(57)【要約】【課題】メモリ全体の動的消費電流を短時間に求めることができる設計支援装置を提供する。【解決手段】量子化部３８は、第１の構成のメモリについての部分領域および動作モードごと第１の電流波形と、第２の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの第２の電流波形とを時間軸方向および振幅方向に量子化する。補間部４６は、第３の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの第３の電流波形を、部分領域および動作モードが同一の第１の電流波形と、部分領域および動作モードが同一の第２の電流波形との補間によって計算する。動的電流解析部４５は、動作モードごとに、補間によって得られたすべての部分領域の第３の電流波形を合算することによって、第３の構成のメモリにおける消費電流の時間変化をシミュレーションする。【選択図】図４
2013088915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第１の電流波形と、第２の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第２の電流波形を記憶する記憶部と、
前記第１の電流波形と前記第２の電流波形とを時間軸方向および振幅方向に量子化する量子化部と、
前記第１の構成のメモリおよび前記第２の構成のメモリと異なる構成の第３の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第３の電流波形を、前記部分領域および動作モードが同一の前記第１の電流波形と、前記部分領域および動作モードが同一の前記第２の電流波形との補間によって計算する補間部と、
動作モードごとに、前記補間によって得られたすべての部分領域の第３の電流波形を合算することによって、前記第３の構成のメモリにおける消費電流の時間変化をシミュレーションする動的電流解析部とを備えた、設計支援装置。
【請求項２】
前記補間部は、
前記第１および第２の電流波形からビットに依存する第１の部分波形と、ワードに依存する第２の部分波形を抽出する抽出部と、
前記第１の電流波形から抽出された第１の部分波形の振幅と前記第２の電流波形から抽出された第１の部分波形の振幅との補間によって、前記第３の電流波形を構成する第１の部分波形の振幅を計算し、前記第１の電流波形から抽出された第２の部分波形の振幅と前記第２の電流波形から抽出された第２の部分波形の振幅との補間によって、前記第３の電流波形を構成する第２の部分波形の振幅を計算する振幅補間部と、
前記振幅が補間された第１の部分波形と、前記振幅が補間された第２の部分波形とを合成して、前記第３の電流波形を生成する合成部とを含む、請求項１記載の設計支援装置。
【請求項３】
前記補間部は、さらに、
前記第１の電流波形から抽出された第１の部分波形のピークのタイミングと前記第２の電流波形から抽出された第１の部分波形のピークのタイミングとの補間によって、前記第３の電流波形を構成する第１の部分波形のピークのタイミングを計算し、
前記第１の電流波形から抽出された第２の部分波形のピークのタイミングと前記第２の電流波形から抽出された第２の部分波形のピークのタイミングとの補間によって、前記第３の電流波形を構成する第２の部分波形のピークのタイミングを計算するタイミング補間部とを含み、
前記合成部は、前記補間によって振幅が計算された第１の部分波形と、前記補間によって振幅が計算された第２の部分波形とを、補間されたピークのタイミングに基づいて、繋ぎあわせることによって合成して、前記第３の電流波形を生成する、請求項２記載の設計支援装置。
【請求項４】
前記振幅補間部は、前記第１の電流波形から抽出された第１の部分波形のピークのタイミングと前記第２の電流波形から抽出された第１の部分波形のピークのタイミングが一致するように２つの第１の部分波形のいずれかおよび両方を時間軸方向にシフトした上で、前記補間を行ない、
前記第１の電流波形から抽出された第２の部分波形のピークのタイミングと前記第２の電流波形から抽出された第２の部分波形のピークのタイミングが一致するように２つの第２の部分波形のいずれかおよび両方を時間軸方向にシフトした上で、前記補間を行なう、請求項２記載の設計支援装置。
【請求項５】
複数の構成のメモリについて、部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形を記憶する記憶部と、
前記記憶部に電流波形が記憶されている前記複数の構成のメモリから、ビット数が相違する第１の構成のメモリおよび第２の構成のメモリを選択し、ワード数が相違する第３の構成のメモリおよび第４の構成のメモリを選択し、
前記記憶部から、第１の構成のメモリの部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第１の電流波形と、第２の構成のメモリの部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第２の電流波形と、第３の構成のメモリの部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第３の電流波形と、第４の構成のメモリの部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第４の電流波形とを読出す選択部と、
前記第１の電流波形、前記第２の電流波形、前記第３の電流波形、および前記第４の電流波形とを時間軸方向および振幅方向に量子化する量子化部と、
前記第１および第２の電流波形からビットに依存する第１の部分波形を抽出し、前記第３および第４の電流波形からワードに依存する第２の部分波形を抽出する抽出部と、
前記第１の電流波形から抽出された第１の部分波形の振幅と前記第２の電流波形から抽出された第１の部分波形の振幅との補間によって、指定された構成のメモリの第１の部分波形の振幅を計算し、前記第３の電流波形から抽出された第２の部分波形の振幅と前記第４の電流波形から抽出された第２の部分波形の振幅との補間によって、前記指定された構成のメモリの第２の部分波形の振幅を計算する振幅補間部と、
前記第１の電流波形から抽出された第１の部分波形のピークのタイミングと前記第２の電流波形から抽出された第１の部分波形のピークのタイミングとの補間によって、前記指定された構成のメモリの第１の部分波形のピークのタイミングを計算し、
前記第３の電流波形から抽出された第２の部分波形のピークのタイミングと前記第４の電流波形から抽出された第２の部分波形のピークのタイミングとの補間によって、前記指定された構成のメモリの第２の部分波形のピークのタイミングを計算するタイミング補間部と、
前記指定された構成のメモリの第１の部分波形の振幅およびピークのタイミングと、前記指定された構成のメモリの第２の部分波形の振幅およびピークのタイミングに基づいて、前記第１の部分波形と前記第２の部分波形とを合成して、前記指定された構成のメモリの電流波形を生成する合成部と、
動作モードごとに、前記補間によって求めたすべての部分領域の電流波形を合算して、前記指定された構成のメモリの消費電流の時間変化をシミュレーションする動的電流解析部とを備えた、設計支援装置。
【請求項６】
前記選択部は、ビット線数が相違するメモリのうち、前記指定された構成のメモリとワード線数が類似した２つの構成のメモリを前記第１構成のメモリおよび前記第構成のメモリとして選択し、
ワード線数が相違するメモリのうち、前記指定された構成のメモリとビット線数が類似した２つの構成のメモリ前記第３の構成のメモリおよび前記第４の構成のメモリとして選択する、請求項５記載の設計支援装置。
【請求項７】
前記選択部は、ビット線数が最大のメモリを前記第１の構成のメモリとして選択し、ビット線数が最小のメモリを前記第２の構成のメモリとして選択し、ワード線数が最大のメモリを前記第３の構成のメモリとして選択し、ワード線数が最小のメモリを前記第４の構成のメモリとして選択する、請求項５記載の設計支援装置。
【請求項８】
前記選択部は、ビット線数が最大のものが２個以上ある場合には、ビット線数が最大で、かつ前記指定された構成のメモリとワード線数が類似したメモリを第１の構成のメモリとして選択し、ビット線数が最小のものが２個以上ある場合には、ビット線数が最小で、かつ前記指定された構成のメモリとワード線数が類似したメモリを第２の構成のメモリとして選択し、
ワード線数が最大のものが２個以上ある場合には、ワード線数が最大で、かつ前記指定された構成のメモリとビット線数が類似したメモリを第３の構成のメモリとして選択し、ワード線数が最小のものが２個以上ある場合には、ワード線数が最小で、かつ前記指定された構成の目盛りビット線数が類似したメモリを第４の構成のメモリとして選択する、請求項７記載の設計支援装置。
【請求項９】
前記振幅補間部は、前記第１の電流波形から抽出された第１の部分波形のピークのタイミングと前記第２の電流波形から抽出された第１の部分波形のピークのタイミングが一致するように２つの第１の部分波形のいずれかおよび両方を時間軸方向にシフトした上で、前記補間を行ない、
前記第３の電流波形から抽出された第２の部分波形のピークのタイミングと前記第４の電流波形から抽出された第２の部分波形のピークのタイミングが一致するように２つの第２の部分波形のいずれかおよび両方を時間軸方向にシフトした上で、前記補間を行なう、請求項５記載の設計支援装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、設計支援装置に関し、特にメモリの動的消費電流を推定することができる設計支援装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの設計時に、消費電流解析が行なうことが多くなってきている。たとえば、特許文献１（特開２０１０−２７７１７９号公報）には、ネットリストに埋め込む基本素子の動作モデルとして所定のハードウェア記述言語により記述され、ネットリストの回路に対する計算機による論理シミュレーションにおいて基本素子として動作するプログラムが記載され、このプログラムは基本素子の論理動作を規定する論理動作部と、基本素子の入出力端子における信号レベルの変化を検出する変化検出部と、信号レベルの変化の組み合わせに応じた位置のデータが読み出されるデータ格納部とを含むことが開示されている。
【０００３】
特許文献２（特開２０１０−１０８０１６号公報）に記載の消費電力計算方法は、リファレンスピンの複数の動作率のそれぞれについて消費電力を定義したライブラリを生成する。そのライブラリに基づいてリファレンスピンの平均動作率での消費電力を求める。リファレンスピンの平均動作率での消費電力がライブラリに記述されていない場合には、補間処理によって平均動作率での消費電力を求める。その平均動作率での消費電力、およびトリガピンの動作率や動作周波数などの動作条件に基づいて、解析対象セルの消費電力を求める。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２７７１７９号公報
【特許文献２】特開２０１０−１０８０１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、ＬＳＩ（Large Scale Integration）を構成する素子の特性に基づいて消費電流を計算することが必要となり、長時間を要する。
【０００６】
また、特許文献２では、既知の構成の消費電力値の補間によって未知の構成の消費電力値求めることができるものの、１つのＲＡＭのマクロセルの消費電力値を求めることが目的であり、メモリ全体の動的な消費電流を求めることができない。
【０００７】
それゆえに、本発明の目的は、メモリ全体の動的消費電流を短時間に求めることができる設計支援装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態の設計支援装置は、第１の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第１の電流波形と、第２の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第２の電流波形を記憶する記憶部と、第１の電流波形と第２の電流波形とを時間軸方向および振幅方向に量子化する量子化部とを備える。さらに、この設計支援装置は、第１の構成のメモリおよび第２の構成のメモリと異なる構成の第３の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第３の電流波形を、部分領域および動作モードが同一の第１の電流波形と、部分領域および動作モードが同一の第２の電流波形との補間によって計算する補間部と、動作モードごとに、補間によって得られたすべての部分領域の第３の電流波形を合算することによって、第３の構成のメモリにおける消費電流の時間変化をシミュレーションする動的電流解析部とを備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一実施形態によれば、全体の動的消費電流を短時間に求めることができる設計支援装置を提供することである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態の設計対象のメモリのブロック図である。
【図２】図１のメモリの各部分領域のある動作モードでの電流波形の例を表わす図である。
【図３】本発明の実施の形態におけるメモリの設計支援装置の構成例を表わす図である。
【図４】第１の実施形態におけるＣＰＵ１０が設計支援プログラムを実行することによって実現される機能を表わす図である。
【図５】本発明の実施形態の設計支援装置の動作手順を表わすフローチャートである。
【図６】第１の実施形態における図５のステップＳ１０２の詳細な手順を表わすフローチャートである。
【図７】ある部分領域のある動作モードの第１の電流波形および第２の電流波形を表わす図である。
【図８】部分波形Ａと部分波形Ｂの抽出の例を表わす図である。
【図９】（ａ）は、部分波形Ａの振幅の補間の例を表わす図である。（ｂ）は、部分波形Ｂの振幅の補間の例を表わす図である。
【図１０】（ａ）は、部分波形Ａのタイミングの補間の例を表わす図である。（ｂ）は、部分波形Ｂのタイミングの補間の例を表わす図である。
【図１１】部分波形Ａと部分波形Ｂとの合成の例を表わす図である。
【図１２】第２の実施形態における図５のステップＳ１０２の詳細な手順を表わすフローチャートである。
【図１３】第２の実施形態における第１の構成のメモリおよび第２の構成のメモリの選択の例を表わす図である。
【図１４】第２の実施形態の変形例における第１、第２、第３、第４の構成のメモリの選択の例を説明するための図である。
【図１５】第２の実施形態の変形例における第１、第２、第３、第４の構成のメモリの選択の例を説明するための図である。
【図１６】第３の実施形態のＣＰＵ１０が設計支援プログラムを実行することによって実現される機能を表わす図である。
【図１７】第３の実施形態における図５のステップＳ１０２の詳細な手順を表わすフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
［第１の実施形態］
（構成）
図１は、本発明の実施形態の設計対象のメモリのブロック図である。
【００１２】
図１を参照して、メモリは、複数の部分領域を含む。アレイ部２２、ＩＯ部２１、デコーダ部２４、第１制御部２３、第２制御部２５は、それぞれ部分領域となる。
【００１３】
図２は、図１のメモリの各部分領域のある動作モードでの電流波形の例を表わす図である。
【００１４】
図２には、構成のメモリＡ（３４ビット×６４ワード）、構成のメモリＢ（３４ビット×２Ｋワード）における、ある動作モードにおける部分領域ごとの消費電流の時間変化を表わす電流波形が表わされている。
【００１５】
図２に示すように、部分領域およびビットおよびワード構成のメモリに応じて、電流波形が異なることがわかる。したがって、本実施の形態では、メモリ構成、部分領域、動作モードを考慮して、電流波形の推定を行なう。
【００１６】
図３は、本発明の実施の形態におけるメモリの設計支援装置の構成例を表わす図である。このメモリの設計支援装置は、コンピュータ本体１、ディスプレイ装置２、ＦＤ（Flexible Disk）４が装着されるＦＤドライブ３、キーボード５、マウス６、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc-Read Only Memory）８が装着されるＣＤ−ＲＯＭ装置７、およびネットワーク通信装置９を含む。
【００１７】
メモリの設計支援プログラムは、ＦＤ４またはＣＤ−ＲＯＭ８等の記録媒体によって供給される。メモリの設計支援プログラムがコンピュータ本体１によって実行されることによって、メモリの設計支援が行なわれる。また、メモリの設計支援プログラムは他のコンピュータより通信回線を経由し、コンピュータ本体１に供給されてもよい。
【００１８】
コンピュータ本体１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０、ＲＯＭ（Read Only Memory）１１、ＲＡＭ（Random Access Memory）１２およびハードディスク１３を含む。ＣＰＵ１０は、ディスプレイ装置２、ＦＤドライブ３、キーボード５、マウス６、ＣＤ−ＲＯＭ装置７、ネットワーク通信装置９、ＲＯＭ１１、ＲＡＭ１２またはハードディスク１３との間でデータを入出力しながら処理を行なう。ＦＤ４またはＣＤ−ＲＯＭ８に記録されたメモリの設計プログラムは、ＣＰＵ１０によりＦＤドライブ３またはＣＤ−ＲＯＭ装置７を介して一旦ハードディスク１３に格納される。ＣＰＵ１０は、ハードディスク１３から適宜メモリの設計支援プログラムをＲＡＭ１２にロードして実行することによって、メモリの設計が行なわれる。
【００１９】
（設計支援装置）
図４は、第１の実施形態におけるＣＰＵ１０が設計支援プログラムを実行することによって実現される機能を表わす図である。
【００２０】
図４を参照して、設計支援プログラムによって実現される機能３０は、ネットリスト記憶部３２と、分離領域情報記憶部３３と、モード別ベクタ３４と、電流波形計算部３１と、電流波形記憶部３６と、電流波形推定部４１と、動的電流解析部４５と、制御部３５とからなる。
【００２１】
ネットリスト記憶部３２は、ネットリストを記憶する。
分離領域情報記憶部３３は、部分領域の配置を表わす情報を記憶する。
【００２２】
モード別ベクタ３４は、動作モードに関する情報を記憶する。
電流波形計算部３１は、ネットリスト、分離領域情報、モード別ベクタ３４を用いて、第１の構成のメモリと第２の構成のメモリについて、部分領域および動作モードごとの電流波形を計算する。電流波形計算部３１は、第１構成のメモリおよび第２構成のメモリのアレイ部２２、ＩＯ部２１、デコーダ部２４、第１制御部２３、第２制御部２５の５つの部分領域のそれぞれについて、読出しモードと書込みモードの電流波形を計算する。第１の構成のメモリと第２の構成のメモリとは、ビット数および／またはワード線数が相違する。第１の構成のメモリの電流波形を第１の電流波形とし、第２の構成のメモリの電流波形を第２の電流波形とする。電流波形計算部３１は、５（＝部分領域の数）×２（＝動作モードの数）＝１０個の第１の電流波形と、１０個の第２の電流波形を計算する。
【００２３】
電流波形計算部３１は、たとえば、ＳＰＩＣＥ（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis, スパイス）などによって実現される。
【００２４】
電流波形記憶部３６は、電流波形計算部３１によって計算された第１および第２の電流波形と、電流波形推定部４１によって推定された電流波形を記憶する。
【００２５】
電流波形推定部４１は、第１の構成のメモリおよび第２の構成のメモリと異なる構成の第３の構成のメモリについて、部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第３の電流波形を推定する。電流波形計算部３１は、５（＝部分領域の数）×２（＝動作モードの数）＝１０個の第３の電流波形を推定する。
【００２６】
電流波形推定部４１は、選択部３７と、量子化部３８と、ピーク抽出部３９と、部分波形抽出部４０と、補間部４６と、合成部４４とを含む。
【００２７】
選択部３７は、第３の構成のメモリについて電流波形を推定する対象である部分領域および動作モードを逐次選択する。
【００２８】
量子化部３８は、第１の電流波形と第２の電流波形とを時間軸方向および振幅方向に量子化する。
【００２９】
ピーク抽出部３９は、第１の電流波形から２つのピークのタイミングを抽出し、第２の電流波形から２つのピークのタイミングを抽出する。
【００３０】
部分波形抽出部４０は、第１の電流波形からビット依存部分の部分波形Ａを抽出し、第２の電流波形からビット依存部分の部分波形Ａを抽出する。部分波形抽出部４０は、第１の電流波形からワード依存部分の部分波形Ｂを抽出し、第２の電流波形からワード依存部分の部分波形Ｂを抽出する。
【００３１】
補間部４６は、振幅補間部４２と、タイミング補間部４３とを含む。
振幅補間部４２は、第１の電流波形から抽出された部分波形Ａの振幅と第２の電流波形から抽出された部分波形Ａの振幅との補間によって、第３の電流波形を構成する部分波形Ａの振幅を計算する。振幅補間部４２は、第１の電流波形から抽出された部分波形Ｂの振幅と第２の電流波形から抽出された部分波形Ｂの振幅との補間によって、第３の電流波形を構成する部分波形Ｂの振幅を計算する。
【００３２】
タイミング補間部４３は、第１の電流波形から抽出された部分波形Ａのピークのタイミングと第２の電流波形から抽出された部分波形Ａのピークのタイミングとの補間によって、第３の電流波形を構成する部分波形Ａのピークのタイミングを計算する。タイミング補間部４３は、第１の電流波形から抽出された部分波形Ｂのピークのタイミングと第２の電流波形から抽出された部分波形Ｂのピークのタイミングとの補間によって、第３の電流波形を構成する部分波形Ｂのピークのタイミングを計算する。
【００３３】
合成部４４は、振幅が補間された部分波形Ａおよび部分波形Ｂとを、補間されたピークのタイミングに基づいて、繋ぎあわせることによって合成して、第３の電流波形を生成する。
【００３４】
動的電流解析部４５は、動作モードごとに、補間部によって得られたすべての部分領域の第３の電流波形を合算することによって、第３の構成のメモリにおける消費電流の時間変化をシミュレーションして、消費電流の時間変化を表わす画像をディスプレイ装置２に表示する。
【００３５】
制御部３５は、全体の動作を制御する。
（動作）
図５は、本発明の実施形態の設計支援装置の動作手順を表わすフローチャートである。
【００３６】
図５を参照して、まず、電流波形計算部３１は、特定の２個以上のビット・ワード構成のメモリについて、部分領域ごとに読出しモードでの電流波形と、書込みモードでの電流波形を計算して電流波形記憶部３６に記憶する。電流波形計算部３１は、アレイ部２２と、ＩＯ部２１と、デコーダ部２４と、第１制御部２３と、第２制御部２５の全部分領域について、この計算を実行する（ステップＳ１０１）。
【００３７】
次に、電流波形推定部４１は、ステップＳ１０１で計算した電流波形を用いて、ユーザによって指定された構成のメモリについて、部分領域ごとに読出しモードでの電流波形と、書込みモードでの電流波形を補間によって推定する（ステップＳ１０２）。
【００３８】
次に、動的電流解析部４５は、動作モードごとに、補間部によって得られたすべての部分領域の第３の電流波形を合算することによって、指定された構成のメモリにおける消費電流の時間変化をシミュレーションして、消費電流の時間変化を表わす画像をディスプレイ装置２に表示する（ステップＳ１０３）。
【００３９】
図６は、第１の実施形態における図５のステップＳ１０２の詳細な手順を表わすフローチャートである。
【００４０】
全部分領域の電流波形を計算するまで（ステップＳ２０１でＹＥＳ）、以下の処理が繰返される。
【００４１】
選択部３７は、未計算の部分領域を選択する（ステップＳ２０２）。
全ての動作モード（読出しモードおよび書込みモード）の電流波形を計算するまで（ステップＳ２０３でＹＥＳ）、以下の処理が繰返される。
【００４２】
選択部３７は、未選択の動作モードを選択する（ステップＳ２０４）。
次に、選択部３７は、電流波形記憶部３６から第１の構成のメモリ、第２の構成のメモリの選択した部分領域での選択した動作モードでの電流波形を取得する。選択部３７は、第１の構成のメモリの電波波形を第１の電流波形、第２の構成のメモリの電流波形を第２の電流波形とする（ステップＳ２０５）。
【００４３】
図７は、ある部分領域のある動作モードにおける第１の電流波形および第２の電流波形を表わす図である。図７では、第１の構成のメモリが２ビット×６４ワードであり、第２の構成のメモリが３４ビット×２ｋワードである。
【００４４】
次に、量子化部３８は、第１の電流波形と第２の電流波形を時間軸方向と振幅方向の両方向に所定の幅で量子化する（ステップＳ２０６）。
【００４５】
ピーク抽出部３９は、第１の電流波形の振幅が０となる中央の区間よりも前の時刻の範囲からピークのタイミングｔａ１を特定する。ピーク抽出部３９は、第２の電流波形の振幅が０となる中央の区間よりも前の時刻の範囲からピークのタイミングｔａ２を特定する。ピーク抽出部３９は、第１の電流波形の振幅が０となる中央の区間よりも後の時刻の範囲からピークのタイミングｔｂ１を特定する。ピーク抽出部３９は、第２の電流波形の振幅が０となる中央の区間よりも後の時刻の範囲からピークのタイミングｔｂ２を特定する（ステップＳ２０７）。
【００４６】
部分波形抽出部４０は、ピークのタイミングｔａ１を第１の電流波形から抽出するビット依存の部分波形Ａのピークのタイミングとする。部分波形抽出部４０は、ピークのタイミングｔａ２を第２の電流波形から抽出するビット依存の部分波形Ａのピークのタイミングとする。部分波形抽出部４０は、第１の電流波形からピークのタイミングｔａ１を中心として幅ＷＡの部分波形Ａを抽出する。部分波形抽出部４０は、第２の電流波形からピークのタイミングｔａ２を中心として幅ＷＡの部分波形Ａを抽出する。
【００４７】
部分波形抽出部４０は、ピークのタイミングｔｂ１を第１の電流波形から抽出するワード依存の部分波形Ｂのピークのタイミングとする。部分波形抽出部４０は、ピークのタイミングｔｂ２を第２の電流波形から抽出するワード依存の部分波形Ｂのピークのタイミングとする。部分波形抽出部４０は、第１の電流波形からピークのタイミングｔｂ１を中心として幅ＷＢの部分波形Ｂを抽出する。部分波形抽出部４０は、第２の電流波形からピークのタイミングｔｂ２を中心として幅ＷＢの部分波形Ｂを抽出する（ステップＳ２０８）。
【００４８】
図８は、部分波形Ａと部分波形Ｂの抽出の例を表わす図である。
図８の例では、ＷＡは３であり、ＷＢは５である。
【００４９】
振幅補間部４２は、２つの部分波形Ａのいずれかまたは両方をシフトすることによって、２つの部分波形のピークのタイミングが一致するようにする。振幅補間部４２は、シフトした２つの部分波形Ａの振幅を線形補間することによって、ユーザによって指定された構成である第３の構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードの部分波形Ａの振幅を計算する。すなわち、振幅補間部４２は、第１の構成のメモリがＸＡビットで時刻ｔの振幅がｆａ（ｔ）、第２の構成のメモリがＹＡビットで時刻ｔの振幅がｇａ（ｔ）で、第３の構成のメモリがＺＡビットのときには、第３の構成のメモリの部分波形Ａの時刻ｔでの振幅ｈａ（ｔ）を以下の式で計算する。ｔの範囲は、幅ＷＡである（ステップＳ２０９）。
【００５０】
ｈａ（ｔ）＝（ＺＡ−ＸＡ）×｛ｇａ（ｔ）−ｆａ（ｔ）｝／（ＹＡ−ＸＡ）  ・・・（Ａ１）
図９（ａ）は、部分波形Ａの振幅の補間の例を表わす図である。
【００５１】
図９（ａ）では、第１の構成のメモリのビット線数ＸＡが２、第２の構成のメモリのビット線数ＹＡが３４、第３の構成のメモリのビット線数ＺＡが１８の場合の部分波形Ａの振幅の補間の例が表わされている。
【００５２】
振幅補間部４２は、２つの部分波形Ｂのいずれかまたは両方をシフトすることによって、２つの部分波形のピークのタイミングが一致するようにする。振幅補間部４２は、シフトした２つの部分波形Ｂの振幅を線形補間することによって、第３の構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードの部分波形Ｂの振幅を計算する。すなわち、振幅補間部４２は、第１の構成のメモリがＸＢビワードで時刻ｔの振幅がｆｂ（ｔ）、第２の構成のメモリがＹＢワードで時刻ｔの振幅がｇａ（ｔ）で、第３の構成のメモリがＺＢワードのときには、第３の構成のメモリの部分波形Ｂの時刻ｔでの振幅ｈｂ（ｔ）を以下の式で計算する。ｔの範囲は、幅ＷＢである（ステップＳ２１０）。
【００５３】
ｈｂ（ｔ）＝（ＺＢ−ＸＢ）×｛ｇｂ（ｔ）−ｆｂ（ｔ）｝／（ＹＢ−ＸＢ）  ・・・（Ａ２）
図９（ｂ）は、部分波形Ｂの振幅の補間の例を表わす図である。
【００５４】
図９（ｂ）では、第１の構成のメモリのワード線数ＸＢが６４、第２の構成のメモリのワード線数ＹＢが２ｋ、第３の構成のメモリのワード線数ＺＢが１ｋの場合の部分波形Ｂの振幅の補間の例が表わされている。
【００５５】
タイミング補間部４３は、２つの部分波形Ａのピークのタイミングを線形補間することによって、第３の構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードのステップＳ２０９で振幅が決定された部分波形Ａのピークのタイミングを計算する。すなわち、タイミング補間部４３は、第１の構成のメモリがＸＡビットで、部分波形Ａのピークのタイミングがｔａ１、第２の構成のメモリがＹＡビットで、部分波形Ａのピークのタイミングがｔａ２で、第３の構成のメモリがＺＡビットのときには、第３の構成のメモリの部分波形Ａのピークのタイミングｔａ３を以下の式で計算する（ステップＳ２１１）。
【００５６】
ｔａ３＝（ＺＡ−ＸＡ）×｛ｔａ２−ｔａ１｝／（ＹＡ−ＸＡ）  ・・・（Ａ３）
図１０（ａ）は、部分波形Ａのタイミングの補間の例を表わす図である。
【００５７】
図１０（ａ）では、第１の構成のメモリのビット線数ＸＡが２、第２の構成のメモリのビット線数ＹＡが３４、第３の構成のメモリのビット線数ＺＡが１８の場合の部分波形Ａのピークのタイミングの補間が表わされている。
【００５８】
タイミング補間部４３は、２つの部分波形Ｂのピークのタイミングを線形補間することによって、第３の構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードのステップＳ２１０で振幅が決定された部分波形Ｂのピークのタイミングを計算する。すなわち、タイミング補間部４３は、第１の構成のメモリがＸＢワードで、部分波形Ｂのピークのタイミングがｔｂ１、第２の構成のメモリがＹＢワードで、部分波形Ｂのピークのタイミングがｔｂ２で、第３の構成のメモリがＺＢワードのときには、第３の構成のメモリの部分波形Ｂのピークのタイミングｔｂ３を以下の式で計算する（ステップＳ２１２）。
【００５９】
ｔｂ３＝（ＺＢ−ＸＢ）×｛ｔｂ２−ｔｂ１｝／（ＹＢ−ＸＢ）  ・・・（Ａ４）
図１０（ｂ）は、部分波形Ｂのタイミングの補間の例を表わす図である。
【００６０】
図１０（ｂ）では、第１の構成のメモリのワード線数ＸＢが６４、第２の構成のメモリのワード線数ＹＢが２ｋ、第３の構成のメモリのワード線数ＺＢが１ｋの場合の部分波形Ｂのピークのタイミングの補間の例が表わされている。
【００６１】
合成部４４は、第３の構成のメモリの部分波形Ａのピークのタイミングがｔａ３となるように部分波形Ａの時間方向の位置を定め、第３の構成のメモリの部分波形Ｂのピークのタイミングがｔｂ３となるように部分波形Ｂの時間方向の位置を定めた上で、補間によって振幅が計算された部分波形Ａと部分波形Ｂとを繋ぎ合わせて合成する（ステップＳ２１３）。
【００６２】
図１１は、部分波形Ａと部分波形Ｂとの合成の例を表わす図である。
以上のように、本実施の形態の設計支援装置によれば、計算済みの２つの電流波形の補間によって、電流波形が未知のメモリ全体の動的消費電流を短時間に求めることができる。
【００６３】
［第２の実施形態］
図１２は、第２の実施形態における図５のステップＳ１０２の詳細な手順を表わすフローチャートである。
【００６４】
全部分領域の電流波形を計算するまで（ステップＳ４０１でＹＥＳ）、以下の処理が繰返される。
【００６５】
選択部３７は、未計算の部分領域を選択する（ステップＳ４０２）。
全ての動作モード（読出しモードおよび書込みモード）の電流波形を計算するまで（ステップＳ４０３でＹＥＳ）、以下の処理が繰返される。
【００６６】
選択部３７は、未選択の動作モードを選択する（ステップＳ４０４）。
次に、選択部３７は、電流波形記憶部３６から、制御部３５からユーザによって指定された構成のメモリとビット線数が相違し、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似した２つの構成のメモリ（第１の構成のメモリおよび第２の構成のメモリ）を選択し、選択した構成のメモリについて、選択した部分領域および選択した動作モードでの電流波形を取得する。選択部３７は、第１の構成のメモリの電波波形を第１の電流波形、第２の構成のメモリの電流波形を第２の電流波形とする（ステップＳ４０５）。
【００６７】
図１３は、指定された構成のメモリに対して、第１の構成のメモリと第２の構成のメモリを選択する例を表わす図である。図１３において、指定された構成のメモリがＸの場合に、第１の構成のメモリがＳＰ１で示される構成のメモリであり、第２の構成のメモリがＳＰ２で示される構成のメモリである。
【００６８】
次に、量子化部３８は、第１の電流波形と第２の電流波形を時間軸方向と振幅方向の両方向に所定の幅で量子化する（ステップＳ４０６）。
【００６９】
ピーク抽出部３９は、第１の電流波形の振幅が０となる中央の区間よりも前の時刻の範囲からピークのタイミングｔａ１を特定する。ピーク抽出部３９は、第２の電流波形の振幅が０となる中央の区間よりも前の時刻の範囲からピークのタイミングｔａ２を特定する（ステップＳ４０７）。
【００７０】
部分波形抽出部４０は、ピークのタイミングｔａ１を第１の電流波形から抽出するビット依存の部分波形Ａのピークのタイミングとする。部分波形抽出部４０は、ピークのタイミングｔａ２を第２の電流波形から抽出するビット依存の部分波形Ａのピークのタイミングとする。部分波形抽出部４０は、第１の電流波形からピークのタイミングｔａ１を中心として幅ＷＡの部分波形Ａを抽出する。部分波形抽出部４０は、第２の電流波形からピークのタイミングｔａ２を中心として幅ＷＡの部分波形Ａを抽出する（ステップＳ４０８）。
【００７１】
振幅補間部４２は、２つの部分波形Ａのいずれかまたは両方をシフトすることによって、２つの部分波形のピークのタイミングが一致するようにする。振幅補間部４２は、シフトした２つの部分波形Ａの振幅を線形補間することによって、指定された構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードの部分波形Ａの振幅を計算する。すなわち、振幅補間部４２は、第１の構成のメモリがＸＡビットで時刻ｔの振幅がｆａ（ｔ）、第２の構成のメモリがＹＡビットで時刻ｔの振幅がｇａ（ｔ）で、指定された構成のメモリがＺＡビットのときには、指定された構成のメモリの部分波形Ａの時刻ｔでの振幅ｈａ（ｔ）を以下の式で計算する。ｔの範囲は、幅ＷＡである（ステップＳ４０９）。
【００７２】
ｈａ（ｔ）＝（ＺＡ−ＸＡ）×｛ｇａ（ｔ）−ｆａ（ｔ）｝／（ＹＡ−ＸＡ）  ・・・（Ｂ１）
タイミング補間部４３は、２つの部分波形Ａのピークのタイミングを線形補間することによって、指定された構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードのステップＳ４０９で振幅が決定された部分波形Ａのピークのタイミングを計算する。すなわち、タイミング補間部４３は、第１の構成のメモリがＸＡビットで、部分波形Ａのピークのタイミングがｔａ１、第２の構成のメモリがＹＡビットで、部分波形Ａのピークのタイミングがｔａ２で、指定された構成のメモリがＺＡビットのときには、指定された構成のメモリの部分波形Ａのピークのタイミングｔａ３を以下の式で計算する（ステップＳ４１０）。
【００７３】
ｔａ３＝（ＺＡ−ＸＡ）×｛ｔａ２−ｔａ１｝／（ＹＡ−ＸＡ）  ・・・（Ｂ２）
次に、選択部３７は、電流波形記憶部３６から、制御部３５からユーザによって指定された構成のメモリとワード線数が相違し、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似した２つの構成のメモリ（第３の構成のメモリおよび第４の構成のメモリ）を選択し、選択した構成のメモリについて、選択した部分領域および選択した動作モードでの電流波形を取得する。選択部３７は、第３の構成のメモリの電波波形を第３の電流波形、第４の構成のメモリの電流波形を第４の電流波形とする（ステップＳ４１１）。
【００７４】
次に、量子化部３８は、第３の電流波形と第４の電流波形を時間軸方向と振幅方向の両方向に所定の幅で量子化する（ステップＳ４１２）。
【００７５】
ピーク抽出部３９は、第３の電流波形の振幅が０となる中央の区間よりも後の時刻の範囲からピークのタイミングｔｂ１を特定する。ピーク抽出部３９は、第４の電流波形の振幅が０となる中央の区間よりも後の時刻の範囲からピークのタイミングｔｂ２を特定する（ステップＳ４１３）。
【００７６】
部分波形抽出部４０は、ピークのタイミングｔｂ１を第３の電流波形から抽出するワード依存の部分波形Ｂのピークのタイミングとする。部分波形抽出部４０は、ピークのタイミングｔｂ２を第４の電流波形から抽出するワード依存の部分波形Ｂのピークのタイミングとする。部分波形抽出部４０は、第３の電流波形からピークのタイミングｔｂ１を中心として幅ＷＢの部分波形Ｂを抽出する。部分波形抽出部４０は、第４の電流波形からピークのタイミングｔｂ２を中心として幅ＷＢの部分波形Ｂを抽出する（ステップＳ４１４）。
【００７７】
振幅補間部４２は、２つの部分波形Ｂのいずれかまたは両方をシフトすることによって、２つの部分波形のピークのタイミングが一致するようにする。振幅補間部４２は、シフトした２つの部分波形Ｂの振幅を線形補間することによって、指定された構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードの部分波形Ｂの振幅を計算する。すなわち、振幅補間部４２は、第３の構成のメモリがＸＢワードで時刻ｔの振幅がｆｂ（ｔ）、第４の構成のメモリがＹＢワードで時刻ｔの振幅がｇｂ（ｔ）で、指定された構成のメモリがＺＢワードのときには、指定された構成のメモリの部分波形Ｂの時刻ｔでの振幅ｈｂ（ｔ）を以下の式で計算する。ｔの範囲は、幅ＷＡである（ステップＳ４１５）。
【００７８】
ｈｂ（ｔ）＝（ＺＢ−ＸＢ）×｛ｇｂ（ｔ）−ｆｂ（ｔ）｝／（ＹＢ−ＸＢ）  ・・・（Ｂ３）
タイミング補間部４３は、２つの部分波形Ｂのピークのタイミングを線形補間することによって、指定された構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードのステップＳ４１５で振幅が決定された部分波形Ｂのピークのタイミングを計算する。すなわち、タイミング補間部４３は、第３の構成のメモリがＸＢワードで、部分波形Ｂのピークのタイミングがｔｂ１、第４の構成のメモリがＹＢビットで、部分波形Ｂのピークのタイミングがｔｂ２で、指定された構成のメモリがＺＢビットのときには、指定された構成のメモリの部分波形Ｂのピークのタイミングｔｂ３を以下の式で計算する（ステップＳ４１６）。
【００７９】
ｔｂ３＝（ＺＢ−ＸＢ）×｛ｔｂ２−ｔｂ１｝／（ＹＢ−ＸＢ）  ・・・（Ｂ４）
合成部４４は、指定された構成のメモリの部分波形Ａのピークのタイミングがｔａ３となるように部分波形Ａの時間方向の位置を定め、指定された構成のメモリの部分波形Ｂのピークのタイミングがｔｂ３となるように部分波形Ｂの時間方向の位置を定めた上で、補間によって振幅が決定された部分波形Ａと部分波形Ｂとを繋ぎ合わせて合成する（ステップＳ４１７）。
【００８０】
本実施の形態の設計支援装置によれば、計算済みの４つの電流波形の補間によって、電流波形が未知のメモリ全体の動的消費電流を短時間かつ高精度に求めることができる。
【００８１】
［第２の実施形態の変形例］
図１４および図１５を用いて、本変形例において指定された構成のメモリに対して補間のために選択される構成のメモリを説明する。
【００８２】
図１４において、○で示される箇所は、電流波形計算部３１によって計算されて電流波形記憶部３６に記憶されている電流波形に対応するメモリのビット数とワード数とを表わす。電流波形記憶部３６に電流波形が記憶されているメモリのうち、ビット線数が最大のメモリのビット数がＢ２で、ビット線数が最小のメモリのビット数がＢ１であり、ワード線数が最大のメモリのワード線数がＷ２で、ワード線数が最小のメモリのワード線数がＷ１である。
【００８３】
ＳＰ１で示される構成のメモリは、ビット線数がＢ１でワード線数がＷ２である。ＳＰ２で示される構成のメモリは、ビット線数がＢ２でワード線数がＷ２である。ＳＰ３で示される構成のメモリは、ビット線数がＢ１でワード線数がＷ１である。ＳＰ４で示される構成のメモリは、ビット線数がＢ２でワード線数がＷ２である。
【００８４】
部分領域Ｓ１のビット線数は、Ｂ１以上かつ（Ｂ１＋Ｂ２）／２未満である。部分領域Ｓ１のワード線数は、（Ｗ１＋Ｗ２／２）以上かつＷ２以下である。部分領域Ｓ２のビット線数は、（Ｂ１＋Ｂ２）／２以上かつＢ２以下である。部分領域Ｓ１のワード線数は、（Ｗ１＋Ｗ２／２）以上かつＷ２以下である。部分領域Ｓ３のビット線数は、Ｂ１以上かつ（Ｂ１＋Ｂ２）／２未満である。部分領域Ｓ３のワード線数は、Ｗ１以上かつ（Ｗ１＋Ｗ２）／２未満である。部分領域Ｓ４のビット線数は、（Ｂ１＋Ｂ２）／２以上かつＢ２以下である。部分領域Ｓ３のワード線数は、Ｗ１以上かつ（Ｗ１＋Ｗ２）／２未満である。
【００８５】
選択部３７は、指定された構成のメモリがＳ１の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Ａの計算のために、ビット線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したＳＰ２で示されるメモリを第１の構成のメモリとして選択し、ビット線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したＳＰ１で示される構成のメモリを第２の構成のメモリとして選択する。
【００８６】
選択部３７は、指定された構成のメモリがＳ１の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Ｂの計算のために、ワード線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したＳＰ１で示される構成のメモリが第３の構成のメモリとして選択され、ワード線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したＳＰ３で示される構成のメモリが第４のメモリとして選択する。
【００８７】
選択部３７は、指定された構成のメモリがＳ２の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Ａの計算のために、ビット線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したＳＰ２で示されるメモリを第１の構成のメモリとして選択し、ビット線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したＳＰ１で示される構成のメモリを第２の構成のメモリとして選択する。
【００８８】
選択部３７は、指定された構成のメモリがＳ２の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Ｂの計算のために、ワード線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したＳＰ２で示される構成のメモリが第３の構成のメモリとして選択され、ワード線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したＳＰ４で示される構成のメモリが第４のメモリとして選択する。
【００８９】
選択部３７は、指定された構成のメモリがＳ３の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Ａの計算のために、ビット線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したＳＰ４で示されるメモリを第１の構成のメモリとして選択し、ビット線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したＳＰ３で示される構成のメモリを第２の構成のメモリとして選択する。
【００９０】
選択部３７は、指定された構成のメモリがＳ３の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Ｂの計算のために、ワード線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したＳＰ１で示される構成のメモリが第３の構成のメモリとして選択され、ワード線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したＳＰ３で示される構成のメモリが第４のメモリとして選択する。
【００９１】
選択部３７は、指定された構成のメモリがＳ４の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Ａの計算のために、ビット線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したＳＰ４で示されるメモリを第１の構成のメモリとして選択し、ビット線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したＳＰ３で示される構成のメモリを第２の構成のメモリとして選択する。
【００９２】
選択部３７は、指定された構成のメモリがＳ４の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Ｂの計算のために、ワード線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したＳＰ２で示される構成のメモリが第３の構成のメモリとして選択され、ワード線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したＳＰ４で示される構成のメモリが第４のメモリとして選択する。
【００９３】
［第３の実施形態］
（構成）
図１６は、第３の実施形態のＣＰＵ１０が設計支援プログラムを実行することによって実現される機能を表わす図である。
【００９４】
図１６を参照して、設計支援プログラムによって実現される機能１３０は、ネットリスト記憶部３２と、分離領域情報記憶部３３と、モード別ベクタ３４と、電流波形計算部３１と、電流波形記憶部３６と、電流波形推定部１４１と、動的電流解析部４５とからなる。
【００９５】
ネットリスト記憶部３２は、ネットリストを記憶する。
分離領域情報記憶部３３は、部分領域の配置を表わす情報を記憶する。
【００９６】
モード別ベクタ３４は、動作モードに関する情報を記憶する。
電流波形計算部３１は、ネットリスト、分離領域情報、モード別ベクタ３４を用いて、第１の構成のメモリと第２の構成のメモリについて、部分領域および動作モードごとの電流波形を計算する。電流波形計算部３１は、第１構成のメモリおよび第２構成のメモリのアレイ部２２、ＩＯ部２１、デコーダ部２４、第１制御部２３、第２制御部２５の５つの部分領域のそれぞれについて、読出しモードと書込みモードの電流波形を計算する。第１の構成のメモリと第２の構成のメモリとは、ビット数および／またはワード線数が相違する。第１の構成のメモリの電流波形を第１の電流波形とし、第２の構成のメモリの電流波形を第２の電流波形とする。電流波形計算部３１は、５（＝部分領域の数）×２（＝動作モードの数）＝１０個の第１の電流波形と、１０個の第２の電流波形を計算する。
【００９７】
電流波形計算部３１は、たとえば、ＳＰＩＣＥ（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis, スパイス）などによって実現される。
【００９８】
電流波形記憶部３６は、電流波形計算部３１によって計算された第１および第２の電流波形と、電流波形推定部４１によって推定された電流波形を記憶する。
【００９９】
電流波形推定部１４１は、第１の構成のメモリおよび第２の構成のメモリと異なる構成の第３の構成のメモリについて、部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第３の電流波形を推定する。電流波形計算部３１は、５（＝部分領域の数）×２（＝動作モードの数）＝１０個の第３の電流波形を推定する。
【０１００】
電流波形推定部１４１は、選択部１３７と、量子化部１３８と、ピーク抽出部１３９と、部分波形抽出部１４０と、補間部１４６とを含む。
【０１０１】
選択部１３７は、第３の構成のメモリについて電流波形を推定する対象である部分領域および動作モードを逐次選択する。
【０１０２】
量子化部１３８は、第１の電流波形と第２の電流波形とを時間軸方向および振幅方向に量子化する。
【０１０３】
ピーク抽出部１３９は、第１の電流波形から１つのピークのタイミングを抽出し、第２の電流波形から１つのピークのタイミングを抽出する。
【０１０４】
補間部１４６は、選択した部分領域および動作モードの第３の電流波形を、選択した部分領域および動作モードが同一の第１の電流波形と、選択した部分領域および動作モードが同一の第２の電流波形との補間によって計算する。
【０１０５】
補間部１４６は、振幅補間部１４２と、タイミング補間部１４３とを含む。
振幅補間部１４２は、第１の電流波形の振幅と第２の電流波形の振幅との補間によって、第３の電流波形の振幅を推定する。
【０１０６】
タイミング補間部１４３は、第１の電流波形のピークのタイミングと第２の電流波形のピークのタイミングとの補間によって、第３の電流波形のピークを推定する。
【０１０７】
動的電流解析部４５は、動作モードごとに、補間部によって得られたすべての部分領域の第３の電流波形を合算することによって、第３の構成のメモリにおける消費電流の時間変化をシミュレーションして、消費電流の時間変化を表わす画像をディスプレイ装置２に表示する。
【０１０８】
（動作）
図１７は、第３の実施形態における図５のステップＳ１０２の詳細な手順を表わすフローチャートである。
【０１０９】
全部分領域の電流波形を計算するまで（ステップＳ３０１でＹＥＳ）、以下の処理が繰返される。
【０１１０】
選択部１３７は、未計算の部分領域を選択する（ステップＳ３０２）。
全ての動作モード（読出しモードおよび書込みモード）の電流波形を計算するまで（ステップＳ３０３でＹＥＳ）、以下の処理が繰返される。
【０１１１】
選択部１３７は、未選択の動作モードを選択する（ステップＳ３０４）。
次に、選択部１３７は、電流波形記憶部３６から第１の構成のメモリ、第２の構成のメモリの選択した部分領域での選択した動作モードでの電流波形を取得する。選択部１３７は、第１の構成のメモリの電波波形を第１の電流波形、第２の構成のメモリの電流波形を第２の電流波形とする（ステップＳ３０５）。
【０１１２】
次に、量子化部１３８は、第１の電流波形と第２の電流波形を時間軸方向と振幅方向の両方向に所定の幅で量子化する（ステップＳ３０６）。
【０１１３】
ピーク抽出部１３９は、第１の電流波形のピークのタイミングｔ１を特定する。ピーク抽出部３９は、第２の電流波形ピークのタイミングｔ２を特定する（ステップＳ３０７）。
【０１１４】
振幅補間部１４２は、第２の電流波形を時間方向にシフトすることによって、第１の電流波形のピークのタイミングと第２の電流波形のピークのタイミングが一致するようにする。振幅補間部１４２は、２つの電流波形を用いて、第３の構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードの電流波形の振幅を線形補間によって計算する。すなわち、振幅補間部１４２は、第１の構成のメモリがＸＡビット×ＸＢワードで時刻ｔの振幅がｆ（ｔ）、第２の構成のメモリがＹＡビット×ＹＢワードで時刻ｔの振幅がｇ（ｔ）で、指定された構成のメモリがＺＡビット×ＺＢのときには、第３の構成のメモリの第３の電流波形の時刻ｔでの振幅ｈａ（ｔ）を以下の式で計算する（ステップＳ３０８）。
【０１１５】
ｈ（ｔ）＝（ＺＡ×ＺＢ−ＸＡ×ＸＢ）×｛ｇ（ｔ）−ｆ（ｔ）｝／（ＹＡ×ＹＢ−ＸＡ×ＸＢ）  ・・・（Ｃ１）
タイミング補間部１４３は、選択した部分領域の選択した動作モードのステップＳ３０８で振幅が決定された電流波形のピークのタイミングを線形補間によって計算する。すなわち、タイミング補間部１４３は、第３の電流波形のピークのタイミングｔ３を以下の式で計算し、第３の電流波形のピークのタイミングがｔ３となるように第３の電流波形の時間方向の位置を決める（ステップＳ３０９）。
【０１１６】
ｔ３＝（ＺＡ×ＺＢ−ＸＡ×ＸＢ）×｛ｔ２−ｔ１｝／（ＹＡ×ＹＢ−ＸＡ×ＸＢ）  ・・・（Ｃ２）
以上のように、本実施の形態の設計支援装置によれば、計算済みの４つの電流波形の補間によって、電流波形が未知のメモリ全体の動的消費電流を短時間に求めることができる。
【０１１７】
（変形例）
本発明の実施形態では、振幅およびタイミングの補間を線形補間としたが、これに限定するものではなく、２次以上の高次関数で補間することとしてもよい。
【０１１８】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１１９】
１  コンピュータ本体、２  ディスプレイ装置、３  ＦＤドライブ、４  ＦＤ、５  キーボード、６  マウス、７  ＣＤ−ＲＯＭ装置、８  ＣＤ−ＲＯＭ、９  ネットワーク通信装置、１０  ＣＰＵ、１１  ＲＯＭ、１２  ＲＡＭ、１３  ハードディスク、２１  ＩＯ部、２２  アレイ部、２３  第１制御部、２４  デコーダ部、２５  第２制御部、３１  電流波形計算部、３２  ネットリスト記憶部、３３  分離領域情報記憶部、３４  モード別ベクタ、３５，１３５  制御部、３６  電流波形記憶部、３７，１３７  選択部、３８，１３８  量子化部、３９，１３９  ピーク抽出部、４０，１４０  部分波形抽出部、４１，１４１  電流波形推定部、４２，１４２  振幅補間部、４３，１４３  タイミング補間部、４４  合成部、４５  動的電流解析部、４６，１４６  補間部。
【図１】
2013088915.tif 000003
【図２】
2013088915.tif 000004
【図３】
2013088915.tif 000005
【図４】
2013088915.tif 000006
【図５】
2013088915.tif 000007
【図６】
2013088915.tif 000008
【図７】
2013088915.tif 000009
【図８】
2013088915.tif 000010
【図９】
2013088915.tif 000011
【図１０】
2013088915.tif 000012
【図１１】
2013088915.tif 000013
【図１２】
2013088915.tif 000014
【図１３】
2013088915.tif 000015
【図１４】
2013088915.tif 000016
【図１５】
2013088915.tif 000017
【図１６】
2013088915.tif 000018
【図１７】
2013088915.tif 000019