(57)【要約】【課題】低コストで簡便に内部の清掃が可能な真空成膜装置および真空成膜装置の清掃方法を提供する。【解決手段】真空成膜装置を構成する真空チャンバー１１の内部の少なくとも一部を覆うように高分子フィルムからなる汚染防止材３０を設置し、真空成膜装置による成膜後、汚染防止材３０を剥離して、真空チャンバー１１の内部を清掃する真空成膜装置の清掃方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空成膜装置を構成する真空チャンバーの内部の少なくとも一部を覆うように高分子フィルムからなる汚染防止材を設置し、前記真空成膜装置による成膜後、前記汚染防止材を剥離して、前記真空チャンバーの内部を清掃することを特徴とする真空成膜装置の清掃方法。
【請求項２】
前記汚染防止材は、高分子フィルムが複数枚積層されたものである、請求項１に記載の真空成膜装置の清掃方法。
【請求項３】
真空チャンバーを備え、該真空チャンバーの内部の少なくとも一部を覆うように高分子フィルムからなる汚染防止材が設置されたことを特徴とする真空成膜装置。
【請求項４】
前記汚染防止材は、高分子フィルムが複数枚積層されたものである、請求項３に記載の真空成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空成膜装置および真空成膜装置の清掃方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイやＰＤＰディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等のディスプレイ分野、メモリーやＬＳＩ、ハードディスク等の半導体分野、パワーデバイス、ＭＥＭＳ、磁性膜、光学薄膜等の電子部品分野、装飾用途やフィルムの機能化等のプラスチック分野において、目的とする成膜材料からなる薄膜を形成し、目的の機能を発現させるが、この成膜時に、パーティクルと称される粒径数μｍ程度の微粒子が成膜中の基板に付着して、性能を低下させることにより、製品収率が大幅に低下するという問題がある。
【０００３】
この問題に対しては種々の対策が講じられており、例えば、スパッタリング法による成膜においては、搬送系から持ち込まれるパーティクル、ターゲット材から発生するパーティクル等に起因する性能の低下についてはほぼ解決されている。現在、薄膜を形成させるべき基板以外の成膜装置用構成部品、例えば、防着板（成膜材料が基板以外の成膜装置用構成部品に付着することを防ぐために、成膜源の周囲に配置される部品）に付着した成膜材料が、時間の経過と共に膜厚が大きくなって、成膜途中に剥離、脱落して、飛散することが、パーティクルの発生を招く大きな要因とされている。しかし、防着板に付着した成膜材料が脱落する前に成膜装置の運転を停止して、成膜材料を頻繁に除去することは、成膜装置の稼動時間を大幅に低下させるため、製造コストが上昇する。
【０００４】
このような課題に対して、例えば、成膜装置用構成部品の表面に、エンボス加工により複数の凹凸を形成させた金属箔や蛇腹状金属箔を取り付ける技術が知られている（例えば、特許文献１〜４参照）。このような金属箔としては、例えば、エンボス加工によって複数の凹凸を形成させた電解銅箔が既に市販されている。この電解銅箔は、成膜装置用構成部品の形状に応じて、その表面を覆うように重ねられ、その表面にスポット溶接やリベットによって固定されて用いられている。そして、電解銅箔は、成膜装置内で用いられ、成膜装置用構成部品に付着した成膜材料を剥離する力によって、電解銅箔自体が変形して応力を緩和するので、成膜材料の剥離、脱落の防止に有効であるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平３−８７３５６号公報
【特許文献２】特開平３−８７３５７号公報
【特許文献３】特開平３−１６６３６１号公報
【特許文献４】特開平３−１６６３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、金属箔を用いた成膜装置の清掃方法は、コストが高くなることに加えて、金属箔が引裂強度に劣るため、例えば、設置時に金属箔の一部に亀裂が入ったような場合に、わずかな外力で亀裂が伝播して、金属箔の破断が進行し易いという問題があった。また、金属箔は耐屈曲性や柔軟性が低いため、皺が発生したり、設置時に折れたり、重なったりといったトラブルが発生するという問題があった。さらに、金属箔は比重が大きいので、まとまった量を取り扱う場合、取り扱いが難しいという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、低コストで簡便に内部の清掃が可能な真空成膜装置および真空成膜装置の清掃方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意研究を行った結果、下記の発明が上記課題に合致することを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、以下の発明に係るものである。
本発明の真空成膜装置の清掃方法は、真空成膜装置を構成する真空チャンバーの内部の少なくとも一部を覆うように高分子フィルムからなる汚染防止材を設置し、前記真空成膜装置による成膜後、前記汚染防止材を剥離して、前記真空チャンバーの内部を清掃することを特徴とする。
【００１０】
本発明の真空成膜装置の清掃方法において、前記汚染防止材は、高分子フィルムが複数枚積層されたものであってもよい。
【００１１】
また、本発明の真空成膜装置は、真空チャンバーを備え、該真空チャンバーの内部の少なくとも一部を覆うように高分子フィルムからなる汚染防止材が設置されたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の真空成膜装置において、前記汚染防止材は、高分子フィルムが複数枚積層されたものであってもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、低コストで簡便に内部の清掃が可能な真空成膜装置および真空成膜装置の清掃方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態の真空成膜装置の一例として、反応性イオンプレーティング装置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の真空成膜装置および真空成膜装置の清掃方法の実施の形態について説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００１６】
＜真空成膜装置＞
図１は、本実施形態の真空成膜装置の一例として、反応性イオンプレーティング装置１０を示す模式図である。
本実施形態の反応性イオンプレーティング装置１０は、真空チャンバー１１と、真空チャンバー１１内に配置されて、被成膜体である基板１２を保持する基板フォルダ１３と、基板フォルダ１３の下方に、真空チャンバー１１の中央部に設けられた開閉可能なシャッター１４を介して配置され、成膜物質（ターゲット）４０を収容するインナーハース１５を有するハース１６と、真空チャンバー１１内にプラズマを発生させる圧力勾配型プラズマガン１７と、プラズマ発生用電源１８と、真空チャンバー１１の内部を覆うように配置された高分子フィルムからなる汚染防止材３０とから概略構成されている。
【００１７】
また、真空チャンバー１１には、真空チャンバー１１内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入口１９と、真空チャンバー１１内に、その内圧を調節するための調圧ガスを導入する調圧ガス導入口２０とが設けられている。さらに、真空チャンバー１１には、真空チャンバー１１内のガスを排気する排気口２１が設けられている。
【００１８】
また、真空チャンバー１１における基板フォルダ１３が配置された領域の近傍には、温度計２２が配置されている。
また、真空チャンバー１１内における基板フォルダ１３の裏面側（基板１２を保持する面とは反対の面側）には、基板フォルダ１３の温度を調節するランプヒーター２３が配置されている。
【００１９】
ハース１６には、永久磁石２４が設けられている。また、ハース１６は、プラズマ発生用電源１８に電気的に接続されている。
【００２０】
圧力勾配型プラズマガン１７は、カソードマウント２５と、カソードマウント２５の前面に設けられた複合カソード２６と、カソードマウント２５とは電気的に絶縁され、複合カソード２６の前方に設けられた環状の第一電極２７と、第一電極２７と電気的に絶縁され、第一電極２７の前方に設けられた環状の第二電極２８と、第二電極２８の前方に設けられた環状のステアリングコイル２９とから概略構成されている。なお、ここで「前方」とは、真空チャンバー１１側を意味する。
また、カソードマウント２５、第一電極２７および第二電極２８は、プラズマ発生用電源１８に電気的に接続されている。
【００２１】
汚染防止材３０を設置する位置、すなわち、汚染防止材３０を貼り付ける位置は、真空チャンバー１１内であれば特に限定されるものではなく、例えば、真空チャンバー１１の内側面１１ａに設けられた防着板（図示略）に汚染防止材３０を貼り付ける。
ただし、基板１２の一面１２ａに対する成膜による温度上昇等により、高分子フィルムの分解が起こるような場所に、汚染防止材３０を設置する場合には、汚染防止材３０をなす高分子フィルムとして適切な材料を選択したり、真空チャンバー１１に冷却装置を設けたりする必要がある。
【００２２】
汚染防止材３０をなす高分子フィルムの形状は、真空チャンバー１１内において、基板フォルダ１３に保持された基板１２の一面１２ａ以外に飛散した成膜物質が堆積された後に、高分子フィルムごと回収するという目的を達成できれば特に限定されるものではなく、メンテナンスの容易性を考慮すると、適切な形状に分割されていることが好ましい。
【００２３】
真空チャンバー１１内に、汚染防止材３０を貼り付ける方法としては、カプトンテープ等を用いて高分子フィルムの端のみを真空チャンバー１１内に貼り付ける方法、高分子フィルムの全面を真空チャンバー１１内に密着させる方法等が用いられるが、汚染防止材３０の熱を、真空チャンバー１１を介して外部に放出する観点から、高分子フィルムの全面を真空チャンバー１１内に密着させる方法が好ましい。その場合、真空中におけるアウトガスの発生がなく、真空チャンバー１１から剥離し易い粘着剤を用いることが好ましい。
【００２４】
真空チャンバー１１に汚染防止材３０を貼り付けるために用いられる粘着剤としては、剥離後の高分子フィルムに粘着剤が残ったり、汚れが生じたりすることがなく、真空中におけるアウトガスの発生が少なく、特に真空中における成膜時の温度上昇の際に、アウトガスの発生が少ないものであれば特に限定されるものではない。このような粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、天然ゴム系粘着剤、合成ゴム系粘着剤、エチレン−酢酸ビニル共重合体系粘着剤、エチレン−アクリル酸エステル系粘着剤、スチレン−イソプレンブロック共重合体粘着剤、スチレン−ブタジエンブロック共重合体系粘着剤、ポリウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤等が挙げられる。
【００２５】
真空チャンバー１１内に設置した汚染防止材３０を交換する回数をできる限り少なくすることを目的として、汚染防止材３０は、高分子フィルムが複数枚積層されたものであってもよい。このようにすれば、積層フィルムの最表面をなす高分子フィルムに、ある程度、成膜物質が堆積し、剥離する必要が生じとき、最表面をなす高分子フィルムのみを剥離すればよく、汚染防止材３０を交換する回数を少なくすることができる。
【００２６】
汚染防止材３０をなす高分子フィルムを構成する樹脂としては、真空成膜時の装置の温度上昇により分解しないものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリブタジエン等のオレフィン系樹脂；ポリメタクリル酸メチル、エチレン／アクリル酸エチル共重合体等のアクリル系樹脂；ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ＢＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂等のスチレン系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、アクリルニトリル共重合体、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル／塩化ビニリデン共重合体、プロピレン／塩化ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン１２等のポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリフェニレンスルファイド樹脂、ポリスチレン樹脂；ポリウレタン樹脂；ポリテトラフルオロエチレン、ポリトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン等のフッ素樹脂；エチルセロース、酢酸セルロース、ニトロセルロース等のセルロース系樹脂；液晶ポリエステルアミド、液晶ポリエステルエーテル、液晶ポリエステルカーボネート、液晶ポリエステルイミド等の液晶ポリエステル樹脂；エポキシ樹脂等挙げられる。
【００２７】
また、高分子フィルムを構成する樹脂としては、真空チャンバー１１内への水分の放出をできる限り少なくするという観点から、吸湿性の少ないものが好ましい。また、同様の観点から、真空チャンバー１１内に設置する前に、乾燥機等を用いて、高分子フィルムを乾燥してもよい。
【００２８】
高分子フィルムには、高分子フィルムに易滑性を付与することを主たる目的として、粒子を添加することが好ましい。このような粒子としては、易滑性を付与することが可能なものであれば特に限定されるものではなく、例えば、シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、硫酸カルシウム、リン酸カルシウム、リン酸マグネシウム、カオリン、酸化アルミニウム、酸化チタン等の粒子が挙げられる。
また、粒子としては、特公昭５９−５２１６号公報、特開昭５９−２１７７５５号公報等に記載されている耐熱性有機粒子；熱硬化性尿素樹脂、熱硬化性フェノール樹脂、熱硬化性エポキシ樹脂、ベンゾグアナミン樹脂等の耐熱性有機粒子を用いることもできる。
さらに、粒子としては、ポリエステル製造工程中、触媒等の金属化合物の一部を沈殿、微分散させた析出粒子を用いることもできる。
【００２９】
粒子の形状は、特に限定されるものではなく、球状、塊状、棒状、扁平状等のいずれであってもよい。
また、粒子の硬度、比重、色等についても特に限定されるものではない。
また、粒子は、必要に応じて２種類以上を併用してもよい。
【００３０】
粒子の平均粒径は、通常０．０１〜３μｍであり、好ましくは０．０１〜１μｍである。
粒子の平均粒径が０．０１μｍ未満の場合、粒子が凝集し易く、分散性が不十分なことがある。一方、粒子の平均粒径が３μｍを超える場合、高分子フィルムの表面粗さが粗くなり過ぎて、後工程において、種々の表面機能層を塗設させる場合等に不具合が生じることがある。
【００３１】
また、高分子フィルムには、上記の粒子以外に、必要に応じて、従来公知の紫外線吸収剤、酸化防止剤、帯電防止剤、熱安定剤、潤滑剤、染料、顔料等を添加することができる。
【００３２】
また、高分子フィルムには、成膜物質との密着性を向上させる観点から、その表面を清浄するための表面活性処理を施してもよい。このような表面活性処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、フレーム処理等が挙げられる。
【００３３】
また、高分子フィルムには、表面積を増大させ、高分子フィルムの交換頻度を減らすことを目的として、その表面に凹凸形状を形成してもよい。高分子フィルムの表面に凹凸形状を形成する方法としては、高分子フィルムの押出成型時に転写ロールを利用して連続的に賦型する方法や、高分子フィルムの表面に球状粒子をコーティングする方法等が挙げられる。
【００３４】
さらに、高分子フィルムは、真空成膜時の帯電による成膜物質の付着効率の低下や成膜物質の密着性の低下を防ぐために、導電性であることが好ましい。高分子フィルムの体積抵抗値は、１０１０Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０８Ω・ｃｍ以下である。
【００３５】
高分子フィルムの抵抗値を、上記の値に調整するためには、高分子フィルムに導電性微粉末を添加してもよい。このような導電性微粉末としては、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、銀等の金属粉体の微粉末；酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化モリブデン、チタン酸カリウム等の金属酸化物；各種カーボンファイバー；ファーネスブラック、ランプブラック、サーマルブラック、アセチレンブラック、チャネルブラック等のカーボンブラック；グラファイト等の炭素物；金属繊維等が挙げられる。これらの中でも、導電性に優れ、その添加量を調整するだけで、ある程度、任意の導電性を得ることができることから、炭素物が好適に用いられる。
【００３６】
高分子フィルムの厚さは、真空チャンバー１１内に汚染防止材３０を設置する時の取り扱いの容易性、成膜により発生する熱によって加熱された場合の安定性等を考慮して適宜設定されるが、５〜５００μｍであることが好ましい。
【００３７】
また、反応性イオンプレーティング装置１０では、基板フォルダ１３の周辺において、成膜物質の堆積量が多く、基板フォルダ１３から離れるに従って、成膜物質の堆積量が少なくなるため、汚染防止材３０の交換頻度は、汚染防止材３０が設置される場所や成膜物質の堆積量に応じて適宜選択される。
【００３８】
また、高分子フィルムの剥離を容易にする観点から、高分子フィルムの縁に、粘着剤が塗布されていない領域を設けたり、あるいは、材質の異なる材料を取り付けたりしてもよい。
【００３９】
また、成膜物質（ターゲット）４０としては、例えば、スズをドープした酸化インジウム、ガリウム、ホウ素；インジウムをドープした酸化亜鉛等の透明導電材料、アルミニウム、銀、チタン、クロム等の金属材料；一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化クロム、酸化亜鉛等の酸化物材料；窒化ケイ素、窒化チタン等の窒化物材料、酸窒化ケイ素等の酸窒化物材料；硫化ストロンチウム、硫化亜鉛等の硫化物材料等が挙げられる。
【００４０】
本実施形態の真空成膜装置によれば、真空チャンバー１１内に設置した汚染防止材３０に、所定量の成膜物質が堆積した場合、その汚染防止材３０を剥離することにより、真空チャンバー１１内を清掃することができる。
【００４１】
＜真空成膜装置の清掃方法＞
次に、図１を参照して、本実施形態の真空成膜装置の清掃方法を説明する。
本実施形態の真空成膜装置の清掃方法では、反応性イオンプレーティング装置１０による真空成膜を行う前に、チャンバー１１内に、高分子フィルムからなる汚染防止材３０を設置する。
反応性イオンプレーティング装置１０によって、真空チャンバー１１内の基板フォルダ１３に保持された基板１２に対する真空成膜を複数回行うと、真空チャンバー１１内に設置した汚染防止材３０に成膜物質が堆積する。そして、成膜物質の堆積量が所定量に達した場合、その汚染防止材３０を剥離して、真空チャンバー１１内から取り出す。
【００４２】
次に、真空チャンバー１１内から取り出された、成膜物質が堆積した汚染防止材３０から、成膜物質を回収する。
成膜物質を回収する方法としては、例えば、成膜物質が堆積した汚染防止材３０を焼成して、高分子フィルムを除去することにより、成膜物質を回収する方法が挙げられる。
成膜物質が堆積した汚染防止材３０を焼成する温度は、高分子フィルムを構成する樹脂の分解温度以上である必要がある。また、汚染防止材３０を焼成する温度が高温であるほど、高分子フィルムを構成する樹脂の分解が容易となる。しかし、高分子フィルムに堆積した成膜物質と焼成容器との反応の抑制や、成膜物質の凝集の抑制の観点から、成膜物質が堆積した汚染防止材３０を焼成する温度は、３００〜１４００℃であることが好ましく、より好ましくは３００〜１２００℃であり、さらに好ましくは３００〜１０００℃である。
【００４３】
汚染防止材３０を焼成するために用いられる焼成炉は、酸化性雰囲気下での焼成を行うことで高分子フィルムを除去するという観点から、酸素や空気等の酸化性ガスを任意量導入でき、高分子フィルムを構成する樹脂が分解したときに発生するガスを連続的に排気することで雰囲気制御可能であることが好ましい。このような焼成炉としては、例えば、管状炉、マッフル炉等の静置炉やプッシャー炉、ローラーハースキルン、ロータリーキルン、流動床炉等の連続炉が用いられる。
【００４４】
汚染防止材３０を焼成するために用いられる焼成容器としては、焼成温度や、酸化性雰囲気下において、成膜物質や酸化性ガスと反応しない材質からなるものが適宜選択される。焼成容器としては、例えば、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、石英、白金、イリジウム等からなるものが挙げられる。
【００４５】
また、成膜物質が堆積した汚染防止材３０を、酸性溶液やアルカリ性溶液に浸漬することによって、成膜物質を回収することもできる。酸性溶液やアルカリ性溶液は、成膜物質の種類に応じて適宜選択される。
【００４６】
さらに、成膜物質が堆積した汚染防止材３０を曲げたり引っ張ったりすることにより、汚染防止材３０に力を加えることによって、成膜物質を回収することもできる。汚染防止材３０に加える力の大きさは特に限定されるものではないが、破断による衝撃で成膜物質が飛散する等の観点から、高分子フィルムが破断しない範囲で力が加えられることが好ましい。
【００４７】
なお、本実施形態では、真空成膜装置として反応性イオンプレーティング装置を例示したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明が適用可能な真空成膜装置としては、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、スパッタリング法等のＰＶＤ法による成膜装置、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ法（ＭＯＣＶＤ法）等のＣＶＤ法による成膜装置等が挙げられる。これらの中でも、成膜物質の利用効率が低く、装置の洗浄頻度が高い手法は経済的な効果が大きいことから、真空蒸着法やイオンプレーティング法による成膜装置が好ましい。
【００４８】
本実施形態の真空成膜装置の製造方法によれば、真空チャンバー１１内に汚染防止材３０を設置し、汚染防止材３０に所定量の成膜物質が堆積した場合、その汚染防止材３０を剥離することにより、真空チャンバー１１内を清掃することができる。また、真空チャンバー１１から汚染防止材３０を剥離した後、汚染防止材３０に堆積した成膜物質を回収することができるので、成膜物質の損失を少なくすることができる。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５０】
「実施例」
高分子フィルムとして、ポリプロピレンフィルム（縦３００ｍｍ×横３００ｍｍ×厚さ６０μｍ、住友化学社製）を用いた。
高分子フィルム中に含まれる金属量を測定するために、高分子フィルムを蒸発皿に採取した後、電気炉で加熱温度５００℃の条件で加熱乾式灰化し有機物を除去した。
蒸発皿上の残渣を、高純度塩酸（商品名：Ｓｕｐｒａｐｕｒ、Ｍｅｒｃｋ社製）に溶解し、超純水で一定容としたものを測定供試液とし、誘導結合プラズマ発光分析装置（商品名：ＶＩＳＴＡ−ＰＲＯ、Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）を用いて、ＲＦ出力１．２０ｋＷ、プラズマガス１５．０Ｌ／分の条件で高分子フィルム中に含まれる金属成分の濃度を測定した。その結果、高分子フィルム中に含まれる金属不純物量は６ｐｐｍであった。
【００５１】
図１に示す圧力勾配型プラズマガンを備えた反応性イオンプレーティング装置を用いて、以下に示す条件で、ガラス基板上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜を成膜した。
この成膜時、真空チャンバーの内側面の２箇所に、ポリプロピレンフィルム（縦３００ｍｍ×横３００ｍｍ×厚さ６０μｍ、住友化学社製）をカプトンテープで固定し、ガラス基板が設置された領域以外に飛散する成膜物質を回収した。
なお、ポリプロピレンフィルム上に形成されるＩＴＯ膜の膜厚を厚くするために、同様の成膜条件で８回の成膜を繰り返し、ガラス基板上に膜厚約１２００ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。
基板：ガラス基板
成膜物質（ターゲット）：ＩＴＯ焼結体ペレット（Ｉｎ：Ｓｎ＝９５：５、９９.９９％）
成膜圧力：０．０６Ｐａ
放電電力：５ｋＷ
ガンＡｒ：２０ｓｃｃｍ
Ｏ２流量：１３．７ｓｃｃｍ
基板加熱：なし
蒸発レート：２０Å／ｓｅｃ
成膜時間：７５秒
成膜回数：８回
【００５２】
成膜後に真空チャンバー内から回収したポリプロピレンフィルムをアルミナ製ルツボに入れ、マッフル炉（商品名：ＳＳＴＳ−３１０Ｋ、いすゞ製作所社製）を用いて、温度６００℃、 昇降温速度３℃／ｍｉｎ、焼成時間６時間、空気中の条件で、ポリプロピレンフィルムを焼成した。
【００５３】
ポリプロピレンフィルムの焼成により、約１．２ｇのＩＴＯ粉末が回収された。回収されたＩＴＯ粉末について、ＧＤＭＳ（商品名：ＶＧ９０００、Ｔｈｅｒｍｏ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製、放電電圧１ｋＶ）を用いて、ポリプロピレンフィルムの金属不純物分析時に見られた金属成分の組成分析による定量を行った。その結果、焼成後に得られた粉末中に含まれる金属不純物量は４２ｐｐｍであった。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、各種の真空成膜装置に適用可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１０・・・反応性イオンプレーティング装置、１１・・・真空チャンバー、１２・・・基板、１３・・・基板フォルダ、１４・・・シャッター、１５・・・インナーハース、１６・・・ハース、１７・・・圧力勾配型プラズマガン、１８・・・プラズマ発生用電源、１９・・・プロセスガス導入口、２０・・・調圧ガス導入口、２１・・・排気口、２２・・・温度計、２３・・・ランプヒーター、２４・・・永久磁石、２５・・・カソードマウント、２６・・・複合カソード、２７・・・第一電極、２８・・・第二電極、２９・・・ステアリングコイル、３０・・・汚染防止材、４０・・・ターゲット。
【図１】
2013216954.tif 000003