(57)【要約】【課題】堆積シールド表面をクリーニング及び回復する方法及びそのシールドの使用方法が開示される。【解決手段】本方法は、略２００マイクロインチから略５００マイクロインチの間の表面粗度と、略１ミクロンから略５ミクロンの間のサイズの略０．１個／ｍｍ２未満の粒子表面密度とを有し、略１ミクロン未満のサイズの粒子を有さないクリーニングされたシールドをもたらす。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
堆積チャンバのシールドをクリーニング及び回復するための方法であって、
未使用のグリット物質でステンレス鋼シールドをグリットブラスティングすることによって、該ステンレス鋼シールドの表面を粗面化するステップと、
粗面化された表面を化学エッチング液でエッチングすることによって、該粗面化された表面に埋め込まれた粒子をゆるめるステップと、
高圧洗浄及び超音波処理のうち少なくとも一方によって該粗面化された表面からゆるめられた粒子を除去して、略２００マイクロインチから略５００マイクロインチの間の表面粗度と、略１ミクロンから略５ミクロンの間のサイズの粒子の略０．１個／ｍｍ２未満の表面粒子密度とを有し、略１ミクロン未満のサイズの粒子を有さないシールドを提供するステップとを備えた方法。
【請求項２】
前記粗面化するステップが、略３０ｐｓｉから略７５ｐｓｉの間の圧力において略１６から略８０の間のグリットサイズの未使用のグリット物質でシールドをグリットブラスティングするステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ゆるめるステップが、水と混合された略２０％から略８０％のＦｅＣｌ３溶液内において略９０分間から略１２０分間までの間にわたってシールドをエッチングして、ステンレス鋼をアンダーカットして、埋め込まれたグリット粒子及び表面粒子残留物を除去するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ゆるめるステップが、水と混合された略２０％から略８０％のＫＯＨ溶液内において略９０分間から略１２０分間までの間にわたってシールドをエッチングして、ステンレス鋼をアンダーカットして、埋め込まれたグリット粒子及び表面粒子残留物を除去するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記超音波処理が、略５ｋＨｚから略２０ｋＨｚの間で略５分間から略２０分間の間にわたってシールドを超音波処理することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記高圧洗浄が、略５０℃から略８０℃までの温度、略１ｋＰａから略５ｋＰａまでの圧力、及び略１０分間から略５０分間の時間での高圧水洗浄を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記高圧洗浄が、略５０℃の温度における略３０分間の洗浄時間にわたる略２ｋＰａの圧力での高圧水洗浄を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記粗面化するステップの前に、略５％〜略２５％ＨＦ＋略３０％〜略６０％ＨＮＯ３水溶液を含むエッチング剤の剥離タンク内において、略５０℃から略８０℃の温度で略３０分間から略１２０分間にわたってシールドを前処理するステップを更に備えた請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記粗面化するステップの前に、ＨＦ＋ＨＮＯ３＋Ｈ２Ｏ（略１：１：１の混合比）を備えた溶液内において略３０秒間から略３０分間までにわたってシールドを前処理するステップを更に備えた請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記エッチングすることの後に、略１０％〜略４０％ＨＦ＋略１０％〜略４０％ＨＮＯ３＋略１０％〜略４０％Ｈ２Ｏを備えた溶液内において略３０秒間から略３０分間にわたってシールドを処理するステップを更に備えた請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記エッチングすることの後に、略３０％〜略７５％ＨＮＯ３を備えた溶液内において略３０秒間から略３０分間にわたってシールドを処理するステップを更に備えた請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法によってクリーニング及び回復された堆積シールドであって、
略２００マイクロインチから略５００マイクロインチの間の表面粗度と、略１ミクロンから略５ミクロンの間のサイズの粒子の略０．１個／ｍｍ２未満の表面粒子密度とを有し、略１ミクロン未満のサイズの粒子を有さないシールドを備えた堆積シールド。
【請求項１３】
ＥＵＶＬマスクブランクを製造するための堆積方法であって、請求項１２に記載のコーティングされたシールドを堆積チャンバ内に提供するステップと、ブランク上に層を堆積させるステップとを備えた方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法によって堆積させた層を備えたＥＵＶＬマスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、堆積システムのシールドをクリーニングするための方法に関し、特に、堆積システムのステンレス鋼シールドをクリーニング及び回復させて、高い表面粗度及び低い粒子残量を有するシールドをもたらす方法及びそれによってクリーニングされたシールドの使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板堆積システムは、プラズマ等の活性化されたガスで基板を処理するのに用いられ得る。典型的には、システムは、ガスが導入されるプロセス領域を取り囲む堆積チャンバと、ガスを活性化させるガス活性化装置と、活性化されたガスを除去する排気装置とを含む。例えば、堆積チャンバは、基板上に物質を堆積させるのに用いられる。
【０００３】
活性化されたガスに晒されるチャンバの部品は、基板上に物質を堆積させるのに用いられたスパッタリング残留物からチャンバの部品の表面を保護する取り外し可能シールドで覆われることが多い。スパッタリングされた物質は、シールドをコーティングして、粒子が剥がれ落ちてプロセスチャンバを汚染するような厚さに層が達すると、シールドを取り外して交換することができる。その後の処理サイクルにおいて、堆積したプロセス残留物がシールド表面から剥がれ落ちて、基板表面に落ちて、その基板を汚染し得る。従って、シールドを頻繁且つ定期的に取り外して、表面残留物をクリーニングする必要がある。製造業者は、シールドを粗面化するのにサンドブラスティングを用いることが多く、これは、シールドを交換せずにより長期間にわたってスパッタリングチャンバを稼働させることを可能にして、プロセス設備の休止時間を縮める。しかしながら、サンドブラスティングは、シールド表面に粒子残留物を残して、基板の汚染の可能性を高め得る。
【０００４】
Ｌｉｎ等の特許文献１は、コーティングを有するチャンバシールド等のプロセスチャンバの部品をクリーニングして修復するための方法に関する。この方法には、シールドを酸性洗浄液（ＨＦ、ＨＮＯ３、ＨＣｌ、Ｈ３ＰＯ４、Ｈ２ＳＯ４等）及び／又は塩基性洗浄液（ＫＯＨ、ＮＨ４ＯＨ、ＮａＯＨ、Ｋ２ＣＯ３等）に浸漬して、プロセス表面残留物を除去して、シールドのコーティングの少なくとも一部をクリーニング又は除去することが含まれる。任意で、化学的にクリーニングされた表面を、超音波洗浄ステップを実施することによって更にクリーニングすることができて、これに加熱が続く。そして、シールドを、略８０から１２０のグリットメッシュサイズを有する粒子を用いて貫入性グリットブラスティングに晒して、下方の構造とコーティングとの間の化合物を除去する。そして、クリーニングされた表面を、略２４から７０のグリットメッシュサイズを有する粒子を用いたテクスチャ化（凹凸化）グリットブラスティングに晒して、略１５０から３５０マイクロインチの表面粗度を与える。任意で、テクスチャ化された表面を、超音波洗浄ステップを実施することによって更にクリーニングすることができて、これに加熱が続く。シールド表面が上述のようにクリーニング及びテクスチャ化されると、金属コーティングを、堆積プロセスによって施す。修復されたシールドは、略１５２から５０８ミクロンの厚さと、略１０００から２０００マイクロインチの表面粗度とを有するコーティングを有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／００８９６９９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、プロセス残留物の剥離量を最少化するようなコーティングされたシールドのクリーニング方法を提供することが望まれている。更に、基板上に低欠陥膜を堆積させて、高い表面粗度及び低い粒子残量をもたらすようなコーティングされたシールドのクリーニング方法を提供することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面は、堆積チャンバシールドをクリーニング及び回復する方法を提供し、その方法は、未使用のグリットブラスティング物質でシールドをグリットブラスティングすることによってステンレス鋼シールドの表面を粗面化するステップと、化学エッチング液で表面をエッチングすることによって粗面化された表面に埋め込まれた粒子をゆるめるステップと、高圧洗浄及び超音波処理の少なくとも一方によって粗面化された表面からゆるめられた粒子を除去して、略２００マイクロインチから略５００マイクロインチの間の表面粗度と、略１ミクロンから略５ミクロンの間のサイズの粒子の略０．１個／ｍｍ２未満の表面粒子密度とを有し、略１ミクロン未満のサイズの粒子を有さないシールドを提供するステップとを含む。
【０００８】
本発明の他の側面は、略２００マイクロインチから略５００マイクロインチの間の表面粗度と、略１ミクロンから略５ミクロンの間のサイズの粒子の略０．１個／ｍｍ２未満の表面粒子密度とを有し、略１ミクロン未満のサイズの粒子を有さないクリーニング及び回復された堆積シールドを提供する。
【０００９】
本発明の他の側面は、ＥＵＶＬマスクブランクを提供し、また、堆積チャンバ内にクリーニング及び回復されたシールドを提供するステップと、ＥＵＶＬマスクブランクの上に層を堆積させるステップとを含む堆積方法を提供する。
【００１０】
本発明のこれらの及び他の側面は、本発明を例示する以下の詳細な説明、添付の特許請求の範囲及び添付図面を参照することによって、明らかになるものである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に従ってグリットブラスティングされているシールドの一実施形態の概略的な側面図である。
【図２】表面を粗面化するためのグリットブラスティング後の図１のシールドの概略的な側面図である。
【図３】埋め込まれたグリット粒子をゆるめるために化学エッチング液でエッチングされている図２のシールドの概略的な側面図である。
【図４】ゆるめられた粒子を除去するために高圧洗浄及び／又は超音波処理されている図３のシールドの概略的な側面図である。
【図５】粗面化されてクリーニングされたシールド表面を示す図４のシールドの概略的な側面図である。
【図６】比較例Ａに係る従来のクリーニングプロセスでクリーニングされたシールド表面の一対のＳＥＭ画像である。
【図７】比較例Ａに係る従来のクリーニングプロセスでクリーニングされたシールド表面のＳＥＭ画像である。
【図８】本発明の実施例１に従ってクリーニングされたシールド表面のＳＥＭ画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
極紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ，ｅｘｔｒｅｍｅ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）用のマスクブランクの製造等のスパッタリングプロセス中において、金属物質が、基板の上と、堆積チャンバ表面を保護するのに用いられるシールドの上とに堆積する。金属物質はシールド表面に付着して、時間と共にシールドから基板上に剥がれ落ちて、基板を汚染する。シールドからの汚染を最少化するため、シールドは定期的に取り外されてクリーニングされる。
【００１３】
本発明は、ステンレス鋼シールド表面をクリーニングするための方法に関する。本方法は、略２００マイクロインチから略５００マイクロインチの間の表面粗度と、略１ミクロンから略５ミクロンの間のサイズの粒子の略０．１個／ｍｍ２未満の表面粒子密度とを有するクリーニングされた表面をもたらす。シールド表面は、好ましくは略２４０マイクロインチから略４００マイクロインチの間、より好ましくは略２６０マイクロインチから略３５０マイクロインチの間、更に好ましくは略２８０マイクロインチから略３２０マイクロインチの間の表面粗度にクリーニングされる。好ましくは、シールド表面は、略１ミクロン未満のサイズ粒子残留物が表面上に存在しないようにクリーニングされる。
【００１４】
修復されたシールドの表面粗度が略２００マイクロインチ未満であると、その表面は平滑過ぎる。堆積プロセスにおけるシールドの使用中、シールド及びそのシールド上の堆積物に起因する欠陥が増加する。シールド上に堆積した物質の堆積膜成長は時間と共に応力をためる。応力は、薄膜堆積物のひび割れによって緩和されるが、これは粒子を発生させる。結果物の粒子は、最終的に基板上の欠陥になる。従って、シールドの表面粗度を増大させて、堆積した薄膜が非連続であり応力をためないようにすることが望ましい。表面粗度を増大させる一方法は、表面をグリットブラスティングすることである。しかしながら、シールド表面が略５００マイクロインチ超の粗さにグリットブラスティングされると、シールド及びそのシールド上の堆積物による欠陥が増える。これは、Ａｌ２Ｏ３等の大きな粒子がグリットブラスティングプロセスの結果としてシールド上に存在して、このような高い表面粗度のシールド表面を生じさせるからである。
【００１５】
表面粗度はＲａで定義され、これは、収集した複数の粗度データ点の絶対値の算術平均である。値は、平均線からの粗度プロファイルの垂直方向の偏差に基づいて表面を特徴付ける。平均粗度Ｒａは、高さの単位で表され、典型的には１インチの“１００万分の１”で表され、“マイクロインチ”でも表される。このような高粗度に対する表面粗度は、電子ゲージ（例えば、Ｍｉｔｕｔｏｙｏ  Ｓｕｒｆｔｅｓｔ  ＳＪ‐２０１）によって求められ、針が、変位を測定する表面に沿った垂直運動を記録する。針の垂直変位が更に増幅、記録及び処理されて、粗度値を計算する。
【００１６】
典型的な堆積システム内部では、１００個以上のシールド部分がプロセスチャンバを裏打ち（ライニング）して、堆積中に内部部品を保護する。これらのシールド部分は、マラソン毎にＭｏ、Ｓｉ及びＲｕでコーティングされる。従って、シールドは後で取り外されてその表面がクリーニングされる。マラソンとは、一回のメンテナンスプロセスから次のメンテナンスプロセスまでの期間のことである。クリーニング後のシールド表面の回復は重要であり、最終的なマスクブランクの欠陥に顕著に影響することがわかっている。シールド表面は、開始時のシールドがＳｉ族粒子の欠陥数を減らすことができるようにするために非常に粗くなければならない。Ｓｉ族の欠陥数は、Ｓｉ及びＳｉ／Ｍｏ欠陥の総数である。欠陥数は、堆積プロセスによってブランク上に堆積した欠陥粒子の数である。また、堆積プロセス又はクリーニングプロセスのいずれかによってシールド上に残っている残留汚染物を、クリーニング処理後に最少化することが望ましく、堆積中に、更なる欠陥がブランクに追加されないようにする。
【００１７】
堆積物をクリーンにエッチングすることができる従来の化学処理は既に実証されている。しかしながら、このような処理は、シールド表面も平滑にして、望ましくない。従来の化学処理プロセスによって得られる典型的なシールド表面粗度は２０マイクロインチ未満であり、本発明によって得られるものよりも一桁小さい。シールドをグリットブラスティングするといった物理クリーニングプロセスを用いて、堆積した物質を化学的に除去した後に表面を粗面化することができるが、このプロセスは、かなりの量の表面に埋め込まれた粒子残留物を残す。この粒子残留物は、堆積マラソン中に欠陥粒子源となる。従来の化学クリーニングプロセス及び物理クリーニングプロセスの制限は、シールド表面をクリーニングすることを困難にする。
【００１８】
本発明者は、堆積したマスクブランクの欠陥の分析によって、表面粗度を維持すること及びクリーニング後にシールド表面上に微粒子を残さないことがこうしたタイプの欠陥を最少化することができることを発見した。そこで、複数のシールドクリーニング処理に着手した結果、表面粗度を維持するためのＡｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等のグリットブラスティング物質によるシールドクリーニング処理、これに続いて、シールド表面上に埋め込まれた粒子を除去するポストクリーニング方法を開発し、これは、略１ミクロンから略５ミクロンの間の粒子の略０．１個／ｍｍ２未満でより高い表面粗度を提供することができて、表面上に略１ミクロン未満のサイズの粒子が存在しない。
【００１９】
堆積シールドチャンバをクリーニング及び回復させるための本発明に係る方法は、グリットブラスティング法及びエッチング法を含む。一実施形態では、方法全体は以下のステップを含む：（ａ）表面をプレクリーニングするステップ（任意）、（ｂ）非常に粗い表面を得るためにグリットブラスティングするステップ（高圧、短い作動距離、各部分毎に対する未使用のグリットの使用）、（ｃ）残留する粒子をアンダーカットしてゆるめるためにＦｅＣｌ３エッチングするステップ、（ｄ）表面粒子をエッチングするためにＫＯＨエッチングするステップ（任意）、（ｅ）エッチングされた表面をポストクリーニングするステップ（任意）、（ｆ）ゆるめられた粒子を除去するために高圧洗浄するステップ、及び／又は、（ｇ）ゆるめられた粒子を除去するために超音波処理するステップ。
【００２０】
グリットサイズとは、例えば紙やすりに埋め込まれた研磨物質の粒子のサイズのことである。グリットサイズには複数の異なる規格が定められている。これらの規格は、平均グリットサイズだけではなく、平均からの許容偏差も定めている。二つの最も一般的なものは、米国ＣＡＭＩ（Ｃｏａｔｅｄ  Ａｂｒａｓｉｖｅ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ、現在はＵｎｉｆｉｅｄ  Ａｂｒａｓｉｖｅｓ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ’  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎの一部）及び欧州ＦＥＰＡ（Ｆｅｄｅｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｐｒｏｄｕｃｅｒｓ  ｏｆ  Ａｂｒａｓｉｖｅｓ）の“Ｐ”グレードである。ＦＥＰＡシステムは、ＩＳＯ６３４４規格と同じである。
【００２１】
図１に示されるように、グリットブラスティングは、Ａｌ２Ｏ３等のグリットブラスティング物質、又は代替的にＳｉＣやＳｉＯ２等の硬質物質を高圧でブラスティングして（吹き付けて）、ターゲット表面を粗面化する物理的プロセスである。図２に示されるように、高圧は、グリット物質を破壊して、シールド表面に埋め込まれた残留物を残すことが多い。典型的には、表面は、少なくとも略２００マイクロインチ、好ましくは少なくとも略２５０マイクロインチの表面粗度にグリットブラスティングされて、クリーニング後に、略２００マイクロインチから略５００マイクロインチの間の表面粗度を得ることができる。埋め込まれたＡｌ２Ｏ３粒子は、堆積中におけるＥＵＶＬマスクブランク上の欠陥粒子の顕著な源であるので、シールド表面上に埋め込まれたＡｌ２Ｏ３粒子を除去するための後続のクリーニングプロセスが用いられる。クリーニングプロセスは、略２００マイクロインチから略５００マイクロインチの間の表面粗度を与え、少数の小さなＡｌ２Ｏ３粒子しか表面上に残さない。より大きなグリット粒子は、表面内に深く埋め込まれて、堆積システムにおいて粒子を加えるものとなる可能性は低い。
【００２２】
図３に示されるように、ＦｅＣｌ３エッチングステップは、表面をアンダーカットして、付着した粒子をゆるめて、後続の除去を可能にする。図４に示されるように、圧力洗浄及び／又は超音波処理ステップは、ゆるめられた粒子を表面から除去する。図５に示されるように、このプロセスは、略１ミクロンから略５ミクロンの間のサイズの粒子の略０．１個／ｍｍ２未満の表面粒子密度で、略２００マイクロインチから略５００マイクロインチの間の粗度を有し、略１ミクロン未満のサイズの粒子を有さない表面をもたらす。クリーニングされた表面の表面粗度は、上述のように針に基づいた測定によって求められる。粒径分布は、ＦＥＩ社（オレゴン州ヒルズバロ）製の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ，ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）モデルＡｌｔｕｒａ８３５によって表面を特性評価することによって、求められる。
【００２３】
本発明の一実施形態によると、堆積プロセス後、使用済みのシールドは、エッチング剤の堆積物剥離タンクに浸漬される。適切なエッチング液は、５０℃の略１０％ＨＦ＋略５０％ＨＮＯ３の水溶液を含み、好ましくは、ＨＦの％は、略５％から略２５％の間で変化し得て、ＨＮＯ３の％は略３０％から略６０％の間で変化し得る。浸漬時間は、略５０℃から略８０℃の間の温度において、選択されたシールド部分に応じて、略３０分間から略１２０分間の間で変化し得る。シールドは、裸眼で観察して確かめられるほどに堆積物が除去されることが確実になるのに十分長く溶液内に浸漬される。シールド部分は、稼働毎に異なる量の堆積物を受けるので、プロセスのこのステップにおけるエッチング時間には多様性が必要とされる。シールドを、ＨＦ＋ＨＮＯ３＋Ｈ２Ｏ（略１：１：１の混合比）等のステンレス鋼リサイクル酸洗い液に、略３０秒から略３０分間の間晒すことができて、好ましくは、ＨＦの割合は略１０％から約４０％の間で変化し、ＨＮＯ３の割合は略１０％から略４０％の間で変化し、Ｈ２Ｏの割合は略１０％から略４０％の間で変化し得る。堆積物質の除去後、グリットサイズが８０のＡｌ２Ｏ３等のグリット物質で、略３０ｐｓｉから略７５ｐｓｉ、好ましくは略４０ｐｓｉから略５０ｐｓｉ、より好ましくは略４５ｐｓｉの圧力において、シールドがグリットブラスティングされる。二度目に、グリットサイズが１６のＡｌ２Ｏ３グリット物質で、略３０ｐｓｉから略７５ｐｓｉ、好ましくは略４０ｐｓｉから略５０ｐｓｉ、より好ましくは略４５ｐｓｉの圧力において、シールドをグリットブラスティングすることができる。図１に示されるように、各シールド部分は、新しいグリット物質でブラスティングされる。何故ならば、再利用すると、グリットはどんどん小さなサイズに壊れていく傾向にあるからである。グリットが小さなサイズに壊れると、より多くの小さな粒径の残留物が加えられて、ブラスティングされた表面の粗度を低下させる。シールド部分の均一性が良好であることを確かめるグリットブラスティング後の分析の後、シールド部分を、高圧水洗浄に晒すことができるが、好ましくは略５０℃から略８０℃までの温度、略１ｋＰａから略５ｋＰａまでの圧力、略１０分間から略５０分間までの時間で行われ、より好ましくは略５０℃の温度で略３０分間の洗浄時間にわたって略２ｋＰａの圧力で行われる。シールド部分は、略９０分間から略１２０分間にわたってＦｅＣｌ３溶液に浸漬されて、好ましくは、略２０％から略８０％までのＦｅＣｌ３溶液が水と混合される。図３に示されるように、浸漬プロセスは、ステンレス鋼をアンダーカットして、埋め込まれたＡｌ２Ｏ３粒子及び表面粒子残留物を除去する。任意で、シールドを、水と混合された略２０％から略８０％までのＫＯＨ溶液内で略９０分間から略１２０分間の間にわたって更にエッチングすることができて、ステンレス鋼をアンダーカットして、埋め込まれたグリット粒子及び表面粒子残留物を除去する。略３０秒間から略３０分間までの間、好ましくは略５分間にわたり、シールド部分を、ＨＦ＋ＨＮＯ３＋Ｈ２Ｏ（略１：１：１の混合比）等のステンレス鋼リサイクル酸洗い液に再び晒すことができる。好ましくは、ＨＦの割合は略１０％から略４０％までで変化し、ＨＮＯ３の割合は略１０％から略４０％までで変化し得る。シールド部分は、略３０秒間から略３０分間までにわたって略３０％から略７５％で、好ましくは略４０％のＨＮＯ３で略１０分間にわたって浸漬され得る。図４に示されるように、シールド部分は、上述の条件に従って、好ましくは、略５０℃の温度で略３０分間の洗浄時間にわたって略２ｋＰａの圧力で高圧水洗浄され得る。その後、シールド部分をオーブン内で略３００℃で略１時間にわたって焼成し、次に、高圧水洗浄を実施することができる。図４に示されるように、シールド部分を、略５分間から略２０分間にわたって略５ｋＨｚで、次に２０ｋＨｚで、好ましくは略１ｋＨｚから略１ＭＨｚの間で超音波処理し得る。図５に示されるように、このプロセスは、略１ミクロンから略５ミクロンの間のサイズの粒子の０．１個／ｍｍ２未満の表面粒子密度で、略２００マイクロインチから略５００マイクロインチまでの表面粗度を有し、略１ミクロン未満のサイズの粒子残留物を有さないシールドを提供する。そして、シールド部分が真空焼成されて、貯蔵又は輸送用にパッケージングされる。
【００２４】
マスクブランクはパターニング前の積層材であり、フォトマスクを製造するのに用いられる。ＥＵＶＬマスクブランクは、ＥＵＶ光を反射する反射層及びＥＵＶ光を吸収する吸収層が例えばガラス製の基板上にこの順で形成された構造を有する。反射層として、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が一般的に用いられ、低屈折率層としてのモリブデン（Ｍｏ）膜と高屈折率層としてのシリコン（Ｓｉ）膜が、交互に積層されて、層表面にＥＵＶ光が照射される際に光の反射率を増大させる。
【００２５】
吸収層については、高いＥＵＶ光吸収係数を有する物質、特に主成分としてクロム（Ｃｒ）又はタンタル（Ｔａ）を含む物質が用いられる。
【００２６】
通常、保護層が反射層と吸収層との間に形成される。このような保護層は、反射層を保護して、吸収層にパターンを形成するために行われるエッチングプロセスによって反射層が損傷しないようにするために設けられる。従って、保護層については、エッチングプロセスによる影響を受けにくい物質を用いることが好ましい。更に、保護層は、ＥＵＶ光線の反射率を低下させない必要がある。何故ならば、マスクブランクの反射層は、保護層が形成された状態においてＥＵＶ光で照射されるからである。そのため、保護層を構成する物質として、Ｒｕ又はＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＮｂ、ＲｕＺｒ等）が好ましい。
【００２７】
ＥＵＶＬマスクブランクの製造においては、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜、保護層及び反射層の形成にスパッタリング法を用いることが好ましく、これは、均一な膜厚が簡単に得られて、タクトタイムが短く、膜厚が容易に制御可能である等の理由による。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成するＭｏ膜及びＳｉ膜並びに保護層の形成には、イオンビームスパッタリング法を用いることが好ましく、吸収層の形成には、マグネトロンスパッタリング法を用いることが好ましい。
【００２８】
スパッタリング法は、スパッタリングターゲット表面に荷電粒子を衝突させて、スパッタリングされた粒子をターゲットからはじき出して、そのスパッタリングされた粒子が、ターゲットに向き合って配置された基板上に堆積することによって薄膜を形成する成膜法である。このような成膜法に用いられるスパッタリングターゲットについては、成膜物質製のターゲット本体が基板（所謂バッキングプレート）によって保持されている構造を適用することが一般的である。
【００２９】
［例］
以下の具体例を参照して本発明を更に例示する。これらの例は例示目的で与えられるものであり、開示又は特許請求の範囲を限定するものではないことを理解されたい。
【００３０】
〈比較例Ａ〉
堆積した物質を化学的に除去した後に、使用済みシールドをグリットブラスティングする等の従来の物理的クリーニングプロセスを行って、表面を粗面化した。このプロセスは、かなりの量の表面に埋め込まれた粒子残留物を残した。使用済みステンレス鋼シールド部分は、以下のプロセスでクリーニングされた。シールド部分を、３０ｐｓｉの圧力下で８０のグリットサイズでグリットブラスティングした。そして、グリット表面残留物を乾燥空気で吹き飛ばした。そして、シールド部分を５分間にわたってＨＣｌ（２０％）に浸漬した。脱イオン水でのスプレー洗浄後に、これら部分を乾燥空気で乾かした。クリーニングされたシールドは、１２５から１５０マイクロインチの表面粗度と、１００個／ｍｍ２の表面粒子密度とを有していた。図６は、比較例Ａに係る従来のクリーニングプロセスでクリーニングされたシールド表面の一対のＳＥＭ画像を示し、図７はその一枚のＳＥＭ画像を示す。
【００３１】
〈実施例１〉
〈使用済みシールドのクリーニング〉‐堆積後、使用済みステンレス鋼シールドを、３０分間にわたってエッチング剤（５０℃の１０％ＨＦ＋５０％ＨＮＯ３の水溶液）の堆積物剥離タンクに浸漬した。そして、シールドを、２０分間にわたってステンレス鋼リサイクル酸洗い液ＨＦ＋ＨＮＯ３＋Ｈ２Ｏ（１：１：１の混合比）に晒した。そして、シールドを、４５ｐｓｉの圧力においてグリットサイズが８０のＡｌ２Ｏ３グリット物質でグリットブラスティングした。そして、シールド部分を、４５ｐｓｉの圧力で１６のグリットサイズで再びグリットブラスティングした。各シールド部分は、毎回新しいグリット物質でブラスティングされる。シールド部分上の均一性が良好であることを確かめるグリットブラスティング後の検査の後、シールド部分を高圧水洗浄した。そして、シールド部分を、水と混合させた５０％のＦｅＣｌ３溶液に１２０分間にわたって浸漬して、ステンレス鋼をアンダーカットして、埋め込まれたＡｌ２Ｏ３粒子及び表面粒子残留物を除去した。シールド部分を、５分間にわたってステンレス鋼リサイクル酸洗い液ＨＦ＋ＨＮＯ３＋Ｈ２Ｏ（１：１：１の混合比）に再び晒した。そして、シールド部分を１０分間にわたって４０％ＨＮＯ３に浸漬した。そして、シールド部分を高圧水洗浄した。そして、シールド部分を１時間にわたって３００℃でオーブン内で焼成して、次に高圧水洗浄を行った。更に、シールド部分を５ｋＨｚで５分間、次に２０ｋＨｚで５分間超音波処理した。このプロセスは、略１ミクロンから略５ミクロンのサイズの粒子の０．１個／ｍｍ２未満の表面粒子密度で、略２８０から略３００マイクロインチまでの表面粗度を有し、略１ミクロン未満のサイズの粒子残留物を有さないシールドを提供した。図８は、本発明の実施例１に従ってクリーニングされたシールド表面のＳＥＭ画像である。
【００３２】
本発明は以下の品質を有してクリーニングされて表面が回復されたシールドを提供する：（ａ）少なくとも略２００マイクロインチの粗度、（ｂ）ほとんど又は全く存在しない表面粒子残留物、（ｃ）イオンビーム堆積において粒子を発生させない。
【００３３】
〈実施例２〉
比較例Ａ及び実施例１で回復させたシールドをそれぞれ別の堆積チャンバに配置した。１５０個のＥＵＶＬマスクブランクを各チャンバで製造した。各チャンバに対してブランクの欠陥を検査して、比較例Ａでクリーニングされたシールドに対するターゲット毎の平均欠陥数・対・実施例１のものの比が略１０．８対１の比であると求められた。
【００３４】
本発明を好ましい実施形態を用いて説明してきたが、変更及び修正が添付の特許請求の範囲内において考えられることは理解されたい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【外国語明細書】
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