(57)【要約】【課題】プローブ装置においてプローブの位置ずれを抑制する。【解決手段】配線及び開口が形成された第１の板と、第１の板の第１の面側に、第１の板から離間して、第１の支持部材を介して第１の板に支持された第２の板と、第１の板と第２の板との間に、第１の板と第２の板とから離間して、第２の支持部材を介して第２の板に支持された第３の板と、第３の板に支持されたプローブユニットであって、第１の板の開口を介して第１の板の第１の面側と反対の第２の面側にプローブの先端が位置するように、プローブを支持するプローブユニットと、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線及び開口が形成された第１の板と、
前記第１の板の第１の面側に、前記第１の板から離間して、第１の支持部材を介して前記第１の板に支持された第２の板と、
前記第１の板と前記第２の板との間に、前記第１の板と前記第２の板とから離間して、第２の支持部材を介して前記第２の板に支持された第３の板と、
前記第３の板に支持されたプローブユニットであって、前記第１の板の前記開口を介して前記第１の板の前記第１の面側と反対の第２の面側にプローブの先端が位置するように、前記プローブを支持する前記プローブユニットと、
を含むプローブ装置。
【請求項２】
前記第２の板は、第１の層と第２の層とを含み、前記第１の層は前記第２の層よりも前記第１の板の近くに位置し、前記第１の層の熱膨張率が前記第２の層の熱膨張率より小さい、請求項１記載のプローブ装置。
【請求項３】
前記第３の板は、前記第１の板の前記開口を覆う形状及び大きさを有する、請求項１又は２記載のプローブ装置。
【請求項４】
前記プローブユニットは、
前記第３の板に支持された第４の板と、
前記第４の板から離間して、第３の支持部材を介して前記第４の板に支持された第５の板と、
前記第４の板と前記第５の板とに支持された前記プローブと、
を含み、
前記第３の板は前記第２の板と前記第４の板の間に位置し、
前記第４の板は前記第３の板と前記第５の板の間に位置する請求項１乃至３の何れか一項記載のプローブ装置。
【請求項５】
前記第１の支持部材、前記第２の支持部材又は前記第３の支持部材は、複数の柱状部材を含む、請求項４記載のプローブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の電気的特性、例えば、入出力信号の特性を検査する際に、半導体装置の電極パッドにプローブ針を接触させることにより、半導体装置と検査装置とを電気的に接続するプローブ装置が用いられる。半導体装置を高温状態にして行う検査では、プローブ装置が熱膨張して、プローブ針と半導体装置の電極パッドとの位置ずれが生じるおそれがある。
【０００３】
下記の特許文献１には、検査装置に取り付けられる補強板と、補強板に固定して取り付けられるプローブと、プローブに電気的インターフェースを提供するように構成される配線基板であって、補強板に可動的に取り付けられる配線基板と、を備えるプローブ装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５３９３９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の技術においては、補強板と配線基板とが直接取り付けられているため、補強板が加熱され、プローブの位置ずれを十分に抑制することができないという課題がある。
【０００６】
本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものである。本発明の幾つかの態様は、プローブ装置においてプローブの位置ずれを抑制することに関連している。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の幾つかの態様において、プローブ装置は、配線及び開口が形成された第１の板と、第１の板の第１の面側に、第１の板から離間して、第１の支持部材を介して第１の板に支持された第２の板と、第１の板と第２の板との間に、第１の板と第２の板とから離間して、第２の支持部材を介して第２の板に支持された第３の板と、第３の板に支持されたプローブユニットであって、第１の板の開口を介して第１の板の第１の面側と反対の第２の面側にプローブの先端が位置するように、プローブを支持するプローブユニットと、を含む。
この態様によれば、第１の板から離間して、第１の支持部材を介して第１の板に支持された第２の板と、第１の板と第２の板との間に、第１の板と第２の板とから離間して、第２の支持部材を介して第２の板に支持された第３の板と、第３の板に支持されたプローブユニットとを含むので、第１の板が加熱されても、第２及び第３の板が変形することを抑制し、プローブの位置ずれを抑制することができる。
【０００８】
上述の態様において、第２の板は、第１の層と第２の層とを含み、第１の層は第２の層よりも第１の板の近くに位置し、第１の層の熱膨張率が第２の層の熱膨張率より小さいことが望ましい。
これによれば、第２の板が、プローブ装置の撓みに対抗する撓み力を発生するので、プローブの位置ずれを抑制することができる。
【０００９】
上述の態様において、第３の板は、第１の板の開口を覆う形状及び大きさを有することが望ましい。
これによれば、第３の板が、第１の板の開口を覆っているので、第１の板の開口を介して第２の板に熱放射が到達することを抑制することができる。従って、第２の板が変形することを抑制し、プローブの位置ずれを抑制することができる。
【００１０】
上述の態様において、プローブユニットは、第３の板に支持された第４の板と、第４の板から離間して、第３の支持部材を介して第４の板に支持された第５の板と、第４の板と第５の板とに支持されたプローブと、を含み、第３の板は第２の板と第４の板の間に位置し、第４の板は第３の板と第５の板の間に位置することが望ましい。
これによれば、第５の板が加熱されても、第４の板及び第３の板が変形することを抑制し、プローブの位置ずれを抑制することができる。
【００１１】
上述の態様において、第１の支持部材、第２の支持部材又は第３の支持部材は、複数の柱状部材を含むことが望ましい。
これによれば、支持部材が複数の柱状部材を含むので、第１の板又は第５の板からの熱伝導によって第２、第３又は第４の板が加熱されて変形することを抑制し、プローブの位置ずれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態に係るプローブ装置の平面図及び正面図。
【図２】図１のプローブ装置の製造工程を示す正面図。
【図３】図１のプローブ装置におけるプローブユニットの詳細を示す正面図。
【図４】図１のプローブ装置におけるプローブ荷重のグラフ。
【図５】図１のプローブ装置における熱放射について説明する図。
【図６】図１のプローブ装置における配線基板の変形について説明する図。
【図７】図１のプローブ装置におけるキャッチボードの温度変化を示すグラフ。
【図８】第２の実施形態に係るプローブ装置の平面図及び正面図。
【図９】図８のプローブ装置の製造工程を示す正面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。また同一の構成要素には同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００１４】
＜１．第１の実施形態＞
＜１−１．構成＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係るプローブ装置を概念的に示す図である。図１（Ａ）は、一部を切り欠いた平面図、図１（Ｂ）は、一部を透視した正面図である。
【００１５】
図１に示すように、第１の実施形態に係るプローブ装置は、配線基板（第１の板）１０と、補強板（第２の板）２０と、キャッチボード（第３の板）３０と、プローブユニット４０と、複数の基板ポスト（第１の支持部材）５１と、複数のキャッチポスト（第２の支持部材）５２と、電子部品６１と、被覆銅線６２と、を含んでいる。
【００１６】
配線基板１０は円形状の基板であり、配線基板１０の周縁部には、検査装置（図示せず）への接続端子（図示せず）が複数設けられている。配線基板１０の中央部にはプローブユニット４０が配置される開口１０ｃが形成されている。配線基板１０の周縁部と中央部との間にはプリント配線（図示せず）が形成されている。以下、配線基板１０の図１（Ｂ）における上側の面を上面（第１の面）１０ａ、下側の面を下面（第２の面）１０ｂとする。下面１０ｂ側には、ウエハーチャック９１にセットされた半導体ウエハー９２が配置される。
【００１７】
補強板２０は、配線基板１０の上面１０ａ側に、配線基板１０から離間して配置された円形状の板である。補強板２０は、配線基板１０の周縁部（検査装置への接続端子が設けられた領域）より内側の領域において、柱状の基板ポスト５１によって配線基板１０と結合されている。補強板２０は、配線基板１０側の第１の層２１と、配線基板１０とは反対側の第２の層２２とを含んでいる。第１の層２１は例えばＳＵＳ等のステンレス鋼板によって構成され、第２の層２２は例えばアルミニウム板によって構成される。
【００１８】
キャッチボード３０は、配線基板１０と補強板２０との間に、配線基板１０と補強板２０とから離間して配置された略長方形状の板である。キャッチボード３０は、補強板２０の中央部において、柱状のキャッチポスト５２によって補強板２０に支持されている。キャッチボード３０は、例えばエンジニアリングプラスチックによって構成される。
【００１９】
プローブユニット４０は、ベース板（第５の板）４１と、支持板（第４の板）４２とを含み、複数本のプローブ４３を支持する。支持板４２がキャッチボード３０に着脱可能に支持されることによって、プローブユニット４０がキャッチボード３０に支持されている。支持板４２は、例えばエンジニアリングプラスチックによって構成される。ベース板４１は、例えば半導体ウエハーの熱膨張率と同等の熱膨張率を有するセラミックス材によって構成される。
【００２０】
プローブユニット４０は、配線基板１０の開口１０ｃ内に位置し、プローブ４３の先端が配線基板１０の下面１０ｂ側に位置するようにプローブ４３を支持している。複数のプローブ４３の先端は、半導体ウエハー９２に形成された複数の半導体チップ９３の電極パッドにそれぞれ電気的に接続され、複数の半導体チップ９３の特性を同時に検査できるようになっている。プローブ４３の後端は、キャッチボード３０に設けられた電極３０ｅ（後述）に電気的に接続される。
【００２１】
電子部品６１は、制御リレーやコンデンサー等を含み、配線基板１０の上面１０ａ側に位置している。被覆銅線６２は、配線基板１０のプリント配線に接続された電極（図示せず）と、キャッチボード３０に設けられた電極３０ｅ（後述）とを電気的に接続している。
【００２２】
＜１−２．製造方法＞
図２は、図１のプローブ装置の製造工程を示す正面図である。
まず、図２（Ａ）に示すように、キャッチボード３０の下端に位置決めピン３０ｆを埋め込む。次に、キャッチボード３０に複数の貫通孔３０ｄを形成し、被覆銅線６２のうち電極３０ｅが設けられた一端を、複数の貫通孔３０ｄに挿入し、接着剤によって固定する。なお、電極３０ｅは事前の製造工程（図示せず）において、電解めっき法で形成する。
【００２３】
次に、キャッチボード３０の上面に、複数のキャッチポスト５２を複数のキャッチポストネジ３０ａによってそれぞれ固定する。次に、仮止めポストネジ３０ｃを、キャッチボード３０の上面から仮止めポスト３０ｂの高さの半分程度までネジ止めする。また、仮止めポストネジ１０ｅを、配線基板１０の下面１０ｂから仮止めポスト高さ調整カラー１０ｄを貫通させて仮止めポスト３０ｂの高さの半分程度までネジ止めする。これにより、キャッチボード３０と配線基板１０とを互いに固定する。
【００２４】
次に、図２（Ｂ）に示すように、被覆銅線６２の他端を配線基板１０のプリント配線に接続された電極に電気的に接続する。また、配線基板１０の上面１０ａに電子部品６１を設置する。そして、配線基板１０の上面１０ａに基板ポスト５１を立てて基板ポストネジ１０ｆで固定する。このように、配線基板１０の上面１０ａが製造時の基準面となる。
【００２５】
次に、図２（Ｃ）に示すように、補強板２０の第１の層２１を、基板ポスト５１及びキャッチポスト５２にそれぞれ基板ポストネジ２１ａ及びキャッチポストネジ２１ｂによって固定する。さらに第１の層２１と材質の異なる第２の層２２を、第１の層２１の上面に補強板止めネジ２２ａによって固定する。
【００２６】
次に、図２（Ｃ）及び図２（Ｄ）に示すように、配線基板１０の下面１０ｂに固定された仮止めポストネジ１０ｅを外す。そして、仮止めポスト高さ調整カラー１０ｄを外して配線基板１０の開口１０ｃから取り出す。なお、常温環境下で測定を行う場合には、仮止めポストネジ１０ｅ及び仮止めポスト高さ調整カラー１０ｄを外す必要はない。
【００２７】
最後に、プローブユニット４０の支持板４２をキャッチボード３０の下面に当接させ、位置決めピン３０ｆが支持板４２に形成された位置決め穴４２ｂ内に入るようにプローブユニット４０を位置決めする。そして、取り付けネジ４２ｄによって支持板４２をキャッチボード３０に固定する。取り付けネジ４２ｄの着脱を可能とするために、プローブユニット４０のベース板４１には、工具を挿入可能な取り付け開口部４１ｃが形成されている。
以上の工程により、第１の実施形態に係るプローブ装置が製造される。
【００２８】
＜１−３．プローブの詳細＞
図３は、図１のプローブ装置におけるプローブユニットの詳細を示す正面図である。図３（Ａ）に示すように、プローブユニット４０においては、離間して配置されるベース板４１と支持板４２とが、複数の柱状のベースポスト（第３の支持部材）４４によって結合されている。プローブ４３は、半導体チップ９３（図１参照）の電極パッドに電気的に接続するための先端部４３ａと、キャッチボード３０に設けられた電極３０ｅ（図２参照）に電気的に接続するための後端部４３ｂと、先端部４３ａと後端部４３ｂとの間のプローブ４３の外周に位置する絶縁被覆４３ｃと、を含んでいる。
【００２９】
プローブ４３は、支持板４２に形成されたプローブ用のスルーホール４２ａ内に、支持板４２の上面側から挿入され、スルーホール４２ａを貫通する。さらに、プローブ４３は、ベース板４１に形成されたプローブ用のスルーホール４１ａ内に、ベース板４１の上面側から挿入され、先端部４３ａがスルーホール４１ａを貫通する。
【００３０】
支持板４２に形成されたスルーホール４２ａは、プローブ４３の絶縁被覆４３ｃよりも若干大きい径を有しており、プローブ４３の絶縁被覆４３ｃを貫通させる。これに対し、ベース板４１に形成されたスルーホール４１ａは、プローブ４３の先端部４３ａよりも若干大きい径を有しており、プローブ４３の先端部４３ａを貫通させるが、プローブ４３の絶縁被覆４３ｃよりも小さい径を有しており、プローブ４３の絶縁被覆４３ｃを貫通させない。
【００３１】
従って、プローブ４３の絶縁被覆４３ｃは、ベース板４１に形成されたスルーホール４１ａの上端に形成されたすり鉢状の面取り部４１ｂによって図示下方への移動を規制される。このとき、絶縁被覆４３ｃの下端からプローブ４３の後端部４３ｂまでの長さが、ベース板４１の面取り部４１ｂから支持板４２の上面までの長さより長い。従って、図３（Ａ）に示すように、プローブ４３の後端部４３ｂは、支持板４２の上面から若干突出した状態となる。
【００３２】
このような構成において、図２を参照しながら説明したように、プローブユニット４０の支持板４２をキャッチボード３０の下面に当接させ、取り付けネジ４２ｄによって支持板４２をキャッチボード３０に固定すると、キャッチボード３０に設けられた電極３０ｅによって、プローブ４３の後端部４３ｂが下方に押圧される。これにより、図３（Ｂ）に示すように、プローブ４３がベース板４１と支持板４２との間の空隙において若干撓んだ状態となる。
【００３３】
プローブ４３を半導体チップ９３の電極パッドに接触させ、さらに押圧したとき、その反力によって先端部４３ａが上方に押圧され、プローブ４３がより大きく撓む。本実施形態によれば、プローブ４３が予め若干撓んだ状態となっているので、プローブ４３がより大きく撓むときの押圧力が過大とならず、プローブ４３と半導体チップ９３の電極パッドとが傷つくことが抑制される。
【００３４】
図４は、図１のプローブ装置におけるプローブ荷重のグラフである。図４に示すように、プローブ４３を半導体チップ９３の電極パッドに接触させ、さらに押圧したとき、プローブ４３の撓み量（オーバードライブ量）が増加するとプローブ荷重も増加するが、プローブ４３の撓み量の増加に伴い、プローブ４３の撓み量の増加量に対するプローブ荷重の増加量は次第に減少する。座屈荷重Ｐ（ｋｇｆ）は、以下のオイラーの計算式によって表される。
Ｐ＝ｎπ２ＥＩ／Ｌ２
ここで、ｎはプローブ両端の支持方法で定まる係数であり、ここではｎ＝４である。Ｌは、プローブの撓み量（ｍｍ）である。Ｅは、縦弾性係数（ｋｇｆ／ｍｍ２）である。Ｉは、最小断面２次モーメント（ｍｍ４）である。
【００３５】
＜１−４．高温環境下での適用＞
図５は、図１のプローブ装置における熱放射について説明する図である。図６は、図１のプローブ装置における配線基板の変形について説明する図である。図５に示すように、高温環境下での測定においては、配線基板１０がウエハーチャック９１からの熱放射Ａを遮蔽するため、配線基板１０からの熱放射Ｂは、ウエハーチャック９１からの熱放射Ａより小さい。同様に、ベース板４１がウエハーチャック９１からの熱放射Ａを遮蔽するため、ベース板４１から支持板４２及びキャッチボード３０への熱放射は、ウエハーチャック９１からの熱放射Ａより小さい。また、ベース板４１は配線基板１０の開口１０ｃの大部分を塞いでおり、さらにキャッチボード３０は配線基板１０の開口１０ｃを覆う形状及び大きさを有しているので、配線基板１０の開口１０ｃを介した補強板２０への熱放射も小さい。
【００３６】
このため、仮に図６に示すように配線基板１０が撓んだとしても、補強板２０及びキャッチボード３０は、ウエハーチャック９１からの熱放射を直接受けることなく、加熱及びそれによる変形が抑制され、プローブ４３の位置ずれが抑制される。従って、プローブ４３と半導体チップ９３の電極パッドとの押圧バランスが崩れることが抑制され、安定した検査が可能である。
【００３７】
また、仮に図６に示すように配線基板１０が撓んだとしても、補強板２０及びキャッチボード３０は水平を維持できるので、プローブ４３と半導体チップ９３の電極パッドとの位置ずれが抑制される。仮にこれらが傾いたとしても、基板ポスト５１と補強板２０との間、又はキャッチポスト５２と補強板２０との間にシムテープを貼ることにより、傾き補正を行うこともできる。
【００３８】
また、補強板２０の配線基板１０側の第１の層２１を例えばＳＵＳ等のステンレス鋼板によって構成し、第２の層２２を例えばアルミニウム板によって構成することにより、第１の層２１の熱膨張率が第２の層２２の熱膨張率より小さいバイメタル構造となり、配線基板１０の撓みに対抗する撓み力を発生してプローブ４３の位置ずれを抑制することができる。また、複数の半導体チップ９３の特性を同時に検査する場合でも、本実施形態のプローブ装置は２層の補強板２０によって強化されているので、プローブ装置は半導体チップ９３からの押圧力に耐えることができる。
【００３９】
図７は、図１のプローブ装置におけるキャッチボード下面の温度変化を示すグラフである。ウエハーチャック中央の上方でプローブ装置を温めながら（プリヒート）、ウエハーチャックを所定の温度（例えば１２５℃）まで昇温させる。ウエハーチャックの昇温に伴い、キャッチボード下面の温度グラフは放物線を描いて上昇し、約５８℃で飽和する。飽和した状態を数分間にわたって維持（待機）した後、半導体チップの検査を開始する（測定開始）。測定開始時に、一時的に温度が下がるが、大幅な温度変化はなく、安定した測定が可能である。半導体ウエハー９２の端部付近に位置する半導体チップを検査する場合などにおいても一時的に温度が下がるが、大幅な温度変化はなく、安定した測定が可能である。
【００４０】
＜２．第２の実施形態＞
＜２−１．構成＞
図８は、本発明の第２の実施形態に係るプローブ装置を概念的に示す図である。図８（Ａ）は、一部を切り欠いた平面図、図８（Ｂ）は、一部を透視した正面図である。
【００４１】
図８に示すように、第２の実施形態に係るプローブ装置においては、キャッチボード３０の下面に、中継基板７０が中継基板止めネジ７０ａによって固定されている。プローブユニット４０は中継基板７０の下面に固定されている。仮止めポストネジ３０ｃ、位置決めピン３０ｆ及び取り付けネジ４２ｄは、中継基板７０を貫通している。
【００４２】
中継基板７０には、配線基板１０に電気的に接続するためのワイヤー７２が接続された外周部と、プローブ４３の後端に電気的に接続するための電極７０ｅと、ワイヤー７２と電極７０ｅとの間を電気的に接続するためのプリント配線（図示せず）と、を含んでいる。中継基板７０には、制御リレーやコンデンサー等の電子部品７１が固定されていてもよい。中継基板７０と配線基板１０とを電気的に接続するための構成は、ワイヤー７２に限らず、ターミナルピンなどを用いてもよい。
【００４３】
第２の実施形態においては、プローブ４３の後端に電気的に接続するための電極３０ｅ（図２参照）をキャッチボード３０に設ける必要はなく、配線基板１０とキャッチボード３０とを接続する配線も不要である。
【００４４】
＜２−２．製造方法＞
図９は、図８のプローブ装置の製造工程を示す正面図である。
まず、図９（Ａ）に示すように、キャッチボード３０の下端に、中継基板７０を貫通する位置決めピン３０ｆを埋め込む。次に、キャッチボード３０の下面に、複数の電極７０ｅ及び複数の貫通孔が形成された中継基板７０を、中継基板止めネジ７０ａによって固定する。
【００４５】
次に、キャッチボード３０の上面に、複数のキャッチポスト５２を複数のキャッチポストネジ３０ａによってそれぞれ固定する。キャッチポストネジ３０ａを締めるための工具は、中継基板７０に予め形成された貫通孔を介して挿入される。次に、仮止めポストネジ３０ｃを、キャッチボード３０の上面から中継基板７０を貫通させて仮止めポスト３０ｂの高さの半分程度までネジ止めする。また、仮止めポストネジ１０ｅを、配線基板１０の下面１０ｂから仮止めポスト高さ調整カラー１０ｄを貫通させて仮止めポスト３０ｂの高さの半分程度までネジ止めする。これにより、キャッチボード３０と配線基板１０とを互いに固定する。
【００４６】
次に、図９（Ｂ）に示すように、中継基板７０のプリント配線に接続された外周部の電極と、配線基板１０のプリント配線に接続された電極とをワイヤー７２によって電気的に接続する。また、中継基板７０の上面に電子部品７１を設置する。そして、配線基板１０の上面１０ａに基板ポスト５１を立てて基板ポストネジ１０ｆで固定する。このように、配線基板１０の上面１０ａが製造時の基準面となる。
【００４７】
次に、図９（Ｃ）に示すように、補強板２０の第１の層２１を、基板ポスト５１及びキャッチポスト５２にそれぞれ基板ポストネジ２１ａ及びキャッチポストネジ２１ｂによって固定する。さらに第１の層２１と材質の異なる第２の層２２を、第１の層２１の上面に補強板止めネジ２２ａによって固定する。
【００４８】
次に、図９（Ｃ）及び図９（Ｄ）に示すように、配線基板１０の下面１０ｂに固定された仮止めポストネジ１０ｅを外す。そして、仮止めポスト高さ調整カラー１０ｄを外して配線基板１０の開口１０ｃから取り出す。なお、常温環境下で測定を行う場合には、仮止めポストネジ１０ｅ及び仮止めポスト高さ調整カラー１０ｄを外す必要はない。
【００４９】
最後に、プローブユニット４０の支持板４２を中継基板７０の下面に当接させ、位置決めピン３０ｆが支持板４２に形成された位置決め穴４２ｂ内に入るようにプローブユニット４０を位置決めする。そして、取り付けネジ４２ｄによって支持板４２を中継基板７０に固定する。取り付けネジ４２ｄの着脱を可能とするために、プローブユニット４０のベース板４１には、工具を挿入可能な取り付け開口部４１ｃが形成されている。
以上の工程により、第２の実施形態に係るプローブ装置が製造される。
【００５０】
他の点については、第１の実施形態と同様である。第２の実施形態においても、プローブの位置ずれが抑制され、安定した測定が可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１０…配線基板（第１の板）、１０ａ…上面（第１の面）、１０ｂ…下面（第２の面）、１０ｃ…開口、１０ｄ…仮止めポスト高さ調整カラー、１０ｅ…仮止めポストネジ、１０ｆ…基板ポストネジ、２０…補強板（第２の板）、２１…第１の層、２１ａ…基板ポストネジ、２１ｂ…キャッチポストネジ、２２…第２の層、２２ａ…補強板止めネジ、３０…キャッチボード（第３の板）、３０ａ…キャッチポストネジ、３０ｂ…仮止めポスト、３０ｃ…仮止めポストネジ、３０ｄ…貫通孔、３０ｅ…電極、３０ｆ…位置決めピン、４０…プローブユニット、４１…ベース板（第５の板）、４１ａ…スルーホール、４１ｂ…面取り部、４１ｃ…取り付け開口部、４２…支持板（第４の板）、４２ａ…スルーホール、４２ｂ…位置決め穴、４２ｄ…取り付けネジ、４３…プローブ、４３ａ…先端部、４３ｂ…後端部、４３ｃ…絶縁被覆、４４…ベースポスト（第３の支持部材）、５１…基板ポスト（第１の支持部材）、５２…キャッチポスト（第２の支持部材）、６１…電子部品、６２…被覆銅線、７０…中継基板、７０ａ…中継基板止めネジ、７０ｅ…電極、７１…電子部品、７２…ワイヤー、９１…ウエハーチャック、９２…半導体ウエハー、９３…半導体チップ、Ａ…熱放射、Ｂ…熱放射。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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