(57)【要約】【課題】従来に比べて良好な生産性を有し、ガラス基板に与える悪影響が有意に抑制された、ガラス基板へのアブレーション加工の方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体チップ実装用のガラス基板へのアブレーション加工の方法であって、（ａ）ガラス基板を準備し、（ｂ）前記ガラス基板の加工領域において、紫外線領域の波長を有する第１のレーザ光に対する吸収を高め、（ｃ）前記ガラス基板の前記加工領域に、前記第１のレーザ光を照射することを特徴とする方法。【選択図】図１
2013209223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ実装用のガラス基板へのアブレーション加工の方法であって、
（ａ）ガラス基板を準備し、
（ｂ）前記ガラス基板の加工領域において、紫外線領域の波長を有する第１のレーザ光に対する吸収を高め、
（ｃ）前記ガラス基板の前記加工領域に、前記第１のレーザ光を照射する
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記（ｃ）は、前記（ｂ）の後に行われ、または
前記（ｃ）は、前記（ｂ）と同時に行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記（ｂ）は、
前記ガラス基板の前記加工領域に、または前記ガラス基板の前記加工領域よりも広い領域に、前記第１のレーザ光とは異なる第２の光を照射することを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の光は、１２６ｎｍ〜３５５ｎｍの範囲の波長を有することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の光は、Ａｒ２エキシマランプ光源、Ｋｒ２エキシマランプ光源、Ｘｅランプ光源、Ｘｅ２エキシマランプ光源、ＫｒＦエキシマランプ光源、ＫｒＣｌエキシマランプ光源、ＸｅＣｌエキシマランプ光源、ＫｒＦエキシマレーザ光源、ＡｒＦエキシマレーザ光源、ＸｅＣｌエキシマレーザ光源、Ｆ２エキシマレーザ光源、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光源の第三高調波、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光源の第四高調波、およびＤｅｅｐＵＶ源からなる群から選定された光源から放射された光であることを特徴とする請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
前記（ｂ）は、
前記ガラス基板を、非酸化性雰囲気下で熱処理する工程を有することを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項７】
前記熱処理は、前記ガラス基板の軟化点以下の温度で実施されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のレーザ光は、ＡｒＦエキシマレーザ光、ＫｒＦエキシマレーザ光、またはＦ２エキシマレーザ光であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】
前記ガラス基板は、無アルカリガラス、またはソーダライムガラスであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インターポーザ等の半導体チップ実装用のガラス基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、レーザアブレーション法では、被加工対象となる基板材料に微細パターンを形成することができるため、レーザアブレーション法は、小型化や高密度実装化の必要な半導体素子製造分野において、広く利用されている（例えば特許文献１、２）。
【０００３】
最近では、ガラス基板のような透明基材に対しても、エキシマレーザのようなレーザ光を用いたレーザアブレーション法により、微細パターン構造を形成することが可能であることが明らかになっている。例えば、レーザアブレーション法をガラス基板に適用して、微小電気回路素子等を構成する方法が提案されている（例えば、特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−８８０４５号公報
【特許文献２】特開２００２−１２６８８６号公報
【特許文献３】特開２００５−６６６８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のレーザアブレーション法では、照射されるレーザ光の波長域（例えばエキシマレーザの場合、紫外線領域）において、ガラス基板が必ずしも十分な吸収係数を有するとは限られず、しばしば、ガラス基板に照射されるレーザ光のエネルギーを、ガラス基板に効率よく吸収させることができない場合がある。この場合、ガラス基板内に貫通孔を形成するのに相当の時間が必要となってしまい、生産効率が低下してしまう。また、投入エネルギーのうち、アブレーション加工に利用されなかった分は、熱等に変化する可能性があるが、これにより、加工中のガラス基板にクラックが生じたり、加工孔の周囲にチッピングが生じたりするおそれがある。
【０００６】
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、従来に比べて良好な生産性を有し、ガラス基板に与える悪影響が有意に抑制された、ガラス基板へのアブレーション加工の方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、半導体チップ実装用のガラス基板へのアブレーション加工の方法であって、
（ａ）ガラス基板を準備し、
（ｂ）前記ガラス基板の加工領域において、紫外線領域の波長を有する第１のレーザ光に対する吸収を高め、
（ｃ）前記ガラス基板の前記加工領域に、前記第１のレーザ光を照射する
ことを特徴とする方法が提供される。
【０００８】
ここで、本発明による方法において、
前記（ｃ）は、前記（ｂ）の後に行われ、または
前記（ｃ）は、前記（ｂ）と同時に行われても良い。
【０００９】
また、本発明による方法において、
前記（ｂ）は、前記ガラス基板の前記加工領域に、または前記ガラス基板の前記加工領域よりも広い領域に、前記第１のレーザ光とは異なる第２の光を照射しても良い。
【００１０】
また、本発明による方法において、前記第２の光は、１２６ｎｍ〜３５５ｎｍの範囲の波長を有しても良い。
【００１１】
また、本発明による方法において、前記第２の光は、Ａｒ２エキシマランプ光源、Ｋｒ２エキシマランプ光源、Ｘｅランプ光源、Ｘｅ２エキシマランプ光源、ＫｒＦエキシマランプ光源、ＫｒＣｌエキシマランプ光源、ＸｅＣｌエキシマランプ光源、ＫｒＦエキシマレーザ光源、ＡｒＦエキシマレーザ光源、ＸｅＣｌエキシマレーザ光源、Ｆ２エキシマレーザ光源、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光源の第三高調波、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光源の第四高調波、およびＤｅｅｐＵＶ源からなる群から選定された光源から放射された光であっても良い。
【００１２】
また、本発明による方法において、前記（ｂ）は、前記ガラス基板を、真空下や非酸化性雰囲気下で熱処理しても良い。
【００１３】
ここで、前記（ｂ）の処理は、高温にすることでレーザ加工の向上に効果がある。一方、ガラスが変形しないようにするために、熱処理温度は、軟化点以下であることが重要である。前記（ｂ）の処理は、前記ガラス基板の転移温度よりも２０℃以上高い温度で実施されても良い。
【００１４】
あるいは、前記熱処理は、３００℃〜８００℃の温度範囲で実施されても良い。
【００１５】
また、本発明による方法において、前記第１のレーザ光は、ＡｒＦエキシマレーザ光、ＫｒＦエキシマレーザ光、またはＦ２エキシマレーザ光であっても良い。
【００１６】
また、本発明による方法において、前記ガラス基板は、無アルカリガラス、またはソーダライムガラスであっても良い。
【発明の効果】
【００１７】
本発明では従来に比べて良好な生産性を有し、ガラス基板に与える悪影響が有意に抑制された、ガラス基板へのアブレーション方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明によるガラス基板へのアブレーション加工の方法の概略的なフローを示した図である。
【図２】本発明による方法を実施する際に使用され得る装置構成の一例を概略的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明について説明する。
【００２０】
本発明による方法は、
（ａ）ガラス基板を準備し、
（ｂ）前記ガラス基板の加工領域において、紫外線領域の波長を有する第１のレーザ光に対する吸収を高め、
（ｃ）前記ガラス基板の前記加工領域に、前記第１のレーザ光を照射する
ことを特徴とする。ここで、「紫外線領域の波長」とは、具体的に、１２６ｎｍ〜３５５ｎｍの範囲の波長を言う。
【００２１】
前述のように、従来のアブレーション方法では、照射されるレーザ光の波長域（紫外線領域）において、ガラス基板が必ずしも十分な吸収係数を有するとは限られず、しばしば、ガラス基板に照射されるレーザ光のエネルギーを、ガラス基板に効率よく吸収させることができない場合がある。この場合、ガラス基板内に貫通孔を形成するのに相当の時間が必要となってしまい、生産効率が低下してしまう。また、投入したエネルギーのうち、アブレーション加工に利用されなかった分は、熱等に変化する可能性があるが、これにより、加工中のガラス基板にクラックが生じたり、加工孔の周囲にチッピングが生じたりするおそれがある。
【００２２】
これに対して、本発明による方法は、前述のように、前記ガラス基板の加工領域において、紫外線領域の波長を有する第１のレーザ光に対する吸収を高める工程を有する。従って、本発明では、少なくとも、ガラス基板に第１のレーザ光が照射される際には、ガラス基板の加工領域は、照射されるレーザ光に対して良好な吸収率を有する状態となっている。このため、ガラス基板に第１のレーザ光が照射されると、このエネルギーは、アブレーション加工に有効に利用されるようになる。
【００２３】
従って、本発明による方法では、従来のように、投入したエネルギーがアブレーション加工に利用されず、熱等に変化して逸散してしまうという問題が有意に抑制され、これにより、アブレーション加工の効率が向上する。また、投入したエネルギーは、アブレーション加工に有効に利用されるようになるため、熱発生等に起因した各種問題が抑制される。例えば、加工中のガラス基板にクラックが生じたり、加工孔の周囲にチッピングが生じたりする危険性が有意に抑制される。
【００２４】
このように本発明では、従来に比べて良好な生産性を有し、ガラス基板に与える悪影響が有意に抑制された、ガラス基板へのアブレーション加工の方法を提供することができる。
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明による方法についてより詳しく説明する。
【００２６】
図１には、本発明によるガラス基板へのアブレーション加工の方法の概略的なフロー図を示す。
【００２７】
図１に示すように、本発明による方法は、
（ａ）ガラス基板を準備する工程（ステップＳ１１０）と、
（ｂ）前記ガラス基板の加工領域において、紫外線領域の波長を有する第１のレーザ光に対する吸収を高める工程（ステップＳ１２０）と、
（ｃ）前記ガラス基板の前記加工領域に、前記第１のレーザ光を照射する工程（ステップＳ１３０）と、
を有する。以下、各工程について説明する。
【００２８】
（ステップＳ１１０）
まず、アブレーション加工されるガラス基板が準備される。
【００２９】
ガラス基板の製造方法は、特に限られない。ガラス基板は、例えば、フロート法またはフュージョン法で製造されても良い。あるいは、ガラス基板は、ガラスフリット（粉）からガラススペーストを経由して、ガラス基板を形成する方法（以下「ガラスフリット法」と称する）で製造しても良い。ガラスフリット法では、所望の組成のガラス基板を比較的容易に製造することができるという利点がある。
【００３０】
ガラス基板の組成は、特に限られず、ガラス基板は、例えば、無アルカリガラス、またはソーダライムガラスであっても良い。また、ガラスフリット法では、ガラス基板の光吸収特性を制御することができる。例えば、ガラスフリット法によってガラス基板を得る際に、適当な顔料をペースト中に添加した場合、使用レーザ光に対するエネルギー吸収率を高くすることができる。この他、ガラスフリット法によって、各種添加物が添加されたガラス基板を形成して、様々な特性を発現させても良い。
【００３１】
ガラス基板の５０℃〜３００℃における平均熱膨張係数は、例えば、３０×１０−７／Ｋ〜１５０×１０−７／Ｋの範囲であることが好ましい。例えば、無アルカリガラスの一種であるＡＮ１００ガラス（旭硝子株式会社製）では、５０℃〜３００℃における平均熱膨張係数は、約３０×１０−７／Ｋ程度であり、ソーダライムガラスでは、５０℃〜３００℃における平均熱膨張係数は、約８０×１０−７／Ｋ程度である。また、ガラスフリット法では、５０℃〜３００℃における平均熱膨張係数を所望の値に制御することができる。
【００３２】
ここで、本発明による方法を、インターポーザのような半導体チップ実装用のガラス基板に適用することを考慮した場合、以下の理由により、ガラスフリット法で得られるガラス基板は、極めて有効である。
【００３３】
通常の場合、インターポーザの貫通孔内には、銅のような導体が充填される。また、インターポーザの上下には、インターポーザと直接接するようにして、樹脂層が設置され得る。さらに、インターポーザの近傍には、ハンダ層を介して、ガラスエポキシやポリイミド等で形成されたプリント配線基盤が配置されたり、シリコンチップが配置されたりし得る。すなわち、インターポーザの内部またはその極近傍には、材質の異なる様々な部材が集中配置される。従って、各部材間での親和性を高め、剥離等を抑制するためには、ガラス基板の熱膨張係数を、適切な値に設定することが必要になる場合が生じ得る。このような場合、ガラス基板の熱膨張係数を所望の値に調整できる、ガラスフリット法は、極めて好ましい方法であると言える。
【００３４】
ガラス基板の厚さは、特に限られないが、厚さが薄いほど、アブレーション加工に必要な時間が短くなるため、好ましい。ガラス基板の厚さは、例えば１０μｍ〜５００μｍの範囲であっても良い。例えば、前述のガラスペーストを使用して、スクリーン印刷法でガラス基板を形成した場合、３００μｍ以下のガラス基板を容易に製造することができる。
【００３５】
（ステップＳ１２０）
次に、アブレーション加工に使用されるレーザ光（第１のレーザ光）の波長に基づいて、ガラス基板の被加工領域において、第１のレーザ光に対する吸収率を高める処理が行われる。
【００３６】
なお、第１のレーザ光は、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、またはＦ２エキシマレーザ光（波長１５７ｎｍ）等であっても良い。
【００３７】
この処理は、例えば、以下の２通りの工程で実施される：
（ｉ）ガラス基板の少なくとも被加工領域にわたって、第１のレーザ光とは波長の異なる第２の光を照射する。
（ｉｉ）ガラス基板を、非酸化性雰囲気下で熱処理する。
【００３８】
このうち、（ｉ）の工程は、ソラリゼーション、すなわちガラス基板の被加工領域に、欠陥を導入することを目的として実施される。この欠陥導入により、第１のレーザ光の波長域でのガラス基板の吸収率を高めることが可能になる。
【００３９】
一方、（ｉｉ）の工程は、ガラス基板中に含まれる元素の価数を変化させることを目的として実施される。すなわち、鉄（Ｆｅ）やスズ（Ｓｎ）のようないくつかの元素は、価数状態によって、その吸収波長が長波長（赤外または可視光）側から、短波長（紫外）側に変化する。従って、これの現象を利用することにより、第１のレーザ光の波長域におけるガラス基板の吸収率を高めることが可能になる。
【００４０】
ここで、（ｉ）の工程において、第２の光にレーザ光を用いる場合、レーザ光は、１２６ｎｍ〜３５５ｎｍの範囲の波長を有しても良い。第２の光は、例えば、Ａｒ２エキシマランプ源（波長１２６ｎｍ）、Ｋｒ２エキシマレーザ源（波長１４６ｎｍ）、Ｘｅランプ源（代表的な波長３１０ｎｍ）、Ｘｅ２エキシマランプ源（波長１７２ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ源（波長２４８ｎｍ）、ＫｒＣｌエキシマレーザ源（波長２２２ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザ源（波長３０８ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ源の第三高調波（波長３５５ｎｍ）、およびＤｅｅｐＵＶレーザ源からなる群から選定された光源から放射されたレーザ光であっても良い。
【００４１】
前記（ｉｉ）の処理は、高温にすることでレーザ加工の向上に効果がある。一方、ガラスが変形しないようにするために、熱処理温度は、軟化点以下であることが重要である。前記ガラス基板の転移温度よりも２０℃以上高い温度で実施されても良い。
【００４２】
あるいは、前記熱処理は、３００℃〜８００℃の温度範囲で実施されても良い。
【００４３】
一方、（ｉｉ）の工程において、熱処理は、高温にすることでレーザ加工の向上に効果がある。一方、ガラス基板が変形しないようにするために、熱処理温度は、軟化点以下であることが重要である。例えば、シリカガラス、無アルカリガラス、ホウ硅酸ガラス、ソーダライムガラスでは、ガラス基板の転移温度よりも２０℃以上高い温度で実施されても良い。例えば、熱処理は、３００℃〜８００℃の温度範囲で実施される。また、非酸化性雰囲気は、例えば、窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気、または水素を含む還元性ガス雰囲気等であっても良い。
【００４４】
なお、以上の記載では、（ｉ）および（ｉｉ）の処理を例に、ガラス基板の被加工領域における第１のレーザ光に対する吸収率を高める方法について説明した。しかしながら、（ステップＳ１２０）において、（ｉ）、（ｉｉ）以外の方法を採用して、ガラス基板の被加工領域における第１のレーザ光に対する吸収率を高めても良いことは、当業者には明らかであろう。
【００４５】
（ステップＳ１３０）
次に、ガラス基板の被加工領域に、第１のレーザ光が照射される。前述のように、ガラス基板の被加工領域は、第１のレーザ光の波長域に対して、吸収率が高い状態になっている。このため、第１のレーザ光のエネルギーは、ガラス基板に有効に吸収され、アブレーション加工の効率が向上する。また、熱等に変化して、アブレーション加工に有効に利用されなくなるエネルギーの量を有意に抑制することができ、これにより、加工中に、ガラス基板にクラックやチッピングが発生することが有意に抑制される。
【００４６】
なお、ステップＳ１３０は、ステップＳ１２０の後に実施されても、ステップＳ１２０と同時に実施されても良い。前者の場合、第１のレーザ光に対するガラス基板の吸収率の向上効果は、ガラス基板の表面と該表面からごく僅かの深さまでの位置に限定される（特に、方法（ｉ）の場合）。
【００４７】
これに対して、後者の場合、ソラリゼーションを継続的に導入することで、露出部分の第１のレーザ光に対する吸収率が、常に高い状態で、第１のレーザ光によるアブレーション加工を行うことができる。換言すれば、第１のレーザ光に対するガラス基板の吸収率の向上効果を、ガラス基板のより深い位置にまで継続することができる。従って、ステップＳ１２０を実施した状態のまま、ステップＳ１３０を実施した場合、アブレーション加工の効率を、よりいっそう向上させることができる。
【００４８】
図２には、ステップＳ１３０を実施する際に使用される装置構成の一例を概略的に示す。
【００４９】
図２に示すように、この装置２００は、第１のレーザ光用の光源２１１と、ホモジナイザー２１６と、複数の貫通孔を有するマスク２１３と、投影レンズ２１７と、ステージ２１４とを備える。この他、装置２００は、第１のレーザ光用の光源２１１から放射されたレーザ光２２１を所望の位置に誘導するための、複数のミラー２１５を有する。ステージ２１４上には、被加工用のガラス基板２１２が置載される。
【００５０】
このような装置２００の構成において、第１のレーザ光用の光源２１１からレーザ光２２１が放射されると、このレーザ光２２１は、ホモジナイザー２１６内に誘導され、ここで均一な強度を有するレーザ光２２２に調節される。レーザ光２２２は、ミラー２１５等により、マスク２１３の方に誘導される。マスク２１３は、前述のように多数の貫通孔を有するため、レーザ光２２２の一部は、これらの貫通孔を通り、投影レンズ２１７まで誘導される。さらに、投影レンズ２１７に到達したレーザ光２２３は、縮小投影された状態で、ガラス基板２１２の被加工領域に照射される。これにより、ガラス基板２１２の被加工領域に、多数の貫通孔が形成される。
【００５１】
なお、ガラス基板２１２のより広い領域に、貫通孔を形成する場合、以上の操作の後、光源２１１からのレーザ光２２１の放射を一旦停止し、ステージ２１４に対してガラス基板２１２を動かしても良い。その後、再度、光源２１１からレーザ光２２１を放射して、同様のことを行っても良い。
【００５２】
なお、図２の装置構成は、一例であって、他の装置を用いて、ステップＳ１３０の工程を実施しても良いことは、当業者には明らかであろう。また、図２と同様の装置構成により、前述のステップＳ１２０の方法（ｉ）を実施しても良い。
【実施例】
【００５３】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００５４】
（実施例１）
ガラス基板として、厚さが０．３ｍｍで、熱膨張係数が３８×１０−7／ＫのＡＮ１００（旭硝子社製）ガラス基板を準備した。このガラス基板は、ＳｉＯ２を６０質量％、ＦｅをＦｅ２Ｏ３酸化物換算で０．０５質量％を含み、ＮａとＫとの合計含有量は、酸化物換算で０．１質量％未満である。
【００５５】
次に、前述の図２に示したような装置を用いて、ガラス基板表面の被アブレーション加工領域を含む、該被アブレーション加工領域よりも広い領域にわたって、第２の光を照射した。第２の光用の光源には、１ｋＷのＸｅ（キセノン）ランプを使用した。第２の光は、波長３１０ｎｍにおけるガラス基板の表面での照度が７５０μＷ／ｃｍ２となるようにして、ガラス基板上に照射した。照射時間は、３０分とした。
【００５６】
次に、前述の図２に示したような装置を用いて、ガラス基板の被アブレーション加工領域に、第１のレーザ光を照射した。第１のレーザ光には、ＡｒＦレーザ光源を使用した。このレーザ光の波長は、１９３ｎｍである。被加工領域における照射フルエンスは、５Ｊ／ｃｍ２とした。第１のレーザ光の照射は、ガラス基板に所定数の貫通孔が形成されるまで継続した。
【００５７】
その後、貫通孔形成までに要した照射時間から、ショット数を求めた。なお、ショット数とは、レーザ光の繰り返し周波数と照射時間の積であり、ショット数は、アブレーション加工のためガラス基板に投与されたエネルギーの一指標として使用することができる。その結果、ショット数は、３６００ショットであった。
【００５８】
加工後のガラス基板の状態を目視にて評価した。その結果、ガラス基板には、特に、クラックやチッピングが生じていないことが確認された。
（実施例２）
実施例１と同様の方法により、ガラス基板に対してアブレーション加工を行った。ただし、この実施例２では、Ｘｅランプによる第２の光の照射時間を、１時間とした。
【００５９】
測定の結果、ショット数は、３４００ショットであった。また、加工後のガラス基板には、特に、クラックやチッピングは生じていなかった。
（比較例１）
実施例１と同様の方法により、ガラス基板に対してアブレーション加工を行った。ただしこの比較例１では、第１のレーザ光を照射する前の、Ｘｅランプによる第２の光の照射は、実施しなかった。
【００６０】
測定の結果、加工後のガラス基板には、特に、クラックやチッピングは生じていなかったものの、ショット数は、３９００ショットであった。このことから、第１のレーザ光による照射前に、第２の光による照射を実施することにより、ショット数が少なくなることが確認された。特に、第２の光による照射時間を増加させることにより、ショット数がより少なくなることがわかった。
【００６１】
表１には、実施例１、２、および比較例１において得られた結果をまとめて示した。
【００６２】
【表１】
2013209223.tif 000003
（実施例３）
実施例１と同様の方法により、ガラス基板に対してアブレーション加工を行った。ただし、この実施例３では、第２の光として、Ｘｅランプからの光の代わりに、１ｋＷのＤｅｅｐＵＶランプ（ウシオ電機製、ＵＭＸ−１００１ＭＤ）からの光を使用した。この第２の光は、波長２１０ｎｍ〜３００ｎｍにおけるガラス基板の表面での照度が１ｍＷ／ｃｍ２となるようにして、ガラス基板上に照射した。また、照射時間は、３０分とした。
【００６３】
また、実施例３では、第１のレーザ光として、ＡｒＦレーザ光の代わりに、波長が２４８ｎｍのＫｒＦ（クリプトンフッ素）レーザ光を使用した。これに伴い、使用レンズの反射膜および反射防止膜の対応波長を、２４８ｎｍに変更した。
【００６４】
被加工領域における第１のレーザ光の照射フルエンスは、２８Ｊ／ｃｍ２とした。第１のレーザ光の照射は、ガラス基板に所定数の貫通孔が形成されるまで継続した。
【００６５】
その後、貫通孔形成までに要した照射時間から、ショット数を求めた。その結果、ショット数は、７４０ショットであった。
【００６６】
加工後のガラス基板の状態を目視にて評価した。その結果、ガラス基板には、特に、クラックやチッピングが生じていないことが確認された。
【００６７】
（実施例４）
実施例３と同様の方法により、ガラス基板に対してアブレーション加工を行った。ただし、この実施例４では、ＤｅｅｐＵＶランプによる第２の光の照射時間を、１時間とした。
【００６８】
測定の結果、ショット数は、７００ショットであった。また、加工後のガラス基板には、特に、クラックやチッピングは生じていなかった。
（比較例２）
実施例３と同様の方法により、ガラス基板に対してアブレーション加工を行った。ただしこの比較例２では、第１のレーザ光を照射する前の、ＤｅｅｐＵＶランプによる第２の光の照射は、実施しなかった。
【００６９】
測定の結果、ショット数は、８００ショットであった。また、加工後のガラス基板には、貫通孔の周囲にクラックやチッピングが発生していることが確認された。
【００７０】
このことから、第１のレーザ光による照射前に、第２の光による照射を実施することにより、ショット数が少なくなることが確認された。また、第２の光による照射を実施しなかった場合、ガラス基板にクラックやチッピングが発生することがわかった。
【００７１】
表２には、実施例３、４、および比較例２において得られた結果をまとめて示した。
【００７２】
【表２】
2013209223.tif 000004
（実施例５）
ガラス基板として、厚さが０．３ｍｍで、熱膨張係数が３８×１０−7／ＫのＡＮ１００（旭硝子社製）ガラス基板を準備した。このガラス基板は、ＳｉＯ２を６０質量％、ＦｅをＦｅ２Ｏ３酸化物換算で０．０５質量％を含み、ＮａとＫとの合計含有量は、酸化物換算で０．１質量％未満である。
【００７３】
次に、このガラス基板を、内部が１００％窒素雰囲気にされた電気炉内に設置し、熱処理を行った。熱処理温度は、７５０℃（ガラス転移温度＋３０℃）とし、時間は、３０分とした。その後、雰囲気を窒素雰囲気に維持したまま、ガラス基板を１時間当たり３０℃の冷却速度で、４５０℃まで降温した。その後、放冷し室温になってから、ガラス基板を電気炉から取り出した。
【００７４】
次に、実施例１と同様、前述の図２に示したような装置を用いて、ガラス基板の被アブレーション加工領域に、第１のレーザ光を照射した。第１のレーザ光には、ＡｒＦレーザ光源を使用した。このレーザ光の波長は、１９３ｎｍである。被加工領域における照射フルエンスは、５Ｊ／ｃｍ２とした。第１のレーザ光の照射は、ガラス基板に所定数の貫通孔が形成されるまで継続した。
【００７５】
その後、貫通孔形成までに要した照射時間から、ショット数を求めた。ショット数は、３５００ショットであり、熱処理を実施していない場合（比較例１）に比べて、ショット数が少なくなっていることがわかった。
【００７６】
加工後のガラス基板の状態を目視にて評価した。その結果、ガラス基板には、特に、クラックやチッピングが生じていないことが確認された。
【００７７】
前述の表１には、実施例５において得られた結果をまとめて示した。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明は、半導体素子用の部材、より詳しくは、多層回路基板の絶縁層、ウエハレベルパッケージ、電極取り出し用の貫通穴、およびインターポーザなどの用途に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００７９】
２００    装置
２１１    第１のレーザ光用の光源
２１２    ガラス基板
２１３    マスク
２１４    ステージ
２１５    ミラー
２１６    ホモジナイザー
２１７    投影レンズ
２２１、２２２、２２３  レーザ光。
【図１】
2013209223.tif 000005
【図２】
2013209223.tif 000006