(57)【要約】【課題】シャッター開口部に遮断部を形成することによって、フリットに照射されるレーザービームのエネルギー密度を容易に調節して、フリットの温度を均一にできるレーザーシーリング装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係るレーザーシーリング装置は、レーザービームを照射するレーザービーム発生装置、前記レーザービームのビーム経路上に位置して、前記レーザービームの一部を遮断するシャッター、前記シャッターを通過した前記レーザービームが照射されるフリットが形成された基板が搭載される基板支持台を含み、前記シャッターは、前記レーザービームが通過する円形のシャッター開口部を有し、前記シャッター開口部の上部及び下部は遮断部を有する。【選択図】図１
2013223877.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザービームを照射するレーザービーム発生装置と、
前記レーザービームのビーム経路上に位置して、前記レーザービームの一部を遮断するシャッターと、
前記シャッターを通過した前記レーザービームが照射されるフリットが形成された基板が搭載される基板支持台を含み、
前記シャッターは、前記レーザービームが通過する円形のシャッター開口部を有し、前記シャッター開口部の上部及び下部は遮断部を有するレーザーシーリング装置。
【請求項２】
前記遮断部は円弧形状であって、前記シャッター開口部に突出している、請求項１に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項３】
前記遮断部は台形形状であって、前記シャッター開口部に突出している、請求項１に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項４】
前記遮断部は頂点が曲線である、請求項３に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項５】
前記シャッター開口部の直径は前記フリットの幅よりも大きい、請求項１に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項６】
前記遮断部の幅は前記フリットの幅よりも大きい、請求項５に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項７】
前記レーザービーム発生装置と前記基板との間のビーム経路上に位置して、前記レーザービームの形状を調節する光学系をさらに含む、請求項１に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項８】
前記シャッターは前記光学系と前記基板との間のビーム経路上に位置する、請求項７に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項９】
前記シャッターは金属材質である、請求項８に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項１０】
前記シャッターは前記レーザービーム発生装置と前記光学系との間のビーム経路上に位置する、請求項７に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項１１】
前記レーザービーム発生装置と前記光学系はシングルファイバーで連結され、前記シャッターは前記シングルファイバーに設置される、請求項１０に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項１２】
前記シャッターはガラス材質である、請求項１１に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項１３】
前記シャッターは前記光学系内部のビーム経路上に位置する、請求項７に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項１４】
前記シャッターは前記光学系内部の焦点部に位置する、請求項１３に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項１５】
前記シャッターは前記光学系の出口に位置する回折光学レンズである、請求項７に記載のレーザーシーリング装置。
【請求項１６】
フリットが形成された基板を基板支持台の上に搭載する段階と、
レーザービームが通過し、上部及び下部に遮断部を有する円形のシャッター開口部を有するシャッターを前記基板上に位置させる段階と、
前記レーザービームを照射して、前記シャッターの遮断部によって変形したレーザービームを前記フリットに照射してスキャンする段階と
を含む、レーザーシーリング装置を利用した有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記遮断部の中心軸は前記レーザービームのスキャン方向と平行に配置される、請求項１６に記載のレーザーシーリング装置を利用した有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記レーザービームが前記基板のコーナー部で進行する場合に前記シャッターが回転する、請求項１７に記載のレーザーシーリング装置を利用した有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザーシーリング装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、二つの電極とその間に位置する有機発光層からなる有機発光素子を含み、一つの電極から注入された電子（electron）ともう一つの電極から注入された正孔（hole）とが有機発光層で結合して励起子（exciton）を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。
【０００３】
このような有機発光表示装置は、少なくとも一つの有機発光素子が形成される素子基板、有機発光素子を密封するために素子基板と合着される封止基板、及び素子基板と封止基板を合着するためのフリット（Frit）を含む。
【０００４】
このとき、大型素子基板の場合は幅の広いフリットを使用するようになり、幅の広いフリットではレーザービームによって溶融するフリットの温度を均一にしなければならない。フリットが溶融する温度が均一でない場合には、フリットのうちで温度が高い部分から気泡が発生したり、その下の金属配線が損傷するという問題が発生し得る。
【０００５】
そのため、レーザーマスクを利用してレーザービームの中心部のエネルギー密度を低くして、フリットの温度を均一にしようとする試みはあるが、レーザービームの周辺部に蓄積された高いエネルギー密度により、レーザービームの中心部のエネルギー密度が簡単には低くならない。
【０００６】
また、フリットの温度を均一にするために、レーザービームのエネルギー分布をガウシアン形状からフラットトップ（flat top）形状に変更する場合にも、直径がフリットの幅よりも大きい円形フラットトップレーザービームは、フリットの中心部に照射されるレーザービームの時間あたりに累積するエネルギー密度が、フリットの周辺部に照射されるレーザービームのエネルギー密度よりも大きくて、フリットの中心部の温度がフリットの周辺部の温度よりも大きくなる。この場合、フリットの中心部の温度が上昇して気泡が発生することがあり、フリットの下に金属配線がある場合には金属配線が膨らんだり爆発したりしてフリットが損傷する現象が発生し得る。
【０００７】
また、円形フラットトップレーザービームの入射エネルギー密度の不均衡を除去するために、四角形フラットトップレーザービームを使用する場合にも、エッジ効果（edge effect）によってフリットの中心部よりもフリットの周辺部のエネルギーが多く損失されるため、依然としてフリットの中心部の温度が高く、フリットの温度は不均一になる。この場合、フリットの周辺部をすべてシーリングするために、フリットの周辺部に照射されるレーザービームのエネルギーを上げる場合、金属配線が損傷したりフリットの中心部に気泡が発生したりしてマイクロクラックが発生し得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述した問題点を解決するためのものであって、その目的は、レーザービームが照射されるフリットの中心部と周辺部の温度を均一にし、フリット中心部の気泡発生またはフリットの下の金属配線の損傷を抑制することができるレーザーシーリング装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態に係るレーザーシーリング装置は、レーザービームを照射するレーザービーム発生装置と、前記レーザービームのビーム経路上に位置して、前記レーザービームの一部を遮断するシャッターと、前記シャッターを通過した前記レーザービームが照射されるフリットが形成された基板が搭載される基板支持台を含み、前記シャッターは、前記レーザービームが通過する円形のシャッター開口部を有し、前記シャッター開口部の上部及び下部は遮断部を有してもよい。
【００１０】
前記遮断部は円弧形状であって、前記シャッター開口部に突出していてもよい。前記遮断部は台形形状であって、前記シャッター開口部に突出していてもよく、前記遮断部は頂点が曲線であってもよい。
【００１１】
前記シャッター開口部の直径は前記フリットの幅よりも大きく、前記遮断部の幅は前記フリットの幅よりも大きくてもよい。
【００１２】
前記レーザービーム発生装置と前記基板との間のビーム経路上に位置して、前記レーザービームの形状を調節する光学系をさらに含んでもよい。
【００１３】
前記シャッターは前記光学系と前記基板との間のビーム経路上に位置してもよく、前記シャッターは金属材質であってもよい。前記シャッターは前記レーザービーム発生装置と前記光学系との間のビーム経路上に位置してもよい。
【００１４】
前記レーザービーム発生装置と前記光学系はシングルファイバーで連結され、前記シャッターは前記シングルファイバーに設置されてもよく、前記シャッターはガラス材質であってもよい。
【００１５】
前記シャッターは前記光学系内部のビーム経路上に位置してもよい。前記シャッターは前記光学系内部の焦点部に位置してもよい。前記シャッターは前記光学系の出口に位置する回折光学レンズであってもよい。
【００１６】
また、本発明の一実施形態に係るレーザーシーリング装置を利用した有機発光表示装置の製造方法は、フリットが形成された基板を基板支持台の上に搭載する段階と、レーザービームが通過し、上部及び下部に遮断部を有する円形のシャッター開口部を有するシャッターを前記基板上に位置させる段階と、前記レーザービームを照射して、前記シャッターの遮断部によって変形されたレーザービームを前記フリットに照射してスキャンする段階を含む。
【００１７】
前記遮断部の中心軸は前記レーザービームのスキャン方向と平行に配置されてもよい。前記レーザービームが前記基板のコーナー部で進行する場合に前記シャッターが回転してもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の実施形態によれば、シャッター開口部に遮断部を形成することによって、フリットに照射されるレーザービームのエネルギー密度を容易に調節して、フリットの温度を均一にすることができる。
【００１９】
従って、フリット中心部の色変化、気泡、マイクロクラック発生、及びフリットの下の金属配線の損傷を抑制することができる。
【００２０】
また、遮断部の中心軸は、レーザービームのスキャン方向と平行に配置され、レーザービームのエネルギー密度分布が軸対称であるので、コーナー部で回転しやすい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態に係るレーザーシーリング装置の概念図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るレーザーシーリング装置に使用されるシャッターの平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るレーザーシーリング装置を使用してシーリング工程を進行する場合、上部遮断部に対応する位置のフリットの温度分布を示すグラフである。
【図４】本発明の第１実施形態に係るレーザーシーリング装置を使用してシーリング工程を進行する場合、下部遮断部に対応する位置のフリットの温度分布を示すグラフである。
【図５】本発明の第２実施形態に係るレーザーシーリング装置に使用されるシャッターの平面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係るレーザーシーリング装置に使用されるシャッターの平面図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係るレーザーシーリング装置のシャッター及び光学系の拡大図である。
【図８】本発明の第５実施形態に係るレーザーシーリング装置のシャッター及び光学系の拡大図である。
【図９】本発明の第６実施形態に係るレーザーシーリング装置のシャッター及び光学系の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は多様に異なる形態で実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２３】
また、明細書全体にわたって同一または類似する構成要素については同一する参照符号を付与した。また、図面に示す各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意に示したものであり、本発明が必ずしも示されたものに限定されるのではない。
【００２４】
以下、本発明の第１実施形態に係るレーザーシーリング装置について、図１〜図４を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１実施形態に係るレーザーシーリング装置の概念図であり、図２は本発明の第１実施形態に係るレーザーシーリング装置に使用されるシャッターの平面図である。
【００２５】
図１及び図２に示したように、本発明の第１実施形態に係るレーザーシーリング装置は、レーザービーム１を照射するレーザービーム発生装置１０と、レーザービーム１のビーム経路上に位置して、レーザービーム１の一部を遮断するシャッター２０と、シャッター２０を通過したレーザービーム１が照射されるフリット３００が形成された基板１００が搭載される基板支持台３０と、レーザービーム発生装置１０と基板１００との間のビーム経路上に位置する光学系４０を含む。
【００２６】
レーザービーム発生装置１０と光学系４０との間にはシングルファイバー（single fiber）５０が設置されて、レーザービーム１の送信が均質に行われる。つまり、レーザービーム発生装置１０から発生したレーザービーム１がシングルファイバー５０を通して光学系４０まで、レーザービーム１の断面の位置による強さが一定となるように送信される。このようなシングルファイバー５０には、レーザービーム１の送信を助けるためのビームカプラー（beam coupler）５１またはビームコリメータ（beam collimator）５２が設置されている。
【００２７】
光学系４０は、円筒形状の鏡筒４１、鏡筒４１の間に介在されている複数のレンズ４２を含み、レーザービーム１の形状を調節する。光学系４０を利用してレーザービーム１をフラットトップを有する円形のレーザービーム１として生成する。本実施形態では、直径３．５ｍｍの円形レーザービーム１を形成する。
【００２８】
シャッター２０は、光学系４０と基板１００との間のビーム経路上に位置し、金属材質で製造され、基板１００と殆ど隣接するように設置されてもよい。このようなシャッター２０は、光学系４０の焦点部に位置して、円形レーザービーム１の一部を遮断する。このようなシャッター２０が仮に基板１００と多く離隔する場合には、回折現象によってレーザービーム１の一部が所望する形状に遮断されない。このため、本具現化例では、シャッター２０は基板１００と殆ど隣接するように設置されてもよい。
【００２９】
図２はシャッター２０の平面図である。図２に示したように、シャッター２０はレーザービーム１が通過する円形のシャッター開口部２０ａを有し、シャッター開口部２０ａの図面における上部及び下部は遮断部２１を有する。遮断部２１は円弧形状を有してシャッター開口部２０ａに突出している。上部遮断部２１１と下部遮断部２１２は、シャッター開口部２０ａの水平中心を基準に対称に形成されている。なお、シャッター２０は、図２にあって縦方向が長く、横方向が短くなる。したがって、遮断部２１の上部遮断部２１１と下部遮断部２１２は、シャッター２０の縦方向に、対向して形成されている。
【００３０】
シャッター開口部２０ａの直径ｄ１は、フリット３００の幅ｄ２よりも大きく、遮断部２１の幅ｄ３もフリット３００の幅ｄ２よりも大きくてもよく、好ましくは遮断部２１の幅ｄ３はフリット３００の幅ｄ２よりも１０％以上大きくてもよい。そして、遮断部２１の幅ｄ３は、シャッター開口部２０ａの直径よりも小さくてもよい。遮断部２１の幅ｄ３がフリット３００の幅ｄ２よりも大きくない場合には、遮断部２１のエッジ部の回折現象によって、レーザービーム１の形状が不規則になることがある。
【００３１】
シャッター開口部２０ａに遮断部２１がない場合、フリット３００に照射されるレーザービーム１の中心部のエネルギー密度は、フリット３００に照射されるレーザービーム１の周辺部のエネルギー密度よりも大きいが、本実施形態のように、シャッター開口部２０ａを通じてフリット３００に照射されるレーザービーム１の中心部が遮断部２１によって遮断される場合には、フリット３００に照射されるレーザービーム１の中心部のエネルギー密度は、フリット３００に照射されるレーザービーム１の周辺部のエネルギー密度と同一になる。従って、レーザービーム１が照射されるフリット３００の中心部と周辺部の温度が均一になるので、フリット３００の中心部で気泡が発生することを防止でき、フリット３００の下に位置する金属配線が損傷することも防止できる。
【００３２】
図３は本発明の第１実施形態に係るレーザーシーリング装置を使用してシーリング工程を進行する場合、上部遮断部に対応する位置のフリットの温度分布を示すグラフであり、図４は本発明の第１実施形態に係るレーザーシーリング装置を使用してシーリング工程を進行する場合、下部遮断部に対応する位置のフリットの温度分布を示すグラフである。図３及び図４とも縦軸が温度（Temperature）を示し、横軸が中心部からの長さ（ｍｍ）を示す。
【００３３】
図３及び図４において、Ａ線は遮断部が形成されていないシャッター開口部２０ａを通過したレーザービームによるフリット３００の温度分布である。Ｂ線は遮断部２１がシャッター開口部２０ａの垂直中心軸（Ｙ）と接する交差点（Ｙ１）がシャッター開口部２０ａの半径の２０％に位置した場合の、シャッター開口部２０ａを通過したレーザービームによるフリット３００の温度分布である。Ｃ線は遮断部２１の交差点（Ｙ１）がシャッター開口部２０ａの半径の４０％に位置した場合の、シャッター開口部２０ａを通過したレーザービームによるフリット３００の温度分布である。Ｄ線は遮断部２１の交差点（Ｙ１）がシャッター開口部２０ａの半径の６０％に位置した場合の、シャッター開口部２０ａを通過したレーザービームによるフリット３００の温度分布である。
【００３４】
図３及び図４に示したように、遮断部２１の前記交差点（Ｙ１）がシャッター開口部２０ａの半径の３０％以上に位置した場合には、シャッター開口部２０ａを通過したレーザービーム１によるフリット３００の中心部の温度が下降して、フリット３００の中心部と周辺部の温度が均一になることが分かる。
【００３５】
このような本発明の第１実施形態に係るレーザーシーリング装置を利用した有機発光表示装置の製造方法について、以下で図１及び図２を参照して詳しく説明する。
【００３６】
図１及び図２に示したように、本発明の第１実施形態に係るレーザーシーリング装置を利用した有機発光表示装置の製造方法は、先ず、フリット３００が形成された基板１００を基板支持台３０の上に搭載する。つまり、素子基板１１０と封止基板２１０を合着するために、フリット３００をペースト形態に生成し、素子基板１１０上の合着しようとする部位に所定の厚さに塗布する。そして、素子基板１１０上に塗布されたフリット３００を予備焼成して、フリット３００内の水分やバインダー成分などを除去して、封止基板２１０を素子基板１１０の上に整列させる。
【００３７】
次に、レーザービーム１が通過し、上部遮断部２１１及び下部遮断部２１２を有する円形のシャッター開口部２０ａを有するシャッター２０を含むレーザーシーリング装置を基板１００上に位置させる。
【００３８】
次に、レーザービーム１を照射して、シャッター２０の遮断部２１によって変形したレーザービーム１をフリット３００に照射してスキャンする。このように、レーザービーム１でフリット３００が塗布された部位を局部的に加熱することによってフリット３００を溶融させて、素子基板１１０と封止基板２１０を合着させるシーリング工程が行われる。このとき、フリット３００の中心部で気泡が発生することを防止するために、遮断部２１の中心軸（Ｙ）、つまり、シャッター開口部２０ａの垂直中心軸（Ｙ）は、レーザービーム１のスキャン方向と平行に配置される。
【００３９】
シャッター開口部２０ａに遮断部２１がない場合、フリット３００に照射されるレーザービーム１の中心部のエネルギー密度は、フリット３００に照射されるレーザービーム１の周辺部のエネルギー密度よりも大きいが、本実施形態のように、シャッター開口部２０ａを通じてフリット３００に照射されるレーザービーム１の中心部が遮断部２１によって遮断される場合には、フリット３００に照射されるレーザービーム１の中心部のエネルギー密度は、フリット３００に照射されるレーザービーム１の周辺部のエネルギー密度と同一になる。従って、レーザービーム１が照射されるフリット３００の中心部と周辺部の温度が均一になるので、フリット３００の中心部で気泡が発生することを防止でき、フリット３００の下に位置する金属配線が損傷することを防止することもできる。
【００４０】
一方、レーザービーム１が基板１００のコーナー部で進行する場合、シャッター２０は回転するようになる。このとき、遮断部２１の中心軸（Ｙ）はレーザービーム１のスキャン方向と平行に配置されて、レーザービーム１のエネルギー密度分布が軸対称であるため、コーナー部で回転しやすい。従って、レーザービーム１が照射されるフリット３００の中心部と周辺部の温度が均一になるので、フリット３００の中心部で気泡が発生することを防止でき、フリット３００の下に位置する金属配線が損傷することを防止することもできる。
【００４１】
一方、前記第１実施形態の遮断部と異なる形状を有する第２実施形態及び第３実施形態も可能である。
【００４２】
図５は本発明の第２実施形態に係るレーザーシーリング装置に使用されるシャッターの平面図であり、図６は本発明の第３実施形態に係るレーザーシーリング装置に使用されるシャッターの平面図である。
【００４３】
第２実施形態及び第３実施形態は、図１及び図２に示された第１実施形態と比較して、遮断部の形状が異なることを除いては実質的に同一であるため、繰り返される説明は省略する。
【００４４】
図５に示したように、シャッター２０はレーザービーム１が通過する円形のシャッター開口部２０ａを有し、シャッター開口部２０ａの図５における上部及び下部は遮断部２２を有する。遮断部２２は台形形状を有し、シャッター開口部２０ａに突出している。上部遮断部２２１と下部遮断部２２２は、シャッター開口部２０ａの水平中心を基準に対称に形成されている。
【００４５】
シャッター開口部２０ａの直径（ｄ１）はフリット３００の幅（ｄ２）よりも大きく、遮断部２２の幅（ｄ３）もフリット３００の幅（ｄ２）よりも大きくてもよく、好ましくは遮断部２２の幅（ｄ３）はフリット３００の幅（ｄ２）よりも１０％以上大きくてもよい。そして、遮断部２２の幅（ｄ３）はシャッター開口部２０ａの直径（ｄ１）よりも小さくてもよい。遮断部２２の幅（ｄ３）がフリット３００の幅（ｄ２）よりも大きくない場合には、遮断部２２のエッジ部の回折現象によって、遮断されるレーザービーム１の形状が不規則になることがある。
【００４６】
また、図６に示したように、シャッター２０はレーザービーム１が通過する円形のシャッター開口部２０ａを有し、シャッター開口部２０ａの上部及び下部は遮断部２３を有する。遮断部２３は頂点が曲線である台形形状を有し、シャッター開口部２０ａに突出している。上部遮断部２３１と下部遮断部２３２は、シャッター開口部２０ａの水平中心を基準に対称に形成されている。
【００４７】
シャッター開口部２０ａの直径（ｄ１）はフリット３００の幅（ｄ２）よりも大きく、遮断部２３の幅（ｄ３）もフリット３００の幅（ｄ２）よりも大きくてもよく、好ましくは遮断部２３の幅（ｄ３）はフリット３００の幅（ｄ２）よりも１０％以上大きくてもよい。そして、遮断部２３の幅（ｄ３）はシャッター開口部２０ａの直径よりも小さくてもよい。
【００４８】
一方、光学系と基板の間のビーム経路上に位置する前記第１実施形態のシャッターとは異なって、シャッターがレーザービーム発生装置と光学系の間に配置される第４実施形態も可能である。
【００４９】
図７は本発明の第４実施形態に係るレーザーシーリング装置のシャッター及び光学系の拡大図である。
【００５０】
第４実施形態は図１及び図２に示された第１実施形態と比較して、シャッターが異なることを除いては実質的に同一であるため、繰り返される説明は省略する。
【００５１】
図７に示したように、本発明の第４実施形態に係るレーザーシーリング装置のシャッター６０は、レーザービーム発生装置１０と光学系４０の間のビーム経路上に位置し、ガラス材質で生成される。
【００５２】
具体的に、シャッター６０はレーザービーム発生装置１０と光学系４０を連結するシングルファイバー５０に設置され、シャッター６０は第１実施形態〜第３実施形態に記載された遮断部２１、２２、２３を有してもよい。シングルファイバー５０は、レーザービーム発生装置１０で発生した円形レーザービーム１を均質に送信するので、シングルファイバー５０にガラス材質のシャッター６０を設置することによって、綺麗で効率の高いレーザービーム１を得ることができる。
【００５３】
このようなシャッター６０は、コーナー部をシーリングする場合、レーザービーム１の光軸が歪まないように維持しながら回転する。
【００５４】
一方、光学系と基板の間のビーム経路上に位置する前記第１実施形態のシャッターとは異なって、シャッターが光学系の内部に配置される第５実施形態も可能である。
【００５５】
図８は本発明の第５実施形態に係るレーザーシーリング装置のシャッター及び光学系の拡大図である。第５実施形態は図１及び図２に示された第１実施形態と比較して、シャッターが異なることを除いては実質的に同一であるため、繰り返される説明は省略する。
【００５６】
図８に示したように、本発明の第５実施形態に係るレーザーシーリング装置のシャッター７０は光学系４０内部に位置してもよい。
【００５７】
具体的に、光学系４０は複数のレンズからなり、このうちのいずれか一つのレンズの焦点部にシャッター７０が位置している。図８に示された光学系４０は、３つのレンズからなり、第２レンズの焦点部にシャッター７０が位置している。シャッター７０は第１実施形態〜第３実施形態に記載された遮断部２１、２２、２３を有してもよい。従って、シャッター７０の形状を有するレーザービーム１がフリット３００に形成される。
【００５８】
このようなシャッター７０は、クォーツ（Quartz）上に遮断金属を蒸着して遮断部２１、２２、２３を形成し、蒸着される遮断金属は第２レンズの焦点部でのレーザービーム１の高い強度を耐えられる物質でなければならない。このような遮断金属は、レーザービーム１の強度が４０〜１００Ｗである場合、タングステン（Tungsten）であってもよい。
【００５９】
また、シャッター７０は遮断金属を直接レーザー加工して形成してもよい。このようなシャッター７０は回転可能に設置され、シャッター７０はコーナー部をシーリングする場合には回転する。
【００６０】
また、光学系と基板の間のビーム経路上に位置する前記第１実施形態のシャッターとは異なって、シャッターが光学系の出口に配置される回折光学レンズである第６実施形態も可能である。
【００６１】
図９は本発明の第６実施形態に係るレーザーシーリング装置のシャッター及び光学系の拡大図である。第６実施形態は図１及び図２に示された第１実施形態と比較して、シャッターが異なることを除いては実質的に同一であるため、繰り返される説明は省略する。
【００６２】
図９に示したように、本発明の第６実施形態に係るレーザーシーリング装置のシャッター８０は、光学系４０の出口に位置し、回折光学レンズ（ＤＯＥ、diffraction optical element lens）であってもよい。
【００６３】
このようなシャッター８０は回折光学レンズであるので、円形レーザービーム１を他の形状のレーザービーム１に変換させる。
【００６４】
この場合、第１回折映像は光軸に形成され、第０回折映像は光軸と２〜３度曲がるように入射させた後、１００ｍＷ以上であればマスクを使用してブロッキング（blocking）して、高回折（higher order diffraction）映像はブラックノイズ（Black Noise）で処理する。
【００６５】
上述した通り、本発明を好ましい実施形態を通して説明したが、本発明はこれに限定されるのではなく、次に記載する特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、多様な修正及び変形が可能であることは、本発明が属する技術分野に従事する者であれば簡単に理解できる。
【符号の説明】
【００６６】
１０  レーザー発生装置
２０、６０、７０、８０  シャッター
２１、２２、２３  遮断部
３０  基板支持台
４０  光学系
５０  シングルファイバー
【図１】
2013223877.tif 000003
【図２】
2013223877.tif 000004
【図３】
2013223877.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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