(57)【要約】【課題】  本発明は、被処理基板の汚染を低減する要求に応える載置用部材およびこれを用いた露光装置を提供するものである。【解決手段】  本発明の一態様に係る載置用部材３ａ〜３ｃは、上側に板状体の載置領域を有する載置用部材３ａ〜３ｃであって、コージェライトを主成分とし、添加成分としてＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＣｅのいずれか１種以上を含むセラミック焼結体７を備え、セラミック焼結体７の表面は、表面に研磨面を有し、該研磨面に複数の突起７ａが形成された第１領域Ｒ１を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側に板状体の載置領域を有する載置用部材であって、
コージェライトを主成分とし、添加成分としてＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＣｅのいずれか１種以上を含むセラミック焼結体を備え、
該セラミック焼結体は、表面に研磨面を有し、該研磨面に複数の突起が形成された第１領域を有することを特徴とする載置用部材。
【請求項２】
請求項１に記載の載置用部材において、
前記複数の突起は、高さが０．０５μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする載置用基板。
【請求項３】
請求項２に記載の載置用部材において、
前記複数の突起は、アスペクト比が０．２以上２以下であることを特徴とする載置用部材。
【請求項４】
請求項１に記載の載置用部材において、
前記複数の突起は、スピネルを主成分とすることを特徴とする載置用部材。
【請求項５】
請求項１に記載の載置用部材において、
前記セラミック焼結体の前記第１領域を被覆した被覆膜を更に備えていることを特徴とする載置用部材。
【請求項６】
請求項１に記載の載置用部材において、
前記第１領域は、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．００３μｍ以上０．０２μｍ以下であることを特徴とする載置用部材。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の載置用部材を備えたことを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体製造装置またはフラットパネルディスプレイ製造装置に用いられ、ウエハやガラス基板などを載置する載置用部材およびこれを用いた露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイスや液晶表示デバイスの製造に用いられる露光装置は、マスクに描かれた極めて複雑な回路パターンなどを高性能なレンズで縮小し、半導体ウエハやガラス基板などの被処理基板に焼き付けることによって、被処理基板上に微小パターンを形成する。近年は、例えば、特許文献１に開示されているような、レンズと被処理基板との間に純水を満たした状態で露光する液浸露光技術が提案され、回路パターンの微細化が進められている。
【０００３】
一方、被処理基板の載置用部材として、例えば、特許文献２には、低熱膨張セラミックスであるコージェライト質焼結体を用いることが提案されている。このような低熱膨張セラミックスを用いると、載置用部材の熱膨張を低減して、被処理基板の位置ずれを低減することができるため、微細な回路パターン形成の歩留まりを向上させることができる。
【０００４】
ところで、このようなコージェライト質焼結体の表面に純水が付着して残存すると、パーティクルが純水に吸着されやすい。そして、被処理基板の処理時にこの純水が蒸発すると、吸着されていたパーティクルがコージェライト質焼結体の表面から離れて被処理基板の方へ飛来するため、このパーティクルによって被処理基板が汚染されやすくなる。
【０００５】
よって、被処理基板の汚染を低減することが可能な載置用部材およびこれを用いた露光装置が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２０７７１０号公報
【特許文献２】特開２００４−２６９２７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、被処理基板の汚染を低減する要求に応える載置用部材およびこれを用いた露光装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る載置用部材は、上側に板状体の載置領域を有する載置用部材であって、コージェライトを主成分とし、添加成分としてＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＣｅのいずれか１種以上を含むセラミック焼結体を備え、該セラミック焼結体は、表面に研磨面を有し、該研磨面に複数の突起が形成された第１領域を有する。
【０００９】
本発明の一態様に係る露光装置は、上記載置用部材を備えている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様に係る載置用部材によれば、セラミック焼結体は、表面に研磨面を有し、この研磨面に複数の突起が形成された第１領域を有することから、複数の突起によって
表面の撥水性を高めることができる。その結果、セラミック焼結体の表面における純水の残存を低減し、ひいては被処理基板の汚染を低減することができる。
【００１１】
本発明の一態様に係る露光装置によれば、上記載置用部材を備えることから、被処理基板の汚染を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態の露光装置の構成例を模式的に示す図である。
【図２】（ａ）は、本発明の第１実施形態のセラミック焼結体の表面を模式的に示す図であり、（ｂ）は、従来のセラミック焼結体の表面を模式的に示す図であり、（ｃ）は、本発明の第２実施形態のセラミック焼結体の表面を模式的に示す図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例における試料１の表面形状の測定結果につき、角度を変えて示した図である。
【図４】（ａ）は、本発明の実施例における試料１の突起における成分分析の結果を示す図であり、（ｂ）は、本発明の実施例における試料１の突起以外の領域における成分分析の結果を示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例における試料２の表面形状の測定結果につき、角度を変えて示した図であり、ＸＹＺの各方向におけるスケールは、図３（ａ）〜（ｃ）と同じである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜第１実施形態＞
以下に、本発明の第１実施形態による載置用部材を用いた露光装置について、図１および図２を参照しつつ詳細に説明する。
【００１４】
（露光装置）
図１に一例として示した露光装置１は、例えば半導体製造装置やフラットパネルディスプレイ製造装置として用いられるものであり、半導体ウエハやガラス基板などの板状体である被処理基板２に対して、微細な回路パターンの液浸露光を行なう装置である。
【００１５】
露光装置１は、被処理基板２が載置されるステージ装置３と、被処理基板２に露光光を照射する光学系４と、被処理基板２上に例えば供給管５ａなどを介して純水などの液体Ｌを供給する液体供給装置５と、被処理基板２の外側に流出した液体Ｌを、例えば回収管６ａなどを介して回収する液体回収装置６とを備えている。
【００１６】
この露光装置１による液浸露光においては、光学系４から照射された露光光が、液体Ｌを通って被処理基板２に達することによって、被処理基板２上に回路パターンが形成される。このように、露光光が、空気よりも屈折率の高い純水などの液体Ｌを通過するため、回路パターンを微細化することができる。なお、液浸露光の露光光としては、例えばＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）などが用いられる。
【００１７】
ステージ装置３は、板状体である複数の載置用部材を組み合わせることによって構成されており、本実施形態においては、第１載置用部材３ａ、第２載置用部材３ｂおよび第３載置用部材３ｃが組み合せられている。第１載置用部材３ａは、上側の載置領域に板状体である被処理基板２が載置されており、真空チャックまたは静電チャックなどとして用いられる。第２載置用部材３ｂは、上側の載置領域に板状体である第１載置用部材３ａが載置されている。第３載置用部材３ｃは、上側の載置領域に板状体である第２載置用部材３ｂが載置されており、第２載置用部材３ｂをＸＹＺ方向に移動させることが可能なステージが用いられる。
【００１８】
これらの載置用部材３ａ〜３ｃは、図２（ａ）に示すように、それぞれ母材としてセラミック焼結体７を備えている。以下、本実施形態のセラミック焼結体７について、詳細に説明する。
【００１９】
（セラミック焼結体）
載置用部材３ａ〜３ｃに用いられるセラミック焼結体７は、コージェライト（Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ１８）を主成分とし、Ｙ、Ｙｂ、ＥｒおよびＣｅのいずれか１種以上を添加成分とするコージェライト質焼結体である。このセラミック焼結体７は、室温（２０〜２５℃）における熱膨張率が例えば−１２０ｐｐｂ／℃以上１２０ｐｐｂ／℃以下に設定されている。このような低熱膨張セラミック焼結体を用いることによって、載置用部材３ａ〜７ｃに載置される被処理基板２の位置ずれを低減することができ、ひいては被処理基板２上に微細回路パターンを歩留まり良く形成することができる。なお、セラミック焼結体７の主成分は、セラミック焼結体７において最も多く含まれている成分をいう。また、セラミック焼結体７の添加成分は、セラミック焼結体７において主成分以外の成分をいう。
【００２０】
このセラミック焼結体７は、例えば、Ｍｇを酸化物換算で１２質量％以上１４質量％以下，Ａｌを酸化物換算で３３質量％以上３５質量％以下およびＳｉを酸化物換算で５２質量％以上５４質量％以下の組成範囲からなる主成分１００質量％に対し、添加成分としてＹ，Ｙｂ，ＥｒおよびＣｅのいずれか１種を酸化物換算で４質量％以上１５質量％以下含んでいる。
【００２１】
なお、セラミック焼結体７における各成分の含有量は、セラミック焼結体７の一部を粉砕し、得られた粉体を塩酸などの溶液に溶解した後、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分光分析装置（島津製作所製：ＩＣＰＳ−8100）を用いて測定し、得られた各成分の数値を用いて酸化物換算することにより求めることができる。
【００２２】
また、セラミック焼結体７の結晶相は、コージェライトが主結晶相であり、その結晶粒界には、添加成分を含むダイシリケート（例えば、Ｙｂ２Ｓｉ２Ｏ７）と、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）とが存在している。
【００２３】
なお、セラミック焼結体７の結晶相は、例えば、日本電子製の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で表面を測定し、日本電子製のエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ装置）でこの表面の成分分析を行なうことで確認することができる。
【００２４】
本実施形態においては、セラミック焼結体７の表面は、少なくとも一部が露光装置１内に露出している。このセラミック焼結体７の露出した表面には、液体Ｌが付着することがある。
【００２５】
一方、本実施形態のセラミック焼結体７は、露光装置１内の空間に露出した表面に、後述するように研磨された研磨面を有し、図２（ａ）に示すように、この研磨面に複数の突起７ａとそれらの間に形成された底面７ｂとによって構成された第１領域Ｒ１を有している。
【００２６】
このように第１領域Ｒ１に複数の突起７ａが形成されていることから、液体Ｌが第１領域Ｒ１に付着した場合に、第１領域Ｒ１の表面と液体Ｌとの接する面積を増加させることができるため、第１領域Ｒ１における表面の撥水性を高めることができる。それゆえ、セラミック焼結体７の表面に対する液体Ｌの残存を低減することができるため、液体Ｌに吸着するパーティクルの量を低減することができる。したがって、液体Ｌが蒸発する際に、液体Ｌに吸着していたパーティクルが飛散する量を低減し、ひいては被処理基板２の汚染を低減できる。
【００２７】
この複数の突起７ａは、図２（ａ）に示すように、柱状に形成されていることが望ましい。その結果、第１領域Ｒ１の表面と液体Ｌとの接する面積を良好に増加させることができる。この柱状の突起７ａは、例えば底面７ｂから頂部に向かって先細りとなるテーパ−状に形成されている。
【００２８】
また、複数の突起７ａは、高さが０．０５μｍ以上２μｍ以下であることが望ましい。その結果、高さが０．０５μｍ以上であることによって、第１領域Ｒ１の表面と液体Ｌとの接する面積を増加させることができる。また、高さが２μｍ以下であることによって、第１領域Ｒ１の表面からの突起７ａの脱落を低減することができる。
【００２９】
また、複数の突起７ａは、幅が１μｍ以上５μｍ以下であることが望ましい。その結果、幅が１μｍ以上であることによって、第１領域Ｒ１の表面からの突起７ａの脱落を低減することができる。なお、突起７ａの幅は、突起７ａと底面７ｂとの接続部の幅である。
【００３０】
また、複数の突起７ａは、アスペクト比が０．２以上２以下であることが望ましい。その結果、アスペクト比が０．２以上であることによって、第１領域Ｒ１の表面と液体Ｌとの接する面積を良好に増加させることができる。また、アスペクト比が２以下であることによって、第１領域Ｒ１の表面からの突起７ａの脱落を低減することができる。なお、突起７ａのアスペクト比は、突起７ａの高さ／幅である。
【００３１】
また、複数の突起７ａは、第１領域Ｒ１における個数が２×１０５個／ｍｍ２以上５×１０５個／ｍｍ２以下であることが望ましい。その結果、個数が２×１０５個／ｍｍ２以上であることによって、第１領域Ｒ１の表面と液体Ｌとの接する面積を良好に増加させることができる。また、個数が５×１０５個／ｍｍ２以下であることによって、第１領域Ｒ１の表面からの突起７ａの脱落を低減することができる。
【００３２】
また、第１領域Ｒ１は、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．００３μｍ以上０．０２μｍ以下であることが望ましい。その結果、第１領域Ｒ１を鏡面状態とし、例えばシーリング部材との密着性を高めることができる。なお、算術平均粗さ（Ｒａ）の定義は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１に準拠している。
【００３３】
また、複数の突起７ａは、上述した結晶粒界に位置するスピネルを主成分とすることが望ましい。その結果、突起７ａの硬度を高めることができる。
【００３４】
また、第１領域Ｒ１は、載置領域で露出していることが望ましい。その結果、第１領域Ｒ１は、載置される板状体と接触することになるが、上述した突起７ａによって、第１領域Ｒ１と板状体との密着強度を低減できるため、第１領域Ｒ１から板状体を容易に移動させることができる。また、複数の突起７ａがスピネルを主成分であると、突起７ａの硬度を高めることによって、第１領域Ｒ１と板状体との密着強度をより低減することができる。
【００３５】
なお、第１領域Ｒ１は、セラミック焼結体７の表面全体に形成されていることが望ましいが、本実施形態においては、第１領域Ｒ１は、セラミック焼結体７の露光装置１内に露出した表面の少なくとも一部に形成されていればよく、その他の部分は、研磨面でなくてもよいし、研磨面であって第１領域Ｒ１が形成されていなくても構わない。
【００３６】
一方、底面７ｂは、平坦に形成されており、図２（ｂ）に示すセラミック焼結体７´のような溝状の研磨痕Ｇ´が形成されていない。それゆえ、底面７ｂは、液体Ｌが残存しやすい溝状の研磨痕Ｇ´がないため、底面７ｂにおける液体Ｌの残存を低減することができ
る。
【００３７】
（載置用部材の製造方法）
次に、本実施形態による載置用部材３ａ〜３ｃの製造方法の一例を説明する。この載置用部材３ａ〜３ｃの製造方法は、セラミック焼結体７を作製する工程と、所望の形状のセラミック焼結体７を得るため、セラミック焼結体７を加工する工程とを備えている。
【００３８】
（セラミック焼結体の作製）
まず、１次原料として、Ｍｇを酸化物換算で１１質量％以上１４質量％以下，Ａｌを酸化物換算で２９質量％以上３４質量％以下およびＳｉを酸化物換算で５２質量％以上５４質量％以下の組成範囲で予め合成した、平均粒径が０．５〜５μｍの合成コージェライト粉末と、平均粒径が０.５〜３μｍのスピネル粉末と、平均粒径が０．５〜２μｍのＹ，
Ｙｂ，ＥｒおよびＣｅのいずれか１種の酸化物粉末とを準備する。そして、合成コージェライト粉末およびスピネル粉末を所定量秤量し、次に、合成コージェライト粉末とスピネル粉末との合計１００質量％に対し、添加成分を４質量％以上１５質量％の範囲となるように秤量し、純水および各種バインダを加え、ボールミルを用いて平均粒径が２μｍ以下となるまで５〜３０時間、湿式混合および粉砕を行ないスラリーとする。
【００３９】
なお、コージェライト質セラミックスの主成分を構成するのは、予め合成したコージェライト粉末およびスピネル粉末に含まれるＭｇ，Ａｌ，Ｓｉの酸化物であり、焼成後のコージェライト質セラミックスは、Ｍｇを酸化物換算で１２質量％以上１４質量％以下，Ａｌを酸化物換算で３３質量％以上３５質量％以下およびＳｉを酸化物換算で５２質量％以上５４質量％以下の組成範囲からなるものである。また、添加成分の１次原料である、Ｙ，Ｙｂ，ＥｒおよびＣｅのいずれか１種の酸化物粉末については、主成分および添加成分の組成の範囲内であればＹ２Ｓｉ２Ｏ７，Ｙｂ２Ｓｉ２Ｏ７，Ｅｒ２Ｓｉ２Ｏ７およびＣｅ２Ｓｉ２Ｏ７のダイシリケートの形で添加してもよい。
【００４０】
次に、噴霧造粒法（スプレードライ法）にてスラリーを噴霧して造粒し、２次原料とする。そして、２次原料を用いて静水圧プレス成形（ラバープレス）法や粉末プレス成形法にて成形し、必要に応じて切削加工を施す。その後、これを焼成炉にて大気雰囲気中１３４０〜１４４０℃の最高温度で１時間以上１０時間以下保持して、その後、１０００℃までを１０℃／ｍｉｎ以下で降温する焼成条件によって、添加成分と合成コージェライト中のＳｉＯ２とが反応して、ダイシリケートを結晶粒界に形成することができる。また、このダイシリケートの形成によって、余剰となったＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３が反応して、スピネルを結晶粒界に形成することができる。また、その後、焼結体をさらにＨＰ法（ホットプレス法）やＨＩＰ法（ホットアイソスタティックプレス法）を用いてより緻密化させることもできる。
【００４１】
以上のようにして、セラミック焼結体７を作製することができる。
【００４２】
（セラミック焼結体の加工）
まず、ダイヤモンドツールを用いた研削加工によって、セラミック焼結体７の外形形状を形成する。次に、後述する研磨加工によって、セラミック焼結体７の表面に第１領域Ｒ１を形成する。
【００４３】
以下、第１領域Ｒ１を形成するための研磨加工について、詳細に説明する。
【００４４】
まず、アルミナ砥粒からなる第１研磨材とポリウレタンパッドからなるラップ盤とを用いた第１研磨加工を行なう。次に、酸化セリウムからなる第２研磨材とポリウレタンパッドからなるラップ盤を用いた第２研磨加工を行なう。
【００４５】
ところで、従来のラップ加工では、ダイヤモンド砥粒と鋳鉄系ラップ盤とが用いられている。このようにラップ加工を行なうと、ダイヤモンド砥粒の硬度が高いため、図に示すように、ダイヤモンド砥粒による溝状の研磨痕Ｇ´が形成されることによって、表面形状が凹凸となるが、突起は形成されない。
【００４６】
一方、本実施形態の第１研磨加工および第２研磨加工に用いるアルミナ砥粒および酸化セリウム砥粒の硬度は、従来のラップ加工で使用されるダイヤモンド砥粒の硬度よりも低い。このように硬度の低いアルミナ砥粒および酸化セリウム砥粒を用いて研磨を行なっているため、スピネルの研磨量をコージェライトよりも小さくして、スピネルを残存させつつ、コージェライトを研磨によって除去することができる。その結果、残存したスピネルからなる突起７ａを形成することができ、且つ研磨されたコージェライトからなる底面７ｂを形成することができる。特に、酸化セリウム砥粒は、アルミナ砥粒よりも硬度が低いため、スピネルの研磨量をアルミナ砥粒よりも小さくし、高さの大きい突起７ａを形成することができる。
【００４７】
また、研磨材のモース硬度は、コージェライトのモース硬度とスピネルのモース硬度との中間の値であることが望ましい。その結果、高さの大きい突起７ａを形成することができる。このような研磨材としては、酸化セリウム砥粒が挙げられる。
【００４８】
なお、コージェライトのモース硬度は８であり、スピネルのモース硬度は９であり、アルミナのモース硬度は１２であり、酸化セリウムのモース硬度は９であり、ダイヤモンドのモース硬度は１５である。なお、モース硬度は、１５段階に修正された修正モース硬度である。
【００４９】
さらに、上述したように第１研磨加工の後、第２研磨加工を行なうことが望ましい。その結果、第１研磨加工において、酸化セリウム砥粒よりも硬度の高いアルミナ砥粒を用いることによって、第２研磨加工よりも速く、突起７ａを形成することができる。さらに、第２研磨加工において、アルミナ砥粒よりも硬度の低い酸化セリウム砥粒を用いることによって、第１研磨加工後の突起７ａの高さよりも、突起７ａの高さを大きく形成することができる。
【００５０】
第１研磨加工は、具体的には、例えば、平均粒径が１μｍのアルミナ砥粒を使用し、ポリウレタンパッド上で２〜１０時間程度研磨加工を行なう。第２研磨加工は、具体的には、例えば、平均粒径が１μｍの酸化セリウム砥粒を使用し、ポリウレタンパッド上で２〜１０時間程度研磨加工を行なう。
【００５１】
なお、上述した第１研磨加工および第２研磨加工は、どちらか一方のみでも構わない。また、突起７ａを形成するための研磨材としては、アルミナ砥粒および酸化セリウム砥粒の他にコロイダルシリカを用いても構わない。また、突起７ａを形成するためのラップ盤としては、スウェードパッドまたはピッチを用いても構わない。
【００５２】
以上のようにして、セラミック焼結体７の表面に、突起７ａおよび底面７ｂによって構成された第１領域Ｒ１を有する研磨面を形成し、ひいては載置用部材３ａ〜３ｃを作製することができる。
【００５３】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る載置用部材を、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【００５４】
第２実施形態は、第１実施形態と異なり、載置用部材３ａ〜３ｃが、図２（ｃ）に示すように、セラミック焼結体７の第１領域Ｒ１を被覆する被覆膜８をさらに備えている。この被覆膜８として、撥水性が高いものを用いることによって、載置用部材３ａ〜３ｃの露出した表面の撥水性を高めることができる。さらに、第１領域Ｒ１には複数の突起７ａが形成されているため、この突起７ａのアンカー効果によって、第１領域Ｒ１と被覆膜８との接着強度を高めることができる。したがって、第１領域Ｒ１からの被覆膜８の剥離を低減し、被覆膜８による撥水性を維持することができる。
【００５５】
また、第２実施形態は、第１実施形態と同様に、突起７ａがスピネルを主成分とすることが望ましい。その結果、突起７ａの硬度を高めることができ、ひいては突起７ａと被覆膜８とのアンカー効果を高めることができる。
【００５６】
この被覆膜８の厚みは、突起７ａの高さよりも小さいことが望ましい。その結果、被覆膜８が突起７ａに追随することによって、載置用部材３ａ〜３ｃの表面に、突起７ａと突起７ａを被覆した被覆膜８とからなる複数の突出部９を形成することができる。この複数の突出部９によって、載置用部材３ａ〜３ｃの表面における撥水性を高めることができる。なお、被覆膜８の厚みは、例えば０．１μｍ以上１μｍ以下に設定されている。
【００５７】
また、被覆膜８は、従来周知の撥水性有機材料などによって形成されている。その結果、被覆膜８における撥水性を高めることができる。
【００５８】
なお、被覆膜８は、載置用部材３ａ〜３ｃの露光装置１内に露出した表面のみに形成されていることが望ましいが、本実施形態においては、載置用部材３ａ〜３ｃの露光装置１内に露出した表面の少なくとも一部に形成されていればよい。
【００５９】
また、被覆膜８は、載置領域以外に形成されており、載置領域には第１領域Ｒ１が露出していることが望ましい。その結果、載置用部材３ａ〜３ｃの露光装置１内に露出した表面では、被覆膜８によって撥水性を高めつつ、載置用部材３ａ〜３ｃの載置領域では、第１領域Ｒ１によって、載置される板状体との密着強度を低減することができる。
【００６０】
次に、本実施形態の載置用部材３ａ〜３ｃの製造方法を説明する。
【００６１】
まず、第１実施形態と同様に、セラミック焼結体７の作製および加工を行なう。次に、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法などを用いて、セラミック焼結体７表面の第１領域Ｒ１上に、被覆膜８を形成する。
【００６２】
以上のようにして、本実施形態の載置用部材３ａ〜３ｃを作製することができる。
【００６３】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せなどが可能である。
【００６４】
例えば、上述した実施形態において、第１ないし第３載置用部材それぞれに本発明のセラミック焼結体を適用した例について説明したが、本発明のセラミック焼結体は、第１ないし第３載置用部材のいずれかに適用されればよい。
【００６５】
また、上述した実施形態において、複数の突起がスピネルを主成分とした例について説明したが、突起はスピネル以外の材料を主成分としていても構わない。例えば、コージェライトに対する添加成分の添加量を調節することによって、スピネルの代わりに、ムライト、サファリンおよびフォルステライトのいずれかを結晶粒界に形成し、上述した実施形態の研磨方法を用いることによって、これらの材料を主成分とする突起を形成しても構わ
ない。
【実施例】
【００６６】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明は、下記実施例によって限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲の変更、実施の態様は、いずれも本発明の範囲内に含まれる。
【００６７】
（載置用部材の作製条件）
以下の作製条件で、試料１および試料２の載置用部材を作製した。
【００６８】
まず、上述した実施形態と同様にしてセラミック焼結体を作製した後、セラミック焼結体の表面全面に対して、第１研磨加工として、平均粒径が１μｍのアルミナ砥粒を使用し、ポリウレタンパッド上で１０時間程度研磨加工を行ない、さらに、第２研磨加工として、平均粒径が１μｍの酸化セリウム砥粒を使用し、ポリウレタンパッド上で１時間程度研磨加工を行なうことによって、試料１の載置用部材を作製した。
【００６９】
また、上述した実施形態と同様にしてセラミック焼結体を作製した後、セラミック焼結体の表面全面に対して、ラップ加工として、平均粒径が２μｍのダイヤモンド砥粒を使用し、鋳鉄系ラップ盤上で０．５時間程度ラップ加工を行なうことによって、試料２の載置用部材を作製した。
【００７０】
なお、試料１、２の載置用部材において、セラミック焼結体の表面は露出している。
【００７１】
（評価方法）
試料１、２の載置用部材について、走査型白色顕微鏡を用いて、セラミック焼結体の表面の形状および算術平均粗さ（Ｒａ）を測定した。また、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて、セラミック焼結体の表面の成分分析を行なった。
【００７２】
（結果）
試料１の載置用部材は、図３（ａ）ないし（ｃ）に示すように、セラミック焼結体の表面に突起が形成されていた。この試料１の突起は、高さが１μｍ、幅が１〜５μｍ、アスペクト比が０．２〜１、個数が２０×１０５個／ｍｍ２であった。また、試料１のセラミック焼結体の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０２８μｍであった。
【００７３】
また、試料１において、突起は、図４（ａ）に示すように、Ｍｇ、Ａｌの含有量が多く、Ｓｉの含有量が少なかった。すなわち、突起は、スピネルを主成分とすることが推測される。なお、図４（ａ）においては、Ｃｒが検出されているが、これは顔料として微量添加されたものである。一方、試料１において、突起以外の領域は、図４（ｂ）に示すように、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉの含有量が多く、さらにＹｂが検出された。すなわち、突起以外の領域は、コージェライトおよびダイシリケートを主成分とすることが推測される。
【００７４】
これに対し、試料２の載置用部材は、図５（ａ）ないし（ｃ）に示すように、セラミック焼結体の表面に突起が形成されておらず、溝状の研磨痕が形成されていた。このように研磨痕があると、研磨痕に純水が残存しやすくなる。なお、試料２のセラミック焼結体の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．００９μｍであった。
【００７５】
以上のように、本実施形態の載置用部材によれば、セラミック焼結体の表面に複数の突起が形成されていることが確認された。
【符号の説明】
【００７６】
１        露光装置
２        被処理基板
３        ステージ装置
３ａ      第１載置用部材
３ｂ      第２載置用部材
３ｃ      第３載置用部材
４        光学系
５        液体供給装置
６        液体回収装置
７        セラミック焼結体
７ａ      突起
７ｂ      底面
８        被覆膜
９        突出部
【図１】
2013177272.tif 000003
【図２】
2013177272.tif 000004
【図４】
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【図３】
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【図５】
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