(57)【要約】【課題】基板の所定位置に高い位置精度で処理液を供給し、当該基板を適切に処理する。【解決手段】ウェハＷのアライメント領域１３上に純水Ｐを供給する（図９（ａ））。テンプレート２０をウェハＷの上方に配置する（図９（ｂ））。純水ＰによってウェハＷの処理領域１２の上方にテンプレート２０のめっき液流通路３０が位置するように、テンプレート２０とウェハＷを位置調整する（図９（ｃ））。テンプレート２０を下方に移動させる（図９（ｄ））。めっき液流通路３０にめっき液Ｍを供給する（図９（ｅ））。テンプレート２０の第１の親水領域４１と処理領域１２との間にめっき液Ｍを充填する（図９（ｆ））。めっき処理を行い、ウェハＷの貫通電極１０上にバンプ１１０を形成する（図９（ｇ））。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面の処理領域に処理液を供給して所定の処理を行う基板の処理方法であって、
前記処理領域と異なる位置に形成された基板表面のアライメント領域に、アライメント液を供給するアライメント液供給工程と、
その後、基板に対向して配置され、且つ前記処理液を流通させるための処理液流通路と、前記アライメント液を流通させるためのアライメント液流通路とが厚み方向に貫通して形成されたテンプレートを、前記アライメント領域に供給されたアライメント液によって、前記処理領域の上方に前記処理液流通路が位置するように基板に対して位置調整するアライメント工程と、
その後、前記処理液流通路を介して前記処理領域に前記処理液を供給し、基板に所定の処理を行う処理工程と、を有することを特徴とする、基板の処理方法。
【請求項２】
前記処理工程において、前記テンプレートを基板側に移動させた後、前記処理液流通路を介して前記処理領域に前記処理液を供給することを特徴とする、請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項３】
前記処理領域と前記アライメント領域は、それぞれ親水性を有する親水領域であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の基板の処理方法。
【請求項４】
前記親水領域の周囲には、溝部が形成されていることを特徴とする、請求項３に記載の基板の処理方法。
【請求項５】
前記親水領域は、その周囲の領域に比して突起していることを特徴とする、請求項３に記載の基板の処理方法。
【請求項６】
前記親水領域の周囲には、突起部が形成されていることを特徴とする、請求項３に記載の基板の処理方法。
【請求項７】
前記親水領域の周囲には、疎水性を有する疎水領域が形成されていることを特徴とする、請求項３に記載の基板の処理方法。
【請求項８】
前記テンプレートにおいて、前記処理領域と前記アライメント領域に対応する領域はそれぞれ親水性を有することを特徴とする、請求項３〜７のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項９】
前記テンプレートにおいて基板に対向する面には、前記処理液流通路がその周囲よりも突起した他の突起部が形成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の基板の処理方法。
【請求項１０】
基板と前記テンプレートの相対位置を調整するための昇降機構を用いて、前記アライメント工程及び前記処理工程における基板と前記テンプレートとの間の間隔を調節することを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項１１】
前記アライメント液供給工程において前記アライメント領域に前記アライメント液を供給した後、前記アライメント工程において前記テンプレートを基板に対向して配置し、当該テンプレートの基板に対する位置を調整することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項１２】
前記アライメント液供給工程において、前記テンプレートを基板に対向して配置し、前記アライメント液流通路を介して前記アライメント領域に前記アライメント液を供給することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項１３】
前記アライメント液は純水であることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項１４】
基板表面の処理領域に処理液を供給する際に用いられるテンプレートであって、
厚み方向に貫通し、前記処理液を流通させるための処理液流通路と、
厚み方向に貫通した流通路であって、前記処理領域と異なる位置に形成された基板表面のアライメント領域に供給されて、当該基板に対するテンプレートの位置調整するアライメント液を流通させるためのアライメント液流通路と、を有することを特徴とする、テンプレート。
【請求項１５】
前記テンプレートにおいて、前記処理領域と前記アライメント領域に対応する領域はそれぞれ親水性を有する親水領域であることを特徴とする、請求項１４に記載のテンプレート。
【請求項１６】
前記親水領域の周囲には、溝部が形成されていることを特徴とする、請求項１５に記載のテンプレート。
【請求項１７】
前記親水領域は、その周囲の領域に比して突起していることを特徴とする、請求項１５に記載のテンプレート。
【請求項１８】
前記親水領域の周囲には、突起部が形成されていることを特徴とする、請求項１５に記載のテンプレート。
【請求項１９】
前記親水領域の周囲には、疎水性を有する疎水領域が形成されていることを特徴とする、請求項１５に記載のテンプレート。
【請求項２０】
前記テンプレートにおいて基板に対向する面には、前記処理液流通路がその周囲よりも突起した他の突起部が形成されていることを特徴とする、請求項１４に記載のテンプレート。
【請求項２１】
基板と前記テンプレートの相対位置を調整するための昇降機構を有することを特徴とする、請求項１４〜２０のいずれかに記載のテンプレート。
【請求項２２】
前記アライメント液は純水であることを特徴とする、請求項１４〜２１のいずれかに記載のテンプレート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板表面の処理領域に処理液を供給して所定の処理を行う基板の処理方法、及び当該基板の処理方法に用いられるテンプレートに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイス（以下、「デバイス」という）の製造においては、デバイスの高集積化が進んでいる。かかる状況下で、高集積化されたデバイスを水平面内に複数配置し、これらデバイスを配線で接続して製品化する場合、配線長が増大し、それにより配線の抵抗が大きくなること、また配線遅延が大きくなることが懸念される。
【０００３】
そこで、デバイスを３次元に積層する３次元集積技術が提案されている。この３次元集積技術においては、例えば表面に複数の電子回路が形成された半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）を貫通するように、例えば１００μｍ以下の微細な径を有する電極、いわゆる貫通電極（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）が複数形成される。そして、この貫通電極を介して、上下に積層されたデバイス（ウェハ）が電気的に接続される（特許文献１）。
【０００４】
上述した貫通電極は、デバイスを適切に積層するため、高い位置精度で形成される必要がある。そこで、かかる貫通電極の形成には、例えば特許文献２に開示されためっき方法を用いることができる。この方法では、ウェハの表面にめっき液を液盛りし、液盛りしためっき液にマイクロプローブの先端を付着させ、当該マイクロプローブからウェハに電流を流すことによりめっき領域を制御している。
【０００５】
また、ウェハ上の所定の位置（貫通電極が形成される位置）にめっきを行うため、ウェハの所定の位置に対応する位置に開口部が複数形成され、且つ当該開口部に連通するめっき液の流通路を備えたテンプレートを用いること提案されている（特許文献３）。この方法では、テンプレートをウェハ上に配置し、当該テンプレートの流通路と開口部を介してウェハ上にめっき液を供給することで、めっき液を所定の位置に供給している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−００４７２２号公報
【特許文献２】特開２００８−２８０５５８号公報
【特許文献３】特開２０１１−１７４１４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献２の方法において、複数の微細な貫通電極を位置精度よく形成する場合、マイクロプローブを高い位置精度でプローブカードに整列配置させる必要がある。しかしながら、実際には、このようにマイクロプローブを高い位置精度で整列させることは技術的に困難である。このため、めっき液などの処理液を適切な位置に供給することができず、所定の位置に適切な処理を行うことができなかった。
【０００８】
また、特許文献３の方法においても、テンプレートを介してウェハ上にめっき液を供給する際、テンプレートとウェハの位置合わせを行う必要があるが、この位置合わせは例えば機械的な移動機構によって行われる。かかる場合、ウェハ上には複数の微細な貫通電極が形成されるため、すべての開口部をウェハ上の所定の位置に位置合わせすることは困難である。このため、めっき液などの処理液を適切な位置に供給することができず、所定の位置に適切な処理を行うことができなかった。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の所定位置に高い位置精度で処理液を供給し、当該基板を適切に処理することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板表面の処理領域に処理液を供給して所定の処理を行う基板の処理方法であって、前記処理領域と異なる位置に形成された基板表面のアライメント領域に、アライメント液を供給するアライメント液供給工程と、その後、基板に対向して配置され、且つ前記処理液を流通させるための処理液流通路と、前記アライメント液を流通させるためのアライメント液流通路とが厚み方向に貫通して形成されたテンプレートを、前記アライメント領域に供給されたアライメント液によって、前記処理領域の上方に前記処理液流通路が位置するように基板に対して位置調整するアライメント工程と、その後、前記処理液流通路を介して前記処理領域に前記処理液を供給し、基板に所定の処理を行う処理工程と、を有することを特徴としている。
【００１１】
本発明によれば、処理工程において基板の処理領域に処理液を供給する前に、アライメント工程において、基板のアライメント領域に供給されたアライメント液によって、基板に対するテンプレートの位置調整を行っている。アライメント工程では、アライメント領域上のアライメント液をテンプレートと基板との間に充填し、アライメント液の表面張力によって、テンプレートを移動させる復元力が当該テンプレートに作用する。この復元力によって、処理領域の上方に処理液流通路が位置するようにテンプレートが移動し、テンプレートと基板の位置調整が高精度で行われる。そうすると、その後の処理工程において、テンプレートの処理液流通路を介して、基板の所定の位置、すなわち処理領域に高い位置精度で適切に処理液を供給することができる。しかも、このアライメント工程は処理液とは別の構成要素であるアライメント液を用いて行われるので、例えば処理領域の面積が小さく、アライメント工程前にテンプレートの処理液流通路の位置と基板の処理領域の位置が全く対応していない場合でも、テンプレートと基板の位置調整を適切に行うことができる。以上のように本発明によれば、基板の所定位置に高い位置精度で処理液を供給することができ、当該処理液を用いて基板を適切に処理することができる。
【００１２】
前記処理工程において、前記テンプレートを基板側に移動させた後、前記処理液流通路を介して前記処理領域に前記処理液を供給してもよい。
【００１３】
前記処理領域と前記アライメント領域は、それぞれ親水性を有する親水領域であってもよい。
【００１４】
前記親水領域の周囲には、溝部が形成されていてもよい。
【００１５】
前記親水領域は、その周囲の領域に比して突起していてもよい。
【００１６】
前記親水領域の周囲には、突起部が形成されていてもよい。
【００１７】
前記親水領域の周囲には、疎水性を有する疎水領域が形成されていてもよい。
【００１８】
前記テンプレートにおいて、前記処理領域と前記アライメント領域に対応する領域はそれぞれ親水性を有していてもよい。
【００１９】
前記テンプレートにおいて基板に対向する面には、前記処理液流通路がその周囲よりも突起した他の突起部が形成されていてもよい。
【００２０】
基板と前記テンプレートの相対位置を調整するための昇降機構を用いて、前記アライメント工程及び前記処理工程における基板と前記テンプレートとの間の間隔を調節してもよい。
【００２１】
前記アライメント液供給工程において前記アライメント領域に前記アライメント液を供給した後、前記アライメント工程において前記テンプレートを基板に対向して配置し、当該テンプレートの基板に対する位置を調整してもよい。
【００２２】
前記アライメント液供給工程において、前記テンプレートを基板に対向して配置し、前記アライメント液流通路を介して前記アライメント領域に前記アライメント液を供給してもよい。
【００２３】
前記アライメント液は純水であってもよい。
【００２４】
別な観点による本発明は、基板表面の処理領域に処理液を供給する際に用いられるテンプレートであって、厚み方向に貫通し、前記処理液を流通させるための処理液流通路と、厚み方向に貫通した流通路であって、前記処理領域と異なる位置に形成された基板表面のアライメント領域に供給されて、当該基板に対するテンプレートの位置調整するアライメント液を流通させるためのアライメント液流通路と、を有することを特徴としている。
【００２５】
前記テンプレートにおいて、前記処理領域と前記アライメント領域に対応する領域はそれぞれ親水性を有する親水領域であってもよい。
【００２６】
前記親水領域の周囲には、溝部が形成されていてもよい。
【００２７】
前記親水領域は、その周囲の領域に比して突起していてもよい。
【００２８】
前記親水領域の周囲には、突起部が形成されていてもよい。
【００２９】
前記親水領域の周囲には、疎水性を有する疎水領域が形成されていてもよい。
【００３０】
前記テンプレートにおいて基板に対向する面には、前記処理液流通路がその周囲よりも突起した他の突起部が形成されていてもよい。
【００３１】
前記テンプレートは、基板と前記テンプレートの相対位置を調整するための昇降機構を有していてもよい。
【００３２】
前記アライメント液は純水であってもよい。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、基板の所定位置に高い位置精度で処理液を供給し、当該基板を適切に処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本実施の形態にかかるウェハの処理方法を実施するためのウェハ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２】ウェハの構成の概略を示す縦断面図である。
【図３】ウェハの構成の概略を示す平面図である。
【図４】テンプレートの構成の概略を示す説明図である。
【図５】テンプレートの構成の概略を示す縦断面図である。
【図６】テンプレートの表面の構成の概略を示す平面図である。
【図７】テンプレートの裏面の構成の概略を示す平面図である。
【図８】ウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図９】ウェハ処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はウェハのアライメント領域上に純水を供給する様子を示し、（ｂ）はウェハの上方にテンプレートを配置した状態を示し、（ｃ）はテンプレートとウェハの位置調整を行った様子を示し、（ｄ）はテンプレートを下方に移動させた様子を示し、（ｅ）はめっき液流通路にめっき液を供給する様子を示し、（ｆ）はテンプレートとウェハの間にめっき液が充填された様子を示し、（ｇ）は貫通電極上にバンプが形成された様子を示している。
【図１０】他の実施の形態にかかるウェハの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１１】他の実施の形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１２】他の実施の形態にかかるウェハの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１３】他の実施の形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１４】他の実施の形態にかかるウェハの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１５】他の実施の形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１６】他の実施の形態にかかるウェハの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１７】他の実施の形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１８】他の実施の形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１９】他の実施の形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す縦断面図である。
【図２０】他の実施の形態にかかるウェハ処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はウェハの上方にテンプレートを配置した状態を示し、（ｂ）はテンプレートを下方に移動させた様子を示している。
【図２１】他の実施の形態にかかるウェハ処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はウェハの上方にテンプレートを配置した状態を示し、（ｂ）はウェハのアライメント領域上に純水を供給する様子を示し、（ｃ）はテンプレートとウェハの位置調整を行った様子を示している。
【図２２】他の実施の形態にかかるウェハ処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はウェハの上方にテンプレートを配置した状態を示し、（ｂ）はウェハのアライメント領域上に純水を供給する様子を示している。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の説明で用いる図面において、各構成要素の寸法は、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の寸法に対応していない。
【００３６】
図１は、本実施の形態にかかる、基板としてのウェハの処理方法を実施するための、ウェハ処理装置１の構成の概略を示す縦断面図である。なお、本実施の形態では、ウェハ処理として、ウェハに形成された貫通電極（３次元集積技術におけるＴＳＶ）上に処理液としてのめっき液を供給しめっき処理をして、例えばバンプを形成する処理について説明する。
【００３７】
本実施の形態のウェハ処理装置１で処理されるウェハＷには、図２に示すように、その表面Ｗａから裏面Ｗｂまで厚み方向に貫通した貫通電極１０が複数形成されている。複数の貫通電極１０は、図３に示すようにウェハＷの表面Ｗａ上の位置に整列されて形成されている。複数の整列された貫通電極１０の電極群は、例えば半導体チップ単位でウェハＷの表面Ｗａ上に複数形成されている。なお、図３はウェハＷの表面Ｗａの一部を描画したものであり、ウェハＷは平面視において略円形状を有している。
【００３８】
ウェハＷの表面Ｗａには、図２及び図３に示すように各貫通電極１０の周囲に環状の溝部１１が形成されている。各溝部１１の内側領域には、後述するようにめっき液が供給されてめっき処理が行われる処理領域１２が形成されている。
【００３９】
ここで、処理領域１２内に供給されためっき液は、ある接触角を持って拡散するが、溝部１１の縁部においてより大きな接触角を持つことになる。そうすると、めっき液は、溝部１１を乗り越えることができず、処理領域１２内にとどまる。このように溝部１１がめっき液の広がりを抑える現象は、いわゆるピン止め効果として知られている。したがって、処理領域１２は当該処理領域１２の外側の表面Ｗａと同質の表面を有するが、溝部１１のピン止め効果により、処理領域１２は見かけ上、処理領域１２の外側の領域に比して親水性を有する親水領域として機能する。
【００４０】
また、ウェハＷの表面Ｗａには、処理領域１２と異なる位置にアライメント領域１３が複数形成されている。アライメント領域１３は、後述するようにアライメント液としての純水が供給されてテンプレート２０とウェハＷとの位置調整を行うための領域である。アライメント領域１３は、例えばスクライブラインに形成される。スクライブラインとは、ウェハＷが切断され複数の半導体チップに分割される際のラインのことである。ウェハＷの表面Ｗａには、貫通電極１０に接続される電子回路や、電源用、接地用、アドレス等の信号用配線等を含むデバイス層（図示せず）が形成されているが、スクライブライン上、及びその周辺には、電子回路や配線等が形成されない。したがって、このアライメント領域１３に純水が供給されても半導体チップに悪影響を及ぼすことはない。
【００４１】
アライメント領域１３は、処理領域１２と同様に環状の溝部１４の内側領域に形成された領域である。したがって、アライメント領域１３も、溝部１４のピン止め効果により、見かけ上、アライメント領域１３の外側の領域に比して親水性を有する親水領域として機能する。
【００４２】
なお、ウェハＷにおいて、溝部１１、１４は、それぞれ例えば機械加工を行ったり、フォトリソグラフィー処理とエッチング処理を一括して行うことで形成され、高い位置精度で形成される。このため、溝部１１、１４を形成するに際し、特別なプロセスを必要としない。
【００４３】
また、本実施の形態のウェハ処理装置１では、図４〜図７に示すように略円盤形状を有するテンプレート２０が用いられる。テンプレート２０には、例えばシリコン（Ｓｉ）、炭化珪素（ＳｉＣ）などが用いられる。
【００４４】
テンプレート２０には、図４及び図５に示すように、その表面２０ａから裏面２０ｂまで厚み方向に貫通し、めっき液を流通させるための処理液流通路としてのめっき液流通路３０が複数形成されている。各めっき液流通路３０は、ウェハＷに形成された貫通電極１０に対応する位置に形成されている。また、テンプレート２０には、その表面２０ａから裏面２０ｂまで厚み方向に貫通し、純水を流通させるためのアライメント液流通路としての純水流通路３１が複数形成されている。各純水流通路３１は、ウェハＷ上に形成された処理領域１２に対応する位置、すなわち処理領域１２に純水を供給可能な位置に形成されている。
【００４５】
テンプレート２０の表面２０ａには、図６に示すように、各めっき液流通路３０の周囲に環状の溝部４０が形成されている。各溝部４０の内側領域には、第１の親水領域４１が形成されている。第１の親水領域４１は、処理領域１２に対応する位置に形成されている。また、第１の親水領域４１は、溝部４０のピン止め効果により、見かけ上、第１の親水領域４１の外側の領域に比して親水性を有する親水領域として機能する。
【００４６】
また、テンプレート２０の表面２０ａには、純水流通路３１の周囲に環状の溝部４２が形成されている。各溝部４２の内側領域には、第２の親水領域４３が形成されている。第２の親水領域４１は、アライメント領域１３に対応する位置に形成されている。また、第２の親水領域４３は、溝部４１のピン止め効果により、見かけ上、第２の親水領域４３の外側の領域に比して親水性を有する親水領域として機能する。
【００４７】
さらに、テンプレート２０の裏面２０ｂには、図７に示すように、純水流通路３１の周囲に環状の溝部４４が形成されている。各溝部４４の内側領域には、第３の親水領域４５が形成されている。第３の親水領域４５は、後述するように裏面２０ｂ上の純水が第３の親水領域４５の外側の領域に拡散しないように形成される。そして、第３の親水領域４５は、溝部４１のピン止め効果により、見かけ上、第３の親水領域４５の外側の領域に比して親水性を有する親水領域として機能する。特に、第３の親水領域４５は、デバイス層などの形成されないテンプレート２０の裏面２０ｂに位置する為、その領域面積の調節幅が大きい。なお、後述するようにテンプレート２０とウェハＷの位置調整を行う際、裏面２０ｂ上に純水が流出しない場合は、第３の親水領域４５はなくてもよい。
【００４８】
なお、テンプレート２０において、めっき液流通路３０、純水流通路３１、溝部４０、４２、４４は、例えば機械加工を行ったり、フォトリソグラフィー処理とエッチング処理を一括して行うことで形成され、高い位置精度で形成される。
【００４９】
図１に示すように本実施の形態のウェハ処理装置１は、その内部にウェハＷを収容する処理容器５０を有している。処理容器５０内の底面には、ウェハＷを載置する載置台５１が設けられている。載置台５１には、例えば真空チャックなどが用いられ、載置台５１は、ウェハＷの表面Ｗａが上方を向いた状態で当該ウェハＷを水平に載置することができる。
【００５０】
載置台５１の上方には、テンプレート２０を保持する保持部材６０が配置されている。保持部材６０は、テンプレート２０の表面２０ａが下方を向いた状態で当該テンプレート２０を保持する。そして、保持部材６０に保持されたテンプレート２０は、その表面２０ａが載置台５１上のウェハＷの表面Ｗａに対向するように配置される。
【００５１】
保持部材６０は、シャフト６１を介して、処理容器５０内の天井面に設けられた移動機構６２に支持されている。テンプレート２０と保持部材６０は、この移動機構６２により鉛直方向及び水平方向に移動可能になっている。
【００５２】
処理容器５０の内部であってテンプレート２０の上方には、テンプレート２０の裏面２０ｂ側からめっき液流通路３０にめっき液を供給するめっき液供給部７０が設けられている。めっき液供給部７０は、移動機構（図示せず）によって鉛直方向及び水平方向に移動可能になっている。なお、めっき液供給部３０には、種々の手段を用いることができるが、本実施の形態においてはめっき液を一時的に貯留して供給するポッドが用いられる。
【００５３】
また、処理容器５０の内部であって、テンプレート２０とウェハＷとの間には、ウェハＷ上に純水を供給する純水供給部７１が設けられている。純水供給部７１は、移動機構７２によって鉛直方向及び水平方向に移動可能になっている。なお、純水供給部７１には、種々の手段を用いることができるが、本実施の形態においては純水を吐出可能なノズルが用いられる。
【００５４】
以上のウェハ処理装置１には、制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムなどが格納されている。なお、上記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。
【００５５】
次に、以上のように構成されたウェハ処理装置１を用いて行われるウェハＷの処理について説明する。図８は、ウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。図９は、ウェハ処理の各工程におけるテンプレート２０とウェハＷの状態を模式的に示した説明図である。なお、図９では、技術の理解の容易さを優先させるため、テンプレート２０の一部（一の処理領域１２と一のアライメント領域１３の近傍）とウェハＷの一部（一の第１の親水領域４１と一の第２の親水領域４３の近傍）を示している。
【００５６】
先ず、ウェハ処理装置１内において、テンプレート２０が保持部材６０に保持されると共に、ウェハＷが載置台５１に載置される。テンプレート２０は、その表面２０ａが下方を向くように保持部材６０に保持される。また、ウェハＷは、その表面Ｗａが上方を向くように載置台５１に載置される。
【００５７】
その後、図９（ａ）に示すように移動機構７２によって純水供給部７１をウェハＷのアライメント領域１３の上方に配置する。そして、純水供給部７１からアライメント領域１３上に所定量の純水Ｐを供給する（図８の工程Ｓ１）。なお、純水Ｐは、一枚のウェハＷに対して、例えば１３ｍｌ（ミリリットル）供給される。
【００５８】
アライメント領域１３上に所定量の純水Ｐが供給されると、その後、移動機構６２によってテンプレート２０の水平方向の位置を調整すると共に、テンプレート２０を所定の位置まで下降させる。なお、移動機構６２によるテンプレート２０の位置調整は、例えば光学センサ（図示せず）を用いて行われる。そして、図９（ｂ）に示すようにウェハＷの上方にテンプレート２０を配置する（図８の工程Ｓ２）。このとき、テンプレート２０は、その第１の親水領域４１の位置が処理領域１２の位置に対応し、第２の親水領域４３の位置がアライメント領域１３の位置に対応するように配置される。なお、第１の親水領域４１の位置と処理領域１２の位置、及び第２の親水領域４３の位置とアライメント領域１３の位置は、それぞれ厳密に対応している必要はない。これらの位置が多少ずれている場合でも、後述する工程Ｓ３においてテンプレート２０とウェハＷの位置調整が行われる。
【００５９】
また、工程Ｓ２において、テンプレート２０とウェハＷ間の鉛直方向の間隔Ｈ１は、例えば５０μｍ〜２００μｍ、本実施の形態では１００μｍである。間隔Ｈ１がかかる間隔に維持されると、テンプレート２０は、ウェハＷに対して相対的に水平方向に移動可能になる。なお、間隔Ｈ１は、後述するようにテンプレート２０が移動して、当該テンプレート２０とウェハＷの位置調整が行われる間隔である。ここで、後述するように第２の親水領域４３とアライメント領域１３との間に充填される純水Ｐの表面張力によって、テンプレート２０に復元力が作用し、テンプレート２０とウェハＷの位置調整が行われる。間隔Ｈ１は、この復元力、すなわち純水Ｐの表面張力を確保するように設定される。具体的には、例えば供給する純水Ｐの供給量、アライメント領域１３と第２の親水領域４３の各面積、テンプレート２０自体の重さ等によって、間隔Ｈ１を調節することが可能である。また、間隔Ｈ１が小さいほど、テンプレート２０に作用する復元力は大きくなる。しかしながら、間隔Ｈ１が小さすぎる場合、テンプレート２０とウェハＷの少なくともいずれか一方が傾斜すると、テンプレート２０とウェハＷが接触するおそれがある。このため、間隔Ｈ１の下限値は５０μｍが好ましい。
【００６０】
そして、工程Ｓ２では、アライメント領域１３上の純水Ｐは、毛細管現象によってアライメント領域１３内の端部まで水平方向に拡散すると共に、テンプレート２０の純水流通路３１を鉛直方向に上昇する。なお、純水Ｐは第２の親水領域４３とアライメント領域１３の間を拡散するが、溝部４２、１４のピン止め効果によって、純水Ｐが第２の親水領域４３とアライメント領域１３の外側の領域に拡散することはない。
【００６１】
その後、上述した第２の親水領域４３とアライメント領域１３との間に充填された純水Ｐの表面張力によって、図９（ｃ）に示すようにテンプレート２０を移動させる復元力（図９（ｃ）の矢印）がテンプレート２０に作用する。そうすると、第１の親水領域４１の位置と処理領域１２の位置、及び第２の親水領域４３の位置とアライメント領域１３の位置がずれている場合でも、これらの領域が対向するようにテンプレート２０が移動し、テンプレート２０とウェハＷの位置調整が行われる（図８の工程Ｓ３）。そして、貫通電極１０の上方にめっき液流通路３０が配置される。なお、説明の便宜上、工程Ｓ２と工程Ｓ３を順に説明したが、実際にはこれらの現象はほぼ同時に進行する。
【００６２】
その後、図９（ｄ）に示すように、例えば移動機構６２によってテンプレート２０を下方に移動させる（図８の工程Ｓ４）。このとき、テンプレート２０とウェハＷ間の鉛直方向の間隔Ｈ２は、例えば５μｍである。この間隔Ｈ２は、後述するように貫通電極１１上に形成されるバンプの厚みによって決まる。一方、間隔Ｈ２が小さいほど、バンプを形成するためにめっき処理を行う時間を短縮できる。このため、テンプレート２０を下方に移動させて、テンプレート２０とウェハＷ間の間隔を小さくしているのである。そして、例えばレーザー変位計（図示せず）を用いてテンプレート２０とウェハＷ間の間隔Ｈ２を計測し、間隔Ｈ２が５μｍに達したときにテンプレート２０の下方への移動を停止する。なお、テンプレート２０を下方へ移動させる際には、移動機構６２に代えて、例えばテンプレート２０上に荷重をかける別の荷重機構（図示せず）を用いてもよい。また、テンプレート２０が十分な自重を有する場合には、当該自重によってテンプレート２０が下方に移動する。或いは、後述するようにテンプレート２０の裏面２０ｂに流出する純水Ｐの圧力によって、テンプレート２０の下方への移動を制御してもよい。
【００６３】
また、この工程Ｓ４において、純水流通路３１内の純水Ｐはテンプレート２０の裏面２０ｂに流出する。流出した純水Ｐは、第３の親水領域４５内を拡散する。なお、溝部４４のピン止め効果によって、純水Ｐが第３の親水領域４５の外側の領域に拡散することはない。換言すれば、第３の親水領域４５の範囲は、純水流通路３１から純水Ｐが最適量流出するように決定される。
【００６４】
その後、図９（ｅ）に示すようにめっき液供給部７０を、テンプレート２０の裏面２０ｂにおけるめっき液流通路３０上に配置する。めっき液供給部７０には、めっき液供給源（図示せず）からめっき液Ｍが供給される。そして、めっき液供給部７０からめっき液流通路３０にめっき液Ｍが供給される（図８の工程Ｓ５）。そうすると、めっき液流通路３０が微細な径を有しているため、供給されためっき液Ｍは毛細管現象によってめっき液流通路３０内を流通する。なお、めっき液Ｍには種々のめっき液を用いることができる。本実施の形態では、例えばＣｕＳＯ４五水和物と硫酸のめっき液Ｍが用いられる場合について説明するが、めっき液Ｍには、例えば硝酸銀、アンモニア水及びグルコースからなるめっき液や、無電解銅めっき液などを用いてもよい。
【００６５】
めっき液Ｍがめっき液流通路３０の端部まで流通すると、図９（ｆ）に示すようにめっき液Ｍは、さらに毛細管現象によって水平方向に拡散する。すなわち、めっき液Ｍは、テンプレート２０の第１の親水領域４１とウェハＷの処理領域１２との間に進入する。こうして、第１の親水領域４１と処理領域１２との間にめっき液Ｍが充填される（図８の工程Ｓ６）。なお、純水Ｐは第１の親水領域４１と処理領域１２との間を拡散するが、溝部４０、１１のピン止め効果によって、めっき液Ｍが第１の親水領域４１と処理領域１２の外側の領域に拡散することはない。
【００６６】
その後、電源装置（図示せず）によって第１の親水領域４１と処理領域１２との間のめっき液Ｍに電圧が印加される。そうすると、めっき液Ｍが反応し、貫通電極１０上にめっき処理が行われる（図８の工程Ｓ７）。そして、図９（ｇ）に示すように貫通電極１０上にバンプ１１０が形成される。
【００６７】
以上の実施の形態によれば、工程Ｓ５及び工程Ｓ６においてウェハＷの処理領域１２にめっき液Ｍを供給する前に、工程Ｓ１〜工程Ｓ３において、テンプレート２０の第２の親水領域４３とウェハＷのアライメント領域１３との間に供給された純水Ｐによって、ウェハＷに対するテンプレート２０の位置調整を行っている。すなわち、第２の親水領域４３とアライメント領域１３との間に充填された純水Ｐの表面張力によって、テンプレート２０に復元力を作用させ、貫通電極１０の上方にめっき液流通路３０が位置するようにテンプレート３０を移動させる。このようにテンプレート２０とウェハＷの位置調整を高精度で行うことができるので、その後の工程Ｓ５及び工程Ｓ６において、ウェハＷの処理領域１２に高い位置精度で適切にめっき液Ｍを供給することができる。したがって、本実施の形態によれば、ウェハＷの所定位置に高い位置精度でめっき液Ｍを供給することができ、当該めっき液Ｍを用いてウェハＷの貫通電極１０上に適切にめっき処理することができる。
【００６８】
ここで、発明者らは、テンプレート２０とウェハＷの位置調整を行うに際し、本発明のように純水Ｐを用いずに、テンプレート２０のめっき液流通路３０から供給されためっき液Ｍを用いることを試みた。すなわち、処理領域１２をアライメント領域としても機能させ、めっき液Ｍをアライメント液として用いることを試みた。
【００６９】
かかる場合、貫通電極１０の径は微小であって、当該貫通電極１０を囲む処理領域１２は小さい領域であるため、処理領域１２上のめっき液Ｍの表面張力を十分に確保できない。そうすると、テンプレート２０に作用する復元力が小さくなり、テンプレート２０が適切な位置に移動しない。したがって、テンプレート２０とウェハＷの位置調整を適切に行うことができない。また、めっき液Ｍを用いてテンプレート２０とウェハＷの位置調整を行う場合、めっき液ＭをウェハＷ上に供給する際には、少なくとも、めっき液流通路３０と貫通電極１０がある程度オーバーラップしている必要がある。しかしながら、特に半導体デバイスの微細化が進行してウェハＷの貫通電極１０も微細化すると、オーバーラップさせることが困難になる。
【００７０】
この点、本実施の形態では、テンプレート２０とウェハＷの位置調整は、大きい面積を有するアライメント領域１３に供給される純水Ｐを用いて行われるので、純水Ｐの表面張力を十分に確保することができる、したがって、テンプレート２０に作用する復元力を大きくでき、テンプレート２０とウェハＷの位置調整を適切に行うことができる。また、めっき液Ｍとは別の構成要素である純水Ｐを用いて位置調整が行われるので、貫通電極１０の径が微小で処理領域１２の面積が小さく、テンプレート２０のめっき液流通路３０の位置と処理領域１２の位置が全く対応していない場合でも、テンプレート２０とウェハＷの位置調整を適切に行うことができる。
【００７１】
また、アライメント液として用いられる純水Ｐは大きい表面張力を有するので、テンプレート２０に大きい復元力を作用させることができる。このため、テンプレート２０とウェハＷの位置調整をより適切に行うことができる。しかも、純水Ｐを用いた場合、その後、テンプレート２０とウェハＷと間に供給された純水Ｐを洗浄する必要がないので、ウェハ処理のスループットを向上させることもできる。
【００７２】
また、工程Ｓ３においてテンプレート２０とウェハＷ間の間隔Ｈ１を１００μｍにしているので、テンプレート２０とウェハＷを接触させることなく、当該テンプレート２０とウェハＷを適切に位置調整できる。その後、工程Ｓ４においてテンプレート２０を下方に降下させて、テンプレート２０とウェハＷ間の間隔Ｈ２を５μｍにしている。このため、めっき液Ｍを用いて貫通電極１０上にバンプ１１０を形成する際にも、めっき処理を短時間で行うことができる。したがって、ウェハ処理のスループットをより向上させることができる。
【００７３】
また、ウェハＷの処理領域１２、アライメント領域１３、テンプレート２０の第１の親水領域４１、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５は、それぞれ見かけ上、親水性を有している。すなわち、これら領域１２、１３、４１、４３、４５は、それぞれ溝部１１、１４、４０、４２、４４のピン止め効果によって、めっき液Ｍや純水Ｐが当該領域１２、１３、４１、４３、４５の外側の領域には拡散しない。したがって、めっき液Ｍや純水Ｐが所望の領域以外に拡散することがなく、テンプレート２０とウェハＷの位置調整を適切に行い、ウェハＷの貫通電極１０上にめっき処理を適切に行うことができる。
【００７４】
以上の実施の形態では、処理領域１２、アライメント領域１３、第１の親水領域４１、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５は、それぞれ溝部１１、１４、４０、４２、４４によって親水領域を形成していたが、他の方法で親水領域を形成してもよい。
【００７５】
例えばピン止め効果によって親水領域を形成するためには、親水領域とその周囲の領域に段差が生じていればよく、段差構造は溝部の形成に限られない。例えば図１０に示すようにウェハＷ上の処理領域１２とアライメント領域１３を、その周囲の領域に比して突起させてもよい。かかる場合、処理領域１２、アライメント領域１３にそれぞれ供給されためっき液Ｍ、純水Ｐの拡散は、ピン止め効果によって処理領域１２、アライメント領域１３の肩部で止まる。したがって、処理領域１２とアライメント領域１３を、見かけ上、親水領域にすることができる。
【００７６】
テンプレート２０については、図１１に示すように第１の親水領域４１、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５を、その周囲の領域に比して突起させてもよい。かかる場合、第１の親水領域４１、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５にそれぞれ供給されためっき液Ｍ、純水Ｐの拡散は、ピン止め効果によって第１の親水領域４１、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５の肩部で止まる。したがって、第１の親水領域４１、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５を、見かけ上、親水領域にすることができる。
【００７７】
また、例えば図１２に示すようにウェハＷ上の処理領域１２（貫通電極１０）の周囲とアライメント領域１３の周囲に、それぞれ突起部２００を形成してもよい。かかる場合、処理領域１２、アライメント領域１３にそれぞれ供給されためっき液Ｍ、純水Ｐの拡散は、ピン止め効果によって突起部２００の肩部で止まる。したがって、処理領域１２とアライメント領域１３を、見かけ上、親水領域にすることができる。
【００７８】
テンプレート２０については、図１３に示すように第１の親水領域４１（めっき液流通路３０）の周囲と、第２の親水領域４３及び第３の親水領域４５（純水流通路３１）の周囲に、それぞれ突起部２１０を形成してもよい。かかる場合、第１の親水領域４１、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５にそれぞれ供給されためっき液Ｍ、純水Ｐの拡散は、ピン止め効果によって突起部２１０の肩部で止まる。したがって、第１の親水領域４１、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５を、見かけ上、親水領域にすることができる。
【００７９】
このように処理領域１２、アライメント領域１３、第１の親水領域４１、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５を突起させたり、突起部２００、２１０を形成する方法は、特にウェハＷの表面Ｗａに重要な薄膜があって、十分な深さの溝部１１、１４、４０、４２、４４を形成することができない場合に有用になるのである。また、これらの領域の突起や突起部２００、２１０は、ＣＶＤなどで形成した薄膜をリソグラフィー技術でパターニングすれば得ることができる。
【００８０】
なお、ピン止め効果を得るために、溝部１１、１４、４０、４２、４４や突起部２００、２１０を形成したり、或いは処理領域１２、アライメント領域１３、第１の親水領域４１、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５を突起させる場合は、必要に応じて、後述するウェハＷの表面Ｗａやテンプレート２０の表面２０ａ及び裏面２０ｂの親水化処理、疎水化処理を組み合わせても構わない。組み合わせることにより、より確実に液面の拡がりを規定することができる。
【００８１】
また、例えばウェハＷの表面２０ａとテンプレート２０の表面２０ａ及び裏面２０ｂを改質することで、親水領域を形成してもよい。例えば図１４に示すようにウェハＷの表面Ｗａにおいて、処理領域１２とアライメント領域１３がそれ以外の領域に比して親水性を有する。処理領域１２とアライメント領域１３を形成するに際しては、所定の領域の表面Ｗａを親水化処理してもよいし、それ以外の領域の表面Ｗａを疎水化処理してもよいし、さらにこれら親水化処理と疎水化処理を共に行ってもよい。
【００８２】
テンプレート２０についても、図１５に示すようにその表面２０ａにおいて、第１の親水領域４１と第２の親水領域４３がそれ以外の領域に比して親水性を有し、裏面２０ｂにおいて、第３の親水領域４５がそれ以外の領域に比して親水性を有する。第１の親水領域４１、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５を形成するに際しては、所定の領域の表面２０ａ、裏面２０ｂを親水化処理してもよいし、それ以外の領域の表面２０ａ、裏面２０ｂを疎水化処理してもよいし、さらにこれら親水化処理と疎水化処理を共に行ってもよい。
【００８３】
また、テンプレート２０において、めっき液流通路３０と純水流通路３１の内側面にも、それぞれ親水性を有する第４の親水領域２２０と第５の親水領域２２１が形成されている。第４の親水領域２２０と第５の親水領域２２１を形成するに際しては、それぞれめっき液流通路３０と純水流通路３１を親水化処理する。このようにめっき液流通路３０と純水流通路３１の内側面を親水化することで、めっき液Ｍと純水Ｐの流通をより円滑にすることができる。
【００８４】
また、例えば図１６に示すようにウェハＷの処理領域１２の周囲とアライメント領域１３の周囲に、それぞれ環状の疎水領域２３０を形成してもよい。同様に図１７に示すように第１の親水領域４１の周囲と、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５の周囲に、それぞれ環状の疎水領域２４０を形成してもよい。かかる場合、疎水領域２３０、２４０の内側領域に供給されためっき液Ｍ、純水Ｐは、それぞれ疎水領域２３０、２４０が境界になるようにして液面が広がる。したがって、処理領域１２、アライメント領域１３、第１の親水領域４１、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５を、見かけ上、親水領域にすることができる。疎水領域２３０、２４０は広い面積を持つ必要がなく、所望の親水領域４１、４３、４５を囲っていれば十分なので、ウェハＷの表面Ｗａ、テンプレート２０の表面２０ａ及び裏面２０ｂの加工領域を少なくすることができる。
【００８５】
以上のように、図１０〜図１７のいずれの場合においても、処理領域１２、アライメント領域１３、第１の親水領域４１、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５を親水領域にすることができるので、めっき液Ｍや純水Ｐが所望の領域以外に拡散することがなく、テンプレート２０とウェハＷの位置調整を適切に行い、ウェハＷの貫通電極１０上にめっき処理を適切に行うことができる。
【００８６】
以上の実施の形態では、ウェハＷの処理領域１２とテンプレート２０の第１の親水領域４１を親水領域にしていたが、これらの親水領域に代えて、図１８に示すようにテンプレート２０の表面２０ａに他の突起部としての突起部２５０を形成してもよい。突起部２５０は、めっき液流通路３０に対応する位置に形成されている。すなわち、めっき液流通路３０は、突起部２５０の内部を挿通し、周囲の表面２０ａよりも突起している。なお、突起部２５０は、テンプレート２０の内部に両端部が開口した配管を埋設することによって形成してもよいし、或いは突起部２５０の周囲を研磨することで当該突起部２５０を形成してもよい。また、ウェハＷとテンプレート２０には、上記実施の形態と同様に、アライメント領域１３、第２の親水領域４３、第３の親水領域４５がそれぞれ形成されている。
【００８７】
かかる場合、工程Ｓ５において、めっき液流通路３０にめっき液Ｍが供給されると、毛細管現象によってめっき液Ｍはめっき液流通路３０を流通し、テンプレート２０とウェハＷとの間に進入する。このとき、めっき液流通路３０から流出しためっき液Ｍは、突起部２５０のピン止め効果によって、その水平方向の拡がりが抑制されてウェハＷ上に供給される。したがって、めっき液Ｍは、貫通電極１０上のみに高い位置精度で供給される。なお、その他の工程Ｓ１〜Ｓ４、Ｓ７については、上記実施の形態の工程Ｓ１〜Ｓ４、Ｓ７と同様であるので説明を省略する。
【００８８】
以上のように本実施の形態によれば、処理領域１２と第１の親水領域４１を形成することなく、めっき液Ｍを貫通電極１０上に適切に供給することができる。したがって、後続の工程Ｓ７におけるめっき処理を適切に行うことができる。また、ウェハＷの表面Ｗａに回路等が密集して形成されており、当該表面Ｗａに処理領域１２を形成できない場合に、本実施の形態は特に有用である。なお、本実施の形態では、テンプレート２０のめっき液流通路３０に対応する位置に突起部２５０を形成したが、純水流通路３１に対応する位置に同様の突起部を形成してもよい。かかる場合、テンプレート２０の突起部から供給される純水によって、テンプレート２０とウェハＷの位置調整が行われる。
【００８９】
以上の実施の形態のテンプレート２０は、図１９に示すようにテンプレート２０とウェハＷの相対位置を調整するための昇降機構２６０を有していてもよい。昇降機構２６０は、テンプレート２０の表面２０ａにおける外周部に複数設けられている。また、昇降機構２６０には、例えば伸縮自在の昇降ピンが用いられる。
【００９０】
かかる場合、工程Ｓ２においてウェハＷの上方にテンプレート２０を配置する際、図２０（ａ）に示すようにテンプレート２０とウェハＷとの間を昇降機構２６０によって支持する。そして、昇降機構２６０によって、テンプレート２０とウェハＷ間の間隔Ｈ１を適切な間隔、例えば５０μｍ〜２００μｍに維持する。この段階ではテンプレート２０は昇降機構２６０に支えられているので、昇降機構２６０がない場合に比べて、より精密に水平な状態を維持することができる。次に昇降機構２６０の縮小を開始する。昇降機構２６０の縮小が開始されると、テンプレート２０は純水Ｐのみで支えられる状態になり、工程Ｓ３のテンプレート２０とウェハＷの位置調整が進行する。同時に、テンプレート２０の自重によりテンプレート２０が下方に移動し、純水Ｐが純水流通路３１を通って第３の親水領域４５に広がる。テンプレート昇降機構２６０の高さがH２に達すると、図２０（ｂ）に示すように、再びテンプレート２０が昇降機構２６０によって支持される状態になる。テンプレート２０とウェハＷ間の間隔Ｈ２を適切な間隔、例えば５μｍに維持することができるのである。なお、その他の工程Ｓ１、Ｓ５〜Ｓ７については、上記実施の形態のＳ１、Ｓ５〜Ｓ７と同様であるので説明を省略する。
【００９１】
本実施の形態によれば、昇降機構２６０によってテンプレート２０とウェハＷ間の間隔Ｈ１、Ｈ２をそれぞれ適切な間隔に制御できるので、テンプレート２０とウェハＷの位置調整とめっき処理を適切に行うことができる。また、間隔Ｈ１、Ｈ２が微小で、且つテンプレート２０の自重が大きいと、めっき液Ｍ、純水Ｐだけでは、これら間隔Ｈ１、Ｈ２を適切に維持できない場合がある。かかる場合において、昇降機構２６０によって間隔Ｈ１、Ｈ２を物理的に維持することができる本実施の形態は特に有用である。
【００９２】
以上の実施の形態では、工程Ｓ１においてウェハＷのアライメント領域１３に純水Ｐを供給した後、工程Ｓ２においてウェハＷの上方にテンプレート２０を配置していたが、ウェハＷ上にテンプレート２０を配置した後、アライメント領域１３に純水Ｐを供給してもよい。
【００９３】
かかる場合、先ず、図２１（ａ）に示すとおりテンプレート２０の表面２０ａとウェハＷの表面Ｗａを重ね合せるように、ウェハＷ上にテンプレート２０を配置する。
【００９４】
その後、図２１（ｂ）に示すように純水Ｐを一時的に貯留して供給する純水供給部２７０を、テンプレート２０の裏面２０ｂにおける純水流通路３１上に配置する。純水供給部２７０には、純水供給源（図示せず）から純水Ｐが供給される。そして、純水供給部２７０から純水流通路３１に純水Ｐが供給される。そうすると、純水流通路３１が微細な径、例えば１００μｍを有しているため、供給された純水Ｐは毛細管現象によって純水流通路３１内を流通する。
【００９５】
純水Ｐが純水流通路３１の端部まで流通すると、さらに毛細管現象によって水平方向に拡散する。すなわち、純水Ｐは、第２の親水領域４３とアライメント領域１３との間に進入する。こうして、第２の親水領域４３とアライメント領域１３との間に純水Ｐが充填される。なお、純水Ｐは第２の親水領域４３とアライメント領域１３との間を拡散するが、溝部４２、１４のピン止め効果によって、純水Ｐが第２の親水領域４３とアライメント領域１３の外側の領域に拡散することはない。
【００９６】
またこのとき、第２の親水領域４３とアライメント領域１３との間に充填された純水Ｐの表面張力等によって、テンプレート２０がウェハＷに対して浮上する。そして、テンプレート２０とウェハＷとの間に所定の間隔Ｈ１の隙間が形成される。そうすると、テンプレート２０は、ウェハＷに対して相対的に水平方向に移動可能になる。なおこのとき、テンプレート２０とウェハＷとの間において純水Ｐの外部に露出する面で働くラプラス圧により流体全体に圧力が波及する。この圧力は、パスカルの原理として、テンプレート２０がウェハＷに対して浮上しようとする力として作用している。
【００９７】
その後、工程Ｓ３において、上述した第２の親水領域４３とアライメント領域１３との間に充填された純水Ｐの表面張力によって、図２１（ｃ）に示すようにテンプレート２０を移動させる復元力（図２１（ｃ）の矢印）がテンプレート２０に作用する。そして、この復元力によってテンプレート２０とウェハＷの位置調整が行われる。なお、その後の工程Ｓ４〜Ｓ７については、上記実施の形態のＳ４〜Ｓ７と同様であるので説明を省略する。
【００９８】
本実施の形態によっても、ウェハＷの処理領域１２にめっき液Ｍを供給する前に、第２の親水領域４３とアライメント領域１３との間に供給された純水Ｐによって、テンプレート２０とウェハＷの位置調整を適切に行うことができる。したがって、ウェハＷの処理領域１２に高い位置精度でめっき液Ｍを供給することができ、当該めっき液Ｍを用いてウェハＷを適切にめっき処理することができる。
【００９９】
なお、本実施の形態においても、テンプレート２０に昇降機構２６０を設けてもよい。かかる場合、先ず、図２２（ａ）に示すようにテンプレート２０をウェハＷの上方に配置する際、当該テンプレート２０とウェハＷとの間を昇降機構２６０によって支持する。そして、昇降機構２６０によって、テンプレート２０とウェハＷ間の間隔Ｈ１を適切な間隔、例えば５０μｍ〜２００μｍに維持する。次に、図２２（ｂ）に示すように純水供給部２７０により純水流通路３１に純水Ｐを供給し、第２の親水領域４３とアライメント領域１３との間に純水Ｐを充填する。続いて、昇降機構２６０を縮小させてテンプレート２０を純水Ｐのみで支える状態をつくる。その後、工程Ｓ３において、上述した第２の親水領域４３とアライメント領域１３との間に充填された純水Ｐの表面張力によって、テンプレート２０を移動させる復元力がテンプレート２０に作用する。そして、この復元力によってテンプレート２０とウェハＷの位置調整が行われる。なお、その後の工程Ｓ４〜Ｓ７については、上記実施の形態のＳ４〜Ｓ７と同様であるので説明を省略する。
【０１００】
本実施の形態によれば、昇降機構２６０を用いてテンプレート２０とウェハＷ間の間隔を調整できるので、テンプレート２０が浮上するまでの時間を短縮することができる。このため、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
【０１０１】
また、例えば間隔Ｈ１が微小で、且つテンプレート２０の自重が大きいと、純水Ｐだけではこの間隔Ｈ１を適切に維持できない場合がある。かかる場合において、本実施の形態のように、昇降機構２６０によってテンプレート２０とウェハＷ間の間隔を物理的に調整することは特に有用である。
【０１０２】
以上の実施の形態では、ウェハ処理として、ウェハＷの貫通電極１０上にバンプ１１０を形成するめっき処理について説明したが、本発明は他のウェハ処理にも適用することができる。例えばウェハＷの貫通孔にめっき処理を行い、当該貫通孔内に貫通電極１０を形成する際にも本発明を適用することができる。
【０１０３】
また、めっき液以外の他の処理液を用いて、ウェハＷにめっき処理以外の他の処理を行う際にも本発明を適用することができる。例えば他の処理液としてエッチング液を用いて、本発明の方法でウェハＷにエッチング処理を行ってもよい。また、他の処理液として絶縁膜形成用溶液、例えば電着ポリイミド溶液を用いて、ウェハＷの孔部内に絶縁膜を形成してもよい。さらに、他の処理液として洗浄液や純水を用いて、ウェハＷを洗浄してもよい。
【０１０４】
以上の実施の形態では、アライメント液として純水Ｐを用いたが、他のアライメント液、例えばめっき液やエッチング液等を用いてもよい。
【０１０５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１０６】
１    ウェハ処理装置
１０  貫通電極
１１  溝部
１２  処理領域
１３  アライメント領域
１４  溝部
２０  テンプレート
２０ａ  表面
２０ｂ  裏面
３０  めっき液流通路
３１  純水流通路
４０  溝部
４１  第１の親水領域
４２  溝部
４３  第２の親水領域
４４  溝部
４５  第３の親水領域
１００  制御部
１１０  バンプ
２００  突起部
２１０  突起部
２２０  第４の親水領域
２２１  第５の親水領域
２３０  疎水領域
２４０  疎水領域
２５０  突起部
２６０  昇降機構
Ｍ    めっき液
Ｐ    純水
Ｗ    ウェハ
Ｗａ  表面
Ｗｂ  裏面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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