(57)【要約】【課題】  電極ポストと電極との間で、セラミック基板の表面に沿って大電流が流れることを抑制する。【解決手段】  セラミック基板１１と、セラミック基板１１の一方主面に配された第１電極１２と、他方主面に配された第２電極１４と、マトリクス状に配列された貫通孔２０に配置された、第１電極１２と接続した金属ポスト１３とを備え、第２電極１４に入射した電荷と、電極ポストを介して第１電極１２に入射した電荷とを検出することで、測定対象空間に入射した中性子線の位置を検出する検出器であって、貫通孔２０が、貫通孔２０の他方主面１１β側の開口２０βを含む一部の領域に、開口２０βから一方主面１１α側の開口２０αに向かって縮径した第１縮径部２１を有し、電極ポスト１３の第１縮径部２１に対応する部分の直径は、第１縮径部２１における貫通孔の最小内径よりも小さく、第１縮径部２１以外の領域において、電極ポスト１３と貫通孔２０の内周面とが接合している粒子線位置検出器１０である。【選択図】  図１
2013181800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板と、
前記セラミック基板の一方主面に、第１方向に沿って互いに隣接して配列された、前記第１方向と直交する第２方向に沿って長尺な第１電極と、
前記セラミック基板の他方主面に、前記第２方向に沿って互いに隣接して配列された、前記第１方向に沿って長尺な第２電極と、
前記第１方向および前記第２方向に沿ったマトリクス状に配列された、前記セラミック基板の前記一方主面と前記他方主面それぞれに開口を有する複数の貫通孔と、
複数の前記貫通孔それぞれに挿通され、前記貫通孔それぞれの内周面の一部と接合して前記貫通孔内に固定された電極ポストとを備え、
複数の前記第１電極それぞれは、前記第２方向に沿って一列に並んだ複数の前記貫通孔の前記一方主面側の開口を閉塞するとともに、閉塞した前記貫通孔に配置された前記電極ポストの前記一方主面側の端部と接合されており、
複数の前記第２電極それぞれは、前記第１方向に沿って一列に並んだ複数の開口部を備え、
前記他方主面に垂直な方向から見た際、複数の前記開口部それぞれに、前記第１方向に沿って一列に並んだ複数の前記電極ポストの前記他方主面側の端部それぞれが配置された粒子線位置検出器であって、
複数の前記貫通孔それぞれは、前記貫通孔の前記他方主面側の開口を含む一部の領域に、前記他方主面側の開口から前記一方主面側の開口に向かって縮径した第１縮径部を有し、前記電極ポストの前記第１縮径部に対応する部分の直径は、前記第１縮径部における前記貫通孔の最小内径よりも小さく、第１縮径部以外の領域において、前記電極ポストと前記貫通孔の前記内周面とが接合していることを特徴とする粒子線位置検出器。
【請求項２】
前記貫通孔は、前記貫通孔の前記一方主面側の開口を含む一部の領域に、前記一方主面側の開口から前記他方主面側の開口に向かって縮径した第２縮径部を有し、
前記電極ポストは、
前記貫通孔の前記一方主面側の開口の直径よりも小さく、かつ前記第２縮径部における最小内径よりも大きな直径部分を備える位置決め用土台部と、
前記位置決め用土台部から突出した、前記第２縮径部における最小内径、および前記第１縮径部における最小内径よりも小さい直径を有する小径部とを備え、
前記位置決め用土台部の一部が前記第２縮径部の内面と当接するとともに、前記突出部の少なくとも一部が前記第１縮径部に配置された状態で、前記位置決め用土台部の少なくとも一部と前記第２縮径部の内周面の少なくとも一部とが接合されていることを特徴とする請求項１記載の粒子線位置検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粒子線位置検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
測定対象空間内に入射した中性子の位置を高精度に計測するための装置として、近年、Ｍｉｃｒｏ  ＰｉｘｅｌＧａｓ  Ｃｈａｍｂｅｒ（マイクロピクセルガスチャンバー)シ
ステム（以降、ＭＰＧＣシステムともいう）とよばれる装置が提案されている。下記特許文献１には、このＭＰＧＣシステムの一例が開示されている。図４（ａ）は、従来のＭＰＧＣシステムが備える粒子線位置検出器１００の概略斜視図、図４（ｂ）は従来のＭＰＧＣシステムの概略断面図である。ＭＰＧＣシステムは、粒子線位置検出器１００と、ドリフト電極１１７と、粒子線位置検出器１００に接続された位置検出用信号線１２２および１２４と、図示しない位置検出用電子回路とを備えている。
【０００３】
粒子線位置検出器１００は、絶縁性基板１１１と、絶縁性基板１１１の一方主面（図４（ａ）および（ｂ）中の下側主面）に、第１方向（図４（ａ）におけるＹ方向）に沿って互いに隣接して配列された、第１方向と直交する第２方向（図４（ａ）におけるＸ方向）に沿って長尺な第１電極１１２と、絶縁性基板１１１の他方主面（図中上側の主面）に、第２方向に沿って互いに隣接して配列された、第１方向に沿って長尺な第２電極１１４と、第１方向および第２方向に沿ったマトリクス状に配列された、絶縁性基板１１１の一方主面と他方主面それぞれに開口を有する複数の貫通孔１１１Ａと、複数の貫通孔１１１Ａそれぞれに挿通され、貫通孔１１１Ａそれぞれの内周面と接合して貫通孔１１１Ａ内に固定された電極ポスト１１３とを備えている。複数の第１電極１１２それぞれは、第２方向に沿って一列に並んだ複数の貫通孔１１１Ａの一方主面側の開口を閉塞するとともに、閉塞した貫通孔１１１Ａに配置された電極ポスト１１３の一方主面側の端部と接合されており、複数の第２電極１１４それぞれは、第１方向に沿って一列に並んだ複数の開口部１１６を備え、他方主面に垂直な方向から見た際、複数の開口部１１６それぞれに、第１方向に沿って一列に並んだ複数の電極ポスト１１３の他方主面側の端部それぞれが配置されている。
【０００４】
絶縁性基板１１１の他方主面の上方には、他方主面と所定間隔を隔ててドリフト電極１１７が配置されている。これらドリフト電極１１７と絶縁性基板１１１とは、図示しない筐体内に配置され、ドリフト電極１１７と絶縁性基板１１１との間は、アルゴンとエタン等からなるガスで満たされた状態となっている。このドリフト電極１１７と絶縁性基板１１１との間の空間が、中性子線の入射位置を特定するための測定対象空間となっている。第２電極１１４とドリフト電極１１７とは同じ大きさの負電位（例えば−２５０Ｖ）に設定され、第１電極１１２と電極ポスト１１３とは正電位（例えば＋２５０Ｖ）に設定される。複数の第１電極１１２と複数の第２電極１１４とは、それぞれ個別の信号線１２２および１２４と接合され、信号線１２２および１２４は、図示しない電子回路と接続されている。
【０００５】
図４（ｂ）にはＭＰＧＣシステムの動作状態についても示している。ドリフト電極１１７と絶縁性基板１１１との間の測定対象空間に中性子が入射した場合、この中性子がガス分子と衝突することで、ガス分子から電子１３０が電離する。入射した中性子によりガス中で電離された電子１３０は、ドリフト電極板１１７と電極ポスト１１３との間の電場（ドリフト電場）により、電極ポスト１１３に向けてドリフトする。電極ポスト１１３の近傍では、電極ポスト１１３と、電極ポスト１１３の端面と近接して配置された、第２電極１１４との間に、例えば５００Ｖの高電圧が印加された状態となっている。ドリフト電場
によって電極ポスト１１３の近傍に移動してきた電子１３０は、この電極ポスト１１３と第２電極１１４との間の強力な電場によって加速されてガス分子と衝突し、さらなる電子１３０がガス分子から電離する、いわゆる雪崩増幅を起こす。電離した電子１３０は、最終的に電極ポスト１１３に到達する。この雪崩増幅では、電子に加えてガス分子の陽イオン１４０も生じ、生じた陽イオン１４０は周囲の陰極電極（第２電極１１４）へ速やかに移動していく。このように、測定対象空間における中性子の入射位置では、このガス雪崩増幅に起因して、電極ポスト１１３と第２電極１１４との双方に、電気回路上で観測することができる程度の比較的多くの電荷が入射することになる。電極ポスト１１３と第２電極１１４とに入射した電荷に応じた電気信号が、信号線１２２および１２４を介して上述の図示しない電子回路に送られる。電子回路は、中性子線に起因した電子１３０および陽イオン１４０による電荷が入射した電極ポスト１１３と第２電極１１４とを特定することで、中性子線の入射位置を検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２４７６０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このようなＭＰＧＣシステムでは、高いガス増幅率を得るために、例えば５０μｍ以下と小さい間隔の、電極ポスト１１３と第２電極１１４との間に、５００Ｖ程度またはそれ以上の高い電圧をかける必要がある。従来の粒子線位置検出器では、この高電圧によって、絶縁性基板１１１の表面を介して、電極ポスト１１３と第２電極１１４との間に大きな電流が流れ、電流による熱で電極の形状が変化したり、電極自体が断線する等の問題が発生することもあった。また、瞬間的な大電流による熱でスパークした電極の破片が、絶縁性基板１１１表面の第２電極１１４に付着するなどして、隣接する２つの第２電極１１４の間が短絡するなどの問題が生じることがあった。本発明は、かかる問題を解決するためになされたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、セラミック基板と、前記セラミック基板の一方主面に、第１方向に沿って互いに隣接して配列された、前記第１方向と直交する第２方向に沿って長尺な第１電極と、前記セラミック基板の他方主面に、前記第２方向に沿って互いに隣接して配列された、前記第１方向に沿って長尺な第２電極と、前記第１方向および前記第２方向に沿ったマトリクス状に配列された、前記セラミック基板の前記一方主面と前記他方主面それぞれに開口を有する複数の貫通孔と、複数の前記貫通孔それぞれに挿通され、前記貫通孔それぞれの内周面の一部と接合して前記貫通孔内に固定された電極ポストとを備え、複数の前記第１電極それぞれは、前記第２方向に沿って一列に並んだ複数の前記貫通孔の前記一方主面側の開口を閉塞するとともに、閉塞した前記貫通孔に配置された前記電極ポストの前記一方主面側の端部と接合されており、複数の前記第２電極それぞれは、前記第１方向に沿って一列に並んだ複数の開口部を備え、前記他方主面に垂直な方向から見た際、複数の前記開口部それぞれに、前記第１方向に沿って一列に並んだ複数の前記電極ポストの前記他方主面側の端部それぞれが配置された粒子線位置検出器であって、複数の前記貫通孔それぞれは、前記貫通孔の前記他方主面側の開口を含む一部の領域に、前記他方主面側の開口から前記一方主面側の開口に向かって縮径した第１縮径部を有し、前記電極ポストの前記第１縮径部に対応する部分の直径は、前記第１縮径部における前記貫通孔の最小内径よりも小さく、第１縮径部以外の領域において、前記電極ポストと前記貫通孔の前記内周面とが接合していることを特徴とする粒子線位置検出器を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の粒子線位置検出器によれば、複数の貫通孔それぞれが、貫通孔の他方主面側の開口を含む一部の領域に、他方主面側の開口から一方主面側の開口に向かって縮径した第１縮径部を有し、電極ポストの第１縮径部に対応する部分の直径は、第１縮径部における貫通孔の最小内径よりも小さくされていることで、他方主面側に配置された電極と、この貫通孔に配置された電極ポストとの、セラミック基板の表面に沿った距離（沿面距離）が比較的長くなるので、電極ポストと電極との間で、セラミック基板の表面に沿って大電流が流れることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は、本発明の粒子線位置検出器の一実施形態の例を示す概略斜視図、（ｂ）は概略上面図である。
【図２】図１に示す粒子線位置検出器を備えて構成されるＭＰＧＣシステムの一部を拡大して示す概略断面図である。
【図３】図１と異なる実施形態の粒子線位置検出器を備えて構成されるＭＰＧＣシステムの一部を拡大して示す概略断面図である。
【図４】（ａ）は、従来のＭＰＧＣシステムが備える粒子線位置検出器の概略斜視図、（ｂ）は従来のＭＰＧＣシステムの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の粒子線位置検出器の一実施形態について説明する。図１（ａ）は、本発明の粒子線位置検出器の一実施形態の例である粒子線位置検出器１０の概略斜視図、図１（ｂ）は粒子線位置検出器１０の概略上面図である。図２は、図１に示す粒子線位置検出器１０を備えて構成されるＭＰＧＣシステム１の一部を拡大して示す概略断面図である。ＭＰＧＣシステム１は、測定対象空間内に入射した中性子の位置を高精度に計測するための装置である。
【００１２】
粒子線位置検出器１０は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とする、厚さ約０．２ｍｍ〜０．６ｍｍのセラミック基板１１と、セラミック基板１１の一方主面１１αに、第１方向（図におけるＹ方向）に沿って互いに隣接して配列された、第１方向と直交する第２方向（図におけるＸ方向）に沿って長尺な第１電極１２と、絶縁性基板の他方主面１１βに、第２方向に沿って互いに隣接して配列された、第１方向に沿って長尺な第２電極１４と、第１方向および第２方向に沿ったマトリクス状に配列された、複数の貫通孔２０とを有する。
【００１３】
第１電極１２の第２方向に沿った幅、および第２電極１４の第１方向に沿った幅は、例えば０．２ｍｍ〜０．６ｍｍであり、第１電極１２同士の間隔、および第２電極１４同士の間隔は、約０．０５ｍｍ程度である。
【００１４】
貫通孔２０は、一方主面１１α側に設けられた開口２０αと、他方主面１１β側に設けられた開口２０βとを備える。開口２０αおよび開口２０βの直径は、約０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。
【００１５】
また、複数の貫通孔２０それぞれに挿通され、貫通孔２０それぞれの内周面の一部と接合して貫通孔２０内に固定された電極ポスト１３を備えている。電極ポスト１３は、セラミック基板１１の厚さと同じ高さとし、電極ポスト１３の高さは約０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。
【００１６】
電極ポスト１３は、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）からなる、貫通孔２０内に配置される前に予め成型された金属部材であり、例えばアルミナからなるセラミック基板１１に設けられた貫通孔２０の内周面と、接合層４０（図２参照）を介して接合されている。接合層
４０は、例えばＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉロウ材と、Ｎｉメッキ層とを備えてなる、公知のメタライズ技術を用いて形成されたものである。本実施形態において接合層４０は、後述する第２縮径部２２に対応する領域にのみ形成されている。
【００１７】
複数の第１電極１２それぞれは、第２方向に沿って一列に並んだ複数の貫通孔２０の一方主面１１α側の開口２１αを閉塞するとともに、閉塞した貫通孔２０に配置された電極ポスト１３の、一方主面１１α側の端部１３αと接合されている。複数の第２電極１４それぞれは、第１方向に沿って一列に並んだ複数の開口部１６を備え、他方主面１１βに垂直な方向から見た際、複数の開口部１６それぞれに、第１方向に沿って一列に並んだ複数の電極ポスト１３の他方主面１１β側の端部１３βそれぞれが配置されている。貫通孔２０および開口１３は、中心軸を同じとし、貫通孔２０の開口２０αおよび２０βの直径に対し、開口１３の直径が約０．０１〜０．０５ｍｍ程度大きくされている。貫通孔２０および開口１３は、中心軸同士の間隔を約０．３ｍｍ〜０．５ｍｍとして、第１方向および第２方向に沿ってマトリクス状に複数配列している。
【００１８】
ＭＰＧＣシステム１では、セラミック基板１１の他方主面１１βの上方には、他方主面１１βと所定間隔を隔ててドリフト電極１７が配置されている。これらドリフト電極１７と絶縁性基板１１とは、図示しない筐体内に配置され、ドリフト電極１７と絶縁性基板１１との間は、アルゴンとエタン等からなるガスで満たされた状態となっている。このドリフト電極１７と絶縁性基板１１との間の空間が、中性子線の入射位置を特定するための測定対象空間となっている。貫通孔２０および開口１３の配列の数は、測定対象空間の大きさに応じて適宜設定すればよい。
【００１９】
第２電極１４とドリフト電極１７とは同じ大きさの負電位（例えば−２５０Ｖ）に設定され、第１電極１２と電極ポスト１３とは正電位（例えば＋２５０Ｖ）に設定される。複数の第１電極１２と複数の第２電極１４とは、それぞれ個別の信号線３２および３４と接合され、信号線３２および３４は図示しない電子回路と接続なっている。
【００２０】
ドリフト電極１７と絶縁性基板１１との間の測定対象空間に中性子が入射した場合、この中性子によってガス分子から電子ｅ−（図示せず）が電離する。入射した中性子によりガス中で電離された電子ｅ−は、ドリフト電極板１７と電極ポスト１３との間の電場（ドリフト電場）によって、電極ポスト１３に向けてドリフトする。電極ポスト１３の近傍では、電極ポスト１３と、電極ポスト１３の端面と近接して配置された第２電極１４との間に、例えば５００Ｖの高電圧が印加された状態とされている。ドリフト電場によって電極ポスト１３の近傍に移動してきた電子ｅ−には、この電極ポスト１３と第２電極１１４との間の強力な電場によって加速されてさらにガス分子と衝突し、いわゆる雪崩増幅を起こす。この結果、電子に加えてガス分子の陽イオンも生じ、生じた陽イオンは周囲の陰極電極（第２電極１４）へ速やかに移動していく。このように、測定対象空間における中性子の入射位置では、この雪崩増幅に起因して、電極ポスト１３と第２電極１４との双方に、電気回路上で観測することができる程度の比較的多くの電荷が入射することになる。電極ポスト１３と第２電極１４とに入射した電荷に応じた電気信号は、信号線３２および３４を介して上述の図示しない電子回路に到達する。この図示しない電子回路が、中性子線に起因した電子ｅ−に起因した電荷が入射した電極ポスト１３および第２電極１４を特定することで、測定対象空間における中性子の入射位置を検出することができる。
【００２１】
本実施形態の粒子線位置検出器１０は、複数の貫通孔２０それぞれが、貫通孔２０の他方主面１１β側の開口２０βを含む一部の領域に、他方主面１１β側の開口２０βから一方主面１１α側の開口２０βに向かって縮径した第１縮径部２１を有している。加えて、電極ポスト１３の第１縮径部２１に対応する部分の直径は、第１縮径部２１における貫通孔２０の最小内径よりも小さくなっており、第１縮径部２１以外の領域において、電極ポ
スト１３と貫通孔２０の内周面とが接合している。
【００２２】
第１縮径部２１は、例えば、セラミック基板１１の他方主面１１βの側から、セラミック基板１１の厚さの中間部分まで延在している。本実施形態では、セラミック基板１１の他方主面１１βの側から、セラミック基板１１の厚さの中間まで第１縮径部２１が配置され、セラミック基板１１の一方主面１１αの側から、セラミック基板１１の厚さの中間まで第２縮径部２２が配置されている。例えば、セラミック基板１１の厚さが約０．１ｍｍ〜０．６ｍｍである本実施形態では、第１縮径部２１の厚さと第２縮径部２２の厚さとが、それぞれ約０．０５〜０．３ｍｍとなっている。第１縮径部２１における貫通孔２０の最小内径の大きさの下限は特に限定されないが、例えば、開口２０βの直径に対して約０．０１〜０．０５ｍｍ程度小さい。本実施形態では、この貫通孔２０の最小内径の大きさを、約０．１ｍｍ〜０．４５ｍｍ程度の範囲としている。
【００２３】
上述の貫通孔２０は、一方主面１１α側ならびに他方主面１１β側のそれぞれの表面において、例えば、開口２０αならびに開口２０βのセラミック基板１１が露出するようにマスキングを施した後、アルミナ微粒子を衝突させることでセラミック基板１１の露出部分を削るサンドブラスト工法によって形成すればよい。サンドブラスト工法においては、加工深さが深くなるにつれて加工径が小さくなる傾向があり、一方主面１１α側からの加工において第２縮径部２２が、また他方主面１１β側からの加工において第一縮径部２１が形成される。
【００２４】
上述のように、複数の第２電極１４それぞれは、第１方向に沿って一列に並んだ複数の貫通孔２０と重なった複数の開口部１６を備え、他方主面１１βに垂直な方向から見た際に、複数の開口部１６それぞれに、第１方向に沿って一列に並んだ複数の貫通孔２０の他方主面側の開口２０β、および電極ポスト１３の他方主面１１β側の端部１３βそれぞれが配置されている。第２電極１４と電極ポスト１３との空間的な最短距離は、図２にＡで示す距離となるが、本例では、他方主面１１β側の開口２０βから一方主面１１α側の開口２０βに向かって縮径した第１縮径部２１を有し、電極ポスト１３の第１縮径部２１に対応する部分の直径は、よりも小さくなっているとともに、第１縮径部２１以外の領域（本実施形態では、後述する第２縮径部２２のみ）において、電極ポスト１３と貫通孔２０の内周面とが接合しているので、セラミック基板１１の表面に沿ったいわゆる沿面距離は、図２にＢで示す距離となっている。
【００２５】
第１縮径部２１は、他方主面２０βに垂直な方向の高さが、セラミック基板１１の厚さの半分程度とされている。第１縮径部２１の高さは、約０．１〜０．３ｍｍである。第２縮径部２２の一方主面２０αに垂直な方向の高さも、セラミック基板１１の厚さの約半分程度とされており、第２縮径部２２の高さは、約０．１〜０．３ｍｍである。第１縮径部２１における貫通孔２０の最小内径は、開口２０αの直径よりも０．２〜０．７ｍｍ程度小さい。第１縮径部２１における最小内径は、開口２０αよりも、例えば０．５ｍｍ程度小さい。沿面距離Ｂは、例えば０．１〜０．３ｍｍ程度である。
【００２６】
本発明では、セラミック基板１１の表面に沿った沿面距離を長くすることで、セラミック基板１１の表面に沿った大電流の発生を抑制し、このセラミック基板１１の表面に沿った大電流に起因した第２電極１４や電極ポスト１３の劣化が抑制されている。
【００２７】
また、貫通孔２０は、貫通孔２０の一方主面１１α側の開口２０αを含む一部の領域に、一方主面１１α側の開口２０αから他方主面１１β側の開口２０βに向かって縮径した第２縮径部２２を有している。加えて、電極ポスト１３は、貫通孔２０の一方主面１１α側の開口２０αの直径よりも小さく、かつ第２縮径部２２における最小内径よりも大きな直径部分を備える位置決め用土台部３１と、位置決め用土台部３１から突出した、第２縮
径部２２における最小内径、および第１縮径部２１における最小内径よりも小さい直径を有する突出部３２とを備えている。粒子線位置検出器１０では、位置決め用土台部３１の一部が第２縮径部２２の内周面と当接するとともに、突出部３２が第１縮径部２１に配置されている。この状態で、位置決め用土台部３１の周面と、第２縮径部２２の内周面とが、接合部材４０を介して接合されている。
【００２８】
第２縮径部２２は、一方主面１１α側の開口２０αから他方主面１１β側の開口２０βに向かって縮径しており、位置決め用土台部３１の外周面の一部がこの第２縮径部２２に当接することで、貫通孔２０に対する位置決め用土台部３１の位置が決められる構成となっている。図２に示す実施例では、位置決め用土台部３１の外周面の一部が、貫通孔２０の第２縮径部２２の一部に対応する形状とされており、この位置決め用土台部３１の周面の一部と、第２縮径部２２の内面の一部とが当接することで、貫通孔２０に対する位置決め用土台部３１の位置が決められている。第１縮径部２１を設け、電極ポスト１３の一部の直径を小さくすると、第１縮径部２１の内周面と電極ポスト１３とが離れるので、上述の沿面距離が長くなる一方で、第１縮径部２１の内周面によって電極ポスト１３の位置を規定することができない。しかしながら、第２縮径部２２を設けるとともに、電極ポスト１３の一部に位置決め用土台部３１を設けることで、位置決め用土台部３１に対しても比較的大きい径を有する開口２０αから、電極ポスト１３を貫通孔２０内に容易に挿入することができるとともに、第１縮径部２１の内周面と電極ポスト１３とが離れていながら、貫通孔２０に対する電極ポスト１３の位置を高精度に規定することができる。位置決め用土台部の断面の直径は０．１〜０．５ｍｍであり、突出部２２の直径は、第１縮径部２１の最小内径に対し、０．０５〜０．２ｍｍ程度小さくなっている。
【００２９】
なお、図２に示す実施例では、位置決め用土台部３１の外周面の一部を、貫通孔２０の第２縮径部２２の一部に対応する形状としたが、図３に示す実施例のように、位置決め用土台部３１を、一定の径を有する円柱状としてもよい。この場合も、この一定の径に対応する直径（内周径）となる第２縮径部２２の位置に、位置決め用土台部３１の上面の周縁線が当接した状態で、貫通孔２０内に電極ポスト１３が位置決めされて固定される。貫通孔２０の形状や、電極ポスト１３の形状などは特に限定されない。
【００３０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の各種実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行なってもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００３１】
１０  粒子線位置検出器
１１  セラミック基板
１１α  一方主面
１１β  他方主面
１２  第１電極
１３  電極ポスト
１４  第２電極
１６  開口部
１７  ドリフト電極
２０  貫通孔
２０α、２０β  開口
２１  第１縮径部
２２  第２縮径部
３１  位置決め用土台部
４０  接合層
【図１】
2013181800.tif 000003
【図２】
2013181800.tif 000004
【図３】
2013181800.tif 000005
【図４】
2013181800.tif 000006