(57)【要約】【課題】転動自在な複数の球体によってウエハを支持する載置台を製造する際の手間や製造コストを大幅に低減し，製造時間も大幅に短縮する。【解決手段】表面全体に被膜を形成した複数の被膜付球体を，ベース基板上の所望の位置に位置決めする工程と（Ｓ１００），ベース基板上に少なくとも被膜付球体の全体が埋没されるように支持体を形成する工程と（Ｓ２００），被膜を残して支持体の上面のみを選択的にエッチングすることによって，支持体を被膜付球体の一部が現れる程度の厚みに調整する工程と（Ｓ３００），支持体を残したまま球体の被膜のみを溶剤によって除去する工程と（Ｓ４００），を実行することによって，各々の球体をその頂部が支持体の表面から突出するように転動自在に保持する保持部を形成する。【選択図】    図４
2013157508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転動自在な複数の球体によって板状の被処理体を支持する載置台の製造方法であって，
複数の前記球体の表面全体に被膜を形成した複数の被膜付球体を，ベース基板上の所望の位置に位置決めする位置決め工程と，
前記ベース基板上に少なくとも前記被膜付球体の全体が埋没されるように支持体を形成する支持体形成工程と，
前記被膜を残して前記支持体の上面のみを選択的にエッチングすることによって，前記支持体を前記被膜付球体の一部が現れる程度の厚みに調整する支持体厚み調整工程と，
前記支持体を残したまま前記被膜付球体の被膜のみを溶剤によって除去する被膜除去工程と，
を実行することによって，各々の前記球体をその頂部が前記支持体の表面から突出するように転動自在に保持する保持部を形成することを特徴とする載置台製造方法。
【請求項２】
前記支持体厚み調整工程では，前記エッチング前に，前記支持体の上面を平坦化する平坦化処理を施しておくことを特徴とする請求項１に記載の載置台製造方法。
【請求項３】
前記位置決め工程は，前記ベース基板上の所望の位置にそれぞれ接着剤を滴下する工程と，前記複数の被膜付球体を，前記ベース基板上の前記接着剤を滴下した各位置に配置して接着することによって位置決めする工程と，を有し，
前記被膜除去工程は，前記溶剤によって前記被膜付球体の被膜を除去するとともに，前記接着剤も除去することによって前記球体を転動自在にすることを特徴とする請求項１又は２に記載の載置台製造方法。
【請求項４】
前記被膜付球体の被膜は樹脂系材料であり，前記溶剤は前記被膜を構成する樹脂系材料を溶解する有機溶剤であり，前記支持体はその溶剤では溶解しないシリケート系材料であることを特徴とする請求項３に記載の載置台製造方法。
【請求項５】
前記位置決め工程では，前記ベース基板の下側に前記被膜付球体を位置決めするための磁石を取り付ける工程と，前記磁石と引き合う磁石あるいは磁性体からなる芯材を中心に備えた前記被膜付球体を，前記磁石の磁力によって位置決めする工程と，を有し，
前記被膜除去工程は，前記溶剤によって前記被膜付球体の被膜を除去した後に，前記磁石をベース基板から取り外すことによって前記球体を転動自在にすることを特徴とする請求項１又は２に記載の載置台製造方法。
【請求項６】
前記被膜付球体の被膜は金属系材料であり，前記溶剤は前記被膜を構成する金属系材料を溶解する金属溶剤であり，前記支持体はその溶剤では溶解しないエポキシ系樹脂であることを特徴とする請求項５に記載の載置台製造方法。
【請求項７】
前記支持体厚み調整工程にて調整する前記支持体の厚みは，前記被膜除去工程において前記被膜付球体から前記被膜を除去したときに，前記支持体上面に形成される開口から前記球体が抜けず，かつ前記球体の頂部が上面より突出するという条件を満たすことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の載置台製造方法。
【請求項８】
前記被膜の厚みは，前記球体の半径の２５％未満であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の載置台製造方法。
【請求項９】
真空チャンバにゲートバルブを介して接続されたロードロックチャンバであって，
真空引きと大気圧復帰を選択的に実行可能に構成された容器と，
前記容器内に設けられた載置台と，を備え，
前記載置台は，複数の球体の表面全体に被膜を形成した複数の被膜付球体を，ベース基板上の所望の位置に位置決めする位置決め工程と，前記ベース基板上に少なくとも前記被膜付球体の全体が埋没されるように支持体を形成する支持体形成工程と，前記被膜を残して前記支持体の上面のみを選択的にエッチングすることによって，前記支持体を前記被膜付球体の一部が現れる程度の厚みに調整する支持体厚み調整工程と，前記支持体を残したまま前記被膜付球体の被膜のみを溶剤によって除去する被膜除去工程と，を実行することによって，前記被膜が除去された各々の前記球体をその頂部が前記支持体の表面から突出しながら転動自在に保持するように成形された保持部と，を備えたことを特徴とするロードロックチャンバ。
【請求項１０】
被処理体に所定の処理を施す基板処理装置であって，
前記被処理体を処理する処理容器と，
前記容器内に設けられた載置台と，を備え，
前記載置台は，複数の球体の表面全体に被膜を形成した複数の被膜付球体を，ベース基板上の所望の位置に位置決めする位置決め工程と，前記ベース基板上に少なくとも前記被膜付球体の全体が埋没されるように支持体を形成する支持体形成工程と，前記被膜を残して前記支持体の上面のみを選択的にエッチングすることによって，前記支持体を前記被膜付球体の一部が現れる程度の厚みに調整する支持体厚み調整工程と，前記支持体を残したまま前記被膜付球体の被膜のみを溶剤によって除去する被膜除去工程と，を実行することによって前記被膜が除去された各々の前記球体をその頂部が前記支持体の表面から突出しながら転動自在に保持するように成形された保持部と，を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，半導体ウエハ，フラットパネルディスプレイ用基板（ＦＰＤ用基板），太陽電池用基板などの板状の被処理体を，転動自在な球体で支持する支持体を備えた載置台の製造方法，ロードロックチャンバ，基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ（以下「ウエハ」と称する。）などの被処理体に対してエッチングや成膜など所定のプロセス処理を真空雰囲気で行うプロセスチャンバを備えた基板処理装置では，真空圧力と大気圧力の圧力調整を行いながらウエハの搬出入を行うロードロックチャンバが設けられている。このような基板処理装置では，例えばプロセスチャンバ内にて数百℃程度の高温で加熱処理が行わることがある。加熱処理が行われたウエハは，ロードロックチャンバに設けられた載置台上にて１００℃程度まで冷却される。
【０００３】
このため，このようなロードロックチャンバ内の載置台は，ヒートショックによってウエハが損傷しないように，ウエハを載置台の上面に直接載置しなくて済むように構成されている。この場合，ウエハ裏面をピンで持ち上げて支持するものもあるが，このようなものでは，ウエハの熱収縮が大きいほど，ウエハ裏面とピンの先端が擦れてウエハ裏面にスクラッチや傷などが発生するおそれがある。
【０００４】
また，プロセスチャンバ内に配置された載置台にウエハを載置する場合も，ウエハ裏面をピンや載置台上の複数の突起（例えばエンボス）で持ち上げて支持する場合には，ウエハに対して加熱処理を行うときにウエハの熱収縮や熱膨張によって，ウエハ裏面とピンや載置台上の複数の突起の先端が擦れて，ウエハ裏面にスクラッチや傷などが発生するおそれがある。
【０００５】
このようにウエハ裏面にスクラッチや傷などが付くことを防止するために，複数の球体を転動自在に保持する保持部を載置台の上面に形成し，これらの球体の頂部でウエハ裏面を支持するものも開発されている（下記特許文献１参照）。これによれば，ウエハに熱伸縮が発生した場合でも，球体は擦れることなく転動するので，ウエハ裏面にスクラッチや傷などが発生するのを抑えることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１６６１０７号公報
【特許文献２】特開昭６３−１５８３２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら，特許文献１のように載置台上に複数の球体を転動自在に保持する保持部を製造ためには，各球体を配置する凹部を形成するためにそれぞれザグリ加工や穴空け加工を行ったり，各球体を凹部の中央に寄せたり，各球体が凹部から飛び出さないようにしたりする機構を設けるといったことが必要である。そのため，球体の数が多いほど非常に手間と時間がかかるとともに製造コストもかかる。しかも，各球体の突出量などの寸法精度を高めようとするほど，製造の手間とコストが増大する。
【０００８】
なお，特許文献２には，回転体の表面に形成されていたコーティング皮膜を溶剤で除去することで，それによって形成された微少空間を備えた支持体を構成するものが記載されている。ところが，特許文献２では，金型に回転体を配置し，加熱溶解した合成樹脂を射出することによって支持体を成形している。
【０００９】
このように金型に回転体を配置するようにしたのでは，金型自体に回転体を固定する部位を設けて位置決めしなければならない。このため，もし上述した載置台上に設ける球体のように複数の回転体を配置しようとすれば，その配置パターンを変えたいときでも，そのパターンの数だけ金型を作成しなければならないなど，製造の手間やコストがかかる。しかも，もし球体の支持体を金型で成形するだけでは，載置台の上面から突出させる球体の突出量などの微調整が非常に困難であり，各球体間でばらつきが発生する可能性も高い。各球体間で突出量のばらつきが生じるとそれによって支持されるウエハが傾いてしまうなどの不具合が発生する。
【００１０】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，製造の手間や製造コストを大幅に低減することができ，製造時間も大幅に短縮できる載置台の製造方法等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，転動自在な複数の球体によって板状の被処理体を支持する載置台の製造方法であって，複数の前記球体の表面全体に被膜を形成した複数の被膜付球体を，ベース基板上の所望の位置に位置決めする位置決め工程と，前記ベース基板上に少なくとも前記被膜付球体の全体が埋没されるように支持体を形成する支持体形成工程と，前記被膜を残して前記支持体の上面のみを選択的にエッチングすることによって，前記支持体を前記被膜付球体の一部が現れる程度の厚みに調整する支持体厚み調整工程と，前記支持体を残したまま前記被膜付球体の被膜のみを溶剤によって除去する被膜除去工程と，を実行することによって，各々の前記球体をその頂部が前記支持体の表面から突出するように転動自在に保持する保持部を形成することを特徴とする載置台製造方法が提供される。
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，真空チャンバにゲートバルブを介して接続されたロードロックチャンバであって，真空引きと大気圧復帰を選択的に実行可能に構成された容器と，前記容器内に設けられた載置台と，を備え，前記載置台は，複数の球体の表面全体に被膜を形成した複数の被膜付球体を，ベース基板上の所望の位置に位置決めする位置決め工程と，前記ベース基板上に少なくとも前記被膜付球体の全体が埋没されるように支持体を形成する支持体形成工程と，前記被膜を残して前記支持体の上面のみを選択的にエッチングすることによって，前記支持体を前記被膜付球体の一部が現れる程度の厚みに調整する支持体厚み調整工程と，前記支持体を残したまま前記被膜付球体の被膜のみを溶剤によって除去する被膜除去工程と，を実行することによって，前記被膜が除去された各々の前記球体をその頂部が前記支持体の表面から突出しながら転動自在に保持するように成形された保持部と，を備えたことを特徴とするロードロックチャンバが提供される。
【００１３】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理体に所定の処理を施す基板処理装置であって，前記被処理体を処理する処理容器と，前記容器内に設けられた載置台と，を備え，前記載置台は，複数の球体の表面全体に被膜を形成した複数の被膜付球体を，ベース基板上の所望の位置に位置決めする位置決め工程と，前記ベース基板上に少なくとも前記被膜付球体の全体が埋没されるように支持体を形成する支持体形成工程と，前記被膜を残して前記支持体の上面のみを選択的にエッチングすることによって，前記支持体を前記被膜付球体の一部が現れる程度の厚みに調整する支持体厚み調整工程と，前記支持体を残したまま前記被膜付球体の被膜のみを溶剤によって除去する被膜除去工程と，を実行することによって前記被膜が除去された各々の前記球体をその頂部が前記支持体の表面から突出しながら転動自在に保持するように成形された保持部と，を備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１４】
なお，上記支持体厚み調整工程では，前記エッチング前に，前記支持体の上面を平坦化する平坦化処理を施しておくことが好ましい。また，上記位置決め工程は，前記ベース基板上の所望の位置にそれぞれ接着剤を滴下する工程と，前記複数の被膜付球体を，前記ベース基板上の前記接着剤を滴下した各位置に配置して接着することによって位置決めする工程と，を有し，前記被膜除去工程は，前記溶剤によって前記被膜付球体の被膜を除去するとともに，前記接着剤も除去することによって前記球体を転動自在にするようにしてもよい。
【００１５】
この場合，例えば前記球体の被膜は樹脂系材料であり，前記溶剤は前記被膜を構成する樹脂系材料を溶解する有機溶剤であり，前記支持体はその溶剤では溶解しないシリケート系材料である。
【００１６】
また，上記位置決め工程では，前記ベース基板の下側に前記被膜付球体を位置決めするための磁石を取り付ける工程と，前記磁石と引き合う磁石あるいは磁性体からなる芯材を中心に備えた前記被膜付球体を，前記磁石の磁力によって位置決めする工程と，を有し，前記被膜除去工程は，前記溶剤によって前記被膜付球体の被膜を除去した後に，前記磁石をベース基板から取り外すことによって前記球体を転動自在にするようにしてもよい。
【００１７】
この場合，例えば前記球体の被膜は金属系材料であり，前記溶剤は前記被膜を構成する金属系材料を溶解する金属溶剤であり，前記支持体はその溶剤では溶解しないエポキシ系樹脂である。
【００１８】
また，上記支持体厚み調整工程にて調整する前記支持体の厚みは，前記被膜除去工程において前記球体から前記被膜を除去したときに，前記支持体上面に形成される開口から前記球体が抜けず，かつ前記球体の頂部が上面より突出するという条件を満たすことが好ましい。この場合，前記被膜の厚みは，前記球体の半径の２５％未満であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば，複数の球体を所望の位置に位置決めすることができ，しかもすべての球体について寸法精度のばらつきのない保持部を同時に形成することができる。これにより，製造の手間や製造コストを大幅に低減することができ，製造時間も大幅に短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す断面図である。
【図２】図１に示すロードロックチャンバ内の載置台の構成例を示す断面図である。
【図３】図２に示す載置台の上面図である。
【図４】同実施形態における載置台製造方法を示すフローチャートである。
【図５Ａ】同実施形態における載置台製造方法を説明するための図であって，図４に示す球体の位置決め工程を説明するための工程図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く工程図であって，図４に示す球体の位置決め工程を説明するための図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く工程図であって，図４に示す支持体形成工程を説明するための図である。
【図５Ｄ】図５Ｃに続く工程図であって，図４に示す支持体厚み調整工程を説明するための図である。
【図５Ｅ】図５Ｄに続く工程図であって，図４に示す球体の被膜除去工程を説明するための図である。
【図６】所定の条件を満たすための球体の半径ｒと支持体の厚みＴと被膜の厚みｔとの関係をグラフに示した図である。
【図７Ａ】本実施形態における載置台製造方法の他の具体例を説明するための図であって，図４に示す球体の位置決め工程を説明するための工程図である。
【図７Ｂ】図７Ａに続く工程図であって，図４に示す球体の位置決め工程を説明するための図である。
【図７Ｃ】図７Ｂに続く工程図であって，図４に示す支持体形成工程を説明するための図である。
【図７Ｄ】図７Ｃに続く工程図であって，図４に示す支持体厚み調整工程を説明するための図である。
【図７Ｅ】図７Ｄに続く工程図であって，図４に示す球体の被膜除去工程を説明するための図である。
【図７Ｆ】図７Ｅに続く工程図であって，図４に示す球体の被膜除去工程を説明するための図である。
【図８】同実施形態における載置台製造方法によって製造された載置台の他の構成例を示す断面図である。
【図９】図８に示す載置台の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２２】
（基板処理装置の構成例）
先ず，本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例について図面を参照しながら説明する。図１は，本実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す断面図である。図１に示す基板処理装置１００は，板状の被処理体例えばウエハＷに対して所定のプロセス処理（例えば成膜処理，エッチング処理など）を行う複数（例えば４つ）のプロセスチャンバ１０２Ａ〜１０２Ｄをトランスファチャンバ（共通搬送室）１５０の周りにゲートバルブ１０４Ａ〜１０４Ｄを介して接続してなるプロセスモジュール（真空処理ユニット）１１０と，このプロセスモジュール１１０に対してウエハＷをロード又はアンロードするローダモジュール（搬送ユニット）１２０とを備える。
【００２３】
各プロセスチャンバ１０２Ａ〜１０２Ｄは真空引き可能に構成された処理容器内に，ウエハＷを載置する載置台１０６Ａ〜１０６Ｄが設けられている。なお，プロセスチャンバの数は，図１に示す場合に限られるものではない。
【００２４】
各プロセスチャンバ１０２Ａ〜１０２Ｄとトランスファチャンバ１５０はその内部を所定の真空圧力に減圧できるように構成されており，ローダモジュール１２０は大気圧雰囲気のローダチャンバ１３０により構成されている。
【００２５】
トランスファチャンバ１５０には，真空雰囲気のプロセスモジュール１１０と大気圧雰囲気のローダモジュール１２０との間の圧力調整を行う２つのロードロックチャンバ１４０がそれぞれゲートバルブ１４２を介して接続されている。各ロードロックチャンバ１４０はそれぞれ，ローダチャンバ１３０にゲートバルブ１４４を介して接続されている。
【００２６】
これらロードロックチャンバ１４０はそれぞれ，少なくとも真空ポンプなどが接続された排気部と，開閉バルブを介して大気と連通する大気復帰通路が設けられ，真空引きと大気圧復帰を可能とした容器内に，ウエハＷを載置する載置台２００を設けて構成される。本実施形態における載置台２００は，ウエハＷが熱伸縮してもそのウエハＷの裏面にスクラッチやキズが付かないように，ウエハＷを転動自在な球体で支持する支持体を備えている。このような載置台２００の具体的な構成は後述する。
【００２７】
トランスファチャンバ１５０内には，ウエハＷを搬送するトランスファアーム機構１６０が設けられている。トランスファアーム機構１６０は旋回及び伸縮自在な２つのトランスファアーム１６２を備え，処理済ウエハＷと処理前ウエハＷを交換するように搬出入することができる。このようなトランスファアーム機構１６０によって，各ロードロックチャンバ１４０及びプロセスチャンバ１０２Ａ〜１０２Ｄに対してウエハＷを搬出入する。
【００２８】
ローダチャンバ１３０には，複数（例えば２５枚）のウエハＷが収容されたカセット容器１２２Ａ〜１２２Ｃをセットする複数のカセット台１２４Ａ〜１２４Ｃと，ウエハＷの位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１２６が設けられている。
【００２９】
ローダチャンバ１３０内には，ウエハＷを搬送するローダアーム機構１３２が設けられている。ローダアーム機構１３２は，旋回及び伸縮自在な２つのローダアーム１３４を備え，処理済ウエハＷと処理前ウエハＷを交換するように搬出入することができる。また，ローダアーム機構１３２は，ローダチャンバ１３０内を水平移動できるように構成されている。このようなローダアーム機構１３２によって，各カセット容器１２２Ａ〜１２２Ｃとの間でウエハＷを搬出入するとともに，オリエンタ１２６及び各ロードロックチャンバ１４０との間でウエハＷを搬出入する。
【００３０】
基板処理装置１００には，制御部（全体制御装置）１７０が接続されており，この制御部１７０によって各プロセスチャンバ１０２Ａ〜１０２Ｄ，トランスファチャンバ１５０，各ロードロックチャンバ１４０，ローダチャンバ１３０，各ゲートバルブ１０４Ａ〜１０４Ｄ，１４２，１４４などが制御されるようになっている。
【００３１】
さらに，制御部１７０には，基板処理装置１００で実行される各種処理（ウエハＷに対する成膜処理などのプロセス処理，ウエハＷの搬送制御など）を制御部１７０の制御にて実現するためのプログラムやプログラムを実行するために必要な処理条件（レシピ）などが記憶された図示しない記憶部が接続されている。
【００３２】
これらのプログラムや処理条件はハードディスクや半導体メモリに記憶されていてもよく，またＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で記憶部の所定位置にセットするようになっていてもよい。制御部１７０は，所望のプログラム，処理条件を上記記憶部から読み出して各部を制御することで，基板処理装置１００での所望の処理を実行する。
【００３３】
（載置台の構成例）
次に，ロードロックチャンバ１４０内の載置台２００の構成例について図面を参照しながら説明する。図２は，載置台２００の概略構成を示す断面図である。図３は，載置台２００を上方から見た平面図である。この載置台２００は，本実施形態にかかる後述の製造方法によって製造されたものである。
【００３４】
図２に示す載置台２００は，ウエハＷが熱伸縮してもそのウエハＷの裏面にスクラッチやキズが付かないように，ウエハＷを転動自在な球体２４０で支持する略円板状の支持体２３０を備えている。支持体２３０は略円板状のベース基板２２０の上面に設けられている。
【００３５】
ベース基板２２０の下面は支柱２１０によって支持され，支柱２１０はロードロックチャンバ１４０の底部に取り付けられている。ベース基板２２０には，ウエハＷの温度を調整するための温度調整機構２２２が内蔵されている。温度調整機構２２２は例えばベース基板２２０内に形成された循環路内に温調媒体を循環させて温度を調整するようになっている。温調媒体としては，所定温度に冷却あるいは加熱された流体（例えばブライン）が用いられる。
【００３６】
なお，温度調整機構２２２としては，上記に限られるものではなく，例えば冷却器やヒータなどであってもよい。また，ウエハＷの冷却と加熱とを選択的にできるようにする場合には，ベース基板２２０内にペルチェ素子のような熱電変換素子を設け，これに流れる電流の方向を必要に応じて切り替えることによって加熱と冷却とを選択的に行うようにしてもよい。
【００３７】
支持体２３０には，複数の球体２４０が転動自在に保持されている。具体的には，各球体２４０は，支持体２３０に形成された凹部状の保持部２３２に収容され保持されている。保持部２３２は，球体２４０との間に隙間ができる程度の大きさで，球体２４０と相似形の球状空間２３４とこれによって支持体２３０の上面に形成される開口２３６からなる。この開口２３６から球体２４０の頂部が突出し，球体２４０でウエハＷを支持できるようになっている。また，この開口２３６の直径は，少なくとも球体２４０の直径より小さくなるように形成されている。これにより，開口２３６から球体２４０が飛び出してしまうことはなく，確実に保持することができる。
【００３８】
なお，このような球体２４０は，例えば図３に示すように，載置台２００の内周部に１２０度間隔で３個設けられ，それよりも外側の外周部に６０度間隔で６個設けられ，全体で９個設けられる。球体２４０の直径は，例えば数ｍｍ〜十数ｍｍである。なお，球体２４０の直径はこれに限られず，これより大きくてもよく，また１ｍｍ以下であってもよい。また，球体２４０の数や配置もこれに限られるものではない。
【００３９】
このような載置台２００によれば，ウエハＷを載置台２００上，すなわち支持体２３０上に載置すると，ウエハＷは支持体２３０の上面から突出した球体２４０によって支持される。このとき，各球体２４０は転動自在であるため，ウエハＷが熱伸縮しても，球体２４０が転がることでウエハＷの熱伸縮量を吸収できるので，ウエハＷの裏面にスクラッチやキズが付くことを防止できる。
【００４０】
なお，図２に示すように，載置台２００は，支持体２３０からウエハＷを持ち上げて脱離させる複数のリフトピン２２６を設けてもよい。図２に示すリフトピン２２６は，ベース基板２２０と支持体２３０とを貫通する貫通孔２２４に挿入され，図示しない昇降駆動部によって昇降するようになっている。ここでは図３に示すようにリフトピン２２６を３つ設けた場合を例示しているが，リフトピンの数はこれに限られるものではない。
【００４１】
ところで，本実施形態にかかる載置台２００のように，複数の球体２４０を転動自在に保持する保持部２３２を製造するのに，もし保持部２３２を１つずつ製造すると，球体２４０の数が多いほど非常に手間と時間がかかるとともに製造コストも増大する。しかも，各球体２４０の突出量は僅かであり，これらの寸法にばらつきなく，精度よく製造するのは非常に困難である。
【００４２】
そこで，本実施形態では，例えば図４に示すようなステップＳ１００〜Ｓ４００を実行することによって，載置台２００に各球体２４０の頂部が支持体２３０の表面から突出するように転動自在に保持する保持部２３２を一度に複数形成するようにしたものである。
【００４３】
具体的には，ステップＳ１００にて表面全体に被膜を形成した複数の被覆付球体２４０をベース基板２２０上の所望の位置に位置決めする位置決め工程を行った上で，ステップＳ２００にてベース基板２２０上に少なくとも被覆付球体２４０の全体が埋没されるように支持体２３０を形成する支持体形成工程を実行し，続いてステップＳ３００にて被膜を残して支持体２３０の上面のみを選択的にエッチングすることによって，支持体２３０を被覆付球体２４０の一部が現れる程度の厚みに調整する支持体厚み調整工程を実行し，最後にステップＳ４００にて支持体２３０を残したまま被覆付球体２４０の被膜２４２を溶剤によって除去する被膜除去工程を実行する。
【００４４】
これによって，複数の球体２４０の保持部２３２のすべてを同時に製造することができるので，製造の手間を大幅に低減することができ，さらに各球体２４０の突出量など各部の寸法のばらつきも抑えることができ，各部の寸法精度を向上させることができる。
【００４５】
（載置台製造方法の具体例）
以下，本実施形態にかかる載置台製造方法について，図４に示す各工程の具体例を挙げて図面を参照しながらより詳細に説明する。図５Ａ〜図５Ｅは，載置台製造方法の各工程を説明するための断面図である。
【００４６】
（位置決め工程）
ステップＳ１００における位置決め工程では，表面全体に被膜を形成した複数の被膜付球体２４０を載置台２００のベース基板２２０上の所望の位置に位置決めする。ここでは，図５Ａに示すように，ベース基板２２０上に接着剤２５０を滴下して位置決め固定する場合を例に挙げて説明する。
【００４７】
具体的には，先ず図５Ａに示すように，ベース基板２２０上の所望の位置，すなわち前記各被覆付球体を配置したい位置にそれぞれ接着剤２５０を滴下する。このとき，接着剤２５０はその所望の位置ごとに滴下してもよく，また接着剤用治具を用いて所望の位置に一斉に滴下するようにしてもよい。
【００４８】
このような接着剤用治具としては，例えばベース基板２２０とほぼ同径の板状基体に接着剤２５０のノズルを複数設けたものを用いることができる。この場合，各保持部２３２を形成したい位置に各ノズルを配置する。そして，ベース基板２２０の上方に治具を配置して，各ノズルから接着剤２５０を一斉に滴下する。これにより，所望の各位置に接着剤２５０を一度に滴下できる。
【００４９】
次に，図５Ｂに示すような所定の厚みの被膜２４２で表面全体が覆われた複数の被膜付球体２４０を用意し，これを接着剤２５０の上に配置して接着することによって，一時的に位置決め固定する。これにより，各被膜付球体２４０は被覆されたままベース基板２２０上の所望の位置に位置決め固定される。この場合，被膜付球体２４０を一つずつ各接着剤２５０上に位置決めするようにしてもよく，また球体配置用治具を用いて各接着剤２５０上に一斉に位置決めするようにしてもよい。
【００５０】
このような球体配置用治具としては，例えばベース基板２２０とほぼ同径の板状基体に各被膜付球体２４０がそれぞれ通過する程度の貫通孔を設けたものを用いることができる。この場合，接着剤２５０を滴下した位置と同じ位置にそれぞれ孔を形成する。そして，ベース基板２２０の上側に治具を配置して，各貫通孔に被膜付球体２４０を挿入する。これにより，各被膜付球体２４０を各接着剤２５０の位置に一斉に位置決め固定することができ，各被膜付球体２４０を接着剤２５０の上に確実に載せることができる。
【００５１】
上記ベース基板２２０はアルミニウム合金やニッケル合金などの金属，あるいは窒化アルミニウムやアルミナ等のセラミック材料により構成される。球体２４０は，ベース基板２２０と同じ材質にしてもよく，異なる材質にしてもよい。具体的な球体２４０の材料としては，耐熱性の材料，例えば石英，窒化アルミニウム等のセラミック材料を用いることができ，金属汚染の恐れが少ない場合には，ニッケルやチタン等の金属も用いることができる。また，接着剤２５０としては，例えばエポキシ系接着剤を用いることができる。
【００５２】
上記被膜付球体２４０の被膜２４２は，ステップＳ３００の支持体厚み調整工程において支持体２３０をエッチングするときにはエッチングされず，かつステップＳ４００の被膜除去工程で用いられる溶剤で除去可能な材質のものが用いられる。例えばアセトンなどの有機溶剤を用いる場合は，被膜２４２として，ポリスチレン，塩化ビニル樹脂，メタクリル（アクリル）などの樹脂材料を用いることができる。また塩酸などの金属溶剤を用いる場合は，被膜２４２としてジルコニア，窒化ケイ素などのセラミック材料を用いることができる。
【００５３】
（支持体形成工程）
ステップＳ２００における支持体形成工程では，図５Ｃに示すように，ベース基板２２０上に少なくとも被膜付球体２４０の全体が埋没されるように支持体２３０を形成する。この支持体２３０は，後に実行される被膜除去工程で用いられる溶剤（ここではアセトンなどの有機溶剤）によっても溶解しない材質であることが必要である。例えばシリケートガラスなどのシリケート系熱硬化材料を用いることができる。
【００５４】
支持体２３０としてシリケートガラスを用いる場合は，例えばベース基板２２０の周りを筒状治具で覆い，シリケートガラスをすべての被膜付球体２４０が埋没する程度にベース基板２２０に流し込み，それを熱硬化させることによってベース基板２２０の上面を支持体２３０でコーティングする。
【００５５】
なお，支持体２３０の材質は，被膜除去工程で用いられる溶剤で溶解せず，エッチングで厚みを調整できるものであれば，上述の熱硬化材料に限られるものではない。アセトンなどの有機溶剤であれば，これに溶解しない支持体２３０の材質として，例えばポリアミドやフッ素樹脂（例えばＰＣＴＦＥやＥＴＦＥなど）を用いることもできる。
【００５６】
（支持体厚み調整工程）
ステップＳ３００における支持体厚み調整工程では，図５Ｄに示すように，被膜２４２を残して支持体２３０の上面のみを選択的にエッチングすることによって，支持体２３０を被覆付球体２４０の一部が現れる程度の厚みに調整する。これにより，支持体２３０の上面に開口２３６（図５Ｅ参照）が形成される。
【００５７】
この場合，支持体２３０のエッチングに先立って，支持体２３０の上面を平坦化するようにしてもよい。支持体２３０の上面を平坦化するのは，上述したシリケートガラスなど支持体２３０の材質によっては，上記支持体形成工程で支持体２３０を形成したときに，その上面が被膜付球体２４０の部分だけ盛り上がってしまう可能性があるからである。この場合の平坦化処理としては，機械研磨による処理が挙げられる。
【００５８】
本工程におけるエッチングでは，被膜付球体２４０の被膜２４２を残したまま，支持体２３０の上面のみを選択的にエッチングする。このようなエッチングとしては，所定のガスプラズマ（例えばＣ４Ｈ８などのフルオロカーボン系ガスのプラズマ）によるドライエッチング，エッチング液（ＨＦ液）によるウエットエッチングが挙げられる。
【００５９】
支持体２３０の厚みは，被膜除去工程において被膜付球体２４０から被膜２４２を除去したときに，支持体２３０上面に形成される開口２３６（図５Ｅ参照）から球体２４０が抜けず，かつ球体２４０の頂部が上面より突出するという条件を満たす程度に調整する。
【００６０】
このような支持体２３０の厚みの調整量は，被膜付球体２４０の被膜２４２の厚みによって決まる。言い換えれば，被膜２４２の厚みが上記条件を満たす範囲を算出することで，必要な支持体２３０の厚みの調整量を決めることができる。
【００６１】
そこで，上記条件を満たす被膜２４２の厚みｔの算出方法について説明する。ここでは，図５Ｄに示すように，球体２４０の半径をｒ，支持体２３０の調整後の厚みをＴとすると，球体２４０の中心と開口２３６の端部との距離ａ，球体２４０の中心と開口２３６の中心との距離をｂ，開口２３６の半径をｃとする。これらａ，ｂ，ｃはそれぞれ図５Ｄに示す三角形の各辺に相当するので，下記（１）式で表すことができる。
【００６２】
ｃ２＝ａ２−ｂ２＝（ｒ＋ｔ）２−（Ｔ−（ｒ＋ｔ））２    ・・・（１）
【００６３】
このとき，支持体２３０上面に形成される開口２３６（図５Ｅ参照）から球体２４０が抜けず，かつ球体２４０の頂部が上面より突出するという条件を満たすためには，球体２４０の半径ｒと開口２３６の半径ｃとの間に下記（２）式の条件が必要である。
【００６４】
ｃ＜ｒ    ・・・（２）
【００６５】
従って，この上記（２）式のｃとｒとをそれぞれ２乗して，上記（１）式を代入して整理すると，下記（３）式が得られ，これが上記条件を満たすための被膜２４２の厚みｔになる。
【００６６】
ｔ＜（Ｔ−ｒ）２／２Ｔ    ・・・（３）
【００６７】
この計算結果によれば，被膜２４２の厚みｔの範囲は，少なくともｒ＜Ｔ＜２ｒの範囲で考える必要があり，支持体２３０の調整後の厚みＴが球体２４０の半径ｒに近いほどゼロに近づき，球体２４０の直径２ｒに近いほど厚くできることが分かる。
【００６８】
ところが，支持体２３０の厚みＴが球体２４０の直径２ｒに近いほど，球体２４０の頂部が上面より突出する高さも小さくなりすぎてしまう。従って，球体２４０の頂部が支持体２３０の上面より突出する高さを所定量確保した上で，被膜２４２の厚みｔを厚くすることが好ましい。
【００６９】
そこで，このような被膜２４２の厚みｔの上限について検討する。被膜２４２の厚みｔは，厚みＴが球体２４０の直径２ｒに近づいた場合に最大となることから，上記（３）式にＴ＝２ｒを代入して得られるｔの値が上限となる。つまりｔ＜０.２５ｒとなり，被膜２４２の厚みｔは，最大でも球体２４０の半径ｒの２５％以上にはならず，２５％未満となる。
【００７０】
図６に上記（３）式を満たすための球体２４０の半径ｒと支持体２３０の厚みＴと被膜２４２の厚みｔとの関係を示す。基本的に球体２４０の半径ｒと支持体２３０の厚みＴの間には，ｒ＜Ｔ＜２ｒの関係があるため，上記（３）式を満たす球体２４０の半径ｒと支持体２３０の厚みＴは，直線Ｔ＝ｒと直線Ｔ＝２ｒとの間の範囲内でなければならない。
【００７１】
つまり，被膜の厚みｔがゼロに近い場合でも，上記（３）式を満たす球体２４０の半径ｒと支持体２３０の厚みＴは，ほぼ直線Ｔ＝ｒとＴ＝２ｒとの間の範囲になければならず，被膜の厚みｔが大きくなればなるほど，上記（３）式を満たす球体２４０の半径ｒと支持体２３０の厚みＴの範囲は狭くなる。すなわち被膜２４２の厚みｔによって，Ｔとｒが上記(３)式を満たす範囲も変わる。
【００７２】
仮に，被膜２４２の厚みｔを０．２以上（ここでは０．２〜０．６）にする場合では，上記（３）式を満たす球体２４０の半径ｒと支持体２３０の厚みＴは，直線Ｕ２とＴ＝２ｒとの間の範囲（濃くハッチングした部分と薄くハッチングした部分）上の値に制限される。また，被膜２４２の厚みｔを０．４以上（ここでは０．４〜０．６）にする場合では，上記（３）式を満たす球体２４０の半径ｒと支持体２３０の厚みＴは，直線Ｕ１とＴ＝２ｒとの間の範囲（濃くハッチングした部分）上の値に制限される。
【００７３】
例えば図６の各数値の単位をｍｍとすると，被膜２４２の厚みｔを０．４ｍｍ以上にするには，球体２４０の半径ｒは１．６ｍｍより大きくなければないことが，図６から分かる。また，被膜２４２の厚みｔを０．２ｍｍ以上にするには，球体２４０の半径ｒは０．８ｍｍより大きくなければならないことが，図６から分かる。
【００７４】
つまり，ｒ＝１.６ｍｍの球体２４０で上記（３）式を満たす被膜２４２の厚みｔは最大でも０.４ｍｍ未満となり，ｒ＝０.８ｍｍの球体２４０で上記（３）式を満たす被膜の厚みｔは最大でも０.２ｍｍ未満となることが図６から分かる。
【００７５】
（被膜除去工程）
ステップＳ４００における被膜除去工程では，支持体２３０を残したまま被膜付球体２４０の被膜２４２を溶剤で除去する。これにより，球体２４０の固定は解除されて転動自在になり，図５Ｅに示すように球体２４０を転動自在に保持する保持部２３２が形成される。具体的には，球体２４０を収容し，その直径よりも被膜２４２の厚み分だけ大きな内径の孔が形成されるとともに，その球体２４０の頂部が支持体２３０の上面から突き出し，かつ球体２４０が抜け出ないように球体２４０の直径より小さい開口径を有する開口２３６が形成される。
【００７６】
ここでの溶剤は，支持体２３０を溶解せずに，被膜２４２のみを溶解する材質のものが用いられる。具体的には被膜２４２の材質がポリスチレンなどの樹脂であれば，それを溶解可能な有機溶剤（例えばアセトン，キシレンなど）が用いることができる。この場合，支持体２３０にはシリケート系材料（例えばシリケートガラスなど）のように有機溶剤で溶解しない材質が用いられる。
【００７７】
これに対して，被膜２４２の材質がセラミック材料（例えばジルコニアなど）であれば，それを溶解可能な金属溶剤（例えば塩酸，硝酸など）を用いることができる。この場合，支持体２３０にはエポキシ系樹脂などのように金属溶剤で溶解しない材質が用いられる。
【００７８】
アセトンなどの有機溶剤を用いる場合は，エポキシ系の接着剤２５０も溶解するので，被膜２４２とともに接着剤２５０も除去される。このため，被膜２４２を除去すると同時に球体２４０の固定が解除され，球体２４０を転動自在にすることができる。
【００７９】
このような図５Ａ〜図５Ｅによる載置台製造方法によれば，複数の球体２４０を所望の位置に位置決めすることができ，しかもすべての球体２４０について寸法精度のばらつきのない保持部２３２を同時に形成することができる。従って，各球体２４０ごとに保持部２３２を製造する場合に比して，製造の手間や製造コストを大幅に低減することができ，製造時間も大幅に短縮することができる。
【００８０】
なお，上記実施形態では，接着剤で位置決めした場合を例に挙げたが，これに限られることはない。例えば磁石を用いて位置決めするようにしてもよい。
【００８１】
（載置台製造方法の他の具体例）
ここで，本実施形態にかかる載置台製造方法の他の具体例として，接着剤の代わりに磁石を用いて位置決めする場合について，図面を参照しながらより詳細に説明する。図７Ａ〜図７Ｆは，載置台製造方法の他の具体例における各工程を説明するための断面図である。
【００８２】
ここでの位置決め工程（ステップＳ１００）は，図７Ａに示すように，先ずベース基板２２０の下側に被膜付球体２４０を位置決めするための磁石板２６０を取り付ける。そして，図７Ｂに示すように，磁石あるいは鉄などの磁性体からなる芯材２４４を中心に備えた被膜付球体２４０をベース基板２２０の所望の位置に配置して磁力によって位置決め固定する。この芯材以外の構成は，図４Ｂに示す被膜付球体２４０と同様であるため，その詳細な説明を省略する。
【００８３】
ベース基板２２０の下側に配置する磁石板２６０は，例えば図７Ａに示すように板状部材の球体２４０を配置したい位置に磁石２６２を配置して構成する。この磁石２６２としては電磁石を用いてもよく，また永久磁石を用いてもよい。
【００８４】
磁石２６２として電磁石を用いる場合には，各電磁石に流す電流は独立してオンオフ制御できるようにしてもよい。これによれば，予め格子状などのパターンで電磁石を配置しておき，球体２４０を配置したい位置の電磁石のみに電流を流してオンすることもできる。これによれば，磁力が発生している電磁石の位置にだけ，被膜付球体２４０を位置決め固定することができるので，各球体２４０の配置パターンを変えるごとに磁石板２６０を用意する必要がなくなる。
【００８５】
磁石２６２として永久磁石を用いる場合には，板状部材に予め永久磁石を挿着可能な孔を格子状などのパターンで形成しておき，球体２４０を配置したい位置の永久磁石を挿着することもできる。これによれば，永久磁石を挿着した位置にだけ，被膜付球体２４０を位置決め固定することができるので，球体２４０の配置パターンを変えるごとに磁石板２６０を用意する必要がなくなる。なお，磁石板２６０は上記の構成に限られるものではなく，例えば磁石板２６０の全面を磁石２６２で構成し，球体２４０を配置したい位置に設置してもよい。
【００８６】
次に，ステップＳ２００における支持体形成工程にて，図７Ｃに示すようにベース基板２２０上に少なくとも被膜付球体２４０の全体が埋没されるように支持体２３０を形成する。続いて，ステップＳ３００における支持体厚み調整工程にて，図７Ｄに示すように被膜２４２を残して支持体２３０の上面のみを選択的にエッチングすることによって，支持体２３０を被覆付球体２４０の一部が現れる程度の厚みに調整する。なお，この場合も，上述したように支持体２３０のエッチングに先立って，支持体２３０の上面を平坦化するようにしてもよい。これら支持体形成工程と支持体厚み調整工程については，上記と同様の処理を行うため，その詳細な説明は省略する。
【００８７】
最後に，ステップＳ４００における被膜除去工程にて，支持体２３０を残したまま被膜付球体２４０の被膜２４２を溶剤によって除去してから，球体２４０を転動自在にする。具体的には，図７Ｅに示すように被膜２４２を溶剤によって除去した後に，図７Ｆに示すようにベース基板２２０から磁石板２６０を取り外す。これにより，球体２４０を固定していた磁力がなくなるので，球体２４０の固定は解除されて転動自在になり，図７Ｆに示すように球体２４０を転動自在に保持する保持部２３２が形成される。
【００８８】
このような図７Ａ〜図７Ｆに示す方法によっても，上記図５Ａ〜図５Ｅに示す方法と同様に，すべての球体２４０を所望の位置に，しかもすべての球体２４０について寸法精度のばらつきのない保持部２３２を同時に形成することができる。従って，各球体２４０ごとに保持部２３２を製造する場合に比して，製造の手間を大幅に低減することができ，製造時間も大幅に短縮することができる。
【００８９】
さらに，図７Ａ〜図７Ｆに示す方法によれば，接着剤２５０を用いることなく，磁力によって被膜付球体２４０を位置決め固定するので，最後の被膜除去工程にて接着剤２５０を溶解する必要もなくなる。このため，接着剤２５０を溶解できない溶剤でも積極的に用いることができる。例えば被膜付球体２４０の被膜２４２として上述したようなジルコニアなどのセラミック材料を用い，それを溶解する塩酸などの金属溶剤を用いても，最後に磁石板２６０を取り外すだけでよいので，接着剤２５０を溶解する工程をなくすことができる。
【００９０】
このような本実施形態にかかる製造方法によって各球体２４０の保持部２３２が製造された載置台２００には，例えばリフトピン２２６を挿入する貫通孔２２４などが形成され，図２に示すような載置台２００が完成する。
【００９１】
このような載置台２００によれば，例えばプロセスチャンバ１０２Ａ〜１０２Ｄで処理が完了したウエハＷがトランスファアーム１６２によってロードロックチャンバ１４０に搬入されると，載置台２００に載置される。このとき，ウエハＷの裏面は転動自在な各球体２４０によって支持されるので，たとえウエハＷが熱伸縮したとしても，その伸縮に応じて各球体２４０が転動する。従って，ウエハＷが熱伸縮してもその裏面にスクラッチや傷が発生することを抑えることができる。
【００９２】
なお，上記実施形態では，本発明の製造方法をロードロックチャンバ１４０内の載置台に適用した場合について説明したが，これに限定されるものではない。例えばプロセスチャンバ１０２Ａ〜１０２Ｄ内の載置台１０６Ａ〜１０６Ｄに適用してもよい。
【００９３】
（載置台の他の構成例）
ここで，本発明の製造方法を用いて製造したプロセスチャンバ１０２Ａ〜１０２Ｄ内の載置台１０６Ａ〜１０６Ｄについて，図面を参照しながら説明する。載置台１０６Ａ〜１０６Ｄはすべて同様の構成にすることができるので，ここでは添え字Ａ〜Ｄを省略して説明する。図８は，載置台１０６の概略構成を示す断面図である。図９は，載置台１０６を上方から見た平面図である。
【００９４】
この載置台１０６は，本実施形態にかかる上述の製造方法によって製造されたものであり，詳細な図示は省略するが，図８に示す各球体２４０についてもそれぞれ図５Ｅ又は図７Ｆと同様の保持部２３２が形成されている。なお，図８，図９において，図２，図３に示すものと同様の機能を有する部分には同様の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００９５】
図８，図９に示す載置台１０６の支持体２３０には，図２，図３の場合よりも多く，しかも，図２，図３の場合よりも小さい直径の球体２４０が多数配置されている。これら球体２４０は，例えばウエハＷと載置台１０６との接触面積を少なくするための突起の代わりに設けたものである。
【００９６】
本実施形態おける上述の製造方法によれば，球体２４０の数に拘わらず，図４と同様の工程を実行することで，各球体２４０の保持部２３２を一度に形成できる。従って，非常に多くの球体２４０を配置する場合であっても，球体２４０の保持部２３２を一つずつ形成する場合のような手間と時間はかからない。例えば数百個〜数千個の球体２４０でも，手間や時間をかけることなく，所望の位置に正確に配置できる。このように，本実施形態による製造方法によれば，球体２４０の数が多いほど，製造の手間や製造コストを大幅に低減することができ，製造時間も短縮することができる。
【００９７】
図８，図９に示す載置台１０６においても，図２，図３の場合と同様にリフトピン２２６やその貫通孔２２４を設けることができる。さらに，ウエハＷの裏面に伝熱ガス（例えばＨｅガス）を供給する伝熱ガス流路２２８を設けるようにしてもよい。
【００９８】
このような載置台１０６によれば，載置されたウエハＷの裏面は転動自在な球体２４０によって支持されるので，たとえ載置台１０６上においてウエハＷが熱伸縮したとしても，その伸縮に応じて各球体２４０が転動する。従って，ウエハＷが熱伸縮してもその裏面にスクラッチや傷が発生することを抑えることができる。
【００９９】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明は，半導体ウエハ，フラットパネルディスプレイ用基板（ＦＰＤ用基板），太陽電池用基板などの板状の被処理体を，転動自在な球体で支持する支持体を備えた載置台の製造方法，ロードロックチャンバ，基板処理装置に適用可能である。
【符号の説明】
【０１０１】
１００      基板処理装置
１０２Ａ〜１０２Ｄ      プロセスチャンバ
１０４Ａ〜１０４Ｄ      ゲートバルブ
１０６Ａ〜１０６Ｄ      載置台
１１０      プロセスモジュール
１２０      ローダモジュール
１２２Ａ〜１２２Ｃ      カセット容器
１２４Ａ〜１２４Ｃ      カセット台
１２６      オリエンタ
１３０      ローダチャンバ
１３２      ローダアーム機構
１３４      ローダアーム
１４０      ロードロックチャンバ
１４２，１４４      ゲートバルブ
１５０      トランスファチャンバ
１６０      トランスファアーム機構
１６２      トランスファアーム
１７０      制御部
２００      載置台
２１０      支柱
２２０      ベース基板
２２２      温度調整機構
２２４      貫通孔
２２６      リフトピン
２２８      伝熱ガス流路
２３０      支持体
２３２      保持部
２３４      球状空間
２３６      開口
２４０      球体又は被膜付球体
２４２      被膜
２４４      芯材
２５０      接着剤
２６０      磁石板
２６２      磁石
Ｗ        ウエハ
【図１】
2013157508.tif 000003
【図２】
2013157508.tif 000004
【図３】
2013157508.tif 000005
【図４】
2013157508.tif 000006
【図５Ａ】
2013157508.tif 000007
【図５Ｂ】
2013157508.tif 000008
【図５Ｃ】
2013157508.tif 000009
【図５Ｄ】
2013157508.tif 000010
【図５Ｅ】
2013157508.tif 000011
【図６】
2013157508.tif 000012
【図７Ａ】
2013157508.tif 000013
【図７Ｂ】
2013157508.tif 000014
【図７Ｃ】
2013157508.tif 000015
【図７Ｄ】
2013157508.tif 000016
【図７Ｅ】
2013157508.tif 000017
【図７Ｆ】
2013157508.tif 000018
【図８】
2013157508.tif 000019
【図９】
2013157508.tif 000020