(57)【要約】      （修正有）【課題】新規な基準メッシュ層を備える多層セラミックパッケージを設計および作製するシステムを提供する。【解決手段】改良された多層セラミック・パッケージは、それぞれが１本または複数の信号線を有する複数の信号平面と、それぞれが電圧（Ｖｄｄ）電力接続または接地（Ｇｎｄ）接続のうちの１つを提供する複数のバイアと、１つまたは複数の信号平面に隣接する少なくとも１つの基準メッシュ平面１０２とを含む。基準メッシュ平面１０２は、狭い広いまたは広い狭いパターンで交互になる間隔１３２によって分けられた、離隔メッシュ線を含む。交互間隔１３２を備えたメッシュ平面を使用する多層セラミック・パッケージは、一定間隔を備えた従来のメッシュ平面よりも大幅に低い遠端（ＦＥ）ノイズをセラミック・パッケージ内に生成する。このノイズは、信号平面内の信号線の反対側にシールド線を配置することによって、さらに低減される。【選択図】図１
2013115430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれの信号層が少なくとも１本の信号線を有する複数の信号層と、
それぞれのバイアが電圧（Ｖｄｄ）電力接続および接地（Ｇｎｄ）接続のうちの１つを提供する、セラミック・パッケージ内に配設された複数のバイアと、
前記複数の信号層のうちの１つまたは複数の信号層に隣接した少なくとも１つの基準メッシュ層と、
を備え、前記少なくとも１つの基準メッシュ層が異なるサイズの交互間隔を含む、
多層セラミック・パッケージ。
【請求項２】
前記異なるサイズの交互間隔が、前記少なくとも１つの基準メッシュ層のメッシュ線間に配設される、請求項１に記載の多層セラミック・パッケージ。
【請求項３】
前記異なるサイズの交互間隔が、前記少なくとも１つの基準メッシュ層が内部に位置付けられた平面の少なくとも１つの方向に沿って延在する、請求項１に記載の多層セラミック・パッケージ。
【請求項４】
前記少なくとも１つの方向が、信号が前記少なくとも１本の信号線内を伝搬される方向を含む、請求項３に記載の多層セラミック・パッケージ。
【請求項５】
前記１つの方向が、ＸＹ平面の正および負のＸ方向を含む、請求項３に記載の多層セラミック・パッケージ。
【請求項６】
前記異なるサイズの交互間隔がＮ対Ｍの割合で交互になり、Ｎは１つの測定単位を表し、Ｍは倍数の測定単位を表す、請求項１に記載の多層セラミック・パッケージ。
【請求項７】
Ｎ＝１およびＭ＝２である、請求項６に記載の多層セラミック・パッケージ。
【請求項８】
前記少なくとも１つの基準メッシュ層が電圧電力接続および接地接続のうちの１つに動作可能に結合される、請求項１に記載の多層セラミック・パッケージ。
【請求項９】
複数の共平面タイプのシールド線をさらに含み、第１の共平面シールド線が前記少なくとも１本の信号線の第１の側に沿って延在し、第２の共平面シールド線が前記少なくとも１本の信号線の反対側に沿って延在する、請求項１に記載の多層セラミック・パッケージ。
【請求項１０】
前記第１の共平面シールド線および前記第２の共平面シールド線の長さが、前記少なくとも１本の信号線の長さと同一に延在する、請求項９に記載の多層セラミック・パッケージ。
【請求項１１】
前記複数の共平面タイプのシールド線のうちの選択されたシールド線が、前記複数のバイアのうちの選択されたバイアに動作可能に結合される、請求項９に記載の多層セラミック・パッケージ。
【請求項１２】
前記多層セラミック・パッケージがガラス・セラミック・パッケージである、請求項１に記載の多層セラミック・パッケージ。
【請求項１３】
前記複数のバイアが、前記複数の信号層のうちの１つまたは複数の信号層および前記少なくとも１つのメッシュ層を介して垂直に延在する、請求項１に記載の多層セラミック・パッケージ。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの基準メッシュ層が、セラミック基板と、前記セラミック基板内に作製されたメッシュ基準層であって、第１の方向に延在する第１のセットの間隔基準線およびこれと交差して延在し前記第１のセットの間隔基準線に接続された第２のセットの間隔基準線を備える、メッシュ基準層と、前記第１のセットから選択された基準線および前記第２のセットから選択された基準線を相互に接続する少なくとも１つの金属クロスと、を含む、請求項１に記載のセラミック・パッケージ。
【請求項１５】
セラミック基板と、
前記セラミック基板内に作製されたメッシュ基準層であって、前記メッシュ基準層が、第１の方向に延在する第１のセットの間隔基準線およびこれと交差して延在し前記第１のセットの間隔基準線に接続された第２のセットの間隔基準線、および、前記第１のセットの間隔基準線間の前記第１の方向に延在する複数の間隔を備え、前記第１のセットの間隔基準線間の前記複数の間隔のサイズが事前に定義されたパターンで交互になる、メッシュ基準層と、
を備える、メッシュ平面。
【請求項１６】
前記事前に定義されたパターンが広い狭いおよび狭い広いパターンを含む、請求項１５に記載のメッシュ平面。
【請求項１７】
前記広い狭いパターンが２対１（２：１）の割合であり、前記狭い広いパターンが１対２（１：２）の割合である、請求項１６に記載のメッシュ平面。
【請求項１８】
前記第１のセットから選択された間隔基準線および前記第２のセットから選択された間隔基準線を相互に接続する、少なくとも１つの金属クロスをさらに含む、請求項１５に記載のメッシュ平面。
【請求項１９】
多層セラミック・パッケージ設計を提供することであって、前記多層セラミック・パッケージ設計が、複数の信号線をその上に有する少なくとも１つの信号平面、および前記信号平面に平行に配設された少なくとも１つの基準メッシュ平面を含み、互いに対して等しく離隔された複数のメッシュ線を有する、提供することと、
前記メッシュ線間の間隔のサイズが交互になる新規なメッシュ平面設計を提供するために、前記セラミック・パッケージ設計にアクセスし、前記等しく離隔されたメッシュ線を再配置するための、メッシュ調整エンジンを提供することと、および
新規な多層セラミック・パッケージ設計を提供するために、前記新規なメッシュ平面設計と前記多層セラミック・パッケージ設計の他の構成要素とを統合することと、
を含む、方法。
【請求項２０】
前記新規な多層セラミック・パッケージ設計に基づいて、多層セラミック・パッケージを作製することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
メッシュ線間の間隔がＮと２Ｎのパターンで交互になり、Ｎは所望の測定単位を表す、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
多層セラミック・パッケージ設計を提供するように構成された多層セラミック・パッケージ設計システムであって、前記多層セラミック・パッケージ設計が、複数の信号線をその上に有する少なくとも１つの信号平面、および前記信号平面に平行に配設された少なくとも１つの基準メッシュ平面を含み、互いに対して等しく離隔された複数のメッシュ線を有する、多層セラミック・パッケージ設計システムと、
前記多層セラミック・パッケージ設計にアクセスすること、および、前記メッシュ線のうちの選択されたメッシュ線が配置される新しい基準メッシュ平面を提供することを、実行するように構成された、メッシュ調整エンジンであって、前記配置されたメッシュ線に隣接する間隔のサイズが交互パターンで配置構成される、メッシュ調整エンジンと、
を備える、システム。
【請求項２３】
前記メッシュ調整エンジンが、前記間隔の交互パターンに対してＮおよび２Ｎの割合を設定し、前記設定を維持するために前記メッシュ線のうちの選択されたメッシュ線を配置し、Ｎは測定単位を表す、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
コンピュータ・プログラム・コードが組み込まれたコンピュータ読み取り可能媒体であって、前記コンピュータ・プログラム・コードが、
多層セラミック・パッケージ設計を受信するためのコンピュータ・プログラム・コードであって、前記多層セラミック・パッケージ設計が、その上に複数の信号線を有する少なくとも１つの信号平面と、前記信号平面に平行に配設され、互いに対して等しく離隔された複数のメッシュ線を有する、少なくとも１つの基準メッシュ平面とを含む、コンピュータ・プログラム・コードと、
関連付けられたノイズ・レベルを決定するために前記多層セラミック・パッケージ設計を分析するためのコンピュータ・プログラム・コードと、
前記メッシュ線間の間隔がＮおよび２Ｎパターンであるように前記メッシュ線を修正するためのコンピュータ・プログラム・コードであって、Ｎは測定単位を表す、コンピュータ・プログラム・コードと、
を含む、コンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項２５】
前記多層セラミック・パッケージ設計を分析する前記コンピュータ・プログラム・コードが、前記多層セラミック・パッケージ設計の三次元（３Ｄ）イメージ設計を生成するためのコンピュータ・プログラム・コードと、前記３Ｄイメージ設計をシミュレートし、前記パッケージ内に前記ノイズを表す電圧を生成するための、プログラム・コードとを、さらに含む、請求項２４に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は集積回路に関し、より具体的には、多層セラミック・パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
パッケージは通常、半導体チップまたはモジュールを装着または支持するために使用される。典型的な半導体チップは、半導体基板上に形成された小型半導体デバイスを含む。シリコンなどの半導体基板は、通常、脆弱であり、支持および機械的剛性のために半導体基板がその上に装着されるキャリアに依拠する。加えてキャリアは、支持を提供するために、チップとデバイスとの間に、プリント回路基板（ＰＣＢ）などの機械的および電気的インターフェースを提供し、この上にチップ／キャリアの組み合わせが装着される。この組み合わせは「チップ・キャリア」または「チップ・パッケージ」と呼ばれ、単一チップ・モジュール（ＳＣＭ）または複数チップ・モジュール（ＭＣＭ）が可能である。
【０００３】
多層セラミック・パッケージは、非常に高い配線および電力密度を提供できることから、ＳＣＭまたはＭＣＭとプリント回路基板（ＰＣＢ）とをインターフェースさせるために魅力的なものである。密度は、効率的かつ高性能なシステムの顕著な特徴である。従来のセラミック・パッケージは、通常、導電体を担持し複数の基準平面間に挟まれた複数の信号平面から形成される。各信号平面は、信号平面に供給（Ｖｄｄ）および接地（ｇｎｄ）電位を提供する上部および下部の基準平面間に配置される。各基準平面は、通常、バイアがアクセス可能な交差基準線から形成されるグリッド構造である。グリッド構造は、セラミック基板上に作製可能である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高性能システムによって課せられる性能要件を満たすために、チップ・パッケージ内に提供される信号線の数および信号速度は着実に増加してきた。速度および信号線の数が増加するにつれて、同じ層内の信号線間および隣接層内の信号線との間のクロストーク（ｃｒｏｓｓ−ｔａｌｋ）の可能性も増加する。クロストークの結果、電気的ノイズが生成され、これがチップ・パッケージ内の信号速度および性能に悪影響を与える。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に従い、改良された多層セラミック・パッケージが提供される。パッケージは、それぞれが１本または複数の信号線を有する複数の信号平面と、それぞれが電圧（Ｖｄｄ）電力接続または接地（Ｇｎｄ）接続のうちの１つを提供する複数のバイアと、信号層とも呼ばれる１つまたは複数の信号平面に隣接し、これと平行な、少なくとも１つの基準メッシュ平面とを含む。基準メッシュ平面は、基準メッシュ層の平面内で交互の相対的に狭い間隔および相対的に広い間隔で１方向に区切られた、複数の交差基準線を含む。例示的な一実施形態では、間隔は２対１の割合および１対２の割合である。言い換えれば、相対的に狭い間隔はＮ単位で表され、相対的に広い間隔は２Ｎ単位で表され、Ｎは所望の測定単位を表す。他の例では、基準メッシュ平面内の交互間隔は、信号平面内で信号伝搬方向に変位または配置される。交互の狭い／広いまたは広い／狭い間隔を備える新規のメッシュ平面は、多層セラミック・パッケージ内の信号線間を結合する遠端（Ｆａｒ−Ｅｎｄ）（ＦＥ）ノイズを大幅に減少させる。ＦＥノイズ・レベルは、信号平面内の信号線の両側にシールド線を作製することによって、さらに減少させることができる。
【０００６】
新規な基準層または基準平面を備える多層パッケージは、コンピュータ上で実行されるプログラム製品によって実装される方法から開発可能である。プログラム製品は、コンピュータ使用可能媒体内に埋め込まれるコンピュータ使用可能プログラム・コードを含む。
【０００７】
本発明の他の実施形態は、新規な基準メッシュ層を備える多層セラミック・パッケージを設計および作製するシステムを提供する。システムは、複数の信号線を有する信号平面と、信号平面に平行に配置された複数の交差基準線を有するメッシュ基準平面とを含む、多層セラミック・パッケージを生成するように構成された、多層パッケージ設計エンジンを含む。メッシュ最適化エンジンは、基準線の配置を調整するように構成されるため、調整された基準線に関連付けられた間隔は２対１（２：１）の割合で交互になる。セラミック・パッケージ作製システムは、新規な基準平面を含む設計に基づいて多層セラミック・パッケージを作製する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】基準メッシュ平面の基準線間に一定間隔を備える多層セラミック・パッケージを示す三次元（３Ｄ）透視図である。
【図２】基準線間の一定間隔と信号平面内の信号伝搬方向とを示す基準メッシュ平面を示す、概略部分平面図である。
【図３】一定間隔を備える基準平面を示す、概略全または完全平面図である。
【図４】図１に示された３Ｄ多層セラミック・パッケージを示す、概略断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に従った、新規な基準メッシュ平面を備える多層セラミック・パッケージを示す、概略３Ｄ透視図である。
【図６】信号平面内の交互間隔方式および信号伝搬方向を示す、図５に示された新規な基準メッシュ平面を示す、概略部分平面図である。
【図７】本発明の実施形態に従った交互間隔方式を示す、図５に示された新規な基準メッシュ平面を示す、概略全平面図である。
【図８】図５に示された新規な基準メッシュ平面を備える３Ｄ多層セラミック・パッケージを示す、概略断面図である。
【図９】交互間隔を備える基準メッシュ平面および信号平面内のシールド線を示す、多層セラミック・パッケージの概略３Ｄ透視図である。
【図１０】シールド線と交互間隔を備える基準メッシュ平面とを示す、図９の概略平面図である。
【図１１】図９に示された多層セラミック・パッケージを示す概略断面図である。
【図１２】基準メッシュ平面内に一定間隔を有する多層セラミック・パッケージ、および基準メッシュ平面内に交互間隔を有する多層パッケージ内の、ＦＥ（遠端）ノイズを示すグラフである。
【図１３】一定間隔を備える基準メッシュ平面を有する多層セラミック・パッケージ、信号平面内のシールド線および基準メッシュ平面内の交互間隔を有する多層セラミック・パッケージ内の、ＦＥノイズを示すグラフである。
【図１４】例示的データ処理システムと、内部に多層セラミック・パッケージの実施形態が設計および作製可能な作製機構とを示す図である。
【図１５】多層セラミック・パッケージを設計および作製するためのシステムの、代替の例示的ブロック図である。
【図１６】交互間隔のみを備えるか、または交互間隔および信号平面内のシールド線を備える、基準メッシュ平面を設計するための方法を示す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
次に図１を参照すると、三次元（３Ｄ）多層セラミック・パッケージ１００の従来のモデル／設計が示されている。図に示されるように、多層セラミック・パッケージ１００は、４つの基準メッシュ平面／層１０２、１０４、１０６、および１０８と、基準メッシュ平面／層１０２、１０４、１０６、および１０８の間に点在する信号線Ｓ１〜Ｓ９を備える複数の信号（トレース）層（３つを図示）と、基準メッシュ平面／層１０２、１０４、１０６、および１０８を通って延在する複数のバイア（一部が図示され、１１８、１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、および１３０とラベル付けされている）とを備える。基準メッシュ平面／層は同一である。したがって、１つの説明がすべての説明をカバーしているものと意図される。それぞれの基準メッシュ平面は、その上に複数の基準メッシュ線が配設され格子構造を形成するように相互接続された、セラミック基板を含む。図１に（図２ではより明確に）示されるように、格子構造は、Ｘ−Ｙ平面のＹ軸に平行に延在する第１のセットの離隔基準線と、Ｘ−Ｙ平面のＸ方向に延在する第２のセットの離隔基準線とを含む。第１のセットおよび第２のセットのうちの選択されたセットは、金属クロス構造によって接続される。金属クロス構造のうちの１４０および１４２とラベル付けされた２つが、図１に示されている。
【００１０】
さらに図１を参照すると、基準メッシュ平面または層はスタック構成で配置され、互いに対して変位する。それぞれの基準メッシュ平面は、Ｖｄｄ（ｇｎｄ上）電位または接地（ｇｎｄ）電位のいずれかを提供する。したがって、図示されていないが、それぞれの基準メッシュ平面には、場合によっては外部電源からＶｄｄまたはｇｎｄ電位を受け入れるかまたは受け取るための適切な接続が提供される。スタック内での基準メッシュ平面は、極性に基づいて交互になるように配置構成される。たとえば、ｇｎｄ電位を提供する基準メッシュ平面の後にはＶｄｄ電位を提供する平面が続き、その後には別のｇｎｄ電位を提供する平面が続く、という具合である。バイアは、それぞれ選択された接地または地上（ａｂｏｖｅ  ｇｒｏｕｎｄ）基準メッシュ平面と接触するように、ならびに多層セラミック・パッケージ全体にわたって接地および地上電位を分配するように、配置構成される。信号伝搬はＸ方向である。メッシュ線間の間隔１３２、１３４、１３６、および１３８は一定または同一である。特に、図１の従来の多層セラミック・パッケージでは、隣接する信号ネット間のノイズ／クロストークの結合問題、およびセラミック・パッケージ内の共振の問題は、望ましくないが一般的である。本明細書で説明される本発明の実施形態に従って基準メッシュ平面を設計変更することにより、セラミック・パッケージのノイズなどの望ましくない特徴は解消されるか、または大幅に低減される。
【００１１】
図２は、図１の基準メッシュ平面１０２〜１０８と同一の従来の基準メッシュ平面２００の（ＸＹ平面と対面する）概略平面図である。メッシュ平面２００は、ＸＹ平面のＸ方向に延在する第１のセットのメッシュ線２０２〜２２２を備える。第２のセットのメッシュ線２２３〜２３１は、ＸＹ平面のＹ方向に延在する。第１のセットおよび第２のセットのメッシュ線は、統合メッシュを形成するために相互接続される。この構成の場合、信号伝搬はＸＹ平面のＸ方向（正および負）である。第１のセットの線間の間隔は同一または一定である。
【００１２】
図３は、図１の多層セラミック・パッケージの概略平面図（鳥瞰図）３００である。この図は、一定の間隔を備える従来のメッシュ層を示す。破線３０２は、図の詳細なセクションを囲んでいる。囲まれたセクションは、金属クロス３１４〜３２８によって相互接続されたメッシュ線３０４〜３１２および３３０〜３３８を示す。金属クロスはメッシュ構造に剛性および機械的強度を提供し、ｇｎｄバイアをｇｎｄ平面に接続し、ｖｄｄバイアをｖｄｄ平面に接続する。図内にはバイア３４０も示されている。信号線は信号を伝送し、バイアは多層セラミック・パッケージ内の平面に適切な電位を提供する。たとえば、ｇｎｄバイアはｇｎｄ平面を接続するために使用され、ｖｄｄバイアはｖｄｄ平面を接続するために使用される。このように実行することにより、すべてのｇｎｄ平面はｇｎｄバイアによって同じｇｎｄ電位を有し、すべてのｖｄｄ平面はｖｄｄバイアによって同じｖｄｄ電位を有する。図に示されるように、メッシュ線間の間隔は同じかまたは一定である。
【００１３】
図４は、メッシュ線間に一定の間隔を備える従来の基準メッシュ平面を含む、従来の多層セラミック・パッケージの断面図を示す。断面図４００は、メッシュ平面４０２、４０４、４０６、および４０８を提供する。複数のメッシュ線４１０はメッシュ平面のそれぞれに接続される。従来のメッシュ平面内の間隔は一定または同一である。バイア４１２、４１４、４１６、および４１８はメッシュ平面４０８〜４０２を相互接続する。信号平面とも呼ばれる信号層４２０、４２２、および４２４が、メッシュ平面間に点在する。信号線Ｓ７、Ｓ８、およびＳ９が信号層４２０内に作製され、信号線Ｓ４、Ｓ５、およびＳ６が信号層４２２内に作製され、信号線Ｓ１、Ｓ２、およびＳ３が信号層４２４内に作製される。以下でより詳細に説明されるように、信号線Ｓ５は構造体の中央に位置するため、他の信号線上での信号伝送の結果として生じるクロストークによって発生する最大ノイズを体験する。従来の多層セラミック・パッケージ内のノイズ・アクティビティについて考察および測定するために、Ｓ５を「犠牲（ｖｉｃｔｉｍ）信号線」と呼び、ノイズを発生させるかまたは課する他の線を「攻撃（ａｇｇｒｅｓｓｏｒ）信号線」と呼ぶ。図１に示されたような従来の多層セラミック・パッケージは、そのノイズに対する脆弱性の結果、相対的に遅い伝送速度で動作するデバイスに格下げされる。これらのデバイスはローエンド・デバイスと呼ばれる。これとは対照的に、以下に記載された本発明の実施形態は、関連付けられた多層パッケージ内のノイズを消去するかまたは大幅に低減させる。したがって、相対的に速い伝送速度で動作するデバイス（ハイエンド・デバイスと呼ばれる）内、および相対的に遅い伝送速度で動作するデバイス（ローエンド・デバイスと呼ばれる）内で使用可能である。言い換えれば、本発明の実施形態は、ローエンドおよびハイエンドのデバイス内での使用に好適である。
【００１４】
次に図５を参照すると、本発明の実施形態に従って設計および作製される多層セラミック・パッケージ５００の例示的概略３Ｄ図が示されている。図５の基準メッシュ平面またはメッシュ層の新規な構造を除き、残りの構造は図１の構造とほぼ同じである。本書では「平面」および「層」は互換的に使用される。言い換えれば、「層」および「平面」は同義語である。多層パッケージ５００は、４つの基準メッシュ層５０２〜５０８と、メッシュ層間に点在する複数の信号層と、９本の信号線Ｓ１〜Ｓ９と、最下基準メッシュ層５０８から中間メッシュ層を通り最上メッシュ層５０２へと延在する複数のバイア５１８〜５３０とを備える。それぞれのメッシュ平面は複数の相互接続された交差メッシュ線から形成され、そのうちのいくつかはＸＹ平面のＸ軸に平行に延在し、その他はＸＹ平面のＹ軸に平行に延在する。信号線Ｓ１〜Ｓ９をそれぞれ担持する信号層は、基準メッシュ層に対して平行に位置付けられる。とりわけ、図５の多層セラミック・パッケージは、セラミック・パッケージ内の遠端（ＦＥ）ノイズなどの干渉を消去するかまたは大幅に低減させる、新規な基準メッシュ層構造を含む。これにより、高性能（ハイエンド）デバイスならびに低性能（ローエンド）デバイス内での使用にとって魅力的となる。基準メッシュ平面は、摂氏９００度を超える温度でラミネートおよび焼結される個々のセラミック・シートまたは基板上での導体のスクリーニングによって作製することができる。同様に、開示された実施形態の基準メッシュ層は、他の知られたプロセスによっても作製可能である。
【００１５】
さらに図５を参照すると、信号線Ｓ１〜Ｓ９内での信号伝送は、ＸＹ平面の正および負のＸ方向である。信号伝送が他の方向であるように多層セラミック・パッケージの向きを変更することは当業者の範囲内であるため、これは、開示された実施形態の範囲または教示に対する制限として解釈されるべきではない。こうしたいずれの変更も添付の特許請求の範囲によってカバーされていることは、出願人の意図である。電流の方向のメッシュ線間の間隔は、番号５３２および５３６によって識別される間隔Ｉと番号５３４および５３８によって識別される間隔ＩＩとが交互になり、間隔Ｉおよび間隔ＩＩは異なる寸法である。言い換えれば、間隔ＩがＮ単位の測定を表す場合、間隔ＩＩは２Ｎ単位の測定、または設計者によって選択された任意の他の割合を表すことになる。同様に、間隔ＩＩがＭ単位の測定である場合、間隔ＩはＭ割る２の単位となる。測定の単位は設計者の選択とすることができる。本明細書で後述されるように、新規な基準メッシュ層を使用する多層セラミック・パッケージは、遠端（ＦＥ）ノイズを消去するかまたは大幅に低減させる。この例示の場合、Ｓ５は「犠牲」信号線であり、Ｓ１〜Ｓ４およびＳ６〜Ｓ９は攻撃信号線である。
【００１６】
次に図６を参照すると、図５で使用された新規な基準メッシュ平面６００の概略部分平面図（鳥瞰図）が示されている。この図は、基準メッシュ平面６００で使用される交互間隔方式を示す。メッシュ平面６００は、第２のセットの直交メッシュ線６１８〜６２６と相互接続された第１のセットのメッシュ線６０２〜６１６を含む。図示された構造では、両矢印６２８は、ＸＹ平面内のＸ軸の正および負の方向に沿った信号伝搬方向を表す。本開示の範囲および教示を逸脱することなく、他の信号伝搬方向が選択可能であることに留意されたい。とりわけ、新規な基準メッシュ層６００内では、第１のセットのメッシュ線６０２〜６１６間で間隔Ｉおよび間隔ＩＩとラベル表示された間隔は、両矢印６２８によって示された信号伝搬方向に交互のパターンで変化する。間隔Ｉと間隔ＩＩとの間の関係は、間隔ＩＩが２つの間隔Ｉに等しいようになっている。実施形態の趣旨および教示を逸脱することなく、間隔Ｉと間隔ＩＩとの間の他の割合も選択可能であることに留意されたい。
【００１７】
次に図７を参照すると、図５の多層セラミック・パッケージ概略平面図が示されている。平面図７００は、メッシュ線７０４〜７１２および交互の間隔７１６、７１８、７２０、および７２２を備える、新規なメッシュ平面を示す。囲まれたセクションは、金属クロス７２４〜７３８によって相互接続された、メッシュ線７０４〜７１２と７５０〜７５８とを示す。金属クロス７２４〜７３８はメッシュ線をまとめて保持する。加えて、複数のバイア７４６が示されている。バイア７４６はそれぞれ、それぞれの金属クロスに関連付けられ、それに対してｇｎｄ電位またはＶｄｄ（地上電位）を提供する。
【００１８】
次に図８を参照すると、図５の例示的多層セラミック・パッケージの概略断面図が示されている。この図は、交互の間隔を備えたメッシュ平面構造を示す。断面図８００は、メッシュ線８１０を備えた基準メッシュ層８０２〜８０８を備える。信号平面８１２、８１４、および８１６はメッシュ平面間に点在する。信号線Ｓ７、Ｓ８、およびＳ９が信号層８１６内に作製され、信号線Ｓ４、Ｓ５、およびＳ６が信号層８１４内に作製され、信号線Ｓ１、Ｓ２、およびＳ３が信号層８１２内に作製される。バイア８１８、８２０、８２２、および８２４はメッシュ層８０８、８０６、８０４、および８０２を相互接続する。
【００１９】
図９は、交互間隔を備える基準メッシュ平面および信号伝搬層内のシールド線を有する、多層セラミック・パッケージの概略三次元図である。信号平面内のシールド線およびメッシュ平面内の交互間隔を含むセラミック・パッケージは、多層構造内の遠端（ＦＥ）ノイズをさらに低減させる。図９の３Ｄセラミック構造は、シールド線を除き、図５の３Ｄセラミック構造とほぼ同じである。また、図９の３Ｄセラミック構造は、交互間隔および信号平面内のシールド線を備える新規のメッシュ平面を除き、図１内の構造とほぼ同一である。３Ｄセラミック構造９００は、４つのメッシュ平面９０２、９０４、９０６、および９０８と、メッシュ平面と平行に点在および走行する複数の信号平面と、最下メッシュ平面９０８から中間メッシュ平面９０６および９０４を通り最上メッシュ平面９０２へと延在する複数のバイアと、複数の信号平面上に作製される信号線Ｓ１〜Ｓ９と、信号線の両側に配設されたシールド線とを備える。この実施形態では、メッシュ線間の間隔９３２、９３４、９３６、および９３８は、ＸＹ平面のＸ方向に２：１（２対１）の割合で交互になる。本実施形態の教示から逸脱することなく、他の割合が選択可能であることに留意されたい。この実施形態では、信号の流れはＸＹ平面のＸ方向（正および負）である。信号の流れが他の方向である構造の他の向きを提供することは当業者の範囲内であり、こうした構造は本開示の教示によって依然としてカバーされることに留意されたい。シールド線は信号線に平行に、両側に延在する。
【００２０】
次に図１０を参照すると、図９のセラミック構造の概略平面図（鳥瞰図）が示されている。平面図１０００は、金属クロス１０１８〜１０３２によって相互接続されたメッシュ線１０５０〜１０５８および１００６〜１０１４を含む。バイア（斜交平行線模様の領域）はそれぞれの金属クロス１０１８〜１０３２に結合される。間隔１０３４、１０３６、１０３８、および１０４０は、所望の方向に交互になる。シールド線１０４２、１０４４、１０４６、および１０４８は、各信号線の両側にペアで配置構成される。シールド線は信号線と平行に走行し、信号線と同じ長さである。加えて、選択されたシールド線が、特定のシールド線が内部に延在する方向性パスに沿って配置された１つまたは複数のバイアと相互接続される。
【００２１】
次に図１１を参照すると、図９の概略断面図が示されている。断面図１１００はメッシュ平面１１０２〜１１０８を含む。複数のメッシュ線１１１０が、メッシュ平面上に動作可能なように分散される。信号平面１１１２〜１１１６がメッシュ平面間に位置付けられる。信号線Ｓ７、Ｓ８、およびＳ９が信号平面１１１６内にあり、信号線Ｓ４、Ｓ５、およびＳ６が信号平面１１１４内にあり、信号線Ｓ１、Ｓ２、およびＳ３が信号平面１１１２内にある。バイア１１１８、１１２０、１１２２、および１１２４が、メッシュ平面１１０８からメッシュ１１０６、１１０４を通って延在し、メッシュ平面１１０２で終端する。シールド線１１２６、１１２８、１１３０、および１１３２が信号平面１１１６内にある。加えて、信号線Ｓ７、Ｓ８、およびＳ９も信号平面１１１６内にある。同様に、シールド線１１３４、１１３６、１１３８、１１４０、信号線Ｓ４、Ｓ５、およびＳ６が信号平面１１１４内にある。最後に、シールド線１１４２、１１４６、１１４８、および１１５０が信号平面１１１２内にある。加えて、信号線Ｓ１、Ｓ２、およびＳ３も信号層１１１２内にある。シールド線は選択されたバイアに選択的に接続される。以上、遠端（ＦＥ）ノイズを大幅に低減させる多層セラミック・パッケージのための新規な構造について説明してきたが、次に、改良された構造の性能と従来の構造の性能との比較について説明する。
【００２２】
図５に記載されたような交互の間隔を備える多層セラミック・パッケージ設計は、本明細書に記載される手順に従って通電（ｅｎｅｒｇｉｚｅ）または活動化された。同様に、図１に記載されたような一定の間隔を備える従来の多層セラミック・パッケージ設計も、本明細書に記載される手順に従って通電または活動化された。以下の表１は、ＦＥノイズを低減または抑制させるための新規な構造の優位性を明確に示す結果を記載している。
【表１】
2013115430.tif 000003
【００２３】
表に示されるように、表１は２つの列を備える。列１は実行されている構造を列挙し、列２は各構造に関連付けられた最大ＦＥノイズを列挙している。表１は、表の行を介して示される２つの別個の構成に関する結合ノイズを提供する。第１の構成行は、メッシュ平面内で一定間隔を使用する構成に関する結果を提供し、第２の構成行は、交互間隔を備えるメッシュ平面を使用する。構成はコンピュータ生成され、ノイズ結合比較を提供するためにＰｏｗｅｒＳＰＩＣＥシミュレータ上で実行される。ＰｏｗｅｒＳＰＩＣＥはインターナショナル・ビジネス・マシンズのＳＰＩＣＥシミュレータである。市販製品は、Ｃａｄｅｎｃｅ  Ｄｅｓｉｇｎ  ＳｙｓｔｅｍｓによるＰＳＰＩＣＥマーケット、およびＳｙｎｏｐｓｙｓによるＨＳＰＩＣＥマーケットを含むことができる。立ち上がり時間７５ピコ秒（ｐｓｅｃ）の１ボルト（１Ｖ）のランプ・ソースが、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、およびＳ９の入力に印加される。このシミュレーションでは、信号線の長さが２ｃｍに選択された。シミュレーションでは、犠牲ネットとして信号ネットＳ５（図５および図１を参照のこと）が選択された。信号線の入力および出力は、５０オーム抵抗で終端された。
【００２４】
表１は、一定間隔を備えるメッシュ平面および交互間隔を備えるメッシュ平面を使用する構成に関して、８つのすべての攻撃によるＳ５の犠牲信号ネット上での遠端（ＦＥ）結合の影響を示す。表１は、交互間隔を備えるメッシュ平面を使用する構造によって、最大ＦＥノイズが大幅に（３１．８％）低減されることを示す。
【００２５】
ＦＥノイズの制御において、等しいかまたは一定の間隔を備える構造よりも交互間隔を使用する構造の方が優れている理由に関して、以下で数学的に説明する。信号線が入力および出力において５０Ω抵抗で終端し、攻撃がパルス励起を伴うものである場合、最大（または飽和）遠端（ＦＥ）ノイズ、ＶＦは、以下のように表すことが可能であり、
【数１】
2013115430.tif 000004
上式で、ＣｍおよびＣは、それぞれ単位長さ当たりの相互キャパシタンスおよび単位長さ当たりの自己キャパシタンスであり、ＬｍおよびＬは、それぞれ単位長さ当たりの相互インダクタンスおよび単位長さ当たりの自己インダクタンスである。ＶＳはアクティブ線上の電圧振幅、ｌは結合長さ、およびｔｒは入力パルス立ち上がり時間である。最大（または飽和）ＦＥノイズは、Ｃｍ、Ｃ、Ｌｍ、およびＬの大きさに依存して負または正が可能であることは明らかである。言い換えれば、遠端（ＦＥ）ノイズ結合は、以下の条件に合致した場合に消去可能である。
【数２】
2013115430.tif 000005
上式（２）における条件は、相互接続構造が数式（２）内の均衡条件を満たすように設計できる場合、遠端（ＦＥ）ノイズを完全に消去できることを示唆していることに留意されたい。
しかしながら、
【数３】
2013115430.tif 000006
は通常非ゼロである。すなわち、ほとんどの実際的なケースでは
【数４】
2013115430.tif 000007
である。
交互間隔を備えたメッシュ平面構造内の方が、一定間隔を備えた従来のメッシュ平面構造内よりも小さい最大遠端（ＦＥ）ノイズが観測された理由は、交互間隔を備えたメッシュ構造が、
【数５】
2013115430.tif 000008
において、一定間隔を備えた従来のメッシュ構造よりも小さい数を生成できるためである。
【００２６】
交互間隔を備えたメッシュ平面構造内でシールド線を採用することによって、遠端（ＦＥ）ノイズをさらに低減させることができる（図９を参照）。表ＩＩは２つの列を含む。第１の列は実行されている構造を列挙している。第２の列は、８つのすべての攻撃線Ｓ１〜Ｓ４およびＳ６〜Ｓ９によって課せられる、犠牲線（Ｓ５）上のＦＥノイズ結合の結果を列挙している。第１の構成列は、一定間隔を備えるメッシュ平面を使用する構造に関する結果を提供する。第２の構成列は、交互間隔を備えるメッシュ平面を使用する。どちらの構造も、以下のように実行された。立ち上がり時間７５ピコ秒（ｐｓｅｃ）の１ボルト（１Ｖ）のランプ・ソースが、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、およびＳ９の入力に印加される。このシミュレーションでは、信号線の長さが２ｃｍに選択された。シミュレーションでは、犠牲ネットとして信号ネットＳ５（図５および図１を参照のこと）が選択された。信号線の入力および出力は、５０オーム抵抗で終端された。表ＩＩはこれらの結果をまとめたものである。交互間隔およびシールド線を備えるメッシュ平面によって、最大ＦＥノイズ電圧が大幅に低減されること（このケースでは７５．３％低減）が観察されている。
【表２】
2013115430.tif 000009
【００２７】
図１２は、本発明の実施形態に従った交互間隔を備えるメッシュ平面を有する多層セラミック構造（図５）、および一定間隔を備えるメッシュ平面を有する多層セラミック構造（図１）に関する、８つのすべての攻撃ネットによる犠牲信号ネット（図５および図１のＳ５など）上の遠端（ＦＥ）ノイズの波形の比較を示すグラフである。グラフ１２００は、交互間隔を備えるメッシュ平面を有するトレース構成の結果として生じるＦＥノイズ波形１２０２を示す。グラフ１２００は、一定間隔を備えるメッシュ平面を有するトレース構造の結果として生じるＦＥノイズ波形１２０４も示す。グラフ１２０２とグラフ１２０４との比較は、最大ＦＥノイズ電圧が、交互間隔を備えるメッシュ平面構造によって大幅に低減されること（グラフ１２００のケースでは３１．８％の低減）を示している。
【００２８】
図１３は、本発明の実施形態に従った交互間隔およびシールド線を備えるメッシュ平面を有する多層セラミック構造（図９）、および一定間隔を備えるメッシュ平面を有する多層セラミック構造（図１）に関する、８つのすべての攻撃ネットによる犠牲信号ネット（図１および図９のＳ５など）上の遠端（ＦＥ）ノイズの波形の比較を示すグラフである。グラフ１３００は、交互間隔および信号平面内のシールド線を備えるメッシュ平面を有するトレース構成の結果として生じるＦＥノイズ波形１３０２を示す。グラフ１３００は、一定間隔を備えるメッシュ平面を有するトレース構造の結果として生じるＦＥノイズ波形１３０４も示す。グラフ１３０２とグラフ１３０４との比較は、最大ＦＥノイズ電圧が、交互間隔およびシールド線を備えるメッシュ平面構造によって大幅に低減されること（グラフ１３００のケースでは７５．３％の低減）を示している。
【００２９】
図１４は、インターネットなどの通信ネットワーク１４０６によって作製システム機構１４０２およびリモート・サーバ１４０４に結合された、例示的データ処理システム（ＤＰＳ）１４００を示すブロック図である。ＤＰＳ１４００は、本発明の実施形態に従った多層セラミック・パッケージのための設計を生成する。この設計は作製システム機構１４０２に送達され、この機構が送達された設計に従って多層セラミック・パッケージを作製する。この設計は、インターネットまたは何らかの他のタイプの通信ネットワークを介して作製機構１４０２に送達するか、またはコンピュータ読み取り可能媒体上に記録し、良く知られた送達サービスのうちの１つによって送達することが可能である。リモート・サーバ１４０４は、設計データまたは他の情報をＤＰＳ１４００に提供することができる。ＤＰＳ１４００と作製システム機構１４０２との間の破線は、インターネット以外の代替方法を表し、これによって設計を作製機構１４０２に送達することができる。
【００３０】
さらに図１４を参照すると、ＤＰＳ１４００は、システム・バス１４１０によってストレージ１４１２、システム・メモリ１４１４、入力／出力コントローラ（Ｉ／Ｏ  ＣＴＬ）１４１６、およびネットワーク・インターフェース・デバイス（ＮＩＤ）１４１８に結合される、ＣＰＵ１４０８を含む。ＮＩＤ１４１８は、通信ネットワーク１４０６、それに結合されたデバイス、およびＤＰＳ１４００の間に、ネットワーク接続を提供する。Ｉ／Ｏコントローラ１４１６は、ＵＳＢ１４２０、マウス１４２２、キーボード１４２４、ディスプレイ１４２６、およびマルチメディア・ドライブ１４０８（たとえば、コンパクト・ディスク読み取り／書き込み（ＣＤＲＷ）またはデジタル・ビデオ・ディスク（ＤＶＤ）ドライブ）を含むことが可能な、Ｉ／Ｏデバイスに、ＣＰＵ１４０８への接続を提供する。Ｉ／Ｏデバイスは、情報を入力すること、またはそこから抽出すること、あるいはその両方によって、ユーザがＤＰＳ１４００と通信できるようにする。たとえば、マルチメディア・ドライブ１４２８およびＵＳＢポート１４２０は、データ／命令／コードをそこに格納すること、または、データ／命令／コードをそこから取り出すこと、あるいはその両方が可能な、取り外し可能ストレージ・デバイス（たとえば光ディスクまたは「サム」ドライブ）の挿入を実行可能にする。デバイスは通常の従来型方法で使用されるため、これ以上は考察しない。様々な多層セラミック・パッケージの設計特徴は、ストレージ１４１２内に格納され、ＣＰＵ１４０８によって実行される、ソフトウェア（またはファームウェア）コードまたは論理によって完了／サポートされる。したがって、たとえばシステム・メモリ１４１４内には、シミュレータ１４３０、トレース構成１４３２、設計１４３４、メッシュ調整（ＭＡ）ユーティリティ１４３６、超高速集積回路ハードウェア記述言語（ＶＨＤＬ）／Ｖｅｒｉｌｏｇ１４３８、およびオペレーティング・システム（ＯＳ）１４４０を含む、いくつかのソフトウェア／ファームウェア／論理モジュールまたは構成要素が示されている。ＭＡユーティリティ１４３６は、本発明の実施形態に従って多層セラミック・パッケージを生成するプログラム・コードを含む。とりわけ、この構造の基準メッシュ平面は、前述のように交互である。プログラム・コード／論理などは、本明細書に記載された実施形態または流れ図あるいはその両方に基づいている。トレース構成１４３２は、ＣＰＵ１４０８によって実行された場合に従来の多層セラミック・パッケージを生成するプログラム・コードを含む。とりわけ、本明細書に記載されるように、構造内の間隔は一定である。設計モジュール１４３４は、ＭＡユーティリティ１４３６からのコードまたはトレース構成１４３２からのコード、あるいはその両方の、ＣＰＵの実行の結果として生じるコードを含む。設計モジュール１４３４からのコードが作製システム機構１４０２に転送され、最終多層パッケージを生成するために使用されることに留意されたい。シミュレータ１４３０はシミュレーション機能を提供し、ＯＳ１４４０はその上にあるアプリケーション・モジュールに対するサポートを提供する。
【００３１】
次に図１５を参照すると、本発明の実施形態に従った多層セラミック・パッケージを設計および作製するための代替システム１５００の例示的ブロック図が示されている。システム１５００は、セラミック・パッケージ設計システム１５０２、設計分析システム１５０４、メッシュ調整エンジン１５０６、およびセラミック・パッケージ作製システム１５０８を含む。指名されたシステムおよびエンジンは、図に示されるように結合される。セラミック・パッケージ設計システム１５０２は、その上に信号線が動作可能なように配置された信号平面、その上に一定メッシュ線を備える電圧および基準メッシュ平面、電圧および接地バイア、ならびに従来のセラミック・パッケージの他の要素を識別する、多層セラミック・パッケージ設計を提供する。設計システム１５０２からの設計データは設計分析エンジン１５０４に提供され、これが設計を分析して、とりわけ、攻撃ネットＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、およびＳ９などの攻撃ネット（図１）によって犠牲ネットＳ５（図１）などの犠牲ネット上に課せられるＦＥノイズを決定する。ＨＦＳＳ（ＡＮＳＹＳによるマーケット）などの市販の３Ｄソルバ（ｓｏｌｖｅｒ）を使用して、設計の３Ｄイメージを生成することが可能であり、これがＳＰＩＣＥなどの他の市販のマシン上で実行され、ミリボルト（Ｍｖ）のノイズ・レベルを提供する。メッシュ線間の一定間隔など（ピッチなど）の他の情報が決定されて、メッシュ調整エンジン１５０６に転送され、これが本明細書に記載されるような交互間隔を組み込むようにメッシュ平面を設計変更する。交互間隔を備えるメッシュ平面を含む新しい設計が、ノイズ・テストを実行することのできる設計分析エンジンに転送される。ノイズ・テストの結果が満足のいくものである場合、交互間隔のメッシュ平面を備える多層セラミック・パッケージの新しい設計が、作製用にセラミック・パッケージ作製システム１５０８に転送される。代替設計では、可変の交互間隔メッシュ平面を備える構造におけるノイズ・レベルが満足のいくものでない場合、構造はメッシュ調整エンジン１５０６に戻され、これが本明細書に記載されるようにシールド線を信号平面に挿入して、さらにノイズを低減させることができる。
【００３２】
図１６は、本発明の実施形態に従った、改良された多層セラミック・パッケージを設計および作製するための方法の流れ図である。方法は、ブロック１６０２で開始し、ブロック１６１４で終了する。ステップ１６０４で、多層セラミック・パッケージ設計が受信される。パッケージは、一定間隔を備えたメッシュ平面を含む、前述の（図１を参照）知られた構成要素を識別する従来のパッケージとすることができる。ステップ１６０６はこの設計を分析し、本明細書に記載された手順を使用して、（とりわけ）パッケージ内のノイズ・レベル、メッシュ平面内のメッシュ線の一定ピッチなどを決定する。ステップ１６０８で、ミリボルト（ｍＶ）単位で提供可能なノイズ・レベルと、必要なシステム特徴に合致するように設計者によって設定可能な所望の基準ノイズ・レベルとが比較される。ノイズ・レベルが満足のいくものである（たとえば設定されたしきい値よりも低い）場合、プロセスはＮＯ経路に沿ってステップ１６１２へと進み、受信された設計に従ってセラミック・パッケージを作製する。
【００３３】
引き続き図１６を参照すると、ステップ１６０８で、ノイズ・レベルが受け入れ難いものである（すなわちしきい値よりも高い）場合、プロセスは「Ｙｅｓ」経路に沿ってステップ１６１０へと進み、交互間隔を備える基準メッシュ平面を挿入することによって設計を調整する。メッシュ平面の設計は、たとえば２：１または２．５：１または３：１または何らかの他の割合などの所望の割合でピッチを設定することによって、達成可能である。可変の交互間隔を備える新しいセラミック設計が、ノイズ・レベルを決定するためにステップ１６０６へと戻される。ノイズ・レベルは、ステップ１６０８で前述のように比較される。これが合格である（すなわちしきい値より低い）場合、作製のために設計はステップ１６１２へと渡され、プロセスはステップ１６１４で終了する。しかしながら、交互間隔を備える構造のノイズ・レベルが、ステップ１６０８で設定されたノイズに関するしきい値よりも依然として高い場合、設計をステップ１６１０に戻して、シールド線（図９を参照）を追加することができる。多層セラミック・パッケージ内でのシールド線および交互間隔の組み合わせが、遠端（ＦＥ）ノイズを大幅に低減させることになる。新しい設計は前述の経路に沿って進行し、ステップ１６１４でプロセスは終了する。
【００３４】
本発明の様々な実施形態について例示の目的で説明してきたが、網羅的であること、または開示された実施形態に限定されることは意図されていない。当業者であれば、説明された実施形態の範囲および趣旨を逸脱することなく、多くの修正および変形が明らかとなろう。本明細書で使用される用語は、実施形態の原理、市場で見られる技術を介した実際の適用例または技術的改良を最も良く説明するため、あるいは、本明細書で開示された実施形態を他の当業者が理解できるようにするために、選択されたものである。
【００３５】
当業者であれば理解されるように、本発明は、システム、方法、またはコンピュータ・プログラム製品として具体化することができる。したがって本発明は、完全にハードウェア実施形態、完全にソフトウェア実施形態（ファームウェア、常駐ソフトウェア、マイクロコードなどを含む）、あるいは、本明細書ではすべてが一般に「回路」、「モジュール」、または「システム」と呼ぶことが可能なソフトウェアとハードウェアの態様を組み合わせた実施形態の形を取ることができる。さらに本発明は、媒体内に格納されたコンピュータ使用可能プログラム・コードを有する任意の有形媒体内で具体化される、コンピュータ・プログラム製品の形を取ることができる。
【００３６】
１つまたは複数のコンピュータ使用可能またはコンピュータ読み取り可能記憶媒体の任意の組み合わせが使用可能である。コンピュータ使用可能またはコンピュータ読み取り可能記憶媒体は、たとえば電子、磁気、光、電磁、赤外線、または半導体のシステム、装置、またはデバイスとすることができるが、これらに限定されるものではない。コンピュータ使用可能媒体のより特定な例（非網羅的リスト）は、ポータブル・コンピュータ・ディスケット、ハード・ディスク、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭまたはフラッシュ・メモリ）、光ファイバ、ポータブル・コンパクト・ディスク読み取り専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、光記憶デバイス、または磁気記憶デバイスを含む。プログラムは、たとえば紙または他の媒体の光学スキャンを介して電子的にキャプチャし、その後、必要であればコンパイル、解釈、あるいは好適な様式で処理し、コンピュータ・メモリに格納することが可能であるため、コンピュータ使用可能記憶媒体は、その上にプログラムが印刷される紙または他の好適な媒体であってもよいことに留意されたい。本明細書との関連において、コンピュータ使用可能媒体は、命令実行システム、装置、またはデバイスによってまたはこれに関連して使用するためのプログラムを含むかまたは格納することが可能な、任意の媒体とすることができる。
【００３７】
本発明の動作を実施するためのコンピュータ・プログラム・コードは、Ｊａｖａ、Ｓｍａｌｌｔａｌｋ、Ｃ＋＋などの、オブジェクト指向プログラミング言語、および、「Ｃ」プログラミング言語または同様のプログラミング言語などの、従来の手続き型プログラミング言語を含む、１つまたは複数のプログラミング言語の任意の組み合わせで作成可能である。コンピュータ・プログラム・コードは、スタンドアロン型ソフトウェア・パッケージまたは大規模ソフトウェア・パッケージの一体型構成要素として完全にユーザのコンピュータ上で、一部はユーザのコンピュータ上および一部はリモート・コンピュータ上で、あるいは、完全にリモート・コンピュータまたはサーバ上で、実行可能である。後者のシナリオでは、リモート・コンピュータは、ローカル・エリア・ネットワーク（ＬＡＮ）またはワイド・エリア・ネットワーク（ＷＡＮ）を含む任意のタイプのネットワークを介してユーザのコンピュータに接続可能であるか、あるいは、（たとえば、インターネット・サービス・プロバイダを使用してインターネットを介して）外部コンピュータに接続可能である。以下の説明は、特定のプログラム・コードがコンピュータ・デバイスのネットワーク内で実行されるか、または実行可能であることを示す。
【００３８】
本明細書では、本発明の実施形態に従った方法、装置（システム）、およびコンピュータ・プログラム製品の流れ図またはブロック図あるいはその両方を参照しながら、本発明について説明される。流れ図またはブロック図あるいはその両方の各ブロック、および、流れ図またはブロック図あるいはその両方におけるブロックの組み合わせは、コンピュータ・プログラム命令によって実装可能であることを理解されよう。これらのコンピュータ・プログラム命令は、マシンを生成するために、汎用コンピュータ、特定用途向けコンピュータ、または他のプログラマブル・データ処理装置のプロセッサに提供可能であり、結果として、コンピュータまたは他のプログラマブル・データ処理装置のプロセッサを介して実行する命令は、流れ図またはブロック図あるいはその両方のブロック内に指定された機能／動作を実装するための手段を作成する。
【００３９】
これらのコンピュータ・プログラム命令は、コンピュータまたは他のプログラマブル・データ処理装置に特定の様式で機能するように指示することが可能なコンピュータ読み取り可能媒体内に格納することも可能であり、結果として、コンピュータ読み取り可能媒体内に格納された命令は、流れ図またはブロック図あるいはその両方のブロック内に指定された機能／動作を実装する命令手段を含む製品を製造する。
【００４０】
コンピュータ・プログラム命令は、コンピュータまたは他のプログラマブル装置上で実行されることになる一連の動作にコンピュータ実装プロセスを生成させるように、コンピュータまたは他のプログラマブル・データ処理装置上にロードすることも可能であり、結果として、コンピュータまたは他のプログラマブル装置上で実行する命令は、流れ図またはブロック図あるいはその両方のブロック内に指定された機能／動作を実装するためのプロセスを提供する。
【００４１】
図面内の流れ図およびブロック図は、本発明の様々な実施形態に従ったシステム、方法、およびコンピュータ・プログラム製品の可能な実装のアーキテクチャ、機能、および動作を示す。この点で、流れ図またはブロック図内の各ブロックは、指定された論理機能を実装するための１つまたは複数の実行可能命令を備える、モジュール、セグメント、またはコードの一部を表すことができる。いくつかの代替実装では、ブロック内に示された機能が、図面内に示された順序以外で実行可能であることにも留意されたい。たとえば、関連する機能に応じて、連続して示される２つのブロックが実際にはほぼ同時に実行可能であるか、またはブロックは時には逆順序で実行可能である。ブロック図または流れ図あるいはその両方の各ブロック、およびブロック図または流れ図あるいはその両方におけるブロックの組み合わせが、指定された機能または動作を実行する特定用途向けハードウェア・ベース・システム、あるいは、特定用途向けハードウェアおよびコンピュータ命令の組み合わせによって、実装可能であることにも留意されよう。
【符号の説明】
【００４２】
１００    三次元多層セラミック・パッケージ
１０２    基準メッシュ平面
１１８    バイア
１３２    間隔
１４０    金属クロス
【図１】
2013115430.tif 000010
【図２】
2013115430.tif 000011
【図３】
2013115430.tif 000012
【図４】
2013115430.tif 000013
【図５】
2013115430.tif 000014
【図６】
2013115430.tif 000015
【図７】
2013115430.tif 000016
【図８】
2013115430.tif 000017
【図９】
2013115430.tif 000018
【図１０】
2013115430.tif 000019
【図１１】
2013115430.tif 000020
【図１２】
2013115430.tif 000021
【図１３】
2013115430.tif 000022
【図１４】
2013115430.tif 000023
【図１５】
2013115430.tif 000024
【図１６】
2013115430.tif 000025