(57)【要約】【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨したときに、エッチングを原因とした段差が研磨対象物の表面に生じるのを抑えることができる研磨用組成物を提供する。【解決手段】本発明の研磨用組成物は、砥粒、酸化剤、及び水溶性重合体を含有する。水溶性重合体は、研磨用組成物を２５℃の温度の環境下で一日間静置したときに、砥粒の表面積１μｍ２あたりに５０００個以上の分子が吸着するものであってもよい。あるいは、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨した後の研磨対象物のＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分の水接触角を小さくするような化合物であってもよい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、砥粒、酸化剤、及び水溶性重合体を含有することを特徴とする研磨用組成物。
【請求項２】
研磨用組成物を２５℃の温度の環境下で一日間静置したときに、前記砥粒の表面積１μｍ２あたりに５０００個以上の前記水溶性重合体の分子が吸着する、請求項１に記載の研磨用組成物。
【請求項３】
前記水溶性重合体は親水性基を有し、
研磨用組成物を用いて前記研磨対象物を研磨した後のＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分の水接触角が、その研磨用組成物から水溶性重合体を除いた組成を有する別の組成物を用いて前記研磨対象物を研磨した後のＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分の水接触角と比較して小さい、請求項１に記載の研磨用組成物。
【請求項４】
前記水溶性重合体は、化学式：Ｒ１−Ｘ１−Ｙ１（ただし、Ｒ１はアルキル基、アルキルフェニル基又はアルケニル基を表し、Ｘ１はポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基又はポリ（オキシエチレン・オキシプロピレン）基を表し、Ｙ１はＳＯ３Ｍ１基、ＳＯ４Ｍ１基、ＣＯ２Ｍ１基又はＰＯ３Ｍ１２基（ただし、Ｍ１はカウンターイオンを表す）を表す。）で表されるアニオン界面活性剤である、請求項１に記載の研磨用組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨することを特徴とする研磨方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨することにより、基板を製造することを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物に関する。本発明はまた、その研磨用組成物を用いた研磨方法及び基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンよりもキャリアの輸送特性に優れるヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）などのＩＩＩ−Ｖ族化合物材料は、次世代の半導体チャネル材料として期待をされている。ＩＩＩ−Ｖ族化合物チャネルは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分（以下、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分ともいう）とケイ素材料を含有する部分（以下、ケイ素材料部分ともいう）とを有する研磨対象物を研磨して形成することができる。このとき、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分を高い研磨速度で研磨することに加えて、研磨対象物の研磨後の表面にエッチングを原因とした段差を生じないことが求められる。しかしながら、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を研磨する用途で従来使用されている例えば特許文献１又は特許文献２に記載のような研磨用組成物は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板向けに開発されているために、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分とＩＩＩ−Ｖ族化合物以外の材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用した場合、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分を過剰に研磨及びエッチングしてしまい、研磨後の表面にエッチングを原因とした段差が生じるのを防ぐことが難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６３−１５０１５５号公報
【特許文献２】特開２００４−３２７６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで本発明の目的は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分を有する研磨対象物を研磨したときに、エッチングを原因とした段差が研磨対象物の表面に生じるのを抑えることができる研磨用組成物を提供すること、またその研磨用組成物を用いた研磨方法及び基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様では、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、砥粒、酸化剤、及び水溶性重合体を含有する研磨用組成物を提供する。
【０００６】
水溶性重合体は、研磨用組成物を２５℃の温度の環境下で一日間静置したときに、砥粒の表面積１μｍ２あたりに５０００個以上の分子が吸着するものであってもよい。
あるいは、水溶性重合体は、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨した後のＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分の水接触角が、その研磨用組成物から水溶性重合体を除いた組成を有する別の組成物を用いて前記研磨対象物を研磨した後のＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分の水接触角と比較して小さくなるような化合物であってもよい。
【０００７】
あるいは、水溶性重合体は、化学式：Ｒ１−Ｘ１−Ｙ１で表されるアニオン界面活性剤であってもよい。ただし、Ｒ１はアルキル基、アルキルフェニル基又はアルケニル基を表し、Ｘ１はポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基又はポリ（オキシエチレン・オキシプロピレン）基を表し、Ｙ１はＳＯ３Ｍ１基、ＳＯ４Ｍ１基、ＣＯ２Ｍ１基又はＰＯ３Ｍ１２基を表し、Ｍ１はカウンターイオンを表す。
【０００８】
本発明の第２の態様では、上記第１の態様の研磨用組成物を用いて、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分を有する研磨対象物を研磨する方法を提供する。
本発明の第３の態様では、上記第１の態様の研磨用組成物を用いて、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分を有する研磨対象物を研磨することにより、基板を製造する方法を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分を有する研磨対象物を研磨したときに、エッチングを原因とした段差が研磨対象物の表面に生じるのを抑えることができる研磨用組成物と、その研磨用組成物を用いた研磨方法及び基板の製造方法とが提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施形態を説明する。
本実施形態の研磨用組成物は、砥粒と酸化剤と水溶性重合体を水に混合して調製される。従って、研磨用組成物は、砥粒、酸化剤及び水溶性重合体を含有する。
【００１１】
この研磨用組成物は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分を有する研磨対象物を研磨する用途、さらに言えばその研磨対象物を研磨して基板を製造する用途で使用される。研磨対象物は、ケイ素材料部分をさらに有していてもよい。ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料の例としては、リン化ガリウム（ＧａＰ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）等が挙げられる。また、ケイ素材料の例としては、ポリシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等が挙げられる。
【００１２】
（砥粒）
研磨用組成物中に含まれる砥粒は、無機粒子及び有機粒子のいずれであってもよい。無機粒子の具体例としては、シリカ、アルミナ、セリア、チタニアなどの金属酸化物からなる粒子が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子が挙げられる。その中でもシリカ粒子が好ましく、特に好ましいのはコロイダルシリカである。
【００１３】
研磨用組成物中の砥粒の含有量は０．０１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上である。砥粒の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分の研磨速度が向上する。
【００１４】
研磨用組成物中の砥粒の含有量はまた、２０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは１７質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下である。砥粒の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができるのに加え、砥粒の凝集が起こりにくくなる。
【００１５】
砥粒の平均一次粒子径は５ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは７ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上である。砥粒の平均一次粒子径が大きくなるにつれて、研磨用組成物によるＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分の研磨速度が向上する。なお、砥粒の平均一次粒子径の値は、例えば、ＢＥＴ法で測定される砥粒の比表面積に基づいて計算することができる。
【００１６】
砥粒の平均一次粒子径はまた、１５０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１１０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以下である。砥粒の平均一次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することによりスクラッチのより少ない研磨面を得ることが容易になる。
【００１７】
砥粒の平均二次粒子径は３００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２７０ｎｍ以下、さらに好ましくは２５０ｎｍ以下である。砥粒の平均二次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することによりスクラッチのより少ない研磨面を得ることが容易になる。砥粒の平均二次粒子径の値は、例えば、レーザー光散乱法により測定することができる。
【００１８】
（酸化剤）
研磨用組成物中に含まれる酸化剤の種類は特に限定されないが、０．３Ｖ以上の標準電極電位を有していることが好ましい。０．３Ｖ以上の標準電極電位を有する酸化剤を使用した場合には、０．３Ｖ未満の標準電極電位を有する酸化剤を使用した場合に比べて、研磨用組成物によるＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分及びケイ素材料部分の研磨速度が向上するという有利がある。０．３Ｖ以上の標準電極電位を有する酸化剤の具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、有機酸化剤、オゾン水、銀（ Ｉ Ｉ ） 塩、鉄（ Ｉ Ｉ Ｉ ） 塩、並びに過マンガン酸、クロム酸、重クロム酸、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、亜塩素酸、過塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、硫酸、過硫酸、クエン酸、ジクロロイソシアヌル酸及びそれらの塩等が挙げられる。これらの中でも、研磨用組成物によるＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分及びケイ素材料部分の研磨速度が大きく向上することから、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、及びジクロロイソシアヌル酸ナトリウムが好ましい。
【００１９】
なお、標準電極電位とは、酸化反応に関与するすべての化学種が標準状態にあるときに次式で表される。
Ｅ０＝−△Ｇ０／ｎＦ＝（ＲＴ／ｎＦ）ｌｎＫ
ここで、Ｅ０は標準電極電位、△Ｇ０は酸化反応の標準ギブスエネルギー変化、Ｋはその平行定数、Ｆはファラデー定数、Ｔは絶対温度、ｎは酸化反応に関与する電子数である。従って、標準電極電位は温度により変動するので、本明細書中においては２５℃における標準電極電位を採用している。なお、水溶液系の標準電極電位は、例えば改訂４版化学便覧（基礎編）ＩＩ、ｐｐ４６４−４６８（日本化学会編）等に記載されている。
【００２０】
研磨用組成物中の酸化剤の含有量は０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは０．１ｍｏｌ／Ｌ以上である。酸化剤の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分の研磨速度が向上する。
【００２１】
研磨用組成物中の酸化剤の含有量はまた、１００ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｍｏｌ／Ｌ以下である。酸化剤の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができるのに加え、研磨使用後の研磨用組成物の処理、すなわち廃液処理の負荷を軽減することができる。
【００２２】
（水溶性重合体）
研磨用組成物中に含まれる水溶性重合体の種類は特に限定されないが、研磨用組成物を２５℃の温度の環境下で一日間静置したときに、砥粒の表面積１μｍ２あたりに５０００個以上の分子が吸着するような種類の水溶性重合体、例えばポリオキシアルキレン鎖を有するノニオン性化合物を使用することができる。ポリオキシアルキレン鎖を有するノニオン性化合物の具体例としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレン（以下、ＰＯＥという）アルキレンジグリセリルエーテル、ＰＯＥアルキルエーテル、ＰＯＥソルビタン脂肪酸エステル、ＰＯＥアルキルフェニルエーテル、ＰＯＥグリコール脂肪酸エステル、ＰＯＥヘキシタン脂肪酸エステル、ＰＯＥポリプロピレンアルキルエーテル、及びポリオキシプロピレン／ポリオキシエチレンのブロック／ランダムコポリマーが挙げられる。このような水溶性重合体を使用した場合には、所定の量以上の水溶性重合体が砥粒の表面に吸着することにより砥粒の性質に変化が生じる結果、ディッシングやエロージョンが研磨対象物の表面に発生するのを抑えることができる。
【００２３】
あるいは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基及びエーテル基等の親水性基を有する水溶性重合体を使用することもできる。このような水溶性重合体を使用した場合には、疎水性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分の表面に研磨用組成物中の水溶性重合体が吸着することにより当該表面の濡れ性が向上する結果、エッチングを原因とした段差が研磨対象物の表面に発生するのを抑えることができる。水溶性重合体が有する親水性基の数は、一分子当たり３個以上であることが好ましく、より好ましくは５個以上、さらに好ましくは１０個以上である。水溶性重合体が有する親水性基の数が多いほど、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分に対する親水効果が高まり、その結果としてエッチングを原因とした段差の発生がさらに抑えられる。
【００２４】
水溶性重合体は、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨した後のＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分の水接触角が、この研磨用組成物から水溶性重合体を除いた組成を有する別の組成物を用いて同じ研磨対象物を研磨した後のＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分の水接触角と比較して小さくなるような種類の化合物、好ましくは５７度以下、より好ましくは５０度以下、さらに好ましくは４５度以下となるような種類の化合物の中から選択して使用されることが好ましい。このような水溶性重合体の具体例としては、多糖類であるアルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、デンプン、寒天、カードラン及びプルラン、
アルコール化合物であるポリエチレングリコール、ポリグリセリン、ペンタノール、ポリプロピレングリコール及びポリビニルアルコール（このうちポリエチレングリコール、ポリグリセリン及びポリプロピレングリコールはアルコール化合物であってかつポリエーテルである）、
ポリオキシアルキレン鎖を有するノニオン性化合物であるＰＯＥアルキレンジグリセリルエーテル、ＰＯＥアルキルエーテル及びモノオレイン酸ＰＯＥ（６）ソルビタン、ポリカルボン酸又はその塩であるポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ（ｐ−スチレンカルボン酸）、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、アミノポリアクリルアミド、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩、ポリグリオキシル酸、ポリカルボン酸アミド、ポリカルボン酸エステル及びポリカルボン酸塩が挙げられる。
【００２５】
研磨用組成物中の水溶性重合体の含有量は１０質量ｐｐｍ以上であることが好ましく、より好ましくは５０質量ｐｐｍ以上、さらに好ましくは１００質量ｐｐｍ以上である。水溶性重合体の含有量が多くなるにつれて、エッチングを原因とした段差の発生はさらに抑えられる。
【００２６】
研磨用組成物中の水溶性重合体の含有量はまた、１０００００質量ｐｐｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５００００質量ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１００００質量ｐｐｍ以下である。水溶性重合体の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物中の砥粒の凝集が起こりにくくなり、その結果として研磨用組成物の保存安定性が向上する。
【００２７】
水溶性重合体の分子量は１００以上であることが好ましく、より好ましくは３００以上である。水溶性重合体の分子量が大きくなるにつれて、エッチングを原因とした段差の発生はさらに抑えられる。
【００２８】
水溶性重合体の分子量は５０００００以下であることが好ましく、より好ましくは３０００００以下である。水溶性重合体の分子量が小さくなるにつれて、研磨用組成物中の砥粒の凝集が起こりにくくなり、その結果として研磨用組成物の保存安定性が向上する。
【００２９】
あるいは、本実施形態の研磨用組成物は、化学式：Ｒ１−Ｘ１−Ｙ１で表されるアニオン界面活性剤を水溶性重合体として含んでもよい。ただし、Ｒ１はアルキル基、アルキルフェニル基又はアルケニル基を表し、Ｘ１はポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基又はポリ（オキシエチレン・オキシプロピレン）基を表し、Ｙ１はＳＯ３Ｍ１基、ＳＯ４Ｍ１基、ＣＯ２Ｍ１基又はＰＯ３Ｍ１２基を表す。ＳＯ３Ｍ１基、ＳＯ４Ｍ１基、ＣＯ２Ｍ１基及びＰＯ３Ｍ１２基のＭ１はカウンターイオンを表す。カウンターイオンは、例えば、アンモニウムカチオン、アミン類カチオン、およびリチウムカチオン、ナトリウムカチオン、カリウムカチオンのようなアルカリ金属カチオンなど特に限定されない。また、全てのカウンターイオンが置換されている必要はなく、一部が水素であっても構わない。このようなアニオン界面活性剤を水溶性重合体として使用した場合には、研磨対象物のＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分にアニオン界面活性剤が電気的に吸着して保護膜を形成することにより、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分の表面と砥粒との間の親和性が低下する結果、ディッシングが研磨対象物の表面に発生するのを抑えることができる。
【００３０】
本実施形態によれば以下の作用効果が得られる。
本実施形態の研磨用組成物では、エッチングを原因とした段差が研磨対象物の表面に発生するのを抑えるために、研磨対象物のＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分と相互作用する水溶性重合体が使用されている。そのため、この研磨用組成物は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料部分を有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いられる。
【００３１】
前記実施形態は次のように変更されてもよい。
・  前記実施形態の研磨用組成物は、二種類以上の砥粒を含有してもよい。
・  前記実施形態の研磨用組成物は、二種類以上の酸化剤を含有してもよい。
【００３２】
・  前記実施形態の研磨用組成物は、二種類以上の水溶性重合体を含有してもよい。
・  前記実施形態の研磨用組成物は、防腐剤のような公知の添加剤を必要に応じてさらに含有してもよい。
【００３３】
・  前記実施形態の研磨用組成物は一液型であってもよいし、二液型をはじめとする多液型であってもよい。
・  前記実施形態の研磨用組成物は、研磨用組成物の原液を水で希釈することにより調製されてもよい。
【００３４】
次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。
コロイダルシリカ、酸化剤及び水溶性重合体を水と混合することにより、実施例１〜１２の研磨用組成物を調製した。また、コロイダルシリカ及び酸化剤を水と混合して比較例１の研磨用組成物を調製した。各研磨用組成物中の成分の詳細を表１に示す。
【００３５】
【表１】
2013115155.tif 000002
【００３６】
実施例１〜１２の各研磨用組成物について、コロイダルシリカの単位表面積あたりに吸着する水溶性重合体の分子数を次のようにして測定した。すなわち、各研磨用組成物を２５℃の温度の環境下で一日間静置した後、２００００ｒｐｍの回転速度で２時間遠心分離して上澄み液を回収した。回収した上澄み液中の全有機炭素量を、燃焼触媒酸化方式の有機炭素測定装置を用いて計測した。またそれとは別に、各研磨用組成物からコロイダルシリカを除いた組成を有する組成物を用意し、２５℃の温度の環境下で一日間静置した後、同じく燃焼触媒酸化方式の有機炭素測定装置を用いてこの組成物中の全有機炭素量を計測した。そして、対応する研磨用組成物の上澄み液中の全有機炭素量をこれから減ずることにより、研磨用組成物中のコロイダルシリカに対する水溶性重合体の全吸着量を算出した。コロイダルシリカの単位表面積あたりに吸着する水溶性重合体の分子数は、こうして算出した吸着量からコロイダルシリカの表面積及び水溶性重合体の分子量に基づいて算出することができた。その結果を表２の“コロイダルシリカ１μｍ２あたりの吸着分子数”欄に示す。
【００３７】
実施例１〜１２及び比較例１の各研磨用組成物を用いて、ヒ化ガリウムブランケットウェーハの表面を、表３に記載の条件で研磨したときに求められる研磨速度の値を表２の“ＧａＡｓの研磨速度”欄に示す。研磨速度の値は、研磨前後のウェーハの重量の差を密度と研磨時間で除することによって求めた。
【００３８】
研磨後のヒ化ガリウムブランケットウェーハを純水でリンスし、乾燥空気を吹き付けて乾燥した後、市販の接触角評価装置を用いてθ／２法で水接触角を測定した。その結果を表２の“水接触角”欄に示す。
【００３９】
ヒ化ガリウムブランケットウェーハを２ｃｍ四方の大きさのウェーハ小片にカットし、実施例１〜１２及び比較例１の各研磨用組成物中に２５℃で５分間浸漬した。浸漬前後のウェーハ小片の重量の差とヒ化ガリウムの比重（５．３ｇ／ｃｍ３）から換算したヒ化ガリウムのエッチング速度を表２の“ＧａＡｓのエッチング速度”欄に示す。
【００４０】
【表２】
2013115155.tif 000003
【００４１】
【表３】
2013115155.tif 000004
【００４２】
表２に示すように、水溶性重合体を含有する実施例１〜１１の研磨用組成物の場合、水溶性重合体を含有しない比較例１の場合と比較して、ヒ化ガリウムのエッチング速度に低下が認められた。この結果から、エッチングを原因とした段差の発生を抑えるのに水溶性重合体が有効であることが示唆される。