(57)【要約】【課題】  暗電流値を変換膜の温度に対応させて補正して正確なＸ線撮影画像を得ることが可能なＸ線撮影方法および装置を提供する。【解決手段】  画素値測定部６１は、Ｘ線が照射される照射領域の画素値をＸ線画像の画素値として測定するとともに、Ｘ線が照射されない非照射領域の画素値を温度測定用の画素値として測定する。画像補正部６２は、第１パラメータ記憶部７１に記憶した第１パラメータと画素値測定部６１で測定した温度測定用の画素値とから変換膜の温度を特定する温度特定部６３と、この変換膜の温度と第２パラメータ記憶部７２に記憶した第２パラメータとから暗電流値記憶部７３に記憶した暗電流値を補正する暗電流値補正部６４と、画素値測定部６１で測定したＸ線画像の画素値を暗電流値補正部６４により補正した後の暗電流値を使用して補正する画素値補正部６５とを備える。【選択図】        図１
2013142645.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線に感応し入射Ｘ線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して画素値として読み出すデータ集積部と、を備えた二次元アレイＸ線検出器を使用するＸ線撮影方法において、
前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射されない非照射領域における画素について、前記スイッチング素子をオン状態としたときの前記データバスラインから読み出される画素値と、そのときの前記変換膜の温度との関係を示す第１パラメータを記憶する第１記憶工程と、
前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射される照射領域における画素について、前記変換膜にＸ線を照射していない状態で前記スイッチング素子をオン状態としたときの前記データバスラインから読み出される画素値と、そのときの前記変換膜の温度との関係を示す第２パラメータを記憶する第２記憶工程と、
前記変換膜にＸ線を照射していない状態で、前記スイッチング素子を順次オン状態としたときに前記データバスラインにより読み出される画素値を各画素の暗電流値として測定する暗電流値測定工程と、
前記変換膜に被検体を介してＸ線を照射した状態で、前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射される照射領域における画素について、前記スイッチング素子を順次オン状態としたときに前記データバスラインにより読み出される画素値をＸ線画像の画素値として測定するとともに、前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射されない非照射領域における画素について、前記スイッチング素子をオン状態としたときに前記データバスラインにより読み出される画素値を温度測定用の画素値として測定する撮影工程と、
前記第１記憶工程において記憶した第１パラメータと前記撮影工程で測定した温度測定用の画素値とから、撮影工程における前記変換膜の温度を特定する温度特定工程と、
前記第２記憶工程において記憶した第２パラメータと前記温度特定工程で特定した前記変換膜の温度とから、前記暗電流値測定工程で測定した暗電流値を補正する暗電流値補正工程と、
前記撮影工程で測定したＸ線画像の画素値を前記暗電流値補正工程で補正した暗電流値を使用して補正する画像補正工程と、
を備えたことを特徴とするＸ線撮影方法。
【請求項２】
Ｘ線に感応し入射Ｘ線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して画素値として読み出すデータ集積部と、を備えた二次元アレイＸ線検出器を使用するＸ線撮影装置において、
前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射されない非照射領域における画素について、前記スイッチング素子をオン状態としたときの前記データバスラインから読み出される画素値と、そのときの前記変換膜の温度との関係を示す第１パラメータを記憶する第１パラメータ記憶部と、
前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射される照射領域における画素について、前記変換膜にＸ線を照射していない状態で前記スイッチング素子をオン状態としたときの前記データバスラインから読み出される画素値と、そのときの前記変換膜の温度との関係を示す第２パラメータを記憶する第２パラメータ記憶部と、
前記変換膜にＸ線を照射していない状態で、前記スイッチング素子を順次オン状態としたときに前記データバスラインにより読み出される画素値を各画素の暗電流値として記憶する暗電流値記憶部と、
前記変換膜に被検体を介してＸ線を照射した状態で、前記スイッチング素子を順次オン状態として読み出される画素値のうち、Ｘ線が照射される照射領域の画素値をＸ線画像の画素値として測定するとともに、前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射されない非照射領域における画素の画素値を温度測定用の画素値として測定する画素値測定部と、
前記第１パラメータ記憶部に記憶した第１パラメータと前記画素値測定部で測定した温度測定用の画素値とから前記変換膜の温度を特定し、この変換膜の温度と前記第２パラメータ記憶部に記憶した第２パラメータとから前記暗電流値記憶部に記憶した暗電流値を補正するとともに、前記画素値測定部で測定したＸ線画像の画素値を補正後の暗電流値を使用して補正する画像補正部と、
を備えたことを特徴とするＸ線撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、二次元アレイＸ線検出器を使用するＸ線撮影方法およびＸ線撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線撮影装置に使用される二次元アレイＸ線検出器としては、例えば、フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）が知られている。このフラットパネルディテクタは、ＴＦＴ等のスイッチング素子が二次元アレイ（行列）状に配置された基板上に、ａ−Ｓｅ（アモルファス・セレン）等の変換膜を蒸着した構成を有する。このフラットパネルディテクタにおいては、被検体を通過したＸ線像が変換膜上に投影されると、像の濃淡に比例した電荷信号が変換膜内に発生する。この電荷信号は、二次元アレイ状に配置された画素電極により収集され、静電容量（キャパシタ）に蓄積される。静電容量に蓄積された電荷は、スイッチング素子の動作に伴って読み出され、電気信号として画像処理部に送信されて画像処理が行われる。
【０００３】
このようなａ−Ｓｅ等の変換膜を使用した二次元アレイＸ線検出器においては、Ｘ線を照射しない場合においても、静電容量に蓄積される暗電流と呼称される微少な電流成分が存在する。このため、同一の撮影部位を同一の条件で撮影しても、暗電流の影響で正確な画像が得られないことがある。このため、従来の二次元アレイＸ線検出器においては、上述した暗電流に起因する画素値を暗電流値として値を予め測定しておき、被検体を測定して得たＸ線画像のデータから暗電流値に相当する成分を減算することによりＸ線画像を補正するようにしている。
【０００４】
特許文献１には、Ｘ線検出器における暗電流値が検出器内部の温度によって変化することをも考慮し、暗電流値が時間の経過に伴って変化してもこれを適宜補正可能とするために、暗電流の変化値が所定値を越えた時点で暗電流の補正が必要であると判断する暗電流補正判断手段を備えたＸ線撮影装置が開示されている。  
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１２１７１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１にも記載されたように、暗電流値は二次元アレイＸ線検出器の変換膜の温度変化により変化する。このため、Ｘ線画像を暗電流値により補正する場合には、変換膜の温度に基づいて暗電流値を補正することが好ましい。この場合において、温度センサを使用して変換膜の温度を測定した場合には、構造物の制限等により変換膜の温度変動を正確に測定することができないばかりではなく、Ｘ線撮影時においては変換膜の温度測定を実行することができない。このため、暗電流値を正確に補正することが困難となるという問題が生じている。
【０００７】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、暗電流値を変換膜の温度に対応させて正確に補正することにより、正確なＸ線撮影画像を得ることが可能なＸ線撮影方法およびＸ線撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、Ｘ線に感応し入射Ｘ線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して画素値として読み出すデータ集積部と、を備えた二次元アレイＸ線検出器を使用するＸ線撮影方法において、前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射されない非照射領域における画素について、前記スイッチング素子をオン状態としたときの前記データバスラインから読み出される画素値と、そのときの前記変換膜の温度との関係を示す第１パラメータを記憶する第１記憶工程と、前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射される照射領域における画素について、前記変換膜にＸ線を照射していない状態で前記スイッチング素子をオン状態としたときの前記データバスラインから読み出される画素値と、そのときの前記変換膜の温度との関係を示す第２パラメータを記憶する第２記憶工程と、前記変換膜にＸ線を照射していない状態で、前記スイッチング素子を順次オン状態としたときに前記データバスラインにより読み出される画素値を各画素の暗電流値として測定する暗電流値測定工程と、前記変換膜に被検体を介してＸ線を照射した状態で、前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射される照射領域における画素について、前記スイッチング素子を順次オン状態としたときに前記データバスラインにより読み出される画素値をＸ線画像の画素値として測定するとともに、前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射されない非照射領域における画素について、前記スイッチング素子をオン状態としたときに前記データバスラインにより読み出される画素値を温度測定用の画素値として測定する撮影工程と、前記第１記憶工程において記憶した第１パラメータと前記撮影工程で測定した温度測定用の画素値とから、撮影工程における前記変換膜の温度を特定する温度特定工程と、前記第２記憶工程において記憶した第２パラメータと前記温度特定工程で特定した前記変換膜の温度とから、前記暗電流値測定工程で測定した暗電流値を補正する暗電流値補正工程と、前記撮影工程で測定したＸ線画像の画素値を前記暗電流値補正工程で補正した暗電流値を使用して補正する画像補正工程とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、Ｘ線に感応し入射Ｘ線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して画素値として読み出すデータ集積部と、を備えた二次元アレイＸ線検出器を使用するＸ線撮影装置において、前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射されない非照射領域における画素について、前記スイッチング素子をオン状態としたときの前記データバスラインから読み出される画素値と、そのときの前記変換膜の温度との関係を示す第１パラメータを記憶する第１パラメータ記憶部と、前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射される照射領域における画素について、前記変換膜にＸ線を照射していない状態で前記スイッチング素子をオン状態としたときの前記データバスラインから読み出される画素値と、そのときの前記変換膜の温度との関係を示す第２パラメータを記憶する第２パラメータ記憶部と、前記変換膜にＸ線を照射していない状態で、前記スイッチング素子を順次オン状態としたときに前記データバスラインにより読み出される画素値を各画素の暗電流値として記憶する暗電流値記憶部と、前記変換膜に被検体を介してＸ線を照射した状態で、前記スイッチング素子を順次オン状態として読み出される画素値のうち、Ｘ線が照射される照射領域の画素値をＸ線画像の画素値として測定するとともに、前記二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線が照射されない非照射領域における画素の画素値を温度測定用の画素値として測定する画素値測定部と、前記第１パラメータ記憶部に記憶した第１パラメータと前記画素値測定部で測定した温度測定用の画素値とから前記変換膜の温度を特定し、この変換膜の温度と前記第２パラメータ記憶部に記憶した第２パラメータとから前記暗電流値記憶部に記憶した暗電流値を補正するとともに、前記画素値測定部で測定したＸ線画像の画素値を補正後の暗電流値を使用して補正する画像補正部とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１および請求項２に記載の発明によれば、二次元アレイＸ線検出器におけるＸ線の非照射領域の画素値を温度測定用の画素値として利用して変換膜の温度を特定し、特定された温度に基づいて補正した暗電流値を利用してＸ線画像の画素値を補正することから、Ｘ線撮影時における変換膜の温度を正確に測定して、正確なＸ線画像を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明を適用するＸ線撮影装置の概要図である。
【図２】フラットパネルディテクタ４を側面視した等価回路である。
【図３】フラットパネルディテクタ４を平面視した等価回路である。
【図４】フラットパネルディテクタ４における非照射領域Ｅ１と照射領域Ｅ２とを示す説明図である。
【図５】非照射領域Ｅ１における画素値と、そのときの変換膜４３の温度との関係を示すグラフである。
【図６】照射領域Ｅ２における画素値が、変換膜４３の温度によってどのように変化するかを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。まず、この発明に係る二次元アレイＸ線検出器としてのフラットパネルディテクタ４を適用したＸ線撮影装置の構成について説明する。図１は、この発明に係る二次元アレイＸ線検出器としてのフラットパネルディテクタ４を適用したＸ線撮影装置の概要図である。
【００１３】
このＸ線撮影装置は、被検体である被検者１を載置するテーブル２と、Ｘ線管３と、フラットパネルディテクタ４と、Ａ／Ｄ変換器５と、制御部６と、記憶部７と、キーボード等の入力部１１と、ＣＲＴ等の表示部１２と、Ｘ線管３に付与する管電圧等を制御するＸ線管制御部８とを備える。
【００１４】
ここで、記憶部７は、フラットパネルディテクタ４における変換膜にＸ線が照射されない非照射領域における画素の画素値と、そのときのフラットパネルディテクタ４における変換膜の温度との関係を示す第１パラメータを記憶する第１パラメータ記憶部７１と、フラットパネルディテクタ４におけるＸ線が照射される照射領域における画素におけるＸ線を照射していない状態での画素値と、そのときのフラットパネルディテクタ４の変換膜の温度との関係を示す第２パラメータを記憶する第２パラメータ記憶部７２と、フラットパネルディテクタ４における変換膜にＸ線を照射していない状態での画素値を、各画素の暗電流値として記憶する暗電流値記憶部７３とを備える。
【００１５】
一方、制御部６は、画素値測定部６１と、画像補正部６２とを備える。画素値測定部６１は、フラットパネルディテクタ４に被検者１を介してＸ線を照射した状態で読み出される画素値のうち、Ｘ線が照射される照射領域の画素値をＸ線画像の画素値として測定するとともに、Ｘ線が照射されない非照射領域の画素値を温度測定用の画素値として測定するためのものである。また、画像補正部６２は、第１パラメータ記憶部７１に記憶した第１パラメータと画素値測定部６１で測定した温度測定用の画素値とからフラットパネルディテクタ４における変換膜の温度を特定する温度特定部６３と、この変換膜の温度と第２パラメータ記憶部７２に記憶した第２パラメータとから暗電流値記憶部７３に記憶した暗電流値を補正する暗電流値補正部６４と、画素値測定部６１で測定したＸ線画像の画素値を暗電流値補正部６４により補正した後の暗電流値を使用して補正する画素値補正部６５とを備える。
【００１６】
このＸ線撮影装置は、Ｘ線管３からテーブル２上の被検者１に向けてＸ線を照射し、被検者１を通過したＸ線をフラットパネルディテクタ４により検出し、制御部６において検出されたＸ線を画像処理し、画像処理されたＸ線による映像信号を利用して表示部１２にＸ線像を表示する構成を有する。
【００１７】
次に、フラットパネルディテクタ４の構成について説明する。図２は、フラットパネルディテクタ４を側面視した等価回路である。また、図３は、フラットパネルディテクタ４を平面視した等価回路である。
【００１８】
これらの図に示すように、このフラットパネルディテクタ４は、ガラス基板４１と、このガラス基板４１上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）４２と、このＴＦＴ４２上に蒸着されたａ−Ｓｅ等の変換膜４３と、この変換膜４３上に配置された共通電極４４とを備える。
【００１９】
ＴＦＴ４２には、縦横のマトリックス状、すなわち、二次元アレイ状の配置で、電荷収集電極である画素電極４５が配設されている。この画素電極４５は、例えば、行列方向に１０２４個×１０２４個配置されている。図２および図３においては、行列方向に３個×３個配置した場合を模式的に示している。各画素電極４５には、スイッチング素子４６と、静電容量（キャパシタ）４７とが接続されている。
【００２０】
各画素電極４５は、各スイッチング素子４６のソースＳに接続されている。図３に示すゲートドライバ５１には、複数本のゲートバスライン５２が接続されており、これらのゲートバスライン５２はスイッチング素子４６のゲートＧに接続されている。一方、図３に示すように、電荷信号を収集して１つに出力するマルチプレクサ５３には、増幅器５４を介して複数本のデータバスライン５５が接続されており、これらのデータバスライン５５は、各スイッチング素子４６のドレインＤに接続されている。
【００２１】
このフラットパネルディテクタ４においては、被検者１を通過したＸ線が変換膜４３上に投影されると、像の濃淡に比例した電荷信号（キャリア）が変換膜４３内に発生する。この電荷信号は、二次元アレイ状に配置された画素電極４５により収集され、静電容量４７に蓄積される。そして、共通電極４４にバイアス電圧を印加した状態で、ゲートドライバ５１によりゲートバスライン５２に電圧を印加することにより、各スイッチング素子４６のゲートＧがオン状態となる。これにより、静電容量４７に蓄積された電荷信号は、スイッチング素子４６におけるソースＳとドレインＤとを介して、データバスライン５５に読み出される。各データバスライン５５に読み出された電荷信号は、増幅器５４で増幅され、マルチプレクサ５３で１つの電荷信号にまとめられて出力される。この電荷信号は、Ａ／Ｄ変換器５でディジタル化され、Ｘ線検出信号として図１に示す制御部６に出力される。
【００２２】
このような構成を有するフラットパネルディテクタ４においては、Ｘ線を照射しない場合においても、静電容量４７に蓄積される暗電流と呼称される微少な電流成分が存在する。このため、同一の撮影部位を同一の条件で撮影しても、暗電流の影響で正確な画像が得られないことがある。このため、一般的には、暗電流値を予め測定しておき、被検体を測定して得たＸ線画像のデータから暗電流値に相当する成分を減算することによりＸ線画像を補正する構成が採用されている。そして、この発明においては、フラットパネルディテクタ４におけるＸ線の非照射領域の画素値を温度測定用の画素値として利用して変換膜４３の温度を特定し、特定された温度に基づいて補正した暗電流値を利用してＸ線画像の画素値を補正する構成を採用している。
【００２３】
このＸ線撮影装置を利用してＸ線撮影を行う場合には、撮影に先だって、フラットパネルディテクタ４におけるＸ線が照射されない非照射領域Ｅ１における画素について、スイッチング素子４６をオン状態としたときのデータバスライン５５から読み出される画素値と、そのときの変換膜４３の温度との関係を示す第１パラメータを、図１に示す第１パラメータ記憶部７１に記憶する。
【００２４】
図４は、フラットパネルディテクタ４における非照射領域Ｅ１と照射領域Ｅ２とを示す説明図である。
【００２５】
フラットパネルディテクタ４における変換膜４３の表面の中央部は、被検者１を介してＸ線が照射されることによりＸ線撮影に使用される照射領域Ｅ２となっている。そして、変換膜４３におけるこの照射領域Ｅ２の外周部には、パネル等の構造物と対向することでＸ線が照射されない非照射領域Ｅ１が形成されている。このＸ線撮影装置においては、この非照射領域Ｅ２を利用してフラットパネルディテクタ４における変換膜４３の温度を特定するようにしている。
【００２６】
図５は、非照射領域Ｅ１における画素について、上述したスイッチング素子４６をオン状態としたときのデータバスライン５５から読み出される画素値と、そのときの変換膜４３の温度との関係を示すグラフである。なお、このグラフにおいては、横軸は変換膜４３の温度を示し、縦軸はそのときの非照射領域Ｅ１の画素値を示している。
【００２７】
非照射領域Ｅ１において、スイッチング素子４６をオン状態としたときに読み出される画素値は、そこにＸ線が照射されていないことから暗電流値に相当するものであり、図５に示すように、この画素値は、暗電流値と同様、フラットパネルディテクタ４における変換膜４３の温度の影響を受ける。このため、このＸ線撮影装置においては、非照射領域Ｅ１の画素値と変換膜４３の温度との関係を示す第１パラメータを、図１に示す第１パラメータ記憶部７１に予め記憶しておく。
【００２８】
この場合においては、フラットパネルディテクタ４における変換膜４３の温度をＴ１、Ｔ２、Ｔ３と順次変化させた状態で、スイッチング素子４６をオン状態としたときのデータバスライン５５から読み出される画素値をプロットすることにより、非照射領域Ｅ１の画素値と変換膜４３の温度との関係を示すグラフを得ることができる。
【００２９】
このときの、非照射領域Ｅ１の画素値と変換膜４３の温度との関係を示すグラフを求めるためには、非照射領域Ｅ１における画素のうち、いくつかの領域における複数の画素の平均値を利用してもよく、非照射領域Ｅ１における代表的な領域の画素の平均値を利用してもよい。さらには、非照射領域Ｅ１における全画素の平均値を利用することも可能である。
【００３０】
このようにして求められた非照射領域Ｅ１の画素値と変換膜４３の温度との関係を示すパラメータは、第１パラメータとして図１に示す第１パラメータ記憶部７１に記憶される。このとき、この第１パラメータは、図５に示すように、非照射領域Ｅ１の画素値と変換膜４３の温度との関係を示す関係式として記憶してもよく、また、非照射領域Ｅ１の画素値と変換膜４３の温度との関係を示すテーブルとして記憶してもよい。
【００３１】
また、同様に、このＸ線撮影装置を利用してＸ線撮影を行う場合には、撮影に先だって、フラットパネルディテクタ４におけるＸ線が照射される照射領域Ｅ２における画素について、変換膜４３にＸ線を照射していない状態でスイッチング素子４６をオン状態としたときのデータバスライン５５から読み出される画素値と、そのときの変換膜４３の温度との関係を示す第２パラメータを、図１に示す第２パラメータ記憶部７２に記憶する。
【００３２】
図６は、照射領域Ｅ２における画素について、上述したスイッチング素子４６をオン状態としたときのデータバスライン５５から読み出される画素値、すなわち暗電流値が、そのときの変換膜４３の温度によってどのように変化するかを示すグラフである。なお、このグラフにおいては、横軸は変換膜４３の温度を示し、縦軸はそのときの非照射領域Ｅ１の画素値（暗電流値）の変化を表す係数を示している。
【００３３】
照射領域Ｅ２において、Ｘ線を照射していない状態でスイッチング素子４６をオンとしたときに読み出される暗電流値は、図６に示すように、フラットパネルディテクタ４における変換膜４３の温度により変化する。このため、このＸ線撮影装置においては、変換膜４３の温度を変化させ、そのときの照射領域Ｅ２の画素値を測定することにより、非照射領域Ｅ２における画素値(暗電流値）と変換膜３の温度との関係を示す第２パラメータを求めておく。
【００３４】
図６に示すグラフでは、フラットパネルディテクタ４における変換膜４３の温度がＴ５のときの暗電流値を１としたときに、変換膜４３の温度がＴ４となれば暗電流値は０．７となり、変換膜４３の温度がＴ６となったときには暗電流値は１．２となることを示している。このような暗電流値と変換膜４３の温度との関係は、照射領域Ｅ２の全ての画素について求めてもよく、照射領域Ｅ２のいくつかの画素についてのデータを照射領域Ｅ２全体を代表するデータとして求めてもよい。
【００３５】
このようにして求められた暗電流値と変換膜４３の温度との関係を示すパラメータは、第２パラメータとして、図１に示す第２パラメータ記憶部７２に記憶される。このとき、この第１パラメータは、図６に示すように、照射領域Ｅ２の暗電流値と変換膜４３の温度との関係を示す関係式として記憶してもよく、また、照射領域Ｅ２の画素値と変換膜４３の温度との関係を示すテーブルとして記憶してもよい。
【００３６】
次に、Ｘ線撮影画像から暗電流値による成分を除去するために使用される暗電流値の測定を行う。この場合においては、フラットパネルディテクタ４における変換膜４３にＸ線を照射していない状態で、スイッチング素子４６を順次オン状態としたときにデータバスライン５５により読み出される画素値を各画素の暗電流値として測定する。このときの各画素の画素値は、暗電流値として、図１に示す暗電流値記憶部７３に記憶される。
【００３７】
以上の準備工程が終了すれば、Ｘ線撮影を実行する。この場合においては、Ｘ線管３からテーブル２上の被検者１に向けてＸ線を照射し、被検者１を通過したＸ線をフラットパネルディテクタ４により検出する。
【００３８】
このときには、フラットパネルディテクタ４における照射領域Ｅ２に対しては、被検者１を介してＸ線が照射される。そして、スイッチング素子４６が順次オンとなって、照射領域Ｅ２の各画素の画素値が、図１に示す画素値測定部６１により、データバスライン５５を介してＸ線画像の画素値として読み出される。また、このときには、フラットパネルディテクタ４における非照射領域Ｅ１の各画素の画素値も、図１に示す画素値測定部６１により、データバスライン５５を介して温度測定用のＸ線画像の画素値として読み出される。
【００３９】
Ｘ線の照射が完了すれば、図１に示す画像補正部６２によりＸ線画像の補正を実行する。
【００４０】
Ｘ線画像の補正を実行するときには、最初に、温度特定部６３においてフラットパネルディテクタ４における変換膜３の温度を特定する。この場合には、第１パラメータ記憶部７１に記憶した非照射領域Ｅ１の画素値と変換膜４３の温度との関係を示す第１パラメータと、画素値測定部６１において測定した温度測定用の非照射領域Ｅ１における画素値とから、撮影実行時の変換膜４３の温度を特定する。なお、この温度の特定時においても、変換膜４３の温度はフラットパネルディテクタ４の全域において略均一であると推定しうることから、非照射領域Ｅ１における画素値の平均値を利用して撮影実行時の変換膜４３の温度を特定するようにすればよい。
【００４１】
次に、暗電流値補正部６４により、先に測定した暗電流値を補正する。この場合には、第２パラメータ記憶部７２に記憶した暗電流値と変換膜４３の温度との関係を示す第２パラメータと、温度特定部６３において特定した変換膜４３の温度とから、先に測定した暗電流値を補正する。これにより、照射領域Ｅ２の各画素に対して、実際のＸ線撮影時における変換膜３の温度に対応した暗電流値が得られることになる。
【００４２】
しかる後、画素値補正部６５において、画素値測定部６１において測定したＸ線画像の画素値を、変換膜４３の温度に対応させて補正した暗電流値を使用して補正する。この場合には、被検者１を撮影して得た照射領域Ｅ２のＸ線画像から、変換膜４３の温度に対応させて補正した暗電流値を減算する。これにより、Ｘ線撮影時における変換膜４３の温度に対応した正確なＸ線撮影画像を得ることが可能となる。
【符号の説明】
【００４３】
１      被検者
２      テーブル
３      Ｘ線管
４      フラットパネルディテクタ
６      制御部
７      記憶部
８      Ｘ線管制御部
１１    入力部
１２    表示部
４１    ガラス基板
４２    ＴＦＴ
４３    変換膜
４４    共通電極
４５    画素電極
４６    スイッチング素子
４７    静電容量
５１    ゲートドライバ
５２    ゲートバスライン
５３    マルチプレクサ
５４    増幅器
５５    データバスライン
６１    画像測定部
６２    画像補正部
６３    温度特定部
６４    暗電流値補正部
６５    画素値補正部
７１    第１パラメータ記憶部
７２    第２パラメータ記憶部
７３    暗電流値記憶部
Ｅ１    非照射領域
Ｅ２    照射領域
【図１】
2013142645.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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