(57)【要約】【課題】簡易に開口パターンの変更が可能なステンシルマスクを提供することを目的とする。【解決手段】本発明のステンシルマスクは、少なくとも１偏向領域単位に相当するステンシルパターンを有するステンシルコンポーネントを、保持貫通孔を設けたマスクガイドに保持する。このため、開口パターンの変更を行う場合、ステンシルコンポーネント毎に差し替えを行うことが出来る。ステンシルコンポーネントにおいて、ステンシルパターンが形成されたメンブレンは支持基板により支持されている。このため、パターンの変更において、メンブレン自体が破損したり、撓んだり、することを抑制できる。【選択図】図１
2013205467.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１偏向領域単位に相当するステンシルパターンを複数有するステンシルマスクであって、
前記ステンシルパターンのうち少なくとも一つ以上のステンシルパターンを有するメンブレン層と、前記メンブレン層を支持する支持基体と、を備えたステンシルコンポーネントと、
前記ステンシルコンポーネントを保持する保持貫通孔を設けたマスクガイドと、を備え、
前記保持貫通孔の内壁に前記支持基体が接することにより、前記マスクガイドは前記ステンシルコンポーネントを保持していること
を特徴とするステンシルマスク。
【請求項２】
前記マスクガイドは、保持貫通孔を複数設けたマスクガイドであり、
前記ステンシルコンポーネントを複数保持していること
を特徴とする請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項３】
前記ステンシルコンポーネントの上面からみた形状は、円形状であること
を特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のステンシルマスク。
【請求項４】
前記マスクガイドは、前記ステンシルパターンのうち少なくとも一つ以上のステンシルパターンを有するマスクガイドメンブレン層を有するマスクガイドであること
を特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のステンシルマスク。
【請求項５】
前記ステンシルコンポーネントを交換することで、開口部の形状を変更することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のステンシルマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子線等の荷電粒子線露光に用いられるステンシルマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ステンシルマスクを用いた荷電粒子線露光が行われている。荷電粒子線露光は、開口パターンを有するステンシルマスクに荷電粒子線を照射し、ステンシルマスクの開口パターンを通過した荷電粒子線を露光対象に照射するリソグラフィ法である。ここで、荷電粒子線として、電子線、イオン粒子線、などが挙げられる。
【０００３】
例えば、電子線を用いた電子線リソグラフィは、半導体製造プロセスにおいて、試作開発や準量産のデバイスために使われている。電子線リソグラフィは、口径を数１０μｍ〜１０ｎｍ程度の範囲に絞った電子ビームを用いて露光を行う。半導体製造プロセスにおいて、特に、線幅２２ｎｍノード以降の先端リソグラフィでは、ＥＵＶやＡｒＦ液浸、ダブル露光といった方式ではマスクや露光装置の高騰が顕著になる。このため、線幅２２ｎｍノード以降の先端リソグラフィにおいて、電子線リソグラフィの適用が期待されている。
【０００４】
荷電粒子線露光では、荷電粒子ビームにより回路パターンの露光を行うため、フォトマスクによるフォトリソグラフィに比べてスループットが低い。そこで、スループット向上のために、回路パターンでよく使われる図形を抽出し、抽出したパターンを開口パターンとして形成したステンシルマスクを用いた電子線リソグラフィ（部分一括露光法）が研究されている。
【０００５】
部分一括露光では、まず荷電粒子が成形用アパーチャを通過し、成形アパーチャで成形された荷電粒子ビームを偏向器により偏向し、偏向した荷電粒子ビームをステンシルマスクの開口パターンに照射し、開口パターンを通過した荷電粒子ビームを露光対象へ照射し、リソグラフィを行う。ここで、荷電粒子ビームが偏向器により偏向可能な領域、つまり、ステンシルマスクを固定させた状態において荷電粒子ビームが可動できるステンシルマスク上の領域を、「１偏向領域単位」という。
【０００６】
ステンシルマスクにおいて、一部のパターンを変更したい場合や、欠陥が認められた場合、該当パターンのみではなく、ステンシルマスク全体を再作製する必要があり、マスクコストの増大や、再作製にかかる時間が問題となる。このため、ステンシルマスクにおいて、開口パターンが形成された部位を交換可能とすることが提案されている。
【０００７】
例えば、「１偏向領域単位」内において、開口パターンが形成されたメンブレン単位を接着剤により複数集積し、メンブレン単位で差し替え可能とすることにより、ステンシルマスクのステンシルパターンを変更することが提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−４７６６４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、「１偏向領域単位」内においてメンブレン単位の差し替えによりステンシルパターンを変更する場合、（１）数μｍ〜数十μｍ程度の厚さが非常に薄いメンブレン単位は、破損や撓みが発生しやすく、取り扱いが困難である、（２）複数のメンブレン単位を差し替えする必要がある場合、一度に複数のメンブレン単位を脱離するとステンシルマスク全体の強度が低下しステンシルマスク全体が破壊されることから、メンブレン単位を個別に交換する必要がある、（３）４０μｍ×４０μｍ程度のメンブレン単位を個別に精度よく再配置し、変更したメンブレン単位毎に、偏向器を用いて粒子線ビームの位置制御を行うのは困難である、（４）接着剤による複数集積では、接着剤を用いた部位で熱や電子が滞留することから、熱拡散性、導電性に劣り、精度よく電子線露光を行うことが出来ない、などの問題がある。
【００１０】
そこで、本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、簡易に開口パターンの変更が可能なステンシルマスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施形態は、１偏向領域単位に相当するステンシルパターンを複数有するステンシルマスクであって、前記ステンシルパターンのうち少なくとも一つ以上のステンシルパターンを有するメンブレン層と、前記メンブレン層を支持する支持基体と、を備えたステンシルコンポーネントと、前記ステンシルコンポーネントを保持する保持貫通孔を設けたマスクガイドと、を備え、前記保持貫通孔の内壁に前記支持基体が接することにより、前記マスクガイドは前記ステンシルコンポーネントを保持していることを特徴とするステンシルマスクである。
【００１２】
また、前記マスクガイドは、保持貫通孔を複数設けたマスクガイドであり、前記ステンシルコンポーネントを複数保持していてもよい。
【００１３】
また、前記ステンシルコンポーネントの上面からみた形状は、円形状であってもよい。
【００１４】
また、前記マスクガイドは、前記ステンシルパターンのうち少なくとも一つ以上のステンシルパターンを有するマスクガイドメンブレン層を有するマスクガイドであってもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のステンシルマスクは、少なくとも１偏向領域単位に相当するステンシルパターンを有するステンシルコンポーネントを、保持貫通孔を設けたマスクガイドに保持する。このため、開口パターンの変更を行う場合、ステンシルコンポーネント毎に差し替えを行うことが出来る。ステンシルコンポーネントにおいて、ステンシルパターンが形成されたメンブレン層は支持基体により支持されている。このため、パターンの変更において、メンブレン層自体が破損したり、撓んだり、することを抑制できる。また、パターンの変更にあってメンブレン層自体が破損することを抑制できる。また、１偏向領域単位の領域を超えて露光を行う場合、物理的にマスクガイドを移動させ、１偏向領域単位間での位置あわせを行う。このため、ステンシルコンポーネントを差し替えたとしても、１偏向領域単位内の偏向器を用いた粒子線ビームの位置制御は、パターン変更の影響を受けない。また、露光時にメンブレンに懸かる熱・帯電などの負荷を支持基体および支持基体と接するマスクガイドへ分散することが出来る。以上より、本発明のステンシルマスクは、簡易に開口パターンの変更を行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明のステンシルマスクの一例を示す概略図である。
【図２】本発明のステンシルマスクの一例を示す概略図である。
【図３】本発明のステンシルマスクの一例を示す概略図である。
【図４】本発明のステンシルマスクの一例を示す概略図である。
【図５】本発明のステンシルマスクに係るマスクガイドの保持貫通孔の断面形状の一例を示す。
【図６】本発明のステンシルマスクの一例を示す概略図である。
【図７】本発明のステンシルマスクに係るステンシルコンポーネントの製造方法の一例を示す概略図である。
【図８】本発明のステンシルマスクに係るマスクガイドの製造方法の一例を示す概略図である。
【図９】本発明のステンシルマスクに係るマスクガイドの製造方法の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明のステンシルマスクについて説明を行う。
【００１８】
本発明のステンシルマスクは、１偏向領域単位に相当するステンシルパターンを複数有するステンシルマスクである。ここで、「１偏向領域単位」とは、荷電粒子ビームが偏向器により偏向可能な領域、つまり、ステンシルマスクを固定させた状態において荷電粒子ビームが可動できるステンシルマスク上の領域、をいう。１偏向領域単位の領域を超えて露光を行う場合、物理的にマスクガイドを移動させ、１偏向領域単位間での位置あわせを行う。例えば、電子線リソグラフィに用いる一般的な電子線露光機では、「１偏向領域単位」は、直径１ｍｍ以上５０ｍｍ以下程度の略円形状である。
【００１９】
また、本発明のステンシルマスクは、前記ステンシルパターンのうち少なくとも一つ以上のステンシルパターンを有するメンブレン層と、前記メンブレン層を支持する支持基体と、を備えたステンシルコンポーネントと、前記ステンシルコンポーネントを保持する保持貫通孔を設けたマスクガイドと、を備え、前記保持貫通孔の内壁に前記支持基体が接することにより、前記マスクガイドは前記ステンシルコンポーネントを保持している。
【００２０】
図１に、本発明のステンシルマスク１の一例を示す。図１（ａ）は、ステンシルマスク１の上面図である。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す破線Ａ−Ａにおける線断面図である。図１（ａ）に示すように、ステンシルコンポーネント１０を上面から観察するとメンブレン層１１の領域内にステンシルパターン１２が形成されている。また、図１（ｂ）示すように、メンブレン層１１は支持基体１３に支持され、マスクガイド２０の保持貫通孔２１にステンシルコンポーネント１０が保持される構成となっている。
【００２１】
＜ステンシルコンポーネント＞
ステンシルコンポーネントは、「１偏向領域単位」に相当するステンシルパターンのうち少なくとも一つ以上のステンシルパターンを有するメンブレン層と、前記メンブレン層を支持する支持基体と、を備える。
【００２２】
メンブレン層は、開口パターンであるステンシルパターンが形成される層である。ステンシルパターンは露光対象物に形成するパターンに応じて適宜設計してよい。
【００２３】
メンブレン層の材料は、（１）開口パターンを保持する膜強度、（２）開口パターンを形成する加工性、などの観点から、適宜公知の材料から選択してよい。例えば、シリコン薄膜、を用いてもよい。
【００２４】
メンブレン層の厚さは、電子線の遮蔽・散乱に必要な０．５μｍ以上１００μｍ以下程度の範囲内にあることが好ましい。ただし、本発明のステンシルマスクにおいて、ステンシルコンポーネントのメンブレン層の厚みは上記範囲に限定されるものではない。
【００２５】
ステンシルパターンは、所望するパターンに対応するように設計された開口パターンである。また、一つのステンシルパターンは「１偏向領域単位」に相当する領域内に形成される。例えば、電子線リソグラフィにおいて、「１偏向領域単位」は、略円形状であるため、ステンシルパターンの上面から見た外縁形状は略円形状であることが好ましい。
【００２６】
支持基体は、メンブレン層を支持するために設けられる。また、支持基体はメンブレン層のステンシルパターンが形成された領域を露出するにように開口部が形成されている。また、支持基体はメンブレン層と接していることから、メンブレン層からの熱・帯電などの負荷を分散させることが出来る。
【００２７】
支持基体の材料は、（１）メンブレン層を支える機械強度、（２）露光時に負荷される熱・帯電に対する適性、などに応じて、適宜選択して良い。例えば、シリコン、石英、ガラス、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、などを用いてもよい。
【００２８】
また、一つのメンブレン層に、「１偏向領域単位」に相当するステンシルパターンを複数形成してもよい。複数の「１偏向領域単位」に相当するステンシルパターンを一つのメンブレン層に形成することにより、パターン形成に必要な交換すべきステンシルコンポーネントの数量を抑制できる。
【００２９】
図２に、一つのメンブレン層に、「１偏向領域単位」に相当するステンシルパターンを複数形成した本発明のステンシルマスクの一例を示す。図２（ａ）は、ステンシルマスク１の上面図である。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す破線Ｂ−Ｂにおける線断面図である。図２（ａ）に示すように、ステンシルコンポーネント１０を上面から観察すると一つのステンシルコンポーネント１０においてステンシルパターン１２が二箇所形成されている。また、図２（ｂ）示すように、メンブレン層１１は支持基体１３に支持され、マスクガイド２０の保持貫通孔２１にステンシルコンポーネント１０が保持される構成となっている。
【００３０】
また、前記ステンシルコンポーネントの上面からみた形状は、円形状であることが好ましい。ここで、「円形状」とは、略円形状のことであり、楕円、ひょうたん型、など曲線で囲われた形状全般のことをいう。円形状とすることにより、ステンシルコンポーネントの外縁からステンシルパターンの外縁までの距離を一つのステンシルコンポーネント内で等しくすることが出来る。これにより、ステンシルパターンの形成されていないメンブレン層の領域を小さくすることが出来、メンブレン層全体の強度を補強することが出来る。また、ステンシルコンポーネントを複数配置する場合、円形状とすることにより、好適に一定面積内に最密配置を行うことが出来る。このため、少ない面積で多数のステンシルパターンを配置することが出来る。
【００３１】
図３に、上面から見て円形状のステンシルコンポーネントを用いた本発明のステンシルマスク１の一例を示す。図３に示すように、ステンシルコンポーネント１０を上面から観察するとメンブレン層１１の領域内にステンシルパターン１２が形成されている。このとき、メンブレン層１１の領域を上面から観察すると円形状であり、ステンシルパターン１２の外縁形状もメンブレン層１１の領域と略相似の円形状である。また、図３に示すステンシルマスク１では、ひとつのマスクガイド２０に二つのステンシルコンポーネント１０を保持している。
【００３２】
図４に、ステンシルコンポーネントの上面形状は円形状であり、ステンシルコンポーネントが最密配置で配置された、本発明のステンシルマスクの一例を示す。図４に示すように、ステンシルコンポーネント１０を上面から観察するとメンブレン層１１の領域内にステンシルパターン１２が形成されている。このとき、メンブレン層１１の領域を上面から観察すると円形状であり、ステンシルパターン１２の外縁形状もメンブレン層１１の領域と略相似の円形状である。また、図４に示すステンシルマスク１では、ひとつのマスクガイド２０に２行２列の計四つのステンシルコンポーネント１０を保持しており、それぞれのステンシルコンポーネント１０は最密配置で配置されている。
【００３３】
また、ステンシルコンポーネントはＳＯＩ基板（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ基体）を用いて製造されることが好ましい。ＳＯＩ基板は、上部シリコン層／中間酸化膜／下部シリコン層の３層よりなる基板であり、上部シリコン層をメンブレン層、下部シリコン層を支持基体として利用できる。また、ＳＯＩ基板の中間酸化膜は、エッチング停止層として活用できることから、エッチングを用いて好適にメンブレン層および支持基体の加工を行うことが出来る。
【００３４】
＜マスクガイド＞
マスクガイドは、ステンシルコンポーネントを保持する保持貫通孔を設けている。
【００３５】
保持貫通孔は、マスクガイドの厚み方向に貫通する穴である。保持貫通孔は、保持貫通孔の内径の少なくとも一部に前記ステンシルコンポーネントの外径より小さい部位を有しており、前記保持貫通孔の内壁に前記支持基体が接することによりステンシルマスクコンポーネントを保持することが出来る。
【００３６】
図５に、本発明のステンシルマスクにおけるマスクガイドの保持貫通孔の一例を示す。  図５（ａ）は、ステンシルコンポーネントのパターン面の高さがマスクガイドの上端より高い位置で保持するように内壁が迫り出している保持貫通孔の一例である。
図５（ｂ）は、ステンシルコンポーネントのパターン面の高さがマスクガイドの上端より低い位置で保持するように内壁が迫り出している保持貫通孔の一例である。
図５（ｃ）は、ステンシルコンポーネントの支持基体の幅よりマスクガイドの内壁が迫り出した幅が大きい保持貫通孔の一例である。このとき、強度向上やステンシルコンポーネントとマスクガイドとの良好な導通が期待できる。
図５（ｄ）は、ステンシルコンポーネントの支持基体の幅よりマスクガイドの内壁が迫り出した幅が小さい保持貫通孔の一例である。このとき、軽量化やステンシルパターンの形成領域の拡大が期待できる。
図５（ｅ）は、ステンシルコンポーネントの支持基体側を上面としてマスクガイドに保持する保持貫通孔の一例である。
図５（ｆ）は、ステンシルコンポーネントの支持基体の外壁側とマスクガイドの内壁側にテーパー形状を形成し、両者を保持する保持貫通孔の一例である。
【００３７】
また、保持貫通孔の内壁に前記支持基体を接触させるにあたり、保持貫通孔と支持基体との間に固定補助を設けても良い。固定補助を設けることにより、ステンシルコンポーネントとマスクガイドとの導通を確かなものとし、物理的な位置ずれを抑制することが出来る、固定補助としては、例えば、（１）導電性ペーストやテープを用いて固定させる、（２）ステンシルコンポーネントおよびマスクガイドに凹部を設けピンを差込み固定させる、など方法を用いてよい。
【００３８】
保持貫通孔の穴深さは、支持するステンシルコンポーネントに応じて適宜設計し、決定してよい。例えば、１００μｍ以上１０００μｍ以下程度の穴深さであってもよい。ただし、本発明のステンシルマスクの保持貫通孔の穴深さは上記範囲に限定されるものではない。
【００３９】
マスクガイドに用いる材料は、（１）ステンシルコンポーネントを支える機械強度、（２）露光時に負荷される熱・帯電に対する適性、などに応じて、適宜選択して良い。例えば、シリコン、石英、ガラス、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、などを用いてもよい。
【００４０】
また、マスクガイドに用いる材料は、ステンシルコンポーネントに用いる材料と同等であることが好ましい。ここで、「同等」とは、両者の構成材料の成分において８０％以上同質の材料が含まれることをいう。同等の材料を両者に用いることにより、（１）熱容量が近しくなり、熱膨張差による歪みを抑制することが出来る、（２）両者とも同等の洗浄方法を用いることが出来、繰り返し使用した場合でも装置や露光対象物を汚染する可能性を減らすことが出来る。（３）露光によりマスクガイドおよびステンシルコンポーネントの材料が極少量飛散したとき、多成分に汚染されることを抑制できる、などの効果を期待することが出来る。
【００４１】
また、前記マスクガイドは、保持貫通孔を複数設けたマスクガイドであり、前記マスクコンポーネントを複数保持していてもよい。これにより、「偏向領域単位」でマスクコンポーネントを差し替え可能とすることが出来る。例えば、使用頻度の高いパターンを含む領域、すなわち、コンタミ付着の可能性の高い領域を交換可能としておけば、該当部分を交換するだけで、再びステンシルマスクとして使用でき、交換頻度の低減、マスクコストの削減が可能となる。
【００４２】
また、マスクガイドは、ステンシルパターンのうち少なくとも一つ以上のステンシルパターンを有するマスクガイドメンブレン層を有するマスクガイドであることが好ましい。例えば、マスクガイドメンブレン層に形成するステンシルパターンを、調整パターンのようなどのようなパターンでも共通のパターンとすることにより、一つのマスクガイドを用いて、多数の露光パターンに対応することが出来る。
【００４３】
図６に、マスクガイドメンブレン層を有するマスクガイドを用いた本発明のステンシルマスク１の一例を示す。図６（ａ）は、ステンシルマスク１の上面図である。また、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す破線Ｃ−Ｃにおける線断面図である。図６（ａ）に示すように、マスクガイド２０に一つのステンシルコンポーネント１０が保持されている。また、ステンシルマスク１は２つのステンシルパターン１２を有しており、ステンシルコンポーネント１０のメンブレン層１１の領域内にステンシルパターン１２が一つ形成され、マスクガイド２０のマスクガイドメンブレン層２２の領域内にステンシルパターン１２が一つ形成されている。また、図６（ｂ）示すように、メンブレン層１１は支持基体１３に支持され、マスクガイド２０の保持貫通孔２１にステンシルコンポーネント１０が保持される構成となっている。このとき、マスクガイドメンブレン層２２に相当する領域では、マスクガイド２０にマスクガイド開口部２３が形成されている。
【００４４】
マスクガイドおよびステンシルコンポーネントの加工は適宜公知の加工方法を用いてよい。例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、イオンビームエッチング、超音波加工、切削機械加工、などを用いてよい。ドライエッチングでは、例えば、ＲＩＥ、マグネトロンＲＩＥ、ＥＣＲ、ＩＣＰ、ＮＬＤ、マイクロ波、ヘリコン波、などの放電方式を用いたドライエッチング装置を用いてもよい。また、ウェットエッチングでは、例えば、熱アルカリ溶液、などを用いてもよい。また、エッチング加工法において用いるエッチングマスクは選択した材料・エッチング法に応じて適宜選択してよい。例えば、エッチングマスクとして、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ニッケル膜、を用いてもよい。
【実施例】
【００４５】
＜実施例１＞
本発明のステンシルマスクを製造した。以下、図７〜図８を用いながら、具体的に説明を行う。
【００４６】
（ステンシルコンポーネントの作製）
まず、メンブレン層１１／エッチング停止層１４／支持基体１３の三層が積層された積層基板を用意した（図７（ａ））。
このとき、積層基板は、上部シリコン層：厚み１０μｍ／中間酸化膜：厚み０．４μｍ／下部シリコン層：厚み５２５μｍの３層よりなるＳＯＩ基板とした。
【００４７】
次に、メンブレン層１１上にレジストを塗布し、該レジストにリソグラフィを行い、レジストパターン３１を形成した（図７（ｂ））。
このとき、リソグラフィとして電子線リソグラフィを用いた。また、レジストは、ＰＭＭＡの電子線感応ポジレジストを用いた。また、レジストの塗布厚みは、１μｍとした。
【００４８】
次に、レジストパターン３１をエッチングマスクとしてメンブレン層１１をドライエッチングし、メンブレン層にステンシルパターン１２を形成し、残存したレジストを除去した（図７（ｃ））。
このとき、残存したレジストの除去には、酸素プラズマアッシングを用いた。
【００４９】
次に、支持基体１３にレジストを塗布し、該レジストにリソグラフィを行い、開口レジストパターン３２を形成した（図７（ｄ））。
このとき、リソグラフィとしてフォトリソグラフィを用いた。また、レジストは、フォトレジストを用いた。また、レジストの塗布厚みは、５０μｍとした。また、レジストの塗布方法には、スプレーコートを用いた。
【００５０】
次に、開口レジストパターン３２をエッチングマスクとして支持基体１３をドライエッチングし、支持基体１３に基体開口部３３を形成し、残存した開口レジストパターン３２を除去した（図７（ｅ））。
このとき、ドライエッチングには、フロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いた。また、ドライエッチングにおいて、ＳＯＩ基板の中間酸化膜はエッチング停止層として機能した。また、残存したレジストの除去には、酸素プラズマアッシングを用いた。
【００５１】
次に、基体開口部３３により露出したエッチング停止層１４をウェットエッチングにより除去した。このとき、ウェットエッチングには、５％フッ化水素酸溶液を用いた。
【００５２】
次に、洗浄を行った。このとき、洗浄処理として、アンモニア：過酸化水素水：純水の比を１：１：５に混合し、７０度に過熱したアンモニア過水に１０分間浸漬し、純水オーバーフローのリンスを行い、希フッ酸処理および再度オーバーフロー処理を行い、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）ベーパ乾燥を行った。
【００５３】
以上より、ステンシルコンポーネント１０を作製した（図７（ｆ））。
このとき、メンブレン層１１の厚みは１０μｍであった。また、支持基体１３の厚みは５２５μｍであった。
【００５４】
（マスクホルダの作製）
まず、保持層４１／エッチング停止層１４／マスクガイド基体４２の三層が積層された積層基板を用意した（図８（ａ））。
このとき、積層基板は、上部シリコン層：厚み２００μｍ／中間酸化膜：厚み０．５μｍ／下部シリコン層：厚み５２５μｍの３層よりなるＳＯＩ基板とした。
【００５５】
次に、マスクガイド基体４２上にレジストを塗布し、該レジストにリソグラフィを行い、上部開口レジストパターン４３を形成した（図８（ｂ））。
このとき、リソグラフィとしてフォトリソグラフィを用いた。また、レジストは、フォトレジストを用いた。また、レジストの塗布厚みは、５０μｍとした。また、レジストの塗布方法には、スプレーコートを用いた。また、上部開口レジストパターン４３において開口径は２０ｍｍとした。
【００５６】
次に、上部開口レジストパターン４３をエッチングマスクとしてマスクガイド基体４２をドライエッチングし、マスクガイド基体４２に上部開口４４を形成し、残存した上部開口レジストパターン４３を除去した（図８（ｃ））。
このとき、ドライエッチングには、フロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いた。また、ドライエッチングにおいて、ＳＯＩ基板の中間酸化膜はエッチング停止層として機能した。また、残存したレジストの除去には、酸素プラズマアッシングを用いた。
【００５７】
次に、保持層４１側に上にレジストを塗布し、該レジストにリソグラフィを行い、下部開口レジストパターン４５を形成した（図８（ｄ））。
このとき、リソグラフィとしてフォトリソグラフィを用いた。また、レジストは、フォトレジストを用いた。また、レジストの塗布厚みは、２０μｍとした。また、レジストの塗布方法には、スプレーコートを用いた。また、下部開口パターン４５において開口径は１８ｍｍとした。
【００５８】
次に、下部開口レジストパターン４５をエッチングマスクとして保持層４１をドライエッチングし、保持層４１に下部開口４６を形成し、残存した下部開口レジストパターン４５を除去した（図８（ｅ））。
このとき、ドライエッチングには、フロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いた。また、ドライエッチングにおいて、ＳＯＩ基板の中間酸化膜はエッチング停止層として機能した。また、残存したレジストの除去には、酸素プラズマアッシングを用いた。
【００５９】
次に、上部開口４４により露出したエッチング停止層をウェットエッチングにより除去し、上部開口４４および下部開口４６を連結し保持貫通孔２１を形成した。このとき、ウェットエッチングには、５％フッ化水素酸溶液を用いた。
【００６０】
次に、洗浄を行った。このとき、洗浄処理として、アンモニア：過酸化水素水：純水の比を１：１：５に混合し、７０度に過熱したアンモニア過水に１０分間浸漬し、純水オーバーフローのリンスを行い、希フッ酸処理および再度オーバーフロー処理を行い、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）ベーパ乾燥を行った。
【００６１】
以上より、マスクガイド２０を作製した（図８（ｆ））。このとき、保持貫通孔２１内において保持層４１は内壁側へ２ｍｍ迫り出していた。
【００６２】
（ステンシルコンポーネントとマスクホルダとの一体化）
上述の作製されたマスクホルダ２０の保持貫通孔２１内にステンシルコンポーネント１０を保持し、本発明のステンシルマスクとした。このとき、ステンシルコンポーネント１０の外壁と保持貫通孔２１の内壁との間には導電ペーストを塗布した。また、メンブレン層側が上面に配置されるように、ステンシルコンポーネント１０はマスクガイド２０に保持された。以上より、本発明のステンシルマスクを製造することが出来た。
【００６３】
＜実施例２＞
実施例１と同様に本発明のステンシルマスクを製造した。ただし、用いるマスクホルダは、マスクガイドメンブレン層を有するマスクガイドとした。以下、図９を用いながら、マスクガイドメンブレン層を有するマスクガイドの作製について説明を行う。
【００６４】
（マスクホルダの作製）
まず、マスクガイドメンブレン層５１／第一エッチング停止層５２／支持基体１３／第二エッチング停止層５３／保持層４１が上面からこの順で積層された積層基板を用意した。
【００６５】
次に、マスクガイドメンブレン層５１上にレジストを塗布し、該レジストにリソグラフィを行い、レジストパターン３１を形成した（図９（ａ））。
このとき、リソグラフィとして電子線リソグラフィを用いた。
【００６６】
次に、レジストパターン３１をエッチングマスクとしてマスクガイドメンブレン層５１をドライエッチングし、マスクガイドメンブレン層５１にステンシルパターン１２を形成し、残存したレジストを除去した。このとき、ドライエッチングでは、第一エッチング停止層５２で停止するエッチングを用いた。
【００６７】
次に、マスクガイドメンブレン層５１上にレジストを塗布し、該レジストにリソグラフィを行い、上部開口レジストパターン４３を形成した（図９（ｂ））。
このとき、リソグラフィとしてフォトリソグラフィを用いた。また、レジストは、フォトレジストを用いた。また、上部開口レジストパターン４３において開口径は２０ｍｍとした。
【００６８】
次に、上部開口レジストパターン４３をエッチングマスクとしてマスクガイドメンブレン層５１、第一エッチング停止層５２および支持基体１３をドライエッチングし、マスクガイド基体に上部開口４４を形成し、残存したレジストを除去した。このとき、ドライエッチングでは、第一エッチング停止層５２をエッチング可能であり、第二エッチング停止層５３で停止するエッチングを用いた。
【００６９】
次に、保持層４１上にレジストを塗布し、該レジストにリソグラフィを行い、開口レジストパターン３２を形成した（図９（ｃ））。
このとき、リソグラフィとしてフォトリソグラフィを用いた。また、レジストは、フォトレジストを用いた。
【００７０】
次に、開口レジストパターン３２をエッチングマスクとして保持層４１、第二エッチング停止層５３および支持基体１３をドライエッチングし、基体開口部３３を形成し、残存したレジストを除去した。このとき、ドライエッチングでは、第二エッチング停止層５３をエッチング可能であり、第一エッチング停止層５２で停止するエッチングを用いた。
【００７１】
次に、保持層４１上にレジストを塗布し、該レジストにリソグラフィを行い、下部開口レジストパターン４５を形成した（図９（ｄ））。
このとき、リソグラフィとしてフォトリソグラフィを用いた。また、レジストは、フォトレジストを用いた。また、下部開口レジストパターン４５において開口径は１８ｍｍとした。
【００７２】
次に、下部開口レジストパターン４５をエッチングマスクとして保持層４１および第二エッチング停止層５３をドライエッチングし、保持貫通孔２１を形成した。
このとき、ドライエッチングでは、第二エッチング停止層をエッチング可能なエッチングを用いた。
【００７３】
以上より、マスクガイド２０を作製した（図９（ｅ））。
このとき、保持貫通孔内において保持層は内壁側へ２ｍｍ迫り出していた。また、マスクガイドメンブレン層にはステンシルパターンが形成された。
【００７４】
（ステンシルコンポーネントとマスクホルダとの一体化）
上述のマスクガイドメンブレン層を有するマスクホルダ２０の保持貫通孔２１内にステンシルコンポーネント１０を保持し、本発明のステンシルマスク１とした（図９（ｆ））。
このとき、ステンシルコンポーネント１０の外壁と保持貫通孔２１の内壁との間には導電ペーストを塗布した。また、メンブレン層側が上面に配置されるように、ステンシルコンポーネント１０はマスクガイド２０に保持された。
【符号の説明】
【００７５】
１……ステンシルマスク
１０……ステンシルコンポーネント
１１……メンブレン層
１２……ステンシルパターン
１３……支持基体
１４……エッチング停止層
２０……マスクガイド
２１……保持貫通孔
２２……マスクガイドメンブレン層
２３……マスクガイド開口部
３１……レジストパターン
３２……開口レジストパターン
３３……基体開口部
４１……保持層
４２……マスクガイド基体
４３……上部開口レジストパターン
４４……上部開口
４５……下部開口レジストパターン
４６……下部開口
５１……マスクガイドメンブレン層
５２……第一エッチング停止層
５３……第二エッチング停止層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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