(57)【要約】【課題】計測すべき磁場方向以外の方向に存在する外乱の磁場の影響を抑制して磁場を計測する。【解決手段】磁場計測装置９は、照射部１、ガスセル２、計測手段（偏光分離器３、受光部４、信号処理回路５）、磁気シールド７を具備する。磁気シールド７は、両端に開口部を有する筒状に形成されている。ガスセル２は、内部に気体原子が封入され、磁気シールド７の中空の領域に配置される。照射手段１は、電場の振動方向が、磁気シールド７の軸の方向に合うように調整された直線偏光を含む照射光を、磁気シールド７の軸に垂直な方向に沿ってガスセル２に封入された気体原子に照射する。計測手段は、照射手段１により照射され、気体原子を透過した照射光の偏光面の回転角度を計測する。【選択図】図１
2013088289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端に開口部を有する筒状に形成された磁気シールドと、
内部に気体原子が封入され、前記磁気シールドの中空の領域に配置されるガスセルと、
電場の振動方向が前記磁気シールドの軸の方向に合うように調整された直線偏光を含む照射光を、前記ガスセルに封入された気体原子に対して、当該磁気シールドの軸に垂直な方向に沿って照射する照射手段と、
前記照射手段により照射され、前記気体原子を透過した照射光の偏光面の回転角度を計測する計測手段と
を具備することを特徴とする磁場計測装置。
【請求項２】
前記照射手段は、前記照射光を光ファイバーによってガスセルに導く
ことを特徴とする請求項１に記載の磁場計測装置。
【請求項３】
両端に開口部を有する筒状に形成された磁気シールドと、
内部に気体原子が封入され、前記磁気シールドの中空の領域に配置されるガスセルと、
円偏光成分を含むポンプ光を、前記ガスセルに封入された気体原子に対して、前記磁気シールドの軸に平行な方向に沿って照射するポンプ光照射手段と、
直線偏光を含むプローブ光を、前記ガスセルに封入された気体原子に対して、前記磁気シールドの軸に垂直な方向に沿って照射するプローブ光照射手段と、
前記プローブ光照射手段により照射され、前記気体原子を透過したプローブ光の偏光面の回転角度を計測する計測手段と
を具備することを特徴とする磁場計測装置。
【請求項４】
前記ポンプ光照射手段は、前記ポンプ光を光ファイバーによってガスセルに導き、
前記プローブ光照射手段は、前記プローブ光を光ファイバーによってガスセルに導く
ことを特徴とする請求項３に記載の磁場計測装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光を利用した磁場計測装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光を利用した磁場計測装置は、心臓からの磁場（心磁）や脳からの磁場（脳磁）などの生体から発生する微小な磁場を計測するもので、医療画像診断装置などへの応用が期待されている。磁場の計測には、アルカリ金属原子などのガスを封入した素子を用いる。この素子にポンプ光を照射することで素子内の原子のエネルギーが磁場に応じて励起され、この素子を透過したプローブ光の偏光面は磁気光学効果により回転する。磁場計測装置は、この偏光面の回転角度を磁場情報として計測する。
これらの磁場計測装置の感度を向上させる研究が行われている。特許文献１には、検出信号強度を増大させることによって、より高感度な磁場検出を可能にする光ポンピング磁力計が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２３６５９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された磁力計では、計測すべき磁場方向以外の方向に外乱となる磁場が存在すると、感度が低下するという問題がある。
【０００５】
本発明は、計測すべき磁場方向以外の方向に存在する外乱の磁場の影響を抑制して磁場を計測することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決するため、本発明に係る磁場計測装置は、両端に開口部を有する筒状に形成された磁気シールドと、内部に気体原子が封入され、前記磁気シールドの中空の領域に配置されるガスセルと、電場の振動方向が前記磁気シールドの軸の方向に合うように調整された直線偏光を含む照射光を、前記ガスセルに封入された気体原子に対して、当該磁気シールドの軸に垂直な方向に沿って照射する照射手段と、前記照射手段により照射され、前記気体原子を透過した照射光の偏光面の回転角度を計測する計測手段とを具備することを特徴とする。
この構成によれば、計測すべき磁場方向以外の方向に存在する外乱の磁場の影響を抑制して磁場を計測することができる。
【０００７】
好ましくは、前記照射手段は、前記照射光を光ファイバーによってガスセルに導くとよい。
この構成によれば、光ファイバーによって照射光をガスセルに導かない場合に比較して、照射手段の大きさや配置についての制約を減らすことができる。
【０００８】
また、本発明に係る磁場計測装置は、両端に開口部を有する筒状に形成された磁気シールドと、内部に気体原子が封入され、前記磁気シールドの中空の領域に配置されるガスセルと、円偏光成分を含むポンプ光を、前記ガスセルに封入された気体原子に対して、前記磁気シールドの軸に平行な方向に沿って照射するポンプ光照射手段と、直線偏光を含むプローブ光を、前記ガスセルに封入された気体原子に対して、前記磁気シールドの軸に垂直な方向に沿って照射するプローブ光照射手段と、前記プローブ光照射手段により照射され、前記気体原子を透過したプローブ光の偏光面の回転角度を計測する計測手段とを具備することを特徴とする。
この構成によれば、計測すべき磁場方向以外の方向に存在する外乱の磁場の影響を抑制して磁場を計測することができる。
【０００９】
好ましくは、前記ポンプ光照射手段は、前記ポンプ光を光ファイバーによってガスセルに導き、前記プローブ光照射手段は、前記プローブ光を光ファイバーによってガスセルに導くとよい。
この構成によれば、光ファイバーによってポンプ光およびプローブ光をガスセルに導かない場合に比較して、ポンプ光照射手段およびプローブ光照射手段の大きさや配置についての制約を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係る磁場計測装置の全体構成を示す図である。
【図２】磁気シールドの外観を示す図である。
【図３】ワンビーム方式の計測装置により磁場を計測する原理を説明するための図である。
【図４】第１実施形態に係る磁場計測装置の特徴を有していない計測装置による磁場の計測を説明するための図である。
【図５】第１実施形態に係る磁場計測装置による磁場の計測を説明するための図である。
【図６】第２実施形態に係る磁場計測装置の全体構成を示す図である。
【図７】ツービーム方式の計測装置により磁場を計測する原理を説明するための図である。
【図８】第２実施形態に係る磁化ベクトルの軌跡を説明する図である。
【図９】第２実施形態に係る磁場計測装置の特徴を有していない計測装置による磁場の計測を説明するための図である。
【図１０】第２実施形態に係る磁場計測装置による磁場の計測を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
１．第１実施形態
１−１．構成
図１は、本発明の第１実施形態に係る磁場計測装置９の全体構成を示す図である。磁場計測装置９は、ポンプ光の照射をプローブ光の照射によって兼ねる、いわゆるワンビーム方式の計測装置である。照射部１は、光源１１と変換部１２とを備える。光源１１は、後述するガスセル２に封入された原子の超微細構造準位の遷移に対応した周波数のレーザーを発生させるレーザー発生装置である。変換部は偏光板などを備え、光源１１が発生させたレーザーを所定方向の直線偏光成分を有する照射光に変換する。光源１１により発生し変換部１２により変換された照射光は、例えば光ファイバーなどにより導かれてガスセル２に照射される。なお、例えば照射部１を後述する磁気シールド７の内側に配置することによって、上述の照射光は、光ファイバーなどを介さずに直接、照射手段などから照射されてもよいが、光ファイバーなどにより照射光を導くことにより、照射部１の大きさや配置などの制約が少なくなる。
【００１２】
ガスセル２は、カリウム（Ｋ）やセシウム（Ｃｓ）などのアルカリ金属原子が封入されたガラス製のセル（素子）である。ガスセル２は、照射部１から照射された上述の照射光を透過させる。ガスセル２を透過した上述の照射光は、光ファイバーなどにより偏光分離器３に導かれる。なお、ガスセル２の材質はガラスに限られず、照射光を透過する材質であれば、樹脂などであってもよい。また、ガスセル２を透過した上述の照射光は、光ファイバーなどを介さずに直接、照射手段などから照射されてもよい。
【００１３】
偏光分離器３は、ガスセル２を透過した上述の照射光を偏光方向に基づいて分離する。具体的には、偏光分離器３は、変換部１２により変換される前の照射光に含まれる上述の直線偏光成分と同じ向きの直線偏光成分を透過させ、この直線偏光成分の偏光方向に垂直な方向の偏光成分を有する光を反射させる。
【００１４】
受光部４は、透過光受光素子４１と反射光受光素子４２とを有する。偏光分離器３を透過した透過光は、透過光受光素子４１により受光され、偏光分離器３を反射した反射光は、反射光受光素子４２により受光される。透過光受光素子４１および反射光受光素子４２は、いずれも受光した光の量に応じた信号を発生し、信号処理回路５に供給する。信号処理回路５は、透過光受光素子４１および反射光受光素子４２にから上述の信号をそれぞれ受け取る。そして、信号処理回路５は、受け取った各信号に基づいて、照射部１により照射された照射光に含まれる直線偏光成分がガスセル２を透過して回転した回転量、すなわち、偏光面の回転角度を計測する。偏光分離器３、受光部４、および信号処理回路５は、照射手段１により照射され、気体原子を透過した照射光の偏光面の回転角度を計測する計測手段として機能する。表示装置６は、信号処理回路５により計測された偏光面の回転角度を表示する。
【００１５】
図１に二点鎖線で示す磁気シールド７は、両端に開口部を有する筒状に形成されたシールドであり、外部の領域の磁場が中空の領域に侵入することを抑制する。なお、図１に表された磁気シールド７は、照射部１、ガスセル２、および偏光分離器３に対する配置を示すものではない。
【００１６】
磁気シールド７の材質は、パーマロイ、鉄・クロム・コバルト系の各アモルファス材、フェライト焼結体などの各磁性体材料を含む。図２は、磁気シールド７の外観を示す図である。以下、図において、磁場計測装置９の各構成の配置を説明するため、各構成が配置される空間をｘｙｚ右手系座標空間として表す。また、図に示す座標記号のうち、内側が白い円の中に黒い円を描いた記号は、紙面奥側から手前側に向かう矢印を表している。また、内側が白い円の中に交差する２本の線分を描いた記号は、紙面手前側から奥側に向かう矢印を表している。空間においてｘ軸に沿う方向をｘ軸方向という。また、ｘ軸方向のうち、ｘ成分が増加する方向を＋ｘ方向といい、ｘ成分が減少する方向を−ｘ方向という。同様に、ｙ、ｚ成分についても、ｙ軸方向、＋ｙ方向、−ｙ方向、ｚ軸方向、＋ｚ方向、−ｚ方向を定義する。
【００１７】
なお、以下の説明において、或る方向が或る軸に沿っているとは、その「或る方向」がその「或る軸」と完全に平行である場合を含むが、これに限定されず、同様の効果を生じさせるのであれば、平行と見なすことができる場合も含む。平行と見なすことができる場合とは、例えば両者の成す角が±２度の範囲に入っているといった場合である。
【００１８】
図２に示すように、磁気シールド７の両端の開口部を結ぶ軸は、ｙ軸方向に沿っている。磁気シールド７の中空の領域には、ガスセル２が配置される。
この磁場計測装置９は、変換部１２によって変換された照射光に含まれる直線偏光の電場の振動方向が、磁気シールド７の軸の方向に合うように構成されている点に特徴を有する。
【００１９】
１−２．動作
図３は、いわゆるワンビーム方式の計測装置により磁場を計測する原理を説明するための図である。ワンビーム方式の計測装置において、ガスセルに封入された気体原子に直線偏光が照射されると、気体原子が光ポンピングされ、エネルギーが変化した際に生じる磁気モーメントの確率分布は、球形の原点対称な分布から変化する。例えば、超微細構造準位Ｆ→Ｆ´＝Ｆ−１のエネルギー遷移のときにおいて、気体原子の磁気モーメントの確率分布はその直線偏光の振動の向きに沿って伸びる領域Ｒ1に応じた形状となる。この確率分布をアライメントという。すなわち、図３（ａ）に示すように、例えば電場の振動方向が＋ｙ方向に平行な矢印Ｄ0方向に沿っている直線偏光を、＋ｘ方向に向けて照射すると、この直線偏光が透過する気体原子には、ｙ軸方向に沿った領域Ｒ1に分布するアライメントが生じる。気体原子を透過すると、線形二色性により直線偏光の偏光面は回転する。図３（ｂ）には、−ｘ方向に直線偏光の電場の振動方向を見たときの偏光面の回転角度αが示されている。この回転角度αが、＋ｘ方向の磁場の強さと相関があるため、この回転角度αを計測することにより、ガスセル２の内部におけるｘ軸方向の磁場の強さが求まる。なお、ワンビーム方式において、測定する磁場の方向ＤMは、光を照射する方向（図３では＋ｘ方向）となる。
【００２０】
ここで、本発明に係る磁場計測装置９の上述した特徴を説明するために、この特徴を有していない計測装置の動作を説明する。図４は、磁場計測装置９の特徴を有していない計測装置による磁場の計測を説明するための図である。この計測装置は、磁場計測装置９と共通の構成を備えているが、照射光に含まれる直線偏光の電場の振動方向が、磁気シールドの軸の方向に合うように構成されていない。例えば、この計測装置において磁気シールドの軸は図４に示すｙ軸方向に沿っており、測定すべき磁場の方向ＤMが＋ｘ方向であるため、直線偏光成分を有する照射光は＋ｘ方向に向けて照射される。照射される直線偏光は、その電場の振動方向が、磁気シールドの軸の方向（ｙ軸方向）に合わないようになっている。具体的には、上記の振動方向は、ｚ軸方向に平行である。したがって、ガスセル中の気体原子には、図４（ａ）に破線で示した領域Ｒａにアライメントが発生する。このアライメントは、ｚ軸を中心としてほぼ回転対称の形状であり、ｚ軸方向に沿って伸びている。
【００２１】
この計測装置は、ｙ軸方向に沿って軸が配置されている磁気シールドを有するので、ｘ軸方向やｚ軸方向、およびこれらを合成した方向に沿った外乱の磁場は防がれる可能性が高いが、ｙ軸方向に沿った外乱の磁場は、中空の領域に影響し易い。ガスセル中の気体原子に発生した上述のアライメントは、ｙ軸方向に沿った外乱の磁場を受けると、ｙ軸に平行な軸を中心に回転する。すなわち、アライメントは回転し、図４（ａ）に実線で示す領域Ｒｂに応じた姿勢となる。図４（ｂ）には、＋ｙ方向に向かって見たアライメントが示されている。このように、本来、領域Ｒａに発生していたアライメントは、磁気シールドによって防ぎきれなかったｙ軸方向の磁場に影響され、矢印Ｄ4方向に回転し、領域Ｒｂに応じた姿勢となる。
【００２２】
図４（ｃ）には、気体原子を透過した照射光を計測する側、すなわち、＋ｘ方向の側から、気体原子の存在する側、すなわち、−ｘ方向の側を見たときのアライメントが示されている。−ｘ方向に向かって見て、外乱の磁場による回転後のアライメントの形状を示す領域Ｒｂは、回転前のアライメントの形状を示す領域Ｒａに比べて長さが短くなっている。すなわち、領域Ｒａのｚ軸方向の長さは、Ｌ0であるのに対し、領域Ｒｂのｚ軸方向の長さは、Ｌ0よりも短いＬ1である。したがって、この計測装置において、気体原子を透過した照射光を計測する側から見たアライメントは、外乱の磁場に影響されて小さくなる。その結果、この計測装置の感度は、外乱の磁場の影響によって低下する。
【００２３】
一方、図５は、本発明に係る磁場計測装置９による磁場の計測を説明するための図である。磁場計測装置９において磁気シールド７の軸は図５に示すｙ軸方向に沿っており、測定すべき磁場の方向ＤMが＋ｘ方向であるため、直線偏光成分を含む照射光は＋ｘ方向に向けて照射される。照射される直線偏光は、その電場の振動方向が、磁気シールドの軸の方向（ｙ軸方向）に合うようになっている。したがって、ガスセル中の気体原子には、図５（ａ）に示した領域Ｒ1にアライメントが発生する。このアライメントは、ｙ軸を中心としてほぼ回転対称の形状であり、ｙ軸方向に沿って伸びている。なお、このアライメントはｘ軸を中心にラーマ回転しており、そのため、回転対称はｙ軸からずれている。しかし、その変位は外乱磁場の大きさに比較して僅かであるため、このアライメントは、ｙ軸を中心としてほぼ回転対称の形状と見なせる。
【００２４】
磁場計測装置９は、ｙ軸方向に沿って軸が配置されている磁気シールド７を有するので、ｙ軸方向に沿った外乱の磁場は、ｘ軸方向やｚ軸方向に沿った外乱の磁場よりも中空の領域に影響し易い。ガスセル２内の気体原子に発生した上述のアライメントは、ｙ軸方向に沿った外乱の磁場を受けると、ｙ軸方向を軸として回転する。すなわち、アライメントは図５（ａ）に示す矢印Ｄ5方向に回転する。図５（ｂ）には、＋ｙ方向に向かって見たアライメントが示されている。上述したとおり、領域Ｒ1に発生したアライメントは、ｙ軸を中心としてほぼ回転対称の形状であり、ｙ軸方向に沿って伸びているので、ｙ軸を中心とする弧の軌跡に沿った矢印Ｄ5方向に回転しても、その形状はほとんど変化しない。したがって、図５（ｃ）に示すように、−ｘ方向に向かって見て、アライメントの形状の長さは、外乱の磁場によって回転する前後でほとんど変わらない。すなわち、回転前のアライメントの長さＬ0は、回転後のアライメントの長さＬ1とほぼ同じである。したがって、この磁場計測装置９の感度は、外乱の磁場に影響され難い。
【００２５】
２．第２実施形態
２−１．構成
図６は、本発明の第２実施形態に係る磁場計測装置９Ａの全体構成を示す図である。磁場計測装置９Ａは、ポンプ光の照射装置とプローブ光の照射装置とを分離した、いわゆるツービーム方式の計測装置である。磁場計測装置９Ａは、照射部１に代えてプローブ光照射部１Ａを具備している点と、ポンプ光照射部８を具備している点が、第１実施形態の磁場計測装置９と異なり、他の構成は共通している。なお、図６に表された磁気シールド７は、プローブ光照射部１Ａ、ガスセル２、ポンプ光照射部８、および偏光分離器３に対する配置を示すものではない。
以下、磁場計測装置９Ａについて、主に磁場計測装置９と異なる点を説明する。
【００２６】
プローブ光照射部１Ａは、光源１１Ａおよび変換部１２Ａを備える。光源１１Ａは光源１１であってもよく、変換部１２Ａは変換部１２であってもよいが、プローブ光照射部１Ａによって照射されるプローブ光の波長は、不必要なポンピングを避けるためにガスセル２に封入された気体原子の共鳴周波数から離れていることが望ましい。また、プローブ光に含まれる成分は、全成分に占める直線偏光の割合が高いほど望ましい。ただし、プローブ光は、直線偏光成分を有していれば、他の偏光成分を含有していてもよい。光源１１Ａにより発生し変換部１２Ａにより変換されたプローブ光は、例えば光ファイバーなどにより導かれてガスセル２に照射される。なお、例えばプローブ光照射部１Ａを磁気シールド７の内側に配置することによって、プローブ光は、光ファイバーなどを介さずに直接、ガスセル２に照射されてもよい。
【００２７】
ポンプ光照射部８は、光源８１および変換部８２を備える。光源８１は、ガスセル２に封入された原子の超微細構造準位の遷移に対応した周波数のレーザーを発生させるレーザー発生装置である。すなわち、光源８１は、ガスセル２に封入された気体原子を励起できる波長に同調するレーザーを発生する。変換部８２は、円偏光フィルターなどを備え、光源８１が発生させたレーザーを、円偏光成分を有するポンプ光に変換する。光源８１により発生し変換部８２により変換されたポンプ光は、例えば光ファイバーなどにより導かれてガスセル２に照射される。ポンプ光は、プローブ光とガスセル２の内部で交差するように照射される。なお、例えばポンプ光照射部８を磁気シールド７の内側に配置することによって、ポンプ光は、光ファイバーなどを介さずに直接、ガスセル２に照射されてもよい。
【００２８】
磁場計測装置９Ａは、変換部８２によって変換されたポンプ光の入射方向が、磁気シールド７の軸の方向に合うように構成されている点に特徴を有する。
【００２９】
２−２．動作
図７は、いわゆるツービーム方式の計測装置により磁場を計測する原理を説明するための図である。ツービーム方式の計測装置において、ガスセルに封入された気体原子にポンプ光が照射されると、気体原子が光ポンピングされ、エネルギーが変化した際に生じる磁気モーメントの確率分布は、そのポンプ光の入射方向に沿って伸びる領域Ｒ2に応じた形状となる。この確率分布をオリエンテーションという。そして、オリエンテーションが形成されることにより生じる磁化の向きを表すベクトル（以下、磁化ベクトルＭという）は、オリエンテーションの向きとなる。この場合、ポンプ光の照射方向が磁化ベクトルＭの方向となる。
【００３０】
図７に示すように、例えば矢印Ｄ7方向の円偏光成分を有するポンプ光を矢印Ｄp方向（＋ｙ方向）に向けて照射すると、このポンプ光が透過する気体原子には、＋ｙ方向に伸びる領域Ｒ2に分布するオリエンテーションが形成され、＋ｙ方向の磁化ベクトルＭが生じる。そして、電場の振動方向が矢印Ｄ0方向に沿っている直線偏光成分を有するプローブ光を矢印Ｄr方向（＋ｘ方向）に向けて照射すると、矢印Ｄp方向（＋ｙ方向）、および矢印Ｄr方向（＋ｘ方向）にそれぞれ垂直な矢印ＤM方向（−ｚ方向）を中心にオリエンテーションがラーマ回転する。これにより、磁化ベクトルＭはｚ軸を中心に回転するが、このとき以下の２つの現象が生じる
【００３１】
［現象ａ］オリエンテーション（磁化ベクトルＭ）をポンプ光の方向に戻そうとする現象。
［現象ｂ］オリエンテーションを光ポンピング前の球状の原点対称に緩和させる現象。
これにより磁化ベクトルＭは、ｘｙ平面上において渦巻き状の軌跡を描く。図８は、磁化ベクトルＭの軌跡を説明する図である。例えば、図７に示した構成において、磁化ベクトルＭは、矢印ＤM方向（−ｚ方向）に見たｘｙ平面上において図８（ａ）に示す軌跡ＴMを描く。そして、上述したプローブ光の偏光面は、ファラデー効果によりオリエンテーションを透過して回転する。したがって、この偏光面の回転角度を計測することにより、ガスセル２の内部における矢印ＤM方向（−ｚ方向）の磁束密度が求まる。
【００３２】
例えば、磁化ベクトルＭが図８（ａ）に示す軌跡ＴMを描くとき、＋ｘ方向の磁化の期待値＜ＭX＞は、特定の値として現れる。横軸に磁束密度Ｂを、縦軸に磁化の期待値＜ＭX＞をそれぞれ表すと、図８（ｂ）に示すような出力波形が得られる。この波形における原点近傍の線形的に変化している部分（図中ΔＢの範囲）の出力を読み取ることによって測定すべき磁束密度Ｂがわかる。
なお、磁化の期待値＜ＭX＞と磁束密度Ｂとの関係式は以下のようになる。
【００３３】
2013088289.tif 000003
ここで、Γgは緩和速度であり、緩和時間Ｔの逆数で与えられる。そして緩和時間Ｔは、縦緩和時間Ｔ1および横緩和時間Ｔ2により、１／Ｔ＝１／Ｔ1＋１／Ｔ2で表される。また、ラーモア角周波数をωL［ｒａｄ／ｓ］とし、磁気回転比をγ［ｒａｄ／ｓＴ］とし、磁束密度をＢ［Ｔ］とすると、ωL＝γＢが成り立つ。磁化Ｍは、磁気モーメントの単位体積あたりの総和であるから比例定数Ｃは原子密度ｎに比例するパラメータと考える。
【００３４】
ここで、本発明に係る磁場計測装置９Ａの上述した特徴を説明するために、この特徴を有していない計測装置の動作を説明する。図９は、磁場計測装置９Ａの特徴を有していない計測装置による磁場の計測を説明するための図である。この計測装置は、磁場計測装置９Ａと共通の構成を備えているが、ポンプ光の入射方向Ｄpが、磁気シールド７の軸の方向に合うように構成されていない。例えば、この計測装置において磁気シールドの軸は図９に示すｙ軸方向に沿っており、円偏光成分を有するポンプ光は＋ｚ方向に向けて照射される。つまり、照射されるポンプ光の入射方向Ｄp（＋ｚ方向）は、磁気シールドの軸の方向（ｙ軸方向）に合わないようになっている。したがって、ガスセル中の気体原子には、図９（ａ）に破線で示した領域Ｒｃにオリエンテーションが発生する。このオリエンテーションは、ｚ軸を中心としてほぼ回転対称の形状であり、ｚ軸方向に沿って伸びている。
【００３５】
この計測装置は、ｙ軸方向に沿って軸が配置されている磁気シールドを有するので、ｘ軸方向やｚ軸方向、およびこれらを合成した方向に沿った外乱の磁場は防がれる可能性が高いが、ｙ軸方向に沿った外乱の磁場は、中空の領域に影響し易い。ガスセル中の気体原子に発生した上述のオリエンテーションは、ｙ軸方向に沿った外乱の磁場を受けると、ｙ軸に平行な軸を中心に回転する。すなわち、オリエンテーションは回転し、図９（ａ）に実線で示す領域Ｒｄに応じた姿勢となる。図９（ｂ）には、＋ｙ方向に向かって見たオリエンテーションが示されている。このように、本来、破線で示す領域Ｒｃに発生していたオリエンテーションは、磁気シールドによって防ぎきれなかったｙ軸方向の磁場に影響され、矢印Ｄ8方向に回転し、領域Ｒｄに応じた姿勢となる。
【００３６】
ここで、図９に示す例では、矢印ＤM方向（−ｘ方向）の磁束密度を測定するために、矢印Ｄr方向（＋ｙ方向）に向けてプローブ光を照射する。すなわち、ガスセルの−ｙ方向からプローブ光が照射され、ガスセルの＋ｙ方向に透過したプローブ光の偏光面の回転角度が計測手段（偏光分離器３、受光部４、信号処理回路５）によって計測される。図９（ｂ）に示したように、＋ｙ方向に沿って見るとオリエンテーションはｙ軸方向に沿った外乱の磁場を受け、領域Ｒｃから領域Ｒｄに回転しているので、磁化ベクトルＭも−ｘ方向に回転している。そのため、磁化ベクトルＭは上述した図８（ａ）と異なる軌跡を描くこととなり、磁化の期待値も異なる値となるため、出力波形は外乱の磁場の影響が加味された波形となる。したがって、この場合の計測は、外乱磁場に影響を受け易い。
【００３７】
一方、図１０は、本発明に係る磁場計測装置９Ａによる磁場の計測を説明するための図である。磁場計測装置９Ａにおいて磁気シールド７の軸は、図１０に示すｙ軸方向に沿っており、円偏光成分を有するポンプ光は＋ｙ方向に向けて照射される。つまり、照射されるポンプ光の入射方向Ｄp（＋ｙ方向）は、磁気シールドの軸の方向（ｙ軸方向）に合うようになっている。したがって、ガスセル中の気体原子には、図１０（ａ）に示した領域Ｒ2にオリエンテーションが発生する。このオリエンテーションは、ｙ軸を中心としてほぼ回転対称の形状であり、ｙ軸方向に沿って伸びている。なお、ここでは、矢印Ｄr方向（＋ｘ方向）に向けてプローブ光が照射され、矢印ＤM方向（−ｚ方向）の磁場が測定される。
【００３８】
磁場計測装置９Ａにおいて、ｙ軸方向に沿って軸が配置されている磁気シールド７を有するので、ｙ軸方向に沿った外乱の磁場は、中空の領域に影響し易い。ガスセル２内の気体原子に発生した上述のオリエンテーションは、ｙ軸方向に沿った外乱の磁場を受けると、ｙ軸方向を軸として回転する。すなわち、オリエンテーションは図１０（ａ）に示す矢印Ｄ9方向に回転する。図１０（ｂ）には、＋ｙ方向に向かって見たオリエンテーションが示されている。上述したとおり、領域Ｒ2に発生したオリエンテーションは、ｙ軸を中心としてほぼ回転対称の形状であり、ｙ軸方向に沿って伸びているので、ｙ軸を中心とする弧の軌跡に沿った矢印Ｄ9方向に回転しても、その形状はほとんど変化しない。したがって、図１０（ｃ）に示すように、矢印ＤM方向（−ｚ方向）に見たｘｙ平面上において、オリエンテーションの形成によって生じる磁化ベクトルＭの方向は、外乱の磁場によってオリエンテーションが回転する前後で変わらない。したがって、この場合、直線偏光成分を有するプローブ光を矢印Ｄr方向（＋ｘ方向）に向けて照射すると、磁化ベクトルＭは図８（ａ）に示したような軌跡を描き、磁束密度が求まる。すなわち、この磁場計測装置９Ａの感度は、外乱の磁場に影響され難い。
【符号の説明】
【００３９】
１…照射部、１Ａ…プローブ光照射部、１１，１１Ａ…光源、１２，１２Ａ…変換部、２…ガスセル、３…偏光分離器、４…受光部、４１…透過光受光素子、４２…反射光受光素子、５…信号処理回路、６…表示装置、７…磁気シールド、８…ポンプ光照射部、８１…光源、８２…変換部、９…磁場計測装置（第１実施形態）、９Ａ…磁場計測装置（第２実施形態）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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