(57)【要約】      （修正有）【課題】平板状磁性体粒子が樹脂中にて良好に配向し、よって複素透磁率の実部μｒ’が高くなる複合磁性体とその製造方法及びアンテナ並びに通信装置を提供する。【解決手段】主鎖に環状構造を有しかつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂と、平板状磁性体粒子とを含む複合磁性体、その製造方法、この磁性体を備えてなるアンテナ、である。好ましい樹脂は、エポキシ樹脂であり、更にジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
主鎖に環状構造を有しかつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂と、平板状磁性体粒子とを含むことを特徴とする複合磁性体。
【請求項２】
前記樹脂は熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１記載の複合磁性体。
【請求項３】
前記樹脂はエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１または２記載の複合磁性体。
【請求項４】
前記エポキシ樹脂はジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項３記載の複合磁性体。
【請求項５】
前記平板状磁性体粒子の前記樹脂中における配向方向と該平板状磁性体粒子の長軸方向とのなす角度が２０°以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載の複合磁性体。
【請求項６】
複素透磁率の実部μｒ’が７以上であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の複合磁性体。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項記載の複合磁性体の製造方法であって、
主鎖に環状構造を有しかつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂と、平板状磁性体粒子とを混合し混合物を得る工程を有することを特徴とする複合磁性体の製造方法。
【請求項８】
前記混合物を得る工程の後に、前記混合物を所定の形状に成形する成形工程と、得られた成形体に磁場を印加して該成形体中の前記平板状磁性体粒子を一方向に配向させる配向工程と、前記成形体を乾燥・硬化させる乾燥・硬化工程とを有することを特徴とする請求項７記載の複合磁性体の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし６のいずれか１項記載の複合磁性体を備えてなることを特徴とするアンテナ。
【請求項１０】
請求項９記載のアンテナを備えてなることを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合磁性体とその製造方法及びアンテナ並びに通信装置に関し、特に詳しくは、高周波回路基板、高周波電子部品、磁性シート、電磁波遮蔽シート、樹脂結合磁石、磁気記録媒体、アンテナ等に好適に用いられ、磁性を有する平板状粒子を高分子材料中に良好に配向させることにより高い複素透磁率の実部μｒ’を得ることが可能な複合磁性体とその製造方法、及び、この複合磁性体を備えたアンテナ、並びに、このアンテナを備えた携帯用電話機、携帯情報端末等の通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁性材料は、電磁波に対する特性や生産性、使い勝手の良さ等から、有機高分子材料等のような絶縁材料中に混合・分散させた複合磁性体として使用されることが知られている。
この磁性材料は、電子機器に搭載される電子部品、磁性シート、電磁干渉抑制シート、モーター、トランス等の電気製品、ビデオテープやフロッピー（登録商標）ディスク等の磁気記録媒体に用いられている。
【０００３】
近年、情報通信機器の高速化、高密度化に伴い、電子機器に搭載される電子部品や回路基板やアンテナ、特に、携帯情報機器用のアンテナ等の小型化及び低消費電力化が強く求められている。
一般に、物質内を伝播する電磁波の波長λｇは、真空中を伝播する電磁波の波長λｏと物質の複素誘電率の実部εｒ’（以下εｒ’と略記する場合がある）及び複素透磁率の実部μｒ’（以下、μｒ’と略記する場合がある）を用いて、
λｇ＝λｏ／（εｒ’・μｒ’）１／２……（１）
と表すことができる。この式（１）によれば、εｒ’及びμｒ’が大きいほど波長λｇの短縮率が大きくなる。したがって、電子部品や回路基板やアンテナ等を構成する磁性材料のεｒ’及びμｒ’を大きくすることで、波長λｇの短縮率が大きくなり、よって、電子部品や回路基板やアンテナ等の小型化が可能になる。
【０００４】
波長の短縮率を大きくした材料としては、電子部品や回路基板を構成する絶縁材料中に磁性体粒子を混合・分散させた複合磁性体が提案されている（特許文献１）。この複合磁性体では、μｒ’を大きくすることで、波長の短縮率を大きくしている。
【０００５】
ところで、複合磁性体に球状の磁性体粒子を用いた場合、磁性体粒子個々における反磁界係数が大きくなることから、複合磁性体のμｒ’を大きくすることが難しいという問題点が生じることが一般に知られている。
そこで、このような用途に用いられる磁性体粒子としては、厚み１０μｍ以下の平板状磁性体粒子が望まれており、扁平状、鱗片状、フレーク状等のアスペクト比（長径／厚み）が大きい様々な形状の磁性体粒子が提案されている（例えば、特許文献２、３等参照）。
【０００６】
このような平板状磁性体粒子では、最も反磁界係数の低い平面方向、即ち長軸方向で高いμｒ’が得られる。そこで、平板状磁性体粒子を絶縁材料中に混合・分散させた複合磁性体が、反磁界係数の効果を有効に利用して高いμｒ’を得るためには、平板状磁性体粒子が絶縁材料中にて一方向に配向している必要がある。
平板状磁性体粒子を配向させる方法としては、基体上に形成された平板状磁性微粒子を含む塗膜を磁石の磁極間を通過させる方法（特許文献４）や、永久磁石を内蔵する成形金型を用いる方法（特許文献５）が提案されている。
これらの方法では、絶縁材料として樹脂が用いられており、この樹脂が熱硬化前あるいは加熱溶融で流動性がある状態で磁場を印加することにより、平板状磁性体粒子を配向させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−０８７６２７号公報
【特許文献２】特開昭６３−３５７０１号公報
【特許文献３】特開平１−１８８６０６号公報
【特許文献４】特開昭５７−１２７９３１号公報
【特許文献５】特開２０００−１４１３９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、従来の特許文献４や特許文献５に記載された平板状磁性体粒子を配向させる方法では、樹脂が熱硬化前あるいは加熱溶融で流動性がある状態で磁場を印加して平板状磁性体粒子を配向させても、得られる複合磁性体のμｒ’が小さいという問題点があった。
【０００９】
また、個々の軟磁性の平板状磁性体粒子自体のμｒ’は、保磁力の大きな硬磁性の平板状磁性体粒子より高いにも関わらず、従来の磁場印加方法では保磁力が小さい軟磁性の平板状磁性体粒子は配向性が悪く、複合磁性体全体として得られるμｒ’が小さいという問題点があった。特に、１００μｍ以上の厚みを有する複合磁性体を製造する場合には、良好なμｒ’が得られないという問題点があった。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、平板状磁性体粒子が樹脂中にて良好に配向することにより、複素透磁率の実部μｒ’が高くなる複合磁性体とその製造方法及びアンテナ並びに通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、以下の知見を得た。
従来のビスフェノール型エポキシ樹脂と平板状磁性体粒子とを混合すると、得られた混合物は、エポキシ樹脂の官能基が平板状磁性体粒子の表面に吸着し、高分子鎖が磁性体粒子の周囲を取り囲み、長く絡み合った状態となる。このような高分子鎖が長く絡み合った状態の混合物は、高分子鎖が立体障害となって平板状磁性体粒子の配向が阻害されることがある。
そこで、平板状磁性体粒子の流動性を良くするために、混合物中の溶媒の量を増加させてマクロ的に低粘度にしても、やはり高分子鎖の立体障害の影響が大きく、平板状磁性体粒子の配向が阻害されることとなる。
一方、高分子鎖の立体障害の影響を小さくするために高分子鎖を短くすると、高分子鎖同士の縮合あるいは結合反応が不十分となり、その結果、得られた複合磁性体としての機械的強度が低下し、場合によっては形状を維持することができなくなる虞があり、電子部品や回路基板等に用いることができない。
【００１２】
そこで、高分子鎖の立体障害の影響を小さくするために、平面的で平板状磁性体粒子に絡み難い環状構造を主鎖に有する樹脂を用いることで、平板状磁性体粒子の磁場印加による配向が向上することを見出した。さらに、重合する官能基が末端にのみ存在するのではなく、モノマー単位で重合する官能基を有する樹脂を用いることで、高分子鎖が短くても多くの結合を形成することにより、得られた複合磁性体の機械的強度が向上し、形状の維持も容易であることを見出した。
さらに、上記樹脂と平板状磁性体粒子を混合させた混合物を成形して磁場を印加させる場合には、成形体の表面に対して磁力線が略平行になるように、磁場を１回若しくは複数回印加させることにより、複合磁性体の複素透磁率の実部μｒ’が向上することを見出した。
このような知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【００１３】
すなわち、本発明の複合磁性体は、主鎖に環状構造を有しかつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂と、平板状磁性体粒子とを含むことを特徴とする。
【００１４】
この複合磁性体では、前記樹脂は熱硬化性樹脂であることが好ましい。
前記樹脂はエポキシ樹脂であることが好ましい。
前記エポキシ樹脂はジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂であることが好ましい。
前記平板状磁性体粒子の前記樹脂中における配向方向と該平板状磁性体粒子の長軸方向とのなす角度は、２０°以下であることが好ましい。
複素透磁率の実部μｒ’は７以上であることが好ましい。
【００１５】
本発明の複合磁性体の製造方法は、主鎖に環状構造を有しかつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂と、平板状磁性体粒子とを混合し混合物を得る工程を有することを特徴とする。
【００１６】
前記混合物を得る工程の後に、前記混合物を所定の形状に成形する成形工程と、得られた成形体に磁場を印加して該成形体中の前記平板状磁性体粒子を一方向に配向させる配向工程と、前記成形体を乾燥・硬化させる乾燥・硬化工程とを有することが好ましい。
【００１７】
本発明のアンテナは、本発明の複合磁性体を備えてなることを特徴とする。
【００１８】
本発明の通信装置は、本発明のアンテナを備えてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の複合磁性体によれば、主鎖に環状構造を有しかつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂と、平板状磁性体粒子とを含んでいるので、この樹脂が平面的で平板状磁性体粒子に絡み難い構造を有することから、平板状磁性体粒子に対する樹脂による立体障害の影響を小さくすることができる。したがって、平板状磁性体粒子の配向が良好であり、複素透磁率の実部μｒ’の高い複合磁性体が得られる。
さらに、モノマー単位で重合する官能基を有する樹脂を用いているので、樹脂の結合が強固なものとなり、電子部品等に用いるのに十分な成形体としての機械的強度を有することができる。
【００２０】
本発明の複合磁性体の製造方法によれば、主鎖に環状構造を有しかつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂と、平板状磁性体粒子とを混合し混合物を得る工程を有するので、平板状磁性体粒子の配向が良好であり、かつ複素透磁率の実部μｒ’の高い複合磁性体を、容易に作製することができる。
さらに、混合物を得る工程の後に、混合物を所定の形状に成形する成形工程と、得られた成形体に磁場を印加して成形体中の平板状磁性体粒子を一方向に配向させる配向工程と、成形体を乾燥・硬化させる乾燥・硬化工程とを有する場合には、平板状磁性体粒子の配向がさらに良好であり、かつ複素透磁率の実部μｒ’がさらに高い複合磁性体を容易に作製することができる。
【００２１】
本発明のアンテナによれば、本発明の複合磁性体を備えたので、複素透磁率の実部μｒ’が高い複合磁性体を用いることにより、アンテナ全体の小型化を図ることができる。よって、さらに小型化されたアンテナを提供することができる。
【００２２】
本発明の通信装置によれば、本発明のアンテナを備えたので、小型化されたアンテナを用いることにより、通信装置全体の小型化を図ることができる。よって、さらに小型化された通信装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の配向方法Ａを実施するための配向装置を示す概略構成図である。
【図２】本発明の配向方法Ｂを実施するための配向装置を示す概略構成図である。
【図３】本発明の配向方法Ｃを実施するための配向装置を示す概略構成図である。
【図４】本発明の配向方法Ｃを実施するための配向装置の動作を示す模式図である。
【図５】本発明の配向方法Ｄを実施するための配向装置を示す概略構成図である。
【図６】本発明の一実施形態のアンテナの一例であるモノポールアンテナの給電方法を示す模式図である。
【図７】本発明の一実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機の一例を示す斜視図である。
【図８】本発明の一実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機の他の一例を示す斜視図である。
【図９】本発明の一実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機のさらに他の一例を示す斜視図である。
【図１０】本発明の一実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機のさらに他の一例を示す斜視図である。
【図１１】密閉容器を用いてスラリー及び分散媒体を撹拌する様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の複合磁性体とその製造方法及びアンテナ並びに通信装置を実施するための形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００２５】
［複合磁性体］
本実施形態の複合磁性体は、主鎖に環状構造を有しかつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂と、平板状磁性体粒子とを含む。
【００２６】
〈樹脂〉
上記の樹脂は、主鎖に環状構造を有し、かつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂である。この樹脂としては、平板状磁性体粒子と混合した場合に低粘度で流動性のある混合物が得られる樹脂であればよく、特に限定されないが、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化樹脂を用いることができる。
【００２７】
このような樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシクロヘキサン樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ウレタン樹脂、ウレタン−アクリル樹脂、エポキシ−アクリル樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、多くの溶媒に対して溶解性を有し、かつ粘度を調整し易い点で、熱硬化性樹脂が好ましく、熱硬化性樹脂の中でもエポキシ樹脂やポリシクロオレフィン樹脂が好ましい。
【００２８】
ここで、主鎖に環状構造を有する樹脂として、エポキシ樹脂を例に取り説明すると、主鎖に環状構造のみを有するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（式（１））またはナフタレン型エポキシ樹脂（式（２））が好適に用いられる。
【００２９】
【化１】
2013253122.tif 000002
【００３０】
【化２】
2013253122.tif 000003
式（２）中、Ｒ１は、水素またはメチル基である。
【００３１】
また、主鎖に直鎖構造を有する樹脂としては、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂の直鎖にＣ＝１〜３の短い直鎖構造を有する構造の樹脂（式（３））が挙げられる。式（３）中、ＸはＣ＝１〜３の短いアルキル鎖を有する直鎖構造であり、Ｃ＝１の直鎖構造が好ましい。
【００３２】
【化３】
2013253122.tif 000004
式（３）中、ＸはＣ＝１〜３のアルキル鎖、Ｒ２は、水素、分子量が１５〜１８０の範囲のアルキル基、アリール基のいずれかである。
このＸとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、フェニル基、ベンジル基、トリル基等があげられる。
【００３３】
また、主鎖に直鎖構造を有する樹脂として、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂の直鎖にＣ＝１〜３の短い直鎖構造を有する構造の樹脂（式（４））であっても用いることができる。
式（４）中、ＸはＣ＝１〜３のアルキル鎖を有する直鎖構造である。
このＸとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、フェニル基、ベンジル基、トリル基等があげられる。
【００３４】
【化４】
2013253122.tif 000005
【００３５】
上記構造の樹脂が平板状磁性体粒子に絡み難い樹脂であっても、高分子鎖が長くなると、複合磁性体の複素透磁率の実部μｒ’が小さくなる場合がある。したがって、上記の式（１）、式（３）、式（４）のｎは０〜３が好ましく、ｎ＝０がさらに好ましい。
すなわち、モノマーを単独で用いるか、モノマー及びオリゴマーを適宜組み合わせて用いることが好ましい。
【００３６】
例えば、高いμｒ’を得たい場合には、式（１）のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂でｎ＝１の樹脂を用いるのが好ましく、また、樹脂に柔軟性、基体からの剥離性という機能を付与させたい場合には、ジシクロペンタジエン型樹脂と、この樹脂に可撓性を付与する樹脂とを組み合わせて用いることが好ましい。
可撓性を付与する樹脂としては、ジシクロペンタジエン型樹脂及び後述する平板状磁性体粒子と混合して成形・硬化した場合に、得られた硬化体に可撓性及び伸縮性を付与することのできる樹脂であればよく、特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリアミド樹脂等の可撓性に優れた樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂にウレタン、ポリエチレン、エチレンプロピレン等を用いて変性した変性エポキシ樹脂、あるいは、エポキシ樹脂にプロピレンオキシドを付加したプロピレンオキシド付加エポキシ樹脂を用いることができる。
【００３７】
ジシクロペンタジエン型樹脂と可撓性を付与する樹脂とを組み合わせて用いる場合には、ジシクロペンタジエン型樹脂を樹脂の全体量の５０質量％以上かつ９０質量％以下含有させるのが好ましい。ジシクロペンタジエン型樹脂の含有率を上記範囲とすることで、高いμｒ’を得ることができる。
【００３８】
上記の樹脂については、必要に応じて熱可塑性エラストマーを添加してもよい。この熱可塑性エラストマーを添加することにより、複合磁性体の機械的強度及び形状加工性を向上させることができる。したがって、この熱可塑性エラストマーが添加された複合磁性体は、靭性、柔軟性、変形性により優れたものとなる。
この熱可塑性エラストマーとしては、スチレン系、オレフィン系、塩化ビニル系、ウレタン系、エステル系、アミド系の群から選択される１種または２種以上を用いることができる。
この熱可塑性エラストマーの添加量は、複合磁性体の用途により必要とされる耐熱性を勘案して、適宜調整すればよい。
【００３９】
〈平板状磁性体粒子〉
この平板状磁性粒子を構成する材料としては、磁性を有する材料であればよく、特に限定されないが、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）等の強磁性金属、モリブデン（Ｍｏ）等の常磁性金属のうちいずれか１種からなる金属、または、これらのうち少なくとも１種以上を含む合金を用いることができる。
これらの金属または合金は、反磁性金属である銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ビスマス（Ｂｉ）等を含んでいてもよい。
【００４０】
これらの合金としては、二元素系合金、三元素系合金等が挙げられる。
二元素系合金としては、保持力が５０エルステッド以下の軟磁性を示すパーマロイ（登録商標）等のＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金等が挙げられる。
三元素系合金としては、スーパーマロイ（登録商標）等のＦｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金、センダスト（登録商標）等のＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ合金等が挙げられる。
これらの合金の中でも、Ｆｅ−Ｎｉ合金としては、Ｎｉ７８質量％−Ｆｅ２２質量％の合金が、平板状磁性体粒子の平均厚みが０．２μｍ以下、平均長径が２μｍ以下のものが得られ易く、高透磁率とともに低磁気損失の複合磁性体を得られるので好ましい。
【００４１】
上記の合金に、その合金に含まれない金属元素で、その合金と性質が近い金属（合金に含まれている金属と周期律表で近接している金属）、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、インジウム（Ｉｎ）、すず（Ｓｎ）等の群から１種または２種以上を適宜選択して添加してもよい。
【００４２】
上記の金属元素を合金に添加する場合には、この金属元素の含有率は、この金属元素と合金との合計質量に対して０．１質量％以上かつ９０質量％以下が好ましく、１質量％以上かつ１２質量％以下がより好ましく、１質量％以上かつ５質量％以下がさらに好ましい。
ここで、上記の金属元素の含有率を上記の範囲に限定した理由は、金属元素の含有率が０．１質量％未満では、後述する球状の磁性体粒子を扁平状にさせるための十分な塑性変形能を付与することができず、一方、含有率が９０質量％を超えると、金属元素自体の磁気モーメントが小さいことから、この平板状磁性体粒子全体の飽和磁化が小さくなり、その結果、得られるμｒ’も小さくなるからである。
【００４３】
特に、アスペクト比が高くなり、結果として高いμｒ’の複合磁性体が得られ易い点で、柔らかい金属である、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）の群から選択される１種または２種以上の金属元素を１質量％以上かつ１２質量％以下、好ましくは１質量％以上かつ５質量％以下含む鉄−ニッケル合金を用いるのが好ましい。
【００４４】
これらの中でも、ニッケル−鉄−亜鉛（Ｎｉ−Ｆｅ−Ｚｎ）合金は、Ｆｅ−Ｎｉ合金へのＺｎの添加により、後述する球状の磁性体粒子の加工性が高くなるために、大きなアスペクト比を有する扁平状の磁性粉体が得られ易いので好ましい。合金の組成比としては、例えば、Ｎｉ７５質量％−Ｆｅ２０質量％−Ｚｎ５質量％の合金、Ｎｉ７６質量％−Ｆｅ２０質量％−Ｚｎ４質量％等を好適に用いることができる。
【００４５】
この平板状磁性体粒子は、絶縁性の平板状磁性体粒子であることが好ましい。絶縁性の平板状磁性体粒子を用いることで、複合磁性体中にて平板状磁性体粒子同士が接触することにより導電パスが形成されるのを抑制することができ、その結果、複合磁性体の誘電損失を低減させることができる。この絶縁性の平板状磁性体粒子においては、少なくとも粒子の表面が絶縁性を有していればよい。
【００４６】
平板状磁性体粒子を絶縁性にする方法としては、特に限定されないが、例えば、平板状磁性体粒子の表面に５ｎｍ程度の絶縁性の酸化被膜を形成する方法が挙げられる。
通常、平板状磁性体粒子を大気中で取り扱うことにより、この平板状磁性体粒子の表面に自然に酸化被膜が形成されるが、自然に形成される酸化被膜では絶縁性が不十分であり、複合磁性体の誘電損失を低減することが難しい。そこで、複合磁性体の誘電損失を低減させるためには、５０℃以上かつ２００℃以下の温度にて、１時間〜数時間程度加熱処理することにより、平板状磁性体粒子の表面に５ｎｍ程度の絶縁性の酸化被膜を形成することが好ましい。
【００４７】
また、平板状磁性体粒子の表面に、この平板状磁性体粒子と異なる組成の絶縁性被膜を形成してもよい。このような組成としては、例えば、酸化ケイ素、リン酸塩等の無機物質、あるいは、樹脂、界面活性剤等の有機物質等が挙げられる。これらの絶縁性被膜は、酸化被膜（自然酸化や加熱酸化による酸化被膜を含む）を有する平板状磁性体粒子の表面に形成してもよく、酸化被膜を有しない平板状磁性体粒子の表面に形成してもよい。
【００４８】
この平板状磁性体粒子は、平均厚みが０．１μｍ以上かつ１０μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以上かつ１μｍ以下である。
特に、この平板状磁性体粒子を１００ＭＨｚ以上の高周波帯域にて使用する場合には、平均厚みは０．１μｍ以上かつ０．５μｍ以下がさらに好ましい。
ここで、平板状磁性体粒子の平均厚みが０．１μｍ未満では、平板状磁性体粒子自体の製造が難しく、複合磁性体を製造する際の取り扱いも難しく、その結果、配向が良好でありかつμｒ’の高い複合磁性体を得ることが難しくなるので好ましくない。
一方、この平板状磁性体粒子の平均厚みが１０μｍを超えると、高周波を印加した際に渦電流等が生じ、得られる複合磁性体のμｒ’が低くなるので、好ましくない。
【００４９】
この平板状磁性体粒子の平均長径（粒子内における最大長さ）は、０．２μｍ以上かつ１００μｍ以下が好ましく、特に、この平板状磁性体粒子を１００ＭＨｚ以上の高周波帯域にて使用する場合には、平均長径は０．２μｍ以上かつ２０μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以上かつ１０μｍ以下がさらに好ましい。
ここで、平板状磁性体粒子の平均長径が０．２μｍ未満では、平板状磁性体粒子自体の製造が難しく、複合磁性体を製造する際の取り扱いも難しく、その結果、配向が良好でありかつμｒ’の高い複合磁性体を得ることが難しくなるので好ましくない。
一方、この平板状磁性体粒子の平均長径が１００μｍを超えると、得られる複合磁性体における樹脂中での分散安定性が低下し、所望のμｒ’が得られなくなるので、好ましくない。
【００５０】
この平板状磁性体粒子を複数個選び出し、これらの平板状磁性体粒子のアスペクト比（長さ／厚み）を平均して得られる平均アスペクト比（長さ／厚み）は、２以上かつ２０以下であることが好ましく、６以上かつ１５以下であることがさらに好ましい。
ここで、平板状磁性体粒子の平均アスペクト比（長さ／厚み）が２未満では、粒子形状による反磁界係数の効果が小さくなり、その結果、複合磁性体を作製する際に印加される有効磁場が小さくなり、得られる複合磁性体のμｒ’が小さくなるので、好ましくない。
【００５１】
一方、平均アスペクト比が２０を超えると、平板状磁性体粒子の形状が扁平すぎることで、磁性体粒子同士の間が狭くなり、この間に絶縁性材料が進入し難い空間が形成され易くなり、その結果、複合磁性体中に気泡が生じ易くなり、この気泡の存在によりμｒ’が低下するので好ましくない。
さらに、平板状磁性体粒子の平均アスペクト比が大きくなると、平板状磁性体粒子自体の機械的強度が低下する虞があるので、所望の機械的強度を確保するためには、平均アスペクト比は１５以下が好ましく、実用的には２０程度が上限となる。
【００５２】
この平板状磁性体粒子を作製する方法としては、例えば、液相還元法、アトマイズ法等で合成した球状磁性体粒子を溶媒中にて扁平化処理することにより得ることができる。扁平化処理装置としては、ビーズミル、ニーダ、ロールミル、遊星ボールミル、ジェットミル等が挙げられる。また、これらの装置で用いるボール等の分散媒体（メディア）としては、球状磁性体粒子を汚染せず、かつ剪断エネルギーを効果的に加えることができるものであればよく、アルミニウム、スチール等の金属、アルミナ、ジルコニア、チタニア等の金属酸化物、二酸化ケイ素等の無機酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等の窒化物、炭化ケイ素等の炭化物、ソーダガラス、鉛ガラス、高比重ガラス等の各種ガラスが挙げられる。
【００５３】
球状の磁性体粒子の平均一次粒子径は、所望の形状が得られる大きさであれば特に限定されないが、液相還元法により作製した平均一次粒子径が１０ｎｍ以上かつ２μｍ以下の球状の磁性体粒子を用いるのが好ましい。
球状磁性体粒子の平均一次粒子径を上記範囲とすれば、球状磁性体粒子の表面が高活性となり、粒子同士の親和性も高くなり、粒子同士の凝着を促進することができるので、好ましい。
【００５４】
この平板状磁性体粒子を作製する好ましい方法としては、平均粒子径が０．５μｍ以下の球状の磁性粒子を界面活性剤を含む溶液中に分散したスラリーと、分散媒体とを、密閉可能な容器内に、前記スラリー及び前記分散媒体の合計の体積量が、前記密閉容器内の体積と同じくなるように充填し、このスラリーを前記分散媒体と共に密閉状態にて撹拌し、前記球状の磁性粒子同士を変形及び融着させて、複数個の球状磁性粒子から１個の平板状磁性体粒子を得る方法がある。
この方法により、アスペクト比が２以上かつ２０以下で、厚みや長径等の形状が略均一の平板状磁性体粒子を容易に作製することができる。
【００５５】
以下、この平板状磁性体粒子の製造方法について、図１１に基づき詳細に説明する。
まず、平均粒子径が０．５μｍ以下の球状の磁性粒子２０２を界面活性剤を含む溶液中に分散してスラリー２０３とする。
磁性粒子２０２の組成は、上記の平板状磁性体粒子の組成と全く同様である。
界面活性剤としては、磁性粒子２０２の表面と相性の良い窒素、リン、イオウ等の元素を含有している界面活性剤が好ましく、例えば、窒素含有ブロックコポリマー、燐酸塩、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。
【００５６】
この界面活性剤を溶解させる溶媒としては、特に限定されないが、磁性粒子に含まれる金属元素の酸化を防止する必要がある点を考慮すると、有機溶媒が好ましく、特に、キシレン、トルエン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等の非極性有機溶媒が好ましい。
【００５７】
次いで、スラリー２０３及び分散媒体２０４を、密閉可能な容器２０１内に、スラリー２０３及び分散媒体２０４の合計の体積が密閉容器２０１内の体積と同じくなるように充填し、スラリー２０３を分散媒体２０４と共に密閉状態にて撹拌し、球状の磁性粒子２０１同士を融着させながら扁平状に変形させて平板状磁性体粒子とする。
ここでは、スラリー２０３及び分散媒体２０４の密閉容器２０１内への充填量を、密閉容器２０１内の体積と同一とする。換言すれば、スラリー２０３及び分散媒体２０４を、密閉容器内２０１内に隙間なく充填する。
【００５８】
ここで、密閉容器２０１内に隙間があるようにスラリー２０３及び分散媒体２０４を加えた場合には、一軸回転体２０５が回転した際に、遠心力によりスラリー２０３及び分散媒体２０４の液面は、中心軸近傍が低く、周縁部が高いすり鉢状となる。
１軸回転体２０５により球状の磁性粒子２０２を含むスラリー２０３及び分散媒体２０４に加えられた機械的応力は、すり鉢状の空間に逃げていくので、密閉容器２０１内全体で分散媒体２０４を介して球状の磁性粒子２０２に伝搬される機械的応力は不均一なものとなり、得られる平板状磁性体粒子の厚みがばらつく要因となる。このような平板状磁性体粒子の厚みのばらつきや割れや欠けは、磁気損失が増加する要因となる。
【００５９】
また、すり鉢状の空間の底部近傍（中心軸近傍）で平板状となった磁性体粒子は、分散媒体２０４と共にすり鉢状の空間に放出されて不規則な衝撃を受けることとなり、割れや欠け等が生じる場合がある。
【００６０】
そこで、図１１に示すように、密閉容器２０１内が球状の磁性粒子２０２を含むスラリー２０３及び分散媒体２０４により満たされた状態で機械的応力を加えることにより、１軸回転体２０５が高速で回転したとしても、すり鉢状の空間が生じる虞は無い。したがって、１軸回転体２０５により球状の磁性粒子２０２を含むスラリー２０３及び分散媒体２０４に加えられた機械的応力は、密閉容器２０１内全体で分散媒体２０４を介して球状の磁性粒子２０２に均一に伝搬され、得られた平板状磁性体粒子の厚みがばらつく虞は無い。また、平板状磁性体粒子は、機械的応力を加えられる際に、不規則な衝撃を受けることもないので、割れや欠け等がほとんど生じない。
【００６１】
なお、密閉容器２０１に、スラリー２０３を密閉容器２０１内に導入・導出するための流入口及び流出口を設け、スラリー２０３を密閉容器２０１内に循環するようにしてもかまわない。この場合、予め分散媒体２０４を密閉容器２０１内に収納しておき、球状の磁性粒子２０２と界面活性剤と溶媒とを混合したスラリー２０３を流入口から投入して密閉容器２０１内に空間がないように充填し、流出口から排出されるスラリー２０３を再度密閉容器２０１内へ戻すようにすればよい。
【００６２】
分散媒体２０４としては、球状の磁性粒子２０２よりも硬度が高いことが必要であり、例えば、アルミニウム、鋼（スチール）、ステンレススチール、鉛等の金属球、アルミナ、ジルコニア、二酸化ケイ素、チタニア等の金属酸化物あるいは無機酸化物からなる球状焼結体、窒化ケイ素等の無機窒化物からなる球状焼結体、炭化ケイ素等の無機炭化物からなる球状焼結体、ソーダガラス、鉛ガラス、高比重ガラス等からなるビーズと称される球状粒子が挙げられ、中でも、比重６以上のジルコニア、鋼（スチール）、ステンレススチール等が効率の点から好ましい。
【００６３】
球状の磁性粒子２０２への機械的応力の付加は、分散媒体２０４同士の衝突の際、又は分散媒体２０４と密閉容器２０１の内壁との衝突の際に、磁性粒子２０２がこれらの間に挟まれることで与えられる衝撃によって行われる。この場合、分散媒体２０４同士または分散媒体２０４と密閉容器２０１の内壁との衝突回数が増加するにつれて、球状の磁性粒子２０２同士の融着性及び変形性が向上する。
【００６４】
ここでは、分散媒体２０４の平均粒径が小さいほど、単位体積当たりに存在する分散媒体２０４の個数が増加し、衝突回数も多くなる。したがって、磁性粒子２０２の融着性及び変形性も向上する。一方、分散媒体２０４の平均粒径が小さすぎると、分散媒体２０４をスラリー２０３から分離することが困難となる。したがって、分散媒体２０４の平均粒径は、少なくとも０．０３ｍｍ以上、好ましくは０．０４ｍｍ以上であることが必要である。
また、分散媒体２０４の平均粒径が大き過ぎると、衝突回数が減少することにより、球状の磁性粒子２０２同士の変形及び融着性が低下する。したがって、分散媒体の平均粒径の上限値は３．０ｍｍである。
【００６５】
密閉容器２０１としては、ディスク、スクリュー、羽根、ピン等の１軸回転体２０５を高速回転することで、分散媒体２０４をスラリー２０３とともに高速回転できる構成を有するものが好ましい。
密閉容器２０１は、単純な１軸回転方式であることから、大型化も容易であり、工業生産上も有利である。
【００６６】
この一軸回転体２０５の回転数は、密閉容器２０１の大きさにより決定される。例えば、内径が１２０ｍｍの密閉容器２０１の場合、球状の磁性粒子２０２を含むスラリー２０３及び分散媒体２０４の一軸回転体２０５の径方向の外周端２０５ａ付近の流速が５ｍ／秒以上となるように一軸回転体２０５の回転数を設定することが好ましく、さらには、８ｍ／秒以上となるように一軸回転体２０５の回転数を設定することがより好ましい。
【００６７】
なお、密閉容器２０１の内容積が小さいと、得られた平板状磁性体粒子に球状の磁性粒子２０２が残留する虞がある。残留した球状の磁性粒子２０２は、球状の磁性粒子２０２同士の接触、または球状の磁性粒子２０２と平板状磁性体粒子との接触により、磁気損失を増加させたり、平板状磁性体粒子の配向を阻害したりする虞がある。したがって、平板状磁性体粒子は、磁性粒子全体量の９０質量％以上が好ましく、より好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９９質量％以上であり、球状の磁性粒子２０２を実質的に含まないことが望ましい。
【００６８】
ここで、密閉容器２０１の内容積が小さい場合に球状の磁性粒子２０２が残留する理由は、密閉容器２０１の角や一軸回転体２０５と密閉容器２０１との接合部といった機械的応力が十分に伝わらないデッドスペースが相対的に大きくなるからと考えられる。そこで、密閉容器２０１の内容積を大きくすると、相対的にデッドスペースが小さくなり、よって、球状の磁性粒子２０２に機械的応力が十分に伝わり、球状の磁性粒子２０２同士の融着性及び変形性が向上し、その結果、球状の磁性粒子２０２の残留が少なくなり、実質的に球状の磁性粒子２０２がなくなることとなる。
このように、実質的に球状の磁性粒子２０２が残留しなくなる密閉容器２０１の体積は、１Ｌ以上が好ましく、より好ましくは５Ｌ以上である。
以上により、球状の磁性粒子２０２同士は、一軸回転体２０５により加えられた機械的応力により融着しながら変形し、平板状磁性体粒子となる。
【００６９】
次いで、この平板状磁性体粒子を分散媒体２０４及び溶媒から分離する。
分離方法は、平板状磁性体粒子作製後のスラリーから溶媒を除去することができれば特に限定されず、加熱乾燥、真空乾燥、フリーズドライ等が挙げられるが、乾燥効率の点で真空乾燥が好ましい。また、乾燥効率を高めるために、乾燥工程の前に、固液分離等の手法によりある程度の溶媒を除去してもよい。固液分離の方法としては、フィルタープレスや吸引ろ過等のろ過操作や、デカンターや遠心分離機による遠心分離操作等、通常の方法を用いればよい。
【００７０】
また、溶媒が除去された平板状磁性体粒子を、５０℃以上かつ２００℃以下にて、１時間以上かつ数時間以下、加熱処理してもよい。この加熱処理により、平板状磁性体粒子の表面に酸化皮膜を形成することができ、絶縁性の平板状磁性体粒子を得ることができる。
【００７１】
ここでは、特に、高周波帯域にて使用する場合を考慮して、上記の平板状磁性体粒子を用いているが、厚み、長径及びアスペクト比が上記範囲内にある板状、棒状、扁平状、鱗片状、フレーク状等の各種形状の磁性体粒子を用いることもできる。
【００７２】
この複合磁性体全体量における平板状磁性体粒子の含有率は、１０質量％以上かつ７０質量％以下が好ましく、３０質量％以上かつ６０質量％以下がより好ましい。
ここで、平板状磁性体粒子の含有率が１０質量％未満であると、平板状磁性体粒子の割合が少なすぎるために、得られる複合磁性体のμｒ’が低くなり過ぎてしまい、その結果、所望のμｒ’を確保することができなくなる虞があるので、好ましくない。
一方、平板状磁性体粒子の含有率が７０質量％を超えると、平板状磁性体粒子の割合が多すぎるために、相対的に樹脂の量が少な過ぎて、平板状磁性体粒子と樹脂とを混合した場合に、低粘度で流動性のあるスラリーが得られず、後工程での平板状磁性体粒子の配向が不十分なものとなるので、好ましくない。
また、この複合磁性体中には、球状の磁性粒子が含まれていないことが好ましい。
【００７３】
この平板状磁性体粒子の複合磁性体中における配向方向と該平板状磁性体粒子の長軸方向とのなす角度は２０°以下が好ましく、より好ましくは０°以上かつ１５°以下、さらに好ましくは０°以上かつ１０°以下である。
平板状磁性体粒子の長軸方向が、この平板状磁性体粒子の配向方向に対して上記範囲内で傾斜していることにより、μｒ’が高い複合磁性体を得ることができる。
ここで、「配向方向」とは、平板状磁性体粒子の長軸が配向している方向、すなわち複合磁性体の断面を観察したときに、複数の平板状磁性体粒子の長軸方向となす角度の標準偏差が最も小さくなる方向をいう。
【００７４】
この複合磁性体のμｒ’は、１００ＭＨｚ以上の高周波帯域にて使用する場合には、７以上が好ましく、１０以上がより好ましい。
ここで、μｒ’を７以上とした理由は、μｒ’が大きいほど高周波帯域における波長の短縮率が大きくなり、したがって、この複合磁性体を適用した電子部品や回路基板のさらなる小型化が可能になるからである。
なお、本実施形態においては、μｒ’は、マテリアルアナライザーで測定した値を意味する。
【００７５】
［複合磁性体の製造方法］
本実施形態の複合磁性体の製造方法は、主鎖に環状構造を有しかつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂と、平板状磁性体粒子とを混合し混合物を得る工程を有する。
ここで、よりμｒ’が高い複合磁性体を得るためには、上記混合物を得る工程の後に、混合物を所定の形状に成形する成形工程と、得られた成形体に磁場を印加して成形体中の平板状磁性体粒子を一方向に配向させる配向工程と、成形体を乾燥・硬化させる乾燥・硬化工程とを有することが好ましい。
【００７６】
次に、本実施形態の複合磁性体の製造方法について、詳細に説明する。
〈混合物の作製〉
まず、主鎖に環状構造を有しかつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂と、平板状磁性体粒子と、必要に応じて硬化剤と溶媒とを混合し、混合物を作製する。
【００７７】
この主鎖に環状構造を有しかつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂としては、平板状磁性体粒子と混合した場合に低粘度で流動性のある混合物が得られる樹脂であればよく、特に限定されないが、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化樹脂を用いることができる。
【００７８】
このような樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシクロヘキサン樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ウレタン樹脂、ウレタン−アクリル樹脂、エポキシ−アクリル樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、多くの溶媒に対して溶解性を有し、かつ粘度を調整し易い点で、熱硬化性樹脂が好ましく、熱硬化性樹脂の中でもエポキシ樹脂やポリシクロオレフィン樹脂が好ましい。
【００７９】
例えば、主鎖に環状構造を有するエポキシ樹脂としては、上述した式（１）で表される主鎖に環状構造のみを有するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、式（２）で表されるナフタレン型エポキシ樹脂が挙げられる。
また、主鎖に直鎖構造を有するエポキシ樹脂としては、上述した式（３）で表されるＣ＝１〜３の短い直鎖を有するクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、式（４）で表されるＣ＝１〜３の短い直鎖を有するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が挙げられる。
【００８０】
上記構造の樹脂が平板状磁性体粒子に絡み難い樹脂であっても、高分子鎖が長くなると、複合磁性体のμｒ’が小さくなる場合がある。したがって、上記の式（１）、式（３）、式（４）のｎは０〜３が好ましく、ｎ＝０がさらに好ましい。
すなわち、モノマーを単独で用いるか、モノマー及びオリゴマーを適宜組み合わせて用いることが好ましい。
【００８１】
平板状磁性体粒子を構成する磁性材料は、上述の〈平板状磁性体粒子〉の項目にて説明した磁性材料と全く同様であるから、説明を省略する。
また、この平板状磁性体粒子の厚み、長径、アスペクト比（長さ／厚み）及び作製方法についても、上述の［複合磁性体］の項目にて説明した厚み、長径、アスペクト比（長さ／厚み）及び作製方法と全く同様であるので、説明を省略する。
【００８２】
硬化剤の種類や添加量は、使用する樹脂に応じて適宜調整すればよい。
上記の樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合には、エポキシ基同士の縮合反応を促進させて、複合磁性体の成形体における機械的強度を向上させる点で第３アミンが好ましい。
第３アミンとしては、例えば、１−イソブチル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール等が挙げられる。
硬化剤の添加量としては、官能基の縮合反応を促進させる点を考慮すると、樹脂の全体の質量に対して０．５質量％以上かつ３質量％以下、添加させればよい。
【００８３】
また、平板状磁性体粒子に対する立体障害の影響を小さくして複合磁性体のμｒ’を向上させる点では、上記の樹脂と同様に、環状構造を有する硬化剤が好ましい。
この環状構造を有する硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック型硬化剤、ザイロック型硬化剤、ジシクロペンタジエン型硬化剤等が挙げられる。これらの硬化剤は、第３アミン等と比べると樹脂を重合させる駆動力が弱いので、樹脂と同量程度添加するのが好ましい。
【００８４】
溶媒としては、上記の樹脂を溶解させることができるものであればよく、特に限定されないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル（メチルセロソルブ）、エチレングリコールモノエチルエーテル（エチルセロソルブ）、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のエーテル類、ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類が好適に用いられる。
これらの溶媒は、１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。特に、シクロヘキサノンやキシレン等の沸点の高い溶媒は、溶媒の揮発によるスラリーの増粘を抑制することができるので好ましい。
【００８５】
この混合物中の平板状磁性体粒子の含有率は、混合物中の揮発成分以外が硬化して固体状になった場合の体積（樹脂＋硬化剤＋平板状磁性体粒子）に対して、１０体積％以上かつ６０体積％以下が好ましく、より好ましくは３０体積％以上かつ５０体積％以下である。
ここで、平板状磁性体粒子の含有率が１０体積％未満では、平板状磁性体粒子が少なすぎて複合磁性体としての磁気特性が低下してしまい、一方、この平板状磁性体粒子の含有率が６０体積％を超えると、平板状磁性体粒子が多すぎて、この平板状磁性体粒子と樹脂と硬化剤と溶媒とを含む混合物の流動性が低下し、成形性が低下してしまうので、好ましくない。
【００８６】
これら平板状磁性体粒子、樹脂、硬化剤及び溶媒を混合し、混合物を得る。この場合、溶媒の添加量を適宜調整することにより、混合物の粘度を調整することができる。
混合装置としては、これら平板状磁性体粒子、樹脂、硬化剤及び溶媒を均一に混合してスラリー状の混合物とすることができればよく、特に限定されないが、例えば、ロールミル、自公転式ミキサー、ホモジナイザー、超音波ホモジナイザー、撹拌機等が挙げられる。
【００８７】
この混合物の粘度は０．１Ｐａ・Ｓ以上かつ１０６Ｐａ・Ｓ以下であることが好ましく、より好ましくは０．３Ｐａ・Ｓ以上かつ１０４Ｐａ・Ｓ以下である。
ここで、粘度が０．１Ｐａ・Ｓ未満の場合には、流動性が大きくなりすぎて乾燥工程での生産性が悪くなり、一方、粘度が１０６Ｐａ・Ｓを超えると、粘性が高すぎて平板状磁性体粒子の配向が起こり難くなり、その結果、複合磁性体中における平板状磁性体粒子の配向性が低下してしまうので、好ましくない。
このように、平板状磁性体粒子の含有率を１０体積％以上かつ６０体積％以下、かつ混合物の粘度を０．１Ｐａ・Ｓ以上かつ１０６Ｐａ・Ｓ以下とすることにより、μｒ’と成形体の機械的強度のバランスがとれた複合磁性体を得ることができる。
【００８８】
〈成形〉
成形法としては、混合物に磁場を印加する工程時に一定の形状を保持することができればよく、特に限定されない。
また、成形体の形状や大きさも特に限定はされず、例えば、シート状あるいはフィルム状に成形してもよく、直方体状等の厚みがある形状に成形してもよい。
シート状あるいはフィルム状に成形したものは、シートあるいはフィルムの基体に上記の混合物を塗布することで容易に得ることができ、しかも量産性に優れているので好ましい。
【００８９】
シート状あるいはフィルム状に成形する場合、例えば、混合物の粘度が１０Ｐａ・Ｓ以下の場合には、ドクターブレード法、バーコート法等を用いることができ、また、混合物の粘度が１０Ｐａ・ｓを超える場合には、ダイコート法等を用いることができる。また、厚みがある形状に成形する場合、例えば、任意の形状の型に混合物を流し込む方法等が挙げられる。
【００９０】
混合物が、シート状、フィルム状あるいは直方体状等に成形されただけの状態では、平板状磁性体粒子はそれぞれがランダムな方向を向いて、配向が十分ではない場合がある。
そこで、このシート状、フィルム状あるいは直方体状等に成形された成形体に磁場を印加し、この成形体中の平板状磁性体粒子を配向させる。
【００９１】
〈配向〉
成形体中の平板状磁性体粒子を配向させる方法としては、成形体中の平板状磁性体粒子を一方向に配向させることができるように磁場を印加すればよく、特に限定されないが、成形体中で磁力線が曲がると、平板状磁性体粒子を一方向に配向させることができない。そこで、磁場は、発生する磁力線が成形体の表面に対して略平行となるように印加させる必要がある。
このような配向方法としては、次に挙げる４つの配向方法がある。
【００９２】
（１）配向方法Ａ
図１は、本発明の複合磁性体の製造方法における配向方法Ａを実施するための配向装置を示す概略構成図であり、上記の混合物（図示略）をシート状あるいはフィルム状の基体１の上面に塗布した塗布膜２に磁場を印加して発生する磁力線Ｈにより塗布膜２中の平板状磁性体粒子を配向させる装置の例である。
【００９３】
この配向装置１１は、上記の混合物（図示略）を図中矢印方向に進行ｇする基体１の上面に塗布して塗布膜２を形成するディスペンサを備えた塗布手段１２と、この塗布膜２の幅方向の両側にそれぞれ設けられて塗布膜２にその幅方向に沿って磁場を印加して発生する磁力線Ｈにより塗布膜２中の平板状磁性体粒子を配向させる一対の磁石１３ａ、１３ｂと、磁力線Ｈにより平板状磁性体粒子が配向した塗布膜２を乾燥する乾燥手段１４とにより構成されている。磁石１３ａ、１３ｂは、対向する極同士が互いに異極となるように配置されている。
【００９４】
この配向装置１１では、磁石１３ａのＮ極から磁石１３ｂのＳ極に向かって磁場が発生するので、磁石１３ａ、１３ｂ間を通過する塗布膜２には、磁石１３ａのＮ極から磁石１３ｂのＳ極に向かう方向に対して平行な磁力線Ｈが発生することとなる。この磁力線Ｈにより、塗布膜２中の平板状磁性体粒子は、磁力線Ｈに平行に配向することとなる。
以上により、塗布膜２中の平板状磁性体粒子を、磁力線Ｈに平行に配向させることができる。
【００９５】
（２）配向方法Ｂ
図２は、本発明の複合磁性体の製造方法における配向方法Ｂを実施するための配向装置を示す概略構成図であり、この配向装置２１が、図１の配向装置１１と異なる点は、塗布膜２の上側及び下側それぞれに設けられた一対の磁石２２ａ、２２ｂの対向する極同士が互いに同極となるように配置した点である。
【００９６】
この配向装置２１では、一対の磁石２２ａ、２２ｂにより塗布膜２に磁場を印加すると、一方の磁石２２ａから発生した磁力線と他方の磁石２２ｂから発生した磁力線とは、塗布膜２の位置で互いに反発し合うために、この塗布膜２の表面に対して平行な磁場を印加させる磁力線Ｈ１、Ｈ２が発生することとなる。この磁力線Ｈ１、Ｈ２により、塗布膜２中の平板状磁性体粒子は、磁力線Ｈ１、Ｈ２に平行に配向することとなる。
以上により、塗布膜２中の平板状磁性体粒子を、磁力線Ｈ１、Ｈ２に平行に配向させることができる。
【００９７】
（３）配向方法Ｃ
図３は、本発明の複合磁性体の製造方法における配向方法Ｃを実施するための配向装置を示す概略構成図であり、この配向装置３１が、図２の配向装置２１と異なる点は、塗布膜２の上側及び下側それぞれに設けられた各一対の磁石３２ａ、３２ｂ、磁石３３ａ、３３ｂ及び磁石３４ａ、３４ｂのそれぞれの対向する極同士が互いに同極となるように、一定の間隔、例えば隣接する磁石同士の磁力線が互いに打ち消し合わないような間隔をおいて配置した点である。
【００９８】
例えば、図２に示す配向装置２１では、磁石２２ａ、２２ｂ各々のＮ極から発生した磁力線Ｈ１、Ｈ２がＳ極に戻るために、磁石２２ａ、２２ｂの水平方向の両端付近では、磁力線が塗布膜２の表面に対して垂直となり、塗布膜２に対して平行方向でない磁力線も発生することとなり、その結果、平板状磁性体粒子の配向性が低下する場合がある。
【００９９】
一方、図３に示す配向装置３１では、図４に示すように、塗布膜２が一対の磁石３２ａ、３２ｂ間を通過前では、塗布膜２中の平板状磁性体粒子４１は、配向方向が無秩序な状態であるが、磁石３２ａ、３２ｂ間を通過することで、この塗布膜２の表面に対して平行に発生した磁力線Ｈ１、Ｈ２により、塗布膜２中の平板状磁性体粒子４１は、磁力線Ｈ１、Ｈ２に沿って配向した平板状磁性体粒子４１となる。
【０１００】
しかしながら、最初の磁石３２ａ、３２ｂ間を通過しただけでは、平板状磁性体粒子４１の配向が不十分な場合がある。そこで、磁石３３ａ、３３ｂ間を通過させることにより、平板状磁性体粒子４１の不十分な配向を修正し、配向性を向上させる。最後の磁石３４ａ、３４ｂ間を通過させた後には、平板状磁性体粒子４１の不十分な配向は修正されて配向性の高いものとなる。
このように、塗布膜２に磁場を複数回印加することで、塗布膜２中の平板状磁性体粒子４１の配向性を向上させることができる。
【０１０１】
（４）配向方法Ｄ
図５は、本発明の複合磁性体の製造方法における配向方法Ｄを実施するための配向装置を示す概略構成図であり、この配向装置５１が、図２の配向装置２１と異なる点は、磁力線Ｈ１、Ｈ２が塗布膜２中の平板状磁性体粒子４１に対して平行な位置に、塗布膜２を予備乾燥するための乾燥手段５２を設けた点である。
【０１０２】
乾燥手段５２としては、塗布膜２を固化することのできる程度の乾燥機能を備えていれば特に限定されず、例えば、温風供給源に接続した温風吹き出しノズル等が挙げられる。
【０１０３】
この配向装置５１では、一対の磁石２２ａ、２２ｂにより塗布膜２に磁場を印加すると、この塗布膜２の表面に対して平行な磁場を印加させる磁力線Ｈ１、Ｈ２が発生し、この磁力線Ｈ１、Ｈ２により、塗布膜２中の平板状磁性体粒子は、磁力線Ｈ１、Ｈ２に平行に配向する。この際、乾燥手段５２により塗布膜２を予備乾燥すれば、塗布膜２が固化することで磁力線Ｈ１、Ｈ２に平行に配向している平板状磁性体粒子の配向状態を固定することができる。
以上により、塗布膜２中の平板状磁性体粒子を、磁力線Ｈ１、Ｈ２に平行に配向させることができる。
【０１０４】
以上のように、配向方法Ａ〜Ｄのうち１種のみを単独で行うか、もしくは２種以上を組み合わせて行うことにより、塗布膜２中の平板状磁性体粒子の配向性を向上させることができる。
塗布膜２を所定形状の成形体に替えた場合においても、配向方法Ａ〜Ｄのうち１種以上を適宜適用することにより、成形体中の平板状磁性体粒子の配向性を向上させることができる。
【０１０５】
上記の磁石１３ａ、１３ｂ、…としては、電磁石、永久磁石等が挙げられる。磁石の配置や対の数は特に限定されず、塗布膜や成形体の形状や求められる磁気特性に合わせて適宜調整すればよい。
【０１０６】
印加する磁場の大きさは、図１に示す配向装置のような異極を向かい合わせた場合は、１００ガウス以上かつ１０００ガウス以下であることが好ましい。磁場の大きさが１００ガウス未満であると、磁場が小さすぎてしまい、成形体中の平板状磁性体粒子を十分に配向させることができない場合がある。一方、１０００ガウスを超えると、磁場が大きすぎて、平板状磁性体粒子と樹脂が分離してしまう虞があり、その結果、得られた複合磁性体の磁気特性に不均一が生じる。
また、図２に示す配向装置のような同極を向かい合わせた場合は、平板状磁性体粒子と樹脂の分離は起こり難くなるので、１００ガウス以上３０００ガウス以下であることが好ましい。
【０１０７】
〈乾燥・硬化〉
平板状磁性体粒子が配向した成形体を乾燥させ、次いで、加熱あるいは紫外線照射等により樹脂を硬化させる。乾燥・硬化条件（処理温度、処理時間等）は、使用する樹脂や溶媒の種類に応じて適宜調整すればよい。
【０１０８】
［アンテナ］
本実施形態のアンテナは、上記の複合磁性体を備えている。
このアンテナの一形態としては、上記の複合磁性体を装荷したアンテナがある。
このアンテナに上記の複合磁性体を装荷させる方法としては、特に制限されず、アンテナを構成する銅線等の導体（以下、「アンテナ導体」と称する）に上記の複合磁性体を被覆させる等、公知の方法で装荷させればよい。
【０１０９】
アンテナの種類及び形状は、特に制限されず、モノポールアンテナ、ループアンテナ、ヘリカルアンテナ、パッチアンテナ、Ｆ型アンテナ、Ｌ型アンテナ等が好適に用いられる。また、アンテナをより小型化させるために整合回路を併用してもよい。
例えば、モノポールアンテナやＬ字アンテナは、アンテナ導体を中心として、上記の複合磁性体を棒状あるいは長尺の板状に加工したもので挟み込むように形成することで得ることができる。
また、ヘリカルアンテナは、上記の複合磁性体を棒状に加工した棒状複合磁性体の周囲に、銅線等からなる長尺かつ極細のアンテナ導体をコイル状に巻回することで得ることができる。
これらのアンテナでは、波長短縮効果により、所望波長の１／４よりも長さが短い小型アンテナを得ることが可能である。
【０１１０】
図６は、本実施形態のアンテナの一例であるモノポールアンテナの給電方法を示す模式図であり、このモノポールアンテナ６１は、棒状のアンテナ導体６２と、このアンテナ導体６２を埋め込むことによりその表面を被覆した板状の複合磁性体６３とを備えている。
このモノポールアンテナ６１は、所定形状の導体からなる地板６４に同軸コネクタ等を介して接続され、この同軸コネクタ等の内導体である接続部６５を給電点とするように交流信号発信機６６が接続されている。
その他の種類及び形状のアンテナにおける給電方法も上記と同様、アンテナは地板６４にコネクタ等を介して接続され、この接続部６５を給電点とするように交流信号発信機６６が接続される。
【０１１１】
［通信装置］
本実施形態の通信装置は、上記のアンテナを備えている。
この通信装置としては、電磁波を介して各種情報の送信、受信、送受信のいずれかを行う装置であればよく、特に限定されない。例えば、パーソナルコンピューター、携帯用電話機、携帯情報端末、スマートフォン等の多機能携帯用情報端末、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等の通信機器、オーディオ機器、ビデオ機器、カメラ機器等の各種電子機器等が挙げられる。
これらの通信装置においては、上記のアンテナは、通信装置の外部に設けられていてもよく、また、内蔵されていてもよく、いずれでもよい。
【０１１２】
ここで、通信装置として携帯用電話機を例に取り、上記のアンテナの様々な取り付け方について説明する。
図７は、本実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機の一例を示す斜視図であり、この携帯用電話機７１は、筐体７２の前面に液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等からなる表示機能を有する表示部７３が設けられ、この表示部７３の裏面側には地板（図示略）が設けられ、この地板にコネクタ等を介して棒状のモノポールアンテナ７４内に配設されたアンテナ導体７５が接続され、この接続部を介して携帯用電話機７１の電子回路（図示略）が接続されている。このモノポールアンテナ７４のアンテナ導体７５は、複合磁性体７６により被覆されている。
【０１１３】
このモノポールアンテナ７４は、筐体７２から取り出し可能かつ筐体７２に収納可能とされており、通信時は、必要に応じて筐体７２から引き出して通信を行い、通信しない時には、筐体７２に押し込んで収納するようになっている。
このモノポールアンテナ７４は、棒状である必要はなく、伸縮自在であってもよい。
このモノポールアンテナ７４は、アンテナ利得を向上させることを考慮すると、表示部７３等と重ならない位置に設けることが好ましい。なお、表示部７３等と重なる位置にモノポールアンテナ７４を設ける場合には、このモノポールアンテナ７４と表示部７３との間隔を空けることが好ましい。
【０１１４】
図８は、本実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機の他の一例を示す斜視図であり、この携帯用電話機８１は、筐体８２の前面に液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等からなる表示機能を有する表示部８３が設けられ、側面に外部アンテナ用端子８４が設けられ、この外部アンテナ用端子８４には、棒状のモノポールアンテナ８５の側面に設けられた接続端子８６が嵌め込まれており、このモノポールアンテナ８５内に配設されたアンテナ導体８７が、表示部８３の裏面側に設けられた地板（図示略）に接続端子８６及び外部アンテナ用端子８４を介して接続され、この接続部を介して携帯用電話機８１の電子回路（図示略）が接続されている。このモノポールアンテナ８５は、アンテナ導体８７が複合磁性体８８により被覆されている。
この携帯用電話機８１では、モノポールアンテナ８５の接続端子８６を外部アンテナ用端子８４に挿入・取り外しすることで、装着及び取り外し可能とされている。
【０１１５】
図９は、本実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機のさらに他の一例の一部を示す部分斜視図であり、この携帯用電話機９１は、筐体９２の前面の液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等からなる表示機能を有する表示部（図示略）の背面側に地板９３が設けられ、この地板９３と重ならない位置（図９では、地板９３の上方）にＬ字アンテナ９４が設けられ、このＬ字アンテナ９４内に配設された銅線等の導体からなるアンテナ導体９５が地板９３にコネクタ等を介して接続され、この接続部を介して携帯用電話機９１の電子回路（図示略）が接続されている。このＬ字アンテナ９４は、アンテナ導体９５が複合磁性体９６により被覆されている。
【０１１６】
図１０は、本実施形態の通信装置の一種の携帯用電話機のさらに他の一例の一部を示す部分斜視図であり、この携帯用電話機１０１は、筐体１０２の前面の液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等からなる表示機能を有する表示部（図示略）の背面側に地板１０３が設けられ、この地板１０３と重ならない位置（図１０では、地板１０３の上方）にヘリカルアンテナ１０４が設けられ、このヘリカルアンテナ１０４のうち棒状の複合磁性体１０５に巻回された螺旋状のアンテナ導体１０６が地板１０３にコネクタ等を介して接続され、この接続部を介して携帯用電話機１０１の電子回路（図示略）が接続されている。
【０１１７】
上記の各例によれば、搭載しているモノポールアンテナ７４、８５、Ｌ字アンテナ９４またはヘリカルアンテナ１０４が共に小型であるから、アンテナを携帯用電話機内の狭い空間に配置させることができ、アンテナ以外の部品により電波が遮断されることなく、アンテナ利得の高い携帯用電話機を得ることができる。
【０１１８】
以上説明したように、本実施形態の複合磁性体によれば、主鎖に環状構造を有しかつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂と、平板状磁性体粒子とを含有しているので、平板状磁性体粒子に対する樹脂による立体障害の影響を小さくすることができる。したがって、複素透磁率の実部μｒ’が高くかつ機械的強度に優れた複合磁性体を提供することができる。
しかも、モノマー単位で重合する官能基を有する樹脂を用いているので、樹脂の結合が強固なものとなり、電子部品等に用いるのに十分な成形体としての機械的強度を有することができる。
【０１１９】
本実施形態の複合磁性体の製造方法によれば、主鎖に環状構造を有しかつモノマー単位で重合する官能基を有する樹脂と、平板状磁性体粒子と、必要に応じて硬化剤と溶媒とを混合し、混合物を得る工程と、この混合物に磁場を印加させて平板状磁性体粒子を配向させる工程と、平板状磁性体粒子が配向した成形体を乾燥・硬化させる工程とを有するので、複素透磁率の実部μｒ’が高くかつ機械的強度に優れた複合磁性体を、容易に作製することができる。
さらに、塗布膜に磁場を１回若しくは複数回印加することで、塗布膜中の平板状磁性体粒子の配向性を向上させることができる。
【０１２０】
本実施形態のアンテナによれば、本実施形態の複合磁性体を備えたので、波長短縮効果により、所望波長の１／４よりも長さが短い小型アンテナを得ることができる。
【０１２１】
本実施形態の通信装置によれば、本実施形態の小型のアンテナを備えたので、電磁波を遮断する他の電子機器の影響を受けにくい場所にアンテナを配置させる自由度が高く、良好な送受信が可能な小型の通信装置を得ることができる。
【実施例】
【０１２２】
以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【０１２３】
本実施例及び比較例では、以下の方法により評価した。
（１）平板状磁性体粒子の観察
走査型電子顕微鏡Ｓ−４０００（日立ハイテク社製）で観察した。
（２）１ＧＨｚにおける複素透磁率の実部μｒ’の測定
透磁率測定装置  ベクトルネットワークアナライザー  ８７９１ＥＳ型（Agilent Technologies社製）にて、大気中室温において、１ＧＨｚで測定した。
（３）２００ＭＨｚにおける複素透磁率の実部μｒ’の測定
透磁率測定装置  マテリアルアナライザー  Ｅ４９９１Ａ型（Agilent Technologies社製）にて、大気中室温において、２００ＭＨｚで測定した。
【０１２４】
［実施例１］
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂 ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｌ（ＤＩＣ株式会社製）と、硬化剤としてエポキシ樹脂と硬化剤の全体量に対して１質量％の１−イソブチル―２メチルイミダゾールと、樹脂と硬化剤と平板状磁性体粒子の全体量に対して３０体積％のＮｉ７５質量％−Ｆｅ２０質量％−Ｚｎ５質量％の合金からなる平均長径が２．５μｍ、平均厚みが０．３μｍ、平均アスペクト比が８．３、保持力が３５エルステッド（Ｏｅ）の平板状磁性体粒子と、シクロヘキサノンを遊星撹拌機に投入し、５分間混合してスラリー状の混合物を得た。この混合物の粘度は４Ｐａ・Ｓであった。
【０１２５】
次いで、この混合物をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にバーコーターにて０．１ｍｍの厚みになるように、シート成形を行った。
シート成形後、このシートの面に水平方向に９００ガウスの磁場を６分間印加した。次いで、８０℃の温風を当てて風乾させ、さらに、１６０℃にて２時間硬化反応を行い、実施例１の複合磁性体を得た。
【０１２６】
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、平板状磁性体粒子の長軸方向がシート面に水平な方向（配向方向）に対してなす角（水平方向に対する傾き）を５０個の平板状磁性体粒子について測定した。その結果、５０個の傾きの平均値は８．２度であり、平板状磁性体粒子がほぼシート面に水平な方向に配向しており、配向性が良好であることが確認された。
また、この複合磁性体の大気中、室温、１ＧＨｚにおけるμｒ’は９．７であった。
【０１２７】
［実施例２］
平板状磁性体粒子の含有量を樹脂と硬化剤と平板状磁性体粒子の全体量に対して４０体積％とした以外は、実施例１と同様にして、実施例２の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は８．５度であり、平板状磁性体粒子がほぼシート面に水平な方向に配向し、配向性が良好であることが確認された。
また、この複合磁性体の複素透磁率を、実施例１と同様に測定したところ、大気中、室温、１ＧＨｚにおけるμｒ’は１２．０であった。
【０１２８】
［実施例３］
硬化剤として、１−イソブチル―２メチルイミダゾールをエポキシ樹脂と硬化剤の全体量に対して１質量％混合する替わりに、フェノールノボラック樹脂  ＴＤ−２１３１（ＤＩＣ株式会社製）をエポキシ樹脂の全体量に対して等量混合した以外は、実施例１と同様にして、実施例３の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は８．６度であり、平板状磁性体粒子がほぼシート面に水平な方向に配向し、配向性が良好であることが確認された。
また、この複合磁性体の複素透磁率を、実施例１と同様に測定したところ、大気中、室温、１ＧＨｚにおけるμｒ’は９．４であった。
【０１２９】
［実施例４］
実施例１にてシートに印加する磁場を９００ガウスから７００ガウスに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例４の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は１２．５度であり、平板状磁性体粒子がほぼシート面に水平な方向に配向し、配向性が良好であることが確認された。
また、この複合磁性体の複素透磁率を、実施例１と同様に測定したところ、大気中、室温、１ＧＨｚにおけるμｒ’は８．４であった。
【０１３０】
［実施例５］
実施例１にてシートに印加する磁場を９００ガウスから６００ガウスに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例５の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は１７．９度であり、平板状磁性体粒子がだいたいシート面に水平な方向に配向していることが確認された。
また、この複合磁性体の複素透磁率を、実施例１と同様に測定したところ、大気中、室温、１ＧＨｚにおけるμｒ’は７．２であった。
【０１３１】
[比較例１]
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂 ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｌ（ＤＩＣ株式会社製）をビスフェノール型エポキシ樹脂 １２５６（三菱化学株式会社製）に替えた以外は、実施例１と同様にして、比較例１の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は２１．５度であり、これらの平板状磁性体粒子は一方向に揃っておらず、配向性が低下していることが確認された。
また、この複合磁性体の複素透磁率を、実施例１と同様に測定したところ、大気中、室温、１ＧＨｚにおけるμｒ’は６．５であった。
【０１３２】
[比較例２]
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂 ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｌ（ＤＩＣ株式会社製）をフェノールノボラック樹脂 ＴＤ−２１３１（ＤＩＣ株式会社製）に替えた以外は、実施例１と同様にして、比較例２の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は２８．４度であり、これらの平板状磁性体粒子は一方向に揃っておらず、配向性が低下していることが確認された。
また、この複合磁性体の複素透磁率を、実施例１と同様に測定したところ、大気中、室温、１ＧＨｚにおけるμｒ’は５．８であった。
【０１３３】
［実施例６］
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂 ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｌ（ＤＩＣ株式会社製）と、硬化剤としてエポキシ樹脂と硬化剤の全
体量に対して１質量％の１−イソブチル―２メチルイミダゾールと、樹脂と硬化剤と平板状磁性体粒子の全体量に対して３０体積％のＮｉ７５質量％−Ｆｅ２０質量％−Ｚｎ５質量％の合金からなる平均長径が２．５μｍ、平均厚みが０．３μｍ、平均アスペクト比が８．３、保持力が３５エルステッド（Ｏｅ）の平板状磁性体粒子と、シクロヘキサノンを遊星撹拌機に投入し、５分間混合してスラリー状の混合物を得た。この混合物の粘度は４Ｐａ・Ｓであった。
【０１３４】
次いで、この混合物をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にバーコーターにて０．１ｍｍの厚みになるように、シート成形を行った。
シート成形後、図１に示す配向装置１１に、このシートを２ｍ／分の速度にて送り、１２００ガウスの磁場を印加した。次いで、８０℃の温風を当てて風乾させ、さらに、１６０℃にて２時間硬化反応を行い、実施例６の複合磁性体を得た。
【０１３５】
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は８．２度であり、平板状磁性体粒子がほぼシート面に水平な方向に配向しており、配向性が良好であることが確認された。
また、この複合磁性体の大気中、室温、１ＧＨｚにおけるμｒ’は９．７であり、２００ＭＨｚにおけるμｒ’は８．５であった。
【０１３６】
［実施例７］
平板状磁性体粒子の含有量を樹脂と硬化剤の全体量に対して４０体積％とした以外は、実施例６と同様にして、実施例７の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は８．５度であり、平板状磁性体粒子がほぼシート面に水平な方向に配向し、配向性が良好であることが確認された。
また、この複合磁性体の複素透磁率を、実施例６と同様に測定したところ、大気中、室温、１ＧＨｚにおけるμｒ’は１２．０であり、２００ＭＨｚにおけるμｒ’は９．３であった。
【０１３７】
［実施例８］
硬化剤として、１−イソブチル―２メチルイミダゾールをエポキシ樹脂と硬化剤の全体量に対して１質量％混合する替わりに、フェノールノボラック樹脂  ＴＤ−２１３１（ＤＩＣ株式会社製）をエポキシ樹脂の全体量に対して等量混合した以外は、実施例６と同様にして、実施例８の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は８．６度であり、平板状磁性体粒子がほぼシート面に水平な方向に配向し、配向性が良好であることが確認された。
また、この複合磁性体の複素透磁率を、実施例６と同様に測定したところ、大気中、室温、１ＧＨｚにおけるμｒ’は９．４であり、２００ＭＨｚにおけるμｒ’は８．３であった。
【０１３８】
［実施例９］
実施例６にてシートに印加する磁場を１２００ガウスから１０００ガウスに変更した以外は、実施例６と同様にして、実施例９の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は１２．５度であり、平板状磁性体粒子がほぼシート面に水平な方向に配向し、配向性が良好であることが確認された。
また、この複合磁性体の複素透磁率を、実施例６と同様に測定したところ、大気中、室温、１ＧＨｚにおけるμｒ’は８．４であり、２００ＭＨｚにおけるμｒ’は７．７であった。
【０１３９】
［実施例１０］
実施例６にてシートに印加する磁場を１２００ガウスから９００ガウスに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例１０の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は１７．９度であり、平板状磁性体粒子がだいたいシート面に水平な方向に配向していることが確認された。
また、この複合磁性体の複素透磁率を、実施例６と同様に測定したところ、大気中、室温、１ＧＨｚにおけるμｒ’は７．２であり、２００ＭＨｚにおけるμｒ’は７．２であった。
【０１４０】
［実施例１１］
実施例７にて、シート成形後、図２に示す配向装置２１に、このシートを２ｍ／分の速度にて送り、９００ガウスの磁場を印加させた以外は同様にして、実施例１１の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は１６．４度であり、平板状磁性体粒子がほぼシート面に水平な方向に配向し、配向性が良好であることが確認された。
また、この複合磁性体の、大気中、室温、２００ＭＨｚにおけるμｒ’は７．５であった。
【０１４１】
［実施例１２］
実施例７にて、シート成形後、図２に示す配向装置２１に、このシートを１ｍ／分の速度にて送り、９００ガウスの磁場を印加させた以外は同様にして、実施例１２の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は１７．０度であり、平板状磁性体粒子がほぼシート面に水平な方向に配向し、配向性が良好であることが確認された。
また、この複合磁性体の大気中、室温、２００ＭＨｚにおけるμｒ’は７．３であった。
【０１４２】
［実施例１３］
実施例１１にて、シート成形後、図３に示す配向装置３１に、このシートを２ｍ／分の速度にて送り、１対の磁石につき３００ガウスの磁場を印加させた。次いで、８０℃の温風を当てて風乾させ、さらに、１６０℃にて２時間硬化反応を行い、実施例１３の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は８．３度であり、平板状磁性体粒子がほぼシート面に水平な方向に配向し、配向性が良好であることが確認された。
また、この複合磁性体の、大気中、室温、２００ＭＨｚにおけるμｒ’は９．０であった。
【０１４３】
［比較例３］
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂 ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｌ（ＤＩＣ株式会社製）をビスフェノール型エポキシ樹脂 １２５６（三菱化学株式会社製）に替えた以外は、実施例６と同様にして、比較例３の複合磁性体を得た。
この複合磁性体中の平板状磁性体粒子のシート面に水平な方向に対する傾きを、実施例１と同様に５０個の平板状磁性体粒子について測定したところ、傾きの平均値は２１．５度であり、これらの平板状磁性体粒子は一方向に揃っておらず、配向性が低下していることが確認された。
また、この複合磁性体の複素透磁率を、実施例６と同様に測定したところ、大気中、室温、１ＧＨｚにおけるμｒ’は６．５であり、２００ＭＨｚにおけるμｒ’は５．６であった。
【符号の説明】
【０１４４】
１  基体
２  塗布膜
１１  配向装置
１２  塗布手段
１３ａ、１３ｂ  磁石
１４  乾燥手段
２１  配向装置
２２ａ、２２ｂ  磁石
２２  磁石
３１  配向装置
３２ａ、３２ｂ、３３ａ、３３ｂ、３４ａ、３４ｂ  磁石
４１  平板状磁性体粒子
５１  配向装置
５２  乾燥手段
６１  モノポールアンテナ
６２  アンテナ導体
６３  複合磁性体
６４  地板
６５  接続部
６６  交流信号発信機
７１  携帯用電話機
７２  筐体
７３  表示部
７４  モノポールアンテナ
７５  アンテナ導体
７６  複合磁性体
８１  携帯用電話機
８２  筐体
８３  表示部
８４  外部アンテナ用端子
８５  モノポールアンテナ
８６  接続端子
８７  アンテナ導体
８８  複合磁性体
９１  携帯用電話機
９２  筐体
９３  地板
９４  Ｌ字アンテナ
９５  アンテナ導体
９６  複合磁性体
１０１  携帯用電話機
１０２  筐体
１０３  地板
１０４  ヘリカルアンテナ
１０５  複合磁性体
１０６  アンテナ導体
２０１  密閉容器
２０２  磁性粒子
２０３  スラリー
２０４  分散媒体
２０５  一軸回転体
２０５ａ  外周端
Ｈ、Ｈ１、Ｈ２  磁力線
ｇ  進行方向
【図１】
2013253122.tif 000006
【図２】
2013253122.tif 000007
【図３】
2013253122.tif 000008
【図４】
2013253122.tif 000009
【図５】
2013253122.tif 000010
【図６】
2013253122.tif 000011
【図７】
2013253122.tif 000012
【図８】
2013253122.tif 000013
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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