(57)【要約】【課題】本発明は、配線層間のノイズを抑制したサスペンション用基板を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、隣り合う第一配線層および第二配線層を有し、上記カバー層は、上記第一配線層および上記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有することを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、
前記配線層が、隣り合う第一配線層および第二配線層を有し、
前記カバー層が、前記第一配線層および前記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有することを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記第一配線層および前記第二配線層の間には、局所的に配線間距離が広い部分が形成され、
前記局所的に配線間距離が広い部分に、前記カバー層切れ込み部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記絶縁層が、前記カバー層切れ込み部に対応した位置に、絶縁層切れ込み部を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記金属支持基板が、前記カバー層切れ込み部に対応した位置に、金属支持基板切れ込み部を有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
前記第一配線層が書込用配線層および読取用配線層の一方であり、前記第二配線層がその他方であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層上に形成された下部配線層と、前記下部配線層上に形成されたミドル絶縁層と、前記ミドル絶縁層上に形成された上部配線層と、前記上部配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、
前記下部配線層および前記上部配線層の少なくとも一方が、平面視上、隣り合う第一配線層および第二配線層を有し、
前記カバー層が、前記第一配線層および前記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有することを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項７】
前記第一配線層および前記第二配線層の間には、局所的に配線間距離が広い部分が形成され、
前記局所的に配線間距離が広い部分に、前記カバー層切れ込み部が形成されていることを特徴とする請求項６に記載のサスペンション用基板。
【請求項８】
前記ミドル絶縁層が、前記カバー層切れ込み部に対応した位置に、ミドル絶縁層切れ込み部を有することを特徴とする請求項６または請求項７に記載のサスペンション用基板。
【請求項９】
前記ベース絶縁層が、前記カバー層切れ込み部に対応した位置に、ベース絶縁層切れ込み部を有することを特徴とする請求項８に記載のサスペンション用基板。
【請求項１０】
前記ミドル絶縁層切れ込み部および前記ベース絶縁層切れ込み部において、前記ミドル絶縁層および前記ベース絶縁層の端面が一致していることを特徴とする請求項９に記載のサスペンション用基板。
【請求項１１】
前記金属支持基板が、前記カバー層切れ込み部に対応した位置に、金属支持基板切れ込み部を有することを特徴とする請求項６から請求項１０までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項１２】
前記第一配線層が、前記下部配線層および前記上部配線層の両方、前記下部配線層のみ、または、前記上部配線層のみから構成されていることを特徴とする請求項６から請求項１１までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項１３】
前記第二配線層が、前記下部配線層および前記上部配線層の両方、前記下部配線層のみ、または、前記上部配線層のみから構成されていることを特徴とする請求項６から請求項１２までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項１４】
前記第一配線層が書込用配線層および読取用配線層の一方であり、前記第二配線層がその他方であることを特徴とする請求項６から請求項１３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、
前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、
を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項１６】
請求項１５に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項１７】
請求項１６に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項１８】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記配線層が隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、前記配線層を形成する配線層形成工程と、
前記第一配線層および前記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有する前記カバー層を形成するカバー層形成工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１９】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層上に形成された下部配線層と、前記下部配線層上に形成されたミドル絶縁層と、前記ミドル絶縁層上に形成された上部配線層と、前記上部配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記下部配線層および前記上部配線層の少なくとも一方が、平面視上、隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、前記下部配線層および前記上部配線層を形成する配線層形成工程と、
前記第一配線層および前記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有する前記カバー層形成するカバー層形成工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項２０】
前記ミドル絶縁層が、前記カバー層切れ込み部に対応した位置に、ミドル絶縁層切れ込み部を有し、
前記ミドル絶縁層切れ込み部から露出する前記ベース絶縁層をエッチングすることにより、ベース絶縁層切れ込み部を有する前記ベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成工程を有することを特徴とする請求項１９に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線層間のノイズを抑制したサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。それに伴い、ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャ―）にも、高機能化が求められている。
【０００３】
このようなサスペンション用基板に形成される配線層は、例えば特許文献１に示すように、絶縁層の同一表面上に一対で形成される（平面配列の配線層）。通常は、一対の配線層からなる読取用配線層と、一対の配線層からなる書込用配線層とが、それぞれ絶縁層の同一表面上に形成される。一方、このような一対の配線層を、絶縁性の部材を介して、縦に配列するサスペンション用基板が知られている（積層配列の配線層）。例えば、特許文献２、３には、一対の配線層を積層配列したサスペンション用基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１１３８７号公報
【特許文献２】特開平９−０２２５７０号公報
【特許文献３】特開平１０−００３６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
サスペンション用基板の高機能化に伴い、配線層間のノイズが大きな問題となっている。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、配線層間のノイズを抑制したサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記配線層が、隣り合う第一配線層および第二配線層を有し、上記カバー層が、上記第一配線層および上記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有することを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【０００８】
本発明によれば、カバー層がカバー層切れ込み部を有することから、配線層間のノイズを抑制したサスペンション用基板とすることができる。
【０００９】
上記発明においては、上記第一配線層および上記第二配線層の間には、局所的に配線間距離が広い部分が形成され、上記局所的に配線間距離が広い部分に、上記カバー層切れ込み部が形成されていることが好ましい。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。
【００１０】
上記発明においては、上記絶縁層が、上記カバー層切れ込み部に対応した位置に、絶縁層切れ込み部を有することが好ましい。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。
【００１１】
上記発明においては、上記金属支持基板が、上記カバー層切れ込み部に対応した位置に、金属支持基板切れ込み部を有することが好ましい。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。さらに、サスペンション用基板の軽量化や剛性調整が可能になるという利点もある。
【００１２】
上記発明においては、上記第一配線層が書込用配線層および読取用配線層の一方であり、上記第二配線層がその他方であることが好ましい。配線間のクロストークを効果的に抑制できるからである。
【００１３】
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に形成された下部配線層と、上記下部配線層上に形成されたミドル絶縁層と、上記ミドル絶縁層上に形成された上部配線層と、上記上部配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記下部配線層および上記上部配線層の少なくとも一方が、平面視上、隣り合う第一配線層および第二配線層を有し、上記カバー層が、上記第一配線層および上記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有することを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【００１４】
本発明によれば、カバー層がカバー層切れ込み部を有することから、配線層間のノイズを抑制したサスペンション用基板とすることができる。
【００１５】
上記発明においては、上記第一配線層および上記第二配線層の間には、局所的に配線間距離が広い部分が形成され、上記局所的に配線間距離が広い部分に、上記カバー層切れ込み部が形成されていることが好ましい。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。
【００１６】
上記発明においては、上記ミドル絶縁層が、上記カバー層切れ込み部に対応した位置に、ミドル絶縁層切れ込み部を有することが好ましい。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。
【００１７】
上記発明においては、上記ベース絶縁層が、上記カバー層切れ込み部に対応した位置に、ベース絶縁層切れ込み部を有することが好ましい。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。
【００１８】
上記発明においては、上記ミドル絶縁層切れ込み部および上記ベース絶縁層切れ込み部において、上記ミドル絶縁層および上記ベース絶縁層の端面が一致していることが好ましい。切れ込み部全体の幅を細くすることができ、デザインルール自由度が向上するからである。
【００１９】
上記発明においては、上記金属支持基板が、上記カバー層切れ込み部に対応した位置に、金属支持基板切れ込み部を有することが好ましい。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。さらに、サスペンション用基板の軽量化や剛性調整が可能になるという利点もある。
【００２０】
上記発明においては、上記第一配線層が、上記下部配線層および上記上部配線層の両方、上記下部配線層のみ、または、上記上部配線層のみから構成されていることが好ましい。
【００２１】
上記発明においては、上記第二配線層が、上記下部配線層および上記上部配線層の両方、上記下部配線層のみ、または、上記上部配線層のみから構成されていることが好ましい。
【００２２】
上記発明においては、上記第一配線層が書込用配線層および読取用配線層の一方であり、上記第二配線層がその他方であることが好ましい。配線間のクロストークを効果的に抑制できるからである。
【００２３】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。
【００２４】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、配線層間のノイズを抑制したサスペンションとすることができる。
【００２５】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００２６】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、配線層間のノイズを抑制した素子付サスペンションとすることができる。
【００２７】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００２８】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００２９】
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記配線層が隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、上記配線層を形成する配線層形成工程と、上記第一配線層および上記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有する上記カバー層を形成するカバー層形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００３０】
本発明によれば、第一配線層および第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有するカバー層を形成することにより、配線層間のノイズを抑制したサスペンション用基板を得ることができる。
【００３１】
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に形成された下部配線層と、上記下部配線層上に形成されたミドル絶縁層と、上記ミドル絶縁層上に形成された上部配線層と、上記上部配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記下部配線層および上記上部配線層の少なくとも一方が、平面視上、隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、上記下部配線層および上記上部配線層を形成する配線層形成工程と、上記第一配線層および上記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有する上記カバー層形成するカバー層形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００３２】
本発明によれば、第一配線層および第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有するカバー層を形成することにより、配線層間のノイズを抑制したサスペンション用基板を得ることができる。
【００３３】
また、上記発明においては、上記ミドル絶縁層が、上記カバー層切れ込み部に対応した位置に、ミドル絶縁層切れ込み部を有し、上記ミドル絶縁層切れ込み部から露出する上記ベース絶縁層をエッチングすることにより、ベース絶縁層切れ込み部を有する上記ベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成工程を有することが好ましい。ミドル絶縁層切れ込み部およびベース絶縁層切れ込み部において、ミドル絶縁層およびベース絶縁層の端面が一致したサスペンション用基板を得ることができるからである。
【発明の効果】
【００３４】
本発明のサスペンション用基板は、配線層間のノイズを抑制できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】平面配列の配線層を有する、一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図２】第一実施態様のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図３】第一実施態様におけるカバー層切れ込み部を例示する模式図である。
【図４】金属支持基板切れ込み部の形状を例示する概略平面図である。
【図５】第一実施態様のサスペンション用基板を例示する概略断面図である。
【図６】インターリーブ構造を説明する概略平面図である。
【図７】積層配列の配線層を有する、一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図８】第二実施態様のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図９】第二実施態様におけるカバー層切れ込み部を例示する模式図である。
【図１０】ミドル絶縁層切れ込み部およびベース絶縁層切れ込み部を説明する概略断面図である。
【図１１】第二実施態様のサスペンション用基板を例示する概略断面図である。
【図１２】第二実施態様のサスペンション用基板を例示する概略断面図である。
【図１３】第二実施態様のサスペンション用基板を例示する概略断面図である。
【図１４】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１５】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１６】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図１７】第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１８】第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。
【００３７】
Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、２つの実施態様に大別できる。以下、本発明のサスペンション用基板について、第一実施態様と第二実施態様とに分けて説明する。
【００３８】
１．第一実施態様
第一実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記配線層が、隣り合う第一配線層および第二配線層を有し、上記カバー層が、上記第一配線層および上記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有することを特徴とするものである。
【００３９】
図１は、平面配列の配線層を有する、一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１（ａ）は一般的なサスペンション用基板の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、カバー層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板２０は、一方の先端部分に形成された素子実装領域１１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１２と、素子実装領域１１および外部回路基板接続領域１２を電気的に接続する複数の配線層１３ａ〜１３ｄとを有するものである。配線層１３ａおよび配線層１３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１３ｃおよび配線層１３ｄも一対の配線層である。これらの２つの配線層は、一方が書込用配線層であり、他方が読取用配線層である。また、図１（ｂ）に示すように、サスペンション用基板２０は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３を覆うように形成されたカバー層４とを有する。
【００４０】
図２は、第一実施態様のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図２（ａ）は配線層のみを示す概略平面図であり、図２（ｂ）は配線層上に形成されたカバー層を示す概略平面図であり、図２（ｃ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図２（ａ）に示すように、４本の配線層３のうち、内側の２本を第一配線層３１および第二配線層３２とする。また、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、４本の配線層３には、これらの配線層を覆うようにカバー層４が形成されている。第一実施態様においては、カバー層４が、第一配線層３１および第二配線層３２の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部４ｓを有することを大きな特徴とする。また、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、本発明においては、隣り合う第一配線層３１および第二配線層３２の間に、局所的に配線間距離が広い部分が形成され、この部分にカバー層切れ込み部４ｓが形成されていることが好ましい。
【００４１】
第一実施態様によれば、カバー層がカバー層切れ込み部を有することから、配線層間のノイズを抑制したサスペンション用基板とすることができる。通常、カバー層の材料は空気よりも比誘電率が高いため、第一配線層および第二配線層の間のカバー層を除去することにより、配線層間のノイズを抑制できる。さらに、カバー層がカバー層切れ込み部を有することで、サスペンション用基板に反りが生じることを抑制できる。
以下、第一実施態様のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
【００４２】
（１）サスペンション用基板の部材
まず、第一実施態様のサスペンション用基板の部材について説明する。第一実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層およびカバー層を少なくとも有するものである。
【００４３】
第一実施態様における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはＳＵＳ等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。
【００４４】
第一実施態様における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。絶縁層が薄すぎると金属支持基板との距離が近いため高周波特性の悪化を招きやすくなり、絶縁層が厚すぎるとサスペンション用基板の剛性が上がりすぎてしまうからである。
【００４５】
第一実施態様における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、９μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。また、配線層の一部の表面には、配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できるからである。中でも、第一実施態様においては、素子や外部回路基板との接続を行う端子部に配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Ａｕめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき等を挙げることができる。中でも、第一実施態様においては、配線層の表面側から、ＮｉめっきおよびＡｕめっきが形成されていることが好ましい。配線めっき部の厚さは、例えば０．１μｍ〜４μｍの範囲内である。また、第一実施態様における配線層は、通常、書込用配線層および読取用配線層を有し、さらに必要に応じて、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層、電源用配線層、グランド用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層、アクチュエータ用配線層、熱アシスト用配線層を有していても良い。また、通常は、これらの配線層のいずれかが、後述する第一配線層および第二配線層となる。
【００４６】
第一実施態様におけるカバー層は、配線層を覆うように形成されるものである。カバー層を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載した樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。配線層上（配線層の上面で）のカバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であり、中でも２μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１５μｍの範囲内であることがより好ましい。カバー層が薄すぎるとピンホールなどによる配線露出の不良が増加し、カバー層が厚すぎるとサスペンション用基板の剛性が上がりすぎてしまうからである。
【００４７】
（２）サスペンション用基板の構成
次に、第一実施態様のサスペンション用基板の構成について説明する。第一実施態様のサスペンション用基板は、カバー層が、第一配線層および第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有することを大きな特徴とする。カバー層切れ込み部の平面視形状は、特に限定されるものではないが、例えばスリット状を挙げることができる。
【００４８】
図２に示すように、カバー層切れ込み部４ｓの長手方向の長さをＬとした場合、Ｌの値は特に限定されるものではないが、例えば５００μｍ以上であることが好ましく、１ｍｍ以上であることがより好ましく、１．５ｍｍ以上であることがさらに好ましい。Ｌの値が小さすぎると、配線間のノイズを抑制できない可能性があるからである。一方、Ｌの値は、より大きいことが好ましいが、配線層が密集しているところには、カバー層切れ込み部を形成することが難しい。このような観点から、Ｌの値は、通常８ｍｍ以下である。
【００４９】
また、図２に示すように、カバー層切れ込み部４ｓの短手方向の幅をＷとした場合、Ｗの値は特に限定されるものではないが、例えば５０μｍ以上であることが好ましく、８０μｍ以上であることがより好ましく、１１０μｍ以上であることがさらに好ましい。Ｗの値が小さすぎると、配線間のノイズを抑制できない可能性があるからである。一方、Ｗの値の上限は、特に限定されるものではないが、Ｗの値を大きくしすぎると、カバー層が配線層の保護という本来の機能を奏し得なくなる可能性がある。図２に示すように、カバー層切れ込み部４ｓと、第一配線層３１または第二配線層３２との距離（値がより小さくなる距離）をＤ１とした場合、Ｄ１の値は、３０μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましく、４０μｍ〜７０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００５０】
カバー層切れ込み部の形成位置は、第一配線層および第二配線層の間であれば特に限定されるものではない。中でも、第一実施態様においては、図２に示したように、第一配線層および第二配線層の間に、局所的に配線間距離が広い部分が形成され、その部分に、カバー層切れ込み部４ｓが形成されていることが好ましい。カバー層切れ込み部を形成しやすいからである。局所的に広い部分の配線間距離をＤ２とした場合、Ｄ２の値は、１３０μｍ〜４００μｍの範囲内であることが好ましく、２００μｍ〜３００μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００５１】
図３は、第一実施態様におけるカバー層切れ込み部を例示する模式図である。図３（ａ）はカバー層切れ込み部を示す概略平面図であり、図３（ｂ）〜（ｄ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。第一実施態様のサスペンション用基板は、図３（ｂ）に示すように、カバー層４が、カバー層切れ込み部４ｓを有することを大きな特徴とする。また、第一実施態様のサスペンション用基板は、図３（ｃ）に示すように、絶縁層２が、カバー層切れ込み部４ｓに対応した位置に、絶縁層切れ込み部２ｓを有することが好ましい。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。絶縁層切れ込み部の平面視形状は、特に限定されるものではないが、例えば、スリット状を挙げることができる。絶縁層切れ込み部は、例えば、カバー層切れ込み部と同一形状または相似形状であることが好ましい。なお、「カバー層切れ込み部に対応した位置」とは、平面視上、カバー層切れ込み部と少なくとも一部で重複する位置をいう。
【００５２】
また、第一実施態様のサスペンション用基板は、図３（ｄ）に示すように、金属支持基板１が、カバー層切れ込み部４ｓに対応した位置に、金属支持基板切れ込み部１ｓを有することが好ましい。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。さらに、サスペンション用基板の軽量化や剛性調整が可能になるという利点もある。金属支持基板切れ込み部の平面視形状は、特に限定されるものではないが、例えば図４（ａ）に示すようにスリット状を挙げることができる。また、図４（ｂ）に示すように、金属支持基板切れ込み部は、複数の孔部を直線状に配置したものであっても良い。なお、孔部の形状としては、例えば円、楕円、多角形状等を挙げることができる。
【００５３】
また、第一実施態様においては、平面視上、カバー層切れ込み部を挟むように、第一配線層および第二配線層が配置される。この第一配線層および第二配線層は、上述したように、任意の機能を有する配線層であれば良いが、中でも、第一配線層は書込用配線層および読取用配線層の一方であり、かつ、第二配線層は書込用配線層および読取用配線層の他方であることが好ましい。配線間のクロストークを効果的に抑制できるからである。このような具体例としては、図５（ａ）に示すように、第一配線層３１が書込用配線層Ｗ２であり、第二配線層３２が読取用配線層Ｒ１であるサスペンション用基板を挙げることができる。書込用配線層Ｗ１、Ｗ２、および、読取用配線層Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ一対の差動配線である。
【００５４】
また、別の具体例としては、図５（ｂ）に示すように、第一配線層３１がインターリーブ型の書込用配線層Ｗ２ｂであり、第二配線層３２が読取用配線層Ｒ１であるサスペンション用基板を挙げることができる。ここで、インターリーブ構造について、図６を用いて説明する。図６（ａ）は、インターリーブ構造を有する配線層の概略平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）を金属支持基板側から観察した概略平面図である。なお、図６（ａ）のＡ−Ａ断面図が図５（ｂ）の書込用配線層に相当する。図６（ａ）に示すように、書込用配線層Ｗ１ａは分岐配線層Ｗ１ｂを有し、Ｗ１ａおよびＷ１ｂはそれぞれ絶縁層を貫通するビア１４を有する。その２つのビア１４は、図６（ｂ）に示すように、金属支持基板１の一部であるジャンパー部１５により電気的に接続されている。同様に、書込用配線層Ｗ２ａも分岐配線層Ｗ２ｂを有し、Ｗ２ａおよびＷ２ｂはそれぞれ絶縁層を貫通するビア１４を有し、その２つのビア１４は、金属支持基板１の一部を配線に用いたジャンパー部１５により電気的に接続されている。また、図６（ａ）に示すように、書込用配線層Ｗ１に属する配線層（Ｗ１ａ、Ｗ１ｂ）と、書込用配線層Ｗ２に属する配線層（Ｗ２ａ、Ｗ２ｂ）とは、交互に配置されている。このインターリーブ構造をとることにより、高周波特性が良好になるほか、低インピーダンス化を図ることができる。
【００５５】
さらに別の具体例としては、図５（ｃ）に示すように、第一配線層３１がインターリーブ型の書込用配線層Ｗ２ｂであり、第二配線層３２がインターリーブ型の読取用配線層Ｒ１ａであるサスペンション用基板を挙げることができる。
【００５６】
２．第二実施態様
次に、第二実施態様のサスペンション用基板について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に形成された下部配線層と、上記下部配線層上に形成されたミドル絶縁層と、上記ミドル絶縁層上に形成された上部配線層と、上記上部配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記下部配線層および上記上部配線層の少なくとも一方が、平面視上、隣り合う第一配線層および第二配線層を有し、上記カバー層が、上記第一配線層および上記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有することを特徴とするものである。
【００５７】
図７は、積層配列の配線層を有する、一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図７（ａ）は一般的なサスペンション用基板の概略平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図７（ａ）では、便宜上、カバー層の記載は省略している。図７（ａ）に示されるサスペンション用基板２０は、一方の先端部分に形成された素子実装領域１１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１２と、素子実装領域１１および外部回路基板接続領域１２を電気的に接続する複数の配線層１３とを有するものである。また、図７（ｂ）に示すように、サスペンション用基板２０は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成されたベース絶縁層２ｘと、ベース絶縁層２ｘ上に形成された下部配線層３ｘと、下部配線層３ｘ上に形成されたミドル絶縁層２ｙと、ミドル絶縁層２ｙ上に形成された上部配線層３ｙと、上部配線層３ｙを覆うように形成されたカバー層４とを有する。
【００５８】
図８は、第二実施態様のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図８（ａ）は配線層のみを示す概略平面図であり、図８（ｂ）は配線層上に形成されたカバー層を示す概略平面図であり、図８（ｃ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図８（ａ）に示すように、２本の配線層３を、第一配線層３１および第二配線層３２とする。この隣り合う第一配線層３１および第二配線層３２の間には、配線デザインとして、局所的に広がった空間が形成されている。なお、図８（ｃ）に示すように、第一配線層３１および第二配線層３２は、それぞれ、下部配線層３ｘおよび上部配線層３ｙの両方から構成されている。また、図８（ｂ）、（ｃ）に示すように、上部配線層３ｙには、これらの配線層を覆うようにカバー層４が形成されている。第二実施態様においては、カバー層４が、第一配線層３１および第二配線層３２の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部４ｓを有することを大きな特徴とする。
【００５９】
第二実施態様によれば、カバー層がカバー層切れ込み部を有することから、配線層間のノイズを抑制したサスペンション用基板とすることができる。通常、カバー層の材料は空気よりも比誘電率が高いため、第一配線層および第二配線層の間のカバー層を除去することにより、配線層間のノイズを抑制できる。さらに、カバー層がカバー層切れ込み部を有することで、サスペンション用基板に反りが生じることを抑制できる。
以下、第二実施態様のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
【００６０】
（１）サスペンション用基板の部材
まず、第二実施態様のサスペンション用基板の部材について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板、ベース絶縁層、下部配線層、ミドル絶縁層、上部配線層およびカバー層を少なくとも有するものである。なお、金属支持基板およびカバー層については、上述した第一実施態様と同様である。また、第二実施態様におけるベース絶縁層は、第一実施態様における絶縁層に相当するものであり、第一実施態様における絶縁層の記載と同様である。また、第二実施態様における下部配線層および上部配線層についても、第一実施態様における配線層と同様である。
【００６１】
第二実施態様におけるミドル絶縁層は、下部配線層を覆うように形成されるものである。ミドル絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、第一実施態様における絶縁層の材料として記載したものを用いることができる。中でも、ミドル絶縁層の材料は、ポリイミド樹脂であることが好ましい。また、下部配線層の頂面から上部配線層の底面までのミドル絶縁層の厚さ（配線層間のミドル絶縁層の厚さ）は、例えば５μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましく、７μｍ〜１５μｍの範囲内であることがより好ましい。配線層間のミドル絶縁層の厚さが小さすぎると、十分な絶縁性を発揮できない可能性があり、配線層間のミドル絶縁層の厚さが大きすぎると、反りが生じやすくなるからである。
【００６２】
（２）サスペンション用基板の構成
次に、第二実施態様のサスペンション用基板の構成について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板は、カバー層が、第一配線層および第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有することを大きな特徴とする。カバー層切れ込み部の形状、形成位置等については、上述した第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００６３】
第二実施態様のサスペンション用基板は、下部配線層および上部配線層の少なくとも一方が、平面視上、隣り合う第一配線層および第二配線層を有することを一つの特徴とする。具体的には、第二実施態様における第一配線層は、下部配線層および上部配線層の両方から構成されている場合、下部配線層のみから構成されている場合、上部配線層のみから構成されている場合の３つの態様がある。また、第二配線層も同様の３つの態様がある。第二実施態様においては、それぞれの態様を任意に組み合わせることができる。以下、第一配線層の態様ごとに説明する。
【００６４】
（ｉ）第一配線層が、下部配線層および上部配線層の両方から構成されている場合
図９（ａ）はカバー層切れ込み部を示す概略平面図であり、図９（ｂ）〜（ｇ）は図９（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図９（ｂ）〜（ｄ）は、いずれも、第一配線層３１が下部配線層３ｘおよび上部配線層３ｙの両方から構成されており、第二配線層３２は、下部配線層３ｘおよび上部配線層３ｙの両方から構成されていても良く（図９（ｂ））、下部配線層３ｘのみから構成されていても良く（図９（ｃ））、上部配線層３ｙのみから構成されていても良い図９（ｄ））。なお、「下部配線層のみ」とは、下部配線層が存在し、上部配線層が存在しない状態をいい、「上部配線層のみ」とは、上部配線層が存在し、下部配線層が存在しない状態をいう。
【００６５】
また、第二実施態様のサスペンション用基板は、図９（ｅ）、図９（ｆ）に示すように、ミドル絶縁層２ｙが、カバー層切れ込み部４ｓに対応した位置に、ミドル絶縁層切れ込み部２ｙｓを有することが好ましい。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。なお、図９（ｅ）は図９（ｂ）と同様に、第二配線層３２が下部配線層３ｘおよび上部配線層３ｙの両方から構成されている形態であり、図９（ｆ）は図９（ｃ）と同様に、第二配線層３２が下部配線層３ｘのみから構成されている形態である。ミドル絶縁層切れ込み部の平面視形状は、特に限定されるものではないが、例えば、スリット状を挙げることができる。ミドル絶縁層切れ込み部は、例えば、カバー層切れ込み部と同一形状または相似形状であることが好ましい。
【００６６】
また、第二実施態様のサスペンション用基板は、図９（ｇ）に示すように、ベース絶縁層２ｘが、カバー層切れ込み部４ｓに対応した位置に、ベース絶縁層切れ込み部２ｘｓを有することが好ましい。同様に、第二実施態様のサスペンション用基板は、図９（ｈ）に示すように、金属支持基板１が、カバー層切れ込み部４ｓに対応した位置に、金属支持基板切れ込み部１ｓを有することが好ましい。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。ベース絶縁層切れ込み部については、第一実施態様における絶縁層切れ込み部と同様であり、金属支持基板切れ込み部についても、第一実施態様における金属支持基板切れ込み部と同様であるので、ここでの記載は省略する。なお、図９（ｅ）、（ｇ）、（ｈ）では、各切れ込み部について、図９（ｂ）に示す配線層を有するサスペンション用基板を用いて説明したが、図９（ｂ）のみに限定されるものではなく、図９（ｃ）、（ｄ）においても同様である。
【００６７】
また、第二実施態様においては、図１０（ａ）に示すように、ミドル絶縁層切れ込み部２ｙｓおよびベース絶縁層切れ込み部２ｘｓにおいて、ミドル絶縁層２ｙおよびベース絶縁層２ｘの端面が一致していることが好ましい。切れ込み部全体の幅を細くすることができ、デザインルール自由度が向上するからである。従来、例えばアディティブ法で同様の切れ込み部を作製する場合、ベース絶縁層およびミドル絶縁層を順に形成するため、ベース絶縁層切れ込み部の幅よりもミドル絶縁層切れ込み部の幅が大きくなり、切れ込み部の断面形状は階段状になってしまう。その結果、切れ込み部全体の幅が大きくなり、デザインルール自由度が低くなる。これに対して、後述するように、所定のプロセスでベース絶縁層切れ込み部を形成することで、ミドル絶縁層およびベース絶縁層の端面を一致させることができ、切れ込み部全体の幅が小さくなり、切れ込み部の機能（ノイズ抑制機能）を維持しつつ、デザインルール自由度を高くすることができる。
【００６８】
ここで、ミドル絶縁層２ｙおよびベース絶縁層２ｘの端面が一致しているとは、図１０（ｂ）に示すように、切れ込み部におけるミドル絶縁層２ｙの底面とベース絶縁層２ｘの頂面との差Ｄ３が、８μｍ以下（好ましくは５μｍ以下）であることをいう。すなわち、ミドル絶縁層２ｙおよびベース絶縁層２ｘの端面が一致しているとは、例えば図１０（ｂ）に示すように、製造プロセスにおいて通常発生する寸法ばらつきＤ３を有する場合をも含むものである。なお、図１０（ｂ）では、ベース絶縁層２ｘがミドル絶縁層２ｙよりも突出しているが、ミドル絶縁層２ｙがベース絶縁層２ｘよりも突出していても良い。その場合においてもＤ３の値が、上記の値以下であれば、ミドル絶縁層２ｙおよびベース絶縁層２ｘの端面が一致していると判断できる。
【００６９】
また、第二実施態様においては、平面視上、カバー層切れ込み部を挟むように、第一配線層および第二配線層が配置される。この第一配線層および第二配線層は、上述したように、任意の機能を有する配線層であれば良いが、中でも、第一配線層は書込用配線層および読取用配線層の一方であり、かつ、第二配線層は書込用配線層および読取用配線層の他方であることが好ましい。配線間のクロストークを効果的に抑制できるからである。このような具体例としては、図１１（ａ）に示すように、第一配線層３１が書込用配線層Ｗ１およびＷ２であるサスペンション用基板を挙げることができる。書込用配線層Ｗ１、Ｗ２は、一対の差動配線である。
【００７０】
一方、図１１（ｂ）、（ｄ）に示すように、第二配線層３２は読取用配線層Ｒ１であっても良い。読取用配線層Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ一対の差動配線である。また、図１１（ｃ）、（ｅ）に示すように、第二配線層３２はインターリーブ型の読取用配線層Ｒ１ａであっても良い。なお、図１１には図示していないが、第一配線層３１として、図１１（ａ）に示す書込用配線層を読取用配線層に代えたものを用いても良い。同様に、図１１には図示していないが、第二配線層３２として図１１（ｂ）〜（ｅ）に示す読取用配線層を書込用配線層に代えたものを用いても良い。
【００７１】
（ii）第一配線層が、下部配線層のみから構成されている場合
図１２（ａ）はカバー層切れ込み部を示す概略平面図であり、図１２（ｂ）〜（ｇ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１２（ｂ）〜（ｄ）は、いずれも、第一配線層３１が下部配線層３ｘのみから構成されており、第二配線層３２は、下部配線層３ｘおよび上部配線層３ｙの両方から構成されていても良く（図１２（ｂ））、下部配線層３ｘのみから構成されていても良く（図１２（ｃ））、上部配線層３ｙのみから構成されていても良い図１２（ｄ））。
【００７２】
第二実施態様のサスペンション用基板は、図１２（ｅ）〜（ｇ）に示すように、ミドル絶縁層切れ込み部２ｙｓ、ベース絶縁層切れ込み部２ｘｓ、金属支持基板切れ込み部１ｓを有することが好ましい。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。また、図１２（ｅ）〜（ｇ）では、各切れ込み部について、図１２（ｃ）に示す配線層を有するサスペンション用基板を用いて説明したが、図１２（ｃ）のみに限定されるものではなく、図１２（ｂ）、（ｄ）においても同様である。
【００７３】
また、第一配線層が下部配線層のみから構成されている場合、その具体例としては、図１１（ｂ）、（ｃ）に示す読取用配線層を書込用配線層に代えたもの挙げることができる。なお、その他の事項については、「（ｉ）第一配線層が、下部配線層および上部配線層の両方から構成されている場合」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００７４】
（iii）第一配線層が、上部配線層のみから構成されている場合
図１３（ａ）はカバー層切れ込み部を示す概略平面図であり、図１３（ｂ）〜（ｇ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１３（ｂ）〜（ｄ）は、いずれも、第一配線層３１が上部配線層３ｙのみから構成されており、第二配線層３２は、下部配線層３ｘおよび上部配線層３ｙの両方から構成されていても良く（図１３（ｂ））、下部配線層３ｘのみから構成されていても良く（図１３（ｃ））、上部配線層３ｙのみから構成されていても良い図１３（ｄ））。特に、図１３（ｄ）に示すサスペンション用基板は、第一配線層３１および第二配線層３２がミドル絶縁層２ｙ上に形成されているため、例えば図１２（ｃ）に示すサスペンション用基板に比べて、金属支持基板１の影響（金属支持基板１に吸収されるエネルギー損失）を受けにくくなるという利点がある。
【００７５】
第二実施態様のサスペンション用基板は、図１３（ｅ）〜（ｇ）に示すように、ミドル絶縁層切れ込み部２ｙｓ、ベース絶縁層切れ込み部２ｘｓ、金属支持基板切れ込み部１ｓを有することが好ましい。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。また、図１３（ｅ）〜（ｇ）では、各切れ込み部について、図１３（ｄ）に示す配線層を有するサスペンション用基板を用いて説明したが、図１３（ｄ）のみに限定されるものではなく、図１３（ｂ）、（ｃ）においても同様である。
【００７６】
また、第一配線層が上部配線層のみから構成されている場合、その具体例としては、図１１（ｄ）、（ｅ）に示す読取用配線層を書込用配線層に代えたもの挙げることができる。なお、その他の事項については、「（ｉ）第一配線層が、下部配線層および上部配線層の両方から構成されている場合」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００７７】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
【００７８】
図１４は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１４に示されるサスペンション４０は、上述したサスペンション用基板２０と、サスペンション用基板２０の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム２１とを有するものである。
【００７９】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、配線層間のノイズを抑制したサスペンションとすることができる。
【００８０】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ＳＵＳであることが好ましい。
【００８１】
Ｃ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された素子と、を有することを特徴とするものである。
【００８２】
図１５は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１５に示される素子付サスペンション５０は、上述したサスペンション４０と、サスペンション４０（サスペンション用基板２０の素子実装領域１１）に実装された素子４１とを有するものである。
【００８３】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、配線層間のノイズを抑制した素子付サスペンションとすることができる。
【００８４】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明における素子としては、例えば、磁気ヘッドスライダ、アクチュエータ、半導体等を挙げることができる。また、上記アクチュエータは、磁気ヘッドを有するものであっても良く、磁気ヘッドを有しないものであっても良い。また、本発明における素子は、磁気ヘッドスライダのように、ディスクに対して記録再生を行う素子（記録再生用素子）であることが好ましい。
【００８５】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
【００８６】
図１６は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１６に示されるハードディスクドライブ６０は、上述した素子付サスペンション５０と、素子付サスペンション５０がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク５１と、ディスク５１を回転させるスピンドルモータ５２と、素子付サスペンション５０の素子を移動させるアーム５３およびボイスコイルモータ５４と、上記の部材を密閉するケース５５とを有するものである。
【００８７】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００８８】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｃ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００８９】
Ｅ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、２つの実施態様に大別できる。以下、本発明のサスペンション用基板について、第一実施態様と第二実施態様とに分けて説明する。
【００９０】
１．第一実施態様
第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記配線層が隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、上記配線層を形成する配線層形成工程と、上記第一配線層および上記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有する上記カバー層を形成するカバー層形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００９１】
図１７は、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、図１７は、図２（ｃ）と同様に、図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図に相当するものである。図１７においては、まず、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａおよび導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図１７（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、配線層３を形成する（図１７（ｂ））。次に、配線層３を覆うようにカバー層４を形成する（図１７（ｃ））。なお、カバー層４の形成と同時に、カバー層切れ込み部４ｓを形成する。
【００９２】
次に、絶縁部材２Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、絶縁層２を形成する（図１７（ｄ））。絶縁層２の形成と同時に、絶縁層切れ込み部２ｓを形成する。次に、金属支持部材１Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、金属支持基板１を形成する（図１７（ｅ））。金属支持基板１の形成と同時に、金属支持基板切れ込み部１ｓを形成する。なお、図１７においては、カバー層切れ込み部４ｓの他に、絶縁層切れ込み部２ｓおよび金属支持基板切れ込み部１ｓの形成方法を示しているが、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、少なくともカバー層切れ込み部を形成する工程を有していれば良い。
【００９３】
第一実施態様によれば、第一配線層および第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有するカバー層を形成することにより、配線層間のノイズを抑制したサスペンション用基板を得ることができる。
【００９４】
また、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、第一配線層および第二配線層を形成する工程と、カバー層切れ込み部を有するカバー層を形成する工程を有するものであれば、特に限定されるものではなく、いわゆるアディティブ法を用いても良く、サブトラクティブ法を用いても良い。
以下、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例として、サブトラクティブ法による製造方法について、工程ごとに説明する。
【００９５】
（１）積層部材準備工程
積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。
【００９６】
積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより絶縁層が得られ、積層体の導体部材をエッチングすることにより配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して絶縁層および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。
【００９７】
（２）配線層形成工程
配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する工程である。第一実施態様においては、配線層が隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、配線層を形成する。
【００９８】
配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がＣｕである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００９９】
また、第一実施態様においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば、治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の少なくとも一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。
【０１００】
（３）カバー層形成工程
カバー層形成工程は、上記配線層を覆うようにカバー層を形成する工程である。第一実施態様においては、第一配線層および第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有するカバー層を形成する。
【０１０１】
カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。
【０１０２】
また、カバー層切れ込み部の形成は、カバー層の形成と同時であっても良く、カバー層の形成後であっても良いが、カバー層の形成と同時であることが好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。
【０１０３】
（４）絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する工程である。
【０１０４】
絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。
【０１０５】
また、第一実施態様においては、絶縁層に、絶縁層切れ込み部を形成しても良い。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。絶縁層切れ込み部の形成は、絶縁層の形成と同時であっても良く、絶縁層の形成後であっても良いが、絶縁層の形成と同時であることが好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。
【０１０６】
（５）金属支持基板形成工程
金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし金属支持基板を形成する工程である。また、本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。
【０１０７】
金属支持部材をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がＳＵＳである場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【０１０８】
また、第一実施態様においては、金属支持基板に、金属支持基板切れ込み部を形成しても良い。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。さらに、サスペンション用基板の軽量化や剛性調整が可能になるという利点もある。金属支持基板切れ込み部の形成は、金属支持基板の形成と同時であっても良く、金属支持基板の形成後であっても良いが、金属支持基板の形成と同時であることが好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。
【０１０９】
（６）その他の工程
第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、配線層の一部に配線めっき部を形成する配線めっき部形成工程を有していても良い。配線めっき部を形成する方法としては、具体的には、電解めっき法を挙げることができる。また、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、配線層および金属支持基板（金属支持部材）を電気的に接続するビアを形成するビア形成工程を有していても良い。ビアを形成する方法としては、具体的には、電解めっき法を挙げることができる。
【０１１０】
２．第二実施態様
第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に形成された下部配線層と、上記下部配線層上に形成されたミドル絶縁層と、上記ミドル絶縁層上に形成された上部配線層と、上記上部配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記下部配線層および上記上部配線層の少なくとも一方が、平面視上、隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、上記下部配線層および上記上部配線層を形成する配線層形成工程と、上記第一配線層および上記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有する上記カバー層形成するカバー層形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【０１１１】
第二実施態様によれば、第一配線層および第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有するカバー層を形成することにより、配線層間のノイズを抑制したサスペンション用基板を得ることができる。
【０１１２】
図１８は、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、図１８は、図８（ｃ）と同様に、図８（ｂ）のＡ−Ａ断面図に相当するものである。図１８においては、まず、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａおよび導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図１８（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、下部配線層３ｘを形成する（図１８（ｂ））。次に、下部配線層３ｘを覆うようにミドル絶縁層２ｙを形成する（図１８（ｃ））。なお、ミドル絶縁層２ｙの形成と同時に、ミドル絶縁層切れ込み部２ｙｓを形成する。次に、図示しないが、ミドル絶縁層２ｙの表面上に、スパッタリング法等によりシード層を形成し、そのシード層の表面に、ＤＦＲ等を用いて所定のパターンを形成する。次に、得られたパターンから露出するシード層上に、電解めっき法により上部配線層３ｙを形成する（図１８（ｄ））。シード層の除去後、上部配線層３ｙを覆うようにカバー層４を形成する（図１８（ｅ））。なお、カバー層４の形成と同時に、カバー層切れ込み部４ｓを形成する。
【０１１３】
次に、絶縁部材２Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、ベース絶縁層２ｘを形成する（図１８（ｆ））。ベース絶縁層２ｘの形成と同時に、ベース絶縁層切れ込み部２ｘｓを形成する。次に、金属支持部材１Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、金属支持基板１を形成する（図１８（ｇ））。金属支持基板１の形成と同時に、金属支持基板切れ込み部１ｓを形成する。なお、図１８においては、カバー層切れ込み部４ｓの他に、ミドル絶縁層切れ込み部２ｙｓ、ベース絶縁層切れ込み部２ｘｓおよび金属支持基板切れ込み部１ｓの形成方法を示しているが、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、少なくともカバー層切れ込み部を形成する工程を有していれば良い。
【０１１４】
第二実施態様によれば、第一配線層および第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有するカバー層を形成することにより、配線層間のノイズを抑制したサスペンション用基板を得ることができる。
【０１１５】
また、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、第一配線層および第二配線層を形成する工程と、カバー層切れ込み部を有するカバー層を形成する工程を有するものであれば、特に限定されるものではなく、いわゆるアディティブ法を用いても良く、サブトラクティブ法を用いても良い。
以下、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例として、サブトラクティブ法による製造方法について、工程ごとに説明する。
【０１１６】
（１）積層部材準備工程
積層部材準備工程は、第一実施態様における積層部材準備工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【０１１７】
（２）下部配線層形成工程
下部配線層形成工程は、第一実施態様における配線層形成工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【０１１８】
（３）ミドル絶縁層形成工程
ミドル絶縁層形成工程は、下部配線層を覆うようにミドル絶縁層を形成する工程である。ミドル絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、ミドル絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、ミドル絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したミドル絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状のミドル絶縁層を得ることができる。また、ミドル絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したミドル絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のミドル絶縁層を得ることができる。
【０１１９】
また、第二実施態様においては、ミドル絶縁層に、ミドル絶縁層切れ込み部を形成しても良い。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。ミドル絶縁層切れ込み部の形成は、ミドル絶縁層の形成と同時であっても良く、ミドル絶縁層の形成後であっても良いが、ミドル絶縁層の形成と同時であることが好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。
【０１２０】
（４）上部配線層形成工程
上部配線層形成工程は、ミドル絶縁層上に上部配線層を形成する工程である。上部配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。また、第二実施態様においては、下部配線層および上部配線層の少なくとも一方が、平面視上、隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、下部配線層および上部配線層を形成する。この具体的な態様については、「Ａ．サスペンション用基板  ２．第二実施態様」で説明した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【０１２１】
（５）カバー層形成工程
カバー層形成工程は、上記上部配線層を覆うようにカバー層を形成する工程である。第二実施態様においては、第一配線層および第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有するカバー層を形成する。なお、カバー層の形成方法等については、第一実施態様におけるカバー層形成工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【０１２２】
また、カバー層切れ込み部の形成は、カバー層の形成と同時であっても良く、カバー層の形成後であっても良いが、カバー層の形成と同時であることが好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。
【０１２３】
（６）ベース絶縁層形成工程
ベース絶縁層形成工程は、第一実施態様における絶縁層形成工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【０１２４】
第二実施態様においては、ベース絶縁層に、ベース絶縁層切れ込み部を形成しても良い。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。ベース絶縁層切れ込み部の形成は、ベース絶縁層の形成と同時であっても良く、ベース絶縁層の形成後であっても良いが、ベース絶縁層の形成と同時であることが好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。
【０１２５】
特に、第二実施態様においては、ミドル絶縁層切れ込み部から露出するベース絶縁層をエッチングすることにより、ベース絶縁層切れ込み部を有するベース絶縁層を形成することが好ましい。ミドル絶縁層切れ込み部およびベース絶縁層切れ込み部において、ミドル絶縁層およびベース絶縁層の端面が一致したサスペンション用基板を得ることができるからである。特に、ミドル絶縁層２ｙをレジストとして用いて、ベース絶縁層２ｘのエッチングを行い、ベース絶縁層切れ込み部２ｘｓを形成することが好ましい。なお、ミドル絶縁層２ｙをレジストとして用いる場合、ミドル絶縁層２ｙは、ベース絶縁層２ｘよりもエッチングレートの遅い材料から構成されていることが好ましい。なお、両者のエッチングレートが大きく変わらない場合には、ＤＦＲ等を用いてレジストパターンを形成し、そこから露出するベース絶縁層２ｘをエッチングすることが好ましい。
【０１２６】
（７）金属支持基板形成工程
金属支持基板形成工程は、第一実施態様における金属支持基板形工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。なお、第二実施態様においては、金属支持基板に、金属支持基板切れ込み部を形成しても良い。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。また、サスペンション用基板の軽量化や剛性調整が可能になるという利点もある。金属支持基板切れ込み部の形成は、金属支持基板の形成と同時であっても良く、金属支持基板の形成後であっても良いが、金属支持基板の形成と同時であることが好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。
【０１２７】
（８）その他の工程
第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、上述した第一実施態様と同様に、配線めっき部形成工程、ビア形成工程等を有していても良い。
【０１２８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【０１２９】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【０１３０】
［実施例１］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁部材）、厚さ９μｍの電解銅層（導体部材）を有する積層部材を準備した（図１７（ａ））。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から配線層を形成した（図１７（ｂ））。なお、図示しないが、金属支持部材には治具孔を形成した。
【０１３１】
その後、パターニングされた配線層を覆うように、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングした。乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下で加熱することにより硬化（イミド化）させ、カバー層を形成した（図１７（ｃ））。この際、同時にカバー層切れ込み部（長さ２．２ｍｍ、幅１５０μｍ）を形成した。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去し、絶縁層を形成した（図１７（ｄ））。この際、同時に絶縁層切れ込み部を形成した。
【０１３２】
最後に、金属支持部材にウェットエッチングを行い、外形加工を行うことで、金属支持基板を形成した（図１７（ｅ））。この際、同時に金属支持基板切れ込み部を形成した。このようにして、サスペンション用基板を得た。
【０１３３】
［実施例２］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁部材）、厚さ９μｍの電解銅層（導体部材）を有する積層部材を準備した（図１８（ａ））。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から下部配線層を形成した（図１８（ｂ））。なお、図示しないが、金属支持部材には治具孔を形成した。
【０１３４】
その後、パターニングされた下部配線層を覆うように、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングした。乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化（イミド化）させ、ミドル絶縁層を形成した（図１８（ｃ））。この際、同時にミドル絶縁層切れ込み部を形成した。次に、スパッタリング法によりクロム（Ｃｒ）および銅（Ｃｕ）からなるシード層を形成した。次に、シード層表面にドライフィルムレジストを貼付し、露光・現像を行うことにより、レジストパターンを形成した。そのレジストパターンから露出するシード層の表面に、電解Ｃｕめっき法を行い、上部配線層を形成した（図１８（ｄ））。
【０１３５】
その後、レジストパターンを剥離し、不要なシード層を除去した後、パターニングされた上部配線層を覆うように、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングした。乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化（イミド化）させ、カバー層を形成した（図１８（ｅ））。この際、同時にカバー層切れ込み部（長さ１．３ｍｍ、幅１７０μｍ）を形成した。さらに、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去し、ベース絶縁層を形成した。この際、同時にベース絶縁層切れ込み部を形成した（図１８（ｆ））。
【０１３６】
最後に、金属支持部材にウェットエッチングを行い、外形加工を行うことで、金属支持基板を形成した（図１８（ｇ））。この際、同時に金属支持基板切れ込み部を形成した。このようにして、サスペンション用基板を得た。なお、実施例２では、ミドル絶縁層を形成した後に第一絶縁部材をエッチングしてベース絶縁層を形成するため、ミドル絶縁層とベース絶縁層の端面を一致させることができた。一方、ベース絶縁層を形成した後に、アディティブ法によりミドル絶縁層を形成する場合、端面間の距離（図１０（ｂ）のＤ３）を５μｍ以下に形成することが困難であった。
【符号の説明】
【０１３７】
１…金属支持基板、  １ｓ…金属支持基板切れ込み部、  ２…絶縁層、  ２ｘ…ベース絶縁層、  ２ｙ…ミドル絶縁層、  ２ｓ…絶縁層切れ込み部、  ２ｘｓ…ベース絶縁層切れ込み部、  ２ｙｓ…ミドル絶縁層切れ込み部、  ３…配線層、  ３ｘ…下部配線層、  ３ｙ…上部配線層、  ４…カバー層、  ４ｓ…カバー層切れ込み部、  １１…素子実装領域、  １２…外部回路基板接続領域、  １３…配線層、  ２０…サスペンション用基板、  ３１…第一配線層、  ３２…第二配線層
【図１】
2013054811.tif 000003
【図２】
2013054811.tif 000004
【図３】
2013054811.tif 000005
【図４】
2013054811.tif 000006
【図５】
2013054811.tif 000007
【図６】
2013054811.tif 000008
【図７】
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【図８】
2013054811.tif 000010
【図９】
2013054811.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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