(57)【要約】【目的】面内均一性の悪化を抑制することが可能なめっき装置およびその方法を提供することを目的とする。【構成】実施形態のめっき装置は、めっき漕と、アノードと、調整部材と、逆転機構と、を備えている。めっき漕にはめっき液が供給される。アノードは、前記めっき漕内に配置される。調整部材は、前記めっき漕内に配置され、前記アノードと被めっき基板となるカソード間の電界を調整する。逆転機構は、前記めっき漕内のめっき液の流れを逆転させる。【選択図】図４
2013194305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき液が供給されるめっき漕と、
前記めっき漕内に配置されたアノードと、
前記めっき漕内に配置され、前記アノードと被めっき基板となるカソード間の電界を調整する調整部材と、
前記調整部材に対して前記アノード側の位置から、前記めっき漕内にめっき液を供給する第１の流路と、
前記めっき漕内のめっき液の流れを逆転させる逆転機構と、
を備え、
前記逆転機構は、
前記第１の流路の途中に配置された切り替え弁と、
前記切り替え弁に接続され、前記調整部材に対して前記アノード側とは反対側の位置から前記めっき漕へとめっき液を供給する第２の流路と、
前記第２の流路の途中に配置され、前記第１の流路と前記切り替え弁と前記第２の流路とを通して、めっき時とは前記めっき漕内のめっき液の流れを逆転させるように、前記めっき漕内のめっき液を循環させるポンプと、
を有し、
前記第１の流路の途中であって、前記切り替え弁と前記めっき漕との間の位置に配置されたエア抜き弁をさらに備え、
前記調整部材には、複数の開口部が形成され、前記複数の開口部の面積を可変としたことを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
めっき液が供給されるめっき漕と、
前記めっき漕内に配置されたアノードと、
前記めっき漕内に配置され、前記アノードと被めっき基板となるカソード間の電界を調整する調整部材と、
前記めっき漕内のめっき液の流れを逆転させる逆転機構と、
を備えたことを特徴とするめっき装置。
【請求項３】
前記調整部材に対して前記アノード側の位置から、前記めっき漕内にめっき液を供給する第１の流路をさらに備え、
前記逆転機構は、
前記第１の流路の途中に配置された切り替え弁と、
前記切り替え弁に接続され、前記調整部材に対して前記アノード側とは反対側の位置から前記めっき漕へとめっき液を供給する第２の流路と、
前記第２の流路の途中に配置され、前記第１の流路と前記切り替え弁と前記第２の流路とを通して、めっき時とは前記めっき漕内のめっき液の流れを逆転させるように、前記めっき漕内のめっき液を循環させるポンプと、
を有することを特徴とする請求項２記載のめっき装置。
【請求項４】
前記第１の流路の途中であって、前記切り替え弁と前記めっき漕との間の位置に配置されたエア抜き弁をさらに備えたことを特徴とする請求項３記載のめっき装置。
【請求項５】
アノードと被めっき基板となるカソード間に配置された、前記アノードと前記カソード間の電界を調整する調整部材を通過するように前記アノード側から前記カソード側へとめっき液を供給しながら、前記被めっき基板にめっき膜を成膜するめっき処理を行う工程と、
前記めっき処理が終了した後、前記調整部材を通過するめっき液が前記カソード側から前記アノード側へ流れるようにめっき液の流れを逆転させる工程と、
を備えたことを特徴とするめっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、めっき装置及びめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路（ＬＳＩ）の高集積化、及び高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発されている。特に、最近はＬＳＩの高速化を達成するために、配線材料を従来のアルミ（Ａｌ）合金から低抵抗の銅（Ｃｕ）或いはＣｕ合金（すなわち、銅含有物、以下、まとめてＣｕと称する。）に代える動きが進んでいる。Ｃｕは、Ａｌ合金配線の形成において頻繁に用いられたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドライエッチング法による微細加工が困難であるので、溝加工が施された絶縁膜上にＣｕ膜を堆積し、溝内に埋め込まれた部分以外のＣｕ膜を化学機械研磨（ケミカル・メカニカル・ポリッシング：ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法により除去して埋め込み配線を形成する、いわゆるダマシン（ｄａｍａｓｃｅｎｅ）法が主に採用されている。Ｃｕ膜はスパッタ法などで薄いＣｕシード層を形成した後にＣｕシード層をカソードとして、電解めっき法により数１００ｎｍ程度の厚さの積層膜を形成することが一般的である。
【０００３】
かかる電解めっき法では、基板表面に形成されたＣｕシード層をカソードとして用いてＣｕシード層の外周部に負側の電圧を印加するため、Ｃｕシード層の電気抵抗の関係で、Ｃｕシード層中央部とアノード間の電圧と、Ｃｕシード層周辺部とアノード間の電圧と、の間に差が生じてしまう。そのため、このようにＣｕシード層内で電圧の差が生じたままめっき処理が行われると、めっきされたＣｕ膜の膜厚が中央部と周辺部とでばらつき、面内均一性が保てなくなってしまう。これに対し、従来のめっき装置では、カソードとアノード間の電界を調整する、複数の穴の開いた調整板（高抵抗板）を配置して、Ｃｕシード層中央部とアノード間の電界と、Ｃｕシード層周辺部とアノード間の電界とが均一になるように調整している。
【０００４】
しかしながら、かかるめっき装置において、多数の基板を処理するために、めっき処理と次の基板のめっきまでの処理待機とを連続的に繰り返すと、めっき液循環時に発生した泡が面内均一性を保つ為に設置していた調整板（高抵抗板）の下部に溜まってしまう。そして、その泡が基板のめっき処理時における成膜電流を阻害して成膜面内均一性を悪化させ、製品不良の一因になるといった問題があった。かかる泡の除去の際には装置の稼動を停止してメンテナンスが必要となるが、それが装置稼働率低下の原因にもなっている。回避は現状困難で、早急な対策が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−５１５９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、めっき膜厚の面内均一性の悪化を抑制することが可能なめっき装置およびその方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態のめっき装置は、めっき漕と、アノードと、調整部材と、逆転機構と、を備えている。めっき漕にはめっき液が供給される。アノードは、前記めっき漕内に配置される。調整部材は、前記めっき漕内に配置され、前記アノードと被めっき基板となるカソード間の電界を調整する。逆転機構は、前記めっき漕内のめっき液の流れを逆転させる。
【０００８】
実施形態のめっき方法は、アノードと被めっき基板となるカソード間に配置された、前記アノードと前記カソード間の電界を調整する調整部材を通過するように前記アノード側から前記カソード側へとめっき液を供給しながら、前記被めっき基板にめっき膜を成膜するめっき処理を行う工程と、前記めっき処理が終了した後、前記調整部材を通過するめっき液が前記カソード側から前記アノード側へ流れるようにめっき液の流れを逆転させる工程と、
を備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態における半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図２】第１の実施形態におけるめっき方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図３】第１の実施形態におけるめっき装置の構成の一例およびめっき処理方法を示す概念図である。
【図４】第１の実施形態におけるめっき液逆循環処理方法を示す概念図である。
【図５】第１の実施形態による泡抜き処理の実施有無による面内均一性を比較した結果を示す図である。
【図６】第２の実施形態におけるめっき方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図７】第２の実施形態におけるアノード・カソード間の電界の調整板の構成の一例を示す図である。
【図８】第２の実施形態における泡抜き処理の一例を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１の実施形態）
以下、図面を用いて説明する。
図１に、第１の実施形態における半導体装置の製造方法の工程断面図を示す。図１では、例えば配線を形成する際に、電解めっき法によりめっき膜を成膜する工程を含む工程断面図が示されている。図１（ａ）において、基体の一例となる基板２００の上に絶縁膜２２０を形成する。絶縁膜２２０として、例えば多孔質の低誘電率絶縁性材料を用いたｌｏｗ−ｋ膜を例えば２００ｎｍの厚さで形成する。ｌｏｗ−ｋ膜を形成することで、比誘電率ｋが３．０以下の層間絶縁膜を得ることができる。基板２００として、例えば、直径３００ミリのシリコンウェハを用いる。また、ここでは、絶縁膜２２０の下層に位置するデバイス等の形成については説明を省略している。
続いて、図１（ｂ）において、リソグラフィ工程とドライエッチング工程でダマシン配線を作製するための配線溝構造である開口部１５０を絶縁膜２２０内に形成する。図示していないレジスト塗布工程、露光工程等のリソグラフィ工程を経て絶縁膜２２０上にレジスト膜が形成された基板２００に対し、露出した絶縁膜２２０を異方性エッチング法により除去することで、基板２００の表面に対し、略垂直に開口部１５０を形成することができる。例えば、一例として、反応性イオンエッチング法により開口部１５０を形成すればよい。
次に、図示しないバリアメタル膜を開口部１５０内壁を含む絶縁膜２２０上に形成した上で、図１（ｃ）において、シード膜形成工程として、次の工程である電解めっき工程のカソード極となるシード膜２５０を形成する。具体的には、スパッタ等の物理気相成長（ＰＶＤ）法により、シード膜２５０としてのＣｕ薄膜を図示しないバリアメタル膜が形成された開口部１５０内壁を含む絶縁膜２２０上に堆積（形成）させる。そして、図１（ｄ）において、めっき工程として、シード膜２５０をカソード極として、電解めっきによる電気化学成長法によりＣｕ膜２６０（銅含有膜の一例）を開口部１５０内を含む全面に堆積させる。ここでは、例えば膜厚８００ｎｍのＣｕ膜２６０を堆積させ、堆積させた後にアニール処理を例えば２５０℃の温度で３０分間行なう。
次いで、ＣＭＰ法によって、基板２００上の開口部１５０内以外に堆積した配線層となるシード膜２５０を含むＣｕ膜２６０と図示しないバリアメタル膜を研磨除去して、図１（ｅ）に示すように平坦化する。以上のようにして、ダマシン配線を形成することができる。以下、図１（ｄ）に示しためっき工程におけるめっき方法について、詳細に説明する。
【００１１】
図２は、第１の実施形態におけるめっき方法の要部工程を示すフローチャート図である。図２において、第１の実施形態におけるめっき方法は、めっき処理工程（Ｓ１０２）と、めっき液逆循環処理工程（Ｓ１０６）と、いう一連の工程を繰り返し実施する。
【００１２】
図３は、第１の実施形態におけるめっき装置の構成の一例およびめっき処理方法を示す概念図である。めっき装置１００は、例えば略円筒状で内部にめっき液１０１が入っためっき槽１０２と、めっき槽１０２の上方に配置され、めっき面を下に向けた基板３００を着脱自在に保持するホルダ１０６とを備えている。めっき液１０１は、硫酸銅を主成分として、添加剤を加えた液を用いるとよい。めっき槽１０２底部には、上面をめっき液１０１に晒したアノード電極（アノード）１０４が配置されている。アノード電極１０４として、例えば、含リン銅等の溶解性アノードを用いるとよい。
【００１３】
また、電解めっき法では、基板表面に形成されたＣｕシード膜２５０をカソード極として用いてＣｕシード膜２５０の外周部に負側の電圧を印加するため、Ｃｕシード膜２５０の電気抵抗の関係で、Ｃｕシード膜中央部とアノード電極１０４間の電圧と、Ｃｕシード膜２５０周辺部とアノード電極１０４間の電圧と、の間に差が生じてしまう。その場合、めっきされたＣｕ膜２６０の膜厚が中央部と周辺部とでばらつき、面内均一性が保てなくなってしまう。これを解消すべくめっき装置１００では、めっき漕１０２内に、複数の穴の開いた調整板（高抵抗板：調整部材の一例）２０を基板３００のめっき面（或いはアノード電極１０４面）と平行に、かつめっき液１０１に浸漬するように配置する。そして、調整板２０によって、Ｃｕシード膜２５０中央部とアノード電極１０４間の電界と、Ｃｕシード膜２５０周辺部とアノード電極１０４間の電界が均一になるように調整している。調整板２０に形成される複数の穴のサイズ、数、及び配置位置等は、電界が均一になるように適宜調整されればよい。また、めっき液１０１は、めっき液１０１が溜められたタンク１１４からポンプ１４０により流路１２０（第１の流路）を通って、調整板２０よりアノード電極１０４側（調整板２０の下部側）からめっき漕１０２へと供給される。流路１２０の途中には、３方弁１３０（切り替え弁）が配置され、流路１２０ａと流路１２０ｂとを接続する。３方弁１３０のもう１つの接続口には、流路１２２（第２の流路）が接続される。
【００１４】
そして、流路１２０から供給されためっき液１０１は、調整板２０の穴を通過して、めっき漕１０２上部へと流れる。そして、めっき槽１０２内からオーバーフローして溢れ出ためっき液１０１は、めっき漕１０２の周囲に配置されたドレインポット１１０に排出され、ドレインポット１１０から流路１１２を通ってタンク１１４に戻される。このようにして、めっき液１０１は循環する。また、タンク１１４に戻されためっき液１０１は、図示しないめっき液管理装置で再度、成分調整後、タンク１１４内へと戻される。また、めっき液１０１は、循環した状態でめっき液管理装置により例えば２５℃に温度管理されている。
【００１５】
めっき処理工程（Ｓ１０２）として、流路１２０ｂと流路１２０ａとが３方弁１３０によって開放され、流路１２２への接続が遮断された状態で、かつ、タンク１１４、流路１２０、めっき漕１０２、ドレインポット１１０、流路１１２、及びタンク１１４の順でめっき液１０１が循環している状態で、基板３００にめっき処理を行う。図３では、ホルダ１０６が基板３００をめっき液１０１の液面に浸漬させた位置で保持している状態を示している。ホルダ１０６内では、めっき液１０１に触れない領域で基板３００の表面のシード膜２５０の外周部に陰極側の接点が接続されている。他方、アノード電極１０４に陽極側の接点が接続されている。めっき液１０１が入っためっき槽１０２に基板３００表面を入槽させる際に、ホルダ１０６を回転させることで基板３００を回転させながら入槽させると好適である。そして、回転させたまま基板３００表面をめっき液１０１に浸し、アノード電極１０４を陽極（アノード）、めっき面となる基板２００のシード膜２５０を陰極（カソード）として所定の電流密度の電流を流し、電解めっきを行なう。また、入槽させる際に、基板３００とめっき液１０１との間に空気が残らないように基板３００を所定の角度だけ傾けた状態で入槽させるとなおよい。
【００１６】
そして、めっき終了後、ホルダ１０６を上部に移動させることで、基板３００をめっき液１０１の液面よりも高い位置まで移動させる。そして、めっき処理が終了した基板３００は、ホルダ１０６から外され、洗浄等を行った後、次の工程へと進むことになる。ここで、図３に示すように、めっき処理を行うため、調整板２０より下部に位置する流路１２０からめっき液１０１をめっき漕１０２内へと供給するように循環させると、例えば、ポンプ１４０でのキャビテーション等により泡１０が発生し、かかる泡１０が流路１２０からめっき漕１０２内に入り、調整板２０の下部に溜まる。このまま、多数の基板３００に対してめっき処理が繰り返されると、泡１０が徐々に大きくなり、遂には、めっき処理時における成膜電流を阻害してめっき処理された基板３００の面内均一性が許容できないほど劣化してしまう。
【００１７】
そこで、第１の実施形態では、多数の基板３００へのめっき処理の合間に、調整板２０の下部に溜まった泡１０の泡抜き処理の一例であるめっき液逆循環処理工程（Ｓ１０６）を定期的に実施する。なお、泡抜き処理が実施されるまでにめっき処理を行う基板３００の数は特定される必要はなく、調整板２０の下部に溜まった泡１０による不具合のおそれが発生する前に、めっき装置１００に対して過密なめっき処理が要求されていない時期を選んで、めっき液逆循環処理工程（Ｓ１０６）を実施すればよい。
【００１８】
図４は、第１の実施形態におけるめっき液逆循環処理方法を示す概念図である。めっき終了後、ホルダ１０６を上部に移動させた状態で、逆転機構は、めっき漕１０２内のめっき液１０１の流れを逆転させる。逆転機構として、例えば、３方弁１３０、流路１２２、及びポンプ１４２を有している。流路１２２は、一方が３方弁１３０に接続され、他方がめっき漕１０２の調整板２０に対してアノード電極１０４側とは反対側の位置、言い換えれば、調整板２０よりも上部でめっき漕１０２に接続されている。ポンプ１４２は流路１２２の途中に配置される。めっき液逆循環処理について、具体的には、以下のように動作する。ポンプ１４０を停止（ＯＦＦ）させ、３方弁１３０をポンプ１４０側に接続された流路１２０ｂからポンプ１４２側に接続された流路１２２へと切り替える。ポンプ１４２を駆動させて、めっき漕１０２の調整板２０より下部、流路１２０ａ、３方弁１３０、流路１２２、そして、めっき漕１０２の調整板２０より上部の順でめっき液１０１を循環させる。このようにポンプ１４２は、流路１２０ａ、３方弁１３０、及び流路１２２を通して、めっき時とはめっき漕１０２内のめっき液１０１の流れを逆転させるように、めっき漕１０２内のめっき液１０１を逆循環させる。換言すれば、調整板２０を通過するめっき液１０１がカソード側からアノード側へ流れるようにめっき液１０１の流れを逆転させる。かかる逆循環によって、調整板２０下部に溜まった泡１０が、めっき液１０１と一緒に流路１２０ａから排出され、流路１２２によって、調整板２０に対してアノード電極１０４側とは反対側の位置（調整板２０より上部）からめっき漕１０２へとめっき液１０１が供給される。泡１０は、調整板２０より液面側でめっき漕１０２に流れ込むため、遮蔽されることなく、液面まで上昇できる。よって、泡１０をめっき液１０１の液面から抜くことができる。
【００１９】
図４の例では、流路１２２が調整板２０よりも上部であって、めっき液１０１の液面より下部の位置で、めっき漕１０２に接続されているが、これに限るものではない。めっき液１０１の液面より上部からめっき液１０１をめっき漕１０２に供給するように流路１２２を構成しても構わない。但し、図４に示すように、めっき液１０１の液面より下部の位置でめっき漕１０２に供給する方が、新たな泡を混入させにくくできる点でより好適である。さらに、めっき液１０１の液面より下部の位置なので、流路１２２はめっき液１０１で満たされているため、ポンプ１４２を駆動する際に呼び水を不要にできる点でより好適である。
【００２０】
第１の実施形態では、さらに、めっき漕１０２と３方弁１３０の間の流路１２０ａの途中にエア抜き弁１４６を配置する。めっき液１０１と一緒に流路１２０ａから排出された泡１０は、エア抜き弁１４６により気水分離されて、排出される。エア抜き弁１４６が配置されない場合であっても、調整板２０の下部に溜まった泡１０を調整板２０よりもめっき液１０１の液面側に循環させてめっき液１０１の液面から抜くことができるが、エア抜き弁１４６を配置することで、泡抜きをより促進させることができる。また、めっき漕１０２と３方弁１３０の間にエア抜き弁１４６を配置することで、泡抜き時に、泡１０が調整板２０下部に大量に存在していた場合でも、ポンプ１４２の手前で泡抜きできる。よって、ポンプ１４２に泡１０が巻き込まれて循環能力が低下するリスクを回避できる。また、エア抜き弁１４６により微小な泡１０も排除できる。その結果、微小な泡１０が液中に循環し続けることにより、最終的には再び調整板２０下部の泡形成の原因になるリスクを回避できる。
【００２１】
図５に、第１の実施形態による泡抜き処理の実施有無による面内均一性を比較した結果を示す。第１の実施形態による泡抜き処理を実施した場合と、第１の実施形態による泡抜き処理を実施しない場合で、基板の連続処理試験を実施した。また、初期と５００枚目と１０００枚目と１５００枚目に面内膜厚均一性の確認を実施した。なお、ここでは１ロット（２５枚）分の基板のめっき処理毎に、第１の実施形態による泡抜き処理を実施した。
第１の実施形態による泡抜き処理を実施しない場合、初期と５００枚目では、面内膜厚均一性が許容範囲内（○）であったが、１０００枚目で面内膜厚均一性が最大膜厚と最小膜厚の差において許容範囲を超えた（×）。そのため、連続処理試験を中断し、調整板を外し泡抜き作業を実施し、面内膜厚均一性を許容範囲内に抑えた上で、連続処理試験を再開した。しかし、１５００枚目で、許容範囲内ではあるが初期と５００枚目に比べて面内膜厚均一性が悪化した（△）。これはめっき液循環の最中に発生した泡が調整板に留まり、また留まった泡が結合して大きな泡になることによってアノードと基板間のめっき電流を泡が局所的に妨げ、面内膜厚均一性が悪化したと考えられる。これに対して、第１の実施形態による泡抜き処理を実施した場合、初期と５００枚目と１０００枚目と１５００枚目のいずれにおいても、面内膜厚均一性が許容範囲内（○）であり、安定して良好な面内均一性を維持できた。
【００２２】
以上のように、第１の実施形態によれば、複数枚の基板に対してめっき処理を行う場合でも、泡の発生に起因する面内均一性の悪化を抑制できる。しかも、装置の稼動を停止して調整板を外し泡抜きを実施するといったメンテナンス作業も不要で、装置稼働率をさほど低下させることなく面内均一性の良好なめっき膜を継続的に成膜することができる。
【００２３】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、めっき液１０１の流れを逆転させることで調整板２０下部に溜まった泡を調整板２０下部側から排出する場合について説明したが、第２の実施形態では、さらに、泡抜き効果を向上させる構成について説明する。第２の実施形態において、めっき装置１００の構成は、調整板２０を複数枚（例えば、２枚の調整板）重ねた構成にした点以外は、図３，４と同様である。また、特に説明しない点は第１の実施形態と同様である。
【００２４】
図６は、第２の実施形態におけるめっき方法の要部工程を示すフローチャート図である。図６において、第２の実施形態におけるめっき方法は、めっき処理工程（Ｓ１０２）の前に開口面積調整工程（Ｓ１００）を追加し、めっき処理工程（Ｓ１０２）とめっき液逆循環処理工程（Ｓ１０６）との間に、開口面積拡大工程（Ｓ１０４）を追加する点以外は、図２と同様である。
【００２５】
開口面積調整工程（Ｓ１００）として、複数の穴が開いた２つの調整板の重ね合せ位置を相対的にずらして、調整板の両方で開口する開口部の開口面積を縮小し、めっき時の電界の調整が可能な位置に各調整板の穴の位置およびサイズを制御する。
【００２６】
図７は、第２の実施形態におけるアノード・カソード間の電界の調整板の構成の一例を示す図である。図７（ａ）では、２つの調整板２０，２２が重ね合された状態の一例を示している。調整板２０には、複数の穴２４（開口部）が形成され、同様に、調整板２２には、複数の穴２６（開口部）が形成される。２つの調整板２０，２２を相対的に回転させることで穴２４，２６の重なり程度が調整可能になっている。図７（ａ）では、めっき時の電界の調整が可能な位置に穴２４，２６の重なり位置が制御されている場合を示している。調整板２０，２２の穴２４，２６の位置および大きさは、開口部の開口面積が調整できる範囲であれば異なっても構わないが、同じ位置および大きさに形成された方が制御しやすい分、好適である。
【００２７】
かかる調整板２０，２２の重ね合せ位置関係において、めっき処理工程（Ｓ１０２）を実施する。めっき処理工程（Ｓ１０２）の内容は、第１の実施形態と同様で構わない。
【００２８】
次に、開口面積拡大処理（Ｓ１０４）として、めっき終了後、ホルダ１０６を上部に移動させた状態で、図７（ｂ）に示すように、２つの調整板２０，２２を相対的に回転させることで穴２４，２６の開口面積を拡大する。
【００２９】
図８は、第２の実施形態における泡抜き処理の一例を示す概念図である。図８に示すように、調整板２０，２２の開口面積を拡大した状態で、めっき処理工程（Ｓ１０２）と同様のめっき液１０１の循環を継続する。これにより、調整板２０，２２の下部に溜まった泡１０ａの大きさにも依存するものの、広がった開口部を通過可能となった泡１０ａが開口部から調整板２０，２２の上方に排出される。調整板２０，２２の上方に排出された泡１０ｂは、めっき液１０１の液面に到達してめっき液１０１から抜くことができる。
【００３０】
次に、第１の実施形態と同様のめっき液逆循環処理工程（Ｓ１０６）を実施する。めっき液逆循環処理工程（Ｓ１０６）では、調整板２０，２２の開口面積を拡大した状態で行ってもよいし、調整板２０，２２の開口面積を狭めた状態で行ってもよい。調整板２０，２２の開口面積を拡大した状態で行う方が、ポンプ１４２にかかる負荷を小さくできるため好適である。
【００３１】
以上のように、第２の実施形態では、調整板２０，２２によって形成される開口部の面積を可変とした。かかる第２の実施形態によれば、第１の実施形態の効果を発揮できると共に、さらに、泡抜きを促進させることができる。
【００３２】
以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、調整板２０，２２の穴２４，２６のサイズや位置は適宜調整されればよい。また、上述した例では、Ｃｕ膜をめっき法で成膜する場合について説明したが、これに限るものではない。その他のめっき膜であってもよい。例えば、ニッケル（Ｎｉ）膜をめっき法で成膜する場合でも好適である。また、上述した例では、めっき漕１０２の上面が開放された場合を示したが、これに限るものではなく、密閉されためっき漕内で基板をめっきする場合であってもよい。
【００３３】
また、層間絶縁膜の膜厚や、開口部のサイズ、形状、数などについても、半導体集積回路や各種の半導体素子において必要とされるものを適宜選択して用いることができる。
【００３４】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのめっき装置およびめっき方法は、本発明の範囲に包含される。
【００３５】
また、説明の簡便化のために、半導体産業で通常用いられる手法、例えば、フォトリソグラフィプロセス、処理前後のクリーニング等は省略しているが、それらの手法が含まれ得ることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００３６】
１０  泡、２０，２２  調整板、１００  めっき装置、１０１  めっき液、１０２  めっき漕、１０４  アノード電極、１２０，１２２  流路、１３０  ３方弁、１４０，１４２  ポンプ、１４６  エア抜き弁、２００，３００  基板
【図１】
2013194305.tif 000003
【図２】
2013194305.tif 000004
【図３】
2013194305.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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