(57)【要約】【課題】  ガラス表層部の微細曲面加工方法において、リソグラフィに代わる工程を採用することによって、必要とする要素が少なくて済み、かつ工程も少なくて済むようにする。【解決手段】  この微細曲面加工方法は、ガラス４にイオンビーム２を照射してガラス４の表層部６にイオン注入を行うイオン注入工程と、イオン注入工程後のガラス４の少なくとも表層部６を例えばエッチング装置１０を用いてエッチングするエッチング工程とを備えていて、ガラス４の表層部６に微細曲面加工を施すことを特徴としている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスにイオンビームを照射して当該ガラスの表層部にイオン注入を行うイオン注入工程と、
前記イオン注入工程後のガラスの少なくとも前記表層部をエッチングするエッチング工程とを備えていて、
前記ガラスの表層部に微細曲面加工を施すことを特徴とするガラス表層部の微細曲面加工方法。
【請求項２】
前記イオン注入工程において、互いに異なる注入条件によるイオン注入を複数回行う請求項１記載のガラス表層部の微細曲面加工方法。
【請求項３】
前記イオン注入工程および前記エッチング工程を経たガラスにイオンビームを照射して当該ガラスの表層部にイオン注入を行う第２のイオン注入工程と、当該第２のイオン注入工程後のガラスの少なくとも前記表層部をエッチングする第２のエッチング工程とを更に備えている請求項１または２記載のガラス表層部の微細曲面加工方法。
【請求項４】
最後のエッチング工程後の前記ガラスの表層部に更にイオン注入を行って、当該表層部の強度を向上させる請求項１、２または３記載のガラス表層部の微細曲面加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば、太陽電池モジュール（換言すれば太陽電池パネル。以下同様）の受光面ガラス、太陽電池セルのガラス基板、光学レンズ、そのほか光を利用する装置・機器等に用いられるガラスの表層部に微細曲面加工を施して、当該ガラス自身に反射率調整機能（反射率＋透過率＝１だから、換言すれば透過率調整機能。以下同様）を持たせる微細曲面加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラスの表層部に微細曲面加工を施して反射防止構造を形成する方法の一つとして、リソグラフィとエッチングとを併用する方法が従来から提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
上記リソグラフィには、感光性レジストを塗布しておいたガラスの表面を、マスクを用いて所定の微細パターン状に露光する露光工程と、露光後のガラスを現像して余分なレジストを除去する現像工程とが含まれている。このリソグラフィの後にエッチングを施すことによって、レジストが残っていない部分のガラスをエッチングして、ガラスの表層部に所定パターンの微細曲面加工を施すことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２３５１９５号公報（段落００３７−００４１、図７）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
リソグラフィとエッチングとを併用する方法の場合は、リソグラフィにおいて、感光性レジストおよびマスクを使用する必要があり、しかも露光工程と現像工程の２工程が必要である。従って、必要とする要素（レジスト、マスク等）が多く、しかも工程も多くて複雑である。その結果、加工に長時間を要すると共に、加工コストも嵩む。
【０００６】
そこでこの発明は、ガラス表層部の微細曲面加工方法において、リソグラフィに代わる工程を採用することによって、必要とする要素が少なくて済み、かつ工程も少なくて済むようにすることを主たる目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る微細曲面加工方法は、ガラスにイオンビームを照射して当該ガラスの表層部にイオン注入を行うイオン注入工程と、前記イオン注入工程後のガラスの少なくとも前記表層部をエッチングするエッチング工程とを備えていて、前記ガラスの表層部に微細曲面加工を施すことを特徴としている。
【０００８】
上記イオン注入工程においては、マクロ（巨視的）に見てガラスの表面に均一性良くイオンビームを照射したとしても、ミクロ（微視的）に見れば、イオン照射量（換言すればイオン注入量。以下同様）をある程度少なくすると、イオンが相対的に多く衝突することによって相対的に多くイオン注入されて欠陥（ガラス構造の欠陥。以下同様）が相対的に多く形成された微小部分と、そうでない微小部分とが互いに入り交じって多数存在するようになる。欠陥が多く形成された微小部分は、後工程でエッチングされやすくなる。
【０００９】
その結果、上記エッチング工程において、欠陥が多く形成された微小部分を、そうでない微小部分に比べてより強くエッチングして、ガラスの表層部に多数の微細な凹凸曲面を形成することができる。即ち、ガラス表層部に微細曲面加工を施すことができる。
【００１０】
前記イオン注入工程において、互いに異なる注入条件によるイオン注入を複数回行っても良い。
【００１１】
前記イオン注入工程および前記エッチング工程を経たガラスにイオンビームを照射して当該ガラスの表層部にイオン注入を行う第２のイオン注入工程と、当該第２のイオン注入工程後のガラスの少なくとも前記表層部をエッチングする第２のエッチング工程とを更に備えていても良い。
【００１２】
最後のエッチング工程後の前記ガラスの表層部に更にイオン注入を行って、当該表層部の強度を向上させても良い。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１に記載の発明によれば、ガラスにイオンビームを照射してイオン注入を行うイオン注入工程によって、後のエッチング工程において相対的に強くエッチングされる微小部分とそうでない微小部分とを互いに入り交じらせて多数形成することができるので、リソグラフィを用いることなく、ガラスの表層部に微細曲面加工を施すことができる。
【００１４】
その結果、リソグラフィにおいて必要であった感光性レジストおよび微細パターンのマスクを必要としないので、必要とする要素が少なくて済む。しかも、エッチング工程の前において、リソグラフィでは露光工程および現像工程の２工程が必要であったのに対して、この発明ではイオン注入工程という１工程で済むので、工程も少なくて済む。その結果、加工時間を短縮することができると共に、加工コストを低減することができる。
【００１５】
請求項２に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、イオン注入工程において、互いに異なる注入条件によるイオン注入を複数回行うので、後のエッチング工程において相対的に強くエッチングされる微小部分とそうでない微小部分とをより複雑に入り交じらせて形成することができる。その結果、ガラスの表層部により複雑な形状の微細曲面加工を施すことができる。
【００１６】
請求項３に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、先のイオン注入工程およびエッチング工程によって形成した微細な凹凸曲面に、第２のイオン注入工程および第２のエッチング工程によって別の形状の微細な凹凸曲面を重畳させることができるので、ガラスの表層部により複雑な形状の微細曲面加工を施すことができる。
【００１７】
請求項４に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、最後のエッチング工程後のガラスの表層部に更にイオン注入を行って当該表層部の強度を向上させるので、ガラスの表層部に形成した微細曲面構造の耐久性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】この発明に係る微細曲面加工方法の一実施形態を示す概略図である。
【図２】図１（Ｂ）に示すガラスの表層部の例を拡大して部分的に示す概略断面図である。
【図３】図１（Ｄ）に示すガラスの表層部の例を拡大して部分的に示す概略断面図である。
【図４】他の例のイオン注入工程後のガラスの表層部の例を拡大して部分的に示す概略断面図である。
【図５】図４に示すガラスのエッチング工程後の表層部の例を拡大して部分的に示す概略断面図である。
【図６】イオン注入工程後のガラス表面の走査電子顕微鏡写真であり、倍率は１０万倍である。
【図７】イオン注入工程およびエッチング工程後のガラス表面の走査電子顕微鏡写真であり、倍率は１０万倍である。
【図８】加工前のガラスに対する加工後の（即ちイオン注入およびエッチング後の）ガラスの透過率の比を測定した結果の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１に、この発明に係る微細曲面加工方法の一実施形態を示す。
【００２０】
まず、真空中でガラス４の例えば全面にイオンビーム２を照射して、当該ガラス４の表層部６にイオン注入を行う（図１（Ａ））。これがイオン注入工程である。この工程には、例えばイオン注入装置を用いれば良い。これによって得られたガラス４を図１（Ｂ）に示す。図１（Ｂ）中の表層部６の点点は、イオン注入によって、欠陥が多く形成された微小部分が多数生成されていることを極めて簡略化して概念的に示している（より詳しくは図２参照）。
【００２１】
ガラス４は、例えば、透明な石英ガラスから成るガラス板やガラス基板等であるが、これに限定されるものではない。
【００２２】
上記イオン注入工程においては、マクロ（巨視的）に見てガラス４の表面に均一性良くイオンビーム２を照射したとしても、ミクロ（微視的）に見れば、イオン照射量をある程度少なくすると、図２に示す例のように、イオンが相対的に多く衝突することによって相対的に多くイオン注入されて欠陥（ガラス構造の欠陥）が相対的に多く形成された微小部分８と、そうでない微小部分とが互いに入り交じって多数存在するようになる。欠陥が多く形成された微小部分８は、後工程でエッチングされやすくなる。この欠陥が多く形成された微小部分８は、それぞれ、例えば、逆円錐状、半球状またはこれらに近い形状をしている。
【００２３】
なお、図２に示す欠陥が多く形成された微小部分８および図３に示す凹部１４は、分かりやすくするために大きく拡大して図示している。従って、形成される凹凸曲面も微小なものである。また、図２に示す欠陥が多く形成された微小部分８および図３に示す凹部１４の形状、配置等は、あくまでも概略例を示したものであり、実際のものが図示例のとおりになるとは限らない。以上のことは、図４に示す欠陥が多く形成された微小部分８、９および図５に示す凹部１４、１５についても同様である。
【００２４】
イオンビーム２を構成するイオン種としては、例えば、水素（Ｈ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓi ）、リン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、アルゴン（Ａr ）、フッ素（Ｆ）、ネオン（Ｎe ）、ヒ素（Ａs ）、スズ（Ｓn ）、インジウム（Ｉn ）、クリプトン（Ｋr ）等の原子のイオン、または上記元素を一つ以上含む分子のイオンが採り得る。
【００２５】
イオンビーム２のエネルギー等の他の条件を同じとすると、採用するイオン種によって、注入イオン１個の重さが変り、ひいては注入イオン１個が持つ運動エネルギーが変るので、上記欠陥が多く形成された微小部分８の大きさが変る。ひいては、エッチング工程後の凹凸曲面の大きさが変り、ひいては反射率調整を行い得る光の波長域も変る。
【００２６】
例えば、反射率調整を行いたい波長が短い場合は、イオン種として軽いイオンを採用すれば良く、そのようにすると、上記欠陥が多く形成された微小部分８の大きさがより小さくなり、ひいてはエッチング工程後の凹凸曲面の大きさもより小さくなるので、短い波長域での反射率調整が容易になる。
【００２７】
反対に、反射率調整を行いたい波長が長い場合は、イオン種として重いイオンを採用すれば良く、そのようにすると、上記欠陥が多く形成された微小部分８の大きさがより大きくなり、ひいてはエッチング工程後の凹凸曲面の大きさもより大きくなるので、長い波長域での反射率調整が容易になる。例えば、太陽電池モジュール（太陽電池パネル）の受光面ガラスのように、可視光の反射率を小さく（即ち透過率を大きく）したい場合は、イオン種として、例えばヒ素のような重いイオンを採用すれば良い。分子のイオンを採用しても良い。
【００２８】
また、イオン注入工程において、欠陥が多く形成された微小部分８の大きさを所要程度まで大きくしておくと、後のエッチング工程においては主にこの欠陥が多く形成された微小部分８をエッチングで除去すれば済むので、エッチングが容易になり、エッチング時間を短縮して生産性を向上させることもできる。
【００２９】
従ってイオンビーム２を構成するイオン種は、例えば上記のような観点から選択しても良い。
【００３０】
イオンビーム２を構成するイオンの電荷は１以上であり、そのイオンのエネルギーは、例えば、１０ｋｅＶ以上４００ｋｅＶ以下にすれば良い。
【００３１】
ガラス４の表層部６に形成する凹凸曲面の大きさは、反射率調整を行いたい波長の１／１０程度が好ましいと言われている。例えば、波長が５００ｎｍ〜６００ｎｍの可視光の反射率調整を行うとすると、凹凸曲面の大きさは５０ｎｍ〜６０ｎｍ程度が好ましい。イオンビーム２を構成するイオンのエネルギーを上記のように１０ｋｅＶ〜４００ｋｅＶにすると、上記欠陥が多く形成された微小部分８の深さを１０ｎｍ〜６０ｎｍに近づけることができる。その結果、後のエッチング工程によって、５０ｎｍ〜６０ｎｍ程度の大きさの凹凸曲面を形成しやすくなる。また、エッチング時間の短縮を図ることも可能になる。
【００３２】
ガラス４に照射するイオン照射量（イオン注入量）は、ある程度少なくするのが良く、例えば、１×１０8 個／ｃｍ2 以上１×１０12個／ｃｍ2 以下の範囲内にするのが好ましい。イオン照射量がこれよりも少ないと、上記欠陥が多く形成された微小部分８がまばらにしか形成されないのでエッチング工程後に凹部が形成されにくく、イオン照射量がこれよりも多いと、上記欠陥が多く形成された微小部分８が多くなり過ぎてエッチング工程後に凹部が過剰に形成され、いずれの場合も、エッチング工程後に多数の微小な凹凸曲面がうまく入り交じった微細な凹凸曲面構造を形成しにくくなる。
【００３３】
なお、マクロに見て、大型のガラス４に均一性良くイオンビーム２を照射するために、イオンビーム２を１次元または２次元で走査しても良い。イオンビーム２の１次元の走査と、それに直交する方向へのガラス４の機械的な走査（メカニカルスキャン）とを併用しても良い（いわゆるハイブリッドスキャン）。
【００３４】
次に、上記イオン注入工程後のガラス４（図１（Ｂ）参照）の少なくとも表層部６をエッチングする。これがエッチング工程である。例えば、図１（Ｃ）に示す例のように、エッチング装置１０のエッチング液１２内に上記ガラス４を浸して表層部６をエッチングする。この例のエッチング装置１０はウェットエッチング装置であり、この例ではウェットエッチングを行う。
【００３５】
エッチング液１２は、例えば、フッ化水素酸、フッ化水素アンモニウム、リン酸、リン酸アンモニウム、硝フッ酸または水酸化カリウム等である。
【００３６】
エッチングの際のエッチング液１２の温度は、例えば、常温から８０℃程度の範囲内に保てば良い。
【００３７】
また、エッチングの際に、超音波をエッチング容器に加えても良い。そのようにすると、超音波でエッチングを促進して、エッチング時間を短縮することができる。
【００３８】
前述したように、先のイオン注入工程で生成された上記欠陥が多く形成された微小部分８（図２参照）はエッチングされやすくなっているので、上記エッチング工程において、上記欠陥が多く形成された微小部分８を、そうでない微小部分に比べてより強くエッチングして、上記欠陥が多く形成された微小部分８を微小な凹部１４にして（これと反対に、欠陥が多く形成された微小部分８でない部分は微小な凸部になる）、ガラス４の表層部６に多数の微細な凹凸曲面を形成することができる。これによって得られたガラス４の概略図を図１（Ｄ）に示し、その拡大図を図３に示す。各凹部１４は、上記欠陥が多く形成された各微小部分８に対応しており、その形状も各微小部分８に似たものとなる。例えば、逆円錐状、半球面状またはこれに近い形状になる。
【００３９】
なお、エッチング時間は、所望の深さおよび広さの凹部１４が形成される時間にすれば良い。エッチング終了後は、ガラス４を洗浄液に浸してエッチング液１２を取り除く。
【００４０】
以上のようにして、ガラス４の表層部６に、多数の微細な凹凸曲面を形成して、微細曲面加工を施すことができる。このガラス４は、微細曲面加工を施した面側から（即ち表層部６側から）光が入射するようにして使う。上記のようにしてガラス４の表層部６に微細曲面加工を施すことによって、反射率調整膜を付加しなくても、ガラス４に表層部６側から入射する光に対して、当該ガラス４自身に反射率調整機能（換言すれば透過率調整機能）を持たせることができる。これは、簡単に言えば、ガラス４の表層部６に微細曲面加工を施すことによって、ガラス４の表面での反射光を低減することができるからである。
【００４１】
例えば、太陽電池モジュール（太陽電池パネル）の受光面ガラスは、反射抑制機能を付加しない場合は、入射光の内で反射に向かう割合は５％程度だと言われている。この受光面ガラスでの反射率を低減することは、太陽電池の発電効率を向上させることに役立つ。従って、上記表層部６に微細曲面加工を施したガラス４は、例えば、このような太陽電池モジュールの受光面ガラスに使用することができる。
【００４２】
しかもこの微細曲面加工方法によれば、ガラス４にイオンビーム２を照射してイオン注入を行うイオン注入工程によって、後のエッチング工程において相対的に強くエッチングされる微小部分とそうでない微小部分とを互いに入り交じらせて多数形成することができるので、リソグラフィを用いることなく、ガラス４の表層部６に微細曲面加工を施すことができる。
【００４３】
その結果、リソグラフィにおいて必要であった感光性レジストおよび微細パターンのマスクを必要としないので、必要とする要素が少なくて済む。しかも、エッチング工程の前において、リソグラフィでは露光工程および現像工程の２工程が必要であったのに対して、この加工方法ではイオン注入工程という１工程で済むので、工程も少なくて済む。その結果、加工時間を短縮することができると共に、加工コストを低減することができる。
【００４４】
次に、実験結果の一例を説明する。図１に示した加工方法で、まず、透明な石英ガラス（石英ガラス板）４に、室温で、ヒ素イオンをイオン種とするイオンビーム２を照射してイオン注入を行った。このときのヒ素イオンのエネルギーは２００ｋｅＶ、照射量（注入量）は５×１０11個／ｃｍ2 とした。
【００４５】
このイオン注入工程後のガラス表面の走査電子顕微鏡写真を図６に示す。この場合の電子の加速電圧は１ｋＶ、写真倍率は１０万倍である（図７の場合も同様）。図７と比べると良く分るが、この段階では、ガラス表面に微細な凹凸曲面は観られない。前述した欠陥が多く形成された微小部分８は生成されているけれども、それはこの写真には写らない。
【００４６】
次いで、上記イオン注入後のガラス４にエッチング処理を施した。これは、エッチング液１２として、８ｍｏｌ％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）を用いて、常温で４時間行った。このエッチング工程後のガラス表面の走査電子顕微鏡写真を図７に示す。ガラス表面に、微細な（数十ナノメートルの）凹凸曲面が多数ほぼ一様に形成されていることが分る。
【００４７】
上記加工前後のガラスの透過率を測定した結果の一例を図８に示す。縦軸の透過率の比Ａは、加工前（即ちイオン注入前）のガラスの透過率に対する加工後（即ちイオン注入およびエッチング後）のガラスの透過率の比であり、次式で表される。
【００４８】
［数１］
透過率の比Ａ＝加工後のガラスの透過率／加工前のガラスの透過率
【００４９】
この図８から分るように、光の波長が２４０ｎｍよりも大きい波長域では、透過率の比Ａが１よりも大きくなっており、加工後のガラスは光の透過率が増加（換言すれば反射率が減少）している。従って加工後のガラスをこの波長域で使用すれば、入射光の反射を抑制するという反射抑制機能を発揮させることができる。
【００５０】
一方、光の波長が２４０ｎｍよりも小さい波長域では、透過率の比Ａが１よりも小さくなっており、加工後のガラスは光の透過率が減少（換言すれば反射率が増加）している。従って加工後のガラスをこの波長域で使用すれば、入射光を遮るという遮蔽機能を発揮させることができる。
【００５１】
このように、上記加工後のガラスは、使用する光の波長域によって、入射光の反射抑制と遮蔽の両方に使用することができる。勿論、どちらか一方のみを使用しても良い。
【００５２】
次に、他の実施形態を、前述した実施形態との相違点を主体に説明する。
【００５３】
前記エッチング工程においては、ウェットエッチングを行う代りに、ドライエッチング装置を用いて、イオン注入工程後のガラス４の少なくとも表層部６をドライエッチングしても良い。ドライエッチングに用いるエッチングガスは、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、六フッ化硫黄（ＳＦ6 ）、三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）等である。
【００５４】
前記イオン注入工程において、互いに異なる注入条件によるイオン注入を複数回行っても良い。この注入条件には、例えば、イオン種、イオンのエネルギー、イオン注入量等が含まれており、これらの一つ以上を異ならせてイオン注入を行う。例えば、水素イオンを注入後にシリコンイオンを注入しても良い。その逆の順序でも良い。
【００５５】
複数回注入の内の一つとして水素イオンを注入する場合は、水素イオンの注入量は、前述した注入量よりも多めの１×１０10個／ｃｍ2 以上１×１０17個／ｃｍ2 以下の範囲内にしても良い。ガラス４の表層部６に水素イオンを多く注入すると、表層部６内に水素が溜まって微小な泡（ボイド）が形成されやすくなる。この泡の部分は後のエッチング工程でエッチングが速く進むので、微小な凹部の形成に寄与する。
【００５６】
互いに異なる注入条件でイオン注入を２回行った後のガラス４の表層部６の例を拡大して図４に示す。図２を参照して先に説明したのと同様の作用によって、１回目のイオン注入によって欠陥が多く形成された微小部分８と、２回目のイオン注入によって欠陥が多く形成された微小部分９とが混在していて、図２の例に比べて、欠陥が多く形成された微小部分８、９とそうでない部分とがより複雑に入り交じって形成されている。
【００５７】
なお、図４では、図示を簡略化するために、１回目のイオン注入によって欠陥が多く形成された微小部分８と、２回目のイオン注入によって欠陥が多く形成された微小部分９とが互いに規則的に混在しているように図示しているけれども、実際は必ずしもそのようになるとは限らない。両微小部分８、９は互いに不規則に混在する可能性が高いけれども、それでも構わない。
【００５８】
図４に示すガラス４をエッチングした後の表層部６の例を拡大して図５に示す。図３を参照して先に説明したのと同様の作用によって、上記欠陥が多く形成された微小部分８、９がそれぞれ微小な凹部１４、１５になるので、ガラス４の表層部６により複雑な形状の微細な凹凸曲面を形成することができる。即ち、より複雑な形状の微細曲面加工を施すことができる。それによって、ガラス４の反射率調整機能（換言すれば透過率調整機能）の特性を変えることができる。例えば、図８に示した特性カーブを波長の長い方へシフトさせたり、短い波長域での透過率の比Ａをより小さくしたりすること等ができる。
【００５９】
前述したイオン注入工程およびエッチング工程を経たガラス４（例えば図１（Ｄ）に示したガラス４）にイオンビーム２を照射して当該ガラス４の表層部６に更にイオン注入を行う第２のイオン注入工程と、当該第２のイオン注入工程後のガラス４の少なくとも前記表層部６をエッチングする第２のエッチング工程とを更に備えていても良い。
【００６０】
第２のイオン注入工程および第２のエッチング工程における処理方法は、前述した（先の）イオン注入工程およびエッチング工程の場合と同様である。
【００６１】
この第２のイオン注入工程および第２のエッチング工程を更に行う方法によれば、先のイオン注入工程およびエッチング工程によって形成した微細な凹凸曲面に、第２のイオン注入工程および第２のエッチング工程によって別の形状の微細な凹凸曲面を重畳させることができるので、ガラス４の表層部６により複雑な形状の微細曲面加工を施すことができる。例えば、この例の方法によっても、図５に示した例に似た構造の微細曲面加工を施すことができる。それによる効果は、図５の所で説明したものと同様である。
【００６２】
最後のエッチング工程（図１に示す例の場合は図１（Ｃ）に示すエッチング工程、上記第２のエッチング工程を更に行う場合は当該第２のエッチング工程）後のガラス４の表層部６に更にイオン注入を行って、当該表層部６の改質を行って、当該表層部６の強度を向上させても良い。
【００６３】
上記表面改質のためのイオン注入においては、例えばアルゴンイオン、窒素イオン等の不活性ガスイオンを注入しても良いけれども、例えば特開２０１０−１１８３号公報にも記載されているように、少なくとも窒素分子イオンを含有するイオンビームを用いて、少なくとも窒素分子イオンを注入しても良い。そのようにすると、より効果的に表層部６の強度を向上させることができる。
【００６４】
上記のようにしてガラス４の表層部６の改質を行ってその強度を向上させると、ガラス４の表層部６に形成した凹凸曲面構造の耐久性を向上させることができる。
【００６５】
例えば、上記ガラス４を、前述したように太陽電池モジュール（太陽電池パネル）の受光面ガラスとして用いる場合、その表面（即ち表層部６）は風雨、砂塵等に曝されて劣化が起こり、それによって透過率の低下ひいては発電効率の低下等が起こり得るけれども、上記のようにして表層部６の微細曲面構造の耐久性を向上させることによって、上記劣化、透過率の低下ひいては発電効率の低下を抑えることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
この発明は、例えば、太陽電池モジュール（太陽電池パネル）の受光面ガラス、太陽電池セルのガラス基板、光学レンズのような光学機器、フラットパネルディスプレイのような表示装置、そのほか光を利用する装置・機器等に用いられるガラスの反射率を低減することに用いることができる。また、光学レンズ、光学フィルタのような光学機器等に用いられるガラスの紫外線等の透過率を低減すること等にも用いることができる。
【符号の説明】
【００６７】
２  イオンビーム
４  ガラス
６  表層部
８、９  欠陥が多く形成された微小部分
１０  エッチング装置
１４、１５  凹部
【図１】
2013256395.tif 000003
【図２】
2013256395.tif 000004
【図３】
2013256395.tif 000005
【図４】
2013256395.tif 000006
【図５】
2013256395.tif 000007
【図８】
2013256395.tif 000008
【図６】
2013256395.tif 000009
【図７】
2013256395.tif 000010