(57)【要約】【課題】誘電率異方性の値（Δε）が負に大きい液晶性化合物を提供する。【解決手段】式（１）で表される化合物。2013256497.tif 000054［式（１）において、Ｒ1およびＲ2は、水素、ハロゲンまたは炭素数１〜１０のアルキルであり、前記アルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ2−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ2）2−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；環Ａ1および環Ａ2は、１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレン等であり；Ｚ1は、単結合、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であり；Ｙは、ハロゲン、−ＣＦ3、−ＣＦ2Ｈまたは−ＣＨ2Ｆであり；ｍ、ｎおよびｐは、０、１または２であり、ｍ＋ｎは、０、１または２である。］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表される化合物。
【化１】
2013256497.tif 000051
［式（１）において、
Ｒ1およびＲ2は、独立して、水素、ハロゲンまたは炭素数１〜１０のアルキルであり、前記アルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ2−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ2）2−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ1および環Ａ2は、独立して、１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであり、１，４−シクロへキシレンを構成する少なくとも１つの−（ＣＨ2）2−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、１，４−シクロへキシレンを構成する少なくとも１つの
【化２】
2013256497.tif 000052
は
【化３】
2013256497.tif 000053
で置き換えられてもよく、１，４−シクロへキシレンを構成する少なくとも１つの−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＯ−で置き換えられてもよく、これらの環に直接結合する少なくとも１つの水素はハロゲン、−ＣＦ3、−ＣＦ2Ｈまたは−ＣＨ2Ｆで置き換えられてもよく；
Ｚ1は、単結合、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であり；
Ｙは、ハロゲン、−ＣＦ3、−ＣＦ2Ｈまたは−ＣＨ2Ｆであり；
ｍ、ｎおよびｐは、独立して、０、１または２であり、
ｍ＋ｎは、０、１または２である。］
【請求項２】
式（１）において、
Ｒ1およびＲ2が、独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキルまたは炭素数２〜９のアルケニルオキシであり、これらの基において少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ1および環Ａ2が、独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンである；
請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式（１）において、Ｙがフッ素である、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
式（１）において、ｍ＝ｎ＝１である、請求項２または３に記載の化合物。
【請求項５】
式（１）において、ｍ＝０かつｎ＝１である、請求項２または３に記載の化合物。
【請求項６】
式（１）において、ｍ＝ｎ＝ｐ＝０である、請求項２または３に記載の化合物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物の、液晶組成物の含有成分としての使用。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも１種含有する液晶組成物。
【請求項９】
光学活性化合物および重合可能な化合物から選択される少なくとも１種をさらに含有する請求項８に記載の液晶組成物。
【請求項１０】
酸化防止剤および紫外線吸収剤から選択される少なくとも１種をさらに含有する請求項８または９に記載の液晶組成物。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか１項に記載の液晶組成物を含む液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、隣接基としてカルボニル基を有し、負の誘電率異方性の値（Δε）を有する液晶性化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を含む液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子は、パソコンおよびテレビ等のディスプレイに広く利用されている。この素子は、液晶性化合物の光学異方性および誘電率異方性等を利用する。液晶表示素子の動作モードとしては、例えば、ＰＣ（phase change）モード、ＴＮ（twisted nematic）モード、ＳＴＮ（super twisted nematic）モード、ＢＴＮ（bistable twisted nematic）モード、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）モード、ＯＣＢ（opticallycompensated bend）モード、ＩＰＳ（in-plane switching）モード、ＶＡ（vertical alignment）モードおよびＰＳＡ（Polymer sustained alignment）等のモードが知られている。
【０００３】
これらのうち、ＥＣＢモード、ＩＰＳモードおよびＶＡモード等は、液晶分子の垂直配向を利用した動作モードである。特にＩＰＳモードおよびＶＡモードは、ＴＮモードおよびＳＴＮモード等の動作モードの欠点である視野角の狭さを改善できることが知られている。
【０００４】
ＩＰＳモードおよびＶＡモードで動作する液晶表示素子では、負の誘電率異方性を有する液晶組成物が主に用いられる。素子の特性をさらに向上させるには、この液晶組成物に含まれる液晶性化合物が、下記の（１）〜（８）で示す物性を有することが好ましい。
（１）熱・光等に対する高い安定性。
（２）高い透明点。
（３）液晶相の低い下限温度。
（４）小さな粘度（η）。
（５）適切な光学異方性の値（Δｎ）。
（６）大きな負の誘電率異方性の値（Δε）。
（７）適切な弾性定数（Ｋ33：ベンド弾性定数）。
（８）他の液晶性化合物との優れた相溶性。
【０００５】
液晶性化合物の物性が素子の特性に及ぼす効果は、次のとおりである。
（１）のように、熱・光等に対する高い安定性を有する化合物は、素子の電圧保持率を大きくする。これによって、素子の寿命が長くなる。（２）のように、高い透明点を有する化合物は、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（３）のように、ネマチック相またはスメクチック相等の液晶相の低い下限温度、特にネマチック相の低い下限温度を有する化合物も、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（４）のように、小さな粘度を有する化合物は、素子の応答時間を短くする。
【０００６】
（５）のように、適切な光学異方性を有する化合物は、素子のコントラストを向上させる。素子の設計に応じて、大きな光学異方性または小さな光学異方性、すなわち適切な光学異方性を有する化合物が必要である。素子のセルギャップを小さくすることにより応答時間を短くする場合には、大きな光学異方性を有する化合物が適している。（６）のように、大きな負の誘電率異方性を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。これによって、素子の消費電力が小さくなる。
【０００７】
（７）に関しては、大きな弾性定数を有する化合物は、素子の応答時間を短くし；小さな弾性定数を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。したがって、向上させたい特性に応じて適切な弾性定数が必要になる。
【０００８】
（８）のように、他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する化合物が好ましい。これは、異なった物性を有する液晶性化合物を混合して、液晶組成物の物性を調節するからである。
【０００９】
これまでに、大きな誘電率異方性を有する液晶性化合物が種々合成されてきた。これは、（ｉ）従来の化合物にはない優れた物性が新規な化合物には期待されるからであり、また（ii）液晶組成物を調製する際に必要な上述した物性のうち任意の２つの物性の間の適切なバランスが新規な化合物には期待されるからである。
【００１０】
例えば特許文献１に開示があるように、分子内に、フェノール部位と、このフェノール部位のベンゼン環炭素に結合したカルボニル基とを有するフェノール化合物については、これまで報告例がある。しかしながら、これらは負の誘電率異方性の値が比較的小さな化合物に限られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−２１７２８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の課題は、誘電率異方性の値（Δε）が負に大きい液晶性化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を含む液晶表示素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、下記構造を有する液晶性化合物が負に大きな誘電率異方性の値（Δε）を有することを見いだし、本発明を完成するに至った。
【００１４】
すなわち本発明は、式（１）で表される化合物に関する。
【化１】
2013256497.tif 000002
［式（１）において、Ｒ1およびＲ2は、独立して、水素、ハロゲンまたは炭素数１〜１０のアルキルであり、前記アルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ2−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ2）2−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；環Ａ1および環Ａ2は、独立して、１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであり、１，４−シクロへキシレンを構成する少なくとも１つの−（ＣＨ2）2−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、１，４−シクロへキシレンを構成する少なくとも１つの
【化２】
2013256497.tif 000003
は
【化３】
2013256497.tif 000004
で置き換えられてもよく、１，４−シクロへキシレンを構成する少なくとも１つの−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＯ−で置き換えられてもよく、これらの環に直接結合する少なくとも１つの水素はハロゲン、−ＣＦ3、−ＣＦ2Ｈまたは−ＣＨ2Ｆで置き換えられてもよく；
Ｚ1は、単結合、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であり；Ｙは、ハロゲン、−ＣＦ3、−ＣＦ2Ｈまたは−ＣＨ2Ｆであり；ｍ、ｎおよびｐは、独立して、０、１または２であり、ｍ＋ｎは、０、１または２である。］
【００１５】
式（１）において、Ｒ1およびＲ2は、独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキルまたは炭素数２〜９のアルケニルオキシであり、これらの基において少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；環Ａ1および環Ａ2は、独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであることが好ましい。
【００１６】
式（１）において、Ｙはフッ素であることが好ましい。また、式（１）において、ｍ＝ｎ＝１であるか、ｍ＝０かつｎ＝１であるか、またはｍ＝ｎ＝ｐ＝０であることが好ましい。
【００１７】
また、本発明は、式（１）で表される化合物の、液晶組成物の含有成分としての使用に関する。また、本発明は、式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有する液晶組成物に関し、前記液晶組成物は、光学活性化合物および重合可能な化合物から選択される少なくとも１種をさらに含有することが好ましく、また、酸化防止剤および紫外線吸収剤から選択される少なくとも１種をさらに含有することが好ましい。また、本発明は、上記液晶組成物を含む液晶表示素子に関する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、誘電率異方性の値（Δε）が負に大きい液晶性化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を含む液晶表示素子が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の誘電率異方性の値（Δε）が負に大きい液晶性化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を含む液晶表示素子について、具体例を示しながら詳細に説明する。
【００２０】
本明細書における用語の使い方は、次のとおりである。
「液晶性化合物」は、ネマチック相またはスメクチック相等の液晶相を有する化合物、および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。
「液晶表示素子」は、液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。
「液晶表示素子」を、「表示素子」または「素子」と略すことがある。
【００２１】
「透明点」は、液晶性化合物そのものを試料として測定される物性値であって、液晶性化合物における液晶相（例：ネマチック相、スメクチック相）−等方相の相転移温度である。
【００２２】
「液晶相の下限温度」は、液晶性化合物そのものを試料として測定される物性値であって、液晶性化合物における結晶相−液晶相（例：ネマチック相、スメクチック相）の相転移温度である。
【００２３】
「ネマチック相の上限温度」は、液晶組成物におけるネマチック相−等方相の相転移温度、または液晶性化合物と母液晶との混合物の測定値から外挿法により算出される（当該液晶性化合物における）ネマチック相−等方相の相転移温度であり、「上限温度」と略すことがある。
【００２４】
「ネマチック相の下限温度」は、液晶組成物におけるネマチック相−結晶相もしくはネマチック相−スメクチック相の相転移温度、または液晶性化合物と母液晶との混合物の測定値から外挿法により算出される（当該液晶性化合物における）ネマチック相−結晶相もしくはネマチック相−スメクチック相の相転移温度であり、「下限温度」と略すことがある。
【００２５】
式（ｉ）で表される化合物（ｉは式番号を示す。）を、「化合物（ｉ）」と略すことがある。式（１）の説明において、環Ａ1〜環Ａ2を総称して単に「環Ａ」ということがある。各式の説明において、六角形で囲まれたＡ1、Ｂ1およびＣ1等の記号は、それぞれ環Ａ1、環Ｂ1および環Ｃ1等に対応する。
各式の説明において「ハロゲン」は、好ましくはフッ素または塩素である。
【００２６】
各式の説明において「少なくとも１つの“Ａ”は“Ｂ”で置き換えられてもよい」の表現は、“Ａ”が１つのとき、“Ａ”の位置は任意であり、“Ａ”の数が２つ以上のときも、それらの位置は制限なく選択できることを意味する。
【００２７】
例えば、「少なくとも１つの“Ａ”が、“Ｂ”、“Ｃ”または“Ｄ”で置き換えられてもよい」という表現は、任意の“Ａ”が“Ｂ”で置き換えられる場合、任意の“Ａ”が“Ｃ”で置き換えられる場合、および任意の“Ａ”が“Ｄ”で置き換えられる場合、さらに複数の“Ａ”が“Ｂ”、“Ｃ”および“Ｄ”の少なくとも２つで置き換えられる場合を含む。
【００２８】
具体的には、「少なくとも１つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ2）2−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよいアルキル」には、アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニル、アルケニルオキシ、アルコキシアルケニルおよびアルケニルオキシアルキルが含まれる。
【００２９】
なお、本発明の液晶性化合物では、化合物の安定性を考慮して、アルキル等における連続する２つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き換えられて、−Ｏ−Ｏ−等の基になることは好ましくない。また、アルキル等における末端のメチル部分（−ＣＨ2−Ｈ）の−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き換えられて、−Ｏ−Ｈになることも好ましくない。
【００３０】
式（１）の説明において、２−フルオロ−１，４−フェニレンは、下記の２つの二価の基を意味する。すなわち、２−フルオロ−１，４−フェニレンの向きはいずれでもよい。
【００３１】
【化４】
2013256497.tif 000005
【００３２】
例えば、環Ａ1が２−フルオロ−１，４−フェニレンの場合、式（１）は下記（ａ），（ｂ）のいずれであってもよい。このルールは、式（１）中の環Ａ1〜環Ａ2や、後述する式（２）〜（７）中の環Ｂ1〜環Ｂ4、式（８）〜（１０）中の環Ｃ1〜環Ｃ3の説明において、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル等の左右非対称の二価の基にも適用される。
【００３３】
【化５】
2013256497.tif 000006
【００３４】
１．液晶性化合物
１−１．液晶性化合物の構造
本発明の液晶性化合物は、式（１）で表される。
【００３５】
【化６】
2013256497.tif 000007
【００３６】
以下、式（１）中の末端基Ｒ1およびＲ2、環Ａ1および環Ａ2、結合基Ｚ1、ベンゼン環上の置換基Ｙ、ならびに繰返し数ｍ、ｎおよびｐについて説明する。物性に大きな差異がないので、化合物（１）は、2Ｈ（重水素）および13Ｃ等の同位体を天然存在比の量より多く含んでもよい。
【００３７】
〈末端基Ｒ1およびＲ2〉
式（１）において、Ｒ1およびＲ2は、独立して、水素、ハロゲンまたは炭素数１〜１０のアルキルである。前記アルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ2−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ2）2−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよい。以下、前記アルキルにおいてこれらの置き換えがなされた基を「置換アルキル」ともいう。
【００３８】
置換アルキルとしては、例えば、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニル、アルケニルオキシ、アルコキシアルケニルおよびアルケニルオキシアルキル、ならびにアルキルおよび本段落例示の基が有する少なくとも１つの水素をハロゲンで置き換えた基（ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アルコキシ、ハロゲン化アルコキシアルキル、ハロゲン化アルケニル、ハロゲン化アルケニルオキシ、ハロゲン化アルコキシアルケニル、ハロゲン化アルケニルオキシアルキル）が挙げられる。
【００３９】
アルキルの炭素数は、通常１〜１０であり、好ましくは１〜５である。アルキルの具体例としては、−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−Ｃ3Ｈ7、−Ｃ4Ｈ9、−Ｃ5Ｈ11、−Ｃ6Ｈ13および−Ｃ7Ｈ15が挙げられ、−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−Ｃ3Ｈ7、−Ｃ4Ｈ9および−Ｃ5Ｈ11が好ましい。
【００４０】
アルコキシの炭素数は、通常１〜９であり、好ましくは１〜５である。アルコキシの具体例として、−ＯＣＨ3、−ＯＣ2Ｈ5、−ＯＣ3Ｈ7、−ＯＣ4Ｈ9、−ＯＣ5Ｈ11および−ＯＣ6Ｈ13が挙げられ、−ＯＣＨ3、−ＯＣ2Ｈ5、−ＯＣ3Ｈ7、−ＯＣ4Ｈ9および−ＯＣ5Ｈ11が好ましい。
【００４１】
アルコキシアルキルの炭素数は、通常２〜９であり、好ましくは２〜５である。アルコキシアルキルの具体例としては、−ＣＨ2ＯＣＨ3、−ＣＨ2ＯＣ2Ｈ5、−ＣＨ2ＯＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）2ＯＣＨ3、−（ＣＨ2）2ＯＣ2Ｈ5、−（ＣＨ2）2ＯＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）3ＯＣＨ3、−（ＣＨ2）4ＯＣＨ3および−（ＣＨ2）5ＯＣＨ3が挙げられ、−ＣＨ2ＯＣＨ3、−（ＣＨ2）2ＯＣＨ3および−（ＣＨ2）3ＯＣＨ3が好ましい。
【００４２】
アルケニルの炭素数は、通常２〜１０であり、好ましくは２〜７である。アルケニルの具体例としては、−ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、−（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5および−（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7が挙げられ、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨ2、−（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、−（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7が好ましい。
【００４３】
アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。−ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、−ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3および−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5等の奇数位に二重結合を有するアルケニルにおいては、トランス配置が好ましい。−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7および−（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨ2等の偶数位に二重結合を有するアルケニルにおいては、シス配置が好ましい。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、液晶相の広い温度範囲、小さな粘度、および大きな弾性定数（Ｋ33：ベンド弾性定数）を有する。
【００４４】
アルケニルオキシの炭素数は、通常２〜９であり、好ましくは２〜５である。アルケニルオキシの具体例としては、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、および−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5が挙げられる。
【００４５】
Ｒ1やＲ2として列挙されるアルキルおよび置換アルキルは、直鎖または分岐鎖の基であり、シクロヘキシル等の環状基を含まない。アルキルおよび置換アルキルは、分岐鎖よりも直鎖の方が好ましい。
【００４６】
Ｒ1またはＲ2が直鎖であるときは、化合物（１）は液晶相の温度範囲が広く、そして粘度が小さい。Ｒ1またはＲ2が分岐鎖であるときは、化合物（１）は他の液晶性化合物との相溶性が向上する。Ｒ1が光学活性基である化合物は、キラルドーパントとして有用である。この化合物を液晶組成物に添加することによって、液晶表示素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（reverse twisted domain）を防止することができる。Ｒ1が光学活性基でない化合物は、液晶組成物の成分として有用である。
【００４７】
Ｒ1およびＲ2は、独立して、水素、アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニル、アルケニルオキシ、またはこれらの基において少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた基であることが好ましく；独立して、アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキルまたはアルケニルであることがより好ましく；独立して、アルキル、アルコキシまたはアルケニルであることがさらに好ましく；独立して、−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−Ｃ3Ｈ7、−ＯＣＨ3、−ＯＣ2Ｈ5、−ＯＣ3Ｈ7、−ＯＣ4Ｈ9、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3および−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7が特に好ましい。
【００４８】
Ｒ1およびＲ2は、同一ではないことが好ましい。Ｒ1およびＲ2が同一でなければ、化合物（１）が液晶相を発現しやすく、液晶組成物に対する化合物（１）の溶解性が高くなる傾向にある。また、Ｒ1およびＲ2のいずれか一方が水素以外の基であることが好ましく、Ｒ1およびＲ2の双方が水素以外の基であることがより好ましい。
【００４９】
〈環Ａ1および環Ａ2〉
式（１）において、環Ａ1および環Ａ2は、独立して、１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンである。１，４−シクロへキシレンを構成する少なくとも１つの−（ＣＨ2）2−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、１，４−シクロへキシレンを構成する少なくとも１つの
【化７】
2013256497.tif 000008
は
【化８】
2013256497.tif 000009
で置き換えられてもよく、１，４−シクロへキシレンを構成する少なくとも１つの−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＯ−で置き換えられてもよく、これらの環に直接結合する少なくとも１つの水素はハロゲン、−ＣＦ3、−ＣＦ2Ｈまたは−ＣＨ2Ｆで置き換えられてもよい。
【００５０】
１，４−シクロへキシレンにおいて、少なくとも１つの−（ＣＨ2）2−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた環、少なくとも１つの
【化９】
2013256497.tif 000010
が
【化１０】
2013256497.tif 000011
で置き換えられた基、および少なくとも１の−ＣＨ2−が−Ｏ−または−ＣＯ−で置き換えられた環としては、例えば、式（１１−１）〜式（１１−８）で表される環が挙げられる。これらの中でも、式（１１−１）、式（１１−２）、式（１１−７）または式（１１−８）で表される環が好ましい。
【００５１】
【化１１】
2013256497.tif 000012
【００５２】
上記環において、少なくとも１つの水素がハロゲン、−ＣＦ3、−ＣＦ2Ｈまたは−ＣＨ2Ｆで置き換えられた環としては、例えば、式（１２−１）〜（１２−１８）で表される環が挙げられる。これらの中でも、式（１２−１）、式（１２−２）、式（１２−３）、式（１２−１０）、式（１２−１１）、式（１２−１２）、式（１２−１３）、式（１２−１４）または式（１２−１５）で表される環が好ましく、式（１２−１）、式（１２−２）または式（１２−３）で表される環がより好ましい。
【００５３】
【化１２】
2013256497.tif 000013
【００５４】
環Ａ1および環Ａ2は、独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであることが好ましく；独立して、１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであることがより好ましい。１，４−シクロへキシレンには、シスおよびトランスの立体配置が存在する。高い上限温度の観点から、トランス配置が好ましい。
【００５５】
環Ａ1および環Ａ2の少なくとも１つが１，４−シクロヘキシレンであるときは、化合物（１）は粘度が小さい。この化合物を添加することにより、液晶組成物の粘度を小さくすることができる。
【００５６】
環Ａ1および環Ａ2の少なくとも１つが１，４−フェニレンであるときは、化合物（１）は光学異方性が大きくなる傾向にある。この化合物を添加することにより、液晶組成物の光学異方性を大きくすることができる。
【００５７】
環Ａ1および環Ａ2の少なくとも１つが２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであるときは、化合物（１）は誘電率異方性が負に大きい。この化合物を添加することにより、液晶組成物の誘電率異方性を負に大きくすることができる。
【００５８】
〈ベンゼン環上の置換基Ｙ〉
式（１）において、Ｙは、ハロゲン、−ＣＦ3、−ＣＦ2Ｈまたは−ＣＨ2Ｆである。Ｙは、双極子モーメントの観点から、好ましくはフッ素、−ＣＦ3、または−ＣＦ2Ｈであり、分子の短軸方向への広がりを小さくする観点から、特に好ましくはフッ素である。
【００５９】
〈結合基Ｚ1〉
式（１）において、Ｚ1は、単結合、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−である。
【００６０】
Ｚ1が単結合である化合物は、粘度が小さいので好ましい。Ｚ1が−（ＣＨ2）2−、−ＣＦ2Ｏ−または−ＯＣＦ2−である化合物は、粘度が小さいので好ましい。Ｚ1が−ＣＨ2Ｏ−または−ＯＣＨ2−である化合物は、誘電率異方性が負に大きいので好ましい。Ｚ1が−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−である化合物は、上限温度が高いので好ましい。
【００６１】
Ｚ1は、化合物（１）の安定性を考慮すると、単結合、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ2Ｏ−または−ＯＣＨ2−が好ましく、単結合または−（ＣＨ2）2−がさらに好ましく、単結合が特に好ましい。
【００６２】
〈繰返し数ｍ、ｎおよびｐ〉
式（１）において、ｍ、ｎおよびｐは、独立して、０、１または２であり、ｍおよびｎの和（ｍ＋ｎ）は、０、１または２である。ｍおよびｎの和が０であるときは、化合物（１）は粘度が小さい。ｍおよびｎの和が２であるときは、化合物（１）は上限温度が高い。ｐが０であるときは、化合物（１）は粘度が小さい。ｐが２であるときは、化合物（１）は透明点が高い傾向にある。
【００６３】
１−２．液晶性化合物の好適例
本発明の化合物（１）としては、式（１−１）で表される化合物（式（１）中、ｍ＝ｎ＝１）、式（１−２）で表される化合物（式（１）中、ｍ＝０かつｎ＝１）、式（１−３）で表される化合物（式（１）中、ｍ＝ｎ＝ｐ＝０）がより好ましい。
【００６４】
【化１３】
2013256497.tif 000014
【００６５】
式（１−１）〜式（１−３）において、Ｒ1およびＲ2は、独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキルまたは炭素数２〜９のアルケニルオキシであり、これらの基において少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；環Ａ1および環Ａ2は、独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ1、Ｙおよびｐは、式（１）中の同一記号と同義である。これらのＲ1、Ｒ2、環Ａ1、環Ａ2、Ｚ1、Ｙおよびｐのさらに好ましい態様は、「１−１．液晶性化合物の構造」の各欄にて示したとおりである。
【００６６】
１−３．液晶性化合物の物性
本発明の化合物（１）は、分子内に、フェノール部位と、このフェノール部位のベンゼン環炭素に結合したカルボニル基と、分子短軸方向を向いたフェノール性水酸基および極性基Ｙとを同時に有する。ここで、カルボニル基は前記フェノール部位の２位のベンゼン環炭素に結合しているので、このカルボニル基の酸素原子とフェノール性水酸基の水素原子とで分子内水素結合が形成され、その結果、カルボニル基とフェノール性水酸基および極性基Ｙとは同一の分子単軸方向を向いている。化合物（１）は、このような構造を有するため、大きな負の誘電率異方性、適切な光学異方性および適切な弾性定数Ｋ33を有する。
【００６７】
また、本発明の化合物（１）は、液晶性化合物として必要な一般的物性、具体的には、熱・光に対する高い安定性、高い透明点・上限温度、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有し、優れた物性バランスを有する液晶性化合物である。
【００６８】
本発明の化合物（１）を含有する液晶組成物は、高い上限温度、低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、大きな負の誘電率異方性、および適切な弾性定数を有する。この液晶組成物は、液晶表示素子が通常使用される条件下で安定である。また、低温でこの液晶組成物を保管しても、本発明の化合物（１）が結晶またはスメクチック相として析出することはない。したがって、本発明の化合物（１）は、液晶組成物の含有成分として、特にＩＰＳモード、ＶＡモードまたはＰＳＡモード等の動作モードの液晶表示素子に用いる液晶組成物の含有成分として好ましく使用することができる。
【００６９】
１−４．液晶性化合物の合成
本発明の化合物（１）の合成法について説明する。化合物（１）は、有機合成化学の方法を適切に組み合わせることにより合成することができる。出発物質に目的の末端基Ｒ1およびＲ2、環Ａ1および環Ａ2、ならびに結合基Ｚ1等を導入する方法は、「オーガニックシンセシス」（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、「オーガニック・リアクションズ」（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、「コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス」（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、「新実験化学講座」（丸善）等の成書に記載されている。
【００７０】
１−４−１．結合基Ｚ1等の生成
本発明の化合物（１）中の結合基Ｚ1等を生成する方法の例は、以下のスキームに示す。このスキームにおいて、ＭＳＧ1またはＭＳＧ2は、少なくとも１つの環を有する一価の有機基である。複数のＭＳＧ1またはＭＳＧ2が表す一価の有機基は、同一であってもよく、異なってもよい。化合物（１Ａ）〜（１Ｅ）は、本発明の化合物（１）に相当する。
【００７１】
【化１４】
2013256497.tif 000015
【００７２】
（１）−（ＣＨ2）2−の生成
有機ハロゲン化合物（ａ１）を、ｎ−ブチルリチウムまたはマグネシウムと反応させて得られた中間体を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のホルムアミドと反応させて、アルデヒド（ａ２）を得る。アルデヒド（ａ２）と、ホスホニウム塩（ａ３）をカリウムｔ−ブトキシド等の塩基で処理して得られるリンイリドとを反応させて、二重結合を有する化合物（ａ４）を得る。化合物（ａ４）を炭素担持パラジウム（Ｐｄ／Ｃ）等の触媒の存在下で水素化することにより、−（ＣＨ2）2−を有する化合物（１Ａ）を合成する。
【００７３】
（２）単結合の生成
有機ハロゲン化合物（ａ１）とｎ−ブチルリチウムまたはマグネシウムとを反応させて、リチウム塩またはグリニャール試薬を調製する。このリチウム塩またはグリニャール試薬と、ホウ酸トリメチル等のホウ酸エステルとを反応させ、塩酸等の酸の存在下で加水分解することにより、ジヒドロキシボラン（ａ５）を得る。ジヒドロキシボラン（ａ５）と有機ハロゲン化合物（ａ６）とを、炭酸塩水溶液中、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ3）4）触媒の存在下で反応させることにより、化合物（１Ｂ）を合成する。
【００７４】
次の方法も利用できる。有機ハロゲン化合物（ａ６）にｎ−ブチルリチウムを反応させ、さらに塩化亜鉛を反応させる。得られた中間体と有機ハロゲン化合物（ａ１）とを、ビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム（ＰｄＣｌ2（ＰＰｈ3）2）触媒の存在下で反応させることにより、化合物（１Ｂ）を合成する。
【００７５】
（３）−ＣＨ2Ｏ−または−ＯＣＨ2−の生成
ジヒドロキシボラン（ａ５）を過酸化水素等の酸化剤により酸化し、水酸基含有化合物（ａ７）を得る。別途、アルデヒド（ａ２）を水素化ホウ素ナトリウム等の還元剤で還元してアルコール（ａ８）を得る。アルコール（ａ８）を臭化水素酸等でハロゲン化してハロゲン化物（ａ９）を得る。ハロゲン化物（ａ９）と先に得られた水酸基含有化合物（ａ７）とを、炭酸カリウム等の存在下で反応させることにより、−ＣＨ2Ｏ−を有する化合物（１Ｃ）を合成する。この方法によって−ＯＣＨ2−を有する化合物も合成することができる。
【００７６】
（４）−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−の生成
有機ハロゲン化合物（ａ６）にｎ−ブチルリチウムを、続いて二酸化炭素を反応させてカルボン酸（ａ１０）を得る。カルボン酸（ａ１０）と水酸基含有化合物（ａ１１）とを、ＤＣＣ（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）およびＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で脱水させて、−ＣＯＯ−を有する化合物（１Ｄ）を合成する。この方法によって−ＯＣＯ−を有する化合物も合成することができる。
【００７７】
（５）−ＣＦ2Ｏ−または−ＯＣＦ2−の生成
化合物（１Ｄ）をローソン試薬等の硫黄化剤で処理して化合物（ａ１２）を得る。化合物（ａ１２）をフッ化水素ピリジン錯体およびＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）でフッ素化して、−ＣＦ2Ｏ−を有する化合物（１Ｅ）を合成する。M. Kuroboshi et al., Chem. Lett., 1992，827.を参照。化合物（１Ｅ）は、化合物（ａ１２）を（ジエチルアミノ）サルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）でフッ素化しても合成することができる。W.H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照。この方法によって−ＯＣＦ2−を有する化合物を合成することもできる。Peer. Kirsch et al., Angew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.に記載の方法によって、これらの結合基を生成させることも可能である。
【００７８】
１−４−２．合成スキーム
本発明の化合物（１）の合成方法の例を、以下のスキームに示す。
【００７９】
【化１５】
2013256497.tif 000016
上記スキーム中、Ｒ1、環Ａ1、環Ａ2、Ｚ1、Ｙ、ｍ、ｎおよびｐは、式（１）中の同一記号と同義であり；Ｒ2はアルコキシである。
【００８０】
本発明の化合物（１）の合成方法は、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒中、炭酸カリウムおよびテトラブチルアンモニウムブロミド（ＴＢＡＢ）触媒の存在下、室温でヨウ化アルキルによりフェノール（ｂ１）を処理してエーテル化し、化合物（ｂ２）を得る工程；テトラヒドロフラン溶媒中、−７０℃以下の低温でｓ−ブチルリチウムにより化合物（ｂ２）を処理した後、トリメトキシホウ素を加え、室温まで昇温し、酢酸および過酸化水素により処理して、フェノール（ｂ３）を得る工程；テトラヒドロフラン溶媒中、０℃から室温で水素化ナトリウムおよびクロロメチルメチルエーテルを用いてフェノール（ｂ３）の水酸基を保護し、化合物（ｂ４）を得る工程；テトラヒドロフラン溶媒中、−７０℃以下の低温でｓ−ブチルリチウムにより化合物（ｂ４）を処理した後、アルデヒド（ｂ５）を反応させて、アルコール（ｂ６）を得る工程；ジクロロメタン溶媒中、室温でデスマーチンペルヨージナン（ＤＭＰ）によりアルコール（ｂ６）を酸化して、ケトン（ｂ７）を得る工程；２Ｎ−塩酸を用いてケトン（ｂ７）のフェノール性水酸基の保護基を外すことによって、本発明の化合物（１）を得る工程；を有する。
【００８１】
式（１）においてＲ2がアルコキシ以外の他の基である場合や、その他の場合等についても、有機合成化学の方法を適切に組み合わせることにより合成することができる。
【００８２】
２．液晶組成物
本発明の液晶組成物は、本発明の化合物（１）を成分Ａとして含有する。本発明の液晶組成物は、化合物（１）を１種のみ含有してもよく、化合物（１）を２種以上含有してもよい。また、本発明の液晶組成物は、液晶性化合物の成分として２種以上の化合物（１）のみ含有してもよく、液晶性化合物の成分として化合物（１）と本明細書中に記載しなかった種々の液晶性化合物とを含有してもよい。
【００８３】
本発明の液晶組成物は、液晶組成物の全質量に対して、成分Ａを１〜９９質量％の割合で含有することが好ましく、成分Ａの含有量は、さらに好ましくは３〜６０質量％であり、特に好ましくは５〜２０質量％である。成分Ａの含有量が前記範囲にあると、液晶組成物の優良な特性（例：液晶相の温度範囲、誘電率異方性の値、光学異方性の値、粘度）を発現させる点で好ましい。
【００８４】
本発明の液晶組成物は、成分Ｂおよび成分Ｃから選択される少なくとも１種の化合物を含有することが好ましい。成分Ｂは、後述する式（２）〜（７）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物である。成分Ｃは、後述する式（８）〜（１０）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物である。
【００８５】
本発明の液晶組成物は、用途に応じて、光学活性化合物および重合可能な化合物の群から選択される少なくとも１種をさらに含有してもよく、酸化防止剤および紫外線吸収剤の群から選択される少なくとも１種をさらに含有してもよい。
【００８６】
２−１．成分Ｂ（化合物（２）〜（７））
本発明の液晶組成物は、式（２）〜（７）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物（成分Ｂ）を含有してもよい。成分Ｂは、負の誘電率異方性を有し、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンのように、ラテラル位が２つのハロゲンで置き換えられたベンゼン環を有する。
【００８７】
成分Ｂを添加することにより、液晶組成物の弾性定数を調整し、素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。成分Ｂは、主としてＩＰＳモード、ＶＡモードまたはＰＳＡモード用途等の液晶組成物を調製する場合に用いられる。
【００８８】
【化１６】
2013256497.tif 000017
【００８９】
式（２）〜（７）において、各記号の意味は以下のとおりである。
Ｒ3およびＲ4は、独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、前記アルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ2−は−Ｏ−で置き換えられてもよい。
【００９０】
環Ｂ1、環Ｂ2、環Ｂ3および環Ｂ4は、独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロ−２，６−ナフタレンであり、前記１，４−フェニレンにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。
【００９１】
Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4およびＺ5は、独立して、−（ＣＨ2）2−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＯＣＦ2（ＣＨ2）2−または単結合である。
Ｌ1およびＬ2は、独立して、フッ素または塩素である。
ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕおよびｖは、独立して０または１である。
ｒ、ｓ、ｔおよびｕの和は、１または２である。
【００９２】
化合物（２）は、二環化合物であるので、主として粘度、誘電率異方性または光学異方性の調整の効果がある。化合物（３）および化合物（４）は、三環化合物であるので、上限温度を高くする、誘電率異方性を大きくする、または光学的異方性を大きくする等の効果がある。化合物（５）〜（７）は、誘電率異方性を大きくする等の効果がある。
【００９３】
成分Ｂの含有量を増加させると、液晶組成物の誘電率異方性が大きくなるが、粘度が大きくなるので、液晶組成物の誘電率異方性の要求を充たす限り、その含有量を少なくすることが好ましい。しかしながら、成分Ｂの誘電率異方性の絶対値は５程度である。したがって、充分な電圧駆動をさせるには、成分Ｂの含有量は、液晶組成物の全質量に対して、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは５０〜９５質量％である。この場合、成分Ａの含有量は、液晶組成物の全質量に対して、２〜４０質量％であることが好ましい。成分Ｂの含有量が前記範囲にある液晶組成物は、ＩＰＳモード、ＶＡモードまたはＰＳＡモード用途等の液晶組成物として好ましい。
【００９４】
一方、成分Ｂを誘電率異方性の値が正の液晶組成物に混合する場合は、その含有量は、液晶組成物の全質量に対して、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下である。
【００９５】
２−２．成分Ｃ（化合物（８）〜（１０））
本発明の液晶組成物は、式（８）〜（１０）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物（成分Ｃ）を含有してもよい。成分Ｃは、２つの末端基がアルキル等であり、誘電率異方性の絶対値が小さいので、中性に近い化合物である。成分Ｃを用いることにより、しきい値電圧、液晶相の温度範囲、誘電率異方性の値、光学異方性の値、および粘度等を調整することができる。
【００９６】
【化１７】
2013256497.tif 000018
【００９７】
式（８）〜（１０）において、各記号の意味は以下のとおりである。
Ｒ5およびＲ6は、独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、前記アルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ2−は−Ｏ−で置き換えられてもよい。
【００９８】
環Ｃ1、環Ｃ2および環Ｃ3は、独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。
【００９９】
Ｚ6およびＺ7は、独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合である。
【０１００】
化合物（８）は、主として粘度または光学異方性を調整する効果がある。化合物（９）および化合物（１０）は、上限温度を高くする等のネマチック相の温度範囲を広げる効果、または光学異方性を調整する効果がある。
【０１０１】
成分Ｃの含有量を増加させると、液晶組成物の粘度が小さくなるが、液晶組成物の誘電率異方性が小さくなるので、液晶組成物の誘電率異方性の要求を充たす限り、その含有量を多くすることが好ましい。
【０１０２】
例えばＩＰＳモード、ＶＡモードまたはＰＳＡモード用途等の液晶組成物を調製する場合、成分Ｃの含有量は、液晶組成物の全質量に対して、好ましくは３０質量％以上、より好ましくは４０質量％以上である。この場合、成分Ａの含有量は、液晶組成物の全質量に対して、１〜４０質量％であることが好ましい。
【０１０３】
２−３．成分Ｂ〜成分Ｃの具体例の例示
成分Ｂのうち、式（２）〜（７）で表される化合物の好適例として、それぞれ式（２−１）〜（２−６）、式（３−１）〜（３−１５）、式（４−１）、式（５−１）〜（５−３）、式（６−１）〜（６−１１）、および式（７−１）〜（７−１０）で表される化合物が挙げられる。
【０１０４】
【化１８】
2013256497.tif 000019
【０１０５】
【化１９】
2013256497.tif 000020
式中、Ｒ3およびＲ4は、式（２）〜（７）中の同一記号と同義である。
【０１０６】
成分Ｃのうち、式（８）〜（１０）で表される化合物の好適例として、それぞれ式（８−１）〜（８−１１）、式（９−１）〜（９−１９）、および式（１０−１）〜（１０−６）で表される化合物が挙げられる。
【０１０７】
【化２０】
2013256497.tif 000021
【０１０８】
【化２１】
2013256497.tif 000022
式中、Ｒ5およびＲ6は、式（８）〜（１０）中の同一記号と同義である。
【０１０９】
２−４．光学活性化合物
本発明の液晶組成物は、光学活性化合物を１種または２種以上含有してもよい。光学活性化合物として、公知のキラルド−プ剤が挙げられる。このキラルド−プ剤は、液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与えることによって逆ねじれを防ぐ等の効果を有する。キラルド−プ剤としては、例えば、式（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１３）で表される光学活性化合物が挙げられる。
【０１１０】
【化２２】
2013256497.tif 000023
【０１１１】
本発明の液晶組成物に光学活性化合物を添加することにより、らせんのピッチを調整することができる。らせんのピッチは、ＴＦＴモードおよびＴＮモード用途の液晶組成物であれば４０〜２００μｍの範囲に調整することが好ましく；ＳＴＮモード用途の液晶組成物であれば６〜２０μｍの範囲に調整することが好ましく；ＢＴＮモード用途の液晶組成物であれば１．５〜４μｍの範囲に調整することが好ましい。また、ピッチの温度依存性を調整する目的で、２種以上の光学活性化合物を添加してもよい。
【０１１２】
２−５．重合可能な化合物
本発明の液晶組成物は、重合可能な化合物（ただし、上述した成分Ａ〜成分Ｃに該当する化合物を除く。）を１種または２種以上添加して、ＰＳＡモード用途の液晶組成物として使用することもできる。また、重合可能な化合物を添加する場合、重合開始剤を用いることが好ましい。これらの場合、重合可能な化合物の含有量は、液晶組成物の全質量に対して、０．１〜２質量％であることが好ましい。
【０１１３】
重合可能な化合物としては、例えば、アクリレート化合物、メタクリレート化合物、ビニル化合物、ビニルオキシ化合物、プロペニルエーテル化合物、オキシラン環含有化合物、オキセタン環含有化合物、ビニルケトン化合物等の重合可能な基を有する化合物が挙げられる。重合可能な化合物は、好ましくは光重合開始剤等の適切な重合開始剤の存在下で、ＵＶ照射等により重合する。
【０１１４】
重合のための適切な条件、重合開始剤の適切な種類および適切な量は、当業者には既知であり、各文献に記載されている。例えば光重合開始剤であるIrgacure 651（登録商標；ＢＡＳＦ）、Irgacure 184（登録商標；ＢＡＳＦ）、またはDarocure 1173（登録商標；ＢＡＳＦ）が、ラジカル重合に対して適切である。
【０１１５】
２−６．酸化防止剤および紫外線吸収剤
本発明の液晶組成物は、酸化防止剤および紫外線吸収剤の群から選択される少なくとも１種をさらに含有してもよい。酸化防止剤は、大きな電圧保持率を維持するために有効な成分である。酸化防止剤としては、例えば、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−アルキルフェノール等のフェノール系酸化防止剤が挙げられる。紫外線吸収剤は、上限温度の低下を防ぐために有効な成分である。紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体が挙げられ、立体障害のあるアミン等の光安定剤もまた好ましい。
【０１１６】
２−７．その他の成分
本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系等の二色性色素などの染料を添加して、ＧＨ（guest host）モード用途の液晶組成物として使用することもできる。
【０１１７】
２−８．液晶組成物の調製方法およびその特性
本発明の液晶組成物を調製する場合、例えば、成分Ａの誘電率異方性の値を考慮して各種成分を選択することができる。本発明の液晶組成物は、高い上限温度、低い下限温度、小さな粘度、大きな負の誘電率異方性、適切な光学異方性、および適切な弾性定数を有する。ここで「適切な」とは、本発明の液晶組成物を含む液晶表示素子の動作モードに応じて、例えば、光学異方性および弾性定数の好適範囲が適宜決定されることを意味する。
【０１１８】
本発明では、含有成分の種類および割合を適切に調整することによって、上限温度が７０℃以上であり、かつ下限温度が−１０℃以下である液晶組成物、すなわちネマチック相の温度範囲が広い液晶組成物を調製することができる。したがって、この液晶組成物を含む液晶表示素子は、広い温度範囲で使用することができる。
【０１１９】
本発明では、含有成分の種類および割合を適切に調整することによって、光学異方性の値が０．１０〜０．１３の範囲または０．０５〜０．１８の範囲にある液晶組成物を調製することができる。
【０１２０】
同様にして、誘電率異方性の値が通常−５．０〜−２．０の範囲、好ましくは−４．５〜−２．５の範囲にある液晶組成物を調製することができる。この範囲の誘電率異方性を有する液晶組成物は、ＩＰＳモード、ＶＡモードまたはＰＳＡモードで動作する液晶表示素子に好適に使用することができる。
【０１２１】
液晶組成物の調製は、公知の方法、例えば必要な成分を高温度下で溶解させる方法等により、一般に調製される。また、用途に応じて当業者によく知られている添加物（例：光学活性化合物、重合可能な化合物、重合開始剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、染料）を添加して、各種モード用途の液晶組成物を調製することができる。添加物は当業者によく知られており、上述した化合物の他、各種文献に詳細に記載されている。
【０１２２】
３．液晶表示素子
本発明の液晶表示素子は、本発明の液晶組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する。
【０１２３】
本発明の液晶組成物は、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、ＶＡモード、ＰＳＡモード等の動作モードを有し、アクティブマトリックス（ＡＭ方式）で駆動する液晶表示素子に使用できる。また、本発明の液晶組成物は、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、ＶＡモード等の動作モードを有し、パッシブマトリクス（ＰＭ）方式で駆動する液晶表示素子にも使用することができる。これらのＡＭ方式およびＰＭ方式の素子は、反射型、透過型および半透過型のいずれのタイプにも適用することができる。
【０１２４】
本発明の液晶組成物は、負の誘電率異方性を有するので、ＩＰＳモード、ＶＡモードまたはＰＳＡモード等の動作モードを有し、ＡＭ方式で駆動する液晶表示素子に好ましく用いることができ、ＶＡモードを有し、ＡＭ方式で駆動する液晶表示素子に特に好ましく用いることができる。
【０１２５】
本発明の液晶組成物は、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子、液晶中に三次元網目状高分子を形成して作製したポリマ−分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）、ポリマーネットワーク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）にも用いることができる。
【０１２６】
ＴＮモードおよびＶＡモード等で動作する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して垂直である。一方、ＩＰＳモード等で動作する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して平行である。ＶＡモードで動作する液晶表示素子の構造は、K. Ohmuro, S. Kataoka, T. Sasaki and Y. Koike, SID ’97 Digest of Technical Papers, 28, 845 (1997) に報告されている。ＩＰＳモードで動作する液晶表示素子の構造は、国際公開第９１／１０９３６号パンフレットに報告されている。
【実施例】
【０１２７】
以下、本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下の実施例等の記載において、特に言及しない限り、「％」は「質量％」を示す。
物性の測定方法は、以下のとおりである。
【０１２８】
〔ＮＭＲ分析〕
測定装置として、ＤＲＸ−５００（ブルカーバイオスピン（株）製）を用いた。1Ｈ−ＮＭＲの測定は、試料をＣＤＣｌ3等の重水素化溶媒に溶解させ、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数１６回の条件で行った。テトラメチルシランを内部標準として用いた。19Ｆ−ＮＭＲの測定は、ＣＦＣｌ3を内部標準として用い、積算回数２４回の条件で行った。核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｑｕｉｎはクインテット、ｓｅｘはセクステット、ｍはマルチプレット、ｂｒはブロード、ｄｄはダブルダブレットであることを意味する。
【０１２９】
〔液晶性化合物等の物性値の測定試料〕
液晶性化合物そのものを試料として用いて、液晶性化合物についての（１）相構造および（２）相転移温度を測定した。液晶性化合物を母液晶と混合して調製された組成物を試料として用いて、この組成物について、（３）低温相溶性、（４）（５）ネマチック相の上限温度および下限温度、（６）（７）粘度、（８）光学異方性、（９）誘電率異方性、（１０）弾性定数、（１１）しきい値電圧、（１２）（１３）電圧保持率等の物性値を測定した。
【０１３０】
液晶性化合物を母液晶と混合して調製された組成物を試料として用いる後者の場合には、以下の方法で測定を行った。まず、得られた液晶性化合物１５％と母液晶８５％とを混合して試料を調製した。得られた試料の測定値から、下記式に示す外挿法に従って外挿値を計算し、この外挿値を得られた液晶性化合物の物性値として記載した。ただし、液晶性化合物と母液晶との混合割合が前記場合であっても、２５℃でスメクチック相であるとき、または２５℃で結晶が析出するときは、液晶性化合物と母液晶との混合割合（液晶性化合物：母液晶）を１０％：９０％、５％：９５％、３％：９７％、１％：９９％の順に変更していき、２５℃でスメクチック相でなくなったときの組成、または２５℃で結晶が析出しなくなったときの組成で、試料の物性値を測定し、下記式に従って外挿値を求めて、これを液晶性化合物の物性値とした。なお、特に断りのない限り、液晶性化合物と母液晶との混合割合は、１５％：８５％である。
【０１３１】
【数１】
2013256497.tif 000024
【０１３２】
母液晶として、以下の母液晶Ａを測定に用いた。
【化２３】
2013256497.tif 000025
【０１３３】
上記５つの化合物を混合し、ネマチック相を有する母液晶Ａを調製した。ネマチック相を有する母液晶Ａの物性（測定方法は以下に記載した。）は、以下のとおりであった：上限温度（ＴNI）＝７４．６℃、誘電率異方性の値（Δε）＝−１．３、光学異方性の値（Δｎ）＝０．０８７．なお、これらの物性値を測定する試料としては、母液晶Ａそのものを用いた。
【０１３４】
〔液晶性化合物等の物性値の測定方法〕
物性の測定は、後述する方法で行った。これらの多くは、社団法人電子情報技術産業協会（Japan Electronics and Information Technology Industries Association；以下「ＪＥＩＴＡ」ともいう。）で審議制定されるＪＥＩＴＡ規格（ＪＥＩＴＡ・ＥＤ−２５２１Ａ）に記載された方法、またはこれを修飾した方法であった。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。
【０１３５】
（１）相構造
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料（液晶性化合物）を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態およびその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。
【０１３６】
（２）相転移温度（℃）
パーキンエルマー社製走査熱量計ＤＳＣ−７システムまたはＤｉａｍｏｎｄ  ＤＳＣシステムを用いて、３℃／分速度で昇降温し、試料（液晶性化合物）の相変化に伴う、吸熱ピークまたは発熱ピークの開始点を外挿により求め、相転移温度を決定した。
【０１３７】
結晶はＣと表した。結晶の種類区別がつく場合は、それぞれＣ1またはＣ2と表した。また、スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＡ相、スメクチックＢ相、スメクチックＣ相またはスメクチックＦ相の区別がつく場合は、それぞれＳA、ＳB、ＳCまたはＳFと表した。等方性液体（アイソトロピック）はＩと表した。相転移温度は、例えば、「Ｃ  ５０．０  Ｎ  １００．０  Ｉ」のように表記した。これは、結晶からネマチック相への相転移温度が５０．０℃であり、ネマチック相から等方性液体への相転移温度が１００．０℃であることを示す。他の表記も同様である。相転移温度の単位は、全て℃である。
【０１３８】
（３）低温相溶性
液晶性化合物の混合割合が、２０％、１５％、１０％、５％、３％および１％となるように母液晶Ａと液晶性化合物とを混合した試料を調製し、試料をガラス瓶に入れた。このガラス瓶を、−１０℃または−２０℃のフリーザー中に一定期間保管した後、結晶（またはスメクチック相）が析出しているかどうかを観察した。
【０１３９】
（４）ネマチック相の上限温度（ＴNIまたはＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。試料が液晶性化合物と母液晶Ａとの混合物であるときは、上限温度をＴNIの記号で示した。試料が液晶性化合物と成分Ｂ等との混合物であるときは、上限温度をＮＩの記号で示した。液晶性化合物についてのＴNIは上述の外挿法により算出される外挿値であり、液晶組成物についてのＴNIおよびＮＩは混合物そのものの測定値である。
【０１４０】
（５）ネマチック相の下限温度（ＴC；℃）
ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管した後、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴCを≦−２０℃と記載した。
【０１４１】
（６）粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
粘度（バルク粘度）は、Ｅ型回転粘度計を用いて測定した。
【０１４２】
（７）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
粘度（回転粘度）の測定は、M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料を入れた。この素子に３０Ｖ〜５０Ｖの範囲で１Ｖ毎に段階的に電圧を印加した。０．２秒の無印加の後、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）との条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）とを測定した。これらの測定値とM. Imai et al.の論文、４０頁の計算式（８）とから、回転粘度の値を得た。この計算に必要な誘電率異方性の値は、下記〈誘電率異方性の値（Δε；２５℃で測定）〉で測定した値を用いた。
【０１４３】
（８）光学異方性の値（Δｎ；２５℃で測定）
光学異方性の値（Δｎ）の測定は、２５℃の温度下で、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングした後、試料を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は、偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は、偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の（Δｎ）は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥の式から計算した。
【０１４４】
（９）誘電率異方性の値（Δε；２５℃で測定）
誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥の式から計算した。
誘電率（ε‖およびε⊥）は、次のように測定した。
【０１４５】
１）誘電率（ε‖）の測定：よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させた後、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであるＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。
【０１４６】
２）誘電率（ε⊥）の測定：よく洗浄したガラス基板にポリイミド溶液を塗布した。このガラス基板を焼成した後、得られた配向膜にラビング処理をした。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。
【０１４７】
（１０）弾性定数（Ｋ11およびＫ33；２５℃で測定；ｐＮ）
弾性定数の測定には、ＥＣ−１型弾性定数測定器（（株）東陽テクニカ製）を用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである垂直配向素子に試料を入れた。この素子に２０Ｖ〜０Ｖの電圧を印加し、静電容量および印加電圧を測定した。静電容量（Ｃ）および印加電圧（Ｖ）の値を、「液晶デバイスハンドブック」（日刊工業新聞社）、７５頁にある式（２．９８）および式（２．１０１）を用いてフィッティングし、式（２．１００）から弾性定数の値を得た。
【０１４８】
（１１）しきい値電圧（Ｖth；２５℃で測定；Ｖ）
しきい値電圧（Ｖth）の測定には、ＬＣＤ５１００型輝度計（大塚電子（株）製）を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード（normally black mode）のＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子に印加する電圧（６０Ｈｚ、矩形波）を、０Ｖ〜２０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は、透過率が１０％になったときの電圧である。
【０１４９】
（１２）電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃で測定；％）
電圧保持率（ＶＨＲ−１）の測定に用いたＴＮ素子は、ポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子に試料を入れた後、紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒の間測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。
【０１５０】
（１３）電圧保持率（ＶＨＲ−２；８０℃で測定；％）
電圧保持率（ＶＨＲ−２）の測定に用いたＴＮ素子は、ポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子に試料を入れた後、紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒の間測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。
【０１５１】
〔液晶性化合物の合成〕
［実施例１］化合物（Ｎｏ．８１）の合成
【０１５２】
【化２４】
2013256497.tif 000026
【０１５３】
〈第１工程〉
反応器へｏ−フルオロフェノール（ｓ１）（５０ｇ，４４６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１２３．３ｇ，８９２ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（ＴＢＡＢ）（７．２ｇ，２２．３ｍｍｏｌ）、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（２５０ｍｌ）を入れた。ヨウ化エチル（１３９．１ｇ，８９２ｍｍｏｌ）を室温でゆっくりと滴下し、次に室温にて５時間攪拌した。反応混合物を飽和食塩水に注ぎ込み、ヘキサンで抽出した。一緒にした有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を減圧蒸留（２６７０Ｐａ）にて精製して、化合物（ｓ２）（５２．３ｇ，３７３ｍｍｏｌ；８３モル％）を得た。
【０１５４】
〈第２工程〉
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（ｓ２）（２０ｇ，１４２．７ｍｍｏｌ）とＴＨＦ（３００ｍｌ）を入れて、−７０℃以下に冷却した。そこへ、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０８Ｍ；ｎ−ヘキサン／シクロヘキサン溶液；１６５ｍｌ，１７８．３ｍｍｏｌ）を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、さらに１時間攪拌した。ホウ酸トリメチル（２１．０５ｍｌ，１７８．３ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５０ｍｌ）溶液を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ３時間攪拌した。そこへ、酢酸（１２．２５ｍｌ，２１４．０ｍｍｏｌ）を２０℃から２５℃の温度範囲で滴下した。３０分後、過酸化水素（３０％水溶液、３２．３ｇ，２８５．４ｍｍｏｌ）を２５℃から３５℃の温度範囲で滴下し、さらに１０時間攪拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を水、亜硫酸ナトリウム水溶液、水、および飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、化合物（ｓ３）（２２．０ｇ，１４１．０ｍｏｌ；９９モル％）を得た。化合物（ｓ３）は精製せずに次の反応に用いた。
【０１５５】
〈第３工程〉
反応器へ水素化ナトリウム（６０％，６．７７ｇ，１６９．２ｍｏｌ））およびＴＨＦ（２２０ｍｌ）を入れ、氷冷した。化合物（ｓ３）（２２．０ｇ，１４１．０ｍｏｌ）のＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液を０℃から１０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ１時間攪拌した。再び氷冷したのち、クロロメチルメチルエーテル（ＭＯＭＣｌ）（１３．６ｇ，１６９．２ｍｏｌ）を０℃から１０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ３時間攪拌した。反応混合物を氷水に注ぎ込み、１０分間攪拌したのち酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１）で精製したのち、減圧蒸留（５３０Ｐａ）することによって、化合物（ｓ４）（１７．７ｇ，８８．６ｍｍｏｌ；６２モル％）を得た。
【０１５６】
〈第４工程〉
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（ｓ４）（５ｇ，２５．０ｍｍｏｌ）とＴＨＦ（７５ｍｌ）を入れて、−７０℃以下に冷却した。そこへ、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０８Ｍ；ｎ−ヘキサン／シクロヘキサン溶液；２７．８ｍｌ，３０．０ｍｍｏｌ）を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、さらに１時間攪拌した。化合物（ｓ５）（６．２６ｇ，２５．０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２０ｍｌ）溶液を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、−７０℃以下で３時間攪拌した。反応混合物を氷水に注ぎ込んだのち３０分間攪拌し、酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を水および飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製し、化合物（ｓ６）（８．８ｇ，１９．５ｍｍｏｌ；７８モル％）を得た。
【０１５７】
〈第５工程〉
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（ｓ６）（４．５ｇ，９．９９ｍｍｏｌ）および塩化メチレン（４５ｍｌ）を入れた。この溶液を０℃に冷却し、デスマーチンペルヨージナン（ＤＭＰ；５．１ｇ，１２．０ｍｍｏｌ）を３回に分けて加えた。室温に戻しながらさらに２時間攪拌した。反応混合物を飽和重曹水へ注ぎ込み、酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を水、亜硫酸ナトリウム水溶液、水、および飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：酢酸エチル＝９：１）で精製して、化合物（ｓ７）（１．６１ｇ，３．６ｍｍｏｌ；３６モル％）を得た。
【０１５８】
〈第６工程〉
反応器へ化合物（ｓ７）（１．６１ｇ，３．６ｍｍｏｌ）、２Ｎ−塩酸（２．１５ｍｌ，４．３ｍｍｏｌ）、およびエタノール（３０ｍｌ）を入れた。この混合物を加熱還流下１時間半攪拌した。２５℃まで冷却後、この反応混合物へ水を加え、酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１）で精製したのち、再結晶（溶媒；ヘプタン）することによって、化合物（Ｎｏ．８１）（１７．７ｇ，８８．６ｍｍｏｌ；６２モル％）を得た。
【０１５９】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ；ＣＤＣｌ3）：１２．７２（ｓ，１Ｈ，ｐｈｅｎｏｌ），７．４８（ｄｄ，１Ｈ），６．４８（ｄｄ，１Ｈ），４．１９（ｑ，２Ｈ），２．７４（ｄ，２Ｈ），１．８５−１．６６（ｍ，９Ｈ），１．４８（ｔ，２Ｈ），１．３１−０．９１（ｍ，１６Ｈ），０．８６（ｔ，３Ｈ）．
【０１６０】
得られた化合物（Ｎｏ．８１）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｃ  １３７．２  Ｉ．
【０１６１】
［実施例２］化合物（Ｎｏ．８３）の合成
【化２５】
2013256497.tif 000027
【０１６２】
〈第１工程〉
化合物（ｓ４）（２．９３ｇ，１４．７ｍｍｏｌ）および化合物（ｓ８）（４．５ｇ，１４．７ｍｍｏｌ）を出発原料とし、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０６Ｍ；ｎ−ヘキサン／シクロヘキサン溶液；１６．６ｍｌ，１７．６ｍｍｏｌ）を反応剤として用い、実施例１の第４工程に準じて反応操作を行なうことで、化合物（ｓ９）（５．６４ｇ，１１．１ｍｍｏｌ）を得た。化合物（ｓ８）からの収率は７６モル％であった。
【０１６３】
〈第２工程〉
化合物（ｓ９）（５．６４ｇ，１１．１ｍｍｏｌ）を出発原料とし、デスマーチンペルヨージナン（ＤＭＰ；５．６５ｇ，１３．３ｍｍｏｌ）を反応剤として用い、実施例１の第５工程に準じて反応操作を行なうことで、化合物（ｓ１０）（４．３ｇ，８．５ｍｍｏｌ）を得た。化合物（ｓ９）からの収率は７７モル％であった。
【０１６４】
〈第３工程〉
化合物（ｓ１０）（４．３ｇ，８．５ｍｍｏｌ）を出発原料とし、２Ｎ−塩酸（５．１ｍｌ，１０．２ｍｍｏｌ）を反応剤として用い、実施例１の第６工程に準じて反応操作を行なうことで、化合物（Ｎｏ．８３）（２．２ｇ，４．７７ｍｍｏｌ）を得た。化合物（ｓ１０）からの収率は５６モル％であった。
【０１６５】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ；ＣＤＣｌ3）：１２．７３（ｓ，１Ｈ，ｐｈｅｎｏｌ），７．４７（ｄｄ，１Ｈ），６．４８（ｄｄ，１Ｈ），４．２０（ｑ，２Ｈ），２．７４（ｄ，２Ｈ），１．８６−１．６８（ｍ，９Ｈ），１．４８（ｔ，２Ｈ），１．３２−０．９１（ｍ，２４Ｈ），０．８７（ｔ，３Ｈ）．
【０１６６】
得られた化合物（Ｎｏ．８３）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｃ  １２９．０  （Ｎ  １２２．０）  Ｉ．
【０１６７】
［実施例３］化合物（Ｎｏ．１２１）の合成
【化２６】
2013256497.tif 000028
【０１６８】
〈第１工程〉
化合物（ｓ４）（１．８ｇ，９．０ｍｍｏｌ）および化合物（ｓ１１）（２．５ｇ，９．０ｍｍｏｌ）を出発原料とし、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０６Ｍ；ｎ−ヘキサン／シクロヘキサン溶液；１０．２ｍｌ，１０．８ｍｍｏｌ）を反応剤として用い、実施例１の第４工程に準じて反応操作を行なうことで、化合物（ｓ１２）（２．５７ｇ，５．３７ｍｍｏｌ）を得た。化合物（ｓ１１）からの収率は６０モル％であった。
【０１６９】
〈第２工程〉
化合物（ｓ１２）（２．５７ｇ，５．３７ｍｍｏｌ）を出発原料とし、デスマーチンペルヨージナン（ＤＭＰ；２．７ｇ，６．４ｍｍｏｌ）を反応剤として用い、実施例１の第５工程に準じて反応操作を行なうことで、化合物（ｓ１３）（２．２５ｇ，４．７ｍｍｏｌ）を得た。化合物（ｓ１２）からの収率は８８モル％であった。
【０１７０】
〈第３工程〉
化合物（ｓ１３）（２．２５ｇ，４．７ｍｍｏｌ）を出発原料とし、２Ｎ−塩酸（２．８ｍｌ，５．６ｍｍｏｌ）を反応剤として用い、実施例１の第６工程に準じて反応操作を行なうことで、化合物（Ｎｏ．１２１）（１．５ｇ，３．５ｍｍｏｌ）を得た。化合物（ｓ１３）からの収率は７４モル％であった。
【０１７１】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ；ＣＤＣｌ3）：１２．７０（ｓ，１Ｈ，ｐｈｅｎｏｌ），７．４６（ｄｄ，１Ｈ），６．４８（ｄｄ，１Ｈ），４．１８（ｑ，２Ｈ），２．９１（ｄ，２Ｈ），１．８５−１．６６（ｍ，９Ｈ），１．４６（ｔ，２Ｈ），１．３１−０．９１（ｍ，２０Ｈ），０．８７（ｔ，３Ｈ）．
【０１７２】
得られた化合物（Ｎｏ．１２１）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｃ  ９９．３  Ｃ  １４７．８  Ｎ  １５８．７  Ｉ．
【０１７３】
［実施例４］化合物（Ｎｏ．２１）の合成
【化２７】
2013256497.tif 000029
【０１７４】
〈第１工程〉
化合物（ｓ４）（３．０ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）および化合物（ｓ１４）（２．５ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）を出発原料とし、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０８Ｍ；ｎ−ヘキサン／シクロヘキサン溶液；１６．７ｍｌ，１８．０ｍｍｏｌ）を反応剤として用い、実施例１の第４工程に準じて反応操作を行なうことで、化合物（ｓ１５）（３．４ｇ，９．２ｍｍｏｌ）を得た。化合物（ｓ１４）からの収率は６１モル％であった。
【０１７５】
〈第２工程〉
化合物（ｓ１５）（３．１ｇ，８．４ｍｍｏｌ）を出発原料とし、デスマーチンペルヨージナン（ＤＭＰ；４．３ｇ，１０．１ｍｍｏｌ）を反応剤として用い、実施例１の第５工程に準じて反応操作を行なうことで、化合物（ｓ１６）（２．９ｇ，７．９ｍｍｏｌ）を得た。化合物（ｓ１５）からの収率は９４モル％であった。
【０１７６】
〈第３工程〉
化合物（ｓ１６）（２．８ｇ，７．６ｍｍｏｌ）を出発原料とし、２Ｎ−塩酸（４．６ｍｌ，９．２ｍｍｏｌ）を反応剤として用い、実施例１の第６工程に準じて反応操作を行なうことで、化合物（Ｎｏ．２１）（１．９ｇ，５．９ｍｍｏｌ）を得た。化合物（ｓ１６）からの収率は７８モル％であった。
【０１７７】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ；ＣＤＣｌ3）：１２．７２（ｓ，１Ｈ，ｐｈｅｎｏｌ），７．４９（ｄｄ，１Ｈ），６．４８（ｄｄ，１Ｈ），４．１９（ｑ，２Ｈ），２．７５（ｄ，２Ｈ），１．８４−１．６５（ｍ，５Ｈ），１．４７（ｔ，２Ｈ），１．３３−０．９１（ｍ，１０Ｈ），０．８７（ｔ，３Ｈ）．
【０１７８】
得られた化合物（Ｎｏ．２１）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｃ  １０７．４  Ｉ．
【０１７９】
［実施例５］化合物（Ｎｏ．３）の合成
【化２８】
2013256497.tif 000030
【０１８０】
〈第１工程〉
化合物（ｓ４）（７．５ｇ，３７．５ｍｍｏｌ）およびバレルアルデヒド（ｓ１７）（３．８７ｇ，４５ｍｍｏｌ）を出発原料とし、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０６Ｍ；ｎ−ヘキサン／シクロヘキサン溶液；４２．４ｍｌ，４５ｍｍｏｌ）を反応剤として用い、実施例１の第４工程に準じて反応操作を行なうことで、化合物（ｓ１８）（８．７ｇ，３０．４ｍｍｏｌ）を得た。化合物（ｓ１７）からの収率は８１モル％であった。
【０１８１】
〈第２工程〉
化合物（ｓ１８）（８．２ｇ，２８．６ｍｍｏｌ）を出発原料とし、デスマーチンペルヨージナン（ＤＭＰ；１４．６ｇ，３４．４ｍｍｏｌ）を反応剤として用い、実施例１の第５工程に準じて反応操作を行なうことで、化合物（ｓ１９）（６．０ｇ，２１．２ｍｍｏｌ）を得た。化合物（ｓ１８）からの収率は７４モル％であった。
【０１８２】
〈第３工程〉
化合物（ｓ１９）（６．０ｇ，２１．２ｍｍｏｌ）を出発原料とし、２Ｎ−塩酸（１２．７ｍｌ，２５．４ｍｍｏｌ）を反応剤として用い、実施例１の第６工程に準じて反応操作を行なうことで、化合物（Ｎｏ．３）（３．５ｇ，１４．６ｍｍｏｌ）を得た。化合物（ｓ１９）からの収率は６９モル％であった。
【０１８３】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ；ＣＤＣｌ3）：１２．７５（ｓ，１Ｈ），７．５０（ｄｄ，１Ｈ），６．５０（ｄｄ，１Ｈ），４．２０（ｑ，２Ｈ），２．９１（ｔ，２Ｈ），１．７１（ｑｕｉｎｔｅｔ，２Ｈ），１．４８（ｔ，２Ｈ），１．４２（ｓｅｘｔｅｔ，２Ｈ），０．９６（ｔ，３Ｈ）．
【０１８４】
得られた化合物（Ｎｏ．３）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｃ  ４７．０  Ｃ  ４８．７  Ｉ．
【０１８５】
実施例１〜５に示した手法により、対応した出発原料を用いて、以下の実施例６〜１０に記載のとおり様々な化合物を合成し、それが目的とする化合物であることを確認した。
【０１８６】
［実施例６］化合物（Ｎｏ．６）
【化２９】
2013256497.tif 000031
【０１８７】
1Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、化合物（Ｎｏ．６）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ3である。
【０１８８】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ；ＣＤＣｌ3）：１２．７６（ｓ，１Ｈ），７．５０（ｄｄ，１Ｈ），６．５１（ｄｄ，１Ｈ），４．１９（ｑ，２Ｈ），２．９１（ｔ，２Ｈ），１．７１（ｑｕｉｎｔｅｔ，２Ｈ），１．４８（ｔ，２Ｈ），１．４６−１．４２（ｍ，６Ｈ），０．９７（ｔ，３Ｈ）．
【０１８９】
得られた化合物（Ｎｏ．６）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｃ  ５３．６  Ｉ．
【０１９０】
［実施例７］化合物（Ｎｏ．１２７）
【化３０】
2013256497.tif 000032
【０１９１】
1Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、化合物（Ｎｏ．１２７）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ3である。
【０１９２】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ；ＣＤＣｌ3）：１２．５７（ｓ，１Ｈ），７．４０（ｄｄ，１Ｈ），７．１３−７．１０（ｍ，４Ｈ），６．４５（ｄｄ，１Ｈ），４．１６（ｑ，２Ｈ），２．９１（ｔ，２Ｈ），２．６７（ｔ，２Ｈ），２．４３（ｔｔ，１Ｈ），２．０５（ｑｕｉｎｔｅｔ，２Ｈ），１．８９−１．８３（ｍ，４Ｈ），１．４６（ｔ，４Ｈ），１．４３−０．９９（ｍ，８Ｈ），０．８９（ｔ，３Ｈ）．
【０１９３】
得られた化合物（Ｎｏ．１２７）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｃ  １１７．７  Ｉ．
【０１９４】
［実施例８］化合物（Ｎｏ．１３１）
【化３１】
2013256497.tif 000033
【０１９５】
1Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、化合物（Ｎｏ．１３１）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ3である。
【０１９６】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ；ＣＤＣｌ3）：１２．５１（ｓ，１Ｈ），７．４４（ｄｄ，１Ｈ），６．８８−６．８７（ｍ，２Ｈ），６．４８（ｄｄ，１Ｈ），４．１９（ｑ，２Ｈ），２．９５（ｔ，３Ｈ），２．７９（ｔｔ，１Ｈ），２．７３（ｔ，２Ｈ），２．０５（ｑｕｉｎｔｅｔ，２Ｈ），１．８５（ｄ，４Ｈ），１．４９−１．０２（ｍ，１１Ｈ），０．８９（ｔ，３Ｈ）．
【０１９７】
得られた化合物（Ｎｏ．１３１）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｃ  ９９．０  Ｉ．
【０１９８】
［実施例９］化合物（Ｎｏ．１４１）
【化３２】
2013256497.tif 000034
【０１９９】
1Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、化合物（Ｎｏ．１４１）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ3である。
【０２００】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ；ＣＤＣｌ3）：１２．５８（ｓ，１Ｈ），７．５０（ｄｄ，１Ｈ），７．４０（ｄｄ，１Ｈ），７．２５−７．２２（ｍ，４Ｈ），６．４４（ｄｄ，１Ｈ），４．１５（ｑ，２Ｈ），２．９３（ｔ，２Ｈ），２．７４（ｔ，２Ｈ），２．６３（ｔ，２Ｈ），２．０９（ｑｕｉｎｔｅｔ，２Ｈ），１．６４（ｑｕｉｎｔｅｔ，２Ｈ），１．４５（ｔ，２Ｈ），１．３９−１．３１（ｍ，４Ｈ），０．８９（ｔ，３Ｈ）．
【０２０１】
得られた化合物（Ｎｏ．１４１）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｃ  １２５．４  Ｉ．
【０２０２】
［実施例１０］化合物（Ｎｏ．１４）
【化３３】
2013256497.tif 000035
【０２０３】
1Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、化合物（Ｎｏ．１４）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ3である。
【０２０４】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ；ＣＤＣｌ3）：１３．３５（ｓ，１Ｈ），７．８１（ｄ，１Ｈ），７．１３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝５３．７），６．４６（ｄ，１Ｈ），４．１７（ｑ，２Ｈ），２．９１（ｔ，２Ｈ），１．７１（ｑｕｉｎｔｅｔ，２Ｈ），１．４６（ｔ，３Ｈ），１．４３（ｓｅｘｔｅｔ，２Ｈ），０．８６（ｔ，３Ｈ）．
【０２０５】
得られた化合物（Ｎｏ．１４）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｃ  ７２．８  Ｉ．
【０２０６】
［比較例１］比較化合物（ＣｏＮｏ．１）の合成
【化３４】
2013256497.tif 000036
【０２０７】
〈第１工程〉
実施例１の第４工程にて得られた化合物（ｓ６）（３．０ｇ，６．６６ｍｍｏｌ）およびｐ−トルエンスルホン酸（６０ｍｇ，０．３３ｍｍｏｌ）をトルエン（６０ｍｌ）中にて１時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却したのち、飽和重曹水、水、および飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１）および再結晶（溶媒；ヘプタン）にて精製することによって、化合物（ｓ２０）（０．９ｇ，２．３２ｍｍｏｌ；３５モル％）を得た。
【０２０８】
〈第２工程〉
化合物（ｓ２０）（０．９ｇ，２．３２ｍｍｏｌ）および５％パラジウム−炭素触媒デスマーチンペルヨージナン（１４．６ｇ）をトルエン（４．５ｍｌ）およびイソプロパノール４．（５ｍｌ）中に混合したのち、水素雰囲気下にて３時間攪拌した。反応液を濾過したのち濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１）および再結晶（溶媒；ヘプタン）にて精製することによって、化合物（ＣｏＮｏ１）（０．６ｇ，１．５４ｍｍｏｌ；６６モル％）を得た。
【０２０９】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ；ＣＤＣｌ3）：６．７５（ｄｄ，１Ｈ），６．５３（ｔ，１Ｈ），５．０９（ｄ，１Ｈ），４．０７（ｑ，２Ｈ），２．５７（ｔ，２Ｈ），１．８３−１．６７（ｍ，８Ｈ），１．４２（ｔ，３Ｈ），１．３１−０．９４（ｍ，１７Ｈ），０．８６（ｔ，３Ｈ）．
【０２１０】
得られた化合物（ＣｏＮｏ．１）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｃ  ８５．３  ＳA  １５３  Ｎ  １６７  Ｉ．
【０２１１】
［比較例２］比較化合物（ＣｏＮｏ．２）の合成
【化３５】
2013256497.tif 000037
【０２１２】
〈第１工程〉
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（ｓ２１）（８０ｇ，３６５ｍｍｏｌ）および金属マグネシウム（１０．６５ｇ，４３８ｍｍｏｌ）を入れて、ＴＨＦ（８００ｍｌ）中にてグリニャール試薬を調製した。２時間後、ホウ酸トリメチル（５６．０ｍｌ，４７４．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１１０ｍｌ）溶液を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ２０時間攪拌した。そこへ、酢酸（３１．３ｍｌ，５４７．５ｍｍｏｌ）を２０℃から２５℃の温度範囲で滴下した。３０分後、過酸化水素（３０％水溶液、８２．７ｇ，７３０ｍｍｏｌ）を２５℃から３５℃の温度範囲で滴下し、さらに１０時間攪拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を水、亜硫酸ナトリウム水溶液、水、および飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮したのち、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１）および減圧蒸留（９３０Ｐａ）にて精製して、化合物（ｓ２２）（３８．０ｇ，２４３ｍｍｏｌ；６６モル％）を得た。
【０２１３】
〈第２工程〉
反応器へ化合物（ｓ２２）（１９．４ｇ，１２４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（３４．２ｇ，２４８ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（ＴＢＡＢ）（４．０ｇ，１２．４ｍｍｏｌ）、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（４５０ｍｌ）を入れた。化合物（ｓ２３）（４５ｇ，１４９ｍｍｏｌ）を室温でゆっくりと滴下し、８０℃にて１０時間攪拌した。室温まで冷却した反応混合物を飽和食塩水に注ぎ込み、トルエンで抽出した。一緒にした有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１）および再結晶（溶媒；ヘプタン、エタノール）にて精製することによって、化合物（ｓ２４）（３２．４ｇ，８７．６ｍｍｏｌ；６９モル％）を得た。
【０２１４】
〈第３工程〉
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（ｓ２４）（５ｇ，１３．３ｍｍｏｌ）およびＴＨＦ（１２５ｍｌ）を入れて、−７０℃以下に冷却した。そこへ、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０８Ｍ；ｎ−ヘキサン／シクロヘキサン溶液；１４．７７ｍｌ，１５．９６ｍｍｏｌ）を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、さらに１時間攪拌した。ホウ酸トリメチル（１．８８ｍｌ，１５．９６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍｌ）溶液を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ３時間攪拌した。そこへ、酢酸（１．１４ｍｌ，１９．９５ｍｍｏｌ）を２０℃から２５℃の温度範囲で滴下した。３０分後、過酸化水素（３０％水溶液、３．７６ｇ，３３．２５ｍｍｏｌ）を２５℃から３５℃の温度範囲で滴下し、さらに１０時間攪拌した。反応混合物を水に注ぎ込み、酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を水、亜硫酸ナトリウム水溶液、水、および飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（体積比、ヘプタン：酢酸エチル＝９：１）および再結晶（溶媒；ヘプタン）にて精製することによって、化合物（ＣｏＮｏ．２）（３．１ｇ，７．９ｍｍｏｌ；５９モル％）を得た。
【０２１５】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ；ＣＤＣｌ3）：６．５０（ｄｄ，１Ｈ），６．４０（ｔ，１Ｈ），５．４４（ｄ，１Ｈ），４．０３（ｑ，２Ｈ），３．７８（ｄ，２Ｈ），１．９０−１．６９（ｍ，８Ｈ），１．５３（ｔ，３Ｈ），１．４２−０．９３（ｍ，１５Ｈ），０．８７（ｔ，３Ｈ）．
【０２１６】
得られた化合物（ＣｏＮｏ．２）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｃ  １００  Ｎ  １５７．６  Ｉ．
【０２１７】
〔液晶性化合物の物性〕
（１）９５％の母液晶Ａと、５％の液晶性化合物（Ｎｏ．８１）とからなる試料（液晶組成物）を調製した。この試料の物性は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝７６．２℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−２．００；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０８９５。母液晶Ａおよび上記試料の物性値と液晶性化合物の混合比とから、外挿法により算出した液晶性化合物（Ｎｏ．８１）の物性値は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝１０６．６℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１５．３０；光学異方性の値（Δｎ）＝０．１３７。
（２）９７％の母液晶Ａと、３％の液晶性化合物（Ｎｏ．８３）とからなる試料（液晶組成物）を調製した。この試料の物性は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝７５．３℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１．７３；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０８８２。母液晶Ａおよび上記試料の物性値と液晶性化合物の混合比とから、外挿法により算出した液晶性化合物（Ｎｏ．８３）の物性値は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝９７．９℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１５．６３；光学異方性の値（Δｎ）＝０．１２７。
（３）９５％の母液晶Ａと、５％の液晶性化合物（Ｎｏ．１２１）とからなる試料（液晶組成物）を調製した。この試料の物性は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝７８．１℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１．９６；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０９０。母液晶Ａおよび上記試料の物性値と液晶性化合物の混合比とから、外挿法により算出した液晶性化合物（Ｎｏ．１２１）の物性値は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝１４４．６℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１４．５０；光学異方性の値（Δｎ）＝０．１４７。
（４）９５％の母液晶Ａと、５％の液晶性化合物（Ｎｏ．２１）とからなる試料（液晶組成物）を調製した。この試料の物性は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝７０．０℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−２．２４；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０８７５。母液晶Ａおよび上記試料の物性値と液晶性化合物の混合比とから、外挿法により算出した液晶性化合物（Ｎｏ．２１）の物性値は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝−１７．４℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−２０．１０；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０９７。
（５）８５％の母液晶Ａと、１５％の液晶性化合物（Ｎｏ．３）とからなる試料（液晶組成物）を調製した。この試料の物性は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝４８．４℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−３．０７；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０８１。母液晶Ａおよび上記試料の物性値と液晶性化合物の混合比とから、外挿法により算出した液晶性化合物（Ｎｏ．３）の物性値は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝−１００．１℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１３．１０；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０４７。
（６）８５％の母液晶Ａと、１５％の液晶性化合物（Ｎｏ．６）とからなる試料（液晶組成物）を調製した。この試料の物性は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝５１．８℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−３．０７；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０８２。母液晶Ａおよび上記試料の物性値と液晶性化合物の混合比とから、外挿法により算出した液晶性化合物（Ｎｏ．６）の物性値は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝−７７．４℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１３．１０；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０５２。
（７）９５％の母液晶Ａと、５％の液晶性化合物（Ｎｏ．１２７）とからなる試料（液晶組成物）を調製した。この試料の物性は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝７５．０℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１．９１；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０９１。母液晶Ａおよび上記試料の物性値と液晶性化合物の混合比とから、外挿法により算出した液晶性化合物（Ｎｏ．１２７）の物性値は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝８２．６℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１１．９８；光学異方性の値（Δｎ）＝０．１６５。
（８）９５％の母液晶Ａと、５％の液晶性化合物（Ｎｏ．１４１）とからなる試料（液晶組成物）を調製した。この試料の物性は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝７５．６℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１．８３；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０９３。母液晶Ａおよび上記試料の物性値と液晶性化合物の混合比とから、外挿法により算出した液晶性化合物（Ｎｏ．１４１）の物性値は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝９４．６℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１０．３８；光学異方性の値（Δｎ）＝０．２０７。
（９）８５％の母液晶Ａと、１５％の液晶性化合物（ＣｏＮｏ．１）とからなる試料（液晶組成物）を調製した。この試料の物性は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝８２．７℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１．２８；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０８８３。母液晶Ａおよび上記試料の物性値と液晶性化合物の混合比とから、外挿法により算出した液晶性化合物（ＣｏＮｏ．１）の物性値は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝１２８．６℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１．１７；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０９６。
（１０）８５％の母液晶Ａと、１５％の液晶性化合物（ＣｏＮｏ．２）とからなる試料（液晶組成物）を調製した。この試料の物性は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝８２．４℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−１．８０；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０８８５。母液晶Ａおよび上記試料の物性値と液晶性化合物の混合比とから、外挿法により算出した液晶性化合物（ＣｏＮｏ．２）の物性値は、以下のとおりであった。上限温度（ＴNI）＝１２６．６℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−４．６３；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０９７。
【０２１８】
［合成例］
前記の合成法、実施例１〜５に記載された合成方法と同様の方法により、下記の化合物（Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２２０）を合成することができる。なお、実施例１〜１０による化合物（Ｎｏ．３、６、１４、２１、８１、８３、１２１、１２７、１３１および１４１）も列挙した。
【０２１９】
【化３６】
2013256497.tif 000038
【０２２０】
【化３７】
2013256497.tif 000039
【０２２１】
【化３８】
2013256497.tif 000040
【０２２２】
【化３９】
2013256497.tif 000041
【０２２３】
【化４０】
2013256497.tif 000042
【０２２４】
【化４１】
2013256497.tif 000043
【０２２５】
【化４２】
2013256497.tif 000044
【０２２６】
【化４３】
2013256497.tif 000045
【０２２７】
【化４４】
2013256497.tif 000046
【０２２８】
【化４５】
2013256497.tif 000047
【０２２９】
【化４６】
2013256497.tif 000048
【０２３０】
【化４７】
2013256497.tif 000049
【０２３１】
【化４８】
2013256497.tif 000050
【産業上の利用可能性】
【０２３２】
本発明の液晶性化合物は、熱・光等に対する高い安定性、高い透明点・上限温度、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、大きな負の誘電率異方性、適切な弾性定数、および他の液晶化合物との優れた相溶性を有する。本発明の液晶組成物は、この化合物を含有し、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、大きな負の誘電率異方性、および適切な弾性定数を有する。この組成物は、少なくとも２つの物性に関して適切なバランスを有する。本発明の液晶表示素子は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する。したがって、この素子は、パソコンおよびテレビ等のディスプレイに広く利用できる。