(57)【要約】【課題】ＤＣピンに応力が加わった場合であってもＤＣピン周囲のガラス部にヒビが入らない、実装性と信頼性を向上させた光変調器モジュールを提供する。【解決手段】筐体と、筐体の内部に配置された光部品と、光部品にＤＣバイアスを印加するために筐体に設けられたＤＣバイアスコネクタ部とを少なくとも具備する光部品モジュールにおいて、ＤＣバイアスコネクタ部は、筐体の側壁を挿通して配置されたＤＣピンと、ＤＣピンの周囲に配置されＤＣピンと筐体とを電気的に絶縁する絶縁部とからなり、ＤＣピンは、その断面において隣り合う二辺を含み、当該二辺の各辺に対する各接線のなす内角が９０°よりも大きく構成され、ＤＣピンに所定方向に応力が加わった際、当該所定方向における絶縁部に局所的な応力が加わらないようになっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、前記筐体の内部に配置された光部品と、前記光部品にＤＣバイアスを印加するために前記筐体に設けられたＤＣバイアスコネクタ部とを少なくとも具備する光部品モジュールにおいて、
前記ＤＣバイアスコネクタ部は、前記筐体の側壁を挿通して配置されたＤＣピンと、前記ＤＣピンの周囲に配置され前記ＤＣピンと前記筐体とを電気的に絶縁する絶縁部とからなり、
前記ＤＣピンは、その断面において隣り合う二辺を含み、当該二辺の各辺に対する各接線のなす内角が９０°よりも大きいことを特徴とする光部品モジュール。
【請求項２】
前記ＤＣピンは、その断面が六角形以上の多角形であり、前記筐体の底面側であるその底面と隣り合う二辺に対する接線のなす内角が９０°よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の光部品モジュール。
【請求項３】
前記ＤＣピンは、その断面が五角形以上の多角形であり、すべての隣り合う二辺において前記各接線のなす内角が９０°よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の光部品モジュール。
【請求項４】
前記ＤＣピンは、その断面が略八角形であり、隣接する二辺において一方辺が他方辺よりも長いことを特徴とする請求項３に記載の光部品モジュール。
【請求項５】
前記ＤＣピンは、その断面において前記隣接する二辺の接する部位がＲ状となっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光部品モジュール。
【請求項６】
前記ＤＣピンを複数個具備することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光部品モジュール。
【請求項７】
エッチングまたはサンドブラストにより、その断面における前記二辺の直線部のなす内角が９０°よりも大きく形成された前記ＤＣピンを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光部品モジュール。
【請求項８】
前記光部品は、電気光学効果を有する基板と、前記基板に形成された２本以上の光導波路と、該光導波路の屈折率を変化させるための高周波電気信号を印加する中心導体と接地導体からなる進行波電極と、前記光導波路にＤＣバイアスを印加するＤＣバイアス電極とを含む光変調器であり、前記ＤＣバイアスコネクタ部から前記ＤＣバイアス電極にＤＣバイアスが印加されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光部品モジュール。
【請求項９】
筐体と、前記筐体の内部に配置された光部品と、前記光部品にＤＣバイアスを印加するために前記筐体に設けられたＤＣバイアスコネクタ部と、前記ＤＣバイアスコネクタ部を保持するＤＣバイアスコネクタ保持台座とを少なくとも具備する光部品モジュールの製造方法であって、
前記ＤＣバイアスコネクタ部の製造工程は、
複数のＤＣピンが所定間隔で並べられた配置でなり、連結部によって各ＤＣピンが連結されて一体的に構成されたＤＣピン列を準備する段階と、
前記ＤＣピン列の少なくとも一部をエッチングし、前記ＤＣピンの断面を、隣り合う二辺を含み当該二辺の各辺に対する各接線のなす内角が９０°よりも大きくなるようにするＤＣピン列エッチング段階と、
エッチングされた前記ＤＣピン列の前記ＤＣピンのそれぞれを、前記ＤＣバイアスコネクタ保持台座に所定間隔をもって設けられた複数の貫通孔部内にそれぞれ挿入して保持するＤＣピン配置段階と、
前記ＤＣバイアスコネクタ保持台座の前記複数の貫通孔部と挿入されている前記複数のＤＣピンとの隙間にガラスを流し込んで固定するガラス封止段階と、
前記筐体に設けられた取付孔部に前記ＤＣバイアスコネクタ保持台座を固定するコネクタ保持台座固定段階と
前記筐体に固定されている前記ＤＣピン列から前記連結部を切断し、前記複数のＤＣピンをそれぞれ独立させるＤＣピン独立段階と、を含むことを特徴とする光部品モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学効果を利用して、光導波路に入射した光を高周波電気信号で変調して光信号パルスとして出射する光部品モジュールとしての光変調器モジュール、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速、大容量の光通信システムが実用化されている。このような高速、大容量の光通信システムに組込むための高速、小型、低価格、かつ高安定な光変調器の開発が求められている。
【０００３】
このような要望に応える光変調器として、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）のように電界を印加することにより屈折率が変化する、いわゆる電気光学効果を有する基板（以下、ＬＮ基板と略す）に光導波路と進行波電極を形成した進行波電極型リチウムナイオベート光変調器（以下、ＬＮ光変調器と略す）がある。このＬＮ光変調器は、その優れたチャーピング特性から２．５Ｇｂｉｔ／ｓ、１０Ｇｂｉｔ／ｓの大容量光通信システムに適用されている。最近はさらに４０Ｇｂｉｔ／ｓの超大容量光通信システムにも適用が検討されている。
【０００４】
以下、従来、実用化され、又は提唱されてきたリチウムナイオベートの電気光学効果を利用したＬＮ光変調器モジュールについて説明する。
【０００５】
（従来技術）
図９はｚ−カットＬＮ基板に関して特許文献１に開示された技術をＤＱＰＳＫ型の光変調器モジュールに拡張した従来技術についての斜視図であり、ＤＱＰＳＫ型の光変調器モジュール１００と呼ばれている。ＤＱＰＳＫ光変調器は２つの子マッハツェンダ干渉系からなる光導波路（ＭＺ光導波路）と１つの親ＭＺ光導波路をネスト構造として有している。
【０００６】
ここで、１は金属からなる筐体、２はＬＮ基板、３はネスト構造のＭＺ光導波路（あるいは単に光導波路）、４ａと４ｂは進行波電極、５ａと５ｂはＤＣバイアス電極、６はＲＦコネクタ、７ａと７ｂはＲＦコネクタ６の芯線、８はＤＣバイアスコネクタ、９ａと９ｂはＤＣバイアスコネクタ８の芯線（ＤＣピン）、１０ａと１０ｂはＤＣピン９ａ、９ｂと筐体１との電気的絶縁をとるための絶縁部（一般には材料として低融点ガラスを使用するのでガラス部とする）、５０と５１は不図示の光ファイバを通すための穴部である。ＤＣピン９ａ、９ｂは、材料としては金属材料のコバールが用いられることが多く、また後述する図１３に示すように矩形状に形成されている。貫通孔部貫通孔部
図１０は、図９の矢印Ａ方向から見た部分矢視図である。また、図１０のＢ−Ｂ´における断面図を図１１に示す。１１ａはＤＣピン９ａとＤＣバイアス電極５ａとを、また１１ｂはＤＣピン９ｂとＤＣバイアス電極５ｂとを電気的に接続するボンディングワイヤである。ＤＣピン９ａと９ｂに印加されたＤＣバイアス電圧はボンディングワイヤ１１ａ、１１ｂを介してＬＮ基板２に形成されたＤＣバイアス電極５ａと５ｂに印加される。これにより最適なバイアス点（動作点）において光変調器モジュール１００を動作させることが可能となる。
【０００７】
図１２にＤＣピン９ａ、９ｂをガラス１０ａ、１０ｂを介してＤＣバイアスコネクタ保持台座７０に固定した様子を示す。ガラス部１０ａ、１０ｂは、DCバイアスコネクタアッシー８０の側壁に設けられた貫通孔部５２、５３にＤＣピン９ａ、９ｂを通過させた状態とし、貫通孔部５２、５３とＤＣピン９ａ、９ｂとの隙間にガラス１０ａ、１０ｂを流し込むことによって形成される。これにより、ＤＣバイアスコネクタ保持台座７０とＤＣピン９ａ、９ｂとの間に隙間はなくなる。最後に、ＤＣバイアスコネクタアッシー８０を筐体１の取付け孔部５４に半田７１などにより固定することによりＬＮ光変調器モジュールとしての気密を保つことができる。ここで、９ｃ、９ｃ´は切断部である。  図１３に、ＤＣピン９ａとガラス部１０ａからなるＤＣバイアスコネクタ８の詳細構造を、ＤＣバイアスコネクタ構成部品９として示す。ＤＣピン９ａと９ｂとは、製作時は後述する図２のような形態で一部品で構成され、上述したガラス部を形成した後に切断部１３ｃ、１３ｃ´で切断することにより分離する。この切断部９ｃはその切断部の残り部分である。また、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄはガラス部１０ａに入ったヒビである。
【０００８】
次に、図１３に示したヒビの発生メカニズムについて説明する。図１３のＣ−Ｃ´における断面図を図１４に示す。また、図１４の一部の部分拡大図を図１５に示す。
【０００９】
図９から図１３に示したＤＣピン９ａに上下方向あるいは左右方向への応力が加わると、ガラス部１０ａには圧縮応力が加わる。その際、図１５に示したように、ＤＣピン９ａのコーナー部１３の角度θが９０°（隣り合う二辺の角度が９０°）と鋭く構成されていることにより、くさびの働きをしてしまうため、ガラス部１０ａにヒビ１２ａが入ってしまう。
【００１０】
図１３と図１４に示したヒビ１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの発生は光変調器モジュールの気密性に大きな影響を与えるため、極めて好ましくない。
【００１１】
そして重要な点として、一般的に光変調器モジュールのＤＣピン９ａ、９ｂは、プリント基板に半田付けされる際に下向きに応力を加えられることが多いため、図１３と図１４において下側（筐体１の底面側）にあるヒビ１２ｃ、１２ｄが特に発生し易いという問題を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平２−５１１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
以上のように、従来ではＤＣピンのコーナー部が９０度と鋭く構成されていた。光変調器モジュールを実際に回路基板に実装する際にＤＣピンに力が加えられると、ＤＣピンのコーナー部がくさびの作用をすることになる。その結果、ＤＣコネクタ部に絶縁のために設けたガラス部にヒビが入ってしまっていた。そのため、光変調器モジュールの気密が保つことができないという問題があった。
【００１４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ＤＣピンにある程度の力が加わっても絶縁のためのガラス部にヒビが入らない構造を開発し、実装性と信頼性について改善された光変調器モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の光変調器モジュールは、筐体と、前記筐体の内部に配置された光部品と、前記光部品にＤＣバイアスを印加するために前記筐体に設けられたＤＣバイアスコネクタ部とを少なくとも具備する光部品モジュールにおいて、前記ＤＣバイアスコネクタ部は、前記筐体の側壁を挿通して配置されたＤＣピンと、前記ＤＣピンの周囲に配置され前記ＤＣピンと前記筐体とを電気的に絶縁する絶縁部とからなり、前記ＤＣピンは、その断面において隣り合う二辺を含み、当該二辺の各辺に対する各接線のなす内角が９０°よりも大きいことを特徴としている。
【００１６】
本発明の請求項２に記載の光変調器モジュールは、請求項１に記載の光変調器モジュールにおいて、前記ＤＣピンは、その断面が六角形以上の多角形であり、前記筐体の底面側であるその底面と隣り合う二辺に対する接線のなす内角が９０°よりも大きいことを特徴としている。
【００１７】
本発明の請求項３に記載の光変調器モジュールは、請求項１または２に記載の光変調器モジュールにおいて、前記ＤＣピンは、その断面が五角形以上の多角形であり、すべての隣り合う二辺において前記各接線のなす内角が９０°よりも大きいことを特徴としている。
【００１８】
本発明の請求項４に記載の光変調器モジュールは、請求項３に記載の光変調器モジュールにおいて、前記ＤＣピンは、その断面が略八角形であり、隣接する二辺において一方辺が他方辺よりも長いことを特徴としている。
【００１９】
本発明の請求項５に記載の光変調器モジュールは、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光変調器モジュールにおいて、前記ＤＣピンは、その断面において前記隣接する二辺の接する部位がＲ状となっていることを特徴としている。
【００２０】
本発明の請求項６に記載の光変調器モジュールは、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光変調器モジュールにおいて、前記ＤＣピンを複数個具備することを特徴としている。
【００２１】
本発明の請求項７に記載の光変調器モジュールは、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光変調器モジュールにおいて、エッチングまたはサンドブラストにより、その断面における前記二辺の直線部のなす内角が９０°よりも大きく形成された前記ＤＣピンを含むことを特徴としている。
【００２２】
本発明の請求項８に記載の光変調器モジュールは、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光変調器モジュールにおいて、前記光部品は、電気光学効果を有する基板と、前記基板に形成された２本以上の光導波路と、該光導波路の屈折率を変化させるための高周波電気信号を印加する中心導体と接地導体からなる進行波電極と、前記光導波路にＤＣバイアスを印加するＤＣバイアス電極とを含む光変調器であり、前記ＤＣバイアスコネクタ部から前記ＤＣバイアス電極にＤＣバイアスが印加されることを特徴としている。
【００２３】
本発明の請求項９に記載の光変調器モジュールの製造方法は、筐体と、前記筐体の内部に配置された光部品と、前記光部品にＤＣバイアスを印加するために前記筐体に設けられたＤＣバイアスコネクタ部と、前記ＤＣバイアスコネクタ部を保持するＤＣバイアスコネクタ保持台座とを少なくとも具備する光部品モジュールの製造方法であって、前記ＤＣバイアスコネクタ部の製造工程は、複数のＤＣピンが所定間隔で並べられた配置でなり、連結部によって各ＤＣピンが連結されて一体的に構成されたＤＣピン列を準備する段階と、前記ＤＣピン列の少なくとも一部をエッチングし、前記ＤＣピンの断面を、隣り合う二辺を含み当該二辺の各辺に対する各接線のなす内角が９０°よりも大きくなるようにするＤＣピン列エッチング段階と、エッチングされた前記ＤＣピン列の前記ＤＣピンのそれぞれを、前記ＤＣバイアスコネクタ保持台座に所定間隔をもって設けられた複数の貫通孔部内にそれぞれ挿入して保持するＤＣピン配置段階と、前記ＤＣバイアスコネクタ保持台座の前記複数の貫通孔部と挿入されている前記複数のＤＣピンとの隙間にガラスを流し込んで固定するガラス封止段階と、前記筐体に設けられた取付孔部に前記ＤＣバイアスコネクタ保持台座を固定するコネクタ保持台座固定段階と前記筐体に固定されている前記ＤＣピン列から前記連結部を切断し、前記複数のＤＣピンをそれぞれ独立させるＤＣピン独立段階と、を含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２４】
ＤＣピンのコーナー部のなす角度を９０°より大きくすることによりある程度の力が加わっても絶縁のためのガラス部にヒビが入らないので、実装性が良く、かつ気密性の観点からの高い信頼性を有する光変調器モジュールおよびその製造方法を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係わる光変調器モジュールに適用されるＤＣコネクタ部の詳細図面
【図２】ＤＣピン列１４を示す斜視図
【図３】本発明の製作工程を説明する図
【図４】ＤＣピン１４ａをエッチングする様子を示す図
【図５】ＤＣピン１３ｂの断面を示す図
【図６】本発明の原理を説明する図
【図７】本発明の第１の実施形態の変形例
【図８】本発明の第２の実施形態に係わる光変調器モジュールに適用されるＤＣピンの概略断面図
【図９】従来技術の光変調器モジュールについての概略構成を示す斜視図
【図１０】図９の矢視Ａにおける部分拡大図
【図１１】図１０のＢ−Ｂ´における断面図
【図１２】ＤＣバイアスコネクタ保持台座７０とＤＣピン９ａ、９ｂ、及びガラス１０ａ、１０ｂの関係を説明する斜視図
【図１３】ＤＣコネクタ８の詳細構造であって、ＤＣバイアスコネクタ構成部品９を示す斜視図
【図１４】図１３のＣ−Ｃ´における断面図
【図１５】図１４の部分拡大図であり、従来技術の問題点を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について説明するが、図９から図１５に示した従来技術と同一の符号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一の符号を持つ機能部の説明を省略する。
【００２７】
（第１の実施形態）
図１に本発明の第１の実施形態としての光変調器モジュールに適用したＤＣバイアスコネクタ構成部品３０の詳細構造を示す。１３ａと１３ｂはＤＣピンの一部である。１３ａは断面が四角形であり、１３ｂは断面が略八角形である。また１３ｃは後述する切断作業後の切断部である。つまり、ガラス部１０ａとＤＣピンとは、断面が略八角形の１３ｂで接するようになっている。
【００２８】
ここで、図２と図３を用いて、本実施形態の製作工程を説明する。図２はＤＣピン列１４を示したものであって、２本のＤＣピン１４ａと１４ｂとが１４ｃの連結部でつながった１部品で構成されている。前述したように、ＤＣピン１４ａ、１４ｂを貫通孔部５２、５３内に配置した状態でガラス封止を行うが、このような１部品で構成しておくことで、本ガラス封止工程を行う際にＤＣピン１４ａと１４ｂとのギャップがずれてしまうことがなく、生産性に大変優れている。なお、１３ｃと１３ｃ´は工程の最後にＤＣピン１４ａと１４ｂとを切り離すための切断部である。
【００２９】
以下、説明を簡単にするために主に一方のＤＣピン１４ａについてのみ説明する。また、ＤＣピン列としては２本だけでなく、１本だけであっても、あるいは３本以上の場合であっても同様である。
【００３０】
まず図３に示すように、このＤＣピン列１４のＤＣピン１４ａと１４ｂの一部を、容器１５の中に入れた酸系のエッチング溶液１６に浸す。その時の１４ａの断面図を図４に示す。１８はエッチング溶液がＤＣピンをエッチングする様子を示している。１７はＤＣピン１４ａの４つのコーナー部である。
【００３１】
図４からわかるように、ＤＣピン１４ａの各コーナー部１７は上下左右からエッチング溶液によるエッチングが進む。その結果、エッチング溶液に浸されたＤＣピン１４ａの断面は、図１の１３ｂ部のようなコーナー部が面取りされた形状となる。つまりその断面図は図５のように略八角形となる。また、ＤＣピン１４ａのうち、エッチング溶液１６に浸されなかった部分は図１の１３ａのように四角形のままである。なお、この後の製造工程としては、前述したガラス封止を行い、切断部１３ｃ、１３ｃ´で１４ｃを切断して各ＤＣピン１４ａ、１４ｂを独立した状態とする。
【００３２】
図５において、θを隣り合う二辺における内角（各辺における接線１９と接線２０とがなす角度）とする。図６に、変数をθとして本発明での１３ａ（あるいは１３ｂ）、従来技術での９ａのＤＣピンに一定の力を加えたガラス１０ａの割れやすさを示す。ここで、θは図１５に示した従来技術では９０°であり、本発明では１３５°となる。図から、θが９０°となる従来技術においてはガラス１０ａが極めて割れやすいことがわかる。、つまり図１３から図１５に示した従来技術においてはヒビ１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが非常に発生し易いことになる。一方、θが１３５°となる本発明では、ガラス１０ａが著しく割れにくくなっている。
【００３３】
このように、本発明ではＤＣピン列１４について図４の工程を終了した後に、不図示の筐体にガラス部１０ａ（と１０ｂ）とともに取り付けた後の切断部１３ｃ、１３ｃ´を利用して連結部１４ｃを折り曲げることより、特段の治具を用いることなく切断除去を行うことができる。
【００３４】
図９から図１５に示した従来技術ではＤＣピン９ａ（及び９ｂ）に力が加わらないように、治具を使用することが不可欠であったし、さらに治具を用いてもガラス部１０ａ（１０ｂ）が割れてしまっていた。これに対し本発明を用いることにより、治具が不要であることに加え、簡単にピンセットで連結部１４を折り曲げて切断除去できるので工数を短くできることから、コストを低減することが可能となる。さらにガラス１０ａ、１０ｂが割れにくいので、光変調器モジュールとしての歩留まりが極めて良いという利点がある。
【００３５】
なお、以上の説明においてはＤＣピン列１４の連結部１４ｃをエッチングしない構成としていたが、ＤＣピン列１４の全体をエッチング溶液に浸してもよい。この場合には、連結部１４ｃを含むＤＣピン列１４全体がＤＣピン１３ｂのように略八角形となる。つまり、図７に示すように、この製法によるＤＣバイアスコネクタ構成部品３０´では、図１における１３ａの部分も１３ｂと同じように略八角形となる（図７では図１における１３ａ、１３ｂに対応する部分をまとめて１３ｂ´´として示している）。なお、１３ｃ´´は切断部である。
【００３６】
また、本発明では図１０に示したボンディングワイヤ１１ａを接続する部分（図５の１３ｂ１）が平坦となっているため、電気実装の際に問題となることもない。
【００３７】
なお、一般に図９に示した光変調器モジュールのＤＣピン９ａや９ｂは、プリント基板に半田付けされるために下向き（筐体１の底面方向）に応力を加えられることが多く、下側のコーナー部に接するガラスが割れ易い。そのため、図１３や図１４においてヒビ１２ｃや１２ｄが特に発生し易いので、図５のコーナー部２１の内、下側のコーナー部のみの角度θを９０°より大きくするだけでも効果があり、このことは本発明の全ての実施形態について言うことができる。
【００３８】
（第２の実施形態）
図８は本発明の第２の実施形態である、本実施形態では、ＤＣピン１３ａ´のコーナー部２３において、各辺における接線１９と接線２０との交差部がやや丸みを帯びたＲ状となっている。この場合にはガラスの割れ難さの観点から、本発明の効果をより効果的に実現することができる。
【００３９】
なお、コーナー部２３の辺（図８において２３と指している辺）が直線部を有さない全体に緩いＲ状となった場合であっても、この辺の略中間点における接線２０と接線１９との交差する内角θが９０°よりも大きくなるようにすればよい。もちろん、隣り合う辺が両辺ともに緩いＲ状であっても同様である。
【００４０】
（各実施形態）
以上の説明においては、ＤＣピンのコーナー部を削り落とす手法としてエッチング溶液を使ったが、その他にサンドブラスト技術を用いても良いことは言うまでもない。本発明におけるＤＣピンはその断面での切片の角度が９０度よりも大きいことが特徴であるので、円と直線、あるいは楕円と直線の組み合わせでも良い。
【００４１】
ＬＮ基板としてｚ−カット基板を用いて説明したが、本発明は基板の方位に関係しないので、ｘ−カットやｙ−カットなど全ての方位の基板を使用可能である。
【００４２】
以上の説明においてはコーナー部を直線として説明したが、丸みを帯びていても良いことは言うまでもない。その場合におけるコーナー部の接線はその略中心において規定することができる。
【００４３】
なお、光導波路としては小さなマッハツェンダ光導波路を２個、大きなマッハツェンダ光導波路を１個有するＤＱＰＳＫ型について説明したが、１個のマッハツェンダ光導波路のみでも良いし、ＤＰ−ＱＰＳＫのようなより多くのマッハツェンダ光導波路を有する複雑なネスト構造の光変調器にも適用可能である。
【００４４】
本発明はＬＮ光変調器モジュールについて適用するとして説明したが、その他の一般的なＤＣバイアス入力用のコネクタ部を備えるものであって、筐体内に光部品を配置した光部品モジュールや、筐体内にＭＭＩＣを配置した電気実装用パッケージ等にも適用可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１：筐体
２：ＬＮ基板
３：光導波路
４ａ、４ｂ：進行波電極
５ａ、５ｂ：ＤＣバイアス電極
６：ＲＦコネクタ
７ａ、７ｂ：ＲＦコネクタの芯線
８：ＤＣバイアスコネクタ
９、３０、３０´：ＤＣバイアスコネクタ構成部品
９ａ、９ｂ、１３ａ：ＤＣピン
１３ｂ、１３ｂ´、１３ｂ´´：ＤＣピンの断面が八角形状になった部分
１３ｂ１：ＤＣピンの平坦面
９ｃ、９ｃ´、１３ｃ、１３ｃ´、１３ｃ´´：切断部
１０ａ、１０ｂ：ガラス部
１１ａ、１１ｂ：ボンディングワイヤ
１３、１７、２１：ＤＣピンのコーナー部
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ：ヒビ
１４：ＤＣピン列（切断前のＤＣピン）
１４ａ、１４ｂ：ＤＣピン列１４の一部
１４ｃ：連結部
１５：容器
１６：エッチング溶液
１８：エッチング溶液がＤＣピンをエッチングする様子
１９、２０：隣接している辺
５０、５１、５２，５３：貫通孔部部
５４：取付け孔部
６０：図１３の部分拡大図
７０：ＤＣバイアスコネクタ保持台座
７１：半田
８０：ＤＣバイアスコネクタアッシー
１００：光変調器モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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