(57)【要約】【課題】電子部品内蔵基板の反りを抑制する。あるいは、半導体チップ占有率の高い電子部品内蔵基板を製造する。【解決手段】電子部品内蔵基板の製造方法が、樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層に形成された収容部に電子部品が配置されてなる部品内蔵部と、を有する第１基板を準備することと、開口部を有する第２基板を準備することと、第１基板から部品内蔵部を含む基板片を切り出すことと、切り出された基板片を第２基板の開口部内に配置し、固定することと、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂絶縁層と、該樹脂絶縁層に形成された収容部に電子部品が配置されてなる部品内蔵部と、を有する第１基板を準備することと、
開口部を有する第２基板を準備することと、
前記第１基板から前記部品内蔵部を含む基板片を切り出すことと、
前記切り出された基板片を前記第２基板の前記開口部内に配置し、固定することと、
を含む、
ことを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
前記準備される第１基板の半導体チップ占有率は、前記第２基板の全ての前記開口部内に前記基板片が配置された電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率よりも低い、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項３】
前記準備される第１基板の半導体チップ占有率は、面積比で１０％未満であり、
前記電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率は、面積比で１０％以上である、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
前記準備される第２基板は、半導体チップを有していない、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１基板の準備では、前記樹脂絶縁層をＢステージ又はＣステージまで硬化させる、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１基板の準備では、前記樹脂絶縁層をＣステージまで硬化させる、
ことを特徴とする請求項５に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１基板に、前記部品内蔵部の位置を示すアライメントマークを形成することを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
前記開口部を有する第２基板を準備することは、
第２基板を準備することと、
前記第２基板に開口部を形成することと、
前記開口部の形成後、前記第２基板の反り軽減のため、前記第２基板の端部を切り落とすことと、
を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２基板の縁部には導体パターンが形成されており、
前記切り落とされる前記第２基板の端部は、前記導体パターンが形成されている前記縁部を含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１０】
前記開口部は、前記第２基板を貫通する孔である、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１１】
前記電子部品は、半導体チップである、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１基板は、リジッド配線板である、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第１基板は、ビルドアッププリント配線板である、
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１４】
前記開口部内に配置された前記基板片を接着剤により固定する、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１基板は、前記部品内蔵部を複数有し、
前記基板片の配置に先立って、前記部品内蔵部の各々について良否判断を行うことを含み、
前記基板片の配置では、前記良否判断により良品と判断された部品内蔵部を含む基板片のみを前記開口部内に配置する、
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１６】
複数の開口部が形成された基板と、
前記基板とは別に製造され、前記複数の開口部の各々に固定された複数の半導体チップ内蔵基板片と、
を有する、
ことを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項１７】
前記電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率は、面積比で１０％以上である、
ことを特徴とする請求項１６に記載の電子部品内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品内蔵基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、電子部品内蔵基板及びその製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１３１０３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の電子部品内蔵基板の製造方法では、電子部品を樹脂絶縁層に収容した後で、基板全体を加熱加圧する。この場合、電子部品（例えばシリコンから構成される半導体チップ）の熱膨張係数と樹脂絶縁層の熱膨張係数との差によって基板に反りが生じ易くなる。
【０００５】
そして、基板の反りが大きくなると、基板に部品を表面実装する場合の実装信頼性が低下する。このため、半導体チップ占有率の高い電子部品内蔵基板を製造することは困難になる。
【０００６】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、電子部品内蔵基板の反りを抑制することを目的とする。また、本発明は、半導体チップ占有率の高い電子部品内蔵基板を製造することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電子部品内蔵基板の製造方法は、
樹脂絶縁層と、該樹脂絶縁層に形成された収容部に電子部品が配置されてなる部品内蔵部と、を有する第１基板を準備することと、
開口部を有する第２基板を準備することと、
前記第１基板から前記部品内蔵部を含む基板片を切り出すことと、
前記切り出された基板片を前記第２基板の前記開口部内に配置し、固定することと、
を含む。
【０００８】
前記準備される第１基板の半導体チップ占有率は、前記第２基板の全ての前記開口部内に前記基板片が配置された電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率よりも低い、ことが好ましい。
【０００９】
前記準備される第１基板の半導体チップ占有率は、面積比で１０％未満であり、前記電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率は、面積比で１０％以上である、ことが好ましい。
【００１０】
前記準備される第２基板は、半導体チップを有していない、ことが好ましい。
【００１１】
前記第１基板の準備では、前記樹脂絶縁層をＢステージ又はＣステージまで硬化させる、ことが好ましい。
【００１２】
前記第１基板の準備では、前記樹脂絶縁層をＣステージまで硬化させる、ことが好ましい。
【００１３】
前記第１基板に、前記部品内蔵部の位置を示すアライメントマークを形成することを含む、ことが好ましい。
【００１４】
前記開口部を有する第２基板を準備することは、
第２基板を準備することと、
前記第２基板に開口部を形成することと、
前記開口部の形成後、前記第２基板の反り軽減のため、前記第２基板の端部を切り落とすことと、
を含む、ことが好ましい。
【００１５】
前記第２基板の縁部には導体パターンが形成されており、前記切り落とされる前記第２基板の端部は、前記導体パターンが形成されている前記縁部を含む、ことが好ましい。
【００１６】
前記開口部は、前記第２基板を貫通する孔である、ことが好ましい。
【００１７】
前記電子部品は、半導体チップである、ことが好ましい。
【００１８】
前記第１基板は、リジッド配線板である、ことが好ましい。
【００１９】
前記第１基板は、ビルドアッププリント配線板である、ことが好ましい。
【００２０】
前記開口部内に配置された前記基板片を接着剤により固定する、ことが好ましい。
【００２１】
前記第１基板は、前記部品内蔵部を複数有し、
前記基板片の配置に先立って、前記部品内蔵部の各々について良否判断を行うことを含み、
前記基板片の配置では、前記良否判断により良品と判断された部品内蔵部を含む基板片のみを前記開口部内に配置する、
ことが好ましい。
【００２２】
本発明に係る電子部品内蔵基板は、
複数の開口部が形成された基板と、
前記基板とは別に製造され、前記複数の開口部の各々に固定された複数の半導体チップ内蔵基板片と、
を有する。
【００２３】
前記電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率は、面積比で１０％以上である、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、例えば電子部品内蔵基板の反りを抑制することが可能になる。また、本発明によれば、この効果に加えて又はこの効果に代えて、半導体チップ占有率の高い電子部品内蔵基板を製造することが可能になるという効果が奏される場合がある。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において用いられる第１基板を示す平面図である。
【図３】図２に示す第１基板の部品内蔵部の断面図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、図２に示す第１基板を製造する第１工程を説明するための図である。
【図４Ｂ】図４Ａの工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図４Ｃ】図４Ｂの工程の後の第３の工程を説明するための図である。
【図４Ｄ】図４Ｃの工程の後の第４の工程を説明するための図である。
【図５】図４Ｄの工程の後の第５の工程を説明するための図である。
【図６】図５の工程の後の第６の工程を説明するための図である。
【図７】図６の工程の後の第７の工程を説明するための図である。
【図８】図７の工程の後の第８の工程を説明するための図である。
【図９】図８の工程の後の第９の工程を説明するための図である。
【図１０】図９の工程の後の第１０の工程を説明するための図である。
【図１１】図１０の工程の後の第１１の工程を説明するための図である。
【図１２Ａ】図１１の工程の後の第１２の工程を説明するための図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａの工程の後の第１３の工程を説明するための図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｂの工程の後の第１４の工程を説明するための図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において第１基板に形成されるアライメントマークを示す平面図である。
【図１４Ａ】図１３に示すアライメントマークの第１の形態を示す平面図である。
【図１４Ｂ】図１３に示すアライメントマークの第２の形態を示す平面図である。
【図１５Ａ】図１３に示すアライメントマークの第１の例を示す断面図である。
【図１５Ｂ】図１３に示すアライメントマークの第２の例を示す断面図である。
【図１５Ｃ】図１３に示すアライメントマークの第３の例を示す断面図である。
【図１５Ｄ】図１３に示すアライメントマークの第４の例を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、部品内蔵部について検査を行う工程を説明するための図である。
【図１７】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、第１基板から基板片を切り出す工程を説明するための図である。
【図１８Ａ】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、開口部を有する第２基板を準備する第１の工程を説明するための平面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａに示す第２基板の断面図である。
【図１９Ａ】図１８Ａの工程の後の第２の工程を説明するための平面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ａに示す第２基板の断面図である。
【図２０Ａ】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、第２基板の開口部内に基板片を配置する工程を説明するための平面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ａに示す基板片及び第２基板等の断面図である。
【図２１】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、第２基板の開口部内に配置された基板片を拡大して示す図である。
【図２２Ａ】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、開口部内に配置された基板片を接着剤により固定する工程を説明するための平面図である。
【図２２Ｂ】図２２Ａに示す基板片及び第２基板等の断面図である。
【図２３】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板を示す断面図である。
【図２４】基板片の切り出し及び別の基板への移し替えを行わずに、１つの基板で製造された電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率と反り量との関係を示すグラフである。
【図２５Ａ】本発明の他の実施形態において、開口部における第２基板と基板片との隙間の所定の部分のみに接着剤を形成する第１の例を示す図である。
【図２５Ｂ】本発明の他の実施形態において、開口部における第２基板と基板片との隙間の所定の部分のみに接着剤を形成する第２の例を示す図である。
【図２６】本発明の他の実施形態において、基板片に形成された爪部（凸部）と開口部に形成された爪受け部（凹部）との結合により基板片を開口部内に固定する例を示す図である。
【図２７】本発明の他の実施形態において、第２基板に形成された１つの開口部に、複数の基板片が収容される例を示す図である。
【図２８Ａ】本発明の他の実施形態において、開口部、基板片、並びに第１基板におけるスルーホール、アライメントマーク、及び各層のビアホールの平面形状の第１の例を示す図である。
【図２８Ｂ】本発明の他の実施形態において、開口部、基板片、並びに第１基板におけるスルーホール、アライメントマーク、及び各層のビアホールの平面形状の第２の例を示す図である。
【図２８Ｃ】本発明の他の実施形態において、開口部、基板片、並びに第１基板におけるスルーホール、アライメントマーク、及び各層のビアホールの平面形状の第３の例を示す図である。
【図２８Ｄ】本発明の他の実施形態において、開口部、基板片、並びに第１基板におけるスルーホール、アライメントマーク、及び各層のビアホールの平面形状の第４の例を示す図である。
【図２９】本発明の他の実施形態において、図３に示す構造とは異なる構造を有する第１基板を示す図である。
【図３０】本発明の他の実施形態において、第２基板に形成される開口部が、第２基板を貫通しない孔から構成される例を示す図である。
【図３１Ａ】本発明の他の実施形態において、第２基板に形成される開口部の壁面がテーパした面からなる第１の例を示す図である。
【図３１Ｂ】本発明の他の実施形態において、第２基板に形成される開口部の壁面がテーパした面からなる第２の例を示す図である。
【図３２】本発明の他の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図３３Ａ】図３２に示す電子部品内蔵基板の製造方法において、開口部を有する第２基板を準備する第１の工程を説明するための平面図である。
【図３３Ｂ】図３３Ａに示す第２基板の断面図である。
【図３４】図３３Ａの工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図３５】図３２に示す電子部品内蔵基板の製造方法において、第２基板の端部をカットする工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ基板の主面（表裏面）の法線方向に相当する基板の積層方向（又は基板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。基板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、基板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。
【００２７】
本実施形態では、積層方向において、コアに近い側を下層、コアから遠い側を上層という。
【００２８】
導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない面状の導体パターン等を含む場合もある。
【００２９】
開口部には、孔や溝のほか、切欠や切れ目等も含まれる。孔は貫通孔に限られず、非貫通の孔も含めて、孔という。
【００３０】
準備には、材料や部品を購入して自ら製造することのほかに、完成品を購入して使用することなども含まれる。
【００３１】
「開口部内に配置」には、基板片の全体が開口部内に完全に配置されることのほか、基板片の一部のみが開口部内に配置されることなども含まれる。要は、基板片の少なくとも一部が開口部内に配置されれば足りる。
【００３２】
めっきには、電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００３３】
図１に、本実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法を示す。
【００３４】
ステップＳ１１では、図２に示すように、第１基板１０００を準備する。第１基板１０００は、ビルドアッププリント配線板である、詳しくは、第１基板１０００は、例えばリジッド配線板である。
【００３５】
第１基板１０００の形状は、例えば略矩形板状である。ただしこれに限られず、第１基板１０００の形状は任意である。
【００３６】
第１基板１０００は、複数の部品内蔵部１０（例えば４つ）を有する。部品内蔵部１０の間隔ｄ１０は、例えば２２ｍｍである。部品内蔵部１０の間隔ｄ１０が小さいほど、１つの第１基板１０００で得られる部品内蔵部１０の数を増やし易くなる。
【００３７】
部品内蔵部１０は、図３に示すように、それぞれ収容部Ｒ１（キャビティ）を有し、収容部Ｒ１に電子部品２００を内蔵している。本実施形態の収容部Ｒ１は、絶縁層１００を貫通する孔から構成される。
【００３８】
部品内蔵部１０は、図３に示すように、絶縁層１００（コア基板）と、絶縁層１０１、１０２と、導体層３０１、３０２、１１０、１２０と、ビア導体３１１ｂ、３１２ｂ、３２２ｂと、スルーホール導体３００ｂと、から構成される。以下、第１基板１０００の表裏面（２つの主面）の一方（Ｚ１側）を第１面Ｆ１、他方（Ｚ２側）を第２面Ｆ２という。また、絶縁層１００の表裏面（２つの主面）の一方（Ｚ１側）を第３面Ｆ３、他方（Ｚ２側）を第４面Ｆ４という。また、電子部品２００の表裏面（２つの主面）の一方（Ｚ１側）を第５面Ｆ５、他方（Ｚ２側）を第６面Ｆ６という。
【００３９】
電子部品２００は、電極２１０及び２２０を有する。本実施形態では、電子部品２００が、片面（例えば第５面Ｆ５）にのみ電極を有する。電子部品２００は、例えば半導体チップである。具体的には、電子部品２００は、例えばシリコン（Ｓｉ）から構成されるＩＣ（集積回路）チップである。ただしこれに限定されず、例えば電子部品２００は、シリコン以外の半導体から構成されるＩＣであってもよいし、ＩＣ以外の電子部品（抵抗、コンデンサ、又はコイル等）であってもよい。
【００４０】
電子部品２００は、絶縁層１００、１０１、１０２（それぞれ樹脂絶縁層）中に形成された収容部Ｒ１に配置される。電子部品２００の第５面Ｆ５は、絶縁層１００の第３面Ｆ３と同じ向きになる。収容部Ｒ１における電子部品２００と絶縁層１００との隙間には、絶縁体１０１ａが充填される。絶縁体１０１ａは、例えば周囲の絶縁層（例えば絶縁層１００、１０１、１０２）から流出した樹脂から構成される。
【００４１】
絶縁層１００の第３面Ｆ３上には導体層３０１が形成され、絶縁層１００の第３面Ｆ３上、導体層３０１上、及び電子部品２００の第５面Ｆ５上には、絶縁層１０１と、導体層１１０とが、この順で積層される。また、絶縁層１００の第４面Ｆ４上には導体層３０２が形成され、絶縁層１００の第４面Ｆ４上、導体層３０２上、及び電子部品２００の第６面Ｆ６上には、導体層３０２と、絶縁層１０２と、導体層１２０とが、この順で積層される。導体層１１０、１２０はそれぞれ、第１面Ｆ１側、第２面Ｆ２側の最外導体層となる。
【００４２】
絶縁層１００には、絶縁層１００を貫通するスルーホール３００ａが形成され、スルーホール３００ａに導体（例えば銅のめっき）が充填されることによって、そのスルーホール３００ａ内の導体がスルーホール導体３００ｂ（例えばフィルド導体）となる。絶縁層１０１にはビアホール３１１ａ、３１２ａが形成され、ビアホール３１１ａ、３１２ａの各々に導体（例えば銅のめっき）が充填されることによって、そのビアホール３１１ａ、３１２ａ内の導体がそれぞれビア導体３１１ｂ、３１２ｂ（それぞれ例えばフィルド導体）となる。また、絶縁層１０２にはビアホール３２２ａが形成され、ビアホール３２２ａに導体（例えば銅のめっき）が充填されることによって、そのビアホール３２２ａ内の導体がビア導体３２２ｂ（例えばフィルド導体）となる。
【００４３】
スルーホール導体３００ｂは、導体層３０１と導体層３０２とを互いに電気的に接続し、ビア導体３１２ｂは、導体層３０１と導体層１１０とを互いに電気的に接続し、ビア導体３２２ｂは、導体層３０２と導体層１２０とを互いに電気的に接続する。また、ビア導体３１１ｂは、電子部品２００の電極２１０、２２０と導体層１１０とを電気的に接続する。本実施形態では、ビア導体３１２ｂ、３２２ｂの各々がスルーホール導体３００ｂの直上（Ｚ方向）に形成され、ビア導体３１２ｂ、３２２ｂ及びスルーホール導体３００ｂによって、スタック導体が形成される。
【００４４】
スルーホール導体３００ｂの形状は、例えば砂時計状（鼓状）である。すなわち、スルーホール導体３００ｂは括れ部３００ｃを有し、スルーホール導体３００ｂの幅は、絶縁層１００の第３面Ｆ３から括れ部３００ｃに近づくにつれて徐々に小さくなり、また、絶縁層１００の第４面Ｆ４から括れ部３００ｃに近づくにつれて徐々に小さくなる。しかしこれに限られず、スルーホール導体３００ｂの形状は任意であり、例えば略円柱であってもよい。
【００４５】
なお、第１基板１０００の部品内蔵部１０以外の部分も、電子部品２００を内蔵していないことを除けば、概ね部品内蔵部１０と同じ構造（図３参照）を有する。
【００４６】
以下、図３に対応する断面図を参照して、第１基板１０００の製造について説明する。
【００４７】
まず、図４Ａに示すように、出発材料として両面銅張積層板３０００を準備する。両面銅張積層板３０００は、絶縁層１００（コア基板）と、絶縁層１００の第３面Ｆ３上に形成された銅箔３００１と、絶縁層１００の第４面Ｆ４上に形成された銅箔３００２と、から構成される。
【００４８】
絶縁層１００は、例えばガラスクロス（心材）にエポキシ樹脂を含浸させたもの（以下、ガラエポという）からなる。心材は、主材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）よりも熱膨張率の小さい材料である。心材としては、例えばガラス繊維（例えばガラス布又はガラス不織布）、アラミド繊維（例えばアラミド不織布）、又はシリカフィラー等の無機材料が好ましいと考えられる。ただし、絶縁層１００の材料は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。また、絶縁層１００は、心材を含んでいなくてもよい。絶縁層１００は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【００４９】
本実施形態では、この段階において、絶縁層１００が、完全に硬化した状態（Ｃステージ）のガラエポからなる。
【００５０】
続けて、図４Ｂに示すように、例えばＣＯ２レーザを用いて、第３面Ｆ３側からレーザを両面銅張積層板３０００に照射することにより孔３００３を形成し、第４面Ｆ４側からレーザを両面銅張積層板３０００に照射することにより孔３００４を形成する。孔３００３と孔３００４とは、Ｘ−Ｙ平面において略同じ位置に形成され、最終的にはつながって、両面銅張積層板３０００を貫通するスルーホール３００ａとなる。スルーホール３００ａの形状は、スルーホール導体３００ｂに対応し、例えば砂時計状（鼓状）である。孔３００３と孔３００４との境界は括れ部３００ｃに相当する。第３面Ｆ３に対するレーザ照射と第４面Ｆ４に対するレーザ照射とは、同時に行っても、片面ずつ行ってもよい。スルーホール３００ａを形成した後には、スルーホール３００ａについてデスミアを行うことが好ましい。デスミアにより、不要な導通（ショート）が抑制される。また、レーザ光の吸収効率を高めるため、レーザ照射に先立って銅箔３００１、３００２の表面を黒化処理してもよい。なお、スルーホール３００ａの形成は、ドリル又はエッチングなど、レーザ以外の方法で行ってもよい。ただし、レーザ加工であれば、微細な加工をし易い。特に、絶縁層１００の熱膨張係数が小さい場合には、ドリル加工が困難になるため、レーザ加工が有効である。
【００５１】
続けて、例えばパネルめっき法により、図４Ｃに示すように、銅箔３００１、３００２上及びスルーホール３００ａ内に、例えば銅のめっき３００５を形成する。具体的には、まず無電解めっきを行って無電解めっき膜を形成し、続けてその無電解めっき膜をシード層として電解めっきを行うことにより、無電解めっき膜と電解めっきとから構成されるめっき３００５を形成する。これにより、スルーホール３００ａにめっき３００５が充填され、スルーホール導体３００ｂが形成される。
【００５２】
続けて、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて、絶縁層１００の第３面Ｆ３及び第４面Ｆ４に形成された各導体層のパターニングを行う。具体的には、導体層３０１、３０２に対応したパターンを有するエッチングレジストで各導体層を覆い、各導体層の、エッチングレジストで覆われない部分（エッチングレジストの開口部で露出する部位）を、エッチングで除去する。これにより、図４Ｄに示すように、絶縁層１００の第３面Ｆ３、第４面Ｆ４上にそれぞれ、導体層３０１、３０２が形成される。以下、こうして得られた基板を、基板３０００ａという。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。
【００５３】
続けて、図５に示すように、基板３０００ａ（詳しくは、絶縁層１００）に収容部Ｒ１を形成する。本実施形態では、絶縁層１００にレーザを照射することにより、収容部Ｒ１（絶縁層１００を貫通する孔）を形成する。具体的には、例えばＸ−Ｙ平面において四角形を描くようにレーザを照射することにより、絶縁層１００における、収容部Ｒ１に対応した領域を、その周りの部分から切り取る。
【００５４】
続けて、図６に示すように、例えばＰＥＴ（ポリ・エチレン・テレフタレート）からなるキャリア３００６を、基板３０００ａの片側（例えば第４面Ｆ４側）に設ける。これにより、収容部Ｒ１（孔）の一方の開口がキャリア３００６で塞がれる。本実施形態では、キャリア３００６が、粘着シート（例えばテープ）からなる。キャリア３００６は、片面に粘着性を有し、その粘着性を有する面（以下、粘着面３００６ａという）上に基板３０００ａが載置される。キャリア３００６は、例えばラミネートにより、基板３０００ａと接着される。
【００５５】
続けて、図７に示すように、収容部Ｒ１（孔）の塞がれた開口とは反対側（Ｚ１側）から、基板３０００ａの収容部Ｒ１に電子部品２００を入れる。電子部品２００は、例えば部品実装機により収容部Ｒ１に入れられる。これにより、図８に示すように、キャリア３００６の粘着面３００６ａ上に、電子部品２００が載置される。
【００５６】
続けて、図９に示すように、絶縁層１００の第３面Ｆ３上及び電子部品２００の第５面Ｆ５上に、絶縁層１０１を配置する。
【００５７】
絶縁層１０１は、例えばエポキシ樹脂からなり、心材を含まない。絶縁層１０１の材料としては、例えばＡＢＦ（Ajinomoto Build-up Film：味の素ファインテクノ株式会社製）を用いることができる。ただしこれに限定されず、絶縁層１０１の材料は、基本的に任意である。絶縁層１０１は、心材を含んでいてもよい。
【００５８】
また、図９に示すように、絶縁層１０１を未硬化又は半硬化の状態でラミネートすることにより、絶縁層１０１を構成する樹脂を流出させて収容部Ｒ１へ流し込む。これにより、収容部Ｒ１における絶縁層１００と電子部品２００との隙間Ｒ２に絶縁体１０１ａ（絶縁層１０１を構成する樹脂）が充填される。
【００５９】
収容部Ｒ１に絶縁体１０１ａが充填されたら、その充填樹脂（絶縁体１０１ａ）と電子部品２００との仮溶着を行う。具体的には、加熱により充填樹脂に電子部品２００を支持できる程度の保持力を発現させる。これにより、キャリア３００６に支持されていた電子部品２００が、充填樹脂によって支持されるようになる。その後、キャリア３００６を除去する。以下、こうして得られた基板を、基板３０００ｂという。
【００６０】
なお、この段階では、絶縁体１０１ａ（充填樹脂）及び絶縁層１０１は半硬化しているにすぎず、完全には硬化していない。ただしこれに限られず、例えば、この段階で絶縁体１０１ａ及び絶縁層１０１を完全に硬化させてもよい。
【００６１】
続けて、図１０に示すように、基板３０００ｂの絶縁層１０１とは反対側（第４面Ｆ４側又は第６面Ｆ６側）に、絶縁層１０２を設ける。
【００６２】
絶縁層１０２は、例えばエポキシ樹脂からなり、心材を含まない。絶縁層１０２の材料としては、例えばＡＢＦを用いることができる。ただしこれに限定されず、絶縁層１０２の材料は、基本的に任意である。絶縁層１０２は、心材を含んでいてもよい。
【００６３】
続けて、例えばラミネートにより、絶縁層１０２を未硬化又は半硬化の状態で基板３０００ｂに接着させた後、加熱して絶縁層１０１、１０２の各々をＣステージまで硬化させる。
【００６４】
本実施形態では、粘着シート（キャリア３００６）を除去した後に、収容部Ｒ１に充填した樹脂を硬化させる。このため、絶縁層１０１、１０２の硬化を同時に行うことが可能になる。そして、両面の絶縁層１０１、１０２の硬化を同時に行うことにより、絶縁層１００の反りが抑制されるため、絶縁層１００を薄くし易くなる。
【００６５】
続けて、図１１に示すように、例えばレーザにより、絶縁層１０１にビアホール３１１ａ及び３１２ａを形成し、絶縁層１０２にビアホール３２２ａを形成する。ビアホール３１１ａ及び３１２ａの各々は絶縁層１０１を貫通し、ビアホール３２２ａは絶縁層１０２を貫通する。そして、ビアホール３１１ａは、電子部品２００の電極２１０又は２２０に至り、ビアホール３１２ａ及び３２２ａの各々は、スルーホール導体３００ｂの直上に至る。その後、必要に応じて、デスミアを行う。
【００６６】
続けて、図１２Ａに示すように、例えば化学めっき法により、ビアホール３１１ａ、３１２ａ、３２２ａ内にそれぞれ、例えば銅の無電解めっき膜３００７又は３００８を形成する。なお、無電解めっきに先立って、例えばパラジウム等からなる触媒を、絶縁層１０１、１０２の表面に吸着させてもよい。
【００６７】
続けて、図１２Ｂに示すように、リソグラフィ技術又は印刷等により、第３面Ｆ３側の主面（無電解めっき膜３００７上）に、開口部３００９ａを有するめっきレジスト３００９を、また、第４面Ｆ４側の主面（無電解めっき膜３００８上）に、開口部３０１０ａを有するめっきレジスト３０１０を、それぞれ形成する。開口部３００９ａ、３０１０ａはそれぞれ、導体層１１０、１２０（図３）に対応したパターンを有する。
【００６８】
続けて、図１２Ｃに示すように、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト３００９、３０１０の開口部３００９ａ、３０１０ａに、それぞれ例えば銅の電解めっき３０１１、３０１２を形成する。具体的には、陽極にめっきする材料である銅を接続し、陰極に被めっき材である無電解めっき膜３００７、３００８を接続して、めっき液に浸漬する。そして、両極間に直流の電圧を印加して電流を流し、無電解めっき膜３００７、３００８の表面に銅を析出させる。これにより、ビアホール３１１ａ、３１２ａ、３２２ａにそれぞれ、電解めっき１０１１又は１０１２が充填され、例えば銅のめっきからなるビア導体３１１ｂ、３１２ｂ、３２２ｂが形成される。
【００６９】
その後、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト３００９及び３０１０を除去し、続けて不要な無電解めっき膜３００７、３００８を除去することにより、図３に示すように、導体層１１０及び１２０が形成される。
【００７０】
本実施形態では、図１３に示すように、導体層１１０に、部品内蔵部１０の位置を示すアライメントマークＭ１（例えば導体パターン）が含まれる。アライメントマークＭ１は、例えば部品内蔵部１０の四隅に形成される。しかしこれに限られず、アライメントマークＭ１の配置及び数は任意である。
【００７１】
アライメントマークＭ１は、例えば図１４Ａに示すように、リング状の導体からなる。ただしこれに限られず、例えば図１４Ｂに示すように、リング状の空隙からなってもよい。また、アライメントマークＭ１の形状はリング状に限られず任意である。
【００７２】
図１４Ａに示すアライメントマークＭ１は、例えば図１５Ａに示すように、導体層１１０に含まれる導体パターン１１０ａで形成することができる。ただしこれに限られず、例えば図１５Ｂに示すように、導体層１１０の導体パターン１１０ａ上に選択的に突起部１１０ｂを形成して、その突起部１１０ｂをアライメントマークＭ１としてもよい。突起部１１０ｂは、例えば金属からなることが好ましい。金属は、光学的に認識し易い。ただしこれに限定されず、突起部１１０ｂの材質は任意である。
【００７３】
図１４Ｂに示すアライメントマークＭ１は、例えば図１５Ｃに示すように、導体層１１０における導体パターン１１０ａの空隙１１０ｃで形成することができる。
【００７４】
本実施形態では、アライメントマークＭ１を、最外層の導体層１１０に形成する。ただしこれに限られず、アライメントマークＭ１は、例えば図１５Ｄに示すように、内層の導体層３０１に形成してもよい。また、アライメントマークＭ１は、絶縁層１００の第３面Ｆ３側及び第４面Ｆ４側の各々（例えば導体層１１０、１２０）に形成してもよい。
【００７５】
本実施形態の第１基板１０００は、例えば上記製造方法により製造することができる。第１基板１０００の半導体チップ占有率（例えばＳｉ占有率）は、Ｘ−Ｙ平面の面積比（半導体チップが占める面積の総和／第１基板１０００全体の面積）で１０％未満である。
【００７６】
本実施形態の製造方法では、熱処理により、絶縁層１０１、１０２をＣステージまで硬化させる。
【００７７】
絶縁層１０１、１０２の各々がＡＢＦからなる場合には、絶縁層１０１、１０２をＣステージまで硬化させるための熱処理により、温度１８０℃以上まで加熱することが好ましく、絶縁層１０１、１０２の各々がプリプレグ（樹脂付き銅箔）からなる場合には、絶縁層１０１、１０２をＣステージまで硬化させるための熱処理により、温度２３０℃以上まで加熱することが好ましい。
【００７８】
また、本実施形態の製造方法では、第１基板１０００に、部品内蔵部１０の位置を示すアライメントマークＭ１を形成するため、後述の基板片１０ａの位置決めを高い精度で行うことが可能になる。
【００７９】
続けて、図１のステップＳ１２では、図１６に示すように、第１基板１０００の部品内蔵部１０の各々について検査（良否判断）を行う。具体的には、例えば電気特性等についての品質検査を行う。図１６では、上記良否判断により良品と判断された部品内蔵部１０には「○」を、不良品と判断された部品内蔵部１０には「×」を、それぞれ記す。図１６に示されるように、本実施形態では、一例として、４つの部品内蔵部１０のうち、２つの部品内蔵部１０が良品と判断された場合について説明する。
【００８０】
続けて、図１のステップＳ１３では、図１７に示すように、例えばＵＶ（紫外線）レーザにより、第１基板１０００から、部品内蔵部１０を含む基板片１０ａ（半導体チップ内蔵基板片）を切り出す。
【００８１】
本実施形態では、上記検査（良否判断）により良品と判断された部品内蔵部１０を含む基板片１０ａのみを切り出す。なお、基板片１０ａを切り出す方法は、レーザに限られず、例えばルータ等であってもよい。
【００８２】
本実施形態の製造方法では、第１基板１０００から部品内蔵部１０を含む基板片１０ａを切り出す。切断により、熱応力が解放された基板片１０ａが得られる。
【００８３】
第１基板１０００を準備する一方で、図１のステップＳ２１では、図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、第２基板２０００を準備する。本実施形態では、第２基板２０００が半導体チップを有していない。また、第２基板２０００は配線を有していない。第２基板２０００は、例えば枠専用基板である。
【００８４】
第２基板２０００は、例えば絶縁層４００から構成される。以下、絶縁層４００の表裏面（２つの主面）の一方（Ｚ１側）を第７面Ｆ７、他方（Ｚ２側）を第８面Ｆ８という。
【００８５】
絶縁層４００の形状は、例えば略矩形板状である。ただしこれに限られず、絶縁層４００の形状は任意である。
【００８６】
本実施形態では、絶縁層４００が、リジッド基板である。
【００８７】
絶縁層４００は、例えばガラエポからなる。ただしこれに限られず、絶縁層４００の材料（心材及び樹脂）は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。絶縁層４００は、心材を含んでいなくてもよい。絶縁層４００は、樹脂絶縁層でなくてもよい。絶縁層４００は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【００８８】
続けて、図１のステップＳ２２では、図１９Ａ及び図１９Ｂに示すように、例えばＵＶ（紫外線）レーザにより、第２基板２０００に開口部Ｒ１０を形成する。これにより、開口部Ｒ１０を有する第２基板２０００が得られる。なお、開口部Ｒ１０を形成する方法は、レーザに限られず、例えばルータ等であってもよい。
【００８９】
第２基板２０００は、例えば第１基板１０００と略同じ厚さを有する。また、本実施形態の開口部Ｒ１０は、第２基板２０００（詳しくは、絶縁層４００）を貫通する孔から構成される。開口部Ｒ１０は、例えば部品内蔵部１０（厳密には、後述の基板片１０ａ）に対応する形状（例えば略直方体）を有する。
【００９０】
続けて、図１のステップＳ３１では、図２０Ａ及び図２０Ｂに示すように、図１のステップＳ１３の処理により切り出された基板片１０ａを、図１のステップＳ２２の処理により形成された第２基板２０００の開口部Ｒ１０内に配置する。例えば図２０Ｂに示すように、第２基板２０００の一方の面（例えば第８面Ｆ８）にＰＥＴフィルム４００１を貼り付けて、それを、他方の面（例えば第７面Ｆ７）を上に向けて図示しない金属板上に固定する。そして、例えばチップマウンタを用いて、基板片１０ａのアライメントマークＭ１（図１３）を基準にして開口部Ｒ１０と基板片１０ａとの位置合わせをして、例えば第７面Ｆ７側から、第２基板２０００の開口部Ｒ１０に基板片１０ａを入れる。基板片１０ａが第２基板２０００の開口部Ｒ１０の各々に配置されることにより、電子部品内蔵基板において全ての半導体チップ（例えば電子部品２００）が占める割合（半導体チップ占有率）が、Ｘ−Ｙ平面の面積比（半導体チップが占める面積の総和／電子部品内蔵基板全体の面積）で１０％以上になる。
【００９１】
本実施形態では、図１のステップＳ１１で準備される第１基板１０００の半導体チップ占有率（例えばＳｉ占有率）が、第２基板２０００の全ての開口部Ｒ１０内に基板片１０ａが配置された電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率（例えばＳｉ占有率）よりも低い。１つの第１基板１０００で必要な数の基板片１０ａを用意できない場合には、複数の第１基板１０００を準備して、その各々から基板片１０ａを切り出すことが好ましい。
【００９２】
本実施形態の製造方法では、図１のステップＳ１１で準備される第１基板１０００が、部品内蔵部１０を複数（例えば４つ）有し、部品内蔵部１０を含む基板片１０ａの配置（図１のステップＳ３１）に先立って、部品内蔵部１０の各々について良否判断を行う（図１のステップＳ１２）。そして、基板片１０ａの配置では、図１のステップＳ１２の検査で良品と判断された部品内蔵部１０を含む基板片１０ａのみを開口部Ｒ１０内に配置する。このように、予め部品内蔵部１０の検査を行うことにより、歩留まりを高めることが可能になる。
【００９３】
なお、本実施形態では、基板片１０ａ（部品内蔵部１０）の切り出しに先立って部品内蔵部１０の検査を行い、検査で良品と判断された基板片１０ａのみを切り出すようにしたが、これに限られない。例えば第１基板１０００に含まれる全ての基板片１０ａ（部品内蔵部１０）を切り出した後で、その基板片１０ａの各々について検査を行い、その検査で良品と判断された基板片１０ａのみを開口部Ｒ１０内に配置するようにしてもよい。
【００９４】
図２１に、開口部Ｒ１０内に配置された基板片１０ａを拡大して示す。以下、図２１中の各寸法について好ましい一例を示す。開口部Ｒ１０における第２基板２０００と基板片１０ａとの隙間のＸ方向の寸法ｄ１１（Ｘ方向のクリアランスは、寸法ｄ１１の２倍に相当する）は、１５０μｍであり、開口部Ｒ１０における第２基板２０００と基板片１０ａとの隙間のＹ方向の寸法ｄ１２（Ｙ方向のクリアランスは、寸法ｄ１２の２倍に相当する）は、１５０μｍである。
【００９５】
続けて、図１のステップＳ３２では、図２２Ａ及び図２２Ｂに示すように、開口部Ｒ１０内に配置された基板片１０ａを、接着剤２０００ｂにより第２基板２０００に固定する。接着剤２０００ｂは、例えば開口部Ｒ１０における第２基板２０００と基板片１０ａとの隙間全体（基板片１０ａの周囲）に充填される。ただしこれに限られず、接着剤２０００ｂは、隙間の一部のみに形成されてもよい（例えば図２５Ａ又は図２５Ｂ参照）。
【００９６】
接着剤２０００ｂは、熱硬化型接着剤であってもよいし、例えば光硬化型接着剤又は２液硬化型接着剤等の非熱硬化型接着剤であってもよい。また、例えば非熱硬化型接着剤で接着（仮止め）した後、その仮止め部分を、例えば熱硬化型接着剤で補強するようにしてもよい。
【００９７】
接着剤２０００ｂは、例えば絶縁性を有する。しかしこれに限られず、接着剤２０００ｂは、導電性を有していてもよい。
【００９８】
熱硬化型接着剤は、通常、光硬化型接着剤よりも接着力が強い。接着剤２０００ｂが熱硬化型接着剤である場合は、高温処理が必要になるが、本実施形態では、予め基板片１０ａが熱処理されているため、接着剤２０００ｂを硬化させるために高温処理をしても配線板は反りにくい。
【００９９】
以上説明した製造方法（図１のステップＳ１１〜Ｓ３２）により、第２基板２０００と、第２基板２０００の開口部Ｒ１０内に接着剤２０００ｂで固定された基板片１０ａ（部品内蔵部１０）と、を有する配線板４０００（電子部品内蔵基板）が完成する（図２２Ａ及び図２２Ｂ参照）。なお、ＰＥＴフィルム４００１は、必要に応じて、例えば手作業で取り除く。
【０１００】
本実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法は、
絶縁層１００、１０１、１０２（それぞれ樹脂絶縁層）と、それら樹脂絶縁層（詳しくは、絶縁層１００）に形成された収容部Ｒ１に電子部品２００が配置されてなる部品内蔵部１０と、を有する第１基板１０００を準備すること（ステップＳ１１）と、
開口部Ｒ１０を有する第２基板２０００を準備すること（ステップＳ２１、Ｓ２２）と、
第１基板１０００から部品内蔵部１０を含む基板片１０ａを切り出すこと（ステップＳ１３）と、
切り出された基板片１０ａを第２基板２０００の開口部Ｒ１０内に配置し、固定すること（ステップＳ３１、Ｓ３２）と、
を含む。
【０１０１】
基板片１０ａを切断することで熱応力が解放される。そのため、切断後に基板片１０ａを固定した配線板４０００（電子部品内蔵基板）には応力が生じにくくなると考えられる。その結果、配線板４０００の反りが抑制されると考えられる。また、配線板４０００が反りにくくなることで、配線板４０００に部品を表面実装する場合の実装信頼性が向上すると考えられる。
【０１０２】
基板片１０ａを切り出す前に予め第１基板１０００に熱処理しておくことで、開口部Ｒ１０内に基板片１０ａを固定した後の加熱によって、配線板４０００（電子部品内蔵基板）に応力が生じにくくなると考えられる。その結果、配線板４０００の反りが抑制されると考えられる。また、配線板４０００が反りにくくなることで、配線板４０００に部品を表面実装する場合の実装信頼性が向上すると考えられる。
【０１０３】
本実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法では、第２基板２０００が、電子部品を有していない。基板が反る原因の１つは、樹脂絶縁層に内蔵される電子部品の熱膨張係数と樹脂絶縁層の熱膨張係数との差が大きいことにあると考えられるが、第２基板２０００が電子部品を有していなければ、電子部品に起因する反りは生じない。したがって、第２基板２０００が電子部品を有していないことで、第２基板２０００の反り、ひいては配線板４０００（電子部品内蔵基板）の反りが抑制されると考えられる。
【０１０４】
上記製造方法により製造される本実施形態の配線板４０００（電子部品内蔵基板）は、図２３に示すように、複数の開口部Ｒ１０が形成された第２基板２０００と、第２基板２０００とは別に製造され、開口部Ｒ１０の各々に固定された複数の基板片１０ａ（半導体チップ内蔵基板片）と、を有する。
【０１０５】
本実施形態では、配線板４０００（電子部品内蔵基板）の半導体チップ占有率が、面積比で１０％以上である。
【０１０６】
図２４に、基板片の切り出し及び別の基板への移し替えを行わずに、１つの基板で製造された電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率と反り量との関係を示す。図２４中、データＷ１は、半導体チップ占有率４．２％の電子部品内蔵基板の反り量を示し、データＷ２は、半導体チップ占有率９．４％の電子部品内蔵基板の反り量を示し、データＷ３は、半導体チップ占有率１６．６％の電子部品内蔵基板の反り量を示している。
【０１０７】
図２４に示すように、電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率が高くなるほど電子部品内蔵基板の反り量が大きくなる。特に、電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率が面積比で１０％以上になると、反りが大きくなり、十分な実装信頼性を確保するのは困難になる。この点、本実施形態の製造方法では、半導体チップ占有率が面積比で１０％未満である第１基板１０００に部品内蔵部１０を形成した後、その部品内蔵部１０を含む基板片１０ａを切り出して、その基板片１０ａを別の基板（第２基板２０００）の開口部Ｒ１０内に配置し、固定することで、半導体チップ占有率が面積比で１０％以上である電子部品内蔵基板（配線板４０００）を製造している。このため、半導体チップ占有率が高くて反り易い電子部品内蔵基板についても、これを高い歩留まりで製造することが可能になる。
【０１０８】
本発明は、上記実施形態に限定されない。例えば以下のように変形して実施することもできる。
【０１０９】
接着剤２０００ｂは、例えば図２５Ａ又は図２５Ｂに示すように、開口部Ｒ１０における第２基板２０００と基板片１０ａとの隙間の所定の部分のみに形成してもよい。図２５Ａの例では、基板片１０ａの対向する辺に、接着剤２０００ｂが形成され、図２５Ｂの例では、基板片１０ａの四隅に、接着剤２０００ｂが形成される。
【０１１０】
基板片１０ａの固定方法は接着剤２０００ｂに限られず、例えば開口部Ｒ１０のクリアランス（例えば図２１に示す寸法ｄ１１、ｄ１２）を略０μｍにして、摩擦力で基板片１０ａを固定してもよい。特に、第２基板２０００及び基板片１０ａがそれぞれリジッド基板であれば、摩擦力で固定し易い。
【０１１１】
また、例えば図２６に示すように、基板片１０ａが爪部１０ｂ（凸部）を有し、第２基板２０００の開口部Ｒ１０が、爪部１０ｂと係合し得る爪受け部１０ｃ（凹部）を有していてもよい。この場合、爪部１０ｂと爪受け部１０ｃとを結合させることで、基板片１０ａを開口部Ｒ１０内に固定することができる。爪部１０ｂと爪受け部１０ｃとは、摩擦力で結合させてもよいし、接着剤で結合させてもよい。また、爪部１０ｂの一部を細くして、弱い力で容易に切断できるようにしておけば、基板片１０ａを第２基板２０００から切り離すのが容易になる。
【０１１２】
部品内蔵部１０、開口部Ｒ１０、及び電子部品２００の数は任意である。また、１つの部品内蔵部１０が複数（例えば２つ）の電子部品を内蔵していてもよい。また、図２７に示すように、第２基板２０００に形成された１つの開口部Ｒ１０に、複数（例えば２つ）の基板片１０ａが収容されてもよい。
【０１１３】
開口部Ｒ１０、基板片１０ａ、並びに第１基板１０００におけるスルーホール３００ａ、アライメントマークＭ１、及び各層のビアホールの平面形状（Ｘ−Ｙ平面）は任意である。これらの平面形状は、例えば図２８Ａに示すように、真円であってもよく、また、例えば図２８Ｂに示すように、正四角形であってもよい。また、これらの平面形状は、例えば正六角形や正八角形等の他の正多角形であってもよい。なお、多角形の角の形状は任意であり、例えば直角でも、鋭角でも、鈍角でも、丸みを帯びていてもよい。ただし、熱応力の集中を防止する上では、角が丸みを帯びていた方が好ましい。
【０１１４】
また、上記平面形状は、楕円であってもよく、長方形や三角形等であってもよい。さらに、図２８Ｃ又は図２８Ｄに示すように、十字形又は正多角星形など、中心から放射状に広がる形を、上記平面形状としてもよい。
【０１１５】
第１基板１０００におけるスルーホール及び各層のビアホールの断面形状（Ｘ−Ｚ平面、Ｙ−Ｚ平面）も任意である。
【０１１６】
第１基板１０００（特に、部品内蔵部１０）の構造は、図３に示したものに限られない。例えば部品内蔵部は、図２９（図３に対応した断面図）に示すような構造であってもよい。
【０１１７】
図２９の例では、絶縁層１００（コア基板）が、複数の絶縁層（例えば絶縁層１００ａ、１００ｂ）から構成されている。絶縁層１００ａ、１００ｂはそれぞれ、例えば硬化したプリプレグからなる。また、導体層１１０、１２０はそれぞれ、例えば下層から上層に向かって、銅箔、銅の無電解めっき（化学銅）、及び銅の電解めっき（電気銅）が、この順で積層された３層構造からなる。こうした導体層１１０、１２０はそれぞれ、例えばサブトラクティブ法により形成することができる。
【０１１８】
図２９の例では、スルーホール導体３００ｂは、コンフォーマル導体である。スルーホール３００ａにおいて、スルーホール導体３００ｂの内側には、例えば絶縁体３００ｄが充填される。絶縁体３００ｄは、例えばプレスにより絶縁層１０１、１０２から流出した樹脂から構成される。
【０１１９】
図２９の例では、開口部Ｒ１０には、絶縁体１０１ａに加えて、接着剤１０１ｂが充填される。絶縁体１０１ａは、例えばプレスにより絶縁層１００ａ、１００ｂから流出した樹脂から構成される。また、接着剤１０１ｂは、例えば電子部品２００をキャリア上に固定するために用いられる。
【０１２０】
図２９の例では、接着剤１０１ｂ上に、導体パターン３０２ａ、３０２ｂが形成されている。導体パターン３０２ａ、３０２ｂは、例えば導体層３０２と同じ層（略同じＺ座標）になる。導体パターン３０２ａ、３０２ｂはそれぞれ、接着剤１０１ｂに形成されたビア導体３０１ｂを介して、電子部品２００の電極２１０、２２０に電気的に接続されるとともに、絶縁層１０２に形成されたビア導体３２３ｂを介して、導体層１２０に電気的に接続される。
【０１２１】
開口部Ｒ１０は、第２基板２０００を貫通する孔に限られず、例えば図３０に示すように、第２基板２０００を貫通しない孔であってもよい。また、開口部Ｒ１０は、溝、切欠、又は切れ目等の開口部であってもよい。
【０１２２】
開口部Ｒ１０の壁面は、主面に略直交するものに限定されず、例えば図３１Ａに示すように、テーパした面であってもよい。この場合、開口部Ｒ１０の開口面積の大きい側（例えばＺ１側）から接着剤２０００ｂを注入し易くなる。また、例えば図３１Ｂに示すように、開口部Ｒ１０の壁面に対応させて、基板片１０ａの側面も、テーパした面にしてもよい。
【０１２３】
第１基板１０００（ひいては、部品内蔵部１０）の厚さと第２基板２０００の厚さとが略同じであることは必須ではない。第１基板１０００が第２基板２０００よりも薄くてもよいし、第１基板１０００が第２基板２０００よりも厚くてもよい。
【０１２４】
その他の点についても、配線板４０００（図２２Ａ及び図２２Ｂ）の構成、特に、その構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【０１２５】
第１基板１０００は、ソルダーレジストを有していてもよい。また、ソルダーレジストは、部品内蔵部１０にのみ、選択的に形成されてもよい。
【０１２６】
電解めっきのためのシード層は、無電解めっき膜（化学銅）に限られず任意である。例えば化学銅に代えて、スパッタ膜等をシード層として用いてもよい。
【０１２７】
第１基板１０００は、メタルコア基板であってもよい。例えば強度向上又は放熱性向上などの目的で、第１基板１０００の絶縁層１００（コア基板）に金属板を内蔵させてもよい。
【０１２８】
第１基板１０００のビルドアップ層の数は任意である。また、第１基板１０００の絶縁層１００（コア基板）の表裏で、ビルドアップ層の数が異なっていてもよい。例えば第１基板１０００は、コア表裏面の一方のみに導体（導体層）を有する片面配線板であってもよい。ただし、応力を緩和するためには、コア基板の表裏で、ビルドアップ層の数を同じにして、表裏の対称性を高めることが好ましいと考えられる。
【０１２９】
第１基板１０００における各導体層の構造は任意であり、例えば金属箔と無電解めっき膜と電解めっき膜との３層構造であっても、金属箔又は無電解めっき膜と電解めっき膜との２層構造であっても、金属箔と無電解めっき膜又は電解めっき膜との２層構造であってもよい。また、各フィルド導体の構造も任意であり、例えばシード層（例えば無電解めっき膜）と電解めっきとの２層構造であっても、無電解めっきのみからなる構造であってもよい。
【０１３０】
第１基板１０００における各ビア導体は、フィルド導体に限られず、コンフォーマル導体であってもよい。
【０１３１】
第２基板２０００は、電子部品を内蔵しないビルドアッププリント配線板であってもよい。また、第２基板２０００は、電子部品を内蔵していてもよい。また、第２基板２０００は、金属板であってもよい。
【０１３２】
上記実施形態の工程は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に内容及び順序を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【０１３３】
図３２に示すように、開口部を有する第２基板を準備することが、第２基板を準備すること（図３２のステップＳ２１）と、第２基板に開口部を形成すること（図３２のステップＳ２２）と、開口部の形成後、第２基板の反り軽減のため、第２基板の端部を切り落とすこと（図３２のステップＳ２３）と、を含んでいてもよい。
【０１３４】
具体的には、図３２のステップＳ２１では、例えば図３３Ａ及び図３３Ｂに示すように、例えば絶縁層４００と、絶縁層４００上に形成された導体パターン２０００ａと、から構成される第２基板２０００を準備する。
【０１３５】
導体パターン２０００ａは、例えば絶縁層４００の第７面Ｆ７上に形成される。導体パターン２０００ａの形状は、例えば絶縁層４００の外形に即したリング状であり、導体パターン２０００ａは、例えば絶縁層４００の縁部（例えば全周）の表面に形成される。導体パターン２０００ａは、表裏面の一方のみに形成されていてもよいし、表裏面の両方に形成されていてもよい。導体パターン２０００ａは、例えば銅箔からなる。ただしこれに限られず、導体パターン２０００ａの材質は任意である。
【０１３６】
続けて、図３２のステップＳ２２では、図３４に示すように、例えばＵＶ（紫外線）レーザにより、第２基板２０００に開口部Ｒ１０を形成する。これにより、開口部Ｒ１０を有する第２基板２０００が得られる。
【０１３７】
続けて、図３２のステップＳ２３では、第２基板２０００の反り軽減のため、例えば超音波カッタにより、第２基板２０００の端部（詳しくは、図３４中の部分Ｒ１１）をカットする。これにより、例えば図３５に示すように、第２基板２０００の縁部（導体パターン２０００ａ）が、第２基板２０００の四隅にのみ残る。
【０１３８】
なお、縁部のカット態様は任意である。例えば対向する二辺に第２基板２０００の縁部（導体パターン２０００ａ）を残してもよい。
【０１３９】
本実施形態の製造方法では、図３２のステップＳ２１で準備される第２基板２０００の縁部には導体パターン２０００ａが形成されており、開口部Ｒ１０の形成（図３２のステップＳ２２）後に、その縁部を含む第２基板２０００の端部（例えば図３４に示される部分Ｒ１１）を切り落とす。開口部Ｒ１０の形成後、第２基板２０００から縁部の導体パターン２０００ａを切り離すことで、第２基板２０００の反りを軽減し易くなる。また、必要に応じて、開口部Ｒ１０の形成後、プレス等によって、第２基板２０００を平らにしてもよい。
【０１４０】
また、図３２のステップＳ１１で準備される第１基板１０００の縁部（例えば全周）の表面に、第１基板１０００の外形に即したリング状の導体パターンが形成されていてもよい。この導体パターンは、表裏面の一方のみに形成されていてもよいし、表裏面の両方に形成されていてもよい。
【０１４１】
縁部の導体パターン（補強パターン）は、最外層の導体層に形成してもよいし、内層の導体層に形成してもよい。
【０１４２】
例えば、必要がなければ、検査（例えば図１のステップＳ１２）等を割愛してもよい。
【０１４３】
絶縁層１０１、１０２をＣステージまで硬化させるための熱処理は、例えば検査（図１のステップＳ１２）の後、基板片１０ａの切り出し（図１のステップＳ１３）の前に行うようにしてもよい。
【０１４４】
また、例えば第１基板１０００の製造プロセスにおいては、熱処理により、絶縁層１０１、１０２をＢステージまで硬化させるにとどめ、基板片１０ａを切り出した後に、熱処理により、絶縁層１０１、１０２をＣステージまで硬化させてもよい。
【０１４５】
第１基板１０００における各導体層の形成方法は任意である。例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、導体層を形成してもよい。また、第１基板１０００における各絶縁層（層間絶縁層）の形成方法も任意である。
【０１４６】
第１基板１０００又は第２基板２０００の加工方法は任意である。各基板の加工方法は、レーザでも、湿式又は乾式のエッチングでもよい。エッチングで加工する場合には、予め除去したくない部分をレジスト等で保護しておくことが好ましい。
【０１４７】
上記実施形態及びその変形例は、任意に組み合わせることができる。また、第１基板１０００の製造方法として示した上記各方法を、第２基板２０００の製造に適用してもよい。
【０１４８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【符号の説明】
【０１４９】
１０  部品内蔵部
１０ａ  基板片
１０ｂ  爪部
１０ｃ  爪受け部
１００  絶縁層
１００ａ  絶縁層
１００ｂ  絶縁層
１０１  絶縁層
１０１ａ  絶縁体
１０１ｂ  接着剤
１０２  絶縁層
１１０、１２０  導体層
１１０ａ  導体パターン
１１０ｂ  突起部
１１０ｃ  空隙
２００  電子部品
２１０、２２０  電極
３００ａ  スルーホール
３００ｂ  スルーホール導体
３００ｃ  括れ部
３００ｄ  絶縁体
３０１、３０２  導体層
３０１ｂ  ビア導体
３０２ａ、３０２ｂ  導体パターン
３１１ａ、３１２ａ、３２２ａ  ビアホール
３１１ｂ、３１２ｂ、３２２ｂ、３２３ｂ  ビア導体
４００  絶縁層
１０００  第１基板
２０００  第２基板
２０００ａ  導体パターン
２０００ｂ  接着剤
３０００  両面銅張積層板
４０００  配線板
３００１、３００２  銅箔
３００３、３００４  孔
３００５  めっき
３００６  キャリア
３００７、３００８  無電解めっき膜
３００９、３０１０  レジスト
３００９ａ、３０１０ａ  開口部
４０００  配線板（電子部品内蔵基板）
４００１  ＰＥＴフィルム
Ｍ１  アライメントマーク
Ｒ１  収容部
Ｒ１０  開口部
【図１】
2013115136.tif 000003
【図２】
2013115136.tif 000004
【図３】
2013115136.tif 000005
【図４Ａ】
2013115136.tif 000006
【図４Ｂ】
2013115136.tif 000007
【図４Ｃ】
2013115136.tif 000008
【図４Ｄ】
2013115136.tif 000009
【図５】
2013115136.tif 000010
【図６】
2013115136.tif 000011
【図７】
2013115136.tif 000012
【図８】
2013115136.tif 000013
【図９】
2013115136.tif 000014
【図１０】
2013115136.tif 000015
【図１１】
2013115136.tif 000016
【図１２Ａ】
2013115136.tif 000017
【図１２Ｂ】
2013115136.tif 000018
【図１２Ｃ】
2013115136.tif 000019
【図１３】
2013115136.tif 000020
【図１４Ａ】
2013115136.tif 000021
【図１４Ｂ】
2013115136.tif 000022
【図１５Ａ】
2013115136.tif 000023
【図１５Ｂ】
2013115136.tif 000024
【図１５Ｃ】
2013115136.tif 000025
【図１５Ｄ】
2013115136.tif 000026
【図１６】
2013115136.tif 000027
【図１７】
2013115136.tif 000028
【図１８Ａ】
2013115136.tif 000029
【図１８Ｂ】
2013115136.tif 000030
【図１９Ａ】
2013115136.tif 000031
【図１９Ｂ】
2013115136.tif 000032
【図２０Ａ】
2013115136.tif 000033
【図２０Ｂ】
2013115136.tif 000034
【図２１】
2013115136.tif 000035
【図２２Ａ】
2013115136.tif 000036
【図２２Ｂ】
2013115136.tif 000037
【図２３】
2013115136.tif 000038
【図２４】
2013115136.tif 000039
【図２５Ａ】
2013115136.tif 000040
【図２５Ｂ】
2013115136.tif 000041
【図２６】
2013115136.tif 000042
【図２７】
2013115136.tif 000043
【図２８Ａ】
2013115136.tif 000044
【図２８Ｂ】
2013115136.tif 000045
【図２８Ｃ】
2013115136.tif 000046
【図２８Ｄ】
2013115136.tif 000047
【図２９】
2013115136.tif 000048
【図３０】
2013115136.tif 000049
【図３１Ａ】
2013115136.tif 000050
【図３１Ｂ】
2013115136.tif 000051
【図３２】
2013115136.tif 000052
【図３３Ａ】
2013115136.tif 000053
【図３３Ｂ】
2013115136.tif 000054
【図３４】
2013115136.tif 000055
【図３５】
2013115136.tif 000056