(57)【要約】      （修正有）【課題】４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノールからジヒドロキシ化合物への変換率が高い、より効率的なジヒドロキシ化合物の製造方法を提供すること。【解決手段】チタン化合物及び／又はスズ化合物の存在下、式（１）2013060425.tif 000014（式中、Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表わし、Ｚは炭素数１〜５のアルキル基を表わす。）で表わされるヒドロキシ安息香酸エステルと４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノールとを、ヒドロキシル基を有していない溶媒中で反応させることを特徴とする式（３）で示されるジヒドロキシ化合物の製造方法。2013060425.tif 000015【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン化合物及びスズ化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物の存在下、式（１）
2013060425.tif 000011
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表わし、Ｚは炭素数１〜５のアルキル基を表わす。）
で表わされるヒドロキシ安息香酸エステルと、式（２）
2013060425.tif 000012
で表わされる４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノールとを、ヒドロキシル基を有していない溶媒中で反応させる、式（３）
2013060425.tif 000013
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、上記と同じ意味を表わす。）
で表わされるジヒドロキシ化合物の製造方法。
【請求項２】
ヒドロキシル基を有していない溶媒が、ヒドロキシル基を有していない芳香族ハロゲン化炭化水素溶媒及びヒドロキシル基を有していないエーテル溶媒からなる群より選ばれる少なくとも一種の溶媒である請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
反応が、スズ化合物の存在下で行われる請求項１又は２記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ジヒドロキシ化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、式（３）
2013060425.tif 000002
で示されるジヒドロキシ化合物が、エポキシ樹脂の原料であるジエポキシ化合物へ変換可能であることが記載されており、その製造方法として、酸の存在下に、ヒドロキシ安息香酸と４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノールとを反応させる方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−０７４３６６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノールから式（３）で表わされるジヒドロキシ化合物への変換率が必ずしも充分満足できるものではなかった。そのため、４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノールからジヒドロキシ化合物への変換率が高い、より効率的なジヒドロキシ化合物の製造方法の開発が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような状況下、本発明者は鋭意検討した結果、以下の本発明に至った。
［１］チタン化合物及びスズ化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物の存在下、式（１）
2013060425.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表わし、Ｚは炭素数１〜５のアルキル基を表わす。）
で表わされるヒドロキシ安息香酸エステルと、式（２）
2013060425.tif 000004
で表わされる４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノールとを、ヒドロキシル基を有していない溶媒中で反応させる、式（３）
2013060425.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、上記と同じ意味を表わす。）
で示されるジヒドロキシ化合物の製造方法。
［２］ヒドロキシル基を有していない溶媒が、ヒドロキシル基を有していない芳香族ハロゲン化炭化水素溶媒及びヒドロキシル基を有していないエーテル溶媒からなる群より選ばれる少なくとも一種の溶媒である［１］記載の製造方法。
［３］反応が、スズ化合物の存在下で行われる［１］又は［２］記載の製造方法。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノールからジヒドロキシ化合物への変換率が高い、より効率的なジヒドロキシ化合物の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明は、チタン化合物及びスズ化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物の存在下、式（１）
2013060425.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表わし、Ｚは炭素数１〜５のアルキル基を表わす。）
で表わされるヒドロキシ安息香酸エステル（以下、ヒドロキシ安息香酸エステル（１）と記すことがある）と、式（２）
2013060425.tif 000007
で表わされる４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノール（以下、フェノール（２）と記すことがある）とを、ヒドロキシル基を有していない溶媒中で反応させる、式（３）
2013060425.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、上記と同じ意味を表わす。）
で示されるジヒドロキシ化合物（以下、ジヒドロキシ化合物（３）と記すことがある）の製造方法である。
【０００８】
炭素数１〜３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基が挙げられ、好ましくは、メチル基である。
Ｒ１〜Ｒ４が、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
【０００９】
炭素数１〜５のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられ、好ましくは、メチル基またはエチル基である。Ｚは、メチル基またはエチル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。
【００１０】
ヒドロキシ安息香酸エステル（１）としては、４−ヒドロキシ安息香酸メチル、４−ヒドロキシ安息香酸エチル、４−ヒドロキシ安息香酸ｎ−プロピル、４−ヒドロキシ安息香酸ｎ−ブチル、４−ヒドロキシ−２−メチル安息香酸メチル、４−ヒドロキシ−２−メチル安息香酸エチル、４−ヒドロキシ−２−メチル安息香酸ｎ−ブチル、４−ヒドロキシ−３−メチル安息香酸メチル、４−ヒドロキシ−３−メチル安息香酸エチル、４−ヒドロキシ−３−メチル安息香酸ｎ−プロピル、４−ヒドロキシ−２−エチル安息香酸メチル、４−ヒドロキシ−３−エチル安息香酸ｎ−プロピル、４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル安息香酸メチルが挙げられる。
【００１１】
フェノール（２）としては、式（２’）
2013060425.tif 000009
で表わされる化合物が好ましい。
【００１２】
フェノール（２）は、通常、市販されているものが用いられる。また、式（２’）で示される化合物は、日本国特許第３９３０６６９号公報に記載される方法に従って製造することもできる。
フェノール（２）の使用量は、ヒドロキシ安息香酸エステル（１）１モルに対して、通常０．６モル〜１０モルの範囲であり、好ましくは、０．８モル〜３モルの範囲である。
【００１３】
ヒドロキシル基を有していない溶媒としては、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、シメン等のヒドロキシル基を有していない芳香族炭化水素溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、２−クロロトルエン、３−クロロトルエン、４−クロロトルエン等のヒドロキシル基を有していない芳香族ハロゲン化炭化水素溶媒、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のヒドロキシル基を有していないケトン溶媒、１，４−ジオキサン、アニソール等のヒドロキシル基を有していないエーテル溶媒が挙げられる。好ましくは、ヒドロキシル基を有していない芳香族ハロゲン化炭化水素溶媒およびヒドロキシル基を有していないエーテル溶媒である。その使用量は、ヒドロキシ安息香酸（１）１重量部に対して、通常１重量部〜５０重量部の範囲であり、好ましくは１重量部〜２０重量部の範囲である。２種類以上のヒドロキシル基を有していない溶媒を併用してもよい。
【００１４】
チタン化合物としては、チタンテトラエトキシド、チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラブトキシドが挙げられる。
【００１５】
スズ化合物としては、ジブチルスズオキシド、ジオクチルスズオキシド、ジドデシルスズオキシド、ジフェニルスズオキシド、メチルフェニルスズオキシド、ジブチルスズジアセテート、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジクロリド、スズジ（２−エチルヘキサノエート）、スズジクロリドが挙げられる。
【００１６】
チタン化合物及びスズ化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物の使用量は、ヒドロキシ安息香酸エステル（１）１モルに対して、通常０．００１モル〜０．３０モルの範囲である。
【００１７】
ヒドロキシ安息香酸エステル（１）とフェノール（２）との反応は、常圧条件下でおこなってもよいし、加圧条件下でおこなってもよいし、減圧条件下でおこなってもよい。また、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で反応をおこなってもよい。
反応温度は、通常６０℃〜２５０℃の範囲であり、好ましくは８０℃〜２００℃の範囲である。
反応時間は、チタン化合物及び／又はスズ化合物の使用量や反応温度等によっても異なるが、通常０．５時間〜７２時間の範囲である。
反応の進行に伴って、アルコールが生成するが、生成するアルコールを反応系外へ除去しながら、当該反応を行うことが好ましい。生成するアルコールを反応系外へ除去する方法としては、生成するアルコールを留去する方法、モレキュラーシブス等の脱アルコール剤を用いる方法が挙げられる。
【００１８】
反応終了後、例えば、反応混合物を濾過することにより、ジヒドロキシ化合物（３）を含む固体を得ることができる。得られたジヒドロキシ化合物（３）は、必要に応じて、溶媒での洗浄や再結晶等の通常の精製手段により、精製することができる。
【実施例】
【００１９】
以下、本発明について、実施例を挙げてより詳細に説明するが、これら実施例に限定されるものではない。
【００２０】
［実施例１］
2013060425.tif 000010
ディーンスターク装置を取り付けた反応容器内にて、４−ヒドロキシ安息香酸メチル４７．０ｇ（純度９８.０％、３０３ｍｍｏｌ）、４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノール６０．２ｇ（純度９６．７％、３０３ｍｍｏｌ）、ジブチルスズオキシド１．８８ｇ（７．５５ｍｍｏｌ）及び４−クロロトルエン２３５．１ｇを約２５℃の室温で混合した。得られた混合物を還流しながら１０時間攪拌した後、室温まで冷却した。尚、反応の進行に伴って生成したアルコールはディーンスターク装置を用いて反応容器から除去した。その後、析出した固体を濾過により分離することにより、粗生成物を得た。
得られた粗生成物をメタノール２３５ｇで２回洗浄した後、６０℃で減圧乾燥させて、式（３−１）で表されるジヒドロキシ化合物（以下、ジヒドロキシ化合物（３−１）と記すことがある）を含む白色結晶８３．９ｇを得た。
得られた結晶を液体クロマトグラフィーによって分析し、得られたクロマトグラフの面積百分率を算出したところ、９２．５％であった。当該結晶中のジヒドロキシ化合物（３−１）の含有量を９２．５重量％と仮定すると、４−ヒドロキシ安息香酸メチルを基準とするジヒドロキシ化合物（３−１）の収率は、８２％であった。
【００２１】
４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノールからヒドロキシ化合物への変換率は、８２％であった。
【００２２】
［実施例２］
ディーンスターク装置を取り付けた反応容器内にて、４−ヒドロキシ安息香酸メチル４７．０ｇ（純度９８．０％、３０３ｍｍｏｌ）、４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノール６０．２ｇ（純度９６．７％、３０３ｍｍｏｌ）、ジブチルスズオキシド１．８８ｇ（７．５５ｍｍｏｌ）及びクロロベンゼン２３５．２ｇを約２５℃の室温で混合した。得られた混合物を還流しながら１０時間攪拌した後、室温まで冷却した。尚、反応の進行に伴って生成したアルコールはディーンスターク装置を用いて反応容器から除去した。その後、析出する固体を濾過により分離することにより、粗生成物を得た。
得られた粗生成物をメタノール２３５ｇで２回洗浄した後、６０℃で減圧乾燥させて、ジヒドロキシ化合物（３−１）を含む白色結晶７６．６ｇを得た。
得られた結晶を液体クロマトグラフィーによって分析し、得られたクロマトグラフの面積百分率を算出したところ、９４．２％であった。当該結晶中のジヒドロキシ化合物（３−１）の含有量を９４．２重量％と仮定すると、４−ヒドロキシ安息香酸メチルを基準とするジヒドロキシ化合物（３−１）の収率は、７６％であった。
４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノールからヒドロキシ化合物への変換率は、７６％であった。
【００２３】
［実施例３］
ディーンスターク装置を取り付けた反応容器内にて、４−ヒドロキシ安息香酸メチル４７．０ｇ（純度９８．０％、３０３ｍｍｏｌ）、４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノール６０．２ｇ（純度９６．７％、３０３ｍｍｏｌ）、ジブチルスズオキシド１．８８ｇ（７．５５ｍｍｏｌ）及びアニソール２３５．０ｇを約２５℃の室温で混合した。得られる混合物を還流しながら１０時間攪拌した後、室温まで冷却した。尚、反応の進行に伴って生成したアルコールはディーンスターク装置を用いて反応容器から除去した。その後、析出する固体を濾過により分離することにより、粗生成物を得た。
得られた粗生成物をメタノール２３５ｇで２回洗浄した後、６０℃で減圧乾燥させて、ジヒドロキシ化合物（３−１）を含む白色結晶８３．５ｇを得た。
得られた結晶を液体クロマトグラフィーによって分析し、得られたクロマトグラフの面積百分率を算出したところ、９４．９％であった。当該結晶中のジヒドロキシ化合物（３−１）の含有量を９４．９重量％と仮定すると、４−ヒドロキシ安息香酸メチルを基準とするジヒドロキシ化合物（３−１）の収率は、８４％であった。
４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノールからヒドロキシ化合物への変換率は、８４％であった。
【００２４】
［実施例４］
実施例１〜３において、ジブチルスズオキシドをチタンテトライソプロポキシドに代えること以外は、実施例１〜３と同様に実施することにより、ジヒドロキシ化合物（３−１）が得られる。
【００２５】
［参考比較例１］
ディーンスターク装置を取り付けた反応容器内にて、４−ヒドロキシ安息香酸メチル２．５３ｇ（純度９８.０％、１６．３ｍｍｏｌ）、４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノール３．１３ｇ（純度９６．７％、１５．７ｍｍｏｌ）、ジブチルスズオキシド０．０８７ｇ（０．３４９ｍｍｏｌ）及び２−メチル−２−プロパノール３７．５ｇを約２５℃の室温で混合した。得られた混合物を還流しながら３時間攪拌した。
その後、得られた反応物を液体クロマトグラフィーによって分析し、得られたクロマトグラフの面積百分率を算出したところ、ジヒドロキシ化合物（３−１）の面積百分率は０％であり、その生成は認められなかった。
【００２６】
［実施例５］
ディーンスターク装置を取り付けた反応容器内にて、４−ヒドロキシ安息香酸メチル４０．０ｇ（純度９８.０％、２５８ｍｍｏｌ）、４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノール５２．０ｇ（純度９５．２％、２５８ｍｍｏｌ）、ジブチルスズオキシド１．６０ｇ（６．４４ｍｍｏｌ）及びｏ−ジクロロベンゼン２００．０ｇを混合し、還流しながら２０時間攪拌した。尚、反応の進行に伴って生成したアルコールはディーンスターク装置を用いて反応容器から除去した。その後、室温まで冷却してメタノール４０．０ｇを加え、析出する固体を濾過により分離することにより、粗生成物を得た。
得られた粗生成物をメタノール１６０．０ｇおよび２−プロパノール１６０．０で洗浄した後、６０℃で減圧乾燥させて、ジヒドロキシ化合物（３−１）を含む白色結晶７２．５ｇを得た。
得られた結晶を液体クロマトグラフィーによって分析し、得られたクロマトグラフの面積百分率を算出したところ、９８．０％であった。当該結晶中のジヒドロキシ化合物（３−１）の含有量を９８．０重量％と仮定すると、４−ヒドロキシ安息香酸メチルを基準とするジヒドロキシ化合物（３−１）の収率は、８８％であった。
【００２７】
４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノールからヒドロキシ化合物への変換率は、８８％であった。
【００２８】
［実施例６］
ディーンスターク装置を取り付けた反応容器内にて、４−ヒドロキシ安息香酸メチル４０．０ｇ（純度９８.０％、２５８ｍｍｏｌ）、４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノール５２．０ｇ（純度９５．２％、２５８ｍｍｏｌ）、ジブチルスズオキシド１．６０ｇ（６．４４ｍｍｏｌ）及び２−クロロトルエン２００．０ｇを混合し、還流しながら１２時間攪拌した。尚、反応の進行に伴って生成したアルコールはディーンスターク装置を用いて反応容器から除去した。その後、室温まで冷却してメタノール４０．０ｇを加え、析出する固体を濾過により分離することにより、粗生成物を得た。
得られた粗生成物をメタノール１２０．０ｇおよび２−プロパノール１２０．０で洗浄した後、６０℃で減圧乾燥させて、ジヒドロキシ化合物（３−１）を含む白色結晶７５．０ｇを得た。
得られた結晶を液体クロマトグラフィーによって分析し、得られたクロマトグラフの面積百分率を算出したところ、９６．３％であった。当該結晶中のジヒドロキシ化合物（３−１）の含有量を９６．３重量％と仮定すると、４−ヒドロキシ安息香酸メチルを基準とするジヒドロキシ化合物（３−１）の収率は、９０％であった。
【００２９】
４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）フェノールからヒドロキシ化合物への変換率は、９０％であった。