(57)【要約】      （修正有）【課題】ターゲットを均一に消耗し、ターゲットの使用率を高める新しい方式のターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】複合式ターゲット材の製造方法は、第１の磁力線分布により形成された廃ターゲット材のエッチング状態を判断し、第２の磁力線分布を決定し、複合式ターゲット材がスパッタ装置に設置されたときに受ける第１の磁力線分布を第２の磁力線分布により調整するステップＳ３１と、ターゲット材の基板層上に、第２の磁力線分布に対応した磁性層を形成するステップＳ３２と、磁性層及び基板層に金属層を形成して複合式ターゲット材を得るステップＳ３３と、基板層、磁性層及び金属層間に接合層を形成し、基板層、磁性層及び金属層を互いに結合して複合式ターゲット材を形成するステップＳ３４とを含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の磁力線分布を有するスパッタ装置を介し、基板層及び金属層を有するターゲット材に対してスパッタ処理を行って廃ターゲット材を形成し、前記廃ターゲット材のエッチング状態に基づいて複合式ターゲット材を製造する、複合式ターゲット材の製造方法であって、
前記第１の磁力線分布により形成された前記廃ターゲット材のエッチング状態を判断し、第２の磁力線分布を決定し、前記複合式ターゲット材が前記スパッタ装置に設置されたときに受ける前記第１の磁力線分布を前記第２の磁力線分布により調整するステップと、
前記ターゲット材の前記基板層上に、前記第２の磁力線分布に対応した磁性層を形成するステップと、
前記磁性層及び前記基板層に前記金属層を形成するステップと、
前記基板層、前記磁性層及び前記金属層間に接合層を形成し、前記基板層、前記磁性層及び前記金属層を互いに結合して複合式ターゲット材を形成するステップと、を含み、
前記複合式ターゲット材のスパッタ処理を行う際、前記第２の磁力線分布を有する前記複合式ターゲット材は、前記複合式ターゲット材に作用する前記第１の磁力線分布を第３の磁力線分布へ調整することを特徴とする複合式ターゲット材の製造方法。
【請求項２】
前記基板層に前記磁性層を部分的に形成し、前記複合式ターゲット材上に前記第２の磁力線分布を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の複合式ターゲット材の製造方法。
【請求項３】
前記基板層へ前記磁性層を嵌入し、前記複合式ターゲット材に前記第２の磁力線分布を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の複合式ターゲット材の製造方法。
【請求項４】
前記第３の磁力線分布の密集度は、前記第１の磁力線分布より低くて曲線が緩やかであり、
前記金属層に対して平行な前記第３の磁力線分布の磁力線領域が、前記金属層に対して平行な前記第１の磁力線分布の磁力線領域より広いことを特徴とする請求項１に記載の複合式ターゲット材の製造方法。
【請求項５】
基板層、磁性層、金属層及び接合層を備え、第１の磁力線分布を有するスパッタ装置によりスパッタ処理を行う複合式ターゲット材であって、
前記基板層は、搭載面及び載置面を有し、前記スパッタ装置に前記搭載面が搭載され、
前記磁性層は、前記基板層の前記載置面に形成され、前記磁性層に第２の磁力線分布が形成され、前記第２の磁力線分布は、前記第１の磁力線分布を第３の磁力線分布へ調整し、
前記金属層は、前記磁性層及び前記基板層の前記載置面に形成され、前記金属層は、前記第２の磁力線分布を有し、
前記接合層は、前記基板層、前記磁性層及び前記金属層間に形成されて前記基板層、前記磁性層及び前記金属層を互いに接合させることを特徴とする複合式ターゲット材。
【請求項６】
前記磁性層は、格子状、柵状、リング状又はその他任意の形状を有して前記第２の磁力線分布を形成することを特徴とする請求項５に記載の複合式ターゲット材。
【請求項７】
前記基板層は、前記磁性層を嵌入するために用いる溝部及び孔のうちの少なくとも何れか１つを含むことを特徴とする請求項６に記載の複合式ターゲット材。
【請求項８】
前記接合層は、前記溝部及び前記孔のうちの少なくとも何れか１つの前記磁性層の充填されていない空間へ充填されて前記基板層、前記磁性層及び前記金属層を接合させることを特徴とする請求項７に記載の複合式ターゲット材。
【請求項９】
前記金属層は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）及びチタン（Ｔｉ）からなる群から選ばれる一種以上を含む材料からなることを特徴とする請求項５に記載の複合式ターゲット材。
【請求項１０】
前記磁性層は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）及びステンレスからなる群から選ばれる一種以上を含む磁性材料からなることを特徴とする請求項５に記載の複合式ターゲット材。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔技術分野〕
本発明は複合式ターゲット材及びその製造方法に関し、特に、ターゲットを均一に消耗し、ターゲットの使用率を高める新しい方式のターゲット及びその製造方法に関する。
【０００２】
〔背景技術〕
スパッタ処理（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）技術とは、蒸着成膜技術で用いられる一技術である。スパッタ処理技術は、例えば、スパッタ処理をワークの表面に施すことにより、超硬膜、自己潤滑性被膜（ｓｅｌｆ−ｌｕｂｒｉｃａｔｉｎｇ  ｆｉｌｍ）、反射防止膜（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  ｆｉｌｍ）、低輻射膜、透明な導電膜、熱線遮断膜などの様々な機能を有する膜を形成し、工業生産及び科学技術の分野において広く応用されている。
【０００３】
スパッタ処理技術の原理は、プラズマ（ｐｌａｓｍａ）を使用してターゲット（基板層及び金属層を含む）に対してイオンボンバード（ｉｏｎ  ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ）を行い、金属層の金属原子を弾き飛ばして気体分子を発射させ、蒸着する基材上へ気体分子を到達させて付着、吸着、表面マイグレーション、核成長（ｎｕｌｅａｔｉｏｎ）などのスパッタ処理を行った後、最終的に基材上へ金属原子を有する金属薄膜を形成する。
【０００４】
しかし、従来のスパッタ処理技術には、例えば、スパッタ装置上に磁場が存在するなどの問題点があった。そのため、ターゲット利用率が低く、蒸着速度が遅く、イオン化率が低いなどの欠点があった。ターゲット利用率は、スパッタ装置上の磁場の影響を受けるため、プラズマが金属層の局部表面領域に集中し、金属層に曲面状の凹部が形成され、金属層の表面消耗が不均一となることがある。ここで不均一とは、例えば、金属層の中央部分の消耗が少なく、その周囲の消耗が多くなる現象のことである。例えば、現在、最適なターゲット使用率は僅か約２０〜２５％である。
【０００５】
図１を参照する。図１は、従来のスパッタ処理技術におけるスパッタ装置２及びターゲット材４を設置したときの状態を示す模式図である。スパッタ装置２は、磁力線ＭＬのパターンを発生させる磁場源ＭＳを有し、ターゲット材４（金属層４４及び金属層４４を含む）をスパッタ装置２の側部に配置させると、ターゲット材４上に磁力線ＭＬが形成される。さらに従来技術のスパッタ処理技術は、主にターゲット材の領域に対して略平行に磁力線ＭＬが発生する。
【０００６】
図２を併せて参照する。図２は、ターゲット材４にスパッタ処理が行われた状態を示し、スパッタ処理がターゲット材４のエッチング領域Ａ（磁力線ＭＬがターゲット材の領域に対して平行）に主に行われるため、エッチング領域Ａのエッチング速度がエッチング領域Ｂ（磁力線ＭＬがターゲット材の領域に対して平行でない）のエッチング速度よりも速いが、エッチング領域Ｂにエッチングされていない大量の金属層４４が存在しているか否かに関わらず、エッチング領域Ａがターゲット材４の金属層４４までエッチングされてスパッタ装置２が損壊されることを防ぐために、このようにエッチングされたターゲット材４は、最終的に廃棄する必要がある。即ち、この業界でいうところのターゲット材の廃棄物となる。
【０００７】
言い換えれば、金属層４４の両側の厚さの消耗速度は、金属層４４の中央部分の消耗速度より著しく速い。しかし、残念なことに、エッチング領域Ａがほぼ透過されるとき（即ち、エッチングをさらに行うことができないとき）、金属層４４中のエッチング領域Ｂがエッチングの厚さに存在しているか否かに関わらず、金属層４４が廃棄物と見なされて使用されることがなかった。
【０００８】
上述の欠点に鑑み、従来技術ではスパッタ装置２の磁力線ＭＬを直接調整していた。しかし、ターゲット材の供給メーカは、スパッタ装置２から磁力線ＭＬに関する情報を直接得ることができないため（ターゲット材の供給メーカは、スパッタ装置の製造メーカでないことが一般的であるため）、ターゲット材を回収した後でも依然としてターゲット材が浪費されてしまうという問題を効果的に解決することはできない。
【０００９】
そのため、従来技術のターゲット材の消耗が均一でない等の問題点を解決することができる複合式ターゲット材及びその製造方法が求められていた。
【００１０】
〔発明の概要〕
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明の第１の目的は、消耗を均一にすることができる複合式ターゲット材を製作してターゲット材の使用率を高める複合式ターゲット材の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の第２の目的は、スパッタ装置の磁力線分布を変えない状態で、ターゲット材を均一に消耗する複合式ターゲット材の製造方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の第３の目的は、ターゲット材により磁力線分布を動的に調整することにより、ターゲット材の消耗が均一となる複合式ターゲット材を提供することにある。
【００１３】
本発明の第４の目的は、基板層上に形成したり基板層に嵌入したりした磁性層を用いて効果的にターゲット材を使用する複合式ターゲット材を提供することにある。
【００１４】
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態によれば、第１の磁力線分布を有するスパッタ装置を介し、基板層及び金属層を有するターゲット材に対してスパッタ処理を行って廃ターゲット材を形成し、前記廃ターゲット材のエッチング状態に基づいて複合式ターゲット材を製造する、複合式ターゲット材の製造方法であって、前記第１の磁力線分布により形成された前記廃ターゲット材のエッチング状態を判断し、第２の磁力線分布を決定し、前記複合式ターゲット材が前記スパッタ装置に設置されたときに受ける前記第１の磁力線分布を前記第２の磁力線分布により調整するステップと、前記ターゲット材の前記基板層上に、前記第２の磁力線分布に対応した磁性層を形成するステップと、前記磁性層及び前記基板層に前記金属層を形成するステップと、前記基板層、前記磁性層及び前記金属層間に接合層を形成し、前記基板層、前記磁性層及び前記金属層を互いに結合して複合式ターゲット材を形成するステップと、を含み、前記複合式ターゲット材のスパッタ処理を行う際、前記第２の磁力線分布を有する前記複合式ターゲット材は、前記複合式ターゲット材に作用する前記第１の磁力線分布を第３の磁力線分布へ調整することを特徴とする複合式ターゲット材の製造方法が提供される。
【００１５】
また、前記基盤相に前記磁性層を部分的に形成し、前記複合式ターゲット材上に前記第2の磁力線分布を形成するステップをさらに含むことが好ましい。
【００１６】
また、前記基板層へ前記磁性層を嵌入し、前記複合式ターゲット材に前記第２の磁力線分布を形成するステップをさらに含むことが好ましい。
【００１７】
また、前記第３の磁力線分布の密集度は、前記第１の磁力線分布より低くて曲線が緩やかであり、前記金属層に対して平行な前記第３の磁力線分布の磁力線領域が、前記金属層に対して平行な前記第１の磁力線分布の磁力線領域より広いことが好ましい。
【００１８】
上記課題を解決するために、本発明の第２の形態によれば、基板層、磁性層、金属層及び接合層を備え、第１の磁力線分布を有するスパッタ装置によりスパッタ処理を行う複合式ターゲット材であって、前記基板層は、搭載面及び載置面を有し、前記スパッタ装置に前記搭載面が搭載され、前記磁性層は、前記基板層の前記載置面に形成され、前記磁性層に第２の磁力線分布が形成され、前記第２の磁力線分布は、前記第１の磁力線分布を第３の磁力線分布へ調整し、前記金属層は、前記磁性層及び前記基板層の前記載置面に形成され、前記金属層は、前記第２の磁力線分布を有し、前記接合層は、前記基板層、前記磁性層及び前記金属層間に形成されて前記基板層、前記磁性層及び前記金属層を互いに接合させることを特徴とする複合式ターゲット材が提供される。
【００１９】
また、前記磁性層は、格子状、柵状、リング状又はその他任意の形状を有して前記第２の磁力線分布を形成することが好ましい。
【００２０】
また、前記基板層は、前記磁性層を嵌入するために用いる溝部及び孔のうちの少なくとも何れか１つを含むことが好ましい。
【００２１】
また、前記接合層は、前記溝部及び前記孔のうちの少なくとも何れか１つの前記磁性層の充填されていない空間へ充填されて前記基板層、前記磁性層及び前記金属層を接合させることが好ましい。
【００２２】
また、前記金属層は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）及びチタン（Ｔｉ）からなる群から選ばれる一種以上を含む材料からなることが好ましい。
【００２３】
また、前記磁性層は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）及びステンレスからなる群から選ばれる一種以上を含む磁性材料からなることが好ましい。
【００２４】
（発明の効果）
本発明の複合式ターゲット材及びその製造方法は、従来技術と比べ、ターゲット材の形状と、スパッタ装置が発生させる磁場状態とを基に、必要に応じて磁場状態を動的に調整するため、複合式ターゲット材を同じスパッタ装置に搭載する場合、従来技術と比べて２倍〜３倍のターゲット材の使用率（例えば、約４５〜６０％）を得ることができる。さらに、本発明の複合式ターゲット材は、基板層上に形成したり、基板層上に嵌入したりした磁性層を用いて磁力線の分布状態を調整することができる。
【００２５】
〔図面の簡単な説明〕
〔図１〕従来技術のスパッタ処理技術の磁場を形成する装置を示す模式図である。
【００２６】
〔図２〕従来技術のスパッタ処理技術でスパッタ処理を行った後のターゲット材を示す模式図である。
【００２７】
〔図３〕本発明の第１実施形態に係る複合式ターゲット材の製造方法を示す流れ図である。
【００２８】
〔図４〕図３の複合式ターゲット材にスパッタ処理を行った後のターゲット材を示す模式図である。
【００２９】
〔図５〕本発明の第１実施形態に係る複合式ターゲット材の構造を示す模式図である。
【００３０】
〔図６〕（ａ）〜（ｃ）は、磁力線の分布状態を示す模式図である。
【００３１】
〔図７〕（ａ）〜（ｃ）は、図５の複合式ターゲット材の構造を示す模式図である。
【００３２】
〔図８〕（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３実施形態に係る複合式ターゲット材を実験したときの状態を示す模式図である。
【００３３】
〔図９〕図８（ａ）〜（ｃ）の複合式ターゲット材のエッチング断面を示すグラフである。
【００３４】
〔発明を実施するための形態〕
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、これによって本発明が限定されるものではない。
【００３５】
(第１実施形態)
図３を参照する。図３は、本発明の第１実施形態に係る複合式ターゲット材の製造方法を示す流れ図である。図３に示すように、複合式ターゲット材の製造方法は、廃ターゲット材のエッチング状態に基づいて複合式ターゲット材を製作する。この廃ターゲット材は、第１の磁力線が分布するスパッタ装置を介し、基板層及び金属層を有するターゲット材に対してスパッタ処理を行った後の生成物である。第１の磁力線は、スパッタ装置上に配置された磁石などの磁性材料により発生され、ターゲット材（即ち、従来のターゲット材の構造）をスパッタ装置へ搭載すると、第１の磁力線がターゲット材に作用し、スパッタ処理が行われたターゲット材が廃ターゲット材に変わる。さらに、廃ターゲット上に行われるスパッタ処理のエッチング状況に基づき、ターゲット材が廃ターゲット材に形成される過程で、スパッタ装置の第１の磁力線の分布を推定することができる。
【００３６】
複合式ターゲット材の製造方法は、まず、ステップＳ３１において、廃ターゲット材が第１の磁力線の分布により発生するエッチング状態に基づき、第２の磁力線の分布が決定される。第２の磁力線の分布は、ターゲット装置上に設置した複合式ターゲット材が受ける第１の磁力線の分布を調整するために用いる。このステップにおいて、廃ターゲット材のエッチング状態に基づき、ターゲット材が受ける第１の磁力線の分布（又は磁力線のパターンとも称する）を判断する。
【００３７】
以下、図１及び図２に基づき説明する。図２に示すように、スパッタ処理後のターゲット材４のエッチング状態（即ち、エッチング領域Ａ及びエッチング領域Ｂ）に基づき、使用前又は使用中のターゲット材４が、例えば、磁力線ＭＬ（即ち、ステップＳ３１中の第１の磁力線の分布）の影響を受けるか否かを推定する。この影響とは、例えば、ターゲット材４上に不均一なイオンボンバードが発生するということである。即ち、金属層４４の中央部分の消耗速度が金属層４４の周囲の消耗速度より著しく遅いということである。言い換えると、金属層４４がスパッタ装置２から発生した磁力線ＭＬの分布の影響を受け、金属層４４の両側のエッチング速度が、金属層４４の中央部分のエッチング速度より著しく速いことを観察することができる。そのため、図２の金属層４４のエッチング領域の判断結果に基づき、推定した磁力線ＭＬに基づいて対応して調整することができる（補償修正とも称する）。言い換えると、調整する金属層４４の消耗状態に応じ（例えば、金属層の中央部分の消耗速度が速く、金属層４４の周囲部分の消耗速度が遅い）、磁力線ＭＬに対応した第２の磁力線の分布が形成される。
【００３８】
例えば、図２の金属層４４中のエッチング領域Ｂの消耗が不均一であるという問題を解決するために、磁力線ＭＬの密集度が下がって曲線が緩やかになり、ターゲット材４に対して平行な磁力線ＭＬの範囲が狭くなるとともに、エッチング領域Ａの幅も狭くなる。言い換えると、磁力線ＭＬの分布が第２の磁力線の作用を受けると、金属層４４全体が均一に消耗される。エッチング領域Ａの消耗速度が遅くなり、エッチング領域Ｂの消耗速度が速くなるため、エッチング領域Ａが大きくなり、ターゲット材４の使用寿命（又は使用時間とも称する）を延ばすことができる。
【００３９】
続いて、ステップＳ３２において、ターゲット材の基板層上に、第２の磁力線分布に対応した磁性層を形成する。このステップにおいて、前述の決定した第２の磁力線分布に基づいてターゲット材の基板層上に、第２の磁力線分布を有する磁性層を形成し、ターゲット材上に第２の磁力線分布を形成する。本実施形態において、この磁性層は、基板層の上方へ局部的に形成したり、基板層中へ嵌入したりし、第１の磁力線分布が存在するスパッタ装置に複合式ターゲット材を設置すると、複合式ターゲット材上に第３の磁力線分布が形成される。この第３の磁力線分布は、第２の磁力線分布と第１の磁力線分布との作用により発生する。
【００４０】
続いて、ステップＳ３３において、磁性層及び基板層に金属層を形成する。このステップでは、基板層及び／又は磁性層上に金属層を形成することにより、金属層、磁性層及び基板層が同様に第３の磁力線分布の影響を受けるようにする。例えば、第３の磁力線の分布状態の目的が、例えば、前述の図２のエッチング領域Ａが図４のエッチング領域Ａ’まで拡大され、ターゲット材４の表面全体のエッチングが比較的均一となり、ターゲット材のエッチング時間を延ばすことができる。言い換えると、ターゲット材４の使用率を効率良く向上させることができる。
【００４１】
続いて、ステップＳ３４において、基板層、磁性層及び金属層間には、それぞれ接合層が形成され、基板層、磁性層及び金属層のそれぞれを結合して複合式ターゲット材を形成する。このステップにおいて、基板層、磁性層及び金属層間には接合層が形成されて基板層、磁性層及び金属層が互いに結合され、基板層、磁性層及び金属層を固定する。例えば、本実施形態において、接合層を基板層及び磁性層に結合する。例えば、磁性層は、接合層を介して基板層の上方へ固定してもよいし、接合層を介して基板層中へ嵌入して固定してもよいし、或いは、他の実施形態では、磁性層が形成されていない基板層の空隙中に接合層を挿入してもよい。さらに、磁性層を基板層へ嵌入させると、金属層は、接合層を介して磁性層及び基板層へ同時に接合させることができる。
【００４２】
図５を参照する。図５は、本発明の第１実施形態に係る複合式ターゲット材の構造を示す模式図である。図５に示すように、複合式ターゲット材１０’は、第１の磁力線分布ＦＭＬを形成するスパッタ装置２でスパッタ処理を行うために用いる。
【００４３】
図６（ａ）を併せて参照する。図６（ａ）に示すように、複合式ターゲット材１０’は、基板層１２、磁性層１４、金属層１６及び接合層１８を含む。基板層１２は、搭載面１２２及び載置面１２４を有する。この搭載面１２２は、スパッタ装置２を搭載するために用い、基板層１２の載置面１２４は、スパッタ装置２に基づいて第１の磁力線分布ＦＭＬを有する。
【００４４】
図６（ｂ）を参照する。図６（ｂ）に示すように、磁性層１４は、基板層１２の載置面１２４に形成される。この磁性層１４は、第２の磁力線分布ＳＭＬを有し（図６（ｂ）を併せて参照する）、第１の磁力線分布ＦＭＬと作用して第３の磁力線分布ＴＭＬが形成される（図６（ｃ）を併せて参照する）。磁性層１４は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）及びステンレスからなる群から選ばれる一種以上を含む磁性材料からなる。
【００４５】
図５を再び参照する。図５に示すように、金属層１６は、磁性層１４と基板層１２との載置面１２４に形成される。この構成により、金属層１６は、第１の磁力線分布ＦＭＬ及び磁性層１４に基づき、図６（ｃ）に示すように第３の磁力線分布ＴＭＬを得る。金属層１６は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）及びチタン（Ｔｉ）からなる群から選ばれる一種以上を含む材料からなる。
【００４６】
他の実施形態において、上述の磁性層１４は、格子状、柵状、リング状又はその他任意の形状からなってもよく、基板層１２に形成され、基板層１２に第２の磁力線分布ＳＭＬが形成される。言い換えると、磁性層１４の形状や基板層１２に配置される磁性層１４の状態が如何なるものであっても、第１の磁力線分布ＦＭＬと作用する第２の磁力線分布ＳＭＬが金属層１６に形成される限り、本発明の磁性層１４の範囲内に含まれる。図７（ａ）を併せて参照する。図７（ａ）に示すように、本実施形態の金属層１６は円形状である。ここで、磁性層１４は、リング状の環状体であるが、金属層１６の形状とは如何なる関係もなく、格子状、柵状、リング状又はその他任意の形状からなってもよい。ここで、磁性層１４は、基板層１２へ部分的に形成されてもよいし（図７（ｂ）参照）、基板層１２中へ嵌入したりしてもよく（図７（ｃ）参照）、基板層１２へ第３の磁力線分布ＴＭＬを形成させてもよい。
【００４７】
さらに、磁性層１４を基板層１２へ嵌入する際、磁性層１４を嵌入することができる溝部、孔、格子状及び柵状からなる群から選ばれる一種以上を含む充填領域１２８を利用してもよい。この溝部１２８は、磁性層１４を基板層１２へ嵌入させるために用い、磁性層１４へ充填させる。
【００４８】
図５を再び参照する。図５に示すように、接合層１８は、基板層１２、磁性層１４及び金属層１６間に形成され、基板層１２、磁性層１４及び金属層１６をそれぞれ結合させるために用いる。他の実施形態では、磁性層１４は、基板層１２へ嵌入され、接合層１８は、溝部及び孔のうちの少なくとも何れか１つのうちの磁性層の充填されていない空間へ充填させて基板層１２と磁性層１４とを結合させる。
【００４９】
（第３実施形態）
図８（ａ）〜（ｃ）を参照する。図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、本発明の第３実施形態に係る複合式ターゲット材を実験したときの状態を示す模式図である。図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、第３実施形態に係る複合式ターゲットは、３種類のターゲット材の構造により使用率を測定する。ターゲット材の構造は、図８（ａ）に示すように、磁性層を有さないターゲット材である実験Ａと、第１のリング状磁性層を有する複合式ターゲット材である実験Ｂと、に分けられる。第１の環状磁性層の内側円は円心までの距離が２８ｍｍであり、外側円は３５ｍｍであり、図８（ｂ）に示すように、内側円と外側円との差は７ｍｍである。さらに、実験Ｃは、第２の環状磁性層を有する複合式ターゲット材であり、第２の環状磁性層の内側円は円心までの距離が２８ｍｍであり、外側円は円心までの距離が３１ｍｍであり、図８（ｃ）に示すように、内側円と外側円との差は３ｍｍである。このターゲット材は、サイズが４インチ（即ち１０．１６ｃｍ）であり、厚さが３ｍｍの円形状である。
【００５０】
同様の測定条件（例えば、試験を行う時間及び出力）下では、それら異なるターゲット材の構造は、スパッタ処理を行った後のエッチング断面を図９に示す。図９に示すように、磁性層を有さない実験Ａの消耗速度は、第２の環状磁性層を有する実験Ｃより著しく速く、第２の環状磁性層を有する実験Ｃは、第１の環状磁性層を有する実験Ｂより著しく速い。第１の環状磁性層Ｂの面積は、第２の環状磁性層の実験Ｃより大きい。言い換えると、同じスパッタ処理時間では、金属層のエッチング深さである曲線Ａ及びＣにおいて、実験Ａの金属層は、実験Ｃの金属層のエッチングより深く、金属層のエッチング深さである曲線Ｂ及びＣにおいて、実験Ｃの金属層は、実験Ｂの金属層のエッチングより深い。
【００５１】
上述したことから分かるように、本発明の複合式ターゲット材及びその製造方法は、ターゲット材の形状と、スパッタ装置が発生させる磁場状態とに基づき、必要に応じて磁場状態を動的に調整することができるため、複合式ターゲット材は、従来技術と比べて２倍〜３倍のターゲット材の使用率を得ることができる。さらに、本発明は、基板層上に形成したり、基板層上に嵌入したりした磁性層を用いて磁力線の分布状態を調整することもできる。
【００５２】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と領域を逸脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【００５３】
〔符号の説明〕
２  スパッタ装置
４  ターゲット材
４’  廃金属層
１０’  複合式ターゲット材
１２  基板層
１４  磁性層
１６  金属層
１８  接合層
４２  基板層
４４  金属層
１２２  搭載面
１２４  載置面
１２６  磁石
１２８  充填領域
Ａ  エッチング領域
Ａ’  エッチング領域
Ｂ  エッチング領域
ＭＬ  磁力線
ＭＳ  磁場源
ＦＭＬ  第１の磁力線分布
ＳＭＬ  第２の磁力線分布
ＴＭＬ  第３の磁力線分布
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】従来技術のスパッタ処理技術の磁場を形成する装置を示す模式図である。
【図２】従来技術のスパッタ処理技術でスパッタ処理を行った後のターゲット材を示す模式図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る複合式ターゲット材の製造方法を示す流れ図である。
【図４】図３の複合式ターゲット材にスパッタ処理を行った後のターゲット材を示す模式図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る複合式ターゲット材の構造を示す模式図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、磁力線の分布状態を示す模式図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、図５の複合式ターゲット材の構造を示す模式図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３実施形態に係る複合式ターゲット材を実験したときの状態を示す模式図である。
【図９】図８（ａ）〜（ｃ）の複合式ターゲット材のエッチング断面を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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