(57)【要約】【課題】後続の廃液を溜めながら、廃液を効率的に濃縮すること。【解決手段】廃液濃縮装置３は、濃縮前の廃液を第１タンク１６および第２タンク１７に導く複数の廃液配管１０〜１２と、濃縮前の廃液が第１タンク１６および第２タンク１７のいずれか一方に選択的に供給されるように複数の廃液配管１０〜１２を開閉可能な切替装置１４、１５と、第１タンク１６および第２タンク１７に貯留されている廃液を濃縮する濃縮装置２２、２３とを含む。廃液濃縮装置３は、さらに、切替装置１４、１５を制御することにより、濃縮前の廃液を第１タンク１６および第２タンク１７に交互に供給する貯留工程と、濃縮装置２２、２３を制御することにより、貯留工程と並行して、廃液の供給が停止されているタンク内の廃液を濃縮する濃縮工程とを実行する制御装置２１を含む。【選択図】図１
2013180253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置から排出された、沸点の異なる複数の成分を含む廃液を廃棄前に濃縮する廃液濃縮装置であって、
濃縮前の廃液を貯留する第１タンクと、
濃縮前の廃液を貯留する第２タンクと、
濃縮前の廃液を前記第１タンクおよび第２タンクに導く複数の廃液配管と、
濃縮前の廃液が前記第１タンクおよび第２タンクのいずれか一方に選択的に供給されるように前記複数の廃液配管を開閉可能な切替装置と、
前記第１タンクおよび第２タンクの少なくとも一方に貯留されている廃液を濃縮する濃縮装置と、
前記切替装置を制御することにより、濃縮前の廃液を前記第１タンクおよび第２タンクに交互に供給する貯留工程と、前記濃縮装置を制御することにより、前記貯留工程と並行して、廃液の供給が停止されているタンク内の廃液を濃縮する濃縮工程とを実行する制御装置とを含む、廃液濃縮装置。
【請求項２】
前記制御装置は、前記濃縮装置を制御することにより、前記貯留工程と並行して、廃液が供給されているタンク内の廃液を、廃液の供給が停止される前から濃縮する貯留・濃縮工程をさらに実行する、請求項１に記載の廃液濃縮装置。
【請求項３】
前記濃縮装置は、前記第１タンクに貯留されている廃液を濃縮する第１濃縮装置と、前記第２タンクに貯留されている廃液を濃縮する第２濃縮装置とを含む、請求項１または２に記載の廃液濃縮装置。
【請求項４】
前記制御装置は、前記第１濃縮装置および第２濃縮装置を制御することにより、前記貯留工程と並行して、前記第１タンク内の廃液を濃縮すると共に、前記第２タンク内の廃液を濃縮する並行濃縮工程をさらに実行する、請求項３に記載の廃液濃縮装置。
【請求項５】
前記濃縮装置は、前記第１タンクおよび第２タンクのいずれか一方に貯留されている廃液を選択的に濃縮する共通濃縮装置を含む、請求項１または２に記載の廃液濃縮装置。
【請求項６】
前記濃縮装置は、前記第１タンクおよび第２タンクに供給された時点での廃液の温度より高く、廃液の沸点未満の温度で、廃液を加熱する加熱装置を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の廃液濃縮装置。
【請求項７】
廃液に含まれる成分の濃度を測定する濃度測定装置をさらに含み、
前記制御装置は、前記濃度測定装置の測定値に基づいて前記濃縮装置を制御する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の廃液濃縮装置。
【請求項８】
前記複数の廃液配管は、濃縮前の廃液を前記第１タンクに導く上流配管と、前記第１タンク内の廃液を前記第２タンクに導く中継配管とを含み、
前記切替装置は、前記中継配管を開閉する中継バルブを含み、
前記濃縮装置は、前記第２タンクに貯留されている廃液を濃縮する第２濃縮装置を含む、請求項１または２に記載の廃液濃縮装置。
【請求項９】
基板処理装置から排出された、沸点の異なる複数の成分を含む廃液を廃棄前に濃縮する廃液濃縮方法であって、
濃縮前の廃液を第１タンクおよび第２タンクに交互に供給する貯留工程と、
前記貯留工程と並行して、廃液の供給が停止されているタンク内の廃液を濃縮する濃縮工程とを含む、廃液濃縮方法。
【請求項１０】
沸点の異なる複数の成分を含む処理液によって基板を処理する基板処理装置と、
前記基板処理装置から排出された処理液を廃棄前に濃縮する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の廃液濃縮装置とを含む、基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置から排出された、沸点の異なる複数の成分を含む廃液を廃棄前に濃縮する廃液濃縮装置および廃液濃縮方法に関する。さらに、本発明は、沸点の異なる複数の成分を含む処理液によって基板を処理する基板処理装置と、基板処理装置から排出された処理液を廃棄前に濃縮する廃液濃縮装置とを含む基板処理システムに関する。
処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板に対して処理液を用いた処理が行われる。
特許文献１には、基板の処理に使用された、硫酸および過酸化水素水を含む廃液を硫酸に再生する硫酸再生装置が開示されている。特許文献２には、基板の処理に使用された、レジスト剥離液を含む廃液からレジスト剥離液を分離する処理装置が開示されている。いずれの装置も、蒸留によって廃液に含まれる特定の成分を分離している。廃液から分離された液（硫酸およびレジスト剥離液）は、再び基板に供給される。したがって、廃液は、廃棄されるのではなく、再び基板の処理に使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−１２７９０８号公報
【特許文献２】特開平８−３１８２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の硫酸再生装置は、タンク内の廃液を加熱することにより、廃液を蒸発させている。特許文献２の処理装置は、タンク内を減圧したり、タンク内の廃液を加熱したりすることにより、廃液を蒸発させている。後続の廃液は、廃液の蒸発が行われている状態でタンク内に供給される。そのため、タンク内の液温や気圧が変化して、廃液の蒸発速度が低下する。したがって、廃液を短時間で蒸発させるために、多量のエネルギーが必要とされる。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、後続の廃液を溜めながら、廃液を効率的に濃縮できる廃液濃縮装置、廃棄濃縮方法、および基板処理システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板処理装置から排出された、沸点の異なる複数の成分を含む廃液を廃棄前に濃縮する廃液濃縮装置であって、濃縮前の廃液を貯留する第１タンク（１６）と、濃縮前の廃液を貯留する第２タンク（１７）と、濃縮前の廃液を前記第１タンクおよび第２タンクに導く複数の廃液配管（１０、１１、１２、６０、６１）と、濃縮前の廃液が前記第１タンクおよび第２タンクのいずれか一方に選択的に供給されるように前記複数の廃液配管を開閉可能な切替装置（１３、１４、１５、６２）と、前記第１タンクおよび第２タンクの少なくとも一方に貯留されている廃液を濃縮する濃縮装置（２２、２３、４７）と、前記切替装置を制御することにより、濃縮前の廃液を前記第１タンクおよび第２タンクに交互に供給させる貯留工程と、前記濃縮装置を制御することにより、前記貯留工程と並行して、廃液の供給が停止されているタンク内（第１タンクまたは第２タンク内）の廃液を濃縮する濃縮工程とを実行する制御装置（２１）とを含む、廃液濃縮装置（３）である。前記濃縮装置は、廃液を加熱する加熱装置であってもよいし、タンク内の気圧を低下させる減圧装置であってもよいし、加熱および減圧を行う加熱・減圧装置であってもよい。
【０００７】
この構成によれば、濃縮前の廃液を第１タンクおよび第２タンクに導く複数の廃液配管が、切替装置によって開閉される。これにより、濃縮前の廃液が、第１タンクおよび第２タンクのいずれか一方に選択的に供給される。したがって、制御装置は、切替装置を制御することにより、濃縮前の廃液を第１タンクおよび第２タンクに交互に供給できる。濃縮装置は、第１タンクおよび第２タンクの少なくとも一方に貯留されている廃液を濃縮する。したがって、制御装置は、濃縮装置を制御することにより、後続の廃液が一方のタンクに溜められている間、他方のタンクに既に溜められた廃液を濃縮することができる。すなわち、他方のタンク内の廃液が濃縮されている期間の少なくとも一部の間、このタンクへの廃液の供給が停止される。そのため、廃液の進入による濃縮速度の低下が防止される。これにより、後続の廃液を溜めながら、廃液を効率的に濃縮できる。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、前記制御装置は、前記濃縮装置を制御することにより、前記貯留工程と並行して、廃液が供給されているタンク内の廃液を、廃液の供給が停止される前から濃縮する貯留・濃縮工程をさらに実行する、請求項１に記載の廃液濃縮装置である。
この構成によれば、制御装置は、一方のタンク内の廃液を濃縮しているタイミングで、廃液が供給されるタンクを一方のタンクから他方のタンクに切り替える。すなわち、一方のタンクへの廃液の供給が停止される前に廃液の濃縮が開始され、一方のタンクへの廃液の供給が停止された後も、廃液の濃縮が継続される。したがって、廃液の濃縮時間を増加させることができる。これにより、廃液をさらに濃縮できる。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、前記濃縮装置は、前記第１タンクに貯留されている廃液を濃縮する第１濃縮装置（２２）と、前記第２タンクに貯留されている廃液を濃縮する第２濃縮装置（２３）とを含む、請求項１または２に記載の廃液濃縮装置である。この場合、請求項４に記載の発明のように、前記制御装置は、前記第１濃縮装置および第２濃縮装置を制御することにより、前記貯留工程と並行して、前記第１タンク内の廃液を濃縮すると共に、前記第２タンク内の廃液を濃縮する並行濃縮工程をさらに実行してもよい。この構成によれば、第１タンク内の廃液と、第２タンク内の廃液とを同時に濃縮することができるので、各タンク内での廃液の濃縮時間を増加させることができる。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、前記濃縮装置は、前記第１タンクおよび第２タンクのいずれか一方に貯留されている廃液を選択的に濃縮する共通濃縮装置（４７）を含む、請求項１または２に記載の廃液濃縮装置である。この構成によれば、共通濃縮装置が、第１タンク内の廃液と第２タンク内の廃液とを交互に濃縮する。すなわち、共通濃縮装置が、第１タンクおよび第２タンクに共用されている。したがって、タンクごとに濃縮装置が設けられている場合よりも、廃液濃縮装置の複雑化を抑制または防止できる。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、前記濃縮装置は、前記第１タンクおよび第２タンクに供給された時点での廃液の温度より高く、廃液の沸点未満の温度で、廃液を加熱する加熱装置を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の廃液濃縮装置である。
この構成によれば、加熱温度が廃液の沸点以上である場合よりも、廃液に含まれる高沸点成分の蒸発が抑制される。そのため、廃液に含まれる低沸点成分の濃度をさらに低下させることができる。これにより、廃液をさらに濃縮できる。
【００１２】
請求項７に記載の発明は、廃液に含まれる成分の濃度を測定する濃度測定装置（４４）をさらに含み、前記制御装置は、前記濃度測定装置の測定値に基づいて前記濃縮装置を制御する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の廃液濃縮装置である。
この構成によれば、制御装置は、廃液に含まれる成分の濃度を測定する濃度測定装置の測定値に基づいて濃縮装置を制御する。したがって、濃縮後の廃液の濃度を所望の値に近づけることができる。
【００１３】
請求項８に記載の発明は、前記複数の廃液配管は、濃縮前の廃液を前記第１タンクに導く上流配管（６０）と、前記第１タンク内の廃液を前記第２タンクに導く中継配管（６１）とを含み、前記切替装置は、前記中継配管を開閉する中継バルブ（６２）を含み、前記濃縮装置は、前記第２タンクに貯留されている廃液を濃縮する第２濃縮装置（２３）を含む、請求項１または２に記載の廃液濃縮装置である。
【００１４】
この構成によれば、濃縮前の廃液が、上流タンクとしての第１タンクに供給され、第１タンクに供給された廃液が、中継配管を介して、下流タンクとしての第２タンクに供給される。中継配管を開閉する中継バルブが閉じられている状態では、濃縮前の廃液が、第１タンクに溜められる。その後、中継バルブが開かれると、濃縮前の廃液が、第１タンクから第２タンクに移動する。第２濃縮装置は、第２タンク内の廃液を濃縮する。このとき、制御装置は、中継バルブを閉じることにより、第２タンクへの廃液の供給を停止させた状態で、第１タンクに廃液を溜められる。したがって、制御装置は、後続の廃液を第１タンクに溜めている間、第２タンクに既に溜められた廃液を濃縮することができる。これにより、後続の廃液を溜めながら、廃液を効率的に濃縮できる。
【００１５】
請求項９に記載の発明は、基板処理装置から排出された、沸点の異なる複数の成分を含む廃液を廃棄前に濃縮する廃液濃縮方法であって、濃縮前の廃液を第１タンクおよび第２タンクに交互に供給する貯留工程と、前記貯留工程と並行して、廃液の供給が停止されているタンク内の廃液を濃縮する濃縮工程とを含む、廃液濃縮方法である。この方法によれば、請求項１の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【００１６】
請求項１０に記載の発明は、沸点の異なる複数の成分を含む処理液によって基板（Ｗ）を処理する基板処理装置（２）と、前記基板処理装置から排出された処理液を廃棄前に濃縮する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の廃液濃縮装置とを含む、基板処理システム（１）である。この構成によれば、請求項１の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【００１７】
なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理システムの模式図である。
【図２】廃液の貯留と加熱とが行われるときの廃液濃縮装置の動作の一例を示すタイムチャートである。
【図３】ＳＰＭの加熱時間と過酸化水素の濃度との関係の一例を示すグラフである。
【図４】本発明の他の実施形態に係る廃液濃縮装置の一部の模式図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態に係る廃液濃縮装置の一部の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理システム１の模式図である。
基板処理システム１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置２と、基板処理装置２から排出された廃液を濃縮する廃液濃縮装置３とを含む。
【００２０】
基板処理装置２は、基板Ｗを処理する複数の処理ユニット４を含む。各処理ユニット４は、枚葉式のユニットである。処理ユニット４は、基板Ｗを水平に保持して基板Ｗの中心を通る鉛直な軸線まわりに回転させるスピンチャック５と、薬液などの処理液をスピンチャック５に保持されている基板Ｗに供給する処理液供給装置６と、スピンチャック５の上方で水平に保持された遮断板７と、スピンチャック５を取り囲む筒状のカップ８とを含む。
【００２１】
処理液供給装置６から基板Ｗに供給される薬液は、沸点の異なる複数の成分を含む混合液である。混合液は、沸点の異なる複数の薬液の混合液であってもよいし、水よりも沸点が高い水溶液（薬液と水の混合液）であってもよい。具体的には、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水：Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とを含む混合液）、ＳＣ−１（アンモニア過酸化水素水：ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とを含む混合液）、フッ硝酸（ＨＦとＨＮＯ３とを含む混合液）、およびリン酸（Ｈ３ＰＯ４）の水溶液のいずれかが、薬液として基板Ｗに供給されてもよい。当然、これら以外の混合液が、薬液として基板Ｗに供給されてもよい。また、混合液に含まれる複数の成分は、基板処理装置２に供給される前に混合されていてもよいし、基板処理装置２内で混合されてもよい。図１では、薬液が、レジスト剥離液の一例であるＳＰＭであり、ＳＰＭを構成する硫酸および過酸化水素水が、配管内（配管の一部を構成するミキサー９内）で混合される場合が示されている。
【００２２】
各処理ユニット４では、薬液によって基板Ｗが処理される。処理液供給装置６からの薬液は、スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で基板Ｗの上面に供給される。基板Ｗに供給された薬液は、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗ上を外方に広がる。そして、基板Ｗの上面周縁部に達した薬液は、基板Ｗの周囲に振り切られる。基板Ｗの周囲に飛散する薬液は、カップ８によって受け止められ、カップ８の底部に集められる。そして、カップ８の底部に集められた薬液は、廃液濃縮装置３に排出される。したがって、各処理ユニット４の処理液供給装置６から薬液が吐出されている間は、廃液（使用済みの薬液）が、少量ずつ（たとえば１００ml/minなど）廃液濃縮装置３に排出される。また、基板処理装置２には独立した処理ユニット４が複数あるため、複数の処理ユニット４からの廃液が、それぞれの処理ユニット４での処理タイミングに応じて独立して廃液濃縮装置３に排出される。これにより、複数の処理ユニット４からの廃液が廃液濃縮装置３に排出される。
【００２３】
廃液濃縮装置３は、各処理ユニット４に接続された集合配管１０と、集合配管１０に接続された第１分岐配管１１および第２分岐配管１２と、第１分岐配管１１および第２分岐配管１２を開閉する切替装置１３とを含む。切替装置１３は、第１分岐配管１１に介装された第１バルブ１４と、第２分岐配管１２に介装された第２バルブ１５とを含む。切替装置１３は、第１バルブ１４および第２バルブ１５に代えて、集合配管１０、第１分岐配管１１、および第２分岐配管１２の結合部に配置された三方弁を備えていてもよい。廃液濃縮装置３は、さらに、第１分岐配管１１および第２分岐配管１２にそれぞれ接続された第１タンク１６および第２タンク１７と、第１タンク１６および第２タンク１７を収容する筐体１８とを含む。各処理ユニット４からの廃液は、集合配管１０および第１分岐配管１１を介して第１タンク１６に導かれ、集合配管１０および第２分岐配管１２を介して第２タンク１７に導かれる。これにより、廃液が、第１タンク１６および第２タンク１７に供給される。
【００２４】
廃液濃縮装置３は、第１タンク１６内の液量を測定する第１液量測定装置１９と、第２タンク１７内の液量を測定する第２液量測定装置２０と、廃液濃縮装置３に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置２１とを含む。第１バルブ１４および第２バルブ１５の開閉は、制御装置２１によって制御される。第１分岐配管１１は、第１バルブ１４によって開閉され、第２分岐配管１２は、第２バルブ１５によって開閉される。第１バルブ１４および第２バルブ１５が開かれている状態では、廃液が、第１タンク１６および第２タンク１７に導かれる。また、第１バルブ１４および第２バルブ１５の一方が閉じられており、他方が開かれている状態では、廃液が、第１タンク１６および第２タンク１７の一方に導かれる。したがって、第１タンク１６および第２タンク１７への廃液の供給および供給停止は、第１バルブ１４および第２バルブ１５の開閉によって切り替えられる。制御装置２１は、第１液量測定装置１９および第２液量測定装置２０の検出値に基づいて第１バルブ１４および第２バルブ１５を制御し、第１タンク１６および第２タンク１７内の液量を調整する。
【００２５】
廃液濃縮装置３は、第１タンク１６内の廃液を加熱する第１加熱装置２２と、第２タンク１７内の廃液を加熱する第２加熱装置２３とを含む。第１加熱装置２２は、第１タンク１６に接続された第１循環配管２４と、第１循環配管２４に介装された第１循環ポンプ２５と、第１循環配管２４内の廃液を加熱する第１ヒータ２６とを含む。同様に、第２加熱装置２３は、第２タンク１７に接続された第２循環配管２７と、第２循環配管２７に介装された第２循環ポンプ２８と、第２循環配管２７内の廃液を加熱する第２ヒータ２９とを含む。第１循環配管２４の上流端は、第１タンク１６の下部に接続されており、第１循環配管２４の下流端は、第１タンク１６の上部に接続されている。同様に、第２循環配管２７の上流端は、第２タンク１７の下部に接続されており、第２循環配管２７の下流端は、第２タンク１７の上部に接続されている。
【００２６】
第１タンク１６内の廃液は、第１循環ポンプ２５によって第１循環配管２４内に吸引され、第１循環配管２４内の廃液は、第１循環ポンプ２５によって第１タンク１６内に吐出される。第１タンク１６内の廃液は、第１循環配管２４内で第１ヒータ２６によって加熱された後、温度が上昇した状態で第１タンク１６内に戻る。これにより、第１タンク１６内の廃液が加熱される。同様に、第２タンク１７内の廃液は、第２循環配管２７内で第２ヒータ２９によって加熱された後、温度が上昇した状態で第２タンク１７内に戻る。したがって、第１タンク１６および第２タンク１７内の廃液は、第１加熱装置２２および第２加熱装置２３によって個別に加熱される。これにより、廃液が濃縮される。
【００２７】
具体的には、たとえば廃液が、硫酸（沸点：２９１℃）と過酸化水素水（過酸化水素の濃度が３０％の場合、沸点は、１０８℃）とを含むＳＰＭである場合、ＳＰＭ中の過酸化水素の一部は、加熱によって蒸発する。また、「Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２→Ｈ２ＳＯ５＋Ｈ２Ｏ」の化学反応が加熱によって起こり、残りの過酸化水素が水に分解される。そして、分解によって生じた水は、加熱によって蒸発する。そのため、第１タンク１６および第２タンク１７内のＳＰＭが加熱されると、過酸化水素の濃度が低下し、硫酸の濃度が上昇する。これにより、廃液が濃縮される。
【００２８】
第１ヒータ２６および第２ヒータ２９の温度は、制御装置２１によって制御される。したがって、第１タンク１６および第２タンク１７内の廃液の温度は、制御装置２１によって制御される。第１ヒータ２６および第２ヒータ２９の温度（加熱温度）は、第１タンク１６および第２タンク１７内に流入した時点での廃液の温度よりも高温に設定されている。加熱温度は、廃液の沸点以上の温度であってもよいし、廃液の沸点未満の温度であってもよい。いずれの場合においても、廃液に含まれる低沸点成分の蒸発および分解が促進される。特に、加熱温度が、低沸点成分の沸点より高温であれば、低沸点成分の蒸発および分解がさらに促進される。したがって、加熱温度は、低沸点成分の沸点より高温であることが好ましい。たとえば廃液がＳＰＭである場合、加熱温度は、過酸化水素水の沸点（過酸化水素の濃度が３０％の場合、沸点は、１０８℃）より高温（たとえば１５０℃）であり、ＳＰＭの沸点より低温であってもよい。
【００２９】
廃液濃縮装置３は、第１タンク１６および第２タンク１７にそれぞれ接続された第１蒸気配管３０および第２蒸気配管３１と、第１蒸気配管３０および第２蒸気配管３１に接続された蒸気集合部３２と、蒸気集合部３２に接続されたドレンタンク３３とを含む。第１タンク１６内で発生した蒸気は、第１蒸気配管３０を介して蒸気集合部３２に導かれ、第２タンク１７内で発生した蒸気は、第２蒸気配管３１を介して蒸気集合部３２に導かれる。そして、蒸気集合部３２に流入した蒸気は、排気ユニット３４に導かれる。一方、蒸気の温度低下によって蒸気集合部３２で発生した液体は、ドレンタンク３３を介して排液ユニット３５に導かれる。廃液がＳＰＭである場合、過酸化水素と水の蒸気が、蒸気集合部３２に流入し、過酸化水素水が、蒸気集合部３２で発生する。そのため、この場合には、過酸化水素水が、ドレンタンク３３を介して排液ユニット３５に導かれる。
【００３０】
廃液濃縮装置３は、第１タンク１６および第２タンク１７にそれぞれ接続された第１ドレン配管３６および第２ドレン配管３７と、第１ドレン配管３６および第２ドレン配管３７にそれぞれ介装された第１ドレンバルブ３８および第２ドレンバルブ３９と、第１ドレン配管３６および第２ドレン配管３７に接続されたドレンタンク４０とを含む。さらに、廃液濃縮装置３は、ドレンタンク４０に接続された集合ドレン配管４１と、集合ドレン配管４１に介装されたドレンポンプ４２とを含む。ドレンタンク４０は、集合ドレン配管４１を介して筐体１８の外に配置された冷却ユニット４３に接続されている。
【００３１】
第１ドレンバルブ３８が開かれると、第１タンク１６内の廃液が、第１ドレン配管３６を介してドレンタンク４０に排出される。同様に、第２ドレンバルブ３９が開かれると、第２タンク１７内の廃液が、第２ドレン配管３７を介してドレンタンク４０に排出される。これにより、濃縮された高温の廃液がドレンタンク４０に供給される。ドレンタンク４０内の廃液は、ドレンポンプ４２によって冷却ユニット４３に送られる。そして、冷却ユニット４３に送られた高温の廃液は、冷却ユニット４３によって冷却された後、廃液回収業者に回収される。すなわち、濃縮後の廃液は、基板処理システム１から廃棄される。
【００３２】
廃液濃縮装置３は、廃液に含まれる成分の濃度を測定する濃度測定装置４４と、濃度測定装置４４によって測定される廃液が流れる送り配管４５と、濃度測定装置４４によって測定された廃液が流れる戻り配管４６とを含む。送り配管４５は、第１循環配管２４および第２循環配管２７に接続されており、戻り配管４６は、第１タンク１６および第２タンク１７に接続されている。第１循環ポンプ２５によって第１タンク１６から第１循環配管２４に吸引された廃液の一部は、送り配管４５を介して濃度測定装置４４に送られる。同様に、第２循環ポンプ２８によって第２タンク１７から第２循環配管２７に吸引された廃液の一部は、送り配管４５を介して濃度測定装置４４に送られる。そして、濃度測定装置４４によって濃度が測定された廃液は、戻り配管４６を介して第１タンク１６および第２タンク１７に送られる。
【００３３】
第１タンク１６および第２タンク１７内の廃液の濃度は、濃度測定装置４４によって測定される。濃度測定装置４４の測定値は、制御装置２１に入力される。制御装置２１は、廃液に含まれる成分の濃度が所定値以下に低下するまで、濃度測定装置４４の測定値に基づいて廃液の加熱を継続してもよい。また、制御装置２１は、濃度測定装置４４の測定値に頼らずに、廃液に含まれる成分の濃度が所定値以下に低下するように予め設定された所定の加熱時間以上、廃液を加熱してもよい。この場合、廃液濃縮装置３は、濃度測定装置４４、送り配管４５、および戻り配管４６を備えていなくてもよい。
【００３４】
図２は、廃液の貯留と加熱とが行われるときの廃液濃縮装置３の動作の一例を示すタイムチャートである。
図２に示すように、第１タンク１６および第２タンク１７に廃液が貯留されていない初期の状態では、第１バルブ１４が開かれており、第２バルブ１５が閉じられている。さらに、第１ドレンバルブ３８および第２ドレンバルブ３９が閉じられており、第１循環ポンプ２５および第２循環ポンプ２８が停止されている。この状態で、複数の処理ユニット４から廃液が順次排出されると、排出された廃液は、第１タンク１６に順次導かれる。これにより、廃液が第１タンク１６内に溜められ、第１タンク１６内の液量が増加していく。そして、第１タンク１６内の液量が廃液を循環させるのに十分な量に達すると、制御装置２１は、第１循環ポンプ２５を駆動させて、廃液の循環を開始させる。これにより、第１タンク１６内の廃液の加熱が開始される。言い換えると、第１タンク１６内への廃液の供給が継続されている状態で、廃液の濃縮が開始される。
【００３５】
第１タンク１６内の液量が所定値（たとえば、２０リットル）に達すると、制御装置２１は、第１タンク１６内の廃液の加熱を継続しながら、第１バルブ１４を閉じ、第２バルブ１５を開く。これにより、廃液が供給されるタンクが、第１タンク１６から第２タンク１７に切り替えられる。そのため、第１タンク１６への廃液の供給が停止され、第２タンク１７への廃液の供給が開始される。これにより、廃液が第２タンク１７内に溜められ、第２タンク１７内の液量が増加していく。そして、第２タンク１７内の液量が廃液を循環させるのに十分な量に達すると、制御装置２１は、第２循環ポンプ２８を駆動させて、廃液の循環を開始させる。これにより、第２タンク１７内の廃液の加熱が開始される。第２タンク１７内の廃液の加熱が開始された時点では、第１タンク１６内の廃液の加熱が継続されている。したがって、第１タンク１６内の廃液の加熱と、第２タンク１７内の廃液の加熱とが並行して行われる。
【００３６】
第１タンク１６と同様に、第２タンク１７内の液量が所定値（第１タンク１６と同じ値）に達すると、制御装置２１は、第２タンク１７内の廃液の加熱を継続しながら、第２バルブ１５を閉じ、第１バルブ１４を開く。これにより、廃液が供給されるタンクが、第２タンク１７から第１タンク１６に切り替えられる。制御装置２１は、第２タンク１７内の液量が所定値に達するまでに、第１循環ポンプ２５を停止させて、第１タンク１６内の廃液の加熱を終了させる。その後、制御装置２１は、第１ドレンバルブ３８を開閉して、第１タンク１６内の全ての廃液をドレンタンク４０に排出させる。そのため、第１タンク１６内で濃縮された廃液は、第２タンク１７内の液量が所定値に達するまでに第１タンク１６から排出される。したがって、第２タンク１７内の液量が所定値に達した後は、再び、第１タンク１６内に廃液が溜められる。そして、第１タンク１６内の液量が廃液を循環させるのに十分な量に達すると、制御装置２１は、再び、第１循環ポンプ２５を駆動させる。
【００３７】
第２タンク１７についても同様に、制御装置２１は、第１タンク１６内の液量が再び所定値に達するまでに、第２循環ポンプ２８を停止させて、第２タンク１７内の廃液の加熱を終了させる。その後、制御装置２１は、第２ドレンバルブ３９を開閉して、第２タンク１７内の全ての廃液をドレンタンク４０に排出させる。したがって、第１タンク１６内の液量が所定値に達した後は、再び、第２タンク１７内に廃液が溜められる。制御装置２１は、この一連の動作を廃液濃縮装置３に繰り返し実行させる。したがって、基板処理装置２から排出された廃液は、第１タンク１６および第２タンク１７に一定量ずつ交互に溜められる。一方のタンクに溜められた廃液は、所定の加熱時間（たとえば、５５分以上）加熱され、他方のタンクが満杯になるまでに排出される。したがって、廃液の貯留と濃縮とが並行して行われる。
【００３８】
図３は、ＳＰＭの加熱時間と過酸化水素の濃度との関係の一例を示すグラフである。図３は、タンク内に貯留されている一定量（２０リットル）のＳＰＭを１５０℃で約９０分加熱したときのＳＰＭの加熱時間と過酸化水素の濃度との関係の一例を示している。加熱開始時の過酸化水素の濃度は、９．６％程度であり、加熱終了時の過酸化水素の濃度は、１％程度であった。
【００３９】
図３に示すように、加熱の初期の段階では、過酸化水素の濃度は、時間の経過と共に緩やかに減少し続ける。加熱時間が所定時間Ｔ１（約４０分）を超えると、濃度の減少割合が大きくなり、過酸化水素の濃度が、大幅に減少する。そして、加熱時間が所定時間Ｔ２（約５０分）を超えると、濃度の減少割合が小さくなり、過酸化水素の濃度がほぼ一定の値（１〜２％）に安定する。したがって、ＳＰＭの加熱時間は、所定時間Ｔ２以上であることが好ましい。さらに、所定時間Ｔ２より長い時間ＳＰＭを加熱しても、過酸化水素の濃度が大幅に減少しないので、ＳＰＭの加熱時間が所定時間Ｔ２とほぼ等しい時間であれば、過酸化水素の濃度を効率的に減少させることができる。
【００４０】
以上のように本実施形態では、濃縮前の廃液を第１タンク１６および第２タンク１７に導く複数の廃液配管（第１分岐配管１１および第２分岐配管１２）が、切替装置１３（第１バルブ１４および第２バルブ１５）によって開閉される。これにより、濃縮前の廃液が、第１タンク１６および第２タンク１７のいずれか一方に選択的に供給される。したがって、制御装置２１は、切替装置１３を制御することにより、濃縮前の廃液を第１タンク１６および第２タンク１７に交互に供給できる。濃縮装置（第１加熱装置２２および第２加熱装置２３）は、第１タンク１６および第２タンク１７に貯留されている廃液を濃縮する。したがって、制御装置２１は、濃縮装置を制御することにより、後続の廃液が一方のタンクに溜められている間、他方のタンクに既に溜められた廃液を濃縮することができる。すなわち、他方のタンク内の廃液が加熱されている期間の少なくとも一部の間、このタンクへの廃液の供給が停止される。そのため、廃液の進入による濃縮速度の低下が防止される。これにより、後続の廃液を溜めながら、廃液を効率的に濃縮できる。
【００４１】
本発明の実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の実施形態では、タンクへの廃液の供給を停止する前に廃液の加熱を開始する場合について説明したが、廃液の加熱は、廃液の供給が停止されてから開始されてもよい。
【００４２】
また、前述の実施形態では、第１タンク１６内の廃液の加熱と、第２タンク１７内の廃液の加熱とが並行して行われる場合について説明したが、一方のタンク内の廃液が加熱されている間は、他方のタンク内の廃液の加熱が停止されてもよい。
また、前述の実施形態では、第１タンク１６内の廃液と、第２タンク１７内の廃液とが、別々の加熱装置（第１加熱装置２２および第２加熱装置２３）によって濃縮される場合について説明したが、共通の加熱装置によって濃縮されてもよい。
【００４３】
具体的には、図４に示すように、第１加熱装置２２および第２加熱装置２３に代えて、第１タンク１６および第２タンク１７のいずれか一方に貯留されている廃液を選択的に加熱する共通加熱装置４７が、廃液濃縮装置３に備えられていてもよい。共通加熱装置４７は、第１タンク１６および第２タンク１７の外に配置された共通配管４８と、共通配管４８に介装された循環ポンプ４９と、共通配管４８を流れる廃液を加熱するヒータ５０と、第１タンク１６から共通配管４８に延びる第１送り配管５１と、共通配管４８から第１タンク１６に戻る第１戻り配管５２と、第２タンク１７から共通配管４８に延びる第２送り配管５３と、共通配管４８から第２タンク１７に戻る第２戻り配管５４とを含む。さらに、共通加熱装置４７は、第１タンク１６内の廃液が、第１送り配管５１、共通配管４８、および第１戻り配管５２を通り、第２タンク１７内の廃液が、第２送り配管５３、共通配管４８、および第２戻り配管５４を通るように、第１送り配管５１、第１戻り配管５２、第２送り配管５３、および第２戻り配管５４を開閉可能な循環切替装置５５を含む。
【００４４】
図４に示すように、循環切替装置５５は、第１送り配管５１に介装された第１送りバルブ５６と、第１戻り配管５２に介装された第１戻りバルブ５７と、第２送り配管５３に介装された第２送りバルブ５８と、第２戻り配管５４に介装された第２戻りバルブ５９とを含む。循環切替装置５５は、第１送りバルブ５６および第２送りバルブ５８に代えて、第１送り配管５１および第２送り配管５３から共通配管４８への廃液の流通を制御する送り側三方弁を備えていてもよい。同様に、循環切替装置５５は、第１戻りバルブ５７および第２戻りバルブ５９に代えて、共通配管４８から第１戻り配管５２および第２戻り配管５４への廃液の流通を制御する戻り側三方弁を備えていてもよい。
【００４５】
第１送りバルブ５６および第１戻りバルブ５７が開かれており、第２送りバルブ５８および第２戻りバルブ５９が閉じられている状態で、循環ポンプ４９が駆動されると、第１タンク１６内の廃液が、第１送り配管５１、共通配管４８、および第１戻り配管５２を順に通って第１タンク１６に戻る。これにより、第１タンク１６内の廃液が、ヒータ５０によって加熱される。同様に、第２送りバルブ５８および第２戻りバルブ５９が開かれており、第１送りバルブ５６および第１戻りバルブ５７が閉じられている状態で、循環ポンプ４９が駆動されると、第２タンク１７内の廃液が、第２送り配管５３、共通配管４８、および第２戻り配管５４を順に通って第２タンク１７に戻る。これにより、第２タンク１７内の廃液が、ヒータ５０によって加熱される。
【００４６】
また、前述の実施形態では、第１タンク１６および第２タンク１７が、並列接続されている場合について説明したが、第１タンク１６および第２タンク１７は、直列接続されていてもよい。具体的には、図５に示すように、第１タンク１６が、第２タンク１７より上流側（廃液の流通方向に関して基板処理装置２側）に配置されており、濃縮前の廃液が、第１タンク１６を通じて第２タンク１７に供給されてもよい。すなわち、第１タンク１６が、上流タンクであり、第２タンク１７が、下流タンクであってもよい。そして、第１タンク１６が、上流配管６０によって基板処理装置２に接続されており、第２タンク１７が、中継配管６１によって第１タンク１６に接続されていてもよい。さらに、中継配管６１を開閉する中継バルブ６２が、中継配管６１に介装されており、第２加熱装置２３が、第２タンク１７に接続されていてもよい。
【００４７】
また、前述の実施形態では、廃液濃縮装置３が、加熱装置を備えている場合について説明したが、加熱装置に代えて、タンク内の気圧を低下させる減圧装置を備えていてもよい。当然、加熱装置および減圧装置の両方が、廃液濃縮装置３に備えられていてもよい。すなわち、廃液の濃縮は、廃液の加熱によって行われてもよいし、減圧によって行われてもよいし、加熱および減圧の両方によって行われてもよい。
【００４８】
また、前述の実施形態では、２つのタンク（第１タンク１６および第２タンク１７）が、廃液濃縮装置３に備えられている場合について説明したが、タンクの数は、３つ以上であってもよい。
また、前述の実施形態では、基板処理装置２が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置２は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。また、基板処理装置２は、枚葉式の装置に限らず、複数枚の基板Ｗを一括して処理するバッチ式の装置であってもよい。
【００４９】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１        ：基板処理システム
２        ：基板処理装置
３        ：廃液濃縮装置
１０      ：集合配管（廃液配管）
１１      ：第１分岐配管（廃液配管）
１２      ：第２分岐配管（廃液配管）
１３      ：切替装置
１４      ：第１バルブ（切替装置）
１５      ：第２バルブ（切替装置）
１６      ：第１タンク
１７      ：第２タンク
２１      ：制御装置
２２      ：第１加熱装置（濃縮装置、第１濃縮装置）
２３      ：第２加熱装置（濃縮装置、第２濃縮装置）
４４      ：濃度測定装置
４７      ：共通加熱装置（濃縮装置、共通濃縮装置）
６０      ：上流配管（廃液配管）
６１      ：中継配管（廃液配管）
６２      ：中継バルブ（切替装置）
Ｗ        ：基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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