(57)【要約】【課題】本発明の目的は、小型化を図ることのできるシャッターおよびシャッター集合体を提供すること。【解決手段】シャッター装置１は、開状態と閉状態とを切り替えることができる。このようなシャッター装置１は、磁性体材料で構成された芯材３１１、３２１および芯材３１１、３２１に巻き付けられたコイル３１２、３２２を備える電磁石３１、３２と、コイル３１２、３２２の外側であって芯材３１１、３２１の一端部と対向するように配置され、電磁石３１、３２から発生する磁力の作用によって、電磁石３１、３２へ接近する方向または電磁石３１、３２から離間する方向へ移動する移動体２と、移動体２に支持され、移動体２の移動方向に延在するシャッター部４とを有し、芯材３１１、３２１の横断面は、シャッター部４の幅方向に短軸を有する扁平形状をなしている。【選択図】図３
2013058694.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開状態と閉状態とを切り替えることのできるシャッター装置であって、
磁性体材料で構成された芯材および前記芯材に巻き付けられたコイルを備える電磁石と、
前記コイルの外側であって前記芯材の一端部と対向するように配置され、前記電磁石から発生する磁力の作用によって、前記電磁石へ接近する方向または前記電磁石から離間する方向へ移動する移動体と、
前記移動体に支持され、前記移動体の移動方向に延在するシャッター部と、を有し、
前記芯材の横断面は、前記シャッター部の幅方向に短軸を有する扁平形状をなしていることを特徴とするシャッター装置。
【請求項２】
前記移動体は、軟磁性材料で構成されており、
前記電磁石は、前記移動体を挟んで一対設けられている請求項１に記載のシャッター装置。
【請求項３】
前記芯材は、前記コイルが巻かれた基部と、基部の先端で前記移動体側に延出した延出部を有する請求項１または２に記載のシャッター装置。
【請求項４】
前記芯材と前記移動体は、樹脂材料で構成された絶縁層を備える請求項３に記載のシャッター装置。
【請求項５】
前記絶縁層は、前記芯材の表面に形成されている請求項４に記載のシャッター装置。
【請求項６】
前記扁平形状は、楕円形または長円形である請求項１ないし５のいずれかに記載のシャッター装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載のシャッター装置を、前記シャッター部の幅方向に複数並設してなることを特徴とするシャッター装置集合体。
【請求項８】
隣り合う一対の前記シャッター装置の間には、防磁材が設けられている請求項７に記載のシャッター装置集合体。
【請求項９】
隣り合う一対の前記シャッター装置が有する前記電磁石は、前記移動体の移動方向にずれて配置されている請求項７または８に記載のシャッター装置集合体。
【請求項１０】
前記シャッター装置集合体は、振動デバイスの質量調整用シャッター装置である請求項７ないし９のいずれかに記載のシャッター装置集合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シャッター装置およびシャッター装置集合体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、振動子の共振周波数を調整（変更）する方法として、振動子の質量を変化（増加または減少）させる方法が知られている。このような方法は、例えば、振動子と、イオンビームを振動子に照射することにより振動子の一部を除去して振動子の質量を減少させるイオンガンと、振動子とイオンガンとの間に設けられたシャッターとを有する装置を用いて行われる（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載の装置では、複数のシャッター板が重ねられた状態にて鉄芯に軸支されており、各シャッター板は、鉄芯を中心として回動可動となっている。また、各シャッター板は、対応するソレノイドの駆動により回動するように構成されている。特許文献１に記載の装置では、このようなシャッター板の回動を利用して、シャッターを開状態または閉状態とすることができる。
【０００４】
このような装置では、イオンガンからイオンビームが発射されている状態にて、シャッターを開状態とする。これにより、イオンビームがシャッターを通過して振動子に照射され、振動子の一部が除去されることにより、振動子の共振周波数が変化（減少）する。そして、振動子の周波数が所定の周波数となった時点でシャッターを閉状態とすることにより、振動子へのイオンビームの照射を阻止する。このような方法により、振動子の共振周波数を調整する。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のシャッターでは、各シャッター板を駆動する複数のソレノイドがシャッター板から横方向にずれた位置に設けられているとともに、高さ方向に重ねられているため、シャッターの大型化を招いてしまう。シャッターの大型化を招くと、その分、チャンバー等を大きくしなければならず、振動子の周波数調整の効率が低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１１８１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、小型化を図ることのできるシャッター装置およびシャッター装置集合体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明のシャッター装置は、開状態と閉状態とを切り替えることのできるシャッター装置であって、
磁性体材料で構成された芯材および前記芯材に巻き付けられたコイルを備える電磁石と、
前記コイルの外側であって前記芯材の一端部と対向するように配置され、前記電磁石から発生する磁力の作用によって、前記電磁石へ接近する方向または前記電磁石から離間する方向へ移動する移動体と、
前記移動体に支持され、前記移動体の移動方向に延在するシャッター部と、を有し、
前記芯材の横断面は、前記シャッター部の幅方向に短軸を有する扁平形状をなしていることを特徴とする。
これにより、小型化を図ることのできるシャッター装置を提供することができる。
【０００９】
［適用例２］
本発明のシャッター装置では、前記移動体は、軟磁性材料で構成されており、
前記電磁石は、前記移動体を挟んで一対設けられていることが好ましい。
これにより、シャッター装置の開閉を自在に制御することができるとともに、シャッター装置の小型化を図ることができる。
【００１０】
［適用例３］
本発明のシャッター装置では、前記芯材は、前記コイルが巻かれた基部と、基部の先端で前記移動体側に延出した延出部を有することが好ましい。
これにより、移動体の移動距離を一定に保つことができる。
［適用例４］
本発明のシャッター装置では、前記芯材と前記移動体は、樹脂材料で構成された絶縁層を備えることが好ましい。
これにより、芯材に残存する磁力によって、移動体が芯材から離間できなくなるのを防止または抑制することができる。すなわち、不本意な移動体の芯材への吸着が防止または抑制され、自在に移動体の移動を制御することができる。
【００１１】
［適用例５］
本発明のシャッター装置では、前記絶縁層は、前記芯材の表面に形成されていることが好ましい。
これにより、絶縁層の形成が簡単となる。
［適用例６］
本発明のシャッター装置では、前記扁平形状は、楕円形または長円形であることが好ましい。
これにより、コイルを基部の表面に追従させて巻き付けることができるため、コイルと基部の間に隙間が形成されてしまうのを抑制できる。そのため、電磁石の幅をより短くすることができ、これに伴ってシャッター装置の全幅がより短くなる。これにより、シャッター装置の小型化をより図ることができる。
【００１２】
［適用例７］
本発明のシャッター装置集合体では、本発明のシャッター装置を、前記シャッター部の幅方向に複数並設してなることが好ましい。
これにより、小型化を図ることのできるシャッター装置集合体を提供することができる。
【００１３】
［適用例８］
本発明のシャッター装置集合体では、隣り合う一対の前記シャッター装置の間には、防磁材が設けられていることが好ましい。
これにより、各シャッター装置が有する移動体は、隣り合うシャッター装置の電磁石から発生する磁界の影響をほとんど受けなくなる。そのため、各シャッター装置の誤作動が防止され、各シャッター装置をより正確かつ確実に駆動することができる。
【００１４】
［適用例９］
本発明のシャッター装置集合体では、隣り合う一対の前記シャッター装置が有する前記電磁石は、前記移動体の移動方向にずれて配置されていることが好ましい。
これにより、各シャッター装置が有する移動体は、隣り合うシャッター装置の電磁石から発生する磁界の影響をほとんど受けなくなる。そのため、各シャッター装置の誤作動が防止され、各シャッター装置をより正確かつ確実に駆動することができる。
［適用例１０］
本発明のシャッター装置集合体では、前記シャッター装置集合体は、振動デバイスの質量調整用シャッター装置であることが好ましい。
これにより、振動デバイスの周波数調整を効率的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるシャッター装置集合体を適用した周波数調整装置の概略図である。
【図２】本発明の第１実施形態にかかるシャッター装置集合体を示す平面図（上面図）である。
【図３】図２に示すシャッター装置集合体が有するシャッター装置の断面図（図２中Ａ−Ａ線断面図）である。
【図４】図３に示すシャッター装置が有する芯材の断面図（斜視図）である。
【図５】図３に示すシャッター装置の動作を説明するための図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかるシャッター装置集合体が有するシャッター装置の断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態にかかるシャッター装置集合体が有するシャッター装置の断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態にかかるシャッター装置集合体が有するシャッター装置を示す断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態にかかるシャッター装置集合体の平面図（上面図）である。
【図１０】本発明の第６実施形態にかかるシャッター装置集合体が有する支持台の分解図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明のシャッター装置を適用したシャッター装置集合体（本発明のシャッター装置集合体）を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態にかかるシャッター装置集合体を適用した周波数調整装置の概略図、図２は、本発明の第１実施形態にかかるシャッター装置集合体を示す平面図（上面図）、図３は、図２に示すシャッター装置集合体が有するシャッター装置の断面図（図２中Ａ−Ａ線断面図）、図４は、図３に示すシャッター装置が有する芯材の断面図（斜視図）、図５は、図３に示すシャッター装置の動作を説明するための図である。なお、以下では、説明の都合上、図１〜５中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」として説明する。また、図１に示すように、互いに直交する３軸をｘ軸、ｙ軸およびｚ軸とする。
以下では、本発明のシャッター装置集合体を、振動子（例えば水晶振動子）９の共振周波数を調整するための周波数調整装置１００に適用した場合について説明する。ただし、本発明のシャッター装置の用途は、これに限定されない。
【００１７】
１．周波数調整装置
図１に示す周波数調整装置１００は、内部を所望の環境とすることのできるチャンバー１１０と、複数のシャッター装置１が並設してなるシャッター装置集合体１’と、イオンガン１２０と、遮蔽板１３０とを有している。
イオンガン１２０は、例えば、Ａｒ、Ｎｅ等の不活性ガスに電界を作用させて加速させることにより、イオンビームを発射するものであり、振動子９の質量を変化させる質量変化手段を構成するものである。このようなイオンガン１２０は、チャンバー１１０内にてシャッター装置集合体１’よりも下側に位置しており、上方へ向けてイオンビームＩＢを照射する。
【００１８】
また、遮蔽板１３０は、チャンバー１１０内にてシャッター装置集合体１’よりも上側に位置しており、隣り合うシャッター装置１の間（隙間）から上方へ漏れるイオンビームＩＢを遮断する。
複数のシャッター装置１は、それぞれ、独立して駆動が制御されており、イオンビームＩＢの通過を許容する開状態と、イオンビームＩＢを遮断する閉状態とを切り替えることができる。
【００１９】
このような周波数調整装置１００では、１つのシャッター装置１の上方に１つの振動子９を配置し、イオンガン１２０からイオンビームＩＢを発射するとともに、シャッター装置１を開状態とすることにより、振動子９にイオンビームＩＢを照射し、振動子９の一部（例えば、電極の一部）を除去する。これにより、振動子９の質量を減らし、その共振周波数を調整する。イオンビームＩＢの照射により、振動子９の共振周波数が所定値となったら、速やかにシャッター装置１を閉じ、それ以上イオンビームＩＢが振動子９に照射されるのを阻止する。周波数調整装置１００によれば、このようにして振動子９の共振周波数を調整することができる。なお、周波数調整装置１００を用いた振動子９の周波数調整方法については、後に、詳しく説明する。
【００２０】
次に、シャッター装置集合体１’について詳しく説明する。
図２に示すように、シャッター装置集合体１’は、支持台８と、支持台８に支持された複数のシャッター装置１とを有している。複数のシャッター装置１を有することにより、一度に複数、すなわち、最大でシャッター装置１の枚数分の振動子９の共振周波数を調整することができる。そのため、所定時間内により多くの振動子９の共振周波数を調節することができ、周波数調整装置１００の効率性が向上する。なお、シャッター装置１の枚数は、特に限定されず、例えば、１０〜３０程度とすることができる。
【００２１】
支持台８は、ブロック状または板状をなしている。このような支持台８には、その上面に開放する複数の溝８１が形成されている。複数の溝８１は、ｙ軸方向に沿って等間隔に並設されている。また、複数の溝８１は、それぞれ、ｘ軸方向に延在し、その両端部にて支持台８の側面に開放している。これら複数の溝８１は、それぞれ、シャッター装置１を収納する収納部Ｓとして機能する。
【００２２】
ここで、隣り合う一対の溝８１の間に位置する複数の突出部８２は、それぞれ、防磁性（磁束の透過を遮断する性質）を有しているのが好ましい。言い換えれば、複数の突出部８２は、それぞれ、防磁シールド（防磁材）として機能するのが好ましい。
後述するように、各溝内８１には、電磁石３１、３２と、電磁石３１、３２からの磁場の作用によって移動する移動体２とが配置されている。突出部８２が防磁シールドとして機能すると、各シャッター装置１が有する移動体２は、隣り合うシャッター装置１の電磁石３１、３２から発生する磁界の影響をほとんど受けなくなる。そのため、各シャッター装置１の誤作動が防止され、各シャッター装置１をより正確かつ確実に駆動することができる。
【００２３】
突出部８２に防磁性を付与する場合、突出部８２の構成材料としては、上記のような性質を有する材料であれば、特に限定されないが、アルミニウム等の高導電率かつ低透磁率の非磁性体を用いるのが好ましい。これにより、突出部８２の誘導加熱が抑えられ、シャッター装置集合体１’の不本意な発熱を防止または抑制することができる。
また、支持台８のｘ軸方向の両端部には、各溝８１を横切るようにして、ｙ軸方向に延在する一対のシャッター支持部８３が固定されている。これら一対のシャッター支持部８３は、シャッター装置１が有する後述するシャッター部４を摺動可能に支持するための部材である。このようなシャッター支持部８３を設けることにより、シャッター装置１の駆動を円滑かつ正確に行うことができる。
【００２４】
以下、シャッター装置１について説明するが、複数のシャッター装置１は、それぞれ、同様の構成であるため、以下では、１つのシャッター装置１について説明し、それ以外のシャッター装置１については、その説明を省略する。
図３に示すように、シャッター装置１は、ｘ軸方向に離間して対向配置された一対の電磁石３１、３２と、電磁石３１、３２の間に設けられた移動体２と、連結部６を介して移動体２に支持されたシャッター部４と、電磁石３１、３２に電圧を印加する電圧印加手段５とを有している。シャッター装置１をこのような構成とすることにより、後述するように、シャッター装置１の開閉を自在に制御することができるとともに、シャッター装置１の小型化を図ることができる。
【００２５】
一対の電磁石３１、３２は、溝８１内に設けられており、互いにｘ軸方向に離間している。
電磁石３１は、芯材３１１と、芯材３１１に巻き付けられたコイル３１２とで構成されている。芯材３１１は、ｘ軸方向に延在し、コイル３１２が巻き付けられた基部３１１ａと、基部３１１ａの移動体２側の端部（図３中左側の端部）からｚ軸方向両側に向けて延出する延出部（突出部）３１１ｂとで構成されている。すなわち、芯材３１１は、略「Ｔ」字状をなしている。
【００２６】
また、延出部３１１ｂは、コイル３１２が巻き付けられておらず、コイル３１２の外側に位置（突出）している。このような延出部３１１ｂは、移動体２と当接（接触）することにより、移動体２のそれ以上の移動を規制する移動規制部としても機能する。これにより、一対の電磁石３１、３２間での移動体２の移動距離を一定に保つことができる。仮に、移動体２の移動距離が変化すると、シャッター装置１を開状態から閉状態となるまでの時間、より具体的には、シャッター装置１を閉状態とするための命令（信号）を出した時刻から、実際にシャッター装置１が完全に閉状態となるまでの時間が変化する。このようにシャッター装置１を閉じる時間が変化すると、それに伴って、振動子９へのイオンビームＩＢの照射時間が変化し、振動子９の質量が必要以上に減少したり、目的値まで減少していなかったりし、振動子９の共振周波数が所定の周波数からずれてしまう。すなわち、移動体２の移動距離が変化してしまうと、振動子９の共振周波数を高精度に調整することができなくなるおそれがある。
【００２７】
また、図４に示すように、芯材３１１の横断面（ｘ軸に垂直なｙｚ面）は、ｙ軸方向に短軸を有し、ｚ軸方向に長軸を有する扁平形状をなしている。言い換えれば、芯材３１１は、ｙ軸方向を厚さ方向とする板状をなしている。これにより、電磁石３１のｙ軸方向の幅を短くすることができるため、これに伴ってシャッター装置１の全幅が短くなる。そのため、シャッター装置１の小型化を図ることができ、複数のシャッター装置１をより狭いピッチでｙ軸方向に並設することができる。
【００２８】
また、芯材３１１の基部３１１ａの横断面形状は、特に限定されないが、楕円形または長円形であるのが好ましい。また、例えば、矩形の各角部を丸み付けした形状であってもよい。このような角のない形状とすることにより、コイル３１２を基部３１１ａの表面に追従させて巻き付けることができるため、コイル３１２と基部３１１ａの間に隙間が形成されてしまうのを抑制できる。そのため、電磁石３１のｙ軸方向の幅をより短くすることができ、これに伴ってシャッター装置１の全幅がより短くなる。これにより、シャッター装置１の小型化をより図ることができ、複数のシャッター装置１をより狭いピッチでｙ軸方向に並設することができる。
【００２９】
なお、このような芯材３１１のサイズとしては、特に限定されないが、例えば、基部３１１ａの［ｘ軸方向の長さ］×［ｙ軸方向の長さ］×［ｚ軸方向の長さ］を、３０ｍｍ×０．７ｍｍ×１．５ｍｍ程度とし、延出部３１１ｂの［ｘ軸方向の長さ］×［ｙ軸方向の長さ］×［ｚ軸方向の長さ］を、２ｍｍ×０．７ｍｍ×１０ｍｍ程度とすることができる。このようなサイズとすることにより、芯材３１１の強度を確保しつつ、上述した効果を十分に発揮することができる。
【００３０】
芯材３１１の構成材料としては、種々の強磁性体材料を用いることができる。特に、強磁性体材料の中でも、保持力（磁化極性を逆転するために加えなければならない逆向きの磁界）が小さい軟磁性体材料であるのが好ましい。具体的には、保持力が５Ｇａ以下程度である材料が好ましく、このような材料としては、例えば、純鉄や、珪素鉄などの不純物が混じった鉄などが挙げられる。このような材料で芯材３１１を構成することにより、コイル３１２へ電圧を印加すれば、芯材３１１が磁石として機能し、コイル３１２への電圧印加を停止すれば、芯材３１１が速やかに磁石としての機能を失う電磁石３１となる。これにより、後述するように、芯材３１１に残留する磁力によって、移動体２の移動が阻害されてしまうのを効果的に防止または抑制することができ、シャッター装置１の開閉動作を円滑かつ確実に行うことができる。
【００３１】
また、本実施形態では、芯材３１１の移動体２と対向する面には絶縁層３１３が形成されている。絶縁層３１３は、芯材３１１に残存する磁力によって、移動体２が芯材３１１から離間できなくなるのを防止する機能を有する。これにより、不本意な、移動体２の芯材３１１への吸着が防止され、自在に移動体２の移動を制御することができ、シャッター装置１の開閉動作を円滑かつ確実に行うことができる。また、芯材３１１上に絶縁層３１３を設けることにより、絶縁層３１３の形成が容易となる。
【００３２】
また、絶縁層３１３は、芯材３１１よりも柔らかく（材料のヤング率が低く）、芯材３１１に移動体２が接触する際の緩衝層としても機能する。これにより、シャッター装置１の破損を効果的に防止または抑制することができる。
このような絶縁層３１３の構成材料としては、絶縁性を有していれば、特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等の樹脂材料を用いることができる。
【００３３】
なお、絶縁層３１３は、芯材３１１と移動体２とが接触する際に、これらの間に位置していればよいため、例えば、移動体２の芯材３１１と対向する面に形成されていてもよいし、芯材３１１の移動体２と対向する面および移動体２の芯材３１１と対向する面の両方の面に形成されていてもよい。
以上、電磁石３１の構成について詳細に説明した。このような電磁石３１と同様に、電磁石３２は、芯材３２１と、芯材３２１に巻き付けられたコイル３２２とで構成されている。また、芯材３２１の移動体２と対向する面には、絶縁層３２３が形成されている。なお、芯材３２１、コイル３２２および絶縁層３２３は、電磁石３１の芯材３１１、コイル３１２および絶縁層３１３と同様の構成であるため、その説明を省略する。
【００３４】
溝８１内であって、これら一対の電磁石３１、３２の間には、移動体２が設けられている。移動体２は、溝８１の底面と摺動しつつ、電磁石３１、３２の間をｘ軸方向に移動自在に設けられている。このような移動体２は、ｙ軸方向（すなわち、シャッター部４の幅方向）に扁平した形状をなしている。言い換えれば、移動体２は、ｙ軸方向を厚さ方向とする板状をなしている。これにより、移動体２のｙ軸方向の幅を短くすることができるため、これに伴ってシャッター装置１の全幅が短くなる。そのため、シャッター装置１の小型化を図ることができ、複数のシャッター装置１をより狭いピッチでｙ軸方向に並設することができる。
【００３５】
移動体２の横断面形状としては、特に限定されず、本実施形態では、矩形（ｚ軸方向に伸びる長方形）をなしている。
移動体２の構成材料としては、芯材３１１と同様に、種々の強磁性体材料を用いることができる。特に、強磁性体材料の中でも、保持力が小さい軟磁性体材料であるのが好ましい。具体的には、保持力が５Ｇａ以下程度である材料が好ましく、このような材料としては、例えば、純鉄や、珪素鉄などの不純物が混じった鉄などが挙げられる。このような材料で移動体２を構成することにより、移動体２は、電磁石３１、３２からの磁場が作用したときには磁石となり、磁場が消えれば速やかに磁石としての機能を失うこととなる。そのため、移動体２に残留する磁力によって、移動体２の移動が阻害されてしまうのを効果的に防止または抑制することができ、シャッター装置１の開閉動作を円滑かつ確実に行うことができる。
【００３６】
本実施形態では、移動体２の溝８１との摺動性を向上させるために、溝８１の底面に摩擦を低減することのできる被覆層８４が形成されている。これにより、移動体２をより円滑に移動させることができる。なお、被覆層８４は、例えば、移動体２の下面に形成されていてもよいし、溝８１の底面および移動体２の下面の両方の面に形成されていてもよい。
【００３７】
このような被覆層８４は、例えば、フッ素樹脂を含有する無電解ニッケルメッキに形成することができる。このフッ素樹脂を含有する無電解ニッケルメッキは、摺動性（滑り性）、耐磨耗性に優れている。そのため、このような構成の被覆層８４によれば、上記の機能をより効果的に発揮することができる。また、このような構成の被覆層８４は、耐摩耗性に優れているため、移動体２の摺動性の経時的な変化を抑制することができ、その結果、移動体２の移動速度の経時的な変化を抑制することができる。
【００３８】
仮に、経年劣化によって、被覆層８４の摩擦が増大し、移動体２の移動速度が低下すると、シャッター装置１を開状態から閉状態となるまでの時間、より具体的には、シャッター装置１を閉状態とするための命令（信号）を出した時刻から、実際にシャッター装置１が完全に閉状態となるまでの時間が長くなる。このようにシャッター装置１を閉じる時間が長くなると、その分、振動子９へのイオンビームＩＢの照射時間が長くなり、振動子９の質量が必要以上に低下し、それに伴って振動子９の共振周波数が所定の周波数よりも高くなる。すなわち、移動体２の移動速度が経時的に変化してしまうと、振動子９の共振周波数を高精度に調整することができなくなるおそれがある。
【００３９】
なお、被覆層８４の構成は、上記の構成に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエステル（ＰＥＴ、ＰＢＴ等）、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂（ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ等）、シリコーンゴム、その他各種のエラストマー（例えば、ポリアミド系、ポリエステル系等の熱可塑性エラストマー）またはこれらの複合材料などで構成されていてもよい。
【００４０】
以上、電磁石３１、３２および移動体２について説明したが、これらは、シャッター装置１を上方から見た平面視（ｘｙ平面視）にて、シャッター部４のｙ軸方向（幅方向）両側からはみ出ていないのが好ましい。これにより、シャッター装置１の全幅が短くなるため、シャッター装置１の小型化を図ることができ、複数のシャッター装置１をより狭いピッチでｙ軸方向に並設することができる。
【００４１】
シャッター部（シャッター板）４は、連結部６を介して移動体２に支持されている。連結部６は、移動体２に固定されている。また、連結部６は、ｘ軸方向に離間し、ｚ軸方向に突出する一対の突起６１、６２を有している。
このような連結部６の構成材料としては、特に限定されず、例えば、鉄、ニッケル、コバルト、銅、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛等の各種金属、またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金または金属間化合物、さらには、これらの金属の酸化物、窒化物、炭化物等を用いることができる。このうち、合金としては、例えば、ステンレス鋼、インコネル、その他例えばジュラルミン等の各種アルミニウム系合金を用いることができる。
【００４２】
シャッター部４は、ｘ軸方向に延在する長尺状をなしている。このようなシャッター部４には、ｘ軸方向に離間した一対の貫通孔４１、４２が形成されている。そして、貫通孔４１、４２が連結部６の突起６１、６２と係合することにより、シャッター部４が連結部６を介して移動体２に支持されている。また、シャッター部４は、連結部６に対して着脱自在となっている。これにより、消耗品であるシャッター部４の交換を簡単に行うことができる。
【００４３】
このようなシャッター部４は、例えば、耐スパッタ性に優れる炭素、チタン等を構成材料として構成されている。これにより、イオンビームＩＢによるシャッター部４の損傷を効果的に抑制することができる。また、このような材料で構成することにより、シャッター部４の軽量化を図ることができ、シャッター部４の反応性や移動速度を向上させることができる。
【００４４】
なお、シャッター部４は、例えば、鉄、ニッケル、コバルト、銅、マンガン、アルミニウム、マグネシウム等の各種金属、またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金または金属間化合物、さらには、これらの金属の酸化物、窒化物、炭化物等で構成された本体の表面に、耐スパッタ性に優れるＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）膜を形成した構成とすることもできる。
【００４５】
電圧印加手段５は、電磁石３１、３２のコイル３１２、３２２に電圧を印加する機能を有している。このような電圧印加手段５は、ＤＣ電源５１と、スイッチ素子５２を有している。
図３に示すように、スイッチ素子５２は、一端がＤＣ電源５１の（＋）側に接続されたスイッチ５２１と、スイッチ５２１が接触可能な２つの接点（端子）５２２、５２３とを有している。また、接点５２２は、コイル３１２の一端と接続されており、接点５２３は、コイル３２２の一端と接続されている。このようなスイッチ素子５２では、スイッチ５２１が接点５２２と接触する第１状態、スイッチ５２１が接点５２３と接触する第２状態、スイッチ５２１がいずれの接点５２２、５２３とも接触しない第３状態とを選択することができる。一方、コイル３１２、３２２の他端は、途中で合流した後、ＤＣ電源５１の（−）側に接続されている。
【００４６】
このような電圧印加手段５によれば、スイッチ素子５２を第１状態とすれば電磁石３１のみを磁石として機能させることができ、反対に、スイッチ素子５２を第２状態とすれば電磁石３２のみを磁石として機能させることができる。また、スイッチ素子５２を第３状態とすれば、電磁石３１、３２がいずれも磁石として機能していない状態とすることができる。
以上、シャッター装置１の構成について、詳細に説明した。このようなシャッター装置１は、次のようにして駆動する。
【００４７】
シャッター装置１では、移動体２が電磁石３１側に移動した状態（すなわち、図５（ａ）に示す状態）がイオンビームＩＢの振動子９への照射を遮断する閉状態であり、移動体２が電磁石３２側に移動した状態（すなわち、図５（ｂ）に示す状態）がイオンビームＩＢの振動子９への照射を許容する開状態である。
まず、開状態から閉状態とする動作について説明する。シャッター装置１が開状態のときに、スイッチ素子５２を第１状態とするとともに、ＤＣ電源５１によってコイル３１２に電圧を印加すると、電磁石３１が磁石として機能する。これにより、移動体２が電磁石３１に吸着されるように、電磁石３１側に移動し、当該移動に伴ってシャッター部４も移動する。これにより、シャッター装置１が開状態から閉状態となる。
【００４８】
なお、開状態から閉状態となった後は、ＤＣ電源５１からコイル３１２への電圧印加を停止するか、スイッチ素子５２を第３状態とするのが好ましい。これにより、通電によるコイル３１２の過度な発熱を防止することができ、チャンバー１１０内の環境をほぼ一定に保つことができる。ただし、閉状態を確実に維持したい場合等には、開状態から閉状態となった後もコイル３１２への電圧印加を継続してもよい。
【００４９】
次に、閉状態から開状態とする動作について説明する。シャッター装置１が閉状態のときに、スイッチ素子５２を第２状態とするとともに、ＤＣ電源５１によってコイル３２２に電圧を印加すると、電磁石３２が磁石として機能する。これにより、移動体２が電磁石３２に吸着されるように、電磁石３２側に移動し、当該移動に伴ってシャッター部４も移動する。これにより、シャッター装置１が閉状態から開状態となる。
【００５０】
なお、閉状態から開状態となった後は、ＤＣ電源５１からコイル３２２への電圧印加を停止するか、スイッチ素子５２を第３状態とするのが好ましい。これにより、通電によるコイル３２２の過度な発熱を防止することができ、チャンバー１１０内の環境をほぼ一定に保つことができる。ただし、開状態を確実に維持したい場合等には、閉状態から開状態となった後もコイル３２２への電圧印加を継続してもよい。
【００５１】
このように、電磁石３１、３２から発生する磁力を用いてシャッター装置１の開閉を制御することにより、次のような効果を発揮することができる。
すなわち、電磁石３１（電磁石３２についても同様）によれば、コイル３１２に電圧を印加してから、電磁石３１が磁石として機能するまでの時間がより短いため、シャッター装置１を閉状態とする命令を出した時刻と、シャッター装置１が実際に閉状態となった時刻との時間差をより短くすることができる。そのため、振動子９の周波数をより精度よく所定値に合わせ込むことができる。
【００５２】
また、電磁石３１によれば、コイル３１２に電圧を印加してから、電磁石３１が磁石として機能するまでの時間が毎回ほぼ一定であるため、シャッター装置１を閉状態とする命令を出した時刻と、シャッター装置１が実際に閉状態となった時刻との時間差を毎回ほぼ一定とすることができる。そのため、前記時間差を補正する場合に、その補正を容易に行うことができる。
【００５３】
２．周波数調整方法
次に、周波数調整装置１００を用いた振動子９の周波数調整方法について説明する。
周波数調整装置１００による振動子９の周波数調整は、１つのシャッター装置１の直上に１つの振動子９が位置するように、複数の振動子９をチャンバー１１０内に配置し、チャンバー１１０内を減圧状態（好ましくは、真空状態）とした状態にて行われる。また、振動子９の共振周波数を断続的に検知しながら行われ、この検知結果は、リアルタイムに図示しない制御手段に送られる。
【００５４】
なお、複数の振動子９は、それぞれ、板状またはシート状のキャリアに支持されている。そして、この状態にて、以下のようにして、振動子９の周波数を調整する。各振動子９の周波数調整の方法は、互いに同様であるため、以下では、１つの振動子９の周波数を調整する方法について説明し、他の振動子９の周波数を調整する方法については、その説明を省略する。
【００５５】
まず、シャッター装置１を閉状態とする。次に、イオンガン１２０をＯＮとし、イオンビームＩＢを上方に向けて発射する。そして、イオンビームＩＢが安定するまで、シャッター装置１を閉状態としたまま放置する。次に、シャッター装置１を開状態とする。シャッター装置１を開状態とすると、イオンビームＩＢが振動子９に照射され、振動子９の一部、より具体的には電極の一部が除去され、これに伴う振動子９の質量の減少によって、振動子９の共振周波数が徐々に上昇する。次に、振動子９の共振周波数が所定の周波数となったときに、シャッター装置１を閉状態とする。以上の工程により、振動子９の共振周波数の調整が終了する。
【００５６】
＜第２実施形態＞
次に、本発明のシャッター装置集合体の第２実施形態について説明する。
図６は、本発明の第２実施形態にかかるシャッター装置集合体が有するシャッター装置の断面図である。
以下、第２実施形態のシャッター装置集合体について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００５７】
本発明の第２実施形態にかかるシャッター装置集合体は、各シャッター装置を閉状態から開状態とするための手段が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
図６に示すように、本実施形態のシャッター装置１Ａでは、第１実施形態で述べた電磁石３２に変えて付勢手段３４が設けられている。付勢手段３４は、移動体２を電磁石３１とは反対側（図６中左側）へ付勢する。このような付勢手段３４は、ｘ軸方向に延在する長尺状をなし、その両端部にて、支持台８と移動体２とを連結している。付勢手段３４は、上記機能を発揮することができれば、特に限定されず、例えば、ゴムやコイルバネ等の弾性体で構成することができる。ゴム等を用いることにより、付勢手段３４を小さく構成することができるため、簡単に、溝８１内に配置することができる。
【００５８】
付勢手段３４の付勢力は、電磁石３１による移動体２の吸着力よりも小さく設定されている。これにより、付勢手段３４の付勢力に反して、電磁石３１を磁石として機能させたときに移動体２を電磁石３１側に移動させることができる。
なお、付勢手段３４の付勢力は、電磁石３１による移動体２の吸着力よりも小さく、かつ、電磁石３１が磁石として機能していない状態（コイル３１２に電圧が印加されていない状態）の時に、移動体２を図６中左側へ移動させることができれば、より小さいのが好ましい。これにより、電磁石３１を磁石として機能させたときの、移動体２の電磁石３１側への移動速度および反応性がより高くなる。
【００５９】
また、電圧印加手段５Ａは、コイル３１２に電圧を印加するＤＣ電源５１を有している。
このような構成のシャッター装置１Ａは、次のようにして駆動する。
シャッター装置１Ａでは、移動体２が電磁石３１側に移動した状態がイオンビームＩＢの振動子９への照射を遮断する閉状態であり、移動体２が電磁石３１と反対側に移動した状態がイオンビームＩＢの振動子９への照射を許容する開状態である。
【００６０】
まず、シャッター装置１Ａを開状態から閉状態とする動作について説明する。シャッター装置１が開状態のときに、ＤＣ電源５１によってコイル３１２に電圧を印加すると、電磁石３１が磁石として機能する。これにより、移動体２が電磁石３１に吸着されるように、電磁石３１側に移動し、当該移動に伴ってシャッター部４も移動する。これにより、シャッター装置１が開状態から閉状態となる。
【００６１】
次に、シャッター装置１Ａを閉状態から開状態とする動作について説明する。シャッター装置１が閉状態のときに、ＤＣ電源５１からのコイル３１２への電圧印加を停止すると、電磁石３１が磁石としての機能を失うため、付勢手段３４によって、移動体２が図６中左側へ移動する。これにより、シャッター装置１が閉状態から開状態となる。
なお、本実施形態では、シャッター装置１Ａを開状態から閉状態とするのに電磁石３１の磁力を利用し、閉状態から開状態とするのに付勢手段３４の付勢力を利用しているが、逆に、シャッター装置１Ａを閉状態から開状態とするのに電磁石３１の磁力を利用し、開状態から閉状態とするのに付勢手段３４の付勢力を利用してもよい。ただし、以下に述べる理由から、本実施形態の構成であるのが好ましい。
【００６２】
すなわち、周波数調整装置１００では、前述したように、シャッター装置１Ａを素早く閉状態にできるのが好ましく、また、シャッター装置１Ａを閉状態とする命令（信号）を出した時刻と、シャッター装置１が実際に閉状態となった時刻との時間差を毎回ほぼ一定とすることが好ましい。
このような観点からすると、付勢手段３４（バネ等）による移動体２の移動は、付勢手段３４の経年劣化（バネの変形や、硬質化に伴う弾性の低下）によって、その移動速度が低下したり、反応性が鈍くなったりする。そのため、仮に、シャッター装置１Ａを開状態から閉状態とするのに付勢手段３４の付勢力を用いた場合には、シャッター装置１Ａを閉状態とする命令を出した時刻と、シャッター装置１が実際に閉状態となった時刻との時間差が経時的に変化するおそれがある。
【００６３】
これに対して、前述したように電磁石３１の場合には、付勢手段３４のような問題がない。したがって、シャッター装置１Ａを開状態から閉状態とするのに電磁石３１の磁力を利用することにより、振動子９の周波数調整をより高精度に行うことができる。
以上のような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００６４】
＜第３実施形態＞
次に、本発明のシャッター装置集合体の第３実施形態について説明する。
図７は、本発明の第３実施形態にかかるシャッター装置集合体が有するシャッター装置の断面図である。
以下、第３実施形態のシャッター装置集合体について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００６５】
本発明の第３実施形態にかかるシャッター装置集合体は、シャッター装置を閉状態から開状態とするための手段が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
図７に示すように、本実施形態のシャッター装置集合体が有するシャッター装置１Ｂでは、第１実施形態で述べた電磁石３２が省略されている。また、シャッター装置１Ｂは、シャッター装置１Ｂの左側の部分が右側の部分よりも下方に位置するように傾斜して設けられている。また、支持台８の溝８１内には、移動体２よりも左側に、移動体２の移動を規制するストッパー８６が設けられている。
【００６６】
また、電圧印加手段５Ｂは、コイル３１２に電圧を印加するＤＣ電源５１を有している。
このような構成のシャッター装置１Ｂは、次のようにして駆動する。
シャッター装置１Ｂでは、移動体２が電磁石３１側に移動した状態がイオンビームＩＢの振動子９への照射を遮断する閉状態であり、移動体２が電磁石３１と反対側に移動した状態がイオンビームＩＢの振動子９への照射を許容する開状態である。
【００６７】
まず、シャッター装置１Ｂを開状態から閉状態とする動作について説明する。シャッター装置１Ｂが開状態のときに、ＤＣ電源５１によってコイル３１２に電圧を印加すると、電磁石３１が磁石として機能する。これにより、移動体２が電磁石３１に吸着されるように、電磁石３１側に移動し、当該移動に伴ってシャッター部４も移動する。これにより、シャッター装置１Ｂが開状態から閉状態となる。
【００６８】
次に、シャッター装置１Ｂを閉状態から開状態とする動作について説明する。シャッター装置１が閉状態のときに、ＤＣ電源５１からのコイル３１２への電圧印加を停止すると、電磁石３１が磁石としての機能を失うため、移動体２が自重によって図７中左側へ移動し、ストッパー８６に当接してその移動が終了する。これにより、シャッター装置１Ｂが閉状態から開状態となる。
以上のような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００６９】
＜第４実施形態＞
次に、本発明のシャッター装置集合体の第４実施形態について説明する。
図８は、本発明の第４実施形態にかかるシャッター装置集合体が有するシャッターを示す断面図である。
以下、第４実施形態のシャッター装置集合体について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００７０】
本発明の第４実施形態にかかるシャッター装置集合体は、シャッター装置を閉状態から開状態とするための手段が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
図８に示すように、本実施形態のシャッター装置集合体が有するシャッター装置１Ｃでは、電磁石３１の両側に一対の移動体２１、２２が設けられている。これら移動体２１、２２は、連結部６によって連結されている。このような移動体２１、２２は、それぞれ、ネオジム磁石、フェライト磁石、サマリウムコバルト磁石、アルニコ磁石などの永久磁石（硬磁性体を着磁したもの）である。また、移動体２１は、図８中左側がＳ極、右側がＮ極となるように着磁（磁化）されており、移動体２２は、図８中左側がＮ極、右側がＳ極となるように着磁されている。
【００７１】
これら移動体２１、２２の間には、電磁石３３が設けられている。電磁石３３は、芯材３３１と、芯材３３１に巻き付けられたコイル３３２とで構成されている。芯材３３１は、ｘ軸方向に延在しコイル３３２が巻き付けられた基部３３１ａと、基部３３１ａの両端部からｚ軸方向両側に向けて延出する一対の延出部３３１ｂ、３３１ｃとで構成されている。
【００７２】
また、電圧印加手段５Ｃは、ＤＣ電源５１と、コイル３３２に印加する電圧の極性を反転させることのできるスイッチ素子５３とを有している。スイッチ素子５３は、コイル３３２の一端側（例えば、部位３３２ａ）の電位が他端側（例えば、部位３３２ｂ）の電位よりも高くなる第１状態と、一端側の電位が他端側の電位よりも低くなる第２状態とを切り替えることができる。
このような構成のシャッター装置１Ｃは、次のようにして駆動する。
【００７３】
なお、シャッター装置１Ｃでは、移動体２１が電磁石３３側に移動するとともに、移動体２２が電磁石３３と反対側に移動した状態がイオンビームＩＢの振動子９への照射を遮断する閉状態であり、移動体２１が電磁石３３と反対側に移動するとともに、移動体２２が電磁石３３側に移動した状態がイオンビームＩＢの振動子９への照射を許容する開状態である。
【００７４】
まず、シャッター装置１Ｃを開状態から閉状態とする動作について説明する。シャッター装置１Ｃが開状態のときに、スイッチ素子５３を第１状態とするとともに、ＤＣ電源５１によってコイル３３２に電圧を印加すると、電磁石３３が磁石として機能し、電磁石３３の左側がＳ極、右側がＮ極となる。そのため、移動体２１が電磁石３３と引き合うとともに、移動体２２が電磁石３３と反発し合い、移動体２１と電磁石３３とが当接した状態となる。これにより、シャッター装置１Ｃが開状態から閉状態となる。
【００７５】
次に、シャッター装置１Ｃを閉状態から開状態とする動作について説明する。シャッター装置１Ｃが閉状態のときに、スイッチ素子５３を第２状態とするとともに、ＤＣ電源５１によってコイル３３２に電圧を印加すると、電磁石３３が磁石として機能し、電磁石３３の左側がＮ極、右側がＳ極となる。そのため、移動体２１が電磁石３３と反発し合うとともに、移動体２２が電磁石３３と引き合い、移動体２２と電磁石３３とが当接した状態となる。これにより、シャッター装置１Ｃが閉状態から開状態となる。
【００７６】
このような構成によれば、磁石の吸着力と反発力とを用いているため、より速い速度でシャッター部４を移動させることができる。
以上のような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
なお、本実施形態では、電磁石３３を介して対向配置された一対の移動体２１、２２を用いているが、移動体２１、２２のいずれか一方を省略してもよい。
【００７７】
＜第５実施形態＞
次に、本発明のシャッター装置集合体の第５実施形態について説明する。
図９は、本発明の第５実施形態にかかるシャッター装置集合体の平面図（上面図）である。なお、図９では、説明の便宜上、シャッター部および連結部の図示を省略している。
以下、第５実施形態のシャッター装置集合体について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００７８】
本発明の第５実施形態にかかるシャッター装置集合体は、隣り合うシャッターの配置が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
図９に示すように、本実施形態のシャッター装置集合体１Ｄ’では、隣り合うシャッター装置１Ｄの電磁石３１、３２の位置がｘ軸方向にずれている。具体的に説明すれば、偶数列目のシャッター装置１Ｄにおける電磁石３１、３２の離間方向の中間点Ｐと交わりｙ軸方向に延在する線分をＬとすると、奇数列目のシャッター装置１Ｄは、その電磁石３２の中央部（基部３２１ａの中央部）が線分Ｌ上に位置するように配置されている。このような配置とすることにより、各シャッター装置１Ｄが有する移動体２は、隣り合うシャッター装置１Ｄの電磁石３１、３２から発生する磁界の影響をほとんど受けなくなる。これは、移動体２が電磁石３１、３２の端から遠ざかるためである。そのため、各シャッター装置１Ｄの誤作動が防止され、各シャッター装置１Ｄをより正確かつ確実に駆動することができる。
以上のような第５実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７９】
＜第６実施形態＞
次に、本発明のシャッター装置集合体の第６実施形態について説明する。
図１０は、本発明の第６実施形態にかかるシャッター装置集合体が有する支持台の分解図である。
以下、第６実施形態のシャッター装置集合体について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００８０】
本発明の第６実施形態にかかるシャッター装置集合体は、支持台の構成が異なる以外は、シャッター装置を閉状態から開状態とするための手段が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
図１０に示すように、本実施形態のシャッター装置集合体が有する支持台８Ｅは、複数の個片部８Ｅ’をｙ軸方向に並べて固定したものである。また、複数の個片部８Ｅ’は、それぞれ、ｘ軸方向に延在し、ｙ軸方向を厚さ方向とする２枚の板部材８１Ｅ’、８２Ｅ’を接合してなるものである。また、板部材８２Ｅ’は、板部材８１Ｅ’よりも上方に突出している。
【００８１】
このような支持台８Ｅでは、所定の個片部８Ｅ’が有する板部材８２Ｅ’と、その隣の個片部８Ｅ’が有する板部材８２Ｅ’との間の空間が、シャッター装置１の移動体２および電磁石３１、３２を収納する収納部Ｓを構成する。また、板部材８２Ｅ’の板部材８１Ｅ’から突出した部分が突出部８２を構成する。支持台８Ｅを、このような構成とすれば、個片部８Ｅ’の設置数を変更することにより、配置したいシャッター装置１の個数に対応した数の収納部Ｓを有する支持台８Ｅを簡単に得ることができる。
以上のような第６実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８２】
以上、本発明のシャッターおよびシャッター集合体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
また、前述した実施形態では、イオンビームによって振動子の質量を減少させることにより振動子の共振周波数を変更する方法について説明したが、これに限定されず、例えば蒸着によって金属粒子を振動子に付着させ、振動子の質量を増加させることにより、振動子の共振周波数を変更してもよい。
【符号の説明】
【００８３】
１…シャッター装置  １’…シャッター装置集合体  １００…周波数調整装置  １１０…チャンバー  １２０…イオンガン  １３０…遮蔽板  １Ａ…シャッター装置  １Ｂ…シャッター装置  １Ｃ…シャッター装置  １Ｄ…シャッター装置  １Ｄ’…シャッター装置集合体  ２…移動体  ２１…移動体  ２２…移動体  ３１…電磁石  ３１１…芯材  ３１１ａ…基部  ３１１ｂ…延出部  ３１２…コイル  ３１３…絶縁層  ３２…電磁石  ３２１…芯材  ３２１ａ…基部  ３２２…コイル  ３２３…絶縁層  ３３…電磁石  ３３１…芯材  ３３１ａ…基部  ３３１ｂ…延出部  ３３１ｃ…延出部  ３３２…コイル  ３３２ａ…部位  ３３２ｂ…部位  ３４…付勢手段  ４…シャッター部  ４１…貫通孔  ４２…貫通孔  ５…電圧印加手段  ５１…ＤＣ電源  ５２…スイッチ素子  ５２１…スイッチ  ５２２…接点  ５２３…接点  ５３…スイッチ素子  ５Ａ…電圧印加手段  ５Ｂ…電圧印加手段  ５Ｃ…電圧印加手段  ６…連結部  ６１…突起  ６２…突起  ８…支持台  ８１…溝  ８１Ｅ’…板部材  ８２…突出部  ８２Ｅ’…板部材  ８３…シャッター支持部  ８４…被覆層  ８６…ストッパー  ８Ｅ’…個片部  ８Ｅ…支持台  ９…振動子  ＩＢ…イオンビーム  Ｌ…線分  Ｐ…中間点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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