め定められた集光位置との間における、オブスキュレーション領域に設けられてもよい。ＩＦ検出システムは、分岐光学素子によって分岐されたＥＵＶ光の検出状態に基づいて、ＥＵＶ光が予め定められた集光位置で集光しているか否かを検出してもよい。調節制御部は、ＩＦ検出システムが検出した結果に基づいて、ＥＵＶ光が予め定められた集光位置で集光するようにミラー調節部を制御してもよい。なお、オブスキュレーション領域とは、ＥＵＶ光が進行する領域のうちで、露光装置において露光に用いられない領域であってよい。オブスキュレーション領域は露光装置内の光学系の設計によって様々な形状を取り得る。
以上のように、分岐光学素子をオブスキュレーション領域に配置することで、ＥＵＶ光を分岐することにより、露光に使われるＥＵＶ光のロスが低減し得る。その結果、第２実施形態に比較してより高いＥＵＶ光の集光効率で第１ＥＵＶ集光ミラーの姿勢を調節することが可能となり、ＥＵＶ光を集光させることが可能となり得る。
【００５９】
３．４．２  構成
図１４は、第３実施形態に係るＥＵＶ光集光装置が適用されるＥＵＶ光生成装置のＹＺ平面による断面構成を概略的に示す。図１５は、ＥＵＶ光生成装置のＸＺ平面による断面構成を概略的に示す。図１６Ａは、集光検出部が第１ＥＵＶ集光ミラーで反射されたＥＵＶ光の強度分布を計測している状態を示す。図１６Ｂは、図１６Ａに示す状態において集光検出部が計測した結果を示す。
【００６０】
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｄと、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｃとの相違点は、図１４、図１５、および、図１６Ａに示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｃの代わりにＥＵＶ光生成制御システム５Ｄを設けた点と、ＥＵＶ光集光装置９Ｃの代わりにＥＵＶ光集光装置９Ｄを設けた点であってもよい。
ＥＵＶ光集光装置９ＤとＥＵＶ光集光装置９Ｃとの相違点は、集光検出部９６Ｃおよび調節制御部９７Ｃの代わりに集光検出部９６Ｄおよび調節制御部９７Ｄを設けた点と、第２ミラー調節部９５Ｃを設けない点である。なお、図１４および図１５においては、パルスレーザ光３１、レーザ光進行方向制御部３４の図示を省略してあるが、図５と同様に、これらの構成を備えてもよい。
【００６１】
集光検出部９６Ｄは、分岐光学素子９６０Ｄと、ＩＦ検出システム９６１Ｄと、を備えてもよい。分岐光学素子９６０Ｄは、オブスキュレーション領域２０２Ｄ内の、プラズマ生成領域２５と中間焦点２９２との間の領域において、ホルダ９６９Ｄによって保持されてもよい。オブスキュレーション領域は、第３実施形態においては図１４および図１５に示されるように、ファーフィールドパターンにおける帯状の領域として表現されているが、この限りではない。分岐光学素子９６０Ｄは、オブスキュレーション領域の形状に合わせて配置されるとよい。分岐光学素子９６０Ｄは、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａを高い反射率で反射して、ＥＵＶ光を含む光２５４ＤとしてＩＦ検出システム９６１Ｄに出力してもよい。
ＩＦ検出システム９６１Ｄは、図１６Ａに示すように、蛍光板９６３Ｃと、転写光学系９６４Ｃと、イメージセンサ９６５Ｃと、を備えてもよい。蛍光板９６３Ｃは、ＥＵＶ光を含む光２５４Ｄを可視光２５５Ｄに変換してもよい。転写光学系９６４Ｃは、可視光２５５Ｄをイメージセンサ９６５Ｃ上に集光してもよい。
調節制御部９７Ｄは、図１５に示すように、第１ステージ制御部９４５Ｃとともに、ＥＵＶ光生成用チャンバ２Ｄのケース２０Ｃ内に収容されてもよい。調節制御部９７Ｄは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｄ、第１ステージ制御部９４５Ｃおよびイメージセンサ９６５Ｃに電気的に接続されてもよい。調節制御部９７Ｄは、イメージセンサ９６５Ｃから取得したデータによる計算結果に基づいて、第１ステージ制御部９４５Ｃを制御してもよい。
【００６２】
３．４．３  動作
ＥＵＶ光生成制御システム５Ｄの制御により生成されたＥＵＶ光を含む光２５０Ａは、図１４および図１５に示すように、第１反射面９０１Ａで反射されて、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａとして図示しない露光装置６に出力されてもよい。ＥＵＶ光を含む光２６０Ａは、第２反射面９１１Ａで反射されて、ＥＵＶ光を含む光２６１Ａとして露光装置６に出力されてもよい。
ＥＵＶ光を含む光２５１Ａの光路上には分岐光学素子９６０Ｄが配置されているため、図１５に示すように、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａのうち、オブスキュレーション領域２０２Ｄ内を進行する光の一部は、分岐光学素子９６０Ｄで反射してＥＵＶ光を含む光２５４ＤとしてＩＦ検出システム９６１Ｄに出力され得る。また、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａのうち、オブスキュレーション領域２０２Ｄ以外を進行する光は、露光装置６に出力され得る。
【００６３】
そして、露光装置６内には、第１ファーフィールドパターン１０１Ａと、第２ファーフィールドパターン１０２Ａと、暗部１０３Ａとが形成され得る。また、Ｙ軸方向に延びるオブスキュレーション領域１０４Ｄが、第１ファーフィールドパターン１０１Ａおよび第２ファーフィールドパターン１０２Ａの中心を通るように形成され得る。
なお、オブスキュレーション領域２０２ＤのＥＵＶ光は、露光装置６において露光に用いられない。そのため、分岐光学素子９６０Ｄによって当該領域内の光を露光装置方向とは別の方向へ進行させても、露光装置６の露光性能やスループットに及ぶ影響は少ない。
【００６４】
また、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｄは、調節制御部９７Ｄにアライメント開始信号を出力して、図９に示すステップＳ１およびステップＳ３の制御、および、図１０〜図１１に示す制御を行ってもよい。
以上の制御により、第１集光像ＰIF1の径ＤIF1と目標径との差が所定の範囲内となり、かつ、中心位置ＣIF1と目標位置ＰIFtとの距離が所定の範囲内となり、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａで反射したＥＵＶ光を含む光２５１Ａが、中間焦点２９２において適切に集光し得る。
【００６５】
上述のように、分岐光学素子９６０Ｄは、オブスキュレーション領域２０２Ｄに配置されてもよい。ＩＦ検出システム９６１Ｄは、分岐光学素子９６０Ｄで反射されたＥＵＶ光を含む光２５４Ｄに基づいて、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａが中間焦点２９２で集光しているか否かを検出してもよい。調節制御部９７Ｄは、ＩＦ検出システム９６１Ｄが検出した結果に基づいて、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａが中間焦点２９２で集光するように第１ミラー調節部９４Ｃを制御してもよい。
このように分岐光学素子９６０Ｄをオブスキュレーション領域２０２Ｄに配置することで、ＥＵＶ光を含む光２５１Ａの一部を反射することによるＥＵＶ光を含む光２５１Ａのロスが低減し得る。その結果、露光に用いられるＥＵＶ光を含む光２５１Ａの集光効率の大きな低下を招くことなく、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ａの姿勢を調節してＥＵＶ光を含む光２５１Ａを適切に集光させることが可能となり得る。
【００６６】
３．５  第４実施形態
３．５．１  概略
本開示の第４実施形態によれば、第１ＥＵＶ集光ミラーの反射面および第２ＥＵＶ集光ミラーの反射面は、回転楕円面の長軸を中心軸とする円弧筒状の一部分に形成されてもよい。第２ＥＵＶ集光ミラーは、第１ＥＵＶ集光ミラーに対してＥＵＶ光出射部側にずれた位置に設けられてもよい。そして、第１ＥＵＶ集光ミラーと第２ＥＵＶ集光ミラーとの間からターゲット物質をプラズマ生成領域に導入してもよい。
以上のような構成により、第１ＥＵＶ集光ミラーと第２ＥＵＶ集光ミラーとの長軸方向の寸法を大きくしなくても、全体として立体角が大きい反射領域を形成し得る。したがって、高精度での加工が容易な第１反射面と第２反射面とを用いて、ＥＵＶ光を大きな立体角で予め定められた焦点位置に集光し得る。特に、第１ＥＵＶ集光ミラーと第２ＥＵＶ集光ミラーとを円弧筒状の一部分に形成することで、第１反射面と第２反射面の高精度な加工が容易となる。
【００６７】
３．５．２  構成
図１７は、第４実施形態に係るＥＵＶ光集光装置が適用されるＥＵＶ光生成装置のＹＺ平面による断面構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１Ｅを構成するＥＵＶ光生成用チャンバ２Ｅの右隅部には、ドロップレット２７をＥＵＶ光生成用チャンバ２Ｅ内部に導入するための第２貫通孔２０１Ｅが設けられてもよい。ターゲット生成器７１は、ノズル７１２が第２貫通孔２０１Ｅを介してＥＵＶ光生成用チャンバ２Ｅ内部に位置するように設けられてもよい。
【００６８】
ＥＵＶ光生成用チャンバ２Ｅ内部には、ＥＵＶ光集光装置９Ｅが配置されてもよい。ＥＵＶ光集光装置９Ｅは、第１反射面９０１Ｅを有する第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ｅと、第２反射面９１１Ｅを有する第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ｅとを備えてもよい。第１反射面９０１Ｅおよび第２反射面９１１Ｅは、それぞれ回転楕円面９００Ａの一部として形成されてもよい。第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ｅおよび第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ｅは、それぞれ回転楕円面９００Ａの長軸を中心軸とする円弧筒状の一部分に形成されてもよい。第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ｅは、第１ホルダ９２ＥによってＥＵＶ光生成用チャンバ２Ｅに保持されてもよい。第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ｅは、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ｅの上側（＋Ｙ方向側）に、第２ホルダ９３ＥによってＥＵＶ光生成用チャンバ２Ｅに保持されてもよい。また、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ｅは、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ｅの左側（＋Ｚ方向側）に配置されてもよい。
【００６９】
３．５．３  動作
パルスレーザ光３３がドロップレット２７に照射されることで下壁側に向けて放射したＥＵＶ光を含む光２５０Ｅは、第１反射面９０１Ｅで反射されて、ＥＵＶ光を含む光２５１Ｅとして中間焦点２９２で集光され得る。また、上壁に向けて放射したＥＵＶ光を含む光２６０Ｅは、第２反射面９１１Ｅで反射されて、ＥＵＶ光を含む光２６１Ｅとして中間焦点２９２で集光され得る。そして、中間焦点２９２に集光されたＥＵＶ光を含む光２５１ＥおよびＥＵＶ光を含む光２６１Ｅは、露光装置６に出力され得る。
【００７０】
上述のように、第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ｅは、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ｅに対して開口孔２９３Ａ側にずれた位置に設けられてもよい。
以上のような構成により、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ｅと第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ｅとの長軸方向の寸法を大きくしなくても、全体として立体角が大きい反射領域を形成し得る。したがって、高精度での加工が容易な第１反射面９０１Ｅと第２反射面９１１Ｅとを用いて、ＥＵＶ光を含む光２５１ＥおよびＥＵＶ光を含む光２６１Ｅを大きな立体角で中間焦点２９２に集光し得る。特に、第１ＥＵＶ集光ミラー９０Ｅと第２ＥＵＶ集光ミラー９１Ｅとを円弧筒状に形成することで、第１反射面９０１Ｅと第２反射面９１１Ｅの高精度な加工が容易となる。
【００７１】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００７２】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００７３】
９Ａ，９Ｃ，９Ｄ，９Ｅ…ＥＵＶ光集光装置、９０Ａ，９０Ｅ…第１ＥＵＶ集光ミラー、９１Ａ，９１Ｅ…第２ＥＵＶ集光ミラー、９４Ｃ，９５Ｃ…第１，第２ミラー調節部、９６Ｃ，９６Ｄ…集光検出部、９７Ｃ，９７Ｄ…調節制御部、９００Ａ…回転楕円面、９０１Ａ，９０１Ｅ…第１反射面、９０８Ａ…第１焦点、９０９Ａ…第２焦点、９１１Ａ，９１１Ｅ…第２反射面。
【図１】
2013211517.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
2013211517.tif 000009
【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
2013211517.tif 000011
【図８Ｂ】
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【図９】
2013211517.tif 000013
【図１０】
2013211517.tif 000014
【図１１】
2013211517.tif 000015
【図１２】
2013211517.tif 000016
【図１３】
2013211517.tif 000017
【図１４】
2013211517.tif 000018
【図１５】
2013211517.tif 000019
【図１６Ａ】
2013211517.tif 000020
【図１６Ｂ】
2013211517.tif 000021
【図１７】
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