(57)【要約】【課題】同じはんだ材料を用いながらも基板をヒータで加熱することによるマルチチップ実装を可能にするマルチチップモジュール等を提供する。【解決手段】マルチチップモジュール１０は、一つのＰＬＣ２０上に複数のＬＤ３１，３２がそれぞれはんだバンプ４１，４２を介してかつＰＬＣ２０の表面２００に水平方向に実装されたものである。そして、複数のはんだバンプ４１，４２の融点Ｔｍが同じであり、ＰＬＣ２０を加熱してからはんだバンプ４１，４２が融点Ｔｍに達するまでの時間ｔ１，ｔ２はＬＤ３１，３２ごとに異なる。【選択図】図１
2013115120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの基板上に複数の部品がそれぞれはんだバンプを介してかつ当該基板表面に水平方向に実装されたマルチチップモジュールにおいて、
複数の前記はんだバンプの融点が同じであり、
前記基板を加熱してから前記はんだバンプが前記融点に達するまでの時間は前記部品ごとに異なる、
ことを特徴とするマルチチップモジュール。
【請求項２】
請求項１記載のマルチチップモジュールにおいて、
前記基板から前記はんだバンプを経て前記部品に至る熱伝導の熱時定数が前記部品ごとに異なることにより、前記時間が前記部品ごとに異なる、
ことを特徴とするマルチチップモジュール。
【請求項３】
請求項２記載のマルチチップモジュールにおいて、
前記はんだバンプの体積に差があることによって、前記熱時定数が前記部品ごとに異なる、
ことを特徴とするマルチチップモジュール。
【請求項４】
請求項３記載のマルチチップモジュールにおいて、
前記はんだバンプの前記基板に接する面積に差があることによって、前記はんだバンプの体積に差がある、
ことを特徴とするマルチチップモジュール。
【請求項５】
請求項４記載のマルチチップモジュールにおいて、
前記基板が平面光波回路であり、前記部品が半導体レーザである、
ことを特徴とするマルチチップモジュール。
【請求項６】
ｎを２以上の整数とし、ｍを１からｎまでいずれかの整数としたとき、一つの基板上にｎ組のはんだバンプを介してかつ当該基板表面に水平方向にｎ個の部品を配置し、前記基板を加熱して前記はんだバンプを溶融することにより、前記基板上にｎ個の前記部品を実装するマルチチップモジュールの製造方法において、
ｎ組の前記はんだバンプに融点の同じものを用い、
前記基板を加熱してから前記はんだバンプが前記融点に達するまでの時間を前記部品ごとに異なる値に設定し、前記時間がｍ番目に長い前記はんだバンプ及び前記部品の組み合わせを、第ｍの前記はんだバンプ及び第ｍの前記部品としたとき、
前記基板上に第ｍの前記はんだバンプ及び第ｍの前記部品を配置し、前記基板を加熱して前記第ｍのはんだバンプを溶融することを、ｍ＝１からｍ＝ｎまでこの順に繰り返し、
かつ、前記第ｍのはんだバンプを溶融するときは、第１の前記はんだバンプから第ｍ−１の前記はんだバンプまでのすべてが溶融しないように、前記基板を加熱する時間を調整する、
ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載のマルチチップモジュールの製造方法において、
前記基板から前記はんだバンプを経て前記部品に至る熱伝導の熱時定数を前記部品ごとに異ならせることにより、前記時間を前記部品ごとに異なる値に設定する、
ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項８】
請求項７記載のマルチチップモジュールの製造方法において、
前記はんだバンプの体積に差を付けることによって、前記熱時定数を前記部品ごとに異ならせる、
ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項９】
請求項８記載のマルチチップモジュールの製造方法において、
前記はんだバンプの前記基板に接する面積に差を付けることによって、前記はんだバンプの体積に差を付ける、
ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載のマルチチップモジュールの製造方法において、
前記基板が平面光波回路であり、前記部品が半導体レーザである、
ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一つの基板上に複数の部品がそれぞれはんだバンプを介して実装されたマルチチップモジュール、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォンを始めとする携帯電話通信のトラフィックの増加に伴い、携帯電話回線の回線能力の増強が進められている。回線能力の増強として、基地局の増設が行われている。基地局が増えれば増えた分だけ、基地局−局舎間をつなぐ通信システムが必要になる。一般的には基地局−局舎間の通信システムに光通信が用いられる。
【０００３】
局舎では通信装置を置けるスペースが限られているため、局舎に置く通信装置は小型であることが求められる。したがって、小型化への要求は大変強く、とりわけ光トランシーバに対する小型化の要求が強い。光トランシーバの小型化を実現するためには、光トランシーバに搭載する光モジュールの小型化が必要である。光モジュールを小型化するためには、光モジュールにより多くの光学素子を搭載することが必要である。一つの基板に二つ以上の素子を実装することは、マルチチップ実装と呼ばれている。
【０００４】
以下、マルチチップ実装に関する特許文献について、幾つか説明する。
【０００５】
特許文献１では、半導体レーザ（以下「ＬＤ（Laser Diode）」という。）のシングルチップ実装に、高融点はんだと低融点はんだとの二種類のはんだを使用している。この技術をマルチチップ実装に応用することを考える。すなわち、高融点はんだを一つめのＬＤ実装に用い、低融点はんだを二つめのＬＤ実装に用いれば、マルチチップ実装が可能である。高融点はんだにＡｕＳｎを使用すれば、その融点は２８０℃程度である。低融点はんだにＳｎＳｂを使用すれば、その融点は２４０℃程度である。
【０００６】
しかし、実際の光モジュール製造では、ＬＤ実装以外の工程でＳｎＳｂが使われることがあるため、ＳｎＳｂをＬＤ実装に用いることは難しい。また、ＳｎＳｂは、融点が低いことから他の熱工程で影響を受け、はんだが溶融してＬＤの位置が動いてしまう可能性があるので、ＬＤのようなサブミクロン単位の位置精度が求められる素子の実装には不向きである。
【０００７】
なお、特許文献１において融点の違う二種類のはんだを使う理由は、ＬＤにかかる応力を低減するためである。はんだは、一般的に融点が高いものほど熱収縮応力が強い。そして、この熱収縮応力によって、ＬＤの特性は不安定になる。そのため、ＬＤの応力に弱い部位に対して、低融点はんだ（柔らかいはんだ）を使用している。
【０００８】
特許文献２では、融点の異なるはんだ材料を用いてマルチチップ実装を基板表面に水平方向に行う。つまり、最初に高融点はんだで一つ目の素子を実装し、次いで低融点はんだで二つ目の素子を実装する。このとき、低融点はんだ使用時に、高融点はんだの融点以上に温度を上げないようにすることにより、既に実装した一つ目の素子の位置ズレを防ぐ。
【０００９】
特許文献３では、融点の異なる又は融点の同じはんだ材料を用いてマルチチップ実装を積層方向（基板表面に垂直方向）に行う。しかし、マルチチップ実装を積層方向に行う技術では、誤差が積層方向に累積するため、高精度化が難しいという欠点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平０９−０６４４７９号公報
【特許文献２】特開２０１１−０１８７６１号公報
【特許文献３】特開平０７−２７３４０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図６及び図７は、関連技術のマルチチップモジュール及びその製造方法を示す斜視図である。以下、これらの図面に基づき説明する。
【００１２】
関連技術のマルチチップモジュール１０ａは、一つのＰＬＣ（Planar Lightwave Circuit）２０上に複数のＬＤ３１，３２がそれぞれはんだバンプ４１ａ，４２ａを介して実装されたものである。はんだバンプ４１ａ，４２ａの、組成、形状及び融点は同じである。
【００１３】
マルチチップモジュール１０ａの製造方法は、次のとおりである。まず、ＰＬＣ２０上にはんだバンプ４１ａ，４２ａを形成する（図６［１］［２］）。そして、はんだバンプ４１ａ上にＬＤ３１を載置し、ＬＤ３１の上方からレーザ光５１を照射することにより、はんだバンプ４１ａを加熱溶融する（図７［１］）。はんだバンプ４１ａの溶融中に、ＬＤ３１の位置決めをする。そして、はんだバンプ３１が冷えて固まることにより、ＬＤ３１のＰＬＣ２０への実装が完了する。同様に、はんだバンプ４２ａ上にＬＤ３２を載置し、ＬＤ３２の上方からレーザ光５２を照射することにより、ＬＤ３２をＰＬＣ２０に実装する（図７［２］）。
【００１４】
更に詳しく説明する。この関連技術は、光学素子を基板上に複数実装する技術である。ここでは、光学素子としてＬＤ３１，３２を採り上げる。また、ＬＤ３１，３２を実装する基板はＰＬＣ２０とし、ＬＤ３１，３２はＰＬＣ２０上の特定の位置に実装されるものとする。特定の位置に実装される例として、ＰＬＣ２０には光導波路２０１，２０２が存在する。ＰＬＣ２０上にはＬＤ実装用の電極２１１，２１２が用意されている（図６［１］）。
【００１５】
ＬＤ３１，３２の実装工程を説明する。まず、ＰＬＣ２０上にはんだバンプ４１ａ，４２ａを形成する（図６［２］）。一般的なＬＤ３１，３２の大きさは数１００μｍである。そのため、はんだバンプ４１ａ，４２ａは、通常、直径１００μｍ程度（厚みは数μｍ程度）のものが使用される。はんだバンプ４１ａ，４２ａの形成後、はんだバンプ４１ａの上にＬＤ３１を乗せて、その上方からレーザ光５１を照射することにより、はんだバンプ４１ａを加熱溶融する（図７［１］）。ＬＤ３１及びはんだバンプ４１ａが冷えてＬＤ３１の実装が完了したら、二つ目のＬＤ３２をはんだバンプ４２の上に乗せて、同様に、レーザ光５２による加熱によってＬＤ３２を実装する（図７［２］）。
【００１６】
ここで、レーザ光５２によって加熱される部分は局所的であるため、照射されたＬＤ３２及びはんだバンプ４２ａのみが加熱される。つまり、既に実装が完了しているＬＤ３１は、隣接箇所にレーザ加熱が行われても、はんだバンプ４１が溶融しないため位置が変化することはない。
【００１７】
以上が、レーザ照射によるマルチチップ実装についての説明である。このレーザ照射実装は、マルチチップ実装を行う上で有効な方法であるものの、レーザ照射実装機が大変高価であるためコストの面でデメリットが存在する。したがって、レーザ照射実装よりも安価な方法でマルチチップ実装を実現することが望まれている。
【００１８】
なお、マルチチップ実装を必要としないシングルチップ実装の場合は、基板全体をヒータで暖めてＬＤを実装する。このヒータ実装機は、レーザ照射実装機に比べて安価であるため、コストの面でメリットがある。
【００１９】
特許文献１、２の説明で述べた融点の異なるはんだを用いれば、ヒータによるマルチチップ実装が可能となる。しかしながら、融点の異なるはんだを用いると、調達コスト及び製造コストが余計にかかるため、ヒータを用いる利点が相殺されてしまう。例えば、通常のはんだバンプ形成装置は、異種材料のはんだを同時に形成できない。そのため、基板上に異種材料のはんだバンプを形成するには、はんだバンプ形成装置が複数必要となる。又は、特殊なはんだバンプ形成装置が必要となる。
【００２０】
そこで、本発明の目的は、同じはんだ材料を用いながらも、基板をヒータで加熱することによるマルチチップ実装を可能にする、マルチチップモジュール等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明に係るマルチチップモジュールは、
一つの基板上に複数の部品がそれぞれはんだバンプを介してかつ当該基板表面に水平方向に実装されたマルチチップモジュールにおいて、
複数の前記はんだバンプの融点が同じであり、
前記基板を加熱してから前記はんだバンプが前記融点に達するまでの時間は前記部品ごとに異なる、
ことを特徴とする。
【００２２】
本発明に係るマルチチップモジュールの製造方法は、
ｎを２以上の整数とし、ｍを１からｎまでいずれかの整数としたとき、一つの基板上にｎ組のはんだバンプを介してかつ当該基板表面に水平方向にｎ個の部品を配置し、前記基板を加熱して前記はんだバンプを溶融することにより、前記基板上にｎ個の前記部品を実装するマルチチップモジュールの製造方法において、
ｎ組の前記はんだバンプに融点の同じものを用い、
前記基板を加熱してから前記はんだバンプが前記融点に達するまでの時間を前記部品ごとに異なる値に設定し、前記時間がｍ番目に長い前記はんだバンプ及び前記部品の組み合わせを、第ｍの前記はんだバンプ及び第ｍの前記部品としたとき、
前記基板上に第ｍの前記はんだバンプ及び第ｍの前記部品を配置し、前記基板を加熱して前記第ｍのはんだバンプを溶融することを、ｍ＝１からｍ＝ｎまでこの順に繰り返し、
かつ、前記第ｍのはんだバンプを溶融するときは、第１の前記はんだバンプから第ｍ−１の前記はんだバンプまでのすべてが溶融しないように、前記基板を加熱する時間を調整する、ことを特徴とする。ここで「組」とは、１つの素子の実装に寄与する１個以上のはんだの集団であることを補足する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板を加熱してからはんだバンプが融点に達するまでの時間を部品ごとに異なる値に設定することにより、同じはんだ材料を用いながらも、基板をヒータで加熱することによるマルチチップ実装が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係るマルチチップモジュールの一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１におけるII−II線縦断面図である。
【図３】本発明に係るマルチチップモジュールの製造方法の一実施形態（その１）を示す斜視図であり、図３［１］→図３［２］の順に工程が進行する。
【図４】本発明に係るマルチチップモジュールの製造方法の一実施形態（その２）を示す斜視図であり、図４［１］→図４［２］の順に工程が進行する。
【図５】図３及び図４の工程におけるはんだバンプの温度変化を示すグラフである。
【図６】関連技術のマルチチップモジュール及びその製造方法（その１）を示す斜視図である。
【図７】関連技術のマルチチップモジュール及びその製造方法（その２）を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。
【００２６】
図１は、本発明に係るマルチチップモジュールの一実施形態を示す斜視図である。図２は、図１におけるII−II線縦断面図である。以下、これらの図面に基づき説明する。
【００２７】
本明細書において、「一組」というときは「一個」の場合も含むものとする。本実施形態において、一つの部品を実装するために用いる一組のはんだバンプは、一個である。本実施形態では、「基板」の一例としてＰＬＣ２０、「部品」の一例としてＬＤ３１，３２をそれぞれ用いている。また、図１及び図２は製造直後のマルチチップモジュール１０を示しているため、マルチチップモジュール１０はヒータ６０の上に置かれている。本実施形態のマルチチップモジュール１０は、一つのＰＬＣ２０上に複数のＬＤ３１，３２がそれぞれはんだバンプ４１，４２を介してかつＰＬＣ２０の表面２００に水平方向に実装されたものである。そして、複数のはんだバンプ４１，４２の融点Ｔｍが同じであり、ＰＬＣ２０を加熱してからはんだバンプ４１，４２が融点Ｔｍに達するまでの時間ｔ１，ｔ２はＬＤ３１，３２ごとに異なる。
【００２８】
本実施形態によれば、ＰＬＣ２０を加熱してからはんだバンプ４１，４２が融点Ｔｍに達するまでの時間ｔ１，ｔ２をＬＤ３１，３２ごとに異なる値に設定することにより、同じはんだ材料を用いながらも、ＰＬＣ２０をヒータ６０で加熱することによるマルチチップ実装が可能になる。
【００２９】
例えば、ＰＬＣ２０から４１，４２を経てＬＤ３１，３２に至る熱伝導の熱時定数τ１，τ２がＬＤ３１，３２ごとに異なることにより、時間ｔ１，ｔ２がＬＤ３１，３２ごとに異なる、としてもよい。このとき、はんだバンプ４１，４２の体積に差があることによって、熱時定数τ１，τ２がＬＤ３１，３２ごとに異なる、としてもよい。このとき、はんだバンプ４１，４２のＰＬＣ２０に接する面積に差があることによって、はんだバンプ４１，４２の体積に差がある、としてもよい。
【００３０】
図３及び図４は、本発明に係るマルチチップモジュールの製造方法の一実施形態を示す斜視図である。図３［１］→図３［２］→図４［１］→図４［２］の順に工程が進行する。図５は、図３及び図４の工程におけるはんだバンプの温度変化を示すグラフである。以下、これらの図面に基づき説明する。
【００３１】
本実施形態では、「ｎ」の一例として「２」を用いている。本実施形態の製造方法は、一つのＰＬＣ２０上に二個のはんだバンプ４１，４２を介してかつＰＬＣ２０の表面２００に水平方向に二個のＬＤ３１，３２を配置し、ＰＬＣ２０を加熱してはんだバンプ４１，４２を溶融することにより、ＰＬＣ２０上に二個のＬＤ３１，３２を実装する方法である。そして、本実施形態の製造方法は、二個のはんだバンプ４１，４２に融点Ｔｍの同じものを用い、ＰＬＣ２０を加熱してからはんだバンプ４１，４２が融点Ｔｍに達するまでの時間ｔ１，ｔ２をＬＤ３１，３２ごとに異なる値に設定する（図５）。
【００３２】
ここで、ｔ１＞ｔ２としたとき、まず、ＰＬＣ２０上にはんだバンプ４１及びＬＤ３１を配置し、ＰＬＣ２０を加熱してはんだバンプ４１を溶融する（図３［１］［２］）。次いで、ＰＬＣ２０上にはんだバンプ４２及びＬＤ３２を配置し、ＰＬＣ２０を加熱してはんだバンプ４２を溶融する（図４［１］［２］）。ただし、はんだバンプ４２を溶融するときは、はんだバンプか４１が溶融しないように、ＰＬＣ２０を加熱する時間ｔを調整する（図４［２］）。例えば、時間ｔをｔ１＞ｔ＞ｔ２となるように調整する。はんだバンプ４１の温度をＴ１とし、はんだバンプ４２の温度をＴ２とし、それらの変化を図５に示す。図５では、ヒータ６０のスイッチＳＷ（図２参照）をオン・オフする時刻を記入している。図５に示す「Ｔｒ」は、はんだバンプ４１，４２の温度Ｔ１，Ｔ２の初期値である。
【００３３】
本実施形態によれば、ＰＬＣ２０を加熱してからはんだバンプ４１，４２が融点Ｔｍに達するまでの時間ｔ１，ｔ２をＬＤ３１，３２ごとに異なる値に設定することにより、同じはんだ材料を用いながらも、ＰＬＣ２０をヒータ６０で加熱することによるマルチチップ実装が可能になる。
【００３４】
例えば、ＰＬＣ２０からはんだバンプ４１，４２を経てＬＤ３１，３２に至る熱伝導の熱時定数τ１，τ２をＬＤ３１，３２ごとに異ならせることにより、時間ｔ１，ｔ２をＬＤ３１，３２ごとに異なる値に設定する、としてもよい。このとき、はんだバンプ４１，４２の体積に差を付けることによって、熱時定数τ１，τ２をＬＤ３１，３２ごとに異ならせる、としてもよい。このとき、はんだバンプ４１，４２のＰＬＣ２０に接する面積に差を付けることによって、はんだバンプ４１，４２の体積に差を付ける、としてもよい。
【００３５】
以上のように、本実施形態では、コスト面で有利なヒータ実装を用いることができるマルチチップモジュールの構造及びその実装方法を提案する。すなわち、ＬＤ実装を行うはんだについて、はんだの体積に差を設けることにより、ＬＤ実装に必要なヒータ加熱温度に変化をつけ、これによりヒータ加熱によって複数のＬＤ実装を行う。以下に更に詳しく説明する。
【００３６】
ＰＬＣ２０は、石英基板上に光ファイバ製造技術と半導体微細加工技術とを組み合わせて作られた石英ガラス光導波路である。ＰＬＣ２０には、光導波路２０１，２０２、電極２１１，２１２並びに図示しない光導波路及び配線が形成されている。ここで、直径数１０μｍのはんだバンプ４１を電極２１１上に形成する（図３［１］）。例えば、厚みが数μｍの板状のはんだをはんだバンプ４１の形状（扁平な円筒状）に打ち抜くと同時に、そのはんだバンプ４１を電極２１１の上に載置する。続いて、ＬＤ３１をはんだバンプ４１の上に乗せ、ヒータ６０を用いてＰＬＣ２０を加熱することによりＬＤ３１を実装する（図３［２］）。図３［２］において、ヒータ６０から発生する熱６１を網目模様で示す。はんだバンプ４１の直径は実装前後でほとんど変わらない。はんだバンプ４１の溶融中に、ＬＤ３１の光軸合わせなどの位置決めを行う。
【００３７】
直径数１０μｍのはんだバンプ４１は、１００μｍ程度のはんだバンプ４２に比べて、はんだ溶融時のヒータ６０表面の温度が１０〜２０℃高くなる。これは、はんだの体積を小さくしたことで、はんだバンプ４１の熱抵抗が大きくなり、これにより規定の実装温度／実装時間内ではんだが溶融しにくくなったためである。つまり、はんだバンプ４１の熱がＬＤ３１側に逃げ、規定の時間内ではんだが融点まで暖まらず、溶融しないためである。はんだが溶融しにくくなったため、ＬＤ３１の実装に要するヒータ６０の加熱温度はより高くなる。
【００３８】
続いて、直径１００μｍ程度のはんだバンプ４２を電極２１２上に形成する（図４［１］）。続いて、ＬＤ３２をはんだバンプ４２の上に乗せ、ヒータ６０を用いてＰＬＣ２０加熱することによりＬＤ３２を実装する（図４［２］）。図４［２］において、ヒータ６０から発生する熱６１を網目模様で示す。
【００３９】
二つ目のＬＤ３２の実装では、はんだバンプ４２の体積が一つ目のＬＤ３１のときよりも大きいため、一つ目のＬＤ３１のときと比較して実装に要するヒータ６０の加熱温度は低い。したがって、ヒータ６０の加熱温度の高い一つ目のＬＤ３１のはんだバンプ４１は、二つ目のＬＤ３２の実装の際に再溶融しない。以上説明したように、本実施形態では、はんだの体積を変えることで、はんだ溶融に必要なヒータ加熱温度を変え、マルチチップ実装を実現するのである。
【００４０】
次に、はんだバンプ４１，４２の大小に応じて、ＰＬＣ２０を加熱してからはんだバンプ４１，４２が融点Ｔｍに達するまでの時間ｔ１，ｔ２が異なる理由について説明する。
【００４１】
ヒータ６０で発生した熱は、はんだバンプ４１，４２を経てＬＤ３１，３２に伝わる。そして、ＬＤ３１，３２に伝わった熱は、その先が外気になるので、ＬＤ３１，３２から放出される量よりもＬＤ３１，３２に蓄積される量が多くなる。そのため、ヒータ６０からＬＤ３１，３２に至る熱伝導において、時間ｔ１，ｔ２の差を生じさせる要因として、はんだバンプ４１，４２の熱抵抗及びＬＤ３１，３２の熱容量が大きく影響すると考えられる。
【００４２】
そこで、図２に示すように、はんだバンプ４１，４２の熱抵抗をそれぞれＲ１，Ｒ２とし、ＬＤ３１，３２の熱容量を互いに等しくＣとする。そして、はんだバンプ４１からＬＤ３１に至る熱伝導における熱時定数をτ１とし、はんだバンプ４２からＬＤ３２に至る熱伝導における熱時定数をτ２とする。これらの熱時定数はＲＣ直列回路における時定数に相当するので、τ１，τ２は次式で表せる。
τ１＝Ｒ１×Ｃ      ・・・［１］
τ２＝Ｒ２×Ｃ      ・・・［２］
【００４３】
なお、図２では、電極２１１，２１２は図示を省略し、ヒータ６０のスイッチＳＷを書き加えている。
【００４４】
ここで、はんだバンプ４１，４２は、同じはんだ材料からなり、同じ厚みであり、直径だけが異なる。つまり、はんだバンプ４１の直径ははんだバンプ４２の直径よりも小さいので、それぞれの熱抵抗の大小関係はＲ１＞Ｒ２となる。したがって、熱時定数の大小関係は、式［１］，［２］からτ１＞τ２となる。熱時定数は大きいほど熱が伝わりにくいので、式［１］，［２］から明らかなように、はんだバンプ４１の温度Ｔ１の方が、はんだバンプ４２の温度Ｔ２に比べて、緩やかに上昇又は下降する（図５参照）。
【００４５】
以上、上記実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。例えば、実装する部品の数は、二個に限らず、三個以上でもよい。一つの部品を実装するために用いる一組のはんだバンプは、二個以上としてもよい。また、実装する部品は、ＬＤに限らず、例えばＰＤ（Photo Diode）などでもよく、同じ種類のもの同士に限らず、異なる種類の組み合わせでもよい。
【００４６】
上記の実施形態の一部又は全部は以下の付記のようにも記載され得るが、本発明は以下の構成に限定されるものではない。
【００４７】
［付記１］一つの基板上に複数の部品がそれぞれはんだバンプを介してかつ当該基板表面に水平方向に実装されたマルチチップモジュールにおいて、
複数の前記はんだバンプの融点が同じであり、
前記基板を加熱してから前記はんだバンプが前記融点に達するまでの時間は前記部品ごとに異なる、
ことを特徴とするマルチチップモジュール。
【００４８】
［付記２］付記１記載のマルチチップモジュールにおいて、
前記基板から前記はんだバンプを経て前記部品に至る熱伝導の熱時定数が前記部品ごとに異なることにより、前記時間が前記部品ごとに異なる、
ことを特徴とするマルチチップモジュール。
【００４９】
［付記３］付記２記載のマルチチップモジュールにおいて、
前記はんだバンプの体積に差があることによって、前記熱時定数が前記部品ごとに異なる、
ことを特徴とするマルチチップモジュール。
【００５０】
［付記４］付記３記載のマルチチップモジュールにおいて、
前記はんだバンプの前記基板に接する面積に差があることによって、前記はんだバンプの体積に差がある、
ことを特徴とするマルチチップモジュール。
【００５１】
［付記５］付記４記載のマルチチップモジュールにおいて、
前記基板が平面光波回路であり、前記部品が半導体レーザである、
ことを特徴とするマルチチップモジュール。
【００５２】
［付記６］ｎを２以上の整数とし、ｍを１からｎまでいずれかの整数としたとき、一つの基板上にｎ組のはんだバンプを介してかつ当該基板表面に水平方向にｎ個の部品を配置し、前記基板を加熱して前記はんだバンプを溶融することにより、前記基板上にｎ個の前記部品を実装するマルチチップモジュールの製造方法において、
ｎ組の前記はんだバンプに融点の同じものを用い、
前記基板を加熱してから前記はんだバンプが前記融点に達するまでの時間を前記部品ごとに異なる値に設定し、前記時間がｍ番目に長い前記はんだバンプ及び前記部品の組み合わせを、第ｍの前記はんだバンプ及び第ｍの前記部品としたとき、
前記基板上に第ｍの前記はんだバンプ及び第ｍの前記部品を配置し、前記基板を加熱して前記第ｍのはんだバンプを溶融することを、ｍ＝１からｍ＝ｎまでこの順に繰り返し、
かつ、前記第ｍのはんだバンプを溶融するときは、第１の前記はんだバンプから第ｍ−１の前記はんだバンプまでのすべてが溶融しないように、前記基板を加熱する時間を調整する、
ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【００５３】
［付記７］付記６記載のマルチチップモジュールの製造方法において、
前記基板から前記はんだバンプを経て前記部品に至る熱伝導の熱時定数を前記部品ごとに異ならせることにより、前記時間を前記部品ごとに異なる値に設定する、
ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【００５４】
［付記８］付記７記載のマルチチップモジュールの製造方法において、
前記はんだバンプの体積に差を付けることによって、前記熱時定数を前記部品ごとに異ならせる、
ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【００５５】
［付記９］付記８記載のマルチチップモジュールの製造方法において、
前記はんだバンプの前記基板に接する面積に差を付けることによって、前記はんだバンプの体積に差を付ける、
ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【００５６】
［付記１０］付記９記載のマルチチップモジュールの製造方法において、
前記基板が平面光波回路であり、前記部品が半導体レーザである、
ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、一つの基板上に複数の部品がそれぞれはんだバンプを介して実装されたマルチチップモジュール、例えばマルチチップ半導体レーザモジュールなどに利用可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１０  マルチチップモジュール
２０  ＰＬＣ（基板）
２００  表面
２０１，２０２  光導波路
２１１，２１２  電極
３１，３２  ＬＤ（部品）
４１，４２  はんだバンプ
６０  ヒータ
６１  熱
【図１】
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【図２】
2013115120.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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