(57)【要約】【課題】  高輝度化を図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供すること。【解決手段】  本発明のＬＥＤモジュール１０１は、ＬＥＤチップ２１０と、ＬＥＤチップ２１０が搭載された搭載面２２１ａを有するチップ支持体２２１と、を備え、チップ支持体２２１は、搭載面２２１ａから遠ざかるように突出し、かつＬＥＤチップ２１０を囲む突出部２２２を有する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤチップと、
上記ＬＥＤチップが搭載された搭載面を有するチップ支持体と、を備え、
上記チップ支持体は、上記搭載面から遠ざかるように突出し、かつ上記ＬＥＤチップを囲む突出部を有する、ＬＥＤモジュール。
【請求項２】
上記突出部における上記ＬＥＤチップ側の内側面は、上記搭載面の法線方向において上記搭載面から遠ざかるほど、上記法線方向に対して直角である方向において上記ＬＥＤチップから遠ざかるように傾斜する、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項３】
上記突出部における上記ＬＥＤチップ側の内側面は、Ｓｉよりも反射率が高い材質によって形成される、請求項１または２に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項４】
上記チップ支持体は、金属材料からなる、請求項３に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項５】
上記チップ支持体は、アルミニウムを含む、請求項４に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項６】
上記チップ支持体は、金属板にプレス加工を施すことにより形成される、請求項４または５に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項７】
上記突出部における上記ＬＥＤチップとは反対側の外側面の少なくとも一部を覆い、上記ＬＥＤチップからの光を透過しない不透明樹脂をさらに備える、請求項１ないし６のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
【請求項８】
上記不透明樹脂は、上記突出部の上記外側面のすべてを覆っている、請求項７に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項９】
上記不透明樹脂は、白色である、請求項７または８に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１０】
上記チップ支持体が実装される基板をさらに備える、請求項７ないし９のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１１】
上記基板に取り付けられており、かつ上記チップ支持体を囲む反射面を有するリフレクタと、
上記チップ支持体を覆い、かつ上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備える、請求項１０に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１２】
上記チップ支持体と上記封止樹脂との間に介在し、上記ＬＥＤチップを覆う透光樹脂をさらに備える、請求項１１に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１３】
上記封止樹脂と上記透光樹脂の少なくともいずれか一方は、上記ＬＥＤチップからの光によって励起されて上記ＬＥＤチップからの光とは異なる色の光を発する蛍光体材料を含んでいる、請求項１２に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１４】
上記透光樹脂は、上記蛍光体材料を含み、
上記封止樹脂は、上記蛍光体材料を含まない透明な樹脂からなる、請求項１３に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１５】
上記封止樹脂および上記透光樹脂は、互いの屈折率が異なる樹脂材料によって形成される、請求項１４に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１６】
上記透光樹脂の屈折率は、上記ＬＥＤチップを構成する材料の屈折率よりも小であり、上記封止樹脂の屈折率は、上記透光樹脂の屈折率よりも小である、請求項１５に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１７】
上記不透明樹脂は、上記基板と上記封止樹脂との間に介在し、上記チップ支持体から上記反射面にいたる領域のすべてを覆っている、請求項１１ないし１６のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１８】
上記不透明樹脂における上記封止樹脂との境界面は、上記チップ支持体の上記搭載面よりも上記基板から離間する位置にある、請求項１７に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１９】
一端が上記ＬＥＤチップに接合され、かつ他端が上記突出部の外側に位置する配線パターンに接合されており、上記突出部を跨ぐように設けられたワイヤをさらに備える、請求項１ないし１８のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
【請求項２０】
複数のＬＥＤチップと、
各々が上記ＬＥＤチップが搭載された搭載面を有する複数のチップ支持体と、
上記複数のチップ支持体が実装された基板と、
上記基板に取り付けられ、上記チップ支持体を囲む反射面を有するリフレクタと、
不透明樹脂と、を備え、
上記チップ支持体は、上記搭載面から遠ざかるように突出し、かつ上記ＬＥＤチップを囲む突出部を有し、上記突出部における上記ＬＥＤチップとは反対側の外側面の少なくとも一部は、上記不透明樹脂に覆われている、ＬＥＤモジュール。
【請求項２１】
上記不透明樹脂は、上記チップ支持体から上記反射面にいたる領域のすべてを覆っている、請求項２０に記載のＬＥＤモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤチップを備えたＬＥＤモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１７は、従来のＬＥＤモジュールの一例を示している（たとえば、特許文献１参照）。同図に示されたＬＥＤモジュール９００は、基板９０１にＬＥＤチップ９０２が搭載されている。ＬＥＤチップ９０２は、Ｓｉからなるサブマウント基板９０３に搭載され、このサブマウント基板９０３が基板９０１に実装されている。ＬＥＤチップ９０２は、サブマウント基板９０３を介して基板９０１に導通している。ＬＥＤチップ９０２は、枠状のリフレクタ９０４によって囲まれている。リフレクタ９０４によって囲まれた空間には、封止樹脂９０５が充填されている。
【０００３】
しかしながら、サブマウント基板９０３の材質であるＳｉは、ＬＥＤチップ９０２から発せられるたとえば青色光を吸収しやすい。このため、ＬＥＤチップ９０２から発せられた光のうち、サブマウント基板９０３へと進行した光は、サブマウント基板９０３に吸収されてしまう。したがって、ＬＥＤモジュール９００の高輝度化が妨げられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１１９７４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、高輝度化を図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の側面によって提供されるＬＥＤモジュールは、ＬＥＤチップと、上記ＬＥＤチップが搭載された搭載面を有するチップ支持体と、を備え、上記チップ支持体は、上記搭載面から遠ざかるように突出し、かつ上記ＬＥＤチップを囲む突出部を有する。
【０００７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記突出部における上記ＬＥＤチップ側の内側面は、上記搭載面の法線方向において上記搭載面から遠ざかるほど、上記法線方向に対して直角である方向において上記ＬＥＤチップから遠ざかるように傾斜する。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記突出部における上記ＬＥＤチップ側の内側面は、Ｓｉよりも反射率が高い材質によって形成される。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体は、金属材料からなる。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体は、アルミニウムを含む。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体は、金属板にプレス加工を施すことにより形成される。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記突出部における上記ＬＥＤチップとは反対側の外側面の少なくとも一部を覆い、上記ＬＥＤチップからの光を透過しない不透明樹脂をさらに備える。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、上記突出部の上記外側面のすべてを覆っている。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、白色である。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体が実装される基板をさらに備える。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板に取り付けられており、かつ上記チップ支持体を囲む反射面を有するリフレクタと、上記チップ支持体を覆い、かつ上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備える。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体と上記封止樹脂との間に介在し、上記ＬＥＤチップを覆う透光樹脂をさらに備える。
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記封止樹脂と上記透光樹脂の少なくともいずれか一方は、上記ＬＥＤチップからの光によって励起されて上記ＬＥＤチップからの光とは異なる色の光を発する蛍光体材料を含んでいる。
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記透光樹脂は、上記蛍光体材料を含み、上記封止樹脂は、上記蛍光体材料を含まない透明な樹脂からなる。
【００２０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記封止樹脂および上記透光樹脂は、互いの屈折率が異なる樹脂材料によって形成される。
【００２１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記透光樹脂の屈折率は、上記ＬＥＤチップを構成する材料の屈折率よりも小であり、上記封止樹脂の屈折率は、上記透光樹脂の屈折率よりも小である。
【００２２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、上記基板と上記封止樹脂との間に介在し、上記チップ支持体から上記反射面にいたる領域のすべてを覆っている。
【００２３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂における上記封止樹脂との境界面は、上記チップ支持体の上記搭載面よりも上記基板から離間する位置にある。
【００２４】
本発明の好ましい実施の形態においては、一端が上記ＬＥＤチップに接合され、かつ他端が上記突出部の外側に位置する配線パターンに接合されており、上記突出部を跨ぐように設けられたワイヤをさらに備える。
【００２５】
本発明の第２の側面によって提供されるＬＥＤモジュールは、複数のＬＥＤチップと、各々が上記ＬＥＤチップが搭載された搭載面を有する複数のチップ支持体と、上記複数のチップ支持体が実装された基板と、上記基板に取り付けられ、上記チップ支持体を囲む反射面を有するリフレクタと、不透明樹脂と、を備え、上記チップ支持体は、上記搭載面から遠ざかるように突出し、かつ上記ＬＥＤチップを囲む突出部を有し、上記突出部における上記ＬＥＤチップとは反対側の外側面の少なくとも一部は、上記不透明樹脂に覆われている。
【００２６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、上記チップ支持体から上記反射面にいたる領域のすべてを覆っている。
【００２７】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す斜視図である。
【図２】図１のＬＥＤモジュールを示す平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【図５】図１のＬＥＤモジュールを示す要部拡大断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す平面図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図８】図６のＬＥＤモジュールを示す要部拡大断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図１１】図９のＬＥＤモジュールを示す要部拡大断面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す斜視図である。
【図１３】図１２のＬＥＤモジュールを示す平面図である。
【図１４】図１２のＬＥＤモジュールを示す要部拡大平面図である。
【図１５】図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。
【図１６】図１２のＬＥＤモジュールを示す要部拡大断面図である。
【図１７】従来のＬＥＤモジュールの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００３０】
図１〜図５は、本発明の第１実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０１は、基板３００、ＬＥＤチップ２１０、ＬＥＤチップ２１０が搭載されたチップ支持体２２０、２つのワイヤ４００、透光樹脂５００、リフレクタ６００、白色樹脂７００、および封止樹脂８００を備えている。なお、理解の便宜上、図１および図２においては、透光樹脂５００および封止樹脂８００を省略している。
【００３１】
基板３００は、基材３１０および基材３１０に形成された配線パターン３２０からなる。基材３１０は、矩形状であり、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。配線パターン３２０は、たとえばＣｕまたはＡｇなどの金属からなり、ボンディング部３２１，３２２、迂回部３２３，３２４、および実装端子３２５，３２６を有する。ボンディング部３２１，３２２は、基材３１０の上面に形成されている。迂回部３２３，３２４は、ボンディング部３２１，３２２につながっており、基材３１０の両側面に形成されている。実装端子３２５，３２６は、基材３１０の下面に形成されており、迂回部３２３，３２４につながっている。実装端子３２５，３２６は、ＬＥＤモジュール１０１をたとえば回路基板に実装するために用いられる。
【００３２】
ＬＥＤチップ２１０は、たとえばＧａＮからなるｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層が積層された半導体層を有する構造とされており、たとえば青色光を発する。チップ支持体２２０は、ＬＥＤチップ２１０が搭載される部材であり、たとえばアルミニウムを含む金属材料によって構成される。チップ支持体２２０は、平板部２２１と、平板部２２１の周縁に形成された突出部２２２とを有し、図３〜図５における平板部２２１の上面が、ＬＥＤチップ２１０が搭載される搭載面２２１ａとされている。突出部２２２は、搭載面２２１ａから遠ざかるように突出しており、ＬＥＤチップ２１０を囲っている。図５に示すように、突出部２２２におけるＬＥＤチップ２１０側の内側面２２２ａは、搭載面２２１ａの法線方向において搭載面２２１ａから遠ざかるほど、上記法線方向に対して直角である方向においてＬＥＤチップ２１０から遠ざかるように傾斜している。突出部２２２におけるＬＥＤチップ２１０とは反対側の外側面２２２ｂは、搭載面２２１ａの法線方向に沿って延びている。図２に示すように、突出部２２２の外側面２２２ｂは、平面視（搭載面２２１ａの法線方向視）において矩形状とされている。チップ支持体２２０は、たとえばアルミニウムあるいはアルミニウム合金からなる金属板にプレス加工を施すことによって形成される。
【００３３】
図５に示すように、ＬＥＤチップ２１０は、チップ支持体２２０の搭載面２２１ａに対して、たとえばシリコーン樹脂などの透明樹脂２４０を介して接合されている。チップ支持体２２０は、絶縁性ペースト２５０によって基板３００上に実装されている。ＬＥＤチップ２１０には、２つの電極（図示略）が形成されている。これらの電極には、２つのワイヤ４００それぞれの一端がボンディングされており、ＬＥＤチップ２１０は、いわゆる２ワイヤタイプとして構成されている。一方のワイヤ４００の他端は、ボンディング部３２１にボンディングされており、他方のワイヤ４００の他端は、ボンディング部３２２にボンディングされている。これにより、各ワイヤ４００は、突出部２２２を跨ぐように設けられている。
【００３４】
ＬＥＤチップ２１０およびチップ支持体２２０の寸法の一例を挙げると、チップ支持体２２０は、平面視において一辺が１ｍｍ程度の正方形状であり、平板部２２１の厚さが５０〜３００μｍ程度である。突出部２２２が搭載面２２１ａから上記法線方向に突出する長さは、３００μｍ程度とされる。ＬＥＤチップ２１０は、平面視において一辺が６１０μｍ程度の正方形状であり、厚さが１５０μｍ程度である。なお、ＬＥＤチップ２１０を構成するＧａＮの屈折率は、２．４程度である。
【００３５】
透光樹脂５００は、チップ支持体２２０と封止樹脂８００との間に介在している。透光樹脂５００は、ＬＥＤチップ２１０を覆っており、チップ支持体２２０（突出部２２２）の内側面２２２ａによって囲まれた空間を埋めている。透光樹脂５００は、たとえば透明なフェニルシリコーン樹脂に蛍光体材料が混入された材質からなる。この蛍光体材料は、たとえばＬＥＤチップ２１０から発せられる青色光によって励起されることにより黄色光を発する。これらの青色光と黄色光とを混色することにより、ＬＥＤモジュール１０１は、白色光を発する。なお、上記蛍光体材料としては、青色光によって励起されることにより赤色光を発するものと、緑色光を発するものを用いてもよい。なお、透光樹脂５００の屈折率は、１．５〜１．６程度である。
【００３６】
リフレクタ６００は、ＬＥＤチップ２１０からの光をより多く上記法線方向に進行させるためのものであり、たとえばポリブチレンテレフタレートなどの白色樹脂からなる。リフレクタ６００は、チップ支持体２２０を囲む枠状であり、このリフレクタ６００には反射面６１０が形成されている。反射面６１０は、チップ支持体２２０（ＬＥＤチップ２１０）を囲んでおり、チップ支持体２２０の４つの外側面２２２ｂにそれぞれ対応する４つの平面からなる。本実施形態においては、反射面６１０は、基板３００の厚さ方向において基板３００から離間するほど、基板３００の厚さ方向に対して直角である方向においてチップ支持体２２０（ＬＥＤチップ２１０）から遠ざかるように傾斜している。リフレクタ６００の寸法の一例を挙げると、平面視において反射面６１０によって囲まれた開口が１．９ｍｍ×３．９ｍｍ程度の長矩形状とされており、高さ方向（基板３００の厚さ方向と同じ方向）の寸法が１ｍｍ程度である。
【００３７】
白色樹脂７００は、ＬＥＤチップ２１０からの光を透過しない、白色を呈する樹脂材料からなり、本発明で言う不透明樹脂の一例に相当する。白色樹脂７００は、たとえばシリコーン樹脂に酸化チタン粒子が混入されたものである。白色樹脂７００は、突出部２２２（チップ支持体２２０）の外側面２２２ｂのすべてを覆っている。本実施形態ではまた、白色樹脂７００は、チップ支持体２２０からリフレクタ６００の反射面６１０にいたる領域のすべてを覆っている。図３〜図５に示すように、白色樹脂７００の表面（封止樹脂８００との境界面７０１）は、中間部が凹んだ形状である。境界面７０１は、チップ支持体２２０の搭載面２２１ａよりも基板３００から離間する位置にある。
【００３８】
封止樹脂８００は、チップ支持体２２０を覆っており、反射面６１０によって囲まれた空間を埋めている。封止樹脂８００は、たとえば透明なエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂からなる。封止樹脂８００には上記した蛍光体材料が混入されていない。なお、封止樹脂８００の屈折率は、１．４程度である。
【００３９】
ＬＥＤモジュール１０１の製造方法の一例を挙げる。まず、チップ支持体２２０にＬＥＤチップ２１０を接合する。次に、基板３００にチップ支持体２２０を搭載する。次いで、ＬＥＤチップ２１０にワイヤ４００をボンディングする。次いで、基板３００にリフレクタ６００を形成する。次いで、透光樹脂５００を形成する。次に、白色樹脂７００を形成する。白色樹脂７００の形成は、チップ支持体２２０の外側面２２２ｂとリフレクタ６００の反射面６１０との間に白色の液体樹脂材料を注入し、硬化させることにより行う。液体樹脂材料は、注入時には流動性に富み、表面張力によって上記法線方向に露出する表面の中間部が凹んだ形状となる。このようにして形成された白色樹脂７００は、突出部２２２との接触部分については突出部２２２の上端に到達しており、外側面２２２ｂのすべてを覆っている。一方、白色樹脂７００と反射面６１０との接触部分については反射面６１０の上端まで到達しておらず、白色樹脂７００は、反射面６１０を部分的に覆っている。そして、封止樹脂８００を形成することにより、ＬＥＤモジュール１０１が完成する。
【００４０】
次に、ＬＥＤモジュール１０１の作用について説明する。
【００４１】
本実施形態によれば、ＬＥＤチップ２１０からの光のうち、ＬＥＤチップ２１０の側方に向けて発せられた光は、このＬＥＤチップ２１０を囲む突出部２２２によって遮蔽される。突出部２２２は、アルミニウムを含む金属材料からなり、本実施形態では使用しないサブマウント基板の材質であるＳｉに比べて反射率が高い。このため、ＬＥＤチップ２１０からの光は、突出部２２２の内側面２２２ａによって好適に反射される。したがって、ＬＥＤチップ２１０から発せられた光のうち封止樹脂８００から出射される割合を高めることが可能であり、ＬＥＤモジュール１０１の高輝度化を図ることができる。
【００４２】
ＬＥＤチップ２１０は、チップ支持体２２０の搭載面２２１ａに搭載されており、このチップ支持体２２０は、ＬＥＤチップ２１０を囲む突出部２２２を有する。このような構成によれば、突出部２２２をＬＥＤチップ２１０に近付けることが可能であり、ＬＥＤチップ２１０からの光を、突出部２２２の内側面２２２ａによってより多く反射することができる。このことは、ＬＥＤモジュール１０１の高輝度化を図るうえで好ましい。
【００４３】
さらに、図５に示すように、突出部２２２の内側面２２２ａは、上方に向けて開くように傾斜している。このため、内側面２２２ａによって反射された光は、ＬＥＤモジュール１０１外へと出射されやすい。したがって、ＬＥＤモジュール１０１の高輝度化をより促進することができる。
【００４４】
突出部２２２を有するチップ支持体２２０は、アルミニウムを含んだ金属板にプレス加工を施すことにより、容易に形成することができる。また、ＬＥＤチップ２１０が熱伝導率に優れる金属製のチップ支持体２２０に搭載され、このチップ支持体２２０が基板３００に実装されている。これにより、ＬＥＤチップ２１０から基板３００側への放熱を高める効果が期待できる。
【００４５】
チップ支持体２２０と封止樹脂８００との間に介在する透光樹脂５００は、蛍光体材料を含んでおり、ＬＥＤチップ２１０を覆っている。一方、封止樹脂８００は、蛍光体材料を含まない透明な樹脂からなる。このように蛍光体材料を含まない封止樹脂８００を備えた構成によれば、蛍光体材料の使用量を削減することができる。このことは、ＬＥＤモジュール１０１の低コスト化に有利である。
【００４６】
ＬＥＤチップ２１０から発せられて進行する光は、蛍光体材料によって拡散される。蛍光体材料を含まない封止樹脂８００によれば、ＬＥＤチップ２１０からの光が拡散するのを抑制することができる。このことは、ＬＥＤモジュール１０１の高輝度化を図るうえで好ましい。
【００４７】
ＬＥＤチップ２１０を覆う透光樹脂５００の屈折率（１．５〜１．６程度）とＬＥＤチップ２１０を構成するＧａＮの屈折率（２．４程度）との差は、封止樹脂８００の屈折率（１．４程度）とＧａＮの屈折率との差よりも小さい。したがって、本実施形態のＬＥＤモジュール１０１によれば、ＬＥＤチップが封止樹脂によって直接覆われている場合に比べて、ＬＥＤチップ２１０の表面で反射されてＬＥＤチップ２１０内部に留まる光の割合が低下し、ＬＥＤチップ２１０から出射される光の割合が増大する。このことは、ＬＥＤモジュール１０１の高輝度化を図るうえで好ましい。
【００４８】
白色樹脂７００は、チップ支持体２２０からリフレクタ６００の反射面６１０にいたる領域のすべてを覆っている。このため、ＬＥＤチップ２１０からの光が基板３００などによって吸収されてしまうことを回避することが可能である。このことは、ＬＥＤモジュール１０１の高輝度化を図るうえで好ましい。
【００４９】
白色樹脂７００における封止樹脂８００との境界面７０１は、チップ支持体２２０の搭載面２２１ａよりも基板３００から離間する位置にある。このような構成によれば、チップ支持体２２０からリフレクタ６００の反射面６１０にいたる領域のすべてを白色樹脂７００によって適切に覆うことができる。
【００５０】
図６〜図１６は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【００５１】
図６〜図８は、本発明の第２実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０２は、ＬＥＤチップ２１０、透光樹脂５００、および封止樹脂８００の構成が上述したＬＥＤモジュール１０１と異なっている。
【００５２】
本実施形態においては、ＬＥＤチップ２１０には１つのワイヤ４００のみがボンディングされており、ＬＥＤチップ２１０は、いわゆる１ワイヤタイプとして構成されている。ＬＥＤチップ２１０の２つの電極（図示略）のうち、一方の電極は、チップ支持体２２０に搭載される面に設けられており、チップ支持体２２０の搭載面２２１ａに対して導電性ペースト２４１を介して接合されている。他方の電極は、チップ支持体２２０に搭載される面とは反対側の面に設けられている。上記他方の電極には、ワイヤ４００の一端がボンディングされている。ワイヤ４００の他端は、ボンディング部３２２にボンディングされている。チップ支持体２２０は、導電性ペースト２５１を介して基板３００上に実装されている。
【００５３】
本実施形態では、透光樹脂５００は蛍光体材料を含んでおらず、封止樹脂８００は蛍光体材料を含んでいる。
【００５４】
このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０２の高輝度化を図ることができる。
【００５５】
図９〜図１１は、本発明の第３実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０３は、チップ支持体２２０の構成が上述したＬＥＤモジュール１０１と異なっている。
【００５６】
本実施形態においては、チップ支持体２２０は、Ｓｉからなり、エッチングなどにより中央部分を所定の深さまで除去することにより、突出部２２２を有する形状とされている。図１１に示すように、平板部２２１の搭載面２２１ａ、ならびに突出部２２２の内側面２２２ａおよび先端面には、たとえばスパッタリングなどの手法によりアルミニウム膜２２３が形成されている。アルミニウム膜２２３としては、アルミニウム単体膜、あるいはアルミニウムと銅を含む複数種の金属からなる膜などを採用することができる。
【００５７】
本実施形態によれば、ＬＥＤチップ２１０からの光のうち、ＬＥＤチップ２１０の側方に向けて発せられた光は、このＬＥＤチップ２１０を囲む突出部２２２によって遮蔽される。突出部２２２（チップ支持体２２０）の材質であるＳｉは、比較的光を吸収しやすい。本実施形態では、突出部２２２の内側面２２２ａには、アルミニウム膜２２３が形成されている。アルミニウム膜２２３が形成された表面は、Ｓｉと比べて反射率が高いため、ＬＥＤチップ２１０からの光が反射される。したがって、このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０３の高輝度化を図ることができる。
【００５８】
また、Ｓｉからなる突出部２２２の外側面２２２ｂは、そのすべてが白色樹脂７００によって覆われている。このため、ＬＥＤチップ２１０からの光が外側面２２２ｂによって吸収されてしまうことを回避することが可能である。このことは、ＬＥＤモジュール１０３の高輝度化を図るうえで好ましい。
【００５９】
図１２〜図１６は、本発明の第４実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０４は、複数のＬＥＤチップ２１０を備えており、これにともなって基板３００、およびリフレクタ６００の構成が上述したＬＥＤモジュール１０１と異なっている。また、本実施形態のＬＥＤモジュール１０４は、上述の透光樹脂５００を備えていない。
【００６０】
図１２および図１３に示すように、本実施形態においては、基材３１０は、たとえばアルミナなどのセラミックスからなり、一定方向に長く延びたバー状とされている。基材３１０に形成された配線パターン３２０は、基材３１０の長手方向において交互に並ぶ複数ずつのボンディング部３２１，３２２と、基材３１０の端部に設けられた接続端子部（図示略）とを有する。基板３００の上面には、長手方向に所定の間隔を隔てて複数のチップ支持体２２０が実装されている。複数ずつのボンディング部３２１，３２２は、複数のＬＥＤチップ２１０に対応して配されている。隣り合うＬＥＤチップ２１０にそれぞれ対応した、対をなすボンディング部３２１，３２２は、互いにつながって電気的に導通している。各ＬＥＤチップ２１０の電極（図示略）に一端がボンディングされる２つのワイヤ４００のうち、一方のワイヤ４００の他端は、当該ＬＥＤチップ２１０に対応するボンディング部３２１にボンディングされており、他方のワイヤ４００の他端は、当該ＬＥＤチップ２１０に対応するボンディング部３２２にボンディングされている。このような構成により、複数のＬＥＤチップ２１０は、互いに直列に接続されている。
【００６１】
リフレクタ６００は、基板３００に対応して長く延びた形状とされている。リフレクタ６００には、複数のチップ支持体２２０の配置に対応するように互いに分離した複数の反射面６１０が形成されている。本実施形態では、封止樹脂８００は、蛍光体材料を含んでいる。このような構成のＬＥＤモジュール１０４は、たとえば、液晶表示装置のバックライト用光源装置として用いられる。
【００６２】
このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０４の高輝度化を図ることができる。
【００６３】
本発明に係るＬＥＤモジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るＬＥＤモジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【００６４】
１０１〜１０４  ＬＥＤモジュール
２１０    ＬＥＤチップ
２２０    チップ支持体
２２１    平板部
２２１ａ  搭載面
２２２    突出部
２２２ａ  内側面
２２２ｂ  外側面
２２３    アルミニウム膜
２４０    透明樹脂
２４１    導電性ペースト
２５０    絶縁性ペースト
２５１    導電性ペースト
３００  基板
３１０  基材
３２０  配線パターン
３２１，３２２  ボンディング部
３２３，３２４  迂回部
３２５，３２６  実装端子
４００  ワイヤ
５００  透光樹脂
６００  リフレクタ
７００  白色樹脂（不透明樹脂）
８００  封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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