(57)【要約】【課題】高い磁気特性を有する磁石薄帯を製造し得る磁石薄帯の製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】磁石薄帯の原料である合金溶湯を噴射する開口部を下端に有するノズルと、  前記ノズルから噴射された前記合金溶湯を冷却する冷却ロールと、  前記ノズルを囲み、下方向に向うにつれて径が小さくなる螺旋状の高周波コイルと、を備える磁石薄帯の製造装置および製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁石薄帯の原料である合金溶湯を噴射する開口部を下端に有するノズルと、
前記ノズルから噴射された前記合金溶湯を冷却する冷却ロールと、
前記ノズルを囲み、下方向に向うにつれて径が小さくなる螺旋状の高周波コイルと、
を備える磁石薄帯の製造装置。
【請求項２】
前記高周波コイルがなす螺旋のこう配の延長線上における交点と前記ノズルの前記開口部との距離をＬとし、前記ノズルの前記開口部と前記開口部に対向する前記冷却ロールの表面との距離をＬとしたときに、下記：
Ｌ＜Ｄ
の関係を満たす請求項１に記載の磁石薄帯の製造装置。
【請求項３】
前記ノズルの前記開口部の内径をｒとしたときに、前記Ｄと前記Ｌとの間に、下記：
ｒ＜Ｌ＜Ｄ
の関係を満たす請求項１又は２に記載の磁石薄帯の製造装置。
【請求項４】
前記ノズルのテーパ角度が１０°〜６０°である請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁石薄帯の製造装置。
【請求項５】
前記ノズルの前記開口部と前記冷却ロールとの間にスリットを配置した請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁石薄帯の製造装置。
【請求項６】
前記スリットは、前記ノズルの前記開口部と前記冷却ロールとの間の中間に配置され、
前記ノズルの前記開口部と前記冷却ロールとの間の中間までの距離をＬ１とし、前記スリットの幅をＸとしたときに、下記：
Ｘ＜２（Ｄ−Ｌ１）ｔａｎθ
の関係を満たす請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁石薄帯の製造装置。
【請求項７】
磁石薄帯の原料である合金溶湯を、開口部を下端に有するノズルを囲み、下方向に向うにつれて径が小さくなる螺旋状の高周波コイルによって加熱しつつ、ノズルの開口部から回転している冷却ロール上に噴射する、磁石薄帯の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁石薄帯の製造装置および製造方法に関し、さらに詳しくは製造条件を安定化させて優れた磁気特性を有する磁石薄帯を製造し得る磁石薄帯の製造装置および製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ネオジム磁石（Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ）で代表される希土類磁石は、磁束密度が高く極めて強力な永久磁石として種々の用途に用いられている。優れた磁気特性を得るために、ナノサイズの結晶粒または非晶質から成る微細組織を安定して確保する必要がある。その製造には、希土類磁石の組成を有する合金溶湯を単ロール法、双ロール法等により急冷凝固させた薄帯（急冷リボン）を形成する方法が行なわれている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、周方向に延びる溝を周面に有し、隣り合う溝同士が特定の距離を有し前記溝が特定の深さを有する合金溶湯の冷却ロールを備えた装置を用いる急冷凝固により永久磁石を製造する装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第０３２４８９４２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、この種の製造装置では、合金溶湯を急冷凝固させる冷却ロール表面の温度が変動することにより、冷却速度が変動してしまうため、優れた磁気特性を有する磁石薄帯を得ることができないという問題点があった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高い磁気特性を有する磁石薄帯を製造し得る磁石薄帯の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、前記目的を達成するために検討を行った結果、磁石薄帯を形成する際に冷却ロールと合金溶湯を噴射するノズル先端とを近づけることにより、溶湯が冷めず、重力加速で跳ねることなくロール表面で安定的に冷却され得るが、反面通常加熱ロール用の高周波コイルが発する高周波の冷却ロールへの印加およびそれによる温度上昇が生じるため、冷却速度が変化し、長時間の溶湯、噴射が困難であることを見出し、さらに検討を行った結果、本発明を完成した。
【０００７】
本発明は、磁石薄帯の原料である合金溶湯を噴射する開口部を下端に有するノズルと、
前記ノズルから噴射された前記合金溶湯を冷却する冷却ロールと、
前記ノズルを囲み、下方向に向うにつれて径が小さくなる螺旋状の高周波コイルと、
を備える磁石薄帯の製造装置に関する。
【０００８】
また、本発明は、磁石薄帯の原料である合金溶湯を、開口部を下端に有するノズルを囲み、下方向に向うにつれて径が小さくなる螺旋状の高周波コイルによって加熱しつつ、ノズルの開口部から回転している冷却ロール上に噴射する、磁石薄帯の製造方法に関する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、高い磁気特性を有する磁石薄帯を製造し得る磁石薄帯の製造装置を得ることができる。
また、本発明によれば、高い磁気特性を有する磁石薄帯を容易に製造し得る。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の磁石薄帯の製造装置の模式的断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施態様の磁石薄帯の製造装置の模式的断面図である。
【図３】図３は、従来の磁石薄帯の製造装置の模式的断面図である。
【図４】図４は、従来の他の磁石薄帯の製造装置の模式的断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施例において磁石薄帯の作製に用いた製造装置の模式的断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施態様の磁石薄帯の製造装置におけるノズルの開口部近傍の模式的部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明においては、磁石薄帯の製造装置が、磁石薄帯の原料である合金溶湯を噴射する開口部を下端に有するノズルと、
前記ノズルから噴射された前記合金溶湯を冷却する冷却ロールと、
前記ノズルを囲み、下方向に向うにつれて径が小さくなる螺旋状の高周波コイルと、
を備えていることが必要であり、これによって磁気特性の高い磁石薄帯を得ることができる。
【００１２】
特に、本発明の磁石薄帯の製造装置において、以下の実施態様を挙げることができる。
１）前記高周波コイルがなす螺旋のこう配の延長線上における交点と前記ノズルの前記開口部との距離をＤとし、前記ノズルの前記開口部と前記開口部に対向する前記冷却ロールの表面との距離をＬとしたときに、下記：
Ｌ＜Ｄ
の関係を満たす前記磁石薄帯の製造装置によって、前記の効果に加えて合金溶湯の飛散を防止することができる。
【００１３】
２）前記ノズルの前記開口部の内径をｒとしたときに、前記Ｄと前記Ｌとの間に、下記：
ｒ＜Ｌ＜Ｄ
の関係を満たす前記磁石薄帯の製造装置によって、前記の効果に加えて合金溶湯がノズルの下端に付着することを防ぐことができる。これは、合金溶湯が噴射される最小単位は開口部の内径と同じ直径の球であると考えられ、球状の合金溶湯が冷えてノズルの下端に付着することが予想できることによる。
【００１４】
３）前記ノズルのテーパ角度が１０°〜６０°である前記磁石薄帯の製造装置。
４）前記ノズルの前記開口部と前記冷却ロールとの間にスリットを配置した前記磁石薄帯の製造装置。
５）前記スリットは、前記ノズルの前記開口部と前記冷却ロールとの間の中間に配置され、前記ノズルの前記開口部と前記冷却ロールとの間の中間までの距離をＬ１とし、前記スリットの幅をＸとしたときに、下記：
Ｘ＜２（Ｄ−Ｌ１）ｔａｎθ
の関係を満たす前記磁石薄帯の製造装置。
【００１５】
以下、本発明について、図１〜４を参照して説明する。
本発明の磁石薄帯の製造装置１は、図１に示すように、磁石薄帯の原料である加熱された合金溶湯２を噴射する開口部３を下端に有するノズル４、前記ノズル４から噴射された前記合金溶湯を冷却する冷却ロール５と、前記ノズル４を囲み、テーパ角度θを有して下方向に向うにつれて径が小さくなる螺旋状の高周波コイル６と、を備えている。
また、本発明の実施態様の磁石薄帯の製造装置１は、図２に示すように、前記構成に加えて、前記Ｄと前記Ｌとの間にＬ＜Ｄとの関係を有し、前記ノズルの前記開口部と前記冷却ロールとの間にスリット７が配置されている。
【００１６】
これに対して、従来の磁石薄帯の製造装置１０は、図３に示すようにノズル、高周波コイルおよび冷却ロールを備えた磁石薄帯の製造装置であって、前記ノズルの先端部が下方向に向うにつれて径が小さくなるテーパ形状をなしていて、ノズルの先端部の周囲には高周波コイルが配置されていない装置であり、また、従来の磁石薄帯の製造装置１１は、図４に示すように、ノズル、高周波コイルおよび冷却ロールを備えた磁石薄帯の製造装置であって、前記ノズルの先端部が下方向に向うにつれて径が小さくなるテーパ形状をなしていて、高周波コイルがノズルの先端部の周囲に配置されているが下方向に向うにつれて径が小さくなるテーパ形状をなしていない装置である。
【００１７】
前記の図３および図４に示す従来のいずれの磁石薄帯の製造装置においても、高周波コイルとして通常用いられる高周波コイルと冷却ロールとの距離が短いと、高周波が冷却ロール、例えばＣｕ製のロールに印加され冷却ロールの表面の渦電流により発熱する。このため、冷却ロールの表面温度が変化し、溶湯が急冷凝固される際の冷却速度が低下する。また、冷却ロール表面への磁石薄帯の凝着なども生じ、さらに冷却速度が変動して不安定となり、ナノ結晶粒組織又は非晶質組織を安定して得ることができず、両者の混在組織となったり、粗大な結晶粒組織が生成したり、これらの３種類の混在組織が生成してしまうため、目的とする磁石薄帯を安定して製造することが困難になる。
【００１８】
一方、前記の問題点を解消するためにノズルと冷却ロール間の距離を増すと、溶湯が途中で冷えてしまうか、重力加速で冷却ロール接触前の溶湯の跳ねが多くなり、冷却速度が安定せず磁石薄帯を安定して製造することが困難になる。
さらに、前記の磁石薄帯の製造装置を用いて、合金溶湯の噴射直前に冷却ロールに近づける方法では、溶湯が途中で冷えてノズル内で凝固し数秒間しか噴射することができず、磁石薄帯を安定して製造することが困難である。
【００１９】
本発明の前記磁石薄帯の製造装置により磁気特性が高い磁石薄帯を製造し得て、また本発明の前記磁石薄帯の製造方法によって磁気特性が高い磁石薄帯を得ることができる理論的な解明は十分にはなされていないが、１）ノズルを囲み、下方向に向うにつれて径が小さくなる螺旋状の高周波コイルを備えることによって、冷却ロールへの高周波の印加を抑制することができ、そのため、合金溶湯を冷却する際の温度差を大きくすることができ、磁気特性の高い磁石薄帯を得ることができると考えられる。
【００２０】
本発明の実施態様において、前記の要件：１）に加えて、２）前記高周波コイルがなす螺旋のこう配の延長線上における交点と前記ノズルの前記開口部との距離（クリアランスと呼ぶこともある）をＬとし、前記ノズルの前記開口部と前記開口部に対向する前記冷却ロールの表面との距離をＬとしたときに、下記：
Ｌ＜Ｄ
の関係を満たす、３）前記ノズルの前記開口部の内径をｒとしたときに、前記Ｄと前記Ｌとの間に、下記：
ｒ＜Ｌ＜Ｄ
の関係を満たす、４）前記ノズルのテーパ角度が１０°〜６０°である、５）前記ノズルの前記開口部と前記冷却ロールとの間にスリットを配置する、６)前記スリットは、前記ノズルの前記開口部と前記冷却ロールとの間の中間に配置され、前記ノズルの前記開口部と前記冷却ロールとの間の中間までの距離をＬ１とし、前記スリットの幅をＸとしたときに、下記：
Ｘ＜２（Ｄ−Ｌ１）ｔａｎθ
の関係を満たす、の少なくとも１つ、その中でも５つの要件を同時に満足することによって、冷却ロールとノズルの先端とをより近づけることが可能となり、合金溶湯が冷めず、また重力加速で合金溶湯が跳ねることなく冷却ロール表面で安定的に冷却され得て、さらに安定な冷却条件が確保され、長時間の溶解、噴射が可能となり得る。
なお、前記テーパ角度θとは、ノズルの中心軸に平行な直線と下方に向うにつれて径が小さくなる螺旋状の高周波コイルの中心を結ぶ線とがなす角度をいう。
【００２１】
また、前記の要件１）〜６）を満足することにより、効率的に合金粉末の溶解を行うことが可能となり、合金の溶解時間を短縮し得て、ノズル材、例えばＳｉの磁石原料への溶解を抑制することが可能となり得て、安定して高保磁力の磁石薄帯を得ることができる。
前記の実施態様において、θが１０°未満では冷却ロールが加熱され、θが６０°より大では前記のＤ＞Ｌを満足させることが困難となるためいずれも好ましくない。
【００２２】
また、本発明の実施態様において、前記のスリットが配置される遮蔽板は、通常高周波が印加される材料であり、高周波により発熱するため、遮蔽材自体の溶解や輻射熱による冷却ロールの加熱を防止するために冷却することが好ましい。例えば、前記遮蔽板は１００℃未満、特に５０℃以下に、例えば水冷によって冷却され得る。
【００２３】
また、本発明の実施態様において、冷却ロールは、好適には横方向（回転方向と垂直方向）に周期的に移動させ得る。冷却ロールの横方向移動速度は０．１〜５０ｍｍ／秒程度であり得る。移動速度が小さすぎると冷却効果が少なく、大き過ぎると通常はＣｕ製である冷却ロール表面に乱流を生じ、溶湯と冷却ロールとの密着性が低下するため好ましくない。
【００２４】
本発明における合金溶湯としては、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ組成（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｃｕ、Ａｇ又はＡｕであり、Ｎｄは１２ａｔ％より多く上３５ａｔ％以下、Ｎｄ：Ｂ（いずれも原子分率比）が１．５：１〜３．０：１の範囲、Ｍは０〜３ａｔ％、残部がＦｅである。）であり得る。
従って、前記の合金粉末は、合金溶湯として前記組成を有するものであればよい。
【００２５】
前記のＮｄ−Ｆｅ−Ｂ−Ｍ組成として、磁石薄帯として高保磁力を得るためにＮｄおよびＢ量をストイキオメトリ領域（Ｎｄ１２Ｆｅ８２Ｂ６）よりもＮｄあるいはＢがリッチな組成にすることが好適である。また、１５ｋＯｅ以上の保磁力を発現させるためには、Ｎｄ量が１４ａｔ％以上とすることが好適である。また、余剰Ｂの一部を他の元素、好適にはＧａで置換してＮｄ−Ｆｅ−Ｂ−Ｇａ−Ｍ１（但し、Ｍ１はＴｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ａｇ又はＡｕであり、Ｎｄは１２ａｔ％より多く上３５ａｔ％以下、Ｎｄ：Ｂ（原子分率比）が１．５：１〜３．０：１の範囲、Ｍは０〜３ａｔ％、残部がＦｅである。）とすることで、Ｇａ無添加の場合に比べて後加工時の保磁力低下を抑制し得るので好適である。
【００２６】
本発明の実施態様の製造方法により、磁石薄帯を、例えば前記の原子数比を与える割合のＮｄ、Ｆｅ、ＢおよびＭを含む合金粉末を、本発明の実施態様の製造装置である溶解炉、例えばアーク溶解炉を用いて合金インゴットを作製し、得られた合金インゴットを、合金（例えば、粉末状）を収容する容器（チャンバーともいう）に入れ、該容器の先端に設けられて合金溶湯（溶解原料ともいう）を供給するノズル、合金溶湯を加熱する高周波コイル、冷却ロール（例えば、水冷Ｃｕロール）、高周波遮蔽板、磁石薄帯の回収機構（例えば巻き取り機）、温度監視用赤外カメラ、冷却ロール用モータ、冷却ロール用冷却装置等を備えた製造装置を用いて得ることができる。
前記の製造方法において、合金溶湯の温度は通常１２００〜１６００℃であり得る。
【実施例】
【００２７】
以下、本発明の実施例を示す。
以下の各例において磁石薄帯の磁気特性は振動試料型磁力計：Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ  Ｓａｍｐｌｅ  Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ  Ｓｙｓｔｅｍによって、装置としてＬａｋｅ  Ｓｈｏｒｃ社製のＶＳＭ測定装置を用いて測定したものである。
以下の実施例において、磁石薄帯の作製は図４に模式図を示す単ロール炉を用いて行った。
【００２８】
実施例１
Ｎｄ１４．７Ｆｅ７９．０３Ｂ５．６７Ｇａ０．３Ｃｕ０．１Ａｌ０．２組成のアーク溶解炉で作製した合金インゴットをるつぼ(ＳｉＯ２)に入れ、冷却ロールを横方向移動速度３ｍｍ／秒で反復運転させ、Ｃｕ製の高周波遮蔽平板（厚さ：２ｍｍ、３０℃の水で水冷）を用い、下記の条件でるつぼの先端のノズルから合金溶湯を噴射させて急冷薄帯（リボン）を作製した。
ノズル径          ０．６ｍｍ
コイル延長線の交点とノズル先端との距離  Ｄ＝１０ｍｍ
クリアランス      Ｌ＝４ｍｍ
噴射圧力（ノズル内部の圧力）−３０ｋＰａ
チャンバー内圧（ノズル外部の圧力）−５０ｋＰａ
冷却ロール周速    ２０ｍｍ／秒
冷却ロール温度    １５℃
合金の溶解温度    １４５０℃
高周波テーパ角  θ＝４５°
なお、冷却ロール温度とは冷却ロールの表面の温度を示す。
得られた急冷薄帯のＳｉ濃度をＩＣＰ（発光分光分析）にて分析した。
得られた結果は、Ｓｉの溶け込み量＝０．０５質量％
また、合金の溶解に要する時間は２分であった。
【００２９】
比較例１
高周波コイルがテーパ形状をなしていない（高周波テーパ角  θ＝０°）他は実施例１と同様の条件でるつぼの先端のノズルから合金溶湯を噴射させて液体急冷薄帯（リボン）を作製した。
得られた急冷薄帯のＳｉ濃度をＩＣＰ（発光分光分析）にて分析した。
得られた結果は、Ｓｉの溶け込み量＝０．０８質量％であった。
また、合金の溶解に要する時間は５分であった。
【００３０】
以上の結果は、高周波コイルがテーパ形状をなしている実施例１の方が加熱効率が高くインゴットが溶解するのに要する時間が短くなり、るつぼ材（ＳｉＯ２）の合金溶湯への溶け込みを抑えることができることを示し、高周波コイルがテーパ形状をなしていて、前記のＤとＬとがＤ＞Ｌを満足することにより、長時間運転による磁気特性（磁化、保磁力）の低下を抑制し得ることを示している。
【００３１】
実施例２
Ｎｄ１４．７Ｆｅ７９．０３Ｂ５．６７Ｇａ０．３Ｃｕ０．１Ａｌ０．２組成のアーク溶解炉で作製した合金インゴットをるつぼ(ＳｉＯ２)に入れ、冷却ロールを横方向移動速度３ｍｍ／秒で反復運転させ、Ｃｕ製の高周波遮蔽平板（厚さ：２ｍｍ、３０℃の水で水冷）を用い、下記の条件でるつぼの先端のノズルから合金溶湯を噴射させて液体急冷薄帯（リボン）を作製した。
ノズル径          ０．６ｍｍ
コイル延長線の交点とノズル先端との距離  Ｄ＝１０ｍｍ（Ｄ＞Ｌ）
クリアランス      Ｌ＝４ｍｍ
噴射圧力          −３０ｋＰａ
チャンバー内圧    −５０ｋＰａ
冷却ロール周速    ２０ｍｍ／秒
冷却ロール温度    １５℃
合金の溶解温度    １４５０℃
高周波テーパ角  θ＝４５°
【００３２】
得られた急冷薄帯の磁気特性をＶＳＭにて評価した。
得られた結果は、保磁力＝１９．５ｋＯｅであった。
また、急冷薄帯作製の間の冷却ロールへの溶湯の跳ねの有無を観察したところ、溶湯の跳ね無しであった。
【００３３】
比較例２
下記の条件とした他は実施例２と同様にして、るつぼの先端のノズルから合金溶湯を噴射させて液体急冷薄帯（リボン）を作製した。
ノズル径          ０．６ｍｍ
コイル延長線の交点とノズル先端との距離  Ｄ＝１０ｍｍ（Ｄ＜Ｌ）
クリアランス      Ｌ＝２０ｍｍ
噴射圧力          −３０ｋＰａ
チャンバー内圧    −５０ｋＰａ
冷却ロール周速    ２０ｍｍ／秒
冷却ロール温度    １５℃
合金の溶解温度    １４５０℃
高周波テーパ角  θ＝４５°
【００３４】
得られた急冷薄帯の磁気特性をＶＳＭにて評価した。
得られた結果は、保磁力＝１７．０ｋＯｅであった。
また、急冷薄帯作製の間の冷却ロールへの溶湯の跳ねの有無を観察したところ、溶湯の跳ね有りであった。
【００３５】
以上の結果から、クリアランスＬを大きくすると溶湯が落下中に冷えて温度が低下したり、重力加速により冷却ロール表面で跳ねるため、冷却ロール表面での急冷速度が不安定となり、十分に急冷されない領域が生じ、保磁力が低下したと考えられる。
【００３６】
実施例３
Ｎｄ１４．７Ｆｅ７９．０３Ｂ５．６７Ｇａ０．３Ｃｕ０．１Ａｌ０．２組成のアーク溶解炉で作製した合金インゴットをるつぼ(ＳｉＯ２)に入れ、冷却ロールを横方向移動速度３ｍｍ／秒で反復運転させ、Ｃｕ製の高周波遮蔽平板（厚さ：２ｍｍ、３０℃の水で水冷）を用い、下記の条件でるつぼの先端のノズルから合金溶湯を噴射させて液体急冷薄帯を作製した。
ノズル径          ０．６ｍｍ
コイル延長線の交点とノズル先端との距離  Ｄ＝１０ｍｍ（Ｄ＞Ｌ）
クリアランス      Ｌ＝４ｍｍ
噴射圧力          −３０ｋＰａ
チャンバー内圧    −５０ｋＰａ
冷却ロール周速    ２０ｍｍ／秒
冷却ロール温度    １５℃
合金の溶解温度    １４５０℃
スリット幅        Ｘ＝５ｍｍ  ［Ｘ＜２（Ｄ−Ｌ１）ｔａｎθ］
スリットのノズル先端からの距離  Ｌ１＝２ｍｍ
高周波テーパ角  θ＝４５°
【００３７】
得られた急冷薄帯の磁気特性をＶＳＭにて評価した。
得られた結果は、保磁力＝２０．１ｋＯｅであった。
また、急冷薄帯作製の間の冷却ロールへの凝着の有無を観察したところ、凝着無しであった。
【００３８】
比較例３
下記の条件とした他は実施例３と同様にして、るつぼの先端のノズルから合金溶湯を噴射させて液体急冷薄帯（リボン）を作製した。
ノズル径          ０．６ｍｍ
コイル延長線の交点とノズル先端との距離  Ｄ＝１０ｍｍ（Ｄ＞Ｌ）
クリアランス      Ｌ＝４ｍｍ
噴射圧力          −３０ｋＰａ
チャンバー内圧    −５０ｋＰａ
冷却ロール周速    ２０ｍｍ／秒
冷却ロール温度    １５℃
合金の溶解温度    １４５０℃
スリット幅        Ｘ＝２０ｍｍ  ［Ｘ＞２（Ｄ−Ｌ１）ｔａｎθ］
スリットのノズル先端からの距離  Ｌ１＝２ｍｍ
高周波テーパ角  θ＝４５°
【００３９】
得られた急冷磁石薄帯の磁気特性をＶＳＭにて評価した。
得られた結果は、保磁力＝１７．５ｋＯｅであった。
また、急冷磁石薄帯作製の間の冷却ロールへの凝着の有無を観察したところ、凝着有りであった。
【００４０】
以上の結果は、次のことを示している。
すなわち、前記のＤとＬとがＤ＞Ｌを満足し、且つＸ＜２（Ｄ−Ｌ１）ｔａｎθであることにより、高周波が冷却ロールに印加されず、また、溶湯の輻射熱も遮断することができ、冷却ロールの温度上昇を抑制することができる。また、冷却ロールを横方向に反復移動させることでこの効率を高めることができる。その結果、スリット幅が十分に小さいときは、冷却ロール表面が冷却され、急冷速度が一定になることから、冷却レールへの磁石薄帯の凝着を抑制し、吐出が乱されることがない。その結果として、冷却速度の極端な低下がなくなり、粗大粒子の生成を抑制し得て、磁石薄帯の磁気特性が高くなり得た。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明によって、磁気特性の高いＮｄＦｅＢ磁石薄帯を容易に製造し得る。
【符号の説明】
【００４２】
１    本発明の実施態様の磁石薄帯の製造装置
２    加熱された合金溶湯
３    開口部
４    ノズル
５    冷却ロール
６    高周波コイル
７    スリット
１０    従来の磁石薄帯の製造装置
１１    従来の他の磁石薄帯の製造装置
【図１】
2013180301.tif 000002
【図２】
2013180301.tif 000003
【図３】
2013180301.tif 000004
【図４】
2013180301.tif 000005
【図５】
2013180301.tif 000006
【図６】
2013180301.tif 000007