(57)【要約】      （修正有）【課題】圧力でスパイク中に流体からダイに移されるエネルギによってまたは圧力センサアセンブリが振動もしくは衝撃にさらされるときに引き起こされる圧力検出ダイのひび割れもしくは損傷の低減した圧力センサアセンブリを提供する。【解決手段】第１のメンバ２０と、前記第１のメンバに結合された第１の末端部および前記流体のソースに結合された第２の末端部を備える、第２のメンバ３０と、前記第１のメンバと前記第２のメンバの間に形成された第１の空洞内に置かれた基板４０であって、前記基板の第１の側が前記第１のメンバの第２の側と向き合い、その前記基板の第２の側が前記第２のメンバの第１の側と向き合う、基板と、前記基板に実装された圧力検出ダイ５０と、前記基板の前記第１の側と前記第１のメンバの前記第２の側の間にあり、前記第１のメンバから前記基板を分断する、第１のエネルギ吸収メンバ６０とを備える。【選択図】図１
2013113850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリであって、
第１のメンバと、
前記第１のメンバに結合された第１の末端部および前記流体のソースに結合された第２の末端部を備える、第２のメンバと、
前記第１のメンバと前記第２のメンバの間に形成された第１の空洞内に置かれた基板であって、前記基板の第１の側が前記第１のメンバの第２の側と向き合い、その前記基板の第２の側が前記第２のメンバの第１の側と向き合う、基板と、
前記基板に実装された圧力検出ダイと、
前記基板の前記第１の側と前記第１のメンバの前記第２の側の間にあり、前記第１のメンバから前記基板を分断する、第１のエネルギ吸収メンバと
を備える、圧力センサアセンブリ。
【請求項２】
前記第２のメンバが、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第１の流体チャネルをさらに備え、
前記基板が、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第２の流体チャネルをさらに備え、
前記圧力検出ダイが、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第３の流体チャネルをさらに備え、
前記第１の、第２の、および第３の流体チャネルが、前記第１の、第２の、および第３の流体チャネルを介する連続的な流体経路を可能にするように構成された、
請求項１記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項３】
前記圧力検出ダイが前記第２の空洞内に置かれる、前記第１のメンバによって形成された第２の空洞をさらに備える、請求項１記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項４】
前記第１のエネルギ吸収メンバが、前記圧力検出ダイの少なくとも一部を囲む、請求項１記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項５】
前記第２のメンバから前記基板を分断する、前記基板の前記第２の側と前記第２のメンバの前記第１の側の間にある、前記第２のエネルギ吸収メンバをさらに備える、請求項１記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項６】
第２のエネルギ吸収メンバが前記第２のメンバから前記基板を分断し、第２のエネルギ吸収メンバが前記第１の流体チャネル、前記第２の流体チャネル、または前記第３の流体チャネルの少なくとも一部を囲む、前記基板の前記第２の側と前記第２のメンバの前記第１の側の間に第２のエネルギ吸収メンバをさらに備える、請求項２記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項７】
前記第１のメンバがセンサ本体である、請求項１記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項８】
前記第２のメンバがセンサポートである、請求項１記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項９】
前記第１のエネルギ吸収メンバがガスケットである、請求項１記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項１０】
前記第２のエネルギ吸収メンバがガスケットである、請求項５記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項１１】
流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリであって、
第１のメンバと、
前記第１のメンバに結合された第１の末端部および前記流体のソースに結合された第２の末端部を備える、第２のメンバと、
前記第１のメンバと前記第２のメンバの間に形成された第１の空洞内に置かれた基板であって、前記基板の第１の側が前記第１のメンバの第２の側と向き合い、前記基板の第２の側が前記第２のメンバの第１の側と向き合う、基板と、
前記基板に実装された圧力検出ダイと、
前記基板の前記第２の側と前記第２のメンバの前記第１の側の間にあり、前記第２のメンバから前記基板を分断する、第１のエネルギ吸収メンバと
を備える、圧力センサアセンブリ。
【請求項１２】
前記第１のエネルギ吸収メンバがガスケットである、請求項１１記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項１３】
流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリであって、
第１のメンバと、
前記第１のメンバに結合された第１の末端部および前記流体のソースに結合された第２の末端部を備える、第２のメンバと、
前記第１のメンバと前記第２のメンバの間に形成された第１の空洞内に置かれた基板であって、前記基板の第１の側が前記第１のメンバの第２の側と向き合い、前記基板の第２の側が前記第２のメンバの第１の側と向き合う、基板と、
前記基板に実装された圧力検出ダイと、
前記第１のメンバの前記第２の側から前記基板の前記第１の側の方へ延び、前記第１のメンバから前記基板を分断する、第１のセットの突起と
を備える、圧力センサアセンブリ。
【請求項１４】
前記第２のメンバが、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第１の流体チャネルをさらに備え、
前記基板が、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第２の流体チャネルをさらに備え、
前記圧力検出ダイが、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第３の流体チャネルをさらに備え、
前記第１の、第２の、および第３の流体チャネルが前記第１の、第２の、および第３の流体チャネルを介する連続的な流体経路を可能にするように構成された、
請求項１３記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項１５】
前記第１のセットの突起が前記圧力検出ダイの少なくとも一部を囲む、請求項１３記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項１６】
前記第２のメンバの前記第１の側から延び、前記第２のメンバから前記基板を分断する第２のセットの突起をさらに備える、請求項１３記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項１７】
前記第２のメンバの前記第１の側から延び、前記第１の流体チャネル、前記第２の流体チャネル、または前記第３の流体チャネルの少なくとも一部を囲む、第２のセットの突起をさらに備える、請求項１４記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項１８】
前記第１のメンバがセンサ本体である、請求項１３記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項１９】
前記第２のメンバがセンサポートである、請求項１３記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項２０】
流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリであって、
第１のメンバと、
前記第１のメンバに結合された第１の末端部および前記流体のソースに結合された第２の末端部を備える、第２のメンバと、
前記第１のメンバと前記第２のメンバの間に形成された第１の空洞内に置かれた基板であって、前記基板の第１の側が前記第１のメンバの第２の側と向き合い、前記基板の第２の側が前記第２のメンバの第１の側と向き合う、基板と、
前記基板に実装された圧力検出ダイと、
前記第２のメンバの前記第１の側から前記基板の前記第２の側に延び、前記第２のメンバから前記基板を分断する、第１のセットの突起と
を備える、圧力センサアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示される主題は、流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
圧力センサアセンブリは、パッケージによって保持された基板に実装された圧力検出ダイを含み得る。一構成で、その圧力検出ダイは、流体の圧力を判定するために、パッケージおよび／または基板内でチャネルを介して進む流体（たとえば、液体または気体）にさらされる。一部のアセンブリでは、ダイおよび／または基板は、パッケージと非常に強く結合され、圧力でスパイク中に流体からダイに移されるエネルギによって、または圧力センサアセンブルが振動もしくは衝撃にさらされるときに、割れるまたは他の方法で損傷することがある。
【０００３】
前述の議論は、単に一般的背景情報として提供され、特許請求されている本主題の範囲を判断する助けとして使用されるものではない。
【発明の概要】
【０００４】
圧力検出ダイが実装された基板がパッケージから分断された、流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリが開示される。本圧力センサアセンブリのいくつかの開示される実施形態の実践で実現され得る利点は、圧力でスパイク中に流体からダイに移されるエネルギによってまたは圧力センサアセンブリが振動もしくは衝撃にさらされるときに引き起こされる圧力検出ダイのひび割れもしくは損傷の低減である。
【０００５】
一実施形態では、流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリが開示される。その圧力センサアセンブリは、基板の第１の側が第１のメンバの第２の側と向き合い、その基板の第２の側が第２のメンバの第１の側と向き合う、第１のメンバと、第１のメンバに結合された第１の末端部および流体のソースに結合された第２の末端部を備える第２のメンバと、第１のメンバと第２のメンバの間に形成された第１の空洞内に置かれた基板と、その基板に実装された圧力検出ダイと、第１のメンバから基板を分断する、その基板の第１の側と第１のメンバの第２の側の間にあるエネルギ吸収メンバとを備える。もう１つの実施形態では、エネルギ吸収メンバは、基板の第２の側と第２のメンバの第１の側の間にあり、そのエネルギ吸収メンバは第２のメンバからその基板を分断する。
【０００６】
さらに別の実施形態では、第１のセットの突起が第１のメンバの第２の側から基板の第１の側に向かって延び、その第１のセットの突起が第１のメンバとその基板を分断する。さらに別の実施形態では、１セットの突起が第２のメンバの第１の側から基板の第２の側に向かって延び、そのセットの突起が第２のメンバとその基板を分断する。
【０００７】
本発明の概要は、１つまたは複数の例示的な実施形態により本明細書で開示される主題の概要を提供することのみを目的とし、本特許請求の範囲を解釈するための指針となることをせず、あるいは、添付の特許請求の範囲によってのみ定義される本発明の範囲を定義または限定しない。本発明の概要は、発明を実施するための形態において以下にさらに説明される簡略化された形での概念の例示的な選択を紹介するために提供される。本発明の概要は、特許請求されている主題の重要な特徴もしくは本質的特徴を識別するものではなく、特許請求されている主題の範囲を判断する助けとして使用されるものでもない。特許請求されている主題は、背景技術において指摘された何れかのまたはすべての欠点を解決する実装に限定されない。
【０００８】
本発明の特徴が理解され得る形になるように、本発明の詳細な説明はある種の実施形態を参照して行われることがあり、それらの実施形態のうちのいくつかは添付の図面に示される。しかし、これらの図面は本発明のある種の実施形態のみを示し、したがって、その範囲を限定するものとして考慮されず、本発明の範囲は、他の同様に効果的な実施形態を包含することに留意されたい。これらの図面は、必ずしも原寸に比例せず、本発明のある種の実施形態の特徴を説明することに概して重点が置かれている。これらの図面で、同様の番号は、様々なビューを通して同様の部分を指示するために使用される。すなわち、本発明のさらなる理解のために、以下のような図面に関連して読まれて、以下の詳細な説明は参照され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】例示的な圧力センサアセンブリの図である。
【図２】図１の圧力センサアセンブリで使用される例示的なガスケットの図である。
【図３】もう１つの例示的な圧力センサアセンブリの図である。
【図４】図３の例示的なセンサ本体の底部側の透視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、圧力検出ダイ５０が実装された基板４０のパッケージを形成するセンサポート３０（または第２のメンバ）の第１の末端部３２に結合されたセンサ本体２０（または第１のメンバ）を含む、例示的な圧力センサアセンブリ１０である。圧力検出ダイ５０は、センサポート３０の流体チャネル３４を介して流れる流体（たとえば、気体、液体）の圧力を測定する。センサポートは、流体のソースに結合された第２の末端部３３を有し、次いで基板４０の流体チャネル４４を介し、次いで圧力検出ダイ５０の流体チャネル５４を介し、その中で流体チャネル３４、４４、５４は、連続的な流体経路を可能にするために、軸方向に整列される。本例示的な実施形態では、基板４０は、セラミックボタンである。本例示的な実施形態は、基板４０を囲むセンサ本体２０およびセンサポート３０を使用するが、異なるメンバが基板４０を囲むために使用され得ることが理解されよう。
【００１１】
センサ本体２０は、その中に圧力検出ダイ５０が置かれた空洞２２を含み得る。圧力検出ダイ５０は、たとえば、圧力検出ダイ５０を基板４０に接合するためのガラスフリット５６を使用し、基板４０の最上部側４６に実装され得る。他の実施形態では、圧力検出ダイ５０は基板４０の底部側４８に実装され得ることが、理解されよう。圧力センサアセンブリ１０の向きに関わらず、本明細書で「最上部側」という用語は、センサ本体２０と向き合う側を示し、一方、「底部側」は、センサポート３０の方と向き合う側を示すことが理解されよう。
【００１２】
一実施形態では、圧力検出ダイ５０は、圧力検出ダイ５０が圧力検出ダイ５０の流体チャネル５４でさらされる流体の圧力を判定する。ジェルキャップ５２が、環境から圧力検出ダイ５０の電気回路を保護するために使用され得る。一実施形態では、シリコンキャップが、真空槽を作る圧力検出ダイ５０の最上部に配置可能であり、それと一体式でもよく、参照真空が、絶対圧力を感知するために、圧力検出ダイ５０に使用される。電気導線５８は、流体の圧力を報告するためのモニタリング機器に圧力検出ダイ５０を接続することができる。
【００１３】
センサポート３０は、その中にＯリング３９がセンサポート３０の流体チャネル３４を介して流れる流体のソースとの接続を密閉するために配置され得る、溝３７を含み得る。センサポート３０は、その中に基板４０が置かれた、空洞７０を形成する。もう１つの実施形態では、空洞７０は、センサ本体２０によって形成可能であり、またはそうでない場合、センサ本体２０とセンサポート３０の間に形成可能である。基板４０の最上部側４６がセンサ本体２０の底部側２４と向き合い、基板４０の底部側４８がセンサポート３０の最上部側３６と向き合うように、基板４０は、空洞７０内に置かれる。Ｏリング７２は、圧力センサアセンブリ１０を介して流れる流体に対して密閉するために、基板４０とセンサポート３０の間の空洞７０に設置され得る。
【００１４】
図１の例示的な圧力センサアセンブリ１０に示すように、第１のガスケット６０または他のエネルギ吸収メンバは、基板４０とセンサ本体２０の間に設置され得る。一実施形態では、第１のガスケット６０は、圧力検出ダイ５０の少なくとも一部を囲む。この第１のガスケット６０は、センサ本体２０の底部側２４から基板４０の最上部側４６を分断し、圧力検出ダイ５０に流体から、または振動もしくは衝撃から移され得るエネルギを低減する。たとえば、振動、衝撃、または、基板４０の流体チャネル４４および圧力検出ダイ５０の流体チャネル５４を介して流れる流体の圧力により、基板４０および圧力検出ダイ５０はセンサ本体２０の方へ移動し得るまたはそれに接触し得る。第１のガスケット６０は、これらの事象によってもたらされるエネルギの一部を吸収し、圧力検出ダイ５０に移されるエネルギの量を減らすことができ、それによって、圧力検出ダイ５０へのひび割れまたは損傷の可能性を減らす。
【００１５】
図１の例示的な圧力センサアセンブリ１０に示すように、第２のガスケット６２または他のエネルギ吸収メンバが、基板４０とセンサポート３０の間に設置され得る。一実施形態では、第２のガスケット６２は、基板４０の少なくとも一部および／または流体チャネル３４、４４、５４の少なくとも一部を囲む。第２のガスケット６２は、センサポート３０の最上部側３６から基板４０の底部側４８を分断し、圧力検出ダイ５０に流体から、または振動もしくは衝撃から移され得るエネルギを低減する。たとえば、振動、衝撃、または、基板４０の流体チャネル４４および圧力検出ダイ５０の流体チャネル５４を介して流れる流体の圧力により、基板４０はセンサポート３０の方に移動することおよびそれに接触することがある。第２のガスケット６２は、これらの事象によってもたらされるエネルギの一部を吸収し、圧力検出ダイ５０に移されるエネルギの量を減らすことができ、それによって圧力検出ダイ５０のひび割れまたは損傷の可能性を低減する。
【００１６】
図２は、図１の圧力センサアセンブリ１０で使用される例示的な第１のガスケット６０である。この例示的な構成では、第１のガスケット６０は、基板４０に実装された圧力検出ダイ５０の少なくとも一部を囲むように成形され得る。図示されていないが、例示的な第２のガスケット６２は、基板４０の少なくとも一部および／または流体チャネル３４、４４、５４の少なくとも一部を囲むように成形され得る。第１のガスケット６０および第２のガスケット６２は、たとえば、０．０１０インチ（０．２５４ｍｍ）から０．０３０インチ（０．７６２ｍｍ）の範囲の厚さを有し得る。例示的な厚さは、０．０１５インチ（０．３８１ｍｍ）および０．０２０インチ（０．５０８ｍｍ）を含み得る。第１のガスケット６０および第２のガスケット６２は、いくつかの異なる形状および厚さを有し得ることが理解されよう。第１のガスケット６０および第２のガスケット６２は、エラストマ材料または流体の（もしくは、たとえば、圧力センサアセンブリ１０によって経験される振動または衝撃からの）エネルギを吸収するように適合した他の材料で作成され得る。第１のガスケット６０および第２のガスケット６２の例示的な材料は、たとえば、ニトリルゴム、シリコンゴム、または任意の他の適切なエラストマもしくは他の材料を含み得る。第１のガスケット６０は第２のガスケット６２とまたはそれなしで使用可能であり、第２のガスケット６２もまた第１のガスケット６０とまたはそれなしで使用可能であることが理解されよう。
【００１７】
図３は、圧力検出ダイ５０が実装された基板４０のパッケージを形成するセンサポート１３０の第１の末端部１３２に結合されたセンサ本体１２０を含む、もう１つの例示的な圧力センサアセンブリ１００である。図３の圧力アセンブリ１００は、センサ本体１２０およびセンサポート１３０から基板４０を分断するために使用される構造を除いて、図１の圧力センサアセンブリの同じ構成要素のうちのいくつかを共有する。別個のガスケット６０、６２が図１の圧力センサアセンブリ１０で使用されたが、図３の圧力センサアセンブリ１０は、センサ本体１２０およびセンサポート１３０に統合された機能を使用する。
【００１８】
圧力検出ダイ５０は、センサポート１３０の流体チャネル１３４を介して流れる流体（たとえば、気体、液体）の圧力を測定する。センサポート１３０は、流体のソースに結合された第２の末端部１３３を有し、次いで基板４０の流体チャネル４４を介し、次いで圧力検出ダイ５０の流体チャネル５４を介し、その中で流体チャネル１３４、４４、５４は、連続的な流体経路を可能にするために、軸方向に整列される。本例示的な実施形態では、基板４０はセラミックボタンである。
【００１９】
センサ本体１２０は、その中に圧力検出ダイ５０が置かれている空洞１２２を含み得る。圧力検出ダイ５０は、たとえば、基板４０に圧力検出ダイ５０を接合するガラスフリット５６を使用し、基板４０の最上部側４６（または第１の側）に実装され得る。他の実施形態では、圧力検出ダイ５０は、基板４０の底部側４８に実装され得ることが理解されよう。圧力センサアセンブリ１００の向きに関わらず、本明細書では「最上部側」という用語はセンサ本体１２０と向き合う側を示し、「底部側」はセンサポート１３０と向き合う側を示す。
【００２０】
一実施形態では、圧力検出ダイ５０は、圧力検出ダイ５０が圧力検出ダイ５０の流体チャネル５４でさらされる流体の圧力を判定する。ジェルキャップ５２は、環境から圧力検出ダイ５０の電気回路を保護するために使用され得る。一実施形態では、シリコンキャップは、真空槽を作る圧力検出ダイ５０の最上部に配置可能であり、それと一体式でもよく、その参照真空は、絶対圧力を感知するために、圧力検出ダイ５０に使用される。電気導線５８は、流体の圧力を報告するためのモニタリング機器に圧力検出ダイ５０を接続することができる。
【００２１】
センサポート１３０は、その中にＯリング１３９が配置されてセンサポート１３０の流体チャネル１３４を介して流れる流体のソースとの接続を密閉することができる、溝１３７を含み得る。センサポート１３０は、その中に基板４０が置かれた空洞７０を形成する。もう１つの実施形態では、空洞７０は、センサ本体１２０によって形成され得る、または、そうでない場合、センサ本体１２０とセンサポート１３０の間に形成され得る。基板４０は、基板４０の最上部側４６がセンサ本体１２０の底部側１２４と向き合い、基板４０の底部側４８がセンサポート１３０の最上部側１３６と向き合うように、空洞７０内に置かれる。Ｏリング７２は、圧力センサアセンブリ１０を介して流れる流体に対して密閉するために、基板４０とセンサポート１３０の間の空洞７０内に設置され得る。
【００２２】
図３の例示的な圧力センサアセンブリ１００に示すように、第１のセットの突起１２８は、センサ本体１２０の底部側１２４から基板４０の最上部側４６の方へ延びる。一実施形態では、第１のセットの突起１２８は、圧力検出ダイ５０の少なくとも一部を囲む。第１のセットの突起１２８は、センサ本体１２０の底部側１２４から基板４０の最上部側４６を分断し、圧力検出ダイ５０にその流体から、または振動もしくは衝撃から移され得るエネルギを低減する。たとえば、振動、衝撃、または、基板４０の流体チャネル４４および圧力検出ダイ５０の流体チャネル５４を介して流れる流体の圧力により、基板４０および圧力検出ダイ５０はセンサ本体１２０の方へ移動するまたはそれに接触することがある。第１のセットの突起１２８は、これらの事象によってもたらされるエネルギの一部を吸収し、圧力検出ダイ５０に移されるエネルギの量を減らすことができ、それによって、圧力検出ダイ５０へのひび割れまたは損傷の可能性を低減する。
【００２３】
図３の例示的な圧力センサアセンブリ１００に示すように、第２のセットの突起１３８は、センサポート１３０の最上部側１３６から基板４０の底部側４８の方へ延びる。一実施形態では、第２のセットの突起１３８は、基板４０の少なくとも一部および／または流体チャネル１３４、４４、５４の少なくとも一部を囲む。第２のセットの突起１３８は、センサポート１３０の最上部側１３６から基板４０の底部側４８を分断し、圧力検出ダイ５０にその流体から、または振動もしくは衝撃から移され得るエネルギを低減する。たとえば、振動、衝撃、または基板４０の流体チャネル４４および圧力検出ダイ５０の流体チャネル５４を介して流れる流体の圧力により、基板４０はセンサポート３０の方へ移動するまたはそれに接触することがある。第２のセットの突起１３８は、これらの事象によってもたらされるエネルギの一部を吸収し、圧力検出ダイ５０に移されるエネルギの量を減らすことができ、それによって圧力検出ダイ５０へのひび割れまたは損傷の可能性を低減する。
【００２４】
図４は、第１のセットの突起１２８を示す例示的なセンサ本体１２０の底部側１２４の透視図である。この例示的な構成では、第１のセットの突起１２８は、基板４０に実装された圧力検出ダイ５０の少なくとも一部を囲むように位置付けられ得る。図４には示さないが、センサポート１３０上の例示的なセットの第２の突起１３８は、基板４０の少なくとも一部を囲むように位置付けられ得る。第１のセットの突起１２８および第２のセットの突起１３８は、たとえば、０．００５インチ（０．１２７ｍｍ）から０．０３０インチ（０．７６２ｍｍ）の範囲の高さを有し得る。例示的な高さは、たとえば、０．０１０インチ（０．２５４ｍｍ）および０．０１５インチ（０．３８１ｍｍ）を含む。第１のセットの突起１２８および第２のセットの突起１３８は、いくつかの異なる形状（たとえば、半球、輪、半トロイド、丸うね、リブ）および高さを有することができ、突起１２８、１３８は少量変形させ得ることが、理解されよう。
【００２５】
一実施形態では、第１のセットの突起１２８および第２のセットの突起１３８は、それぞれ、センサ本体１２０およびセンサポート１３０の部分として形作られ得る。センサ本体１２０およびセンサポート１３０（ならびに第１のセットの突起１２８および第２のセットの突起１３８）の流体の（または、たとえば、圧力センサアセンブリ１００によって経験される振動もしくは衝撃からの）エネルギを吸収することができる例示的なプラスチック材料は、たとえば、ナイロンまたはＰＢＴを含み得る。第１のセットの突起１２８は第２のセットの突起１３８とまたはそれなしで使用可能であり、第２のセットの突起１３８もまた第１のセットの突起１２８とまたはそれなしで使用可能であることが理解されよう。
【００２６】
一実施形態では、基板４０が製造中に突起１２８、１３８、そしてしたがってセンサ本体１２０およびセンサポート１３０に結合されるように、第１のセットの突起１２８および第２のセットの突起１３８の材料および高さが選択され得る。しかし、その後、材料のクリープが生じることがあり、突起１２８、１３８を変形させる、たとえば高さを低くし、センサ本体１２０およびセンサポート１３０から基板４０を分断させる。
【００２７】
本明細書は、最良の形態を含めて、本発明を開示するために、そしてまた、任意のデバイスまたはシステムの作成および使用と任意の組み込まれた方法の実行とを含めて、本発明を当業者が実施できるようにするために、例を使用する。本発明の特許性のある範囲は、本特許請求の範囲によって定義され、当業者に思い当たる他の例を含み得る。そのような他の例は、それらが本特許請求の範囲の文字どおりの言語と異ならない構造的要素を有する場合、またはそれらが本特許請求の範囲の文字どおりの言語と実質のない差異を有する同等の構造的要素を含む場合、本特許請求の範囲内にあるものとする。
【符号の説明】
【００２８】
１０  圧力センサアセンブリ
２０  センサ本体
２２  空洞（センサ本体）
２４  底部側（センサ本体）
３０  センサポート
３２  第１の側（センサポート）
３３  第２の側（センサポート）
３４  流体チャネル（センサポート）
３６  最上部側（センサポート）
３７  溝（センサポート）
３９  Ｏリング（センサポート）
４０  基板
４４  流体チャネル（基板）
４６  最上部側  （基板）
４８  底部側（基板）
５０  圧力検出ダイ
５２  ジェルキャップ（ダイ）
５４  流体チャネル（ダイ）
５６  ガラスフリット
５８  電気導線
６０  第１のガスケット
６２  第２のガスケット
７０  空洞（基板）
７２  Ｏリング（基板空洞）
１２０  センサ本体
１２２  空洞（センサ本体）
１２４  底部側（センサ本体）
１２８  突起（センサ本体）
１３０  センサポート
１３２  第１の側（センサポート）
１３３  第２の側（センサポート）
１３４  流体チャネル（センサポート）
１３６  最上部側（センサポート）
１３７  溝（センサポート）
１３８  突起（センサポート）
１３９  Ｏリング（センサポート）
【図１】
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【図２】
2013113850.tif 000004
【図３】
2013113850.tif 000005
【図４】
2013113850.tif 000006
【外国語明細書】
2013113850000001.pdf