(57)【要約】【課題】レーザ光の照射の打ち始めと打ち終わりのオーバーラップ領域において、基板とフリットガラスにおけるクラックの発生を抑制させ、気密性の優れた封止体及び発光装置を作製する。【解決手段】フリットガラスを形成した基板と対向する基板の、フリットガラスと重なる領域にレーザ光に対して反射率が高い高反射率領域と高反射率領域より反射率が低い低反射率領域とを設ける。当該低反射率領域からレーザ光を走査すると、フリットガラスにクラックが生じにくい。【選択図】図１
2013138000.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に設けられた低融点ガラスを含むフリットガラスに接して、前記第１基板と対向する第２基板を配置し、前記フリットガラスにレーザ光を照射し、前記第２基板と前記フリットガラスを溶着させる封止体の作製方法において、
前記第１基板の表面に前記フリットガラスを設ける工程と、
前記第２基板の前記フリットガラスと重なる領域に、前記レーザ光に対して反射率が高い高反射率領域と前記高反射率領域より反射率が低い低反射率領域とを設ける工程と、
前記第１基板と前記第２基板の間に前記フリットガラスを挟んだ状態で、前記フリットガラスに前記レーザ光を照射して前記フリットガラスを溶融させ、前記フリットガラスと前記第１基板と前記第２基板とで閉空間を形成する工程と、を有し、
レーザ光照射を、前記低反射率領域から走査することを特徴とする封止体の作製方法。
【請求項２】
第１基板上に設けられた低融点ガラスを含むフリットガラスに接して、有機ＥＬ素子が形成された第２基板を、前記第１基板と対向して配置し、前記フリットガラスにレーザ光を照射し、前記第２基板と前記フリットガラスを溶着させる発光装置の作製方法において、
前記第１基板の表面に前記フリットガラスを設ける工程と、
前記第２基板の前記フリットガラスと重なる領域に、前記レーザ光に対して反射率が高い高反射率領域と前記高反射率領域より反射率が低い低反射率領域とを設ける工程と、
前記第１基板と前記第２基板の間に前記フリットガラスを挟んだ状態で、前記フリットガラスに前記レーザ光を照射して前記フリットガラスを溶融させ、前記フリットガラスと前記第１基板と前記第２基板とで閉空間を形成する工程と、を有し、
レーザ光照射を、前記低反射率領域から走査することを特徴とする発光装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスを外部より侵入する不純物から保護する封止体の作製方法及び発光装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
２枚のガラス基板を貼り合わせて、貼り合わせた空間を密閉する技術として、フリットガラス封止が知られている。フリットガラスで封止した封止体は気密性が優れており、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと称す。）表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置等に応用されている。
【０００３】
とくに有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子の信頼性向上のためフリットガラス封止が使用されている。有機ＥＬ素子は有機ＥＬ層やそれを両側から挟んでいる電極が、水分や酸素に曝されると急速にその信頼性が低下するためである。フリットガラスを用いる封止により有機ＥＬ層や両電極を大気に曝さないようにする技術として、例えば、特許文献１に記された技術が知られている。
【０００４】
特許文献１に記された技術は、ガラス基板の縁に沿って、フリットガラスペーストをノズルから吐出させつつ走査させることにより、閉曲線を成す隔壁をフリットガラスペーストにより形成後、焼成することによりフリットガラスペーストを融合させてフリットガラスとする。さらに、他のガラス基板に当該フリットガラスを押し付け、フリットガラスにレーザ光を照射して加熱溶融し、当該フリットガラスと他のガラス基板とを溶着することにより、気密性の優れた封止体を形成するものである。
【０００５】
しかし、フリットガラス封止体は、レーザ光照射の条件（照射強度、レーザ光の走査速度等）を調整しないと、フリットガラスにクラックが入りやすい領域があり、気密性が得られない場合がある。たとえば、レーザ光照射の打ち始めと打ち終わりのオーバーラップ領域では、通常の走査領域と同じレーザ光出力で照射すると、クラックが入りやすい。その理由は、オーバーラップ領域では通常の走査領域より加えられる熱量が多く、オーバーラップ領域のフリットガラスとガラス基板が、通常の走査領域より熱膨張するためである。その対策としてオーバーラップ領域では、レーザ光の照射強度や、レーザ光の走査速度を調整するなどの複雑な制御を行ってきた（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−０６５８９５号公報
【特許文献２】特開２００８−５２７６５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
オーバーラップ領域におけるクラック発生防止のための上に示した従来の方法は、レーザ光の照射条件を複雑に制御しなければならず、その制御が煩雑であった。また、レーザ光の照射条件の調整を誤ると、オーバーラップ領域のフリットガラスにクラックが入り封止体の歩留まりを低下させていた。
【０００８】
そこで、本発明の課題は、レーザ光の照射の打ち始めと打ち終わりのオーバーラップ領域において、基板とフリットガラスにおけるクラックの発生を抑制させ、気密性の優れた封止体及び発光装置の作製方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、第１基板上に設けられた低融点ガラスを含むフリットガラスに接して、第１基板と対向する第２基板を配置し、フリットガラスにレーザ光を照射し、第２基板とフリットガラスを溶着させる封止体の作製方法において、第１基板の表面にフリットガラスを設ける工程と、第２基板のフリットガラスと重なる領域に、レーザ光に対して反射率が高い高反射率領域と高反射率領域より反射率が低い低反射率領域とを設ける工程と、第１基板と第２基板の間にフリットガラスを挟んだ状態で、フリットガラスにレーザ光を照射してフリットガラスを溶融させ、フリットガラスと第１基板と第２基板とで閉空間を形成する工程と、を有し、レーザ光照射を、低反射率領域から走査することを特徴とする封止体の作製方法である。
【００１０】
レーザ光がフリットガラスを加熱するモードには、第１基板を透過しフリットガラスを直接加熱するモードと、フリットガラスを透過し界面で反射したレーザ光がフリットガラスを加熱するモードがある。界面で反射されフリットガラスに入射するレーザ光の光量は、第２基板のフリットガラスと重なる領域の膜構成の影響を受ける。
【００１１】
第２基板に反射層がないと、レーザ光の反射は一定ではない。なぜなら、フリットガラスを塗布する場所によって、フリットガラスと第２基板との間に存在する膜構成が異なり、レーザ光は、その間の界面で反射されるからである。
【００１２】
本発明の一態様の第２基板の上には、レーザ光を反射する反射層が、第１基板上に設けられたフリットガラスと重なるように設けられている。そのため、反射層が設けられた部分では反射層により反射されフリットガラスに入射するレーザ光の光量は、同一の基板内ではほぼ等しくなる。よって、反射層を設けることにより、フリットガラスと基板を溶着して封止体を作製するためのレーザ光照射条件に関し、使用可能なレーザ光照射条件（たとえば照射強度、レーザ光の走査速度等）を広くすることができる。
【００１３】
レーザ光照射の打ち始めと打ち終わりであるオーバーラップ領域は、通常の走査領域にくらべ、レーザ光照射で加えられる熱量が多い。オーバーラップ領域は、打ち始めと打ち終わりで２度レーザ光を照射される領域だからである。
【００１４】
フリットガラスと第２基板を溶着するのに十分な熱量以上の熱量を、フリットガラスに与えると、フリットガラスと第２基板は熱膨張する。それらの熱膨張係数の差に起因して、フリットガラスにクラックが生じる。本発明では、オーバーラップ領域において、他の領域よりレーザ光の反射率が低い低反射率領域を設け、フリットガラスに入射する反射レーザ光を減じて、オーバーラップ領域とその他の領域のフリットガラスに加わる熱量を概略一定にできる。そのため、オーバーラップ領域でフリットガラスにクラックが生じにくく、気密性の高い封止体を得ることが出来る。
【００１５】
本発明の一態様は、第１基板上に設けられた低融点ガラスを含むフリットガラスに接して、有機ＥＬ素子が形成された第２基板を、第１基板と対向して配置し、フリットガラスにレーザ光を照射し、第２基板とフリットガラスを溶着させる発光装置の作製方法において、第１基板の表面にフリットガラスを設ける工程と、第２基板のフリットガラスと重なる領域に、レーザ光に対して反射率が高い高反射率領域と高反射率領域より反射率が低い低反射率領域とを設ける工程と、第１基板と第２基板の間にフリットガラスを挟んだ状態で、フリットガラスにレーザ光を照射してフリットガラスを溶融させ、フリットガラスと第１基板と第２基板とで閉空間を形成する工程と、を有し、レーザ光照射を、低反射率領域から走査することを特徴とする発光装置の作製方法である。
【００１６】
レーザ光がフリットガラスを加熱するモードは、第１基板を透過しフリットガラスを直接加熱するモードと、フリットガラスを透過し界面で反射したレーザ光がフリットガラスを加熱するモードがある。界面で反射されフリットガラスに入射するレーザ光の光量は、第２基板のフリットガラスと重なる領域の膜構成の影響を受ける。
【００１７】
第２基板に反射層がないと、レーザ光の反射は一定ではない。なぜなら、フリットガラスを塗布する場所によって、フリットガラスと第２基板との間に存在する膜構成が異なる場合があり、レーザ光は、その間の界面で反射されるからである。
【００１８】
第２基板上に設けられたレーザ光を反射する反射層は、第１基板上に設けられたフリットガラスと重なっている。そのため、反射層により反射されフリットガラスに入射するレーザ光の光量は、同一の基板内ではほぼ等しくなる。よって、反射層を設けることにより、フリットガラスと基板を溶着して発光装置を作製するためのレーザ光照射条件に関し、使用可能なレーザ光照射条件（たとえば照射強度、レーザ光の走査速度等）を広くすることができる。
【００１９】
レーザ光照射の打ち始めと打ち終わりであるオーバーラップ領域は、通常の走査領域にくらべ、レーザ光照射で加えられる熱量が多い。オーバーラップ領域は、打ち始めと打ち終わりで２度レーザ光を照射される領域だからである。
【００２０】
フリットガラスと第２基板を溶着するのに十分な熱量以上の熱量を、フリットガラスに与えると、フリットガラスと第２基板は熱膨張する。それらの熱膨張係数の差に起因して、フリットガラスにクラックが生じる。本発明では、オーバーラップ領域において、他の領域よりレーザ光の反射率が低い低反射率領域を設け、フリットガラスに入射する反射レーザ光を減じて、オーバーラップ領域とその他の領域のフリットガラスに加わる熱量を概略一定にできる。そのため、オーバーラップ領域でフリットガラスにクラックが生じにくく、気密性の高い発光装置を得ることが出来る。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、気密性の高い封止体及び発光装置の作製方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一態様の封止体の上面図および断面図。
【図２】本発明の一態様の封止体および発光装置の作製工程を示す断面図及び上面図。
【図３】本発明の一態様の封止体の作製工程を示す断面図及び上面図。
【図４】本発明の一態様の封止体および発光装置に用いることができる反射層の形態を示す上面図。
【図５】本発明の一態様の封止体および発光装置に用いることができる反射層の形態を示す上面図。
【図６】本発明の一態様の封止体の作製工程を示す断面図及び上面図。
【図７】本発明の一態様の発光装置の上面図および断面図。
【図８】本発明の一態様の発光装置の作製工程を示す断面図及び上面図。
【図９】本発明の一態様の発光装置の作製工程を示す断面図及び上面図。
【図１０】本発明の一態様の発光装置に用いる有機ＥＬ素子を示す断面図。
【図１１】本発明の一態様の発光装置を応用した電子機器の図。
【図１２】本発明の一態様の発光装置を応用した電子機器の図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下では、本明細書に開示する発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本明細書に開示する発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本明細書に開示する発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の封止体の作製方法について説明する。図１に示す封止体１６１の作製方法を図２から図６を用いて説明する。
【００２５】
（封止体の構成）
封止体１６１は、第１基板３０１と、第２基板３０２と、フリットガラス層５００ｃと、反射層１４０と、無機絶縁層５０１で構成されている。図１（Ａ）は封止体１６１の上面図を示す。図１（Ｂ）は、反射層１４０の一部の領域を拡大した上面図を示し、図１（Ｃ）は図１（Ｂ）の点線Ｓ−Ｔで示す領域の断面図である。図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）の二重波線は、省略記号である。
【００２６】
なお、本明細書の中で、フリットガラスペーストを基板に塗布した後のフリットガラスをフリットガラス層５００ａと、バインダ等を除去するためフリットガラス層５００ａを焼成したフリットガラスをフリットガラス層５００ｂと、基板とレーザ溶着したフリットガラスをフリットガラス層５００ｃと定義する。フリットガラス層５００ａに適用できる材料については、封止体の作製方法の中で詳細を説明する。
【００２７】
第１基板３０１は、レーザ光を透過する基板を用いればよい。第１基板３０１を介してフリットガラス層５００ｂにレーザ光を照射するためである。第１基板３０１には、ガラス基板を用いるのが好ましい。
【００２８】
第２基板３０２は、フリットガラス層５００ｂと重なる領域が平坦であればよい。気密性の高い封止体を形成するためである。第２基板３０２には、ガラス基板、金属基板を用いることができる。
【００２９】
反射層１４０は、第２基板３０２上に形成する。第１基板３０１に形成されたフリットガラス層５００ｂを透過したレーザ光を反射させ、フリットガラス層５００ｂを加熱するためである。反射層１４０は、タングステン、タンタル、モリブデン、銅、鉄等の金属で形成することが出来る。反射層１４０は、特にタングステンで形成することが好ましい。
【００３０】
無機絶縁層５０１は、反射層１４０を覆うように設けることが好ましい。反射層１４０の表面の酸化を防止するためである。無機絶縁層５０１には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコンを用いることができる。
【００３１】
（封止体の作製方法）
つぎに、本発明の一態様である封止体１６１の作製方法を、図２から図６を用いて説明する。
【００３２】
（フリットガラスの塗布）
図２に示すように、フリットガラス層５００ａを、第１基板３０１上に切れ目のない閉曲線になるように形成する。気密性の優れた封止体を形成するためである。フリットガラス層５００ａとは、低融点ガラスとバインダを含むものである。低融点ガラスは、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラスおよびホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された１以上の化合物を含むことが望ましい。これに、例えば、有機溶媒で希釈した樹脂バインダを混ぜ、フリットガラスとする。後述するレーザ光の照射でフリットガラスを加熱するため、レーザ光吸収材を添加したフリットガラスを用いる。吸収材は使用するレーザ光の波長に合わせて最適なレーザ光吸収材を選択すればよい。
【００３３】
フリットガラス層５００ａの形成方法には、ディスペンサ法、スクリーン印刷法またはインクジェット法を用いることができる。この実施の形態では、表示装置などを封止するのに好適な概略長方形状としたが、閉曲線を成すものであれば、円状、楕円状などの形状としてもよい。
【００３４】
（フリットガラスの焼成）
つぎに、フリットガラス層５００ａ中のバインダを揮発させるため、第１基板３０１上に形成したフリットガラス層５００ａを加熱する。フリットガラス層５００ａを形成した第１基板３０１を、３００〜４５０℃で加熱を行えばよい。当該加熱処理は、ランプやヒーターなどを利用して行うことができる。当該加熱処理で、低融点ガラスを溶融し固化させ当該低融点ガラスを融合させることができる。
【００３５】
（反射層の形成）
次に、第２基板３０２に反射層１４０を形成する。図３（Ａ）に、反射層１４０を形成した第２基板３０２の上面図を示す。第１基板３０１のフリットガラス層５００ｂを形成する領域と重なるように、反射層１４０を第２基板３０２の上に形成する。
【００３６】
図３（Ｂ）は、反射層１４０のレーザ光照射の打ち始めと打ち終わりの領域（以下、オーバーラップ領域１０と呼ぶ）と、反射層１４０の角のコーナー領域２０に低反射率領域を設けた、第２基板３０２の上面図である。図３（Ｃ）と図３（Ｄ）は、オーバーラップ領域１０とコーナー領域２０を拡大した上面図である。コーナー領域２０については後ほど説明する。
【００３７】
なお、本実施の形態では、高反射率領域より反射率が低い低反射率領域が、オーバーラップ領域１０とコーナー領域２０に相当する。反射率が高い高反射率領域は、オーバーラップ領域１０とコーナー領域２０以外の反射層１４０に相当する。
【００３８】
レーザ光照射について、オーバーラップ領域１０でレーザ光の照射強度を調整しないで、レーザ光を照射してフリットガラスを加熱すると、フリットガラス層５００ｃにクラックが入りやすい。オーバーラップ領域１０では通常の走査領域にくらべ加えられる熱量が多いので、フリットガラス層５００ｃと第２基板３０２は熱膨張し、熱膨張係数の差に起因するクラックが生じやすいからである。
【００３９】
本発明の作製方法では、オーバーラップ領域１０における反射層１４０のレーザ光の反射率を、それ以外の通常の走査領域より低くしている。そうすると、レーザ光の照射強度を調整しないで、オーバーラップ領域１０に加わる熱量と通常の走査領域に加わる熱量を、概略一定にすることができる。そのため、オーバーラップ領域１０でフリットガラス層５００ｃにクラックを生じさせにくくすることができるので、気密性の高い封止体１６１を作製することができる。
【００４０】
図４（Ａ）から（Ｄ）に、反射層１４０のレーザ光の反射率を低下させるために、用いることができる反射層１４０の上面パターン図の一例を示す。図４（Ａ）はオーバーラップ領域１０のレーザ光の反射率を低下させるため、四角形の穴を形成することにより反射層１４０の面積を減じている。反射層１４０の面積を減じるための形状は、長方形でも（図４（Ｂ））、三角形でも（図４（Ｃ））、多角形でも（図４（Ｄ））でもよい。オーバーラップ領域１０でフリットガラス層５００ｃにクラックが入らないように、適切な形態の反射層１４０を使用すればよい。
【００４１】
また、コーナー領域２０についても、反射層１４０のレーザ光の反射率を、その他の領域より低くすることが好ましい。図５（Ａ）から（Ｄ）に、反射層１４０のコーナー領域に用いることができる反射層１４０のパターン図の一例を示す。図５（Ａ）はコーナー領域２０のレーザ光の反射率を低下させるため、四角形の穴を形成することにより反射層１４０の面積を減じている。反射層１４０の面積を減じるための形状は、長方形でも（図５（Ｂ））、三角形でも（図５（Ｃ））、多角形でも（図５（Ｄ））でもよい。これらのパターンにより、コーナー領域で反射層１４０のレーザ光の反射率を低下させることができる。
【００４２】
レーザ光照射は、一定の走査速度で行うが、コーナー領域における内側の領域では、その他の領域より熱量が加わる場合がある。コーナー領域における内側の領域は、外側の領域よりレーザ光のスポット同士が重畳するからである。反射層１４０のコーナー領域２０でフリットガラス層５００ｃにクラックが入らないように、適切な形態の反射層１４０を使用すればよい。
【００４３】
反射層１４０の形態は公知の技術を用いて形成すればよく、例えばフォトマスクを用いて形成したレジストマスクを用いてエッチングによって形成することができる。
【００４４】
（レーザ光の照射）
次に、第１基板３０１上のフリットガラス層５００ｂと、第２基板３０２を密着させ、フリットガラス層５００ｂにレーザ光８００を照射する。その工程を図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す。その結果、溶融したフリットガラス層５００ｂを介して、第１基板３０１と第２基板３０２が溶着する。レーザ光８００の照射は第１基板３０１を介してフリットガラス層５００ｂに行う。レーザ光の照射に用いるレーザの波長は７５０〜１２００ｎｍを用いることが出来る。具体的には８００ｎｍの半導体レーザが望ましい。
【００４５】
レーザ光がフリットガラス層５００ｂを加熱するモードは、第１基板３０１を透過しフリットガラス層５００ｂを直接加熱するモードと、フリットガラス層５００ｂを透過し、界面で反射したレーザ光がフリットガラス層５００ｂを加熱するモードがある。界面で反射されフリットガラス層５００ｂに入射するレーザ光の光量は、第２基板３０２のフリットガラス層５００ｂと重なる領域の膜構成に影響を受ける。
【００４６】
第２基板３０２上に設けられたレーザ光を反射する反射層１４０は、第１基板３０１上に設けられたフリットガラス層５００ｂと重なっている。そのため、反射層１４０により反射されフリットガラス層５００ｂに入射するレーザ光の光量は、同一の基板内ではほぼ等しくなる。よって、反射層１４０を設けることにより、フリットガラス層５００ｂと第２基板３０２を溶着して封止体１６１を作製するためのレーザ光照射条件に関し、使用可能なレーザ光照射条件（たとえば照射強度、レーザ光の走査速度等）を広くすることができる。
【００４７】
オーバーラップ領域１０は、通常の走査領域にくらべ、レーザ光照射で加えられる熱量が多い。オーバーラップ領域１０は、打ち始めと打ち終わりで２度レーザ光を照射される領域だからである。
【００４８】
フリットガラス層５００ｂと第２基板３０２を溶着するのに十分な熱量以上の熱量を、フリットガラス層５００ｂに与えると、フリットガラス層５００ｂと第２基板３０２の熱膨張は大きくなる。熱膨張が大きくなると、フリットガラス層５００ｂと第２基板３０２の熱膨張係数の差に起因して、フリットガラス層５００ｂにクラックが生じる。本発明では、オーバーラップ領域１０において、他の領域よりレーザ光の反射率が低い低反射率領域を設け、フリットガラス層５００ｂに入射する反射レーザ光を減じて、オーバーラップ領域１０とその他の領域のフリットガラス層５００ｂに加わる熱量を概略一定にできる。そのため、オーバーラップ領域１０でフリットガラス層５００ｃにクラックが生じにくく、気密性の高い封止体１６１を得ることが出来る。
【００４９】
以上の工程により、図１に示す封止体１６１を作製することができる。
【００５０】
以上のように、本実施の形態で示す封止体１６１の作製方法を用いると、フリットガラスにクラックが発生しにくい。その結果、気密性の高い封止体１６１を作製することができる。
【００５１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法について説明する。図７に示す発光装置１６３の作製方法を図８、図９を用いて説明する。
【００５２】
（発光装置の構成）
発光装置１６３は、第１基板３０１と、第２基板３０２と、フリットガラス層５００ｃと、反射層１４０と、無機絶縁層５０１と、有機ＥＬ素子１２５と、端子１２６ａと、端子１２６ｂで構成されている。図７（Ａ）は発光装置１６３の上面図である。図７（Ｂ）は、反射層１４０の一部の領域を拡大した上面図を示し、図７（Ｃ）は図７（Ｂ）の点線Ｓ−Ｔで示す領域の断面図である。図７（Ｂ）及び図７（Ｃ）の二重波線は、省略記号である。
【００５３】
なお、本明細書の中で、フリットガラスペーストを基板に塗布した後のフリットガラスをフリットガラス層５００ａと、バインダ等を除去するためフリットガラス層５００ａを焼成したフリットガラスをフリットガラス層５００ｂと、基板とレーザ溶着したフリットガラスをフリットガラス層５００ｃと定義する。フリットガラス層５００ａに適用できる材料については、封止体の作製方法の中で詳細を説明する。
【００５４】
第１基板３０１は、レーザ光を透過する基板を用いればよい。第１基板３０１を介してフリットガラス層５００ｂにレーザ光を照射するためである。第１基板３０１には、ガラス基板を用いるのが好ましい。
【００５５】
第２基板３０２は、フリットガラス層５００ｂと重なる領域が平坦であればよい。気密性の高い発光装置を形成するためである。第２基板３０２には、ガラス基板、金属基板を用いることができる。
【００５６】
反射層１４０は、第２基板３０２上に形成する。第１基板３０１に形成されたフリットガラス層５００ｂを透過したレーザ光を反射させ、フリットガラス層５００ｂを加熱するためである。反射層１４０は、タングステン、タンタル、モリブデン、銅、鉄等の金属で形成することが出来る。反射層１４０は、特にタングステンで形成することが好ましい。
【００５７】
無機絶縁層５０１は、反射層１４０を覆うように設けることが好ましい。反射層１４０の表面の酸化を防止するためである。無機絶縁層５０１には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコンを用いることができる。
【００５８】
（発光装置の作製方法）
つぎに、本発明の一態様である発光装置１６３の作製方法を、図８、図９を用いて説明する。
【００５９】
（フリットガラスの塗布）
フリットガラス層５００ａを、第１基板３０１上に切れ目のない閉曲線になるように形成する。フリットガラス層５００ａの形成は、実施の形態１を参酌することができる。
【００６０】
（フリットガラスの焼成）
つぎに、フリットガラス層５００ａ中のバインダを揮発させるため、第１基板３０１上に形成したフリットガラス層５００ａを加熱する。加熱方法の詳細は、実施の形態１を参酌することができる。
【００６１】
（反射層の形成）
次に、第２基板３０２に反射層１４０を形成する。図８（Ａ）に、反射層１４０を形成した第２基板３０２の上面図を示す。第１基板３０１のフリットガラス層５００ｂを形成する領域と重なるように、反射層１４０を第２基板３０２の上に形成する。
【００６２】
図８（Ｂ）は、反射層１４０のレーザ光照射の打ち始めと打ち終わりの領域（以下、オーバーラップ領域１０と呼ぶ）に低反射率領域を設けた第２基板３０２の上面図である。図８（Ｂ）では、反射層１４０の角のコーナー領域２０についても、低反射率領域を設けている。
【００６３】
なお、本実施の形態では、高反射率領域より反射率が低い低反射率領域が、オーバーラップ領域１０とコーナー領域２０に相当する。反射率が高い高反射率領域は、オーバーラップ領域１０とコーナー領域２０以外の反射層１４０に相当する。
【００６４】
レーザ光照射について、オーバーラップ領域１０でレーザ光の照射強度を調整しないで、レーザ光を照射してフリットガラスを加熱すると、フリットガラス層５００ｃにクラックが入りやすい。オーバーラップ領域１０では通常の走査領域にくらべ加えられる熱量が多いので、フリットガラス層５００ｃと第２基板３０２は熱膨張し、熱膨張係数の差に起因するクラックが生じやすいからである。
【００６５】
本発明の作製方法では、オーバーラップ領域１０における反射層１４０のレーザ光の反射率を、それ以外の通常の走査領域より低くしている。そうすると、レーザ光の照射強度を調整しないで、オーバーラップ領域１０に加わる熱量と通常の走査領域に加わる熱量を、概略一定にすることができる。そのため、オーバーラップ領域１０でフリットガラス層５００ｃにクラックを生じさせにくくすることができるので、気密性の高い発光装置１６３を作製することができる。
【００６６】
図４（Ａ）から（Ｄ）に、反射層１４０のレーザ光の反射率を低下させるために、用いることができる反射層１４０の上面パターン図の一例を示す。図４（Ａ）はオーバーラップ領域１０のレーザ光の反射率を低下させるため、四角形の穴を形成することにより反射層１４０の面積を減じている。反射層１４０の面積を減じるための形状は、長方形でも（図４（Ｂ））、三角形でも（図４（Ｃ））、多角形でも（図４（Ｄ））でもよい。オーバーラップ領域１０でフリットガラス層５００ｃにクラックが入らないように、適切な形態の反射層１４０を使用すればよい。
【００６７】
また、コーナー領域２０についても、反射層１４０のレーザ光の反射率を、その他の領域より低くすることが好ましい。図５（Ａ）から（Ｄ）に、反射層１４０のコーナー領域に用いることができる反射層１４０のパターン図の一例を示す。図５（Ａ）はコーナー領域２０のレーザ光の反射率を低下させるため、四角形の穴を形成することにより反射層１４０の面積を減じている。反射層１４０の面積を減じるための形状は、長方形でも（図５（Ｂ））、三角形でも（図５（Ｃ））、多角形でも（図５（Ｄ））でもよい。これらのパターンにより、コーナー領域で反射層１４０のレーザ光の反射率を低下させることができる。
【００６８】
レーザ光照射は、一定の走査速度で行うが、コーナー領域における内側の領域では、その他の領域より熱量が加わる場合がある。コーナー領域における内側の領域は、外側の領域よりレーザ光のスポット同士が重畳するからである。反射層１４０のコーナー領域２０で、フリットガラス層５００ｃにクラックが入らないように、適切な形態の反射層１４０を使用すればよい。
【００６９】
反射層１４０の形態は公知の技術を用いて形成すればよく、例えばフォトマスクを用いて形成したレジストマスクを用いてエッチングによって形成することができる。
【００７０】
次に、有機ＥＬ素子１２５を第２基板３０２に形成する。図８（Ｃ）に、有機ＥＬ素子１２５を形成した第２基板３０２の上面図を示す。有機ＥＬ素子１２５を形成する前に、無機絶縁層５０１を反射層１４０の上に形成することが好ましい。有機ＥＬ素子１２５の構成は、実施の形態３で述べる。
【００７１】
（レーザ光の照射）
次に、第１基板３０１上のフリットガラス層５００ｂと第２基板３０２を密着させ、フリットガラス層５００ｂにレーザ光８００を照射する。その工程を図９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す。その結果、溶融したフリットガラス層５００ｂを介して、第１基板３０１と第２基板３０２が溶着する。レーザ光８００の照射は第１基板３０１を介してフリットガラス層５００ｂに行う。レーザ光の照射に用いるレーザの波長は７５０〜１２００ｎｍを用いることが出来る。具体的には８００ｎｍの半導体レーザが望ましい。
【００７２】
レーザ光がフリットガラス層５００ｂを加熱するモードは、第１基板３０１を透過しフリットガラス層５００ｂを直接加熱するモードと、フリットガラス層５００ｂを透過し、界面で反射したレーザ光がフリットガラス層５００ｂを加熱するモードがある。界面で反射されフリットガラス層５００ｂに入射するレーザ光の光量は、第２基板３０２のフリットガラス層５００ｂと重なる領域の膜構成に影響を受ける。
【００７３】
第２基板３０２上に設けられたレーザ光を反射する反射層１４０は、第１基板３０１上に設けられたフリットガラス層５００ｂと重なっている。そのため、反射層１４０により反射されフリットガラス層５００ｂに入射するレーザ光の光量は、同一の基板内ではほぼ等しくなる。よって、反射層１４０を設けることにより、フリットガラス層５００ｂと第２基板３０２を溶着して発光装置１６３を作製するためのレーザ光照射条件に関し、使用可能なレーザ光照射条件（たとえば照射強度、レーザ光の走査速度等）を広くすることができる。
【００７４】
また、オーバーラップ領域１０は、通常の走査領域にくらべ、レーザ光照射で加えられる熱量が多い。オーバーラップ領域１０は、打ち始めと打ち終わりで２度レーザ光を照射される領域だからである。
【００７５】
フリットガラス層５００ｂと第２基板３０２を溶着するのに十分な熱量以上の熱量を、フリットガラス層５００ｂに与えると、フリットガラス層５００ｂと第２基板３０２の熱膨張は大きくなる。熱膨張が大きくなると、フリットガラス層５００ｂと第２基板３０２の熱膨張係数の差に起因して、フリットガラス層５００ｂにクラックが生じる。本発明では、オーバーラップ領域１０において、他の領域よりレーザ光の反射率が低い低反射率領域を設け、フリットガラス層５００ｂに入射する反射レーザ光を減じて、オーバーラップ領域１０とその他の領域のフリットガラス層５００ｂに加わる熱量を概略一定にできる。そのため、オーバーラップ領域１０でフリットガラス層５００ｃにクラックが生じにくく、気密性の高い発光装置１６３を得ることが出来る。
【００７６】
以上の工程により、図７に示す発光装置１６３を作製することができる。
【００７７】
以上のように、本実施の形態で示す発光装置１６３の作製方法を用いると、フリットガラスにクラックが発生しにくい。その結果、気密性の高い発光装置１６３を作製することができる。
【００７８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の発光装置に用いることができる有機ＥＬ素子の一態様について、図１０（Ａ）を用いて説明する。
【００７９】
本実施の形態において、有機ＥＬ素子１００は、第１の電極１０１と、透光性導電層１０３と、有機ＥＬ層２００と、第２の電極１０２とから構成されている。透光性導電層１０３は、第１の電極１０１と接している。なお、本実施の形態では、第１の電極１０１と透光性導電層１０３は、陽極として機能し、第２の電極１０２は陰極として機能するものとして、以下、説明をする。つまり、第１の電極１０１の方が第２の電極１０２よりも電位が高くなるように、第１の電極１０１と第２の電極１０２に電圧を印加したときに、発光が得られるものとして、以下説明をする。
【００８０】
（第１の電極）
第１の電極１０１は、陽極として機能し、かつ、反射電極として機能する電極である。第１の電極１０１の膜厚は、５０ｎｍから３００ｎｍが好ましい。
【００８１】
第１の電極１０１は、銀合金を使用することが好ましい。銅、金、パラジウム、ネオジム、サマリウム、スズ、インジウム、ビスマス等の添加を行った銀合金が好ましい。
【００８２】
第１の電極１０１は、スパッタリング法、またはスクリーン印刷法で形成することができる。
【００８３】
第１の電極１０１は可視光領域全体にわたって反射率が高いので、光取り出し効率の高い発光素子を得ることが出来る。
【００８４】
（透光性導電層）
透光性導電層１０３は、第１の電極１０１上に接して設けられる。透光性導電層１０３は酸性溶液に耐性を有するので、第１の電極１０１の保護膜として機能する。
【００８５】
第１の電極１０１が酸化しないように、透光性導電層１０３の膜厚を設定すればよく、代表的には、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、更には５ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。
【００８６】
透光性導電層１０３の材料としては、酸化チタン、酸化タンタル、酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ混合酸化物、酸化インジウム酸化亜鉛混合酸化物、酸化ケイ素酸化亜鉛混合酸化物等の金属酸化物の何れかの材料を用いることができる。とくに透光性導電層１０３の材料としてチタンを含む層が好ましく、代表的には酸化チタンが好ましい。酸化チタンは酸性溶液に対する耐性が高いからである。
【００８７】
透光性導電層１０３は、スパッタリング法、分子線エピタキシー（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、パルスレーザ堆積（Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いて形成することができる。また、透光性導電層１０３は、スパッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面がセットされた状態で成膜を行うスパッタ装置を用いても形成することができる。
【００８８】
また、第１の電極１０１上にチタンを形成したのち、チタンを酸化させて、酸化チタンを形成することもできる。たとえば、第１の電極１０１上にスパッタリング法でチタンを膜厚６ｎｍ成膜し、大気雰囲気下、３００℃で１時間の熱処理を行えば、銀を含む第１の電極１０１上に酸化チタンを形成することができる。上記の方法を用いると、薄膜の酸化チタンを基板に均一に形成することができる。
【００８９】
（第２の電極）
第２の電極１０２は、有機ＥＬ層２００に電子を注入できる電極で、かつ、透光性を有する電極であればよい。これは、有機ＥＬ層に電子を注入し、有機ＥＬ層からの発光を、第２の電極１０２を通って外部に取り出すためである。第２の電極１０２の材料として、金属または導電性金属酸化物を用いることができる。金属としては、銀とマグネシウムの合金もしくはアルミニウムを用いることができる。導電性金属酸化物としては、酸化インジウム酸化スズ混合酸化物、酸化インジウム酸化亜鉛混合酸化物、それらの金属酸化物材料にシリコンもしくは酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。金属を用いた場合は、透光性を有するように膜厚は１ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。また、第２の電極１０２の電子注入性を改善するため、リチウムやセシウム等のアルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、またはマグネシウムを含む電子注入層を、第２の電極１０２と有機ＥＬ層２００の間に設けることが好ましい。
【００９０】
第２の電極１０２に金属を用いる場合、第２の電極１０２は、真空蒸着法、スパッタリング法等を適宜用いて形成することができる。
【００９１】
第２の電極１０２に導電性金属酸化物を用いる場合、第２の電極１０２は、スパッタリング法を用いて形成することができる。導電性金属酸化物は、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜することができる。
【００９２】
また、導電性金属酸化物は、酸素濃度が低減されたアルゴンを含む雰囲気下で成膜した第１の導電性金属酸化物と、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜した第２の導電性金属酸化物との積層膜とすることが好ましい。なぜならば、第２の電極１０２の成膜による、有機ＥＬ層２００へのダメージを低減できるためである。ここで第１の導電性金属酸化物を成膜する際のアルゴンガスの純度が高いことが好ましく、例えば露点が−７０℃以下、好ましくは−１００℃以下のアルゴンガスを用いることが好ましい。
【００９３】
（有機ＥＬ層について）
有機ＥＬ層２００に適用可能な有機ＥＬ層について、図１０（Ｂ）を用いて説明する。本実施の形態で示す有機ＥＬ層２００は、正孔注入層２１１、正孔輸送層２１２、発光層２１３、電子輸送層２１４等を有している。正孔注入層２１１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。また、正孔輸送層２１２とは正孔輸送性の高い物質を含む層である。また、発光層２１３は、発光材料を含む層である。また、電子輸送層２１４は電子輸送性の高い物質を含む層である。
【００９４】
有機ＥＬ層２００は単層構造で構成されることも可能であるが、通常積層構造から構成される。例えば、正孔注入層２１１、正孔輸送層２１２、発光層２１３、電子輸送層２１４等を適宜組み合わせて構成することができる。図１０（Ｂ）においては、有機ＥＬ層２００として、正孔注入層２１１、正孔輸送層２１２、発光層２１３、電子輸送層２１４が順に積層された構造を示している。
【００９５】
発光層２１３に接する正孔輸送層２１２や電子輸送層２１４、特に発光層２１３における発光領域に近い方に接するキャリア（電子または正孔）輸送層は、発光層２１３で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、発光層を構成する発光材料、または発光層に含まれる発光中心物質よりも大きなエネルギーギャップを有する物質で構成することが好ましい。
【００９６】
正孔注入層２１１は、正孔注入性の高い物質を含み、透光性導電層１０３から正孔輸送層２１２へ正孔の注入を補助する機能を有する。正孔注入層２１１には、透光性導電層１０３と正孔輸送層２１２との間のイオン化ポテンシャルの差を緩和し、正孔が注入され易くなるものを選ぶ。具体的には、正孔注入層２１１は、イオン化ポテンシャルを正孔輸送層２１２よりも小さく、透光性導電層１０３よりも大きいものとするか、または、正孔輸送層２１２と透光性導電層１０３との間に１〜２ｎｍの薄膜として設けたときにエネルギーバンドを曲げる作用をするものを用いて形成することが好ましい。
【００９７】
正孔輸送層２１２は、正孔輸送性の高い物質を含む。正孔輸送性の高い物質とは、正孔の移動度が電子のそれよりも高いものを指し、電子の移動度に対する正孔の移動度の比（＝正孔移動度／電子移動度）が１００よりも大きいものを利用するのが好ましい。また、正孔輸送層２１２の正孔移動度は、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上とするのが好ましい。具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）などを利用できる。また、正孔輸送層２１２は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。
【００９８】
電子輸送層２１４は、電子輸送性の高い物質を含む。電子輸送性の高い物質とは、電子の移動度が正孔のそれよりも高いものを指し、正孔の移動度に対する電子の移動度の比（＝電子移動度／正孔移動度）が１００よりも大きいものを利用するのが好ましい。また、電子輸送層２１４の電子移動度は、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上とするのが好ましい。具体的には、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール系配位子を有する金属錯体、チアゾール系配位子を有する金属錯体を利用できる。キノリン骨格を有する金属錯体の具体例としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）が挙げられる。また、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体の具体例としては、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）が挙げられる。また、オキサゾール系配位子を有する金属錯体の具体例としては、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）が挙げられる。また、チアゾール系配位子を有する金属錯体の具体例としては、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）が挙げられる。また、金属錯体以外にも、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。具体例を挙げた上述の物質は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を電子輸送層２１４として用いてもよい。また、電子輸送層２１４は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。
【００９９】
また、発光層２１３と電子輸送層２１４との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けてもよい。電子キャリアの移動を制御する層は、上述したような電子輸送性の高い材料に対して、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層である。電子キャリアの移動を制御する層を設けることにより、電子キャリアの移動を抑制し、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。
【０１００】
また、電子輸送層２１４と第２の電極１０２との間に、第２の電極１０２に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、電子輸送性を有する物質からなる層中に、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属、またはアルカリ金属のハロゲン化物もしくはアルカリ土類金属のハロゲン化物を含有させたものを用いればよい。アルカリ金属、アルカリ土類金属としては、リチウム、マグネシウム、セシウム、カルシウムを用いることができる。アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウムを用いることができる。具体例としては、Ａｌｑ中にマグネシウムを含有させたものを用いることができる。電子注入層を設けることにより、第２の電極１０２からの電子注入を効率良く行うことができる。
【０１０１】
また、有機ＥＬ層２００は、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いて形成できる。
【０１０２】
以上のように、本実施の形態で示す有機ＥＬ素子１００は、第１の電極１０１に接するよう透光性導電層１０３を設けている。透光性導電層１０３は、酸性溶液に耐性を有するので、第１の電極１０１の酸化を抑制することができる。そのため、第１の電極１０１の反射率が低下することを抑制することができる。その結果、光取り出し効率の高い発光素子を得ることが出来る。
【０１０３】
また、チタンを含む透光性導電層１０３を用いた場合、チタンを含む透光性導電層１０３は、酸性溶液に対する耐性が高いため、第１の電極１０１の酸化を抑制することができる。その結果、第１の電極１０１は、反射率が低下しないので、光取り出し効率の高い発光素子を得ることが出来る。
【０１０４】
また、可視光領域に対し半反射・半透過性を有する層を第２の電極１０２に用いると、第１の電極１０１と第２の電極１０２によって、発光素子にマイクロキャビティ構造を形成することができる。第１の電極１０１は可視光領域全体にわたって反射率が高い。そのため、特定波長の光取り出し効率を高めるマイクロキャビティ構造においても、可視光領域で所望の特定波長の光取り出し効率を高めることができる。
【０１０５】
また、第２の電極１０２に、マグネシウムと銀を含む合金層を用いると、マグネシウムと銀を含む合金層は電子注入性にすぐれているので、発光素子の駆動電圧を低減することができる。また、マグネシウムと銀を含む合金層は電気抵抗が低いため、発光面が大きい発光素子において、第２の電極の電圧は降下しにくいので、発光むらのない発光素子が得られる。
【０１０６】
（実施の形態４）
本実施の形態は、実施の形態３で示した有機ＥＬ層２００の代わりに用いることが出来るタンデム型の有機ＥＬ層４００について、図１０（Ｃ）を用いて説明する。
【０１０７】
タンデム型の有機ＥＬ層４００とは、複数の発光ユニットを積層した構成を有する有機ＥＬ層（以下、「タンデム型の有機ＥＬ層」という）である。
【０１０８】
有機ＥＬ層４００は、第１の発光ユニット４１１と第２の発光ユニット４１２を有する。第１の発光ユニット４１１と第２の発光ユニット４１２は同じ構成であっても異なる構成であってもよく、各ユニットの構成は、それぞれ実施の形態３に示したものと同様なものを適用することができる。
【０１０９】
第１の発光ユニット４１１と第２の発光ユニット４１２との間には、電荷発生層４１３が設けられている。電荷発生層４１３は、銀を含む第１の電極１０１と第２の電極１０２に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する。電荷発生層４１３に用いられる有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を可能にする。
【０１１０】
正孔輸送性の有機化合物には、正孔移動度が１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを用いることが好ましい。例えば、芳香族アミン誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素誘導体、またはそれらの誘導体を有するデンドリマー、オリゴマー、ポリマーなどを利用できる。また、それらと混合する金属酸化物には、元素周期表における第４族ないし第８族に属する金属の酸化物を用いればよく、具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられる。これらの金属酸化物は電子受容性が高いため、好ましい。特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、且つ扱いやすいため、特に好ましい。
【０１１１】
また、電荷発生層４１３は、単層構造でもよいし、積層構造でもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物、及び電子輸送性の高い化合物を含む層とを積層した構造としてもよいし、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電層とを積層した構造としてもよい。
【０１１２】
本実施の形態に係るタンデム型の有機ＥＬ層４００を用いた発光素子は、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置するため、電流密度を低く保ったまま高輝度の発光を可能にする。電流密度を低くできるため、高輝度でも長寿命な発光素子とすることができる。
【０１１３】
以上、本実施の形態に示す方法などは、他の実施の形態に示す方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１１４】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の発光装置の作製方法により、作製した発光装置を適用した電子機器や照明装置の例について、図１１および図１２を用いて説明する。
【０１１５】
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図１１に示す。
【０１１６】
図１１（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
【０１１７】
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
【０１１８】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１１９】
図１１（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される。
【０１２０】
図１１（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成されており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図１１（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部７３０５の両方、又は一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図１１（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図１１（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１２１】
図１１（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
【０１２２】
図１１（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０１２３】
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１２４】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０１２５】
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１２６】
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０１２７】
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０１２８】
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０１２９】
図１１（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７５００は、筐体７５０１に光源として本発明の作製方法で作製した発光装置７５０３ａ、７５０３ｂ、７５０３ｃ、７５０３ｄが組み込まれている。照明装置７５００は、天井や壁等に取り付けることが可能である。
【０１３０】
また、発光装置７５０３ａ〜７５０３ｄは、長時間使用しても目が疲労し難い明度が高く淡い色を呈する光と、鮮やかな赤色と、異なる鮮やかな色を呈する光を発する。発光素子を駆動する条件を発光色ごとに調整することで、使用者が色相を調節できる照明装置を実現できる。
【０１３１】
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は２つ折り可能なタブレット型端末である。図１２（Ａ）は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂ、表示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省電力モード切り替えスイッチ９０３６、留め具９０３３、操作スイッチ９０３８、を有する。なお、当該タブレット端末は、発光装置を表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂの一方又は両方に用いることにより作製される。
【０１３２】
表示部９６３１ａは、一部をタッチパネルの領域９６３２ａとすることができ、表示された操作キー９６３７にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６３１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部９６３１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９６３１ａの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部９６３１ｂを表示画面として用いることができる。
【０１３３】
また、表示部９６３１ｂにおいても表示部９６３１ａと同様に、表示部９６３１ｂの一部をタッチパネルの領域９６３２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボード表示切り替えボタン９６３９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで表示部９６３１ｂにキーボードボタン表示することができる。
【０１３４】
また、タッチパネルの領域９６３２ａとタッチパネルの領域９６３２ｂに対して同時にタッチ入力することもできる。
【０１３５】
また、表示モード切り替えスイッチ９０３４は、縦表示または横表示などの表示の向きを切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えスイッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光センサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を内蔵させてもよい。
【０１３６】
また、図１２（Ａ）では表示部９６３１ｂと表示部９６３１ａの表示面積が同じ例を示しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネルとしてもよい。
【０１３７】
図１２（Ｂ）は、閉じた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、太陽電池９６３３、充放電制御回路９６３４、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する。なお、図１２（Ｂ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構成について示している。
【０１３８】
なお、タブレット型端末は２つ折り可能なため、未使用時に筐体９６３０を閉じた状態にすることができる。従って、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
【０１３９】
また、この他にも図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。
【０１４０】
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチパネル、表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、筐体９６３０の片面又は両面に設けることができ、バッテリー９６３５の充電を効率的に行う構成とすることができる。なおバッテリー９６３５としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
【０１４１】
また、図１２（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、及び動作について図１２（Ｃ）にブロック図を示し説明する。図１２（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３８、スイッチＳＷ１ないしＳＷ３、表示部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３８、スイッチＳＷ１ないしＳＷ３が、図１２（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４に対応する箇所となる。
【０１４２】
まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池９６３３で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣＤＣコンバータ９６３６で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に太陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ９６３８で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部９６３１での表示を行わない際には、スイッチＳＷ１をオフにし、スイッチＳＷ２をオンにしてバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
【０１４３】
なお太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。
【０１４４】
また、上記実施の形態で説明した表示部を具備していれば、図１２に示した電子機器に特に限定されないことは言うまでもない。
【０１４５】
上述した電子機器や照明装置などの発光装置は、本発明の作製方法で作製した発光装置である。そのため、信頼性の高い電子機器や照明装置などを作製することができる。
【０１４６】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０１４７】
１０    オーバーラップ領域
２０    コーナー領域
１００    有機ＥＬ素子
１０１    第１の電極
１０２    第２の電極
１０３    透光性導電層
１２５    有機ＥＬ素子
１２６ａ    端子
１２６ｂ    端子
１４０    反射層
１６１    封止体
１６３    発光装置
２００    有機ＥＬ層
２１１    正孔注入層
２１２    正孔輸送層
２１３    発光層
２１４    電子輸送層
３０１    第１基板
３０２    第２基板
４００    有機ＥＬ層
４１１    発光ユニット
４１２    発光ユニット
４１３    電荷発生層
５００ａ    フリットガラス層
５００ｂ    フリットガラス層
５００ｃ    フリットガラス層
５０１    無機絶縁層
８００    レーザ光
７１００    テレビジョン装置
７１０１    筐体
７１０３    表示部
７１０５    スタンド
７１０７    表示部
７１０９    操作キー
７１１０    リモコン操作機
７２０１    本体
７２０２    筐体
７２０３    表示部
７２０４    キーボード
７２０５    外部接続ポート
７２０６    ポインティングデバイス
７３０１    筐体
７３０２    筐体
７３０３    連結部
７３０４    表示部
７３０５    表示部
７３０６    スピーカ部
７３０７    記録媒体挿入部
７３０８    ＬＥＤランプ
７３０９    操作キー
７３１０    接続端子
７３１１    センサ
７３１２    マイクロフォン
７４００    携帯電話機
７４０１    筐体
７４０２    表示部
７４０３    操作ボタン
７４０４    外部接続ポート
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
７５００    照明装置
７５０１    筐体
７５０３ａ    発光装置
７５０３ｂ    発光装置
７５０３ｃ    発光装置
７５０３ｄ    発光装置
９６３０    筐体
９６３１    表示部
９６３１ａ    表示部
９６３１ｂ    表示部
９６３２ａ    領域
９６３２ｂ    領域
９６３３    太陽電池
９６３４    充放電制御回路
９６３５    バッテリー
９６３６    ＤＣＤＣコンバータ
９６３７    操作キー
９６３８    コンバータ
９６３９    キーボード表示切り替えボタン
９０３３    留め具
９０３４    表示モード切り替えスイッチ
９０３５    電源スイッチ
９０３６    省電力モード切り替えスイッチ
９０３８    操作スイッチ
【図１】
2013138000.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2013138000.tif 000010
【図９】
2013138000.tif 000011
【図１０】
2013138000.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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