(57)【要約】【課題】従来方法よりも高い分解能及び精度を有する磁界測定方法及び磁界測定装置を実現する。【解決手段】本発明に係る磁界測定方法は、相互に分離された複数の磁性膜３２を被測定箇所に沿った面Ｐａ上に配列させ、前記複数の磁性膜３２に対して所定の偏光軸方向を有する偏光Ｌｉを入射させて得た反射光Ｌｏの偏光状態を検出することにより、前記複数の磁性膜３２の形成領域における前記被測定箇所の磁界を測定することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に分離された複数の磁性膜を被測定箇所に沿った面上に配列させ、前記複数の磁性膜に対して所定の偏光軸方向を有する偏光を入射させて得た反射光の偏光状態を検出することにより、前記複数の磁性膜の形成領域における前記被測定箇所の磁界を測定することを特徴とする磁界測定方法。
【請求項２】
前記複数の磁性膜は一体に構成された非磁性体の基材上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の磁界測定方法。
【請求項３】
前記基材は絶縁体であり、前記基材を前記被測定箇所の側に向けた姿勢で前記測定基板を配置することを特徴とする請求項２に記載の磁界測定方法。
【請求項４】
前記基材は透光体であり、前記基材を前記被測定箇所とは反対側に向けた姿勢で前記測定基板を配置することを特徴とする請求項２に記載の磁界測定方法。
【請求項５】
前記磁性膜に対する前記偏光の入射方位を前記複数の磁性膜が配列された面上の異なる二方向とした場合についてそれぞれ前記反射光の偏光状態を検出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁界測定方法。
【請求項６】
所定の偏光軸方向を有する偏光を出射する光源部と、相互に分離された状態で被測定箇所に沿った面上に配列された複数の磁性膜と、前記偏光を前記複数の磁性膜に対してそれぞれ入射可能に構成された入射光学系と、前記偏光が入射した前記磁性膜から出射する反射光の偏光状態を測定する検出測定部と、前記偏光が入射した前記磁性膜からそれぞれ前記反射光を前記検出測定部に導光可能に構成された検出光学系と、を具備することを特徴とする磁界測定装置。
【請求項７】
前記複数の磁性膜は一体に構成された非磁性体の基材上に形成されることを特徴とする請求項６に記載の磁界測定装置。
【請求項８】
前記検出測定部は、前記反射光から二つの異なる軸方向の偏光成分を分離する偏光分離手段と、前記偏光分離手段によって分離された前記二つの異なる軸方向の偏光成分の強度をそれぞれ検出する光検出器と、前記二つの異なる軸方向の偏光成分の強度に基づいて磁気Kerr効果に応じた測定値を得る測定回路と、を有することを特徴とする請求項６又は７に記載の磁界測定装置。
【請求項９】
前記磁性膜に対する前記偏光の入射方位を前記複数の磁性膜が配列された面上の異なる二方向とした場合についてそれぞれ前記反射光の偏光状態を検出することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の磁界測定装置。
【請求項１０】
内部に構成された電子回路と、前記電子回路の一方側において相互に分離されて配列された複数の磁性膜と、前記複数の磁性膜が外部に対してそれぞれ光学的に露出するように前記電子回路の前記一方側に形成された表面と、を具備することを特徴とする電子回路装置。
【請求項１１】
内部に構成された電子回路と、前記電子回路内において相互に分離されて配列された複数の磁性膜と、前記複数の磁性膜が外部に対してそれぞれ光学的に露出するように前記電子回路の一方側に形成された表面と、を具備することを特徴とする電子回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁界測定方法、磁界測定装置及び電子回路装置に係り、特に、印刷回路基板や半導体装置内に構成された電子回路から漏洩する高周波磁界を測定する場合に好適な磁界の測定技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、電子機器のマルチサービスや多機能化に対応するため、ＬＳＩやＲＦ回路などの電子回路の高密度化により印刷回路基板や半導体装置の高集積化が著しく進んでいる。このように電子回路が高密度化、高集積化すると、電源や信号配線から漏洩する高周波磁界の誘導現象により近傍配線においてクロストークが発生し、その結果、回路が誤作動を起こすことが危惧される。このため、電子回路における高周波磁界の漏洩場所や漏洩強度を測定し、上記誤作動を予測することが行われている。
【０００３】
従来の磁界検出方法としては、磁気光学結晶からなるセンサ部の磁気光学効果（ファラデー効果）をレーザ光学系にて検出する方法（例えば、以下の特許文献１参照）、ループコイルをセンサ部として用いる方法（例えば、以下の特許文献２参照）などが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２２５３４０号公報
【特許文献２】特開２０１１−１６９７９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の高密度化や高集積化が進展した電子回路においては配線や素子のサイズが微細であるため、これらのサイズに対応する分解能で漏洩磁界を検出しようとすると、上記従来の磁界検出方法では従前よりも極めて微細なセンサ部を設けることが必要となる。しかし、上記センサ部を微細化することは物理的に極めて困難であるとともに、当該センサ部を電子回路に対して走査させるためには極めて高精度な位置決め機構が必要になるなど、測定分解能を高めるには種々の障害がある。したがって、現実的には、上記従来の方法で高密度化、高集積化された電子回路の漏洩磁界を検出するために望ましい数〜数十ｎｍ程度の分解能を得ることが困難であった。
【０００６】
また、ループコイルを用いる方法では検出対象に近い位置に導電線を配置する必要があるため、当該導電線に誘導ノイズが重畳し、これによって磁界の検出精度が低下するという問題もある。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、高い分解能及び精度を有する磁界測定方法及び磁界測定装置を実現することにある。また、漏洩磁界を高い分解能及び精度で容易に測定可能な構造を備えた電子回路装置を実現することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
斯かる実情に鑑み、本発明に係る磁界測定方法は、相互に分離された複数の磁性膜を被測定箇所に沿った面上に配列させ、前記複数の磁性膜に対して所定の偏光軸方向を有する偏光を入射させて得た反射光の偏光状態を検出することにより、前記複数の磁性膜の形成領域における前記被測定箇所の磁界を測定することを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、相互に分離された複数の磁性膜を被測定箇所に沿った面上に配列させることで、被測定箇所における磁界により生ずる磁性膜の磁化ベクトルに応じて反射光の偏光状態が変化する磁気Kerr効果を利用して、複数の磁性膜の形成領域に対応する分解能で磁界を測定することができる。この場合に、相互に分離された複数の磁性膜を所定の面に沿って高密度かつ高精度に形成することは、種々の成膜法及びパターン形成技術により容易に行えるため、被測定箇所における磁界を高い分解能で測定することができる。
【００１０】
本発明において、前記複数の磁性膜は一体に構成された非磁性体の基材上に形成されることが好ましい。これによれば、非磁性体の基材上に複数の磁性膜を形成することにより隣接した磁性膜間の磁化状態の影響を抑制できるとともに、一体の基材上に複数の磁性膜を配列形成することにより、磁性膜の成膜やパターニング処理が容易になるなど、複数の磁性膜を容易に形成することが可能になる。
【００１１】
本発明において、前記基材は絶縁体であり、前記基材を前記被測定箇所の側に向けた姿勢で前記測定基板を配置することが好ましい。これによれば、絶縁体である基材を被測定箇所の側に向けることで、磁性膜と被測定箇所との間の電気的絶縁を確保できるとともに、磁性膜が基材に対して被測定箇所とは反対側に配置されるため、磁性膜に対する偏光の入射や反射光の検出を容易に行うことができる。
【００１２】
本発明において、前記基材は透光体であり、前記基材を前記被測定箇所とは反対側に向けた姿勢で前記測定基板を配置することが好ましい。これによれば、透光体である基材を被測定箇所とは反対側に向けることで、基材を通して磁性膜に対する偏光の入射や反射光の検出を可能としつつ、磁性膜が基材に対して被測定箇所の側に配置されるために磁性膜を被測定箇所に近づけ易くなるから、磁界の検出感度や分解能を実質的に高めることが可能になる。
【００１３】
本発明において、前記磁性膜に対する前記偏光の入射方位を前記複数の磁性膜が配列された面上の異なる二方向とした場合についてそれぞれ前記反射光の偏光状態を検出することが好ましい。これによれば、磁性膜に対する偏光の入射方位を異なる二方向でそれぞれ反射光の偏光状態を検出することにより、被測定箇所の磁界に基づく磁性膜の配列面に沿った磁性膜の磁化ベクトルの大きさや方位に関するより詳細な情報を得ることができる。特に、上記異なる二方向は上記複数の磁性膜が配列された面上の相互に直交する二方向であることが望ましい。
【００１４】
本発明において、前記磁性膜の厚みは、前記複数の磁性膜が配列される面に沿った方向の前記磁性膜の寸法よりも小さいことが好ましい。これによれば、磁性膜が薄板状に構成されるため、測定基板を被測定箇所に沿って配置した際に磁性膜が磁化されたときの磁化ベクトルの方向が測定基板における磁性膜の配列された面に沿った方向に向き易くなる。したがって、前記偏光の入射方向に対する縦磁気Kerr効果及び横磁気Kerr効果による影響のみを考慮して前記磁化ベクトルを解析することができるなど、磁界の測定や測定値の評価を容易に行うことが可能になる。
【００１５】
なお、上記各発明において、均一な検出感度及び精度を得るためには、複数の磁性膜は相互に等しい厚みを有することが好ましく、また、相互に等しい平面形状を有することが好ましい。さらに、均一な分解能を得るために等間隔に配列されていることが望ましく、光学的な検出を容易にする上では複数の磁性膜が平面に沿って配列されていることが望ましい。
【００１６】
また、前記被測定箇所に電子回路装置（電子回路を構成する印刷回路基板、半導体回路を構成する半導体装置など、少なくとも電子回路を含む各種の装置）などの被測定物を配置することで、被測定物の漏洩磁界を高い分解能で測定することができる。この場合に、上記複数の磁性膜若しくはこれらを一体の基材上に配置してなる測定基板を電子回路装置上に離間して配置してもよい。この場合には被測定物に対して非接触で測定を行うために被測定物を損傷する虞がなくなる。また、上記複数の磁性膜を被測定物の表面上に接触させたり固定したりしてもよい。この場合には測定基板を被測定物に近づけることができるため検出感度や分解能を高めることができる。さらにまた、上記測定基板を被測定物に対して可動に構成した状態で位置決めしてもよい。この場合には異なる被測定物に対して共通の測定基板を用いることができるとともに被測定物に対する測定基板の位置や姿勢を変更することが可能になる。また、上記複数の磁性膜を被測定物に一体的に形成してもよい。この場合には被測定物に対する複数の磁性膜の位置決め作業が不要になるとともに、磁性膜の形成位置を被測定物の特定部位に対して精密に設定することが可能となる。
【００１７】
次に、本発明に係る磁界測定装置は、所定の偏光軸方向を有する偏光を出射する光源部と、相互に分離された状態で被測定箇所に沿った面上に配列された複数の磁性膜と、前記偏光を前記複数の磁性膜に対してそれぞれ入射可能に構成された入射光学系と、前記偏光が入射した前記磁性膜から出射する反射光の偏光状態を測定する検出測定部と、前記偏光が入射した前記磁性膜からそれぞれ前記反射光を前記検出測定部に導光可能に構成された検出光学系と、を具備することを特徴とする。
【００１８】
本発明において、前記検出測定部は、前記反射光から二つの異なる軸方向の偏光成分を分離する偏光分離手段と、前記偏光分離手段によって分離された前記二つの異なる軸方向の偏光成分の強度をそれぞれ検出する光検出器と、前記二つの異なる軸方向の偏光成分の強度に基づいて磁気Kerr効果に応じた測定値を得る測定回路と、を有することが好ましい。ここで、上記二つの異なる軸方向の偏光成分は相互に直交する軸方向の偏光成分であることが好ましい。
【００１９】
本発明において、前記複数の磁性膜は前記基材上の縦横それぞれにおいて等間隔にマトリクス状に配列されることが好ましい。これによれば、複数の磁性膜が縦横それぞれにおいて等間隔にマトリクス状に配列されることにより、各磁性膜の形成領域ごとに磁界を検出することで、複数の磁性膜が配列された平面範囲内において任意の方向に沿ってそれぞれ均一な分解能で磁界分布を測定することができる。
【００２０】
本発明において、前記磁性膜に対する前記偏光の入射方位が前記複数の磁性膜が配列された面上の異なる二方向とした場合についてそれぞれ前記反射光の偏光状態を検出することが好ましい。また、前記複数の磁性膜は一体に構成された非磁性体の基材上に形成されることが好ましい。特に、一体に構成された非磁性体の基材上に複数の磁性膜が配列された測定基板を設けることにより、被測定箇所に配置される種々の被測定物の漏洩磁界を容易に測定できる。
【００２１】
次に、本発明に係る電子回路装置は、内部に構成された電子回路と、前記電子回路の一方側において相互に分離されて配列された複数の磁性膜と、前記複数の磁性膜が外部に対してそれぞれ光学的に露出するように前記電子回路の前記一方側に形成された表面と、を具備することを特徴とする。また、別の電子回路装置は、内部に構成された電子回路と、前記電子回路の内部において相互に分離されて配列された複数の磁性膜と、前記複数の磁性膜が外部に対してそれぞれ光学的に露出するように前記電子回路の一方側に形成された表面と、を具備することを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、所定の偏光軸方向を有する偏光を前記表面側から磁性膜に入射させ、その反射光の偏光状態を検出することにより磁性膜に生じた磁化ベクトルに起因する磁気Kerr効果による影響を把握することが可能になるため、前記電子回路の漏洩磁界をその一方側の表面の側から複数の磁性膜の配列態様に相当する分解能で測定することが可能になる。なお、複数の磁性膜が電子回路の内部に配列される場合には、光学検出を容易にするために、複数の磁性膜が電子回路内の表面寄りの位置に配列されることが好ましい。また、前記磁性膜が外部に対して光学的に露出する場合としては、磁性膜自体が物理的に前記表面上に露出しているときと、磁性膜が前記表面上に物理的に露出してはいないが、当該表面と磁性膜との間に存在する少なくとも所定の経路に沿った構成部分が透光体で構成されているときの双方が含まれる。なお、上記のいずれの発明においても、前記複数の磁性膜は上記表面に沿った面上に配列されていることが好ましく、特に、当該面は平面であることが望ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、電子回路装置の漏洩磁界を測定するために好適な、高い分解能を有する磁界測定方法及び磁界測定装置を実現することができ、また、漏洩磁界を高い分解能で容易に測定可能な構造を備えた電子回路装置を実現することができるという優れた効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１実施形態の磁界検出部を示す概略斜視図。
【図２】第１実施形態の磁界検出部の概略縦断面図。
【図３】第１実施形態の測定光学系の構成を示す概略構成図。
【図４】第１実施形態の測定光学系を示す概略構成斜視図。
【図５】第１実施形態の測定回路の構成例を示す説明図。
【図６】第２実施形態の磁界検出部を示す概略斜視図。
【図７】第２実施形態の磁界検出部の概略縦断面図。
【図８】第３実施形態の磁界検出部の概略縦断面図。
【図９】第４実施形態の磁界検出部の概略縦断面図。
【図１０】第５実施形態の磁界検出部の概略縦断面図。
【図１１】第５実施形態の磁界検出部の内部構成の例を示す概略斜視図。
【図１２】磁気Kerr効果を説明するための縦磁気Kerr効果の例を示す説明図（ａ）〜（ｇ）。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
次に、添付図面を参照して、本発明に係る磁界測定方法、磁界測定装置及び電子回路装置の実施形態について詳細に説明する。
【００２６】
［第１実施形態］
図１は第１実施形態の磁界測定方法及び磁界測定装置の磁界検出部の構造を示す概略斜視図、図２は同実施形態の磁界検出部の概略縦断面図である。本実施形態では、電子回路２が内部に構成された印刷回路基板や半導体装置などからなる電子回路装置１の漏洩磁界を測定する方法及び装置を構成する場合の例を示すものである。ただし、本発明としては、電子回路装置１を被測定物とする場合に限らず、種々の被測定物に適用することができる。
【００２７】
図１及び図２に示すように、本実施形態の磁界検出部は、一体に構成された非磁性体からなる板状の基材３１と、この基材３１上に形成された複数の磁性膜３２とを有する測定基板３により構成される。基材３１上には複数の磁性膜３２が相互に分離された状態で配列されており、本実施例では平面形状が矩形（図示例では正方形）の磁性膜３２が縦横（Ｘ方向とＹ方向）それぞれにおいて等間隔にマトリクス状に配列されている。
【００２８】
基材３１は、常磁性体、反磁性体のうち透磁率が小さい物質などで構成され、例えば、ガラス、セラミックス、Ａｌ、Ｃｕなどが挙げられる。また、磁性膜３２は、強磁性体などの透磁率が大きい物質で構成され、例えば、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｃｏなどが挙げられる。また、これらの表面にＡｕなどの薄膜を形成したものであってもよい。磁性膜３２は、基材３１上に蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＬＰＥ法などの各種の成膜方法で形成できる。また、複数の磁性膜３２の配列パターンは、マスク法（パターンマスクを用いた成膜）、フォトリソグラフィ法などの各種のパターニング技術を用いることによって構成できる。
【００２９】
図１では、測定基板３における複数の磁性膜３２が配列された面（以下、単に「配列面」という。）ＰａがＸＹ平面で示され、磁性膜３２の厚み方向がＺ方向で示される。図示例では、複数の磁性膜３２は平坦な配列面Ｐａ上に配列されている。平坦面に沿って複数の磁性膜３２が配列されることで、複数の磁性膜３２の形成が容易になるとともに、後述する測定光学系４による光計測が容易になり、検出精度も向上する。ここで、複数の磁性膜３２は相互に等しい平面形状を有している。これにより、均一な精度で光計測を行うことができる。図示例では、磁性膜３２の配列面Ｐａに沿った平面形状は矩形（図示例では正方形）であり、また、その縦寸法及び横寸法（配列面Ｐａに沿った寸法）は、必要とされる磁界の検出分解能に応じた磁性膜３２の形成領域が構成されるように設定される。例えば、電子回路装置としての高集積の半導体装置（ＬＳＩなど）の漏洩磁界を検出する場合には、１ｎｍから１０μｍ程度（例えば数〜数十ｎｍ）の微細な寸法とされる。
【００３０】
複数の磁性膜３２は相互に等しい厚みを有している。これにより、磁界に応じて各磁性膜３２に生ずる磁化ベクトルの態様も均一化されるため、磁界の測定感度も均一化される。磁性膜３２の厚み（Ｚ方向の寸法）は特に限定されないが、上記配列面Ｐａに沿った寸法よりも小さい値とされることが好ましい。これは、磁性膜３２を薄膜状に構成することにより、成膜が容易になるとともに、磁界により生ずる磁性膜３２内の磁化ベクトルの方向が上記配列面Ｐａに沿った方向に向き易く（揃い易く）なるため、磁化ベクトル（特に磁化強度）の検出が容易になるからである。この場合に、磁性膜３２のＸ方向及びＹ方向の幅が２０ｎｍであれば、磁性膜３２のＺ方向の厚みを１０ｎｍ以下とするなど、上記の効果を高めるためには両寸法間に２倍以上の差があることが好ましい。
【００３１】
隣接する磁性膜３２の間隔３３は、磁性膜３２の磁化ベクトル同士の影響を低減するために設けられる。上記間隔３３が小さくなると隣接する磁性膜３２の磁化ベクトルの影響を受け易くなるので、検出精度が低下するとともに、実質的な検出分解能も低下する。上記間隔３３を大きくすると隣接する磁性膜３２の影響を受けにくくなるが、上記間隔３３を大きくし過ぎると磁性膜３２の形成密度が低下することによる検出分解能や検出精度の低下が生ずる。したがって、上記間隔３３は、要求される磁界の検出分解能や検出精度に応じて適正な範囲に設定される。例えば、隣接する磁性膜３２間の影響を低減する観点からは間隔３３の配列面Ｐａに沿った寸法は磁性膜３３の配列面Ｐａに沿った寸法の１／３以上とすることが好ましく、検出密度を高める観点からは間隔３３の配列Ｐａに沿った寸法は磁性膜３３の配列面Ｐａに沿った寸法の２／３以下とすることが好ましい。
【００３２】
本実施形態では、図３及び図４に示す測定光学系４を用いて、磁性膜３２の表面に所定の偏光軸方向を有する偏光Ｌｉを入射し、その反射光Ｌｏを計測する。なお、磁性膜３２に入射する偏光Ｌｉは、所定の偏光軸方向を有する偏光であればよく、例えば楕円偏光であってもよい。ただし、本実施形態のように偏光Ｌｉを直線偏光とすることで、磁気Kerr効果をより正確に検出することができ、磁性膜３２の磁化ベクトルを精度よく測定することが可能になる。
【００３３】
測定光学系４は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザや半導体レーザといったレーザ光源からなる光源４１と、グラントムソン偏光プリズム等からなる偏光子４２と、ＭＥＭＳミラー等からなる光偏向手段を備えた入射光学系４３とを有する。ここで、上記光源４１と偏光子４２は上記光源部に相当する。偏光子４２は光源４１から出射される光を所定の偏光軸方向を有する偏光、本実施形態では直線偏光に変換する。入射光学系４３は上記光偏向手段により光の偏光状態（偏光面）を維持したまま光の入射スポットをＸＹ方向に走査することができ、その結果、上記複数の磁性膜３２に対してそれぞれ上記偏光Ｌｉを照射できるように構成される。
【００３４】
また、測定光学系４は、上記偏光Ｌｉが入射したときの磁性膜３２から出射される反射光Ｌｏを集光するためのＭＥＭＳミラー等からなる光偏向手段を備えた検出光学系４４と、検出光学系４４から出射される上記反射光Ｌｏの偏光態様を調整するための１／４波長板４５と、１／４波長板４５から出射される上記反射光から二つの相互に直交する軸方向の偏光成分Ｌｓ（Ｓ波）とＬｐ（Ｐ波）を分離するための偏光ビームスプリッタ４６と、偏光ビームスプリッタ４６から出射される二つの偏光成分Ｌｓ、Ｌｐの光強度をそれぞれ検出するフォトダイオード等の光検出器４７、４８と、これらの光検出器４７、４８の検出値に基づいて上記反射光の偏光状態を示す測定値を求める測定回路４９と、を備えている。ここで、１／４波長板４５、偏光ビームスプリッタ４６、光検出器４７、４８及び測定回路４９は上記検出測定部を構成し、１／４波長板４５と偏光ビームスプリッタ４６は上記偏光分離手段に相当する。また、上記検出光学系４４は、上記入射光学系４３の走査に対応して動作し、偏光Ｌｉが入射される複数の磁性膜３２から出射される反射光Ｌｏを確実に光検出器４７，４８に導くことができるように構成される。すなわち、上記入射光学系４３及び検出光学系４４は、偏光Ｌｉの照射位置をＸＹ方向に走査可能とし、しかも、走査された照射位置に応じて反射光Ｌｏが検出可能となるように、入射光路及び検出光路を変更可能に構成される。
【００３５】
なお、図４では測定光学系４のうち、偏光Ｌｉの入射位置を走査するための上記入射光学系４３及び反射光Ｌｏを集光するための検出光学系４４については図示を省略してある。また、図４に示す例では、偏光Ｌｉが直線偏光であり、入射面Ｐｉ（図１に示すＸＺ平面）に対して直交する方向に偏光軸方向（偏光面）を有するＳ偏光である場合を示している。ただし、偏光Ｌｉは入射面に対して平行な方向に偏光軸方向（偏光面）を有するＰ偏光であってもよく、また、これらとは異なる偏光軸方向を有する偏光であっても構わない。
【００３６】
上記測定基板３は、被測定箇所、或いは、当該被測定箇所に配置された被測定物である電子回路装置１に隣接して配置される。図示例の場合、測定基板３は複数の磁性膜３２の配列面Ｐａに沿った板状体（平行平板）であり、電子回路装置１の表面に沿った姿勢で配置される。この場合に、測定基板３は上記電子回路装置１に対して固定された状態とされる。これにより、測定基板３（各磁性膜３２）と電子回路装置１との位置関係が保持されるため、機械的な可動構造による位置ずれによる影響を回避できる。ただし、可動構造による位置精度に支障がなければ、上記の入射光学系４３及び検出光学系４４を上記測定光学系４に設ける代わりに、移動機構により測定基板３及び電子回路装置１を測定光学系４に対して移動可能に構成し、これにより偏光Ｌｉの照射位置をＸＹ方向に走査できるようにしてもよい。
【００３７】
本実施形態では、測定時において、図２に示すように、測定基板３が基材３１を被測定箇所若しくは被測定物の側に向けた姿勢で配置される。この場合には、磁性膜３２と被測定箇所若しくは被測定物との間には基材３１が配置されるが、基材３１は非磁性体で構成されるため、被測定箇所若しくは被測定物の磁界の検出は妨げられない。また、基材３１をガラスやセラミックスのような絶縁体で構成することで、測定基板３が電子回路装置１のような被測定物に接触した場合でも電気的な絶縁を確保することができる。例えば、電子回路装置１の漏洩磁界を検出する場合、電源を接続することにより電子回路２を動作させた状態で測定を行うが、電子回路装置１の表面に電極や給電線が露出している場合でも、基材３１により磁性膜３２の絶縁を確保できるため、磁性膜３２に流れる高周波電流などによる磁界検出への影響を防止できる。なお、本実施形態の場合、基材３１の厚みによって磁界の被測定箇所の位置や被測定物との距離が制限されるため、基材３１はなるべく薄い方が好ましい。この場合に、磁性膜３２の支持体として機能する基材３１をガラスやセラミックスなどの剛性の高い材料で構成することにより基材３１を薄く形成できる。
【００３８】
ここで、測定基板３を電子回路装置１の表面に接触しないように配置すると、非接触状態で磁界測定が行われるので、電子回路装置１の汚染や損傷を防止でき、また、接触圧による測定基板３１の変形（撓み）による光学的影響も防止できる。一方、測定基板３を電子回路装置１に接触させて配置すると、磁性膜３２と電子回路装置１との距離を小さくできるため、漏洩磁界の検出精度や検出分解能を高めることができる。
【００３９】
本実施形態では、上記入射光学系４３及び検出光学系４４により、偏光Ｌｉの照射位置を走査して複数の磁性膜３２に順次に照射し測定を行う。図示例の場合には、図１に示すように入射面ＰｉがＹＺ平面と平行となるように偏光ＬｉをＹ方向に沿って入射し、反射光ＬｏをＹ方向に取り出す。このとき、入射光学系４３及び検出光学系４４をＸ方向に走査することでＸ方向に配列された磁性膜３２について順次に測定することができ、Ｙ方向に走査することでＹ方向に配列された磁性膜３２について順次に測定することができる。したがって、入射光学系４３及び検出光学系４４をＸ方向及びＹ方向に適宜の手順で走査することで、ＸＹ両方向にマトリクス状に配列された複数の磁性膜３２についてそれぞれ測定することが可能になる。
【００４０】
ここで、磁界測定プロセスを、上記入射面Ｐｉを変更して行うことができる。例えば、上述のようにＹＺ平面を入射面ＰｉとするようにＹ方向に偏光Ｌｉを入射し反射光Ｌｏを取り出す態様で複数の磁性膜３２について順次に検出する第１の検出工程と、ＸＺ平面を入射面とするようにＸ方向に偏光Ｌｉを入射し反射光Ｌｏを取り出す態様で複数の磁性膜３２に対して順次に検出する第２の検出工程とを設けることにより、後述するように、より詳細な磁界測定を行うことができる。
【００４１】
なお、本実施形態では上述のように入射光学系４３及び検出光学系４４により偏光Ｌｉの照射位置を走査して複数の磁性膜３２に対して順次に検出を行っているが、二以上の複数の磁性膜３２に対して同時に偏光Ｌｉを照射し、当該二以上の複数の磁性膜３２からの反射光ＬｏをＣＣＤやＣＭＯＳセンサアレイ等を用いて同時に測定してもよい。例えば、全ての磁性膜３２に対して一括して偏光Ｌｉの照射と反射光Ｌｏの測定を実施しても構わない。これらの点は上記第１の検出工程及び第２の検出工程のそれぞれにおいても同様である。なお、これらの場合において、複数の磁性膜３２の測定結果が磁性膜３２の配列態様と対応するように（例えば、平面的（２次元的）に）配列された静止画や動画を出力（表示）するようにしてもよい。
【００４２】
次に、以上説明した第１実施形態の作用効果を、電子回路装置１の漏洩磁界を検出する場合を例にとって説明する。図１２は、磁性膜３２の磁化ベクトルＭによる磁気Kerr効果の説明図である。磁気Kerr効果には極磁気Kerr効果、縦磁気Kerr効果、横磁気Kerr効果が知られているが、本実施形態ではいずれの効果を利用することも可能であり、一般的には上記各効果の総和として測定値が得られる。ここで、図１２（ａ）〜（ｆ）は磁気Kerr効果の一例である縦磁気Kerr効果を説明するものである。この縦磁気Kerr効果は、偏光Ｌｉの入射面（ＹＺ平面）と反射面（磁性膜３２の表面）に共に平行な磁化、すなわち、図示例の場合には磁化ベクトルＭのＹ方向成分Ｍｙによって生ずる。なお、図１２（ａ）〜（ｅ）では、磁性膜３２に入射する偏光Ｌｉ（直線偏光）が入射面に平行な偏光面を有するＰ偏光である場合について図示している。磁性膜３２が図示Ｙ方向の交流電流により生ずる磁界ｈ中に配置されている場合、当該磁界ｈの大きさは図１２（ｆ）のように時間変動し、これに対応して磁性膜３２の磁化ベクトルＭのＹ方向成分Ｍｙは図１２の（ａ）〜（ｅ）の白抜き矢印のように変化する。このとき、磁化ベクトルＭのＹ方向成分Ｍｙの大きさに応じて縦磁気Kerr効果により反射光の偏光軸方向は入射面に対して回転し（旋光性）、Ｍｙ１＞Ｍｙ２＞Ｍｙ３＝０＞−Ｍｙ４＞−Ｍｙ５のとき、θ１＞θ２＞θ３＝０＞−θ４＞−θ５となる。また、一般に、縦磁気Kerr効果では小さなＳ偏光成分が生ずることで反射光Ｌｏは楕円偏光となる。
【００４３】
図示例では入射面（図１のＹＺ平面）及び反射面（磁性膜３２の表面）に平行な磁化Ｍｙにより生ずる縦磁気Kerr効果の例を示したが、磁気Kerr効果には、上記の他に、反射面の法線方向と磁化の向きが平行な場合に生ずる極磁気Kerr効果と、反射面に平行であるが入射面Ｐｉと直交する向きの磁化により生ずる横磁気Kerr効果とがある。極磁気Kerr効果と縦磁気Kerr効果では上述のように磁化の向きが反転すると反射光Ｌｏの旋光角や楕円率の符号が反転する。一方、横磁気Kerr効果では磁化の強さに応じて反射光Ｌｏの光強度が変調されるものの磁化の方向に依存した偏光面の回転は生じない。図示例の場合には、上述のように入射面がＹＺ平面であるため、図１２（ｇ）に示すように磁化ベクトルＭのＸ方向成分をＭｘ、Ｙ方向成分をＭｙとすると、縦磁気Kerr効果はＹ方向成分Ｍｙによって生じ、横磁気Kerr効果はＸ方向成分Ｍｘによって生ずる。
【００４４】
上記のような各効果の特徴を利用すると、入射面Ｐｉを異なる二つの方位にとってそれぞれ測定を行うことで磁性膜３２の磁化ベクトルＭに関するより詳細な情報を得ることができる。特に、上述のように入射面Ｐｉを相互に直交する方向に設定してそれぞれ検出することにより、それぞれの検出により得られた測定値に対する縦磁気Kerr効果と横磁気Kerr効果の寄与をもたらす磁化ベクトルＭの成分が相互に逆の関係となる。例えば、図１２（ｇ）に示す例では、ＹＺ平面を入射面とした場合には、磁化ベクトルのＹ方向成分Ｍｙにより縦磁気Kerr効果が生じ、Ｘ方向成分Ｍｘにより横磁気Kerr効果が生じるが、ＸＺ平面を入射面とした場合には、Ｘ方向成分Ｍｘにより縦磁気Kerr効果が生じ、Ｙ方向成分Ｍｙにより横磁気Kerr効果が生じる。このため、各入射面における測定値から磁化ベクトルＭの大きさと方位を推定若しくは算出することができるなど、各磁性膜３２の配列面Ｐａに沿った磁化ベクトルＭに関するより詳細な情報を得ることができ、より精密な磁界測定を行うことができる。また、磁化ベクトルＭの方位に関する情報がある場合（例えば、電子回路２の配線パターン等による特定の電流方向が特定の磁性膜３２の磁化に影響することが分かっている場合など）には、入射面Ｐｉの方位と測定値の関係に応じて磁化ベクトルＭの大きさをより詳細に測定することができる。なお、極磁気Kerr効果は磁化ベクトルＭのＺ方向成分によって生ずるが、この効果は偏光Ｌｉの入射角が同じであれば入射面の方位にはほとんど依存しないため、異なる入射面による検出による測定値の比較利用に際しては上記入射角を同一とすることで極磁気Kerr効果の影響を低減できる。ただし、本発明は極磁気Kerr効果による磁化の検出を排除するものではなく、磁化ベクトルＭのＺ方向成分による極磁気Kerr効果を含む測定値によって磁界を検出しても構わない。
【００４５】
本実施形態においては、図４に示すように、光源４１から出射するレーザ光を偏光子４２により直線偏光とし、この直線偏光である偏光Ｌｉを所定の磁性膜３２に照射する。このとき、偏光Ｌｉの照射スポットは磁性膜３２の形成領域内に収まるように設定されることが検出精度を確保するために好ましい。このとき、上記偏光Ｌｉが入射した磁性膜３２からは反射光Ｌｏが出射される。反射光Ｌｏは偏光Ｌｉの偏光面に対して遅相軸４５ｘを傾けた１／４波長板４５により偏光面が変換され、偏光ビームスプリッタ４６により相互に直交する軸方向を有する二つの偏光成分ＬｓとＬｐに分離される。この場合に、偏光Ｌｉが磁気Kerr効果を受けずに直線偏光のままで反射されると１／４波長板４５により反射光Ｌｏは円偏光に変換される。このとき、例えば、１／４波長板４５の遅相軸４５ｘを偏光Ｌｉの偏光面に対して４５度傾けると偏光ビームスプリッタ４６で分離される二つの偏光成分ＬｓとＬｐの光強度は原則としてほとんど等しくなる。これに対して、偏光Ｌｉが磁性膜３２の磁化ベクトルＭにより磁気Kerr効果を受けて偏光面が回転すると、その旋光角の大きさに応じて二つの偏光成分ＬｓとＬｐの間に強度差が生ずる。本実施形態では、磁界（電流）がゼロである場合に偏光ビームスプリッタ４６で分離される二つの偏光成分ＬｓとＬｐの光強度が等しくなるように、１／４波長板４５の遅相軸４５ｘの角度を調整している。このように調整した状態では、ＬｓとＬｐの光強度の差が磁界（磁化ベクトルＭ）の影響を示すことになる。
【００４６】
図５は、図３に示す測定回路４９の構成例を示す説明図である。この例では、測定回路４９は、光検出器４７の検出信号を出力する検出部４９ｓと、光検出器４８の検出信号を出力する検出部４９ｐと、検出部４９ｓの検出信号を増幅する増幅部４９ｓａと、検出部４９ｐの検出信号を増幅する増幅部４９ｐａと、増幅部４９ｓａと４９ｐａの出力値の差分を測定値として増幅出力する差動増幅部４９ｄとを備えている。
【００４７】
上述のように、反射光Ｌｏが磁気Kerr効果を受けずに直線偏光のままであれば１／４波長板４５により円偏光となり、図示点線で示すように偏光ビームスプリッタ４６の分離面により分離される偏光成分Ｌｓと偏光成分Ｌｐの光強度ＩｓとＩｐはほぼ等しくなるので、測定回路４９の出力Ｉｏ＝Ｉｓ−Ｉｐは小さい。一方、反射光Ｌｏが磁気Kerr効果を受けると、反射光Ｌｏは、偏光Ｌｉに対して偏光軸方向が磁気Kerr効果により回転する（縦磁気Kerr効果があればさらに楕円偏光となる）ため、反射光Ｌｏの偏光軸方向が変化し、１／４波長板４５を通過した後でも偏光成分Ｌｓの光強度Ｉｓと偏光成分Ｌｐの光強度Ｉｐに差が生じ、偏光成分Ｌｓと偏光成分Ｌｐの光強度の差Ｉｏ＝Ｉｓ−Ｉｐは磁気Kerr効果の大きさに応じて大きくなるので、磁界の大きさに応じて測定回路４９の出力は大きくなる。
【００４８】
以上のように、測定回路４９の測定値Ｉｏ＝Ｉｓ−Ｉｐにより偏光Ｌｉが磁性膜３２の反射時に受ける磁気Kerr効果の大きさを知ることができ、各磁性膜３２について測定値Ｉｏを求めることにより、配列面Ｐａに沿った磁界分布を検出することができる。その結果、電子回路装置１の電子回路２から漏洩する漏洩磁界を磁性膜３２の配列面Ｐａに沿って高い分解能で測定することが可能になる。具体的には、磁界測定の最小分解能は磁性膜の寸法と光学的な検出限界（照射スポット径など）にのみ依存するので、例えば２０ｎｍルールのＬＳＩの漏洩磁界測定にも十分に適用可能な数ｎｍレベルの高分解能を得ることができる。また、直流磁界も測定できるとともに少なくとも数ＧＨｚ程度までの高周波磁界にも対応できる。さらに、光学的な検出方法を利用するために、検出対象である漏洩磁界の外乱要因を生じないことから、検出ノイズを低減でき、高精度の測定が可能になる。例えば、測定光学系４においては磁界検出部（測定基板３）の近傍に配線や回路を配置する必要がないので、誘導ノイズによる検出精度の低下は生じない。
【００４９】
上述のように、磁性膜３２に対する偏光Ｌｉの入射面ＰｉをＹＺ平面とする第１の検出工程と、ＸＺ平面を入射面とする第２の検出工程とを実施する場合には、異なる入射面で検出した測定値Ｉｏを共に用いることで、各磁性膜３２の磁化ベクトルＭに関する詳細な情報を得ることができる。例えば、異なる入射面で検出した測定値Ｉｏの比を求めることで、磁化ベクトルＭの方位と相関を有する値を得ることができる。また、この方法では、入射面を同一とする各検出工程において複数の磁性膜３２に対してまとめて検出することで、各検出工程内で光路を大きく変更する必要がなくなるため、測定時間を短縮できるなど、測定効率を高めることができる。
【００５０】
なお、本実施形態において、図５の右半分に示すように、測定結果（測定値Ｉｏ）をＦＦＴ(Fast Fourier Transform)プログラムなどを実行する演算処理手段によりフーリエ変換して、測定値（磁化強度）の周波数スペクトルを求めるなどの方法で、測定結果の周波数解析を行うことにより、磁界の周波数特性を測定対象とすることも可能である。これは、特に高周波回路における漏洩磁界を測定する場合に効果的である。また、複数の磁性膜３２に対する各測定値を、色や明度（濃淡）などにより各磁性膜３２の配列位置に対応させた位置にそれぞれ表示する（２次元の静止画や動画を出力（表示）する）ことにより、磁界検出部（測定基板）の配列面Ｐａに沿った測定結果の平面分布を視覚的に表現することができる。
【００５１】
［第２実施形態］
次に、図６及び図７を参照して、本発明に係る第２実施形態について説明する。なお、本実施形態において、磁性膜の磁化ベクトルに起因する磁気Kerr効果を測定するための測定光学系や測定回路は上記第１実施形態と同様であるので、その図示及び説明は省略する。また、磁性膜などの対応する構成要素に関して先の実施形態で説明した事項についても同様に適用することができるため、それぞれの説明内容については記述を省略する。
【００５２】
図６は第２実施形態の磁界検出部を示す概略斜視図、図７は第２実施形態の磁界検出部を示す概略縦断面図である。本実施形態では、電子回路装置１において、内部の電子回路２の一方側（漏洩磁界を検出する面側）に、ＣＶＤ法その他の気相成長法などにより非磁性膜５１（基材に相当する。）が形成される。この非磁性膜５１はＳｉＯ２等の絶縁膜でもあることが好ましい。また、この非磁性膜５１上には複数の磁性膜５２が間隔５３を介して相互に分離した状態で配列されるように積層される。このように、本実施形態では、電子回路装置１の表層部（表面上）に複数の磁性膜５２を有する磁界検出部５が一体に形成される。なお、図示例では複数の磁性膜５２は電子回路装置１の表面に沿った面（平面）上に配列されているため、複数の磁性膜の形成や光学検出が容易になる。
【００５３】
本実施形態では、被測定物である電子回路装置１自体に磁界検出部５が一体に設けられているため、第１実施形態のように磁界検出部と被測定物を相互に位置決めする必要がなく、電子回路装置１をそのまま測定光学系４に適用するだけで電子回路装置１の漏洩磁界を測定することができる。また、電子回路装置１の表面に複数の磁性膜５２が配列されているため、外部に対する或る程度の磁気遮蔽作用を得ることもできる。
【００５４】
また、上述のように非磁性膜５１を絶縁膜とすることで、電子回路装置１内の電子回路２と磁性膜５２を電気的に絶縁することができる。もっとも、磁界検出に際して電気的な影響が問題とされないのであれば、非磁性膜５１を省略してもよく、また、電子回路装置１内の電子回路２と一部の磁性膜５２を電気的に接続して、一部の磁性膜５２を外部電極として用いる（兼用する）ことも可能である。
【００５５】
［第３実施形態］
次に、図８を参照して第３実施形態について説明する。この第３実施形態でも、測定光学系や測定回路などの構成は第１実施形態と同様であるので、その図示及び説明を省略する。また、磁性膜などの対応する構成要素に関して先の実施形態で説明した事項についても同様に適用することができるため、それぞれの説明内容については記述を省略する。
【００５６】
本実施形態では、非磁性体の基材６１上に間隔６３を介して分離された状態で配列された複数の磁性膜６２を備えた測定基板６において、基材６１にガラスなどの透光性材料を用いる。また、磁性膜６２を被測定箇所若しくは被測定物の側に向けた姿勢で測定基板６を配置し、測定基板６の基材６１の側から上記測定光学系４により、偏光Ｌｉを入射するとともに反射光Ｌｏを取り出す。この場合、偏光Ｌｉ及び反射光Ｌｏはいずれも基材６１を通過することとなるが、基材６１は透光性材料で構成されているため、測定に支障はない。なお、基材６１は測定時に用いる光波長において高い透過率を呈するものを選定することが好ましい。また、図示例では複数の磁性膜６２は基材６１の表面に沿った面（平面）上に配列されているため、複数の磁性膜の形成や光学検出が容易になる。
【００５７】
［第４実施形態］
次に、図９を参照して第４実施形態について説明する。この第４実施形態でも、測定光学系や測定回路などの構成は第１実施形態と同様であるので、その図示及び説明を省略する。また、磁性膜などの対応する構成要素に関して先の実施形態で説明した事項についても同様に適用することができるため、それぞれの説明内容については記述を省略する。
【００５８】
本実施形態では、第２実施形態と同様に電子回路装置１に磁界検出部７が一体に設けられるが、電子回路装置１内の電子回路２の一方側に複数の磁性膜７２が間隔７３により相互に分離した態様で配列され、この磁性膜７２上に透光性材料からなる非磁性体の基材７１が積層される。したがって、この実施形態では、第３実施形態と同様に透光性の基材７１を通して偏光Ｌｉの入射と反射光Ｌｏの出射が行われる。なお、本実施形態においては、電子回路装置１内で電子回路２と磁界検出部７との間に絶縁層１ａが形成されていると、電子回路２と磁性膜７２との間の電気的な絶縁を確保することができる。なお、図示例では複数の磁性膜７２は電子回路装置１の表面に沿った面（平面）上に配列されているため、複数の磁性膜の形成や光学検出が容易になる。
【００５９】
［第５実施形態］
次に、図１０を参照して第５実施形態について説明する。この第５実施形態でも、測定光学系や測定回路などの構成は第１実施形態と同様であるので、その図示及び説明を省略する。また、磁性膜などの対応する構成要素に関して先の実施形態で説明した事項についても同様に適用することができるため、それぞれの説明内容については記述を省略する。
【００６０】
本実施形態では、電子回路装置１に磁界検出部８が一体に設けられている点で上記第２実施形態及び第４実施形態と同様である。しかしながら、本実施形態の場合には、相互に分離された複数の磁性膜８２が電子回路装置１の内部に配列され、その配列面Ｐａが電子回路２の内部に形成される点で異なる。ただし、上記磁性膜８２（配列面Ｐａ）は、電子回路２内における一方の表面１ｂ（図示上面）寄りの位置に配置されている。また、電子回路装置１において、複数の磁性膜８２から電子回路装置１の一方の表面１ｂまでの間の表層領域１ｃは透光性材料で構成され、上記表面１ｂの側から偏光Ｌｉを入射して磁性膜８２に照射したり、磁性膜８２で反射された反射光Ｌｏを表面１ｂから出射させたりすることができるように構成される。なお、表層領域１ｃが偏光Ｌｉや反射光Ｌｏの光波長において高い透過率を有する材料であることが望ましい点は第３実施形態と同様である。また、図示例では複数の磁性膜８２は電子回路装置１の表面１ｂに沿った面（平面）上に配列されているため、複数の磁性膜の形成や光学検出が容易になる。
【００６１】
図１１は本実施形態の電子回路装置１の内部に形成された電子回路２の表層側の構造例を示す概略斜視図である。この例では、配線パターン８３が単層若しくは複層に構成されており、この配線パターン８３はＦＥＴなどの能動素子８４、８５や抵抗体などの受動素子８６、８７を含み、電子回路２を構成している。配線パターン８３は、Ａｌ、Ｃｕなどの導電体からなる配線層８０と、この配線層８０を被覆するＳｉＯ２などの非磁性体の絶縁層８１を有する。図示例の場合、上記磁性膜８２は、配線層８０と重なる位置において絶縁層８１上に独立したパターンとして形成されている。これによって、配線層８０に流れる電流に起因する漏洩磁界を測定できる。
【００６２】
この実施形態でも、複数の磁性膜８２が相互に分離された状態で配線パターン８３上に配列されている点は先の実施形態と同様であるが、特に、電子回路２内の必要な領域に必要な面積や形状の磁性膜８２を配置できる点で異なる。このようにすると、電子回路２の漏洩磁界を検出しようとする態様に応じて予め特定の位置、面積、形状の複数の磁性膜８２を設けておくことで、状況に応じた場所で必要な感度を得ることができるため、より詳細な漏洩磁界の測定を確実に実施することが可能になる。具体的には、磁界検出部８（磁性膜８２）を電子回路２内に形成することができるから、漏洩磁界の発生箇所により近い位置で検出を行うことができる。なお、表層領域１ｃは全体が透光性材料で構成されている必要はなく、少なくとも磁性膜８２の形成位置に対応して偏光Ｌｉの入射と反射光Ｌｏの出射を可能とする部分が透光性材料で構成されていればよい。
【００６３】
尚、本発明に係る磁界測定方法、磁界測定装置及び電子回路装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、図１１の例では、第１実施形態乃至第４実施形態のように磁性膜をマトリクス状に配列するのではなく、任意の場所に複数の磁性膜を配列形成しているが、このような構成は、上記第１実施形態乃至第４実施形態においても同様に採用することができる。ここで、磁性膜の平面形状を相互に異なる任意の形状としてもよい。また、図１１の例のように、或る磁性膜に対応する配線の方向により当該磁性膜に生ずる磁化ベクトルの方向が判明している場合には、特定の方位の入射面Ｐｉでの光学検出に基づく測定結果から磁化ベクトルの大きさをより正確に知ることも可能である。ここで、上記磁化ベクトルの方向に応じて、磁化ベクトルの大きさを知るために最適な入射面Ｐｉを選定して測定を行ってもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１…電子回路装置、２…電子回路、３…測定基板、３１…基材、３２…磁性膜、４…測定光学系、４１…光源、４２…偏光子、４３…入射光学系、４４…検出光学系、４５…１／４波長板、４６…偏光ビームスプリッタ、４７、４８…光検出器、４９…測定回路、５…磁界検出部、５１…非磁性膜、５２…磁性膜、６…測定基板、６１…基材、６２…磁性膜、７…磁界検出部、７１…基材、７２…磁性膜、８…磁界検出部、８０…配線層、８１…絶縁層、８２…磁性膜、８３…配線パターン、８４、８５…能動素子、８６、８７…受動素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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