(57)【要約】【課題】スルーホールの内部を埋め込むための専用の工程を追加することなく、スルーホールの直上にビア導体を形成することを可能とする【解決手段】少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを積層して構成されるビルドアップ層３およびビルドアップ層４と、ビルドアップ層３，４を上面および下面で支持する支持基板２１とを備え、支持基板２１の上面側から下面側に向かう方向に延びて形成されるスルーホール２４と、スルーホール２４の内周面に形成されるスルーホール導体２５と、スルーホール２４の上面側の開口部２４１を覆うように形成され、スルーホール導体２５と電気的に接続される導体層２２と、スルーホール２４の下面側の開口部２４２を覆わず、開口部２４２の周囲に形成され、スルーホール導体２５と電気的に接続される導体層２３とを備えることを特徴とする多層配線基板１。【選択図】図１
2013211518.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを積層して構成される第１ビルドアップ層および第２ビルドアップ層と、前記第１ビルドアップ層および前記第２ビルドアップ層をそれぞれ上面および下面で支持する支持基板とを備える多層配線基板であって、
前記支持基板の上面側から下面側に向かう方向に延びて形成されるスルーホールと、
前記スルーホールの内周面に形成されるスルーホール導体と、
前記スルーホールの一端側の開口部である一端側開口部を覆うように形成され、前記スルーホール導体と電気的に接続される被覆導体と、
前記スルーホールの他端側の開口部であり、前記一端側開口部より大径に形成された他端側開口部を覆わず、前記他端側開口部の周囲に形成され、前記スルーホール導体と電気的に接続される非被覆導体とを備える
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記被覆導体を挟んで前記スルーホール導体とは反対側で前記被覆導体と電気的に接続されるビア導体は、前記被覆導体と接触する面の少なくとも一部が、前記一端側開口部と対向するように配置される
ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記ビア導体は、前記被覆導体と接触する面の中心が、前記一端側開口部の中心と一致する
ことを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを積層して構成される第１ビルドアップ層および第２ビルドアップ層と、前記第１ビルドアップ層および前記第２ビルドアップ層をそれぞれ上面および下面で支持する支持基板とを備える多層配線基板の製造方法であって、
前記支持基板を構成する支持基板用絶縁層と、前記支持基板用絶縁層の上面の全面に亘って形成された第１導体層と、前記支持基板用絶縁層の下面の全面に亘って形成された第２導体層とを備えた基板に、前記第２導体層を貫通して前記支持基板用絶縁層の上面から下面に向かう方向に延びて前記第１導体層を貫通することなく前記第１導体層に到るスルーホールを形成する第１工程と、
前記スルーホールの内周面に、前記第１導体層と前記第２導体層とを電気的に接続するスルーホール導体を形成する第２工程と、
前記第２工程により前記スルーホール導体が形成された後に、予め設定された配線パターンが形成されるように前記第１導体層および前記第２導体層をパターニングする第３工程と、
前記第３工程により前記配線パターンが形成された後に、前記支持基板用絶縁層上に絶縁層を積層するとともに、前記スルーホール導体の内側及び前記第２導体層に形成された貫通孔を前記絶縁層の一部で充填する第４工程とを有する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
ベース基板上に、少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを予め設定された積層方向に沿って交互に積層した下部積層体を形成する工程と、
前記下部積層体の最表層を構成する第３導体層上に中間絶縁層を積層し、さらに前記中間絶縁層上に第４導体層を積層する工程と、
前記第４導体層を貫通し前記中間絶縁層内を前記積層方向に延びて前記第３導体層を貫通することなく前記第３導体層に到るスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールの内周面に、前記第３導体層と前記第４導体層とを電気的に接続するスルーホール導体を形成する工程と、
前記スルーホール導体が形成された後に、予め設定された配線パターンが形成されるように前記第４導体層をパターニングする工程と、
前記配線パターンが形成された後に、前記中間絶縁層上に絶縁層を積層するとともに、前記スルーホール導体の内側及び前記第４導体層に形成された貫通孔を該絶縁層の一部で充填する工程とを有する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
ベース基板上に、少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを予め設定された積層方向に沿って交互に積層した下部積層体を形成する工程と、
前記下部積層体の最表層を構成する第３導体層上に中間絶縁層を積層する工程と、
前記中間絶縁層内を前記積層方向に延びて前記第３導体層を貫通することなく前記第３導体層に到るスルーホールを形成する工程と、
前記中間絶縁層上と前記スルーホールの内周面に金属層を積層することにより、前記中間絶縁層上に第４導体層を形成するとともに、前記スルーホールの内周面にスルーホール導体を形成する工程と、
前記スルーホール導体が形成された後に、予め設定された配線パターンが形成されるように前記第４導体層をパターニングする工程と、
前記配線パターンが形成された後に、前記中間絶縁層上に絶縁層を積層するとともに、前記スルーホール導体の内側を該絶縁層の一部で充填する工程とを有する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の絶縁層と複数の導体層とを交互に積層して構成される多層配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
支持基板の両面に、絶縁層と導体層とを交互に積層したビルドアップ層を形成する多層配線基板が知られている。このような多層配線基板では、支持基板を貫通するスルーホールを形成するとともにスルーホールの内周面に導体層を形成することにより、支持基板の上面側に形成されたビルドアップ層と、下面側に形成されたビルドアップ層との間を電気的に接続する。
【０００３】
そして従来、スルーホールの内周面に導体層を形成した後に、この導体層の内周側に形成されている貫通孔内に絶縁樹脂を埋め込み、絶縁樹脂を埋め込んだ後のスルーホールの開口部を導体層で塞ぐ技術が知られている（例えば、特許文献１を参照）。この技術により、スルーホールの開口部を塞ぐ導体層を介して、スルーホールの直上にビア導体を形成することができるため、微細な配線パターンの形成が可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２７０７６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記特許文献１に記載の技術では、支持基板を貫通するスルーホール内に絶縁樹脂を埋め込むための専用の工程を必要とするという問題があった。
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものであり、スルーホールの内部を埋め込むための専用の工程を追加することなく、スルーホールの直上にビア導体を形成することを可能とする技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた第１発明は、少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを積層して構成される第１ビルドアップ層および第２ビルドアップ層と、第１ビルドアップ層および第２ビルドアップ層をそれぞれ上面および下面で支持する支持基板とを備える多層配線基板であって、支持基板の上面側から下面側に向かう方向に延びて形成されるスルーホールと、スルーホールの内周面に形成されるスルーホール導体と、スルーホールの一端側の開口部である一端側開口部を覆うように形成され、スルーホール導体と電気的に接続される被覆導体と、スルーホールの他端側の開口部であり、一端側開口部より大径に形成された他端側開口部を覆わず、他端側開口部の周囲に形成され、スルーホール導体と電気的に接続される非被覆導体とを備えることを特徴とする多層配線基板である。
【０００７】
このように構成された多層配線基板では、支持基板の上面側から下面側に向かう方向に延びてスルーホールが形成されており、且つ、スルーホール導体がスルーホールの内周面に形成されているため、スルーホール導体を介して、支持基板の上面側と下面側とを電気的に接続することが可能である。
【０００８】
そして、スルーホールの一端側開口部を覆うように形成された被覆導体と、スルーホールの他端側の開口部を覆わずに他端側開口部の周囲に形成された非被覆導体とがスルーホール導体と電気的に接続される。すなわち、支持基板の上面側に配置された被覆導体は、支持基板の下面側に配置された非被覆導体と電気的に接続されている。このため、被覆導体と非被覆導体を介して、支持基板の上面に形成されている第１ビルドアップ層と、支持基板の下面に形成されている第２ビルドアップ層とを電気的に接続することができる。
【０００９】
また被覆導体は、スルーホールの一端側開口部を覆うように形成されている。このため、被覆導体の上方に配置される導体層と被覆導体とを電気的に接続するために被覆導体上に形成されるビア導体を、被覆導体を介して、スルーホールの一端側開口部の直上に配置することができる。これにより、被覆導体の上方において微細な配線パターンの形成が可能となる。
【００１０】
さらに非被覆導体は、スルーホールの他端側の開口部を覆わずに他端側開口部の周囲に形成されている。このため、絶縁層を支持基板の下面に積層する工程において、支持基板の下面に積層される絶縁層によってスルーホールの内部を埋め込むことができる。これにより、スルーホールの内部を埋め込むための専用の工程を不要とすることができる。
【００１１】
また、第１発明の多層配線基板において、被覆導体を挟んでスルーホール導体とは反対側で被覆導体と電気的に接続されるビア導体は、被覆導体と接触する面の少なくとも一部が、一端側開口部と対向するように配置されるようにするとよい。
【００１２】
このように構成された多層配線基板では、ビア導体と一端側開口部との間の距離が短くなるために、第１ビルドアップ層内に微細な配線パターンの形成することができる。
また、第１発明の多層配線基板において、ビア導体は、被覆導体と接触する面の中心が、一端側開口部の中心と一致するようにするとよい。
【００１３】
このように構成された多層配線基板では、スルーホール導体からビア導体に到る電流経路を短くすることができ、ビア導体とスルーホール導体との間の電気抵抗を低減することができる。
【００１４】
また、上記目的を達成するためになされた第２発明は、少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを積層して構成される第１ビルドアップ層および第２ビルドアップ層と、第１ビルドアップ層および第２ビルドアップ層をそれぞれ上面および下面で支持する支持基板とを備える多層配線基板の製造方法であって、支持基板を構成する支持基板用絶縁層と、支持基板用絶縁層の上面の全面に亘って形成された第１導体層と、支持基板用絶縁層の下面の全面に亘って形成された第２導体層とを備えた基板に、第２導体層を貫通して支持基板用絶縁層の上面から下面に向かう方向に延びて第１導体層を貫通することなく第１導体層に到るスルーホールを形成する第１工程と、スルーホールの内周面に、第１導体層と第２導体層とを電気的に接続するスルーホール導体を形成する第２工程と、第２工程によりスルーホール導体が形成された後に、予め設定された配線パターンが形成されるように第１導体層および第２導体層をパターニングする第３工程と、第３工程により配線パターンが形成された後に、支持基板用絶縁層上に絶縁層を積層するとともに、スルーホール導体の内側及び第２導体層に形成された貫通孔を絶縁層の一部で充填する第４工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
【００１５】
この製造方法は、発明の多層配線基板を製造する方法であり、当該方法を実行することで、発明の多層配線基板と同様の効果を得ることができる。
また、上記目的を達成するためになされた第３発明は、ベース基板上に、少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを予め設定された積層方向に沿って交互に積層した下部積層体を形成する工程と、下部積層体の最表層を構成する第３導体層上に中間絶縁層を積層し、さらに中間絶縁層上に第４導体層を積層する工程と、第４導体層を貫通し中間絶縁層内を積層方向に延びて第３導体層を貫通することなく第３導体層に到るスルーホールを形成する工程と、スルーホールの内周面に、第３導体層と第４導体層とを電気的に接続するスルーホール導体を形成する工程と、スルーホール導体が形成された後に、予め設定された配線パターンが形成されるように第４導体層をパターニングする工程と、配線パターンが形成された後に、中間絶縁層上に絶縁層を積層するとともに、スルーホール導体の内側及び第４導体層に形成された貫通孔を絶縁層の一部で充填する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
【００１６】
このように構成された第３発明の製造方法では、中間絶縁層上に絶縁層を積層することにより、スルーホールの内部を絶縁層で埋め込むことができる。これにより、スルーホールの内部を埋め込むための専用の工程を不要とすることができる。
【００１７】
また、スルーホールは、中間導体層を貫通することなく第３導体層に到るように形成されている。すなわち、スルーホールの一端側の開口部を第３導体層側の開口部とし、スルーホールの他端側の開口部を第４導体層側の開口部とした場合に、スルーホールにおける第３導体層側の開口部は、第３導体層で覆われている。このため、第３導体層を挟んでスルーホールとは反対側において第３導体層上に形成されるビア導体を、第３導体層を介して、スルーホールにおける第３導体層側の開口部の直上に配置することができる。
【００１８】
また、上記目的を達成するためになされた第４発明は、ベース基板上に、少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを予め設定された積層方向に沿って交互に積層した下部積層体を形成する工程と、下部積層体の最表層を構成する第３導体層上に中間絶縁層を積層する工程と、中間絶縁層内を積層方向に延びて第３導体層を貫通することなく第３導体層に到るスルーホールを形成する工程と、中間絶縁層上とスルーホールの内周面に金属層を積層することにより、中間絶縁層上に第４導体層を形成するとともに、スルーホールの内周面にスルーホール導体を形成する工程と、スルーホール導体が形成された後に、予め設定された配線パターンが形成されるように第４導体層をパターニングする工程と、配線パターンが形成された後に、中間絶縁層上に絶縁層を積層するとともに、スルーホール導体の内側を絶縁層の一部で充填する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
【００１９】
このように構成された第４発明の製造方法では、中間絶縁層上に絶縁層を積層することにより、スルーホールの内部を絶縁層で埋め込むことができる。これにより、スルーホールの内部を埋め込むための専用の工程を不要とすることができる。
【００２０】
また、スルーホールは、第３導体層を貫通することなく第３導体層に到るように形成されている。すなわち、スルーホールの一端側の開口部を第３導体層側の開口部とし、スルーホールの他端側の開口部を第４導体層側の開口部とした場合に、スルーホールにおける第３導体層側の開口部は、第３導体層で覆われている。このため、第３導体層を挟んでスルーホールとは反対側において第３導体層上に形成されるビア導体を、第３導体層を介して、スルーホールにおける第３導体層側の開口部の直上に配置することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】多層配線基板１の概略構成を示す断面図である。
【図２】多層配線基板１の製造工程を示す第１の断面図である。
【図３】多層配線基板１の製造工程を示す第２の断面図である。
【図４】多層配線基板１の製造工程を示す第３の断面図である。
【図５】多層配線基板１の製造工程を示す第４の断面図である。
【図６】多層配線基板１の製造工程を示す第５の断面図である。
【図７】多層配線基板１の製造工程を示す第６の断面図である。
【図８】多層配線基板１の製造工程を示す第７の断面図である。
【図９】多層配線基板１０１の概略構成を示す断面図である。
【図１０】多層配線基板１０１の製造工程を示す第１の断面図である。
【図１１】多層配線基板１０１の製造工程を示す第２の断面図である。
【図１２】多層配線基板１０１の製造工程を示す第３の断面図である。
【図１３】多層配線基板１０１の製造工程を示す第４の断面図である。
【図１４】多層配線基板１０１の製造工程を示す第５の断面図である。
【図１５】多層配線基板１０１の製造工程を示す第６の断面図である。
【図１６】多層配線基板１０１の製造工程を示す第７の断面図である。
【図１７】多層配線基板１０１の製造工程を示す第８の断面図である。
【図１８】多層配線基板１０１の製造工程を示す第９の断面図である。
【図１９】多層配線基板５０１の概略構成を示す断面図である。
【図２０】第３実施形態の多層配線基板５０１の製造工程を示す第１の断面図である。
【図２１】第３実施形態の多層配線基板５０１の製造工程を示す第２の断面図である。
【図２２】第３実施形態の多層配線基板５０１の製造工程を示す第３の断面図である。
【図２３】第３実施形態の多層配線基板５０１の製造工程を示す第４の断面図である。
【図２４】第３実施形態の多層配線基板５０１の製造工程を示す第５の断面図である。
【図２５】第３実施形態の多層配線基板５０１の製造工程を示す第６の断面図である。
【図２６】第３実施形態の多層配線基板５０１の製造工程を示す第７の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
（第１実施形態）
以下に本発明の第１実施形態を図面とともに説明する。
本発明が適用された第１実施形態の多層配線基板１は、図１に示すように、支持層２とビルドアップ層３，４とを備え、支持層２の上面と下面のそれぞれにビルドアップ層３とビルドアップ層４を積層方向ＳＤに沿って積層して構成される。
【００２３】
まず支持層２は、支持基板２１と導体層２２，２３とを備える。支持基板２１は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂を含侵させた板状部材であり、高い剛性を有する。導体層２２および導体層２３はそれぞれ、支持基板２１の上面および下面に積層される。また支持基板２１内には、支持基板２１を貫通するスルーホール２４が形成されている。そしてスルーホール２４の内周面にスルーホール導体２５が形成される。なおスルーホール２４は、円錐台状に形成されており、上面側の開口部２４１よりも下面側の開口部２４２の方が、直径が長い。
【００２４】
また導体層２２は、スルーホール２４の上面側の開口部２４１を覆うように形成されている。なおスルーホール導体２５は、スルーホール２４の内周面だけではなく、スルーホール２４の開口部２４１を覆うように形成されている。このため導体層２２は、開口部２４１の全領域でスルーホール導体２５と接しており、これにより、導体層２２とスルーホール導体２５とが電気的に接続される。
【００２５】
また導体層２３は、スルーホール２４の下面側の開口部２４２を覆わないようにして開口部２４２の周囲に形成されている。このため導体層２３は、開口部２４２の開口端縁に沿ってスルーホール導体２５と接しており、これにより、導体層２３とスルーホール導体２５とが電気的に接続される。また、スルーホール２４の内周面に形成されたスルーホール導体２５の更に内周側に形成される有底孔２６内には、ビルドアップ層４を構成する絶縁層４１（後述）が埋め込まれている。
【００２６】
次にビルドアップ層３は、絶縁層３１，３２と導体層３３，３４とビア導体３５，３６とソルダーレジスト層３７とを備える。またビルドアップ層３は、絶縁層３１，３２と導体層３３，３４とが積層方向ＳＤに沿って交互に積層されて構成されている。
【００２７】
そしてビア導体３５，３６はそれぞれ、絶縁層３１，３２内において積層方向ＳＤに延びて形成される。これにより、導体層３３が導体層２２と電気的に接続されるとともに、導体層３４が導体層３３と電気的に接続される。なおビア導体３５，３６は、円錐台状に形成されており、その上面および下面は円形状である。そして、複数のビア導体３５，３６のうちの少なくとも一部は、その下面の中心と、スルーホール２４の上面側の開口部２４１の中心とが積層方向ＳＤに沿って対向するようにして配置される。
【００２８】
またビルドアップ層４は、絶縁層４１，４２と導体層４３，４４とビア導体４５，４６とソルダーレジスト層４７とを備える。またビルドアップ層４は、絶縁層４１，４２と導体層４３，４４とが積層方向ＳＤに沿って交互に積層されて構成されている。そしてビア導体４５，４６はそれぞれ、絶縁層４１，４２内において積層方向ＳＤに延びて形成される。これにより、導体層４３が導体層２３と電気的に接続されるとともに、導体層４４が導体層４３と電気的に接続される。またソルダーレジスト層４７は、絶縁層４２上に積層されており、導体層４４が配置されている領域に開口部４７０が形成される。
【００２９】
次に、本発明が適用された多層配線基板１の製造方法を説明する。
図２に示すように、まず、導体層５１および導体層５２（本実施形態では銅）がそれぞれ上面と下面に積層された支持基板２１を用意する。そして、導体層５２の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、図３に示すように、導体層５２と支持基板２１を貫通するスルーホール２４を形成する。
【００３０】
さらに、スルーホール２４の形成によりスルーホール２４内に生成されたスミアを除去するための処理（デスミア処理）を行う。その後、無電解メッキと電気メッキを行うことにより、図４に示すように、導体層５１上にメッキ層５３（本実施形態では銅）を形成するとともに、スルーホール２４の内周面上と導体層５２上にメッキ層５４（本実施形態では銅）を形成する。その後、サブトラクティブ法により、不要な導体層５１，５２およびメッキ層５３，５４を除去することにより、図５に示すように、所定の配線パターンを有する導体層２２，２３が形成される。したがって、所定の配線パターンを有するように積層された導体層５１およびメッキ層５３は導体層２２に相当する。また、所定の配線パターンを有するように積層された導体層５２およびメッキ層５４は導体層２３に相当する。また、スルーホール２４の内周面上に形成されたメッキ層５４はスルーホール導体２５に相当する。
【００３１】
その後、支持基板２１の両面のそれぞれについて、支持基板２１上にフィルム状の樹脂材料（例えばエポキシ樹脂）を配置し、真空下において加圧加熱することにより樹脂材料を硬化させて絶縁層３１，４１を形成する。これにより、図６に示すように、支持基板２１の上面と導体層２２が絶縁層３１に被覆された状態になる。また、支持基板２１の下面と導体層２３が絶縁層４１に被覆された状態になることにより、有底孔２６内に絶縁層４１が埋め込まれた状態となる。
【００３２】
そして、絶縁層３１，４１の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、絶縁層３１，４１内に複数のビアホールを形成する。さらに、ビアホールの形成によりビアホール内に生成されたスミアを除去するための処理（デスミア処理）を行う。その後、無電解メッキを行うことにより、絶縁層３１，４１上に薄い無電解メッキ層（本実施形態では銅）を形成する。そして、無電解メッキ層上に、導体層３３，４３の配線パターンに対応する所定のレジストパターンを形成する。さらに、電気メッキを行うことにより、レジストに覆われていない領域にメッキ層（本実施形態では銅）を形成する。その後、不要な無電解メッキ層とレジストをエッチングにより除去する。これにより、図７に示すように、ビアホール内にビア導体３５，４５が形成されるとともに、所定の配線パターンを有する導体層３３，４３が形成される。
【００３３】
さらに、絶縁層３１，４１と導体層３３，４３とビア導体３５，４５の形成と同様の工程を用いることで、図８に示すように、絶縁層３１，４１上に、絶縁層３２，４２と導体層３４，４４とビア導体３６，４６を形成する。
【００３４】
そして、エポキシ樹脂等の有機樹脂材料で構成されたソルダーレジストを絶縁層３２，４２と導体層３４，４４を覆うように塗布した後に、このソルダーレジストをパターニングする。これにより、図１に示すように、導体層３４，４４が配置されている領域に開口部３７０，４７０を有するソルダーレジスト層３７，４７が絶縁層３２，４２上に形成される。
【００３５】
このように構成された多層配線基板１では、支持基板２１の上面から下面に向かう方向に延びて貫通するスルーホール２４が形成されており、且つ、スルーホール導体２５がスルーホール２４の内周面に形成されているため、スルーホール導体２５を介して、支持基板２１の上面と下面とを電気的に接続することが可能である。
【００３６】
そして、スルーホール２４の上面側の開口部２４１を覆うように形成された導体層２２と、スルーホール２４の下面側の開口部２４２を覆わずに開口部２４２の周囲に形成された導体層２３とがスルーホール導体２５と電気的に接続される。すなわち、支持基板２１の上面に配置された導体層２２は、支持基板２１の下面に配置された導体層２３と電気的に接続されている。このため、導体層２２と導体層２３を介して、支持基板２１の上面に形成されているビルドアップ層３と、支持基板２１の下面に形成されているビルドアップ層４とを電気的に接続することができる。
【００３７】
また導体層２２は、スルーホール２４の上面側の開口部２４１を覆うように形成されている。このため、ビルドアップ層３内の導体層３３と導体層２２とを電気的に接続するためにビルドアップ層３の絶縁層３１内に形成されるビア導体３５を、導体層２２を介して、スルーホール２４の上面側の開口部２４１の直上に配置することができる。これにより、ビルドアップ層３の導体層３３において微細な配線パターンの形成が可能となる。
【００３８】
さらに導体層２３は、スルーホール２４の下面側の開口部２４２を覆わずに開口部２４２の周囲に形成されている。このため、ビルドアップ層４を構成する絶縁層４１を支持基板２１の下面に積層する工程において、支持基板２１の下面に積層される絶縁層４１によってスルーホール２４の内部を埋め込むことができる。これにより、スルーホール２４の内部を埋め込むための専用の工程を不要とすることができる。
【００３９】
また多層配線基板１では、ビア導体３５は、導体層２２と接触する面の少なくとも一部が、スルーホール２４の上面側の開口部２４１と対向するように配置されている。これにより、ビア導体３５と開口部２４１との間の距離が短くなるために、ビルドアップ層３内に微細な配線パターンの形成することができる。
【００４０】
また多層配線基板１では、ビア導体３５は、導体層２２と接触する面の中心が、スルーホール２４の上面側の開口部２４１の中心と一致するように配置されている。これにより、スルーホール導体２５からビア導体３５に到る電流経路を短くすることができ、ビア導体３５とスルーホール導体２５との間の電気抵抗を低減することができる。
【００４１】
以上説明した実施形態において、ビルドアップ層３は本発明における第１ビルドアップ層、ビルドアップ層４は本発明における第２ビルドアップ層、開口部２４１は本発明における一端側開口部、導体層２２は本発明における被覆導体、開口部２４２は本発明における他端側開口部、導体層２３は本発明における非被覆導体、ビア導体３５は本発明におけるビア導体である。
【００４２】
また、支持基板２１は本発明における支持基板用絶縁層、導体層５１は本発明における第１導体層、導体層５２は本発明における第２導体層である。
（第２実施形態）
以下に本発明の第２実施形態を図面とともに説明する。
【００４３】
本発明が適用された第２実施形態の多層配線基板１０１は、図９に示すように、支持層１０２とビルドアップ層１０３，１０４とを備え、支持層１０２の上面と下面のそれぞれにビルドアップ層１０３とビルドアップ層１０４を積層方向ＳＤに沿って積層して構成される。
【００４４】
まず支持層１０２は、支持基板１１１と絶縁層１１２，１１３と導体層１１４，１１５，１１６，１１７とビア導体１１８，１１９とを備える。支持基板１１１は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂を含侵させた板状部材であり、高い剛性を有する。
【００４５】
そして、導体層１１４および導体層１１５はそれぞれ、支持基板１１１の上面および下面に積層される。また、絶縁層１１２，１１３はそれぞれ、導体層１１４，１１５上に積層される。さらに、導体層１１６，１１７はそれぞれ、絶縁層１１２，１１３上に積層される。
【００４６】
また支持基板１１１内には、支持基板１１１を貫通するスルーホール１２０が形成されている。そして、スルーホール１２０の内周面にスルーホール導体１２１が形成される。なおスルーホール１２０は、円錐台状に形成されており、上面側の開口部１２０１よりも下面側の開口部１２０２の方が、直径が長い。
【００４７】
そして、スルーホール１２０の上面側の開口部１２０１には、開口部１２０１を覆うように導体層１１４が形成されている。なおスルーホール導体１２１は、スルーホール１２０の内周面だけではなく、スルーホール１２０の開口部１２０１を覆うように形成されている。このため導体層１１４は、開口部１２０１の全領域でスルーホール導体１２１と接しており、これにより、導体層１１４とスルーホール導体１２１とが電気的に接続される。
【００４８】
また、スルーホール１２０の下面側の開口部１２０２には、開口部１２０２を覆わないようにして開口部１２０２の周囲に導体層１１５が形成されている。このため導体層１１５は、開口部１２０２の開口端縁に沿ってスルーホール導体１２１と接しており、これにより、導体層１１５とスルーホール導体１２１とが電気的に接続される。また、スルーホール１２０の内周面に形成されたスルーホール導体１２１の更に内周側に形成される有底孔１２２内には、絶縁層１１３が埋め込まれている。
【００４９】
そしてビア導体１１８，１１９はそれぞれ、絶縁層１１２，１１３内において積層方向ＳＤに延びて形成される。これにより、導体層１１４が導体層１１６と電気的に接続されるとともに、導体層１１５が導体層１１７と電気的に接続される。なおビア導体１１８，１１９は、円錐台状に形成されており、その上面および下面は円形状である。そして、複数のビア導体１１８のうちの少なくとも一部は、その下面の中心と、スルーホール１２０の上面側の開口部１２０１の中心とが積層方向ＳＤに沿って対向するようにして配置される。
【００５０】
また支持層１０２内には、支持基板１１１と絶縁層１１２，１１３を貫通するスルーホール１２３が形成されている。そして、スルーホール１２３の内周面にスルーホール導体１２４が形成される。なおスルーホール１２３は、円筒状に形成されており、上面側の開口部１２３１と下面側の開口部１２３２の直径は等しい。また、スルーホール１２３の内周面に形成されたスルーホール導体１２４の更に内周側に形成される貫通孔１２４内には、無機フィラーを含む樹脂１２６が埋め込まれる。
【００５１】
そして、スルーホール１２３の上面側の開口部１２３１には、開口部１２３１を覆うように導体層１１６が形成されている。また、スルーホール１２３の下面側の開口部１２３２には、開口部１２３２を覆うように導体層１１７が形成されている。このため導体層１１６，１１７はそれぞれ、開口部１２３１，１２３２の開口端縁に沿ってスルーホール導体１２４と接しており、これにより、導体層１１６，１１７とスルーホール導体１２４とが電気的に接続される。
【００５２】
次にビルドアップ層１０３は、絶縁層１３１，１３２と導体層１３３，１３４とビア導体１３５，１３６とソルダーレジスト層１３７とを備える。またビルドアップ層１０３は、絶縁層１３１，１３２と導体層１３３，１３４とが積層方向ＳＤに沿って交互に積層されて構成されている。そしてビア導体１３５，１３６はそれぞれ、絶縁層１３１，１３２内において積層方向ＳＤに延びて形成される。これにより、導体層１３３が導体層１１６と電気的に接続されるとともに、導体層１３４が導体層１３３と電気的に接続される。またソルダーレジスト層１３７は、絶縁層１３２上に積層されており、導体層１３４が配置されている領域に開口部１３７０が形成される。
【００５３】
またビルドアップ層１０４は、絶縁層１４１，１４２と導体層１４３，１４４とビア導体１４５，１４６とソルダーレジスト層１４７とを備える。またビルドアップ層１０４は、絶縁層１４１，１４２と導体層１４３，１４４とが積層方向ＳＤに沿って交互に積層されて構成されている。そしてビア導体１４５，１４６はそれぞれ、絶縁層１４１，１４２内において積層方向ＳＤに延びて形成される。これにより、導体層１４３が導体層１１７と電気的に接続されるとともに、導体層１４４が導体層１４３と電気的に接続される。またソルダーレジスト層１４７は、絶縁層１４２上に積層されており、導体層１４４が配置されている領域に開口部１４７０が形成される。
【００５４】
次に、本発明が適用された多層配線基板１０１の製造方法を説明する。
図１０に示すように、まず、導体層１５１および導体層１５２（本実施形態では銅）がそれぞれ上面と下面に積層された支持基板１１１を用意する。そして、導体層１５２の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、図１１に示すように、導体層１５２と支持基板１１１を貫通するスルーホール１２０を形成する。
【００５５】
さらに、スルーホール１２０の形成によりスルーホール１２０内に生成されたスミアを除去するための処理（デスミア処理）を行う。その後、無電解メッキと電気メッキを行うことにより、図１２に示すように、導体層１５１上にメッキ層１５３（本実施形態では銅）を形成するとともに、スルーホール１２０の内周面上と導体層１５２上にメッキ層１５４（本実施形態では銅）を形成する。その後、サブトラクティブ法により、不要な導体層１５１，１５２およびメッキ層１５３，１５４を除去することにより、図１３に示すように、所定の配線パターンを有する導体層１１４，１１５が形成される。したがって、所定の配線パターンを有するように積層された導体層１５１およびメッキ層１５３は導体層１１４に相当する。また、所定の配線パターンを有するように積層された導体層１５２およびメッキ層１５４は導体層１１５に相当する。また、スルーホール１２０の内周面上に形成されたメッキ層１５４はスルーホール導体１２１に相当する。
【００５６】
その後、支持基板１１１の両面のそれぞれについて、支持基板１１１上にフィルム状の樹脂材料（例えばエポキシ樹脂）を配置し、真空下において加圧加熱することにより樹脂材料を硬化させて絶縁層１１２，１１３を形成する。これにより、支持基板１１１の上面と導体層１１４が絶縁層１１２に被覆された状態になる。また、支持基板１１１の下面と導体層１１５が絶縁層１１３に被覆された状態になることにより、有底孔１２２内に絶縁層１１３が埋め込まれた状態となる。
【００５７】
そして、絶縁層１１２，１１３の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、図１４に示すように、絶縁層１１２，１１３内に複数のビアホール１５５，１５６を形成する。さらに、ビアホール１５５，１５６の形成によりビアホール１５５，１５６内に生成されたスミアを除去するための処理（デスミア処理）を行う。その後、絶縁層１１２の表面上における所定の位置をドリルで打ち抜くことにより、支持基板１１１と絶縁層１１２，１１３を貫通するスルーホール１２３を形成する。
【００５８】
その後、無電解メッキを行うことにより、絶縁層１１２，１１３上とスルーホール１２３の内周面上に薄い無電解メッキ層（本実施形態では銅）を形成する。さらに、電気メッキを行うことにより、図１５に示すように、絶縁層１１２，１１３上と、ビアホール１５５，１５６内と、スルーホール１２３の内周面上にメッキ層１５７（本実施形態では銅）を形成する。そして、スルーホール１２３の内周面上に形成されたメッキ層１５７の更に内周側に形成される貫通孔１２５内に、無機フィラーを含む樹脂１２６のペーストを充填し、このペーストを熱硬化させる。これにより、樹脂１２６が貫通孔１２５内に埋め込まれる。
【００５９】
次に、電気メッキを行うことにより、図１６に示すように、メッキ層１５７上にメッキ層１５８（本実施形態では銅）を更に形成する。その後、サブトラクティブ法により、不要なメッキ層１５７，１５８を除去することにより、図１７に示すように、所定の配線パターンを有する導体層１１６，１１７が形成される。
【００６０】
したがって、絶縁層１１２上において所定の配線パターンを有するように積層されたメッキ層１５７，１５８は導体層１１６に相当する。また、絶縁層１１３上において所定の配線パターンを有するように積層されたメッキ層１５７，１５８は導体層１１７に相当する。また、ビアホール１５５，１５６内に埋め込まれているメッキ層１５７はビア導体１１８，１１９に相当する。また、スルーホール１２３の内周面上に形成されたメッキ層１５７はスルーホール導体１２４に相当する。
【００６１】
その後、絶縁層１１２，１１３上にフィルム状の樹脂材料（例えばエポキシ樹脂）を配置し、真空下において加圧加熱することにより樹脂材料を硬化させて、図１８に示すように、絶縁層１３１，１４１を形成する。これにより、絶縁層１１２，１１３と導体層１１６，１１７が絶縁層１３１，１４１に被覆された状態になる。
【００６２】
そして、絶縁層１３１，１４１の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、絶縁層１３１，１４１内に複数のビアホールを形成する。さらに、ビアホールの形成によりビアホール内に生成されたスミアを除去するための処理（デスミア処理）を行う。その後、無電解メッキを行うことにより、絶縁層１３１，１４１上に薄い無電解メッキ層（本実施形態では銅）を形成する。そして、無電解メッキ層上に、導体層１３３，１４３の配線パターンに対応する所定のレジストパターンを形成する。さらに、電気メッキを行うことにより、レジストに覆われていない領域にメッキ層（本実施形態では銅）を形成する。その後、不要な無電解メッキ層とレジストをエッチングにより除去する。これにより、ビアホール内にビア導体１３５，１４５が形成されるとともに、所定の配線パターンを有する導体層１３３，１４３が形成される。
【００６３】
さらに、絶縁層１３１，１４１と導体層１３３，１４３とビア導体１３５，１４５の形成と同様の工程を用いることで、絶縁層１３１，１４１上に、絶縁層１３２，１４２と導体層１３４，１４４とビア導体１３６，１４６を形成する。
【００６４】
そして、エポキシ樹脂等の有機樹脂材料で構成されたソルダーレジストを絶縁層１３２，１４２と導体層１３４，１４４を覆うように塗布した後に、このソルダーレジストをパターニングする。これにより、図９に示すように、導体層１３４，１４４が配置されている領域に開口部１３７０，１４７０を有するソルダーレジスト層１３７，１４７が絶縁層１３２，１４２上に形成される。
【００６５】
このように構成された多層配線基板１０１では、支持層１０２の上面側から下面側に向かう方向に延びてスルーホール１２０が形成されており、且つ、スルーホール導体１２１がスルーホール１２０の内周面に形成されているため、スルーホール導体１２１を介して、支持層１０２の上面側と下面側とを電気的に接続することが可能である。
【００６６】
そして、スルーホール１２０の上面側の開口部１２０１を覆うように形成された導体層１１４と、スルーホール１２０の下面側の開口部１２０２を覆わずに開口部１２０２の周囲に形成された導体層１１５とがスルーホール導体１２１と電気的に接続される。すなわち、支持基板１１１の上面に配置された導体層１１４は、支持基板１１１の下面に配置された導体層１１５と電気的に接続されている。このため、導体層１１４，１１５と、導体層１１４，１１５上に形成されたビア導体１１８，１１９とを介して、支持層１０２の上面に形成されているビルドアップ層１０３と、支持層１０２の下面に形成されているビルドアップ層１０４とを電気的に接続することができる。
【００６７】
また導体層１１４は、スルーホール１２０の上面側の開口部１２０１を覆うように形成されている。このため、支持層１０２の導体層１１６と導体層１１４とを電気的に接続するために支持層１０２の絶縁層１１２内に形成されるビア導体１１８を、導体層１１４を介して、スルーホール１２０の上面側の開口部１２０１の直上に配置することができる。これにより、支持層１０２の導体層１１６において微細な配線パターンの形成が可能となる。
【００６８】
さらに導体層１１５は、スルーホール１２０の下面側の開口部１２０２を覆わずに開口部１２０２の周囲に形成されている。このため、絶縁層１１３を支持基板１１１の下面に積層する工程において、支持基板１１１の下面に積層される絶縁層１１３によってスルーホール１２０の内部を埋め込むことができる。これにより、スルーホール１２０の内部を埋め込むための専用の工程を不要とすることができる。
【００６９】
以上説明した実施形態において、ビルドアップ層１０３は本発明における第１ビルドアップ層、ビルドアップ層１０４は本発明における第２ビルドアップ層、支持層１０２は本発明における支持基板、開口部１２０１は本発明における一端側開口部、導体層１１４は本発明における被覆導体、開口部１２０２は本発明における他端側開口部、導体層１１５は本発明における非被覆導体である。
【００７０】
また、支持基板１１１は本発明における支持基板用絶縁層、導体層１５１は本発明における第１導体層、導体層１５２は本発明における第２導体層である。
（第３実施形態）
以下に本発明の第３実施形態を図面とともに説明する。
【００７１】
本発明が適用された第３実施形態の多層配線基板５０１は、図１９に示すように、複数層（本実施形態では５層）の導体層５１１，５１２，５１３，５１４，５１５と、導体層５１１〜５１５より１層少ない層数（本実施形態では４層）の絶縁層５２１，５２２，５２３，５２４とが積層方向ＳＤに沿って交互に積層されて構成される。
【００７２】
そして、多層配線基板５０１を構成する絶縁層５２１，５２２，５２４内にはそれぞれ、積層方向ＳＤに延びて形成されるビア導体５３１，５３２，５３４が設けられる。これにより、導体層５１１，５１２，５１４はそれぞれ、導体層５１２，５１３，５１５と電気的に接続される。
【００７３】
なおビア導体５３１は、円錐台状に形成されている。そしてビア導体５３１において、導体層５１１に接する面の直径は、導体層５１２に接する面の直径よりも短い。
同様にビア導体５３２は、円錐台状に形成されている。そしてビア導体５３２において、導体層５１２に接する面の直径は、導体層５１３に接する面の直径よりも短い。さらにビア導体５３４は、円錐台状に形成されている。そしてビア導体５３４において、導体層５１４に接する面の直径は、導体層５１５に接する面の直径よりも短い。
【００７４】
また絶縁層５２３内には、導体層５１３と導体層５１４とを接続するためのスルーホール５２３０が形成されている。そしてスルーホール５２３０の内周面にスルーホール導体５３３が形成される。なおスルーホール５２３０は、円錐台状に形成されており、導体層５１３側の開口部５２３１よりも導体層５１４側の開口部５２３２の方が、直径が長い。
【００７５】
また導体層５１３は、スルーホール５２３０の導体層５１３側の開口部５２３１を覆うように形成されている。なおスルーホール導体５３３は、スルーホール５２３０の内周面だけではなく、スルーホール５２３０の開口部５２３１を覆うように形成されている。このため導体層５１３は、開口部５２３１の全領域でスルーホール導体５３３と接しており、これにより、導体層５１３とスルーホール導体５３３とが電気的に接続される。
【００７６】
また導体層５１４は、スルーホール５２３０の導体層５１４側の開口部５２３２を覆わないようにして開口部５２３２の周囲に形成されている。このため導体層５１４は、開口部５２３２の開口端縁に沿ってスルーホール導体５３３と接しており、これにより、導体層５１４とスルーホール導体５３３とが電気的に接続される。また、スルーホール５２３０の内周面に形成されたスルーホール導体５３３の更に内周側に形成される有底孔５２３３内には、絶縁層５２４が埋め込まれている。
【００７７】
さらに、絶縁層５２１を挟んで絶縁層５２２とは反対側において絶縁層５２１を覆うようにソルダーレジスト層５４１が積層されるとともに、絶縁層５２４を挟んで絶縁層５２３とは反対側において絶縁層５２４を覆うようにソルダーレジスト層５４２が積層される。なお、ソルダーレジスト層５４１，５４２はそれぞれ、導体層５１１，５１５が配置されている領域に開口部５４１０，５４２０が形成される。
【００７８】
次に、本発明が適用された多層配線基板５０１の製造方法を説明する。
図２０に示すように、まず、導体層５６１（本実施形態では銅）が両面に積層された支持基板５６０を用意する。支持基板５６０は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂を含侵させた板状部材であり、高い剛性を有する。
【００７９】
そして、支持基板５６０の両面のそれぞれについて、導体層５６１上に、接着剤層であるプリプレグ５６２を介して剥離シート５６３を配置した状態で、例えば真空熱プレスにより剥離シート５６３を支持基板５６０に対して圧着することにより、剥離シート５６３を積層する。剥離シート５６３は、金属層５６３１（本実施形態では銅）と金属層５６３２（本実施形態では銅）とを積層して構成されている。なお、金属層５６３１と金属層５６３２との間には金属メッキ（例えばＣｒメッキ）が施されているため、金属層５６３１と金属層５６３２は互いに剥離可能な状態で積層されている。
【００８０】
次に、支持基板５６０の両面のそれぞれについて、剥離シート５６３上に、感光性のドライフィルムを積層し、その後に露光および現像し、さらにエッチングを行うことにより、剥離シート５６３の外周部分を除去する。その後、剥離シート５６３上のドライフィルムをエッチングにより除去する。
【００８１】
また、支持基板５６０の両面のそれぞれについて、剥離シート５６３上にフィルム状の樹脂材料（例えばエポキシ樹脂）を配置し、真空下において加圧加熱することにより樹脂材料を硬化させて絶縁層５２１を形成する。これにより、剥離シート５６３上と、剥離シート５６３が除去されている上記外周部分におけるプリプレグ５６２上とが、絶縁層５２１に被覆された状態になる。
【００８２】
そして、支持基板５６０の両面のそれぞれについて、絶縁層５２１の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、絶縁層５２１内に複数のビアホール５７１を形成する。さらに、ビアホール５７１の形成によりビアホール５７１内に生成されたスミアを除去するための処理（デスミア処理）を行う。その後、無電解メッキを行うことにより、絶縁層５２１上に薄い無電解メッキ層（本実施形態では銅）を形成する。そして、無電解メッキ層上に、導体層５１２の配線パターンに対応する所定のレジストパターンを形成する。さらに、電気メッキを行うことにより、レジストに覆われていない領域にメッキ層（本実施形態では銅）を形成する。その後、不要な無電解メッキ層とレジストをエッチングにより除去する。これにより、ビアホール５７１内にビア導体５３１が形成されるとともに、所定の配線パターンを有する導体層５１２が形成される。
【００８３】
さらに、絶縁層５２１と導体層５１２とビア導体５３１の形成と同様の工程を用いることで、絶縁層５２１上に、絶縁層５２２と導体層５１３とビア導体５３２を形成する。
次に、絶縁層５２１の形成と同様の工程を用いることで、絶縁層５２２上に絶縁層５２３を形成する。その後、絶縁層５２３上に導体層５１４１を形成する。
【００８４】
そして、導体層５１４１の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、図２１に示すように、導体層５１４１を貫通して導体層５１３に到るスルーホール５２３０を形成する。
【００８５】
さらに、スルーホール５２３０の形成によりスルーホール５２３０内に生成されたスミアを除去するための処理（デスミア処理）を行う。その後、無電解メッキと電気メッキを行うことにより、図２２に示すように、導体層５１４１上に導体層５１４２（本実施形態では銅）を形成するとともに、スルーホール５２３０の内周面上と導体層５１３上に導体層５１４２（本実施形態では銅）を形成する。その後、サブトラクティブ法により、不要な導体層５１４１，５１４２を除去することにより、図２３に示すように、所定の配線パターンを有する導体層５１４が形成される。したがって、所定の配線パターンを有するように積層された導体層５１４１および導体層５１４２は導体層５１４に相当する。また、スルーホール５２３０の内周面上に形成された導体層５１４２はスルーホール導体５３３に相当する。
【００８６】
その後、絶縁層５２１の形成と同様の工程を用いることで、図２４に示すように、絶縁層５２３上に絶縁層５２４を形成する。これにより、有底孔５２３３内に絶縁層５２４が埋め込まれた状態となる。
【００８７】
さらに、導体層５１２とビア導体５３１の形成と同様の工程を用いることで、図２５に示すように、絶縁層５２４内にビア導体５３４を形成するとともに、絶縁層５２４上に導体層５１５を形成する。
【００８８】
そして、エポキシ樹脂等の有機樹脂材料で構成されたソルダーレジストを絶縁層５２４と導体層５１５を覆うように塗布した後に、このソルダーレジストをパターニングする。これにより、導体層５１５が配置されている領域に開口部５４２０を有するソルダーレジスト層５４２が絶縁層５２４上に形成される。
【００８９】
次に、上記の工程によって支持基板５６０上に剥離シート５６３と導体層５１２〜５１５と絶縁層５２１〜５２４等が積層された積層体５０２を、剥離シート５６３の外周縁より僅かに内側を通過し且つ積層方向ＳＤに平行な切断線ＣＬに沿って切断する。これにより、積層体５０２の外周部分が除去され、剥離シート５６３の外周部の端面が露出する。このため、剥離シート５６３の外周部の端面から、金属層５６３１と金属層５６３２とを剥離することが可能となる。
【００９０】
そして、金属層５６３１を金属層５６３２から剥離することにより、図２６に示すように、金属層５６３２上に導体層５１２〜５１５および絶縁層５２１〜５２４等が積層された積層体５０３を、支持基板５６０から分離する。これにより、２個の積層体５０３を得ることができる。
【００９１】
さらに、積層体５０３の金属層５６３２上に、感光性のドライフィルムを積層し、その後に露光および現像し、さらにエッチングを行うことにより、図１９に示すように、導体層５１１が形成される。
【００９２】
そして、エポキシ樹脂等の有機樹脂材料で構成されたソルダーレジストを絶縁層５２１と導体層５１１を覆うように塗布した後に、このソルダーレジストをパターニングする。これにより、導体層５１１が配置されている領域に開口部５４１０を有するソルダーレジスト層５４１が絶縁層５２１上に形成され、多層配線基板５０１を得ることができる。
【００９３】
このように構成された多層配線基板５０１の製造方法では、まず、支持基板５６０上に、絶縁層５２１，５２２と導体層５１２，５１３とを積層方向ＳＤに沿って交互に積層したビルドアップ層を形成する。そして、このビルドアップ層の最表層を構成する導体層５１３上に絶縁層５２３を積層し、さらに絶縁層５２３上に導体層５１４１を積層する。その後、導体層５１４１を貫通し絶縁層５２３内を積層方向ＳＤに延びて導体層５１３を貫通することなく導体層５１３に到るスルーホール５２３０を形成し、さらに、スルーホール５２３０の内周面に、導体層５１３と導体層５１４１とを電気的に接続するスルーホール導体５３３を形成する。そして、スルーホール導体５３３が形成された後に、予め設定された配線パターンが形成されるように導体層５１４１をパターニングし、その後、絶縁層５２３上に絶縁層５２４を積層するとともに、スルーホール導体５３３の内側及び導体層５１４１に形成された貫通孔を絶縁層５２４の一部で充填する。
【００９４】
このように、絶縁層５２３上に絶縁層５２４を積層することにより、スルーホール５２３０の内部を絶縁層５２４で埋め込むことができる。これにより、スルーホール５２３０の内部を埋め込むための専用の工程を不要とすることができる。
【００９５】
また、スルーホール５２３０は、導体層５１３を貫通することなく導体層５１３に到るように形成されている。すなわち、スルーホール５２３０の開口部５２３１は、導体層５１３で覆われている。このため、ビア導体５３２を、導体層５１３を介して、スルーホール５２３０の開口部５２３１の直上に配置することができる。
【００９６】
以上説明した実施形態において、支持基板５６０は本発明におけるベース基板、絶縁層５２１，５２２と導体層５１２，５１３とを交互に積層した積層体は本発明における下部積層体、導体層５１３は本発明における第３導体層、絶縁層５２３は本発明における中間絶縁層、導体層５１４１は本発明における第４導体層、絶縁層５２４は本発明における中間絶縁層上の絶縁層である。
【００９７】
（第４実施形態）
以下に本発明の第４実施形態を説明する。なお第４実施形態では、第３実施形態と異なる部分を説明する。
【００９８】
第４実施形態の多層配線基板５０１は、製造方法が変更された点以外は第３実施形態と同じである。
次に、第４実施形態の多層配線基板５０１の製造方法を説明する。
【００９９】
まず、絶縁層５２２上に絶縁層５２３を形成する工程までは第３実施形態と同じである。
そして、絶縁層５２３を形成した後に、絶縁層５２３の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、導体層５１３に到るスルーホール５２３０を形成する。
【０１００】
さらに、スルーホール５２３０の形成によりスルーホール５２３０内に生成されたスミアを除去するための処理（デスミア処理）を行う。その後、無電解メッキと電気メッキを行うことにより、絶縁層５２３上に導体層５１４（本実施形態では銅）を形成するとともに、スルーホール５２３０の内周面上と導体層５１３上に導体層５１４を形成する。その後、サブトラクティブ法により、不要な導体層５１４を除去することにより、所定の配線パターンを有する導体層５１４が形成される。なお、スルーホール５２３０の内周面上に形成された導体層５１４はスルーホール導体５３３に相当する。
【０１０１】
その後、絶縁層５２１の形成と同様の工程を用いることで、絶縁層５２３上に絶縁層５２４を形成する。これにより、有底孔５２３３内に絶縁層５２４が埋め込まれた状態となる。
【０１０２】
その後の工程は、第３実施形態と同じである。
このように構成された多層配線基板５０１の製造方法では、まず、支持基板５６０上に、絶縁層５２１，５２２と導体層５１２，５１３とを積層方向ＳＤに沿って交互に積層したビルドアップ層を形成する。そして、このビルドアップ層の最表層を構成する導体層５１３上に絶縁層５２３を積層する。その後、絶縁層５２３内を積層方向ＳＤに延びて導体層５１３を貫通することなく導体層５１３に到るスルーホール５２３０を形成し、さらに、絶縁層５２３上とスルーホール５２３０の内周面に導体層を積層することにより、絶縁層５２３上に導体層５１４を形成するとともに、スルーホール５２３０の内周面にスルーホール導体５３３を形成する。そして、スルーホール導体５３３が形成された後に、予め設定された配線パターンが形成されるように導体層５１４をパターニングし、その後、絶縁層５２３上に絶縁層５２４を積層するとともに、スルーホール導体５３３の内側を絶縁層５２４の一部で充填する。
【０１０３】
このように、絶縁層５２３上に絶縁層５２４を積層することにより、スルーホール５２３０の内部を絶縁層５２４で埋め込むことができる。これにより、スルーホール５２３０の内部を埋め込むための専用の工程を不要とすることができる。
【０１０４】
また、スルーホール５２３０は、導体層５１３を貫通することなく導体層５１３に到るように形成されている。すなわち、スルーホール５２３０の開口部５２３１は、導体層５１３で覆われている。このため、ビア導体５３２を、導体層５１３を介して、スルーホール５２３０の開口部５２３１の直上に配置することができる。
【０１０５】
以上説明した実施形態において、支持基板５６０は本発明におけるベース基板、絶縁層５２１，５２２と導体層５１２，５１３とを交互に積層した積層体は本発明における下部積層体、導体層５１３は本発明における第３導体層、絶縁層５２３は本発明における中間絶縁層、導体層５１４は本発明における第４導体層、絶縁層５２４は本発明における中間絶縁層上の絶縁層である。
【０１０６】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採ることができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１，１０１，５０１…多層配線基板、２，１０２…支持層、３，４，１０３，１０４…ビルドアップ層、２１，１１１，５６０…支持基板、２２，２３，３３，３４，４３，４４，５１，５２，１１４，１１５，１１６，１１７，１３３，１３４，１４３，１４４，１５１，１５２，５１１，５１２，５１３，５１４，５１５…導体層、２４，１２０，１２３，５２３０…スルーホール、２５，１２１，１２４，５３３…スルーホール導体、３１，３２，４１，４２，１１２，１１３，１３１，１３２，１４１，１４２，５２１，５２２，５２３，５２４…絶縁層、３５，３６，４５，４６，１１８，１１９，１３５，１３６，１４５，１４６，５３１，５３２，５３４…ビア導体、２４１，２４２，１２０１，１２０２，５２３１，５２３２…開口部
【図１】
2013211518.tif 000003
【図２】
2013211518.tif 000004
【図３】
2013211518.tif 000005
【図４】
2013211518.tif 000006
【図５】
2013211518.tif 000007
【図６】
2013211518.tif 000008
【図７】
2013211518.tif 000009
【図８】
2013211518.tif 000010
【図９】
2013211518.tif 000011
【図１０】
2013211518.tif 000012
【図１１】
2013211518.tif 000013
【図１２】
2013211518.tif 000014
【図１３】
2013211518.tif 000015
【図１４】
2013211518.tif 000016
【図１５】
2013211518.tif 000017
【図１６】
2013211518.tif 000018
【図１７】
2013211518.tif 000019
【図１８】
2013211518.tif 000020
【図１９】
2013211518.tif 000021
【図２０】
2013211518.tif 000022
【図２１】
2013211518.tif 000023
【図２２】
2013211518.tif 000024
【図２３】
2013211518.tif 000025
【図２４】
2013211518.tif 000026
【図２５】
2013211518.tif 000027
【図２６】
2013211518.tif 000028