(57)【要約】【課題】穏和な条件で、比較的短時間で高い収率が得られ、着色等の問題を生じないアリールアミン類、特に有機ＥＬ用電荷輸送材料の製造用触媒を提供することを課題とする。【解決手段】パラジウム化合物および下記式（１）で示される構造を有するアミノ置換リン化合物からなる有機ＥＬ用電荷輸送材料製造用触媒を使用することにより上記課題が解決できる。2013181072.tif 000034（式（１）中、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基を示す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
パラジウム化合物および下記式（１）で示される構造を有するアミノ置換リン化合物からなる有機ＥＬ用電荷輸送材料製造用触媒。
【化１】
2013181072.tif 000032
（式（１）中、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基を示す。）
【請求項２】
式（１）のアミノ置換リン化合物が、式（２）で示されるものである請求項１記載の有機ＥＬ用電荷輸送材料製造用触媒。
【化２】
2013181072.tif 000033
【請求項３】
パラジウム化合物が、Ｐｄ（Ｏａｃ）２、Ｐｄ（ａｃａｃ）２、（ＣＨ３ＣＮ）２Ｐｄ（ＮＯ２）Ｃｌ、（Ｃ１０Ｈ８Ｎ２）２ＰｄＣｌ２、Ｐｄ２（ｄｂａ）３およびＰｄＣｌ２からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１又は２記載の有機ＥＬ用電荷輸送材料製造用触媒。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の触媒を使用し、塩基の存在下でアリール化合物とアミン化合物とを反応させることを含む、有機ＥＬ用の電荷輸送材料の製造方法。
【請求項５】
塩基がターシャリーブトキシナトリウムである、請求項４記載の有機ＥＬ用の電荷輸送材料の製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５記載の製造方法により製造された有機ＥＬ用電荷輸送材料。
【請求項７】
請求項６記載の有機ＥＬ用電荷輸送材料及び溶剤を含有する、有機電界発光素子用組成物。
【請求項８】
基板上に、陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、
該有機層が、請求項７に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜で形成された層を含むことを特徴とする、有機電界発光素子。  
【請求項９】
前記湿式成膜で形成された層が、正孔注入層及び／又は正孔輸送層である、請求項８に記載の有機電界発光素子。
【請求項１０】
前記有機層として、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を有し、該正孔注入層、該正孔輸送層、及び該発光層のいずれもが湿式成膜で形成されることを特徴とする、請求項８又は９記載の有機電界発光素子。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を含む、有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
請求項８〜１０のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を含む、有機ＥＬ照明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ用電荷輸送材料製造用触媒、それを用いた電荷輸送材料の製造方法、さらには、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ照明に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機薄膜を用いた電界発光素子（即ち、有機電界発光素子）の開発が行われている。有機電界発光素子における有機薄膜には、電荷輸送性を有する化合物が包含され、例えば、高い正孔移動度を有するアリールアミン化合物やトリアリールアミンポリマー（以下、「アリールアミン類」と称する場合がある）が知られている。
そのようなアリールアミン骨格を有する化合物の製造方法としては、古くはアリールハライドとアミン化合物とからアリールアミン類を、銅触媒を用いて合成するウルマン反応が知られている（非特許文献１、特許文献１）。
【０００３】
また、特許文献２には、トリアルキルホスフィンやトリアリールホスフィンなどのリン化合物とパラジウム化合物からなる触媒を用いて、アリールアミン類を合成する技術が報告されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，ｐｐ．１１４５〜１１４８，１９８９
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第４，７６４，６２５号明細書
【特許文献２】特許第４２０７２４３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に代表されるウルマン反応では、大量の銅触媒を使用するうえ、150℃以上の高温と長い反応時間を要し、さらに反応収率が低いという問題があった
。また銅触媒を使用する点で環境面でも問題があった。さらには着色性の不純物などの副生物も発生する場合があった。
また、特許文献２の方法では、確かにアリールアミン類を高収率かつ高選択的に合成できるが、本方法で使用するリン化合物は、酸素や水分などにより容易に失活するため、合成操作が煩雑であるという問題があった。
【０００７】
本発明は、穏和な条件で、比較的短時間で高い収率が得られ、着色等の問題を生じないアリールアミン類の製造用触媒、特に有機ＥＬ用電荷輸送材料の製造用触媒を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは前記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、アリールアミン類の製造に際し、特定の触媒を使用することにより前記課題が解決できることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、以下の通りである。
［１］パラジウム化合物および下記式（１）で示される構造を有するアミノ置換リン化合物からなる有機ＥＬ用電荷輸送材料製造用触媒。
【０００９】
【化１】
2013181072.tif 000002
【００１０】
（式（１）中、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基を示す。）
［２］式（１）のアミノ置換リン化合物が、式（２）で示されるものである有機ＥＬ用電荷輸送材料製造用触媒。
【００１１】
【化２】
2013181072.tif 000003
【００１２】
［３］パラジウム化合物が、Ｐｄ（Ｏａｃ）２、Ｐｄ（ａｃａｃ）２、（ＣＨ３ＣＮ）２Ｐｄ（ＮＯ２）Ｃｌ、（Ｃ１０Ｈ８Ｎ２）２ＰｄＣｌ２、Ｐｄ２（ｄｂａ）３およびＰｄＣｌ２からなる群より選択される少なくとも１種である有機ＥＬ用電荷輸送材料製造用触媒。
［４］前記触媒を使用し、塩基の存在下でアリール化合物とアミン化合物とを反応させることを含む、有機ＥＬ用の電荷輸送材料の製造方法。
【００１３】
［５］塩基がターシャリーブトキシナトリウムである前記の有機ＥＬ用の電荷輸送材料の製造方法。
［６］前記製造方法により製造された有機ＥＬ用電荷輸送材料。
［７］前記の有機ＥＬ用電荷輸送材料及び溶剤を含有する、有機電界発光素子用組成物。
【００１４】
［８］基板上に、陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、
該有機層が、前記有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜で形成された層を含むことを特徴とする、有機電界発光素子。  
［９］前記湿式成膜で形成された層が、正孔注入層及び／又は正孔輸送層である、有機電界発光素子。
【００１５】
［１０］前記有機層として、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を有し、該正孔注入層、該正孔輸送層、及び該発光層のいずれもが湿式成膜で形成されることを特徴とする、請求項７又は８記載の有機電界発光素子。
［１１］前記有機電界発光素子を含む、有機ＥＬ表示装置。
［１２］前記有機電界発光素子を含む、有機ＥＬ照明。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、大量の銅触媒を使用することなく、穏和な条件で比較的短時間でアリールアミン類を合成することが可能となる。また、合成作業も煩雑とならず、高選択的に高収率で合成することができ、且つ着色物質などの不純物も少ない。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の一例を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に本発明の実施形態を説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に限定されない。
［有機ＥＬ用電荷輸送材料製造用触媒］
本発明の触媒は、有機ＥＬ用電荷輸送材料製造用の触媒であり、より詳しくはアリールアミン類を合成するために使用される触媒である。
【００１９】
触媒は、パラジウム化合物および下記式（１）で示される構造を有するアミノ置換リン化合物からなる。
【００２０】
【化３】
2013181072.tif 000004
【００２１】
（式（１）中、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基を示す。）
ここで、炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、プロピル基、ネオペンチル基、ヘキシル基などが挙げられる。反応性の点で特に好ましくは、メチル基、イソブチル基、ネオペンチル基である。
【００２２】
より好ましくは、式（２）で示されるアミノ置換リン化合物である。
【００２３】
【化４】
2013181072.tif 000005
【００２４】
また、パラジウム化合物としては、例えば、Ｐｄ（Ｏａｃ）２、Ｐｄ（ａｃａｃ）２、（ＣＨ３ＣＮ）２Ｐｄ（ＮＯ２）Ｃｌ、（Ｃ１０Ｈ８Ｎ２）２ＰｄＣｌ２、Ｐｄ２（ｄｂａ）３、ＰｄＣｌ２等が挙げられる。ここで、「Ｏａｃ」はアセトナトを意味し、「ａｃａｃ」はアセトリアセトナトを意味し、「ｄｂａ」は１，５−ジフェニル−１，４−ペン
タジエン−３−ナトを意味する。パラジウム化合物としては、好ましくは、Ｐｄ２（ｄｂａ）３である。
【００２５】
［有機ＥＬ用の電荷輸送材料の製造方法］
前記した触媒を使用し、塩基の存在下でアリール化合物とアミン化合物とを反応させることにより、有機ＥＬ用の電荷輸送材料を製造する。
ここで、触媒として使用するアミノ置換リン化合物の使用量は、パラジウム化合物に対して、10〜2000重量％であることが好ましく、特に好ましくは50〜1000重量％である。
【００２６】
反応に際して使用する溶媒は適宜選択され、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、１，４−ジオキサン等である。
反応条件は、常圧、加圧下のいずれの反応でもよく、また反応温度は50〜200℃が好ま
しい。反応時間は、使用する原料、触媒、塩基等により異なるが概ね2分〜20時間で完結
することが好ましい。
【００２７】
使用する塩基としては、強塩基であることが好ましく、例えば金属アルコキシド、炭酸カリウム、リン酸三カリウム等である。金属アルコキシドとしては、アルカリ金属、アルカリ土類金属のアルコキシドが例示でき、アルカリ金属アルコキシドとしては、リチウムメトキシド、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、リチウムエトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、リチウム−イソプロポキシド、ナトリウム−イソプロポキシド、カリウム−イソプロポキシド、リチウム−ターシャリーブトキシド、ナトリウム−ターシャリーブトキシド、カリウム−ターシャリーブトキシドなどが挙げられる。
【００２８】
アルカリ土類金属アルコキシドとしては、例えば、マグネシウムジ（メトキシド）、マグネシウムジ（エトキシド）、マグネシウムジ（イソプロポキシド）、マグネシウムジ（カリウム−ターシャリーブトキシド）などが挙げられる。
これら塩基の中でも、アルカリ金属アルコキシドが好ましく、収率向上の観点からターシャリーブトキシナトリウムが特に好ましい。
アリールアミン類の合成原料となるアリール化合物及びアミン化合物については、合成目的物によって種々選択可能である。
以下に一例として、合成目的物となるアリールアミン類を例示するが、本発明はこの例示物の合成方法に限定されるものではない。
【００２９】
［アリールアミン類］
ここで例示する重合体は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を含み、且つ架橋性基を有することを特徴とする。
【００３０】
【化５】
2013181072.tif 000006
【００３１】
（一般式（１）中、
Ａｒ11〜Ａｒ13は、各々独立に置換基を有していてもよい２価の芳香族基を示し、
Ａｒ14及びＡｒ15は、各々独立に置換基を有していてもよい芳香族基を示し、
Ａｒ16及びＡｒ17は、各々独立に直接結合、又は置換基を有していてもよい２価の芳香族基を示し、
Ｒ11及びＲ12は、各々独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、又は置換基を有していてもよい芳香族基を示し、
ｒは０〜５の整数を示す。
【００３２】
Ｒ11及びＲ12は互いに結合して環構造を形成していてもよい。
尚、架橋性基は、上記一般式（１）で表される繰り返し単位に含まれていてもよい。）
上記一般式（１）で表される繰り返し単位にはアルキレン基（好ましくは４級炭素含有アルキレン基）が１つのみ存在する。この様に、主鎖に剛直ではないアルキレン基（好ましくは４級炭素含有アルキレン基）が含まれることにより、重合体を架橋させて有機溶剤に不溶とした後も、高い電荷輸送能及び酸化還元安定性が維持できる。又、主鎖にπ共役系の広がりを抑えるアルキレン基（好ましくは４級炭素含有アルキレン基）が含まれることにより、重合体を架橋させて有機溶剤に不溶とした後も、一重項励起準位及び三重項励起準位が高く維持できる。このため、本重合体を架橋した網目状重合体により層を形成した場合、この層は低い電圧でも電流を流し、かつ、励起子を失活させにくい。
【００３３】
一般式（１）で表される繰り返し単位を有する重合体において、アルキレン基（好ましくは４級炭素含有アルキレン基）とアルキレン基（好ましくは４級炭素含有アルキレン基）の間には必ず窒素原子が存在する。このため、Ａｒ11〜Ａｒ17のいずれもが正孔輸送に関与し得る。その結果、低い電圧にて有機電界発光素子を駆動することができると考えられる。
【００３４】
一般式（１）において、Ａｒ11〜Ａｒ13は、各々独立に置換基を有していてもよい２価の芳香族基を示し、Ａｒ14及びＡｒ15は、各々独立に置換基を有していてもよい芳香族基を示し、Ａｒ16及びＡｒ17は、各々独立に直接結合、又は置換基を有していてもよい２価の芳香族基を示す。
ここで「芳香族基」とは、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基の総称である。
【００３５】
Ａｒ11〜Ａｒ17を構成する置換基を有していてもよい１価又は２価の芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環又は２〜５縮合環由来の基、及びこれらの環が２〜４個結合した基等が挙げられる。
【００３６】
Ａｒ11〜Ａｒ17を構成する置換基を有していてもよい１価又は２価の芳香族複素環基としては、例えば、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の基、及びこれらの環が２〜４個結合した基等が挙げられる。
【００３７】
また、Ａｒ11〜Ａｒ17には、上記の芳香族炭化水素基と芳香族複素環基が２〜４個結合した基も挙げられる。
中でも、溶解性及び耐熱性の点から、Ａｒ11〜Ａｒ17は、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基、及びこれらの環が２〜４個結合した基が好ましい。
【００３８】
更に、Ａｒ11〜Ａｒ17における芳香族基が有していてもよい置換基としては、特に制限はないが、例えば、後述する置換基群Ｚから選ばれる基等が挙げられる。
尚、Ａｒ11〜Ａｒ17は、置換基を１個有していてもよく、２個以上有していてもよい。２個以上有する場合、１種類を有していてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で有していてもよい。
【００３９】
Ｒ11及びＲ12は、各々独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、又は置換基を有していてもよい芳香族基を示す。
Ｒ11及びＲ12のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基等の、炭素数が通常１以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルキル基等が挙げられる。
Ｒ11及びＲ12のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常１以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルコキシ基等が挙げられる。
【００４０】
Ｒ11及びＲ12の芳香族基としては、前記Ａｒ14〜Ａｒ15を構成する芳香族基と同じ基等が挙げられる。
Ｒ11及びＲ12は、４級炭素を有する点から、上記の基のうち、水素原子以外の基が好ましく、中でも、溶解性の点から、炭素数１〜１２のアルキル基及び炭素数１〜１２のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基がより好ましい。
尚、Ｒ11〜Ｒ12が更に有していてもよい置換基としては、特に制限はないが、例えば、下記置換基群Ｚから選ばれる基等が挙げられる。
【００４１】
（置換基群Ｚ）
例えばメチル基、エチル基等の、炭素数が通常１以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルキル基；
例えばビニル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルケニル基；
例えばエチニル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルキニル基；
例えばメトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常１以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルコキシ基；
例えばフェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が通常４以上、好ましくは５以上であり、通常３６以下、好ましくは２４であるアリールオキシ基；
例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルコキシカルボニル基；
例えばジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるジアルキルアミノ基；
【００４２】
例えばジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ−カルバゾリル基等の、炭素数が通常１０以上、好ましくは１２以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下のジアリールアミノ基；
例えばフェニルメチルアミノ基等の、炭素数が通常７であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるアリールアルキルアミノ基；
例えばアセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常２であり、通常２４以下、好ましくは１２であるアシル基；
例えばフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；
例えばトリフルオロメチル基等の、炭素数が通常１以上であり、通常１２以下、好ましくは６以下のハロアルキル基；
例えばメチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が通常１以上であり、通常２４以下、
好ましくは１２以下のアルキルチオ基；
例えばフェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が通常４以上、好ましくは５以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるアリールチオ基；
例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が通常２以上、好ましくは３以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるシリル基；
【００４３】
例えばトリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が通常２以上、好ましくは３以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるシロキシ基；
シアノ基；
例えばフェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常６以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下である芳香族炭化水素環基；
例えばチエニル基、ピリジル基等の、炭素数が通常３以上、好ましくは４以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下である芳香族複素環基。
【００４４】
これら置換基の中でも、溶解性の点から、炭素数１〜１２のアルキル基及び炭素数１〜１２のアルコキシ基が好ましい。
又、上記各置換基が更に置換基を有していてもよく、その例としては前記置換基群Ｚに例示した基等が挙げられる。
Ａｒ11〜Ａｒ17の置換基の式量としては、更に置換した置換基を含めて、５００以下が好ましく、２５０以下がより好ましい。置換基の式量が大きすぎると電荷輸送能が低下する可能性がある。
【００４５】
尚、Ａｒ11〜Ａｒ17の式量は、通常６５以上、好ましくは７５以上であり、通常５００以下、好ましくは３００以下、より好ましくは２００以下である。Ａｒ11〜Ａｒ17の式量が大きすぎると架橋前の溶解性が著しく低下する可能性がある。
一般式（１）においてｒは−Ａｒ13−Ｎ（Ａｒ15）−の繰り返し数を示す。ｒは、具体的には、０以上であり、好ましくは１以上、より好ましくは２以上であり、通常５以下、好ましくは４以下、より好ましくは３以下の整数を示す。ｒが大きすぎると、架橋反応前の溶解性が低下する可能性がある。又、ｒを１以上にすることにより電気的耐久性を確保できる。
【００４６】
Ａｒ11〜Ａｒ13、並びにＡｒ16及びＡｒ17は置換基を有していてもよい１価又は２価の芳香族基を２以上結合させた基であっても良い。このような基としては、ビフェニレン基、ターフェニレン基などが挙げられ、架橋反応前の溶解性、電荷輸送能、及び電気的耐久性等の点から、４，４'−ビフェニレン基が好ましい。
本重合体は、架橋性基を有することが必須であり、架橋性基を有することで熱及び／又は活性エネルギー線の照射により起こる反応（不溶化反応）の前後で、溶媒に対する溶解性に大きな差を生じさせることができる。
【００４７】
架橋性基とは、熱及び／又は活性エネルギー線の照射により近傍に位置するほかの分子の同一又は異なる基と反応して、新規な化学結合を生成する基のことをいう。
架橋性基としては、不溶化がしやすいという点で、例えば、架橋性基群Ｔに示す基が挙げられる。架橋性基は、これらに限定されない。
［架橋性基群Ｔ］
【００４８】
【化６】
2013181072.tif 000007
【００４９】
（上記式中、Ｒ21〜Ｒ23は、各々独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。Ａｒ21は置換基を有していてもよい芳香族基を示す。
Ｘ1、Ｘ2及びＸ3は、各々独立して水素原子又はハロゲン原子を示す。
Ｒ24は水素原子又はビニル基を示す。
ベンゾシクロブテン環は、置換基を有していてもよく、該置換基同士が、互いに結合して環を形成してもよい。）
Ｒ21〜Ｒ23のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基等の、炭素数が通常１以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルキル基等が挙げられる。
【００５０】
Ａｒ21の芳香族基としては、前記Ａｒ11〜Ａｒ17を構成する芳香族基と同じ基等が挙げられる。
尚、Ｒ21〜Ｒ23、及びＡｒ21が更に有していてもよい置換基としては、特に制限はないが、例えば、前記置換基群Ｚから選ばれる基等が挙げられる。
エポキシ基、オキセタン基等の環状エーテル基、ビニルエーテル基などのカチオン重合によって不溶化反応する基が、反応性が高く不溶化が容易な点で好ましい。中でも、カチオン重合の速度を制御しやすい点でオキセタン基が特に好ましく、カチオン重合の際に素子の劣化をまねくおそれのあるヒドロキシル基が生成しにくい点でビニルエーテル基が好ましい。
【００５１】
シンナモイル基などアリールビニルカルボニル基、ベンゾシクロブテン環由来の基などの環化付加反応する基が、電気化学的安定性をさらに向上させる点で好ましい。
又、架橋性基の中でも、不溶化後の構造が特に安定な点で、ベンゾシクロブテン環由来の基が特に好ましい。
具体的には、下記式（ＩＩ）で表される基であることが好ましい。
【００５２】
【化７】
2013181072.tif 000008
【００５３】
（式（ＩＩ）中のベンゾシクロブテン環は、置換基を有していてもよい。又、該置換基同士が、互いに結合して環を形成してもよい。）
架橋性基は分子内の１価又は２価の芳香族基に直接結合してもよいが、２価の基を介して結合してもよい。この２価の基としては、−Ｏ−基、−Ｃ（＝Ｏ）−基又は（置換基を有していてもよい）−ＣＨ2−基から選ばれる基を任意の順番で１〜３０個連結してなる
２価の基を介して、１価又は２価の芳香族基に結合することが好ましい。これら２価の基を介する架橋性基、すなわち、架橋性基を含む基の具体例は以下の＜架橋性基を含む基群Ｔ'＞に示す通りである。
＜架橋性基を含む基群Ｔ'＞
【００５４】
【化８】
2013181072.tif 000009
【００５５】
【化９】
2013181072.tif 000010
【００５６】
（上記式中、ｍは０〜１２の整数を示し、ｎは１〜１２の整数を示す。）
これらの架橋性基を含む基の具体例としては、次のものが挙げられる。
【００５７】
【化１０】
2013181072.tif 000011
【００５８】
【化１１】
2013181072.tif 000012
【００５９】
（架橋性基の割合）
本重合体は、１つのポリマー鎖中に有する架橋性基が、好ましくは平均１以上、より好ましくは平均２以上、又、好ましくは平均２００以下、より好ましくは平均１００以下である。
尚、架橋性基は、前記一般式（１）で表わされる繰り返し単位中、具体的には、Ａｒ11〜Ａｒ17、Ｒ11及びＲ12のいずれかに含まれていてもよく、また前記一般式（１）以外の重合体部分構造に含まれていてもよく、更にいずれに含まれていてもよい。
【００６０】
又、本重合体が有する架橋性基の数は、分子量１０００あたりの数で表すことができる。
本重合体が有する架橋性基の数を、分子量１０００あたりの数で表した場合、分子量１
０００あたり、通常３．０個以下、好ましくは２．０個以下、さらに好ましくは１．０以下、また通常０．０１以上、好ましくは０．０５以上である。
【００６１】
この上限値を上回ると、クラックによって平坦な膜が得られなかったり、又、架橋密度が大きくなりすぎたりして、架橋層中に未反応の架橋性基が増えて、得られる素子の寿命に影響を及ぼすおそれがある。一方、この下限値を下回ると、架橋層の不溶化が不十分となり、湿式成膜法で多層積層構造が形成できないおそれがある。
ここで、共役ポリマーの分子量１０００あたりの架橋性基の数は、共役ポリマーからその末端基を除いて、合成時の仕込みモノマーのモル比と、構造式から算出する。
【００６２】
例えば、後述の合成例１で合成した目的ポリマー１の場合で説明する。
【００６３】
【化１２】
2013181072.tif 000013
【００６４】
目的ポリマー１において、末端基を除いた繰り返し単位の分子量は平均１２１９．２であり、また架橋性基は、１繰り返し単位当たり平均０．１０７６個である。これを単純比例により計算すると、分子量１０００あたりの架橋性基の数は、０．０８８個と算出される。
本重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常３，０００，０００以下、好ましくは１，０００，０００以下、より好ましくは５００，０００以下、さらに好ましくは２００，０００以下であり、また通常１，０００以上、好ましくは２，５００以上、より好ましくは５，０００以上、さらに好ましくは２０，０００以上である。
【００６５】
重量平均分子量がこの上限値を超えると、溶剤に対する溶解性が低下するため、成膜性が損なわれるおそれがある。また重量平均分子量がこの下限値を下回ると、重合体のガラス転移温度、融点及び気化温度が低下するため、耐熱性が低下する場合がある。
又、通常、この重量平均分子量（Ｍｗ）はＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）測定により決定される。ＳＥＣ測定では高分子量成分ほど溶出時間が短く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなるが、分子量既知のポリスチレン（標準試料）の溶出時間から算出した校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を分子量に換算することによって、重量平均分子量が算出される。
【００６６】
又、本重合体における数平均分子量（Ｍｎ）は、通常２，５００，０００以下、好ましくは７５０，０００以下、より好ましくは４００，０００以下であり、また通常５００以上、好ましくは１，５００以上、より好ましくは３，０００以上である。
さらに、本重合体における分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは３．５以下であり、さらに好ましくは２．５以下、特に好ましくは２．０以下である。
【００６７】
尚、分散度は値が小さい程よいため、下限値は理想的には１である。該重合体の分散度が、上記範囲内であると、精製が容易で、また溶剤に対する溶解性や電荷輸送能が良好である。
一般式（１）で表される部分構造を有する繰り返し単位の例を以下に示す。
【００６８】
【化１３】
2013181072.tif 000014
【００６９】
【化１４】
2013181072.tif 000015
【００７０】
【化１５】
2013181072.tif 000016
【００７１】
架橋性基を有する繰り返し単位の例を以下に示す。
【００７２】
【化１６】
2013181072.tif 000017
【００７３】
【化１７】
2013181072.tif 000018
【００７４】
【化１８】
2013181072.tif 000019
【００７５】
【化１９】
2013181072.tif 000020
【００７６】
本重合体のガラス転移温度は、通常５０℃以上、８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、また、通常３００℃以下である。
上記範囲内であると、重合体の耐熱性が優れ、得られる素子の駆動寿命が向上する点で好ましい。
また、本重合体のイオン化ポテンシャルは、通常４．５ｅＶ以上、好ましくは４．８ｅＶ以上、また、通常６．０ｅＶ以下、好ましくは５．７ｅＶ以下である。
【００７７】
上記範囲内であると、重合体の電荷注入輸送能が優れ、得られる素子の駆動電圧が低下するため好ましい。
［製造方法の具体例］
Ｕｌｌｍａｎｎ反応による重合方法及びＢｕｃｈｗａｌｄ−Ｈａｒｔｗｉｇ反応による
重合方法の場合、例えば、式（１ａ）で表されるジハロゲン化アリール（ＸはＩ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ等のハロゲン原子を示す。）と式（２ａ）で表される１級アミノアリール又は２級ジアミノアリールとを反応させることにより、本重合体が合成される。
【００７８】
【化２０】
2013181072.tif 000021
【００７９】
（上記式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ａｒ11〜Ａｒ15、Ｒ11、Ｒ12、及びｒは前記一般式（１）におけると同義である。但し、ｑは１である。）
尚、前記の重合方法において、通常、Ｎ−アリール結合を形成する反応は、例えば前記したｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム等の塩基存在下で行う。また、本発明のパラジウム錯体等の遷移金属触媒存在下で行う。
【００８０】
［有機ＥＬ用電荷輸送材料］
本発明の触媒を使用して製造されたアリールアミン類は、有機ＥＬ用電荷輸送材料として用いられる。
有機ＥＬ用電荷輸送材料は、有機電界発素子における正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成する材料として用いることが好ましい。また、前記電荷輸送材料を１種類含有するものであってもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で含有するものであってもよい。
【００８１】
有機ＥＬ用電荷輸送材料を用いて有機電界発光素子の正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成する場合、正孔注入層及び／又は正孔輸送層中の電荷輸送材料の含有量は、通常１〜１００重量％、好ましくは５〜１００重量％、さらに好ましくは１０〜１００重量％である。上記の範囲であると、正孔注入層及び／又は正孔輸送層の電荷輸送性が向上し、駆動電圧が低減し、駆動安定性が向上するため好ましい。
【００８２】
また、有機電界発光素子を簡便に製造することができることから、有機ＥＬ用電荷輸送材料は、湿式成膜法で形成される有機層に用いることが好ましい。
［有機電界発光素子用組成物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、有機ＥＬ用電荷輸送材料を含有するものである。なお、本発明の有機電界発光素子用組成物は、有機ＥＬ用電荷輸送材料を１種類含有するものであってもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で含有するものであってもよい。
【００８３】
｛有機ＥＬ用電荷輸送材料の含有量｝
本発明の有機電界発光素子用組成物中の有機ＥＬ用電荷輸送材料の含有量は、通常０．０１〜７０重量％、好ましくは０．１〜６０重量％、さらに好ましくは０．５〜５０重量％である。
上記範囲内であると、形成した有機層に欠陥が生じ難く、また膜厚ムラが生じ難いため好ましい。
【００８４】
｛溶剤｝
本発明の有機電界発光素子用組成物は、通常、溶剤を含有する。この溶剤は、有機ＥＬ用電荷輸送材料を溶解するものが好ましい。具体的には、有機ＥＬ用電荷輸送材料を、通
常０．０５重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、さらに好ましくは１重量％以上溶解する溶剤が好適である。
【００８５】
溶剤の例を挙げると、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族系溶剤；１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶剤；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル、１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等のエーテル系溶剤；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸イソプロピル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル等のエステル系溶剤；などの有機溶剤、その他、後述の正孔注入層形成用組成物や正孔輸送層形成用組成物に用いられる有機溶剤が挙げられる。なお、溶剤は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
【００８６】
中でも、本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶剤としては、２０℃における表面張力が、通常４０ｄｙｎ／ｃｍ未満、好ましくは３６ｄｙｎ／ｃｍ以下、より好ましくは３３ｄｙｎ／ｃｍ以下である溶剤が好ましい。
本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により塗膜を形成し、有機ＥＬ用電荷輸送材料を架橋させて有機層を形成する場合、下地との親和性が高いことが好ましい。これは、膜質の均一性が有機電界発光素子の発光の均一性及び安定性に大きく影響するためである。従って、湿式成膜法に用いる有機電界発光素子用組成物には、よりレベリング性が高く均一な塗膜を形成しうるように表面張力が低いことが求められる。そこで前記のような低い表面張力を有する溶剤を使用することにより、有機ＥＬ用電荷輸送材料を含有する均一な層を形成することができ、ひいては均一な架橋層を形成することができ、好ましい。
【００８７】
低表面張力の溶剤の具体例としては、前述したトルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族系溶剤、安息香酸エチル等のエステル系溶剤、アニソール等のエーテル系溶剤、トリフルオロメトキシアニソール、ペンタフルオロメトキシベンゼン、３−（トリフルオロメチル）アニソール、エチル（ペンタフルオロベンゾエート）等が挙げられる。
【００８８】
また一方で、本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶剤としては、２５℃における蒸気圧が、通常１０ｍｍＨｇ以下、好ましくは５ｍｍＨｇ以下であり、通常０．１ｍｍＨｇ以上であるものが好ましい。このような溶剤を使用することにより、有機電界発光素子を湿式成膜法により製造するプロセスに好適で、有機ＥＬ用電荷輸送材料の性質に適した有機電界発光素子用組成物を調製することができる。
【００８９】
このような溶剤の具体例としては、前述したトルエン、キシレン、メチシレン等の芳香族系溶剤、エーテル系溶剤及びエステル系溶剤が挙げられる。
ところで、水分は有機電界発光素子の性能劣化を引き起こす可能性があり、中でも特に連続駆動時の輝度低下を促進する可能性がある。そこで、湿式成膜中に残留する水分をできる限り低減するために、前記の溶剤の中でも、２５℃における水の溶解度が１重量％以下であるものが好ましく、０．１重量％以下である溶剤がより好ましい。
【００９０】
本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶剤の含有量は、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは８０重量
％以上である。溶剤の含有量が上記下限以上であることにより、形成される層の平坦さ及び均一さを良好にすることができる。
＜電子受容性化合物＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、正孔注入層を形成するために用いる場合、低抵抗化する点で、さらに電子受容性化合物を含有することが好ましい。
【００９１】
電子受容性化合物としては、酸化力を有し、本発明の電荷輸送材料から一電子受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（ＩＩＩ）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物；トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体及びヨウ素等が挙げられる。
【００９２】
この様な化合物として、周期表の第１５〜１７族に属する元素に、少なくとも一つの有機基が炭素原子で結合した構造を有するイオン化合物であることが好ましく、特に、下記式（Ｉ−１）で表される化合物であることが好ましい。
【００９３】
【化２１】
2013181072.tif 000022
【００９４】
式（Ｉ−１）中、Ｒ11は、Ａ1と炭素原子で結合する有機基を表し、Ｒ12は、任意の置
換基を表す。Ｒ11及びＲ12は、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ11としては、Ａ1との結合部分に炭素原子を有する有機基であれば、本発明の趣旨に
反しない限り、その種類は特に制限されない。Ｒ11の分子量は、置換基を含めた値で、通常１０００以下、好ましくは５００以下の範囲である。
【００９５】
Ｒ11の好ましい例としては、正電荷を非局在化させる点から、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基が挙げられる。中でも、正電荷を非局在化させるとともに熱的に安定であることから、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基が好ましい。
芳香族炭化水素環基としては、１個の遊離原子価を有する、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環であり、正電荷を当該基上により非局在化させられる基が挙げられる。その具体例としては、１個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオレン環等が挙げられる。
【００９６】
芳香族複素環基としては、１個の遊離原子価を有する、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環であり、正電荷を当該基上により非局在化させられる基が挙げられる。その具体例
としては、１個の遊離原子価を有する、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等が挙げられる。
【００９７】
アルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基であって、その炭素数が通常１以上、また、通常１２以下、好ましくは６以下のものが挙げられる。具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
アルケニル基としては、炭素数が通常２以上、通常１２以下、好ましくは６以下のものが挙げられる。具体例としては、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基等が挙げられる。
【００９８】
アルキニル基としては、炭素数が通常２以上、通常１２以下、好ましくは６以下のものが挙げられる。具体例としては、エチニル基、プロパルギル基等が挙げられる。
Ｒ12は、本発明の趣旨に反しない限り特に制限されない。Ｒ12の分子量は、置換基を含めた値で、通常１０００以下、好ましくは５００以下の範囲である。
Ｒ12の例としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、シアノ基、水酸基、チオール基、シリル基等が挙げられる。
【００９９】
中でも、Ｒ11と同様、電子受容性が大きい点から、Ａ1との結合部分に炭素原子を有す
る有機基が好ましく、例としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基が好ましい。特に、電子受容性が大きいとともに熱的に安定であることから、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基が好ましい。
Ｒ１２のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基としては、Ｒ11について先に説明したものと同様のものが挙げられる。
【０１００】
アミノ基としては、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アシルアミノ基等が挙げられる。
アルキルアミノ基としては、炭素数が通常１以上、また、通常１２以下、好ましくは６以下のアルキル基を１つ以上有するアルキルアミノ基が挙げられる。具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
【０１０１】
アリールアミノ基としては、炭素数が通常３以上、好ましくは４以上、また、通常２５以下、好ましくは１５以下の芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を１つ以上有するアリールアミノ基が挙げられる。具体例としては、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、トリルアミノ基、ピリジルアミノ基、チエニルアミノ基等が挙げられる。
アシルアミノ基としては、炭素数が通常２以上、また、通常２５以下、好ましくは１５以下のアシル基を１つ以上有するアシルアミノ基が挙げられる。具体例としては、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。
【０１０２】
アルコキシ基としては、炭素数が通常１以上、また、通常１２以下、好ましくは６以下
のアルコキシ基が挙げられる。具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
アリールオキシ基としては、炭素数が通常３以上、好ましくは４以上、また、通常２５以下、好ましくは１５以下の芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を有するアリールオキシ基が挙げられる。具体例としては、フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、ピリジルオキシ基、チエニルオキシ基等が挙げられる。
【０１０３】
アシル基としては、炭素数が通常１以上、また、通常２５以下、好ましくは１５以下のアシル基が挙げられる。具体例としては、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、炭素数が通常２以上、また、通常１０以下、好ましくは７以下のアルコキシカルボニル基が挙げられる。具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等が挙げられる。
【０１０４】
アリールオキシカルボニル基としては、炭素数が通常３以上、好ましくは４以上、また、通常２５以下、好ましくは１５以下の芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を有するものが挙げられる。具体例としては、フェノキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、炭素数が通常２以上、また、通常１０以下、好ましくは７以下のアルキルカルボニルオキシ基が挙げられる。具体例としては、アセトキシ基、トリフルオロアセトキシ基等が挙げられる。
【０１０５】
アルキルチオ基としては、炭素数が通常１以上、また、通常１２以下、好ましくは６以下のアルキルチオ基が挙げられる。具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基等が挙げられる。
アリールチオ基としては、炭素数が通常３以上、好ましくは４以上、また、通常２５以下、好ましくは１４以下のアリールチオ基が挙げられる。具体例としては、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等が挙げられる。
【０１０６】
アルキルスルホニル基及びアリールスルホニル基の具体例としては、メシル基、トシル基等が挙げられる。
スルホニルオキシ基の具体例としては、メシルオキシ基、トシルオキシ基等が挙げられる。
シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基など挙げられる。
【０１０７】
以上、Ｒ11及びＲ12として例示した基は、本発明の趣旨に反しない限りにおいて、更に他の置換基によって置換されていてもよい。置換基の種類は特に制限されないが、例としては、上記Ｒ11及びＲ12、としてそれぞれ例示した基の他、ハロゲン原子、シアノ基、チオシアノ基、ニトロ基等が挙げられる。中でも、イオン化合物（電子受容性化合物）の耐熱性及び電子受容性の妨げにならない観点から、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基が好ましい。
【０１０８】
式（Ｉ−１）中、Ａ1は、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」
という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）の第１７族に属する元素であることが好ましく、電子受容性及び入手容易性の観点から、周期表の第５周期以前（第３〜第５周期）の元素が好ましい。即ち、Ａ1としてはヨウ素原子、臭素原子、塩素原子のうち
何れかが好ましい。
【０１０９】
特に、電子受容性、化合物の安定性の面から、式（Ｉ−１）におけるＡ1が臭素原子又
はヨウ素原子であるイオン化合物が好ましく、ヨウ素原子であるイオン化合物が最も好ましい。
式（Ｉ−１）中、Ｚ1n1-は、対アニオンを表す。対アニオンの種類は特に制限されず、単原子イオンであっても錯イオンであってもよい。但し、対アニオンのサイズが大きいほど負電荷が非局在化し、それに伴い正電荷も非局在化して電子受容能が大きくなるため、単原子イオンよりも錯イオンの方が好ましい。
【０１１０】
ｎ１は、対アニオンＺ1n1-のイオン価に相当する任意の正の整数である。ｎ１の値は特に制限されないが、１又は２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。
Ｚ1n1-の具体例としては、水酸化物イオン、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、シアン化物イオン、硝酸イオン、亜硝酸イオン、硫酸イオン、亜硫酸イオン、過塩素酸イオン、過臭素酸イオン、過ヨウ素酸イオン、塩素酸イオン、亜塩素酸イオン、次亜塩素酸イオン、リン酸イオン、亜リン酸イオン、次亜リン酸イオン、ホウ酸イオン、イソシアン酸イオン、水硫化物イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキサクロロアンチモン酸イオン；酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、安息香酸イオン等のカルボン酸イオン；メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン；メトキシイオン、ｔ−ブトキシイオン等のアルコキシイオンなどが挙げられ、テトラフルオロホウ素酸イオン及びヘキフルオロホウ素酸イオンが好ましい。
【０１１１】
また、対アニオンＺ1n1-としては、化合物の安定性、溶剤への溶解性の点で、更に、サイズが大きいという点で、負電荷が非局在化し、それに伴い正電荷も非局在化して電子受容能が大きくなるため、下記式（Ｉ−２）で表される錯イオンが特に好ましい。
【０１１２】
【化２２】
2013181072.tif 000023
【０１１３】
式（Ｉ−２）中、Ｅ3は、各々独立に、長周期型周期表の第１３族に属する元素を表す
。中でもホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子が好ましく、化合物の安定性、合成及び精製のし易さの点から、ホウ素原子が好ましい。
式（Ｉ−２）中、Ａｒ３１〜Ａｒ３４は、各々独立に、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基の例示としては、Ｒ11について先に例示したものと同様の、１個の遊離原子価を有する、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環が挙げられる。中でも、化合物の安定性、耐熱性の点から、１個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環が好ましい。
【０１１４】
Ａｒ３１〜Ａｒ３４として例示した芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基は、本発明の趣旨に反しない限りにおいて、更に別の置換基によって置換されていてもよい。置換基の種類は特に制限されず、任意の置換基が適用可能であるが、電子吸引性の基であることが好ましい。
Ａｒ３１〜Ａｒ３４が有してもよい置換基として好ましい電子吸引性の基を例示するな
らば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；シアノ基；チオシアノ基；ニトロ基；メシル基等のアルキルスルホニル基；トシル基等のアリールスルホニル基；ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常１以上、通常１２以下、好ましくは６以下のアシル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常２以上、通常１０以下、好ましくは７以下のアルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等の、炭素数が通常３以上、好ましくは４以上、通常２５以下、好ましくは１５以下の芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を有するアリールオキシカルボニル基；アミノカルボニル基；アミノスルホニル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等の、炭素数が通常１以上、通常１０以下、好ましくは６以下の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基にフッ素原子、塩素原子などのハロゲン原子が置換したハロアルキル基、などが挙げられる。
【０１１５】
中でも、Ａｒ３１〜Ａｒ３４のうち少なくとも１つの基が、フッ素原子又は塩素原子を置換基として１つ又は２つ以上有することがより好ましい。特に、負電荷を効率よく非局在化する点、及び、適度な昇華性を有する点から、Ａｒ３１〜Ａｒ３４の水素原子がすべてフッ素原子で置換されたパーフルオロアリール基であることが最も好ましい。パーフルオロアリール基の具体例としては、ペンタフルオロフェニル基、ヘプタフルオロ−２−ナフチル基、テトラフルオロ−４−ピリジル基等が挙げられる。
【０１１６】
本発明における電子受容性化合物の分子量は、通常１００〜５０００、好ましくは３００〜３０００、更に好ましくは４００〜２０００である。
上記範囲内であると、正電荷及び負電荷が十分に非局在化し、電子受容能が良好で、また電荷輸送の妨げになり難い点で好ましい。
以下に、本発明に好適な電子受容性化合物の具体例を示すが、本発明はこられに限定されるものではない。
【０１１７】
【表１】
2013181072.tif 000024
【０１１８】
【表２】
2013181072.tif 000025
【０１１９】
【表３】
2013181072.tif 000026
【０１２０】
【表４】
2013181072.tif 000027
【０１２１】
【表５】
2013181072.tif 000028
【０１２２】
本発明の有機電界発光素子用組成物は、上記のような電子受容性化合物の１種を単独で含んでいてもよく、また２種以上を任意の組み合わせ、及び比率で含んでいてもよい。
本発明の有機電界発光素子用組成物が電子受容性化合物を含む場合、本発明の有機電界発光素子用組成物の電子受容性化合物の含有量は通常重量０．０００５％以上、好ましくは０．００１重量％以上で、通常２０重量％以下、好ましくは重量１０％以下である。また、有機電界発光素子用組成物中の本発明の電荷輸送材料に対する電子受容性化合物の割合は、通常０．５重量％以上、好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上で、通常８０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは４０重量％以下である。
有機電界発光素子用組成物中の電子受容性化合物の含有量が上記下限以上であると電荷輸送材料から電子受容体が電子を受容し、形成した有機層が低抵抗化するため好ましく、上記上限以下であると形成した有機層に欠陥が生じ難く、また膜厚ムラが生じ難いため好ましい。
【０１２３】
＜カチオンラジカル化合物＞
カチオンラジカル化合物としては、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンとからなるイオン化合物が好ましい。但し、カチオンラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。
【０１２４】
カチオンラジカルとしては、正孔輸送性化合物として前述した化合物から一電子取り除いた化学種であることが好ましい。正孔輸送性化合物として好ましい化合物から一電子取り除いた化学種であることが、非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、及び溶解性などの点から好適である。
ここで、カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と前述の電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。即ち、前述の正孔輸送性化合物と前述の電子受容性化合物とを混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンとからなるカチオンイオン化合物が生成する。
なお、本発明の有機電界発光素子用組成物には、上記の成分以外に、後述の正孔注入層形成用組成物や正孔輸送層形成用組成物に含まれる成分を、後述の含有量で含有していてもよい。
【０１２５】
［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極及び陰極と、該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層が、有機ＥＬ用電荷輸送材料を含む本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法で形成された層を含むことを特徴とする。本発明の有機電界発光素子において、湿式成膜法で形成された層は、正孔注入層及び／又は正孔輸送層であることが好ましく、特に、この有機層が正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を備え、これら正孔注入層、正孔輸送層及び発光層の全てが湿式成膜法により形成された層であることが好ましい。
【０１２６】
本発明において湿式成膜法とは、成膜方法、即ち、塗布方法として、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等の湿式で成膜させる方法を採用し、この塗布膜を乾燥させて膜形成を行う方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法などが好ましい。
【０１２７】
以下に、本発明の有機電界発光素子の層構成及びその一般的形成方法等の実施の形態の一例を、図１を参照して説明する。
図１は本発明の有機電界発光素子１０の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。
【０１２８】
｛基板｝
基板１は、有機電界発光素子の支持体となるものであり、通常、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。これらのうち、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。基板は、外気による有機電界発光素子の劣化が起こり難いことからガスバリア性の高い材質とするのが好ましい。このため、特に合成樹脂製の基板等のようにガスバリア性の低い材質を用いる場合は、基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を下げるのが好ましい。
【０１２９】
｛陽極｝
陽極２は、発光層５側の層に正孔を注入する機能を担う。
陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属；インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物；ヨウ化銅等のハロゲン化金属；カーボンブラック及びポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
【０１３０】
陽極２の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等の乾式法により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより形成することもできる。また、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布して陽極を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【０１３１】
陽極２は、通常、単層構造であるが、適宜、積層構造としてもよい。陽極２が積層構造である場合、１層目の陽極上に異なる導電材料を積層してもよい。
陽極２の厚みは、必要とされる透明性と材質等に応じて、決めればよい。特に高い透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率が６０％以上となる厚みが好ましく、８０％以上となる厚みが更に好ましい。陽極２の厚みは、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下とするのが好ましい。一方、透明性が不要な場合は、陽極２の厚みは必要な強度等に応じて任意に厚みとすればよく、この場合、陽極２は基板と同一の厚みでもよい。
【０１３２】
陽極２の表面に他の層を成膜する場合は、成膜前に、紫外線／オゾン、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ等の処理を施すことにより、陽極２上の不純物を除去すると共に、そのイオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させておくことが好ましい。
｛正孔注入層｝
陽極２側から発光層５側に正孔を輸送する機能を担う層は、通常、正孔注入輸送層又は正孔輸送層と呼ばれる。そして、陽極２側から発光層５側に正孔を輸送する機能を担う層が２層以上ある場合に、より陽極側に近い方の層を正孔注入層３と呼ぶことがある。正孔注入層３は、陽極２から発光層５側に正孔を輸送する機能を強化する点で、形成することが好ましい。正孔注入層３を形成する場合、通常、正孔注入層３は、陽極２上に形成される。
【０１３３】
正孔注入層３の膜厚は、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下である。
正孔注入層の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよい。成膜性が優れる点では、湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層３は、正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがより好ましい。更には、正孔注入層中にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことが特に好ましい。
【０１３４】
以下に、一般的な正孔注入層の形成方法について説明するが、本発明の有機電界発光素子において、正孔注入層は、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成されることが好ましい。
＜正孔輸送性化合物＞
正孔注入層形成用組成物は、通常、正孔注入層３となる正孔輸送性化合物を含有する。また、湿式成膜法の場合は、通常、更に溶剤も含有する。正孔注入層形成用組成物は、正孔輸送性が高く、注入された正孔を効率よく輸送できるのが好ましい。このため、正孔移動度が大きく、トラップとなる不純物が製造時や使用時等に発生し難いのが好ましい。また、安定性に優れ、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光に対する透明性が高いことが好ましい。特に、正孔注入層が発光層と接する場合は、発光層からの発光を消光しないものや発光層とエキサイプレックスを形成して、発光効率を低下させないものが好ましい。
【０１３５】
正孔輸送性化合物としては、陽極から正孔注入層への電荷注入障壁の観点から、４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物系化合物、キナクリドン系化合物等が挙げられる。
【０１３６】
上述の例示化合物のうち、非晶質性及び可視光透過性の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、芳香族三級アミン化合物が特に好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は、特に制限されないが、表面平滑化効果により均一な発光を得やすい点から、重量平均分子量が１０００以上１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）を用いるのが好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例としては、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物等が挙げられる。
【０１３７】
【化２３】
2013181072.tif 000029
【０１３８】
（式（Ｉ）中、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ１３〜Ａｒ１５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基又は置換基
を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１１〜Ａｒ１５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
【０１３９】
【化２４】
2013181072.tif 000030
【０１４０】
（上記各式中、Ａｒ１６〜Ａｒ２６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。）
Ａｒ１６〜Ａｒ２６の芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入輸送性の点から、１個又は２個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環が好ましく、１個又は２個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環がさらに好ましい。
【０１４１】
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のもの等が挙げられる。
正孔注入層３には、正孔輸送性化合物の酸化により、正孔注入層の導電率を向上させることができるため、前述の電子受容性化合物を含有していることや、前述のカチオンラジカル化合物を含有していることが好ましい。
【０１４２】
ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，２０００年，１２巻，４８１頁）やエメラルジン塩酸塩（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，１９９０年，９４巻，７７１６頁）等の高分子化合物由来のカチオンラジカル化合物は、酸化重合（脱水素重合）することによっても生成する。
ここでいう酸化重合は、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的に、又は、電気化学的に酸化するものである。この酸化重合（脱水素重合）の場合、モノマーが酸化されることにより高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成する。
【０１４３】
＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜法により正孔注入層３を形成する場合、通常、正孔注入層となる材料を可溶な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を正孔注入層の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥させることにより形成させる。
【０１４４】
正孔注入層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点では、低い方が好ましく、また、一方、正孔注入層に欠陥が生じ難い点では、高い方が好ましい。具体的には、０．０１重量％以上であるのが好ましく、０．１重量％以上であるのが更に好ましく、０．５重量％以上であるのが特に好ましく、また、一方、７０重量％以下であるのが好ましく、６０重量％以下であるのが更に好ましく、５０重量％以下であるのが特に好ましい。
【０１４５】
溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル及び１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。
【０１４６】
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イソプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
【０１４７】
これらの他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。
正孔注入層３の湿式成膜法による形成は、通常、正孔注入層形成用組成物を調製後に、これを、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより行われる。
正孔注入層３は、通常、成膜後に、加熱や減圧乾燥等により塗布膜を乾燥させる。
【０１４８】
＜真空蒸着法による正孔注入層の形成＞
真空蒸着法により正孔注入層３を形成する場合には、通常、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種類又は２種類以上を真空容器内に設置された坩堝に入れ（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々を別々の坩堝に入れ）、真空容器内を真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、坩堝を加熱して（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々の坩堝を加熱して）、坩堝内の材料の蒸発量を制御しながら蒸発させ（２種類以上の材料を用いる場合は、通常各々独立に蒸発量を制御しながら蒸発させ）、坩堝に向き合って置かれた基板上の陽極上に正孔注入層を形成させる。なお、２種類以上の材料を用いる場合は、それらの混合物を坩堝に入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層を形成することもできる。
【０１４９】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０−４Ｐａ）以上、９．０×１０−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０−４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限
定されないが、通常０．１Å／秒以上、５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上、５０℃以下で行われる。
なお、正孔注入層３は、後述の正孔輸送層４と同様に架橋されていてもよい。
【０１５０】
｛正孔輸送層｝
正孔輸送層４は、陽極２側から発光層５側に正孔を輸送する機能を担う層である。正孔輸送層４は、本発明の有機電界発光素子では、必須の層では無いが、陽極２から発光層５に正孔を輸送する機能を強化する点では、この層を形成することが好ましい。正孔輸送層４を形成する場合、通常、正孔輸送層４は、陽極２と発光層５の間に形成される。また、上述の正孔注入層３がある場合は、正孔注入層３と発光層５の間に形成される。
【０１５１】
正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、一方、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
正孔輸送層４の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよい。成膜性が優れる点では、湿式成膜法により形成することが好ましい。
以下に一般的な正孔輸送層の形成方法について説明するが、本発明の有機電界発光素子において、正孔輸送層は、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成されることが好ましい。
【０１５２】
正孔輸送層４は、通常、正孔輸送性化合物を含有する。正孔輸送層４に含まれる正孔輸送性化合物としては、特に、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４’’−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。また、例えばポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Ｐｏｌｙｍ．Ａｄｖ．Ｔｅｃｈ．，７巻、３３頁、１９９６年）等も好ましく使用できる。
【０１５３】
＜湿式成膜法による正孔輸送層の形成＞
湿式成膜法で正孔輸送層を形成する場合は、通常、上述の正孔注入層を湿式成膜法で形成する場合と同様にして、正孔注入層形成用組成物の代わりに正孔輸送層形成用組成物を用いて形成させる。
湿式成膜法で正孔輸送層を形成する場合は、通常、正孔輸送層形成用組成物は、更に溶剤を含有する。正孔輸送層形成用組成物に用いる溶剤は、上述の正孔注入層形成用組成物で用いる溶剤と同様の溶剤を使用することができる。
【０１５４】
正孔輸送層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度は、正孔注入層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度と同様の範囲とすることができる。
正孔輸送層の湿式成膜法による形成は、前述の正孔注入層成膜法と同様に行うことができる。
【０１５５】
＜真空蒸着法による正孔輸送層の形成＞
真空蒸着法で正孔輸送層を形成する場合についても、通常、上述の正孔注入層を真空蒸
着法で形成する場合と同様にして、正孔注入層形成用組成物の代わりに正孔輸送層形成用組成物を用いて形成させることができる。蒸着時の真空度、蒸着速度及び温度などの成膜条件などは、前記正孔注入層の真空蒸着時と同様の条件で成膜することができる。
【０１５６】
｛発光層｝
発光層５は、一対の電極間に電界が与えられた時に、陽極２から注入される正孔と陰極９から注入される電子が再結合することにより励起され、発光する機能を担う層である。発光層５は、陽極２と陰極９の間に形成される層であり、発光層は、陽極の上に正孔注入層がある場合は、正孔注入層と陰極の間に形成され、陽極の上に正孔輸送層がある場合は、正孔輸送層と陰極の間に形成される。
【０１５７】
発光層５の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜に欠陥が生じ難い点では厚い方が好ましく、また、一方、薄い方が低駆動電圧としやすい点で好ましい。このため、３ｎｍ以上であるのが好ましく、５ｎｍ以上であるのが更に好ましく、また、一方、通常２００ｎｍ以下であるのが好ましく、１００ｎｍ以下であるのが更に好ましい。
発光層５は、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、好ましくは、電荷輸送性を有する材料（電荷輸送性材料）とを含有する。
【０１５８】
＜発光材料＞
発光材料は、所望の発光波長で発光し、本発明の効果を損なわない限り特に制限はなく、公知の発光材料を適用可能である。発光材料は、蛍光発光材料でも、燐光発光材料でもよいが、発光効率が良好である材料が好ましく、内部量子効率の観点から燐光発光材料が好ましい。
蛍光発光材料としては、例えば、以下の材料が挙げられる。
【０１５９】
青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光発光材料）としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、クリセン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光発光材料）としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Ａｌ（Ｃ９Ｈ６ＮＯ）３などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
【０１６０】
黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光発光材料）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光発光材料）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【０１６１】
また、燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表の第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体等が挙げられる。周期表の第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。
有機金属錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
【０１６２】
好ましい燐光発光材料として、具体的には、例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム等のフェニルピリジン錯体及びオクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等のポルフィリン錯体等が挙げられる。
【０１６３】
高分子系の発光材料としては、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）、ポリ[（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）-ｃｏ-（４，４’−（Ｎ
−（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル））ジフェニルアミン）]、ポリ[（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）-ｃｏ-（１，４−ベンゾ−２｛２，１’−３｝−トリアゾール）]などのポリフルオレン系材料、ポリ［２−メトキシ−５−（２−ヘチルヘキシル
オキシ）−１，４−フェニレンビニレン］などのポリフェニレンビニレン系材料が挙げられる。
【０１６４】
＜電荷輸送性材料＞
電荷輸送性材料は、正電荷（正孔）又は負電荷（電子）輸送性を有する材料であり、本発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、公知の発光材料を適用可能である。
電荷輸送性材料は、従来、有機電界発光素子の発光層に用いられている化合物等を用いることができ、特に、発光層のホスト材料として使用されている化合物が好ましい。
【０１６５】
電荷輸送性材料としては、具体的には、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物等の正孔注入層の正孔輸送性化合物として例示した化合物等が挙げられる他、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、カルバゾール系化合物、ピリジン系化合物、フェナントロリン系化合物、オキサジアゾール系化合物、シロール系化合物等の電子輸送性化合物等が挙げられる。
【０１６６】
また、例えば、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４'，４''−トリス（１−
ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン系化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２'，７，７'−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９'−
スピロビフルオレン等のフルオレン系化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール系化合物等の正孔輸送層の正孔輸送性化合物として例示した化合物等も好ましく用いることができる。また、この他、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）などのオキサジアゾール系化合物、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）等のシロール系化合物、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）などのフェナントロリン系化合物等も挙げられる。
【０１６７】
＜湿式成膜法による発光層の形成＞
発光層の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよいが、成膜性に優れることから、湿式成膜法が好ましく、スピンコート法及びインクジェット法が更に好ましい。特に、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、発光層の下層となる正孔注入層又は正孔輸送層を形成すると、湿式成膜法による積層化が容易であるため、湿式成膜法を採用することが好ましい。湿式成膜法により発光層を形成する場合は、通常、上述の正孔注入層を湿式成膜法で形成する場合と同様にして、正孔注入層形成用組成物の代わりに、発光層となる材料を可溶な溶剤（発光層用溶剤）と混合して調製した発光層形成用組成物を用いて形成させる。
【０１６８】
溶剤としては、例えば、正孔注入層の形成について挙げたエーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤の他、アルカン系溶剤、ハロゲン化芳香族炭化水系溶剤、脂肪族アルコール系溶剤、脂環族アルコール系溶剤、脂肪族ケトン系溶剤及び脂環族ケトン系溶剤などが挙げられる。以下に溶媒の具体例を挙げるが、本発明の効果を損なわない限り、これらに限定されるものではない。
【０１６９】
例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル系溶剤；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル系溶剤；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル系溶剤；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤；ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン系溶剤；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール系溶剤；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール系溶剤；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン系溶剤；シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン系溶剤等が挙げられる。これらのうち、アルカン系溶剤及び芳香族炭化水素系溶剤が特に好ましい。
【０１７０】
｛正孔阻止層｝
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。
【０１７１】
このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５／０２２９６２号パンフレットに記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。
【０１７２】
正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上であり、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０１７３】
｛電子輸送層｝
電子輸送層７は素子の電流効率をさらに向上させることを目的として、発光層５と電子注入層８との間に設けられる。 
電子輸送層７は、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極９又は電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。
【０１７４】
電子輸送層に用いる電子輸送性化合物としては、具体的には、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０１７５】
電子輸送層７の膜厚は、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上であり、また、一方、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
電子輸送層７は、前記と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により正孔阻止層６上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
【０１７６】
｛電子注入層｝
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率よく、電子輸送層７又は発光層５へ注入する役割を果たす。
電子注入を効率よく行うには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。
【０１７７】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことも、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。
【０１７８】
電子注入層８の膜厚は通常、５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
電子注入層８は、湿式成膜法或いは真空蒸着法により、発光層５又はその上の正孔阻止層６や電子輸送層７上に積層することにより形成される。
湿式成膜法の場合の詳細は、前述の発光層の場合と同様である。
【０１７９】
｛陰極｝
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層又は発光層など）に電子を注入する役割を果たす。
陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なう上では、仕事関数の低い金属を用いることが好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の金属又はそれらの合金などが用いられる。具体例としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数の合金電極などが挙げられる。
【０１８０】
素子の安定性の点では、陰極の上に、仕事関数が高く、大気に対して安定な金属層を積層して、低仕事関数の金属からなる陰極を保護するのが好ましい。積層する金属としては、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が挙げられる。
陰極の膜厚は通常、陽極と同様である。
｛その他の層｝
本発明の有機電界発光素子は、本発明の効果を著しく損なわなければ、更に他の層を有していてもよい。すなわち、陽極と陰極との間に、上述の他の任意の層を有していてもよい。
【０１８１】
｛その他の素子構成｝
本発明の有機電界発光素子は、上述の説明とは逆の構造、即ち、基板上に陰極、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に積層することも可能である。
本発明の有機電界発光素子を有機電界発光装置に適用する場合は、単一の有機電界発光素子として用いても、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成にして用いても、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成にして用いてもよい。
【０１８２】
［有機ＥＬ表示装置］
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ＥＬ表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機ＥＬ表示装置を形成することができる。 
【０１８３】
［有機ＥＬ照明］
本発明の有機ＥＬ照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ＥＬ照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
【実施例】
【０１８４】
以下、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
[ポリマー１の合成]
【０１８５】
【化２５】
2013181072.tif 000031
【０１８６】
化合物１（１２．０ｇ、３４．３３ｍｍｏｌ）、化合物２（０．３５２８ｇ、１．８０６８ｍｍｏｌ）、化合物３（５．６３７３ｇ、１８．０６８４ｍｍｏｌ）及びｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（２０．０８ｇ、２０８．９５ｍｍｏｌ）、トルエン（６０ｍｌ）を仕込み、系内を十分に窒素置換して、６０℃まで加温した（溶液Ａ）。トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０．７６２ｇ、０．７２ｍｍｏｌ）のトルエン６０ｍｌ溶液に、２，８，９−トリイソブチル−２，５，８，９−テトラアザ−１−ホスファビシクロ［３．３．３］ウンデカン（ＴｉＢＴａＰＵ）（１．９８ｇ、５．７９２ｍｍｏｌ）を加え、６０℃まで加温した（溶液Ｂ）。窒素気流中、溶液Ａに溶液Ｂを添加し、２．０時間、加熱還流反応した。化合物１〜３が消失したことを確認し、化合物３（４．７９１７ｇ、１５．３５８０ｍｍｏｌ）を追添加した。１．０時間加熱還流後、化合物４（０．９９０８ｇ、１．８０６８ｍｍｏｌ）を添加した。１．０時間加熱還流後、反応液を放冷して、反応液をエタノール１２５０ｍｌ中に滴下し、粗ポリマー１を晶出させた。
【０１８７】
得られた粗ポリマー１をトルエン３００ｍｌに溶解させ、ブロモベンゼン（１．４２ｇ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（２５．０ｇ）を仕込み、系内を十分に窒素置換して、６０℃まで加温した（溶液Ｃ）。トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０．４７６ｇ）のトルエン３０ｍｌ溶液に、２，８，９−トリイソブチル−２，５，８，９−テトラアザ−１−ホスファビシクロ［３．３．３］ウンデカン（ＴｉＢＴａＰＵ）（１．２５ｇ）を加え、６０℃まで加温した（溶液Ｄ）。窒素気流中、溶液Ｃに溶液Ｄを添加し、２時間、加熱還流反応した。この反応液に、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン（７．６ｇ）を添加した（溶液Ｅ）、さらに、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０．４７６ｇ）のトルエン３０ｍｌ溶液に、２，８，９−トリイソブチル−２，５，８，９−テトラアザ−１−ホスファビシクロ［３．３．３］ウンデカン（ＴｉＢＴａＰＵ）（１．２５ｇ）を加え、６０℃まで加温した（溶液Ｆ）。窒素気流中、溶液Ｅに溶液Ｆを添加し、４時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール／水（１３００ｍｌ／１００ｍｌ）溶液に滴下し、エンドキャップした粗ポリマー１を得た。
【０１８８】
このエンドキャップした粗ポリマー１をトルエンに溶解し、アセトンに再沈殿し、析出したポリマーを濾別した。得られたポリマーをトルエンに溶解させ、希塩酸にて洗浄し、
アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的ポリマー１を得た（４．２ｇ、収率２３％）。なお、触媒に由来する着色は認められなかった。
【０１８９】
重量平均分子量（Ｍｗ）＝８６９００
数平均分子量（Ｍｎ）＝５９１００
分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．４７
【符号の説明】
【０１９０】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層
６  正孔阻止層
７  電子輸送層
８  電子注入層
９  陰極
１０  有機電界発光素子
【図１】
2013181072.tif 000035