(57)【要約】【課題】半田等の導電性接合材の接合箇所に生じるクラックの進展を簡単な構成によって抑止する。【解決手段】部品接合構造１０は、電気的に導通可能な接続端子１６を有する電子チップ１２と、接続端子１６と半田バンプ１８を介して電気的に接合されるランド部３０を有する配線基板１４とを備える。半田バンプ１８が接合されるランド部３０の接合面３０ａには、半田が流入可能であり、且つ円形状の外縁３４ａを有する溝部３４が形成されている。これにより、半田バンプ１８にクラックが発生しても、溝部３４においてクラックの進展を抑止することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に導通可能な第１接続部を有する実装部品と、
前記第１接続部と導電性接合材を介して電気的に接合される第２接続部を有する配線基板とを備え、
前記導電性接合材が接合される前記第１接続部又は前記第２接続部の接合面のうち少なくとも一方には、前記導電性接合材が流入可能であり且つ円弧状の外縁を有する凹部が形成されている
ことを特徴とする部品接合構造。
【請求項２】
請求項１記載の部品接合構造において、
前記凹部は、該凹部が形成されている前記接合面の外縁の近傍位置で該接合面の中心部を囲う略円環状に形成されている
ことを特徴とする部品接合構造。
【請求項３】
請求項２記載の部品接合構造において、
前記接合面の外縁は、該接合面の周囲を囲うレジスト層により略円形状に形成されている
ことを特徴とする部品接合構造。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の部品接合構造において、
前記凹部は、前記接合面の中心部を含む位置で略円形状に形成されている
ことを特徴とする部品接合構造。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の部品接合構造において、
前記凹部が形成されている前記第１接続部又は前記第２接続部は、前記配線基板上に所定の厚さを有するように形成され、
前記凹部の深さは、前記凹部が形成されている前記第１接続部又は前記第２接続部の厚さよりも小さく形成されている
ことを特徴とする部品接合構造。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の部品接合構造において、
前記導電性接合材は、ボール状の半田であり、前記第１接続部と前記第２接続部を所定間隔離間した状態で接合する
ことを特徴とする部品接合構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装部品と配線基板を電気的に接合する部品接合構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型電子機器に組み込まれる配線基板には、電子部品や基板自体の小型化を目的として、ＩＣチップ又は他の電子部品を集約したＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ）等の実装部品が実装されている。また、実装部品は、ボール状の半田を底面に設けたＢＧＡ（Ｂａｌｌ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）パッケージとして構成されることで、リードの接合に比べて実装面積が一層狭小化され、基板の小型化が図られる。
【０００３】
ところで、上述した配線基板等では、熱の影響による歪みや衝撃等の外力が加わることにより、半田の接合箇所にクラックが発生し、このクラックにより電気的接続が不安定となる不具合が生じる。このため、実装部品と配線基板の接合においては、クラックを可及的に低減することが望まれている。
【０００４】
例えば、特許文献１に開示されている部品接合構造では、実装部品が実装される配線基板の反対面側に切欠凹部が形成された構成となっている。この切欠凹部は、配線基板の剛性を下げることでクラックの原因となる応力を吸収する。
【０００５】
また、特許文献２に開示されている部品接合構造は、クラックを低減するために、ボール状の半田の内部に金属ボールが収容され、さらに実装部品の周囲に配線基板を補強する補強パッドが設けられた構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１４６６５６号公報
【特許文献２】特許第３２１７０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
さて、特許文献１及び２に開示されている部品接合構造は、基本的に、配線基板にかかる応力を低減することで、クラックの発生を低減するものである。しかしながら、大きな外力が配線基板に加わる等の原因により、半田の接合箇所にクラックが一旦生じてしまうと、このクラックは接合箇所をそのまま進展し、実装部品と配線基板の接合不良を生じさせるおそれがある。
【０００８】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、半田等の導電性接合材の接合箇所に生じるクラックの進展を、簡単な構成によって抑止することができ、これにより、実装部品と配線基板の接合の安定化を図り、電気的接続の信頼性を大幅に向上することができる部品接合構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するために、本発明は、電気的に導通可能な第１接続部を有する実装部品と、前記第１接続部と導電性接合材を介して電気的に接合される第２接続部を有する配線基板とを備え、前記導電性接合材が接合される前記第１接続部又は前記第２接続部の接合面のうち少なくとも一方には、前記導電性接合材が流入可能であり且つ円弧状の外縁を有する凹部が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
上記によれば、導電性接合材が流入可能であり且つ円弧状の外縁を有する凹部が接合面に形成されていることで、配線基板や実装部品に外力が加わる等により導電性接合材にクラックが発生しても、クラックの進展を凹部の外縁において抑止することができる。すなわち、接合面に形成される凹部に流入した導電性接合材は、クラックの進展方向に対し異なる方向に突出した壁部として機能し、進展してきたクラックをせき止めることができる。また、凹部により導電性接合材の接触面積が増えるため、接合面との接合力も向上する。これにより、実装部品と配線基板の接合の安定化を図ることが可能となり、電気的接続の信頼性を大幅に向上することができる。
【００１１】
この場合、前記凹部は、該凹部が形成されている前記接合面の外縁の近傍位置で該接合面の中心部を囲う略円環状に形成されていることが好ましい。
【００１２】
このように、凹部が接合面の中心部を囲う略円環状に形成されていることで、クラックがいずれの方向から発生しても凹部においてクラックの進展を防ぐことができる。また、円環状の凹部が接合面の外縁の近傍位置に形成されているので、導電性接合材の外縁付近の接合力が増し、クラックの発生を低減させることもできる。
【００１３】
また、前記接合面の外縁は、該接合面の周囲を囲うレジスト層により略円形状に形成された構成とすることができる。
【００１４】
このように、接合面が略円形状に形成されていることで、接合面の外縁から円環状の凹部の外縁までの間隔を略等しくすることができる。従って、円環状の凹部と導電性接合材の接合力を均一的に高めることができる。
【００１５】
或いは、前記凹部は、前記接合面の中心部を含む位置で略円形状に形成されていてもよい。
【００１６】
このように、凹部が接合面の中心部を含む位置で略円形状に形成されていることで、クラックが接合面の中心部に進展しても凹部によってクラックの進展を抑止することができる。従って、中心部に向かうクラックの進展率を５０％以下に抑えることができ、電気的接続を良好に維持することができる。
【００１７】
ここで、前記凹部が形成されている前記第１接続部又は前記第２接続部は、前記配線基板上に所定の厚さを有するように形成され、前記凹部の深さは、前記凹部が形成されている前記第１接続部又は前記第２接続部の厚さよりも小さく形成されていることが好ましい。
【００１８】
このように、凹部の深さが第１又は第２接続部の厚さよりも小さく形成されていることで、凹部が形成されている接合面の全面が導電性を有することになり、電気的接続を一層良好に行うことができる。
【００１９】
また、前記導電性接合材は、ボール状の半田であり、前記第１接続部と前記第２接続部を所定間隔離間した状態で接合するとよい。
【００２０】
すなわち、実装部品の第１接続部にボール状の半田を配設したＢＧＡパッケージに対し、本部品接合構造を適用することができる。従って、実装部品の実装面積を小さくすることができ、これにより配線基板の小型化を図ることもできる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の部品接合構造によれば、半田等の導電性接合材の接合箇所に生じるクラックの進展を、簡単な構成によって抑止することができ、これにより、実装部品と配線基板の接合の安定化を図り、電気的接続の信頼性を大幅に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１Ａは、本実施の形態に係る部品接合構造の電子チップと配線基板を概略的に示す平面図であり、図１Ｂは、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線断面図である。
【図２】図２Ａは、図１のランド部及び半田バンプの構成を概略的に示す要部拡大平面図であり、図２Ｂは、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線断面図である。
【図３】図３Ａは、図２Ｂの部品接合構造にクラックが生じた状態を示す側面断面図であり、図３Ｂは、従来の部品接合構造にクラックが生じた状態を示す側面断面図である。
【図４】図４Ａは、第１変形例に係る部品接合構造を概略的に示す平面図であり、図４Ｂは、第２変形例に係る部品接合構造を概略的に示す平面図であり、図４Ｃは、第３変形例に係る部品接合構造を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明に係る部品接合構造について好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】
本実施の形態に係る部品接合構造は、エンジンの制御を行うエンジンコントロールユニット（ＥＣＵ）の実装部品と配線基板の接合に関するものである。また、部品接合構造において適用される実装部品は、配線基板の小型化を図るために、複数のＩＣチップや電子部品が組み合わされたＭＣＭ（以下、電子チップともいう）として構成されている。なお、本発明に係る部品接合構造は、ＥＣＵに限定されず、種々の電気・電子機器の実装部品と配線基板の接合に適用し得ることは勿論である。また、配線基板に実装される実装部品も、ＭＣＭに限定されず、半導体ＩＣ（ＬＳＩ等）や半導体素子（トランジスタ等）、或いは回路を構成するコンデンサ、コイル、抵抗等の実装部品であってもよい。
【００２５】
図１Ａは、本実施の形態に係る部品接合構造１０の電子チップ１２と配線基板１４を概略的に示す平面図であり、図１Ｂは、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線断面図である。図２Ａは、図１のランド部３０及び半田バンプ１８の構成を概略的に示す要部拡大平面図であり、図２Ｂは、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線断面図である。
【００２６】
部品接合構造１０を構成する電子チップ１２は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、例えば、矩形状のパッケージとして構成され、配線基板１４の所定位置に半田付けにより実装される。この電子チップ１２は、周辺部にリードを有しておらず、配線基板１４と対向する底面１２ａに電気的接続をなす複数の接続端子１６（電極：第１接続部）が設けられている。各接続端子１６には、導線性接合材であるボール状の半田（以下、半田バンプ１８ともいう）が搭載されている。すなわち、電子チップ１２は、半田バンプ１８を介して配線基板１４に接合されるＢＧＡパッケージタイプとして構成されている。電子チップ１２は、この半田バンプ１８を介して、接合された配線基板１４との間で信号の入出力を行う。
【００２７】
複数の接続端子１６は、半田バンプ１８との間で金属間化合物を形成する金属（例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ等）により構成された半田付け用電極である。電子チップ１２の底面１２ａには、これら複数の接続端子１６が中央部を囲うように複数列（アレイ状）に配列される。隣り合う接続端子１６同士のピッチは、例えば、０．１ｍｍ〜２．０ｍｍ程度の範囲に設定されている。
【００２８】
接続端子１６は、所定の厚さ（例えば、０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ）で下側に突出しているが、その周囲に被覆される保護層２０により僅かに内側に埋められた構造（オーバーレジスト）となっている（図２Ａも参照）。保護層２０は、絶縁性を有し、電子チップ１２の底面１２ａにおいて接続端子１６の設置箇所以外の略全面を覆い、各接続端子１６間や配線基板１４との絶縁性を確保している。
【００２９】
接続端子１６に設けられる半田バンプ１８は、保護層２０から露呈する接続端子１６の接合面１６ａ全体を覆っている。この半田バンプ１８を構成する材料としては、例えば、ＳｎＡｇ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＺｎ、ＳｎＺｎＢｉ、ＳｎＰｂ、ＳｎＢｉ、ＳｎＡｇＢｉＩｎ等が挙げられる。半田バンプ１８を接続端子１６（実装部品）に設ける方法としては、フラックス（図示せず）を接続端子１６に塗布してボール状の半田を搭載し溶融を行うスクリーン印刷が挙げられる。或いは、他の方法（例えば、メッキ法）を用いて形成してもよい。
【００３０】
一方、電子チップ１２が取り付けられる配線基板１４は、絶縁基材によって薄板状に形成されている。この絶縁基材を構成する材料としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂等の各種合成樹脂、これら合成樹脂を紙、ガラス繊維などの繊維に含浸させた紙フェノール、紙エポキシ、ガラスエポキシ等の繊維強化樹脂、また各種のガラス、セラミックや金属を用いることができる。
【００３１】
配線基板１４の表面には、所定の導電パターン２２やスルーホール２４が形成されている。電子チップ１２やその他の実装部品は、この導電パターン２２に電気的に導通するように半田等の導電性接合材を介して実装される。導電パターン２２は、所定の方法（例えば、フォトエッチング）により銅箔が配線基板１４の表面上にプリントされることにより形成される。この導電パターン２２の上面には、レジスト層２６（例えば、熱硬化性エポキシ樹脂）が被覆され、導電パターン２２に対する絶縁性が確保されている。
【００３２】
配線基板１４における電子チップ１２の実装箇所には、接続端子１６に対応してレジスト層２６を開口させた複数の開口部２８が形成され、この開口部２８内の底面には複数のランド部３０（第２接続部）が露呈されている。ランド部３０は、銅箔により構成され、導電パターン２２に一体成形されている。各ランド部３０は、その側縁部がレジスト層２６内に入り込む構造（オーバーレジスト）に構成されており、レジスト層２６下で所定の導電パターン２２に連なっている。
【００３３】
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、ランド部３０は、所定の厚さを有して配線基板１４上に設けられている。ランド部３０の上面には、半田バンプ１８が接合される接合面３０ａが形成され、この接合面３０ａの外縁３０ｂは、レジスト層２６により略円形状に形成されている。また、接合面３０ａの外縁３０ｂは、半田バンプ１８の上下方向中間部（球状の最外縁部）の外径よりも小径に形成されている。電子チップ１２の接合時には、この大きな外径を有する半田バンプ１８が溶融されることで、接合面３０ａと開口部２８の内壁により構成される空間３２に半田が隙間なく満たされる。
【００３４】
ランド部３０の接合面３０ａには、該接合面３０ａの外縁３０ｂの近傍位置で、その中心部を囲う円環状の溝部３４（凹部）が形成されている。溝部３４は、半田バンプ１８とランド部３０接合において、接合力を向上させる機能（アンカー効果）を有する。すなわち、溝部３４には、半田バンプ１８の溶融にともない半田が流入して充満され、空間３２内の半田バンプ１８の凝固と一体的に半田が固体化される。このため、接合面３０ａと半田バンプ１８の接合面積が増加し、ランド部３０と半田バンプ１８の接合が強固になる。
【００３５】
また、溝部３４は、仮にクラックが半田バンプ１８に発生した場合でも、クラックの進展を溝部３４の外縁３４ａにおいて抑止する機能を有する。この溝部３４の作用効果については後述する。なお、溝部３４は、円形状の外縁３４ａを有するため、配線基板１４に対しクラックがどの方向から生じてもクラックの進展を良好に抑止することができる。
【００３６】
溝部３４の深さは、ランド部３０の箔厚よりも小さく（浅く）形成されている。従って、溝部３４は、銅箔上に浅く形成された状態で延在しており、溝部３４を含む接合面３０ａ全面が半田バンプ１８に電気的に接続される。
【００３７】
さらに、溝部３４は、円形状の接合面３０ａの外縁３０ｂに沿うように円環状に設けられており、接合面３０ａの外縁３０ｂと溝部３４の外縁３４ａの間隔ｄが全体的に略等しくなっている。このため、部品接合構造１０は、接合面３０ａの外縁３０ｂの近傍位置が半田バンプ１８により強固且つ均等的な接合力で接合されることになり、アンカー効果が一層向上している。
【００３８】
上記の溝部３４は、配線基板１４上に導電パターン２２を形成する際に、ハーフエッチングを施すことによって形成し得る。以下、溝部３４を有するランド部３０（導電パターン２２）の形成手順について説明する。
【００３９】
導電パターン２２の形成においては、先ず、所定の箔厚（本実施の形態では、約５０μｍ）の銅箔が設けられた基材を用いて、この銅箔の表面に感光性のレジストフィルムをラミネートする（レジスト塗布工程）。
【００４０】
次に、所定の導電パターン２２からなるワークフィルム（ネガフィルム）を介して、レジストフィルムに対しＵＶ光を照射し、露光を行う（露光工程）。ここで、ワークフィルムは、ランド部３０の上面における溝部３４の形成箇所に、充分に幅狭（例えば、５〜１０μｍ程度）な円環状のラインを有している。このため、露光工程が実施されると、円環状のラインには少量のＵＶ光しか届かず、ランド部３０上のレジストフィルムに幅狭な円環状の未露光部分が形成される。
【００４１】
次に、配線基板１４を所定の溶剤に浸漬して、レジストフィルムが硬化されていない部分を除去する（現像工程）。この現像工程により、ランド部３０の上面に形成されている狭い未露光部分も除去される。その結果、大きな膜厚を有するレジストフィルムに細い円環状の溝が形成される。
【００４２】
次に、残存しているレジストフィルムに沿ってエッチングを行い、導電パターン２２を形成する（エッチング工程）。エッチング工程では、薬剤により銅箔の化学的な除去を行う。この際、レジストフィルムに形成されている溝には、その狭さにより薬剤の流入が制限され、銅箔のエッチング量が少なくなる。従って、ランド部３０の上面には、銅箔が完全に除去されず浅い円環状の溝部３４が形成される。
【００４３】
エッチング工程後は、レジストフィルムの剥離が行われ、導電パターン２２が配線基板１４上に形成される。また導電パターン２２の形成後は、電子チップ１２（又はその他の実装部品）のマウント部分を除く導電パターン２２の上面に、ソルダーレジスト（レジスト層２６）が被覆される。
【００４４】
このような手順により導電パターン２２を形成することで、ランド部３０の接合面３０ａには円環状の溝部３４が形成される。なお、溝部３４は、アレイ状に配列されているランド部３０全てに形成されていてもよく、配線基板１４のうち応力が生じ易い箇所（例えば、電子チップ１２の角部に対応するランド部３０）にだけ形成されてもよい。
【００４５】
配線基板１４と電子チップ１２の実装（半田付け）は、例えば、公知のリフロー工程によってなされる。この場合、配線基板１４のランド部３０に対し電子チップ１２の半田バンプ１８が一致するように位置決めし、その後に、所定の温度及びディップ時間で加熱を行う。これにより、半田バンプ１８が溶融して、ランド部３０の上面側に位置する空間３２と溝部３４には半田が充満し、接合面３０ａと半田との間で、例えばＣｕ−Ｓｎ合金層を形成する。そのため、半田の凝固により溝部３４を含む接合面３０ａ全面が半田バンプ１８に密着し、図２Ｂに示すように、電子チップ１２と配線基板１４が半田バンプ１８を介して導電可能に接合される。
【００４６】
本実施形態に係る部品接合構造１０は、基本的には以上のように構成されるものであり、以下、その作用及び効果について説明する。図３Ａは、図２Ｂの部品接合構造１０にクラックが生じた状態を示す側面断面図であり、図３Ｂは、従来の部品接合構造１１０にクラックが生じた状態を示す側面断面図である。
【００４７】
図３Ｂに示すように、従来の部品接合構造１１０は、配線基板１１４のランド部１３０の接合面１３０ａが平坦状に形成され、この接合面１３０ａに半田バンプ１１８が接合される。なお、図３Ｂに示すランド部１３０は、半田バンプ１１８よりも外径が小さく、レジスト層１２６が外縁１３０ｂを覆っていない構造（アンダーレジスト）を採っており、半田バンプ１１８の溶融にともない半田がランド部１３０の接合面１３０ａ及び側面を覆うように接合されている。
【００４８】
この部品接合構造１１０において、強い応力（例えば、衝撃）がかかった場合、上述したように、半田バンプ１１８と接合面１３０ａの境界部分にはクラックが生じる可能性がある。このクラックは、半田バンプ１１８に一旦発生すると、Ｃｕ−Ｓｎ合金層からなる境界部分に沿って進展し、半田バンプ１１８の剥離を促す。そのため、ランド部１３０と半田バンプ１１８の接合が不安定となり、電子チップ１１２と配線基板１１４の電気的接続の信頼性が低下する。
【００４９】
これに対し、本実施の形態に係る部品接合構造１０では、接合面３０ａの外縁３０ｂ付近に形成されている溝部３４により、半田バンプ１８と接合面３０ａが強固に接合されクラックの発生が抑制される。
【００５０】
また、電子チップ１２や配線基板１４に強い応力（例えば、衝撃）がかかり、仮に半田バンプ１８と接合面３０ａの境界部分にクラックが生じても溝部３４によりクラックの進展を抑止することができる。すなわち、通常、クラックは、図３Ａに示すように、接合力が弱いレジスト層２６と半田バンプ１８の接合箇所（接合面３０ａの外縁３０ｂ）から発生する。このクラックは、接合面３０ａに沿って面状に進展していくことで、溝部３４の外縁３４ａに当たることになる。上述したように、溝部３４には、半田が流入して固体化しており、クラックの進展方向に対し略直交方向に突出する湾曲状の半田の壁を存在させる。このため、溝部３４の形成箇所付近は、半田が補強された状態となっており、湾曲状（円弧状）の外縁においてクラックの進展をせき止めることができる。
【００５１】
以上のように、本実施の形態に係る部品接合構造１０によれば、ランド部３０に形成した溝部３４によって、クラックの進展を良好に抑止することができる。これにより、電子チップ１２と配線基板１４の接合の安定化を図ることが可能となり、電気的接続の信頼性を大幅に向上することができる。
【００５２】
また、溝部３４が接合面３０ａの中心部を囲う略円環状に形成されていることで、クラックがいずれの方向から発生しても溝部３４においてクラックの進展を防ぐことができる。さらに、溝部３４の深さがランド部３０の箔厚よりも小さいことで、溝部３４を含む接合面３０ａの全面が導電性を有することになり、電気的接続を一層良好に行うことができる。またさらに、部品接合構造１０は、ボール状の半田を配設したＢＧＡパッケージに対し良好に適用することができるので、実装部品の実装面積を小さくすることができ、これにより配線基板の小型化が図られる。
【００５３】
上記において、本発明について好適な実施の形態を挙げて説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の改変が可能なことは言うまでもない。例えば、溝部３４（凹部）は、ランド部３０の接合面３０ａだけでなく、接続端子１６の接合面１６ａに形成されてもよい。また、溝部３４は、オーバーレジスト構造に形成された接続部（接続端子１６、ランド部３０）に設けられるだけでなく、アンダーレジスト構造の接続部に設けられてもよい。
【００５４】
以下、図４Ａ〜図４Ｃを参照して第１〜第３変形例に係る部品接合構造１０Ａ〜１０Ｃについて説明する。なお、以下の説明において、本実施の形態に係る部品接合構造１０と同一の構成又は同一の機能を有する構成については、同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
【００５５】
図４Ａに示すように、第１変形例に係る部品接合構造１０Ａは、溝部３４の他に窪み部３６（凹部）を有している点で本実施の形態に係る部品接合構造１０とは異なる。この窪み部３６は、接合面３０ａの中心部において略円形状の外縁を有するように形成されている。これにより、接合面３０ａには、溝部３４及び窪み部３６という２重の凹部が設けられる。このように、接合面３０ａに２重の凹部を有することで、ランド部３０と半田バンプ１８の接合を一層強固にすることができる。
【００５６】
また、接合面３０ａにクラックが発生し、仮に、このクラックが溝部３４を越えて接合面３０ａの中心部に進展したとしても、中心部付近に存在する窪み部３６によってクラックの進展を抑止することができる。従って、窪み部３６によって、クラックの進展率を５０％以下に抑えることができ、ランド部３０と半田バンプ１８の電気的接続を良好に維持することができる。なお、接合面３０ａには、環状の溝部３４がなく、窪み部３６だけが形成されていても、クラックの進展を抑止できる。
【００５７】
図４Ｂに示すように、第２変形例に係る部品接合構造１０Ｂは、円環状の溝部が部分的に分断され４つの円弧溝部３８が形成されている点で、本実施の形態及び第１変形例に係る部品接合構造１０、１０Ａとは異なる。各円弧溝部３８は、その外縁３８ａが円弧状に形成されるとともに、クラックが発生し易い方向に外縁３８ａが対向するように設置されている。例えば、クラックが発生し易い方向とは、配線基板１４の長手方向や短手方向に平行となる方向である。
【００５８】
このように、接合面３０ａに円弧溝部３８を有する構成では、クラックが発生して進展すると、円弧状の外縁３８ａに該クラックが当たることになり、その進展を抑止することができる。要するに、接合面３０ａに形成される凹部（溝部３４、窪み部３６、円弧溝部３８）の形状や数は、特に限定されるものではない。
【００５９】
図４Ｃに示すように、第３変形例に係る部品接合構造１０Ｃは、ランド部４０が略四角形状に形成され、このランド部４０に応じて半田バンプ４２が半田付けされる点で本実施の形態、第１及び第２変形例に係る部品接合構造１０、１０Ａ、１０Ｂとは異なる。この場合、ランド部４０の接合面４０ａに形成される凹部は、図４Ｃに示すように環状の溝部３４に形成されてもよく、接合面４０ａの外縁４０ｂに沿って四隅が丸角（円弧状）の略四角形状に形成されてもよい（図示せず）。略四角形状に接合している半田バンプ４２は、角部からクラックが発生しやすいが、円弧状の凹部が形成されていることで、クラックの進展を抑止することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１０、１０Ａ〜１０Ｃ…部品接合構造  １２…電子チップ
１４…配線基板                      １６…接続端子
１８、４２…半田バンプ              ２０…保護層
２２…導電パターン                  ２６…レジスト層
３０、４０…ランド部                ３０ａ…接合面
３０ｂ…外縁                        ３４…溝部
３６…窪み部
【図１】
2013211497.tif 000003
【図２】
2013211497.tif 000004
【図３】
2013211497.tif 000005
【図４】
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