(57)【要約】【課題】剛性と変形許容性のバランスを自在に調整可能な円筒形ヒータ構造を提供する。【解決手段】円筒形ヒータ１０は、端子１１，１１間でヒータエレメント１２を高さ方向に蛇行させながら略円筒形状をなすように形成されたグラファイト本体１３と、隣接するヒータエレメント間で上端および下端に交互に開口するスリット１４に断続的に設けられてこれら隣接ヒータエレメント同士を機械的に連結するＰＢＮリブ１５とを有する。このヒータは剛性を有しつつある程度の変形を許容するので、高温条件で使用されたときであっても、グラファイトとＰＢＮリブの熱膨張係数が異なることによる破断や破損を防止する。端子部で自立させたときにヒータエレメントの自重で撓むことを防止し、被加熱物を良好な温度分布で昇温させることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子間において導電性材料からなるヒータエレメントを高さ方向に蛇行させながら略円筒形状をなすように形成されたヒータ本体と、このヒータ本体において隣接するヒータエレメント間で上端および下端に交互に開口するスリットに断続的に設けられて該隣接ヒータエレメント同士を機械的に連結する絶縁性材料からなる絶縁リブとを有することを特徴とする円筒形ヒータ。
【請求項２】
ヒータエレメントを形成する導電性材料がグラファイトであり、絶縁リブを形成する絶縁性材料が熱分解性窒化ホウ素（ＰＢＮ）であることを特徴とする、請求項１記載の円筒形ヒータ。
【請求項３】
ヒータ本体および絶縁リブがさらに絶縁性材料によるオーバーコート被覆層で被覆され、前記絶縁リブが３層の絶縁被膜から形成されることを特徴とする、請求項１または２記載の円筒形ヒータ。
【請求項４】
請求項１記載の円筒形ヒータの製造方法であって、最終的に得ようとするヒータ本体形状に略合致する円筒形状を有すると共に隣接するヒータエレメント間のスリットに断続的に設けられて該隣接ヒータエレメント同士を機械的に連結するリブを有するように導電性材料から形成されたヒータ基材を準備し、このヒータ基材を絶縁性材料で被覆してベースコート被覆層を形成した後、ヒータ基材のリブの内面側および外面側のいずれか一方に形成されたベースコート被覆層と共に該ヒータ基材のリブを切除して内面側および外面側の他方に形成されたベースコート被覆層のみを残してこれを絶縁リブとすることを特徴とする、円筒形ヒータの製造方法。
【請求項５】
ヒータエレメントを形成する導電性材料がグラファイトであり、絶縁リブを形成する絶縁性材料が熱分解性窒化ホウ素（ＰＢＮ）であることを特徴とする、請求項４記載の円筒形ヒータの製造方法。
【請求項６】
さらに、得られた円筒形構造体を絶縁性材料で被覆してオーバーコート被覆層を形成することを特徴とする、請求項４または５記載の円筒形ヒータの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造プロセスにおいてシリコン単結晶を引き上げる目的で、棒状固体原料を収容した坩堝の外周に配置して、坩堝を介して原料を加熱溶融させてるためなどに用いられる円筒形ヒータおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような円筒形ヒータは、下記特許文献１，２などに公知であり、グラファイトなどのカーボン素材からなるヒータエレメントを端子間で高さ方向に蛇行させながら略円筒形状をなすように形成され、ヒータエレメント間には上端で開口する上向きスリットと下端で開口する下向きスリットとが交互に配置されている。このヒータ構造は、スリットの存在によって剛性が低下する。特にウエハの大径化に伴いシリコン単結晶も大径化の要求が大きくなり、この要求を満たすように製造される円筒形ヒータにおいてはヒータエレメントが長大化することから、その自重で撓みや変形を生じやすくなり、均熱性が損なわれ、場合によっては破損や折損の原因となる。また、撓みや変形を生じた状態のヒータエレメントにＰＢＮなどの絶縁性材料をＣＶＤなどで被覆すると、変形したヒータが作製されてしまう。さらには、端子が装置に固定されたときに、ヒータエレメントの撓みによってヒータに応力がかかり、加熱時にはさらに熱膨張応力に加わってヒータ寿命を大きく低下させる。
【０００３】
この問題を解決するために、特許文献１ではスリットに充填物を充填し、特許文献２ではスリットの開放端部にブリッジを設けることによって、剛性不足を補い、ヒータの過度の変形を防止しようとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−１６０７８８号公報（図４，図５）
【特許文献２】特開平９−２３５１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のようにスリットに充填物を充填する手法は、剛性を与えて変形を防止する上では効果的であるが、変形を全く許容しない構造になるために別の問題を生ずる。すなわち、特許文献１ではグラファイトなどのカーボン素材でヒータ本体を形成し、スリットにはＳｉＣなどの絶縁材料による充填物を充填しているが、グラファイトとＳｉＣとでは熱膨張係数が異なるため、ヒータを昇温させたときにヒータ本体と充填物とが異なる熱膨張の動きを起こし、その応力によってヒータが破損ないし折損するおそれがある。また、ＳｉＣは半導体であってＰＢＮのような絶縁性を有しない（ＳｉＣの抵抗率は１０３〜１０５Ωｃｍ程度（室温）であるのに対してＰＢＮは１０１４Ωｃｍ以上（室温）と１０桁以上違う）ため、特許文献１のヒータを高温に昇温させると、ＳｉＣが充填されたスリット部分がヒータ本体の並列回路として働いて該スリット部分も発熱する。このため、温度分布を適正化させるための制御が困難になる。
【０００６】
特許文献２ではスリットの開放端部に抵抗発熱部材からなるブリッジを設けて補強している（段落００１１など）が、一つのスリットに対して開口端の一点で補強するものであるので、必ずしも十分な効果を得ることができない。少なくとも、この構造では、剛性と変形許容性のバランスを自在に調整することは不可能である。また、特許文献２では、電極に供給された電流の一部をブリッジに流すことによりヒータエレメントと共にブリッジも発熱させ、ブリッジ設置箇所（主として上端部）がより高い温度となるような温度分布を与えるようにするために、ブリッジを抵抗発熱部材で形成している（段落００１９，００２０など）が、既述した特許文献１と同様に、複雑な並列回路が形成されることになるので温度分布制御が困難である。さらには、ヒータエレメント（グラファイトなどのカーボン素材）を切り出してブリッジを一体形成する場合（段落００１３，００１７など）、たとえば当初のヒータエレメントの断面積３０ｍｍ２（５×６）を切り出して断面積３ｍｍ２（１×３）のブリッジを形成したとすると、断面にして１０倍の電流・電圧が流れることになり、高温下においてはブリッジが焼損するおそれがある。
【０００７】
本発明は、上述した従来技術の不利欠点を解消し、剛性と変形許容性のバランスを自在に調整可能な円筒形ヒータおよびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本願の請求項１に係る発明は、端子間において導電性材料からなるヒータエレメントを高さ方向に蛇行させながら略円筒形状をなすように形成されたヒータ本体と、このヒータ本体において隣接するヒータエレメント間で上端および下端に交互に開口するスリットに設けられて該隣接ヒータエレメント同士を機械的に連結する絶縁性材料からなる絶縁リブとを有することを特徴とする円筒形ヒータである。
【０００９】
請求項２に係る発明は、請求項１記載の円筒形ヒータにおいて、ヒータエレメントを形成する導電性材料がグラファイトであり、絶縁リブを形成する絶縁性材料が熱分解性窒化ホウ素（ＰＢＮ）であることを特徴とする。
【００１０】
請求項３に係る発明は、請求項１または２記載の円筒形ヒータにおいて、ヒータ本体および絶縁リブがさらに絶縁性材料によるオーバーコート被覆層で被覆され、前記絶縁リブが３層の絶縁被膜から形成されることを特徴とする。
【００１１】
請求項４に係る発明は、請求項１記載の円筒形ヒータの製造方法であって、最終的に得ようとするヒータ本体形状に略合致する円筒形状を有すると共に隣接するヒータエレメント間のスリットに設けられて該隣接ヒータエレメント同士を機械的に連結するリブを有するように導電性材料から形成されたヒータ基材を準備し、このヒータ基材を絶縁性材料で被覆してベースコート被覆層を形成した後、ヒータ基材のリブの内面側および外面側のいずれか一方に形成されたベースコート被覆層と共に該ヒータ基材のリブを切除して内面側および外面側の他方に形成されたベースコート被覆層のみを残してこれを絶縁リブとすることを特徴とする。
【００１２】
請求項５に係る発明は、請求項４記載の円筒形ヒータの製造方法において、ヒータエレメントを形成する導電性材料がグラファイトであり、絶縁リブを形成する絶縁性材料が熱分解性窒化ホウ素（ＰＢＮ）であることを特徴とする。
【００１３】
請求項６に係る発明は、請求項４または５記載の円筒形ヒータの製造方法において、さらに、得られた円筒形構造体を絶縁性材料で被覆してオーバーコート被覆層を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に係る発明によれば、円筒形ヒータにおいて、隣接するヒータエレメント同士がスリット内に設けられる絶縁リブによって機械的に連結されるので、端子部で自立させたときにヒータ本体がヒータエレメントの自重で撓んだり変形することを防止し、ウエハなど被加熱物の温度分布を良好に維持することができる。絶縁リブは、ヒータの剛性を向上させると同時にある程度の変形を許容するので、異種材料で形成されるヒータ本体と絶縁リブの熱膨張係数が異なることによる破断や破損を防止することができる。さらに、絶縁リブの位置・大きさ・数を適宜に設定することによってヒータの剛性と変形許容性のバランスを自在に調整することができる効果がある。
【００１５】
請求項２に係る発明によれば、加工性に優れたグラファイトによるヒータ基材と絶縁性に優れたＰＢＮ絶縁リブとの好適な組み合わせによる円筒形ヒータを提供することができる。
【００１６】
請求項３に係る発明によれば、ヒータ本体（ヒータエレメント）および絶縁リブがさらにＰＢＮなどの絶縁性材料によるオーバーコート被覆層で被覆される。この場合、導電性材料からなるヒータ本体は少なくとも１層（ベースコート被覆層および／またはオーバーコート被覆層）で絶縁被覆されることになるので、ヒータとしての製品寿命や絶縁性を向上させることができる。さらに、絶縁リブはベースコート被覆層およびその内外面のオーバーコート被覆層の計３層で形成されることになるので、その絶縁性を高めると共に、その強度も増大するので取扱性や製品寿命を向上させることができる。
【００１７】
請求項４に係る発明によれば、請求項１記載の構成を有する円筒形ヒータを製造するための好適な方法が提供される。この製造方法によれば、導電性材料から一体的に形成されるリブ付ヒータ基材に対してＣＶＤなどでベースコート被覆層を形成するので、その際の成膜条件設定が容易であり、均一な膜厚で成膜させることができる効果がある。
【００１８】
請求項５に係る発明によれば、加工性に優れたグラファイトによるヒータ基材と絶縁性に優れたＰＢＮリブとの好適な組み合わせから円筒形ヒータを製造することができる。
【００１９】
請求項６に係る発明によれば、ヒータ本体の基材露出面がＰＢＮなどの絶縁性材料によるオーバーコート被覆層で被覆されるので、優れた製品寿命や絶縁性を有する円筒形ヒータを製造することができる。この製造方法によれば、ベースコートとオーバーコートによるダブルコートの絶縁層が形成されるので、比較的容易な成膜条件で大きな膜厚を得ることができる効果がある。ＣＶＤによるＰＢＮ成膜は通常は０．３ｍｍ程度が限度であり、それ以上の膜厚を得ようとしてもＰＢＮに割れや浮きが生じやすくなるが、ダブルコートとすることでそのような欠点を生じさせずに大きな膜厚（０．５〜１ｍｍ）のＰＢＮ被膜を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態による円筒形ヒータの平面図（ａ）、同図中Ａ−Ａ断面図（ｂ）および側面図（ｃ）である。
【図２】この円筒形ヒータの斜視図である。
【図３】この円筒形ヒータの絶縁リブを主に示す拡大斜視図である。
【図４】この円筒形ヒータの製造工程を示すフロー図である。
【図５】図２の各段階における断面状態を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に本発明の実施形態について添付図面を参照して説明するが、本発明はこれら実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内において広く変形態様を取り得ることに留意されたい。
【実施例１】
【００２２】
図１ないし図３に示す円筒形ヒータ１０は、端子ボルト挿通穴１１ａ，１１ａを有する端子１１，１１間において、ヒータエレメント１２を高さ方向に蛇行させながら略円筒形状をなすように形成されたヒータ本体１３と、このヒータ本体１３において隣接するヒータエレメント１２間で上端および下端に交互に開口するスリット１４に断続的に設けられて該隣接ヒータエレメント同士を機械的に連結する絶縁リブ１５とを有して構成されている。この実施形態では、ヒータエレメント１２ないしヒータ本体１３はグラファイトからなり、絶縁リブ１５はＰＢＮからなる。言うまでもないことであるが、図示の円筒形ヒータ１０の形状は一例にすぎず、全体形状としての円筒形状の径寸法や、ヒータエレメント１２の蛇行形状や蛇行の折り返し数、厚さなどは用途などに応じて任意に設計・選定することができる。
【００２３】
スリット１４に設けられて隣接ヒータエレメント１２同士を機械的に連結するリブ１５は、ヒータ本体１３の剛性を高めると同時に、これがスリット１４内に断続的に設けられることによってある程度の変形許容性をヒータ本体１３に与えるので、ヒータ１０が高温で使用された場合であっても、熱膨張係数の異なる材料（グラファイトとＰＢＮ）で形成されるヒータ本体１３とリブ１５の熱膨張差に起因する破断や破損を防止する。さらに、このリブ１５がＰＢＮなどの絶縁性材料で形成されているので、ヒータエレメント１２間での導通を起こすことがない。
【００２４】
次に、図４および図５を参照して、このヒータ１０の製造方法について説明する。まず、リブ付の円筒形グラファイト基材１６を準備する（図４：Ｓ１）。このグラファイト基材１６は、前述した完成品としてのヒータ１０の形状（図１〜図３）と略同形状に形成されている。すなわち、端子１１，１１間においてグラファイト線材が高さ方向に蛇行しながら略円筒形状をなすように形成され、隣接するグラファイト線材間で上端および下端に交互に開口するスリット（ヒータ１０におけるスリット１４に対応する）に断続的にグラファイトリブ１９が設けられ、このグラファイトリブ１９で隣接グラファイト線材同士を機械的に連結する構造を有している。グラファイト線材は完成品としてのヒータ１０においてヒータエレメント１２の基材を形成し、グラファイト線材間のスリットは完成品としてのヒータ１０におけるスリット１４に対応し、グラファイトリブ１９は完成品としてのヒータ１０においてスリット１４内に断続的に設けられるＰＢＮリブ１５に対応した位置に設けられている。グラファイト線材の厚さは特に限定されないが、たとえば２〜８ｍｍ程度の厚さのものを使用することができ、この実施形態ではグラファイト線材より薄いグラファイトリブ１９が、グラファイト基材１６の内面１７側で面一となるように設けられている。
【００２５】
したがって、図５（ａ）に例示されるように、グラファイト基材１６は、断面で見ると、完成品としてのヒータ１０においてヒータパターンを形成するヒータエレメント１２となる全厚部分２０と、スリット１４となる貫通部分２１と、ＰＢＮリブ１５に対応する位置に設けられるグラファイトリブ１９とを有する。前述したように、この実施形態では、グラファイトリブ１９はグラファイト基材１６の内面１７側に薄く形成されており、グラファイトリブ１９の外面１８側は凹溝１６とされている。
【００２６】
次いで、このグラファイト基材１６の全面をＰＢＮでベースコートする（図４：Ｓ２）。これにより、貫通部分２１および凹溝２２の開口部を除くグラファイト基材１６の外面１６ｂ、貫通部分２１の開口部を除くグラファイト基材１６の内面１７、貫通部分２１の内側面、および凹溝２２の内側面および底面に、ＰＢＮ被覆層２３（２３ａ〜２３ｅ）が連続して形成される（図５（ｂ））。ベースコートによるＰＢＮ被覆層２３の厚さは０．３〜０．５ｍｍ程度である。
【００２７】
次いで、グラファイトリブ１９を、グラファイト基材１６の外面側（凹溝２２の底面上）のＰＢＮ被覆層２９ｅと共に切除して、グラファイト基材１６の内面１７上のＰＢＮ被覆層２３ｂのみを残してこれをＰＢＮリブ１５とする（図４：Ｓ３）。すなわち、凹溝２２にカッティングツールを入れ、図５（ｂ）において幅Ｗで示される範囲内で、厚さＤで示される高さ範囲を切除する。これにより、凹溝２２底面のＰＢＮ被覆層２３ｅと共にグラファイトリブ１９の全厚が切除され、凹溝２２の裏面側には裏面側ＰＢＮ被覆層２２ｂ（切除幅部分）のみが残されることになる（図５（ｃ））。このとき、切除された部分のグラファイト基材２０が、凹溝２２の裏面側で露出している（図５（ｃ）にグラファイト露出面を符号２４で示す）。
【００２８】
次いで、全面をＰＢＮでオーバーコートする（図４：Ｓ４，図５（ｄ））。これにより、ベースコートによるＰＢＮ被覆層２３（２３ａ〜２３ｅ）の上にさらにオーバーコートによるＰＢＮ被覆層２５（２５ａ〜２５ｆ）が形成されるので、ダブルコーティングによって十分な厚さのＰＢＮ被覆層を均一に成膜させることができる。しかも、図４：Ｓ３の後に得られる図５（ｃ）の状態においては露出しているグラファイト露出面２４も、ＰＢＮオーバーコートによってＰＢＮ被覆層２５ｅで被覆されるので、グラファイト基材２０を完全に絶縁させることができる。これにより、図１および図２に示されるヒータ１０が完成する（図４：Ｓ５）。オーバーコートによるＰＢＮ被覆層２５の厚さは０．５〜０．６ｍｍ程度である。
【００２９】
以上の説明から理解されるように、グラファイト基材２０におけるリブ部（グラファイトリブ１９）は、ＰＢＮベースコート（図４：Ｓ２）によってＰＢＮ被覆層２３ｂ（切除幅部分）およびＰＢＮ被覆層２３ｅを表裏（内外）に形成するための基体としての存在意義のみを持ち、図４：Ｓ３工程によってその外面側の被覆層２３ｅ（切除幅部分）と共に切除されるので、完成品としてのヒータ１０には残存しない。言い換えれば、当初のグラファイト基材２０が有していたグラファイトリブ１９が、完成品としてのヒータ１０においては絶縁性のＰＢＮリブ１５に置き換えられることになる。
【００３０】
なお、図４：Ｓ３の工程を行うに際して、この実施形態では、ＰＢＮベースコート後の凹溝２２幅Ｗより小さい幅で切除している（図５（ｃ））が、凹溝２２内面のＰＢＮ被覆層２３ｄの内面に沿って幅Ｗの全範囲で切除しても良い。また、この実施形態では厚さＤの範囲を切除しているが、切除厚さについては必ずしも厳密にＤと合致しなくても良く、すなわち、凹溝２２底面のＰＢＮ被覆層２３ｅおよびグラファイトリブ１９を完全に切除した上で、さらに裏面側ＰＢＮ被覆層２３ｂ（切除幅部分）にまで達する深さまで切除しても、該裏面側ＰＢＮ被覆層２３ｂの少なくとも一部の厚さが裏面側に残されていれば良い。
【００３１】
また、この実施形態では、グラファイトリブ２０の外面側からカッティングツールを入れて、凹溝２２底面のＰＢＮ被覆層２３ｅと共にグラファイトリブ１９を切除し、内面１７側のＰＢＮ被覆層２３ｂ（切除幅部分）を残すものとした（図５（ｃ））が、反対に、グラファイトリブ２０の内面１７側からカッティングツールを入れて、内面側のＰＢＮ被覆層２３ｂ（切除幅部分）と共にグラファイトリブ１９を切除し、凹溝２２底面のＰＢＮ被覆層２３ｅのみを残すようにしても良い。いずれにしても、この残されたＰＢＮ被覆層２３ｂ（切除幅部分）または２３ｅの全厚または少なくともその一部の厚さが、オーバーコートによるＰＢＮ被覆層２５ｆと共に上下３層のＰＢＮ被覆層（合計厚が０．８〜１．０ｍｍ程度）となって、完成品としてのヒータ１０におけるＰＢＮリブ１５を形成する。
【００３２】
また、図５（ａ）に示すグラファイト基材１６は、外面１８に開口する凹溝２２の内面１７側にグラファイトリブ１９が形成されているが、グラファイトリブ１９の位置は限定的ではない。たとえば、図示の形態とは反対に、内面１７に開口する凹溝の外面１７側にグラファイトリブが形成されていても良いし、表裏両面に開口する凹溝の間（グラファイト基材１６の厚さ方向中間部）にグラファイトリブが形成されていても良い。いずれの場合も、前述したと同様にして図３：Ｓ２でＰＢＮベースコートを行った後に、グラファイトリブの表面側または裏面側のいずれかのＰＢＮ被覆層２３と共にグラファイトリブを切除し、切除されずに残された単一のＰＢＮ被覆層２３（凹溝２２の底面を被覆する２３ｅ、または内面側被覆層２３ｂの切除幅部分）と、図４：Ｓ４で行われるオーバーコートによってこのＰＢＮ被覆層の内外面に形成されるＰＢＮ被覆層２５（２５ｂと２５ｆ）とで合計３層のＰＢＮ被覆層となって、十分な厚さを有するＰＢＮリブ１５が形成される。
【００３３】
ＰＢＮリブ１５（絶縁リブ）の形成箇所、数および寸法などは、ヒータエレメント１２の自重によるヒータ本体１３の歪みや変形を防止しつつある程度の変形を許容して破断や破損を防止することができるよう配慮して、適宜に設定される。すなわち、本発明によれば、その使用環境や用途などに応じてヒータ本体１３の剛性と変形許容性のバランスを自在に調整して最適化することができる。さらには、図４：Ｓ５で得られた円筒形ヒータ１０（図１〜図３）において、より変形許容性を大きくすることが望まれる場合は、絶縁リブ１５の大きさ（高さや厚さ）を部分的に切除したり、一部の絶縁リブ１５を全切除して所望の変形許容性を与えるように後加工して最終製品としても良い。
【００３４】
ベースコートによるＰＢＮ被覆層２３の形成（図４：Ｓ２）およびオーバーコートによるＰＢＮ被覆層２５の形成（図４：Ｓ４）の形成は、いずれもＣＶＤで行うことが好ましい。ＣＶＤ法によるこれらの成膜自体は当業界において公知であるので、詳細な説明を割愛する。本発明では、これら公知のＣＶＤ成膜手法を任意に採用することができる。なお、このヒータ１０にあっては端子ボルト（図示せず）などを介して外部電源からの電力をヒータエレメント１２に給電する必要があるので、ベースコートによるＰＢＮ被覆層２３の形成（図４：Ｓ２）およびオーバーコートによるＰＢＮ被覆層２５の形成（図４：Ｓ４）後にも、端子ボルト挿通穴１１ａやその表裏開口部においてはグラファイト基材１６が露出して給電経路を確保しなければならない。このため、ＰＢＮ被覆工程（図４：Ｓ２，Ｓ４）を行う際に適宜これらの箇所をマスキングしておき、あるいはＰＢＮ被覆工程後に被覆部を切除するなどの後処理を行う。これらの処理も当業界において公知であるので、詳細な説明を割愛する。
【００３５】
既述実施形態において、ヒータエレメント１２を形成する導電性材料にはグラファイトを用いると共にベースコート／オーバーコート被覆層２３，２５を形成する絶縁性材料にはＰＢＮを用いたが、これらの材料の組み合わせは限定的ではない。たとえば、ベースコート／オーバーコート被覆層２３，２５を形成する絶縁性材料としてはＰＢＮの他にもＡｌＮ、ＳｉＮ、ＧａＮ、ＣｒＮ、ＴｉＮ、ＮｂＮなどの窒化系材料も好適に使用可能であり、用途や使用環境、加工や成膜条件などによって適宜に選択して使用することができる。また、ベースコート被覆層２３とオーバーコート被覆層２５は異なる絶縁性材料で形成されても良い。
【符号の説明】
【００３６】
１０  ヒータ
１１  端子
１１ａ  端子ボルト挿通穴
１２  ヒータエレメント
１３  ヒータ本体
１４  ヒータエレメント間のスリット
１５  ＰＢＮリブ（絶縁リブ）
１６  リブ付円筒形グラファイト基材
１７  グラファイト基材の内面
１８  グラファイト基材の外面
１９  グラファイトリブ
２０  グラファイト基材の全厚部分
２１  グラファイト基材の貫通部分
２２  グラファイトリブの外面側の凹溝
２３（２３ａ〜２３ｅ）  ＰＢＮ被膜層（ベースコート）
２４  グラファイト露出面
２５（２５ａ〜２５ｆ）  ＰＢＮ被覆層（オーバーコート）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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