(57)【要約】【課題】III族窒化物系化合物半導体装置およびその作製方法を提供する。【解決手段】パワートランジスタ装置のための多層構造を作製する方法は、反応室内で、窒素プラズマストライクを行ない、その結果窒化物系活性半導体層のすぐ上に窒化物層を形成するステップを含む。次に、窒化物層の上面を第２の源に露出する。その後の窒素−酸素プラズマストライクの結果、窒化物層のすぐ上に酸窒化物層が形成される。窒化物層はパシベーション層を備え、酸窒化物層はパワートランジスタ装置のゲート誘電体を備える。【選択図】図１Ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワートランジスタ装置のための多層構造を作製する方法であって、
（ａ）窒化物系活性半導体層を有するウェハを反応室に搬入するステップと、
（ｂ）前記反応室内で、前記窒化物系活性半導体層の上面を第１の源に露出するステップと、
（ｃ）前記反応室内で、窒素（Ｎ）プラズマストライクを行ない、その結果、前記窒化物系活性半導体層のすぐ上に窒化物層を形成するステップと、
（ｄ）前記反応室内で、前記窒化物層の上面を第２の源に露出するステップと、
（ｅ）前記反応室内で、窒素−酸素プラズマストライクを行ない、その結果、前記窒化物層のすぐ上に酸窒化物層を形成するステップとを備え、
前記窒化物層はパシベーション層を備え、前記酸窒化物層は前記パワートランジスタ装置のゲート誘電体を備える、方法。
【請求項２】
前記第１の源はアルミニウム（Ａｌ）を備え、前記窒化物層はＡｌＮ層を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の源は珪素（Ｓｉ）を備え、前記窒化物層はＳｉＮ層を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の源はトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）源を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の源はアルミニウム（Ａｌ）を備え、前記酸窒化物層はＡｌＯＮ層を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の源はトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）源を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記窒化物層が第１の厚みに形成されるまでステップ（ｂ）および（ｃ）を繰返すステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の厚みは約２−１０ｎｍ厚の範囲にある、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記酸窒化物層が第２の厚みに形成されるまでステップ（ｄ）および（ｅ）を繰返すステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の厚みは約１０−２５ｎｍ厚の範囲にある、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記反応室から前記ウェハを取出すステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記反応室内で、前記酸窒化物層の上に窒化珪素層を形成するステップと、
前記反応室から前記ウェハを取出すステップとをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記酸窒化物層は、前記窒化物層でのまたはその近くでの最も高い原子百分率から前記酸窒化物層の上面でのまたはその近くでの最も低い原子百分率まで変化する勾配のある窒素組成で形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記窒化物系半導体層はＡｌＧａＮを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）装置のための多層構造を作製する方法であって、
（ａ）反応室内で、窒化物系半導体層の上面を第１のアルミニウム源に露出するステップと、
（ｂ）前記反応室内で、前記ウェハを窒素（Ｎ）プラズマに露出して、その結果、前記窒化物系半導体層の上に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層を形成するステップと、
（ｃ）前記反応室内で、前記ＡｌＮ層の上面を第２のアルミニウム源に露出するステップと、
（ｄ）前記反応室内で、前記ウェハを窒素−酸素プラズマに露出して、その結果、前記ＡｌＮ層の上に酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）層を形成するステップとを備え、
前記窒化物層はパシベーション層を備え、前記酸窒化物層はパワートランジスタ装置のゲート誘電体を備える、方法。
【請求項１６】
前記第１のアルミニウム源および前記第２のアルミニウム源は両者ともトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）源を備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＡｌＮ層が第１の厚みに形成されるまでステップ（ａ）および（ｂ）を繰返すステップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の厚みは約２−１０ｎｍ厚の範囲にある、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ＡｌＯＮ層が第２の厚みに形成されるまでステップ（ｃ）および（ｄ）を繰返すステップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の厚みは約１０−２５ｎｍ厚の範囲にある、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記反応室内で、前記ＡｌＯＮ層の上に窒化珪素層を形成するステップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
前記ＡｌＯＮ層は、前記窒化物層でのまたはその近くでの最も高い原子百分率から前記酸窒化物層の上面でのまたはその近くでの最も低い原子百分率まで変化する勾配のある窒素組成で形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
前記窒化物系半導体層はＡｌＧａＮを備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項２４】
窒化物系ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）装置であって、
第１の活性半導体層と、
前記第１の活性半導体層の上に配設される第２の活性半導体層とを備え、その間に二次元電子ガスが形成され、さらに
前記第２の活性半導体層のすぐ上に配設される第１の窒化物系パシベーション層および前記第１の窒化物系パシベーション層のすぐ上に配設される酸窒化物層を含む多層構造を備え、前記第１の窒化物系パシベーション層は第１の厚みを有し、前記酸窒化物層は第２の厚みを有し、前記酸窒化物層は前記窒化物系ＨＦＥＴ装置のゲート誘電体を備え、さらに
前記第２の活性半導体層のすぐ上に、またはそれを通って延在する凹部の中に、離間されたソースおよびドレインオーミックコンタクトを備える、窒化物系ＨＦＥＴ装置。
【請求項２５】
前記第１の窒化物系パシベーション層はＡｌＮを備える、請求項２４に記載の窒化物系ＨＦＥＴ装置。
【請求項２６】
前記第１の窒化物系パシベーション層はＳｉＮを備える、請求項２４に記載の窒化物系ＨＦＥＴ装置。
【請求項２７】
前記第１の厚みは約２−１０ｎｍ厚の範囲にある、請求項２４に記載の窒化物系ＨＦＥＴ装置。
【請求項２８】
前記酸窒化物層はＡｌＯＮを備える、請求項２４に記載の窒化物系ＨＦＥＴ装置。
【請求項２９】
前記第２の厚みは約１０−２５ｎｍ厚の範囲にある、請求項２４に記載の窒化物系ＨＦＥＴ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般的に、III族窒化物系化合物半導体装置およびその作製方法に関し、より特定的には、ＧａＮ高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）およびＧａＮヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）を含む窒化ガリウム（ＧａＮ）スイッチング装置ならびにそのようなパワートランジスタ装置を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
背景
窒化ガリウム（ＧａＮ）および他のバンドギャップの広いIII族窒化物系直接遷移型半導体材料は、珪素系装置に対するそれらの優れた物理的好ましさにより、ある電子機器で有利に利用される。たとえば、ＧａＮおよびＡｌＧａＮ／ＧａＮトランジスタは、ＧａＮ系材料および装置の構造が与える高い電子移動度、高い絶縁破壊電圧、および高飽和電子速度特性により、高速スイッチングおよび高パワー適用例で通常用いられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＧａＮおよびＡｌＧａＮ／ＧａＮ集積回路（ＩＣ)装置は、サファイア、炭化珪素、単結晶ＧａＮ、Ｓｉなどの基板材料上に半絶縁（高抵抗）ＧａＮバッファ層をエピタキシャル成長させることによって典型的に準備される。高電圧動作のためには、ＩＣ装置は、ＧａＮバッファ層を通る漏れ電流を最小にしつつ、高い絶縁破壊電圧ＶＢＲを有する必要がある。漏れ電流の１つの源は、ＧａＮバッファ層中の酸素などの残留ドナーによる意図しないドーピング（ＵＩＤ）である。たとえば、酸素は、フロントエンドおよびバックエンド作製処理ステップの間の表面汚染の結果、ＧａＮバッファ層中に意図せず導入されることがある。また、ＧａＮの圧電性とパシベーションの間に通常行なわれる複数の誘電体堆積との結果、（正または負のいずれかの）電荷蓄積が界面で起こることがある。この電荷蓄積は、ＩＣ装置の電圧−電流特性および周波数応答に悪影響を及ぼす可能性がある。
【０００４】
本発明の非限定的かつ非網羅的な実施形態を以下の図と関連して説明し、特に明記されなければさまざまな図を通して同じ参照番号は同じ部分を指す。
【０００５】
図面のいくつかの図を通して、対応の参照番号は対応の構成要素を示す。当業者は、図中の要素が簡潔さおよび明瞭さのために図示されており、かつ縮尺通りに必ずしも描かれていないことを認めるであろう。たとえば、図中の要素のうちいくつかの寸法は、本発明のさまざまな実施形態の理解を向上させるのを助けるために他の要素に対して誇張されているかもしれない。また、商業的に見込みのある実施形態で有用なまたは必要な、一般的であるが十分に理解される要素は、本発明のこれらのさまざまな実施形態のより妨げられない見方を容易にするために、示されていないことがしばしばある。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１Ａ】本発明の実施形態に従う、作製プロセスの段階の例示的なＧａＮ系ＨＦＥＴ装置を図示する側面断面図である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態に従う、作製プロセスの段階の例示的なＧａＮ系ＨＦＥＴ装置を図示する側面断面図である。
【図１Ｃ】本発明の実施形態に従う、作製プロセスの段階の例示的なＧａＮ系ＨＦＥＴ装置を図示する側面断面図である。
【図２】作製プロセスの完了後の、図１Ａ−図１Ｃに示される本発明の実施形態に従う別の例示的なＧａＮ  ＨＦＥＴの側面断面図である。
【図３】パシベーション化ゲート誘電体／絶縁多層構造の形成のためのステップの例示的なシーケンスの図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
詳細な説明
以下の説明では、本発明の完全な理解を与えるため、数多くの具体的な詳細を述べる。しかしながら、本発明を実践するのに具体的な詳細を用いる必要がないことが当業者には明らかであろう。他の事例では、本発明を曖昧にすることを回避するため、周知の材料または方法を詳細に説明していない。
【０００８】
この明細書を通じて、「一実施形態」、「ある実施形態」、「一例」、または「ある例」に対する参照は、実施形態または例と関連して説明される特定的な特徴、構造、または特性が本発明の少なくとも一実施形態に含まれることを意味する。したがって、「一実施形態では」、「ある実施形態では」、「一例」、または「ある例」という、この明細書を通じてさまざまな場所に現われる文言は、必ずしも同じ実施形態または例をすべて指しているわけではない。さらに、特定的な特徴、構造、または特性は、１つ以上の実施形態または例において任意の好適な組合せおよび／または副次的組合せで組合されてもよい。特定的な特徴、構造、または特性は、集積回路、電子回路、組合せ論理回路、または記載の機能性を提供する他の好適な構成要素に含まれてもよい。さらに、ここで与えられる図は当業者への説明目的のためのものであり、図面は必ずしも縮尺通りに描かれているわけではないことが認められる。
【０００９】
本明細書中で用いられるような「ウェハ」は、集積回路の作製で用いられる、珪素、サファイア、炭化珪素、窒化ガリウムなどの結晶などの半導体材料の薄いスライスである。
【００１０】
本発明の実施形態に従うと、ＧａＮ系トランジスタ装置と、ＨＦＥＴのためのパシベーション化ゲート誘電体（たとえば酸化物）多層を形成するインサイチュー処理ステップを含む、これを作製する方法とが開示される。窒化アルミニウム（ＡｌＮ）および酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）に基づく新たな材料組合わせは、パシベーションの際の電荷蓄積を軽減する作製プロセスのフローで有利に利用される。同時に、高パワーＧａＮ系ＨＥＭＴで用いるための高品質ゲート酸窒化物層が生成される。一実施形態では、原子層堆積（ＡＬＤ)反応室技術を利用して、活性トランジスタ装置層の上に窒化化合物（たとえばＡｌＮ）の高品質の薄い層を形成し、その後すぐに、酸窒化物（たとえばＡｌＯＮ）材料層を備えるゲート酸化物を堆積する。
【００１１】
図１Ａ−図１Ｃは、例示的な作製プロセスにおけるさまざまな段階での半導体装置構造（たとえば、ＧａＮ  ＨＦＥＴ装置）の側面断面図を図示する。たとえば、図１Ａは、たとえば、サファイア、Ｓｉ、ＧａＮ、またはＳｉＣなどの多数の異なる材料のうち任意の１つから形成される基板１１５を含むバルクエピタキシャルウェハ１０２を示す。エピタキシャルＧａＮバッファ層１２０は、基板１１５上の第１の活性層として形成されて示される。格子不整合および／または熱膨張係数の相違に伴って起こり得る問題を回避するため、基板１１５とバッファ層１２０との間にオプションの薄い核生成層（たとえば図２の層２１５を参照）を形成してもよい。
【００１２】
図１Ａはさらに、ＧａＮバッファ層１２０の上に形成される窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）層１２０を示す。ＡｌＧａＮ層１２０は、ＧａＮ  ＨＦＥＴ装置の第２の活性層を備える。２つの材料層同士の間のバンドギャップの差により、ＡｌＧａＮ層１２０とＧａＮバッファ層１２０との間の界面に二次元電子ガスチャネル（２−ＤＥＧ）１３０が形成される。
【００１３】
示されるように、図１Ａは、それぞれＧａＮ  ＨＦＥＴ装置のソースおよびドレイン電極を備えるオーミック金属コンタクト１８０および１７０の形成の直後の作製プロセス中の時点での装置構造も図示する。図１Ａは、ＡｌＧａＮ層１２０のすぐ上に形成されたオーミック金属コンタクト１８０および１７０を示す。他の実施形態では、オーミック金属コンタクト１８０および１７０は、ＡｌＧａＮ層１２５を通って鉛直方向下向きに延在する凹部の中に形成されてＧａＮバッファ層１２０に接してもよい。
【００１４】
図１Ｂは、パシベーション化ゲート誘電体構造を備える多層構造１４０の形成後の図１Ａの例示的なＧａＮ  ＨＦＥＴ装置の構造を図示する。一実施形態では、多層構造１４０は、ＡｌＧａＮ層１４２のすぐ上に配設されるＡｌＮ層１４２と、ＡｌＮ層１４０のすぐ上に配設されるＡｌＯＮ層１４５とを備える。他の実施形態では、パシベーション層１４２は、ＳｉＮまたは他の同様の窒化物系の材料を備えてもよい。ゲート誘電体層１４５は、酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）または同様の性質を有する別の酸窒化物材料も備えてもよい。
【００１５】
図１Ｂは、ＡｌＯＮ層１４５のすぐ上に配設されるオプションの薄い（たとえば２−４ｎｍの）第２のパシベーション層１４８も示す。示される例では、第２のパシベーション層１４８は窒化珪素（ＳｉＮ）を備える。第２のパシベーション層１４８はある実施形態では必要ないかもしれないことが認められる。示されるように、多層構造１４０は、下にあるＡｌＧａＮ（活性）層１２５の表面酸化／汚染を防止する第１のまたは初期パシベーション層、および完成したＧａＮ  ＨＦＥＴ装置のためのゲート誘電体（絶縁体）としての両者としても機能する。さらに、ＡｌＮパシベーション層１４０は、電荷の効率的な変調を助け、漏れ電流を低減し、完成したＧａＮ  ＨＦＥＴ装置のオフ状態の耐圧を増大させる。
【００１６】
一実施形態では、多層構造１４０は、ＡＬＤ反応室中でインサイチューで形成され、ＡｌＮ層１４０は約２−１０ｎｍの範囲の厚みに形成され、ＡｌＯＮ層１４５は約１０−２５ｎｍ厚の範囲の厚みに形成される。ある実施形態では、ＡｌＯＮ層１４５は、窒化物から酸窒化物層（膜）へと滑らかに徐々に遷移するような勾配をつけられてもよい。すなわち、ＡｌＯＮ層１４５中の窒素組成は、ＡｌＮ層１４０との界面での（たとえば１００％のまたは１００％近くの）最も高い原子百分率からＡｌＯＮ層１４５の上面でのまたはその近くでの（たとえば数原子パーセントなどの）最も低い百分率まで変化してもよい。
【００１７】
図１Ｃは、ゲート部材１６０、ゲートフィールドプレート１６５、および示される例ではＳｉＮを備えるプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）の第２のパシベーション層１７０の形成後の図１Ｂの装置の構造を図示する。半導体の技術分野の当業者は、図１Ｃが完全に作製されたＧａＮ  ＨＦＥＴ装置を図示することを理解するであろう。ウェハの表面上に（たとえばパターニングされた線またはトレースなどの）金属を形成すること、（裏面ラッピングまたはウェハ薄板化とも称される）ウェハのバックグラインド、ダイ分離、およびパッケージ化を含む他の標準的な製造後またはバックエンド処理ステップを行なってもよいことがさらに認められる。
【００１８】
図２は、上述のような第１のパシベーションとゲート誘電体との組合せを備える多層構造２４０を含む別の完全に作製されたＧａＮ  ＨＦＥＴ装置２００の側面断面図である。示される例では、ＧａＮ  ＨＦＥＴ装置２００は、基板２１０の上に配設される核生成（遷移）層２１５を含む。基板２１０は、サファイア、珪素、窒化ガリウム、または炭化珪素（ＳｉＣ）などの材料を、限定されることなく、備えてもよい。一実施形態では、核生成層２１５は、アルミニウムに富んだＡｌＧａＮ層（ＡｌxＧａ(x-1)Ｎ；０＞ｘ＞１）を備える。基板２１０、核生成層２１５、およびＧａＮバッファ層２２０は一括してバルクエピタキシャルウェハ２０２を備える。
【００１９】
引き続いてＧａＮ  ＨＦＥＴ２００の例示的な装置構造について、核生成層２１５の上にＧａＮバッファ層２２０が配設され、ＡｌＧａＮ（またはより一般的にはＡｌxＧａ(x-1)Ｎ；０＞ｘ＞１）層２２５がＧａＮバッファ層２２０の上に配設される。ＧａＮ  ＨＦＥＴ装置２００は、多層（たとえばパシベーション化ゲート誘電体）構造２３５、第２のパシベーション層２４０、第３のパシベーション層２４５、およびポリイミド封入層２９０をさらに含む。ソースおよびドレインオーミック金属コンタクト２８０および２７０はそれぞれ、ＡｌＧａＮ層２２５のすぐ上に（または代替的にその凹部の中に）形成される。ゲート部材２６０は、多層構造２４０の上に配設される。ＧａＮ  ＨＦＥＴ装置２００は、ゲートフィールドプレート２６５およびソースフィールドプレート２８５を含むようにも示される。
【００２０】
図３は、第１のパシベーション化ゲート誘電体多層構造の形成のステップの例示的なシーケンスである。ＨＦＥＴのソースおよびドレイン領域へのオーミック金属コンタクトの形成に引き続いて、多層構造形成プロセスは、ＡＬＤ反応室へのウェハのすぐの搬入で始まる（ブロック３０１）。望まれないＧａ2Ｏ3層の形成という結果を生じ得るウェハ上面（すなわち活性層）の酸化を防止するため、周囲雰囲気への長時間の露出を最小限にしなければならない。一実施形態では、ウェハがチャンバ内に搬入された後は、温度を約３００Ｃで安定化して約３分間真空下に留める。
【００２１】
ＡＬＤ反応室に一旦搬入されると、ウェハ（たとえば図１のＡｌＧａＮ層１２５）の上面は、典型的には低パワーで行なわれる窒素（Ｎ2）プラズマストライクに露出される（ブロック３０２）。このプラズマ露出は、その後のＡＬＤ堆積ステップのためにウェハ材料の表面を準備するための洗浄ステップとして働く。
【００２２】
次に、ステップのシーケンスの反復サイクルで第１の（たとえばＡｌＮ）パシベーション層が形成される（ブロック３０３）。各サイクルの典型的な持続時間は、約２０ｍｓから約２０秒のどこかをとってもよく、この結果、０．１Å−３．０Å厚の層（膜）が形成される。一実施形態では、シーケンスは、アルミニウム源、たとえばトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ)にウェハを約３０ミリ秒露出することで始まる。これによりアルミニウムがウェハの上面（たとえばＡｌＧａＮ）と反応できるようになる。アルミニウム源への露出の後、約２秒間アルゴンガスを一気に流すことによってチャンバおよびラインからアルミニウムをパージする。
【００２３】
チャンバとラインからアルミニウムがパージされた後、約１５秒間窒素プラズマストライクを行なう。このステップは、ウェハの表面上に以前堆積されたアルミニウムと反応する窒素の源を提供する。換言すると、表面反応が起こって、その結果、ＡｌＮパシベーション層が形成される。以前論じたように、代替的な実施形態では、アルミニウムよりもむしろ珪素を源として用いて、ＳｉＮパシベーション層も形成してもよい。Ｎ2プラズマストライクの後、チャンバおよびラインを（たとえば約３秒間アルゴンガスで）再びパージして、その後サイクルを繰返して所望の材料層厚みを達成してもよい。上述の例示的なＧａＮ  ＨＦＥＴ装置については、ＡｌＮパシベーション層の厚みは２−１０ｎｍ厚のおよその範囲にある。
【００２４】
次に反復サイクルの第２のシーケンスを行なって、第１のＡｌＮパシベーション層の上にゲート誘電体（たとえば酸化物）層を形成する（ブロック３０４）。ウェハは、先行するステップのいずれの後でもＡＬＤ反応室から取出されないことに留意されたい。すなわち、パシベーション化ゲート誘電体多層構造の形成は、インサイチューで、すなわち、多層構造の形成のために必要な処理ステップ全体についてウェハがＡＬＤ反応室中にある状態で、達成される。
【００２５】
一実施形態では、第２のシーケンスは、特定のドーズ（dose）でアルミニウム源（ＴＭＡ)に露出することで始まり、その結果、ＡｌＮ表面上でアルミニウムの反応が起こる。次に、ＡＬＤ反応室およびラインは、約２秒間アルゴンガスを一気に流すことによってパージされる。次に、窒素−酸素プラズマストライクを約１５秒間行なって、窒素および酸素の２つの源を与えて、ウェハの表面上に先に堆積されているアルミニウムと反応させる。このステップの結果、下にあるＡｌＮパシベーション層の上にＡｌＯＮの滑らかな原子層が形成される。いずれの過剰な窒素および酸素も洗い流すようにアルゴンガスを約３秒間用いて、チャンバおよびラインの２回目のパージを再び行なう。上記ステップのシーケンスを必要に応じて繰返して所望の層（膜）厚みを生成してもよい。一実施形態では、ＡｌＯＮゲート誘電体層は約１０−２５ｎｍの厚みに形成される。
【００２６】
ＡｌＯＮ層の形成に続いて、ウェハがＡＬＤ反応室中に留まったままでＡｌＯＮ層の上にオプションのＳｉＮ層（たとえば２−４ｎｍ厚）を形成してもよい。次にＡＬＤ反応室からウェハを取出して（ブロック３０５）、次に、ＧａＮ  ＨＦＥＴ装置を完全に作製するのに必要な残余の処理ステップを行なう。ＡＬＤ反応室中での合計処理時間は、多層構造を形成するパシベーションおよびゲート誘電体層の所望の合計厚みの関数であることが認められる。
【００２７】
要約書に記載されるものを含む、図示される本発明の例の上記説明は、網羅的であること、または開示される正確な形態への限定を意図されるものではない。発明の特定の実施形態および例が本明細書中で例示の目的のために記載されたが、本発明のより広い意図および範囲から逸脱することなく、さまざまな均等の変形例が可能である。実際に、具体的な例示的厚み、材料の種類、処理ステップなどは説明の目的のために与えられるものであり、かつ本発明の教示に従う他の実施形態および例では他の値も用いてもよいことが認められる。上記の詳細な説明に照らして、発明の例にこれらの変形をなすことができる。以下の請求項で用いられる用語は、明細書および請求項に開示される特定の実施形態に発明を限定するものと解釈されてはならない。むしろ、その範囲全体は、確立された請求項解釈の原則に従って解釈されるべき以下の請求項によって定められるべきものである。したがって、本明細書および図は、制限的というよりはむしろ例示的なものとしてみなされるべきである。
【符号の説明】
【００２８】
１０２，２０２  バルクエピタキシャルウェハ、１１５，２１０  基板、１２０，２２０  ＧａＮバッファ層、１２５，２２５  ＡｌＧａＮ層、１３０  二次元電子ガスチャネル（２−ＤＥＧ）、１７０，１８０，２７０，２８０  オーミック金属コンタクト、１４０，２３５  多層構造、１４５  ＡｌＯＮ層、１４８，２４０  第２のパシベーション層、２００  ＧａＮ  ＨＦＥＴ装置、２１５  核生成層、２４５  第３のパシベーション層、３０１，３０２，３０３，３０４，３０５  ブロック
【図１Ａ】
2013118377.tif 000003
【図１Ｂ】
2013118377.tif 000004
【図１Ｃ】
2013118377.tif 000005
【図２】
2013118377.tif 000006
【図３】
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