(57)【要約】【課題】排気部が有するフランジ配管内に大気が入り込むことを防止可能な成膜装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る成膜装置１は、原料ガスを利用して膜を形成するための成膜炉１０と、成膜炉内のガスを成膜炉から排気するための排気流路４３ｉ（ｉは１又は２）であって、一端にフランジ部４３２ｂｉが設けられた複数のフランジ配管４３１ｉ，４３２ｉをフランジ接続して構成される排気流路４３ｉと、排気流路におけるフランジ接続の部分を覆う中空体４５ｉと、を備える。中空体は、不活性ガスで満たされており、中空体内の不活性ガスの圧力は、大気圧以上である。【選択図】図１
2013133502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガスを利用して膜を形成するための成膜炉と、
前記成膜炉内のガスを前記成膜炉から排気するための排気流路であって、一端にフランジ部が設けられた複数のフランジ配管をフランジ接続して構成される前記排気流路と、
前記排気流路における前記フランジ接続の部分を覆う中空体と、
を備え、
前記中空体内は、不活性ガスで満たされており、
前記中空体内の前記不活性ガスの圧力は、大気圧以上である、
成膜装置。
【請求項２】
前記中空体には、前記不活性ガスを前記中空体内に供給するためのガス供給口と、前記中空体内から前記不活性ガスを排気するためのガス排気口とが形成されている、
請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記不活性ガスは、前記中空体内に大気圧以上で封入されているか、又は、前記中空体内で大気圧以上となるように前記中空体を連続的に通過する、
請求項１又は２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記中空体内の前記不活性ガスの圧力を計測する圧力計を更に備える、
請求項１〜３の何れか一項記載の成膜装置。
【請求項５】
前記圧力計に電気的に接続されており、前記圧力計の計測結果が所定の閾値より低下したときに、警報を発する警報機を更に備える、
請求項４記載の成膜装置。
【請求項６】
前記圧力計に電気的に接続されており、前記圧力計の計測結果が所定の閾値より低下したときに、前記圧力計の計測結果が前記所定の閾値値以上になるように前記中空体内の前記不活性ガスの量を調整するガス量調整部を更に備える、
請求項４又は５記載の成膜装置。
【請求項７】
前記原料ガスがシランガスである、
請求項１〜６の何れか一項記載の成膜装置。
【請求項８】
前記成膜炉は、ＳｉＣ膜をＣＶＤによってエピタキシャル成長させるためのエピタキシャル成長炉である、請求項１〜７の何れか一項記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
成膜装置は、原料ガスを利用して基板上に膜を形成する成膜炉と、成膜炉内のガスを排気する排気部とを含む。排気部において、ガスの流路となる配管にダストが溜まる傾向がある。このダストを定期的に清掃するために、排気部の配管には、一端にフランジ部を有する複数のフランジ配管が使用され、複数のフランジ配管はフランジ接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０―２５５０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、複数のフランジ配管の接続部分であるフランジ接続部では、溶接接続に比べてリークが発生しやすい。排気部が稼働している場合、フランジ配管内は負圧に保たれる。そのため、リークが発生すれば、大気がフランジ配管内に吸入される。大気中には、酸素や水分が含まれるので、原料ガスにシランガスといった発火性のガスを使用している場合には、酸素がフランジ配管内に入り込むと発火の危険性がある。また、原料ガスに発火の危険のないガスを使用していたとしてもフランジ配管内に大気が入り込むと化学反応によってダストを更に発生させる原因にもなる。
【０００５】
そこで、本発明は、排気部が有するフランジ配管内に大気が入り込むことを防止可能な成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る成膜装置は、原料ガスを利用して膜を形成するための成膜炉と、成膜炉内のガスを成膜炉から排気するための排気流路であって、一端にフランジ部が設けられた複数のフランジ配管をフランジ接続して構成される排気流路と、排気流路におけるフランジ接続の部分を覆う中空体と、を備える。上記中空体内は、不活性ガスで満たされており、中空体内の不活性ガスの圧力は、大気圧以上である。
【０００７】
この構成の成膜装置では、排気流路が、大気圧以上の圧力の不活性ガスで満たされた中空体で覆われているので、フランジ接続の部分にリークが発生しても、フランジ配管内に大気が入り込むことが防止できる。
【０００８】
一実施形態において、中空体には、不活性ガスを中空体内に供給するためのガス供給口と、中空体内から不活性ガスを排気するためのガス排気口とが形成され得る。
【０００９】
この場合、ガス供給口から不活性ガスを供給し、ガス排気口から不活性ガスを排出することを繰り返すことによって、中空体内から大気をより確実に排除して中空体内が不活性スで満たされ得る。
【００１０】
一実施形態において、不活性ガスは、中空体内に大気圧以上で封入されていればよい。或いは、一実施形態において、不活性ガスは、中空体内で大気圧以上となるように中空体を連続的に通過してもよい。
【００１１】
中空体内に不活性ガスが封入する場合、中空体内の不活性ガスの圧力の調整が容易である。また、不活性ガスが中空体内で大気圧以上となるように中空体を連続的に通過する場合、中空体内のガスは排気されながら、連続的に流れ込んでくる不活性ガスで満たされる。そのため、仮に、中空体内に大気が入り込んでも、その大気はすぐ排出され、フランジ接続の部分からフランジ配管内に大気が入り込むことが更に、防止され得る。
【００１２】
一実施形態の成膜装置は、中空体内の不活性ガスの圧力を計測する圧力計を更に備えてもよい。
【００１３】
フランジ接続の部分にリークが生じると、中空体内の圧力に変動が生じる。よって、圧力計の計測結果によって、フランジ接続の部分のリークの有無を検知し得る。
【００１４】
圧力計を備える成膜装置の一実施形態では、圧力計に電気的に接続されており、圧力計の計測結果が所定の閾値から低下したときに、警報を発する警報機を更に備えてもよい。
【００１５】
この場合、フランジ接続の部分のリークが生じた際、圧力計の測定結果が所定の閾値以上になるように警報機を設定しておけば、警報が、フランジ接続の部分のリークが生じていることを示す。そのため、警報によって、フランジ接続の部分のリークの有無が知られ得る。
【００１６】
圧力計を備える成膜装置の一実施形態では、圧力計に電気的に接続されており、圧力計の計測結果が所定の閾値から低下したとき、圧力計の計測結果が所定の閾値以上になるように中空体内の不活性ガスの量を調整するガス量調整部を更に備えてもよい。
【００１７】
この場合、フランジ接続の部分のリークが生じた際、ガス量調整部によって、自動的に中空体内の不活性ガスの量が調整される。その結果、中空体内の不活性ガスの圧力を大気圧以上に自動的に維持し得る。
【００１８】
一実施形態において、上記原料ガスはシランガスであり得る。また、一実施形態において、成膜炉は、ＳｉＣ膜をＣＶＤによってエピタキシャル成長させるためのエピタキシャル成長炉であり得る。
【００１９】
原料ガスにシランガスを利用している場合、未反応のシランガスが排気流路を介して成膜炉内から排気される。発火性のシランガスが酸素と混じると、発火する危険があるが、不活性ガスで満たされた中空体を備えた成膜装置では、フランジ配管内に酸素が入ることが防止される。その結果、上記原料ガスとしてシランガスを利用してしても、安全に膜を形成することが可能である。ＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させる場合、原料ガスとして少なくともシランガスが利用される。その結果、前述したように、ＳｉＣ膜を安全に形成することが可能である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、排気部が有するフランジ配管内に大気が入り込むことが防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】一実施形態に係る成膜装置の概略構成図である。
【図２】排気部の一部の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００２３】
図１は、一実施形態に係る成膜装置の構成を概略的に示す概略構成図である。成膜装置１は、成膜炉１０と、成膜炉１０に供給される原料ガスの原料ガス源２１，２２と、原料ガス源２１，２２からの原料ガスを成膜炉１０内に導入する原料ガス供給管３１，３２と、成膜炉１０に供給される希釈ガスの希釈ガス源２３と、希釈ガス源２３からの希釈ガスを成膜炉１０内に供給する希釈ガス供給管３３と、成膜炉１０内のガスを排気する排気部４０とを備える。原料ガス源２１，２２は、例えば、原料ガスボンベであり、希釈ガス源２３は、例えば、希釈ガスボンベである。
【００２４】
成膜炉１０は、成膜室１１内の基板支持台１２に載置された基板Ｐ上に、原料ガス源２１，２２から原料ガス供給管３１，３２を介して供給される原料ガスを利用して基板Ｐ上に膜Ｍを形成する。基板Ｐの一例は半導体基板である。半導体基板の例は、Ｓｉ基板及びＳｉＣ基板を含む。成膜炉１０は、原料ガスを利用して膜Ｍを形成する構成であれば特に限定されない。そのため、成膜炉１０は、例えば、基板Ｐを加熱する加熱機構（例えば、高周波誘導加熱装置等）を備え得るが、成膜炉１０の構成の詳細な説明は省略する。原料ガス源２１，２２の数は、膜Ｍを形成するための原料ガスの種類数に対応しており、原料ガス源の数は、１つでも３つ以上でもよい。
【００２５】
一実施形態において、成膜炉１０は、Ｓｉ基板又はＳｉＣ基板上にＳｉＣ膜を、ＣＶＤ（ChemicalVapor Deposition :化学気相成長）を利用してエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長炉である。この場合、成膜装置１は、基板Ｐ上にＳｉＣ膜を形成するためのＣＶＤ装置である。成膜装置１がＳｉＣ膜を形成する場合、原料ガス源２１から供給される原料ガスの一例は、シラン（ＳｉＨ４）ガスであり、原料ガス源２２から供給される原料ガスの一例はプロパンガスである。
【００２６】
希釈ガスは、原料ガスの種類などによって適宜選択すればよい。希釈ガスの一例は、水素(Ｈ２)ガスである。
【００２７】
排気部４０は、真空ポンプといった排気ポンプ４１と、成膜炉１０から排気されたガスである排気ガスを洗浄処理する排気ガス処理装置４２と、成膜炉１０と排気ポンプ４１とを繋ぐ排気流路４３１と、排気ポンプ４１と排気ガス処理装置４２とを繋ぐ排気流路４３２と、排気ガス処理装置４２で洗浄された排気ガスを排出する排出路４４と、を含む
【００２８】
排気ポンプ４１は、成膜炉１０内のガスを、排気流路４３１を介して排気する。排気ガス処理装置４２は、排気ポンプ４１で成膜炉１０から吸引された排気ガスを、排気流路４３２を介して排気ポンプ４１から更に吸引する。排気ガス処理装置４２は、排気ガスを洗浄して排出路４４から成膜装置１外部に排出する。一実施形態において、排気部４０は、図１に例示するように、成膜時に発生したダスト、及び、成膜に寄与しなかった原料ガスなどにより発生したダスト等、成膜炉１０からの排気ガスに含まれるダストを取り除くダストトラップといったダスト除去部５２を備えていてもよい。ダスト除去部５２は、例えば、排気ポンプ４１より上流側の排気流路４３１に設けられ得る。ダスト除去部５２は、例えば、排気流路４３１の一部を冷却してダストをトラップする。なお、図１では、ダスト除去部５２を模式的に示している。
【００２９】
図２は、排気部の一部の拡大図である。以下では、説明の便宜のため、排気流路４３１と排気流路４３２とを、排気流路４３ｉ（ｉは１又は２）とも称する。排気流路４３１，４３２の構成要素及び排気流路４３１，４３２に対応して設けられる成膜装置１の構成要素についても同様の表記を採用する。図２では、排気流路４３ｉの一部の断面構成を模式的に示している。
【００３０】
排気流路４３ｉは、管状の配管部４３１ａｉの一端にフランジ部４３１ｂｉが形成されたフランジ配管４３１ｉと、管状の配管部４３２ａｉの一端にフランジ部４３２ｂｉが形成されたフランジ配管４３２ｉとを有する。フランジ配管４３１ｉとフランジ配管４３２ｉとは、フランジ部４３１ｂｉとフランジ部４３２ｂｉとが例えば螺子４３３ｉによって固定されることによってフランジ接続される。この際、２つのフランジ部４３１ｂｉとフランジ部４３２ｂｉとは、Ｏリングを介して接続されていてもよい。また、フランジ部４３１ｂｉとフランジ部４３２ｂｉとが例えばクイックカップリングによって固定されていても良い。
【００３１】
排気部４０は、排気流路４３ｉのフランジ接続の部分（以下、フランジ接続部）４３ａｉを覆うガス充填部４５ｉと、ガス充填部４５ｉ内に不活性ガスを供給する不活性ガスボンベといった不活性ガス源４６（図１参照）と、ガス充填部４５ｉと不活性ガス源４６とを接続する不活性ガス供給管４７ｉ（図１参照）とを更に備える。不活性ガス源４６からガス充填部４５ｉに供給される不活性ガスの例は、ヘリウム（Ｈｅ）ガス及びアルゴン（Ａｒ）ガスといった希ガス並びに窒素（Ｎ２）ガスを含む。
【００３２】
ガス充填部４５ｉは、箱状の中空体である。ガス充填部４５ｉは、フランジ接続部４３ａｉに脱着可能に構成されている。ガス充填部４５ｉの壁部には、ガス供給口４５ａｉ及びガス排気口４５ｂｉが形成されている。ガス供給口４５ａｉには、不活性ガス供給管４７ｉが接続されている。ガス排気口４５ｂｉには、ガス排気管４８ｉが接続されている。
【００３３】
図１に示すように、不活性ガス供給管４７ｉ及びガス排気管４８ｉには、バルブ４７１ｉ及びバルブ４８１ｉが設けられている。バルブ４７１ｉの開閉量が調整されることによって、ガス充填部４５ｉ内への不活性ガス供給量が制御され得る。バルブ４８１ｉの開閉量が調整されることによって、ガス充填部４５ｉからのガス排出量が調整され得る。そのため、バルブ４７１ｉ，４８１ｉの開閉量をそれぞれ調整することによって、ガス充填部４５ｉの圧力が制御され得る。バルブ４７１ｉ，４８１ｉを閉じることによって、不活性ガスは、ガス充填部４５ｉ内に封入される。ガス充填部４５ｉ内に封入される不活性ガスの圧力は大気圧以上である。
【００３４】
一実施形態において、排気部４０は、図１に示すように、圧力計４９ｉと、圧力計４９ｉに電気的に接続された警報機５０ｉと、圧力計４９ｉに電気的に接続されたガス量調整部５１とを備える。
【００３５】
圧力計４９ｉは、ガス充填部４５ｉ内のガス圧を計測する。フランジ接続部４３ａｉにリークが生じると、圧力計４９ｉの値が変化するので、圧力計４９ｉは、フランジ接続部４３ａｉでのリークの有無を検知する検知機として機能する。例えば、ガス充填部４５ｉ内に不活性ガスが封入されている場合、フランジ接続部４３ａｉにリークが生じると、ガス充填部４５ｉ内のガス圧が低下する。よって、ガス圧の計測誤差と当初設定したガス充填部４５ｉ内の不活性ガスの圧力を考慮した所定の閾値より、ガス充填部４５ｉ内のガス圧が低下した場合に、圧力計４９ｉの計測結果は、リークが生じていることを示す。圧力計４９ｉは、計測した圧力（計測結果）を電気信号として警報機５０ｉ及びガス量調整部５１に入力する。
【００３６】
警報機５０ｉは、圧力計４９ｉの計測結果が、所定の閾値から低下したときに警報を発する。上記所定の閾値は、前述したように、ガス圧の計測誤差などを考慮して、フランジ接続部４３ａｉにおけるリークを検知できるように設定されていればよい。ガス量調整部５１は、圧力計４９ｉの計測結果が上記所定の閾値から低下したとき、換言すれば、所定の閾値未満になったときに、バルブ４７１ｉ，４８１ｉを調整してガス充填部４５ｉ内の圧力を所定の閾値以上になるように、ガス充填部４５ｉへのガス供給量及びガス充填部４５ｉからのガス排出量の少なくも一方を制御する。一実施形態では、バルブ４７１ｉ，４８１ｉに、電気的に開閉を制御可能なバルブ（例えば、電磁バルブ）を使用し、ガス量調整部５１は、バルブ４７１ｉ及びバルブ４８１ｉの少なくとも一方を調整することによって、ガス充填部４５ｉのガス量を調整する。ガス量調整部５１は、いわゆるコンピュータ装置とすることができる。ガス量調整部５１は、圧力計４９１及び圧力計４９２のそれぞれの計測結果に応じて、ガス充填部４５１及びガス充填部４５２内の不活性ガスの圧力をそれぞれ別々に調整し得る。
【００３７】
成膜装置１の成膜炉１０において基板Ｐ上に膜Ｍを成膜する際には、排気部４０の排気ポンプ４１を駆動して、成膜炉１０内を減圧する。成膜炉１０内の圧力の一例は０．１気圧（約７６Ｔｏｒｒ，約１０ｋＰａ）である。このような減圧状態において、原料ガス源２１，２２及び希釈ガス源２３からの原料ガス及び希釈ガスを成膜炉１０内に供給し、基板Ｐ上に膜Ｍを成膜する。
【００３８】
膜Ｍの形成過程において、排気部４０は、排気ポンプ４１を動作することによって、成膜炉１０内のガスを排気して成膜炉１０内の圧力を所定の値（例えば、０．１気圧）に保つ。排気部４０によって、成膜炉１０内のガスを排気することによって、成膜炉１０内の未反応の原料ガスなどを含むガスを排気し、成膜炉１０内を膜形成に適した環境に保つ。排気部４０は、排気ガスに含まれる有害成分を除害して、成膜装置１外部に排気する。
【００３９】
成膜炉１０から排気されるガスである排気ガスには、膜形成に関与しなかった未反応の原料ガス及びその未反応ガスに基づく反応生成物を含むダストが含まれる。一実施形態として例示したように、ダスト除去部５２を備えた形態においても、通常、成膜装置１では大量のダストが発生するため、ダスト除去部５２のみで全てのダストを除くことは困難である。その結果、排ガス処理装置４２に至る排気流路４３ｉ内にはダストが溜まる。このように、成膜装置１において、成膜炉１０の排気系統では、排気ガスの排気流路４３ｉ内に上述したダストがたまりやすい。このダストの清掃のため、図１及び図２に示したように、排気流路４３ｉには、フランジ配管４３１ｉ，４３２ｉを使用している。
【００４０】
排気ポンプ４１を利用して成膜炉１０内のガスを排気している場合、排気流路４３ｉ内は負圧になっていることから、仮に、ガス充填部４５ｉでフランジ接続部４３ａｉを覆っていない場合、フランジ接続部４３ａｉにリークが生じると、排気流路４３ｉ内に酸素や水分が入り込む。原料ガスなどにシランガスといった発火性のガスを利用していると、このように排気流路４３ｉ内に酸素が入り込んだ場合、発火する可能性もあり危険である。また、原料ガスなどが発火性のガスで無かったとしても、大気が排気流路４３ｉ内に入り込むことで、化学反応が起こってダストが発生しやすくなる。ダストが発生すれば、排気流路４３ｉの掃除の間隔が短くなる場合もあるし、排気ポンプ４１の寿命が短くなる場合もある。
【００４１】
これに対して、図１に示した成膜装置１のように、フランジ接続部４３ａｉを、ガス充填部４５ｉで覆っている構成では、フランジ接続部４３ａｉにリークがあったとしても、ガス充填部４５ｉ内には、不活性ガスが封入されているので、排気流路４３ｉ内に大気は流入しない。その結果、原料ガスにシランガスといった発火性のガスを利用していても、発火の危険性はない。従って、成膜装置１が、例えば、Ｓｉ基板又はＳｉＣ基板上に、高温環境下において、ＣＶＤを利用してＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長炉を含むＣＶＤ装置であっても、安全にＳｉＣ膜を形成できる。特に、成膜炉１０がＳｉＣ膜を形成するためのエピタキシャル成長炉である場合、ダストが発生しやすいことから、フランジ配管４３１ｉ，４３２ｉが使用される傾向にある。そのため、フランジ接続部４３ａｉにリークがあった場合でも大気の排気流路４３ｉ内への流入が防止されている排気部４０の構成は、成膜装置１がＳｉＣ膜を形成するためのＣＶＤ装置である場合に、より有効である。
【００４２】
ガス充填部４５ｉ内に封入されるガスは不活性ガスであることから、フランジ接続部４３ａｉから排気流路４３ｉ内に入り込むガスも、不活性ガスである。その結果、原料ガスが上記発火性のガス以外であっても、そのようなガスが化学反応を起こして更に別のダストを生成しない。そのため、清掃回数の増加を低減できると共に、排気ポンプ４１の寿命を長くすることが可能である。
【００４３】
ガス充填部４５ｉ内の不活性ガスの圧力が大気圧以上であることから、ガス充填部４５ｉがフランジ接続部４３ａｉに取り外し可能な構造であったとしても、ガス充填部４５ｉ内に大気が入り込まない。よって、フランジ接続部４３ａｉにリークがあったとしても、排気流路４３ｉ内への大気の流入が確実に防止され得る。
【００４４】
更に、ガス充填部４５ｉがガス供給口４５ａｉ及びガス排気口４５ｂｉを有しているので、ガス充填部４５ｉに不活性ガスを高純度で封入し得る。すなわち、ガス充填部４５ｉにガス供給口４５ａｉから不活性ガスを供給し、ガス排気口４５ｂｉからガス充填部４５ｉ内の不活性ガスを含むガスを排出することを繰り返すことによって、ガス充填部４５ｉ内から不活性ガス以外のガスを除去できる。そのため、ガス充填部４５ｉから大気を確実に除外して、ガス充填部４５ｉを不活性ガスで満たし得る。従って、フランジ接続部４３ａｉにリークがあったとしても、排気流路４３ｉ内への大気の流入が確実に防止され得る。
【００４５】
ガス充填部４５ｉに不活性ガスを封入しているので、ガス充填部４５ｉ内の不活性ガスの圧力の調整が容易である。
【００４６】
図１に示した排気部４０のように、排気部４０が、圧力計４９ｉ、警報機５０ｉ、及び、ガス量調整部５１を備えている形態では、フランジ接続部４３ａｉにリークが生じると、圧力計４９ｉの計測結果の値が低下する。圧力計４９ｉの示す値が、所定の閾値を超えて低下すると、警報機５０ｉが鳴る。その結果、成膜装置１の操作者が圧力計４９ｉの計測結果を常にチェックしていなくても、フランジ接続部４３ａｉにおけるリークの有無を素早く検知できる。更に、圧力計４９ｉの計測結果が所定の閾値を超えて低下すると、ガス量調整部５１が、バルブ４７１ｉ，４８１ｉを制御して、ガス充填部４５ｉ内の圧力が所定の閾値以上になるように、不活性ガスのガス充填部４５ｉへの供給量又はガス充填部４５ｉからの排出量を調整する。そのため、成膜装置１の操作者が成膜装置１から離れていても、排気流路４３ｉ内に大気が入り込むことを自動的に防止できる。
【００４７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず，本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形可能である。
【００４８】
ガス充填部４５ｉに不活性ガスが封入されている形態に限定されず、ガス充填部４５ｉ内の不活性ガスの圧力が大気圧以上となるように、不活性ガスがガス供給口４５ａｉからガス排気口４５ｂｉに向けて連続的に通過する形態でもよい。このような不活性ガスのフロー状態では、バルブ４７１ｉ，４８１ｉの開閉量を調整することによって、例えば、排出量が供給量より小さくなるようにすることによって、ガス充填部４５ｉ内の不活性ガスの圧力を大気圧以上とし得る。更に、ガス充填部４５ｉ内のガスは排気されながら、連続的に流れ込んでくる不活性ガスでガス充填部４５ｉ内は満たされる。そのため、仮に、ガス充填部４５ｉ内に大気が入り込んでも、その大気はすぐ排出され、ガス充填部４５ｉ内のガスを不活性ガスとし得る。このように、不活性ガスがフロー状態であっても、フランジ接続部４３ａｉの周囲は不活性ガスで満たされるので、フランジ接続部４３ａｉにリークが生じても、フランジ配管４３１ｉ，４３２ｉ内に大気が流入することはない。
【００４９】
ガス充填部４５ｉ内への不活性ガスの供給量を調整する構成及びガス充填部４５ｉ内から排出されるガスの排出量を調整する構成は、不活性ガス供給管４７ｉ及びガス排気管４８ｉにバルブ４７１ｉ，４８１ｉを取り付けた構成に限定されない。例えば、不活性ガス供給管４７ｉ及びガス排気管４８ｉにバルブ４７１ｉ，４８１ｉを取り付ける代わりに、ガス供給口４５ａｉ及びガス排気口４５ｂｉに開閉機構が設けられていてもよい。更に、ガス充填部４５ｉは、ガス充填部４５ｉ内に不活性ガスが大気圧以上で満たされていれば、ガス供給口４５ａｉ及びガス排気口４５ｂｉを備えなくてもよい。この場合、例えば、ガス充填部４５ｉをフランジ接続部４３ａｉに取り付ける際に、ガス充填部４５ｉ内に不活性ガスを大気圧以上で封入すればよい。
【００５０】
ガス充填部４５ｉは、不活性ガスが満たされ得る中空体であれば、箱状のものに限定されない。
【００５１】
圧力計４９ｉを備えなくてもよいが、一実施形態として説明した圧力計４９ｉを備えた構成では、警報機５０ｉ及びガス量調整部５１の少なくとも一方は備えなくてもよい。警報機５０ｉを備えずにガス量調整部５１を備える場合には、ガス量調整部５１によって、ガス充填部４５ｉ内の不活性ガスの圧力が大気圧以上に維持されるので、フランジ配管４３１ｉ内への大気の流入を抑制できる。ガス充填部４５ｉに対して一つのガス量調整部５１を備える一形態を例示したが、ガス充填部４５１，４５２にそれぞれガス量調整部５１が設けられていてもよい。
【００５２】
逆に、ガス量調整部５１を備えずに警報機５０ｉを備える構成では、警報機５０ｉが鳴った時点で、排気部４０の動作を停止させればよい。ガス量調整部５１を備えない構成では、バルブ４７１ｉ，４８１ｉは、電気的に開閉量を調整可能なバルブ（例えば、電磁バルブ等）ではなく、手動で開閉量が調整可能なバルブでもよい。ガス充填部４５ｉへの不活性ガスの供給量を調整するためにバルブを利用した形態を説明したが、バルブの代わりに、不活性ガス源４６が供給量調整機構を備えている場合には、ガス量調整部５１は、不活性ガス源４６を制御して、供給量を調整すればよい。
【００５３】
警報機５０ｉ及びガス量調整部５１を備えない場合には、圧力計４９ｉの計測結果を、成膜装置１の操作者がモニタしておけばよい。警報機５０ｉ及びガス量調整部５１を備えない場合、圧力計４９ｉは、計測結果を電気信号で出力するようなデジタル形式のものに限らず、アナログ形式のものでもよい。
【００５４】
上記圧力計４９ｉ、警報機５０ｉ及びガス量調整部５１を備える形態では、排気部４０に含まれるとして説明したが、圧力計４９ｉ、警報機５０ｉ及びガス量調整部５１は、成膜装置１の構成要素であればよい。
【００５５】
排気流路４３ｉは、２つのフランジ配管４３１ｉがフランジ接続されている構成に限らず、３つ以上のフランジ配管がフランジ接続された構成とし得る。この場合、各フランジ接続部に不活性ガスで満たされたガス充填部で覆われていればよい。排気部４０は、排気流路４３２を備えない形態とすることもできる。例えば、排気ポンプ４１に排気ガス処理装置４２の機能が付帯している場合には、排気部４０は、排気流路４３２を備えなくてもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１…成膜装置、１０…成膜炉、４０…排気部、４１…排気ポンプ、４３ａｉ（ｉは１又は２、以下、同様）…フランジ接続部、４３ｉ…排気流路、４５ａｉ…ガス供給口、４５ｂｉ…ガス排気口、４５ｉ…ガス充填部（中空体）、４９ｉ…圧力計、５０ｉ…警報機、５１…ガス量調整部、４３１ｉ，４３２ｉ…フランジ配管、４３１ｂｉ，４３２ｂｉ…フランジ部。
【図１】
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【図２】
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