(57)【要約】【課題】同軸構造の形状の安定化を図ることができる回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】インプリントモールド５０を第１の樹脂層１１に押し付けて凹部１１１を形成する工程Ｓ１０と、当該凹部１１１に導電性材料を充填することで中心配線パターン２０を形成する工程Ｓ１１と、第１の樹脂層１１に第２の樹脂層１２を積層しつつインプリントモールド６０を第２の樹脂層１２に押し付けて凹部１２１，１２２を形成する工程Ｓ１２と、当該凹部１２１，１２２に導電性材料を充填することで第１及び第２の配線パターン３１，３２を形成すると共に、第２の樹脂層１２の上に上側導電層４２を形成する工程Ｓ１３と、第１の樹脂層１１の他方面を研磨して第１及び第２の配線パターン３１，３２を露出させる工程Ｓ１５と、下側導電層４３を第１の樹脂層１１の下面に形成する工程Ｓ１６と、を備えている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のインプリントモールドを第１の樹脂層の一方面に押し付けて第１の凹部を形成する第１の工程と、
前記第１の凹部に導電性材料を充填することで中心配線パターンを形成する第２の工程と、
前記第１の樹脂層の一方面に第２の樹脂層を積層する第３の工程と、
第２のインプリントモールドを前記第２の樹脂層の一方面に押し付けて、前記中心配線パターンの両側に第２の凹部及び第３の凹部を形成する第４の工程と、
前記第２の凹部に導電性材料を充填することで第１の配線パターンを形成すると共に、前記第３の凹部に導電性材料を充填することで第２の配線パターンを形成する第５の工程と、
前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンに接続された第１の導電層を、前記第２の樹脂層の一方面に形成する第６の工程と、
前記第１の樹脂層の他方面を研磨して前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンを露出させる第７の工程と、
前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンに接続された第２の導電層を、前記第１の樹脂層の他方面に形成する第８の工程と、を備えており、
前記第２の凹部の底面は、前記第１の凹部の底面よりも低く、
前記第３の凹部の底面も、前記第１の凹部の底面よりも低いことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板の製造方法であって、
前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとの間の部分を残して前記第１の導電層をエッチングする第９の工程と、
前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとの間の部分を残して前記第２の導電層をエッチングする第１０の工程と、を備えており、
前記第９の工程と前記第１０の工程を実質的に同時に実行することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】
第１の樹脂層の一方面に第１の導電層を形成する第１の工程と、
第１のインプリントモールドを前記第１の樹脂層の他方面に押し付けて凹部を形成する第２の工程と、
前記凹部に導電性材料を充填することで中心配線パターンを形成する第３の工程と、
前記第１の樹脂層の他方面に第２の樹脂層を積層する第４の工程と、
第２のインプリントモールドを前記第２の樹脂層の他方面に押し付けて、前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層を貫通する第１の貫通孔及び第２の貫通孔を前記中心配線パターンの両側に形成する第５の工程と、
前記第１の貫通孔に導電性材料を充填することで、前記第１の導電層に接続された第１の配線パターンを形成すると共に、前記第２の貫通孔に導電性材料を充填することで、前記第１の導電層に接続された第２の配線パターンを形成する第６の工程と、
前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンに接続された第２の導電層を、前記第２の樹脂層の他方面に形成する第７の工程と、を備えたことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載に回路基板の製造方法であって、
前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとの間の部分を残して前記第１の導電層をエッチングする第８の工程と、
前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとの間の部分を残して前記第２の導電層をエッチングする第９の工程と、を備えており、
前記第８の工程と前記第９の工程を実質的に同時に実行することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載の回路基板の製造方法であって、
前記第１の導電層の上に第３の樹脂層を積層する工程、又は、
前記第２の導電層の上に第４の樹脂層を積層する工程、の少なくとも一方をさらに備えたことを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同軸構造の配線パターンを有する回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
信号線及びシールド電極から構成される同軸構造を有する配線基板の製造方法として次のようなものが知られている。
【０００３】
すなわち、先ず、銅板の上面をエッチングすることで信号線の上半分とシールド電極の側面部の上半分を形成した後に、その開口部分に絶縁樹脂を埋め込む。次いで、当該銅板の下面をエッチングすることで信号線の下半分とシールド電極の側面部の下半分を形成し、その開口部分に絶縁樹脂を埋め込む。次いで、絶縁樹脂の両面に銅めっきを堆積させた後に当該銅めっきをエッチングすることで、シールド電極の上面部及び下面部を形成する（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−７３５８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の製造方法では、エッチングによって信号線やシールド電極の側面部に凹凸が生じ易く、信号線やシールド電極の形状が安定しないため、同軸構造の所望の特性を確保することが困難な場合があるという問題がある。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、同軸構造の形状の安定化を図ることができる回路基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
［１］本発明に係る回路基板の製造方法は、第１のインプリントモールドを第１の樹脂層の一方面に押し付けて第１の凹部を形成する第１の工程と、前記第１の凹部に導電性材料を充填することで中心配線パターンを形成する第２の工程と、前記第１の樹脂層の一方面に第２の樹脂層を積層する第３の工程と、第２のインプリントモールドを前記第２の樹脂層の一方面に押し付けて、前記中心配線パターンの両側に第２の凹部及び第３の凹部を形成する第４の工程と、前記第２の凹部に導電性材料を充填することで第１の配線パターンを形成すると共に、前記第３の凹部に導電性材料を充填することで第２の配線パターンを形成する第５の工程と、前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンに接続された第１の導電層を、前記第２の樹脂層の一方面に形成する第６の工程と、前記第１の樹脂層の他方面を研磨して前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンを露出させる第７の工程と、前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンに接続された第２の導電層を、前記第１の樹脂層の他方面に形成する第８の工程と、を備えており、前記第２の凹部の底面は、前記第１の凹部の底面よりも低く、前記第３の凹部の底面も、前記第１の凹部の底面よりも低いことを特徴とする。
【０００８】
［２］上記発明において、前記回路基板の製造方法は、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとの間の部分を残して前記第１の導電層をエッチングする第９の工程と、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとの間の部分を残して前記第２の導電層をエッチングする第１０の工程と、を備えており、前記第９の工程と前記第１０の工程を実質的に同時に実行してもよい。
【０００９】
［３］本発明に係る回路基板の製造方法は、第１の樹脂層の一方面に第１の導電層を形成する第１の工程と、第１のインプリントモールドを前記第１の樹脂層の他方面に押し付けて凹部を形成する第２の工程と、前記凹部に導電性材料を充填することで中心配線パターンを形成する第３の工程と、前記第１の樹脂層の他方面に第２の樹脂層を積層する第４の工程と、第２のインプリントモールドを前記第２の樹脂層の他方面に押し付けて、前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層を貫通する第１の貫通孔及び第２の貫通孔を前記中心配線パターンの両側に形成する第５の工程と、前記第１の貫通孔に導電性材料を充填することで、前記第１の導電層に接続された第１の配線パターンを形成すると共に、前記第２の貫通孔に導電性材料を充填することで、前記第１の導電層に接続された第２の配線パターンを形成する第６の工程と、前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンに接続された第２の導電層を、前記第２の樹脂層の他方面に形成する第７の工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
［４］上記発明において、前記回路基板の製造方法は、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとの間の部分を残して前記第１の導電層をエッチングする第８の工程と、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとの間の部分を残して前記第２の導電層をエッチングする第９の工程と、を備えており、前記第８の工程と前記第９の工程を実質的に同時に実行してもよい。
【００１１】
［５］上記発明において、前記回路基板の製造方法は、前記第１の導電層の上に第３の樹脂層を積層する工程、又は、前記第２の導電層の上に第４の樹脂層を積層する工程、の少なくとも一方をさらに備えていてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、インプリント法によって凹部や貫通孔を形成するので、形状の再現性が向上して当該凹部や貫通孔の側面が平滑となり、同軸構造の形状の安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態における回路基板の断面図である。
【図２】図２は、図１のII-II線に沿った断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態における回路基板の第１変形例を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態における回路基板の第２変形例を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｄ）は、図５のステップＳ１０〜Ｓ１１における回路基板を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、図５のステップＳ１２〜Ｓ１３における回路基板を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｅ）は、図５のステップＳ１４〜Ｓ１６における回路基板を示す断面図である。
【図９】図９（ａ）〜図９（ｄ）は、図５のステップＳ１７〜Ｓ１８における回路基板を示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図１１】図１１（ａ）〜図１１（ｅ）は、図１０のステップＳ２５〜Ｓ２９における回路基板を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第３実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図１３】図１３（ａ）〜図１３（ｅ）は、図１２のステップＳ３４〜Ｓ３６における回路基板を示す断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第４実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図１５】図１５（ａ）〜図１５（ｄ）は、図１４のステップＳ４０〜Ｓ４２における回路基板を示す断面図である。
【図１６】図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、図１４のステップＳ４３〜Ｓ４４における回路基板を示す断面図である。
【図１７】図１７（ａ）〜図１７（ｄ）は、図１４のステップＳ４５〜Ｓ４６における回路基板を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
＜＜第１実施形態＞＞
先ず、本実施形態における回路基板１の構成について図１〜図２を参照しながら説明する。図１及び図２は本発明の第１実施形態における回路基板の断面図であり、図１は図２のI-I線に沿った断面図、図２は図１のII-II線に沿った断面図である。
【００１６】
本実施形態における回路基板（プリント配線板）１は、図１に示すように、絶縁基板１０と、中心配線パターン２０と、シールド配線パターン３０と、を備えている。なお、図１及び図２では一組の同軸構造２０，３０しか図示していないが、特にこれに限定されず、例えば、複数の同軸構造２０，３０を並行に配置してもよい。
【００１７】
絶縁基板１０は、例えば、熱可塑性樹脂やＵＶ硬化性樹脂等の電気絶縁性を有する材料から構成されている。この絶縁基板１０を構成する材料の具体例としては、例えば、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、熱可塑性ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等を例示することができる。
【００１８】
なお、この絶縁基板１０は、後述するように、４つの樹脂層１１〜１４を積層することで構成されているが、第１〜第４の樹脂層１１〜１４を相互に熱融着することでこれらの樹脂層１１〜１４同士を接合してもよいし、接着層を介して第１〜第４の樹脂層１１〜１４同士を接合してもよい。
【００１９】
本実施形態では、この絶縁基板１０に中心配線パターン２０とシールド配線パターン３０が埋設されている。シールド配線パターン３０は、第１〜第４の配線パターン３１〜３４から構成された矩形枠状の断面形状を有しており、中心配線パターン２０を囲繞して同軸構造を形成している。
【００２０】
具体的には、第１の配線パターン３１は、中心配線パターン２０の図中左側に所定距離離れて位置しており、この第１の配線パターン３１のＺ方向の長さは、中心配線パターン２０のＺ方向の長さよりも長くなっている。同様に、第２の配線パターン３２は、中心配線パターン２０の図中右側に所定距離離れて位置しており、この第２の配線パターン３２のＺ方向の長さも、中心配線パターン２０のＺ方向の長さよりも長くなっている。
【００２１】
一方、第３の配線パターン３３は、中心配線パターン２０の図中上側に所定距離離れて位置しており、この第３の配線パターン３３のＸ方向の長さは、中心配線パターン２０のＸ方向の長さよりも長くなっている。同様に、第４の配線パターン３４は、中心配線パターン２０の図中下側に所定距離離れて位置しており、この第４の配線パターン３４のＸ方向の長さは、中心配線パターン２０のＸ方向の長さよりも長くなっている。
【００２２】
以上に説明した第１〜第４の配線パターン３１〜３４は、それぞれの端部で相互に接続されており、中心配線パターン２０の周囲を囲うことで同軸構造を形成している。
【００２３】
これらの配線パターン２０，３１〜３４は、導電性を有する材料から構成されており、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、錫（Ｓｎ）、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ合金、或いは、Ｓｎ基、Ｐｂ基、Ａｕ基、Ｉｎ基、Ａｌ基等のはんだ合金等の金属を例示することができる。
【００２４】
図２に示すように、中心配線パターン２０とシールド配線パターン３０はそれらの端部まで実質的に並行に延在している。そして、例えば、中心配線パターン２０は、その長手方向（図中のＹ方向）の端部で上方に向かって屈曲しており、第１の接点２１で絶縁基板１０の上面１０ａに露出している。同様に、シールド配線パターン３０も、その長手方向の端部で上方に向かって屈曲しており、第２の接点３５で絶縁基板１０の上面１０ａに露出している。例えば、ワイヤボンディング、積層、バンプ形成等によって、第１の接点２１は外部の信号端子と電気的に接続され、第２の接点３５は外部のＧＮＤ端子と電気的に接続される。
【００２５】
なお、図３や図４に示すように回路基板１Ｂ，１Ｃを構成してもよい。図３及び図４は本実施形態における回路基板の変形例を示す断面図である。
【００２６】
図３に示すように、シールド配線パターン３０Ｂの第３及び第４の配線パターン３３Ｂ，３４ＢをＸ方向に拡張させた形状としてもよいし、いずれか一方の配線パターン３３Ｂ，３４ＢのみをＸ方向に拡張させた形状としてもよい。
【００２７】
また、図４に示すように、絶縁基板１０Ｃを第１及び第２の樹脂層１１，１２のみで構成し、シールド配線パターン３０の第３及び第４の配線パターン３３，３４を、第３及び第４の樹脂層１３，１４で覆わずに露出させてもよい。
【００２８】
次に、以上に説明した回路基板１の製造方法について、図５〜図９を参照しながら説明する。図５は本発明の第１実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャート、図６〜図９は図５の各ステップにおける回路基板を示す断面図である。
【００２９】
先ず、図５のステップＳ１０において、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、第１のインプリントモールド５０を用いて熱インプリント法によって第１の樹脂層１１に第１の凹部１１１を形成する。
【００３０】
この第１のインプリントモールド５０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、石英（ＳｉＯ２）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）、グラッシーカーボン（ＧＣ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）等から構成されており、同図に示すように、本体部５１と、この本体部５１から突出した凸部５２と、を有している。凸部５２は、第１の樹脂層１１の第１の凹部１１１に対応した形状を有している。
【００３１】
例えば、第１の樹脂層１１を液晶ポリマ（ＬＣＰ）で構成する場合には、３００℃程度に加熱した第１の樹脂層１１の上面に、第１のインプリントモールド５０を２．５ＭＰａ程度の圧力で押し付けて、凸部５２の形状を第１の樹脂層１１に転写することで、第１の樹脂層１１に第１の凹部１１１を形成する。一例を挙げれば、第１の樹脂層１１の厚さが２５μｍである場合に、このステップＳ１０で、幅３μｍ、深さ６μｍ程度の第１の凹部１１１を形成する。
【００３２】
そして、第１の樹脂層１１が冷えたら、第１のインプリントモールド５０を第１の樹脂層１１から離型する。なお、本実施形態では、熱インプリント法を用いて第１の樹脂層１１に第１の凹部１１１を形成したが、特にこれに限定されず、ＵＶインプリント法（光インプリント法）を用いてもよい。
【００３３】
次いで、図５のステップＳ１１において、第１の樹脂層１１の上面に導電層４１を形成した後に当該導電層４１をエッチングや研磨することで、第１の凹部１１１内に中心配線パターン２０を形成する。
【００３４】
具体的には、先ず、第１の樹脂層１１の上面に紫外線を照射して表面改質を行い、無電解めっき法によって第１の樹脂層１１の上面にシード層を形成する。その後、図６（ｃ）に示すように、第１の凹部１１１内を含めた第１の樹脂層１１の上面全体に導電層４１を電解めっき法によって形成する。
【００３５】
なお、紫外線照射に代えて、プラズマ照射やコロナ放電等によって第１の樹脂層１１の表面改質を行ってもよい。また、無電解めっき法に代えて、スパッタリング法、真空蒸着法、化学蒸着法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）等を用いてシード層を形成してもよい。或いは、シード層を形成せずに、無電解めっき法、スパッタリング法、真空蒸着法、化学蒸着法等によって導電層４１を形成してもよい。或いは、スクリーン印刷等の印刷法によって導電性ペーストや導電性インクを印刷することで導電層４１を形成してもよい。
【００３６】
次いで、図６（ｄ）に示すように、第１の凹部１１１内のみに導電層４１が残るように、導電層４１に対してエッチングや研磨を行うことで、第１の凹部１１１内に中心配線パターン２０を形成する。研磨の具体的な方法としては、例えば、テープ研磨、ラッピング研磨、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）等を例示することができる。
【００３７】
次いで、図５のステップＳ１２において、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、第１の樹脂層１１の上に第２の樹脂層１２を積層しつつ、第２のインプリントモールド６０を用いて熱インプリント法によって第１及び第２の樹脂層１１，１２に第２及び第３の凹部１２１，１２２を形成する。なお、第２の樹脂層１２の積層と、熱インプリント法による第２及び第３の凹部１２１，１２２の形成と、を同時に行わずに別工程で行ってもよい。
【００３８】
この第２のインプリントモールド６０は、上述の第１のインプリントモールド５０と同様に、例えば、シリコン（Ｓｉ）、石英（ＳｉＯ２）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）、グラッシーカーボン（ＧＣ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）等から構成されており、同図に示すように、本体部６１と、この本体部６１から突出した２つの突起６２，６３と、を有している。第１の突起６２は、第１及び第２の樹脂層１１，１２の第２の凹部１２１に対応した形状を有しており、第２の突起６３は、第１及び第２の樹脂層１１，１２の第３の凹部１２２に対応した形状を有している。
【００３９】
例えば、第２の樹脂層１２も液晶ポリマ（ＬＣＰ）で構成する場合には、第１の樹脂層１１と第２の樹脂層１２を積層して３００℃程度に加熱した状態で、第２のインプリントモールド６０を２．５ＭＰａ程度の圧力で第２の樹脂層１２の上面に押し付ける。
【００４０】
これにより、第１の樹脂層１１と第２の樹脂層１２とが熱融着によって相互に接合されると共に、第１及び第２の突起６２，６３の形状が第１及び第２の樹脂層１１，１２に転写され、第１及び第２の樹脂層１１，１２に第２及び第３の凹部１２１，１２２が形成される。
【００４１】
一例を挙げれば、このステップＳ１２において、幅５μｍ、深さ１６μｍ程度の第２の凹部１２１を、中心配線パターン２０から左側に５μｍ程度離れた位置に形成すると共に、幅５μｍ、深さ１６μｍ程度の第３の凹部１２２を、中心配線パターン２０から右側に５μｍ程度離れた位置に形成する。
【００４２】
なお、本実施形態では、図７（ｂ）に示すように、第２の樹脂層１２の上面を基準として、第２及び第３の凹部１２１，１２２の底面１２１ａ，１２２ａまでの深さｈ１が、第１の凹部１１１の底面１１１ａまでの深さｈ２よりも深くなっている（ｈ１＞ｈ２）。
【００４３】
そして、第１及び第２の樹脂層１１，１２を冷却したら、第２のインプリントモールド６０を第１及び第２の樹脂層１１，１２から離型する。なお、本実施形態では、熱インプリント法を用いて第２及び第３の凹部１２１，１２２を形成したが、特にこれに限定されず、ＵＶインプリント法（光インプリント法）を用いてもよい。
【００４４】
次いで、図５のステップ１３において、図７（ｃ）に示すように、第２及び第３の凹部１２１，１２２内に導電性材料を充填することで第１及び第２の配線パターン３１，３２を形成すると共に、第２の樹脂層１２の上面に上側導電層４２を形成する。
【００４５】
具体的には、先ず、紫外線照射によって第２の樹脂層１２の上面を改質した後に、無電解めっき法によって、第２及び第３の凹部１２１，１２２内と第２の樹脂層１２の上面にシード層を形成する。次いで、電解めっき法によって、第２及び第３の凹部１２１，１２２内に導電性材料を充填することで第１及び第２の配線パターン３１，３２を形成するとともに、この配線パターン３１，３２に繋がった上側導電層４２を第２の樹脂層１２の上面に形成する。この上側導電層４２は、例えば５μｍ程度の厚さを有している。
【００４６】
なお、紫外線照射に代えて、プラズマ照射やコロナ放電等によって第２の樹脂層１２の表面改質を行ってもよい。また、無電解めっき法に代えて、スパッタリング法、真空蒸着法、化学蒸着法（ＣＶＤ）等を用いてシード層を形成してもよい。或いは、シード層を形成せずに、無電解めっき法、スパッタリング法、真空蒸着法、化学蒸着法等によって上側導電層４２を形成してもよい。或いは、スクリーン印刷等の印刷法によって導電性ペーストや導電性インクを印刷することで上側導電層４２を形成してもよい。また、第１及び第２の配線パターン３１，３２の形成と、上側導電層４２の形成と、を同時に行わずに別工程で行ってもよい。
【００４７】
次いで、図５のステップＳ１４において、図８（ａ）に示すように、上側導電層４２の上に、第３の配線パターン３３に対応した形状を有する第１のレジスト層４５をフォトリソグラフィ等によって形成した後に、図８（ｂ）に示すように、上側導電層４２に対してエッチングを行うことで、第３の配線パターン３３を形成する。エッチング液としては、例えば、塩化銅、塩化鉄、アルカリエッチング液、又は過酸化水素／硫酸系エッチング液等を用いることができる。エッチングが完了したら、図８（ｃ）に示すように、第１のレジスト層４５を第３の配線パターン３３から剥離する。
【００４８】
なお、このステップＳ１４を省略することで、図３に示すような第３の配線パターン３３Ｂを形成してもよい。
【００４９】
次いで、図５のステップＳ１５において、図８（ｄ）に示すように、第１の樹脂層１１の下面を研磨することで、第１及び第２の配線パターン３１，３２を露出させる。研磨の具体的な方法としては、例えば、テープ研磨、ラッピング研磨、化学機械研磨（ＣＭＰ）等を例示することができる。
【００５０】
なお、上述のように第２及び第３の凹部１２１，１２２の深さｈ１が第１の凹部１１１の深さｈ２よりも深くなっているので（ｈ１＞ｈ２）、このステップＳ１５の研磨によって中心配線パターン２０が第１の樹脂層１１の下面から露出することはない。
【００５１】
次いで、図５のステップＳ１６において、第１の樹脂層１１の下面に紫外線照射して表面改質を行った後に、無電解めっき法によって第１の樹脂層１１の下面にシード層を形成し、さらに、図８（ｅ）に示すように、第１の樹脂層１１の下面に下側導電層４３を電解めっき法によって形成する。この下側導電層４３は、例えば５μｍ程度の厚さを有している。
【００５２】
なお、紫外線照射に代えて、プラズマ照射やコロナ放電等によって第１の樹脂層１１の表面改質を行ってもよい。また、無電解めっき法に代えて、スパッタリング法、真空蒸着法、化学蒸着法（ＣＶＤ）等を用いてシード層を形成してもよい。或いは、シード層を形成せずに、無電解めっき法、スパッタリング法、真空蒸着法、化学蒸着法等によって下側導電層４３を形成してもよい。或いは、スクリーン印刷等の印刷法によって導電性ペーストや導電性インクを印刷することで下側導電層４３を形成してもよい。
【００５３】
次いで、図５のステップＳ１７において、図９（ａ）に示すように、下側導電層４３の下面に、第４の配線パターン３４に対応した形状を有する第２のレジスト層４６をフォトリソグラフィ等によって形成した後、図９（ｂ）に示すように、下側導電層４３に対してエッチングを行うことで、第４の配線パターン３４を形成する。そして、エッチングが完了したら、図９（ｃ）に示すように、第２のレジスト層４６を第４の配線パターン３４から剥離する。
【００５４】
なお、このステップＳ１７を省略することで、図３に示すような第４の配線パターン３４Ｂを形成してもよい。
【００５５】
次いで、図５のステップＳ１８において、図９（ｄ）に示すように、第３の樹脂層１３を第２の樹脂層１２の上に積層すると共に、第１の樹脂層１１の下に第４の樹脂層１４を積層することで、回路基板１が完成する。
【００５６】
この第３及び第４の樹脂層１３，１４によって第３及び第４の配線パターン３３，３４が保護されると共にマイグレーションの発生が抑制される。なお、第３及び第４の樹脂層１３，１４を例えば液晶ポリマ（ＬＣＰ）で構成する場合には、第１〜第４の樹脂層１１〜１４を熱プレスすることでこれらを熱融着することができる。
【００５７】
なお、このステップＳ１８を省略することで、図４に示すような回路基板１Ｃを形成してもよい。或いは、このステップＳ１８において、第３又は第４の樹脂層１３，１４の一方のみを積層してもよい。
【００５８】
以上のように、本実施形態では、凹部１１１，１２１，１２２をインプリント法によって形成するので、形状の再現性が向上して中心配線パターン２０とシールド配線パターン３０の側面の平滑化を図ることができ、同軸構造の所望の特性（例えば抵抗値やインピーダンスマッチング等）を確保することが可能となる。しかも、インプリント法を採用することでナノオーダーの微細な配線も可能となる。
【００５９】
本実施形態における図５のステップＳ１０が本発明における第１の工程の一例に相当し、本実施形態における図５のステップＳ１１が本発明における第２の工程の一例に相当し、本実施形態における図５のステップＳ１２が本発明における第３及び第４の工程の一例に相当し、本実施形態における図５のステップＳ１３が本発明における第５及び第６の工程の一例に相当し、本実施形態における図５のステップＳ１５が本発明における第７の工程の一例に相当し、本実施形態における図５のステップＳ１６が本発明における第８の工程の一例に相当する。
【００６０】
＜＜第２実施形態＞＞
図１０は本発明の第２実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャート、図１１（ａ）〜図１１（ｅ）は図１０の各ステップにおける回路基板を示す断面図である。
【００６１】
本実施形態における回路基板１の製造方法は、図１０に示すように、第３の配線パターン３３を形成した後（図１０のステップＳ２４の後）であって、第１の樹脂層１１の下面を研磨する前（図１０のステップＳ２６の前）に、第２の樹脂層１２の上に第３の樹脂層１３を積層する点で、第１実施形態と相違する。
【００６２】
本実施形態では、上述の図５のステップＳ１４と同様の要領で、図１０のステップＳ２４で第３の配線パターン３３を形成した後に、同図のステップＳ２５において、図１１（ａ）に示すように、第３の樹脂層１３を第２の樹脂層１２の上に積層する。なお、本実施形態における図１０のステップＳ２０〜Ｓ２３は、第１実施形態で説明した図５のステップＳ１０〜Ｓ１３と同様であるので説明を省略する。
【００６３】
次いで、図１０のステップＳ２６において、図１１（ｂ）に示すように、上述の図５のステップＳ１５と同様の要領で、第１の樹脂層１１の下面を研磨することで、第１及び第２の配線パターン３１，３２を露出させる。
【００６４】
次いで、図１０のステップＳ２７において、図１１（ｃ）に示すように、上述の図５のステップＳ１６と同様の要領で、第１の樹脂層１１の下面に下側導電層４３を形成し、図１０のステップＳ２８において、図１１（ｄ）に示すように、上述の図５のステップＳ１７と同様の要領で第４の配線パターン３４を形成する。
【００６５】
次いで、図１０のステップＳ２９において、図１１（ｅ）に示すように、第４の樹脂層１４を第１の樹脂層１１の下面に積層することで、回路基板１が完成する。
【００６６】
以上のように、本実施形態では、第１実施形態と同様に、凹部１１１，１２１，１２２をインプリント法によって形成するので、形状の再現性が向上して中心配線パターン２０とシールド配線パターン３０の側面の平滑化を図ることができ、同軸構造の所望の特性を確保することが可能となる。しかも、インプリント法を採用することでナノオーダーの微細な配線も可能となる。
【００６７】
また、本実施形態では、図１０のステップＳ２６において、第３の配線パターン３３が第３の樹脂層１３で覆われて上面が平滑となっているので、第１の樹脂層１１の下面を研磨し易くなっている。
【００６８】
本実施形態における図１０のステップＳ２０が本発明における第１の工程の一例に相当し、本実施形態における図１０のステップＳ２１が本発明における第２の工程の一例に相当し、本実施形態における図１０のステップＳ２２が本発明における第３及び第４の工程の一例に相当し、本実施形態における図１０のステップＳ２３が本発明における第５及び第６の工程の一例に相当し、本実施形態における図１０のステップＳ２６が本発明における第７の工程の一例に相当し、本実施形態における図１０のステップＳ２７が本発明における第８の工程の一例に相当する。
【００６９】
＜＜第３実施形態＞＞
図１２は本発明の第３実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャート、図１３（ａ）〜図１３（ｅ）は図１２の各ステップにおける回路基板を示す断面図である。
【００７０】
本実施形態における回路基板１の製造方法は、図１２に示すように、下側導電層４３を形成した後に第３の配線パターン３３を形成する点で、第１実施形態と相違する。
【００７１】
本実施形態では、上述の図５のステップＳ１３と同様の要領で、図１２のステップＳ３３で第１及び第２の配線パターン３１，３２と上側導電層４２を形成した後に、同図のステップＳ３４において、図１３（ａ）に示すように、上述の図５のステップＳ１５と同様の要領で、第１の樹脂層１１の下面を研磨することで、第１及び第２の配線パターン３１，３２を露出させる。なお、本実施形態における図１２のステップＳ３０〜Ｓ３２は、第１実施形態で説明した図５のステップＳ１０〜Ｓ１２と同様であるので説明を省略する。
【００７２】
次いで、図１２のステップＳ３５において、図１３（ｂ）に示すように、上述の図５のステップＳ１６と同様の要領で、第１の樹脂層１１の下面に下側導電層４３を形成する。
【００７３】
次いで、本実施形態では、図１２のステップＳ３６において、図１３（ｃ）に示すように、第３の配線パターン３３に対応した形状を有する第１のレジスト層４５を上側導電層４２の上に形成すると共に、第４の配線パターン３４に対応した形状を有する第２のレジスト層４６を下側導電層４３の下に形成した後に、図１３（ｄ）に示すように、上下の導電層４２，４３に対してエッチングを行うことで、第３及び第４の配線パターン３３，３４を形成する。そして、このエッチングが完了したら、図１３（ｅ）に示すように、第１及び第２のレジスト層４５，４６を第３及び第４の配線パターン３３，３４からそれぞれ剥離する。
【００７４】
次いで、図１２のステップＳ３７において、上述の図５のステップＳ１８と同様の要領で、第３の樹脂層１３を第２の樹脂層１２の上に積層すると共に、第１の樹脂層１１の下に第４の樹脂層１４を積層することで、回路基板１が完成する。
【００７５】
以上のように、本実施形態では、第１実施形態と同様に、凹部１１１，１２１，１２２をインプリント法によって形成するので、形状の再現性が向上して中心配線パターン２０とシールド配線パターン３０の側面の平滑化を図ることができ、同軸構造の所望の特性を確保することが可能となる。しかも、インプリント法を採用することでナノオーダーの微細な配線も可能となる。
【００７６】
また、本実施形態では、図１２のステップＳ３６において、第３の配線パターン３３と第４の配線パターン３４を同時に形成するので、エッチングの回数が少なくなり、回路基板１の生産性が向上する。
【００７７】
本実施形態における図１２のステップＳ３０が本発明における第１の工程の一例に相当し、本実施形態における図１２のステップＳ３１が本発明における第２の工程の一例に相当し、本実施形態における図１２のステップＳ３２が本発明における第３及び第４の工程の一例に相当し、本実施形態における図１２のステップＳ３３が本発明における第５及び第６の工程の一例に相当し、本実施形態における図１２のステップＳ３４が本発明における第７の工程の一例に相当し、本実施形態における図１２のステップＳ３５が本発明における第８の工程の一例に相当し、本実施形態における図１２のステップＳ３６が本発明における第９及び第１０の工程の一例に相当する。
【００７８】
＜＜第４実施形態＞＞
図１４は本発明の第４実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャート、図１５〜図１７は図１４の各ステップにおける回路基板を示す断面図である。
【００７９】
本実施形態における回路基板１の製造方法は、図１４に示すように、最初に下側導電層４３を形成する点と、第２及び第３の凹部１２１，１２２に代えて貫通孔１２３，１２４を形成する点で、第１実施形態と相違する。
【００８０】
本実施形態では、先ず、図１４のステップＳ４０において、第１の樹脂層１１の下面に下側導電層４３を形成する。具体的には、上述の図５のステップＳ１６と同様の要領で、第１の樹脂層１１の下面に紫外線照射して表面改質を行った後に、無電解めっき法によって第１の樹脂層１１の下面にシード層を形成し、さらに、図１５（ａ）に示すように、第１の樹脂層１１の下面に下側導電層４３を電解めっき法によって形成する。
【００８１】
なお、このステップＳ４０において、銅箔等の金属箔を第１の樹脂層の下面に貼り付けることで、下側導電層４３を形成してもよい。
【００８２】
次いで、図１４のステップＳ４１において、上述の図５のステップＳ１０と同様の要領で、図１５（ｂ）及び図１５（ｃ）に示すように、第１のインプリントモールド５０を用いて熱インプリント法によって第１の樹脂層１１に凹部１１１を形成する。
【００８３】
次いで、図１４のステップＳ４２において、上述の図５のステップＳ１１と同様の要領で、図１５（ｄ）に示すように、第１の樹脂層１１の凹部１１１内に中心配線パターン２０を形成する。
【００８４】
次いで、図１４のステップＳ４３において、上述の図５のステップＳ１２と同様の要領で、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、第１の樹脂層１１の上に第２の樹脂層１２を積層しながら、第２のインプリントモールド６０を第２の樹脂層１２の上面に押し付ける。
【００８５】
この際、本実施形態では、第１の樹脂層１１と第２の樹脂層１２の合計の厚さが、第２のインプリントモールド６０の突起６２，６３の高さと実質的に同一に設定されている。そのため、第２のインプリントモールド６０が第１及び第２の樹脂層１１，１２に押し付けられると、２つの突起６２，６３が第１及び第２の樹脂層１１、１２を貫通し、第１及び第２の樹脂層１１，１２に第１及び第２の貫通孔１２３，１２４が形成される。なお、第２の樹脂層１２の積層と、熱インプリント法による第１及び第２の貫通孔１２３，１２４の形成と、を同時に行わずに別工程で行ってもよい。
【００８６】
次いで、図１４のステップＳ４４において、図１６（ｃ）に示すように、上述の図５のステップＳ１３と同様の要領で、第１及び第２の貫通孔１２３，１２４内に導電性材料を充填することで第１及び第２の配線パターン３１，３２を形成すると共に、第２の樹脂層１２の上面に上側導電層４２を形成する。この際、本実施形態では、下側導電層４３は、第１及び第２の貫通孔１２３，１２４を介して露出しているので、第１及び第２の配線パターン３１，３２は下側導電層４３に接続される。なお、第１及び第２の配線パターン３１，３２の形成と、上側導電層４２の形成と、を同時に行わずに別工程で行ってもよい。
【００８７】
次いで、図１４のステップＳ４５において、図１７（ａ）に示すように、第３の配線パターン３３に対応した形状を有する第１のレジスト層４５を上側導電層４２の上に形成すると共に、第４の配線パターン３４に対応した形状を有する第２のレジスト層４６を下側導電層４３の下に形成した後に、図１７（ｂ）に示すように、第１及び第２の導電層４２，４３に対してエッチングを行うことで、第３及び第４の配線パターン３３，３４を形成する。そして、このエッチングが完了したら、図１７（ｃ）に示すように、第１及び第２のレジスト層４５，４６を第３及び第４の配線パターン３３，３４からそれぞれ剥離する。なお、第３の配線パターン３３と第４の配線パターン３４を別工程で形成してもよい。
【００８８】
次いで、図１４のステップＳ４６において、上述の図５のステップＳ１８と同様の要領で、第３の樹脂層１３を第２の樹脂層１２の上に積層すると共に、第１の樹脂層１１の下に第４の樹脂層１４を積層することで、回路基板１が完成する。
【００８９】
以上のように、本実施形態では、凹部１１１や貫通孔１２３，１２４をインプリント法によって形成するので、形状の再現性が向上して中心配線パターン２０とシールド配線パターン３０の側面の平滑化を図ることができ、同軸構造の所望の特性を確保することが可能となる。しかも、インプリント法を採用することでナノオーダーの微細な配線も可能となる。
【００９０】
また、本実施形態では、図１４のステップＳ４５において、第３の配線パターン３３と第４の配線パターン３４を同時に形成するので、エッチングの回数が少なくなり、回路基板１の生産性が向上する。
【００９１】
さらに、本実施形態では、第１の樹脂層１１に下側導電層４３を形成した後に貫通孔１２３，１２４を形成するので、研磨工程が不要となり、回路基板１の生産性が向上する。
【００９２】
本実施形態における図１４のステップＳ４０が本発明における第１の工程の一例に相当し、本実施形態における図１４のステップＳ４１が本発明における第２の工程の一例に相当し、本実施形態における図１４のステップＳ４２が本発明における第３の工程の一例に相当し、本実施形態における図１４のステップＳ４３が本発明における第４及び第５の工程の一例に相当し、本実施形態における図１４のステップＳ４４が本発明における第６及び第７の工程の一例に相当し、本実施形態における図１４のステップＳ４５が本発明における第８及び第９の工程の一例に相当する。
【００９３】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００９４】
１…回路基板
１０…絶縁基板
１１…第１の樹脂層
１１１…第１の凹部
１２…第２の樹脂層
１２１〜１２２…第２〜第３の凹部
１３…第３の樹脂層
１４…第４の樹脂層
２０…中心配線パターン
３０…シールド配線パターン
３１〜３４…第１〜第４の配線パターン
４２…上側導電層
４３…下側導電層
５０…第１のインプリントモールド
６０…第２のインプリントモールド
【図１】
2013211343.tif 000003
【図２】
2013211343.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2013211343.tif 000007
【図６】
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【図７】
2013211343.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2013211343.tif 000018
【図１７】
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