(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳミラーの設計を変更することなく、所望の波長の光をＭＥＭＳミラーへ入射することが可能な波長選択スイッチ（ＷＳＳ）を提供すること。【解決手段】本願発明の一実施形態に係るＷＳＳは、入出力ファイバアレイと、合分波用回折格子と、ＭＥＭＳミラーアレイとを備え、さらに当該ＭＥＭＳミラーアレイの前段に遮光マスクを備えることを特徴とする。また、本願発明の別の一実施形態に係るＷＳＳは、入出力ファイバアレイと、合分波用回折格子と、ＭＥＭＳミラーアレイとを備え、さらに当該ＭＥＭＳミラーアレイの前段に折り返しミラーを備え、前記ＷＳＳを構成する光学素子の何れかにおいて、誘電体多層膜などから成るバンドストップフィルタを集積することを特徴とする。本願発明の更に別の実施形態に係るＷＳＳは、ＭＥＭＳミラーアレイの前段且つ信号光の光路の途中にバンドパスフィルタを備えることを特徴とする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの入力ポートと、
複数の出力ポートと、
前記入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、
前記分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、
前記集光レンズにより集光された光信号を反射する複数のＭＥＭＳミラーから構成されたＭＥＭＳミラーアレイであって、反射された光信号は、前記集光レンズ及び前記分光手段を介して前記出力ポートに結合するＭＥＭＳミラーアレイと
を備えた波長選択スイッチであって、
前記波長選択スイッチは、前記集光レンズと前記ＭＥＭＳミラーアレイとの間に遮光マスクをさらに備え、
前記遮光マスクは、所定の帯域幅の光信号に対応する幅を有する矩形開口部を備えたことを特徴とする波長選択スイッチ。
【請求項２】
請求項１に記載の波長選択スイッチにおいて、前記遮光マスクのエッジ付近に存在するＭＥＭＳミラーは、傾きを制御されることを特徴とする波長選択スイッチ。
【請求項３】
少なくとも１つの入力ポートと、
複数の出力ポートと、
前記入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、
前記分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、
前記集光レンズにより集光された光信号を反射する複数のＭＥＭＳミラーから構成されたＭＥＭＳミラーアレイであって、反射された光信号は、前記集光レンズ及び前記分光手段を介して前記出力ポートに結合するＭＥＭＳミラーアレイと
を備えた波長選択スイッチであって、
前記波長選択スイッチは、前記入力ポートと前記ＭＥＭＳミラーアレイとの間に少なくとも１つの折り返しミラーをさらに備え、
前記波長選択スイッチを構成する光学素子の何れかにおいて、誘電体多層膜から成るバンドストップフィルタが集積されたことを特徴とする波長選択スイッチ。
【請求項４】
少なくとも１つの入力ポートと、
複数の出力ポートと、
前記入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、
前記分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、
前記集光レンズにより集光された光信号を反射する複数のＭＥＭＳミラーから構成されたＭＥＭＳミラーアレイであって、反射された光信号は、前記集光レンズ及び前記分光手段を介して前記出力ポートに結合するＭＥＭＳミラーアレイと
を備えた波長選択スイッチであって、
前記波長選択スイッチは、前記ＭＥＭＳミラーアレイの前段且つ信号光の光路の途中にバンドバスフィルタをさらに備えたことを特徴とする波長選択スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、波長選択スイッチに関するものであり、具体的には、所望の波長の光をＭＥＭＳミラーアレイに入射させる波長選択スイッチに関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の光入出力ポートを有し、波長多重された光信号を光のまま選択的に操作することができるデバイスが求められている。このようなデバイスの一つとして波長選択スイッチ（ＷＳＳ：Wavelength Selective Switch）がある。ＷＳＳは、入力された波長多重信号を波長毎に異なる出力に選択的に振り分けることができるデバイスである。
【０００３】
一般的なＷＳＳは、合分波素子及び偏光素子を用いた空間光学系の光通信用デバイスである。合波されて入射された光を、分散素子を介して波長ごとに位置に依存したビームに分波し、ＭＥＭＳミラーによって出力ポートを選択することで、波長ごとのスイッチングを実現している（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−００２６９３号公報
【特許文献２】米国特許第６６２５３４６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図を参照しながら、従来のＷＳＳの例について説明する。
【０００６】
図１は、従来のＷＳＳの概念図である。ＷＳＳ１００は、１個の入力ファイバ１２２及び２個の出力ファイバ（１２４−１，１２４−２）から成る入出力ファイバアレイ１２０と、合分波用回折格子１４０と、２軸可動式ＭＥＭＳミラーアレイ１６０と、光・電気制御デバイス１８０とから構成される。入力ファイバ１２２から入ってきた光信号を合分波回折格子１４０により波長ごとに分波する。次いで、分波された光の各々は、２軸可動式ＭＥＭＳミラーアレイ１６０を構成するＭＥＭＳミラーに到達し、反射される。次いで、反射された光の各々は、合分波用回折格子１４０により合波されて、所定の出力ファイバ（１２４−１又は１２４−２）から出力される。光・電気制御デバイス１８０がＭＥＭＳミラーの角度を制御することにより波長ごとに出力するポートを決定する。
【０００７】
図２は、従来のＷＳＳの一例の構成を説明するための斜視図である。図２に示すＷＳＳ２００は、ベース２１０と、１個の入力ポート２２２及び３個の出力ポート（２２４−１，２２４−２，２２４−３）が所定の方向に配列された入出力ポートアレイと、複数のコリメータ２３０から成るコリメータアレイと、分光デバイスである回折格子２４０と、レンズ２５０と、光信号の光路を切り替えるＭＥＭＳ素子２６０とから構成された、１入力ポート３出力ポートのＷＳＳである。
【０００８】
入力ポート２２２から入力された波長多重（ＷＤＭ）光信号は、コリメータ２３０を経て平行線ビームとなり、回折格子２４０によって各波長へ分波される。分波された各波長の光信号は、レンズ２５０を経て各波長に対して一つずつ準備されたＭＥＭＳ素子２６０のＭＥＭＳミラーへ到達し、反射される。光が反射される際、ＭＥＭＳミラーの角度を制御することにより波長ごとに出力するポートを決定する（図３を参照）。その後、各波長の光信号は、レンズ２５０を経て回折格子２４０によって出力ポート（２２４−１，２２４−２，２２４−３）ごとに光信号が合波され、所望の出力ポートより出力される。各波長の光信号が接続される出力ポート及び出力ポートごとに接続可能な波長数に対する制限は少なく、多様な波長数の光信号を扱うことが可能である。また、このＷＳＳにおいて、ミリ秒オーダーでトラフィックを柔軟に振り分けることも可能である。
【０００９】
図３は、図２に示したＷＳＳの動作を説明するために、ＷＳＳの一部を示した概略説明図である。図３（ａ）に示すＷＳＳにおいては、ＭＥＭＳミラー２６２の傾きは、ベース２１０に対して垂直な方向である。このとき、光信号は、出力ポート２２４−３から出力されている。次いで、ＭＥＭＳミラー２６２を図３（ｂ）に示すように傾ける。このとき、光信号は、出力ポート２２４−２から出力されている。このように、ＭＥＭＳミラーの角度を制御することにより光信号が出力される出力ポートを決定する（例えば、特許文献１を参照）。
【００１０】
図４は、従来のＷＳＳの一例を説明するための概略斜視図である。図４に示すＷＳＳ４００は、入力ポート及び出力ポートが所定の方向に配列された入出力ポートアレイ４１０と、入出力ポートに光信号を入出力するために偏向光を平行光に変換するｆθレンズ４２０と、ｆθレンズ４２０からの光信号のビーム断面を楕円形状にする円筒レンズ４３０と、第１のレンズ４４１、光信号を合分波する回折格子４４２、及び第２のレンズ４４３からなり、円筒レンズ４３０を通して集光された断面が楕円形状の光信号をミラーアレイに等倍で投影する４ｆ光学系４４０と、複数のＭＥＭＳミラー４５１が所定の方向に沿って一列に配列されたミラーアレイ４５０とを備えており、これらがこの順番で図４中のｚ軸に沿って一列に配列されている。
【００１１】
ここで、入出力ポートアレイは、一般的に、入力ポート用の光ファイバと出力ポート用の光ファイバとが同一のブロック（固定具）に一次元的に配列されて固定されたファイバコリメータから構成されている。なお、ファイバコリメータアレイは、ファイバアレイとレンズアレイを組み合わせた構成、又は、ファイバとレンズが一体化されたレンズドファイバをアレイ化した構成の何れであってもよい。
【００１２】
また、ＭＥＭＳミラー４５１は、ｚ軸に対して直交するｘ軸及びこのｘ軸に対して直交するｙ軸回りに回動可能とされている（図５を参照）。入出力ポートはそのｙ軸に沿った方向に配列されている。ＭＥＭＳミラーはそのｘ軸に沿った方向に配列されている。
【００１３】
図５に示すように、分波された各波長の光信号を偏向させ、目的のポートに任意の結合状態で結合させるための偏向素子としてのＭＥＭＳミラー４５１が、上述したように、波長分散方向（θｙ方向）と、波長分散方向に垂直な方向（θｘ方向）の二方向にビームを偏向する能力を有する。波長分散方向に垂直な方向にビームを偏向するＭＥＭＳミラーの角度θｘは、ｘ軸回りの回動であって、主に結合する光ポートを選択するための角度である。一方、波長分散方向にビームを偏向する角度θｙは、ｙ軸回りの回動であって、主に結合状態を任意にする、即ち、ＷＳＳの減衰率（ＡＴＴ:attenuation）を調整するための角度である。
【００１４】
上述した従来構成のＷＳＳでは、スイッチング・デバイス（ＭＥＭＳミラー）の仕様上、使用していない波長帯域の光がＭＥＭＳミラーに入射するとノイズとなってしまう。従って、不要な波長帯域の光を抑制するために、不要な波長帯域の光信号が入射するＭＥＭＳミラーについては、そのＭＥＭＳミラーを傾けて何れの出力ポートにも結合しないように制御する必要があった。このため、必要帯域以外のＭＥＭＳミラーまでも駆動する必要があり、また、必要な帯域のみを持つようにデバイス毎にミラー設計を変更しなければならないという課題があった。
【００１５】
本願発明は、上記課題を解決すべくなされたものであり、ＭＥＭＳミラーの設計を変更することなく、所望帯域の波長の光をＭＥＭＳミラーアレイへ入射することが可能なＷＳＳを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本願発明は、少なくとも１つの入力ポートと、複数の出力ポートと、入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、集光レンズにより集光された光信号を反射する複数のＭＥＭＳミラーから構成されたＭＥＭＳミラーアレイであって、反射された光信号は、集光レンズ及び分光手段を介して出力ポートに結合するＭＥＭＳミラーアレイとを備えた波長選択スイッチであって、波長選択スイッチは、集光レンズとＭＥＭＳミラーアレイとの間に遮光マスクをさらに備え、遮光マスクは、所定の帯域幅の光信号に対応する幅を有する矩形開口部を備えたことを特徴とする。
【００１７】
本願発明の一実施形態において、遮光マスクのエッジ付近に存在するＭＥＭＳミラーは、傾きを制御されることを特徴とする。
【００１８】
本願発明は、少なくとも１つの入力ポートと、複数の出力ポートと、入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、集光レンズにより集光された光信号を反射する複数のＭＥＭＳミラーから構成されたＭＥＭＳミラーアレイであって、反射された光信号は、集光レンズ及び分光手段を介して出力ポートに結合するＭＥＭＳミラーアレイとを備えた波長選択スイッチであって、波長選択スイッチは、入力ポートとＭＥＭＳミラーアレイとの間に少なくとも１つの折り返しミラーをさらに備え、波長選択スイッチを構成する光学素子の何れかにおいて、誘電体多層膜から成るバンドストップフィルタが集積されたことを特徴とする。
【００１９】
本願発明は、少なくとも１つの入力ポートと、複数の出力ポートと、入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、集光レンズにより集光された光信号を反射する複数のＭＥＭＳミラーから構成されたＭＥＭＳミラーアレイであって、反射された光信号は、集光レンズ及び分光手段を介して出力ポートに結合するＭＥＭＳミラーアレイとを備えた波長選択スイッチであって、波長選択スイッチは、ＭＥＭＳミラーアレイの前段且つ信号光の光路の途中にバンドバスフィルタをさらに備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本願発明の一実施形態に係るＷＳＳは、ＭＥＭＳミラーの前段に遮光マスクを備えることによって、ＭＥＭＳミラーアレイに入射される光の帯域を限定することができる。
【００２１】
本願発明の一実施形態に係るＷＳＳは、ＭＥＭＳミラーの設計を変更することなく、ＭＥＭＳミラーアレイに入射される光の帯域を変更することができる。
【００２２】
本願発明の一実施形態に係るＷＳＳは、ＭＥＭＳミラーの前段の折り返しミラーにフィルタを集積することによって、ＭＥＭＳミラーアレイに入射される光の帯域を限定する。従って、ＭＥＭＳミラーアレイに入射される光の帯域を限定する際に、ＷＳＳに新たな構成素子を追加する必要がないという利点を有する。
【００２３】
本願発明の一実施形態に係るＷＳＳは、信号光の光路の途中にバンドパスフィルタを設置することによって、ＭＥＭＳミラーアレイに入射される光の帯域を限定する。バンドパスフィルタは、ＭＥＭＳミラーの前段であれば任意の場所に設置することができる。従って、ＷＳＳの自由な設計が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】従来のＷＳＳの概念図である。
【図２】従来のＷＳＳの構成を説明するための斜視概念図である。
【図３】図２に示したＷＳＳの動作を説明するための説明図である。
【図４】従来のＷＳＳの構成を模式的に示す図である。
【図５】図４に示すＷＳＳのＭＥＭＳミラーの動作を説明するための図である。
【図６】本願発明に係るＷＳＳの一実施形態の概念図である。
【図７】本願発明の一実施形態に係るＷＳＳのシミュレーション結果を得るために使用したモデルの概略斜視図である。
【図８】本願発明の一実施形態に係るＷＳＳのシミュレーション結果を得るために使用したモデルの説明図である。
【図９】本願発明の一実施形態に係るＷＳＳのシミュレーション結果を得るために使用したモデルの説明図である。
【図１０】本願発明の一実施形態に係るＷＳＳの説明図である。
【図１１】本願発明の一実施形態に係るＷＳＳにおいて、ある位置に遮光マスクを配置したときの、各チャネルに対する遮光される光の量を表す実験結果を示すグラフである。
【図１２】本願発明に係るＷＳＳの一実施形態の概念図である。
【図１３】本願発明に係るＷＳＳの一実施例における特性を示すグラフである。
【図１４】本願発明に係るＷＳＳの一実施例における特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本願発明の実施形態を詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図６は、本願発明に係るＷＳＳの一実施形態の概念図である。ＷＳＳ１００は、１個の入力ファイバ１２２及び２個の出力ファイバ１２４−１，１２４−２から成る入出力ファイバアレイ１２０と、合分波用回折格子１４０と、遮光マスク１５０と、２軸可動式ＭＥＭＳミラーアレイ１６０と、光・電気制御デバイス１８０とから構成される。入力ファイバ１２２から入ってきた光信号を合分波回折格子１４０により波長ごとに分波する。次いで、分波された光信号のうち、波長帯域の外側に相当する光信号（短波側及び長波側が存在する）は、遮光マスク１５０によって遮光される。遮光されなかった光信号は、２軸可動式ＭＥＭＳミラーアレイ１６０を構成するＭＥＭＳミラーに到達し、反射される。次いで、反射された光の各々は、合分波用回折格子１４０により合波されて、所定の出力ファイバ（１２４−１又は１２４−２）から出力される。光・電気制御デバイス１８０がＭＥＭＳミラーの角度を制御することにより波長ごとに出力するポートを決定する。
【００２６】
本実施形態のシミュレーション結果を得るために使用したモデルを図７乃至図９を用いて説明する。
【００２７】
図７は、本実施形態のシミュレーション結果を得るために使用したモデルの説明図であり、ＷＳＳの構成素子のうち、遮光マスク１５０及びＭＥＭＳミラーアレイ１６０のみを抜き出した概略斜視図である。図７のＭＥＭＳミラーアレイ１６０のｚ軸に沿って上方に、即ち、合分波用回折格子１４０と（図７では図示せず）、ＭＥＭＳミラーアレイ１６０との間に、遮光マスク１５０が配置されている。複数のＭＥＭＳミラーがｘ軸に沿った方向に一列に配列される。各ＭＥＭＳミラーは、ｘ軸回りに回動可能である。
【００２８】
図８は、本実施形態のシミュレーション結果を得るために使用したモデルの別の説明図である。図８（ａ）はＷＳＳの構成素子のうち、遮光マスク１５０及びＭＥＭＳミラーアレイ１６０のみを抜き出した概略上面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）中に示す破線Ａ−Ａ′における断面図である。図８（ｂ）に示すように、遮光マスク１５０と、ＭＥＭＳミラーアレイ１６０との間隔は、３．１ｍｍとした。図９は、図８（ｂ）の領域ＩＸを拡大した図である。
【００２９】
図７乃至９に示したモデルを用いてシミュレーション解析を行った結果、遮光マスクのエッジからｘ軸方向に沿って０．２５ｍｍ以上はなれた位置に対応するチャネルにおいては、入射光信号の光損失は見られなかった。なお、本明細書においては、通信で使用する波長帯域をインナーバンドと呼称し、その外の波長帯域をアウターバンドと呼称する。本発明のＷＳＳにおいて、インナーバンドに損失が生じないようにマスクを設計し、設置する必要がある。
【００３０】
上述のシミュレーション解析結果と比較するため、図１０に示すようなＷＳＳを作成して実験を行った。図１０はＷＳＳの構成素子のうち、遮光マスク１５０及びＭＥＭＳミラーアレイ１６０のみを抜き出した概略上面図である。図１０に示すように、１９０．９５ＴＨｚ以上のチャネル上に遮光マスクが配置されるような設計とした。また、遮光マスク１５０のエッジが１９０．９５ＴＨｚのチャネルの端部から５８μｍずれて配置されるような設計とした。
【００３１】
図１０に示すＷＳＳを用いて行った実験の結果を図１１に示す。図１１は、図１０に示すような位置に遮光マスクを配置したときの、各チャネルにおける入射光信号の光強度を表すグラフである。図１０に示すように遮光マスクを配置したことにより、１９０．９０ＴＨｚ以上のチャネルにおいて入射光信号の減衰を確認した。図１０に示すように、周波数が１３０ＧＨｚ増加したとき、４３ｄＢの減衰があった。また、遮光マスクのエッジの位置の直下に存在する１９０．９５ＴＨｚのチャネルに入射する光信号は、遮光マスクを配置したことにより、２２ｄＢ減衰することが判明した。
【００３２】
このように、ＭＥＭＳミラーアレイ１６０の設計を変更することなく、後付けの遮光マスク１５０により、ＭＥＭＳミラーアレイ１６０に入射される信号光の帯域を調整することができる。
【００３３】
アウターバンドに相当する位置にあり、且つ光信号が入射してしまうチャネルについては、チャネルの傾きを制御して光をノイズにならない方向に反射させる必要があるが、そのようなチャネルの数は少ない。
【００３４】
本実施形態において、遮光マスクの開口のサイズを変更することで、ＭＥＭＳミラーアレイに入射する光信号の帯域を調整することができる。
【００３５】
また、上述したモデルでは、矩形の開口を有する１枚の遮光マスクについて検討したが、開口を有さない複数枚の遮光マスクをＭＥＭＳミラーアレイの上方に配置して、本願発明を実現することもできる。これによって、アウターバンドのみではなく所望の帯域の信号光を遮光することも可能となる。
【００３６】
（第２の実施形態）
電気配線等の実装が容易なため、ＭＥＭＳミラーは光学ベースに水平に配置されることが多い。そのような場合、光学ベース上を進行する光の光路を折り返しミラーにより直角に曲げて、ＭＥＭＳミラーアレイへ光を入射させることが必要となる（例えば、図１１を参照）。本実施形態に係るＷＳＳ２００は、斯かる空間光学系を有する。即ち、本実施形態に係るＷＳＳ２００は、ＭＥＭＳミラーアレイ２６０の前段に光信号の光路を曲げるための折り返しミラー２５５を備える。
【００３７】
折り返しミラー２５５に誘電体多層膜を積層することにより、折り返しミラー２５５上にコーティングされたアウターバンドを抑制するためのバンドストップフィルタを実現する。これにより、折り返しミラーの反射率が、波長依存性を持つようにする。具体的に説明すると、折り返しミラーの特定帯域の反射率のみを高くすることで、必要な帯域の光信号のみを反射することができ、これによって、アウターバンドを抑制することができる。
【００３８】
フィルタの材料として、５酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）及び二酸化珪素（ＳｉＯ2）等を使用することができる。これらの材料を用いて、イオンアシスト蒸着法等により多層膜を成膜するようなコーティングを施す。なお、コーティングは、蒸着法以外の方法（例えばスパッタ法）により施されてもよい。
【００３９】
また、所望帯域以外の光信号を減衰させるための手段として、バンドストップフィルタを使用する代わりに、光信号の光路上において、ハイパスフィルタ及びローパスフィルタの組み合わせを使用することもできる。
【００４０】
ミラー以外の素子(例えば、レンズ等)にフィルタを集積することも可能である。複数のフィルタを様々な素子に集積して、系全体で所望のフィルタ特性を確保することができる。
【００４１】
さらに、折り返しミラー上にバンドストップフィルタを実現すること又は光信号の光路上にハイパスフィルタとローパスフィルタとの組み合わせを実現することの代わりに、ＭＥＭＳミラーアレイの前段且つ信号光の光路の途中に多層膜バンドパスフィルタを設置してもよい。
【００４２】
以下、本実施形態の例を説明する。ＭＥＭＳミラーアレイの前段且つ信号光の光路の途中に、多層膜バンドパスフィルタを設置したモデルを検討した。バンドパスフィルタの挿入に起因する損失の波長依存性をシミュレーションした結果を図１２及び図１３に示す。
【００４３】
図１２において、実線は１枚のフィルタを挿入したときの結果を示し、破線は同じ２枚のフィルタを挿入したときの結果を示す。１枚のフィルタを設置したとき、短波長側の阻止帯（1560.00nm-1567.75nm）におけるフィルタの挿入損失は20ｄＢ以上となり、長波長側の阻止帯（1609.85nm-1617.00nm）におけるフィルタの挿入損失は20ｄＢ以上となる結果を得た。一方、２枚のフィルタを設置したとき、短波長側の阻止帯（1560.00nm-1567.75nm）におけるフィルタの挿入損失は４３ｄＢ以上となり、長波長側の阻止帯（1609.85nm-1617.00nm）におけるフィルタの挿入損失は４３ｄＢ以上となる結果を得た。
【００４４】
図１３は、図１１の領域の一部の拡大図である。１枚のフィルタを設置したとき、透過帯域（1570.21nm-1607.25nm）におけるフィルタの挿入損失は０．１ｄＢ未満であり、透過帯域における平坦性が担保されていることがわかる。一方、２枚のフィルタを設置したとき、透過帯域（1570.21nm-1607.25nm）におけるフィルタの挿入損失は、フィルタを１枚設置したときと比較して増加したものの、０．２ｄＢ未満であった。
【００４５】
図１２、図１３に示すように、２枚のバンドパスフィルタを設置したとき、透過帯域が1570.21nm乃至1607.25nmであり、透過帯域における挿入損失が０．２ｄＢ未満であり、消光比が４３ｄＢ以上というフィルタ特性を得た。
【００４６】
本実施形態に係るＷＳＳにおいては、既存のミラー等にフィルタを集積することにより、ＭＥＭＳミラーアレイに入射される信号光の波長帯域を調整する。従って、ＷＳＳに新たな素子を追加する必要がない。
【００４７】
上述したように、フィルタは、ＷＳＳに既存の多くの素子に集積することができる。これにより、消光比を拡大することや、複数のフィルタ機能を集積することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１００  波長選択スイッチ
１２０  入出力ファイバアレイ
１２２  入力ファイバ
１２４−１，１２４−２  出力ファイバ
１４０  合波分波用回折格子
１５０  遮光マスク
１６０  ２軸回動式ＭＥＭＳミラーアレイ
１８０  光・電気制御デバイス
２００  波長選択スイッチ
２１０  ベース
２２２  入力ポート
２２４−１，２２４−２，２２４−３  出力ポート
２３０  コリメータ
２４０  回折格子
２５０  レンズ
２５５  折り返しミラー
２６０  ＭＥＭＳ素子
２６２  ＭＥＭＳミラー
４００  波長選択スイッチ
４１０  入出力ポートアレイ
４２０  ｆθレンズ
４３０  円筒レンズ
４４０  ４ｆ光学系
４４１  第１のレンズ
４４２  回折格子
４４３  第２のレンズ
４５０  ミラーアレイ
４５１  ＭＥＭＳミラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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