(57)【要約】【課題】液晶表示装置及びその製造方法において、コントラスト比を向上可能とすることを目的とする。【解決手段】第１の基板、第１の配向層、ストライプ状の第１の電極、コレステリック液晶を有する液晶層、ストライプ状の第２の電極、第２の配向層、及び第２の基板が積層され、第１の配向層は第１の電極間で液晶層のコレステリック液晶と接し、第２の配向層は第２の電極間で液晶層のコレステリック液晶と接するように構成する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられた第１の配向層と、
前記第１の配向層上に設けられたストライプ状の第１の電極と、
ストライプ状の第２の電極と、
前記第１及び第２の電極間に配置されコレステリック液晶を有する液晶層と、
前記第２の電極上に設けられた第２の配向層と、
前記第２の配向層上に設けられた第２の基板
を備え、
前記第１の配向層は前記第１の電極間で前記液晶層のコレステリック液晶と接しており、
前記第２の配向層は前記第２の電極間で前記液晶層のコレステリック液晶と接していることを特徴とする、液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶層は、平面図上で前記第１及び第２の電極が直交する画素領域と、隣接する画素領域間に設けられ前記コレステリック液晶が前記第１及び前記第２の配向層と接する非画素領域を有し、
前記第１及び第２の配向層の前記非画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、前記画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きいことを特徴とする、請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の配向層の前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が６°〜８９°であることを特徴とする、請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の基板のうち少なくとも一方はフレキシブル基板であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１の電極上に設けられ前記液晶層と接する第３の配向層と、
前記第２の電極下に設けられ前記液晶層と接する第４の配向層
を更に備えたことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１及び第２の配向層は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、及び二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなるグループから選択された１つの材料で形成されていることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項記載の液晶表示装置。
【請求項７】
第１の基板上の第１の配向層の上に第１の透明電極層を形成する工程と、
前記第１の透明電極層をパターニングしてストライプ状の第１の電極を形成して前記第１の配向層を前記第１の電極間で露出する工程と、
第２の基板上の第２の配向層の上に第２の透明電極層を形成する工程と、
前記第２の透明電極層をパターニングしてストライプ状の第２の電極を形成して前記第２の配向層を前記第２の電極間で露出する工程と、
前記第１及び第２の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、
前記第１及び第２の基板間にコレステリック液晶を注入して封止することで液晶層を形成する工程
を含むことを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記液晶層は、平面図上で前記第１及び第２の電極が直交する画素領域と、隣接する画素領域間に設けられ前記コレステリック液晶が前記第１及び前記第２の配向層と接する非画素領域を有し、
前記第１及び第２の配向層の前記非画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、前記画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きいことを特徴とする、請求項７記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１及び第２の配向層の前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が６°〜８９°であることを特徴とする、請求項８記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２の基板のうち少なくとも一方はフレキシブル基板であることを特徴とする、請求項７乃至９のいずれか１項記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各企業及び各大学等において、電子ペーパー等の液晶表示装置の開発が盛んに進められている。電子ペーパーが期待されている応用市場として、電子ブックを筆頭に、モバイル端末機器のサブディスプレイやＩＣ（Integrated Circuit）カードの表示部等、多用な応用携帯機器が提案されている。電子ペーパーの有力な表示方式の一つに、コレステリック相が形成される液晶組成物を用いた表示素子がある。コレステリック相が形成される液晶組成物は、コレステリック液晶、或いは、カイラルネマティク液晶と呼ばれるが、以下の説明ではコレステリック液晶と言う。コレステリック液晶は、半永久的な表示保持特性（又は、メモリ性）、鮮やかなカラー表示特性、高コントラスト特性、及び高解像度特性等の優れた特長を有する。
【０００３】
図１は、コレステリック液晶を用いたフルカラー表示が可能な液晶表示素子の一般的な断面構成を模式的に示す図である。図１に示す液晶表示素子１は、表示面から順に、青色（Ｂ）表示部２Ｂと、緑色（Ｇ）表示部２Ｇと、赤色（Ｒ）表示部２Ｒとが積層された構造を有する。図１において、上方の基板側が表示面であり、実線の矢印で示す外光は基板上方から表示面に向かって入射するようになっている。尚、基板上方に観測者の目及びその観察方向を破線の矢印で模式的に示している。
【０００４】
Ｂ表示部２Ｂは、一対の上下基板２１Ｂａ，２１Ｂｂ間に封入された青色（Ｂ）用液晶層２２Ｂと、Ｂ用液晶層２２Ｂに所定のパルス電圧を印加するパルス電圧源２３Ｂとを有している。Ｇ表示部２Ｇは、一対の上下基板２１Ｇａ，２１Ｇｂ間に封入された緑色（Ｇ）用液晶層２２Ｇと、Ｇ用液晶層２２Ｇに所定のパルス電圧を印加するパルス電圧２３Ｇ源とを有している。Ｒ表示部２Ｒは、一対の上下基板２１Ｇａ，２１Ｇｂ間に封入された赤色（Ｒ）用液晶層２２Ｒと、Ｒ用液晶層２２Ｒに所定のパルス電圧を印加するパルス電圧源２３Ｒとを有している。Ｒ表示部２Ｒの下基板２１Ｒｂの裏面には光吸収層２４が配置されている。
【０００５】
各Ｂ，Ｇ，Ｒ用液晶層２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒに用いられているコレステリック液晶は、ネマティック液晶にキラル性の添加剤（カイラル材とも言う）を例えば数十ｗｔ％の含有率で添加した液晶混合物である。ネマティック液晶にカイラル材を数十ｗｔ％含有させると、ネマティック液晶分子を強く螺旋状に捻ったコレステリック相を形成することができる。このため、コレステリック液晶はカイラルネマティック液晶とも呼ばれる。
【０００６】
コレステリック液晶は、双安定性（又は、メモリ性）を備えており、液晶に印加する電界強度を制御することでプレーナ状態、フォーカルコニック状態、又はそれらの混合による中間的な状態のいずれかの状態をとることがでる。又、コレステリック液晶は、一旦プレーナ状態、フォーカルコニック状態、又はそれらの中間的な状態になると、その後は無電界下においても安定してその状態を保持する。
【０００７】
プレーナ状態は、例えば上下基板間に所定の高電圧を印加して液晶層に強電界を与え、液晶をホメオトロピック状態にした後に急激に電界をゼロにすることにより得られる。フォーカルコニック状態は、例えば上記高電圧より低い所定電圧を上下基板間に印加して液晶層に電界を与えた後、急激に電界をゼロにすることにより得られる。フォーカルコニック状態は、プレーナ状態から上下基板間に徐々に電圧を印加することでも得ることができる。プレーナ状態とフォーカルコニック状態の中間的な状態は、例えばフォーカルコニック状態が得られる電圧より低い電圧を上下基板間に印加して液晶層に電界を与えた後、急激に電界をゼロにすることにより得られる。
【０００８】
このコレステリック液晶を用いた液晶表示素子の表示原理を、Ｂ表示部２Ｂを例にとって図２と共に説明する。図２（ａ）は、Ｂ表示部２ＢのＢ用液晶層２２Ｂがプレーナ状態におけるコレステリック液晶の液晶分子２５Ｂの配向状態を示す図である。図２（ａ）に示すように、プレーナ状態での液晶分子２５Ｂは、基板２１Ｂａ（又は、２１Ｂｂ）の面内方向とは垂直方向に順次回転して螺旋構造を形成し、螺旋構造の螺旋軸は基板面と略垂直になる。
【０００９】
プレーナ状態では、液晶分子の螺旋ピッチに応じた所定波長の光が選択的に液晶層で反射される。液晶層の平均屈折率をｎとし、螺旋ピッチをｐとすると、反射が最大となる波長λは、λ＝ｎ・ｐで表される。従って、Ｂ表示部２ＢのＢ用液晶層２２Ｂでプレーナ状態時に青色の光を選択的に反射させるには、例えばλ＝４８０ｎｍとなるように平均屈折率ｎ及び螺旋ピッチｐを決める。平均屈折率ｎは液晶材料及びカイラル材を選択することで調整可能であり、螺旋ピッチｐは、カイラル材の含有率を調整することにより調節することができる。
【００１０】
図２（ｂ）は、Ｂ表示部２ＢのＢ用液晶層２２Ｂがフォーカルコニック状態におけるコレステリック液晶の液晶分子２５Ｂの配向状態を示す図である。図２（ｂ）に示すように、フォーカルコニック状態での液晶分子２５Ｂは、基板２１Ｂａ（又は、２１Ｂｂ）の面内方向に順次回転して螺旋構造を形成し、螺旋構造の螺旋軸は基板面と略平行になる。フォーカルコニック状態では、Ｂ用液晶層２２Ｂに反射波長の選択性は失われ、入射光の殆どが透過する。透過光はＲ表示部２Ｒの下基板２１Ｒｂ裏面に配置された光吸収層２４で吸収されるので暗（黒）表示が実現できる。
【００１１】
プレーナ状態とフォーカルコニック状態の中間の状態においては、その状態に応じて反射光と透過光の割合を調整できるので、反射光の強度を変えることができる。
【００１２】
このように、コレステリック液晶では、螺旋状に捻られた液晶分子の配向状態で光の反射量を制御することができる。
【００１３】
上記のＢ用液晶層２２Ｂと同様にして、プレーナ状態のＧ用液晶層２２Ｇ及びＲ用液晶層２２Ｒに夫々緑及び赤の光を選択的に反射させるコレステリック液晶を夫々封入することで、フルカラー表示が可能な液晶表示素子を作製することができる。以上のようにコレステリック液晶を用い、赤、緑、青の光を選択的に反射する液晶表示部を積層することで、メモリ性のあるフルカラー表示の液晶表示素子を作製してカラー液晶装置を実現することが可能となり、画面書換え時以外は消費電力がゼロの状態でカラー表示を行うことができる。
【００１４】
コレステリック液晶の選択反射を利用した液晶表示装置は、消費電力がゼロの状態でカラー表示が可能である。このような液晶表示装置のプレーナ（明）状態とフォーカルコニック（暗）状態は、電圧印加波形の制御により選択可能であり、画素部分は電圧印加波形によりプレーナ状態とフォーカルコニック状態を選択できる。しかし、電極と電極の間の非画素部分では、液晶に電圧を印加できないため、プレーナ状態とフォーカルコニック状態を制御することができない。非画素部分がプレーナ状態であるか、或いは、フォーカルコニック状態であるかは、表示特性、特にコントラスト比に大きな影響を及ぼす。一般に、フィルム基板、或いは、ガラス基板は、非画素部分がプレーナ状態となるため、コントラスト比の低下を招いてしまう。
【００１５】
非画素部分を暗状態にする手法としては、ブラックマトリクス（ＢＭ）と呼ばれる黒い格子（又は、マスク）を非画素部分上に設ける手法が知られている。しかし、例えば耐熱温度が比較的低い基板を用いた場合、ＢＭの作製及び／又は接着に熱処理を用いることができない。例えばフィルム基板の場合、耐熱温度は例えば１５０℃であるが、この耐熱温度以下でのＢＭの作製及び／又は接着は困難である。更に、フィルム基板のように柔軟性を有する基板（即ち、フレキシブル基板）を用いた場合には、フィルム基板の伸縮によりＢＭのフィルム基板に対する位置ずれが発生しやすく、非画素部分が狭くなるにつれてマスクの精度が低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００４−２１２４１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
従来のコレステリック液晶を用いた液晶表示装置では、コントラスト比を向上することは難しい。
【００１８】
そこで、本発明は、コントラクト比を向上可能なコレステリック液晶を用いた液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の一観点によれば、第１の基板と、前記第１の基板上に設けられた第１の配向層と、前記第１の配向層上に設けられたストライプ状の第１の電極と、ストライプ状の第２の電極と、前記第１及び第２の電極間に配置されコレステリック液晶を有する液晶層と、前記第２の電極上に設けられた第２の配向層と、前記第２の配向層上に設けられた第２の基板を備え、前記第１の配向層は前記第１の電極間で前記液晶層のコレステリック液晶と接しており、前記第２の配向層は前記第２の電極間で前記液晶層のコレステリック液晶と接していることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【００２０】
本発明の一観点によれば、第１の基板上の第１の配向層の上に第１の透明電極層を形成する工程と、前記第１の透明電極層をパターニングしてストライプ状の第１の電極を形成して前記第１の配向層を前記第１の電極間で露出する工程と、第２の基板上の第２の配向層の上に第２の透明電極層を形成する工程と、前記第２の透明電極層をパターニングしてストライプ状の第２の電極を形成して前記第２の配向層を前記第２の電極間で露出する工程と、前記第１及び第２の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、前記第１及び第２の基板間にコレステリック液晶を注入して封止することで液晶層を形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
開示の液晶表示装置及びその製造方法によれば、コントラスト比を向上することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】コレステリック液晶を用いたフルカラー表示が可能な液晶表示素子の一般的な断面構成を模式的に示す図である。
【図２】コレステリック液晶を用いた液晶表示素子の表示原理を説明する図である。
【図３】液晶表示装置の構成の一例を示す図である。
【図４】本発明の第１実施例における液晶表示素子の構成の一例を示す断面図である。
【図５】非画素領域を説明する平面図である。
【図６】プレチルト角と反射率の関係を説明する図である。
【図７】本発明の第２実施例における液晶表示素子の構成の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
開示の液晶表示装置及びその製造方法では、非画素領域のコレステリック液晶をフォーカルコニック（暗）状態に安定化させるために、第１及び第２の配向層を形成する。コレステリック液晶で形成された液晶層は、第１及び第２の電極間に挟まれている。第１及び第２の配向層は、第１及び第２の電極の外側、即ち、液晶層とは反対側に形成され、非画素領域においてコレステリック液晶と接する。
【００２４】
例えば、第１及び第２の配向層の非画素領域におけるコレステリック液晶に対するプレチルト角は、画素領域におけるコレステリック液晶に対するプレチルト角より大きい。
【００２５】
以下に、開示の液晶表示装置及びその製造方法の各実施例を図面と共に説明する。
【実施例】
【００２６】
（第１実施例）
図３は、液晶表示装置の構成の一例を示す図である。図３に示す液晶表示装置の構成は、本発明の各実施例において使用可能である。図３乃至図５及び図７において、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００２７】
コレステリック液晶を用いたフルカラー表示が可能な液晶表示装置３００は、図３に示す如く接続された液晶表示素子３１、データ電極駆動回路３１１、走査電極駆動回路３１２、及び制御回路３１３を有する。液晶表示素子３１は、青色（Ｂ）表示部（又は、表示パネル）３２Ｂ、緑色（Ｇ）表示部（又は、表示パネル）３２Ｇ、及び赤色（Ｒ）表示部（又は、表示パネル）３２Ｒを有する。後述する図４に示すように、Ｂ表示部３２Ｂはプレーナ状態で青色の光を反射するＢ用液晶層２２Ｂを備え、Ｇ表示部３２Ｇはプレーナ状態で緑色の光を反射するＧ用液晶層２２Ｇを備え、Ｒ表示部３２Ｒはプレーナ状態で赤色の光を反射するＲ用液晶層２２Ｒを備える。
【００２８】
制御回路３１３は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）の如きプロセッサで形成可能であり、表示するべき画像のデータ（以下、画像データと言う）に基づいてデータ電極駆動回路３１１及び走査電極駆動回路３１２を制御する。データ電極駆動回路３１１は、制御回路３１３の制御下でＢ，Ｇ，Ｒの各表示部３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒの下電極（又は、データ電極）４２Ｂｂ，４２Ｇｂ，４２Ｒｂに画像データに応じた電圧を印加して駆動する。走査電極駆動回路３１２は、制御回路３１３の制御下でＢ，Ｇ，Ｒの各表示部３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒの上電極（又は、走査電極）４２Ｂａ，４２Ｇａ，４２Ｒａに走査周波数に応じたパルス電圧を印加して駆動する。データ電極駆動回路３１１及び走査電極駆動回路３１２によるＢ，Ｇ，Ｒの各表示部３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒの駆動方法自体は周知であるため、その詳細な説明は省略する。
【００２９】
この例では、Ｂ，Ｇ，Ｒの各表示部３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒの駆動系が共通化されたデータ電極駆動回路３１１及び走査電極駆動回路３１２が設けられているが、Ｂ，Ｇ，Ｒの各表示部３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒの駆動系を別々に設けても良いことは言うまでもない。
【００３０】
図４は、本発明の第１実施例における液晶表示素子の構成の一例を示す断面図である。各表示部３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒの構成は同じであるため、以下の説明ではＢ表示部３２Ｂの構成について説明する。図４では、Ｂ表示部３２Ｂの上基板２１Ｂａの上方から表示面に向かって入射するものとする。このため、Ｒ表示部３２Ｒの下基板２１Ｒｂの裏面には、（可視）光吸収層２４が設けられている。このため、Ｂ，Ｇ，Ｒ用の各液晶層２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒの全てがフォーカルコニック状態の際に、液晶表示装置３００の表示画面には黒色が表示される。光吸収層２４は、必要に応じて設ければ良い。
【００３１】
尚、図４では表示部３２Ｂ，３２Ｇ間、及び、表示部３２Ｇ，３２Ｒ間に間隙があるが、表示部３２Ｂ，３２Ｇは接しているのが好ましい。同様に、表示部３２Ｇ，３２Ｒも接しているのが好ましい。
【００３２】
図４において、Ｂ表示部３２Ｂは、下基板２１Ｂｂ、下基板２１Ｂｂ上に設けられた第１の配向層４１Ｂｂ、第１の配向層４１Ｂｂ上に設けられたストライプ状の下電極４２Ｂｂ、下電極４２Ｂｂと直交する方向に延びるストライプ状の上電極４２Ｂａ、上下電極４２Ｂａ，４２Ｂｂ間に配置されコレステリック液晶を有するＢ用液晶層２２Ｂ、上電極４２Ｂａ上に設けられた第２の配向層４１Ｂａ、及び第２の配向層４１Ｂａ上に設けられた上基板２１Ｂａを有する。上下電極４２Ｂａ，４２Ｂｂ（及び第１及び第２の配向層４１Ｂｂ，４１Ｂａ）の周縁部には、シール材４３Ｂが設けられている。上下電極４２Ｂａ，４２Ｂｂ（及び第１及び第２の配向層４１Ｂｂ，４１Ｂａ）及びシール材４３Ｂにより封止された空間には、青色を選択的に反射するように調整されたＢ用コレステリック液晶が封入されることでＢ用液晶層２２Ｂが形成されている。第１の配向層４１Ｂｂは、下電極４２Ｂｂ間でＢ用液晶層２２ＢのＢ用コレステリック液晶と接しており、第２の配向層４１Ｂａは上電極４２Ｂａ間でＢ用液晶層２２ＢのＢ用コレステリック液晶と接している。
【００３３】
Ｂ表示部３２Ｂの上下基板２１Ｂａ，２１ＢｂのＢ用液晶層２２Ｂ側に設けられた上下電極４２Ｂ１，４２Ｂｂは、この例では３２０ドット×２４０ドットのＱＶＧＡ（Quarter Video Graphics Array）表示ができるように０．２４ｍｍのピッチで形成されている。上下電極４２Ｂ１，４２Ｂｂは、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Indium Zinc Oxide）、銀のナノワイヤ等の透明導電膜で形成可能である。
【００３４】
又、Ｂ用液晶層２２Ｂの厚さ（セルギャップ）を均一に保持するために、樹脂製又は無機酸化物製の球状、柱状等のスペーサ（図示せず）をＢ用液晶層２２Ｂ内に複数設けても良い。この例では、Ｂ用液晶層２２Ｂ内に複数のスペーサが挿入されてセルギャップの均一性が保持されているものとする。Ｂ用液晶層２２Ｂのセルギャップｄは、例えば３μｍ≦ｄ≦６μｍの範囲である。
【００３５】
図５は、Ｂ表示部３２Ｂの非画素領域を説明する平面図である。液晶層２２Ｂは、平面図上で上下電極２１Ｂａ，２１Ｂｂが直交する画素領域２２１Ｂと、隣接する画素領域間２２１Ｂに設けられＢ用コレステリック液晶が第１及び前記第２の配向層４１Ｂｂ，４１Ｂａと接する非画素領域２２２Ｂを有する。第１及び第２の配向層４１Ｂｂ，４１Ｂａの非画素領域２２２ＢにおけるＢ用コレステリック液晶に対するプレチルト角は、画素領域２２１ＢにおけるＢ用コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きい。第１及び第２の配向層４１Ｂｂ，４１ＢａのＢ用コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が例えば６°〜８９°である。一例として、画素領域２２１Ｂの一辺が１５０μｍの場合、非画素領域２２２Ｂの幅は例えば１０μｍである。第１及び第２の配向層４１Ｂｂ，４１Ｂａに使用する、Ｂ用コレステリック液晶に対するプレチルト角が６°〜８９°の材料は、例えばポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂及びアクリル樹脂等の有機膜や二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等である。
【００３６】
同様に、Ｇ表示部３２Ｇにおいて、第１及び第２の配向層４１Ｇｂ，４１Ｇａの非画素領域におけるＧ用コレステリック液晶に対するプレチルト角は、画素領域におけるＧ用コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きい。第１及び第２の配向層４１Ｇｂ，４１ＧａのＧ用コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が例えば６°〜８９°である。
【００３７】
又、Ｒ表示部３２Ｒにおいて、第１及び第２の配向層４１Ｒｂ，４１Ｒａの非画素領域におけるＲ用コレステリック液晶に対するプレチルト角は、画素領域におけるＲ用コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きい。第１及び第２の配向層４１Ｒｂ，４１ＲａのＲ用コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が例えば６°〜８９°の範囲である。
【００３８】
次に、液晶組成物について説明する。各液晶層２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒを形成する液晶組成物は、ネマティック液晶混合物にカイラル材を例えば１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％添加したコレステリック液晶である。カイラル材の添加量は、ネマティック液晶成分とカイラル材の合計量を１００ｗｔ％としたときの値である。ネマティック液晶には、各種周知のネマティック液晶材料を用いることができる。液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）は、例えば０．１８〜０．２４の範囲であることが好ましい。液晶組成物の屈折率異方性がこの範囲より小さいと、プレーナ状態の反射率が低くなり、逆にこの範囲より大きいと、フォーカルコニック状態での散乱反射が大きくなると共に、粘度も高くなり応答速度が低下する。各液晶層２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒの厚みは、例えば３μｍ〜６μｍの範囲であることが好ましい。各液晶層２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒの厚みがこの範囲より小さいと、プレーナ状態の反射率が低くなり、逆にこの範囲より大きいと駆動電圧が高くなりすぎる。
【００３９】
次に、各表示部３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒの旋光性について説明する。Ｂ，Ｇ，Ｒの各表示部３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒの積層構造において、プレーナ状態におけるＧ用液晶層２２Ｇでの旋光性と、Ｂ用及びＲ用液晶層２２Ｂ，２２Ｒでの旋光性とは異なる。
【００４０】
上基板２１Ｂａ，２１Ｇａ，２１Ｒａ及び下基板２１Ｂｂ，２１Ｇｂ，２１Ｒｂは、透光性を有する。この例では、上基板２１Ｂａ，２１Ｇａ，２１Ｒａ及び下基板２１Ｂｂ，２１Ｇｂ，２１Ｒｂには、縦横の長さが１２（ｃｍ）×１２（ｃｍ）の大きさに切断されたポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム基板を使用している。ＰＥＮ基板に代えて、ガラス基板や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）等のフィルム基板（即ち、フレキシブル基板）を使用しても良い。上基板２１Ｂａ，２１Ｇａ，２１Ｒａ及び下基板２１Ｂｂ，２１Ｇｂ，２１Ｒｂの少なくとも一方がフィルム基板の場合、薄くて軽い表示部３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒ及び液晶表示装置３００を実現できる。尚、積層構造の最下層に配置されるＲ表示部３２Ｒの下基板２１Ｒｂは、不透光性であっても良い。
【００４１】
次に、液晶に対するプレチルト角と液晶に電圧を印加しない時（メモリ状態）の反射率（明るさ）について説明する。
【００４２】
上下基板の表面にコレステリック液晶に対するプレチルト角が０°〜８９°の範囲で異なるポリイミド樹脂で第２及び第１の配向層を成膜し、セルギャップが４μｍとなるよう貼合せた空セルを作製し、第１及び第２の配向層間にコレステリック液晶を注入した。コレステリック液晶の注入後、作製したセルを加熱し、コレステリック液晶を等方相状態にした後、室温まで徐冷して注入時のストレスによる液晶の配向を除去した。次に、作製したセルの表面に対して３０°の方向から光を入射し、０°方向への反射率を測定した。尚、プレチルト角は、コレステリック液晶の母液晶（ネマチック液晶）に対する値であり、クリスタルローテーション法で求めた。
【００４３】
図６は、プレチルト角と反射率の関係を説明する図である。図６からもわかるように、コレステリック液晶に対するプレチルト角が２°以下の場合、３８％以上の高い反射率を示した。この場合のコレステリック液晶の配向状態を顕微鏡で観察したところ、プレーナ状態であった。コレステリック液晶に対するプレチルト角が４°の場合、反射率が２０％程度と低くなった。この場合のコレステリック液晶の配向状態は、プレーナ状態とフォーカルコニック状態とが混在したものであった。コレステリック液晶に対するプレチルト角が６°〜８９°の範囲の場合、反射率が２％以下と小さく、良好な暗状態であった。この場合の液晶の配向状態は、フォーカルコニック状態であった。
【００４４】
以上より、非画素領域のコレステリック液晶に対するプレチルト角を６°〜８９°の範囲とすることで、非画素領域をフォーカルコニック（暗）状態にでき、コントラスト比の向上が可能であることが確認された。つまり、非画素領域のコレステリック液晶に対するプレチルト角が６°〜８９°の範囲であると、非画素領域のコレステリック液晶をフォーカルコニック（暗）状態に安定化することができる。
【００４５】
（第２実施例）
図７は、本発明の第２実施例における液晶表示素子の構成の一例を示す断面図である。図７中、図４と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４６】
図７に示す液晶表示素子３１のＢ表示部３２Ｂは、下電極４２Ｂｂ上に設けられＢ用液晶層２２Ｂと接する第３の配向層４６Ｂｂと、上電極４２Ｂａ下に設けられＢ用液晶層２２Ｂと接する第４の配向層４６Ｂａを更に有する。第３及び第４の配向層４６Ｂｂ，４６Ｂａは、第１及び第２の配向層４１Ｂｂ，４１Ｂａと同様の材料で形成可能である。又、第４及び第３の配向層４６Ｂｂ，４６Ｂａは、上下電極４２Ｂａ，４２Ｂｂと同じパターンを有するようにパターニング、或いは、印刷により形成可能である。第３及び第４の配向層４６Ｂｂ，４６Ｂａを設けることで、特に画素領域２２１ＢにおけるＢ用液晶層２２Ｂのコレステリック液晶の配向制御が更に容易になる。
【００４７】
同様に、Ｇ表示部３２Ｇは、下電極４２Ｇｂ上に設けられＧ用液晶層２２Ｇと接する第３の配向層４６Ｇｂと、上電極４２Ｇａ下に設けられＧ用液晶層２２Ｇと接する第４の配向層４６Ｇａを更に有する。又、Ｒ用表示部３２Ｒは、下電極４２Ｒｂ上に設けられＲ用液晶層２２Ｒと接する第３の配向層４６Ｒｂと、上電極４２Ｒａ下に設けられＲ用液晶層２２Ｒと接する第４の配向層４６Ｒａを更に有する。
【００４８】
次に、液晶表示装置の製造方法及び比較例について説明する。
（製造方法１）
例えば縦横の長さが１２（ｃｍ）×１２（ｃｍ）の大きさに切断した２枚のポリカーボネート（ＰＣ）フィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａにコレステリック液晶に対するプレチルト角が例えば６°のポリイミドの第１及び第２の配向層４１Ｇｂ，４１Ｇａを形成し、例えば１５０℃で焼成する。第１及び第２の配向層４１Ｇｂ，４１Ｇａ上に銀のナノワイヤからなる透明電極を塗布し、フォトリソグラフィー工程を経て銀のナノワイヤ電極２１Ｇｂ，２１Ｇａのパターニングを行う。電極２１Ｇｂ，２１Ｇａのパターニングは、例えば０．２４ｍｍピッチで３２０ドット×２４０ドットのＱＶＧＡ表示ができるように形成する。電極２１Ｇｂ，２１Ｇａのパターニングにより、電極２１Ｇｂ（又は、２１Ｇａ）と電極２１Ｇｂ（又は、２１Ｇａ）の間にポリイミドの第１の配向層４１Ｇｂ（又は、第２の配向層４１Ｇａ）が露出する。
【００４９】
次に、一方のＰＣフィルム基板２１Ｇａ上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー工程を経てレジストをパターニングし、例えば１５０℃で１２０分焼成することで、例えば高さ４μｍのスペーサ（又は、構造体）を作製する。このスペーサは、２枚のＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａを重ねたときにセルギャップを維持するためのものである。
【００５０】
次に、他方のＰＣフィルム基板２１Ｇｂ上の周縁部に例えばエポキシ系のシール材４３Ｇをディスペンサを用いて塗布する。そして、２枚のＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａをスペーサ及びシール材３２Ｇを介して貼り合わせて、例えば１ｋｇ／ｃｍ２の力で加圧しながら１６０℃で１時間加熱する。これにより、シール材３２Ｇが硬化し両ＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａと接着する。これと同時に、スペーサも両ＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａと接着する。最後に、真空注入法によりＧ用コレステリック液晶を注入口から両ＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａ間に注入した後、例えばエポキシ系の封止材で注入口を封止することでＧ表示部２２Ｇが完成する。
【００５１】
同様にして、Ｒ表示部２２ＲとＢ表示部２２Ｂを作製する。このとき、Ｒ用コレステリック液晶とＢ用コレステリック液晶の螺旋の方向を、Ｇ用コレステリック液晶の螺旋の方向と逆にする。
【００５２】
作製したＢ，Ｇ，Ｒの各表示部２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒを例えば１１０℃に昇温して液晶を等方相とした後、例えば−１℃／ｍｉｎで室温まで徐冷することで、各表示部２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒの非画素領域の液晶配向状態がフォーカルコニック状態となり、非画素領域は光学的な暗状態となる。
【００５３】
作製したＢ，Ｇ，Ｒの各表示部２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒを積層して液晶表示素子３１作製し、液晶表示素子３１に駆動回路（例えば、ドライバＩＣ）を接続することで、カラー電子ペーパーを作製することができる。この場合、ドライバＩＣに所定の波形を印加することで、明るく、コントラスト比に優れた表示のカラー電子ペーパーが得られる。
【００５４】
（製造方法２）
上記製造方法１の場合と同様に、例えば縦横の長さが１２（ｃｍ）×１２（ｃｍ）の大きさに切断した２枚のポリカーボネート（ＰＣ）フィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａにコレステリック液晶に対するプレチルト角が例えば８８°のポリイミドの第１及び第２の配向層４１Ｇｂ，４１Ｇａを形成し、例えば１５０℃で焼成する。第１及び第２の配向層４１Ｇｂ，４１Ｇａ上に銀のナノワイヤからなる透明電極を塗布し、フォトリソグラフィー工程を経て銀のナノワイヤ電極２１Ｇｂ，２１Ｇａのパターニングを行う。電極２１Ｇｂ，２１Ｇａのパターニングは、例えば０．２４ｍｍピッチで３２０ドット×２４０ドットのＱＶＧＡ表示ができるように形成する。電極２１Ｇｂ，２１Ｇａのパターニングにより、電極２１Ｇｂ（又は、２１Ｇａ）と電極２１Ｇｂ（又は、２１Ｇａ）の間にポリイミドの第１の配向層４１Ｇｂ（又は、第２の配向層４１Ｇａ）が露出する。
【００５５】
次に、一方のＰＣフィルム基板２１Ｇａ上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー工程を経てレジストをパターニングし、例えば１５０℃で１２０分焼成することで、例えば高さ４μｍのスペーサ（又は、構造体）を作製する。このスペーサは、２枚のＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａを重ねたときにセルギャップを維持するためのものである。
【００５６】
次に、他方のＰＣフィルム基板２１Ｇｂ上の周縁部に例えばエポキシ系のシール材４３Ｇをディスペンサを用いて塗布する。そして、２枚のＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａをスペーサ及びシール材３２Ｇを介して貼り合わせて、例えば１ｋｇ／ｃｍ２の力で加圧しながら１６０℃で１時間加熱する。これにより、シール材３２Ｇが硬化し両ＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａと接着する。これと同時に、スペーサも両ＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａと接着する。最後に、真空注入法によりＧ用コレステリック液晶を注入口から両ＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａ間に注入した後、例えばエポキシ系の封止材で注入口を封止することでＧ表示部２２Ｇが完成する。
【００５７】
同様にして、Ｒ表示部２２ＲとＢ表示部２２Ｂを作製する。このとき、Ｒ用コレステリック液晶とＢ用コレステリック液晶の螺旋の方向を、Ｇ用コレステリック液晶の螺旋の方向と逆にする。
【００５８】
作製したＢ，Ｇ，Ｒの各表示部２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒを例えば１１０℃に昇温して液晶を等方相とした後、例えば−１℃／ｍｉｎで室温まで徐冷することで、各表示部２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒの非画素領域の液晶配向状態がフォーカルコニック状態となり、非画素領域は光学的な暗状態となる。
【００５９】
作製したＢ，Ｇ，Ｒの各表示部２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒを積層して液晶表示素子３１作製し、液晶表示素子３１に駆動回路（例えば、ドライバＩＣ）を接続することで、カラー電子ペーパーを作製することができる。この場合、ドライバＩＣに所定の波形を印加することで、明るく、コントラスト比に優れた表示のカラー電子ペーパーが得られる。
【００６０】
（製造方法３）
例えば縦横の長さが１２（ｃｍ）×１２（ｃｍ）の大きさに切断した２枚のポリカーボネート（ＰＣ）フィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａにコレステリック液晶に対するプレチルト角が例えば４０°のＳｉＯ２の第１及び第２の配向層４１Ｇｂ，４１Ｇａを斜法蒸着により形成する。第１及び第２の配向層４１Ｇｂ，４１Ｇａ上にＩＺＯからなる透明電極をスパッタ法で形成し、フォトリソグラフィー工程を経てＩＺＯ電極２１Ｇｂ，２１Ｇａのパターニングを行う。電極２１Ｇｂ，２１Ｇａのパターニングは、例えば０．２４ｍｍピッチで３２０ドット×２４０ドットのＱＶＧＡ表示ができるように形成する。電極２１Ｇｂ，２１Ｇａのパターニングにより、電極２１Ｇｂ（又は、２１Ｇａ）と電極２１Ｇｂ（又は、２１Ｇａ）の間にＳｉＯ２の第１の配向層４１Ｇｂ（又は、第２の配向層４１Ｇａ）が露出する。
【００６１】
次に、一方のＰＣフィルム基板２１Ｇａ上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー工程を経てレジストをパターニングし、例えば１５０℃で１２０分焼成することで、例えば高さ４μｍのスペーサ（又は、構造体）を作製する。このスペーサは、２枚のＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａを重ねたときにセルギャップを維持するためのものである。
【００６２】
次に、他方のＰＣフィルム基板２１Ｇｂ上の周縁部に例えばエポキシ系のシール材４３Ｇをディスペンサを用いて塗布する。そして、２枚のＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａをスペーサ及びシール材３２Ｇを介して貼り合わせて、例えば１ｋｇ／ｃｍ２の力で加圧しながら１６０℃で１時間加熱する。これにより、シール材３２Ｇが硬化し両ＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａと接着する。これと同時に、スペーサも両ＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａと接着する。最後に、真空注入法によりＧ用コレステリック液晶を注入口から両ＰＣフィルム基板２１Ｇｂ，２１Ｇａ間に注入した後、例えばエポキシ系の封止材で注入口を封止することでＧ表示部２２Ｇが完成する。
同様にして、Ｒ表示部２２ＲとＢ表示部２２Ｂを作製する。このとき、Ｒ用コレステリック液晶とＢ用コレステリック液晶の螺旋の方向を、Ｇ用コレステリック液晶の螺旋の方向と逆にする。
【００６３】
作製したＢ，Ｇ，Ｒの各表示部２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒを例えば１１０℃に昇温して液晶を等方相とした後、例えば−１℃／ｍｉｎで室温まで徐冷することで、各表示部２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒの非画素領域の液晶配向状態がフォーカルコニック状態となり、非画素領域は光学的な暗状態となる。
【００６４】
作製したＢ，Ｇ，Ｒの各表示部２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒを積層して液晶表示素子３１作製し、液晶表示素子３１に駆動回路（例えば、ドライバＩＣ）を接続することで、カラー電子ペーパーを作製することができる。この場合、ドライバＩＣに所定の波形を印加することで、明るく、コントラスト比に優れた表示のカラー電子ペーパーが得られる。
【００６５】
上記の製造方法１，２，３の場合、コレステリック液晶に対するプレチルト角が夫々６°，８８°，４０°の配向層が、電極のパターニング後に露出する。電極のパターニングを行うことで、非画素領域においてコレステリック液晶に対するプレチルト角が夫々６°，８８°，４０°の配向層が露出するので、配向層を電極のパターニング後に形成する場合に比べると、非画素領域と配向層との位置合せ精度及び生産性が向上する。
【００６６】
（比較例）
縦横の長さが１２（ｃｍ）×１２（ｃｍ）の大きさに切断した２枚のＰＣフィルム基板に銀のナノワイヤからなる透明電極を塗布し、フォトリソグラフィー工程を経て銀のナノワイヤ電極のパターニングを行う。電極のパターニングは、０．２４ｍｍピッチで３２０ドット×２４０ドットのＱＶＧＡ表示ができるように形成する。電極のパターニングにより、電極と電極の間にＰＣフィルム基板が露出する。
【００６７】
次に、一方のＰＣフィルム基板上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー工程を経てレジストをパターニングし、１５０℃で１２０分焼成することで、高さ４μｍのスペーサを作製する。このスペーサは、２枚のＰＣフィルム基板を重ねたときにセルギャップを維持するためのものである。
【００６８】
次に、他方のＰＣフィルム基板上の周縁部にエポキシ系のシール材をディスペンサを用いて塗布する。そして、２枚のＰＣフィルム基板をスペーサ及びシール材を介して貼り合わせて、１ｋｇ／ｃｍ２の力で加圧しながら１６０℃で１時間加熱する。これにより、シール材が硬化し両ＰＣフィルム基板と接着する。これと同時に、スペーサも両ＰＣフィルム基板と接着する。
【００６９】
最後に、真空注入法によりＧ用コレステリック液晶を注入口から両ＰＣフィルム基板間に注入した後、例えばエポキシ系の封止材で注入口を封止することでＧ表示部が完成する。
【００７０】
同様にして、Ｒ表示部とＢ表示部を作製する。このとき、Ｒ用コレステリック液晶とＢ用コレステリック液晶の螺旋の方向を、Ｇ用コレステリック液晶の螺旋の方向と逆にする。
【００７１】
作製したＢ，Ｇ，Ｒの各表示部を例えば１１０℃に昇温して液晶を等方相とした後、例えば−１℃／ｍｉｎで室温まで徐冷すると、Ｂ，Ｇ，Ｒの各表示部の非画素領域の液晶配向状態はプレーナ状態となり、非画素領域は光学的な明状態となる。
【００７２】
作製したＢ，Ｇ，Ｒの各表示部を積層して液晶表示素子作製し、液晶表示素子に駆動回路（例えば、ドライバＩＣ）を接続することで、カラー電子ペーパーを作製することができる。この場合、ドライバＩＣに所定の波形を印加すると、非画素領域が明状態であるため、表示のコントラスト比は低い。
【００７３】
これにより、第１及び第２の配向層を設けることにより、非画素領域のコレステリック液晶をフォーカルコニック（暗）状態に安定化させることができ、コントラスト比を向上可能であることが確認された。
【００７４】
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられた第１の配向層と、
前記第１の配向層上に設けられたストライプ状の第１の電極と、
ストライプ状の第２の電極と、
前記第１及び第２の電極間に配置されコレステリック液晶を有する液晶層と、
前記第２の電極上に設けられた第２の配向層と、
前記第２の配向層上に設けられた第２の基板
を備え、
前記第１の配向層は前記第１の電極間で前記液晶層のコレステリック液晶と接しており、
前記第２の配向層は前記第２の電極間で前記液晶層のコレステリック液晶と接していることを特徴とする、液晶表示装置。
（付記２）
前記液晶層は、平面図上で前記第１及び第２の電極が直交する画素領域と、隣接する画素領域間に設けられ前記コレステリック液晶が前記第１及び前記第２の配向層と接する非画素領域を有し、
前記第１及び第２の配向層の前記非画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、前記画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きいことを特徴とする、付記１記載の液晶表示装置。
（付記３）
前記第１及び第２の配向層の前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が６°〜８９°であることを特徴とする、付記２記載の液晶表示装置。
（付記４）
前記第１及び第２の基板のうち少なくとも一方はフレキシブル基板であることを特徴とする、付記１乃至３のいずれか１項記載の液晶表示装置。
（付記５）
前記第１の電極上に設けられ前記液晶層と接する第３の配向層と、
前記第２の電極下に設けられ前記液晶層と接する第４の配向層
を更に備えたことを特徴とする、付記１乃至４のいずれか１項記載の液晶表示装置。
（付記６）
前記第１の基板、前記第１の配向層、前記第１の電極、前記液晶層、前記第２の電極、前記第２の配向層、及び前記第２の基板は液晶表示素子を形成し、
異なる色用の液晶層を有する前記液晶表示素子が複数積層されていることを特徴とする、付記１乃至５のいずれか１項記載の液晶表示装置。
（付記７）
前記第１及び第２の配向層は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、及び二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなるグループから選択された１つの材料で形成されていることを特徴とする、付記１乃至６のいずれか１項記載の液晶表示装置。
（付記８）
前記非画素領域の液晶をフォーカルコニック（暗）状態に安定化することを特徴とする、付記２又は３記載の液晶表示装置。
（付記９）
第１の基板上の第１の配向層の上に第１の透明電極層を形成する工程と、
前記第１の透明電極層をパターニングしてストライプ状の第１の電極を形成して前記第１の配向層を前記第１の電極間で露出する工程と、
第２の基板上の第２の配向層の上に第２の透明電極層を形成する工程と、
前記第２の透明電極層をパターニングしてストライプ状の第２の電極を形成して前記第２の配向層を前記第２の電極間で露出する工程と、
前記第１及び第２の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、
前記第１及び第２の基板間にコレステリック液晶を注入して封止することで液晶層を形成する工程
を含むことを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
（付記１０）
前記液晶層は、平面図上で前記第１及び第２の電極が直交する画素領域と、隣接する画素領域間に設けられ前記コレステリック液晶が前記第１及び前記第２の配向層と接する非画素領域を有し、
前記第１及び第２の配向層の前記非画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、前記画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きいことを特徴とする、付記９記載の液晶表示装置の製造方法。
（付記１１）
前記第１及び第２の配向層の前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が６°〜８９°であることを特徴とする、付記１０記載の液晶表示装置の製造方法。
（付記１２）
前記第１及び第２の基板のうち少なくとも一方はフレキシブル基板であることを特徴とする、付記９乃至１１のいずれか１項記載の液晶表示装置の製造方法。
（付記１３）
前記第１及び第２の配向層は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、及び二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなるグループから選択された１つの材料で形成されていることを特徴とする、付記８乃至１２のいずれか１項記載の液晶表示装置の製造方法。
【００７５】
以上、開示の液晶表示装置及びその製造方法を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００７６】
２１Ｂａ，２１Ｂｂ，２１Ｇａ，２１Ｇｂ，２１Ｒａ，２１Ｒｂ      基板
２２Ｂ，２２Ｇ，２２Ｒ      液晶層
３１      液晶表示素子
３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒ      表示部
４１Ｂａ，４１Ｂｂ，４１Ｇａ，４１Ｇｂ，４１Ｒａ，４１Ｒｂ      配向層
２２１Ｂ      画素領域
２２２Ｂ      非画素領域
３００      液晶表示装置
３１１      データ電極駆動回路
３１２      走査電極駆動回路
３１３      制御回路
【図１】
2013054071.tif 000003
【図２】
2013054071.tif 000004
【図３】
2013054071.tif 000005
【図４】
2013054071.tif 000006
【図５】
2013054071.tif 000007
【図６】
2013054071.tif 000008
【図７】
2013054071.tif 000009