(57)【要約】【課題】簡便な構造で、良好なワイヤボンディングを実現する半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】互いに反対の第１の面１１および第２の面１２ならびに接続パッド１５を有する配線基板１０と、配線基板１０の第１の面１１上に搭載される第１の半導体チップ２０と、配線基板１０に対して平行な方向に第１の半導体チップ２０を超えて張り出すオーバーハング部３２が形成されるように第１の半導体チップ２０上に積層搭載され、電極パッド３１を有する第２の半導体チップ３０と、接続パッド１５と電極パッド３１を電気的に接続するワイヤ５０とを備え、第２の半導体チップ３０の電極パッド３１は、オーバーハング部３２の配線基板１０側に対向する面に形成されている半導体装置１。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに反対の第１の面および第２の面ならびに接続パッドを有する配線基板と、
前記配線基板の前記第１の面上に搭載される第１の半導体チップと、
前記配線基板に対して平行な方向に前記第１の半導体チップを超えて張り出すオーバーハング部が形成されるように前記第１の半導体チップ上に積層搭載され、電極パッドを有する第２の半導体チップと、
前記接続パッドと前記電極パッドを電気的に接続するワイヤとを備え、
前記第２の半導体チップの前記電極パッドは、前記オーバーハング部の前記配線基板側に対向する面に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記配線基板は、前記接続パッドを少なくとも前記第２の面に有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記配線基板は、前記第１の面側から前記第２の面側に貫通する開口部を有し、
前記第２の半導体チップの前記電極パッドは、前記配線基板に垂直な方向において、前記配線基板の前記開口部に対向する位置に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記配線基板の前記第２の面上に設けられる外部端子を更に備え、
前記ワイヤは、前記第１の面側から前記第２の面側に向けた方向において、前記外部端子を超えないように配線されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
接続パッドを有する配線基板を用意する工程と、
前記配線基板上に第１の半導体チップを搭載する工程と、
第２の半導体チップの電極パッドを設けた面を前記配線基板側に向けた状態で、前記電極パッドが露出するように、前記第１の半導体チップ上に前記第２の半導体チップを搭載する工程と、
前記配線基板の前記接続パッドと前記第２の半導体チップの前記電極パッドとをワイヤによって接続する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、配線基板上に複数の半導体チップが積層された半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の半導体チップを組み込んだＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置において、上段の半導体チップが下段の半導体チップからオーバーハングする積層構造が開示されている（例えば、特許文献１乃至特許文献３参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−０８６９４３号公報
【特許文献２】特開２００９−１９４１８９号公報
【特許文献３】特開２００９−０９９６９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来技術では、バンプやボンディングワイヤから成る支持部材によって上段の半導体チップのオーバーハング部を支持するように構成しているが、オーバーハング部に支持部材で支持される部分と支持されない部分が存在し、上段の半導体チップの厚みが薄い場合には良好にワイヤボンディングできない恐れがあるという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明は、従来の問題を解決するものであって、すなわち、本発明の目的は、簡便な構造で、良好なワイヤボンディングを実現する半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置は、互いに反対の第１の面および第２の面ならびに接続パッドを有する配線基板と、前記配線基板の前記第１の面上に搭載される第１の半導体チップと、前記配線基板に対して平行な方向に前記第１の半導体チップを超えて張り出すオーバーハング部が形成されるように前記第１の半導体チップ上に積層搭載され、電極パッドを有する第２の半導体チップと、前記接続パッドと前記電極パッドを電気的に接続するワイヤとを備え、前記第２の半導体チップの前記電極パッドは、前記オーバーハング部の前記配線基板側に対向する面に形成されていることにより、前述した課題を解決したものである。
【０００７】
本発明の半導体装置の製造方法は、接続パッドを有する配線基板を用意する工程と、前記配線基板上に第１の半導体チップを搭載する工程と、第２の半導体チップの電極パッドを設けた面を前記配線基板側に向けた状態で、前記電極パッドが露出するように、前記第１の半導体チップ上に前記第２の半導体チップを搭載する工程と、前記配線基板の前記接続パッドと前記第２の半導体チップの前記電極パッドとをワイヤによって接続する工程とを含むことにより、前述した課題を解決したものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明では、第２の半導体チップの電極パッドを設けた面とは反対側の面の全面をワイヤボンディングステージ上で保持した状態で、ワイヤボンディングを行うことが可能であるため、簡便な構造で、オーバーハング部でのチップクラックの発生を確実に抑制して、良好なワイヤボンディングを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を概略的に示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線位置における半導体装置の断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ’線位置における半導体装置の断面図である。
【図４】第１の実施形態の半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図５】第１の実施形態の半導体装置のダイボンディング工程およびワイヤボンディング工程を示す工程図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を概略的に示す平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ’線位置における半導体装置の断面図である。
【図８】図６のＢ−Ｂ’線位置における半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の半導体装置の複数の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１１】
なお、以下の説明では、配線基板に平行な方向を第１方向Ｘ、第１方向Ｘに直交し且つ配線基板に平行な方向を第２方向Ｙ、配線基板に垂直な方向を第３方向Ｚとして規定する。
【実施例】
【００１２】
以下、本発明の第１の実施形態である半導体装置を図１乃至図５に基づいて説明する。
【００１３】
本実施形態の半導体装置１は、ＭＣＰ型の半導体装置として構成され、図１乃至図３に示すように、配線基板１０と、第１の半導体チップ２０と、第２の半導体チップ３０と、第１のワイヤ４０と、第２のワイヤ５０と、封止樹脂６０と、外部端子７０とを備えている。
【００１４】
配線基板１０は、図１乃至図３に示すように、略四角形の板状に形成され、その第２方向Ｙにおける両端辺に沿って形成された第１の開口部１７と、その第１方向Ｘにおける両端辺に沿って形成された第２の開口部１８とを有している。第１の開口部１７および第２の開口部１８は、図２や図３に示すように、第３方向Ｚに貫通し、換言すると、配線基板１０の第１の面１１側から第２の面１２側に貫通している。
【００１５】
配線基板１０は、図１乃至図３に示すように、例えばガラスエポキシから成り略四角形の板状に形成された絶縁基材１３と、絶縁基材１３の第２の面１２側に形成された配線パターンと、絶縁基材１３の第２の面１２側に形成された絶縁膜１４とを有している。
【００１６】
配線基板１０の配線パターンは、図１乃至図３に示すように、配線基板１０の第２の面１２において、第１の開口部１７および第２の開口部１８により囲まれた領域に形成されている。配線基板１０の配線パターンは、図１乃至図３に示すように、第１の開口部１７および第２の開口部１８の近傍に配置された複数の接続パッド１５と、格子状に配置された複数のランド１６と、接続パッド１５および対応のランド１６を電気的に接続する配線とから構成されている。
【００１７】
絶縁膜１４は、例えばソルダーレジスト膜であり、図１に示すように、接続パッド１５およびランド１６が露出されるように、配線基板１０の第２の面１２に選択的に形成されている。
【００１８】
第１の半導体チップ２０は、図１乃至図３に示すように、略長方形の板状に形成され、例えばＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈｅｄ  Ｆｉｌｍ）やペーストから成る接着部材８０を介して、その長手方向を第２方向Ｙに向けた状態で、配線基板１０の第１の面１１側に搭載されている。
【００１９】
第１の半導体チップ２０は、図１乃至図３に示すように、その各短辺に沿って形成された複数の第１の電極パッド２１と、所定の回路とを、配線基板１０側に対向する面に有し、すなわち、第１の半導体チップ２０は、配線基板１０側に回路面を向けた所謂フェースダウンで配線基板１０に搭載されている。第１の電極パッド２１は、図２に示すように、配線基板１０に第１の半導体チップ２０を搭載した状態で、第３方向Ｚにおいて第１の開口部１７に対向している。第１の電極パッド２１と接続パッド１５とは、図２に示すように、第１の開口部１７を通して配線された第１のワイヤ４０により接続されている。
【００２０】
第２の半導体チップ３０は、第１の半導体チップ２０と同一に形成されている。第２の半導体チップ３０は、図１乃至図３に示すように、略長方形の板状に形成され、接着部材８０を介して、その長手方向を第１方向Ｘに向けた状態で、第１の半導体チップ２０上に積層搭載されている。第２の半導体チップ３０は、図１に示すように、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにより規定される平面内において第１の半導体チップ２０に対して９０度回転させた状態で第１の半導体チップ２０上に積層搭載されている。第２の半導体チップ３０は、図３に示すように、第１方向Ｘにおいて第１の半導体チップ２０の両端辺を超えて張り出すオーバーハング部３２を有している。
【００２１】
第２の半導体チップ３０は、図１乃至図３に示すように、その各短辺に沿って形成された複数の第２の電極パッド３１と、所定の回路とを、配線基板１０側に対向する面に有し、すなわち、第２の半導体チップ３０は、配線基板１０側に回路面を向けた所謂フェースダウンで配線基板１０に搭載されている。第２の電極パッド３１は、図３に示すように、オーバーハング部３２に設けられ、配線基板１０に第２の半導体チップ３０を搭載した状態で、第２の開口部１８に第３方向Ｚに対向している。第２の電極パッド３１と接続パッド１５とは、図３に示すように、第２の開口部１８を通して配線された第２のワイヤ５０により接続されている。
【００２２】
第１のワイヤ４０および第２のワイヤ５０は、例えばＡｕなどの導電性金属から成り、図２や図３に示すように、配線基板１０の第１の面１１側から第２の面１２側に向けた方向において、外部端子７０を超えないように配線されている。
【００２３】
封止樹脂６０は、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂から成り、図２や図３に示すように、配線基板１０の第１の面１１側において、第１の半導体チップ２０と第２の半導体チップ３０と第１のワイヤ４０と第２のワイヤ５０と配線基板１０の第１の面１１の一部とを覆い、また、配線基板１０の第２の面１２側において、第１のワイヤ４０と第２のワイヤ５０と配線基板１０の第２の面１２の一部を覆っている。このように、本実施形態では、封止樹脂６０が、配線基板１０の第１の面１１側だけでなく、第１の開口部１７および第２の開口部１８を通じて、配線基板１０の第２の面１２側にも達していることにより、各部材間の密着強度が向上し、剥離に対する信頼性が向上する。また、封止樹脂６０は、図２や図３に示すように、配線基板１０の第１の面１１側から第２の面１２側に向けた方向において、外部端子７０を超えないように形成され、換言すると、配線基板１０の第２の面１２からの封止樹脂６０の突出の高さは、外部端子７０の高さより低く設定されている。これにより、配線基板１０の第２の面１２から突出する封止樹脂６０の突出部が、半導体装置１の実装を阻害することを回避できる。
【００２４】
外部端子７０は、本実施形態では、半田ボールとして構成され、配線基板１０のランド１６に搭載されている。
【００２５】
つぎに、本実施形態における半導体装置１の製造方法について、図４（ａ）乃至図４（ｅ）に基づいて以下に説明する。
【００２６】
まず、図４（ａ）には、ダイシングラインＬによって区画された複数の製品形成領域Ｒを含む配線母基板１０ａが示されている。これら製品形成領域Ｒは、後にダイシングラインＬに沿って個々に切断され配線基板１０となる領域である。各製品形成領域Ｒには、絶縁膜１４、接続パッド１５、ランド１６、第１の開口部１７、第２の開口部１８が、形成されている。
【００２７】
次に、図４（ｂ）に示すように、配線基板１０（配線母基板１０ａ）の第１の面１１上に、第１の半導体チップ２０および第２の半導体チップ３０を順番に搭載し、第１のワイヤ４０および第２のワイヤ５０を用いて、配線基板１０（配線母基板１０ａ）と第１の半導体チップ２０および第２の半導体チップ３０とを電気的に接続する。なお、この図４（ｂ）に示すダイボンディング工程およびワイヤボンディング工程の詳細については、図５を参照して後述する。
【００２８】
次に、図４（ｃ）に示すように、ダイボンディング工程およびワイヤボンディング工程を経た配線母基板１０ａに、一括モールドを施すことによって、封止樹脂６０を形成する。この一括モールドには、上型（図示しない）および下型（図示しない）などを備えたトランスファーモールド装置（図示しない）が用いられる。具体的には、この一括モールドは、上型（図示しない）および下型（図示しない）によって形成される空間内に、ダイボンディング工程およびワイヤボンディング工程を経た配線母基板１０ａを配置し、前記空間内に熱硬化性のエポキシ樹脂等を流入させることによって行われる。
【００２９】
次に、図４（ｄ）に示すように、配線基板１０（配線母基板１０ａ）の第２の面１２側に設けられたランド１６にそれぞれ外部端子（半田ボール）７０を搭載する。この外部端子７０の搭載は、例えば、複数のランド１６に対応して配列形成された複数の吸着孔（図示しない）を備えた吸着機構（図示しない）を用いて行うことができる。この場合、複数の外部端子７０を吸着機構（図示しない）に吸着保持させ、保持された外部端子７０にフラックスを転写形成して、ランド１６に一括搭載する。その後、リフロー処理により、外部端子７０とランド１６との間を接続固定する。
【００３０】
次に、図４（ｅ）に示すように、封止樹脂６０にダイシングテープ（図示しない）を貼り付けて支持した状態で、ダイシングブレード（図示しない）を用いて、配線母基板１０ａおよび封止樹脂６０をダイシングラインＬに沿って切断する。これにより、配線母基板１０ａは、製品形成領域Ｒ毎に個片化され、その後、個片化された配線基板１０（配線母基板１０ａ）および封止樹脂６０をダイシングテープ（図示しない）からピックアップすることで、図１乃至図３に示すような半導体装置１が得られる。
【００３１】
つぎに、半導体装置１のダイボンディング工程およびワイヤボンディング工程について、図５（ａ）乃至図５（ｄ）に基づいて以下に説明する。
【００３２】
まず、図５（ａ）に示すように、配線基板１０（配線母基板１０ａ）上に、第１の半導体チップ２０を搭載する。具体的には、図５（ａ）に示すように、接着部材８０を塗布した第１の面１１を上側に向けた状態でダイボンディングステージＳ１上に載置された配線基板１０（配線母基板１０ａ）に対して、第１の電極パッド２１を設けた面を下側に向けた状態でボンディングツールＴによって保持された第１の半導体チップ２０を第３方向Ｚに下ろすことで、配線基板１０（配線母基板１０ａ）上に、第１の半導体チップ２０を搭載する。この際、第１の開口部１７と第１の電極パッド２１とが第３方向Ｚに向かい合うように、第１の半導体チップ２０が配線基板１０（配線母基板１０ａ）上に搭載される。
【００３３】
次に、図５（ｂ）に示すように、接続パッド１５と第１の電極パッド２１とを第１のワイヤ４０を用いて接続する。具体的には、図５（ｂ）に示すように、第１の電極パッド２１が設けられた面を上側に向けた状態で、第１の半導体チップ２０および配線基板１０（配線母基板１０ａ）をワイヤボンディングステージＳ２に載置した後、第３方向Ｚの上側から、押圧治具であるキャピラリＣを用いて第１のワイヤ４０の両端に超音波振動を加えながら熱圧着により、第１のワイヤ４０の端部を第１の電極パッド２１および接続パッド１５に接合する。この際、第１の電極パッド２１は、第１の開口部１７を通じて、第３方向Ｚの上側に露呈しているため、第１のワイヤ４０の一端と第１の電極パッド２１との接合を容易に達成できる。また、本実施形態では、第１の半導体チップ２０の配線基板１０（配線母基板１０ａ）側に対向する面に第１の電極パッド２１が設けられているとともに、接続パッド１５が配線基板１０（配線母基板１０ａ）の第２の面１２に設けられており、これにより、第１の電極パッド２１および接続パッド１５を接続する第１のワイヤ４０に形成されるワイヤループ部４１が、図５（ｂ）に示すように、配線基板１０（配線母基板１０ａ）の第２の面１２側に位置することになる。
【００３４】
次に、図５（ｃ）に示すように、第１の半導体チップ２０上に、第２の半導体チップ３０を搭載する。具体的には、図５（ｃ）に示すように、ダイボンディングステージＳ１上に載置された第１の半導体チップ２０に対して、第２の電極パッド３１を設けた面を下側に向けた状態でボンディングツールＴによって保持された第２の半導体チップ３０を第３方向Ｚに下ろすことで、第１の半導体チップ２０上に第２の半導体チップ３０を搭載する。この際、図５（ｃ）に示すように、第２の半導体チップ３０の第２の電極パッド３１を設けた部分が第１方向Ｘにおいて第１の半導体チップ２０の両端部を超えてオーバーハングし（張り出し）、且つ、第２の電極パッド３１と第２の開口部１８とが第３方向Ｚに向かい合うように、第２の半導体チップ３０が第１の半導体チップ２０上に搭載される。
【００３５】
次に、図５（ｄ）に示すように、接続パッド１５と第２の電極パッド３１とを第２のワイヤ５０を用いて接続する。具体的には、図５（ｄ）に示すように、第２の半導体チップ３０の第２の電極パッド３１が設けられた面を上側に向けた状態で、第２の半導体チップ３０および第１の半導体チップ２０および配線基板１０（配線母基板１０ａ）をワイヤボンディングステージＳ２に載置した後、第３方向Ｚの上側から、押圧治具であるキャピラリＣを用いて第２のワイヤ５０の両端に超音波振動を加えながら熱圧着により、第２のワイヤ５０の端部を第２の電極パッド３１および接続パッド１５に接合する。この際、第２の電極パッド３１は、第２の開口部１８を通じて、第３方向Ｚの上側に露呈しているため、第２のワイヤ５０の一端と第２の電極パッド３１との接合を容易に達成できる。また、本実施形態では、第２の電極パッド３１が第２の半導体チップ３０の配線基板１０（配線母基板１０ａ）側に対向する面に設けられているとともに、接続パッド１５が配線基板１０（配線母基板１０ａ）の第２の面１２に設けられており、これにより、第２の電極パッド３１および接続パッド１５を接続する第２のワイヤ５０に形成されるワイヤループ部５１が、図５（ｄ）に示すように、配線基板１０（配線母基板１０ａ）の第２の面１２側に位置することになる。
【００３６】
このようにして得られた本実施形態の半導体装置１では、図３に示すように、第２の電極パッド３１を設けた面を配線基板１０に向けた状態で、第２の半導体チップ３０を配線基板１０に積層搭載することにより、図５（ｄ）に示すように、第２の半導体チップ３０の第２の電極パッド３１を設けた面とは反対側の面の全面をワイヤボンディングステージＳ２上に良好に保持した状態で、キャピラリＣでワイヤボンディングすることが可能であるため、ワイヤボンディング時におけるオーバーハング部３２でのチップクラックの発生を抑制できる。また、これにより、第２の半導体チップ３０のオーバーハング部３２にキャピラリＣで荷重及び超音波を良好に印加することができ、ワイヤ接合の信頼性を向上でき、半導体装置１の信頼性を向上できる。また、前述したように、第２の半導体チップ３０のチップクラックの発生を抑制することにより、チップクラック抑制の為に第２の半導体チップ３０を厚く設定する必要がなくなるため、第２の半導体チップ３０の薄型化を実現できる。
【００３７】
また、本実施形態の半導体装置１では、第２の電極パッド３１を設けた面を配線基板１０に向けた状態で第２の半導体チップ３０を搭載することにより、第２のワイヤ５０に形成されるワイヤループ部５１が、図５（ｄ）に示すように、外部端子７０が突出して設けられる配線基板１０の第２の面１２側に位置することになる。これにより、本実施形態の半導体装置１では、外部端子７０が設けられた配線基板１０（配線母基板１０ａ）の第２の面１２側のスペースを利用して、ワイヤループ部５１およびワイヤループ部５１を覆う封止樹脂６０を配置することが可能になるため、第２の半導体チップ３０の配線基板１０に対向する面とは反対側の面にワイヤループ部５１が配置された場合のように、ワイヤループ部５１およびワイヤループ部５１を覆う封止樹脂６０の分だけ第３方向Ｚにおける半導体装置１の高さが大きくなることを回避でき、半導体装置１の薄型化を実現できる。
【００３８】
また、本実施形態の半導体装置１では、配線基板１０の配線パターン（接続パッド１５、ランド１６、接続パッド１５およびランド１６を接続する配線）が、配線基板１０の第２の面１２のみに形成されていることにより、配線基板１０の第１の面１１にも配線パターンを形成した場合と比較して、第３方向Ｚにおける配線基板１０の厚みを低減できる。
【００３９】
つぎに、本発明の第２の実施形態である半導体装置について、図６乃至図８に基づいて説明する。
【００４０】
ここで、第２の実施形態である半導体装置では、配線基板に対して第１の半導体チップがフェースアップ（回路面とは反対側の面を配線基板に向けた状態）で搭載されている点、配線基板の一部の構成が異なる点のみが、第１の実施形態と相違する。そのため、以下では、第１の実施形態と第２の実施形態との間の相違点のみを説明する。
【００４１】
まず、第２の実施形態の配線基板１０には、図７に示すように、第２の面１２だけでなく第１の面１１にも配線パターン（接続パッド１５、配線）および絶縁膜１４が設けられているとともに、第１の面１１側の配線パターンと第２の面１２側の配線パターンとを接続するビア１９が更に設けられている。
【００４２】
また、第２の実施形態の配線基板１０には、図６に示すように、その第１方向Ｘにおける両端辺に沿って形成された第２の開口部１８のみが形成され、第１の実施形態における第１の開口部１７が形成されていない。
【００４３】
また、第２の実施形態の第１の半導体チップ２０は、図７に示すように、第１の電極パッド２１と所定の回路とを、配線基板１０側に対向する面とは反対側の面に有し、すなわち、第１の半導体チップ２０は、回路面とは反対側の面を配線基板１０側に向けた所謂フェースアップで配線基板１０に搭載されている。第１の電極パッド２１は、図７に示すように、配線基板１０の第１の面１１側に形成された接続パッド１５に、第１のワイヤ４０により接続されている。
【００４４】
このようにして得られた第２の実施形態では、第１の実施形態における効果に加えて、図６に示すように、第１の実施形態における第１方向Ｘに延びる第１の開口部１７が形成されておらず、第２方向Ｙに延びる第２の開口部１８のみが形成されていることにより、モールド工程において封止樹脂６０の原料となる溶融樹脂を第２方向Ｙに沿って流すことによってモールド工程における溶融樹脂の流動性を向上することが可能であるため、モールド時のボイドの発生を抑制できる。
【００４５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００４６】
上述した実施形態では、同じパッド配置の２つの半導体チップをクロス積層する半導体装置について説明したが、オーバーハング部を有する半導体チップが多段に積層された半導体装置であれば、どのような半導体装置に適用してもよい。
【００４７】
また、上述した実施形態では、下段の半導体チップをワイヤボンディングで配線基板に接続するように構成したが、下段の半導体チップの電極パッドにバンプ電極を設け、フリップチップ実装により配線基板に搭載するように構成してもよい。
【００４８】
また、上述した実施形態では、ガラスエポキシ基材からなる配線基板について説明したが、ポリイミド基材からなるフレキシブルな配線基板などに適用してもよい。
【００４９】
また、上述した実施形態では、半田ボールが搭載されたＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）型の半導体装置について説明したが、本発明はＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）型の半導体装置にも適用することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１    ・・・  半導体装置
１０    ・・・  配線基板
１０ａ  ・・・  配線母基板
１１    ・・・  第１の面
１２    ・・・  第２の面
１３    ・・・  絶縁基材
１４    ・・・  絶縁膜
１５    ・・・  接続パッド
１６    ・・・  ランド
１７    ・・・  第１の開口部
１８    ・・・  第２の開口部
１９    ・・・  ビア
２０    ・・・  第１の半導体チップ
２１    ・・・  第１の電極パッド
３０    ・・・  第２の半導体チップ
３１    ・・・  第２の電極パッド
３２    ・・・  オーバーハング部
４０    ・・・  第１のワイヤ
４１    ・・・  ワイヤループ部
５０    ・・・  第２のワイヤ
５１    ・・・  ワイヤループ部
６０    ・・・  封止樹脂
７０    ・・・  外部端子
８０    ・・・  接着部材
Ｌ      ・・・  ダイシングライン
Ｒ      ・・・  製品形成領域
Ｓ１    ・・・  ダイボンディングステージ
Ｓ２    ・・・  ワイヤボンディングステージ
Ｃ      ・・・  キャピラリ
Ｔ      ・・・  ボンディングツール
Ｘ      ・・・  第１方向
Ｙ      ・・・  第２方向
Ｚ      ・・・  第３方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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