(57)【要約】【課題】本発明はニッケルナノ粒子、その製造方法及び上記ニッケルナノ粒子を利用した積層セラミックキャパシタに関する。【解決手段】本発明は、水と水酸基を含む溶液とを混合して水溶液を形成する段階と、上記水溶液に、水酸基を含む溶液に対して１０〜２０ｗｔ％の比率でカルボン酸（ｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）を添加し混合液を形成する段階と、上記混合液にニッケル塩を入れて撹拌する段階とを含むニッケルナノ粒子の製造方法を提供する。【選択図】図２
2013253310.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水と水酸基を含む溶液とを混合して水溶液を形成する段階と、
前記水溶液に、水酸基を含む溶液に対して１０〜２０ｗｔ％の比率でカルボン酸（ｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）を添加し混合液を形成する段階と、
前記混合液にニッケル塩を入れて撹拌する段階と、
を含むニッケルナノ粒子の製造方法。
【請求項２】
前記混合液を撹拌する段階の後、前記攪拌された混合液を乾燥及び熱処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
【請求項３】
前記水溶液を形成する段階は、前記水酸基を含む溶液を水に対して１０〜１００ｗｔ％の比率で混合することを特徴とする請求項１に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
【請求項４】
前記水溶液を形成する段階は、前記水酸基を含む溶液として過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）及び二酸化塩素（ＣｌＯ２）を使用することを特徴とする請求項１に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
【請求項５】
前記混合液を乾燥する段階は、８０〜１００℃の窒素雰囲気内で行われることを特徴とする請求項２に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理段階は、１８０〜２５０℃のエア（ａｉｒ）雰囲気内で行われることを特徴とする請求項２に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
【請求項７】
ＮｉＯ  ２０．０〜６０．０ａｔ％、Ｎｉ（ＯＨ）２  ２０．０〜６０．０ａｔ％及びＣＯ  ０．５〜２０．０ａｔ％を含むニッケルナノ粒子。
【請求項８】
前記ニッケルナノ粒子の平均粒径は６０〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項７に記載のニッケルナノ粒子。
【請求項９】
複数の誘電体層が積層されたセラミック素体と、
前記誘電体層の少なくとも一面に形成されて前記セラミック素体の内部に配置され、ＮｉＯ  ２０．０〜６０．０ａｔ％、Ｎｉ（ＯＨ）２  ２０．０〜６０．０ａｔ％及びＣＯ  ０．５〜２０．０ａｔ％を含むニッケルナノ粒子を含む複数の第１及び第２内部電極と、
前記セラミック素体の両側面に形成され、前記第１及び第２内部電極の露出した部分と電気的に接続される第１及び第２外部電極と、
を含む積層セラミックキャパシタ。
【請求項１０】
前記ニッケルナノ粒子の平均粒径が６０〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項９に記載の積層セラミックキャパシタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はニッケルナノ粒子、その製造方法及び上記ニッケルナノ粒子を利用した積層セラミックキャパシタに関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック材料を使用する電子部品には、キャパシタ、インダクター、圧電素子、バリスタ及びサーミスタなどがある。
【０００３】
中でも、積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、様々な電子製品の回路基板に装着されて直流電流を遮断し、交流電流を通過させて電気を充電または放電させる重要な役割をするチップ形態のコンデンサーである。
【０００４】
また、上記積層セラミックキャパシタは、信号のバイパス（ｂｙｐａｓｓ）及び周波数共振などの機能に用いられ、温度に対する誘電率の変化が少なくて、小型でありながら高容量が保障され、実装が容易であるという長所を有する。
【０００５】
最近では、コンピューター、個人用携帯端末機（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）及び携帯電話などの電子製品が小型化されるにつれ、該電子製品に用いられる積層セラミックキャパシタも軽量化、超小型化及び超高容量化が求められている。
【０００６】
このような超小型化及び超高容量化のためには、積層セラミックキャパシタを構成する誘電体層及び内部電極の超薄層及び高分散技術が先行されなければならない。
【０００７】
また、このような超薄層及び高分散技術のためには、内部電極の原料となる金属の特性が重要で、そのために粒度分布及びＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）に優れたナノ金属粒子の製作が重要となる。
【０００８】
一方、従来は上記原料金属として伝導性に優れた銀、白金やパラジウムなどの貴金属材料を用いたが、最近では製造費の節減のためにニッケルに取り替えられる傾向にある。
【０００９】
しかし、上記ニッケルは粉末冶金において、充填密度が成形体より低く、焼成の際、焼結による収縮量が誘電体層より大きいため、内部電極の層間短絡や断線による不良が発生しやすいという問題がある。
【００１０】
該問題を防止するには、ニッケル粉末の粒度分布が均一である上、凝集がなくて優れた分散性を有さなければならない。
【００１１】
しかし、一般的に、ニッケルナノ粒子は、分散中にそれぞれの粒子が凝集するという問題が発生する可能性がある。
【００１２】
このような問題を解消するため、従来は数十から数百のナノ粒子を乾式または湿式法により製作した後、単純な熱処理を通じて人為的に酸化膜を形成させてから非活性化状態にすることで、活性化による粒子間の凝集を一部改善した。
【００１３】
しかし、このような熱処理は、不均一な酸化により分散特性に多くの変化が発生することがあり、熱処理後、むしろ非活性化状態であるＮｉＯ形態とＮｉ（ＯＨ）２基やＣＯなどが混在されることにより、表面が不均一となって分散性がさらに低下したり、粒子間の凝集がさらに増加するという問題などが生じ得るため、上記ニッケル粒子が凝集する問題を解消するのに限界がある。
【００１４】
特に、Ｎｉ−ＯＨ構造は、ニッケルの酸度（ａｃｉｄｉｔｙ）が低下して分散剤との化学吸着（ｃｈｅｍｉｓｏｒｐｔｉｏｎ）が困難である。このとき、化学吸着されるとしても水分子の脱水結合となる可能性が高く、水分子が解離されると、樹脂及び分散剤の極（ｐｏｌａｒ）部分に吸着され、分散剤の役割低下及び樹脂凝集などが発生するため、ペーストの分散性が低下するという問題点がある。
【００１５】
下記の先行技術文献に記載された特許文献１は、ニッケルナノ粒子にカルボン酸１０から２０ｗｔ％を混合することについて開示していない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】日本特許公開公報第２００６−１５２４３９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
当技術分野では、ニッケルナノ粒子を製作した後、表面処理を通じて粒子間が凝集することを抑制し、分散剤の官能基が適切に付着できる表面状態にするための新しい方案が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の一側面は、水と水酸基を含む溶液とを混合して水溶液を形成する段階と、上記水溶液に、水酸基を含む溶液に対して１０〜２０ｗｔ％の比率でカルボン酸（ｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）を添加し混合液を形成する段階と、上記混合液にニッケル塩を入れて撹拌する段階とを含むニッケルナノ粒子の製造方法を提供する。
【００１９】
本発明の一実施例において、上記混合液を撹拌する段階の後、上記攪拌された混合液を乾燥及び熱処理する段階をさらに行ってよい。
【００２０】
本発明の一実施例において、上記水溶液を形成する段階は、上記水酸基を含む溶液を水に対して１０〜１００ｗｔ％の比率で混合して行ってよい。
【００２１】
本発明の一実施例において、上記水溶液を形成する段階は、上記水酸基を含む溶液として過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）及び二酸化塩素（ＣｌＯ２）を使用してよい。
【００２２】
本発明の一実施例において、上記混合液を乾燥する段階は、８０〜１００℃の窒素雰囲気内で行われてよい。
【００２３】
本発明の一実施例において、上記熱処理段階は、１８０〜２５０℃のエア（ａｉｒ）雰囲気内で行われてよい。
【００２４】
本発明の他の側面は、ＮｉＯ  ２０．０〜６０．０ａｔ％、Ｎｉ（ＯＨ）２  ２０．０〜６０．０ａｔ％及びＣＯ  ０．５〜２０．０ａｔ％を含むニッケルナノ粒子を提供する。
【００２５】
本発明の一実施例において、上記ニッケルナノ粒子の平均粒径は６０〜５００ｎｍであってよい。
【００２６】
本発明のさらに他の側面は、複数の誘電体層が積層されたセラミック素体と、上記誘電体層の少なくとも一面に形成されて上記セラミック素体の内部に配置され、ＮｉＯ  ２０．０〜６０．０ａｔ％、Ｎｉ（ＯＨ）２  ２０．０〜６０．０ａｔ％及びＣＯ  ０．５〜２０．０ａｔ％を含むニッケルナノ粒子を含む複数の第１及び第２内部電極と、上記セラミック素体の両側面に形成され、上記第１及び第２内部電極の露出した部分と電気的に接続される第１及び第２外部電極とを含む積層セラミックキャパシタを提供する。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の一実施形態によると、ニッケルナノ粒子の表面処理を通じて粒子間が凝集することを抑制し、分散剤の官能基が適切に付着できる表面状態にすることで、該ニッケルナノ粒子で内部電極用ペーストを製作する際、分散安全性が改善できる上、経時変化の問題点が解決できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態により製造されたニッケルナノ粒子を内部電極の材料として含む積層セラミックキャパシタの概略的な構造を示した斜視図である。
【図２】図１の  Ａ−Ａ’線断面図である。
【図３】ニッケルナノ粒子における水酸基を含む溶液とカルボン酸との反応メカニズムを示した図である。
【図４】ニッケルナノ粒子をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ；Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で分析し、表面処理の有無によるニッケルナノ粒子のＮｉ（ＯＨ）２及びＮｉＯの含量をピーク（ｐｅａｋ）の形態で比較して示したグラフである。
【図５ａ】従来方法により製造されたニッケルナノ粒子のＸ線回折（ＸＲＤ；Ｘ−ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析結果を示したグラフである。
【図５ｂ】本発明の実施形態により表面処理されたニッケルナノ粒子のＸ線回折（ＸＲＤ；Ｘ−ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析結果を示したグラフである。
【図５ｃ】一般的なニッケルナノ粒子のＸ線回折（ＸＲＤ；Ｘ−ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）値を示したグラフである。
【図６】本発明の一実施形態により製造されたニッケルナノ粒子の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ；Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）の写真である。
【図７】図６に示されたニッケルナノ粒子のＡ区域を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ；Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンし、特定ポジションでＮｉ及びＯの変化をそれぞれ示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できるように、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳しく説明する。
【００３０】
しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。
【００３１】
また、本発明の実施形態は当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
【００３２】
従って、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張されることがあり、図面上に同じ符号で示される要素は同じ要素である。
【００３３】
また、類似する機能及び作用をする部分に対しては、図面全体にわたって同じ符号を使用する。
【００３４】
尚、明細書の全体において、ある構成要素を「含む」とは特に反対する記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。
【００３５】
以下では、本発明の一実施形態によるニッケルナノ粒子の製造方法及びこれにより製造されたニッケルナノ粒子について詳しく説明する。
【００３６】
本発明の一実施形態によるニッケルナノ粒子は、水と水酸基（ＯＨ基）を含む溶液とを混合して水溶液を形成する段階と、上記水溶液に上記水酸基を含む溶液に対して１０〜２０ｗｔ％の比率でカルボン酸（ｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）を添加し混合液を形成する段階と、上記混合液にニッケル塩を入れて撹拌する段階とを含んで製造してよい。
【００３７】
次いで、攪拌された混合液を乾燥及び熱処理し、内部電極用ペーストに用いられるニッケルナノ粒子を製造することができる。
【００３８】
本発明は、従来のニッケルナノ粒子の製造方法とは異なり、水酸基が混合された水溶液に、水酸基を含む溶液に対して１０〜２０ｗｔ％の比率でカルボン酸を添加してからこれを還元させることが技術的特徴であり、このような段階を通じて分散安全性に優れたニッケルナノ粒子を製造することができる。
【００３９】
このような本実施形態のニッケルナノ粒子の形成方法を段階別に説明する。
【００４０】
図３は、本発明の一実施形態により製造されたニッケルナノ粒子における水酸基を含む溶液とカルボン酸との反応メカニズムを示した図である。
【００４１】
図３を参照すると、まず、蒸留水である水（Ｈ２Ｏ）と水酸基を含む溶液とを混合して水溶液を形成する段階を行う。
【００４２】
ここで、水酸基は−ＯＨで表される１価の基で、有機物の場合、ヒドロキシ基という。
【００４３】
上記水酸基は、無機化合物としては金属の水酸化物、例えば、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）３）があり、その他に窒酸、硫酸などの酸素酸及び塩基性塩の一種であるヒドロオキシ塩などがある。
【００４４】
また、上記水酸基は、有機化合物としてはエタノールのようなアルコール類及びベンゼンスルホン酸のようなスルホン酸などがある。
【００４５】
本実施例では、上記水酸基を含む溶液として過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）及び二酸化塩素（ＣｌＯ２）を使用したが、本発明はこれに限定されない。
【００４６】
上記水酸基溶液は、水に対して１０〜１００ｗｔ％の比率で混合されることが好ましく、例えば、ＮｉＯ：Ｎｉ（ＯＨ）：ＣＯ２＝１：５：４からＮｉＯ：Ｎｉ（ＯＨ）：ＣＯ２＝３：６．５：０．５水準に変化し、上記水酸基溶液と後述するカルボン酸との反応により酸化膜を形成することができる。
【００４７】
上記水酸基溶液の混合比率が、水に対して１０ｗｔ％未満と少量のときは、カルボン酸との酸化反応が起きず、ＮｉＯの含量変化も発生しないため、酸化膜がうまく形成されない。
【００４８】
また、上記水酸基溶液の混合比率が、水に対して１００ｗｔ％を超えると、例えば、ＮｉＯ：Ｎｉ（ＯＨ）：ＣＯ２＝１：５：４からＮｉＯ：Ｎｉ（ＯＨ）：ＣＯ２＝０．２：８．８：１水準に変化し、余剰水酸基により粒子のＯＨが増加するという問題点が発生し得る。
【００４９】
次に、上記水溶液に、水酸基を含む溶液に対して１０〜２０ｗｔ％の比率でカルボン酸を添加し混合液を形成する段階を行う。
【００５０】
上記カルボン酸の混合比率である１０〜２０ｗｔ％は、水酸基と容易に反応が行われる比率であり、上記カルボン酸が１０ｗｔ％未満と少量のときは、粒子間の酸化反応が発生しないことがあり、上記カルボン酸が２０ｗｔ％を超えると、例えば、ＮｉＯ：Ｎｉ（ＯＨ）：ＣＯ２＝１：５：４からＮｉＯ：Ｎｉ（ＯＨ）：ＣＯ２＝３：５：２水準に変化し、余剰カルボン酸により粒子のＣＯが増加するという問題点が発生する恐れがある。
【００５１】
上記カルボン酸は炭素原子と酸素原子とが二重結合されており、ヒドロキシ基が単一結合している化合物であり、例えば、アセト酸またはエステルなどがある。
【００５２】
上記カルボン酸を添加する段階は、ニッケルナノ粒子の酸化溶解を加速させる段階であり、溶剤である水酸基を含む溶液成分と弱酸であるカルボン酸の混合反応を通じてナノ粒子の表面を微細にエッチングすると同時に、その表面に酸化膜を均一に形成してコロイダル安全性を向上させることができる。
【００５３】
即ち、このような反応を通じて、ナノ粒子の表面は表面処理前より分散剤が円滑に吸着される形態になるため、ニッケルナノ粒子の分散安全性を向上させることができる。
【００５４】
次に、上記水酸基を含む水溶液と上記カルボン酸の混合液にニッケル塩を入れて撹拌する。
【００５５】
上記ニッケル塩を入れて撹拌する方法には乾式方法と湿式方法がある。上記乾式方法は物理的方法であって、機械的に凝集（ｂｕｌｋ）を高エネルギーで粉砕してナノメートルサイズまで小さくする方法と、熱又は電子ビームなど高エネルギーを加えて対象物質を溶かした後蒸発凝縮させて１００ｎｍ以下の粉末を得る方法などがあり、上記湿式方法には、化学反応を利用して核生成させた後所望するサイズまで成長させてナノ粉末を製造する方法などがある。
【００５６】
このとき、上記ニッケル塩はニッケルイオンを含む化合物で、例えば、ＮｉＣｌ２、Ｎｉ（ＮＯ３）２、ＮｉＳＯ４または（ＣＨ３ＣＯＯ）２Ｎｉなどがあるが、本発明はこれに限定されない。
【００５７】
次に、上記攪拌された混合液を乾燥し、このように乾燥されたナノ粒子を熱処理して最終的に内部電極用ペーストに用いられるニッケルナノ粒子を得る。
【００５８】
上記乾燥工程は、８０〜１００℃の窒素雰囲気内で行われることが好ましく、この場合、粉末状態に乾燥変化がうまく行われることができる。
【００５９】
上記乾燥工程時の温度が８０℃未満では、水分除去がうまく行われないことがあり、この温度が１００℃を超えると、酸化が不均一に起こって有機物が除去されなかったり、２次酸化層が生成されてニッケル粉末の色が変化するなどの問題点が発生することがある。
【００６０】
上記熱処理工程は、１８０〜２５０℃のエア（ａｉｒ）雰囲気内で行われることが好ましく、この場合、ＮｉＯ：Ｎｉ（ＯＨ）：ＣＯ２＝４：６．５：０．５水準に変化されることができる。
【００６１】
上記熱処理工程時の温度が１８０℃未満では、ＯＨが変化せず、有機物により残炭が発生するという問題が起こることがあり、この温度が２５０℃を超えると、ＣＯの含量増加により２次有機物の除去及び粒子間のネックキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）に対する問題が発生することがある。
【００６２】
上記のように製造されたニッケルナノ粒子は、ＮｉＯ  ２０．０〜６０．０ａｔ％、Ｎｉ（ＯＨ）２  ２０．０〜６０．０ａｔ％及びＣＯ  ０．５〜２０．０ａｔ％を含むことができる。
【００６３】
ここで、上記ＮｉＯは２０．０〜６０．０ａｔ％で、高温焼成工程時にニッケル収縮制御効果を最大化することができ、この含量が２０．０ａｔ％未満では、Ｎｉ（ＯＨ）２及びＣＯの含量が相対的に増加して分散及び残炭の問題が発生することがある。また、この含量が６０．０ａｔ％を超えると、過度な酸化物となり、純粋なニッケルの含量が減少するため、電気的特性が低下するという問題が発生することがある。
【００６４】
また、上記Ｎｉ（ＯＨ）２の２０．０〜６０．０ａｔ％は、仮焼工程の際、除去されたり、酸化層への変化が容易であるため、収縮制御に有利な含量である。この含量が２０．０ａｔ％未満では、ＯＨの減少分に比べて、ＣＯが相対的に大きく増加し残炭の問題が発生することがある。この含量が６０．０ａｔ％を超えると、分散剤を吸着した後、Ｈ２Ｏが発生してペーストの経時変化が発生するという問題が起こる可能性がある。
【００６５】
また、上記ＣＯの０．５〜２０．０ａｔ％は、仮焼及び焼成工程の際、残炭の除去が可能な含量で、この含量範囲内で酸化物の増加によるニッケル収縮制御効果を最大化することができ、この含量が０．５ａｔ％未満では、相対的なＯＨ基の増加によりペーストの分散特性及び経時変化が発生することがあり、この含量が２０．０ａｔ％を超えると、仮焼及び焼成工程での残炭問題が発生することがある。
【００６６】
このような本発明の一実施形態による方法で製造されるニッケルナノ粒子の特性を確認するため、粒子の表面処理前後のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ；Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、Ｘ線回折（ＸＲＤ；Ｘ−ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）及び透過電子顕微鏡（ＴＥＭ；Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）分析を行った。これを通じてニッケルナノ粒子の表面特性の変化を確認した。
【００６７】
図４はニッケルナノ粒子をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ；Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で分析し、上記ニッケルナノ粒子に含まれたＮｉ（ＯＨ）２及びＮｉＯの含量をピーク（ｐｅａｋ）の形態で示したグラフである。
【００６８】
図４において、比較例は表面処理前のニッケルナノ粒子に対する分析結果を、実施例は本実施形態により表面処理されたニッケルナノ粒子の分析結果をそれぞれ示す。
【００６９】
図４を参照すると、ニッケルナノ粒子の表面を微細エッチングしてその表面に均一な酸化膜を形成した実施例は、Ｎｉ（ＯＨ）２及びＮｉＯに該当するバインディングエネルギーでのピークの形態変化が表面処理されない比較例より大きく発生するため、本実施形態による表面処理によってニッケルナノ粒子の成分が変化されたことが分かる。
【００７０】
下記表１は、図４に示された表面処理の有無によるニッケルナノ粒子の成分変化を様々な例で示したものである。
【００７１】
【表１】
2013253310.tif 000003
＜表面処理の有無によるニッケルナノ粒子のＸＰＳ分析結果＞
【００７２】
ニッケル粉末の表面は、大体、ＮｉＯ、Ｎｉ（ＯＨ）２及びＣＯの状態で存在するため、表１を参照すると、ニッケルナノ粒子の表面処理の有無によってＮｉＯ、Ｎｉ（ＯＨ）２及びＣＯが変化することが分かる。
【００７３】
上記実施例のように、ニッケルナノ粒子の表面を処理すると、ＮｉＯは比較例の１１．７７ａｔ％から２２．２０ａｔ％に増加し、分散剤の吸着がさらに容易であることが分かる。
【００７４】
また、実施例のＮｉ（ＯＨ）２は、比較例の５９．２６ａｔ％から６８．８３ａｔ％に小幅増加したが、このように増加したＮｉ（ＯＨ）２は後に行われる熱処理段階を通じて除去することができる。
【００７５】
また、ニッケルナノ粒子のＣＯを積層セラミックキャパシタの内部電極の材料に使用すると、電気的特性に良くない影響を及ぼすが、実施例の場合、比較例の２８．９７ａｔ％から８．９６ａｔ％に大きく減少するため、本実施形態による表面処理によってさらに優れた特性のニッケルナノ粒子を製作することができることが分かる。
【００７６】
図５ａ及び図５ｂは、従来の方法により製造されたニッケルナノ粒子と本発明の実施形態により表面処理されたニッケルナノ粒子のＸ線回折（ＸＲＤ；Ｘ−ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析結果をそれぞれ示したグラフである。
【００７７】
図５ｃは一般的なニッケルナノ粒子のＸ線回折（ＸＲＤ；Ｘ−ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）値を示したグラフで、方位角によるニッケルナノ粒子の強度を（1）１１１度、（2）２００度、（3）２２０度、（4）３１１度及び（5）２２２度において算出したそれぞれのピーク値で示した。
【００７８】
図５ｃと、表面処理前の図５ａ及び本実施形態により表面処理された図５ｂの対応する方位角での強度を比較すると、比較例は一般的なニッケルナノ粒子と同じ値であり、この比較例と実施例の該当方位角での強度値も類似することが分かる。
【００７９】
従って、本実施形態により表面処理されたニッケルナノ粒子には、キュービック（ｃｕｂｉｃ、ＦＣＣ）構造を有するニッケル結晶構造の他に、他のニッケル酸化物が混在されていないことが分かる。これは表面処理によって結晶構造が変化せずにニッケル表面の酸化層だけが変化したことを示す。
【００８０】
図６は本発明の一実施形態により製造されたニッケルナノ粒子の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ；Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）の写真であり、図７は図６に示されたニッケルナノ粒子のＡ区域を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ；Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンし、特定ポジションでニッケル（Ｎｉ）及び酸素（Ｏ）の変化をそれぞれ示したグラフである。
【００８１】
図６及び図７を参照すると、粒子成分をスキャンすると、Ｎｉの含量は減少し、Ｏの含量が増加する区間（ｂ）があり、この区間（ｂ）がポジション上、縁近所であることから、ニッケルナノ粒子の表面が処理されて酸化層が生成されたことを確認することができる。
【００８２】
本実施形態によると、表面処理後のニッケルナノ粒子は、球形の細くて均一な粒子で、その平均粒径は６０〜５００ｎｍで、優れた分散安全性を有することができる。
【００８３】
上記のように本実施形態によると、カルボン酸と水酸基溶剤を適用したニッケル表面処理の結果、粒子の表面に形成された酸化物の成分及び形状が変化されることが分かる。
【００８４】
このような変化は、ＮｉＯ酸化膜の含量増加による分散剤の吸着性の増大に繋がってペーストの分散性を改善させることで、ニッケルナノ粒子の表面粗度を改善し、経時変化を減少させることができる。
【００８５】
また、本実施形態のニッケルナノ粒子の製造方法によると、ＣＯの含量を減少させて完成したニッケルナノ粒子を内部電極の材料に使用して積層セラミックキャパシタを製造する場合、チップ内の炭素残存を減らして誘電体への影響を最小化することができるため、より信頼性が向上した積層セラミックキャパシタを製造することができる。
【００８６】
図１及び図２を参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、複数の誘電体層１１１が積層されたセラミック素体１１０と、誘電体層１１１の少なくとも一面に形成され、セラミック素体１１０の内部に配置された複数の第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂと、セラミック素体１１０の両側面に形成され、第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂ の露出した部分と電気的に接続されて外部端子の役割をする第１及び第２外部電極１２０ａ、１２０ｂを含むことができる。
【００８７】
このとき、第１及び第２内部電極１３０ａ、１３０ｂは上述の本実施形態のニッケルナノ粒子を含む導電性ペーストにより形成されることができる。
【００８８】
本発明は上述した実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求の範囲により限定される。
【００８９】
従って、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者により多様な形態の置換、変形及び変更が可能で、これも本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【００９０】
１００  積層セラミックキャパシタ
１１０  セラミック素体
１１１  誘電体層
１２０ａ、１２０ｂ  第１及び第２外部電極
１３０ａ、１３０ｂ  第１及び第２内部電極
【図１】
2013253310.tif 000004
【図２】
2013253310.tif 000005
【図３】
2013253310.tif 000006
【図４】
2013253310.tif 000007
【図５ａ】
2013253310.tif 000008
【図５ｂ】
2013253310.tif 000009
【図５ｃ】
2013253310.tif 000010
【図６】
2013253310.tif 000011
【図７】
2013253310.tif 000012