(57)【要約】【課題】反転層の高さの均一性を向上させ、反転マスクプロセスを用いて所望のパターンを形成する。【解決手段】本実施形態によれば、パターン形成方法は、被加工膜上に酸を含む第１膜を形成する工程と、前記第１膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを覆うように、酸と反応することで所定の溶剤に対する溶解度が低下する材料を含む第２膜を形成する工程と、前記第１膜から前記第２膜の下層部へ酸を拡散させる工程と、酸の拡散後に、前記所定の溶剤を用いて前記第２膜の上層部を除去する工程と、前記第２膜の上層部の除去後に、前記第２膜の下層部をマスクとして、前記レジストパターン及び前記第１膜を加工し、前記レジストパターンの反転パターンを形成する工程と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に被加工膜を形成する工程と、
前記被加工膜上に酸を含む第１膜を形成する工程と、
前記第１膜上にインプリント処理によりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの残渣層を除去する工程と、
前記残渣層の除去後に、前記レジストパターンを覆うように、酸と反応することで所定の溶剤に対する溶解度が低下する材料を含む第２膜を形成する工程と、
前記第１膜から前記第２膜の下層部へ酸を拡散させる工程と、
酸の拡散後に、前記所定の溶剤を用いて前記第２膜の上層部を除去する工程と、
前記第２膜の上層部の除去後に、前記第２膜の下層部をマスクとして、前記レジストパターン及び前記第１膜を加工し、前記レジストパターンの反転パターンを形成する工程と、
を備え、
前記第１膜は熱酸発生剤又は光酸発生剤を含み、
前記第２膜は、カチオン重合性ポリシラン、カチオン重合性ポリゲルマン、カチオン重合性ポリスタナン、カチオン重合性ポリシラザン、カチオン重合性ポリシロキサン、カチオン重合性ポリカルボシラン、カチオン重合性Ｓｉ含有アクリルモノマー、カチオン重合性Ｓｉ含有ノボラック樹脂、又はカチオン重合性Ｓｉ含有ＰＨＳ樹脂の少なくとも１つと、Ｓｉ原子、Ｎ原子、Ｇｅ原子、Ｇａ原子、Ｓｎ原子、Ａｕ原子、Ａｇ原子、Ａｌ原子、Ｍｇ原子、Ｃｕ原子、Ｔａ原子、又はＷ原子の少なくとも１つとを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
基板上に被加工膜を形成する工程と、
前記被加工膜上に酸を含む第１膜を形成する工程と、
前記第１膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを覆うように、酸と反応することで所定の溶剤に対する溶解度が低下する材料を含む第２膜を形成する工程と、
前記第１膜から前記第２膜の下層部へ酸を拡散させる工程と、
酸の拡散後に、前記所定の溶剤を用いて前記第２膜の上層部を除去する工程と、
前記第２膜の上層部の除去後に、前記第２膜の下層部をマスクとして、前記レジストパターン及び前記第１膜を加工し、前記レジストパターンの反転パターンを形成する工程と、
を備えるパターン形成方法。
【請求項３】
インプリント処理により前記レジストパターンを形成することを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記レジストパターンの残渣層を除去した後に前記第２膜を形成することを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記第１膜は熱酸発生剤を含み、前記第１膜を加熱することで前記熱酸発生剤から酸を発生させて、発生した酸を前記第２膜の下層部へ酸を拡散させることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記第１膜は光酸発生剤を含み、前記第１膜に光を照射することで前記光酸発生剤から酸を発生させて、発生した酸を前記第２膜の下層部へ酸を拡散させることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記第２膜は、カチオン重合性ポリシラン、カチオン重合性ポリゲルマン、カチオン重合性ポリスタナン、カチオン重合性ポリシラザン、カチオン重合性ポリシロキサン、カチオン重合性ポリカルボシラン、カチオン重合性Ｓｉ含有アクリルモノマー、カチオン重合性Ｓｉ含有ノボラック樹脂、又はカチオン重合性Ｓｉ含有ＰＨＳ樹脂の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２乃至６のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記第２膜は、Ｓｉ原子、Ｎ原子、Ｇｅ原子、Ｇａ原子、Ｓｎ原子、Ａｕ原子、Ａｇ原子、Ａｌ原子、Ｍｇ原子、Ｃｕ原子、Ｔａ原子、又はＷ原子の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２乃至７のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記第２膜は、酸を触媒として架橋反応が進む架橋剤を含むことを特徴とする請求項２乃至８のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
加熱又は光照射により酸を発生する酸発生剤を含有する下地層及び前記下地層上に形成されたレジストパターンを覆うように塗布され、前記レジストパターンの反転パターンを形成するためのパターン形成材料であって、
カチオン重合性ポリシラン、カチオン重合性ポリゲルマン、カチオン重合性ポリスタナン、カチオン重合性ポリシラザン、カチオン重合性ポリシロキサン、カチオン重合性ポリカルボシラン、カチオン重合性Ｓｉ含有アクリルモノマー、カチオン重合性Ｓｉ含有ノボラック樹脂、又はカチオン重合性Ｓｉ含有ＰＨＳ樹脂の少なくとも１つを含み、酸と反応することで所定の溶剤に対する溶解度が低下することを特徴とするパターン形成材料。
【請求項１１】
Ｓｉ原子、Ｎ原子、Ｇｅ原子、Ｇａ原子、Ｓｎ原子、Ａｕ原子、Ａｇ原子、Ａｌ原子、Ｍｇ原子、Ｃｕ原子、Ｔａ原子、又はＷ原子の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１０に記載のパターン形成材料。
【請求項１２】
酸を触媒として架橋反応が進む架橋剤を含むことを特徴とする請求項１０又は１１に記載のパターン形成材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法及びパターン形成材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の微細化に伴い、リソグラフィ処理におけるレジスト膜の薄膜化が進んでいる。レジスト膜が薄くなると、レジストパターンをマスクとして被加工膜を直接加工することが困難になる。この問題を解決する方法として反転マスクプロセス等の多層レジストプロセスが提案されている。反転マスクプロセスはレジストパターン上に反転材を塗布し、レジストパターンの上面が露出するように反転材のエッチバックを行う。次に、露光・現像を行ってレジストパターンを除去し、反転パターンを形成する。この反転パターンをマスクとすることで、被加工膜を、レジストパターンを反転したパターンに加工することができる。
【０００３】
このような従来の反転マスクプロセスでは、塗布した反転材に、レジストパターンの被覆率（凹部と凸部の比率）に応じた段差が生じていた。このような塗布段差の生じた反転材をエッチバックすると、反転材を除去すべき領域に反転材が残ったり、反転材を残すべき領域の反転材が除去されたりし、被加工膜を所望のパターンに加工できないという問題があった。
【０００４】
そのため、ダミーパターンの配置や、デザインルールの制限を行うことで、反転材の塗布段差を小さくすることが検討されていた。しかし、ダミーパターンの配置が設計上困難であったり、厳格なデザインルール制限により設計自由度が低下したりするなどの問題があり、反転材の塗布段差は、反転マスクプロセス適用の妨げとなっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−６６２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、反転層の高さの均一性を向上させ、反転マスクプロセスを用いて所望のパターンを形成するパターン形成方法及びパターン形成材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態によれば、パターン形成方法は、被加工膜上に酸を含む第１膜を形成する工程と、前記第１膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを覆うように、酸と反応することで所定の溶剤に対する溶解度が低下する材料を含む第２膜を形成する工程と、前記第１膜から前記第２膜の下層部へ酸を拡散させる工程と、酸の拡散後に、前記所定の溶剤を用いて前記第２膜の上層部を除去する工程と、前記第２膜の上層部の除去後に、前記第２膜の下層部をマスクとして、前記レジストパターン及び前記第１膜を加工し、前記レジストパターンの反転パターンを形成する工程と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係るパターン形成方法を説明する工程断面図である。
【図２】図１に続く工程断面図である。
【図３】図２に続く工程断面図である。
【図４】図３に続く工程断面図である。
【図５】図４に続く工程断面図である。
【図６】図５に続く工程断面図である。
【図７】第２の実施形態に係るパターン形成方法を説明する工程断面図である。
【図８】図７に続く工程断面図である。
【図９】図８に続く工程断面図である。
【図１０】図９に続く工程断面図である。
【図１１】図１０に続く工程断面図である。
【図１２】インプリント処理の一例を示す図である。
【図１３】比較例によるパターン形成方法を説明する工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）図１乃至図６は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を説明する工程断面図である。
【００１１】
図１に示すように、被加工膜１０をシリコン基板（図示せず）上に形成する。被加工膜１０は、例えば、膜厚２００ｎｍのシリコン酸化膜である。そして、被加工膜１０上に、熱酸発生剤を有する下層膜（第１膜）１１を形成する。下層膜１１は、例えば、膜厚１５０ｎｍの塗布炭素膜（SOC: Spin on Carbon）である。また、熱酸発生剤には、芳香族スルホニウム塩を用いることができる。
【００１２】
続いて、下層膜１１上に、例えばインプリント処理によりレジストパターン２０を形成する。インプリント処理では、例えば、下層膜１１上に、インクジェット法により１０ｐｌ程度のアクリル系光硬化性樹脂の液滴を複数滴下する。次に、テンプレートの凹凸パターン面を光硬化性樹脂に接触させ、凹凸パターン内に光硬化性樹脂を充填させる。次に、光を照射して光硬化性樹脂を硬化させ、その後、テンプレートを離型することでレジストパターン２０が得られる。なお、インプリント処理により形成されるレジストパターン２０の残渣層２１の厚さは、滴下した光硬化性樹脂の総量によって決定される。
【００１３】
例えば、領域Ｒ１に形成されたパターンは、３０ｎｍピッチのラインアンドスペースパターンであり、高さは７５ｎｍ、パターン被覆率は５０％程度である。ここでパターン被覆率とは凹凸パターンにおける凸部の割合であり、５０％のパターン被覆率は、凸部と凹部の割合が半々であることを意味する。一方、領域Ｒ２は、凸部が無いので、パターン被覆率は０％である。
【００１４】
次に、図２に示すように、ドライエッチングによりレジストパターン２０のエッチバックを行い、残渣層２１を除去する。これにより、残渣層２１が形成されていた部分の下層膜１１が露出される。
【００１５】
次に、図３に示すように、下層膜１１及びレジストパターン２０上に反転材（第２膜）１２を塗布する。反転材１２には、酸と反応することで、所定の溶剤に対する溶解度が低下する材料が使用される。例えば、反転材１２に、カチオン重合性ポリシロキサンが使用される。カチオン重合性ポリシロキサンは、酸と反応することで、プロピレングリコールモノメチルアセテート（以下、ＰＥＧＭＥＡ）に対する溶解度が低下する。本実施形態では、反転材１２にカチオン重合性ポリシロキサンを用いるものとして説明を行う。塗布された反転材１２の上部には、領域Ｒ１と領域Ｒ２とで段差が生じることが分かる。
【００１６】
次に、図４に示すように、被加工膜１１、レジストパターン２０、及び反転材１２が形成されている半導体基板を加熱する。例えば、１５０℃、１分間のベーク処理を行う。これにより、下層膜１１中の熱酸発生剤から酸が発生し、この酸が反転材１２へ拡散する。
【００１７】
下層膜１１との界面近傍の反転材１２、すなわち反転材１２の下層部分が、下層膜１１から拡散された酸と反応し、ＰＥＧＭＥＡに対する溶解度が低下する。一方、反転材１２の上層部分までは酸が拡散しない。従って、反転材１２の下層部分が、上層部分と比較して、ＰＥＧＭＥＡに対する溶解度が低くなる。
【００１８】
次に、図５に示すように、ＰＥＧＭＥＡを用いたリンス処理を行い、反転材１２のうち酸と反応していない部分、すなわち反転材１２の上層部分を除去する。反転材１２の上層部分が除去されることで、レジストパターン２０の上部が露出される。
【００１９】
反転材１２の下層部分は、酸と反応したことでＰＥＧＭＥＡに対する溶解度が低くなっているため、残存する。残存した反転材１２は、レジストパターン２０の凹凸を反転したパターンとなる。
【００２０】
このＰＥＧＭＥＡリンス処理により、図３に示すような段差のある反転材１２上部が除去される。また、図４に示す工程において、領域Ｒ１と領域Ｒ２とで、下層膜１１からの酸の拡散距離は同等である。そのため、ＰＥＧＭＥＡリンス処理後に残存する反転材１２の高さは、領域Ｒ１と領域Ｒ２とで同等となる。
【００２１】
次に、図６に示すように、反転材１２をマスクとして、レジストパターン２０及び下層膜１１をドライエッチングより加工する。
【００２２】
その後、パターニングされた下層膜１１をマスクとして、ＲＩＥにより被加工膜１０を加工する。
【００２３】
このように、本実施形態によれば、下層膜１１から拡散した酸と反応させることで反転材１２下層部分の所定溶剤に対する溶解度を低下させ、この溶剤を用いたリンス処理により、下層膜１１からの酸が到達しない反転材１２上層部分を除去し、下層部分を残存させることで、高さの均一性を向上させた反転材１２（反転層）を形成できる。残存した反転材１２に段差が生じることを抑えることができるため、反転マスクプロセスを用いて所望のパターンを形成することができる。
【００２４】
上記実施形態では、図５に示すＰＥＧＭＥＡリンス処理の後に、加熱を行い、残存した反転材１２の強度を上げ、後のエッチング処理に対する耐性を高めてもよい。
【００２５】
また、図４に示す工程において酸の拡散領域が大きく、図５に示すＰＥＧＭＥＡリンス処理により酸と未反応の反転材１２を除去した際に、残存した反転材１２によりレジストパターン２０が覆われている場合は、レジストパターン２０のドライエッチングを行う前に、レジストパターン２０が露出するように、残存した反転材１２のエッチバックを行う。
【００２６】
（第２の実施形態）図７乃至図１１は、第２の実施形態に係るパターン形成方法を説明する工程断面図である。
【００２７】
図７に示すように、被加工膜１１０をシリコン基板１００上に形成する。被加工膜１１０は、例えば、膜厚１００ｎｍの塗布炭素膜（SOC: Spin on Carbon）である。そして、被加工膜１１０上に熱酸発生剤を有する密着膜１１１を形成する。密着膜１１１は、例えば膜厚５ｎｍの有機膜である。熱酸発生剤には、芳香族スルホニウム塩を用いることができる。
【００２８】
続いて、密着膜１１１上に、一連のインプリント処理によりレジストパターン１２０、１２１を形成する。インプリント処理では、例えば、領域Ｒ１１において、密着膜１１１上に、インクジェット法により１０ｐｌ程度のアクリル系光硬化性樹脂の液滴を複数滴下する。次に、テンプレートの凹凸パターン面を光硬化性樹脂に接触させ、凹凸パターン内に光硬化性樹脂を充填させる。次に、光を照射して光硬化性樹脂を硬化させ、その後、テンプレートを離型することでレジストパターン１２０が得られる。このようなインプリント処理を領域Ｒ１２においても行うことで、レジストパターン１２１が得られる。図７は、インプリント処理により形成されるレジストパターン１２０、１２１の一部を示している。
【００２９】
なお、レジストパターン１２０とレジストパターン１２１との間には、レジストパターンが形成されず、密着膜１１１が露出された領域Ｒ１３が設けられている。これは、図１２に示すように、インプリント処理に用いられるテンプレート１３０の端部がテーパ形状になっており、領域Ｒ１１に形成したレジストパターン１２０にテンプレート１３０が接触して、レジストパターン１２０が倒壊することを防止するためである。
【００３０】
次に、図８に示すように、レジストパターン１２０、１２１を覆うように埋め込み材１１２を塗布する。埋め込み材１１２には、酸と反応することで、所定の溶剤に対する溶解度が低下する材料が使用される。例えば、埋め込み材１１２に、カチオン重合性ポリシロキサンが使用される。カチオン重合性ポリシロキサンは、酸と反応することで、プロピレングリコールモノメチルアセテート（ＰＥＧＭＥＡ）に対する溶解度が低下する。本実施形態では、埋め込み材１１２にカチオン重合性ポリシロキサンを用いるものとして説明を行う。
【００３１】
次に、図９に示すように、被加工膜１１０、密着膜１１１、レジストパターン１２０、１２１、及び埋め込み材１１２が形成されている半導体基板を加熱する。例えば、１５０℃、１分間のベーク処理を行う。これにより、密着膜１１１中の熱酸発生剤から酸が発生し、この酸が埋め込み材１１２へ拡散する。
【００３２】
密着膜１１１との界面近傍の埋め込み材１１２、すなわち領域Ｒ１３の埋め込み材１１２（の下層部分）が、密着膜１１１から拡散された酸と反応し、ＰＥＧＭＥＡに対する溶解度が低下する。一方、領域Ｒ１１、Ｒ１２では、密着膜１１１からの酸は埋め込み材１１２へ拡散しない。従って、領域Ｒ１３の埋め込み材１１２が、領域Ｒ１１、Ｒ１２の埋め込み材１１２と比較して、ＰＥＧＭＥＡに対する溶解度が低くなる。
【００３３】
次に、図１０に示すように、ＰＥＧＭＥＡを用いたリンス処理を行い、埋め込み材１１２のうち酸と反応していない部分、すなわち領域Ｒ１１、Ｒ１２の埋め込み材１１２を除去する。埋め込み材１１２が除去されることで、レジストパターン１２０、１２１が露出される。
【００３４】
領域Ｒ１３の埋め込み材１１２は、酸と反応したことでＰＥＧＭＥＡに対する溶解度が低くなっているため、残存する。
【００３５】
このＰＥＧＭＥＡリンス処理により、インプリント処理に用いられるテンプレート１３０の端部とレジストパターンとの接触を防止するために空けられる領域Ｒ１３を、埋め込み材１１２で埋めることができる。
【００３６】
次に、図１１に示すように、レジストパターン１２０、１２１、及び埋め込み材１１２をマスクとして、密着膜１１１及び被加工膜１１０をドライエッチングにより加工し、その後、レジストパターン１２０、１２１、埋め込み材１１２、及び密着膜１１１を除去することで、被加工膜１１０にレジストパターン１２０、１２１の形状を転写することができる。また、パターン被覆率が０％の広範な領域Ｒ１３が形成されることを防止できる。
【００３７】
（比較例）上記第２の実施形態において、図８〜図１０の工程を省略した場合、すなわち、領域Ｒ１３にパターンを形成せずに、レジストパターン１２０、１２１をマスクとして被加工膜１１０を加工した場合、被加工膜１１０は、図１３に示すようなパターン形状に加工される。図１３から分かるように、シリコン基板１００上には、パターン被覆率が０％の広範な領域Ｒ１３が形成される。
【００３８】
図１３に示すようなパターンに対して、例えばＣＭＰ（化学的機械研磨）処理を施した場合、パターン被覆率差により平坦度が劣化する。また、このようなパターン被覆率差は、エッチングレートの変動や、加工形状の変動をもたらす。
【００３９】
しかし、上記第２の実施形態では、インプリント処理により形成されたレジストパターン１２０とレジストパターン１２１との間の領域Ｒ１３に埋め込み材１１２を形成することで、加工された被加工膜１１０に、図１３に示すようなパターン被覆率差が生じることを防止できる。そのため、その後のＣＭＰ工程での平坦度の劣化や、エッチング工程でのエッチングレートの変動等を防止することができる。
【００４０】
上記第１、第２の実施形態では、熱酸発生剤として芳香族スルホニウム塩を例としていたが、アンモニウム塩、ホスホニウム塩等の他のオニウム塩を用いてもよい。
【００４１】
また、熱酸発生剤でなく、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン（Bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethane）やビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメンタン（Bis(t-butylsulfonyl)diazomethane）等の光酸発生剤を用いてもよい。なお、下層膜１１や密着膜１１１に含まれる光酸発生剤は、レジストパターン２０、１２０、１２１を形成するインプリント処理において光硬化性樹脂を硬化させる際に照射する光では酸を発生しない材料とする。
【００４２】
また、酸と反応することで特定の溶剤に対する溶解度が低下する材料としては、カチオン重合性ポリシラン、カチオン重合性ポリゲルマン、カチオン重合性ポリスタナン、カチオン重合性ポリシラザン、カチオン重合性ポリシロキサン、カチオン重合性ポリカルボシラン、カチオン重合性Ｓｉ含有アクリルモノマー、カチオン重合性Ｓｉ含有ノボラック樹脂、カチオン重合性Ｓｉ含有ＰＨＳ樹脂や、それら各化合物の２種類以上の共重合体又は混合物を用いることができる。これらの材料は、酸と反応することで、例えばＰＥＧＭＥＡに対する溶解度が低下する。さらに、この材料は、加工耐性の観点から、Ｓｉ原子、Ｎ原子、Ｇｅ原子、Ｇａ原子、Ｓｎ原子、Ａｕ原子、Ａｇ原子、Ａｌ原子、Ｍｇ原子、Ｃｕ原子、Ｔａ原子、Ｗ原子の少なくとも１種類以上を含有していることが好ましい。
【００４３】
また、反転材１２、埋め込み材１１２は、酸が触媒となって架橋反応が促進される架橋剤を含有していてもよい。これにより、酸が拡散した後の反転材１２、埋め込み材１１２の加工耐性を向上させることができる。架橋剤としては、例えば反転材１２や埋め込み材１１２の多官能モノマーを用いることができる。
【００４４】
また、下層膜１１、密着膜１１１に熱塩基発生剤や光塩基発生剤を含有させ、反転材１２、埋め込み材１１２に塩基と反応することで特定の溶剤に対する溶解度が低下する材料を用いるようにしてもよい。熱塩基発生剤としては、N-(イソプロポキシカルボニル)-2,6-ジメチルピペリジンやN-(ベンジロキシカルボニル)-2,6-ジメチルピペリジンを用いることができる。また、光塩基発生剤としては、[[(2-ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]シクロヘキシルアミン等のニトロベンジルカーバメート系の材料を用いることができる。また、塩基と反応することで特定の溶剤に対する溶解度が低下する材料としてはアニオン重合性ポリシランやアニオン重合性ポリゲルマン等を用いことができ、これは塩基と反応することでＰＥＧＭＥＡに対する溶解度が低下する。
【００４５】
上記第１の実施形態では、レジストパターン２０のエッチバックを行い、残渣層２１を除去し、残渣層２１が形成されていた部分の下層膜１１を露出してから反転材１２を塗布していたが、残渣層２１の厚さが薄く、下層膜１１で発生した酸が残渣層２１を通過して反転材１２に拡散する場合は、残渣層２１の除去工程を省略することができる。
【００４６】
また、上記第２の実施形態において、密着膜１１１で発生した酸が通過できる程度に薄い残渣層となるように、インプリント処理によってレジストパターン１２０、１２１を形成できる場合、埋め込み材１１２を酸と反応させ、酸と未反応の埋め込み材１１２を除去すると、残存する埋め込み材１１２は、レジストパターン１２０、１２１を反転した形状となる。このような埋め込み材１１２をマスクとして、レジストパターン１２０、１２１、密着膜１１１、及び被加工膜１１０をドライエッチングにより加工することで、パターン被覆率が０％の広範な領域が形成されることを防止しつつ、被加工膜１１０にレジストパターン１２０、１２１の反転形状を転写することができる。
【００４７】
上記第１、第２の実施形態では、レジストパターン２０、１２０、１２１をインプリント処理により形成していたが、フォトリソグラフィ処理により形成してもよい。
【００４８】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１０  被加工膜
１１  下層膜
１２  反転材
２０  レジストパターン
２１  残渣層
１００  シリコン基板
１１０  被加工膜
１１１  密着膜
１１２  埋め込み材
１２０、１２１  レジストパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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