(57)【要約】【課題】  ハロゲン物質を含有しないエポキシ樹脂を用いた場合であっても、高温放置での信頼性が高く、高温放置後の電気特性を維持することができるアルミニウムパッドとの接続信頼性に優れた車載向け半導体用の金−白金−パラジウム合金系ボンディングワイヤを提供する。【解決手段】  白金を０．４〜１．２質量％、パラジウムを０．０１〜０．５質量％、アルミニウムを１０〜３０質量ｐｐｍ、カルシウムまたはマグネシウムのうちの少なくとも１種を合計で１０〜６０質量ｐｐｍおよび残部が純度９９．９９９質量％以上の金からなる金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤである。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
白金を０．４〜１．２質量％、パラジウムを０．０１〜０．５質量％、アルミニウムを１０〜３０質量ｐｐｍ、カルシウムまたはマグネシウムのうちの少なくとも１種を合計で１０〜６０質量ｐｐｍおよび残部が純度９９．９９９質量％以上の金からなる金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【請求項２】
白金を０．４〜１．２質量％、パラジウムを０．０１〜０．５質量％、アルミニウムを１０〜３０質量ｐｐｍ、カルシウムまたはマグネシウムのうちの少なくとも１種を合計で１０〜６０質量ｐｐｍ、ベリリウムおよび希土類元素のうちの少なくとも１種を合計で１〜３０質量ｐｐｍ、および残部が純度９９．９９９質量％以上の金からなる金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【請求項３】
上記カルシウムまたはマグネシウムがカルシウムを１０〜３０質量ｐｐｍおよびマグネシウムを１０〜３０質量ｐｐｍ含有したものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【請求項４】
上記ベリリウムまたは希土類元素がベリリウムを１〜２０質量ｐｐｍおよび希土類元素のうちの少なくとも１種を合計で１〜３０質量ｐｐｍ含有したものであることを特徴とする請求項１に記載の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【請求項５】
上記ベリリウムまたは希土類元素がベリリウムを１〜２０質量ｐｐｍ、ランタンを１〜３０質量ｐｐｍまたはセリウムのうちの少なくとも１種を合計で１〜３０質量ｐｐｍ含有したものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【請求項６】
上記ベリリウムまたは希土類元素がベリリウムを１〜２０質量ｐｐｍ、ランタンを１〜３０質量ｐｐｍおよびセリウムを１〜３０質量ｐｐｍ含有したものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【請求項７】
上記ボンディングワイヤがハロゲンフリーエポキシ樹脂封止用であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に用いられるＩＣチップ電極と外部リード等の基板の接続に好適な金−白金−パラジウム合金系ボンディングワイヤ、特に車載用や高速デバイス用の高温となる環境下で使用されるハロゲンフリーエポキシ樹脂封止用金−白金−パラジウム合金系ボンディングワイヤに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から車載用途で高い接合信頼性が要求される半導体装置のＩＣチップ電極と外部リードを接続する金合金線としては、高純度金に０．５〜１．２質量％のパラジウムを含有させた純度９９質量％程度の金−パラジウム合金線が信頼性に優れているとして多用されている。このような金合金線は、一端が超音波併用熱圧着ボンディング法によってＩＣチップ電極上の純アルミニウムパッドやアルミニウム合金パッドと接続され、他端が基板上の外部リード等に接続され、その後、ボンディング箇所がエポキシ樹脂で封止され、半導体装置とされる。このような純アルミニウムやアルミニウム合金パッドは、通常は真空蒸着などによって形成される。
【０００３】
車載用半導体素子が使用される環境条件は、自動車のエンジンルーム内やその近傍で使用されるため通常の使用環境よりも高温度となる。従来の高接合信頼性金−パラジウム合金ボンディングワイヤはハロゲン物質を含有する封止樹脂を使用した際の高温放置試験（ＨＴＳ）において純度９９．９９質量％以上金からなる純金ボンディングワイヤより高い接合信頼性を有していることが知られている。例えば、１７５℃で２,０００〜４,０００時間程度の使用に耐える必要がある。このような実装環境下では、金−パラジウム合金ボンディングワイヤとパッド電極部との接合強度の長期間の確保が重要となる。このようなボンディングワイヤとして、パラジウムを０．５〜０．７質量％、白金を０．1〜０．３質量％及び残部が純度９９．９９９質量％以上の金からなる、アルミニウムの金属または合金パッドを備えた高温半導体装置用金合金ボンディングワイヤ（特許文献１の請求項１）やパラジウムを０．５〜０．７質量％、白金を０．1〜０．３質量％及び残部が純度９９．９９９質量％以上の金からなる、アルミニウムの金属または合金パッドを備えた高温半導体装置用金合金ボンディングワイヤ（特許文献２の請求項１）、あるいは、封止樹脂としてハロゲンを含有するエポキシ樹脂を用いた場合に金合金細線としてマンガンを０．００５〜０．５重量％、パラジウムを０．００５〜１．０重量％、白金を０．０１〜２．０重量％、さらにカルシウム，ベリリウム，希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０００５〜０．０５重量％の範囲で含有するボンディングワイヤ（特許文献３の請求項５）が知られている。
【０００４】
近年、環境対応のためハロゲン物質を含有しないエポキシ封止樹脂が多く使用されている。このエポキシ封止樹脂を使用した場合の高温放置試験では、従来の高接合信頼性金−パラジウム合金ボンディングワイヤは９９．９９質量％金ボンディングワイヤの接合信頼性と比較して優位性を示さないことがあり、場合によっては金−パラジウム合金ボンディングワイヤが純金ボンディングワイヤの接合信頼性よりも悪いことがある。
また、車載用ＩＣパッケージでは樹脂封止をしない半導体素子の高温放置試験でスクリーニングをおこなうことが一般的になってきており、１７５℃×１０００時間放置後にプル試験を行なっている。このような未封止高温放置試験を行なった場合、従来の高接合信頼性金−パラジウム合金ボンディングワイヤは、ファースト接合部のボンディングワイヤとアルミニウムパッドとの界面の劣化が早期に起こり、純金ボンディングワイヤよりも高温接合信頼性が低い結果となることがあった。
【０００５】
従来の高接合信頼性金−パラジウム合金線は、パラジウムを白金よりも多く添加することにより、アルミニウムパッド界面における金−アルミニウム接合部の拡散を抑え、溶融ボールの接合部劣化の原因となる金属間化合物の生成を抑制しようとするものである。しかしながら、金属間化合物の生成を抑制しようとすると、金−アルミニウム接合部での金とアルミニウムの拡散を抑えすぎているため、拡散による接合強度が十分確保されず、金−アルミニウム接合部で界面の劣化が起こっていると考えられる。このようなことから、金−パラジウム合金系ボンディングワイヤは、車載用ＩＣパッケージやハロゲン物質を含有しないエポキシ封止樹脂が使用されている半導体素子には実用化されていないのが実情であった。
【０００６】
【特許文献１】特開平０９−３２１０７５号公報
【特許文献２】特開２０１１−１５５１２９号公報
【特許文献３】特開平１０−３０３２３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、樹脂封止された半導体装置が高温、高湿および高圧下の過酷な使用環境で使用されたものであっても、アルミニウムパッドとの接続信頼性に優れた車載向け半導体用の金−白金−パラジウム合金系ボンディングワイヤを提供することを目的とする。
また、本発明は、臭素等のハロゲン物質を含有しないエポキシ樹脂を用いた場合であっても、高温放置での信頼性が高く、高温放置後の電気特性を維持することができるアルミニウムパッドとの接続信頼性に優れた車載向け半導体用の金−白金−パラジウム合金系ボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、金中にパラジウムよりも高価な白金をメイン含有元素として１質量％近傍以下含有させ、かつ、パラジウムをサブ含有元素として０．５質量％以下含有させることにより、アルミニウムパッド界面における金−Ａｌ接合部の拡散を適度に制御し、同時に、ハロゲン物質を含有しないエポキシ樹脂を用いた場合であっても、溶融ボールの接合部劣化の原因となる金属間化合物の生成ないし成長を抑制しようとするものである。従来の金中にパラジウムを１質量％前後含有させたボンディングワイヤは、アルミニウムパッドとの接合部の拡散を抑えすぎているため、高温放置（ＨＴＳ）した場合、特にハロゲン物質を含有しないエポキシ樹脂を用いたときに、アルミニウムパッド界面でのボンディングワイヤの劣化が起こっていると考えられる。
【０００９】
また、本発明者らは、アルミニウムパッドに対し微量のアルミニウムを添加するとともに、カルシウムまたはマグネシウムを共添加して金−白金−パラジウム合金マトリックス中に微細に分散させ、アルミニウムパッド界面における金−アルミニウム接合部の拡散を適度に制御することのほか、ボンディングワイヤの機械的特性を向上させるとともに圧着ボールの真円性特性を向上させようとしたものである。ボンディングワイヤの機械的特性や真円性特性は、ベリリウムやランタン、セリウム等の希土類元素を微量添加することによってさらに向上する。
【００１０】
本発明の課題を解決するための半導体素子用金−白金−パラジウム合金系ボンディングワイヤの一つは、白金を０．４〜１．２質量％、パラジウムを０．０１〜０．５質量％、アルミニウムを１０〜３０質量ｐｐｍ、カルシウムまたはマグネシウムのうちの少なくとも１種を合計で１０〜６０質量ｐｐｍおよび残部が純度９９．９９９質量％以上の金からなるボンディングワイヤである。
【００１１】
また、もうひとつの本発明の課題を解決するための半導体素子用金−白金−パラジウム合金系ボンディングワイヤは、白金を０．４〜１．２質量％、パラジウムを０．０１〜０．５質量％、アルミニウムを１０〜３０質量ｐｐｍ、カルシウムまたはマグネシウムのうちの少なくとも１種を合計で１０〜６０質量ｐｐｍ、ベリリウムまたは希土類元素のうちの少なくとも１種を合計で１〜３０質量ｐｐｍ、および残部が純度９９．９９９質量％以上の金からなるボンディングワイヤである。
【００１２】
（金−白金−パラジウム合金）
本発明の金−白金−パラジウム合金は、白金を０．４〜１．２質量％、パラジウムを０．０１〜０．５質量％および残部が純度９９．９９９質量％以上の金からなる完全に均一固溶した合金である。
本発明において、白金をメイン元素とし、パラジウムをサブ元素としたのは、純アルミニウムパッドやアルミニウム合金パッドとの接合部における金とアルミニウムとの拡散速度を適度にコントロールして高温放置時の接合界面の劣化を抑制するためである。
このため白金を０．４〜１．２質量％、パラジウムを０．０１〜０．５質量％とした。好ましくは、白金とパラジウムの総量が０．６〜１．３質量％である。
【００１３】
個別的には、それぞれ、白金が０．４〜０．８質量％、パラジウムが０．０５〜０．４質量％が好ましく、白金が０．５〜０．７質量％、パラジウムが０．１〜０．３質量％がより好ましい。白金／パラジウムの比は、２〜４の範囲が好ましく、２．５〜３．５の範囲がより好ましい。
また、本発明において、残部を純度９９．９９９質量％以上の金としたのは、不可避的不純物の量を最大１０質量ｐｐｍ未満とすることによって、アルミニウムおよびカルシウムまたはマグネシウム等の微量添加元素の効果をよりよく発揮させるためである。
【００１４】
本発明において、アルミニウムを１０〜３０質量ｐｐｍとした。
一般的にアルミニウムは、金と金属間化合物を形成するので、純金ボンディングワイヤや金−白金合金系ボンディングワイヤに使用されない元素である。しかし、本発明の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤでは、ボンディングワイヤの機械的強度を向上し、カルシウムまたはマグネシウムの相乗効果によって高温放置しても高いプル強度を保持する。
アルミニウムが１０質量ｐｐｍ未満では上記効果が発揮できず、アルミニウムが３０質量ｐｐｍを超えると、圧着ボール真円性が悪くなってしまう。よって、アルミニウムの範囲を１０〜３０質量ｐｐｍとした。好ましくは、アルミニウムの範囲は１６〜２４質量ｐｐｍである。
【００１５】
本発明において、カルシウムまたはマグネシウムのうちの少なくとも１種を合計で１０〜６０質量ｐｐｍとした。
ボンディングワイヤの添加元素として、一般的にカルシウムとマグネシウムはボンディングワイヤの機械的強度および圧着ボール真円性を向上する元素と考えられている。本発明の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤでは、アルミニウムとの相乗効果によって、カルシウムはボンディングワイヤの機械的強度を向上し、マグネシウムはボンディングワイヤの圧着ボールの真円性を向上した。
しかし、カルシウムまたはマグネシウムのうちの少なくとも１種の合計が１０質量ｐｐｍ未満では上記の効果が発揮できず、合計で６０質量ｐｐｍを超えると、ボンディングワイヤの機械的強度が強くなりすぎ、アルミニウムパッドを破壊する。よって、カルシウムまたはマグネシウムのうちの少なくとも１種を合計で１０〜６０質量ｐｐｍとした。カルシウムおよびマグネシウムを合計で１０〜３０質量ｐｐｍ添加することが好ましく、合計で１６〜２４質量ｐｐｍ共添加することがより好ましい。
【００１６】
本発明において、ベリリウムまたは希土類元素のうちの少なくとも１種を合計で１〜３０質量ｐｐｍの範囲とした。
ベリリウムまたは希土類元素も、一般的に、ボンディングワイヤの機械的強度を向上する元素と考えられている。本発明の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤでは、アルミニウムおよびカルシウムまたはマグネシウムとの相乗効果によって、ベリリウムまたは希土類元素は、ボンディングワイヤの機械的強度を向上するとともに、第一ボンド時の圧着ボールの真円性を向上した。
【００１７】
ベリリウムを１〜２０質量ｐｐｍおよび希土類元素を１〜６０質量ｐｐｍ共添加することが好ましい。希土類元素は、ランタン１〜３０質量ｐｐｍまたはセリウム１〜３０質量ｐｐｍを含めることが望ましく、ランタン１〜３０質量ｐｐｍおよびセリウム１〜３０質量ｐｐｍを共添加することがより望ましい。ベリリウム６〜１４質量ｐｐｍとランタン１〜３０質量ｐｐｍとセリウム１〜３０質量ｐｐｍの組合せ、ベリリウム１〜２０質量ｐｐｍとランタン１０〜３０質量ｐｐｍとセリウム１〜３０質量ｐｐｍの組合せ、またはベリリウム１〜２０質量ｐｐｍとランタン１〜３０質量ｐｐｍとセリウム１０〜３０質量ｐｐｍの組合せがより好ましく、ベリリウム６〜１４質量ｐｐｍとランタン１０〜３０質量ｐｐｍとセリウム１０〜３０質量ｐｐｍの組合せが更に好ましく、ベリリウム６〜１４質量ｐｐｍとランタン１４〜２６質量ｐｐｍとセリウム１４〜２６質量ｐｐｍの組合せが最適である。
【発明の効果】
【００１８】
上述のように、本発明の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤは、溶融ボールと純アルミニウムパッドやアルミニウム合金パッドとの接合性が良好であり、圧着ボールの真円性が確保することができ、また、高温下で放置しても第一ボンドの接合界面のボイドが粗大化して進展することが無く、安定した接合信頼性を確保することができ、プル強度も高い。さらに、本発明の金−白金−パラジウム合金からなるボンディングワイヤは、ハロゲン物質を含有しないエポキシ樹脂を用いて高温下で放置しても、第一ボンドの接合界面の劣化が起こらず、電気的接続を劣化しない効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
[実施例]
表１左欄に示される成分組成を有する金−白金−パラジウム合金（金の純度９９．９９９９質量％以上）を溶解鋳造し、荒引き加工して焼鈍熱処理をし、次いで２０μｍの最終線径まで連続伸線をすることにより２０μｍの線径を有する本発明に係る金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ（以下、「本発明ワイヤ」という）１〜２７と、本発明の組成範囲に入らない比較品の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤおよび従来品の金−パラジウム合金系ボンディングワイヤ（以下、まとめて「比較ワイヤ」という）２８〜３６を製造した。
【００２０】
これらの本発明ワイヤ１〜２７および比較ワイヤ２８〜３６について、ワイヤ強度を測定した。その後、Ｋｕｌｉｃｋｅ＆Ｓｏｆｆａ（キューリック・アンド・ソファ）製のワイヤボンダー（商品名：Ｍａｘμｍ  ｕｌｔｒａ）にセットし、半導体ＩＣチップに搭載されたアルミニウム−０．５質量％銅合金からなる７０μｍ角アルミニウム合金パッドに、４０μｍ狙いでフリー・エアー・ボール（ＦＡＢ）を作製し、加熱温度：２００℃、ループ長さ：５ｍｍ、ループ高さ：２２０μｍ、圧着ボール径：４８μｍ、圧着ボール高さ：１４μｍ、の条件でボンディングを行なって、真円性のばらつきについて評価を行なった。ついで、１７５℃で１，０００時間放置した後、ボンディングワイヤにプル試験を行った。さらにボンディングしたサンプルを樹脂封止し１７５℃で４０００時間放置したのち、電気抵抗の測定を行った。
【００２１】
［ワイヤ強度の評価方法］
各々の合金組成に対し、１００ｍｍ長の試料をテンシロン型引張試験機（型式ＵＴＭ−２）にて１０ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り、破断した際の強度を測定した。測定数は５点とし、その平均値にて評価した。それらの評価結果を表１右欄に示す。
【００２２】
［圧着ボール真円性の評価方法］
各々の合金組成に対し、評価用のＩＣチップに１００本ボンディングしたときの圧着ボールのＸ方向（超音波印加と直角方向）とＹ方向（超音波印加と方向）の長さを測定し、その比を評価した。それらの評価結果を表１右欄に示す。
【００２３】
［プル強度］
各々の合金組成に対し、専用のＩＣチップにワイヤボンダーでボンディングを行い、１００点についてＤａｇｅ社製「万能ボンドテスタ  シリーズ４０００」を用いファーストボンド直上部でプル試験を行い、プル強度の測定を行った。その後、同ボンディングサンプルを１７５℃、１０００時間放置後、再度１００点についてプル強度の測定をおこなった。プル強度は高温放置後のプル強度の低下およびファースト接合部の剥がれにて評価した。プル強度の評価結果を表１右欄に示す。
【００２４】
［電気抵抗］
各々の合金組成に対し、専用のＩＣチップにワイヤボンダーでボンディングを行い、ハロゲンを含まないエポキシ樹脂（日東電工株式会社製  製品名ＧＥ−７４７０Ｃ）で封止し、電気抵抗測定用サンプルを作製した。電気抵抗は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製の製品名「ソースメーター（型式２００４）」を用い、専用のＩＣソケットおよび専用に構築した自動測定システムでおこなった。測定方法はいわゆる直流四端子法で測定している。
電気抵抗は、外部リード１００対（２００ピン）について、高温放置前と１７５℃  ４０００時間の高温放置後に測定した。電気抵抗は、高温放置前と比較して抵抗が２０％以上になった対が発生した場合、故障発生とし、故障発生率を評価した。電気抵抗の評価結果を表１右欄に示す。
【００２５】
【表１】
2013118259.tif 000002
【００２６】
実施品Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７が請求項１に係る発明、実施品Ｎｏ．８〜Ｎｏ．２７が請求項２に係る発明、実施品Ｎｏ．２およびＮｏ．２３〜Ｎｏ．２７が請求項３に係る発明、実施品Ｎｏ．１１、Ｎｏ．１３〜Ｎｏ．１６およびＮｏ．２０〜Ｎｏ．２７が請求項４に係る発明、実施品Ｎｏ．１３〜Ｎｏ．１６およびＮｏ．２０〜Ｎｏ．２７が請求項５に係る発明、並びに、実施品Ｎｏ．１５、Ｎｏ．２０およびＮｏ．２５〜Ｎｏ．２７が請求項６に係る発明である。
【００２７】
表１右欄中、ワイヤ強度は強度測定結果を示し、◎は約８３．４Ｎ（8.5gf）以上、○は約６８．６Ｎ（７．０ｇｆ）以上、△は約５３．９Ｎ（５．５ｇｆ）以上、×は約５３．０Ｎ（５．４ｇｆ）以下をそれぞれ示す。
表１右欄中、圧着ボール真円性は、圧着ボール径ＸとＹの比Ｘ／Ｙを示し、◎は０．９５〜１．０５、○は０．９〜１．１０、△は０．８〜１．２、×は０．７９以下および１．２１以上をそれぞれ示す。
表１右欄中、プル強度はプル強度の低下量およびファースト接合部の剥がれを示し、◎は低下量約０〜９．８Ｎ（０〜１．０ｇｆ）、○は約１０．８〜１９．６Ｎ（１．１〜２．０ｇｆ）、△は約２０．６〜３９．２Ｎ（２．１ｇｆ〜４．０ｇｆ）、×は約４０．２Ｎ（４．１ｇｆ）以上およびファースト接合部剥がれ発生をそれぞれ示す。
【００２８】
表１右欄中、電気抵抗は故障発生率を示し、◎は０％、○は０．１〜５．０％、△は５．１〜３０．０％、×は３０．１％以上をそれぞれ示す。
表１右欄に示される結果から明らかなように、本発明ワイヤは、ワイヤ強度が高く、圧着ボールの真円性が良く、高温放置後のプル強度の低下が無く、ハロゲン物質を含有しないエポキシ樹脂を用いた場合の高温放置後の電気抵抗上昇が見られないのに対し、比較ワイヤ２８〜３６はこれら特性の少なくともいずれか一つは不良となることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明のボンディングワイヤは、車載用や高速デバイス用の高温となる環境下で使用されるハロゲンフリーエポキシ樹脂封止用の半導体の用途がある。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白金を０．５〜０．７質量％、パラジウムを０．１〜０．３質量％、アルミニウムを１０〜３０質量ｐｐｍ、カルシウムまたはマグネシウムのうちの少なくとも１種を合計で１０〜６０質量ｐｐｍおよび残部が純度９９．９９９質量％以上の金からなる金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【請求項２】
白金を０．４〜１．２質量％、パラジウムを０．０１〜０．５質量％、アルミニウムを１０〜３０質量ｐｐｍ、カルシウムまたはマグネシウムのうちの少なくとも１種を合計で１０〜６０質量ｐｐｍ、ベリリウムおよび希土類元素のうちの少なくとも１種を合計で１〜３０質量ｐｐｍ、および残部が純度９９．９９９質量％以上の金からなる金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【請求項３】
上記カルシウムまたはマグネシウムがカルシウムを１０〜３０質量ｐｐｍおよびマグネシウムを１０〜３０質量ｐｐｍ含有したものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【請求項４】
上記ベリリウムまたは希土類元素がベリリウムを１〜２０質量ｐｐｍおよび希土類元素のうちの少なくとも１種を合計で１〜３０質量ｐｐｍ含有したものであることを特徴とする請求項２に記載の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【請求項５】
上記ベリリウムまたは希土類元素がベリリウムを１〜２０質量ｐｐｍ、ランタンを１〜３０質量ｐｐｍまたはセリウムのうちの少なくとも１種を合計で１〜３０質量ｐｐｍ含有したものであることを特徴とする請求項２に記載の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【請求項６】
上記ベリリウムまたは希土類元素がベリリウムを１〜２０質量ｐｐｍ、ランタンを１〜３０質量ｐｐｍおよびセリウムを１〜３０質量ｐｐｍ含有したものであることを特徴とする請求項２に記載の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【請求項７】
上記ボンディングワイヤがハロゲンフリーエポキシ樹脂封止用であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金−白金−パラジウム合金ボンディングワイヤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【表１】
2013118259.tif 000003