(57)【要約】【課題】画質の劣化、歩留まりの低下、消費電力の増大、コストの増大を抑止しつつ、低輝度時の焦点検出精度の向上を図ることが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。【解決手段】第１の焦点検出用画素および第２の焦点検出用画素は上記出力ノードを共有し、第１の焦点検出用画素は、第１の光電変換部と、第１の光電変換部で光電変換されて発生した電子を共有の出力ノードに読み出すための第１の転送ゲートと、を含み、第２の焦点検出用画素は、第２の光電変換部と、第２の光電変換部で光電変換されて発生した電子を共有の出力ノードに読み出すための第２の転送ゲートと、を含み、第１の焦点検出用画素の第１の転送ゲートと第２の焦点検出用画素の第２の転送ゲートは、導通制御する制御信号が印加されるゲート電極が電気的に共有されている。【選択図】図４
2013157883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部を有し、光電変換により得られた電気信号を画素信号として出力する通常の撮像用画素と、焦点を検出するための焦点検出用画素とが２次元状に配列された画素アレイ部を有し、
上記焦点検出用画素は、
光電変換部を有し、光電変換により得られた電気信号を出力ノードに転送して出力する少なくとも第１の焦点検出用画素および第２の焦点検出用画素を含み、
上記第１の焦点検出用画素および上記第２の焦点検出用画素は上記出力ノードを共有し、
上記第１の焦点検出用画素は、
第１の光電変換部と、
上記第１の光電変換部で光電変換されて発生した電子を上記共有の出力ノードに読み出すための第１の転送ゲートと、を含み、
上記第２の焦点検出用画素は、
第２の光電変換部と、
上記第２の光電変換部で光電変換されて発生した電子を上記共有の出力ノードに読み出すための第２の転送ゲートと、を含み、
上記第１の焦点検出用画素の上記第１の転送ゲートと上記第２の焦点検出用画素の上記第２の転送ゲートは、導通制御する制御信号が印加されるゲート電極が電気的に共有されている
固体撮像素子。
【請求項２】
上記撮像用画素は、
少なくとも２つの画素が、光電変換により得られた電子が転送される出力ノードを共有し、
上記２つの画素が上記共有の出力ノードに転送する転送ゲートをそれぞれ有し、
各転送ゲートは、個別の転送制御信号により導通制御され、
上記第１の焦点検出用画素の上記第１の転送ゲートと上記第２の焦点検出用画素の上記第２の転送ゲートは、一の上記転送制御信号により同時並列的に導通制御される
請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記焦点を検出するための焦点検出用画素と、通常の撮像用画素の少なくとも１縁部が隣接している
請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項４】
上記第１の焦点検出用画素と上記第２の焦点検出用画素は、
上記光電変換部への光の入射領域の一部が遮光されている
請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項５】
上記第１の焦点検出用画素と、上記第２の焦点検出用画素の開口サイズが同じである
請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項６】
上記通常の撮像用画素の開口サイズが、前記焦点検出用画素の開口サイズよりも大きい
請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項７】
上記焦点検出用画素は、カラーフィルタが配置されていない画素を含む
請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項８】
上記画素アレイ部はカラーフィルタが配置され、
上記第１の焦点検出用画素と第２の焦点検出用画素の一方に、カラーフィルタが配置されていない
請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項９】
上記画素アレイ部はカラーフィルタが配置され、
上記第１の焦点検出用画素と第２の焦点検出用画素には、同色のカラーフィルタが配置されている
請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
焦点を検出するための上記焦点検出用画素と、通常の撮像用画素の画素サイズが同じである
請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
上記出力ノードを共有する焦点検出用画素は、２画素以上である
請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項１２】
固体撮像素子と、
上記固体撮像素子に被写体像を結像する光学系と、
上記固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理部と、を有し、
上記固体撮像素子は、
光電変換部を有し、光電変換により得られた電気信号を画素信号として出力する通常の撮像用画素と、焦点を検出するための焦点検出用画素とが２次元状に配列された画素アレイ部を有し、
上記焦点検出用画素は、
光電変換部を有し、光電変換により得られた電気信号を出力ノードに転送して出力する少なくとも第１の焦点検出用画素および第２の焦点検出用画素を含み、
上記第１の焦点検出用画素および上記第２の焦点検出用画素は上記出力ノードを共有し、
上記第１の焦点検出用画素は、
第１の光電変換部と、
上記第１の光電変換部で光電変換されて発生した電子を上記共有の出力ノードに読み出すための第１の転送ゲートと、を含み、
上記第２の焦点検出用画素は、
第２の光電変換部と、
上記第２の光電変換部で光電変換されて発生した電子を上記共有の出力ノードに読み出すための第２の転送ゲートと、を含み、
上記第１の焦点検出用画素の上記第１の転送ゲートと上記第２の焦点検出用画素の上記第２の転送ゲートは、導通制御する制御信号が印加されるゲート電極が電気的に共有されている
カメラシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、通常の撮像用画素と焦点検出用画素が２次元的に配列された、ＣＭＯＳ(Complimentary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサに代表される固体撮像素子およびカメラシステムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
焦点検出技術の１つとして瞳分割位相差方式が知られている。
この瞳分割位相差方式は、撮影レンズの通過光束を瞳分割して一対の分割像を形成し、この一対の分割像のパターンズレを検出することで、撮影レンズのデフォーカス量を検出する。
【０００３】
このような瞳分割位相差方式を適用した固体撮像素子が、たとえば特許文献１，２に記載されている。
【０００４】
特許文献１に記載された固体撮像素子は、光電変換部を有する撮像用画素と、一対の第１光電変換部および第２光電変換部を有する焦点検出用画素とが２次元的に配列されている。
そして、出力部において、図１に示すように、隣接する第１の焦点検出用画素１と第２の焦点検出用画素２のそれぞれの第１光電変換部１１、２１の出力同士を加算した信号を第１の焦点検出用画素１から出力する。同様に、第２光電変換部１２、２２の出力同士を加算した信号を第の２焦点検出用画素２から出力する。
【０００５】
すなわち、特許文献１に記載された固体撮像素子は、１つの焦点検出画素（ＡＦ画素）に２つの光電変換部がある。そして、焦点検出ペアとなる光電変換部の電荷信号を出力ノードである浮遊拡散層（ＦＤ：Floating Diffusion)で加算している。
【０００６】
特許文献２に記載された固体撮像素子は、図２（Ａ）に示すような第１の画素セル３と、図２（Ｂ）に示すような第２の画素セル４とが２次元的に配列されている。
第１の画素セル３は、入射光に応じて電荷を生成する第１の光電変換部３１を含む。
第２の画素セル４は、入射光を集光する光学要素（マイクロレンズ）４１と、光学要素により集光された光に応じて電荷を生成する第２の光電変換部４２,４３とを含み、第１の画素セル３に比べてセルサイズが大きい。
【０００７】
このように、焦点検出用画素のサイズを通常の撮像用画素より大きくした固体撮像素子は、特許文献３にも記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−１０３８８５号公報
【特許文献２】特開２００７−１０３５９０号公報
【特許文献３】特開２００７−１２７７４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、上述した技術においては、以下の不利益がある。
【００１０】
特許文献１に記載された固体撮像素子は、文献１の図１６に示されているようなレイアウトでは、ＦＤ部が大きくなるため、変換効率が低くなり、低照度の感度が下がることから、低照度Ｓ／Ｎが低い。いわゆる１／ｆノイズなどのノイズが多い場合、低照度における焦点検出精度が低くなってしまう。
この固体撮像素子では、１つの焦点検出画素内で光電変換領域（ＰＤ）を分離する領域が必要になるため、Ｑｓが通常画素の半分以下になる。
光電変換領域（ＰＤ）を分離し、バルク内の混色を防止する必要があるため、高度な微細プロセスが必要であり、画素の微細化には不向きである。
また、通常画素と焦点検出画素でそれぞれ分けたポテンシャル設計が必要となり、工程数が増え、ひいてはコストの増大を招く。
【００１１】
特許文献２に記載された固体撮像素子は、文献２の図１６に示されているようなＦＤ加算の例では、２本の転送ゲート（８５，８６）を同時にオンする必要があり、焦点検出時、周辺回路の駆動方式を通常駆動と分ける必要がある。
したがって、高速撮像に不向きである。
また、この固体撮像素子では。通常画素でも同時に２画素読み出されるため、通常画素の色を区別することができない。
その結果、画質、解像度が劣化するという不利益がある。
【００１２】
特許文献３に記載された固体撮像素子は、転送ゲートまでの距離が遠い部分が存在するようになるため、残像を起こしやすい。
通常画素と焦点検出画素で特性差が生じやすく、焦点検出画素のみの固定パターンノイズによる画質劣化を招くことがある。
残像不良を回避するためには、焦点検出画素の転送ゲートの電圧を上げる必要があるが、これでは消費電力の増加を招く。
転送不良（残像）を回避するためには、転送補助用のインプランテーション（インプラ）工程を追加する必要があるが、これではコストが増大する。
焦点検出画素用にインプラ工程を追加すると、合わせズレ等のプロセスバラツキ要素が増えてしまい、特性がばらつきやすい。その結果、画質劣化、歩留まり低下を招く。
【００１３】
本技術は、画質の劣化、歩留まりの低下、消費電力の増大、コストの増大を抑止しつつ、低輝度時の焦点検出精度の向上を図ることが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本技術の第１の観点の固体撮像素子は、光電変換部を有し、光電変換により得られた電気信号を画素信号として出力する通常の撮像用画素と、焦点を検出するための焦点検出用画素とが２次元状に配列された画素アレイ部を有し、上記焦点検出用画素は、光電変換部を有し、光電変換により得られた電気信号を出力ノードに転送して出力する少なくとも第１の焦点検出用画素および第２の焦点検出用画素を含み、上記第１の焦点検出用画素および上記第２の焦点検出用画素は上記出力ノードを共有し、上記第１の焦点検出用画素は、第１の光電変換部と、上記第１の光電変換部で光電変換されて発生した電子を上記共有の出力ノードに読み出すための第１の転送ゲートと、を含み、上記第２の焦点検出用画素は、第２の光電変換部と、上記第２の光電変換部で光電変換されて発生した電子を上記共有の出力ノードに読み出すための第２の転送ゲートと、を含み、上記第１の焦点検出用画素の上記第１の転送ゲートと上記第２の焦点検出用画素の上記第２の転送ゲートは、導通制御する制御信号が印加されるゲート電極が電気的に共有されている。
【００１５】
本技術の第２の観点のカメラシステムは、固体撮像素子と、上記固体撮像素子に被写体像を結像する光学系と、上記固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理部と、を有し、上記固体撮像素子は、光電変換部を有し、光電変換により得られた電気信号を画素信号として出力する通常の撮像用画素と、焦点を検出するための焦点検出用画素とが２次元状に配列された画素アレイ部を有し、上記焦点検出用画素は、光電変換部を有し、光電変換により得られた電気信号を出力ノードに転送して出力する少なくとも第１の焦点検出用画素および第２の焦点検出用画素を含み、上記第１の焦点検出用画素および上記第２の焦点検出用画素は上記出力ノードを共有し、上記第１の焦点検出用画素は、第１の光電変換部と、上記第１の光電変換部で光電変換されて発生した電子を上記共有の出力ノードに読み出すための第１の転送ゲートと、を含み、上記第２の焦点検出用画素は、第２の光電変換部と、上記第２の光電変換部で光電変換されて発生した電子を上記共有の出力ノードに読み出すための第２の転送ゲートと、を含み、上記第１の焦点検出用画素の上記第１の転送ゲートと上記第２の焦点検出用画素の上記第２の転送ゲートは、導通制御する制御信号が印加されるゲート電極が電気的に共有されている。
【発明の効果】
【００１６】
本技術によれば、画質の劣化、歩留まりの低下、消費電力の増大、コストの増大を抑止しつつ、低輝度時の焦点検出精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】特許文献１に開示された焦点検出画素を説明するための図である。
【図２】特許文献２に開示された撮像用画素と焦点検出用画素を説明するための図である。
【図３】本実施形態に係る固体撮像素子の構成例を示す図である。
【図４】本実施形態に係る固体撮像素子の画素アレイ部の構成例を示す図である。
【図５】本実施形態において、２画素共有の場合の撮像用画素と焦点検出用画素の回路の構成例を示す図である。
【図６】本技術の第１の実施例として、縦２画素共有の構成例を説明するための図である。
【図７】本技術の第２の実施例として、２画素共有の転送配線の構成例を説明するための図であって、ＦＤ共有の撮像用画素および焦点検出用画素の積層構造を示す図である。
【図８】本技術の第２の実施例として、２画素共有の転送配線の構成例を説明するための図であって、図７の積層構造における配線の接続を模式的に示す図である。
【図９】本技術の第２の実施例として、２画素共有の転送配線の構成例を平面的にかつ模式的に示す図であって、ＦＤ共有の撮像用画素および焦点検出用画素のＳｉ基板から第１メタル配線層を含む画素パターンを模式的に示す図である。
【図１０】本技術の第２の実施例として、２画素共有の転送配線の構成例を平面的にかつ模式的に示す図であって、第１メタル配線層から第２メタル配線層を含む画素パターンを模式的に示す図である。
【図１１】本技術の第３の実施例として、４画素共有の画素配列例を示す図である。
【図１２】本技術の第４の実施例として、２画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターンの第１例を示す図である。
【図１３】本技術の第４の実施例として、２画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターンの第２例を示す図である。
【図１４】本技術の第４の実施例として、２画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターンの第３例を示す図である。
【図１５】本技術の第４の実施例として、２画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターンの第４例を示す図である。
【図１６】本技術の第４の実施例として、４画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターンの第１例を示す図である。
【図１７】本技術の第４の実施例として、４画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターンの第２例を示す図である。
【図１８】本技術の第５の実施例として、２画素共有の場合で全体的にカラーフィルタがない場合の画素配列パターン例を示す図である。
【図１９】本技術の第５の実施例として、２画素共有の場合で全体的にカラーフィルタが配置され、焦点検出用画素にカラーフィルタがない場合の画素配列パターンの例を示す図である。
【図２０】本技術の第５の実施例として、２画素共有の場合で全体的にカラーフィルタが配置され、焦点検出用画素にもカラーフィルタがある場合の画素配列パターンの例を示す図である。
【図２１】本技術の第５の実施例として、２画素共有の場合で全体的にカラーフィルタが配置され、焦点検出用画素に一部カラーフィルタがある場合の画素配列パターンの例を示す図である。
【図２２】本技術の第６の実施例として、横２画素共有の画素配列の第１例を示す図である。
【図２３】本技術の第６の実施例として、横２画素共有の画素配列の第２例を示す図である。
【図２４】本技術の第６の実施例として、横２画素共有の画素配列の第３例を示す図である。
【図２５】本技術の第６の実施例として、横２画素共有の画素配列の第４例を示す図である。
【図２６】本技術の第６の実施例の横２画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターン例を示す図である。
【図２７】本技術の実施形態に係る固体撮像素子が適用されるカメラシステムの構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本技術の実施の形態を図面に関連付けて説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．固体撮像素子の全体の概略構成
２．第１の実施例（縦２画素共有の構成例）
３．第２の実施例（２画素共有の転送配線の構成例）
４．第３の実施例（４画素共有の画素配列例）
５．第４の実施例（焦点検出用画素の遮光パターン例）
６．第５の実施例（カラーフィルタと関連した焦点検出用画素の構成例）
７．第６の実施例（横２画素共有の構成例）
８．カメラシステムの構成例
【００１９】
＜１．固体撮像素子の全体の概略構成＞
図３は、本実施形態に係る固体撮像素子の構成例を示す図である。
図４は、本実施形態に係る固体撮像素子の画素アレイ部の構成例を示す図である。
本実施形態では、固体撮像素子としてＣＭＯＳイメージセンサを例に説明する。
【００２０】
本固体撮像素子１００は、画素アレイ部１１０、行選択回路（Ｖｄｅｃ）１２０、およびカラム読み出し回路（ＡＦＥ）１３０を有する。
そして、行選択回路１２０およびカラム読み出し回路１３０により画素信号読み出し部が形成される。
【００２１】
画素アレイ部１１０は、複数の画素回路がＭ行×Ｎ列の２次元状（マトリクス状）に配列されている。
具体的には、画素アレイ部１１０は、図４に示すように、光電変換部を有する通常の撮像用画素２００と、光電変換部を有する焦点検出用画素（ＡＦ画素）３００とが混在して２次元状に配列されている。
【００２２】
本実施形態の画素アレイ部１１０は、隣接する撮像用画素２００が出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤを２画素で共有する構成を有する。図４では、垂直方向に隣接する２つの撮像用画素２００が出力ノードとしてのＦＤを共有する構成例が示されている。
同様に、本実施形態の画素アレイ部１１０は、隣接する２つの焦点検出用画素３００が出力ノードとしてのＦＤを共有する構成を有する。図４では、撮像用画素と同様に、垂直方向に隣接する２つの焦点検出用画素３００が出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤを共有する構成例が示されている。
【００２３】
ＦＤを共有する２つの第１の焦点検出用画素３００−１および第２の焦点検出用画素３００−２は、それぞれ光電変換部ＰＤで光電変換されて発生した電子（電荷）を読み出すための第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１および第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２を有する。
そして、この第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２は、電気的に接続（共有）されている。
換言すれば、第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２は、同じ転送制御信号ＴＲにより同時並列的にオン、オフ制御される。
【００２４】
また、各焦点検出用画素３００は、光電変換部への光入射領域のうち、たとえばほぼ半分の領域は金属等の遮光部ＬＣにより遮光されている。
ＦＤを共有する第１の焦点検出用画素３００−１および第２の焦点検出用画素３００−２は、開口サイズが同じである。
また、通常の撮像用画素２００は、光電変換部への光入射領域は一部遮光されるが焦点検出用画素３００より大きい。換言すれば、撮像用画素２００の開口サイズが、焦点検出用画素の開口サイズよりも大きい。
ただし、本実施形態においては、通常の撮像用画素２００と焦点検出用画素３００とは、画素サイズが同じである。
【００２５】
焦点検出用画素３００は、遮光する部位としては、種々の態様が可能である。
図４の例では、正面から見て矩形状をなす焦点検出用画素３００の図中の右側部（第１縁部）側を遮光する右遮光の焦点検出用画素３００−Ｒ、図中の左側部（第２縁部）側の遮光する左遮光の焦点検出用画素３００−Ｌが示されている。
さらに、図４の例では、焦点検出用画素３００の図中の上側部（第３縁部）側を遮光する右遮光の焦点検出用画素３００−Ｕ、図中の下側部（第４縁部）側の遮光する下遮光の焦点検出用画素３００−Ｂが示されている。
【００２６】
なお、図４においては、図面の簡単化のため４×５の画素配列を示している。
図４の画素配列においては以下のように撮像用画素２００および焦点検出用画素３００が配置されている。
【００２７】
［画素配列例］
第１行において、第１列には右遮光の焦点検出用画素３００Ｒ−１１が配置され、第２列には左遮光の焦点検出用画素３００Ｌ−１２が配置され、第３列には通常の撮像用画素２００−１３が配置されている。第１行において、第４列には上遮光の焦点検出用画素３００Ｕ−１４が配置され、第５列には下遮光の焦点検出用画素３００Ｂ−１５が配置されている。
【００２８】
第２行において、第１列には右遮光の焦点検出用画素３００Ｒ−２１が配置され、第２列には左遮光の焦点検出用画素３００Ｌ−２２が配置され、第３列には通常の撮像用画素２００−２３が配置されている。第２行において、第４列には上遮光の焦点検出用画素３００Ｕ−２４が配置され、第５列には下遮光の焦点検出用画素３００Ｂ−２５が配置されている。
【００２９】
第３行において、第１列には通常の撮像用画素２００−３１が配置され、第２列には撮像用画素２００−３２が配置され、第３列には撮像用画素２００−３３が配置されている。第３行において、第４列には撮像用画素２００−３４が配置され、第５列には撮像用画素２００−３５が配置されている。
【００３０】
第４行において、第１列には通常の撮像用画素２００−４１が配置され、第２列には撮像用画素２００−４２が配置され、第３列には撮像用画素２００−４３が配置されている。第３行において、第４列には撮像用画素２００−４４が配置され、第５列には撮像用画素２００−４５が配置されている。
【００３１】
図４の例では、第１行第１列の右遮光の第１の焦点検出用画素３００Ｒ−１１と第２行第１列の右遮光の第２の焦点検出用画素３００Ｒ−２１が出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ１１を共有している。また、第１の焦点検出用画素３００Ｒ−１１と第２の焦点検出用画素３００Ｒ−２１はリセットトランジスタＴＲＳＴ、増幅トランジスタＴＡＭＰ、および選択トランジスタＴＳＥＬを共有している。
第１の焦点検出用画素３００Ｒ−１１は第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１１を有し、第２の焦点検出用画素３００Ｒ−２１は第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２１を有する。
第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１１と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２１は接続電極ＣＥＬ１２により電気的に接続されている。
そして、第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１１と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２１を接続する接続電極ＣＥＬ１１は、転送制御信号ＴＲ１が伝搬される転送制御線ＬＴＲ１に接続されている。
これにより、第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１１と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２１は、同じ転送制御信号ＴＲ１により同時並列的にオン、オフ制御される。
【００３２】
第１行第２列の左遮光の第１の焦点検出用画素３００Ｌ−１２と第２行第２列の左遮光の第２の焦点検出用画素３００Ｌ−２２が出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ１２を共有している。また、第１の焦点検出用画素３００Ｌ−１２と第２の焦点検出用画素３００Ｌ−２２はリセットトランジスタＴＲＳＴ、増幅トランジスタＴＡＭＰ、および選択トランジスタＴＳＥＬを共有している。
第１の焦点検出用画素３００Ｌ−１２は第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１２を有し、第２の焦点検出用画素３００Ｌ−２２は第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２２を有する。
第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１２と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２２は接続電極ＣＥＬ１２により電気的に接続されている。
そして、第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１２と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２２を接続する接続電極ＣＥＬ１２は、転送制御信号ＴＲ１が伝搬される転送制御線ＬＴＲ１に接続されている。
これにより、第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１２と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２２は、同じ転送制御信号ＴＲ１により同時並列的にオン、オフ制御される。
【００３３】
第１行第３列の第１の撮像用画素２００−１３と第２行第３列の第２の撮像用画素２００−２３が出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ１３を共有している。また、第１の撮像用画素２００−１３と第２の撮像用画素２００−２３はリセットトランジスタＴＲＳＴ、増幅トランジスタＴＡＭＰ、および選択トランジスタＴＳＥＬを共有している。
第１の撮像用画素２００−１３は第１の転送ゲートＴＲＧ１３を有し、第２の撮像用画素２００−２３は第２の転送ゲートＴＲＧ２３を有する。
第１の転送ゲートＴＲＧ１３は、転送制御信号ＴＲ１が伝搬される転送制御線ＬＴＲ１に接続されている。
第２の転送ゲートＴＲＧ２３は、転送制御信号ＴＲ２が伝搬される転送制御線ＬＴＲ２に接続されている。
これにより、第１の転送ゲートＴＲＧ１３と第２の転送ゲートＴＲＧ２３は、異なる転送制御信号ＴＲ１，ＴＲ２により個別にオン、オフ制御される。
【００３４】
第１行第４列の上遮光の第１の焦点検出用画素３００Ｕ−１４と第２行第４列の上遮光の第２の焦点検出用画素３００Ｕ−２４が出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ１４を共有している。また、第１の焦点検出用画素３００Ｕ−１４と第２の焦点検出用画素３００Ｕ−２４はリセットトランジスタＴＲＳＴ、増幅トランジスタＴＡＭＰ、および選択トランジスタＴＳＥＬを共有している。
第１の焦点検出用画素３００Ｕ−１４は第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１４を有し、第２の焦点検出用画素３００Ｕ−２４は第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２４を有する。
第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１４と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２４は接続電極ＣＥＬ１４により電気的に接続されている。
そして、第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１４と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２４を接続する接続電極ＣＥＬ１４は、転送制御信号ＴＲ１が伝搬される転送制御線ＬＴＲ１に接続されている。
これにより、第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１４と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２４は、同じ転送制御信号ＴＲ１により同時並列的にオン、オフ制御される。
【００３５】
第１行第５列の下遮光の第１の焦点検出用画素３００Ｄ−１５と第２行第５列の下遮光の第２の焦点検出用画素３００Ｄ−２５が出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ１５を共有している。また、第１の焦点検出用画素３００Ｄ−１５と第２の焦点検出用画素３００Ｄ−２５はリセットトランジスタＴＲＳＴ、増幅トランジスタＴＡＭＰ、および選択トランジスタＴＳＥＬを共有している。
第１の焦点検出用画素３００Ｄ−１５は第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１５を有し、第２の焦点検出用画素３００Ｄ−２５は第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２５を有する。
第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１５と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２５は接続電極ＣＥＬ１５により電気的に接続されている。
そして、第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１５と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２５を接続する接続電極ＣＥＬ１５は、転送制御信号ＴＲ１が伝搬される転送制御線ＬＴＲ１に接続されている。
これにより、第１の転送ゲートＡＦＴＲＧ１５と第２の転送ゲートＡＦＴＲＧ２５は、同じ転送制御信号ＴＲ１により同時並列的にオン、オフ制御される。
【００３６】
第３行第１列の第１の撮像用画素２００−３１と第４行第１列の第２の撮像用画素２００−４１が出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ３１を共有している。また、第１の撮像用画素２００−３１と第２の撮像用画素２００−４１はリセットトランジスタＴＲＳＴ、増幅トランジスタＴＡＭＰ、および選択トランジスタＴＳＥＬを共有している。
第１の撮像用画素２００−３１は第１の転送ゲートＴＲＧ３１を有し、第２の撮像用画素２００−４１は第２の転送ゲートＴＲＧ４１を有する。
第１の転送ゲートＴＲＧ３１は、転送制御信号ＴＲ３が伝搬される転送制御線ＬＴＲ３に接続されている。
第２の転送ゲートＴＲＧ４１は、転送制御信号ＴＲ４が伝搬される転送制御線ＬＴＲ４に接続されている。
これにより、第１の転送ゲートＴＲＧ３１と第２の転送ゲートＴＲＧ４１は、異なる転送制御信号ＴＲ３，ＴＲ４により個別にオン、オフ制御される。
【００３７】
第３行第２列の第１の撮像用画素２００−３２と第４行第２列の第２の撮像用画素２００−４２が出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ３２を共有している。また、第１の撮像用画素２００−３２と第２の撮像用画素２００−４２はリセットトランジスタＴＲＳＴ、増幅トランジスタＴＡＭＰ、および選択トランジスタＴＳＥＬを共有している。
第１の撮像用画素２００−３２は第１の転送ゲートＴＲＧ３２を有し、第２の撮像用画素２００−４２は第２の転送ゲートＴＲＧ４２を有する。
第１の転送ゲートＴＲＧ３２は、転送制御信号ＴＲ３が伝搬される転送制御線ＬＴＲ３に接続されている。
第２の転送ゲートＴＲＧ４２は、転送制御信号ＴＲ４が伝搬される転送制御線ＬＴＲ４に接続されている。
これにより、第１の転送ゲートＴＲＧ３２と第２の転送ゲートＴＲＧ４２は、異なる転送制御信号ＴＲ３，ＴＲ４により個別にオン、オフ制御される。
【００３８】
第３行第３列の第１の撮像用画素２００−３３と第４行第３列の第２の撮像用画素２００−４３が出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ３３を共有している。また、第１の撮像用画素２００−３３と第２の撮像用画素２００−４３はリセットトランジスタＴＲＳＴ、増幅トランジスタＴＡＭＰ、および選択トランジスタＴＳＥＬを共有している。
第１の撮像用画素２００−３３は第１の転送ゲートＴＲＧ３３を有し、第２の撮像用画素２００−４３は第２の転送ゲートＴＲＧ４３を有する。
第１の転送ゲートＴＲＧ３３は、転送制御信号ＴＲ３が伝搬される転送制御線ＬＴＲ３に接続されている。
第２の転送ゲートＴＲＧ４３は、転送制御信号ＴＲ４が伝搬される転送制御線ＬＴＲ４に接続されている。
これにより、第１の転送ゲートＴＲＧ３３と第２の転送ゲートＴＲＧ４３は、異なる転送制御信号ＴＲ３，ＴＲ４により個別にオン、オフ制御される。
【００３９】
第３行第４列の第１の撮像用画素２００−３４と第４行第４列の第２の撮像用画素２００−４４が出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ３４を共有している。また、第１の撮像用画素２００−３４と第２の撮像用画素２００−４４はリセットトランジスタＴＲＳＴ、増幅トランジスタＴＡＭＰ、および選択トランジスタＴＳＥＬを共有している。
第１の撮像用画素２００−３４は第１の転送ゲートＴＲＧ３４を有し、第２の撮像用画素２００−４４は第２の転送ゲートＴＲＧ４４を有する。
第１の転送ゲートＴＲＧ３４は、転送制御信号ＴＲ３が伝搬される転送制御線ＬＴＲ３に接続されている。
第２の転送ゲートＴＲＧ４４は、転送制御信号ＴＲ４が伝搬される転送制御線ＬＴＲ４に接続されている。
これにより、第１の転送ゲートＴＲＧ３４と第２の転送ゲートＴＲＧ４４は、異なる転送制御信号ＴＲ３，ＴＲ４により個別にオン、オフ制御される。
【００４０】
第３行第５列の第１の撮像用画素２００−３５と第４行第５列の第２の撮像用画素２００−４５が出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ３５を共有している。また、第１の撮像用画素２００−３５と第２の撮像用画素２００−４５はリセットトランジスタＴＲＳＴ、増幅トランジスタＴＡＭＰ、および選択トランジスタＴＳＥＬを共有している。
第１の撮像用画素２００−３５は第１の転送ゲートＴＲＧ３５を有し、第２の撮像用画素２００−４５は第２の転送ゲートＴＲＧ４５を有する。
第１の転送ゲートＴＲＧ３５は、転送制御信号ＴＲ３が伝搬される転送制御線ＬＴＲ３に接続されている。
第２の転送ゲートＴＲＧ４５は、転送制御信号ＴＲ４が伝搬される転送制御線ＬＴＲ４に接続されている。
これにより、第１の転送ゲートＴＲＧ３５と第２の転送ゲートＴＲＧ４５は、異なる転送制御信号ＴＲ３，ＴＲ４により個別にオン、オフ制御される。
【００４１】
［２画素共有の撮像用画素と焦点検出用画素の回路構成例］
次に、２画素共有の場合の撮像用画素と焦点検出用画素の回路の構成例について説明する。
図５は、本実施形態において、２画素共有の場合の撮像用画素と焦点検出用画素の回路の構成例を示す図である。
図５は、基本的に４つのトランジスタで構成されるＣＭＯＳイメージセンサの画素の一例を示している。
【００４２】
２画素共有の撮像用画素２００Ａは、第１の撮像用画素２００Ａ−１の光電変換部としてのフォトダイオード（ＰＤ）２１１−１、転送ゲートとしての転送トランジスタ２１２−１を有する。
撮像用画素２００Ａは、第２の撮像用画素２００Ａ−２の光電変換部としてのフォトダイオード（ＰＤ）２１１−２、転送ゲートとしての転送トランジスタ２１２−２を有する。
撮像用画素２００Ａは、第１の撮像用画素２００Ａ−１と第２の撮像用画素２００Ａ−２で共有の出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ１を有する。
撮像用画素２００Ａは、さらに共有の、リセットトランジスタ２１３（ＴＲＳＴ）、増幅トランジスタ（ＴＡＭＰ）２１４、および選択トランジスタ（ＴＳＥＬ）２１５を有する。
【００４３】
フォトダイオード２１１−１，２１１−２は、入射光をその光量に応じた量の電荷（ここでは電子）に光電変換する。
第１の撮像用画素２００Ａ−１において、転送素子（転送ゲート）としての転送トランジスタ２１２−１は、フォトダイオード２１１−１と出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ１との間に接続されている。転送トランジスタ２１２−１は、転送制御線ＬＴＲ１を通じてそのゲート（転送ゲート）に転送制御信号ＴＲ１が与えられる。
これにより、転送トランジスタ２１２−１は、フォトダイオード２１１−１で光電変換された電子をフローティングディフュージョンＦＤＣ１に転送する。
第２の撮像用画素２００Ａ−２において、転送素子（転送ゲート）としての転送トランジスタ２１２−２は、フォトダイオード２１１−２と出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ１との間に接続されている。転送トランジスタ２１２−２は、転送制御線ＬＴＲ２を通じてそのゲート（転送ゲート）に転送制御信号ＴＲ２が与えられる。
これにより、転送トランジスタ２１２−２は、フォトダイオード２１１−２で光電変換された電子をフローティングディフュージョンＦＤＣ１に転送する。
【００４４】
リセットトランジスタ２１３は、電源電圧ＶＤＤが供給される電源ラインＬＶＤＤとフローティングディフュージョンＦＤＣ１との間に接続され、リセット制御線ＬＲＳＴを通してそのゲートに制御信号であるリセット信号ＲＳＴが与えられる。
これにより、リセット素子としてのリセットトランジスタ２１３は、フローティングディフュージョンＦＤＣ１の電位を電源ラインＬＶＤＤの電位にリセットする。
【００４５】
フローティングディフュージョンＦＤＣ１には、増幅素子としての増幅トランジスタ２１４のゲートが接続されている。すなわち、フローティングディフュージョンＦＤＣ１は増幅素子としての増幅トランジスタ２１４の入力ノードとしても機能する。
増幅トランジスタ２１４と選択トランジスタ２１５は電源電圧ＶＤＤが供給される電源ラインＬＶＤＤと信号線ＬＳＧＮ１との間に直列に接続されている。
このように、増幅トランジスタ２１４は、選択トランジスタ２１５を介して信号線ＬＳＧＮ２に接続され、画素部外の定電流源とソースフォロアを構成している。
そして、選択制御線ＬＳＥＬを通してアドレス信号に応じた制御信号である選択信号ＳＥＬが選択トランジスタ２１５のゲートに与えられ、選択トランジスタ２１５がオンする。
選択トランジスタ２１５がオンすると、増幅トランジスタ２１４はフローティングディフュージョンＦＤＣ１の電位を増幅してその電位に応じた電圧を信号線ＬＳＧＮ１に出力する。信号線ＬＳＧＮ１を通じて、各画素から出力された電圧ＶＳＬ１は、カラム読み出し回路１３０に出力される。
これらの動作は、たとえば転送トランジスタ２１２−１，２１２−２、リセットトランジスタ２１３、および選択トランジスタ２１５の各ゲートが行単位で接続されていることから、１２行分の各画素について同時に行われる。
【００４６】
２画素共有の焦点検出用画素３００Ａは、第１焦点検出用画素３００Ａ−１の光電変換部としてのフォトダイオード（ＰＤ）３１１−１、転送ゲートとしての転送トランジスタ３１２−１を有する。
焦点検出用画素３００Ａは、第２の焦点検出用画素３００Ａ−２の光電変換部としてのフォトダイオード（ＰＤ）３１１−２、転送ゲートとしての転送トランジスタ３１２−２を有する。
焦点検出用画素３００Ａは、第１の焦点検出用画素３００Ａ−１と第２の焦点検出用画素３００Ａ−２で共有の出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ２を有する。
焦点検出用画素４００Ａは、さらに共有の、リセットトランジスタ３１３（ＴＲＳＴ）、増幅トランジスタ（ＴＡＭＰ）３１４、および選択トランジスタ（ＴＳＥＬ）３１５を有する。
【００４７】
フォトダイオード３１１−１，３１１−２は、入射光をその光量に応じた量の電荷（ここでは電子）に光電変換する。
第１の焦点検出用画素３００Ａ−１において、転送素子（転送ゲート）としての転送トランジスタ３１２−１は、フォトダイオード３１１−１と出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ２との間に接続されている。転送トランジスタ３１２−１は、転送制御線ＬＴＲ１を通じてそのゲート（転送ゲート）に転送制御信号ＴＲ１が与えられる。
これにより、転送トランジスタ３１２−１は、フォトダイオード３１１−１で光電変換された電子をフローティングディフュージョンＦＤＣ２に転送する。
第２の焦点検出用画素３００Ａ−２において、転送素子（転送ゲート）としての転送トランジスタ３１２−２は、フォトダイオード３１１−２と出力ノードとしてのフローティングディフュージョンＦＤＣ２との間に接続されている。転送トランジスタ３１２−２は、転送制御線ＬＴＲ１を通じてそのゲート（転送ゲート）に転送制御信号ＴＲ１が与えられる。
これにより、転送トランジスタ３１２−２は、フォトダイオード３１１−２で光電変換された電子をフローティングディフュージョンＦＤＣ２に転送する。
【００４８】
リセットトランジスタ３１３は、電源電圧ＶＤＤが供給される電源ラインＬＶＤＤとフローティングディフュージョンＦＤＣ２との間に接続され、リセット制御線ＬＲＳＴを通してそのゲートに制御信号であるリセット信号ＲＳＴが与えられる。
これにより、リセット素子としてのリセットトランジスタ３１３は、フローティングディフュージョンＦＤＣ２の電位を電源ラインＬＶＤＤの電位にリセットする。
【００４９】
フローティングディフュージョンＦＤＣ２には、増幅素子としての増幅トランジスタ３１４のゲートが接続されている。すなわち、フローティングディフュージョンＦＤＣ２は増幅素子としての増幅トランジスタ３１４の入力ノードとしても機能する。
増幅トランジスタ３１４と選択トランジスタ３１５は電源電圧ＶＤＤが供給される電源ラインＬＶＤＤと信号線ＬＳＧＮ２との間に直列に接続されている。
このように、増幅トランジスタ３１４は、選択トランジスタ３１５を介して信号線ＬＳＧＮ２に接続され、画素部外の定電流源とソースフォロアを構成している。
そして、選択制御線ＬＳＥＬを通してアドレス信号に応じた制御信号である選択信号ＳＥＬが選択トランジスタ３１５のゲートに与えられ、選択トランジスタ３１５がオンする。
選択トランジスタ３１５がオンすると、増幅トランジスタ３１４はフローティングディフュージョンＦＤＣ２の電位を増幅してその電位に応じた電圧を信号線ＬＳＧＮ２に出力する。信号線ＬＳＧＮ２を通じて、各画素から出力された電圧ＶＳＬ２は、カラム読み出し回路１３０に出力される。
これらの動作は、たとえば転送トランジスタ３１２−１，３１２−２、リセットトランジスタ３１３、および選択トランジスタ３１５の各ゲートが行単位で接続されていることから、２行分の焦点検出用画素について同時に行われる。
【００５０】
画素アレイ部１１０に配線されているリセット制御線ＬＲＳＴ、転送制御線ＬＴＲ、および選択制御線ＬＳＥＬが一組として画素配列の各行単位で配線されている。
ＬＲＳＴ、ＬＴＲＧ、ＬＳＥＬの各制御線はそれぞれＭ本ずつ設けられている。
これらのリセット制御線ＬＲＳＴ、転送制御線ＬＴＲ、および選択制御線ＬＳＥＬは、行選択回路１２０により駆動される。
【００５１】
行選択回路１２０は、画素アレイ部１１０の中の任意の行に配置された画素の動作を制御する。行選択回路１２０は、制御線ＬＳＥＬ、ＬＲＳＴ、ＬＴＲを通して画素を制御する。
【００５２】
カラム読み出し回路１３０は、行選択回路１２０により読み出し制御された画素行のデータを信号出力線ＬＳＧＮを介して受け取り、後段の信号処理回路に転送する。
カラム読み出し回路１３０は、相関二重アンプリング（ＣＤＳ： Correlated Double Sampling）回路やＡＤＣ（（Analog digital converter)）を含むことも可能である。
【００５３】
上述したように、本実施形態の固体撮像素子１００は、１対の位相差焦点検出用画素（ＡＦ画素）３００Ａ−１，３００Ａ−２を備えている。
１対の第１および第２の焦点検出用画素３００Ａ−１，３００Ａ−２はフローティングディフュージョンＦＤＣ２を共有し、転送ゲートとしての転送トランジスタ３１２−１，３１２−２のゲートが共通の転送制御線ＬＴＲ１に接続されている。
よって、１本の転送制御線ＬＴＲ１にＯＮパルスが入ると、２画素同時に転送ゲートとしての転送トランジスタ３１２−１，３１２−２がＯＮする。
これにより、第１の焦点検出用画素３００Ａ−１のフォトダイオード３１１−１に蓄積された電子と、第２の焦点検出用画素３００Ａ−２のフォトダイオード３１１−２に蓄積された伝送が同時並列的にフローティングディフュージョンＦＤＣ２に転送される。
そして、それらの電子がフローティングディフュージョンＦＤＣ２で信号として加算される。
【００５４】
これにより、焦点検出用画素の信号量（感度）が向上し、低照度時の焦点検出精度を向上させることができる。
焦点検出用画素３００の光電変換部（ＰＤ部）は、通常の撮像用画素２００と同じレイアウトで対応可能であるため、先行文献１で生じうるような問題点（微細化）に対し、本技術の方が微細化で有利である。
また、本実施形態では、通常駆動方式で焦点検出用画素がＦＤ加算されるため、焦点検出用画素をＦＤ加算するために駆動方法を変更する必要がない。
また、通常の撮像用画素２００は、一般的な配線接続を行うので、行毎に読み出し可能である。
【００５５】
以上、本実施形態に係る固体撮像素子１００の全体の概略構成、画素配列、および２画素共有の撮像用画素と焦点検出用画素の回路構成の一例について説明した。
以下で、上記説明と重複する部分もあるが、本技術に適用可能な画素共有の構成、焦点検出用画素の遮光、カラーフィルタの配置、画素配列等の具体例について第１の実施例〜第６の実施例として説明する。
【００５６】
＜２．第１の実施例＞
図６（Ａ）および（Ｂ）は、本技術の第１の実施例として、縦２画素共有の構成例を説明するための図である。
図６（Ａ）は通常の撮像用画素の縦２画素共有パターンを示し、図６（Ｂ）は焦点検出用画素の縦２画素共有パターンを示している。
【００５７】
この図６の第１の実施例は、図４に関連付けて説明した画素配列と同様の縦２画素共有の構成を概念的な画素パターンで示している。ここでは、理解を容易にするための図４と同一構成部分は同一符号をもって表す。
図６では、フォトダイオード（ＰＤ）光電変換部、フローティングディフュージョンＦＤ、ゲート電極部、転送制御線ＬＴＲの配線を簡易的に示している。
また、ＦＤ部を接続するコンタクト、配線部は便宜上、図示していないが、ＦＤ部をリセットできるように、リセットトランジスタＴＲＳＴのソース側に電気的に接続されている。
【００５８】
図６（Ａ）および（Ｂ）に示すように、固体撮像素子１００は、撮像用画素２００および焦点検出用画素３００のうち、１対の第１の焦点検出画素３００−１および第２の焦点検出画素３００−２のみ転送ゲートＡＦＴＲＧ１，ＡＦＴＲＧ２が共有されている。
すなわち、第１の焦点検出画素３００−１および第２の焦点検出画素３００−２はフローティングディフュージョンＦＤを共有し、かつ光電変換部ＰＤの蓄積電子をＦＤに転送する第１および第２の転送ゲート（トランジスタ）のゲート電極を共有している。
すなわち、第１の焦点検出画素３００−１の第１の転送ゲートと第２の焦点検出画素３００−２の第２の転送ゲートは、共有の転送制御信号ＴＲ１で同時並列的にオン、オフ制御される。
転送制御信号ＴＲ１が、たとえばハイレベルのときに２つの転送ゲートがオンし、１対の第１の焦点検出画素３００−１および第２の焦点検出画素３００−２の光電変換部ＰＤに蓄積された電子が共有のＦＤに転送され、ＦＤ加算される。
その結果、通常の撮像用画素２００−１，２００−２と同程度の信号量を得ることができる。
【００５９】
通常の撮像用画素２００は、隣接する２画素でフローティングディフュージョンＦＤを共有しているが、転送ゲート（トランジスタ）のゲート電極は独立に形成されている。
すなわち、第１の焦点検出画素３００−１の第１の転送ゲートと第２の焦点検出画素３００−２の第２の転送ゲートは、異なる転送制御信号ＴＲ１，ＴＲ２で独立にオン、オフ制御される。
したがって、撮像用画素２００では、各画素の信号を個別に読み出すことができる。
【００６０】
＜３．第２の実施例＞
図７および図８は、本技術の第２の実施例として、２画素共有の転送配線の構成例を説明するための図である。
図７はＦＤ共有の撮像用画素および焦点検出用画素の積層構造を示し、図８は図７の積層構造における配線の接続を模式的に示している。
【００６１】
焦点検出用画素２００−１，２００−２は、半導体基板（シリコン基板）３２１に光電変換部ＰＤ３２１，ＰＤ３２２、転送ゲートＡＦＴＲＧ３２１，ＡＦＴＲＧ３２２，共有のフローティングディフュージョンＦＤ３２１が形成されている。
そして、上層の第１メタル層である中継電極層３２２に転送ゲートＡＦＴＲＧ３２１，ＡＦＴＲＧ３２２がコンタクトＣＴ３２１で引き上げられて接続されている。
この中継電極層３２２は、さらに上層の第２メタル層３２３により形成される転送制御線ＬＴＲＧ１にコンタクトＣＴ３２２で引き上げられて接続されている。
中継電極層３２２は、この例では、転送制御信号ＴＲ２用の第２のメタル層３２４で形成される転送制御線ＬＴＲ２には接続されていない。
【００６２】
この構成においても、１対の第１の焦点検出画素３００−１および第２の焦点検出画素３００−２は、一方の転送制御信号ＴＲ１にのみ追従し、転送制御信号ＴＲ１がハイレベルのとき、２つの転送ゲートがオンする。
これによる、１対の第１の焦点検出画素３００−１および第２の焦点検出画素３００−２の光電変換部ＰＤ３２１，ＰＤ３２２に蓄積された電子が共有のＦＤに転送され、ＦＤ加算される。
その結果、通常の撮像用画素２００−１，２００−２と同程度の信号量を得ることができる。
【００６３】
図９および図１０は、本技術の第２の実施例として、２画素共有の転送配線の構成例を平面的にかつ模式的に示す図である。
図９はＦＤ共有の撮像用画素および焦点検出用画素のＳｉ基板から第１メタル配線層を含む画素パターンを模式的に示し、図１０は第１メタル配線層から第２メタル配線層を含む画素パターンを模式的に示している。
なお、図９および図１０において、フローティングディフュージョンＦＤ部を接続するコンタクト、配線部は便宜上、図示していない。
【００６４】
図９に示すように、焦点検出用画素３００−１，３００−２では、光電変換部ＰＤ３２１，ＰＤ３２２に入力する光を遮光するための遮光部ＬＣ３２１，ＬＣ３２２が第１メタル配線層である中継電極層３２２と同層のメタルで形成される。
この例では、遮光部ＬＣ３２１，ＬＣ３２２は、光電変換部ＰＤ３２１，ＰＤ３２２の光入射領域のほぼ半部の領域を遮光するように形成される。この例は、左遮光を一例として示している。
したがって、通常の撮像用画素２００１−１，２００−２は、光電変換部への光入射領域は一部遮光されるが焦点検出用画素３００−１，３００−２より大きい。換言すれば、撮像用画素２００の開口サイズが、焦点検出用画素の開口サイズよりも大きい。
ただし、本実施形態においては、通常の撮像用画素２００と焦点検出用画素３００とは、画素サイズが同じである。
【００６５】
なお、図９および図１０に示すように、転送ゲート電極と第１メタル配線層はコンタクト（ビア）ＣＴ３２１を通して接続され、第１メタル配線層と第２メタル層はコンタクトＣＴ３２２を通して接続される。
【００６６】
＜４．第３の実施例＞
図１１は、本技術の第３の実施例として、４画素共有の画素配列例を示す図である。
【００６７】
図１１は、２ｘ２共有（４画素単位）の場合を示している。
通常の光電変換部ＰＤ２２１〜ＰＤ２２４を含む撮像用画素２００−１〜２００−４は、転送制御線ＬＴＲ１，ＬＴＲ２，ＬＴＲ３，ＬＴＲ４に、ＴＲ１→ＴＲ２→ＴＲ３→ＴＲ４の順にパルスが入ると、転送ゲートＴＲＧ１〜ＴＲＧ４が順にオンオフされる。
これに伴い、１画素ずつの信号を読み出すことができる。
【００６８】
図１１の例では、焦点検出用画素３００−１〜３００−４は転送ゲートが転送制御線ＬＴＲ２にのみ接続されている。
そして、転送制御線ＬＴＲ２に転送制御信号ＴＲ２としてパルスが印加されたとき、焦点検出用画素の４画素（２ｘ２）３００−１〜３００−４の転送ゲートが同時にオンされ、フローティングディフュージョンＦＤで４画素分の信号が加算される。
【００６９】
＜５．第４の実施例＞
図１２は、本技術の第４の実施例として、２画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターンの第１例を示す図である。
【００７０】
図１２は、画素アレイ部１１０Ｂの一部に左右遮光の焦点検出用画素３００が配置されている例を示している。
この例では、左遮光の縦２画素共有の焦点検出用画素３００Ｌ−１，３００Ｌ−２と、右遮光の縦２画素共有の焦点検出用画素３００Ｒ−１，３００Ｒ−２が交互に配置されている。
なお、図１２では、図中横方向に連続で焦点検出用画素があるように図示しているが、連続に配置されていなくてもよく、図４のように、間に通常の撮像用画素があってもよい。
【００７１】
図１３は、本技術の第４の実施例として、２画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターンの第２例を示す図である。
【００７２】
図１３は、画素アレイ部１１０Ｃの一部に上下遮光の焦点検出用画素３００が配置されている例を示している。
この例では、上遮光の縦２画素共有の焦点検出用画素３００Ｕ−１，３００Ｕ−２と、下遮光の縦２画素共有の焦点検出用画素３００Ｂ−１，３００Ｂ−２が交互に配置されている。
なお、図１３では、図中横方向に連続で焦点検出用画素があるように図示しているが、連続に配置されていなくてもよく、図４のように、間に通常の撮像用画素があってもよい。
【００７３】
図１４は、本技術の第４の実施例として、２画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターンの第３例を示す図である。
【００７４】
図１４は、画素アレイ部１１０Ｄの一部に上下遮光の焦点検出用画素３００が配置されている例を示している。
この例では、右遮光の縦２画素共有の焦点検出用画素３００Ｒ−１，３００Ｒ−２と、左遮光の縦２画素共有の焦点検出用画素３００Ｌ−１，３００Ｌ−２が配置されている。
さらに図１４の例では、上遮光の縦２画素共有の焦点検出用画素３００Ｕ−１，３００Ｕ−２と、下遮光の縦２画素共有の焦点検出用画素３００Ｂ−１，３００Ｂ−２が交互に配置されている。
すなわち、図１４の例では、左右遮光、上下遮光の焦点検出用画素が混在して配置されている。
なお、図１４では、図中横方向に連続で焦点検出用画素があるように図示しているが、連続に配置されていなくてもよく、図４のように、間に通常の撮像用画素があってもよい。
また、縦方向には、通常の撮像用画素が入っているが、左右遮光、上下遮光の焦点検出用画素が隣り合っていてもよい。
【００７５】
図１５（Ａ）〜（Ｄ）は、本技術の第４の実施例として、２画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターンの第４例を示す図である。
【００７６】
この第４の遮光例は、斜め遮光の例である。
図１５（Ａ）は、左上角を遮光している焦点検出用画素３００ＬＵ−１、３００ＬＵ−２を示している。
図１５（Ｂ）は、右上角を遮光している焦点検出用画素３００ＲＵ−１、３００ＲＵ−２を示している。
図１５（Ｃ）は、左下角を遮光している焦点検出用画素３００ＬＢ−１、３００ＬＢ−２を示している。
図１５（Ｄ）は、右下角を遮光している焦点検出用画素３００ＲＢ−１、３００ＲＢ−２を示している。
【００７７】
図１６は、本技術の第４の実施例として、４画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターンの第１例を示す図である。
【００７８】
図１６は、画素アレイ部１１０Ｉの一部に左右遮光の焦点検出用画素３００が配置されている例を示している。
この例では、左遮光の４画素共有の焦点検出用画素３００Ｌ−１，３００Ｌ−２，３００Ｌ−３，３００Ｌ−４と、右遮光の縦２画素共有の焦点検出用画素３００Ｒ−１，３００Ｒ−２，３００Ｒ−３，３００Ｒ−４が配置されている。
なお、図１６では、図中横方向に連続で焦点検出用画素があるように図示しているが、連続に配置されていなくてもよく、図４のように、間に通常の撮像用画素があってもよい。
【００７９】
図１７は、本技術の第４の実施例として、４画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターンの第２例を示す図である。
【００８０】
図１７は、画素アレイ部１１０Ｉの一部にひだり上下遮光の焦点検出用画素３００が配置されている例を示している。
この例では、左遮光の４画素共有の焦点検出用画素３００Ｕ−１，３００Ｕ−２，３００Ｕ−３，３００Ｕ−４と、右遮光の縦２画素共有の焦点検出用画素３００Ｂ−１，３００Ｂ−２，３００Ｂ−３，３００Ｂ−４が配置されている。
なお、図１７では、図中横方向に連続で焦点検出用画素があるように図示しているが、連続に配置されていなくてもよく、図４のように、間に通常の撮像用画素があってもよい。
【００８１】
＜６．第５の実施例＞
次に、第５の実施例として、カラーフィルタと関連した焦点検出用画素の構成例について説明する。
以下の説明では、左右遮光の焦点検出用画素を例に説明するが、上下遮光や斜め遮光等であっても同様に適用することが可能である。
【００８２】
図１８は、本技術の第５の実施例として、２画素共有の場合で全体的にカラーフィルタがない場合の画素配列パターン例を示す図である。
【００８３】
図１８は、画素アレイ部１１０Ｋの一部に上下遮光の焦点検出用画素３００が配置されている例を示している。
この例では、左遮光の縦２画素共有の焦点検出用画素３００Ｌ−１，３００Ｌ−２と、右遮光の縦２画素共有の焦点検出用画素３００Ｒ−１，３００Ｒ−２が配置されている。
【００８４】
図１９は、本技術の第５の実施例として、２画素共有の場合で全体的にカラーフィルタが配置され、焦点検出用画素にカラーフィルタがない場合の画素配列パターンの例を示す図である。
【００８５】
図１９は、画素アレイ部１１０Ｌは、通常の撮像用画素２００がカラーフィルタＣＦが配置されたＲＧＧＢ画素ベイヤー配列で、焦点検出用画素３００Ｌ−１，３００Ｌ−２，３００Ｒ−１，３００Ｒ−２にカラーフィルタが配置されていない例を示している。
【００８６】
図２０は、本技術の第５の実施例として、２画素共有の場合で全体的にカラーフィルタが配置され、焦点検出用画素にもカラーフィルタがある場合の画素配列パターンの例を示す図である。
【００８７】
図２０は、画素アレイ部１１０Ｍは、通常の撮像用画素２００がカラーフィルタＣＦが配置されたＲＧＧＢ画素ベイヤー配列で、焦点検出用画素３００Ｌ−１，３００Ｌ−２，３００Ｒ−１，３００Ｒ−２にＧのカラーフィルタが配置されている例を示している。
なお、焦点検出用画素に配置するカラーフィルタＣＦは、Ｇでなはく、ＲやＢのカラーフィルタを配置してもよい。
【００８８】
図２１は、本技術の第５の実施例として、２画素共有の場合で全体的にカラーフィルタが配置され、焦点検出用画素に一部カラーフィルタがある場合の画素配列パターンの例を示す図である。
【００８９】
図２１は、画素アレイ部１１０Ｎは、通常の撮像用画素２００がカラーフィルタＣＦが配置されたＲＧＧＢ画素ベイヤー配列で、焦点検出用画素３００Ｌ−１，３００Ｌ−２，３００Ｒ−１，３００Ｒ−２にＧのカラーフィルタが一部配置されている例を示している。この例では、共有画素の一方の画素にカラーフィルタが配置されている。
なお、焦点検出用画素に配置するカラーフィルタＣＦは、Ｇではなく、ＲやＢのカラーフィルタを配置してもよい。
【００９０】
＜７．第６の実施例＞
次に、第６の実施例として、横２画素共有として画素配置例にについて説明する。
上述した第１の実施例や第３の実施例では、縦２画素共有型の画素アレイ部の例を説明したが、この第６の実施例では、横２画素共有型にした例を示す。
【００９１】
図２２は、本技術の第６の実施例として、横２画素共有の画素配列の第１例を示す図である。
【００９２】
基本的な回路構成等は縦画素２画素共有と同様であることから、ここではその詳細は省略する。
図２２の画素アレイ部１００Ｏは、２×２の画素アレイを示しており、上遮光の焦点検出用画素３００Ｕ−１，３００Ｕ−２が第１行第２列に配置され、下遮光の焦点検出用画素３００Ｂ−１，３００Ｂ−２が第２行第２列に配置されている。
そして、焦点検出用画素３００Ｕ−１，３００Ｕ−２の転送ゲート電極が転送制御線ＬＴＲ２に共通に接続され、焦点検出用画素３００Ｂ−１，３００Ｂ−２の転送ゲート電極が転送制御線ＬＴＲ４に共通に接続されている。
以下の例でも、焦点検出用画素の転送ゲート電極は、転送制御線ＬＴＲ２およびＬＴＲ４に接続されている。
【００９３】
図２３は、本技術の第６の実施例として、横２画素共有の画素配列の第２例を示す図である。
【００９４】
図２３の画素アレイ部１００Ｐは、２×２の画素アレイを示しており、右遮光の焦点検出用画素３００Ｒ−１，３００Ｒ−２が第１行第２列に配置され、左遮光の焦点検出用画素３００Ｌ−１，３００Ｌ−２が第２行第２列に配置されている。
そして、焦点検出用画素３００Ｒ−１，３００Ｒ−２の転送ゲート電極が転送制御線ＬＴＲ２に共通に接続され、焦点検出用画素３００Ｌ−１，３００Ｌ−２の転送ゲート電極が転送制御線ＬＴＲ４に共通に接続されている。
以下の例でも、焦点検出用画素の転送ゲート電極は、転送制御線ＬＴＲ２およびＬＴＲ４に接続されている。
【００９５】
図２４は、本技術の第６の実施例として、横２画素共有の画素配列の第３例を示す図である。
【００９６】
図２４の画素アレイ部１００Ｑは、２×２の画素アレイを示しており、右遮光の焦点検出用画素３００Ｒ−１，３００Ｒ−２が第１行第２列に配置され、左遮光の焦点検出用画素３００Ｌ−１，３００Ｌ−２が第２行第２列に配置されている。
上遮光の焦点検出用画素３００Ｕ−１，３００Ｕ−２が第１行第４列に配置され、下遮光の焦点検出用画素３００Ｂ−１，３００Ｂ−２が第２行第４列に配置されている。
そして、焦点検出用画素３００Ｒ−１，３００Ｒ−２，３００Ｕ−１，３００Ｕ−２の転送ゲート電極が転送制御線ＬＴＲ２に共通に接続されている。
焦点検出用画素３００Ｌ−１，３００Ｌ−２，３００Ｂ−１，３００Ｂ−２の転送ゲート電極が転送制御線ＬＴＲ４に共通に接続されている。
【００９７】
このように、図２４の例では、左右遮光および上下遮光の焦点検出用画素が混在した配列パターンが採用されている。
水平（横）方向にみた場合、通常画素の２画素と、焦点検出用F画素の２画素が、交互に（２画素飛ばしで）配置して図示しているが、通常画素が間に入っていなくてもよく、焦点検出用画素が連続で配置されていてもよい。
また、同様に、垂直（縦）方向にみた場合、焦点検出用画素が連続配置されているが、連続配置である必要はなく、焦点検出用画素間に通常の撮像用画素があってもよい。
【００９８】
図２５は、本技術の第６の実施例として、横２画素共有の画素配列の第４例を示す図である。
【００９９】
図２５の画素アレイ部１００Ｒは、左右遮光および上下遮光の焦点検出用画素が連続した配列パターンが採用されている。
その詳細な説明は省略する。
【０１００】
図２６（Ａ）〜（Ｄ）は、本技術の第６の実施例の横２画素共有の場合であって、画素アレイ部に配置される焦点検出用画素の遮光パターン例を示す図である。
【０１０１】
この図２６は、斜め遮光の例を示している。
図２６（Ａ）は、左上角を遮光している焦点検出用画素３００ＬＵ−１、３００ＬＵ−２を示している。
図２６（Ｂ）は、右上角を遮光している焦点検出用画素３００ＲＵ−１、３００ＲＵ−２を示している。
図２６（Ｃ）は、左下角を遮光している焦点検出用画素３００ＬＢ−１、３００ＬＢ−２を示している。
図２６（Ｄ）は、右下角を遮光している焦点検出用画素３００ＲＢ−１、３００ＲＢ−２を示している。
【０１０２】
以上説明したように、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
本実施形態によれば、フローティングディフュージョンＦＤを共有する焦点検出用画素の蓄積新号がＦＤ加算されるため、焦点検出用画素の信号量（感度）が向上し、低輝度時の焦点検出精度が向上する。
焦点検出用画素のＰＤ特性（Ｑｓなど）を通常の撮像用画素と同等にすることができる。
また、光電変換部（ＰＤ）の微細化が先行例より有利であり、また、通常の撮像用画素と焦点検出用画素は同じポテンシャル設計で対応可能となり、低コスト化を図ることが可能となる。
また、本実施形態によれば、画素アレイ部の転送ゲートの電気的な共有により、ＦＤ部で信号を加算できるようになったため、従来よりも倍の信号を得ることができるようになり、焦点検出用画素の感度（位相検出精度）が向上する。
したがって、焦点検出用画素で特別なポテンシャルの作り込みをする必要がなくなり、通常の撮像用画素と焦点検出用画素でポテンシャルの作り込みを同じにできるようになる。
【０１０３】
このような効果を有する固体撮像素子は、デジタルカメラやビデオカメラの撮像デバイスとして適用することができる。
【０１０４】
＜８．カメラシステムの構成例＞
図２７は、本技術の実施形態に係る固体撮像素子が適用されるカメラシステムの構成の一例を示す図である。
【０１０５】
本カメラシステム４００は、図２７に示すように、本実施形態に係る固体撮像素子１００が適用可能な撮像デバイス４１０を有する。
さらに、カメラシステム４００は、この撮像デバイス４１０の画素領域に入射光を導く（被写体像を結像する）光学系、たとえば入射光（像光）を撮像面上に結像させるレンズ４２０を有する。
カメラシステム４００は、撮像デバイス４１０を駆動する駆動回路(ＤＲＶ)４３０と、撮像デバイス４１０の出力信号を処理する信号処理回路(ＰＲＣ)４４０と、を有する。
【０１０６】
駆動回路４３０は、撮像デバイス４１０内の回路を駆動するスタートパルスやクロックパルスを含む各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータ(図示せず)を有し、所定のタイミング信号で撮像デバイス４１０を駆動する。
【０１０７】
また、信号処理回路４４０は、撮像デバイス４１０の出力信号に対して所定の信号処理を施す。
たとえば、信号処理回路４４０において、像ズレ検出演算処理（相関演算処理、位相差検出処理）を施すことにより、いわゆる瞳分割位相差検出方式で一対の像の像ズレ量が検出される。
さらに、像ズレ量に一対の測距瞳の重心間隔に応じた変換演算を行うことにより、予定結像面に対する現在の結像面（予定結像面上のマイクロレンズアレイの位置に対応した焦点検出位置における結像面）の偏差（デフォーカス量）が算出される。
信号処理回路４４０で処理された画像信号は、たとえばメモリなどの記録媒体に記録される。記録媒体に記録された画像情報は、プリンタなどによってハードコピーされる。また、信号処理回路４４０で処理された画像信号を液晶ディスプレイ等からなるモニターに動画として映し出される。
【０１０８】
上述したように、デジタルスチルカメラ等の撮像装置において、撮像デバイス４１０として、先述した固体撮像素子１００を搭載することで、低消費電力で、高精度なカメラが実現できる。
【０１０９】
なお、本技術は以下のような構成をとることができる。
（１）光電変換部を有し、光電変換により得られた電気信号を画素信号として出力する通常の撮像用画素と、焦点を検出するための焦点検出用画素とが２次元状に配列された画素アレイ部を有し、
上記焦点検出用画素は、
光電変換部を有し、光電変換により得られた電気信号を出力ノードに転送して出力する少なくとも第１の焦点検出用画素および第２の焦点検出用画素を含み、
上記第１の焦点検出用画素および上記第２の焦点検出用画素は上記出力ノードを共有し、
上記第１の焦点検出用画素は、
第１の光電変換部と、
上記第１の光電変換部で光電変換されて発生した電子を上記共有の出力ノードに読み出すための第１の転送ゲートと、を含み、
上記第２の焦点検出用画素は、
第２の光電変換部と、
上記第２の光電変換部で光電変換されて発生した電子を上記共有の出力ノードに読み出すための第２の転送ゲートと、を含み、
上記第１の焦点検出用画素の上記第１の転送ゲートと上記第２の焦点検出用画素の上記第２の転送ゲートは、導通制御する制御信号が印加されるゲート電極が電気的に共有されている
固体撮像素子。
（２）上記撮像用画素は、
少なくとも２つの画素が、光電変換により得られた電子が転送される出力ノードを共有し、
上記２つの画素が上記共有の出力ノードに転送する転送ゲートをそれぞれ有し、
各転送ゲートは、個別の転送制御信号により導通制御され、
上記第１の焦点検出用画素の上記第１の転送ゲートと上記第２の焦点検出用画素の上記第２の転送ゲートは、一の上記転送制御信号により同時並列的に導通制御される
上記（１）記載の固体撮像素子。
（３）前記焦点を検出するための焦点検出用画素と、通常の撮像用画素の少なくとも１縁部が隣接している
上記（１）または（２）記載の固体撮像素子。
（４）上記第１の焦点検出用画素と上記第２の焦点検出用画素は、
上記光電変換部への光の入射領域の一部が遮光されている
上記（１）から（４）のいずれか一に記載の固体撮像素子。
（５）上記第１の焦点検出用画素と、上記第２の焦点検出用画素の開口サイズが同じである
上記（１）から（４）のいずれか一に記載の固体撮像素子。
（６）上記通常の撮像用画素の開口サイズが、前記焦点検出用画素の開口サイズよりも大きい
上記（１）から（５）のいずれか一に記載の固体撮像素子。
（７）上記焦点検出用画素は、カラーフィルタが配置されていない画素を含む
上記（１）から（６）のいずれか一に記載の固体撮像素子。
（８）上記画素アレイ部はカラーフィルタが配置され、
上記第１の焦点検出用画素と第２の焦点検出用画素の一方に、カラーフィルタが配置されていない
上記（１）から（６）のいずれか一に記載の固体撮像素子。
（９）上記画素アレイ部はカラーフィルタが配置され、
上記第１の焦点検出用画素と第２の焦点検出用画素には、同色のカラーフィルタが配置されている
上記（１）から（６）のいずれか一に記載の固体撮像素子。
（１０）焦点を検出するための上記焦点検出用画素と、通常の撮像用画素の画素サイズが同じである
上記（１）から（９）のいずれか一に記載の固体撮像素子。
（１１）上記出力ノードを共有する焦点検出用画素は、２画素以上である
上記（１）から（１０）のいずれか一に記載の固体撮像素子。
（１２）固体撮像素子と、
上記固体撮像素子に被写体像を結像する光学系と、
上記固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理部と、を有し、
上記固体撮像素子は、
光電変換部を有し、光電変換により得られた電気信号を画素信号として出力する通常の撮像用画素と、焦点を検出するための焦点検出用画素とが２次元状に配列された画素アレイ部を有し、
上記焦点検出用画素は、
光電変換部を有し、光電変換により得られた電気信号を出力ノードに転送して出力する少なくとも第１の焦点検出用画素および第２の焦点検出用画素を含み、
上記第１の焦点検出用画素および上記第２の焦点検出用画素は上記出力ノードを共有し、
上記第１の焦点検出用画素は、
第１の光電変換部と、
上記第１の光電変換部で光電変換されて発生した電子を上記共有の出力ノードに読み出すための第１の転送ゲートと、を含み、
上記第２の焦点検出用画素は、
第２の光電変換部と、
上記第２の光電変換部で光電変換されて発生した電子を上記共有の出力ノードに読み出すための第２の転送ゲートと、を含み、
上記第１の焦点検出用画素の上記第１の転送ゲートと上記第２の焦点検出用画素の上記第２の転送ゲートは、導通制御する制御信号が印加されるゲート電極が電気的に共有されている
カメラシステム。
【符号の説明】
【０１１０】
１００・・・固体撮像素子、１１０，１１０Ａ〜１００Ｖ・・・画素アレイ部、１２０・・・行選択回路、１３０・・・カラム読み出し回路、２００，２００−１，２００−２・・・撮象用画素、ＴＲＧ１、ＴＲＧ２・・・転送ゲート、３００，３００−１、３００−２・・・焦点検出用画素、ＡＦＴＲＧ１，ＡＦＴＲＧ２・・・転送ゲート、３２１・・・半導体基板、３２２・・・中継電極層（第１メタル配線層）、３２３・・・転送制御線（第２メタル配線層）、４００・・・画素電源部、４００・・・カメラシステム、４１０・・・撮像デバイス、４２０・・・駆動回路、４３０・・・レンズ、４４０・・・信号処理回路。
【図１】
2013157883.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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