(57)【要約】【課題】真空成膜装置から金属を含む成膜物質を回収することが可能な金属の回収方法、および、その金属の回収方法により回収された金属を含む成膜物質を用いた成膜方法を提供する。【解決手段】真空成膜装置を構成する真空チャンバー１１の内部における被成膜部以外の部分の少なくとも一部に高分子フィルム３０を設置し、真空成膜装置による成膜時に被成膜部以外の部分に飛散した成膜物質を高分子フィルム３０に付着させ、真空成膜装置による成膜後、高分子フィルム３０を回収して、焼成することにより、高分子フィルム３０の樹脂成分を除去し、金属を含む成膜物質を回収する金属の回収方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空成膜装置を構成する真空チャンバーの内部における被成膜部以外の部分の少なくとも一部に高分子フィルムを設置し、前記真空成膜装置による成膜時に前記被成膜部以外の部分に飛散した成膜物質を前記高分子フィルムに付着させ、前記真空成膜装置による成膜後、高分子フィルムを回収して、焼成することにより、前記高分子フィルムの樹脂成分を除去し、金属を含む成膜物質を回収することを特徴とする金属の回収方法。
【請求項２】
前記高分子フィルムの金属の含有量が１０００ｐｐｍ以下である、請求項１に記載の金属の回収方法。
【請求項３】
前記真空成膜装置による成膜方法は、イオンプレーティング法または蒸着法である、請求項１または２に記載の金属の回収方法。
【請求項４】
前記高分子フィルムの焼成後に回収した成膜物質に含まれ、前記高分子フィルムに含有されていた金属成分による金属不純物の含有量が１０００ｐｐｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属の回収方法。
【請求項５】
前記成膜物質は、インジウム錫酸化物である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の金属の回収方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の金属の回収方法により回収された金属を含む成膜物質を用い、真空成膜装置による成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属の回収方法および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空成膜は、真空中における粒子の物理的な運動を利用した物理的気相成長法（ＰＶＤ法）と、原料の化学反応を利用した化学的気相成長法（ＣＶＤ法）とに分類される。
ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。また、ＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ法（ＭＯＣＶＤ法）等が挙げられる。
【０００３】
上記の真空成膜法はいずれも、成膜時の真空装置内において、被成膜部以外の部分に成膜物質が飛散することにより、原料の利用効率が低下したり、被成膜部以外の部分に飛散した成膜物質が装置内に付着し、装置内を汚染したり、装置内に付着した成膜物質が剥離して再び飛散し、成膜時に膜内に混入して、膜内に欠陥を生じたりする等の問題がある。
【０００４】
従来、例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ等のディスプレイの電極、太陽電池の電極、窓ガラスの熱線反射膜、帯電防止膜等に透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）は、高価なインジウムを含むため、被成膜部以外の部分に付着したＩＴＯを回収し、回収されたＩＴＯを精製し、再び原料として用いることにより、総合的な原料利用率の向上が行われている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−５６３６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載されているような成膜物質の回収方法は、ブラスト処理、溶解、精製、析出といった複雑な処理工程を経る必要があるばかりでなく、各処理においてインジウムを回収する際に損失が生じる等の問題があった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、真空成膜装置から金属を含む成膜物質を回収することが可能な金属の回収方法、および、その金属の回収方法により回収された金属を含む成膜物質を用いた成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意研究を行った結果、下記の発明が上記課題に合致することを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、以下の発明に係るものである。
本発明の金属の回収方法は、真空成膜装置を構成する真空チャンバーの内部における被成膜部以外の部分の少なくとも一部に高分子フィルムを設置し、前記真空成膜装置による成膜時に前記被成膜部以外の部分に飛散した成膜物質を前記高分子フィルムに付着させ、前記真空成膜装置による成膜後、高分子フィルムを回収して、焼成することにより、前記高分子フィルムの樹脂成分を除去し、金属を含む成膜物質を回収することを特徴とする。
【００１０】
本発明の金属の回収方法において、前記高分子フィルムの金属の含有量が１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
本発明の金属の回収方法において、前記真空成膜装置による成膜方法を、イオンプレーティング法または蒸着法とすることができる。
【００１２】
本発明の金属の回収方法において、前記高分子フィルムの焼成後に回収した成膜物質に含まれ、前記高分子フィルムに含有されていた金属成分による金属不純物の含有量が１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
本発明の金属の回収方法において、前記成膜物質は、インジウム錫酸化物であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明の成膜方法は、本発明の金属の回収方法により回収された金属を含む成膜物質を用い、真空成膜装置による成膜を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、複雑な処理工程を必要とせず、真空成膜装置から金属を含む高純度な成膜物質を回収することが可能な金属の回収方法、および、その金属の回収方法により回収された金属を含む成膜物質を用いた成膜方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態の金属の回収方法を適用可能な真空成膜装置の一例として、反応性イオンプレーティング装置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の金属の回収方法および成膜方法の実施の形態について説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００１８】
＜真空成膜装置＞
図１は、本実施形態の金属の回収方法を適用可能な真空成膜装置の一例として、反応性イオンプレーティング装置１０を示す模式図である。
本実施形態の反応性イオンプレーティング装置１０は、真空チャンバー１１と、真空チャンバー１１内に配置されて、被成膜体である基板１２を保持する基板フォルダ１３と、基板フォルダ１３の下方に、真空チャンバー１１の中央部に設けられた開閉可能なシャッター１４を介して配置され、成膜物質（ターゲット）４０を収容するインナーハース１５を有するハース１６と、真空チャンバー１１内にプラズマを発生させる圧力勾配型プラズマガン１７と、プラズマ発生用電源１８とから概略構成されている。
【００１９】
また、真空チャンバー１１には、真空チャンバー１１内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入口１９と、真空チャンバー１１内に、その内圧を調節するための調圧ガスを導入する調圧ガス導入口２０とが設けられている。さらに、真空チャンバー１１には、真空チャンバー１１内のガスを排気する排気口２１が設けられている。
【００２０】
また、真空チャンバー１１における基板フォルダ１３が配置された領域の近傍には、温度計２２が配置されている。
また、真空チャンバー１１内における基板フォルダ１３の裏面側（基板１２を保持する面とは反対の面側）には、基板フォルダ１３の温度を調節するランプヒーター２３が配置されている。
【００２１】
ハース１６には、永久磁石２４が設けられている。また、ハース１６は、プラズマ発生用電源１８に電気的に接続されている。
【００２２】
圧力勾配型プラズマガン１７は、カソードマウント２５と、カソードマウント２５の前面に設けられた複合カソード２６と、カソードマウント２５とは電気的に絶縁され、複合カソード２６の前方に設けられた環状の第一電極２７と、第一電極２７と電気的に絶縁され、第一電極２７の前方に設けられた環状の第二電極２８と、第二電極２８の前方に設けられた環状のステアリングコイル２９とから概略構成されている。なお、ここで「前方」とは、真空チャンバー１１側を意味する。
また、カソードマウント２５、第一電極２７および第二電極２８は、プラズマ発生用電源１８に電気的に接続されている。
【００２３】
また、成膜物質（ターゲット）４０としては、例えば、スズをドープした酸化インジウム、ガリウム、ホウ素；インジウムをドープした酸化亜鉛等の透明導電材料、アルミニウム、銀、チタン、クロム等の金属材料；一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化クロム、酸化亜鉛等の酸化物材料；窒化ケイ素、窒化チタン等の窒化物材料、酸窒化ケイ素等の酸窒化物材料；硫化ストロンチウム、硫化亜鉛等の硫化物材料等が挙げられる。
【００２４】
＜金属の回収方法＞
次に、図１を参照して、本実施形態の金属の回収方法を説明する。
本実施形態の金属の回収方法では、反応性イオンプレーティング装置１０による真空成膜を行う前に、チャンバー１１内に、高分子フィルム３０を設置する。
高分子フィルム３０を設置する位置、すなわち、高分子フィルム３０を貼り付ける位置は、真空チャンバー１１の内部における被成膜部（基板１２を保持する基板フォルダ１３）以外の部分の少なくとも一部であれば特に限定されるものではないが、本実施形態では、例えば、真空チャンバー１１の内側面１１ａに設けられた防着板（図示略）に高分子フィルム３０を貼り付ける。
ただし、基板１２の一面１２ａに対する成膜による温度上昇等により、高分子フィルム３０の分解が起こるような場所に、高分子フィルム３０を設置する場合には、高分子フィルム３０として適切な材料を選択したり、真空チャンバー１１に冷却装置を設けたりする必要がある。
【００２５】
高分子フィルム３０の形状は、真空チャンバー１１内において、基板フォルダ１３に保持された基板１２の一面１２ａ以外に飛散した成膜物質が堆積された後に、高分子フィルム３０ごと回収するという目的を達成できれば特に限定されるものではなく、メンテナンスの容易性を考慮すると、適切な形状に分割されていることが好ましい。
【００２６】
真空チャンバー１１内に、高分子フィルム３０を貼り付ける方法としては、カプトンテープ等を用いて高分子フィルム３０の端のみを真空チャンバー１１内に貼り付ける方法、高分子フィルム３０の全面を真空チャンバー１１内に密着させる方法等が用いられるが、高分子フィルム３０の熱を、真空チャンバー１１を介して外部に放出する観点から、高分子フィルム３０の全面を真空チャンバー１１内に密着させる方法が好ましい。その場合、真空中におけるアウトガスの発生がなく、真空チャンバー１１から剥離し易い粘着剤を用いることが好ましい。
【００２７】
真空チャンバー１１に高分子フィルム３０を貼り付けるために用いられる粘着剤としては、剥離後の高分子フィルムに粘着剤が残ったり、汚れが生じたりすることがなく、真空中におけるアウトガスの発生が少なく、特に真空中における成膜時の温度上昇の際に、アウトガスの発生が少ないものであれば特に限定されるものではない。このような粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、天然ゴム系粘着剤、合成ゴム系粘着剤、エチレン−酢酸ビニル共重合体系粘着剤、エチレン−アクリル酸エステル系粘着剤、スチレン−イソプレンブロック共重合体粘着剤、スチレン−ブタジエンブロック共重合体系粘着剤、ポリウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤等が挙げられる。
【００２８】
高分子フィルム３０を構成する樹脂としては、真空成膜時の装置の温度上昇により分解しないものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリブタジエン等のオレフィン系樹脂；ポリメタクリル酸メチル、エチレン／アクリル酸エチル共重合体等のアクリル系樹脂；ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ＢＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂等のスチレン系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、アクリルニトリル共重合体、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル／塩化ビニリデン共重合体、プロピレン／塩化ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン１２等のポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリフェニレンスルファイド樹脂、ポリスチレン樹脂；ポリウレタン樹脂；ポリテトラフルオロエチレン、ポリトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン等のフッ素樹脂；エチルセロース、酢酸セルロース、ニトロセルロース等のセルロース系樹脂；液晶ポリエステルアミド、液晶ポリエステルエーテル、液晶ポリエステルカーボネート、液晶ポリエステルイミド等の液晶ポリエステル樹脂；エポキシ樹脂等挙げられる。これらの中でも、高分子フィルム３０を高温の酸化性雰囲気下で焼成するときの温度を低くする観点から、炭素、塩素、窒素等を含まないオレフィン系樹脂が好ましい。
【００２９】
また、高分子フィルム３０を構成する樹脂としては、真空チャンバー１１内への水分の放出をできる限り少なくするという観点から、吸湿性の少ないものが好ましい。また、同様の観点から、真空チャンバー１１内に設置する前に、乾燥機等を用いて、高分子フィルム３０を乾燥してもよい。
【００３０】
高分子フィルム３０に含まれる成膜物質以外の金属の含有量（以下、「金属不純物量」とも言うことがある。）は、少ないほど好ましく、成膜物質の堆積量が同じものと比較すれば、金属不純物量の少ない高分子フィルム３０を用いて回収した成膜物質の方が、金属不純物量を少なくすることができる。すなわち、高分子フィルム３０に含まれる成膜物質以外の金属不純物量は、１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、５００ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。金属不純物量の少ない高分子フィルム３０の製造方法としては、例えば、特開２０１０−５９２６２号公報に記載されている方法が挙げられる。
【００３１】
高分子フィルム３０に含まれる金属不純物としては、樹脂を合成するときの触媒や各種添加剤が挙げられるが、この成分が成膜物質を構成する金属であっても、問題となることもある。具体的には、成膜物質が複数の金属からなる複合化合物である場合が挙げられる。この場合、回収される成膜物質の構成比が変わり、例えば、回収した成膜物質を再び出発原料として用いるときに、組成比の調整等が必要になる。
【００３２】
また、高分子フィルム３０には、必要に応じて、従来公知の紫外線吸収剤、酸化防止剤、帯電防止剤、熱安定剤、潤滑剤、染料、顔料等を添加することができる。
【００３３】
また、高分子フィルム３０には、成膜物質との密着性を向上させる観点から、その表面を清浄するための表面活性処理を施してもよい。このような表面活性処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、フレーム処理等が挙げられる。
【００３４】
また、高分子フィルム３０には、表面積を増大させ、高分子フィルム３０の交換頻度を減らすことを目的として、その表面に凹凸形状を形成してもよい。高分子フィルム３０の表面に凹凸形状を形成する方法としては、高分子フィルム３０の押出成型時に転写ロールを利用して連続的に賦型する方法や、高分子フィルム３０の表面に球状粒子をコーティングする方法等が挙げられる。
【００３５】
さらに、高分子フィルム３０は、真空成膜時の帯電による成膜物質の付着効率の低下や成膜物質の密着性の低下を防ぐために、導電性であることが好ましい。高分子フィルム３０の体積抵抗値は、１０１０Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０８Ω・ｃｍ以下である。
【００３６】
高分子フィルム３０の抵抗値を、上記の値に調整するためには、高分子フィルム３０に導電性微粉末を添加してもよい。このような導電性微粉末としては、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、銀等の金属粉体の微粉末；酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化モリブデン、チタン酸カリウム等の金属酸化物；各種カーボンファイバー；ファーネスブラック、ランプブラック、サーマルブラック、アセチレンブラック、チャネルブラック等のカーボンブラック；グラファイト等の炭素物；金属繊維等が挙げられる。これらの中でも、導電性に優れ、その添加量を調整するだけで、ある程度、任意の導電性を得ることができる上に、高分子フィルム３０を酸化性雰囲気下で焼成する場合には、酸素と反応しガス化することから、炭素物が好適に用いられる。また、これらの導電性微粉末を用いる場合、その添加量は、できるだけ少ないほうがよい。
【００３７】
次に、真空チャンバー１１内から取り出された、成膜物質が堆積した高分子フィルム３０から、成膜物質を回収する。
成膜物質を回収する方法としては、例えば、成膜物質が堆積した高分子フィルム３０を焼成して、高分子フィルム３０を除去することにより、成膜物質を回収する方法が挙げられる。
成膜物質が堆積した高分子フィルム３０を焼成する温度は、高分子フィルムを構成する樹脂の分解温度以上である必要がある。また、高分子フィルム３０を焼成する温度が高温であるほど、高分子フィルム３０を構成する樹脂の分解が容易となる。しかし、高分子フィルム３０に堆積した成膜物質と焼成容器との反応の抑制や、成膜物質の凝集の抑制の観点から、成膜物質が堆積した高分子フィルム３０を焼成する温度は、３００〜１４００℃であることが好ましく、より好ましくは３００〜１２００℃であり、さらに好ましくは３００〜１０００℃である。
【００３８】
高分子フィルム３０を焼成するために用いられる焼成炉は、酸化性雰囲気下での焼成を行うことで高分子フィルム３０を除去するという観点から、酸素や空気等の酸化性ガスを任意量導入でき、高分子フィルム３０を構成する樹脂が分解したときに発生するガスを連続的に排気することで雰囲気制御可能であることが好ましい。このような焼成炉としては、例えば、管状炉、マッフル炉等の静置炉やプッシャー炉、ローラーハースキルン、ロータリーキルン、流動床炉等の連続炉が用いられる。
【００３９】
高分子フィルム３０を焼成するために用いられる焼成容器としては、焼成温度や、酸化性雰囲気下において、成膜物質や酸化性ガスと反応しない材質からなるものが適宜選択される。焼成容器としては、例えば、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、石英、白金、イリジウム等からなるものが挙げられる。
【００４０】
また、成膜物質が堆積した汚染防止材３０を、酸性溶液やアルカリ性溶液に浸漬することによって、成膜物質を回収することもできる。酸性溶液やアルカリ性溶液は、成膜物質の種類に応じて適宜選択される。
【００４１】
なお、本実施形態では、真空成膜装置として反応性イオンプレーティング装置を例示したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明が適用可能な真空成膜装置としては、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、スパッタリング法等のＰＶＤ法による成膜装置、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ法（ＭＯＣＶＤ法）等のＣＶＤ法による成膜装置等が挙げられる。これらの中でも、成膜物質の利用効率が低く、装置の洗浄頻度が高い手法は経済的な効果が大きいことから、真空蒸着法やイオンプレーティング法による成膜装置が好ましい。
【００４２】
本実施形態の金属の回収方法によって回収された成膜物質の純度は、回収後の成膜物質の用途に応じて許容範囲が異なるものの、高いほど好ましい。すなわち、回収された成膜物質に含まれ、高分子フィルム３０に含有されていた金属成分による金属不純物の含有量は１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、５００ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
【００４３】
本実施形態の金属の回収方法によって回収された成膜物質は、回収後の成膜物質の用途に応じて許容範囲が異なるものの、そのまま出発原料として用いることもできるし、溶解、精製、再析出等の任意の処理を経て高純度化した後に用いることもできる。
【００４４】
本実施形態の金属の回収方法は、金属、酸化物、窒化物、炭化物等の種々の物質の回収方法として用いることができるが、貴金属やレアメタルのような高価な金属の回収方法として適用されることが回収コストの観点から好ましい。具体的には、本実施形態の金属の回収方法は、例えば、高価なインジウムを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の回収に好適に用いられる。
【００４５】
本実施形態の金属の回収方法によれば、真空チャンバー１１内に高分子フィルム３０を設置し、高分子フィルム３０に所定量の成膜物質が堆積した後、その高分子フィルム３０を回収し、焼成することにより、高分子フィルム３０の樹脂成分を除去して、金属を含む成膜物質を回収することができる。従って、真空成膜装置に用いられる成膜物質の損失を少なくすることができる。
【００４６】
＜成膜方法＞
本実施形態の成膜方法は、上述の本実施形態の金属の回収方法により回収された金属を含む成膜物質を用い、真空成膜装置による成膜を行う方法である。
成膜方法としては、上述のＰＶＤ法やＣＶＤ法が用いられる。
【００４７】
本実施形態の成膜方法によれば、上述の本実施形態の金属の回収方法により回収された金属を含む成膜物質を用いるので、成膜物質の無駄を省き、成膜物質を有効利用することができる。
【実施例】
【００４８】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４９】
「実施例」
図１に示す圧力勾配型プラズマガンを備えた反応性イオンプレーティング装置を用いて、以下に示す条件で、ガラス基板上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜を成膜した。
この成膜時、真空チャンバーの内側面の２箇所に、ポリプロピレンフィルム（縦３００ｍｍ×横３００ｍｍ×厚さ６０μｍ、金属の含有量が６ｐｐｍ、住友化学社製）をカプトンテープで固定し、ガラス基板が設置された領域以外に飛散する成膜物質を回収した。
なお、ポリプロピレンフィルム上に形成されるＩＴＯ膜の膜厚を厚くするために、同様の成膜条件で８回の成膜を繰り返し、ガラス基板上に膜厚約１２００ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。
基板：ガラス基板
成膜物質（ターゲット）：ＩＴＯ焼結体ペレット（Ｉｎ：Ｓｎ＝９５：５、９９.９９％）
成膜圧力：０．０６Ｐａ
放電電力：５ｋＷ
ガンＡｒ：２０ｓｃｃｍ
Ｏ２流量：１３．７ｓｃｃｍ
基板加熱：なし
蒸発レート：２０Å／ｓｅｃ
成膜時間：７５秒
成膜回数：８回
【００５０】
成膜後に真空チャンバー内から回収したポリプロピレンフィルムをアルミナ製ルツボに入れ、マッフル炉（商品名：ＳＳＴＳ−３１０Ｋ、いすゞ製作所社製）を用いて、温度６００℃、 昇降温速度３℃／ｍｉｎ、焼成時間６時間、空気中の条件で、ポリプロピレンフィルムを焼成した。
【００５１】
ポリプロピレンフィルムの焼成により、約１．２ｇのＩＴＯ粉末が回収された。回収されたＩＴＯ粉末について、ＧＤＭＳ（商品名：ＶＧ９０００、Ｔｈｅｒｍｏ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製、放電電圧１ｋＶ）を用いて、ポリプロピレンフィルムの金属不純物分析時に見られた金属成分の組成分析による定量を行った。その結果、焼成後に得られた粉末中に含まれる金属不純物量は４２ｐｐｍであった。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、各種の真空成膜装置に適用可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１０・・・反応性イオンプレーティング装置、１１・・・真空チャンバー、１２・・・基板、１３・・・基板フォルダ、１４・・・シャッター、１５・・・インナーハース、１６・・・ハース、１７・・・圧力勾配型プラズマガン、１８・・・プラズマ発生用電源、１９・・・プロセスガス導入口、２０・・・調圧ガス導入口、２１・・・排気口、２２・・・温度計、２３・・・ランプヒーター、２４・・・永久磁石、２５・・・カソードマウント、２６・・・複合カソード、２７・・・第一電極、２８・・・第二電極、２９・・・ステアリングコイル、３０・・・高分子フィルム、４０・・・ターゲット。
【図１】
2013216953.tif 000003