(57)【要約】      （修正有）【課題】急速交互プロセス（ＲＡＰ）制御技術を提供する。【解決手段】ＲＡＰシステム、及びこれを動作させる方法は、ＲＡＰチャンバ（ＲＡＰＣ）と、これに結合され、対応するプロセスガス源流量コントローラを各々が含む、複数のプロセスガス源と、ＲＡＰＣに結合されたバイアス信号源と、ＲＡＰＣに結合されたプロセスガス検出器と、ＲＡＰＣ、バイアス信号源、プロセスガス検出器、及び複数のプロセスガス源に結合されたＲＡＰＣコントローラとを含み、ＲＡＰＣコントローラは、第１のＲＡＰ段階を開始させるためのロジックを含み、該第１のＲＡＰ段階を開始させるためのロジックは、第１のプロセスガスをＲＡＰＣに投入するためのロジックと、ＲＡＰＣの中で第１のプロセスガスを検出するためのロジックと、ＲＡＰＣの中で第１のプロセスガスが検出された後に、対応する第１の段階バイアス信号をＲＡＰＣに印加するためのロジックとを含む。【選択図】図２Ｄ
2013058749.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
急速交互プロセス方法であって、
第１の急速交互プロセス段階を開始させることであって、
第１のプロセスガスを急速交互プロセスチャンバに投入することと、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第１のプロセスガスを検出することと、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第１のプロセスガスが検出された後に、対応する第１の段階バイアス信号を前記急速交互プロセスチャンバに印加することと、
を含むことを備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスを検出することは、前記急速交互プロセスチャンバの中で対応する前記第１のプロセスガスの濃度を検出することを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第１のプロセスガスを検出することは、対応する前記第１のプロセスガスの第１の解離生成物を検出することを含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第１のプロセスガスを検出することは、対応する第１の発光スペクトルを検出することを含む、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記対応する第１の発光スペクトルを検出することは、前記検出された対応する第１の発光スペクトルの値を決定することを含む、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
前記対応する第１の段階バイアス信号は、前記検出された対応する第１の発光スペクトルの前記決定値が事前に選択された値を超えたときに、前記急速交互プロセスチャンバに印加される、方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法であって、
前記対応する第１の発光スペクトルの前記決定値は、前記検出された対応する第１の発光スペクトルの、時間についての導関数を含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、更に、
第２の急速交互プロセス段階を開始させることであって、
第２のプロセスガスを前記急速交互プロセスチャンバに投入することと、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第２のプロセスガスを検出することと、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第２のプロセスガスが検出された後に、対応する第２の段階バイアス信号を前記急速交互プロセスチャンバに印加することと、
を含むことを備える、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、更に、
追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされるかどうかを決定することであって、
もし、追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされないならば、方法を終了させることと、
もし、追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされるならば、前記第１の急速交互プロセス段階を開始させることと、
を含むことを備える、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第１のプロセスガスが検出された後に、対応する第１の段階バイアス信号を前記急速交互プロセスチャンバに印加することは、前記基板に印加される前記第１の段階バイアス信号の、対応するＲＦ信号、電圧、周波数、波形、変調、及び電力の少なくとも１つを印加すること、又は前記第１のプラズマ源電力の、対応するＲＦ信号、電圧、周波数、波形、変調、及び電力の少なくとも１つを印加することを含む、方法。
【請求項１１】
急速交互プロセスシステムであって、
急速交互プロセスチャンバと、
前記急速交互プロセスチャンバに結合され、対応するプロセスガス源流量コントローラを各々が含む、複数のプロセスガス源と、
前記急速交互プロセスチャンバに結合されたバイアス信号源と、
前記急速交互プロセスチャンバに結合されたプロセスガス検出器と、
前記急速交互プロセスチャンバ、前記バイアス信号源、前記プロセスガス検出器、及び前記複数のプロセスガス源に結合された急速交互プロセスチャンバコントローラと、
を備え、
前記急速交互プロセスチャンバコントローラは、第１の急速交互プロセス段階を開始させるためのロジックであって、
第１のプロセスガスを急速交互プロセスチャンバに投入するためのロジックと、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第１のプロセスガスを検出するためのロジックと、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第１のプロセスガスが検出された後に、対応する第１の段階バイアス信号を前記急速交互プロセスチャンバに印加するためのロジックと、
を含むロジックを含む、システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のシステムであって、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第１のプロセスガスを検出するためのロジックは、前記急速交互プロセスチャンバの中で対応する前記第１のプロセスガスの濃度を検出するためのロジックを含む、システム。
【請求項１３】
請求項１１に記載のシステムであって、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第１のプロセスガスを検出するためのロジックは、対応する前記第１のプロセスガスの第１の解離生成物を検出するためのロジックを含む、システム。
【請求項１４】
請求項１１に記載のシステムであって、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第１のプロセスガスを検出するためのロジックは、対応する第１の発光スペクトルを前記プロセスガス検出器によって検出するためのロジックを含む、システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のシステムであって、
前記対応する第１の発光スペクトルを検出するためのロジックは、前記検出された対応する第１の発光スペクトルの値を決定するためのロジックを含む、システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のシステムであって、
前記対応する第１の段階バイアス信号は、前記検出された対応する第１の発光スペクトルの前記決定値が事前に選択された値を超えたときに、前記急速交互プロセスチャンバに印加される、システム。
【請求項１７】
請求項１５に記載のシステムであって、
前記対応する第１の発光スペクトルの決定値のためのロジックは、前記検出された対応する第１の発光スペクトルの、時間についての導関数を決定するためのロジックを含む、システム。
【請求項１８】
請求項１１に記載のシステムであって、
前記急速交互プロセスチャンバコントローラは、更に、第２の急速交互プロセス段階を開始させるためのロジックであって、
第２のプロセスガスを前記急速交互プロセスチャンバに投入するためのロジックと、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第２のプロセスガスを検出するためのロジックと、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第２のプロセスガスが検出された後に、対応する第２の段階バイアス信号を前記急速交互プロセスチャンバに印加するためのロジックと、
を含むロジックを含む、システム。
【請求項１９】
請求項１８に記載のシステムであって、
前記急速交互プロセスチャンバコントローラは、更に、追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされるかどうかを決定するためのロジックであって、
もし、追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされないならば、前記方法を終了させるためのロジックと、
もし、追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされるならば、前記第１の急速交互プロセス段階を開始させるためのロジックと、
を含むロジックを含む、システム。
【請求項２０】
急速交互プロセスシステムであって、
急速交互プロセスチャンバと、
前記急速交互プロセスチャンバに結合され、対応するプロセスガス源流量コントローラを各々が含む、複数のプロセスガス源と、
前記急速交互プロセスチャンバに結合されたバイアス信号源と、
前記急速交互プロセスチャンバに結合されたプロセスガス検出器と、
前記急速交互プロセスチャンバ、前記バイアス信号源、前記プロセスガス検出器、及び前記複数のプロセスガス源に結合された急速交互プロセスチャンバコントローラと、
を備え、
前記急速交互プロセスチャンバコントローラは、
第１の急速交互プロセス段階を開始させるためのロジックであって、
第１のプロセスガスを前記急速交互プロセスチャンバに投入するためのロジックと、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第１のプロセスガスを検出するためのロジックと、
前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第１のプロセスガスが検出された後に、対応する第１の段階バイアス信号を前記急速交互プロセスチャンバに印加するためのロジックと、
を含むロジックと、
第２の急速交互プロセス段階を開始させるためのロジックと、
追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされるかどうかを決定するためのロジックと、
を含み、前記急速交互プロセスチャンバの中で前記第１のプロセスガスを検出するためのロジックは、対応する第１の発光スペクトルを前記プロセスガス検出器によって検出するためのロジックを含み、前記対応する第１の発光スペクトルを前記プロセスガス検出器によって検出するためのロジックは、前記検出された対応する第１の発光スペクトルの値を決定するためのロジックを含み、前記検出された対応する第１の発光スペクトルの値を決定するためのロジックは、前記検出された対応する第１の発光スペクトルの、時間についての導関数を決定するためのロジックを含む、システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、総じて、半導体プロセス及び処理チャンバに関し、特に、急速交互プロセス（ＲＡＰ）及びＲＡＰチャンバを制御するためのシステム、方法、及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
急速交互プロセス（ＲＡＰ）は、通常、チャンバの中にワークピース（加工対象物）を配すること、及び次いで、２つ又は３つ以上のプロセス（例えば段階）からなる交互に繰り返されるサイクルをワークピースに適用することを含む。通常、各プロセス／段階は、ガス圧力、ガス混合物濃度、ガス流量、バイアス電圧、周波数、チャンバの温度、ワークピースの温度、処理信号（例えばＲＦやマイクロ波など）のそれぞれについての複数の設定点、及びその他のプロセス設定点を有する。したがって、第１の段階は、第１の段階の各種のプロセス設定点が実現されるまで、効果的に開始させることができない。更に、第１の段階から後続の第２の段階への切り替えの際は、第２の段階が最も効果的に開始させられる前に、第２の段階の各種のプロセス設定点が実現されなければならない。
【０００３】
プロセス段階変化時間間隔は、第１の段階の終わりから第２の段階の始まりまでの間の時間遅延である。プロセス段階変化時間中は、プロセスパラメータが変化し、特定のプロセス段階のための設定点の実現に要する時間は、パラメータごとに異なる。したがって、このプロセス段階変化時間間隔は、動作時間を減少させ、ゆえに、ＲＡＰチャンバの実効スループットを低下させる。
【０００４】
通常、プロセス段階変化時間間隔は、ガス混合物濃度及びガス圧力についての設定点によって主に決定される。ガス混合物濃度及びガス圧力は、通常、ＲＡＰチャンバへの各種ガスの送達を制御する質量流コントローラ（ＭＦＣ）によって決定される。
【０００５】
通常、設定点は、ＲＡＰチャンバ内にガスが到達する推定時間によって決定される。例えば、通常、コントローラがガスを送達するように質量流コントローラに「指示」した後、ガスがＲＡＰチャンバ内に到達するためには、２００〜７００ミリ秒の送達遅延が必要とされる。この送達遅延は、質量流コントローラ応答、ガス圧力、及び質量流コントローラとＲＡＰチャンバとの間のプロセス配管の長さに少なくとも部分的に起因する。送達遅延には、その他の遅延が加わることもある。
【０００６】
あいにく、ＲＡＰにおいて、サイクル時間は、最適なアスペクト比（例えば深さ／幅）を得るために可能な限り短いことが望ましく、最適なアスペクト比は、通常、所定のプロセス時間に対して一貫した幅及び長さである。ＲＡＰサイクル時間は、各ＲＡＰサイクルあたり１秒未満の短さに匹敵する。通常、１つのＲＡＰプロセスにおいて、１００〜５００又はそれを超えるＲＡＰサイクルが使用される。各ＲＡＰサイクルは、通常、エッチングプロセス（又は段階）と、デポジションプロセス（又は段階）とを含む。各ＲＡＰサイクルには、追加のプロセスを含めることもできる。したがって、ガス到達時間が推定されなくてはならず、バイアス及びその他のパラメータは、その推定時間に設定される又は開始される。
【０００７】
その結果、プロセスパラメータは、各段階にとって最適なパラメータを実現できず、したがって、要望に見合った繰り返し可能性又は一貫性を有さないのが一般的である。更に、ガス濃度の到達及びバイアス電圧の印加のタイミングが最善でないと、結果として、各ＲＡＰサイクルにおける対応する段階のエッチング速度及び／又はデポジション速度が最善でなく且つ予測しがたくなる。結果は、各ＲＡＰサイクルにおける処理の非一貫性である。以上を考慮すると、ＲＡＰサイクル制御の改善が必要である。
【発明の概要】
【０００８】
概して、本発明は、ＲＡＰサイクル制御を改善するためのシステム、方法、及び装置を提供することによってこれらの必要性を満たす。本発明は、プロセス、装置、システム、コンピュータ可読媒体、又はデバイスなどの数々の形で実現可能であることがわかる。以下では、本発明の幾つかの発明的実施形態が説明される。
【０００９】
１つの実施形態は、急速交互プロセス方法であって、第１の急速交互プロセス段階を開始させることを含む方法を提供する。第１の急速交互プロセス段階を開始させることは、第１のプロセスガスを急速交互プロセスチャンバに投入することと、急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスを検出することと、急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスが検出された後に、対応する第１の段階バイアス信号を急速交互プロセスチャンバに印加することとを含む。
【００１０】
急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスを検出することは、また、急速交互プロセスチャンバの中で対応する第１のプロセスガスの濃度を検出することを含むことができる。急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスを検出することは、対応する第１のプロセスガスの第１の解離生成物を検出することを含むことができる。急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスを検出することは、また、対応する第１の発光スペクトルを検出することを含むことができる。
【００１１】
対応する第１の発光スペクトルを検出することは、検出された対応する第１の発光スペクトルの値を決定することを含むことができる。対応する第１の段階バイアス信号は、検出された対応する第１の発光スペクトルの決定値が事前に選択された値を超えたときに、急速交互プロセスチャンバに印加することができる。
【００１２】
対応する第１の発光スペクトルの決定値は、検出された対応する第１の発光スペクトルの、時間についての導関数を含むことができる。
【００１３】
方法は、また、第２の急速交互プロセス段階を開始させることを含むことができる。第２の急速交互プロセス段階を開始させることは、第２のプロセスガスを急速交互プロセスチャンバに投入することと、急速交互プロセスチャンバの中で第２のプロセスガスを検出することと、急速交互プロセスチャンバの中で第２のプロセスガスが検出された後に、対応する第２の段階バイアス信号を急速交互プロセスチャンバに印加することとを含む。
【００１４】
方法は、また、追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされるかどうかを決定することを含むことができる。追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされるかどうかを決定することは、もし、追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされないならば、方法を終了させることと、もし、追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされるならば、第１の急速交互プロセス段階を開始させることとを含む。急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスが検出された後に、対応する第１の段階バイアス信号を急速交互プロセスチャンバに印加することは、基板に印加される第１の段階バイアス信号の、対応するＲＦ信号、電圧、周波数、波形、変調、及び電力の少なくとも１つを印加すること、又は第１のプラズマ源電力の、対応するＲＦ信号、電圧、周波数、波形、変調、及び電力の少なくとも１つを印加することを含むことができる。
【００１５】
もう１つの実施形態は、急速交互プロセスシステムを提供する。急速交互プロセスシステムは、急速交互プロセスチャンバと、急速交互プロセスチャンバに結合され、対応するプロセスガス源流量コントローラを各々が含む、複数のプロセスガス源と、急速交互プロセスチャンバに結合されたバイアス信号源と、急速交互プロセスチャンバに結合されたプロセスガス検出器と、急速交互プロセスチャンバ、バイアス信号源、プロセスガス検出器、及び複数のプロセスガス源に結合された急速交互プロセスチャンバコントローラとを含み、急速交互プロセスチャンバコントローラは、第１の急速交互プロセス段階を開始させるためのロジックを含み、第１の急速交互プロセス段階を開始させるためのロジックは、第１のプロセスガスを急速交互プロセスチャンバに投入するためのロジックと、急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスを検出するためのロジックと、急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスが検出された後に、対応する第１の段階バイアス信号を急速交互プロセスチャンバに印加するためのロジックとを含む。
【００１６】
急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスを検出するためのロジックは、急速交互プロセスチャンバの中で対応する第１のプロセスガスの濃度を検出するためのロジックを含むことができる。急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスを検出するためのロジックは、対応する第１のプロセスガスの第１の解離生成物を検出するためのロジックを含むことができる。急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスを検出するためのロジックは、また、対応する第１の発光スペクトルをプロセスガス検出器によって検出するためのロジックを含むことができる。
【００１７】
対応する第１の発光スペクトルを検出するためのロジックは、検出された対応する第１の発光スペクトルの値を決定するためのロジックを含むことができる。対応する第１の段階バイアス信号は、検出された対応する第１の発光スペクトルの決定値が事前に選択された値を超えたときに、急速交互プロセスチャンバに印加することができる。
【００１８】
対応する第１の発光スペクトルの決定値のためのロジックは、検出された対応する第１の発光スペクトルの、時間についての導関数を決定するためのロジックを含むことができる。急速交互プロセスチャンバコントローラは、更に、第２の急速交互プロセス段階を開始させるためのロジックを含むことができる。第２の急速交互プロセス段階を開始させるためのロジックは、第２のプロセスガスを急速交互プロセスチャンバに投入するためのロジックと、急速交互プロセスチャンバの中で第２のプロセスガスを検出するためのロジックと、急速交互プロセスチャンバの中で第２のプロセスガスが検出された後に、対応する第２の段階バイアス信号を急速交互プロセスチャンバに印加するためのロジックとを含む。
【００１９】
急速交互プロセスチャンバコントローラは、また、追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされるかどうかを決定するためのロジックを含むことができる。追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされるかどうかを決定するためのロジックは、もし、追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされないならば、方法を終了させるためのロジックと、もし、追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされるならば、第１の急速交互プロセス段階を開始させるためのロジックとを含む。
【００２０】
更にもう１つの実施形態は、急速交互プロセスシステムを提供する。急速交互プロセスシステムは、急速交互プロセスチャンバと、急速交互プロセスチャンバに結合され、対応するプロセスガス源流量コントローラを各々が含む、複数のプロセスガス源とを含む。急速交互プロセスチャンバに、バイアス信号源が結合される。急速交互プロセスチャンバに、プロセスガス検出器が結合される。急速交互プロセスチャンバ、バイアス信号源、プロセスガス検出器、及び複数のプロセスガス源に、急速交互プロセスチャンバコントローラが結合される。急速交互プロセスチャンバコントローラは、第１の急速交互プロセス段階を開始させるためのロジックと、第２の急速交互プロセス段階を開始させるためのロジックと、追加の急速交互プロセスサイクルが必要とされるかどうかを決定するためのロジックとを含み、第１の急速交互プロセス段階を開始させるためのロジックは、第１のプロセスガスを急速交互プロセスチャンバに投入するためのロジックと、急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスを検出するためのロジックと、急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスが検出された後に、対応する第１の段階バイアス信号を急速交互プロセスチャンバに印加するためのロジックとを含み、急速交互プロセスチャンバの中で第１のプロセスガスを検出するためのロジックは、対応する第１の発光スペクトルをプロセスガス検出器によって検出するためのロジックを含み、対応する第１の発光スペクトルをプロセスガス検出器によって検出するためのロジックは、検出された対応する第１の発光スペクトルの値を決定するためのロジックを含み、検出された対応する第１の発光スペクトルの値を決定するためのロジックは、検出された対応する第１の発光スペクトルの、時間についての導関数を決定するためのロジックを含む。
【００２１】
本発明の原理を例として示した添付の図面との関連でなされる以下の詳細な説明から、本発明のその他の態様及び利点が明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
本発明は、添付の図面との関連でなされる以下の詳細な説明によって、容易に理解される。
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態にしたがった、ＲＡＰチャンバシステムを示した概略図である。
【００２４】
【図２Ａ】本発明の一実施形態にしたがった、代表的な質量流量コントローラの制御方式を示したグラフである。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態にしたがった、代表的な質量流量コントローラの制御方式を示したグラフである。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態にしたがった、代表的な質量流量コントローラの制御方式を示したグラフである。
【００２５】
【図２Ｄ】本発明の１つの実施形態にしたがった、コントローラからＭＦＣへの制御信号のタイミングを早めるために実施される方法及び動作を示したフローチャートである。
【００２６】
【図３Ａ】本発明の一実施形態にしたがった、シリコンエッチング速度を示した図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態にしたがった、シリコンエッチング速度を示した図である。
【００２７】
【図４】本発明の一実施形態にしたがった、Ｓｉ／ＰＲ選択性を示した図である。
【００２８】
【図５Ａ】本発明の一実施形態にしたがった、エッチング／デポジション段階中におけるガス送達時間のばらつきを示した図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態にしたがった、エッチング／デポジション段階中におけるガス送達時間のばらつきを示した図である。
【００２９】
【図６】本発明の一実施形態にしたがった、ＯＥＳ信号の各種性質を示したグラフである。
【００３０】
【図７】本発明の１つの実施形態にしたがった、バイアス電圧を制御するためにＯＥＳスペクトルを使用するにあたって実施される方法及び動作を示したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
ＲＡＰサイクル制御を改善するためのシステム、方法、及び装置についての幾つかの典型的な実施形態が説明される。当業者ならば、本発明が、本明細書に明記された具体的詳細の一部又は全部を伴わずとも実施されえることが明らかである。
【００３２】
急速交互プロセス（ＲＡＰ）は、シリコン及びその他のタイプの基板、並びにそれらの基板上の層の中に、高アスペクト比の特徴をエッチングするための１つのアプローチである。高アスペクト比の特徴は、幅Ｗ以上の深さＤを有する。
【００３３】
ＲＡＰ技術は、急速に繰り返されるサイクルを含み、各サイクルは、いずれも１つのチャンバの中で発生する２つ又は３つ以上の段階間における切り替えを含む。典型的なＲＡＰサイクルの各々は、パッシベーションプロセス若しくは段階、又はエッチングプロセス若しくは段階を含むことができる。パッシベーション段階は、デポジション段階を含むこともできる。各エッチング段階及び各パッシベーション段階の持続時間の正確な制御は、高い信頼性で予測可能な高アスペクト比のエッチングプロセスを展開させる。
【００３４】
図１は、本発明の一実施形態にしたがった、ＲＡＰチャンバシステム１００の概略図である。ＲＡＰチャンバシステム１００は、ＲＡＰチャンバ１１０を含む。ＲＡＰチャンバ１１０の中には、プラズマ１０８と、基板サポート１１２によって支えられる基板１０２とがある。ＲＡＰチャンバ１１０には、プラズマ１０８の１つ又は２つ以上の性質（例えばスペクトル、温度、光強度など）を監視可能な方式でプロセスガス検出器１１４が結合される。
【００３５】
ＲＡＰチャンバ１１０は、また、プロセスガス吐出器又はノズル１０４（すなわちシャワーヘッド型又はその他の適切なタイプのガス吐出器）を含む。プロセスガス吐出器又はノズル１０４に、第１の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）１２０及び第２のＭＦＣ１３０が結合される。第１のＭＦＣ１２０は、第１のガス源からＲＡＰチャンバ１１０への流れを制御するために、第１のガス源１２２にも結合される。第２のＭＦＣ１３０は、第２のガス源からＲＡＰチャンバ１１０への流れを制御するために、第２のガス源１３２にも結合される。
【００３６】
ＲＡＰチャンバシステム１００は、また、ＲＡＰコントローラ１４０及びバイアス電圧源１５０も含む。コントローラ１４０は、幾つかあるコンポーネントのなかでも特に、ロジック１４２Ａと、メモリ１４２Ｂと、オペレーティングシステム及びソフトウェア１４２Ｃとを含む。ＲＡＰコントローラ１４０は、任意の標準コンピュータ（例えば、任意のオペレーティングシステムを使用しているパソコンなどの汎用コンピュータ）、又は専用コンピュータ（例えば、カスタムメイドのオペレーティングシステムを使用している専用のコントローラ若しくはコンピュータ）を含むことができる。ＲＡＰコントローラ１４０は、ユーザインターフェース（例えば、ディスプレイ、キーボード、タッチ画面など）、通信インターフェース（例えば、ネットワークプロトコル及びポート）、又は読み出し専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、不揮発性メモリの１つ若しくは２つ以上を含むメモリシステム（例えば、フラッシュ、ハードドライブ、光ドライブ、ネットワークストレージ、リモートストレージなど）などの、使用に必要な任意のコンポーネントを含むことができる。ＲＡＰコントローラ１４０は、中央から複数のシステムを動作させる、監視する、調整する、及び制御することができる集中型リモートコントローラ（不図示）に結合することができる。ＲＡＰコントローラ１４０は、バイアス源１５０、第１のＭＦＣ１２０、第２のＭＦＣ１３０、プロセスガス検出器１１４、プラズマ源電力生成器１６０、及びＲＡＰチャンバ１１０に結合される。
【００３７】
バイアス電圧源１５０は、基板サポート１１２、プロセスガス吐出器若しくはノズル１０４、又はＲＡＰチャンバ１１０の１つ若しくは２つ以上の壁に結合することができる、１つ又は２つ以上のバイアス電圧及び信号源を含むことができる。バイアス電圧源１５０は、プラズマ１０８から基板１０２表面上へのイオン束／エネルギを制御するために使用される信号の、ＲＦ信号、電圧、周波数、波形、変調、及び電力を提供する。プラズマ源電力生成器１６０は、プラズマ１０８を発生させるために使用される信号の、ＲＦ信号、電圧、周波数、波形、変調、及び電力を提供する。プラズマ源電力生成器１６０は、誘導コイルに結合され、これらのコイルは、ＬＡＭ  ＳｙｎｄｉｏｎなどのＴＣＰ（トランス結合プラズマ）の場合は誘電体窓によってプラズマから隔てられる。二重周波数ＣＣＰ（容量結合プラズマ）エッチャの場合は、プラズマ源電力生成器１６０は、上部電極１０４又は基板サポートに結合することができる。
【００３８】
図２Ａ〜２Ｃは、本発明の一実施形態にしたがった、代表的な質量流量コントローラの制御方式を示したグラフである。図２Ａ及び図２Ｂは、ＲＡＰサイクルの第１の段階及び第２の段階のそれぞれの最中における、代表的なＳｙｎｄｉｏｎ  Ｖ２  ＭＦＣのＳＦ6  ＭＦＣ応答時間２０２、２０６及びＣ4Ｆ8  ＭＦＣ応答時間２０４、２０８を示したグラフである。代表的なＭＦＣは、（Ｓｙｎｄｉｏｎ  Ｖ２  ＭＦＣに見られるような、）約１５０ミリ秒から約３００ミリ秒までの限られた応答時間を有する。
【００３９】
図２Ｃは、ＲＡＰサイクル２２０を示したグラフである。複数のＲＡＰ段階２２２〜２３６が示されている。グラフ２４０は、対応する光波長（例えば、ＣＦ2は、対応する波長２６８ｎｍを有する）における第１の発光強度によって測定される、ＲＡＰチャンバ１１０内における第１のプロセスガス（Ｃ4Ｆ8）の解離生成物（例えばＣＦ2）の存在を示している。グラフ２４１は、対応する光波長（例えば、Ｆは、対応する波長７０４ｎｍを有する）における第２の発光強度によって測定される、ＲＡＰチャンバ１１０内における第２のプロセスガス（例えばＳＦ6）の存在を示している。グラフ２４２は、ＲＡＰチャンバ１１０内における第２の強度対第１の強度の比を示している。
【００４０】
グラフ２４３は、ＭＦＣによって測定される、それぞれのＭＦＣを通る第１のプロセスガス（例えばＣ4Ｆ8）の流量を示している。グラフ２４４は、ＭＦＣによって測定される、それぞれのＭＦＣを通る第２のプロセスガス（例えばＳＦ6）の流量を示している。
【００４１】
グラフ２４５は、ＲＡＰチャンバ１１０に印加されるバイアス信号を示している。グラフ２４６は、１つの段階から後続の段階への変化を示している。
【００４２】
ＲＡＰサイクル２２０の第１の段階２２２は、パッシベーション段階又はデポジション段階でありえる。先行する段階（例えば段階２２２）と、後続の段階（例えば段階２２４）との間の送達時間遅延は、それぞれのＭＦＣ１２０、１３０からそれぞれのプロセスガス１２２、１３２をＲＡＰチャンバ１１０へ送達するために必要とされる時間である。一例としてＳｙｎｄｉｏｎ  Ｖ２  ＭＦＣを使用すると、送達時間遅延は、約２００ミリ秒から約３５０ミリ秒までの間である。
【００４３】
ＭＦＣ１２０、１３０の各々は、ＭＦＣの中のそれぞれのバルブ１２０Ｂ、１３０Ｂを操作するためにコントローラ１４０から制御信号を受信して対応する出力を生成するそれぞれのコントローラ電気回路１２０Ａ、１３０Ａを含む。各ＭＦＣ１２０、１３０の中のそれぞれのコントローラ電気回路１２０Ａ、１３０Ａは、受信された制御信号に対するコントローラ切り替え遅延も有することがある。コントローラ切り替え遅延は、それぞれのＭＦＣ１２０、１３０からのガス１２２、１３２の送達に対して更なる遅延を導入することがある。このコントローラ切り替え遅延は、図２Ａ及び図２Ｂに示されるように、Ｓｙｎｄｉｏｎ  Ｖ２において最大約２００ミリ秒に達することがある。
【００４４】
次に、「段階３が開始される」と表示されたデータ点について言及する。これは、「段階３」２２８に先立つ段階２２６からの変化をＲＡＰコントローラ１４０がいつ開始させるかを示すグラフ２４６上のデータ点である。「段階３」２２８を開始させる一環として、ＲＡＰコントローラ１４０は、ＳＦ6  ＭＦＣにコマンドを送信する。コントローラ切り替え遅延後、ＲＡＰコントローラ１４０は、対応するデータ点において開き始める。ＭＦＣ応答遅延後、ＳＦ6  ＭＦＣは、対応するデータ点において完全に開かれる。プロセスガス送達遅延後、ＳＦ6は、対応するデータ点においてＲＡＰチャンバ１００に到達する。「段階３が開始される」からＳＦ6がＲＡＰチャンバ１００に到達するまでの合計遅延時間は、約７００ミリ秒から約８５０ミリ秒までである。この、約７００ミリ秒から約８５０ミリ秒までの間のばらつきは、処理の非一貫性を招く。
【００４５】
ＲＡＰサイクルの各エッチング及び／又はデポジション段階の持続時間は、可能な限り短いことが望ましく、ゆえに、これらの３つの要因によって引き起こされる合計遅延時間に匹敵する、又はそれよりも更に短いことが望ましい。その結果、２つの基本的な問題が提示される。１つ目は、各段階中に最適な結果のために特定のバイアス電力／電圧が印加されるべき時間の不確実性である。このパラメータは、図２Ａ〜２Ｃに示されるように、一部のＲＡＰサイクルにとっては非常に重要である。
【００４６】
ＭＦＣ１２０、１３０の限られた応答時間、及びＭＦＣ１２０、１３０とＲＡＰチャンバ１１０との間の既知の距離ゆえに、チャンバ内へのガスの送達には、約７００ミリ秒から約８５０ミリ秒までの時間が必要だろう。この遅延のばらつきは、ＲＡＰサイクルの各段階のためにそれぞれのバイアス電圧を正確に制御することを困難にする。
【００４７】
この合計時間遅延を補償するための１つのアプローチは、コントローラ１４０からＭＦＣ１２０、１３０への制御信号のタイミングを早めるやり方である。その結果、ＭＦＣの動作が時間的に早められる。図２Ｄは、本発明の１つの実施形態にしたがった、コントローラ１４０からＭＦＣへの制御信号のタイミングを早めるために実施される方法及び動作２５０を示したフローチャートである。本明細書で示される動作は、例示のためであり、場合によっては一動作に複数の小動作が含まれること、及び場合によっては本明細書で説明された特定の動作が例示の動作に含まれないこともあることが理解されるべきである。このことを念頭において、次に、方法及び動作２５０が説明される。
【００４８】
動作２５２では、ＲＡＰチャンバ１１０に第１のガスが投入され、これは、第１のガスを第１のガス源１２２から流れさせるために、コントローラ１４０から第１の質量流量コントローラ１２０へ第１の命令を送信することを含む。
【００４９】
動作２５４では、その前の繰り返し及び／又はテストデータに基づいて、第１のガスの送達時間が推定される。推定された第１のガスの送達時間に達したときは、動作２５６において、対応する第１の段階のための対応する第１のプロセスパラメータ設定点２７２（例えば第１のバイアス電圧、第１のバイアス周波数、及びその他の第１のプロセスパラメータ）がＲＡＰチャンバ１１０に適用される。
【００５０】
動作２５８では、ＲＡＰチャンバ１１０の中の基板１０２に、対応する段階（例えばエッチング段階）が適用される。動作２６０では、ＲＡＰチャンバ１１０に第２のガスが投入され、これは、第２のガスを第２のガス源１３２から流れさせるために、コントローラ１４０から第２の質量流量コントローラ１３０へ第２の命令を送信することを含む。
【００５１】
動作２６２では、その前の繰り返し及び／又はテストデータに基づいて、第２のガスの送達時間が推定される。推定された第２のガスの送達時間に達したときは、動作２６４において、対応する第２の段階のための対応する第２のプロセスパラメータ設定点２８２（例えば第２のバイアス電圧、第２のバイアス周波数、及びその他の第２のプロセスパラメータ）がＲＡＰチャンバ１１０に適用される。
【００５２】
動作２６６では、ＲＡＰチャンバ１１０の中の基板１０２に、対応する第２の段階（例えばデポジション段階又はパッシベーション段階）が適用される。
【００５３】
動作２６８では、ＲＡＰチャンバ１１０の中の基板１０２において追加のＲＡＰサイクルが必要であるかどうかを決定するための問い合わせがなされる。もし、ＲＡＰチャンバ１１０の中の基板１０２において追加のＲＡＰサイクルが必要であるならば、方法動作は、上述のような動作２５２に続く。もし、基板１０２において追加のＲＡＰサイクルが必要でないならば、方法動作は、終了することができる。
【００５４】
図３Ａ及び図３Ｂは、本発明の一実施形態にしたがった、シリコンエッチング速度３００、３１０を示した図である。図４は、本発明の一実施形態にしたがった、Ｓｉ／ＰＲ選択性４００、４１０を示した図である。図３及び図４の各々は、各段階が、ＲＡＰサイクルの各段階中におけるバイアス電圧／電力タイミングに影響されることを示している。
【００５５】
図３Ａに示されるように、エッチングバイアス電圧３０６は、要望どおりに、その大部分をプロセスガス濃度のエッチング段階３０８中に印加された。その結果得られた各エッチング段階の段階深さＤ１及び幅Ｗの一貫性は、波形模様３０２の一貫した幅Ｗ１及び段階深さＤ１として示されている。
【００５６】
図３Ｂに示されるように、エッチングバイアス電圧３０６は、その大部分をプロセスガス濃度のパッシベーション段階３１８中に印加された。その結果得られた各エッチング段階の段階深さＤ２及び幅の一貫性の無さは、波形模様３１２の非一貫した幅Ｗ２及び段階深さＤ２として示されている。
【００５７】
図４のグラフ４００に示されるように、エッチングバイアス電圧は、要望どおりに、その大部分をエッチング段階中に印加され、ゆえに、その結果フォトレジスト４０４を通じて得られたビア４０２のエッチングプロフィールは、真直ぐであり、フォトレジストの上面４０６に対して実質的に垂直である。
【００５８】
図４のグラフ４１０に示されるように、エッチングバイアス電圧は、要望どおりではなく、その大部分をパッシベーション段階中に印加され、ゆえに、その結果フォトレジスト４０４を通じて得られたビア４０２Ａのエッチングプロフィールは、あまり真直ぐではなく、より角度がついた側面を有し、尚且つフォトレジストの上面４０６に対してあまり垂直ではない。
【００５９】
各ＲＡＰエッチング段階中にバイアス電圧が印加されるとき、シリコン（Ｓｉ）エッチング速度は、時間に依存する。図４に示されるように、フォトレジスト（ＰＲ）エッチング速度は、５０％以上の割合で変化することがある。その結果、Ｓｉ／ＰＲエッチング選択性は、値が広範囲にわたる可能性があり、ゆえに、対応するばらつきを結果に生じることがある。
【００６０】
エッチングプロセス中におけるアスペクト比関連の影響を最小限に抑える試みとして、ウエハ処理中における各ＲＡＰ段階の開始のタイミングが早められるときは、これらの非一貫性は、更に深刻になる。
【００６１】
図５Ａ及び図５Ｂは、本発明の一実施形態にしたがった、エッチング／デポジション段階中におけるガス送達時間のばらつきを示した図である。図５Ａに示されるような、エッチング段階中における発光スペクトル（ＯＥＳ）信号の［Ｆ］／［ＣＦ2］、及び図５Ｂに示されるような、結果得られたビア５１０の走査型電子顕微鏡断面は、非常に正確な相関を示している。ガス送達時間のばらつきは、「波形模様」５０２Ａ〜Ｇの深さにかなりのばらつきを生じさせる。理想を言うと、波形模様５０２Ａ〜Ｇは、基板５０４の中で全て実質的に同じ深さであることが望ましい。ガス送達の遅延によって引き起こされる、ＲＡＰ段階の各々におけるバイアス電圧印加タイミングの時間推移／遅延の不確実性又は非一貫性は、ビア５１０の側面に垂直な筋を発生させる。エッチングプロセス中（例えば前のデポジション段階後、ＣＦ2がまだ減衰テールを有するとき）におけるＯＥＳ強度の比［Ｆ］／［ＣＦ2］は、エッチング及びパッシベーションの両プロセスについて、その持続時間による影響を一体的に反映している。
【００６２】
図５Ｂは、ＲＡＰサイクル５２０を示したグラフも含む。複数のＲＡＰ段階が示されている。グラフ５２２は、対応する光波長（例えば、ＣＦ2は、対応する波長２６８ｎｍを有する）における第１の発光強度によって測定される、ＲＡＰチャンバ１１０内における第１のプロセスガス（Ｃ4Ｆ8）の解離生成物（例えばＣＦ2）の存在を示している。グラフ５２４は、対応する光波長（例えば、Ｆは、対応する波長７０４ｎｍを有する）における第２の発光強度によって測定される、ＲＡＰチャンバ１１０内における第２のプロセスガス（例えばＳＦ6）の解離生成物（例えばＦ）の存在を示している。グラフ５２６は、ＲＡＰチャンバ１１０内における第２の強度対第１の強度の比を示している。グラフ５２２は、段階を示している。グラフ５２４は、ＲＡＰチャンバ１００内における圧力を示している。
【００６３】
アプローチの１つは、各ＲＡＰサイクル中にバイアス電圧が印加されるときの非一貫性の問題を解決するために、及び波形模様間の間隔の揺らぎを減少させるために、プラズマからのＯＥＳ信号を使用してバイアス電力生成器及びＭＦＣを制御することである。図６は、本発明の一実施形態にしたがった、ＯＥＳ信号の各種性質を示したグラフ６００である。対応するバイアス電圧がいつ印加されるかのタイミングをトリガ及び制御するための正確な基準信号として、ＯＥＳ信号からのｄ［Ｆ］／ｄｔ又はｄ｛［Ｆ］／［ＣＦ2］｝／ｄｔのうちの任意を使用することができる。この目的のためには、［Ｆ］／［ＣＦ2］を使用することもできるが、導関数ｄ［Ｆ］／ｄｔ又はｄ｛［Ｆ］／［ＣＦ2］｝／ｄｔを使用するほうが、信号がプロセス変化にあまり影響されないゆえに好ましいとされる。
【００６４】
ｄ［Ｆ］／ｄｔ又はｄ｛［Ｆ］／［ＣＦ2］｝／ｄｔの大きさが、選択された設定点値を超えたときは、直ちにバイアス電圧を印加することが可能である。或いは、ｄ［Ｆ］／ｄｔ又はｄ｛［Ｆ］／［ＣＦ2］｝／ｄｔの大きさが、選択された設定点値をいつ超えるかは、バイアス電圧の印加のタイミングを計るためのより具体的な遅延時間、及びそのバイアス電圧がどれだけ長く印加されるべきかを定めるために使用することができる。典型的なケースでは、印加されるバイアス電圧を対応値に戻すためのトリガ信号として、ＯＥＳ信号（例えば、導関数の負の値）の立ち下がりエッジを使用することができる。
【００６５】
グラフ６０２は、対応する光波長（例えば、Ｆは、対応する波長７０４ｎｍを有する）における第２の発光強度によって測定される、ＲＡＰチャンバ１１０内における第２のプロセスガス（例えばＳＦ6）の解離生成物（例えばＦ）の存在を示している。グラフ６０２は、ＲＡＰチャンバ１１０内における第２の強度対第１の強度の比を示している。
【００６６】
グラフ６０６は、第２の強度の、時間についての導関数を示している。グラフ６０８は、ＲＡＰチャンバ１１０内における第２の強度対第１の強度の比の導関数を示している。
【００６７】
このプロセス制御技術は、異なるガス化学剤を使用する任意のタイプのＲＡＰプラズマプロセスに拡張することができる。プロセスガス混合物に、少量の希ガスを追加することができ、特殊なケースでは、これらのガス種の輝線を使用することができる。これらのガス種の発光強度は、プロセスのＲＡＰ特性に由来するプラズマ内における電子エネルギ分布の変化ゆえに、たとえ希ガスの流量が一定であっても変化する可能性がある。
【００６８】
形成されているデバイスの側壁内の波形模様間における、ガス送達の揺らぎ及びエッチング／パッシベーションプロセスの持続時間によって引き起こされる間隔の揺らぎを減少させるには、上述のような技術を使用して、バイアス電圧を制御することができる。この場合、システム１００は、現エッチング段階の持続時間を決定する。例えば、バイアス電圧印加のタイミングをよりいっそう的確にするために、ｄ［Ｆ］／ｄｔ及びｄ｛［Ｆ］／［ＣＦ2］｝／ｄｔ（［Ｆ］／［ＣＦ2］）に対し、「又は」及び「及び」などの追加の論理演算を適用することが可能である。
【００６９】
この場合、提示された方法は、質量流量コントローラからチャンバへのガス送達時間が｛［エッチング段階の持続時間］−［トリガ信号を見つけるために必要とされる時間］｝未満であると望ましいことを示唆した。
【００７０】
提示された技術は、最適な結果のためにＲＡＰプロセスサイクル中に特定のバイアス電圧がいつ印加されるべきかの時間の不確実性を減少させる。高速に作動する質量流量コントローラの代替制御の適用は、波形模様のサイズのばらつきを更に減少させることができる。
【００７１】
上述されたプロセスガス及びそれぞれの解離生成物は、本発明を実例を挙げて説明するために使用されたものであり、しかしながら、ＲＡＰチャンバ１１０内におけるそれぞれのプロセスガスの存在の検出には、追加又は代替として、その他のプロセスガス及び／又は上記プロセスガスのその他の解離生成物も使用されえることが理解されるべきである。例えば、ＣＦは、代替となるＣ4Ｆ8の解離生成物である。尚も更に、ＯＥＳによって検出することができる代替のプロセスガスも使用されえる。代替のプロセスのそれぞれの解離生成物は、ＯＥＳによって検出することができる。
【００７２】
図７は、本発明の１つの実施形態にしたがった、バイアス電圧を制御するためにＯＥＳスペクトルを使用するにあたって実施される方法及び動作７００を示したフローチャートである。本明細書で示される動作は、例示のためであり、場合によっては一動作に複数の小動作が含まれること、及び本明細書で説明された特定の動作が例示の動作に含まれないこともあることが理解されるべきである。このことを念頭において、次に、方法及び動作７００が説明される。
【００７３】
動作７０５では、ＲＡＰチャンバ１１０に第１のガスが投入され、これは、第１のガスを第１のガス源１２２から流れさせるために、コントローラ１４０から第１の質量流量コントローラ１２０へ第１の命令を送信することを含む。
【００７４】
動作７１０では、上述のように、ＯＥＳ解析によって第１のプロセスガスの送達が検出される。第１のプロセスガスの送達が検出されたときは、動作７１５において、対応する第１の段階のための対応する第１のプロセスパラメータ設定点２７２（例えば、第１のプラズマ源電力ＲＦ信号の、第１のバイアス電圧、周波数、波形、変調、及び電力、並びにプラズマ１０８を発生させるために使用される信号の、電圧、周波数、波形、変調、及び電力、並びにその他の第１のプロセスパラメータ）がＲＡＰチャンバ１１０に適用される。
【００７５】
動作７２０では、ＲＡＰチャンバ１１０の中の基板１０２に、対応する段階（例えばエッチング段階）が適用される。
【００７６】
動作７２５では、ＲＡＰチャンバ１１０に第２のガスが投入され、これは、第２のガスを第２のガス源１３２から流れさせるために、コントローラ１４０から第２の質量流量コントローラ１３０へ第２の命令を送信することを含む。
【００７７】
動作７３０では、上述のように、ＯＥＳ解析によって第２のプロセスガスの送達が検出される。第２のプロセスガスの送達が検出されたときは、動作７３５において、対応する第２の段階のための対応する第２のプロセスパラメータ設定点２８２（例えば、第２のプラズマ源電力ＲＦ信号の、第２のバイアス電圧、周波数、波形、変調、及び電力、並びにプラズマ１０８を発生させるために使用される信号の、電圧、周波数、波形、変調、及び電力、並びにその他の第２のプロセスパラメータ）がＲＡＰチャンバ１１０に適用される。
【００７８】
動作７４０では、ＲＡＰチャンバ１１０の中の基板１０２に、対応する第２の段階（例えばデポジション段階又はパッシベーション段階）が適用される。
【００７９】
動作７４５では、ＲＡＰチャンバ１１０の中の基板１０２において追加のＲＡＰサイクルが必要であるかどうかを決定するための問い合わせがなされる。もし、ＲＡＰチャンバ１１０の中の基板１０２において追加のＲＡＰサイクルが必要であるならば、方法動作は、上述のような動作７０５に続く。もし、基板１０２において追加のＲＡＰサイクルが必要でないならば、方法動作は、終了することができる。
【００８０】
本発明は、コンピュータ可読媒体上のコンピュータ可読コードとして具現化することもできる。コンピュータ可読媒体は、その後コンピュータシステムによって読み出し可能なデータを記憶することができる任意のデータストレージデバイスである。コンピュータ可読媒体の例として、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、読み出し専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ、フラッシュ、磁気テープ、並びにその他の光及び非光データストレージデバイスが挙げられる。コンピュータ可読媒体は、また、コンピュータ可読コードが分散方式で記憶及び実行されるように、ネットワークに結合されたコンピュータシステムに分散させることもできる。
【００８１】
更に、上記の図面の中で動作によって表されている命令は、例示の順番で実施される必要はないこと、及び動作によって表されている全ての処理が本発明の実行に必要でなくてもよいことがわかる。更に、上記のどの図面で説明されているプロセスも、ＲＡＭ、ＲＯＭ、又はハードディスクドライブの任意の１つ又は組み合わせに記憶されたソフトウェアとしても実装することができる。
【００８２】
以上の発明は、理解を明瞭にする目的で幾らか詳細に説明されてきたが、添付の特許請求の範囲内で特定の変更及び修正が可能であることが明らかである。したがって、これらの実施形態は、例示的で且つ非限定的であると見なされ、本発明は、本明細書で与えられた詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物の範囲内で変更されえる。
【図１】
2013058749.tif 000003
【図２Ｄ】
2013058749.tif 000004
【図７】
2013058749.tif 000005
【図２Ａ】
2013058749.tif 000006
【図２Ｂ】
2013058749.tif 000007
【図２Ｃ】
2013058749.tif 000008
【図３Ａ】
2013058749.tif 000009
【図３Ｂ】
2013058749.tif 000010
【図４】
2013058749.tif 000011
【図５Ａ】
2013058749.tif 000012
【図５Ｂ】
2013058749.tif 000013
【図６】
2013058749.tif 000014
【外国語明細書】
2013058749000001.pdf