(57)【要約】【課題】寄生容量に蓄積された電荷によるＥＬの発光を防止する。【解決手段】発光素子と、駆動トランジスタと、駆動トランジスタと発光素子の間に配置され、駆動トランジスタと発光素子の間の導通を制御する発光制御トランジスタと、一端が駆動トランジスタの発光素子側の端子に接続された容量と、を有する発光装置において、駆動トランジスタのゲートに発光素子の発光輝度に応じた電圧を設定した後、発光制御トランジスタを導通状態にするまでの間に、前記容量の他端に、電位が発光素子の対向電極の電位側に変化する制御信号を供給する。前記容量は、制御信号を供給する導電層と、駆動トランジスタの前記発光素子側の端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタの端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される導電層とが、絶縁層を挟んで対向して形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極を有し、前記第１電極と前記第２電極の間に電流が流れることにより発光する発光素子と、
前記第１電極に電流を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタと前記第１電極の間に配置され、前記駆動トランジスタと前記第１電極の間の導通を制御する発光制御トランジスタと、
一端が前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子に接続された容量と、を有し、
前記駆動トランジスタのゲートに前記発光素子の発光輝度に応じた電圧を設定した後、前記発光制御トランジスタを導通状態にするまでの間に、前記容量の他端に、電位が前記第２電極の電位側に変化する制御信号が供給される発光装置であって、
前記容量は、前記制御信号を供給する導電層と、前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタの端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される導電層とが、絶縁層を挟んで対向して形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記制御信号は、前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタのゲートに接続される制御信号であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタの極性が前記駆動トランジスタの極性と異なることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記制御信号は、前記発光制御トランジスタのゲートに接続される制御信号であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光制御トランジスタの極性が前記駆動トランジスタの極性と同一であることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタのゲート幅が、ソース側とドレイン側とで異なることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記制御信号を供給する導電層は、前記容量を形成する部分で、他の部分より幅が広く形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタの端子を構成する半導体層は、前記容量を形成する部分で、他の部分より幅が広いことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記端子に接続される導電層は、前記容量を形成する部分で、他の部分より幅が広いことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記容量の容量値をＣ２、前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子に接続された前記容量を除く寄生容量をＣｐとしたとき、
Ｃ２×（前記制御信号の振幅）≧（Ｃｐ＋Ｃ２）×（（前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子の電位）−（発光素子の発光開始閾値電圧））
であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
第１電極と第２電極を有し、前記第１電極と前記第２電極の間に電流が流れることにより発光する発光素子と、
前記第１電極に電流を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタと前記第１電極の間に配置され、前記駆動トランジスタと前記第１電極の間の導通を制御する発光制御トランジスタと、
一端が前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子に接続された容量と、を有する発光装置の駆動方法であって、
前記駆動トランジスタのゲートに前記発光素子の発光輝度に応じた電圧を設定する第１工程と、
前記発光制御トランジスタを導通状態にする第２工程と、を有し
前記第１工程の後であってかつ前記第２工程の開始の前に、前記容量の他端に、電位が前記第２電極の電位側に変化する制御信号を供給することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を備えた発光装置及びその駆動方法に関し、特に電流制御素子である有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の発光を制御する発光装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（以下、単に「ＥＬ」と称する。）を駆動する駆動回路として、階調データに応じたデータ電圧を駆動トランジスタのゲートに供給し、このデータ電圧に応じた電流を駆動トランジスタのソース又はドレインに接続されたＥＬに供給する構成のものがある。このような駆動回路の発光素子としてＥＬを用いた発光装置では、原理的には黒輝度をゼロにすることができ、コントラスト無限大を実現できる。しかし、駆動トランジスタのソース又はドレインが寄生容量を有する場合には、この寄生容量に充電された電荷がＥＬに流入することで、階調データに関わらない電流がＥＬに流れて発光し、コントラストを悪化させてしまう。寄生容量は、例えば駆動トランジスタのドレインにトランジスタが接続されている場合に、このトランジスタのゲート−ドレイン（又はソース）間容量や配線のクロスにより発生する。
【０００３】
上記のようなコントラスト悪化の対策として、特許文献１には、駆動トランジスタのドレインにつながる寄生容量の電荷を基準電位に流すトランジスタを設けて、寄生容量に蓄積された不要な電荷がＥＬに流れるのを防止する駆動回路が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２６２２５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では不要な電荷を引き抜くために、専用の基準電位線と駆動回路を接続するトランジスタ、及びそのトランジスタの制御配線が必要になり、構成部品の増加によって発光装置の微細化が困難であった。このため、特許文献１に記載の技術は発光装置の微細化が求められる場合には適していなかった。
【０００６】
そこで、本発明は、寄生容量に蓄積された不要な電荷によるＥＬの発光を防止でき、かつ微細化された発光装置及びその駆動方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、第１電極と第２電極を有し、前記第１電極と前記第２電極の間に電流が流れることにより発光する発光素子と、
前記第１電極に電流を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタと前記第１電極の間に配置され、前記駆動トランジスタと前記第１電極の間の導通を制御する発光制御トランジスタと、
一端が前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子に接続された容量と、を有し、
前記駆動トランジスタのゲートに前記発光素子の発光輝度に応じた電圧を設定した後、前記発光制御トランジスタを導通状態にするまでの間に、前記容量の他端に、電位が前記第２電極の電位側に変化する制御信号が供給される発光装置であって、
前記容量は、前記制御信号を供給する導電層と、前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタの端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される導電層とが、絶縁層を挟んで対向して形成されていることを特徴とする発光装置を提供するものである。
【０００８】
また、本発明は、第１電極と第２電極を有し、前記第１電極と前記第２電極の間に電流が流れることにより発光する発光素子と、
前記第１電極に電流を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタと前記第１電極の間に配置され、前記駆動トランジスタと前記第１電極の間の導通を制御する発光制御トランジスタと、
一端が前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子に接続された容量と、を有する発光装置の駆動方法であって、
前記駆動トランジスタのゲートに前記発光素子の発光輝度に応じた電圧を設定する第１工程と、
前記発光制御トランジスタを導通状態にする第２工程と、を有し
前記第１工程の後であってかつ前記第２工程の開始の前に、前記容量の他端に、電位が前記第２電極の電位側に変化する制御信号を供給することを特徴とする発光装置の駆動方法を提供するものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、駆動トランジスタと制御信号線の間の容量を介し、制御信号を変化させることにより駆動トランジスタの発光素子側のノード（端子）の寄生容量に充電された電荷を、前記容量に移動させることができる。このため、前記ノードの電位が発光素子の発光開始閾値電圧よりも低い電位になり、寄生容量の電荷が発光素子に流入するのを防止することができる。これにより、黒浮きのない高コントラストを実現できる。また、前記容量を用いると、トランジスタを用いて寄生容量の電荷の流入を防ぐ構成と比べて制御配線の数を少なくすることができる。このため、発光装置を微細化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態である表示装置の駆動回路を示す図である。
【図２】図１の駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図３】容量の形成例を示す模式図である。
【図４】実施例１の駆動回路を示す図である。
【図５】実施例１の駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図６】実施例１の容量の形成例を示す模式図である。
【図７】図６（ｃ）の容量の断面を示す模式図である。
【図８】実施例２の駆動回路を示す図である。
【図９】実施例２の駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図１０】実施例２の容量の形成例を示す模式図である。
【図１１】本発明の発光装置の好適な実施形態であるデジタルスチルカメラシステムの全体構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の発光装置を実施するための最良の形態について、図面を参照して具体的に説明する。本発明はＥＬの点灯を制御する発光装置に好適に用いられるものであるが、ＥＬ以外にも、無機ＥＬ、ＬＥＤ等の他の発光素子の点灯を制御する発光装置にも適用することができる。
【００１２】
図１は本発明に用いる駆動回路の例を示す図である。
【００１３】
Ｍ１は駆動トランジスタ（以下、「駆動Ｔｒ」ということもある。）であり、第１電極（不図示）と第２電極（不図示）を有する発光素子の第１電極に電流を供給し、第１電極と第２電極の間に流れる電流の大きさに応じた輝度で発光素子を発光させる。Ｍ６は駆動Ｔｒと前記第１電極の間の導通を制御する発光制御トランジスタであり、駆動Ｔｒと前記第１電極の間に配置されている。Ｍ２−Ｍ５はスイッチトランジスタである。図１では、Ｍ１及びＭ６をＰ型、Ｍ２−Ｍ５をＮ型としているが、Ｍ１及びＭ６はＮ型でも良いし、Ｍ２−Ｍ５はＰ型でも良い。
【００１４】
Ｃ１は駆動Ｔｒのゲート電位を保持するための容量である。Ｃ２は、駆動Ｔｒの発光素子側のノード（端子）が有する寄生容量Ｃｐの電位を押し下げるための容量である。Ｃ２は、一端が駆動Ｔｒの発光素子側のノードに接続され、他端は制御信号線Ｖｃに接続されている。
【００１５】
図２は図１の駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。
【００１６】
時刻ｔ１から時刻ｔ２の間、走査信号ＰＲＥ＝Ｈ（Ｈｉｇｈレベル）、ＲＥＳ＝Ｌ（Ｌｏｗレベル）、ＩＬＭ＝Ｈであり、Ｍ４、Ｍ５がオン、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ６がオフする。この期間、駆動Ｔｒのゲート即ち容量Ｃ１の一端電位（ｖ１）及び容量Ｃ１の他端電位（ｖ２）は、基準電位Ｖｒｅｆとなる。駆動Ｔｒの発光素子側のノード電位（ｖ３）は、Ｖｏｌｅｄ電位になる。第１電極の電位（ｖａ）は第２電極とほぼ同電位となり、発光素子には電流が流れない。
【００１７】
時刻ｔ２で、走査信号ＰＲＥ＝Ｌ、ＲＥＳ＝Ｈになり、Ｍ２、Ｍ３がオン、Ｍ４、Ｍ５がオフする。ＩＬＭ＝Ｈなので、Ｍ６はオフのままである。
【００１８】
この期間、容量Ｃ１の他端とデータ線が接続されるため、駆動Ｔｒのゲートに発光素子の発光輝度に応じた電圧が設定され、ｖ２電位はデータ線電位Ｖｄａｔａとなる。ｖ１電位は時刻ｔ２において基準電位Ｖｒｅｆとデータ線電位Ｖｄａｔａの差分だけ変化する。
【００１９】
駆動Ｔｒのゲートとドレインが接続されるため、時刻ｔ２からｔ３の間、駆動Ｔｒのゲート−ソース間電位（Ｖｇｓ）に応じた駆動Ｔｒのドレイン電流（駆動電流）で容量Ｃ１が充電され、ｖ１電位は上昇する。ｖ１電位の上昇に伴い駆動Ｔｒのドレイン電流も減少し、駆動Ｔｒのドレイン電流がゼロ即ちｖ１＝駆動Ｔｒの閾値電圧（Ｖｔｈ）で上昇が停止する。このとき、容量Ｃ１の両端電位差ΔＶｃ＝（Ｖｏｌｅｄ−Ｖｔｈ）−Ｖｄａｔａである。
【００２０】
時刻ｔ３において、走査信号ＰＲＥ＝Ｌ、ＲＥＳ＝Ｌとなり、Ｍ４がオン、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ５がオフする。ＩＬＭ＝Ｈなので、Ｍ６はオフのままである。
【００２１】
このとき、ｖ１電位は、
ｖ１＝Ｖｒｅｆ＋ΔＶｃ
となり、駆動ＴｒのＶｇｓは、
Ｖｇｓ＝Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ＋Ｖｔｈ
となる。これで、駆動Ｔｒのゲートに発光輝度を決定する電圧が設定された。
【００２２】
駆動Ｔｒのドレイン電流Ｉｄは、
Ｉｄ＝β（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2
であるため、
Ｉｄ＝β（Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ）2
となり、上記式の右辺から駆動Ｔｒの閾値電圧の項がなくなるため、Ｖｔｈばらつきの影響を受けない駆動電流をＥＬに供給できる。
【００２３】
また、時刻ｔ１から制御信号Ｖｃの電位はＨにしておく。時刻ｔ３からｔ４の間に、容量Ｃ２の他端にＨからＬ，即ち、前記第２電極の電位に向かう方向に変化するように制御信号Ｖｃが供給される。
【００２４】
時刻ｔ４において、走査信号ＰＲＥ＝Ｌ、ＲＥＳ＝Ｌ、ＩＬＭ＝Ｌとなり、Ｍ４、Ｍ６がオン、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ５がオフする。
【００２５】
時刻ｔ４でＭ６がオンすると、ドレイン電流Ｉｄが駆動Ｔｒより供給される。
【００２６】
寄生容量Ｃｐは、トランジスタや配線を形成したときに必然的に形成される。例えば駆動Ｔｒのドレインに接続されている寄生容量であり、図１において駆動Ｔｒ、Ｍ２、Ｍ６のゲート−ソース（又はドレイン）間容量、及びその接続配線とクロスする配線があればその配線層間の容量Ｃｗの和となる。ゲート−ソース（又はドレイン）間容量は、使用するトランジスタプロセスにおいて、半導体パラメータアナライザ等でゲート−ソース（又はドレイン）間のＣ−Ｖ特性測定により求めることができる。また、配線間容量Ｃｗは、配線のクロスする面積をＳ、配線間の距離をｄ、配線間の絶縁層の誘電率をεとすると、
Ｃｗ＝ε・（Ｓ／ｄ）
となる。
【００２７】
階調データ＝０即ち黒表示時は、時刻ｔ３で駆動Ｔｒのドレイン電圧はＶｏｌｅｄ−Ｖｔｈに設定され、寄生容量ＣｐとＣ２には、
Ｑ（Ｃｐ＋Ｃ２）＝（Ｃｐ＋Ｃ２）×（Ｖｏｌｅｄ−Ｖｔｈ）
の電荷が蓄積される。このままでは、時刻ｔ４でこの電荷がＥＬに流入し、本来黒表示であるべきＥＬが瞬間的に発光してしまう。
【００２８】
しかし、時刻ｔ４の発光開始前までに、容量Ｃ２の他端に、上述したＨからＬに変化する制御信号Ｖｃを供給すると、ｖ３電位が低くなり、Ｍ６を導通状態にしたときにＱ（Ｃｐ＋Ｃ２）がＥＬに流入しないようにすることができる。
【００２９】
Ｑ（Ｃｐ＋Ｃ２）がＥＬに流入するのを確実に防ぐためには、ｖ３電位をＥＬの発光開始閾値電圧以下の電位にする必要がある。その状態を実現するためには、容量Ｃ２で押し下げる電荷Ｑ（Ｃ２）をある一定量以上にする必要があり、その量は計算することができる。その関係は、
Ｑ（Ｃ２）＝Ｃ２×ΔＶｃ≧（Ｃｐ＋Ｃ２）×（Ｖｏｌｅｄ−Ｖｔｈ）
となる。ここで、ΔＶｃは制御信号Ｖｃの振幅である。従って、設定すべき容量Ｃ２の容量値は、
Ｃ２／（Ｃｐ＋Ｃ２）≧（Ｖｏｌｅｄ−Ｖｔｈ）／ΔＶｃ
Ｃ２≧Ｃｐ／［｛ΔＶｃ／（Ｖｏｌｅｄ−Ｖｔｈ）｝−１］
を満たしていれば、書込み動作中に充電された寄生容量ＣｐとＣ２の電荷がＥＬに流入するのを確実に防止できる。
【００３０】
また、ＥＬの発光開始閾値電圧（ＥＬＶｔｈ）がゼロでない場合には、
Ｃ２≧Ｃｐ／［｛ΔＶｃ／（Ｖｏｌｅｄ−Ｖｔｈ−ＥＬＶｔｈ）｝−１］
を満たしていれば良い。ここで、ＥＬの発光開始閾値電圧は、表示装置のコントラスト仕様により決まる黒の輝度になる発光素子の第１電極と第２電極間に印加されている電圧である。黒の輝度は例えば、全白表示時に５００ｃｄ／ｍ2で発光する表示装置のコントラスト仕様が５万対１ならば、１００％の発光デューティー時に０．０１ｃｄ／ｍ2である。
【００３１】
容量Ｃ２は、制御信号線Ｖｃを構成する導電層と、駆動Ｔｒのドレイン、またはそれに接続される他のトランジスタの端子を構成する半導体層とを、絶縁層を挟んで対向させて形成することができる。また、制御信号線Ｖｃを構成する導電層と、駆動Ｔｒのドレインに接続されている導電層とが絶縁層を挟んだ構成としても良い。
【００３２】
図３（ａ）は、制御信号線Ｖｃと半導体層が形成する容量Ｃ２の形状を示した図である。半導体層４は、コンタクトパッド１，２で絶縁層に開けられたコンタクトホール１１，１２を通して別の導電層に接続されている。また、コンタクトパッド１と２の間で、ゲート配線１３，１４と重なって、それぞれトランジスタＭ１とＭ６を形成している。
【００３３】
半導体層４は、トランジスタＭ１とＭ６の間で、制御信号線３と重なっており、容量Ｃ２が形成される。容量Ｃ２が設計値になるように、半導体層４と重なる部分で制御信号線３の幅が広くなっている。
【００３４】
図３（ｂ）のように、交差部分で、制御信号線３の幅を変えずに、半導体層４の幅を広げてもよい。
【００３５】
容量Ｃ２を形成する半導体層は、チャネルを形成する部分よりもイオンドープ量を高くして、導電率を上げてもよい。
【００３６】
図３（ｃ）と（ｄ）は、容量Ｃ２を、制御信号線３と、別のレイヤーに形成された導電層１０との重なり部分に形成したものである。導電層１０は、トランジスタＭ１の一方のコンタクトパッド１５とトランジスタＭ６の一方のコンタクトパッド１６の間をつなぐ配線である。図３（ｃ）は、図３（ａ）と同様に、交差部で制御信号線３の幅を広げて所定の値の容量Ｃ２が得られるようにしたものである。図３（ｄ）は、図３（ｂ）と同様に、交差部で導電層１０の幅を広げて所定の値の容量Ｃ２が得られるようにしたものである。
【００３７】
容量Ｃ２は上記関係式を満たすために、図３（ａ），（ｂ）のように、半導体層と交差していない走査線の導電層の幅よりも、交差している部分の導電層の幅を広くしてもよい。或いは、導電層と交差していない半導体層の配線部分の幅よりも、導電層と交差している半導体層の幅を広くしてもよい。また、図３（ｃ），（ｄ）のように、容量Ｃ２を形成する半導体層は第２の導電層であってもよい。
【実施例】
【００３８】
［実施例１］
本実施例では図４の駆動回路を用い、図５のタイミングチャートで駆動した。
【００３９】
図４の駆動回路は、容量Ｃ２の他端に、制御信号Ｖｃを供給する代わりに、走査信号ＩＬＭを供給する点が図１の駆動回路と異なる。制御信号Ｖｃを供給する制御信号線の配線を設ける必要がないため、発光素子を微細化できる点で好ましい。
【００４０】
時刻ｔ４において、走査信号ＩＬＭはＨからＬに変化する。駆動トランジスタのドレイン電位（ｖ３）をＥＬの発光開始閾値電圧以下に設定するために、容量Ｃ２の容量値は、走査信号ＩＬＭの振幅をΔＶｉｌｍとすると以下の条件を満たす値とした。
【００４１】
Ｃ２≧Ｃｐ／［｛ΔＶｉｌｍ／（Ｖｏｌｅｄ−Ｖｔｈ−ＥＬＶｔｈ）｝−１］
【００４２】
本実施例における容量Ｃ２の形成方法を図６に示す。
【００４３】
図６（ａ）は通常のトランジスタＭ１またはＭ６の構成である。１はドレイン端子となるコンタクトパッド、２はソース端子となるコンタクトパッド、３はゲートを形成する導電層、４は半導体層である。
【００４４】
図６（ｂ）は、トランジスタのゲート幅をソース側とドレイン側で異ならせることで容量Ｃ２を形成したものである。トランジスタのチャネル幅を、ドレイン側で通常より広くしてゲート−ドレイン間容量値を大きくすると、図６（ａ）からの増加分が容量Ｃ２となる。
【００４５】
図６（ｃ）は、Ｍ１のドレイン端子のコンタクトパッド１５とトランジスタＭ６のソース端子のコンタクトパッド１６とが共通になっており、そこから延長した半導体層９をＩＬＭ信号線８（ゲートを形成する導電層）と交差させて、容量Ｃ２を形成したものである。
【００４６】
図７は、図６（ｃ）のＡ−Ｂに沿った断面を示す図である。共通のコンタクトパッド１５から延びた半導体層９がＩＬＭ信号線８と重なって容量Ｃ２を形成している。半導体層９は、その上のゲート絶縁層１７を挟んでＩＬＭ信号線８と対向している。共通のコンタクトパッド１５では、ゲート絶縁層１７とその上の層間絶縁膜１８に開けられたコンタクトホールを通じて、導電層１０と接続される。
【００４７】
上述のように、容量Ｃ２は、Ｍ６のゲート−ドレイン間容量で構成することができる。図６（ａ）のような構成では、Ｍ６のゲート−ドレイン間容量だけでなく、Ｍ６のゲート−ソース間容量も大きくなる。ＥＬが発光から非発光に代わるタイミングで走査信号ＩＬＭがＬからＨへと遷移する。その際にＥＬ電圧（ｖａ）が上昇しＥＬが発光してしまう。従って、Ｍ６のゲート−ドレイン間容量で容量Ｃ２を形成する場合、ゲート−ドレイン間容量に比べてゲート−ソース間容量は小さくする必要がある。
【００４８】
走査信号ＩＬＭがＬからＨへと遷移する時、容量Ｃ２やＭ６のゲート−ドレイン間容量により、駆動Ｔｒのドレイン電位（ｖ３）が上昇してしまう。しかし、ＩＬＭスイッチがＬからＨへと遷移する途中でオフになるため、駆動Ｔｒのドレイン電位（ｖ３）が上昇してもＥＬの発光を防ぐことができる。
【００４９】
以上、本実施例によれば、上記容量Ｃ２を設けているため、駆動Ｔｒのドレインが有する寄生容量Ｃｐと容量Ｃ２に蓄積された電荷Ｑ（Ｃｐ＋Ｃ２）がＥＬに流入するのを防ぐことができる。
【００５０】
尚、本実施例では、駆動Ｔｒの閾値電圧を補償する駆動回路を例示したが、駆動ＴｒとＭ６が直列接続され、Ｍ６によって電流が遮断され、駆動Ｔｒのドレイン電位が上昇する回路構成であれば、本実施例以外の駆動回路構成においても、本発明の効果が得られる。
【００５１】
［実施例２］
本実施例では図８の駆動回路を用い、図９のタイミングチャートで駆動した。
【００５２】
図８の駆動回路は、容量Ｃ２の他端に、制御信号Ｖｃを供給する代わりに、走査信号ＲＥＳを供給する点が図１の駆動回路と異なる。制御信号Ｖｃを供給する制御信号線の配線を設ける必要がないため、発光素子を微細化できる点で好ましい。
【００５３】
時刻ｔ３において、走査信号ＲＥＳはＨからＬに変化する。駆動トランジスタのドレイン電位（ｖ３）をＥＬの発光開始閾値電圧以下に設定するために、容量Ｃ２の容量値は、走査信号ＲＥＳの振幅をΔＶｒｅｓとすると以下の条件を満たす値とした。
【００５４】
Ｃ２≧Ｃｐ／［｛ΔＶｒｅｓ／（Ｖｏｌｅｄ−Ｖｔｈ−ＥＬＶｔｈ）｝−１］
【００５５】
本実施例における容量Ｃ２の形成方法としては、駆動Ｔｒのドレインに接続された配線と走査信号ＲＥＳを供給する走査線の配線との交差部で容量を形成することにより容量Ｃ２とすることができる。
【００５６】
時刻ｔ３から時刻ｔ４において、駆動Ｔｒのドレイン電位（ｖ３）はフローティングとなる。黒表示において、駆動Ｔｒは電流を流さない状態にＶｇｓが書き込まれている。従って、時刻ｔ３の電位が保持される。
【００５７】
容量Ｃ２の接続されている走査線は、書込みが終了してから発光開始までに駆動Ｔｒのドレインの寄生容量Ｃｐに充電された電荷を放電し、駆動Ｔｒのドレイン電位（ｖ３）をＥＬの発光開始閾値電圧以下にすれば良い。従って、図８以外の回路構成においても、容量Ｃ２の接続されている走査線の立下りタイミングは、図９に示すような書込み終了タイミングである時刻ｔ３から、発光開始タイミング時刻ｔ４の間の期間であれば良い。
【００５８】
以上、本実施例によれば、上記容量Ｃ２を設けているため、実施例１と同様に、駆動Ｔｒのドレインが有する寄生容量Ｃｐと容量Ｃ２に蓄積された電荷Ｑ（Ｃｐ＋Ｃ２）がＥＬに流入するのを防ぐことができる。
【００５９】
容量Ｃ２の形成方法を図１０に示す。
【００６０】
ここで、トランジスタＭ１とトランジスタＭ２の極性が異なるため、異なる半導体層の領域に形成されている。この２つの半導体層はコンタクトホールを経由し、第２の導電層１０により電気的に同電位に接続される。図１０（ａ）のようにトランジスタＭ１の半導体層９を拡大し、ゲートを形成する導電層８との交差部（図１０（ａ）の斜線部）で容量を形成することにより容量Ｃ２とすることができる。同様に、図１０（ｃ）のようにトランジスタＭ２の半導体層９’を拡大し、ゲートを形成する導電層８との交差部（図１０（ｃ）の斜線部）で容量を形成することにより容量Ｃ２とすることができる。また、図１０（ｂ）のように第２の導電層１０を拡大し、ゲートを形成する導電層８との交差部（図１０（ｂ）の斜線部）で容量を形成することにより容量Ｃ２とすることができる。この第２の導電層１０とゲートを形成する導電層８との間には絶縁層が形成されている。
【００６１】
上記構成の駆動回路を備えた発光素子を用いて情報表示装置を構成することができる。この情報表示装置は携帯電話、携帯コンピュータ、デジタルスチルカメラもしくはビデオカメラのいずれかの形態をとる。もしくはそれらの各機能の複数を実現する装置である。
【００６２】
図１１は、デジタルスチルカメラシステムの一例のブロック図である。７０はデジタルスチルカメラシステム、７１は撮像部、７２は映像信号処理回路、７３は表示パネル、７４はメモリ、７５はＣＰＵ、７６は操作部を示す。撮像部７１で撮影した映像又はメモリ７４に記録された映像を、映像信号処理回路７２で信号処理し、表示パネル７３で見ることができる。ＣＰＵ７５では、操作部７６からの入力によって、撮像部７１、メモリ７４、映像信号処理回路７２等を制御して、状況に適した撮影、記録、再生、表示を行う。また、表示パネル７３は、この他にも各種電子機器の表示部として利用できる。
【符号の説明】
【００６３】
１、６：ドレイン、２、５：ソース、３、７、８：ゲート、４、９：半導体層、７０：デジタルスチルカメラシステム、７１：撮像部、７２：映像信号処理回路、７３：表示パネル、７４：メモリ、７５：ＣＰＵ、７６：操作部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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