(57)【要約】【課題】接着剤層に巻き跡が転写されることを抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シートロールを提供すること。【解決手段】剥離基材と剥離基材の表面に部分的に設けられた接着剤層と接着剤層の上に積層された粘着フィルム層を含んで構成された接着シートと、を有し、接着シートは、接着シートの長手方向における接着剤層の長さの総和が最も長くなる最長形成部を有し、最長形成部の片側に接着剤層が設けられていない接着剤層非形成領域を有し、最長形成部のもう一方の片側に接着剤層非形成領域と、接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域とを有する接着シートであって、前記最長形成部の片側において前記接着剤層非形成領域と非形成領域とを有する領域の割合が４０〜６０％となる接着シート。【選択図】図１
2013159733.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
剥離基材と前記剥離基材の表面に部分的に設けられた接着剤層と前記接着剤層の上に積層された粘着フィルム層を含んで構成された接着シートと、を有し、前記接着シートは、前記接着シートの長手方向における前記接着剤層の長さの総和が最も長くなる最長形成部を有し、前記最長形成部の片側に前記接着剤層が設けられていない接着剤層非形成領域を有し、前記最長形成部のもう一方の片側に前記接着剤層非形成領域と、前記接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域とを有する接着シートであって、前記最長形成部の片側において前記接着剤層非形成領域と前記非形成領域とを有する領域の割合が４０〜６０％となる接着シート。
【請求項２】
接着剤層及び粘着フィルムの少なくとも一方が、円形形状あるいは剥離基材を剥離した後に前記接着剤層又は前記粘着フィルムを貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有している請求項１に記載の接着シート。
【請求項３】
接着剤層が、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有してなるものである請求項１又は２に記載の接着シート。
【請求項４】
熱可塑性樹脂が、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０００００以上である高分子量成分である請求項３に記載の接着シート。
【請求項５】
高分子量成分が、エポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体である請求項４に記載の接着シート。
【請求項６】
熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものである請求項３〜５のいずれかに記載の接着シート。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の接着シートを用いて製造された半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着シート及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材との接合には銀ペーストが主に使用されている。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、銀ペーストからなる接着剤層の膜厚の制御困難性、及び接着剤層のボイド発生等により上記要求に対処しきれなくなってきている。
【０００３】
そのため、上記要求に対処するべく、近年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。このフィルム状接着剤は、個片貼り付け方式あるいはウェハ裏面貼り付け方式において使用されている。フィルム状接着剤を用いて個片貼り付け方式により半導体装置を作製する場合には、まず、ロール状（リール状）に巻き取られたフィルム状接着剤をカッティング又はパンチングによって任意のサイズに切り出し、フィルム状接着剤の個片を得る。この個片を、半導体素子搭載用の支持部材に貼り付け、フィルム状接着剤付き支持部材を得る。その後、ダイシング工程によって個片化した半導体素子をフィルム状接着剤付き支持部材に接合（ダイボンド）して半導体素子付き支持部材を作製する。更に、必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程等を経ることにより半導体装置を作製する。
しかし、個片貼り付け方式においてフィルム状接着剤を用いる場合には、フィルム状接着剤を切り出して支持部材に接着するための専用の組立装置が必要であるため、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。
【０００４】
一方、フィルム状接着剤を用いてウェハ裏面貼り付け方式により半導体装置を作製する場合には、まず、半導体ウェハの回路面とは反対側の面（裏面）にフィルム状接着剤を貼り付け、更にフィルム状接着剤の半導体ウェハ側と反対側の面にダイシングテープを貼り合わせる。次に、ダイシングによって半導体ウェハ及びフィルム状接着剤を個片化し、フィルム状接着剤付き半導体素子を得る。得られたフィルム状接着剤付き半導体素子をピックアップし、それを半導体素子搭載用の支持部材に接合（ダイボンド）する。その後、加熱、硬化、ワイヤボンド等の工程を経ることにより半導体装置を作製する。
このフィルム状接着剤を用いたウェハ裏面貼り付け方式は、フィルム状接着剤付き半導体素子を支持部材に接合するため、フィルム状接着剤を個片化するための専用の装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのまま又は熱盤を付加する等の装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、フィルム状接着剤を用いた半導体装置の組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
【０００５】
しかし、フィルム状接着剤を用いた上記のウェハ裏面貼り付け方式においては、半導体ウェハのダイシングを行うまでに、フィルム状接着剤を半導体ウェハに貼り付けする工程とダイシングテープをフィルム状接着剤に貼り付けする工程との２つの貼り付け工程が必要である。そこで、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせ、一枚で両方の機能を併せ持つ接着シート（ダイボンドダイシングシート）が開発されている（例えば、特許文献１参照）。このような接着シートは、例えば、剥離基材／接着剤層／粘着フィルムの三層構造を有している。
【０００６】
また、このような接着シートを、半導体素子を構成するウェハの形状にあらかじめ加工しておく方法（いわゆるプリカット加工）が知られている（例えば特許文献２参照）。かかるプリカット加工は、使用されるウェハの形状に合わせて樹脂層（接着剤層及び粘着フィルム）を打ち抜き、ウェハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。
プリカット加工が施された接着シートは、例えば、図３（ａ）に示すような構造を有している。また、図３（ｂ）は図３（ａ）の接着シート２００のＸ−Ｘ端面図であり、剥離基材１上に接着剤層２が積層され、その上に更に粘着フィルム層３が、剥離基材１側が粘着性を有する面となるようにして積層されている。なお、粘着フィルム層３は接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように積層されており、これにより、半導体ウェハのダイシングを行う際に、半導体ウェハの外周部のウェハリングに粘着フィルム層３を貼り付けて接着シート２００を固定することができるようになっている。
【０００７】
かかるプリカット加工を施す場合、上記の接着シートは一般的に、フィルム状接着剤において接着剤層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、それとダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウェハリング形状に合わせたプリカット加工を施すか、又は、あらかじめウェハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工したフィルム状接着剤と貼り合わせることによって作製される。
上記プリカット加工が施された接着シート２００は、通常、例えば図４に示すような外径が一定な円筒状の巻き芯２１１に巻きつけられ、図５に示すように、ロール状の接着シートロール２１０として提供される。このような、接着シートを巻き芯に巻きつけた接着シートロールとしては、例えば、巻き芯２１１の接着シート２００に対する接触面積を大きくすることを目的として、所定の直径を有する巻き芯を用いた接着シートロールが開示されている（例えば、特許文献３等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平７−４５５５７号公報
【特許文献２】実公平６−１８３８３号公報
【特許文献３】国際公開２０１０／０６４３７６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記のように、図３に示す接着シート２００のようなプリカット加工が施された接着シート２００を、上記巻き芯２１１等の外径が一定な従来の円筒状の巻き芯に巻きつけた接着シートロール２１０では、以下のような不具合が生じることを本発明者らは見出した。すなわち、上記プリカット加工が施された接着シート２００においては、図３（ｂ）に示すように、部分的に接着剤層２と粘着フィルム層３とを積層するため、接着剤層２と粘着フィルム層３との積層部分が他の部分よりも厚くなる。そのため、接着シートロール２１０の直径が大きくなったり、巻き取り時の張力が高くなったりした場合、図６（ａ）に示すように、接着剤層２の部分に他の接着剤層２の巻き跡１２が転写され、図６（ａ）のＹ−Ｙ端面図である図６（ｂ）に示すように、フィルムの平滑性が損なわれることがある。また、接着剤層２の厚みが厚くなった場合、巻き跡１２が更に転写されやすくなる。これら巻き跡１２の転写により接着シート２００に平滑性の欠陥があると、接着シート２００を半導体ウェハへ貼り付けた時に半導体ウェハと接着剤層２との間に空気を巻き込み、半導体装置組み立て方法上、不具合が生じることがある。
【００１０】
なお、接着シートとしては、図７（ａ）及び図７（ａ）のＺ−Ｚ端面図である図７（ｂ）に示すように、ウェハ形状に合わせてプリカット加工された接着剤層２及び粘着フィルム層３の外方にも粘着フィルム層３が形成された接着シート２２０、及び接着シート２２０が巻き芯２１１に巻きつけられた接着シートロール２３０も知られているが、この場合にも、上記と同様に、接着シート２２０が従来の巻き芯２１１に巻きつけられると、接着剤層２に巻き跡１２が転写され、半導体装置組み立て方法上の不具合が生じることがある。
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、接着剤層への巻き跡の転写が抑制され、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生が抑制される接着シート、及びこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、（１）剥離基材と前記剥離基材の表面に部分的に設けられた接着剤層と前記接着剤層の上に積層された粘着フィルム層を含んで構成された接着シートと、を有し、前記接着シートは、前記接着シートの長手方向における前記接着剤層の長さの総和が最も長くなる最長形成部を有し、前記最長形成部の片側に前記接着剤層が設けられていない接着剤層非形成領域を有し、前記最長形成部のもう一方の片側に前記接着剤層非形成領域と、前記接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域とを有する接着シートであって、前記最長形成部の片側において前記接着剤層非形成領域と前記非形成領域とを有する領域の割合が４０〜６０％となる接着シートに関する。
また本発明は、（２）前記接着剤層及び前記粘着フィルムの少なくとも一方が、円形形状あるいは前記剥離基材を剥離した後に前記接着剤層又は前記粘着フィルムを貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有している（１）に記載の接着シートに関する。
また本発明は、（３）前記接着剤層が、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有してなるものである（１）又は（２）に記載の接着シートに関する。
また本発明は、（４）前記熱可塑性樹脂が、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０００００以上である高分子量成分である（３）に記載の接着シートに関する。
また本発明は、（５）前記高分子量成分が、エポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体である（４）に記載の接着シートに関する。
また本発明は、（６）前記熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものである（３）〜（５）のいずれかに記載の接着シートに関する。
本発明はまた、（７）上記本発明の接着シートを用いて製造された半導体装置に関する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、接着シートを巻き芯に巻きつけて接着シートロールとする時に、接着剤層への巻き跡の転写が抑制され、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生が抑制される接着シート、及びこれを用いた半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態における接着シートを模式的に示す（ａ）平面図及び（ｂ）Ａ−Ａ断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
【図３】（ａ）は、従来の接着シートの一例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ端面図である。
【図４】接着シートロールに用いる巻き芯を示す模式図である。
【図５】図３に示す接着シートを円筒状の巻き芯に巻きつけてなる接着シートロールを示す模式図である。
【図６】（ａ）は、図３に示す接着シートに巻き跡が転写されている様子を示す模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のＹ−Ｙ端面図である。
【図７】（ａ）は、従来の接着シートの他の一例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＺ−Ｚ端面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示すものとする。
また本明細書において「工程」との用語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
【００１５】
（接着シート）
本発明の接着シートは、剥離基材と、前記剥離基材の表面に部分的に設けられた接着剤層と、を含んで構成されている。
また接着シートは、接着シートの長手方向における接着剤層の長さの総和が最も長くなる最長形成部を有し、その最長形成部の片側に前記接着剤層が設けられていない接着剤層非形成領域を有しており、もう一方の片側には前記接着剤層非形成領域と、前記接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域とを有しており、この前記接着剤層非形成領域と非形成領域とを有する領域の割合が、最長形成部の片側において４０〜６０％となっている。
ここで「接着シートの長手方向」とは、接着シートが巻き芯に巻きつけられる方向であり、接着シートが巻き芯に巻きつけられたときに重なって巻きつけられる方向である。また「接着シートの短手方向」は、前記接着シートの長手方向と垂直な方向であり、巻き芯の軸と平行な方向である。以下、接着シートの長手方向及び接着シートの短手方向を、それぞれ、単に「長手方向」及び「短手方向」と称する場合がある。
本発明の接着シートは、上記構成であることにより、接着剤層への巻き跡の転写が抑制され、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生が抑制される。
【００１６】
具体的には、本発明の接着シートは、上記の通り、剥離基材の表面に部分的に接着剤層と粘着フィルム層が設けられており、最長形成部と非形成領域とを有している。そして、そのような接着シートを巻き芯に巻きつけてロール状にすると、最長形成部においては接着剤層と粘着フィルム層が最も長く形成されているため他の部分に比べて厚くなるのに対し、非形成領域では接着剤層及び粘着フィルム層が形成されていないため、接着剤層又は粘着フィルム層の厚みの分、剥離基材間に隙間が生じることになる。そのため、例えば従来のように、ウェハ形状に合わせてプリカット加工された接着剤層及び粘着フィルム層の外方にも粘着フィルム層が形成された接着シートでは、他の部分に比べて厚く積層された最長形成部に巻取りの圧力が集中すると考えられる。そして、前記最長形成部に圧力が集中すると、前記長手方向における粘着フィルム層の端部の段差が、他の接着剤層に食い込んで転写され、巻き跡が発生すると考えられる。
【００１７】
これに対して本発明では、最長形成部の片側のみに接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域を有し、もう一方の片側は非形成領域を有さない。すなわち、最長形成部に集中する圧力が非形成領域を有さない部分にかかることになり、前記長手方向における粘着フィルム層の端部の段差にかかる圧力が軽減されると考える。また、最長形成部の片側における接着剤層非形成領域及び非形成領域を有する割合が４０〜６０％であることにより、短手方向における段差が均等となり、段差にかかる圧力の偏りを減らすことができる、そのため、上記巻き跡が生じにくくなり、接着シートの接着剤層を半導体ウェハ等の被着体に貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイド等が発生することを抑制することができる。最長形成部の片側における接着剤層非形成領域及び非形成領域を有する割合が４０％未満、あるいは６０％を超えると、短手方向における圧力の偏りが生じ、巻き跡が発生する可能性がある。
なお、本発明の接着シートは通常、シートロールとして提供され、使用する際にはラミネート装置を用いて接着シートをウェハに貼り付ける。本発明の巻き跡のボイドの抑制のためには、最長形成部の片側のみではなく両側に非形成領域を有さないことが効果的であるが、その場合、前記ラミネート装置において接着シートを容易に取り出すことが困難になり、また接着シートの自動認識をすることができなくなってしまうため、作業性の観点から好ましくない。
【００１８】
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【００１９】
図１（ａ）は、本発明の接着シートを示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
図１に示す接着シートは、例えば、剥離基材１と、剥離基材１の表面に部分的に設けられた接着剤層２と、接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように形成された粘着フィルム層３と、を含んで構成されている。
具体的には、接着剤層２は、図１に示すように、剥離基材１の長手方向に沿って複数設けられている。またそれぞれの接着剤層２は、円形であり、かつ、前記短手方向における剥離基材１の中央部に形成されている。
また、粘着フィルム層３は、接着剤層２よりも大きな円形であり、接着剤層２をすべて覆うように積層されるとともに、接着剤層２が形成された領域の周囲において剥離基材１と直接接触するように設けられている。本実施形態では、粘着フィルム層３も前記短手方向における剥離基材１の中央部に形成されているため、図１の接着シート１００では、前記短手方向における中心が最長形成部となる。
一方、前記短手方向における粘着フィルム層３の片側では、前記粘着フィルム層３の端部から剥離基材１の両端部までの領域に、接着剤層２も粘着フィルム層３も形成されていない非形成領域及び粘着フィルム層３が形成されている接着剤層非形成領域がある。
また、粘着フィルム層３のもう一方の片側では、粘着フィルム層３のウェハ形状にプリカット加工された端部から剥離基材１の端部までの領域には粘着フィルム層３が形成されている接着剤層非形成領域がある。
更に、この接着剤層非形成領域及び非形成領域を有する側と接着剤層非形成領域を有する側は、接着シート１枚ごとに交互に入れ替わっている。
この接着剤層非形成領域及び非形成領域を有する側と接着剤層非形成領域を有する側は、通常接着シートと接着シートの間で入れ替わり、片側における接着剤層非形成領域及び非形成領域を有する割合は４０％〜６０％であれば良いが、接着シート１〜３枚ごとに入れ替わることが好ましく、接着シート１枚ごとであることがより好ましい。
【００２０】
以下、本発明の接着シートの各構成要素について詳細に説明する。
＜剥離基材＞
剥離基材１は、接着シートの使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものであり、かかる剥離基材１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等を使用することができる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。
また、剥離基材１の接着剤層２と接する側の面は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていてもよい。
【００２１】
剥離基材１の厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、１０〜５００μｍであることが好ましく、２５〜１００μｍであることがより好ましく、３０〜５０μｍであることが特に好ましい。
【００２２】
＜接着剤層＞
接着剤層２の材料としては、特に制限されないが、例えば、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤、熱可塑性接着剤、及び、酸素反応性接着剤等を含んで構成される。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着剤として半導体素子の固定に使用されることを考慮すると、接着剤層２は熱硬化性接着剤を含んで構成されていることが好ましい。
【００２３】
熱硬化性接着剤としては、熱により硬化するものであれば特に制限は無く、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ熱重合性成分を含むものが挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着シートとしての耐熱性及び熱硬化による接着力を考慮すると、上記の熱重合性成分と熱可塑性樹脂とを含有してなる熱硬化性接着剤を用いることが好ましい。上記の熱重合性成分と熱可塑性樹脂とを含有してなる熱硬化性接着剤を用いることにより、かかる接着剤層を介して半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができる。
【００２４】
ここで、熱可塑性樹脂としては、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であれば特に制限されないが、熱可塑性樹脂（Ａ）としてＴｇ（ガラス転移温度）が１０〜１００℃であり、且つ、重量平均分子量が５０００〜２０００００であるもの、又は熱可塑性樹脂（Ｂ）としてＴｇが−５０℃〜１０℃であり、且つ、重量平均分子量が１０００００以上であるものが好ましい。
【００２５】
前者の熱可塑性樹脂（Ａ）としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等が挙げられる。これらの中でもポリイミド樹脂を用いることが好ましい。
【００２６】
後者の熱可塑性樹脂（Ｂ）としては、官能性モノマーに由来する構造単位を含む重合体を使用することが好ましく、この重合体の官能性モノマーの官能基としてはグリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリシジル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能基モノマーに由来する構造単位を含むグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が好ましく、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であることがより好ましい。
【００２７】
上記熱可塑性樹脂（Ｂ）のうち、官能性モノマーに由来する構造単位を含む重合体としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーに由来する構造単位を含有し、かつ重量平均分子量が１０００００以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が挙げられ、それらの中でもエポキシ樹脂と非相溶であるものが好ましい。グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体の具体例としては、例えば、ナガセケムテックス株式会社製の商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３等が挙げられる。
【００２８】
上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。
【００２９】
上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体を構成する、上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のグリシジル基含有モノマー単位の量は、モノマー全量を基準として０．５〜６．０質量％が好ましく、０．５〜５．０質量％がより好ましく、０．８〜５．０質量％が特に好ましい。グリシジル基含有モノマー単位の量がこの範囲にあると、十分な接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。
【００３０】
グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート以外のモノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して決定することができ、Ｔｇが−１０℃以上となるようにすることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での接着剤層２のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。
上記モノマーを重合させて、官能性モノマーに由来する構造単位を含む重量平均分子量が１０００００以上である重合体を製造する場合、その重合方法としては特に制限は無く、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。
【００３１】
官能性モノマーに由来する構造単位を含む重合体の重量平均分子量は、１０００００以上が好ましく、３０００００〜３００００００であることが好ましく、５０００００〜２００００００であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。すなわち、半導体装置作製における作業環境下でフィルム形状を維持し、取り扱い易いフィルムにすることができる。また、重量平均分子量が１０００００以上あることで、室温でのフィルムの硬さが高くなり、巻き取り時の圧力による転写を防ぐことができる。仮に何らかの原因で転写があった場合も、熱可塑性樹脂であることで、半導体ウェハとの貼り付け時の熱により変形し、ボイドを低減する事ができる。
なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
【００３２】
また、官能性モノマーに由来する構造単位を含む重量平均分子量が１０００００以上である重合体の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１０〜４００質量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成形時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。また、重合体の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１５〜３５０質量部がより好ましく、２０〜３００質量部が特に好ましい。
【００３３】
また、熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができるが、接着シートとしての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化し接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れるダイボンドダイシングシートが得られる点でエポキシ樹脂を使用することが最も好ましい。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を合わせて使用することが好ましい。
上記エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを使用することができる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３４】
上記エポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のｊＥＲシリーズ（商品名：ｊＥＲ８０７、ｊＥＲ８１５、ｊＥＲ８２５、ｊＥＲ８２７、ｊＥＲ８２８、ｊＥＲ８３４、ｊＥＲ１００１、ｊＥＲ１００４、ｊＥＲ１００７、ｊＥＲ１００９、「ｊＥＲ」は登録商標）、ダウケミカル社製の商品名：ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、及び、新日化エポキシ製造株式会社製の商品名：ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製の商品名：ｊＥＲ１５２、ｊＥＲ１５４、日本化薬株式会社製の商品名：ＥＰＰＮ−２０１（「ＥＰＰＮ」は登録商標）、ダウケミカル社製の商品名：ＤＥＮ−４３８等が挙げられる。更に、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製の商品名：ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７（「ＥＯＣＮ」は登録商標）、新日化エポキシ製造株式会社製の商品名：ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。
【００３５】
多官能エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製の商品名：Ｅｐｏｎ  １０３１Ｓ、ＢＡＳＦ社製の商品名：アラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製の商品名：デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１（「デナコール」は登録商標）等が挙げられる。
【００３６】
アミン型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製の商品名：ｊＥＲ６０４、新日化エポキシ製造株式会社製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製の商品名：ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ（「ＴＥＴＲＡＤ」は登録商標）、住友化学株式会社製の商品名：ＥＬＭ−１２０（「ＥＬＭ」は登録商標）等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、ＢＡＳＦ社製の商品名：アラルダイトＰＴ８１０、ユニオンカーバイド社製の商品名：ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
なお、熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものであることにより、半導体装置作製後、半導体素子と支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができ、半導体装置の使用される環境下で半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。
【００３７】
エポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。これらの中でも、特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３８】
上記フェノール樹脂硬化剤の中で好ましいものとしては、例えば、ＤＩＣ株式会社製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０（「フェノライト」は登録商標）、明和化成株式会社製、商品名：Ｈ−１、三菱化学株式会社製、商品名：ｊＥＲキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、ｊＥＲキュアＹＬ６０６５、ｊＥＲキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５（「ｊＥＲキュア」は登録商標）、及び、三井化学株式会社製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ（「ミレックス」は登録商標）等が挙げられる。
【００３９】
接着剤層２は、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであることが好ましい。ここで、本発明における貯蔵弾性率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７２４４−４に規定される強制振動非共振法による引張り試験によって求めることができる。また接着剤層２は、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜３０ＭＰａであることが好ましい。接着剤層２が上記範囲の貯蔵弾性率を有することにより、半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材間の応力を緩和し、幅広い温度域で十分な接着力を確保できる。これにより半導体装置作製の作業中あるいは半導体装置が使用される環境下で、半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。
ここで、接着剤層２の貯蔵弾性率を大きくする方法として、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やす方法、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げる方法、フィラーを添加する方法等が挙げられる。
【００４０】
上記接着剤層２が熱重合性成分を含む場合、接着剤層２には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限は無く、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４１】
この硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量１００質量部に対して５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましい。この添加量が５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
【００４２】
接着剤層２には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されず、例えばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分等が挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することもできる。
【００４３】
熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、接着剤層が熱重合性成分を含む場合、熱重合性成分の総量１００質量部に対して、４０質量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、接着剤層２のＴｇを確保することができる。
【００４４】
また、接着剤層２には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与等を目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限は無く、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。また、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも、熱伝導性向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の観点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。
【００４５】
無機フィラーの添加量は、接着剤層２の総量を基準として１〜２０質量％が好ましい。添加量が１質量％未満であると添加効果が十分に得られない傾向があり、２０質量％を超えると、接着剤層２の粘接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
【００４６】
また、接着剤層２には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。
【００４７】
上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、接着剤層２全量を基準として０．０１〜１０質量％とするのが好ましい。
【００４８】
更に、接着剤層２には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を向上させるために、イオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては特に制限は無く、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤等が挙げられる。
【００４９】
上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、接着剤層２全量を基準として０．１〜１０質量％が好ましい。
【００５０】
接着剤層２の厚さは、２〜２００μｍであることが好ましく、５〜１２０μｍであることが特に好ましい。厚さが２μｍ以上であることにより、接着剤として十分な接着力が確保される傾向があり、２００μｍ以下であることにより、半導体装置が肉薄になり、半導体装置の使用用途が広がる傾向がある。
【００５１】
接着剤層２の形状は、上記の通り、被着体の形状に応じて適宜選択される。具体的には、例えば、被着体を貼り付ける部分以外の部分は無駄になるため、被着体として円形の平面形状を有する一般的な半導体ウェハを用いる場合には、接着剤層２の形状を、円形の平面形状又は半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状（半導体ウェハ形状）としてもよい。半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状を接着剤層２が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる傾向がある。
【００５２】
ただし、接着剤層の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状よりもやや大きい平面形状であってもよい。また、一般的に半導体ウェハは円の外周の一部が直線である平面形状を有しているため、接着シートの平面形状が円形形状である場合でも、一般的な半導体ウェハへの接着剤層の貼り付け、及び、半導体ウェハのダイシングを容易に行うことが可能となる傾向にある。また、接着剤層２の外周の一部が粘着フィルム層３の外周の一部の近傍にあるようにするために、接着剤層２の外周の一部に凸部を有していてもよい。
【００５３】
＜粘着フィルム＞
以下、粘着フィルム層３に用いられる粘着フィルムについて説明する。
粘着フィルムとしては、基材フィルムに粘着剤層を設けたものが好ましい。この場合、粘着フィルム層３における接着剤層２と接する側の層が上記粘着剤層となっている。
粘着フィルムに使用する基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。
【００５４】
また、上記基材フィルムは異なる２種類以上のフィルムを積層したものであっても良い。この場合、粘着剤層が形成される側のフィルムは、半導体素子のピックアップ作業性が向上する点で、２５℃での引張弾性率が２０００ＭＰａ以上であることが好ましく、２２００ＭＰａ以上であることがより好ましく、２４００ＭＰａ以上であることが特に好ましい。
【００５５】
また、粘着剤層が形成される側と反対側のフィルムは、フィルムの伸びが大きく、エキスパンド工程での作業性がよい点で、２５℃での引張弾性率が１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、８００ＭＰａ以下であることがより好ましく、６００ＭＰａ以下であることが特に好ましい。この引張弾性率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１１３に準じて測定されるものである。
【００５６】
基材フィルムが２種以上のフィルムを積層したものである場合、その積層方法としては特に制限は無く、別々に作製したフィルムをラミネートする方法、一方のフィルム上に他方のフィルムを押出しラミネートする方法、２種類以上のフィルムを押出し塗工しながら貼り合せる方法、一方のフィルムの原料となるポリマーを溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、他方のフィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去する方法、及び、接着剤を用いて２種以上のフィルムを貼り合わせる方法等、公知の方法を使用することができる。
【００５７】
粘着フィルムを構成する上記粘着剤層としては、高エネルギー線又は熱によって硬化する（すなわち、粘着力を制御できる）ものが好ましく、高エネルギー線によって硬化するものがより好ましく、紫外線によって硬化するものが特に好ましい。
ここで、高エネルギー線としては、例えば、紫外線等が挙げられる。
【００５８】
かかる粘着剤層を構成する粘着剤としては、従来から種々のタイプが知られている。それらの中から、高エネルギー線の照射によって、接着剤層２に対する粘着力が低下するものを適宜選んで用いることが好ましい。
【００５９】
上記粘着剤としては、特に制限されないが、例えば、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタン（メタ）アクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００６０】
また、粘着剤層が熱により硬化する熱重合性成分を含む場合、粘着剤層には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限は無く、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００６１】
硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量１００質量部に対して５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましい。この添加量が５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
【００６２】
また、粘着剤層が高エネルギー線の照射により硬化する高エネルギー線重合性成分を含む場合、粘着剤層には、活性光線の照射によって遊離ラジカルを生成する光重合開始剤を添加することもできる。このような光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ´−テトラメチル−４，４´−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ´−テトラエチル−４，４´−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４´−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９´−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体等が挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００６３】
上記光重合開始剤の使用量としては、特に制限は無いが、高エネルギー線重合性成分の総量１００質量部に対して通常０．０１〜３０質量部である。
【００６４】
粘着フィルムにおいて、粘着剤層の厚さは、０．１〜４０μｍであることが好ましい。粘着剤層の厚さが０．１μｍ以上であることにより、十分な粘着力を確保することができる傾向があり、ダイシング時に半導体チップが飛散することが抑制され、４０μｍ以下であることにより、経済的にも有利となる。
【００６５】
また粘着フィルム全体の厚さは、１０〜３００μｍであることが好ましい。粘着フィルム全体の厚さが１０μｍ以上であることにより、ダイシング時の粘着フィルムの切断を抑制させることができる。また、３００μｍ以下であることにより、経済的にも有利となる。
【００６６】
＜接着シートの製造方法＞
以上説明した本発明の接着シートは、接着剤層を形成する組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、剥離基材１上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって得ることができる。また上記粘着フィルムも同様に、粘着剤層を形成する組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、基材フィルム上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって得ることができる。
【００６７】
ここで、上記のワニス化するための溶剤としては特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性等を考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒を使用することが好ましい。
【００６８】
また、塗膜性を向上させる等の目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００６９】
無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、３本ロール、ボールミル及びビーズミル等を使用することが好ましく、また、これらを組み合わせて使用することもできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあらかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することによって、混合する時間を短縮することもできる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。
【００７０】
ここで、剥離基材１及び基材フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等を用いることができる。
【００７１】
また、本発明の接着シートは、例えば、接着剤層２を剥離基材１に塗布する際にあらかじめ部分的に接着剤層２を形成するためのワニス等の原材料を分布させておく方法や、剥離基材１にマスクをし、このマスク部以外の部分に上記のワニス等の原材料を塗布する方法等を用いて形成することができるが、作業の簡便さを考慮すると、あらかじめ剥離基材１の全面に接着剤層２を塗布法により形成し、打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。また、粘着フィルム層３を部分的に形成する方法としても、上記と同様に打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。
【００７２】
以上説明したような構成の接着シートに放射線等の高エネルギー線を照射すると、照射後には接着剤層２と粘着フィルム層３との界面の粘着力が大きく低下し、半導体素子に接着剤層２を保持したまま粘着フィルム層３から容易にピックアップすることが可能となる。
【００７３】
本発明の接着シートにおいて、接着剤層２と粘着フィルム層３との界面の粘着力を低下させる方法としては、放射線等の高エネルギー線の照射のみで粘着力を低下させる方法以外に、高エネルギー線の照射と同時に又は照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用する方法が挙げられる。加熱を併用することにより、より低温短時間での粘着力の低下が可能となる。加熱温度は、接着剤層の分解点以下であれば特に制限は受けないが、５０〜１７０℃の温度が好ましい。
【００７４】
（半導体装置の製造方法）
次に、本発明の接着シートロールを用いて半導体装置を製造する方法について説明する。
接着剤層２及び粘着フィルム層３からなる積層体を半導体ウェハへ貼り付ける場合、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハへの積層体の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック株式会社製の商品名：ＲＡＤ−２５００等が挙げられる。
【００７５】
具体的には、接着シート１００から、剥離基材１を剥離し、積層体の接着剤層２を半導体ウェハに貼り付ける。次に、上記の工程により得られた積層体付き半導体ウェハをダイシングし、必要な大きさの積層体付き半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着剤層２及び粘着フィルム層３により半導体ウェハは積層体に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハが脱落することが抑制される。
【００７６】
次に、放射線等の高エネルギー線を積層体の粘着フィルム層３に照射し、粘着フィルム層３における粘着剤層の一部又は大部分を重合硬化せしめる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。
【００７７】
粘着フィルム層３への高エネルギー線の照射は、基材フィルムの粘着剤層が設けられていない側の面から行う。したがって、高エネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材フィルムは光透過性であることが必要である。なお、高エネルギー線として電子線を用いる場合には、基材フィルムは必ずしも光透過性である必要はない。
【００７８】
高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、例えば吸引コレットによりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を基材フィルムの下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。粘着剤層を硬化させることにより、半導体素子と接着剤層２との間の粘着力は、接着剤層２と粘着剤層との間の粘着力よりも大きくなるため、半導体素子のピックアップを行うと、接着剤層２と粘着剤層との界面で剥離が生じ、接着剤層２が半導体素子の下面に付着した状態の接着剤層付き半導体素子がピックアップされることとなる。
【００７９】
この接着剤層付き半導体素子を、接着剤層２を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着剤層２は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。
その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。
【００８０】
なお、接着シート１００が剥離基材１及び接着剤層２で構成され、粘着フィルム層３を有していない場合は、例えば、接着シート１００の接着剤層２を覆うように粘着フィルムを貼り付けてから、上記と同様な方法で半導体装置を製造してもよい。また、接着シート１００の接着剤層２を半導体ウェハに貼り付けた後に、剥離基材１を剥離し、半導体ウェハに貼り付けられた接着剤層２を覆うように粘着フィルムを貼り付け、上記と同様な方法で半導体装置を製造してもよい。
【００８１】
なお、半導体ウェハの厚さは特に限定されないが、上記半導体装置の製造方法は薄い半導体ウェハにも適した方法であり、例えば１０〜１００μｍであってもよい。
【００８２】
（半導体装置）
図２は、上述した半導体装置の製造方法により製造される本発明の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
図２に示すように、半導体装置３００は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板７０上に、接着剤層２及び半導体素子７２からなる接着剤層付き半導体素子が２つ積層されている。また、有機基板７０には、回路パターン７４及び端子７６が形成されており、この回路パターン７４と２つの半導体素子７２とが、ワイヤボンド７８によってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材８０により封止され、半導体装置３００が形成されている。この半導体装置３００は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の接着シート１００を用いて製造されるものである。
【実施例】
【００８３】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００８４】
（接着剤層形成用ワニスの作製）
まず、エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＣＮ−７０３、新日化エポキシ製造株式会社製、エポキシ当量：２２０）６０質量部、及び、硬化剤として低吸水性フェノール樹脂（商品名：ＸＬＣ−ＬＬ、三井化学株式会社製、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物）４０質量部に、シクロヘキサノン１５００質量部を加えて撹拌混合し、第１のワニスを調製した。次に、この第１のワニスに、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：ＳＩＬＱＵＥＳＴ  Ａ−１８９  Ｓｉｌａｎｅ（「ＳＩＬＱＵＥＳＴ」は登録商標）、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）１．５質量部、及び、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＳＩＬＱＵＥＳＴ  Ａ−１１６０  Ｓｉｌａｎｅ、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）３質量部を加え、更に無機物フィラーとしてシリカフィラー（商品名：Ｒ９７２Ｖ、日本アエロジル株式会社製）３２質量部を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行うことで第２のワニスを調製した。次に、この第２のワニスに、エポキシ基含有アクリル系共重合体（商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３、ナガセケムテックス株式会社製）２００質量部、及び、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（「キュアゾール」は登録商標）、四国化成工業株式会社製）０．５質量部を加えて撹拌混合し、接着剤層形成用ワニスを調整した。
【００８５】
（接着剤層の作製）
（実施例１、比較例１、３）
上記接着剤層形成用ワニスを、剥離基材である膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（商品名：テイジンピューレックスＡ３１（「ピューレックス」は登録商標）、帝人デュポンフィルム株式会社製）上に塗布し、１４０℃で７分間加熱乾燥を行い、膜厚４０μｍのＢステージ状態の接着剤層を形成した。
（実施例２、比較例２、４）
実施例１、比較例１の作製方法と同様に塗布乾燥を行い、膜厚６０μｍのＢステージ状態の接着剤層を形成した。
【００８６】
（第一の切断工程）
得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して直径：２１０ｍｍの円形プリカット加工を行うとともに、剥離基材の短手方向の両端部に接着剤層（支持接着剤層）が残る形状になるよう加工を行った。
【００８７】
（第二の切断工程）
その後、接着剤層の不要部分を除去し、粘着フィルムをその粘着剤層が接着剤層と接するように、室温、線圧９．８Ｎ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で貼り付けた。そして、粘着フィルムに対して、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して接着剤層と同心円状に直径：２９０ｍｍの円形プリカット加工を行うとともに、支持接着剤層上に粘着フィルム（支持粘着フィルム）が積層され、該支持粘着フィルムが支持接着剤層上に積層されるよう加工を行った。これにより、図１、図７に示す構造を有する接着シートを得た。
【００８８】
（実施例１）
膜厚４０μｍのＢステージ状態の接着剤層を用いて図１（ａ）の形状の接着シートを得た。
【００８９】
（実施例２）
膜厚６０μｍのＢステージ状態の接着剤層を用いて図１（ａ）の形状の接着シートを得た。
【００９０】
（比較例１）
膜厚４０μｍのＢステージ状態の接着剤層を用いて図３（ａ）の形状の接着シートを得た。
【００９１】
（比較例２）
膜厚６０μｍのＢステージ状態の接着剤層を用いて図３（ａ）の形状の接着シートを得た。
【００９２】
（比較例３）
膜厚４０μｍのＢステージ状態の接着剤層を用いて図７（ａ）の形状の接着シートを得た。
【００９３】
（比較例４）
膜厚６０μｍのＢステージ状態の接着剤層を用いて図７（ａ）の形状の接着シートを得た。
【００９４】
＜評価方法＞
実施例１〜２及び比較例１〜４の接着シートを、円形形状の粘着フィルムの数が３００枚になるように、巻き取り張力を９．８Ｎ又は２９．４Ｎとしてロール状に巻き取り、接着シートロールを作製した。得られた接着シートロールを２週間冷蔵庫内（５℃）で保管した。その後、接着シートロールを室温に戻してからロールを解き、３００枚目のフィルムについて半導体ウェハに貼り付けたときのボイドの発生の有無を目視にて評価した。下記の評価基準に従って、○、△、×の３段階で接着シートの巻き跡の転写抑制性を評価した。
○：ボイドを全く確認できない。
△：目立たない微細ボイドが確認できる。
×：目立つボイドが確認できる。
その結果を表１に示す。
【００９５】
以上の結果から明らかなように、本発明の接着シート（実施例１〜２）によれば、比較例の接着シート（比較例１〜４）と比較して、ロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制することができ、それによって、接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける際にボイドの発生を十分に抑制することができることが確認された。
【００９６】
【表１】
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【符号の説明】
【００９７】
１…剥離基材、２…接着剤層、３…粘着フィルム層、１２…巻き跡、７０…有機基板、７２…半導体素子、７４…回路パターン、７６…端子、７８…ワイヤボンド、８０…封止材、１００，２００，２２０…接着シート、２１０，２３０…接着シートロール、２１１…巻き芯、３００…半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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