(57)【要約】【課題】長期のダウンタイムの発生を抑え、生産性の低下を抑制する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供することである。【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、ステージＳｔを内蔵する描画室１を備え、ステージＳｔ上に支持部材である支持ホルダ４０を介して載置されるマスクＭに、電子ビームを照射して所望のパターンを描画するようにする。ステージＳｔは、支持ホルダ４０を３点で支持する支持ピン４３を有し、支持ホルダ４０は、その一部に導電膜が設けられるとともに、マスクＭを３点で支持する支持部４２を有するように構成される。描画を終えた後は、支持ホルダ４０を描画室１から搬出して、支持ホルダ４０用の収納室に収納するかまたはクリーニングするかを選択するようにする。【選択図】図２
2013115219.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージを内蔵する描画室を備え、前記ステージ上に支持部材を介して載置される試料に荷電粒子ビーム照射手段により荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記ステージは、前記支持部材を３点で支持する第１の支持部を有し、
前記支持部材は、その少なくとも一部に導電膜が設けられているとともに、前記試料を３点で支持する第２の支持部を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記第２の支持部の表面に前記導電膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記描画室に接続し、前記試料および前記支持部材を搬送する搬送手段が設けられた搬送室と、
前記搬送室に接続し、前記支持部材が収納される収納室とを有することを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
描画室内に設けられたステージの上に試料を載置し、荷電粒子ビームを照射して前記試料に所望のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記ステージ上の３点に設けられた第１の支持部によって支持されるように、支持部材を前記ステージ上に載置する工程と、
前記支持部材上の３点に設けられた第２の支持部によって支持されるように、前記試料を前記支持部材上に載置する工程と、
前記試料に荷電粒子ビームを照射して前記パターンを描画する工程とを有し、
前記描画を終えた後は、前記支持部材を前記描画室から搬出して収納室に収納する工程および前記支持部材を前記描画室から搬出してクリーニングする工程のいずれか一方が選択されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項５】
描画室内に設けられたステージの上に試料を載置し、荷電粒子ビームを照射して前記試料に所望のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記ステージ上の３点に設けられた第１の支持部によって支持されるように、支持部材を前記ステージ上に載置する工程と、
前記支持部材上の３点に設けられた第２の支持部によって支持されるように、前記試料を前記支持部材上に載置する工程と、
前記試料に荷電粒子ビームを照射して前記パターンを描画する工程と、
前記描画を終えた後に、前記試料を前記支持部材とともに前記描画室から搬出する工程と、
前記支持部材をクリーニングする工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の集積度の増加に伴い、個々の素子の寸法は微小化が進み、各素子を構成する配線やゲートなどの幅も微細化されている。
【０００３】
半導体集積回路の製造においては、マスクまたはレチクル（以下、マスクと総称する。）と呼ばれる回路原版を用い、レジストと呼ばれる感光性樹脂に転写してウェハを加工する工程が基本となる。そして、この基本工程を繰り返すことによって、半導体集積回路が製造される。
【０００４】
転写工程には、ステッパまたはスキャナと呼ばれる露光装置が用いられる。従来は、転写光源として光を用い、マスク上の回路パターンをウェハ上に４分の１から５分の１程度に縮小投影して転写する方法が採られてきた。半導体集積回路の微細化のためには、この転写工程での解像性能を向上させることが必要となる。ここで、結像光学系の開口係数をＮＡ、光源の波長をλとすると、解像寸法は（λ／ＮＡ）に比例する。したがって、開口係数ＮＡの向上または波長λの短波長化を図ることにより、露光解像度を小さくすることができる。
【０００５】
そこで、波長λの短波長化を図って露光解像度を小さくするため、極短波長（λ＝１３〜１４ｎｍ）のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ；極短紫外）光を用いたＥＵＶリソグラフィ技術の開発が進められている。ＥＵＶリソグラフィの開口係数ＮＡは、フォトリソグラフィより小さいが、波長の２．０〜１．５倍程度は解像するので、３０ｎｍ以下の解像寸法が可能である。
【０００６】
こうしたＥＵＶリソグラフィ等のリソグラフィ技術を用いた半導体集積回路の製造においては、それぞれのリソグラフィ技術に対応したマスクの準備が重要となる。
【０００７】
半導体集積回路の製造に使用されるマスクの製造には、電子ビームリソグラフィ技術が広く一般に使われている。電子ビームリソグラフィ技術は、利用する電子ビームが荷電粒子ビームであるために、本質的に優れた解像度を有し、微細パターンの描画が可能である。また、焦点深度を大きく確保することができるので、高い段差上でも寸法変動を抑制できるという利点も有している。
【０００８】
例えば、特許文献１には、電子ビームによる描画を行って、ＥＵＶリソグラフィ技術に用いられるＥＵＶマスクを製造する方法が記載されている。また、特許文献２では、マスクに対する負荷の少ない静電チャックを用いてＥＵＶマスクを支持できるよう、マスクを構成する基板の裏面に導電膜をコートする技術が開示されている。
【０００９】
こうした電子ビームリソグラフィ技術を実現し、マスクの製造に使用される電子ビーム描画装置は、通常、描画対象となる試料を載置するステージを内蔵する描画室と、そのステージ上の試料に対し具備する電子銃から電子ビームを照射する電子鏡筒とを備える。そして、電子ビーム描画装置では、電子ビームを偏向制御できる範囲が限られているため、ステージを移動させ、ステージ上の試料を移動させながら描画を行い、試料に微細パターンを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２６００５６号公報
【特許文献２】特表２００３−５０１８２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
荷電粒子ビームである電子ビームを用いる電子ビーム描画装置では、上述したように、描画対象となる試料をステージ上に載置し、ステージを移動させながら試料に微細パターンを形成する。ステージ上での試料の支持は、支持部となる、ステージの上面に設けられた複数の支持ピンによって行われる。支持ピンは、描画対象となる試料を下方から支持するよう、その先端部分に、例えば、頭面が球状の支持体部を配置して構成されている。すなわち、従来の電子ビーム描画装置では、ステージ上に配置された複数の支持ピンが、その先端部分に配置された頭面球状の支持体部を用いて試料と下方側から直接に接する。そして、支持ピンによって試料を支持して電子ビームによるパターンの描画を行っている。
【００１２】
しかしながら、従来の電子ビームを用いる描画装置においては、ステージを移動させながら試料へのパターンの描画を行う間に、支持ピンの試料を支持する性能が劣化することがあった。
例えば、特許文献２に記載されるように、ＥＵＶマスクの製造に用いられる試料では、パターン形成面である上面と対向する下面に導電膜がコートされることがある。導電膜としては、例えば、クロム（Ｃｒ）膜等が用いられる。
【００１３】
試料の下面に導電膜がコートされている場合、試料を下方側から支持するステージの支持ピンは、試料下面の導電膜に触れることがある。そして、ステージを移動させながらパターンの描画を行う場合、試料下面の導電膜に剥離が生じ、試料を支持する支持ピンの支持体部に剥離物が付着することがあった。こうした支持ピンの支持体部への剥離物の付着は、支持ピンの試料支持性能を低下させ、例えば、支持ピン上での試料のスリップを生じさせることになる。支持ピン上で試料のスリップが発生すると、所望とする微細なパターンの描画は行えない。こうした支持ピンの性能の劣化は、試料がＥＵＶマスク以外のマスク等であり、導電膜を設けないマスクの場合であっても、使用する間に生じることがあった。尚、スリップの発生は、試料上における電子ビームの照射位置に所定の変化が現れることによって確認される。
【００１４】
支持ピンの性能に劣化が生じた場合、描画装置ではメンテナンスが必要となる。メンテナンスでは、ステージ上の劣化した支持ピンのクリーニングや支持ピンの交換を行う。ここで、描画装置では、電子ビームを用いたパターンの描画を行うために、描画室等の内部が高真空の状態に保たれている。したがって、描画装置のメンテナンス時には、一旦、装置内を大気開放する必要が生じる。そして、メンテナンス終了後、再び、電子ビームによるパターン描画のために、描画室内を高真空の状態にする必要がある。そのため、メンテナンス時において、描画装置の長期のダウンタイムが発生してしまい、マスク製造における生産性の低下を生じさせることになる。
【００１５】
尚、支持ピンの上部に設けられた頭面球状の支持体部を、着脱可能なボール状の部材によって構成することも考えられる。そうした着脱容易な部材を用いることにより、描画装置のメンテナンス作業を簡便化することができる。しかしながら、支持体部を着脱可能な部材により構成すると、支持ピンの剛性が低下し、支持ピンによって支持される試料の位置検出精度が低下するおそれがある。
【００１６】
以上より、例えば、電子ビームを用いて試料へのパターンの描画を行うとともに、試料を載置するステージの支持ピンが劣化した場合のメンテナンス作業を簡便化し、装置のダウンタイムの長期化を抑え、生産性の低下を抑制することができる荷電粒子ビーム描画装置が求められている。
【００１７】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、長期のダウンタイムの発生を抑え、生産性の低下を抑制する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供することである。
【００１８】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の第１の態様は、ステージを内蔵する描画室を備え、ステージ上に支持部材を介して載置される試料に荷電粒子ビーム照射手段により荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
ステージは、支持部材を３点で支持する第１の支持部を有し、
支持部材は、その少なくとも一部に導電膜が設けられているとともに、試料を３点で支持する第２の支持部を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置に関する。
【００２０】
本発明の第１の態様において、第２の支持部の表面に導電膜が設けられていることが好ましい。
【００２１】
本発明の第１の態様において、描画室に接続し、試料および支持部材を搬送する搬送手段が設けられた搬送室と、
搬送室に接続し、支持部材が収納される収納室とを有することが好ましい。
【００２２】
本発明の第２の態様は、描画室内に設けられたステージの上に試料を載置し、荷電粒子ビームを照射してその試料に所望のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
ステージ上の３点に設けられた第１の支持部によって支持されるように、支持部材をそのステージ上に載置する工程と、
その支持部材上の３点に設けられた第２の支持部によって支持されるように、試料を支持部材上に載置する工程と、
試料に荷電粒子ビームを照射してパターンを描画する工程とを有し、
描画を終えた後は、支持部材を描画室から搬出して収納室に収納する工程および支持部材を描画室から搬出してクリーニングする工程のいずれか一方が選択されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【００２３】
本発明の第３の態様は、描画室内に設けられたステージの上に試料を載置し、荷電粒子ビームを照射して試料に所望のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
ステージ上の３点に設けられた第１の支持部によって支持されるように、支持部材をそのステージ上に載置する工程と、
その支持部材上の３点に設けられた第２の支持部によって支持されるように、試料を支持部材上に載置する工程と、
試料に荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画する工程と、
描画を終えた後に、試料を支持部材とともに描画室から搬出する工程と、
支持部材をクリーニングする工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【００２４】
本発明の第２の態様および第３の態様において、支持部材をクリーニングする工程は、試料上における荷電粒子ビームの照射位置に所定の変化が現れたときに行われることが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の第１の態様によれば、長期のダウンタイムの発生を抑え、生産性の低下を抑えることができる描画装置を提供することができる。
【００２６】
本発明の第２の態様によれば、使用する描画装置に長期のダウンタイムが発生することを抑え、生産性の低下を抑えることができる描画方法を提供することができる。
【００２７】
本発明の第３の態様によれば、使用する描画装置に長期のダウンタイムが発生することを抑え、生産性の低下を抑えることができる描画方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１の実施形態の描画装置の構成を示す概略図である。
【図２】本実施の形態の描画装置の描画室に内蔵されたステージおよび支持ホルダの配置構造を模式的に説明する側面図である。
【図３】本実施の形態の支持ホルダの構造を示す模式的な側面図である。
【図４】本実施の形態の描画装置の要部構成を説明する概略図である。
【図５】本実施形態の描画装置を用いたパターンの描画について説明する図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の描画装置の別の例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
〔実施の形態１〕
本発明の第１の実施形態は、描画対象となる試料であるマスクに、荷電粒子ビームである電子ビームを照射して所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置である。以下、本発明の第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置を、単に、描画装置と称する。
【００３０】
図１は、本発明の第１の実施形態の描画装置の構成を示す概略図である。
【００３１】
本実施形態の描画装置１００は、ステージＳｔ上に載置されたマスクＭに電子ビームを照射してパターンの描画を行う描画室１と、描画室１に接続して隣接する位置に配置され、搬送手段である搬送ロボットＲを内蔵するロボット室２と、ロボット室２に接続して描画室１と反対側で隣接する位置に配置されたロードロック室５と、ロードロック室５にロボット室２と反対側で隣接する位置に配置されたマスク投入装置７とを備えている。マスクＭとしては、例えば、石英基板の上面側にレジスト層を配置し、下面側に導電性のクロム膜を配置して構成されたＥＵＶマスクとすることが可能である。尚、ロボット室２は、本発明における搬送室に対応する。
【００３２】
描画装置１００の、ロボット室２と描画室１との間、ロボット室２とロードロック室５との間およびロードロック室５とマスク投入装置７との間には、それぞれゲートバルブ３、６、８が設けられている。さらに、ロボット室２の描画室１およびロードロック室５に隣接しない周囲には、マスクＭの位置決めを行うアライメント室４と、このアライメント室４と対向する位置に、後に詳述するマスクＭの支持部材である、本実施形態の支持ホルダ４０を収納する収納室９が接続して配置されている。ロードロック室５は、例えば、外部から描画装置１００内にマスクＭを投入するに際し、描画室１やロボット室２等を大気開放しないように機能する。
【００３３】
マスクＭにパターンの描画を行う前、マスクＭの支持部材である支持ホルダ４０は、ロボット室２に接続する収納室９に収納されており、マスクＭへの描画を開始するにあたり、搬送ロボットＲによって収納室９から取り出される。その後、ゲートバルブ３が開かれ、支持ホルダ４０は、描画室１内に搬送され、ステージＳｔ上に載置される。
【００３４】
次いで、描画対象となるマスクＭが、図示省略するロボットによりマスク投入装置７からロードロック室５に投入される。そして、ゲートバルブ８を閉じられ、ロードロック室５が真空にされた後、ゲートバルブ６が開かれ、搬送ロボットＲによってマスクＭはロードロック室５からアライメント室４に搬送される。
【００３５】
アライメント室４でアライメント（位置決め）が行われると、次に、ゲートバルブ３が開かれ、搬送ロボットＲによりマスクＭはアライメント室４から描画室１内に搬送される。そして、マスクＭは、描画室１のステージＳｔの上に載置された支持ホルダ４０の上に載置される。
【００３６】
図２は、本実施の形態の描画装置の描画室に内蔵されたステージおよび支持ホルダの配置構造を模式的に説明する側面図である。
【００３７】
荷電粒子ビームである電子ビームを用いてパターンの描画を行う描画装置１００は、所望の方向に移動可能なステージＳｔを描画室１内に内蔵して有する。
【００３８】
本実施形態の描画装置１００の描画室１のステージＳｔは、上面の周辺部に、第１の支持部である支持ピン４３が設けられている。支持ピン４３は、柱状体とすることができ、その上部の先端面に、頭面が球状の支持体部４４を設けて構成することができる。本実施形態の描画装置１００の描画室１のステージＳｔは、例えば、３個の支持ピン４３を有することができる。
【００３９】
本実施形態の描画装置１００は、描画室１のステージＳｔの上に、支持部材である支持ホルダ４０を載置することができる。そして、支持ホルダ４０の上にマスクＭが載置される。したがって、ステージＳｔの支持ピン４３はマスクＭに直接接触することはなく、マスクＭからの剥離物がステージＳｔの支持ピン４３に付着することはない。支持ホルダ４０は、上述したように、収納室９に収納されており、マスクＭへのパターンの描画の前に取り出され、搬送されてステージＳｔ上に載置される。
【００４０】
ステージＳｔ上での支持ホルダ４０の支持は、上述したように、ステージＳｔの上面に配置された第１の支持部である支持ピン４３によって行われる。本実施の形態の描画装置１００では、ステージＳｔは、上述したように、その上面に３個の支持ピン４３を有する。したがって、描画装置１００では、描画室１のステージＳｔ上に配置された３個の支持ピン４３が、その上部に配置された頭面球状の支持体部４４により、支持ホルダ４０と下方から接し、支持ホルダ４０を３点で支持している。支持ホルダ４０を４点以上で支持しようとする場合、支持ピン４３について高精度の高さ調整が必要となり、高さ調整が不十分であると、支持ホルダ４０に変形が生じてしまう。したがって、本実施の形態の描画装置１００では、ステージＳｔ上での支持ホルダ４０の支持が、３点支持によってなされている。
【００４１】
図３は、本実施の形態の支持ホルダの構造を示す模式的な側面図である。
【００４２】
図３に示すように、本実施の形態の支持ホルダ４０は、板状体４１の上面の周辺部に、第２の支持部である、頭面が球状の支持部４２を配置して構成されている。本実施形態の描画装置１００は、描画室１のステージＳｔ上の支持ホルダ４０の上に描画対象であるマスクＭを載置し、荷電粒子ビームである電子ビームを用いたパターンの描画を行うことができる。
【００４３】
支持ホルダ４０上でのマスクＭの支持は、支持ホルダ４０の上面に配置された支持部４２によって行われる。支持ホルダ４０では、その上面の周辺部に３個の支持部４２を設けることができる。したがって、本実施の形態の描画装置１００では、描画室１のステージＳｔ上に支持ホルダ４０を載置し、その支持ホルダ４０が、上面に配置された頭面球状の支持部４２により、マスクＭと下方から３点で接し、マスクＭの３点支持を実現することができる。マスクＭを４点以上で支持しようとする場合、支持部４２について高精度の高さ調整が必要となり、高さ調整が不十分であると、マスクＭに変形が生じてしまう。したがって、本実施の形態の描画装置１００では、支持ホルダ４０上でのマスクＭの支持が、３点支持によってなされている。
【００４４】
このとき、支持ホルダ４０の支持部４２の形状は、頭面が球状となる形状のみに限られるわけではない。マスクＭとの点接触を可能とする他の形状の選択が可能である。例えば、断面が三角形状となる円錐形状や三角錐形状や四角錐形状とすること等が可能である。尚、ここで言う点接触とは、厳密な点による接触のみを意図するものではない。支持部４２のマスクＭと接触する先端部分は、マスクＭを変形させない程度の許容できる範囲で面積を有している。
【００４５】
さらに、支持ホルダ４０の支持部４２は、支持ホルダ４０上でのマスクＭのスリップ（以下、マスクスリップとも言う。）を防止するため、支持部４２の断面が台形や長方形となる形状を選択することも可能である。その場合、マスクＭと接する支持部４２の頭面は平面となり、頭面が平面の３個の支持部４２によりマスクＭの３点支持を実現することができる。
【００４６】
支持ホルダ４０は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＣ）等、高強度のセラミクス材を用いて構成することが好ましい。そして、支持ホルダ４０は、マスクＭより大きな面積を有することや、小さい面積とすることが可能である。
【００４７】
支持ホルダ４０がマスクＭより大きな面積である場合には、マスクＭへの描画時等で、電子ビームの照射を受けることがある。同様に、支持ホルダ４０がマスクＭより小さな面積であっても、マスクＭを載置しない状態で描画装置１００の動作確認を行う場合等があって電子ビームの照射を受けることがある。そうした場合に、照射された電子ビームによって支持ホルダ４０に電荷が溜まる懸念がある。こうした電荷の蓄積は、特に、支持ホルダ４０の支持部４２の先端部分に起こりやすいと考えられる。そのため、支持ホルダ４０の支持部４２の配置面の全面またはその少なくとも一部に、導電コートを施し、図示されない導電膜を設けることが好ましい。そして、支持ホルダ４０の一部に導電膜を設ける場合、支持ホルダ４０の支持部４２の表面に導電膜を設けることが好ましく、特に、上部の頭面にのみ導電コートすることが好ましい。支持ホルダ４０の少なくとも一部に設けられる導電膜の材料としては、金属チタン（Ｔｉ）を用いた材料の使用が好ましい。
【００４８】
図２に示すように、本実施形態の描画装置１００では、ステージＳｔ上で、第１の支持部である支持ピン４３を用いて支持ホルダ４０を３点で支持する。支持ホルダ４０上では、第２の支持部である支持部４２を用い、マスクＭを３点で支持する。そしてさらに、マスクＭを支持する３点の重心がマスクＭの重心と一致するようにすることが好ましい。ステージＳｔ上での支持ホルダ４０の３点支持を実現することにより、支持される支持ホルダ４０の変形を最小限に抑えることができる。そして、支持ホルダ４０上で、上述のように、マスクＭの重心を考慮した３点支持を実現することにより、支持されるマスクＭの変形を最小限に抑えることができる。
【００４９】
このとき、ステージＳｔ上に支持ホルダ４０が載置されたときに、支持ホルダ４０の３点支持を実現するステージＳｔの支持ピン４３の支持体部４４の配設位置と、マスクＭの３点支持を実現する支持ホルダ４０の支持部４２の配設位置は一致していることが好ましい。すなわち、図２に示すように、各支持ピン４３の各支持体部４４の上に各支持部４２が位置するように構成することが好ましい。より具体的には、ステージＳｔ上に支持ホルダ４０が載置された状態で、支持ピン４３の支持体部４４の形成領域と対向する、支持ホルダ４０の板状体４１の領域の近傍に支持部４２が配設されることが好ましい。そして、支持ピン４３の支持体部４４の形成領域と対向する支持ホルダ４０の領域内に、支持部４２とマスクＭとの接点が形成されるように構成することが好ましい。
【００５０】
次に、第１実施形態の描画装置１００について、電子ビーム照射してマスクＭに描画を行うための他の構成についてより詳細に説明する。
【００５１】
図４は、本実施の形態の描画装置の要部構成を説明する概略図である。
【００５２】
図４において、描画装置１００の描画室１内には、上述したように、ステージＳｔが内蔵されている。ステージＳｔ上には、図２に示した支持ピン４３（図４では図示を省略。）の各支持体部４４（図４では図示を省略。）の上に各支持部４２（図４では図示を省略。）が位置するように本実施形態の支持ホルダ４０が載置され、支持ホルダ４０は３点で支持されている。そして、支持ホルダ４０の上には、図２に示した支持部４２（図４では図示を省略。）より３点支持され、電子ビームによる描画がなされるマスクＭが設置される。ステージＳｔは、ステージ駆動回路１０４によりＸ方向（紙面における左右方向）とＹ方向（紙面における垂直方向）に駆動される。ステージＳｔの移動位置は、レーザ測長計等を用いた位置回路１０５により測定される。
【００５３】
描画室１の上方には、電子ビーム光学系１１０が設置されている。この電子ビーム光学系１１０は、荷電粒子ビーム照射手段として荷電粒子ビームである電子ビームの照射が可能な電子銃１０６、各種レンズ１０７、１０８、１０９、１１１、１１２、ブランキング用偏向器１１３、成形偏向器１１４、ビーム走査用の主偏向器１１５、ビーム走査用の副偏向器１１６、および、ビーム成形用の第１のアパーチャ１１７および第２のアパーチャ１１８等から構成されている。
【００５４】
図５は、本実施形態の描画装置を用いたパターンの描画について説明する図である。
【００５５】
図５に示すように、マスクＭ上に描画されるパターン５１は、短冊状のフレーム領域５２に分割されている。電子ビーム５４による描画は、ステージＳｔが一方向（例えば、Ｘ方向）に連続移動しながら、フレーム領域５２毎に行われる。フレーム領域５２は、さらに副偏向領域５３に分割されており、電子ビーム５４は、副偏向領域５３内の必要な部分のみを描画する。尚、フレーム領域５２は、主偏向器１１５の偏向幅で決まる短冊状の描画領域であり、副偏向領域５３は、副偏向器１１６の偏向幅で決まる単位描画領域である。
【００５６】
副偏向領域５３内での電子ビーム５４の位置決めは、主偏向器１１５で行われ、副偏向領域５３内での描画は、副偏向器１１６によって制御される。すなわち、主偏向器１１５によって、電子ビーム５４が所定の副偏向領域５３に位置決めされ、副偏向器１１６によって、副偏向領域５３内での描画位置が決められる。さらに、成形偏向器１１４とビーム成形用アパーチャ１１７、１１８によって、電子ビーム５４の形状と寸法が決められる。そして、ステージＳｔを一方向に連続移動させながら、副偏向領域５３内を描画し、１つの副偏向領域５３の描画が終了したら、次の副偏向領域５３を描画する。フレーム領域５２内の全ての副偏向領域５３の描画が終了したら、ステージＳｔを連続移動させる方向と直交する方向（例えば、Ｙ方向）にステップ移動させる。その後、同様の処理を繰り返して、フレーム領域５２を順次描画して行く。
【００５７】
図４で、記憶媒体である磁気ディスク１２１には、マスクＭの描画データが格納されている。磁気ディスク１２１から読み出された描画データは、フレーム領域５２毎にパターンメモリ１２２に一時的に格納される。パターンメモリ１２２に格納されたフレーム領域５２毎のパターンデータ、すなわち、描画位置や描画図形データ等で構成されるフレーム情報は、データ解析部であるパターンデータデコーダ１２３と描画データデコーダ１２４に送られる。
【００５８】
パターンデータデコーダ１２３からの情報は、ブランキング回路１２５とビーム成形器ドライバ１２６に送られる。具体的には、パターンデータデコーダ１２３で上記データに基づいたブランキングデータが作成され、ブランキング回路１２５に送られる。また、所望とするビーム寸法データも作成されて、ビーム成形器ドライバ１２６に送られる。そして、ビーム成形器ドライバ１２６から、電子ビーム光学系１１０の成形偏向器１１４に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム５４の寸法が制御される。
【００５９】
制御計算機１２０には、偏向制御部１３２が接続している。偏向制御部１３２は、セトリング時間決定部１３１に接続し、セトリング時間決定部１３１は、副偏向領域偏向量算出部１３０に接続し、副偏向領域偏向量算出部１３０は、パターンデータデコーダ１２３に接続している。また、偏向制御部１３２は、ブランキング回路１２５と、ビーム成形器ドライバ１２６と、主偏向器ドライバ１２７と、副偏向器ドライバ１２８とに接続している。
【００６０】
描画データデコーダ１２４の出力は、主偏向器ドライバ１２７と副偏向器ドライバ１２８に送られる。そして、主偏向器ドライバ１２７から、電子ビーム光学系１１０の主偏向器１１５に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム５４が所定の主偏向位置に偏向走査される。また、副偏向器ドライバ１２８から、副偏向器１１６に所定の副偏向信号が印加されて、副偏向領域５３内での描画が行われる。
【００６１】
次に、制御計算機１２０による描画制御について説明する。
制御計算機１２０は、記憶媒体で磁気ディスク１２１に記録されたマスクＭの描画データを読み出す。読み出された描画データは、フレーム領域５２毎にパターンメモリ１２２に一時的に格納される。
【００６２】
パターンメモリ１２２に格納されたフレーム領域５２毎の描画データ、つまり、描画位置や描画図形データ等で構成されるフレーム情報は、データ解析部であるパターンデータデコーダ１２３と描画データデコーダ１２４を介して、副偏光領域偏向量算出部１３０、ブランキング回路１２５、ビーム成形器ドライバ１２６、主偏向器ドライバ１２７、副偏向器ドライバ１２８に送られる。
【００６３】
パターンデータデコーダ１２３では、描画データに基づいてブランキングデータが作成されてブランキング回路１２５に送られる。また、描画データに基づいて所望とするビーム形状データが作成されて副偏向領域偏向量算出部１３０とビーム成形器ドライバ１２６に送られる。
【００６４】
副偏向領域偏向量算出部１３０は、パターンデータデコーダ１２３により作成したビーム形状データから、副偏向領域５３における、１ショットごとの電子ビームの偏向量（移動距離）を算出する。算出された情報は、セトリング時間決定部１３１に送られ、副偏向による移動距離に対応したセトリング時間が決定される。
【００６５】
セトリング時間決定部１３１で決定されたセトリング時間は、偏向制御部１３２へ送られた後、パターンの描画のタイミングを計りながら、偏向制御部１３２より、ブランキング回路１２５、ビーム成形器ドライバ１２６、主偏向器ドライバ１２７、副偏向器ドライバ１２８のいずれかに適宜送られる。
【００６６】
ビーム成形器ドライバ１２６では、電子ビーム光学系１１０の成形偏向器１１４に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム５４の形状と寸法が制御される。
【００６７】
描画データデコーダ１２４では、描画データに基づいて副偏向領域５３の位置決めデータが作成され、このデータは主偏向器ドライバ１２７に送られる。次いで、主偏向器ドライバ１２７から主偏向器１１５へ所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム５４は、副偏向領域５３の所定位置に偏向走査される。
【００６８】
描画データデコーダ１２４では、描画データに基づいて、副偏向器１１６の走査のための制御信号が生成される。制御信号は、副偏向器ドライバ１２８に送られた後、副偏向器ドライバ１２８から副偏向器１１６に所定の副偏向信号が印加される。副偏向領域５３内での描画は、設定されたセトリング時間が経過した後、電子ビーム５４を繰り返し照射することによって行われる。
【００６９】
以上の構造を有する描画装置１００では、マスクＭをステージＳｔ上の支持ホルダ４０の上に載置し、描画室１内で、マスクＭを移動させながら電子ビームを照射して所定のパターンを描画することができる。
【００７０】
描画装置１００では、電子ビーム照射によるマスクＭへの描画作業の後、支持ホルダ４０上に載置された状態のままで、マスクＭを搬送ロボットＲにより描画室１から搬出することができる。その場合、図１に示すように、マスクＭと支持ホルダ４０は、ゲートバルブ３およびゲートバルブ６を通ってロードロック室５に搬送される。ロードロック室５では、ゲートバルブ６が閉じられた後、ゲートバルブ８が開かれ、描画室１やロボット室２等を大気開放すること無く、マスクＭと支持ホルダ４０を描画装置１００の外部に搬出することができる。
【００７１】
このとき、描画装置１００では、装置外部に搬出された支持ホルダ４０の支持部４２等に付着物等が見られ、また、劣化が確認された場合に、支持ホルダ４０のクリーニング等のメンテナンスが行われ、支持ホルダ４０のマスク支持性能の回復が行われる。
【００７２】
また、描画装置１００は、支持ホルダ４０を描画処理後のマスクＭを載置したまま、描画処理毎に装置外に搬出することをせず、マスクＭのみをロードロック室５を通して装置外に搬送することも可能である。その場合、描画室１のステージＳｔ上にある支持ホルダ４０は、マスクＭが取り外された後、収納室９に搬送される。そして、収納室９で、付着物の有無や劣化の有無が検査され、クリーニング等のメンテナンスの必要性が判断される。
【００７３】
図６は、本発明の第１の実施形態の描画装置の別の例を示す概略図である。
【００７４】
第１の実施形態の描画装置の別の例である描画装置２００は、図６に示すように、収納室９に隣接する位置に、支持部材である支持ホルダ４０を装置外に搬出するための出入チャンバ４６を設けて構成される。そして、出入チャンバ４６と収納室９との間と、出入チャンバ４６の装置外と通じる部分にゲートバルブ４７、４８が設けられている。描画装置２００は、出入チャンバ４６およびゲートバルブ４７、４８を設けた以外は、上述した描画装置１００と同様の構成を有する。したがって、共通する構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００７５】
描画装置２００は、図６に示すように、収納室９に隣接する位置に出入チャンバ４６を配置して有する。描画装置２００では、描画室１のステージＳｔ上でのマスクＭでの描画作業の終了後、マスクＭのみを搬送ロボットＲにより描画室１から取り出すことができる。そして、マスクＭは、ゲートバルブ３およびゲートバルブ６を通ってロードロック室５に搬送される。ロードロック室５では、ゲートバルブ６が閉じられた後、ゲートバルブ８が開かれ、マスクＭを、描画室１内を大気開放すること無く、描画装置１００の外部に搬出することができる。
【００７６】
一方、描画室１のステージＳｔ上の支持ホルダ４０は、搬送ロボットＲにより描画室１から搬出され、収納室９に収納される。収納室９に収納された支持ホルダ４０において、支持部４２に付着物が付着する等、劣化が確認された場合には、ゲートバルブ４７が開かれ、支持ホルダ４０を出入チャンバ４６に搬送することができる。次いで、ゲートバルブ４７が閉じられ、その後ゲートバルブ４８が開かれて、描画室１内等を大気開放すること無く、支持ホルダ４０を装置外に取り出すことができる。そして、劣化した支持ホルダ４０のクリーニングや、支持ホルダ４０の交換等のメンテナンスを行うことができ、支持ホルダ４０のマスク支持性能の回復を行うことができる。
【００７７】
メンテナンス終了の後、支持ホルダ４０を、ゲートバルブ４７が閉じられた状態の出入チャンバ４６に、ゲートバルブ４８を通して投入することができる。そして、ゲートバルブ４８が閉じられ、出入チャンバ４６内が高真空の状態にされた後、ゲートバルブ４７を開くことができ、支持ホルダ４０を、ゲートバルブ４７を通過させて収納室９に搬送することができる。収納室９に搬送された支持ホルダ４０は、その後、マスクＭのパターン描画のために、描画室１のステージＳｔ上に搬送することができる。
【００７８】
〔実施の形態２〕
次に、本発明の第２の実施形態である荷電粒子ビーム描画方法について説明する。
【００７９】
第２実施形態の荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームである電子ビームを用いた描画方法である。そして、上述した本発明の荷電粒子ビーム描画装置の一態様である描画装置１００を用いて、試料であるマスクＭへの電子ビームによる描画を行うことができる。マスクＭは、上述したように、例えば、石英基板の上面側にレジスト層を配置し、下面側に導電性のクロム膜が配置して構成されたＥＵＶマスクとすることができる。以下、第２実施形態の荷電粒子ビーム描画方法を、単に、描画方法と称し、図面を参照しながら説明する。
【００８０】
描画装置１００では、図１に示したように、描画室１に隣接する位置に、搬送ロボットＲを内蔵するロボット室２が配置され、ロボット室２の描画室１に隣接しない周囲には、マスクＭの位置決めを行うアライメント室４と、このアライメント室４と対向する位置に、支持ホルダ４０を収納する収納室９が配置されている。
【００８１】
したがって、電子ビームを用いたマスクＭへの描画の前に、描画室１の外部に設けられた収納室９に収納された、支持部材である支持ホルダ４０を、搬送ロボットＲにより収納室９から取り出す。次いで、ロボット室２と描画室１との間のゲートバルブ３を開き、支持ホルダ４０を描画室１内に搬送する。そして、図２に示すように、ステージＳｔの支持ピン４３の支持体部４４の上に、支持ホルダ４０の支持部４２が位置するように、ステージＳｔ上に支持ホルダ４０を載置する。ステージＳｔ上では、図２に示すように、支持ホルダ４０が、ステージＳｔの上面に設けられた３個の支持ピン４３の支持体部４４により３点で支持されている。
【００８２】
次いで、描画対象となるマスクＭを、図示省略するロボットによりマスク投入装置７からロードロック室５に投入する。そして、ゲートバルブ８を閉じ、ロードロック室５を高真空の状態にした後、ゲートバルブ６を開き、搬送ロボットＲによってマスクＭをロードロック室５からアライメント室４に搬送する。
【００８３】
アライメント室４でアライメント（位置決め）を行うと、次に、ゲートバルブ３を開き、搬送ロボットＲによりマスクＭをアライメント室４から描画室１内に搬送する。そして、マスクＭを、描画室１のステージＳｔの上に載置された支持ホルダ４０の上に設置する。
【００８４】
支持ホルダ４０では、板状体４１の上面に設けられた３個の支持部４２を用いてマスクＭを３点で支持する。支持部４２によるマスクＭの３点の支持位置は、マスクＭの重心位置と実質的に一致している。こうしたマスクＭの３点支持を実現することにより、マスクＭの変形は抑制され、安定的なマスクＭの支持が可能となる。
【００８５】
そして、図４に示すように、ステージＳｔの位置検出を位置回路１０５により行い、制御計算機１２０からの信号に基づいて、ステージ駆動回路１０４によりステージＳｔを描画可能な位置まで移動させる。
【００８６】
次に、図４に示すように電子銃１０６より電子ビーム５４を出射する。出射された電子ビーム５４は、照明レンズ１０７により集光される。そして、ブランキング用偏向器１１３により、電子ビーム５４をマスクＭに照射するか否かの操作を行う。
【００８７】
第１のアパーチャ１１７に入射した電子ビーム５４は、第１のアパーチャ１１７の開口部を通過した後、ビーム成形器ドライバ１２６により制御された成形偏向器１１４によって偏向される。そして、第２のアパーチャ１１８に設けられた開口部を通過することにより、所望の形状と寸法を有するビーム形状になる。このビーム形状は、マスクＭに照射される電子ビーム５４の描画単位である。
【００８８】
電子ビーム５４は、ビーム形状に成形された後、縮小レンズ１１１によって縮小される。そして、マスクＭ上における電子ビーム５４の照射位置は、主偏向器ドライバ１２７によって制御された主偏向器１１５と、副偏向器ドライバ１２８によって制御された副偏向器１１６とにより制御される。主偏向器１１５は、マスクＭ上の副偏向領域５３に電子ビーム５４を位置決めする。また、副偏向器１１６は、副偏向領域５３内で描画位置を位置決めする。
【００８９】
マスクＭへの電子ビーム５４による描画は、ステージＳｔを一方向に移動させながら、電子ビーム５４を走査することにより行われる。具体的には、ステージＳｔを一方向に移動させながら、各副偏向領域５３内におけるパターンの描画を行う。そして、１つのフレーム領域５２内にある全ての副偏向領域５３の描画を終えた後は、ステージＳｔを新たなフレーム領域５２に移動して同様に描画する。
【００９０】
上述のようにして、マスクＭの全てのフレーム領域５２の描画を終えた後、マスクＭを、支持ホルダ４０上に載置された状態のまま、搬送ロボットＲを用いて支持ホルダ４０とともに描画室１から搬出する。そして、ロボット室２を通して、ロードロック室５に搬入する。次いで、ゲートバルブ６を閉じ、その後にゲートバルブ８を開いて、マスク投入装置７から描画後のマスクＭと支持ホルダ４０とを装置外に搬出する。
【００９１】
搬出されたマスクＭは、支持ホルダ４０上から取り外され、所定の検査が行われる。その結果、マスクＭの描画パターンや描画パターンの周囲に設けられたテストパターンに、マスクスリップ等による描画異常が発見された場合には、支持ホルダ４０のクリーニング等、メンテナンスを行うようにする。尚、スリップが発生すると、マスクＭ上における電子ビームの照射位置に所定の変化、すなわち、理想的な照射位置から回転するなどの変化が現れる。
【００９２】
本実施の形態においては、描画後のマスクＭの搬出毎に、支持ホルダ４０のクリーニング等、メンテナンスを行ってもよい。こうして、本実施の形態の描画方法では、マスクＭへの描画の後、描画室１等を大気開放すること無く、支持ホルダ４０を装置外に搬出し、そのメンテナンスを行うことができる。
【００９３】
また、本実施の形態の描画方法は、上述した描画装置１００と異なり、描画室１の外部にマスクＭの収納室を有しない描画装置を用いた場合でも、同様に実施することができる。すなわち、電子ビームを用いたマスクＭへの描画の前に、マスク投入装置７を用いて支持ホルダ４０のみを搬送ロボットＲにより描画室１内に搬送し、ステージＳｔ上に載置する。その後、上記と同様の方法により、支持ホルダ４０上にマスクＭを設置し、電子ビームを用いた描画を行い、描画後にマスクＭを支持ホルダ４０とともに装置外に搬出して、必要な支持ホルダ４０のメンテナンスを行う。この場合でも、マスクＭへの描画の後、描画室１等を大気開放すること無く、支持ホルダ４０を装置外に搬出し、そのメンテナンスを行うことができる。
【００９４】
次に、本実施の形態の描画方法の別の例について説明する。
【００９５】
本実施形態の描画方法の別の例では、上述した描画装置２００を用い、上述した本実施の形態の描画方法と同様に、電子ビームを用いたマスクＭへの描画を行う。その後、マスクＭとは別に、支持ホルダ４０を、描画室１等を大気開放すること無く、装置外に取り出し、そのメンテナンスを行うことができる。
以下、図面を用いて本実施の形態の描画方法の別の例について説明する。
【００９６】
描画装置２００では、図６に示すように、描画室１に隣接する位置に、搬送ロボットＲを内蔵するロボット室２が配置され、ロボット室２の描画室１に隣接しない周囲には、マスクＭの位置決めを行うアライメント室４と、このアライメント室４と対向する位置に、支持ホルダ４０を収納する収納室９が配置されている。そして、描画装置２００は、図６に示すように、収納室９に隣接する位置に、支持ホルダ４０を装置外に搬出するための出入チャンバ４６を設けて構成されている。出入チャンバ４６と収納室９との間と、出入チャンバ４６の装置外と通じる部分には、ゲートバルブ４７、４８が設けられている。
【００９７】
描画装置２００を用いた本実施の形態の描画方法の別の例では、電子ビームを用いたマスクＭへの描画の前に、描画室１の外部に設けられた収納室９に収納された支持ホルダ４０を、搬送ロボットＲにより収納室９から取り出す。次いで、ロボット室２と描画室１との間のゲートバルブ３を開き、支持ホルダ４０を描画室１内に搬送する。そして、図２に示すように、ステージＳｔの支持ピン４３の支持体部４４の上に、支持ホルダ４０の支持部４２が位置するように、ステージＳｔ上に支持ホルダ４０を載置する。ステージＳｔ上では、図２に示すように、支持ホルダ４０が、ステージＳｔの上面に設けられた３個の支持ピン４３の支持体部４４により３点で支持されている。
【００９８】
次いで、描画対象となるマスクＭを、図示省略するロボットによりマスク投入装置７からロードロック室５に投入する。そして、ゲートバルブ８を閉じ、ロードロック室５を高真空の状態にした後、ゲートバルブ６を開き、搬送ロボットＲによってマスクＭをロードロック室５からアライメント室４に搬送する。
【００９９】
アライメント室４でアライメント（位置決め）を行うと、次に、ゲートバルブ３を開き、搬送ロボットＲによりマスクＭをアライメント室４から描画室１内に搬送する。そして、マスクＭを、描画室１のステージＳｔの上に載置された支持ホルダ４０の上に設置する。
【０１００】
支持ホルダ４０では、板状体４１の上面に設けられた３個の支持部４２を用いてマスクＭを３点で支持する。支持部４２によるマスクＭの３点の支持位置は、マスクＭの重心位置と実質的に一致している。こうした３点支持を実現することにより、マスクＭの変形は抑制され、安定的なマスクＭの支持が可能となる。
【０１０１】
そして、図４に示すように、ステージＳｔの位置検出を位置回路１０５により行い、制御計算機１２０からの信号に基づいて、ステージ駆動回路１０４によりステージＳｔを描画可能な位置まで移動させる。その後、上述した本実施の形態の描画方法と同様に、電子ビームを用いたマスクＭへの描画を行う。
【０１０２】
上述したように、マスクＭの全てのフレーム領域５２の描画を終えた後、搬送ロボットＲを用いて、マスクＭを支持ホルダ４０上から取り外し、マスクＭのみを、搬送ロボットＲを用いて描画室１から搬出する。そして、ロボット室２を通して、ロードロック室５に搬入する。次いで、ゲートバルブ６を閉じ、その後にゲートバルブ８を開いて、描画室１等を大気開放すること無く、マスク投入装置７から描画後のマスクＭを装置外に搬出する。搬出された描画後のマスクＭは、所定の検査が行われる。
【０１０３】
次に、マスクＭの取り外された支持ホルダ４０を、搬送ロボットＲを用いてステージＳｔ上から取り外し、支持ホルダ４０を、搬送ロボットＲを用いて描画室１から搬出する。そして、ロボット室２を通して、収納室９に搬入する。
【０１０４】
そして、マスクスリップ等によってマスクＭ上における電子ビームの照射位置に所定の変化が現れ、上述した描画後のマスクＭの検査の結果、マスクＭの描画パターンや描画パターンの周囲に設けられたテストパターンに描画異常が発見された場合には、収納室９内の支持ホルダ４０のクリーニング等、メンテナンスを行うようにする。すなわち、ゲートバルブ４７を開いて、支持ホルダ４０を出入チャンバ４６に搬入する。次いで、ゲートバルブ４７を閉じ、その後にゲートバルブ４８を開いて、描画室９等を大気開放すること無く、支持ホルダ４０を装置外に搬出する。搬出された支持ホルダ４０対し、クリーニング等のメンテナンスを行う。
【０１０５】
尚、支持ホルダ４０のメンテナンスの頻度については、描画後のマスクＭの検査結果によらず、決められた個数のマスクＭへの描画が行われた後に必ず行うようにすることも可能である。
【０１０６】
こうして、本実施の形態の描画方法の別の例では、マスクＭへの描画の後、描画室１等を大気開放すること無く、収納室９から支持ホルダ４０を装置外に搬出し、そのメンテナンスを行うことができる。
【０１０７】
このメンテナンスの後の支持ホルダ４０は、ゲートバルブ４８、出入チャンバ４６およびゲートバルブ４７を通して、収納室９に収納され、次のマスクＭへの描画のために使用される。
【０１０８】
尚、描画装置２００を用いた本実施の形態の描画方法の別の例では、マスクＭへの描画の後にマスクＭが取り外された後、支持ホルダ４０を収納室９に搬送すること無く、ステージＳｔ上にそのまま設置しておくことも可能である。
【０１０９】
すなわち、マスクＭへの描画を終え、マスクＭを支持ホルダ４０上から取り外した後、支持ホルダ４０をステージＳｔ上に載置されたまま、マスクＭの検査結果を待つようにすることが可能である。描画後のマスクの検査の結果、マスクＭの描画パターン等にマスクスリップ等による描画異常が発見された場合には、ステージＳｔ上から支持ホルダ４０を取り外し、上述したのと同様に収納室９に搬送して、出入チャンバ４６を通して装置外に搬送し、クリーニング等のメンテナンスを行うようにする。
【０１１０】
一方、描画後の検査で、マスクＭの描画パターンに描画異常等の性能劣化が見られなかった場合には、支持ホルダ４０は、ステージＳｔ上に載置されたままの状態が維持され、次の描画対象試料であるマスクＭが描画室１内に搬入されるのを待って、マスクＭを載置するようにすることができる。
【０１１１】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【０１１２】
例えば、上記実施の形態では電子ビームを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。
【符号の説明】
【０１１３】
Ｍ    マスク
Ｒ    搬送ロボット
Ｓｔ    ステージ
１    描画室
２    ロボット室
３、６、８、４７、４８    ゲートバルブ
４    アライメント室
５    ロードロック室
７    マスク投入装置
９    収納室
４０    支持ホルダ
４１    板状体
４２    支持部
４３    支持ピン
４４    支持体部
４６    出入チャンバ
５１    描画されるパターン
５２    フレーム領域
５３    副偏向領域
５４    電子ビーム
１００、２００    描画装置
１０４    ステージ駆動回路
１０５    位置回路
１０６    電子銃
１０７、１０８、１０９、１１１、１１２    レンズ
１１０    電子ビーム光学系
１１３    ブランキング用偏向器
１１４    成形偏向器
１１５    主偏向器
１１６    副偏向器
１１７    第１のアパーチャ
１１８    第２のアパーチャ
１２０    制御計算機
１２１    磁気ディスク
１２２    パターンメモリ
１２３    パターンデータデコーダ
１２４    描画データデコーダ
１２５    ブランキング回路
１２６    ビーム成形器ドライバ
１２７    主偏向器ドライバ
１２８    副偏向器ドライバ
１３０    副偏向領域偏向量算出部
１３１    セトリング時間決定部
１３２    偏向制御部
【図１】
2013115219.tif 000003
【図２】
2013115219.tif 000004
【図３】
2013115219.tif 000005
【図４】
2013115219.tif 000006
【図５】
2013115219.tif 000007
【図６】
2013115219.tif 000008