(57)【要約】【課題】コストが嵩むことが抑制された多層基板、及び、その製造方法を提供する。【解決手段】樹脂層、及び、該樹脂層の片面に接着された導電層から成る基板層を有し、ｎを２以上の整数とすると、下層に位置する基板層の導電層に、上層に位置する基板層の樹脂層が接触する態様で、ｎ個の基板層が積層方向に積層されて成る多層基板であって、最下層の基板層の一部が、積層方向に沿って、上層の基板層に突出しており、ｋを２以上ｎ以下の整数とすると、最下層の基板層の突出部位が、ｋ番目に積層された基板層まで突出して、ｋ番目の基板層の導電層と突出部位の導電層とが電気的に接続されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層、及び、該樹脂層の片面に接着された導電層から成る基板層を有し、ｎを２以上の整数とすると、下層に位置する前記基板層の導電層に、上層に位置する前記基板層の樹脂層が接触する態様で、ｎ個の前記基板層が積層方向に積層されて成る多層基板であって、
最下層の前記基板層の一部が、前記積層方向に沿って、上層の前記基板層に突出しており、
ｋを２以上ｎ以下の整数とすると、最下層の前記基板層の突出部位が、ｋ番目に積層された前記基板層まで突出して、ｋ番目の前記基板層の導電層と前記突出部位の導電層とが電気的に接続されていることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
最下層の前記基板層には、複数の前記突出部位が形成されており、
複数の前記突出部位の内のある突出部位が、ｐを２以上ｎ以下、ｋとは異なる整数とすると、ｐ番目に積層された前記基板層まで突出して、ｐ番目の前記基板層の導電層と前記突出部位の導電層とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
複数の前記突出部位が、ｋ番目の前記基板層に突出し、前記積層方向に垂直な横方向に並んでいることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
【請求項４】
ｋ番目の前記基板層に突出した複数の前記突出部位の導電層が、前記積層方向と前記横方向とに直交する縦方向に互い違いに配置されて前記横方向に並び、千鳥配置となっていることを特徴とする請求項３に記載の多層基板。
【請求項５】
熱及び応力の印加によって、最下層の前記基板層の一部が前記積層方向に突出されて、前記突出部位が形成されていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の多層基板。
【請求項６】
前記突出部位の形成予定領域のみに熱が印加されることを特徴とする請求項５に記載の多層基板。
【請求項７】
最下層の前記基板層は、一部が前記積層方向に高くなった支持部に形成されており、
該支持部の高くなった部位に配置された最下層の前記基板層が、前記突出部位であり、
該突出部位の上方には、ｋ番目以降の前記基板層だけが積層されていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の多層基板。
【請求項８】
ｎ個の前記基板層は、前記樹脂層及び前記導電層それぞれの融点温度よりも低い積層温度にて積層され、圧縮されることで接合されており、
ｋ番目の前記基板層の導電層と前記突出部位の導電層とが、前記積層温度よりも融点温度の低い導電性接着剤を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜７いずれか１項に記載の多層基板。
【請求項９】
樹脂層、及び、該樹脂層の片面に接着された導電層から成る基板層を有し、ｎを２以上の整数とすると、下層に位置する前記基板層の導電層に、上層に位置する前記基板層の樹脂層が接触する態様で、ｎ個の前記基板層が積層方向に積層されて成る多層基板の製造方法であって、
最下層の前記基板層の一部を、前記積層方向に突出する突出工程と、
該突出工程後、最下層の前記基板層の突出部位が、ｋを２以上ｎ以下の整数とすると、ｋ番目に積層された前記基板層まで突出して、ｋ番目の前記基板層の導電層と前記突出部位の導電層とが電気的に接続されるように、最下層の前記基板層に、２番目以降の前記基板層を積層する積層工程と、を有することを特徴とする多層基板の製造方法。
【請求項１０】
前記突出工程は、
最下層の前記基板層に熱を印加することで、前記樹脂層と前記導電層とを軟化させる熱印加工程と、
該熱印加工程後、前記突出部位の形成予定領域に、前記樹脂層から前記導電層に向かう方向に圧力を印加することで、前記樹脂層と前記導電層それぞれの一部を突起する圧力印加工程と、を有することを特徴とする請求項９に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１１】
前記熱印加工程において、前記突出部位の形成予定領域のみに、熱を印加することを特徴とする請求項１０に記載の多層基板製造方法。
【請求項１２】
前記突出工程は、
一部が前記積層方向に高くなった支持部に、最下層の前記基板層を形成することで、前記支持部の高くなった部位に前記突出部位を形成することを特徴とする請求項９に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１３】
前記積層工程を前記樹脂層及び前記導電層それぞれの融点温度よりも低い積層温度にて行い、
前記積層工程において、前記積層温度よりも低い融点を有する導電性接着剤を介して、ｋ番目の前記導電層と前記突出部位の導電層とを電気的に接続することを特徴とする請求項９〜１２いずれか１項に記載の多層基板製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂層、及び、該樹脂層の片面に接着された導電層から成る基板層を有し、下層に位置する基板層の導電層に、上層に位置する基板層の樹脂層が接触する態様で、複数の基板層が積層されて成る多層基板、及び、その製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１に示されるように、スルーホールめっき基板に対して低コスト化を図るため、絶縁板の両面に導体が形成され、両面に形成された導体が導電材を介して電気的に接続されたプリント基板が提案されている。このプリント基板では、導体が形成された両面を貫通する貫通孔が形成されており、この貫通孔に、貫通孔の深さよりも長い棒状の導電材が圧入され、貫通孔から突出した導電材の両端が、導体と接触されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２０８０８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記したように、特許文献１に示されるプリント基板では、基板の両面に形成された導体を電気的に接続するために、導電材を用いている。そのため、部品点数が多く、コストが嵩む虞がある。
【０００５】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、コストが嵩むことが抑制された多層基板、及び、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記した目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、樹脂層、及び、該樹脂層の片面に接着された導電層から成る基板層を有し、ｎを２以上の整数とすると、下層に位置する基板層の導電層に、上層に位置する基板層の樹脂層が接触する態様で、ｎ個の基板層が積層方向に積層されて成る多層基板であって、最下層の基板層の一部が、積層方向に沿って、上層の基板層に突出しており、ｋを２以上ｎ以下の整数とすると、最下層の基板層の突出部位が、ｋ番目に積層された基板層まで突出して、ｋ番目の基板層の導電層と突出部位の導電層とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００７】
このように本発明によれば、最下層の基板層の一部（突出部位）が、最下層の基板層とｋ番目の基板層とを電気的に接続する機能を果たしている。これによれば、最下層の基板層とｋ番目の基板層とが、導電材を介して電気的に接続された構成とは異なり、導電材の分、部品点数が少なくなる。そのため、コストが嵩むことが抑制される。
【０００８】
請求項２に記載のように、最下層の基板層には、複数の突出部位が形成されており、複数の突出部位の内のある突出部位が、ｐを２以上ｎ以下、ｋとは異なる整数とすると、ｐ番目に積層された基板層まで突出して、ｐ番目の基板層の導電層と突出部位の導電層とが電気的に接続された構成が好適である。これによれば、最下層の基板層と、異なる上層に位置する基板層の導電層とが電気的に接続される。
【０００９】
請求項３に記載のように、複数の突出部位が、ｋ番目の基板層に突出し、積層方向に垂直な横方向に並んだ構成を採用することができる。ただし、この場合、請求項４に記載のように、ｋ番目の基板層に突出した複数の突出部位の導電層が、積層方向と横方向とに直交する縦方向に互い違いに配置されて横方向に並び、千鳥配置となった構成が良い。これによれば、横方向における突出部位間の距離を短くすることができるとともに、突出部位の形状を大きくすることができる。したがって、多層基板の体格の増大が抑制されると共に、突出部位と上層の基板層との電気的な接続が容易となる。
【００１０】
請求項５に記載のように、熱及び応力の印加によって、最下層の基板層の一部が積層方向に突出されることで、突出部位が形成されても良い。ただし、この場合、請求項６に記載のように、突出部位の形成予定領域のみに熱が印加されるのが良い。これによれば、突出部位の形成予定領域のみが軟化し、他の部位がその形成予定領域よりも硬い状態となるので、突出部位を形成し易く、他の部位に意図しない歪みなどが生じ難くなる。
【００１１】
請求項７に記載のように、最下層の基板層は、一部が積層方向に高くなった支持部に形成されており、該支持部の高くなった部位に配置された最下層の基板層が、突出部位であり、該突出部位の上方には、ｋ番目以降の基板層だけが積層された構成が良い。これによれば、最下層の基板層を支持部に形成することで、突出部位が形成される。したがって、突出部位を形成するために、最下層の基板層を特別に加工しなくともよくなる。これにより、多層基板の製造が簡素化される。
【００１２】
請求項８に記載のように、ｎ個の基板層は、樹脂層及び導電層それぞれの融点温度よりも低い積層温度にて積層され、圧縮されることで接合されており、ｋ番目の基板層の導電層と突出部位の導電層とが、積層温度よりも融点温度の低い導電性接着剤を介して電気的に接続された構成が良い。これによれば、ｎ個の基板層の積層時に、溶融した導電性接着剤を介して、ｋ番目の基板層の導電層と突出部位の導電層とが電気的に接続される。したがって、導電性接着剤を介さずに、熱と圧力とによって、ｋ番目の基板層の導電層と突出部位の導電層とが電気的に接続された構成と比べて、ｋ番目の基板層の導電層と突出部位の導電層との電気的な接続信頼性が向上される。
【００１３】
請求項９〜１３に記載の発明の作用効果は、請求項１〜８いずれかに記載の発明の作用効果と同等なので、その記載を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態に係る多層基板の概略構成を示す図面であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＩｂ−Ｉｂ線に沿う断面図である。
【図２】突出部位を示す図面であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＩＩｂ−ＩＩｂ線に沿う断面図である。
【図３】突出部位と導電層との接続を示す図面であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線に沿う断面図である。
【図４】第１実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図であり、（ａ）は準備工程、（ｂ）は突出工程、（ｃ）は第１積層工程、（ｄ）は第２積層工程を示す。
【図５】第２実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図であり、（ａ）は準備工程、（ｂ）は突出工程、（ｃ）は第１積層工程、（ｄ）は第２積層工程、（ｅ）は第３、第４積層工程を示す。
【図６】第３実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図であり、（ａ）は準備工程、（ｂ）は突出工程、（ｃ）は第１積層工程、（ｄ）は第２積層工程を示す。
【図７】突出部位の変形例を示す上面図である。
【図８】突出部位の変形例を示す図面であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を、エンジンＥＣＵに適用した場合の実施形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る多層基板の概略構成を示す図面であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＩｂ−Ｉｂ線に沿う断面図である。図２は、突出部位を示す図面であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＩＩｂ−ＩＩｂ線に沿う断面図である。図３は、突出部位と導電層との接続を示す図面であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線に沿う断面図である。図４は、第１実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図であり、（ａ）は準備工程、（ｂ）は突出工程、（ｃ）は第１積層工程、（ｄ）は第２積層工程を示す。以下においては、基板１１，１２が積層される方向を積層方向、該積層方向に直交し、互いに直交の関係にある２つの方向を縦方向、横方向と示す。
【００１６】
多層基板１００は、複数の基板層１０が積層方向に積層されて成るものである。図１の（ａ）に示すように、多層基板１００には、エンジンＥＣＵの一部を構成する電子部品３０（ＩＣチップ３１、コンデンサ３２、チップ抵抗３３）が搭載されている。そして、多層基板１００の端部には、カードエッジコネクタ（図示略）の端子と電気的に接続される複数の電極３４が形成されており、この電極３４と上記した端子とを介して、カードエッジコネクタに挿入されたワイヤ（図示略）と電子部品３０とが電気的に接続される。電極３４の横方向に沿う長さ（横幅）は１ｍｍであり、１ｍｍの間隔を空けて、横方向に５０個並んでいる。
【００１７】
図１の（ｂ）に示すように、本実施形態に係る多層基板１００は、２つの基板層１１，１２が積層されて成る。各基板層１１，１２は、樹脂層１３、及び、該樹脂層１３の片面に接着された導電層１４から成る。第１基板層１１の導電層１４に、第２基板層１２の樹脂層１３が接触する態様で、２つの基板層１１，１２が積層されている。本実施形態に係る樹脂層１３はＰＢＴ、導電層１４は銅箔から成り、上記した電極３４は、第２基板層１２の導電層１４の端部に相当する。なお、ＰＢＴの融点は２２４℃、ガラス転移点は２２℃である。
【００１８】
図２及び図３に示すように、第１基板層１１の一部は、積層方向に突出しており、その突出した部位（以下、突出部位２０と示す）が、第２基板層１２まで突出している。これにより、突出部位２０の導電層１４と第２基板層１２の導電層１４とが電気的に接続され、第１基板層１１と第２基板層１２とが、突出部位２０を介して電気的に接続されている。本実施形態では、突出部位２０における第２基板層１２に露出した導電層１４（以下、単に突出部位２０の導電層１４と示す）は、平面矩形状を成し、横幅が２００μｍとなっている。そして、２５０個の突出部位２０の導電層１４が、２００μｍの間隔を空けて、横方向に並んでいる。
【００１９】
次に、本実施形態に係る多層基板１００の製造方法を図４に基づいて説明する。先ず、図４の（ａ）に示すように、第１基板層１１を準備する。以上が、準備工程である。
【００２０】
該準備工程後、図４の（ｂ）に示すように、第１基板層１１の一部を、積層方向に突出する。この際、第１基板層１１における突出部位２０の形成予定領域（図１（ａ）の破線で囲った部位であり、以下、単に形成予定領域と示す）のみに赤外線を照射する、若しくは、熱した金型を接触させることで、形成予定領域のみに熱を印加する。こうすることで、形成予定領域の樹脂層１３と導電層１４のみを軟化させる。その後、形成予定領域に、線状の金型を樹脂層１３から導電層１４に向かう方向に押し当てて、圧力を印加することで、第１基板層１１の樹脂層１３と導電層１４それぞれの一部を突起し、２５０個の突出部位２０を同時に形成する。以上が、突出工程である。
【００２１】
該突出工程後、圧力印加によって部分的に凹んだ箇所を埋めるために、第１基板層１１の縦幅を縮めるように、圧力を印加する。以上が、圧縮工程である。
【００２２】
該圧縮工程後、図４の（ｃ）に示すように、突出部位２０の導電層１４の一部が外部に露出されるように、第２基板層１２の樹脂層１３を第１基板層１１に積層する。この際、樹脂層１３及び導電層１４それぞれの融点温度よりも低い積層温度（例えば、２００℃）にて、第２基板層１２の樹脂層１３を第１基板層１１の導電層１４に積層して圧縮する。以上が、第１積層工程である。
【００２３】
該第１積層工程後、図４の（ｄ）に示すように、積層温度にて、第２基板層１２の導電層１４を積層して圧縮する。こうすることで、突出部位２０の導電層１４と第２基板層１２の導電層１４とが電気的に接続される。なお、この際、積層温度よりも低い融点（１５０℃）を有する導電性接着剤（図示略）を介して、第２基板層１２の導電層１４と突出部位２０の導電層１４とを電気的に接続する。以上が、第２積層工程である。以上の工程を経ることで、第１実施形態に係る多層基板１００が製造される。
【００２４】
ちなみに、第２積層工程にて示した導電性接着剤の代わりに、積層温度よりも低い融点（１８３℃）を有する共晶はんだめっきや、積層温度よりも低い融点（１６０℃）を有する異方性導電膜を採用することもできる。また、接着剤を用いずに、熱と圧力とによって、第２基板層１２の導電層１４と突出部位２０の導電層１４とを電気的に接続しても良い。
【００２５】
次に、本実施形態に係る多層基板１００の作用効果を説明する。上記したように、第１基板層１１の一部（突出部位２０）が、第１基板層１１と第２基板層１２とを電気的に接続する機能を果たしている。これによれば、第１基板層と第２基板層とが、導電材を介して電気的に接続された構成とは異なり、導電材の分、部品点数が少なくなる。そのため、コストが嵩むことが抑制される。
【００２６】
突出工程において、突出部位２０の形成予定領域のみに熱を印加する。これによれば、形成予定領域のみが軟化し、他の部位が形成予定領域よりも硬い状態となるので、突出部位２０を形成し易く、他の部位に意図しない歪みなどが生じ難くなる。
【００２７】
積層工程において、樹脂層１３及び導電層１４それぞれの融点温度よりも低い積層温度にて、樹脂層１３と導電層１４とを積層する。そして、突出部位２０の導電層１４と第２基板層１２の導電層１４とを、積層温度よりも低い融点を有する導電性接着剤を介して、電気的に接続する。これによれば、溶融した導電性接着剤を介して、第２基板層１２の導電層１４と突出部位２０の導電層１４とが電気的に接続される。したがって、導電性接着剤を介さずに、熱と圧力とによって、第２基板層の導電層と突出部位の導電層とが電気的に接続された構成と比べて、第２基板層１２の導電層１４と突出部位２０の導電層１４との電気的な接続信頼性が向上される。
【００２８】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を、図５に基づいて説明する。図５は、第２実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図であり、（ａ）は準備工程、（ｂ）は突出工程、（ｃ）は第１積層工程、（ｄ）は第２積層工程、（ｅ）は第３、第４積層工程を示す。
【００２９】
第２実施形態に係る多層基板１００は、第１実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、第１実施形態で示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。
【００３０】
第１実施形態では、第１基板層１１と第２基板層１２とが、突出部位２０を介して電気的に接続された例を示した。これに対し、本実施形態では、第１基板層１１と第２基板層１２だけではなく、第１基板層１１と第３基板層１５とが、突出部位２０を介して電気的に接続されたことを特徴とする。
【００３１】
第２実施形態に係る多層基板１００は、図５に示す製造方法を経て製造される。先ず、図５の（ａ）に示すように、第１実施形態と同様にして、第１基板層１１を準備する準備工程を実施する。
【００３２】
該準備工程後、図５の（ｂ）に示すように、第１基板層１１の一部を、積層方向に突出する。この際、第１実施形態と同様にして、突出部位２０の形成予定領域のみに熱と圧力を印加することで突出部位２０を形成する。しかしながら、この際、第１実施形態とは異なり、第２基板層１２の樹脂層１３よりも積層方向に突起した突出部位２０だけではなく、第２基板層１２と第３基板層１５の樹脂層１３よりも積層方向に突起した突起部位２０も形成する。以上が、突出工程である。
【００３３】
該突出工程後、第１実施形態と同様にして、図５の（ｃ）及び図５の（ｄ）に示すように、圧縮工程、第１積層工程、第２積層工程を実施する。その後、図５の（ｅ）に示すように、第３基板層１５の樹脂層１３を積層する第３積層工程と、第３基板層１５の導電層１４を積層する第４積層工程と、を実施する。以上の工程を経ることで、第２実施形態に係る多層基板１００が製造される。
【００３４】
このように、本実施形態に係る多層基板１００では、第１基板層１１から、基板層１２，１５それぞれに突出部位２０が突出している。これにより、第１基板層１１と、異なる上層に位置する基板層１２，１５の導電層１４とが電気的に接続される。
【００３５】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態を、図６に基づいて説明する。図６は、第３実施形態に係る多層基板の製造方法を示す断面図であり、（ａ）は準備工程、（ｂ）は突出工程、（ｃ）は第１積層工程、（ｄ）は第２積層工程を示す。
【００３６】
第３実施形態に係る多層基板１００は、上記した各実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、上記した各実施形態で示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。
【００３７】
第１、第２実施形態では、熱と圧力を印加することで、突出部位２０を形成する例を示した。これに対し、本実施形態では、図６に示すように、一部が積層方向に高くなった支持部４０に第１基板層１１を形成することで、突出部位２０が形成される点を特徴とする。
【００３８】
第３実施形態に係る多層基板１００は、図６に示す製造方法を経て製造される。先ず、図６の（ａ）に示すように、一部が積層方向に高くなった支持部４０を準備する。以上が、準備工程であり、第１、第２実施形態で示した準備工程とは異なる。
【００３９】
該準備工程後、図６の（ｂ）に示すように、第１基板層１１を、支持部４０に形成する。こうすることで、樹脂層１３と導電層１４それぞれの一部を突起して、突出部位２０を形成する。以上が、突出工程である。
【００４０】
該突出工程後、第１実施形態と同様にして、図６の（ｃ）及び図６の（ｄ）に示すように、第１積層工程、第２積層工程を実施する。以上の工程を経ることで、第３実施形態に係る多層基板１００が製造される。
【００４１】
このように本実施形態に係る多層基板１００では、第１基板層１１を支持部４０に形成することで、突出部位２０が形成される。したがって、突出部位２０を形成するために、第１基板層１１を特別に加工しなくともよくなる。これにより、多層基板１００の製造が簡素化される。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００４３】
第１実施形態では、樹脂層１３はＰＢＴ、導電層１４は銅箔から成る例を示した。しかしながら、樹脂層１３、及び、導電層１４の形成材料としては、上記例に限定されない。樹脂層１３の形成材料としては、熱可塑性樹脂であれば採用することができ、導電層１４の形成材料としては、アルミニウムなどの金属を採用することができる。
【００４４】
第１実施形態では、複数の電極３４が１ｍｍの間隔を空けて並んだ例を示した。しかしながら、隣接する電極３４の間隔としては、上記例に限定されない。
【００４５】
第１実施形態では、複数の突出部位２０の導電層１４が２００μｍの間隔を空けて並んだ例を示した。しかしながら、隣接する突出部位２０の導電層１４の間隔としては、上記例に限定されない。
【００４６】
第１実施形態では、２５０個の突出部位２０の導電層１４が並んだ例を示した。しかしながら、突出部位２０の個数としては、上記例に限定されない。
【００４７】
第１実施形態では、突出部位２０における第２基板層１２に露出した導電層１４は、平面矩形状を成す例を示した。しかしながら、突出部位２０の導電層１４の平面形状としては、上記例に限定されず、例えば図７に示すように、平面円形を採用することもできる。図７は、突出部位の変形例を示す上面図である。
【００４８】
第１実施形態では、図２に示すように、複数の突出部位２０の導電層１４が隣り合って、横方向に並んでいる例を示した。しかしながら、図８に示すように、複数の突出部位２０の導電層１４が、縦方向に互い違いに配置されて横方向に並び、千鳥配置となった構成を採用することもできる。これによれば、横方向における突出部位２０の導電層１４間の距離を短くすることができるとともに、突出部位２０の平面形状を大きくすることができる。したがって、多層基板１００の体格の増大が抑制されると共に、突出部位２０と上層の第２基板層１２との電気的な接続が容易となる。図８は、突出部位の変形例を示す図面であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ線に沿う断面図である。
【００４９】
第１実施形態では、２つの基板層１１，１２が積層されて多層基板１００が成る例を示した。しかしながら、基板層１０の数としては、上記例に限定されず、複数であれば良い。したがって、ｎを２以上の整数とすると、ｎ個の基板層１０が積層されて多層基板１００が成っても良い。この場合、ｋを２以上ｎ以下の整数とすると、第１基板層１１の突出部位２０が、ｋ番目に積層された基板層まで突出して、ｋ番目の基板層の導電層１４と突出部位２０の導電層１４とが電気的に接続された構成を採用することができる。
【００５０】
第１実施形態では、突出工程において、線状の金型を樹脂層１３から導電層１４に向かう方向に押し当てて、圧力を印加することで、突出部位２０を形成する例を示した。しかしながら、突出部位２０を形成するために押し当てる金型の形状としては、上記例に限定されず、矩形でも、円形でもよい。
【００５１】
第２実施形態では、３つの基板層１１，１２，１５が積層されて多層基板１００が成り、複数の突出部位２０が、第２基板層１２と第３基板層１３とに突出された例を示した。しかしながら、上記したように、ｎ個の基板層１０が積層されて多層基板１００が成っても良く、ｐを２以上ｎ以下、ｋとは異なる整数とすると、複数の突出部位２０が、ｋ番目に積層された基板層１０と、ｐ番目に積層された基板層１０とに突出して、ｋ番目の基板層１０の導電層１４と突出部位２０の導電層１４とが電気的に接続され、ｐ番目の基板層１０の導電層１４と突出部位２０の導電層１４とが電気的に接続された構成を採用することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１０・・・基板層
１３・・・樹脂層
１４・・・導電層
２０・・・突出部位
３０・・・電子部品
４０・・・支持部
１００・・・多層基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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