(57)【要約】【課題】吐出ノズルの周辺に浮遊するレジストミストを、該吐出ノズルからのレジストミストの流れに影響を与えることなく、充分に吸収することができるレジスト塗布装置を提供する。【解決手段】被処理基板３０の上面に、吐出ノズル２０をその中心軸が該被処理基板３０の面に対してほぼ垂直となるように配置させ、該吐出ノズル２０を通して供給されるレジストミストを、該被処理基板３０の表面に対してほぼ垂直方向から噴出させるように構成し、かつ、吐出ノズル２０の周辺に浮遊するレジストミストを吸引するための吸引ノズル２１を、前記吐出ノズル２０の周辺の少なくとも一部に設けるようにした。【選択図】  図１
2013115232.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の上面にレジストミストを噴出させる吐出ノズルを備えるレジスト塗布装置であって、
前記吐出ノズルは、その中心軸が前記被処理基板の上面に対してほぼ垂直となるように配置され、前記吐出ノズルを通して供給される前記レジストミストを、前記被処理基板の上面に対してほぼ垂直方向から噴出させるように構成され、かつ、前記吐出ノズルの周囲に浮遊するレジストミストを吸引するための吸引ノズルが、前記吐出ノズルの周辺の少なくとも一部に設けられていることを特徴とするレジスト塗布装置。
【請求項２】
前記吸引ノズルは、前記吐出ノズルの周辺を囲んで設けられていることを特徴とする請求項１に記載のレジスト塗布装置。
【請求項３】
前記吐出ノズルおよび吸引ノズルは、径の小さな第１筒体と径の大きな第２筒体を同心状に配置させて構成し、前記第１筒体を吐出ノズルとして機能させ、前記第１筒体と前記第２筒体を吸引ノズルとして機能させることを特徴とする請求項２に記載のレジスト塗布装置。
【請求項４】
前記被処理基板に対向する前記第１筒体の先端と前記被処理基板との距離は、前記被処理基板に対向する第２筒体の先端と前記被処理基板との距離よりも大きく形成されていることを特徴とする請求項３に記載のレジスト塗布装置。
【請求項５】
前記被処理基板に対向する第１筒体の先端と前記被処理基板との距離は、前記被処理基板に対向する第２筒体の先端と前記被処理基板との距離よりも小さく形成されていることを特徴とする請求項３に記載のレジスト塗布装置。
【請求項６】
前記第２筒体の先端は、前記第１筒体との間に隙間を確保して、前記第２筒体の中心軸の側に鋭角で屈曲する屈曲部が形成されていることを特徴とする請求項３あるいは５に記載のレジスト塗布装置。
【請求項７】
吐出ノズルから噴出されるレジストミストを帯電させる電極針が少なくとも前記吐出ノズルの先端の周囲に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のレジスト塗布装置。
【請求項８】
レジスト塗布装置に具備され、被処理基板の上面にレジストミストを噴出させる吐出ノズルであって、
中心軸が前記被処理基板の上面に対してほぼ垂直となるように配置され、前記吐出ノズルを通して供給される前記レジストミストを、前記被処理基板の上面に対してほぼ垂直方向から噴出させるように構成され、かつ、前記吐出ノズルの周囲に浮遊するレジストミストを吸引するための吸引ノズルが、前記吐出ノズルの周辺の少なくとも一部に設けられていることを特徴とする吐出ノズル。
【請求項９】
前記吸引ノズルは、前記吐出ノズルの周辺を囲んで設けられていることを特徴とする請求項８に記載の吐出ノズル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレジスト塗布装置およびそれに具備される吐出ノズルに係り、特に、霧状のレジストを噴出させることによって被処理基板上にレジストの塗布を行うレジスト塗布装置およびそれに具備される吐出ノズルに関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のレジスト塗布装置は、たとえば下記特許文献１に記載されているように、被処理基板（たとえば水晶ウェハ）の上面に、吐出ノズルをその中心軸が該被処理基板の面に対してほぼ垂直となるように配置させ、該吐出ノズルを通して供給される霧状の粒子からなるレジスト（以下、レジストミストと称する）を該被処理基板の表面に対してほぼ垂直方向から噴出させることによって、該被処理基板上にレジストを塗布するように構成されている。ここで、吐出ノズルは、被処理基板に対して相対移動できるようになっており、被処理基板の表面をレジストが塗布されるラインが近接されるようにスキャンされ、これにより、被処理基板上に膜厚が均一なレジスト膜を形成することができるようになっている。
【０００３】
なお、本発明に関連する技術として、たとえば下記特許文献２に記載された薄膜形成装置が知られている。該特許文献２には、被処理基板上にノズルヘッドを備え、このノズルヘッドは、このノズルヘッドの中心軸を含む平面内に、被処理基板の表面の垂線に対して鋭角をなすように延設された噴出ノズルと吸引ノズルとが具備され、レジストミストを前記噴出ノズルを通して被処理基板面のレジスト塗布領域に噴出させ、該レジスト塗布領域から飛散した余剰レジストミストを前記吸引ノズルを通して回収する旨の記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2006-058628号公報
【特許文献２】特開2002-346453号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載されたレジスト塗布装置の場合、吐出ノズルから噴出されるレジストミストは、吐出ノズルの先端付近において水平方向にも漂い、吐出ノズルの周辺に浮遊するようになる。
【０００６】
この場合、吐出ノズルの周辺に浮遊するレジストミストは、その粒子径が小さいこともあり、極めて乾燥し易く、乾燥された状態で被処理基板面に付着されることになる。
【０００７】
このように、乾燥したレジストミストが被処理基板面に付着されると、その後、該被処理基板に形成されたレジスト（レジスト膜）に露光、現像等を行う際に、それら露光、現象を精度よく行うことが困難となり、被処理基板の表面における微細加工を充分に行うことができないという不都合を有する。
【０００８】
この場合、特許文献２に示す技術において、ノズルヘッドの周辺に浮遊するレジストミストを吸引ノズルによっても除去できるように思われる。
【０００９】
しかし、特許文献２に示す吸引ノズルは、被処理基板の表面の垂線に対して傾いて配設される噴出ノズルから噴出されるレジストミストのうち被処理基板に塗布後の飛散されたレジストミストを回収する目的のために設けられたものであり、たとえば、噴出ノズルの先端、被処理基板のレジスト塗布領域、および吸引ノズルの先端を結ぶ経路から外れた部分（たとえば噴出ノズルの吸引ノズルと反対側の部分）に浮遊するレジストミストを充分に吸収できないという不都合を有したものとなっている。
【００１０】
また、特許文献２に示す吸引ノズルは、上述したように、被処理基板の表面の垂線に対して傾いて配設される噴出ノズルから噴出されるレジストミストのうち被処理基板に塗布した後に、被処理基板から跳ね返って飛散される余りのレジストミストを、吸引して回収する目的のために設けられたものである。このため、吸引ノズルの吸引力を比較的大きくせざるを得ず、これによって、噴出ノズルからのレジストミストの流れに影響を与えてしまうという不都合を有したものとなっている。
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、吐出ノズルの周辺に浮遊するレジストミストを、該吐出ノズルからのレジストミストの流れに影響を与えることなく、充分に吸収することができるレジスト塗布装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、このような目的を達成するために、被処理基板の上面に、吐出ノズルをその中心軸が該被処理基板の面に対してほぼ垂直となるように配置させ、該吐出ノズルを通して供給されるレジストミストを、該被処理基板の表面に対してほぼ垂直方向から噴出させるように構成し、かつ、吐出ノズルの周辺に浮遊するレジストミストを吸引するための吸引ノズルを、前記吐出ノズルの周辺の少なくとも一部に設けるようにしたものである。
【００１３】
このように構成することによって、吸引ノズルは、吐出ノズルの周辺に浮遊するレジストミストを吸引する目的で構成されるものであり、その配置は、吐出ノズルに最も近接した箇所においてなされていることから、該吐出ノズルの周辺に浮遊するレジストミストを充分に吸収できるようになる。この場合、吐出ノズルは、レジストミストを被処理基板の表面に対してほぼ垂直方向から噴出させるようにしていることから、レジストミストは該吐出ノズルを中心として周囲に浮遊し、吸引ノズルは、該レジストミストの浮遊範囲のほぼ中心に配置されることから、該レジストミストを効率よく吸収できるようになる。
【００１４】
また、吸引ノズルは、上述したように、吐出ノズルの周辺に浮遊するレジストミストを吸引する目的で構成されるものであることから、吸引ノズルの吸引力を大きくすることなく、吐出ノズルの周辺に浮遊するレジストを吸引させることができる。このため、吐出ノズルから噴出されるレジストミストを、たとえば特許文献２に示すように多量に吸引する必要がなく、したがって、吐出ノズルからのレジストミストの流れに影響を与えてしまうようなことを回避させることができるようになる。
【００１５】
本発明は、以下の構成によって把握される。
（１）本発明のレジスト塗布装置は、被処理基板の上面にレジストミストを噴出させる吐出ノズルを備えるレジスト塗布装置であって、前記吐出ノズルは、その中心軸が前記被処理基板の上面に対してほぼ垂直となるように配置され、前記吐出ノズルを通して供給される前記レジストミストを、前記被処理基板の上面に対してほぼ垂直方向から噴出させるように構成され、かつ、前記吐出ノズルの周囲に浮遊するレジストミストを吸引するための吸引ノズルが、前記吐出ノズルの周辺の少なくとも一部に設けられていることを特徴とする。
（２）本発明のレジスト塗布装置は、（１）の構成において、前記吸引ノズルは、前記吐出ノズルの周辺を囲んで設けられていることを特徴とする。
（３）本発明のレジスト塗布装置は、（２）の構成において、前記吐出ノズルおよび吸引ノズルは、径の小さな第１筒体と径の大きな第２筒体を同心状に配置させて構成し、前記第１筒体を吐出ノズルとして機能させ、前記第１筒体と前記第２筒体を  吸引ノズルとして機能させることを特徴とする。
（４）本発明のレジスト塗布装置は、（３）の構成において、前記被処理基板に対向する前記第１筒体の先端と前記被処理基板との距離は、前記被処理基板に対向する第２筒体の先端と前記被処理基板との距離よりも大きく形成されていることを特徴とする。
（５）本発明のレジスト塗布装置は、（３）の構成において、前記被処理基板に対向する第１筒体の先端と前記被処理基板との距離は、前記被処理基板に対向する第２筒体の先端と前記被処理基板との距離よりも小さく形成されていることを特徴とする。
（６）本発明のレジスト塗布装置は、（３）あるいは（５）の構成において、前記第２筒体の先端は、前記第１筒体との間に隙間を確保して、前記第２筒体の中心軸の側に鋭角で屈曲する屈曲部が形成されていることを特徴とする。
（７）本発明のレジスト塗布装置は、（１）の構成において、吐出ノズルから噴出されるレジストミストを帯電させる電極針が少なくとも前記吐出ノズルの先端に設けられていることを特徴とする。
（８）本発明の吐出ノズルは、レジスト塗布装置に具備され、被処理基板の上面にレジストミストを噴出させる吐出ノズルであって、中心軸が前記被処理基板の上面に対してほぼ垂直となるように配置され、前記吐出ノズルを通して供給される前記レジストミストを、前記被処理基板の上面に対して垂直方向から噴出させるように構成され、かつ、前記吐出ノズルの周囲に浮遊するレジストミストを吸引するための吸引ノズルが、前記吐出ノズルの周辺の少なくとも一部に設けられていることを特徴とする。
（９）本発明の吐出ノズルは、（８）の構成において、前記吸引ノズルは、前記吐出ノズルの周辺を囲んで設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
上述のように構成したレジスト塗布装置によれば、吐出ノズルの周辺に浮遊するレジストミストを、該吐出ノズルからのレジストミストの流れに影響を与えることなく、充分に吸収することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明のレジスト塗布装置の実施態様１における吐出ノズルの構成を示す図である。
【図２】本発明のレジスト塗布装置の概略を示す構成図である。
【図３】本発明のレジスト塗布装置の実施態様２における吐出ノズルの構成を示す図である。
【図４】本発明のレジスト塗布装置の実施態様３における吐出ノズルの構成を示す図である。
【図５】本発明のレジスト塗布装置の実施態様４における吐出ノズルの構成を示す図である。
【図６】本発明のレジスト塗布装置の実施態様５における吐出ノズルの構成を示す図である。
【図７】本発明のレジスト塗布装置の実施態様６における吐出ノズルの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態（以下、実施形態という）について詳細に説明する。なお、実施形態の説明の全体を通して同じ要素には同じ番号を付している。
（実施態様１）
<レジスト塗布装置の概略構成>
図２は、本発明のレジスト塗布装置の全体を示す概略構成図である。図２に示すレジスト塗布装置は、たとえば水晶振動子の製造に用いられるレジスト塗布装置を例として挙げている。
【００１９】
図２において、まず、レジスト容器１０がある。レジスト容器１０は、たとえば円柱状の容器本体１０Ａと、この容器本体１０Ａの上方の開口を密閉する蓋体１０Ｂとから構成されている。容器本体１０Ａにはレジスト液１１が収納され、蓋体１０Ｂにはアトマイジングスプレーノズル１２が設けられている。
【００２０】
アトマイジングスプレーノズル１２は、注入管１３からのたとえば窒素（Ｎ２）の加圧ガスによって、吸入管１４から吸い上げたレジスト液１１をレジスト容器１０内に霧状（粒子状）に噴霧するようになっている。このような動作は、アトマイジングスプレーノズル１２に設けられたたとえば空気シリンダ（図示せず）等を用いたスイッチ機構によってなされるようになっている。なお、レジスト容器１０内では、粒径の大きいレジスト粒子（図中符号Ｐで示す）はレジスト液１１中に落下し、粒径の小さいレジスト粒子（図中符号Ｑで示す）からなるレジストミストのみが蓋体１０Ｂに設けられた流出口１５から排出されるようになっている。
【００２１】
レジスト容器１０の蓋体１０Ｂに設けられた流出口１５は可撓性のホース１６を介して吐出ノズル２０に連結されている。吐出ノズル２０は、たとえば水晶ウェハからなる被処理基板３０を載置するｘ−ｙステージ４０の上方において定位置に配置され、その中心軸が該被処理基板３０の上面に対してほぼ垂直となるとともに、先端が該被処理基板３０に対向するように配置されている。これにより、吐出ノズル２０に供給されるレジストミストは、吐出ノズル２０の先端から被処理基板３０の上面に対してほぼ垂直方向へ噴出されるようになっている。
【００２２】
吐出ノズル２０からレジストミストが噴出される際は、ｘ−ｙステージ４０はｘ方向およびｙ方向に水平移動し、吐出ノズル２０は被処理基板３０の表面をレジストが塗布されるラインが近接されるようにスキャンされ、これにより、被処理基板３０上に膜厚が均一なレジスト膜が形成されるようになっている。
なお、ｘ−ｙステージ４０と吐出ノズル２０は、必ずしも上述した構成に限定されることはなく、ステージ４０を固定させ、吐出ノズル２０がｘ方向およびｙ方向に水平移動させることによって、被処理基板３０上にレジスト膜を形成するようにしてもよい。
【００２３】
なお、吐出ノズル２０は、後の説明において明らかとなるように、吸引ノズル（図１において符号２１で示す）が具備され、この吸引ノズル２１は可撓性のホース１７を介して吸気手段５０に接続されている。
<吐出ノズル>
図１（ａ）、（ｂ）は、前記吐出ノズル２０を拡大して示した図である。図１（ａ）は吐出ノズル２０の側面図、図１（ｂ）は吐出ノズル２０を先端側から観た平面図である。図１（ａ）では、吐出ノズル２０の構造を明瞭に理解できるように、その部分を断面で描いている。なお、図１（ａ）においては、図２に示したｘ−ｙステージ４０、被処理基板３０をも併せ描いている。
【００２４】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、吐出ノズル２０は、第１筒体２０Ａによって構成され、該第１筒体２０Ａの中心軸が被処理基板３０の上面に対してほぼ垂直となるように配置され、この吐出ノズル２０を通して前記レジスト容器１０から供給されるレジストミストを、被処理基板３０の上面に対してほぼ垂直方向（図中矢印α方向）から噴出させるように構成されている。
【００２５】
そして、第１筒体２０Ａによって構成される吐出ノズル２０の外周には吸引ノズル２１が形成されている。すなわち、第１筒体２０Ａの外周に該第１筒体２０Ａよりも径が大きい第２筒体２１Ａが該第１筒体２０Ａとほぼ同心状に配置され、吸引ノズル２１は第１筒体２０Ａと第２筒体２１Ａとで構成されるようになっている。
【００２６】
この実施態様１の場合、第１筒体２０Ａと第２筒体２１Ａのそれぞれの先端（被処理基板３０と対向する端部）は、被処理基板３０と平行な面内で面一となっており、第１筒体２０Ａと第２筒体２１Ａとの間に形成される円環状の貫通孔を通して前記吸気手段５０によって吸気を行うことによって、第１筒体２０Ａと第２筒体２１Ａは吸引ノズルとして機能できるようになっている。
【００２７】
この吸気ノズル２１は、吐出ノズル２０から噴出されて被処理基板３０に付着するレジストミストの他に、吐出ノズル２０の先端付近において水平方向にも漂って吐出ノズル２０の周辺に浮遊するレジストミストを図中矢印βで示すように吸引するようになっている。このようにすることによって、浮遊によって乾燥され易いレジストミストが被処理基板面に付着されてしまうことを回避することができるようになる。この場合、吸引ノズル２１は、吐出ノズル２０に最も近接した箇所においてなされていることから、吐出ノズル２０の周辺に浮遊するレジストミストを充分に吸収できるようになる。また、吐出ノズル２０は、レジストミストを被処理基板３０の表面に対してほぼ垂直方向から噴出させるようにしていることから、レジストミストは吐出ノズル２０を中心として周囲に浮遊し、吸引ノズル２１は、レジストミストの浮遊範囲のほぼ中心に配置されることから、該レジストミストを効率よく吸収できるようになる。さらに、吸引ノズル２１は、吐出ノズル２０の周辺に浮遊するレジストミストを吸引する目的で構成されるものであることから、吸引ノズル２１の吸引力を大きくすることなく、吐出ノズル２０の周辺に浮遊するレジストを吸引させることができる。このため、吐出ノズル２０から噴出されるレジストミストの吸引（図中矢印γで示す）を大幅に少なくでき、吐出ノズル２０からのレジストミストの流れに影響を与えてしまうような不都合を回避できるようになる。
【００２８】
また、この実施態様１の場合、吐出ノズル２０の先端には電極針６０が形成されている。この電極針６０は、たとえば、被処理基板３０が＋電位に保持されるのに対し−電位に保持され、吐出ノズル２０から噴出されるレジストミストを帯電（イオン化）させ、＋電位に保持された被処理基板３０側に吸引され易く構成されている。なお、電極針６０は、複数個（図ではたとえば３個：それぞれ符号６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃで示す）有し、吐出ノズル２０の先端の周囲に等間隔に設けられるようにすることにより、各電極針６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃによる効果を均一に及ぶようにしている。このように吐出ノズル２０の先端に電極針６０を設けることにより、吐出ノズル２０から噴出されるレジストミストを被処理基板３０側へ短距離で導き易くでき、吐出ノズル２０の周辺に浮遊するレジストミストを少なくできるようになる。このため、吸引ノズル２１における吸引力を小さくすることができ、吐出ノズル２０から噴出するレジストミストの流れに影響を与えることを回避できる効果を奏する。
（実施態様２）
図３は、本発明によるレジスト塗布装置の実施態様２を示す構成図で、図１（ａ）に対応づけて描いた図である。なお、図３においては、吐出ノズル２０、吸引ノズル２１の構成を明瞭に示すため、実施態様１に示した電極針６０を省略して示している。
【００２９】
図３において、図１と比較した場合の異なる構成は、被処理基板３０に対向する第１筒体２０Ａの先端と被処理基板３０との距離が、被処理基板３０に対向する第２筒体２１Ａの先端と被処理基板３０との距離よりも小さく形成されていることにある。
【００３０】
このように構成した場合でも、実施態様１で示したとほぼ同様の効果を得ることができるようになる。しかし、実施態様１の場合と比較した場合、吸引ノズル２１の吸引口の面積を広く構成でき、吐出ノズル２０の周辺に浮遊するレジストミストを多く吸引できる効果を奏する。一方、吐出ノズル２０から噴出されるレジストミストの吸引（図中矢印γ’で示す）は若干抑制されるようになることから、吐出ノズル２０から噴出するレジストミストの流れに影響を与えることをより回避できるようになる。
（実施態様３）
図４は、本発明によるレジスト塗布装置の実施態様３を示す構成図で、図１（ａ）に対応づけて描いた図である。なお、図４においても、吐出ノズル２０、吸引ノズル２１の構成を明瞭に示すため、実施態様１に示した電極針６０を省略して示している。
【００３１】
図４において、図１と比較した場合の異なる構成は、被処理基板３０に対向する第１筒体２０Ａの先端と被処理基板３０との距離が、被処理基板３０に対向する第２筒体２１Ａの先端と被処理基板３０との距離よりも大きく形成されていることにある。
【００３２】
このように構成した場合でも、実施態様１で示したと同様の効果を得ることができるようになる。しかし、実施態様１の場合と比較した場合、吐出ノズル２０から噴出されるレジストミストは、図中矢印γで示すように、第２筒体２１Ａによって吐出ノズル２０の先端の周囲に浮遊するのを妨げられるとともに、即、吸引ノズル２１によって吸引される効果を奏するようになる。また、レジストミストが吐出ノズル２０の先端の周囲に浮遊するようなことがあっても、これらのレジストミストは、図中矢印β’で示すように、吸引ノズル２１によって吸引できるようになる。
（実施態様４）
図５は、本発明によるレジスト塗布装置の実施態様４を示す構成図で、図３に対応づけて描いた図である。なお、図５においても、吐出ノズル２０、吸引ノズル２１の構成を明瞭に示すため、実施態様１に示した電極針６０を省略して示している。
【００３３】
図５において、図３の場合と比較して異なる構成は、第２筒体２１Ａの先端が、第１筒体２０Ａとの間に隙間Ｇを確保して、第２筒体２１Ａの中心軸の側に鋭角θ（０°＜θ＜９０°）で屈曲する屈曲部が形成されていることにある。
【００３４】
このように構成した場合、第１筒体２０Ａと第２筒体２１Ａとの間の隙間Ｇが小さくなるが、吸引ノズル２１による吸引の速度が大きくなることから、吐出ノズル２０の先端の周囲に浮遊されたレジストミストを吸引し易くなる効果を奏するようになる。
（実施態様５）
図６は、本発明によるレジスト塗布装置の実施態様５を示す構成図で、図４に対応づけて描いた図である。なお、図６においても、吐出ノズル２０、吸引ノズル２１の構成を明瞭に示すため、実施態様１に示した電極針６０を省略して示している。
【００３５】
図６において、図４の場合と比較して異なる構成は、第２筒体２１Ａの先端が、第１筒体２０Ａとの間に隙間Ｇを確保して、第２筒体２１Ａの中心軸の側に鋭角θ（０°＜θ＜９０°）で屈曲する屈曲部が形成されていることにある。
【００３６】
この場合、第２筒体２１Ａの先端と被処理基板３０との距離が、第１筒体２０Ａの先端と被処理基板３０との距離よりも大きく形成されていることから、第２筒体２１Ａの屈曲部がガイド機能を有するようになり、吐出ノズル２０から噴出されるレジストミストのうち吐出ノズル２０の先端の周囲に浮遊しようとするレジストミストを吸引ノズル２１側に導き易くなるという効果を奏するようになる。
（実施態様６）
図７は、本発明によるレジスト塗布装置の実施態様６を示す構成図で、図１（ｂ）に対応づけて描いた図である。なお、図７においても、吐出ノズル２０、吸引ノズル２１の構成を明瞭に示すため、実施態様１に示した電極針６０を省略して示している。
【００３７】
図７において、図１（ａ）の場合と比較して異なる構成は、第１筒体２０Ａと第２筒体２１Ａとで構成される吸引ノズル２１は、第１筒体２０Ａと第２筒体２１Ａの間に形成されたたとえば４個の隔壁２３によって分割された４個の吸引ノズル２１（図中２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄで示す）を有するように構成してもよい。このようにすることによって、吐出ノズル２０の周囲には、複数の吸引ノズル２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄが周方向に沿って並設されるように構成される。
【００３８】
そして、各吸引ノズル２１は、必ずしも吐出ノズル２０の周方向に沿って隣接して配置されることはなく、たとえば図７において、吸引ノズル２１ａと吸引ノズル２１ｃのみを形成するようにしたり、あるいは吸引ノズル２１ｂと吸引ノズル２１ｄのみを形成するようにしてもよい。また、さらには、吸引ノズル２１ａのみあるいは吸引ノズル２１ｂというように１個だけ設けるようにしてもよい。
（実施態様７）
上述した各実施態様１ないし５では、吐出ノズル２０の先端に、該吐出ノズル２０から噴出されるレジストミストをイオン化させる電極針６０を設けたものとして説明したものである。しかし、本発明は、吐出ノズル２０の先端に電極針６０が設けられていないものにも適用できることはいうまでもない。
（実施態様８）
上述した各実施態様１ないし７では、本発明のレジスト塗布装置は、水晶振動子の製造の際に用いられるものを例として挙げたものである。しかし、これに限定されることはなく、たとえば半導体素子等の他の素子の製造の際に用いられるレジスト塗布装置にも適用できることはいうまでもない。
【００３９】
以上説明したことから明らかとなるように、本発明によるレジスト塗布装置によれば、吐出ノズル２０の周辺に浮遊するレジストミストを、該吐出ノズル２０からのレジストミストの流れに影響を与えることなく、充分に吸収することができるようになる。
【００４０】
以上、実施形態を用いて本発明を説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されないことは言うまでもない。上記実施形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。またその様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【符号の説明】
【００４１】
１０……レジスト容器、１０Ａ……容器本体、１０Ｂ……蓋体、１１……レジスト液、１２……アトマイジングスプレーノズル、１３……注入管、１４……吸入管、１５……流出口、１６、１７……ホース、２０……吐出ノズル、２０Ａ……第１筒体、２１……吸引ノズル、２３……隔壁、３０……被処理基板、４０……ｘ−ｙステージ、５０……吸気手段、６０……電極針。
【図１】
2013115232.tif 000003
【図２】
2013115232.tif 000004
【図３】
2013115232.tif 000005
【図４】
2013115232.tif 000006
【図５】
2013115232.tif 000007
【図６】
2013115232.tif 000008
【図７】
2013115232.tif 000009