(57)【要約】【課題】滑沢剤の展延状態を正確に測定する。【解決手段】滑沢剤の展延解析装置１は、錠剤を構成する粒子（賦形剤：ラクトース）および滑沢剤が混合されている被測定物２における滑沢剤の展延状態を判定する。滑沢剤の展延解析装置１は、20GHz以上500THz以下の周波数の電磁波を出力する電磁波出力器１２と、電磁波を全反射する全反射面１４ａを有し、全反射面１４ａから生じるエバネッセント波を被測定物２が受ける光学素子１４と、全反射面１４ａにより全反射された電磁波を検出する電磁波検出器１８と、展延判定装置２０とを備える。展延判定装置２０は、所定の周波数領域の部分における、全反射面１４ａの反射率の、混合時間の経過に対する変化に基づき、滑沢剤の展延状態を判定する。なお、粒子の所定の周波数領域における電磁波の吸収率が、粒子の所定の周波数領域以外の周波数領域における電磁波の吸収率と比べて高い。【選択図】図１
2013108764.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
錠剤を構成する粒子および滑沢剤が混合されている被測定物における前記滑沢剤の展延状態を解析する装置であって、
20GHz以上500THz以下の周波数の電磁波を出力する電磁波出力器と、
前記電磁波を全反射する全反射面を有し、該全反射面から生じるエバネッセント波を前記被測定物が受ける光学素子と、
前記全反射面により全反射された前記電磁波を検出する電磁波検出器と、
前記電磁波検出器の検出結果に基づき、前記電磁波の前記全反射面による反射率または該反射率に基づく値を、前記電磁波の周波数と、前記粒子または前記被測定物の製造条件とに対応づけて導出するスペクトル導出部と、
前記スペクトル導出部の導出結果から、前記製造条件に基づく特徴を抽出する特徴抽出部と、
を備えた滑沢剤の展延解析装置。
【請求項２】
請求項１に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記製造条件は、前記粒子および前記滑沢剤が混合される混合時間を含む、
滑沢剤の展延解析装置。
【請求項３】
請求項１に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記製造条件は、前記混合を行う混合装置の回転数を含む、
滑沢剤の展延解析装置。
【請求項４】
請求項１に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記製造条件に基づく特徴は、所定の周波数領域の部分であり、
前記粒子の前記所定の周波数領域における前記電磁波の吸収率が、前記粒子の前記所定の周波数領域以外の周波数領域における前記電磁波の吸収率と比べて変化している、
滑沢剤の展延解析装置。
【請求項５】
請求項１に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記製造条件に基づく特徴は、前記スペクトル導出部の導出結果を主成分分析することにより得られる主成分である、
滑沢剤の展延解析装置。
【請求項６】
請求項１に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記製造条件は、前記粒子および前記滑沢剤が混合される混合時間であり、
前記製造条件に基づく特徴は、所定の周波数領域の部分であり、
前記粒子の前記所定の周波数領域における前記電磁波の吸収率が、前記粒子の前記所定の周波数領域以外の周波数領域における前記電磁波の吸収率と比べて変化しており、
前記特徴抽出部の抽出結果の、前記混合時間の経過に対する変化に基づき、滑沢剤の展延状態を判定する展延判定部を備えた滑沢剤の展延解析装置。
【請求項７】
請求項１に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記反射率に基づく値は、前記電磁波の前記全反射面における吸収率である、
滑沢剤の展延解析装置。
【請求項８】
請求項１に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記反射率に基づく値は、前記反射率を前記電磁波の周波数に基づく値でｎ次微分した値、または前記電磁波の前記全反射面における吸収率を前記電磁波の周波数に基づく値でｎ次微分した値であり、前記ｎは、１以上の整数である、
滑沢剤の展延解析装置。
【請求項９】
請求項１に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記粒子および前記滑沢剤が混合されている混合物から、複数の前記被測定物が取得され、
前記反射率に基づく値は、複数の前記被測定物についての前記反射率の標準偏差、複数の前記被測定物についての前記電磁波の前記全反射面における吸収率の標準偏差、前記反射率を前記電磁波の周波数に基づく値でｎ次微分した値の標準偏差、または、前記吸収率を前記電磁波の周波数に基づく値でｎ次微分した値の標準偏差であり、前記ｎは、１以上の整数である、
滑沢剤の展延解析装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記粒子が賦形剤である、
滑沢剤の展延解析装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記粒子の前記所定の周波数領域における前記電磁波の吸収率が、前記粒子の前記所定の周波数領域以外の周波数領域における前記電磁波の吸収率よりも高い、
滑沢剤の展延解析装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記光学素子は、
前記電磁波出力器から前記電磁波を受ける入射面と、
前記全反射面により全反射された前記電磁波が空気へ出射される出射面と、
を有し、
前記光学素子の屈折率は、前記空気の屈折率よりも高く、
前記光学素子の内部で全反射が生じ、
前記被測定物が前記光学素子の外部に配置され、かつ、前記全反射面に接する、
滑沢剤の展延解析装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記被測定物が前記全反射面に押しつけられている、
滑沢剤の展延解析装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記粒子および前記滑沢剤が混合されている混合物から、前記被測定物を取得する被測定物取得部と、
前記被測定物を前記全反射面に配置する被測定物配置部と、
前記電磁波の検出を終えた前記被測定物を前記全反射面から排出する被測定物排出部と、
を備えた滑沢剤の展延解析装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の滑沢剤の展延解析装置であって、
前記展延判定部による前記展延状態の判定結果に基づき、前記粒子および前記滑沢剤の混合を停止させる、
滑沢剤の展延解析装置。
【請求項１６】
錠剤を構成する粒子および滑沢剤が混合されている被測定物における前記滑沢剤の展延状態を判定する装置であって、20GHz以上500THz以下の周波数の電磁波を出力する電磁波出力器と、前記電磁波を全反射する全反射面を有し、該全反射面から生じるエバネッセント波を前記被測定物が受ける光学素子と、前記全反射面により全反射された前記電磁波を検出する電磁波検出器とを有する滑沢剤の展延解析装置を用いて滑沢剤の展延状態を判定する方法であって、
前記電磁波検出器の検出結果に基づき、前記電磁波の前記全反射面による反射率または該反射率に基づく値を、前記電磁波の周波数と、前記粒子または前記被測定物の製造条件とに対応づけて導出するスペクトル導出工程と、
前記スペクトル導出工程の導出結果から、前記製造条件に基づく特徴を抽出する特徴抽出工程と、
を備えた滑沢剤の展延判定方法。
【請求項１７】
錠剤を構成する粒子および滑沢剤が混合されている被測定物における前記滑沢剤の展延状態を判定する装置であって、20GHz以上500THz以下の周波数の電磁波を出力する電磁波出力器と、前記電磁波を全反射する全反射面を有し、該全反射面から生じるエバネッセント波を前記被測定物が受ける光学素子と、前記全反射面により全反射された前記電磁波を検出する電磁波検出器とを有する滑沢剤の展延解析装置を用いて滑沢剤の展延状態を判定する処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記滑沢剤の展延状態を判定する処理が、
前記電磁波検出器の検出結果に基づき、前記電磁波の前記全反射面による反射率または該反射率に基づく値を、前記電磁波の周波数と、前記粒子または前記被測定物の製造条件とに対応づけて導出するスペクトル導出工程と、
前記スペクトル導出工程の導出結果から、前記製造条件に基づく特徴を抽出する特徴抽出工程と、
を備えたプログラム。
【請求項１８】
錠剤を構成する粒子および滑沢剤が混合されている被測定物における前記滑沢剤の展延状態を判定する装置であって、20GHz以上500THz以下の周波数の電磁波を出力する電磁波出力器と、前記電磁波を全反射する全反射面を有し、該全反射面から生じるエバネッセント波を前記被測定物が受ける光学素子と、前記全反射面により全反射された前記電磁波を検出する電磁波検出器とを有する滑沢剤の展延解析装置を用いて滑沢剤の展延状態を判定する処理をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータによって読み取り可能な記録媒体であって、
前記滑沢剤の展延状態を判定する処理が、
前記電磁波検出器の検出結果に基づき、前記電磁波の前記全反射面による反射率または該反射率に基づく値を、前記電磁波の周波数と、前記粒子または前記被測定物の製造条件とに対応づけて導出するスペクトル導出工程と、
前記スペクトル導出工程の導出結果から、前記製造条件に基づく特徴を抽出する特徴抽出工程と、
を備えた記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、錠剤中の滑沢剤の展延状態の解析に関する。
【背景技術】
【０００２】
医薬品の製造プロセスにおいて、打錠工程におけるスティッキング等の打錠障害を防ぐために、医薬品粒子に滑沢剤を混合することが一般的である。代表的な滑沢剤としてステアリン酸マグネシウムがあり、医薬品粒子の流動性を高める効果がある。滑沢剤の適切な混合により、打錠機の臼杵と錠剤との摩擦が緩和される。
【０００３】
しかし、滑沢剤の混合が不適切であると（すなわち、混合時間が長過ぎると）、混合中に滑沢剤が展延し過ぎ、医薬品粒子全体が滑沢剤の薄い膜で覆われた状態となる。滑沢剤の多くは疎水性を有するため、錠剤の硬度、崩壊性および溶出性に悪影響を及ぼす。そのため滑沢剤混合時間は医薬品品質に関わる重要な工程パラメータといえる。
【０００４】
また、日米EU医薬品規制調和国際会議(ICH)のガイドラインでは、医薬品品質を研究開発段階で十分に設計して作り込むQuality by Design(QbD)が提唱されており、科学的な根拠にもとづく品質保証が求められている。これに適応する技術として、医薬品の重要品質特性(Critical Quality Attribute: CQA)をリアルタイムでモニタリングし、工程中のプロセスを制御する技術であるPAT (Process
Analytical Technology)が重要となっている。
【０００５】
CQAの１つともいえる滑沢剤の展延度は、電子顕微鏡による観察や、接触角および排出力などの解析で評価されている。しかし、これらの解析手法は破壊試験であり、リアルタイム性に乏しいため、PATツールとして利用することは困難である。
【０００６】
そこで、特許文献１（要約を参照）には、滑沢剤成分に特徴的な吸収波長を含む波長領域における吸光度の合計値を測定することにより、滑沢剤の展延状態を評価することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−８４０４号公報
【特許文献２】特開２００８−２９８４６０号公報
【特許文献３】特開２００８−７７７９９号公報
【特許文献４】特開２００６−３２８５号公報
【特許文献５】国際公開第２００６／０８３００１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の技術により測定される吸光度の合計値は、医薬品粒子に付着した滑沢剤の展延を直接的にとらえた情報ではない。このため、滑沢剤の展延を正確に測定することが難しい。
【０００９】
そこで、本発明は、滑沢剤の展延状態を正確に測定することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、錠剤を構成する粒子および滑沢剤が混合されている被測定物における前記滑沢剤の展延状態を解析する装置であって、20GHz以上500THz以下の周波数の電磁波を出力する電磁波出力器と、前記電磁波を全反射する全反射面を有し、該全反射面から生じるエバネッセント波を前記被測定物が受ける光学素子と、前記全反射面により全反射された前記電磁波を検出する電磁波検出器と、前記電磁波検出器の検出結果に基づき、前記電磁波の前記全反射面による反射率または該反射率に基づく値を、前記電磁波の周波数と、前記粒子または前記被測定物の製造条件とに対応づけて導出するスペクトル導出部と、前記スペクトル導出部の導出結果から、前記製造条件に基づく特徴を抽出する特徴抽出部とを備えるように構成される。
【００１１】
上記のように構成された滑沢剤の展延解析装置によれば、錠剤を構成する粒子および滑沢剤が混合されている被測定物における前記滑沢剤の展延状態を解析する装置が提供される。電磁波出力器が、20GHz以上500THz以下の周波数の電磁波を出力する。光学素子が、前記電磁波を全反射する全反射面を有し、該全反射面から生じるエバネッセント波を前記被測定物が受ける。電磁波検出器が、前記全反射面により全反射された前記電磁波を検出する。スペクトル導出部が、前記電磁波検出器の検出結果に基づき、前記電磁波の前記全反射面による反射率または該反射率に基づく値を、前記電磁波の周波数と、前記粒子または前記被測定物の製造条件とに対応づけて導出する。特徴抽出部が、前記スペクトル導出部の導出結果から、前記製造条件に基づく特徴を抽出する。
【００１２】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記製造条件は、前記粒子および前記滑沢剤が混合される混合時間を含むようにしてもよい。
【００１３】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記製造条件は、前記混合を行う混合装置の回転数を含むようにしてもよい。
【００１４】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記製造条件に基づく特徴は、所定の周波数領域の部分であり、前記粒子の前記所定の周波数領域における前記電磁波の吸収率が、前記粒子の前記所定の周波数領域以外の周波数領域における前記電磁波の吸収率と比べて変化しているようにしてもよい。
【００１５】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記製造条件に基づく特徴は、前記スペクトル導出部の導出結果を主成分分析することにより得られる主成分であるようにしてもよい。
【００１６】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記製造条件は、前記粒子および前記滑沢剤が混合される混合時間であり、前記製造条件に基づく特徴は、所定の周波数領域の部分であり、前記粒子の前記所定の周波数領域における前記電磁波の吸収率が、前記粒子の前記所定の周波数領域以外の周波数領域における前記電磁波の吸収率と比べて変化しており、前記特徴抽出部の抽出結果の、前記混合時間の経過に対する変化に基づき、滑沢剤の展延状態を判定する展延判定部を備えるようにしてもよい。
【００１７】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記反射率に基づく値は、前記電磁波の前記全反射面における吸収率であるようにしてもよい。
【００１８】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記反射率に基づく値は、前記反射率を前記電磁波の周波数に基づく値でｎ次微分した値、または前記電磁波の前記全反射面における吸収率を前記電磁波の周波数に基づく値でｎ次微分した値であり、前記ｎは、１以上の整数であるようにしてもよい。
【００１９】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記粒子および前記滑沢剤が混合されている混合物から、複数の前記被測定物が取得され、前記反射率に基づく値は、複数の前記被測定物についての前記反射率の標準偏差、複数の前記被測定物についての前記電磁波の前記全反射面における吸収率の標準偏差、前記反射率を前記電磁波の周波数に基づく値でｎ次微分した値の標準偏差、または、前記吸収率を前記電磁波の周波数に基づく値でｎ次微分した値の標準偏差であり、前記ｎは、１以上の整数であるようにしてもよい。
【００２０】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記粒子が賦形剤であるようにしてもよい。
【００２１】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記粒子の前記所定の周波数領域における前記電磁波の吸収率が、前記粒子の前記所定の周波数領域以外の周波数領域における前記電磁波の吸収率よりも高いようにしてもよい。
【００２２】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記光学素子は、前記電磁波出力器から前記電磁波を受ける入射面と、前記全反射面により全反射された前記電磁波が空気へ出射される出射面と、を有し、前記光学素子の屈折率は、前記空気の屈折率よりも高く、前記光学素子の内部で全反射が生じ、前記被測定物が前記光学素子の外部に配置され、かつ、前記全反射面に接するようにしてもよい。
【００２３】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記被測定物が前記全反射面に押しつけられているようにしてもよい。
【００２４】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記粒子および前記滑沢剤が混合されている混合物から、前記被測定物を取得する被測定物取得部と、前記被測定物を前記全反射面に配置する被測定物配置部と、前記電磁波の検出を終えた前記被測定物を前記全反射面から排出する被測定物排出部とを備えるようにしてもよい。
【００２５】
なお、本発明にかかる滑沢剤の展延解析装置は、前記展延判定部による前記展延状態の判定結果に基づき、前記粒子および前記滑沢剤の混合を停止させるようにしてもよい。
【００２６】
本発明は、錠剤を構成する粒子および滑沢剤が混合されている被測定物における前記滑沢剤の展延状態を判定する装置であって、20GHz以上500THz以下の周波数の電磁波を出力する電磁波出力器と、前記電磁波を全反射する全反射面を有し、該全反射面から生じるエバネッセント波を前記被測定物が受ける光学素子と、前記全反射面により全反射された前記電磁波を検出する電磁波検出器とを有する滑沢剤の展延解析装置を用いて滑沢剤の展延状態を判定する方法であって、前記電磁波検出器の検出結果に基づき、前記電磁波の前記全反射面による反射率または該反射率に基づく値を、前記電磁波の周波数と、前記粒子または前記被測定物の製造条件とに対応づけて導出するスペクトル導出工程と、前記スペクトル導出工程の導出結果から、前記製造条件に基づく特徴を抽出する特徴抽出工程と、を備えた滑沢剤の展延判定方法である。
【００２７】
本発明は、錠剤を構成する粒子および滑沢剤が混合されている被測定物における前記滑沢剤の展延状態を判定する装置であって、20GHz以上500THz以下の周波数の電磁波を出力する電磁波出力器と、前記電磁波を全反射する全反射面を有し、該全反射面から生じるエバネッセント波を前記被測定物が受ける光学素子と、前記全反射面により全反射された前記電磁波を検出する電磁波検出器とを有する滑沢剤の展延解析装置を用いて滑沢剤の展延状態を判定する処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記滑沢剤の展延状態を判定する処理が、前記電磁波検出器の検出結果に基づき、前記電磁波の前記全反射面による反射率または該反射率に基づく値を、前記電磁波の周波数と、前記粒子または前記被測定物の製造条件とに対応づけて導出するスペクトル導出工程と、前記スペクトル導出工程の導出結果から、前記製造条件に基づく特徴を抽出する特徴抽出工程と、を備えたプログラムである。
【００２８】
本発明は、錠剤を構成する粒子および滑沢剤が混合されている被測定物における前記滑沢剤の展延状態を判定する装置であって、20GHz以上500THz以下の周波数の電磁波を出力する電磁波出力器と、前記電磁波を全反射する全反射面を有し、該全反射面から生じるエバネッセント波を前記被測定物が受ける光学素子と、前記全反射面により全反射された前記電磁波を検出する電磁波検出器とを有する滑沢剤の展延解析装置を用いて滑沢剤の展延状態を判定する処理をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータによって読み取り可能な記録媒体であって、前記滑沢剤の展延状態を判定する処理が、前記電磁波検出器の検出結果に基づき、前記電磁波の前記全反射面による反射率または該反射率に基づく値を、前記電磁波の周波数と、前記粒子または前記被測定物の製造条件とに対応づけて導出するスペクトル導出工程と、前記スペクトル導出工程の導出結果から、前記製造条件に基づく特徴を抽出する特徴抽出工程と、を備えた記録媒体である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる展延判定装置２０の構成を示す機能ブロック図である。
【図３】ラクトース（賦形剤）とステアリン酸マグネシウム（滑沢剤）のATRスペクトルを示す。
【図４】混合時間ごとの、テラヘルツ波の全反射面１４ａによる反射率の概念図である。
【図５】第一の実施形態にかかる特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果の概念図である。
【図６】第二の実施形態にかかる、混合時間ごとの、テラヘルツ波の全反射面１４ａによる反射率をテラヘルツ波の周波数で２次微分した値を示す図である。
【図７】第二の実施形態にかかる特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果の概念図である。
【図８】第三の実施形態にかかる、所定の周波数領域における、被測定物２ごとのテラヘルツ波の全反射面１４ａによる反射率をテラヘルツ波の周波数で２次微分した値の範囲を、混合時間ごとに示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。
【００３１】
図１は、本発明の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１の構成を示す図である。滑沢剤の展延解析装置１は、電磁波検出装置１０、展延判定装置２０、粉末混合装置３０を備える。
【００３２】
粉末混合装置３０は、粒子および滑沢剤を混合する装置である。粒子は、錠剤を構成し、例えば賦形剤（ラクトース等）である。ラクトースは、医薬品の賦形剤としてよく用いられる。滑沢剤は、例えば、ステアリン酸マグネシウムである。粉末混合装置３０により混合された粉末は、打錠され、錠剤となる。粉末混合装置３０には、粒子（賦形剤）および滑沢剤が混合されている混合物が収容されている。混合は、ある程度の時間（例えば、３０分または６０分）をかけて行う。粒子（賦形剤）および滑沢剤が混合される時間を、混合時間という。なお、混合物は、重量比において、賦形剤を滑沢剤よりも極めて大量に含むものとする。例えば、混合物は、重量比で98%のラクトースと2%の滑沢剤を含むものとする。ただし、混合物が、主薬や添加物を含んでいてもよい。
【００３３】
電磁波検出装置１０は、被測定物取得部１１、被測定物配置部１３、被測定物排出部１５、電磁波出力器１２、光学素子１４、加圧器１６、電磁波検出器１８を有する。
【００３４】
被測定物取得部１１は、粉末混合装置３０に収容された、粒子（賦形剤）および滑沢剤が混合されている混合物から、被測定物２を取得する。被測定物２も混合物の一部であり、粒子および滑沢剤が混合されているものである。滑沢剤の展延解析装置１は、被測定物２における滑沢剤の展延状態を判定する装置である。
【００３５】
なお、被測定物２の取得は、被測定物取得部１１によらずに、人手によって行われてもよい。また、被測定物２は、混合物から、複数個（例えば、１０個）取得してもよい。被測定物２の取得は、所定の混合時間ごと（例えば、０分、５分、１０分、１５分、３０分、…）に行われる。
【００３６】
なお、混合物を打錠して錠剤としたものを、被測定物２としてもよいが、混合物を粉体のままの状態で被測定物２とすることが望ましい。
【００３７】
被測定物配置部１３は、被測定物取得部１１により取得された被測定物２を全反射面１４ａに配置する。なお、被測定物２の全反射面１４ａへの配置は、人手によって行われてもよい。
【００３８】
被測定物排出部１５は、電磁波検出器１８による電磁波（テラヘルツ波）の検出を終えた被測定物２を、全反射面１４ａから排出する。なお、被測定物２の排出は、人手によって行われてもよい。
【００３９】
電磁波出力器１２は、20GHz以上500THz以下の周波数の電磁波を出力する。なお、電磁波出力器１２の出力する電磁波の周波数は、被測定物２の表面状態の変化を、被測定物２の吸収の変化として測定するために適した0.02THz〜12THzのテラヘルツ領域であることが望ましい。そこで、本実施の形態においては、電磁波出力器１２が出力する電磁波がテラヘルツ波であるものとして説明する。
【００４０】
光学素子１４は、例えばATRプリズムである。ただし、ＡＴＲは、全反射減衰(Attenuated Total Reflection)を意味する。光学素子１４は、全反射面１４ａ、入射面１４ｂ、出射面１４ｃを有する。
【００４１】
入射面１４ｂは、電磁波出力器１２からテラヘルツ波を受ける。光学素子１４の屈折率は、光学素子１４の周囲にある空気の屈折率よりも高く、テラヘルツ波は屈折して全反射面１４ａに向かう。
【００４２】
全反射面１４ａは、入射面１４ｂを通過したテラヘルツ波を全反射する。すなわち、光学素子１４の内部で全反射が生じる。なお、光学素子１４内を伝搬する電磁波（テラヘルツ波）は、全反射面１４ａに対し臨界角以上で入射すると、光学素子１４内部で全反射される。
【００４３】
なお、被測定物２は光学素子１４の外部に配置され、かつ、全反射面１４ａに接している。これにより、全反射面１４ａから生じるエバネッセント波を被測定物２が受けることとなる。また、光学素子１４の屈折率は、被測定物２の屈折率より大きいことが望ましい。
【００４４】
光学素子１４内で電磁波（テラヘルツ波）が全反射されている全反射面１４ａの領域では、その裏面（光学素子１４の外側）にエバネッセント波がしみ出す。エバネッセント波のしみ出し長Dpは、電磁波の波長λ、光学素子１４の屈折率n1、被測定物２の屈折率n2、光学素子１４内の全反射面１４ａへの入射角θを用いて以下の式で表すことができる。
【００４５】
【数１】
2013108764.tif 000003
このエバネッセント波がしみ出した領域に被測定物２を配置すると、被測定物２の特徴的な吸収に関する分光情報が得られる。
【００４６】
ATR分光法ではエバネッセント波のしみ出し長に相当する波長オーダーあるいはそれ以下の領域の被測定物２に関する情報が得られるため、被測定物２の表面のわずかな変化を感度良くセンシング可能である。
【００４７】
出射面１４ｃは、全反射面１４ａにより全反射されたテラヘルツ波が空気へ出射される面である。
【００４８】
加圧器１６は、被測定物２を全反射面１４に押しつけている。これにより、被測定物２は全反射面１４に密着する。
【００４９】
電磁波検出器１８は、全反射面１４ａにより全反射されたテラヘルツ波の強度を検出する。
【００５０】
図２は、本発明の実施形態にかかる展延判定装置２０の構成を示す機能ブロック図である。
【００５１】
展延判定装置２０は、ＡＤ変換器２０ａ、参照スペクトル記録部２０ｂ、混合時間入力部２０ｃ、スペクトル導出部２０ｄ、スペクトル記録部２０ｅ、特徴周波数記録部２０ｆ、特徴スペクトル抽出部２０ｇ、特徴スペクトル記録部２０ｈ、展延判定部２０ｉ、展延記録部２０ｊ、表示器２０ｋを有する。
【００５２】
ＡＤ変換器２０ａは、電磁波検出器１８により検出されたテラヘルツ波の強度（アナログ信号である）を、デジタル信号に変換して出力する。
【００５３】
参照スペクトル記録部２０ｂは、光学素子１４に被測定物２を配置しない状態で測定される全反射減衰量スペクトル（電磁波出力器１２の出力する電磁波の周波数に対応づけられた全反射面１４ａの反射率）を、参照スペクトルとして記録する。
【００５４】
参照スペクトルを利用することで、電磁波出力器１２から出射される電磁波の揺らぎ等を含んだシステムの測定揺らぎを抑えた全反射減衰量スペクトルを得ることができる。
【００５５】
混合時間入力部２０ｃは、被測定物２の取得が行われた混合時間（例えば、０分、５分、１０分、…）を、スペクトル導出部２０ｄに入力するものである。例えば、人手により入力してもよい。
【００５６】
展延判定装置２０のスペクトル導出部２０ｄなどが、下記の各々の実施形態において異なる。
【００５７】
第一の実施形態
スペクトル導出部２０ｄは、電磁波検出器１８の検出結果を、ＡＤ変換器２０ａを介して受ける。スペクトル導出部２０ｄは、電磁波検出器１８の検出結果に基づき、テラヘルツ波の全反射面１４ａによる反射率（または、反射率に基づく値）を、テラヘルツ波の周波数と、混合時間とに対応づけて導出する。なお、被測定物２は複数個取得した場合は、各々の被測定物２について測定された反射率の平均を、スペクトル導出部２０ｄによる導出結果とする。
【００５８】
また、全反射面１４ａによる反射率は、原理的には、（電磁波検出器１８の検出したテラヘルツ波の強度）／（電磁波出力器１２の出力したテラヘルツ波の強度）である。ただし、参照スペクトル記録部２０ｂの記録内容に基づき、反射率を校正することで、電磁波出力器１２から出射される電磁波の揺らぎ等を含んだシステムの測定揺らぎを抑えた全反射減衰量スペクトルを得ることができる。
【００５９】
なお、反射率に基づく値は、例えば、テラヘルツ波の全反射面１４ａにおける吸収率（「１００％−反射率」または「−log10（反射率）」）である。
【００６０】
スペクトル記録部２０ｅは、スペクトル導出部２０ｄの導出結果（スペクトル）を記録する。スペクトル記録部２０ｅの記録内容の一例は、図４を参照されたい。
【００６１】
図３は、ラクトース（賦形剤）とステアリン酸マグネシウム（滑沢剤）のATRスペクトルを示す。図３を参照して、およそ0.3THz〜2THzのテラヘルツ波の全反射面１４ａによる反射率（ATR(%)）を測定した結果、ラクトースには測定した周波数領域に特徴的な吸収が現れ（0.53THzおよび1.37THzにおいておおむね93%）、ステアリン酸マグネシウムには特徴的な吸収が見られないことがわかる。
【００６２】
全反射面１４ａ上にしみ出すエバネッセント波の強さは、全反射面１４ａ上が最も強く、全反射面１４ａから離れるにしたがって指数関数的に減衰することが知られている。また、全反射面１４ａ上にある被測定物２の屈折率が高いとしみ出し長が長くなることも知られている。
【００６３】
よって、充分な混合時間をかけて混合された混合物から取得された被測定物２においては、滑沢剤の展延により、被測定物２の表面の浅い部分（エバネッセント波がかかる部分）における空気層の分布が少なくなり、ラクトースが多く分布する。よって、ラクトースにより、0.53THzおよび1.37THzの近傍において、エバネッセント波が吸収されやすくなる。よって、テラヘルツ波の全反射面１４ａによる反射率は低い。
【００６４】
すなわち、滑沢剤の展延により、個々のラクトース粒子が被膜された状態となり、粒子の流動性が増したことで、全反射面１４ａ直上ではラクトース粒子が滑らかに密着し、空気層の分布が少なくなったものである。また、滑沢剤が展延したラクトース粒子が滑らかに密着することで、エバネッセント波の強い領域にラクトースがかかる割合が高くなり、吸収率の平均値が高くなる。さらに、空気層が、薄い滑沢剤の被膜とラクトースの層に置き換わったため、エバネッセント波のしみ出し長が長くなり、吸収がさらに強められている。
【００６５】
一方、充分ではない混合時間をかけて混合された混合物から取得された被測定物２においては、滑沢剤が充分には展延せず、被測定物２の表面の浅い部分（エバネッセント波がかかる部分）における空気層の分布が多くなる。よって、0.53THzおよび1.37THzの近傍においても、テラヘルツ波が反射されやすくなる。よって、テラヘルツ波の全反射面１４ａによる反射率は高い。
【００６６】
図４は、混合時間ごとの、テラヘルツ波の全反射面１４ａによる反射率の概念図である。なお、図４は概念図なので、図示されている反射率はおおまかな値であり、おおよその傾向を示すに過ぎないものである。
【００６７】
混合時間が０分であれば、被測定物２の表面の浅い部分には空気層が多く分布し、テラヘルツ波が全反射される（反射率１００％）。
【００６８】
混合時間が１０分であれば、被測定物２の表面の浅い部分には、ラクトースがやや多く分布し、ラクトースにより、0.53THzおよび1.37THzの近傍において、エバネッセント波が吸収されやすくなる。よって、0.53THzおよび1.37THzの近傍において、テラヘルツ波の反射率が低くなる。被測定物２の表面の浅い部分には、空気層も分布しているので、93%までは低くならない。
【００６９】
混合時間が３０分であれば、被測定物２の表面の浅い部分には、ラクトースが多く分布し、ラクトースにより、0.53THzおよび1.37THzの近傍において、エバネッセント波が吸収されやすくなる。よって、0.53THzおよび1.37THzの近傍において、テラヘルツ波の反射率が低くなる。被測定物２の表面の浅い部分には、ほとんど空気層が分布しないので、93%程度まで低くなる。
【００７０】
特徴周波数記録部２０ｆは、所定の周波数領域を記録する。ただし、粒子（賦形剤：ラクトース）の所定の周波数領域におけるテラヘルツ波の吸収率が、粒子の所定の周波数領域以外の周波数領域におけるテラヘルツ波の吸収率と比べて変化している（例えば、高くなっている）。
【００７１】
粒子としてラクトースを用いる場合、所定の周波数領域は、図３を参照して、0.53THzおよび1.37THzの一方または双方の近傍である。ここでは、0.53THzの近傍を、所定の周波数領域とする。
【００７２】
特徴スペクトル抽出部２０ｇは、スペクトル導出部２０ｄの導出結果から、所定の周波数領域の部分を抽出する。なお、特徴スペクトル抽出部２０ｇは、所定の周波数領域を、特徴周波数記録部２０ｆから読み出す。特徴スペクトル記録部２０ｈは、特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果を記録する。
【００７３】
図５は、第一の実施形態にかかる特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果の概念図である。なお、図５は概念図なので、図示されている反射率はおおまかな値であり、おおよその傾向を示すに過ぎないものである。
【００７４】
混合時間が０分の場合は、0.53THzの近傍のテラヘルツ波の反射率が１００％であるが、混合時間５分、１０分、１５分と経過していくにつれて、反射率が小さくなり、混合時間が３０分以降は、反射率９３％で一定となる。
【００７５】
展延判定部２０ｉは、特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果の、混合時間の経過に対する変化に基づき、滑沢剤の展延状態を判定する。
【００７６】
第一の実施形態においては、特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果が、混合時間の経過に対して、一定の値に、または所定の範囲内での変動を見せた場合に、滑沢剤が充分に展延したものと判定する。図５の例では、混合時間＝３０分の時点で、滑沢剤が充分に展延したものと判定する。混合時間が３０分未満の場合は、滑沢剤が充分に展延していないものと判定する。
【００７７】
展延判定部２０ｉによる展延状態の判定結果が、滑沢剤が充分に展延したという場合、展延判定部２０ｉは粉末混合装置３０を制御し、粒子および滑沢剤の混合を停止させる。
【００７８】
展延記録部２０ｊは、展延判定部２０ｉの判定結果を記録する。なお、展延記録部２０ｊの記録内容は、滑沢剤が充分に展延したという判定であれば「混合の停止」、滑沢剤が充分に展延していないという判定であれば「混合の継続」といったものでもよい。
【００７９】
表示器２０ｋは、スペクトル記録部２０ｅ、特徴スペクトル記録部２０ｈおよび展延記録部２０ｊの記録内容を表示する。
【００８０】
次に、第一の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１の動作を説明する。
【００８１】
まず、被測定物取得部１１により、粉末混合装置３０に収容されている混合物から、所定の混合時間ごとに（例えば、０分、５分、１０分、１５分、３０分、…）、複数個の被測定物２を取得する。
【００８２】
取得された被測定物２は、一個ずつ、被測定物配置部１３により、全反射面１４ａに配置していく。全反射面１４ａに配置された被測定物２は、加圧器１６により、全反射面１４ａに押し付けられる。
【００８３】
電磁波出力器１２から出力されたテラヘルツ波は、入射面１４ｂから光学素子（ATRプリズム）１４に入射され、光学素子１４内を伝搬し、全反射面１４ａに向かう。テラヘルツ波は、全反射面１４ａにより全反射されるが、その際、全反射面１４ａからエバネッセント波がしみ出す。エバネッセント波を、被測定物２の表面の浅い部分が受ける。
【００８４】
被測定物２の表面の浅い部分のラクトース（賦形剤）が、周波数0.53THzおよび1.37THzの成分を吸収する一方で、空気はテラヘルツ波を反射する。
【００８５】
全反射面１４ａにより全反射されたテラヘルツ波は、出射面１４ｃから空気へ出射され、電磁波検出器１８により強度が検出される。
【００８６】
検出された強度は、ＡＤ変換器２０ａにより、デジタル信号に変換されて、スペクトル導出部２０ｄに与えられる。テラヘルツ波の強度を検出し終えれば、被測定物２を、被測定物排出部１５により、全反射面１４ａから排出する。そして、次の被測定物２を全反射面１４ａに配置し、全反射面１４ａに押し付け、全反射面１４ａから排出するという工程を、全ての被測定物２について繰り返す。
【００８７】
スペクトル導出部２０ｄは、電磁波検出器１８により検出された強度に基づき、テラヘルツ波の周波数に対応づけた全反射面１４ａの反射率を導出する（図４参照）。
【００８８】
また、スペクトル導出部２０ｄは、混合時間入力部２０ｃから混合時間を取得する。これにより、全反射面１４ａの反射率を、混合時間に対応づけることができる（図４参照）。
【００８９】
さらに、スペクトル導出部２０ｄは、参照スペクトル記録部２０ｂから、光学素子１４に被測定物２を配置しないときの全反射面１４ａの反射率を取得する。これにより、全反射面１４ａの反射率を校正することができる。
【００９０】
なお、スペクトル導出部２０ｄは、各々の被測定物２について測定された全反射面１４ａの反射率の平均を、スペクトル導出部２０ｄによる導出結果として出力する。
【００９１】
スペクトル導出部２０ｄの導出結果（図４参照）は、スペクトル記録部２０ｅに記録され、かつ、特徴スペクトル抽出部２０ｇに与えられる。特徴スペクトル抽出部２０ｇは、スペクトル導出部２０ｄの導出結果（図４参照）から、所定の周波数領域（例えば、0.53THzの近傍）の部分を抽出する（図５参照）。なお、特徴スペクトル抽出部２０ｇは、所定の周波数領域を、特徴周波数記録部２０ｆから読み出す。特徴スペクトル記録部２０ｈは、特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果を記録する。
【００９２】
展延判定部２０ｉは、特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果の、混合時間の経過に対する変化に基づき、滑沢剤の展延状態を判定する。例えば、図５を参照し、反射率９３％で一定となる混合時間＝３０分で、滑沢剤が充分に展延していると判定する。展延記録部２０ｊは、展延判定部２０ｉの判定結果を記録する。
【００９３】
表示器２０ｋは、スペクトル記録部２０ｅ、特徴スペクトル記録部２０ｈおよび展延記録部２０ｊの記録内容を表示する。
【００９４】
また、展延判定部２０ｉによる展延状態の判定結果が、滑沢剤が充分に展延したという場合、展延判定部２０ｉは粉末混合装置３０を制御し、粒子および滑沢剤の混合を停止させる。
【００９５】
また、被測定物２を破壊検査手法（錠剤硬度検査、かさ密度検査、排出力検査および接触角検査など）によって測定したデータにより、展延判定部２０ｉの判定の校正を行ってもよい。
【００９６】
第一の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１によれば、被測定物２における滑沢剤の展延状態に応じて変化する、所定の周波数領域（ラクトースの吸収率が高い領域（例えば、0.53THzの近傍））における全反射面１４ａの反射率（ATRスペクトル）を、特徴スペクトル抽出部２０ｇにより抽出するので、滑沢剤の展延状態の正確に測定することができる。
【００９７】
第二の実施形態
第二の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１は、スペクトル導出部２０ｄが、全反射面１４ａによる反射率（または吸収率）をテラヘルツ波の周波数で２次微分した値を導出する点が、第一の実施形態と異なる。
【００９８】
第二の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１における電磁波検出装置１０および粉末混合装置３０は、上記と同様であり説明を省略する。
【００９９】
第二の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１における展延判定装置２０のうち、ＡＤ変換器２０ａ、参照スペクトル記録部２０ｂおよび混合時間入力部２０ｃは、上記と同様であり説明を省略する。
【０１００】
スペクトル導出部２０ｄは、電磁波検出器１８の検出結果を、ＡＤ変換器２０ａを介して受ける。スペクトル導出部２０ｄは、電磁波検出器１８の検出結果に基づき、テラヘルツ波の全反射面１４ａによる反射率に基づく値を、テラヘルツ波の周波数と、混合時間とに対応づけて導出する。なお、被測定物２は複数個取得した場合は、各々の被測定物２について測定された反射率に基づく値の平均を、スペクトル導出部２０ｄによる導出結果とする。
【０１０１】
なお、反射率に基づく値は、反射率をテラヘルツ波の周波数で２次微分した値、または吸収率をテラヘルツ波の周波数で２次微分した値である。
【０１０２】
図６は、第二の実施形態にかかる、混合時間ごとの、テラヘルツ波の全反射面１４ａによる反射率をテラヘルツ波の周波数で２次微分した値を示す図である。なお、図６中の（ａ）は、２次微分値の極値（ただし、混合時間が３０分または６０分）、図６中の（ｂ）は、２次微分値の極値（ただし、混合時間が１０分）、図６中の（ｃ）は、２次微分値の極値（ただし、混合時間が２分）、図６中の（ｄ）は、２次微分値の極値（ただし、混合時間が５分）を示す。ただし、混合時間が３０分の場合と、６０分の場合とでは、0.53THzの近傍において、２次微分値はほとんど差異が無い。
【０１０３】
図６を参照して、ラクトースの特徴的な吸収周波数(0.53THz)の近傍（所定の周波数領域）では、混合時間が５分、１０分と経過していくにつれて、２次微分値が高くなり、３０分以降はほぼ一定となることがわかる。なお、２次微分値が正の値をとるということは、反射率を縦軸にとり、周波数を横軸にとって、反射率を図示したグラフが下に凸（谷）であることを意味する。２次微分値が正の値をとり、かつ増大するということは、反射率を図示したグラフの下に凸（谷）の部分がより深くなった（ラクトースの吸収が強くなった）ことを意味する。
【０１０４】
スペクトル記録部２０ｅは、スペクトル導出部２０ｄの導出結果（スペクトル）を記録する。スペクトル記録部２０ｅの記録内容の一例は、図６を参照されたい。
【０１０５】
特徴周波数記録部２０ｆは、第一の実施形態と同様であり、所定の周波数領域（例えば、0.53THzの近傍）を記録する。
【０１０６】
特徴スペクトル抽出部２０ｇは、スペクトル導出部２０ｄの導出結果から、所定の周波数領域の部分を抽出する。なお、特徴スペクトル抽出部２０ｇは、所定の周波数領域を、特徴周波数記録部２０ｆから読み出す。特徴スペクトル記録部２０ｈは、特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果を記録する。
【０１０７】
図７は、第二の実施形態にかかる特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果の概念図である。なお、図７は概念図なので、図示されている２次微分値はおおまかな値であり、おおよその傾向を示すに過ぎないものである。
【０１０８】
混合時間５分、１０分と経過していくにつれて、２次微分値が大きくなり、混合時間が３０分以降は、２次微分値が６０程度で一定となる。
【０１０９】
展延判定部２０ｉは、特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果の、混合時間の経過に対する変化に基づき、滑沢剤の展延状態を判定する。
【０１１０】
第二の実施形態においては、特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果が、混合時間の経過に対して、一定の値に、または所定の範囲内での変動を見せた場合に、滑沢剤が充分に展延したものと判定する。図７の例では、混合時間＝３０分の時点で、滑沢剤が充分に展延したものと判定する。混合時間が３０分未満の場合は、滑沢剤が充分に展延していないものと判定する。
【０１１１】
展延記録部２０ｊおよび表示器２０ｋは、第一の実施形態と同様であり説明を省略する。
【０１１２】
第二の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１の動作は、第一の実施形態と同様であり説明を省略する。ただし、スペクトル導出部２０ｄの導出結果は、反射率（または吸収率）をテラヘルツ波の周波数で２次微分した値であり（図６参照）、特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果は図７を参照されたい。
【０１１３】
第二の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１によれば、第一の実施形態と同様の効果を奏する。なお、第二の実施形態においては、「２次微分」と記載したが、１次微分でもよく、ｎ次微分（ｎは１以上の整数）であればよい。また、テラヘルツ波の周波数で２次微分等すると説明したが、テラヘルツ波の周波数に限らず、テラヘルツ波の波長または波数で２次微分等してもよい。すなわち、テラヘルツ波の周波数に基づく値で１次以上の微分を行えばよい。
【０１１４】
第三の実施形態
第三の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１は、スペクトル導出部２０ｄが、（１）全反射面１４ａによる反射率、（２）全反射面１４ａによる吸収率、（３）全反射面１４ａによる反射率または吸収率をテラヘルツ波の周波数で２次微分した値、のいずれかの標準偏差を導出する点が、第一の実施形態と異なる。なお、第三の実施形態においては、「２次微分」と記載したが、１次微分でもよく、ｎ次微分（ｎは１以上の整数）であればよい。また、テラヘルツ波の周波数で２次微分等すると説明したが、テラヘルツ波の周波数に限らず、テラヘルツ波の波長または波数で２次微分等してもよい。すなわち、テラヘルツ波の周波数に基づく値で１次以上の微分を行えばよい。
【０１１５】
第三の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１における電磁波検出装置１０および粉末混合装置３０は、上記と同様であり説明を省略する。
【０１１６】
第三の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１における展延判定装置２０のうち、ＡＤ変換器２０ａ、参照スペクトル記録部２０ｂおよび混合時間入力部２０ｃは、上記と同様であり説明を省略する。
【０１１７】
スペクトル導出部２０ｄは、電磁波検出器１８の検出結果を、ＡＤ変換器２０ａを介して受ける。スペクトル導出部２０ｄは、電磁波検出器１８の検出結果に基づき、テラヘルツ波の全反射面１４ａによる反射率に基づく値を、テラヘルツ波の周波数と、混合時間とに対応づけて導出する。
【０１１８】
ただし、被測定物２は複数個取得されるものとする。また、反射率に基づく値は、各々の被測定物２について測定された（１）全反射面１４ａによる反射率、（２）全反射面１４ａによる吸収率、（３）全反射面１４ａによる反射率または吸収率をテラヘルツ波の周波数で２次微分した値、のいずれかの標準偏差である。
【０１１９】
スペクトル記録部２０ｅは、スペクトル導出部２０ｄの導出結果（スペクトル）を記録する。
【０１２０】
特徴周波数記録部２０ｆは、第一の実施形態と同様であり、所定の周波数領域（例えば、0.53THzの近傍）を記録する。
【０１２１】
特徴スペクトル抽出部２０ｇは、スペクトル導出部２０ｄの導出結果から、所定の周波数領域の部分を抽出する。なお、特徴スペクトル抽出部２０ｇは、所定の周波数領域を、特徴周波数記録部２０ｆから読み出す。特徴スペクトル記録部２０ｈは、特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果を記録する。
【０１２２】
図８は、第三の実施形態にかかる、所定の周波数領域における、被測定物２ごとのテラヘルツ波の全反射面１４ａによる反射率をテラヘルツ波の周波数で２次微分した値の範囲を、混合時間ごとに示す図である。なお、図８においては、２次微分値の範囲の中央に○印を打ってある。また、所定の周波数領域は、0.53THzの近傍としている。
【０１２３】
混合時間０分、２分、５分、１０分と経過していくにつれて、２次微分値の範囲が狭くなっていき、混合時間が３０分以降は、２次微分値の範囲がほぼ一定となる。これは、（１）混合時間が短いうちは、ラクトース粒子表面への滑沢剤の付着状態にばらつきが大きいので、２次微分値の範囲が広くなる、（２）混合時間が長くなると、滑沢剤が充分に展延し、ラクトース粒子表面への滑沢剤の付着状態のばらつきが小さくなるので、２次微分値の範囲が狭くなる、といったことを意味する。ばらつきの大小を、２次微分値の標準偏差の大小として取得する。混合時間が３０分以降は、２次微分値の標準偏差も小さく、ほぼ一定となる。
【０１２４】
展延判定部２０ｉは、特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果の、混合時間の経過に対する変化に基づき、滑沢剤の展延状態を判定する。
【０１２５】
第三の実施形態においては、特徴スペクトル抽出部２０ｇの抽出結果が、混合時間の経過に対して、一定の値に、または所定の範囲内での変動を見せた場合に、滑沢剤が充分に展延したものと判定する。図８の例では、混合時間＝３０分の時点で、滑沢剤が充分に展延したものと判定する。混合時間が３０分未満の場合は、滑沢剤が充分に展延していないものと判定する。
【０１２６】
展延記録部２０ｊおよび表示器２０ｋは、第一の実施形態と同様であり説明を省略する。
【０１２７】
第三の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１の動作は、第一の実施形態と同様であり説明を省略する。ただし、スペクトル導出部２０ｄの導出結果は、反射率（または吸収率）の標準偏差、または、反射率（または吸収率）をテラヘルツ波の周波数で２次微分した値の標準偏差である。
【０１２８】
第三の実施形態にかかる滑沢剤の展延解析装置１によれば、第一の実施形態と同様の効果を奏する。
【０１２９】
なお、これまで、混合時間入力部２０ｃにより、混合時間を入力するとして説明をしてきた。しかし、混合時間入力部２０ｃにより、粉末混合装置３０の回転数（粒子や滑沢剤を混合する容器を単位時間あたり回転させる回数）を入力するようにしてもよい。混合時間入力部２０ｃにより、混合時間および粉末混合装置３０の回転数を入力するようにしてもよい。すなわち、粒子または被測定物の製造条件を入力すればよい。
【０１３０】
また、特徴スペクトル抽出部２０ｇにかえて、スペクトル導出部２０ｄの導出結果を主成分分析することにより主成分を得るようにしてもよい。
【０１３１】
また、上記の実施形態は、以下のようにして実現できる。ＣＰＵ、ハードディスク、メディア（フロッピー（登録商標）ディスク、ＣＤ−ＲＯＭなど）読み取り装置を備えたコンピュータに、上記の各部分、例えば展延判定装置２０を実現するプログラムを記録したメディアを読み取らせて、ハードディスクにインストールする。このような方法でも、上記の機能を実現できる。
【符号の説明】
【０１３２】
１  滑沢剤の展延解析装置
２  被測定物
１０  電磁波検出装置
１１  被測定物取得部
１３  被測定物配置部
１５  被測定物排出部
１２  電磁波出力器
１４  光学素子
１４ａ  全反射面
１４ｂ  入射面
１４ｃ  出射面
１６  加圧器
１８  電磁波検出器
２０  展延判定装置
２０ａ  ＡＤ変換器
２０ｂ  参照スペクトル記録部
２０ｃ  混合時間入力部
２０ｄ  スペクトル導出部
２０ｅ  スペクトル記録部
２０ｆ  特徴周波数記録部
２０ｇ  特徴スペクトル抽出部
２０ｈ  特徴スペクトル記録部
２０ｉ  展延判定部
２０ｊ  展延記録部
２０ｋ  表示器
３０  粉末混合装置
【図１】
2013108764.tif 000004
【図２】
2013108764.tif 000005
【図３】
2013108764.tif 000006
【図４】
2013108764.tif 000007
【図５】
2013108764.tif 000008
【図６】
2013108764.tif 000009
【図７】
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【図８】
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