(57)【要約】【課題】新規電源を増やすことなく、読み出し電圧を上げることができるようにする。【解決手段】固体撮像素子において、光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した電圧が印加される。本技術は、例えば、CCD固体撮像素子に適用できる。【選択図】図５
2013058833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した電圧が印加される
固体撮像素子。
【請求項２】
前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、水平転送パルスである
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、水平最終段転送パルスである
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、リセットパルスである
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、水平転送パルス、リセットパルス、および水平最終段転送パルス以外の、重畳専用のパルスである
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した駆動電圧が印加される
固体撮像素子の駆動方法。
【請求項７】
光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す読み出しパルスを発生する読み出しパルス発生回路と、
所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳することにより、駆動電圧を生成する駆動電圧生成回路と
を備え、
前記駆動電圧生成回路で生成された駆動電圧が、前記読み出しパルス発生回路の電源電圧とされる
固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、固体撮像素子およびその駆動方法、並びに固体撮像装置に関し、特に、新規電源を増やすことなく、読み出し電圧を上げることができるようにする固体撮像素子およびその駆動方法、並びに固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサにおいて、フォトダイオード等の光電変換部に蓄積された電荷を垂直レジスタに読み出す際の読み出し電圧は一般に高電圧となるため、読み出し電圧を低減させるための様々な技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、高電圧が必要とされる読み出し電圧は、CCDの回路部に供給される供給電源電圧と共通化されることが多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２８７１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、画素の微細化などにより読み出し必要電圧が上がった場合、供給電源電圧とされている読み出し電圧はそれ以上上げることができないため、読み出しが困難になることがあった。
【０００５】
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、新規電源を増やすことなく、読み出し電圧を上げることができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術の第１の側面の固体撮像素子は、光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した電圧が印加される。
【０００７】
本技術の第１の側面の固体撮像素子の駆動方法は、光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した駆動電圧が印加される。
【０００８】
本技術の第２の側面の固体撮像装置は、光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す読み出しパルスを発生する読み出しパルス発生回路と、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳することにより、駆動電圧を生成する駆動電圧生成回路とを備え、前記駆動電圧生成回路で生成された駆動電圧が、前記読み出しパルス発生回路の電源電圧とされる。
【０００９】
本技術の第１及び第２の側面においては、光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した駆動電圧が印加される。
【００１０】
固体撮像素子または固体撮像装置は、独立した装置であっても良いし、１つの装置を構成している内部ブロックであっても良い。
【発明の効果】
【００１１】
本技術の第１及び第２の側面によれば、新規電源を増やすことなく、読み出し電圧を上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本技術が適用された固体撮像装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【図２】従来の一般的な固体撮像装置における駆動制御を説明する図である。
【図３】従来の読み出しパルス発生回路と水平転送パルス発生回路の構成を示す図である。
【図４】図１の固体撮像装置における駆動制御を説明する図である。
【図５】図１のタイミングジェネレータの構成例を示す図である。
【図６】図１の固体撮像装置における読み出しパルスの例を示す図である。
【図７】図１の固体撮像装置を撮像デバイスとして備える撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［固体撮像装置の構成例］
図１は、本技術が適用された固体撮像装置の一実施の形態の構成例を示す図である。
【００１４】
図１の固体撮像装置１０は、インターライン転送方式のCCD(Charge Coupled Device)イメージセンサである。
【００１５】
図１の固体撮像装置１０では、画素に対応するセンサ部１１が、行（水平）方向および列（垂直）方向にマトリクス状に配列されている。センサ部１１は、例えば、フォトダイオード等の光電変換素子により構成され、入射光をその光量に応じた電荷量の信号電荷に変換して蓄積する。
【００１６】
また、固体撮像装置１０では、センサ部１１の水平方向の個数に対応する本数の垂直転送レジスタ１２が水平方向に複数配置されている。１本（１列）の垂直転送レジスタ１２は、垂直方向に配列された複数個のセンサ部１１の列と１対１に対応する。そして、マトリクス状のセンサ部１１と、それに対応する複数本の垂直転送レジスタ１２とで、撮像エリア１３が構成されている。
【００１７】
各センサ部１１で蓄積された信号電荷は、タイミングジェネレータ１５から供給される読み出しパルスVTのタイミングに従い、隣接する垂直転送レジスタ１２の各内部レジスタに転送される。
【００１８】
垂直転送レジスタ１２は、たとえば４相の垂直転送パルスＶφ１ないしＶφ４によって転送駆動され、各センサ部１１から読み出された信号電荷を水平ブランキング期間において１走査線（１ライン）に相当する部分ずつ順に垂直方向に転送する。
【００１９】
撮像エリア１３の図面上の下側には、水平転送レジスタ１４が配置されている。水平転送レジスタ１４には、複数本の垂直転送レジスタ１２の各々から１ラインに相当する信号電荷が順次転送される。
【００２０】
水平転送レジスタ１４は、例えば、３相の水平転送パルスＨφ１ないしＨφ３、および水平最終段転送パルスＬＨφによって転送駆動され、複数本の垂直転送レジスタ１２から移された１ライン分の信号電荷を、水平ブランキング期間後の水平走査期間において順次水平方向に転送する。
【００２１】
水平転送パルスＨφ１ないしＨφ３、および水平最終段転送パルスＬＨφは第１レベル（例えば、ローレベル）と第２レベル（例えば、ハイレベル）をとる駆動パルスである。
【００２２】
なお、本実施の形態では、水平転送パルスが上述のように３相駆動方式であるとしているが、３相より多相（４相等）の駆動や２相の駆動でもよい。垂直転送パルスも同様に４相以外の駆動でもよい。
【００２３】
タイミングジェネレータ１５は、読み出しパルスVTを発生する読み出しパルス発生回路、４相の垂直転送パルスＶφ１ないしＶφ４を発生する垂直転送パルス発生回路、３相の水平転送パルスＨφ１ないしＨφ３を発生する水平転送パルス発生回路、及び、水平最終段転送パルスＬＨφを発生する水平最終段転送パルス発生回路を有する（いずれも不図示）。また、タイミングジェネレータ１５内には、読み出しパルスVT、垂直転送パルスＶφ１ないしＶφ４、水平転送パルスＨφ１ないしＨφ３、及び、水平最終段転送パルスＬＨφの各駆動パルスを制御する制御部１５ａが設けられている。なお、以下において、垂直転送パルスＶφ１ないしＶφ４それぞれを特に区別する必要がない場合には、単に垂直転送パルスＶφと称し、水平転送パルスＨφ１ないしＨφ３それぞれを特に区別する必要が無い場合には、単に水平転送パルスＨφと称する。
【００２４】
水平転送レジスタ１４の転送先側の端部には、たとえばフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出部１６が設けられている。この電荷検出部１６は、フローティング・ディフュージョン（FD）１８、リセットドレイン（RD）１９、及び、リセットゲート（RG）２０により構成されている。
【００２５】
フローティング・ディフュージョン１８は、水平転送レジスタ１４から水平出力ゲート部１７を介して供給される信号電荷を蓄積する。リセットドレイン１９は、信号電荷を掃き出す。フローティング・ディフュージョン１８とリセットドレイン１９の間に設けられたリセットゲート２０は、フローティング・ディフュージョン１８の信号電荷を、リセットドレイン１９へ排出する。リセットドレイン１９には、所定のリセットドレイン電圧ＶRDが印加され、リセットゲート２０には、信号電荷の検出周期でリセットパルスＲＧφが印加される。リセットパルスＲＧφは、タイミングジェネレータ１５内の制御部１５ａの下、不図示のリセットパルス発生回路により生成される。
【００２６】
フローティング・ディフュージョン１８に蓄積された信号電荷は信号電圧に変換され、出力回路２１を介してCCD出力信号CCDoutとして、例えば、図示しないCDS（相関二重サンプリング）回路に導出される。
【００２７】
［従来の駆動制御］
次に、固体撮像装置１０における駆動制御について説明するが、その前に、図２を参照して、従来の一般的な固体撮像装置における駆動制御について説明する。
【００２８】
図２は、従来の一般的な固体撮像装置における各駆動パルスの概略を示す図である。
【００２９】
従来の固体撮像装置において、読み出しパルスVTは、例えば、1/30秒や1/60秒の１フレームに１回発生する。即ち、読み出しパルスVTは、１垂直同期期間につき１回発生される。この読み出しパルスVTにより、センサ部１１で蓄積された信号電荷が、隣接する垂直転送レジスタ１２に転送される。
【００３０】
続いて、垂直転送レジスタ１２に転送された信号電荷は、垂直転送パルスＶφ（Ｖφ１ないしＶφ４）のタイミングで、垂直方向に１画素ずつ転送され、水平転送レジスタ１４まで転送される。この垂直転送パルスＶφは、１水平同期期間に１回発生される。
【００３１】
水平転送レジスタ１４に転送された信号電荷は、水平転送パルスＨφ（Ｈφ１ないしＨφ３）のタイミングで、水平方向に１画素ずつ転送される。この水平転送パルスＨφは、１水平期間内で、１水平ライン分の信号電荷が全て読み出されるように発生される。
【００３２】
また、図２に示されるように、垂直転送レジスタ１２から水平転送レジスタ１４への電荷転送期間中には、水平転送パルスＨφは停止される。
【００３３】
水平最終段転送パルスＬＨφは、基本的には、水平転送パルスＨφと同様である。水平最終段転送パルスＬＨφは、例えば、水平転送パルスＨφと周波数は同一であるが、振幅（電圧）やデューティ比が異なる。
【００３４】
リセットパルスＲＧφは、水平最終段転送パルスＬＨφと同一周期の駆動パルスであるが、リセットパルスＲＧφにはパルスの休止期間がない。
【００３５】
従って、従来の固体撮像装置の駆動制御では、水平転送パルスＨφ、水平最終段転送パルスＬＨφ、及びリセットパルスＲＧφは、水平転送時のみ使用され、各センサ部１１で蓄積された信号電荷の読み出し時、即ち、読み出し制御がオン（読み出しパルスVTがハイレベル）のタイミングでは使用されていない。
【００３６】
［従来の読み出しパルス発生回路および水平転送パルス発生回路の構成］
図３は、図２の読み出しパルスVTを発生させる従来の読み出しパルス発生回路３１と、図２の水平転送パルスＨφを発生させる従来の水平転送パルス発生回路３２の構成を示している。
【００３７】
読み出しパルス発生回路３１は、ｐチャネルトランジスタ４１とｎチャネルトランジスタ４２のドレインどうしが接続されたCMOSインバータで構成される。ｐチャネルトランジスタ４１のソースは第１の電源電圧に接続され、ｎチャネルトランジスタ４２のソースはGNDに接続されている。第１の電源電圧は、高電圧が必要とされることから、例えば、固体撮像装置に供給される供給電源電圧である１２Vとされる。
【００３８】
ｐチャネルトランジスタ４１とｎチャネルトランジスタ４２のゲートには、読み出しパルス発生回路３１への入力電圧V１INが印加される。読み出しパルス発生回路３１への入力電圧V１INがハイレベル（例えば、３V）のとき、読み出しパルス発生回路３１が出力する読み出しパルスVTはローレベル（０V）となり、入力電圧V１INがローレベル（例えば、０V）のとき、読み出しパルス発生回路３１が出力する読み出しパルスVTはハイレベル（１２V）となる。
【００３９】
一方、水平転送パルス発生回路３２も、ｐチャネルトランジスタ４３とｎチャネルトランジスタ４４のドレインどうしが接続されたCMOSインバータで構成される。ｐチャネルトランジスタ４３のソースは第２の電源電圧に接続され、ｎチャネルトランジスタ４４のソースはGNDに接続されている。第２の電源電圧は、画素読み出しほどの高電圧を必要としないため、第１の電源電圧より低い電圧、例えば、３Vとされる。
【００４０】
ｐチャネルトランジスタ４３とｎチャネルトランジスタ４４のゲートには、水平転送パルス発生回路３２への入力電圧V２INが印加される。水平転送パルス発生回路３２への入力電圧V２INがハイレベル（例えば、３V）のとき、水平転送パルス発生回路３２の出力である水平転送パルスＨφはローレベル（０V）となり、入力電圧V２INがローレベル（例えば、０V）のとき、水平転送パルス発生回路３２の出力である水平転送パルスＨφはハイレベル（３V）となる。
【００４１】
［固体撮像装置１０における駆動制御］
次に、図１の固体撮像装置１０における駆動制御について説明する。
【００４２】
図４は、固体撮像装置１０における各駆動パルスの概略を示す図である。
【００４３】
固体撮像装置１０では、図２と図４を比較してわかるように、各センサ部１１で蓄積された信号電荷の読み出し時、即ち、読み出し制御がオンのタイミングにおいても、水平転送パルスＨφが出力されている点が、従来の駆動制御と異なる。
【００４４】
ただし、図２を参照して説明したように、水平転送パルスＨφは、水平転送レジスタ１４において水平転送時のみ使用され、各センサ部１１で蓄積された信号電荷の読み出し時のタイミングでは使用されていないので、水平転送レジスタ１４の動作に影響はない。
【００４５】
また、固体撮像装置１０では、信号電荷の読み出し時、水平転送パルスＨφが出力されていることにより、図６を参照して後述するように、読み出しパルスVTの振幅（最大出力電圧）が、従来よりも大きくなる。
【００４６】
［固体撮像装置１０の読み出しパルス発生回路および水平転送パルス発生回路の構成］
図５は、図４に示した駆動制御を実現するタイミングジェネレータ１５の構成例を示している。なお、図５は、タイミングジェネレータ１５の一部、即ち、タイミングジェネレータ１５全体のうち、読み出しパルスVTと水平転送パルスＨφに関する部分のみの構成を示している。また、図５において、図３と対応する部分については同一の符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
【００４７】
固体撮像装置１０のタイミングジェネレータ１５では、従来と同様にCMOSインバータ構成とされる読み出しパルス発生回路５１及び水平転送パルス発生回路５２に加えて、新たにロークランプ回路５３が設けられている。
【００４８】
ロークランプ回路５３は、クランプダイオード６１、キャパシタ６２、及びｐチャネルトランジスタ６３により構成される。
【００４９】
クランプダイオード６１のアノード側は第１の電源電圧（１２V）に接続され、カソード側は、読み出しパルス発生回路５１を構成するｐチャネルトランジスタ４１のソース、及び、キャパシタ６２の一端と接続されている。
【００５０】
ｐチャネルトランジスタ６３のゲートは、読み出しパルス発生回路５１のｐチャネルトランジスタ４１とｎチャネルトランジスタ４２のゲートと共通に接続され、ｐチャネルトランジスタ６３のゲートには、読み出しパルス発生回路５１の入力電圧V１INが印加される。ｐチャネルトランジスタ６３のソースとドレインの一方は、キャパシタ６２のクランプダイオード６１と接続されていない他端と接続され、他方は水平転送パルス発生回路５２の出力端子と接続されている。
【００５１】
固体撮像装置１０では、図４を参照して説明したように、読み出しパルスVTがハイレベル（１２V）となる期間、水平転送パルス発生回路５２が水平転送パルスＨφを出力する。換言すれば、読み出しパルスVTがハイレベル（１２V）となる期間、タイミングジェネレータ１５の制御部１５ａは、水平転送パルス発生回路５２のｐチャネルトランジスタ４３とｎチャネルトランジスタ４４のゲートに、０ないし３VACの入力電圧V２INを印加する。
【００５２】
読み出しパルスVTがハイレベル（１２V）ということは、入力電圧V１INがローレベル（例えば、０V）である。入力電圧V１INがローレベルであるとき、ｐチャネルトランジスタ６３はオンする。これにより、水平転送パルス発生回路５２の出力電圧V2OUTが３V（ハイレベル）のとき、読み出しパルス発生回路５１の出力電圧V1OUTは、第１の電源電圧（１２V）と第２の電源電圧（３V）を加算した１５Vとなる。
【００５３】
即ち、読み出しパルス発生回路５１は、従来、図６左側に示されるような、０Vと１２Vのレベルからなる読み出しパルスVTに代えて、図６右側に示されるような、第１の電源電圧である１２Vに、０Vと３Vのレベルからなる水平転送パルスＨφを重畳させたパルスを、読み出しパルスVTとして、出力する。この読み出しパルスVTにより、固体撮像装置１０の各画素において、読み出し時に印加される最大読み出し到達電圧が、クランプダイオード６１の電圧降下（０．７V）を考慮すると、１２V−０．７V＋３V＝１４．３Vとなる。
【００５４】
以上のように、固体撮像装置１０では、読み出しパルス発生回路５１の電源を、水平転送パルス発生回路５２の出力からのロークランプ構成とすることで、画素に蓄積された信号電荷の読み出し電圧を、従来より上げることができる。具体的には、従来、読み出し電圧が、供給電源電圧（１２V）であったところを、それよりも高い１４．３V（最大読み出し到達電圧）に上げることができる。
【００５５】
従って、例えば、プロセスばらつき等により、従来、固体撮像装置１０に対する供給電源電圧（１２V）では読み出せなかった場合であっても読み出すことが可能となり、高歩留まり化が可能となる。また、固体撮像装置１０に対する供給電源電圧より高電圧とするための別電源を必要としないため、固体撮像装置１０の駆動回路構成の簡素化、低消費電力化に貢献することができる。
【００５６】
［変形例］
上述した例では、固体撮像装置１０に対する供給電源電圧（１２V）に、水平転送パルス発生回路５２の出力パルスを重畳（ロークランプ）することで、読み出しパルスVTの最大読み出し到達電圧を、供給電源電圧よりも高電圧とした。
【００５７】
しかし、図２を参照して説明したように、信号電荷の読み出し時のタイミングにおいては、水平最終段転送パルスＬＨφも使用されていないため、仮に、パルスを出力するように制御しても水平転送レジスタ１４の動作に影響はない。また、リセットパルスＲＧφにはパルスの休止期間がないので、信号電荷の読み出し時のタイミングにおいても出力されている。
【００５８】
そこで、上述した水平転送パルスＨφに代えて、水平最終段転送パルスＬＨφ、または、リセットパルスＲＧφを、固体撮像装置１０の供給電源電圧に重畳する構成としてもよい。この場合も、読み出しパルスVTの最大読み出し到達電圧を、供給電源電圧よりも高電圧とすることができる。
【００５９】
また、水平転送パルスＨφ、水平最終段転送パルスＬＨφ、または、リセットパルスＲＧφのいずれのパルスを重畳させるかを選択、指定できるように構成してもよい。
【００６０】
さらには、タイミングジェネレータ１５内に、重畳専用のパルスを出力するパルス発生回路を設け、そのパルス発生回路が出力するパルスを、固体撮像装置１０の供給電源電圧に重畳する構成としてもよい。
【００６１】
また、上述した実施の形態では、読み出し電圧を最大電圧とするため、固体撮像装置１０の供給電源電圧に、重畳（ロークランプ）する構成としたが、読み出し必要電圧によっては、固体撮像装置１０の供給電源電圧より低い電源電圧に重畳する構成としてもよい。この場合も、未使用のパルスを重畳して使用することで、固体撮像装置１０全体としての消費電力を低減させることができる。
【００６２】
上述した実施の形態では、インターライン転送方式のCCDイメージセンサの例について説明したが、本技術は、フレームインターライン転送方式等のその他の方式にも適用することができる。
【００６３】
［固体撮像装置１０を適用した電子機器の構成例］
図１の固体撮像装置１０は、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、撮像機能を備えた携帯端末、などの各種の電子機器に適用することができる。
【００６４】
そこで、次に、図１に示した固体撮像装置１０を構成の一部として備える電子機器について説明する。
【００６５】
図７は、電子機器の一例として、図１の固体撮像装置１０を撮像デバイスとして備える撮像装置の構成例を示している。
【００６６】
図７の撮像装置１００は、レンズ等の光学系１０１、メカニカルシャッタ１０２、CCD固体撮像素子１０３、CCD駆動回路１０４、信号処理回路１０５、およびシステムコントローラ１０６を備える。
【００６７】
なお、図７の撮像装置１００は、その構成の一部または全部がモジュール化された撮像モジュールの形態であってもよい。
【００６８】
撮像装置１００のCCD固体撮像素子１０３は、図１の固体撮像装置１０のなかの撮像エリア１３、水平転送レジスタ１４、および電荷検出部１６に対応し、CCD駆動回路１０４が、固体撮像装置１０のタイミングジェネレータ１５に対応する。
【００６９】
被写体（図示せず）からの光は、レンズ等の光学系１０１およびメカニカルシャッタ１０２を経てCCD固体撮像素子１０３の撮像エリア（１３）に入射する。メカニカルシャッタ１０２は、CCD固体撮像素子１０３の撮像エリアへの光の入射を遮断して露光時間を決めるためのものである。
【００７０】
CCD固体撮像素子１０３の出力信号は、信号処理回路１０５に供給され、自動ホワイトバランス調整などの種々の信号処理が行われた後、撮像信号として外部に導出される。CCD駆動回路１０４は、システムコントローラ１０６の制御の下、CCD固体撮像素子１０３で受光された信号電荷を転送させるための駆動を行う。システムコントローラ１０６は、メカニカルシャッタ１０２の開閉制御、CCD駆動回路１０４の制御、信号処理回路１０５の制御などを行う。
【００７１】
以上のように構成される撮像装置１００は、図１の固体撮像装置１０を撮像デバイスとして備えているので、撮像装置１００全体としても、駆動回路構成の簡素化、低消費電力化に貢献することができる。
【００７２】
なお、上述した実施の形態では、CCDイメージセンサについて説明したが、本技術は、CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサに対しても適用可能である。ただし、CCDイメージセンサでは、上述したように信号電荷の読み出しが全画素同時に行われるのに対して、CMOSイメージセンサでは、信号電荷の読み出しはラインごとに行われる。そこで、本技術をCMOSイメージセンサに適用した場合には、例えば、不使用ライン（未読み出しライン）に印加される所定の電圧を、垂直方向同列の読み出し行の読み出し電圧に重畳させる構成が考えられる。
【００７３】
本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【００７４】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した電圧が印加される
固体撮像素子。
（２）
前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、水平転送パルスである
前記（１）に記載の固体撮像素子。
（３）
前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、水平最終段転送パルスである
前記（１）または（２）に記載の固体撮像素子。
（４）
前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、リセットパルスである
前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（５）
前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、水平転送パルス、リセットパルス、および水平最終段転送パルス以外の、重畳専用のパルスである
前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（６）
光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した駆動電圧が印加される
固体撮像素子の駆動方法。
（７）
光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す読み出しパルスを発生する読み出しパルス発生回路と、
所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳することにより、駆動電圧を生成する駆動電圧生成回路と
を備え、
前記駆動電圧生成回路で生成された駆動電圧が、前記読み出しパルス発生回路の電源電圧とされる
固体撮像装置。
【符号の説明】
【００７５】
１０  固体撮像装置，  １１  センサ部，  １５  タイミングジェネレータ，  １５ａ  制御部，  ５１  読み出しパルス発生回路，  ５２  水平転送パルス発生回路，  ５３  ロークランプ回路，  １００  撮像装置，  １０３  CCD固体撮像素子，  １０４  CCD駆動回路
【図１】
2013058833.tif 000003
【図２】
2013058833.tif 000004
【図３】
2013058833.tif 000005
【図４】
2013058833.tif 000006
【図５】
2013058833.tif 000007
【図６】
2013058833.tif 000008
【図７】
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