(57)【要約】【課題】本発明は、光記録媒体保護膜形成用として、保存性が高く、柔軟性があって割れ難い膜を成膜できると共に、直流スパッタリング可能で、スパッタリング時のパーティクルも少ない酸化物スパッタリングターゲットを提供すること。【解決手段】酸化物スパッタリングターゲットは、全金属成分量に対して、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、かつ、Ｓｎ：７ａｔ％以上で、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる酸化物焼結体である。【選択図】図なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
全金属成分量に対して、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、かつ、Ｓｎ：７ａｔ％以上で、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる酸化物焼結体であることを特徴とする酸化物スパッタリングターゲット。
【請求項２】
全金属成分量に対して、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、かつ、Ｓｎ：７ａｔ％以上で、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下を含有し、さらに、Ｇｅ及びＣｒのうち１種以上の合計：１．０〜２０．０ａｔ％を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる酸化物焼結体であることを特徴とする酸化物スパッタリングターゲット。
【請求項３】
請求項１に記載の酸化物スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜され、
全金属成分量に対して、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、かつ、Ｓｎ：７ａｔ％以上で、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる成分組成の酸化物であることを特徴とする光記録媒体用保護膜。
【請求項４】
請求項２に記載の酸化物スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜され、
全金属成分量に対して、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、かつ、Ｓｎ：７ａｔ％以上で、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下を含有し、さらに、Ｇｅ及びＣｒのうち１種以上の合計：１．０〜２０．０ａｔ％を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる成分組成の酸化物であることを特徴とする光記録媒体用保護膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体、例えば、ＣＤ，ＤＶＤ、Blu-ray Disc（登録商標：以下、ＢＤと称す）等に用いる光記録媒体用保護膜を成膜するための酸化物スパッタリングターゲット及びこれを用いて成膜された光記録媒体用保護膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、写真や動画の高画質化に伴い、光記録媒体へ記録する際のデジタルデータが増大し、記録媒体の高容量化が求められ、既に、高記録容量の光記録媒体として、多層記録方式により、５０ＧＢの容量を有した光記録媒体ＢＤが販売されている。このＢＤは、今後も、さらなる高容量化が望まれており、記録層の多層化による高容量化の研究が盛んに行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２６３７８号公報（段落００５８を参照）
【特許文献２】特開２００５−２２８４０２号公報（段落０００４を参照）
【特許文献３】特開２００５−１５４８２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
有機色素を記録層に用いたタイプの記録媒体では、無機物を記録層とした場合と比較して、記録層の変形が大きいため、上記特許文献１にも記載されているように、色素と隣り合う保護層には、低い硬度が必要である。そのため、従来では、適度に柔軟性（柔らかさ）を有する膜であるＺｎＳ−ＳｉＯ２やＩＴＯが採用されている。
【０００５】
しかしながら、ＺｎＳ−ＳｉＯ２には、上記特許文献２にも記載があるように、硫黄（Ｓ）成分が含まれていると、その硫黄と反射膜中の金属とが反応して、反射率が低下することとなり、その結果、光記録媒体としての保存性が低くなるという不都合がある。また、ＩＴＯを用いた場合には、スパッタリングの際に発生するパーティクルが多く、記録媒体の記録膜に悪影響を与える上、生産設備の清掃が大変であり、記録媒体の生産性が悪いという問題があった。さらに、特許文献３では、酸化スズ相を有する酸化スズと酸化亜鉛と３価以上の元素の酸化物とを主成分としたスパッタリングターゲットが提案されているが、組織中の酸化スズ相がノジュールの原因となり、これが、スパッタリング時のパーティクルの発生に繋がってしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、光記録媒体における保護膜形成用として、保存性が高く、柔軟性があって割れ難い膜を成膜できると共に、直流（ＤＣ）スパッタリングが可能で、スパッタリング時に発生するパーティクルも少ない酸化物スパッタリングターゲット及びこれを用いて成膜された光記録媒体用保護膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、ＺｎＯ系のスパッタリングターゲットについて研究を進めたところ、スパッタリングターゲットの製造原料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に、酸化スズ（ＳｎＯ２）と、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）及び酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）のうち１種以上とを加えることにより、直流（ＤＣ）スパッタリングによっても、膜の保存性が高く、柔軟性があって割れ難い膜が成膜できるＺｎＯ系の酸化物スパッタリングターゲットが得られることを見出した。さらに、上記の製造原料の他に、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２）及び酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）の１種以上を加えても、膜の保存性が高く、柔軟性があって割れ難い膜が成膜できるＺｎＯ系の酸化物スパッタリングターゲットが得られることも見出した。
【０００８】
そこで、本発明の一例として、ＺｎＯ系の酸化物スパッタリングターゲットを作製した。先ず、酸化亜鉛（ＺｎＯ、Ｄ５０＝１μｍ）、酸化スズ（ＳｎＯ２、Ｄ５０＝１０μｍ）及び酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、Ｄ５０＝０．２μｍ）の各原料粉末を用意した。所定の比率に秤量した各原料粉末をボールミル装置にて、１６時間湿式混合して得られた混合粉末を乾燥後、造粒し、９５０℃にて３時間、３５０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力でホットプレス（ＨＰ）した。得られた酸化物焼結体を、所定形状に機械加工して酸化物スパッタリングターゲットを作製した。
【０００９】
次に、この作製された酸化物スパッタリングについて、Ｘ線回折（ＸＲＤ）した結果が、図１に示されている。この結果からわかるように、本発明に係る酸化物スパッタリングターゲットでは、ＺｎＯに帰属する回折ピークと、ＳｎＯ２とＺｎＯとの複合酸化物であるＺｎ２ＳｎＯ４とに帰属する回折ピークが検出され、ＺｎＯ及びＺｎ２ＳｎＯ４の相の存在が確認された。
【００１０】
また、本発明に係る酸化物スパッタリングターゲットについて、ＥＰＭＡ（フィールドエミッション型電子線プローブ）にて、反射電子像（ＣＰ）及び各元素の組成分布を示す元素分布像を観察した。得られた反射電子像及び元素分布像が図２に示されている。なお、このＥＰＭＡによる元素分布像は、実際には、カラー画像で取得されるが、図２に示された各画像は、白黒像に変換して記載されるため、画像中の白黒の濃淡に関して、淡い灰色部分（比較的白い部分）が、所定元素の濃度が高い部分であることを表している。これらの画像から、本発明に係る酸化物スパッタリングターゲットの組織は、ＺｎＯとＺｎ２ＳｎＯ４との相からなり、ＡｌがＺｎＯ相に選択的に分散していることがわかる。
【００１１】
なお、上記酸化物スパッタリングターゲットは、ＺｎＯと、ＳｎＯ２と、Ａｌ２Ｏ３とを原料粉末として製造された場合であったが、この場合以外にも、ＺｎＯと、ＳｎＯ２と、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３及びＩｎ２Ｏ３のうち１種以上とを原料粉末として製造された酸化物スパッタリングターゲットにおいても、ＺｎＯとＺｎ２ＳｎＯ４との相からなり、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上がＺｎＯ相に選択的に分散していることがわかった。また、ＺｎＯと、ＳｎＯ２と、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３及びＩｎ２Ｏ３のうち１種以上とによる原料粉末に加えて、ＧｅＯ２及びＣｒ２Ｏ３の１種以上も原料粉末として製造された場合でも、その酸化物スパッタリングターゲットにおいても、ＺｎＯとＺｎ２ＳｎＯ４との相からなり、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上、Ｇｅ及びＣｒのうち１種以上がＺｎＯ相に選択的に分散していることがわかった。
【００１２】
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
（１）本発明に係る酸化物スパッタリングターゲットは、全金属成分量に対して、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、かつ、Ｓｎ：７ａｔ％以上で、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる酸化物焼結体であることを特徴とする。
（２）前記（１）の酸化物スパッタリングターゲットの酸化物焼結体は、全金属成分量に対して、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、かつ、Ｓｎ：７ａｔ％以上で、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下を含有し、さらに、Ｇｅ及びＣｒのうち１種以上の合計：１．０〜２０．０ａｔ％を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる酸化物焼結体であることを特徴とする。
（３）本発明に係る光記録媒体用保護膜は、前記（１）の酸化物スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜され、全金属成分量に対して、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、かつ、Ｓｎ：７ａｔ％以上で、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる成分組成の酸化物であることを特徴とする。
（４）本発明に係る光記録媒体用保護膜は、前記（３）の酸化物スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜され、全金属成分量に対して、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、かつ、Ｓｎ：７ａｔ％以上で、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下を含有し、さらに、Ｇｅ及びＣｒのうち１種以上の合計：１．０〜２０．０ａｔ％を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる成分組成の酸化物であることを特徴とする。
【００１３】
以上の本発明に係る酸化物スパッタリングターゲットでは、全金属成分量に対して、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、Ｓｎ：７ａｔ％以上、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる成分組成の酸化物であるので、スパッタリングターゲットの比抵抗が低く、安定した直流（ＤＣ）スパッタリングが可能であり、光記録媒体における反射率の変化が少なく、高い保存性を有していると共に、柔軟性があって割れ難い膜を成膜することができる。
なお、ＺｎＯ中に固溶したＡｌ、Ｇａ又はＩｎによるキャリアの発生により、スパッタリングターゲットの比抵抗を下げることができると共に、さらに、成膜された膜の熱拡散率が向上して熱的損傷を軽減していると考えられる。
【００１４】
上記酸化物スパッタリングターゲットにおいて、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計含有量を０．１５ａｔ％以上とした理由は、０．１５ａｔ％未満であると、直流（ＤＣ）スパッタリングが不安定になり、膜の割れが発生し易くなるためである。また、上記Ｓｎの含有量を７ａｔ％以上とした理由は、この含有量が、７ａｔ％未満であると、膜の硬度（後述する押し込み硬さ）が８００ｍｇｆ／μｍ２以上になり、硬くなってしまうためである。さらに、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計含有量を３６ａｔ％以下とした理由は、これらの含有量が、３６ａｔ％を超えると、スパッタリングターゲットの組織中に酸化スズ相が残存してしまい、酸化スズ相を原因としたノジュールがスパッタリングターゲット中に形成されるため、スパッタリング時に、パーティクルや異常放電が多発してしまうためである。
【００１５】
また、さらに、Ｇｅ及びＣｒのうち１種以上の合計：１．０〜２０．０ａｔ％を含有させている。Ｃｒ、Ｇｅの合計含有量を２０ａｔ％以下とした理由は、２０ａｔ％を超えると、ターゲットの比抵抗が高くなり安定した直流（ＤＣ）スパッタリングが行えなくなるためである。なお、直流（ＤＣ）スパッタリングを可能にするためには、スパッタリングターゲットの比抵抗を、１Ω・ｃｍ以下とすることが望ましい。特に、安定したスパッタを行うためには、０．１Ω・ｃｍ以下が望ましく、さらに望ましくは、０．０１Ω・ｃｍ以下である。
【００１６】
そこで、本発明に係る酸化物スパッタリングターゲットを製造には、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３の各原料粉末を用意し、目標とする成膜される光記録媒体用保護膜の成分組成となるように、各原料粉末を秤量する。
【００１７】
この秤量した原料粉末とその３倍量（重量比）のジルコニアボール（直径５ｍｍ）とをポリ容器に入れ、ボールミル装置にて１６時間湿式混合する。なお、この際の溶媒には、例えばアルコールを用いる。次に、得られた混合粉末を乾燥後、造粒し、８５０〜１０５０℃、望ましくは、９００〜１０００℃にて２〜９時間、１５０〜４００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力にて真空又は不活性ガス雰囲気中でホットプレス（ＨＰ）し、酸化物焼結体を得る。そして、所定形状に機械加工して、酸化物スパッタリングターゲットとする。
【００１８】
ここで、作製された酸化物スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより成膜された光記録媒体用保護膜は、当該酸化物スパッタリングターゲットと同様の成分組成を有し、即ち、全金属成分量に対してＡｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、Ｓｎ：７ａｔ％以上、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下、残部がＺｎ及び不可避不純物からなり、或いは、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、かつ、Ｓｎ：７ａｔ％以上で、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下を含有し、さらに、Ｇｅ及びＣｒのうち１種以上の合計：１．０〜２０．０ａｔ％を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる成分組成の酸化物となる。
【００１９】
そのため、これらの光記録媒体用保護膜では、反射率の変化が小さく、保存性が高いと共に、適度に柔軟性があって割れ難いという特性を有することとなり、有機色素の記録層を使用した、例えば、多層化されたＢＤにおける保護膜として好適である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る酸化物スパッタリングターゲットによれば、全金属成分量に対してＡｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、Ｓｎ：７ａｔ％以上、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下、或いは、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、かつ、Ｓｎ：７ａｔ％以上で、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下を含有し、さらに、Ｇｅ及びＣｒのうち１種以上の合計：１．０〜２０．０ａｔ％を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる成分組成の酸化物焼結体からなり、安定した直流（ＤＣ）スパッタリングが可能となり、しかも、高い保存性を有していると共に、適度な柔軟性を有して割れ難い膜を成膜することができる。
したがって、本発明の酸化物スパッタリングターゲットで成膜された光記録媒体用保護膜は、有機色素の記録層を使用したＢＤ用の誘電体保護膜として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に係る酸化物スパッタリングターゲットのＸ線回折（ＸＲＤ）結果を示すグラフである。
【図２】本発明に係る酸化物スパッタリングターゲットの断面組織をＥＰＭＡにより測定した各元素の元素分布像である。
【図３】比較例に係る酸化物スパッタリングターゲットのＸ線回折（ＸＲＤ）結果を示すグラフである。
【図４】比較例に係る酸化物スパッタリングターゲットの断面組織をＥＰＭＡにより測定した各元素の元素分布像である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の酸化物スパッタリングターゲット及び光記録媒体用保護膜の実施形態について、具体的に説明する。
【００２３】
本実施形態の酸化物スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより成膜される光記録媒体用保護膜は、全金属成分量に対してＡｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、Ｓｎ：７ａｔ％以上、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる成分組成、或いは、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎのうち１種以上の合計：０．１５ａｔ％以上、かつ、Ｓｎ：７ａｔ％以上で、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｎの合計：３６ａｔ％以下を含有し、さらに、Ｇｅ及びＣｒのうち１種以上の合計：１．０〜２０．０ａｔ％を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる成分組成の酸化物である。
【００２４】
そこで、酸化物スパッタリングターゲットを製造するために、酸化亜鉛（化学式：ＺｎＯ、Ｄ５０＝１μｍ）、酸化スズ（化学式：ＳｎＯ２、Ｄ５０＝１６μｍ）、酸化アルミニウム（化学式：Ａｌ２Ｏ３、Ｄ５０＝０．２μｍ）、酸化ガリウム（化学式：Ｇａ２Ｏ３、Ｄ５０＝１．７μｍ）、酸化インジウム（化学式：Ｉｎ２Ｏ３、Ｄ５０＝１１μｍ）、酸化ゲルマニウム（化学式：ＧｅＯ２、Ｄ５０＝１．０μｍ）、酸化クロム（化学式：Ｃｒ２Ｏ３、Ｄ５０＝０．４μｍ）を原料粉末として用意した。そして、上述の光記録媒体用保護膜の成分組成となるように、各原料粉末を選択して秤量する。各原料粉末の原料組成（ｍｏｌ％）が、表１に示される。
【００２５】
この秤量した各原料粉末とその３倍量（重量比）のジルコニアボール（直径５ｍｍ）とをポリ容器に入れ、ボールミル装置にて１６時間湿式混合して、実施例１〜２６の混合粉末を得た。なお、この際の溶媒には、アルコールを用いた。次に、得られた実施例１〜２６の混合粉末を乾燥後、造粒し、９５０℃にて３時間、３５０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力にて真空中でホットプレス（ＨＰ）して、各酸化物焼結体を得た。この酸化物焼結体を機械加工して、実施例１〜２６の酸化物スパッタリングターゲットを作製した。なお、ターゲットサイズは、直径１２５ｍｍ×厚さ５ｍｍとした。
【００２６】
さらに、本実施形態の酸化物スパッタリングターゲットと比較するための酸化物スパッタリングターゲットを作製した。
Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３及びＩｎ２Ｏ３の原料粉末を含有せず、ＺｎＯ及びＳｎＯ２の原料粉末のみを用いて、比較例１の酸化物スパッタリングターゲットを作製した。Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３及びＩｎ２Ｏ３の原料粉末を含有する場合ではあるが、本実施形態の成分組成割合の設定範囲外とした場合について、比較例２、３の酸化物スパッタリングターゲットを作製した。また、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３及びＩｎ２Ｏ３の原料粉末を含有し、さらに、ＧｅＯ２及びＣｒ２Ｏ３のうち１種を含有する場合ではあるが、本実施形態の成分組成割合の設定範囲外とした場合について、比較例４〜６の酸化物スパッタリングターゲットを作製した。そして、従来ＺｎＳ−ＳｉＯ２（比較例７）及びＩＴＯ（比較例８）のスパッタリングターゲットを用意した。ＺｎＳ−ＳｉＯ２は三菱マテリアル株式会社製のＺＳＳＯターゲット（２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２）、ＩＴＯは三菱マテリアル株式会社製のＩＴＯターゲット（１０ｗｔ％ＳｎＯ２）である。以上の比較例１〜６の酸化物スパッタリングターゲットは、実施例１〜２６の酸化物スパッタリングターゲットの製造手順と同様にして作製された。比較例１〜８の酸化物スパッタリングターゲットに係る各原料粉末の原料組成（ｍｏｌ％）は、表１に示されている。
【００２７】
【表１】
2013177676.tif 000002
【００２８】
そこで、製作された上記実施例１〜２６及び比較例１〜６の酸化物スパッタリングターゲットについて、金属組成の分析を実施したところ、表２に示す結果が得られた。
【００２９】
【表２】
2013177676.tif 000003
【００３０】
次に、上記実施例１〜２６及び比較例１〜８の酸化物スパッタリングターゲットを用いて、以下の成膜条件により実施例１〜２６及び比較例１〜８の光記録媒体用保護膜を成膜した。
【００３１】
＜成膜条件＞
・電源：ＤＣ５００Ｗ（一部、高周波（ＲＦ）スパッタリング）
・全圧：０．４Ｐａ
・スパッタリングガス：Ａｒ＝４７．５ｓｃｃｍ、Ｏ２：２．５ｓｃｃｍ（比較例７のみ、Ａｒ＝５０ｓｃｃｍ、Ｏ２＝０ｓｃｃｍ）
・ターゲット−基板（ＴＳ）距離：７０ｍｍ
【００３２】
そこで、上記実施例１〜２６及び比較例１〜８の酸化物スパッタリングターゲットを用いて上記の成膜条件で成膜した実施例１〜２６及び比較例１〜８の光記録媒体用保護膜について、金属組成の分析を実施したところ、表３に示す結果が得られた。この結果によれば、実施例１〜２６及び比較例１〜８の光記録媒体用保護膜における金属組成は、実施例１〜２６及び比較例１〜６の酸化物スパッタリングターゲットにおける金属組成に対応していることが分かる。
【００３３】
【表３】
2013177676.tif 000004
【００３４】
上記実施例１〜２６及び比較例１〜８の酸化物スパッタリングターゲットと、それらを用いて成膜された実施例１〜２６及び比較例１〜８の光記録媒体用保護膜について評価を行った。実施例１〜２６及び比較例１〜８の酸化物スパッタリングターゲットに関しては、密度比、比抵抗、異常放電回数、パーティクルの量を求め、実施例１〜２６及び比較例１〜８の光記録媒体用保護膜に関しては、膜の押し込み硬さ、膜の割れ、膜の比抵抗、膜のＸＲＤ及び反射率の変化を求めた。それぞれの求め方については、以下に示した。
【００３５】
＜密度比測定＞
密度比は、焼結体を所定寸法に機械加工した後、重量を測定し嵩密度を求めた後、理論密度で割ることで、算出した。なお、理論密度は、原料の重量に基づいて以下のようにして求めた。
【００３６】
【数１】
2013177676.tif 000005
【００３７】
＜比抵抗測定＞
スパッタリングターゲット及び膜の比抵抗測定は、三菱化学株式会社製抵抗測定器ロレスタＧＰを用いて測定した。
＜異常放電とパーティクル＞
上述の条件において１２時間スパッタを行い異常放電の回数を計測した。その後、スパッタチャンバーを解放し、チャンバー内のパーティクルを確認した。
【００３８】
＜反射率の変化＞
ポリカーボネート上にＡｇ９８．１Ｎｄ１．０Ｃｕ０．９合金をスパッタし、特許文献１の実施例１に記載の色素を成膜した基板を用い、その上に上述の条件において各実施例及び比較例の保護膜を厚さ１４ｎｍ成膜した。その後、８０℃、８５％の恒温恒湿器に１００時間放置して、その前後の反射率の変化を測定した。なお、反射率の測定には、紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製Ｖ−５５０）を用いた。また、波長４０５ｎｍの光に対する反射率を求めた。
【００３９】
＜膜の押し込み硬さ＞
上述の成膜条件により、基板にコーニング社製１７３７ガラスを用い、膜厚を５００ｎｍとして成膜を行い、押し込み荷重を３５ｍｇｆとし超微小押し込み硬さ試験機（株式会社エリオニクス製ＥＮＴ−１１００ａ）にて測定を行った。なお、基板は２７℃の装置内にセットし、１時間以上経過してから測定した。なお、１０点測定の平均値を測定値とした。
【００４０】
＜膜の割れ＞
上述の成膜条件によって、厚さ０．１ｍｍのＰＥＴフイルムに１００ｎｍの膜厚で成膜し、フイルムを１０回折り曲げた後、膜表面を顕微鏡により倍率１０００倍にて観察して割れの有無を調べた。なお、高周波（ＲＦ）スパッタリングによる成膜である場合について、※印を付した。
【００４１】
＜膜のＸＲＤ＞
試料の準備：コーニング社製１７３７ガラス基板上に膜厚を３００ｎｍとして成膜を行い、測定試料とした。
装置‥株式会社リガク製（ＲＩＮＴ−Ｕｌｔｉｍａ／ＰＣ）
管球：Ｃｕ
管電圧：４０ｋＶ
管電流：４０ｍＡ
走査範囲（２∂）：５０°〜８０°
スリットサイズ：発散（ＤＳ）２／３度、散乱（ＳＳ）２／３度、受光（ＲＳ）０．８ｍｍ
測定ステップ幅：２８で０．０２度
スキャンスピード：毎分２度
試料台回転スピード：３０ｒｐｍ
ここでは、回折ピークが見られない場合を、○印で、そして、明確な回折ピークが見られる場合を、×印で表示した。
＜ターゲットのＸＲＤ＞
試料の準備：試料はＳｉＣ−Ｐａｐｅｒ（ｇｒｉｔ  １８０）にて湿式研磨、乾燥の後、測定試料とした。
上述の膜のＸＲＤと同様の条件にて、Ｚｎ２ＳｎＯ４の３４°付近のピークに対するＳｎＯ２の２７°付近のピークの比を測定し、ＳｎＯ２相の有無を調べた。
【００４２】
上記実施例１〜２６及び比較例１〜８の酸化物スパッタリングターゲットと、それらを用いて成膜された実施例１〜２６及び比較例１〜８の光記録媒体用保護膜についての評価結果が、表４及び表５に示されている。
【００４３】
【表４】
2013177676.tif 000006
【００４４】
【表５】
2013177676.tif 000007
【００４５】
以上に示された評価結果からわかるように、実施例１〜２６の酸化物スパッタリングターゲットは、いずれも比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以下であり、異常放電回数が非常に少ないと共にパーティクルの量も少なかった。これに対して、比較例１、４、５、６、７の酸化物スパッタリングターゲットでは、比抵抗が高くて測定可能範囲外であり、直流（ＤＣ）スパッタリングができなかった。このため、比較例１、４、５、６、７の酸化物スパッタリングターゲットに関しては、高周波（ＲＦ）スパッタリングにより成膜した。なお、実施例１〜２６及び比較例１〜８の酸化物スパッタリングターゲットは、いずれも密度比が９０％以上であった。
【００４６】
また、保護膜の柔軟性（柔らかさ）を示す膜の押し込み硬さについては、比較例１，３の保護膜では、８００ｍｇｆ／μｍ２を超えてしまっており、これらの保護膜では、膜の割れが生じていた。これらに対し、実施例１〜２６の保護膜に関しては、いずれも８００ｍｇｆ／μｍ２以下であり、比較例１、３に比べて、柔軟性を有する膜が得られ、実施例１〜２６の保護膜には、膜の割れが生じていない。なお、ＩＴＯ膜である比較例８の保護膜では、膜の割れが発生している。
さらに、反射率の変化については、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の比較例７が大きく変化しているのに対し、実施例１〜２６の保護膜では、いずれも１．０％以下の少ない変化率であり、高い保存性が得られている。
なお、上記実施例１〜２６の保護膜は、常温でアモルファスであった。
【００４７】
次に、実施例１〜２６の酸化物スパッタリングターゲットのいずれおいても、Ｘ線回折（ＸＲＤ）した結果、ＺｎＯに帰属する回折ピークと、ＳｎＯ２とＺｎＯとの複合酸化物であるＺｎ２ＳｎＯ４とに帰属する回折ピークが検出され、ＺｎＯ及びＺｎ２ＳｎＯ４の相の存在が確認された。
【００４８】
ここで、参考として、比較例２の酸化物スパッタリングターゲットについて、Ｘ線回折（ＸＲＤ）結果のグラフを、図３に示し、そして、ＥＰＭＡ（フィールドエミッション型電子線プローブ）による反射電子像（ＣＰ）及び各元素の組成分布を示す元素分布像を図４に示した。なお、ＥＰＭＡによる元素分布像の見方は、図２に示した場合と同様である。これら画像から、図２に示した本発明に係る酸化物スパッタリングターゲットの元素分布像では、ＺｎＯとＺｎ２ＳｎＯ４との相からなり、ＡｌがＺｎＯ相に選択的に分散していることが分かったが、比較例２の酸化物スパッタリングターゲットの場合には、ＳｎＯ２の相がＺｎＯを主とする相中に存在していることが分かる。その様子が、画像中に破線でＳｎＯ２の相を囲んで示されている。ＳｎＯ２相の存在は、ＸＲＤのグラフにおけるＳｎＯ２のピークが６／１００を示していることからも確認できる。
【００４９】
なお、本発明を、酸化物スパッタリングターゲットとして利用するためには、面粗さ：５．０μｍ以下、より好ましくは１．０μｍ以下、粒径：２０μｍ以下より好ましくは１０μｍ以下、金属系不純物濃度：０．１原子％以下、より好ましくは０．０５原子％以下、抗折強度：５０ＭＰａ以上、より好ましくは１００ＭＰａ以上であることが好ましいが、上記実施例１〜２６の酸化物スパッタリングターゲットは、いずれもこれらの条件を満たしたものであった。
【００５０】
また、本発明の技術範囲は上記実施形態及び上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態及び上記実施例では、加圧焼結をホットプレスによって行っているが、他の方法として、熱間等方加圧式焼結法（ＨＩＰ法）等を採用しても構わない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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