(57)【要約】【課題】１つの実施形態は、例えば、露光マージンを向上できるマスクデータ作成方法を提供することを目的とする。【解決手段】１つの実施形態によれば、マスクデータ作成方法が提供される。マスクデータ作成方法では、ホールパターンをｘ方向にピッチＰｘ＝λ／（２×ＮＡ×σｘ）で繰り返し配置するとともに、ｙ方向にピッチＰｙ＝λ／（２×ＮＡ×σｙ）で繰り返し配置する。マスクデータ作成方法では、第１のブロック領域における最も第２のブロック領域に近いホールパターンと第２のブロック領域における最も第１のブロック領域に近いホールパターンとの間のピッチＰを特定する。マスクデータ作成方法では、第１のブロック領域と第２のブロック領域との間のブロック間領域において、ＰのＰｙに対する相対的な大きさに応じて補助パターンの配置すべき位置を決定し、決定された位置に補助パターンを配置する。【選択図】図２
2013024994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明光学系により四重極照明の照明光が照射され投影光学系を介して感光材に潜像を形成するのに用いられるマスクのデータを作成するマスクデータ作成方法であって、
互いにｙ方向に並んだ第１のブロック領域及び第２のブロック領域のそれぞれについて、前記照明光学系から前記マスクへ入射する照明光がなす開口数ＮＡｉと前記投影光学系の物体側の開口数ＮＡｐとの比（ＮＡｉ）／（ＮＡｐ）をσとし、前記四重極照明の各輝点の光軸からのｘ方向、ｙ方向の距離を前記σで正規化した値をそれぞれσｘ、σｙとし、前記投影光学系の像側の開口数をＮＡとし、露光光の波長をλとするとき、ホールパターンをｘ方向にピッチ
Ｐｘ＝λ／（２×ＮＡ×σｘ）
で繰り返し配置するとともに、ｙ方向にピッチ
Ｐｙ＝λ／（２×ＮＡ×σｙ）
で繰り返し配置し、
前記第１のブロック領域における最も前記第２のブロック領域に近いホールパターンと前記第２のブロック領域における最も前記第１のブロック領域に近いホールパターンとの間のピッチＰを特定し、
前記Ｐが前記Ｐｙの１．５倍以上２．０倍以下の大きさである場合、前記第１のブロック領域と前記第２のブロック領域との間のブロック間領域内の、前記第１のブロック領域及び前記第２のブロック領域におけるｙ方向に沿ったホールパターンの複数の列に対応した複数の第１の仮想線のそれぞれの上に補助パターンを配置し、前記Ｐが前記Ｐｙの１．２５倍以上１．５倍未満の大きさである場合、前記ブロック間領域内の、前記複数の第１の仮想線を前記Ｐｘの０．５倍のピッチでｘ方向にシフトさせた複数の第２の仮想線のそれぞれの上に補助パターンを配置する
ことを特徴とするマスクデータ作成方法。
【請求項２】
互いにｙ方向に並んだ第１のブロック領域及び第２のブロック領域のそれぞれについて、ホールパターンをｘ方向にピッチＰｘ、ｙ方向にピッチＰｙで繰り返し配置し、
前記第１のブロック領域における最も前記第２のブロック領域に近いホールパターンと前記第２のブロック領域における最も前記第１のブロック領域に近いホールパターンとの間のピッチＰを特定し、
前記第１のブロック領域と前記第２のブロック領域との間のブロック間領域について、前記Ｐの前記Ｐｙに対する相対的な大きさに応じて補助パターンの配置すべき位置を決定し、決定された位置に前記補助パターンを配置する
ことを特徴とするマスクデータ作成方法。
【請求項３】
前記補助パターンの配置では、前記Ｐが前記Ｐｙの１．５倍以上の大きさである場合、前記ブロック間領域内の、前記第１のブロック領域及び前記第２のブロック領域におけるｙ方向に沿ったホールパターンの複数の列に対応した複数の第１の仮想線のそれぞれの上に前記補助パターンを配置し、前記Ｐが前記Ｐｙの１．５倍未満の大きさである場合、前記ブロック間領域内の、前記複数の第１の仮想線を前記Ｐｘの０．５倍のピッチでｘ方向にシフトさせた複数の第２の仮想線のそれぞれの上に前記補助パターンを配置する
ことを特徴とする請求項２に記載のマスクデータ作成方法。
【請求項４】
請求項１から３に記載のマスクデータ作成方法により作成されたマスクのデータを用いてマスクを作成する
ことを特徴とするマスク作成方法。
【請求項５】
照明光学系により照明光が照射され投影光学系を介して感光材に潜像を形成するのに用いられるマスクのデータをコンピュータに作成させるマスクデータ作成プログラムであって、
互いにｙ方向に並んだ第１のブロック領域及び第２のブロック領域のそれぞれについて、ホールパターンをｘ方向にピッチＰｘ、ｙ方向にピッチＰｙで繰り返し配置することと、
前記第１のブロック領域における最も前記第２のブロック領域に近いホールパターンと前記第２のブロック領域における最も前記第１のブロック領域に近いホールパターンとの間のピッチＰを特定することと、
前記第１のブロック領域と前記第２のブロック領域との間のブロック間領域について、前記Ｐの前記Ｐｙに対する相対的な大きさに応じて補助パターンの配置すべき位置を決定し、決定された位置に前記補助パターンを配置することと
を前記コンピュータに行わせる
ことを特徴とするマスクデータ作成プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、マスクデータ作成方法、マスク作成方法、及びマスクデータ作成プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置を構成するパターンの微細化に伴って、パターンの寸法ばらつきに対する許容度が小さくなってきており、各プロセス条件を個別にチューニングするだけでは、要求されるスペックを満たすことが難しくなってきている。そのため、露光量裕度及び焦点深度を含む露光マージンを向上させることが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１８９６８３号公報
【特許文献２】特開２０１０−１５１４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
１つの実施形態は、例えば、露光マージンを向上できるマスクデータ作成方法、マスク作成方法、及びマスクデータ作成プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つの実施形態によれば、照明光学系により照明光が照射され投影光学系を介して感光材に潜像を形成するのに用いられるマスクのデータを作成するマスクデータ作成方法が提供される。マスクデータ作成方法では、第１のブロック領域及び第２のブロック領域のそれぞれについて、ホールパターンをｘ方向にピッチＰｘ、ｙ方向にピッチＰｙで繰り返し配置する。第１のブロック領域及び第２のブロック領域は、互いにｙ方向に並んでいる。マスクデータ作成方法では、第１のブロック領域における最も第２のブロック領域に近いホールパターンと第２のブロック領域における最も第１のブロック領域に近いホールパターンとの間のピッチＰを特定する。マスクデータ作成方法では、第１のブロック領域と第２のブロック領域との間のブロック間領域について、ＰのＰｙに対する相対的な大きさに応じて補助パターンの配置すべき位置を決定し、決定された位置に補助パターンを配置する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態にかかるマスクデータ作成プログラムを実行するコンピュータの構成を示す図。
【図２】実施形態にかかるマスクデータ作成方法を示すフローチャート。
【図３−１】実施形態における照明形状を示す図。
【図３−２】実施形態にかかるマスクデータ作成方法を示す図。
【図３−３】実施形態にかかるマスクデータ作成方法を示す図。
【図４】実施形態にかかるマスク作成方法により作成されたマスクを用いて露光処理を行う露光装置の構成を示す図。
【図５】実施形態による効果を示す図。
【図６】実施形態による効果を示す図。
【図７】実施形態にかかるマスク作成方法により作成されたマスクを用いて製造される半導体装置の構造例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるマスクデータ作成方法、マスク作成方法、及びマスクデータ作成プログラムを詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（実施形態）
実施形態にかかるマスクデータ作成方法、マスク作成方法、及びマスクデータ作成プログラムは、例えば半導体装置の製造工程のリソグラフィ工程で用いられる。例えば、所定の層に対して形成すべきホールパターンのマスクデータを作成する際に、マスクデータ作成プログラムが実行され、マスクのデータが作成される。そして、作成されたマスクのデータを用いてマスクが作成される。
【０００９】
次に、実施形態にかかるマスクデータ作成プログラムを実行するためのコンピュータの構成を、図１を用いて説明する。
【００１０】
コンピュータ１は、バス配線１０、制御部２０、表示部３０、記憶部４０、入力部６０及び媒体インターフェース７０を備える。
【００１１】
制御部２０、表示部３０、記憶部４０、入力部６０及び媒体インターフェース７０は、バス配線１０を介して相互に接続されている。媒体インターフェース７０は、記録媒体８０を接続可能に構成されている。
【００１２】
記憶部４０には、パターンデータ４１、マスクのデータ４２、σｘ情報４３、σｙ情報４４、λ情報４５、ＮＡ情報４６、及びマスクデータ作成プログラム４７が記憶されている。パターンデータ４１は、集積回路などの設計においてレイアウト設計されたパターン（以下、レイアウトパターンと呼ぶ）のデータである。マスクのデータ４２は、マスクＭＫ（図４参照）にＣｒ等のパターンが描画されるためのデータである。σｘ情報４３は、四重極照明の各輝点の光軸からのｘ方向の距離を示すσｘ（図３−１参照）に関する情報である。σｙ情報４４は、四重極照明の各輝点の光軸からのｙ方向の距離を示すσｙ（図３−１参照）に関する情報である。λ情報４５は、露光装置２０１（図４参照）の露光光の波長λに関する情報である。ＮＡ情報４６は、露光装置２０１の投影光学系２１５の像側の開口数ＮＡに関する情報である。マスクデータ作成プログラム４７は、マスクのデータ４２を作成するためのプログラムである。なお、マスクＭＫは、露光装置２０１（図４参照）の照明光学系２１４により四重極照明の照明光が照射され投影光学系２１５を介して基板上の感光材に潜像を形成するのに用いられる。
【００１３】
制御部２０は、例えば、ＣＰＵ，ＧＰＵ，ＤＳＰ又はマイコンなどであり、一時記憶のためのキャッシュメモリをさらに含む。表示部３０は、例えば、ＣＲＴディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示デバイスである。記憶部４０は、例えば、メモリやハードディスクなどである。入力部６０は、例えば、キーボードやマウスなどである。媒体インターフェース７０は、例えば、フレキシブルディスクドライブ、ＣＤ−ＲＯＭドライブやＵＳＢインターフェースなどである。記録媒体８０は、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭやＵＳＢメモリなどである。
【００１４】
次に、実施形態にかかるマスクデータ作成方法について図２及び図３−１〜図３−３を用いて説明する。図２は、マスクデータ作成方法の流れを示すフローチャートである。図３−１は、本実施形態で用いられる照明光の形状を示す図である。図３−２、図３−３は、マスクデータ作成方法における主パターン及び補助パターンの配置の仕方を示す図である。なお、主パターンは、露光装置２０１の解像限界以上の寸法を有するパターンであり、補助パターンは、露光装置２０１の解像限界未満の寸法を有するパターンである。
【００１５】
ステップＳ１では、コンピュータ１の制御部２０が、主パターン（例えば、ホールパターン）を配置する。
【００１６】
具体的には、入力部６０には、ユーザにより、σｘ情報４３、σｙ情報４４、λ情報４５、及びＮＡ情報４６が予め入力され、制御部２０を介して記憶部４０に記憶される。
【００１７】
また、マスクデータ作成プログラム４７が記録された記録媒体８０が、媒体インターフェース７０に接続される。そして、マスクデータ作成プログラム４７は、インストールされ、制御部２０を介して記憶部４０に記憶される。
【００１８】
入力部６０には、利用者により、マスクデータ作成プログラム４７の起動命令が入力される。制御部２０は、マスクデータ作成プログラム４７の起動命令を受け取り、その起動命令に基づいて、記憶部４０を参照し、マスクデータ作成プログラム４７を起動する。制御部２０は、マスクデータ作成プログラム４７に従い、記憶部４０を参照し、パターンデータ４１を表示部３０に表示させる。
【００１９】
入力部６０には、パターンデータ４１を閲覧したユーザにより、主パターンの配置命令が入力される。例えば、入力部６０には、主パターンの配置命令として、例えば図３−２、図３−３に示すような第１のブロック領域ＢＬＲ１及び第２のブロック領域ＢＬＲ２の配置位置を指定する指定命令が入力される。制御部２０は、第１のブロック領域ＢＬＲ１及び第２のブロック領域ＢＬＲ２の指定命令に従い、第１のブロック領域ＢＬＲ１及び第２のブロック領域ＢＬＲ２の配置位置を決定する。このとき、第１のブロック領域ＢＬＲ１及び第２のブロック領域ＢＬＲ２の配置位置が決定されたことに伴い、例えば図３−２、図３−３に示すように、ブロック間領域ＩＢＲ１、ＩＢＲ２の位置も決定される。ブロック間領域ＩＢＲ１、ＩＢＲ２は、第１のブロック領域ＢＬＲ１及び第２のブロック領域ＢＬＲ２の間の領域である。以下では、互いにｙ方向に並ぶ第１のブロック領域ＢＬＲ１及び第２のブロック領域ＢＬＲ２について例示的に説明するが、ｘとｙとを入れ替えることにより、互いにｘ方向に並ぶ第１のブロック領域及び第２のブロック領域についても同様に適用できる。
【００２０】
また、制御部２０は、第１のブロック領域ＢＬＲ１及び第２のブロック領域ＢＬＲ２の指定命令に基づいて、記憶部４０を参照し、σｘ情報４３、σｙ情報４４、λ情報４５、及びＮＡ情報４６を取得する。制御部２０は、σｘ情報４３、σｙ情報４４、λ情報４５、及びＮＡ情報４６に基づいて、第１のブロック領域ＢＬＲ１内及び第２のブロック領域ＢＬＲ２内のそれぞれに、ホールパターンをｘ方向にピッチ
Ｐｘ＝λ／（２×ＮＡ×σｘ）・・・数式１
で繰り返し配置するとともに、ｙ方向にピッチ
Ｐｙ＝λ／（２×ＮＡ×σｙ）・・・数式２
で繰り返し配置する。制御部２０は、パターンデータ４１に複数のホールパターンの情報を含めたものを新たにパターンデータ４１として記憶部４０に例えば上書きで記憶させるとともに、複数のホールパターンの情報をマスクのデータ４２として生成して記憶部４０に記憶させる。
【００２１】
数式１におけるσｘは、σｘ情報４３により特定されたものであり、四重極照明の各輝点の光軸からのｘ方向の距離を
σ＝（ＮＡｉ）／（ＮＡｐ）・・・数式３
で正規化した値である。ＮＡｉは、露光装置２０１の照明光学系２１４からマスクＭＫへ入射する照明光がなす開口数である。ＮＡｐは、露光装置２０１の投影光学系２１５の物体側の開口数である。数式２におけるσｙは、σｙ情報４４により特定されたものであり、四重極照明の各輝点の光軸からのｙ方向の距離を数式３のσで正規化した値である。数式１、２におけるλは、λ情報４５により特定されたものであり、露光装置２０１（図４参照）の露光光の波長λである。数式１、２におけるＮＡは、ＮＡ情報４６により特定されたものであり、露光装置２０１の投影光学系２１５の像側の開口数ＮＡである。
【００２２】
例えば、図３−２、図３−３に示すように、第１のブロック領域ＢＬＲ１内に、ホールパターンをｘ方向にピッチＰｘでｙ方向にピッチＰｙで繰り返し配置することにより、複数のホールパターンＨＰ１，１〜ＨＰ４，３を配置する。同様に、第２のブロック領域ＢＬＲ２内に、ホールパターンをｘ方向にピッチＰｘでｙ方向にピッチＰｙで繰り返し配置することにより、複数のホールパターンＨＰ５，１〜ＨＰ８，３を配置する。制御部２０は、パターンデータ４１に複数のホールパターンＨＰ１，１〜ＨＰ８，３の情報を含めたものを新たにパターンデータ４１として記憶部４０に例えば上書きで記憶させるとともに、複数のホールパターンＨＰ１，１〜ＨＰ８，３の情報をマスクのデータ４２として生成して記憶部４０に記憶させる。
【００２３】
ステップＳ２では、コンピュータ１の制御部２０が、ブロック間領域ＩＢＲ１、ＩＢＲ２をまたぐピッチＰ（図３−２、図３−３参照）を特定する。
【００２４】
具体的には、入力部６０には、ユーザにより、ブロック間領域ＩＢＲ１、ＩＢＲ２をまたぐピッチＰの特定命令が入力される。制御部２０は、ピッチＰの特定命令を受け取り、ピッチＰの特定命令に基づいて、記憶部４０を参照し、マスクのデータ４２を取得する。制御部２０は、マスクのデータ４２に基づいて、第１のブロック領域ＢＬＲ１における最も第２のブロック領域ＢＬＲ２に近いホールパターン（例えば、ホールパターンＨＰ４，３）と第２のブロック領域ＢＬＲ２における最も第１のブロック領域ＢＬＲ１に近いホールパターン（例えば、ホールパターンＨＰ５，３）との間のピッチＰを計算する。例えば、制御部２０は、マスクのデータ４２に基づいて、チップ全面からブロック間領域ＩＢＲ１、ＩＢＲ２とその大きさを抽出することで、補助パターンを配置すべきブロック間領域ＩＢＲ１、ＩＢＲ２を特定する。
【００２５】
なお、ブロック間領域ＩＢＲは、例えばホールパターンの配置の周期性を局所的に乱させるための領域として捉えることもできる。このようなブロック間領域ＩＢＲは、例えば図７に示すようなＢｉＣＳ型の不揮発性半導体記憶装置において、不必要なパターンの接触を防ぐことなどのために設けられる。ＢｉＣＳ型の不揮発性半導体記憶装置では、例えば、Ｕ字状の半導体部材ＭＨが板状のワード線ＷＬのホールパターンＨＰを貫通する構造がそれぞれ繰り返し設けられたブロック領域ＢＬＲ１とブロック領域ＢＬＲ２との間に、ブロック間領域ＩＢＲが設けられる。ブロック間領域ＩＢＲの幅は、例えば、１／４Ｐｙ〜Ｐｙである。このとき、ピッチＰは、例えば、１．２５Ｐｙ〜２Ｐｙである。仮に、ピッチＰが１．２５Ｐｙより小さくなると、不必要なパターンの接触が発生する可能性がある。あるいは、仮に、ピッチＰが２Ｐｙより大きくなると、ホールパターンＨＰの配置密度が低下し、メモリセルの配置密度も低下する可能性がある。
【００２６】
ステップＳ３〜ステップＳ５では、コンピュータ１の制御部２０が、ステップＳ２で特定されたピッチＰの数式２で示すピッチＰｙに対する相対的な大きさに応じて、補助パターンの配置様態を判断して、補助パターンの配置様態を選択する。すなわち、コンピュータ１の制御部２０は、ピッチＰのピッチＰｙに対する相対的な大きさに応じて、補助パターンの配置すべき位置を決定し、決定された位置に補助パターンを配置する。
【００２７】
具体的には、ステップＳ３では、コンピュータ１の制御部２０が、ステップＳ２で特定されたピッチＰが、数式２で示すピッチＰｙの１．５倍以上であるか否かを判断する。制御部２０は、ピッチＰがピッチＰｙの１．５倍以上である（ステップＳ３で「Ｙｅｓ」の）場合、処理をステップＳ４へ進め、ピッチＰがピッチＰｙの１．５倍未満である（ステップＳ３で「Ｎｏ」の）場合、処理をステップＳ５へ進める。例えば、図３−２に示す場合、ピッチＰがピッチＰｙの１．５倍以上であるとして、処理がステップＳ４へ進められ、図３−３に示す場合、ピッチＰがピッチＰｙの１．５倍未満であるとして、処理がステップＳ５へ進められる。
【００２８】
ステップＳ４では、コンピュータ１の制御部２０が、ブロック間領域内に直列状に補助パターンを配置する。例えば、制御部２０は、図３−２に示すように、ブロック間領域ＩＢＲ１内における複数の第１の仮想線ＶＬ１−１〜ＶＬ１−３のそれぞれの上に補助パターンＳＲＡＦ１，１〜ＳＲＡＦ１，３を配置する。複数の第１の仮想線ＶＬ１−１〜ＶＬ１−３は、第１のブロック領域ＢＬＲ１及び第２のブロック領域ＢＬＲ２におけるｙ方向に沿ったホールパターンの複数の列に対応している。例えば、第１の仮想線ＶＬ１−１は、第１のブロック領域ＢＬＲ１及び第２のブロック領域ＢＬＲ２におけるｙ方向に沿ったホールパターンＨＰ１，１〜ＨＰ８，１の列に対応している。
【００２９】
なお、ブロック間領域ＩＢＲ１内における例えば補助パターンＳＲＡＦ１，１のｙ方向の配置位置は、両側のホールパターンＨＰ４，１、ＨＰ５，１と重ならない位置であれば特に限定されないが、例えば両側のホールパターンＨＰ４，１、ＨＰ５，１の中心を結ぶ線分の中点位置とすることができる。また、図３−２では、ブロック間領域ＩＢＲ１内における補助パターンのｙ方向の配置個数が１個の場合が例示されているが、ブロック間領域ＩＢＲ１内における補助パターンのｙ方向の配置個数は複数であっても良い。
【００３０】
そして、制御部２０は、マスクのデータ４２に複数の補助パターンＳＲＡＦ１，１〜ＳＲＡＦ１，３の情報を含めたものを新たにマスクのデータ４２として記憶部４０に例えば上書きで記憶させる。
【００３１】
ステップＳ５では、コンピュータ１の制御部２０が、ブロック間領域内に千鳥状に補助パターンを配置する。例えば、制御部２０は、図３−３に示すように、ブロック間領域ＩＢＲ２内における複数の第２の仮想線ＶＬ２−１〜ＶＬ２−２のそれぞれの上に補助パターンＳＲＡＦ１，１２〜ＳＲＡＦ１，２３を配置する。複数の第２の仮想線ＶＬ２−１〜ＶＬ２−２は、第１の仮想線ＶＬ１−１、ＶＬ１−２を数式１で示すピッチＰｘの０．５倍のピッチでｘ方向にシフトさせたものである。例えば、第２の仮想線ＶＬ２−１は、第１の仮想線ＶＬ１−１をピッチＰｘの０．５倍のピッチで＋ｘ方向にシフトさせたものである。
【００３２】
なお、ブロック間領域ＩＢＲ２内における例えば補助パターンＳＲＡＦ１，１２のｙ方向の配置位置は、両側のホールパターンＨＰ４，１、ＨＰ４，２、ＨＰ５，１、ＨＰ５，２と重ならない位置であれば特に限定されないが、例えば両側のホールパターンＨＰ４，１、ＨＰ５，２の中心を結ぶ線分の中点位置とすることができる。また、図３−３では、ブロック間領域ＩＢＲ２内における補助パターンのｙ方向の配置個数が１個の場合が例示されているが、ブロック間領域ＩＢＲ２内における補助パターンのｙ方向の配置個数は複数であっても良い。
【００３３】
そして、制御部２０は、マスクのデータ４２に複数の補助パターンＳＲＡＦ１，１２〜ＳＲＡＦ１，２３の情報を含めたものを新たにマスクのデータ４２として記憶部４０に例えば上書きで記憶させる。
【００３４】
ステップＳ６では、コンピュータ１の制御部２０が、主パターンと補助パターンとの近接しすぎや重なりなどの問題がないか否かを判断する。例えば、制御部２０が、主パターンと補助パターンとの間隔が（デザインルール等から決められる）所定の閾値より小さい場合、近接しすぎや重なりなどの問題がある（ステップＳ６で「ＮＧ」）ものとして、処理をステップＳ７へ進め、主パターンと補助パターンとの間隔が所定の閾値以上である場合、近接しすぎや重なりなどの問題がない（ステップＳ６で「ＯＫ」）ものとして、処理をステップＳ８へ進める。
【００３５】
なお、ステップＳ６では、制御部２０が、補助パターン同士の近接しすぎや重なりなどの問題がないか否かをさらに判断しても良い。この場合、制御部２０は、主パターンと補助パターンとの近接しすぎや重なりなどの問題と、補助パターン同士の近接しすぎや重なりなどの問題との少なくとも一方がある（ステップＳ６で「ＮＧ」）場合、処理をステップＳ７へ進め、両者の問題がない（ステップＳ６で「ＯＫ」）場合、処理をステップＳ８へ進める。
【００３６】
ステップＳ７では、コンピュータ１の制御部２０が、補助パターンの大きさや位置の調整を行う。制御部２０は、マスクのデータ４２に調整結果を反映させたものを新たにマスクのデータ４２として記憶部４０に例えば上書きで記憶させる。
【００３７】
例えば、制御部２０は、補助パターンが主パターンに重ならないように補助パターンを縮小する。あるいは、例えば、制御部２０は、補助パターンが主パターンに重ならないように、補助パターンを縮小するとともに配置個数を減らすようにしても良い。
【００３８】
ステップＳ８では、描画装置（図示せず）が、マスクのデータ４２を取得し、マスクのデータ４２に従って、マスクＭＫ（図４参照）にＣｒ等のパターンを描画する。
【００３９】
次に、このように作成されたマスクＭＫを用いて露光処理を行う露光装置２０１の構成について図４を用いて説明する。
【００４０】
露光装置２０１は、露光装置本体２０２及び制御装置２０５を有する。制御装置２０５は、入力部２５２、主制御部２５３、記憶部２５１、及び駆動制御部２５０を有している。主制御部２５３は、入力部２５２を介して露光パラメータ（例えば、露光量やフォーカス値など）の入力を受け、記憶部２５１に露光パラメータ情報２５４として記憶させる。また、主制御部２５３は、露光パラメータ情報２５４に基づいて、駆動制御部２５０を介して露光装置本体２０２の各部を制御する。
【００４１】
露光装置本体２０２は、光源２１０と、開口絞り２１１と、フィルタ２１２と、偏光フィルタ２１３と、照明光学系２１４と、投影光学系２１５と、を有している。
【００４２】
開口絞り２１１は、例えば、概略円板状をなしており、発光領域（照明領域）と、非発光領域（照明遮蔽領域）と、を備えている。非発光領域は、光源２１０から出射した露光光２１０ａを遮蔽する領域であり、発光領域は、光源２１０から出射した露光光２１０ａを透過させる領域である。すなわち、開口絞り２１１は、照明形状を四重極照明（図３−１参照）にする。これに応じて、マスクＭＫは、照明光学系２１４により四重極照明の照明光が照射され、投影光学系２１５を介して基板２０７上の感光材（例えば、レジスト）２０８に潜像を形成する。このとき、投影光学系２１５の瞳面２１５２には、四重極照明（図３−１参照）に対応した有効光源の強度分布が形成される。
【００４３】
評価装置２０４は、例えば、基板２０７上に形成されたパターンの仕上り寸法を測定するとともに、その露光処理に使用された露光パラメータ（例えば、露光量やフォーカス値など）を制御装置２０５から取得する。評価装置２０４は、露光パラメータ（露光量やフォーカス値）ごとに、形成されたパターンの仕上り寸法が要求されるスペックを満たしているか否かを評価する。
【００４４】
そして、評価装置２０４は、例えば図５に示すように、露光量を横軸とし、フォーカス値を縦軸とする散布図上に評価結果をプロットしていき、露光量裕度（ＥＬ：Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｌａｔｉｔｕｄｅ）及び焦点深度（ＤＯＦ：Ｄｅｐｔｈ  Ｏｆ  Ｆｏｃｕｓ）を含む露光マージン（ＥＭ：Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｍａｒｇｉｎ）の大きさを求める。
【００４５】
例えば、露光マージンの大きさは、散布図上におけるスペックを満たす領域の面積として求めても良い。例えば、露光量裕度がＥＬ１であり焦点深度がＤＯＦ１である場合、露光マージンＥＭ１の大きさは、（ＥＬ１×ＤＯＦ１）である。例えば、露光量裕度がＥＬ２であり焦点深度がＤＯＦ２である場合、露光マージンＥＭ２の大きさは、（ＥＬ２×ＤＯＦ２）である。
【００４６】
あるいは、例えば、露光マージンの大きさは、散布図上におけるスペックを満たす領域の縦横の平均幅として求めても良い。例えば、露光量裕度がＥＬ１であり焦点深度がＤＯＦ１である場合、露光マージンＥＭ１の大きさは、（ＥＬ１＋ＤＯＦ１）／２である。例えば、露光量裕度がＥＬ２であり焦点深度がＤＯＦ２である場合、露光マージンＥＭ２の大きさは、（ＥＬ２＋ＤＯＦ２）／２である。
【００４７】
このようにして補助パターンなしの場合とありの場合とについて評価した結果を図６に示す。図６は、ブロック間領域をまたぐピッチＰのピッチＰｙに対する相対的な大きさを横軸にとり、縦軸に露光マージンの大きさ（任意単位）をとる。露光マージンが大きいほどフォーカス値の変動や露光量の変動に対してパターンの寸法がロバストであり、半導体製造が容易になる。
【００４８】
ピッチＰを２Ｐｙから減少させて露光マージンの変化を見ると、補助パターンなしの場合についてｘ方向の露光マージンが０になっており、１．５Ｐｙ程度から徐々に上がり、全くブロック間領域のないＰｙの部分では１１程度の露光マージンを示す。
【００４９】
一方、補助パターンありの場合、図６に示すような補助パターンなしの場合で露光マージンが低い、ピッチＰの大きさが２Ｐｙから１．３３Ｐｙまでの露光マージンを改善することができる。すなわち、図３−２に示す補助パターンＳＲＡＦ１，１〜ＳＲＡＦ１，３に対応した直列補助パターンと、図３−３に示す補助パターンＳＲＡＦ１，１２〜ＳＲＡＦ１，２３に対応した千鳥補助パターンとのいずれにおいても、補助パターンなしの場合に比べて露光マージンを改善できることが確認された。
【００５０】
また、図６に示されるように、ピッチＰの大きさが１．５Ｐｙから１．３３Ｐｙまでは千鳥補助パターンが直列補助パターンより露光マージンの向上に有効であり、ピッチＰの大きさが１．５Ｐｙ以上の場合は直列補助パターンが千鳥補助パターンより露光マージンの向上に有効であることが確認された。
【００５１】
ここで、仮に、第１のブロック領域と第２のブロック領域との間のブロック間領域内に補助パターンを配置しない場合について考える。この場合、第１のブロック領域及び第２のブロック領域のそれぞれにおけるブロック間領域近傍のホールパターンの露光マージンが低下する傾向にある。また、この傾向は、第１のブロック領域と第２のブロック領域とを離すようにブロック間領域の幅を広くしても改善されない傾向にある。このように、ブロック間領域近傍のホールパターンの露光マージンが低下すると、露光処理により製造される半導体装置の生産性が低下する可能性がある。
【００５２】
それに対して、実施形態では、第１のブロック領域と第２のブロック領域との間のブロック間領域内に補助パターンを配置する。これにより、ブロック間領域内に補助パターンを配置しない場合に比べて、露光マージンを向上できる（図６参照）。例えば、図５に示すように、補助パターンを配置しない場合の露光マージンＥＭ１に比べて、露光マージンＥＭ２を向上できる。
【００５３】
また、実施形態では、ブロック間領域をｙ方向にまたぐホールパターン間のピッチＰが各ブロック領域内のｙ方向の配列ピッチＰｙに対して相対的にどれだけの大きさであるのかに応じて補助パターンの配置態様を変更する。すなわち、ピッチＰのピッチＰｙに対する相対的な大きさに応じて補助パターンの配置すべき位置を決定し、決定された位置に補助パターンを配置する。これにより、ピッチＰのピッチＰｙに対する相対的な大きさに適した位置（配置態様）に補助パターンを配置できるので、露光マージンを効率的に向上できる。
【００５４】
具体的には、ピッチＰがピッチＰｙの１．５倍以上の大きさである場合、例えば図３−２に示すように、直列状に、すなわちブロック間領域ＩＢＲ１内における複数の第１の仮想線ＶＬ１−１〜ＶＬ１−３のそれぞれの上に補助パターンＳＲＡＦ１，１〜ＳＲＡＦ１，３を配置する。ピッチＰがピッチＰｙの１．５倍未満の大きさである場合、例えば図３−３に示すように、千鳥状に、すなわちブロック間領域ＩＢＲ２内における複数の第２の仮想線ＶＬ２−１〜ＶＬ２−２のそれぞれの上に補助パターンＳＲＡＦ１，１２〜ＳＲＡＦ１，２３を配置する。これにより、露光マージンを効率的に向上できる（図６参照）。
【００５５】
なお、図２に示すステップＳ３では、コンピュータ１の制御部２０が、ピッチＰがピッチＰｙの１．５倍以上２倍以下の場合に、処理をステップＳ４へ進め、ピッチＰがピッチＰｙの１．２５倍以上１．５倍未満の場合に、処理をステップＳ５へ進め、それ以外の場合に、処理をステップＳ１へ戻しても良い。この場合、ピッチＰがピッチＰｙの２倍より大きくなったときに、処理をステップＳ４へ進めることなく、ステップＳ１における第１のブロック領域ＢＬＲ１及び第２のブロック領域ＢＬＲ２の配置位置の決定からやり直すことができるので、ホールパターンの配置密度の低下を抑制できる。また、ピッチＰがピッチＰｙの１．２５倍より小さくなったときに、処理をステップＳ５へ進めることなく、ステップＳ１における第１のブロック領域ＢＬＲ１及び第２のブロック領域ＢＬＲ２の配置位置の決定からやり直すことができるので、不必要なパターン間の接触を抑制できる。
【００５６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５７】
１  コンピュータ、１０  バス配線、２０  制御部、３０  表示部、４０  記憶部、４１  パターンデータ、４２  マスクのデータ、４３  σｘ情報、４４  σｙ情報、４５  λ情報、４６  ＮＡ情報、４７  マスクデータ作成プログラム、６０  入力部、７０  媒体インターフェース、８０  記録媒体、２０１  露光装置、２０２  露光装置本体、２０４  評価装置、２０５  制御装置、２０７  基板、２０８  感光材、２１０  光源、２１１  開口絞り、２１２  フィルタ、２１３  偏光フィルタ、２１４  照明光学系、２１５  投影光学系、２５０  駆動制御部、２５１  記憶部、２５２  入力部、２５３  主制御部、２５４  露光パラメータ情報、ＢＬＲ１  第１のブロック領域、ＢＬＲ２  第２のブロック領域、ＨＰ１，１〜ＨＰ８，３  ホールパターン、ＩＢＲ、ＩＢＲ１、ＩＢＲ２  ブロック間領域、ＳＲＡＦ１，１〜ＳＲＡＦ１，３、ＳＲＡＦ１，１２〜ＳＲＡＦ１，２３  補助パターン、ＶＬ１−１〜ＶＬ１−３  第１の仮想線、ＶＬ２−１〜ＶＬ２−２  第２の仮想線。
【図１】
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【図２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図３−３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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