(57)【要約】【課題】製造時の組み立て性を向上させると共に、小型化を図ることができる半導体モジュール、及び半導体モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】上側ゲートドライブ回路基板２Ａと、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂとは、積層方向において重ね合わせられている。ゲートドライブ回路基板２Ａ，２Ｂを重ね合わせ構造とすることによって、半導体モジュール１の小型化を図ることができる。また、上側半導体素子３Ａは、上側ゲートドライブ回路基板２Ａと電気的に接続され、下側半導体素子３Ｂは、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂと電気的に接続されている。一方の半導体素子３Ａ及びゲートドライブ回路基板２Ａを、他方の半導体素子３Ｂ及びゲートドライブ回路基板２Ｂとは独立して接続を行うことができ、組み立て易くなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲートドライブ回路基板及び第２のゲートドライブ回路基板と、
第１の半導体素子及び第２の半導体素子と、を備える半導体モジュールであって、
前記第１のゲートドライブ回路基板と、前記第２のゲートドライブ回路基板とは、積層方向において重ね合わせられ、
前記第１の半導体素子は、前記第１のゲートドライブ回路基板と電気的に接続され、
前記第２の半導体素子は、前記第２のゲートドライブ回路基板と電気的に接続されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記第１のゲートドライブ回路基板は、前記第２のゲートドライブ回路基板と対向する第１の対向面を有し、
前記第２のゲートドライブ回路基板は、前記第１のゲートドライブ回路基板と対向する第２の対向面を有し、
前記第１の半導体素子は、前記第１のゲートドライブ回路基板の前記第１の対向面と、ワイヤを介して接続され、
前記第２の半導体素子は、前記第２のゲートドライブ回路基板の前記第２の対向面と、ワイヤを介して接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記第１の半導体素子に対して設けられる第１の出力側放熱板と、
前記第２の半導体素子に対して設けられる第２の出力側放熱板と、を更に備え、
前記第１の出力側放熱板と、前記第２の出力側放熱板とは、前記半導体モジュールの外面のうち、同一面側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体モジュール。
【請求項４】
第１のゲートドライブ回路基板と第１の半導体素子とを電気的に接続する第１の工程と、
第２のゲートドライブ回路基板と第２の半導体素子とを電気的に接続する第２の工程と、
電気的に接続された前記第１のゲートドライブ回路基板及び前記第１の半導体素子と、電気的に接続された前記第２のゲートドライブ回路基板及び前記第２の半導体素子とを積層方向に重ね合わせる第３の工程と、を備え、
前記第３の工程では、前記第１のゲートドライブ回路基板と前記第２のゲートドライブ回路基板とが、前記積層方向に重なり合うように配置されることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、部品の小型化の要求に従って、半導体モジュールも小型化を図ることが求められている。従来より、回路基板の位置を工夫することにより小型化が図られた半導体モジュールが知られている。例えば、特許文献１に示す半導体モジュールでは、半導体素子が実装されたフレキシブル回路基板を有しており、当該フレキシブル回路基板を二枚重ねに積層することによって、モジュールの小型化が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１０３５５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、半導体モジュールには回路基板周辺に他の構造が適用される場合がある。例えば、冷却のための放熱構造として、半導体モジュールの放熱板などが配置される場合もある。しかしながら、そのような他の構造まで考慮する場合、従来の半導体モジュールでは、組み立て難くなる可能性が生じる。すなわち、半導体モジュールの組み立て易さまで考慮した場合に、従来の半導体モジュールの構造では、十分な組み立て性を確保できていないという問題があった。
【０００５】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、製造時の組み立て性を向上させると共に、小型化を図ることができる半導体モジュール、及び半導体モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体モジュールは、第１のゲートドライブ回路基板及び第２のゲートドライブ回路基板と、第１の半導体素子及び第２の半導体素子と、を備える半導体モジュールであって、第１のゲートドライブ回路基板と、第２のゲートドライブ回路基板とは、積層方向において重ね合わせられ、第１の半導体素子は、第１のゲートドライブ回路基板と電気的に接続され、第２の半導体素子は、第２のゲートドライブ回路基板と電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る半導体モジュールによれば、ゲートドライブ回路基板は、第１のゲートドライブ回路基板と、第２のゲートドライブ回路基板とに分けられている。更には、第１のゲートドライブ回路基板と、第２のゲートドライブ回路基板とは、積層方向において重ね合わせられている。例えば一枚の大きなゲートドライブ回路基板を半導体モジュールに設けた場合は、当該半導体モジュールの幅が大きくなってしまうが、ゲートドライブ回路基板を重ね合わせ構造とすることによって、ゲートドライブ回路基板が幅方向に占める範囲を小さくすることができるため、半導体モジュールの小型化を図ることができる。また、第１の半導体素子は、第１のゲートドライブ回路基板と電気的に接続され、第２の半導体素子は、第２のゲートドライブ回路基板と電気的に接続されている。すなわち、各半導体素子が接続されるゲートドライブ回路基板が分けられているため、一方の半導体素子及びゲートドライブ回路基板を、他方の半導体素子及びゲートドライブ回路基板とは独立して接続を行うことができ、組み立て易くなる。以上によって、製造時の組み立て性を向上させると共に、小型化を図ることができる。
【０００８】
また、本発明に係る半導体モジュールでは、第１のゲートドライブ回路基板は、第２のゲートドライブ回路基板と対向する第１の対向面を有し、第２のゲートドライブ回路基板は、第１のゲートドライブ回路基板と対向する第２の対向面を有し、第１の半導体素子は、第１のゲートドライブ回路基板の第１の対向面と、ワイヤを介して接続され、第２の半導体素子は、第２のゲートドライブ回路基板の第２の対向面と、ワイヤを介して接続されていることが好ましい。これにより、半導体素子とゲートドライブ回路基板とのワイヤ接続時においては、ゲートドライブ回路基板の対向面側からワイヤ接続を行い、ワイヤ接続の後に各対向面が対向するように、第１のゲートドライブ回路基板と第２のゲートドライブ回路基板とを重ね合わせることで、半導体モジュールの組み立てが可能となる。これによって、製造時の組み立て性を向上させることができる。
【０００９】
また、本発明に係る半導体モジュールでは、第１の半導体素子に対して設けられる第１の出力側放熱板と、第２の半導体素子に対して設けられる第２の出力側放熱板と、を更に備え、第１の出力側放熱板と、第２の出力側放熱板とは、半導体モジュールの外面のうち、同一面側に配置されていることが好ましい。これにより、互いの出力側放熱板を接続する接続部品がゲートドライブ回路基板と斜め方向に交差することを防止できる。
【００１０】
本発明に係る半導体モジュールの製造方法は、第１のゲートドライブ回路基板と第１の半導体素子とを電気的に接続する第１の工程と、第２のゲートドライブ回路基板と第２の半導体素子とを電気的に接続する第２の工程と、電気的に接続された第１のゲートドライブ回路基板及び第１の半導体素子と、電気的に接続された第２のゲートドライブ回路基板及び第２の半導体素子とを積層方向に重ねる第３の工程と、を備え、第３の工程では、第１のゲートドライブ回路基板と第２のゲートドライブ回路基板とが、積層方向に重なり合うように配置されることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る半導体モジュールの製造方法によれば、ゲートドライブ回路基板は、第１のゲートドライブ回路基板と、第２のゲートドライブ回路基板とに分けられている。更には、第３の工程で、第１のゲートドライブ回路基板と、第２のゲートドライブ回路基板とを、積層方向において重ね合わせている。例えば一枚の大きなゲートドライブ回路基板を半導体モジュールに設けた場合は、当該半導体モジュールの幅が大きくなってしまうが、ゲートドライブ回路基板を重ね合わせ構造とすることによって、ゲートドライブ回路基板が幅方向に占める範囲を小さくすることができるため、半導体モジュールの小型化を図ることができる。また、第１の工程と第２の工程では、一方の半導体素子及びゲートドライブ回路基板を、他方の半導体素子及びゲートドライブ回路基板とは独立して接続を行っているため、組み立て易くなる。以上によって、製造時の組み立て性を向上させると共に、小型化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、製造時の組み立て性を向上させると共に、小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体モジュールを示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す図である。
【図４】本実施形態に係る半導体モジュールと比較例に係る半導体モジュールを示す概略図である。
【図５】比較例に係る半導体モジュールを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明に係る半導体モジュールの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書中では、図１に示す姿勢において積層方向における上側を「上」とし、積層方向における下側を「下」として説明する。なお、半導体モジュールの使用状態によっては、上下方向の関係は変動するが、ここでは図１の状態を基準として説明する。
【００１５】
まず、図１に示すように、本実施形態に係る半導体モジュール１は、上側ゲートドライブ回路基板２Ａと、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂと、上側半導体素子３Ａと、下側半導体素子３Ｂと、上側ワイヤ４Ａと、下側ワイヤ４Ｂと、上側放熱板６Ａ,７Ａと、下側放熱板６Ｂ,７Ｂと、接続部品８と、スペーサ９,１１と、樹脂モールド１２と、を備えて構成されている。このような半導体モジュール１が複数個積層されており、半導体モジュール１の上方に制御回路基板Ｃが配置されることによって半導体装置が構成される。
【００１６】
半導体モジュール１は、積層方向における上面１ａ側に上側放熱板６Ａ及び上側放熱板７Ａを有している。上側放熱板６Ａ及び上側放熱板７Ａは、入力側放熱板を構成しており、当該入力側放熱板が同一面（上面１ａ）に配置される構造となる。上側放熱板６Ａと上側放熱板７Ａとは、上面１ａの平面方向に互いに所定距離、離間するように配置される。半導体モジュール１は、積層方向における下面１ｂ側に下側放熱板６Ｂ及び下側放熱板７Ｂを有している。下側放熱板６Ｂ及び下側放熱板７Ｂは、出力側放熱板を構成しており、当該出力側放熱板が同一面（下面１ｂ）に配置される構造となる。下側放熱板６Ｂと下側放熱板７Ｂとは、下面１ｂの平面方向に互いに所定距離、離間するように配置される。
【００１７】
上側放熱板６Ａと下側放熱板７Ｂとは、積層方向に重ね合わせられており、互いに対向する位置に配置されている。上側放熱板６Ａ及び下側放熱板７Ｂは、互いに対向する対向面６Ａａ及び対向面７Ｂａをそれぞれ有している。上側放熱板７Ａと下側放熱板６Ｂとは、積層方向に重ね合わせられており、互いに対向する位置に配置されている。上側放熱板７Ａ及び下側放熱板６Ｂは、互いに対向する対向面７Ａａ及び対向面６Ｂａをそれぞれ有している。また、下側放熱板６Ｂと下側放熱板７Ｂとは、接続部品８によって接続されている。この接続部品８は、下側放熱板６Ｂと下側放熱板７Ｂとの間で水平方向（積層方向と直交する方向）に延びている。
【００１８】
上側放熱板６Ａの対向面６Ａａには、上側半導体素子３Ａが積層されている。上側半導体素子３Ａは、下方の下側放熱板７Ｂと対向する対向面３Ａａを有している。当該対向面３Ａａと下側放熱板７Ｂの対向面７Ｂａとの間にスペーサ９が配置される。下側放熱板６Ｂの対向面６Ｂａには、下側半導体素子３Ｂが積層されている。下側半導体素子３Ｂは、上方の上側放熱板７Ａと対向する対向面３Ｂａを有している。当該対向面３Ｂａと上側放熱板７Ａの対向面７Ａａとの間にスペーサ１１が配置される。
【００１９】
半導体モジュール１の内部（樹脂モールド１２の内部）における中央部付近に、上側ゲートドライブ回路基板２Ａと、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂとが配置されている。上側ゲートドライブ回路基板２Ａ及び下側ゲートドライブ回路基板２Ｂは、水平方向においては、上側放熱板６Ａと上側放熱板７Ａとの間（すなわち下側放熱板６Ｂと下側放熱板７Ｂとの間）に配置され、積層方向においては、上側放熱板６Ａ及び上側放熱板７Ａと下側放熱板６Ｂ及び下側放熱板７Ｂとの間に配置されている。上側ゲートドライブ回路基板２Ａと下側ゲートドライブ回路基板２Ｂは、積層方向に重なり合うように、互いに対向する位置に配置されている。上側ゲートドライブ回路基板２Ａと下側ゲートドライブ回路基板２Ｂとは同形状・同サイズに形成され、積層方向から見たときに、完全に重なり合うことが好ましい。上側ゲートドライブ回路基板２Ａと下側ゲートドライブ回路基板２Ｂは、互いに離間するように配置されている。上側ゲートドライブ回路基板２Ａは、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂと対向する対向面２Ａａを有している。下側ゲートドライブ回路基板２Ｂは、ゲートドライブ回路基板２Ａと対向する対向面２Ｂａを有している。
【００２０】
上側ワイヤ４Ａは、上側ゲートドライブ回路基板２Ａと上側半導体素子３Ａとを接続している。上側ワイヤ４Ａは、上側ゲートドライブ回路基板２Ａの対向面２Ａａに接続されると共に、上側半導体素子３Ａの対向面３Ａａに接続される。対向面２Ａａと対向面３Ａａは同じ方向を向く面であり、いずれも下方を向いている。下側ワイヤ４Ｂは、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂと下側半導体素子３Ｂとを接続している。下側ワイヤ４Ｂは、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂの対向面２Ｂａに接続されると共に、下側半導体素子３Ｂの対向面３Ｂａに接続される。対向面２Ｂａと対向面３Ｂａは同じ方向を向く面であり、いずれも上方を向いている。
【００２１】
樹脂モールド１２は、半導体モジュール１の各部品全体を覆うように形成されている。すなわち、上側ゲートドライブ回路基板２Ａ、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂ、上側半導体素子３Ａ、下側半導体素子３Ｂ、上側ワイヤ４Ａ、下側ワイヤ４Ｂ、上側放熱板６Ａ,７Ａ、下側放熱板６Ｂ,７Ｂ、接続部品８、スペーサ９,１１は、樹脂モールド１２の内部に配置される構成となる。ただし、放熱板６Ａ,７Ａ,６Ｂ,７Ｂの外面は外部に露出している。
【００２２】
次に、図２及び図３を参照して本実施形態の半導体モジュール１の製造方法について説明する。
【００２３】
本実施形態の半導体モジュール１の製造方法では、上側半導体素子３Ａ及び上側ゲートドライブ回路基板２Ａを含む上側アームと、下側半導体素子３Ｂ及び下側ゲートドライブ回路基板２Ｂを含む下側アームとを、それぞれ別々に作成し、後で重ね合わせて樹脂モールドで固定することによって、半導体モジュール１が形成される。
【００２４】
まず、上側アームの製造工程について図２（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図２（ａ）に示すように、上側放熱板６Ａ、ハンダＳ、上側半導体素子３Ａ、ハンダＳ、スペーサ９の順番で下から積層し、一括で実装する工程が実行される。次に、図２（ｂ）に示すように、ハンダ実装した上側放熱板６Ａと、上側放熱板７Ａとを樹脂フレーム２０Ａに取り付ける工程を実行する。更に、樹脂フレーム２０Ａの上面に上側ゲートドライブ回路基板２Ａを接着固定する工程を実行する。次に、図２（ｃ）に示すように、上側半導体素子３Ａと上側ゲートドライブ回路基板２Ａとを上側ワイヤ４Ａを介して電気的に接続する工程が実行される。当該工程では、上側ワイヤ４Ａを、上側半導体素子３Ａの対向面３Ａａ、上側ゲートドライブ回路基板２Ａの対向面２Ａａの順で接続する。
【００２５】
下側アームの製造工程について図２（ｄ）及び図３（ａ）,（ｂ）を用いて説明する。図２（ｄ）に示すように、下側放熱板６Ｂ、ハンダＳ、下側半導体素子３Ｂ、ハンダＳ、スペーサ１１の順番で下から積層し、一括で実装する工程が実行される。また、下側放熱板６Ｂと下側放熱板７Ｂとを接続部品８で接続する。次に、図３（ａ）に示すように、ハンダ実装した下側放熱板６Ｂと、下側放熱板７Ｂとを樹脂フレーム２０Ｂに取り付ける工程が実行される。更に、樹脂フレーム２０Ｂの上面に下側ゲートドライブ回路基板２Ｂを接着固定する工程を実行する。次に、図３（ｂ）に示すように、下側半導体素子３Ｂと下側ゲートドライブ回路基板２Ｂとを下側ワイヤ４Ｂを介して電気的に接続する工程が実行される。当該工程では、下側ワイヤ４Ｂを、下側半導体素子３Ｂの対向面３Ｂａ、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂの対向面２Ｂａの順で接続する。
【００２６】
上側アームと下側アームを重ね合わせる工程について図３（ｃ）を用いて説明し、樹脂モールド１２で固定する工程について図３（ｄ）を用いて説明する。図３（ｃ）に示すように、上側アーム全体を逆さまにし（上側半導体素子３Ａや上側ゲートドライブ回路基板２Ａが下方を向くように）、上側アームの各部品と下側アームの各部品とが対向するように重ね合わせ、ハンダ実装する工程が実行される。下側放熱板７Ｂとスペーサ９との間にはハンダＳが配置され、上側放熱板７Ａとスペーサ１１との間にはハンダＳが配置され、これによってハンダ実装がなされる。次に、図３（ｄ）に示すように、上側アーム及び下側アーム全体を樹脂モールド１２で固定する工程が実行される。以上によって、半導体モジュール１が完成する。
【００２７】
次に、本実施形態に係る半導体モジュール１の作用・効果について説明する。
【００２８】
まず、図４及び図５を参照して、半導体モジュールの比較例について説明する。図４（ａ）に示す比較例に係る半導体装置は、半導体モジュールＰＭを平置きにし、当該半導体モジュールと制御回路基板Ｃとが上下に重なるように配置することで構成されている。このような構造に対し、図４（ｂ）に示す比較例のように、半導体モジュールＰＭを積層構造とすることにより小型化を図っているが、一方、制御回路基板Ｃは半導体モジュールＰＭの小型化に追いついていない。そこで、図５に示す比較例では、ゲートドライブ回路基板を半導体モジュールの内部に配置することによって、制御回路基板Ｃを小型化している。
【００２９】
しかしながら、ゲートドライブ回路基板を半導体モジュールの内部に配置した構成においては、以下のような問題がある。例えば、図５（ａ）に示す比較例に係る半導体モジュール１００は、内部に一枚のゲートドライブ回路基板２を備えており、出力側放熱板２枚を同一面に配置すべく、下側放熱板６Ｂ,７Ｂを出力側放熱板とし、互いに接続部品８で接続している。しかしながら、このような構成にあっては、上側半導体素子３Ａと下側半導体素子３Ｂの位置関係から、上側ワイヤ４Ａはゲートドライブ回路基板２の下面２ｂに接続しなくてはならず、下側ワイヤ４Ｂはゲートドライブ回路基板２の上面２ａに接続しなくてはならない。このようにゲートドライブ回路基板２のワイヤ接合面が互いに逆さになる場合、製造時のワイヤの接続が困難となる。一方、図５（ｂ）に示す比較例に係る半導体モジュール２００は、一方の放熱板の出力側と入力側を逆にすることで、ゲートドライブ回路基板２へのワイヤ接続面を同一としたものである。具体的には、両方のワイヤ接続面を上面２ａで同一とすることができる。しかしながら、このような構成にあっては、出力側放熱板同士を接続する接続部品８が、ゲートドライブ回路基板２と斜め方向に交差するような構造となってしまうという問題がある。また、図５（ａ）及び図５（ｂ）に共通する問題として、ゲートドライブ回路基板２を内蔵することによって、半導体モジュール１００,２００が幅方向に大きくなってしまうことが挙げられる。
【００３０】
一方、本実施形態に係る半導体モジュール１によれば、ゲートドライブ回路基板は、上側ゲートドライブ回路基板２Ａと、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂとに分けられている。更には、上側ゲートドライブ回路基板２Ａと、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂとは、積層方向において重ね合わせられている。前述のように、大きなゲートドライブ回路基板を半導体モジュールに設けた場合は、当該半導体モジュールの幅が大きくなってしまうが、ゲートドライブ回路基板２Ａ，２Ｂを重ね合わせ構造とすることによって、ゲートドライブ回路基板２Ａ，２Ｂが幅方向に占める範囲を小さくすることができる（例えば、図４（ｃ）を参照）ため、半導体モジュール１の小型化を図ることができる。また、上側半導体素子３Ａは、上側ゲートドライブ回路基板２Ａと電気的に接続され、下側半導体素子３Ｂは、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂと電気的に接続されている。すなわち、各半導体素子３Ａ，３Ｂが接続されるゲートドライブ回路基板２Ａ，２Ｂが分けられているため、一方の半導体素子３Ａ及びゲートドライブ回路基板２Ａを、他方の半導体素子３Ｂ及びゲートドライブ回路基板２Ｂとは独立して接続を行うことができ、組み立て易くなる。また、図５（ｂ）のようにゲートドライブ回路基板２のワイヤ接合面を同一面とすることで、接続部品８がゲートドライブ回路基板２と交差してしまうような無理な構成となることも防止できる。以上によって、製造時の組み立て性を向上させると共に、小型化を図ることができる。
【００３１】
また、本実施形態に係る半導体モジュール１では、上側ゲートドライブ回路基板２Ａは、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂと対向する対向面２Ａａを有し、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂは、上側ゲートドライブ回路基板２Ａと対向する対向面２Ｂａを有している。また、上側半導体素子３Ａは、上側ゲートドライブ回路基板２Ａの対向面２Ａａと、上側ワイヤ４Ａを介して接続され、下側半導体素子３Ｂは、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂの対向面２Ｂａと、下側ワイヤ４Ｂを介して接続されている。これにより、半導体素子３Ａ，３Ｂとゲートドライブ回路基板２Ａ，２Ｂとのワイヤ接続時においては、ゲートドライブ回路基板２Ａ，２Ｂの対向面２Ａａ，２Ｂａ側からワイヤ接続を行い、ワイヤ接続の後に各対向面２Ａａ，２Ｂａが対向するように、上側ゲートドライブ回路基板２Ａと下側ゲートドライブ回路基板２Ｂとを重ね合わせることで、半導体モジュール１の組み立てが可能となる。これによって、製造時の組み立て性を向上させることができる。
【００３２】
また、本実施形態に係る半導体モジュール１では、出力側放熱板して機能する下側放熱板６Ｂ，７Ｂは、半導体モジュール１の外面のうち、同一面（ここでは下面１ｂ）側に配置されている。これにより、互いの出力側放熱板を接続する接続部品８がゲートドライブ回路基板と斜め方向に交差することを防止できる。
【００３３】
本実施形態に係る半導体モジュール１の製造方法によれば、ゲートドライブ回路基板は、上側ゲートドライブ回路基板２Ａと、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂとに分けられている。更には、図（ｃ）に示す工程で、上側ゲートドライブ回路基板２Ａと、下側ゲートドライブ回路基板２Ｂとを、積層方向において重ね合わせている。前述のように、大きなゲートドライブ回路基板を半導体モジュールに設けた場合は、当該半導体モジュールの幅が大きくなってしまうが、ゲートドライブ回路基板２Ａ，２Ｂを重ね合わせ構造とすることによって、ゲートドライブ回路基板２Ａ，２Ｂが幅方向に占める範囲を小さくすることができるため、半導体モジュール１の小型化を図ることができる。また、図２（ｃ）に示す工程では、上側半導体素子３Ａ及び上側ゲートドライブ回路基板２Ａを、下側半導体素子３Ｂ及び下側ゲートドライブ回路基板２Ｂとは独立して接続を行うことができ、図３（ｂ）に示す工程では、下側半導体素子３Ｂ及び下側ゲートドライブ回路基板２Ｂを、上側半導体素子３Ａ及び上側ゲートドライブ回路基板２Ａとは独立して接続を行うことができ、組み立て易くなる。以上によって、製造時の組み立て性を向上させると共に、小型化を図ることができる。
【００３４】
本発明は上述の実施形態に限定されない。
【００３５】
例えば、各部品の厚みやサイズや位置関係等は、本発明の趣旨を脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、図１に示すものから上下を逆にしてもよい。また、各ゲートドライブ回路基板が、積層方向から見て完全に一致するように重ね合わせられていなくともよく、半導体モジュールが大きくならない範囲で互いにずれていてもよい。
【符号の説明】
【００３６】
１…半導体モジュール、２Ａ…上側ゲートドライブ回路基板（第１のゲートドライブ回路基板）、２Ａａ…対向面（第１の対向面）、２Ｂ…下側ゲートドライブ回路基板（第２のゲートドライブ回路基板）、２Ｂａ…（第２の対向面）、３Ａ…上側半導体素子（第１の半導体素子）、３Ｂ…下側半導体素子（第２の半導体素子）、４Ａ…上側ワイヤ、４Ｂ…下側ワイヤ、６Ｂ…下側放熱板（出力側放熱板）、７Ｂ…上側放熱板（出力側放熱板）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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