(57)【要約】【課題】耐食性、摺動耐久性、ヘッド浮上性を確保でき、信頼性を確保しながら磁気スペーシングを低減させる。【解決手段】本発明の記録媒体は、磁気的な原理に基づき情報の読み出し・書き込みを行うヘッドにより、情報を記録・再生するための記録媒体であって、基板上に形成された磁性層と、該磁性層上に形成された保護層とを含み、該保護層が、該磁性層上に形成されていてシリコン、シリコンカーバイド、およびゲルマニウムからなる群から選択された材料を含む下地層と、該下地層上に形成されていて水素を含有するアモルファスカーボンを含むカーボン層とから構成され、該カーボン層に含まれる水素量が２４．７ａｔ％以上４６．８ａｔ％以下であり、該下地層の厚さが０．３ｎｍ以上１．８ｎｍ以下であり、該カーボン層の厚さが０．２ｎｍ以上１．７ｎｍ以下である。【選択図】図１
2013037731.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気的な原理に基づき情報の読み出し・書き込みを行うヘッドにより、情報を記録・再生するための記録媒体であって、基板上に形成された磁性層と、該磁性層上に形成された保護層とを含み、
該保護層が、該磁性層上に形成されていてシリコン、シリコンカーバイド、およびゲルマニウムからなる群から選択された材料を含む下地層と、該下地層上に形成されていて水素を含有するアモルファスカーボンを含むカーボン層とから構成され、
該カーボン層に含まれる水素量が２４．７ａｔ％以上４６．８ａｔ％以下であり、
該下地層の厚さが０．３ｎｍ以上１．８ｎｍ以下であり、および
該カーボン層の厚さが０．２ｎｍ以上１．７ｎｍ以下である記録媒体。
【請求項２】
該カーボン層に含まれる水素量が３０．３ａｔ％を超えて４６．８ａｔ％以下である請求項１に記載の記録媒体。
【請求項３】
該下地層および該カーボン層の合計厚さが１ｎｍ以上２ｎｍ以下である請求項１または２に記載の記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータなどの情報処理機器の情報記録装置または民生機器に搭載される記録装置(特にハードディスク装置)に用いられる記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年コンピュータなどの情報処理機器で取り扱う情報量の増加および情報処理機器の小型化に伴って、情報記録装置の記録容量の増大が図られ、情報記録装置に使用される磁気記録媒体に求められる記録容量は増加の一途を辿っている。磁気記録媒体の記録容量を増加させ記録性能を向上させるには、磁気ヘッドの読み出し・書き込み素子と磁気記録媒体の磁性層との距離、すなわち磁気的スペーシングを極限まで低下させる必要がある。磁気的スペーシングは、磁気ヘッドの保護層厚さ、磁気ヘッドの浮上量、記録媒体の保護層および潤滑層の厚さから決定され、記録媒体側としての開発課題は保護層の厚さの低減である。記録媒体の保護層は一般的にＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）と呼ばれるアモルファスカーボンが適用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１３８９４３号公報
【特許文献２】特開平１１−２０３６２５号公報
【特許文献３】特開２００８−１２３６７１号公報
【特許文献４】特開２００４−１５２４６２号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｎｏｂｕｔｏ  Ｙａｓｕｉ、Ｈｉｒｏｓｈｉ  Ｉｎａｂａ、Ｎａｏｔｏ  Ｏｈｔａｋｅ：Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｅｘｐｒｅｓｓ  １（２００８）０３５００２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図２に従来の記録媒体の断面模式図を示す。図２において記録媒体１は、基板２、磁気ヘッドにより情報が記録される磁性層（磁性金属層）３、磁性層３を腐食、摩耗、衝撃等の損傷より保護する保護層４、保護層４の表面を被覆する潤滑層５から構成されている。基板２はガラス材あるいは表面にメッキ処理を施したアルミ材等から形成されており、基材としての役割を果たす。磁性層３は、例えばＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ等の金属とＳｉＯ2等よりなるグラニュラー層であり、スパッタリングにより成膜される。保護層４には好ましくはＤＬＣが適用され、スパッタリングまたはプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ＝化学気相成長法）により成膜される。潤滑層５には好ましくはＰＦＰＥ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｐｏｌｙｅｔｈｅｒ）が適用され、ディップ法等により１ｎｍ程度の厚さに形成される。従来の記録媒体の記録密度は約５００Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2であり、保護層４の厚さは３ｎｍ程度である。今後記録密度を７５０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2以上に引上げるには、保護層４の厚さを２ｎｍ以下にする必要がある。さらに言えば、将来的に記録密度を２０００Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2まで引上げるためには、保護層４の厚さを１ｎｍ程度にする必要がある。
【０００６】
一方で、記録媒体の保護層４には十分な信頼性、すなわち耐食性、摺動耐久性、ヘッド浮上性が求められ、薄膜化しても同様の信頼性が求められる。しかしながら従来の方法で形成されたＤＬＣでは、２ｎｍ以下の範囲において十分な信頼性、特に耐食性、摺動耐久性が得られていない。そこで保護層４をより綴密にすることで、すなわちカーボン層のｓｐ3結合比率を向上させることで十分な信頼性を得ることが考えられている。
【０００７】
保護層４のｓｐ3結合比率を向上させるためには、カーボン原料を解離させイオン化した粒子に十分なエネルギーを与え、サブプランテーションすなわち、表層下に粒子を侵入させることにより成膜すれば良い。侵入したイオン粒子はカーボン層（保護層４）中で高い圧縮応力状態となり、これによりカーボンｓｐ3結合が誘起されｓｐ3結合比率が高まる。具体的にはＦＣＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ  Ｃａｔｈｏｄｉｃ  Ａｒｃ）あるいはＦＣＶＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ  Ｃａｔｈｏｄｉｃ  Ｖａｃｕｕｍ  Ａｒｃ）と呼ばれる方法が知られている。同手法はグラファイトなどのカーボンターゲットに対しアーク放電によりプラズマを発生させ、これに含まれるＣ+などのイオン粒子により成膜するので、ｓｐ3結合比率を高めるのと同時に、水素を含まない硬質なカーボン層を形成できる。ＦＣＡはハードディスク装置の中では磁気ヘッドの保護層４として実績があり、記録媒体への適用も検討されている。
【０００８】
しかしながら同方法は成膜初期、すなわち磁性層３の上に成膜を始める段階では、イオン粒子が磁性層３に直接侵入するため、イオン粒子と衝突した金属原子がカーボン層方向に反跳しカーボン原子とのミキシングが起こる。ミキシング状態のカーボン層は本来のカーボンの特性を持ち得ない、すなわちｓｐ3結合比率が低い初期成長層と言うことができる。また腐食の原因となる金属元素を含むため、これも耐食性を劣化させる原因となる。保護層４が十分厚ければ問題はないが、保護層４の厚さが薄いと初期成長層の厚さが無視できないため、これが原因となり十分な耐食性を得ることができない。
【０００９】
ミキシング対策の報告例として非特許文献１がある。非特許文献１では、ＦＣＡによるカーボン層と金属層との問に、シリコン材料より成る下地層を介在させ、イオン粒子の金属層への侵入を防ぎ金属元素の反跳を防ぐことで、耐食性の改善を図っている。
【００１０】
上記のようにカーボン層に対して下地層を適用する提案としては、この他にも特許文献１および２が存在する。特許文献１ではシリコン材料の他、ゲルマニウム、すず、等を材料とした下地層を介在させ、これを緩衝層としてカーボン層の残留歪の低減を図っている。これにより摺動耐久性を改善し、保護層の薄膜化を図るとしているが、その保護層厚は２．５ｎｍに留まっており、なお改善の余地がある。特許文献２は磁気ヘッドへの適用例であるが、シリコンを主成分とした材料を下地層として介在させ、下地層を０．５ｎｍ以上、カーボン層を２ｎｍ以上としている。下地層は接着層として機能し、これによりカーボン層の密着性を高めて、摺動耐久性を改善し、保護層を薄くできる、としている。但し、保護膜を形成する面を研磨することにより、その粗さを低減して保護膜の均一な被覆を得ようとする方法であり記録媒体に適用することは困難である。また、保護層厚、すなわちカーボン層と下地層の合計厚さが２ｎｍよりも薄い領域では連続膜ではなく島状膜になるとされており、信頼性は不十分であった。また、特許文献２においては、保護層の形成方法として、ＣＣＰ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）−ＣＶＤ、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）−ＣＶＤを使用しており、ｓｐ3結合が適切に導入された保護膜は形成できない。
【００１１】
一方、カーボン層中の含有水素量を規定することで信頼性を改善し、保護層の薄膜化に対応しようとする提案もなされている。特許文献３ではカーボン層中の含有水素量を８〜１８ａｔ％とし、ｓｐ3性を高めて媒体の信頼性改善を図っている。特許文献４ではカーボン層表層の含有水素量を３０％以下として、ヘッド浮上性を確保し、信頼性を改善している。両文献の含有水素量はＤＬＣとしては低い値であり、水素量を低減する方向で改善を図っている。先に説明した非特許文献１についても、ＦＣＡは基本的に水素を含まない成膜方法なので、この考え方に則していると言える。
【００１２】
以上の提案についても、保護層の厚さがある領域までは信頼性改善の効果を持つものの、保護層の厚さが薄い領域ではその信頼性は不十分であった。
【００１３】
本発明は上述の問題に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、耐食性、摺動耐久性、ヘッド浮上性を確保でき、信頼性を確保しながら磁気スペーシングを低減させ、例えば７５０〜２０００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2の記録密度に対応できる記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の記録媒体は、磁気的な原理に基づき情報の読み出し・書き込みを行うヘッドにより、情報を記録・再生するための記録媒体であって、基板上に形成された磁性層と、該磁性層上に形成された保護層とを含み、該保護層が、該磁性層上に形成されていてシリコン、シリコンカーバイド、およびゲルマニウムからなる群から選択された材料を含む下地層と、該下地層上に形成されていて水素を含有するアモルファスカーボンを含むカーボン層とから構成され、該カーボン層に含まれる水素量が２４．７ａｔ％以上４６．８ａｔ％以下であり、該下地層の厚さが０．３ｎｍ以上１．８ｎｍ以下であり、該カーボン層の厚さが０．２ｎｍ以上１．７ｎｍ以下である。
【００１５】
このとき、好ましくは、該カーボン層に含まれる水素量が３０．３ａｔ％を超えて４６．８ａｔ％以下であり、該下地層および該カーボン層の合計厚さが１ｎｍ以上２ｎｍ以下である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の記録媒体によれば、耐食性、摺動耐久性、ヘッド浮上性を確保できるので、信頼性を確保しながら磁気スペーシングを低減させ、例えば７５０〜２０００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2の記録密度に対応する磁気記録媒体を提供できる。
【００１７】
特に、シリコンを含む下地層とすれば、磁性層の金属元素の反跳を防ぐ他、構造的にｓｐ3結合を取るシリコン材料に倣ってカーボンが成長するので、成長初期からカーボンのｓｐ3結合性すなわち緻密性が向上する。これに加え本発明で適用するカーボン層の膜厚以下、すなわち１．７ｎｍ以下の薄膜領域に限って言えば、水素を排除して膜を硬くするよりも、本発明の水素量（２４．７ａｔ％以上４６．８ａｔ％以下)を含有する膜を比較的低エネルギー条件で成膜すれば、シリコン上で粒子がマイグレーションし、ピンホール等を作らずカーボン層の被覆性が向上し、耐食性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の記録媒体の層構成の一例を説明した断面模式図である。
【図２】従来の記録媒体の層構成の一例を説明した断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明を実施するための形態の一例について説明する。図１は、本発明の記録媒体の層構成の一例を説明した断面模式図である。記録媒体１は、典型的には、基板２、基板２上に形成された磁性材料からなる磁性層３、磁性層３上に形成された下地層４１、下地層４１上に形成される保護層４２、および保護層４２上に形成される潤滑層５から構成される。
【００２０】
基板２、磁性層３、および潤滑層５は、図２で説明された従来の記録媒体のものと同様の材料および製作方法により形成できるため、その説明を省略する。
【００２１】
下地層４１は、磁性層３上に形成されていて、シリコン、シリコンカーバイド、およびゲルマニウムからなる群から選択された材料を含む。下地層４１を形成する工程は、シリコン、シリコンカーバイド、およびゲルマニウムからなる群から選択された材料からなるスパッタターゲットを使用して行われる。
【００２２】
カーボン層４２は、下地層上に形成されていて、水素を含有するアモルファスカーボンを含む。カーボン層４２は、エチレン、アセチレン等の炭化水素ガス原料、あるいはキシレン、トルエン、ベンゼン等の炭化水素液体原料を用いて、カーボン層中に水素の導入が可能なプラズマＣＶＤ法により形成する。適用するプラズマソースは、ＥＣＷＲ方式が好ましいが、平行平板方式、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ）方式、ＥＣＲ方式等を用途に応じて選択できる。
【実施例】
【００２３】
以下に本願の実施例および比較例を説明する。なお、実施例は本願発明の代表例に過ぎず、本願発明は実施例の記載に限定されるものではない。
【００２４】
まず評価方法について説明をした上で、具体的な例を示しその効果について説明する。
【００２５】
膜厚評価については、予め断面ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）法により計測した膜厚との間で校正をした上で、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）による光電子の発生数から膜厚を求めた。含有水素量についてはＥＲＤＡ法（Ｅｌａｓｔｉｃ  Ｒｅｃｏｉｌ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）により、Ｎ2+イオン照射に対する反跳水素イオンを検出し、シミュレーションフィッティングにより算出した。
【００２６】
磁気記録媒体としての特性評価項目については、耐食性、摺動耐久性、ヘッド浮上性について評価を行った。耐食性は、３％の硝酸溶液を保護層表面に滴下し、１時間放置した後これを回収し、ＩＣＰ−ＭＳ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）によりＣｏの溶出量を測定し、硝酸溶液の液滴面積で除した値で評価した。耐食性の判定は、ハードディスク装置に適用した際の信頼性試験で問題を起こさないために必要な溶出量０．１ｎｇ／ｃｍ2以下の場合を○（合格）、超える場合を×（不合格）とした。摺動耐久性は、媒体表面にΦ２ｍｍのアルミナチタンカーバイドボールを３０ｇｆの荷重で押し付け回転動作をさせ、ボールと媒体表面との聞の潤滑性を摩擦力の変化として測定した。信頼性確保に必要な摺動耐久回数３００回まで、潤滑性を損なわなかった場合を○、摩擦力が急増して潤滑性が損なわれた場合を×とした。ヘッド浮上性は、媒体とヘッドとの接触を圧電素子により計測するヘッドを媒体表面上で浮上させ、その圧電素子の最大出力電圧値を以って評価した。信頼性確保に必要な電圧値１５０ｍＶ以下の場合を○、これを上回った場合を×とした。下地層、カーボン層の厚さ、およびカーボン層の含有水素量をパラメータとしてサンプルを製作し、第１表に示す評価結果を得た。下地層、カーボン層の厚さは成膜時間を調整して、カーボン層の含有水素量はＲＦ出力を調整してサンプルを製作した。
【００２７】
［実施例］
２．５インチガラス基板上にスパッタリングにより、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ等の金属とＳｉＯ2等よりなるグラニュラー磁性層を形成した。なお、グラニュラー磁性層の研磨は行われていない。この層の上に、アルゴンガスを用いたスパッタリングにより、圧力０．５Ｐａおよび出力１００Ｗの条件で、シリコン材料による下地層を成膜した。
【００２８】
これに続きＥＣＷＲプラズマソースによりエチレンを原料として、含有水素量が３０、４５ａｔ％になるようにカーボン層を成膜した。含有水素量３０ａｔ％を狙ったサンプルは、ＥＣＷＲプラズマソースによりエチレンを原料として、出力１０５０Ｗ、圧力０．０９Ｐａの成膜条件を適用した。含有水素量４５ａｔ％を狙ったサンプルは、出力１９０Ｗ、圧力０．３５Ｐａの成膜条件を適用した。下地層およびカーボン層の厚さは、保護層厚（下地層およびカーボン層の合計膜厚）が１ｎｍになる条件を中心として、本発明の範囲内で種々の膜厚および水素量のサンプルを用いることにより設定された。この後カーボン層上にはディップ法によりＰＦＰＥ潤滑層を１ｎｍ形成し、第１表中のサンプル１−Ｃ−２〜１−Ｃ−３、１−Ｄ−２〜１−Ｄ−６、１−Ｅ−２〜１−Ｅ−７を得た。評価の結果、何れのサンプルも第１表のように耐食性、摺動耐久性、ヘッド浮上性について基準をクリアできた。
【００２９】
さらにこのサンプルの中でも１−Ｄ−２〜１−Ｄ−６、１−Ｅ−２〜１−Ｅ−７に限って言えば、Ｃｏ溶出量の値は０．０５ｎｇ／ｃｍ2以下となり、信頼性試験で問題を起こさないために必要な溶出量０．１ｎｇ／ｃｍ2以下に対して、さらに１／２となるため、含有水素量が３０ａｔ％を超えて４８ａｔ％以下であるならば、通常よりさらに高い耐食性を確保できることが見出された。
【００３０】
［比較例１］
本発明の実施例と同様にシリコン材料による下地層まで成膜をした後、カーボン層の含有水素量が３ａｔ％以下、および２０ａｔ％となるようにカーボン層の成膜を行った。含有水素量３ａｔ％以下を狙ったサンプルではＦＣＡによりアーク電流１２０Ａ、電圧３０Ｖの条件でカーボン層を成膜した。含有水素量２０ａｔ％を狙ったサンプルではＥＣＷＲプラズマソースによりエチレンを原料として、出力３０００Ｗ、圧力０．０２Ｐａの条件でカーボン層を成膜した。下地層およびカーボン層の厚さは、保護層厚が１ｎｍになる条件を中心として、種々の膜厚および水素量のサンプルを用いることにより設定された。この後カーボン層上にはディップ法によりＰＦＰＥ潤滑層を１ｎｍ形成し、第１表中のサンプル１−Ａ−１〜１−Ａ−４、１−Ｂ−１〜１−Ｂ−３を得た。評価の結果、摺動耐久性およびヘッド浮上性については一部のサンプルを除いて基準をクリアするものの、Ｃｏ溶出量が基準を外れており、耐食性がクリアできなかった。このようにカーボン膜厚が薄く、初期成長層の影響が大きな段階に限って言えば、含有水素量を低くして（２４．７ａｔ％未満）膜を硬質化する条件では耐食性は上がらず、むしろ比較的低エネルギーで水素が適量（２４．７ａｔ％以上４６．８ａｔ％以下）含有する本発明の実施例で示した条件の方が、耐食性は向上した。これは、シリコン上で成膜される粒子がマイグレーションし、ピンホールを作らないため、カーボン層の被覆性が向上して耐食性に有利に働くためと考えられる。
【００３１】
［比較例２］
本発明の実施例の場合と同様にシリコン材料により下地層まで成膜をした後、カーボン層の含有水素量が２５、３０、４５ａｔ％となるようにカーボン層の成膜を行った。成膜条件は本発明の実施例の場合と同様である。下地層およびカーボン層の厚さはそれぞれ、０．１ｎｍおよび０．９ｎｍとした。この後カーボン層上にはディップ法によりＰＦＰＥ潤滑層を１ｎｍ形成し、第１表中のサンプル１−Ｃ−１、１−Ｄ−１、１−Ｅ−１を得た。評価の結果、何れも耐食性がクリアできず、カーボン層の含有水素量が適切であっても、下地層の厚さが０．３ｎｍ未満になると耐食性がクリアできなかった。これは下地層が０．３ｎｍ未満になるとシリコン材料として安定的なｓｐ3構造を取れず、これに従って形成されるカーボン層のｓｐ3結合性すなわち徹密性が向上しないためと考えられる。
【００３２】
［比較例３］
本発明の実施例の場合と同様にシリコン材料により下地層まで成膜をした後、カーボン層の含有水素量が２５、３０、４５ａｔ％となるようにカーボン層の成膜を行った。成膜条件は本発明の実施例の場合と同様である。下地層およびカーボン層の厚さは、それぞれ０．９ｎｍおよび０．１ｎｍとした。この後カーボン層上にはディップ法によりＰＦＰＥ潤滑層を１ｎｍ形成し、第１表中のサンプル１−Ｃ−４、１−Ｄ−７、１−Ｅ−８を得た。評価の結果、耐食性はクリアできるものの、摺動耐久性がクリアできなかった。含有水素量が適切でも、カーボン層の厚さが０．２ｎｍ未満になると摺動耐久性がクリアできなかった。これは、カーボン層が０．２ｎｍ未満になるとカーボン構造が損なわれ、カーボンが本来持ち得る摺動耐久性が機能しないためと考えられる。
【００３３】
［比較例４］
本発明の実施例の場合と同様にシリコン材料により下地層まで成膜をした後、カーボン層の含有水素量が５５ａｔ％となるようにカーボン層の成膜を行った。成膜条件は本発明の実施例の場合と同様である。下地層およびカーボン層の厚さは、保護層厚が１ｎｍになるように条件を設定した。この後カーボン層上にはディップ法によりＰＦＰＥ潤滑層を１ｎｍ形成し、第１表中のサンプル１−Ｆ−１〜１−Ｆ−４、を得た。評価の結果、耐食性、摺動耐久性、ヘッド浮上性、何れの評価項目もほぼ基準がクリアできず、３つの評価項目すべてをクリアしたサンプルは得られなかった。これは含有水素量が４６．８ａｔ％を超えると、カーボン層はポリマー構造に近づき、本来のカーボンとしての特性が損なわれるためと考えられる。
【００３４】
上記は下地層にシリコンを適用した場合であるが、シリコンカーバイドを適用しても同様の効果が得られた。第２表は下地層にシリコンカーバイドを適用し、スパッタリングによりアルゴンガス圧力１Ｐａ、出力２００Ｗの条件で成膜したときの評価結果である。他のサンプル製作条件は先のシリコンの場合と同様である。下地層にシリコンを適用した第１表ではサンプル番号の先頭を１としているのに対し、シリコンカーバイドを適用した第２表ではサンプル番号の先頭を２としているが、それに続く表記が同じものは、第１表と第２表とでサンプルの作成条件が同様であることを示している。第２表より、シリコンの場合と同様、カーボン層の含有水素量が２４．７ａｔ％以上４６．８ａｔ％以下、下地層の厚さを０．３ｎｍ以上１．８ｎｍ以下、カーボン層の厚を０．２ｎｍ以上１．７ｎｍ以下とすれば、保護層の厚さが１ｎｍ以上２ｎｍ以下で媒体に求められる耐食性、摺動耐久性、およびヘッド浮上性を満足することができる。またゲルマニウムを適用しても同様の効果が得られた。第３表はスパッタリングによりアルゴンガス圧力０．５Ｐａ、出力３００Ｗの条件で下地層としてゲルマニウム成膜したときの評価結果で、シリコンの場合と同様の結果が得られた。なお、本願においては、カーボン層および下地層の合計厚さが２ｎｍ以下の領域を目標としており、下地層の厚さが０．３ｎｍ以上の場合に良好な結果が得られているため、カーボン層の厚さの上限値が１．７ｎｍ以下であれば本願の目標の合計厚さ（２ｎｍ）の範囲内で良好な結果が得られるものと考えられる。
【００３５】
【表１】
2013037731.tif 000003
【００３６】
【表２】
2013037731.tif 000004
【００３７】
【表３】
2013037731.tif 000005
【符号の説明】
【００３８】
１  記録媒体
２  基板
３  磁性層
４  保護層
４１  下地層
４２  カーボン層
５  潤滑層
【図１】
2013037731.tif 000006
【図２】
2013037731.tif 000007