(57)【要約】【課題】蒸着材料が蒸発源内部に入り込んでも、膜質の劣化を防止し、連続運転やメンテナンスに支障が生じないようにする蒸発源及び真空蒸着装置を提供することにある。【解決手段】封入された蒸着材料を加熱して蒸発した蒸着材料の放出するためのノズルを有するルツボと、このルツボを加熱するための加熱手段と、前記ルツボと前記加熱手段の周辺に配置した断熱手段とにより構成された蒸発源において、前記断熱手段とルツボ又は加熱手段の間にこの加熱手段より低温に保持された浮遊蒸着物回収手段を設けるとともに、この浮遊蒸着物回収手段と前記ルツボ及び前記加熱手段との間に断熱手段を設けたもの。更に、その蒸発源を用いた真空蒸着装置。【選択図】図１
2013211138.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
封入された蒸着材料を加熱して蒸発した蒸着材料の放出するためのノズルを有するルツボと、このルツボを加熱するための加熱手段と、前記ルツボと前記加熱手段の周辺に配置した断熱手段とにより構成された蒸発源において、
前記断熱手段とルツボ又は加熱手段の間にこの加熱手段より低温に保持された浮遊蒸着物回収手段を設けるとともに、
この浮遊蒸着物回収手段と前記ルツボ及び前記加熱手段との間に断熱手段を設けていることを特徴とする蒸発源。
【請求項２】
請求項１記載の蒸発源において、
前記加熱手段は前記ルツボと一体、またはルツボの内部に設けられていることを特徴とする蒸発源。
【請求項３】
請求項２記載の蒸発源において、
前記加熱手段は抵抗加熱を用いて発熱することを特徴とする蒸発源。
【請求項４】
請求項１記載の蒸発源において、
前記加熱手段は前記ルツボの外に配置され、かつ抵抗加熱、誘導加熱、赤外線加熱のいずれかの加熱手段を用いていることを特徴とする蒸発源。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の蒸発源において、
前記断熱手段は前記ルツボ及び加熱手段に対する前記浮遊蒸着物回収手段の対向面を少なくとも覆う形状であることを特徴とする蒸発源。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の蒸発源において、
前記断熱手段は単数又は複数の板を積層した構造であることを特徴とする蒸発源。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれかに記載の蒸発源において、
前記断熱手段はカーボン・金属・セラミックのいずれか一つ又は複数より形成された綿あるいは布状若しくは発泡材を用いていることを特徴とする蒸発源。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれかに記載の蒸発源において、
前記浮遊蒸着物回収手段と前記ルツボ又は前記加熱手段との間に設けた断熱手段は単数又は複数の板を積層した構造を持つことを特徴とする蒸発源。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれかに記載の蒸発源において、
前記断熱手段はカーボン・金属・セラミックのいずれか一つ又は複数より形成された綿あるいは布状若しくは発泡材を用いていることを特徴とする蒸発源。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれかに記載の蒸発源において、
前記浮遊蒸着物回収手段の周りに着脱可能なカバーを設け、このカバーは冷却手段と少なくとも部分的に接触して冷却されていることを特徴とする蒸発源。
【請求項１１】
請求項１〜４のいずれかに記載の蒸発源において、
前記浮遊蒸着物回収手段を前記ルツボのノズルを有する面以外に設けることを特徴とする蒸発源。
【請求項１２】
請求項１〜４のいずれかに記載の蒸発源において、
前記浮遊蒸着物回収装置は循環する冷却媒体によって冷却されていることを特徴とする蒸発源。
【請求項１３】
請求項１２記載の蒸発源において、
前記冷却媒体はハウジングの壁自体を循環するとともに、
前記ハウジングと前記浮遊蒸着物回収手段は熱的に接触していることを特徴とする蒸発源。
【請求項１４】
蒸着材料の蒸気を放出する蒸発源と、該蒸発源から放出された蒸気により成膜を行う基板と、該蒸発源と該基板を減圧雰囲気内で保持する真空チャンバと、
を備えた真空蒸着装置において、
前記蒸発源が、請求項１〜１３のいずれかに記載の蒸発源であることを特徴とする真空蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
真空下で蒸着材料を加熱して蒸着粒子を発生させ、基板上に蒸着材料の膜を形成する真空蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という）を簡単に説明する。  
有機ＥＬ素子は基板上に陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極の順に膜を形成し、陽極と陰極との間に電流を流すことにより発光するものである。
【０００３】
特に正孔輸送層から電子注入層については、有機化合物又は無機化合物を真空蒸着又は印刷又は塗布により形成し、陽極上に積層構造体を形成する。さらに、マグネシウム・銀やアルミニウム等の金属膜を真空蒸着またはスパッタで積層構造体の上に形成し、陰極を設けるものである。このようにして有機ＥＬ素子は形成される。
【０００４】
一般的な真空蒸着方法の例を図２を使って説明する。  
図２において、真空蒸着装置１は、真空チャンバ２と、真空ポンプ３及び蒸発源４を備えている。真空チャンバ２は密閉容器となっており、その内部には蒸発源４と蒸着対象の基板５とが配置されている。また真空チャンバ２の内部は、基板５に対して成膜する際には、10-3〜10-6Ｐａの真空度を保つ必要があるため、真空ポンプ３によって真空排気される。蒸発源4では蒸着材料を加熱して気化させ、基板５に対して吹きつけて成膜するようになっている。その際、基板５の大形化に対しては、基板５を回転させる、或いは基板５又は蒸発源４のいずれかを移動させて成膜を行うようになっている。
【０００５】
一般的な蒸発源構造の例を簡単に説明すると、蒸着材料を内部に封入したルツボはヒータにより加熱される。これにより、蒸着材料は気化し、ルツボの蓋に設けた開口から、蒸着材料のガスが基板に向けて上方に放出するようになっている。
【０００６】
上述したルツボはルツボ本体及び上蓋と中蓋とから構成されている。ルツボ本体は構造体によって支持されており、加熱手段であるヒータにより輻射加熱されて蒸着材料が蒸発するようになっている。
【０００７】
これにより、ルツボの上方に配置した基板に膜が形成される。ヒータの出力を制御するために、熱電対によりルツボの底部温度を測定するようになっている。さらにヒータの外周部にはリフレクタが設置され、ヒータからの輻射熱がルツボ内に集中するように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−２４９９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記従来技術では、ルツボのノズルから放出された蒸着材料の蒸気の大多数は、基板の方向へ向かって移動する。しかし、中には蒸発源の内部に向かって入り込む蒸気の粒子、或いはルツボ本体と上蓋との隙間から洩れ出てくるものが発生する。
【００１０】
蒸発源の内部に入り込んだ蒸着材料の蒸気の粒子は、リフレクタの外部と接続する部材、例えば構造部材やヒータの端子及び熱電対などに対して、蒸発源内部の低温の部材に集中して凝縮し析出してしまう。
【００１１】
有機化合物の蒸着材料が析出してしまうと、有機蒸着では、長時間ヒータの熱を受けることにより分解し、膜質に影響を及ぼす不純物が生じる。また、無機化合物の蒸着材料の場合は、蒸着材料が付着した部材が貼り付き、メンテナンス時に各部材を分解できなくなることもある。特に、金属材料を蒸着材料とすると、ヒータの端子間などで短絡が発生する可能性もある。これらの問題点は従来技術の蒸発源では解決されなかった。
【００１２】
これに対して特許文献１に示される蒸発源には、上記に示した蒸発源内部で蒸着材料が析出する問題に関しての解決策については開示されていない。
【００１３】
本発明の目的は、蒸着材料が蒸発源内部に入り込んでも、膜質の劣化を防止し、連続運転やメンテナンスに支障が生じないようにする蒸発源、及び真空蒸着装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明は、封入された蒸着材料を加熱して蒸発した蒸着材料の放出するためのノズルを有するルツボと、このルツボを加熱するための加熱手段と、前記ルツボと前記加熱手段の周辺に配置した断熱手段とにより構成された蒸発源において、前記断熱手段とルツボ又は加熱手段の間にこの加熱手段より低温に保持された浮遊蒸着物回収手段を設けるとともに、この浮遊蒸着物回収手段と前記ルツボ及び前記加熱手段との間に断熱手段を設けたものである。
【００１５】
前記加熱手段は前記ルツボと一体、またはルツボの内部に設けられていても良い。
【００１６】
前記加熱手段は抵抗加熱を用いて発熱するものであっても良い。
【００１７】
前記加熱手段は前記ルツボの外に配置され、かつ抵抗加熱、誘導加熱、赤外線加熱のいずれかの加熱手段を用いるものであっても良い。
【００１８】
前記断熱手段は前記ルツボ及び加熱手段に対する前記浮遊蒸着物回収手段の対向面を少なくとも覆う形状であっても良い。
【００１９】
また上記目的を達成するために本発明は好ましくは、前記断熱手段は単数又は複数の板を積層した構造であると良い。
【００２０】
また上記目的を達成するために本発明は好ましくは、前記断熱手段はカーボン・金属・セラミックのいずれか一つ又は複数より形成された綿あるいは布状若しくは発泡材を用いると良い。
【００２１】
また上記目的を達成するために本発明は好ましくは、前記浮遊蒸着物回収手段とルツボ又は加熱手段との間に設けた断熱手段は単数又は複数の板を積層した構造であると良い。
【００２２】
また上記目的を達成するために本発明は好ましくは、前記断熱手段はカーボン・金属・セラミックのいずれか一つ又は複数より形成された綿あるいは布状若しくは発泡材を用いると良い。
【００２３】
また上記目的を達成するために本発明は好ましくは、前記浮遊蒸着物回収手段の周りに着脱可能なカバーを設け、このカバーは冷却手段と少なくとも部分的に接触して冷却されると良い。
【００２４】
また上記目的を達成するために本発明は好ましくは、前記浮遊蒸着物回収手段を前記ルツボのノズルを有する面以外に設けると良い。
【００２５】
また上記目的を達成するために本発明は好ましくは、前記浮遊蒸着物回収装置は循環する冷却媒体によって冷却されると良い。
【００２６】
また上記目的を達成するために本発明は好ましくは、前記冷却媒体はハウジングの壁自体を循環するとともに、前記ハウジングと前記浮遊蒸着物回収手段は熱的に接触すると良い。
また、上記目的を達成するための本発明の構成は、前記蒸発源のいずれかを用いた真空蒸着装置である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、蒸着材料が蒸発源内部に入り込んでも、膜質の劣化を防止し、連続運転やメンテナンスに支障が生じないようにする真空蒸着装置及び蒸発源を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施例に係る蒸発源の基本構成の概略図である。
【図２】一般的な真空蒸着による成膜装置の概略構成図である。
【図３】本発明の実施例に係る蒸発源の概略構成図である。
【図４】本発明の実施例に係る有機ＥＬデバイス製造装置の概略構成図である。
【図５】本発明の他の実施例に係る蒸発源の冷却手段を示す図である。
【図６】本発明の他の実施例に係る蒸発源の冷却手段を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の一実施例を図にしたがって説明する。
【実施例１】
【００３０】
本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【００３１】
図２を用いて本発明の実施例に係る真空蒸着装置の概要を説明する。  
図２において、真空蒸着装置１は、真空容器であるチャンバ２を有し、その中に蒸着材料２１の蒸気を放出する蒸発源４と被蒸着物である基板５が配置されている。蒸着時にはチャンバ内部を10-３Ｐａよりも高い真空度にするために、チャンバに接続した真空ポンプ３により常に真空排気されている。
【００３２】
減圧を開始してから、蒸発源４の加熱手段４４によってルツボ２２が加熱される。この加熱によって蒸着材料２１は蒸発又は昇華されて蒸着材料２１の蒸気が発生して基板５に成膜する。ここで用いる基板５は、ガラス、セラミック、金属、有機物のいずれかの平板を用いる。基板５の蒸着面には、あらかじめ陽極を形成しておく。
【００３３】
陽極は、例えばＩＴＯ、金、よう化銅、酸化錫など正孔注入能力が高い、仕事関数の大きな金属や合金の電気伝導性化合物が好ましい。  
正孔注入層としては、例えばＣｕＰｃやｍ-ＭＴＤＡＴＡが用いられる。正孔輸送層としては、例えばα−ＮＰＤ、TPD、PDAが用いられる。発光層としては、例えばホスト材料にルブレン、ＣＢＰ、ＣＤＢＰ、Ａｌｑ３、ドーパント材料にクマリン６、Ｉｒ（ｐｐｙ）３，ＦＩｒｐｉｃ等が用いられる。電子輸送層としては、例えばＡｌｑ３，ＰＢＤ，ＴＡＺ，ＢＮＤ，ＯＸＤなどが使用される。電子輸送層としては、例えばＬｉＦ、ＢＣＰ，ストロンチウム等が用いられる。陰極としてはＭｇ-Ａｇ共蒸着膜、Ａｌなどが用いられる。
【００３４】
蒸着は、ルツボ２２、加熱手段４４、断熱手段４３により構成される蒸発源４を用いて蒸着を行う。蒸着材料２１を封入したルツボ２２を加熱手段４４により加熱し、蒸着材料２１の蒸気を発生させる。そして、ルツボ２２に設けたノズル３４より基板５に向けて放出することで成膜を行う。これらルツボ２２や加熱手段４４や断熱手段４３等はハウジング２７に収納されている。なお、加熱手段４４は、ルツボ内部の蒸着材料を加熱することができれば良いので、ルツボの内部にあっても構わない。以下の実施例２〜３でも同様に加熱手段４４の位置はルツボの内外を問わず設置可能である。
【００３５】
蒸発源４の制御は、蒸発源４内部に熱電対を設け、ルツボ２２やその雰囲気温度を所定の温度になるように加熱手段４４への投入電力を調整するものである。或いは、蒸発源４と基板との間に設けられた空間にレートセンサ２６を設け、このレートセンサ２６への単位時間当たりの蒸着レートが所定の値になるように、加熱手段４４の投入電力を調整してもよい。２５は熱電対である。５０は端子である。
【００３６】
基板５を大形化するには基板５を回転させ、回転軸から蒸発源４をずらした状態で固定するか、基板５又は蒸発源４のいずれかを蒸気噴出方向と垂直方向に移動させる。特に後者の場合はノズル３４を基板の幅方向に整列させ、整列方向と直角方向に基板５又は蒸発源４を移動させれば良い。
【００３７】
連続して基板５に蒸着を行うためには、チャンバ２にゲートバルブ６を設け、処理の終わった基板５を真空が維持された状態のまま別のチャンバ２に移動させ、同じく真空度を保ったまま未処理の基板５を搬入すればよい。  
このようにして蒸着装置及び蒸発源の運用は図られている。本発明の蒸発源４も上記と同じ運用が可能である。
【００３８】
以下、本発明の蒸発源について図１を用いて説明する。  
図１は本発明の実施例に係る蒸発源の基本構成の概略図である。  
なお、本実施例で示す図は全て基板５の成膜面を下に向けて処理する形態の例を示しているが、本発明は成膜面の向きによらず適用可能である。
【００３９】
図１において、蒸発源４は蒸着材料２１を封入し、かつ蒸着材料２１を放出するためのノズル３４を有するルツボ２２と、ルツボ２２の外部にあって、ルツボ２２を加熱するための加熱手段４４、ルツボ２２及び加熱手段４４の周辺に配置した断熱手段４３により構成される。さらに断熱手段４３とルツボ２２又は加熱手段４４との間には冷却手段４５（浮遊蒸着物回収手段）が設けられている。
【００４０】
この冷却手段４５により、蒸発源４内に入射した材料蒸気の粒子をトラップし、選択的に析出させることができる。これにより、周りの部材への析出を最小限に低減させるものである。この冷却手段４５の温度は、蒸着材料が蒸発する温度に比べて十分低い温度、例えば昇華する蒸着材料であれば昇華点以下、蒸発する材料であれば、融点以下の温度に保つことが好ましい。
【００４１】
一方、冷却手段４５を上記の位置に設置する場合、著しくルツボ２２又は加熱手段４４の輻射熱を吸収するため、ルツボ内の蒸着材料の温度が下がり、蒸着自体に支障が生じる。これを防止するため、ルツボ２２及び加熱手段４４が冷却手段４５を直視できないように熱輻射断熱手段４６が設けられている。
【００４２】
この熱輻射断熱手段４６は、冷却手段４５に密着していても密着しなくてもどちらでも構わない。加熱手段４４又はルツボ２２に面する最表面の温度が冷却手段４５の温度よりも十分高く、ルツボ２２内の蒸着材料２１の蒸発に影響を与えなければよい。また、冷却手段４５の一部が断熱手段４３の中に露出している構造であればよい。
【００４３】
図３（Ａ）に抵抗加熱式の加熱手段４４（ヒータ２３）として用いた例を示す。  
図３（Ａ）において、ヒータ２３の発熱体が700℃以下であれば、周囲との絶縁対策が簡便であるためシーズヒータを用いた方が、管理が容易になるので好ましい。700℃を超える場合、特に1000℃以上ではＭｏ，Ｔａ，Ｗなどの金属あるいはその合金のワイヤをセラミックフレームに巻きつけてヒータを構成するとよい。セラミックフレームの材質としては、アルミナ、ＳｉＣ、窒化ホウ素、窒化アルミ等の高い温度で絶縁性に優れた材質が好ましい。ヒータ２３はドーナッツ状に構成しても、上下又左右等には２分割又はそれ以上に分割しても構わない。ルツボ２２及び蒸着材料２１がムラなく加熱できればヒータ２３をどのように構成してもよい。
【００４４】
ヒータ２３の中にルツボ２２が収納されている。図３ではルツボ２２とヒータ２３は非接触としているが、ルツボ２２とヒータ２３の直接又は間接的な接触により短絡、地絡が発生しなければ接触させても構わない。
【００４５】
ルツボ２２の材質としては金属材料としてはＭｏ，Ｔａ，Ｗなどの金属又はそれらを含んだ合金が好ましい。セラミック材料としては、アルミナ、ＳｉＣ、窒化ホウ素、窒化アルミ等が好ましく、その他にカーボングラファイト等の材質も使用可能である。
【００４６】
図３では、図１、図２に示した断熱手段４３に代わるものとして、複数枚の反射板４８をそれぞれ離間させた、いわゆるリフレクタ２４を示している。この反射板４８は７００℃以下ではステンレス材やチタン材が使用可能である。それ以上の温度帯域では、Ａｕ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗなどの金属材料及びその合金、カーボン、アルミナ、ＳｉＣ、ＢＮ、ＡｌＮ等のセラミック材が使用できる。熱輻射を伝搬する赤外線等の電磁波を反射する機能を保てればよい。そのため、赤外線帯域の反射率を向上させるのに、反射板４８の表面を鏡面加工することが好ましく、さらにＡｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌなどの金属をメッキしてもよい。
【００４７】
リフレクタ２４の代わりに熱伝導が小さく耐熱温度の高いセラミック板、あるいはセラミックの繊維で作られたシートを少なくとも１枚以上敷いてもよい。セラミック板を使用する場合は、真空排気を考慮し、気孔率が小さいものを用いるとよい。また、図３に示したリフレクタ２４と断熱材等を併用しても構わない。
【００４８】
図３（Ｂ）はヒータ２３の形状を示したものである。  
図３（Ｂ）において、（１）に示したヒータ２３ａは一体に形成したものであり、（２）に示したヒータ２３ｂは２分割したものである。これらのヒータの使い分けはハウジング２７の大きさや基板５の大きさに合わせて選択することになる。
【００４９】
ここで有機ＥＬデバイス製造のライン構成を図４を用いて簡単に説明する。  
図４は本発明の実施例に係る有機ＥＬデバイス製造装置の概略構成図である。
【００５０】
図４において、本発明の有機ＥＬデバイス製造装置１００はアライメントと蒸着を同一の真空蒸着チャンバ６で行えるように構成されている。有機ＥＬデバイス製造装置１００は中心部に真空搬送ロボット９を持った多角形の真空搬送室７と、その周辺部に放射状に基板ストッカ室８や成膜室である真空蒸着チャンバ６を配置したクラスタ型の有機ＥＬデバイス製造装置１００の構成となっている。各真空蒸着チャンバ６は基板１０を保持する基板保持部１３とマスク１２とを有する。また、真空蒸着チャンバ６及び基板ストッカ室８と真空搬送室７との間には互いの真空を隔離するゲート弁１４が設けられている。１１は蒸着源となる。
【００５１】
このような構成によって、真空搬送ロボット５は基板ストッカ室３から基板を取出し、真空蒸着チャンバ１の基板保持部９に搬入する。そして、真空蒸着チャンバ１では、搬入された基板６を基板旋回手段（図示せず）でマスク８に正対させ、アライメント（基板とマスクの位置合わせをすること）し、蒸着源７を上下させ基板６に蒸着する。蒸着後、基板６を水平状態に戻す。その後、真空搬送ロボット２により基板６を真空蒸着チャンバ１から搬出し、他の真空蒸着チャンバ１に搬入又は基板ストッカ室３に戻す。
【００５２】
このような処理における基板６の搬出入おいて、各真空蒸着チャンバ１の処理に影響を与えないように関連するゲート弁１０が制御される。
【００５３】
以上のごとく、本実施例では冷却手段４５をルツボ２２及びヒータ２３の外部に設けたものであり、かつリフレクタ２４で囲んだ領域の内側に設けたものである。これにより、浮遊する洩れ蒸気を冷却手段４５に集中的に付着させることができるため余分な所への上記付着を防止することができる。
【００５４】
また冷却手段４５に対するヒータ２３からの熱は断熱手段４３によって遮断されるため冷却手段４５が加熱されることはない。したがって、安定した洩れ蒸気の捕集が可能となる。
【実施例２】
【００５５】
図５に冷却手段の詳細を示す。  
図５は本発明の他の実施例に係る蒸発源の冷却手段を示す図である。  
図５において、本実施例では冷却手段４５として、例えばステンレス製のブロック２８とし、リフレクタ２４の外部からクーラント５２（冷却媒体としてオイル又は水等を使用）を循環させる構造としたものである。
【００５６】
つまり、チャンバ２とハウジング２７を貫通する２本のクーラント流通孔５２ａを設け、さらに冷却ブロック２８で２本のクーラント流通孔５２ａが合流するようにＵターン部５２ｂが設けられている。クーラント流通孔５２ａはそれぞれ連続した流通孔となるように配管５１で接続されている。
【００５７】
なお、本実施例ではチャンバ２、ハウジング２７、冷却ブロック２８を貫通するクーラント流通孔５２ａで構成したが、この構成に限定されるものではなくＵ字状の配管で構成しても同じ効果が得られることは言うまでもない。
【００５８】
以上のごとく本実施例によれば、クーラント２５を冷却ブロック２８に循環させることにより冷却ブロック２８は常に低温状態を保持することができるため洩れ蒸気の捕集効果を高めることができる。
【実施例３】
【００５９】
図６は本発明の他の実施例に係る蒸発源の冷却手段を示す図である。
【００６０】
図６において、実施例２では冷却ブロック２８に冷却媒体を循環させる構成としたが本実施例ではリフレクタ２４に穴をあけ、外部のハウジング２７と接続あるいは一体化させたものである。また、ハウジング２７と接続あるいは一体構造にする場合は、ハウジング側のみを水冷してもよい。
【００６１】
つまり、冷却ブロック２８をそのまま使用すると、ルツボ２２又は加熱手段４４（ヒータ２３）の熱輻射を吸収してしまい、蒸発源内の温度を著しく低下させ、蒸着に支障が生じる。このため、図５又は図６に示すように、冷却ブロック２８の内、加熱手段４４又はルツボ２２と対峙する面に、輻射熱遮断手段４６を設けたものである。この輻射熱遮断手段４６はリフレクタ２４又は断熱材等のいずれでも構わない。
【００６２】
冷却ブロック２８の温度は、蒸発源４のリフレクタ２４の内側にある部材のいずれよりも低い温度設定が望ましい。また、蒸着材料２１の蒸発温度よりも十分低い温度、例えば蒸着材料２１が溶融系材料の場合は融点付近、昇華系材料の場合は昇華開始温度以下に設定するのが好ましい。これにより、ノズル近傍から蒸発源４の中に侵入してきた蒸着材料２１の粒子は蒸発源４の構成部材、例えば熱電対やリフレクタ２４をではなく、冷却ブロック２８に集中して析出させることができる。
【００６３】
また、図５又は図６に示すように、冷却ブロック２８に防着板２９を取り付けてもよい。防着板２９は冷却ブロック２８と接触し、熱伝導性の良い材料で作られていることが望ましい。また、防着板２９の外側の面はサンドブラスト等で凹凸を持たせ、付着した蒸着材料が脱落しないようにするとよい。また、防着板２９を容易に着脱できるようにすることで、メンテナンスが容易に行えるようになる。
【００６４】
さて、実施例２ではクーラント流通孔５２ａのＵターン部５２ｂを冷却ブロック２８に設けたが本実施例ではハウジング２７に設けたものである。これにより冷却ブロック２８はハウジング２７を介して間接的に冷却されるため、クーラント流通孔５２ａの加工が比較的簡単に行え、低コスト化を図ることができる。
【００６５】
なお、上述したように本実施例においてもチャンバ２、ハウジング２７を貫通するクーラント流通孔５２ａで構成したが、この構成に限定されるものではなくＵ字状の配管で構成しても同じ効果が得られることは言うまでもない。
【００６６】
以上のごとく本発明によれば、冷却手段を断熱手段で覆われている中に設け、蒸着材料が蒸発する温度に比べ十分に低い温度または、蒸着材料の融点以下になる部分を冷却手段によって局所的に作り出すことにより、ルツボ・加熱手段と断熱手段の間に入り込んだ蒸着材料の粒子を冷却手段４５に集中して析出する。
【００６７】
また、冷却手段の加熱手段又はルツボに面する部分に断熱手段を設けることにより、蒸着プロセスの影響を抑えることが可能となる。
【００６８】
さらに、加熱手段（ヒータ）の端子、熱電対、ルツボや加熱手段を支える構造体への蒸着材料の付着を最小限にし、従来これらの部材への蒸着材料の析出に起因して発生していた膜質の劣化や連続運転又はメンテナンスへの支障を抑えることが可能となる。
【００６９】
また、冷却手段の蒸着材料が析出する部分に取り外し可能で、熱伝導性の良い材質で作られた防着板を取り付けることで、簡単にメンテナンスが行え、性能を維持できるようになる。
【符号の説明】
【００７０】
１…真空蒸着装置、          ２…チャンバ、
３…真空ポンプ、            ４…蒸発源、
５…基板、                  ６…真空蒸発チャンバ、
７…真空搬送室、            ８…基板ストッカー室、
９…真空搬送ロボット、      １０…基板、
１１…蒸発源、              １２…マスク、
１３…基板保持部、          １４…ゲート弁、
２１…蒸発材料、            ２２…ルツボ、
２５…熱電対、              ２４…リフレクタ、
２６…レートセンサ、        ２７…ハウジング、
２８…冷却ブロック、        ３４…ノズル、
４３…断熱手段、            ４４…加熱手段（ヒータ２３）、
４５…冷却手段（浮遊蒸着物回収手段）、
４６…熱輻射断熱手段、      ５０…端子、
５１…水冷配管、            ５２…クーラント、
５２ａ…クーラント流通孔、  ５２ｂ…Ｕターン部、
１００…有機ＥＬデバイス製造装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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