(57)【要約】【課題】熱による寸法変化が小さく、かつ埋め込み性が良好な硬化物を得ることができるＢステージフィルム及び多層基板を提供する。【解決手段】本発明は、樹脂組成物がフィルム状に成形されたＢステージフィルムに関する。上記樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含む。本発明に係るＢステージフィルムでは、８０℃での溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以上、１５００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ１２０℃での溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、１００Ｐａ・ｓ以下である。本発明に係る多層基板１１は、回路基板１２と、回路基板１２の表面１２ａ上に配置された硬化物層１３〜１６とを備える。硬化物層１３〜１６は、上記Ｂステージフィルムを硬化させることにより形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂組成物がフィルム状に成形されたＢステージフィルムであって、
前記樹脂組成物が、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含み、
８０℃での溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以上、１５００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ
１２０℃での溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、１００Ｐａ・ｓ以下である、Ｂステージフィルム。
【請求項２】
Ｂステージフィルム１００重量％中、前記無機充填材の含有量が４０重量％以上、８０重量％以下である、請求項１に記載のＢステージフィルム。
【請求項３】
８０℃での前記溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以上、９００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ熱硬化後の硬化物のガラス転移温度以下の熱線膨張係数が３５ｐｐｍ／℃以下である、請求項１又は２に記載のＢステージフィルム。
【請求項４】
８０℃での前記溶融粘度の１２０℃での前記溶融粘度に対する比が、２以上、２０以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のＢステージフィルム。
【請求項５】
前記エポキシ樹脂が、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のＢステージフィルム。
【請求項６】
前記硬化剤が、アミノトリアジン骨格を有する硬化剤を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のＢステージフィルム。
【請求項７】
回路基板と、
前記回路基板の表面上に配置された硬化物層とを備え、
前記硬化物層が、請求項１〜６のいずれか１項に記載のＢステージフィルムを硬化させることにより形成されている、多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、多層基板において絶縁層を形成するために好適に用いることができるＢステージフィルムに関する。また、本発明は、該Ｂステージフィルムを用いた多層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、積層板及びプリント配線板等の電子部品を得るために、様々な樹脂組成物が用いられている。例えば、多層プリント配線板では、内部の層間を絶縁するための絶縁層を形成したり、表層部分に位置する絶縁層を形成したりするために、樹脂組成物が用いられている。
【０００３】
上記樹脂組成物の一例として、下記の特許文献１には、有機溶剤に溶解する耐熱樹脂と、熱硬化性樹脂と、充填材と、ポリブタジエン骨格又はポリシロキサン骨格を有する樹脂とを含む樹脂組成物が開示されている。上記耐熱樹脂は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂及びポリベンゾイミダゾール樹脂からなる群より選ばれる１種以上である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３９２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
多層プリント配線板の絶縁層には、該絶縁層に積層される他の絶縁層又は回路などとの剥離が生じ難いことが強く求められる。このため、上記絶縁層では、熱により寸法が大きく変化しないことが望まれる。すなわち、上記絶縁層の線膨張率が低いことが望ましい。
【０００６】
また、近年、パッケージの高密度化に伴い、該パッケージに用いられている基板がそりやすくなっている。このため、基板のそりを小さくする要求が非常に高まっている。基板のそりを十分に抑制するためには、基板上に積層される上記絶縁層の線膨張率を大幅に下げる必要がある。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載のような従来の樹脂組成物を用いた場合には、該樹脂組成物の硬化物の熱による寸法変化が十分に小さくならないことがあり、上記絶縁層の線膨張率が比較的高くなることがある。
【０００８】
さらに、従来の樹脂組成物では、絶縁層を形成するための基板の表面が凹凸を有する場合に、凹部に対して樹脂組成物を十分に充填させることが困難なことがある。このため、得られる多層プリント配線板の絶縁信頼性が低くなるという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、熱による寸法変化が小さく、かつ埋め込み性が良好な硬化物を得ることができるＢステージフィルム、並びに該Ｂステージフィルムを用いた多層基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の広い局面によれば、樹脂組成物がフィルム状に成形されたＢステージフィルムであって、上記樹脂組成物が、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含み、８０℃での溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以上、１５００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ１２０℃での溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、１００Ｐａ・ｓ以下である、Ｂステージフィルムが提供される。
【００１１】
本発明に係るＢステージフィルム１００重量％中、上記無機充填材の含有量は４０重量％以上、８０重量％以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明に係るＢステージフィルムのある特定の局面では、８０℃での上記溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以上、９００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ熱硬化後の硬化物のガラス転移温度以下の熱線膨張係数が３５ｐｐｍ／℃以下である。
【００１３】
本発明に係るＢステージフィルムの他の特定の局面では、８０℃での上記溶融粘度の１２０℃での上記溶融粘度に対する比が、２以上、２０以下である。
【００１４】
上記エポキシ樹脂は、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂を含むことが好ましい。上記硬化剤は、アミノトリアジン骨格を有する硬化剤を含むことが好ましい。
【００１５】
本発明に係る多層基板は、回路基板と、該回路基板の表面上に配置された硬化物層とを備えており、該硬化物層が、本発明に従って構成されたＢステージフィルムを硬化させることにより形成されている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るＢステージフィルムは、樹脂組成物がフィルム状に成形されたＢステージフィルムであって、上記樹脂組成物がエポキシ樹脂と硬化剤と無機充填材とを含み、８０℃での溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以上、１５００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ１２０℃での溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、１００Ｐａ・ｓ以下であるので、熱による寸法変化が小さく、かつ埋め込み性が良好な硬化物を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係るＢステージフィルムを用いた多層基板を模式的に示す部分切欠正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００１９】
（Ｂステージフィルム）
本発明に係るＢステージフィルムは、樹脂組成物がフィルム状に成形されたＢステージフィルムである。上記樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含む。本発明に係るＢステージフィルムでは、８０℃での溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以上、１５００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ１２０℃での溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、１００Ｐａ・ｓ以下である。
【００２０】
本発明に係る上述した構成の採用により、熱による寸法変化が小さい硬化物を得ることができる。硬化物の熱による寸法変化を小さくすることができる結果、硬化物を備える多層基板等において、反りの発生を効果的に抑制できる。さらに、本発明に係る上述した構成の採用により、埋め込み性が良好な硬化物を得ることができる。本発明に係るＢステージフィルムの使用により、凹凸表面に埋め込まれた硬化物の表面の平坦性を高めることができる。
【００２１】
Ｂステージフィルムが無機充填材を多く含む場合には、硬化物の熱による寸法変化がより一層小さくなる。特に、Ｂステージフィルム１００重量％中の無機充填材の含有量が４０重量％以上である場合に、硬化物の熱による寸法変化がかなり小さくなる。一方で、無機充填材を多く用いると、埋め込み性が悪化する傾向がある。しかし、本発明に係るＢステージフィルムでは、無機充填材を多く用いても、埋め込み性が良好な硬化物が得られる。特に、Ｂステージフィルム１００重量％中の無機充填材の含有量が４０重量％以上であっても、埋め込み性が良好な硬化物が得られる。
【００２２】
なお、溶融粘度を規定した温度を８０℃及び１２０℃としたのは、基板等へのＢステージフィルムのラミネート温度が、一般に８０〜１２０℃の範囲内であるためである。
【００２３】
熱による寸法変化が小さく、かつ埋め込み性が良好な硬化物を得る観点からは、上記Ｂステージフィルムの８０℃での溶融粘度は、１００Ｐａ・ｓ以上、１５００Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは９００Ｐａ・ｓ以下である。
【００２４】
熱による寸法変化が小さく、かつ埋め込み性が良好な硬化物を得る観点からは、上記Ｂステージフィルムの９０℃での溶融粘度は、好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上、好ましくは７５０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは４００Ｐａ・ｓ以下である。
【００２５】
熱による寸法変化が小さく、かつ埋め込み性が良好な硬化物を得る観点からは、上記Ｂステージフィルムの１００℃での溶融粘度は、好ましくは３０Ｐａ・ｓ以上、好ましくは４００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは２００Ｐａ・ｓ以下である。
【００２６】
熱による寸法変化が小さく、かつ埋め込み性が良好な硬化物を得る観点からは、上記Ｂステージフィルムの１１０℃での溶融粘度は、好ましくは１５Ｐａ・ｓ以上、好ましくは２５０Ｐａ・ｓ以下である。
【００２７】
熱による寸法変化がより一層小さく、かつ埋め込み性がより一層良好な硬化物を得る観点からは、上記Ｂステージフィルムにおいて、８０℃での上記溶融粘度の１２０℃での上記溶融粘度に対する比（８０℃での溶融粘度／１２０℃での溶融粘度）は、好ましくは１．５以上、より好ましくは２以上、更に好ましくは３以上、好ましくは５０以下、より好ましくは２０以下、更に好ましくは１５以下である。
【００２８】
硬化物の熱による寸法変化をより一層抑制する観点からは、熱硬化後の硬化物のガラス転移温度以下の熱線膨張係数が３５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、８０℃での上記溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以上、９００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ熱硬化後の硬化物のガラス転移温度以下の熱線膨張係数が３５ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。
【００２９】
Ｂステージフィルムのラミネート温度（例えば、８０℃〜１２０℃）で樹脂流れを少なくし、かつＢステージフィルムを回路基板の穴又は凹凸に隙間なくラミネートし、基板上で厚みを十分に確保し、硬化後に絶縁信頼性が十分に高くなるように架橋構造を形成する観点からは、分子量が１０００以下であるエポキシ樹脂を用いることが好ましく、分子量が１０００以下である硬化剤を用いることが好ましく、ビニルシラン等の低極性のカップリング剤で表面処理されたシリカを用いることが好ましく、重量平均分子量が５００００以下であるフェノキシ樹脂を用いることが好ましい。Ｂステージフィルムの８０℃での溶融粘度を１００Ｐａ・ｓ以上、１５００Ｐａ・ｓ以下、かつ１２０℃での溶融粘度を１０Ｐａ・ｓ以上、１００Ｐａ・ｓ以下にするために、エポキシ樹脂などの配合成分を適宜選択して組み合わせることが重要である。
【００３０】
以下、上記樹脂組成物及び上記Ｂステージフィルムに含まれている各成分、並びに含まれることが好ましい各成分の詳細を説明する。
【００３１】
［熱硬化性樹脂］
上記樹脂組成物及び上記Ｂステージフィルムはそれぞれ、エポキシ樹脂を含む。該エポキシ樹脂は、少なくとも１個のエポキシ基を有する有機化合物をいう。
【００３２】
上記エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ樹脂、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３３】
上記エポキシ樹脂は、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂を含むことが好ましい。該ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂の使用により、硬化物の熱による寸法変化がより一層小さくなり、かつ凹凸表面に埋め込まれたＢステージフィルムの表面の平坦性がより一層高くなる。上記ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３４】
また、従来のエポキシ樹脂を含む樹脂組成物において、硬化物の熱による寸法変化を小さくするためには、すなわち線膨張率を低くするためには、シリカなどの無機充填材を多く配合する必要がある。また、多層プリント配線板などの多層基板では、硬化物の表面には平坦性が求められる一方で、導電層の密着性を高めたり、ビア内のスミアを除去したりするために硬化物の表面が粗化処理又はデスミア処理されることがある。硬化物の線膨張率を低くするために無機充填材を多く配合すると、硬化物の表面を粗化処理又はデスミア処理したときに、表面の表面粗さが大きくなる。
【００３５】
これに対して、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂の使用により、硬化物の熱による寸法変化を小さくすることができ、しかも粗化処理又はデスミア処理された硬化物の表面の表面粗さを小さくすることができる。さらに、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂の使用により、Ｂステージフィルムのラミネート時に、樹脂流れが少なくなり、かつＢステージフィルムを回路基板の穴又は凹凸に隙間なくラミネートすることが容易になる。
【００３６】
上記ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂の市販品としては、ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ−１５１４」及び「ＥＸＡ−１５１７」、並びに三菱化学社製の「ＹＬ７４８７」及び「ＹＬ７４５９」等が挙げられる。
【００３７】
硬化物の熱による寸法変化をより一層小さくし、かつ粗化処理又はデスミア処理された硬化物の表面の表面粗さをより一層小さくする観点からは、上記ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂は、２官能以上のビスフェノールＳ型エポキシ樹脂であることが好ましい。
【００３８】
粗化処理又はデスミア処理された硬化物の表面の表面粗さをより一層小さくする観点からは、上記エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは９０以上、より好ましくは１００以上、好ましくは１０００以下、より好ましくは８００以下である。
【００３９】
上記エポキシ樹脂の分子量は１０００以下であることが好ましい。この場合には、樹脂組成物における無機充填材の含有量を多くすることができる。さらに、無機充填材の含有量が多くても、流動性が高い樹脂組成物が得られる。一方で、分子量が１０００以下であるエポキシ樹脂とフェノキシ樹脂との併用により、Ｂステージフィルムの溶融粘度の低下を抑制できる。このため、Ｂステージフィルムを基板上にラミネートした場合に、無機充填材を均一に存在させることができる。
【００４０】
上記エポキシ樹脂の分子量及び後述する硬化剤の分子量は、上記エポキシ樹脂又は硬化剤が重合体ではない場合、及び上記エポキシ樹脂又は硬化剤の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記エポキシ樹脂又は硬化剤が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。
【００４１】
Ｂステージフィルムのラミネート時に、樹脂流れを小さくし、かつＢステージフィルムを回路基板の穴又は凹凸により一層隙間なくラミネートする観点からは、上記樹脂組成物及び上記Ｂステージフィルムは、２３℃で液状の熱硬化性樹脂を含むことが好ましく、２３℃で液状のエポキシ樹脂を含むことがより好ましい。上記エポキシ樹脂は、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂であることが好ましい。ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂の使用により、硬化物の熱線膨張係数がより一層小さくなる。また、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂の使用により、無機充填材をより一層高密度で充填することが可能になる。
【００４２】
上記樹脂組成物及び上記Ｂステージフィルムに含まれている上記無機充填材を除く全固形分（以下、上記全固形分Ｂと略記することがある）１００重量％中、上記エポキシ樹脂の含有量は好ましくは２０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは４５重量％以上、好ましくは６０重量％以下、より好ましくは５５重量％以下である。上記エポキシ樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、より一層良好な硬化物が得られ、溶融粘度を調整することができるために無機充填材の分散性が良好になり、かつ硬化過程で意図しない領域にＢステージフィルムが濡れ拡がり難くなる。さらに、硬化物の熱による寸法変化をより一層抑制できる。また、上記エポキシ樹脂の含有量が上記下限未満であると、Ｂステージフィルムの回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込みが困難になる傾向があり、さらに無機充填材が不均一に存在しやすくなる傾向がある。また、上記エポキシ樹脂の含有量が上記上限を超えると、溶融粘度が低くなりすぎて硬化過程で、意図しない領域にＢステージフィルムが濡れ拡がりやすくなる傾向がある。なお、「全固形分Ｂ」とは、上記エポキシ樹脂と上記硬化剤と必要に応じて配合される他の固形分との総和をいう。全固形分Ｂには、無機充填材は含まれない。充填材を用いない場合には、上記全固形分Ｂ１００重量％は、上記樹脂組成物及び上記Ｂステージフィルムに含まれている全固形分１００重量％を意味する。充填材を用いる場合には、上記全固形分Ｂ１００重量％は、上記樹脂組成物及び上記Ｂステージフィルムに含まれている充填材を除く全固形分１００重量％を意味する。「固形分」とは、不揮発成分であり、成形又は加熱時に揮発しない成分をいう。
【００４３】
特に、本発明では、上記全固形分Ｂ１００重量％中、上記エポキシ樹脂の含有量が４０重量％以上、６０重量％以下である場合には、熱による寸法変化がより一層小さく、かつ埋め込み性がより一層良好な硬化物が得られる。
【００４４】
上記エポキシ樹脂は、常温（２３℃）で液状であってもよく、固形であってもよい。Ｂステージフィルムの取り扱い性(ハンドリング性)を高める観点からは、上記熱硬化性樹脂材料は、常温（２３℃）で液状であるエポキシ樹脂を含むことが好ましい。上記全固形分Ｂ１００重量％中、エポキシ樹脂の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２５重量％以上、好ましくは８０重量％以下である。常温で液状であるエポキシ樹脂の含有量が上記下限以上であると、熱硬化性樹脂材料における充填材の含有量を多くすることが容易である。
【００４５】
［硬化剤］
上記樹脂組成物及び上記Ｂステージフィルムはそれぞれ、硬化剤を含む。該硬化剤としては、フェノール化合物（フェノール硬化剤）、アミン化合物（アミン硬化剤）、チオール化合物（チオール硬化剤）、活性エステル化合物（活性エステル硬化剤）、イミダゾール化合物、ホスフィン化合物及び酸無水物等が挙げられる。
【００４６】
上記硬化剤は、アミノトリアジン骨格を有する硬化剤を含むことが好ましい。該アミノトリアジン骨格を有する硬化剤の使用により、硬化物の熱による寸法変化がより一層小さくなる。
【００４７】
上記アミノトリアジン骨格を有する硬化剤として、アミノトリアジン骨格を有するフェノール化合物（フェノール硬化剤）を用いてもよく、アミノトリアジン骨格を有するアミン化合物（アミン硬化剤）を用いてもよく、アミノトリアジン骨格を有するチオール化合物（チオール硬化剤）を用いてもよく、アミノトリアジン骨格を有するイミダゾール化合物を用いてもよく、アミノトリアジン骨格を有するホスフィン化合物を用いてもよい。上記アミノトリアジン骨格を有する硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４８】
上記アミノトリアジン骨格を有する硬化剤の市販品としては、フェノール化合物の例としてＤＩＣ社製「ＬＡ１３５６」及び「ＬＡ３０１８−５０Ｐ」等が挙げられ、アミン化合物の例として三井化学工業社製「メラミン」等が挙げられる。
【００４９】
上記活性エステル化合物は特に限定されない。該活性エステル化合物として、従来公知の活性エステル化合物を使用可能である。上記活性エステル化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また、上記活性エステル硬化剤の具体例は、例えば、特開２００２−１２６５０号公報に開示されている。
【００５０】
上記活性エステル化合物の市販品としては、例えば、ＥＸＢ９４５１、ＥＸＢ９４６０、ＥＸＢ９４６０Ｓ−６５Ｔ、ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ（ＤＩＣ社製、活性基当量約２２３）、ＤＣ８０８（フェノールノボラックのアセチル化物、三菱化学社製、活性基当量約１４９）、ＹＬＨ１０２６（フェノールノボラックのベンゾイル化物、三菱化学社製、活性基当量約２００）、ＹＬＨ１０３０（三菱化学社製、活性基当量約２０１）、並びにＹＬＨ１０４８（三菱化学社製、活性基当量約２４５）等が挙げられる。
【００５１】
熱による寸法変化がより一層小さい硬化物を得る観点からは、上記アミノトリアジン骨格を有する硬化剤は、アミン化合物又はフェノール化合物であることが好ましい。上記アミノトリアジン骨格を有する硬化剤は、アミン化合物であることが好ましく、フェノール化合物であることも好ましい。上記アミノトリアジン骨格を有する硬化剤は、上記エポキシ樹脂のエポキシ基と反応可能な官能基を有することが好ましい。
【００５２】
粗化処理又はデスミア処理された硬化物の表面の表面粗さをより一層小さくし、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成する観点からは、上記アミノトリアジン骨格を有する硬化剤は、フェノール化合物又はアミン化合物であることが好ましい。該フェノール化合物及び該アミン化合物の使用により、硬化物と金属層との密着性がより一層高くなる。また、上記フェノール化合物及び上記アミン化合物の使用により、例えば、硬化物の表面上に設けられた銅の表面を黒化処理又はＣｚ処理することにより、硬化物と銅との密着性がより一層高くなる。
【００５３】
上記フェノール化合物は特に限定されない。該フェノール化合物として、従来公知のフェノール化合物を使用可能である。上記フェノール化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５４】
上記フェノール化合物としては、ノボラック型フェノール、ビフェノール型フェノール、ナフタレン型フェノール、ジシクロペンタジエン型フェノール、アラルキル型フェノール及びジシクロペンタジエン型フェノール等が挙げられる。
【００５５】
上記アミン化合物は特に限定されない。該アミン化合物として、従来公知のアミン化合物を使用可能である。上記アミン化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５６】
上記アミン化合物としては、メラミン、グアナミン、ベンゾグアナミン及びアセトグアナミン等が挙げられる。
【００５７】
粗化処理又はデスミア処理された硬化物の表面の表面粗さをより一層小さくし、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成する観点からは、上記フェノール化合物は、ビフェニルノボラック型フェノール、又はアラルキル型フェノール化合物であることが好ましい。
【００５８】
熱による寸法変化を効果的に小さくし、かつ埋め込み性がより一層良好な硬化物を得る観点からは、上記アミノトリアジン骨格を有する硬化剤は、アミノトリアジン骨格を有するフェノール化合物であることが特に好ましい。
【００５９】
粗化処理又はデスミア処理された硬化物の表面の表面粗さをより一層小さくし、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成し、かつ硬化剤によってより一層良好な絶縁信頼性を付与する観点からは、上記硬化剤は、当量が２５０以下である硬化剤を含むことが好ましい。上記硬化剤の当量は、例えば、上記硬化剤がフェノール化合物である場合にはフェノール性水酸基当量を示し、上記硬化剤がアミン化合物である場合にはアミン基当量を示す。
【００６０】
上記硬化剤の分子量は１０００以下であることが好ましい。この場合には、Ｂステージフィルムにおける無機充填材の含有量を多くすることができ、無機充填材の含有量が多くても、流動性が高いＢステージフィルムを得ることができる。一方で、分子量が１０００以下である硬化剤とフェノキシ樹脂との併用により、Ｂステージフィルムの溶融粘度の過度の低下を抑制できる。このため、Ｂステージフィルムを基板上にラミネートした場合に、無機充填材を均一に存在させることができる。
【００６１】
上記全固形分Ｂ１００重量％中、上記硬化剤の含有量は好ましくは１重量％以上、より１０重量％以上、更に好ましくは１３重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、更に好ましくは１８重量％以下である。上記硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、より一層良好な硬化物が得られ、溶融粘度を調整することができるために無機充填材の分散性が良好になり、かつ硬化過程で意図しない領域にＢステージフィルムが濡れ拡がり難くなる。さらに、硬化物の熱による寸法変化をより一層抑制できる。また、上記硬化剤の含有量が上記下限未満であると、樹脂の硬化不足が発生し、硬化後に信頼性が低くなる傾向がある。また、上記硬化剤の含有量が上記上限を超えると、樹脂の不均一性が増加し、硬化後に信頼性が低下する傾向がある。
【００６２】
また、上記硬化剤の量が少ないと、Ｂステージフィルムの回路基板の穴又は凹凸への埋め込み性は良好になる一方で、Ｂステージフィルムのラミネート時に粘度が過度に低くなりやすく、ラミネート時に樹脂流れが多くなり、厚みの制御が困難になったり、必要な厚みの維持が困難になったりする傾向がある。さらに、上記硬化剤の量が十分に多いと、硬化後にガラス転移温度が十分に高くなり、十分な架橋構造をでき、絶縁信頼性等を十分に高くすることができる。本発明では、Ｂステージフィルムのラミネート温度で樹脂流れを小さくし、かつＢステージフィルムを回路基板の穴又は凹凸に隙間なくラミネートし、基板上で厚みを十分に確保し、硬化後に絶縁信頼性が十分に高くなるように架橋構造を形成可能であることが好ましい。この観点から、上記硬化剤の含有量は上記下限以上であることが好ましく、上記上限以下であることが好ましい。
【００６３】
特に、上記全固形分１００重量％中、上記硬化剤の含有量が１０重量％以上、２０重量％以下である場合には、熱による寸法変化が小さく、かつ埋め込み性が良好な硬化物を得ることができる。
【００６４】
上記エポキシ樹脂と上記硬化剤との配合比は特に限定されない。上記エポキシ樹脂と上記硬化剤との配合比は、適宜変更可能である。
【００６５】
［無機充填材］
上記樹脂組成物及び上記Ｂステージフィルムに含まれている無機充填材は特に限定されない。該無機充填材として、従来公知の無機充填材を使用可能である。上記無機充填材は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６６】
上記無機充填材としては、シリカ、タルク、クレイ、マイカ、ハイドロタルサイト、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素等が挙げられる。粗化処理又はデスミア処理された硬化物の表面の表面粗さを小さくし、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成し、かつ硬化物により良好な絶縁信頼性を付与する観点からは、上記無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましく、シリカであることがより好ましく、溶融シリカであることが更に好ましい。シリカの使用により、硬化物の線膨張率がより一層低くなり、かつ粗化処理又はデスミア処理された硬化物の表面の表面粗さが効果的に小さくなる。シリカの形状は略球状であることが好ましい。
【００６７】
上記無機充填材の平均粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下である。上記無機充填材の平均粒子径として、５０％となるメディアン径（ｄ５０）の値が採用される。上記平均粒子径は、レーザー回折散乱方式の粒度分布測定装置を用いて測定できる。
【００６８】
上記無機充填材は、表面処理されていることが好ましく、カップリング剤により表面処理されていることがより好ましい。これにより、粗化処理又はデスミア処理された硬化物の表面の表面粗さがより一層小さくなり、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成することができ、かつ硬化物により良好な配線間絶縁信頼性及び層間絶縁信頼性を付与することができる。
【００６９】
上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、アミノシラン、イミダゾールシラン、エポキシシラン及びビニルシラン等が挙げられる。
【００７０】
熱による寸法変化がより一層小さく、かつ埋め込み性がより一層良好な硬化物を得る観点からは、上記無機充填材は、ビニルシランにより表面処理されたシリカを含むことが好ましい。
【００７１】
上記無機充填材の含有量は特に限定されない。上記樹脂組成物又は上記Ｂステージフィルムに含まれている全固形分（以下、全固形分Ａと略記することがある）１００重量％中、上記無機充填材の含有量は好ましくは４０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、好ましくは８５重量％以下、より好ましくは８０重量％以下である。上記無機充填材の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、粗化処理又はデスミア処理された硬化物の表面の表面粗さがより一層小さくなり、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成することができると同時に、この無機充填材量であれば金属銅並に硬化物の熱線膨張係数を低くすることも可能である。「全固形分Ａ」とは、上記エポキシ樹脂と上記硬化剤と上記無機充填材と必要に応じて配合される固形分との総和をいう。「固形分」とは、不揮発成分であり、成形又は加熱時に揮発しない成分をいう。
【００７２】
上記全固形分Ａ１００重量％中の上記無機充填材の含有量が４０重量％以上である場合に、硬化物の熱による寸法変化がより一層小さくなり、更に上記ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂と上記アミノトリアジン骨格を有する硬化剤との併用により、硬化物の熱寸法安定性の向上効果が特に大きくなる。
【００７３】
［フェノキシ樹脂］
上記樹脂組成物及び上記Ｂステージフィルムはそれぞれ、フェノキシ樹脂を含むことが好ましい。該フェノキシ樹脂の使用により、溶融粘度を調整することができるために無機充填材の分散性が良好になり、かつ硬化過程で意図しない領域にＢステージフィルムが濡れ拡がり難くなる。またフェノキシ樹脂の添加量を所定の範囲内にすることで、Ｂステージフィルムの回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込み性の悪化が抑えられ、無機充填材の不均一化が生じ難くなる。
【００７４】
上記フェノキシ樹脂は特に限定されず、従来公知のフェノキシ樹脂を使用可能である。上記フェノキシ樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７５】
上記フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型の骨格、ビスフェノールＦ型の骨格、ビスフェノールＳ型の骨格、ビフェニル骨格、ノボラック骨格、及びナフタレン骨格などの骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。
【００７６】
上記熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは５０００以上、好ましくは１０００００以下である。上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。
【００７７】
上記フェノキシ樹脂の市販品としては、例えば、東都化成社製の「ＹＰ５０」、「ＹＰ５５」及び「ＹＰ７０」、並びに三菱化学社製の「１２５６Ｂ４０」、「４２５０」、「４２５６Ｈ４０」、「４２７５」、「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」及び「ＹＸ８１００ＢＨ３０」などが挙げられる。
【００７８】
硬化物と金属層との接着強度が高くなるので、上記他のフェノキシ樹脂は、ビフェニル骨格を有することが好ましく、ビフェノール骨格を有することがより好ましい。
【００７９】
また、フェノキシ樹脂は、溶融粘度を向上させる性質があり、硬化物の熱による寸法変化の抑制に寄与する。
【００８０】
上記全固形分Ｂ１００重量％中、上記フェノキシ樹脂の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、好ましくは１５重量％以下、より好ましくは１０重量％以下である。上記フェノキシ樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物の熱による寸法変化をより一層抑制できる。また、Ｂステージフィルムの回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込み性が良好になる。
【００８１】
［他の成分］
上記樹脂組成物及び上記Ｂステージフィルムはそれぞれ、必要に応じて硬化促進剤を含んでいてもよい。該硬化促進剤の使用により、硬化速度がより一層速くなる。Ｂステージフィルムを速やかに硬化させることで、硬化物の架橋構造が均一になると共に、未反応の官能基数が減り、結果的に架橋密度が高くなる。上記硬化促進剤は特に限定されず、従来公知の硬化促進剤を使用可能である。上記硬化促進剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８２】
上記硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。
【００８３】
上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
【００８４】
上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン等が挙げられる。
【００８５】
上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン及び４，４−ジメチルアミノピリジン等が挙げられる。
【００８６】
上記有機金属化合物としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【００８７】
硬化物の絶縁信頼性を高める観点からは、上記硬化促進剤は、イミダゾール化合物であることが特に好ましい。
【００８８】
上記硬化促進剤の含有量は特に限定されない。Ｂステージフィルムを効率的に硬化させる観点からは、上記全固形分Ｂ１００重量％中、上記硬化促進剤の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、好ましくは３重量％以下である。
【００８９】
また、上記硬化促進剤の量が少ないと、Ｂステージフィルムの回路基板の穴又は凹凸への埋め込み性は良好になる一方で、Ｂステージフィルムのラミネート時に粘度が過度に低くなりやすく、ラミネート時に樹脂流れが多くなり、厚みの制御が困難になったり、必要な厚みの維持が困難になったりする傾向がある。さらに、上記硬化促進剤の量が十分に多いと、硬化後にガラス転移温度が十分に高くなり、十分な架橋構造をでき、絶縁信頼性等を十分に高くすることができる。本発明では、Ｂステージフィルムのラミネート温度で、樹脂流れを小さくし、かつＢステージフィルムを回路基板の穴又は凹凸に隙間なくラミネートし、基板上で厚みを十分に確保し、硬化後に絶縁信頼性が十分に高くなるように架橋構造を形成可能であることが好ましい。この観点から、上記硬化促進剤の含有量は上記下限以上であることが好ましく、上記上限以下であることが好ましい。
【００９０】
耐衝撃性、耐熱性、樹脂の相溶性及び作業性等の改善を目的として、上記樹脂組成物及び上記Ｂステージフィルムにはそれぞれ、カップリング剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線劣化防止剤、消泡剤、増粘剤、揺変性付与剤及び上述した樹脂以外の他の樹脂等を添加してもよい。
【００９１】
上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、ビニルシラン、アミノシラン、イミダゾールシラン及びエポキシシラン等が挙げられる。
【００９２】
上記カップリング剤の含有量は特に限定されない。上記全固形分Ｂ１００重量％中、上記カップリング剤の含有量は０．０１重量％以上、５重量％以下であることが好ましい。
【００９３】
上記他の樹脂としては、ポリフェニレンエーテル樹脂、ジビニルベンジルエーテル樹脂、ポリアリレート樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ベンゾオキサゾール樹脂、ビスマレイミド樹脂及びアクリレート樹脂等が挙げられる。
【００９４】
（Ｂステージフィルム）
上記樹脂組成物をフィルム状に成形する方法としては、例えば、押出機を用いて、樹脂組成物を溶融混練し、押出した後、Ｔダイ又はサーキュラーダイ等により、フィルム状に成形する押出成形法、樹脂組成物を有機溶剤等の溶剤に溶解又は分散させた後、キャスティングしてフィルム状に成形するキャスティング成形法、並びに従来公知のその他のフィルム成形法等が挙げられる。なかでも、薄型化を進めることができるので、押出成形法又はキャスティング成形法が好ましい。フィルムにはシートが含まれる。
【００９５】
上記樹脂組成物をフィルム状に成形し、熱による硬化が進行し過ぎない程度に、例えば９０〜２００℃で１０〜１８０分間加熱乾燥させることにより、Ｂステージフィルムを得ることができる。
【００９６】
上述のような乾燥工程により得ることができるフィルム状の樹脂組成物をＢステージフィルムと称する。
【００９７】
上記Ｂステージフィルムは、半硬化状態にある半硬化物である。半硬化物は、完全に硬化しておらず、硬化がさらに進行され得る。
【００９８】
上記樹脂組成物は、基材と、該基材の一方の表面に積層されたＢステージフィルムとを備える積層フィルムを形成するために好適に用いることができる。積層フィルムのＢステージフィルムが、上記樹脂組成物により形成される。
【００９９】
上記積層フィルムの上記基材としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム及びポリブチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル樹脂フィルム、ポリエチレンフィルム及びポリプロピレンフィルムなどのオレフィン樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、銅箔及びアルミニウム箔などの金属箔等が挙げられる。上記基材の表面は、必要に応じて、離型処理されていてもよい。
【０１００】
上記Ｂステージフィルムを回路の絶縁層として用いる場合、Ｂステージフィルムにより形成された層の厚さは、回路を形成する導体層の厚さ以上であることが好ましい。上記Ｂステージフィルムにより形成された層の厚さは、好ましくは５μｍ以上、好ましくは２００μｍ以下である。
【０１０１】
（プリント配線板）
上記Ｂステージフィルムは、プリント配線板において絶縁層を形成するために好適に用いられる。
【０１０２】
上記プリント配線板は、例えば、上記樹脂組成物により形成されたＢステージフィルムを用いて、該Ｂステージフィルムを加熱加圧成形することにより得られる。
【０１０３】
上記Ｂステージフィルムに対して、片面又は両面に金属箔を積層できる。上記Ｂステージフィルムと金属箔とを積層する方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、平行平板プレス機又はロールラミネーター等の装置を用いて、加熱しながら又は加熱せずに加圧しながら、上記Ｂステージフィルムを金属箔に積層できる。
【０１０４】
（銅張り積層板及び多層基板）
上記Ｂステージフィルムは、銅張り積層板を得るために好適に用いられる。上記銅張り積層板の一例として、銅箔と、該銅箔の一方の表面に積層されたＢステージフィルムとを備える銅張り積層板が挙げられる。
【０１０５】
上記銅張り積層板の上記銅箔の厚さは特に限定されない。上記銅箔の厚さは、１〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。また、Ｂステージフィルムを硬化させた硬化物層と銅箔との接着強度を高めるために、上記銅箔は微細な凹凸を表面に有することが好ましい。凹凸の形成方法は特に限定されない。上記凹凸の形成方法としては、公知の薬液を用いた処理による形成方法等が挙げられる。
【０１０６】
また、本発明に係るＢステージフィルムは、多層基板を得るために好適に用いられる。上記多層基板の一例として、回路基板と、該回路基板の表面上に積層された硬化物層とを備える多層基板が挙げられる。この多層基板の硬化物層が、上記Ｂステージフィルムを硬化させることにより形成される。上記硬化物層は、回路基板の回路が設けられた表面上に積層されていることが好ましい。上記硬化物層の一部は、上記回路間に埋め込まれていることが好ましい。
【０１０７】
上記多層基板では、上記硬化物層の上記回路基板が積層された表面とは反対側の表面が粗化処理又はデスミア処理されていることが好ましく、粗化処理されていることがより好ましい。
【０１０８】
粗化処理方法は、従来公知の粗化処理方法を用いることができ特に限定されない。上記硬化物層の表面は、粗化処理の前に膨潤処理されていてもよい。
【０１０９】
また、上記多層基板は、上記硬化物層の粗化処理された表面に積層された銅めっき層をさらに備えることが好ましい。
【０１１０】
また、上記多層基板の他の例として、回路基板と、該回路基板の表面上に積層された硬化物層と、該硬化物層の上記回路基板が積層された表面とは反対側の表面に積層された銅箔とを備える多層基板が挙げられる。上記硬化物層及び上記銅箔が、銅箔と該銅箔の一方の表面に積層されたＢステージフィルムとを備える銅張り積層板を用いて、上記Ｂステージフィルムを硬化させることにより形成されていることが好ましい。さらに、上記銅箔はエッチング処理されており、銅回路であることが好ましい。
【０１１１】
上記多層基板の他の例として、回路基板と、該回路基板の表面上に積層された複数の硬化物層とを備える多層基板が挙げられる。上記複数層の硬化物層の内の少なくとも１層がが、上記Ｂステージフィルムを硬化させることにより形成される。上記多層基板は、上記Ｂステージフィルムを硬化させることにより形成されている上記硬化物層の少なくとも一方の表面に積層されている回路をさらに備えることが好ましい。
【０１１２】
図１に、本発明の一実施形態に係るＢステージフィルムを用いた多層基板を模式的に部分切欠正面断面図で示す。
【０１１３】
図１に示す多層基板１１では、回路基板１２の上面１２ａに、複数層の硬化物層１３〜１６が積層されている。硬化物層１３〜１６は、絶縁層である。回路基板１２の上面１２ａの一部の領域には、金属層１７が形成されている。複数層の硬化物層１３〜１６のうち、回路基板１２側とは反対の外側の表面に位置する硬化物層１６以外の硬化物層１３〜１５には、上面の一部の領域に金属層１７が形成されている。金属層１７は回路である。回路基板１２と硬化物層１３の間、及び積層された硬化物層１３〜１６の各層間に、金属層１７がそれぞれ配置されている。下方の金属層１７と上方の金属層１７とは、図示しないビアホール接続及びスルーホール接続の内の少なくとも一方により互いに接続されている。
【０１１４】
多層基板１１では、硬化物層１３〜１６が、本発明に係るＢステージフィルムを硬化させることにより形成されている。本実施形態では、硬化物層１３〜１６の表面が粗化処理又はデスミア処理されているので、硬化物層１３〜１６の表面に図示しない微細な孔が形成されている。また、微細な孔の内部に金属層１７が至っている。また、多層基板１１では、金属層１７の幅方向寸法（Ｌ）と、金属層１７が形成されていない部分の幅方向寸法（Ｓ）とを小さくすることができる。また、多層基板１１では、図示しないビアホール接続及びスルーホール接続で接続されていない上方の金属層と下方の金属層との間に、良好な絶縁信頼性が付与されている。
【０１１５】
（粗化処理及び膨潤処理）
本発明に係るＢステージフィルムは、粗化処理又はデスミア処理される硬化物を得るために用いられることが好ましい。上記硬化物には、更に硬化が可能な予備硬化物も含まれる。
【０１１６】
本発明に係るＢステージフィルムを予備硬化させることにより得られた予備硬化物の表面に微細な凹凸を形成するために、予備硬化物は粗化処理されることが好ましい。粗化処理の前に、予備硬化物は膨潤処理されることが好ましい。硬化物は、予備硬化の後、かつ粗化処理される前に、膨潤処理されており、さらに粗化処理の後に硬化されていることが好ましい。ただし、予備硬化物は、必ずしも膨潤処理されなくてもよい。
【０１１７】
上記膨潤処理の方法としては、例えば、エチレングリコールなどを主成分とする化合物の水溶液又は有機溶媒分散溶液などにより、予備硬化物を処理する方法が用いられる。膨潤処理に用いる膨潤液は、一般にｐＨ調整剤などとして、アルカリを含む。膨潤液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。具体的には、例えば、上記膨潤処理は、４０重量％エチレングリコール水溶液等を用いて、処理温度３０〜８５℃で１〜３０分間、予備硬化物を処理することにより行なわれる。上記膨潤処理の温度は５０〜８５℃の範囲内であることが好ましい。上記膨潤処理の温度が低すぎると、膨潤処理に長時間を要し、更に硬化物と金属層との粗化接着強度が低くなる傾向がある。
【０１１８】
上記粗化処理には、例えば、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物などの化学酸化剤等が用いられる。これらの化学酸化剤は、水又は有機溶剤が添加された後、水溶液又は有機溶媒分散溶液として用いられる。粗化処理に用いられる粗化液は、一般にｐＨ調整剤などとしてアルカリを含む。粗化液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。
【０１１９】
上記マンガン化合物としては、過マンガン酸カリウム及び過マンガン酸ナトリウム等が挙げられる。上記クロム化合物としては、重クロム酸カリウム及び無水クロム酸カリウム等が挙げられる。上記過硫酸化合物としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム及び過硫酸アンモニウム等が挙げられる。
【０１２０】
上記粗化処理の方法は特に限定されない。上記粗化処理の方法として、例えば、３０〜９０ｇ／Ｌ過マンガン酸又は過マンガン酸塩溶液及び３０〜９０ｇ／Ｌ水酸化ナトリウム溶液を用いて、処理温度３０〜８５℃及び１〜３０分間の条件で、１回又は２回、予備硬化物を処理する方法が好適である。上記粗化処理の温度は５０〜８５℃の範囲内であることが好ましい。
【０１２１】
デスミア処理又は粗化処理された硬化物の表面の算術平均粗さＲａが、５０ｎｍ以上、３５０ｎｍ以下であることが好ましい。この場合には、硬化物と金属層又は配線との接着強度が高くなり、更に硬化物層の表面により一層微細な配線を形成することができる。
【０１２２】
（デスミア処理）
また、本発明に係るＢステージフィルムを予備硬化させることにより得られた予備硬化物又は硬化物に、貫通孔が形成されることがある。上記多層基板などでは、貫通孔として、ビア又はスルーホール等が形成される。例えば、ビアは、ＣＯ２レーザー等のレーザーの照射により形成できる。ビアの直径は特に限定されないが、６０〜８０μｍ程度である。上記貫通孔の形成により、ビア内の底部には、硬化物層に含まれている樹脂成分に由来する樹脂の残渣であるスミアが形成されることが多い。
【０１２３】
上記スミアを除去するために、硬化物層の表面は、デスミア処理されることが好ましい。デスミア処理が粗化処理を兼ねることもある。
【０１２４】
上記デスミア処理には、上記粗化処理と同様に、例えば、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物などの化学酸化剤等が用いられる。これらの化学酸化剤は、水又は有機溶剤が添加された後、水溶液又は有機溶媒分散溶液として用いられる。デスミア処理に用いられるデスミア処理液は、一般にアルカリを含む。デスミア処理液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。
【０１２５】
上記デスミア処理の方法は特に限定されない。上記デスミア処理の方法として、例えば、３０〜９０ｇ／Ｌ過マンガン酸又は過マンガン酸塩溶液及び３０〜９０ｇ／Ｌ水酸化ナトリウム溶液を用いて、処理温度３０〜８５℃及び１〜３０分間の条件で、１回又は２回、予備硬化物又は硬化物を処理する方法が好適である。上記デスミア処理の温度は５０〜８５℃の範囲内であることが好ましい。
【０１２６】
本発明に係るＢステージフィルムの使用により、デスミア処理された硬化物の表面の表面粗さを十分に小さくすることができる。
【０１２７】
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【０１２８】
（エポキシ樹脂）
ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−１５１７」、分子量１０００以下）
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「８３０Ｓ」、エポキシ当量１６８、分子量５００以下）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＲＥ−４１０Ｓ」、エポキシ当量１７８、分子量５００）
【０１２９】
（硬化剤）
アミノトリアジン骨格フェノールノボラック硬化剤含有液（ＤＩＣ社製「ＬＡ１３５６」、固形分６０重量％、分子量１０００以下）
活性エステル硬化剤（ＤＩＣ社製「ＥＸＢ９４６０」、分子量１０００以下）
フェノール硬化剤（明和化成社製「ＭＥＨ７８５１−４Ｈ」、分子量約３０００）
【０１３０】
（無機充填材）
シリカ含有スラリー１（アドマテックス社製「ＳＣ２０５０ＨＮＦ」、平均粒子径０．５μｍの溶融シリカを含む、固形分７０重量％とシクロヘキサノン３０重量％とを含む）  シリカ含有スラリー２（アドマテックス社製「ＳＣ２０５０ＦＪＣ」、平均粒子径０．５μｍの溶融シリカを含む、固形分７０重量％とシクロヘキサノン３０重量％とを含む）
【０１３１】
（フェノキシ樹脂）
フェノキシ樹脂含有液（三菱化学社製「ＹＸ６９５４−ＢＨ３０」、固形分３０重量％）
【０１３２】
（硬化促進剤）
イミダゾール化合物（２−フェニル−４−メチルイミダゾール、四国化成工業社製「２Ｐ４ＭＺ」）
【０１３３】
（実施例１）
上記ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−１５１７」）５０重量部、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「８３０Ｓ」）２３．８重量部、アミノトリアジン骨格フェノールノボラック硬化剤含有液（ＤＩＣ社製「ＬＡ１３５６」、固形分６０重量％）を固形分で１５重量部（溶剤を含めて２５重量部）、イミダゾール化合物（四国化成工業社製「２Ｐ４ＭＺ」）０．２重量部、フェノキシ樹脂含有液（三菱化学社製「ＹＸ６９５４−ＢＨ３０」、固形分３０重量％）を固形分で１０重量部（溶剤を含めて３３．３重量部）、及びシリカ含有スラリー１（固形分７０重量％）を固形分で３４４重量部（溶剤を含めて４９２重量部）を混合し、均一な液となるまで常温でディスパを用いて攪拌し、樹脂組成物ワニスを調製した。
【０１３４】
離型処理された透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１１  ５５０」、厚み５０μｍ）を用意した。このＰＥＴフィルムの離型処理面上にアプリケーターを用いて、乾燥後の厚みが５０μｍとなるように、得られた樹脂組成物ワニスを塗工した。次に、１００℃のギアオーブン内で２分間乾燥して、縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ×厚み５０μｍの樹脂シートの未硬化物（Ｂステージフィルム）とポリエチレンテレフタレートフィルムとの積層フィルムを作製した。
【０１３５】
（実施例２〜４及び比較例１，２）
使用した配合成分の種類及び配合量（固形分重量部）を下記の表１に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物ワニスを調製し、積層フィルムを作製した。
【０１３６】
（評価）
（１）溶融粘度
得られた積層フィルムにおいて、離型フィルムをＢステージフィルムから剥離した。
【０１３７】
Ｒｈｅｏｍｅｔｅｒ装置（ＴＡインスツルメント社製「ＡＲ−２０００」）を用いて、歪み２１．６％及び周波数１Ｈｚの条件で、Ｂステージフィルムの８０℃〜１２０℃での溶融粘度を測定した。下記の表１に、８０℃、９０℃、１００℃、１１０℃、１２０での溶融粘度を示した。
【０１３８】
（２）熱線膨張係数
得られた積層フィルムにおいて、離型フィルムをＢステージフィルムから剥離した。Ｂステージフィルムを１９０℃で３時間加熱して硬化させ、硬化物Ａを得た。得られた硬化物Ａを、３ｍｍ×２５ｍｍの大きさに切断した。線膨張率計（セイコーインスツルメンツ社製「ＴＭＡ／ＳＳ１２０Ｃ」）を用いて、引張り荷重３．３×１０−２Ｎ、昇温速度５℃／分の条件で、裁断された硬化物のガラス転移温度以下での熱線膨張係数（α１）を測定した。
【０１３９】
（３）埋め込み性（ラミネート性）
銅張り積層板（厚さ１５０μｍのガラスエポキシ基板と厚さ２５μｍの銅箔との積層体）を用意した。銅箔をエッチング処理し、Ｌ／Ｓが５０μｍ／５０μｍ及び長さが１ｃｍである銅パターンを２６本作製し、凹凸基板を得た。
【０１４０】
実施例及び比較例で得られたＢステージフィルム（厚さ５０μｍ）を凹凸基板の凹凸表面に重ねて、真空加圧式ラミネーター機（名機製作所製「ＭＶＬＰ−５００」）を用い、ラミネート圧０．４ＭＰａ及びラミネート温度９０℃で２０秒、更にプレス圧力０．８ＭＰａ及びプレス温度９０℃で２０秒の各条件で、ラミネート及びプレスした。このようにして、凹凸基板上にＢステージフィルムが積層されている積層体を得た。
【０１４１】
得られた積層体において、Ｂステージフィルムを１８０℃のギアオーブン内で８０分間加熱して、硬化物Ｃを得た。
【０１４２】
［埋め込み性の評価］
硬化物Ｃを、各銅パターンの長手方向に直交する方向に切断し、硬化物Ｃの断面を露出させた。
【０１４３】
次に、各銅パターン間の銅パターンが形成されていない部分（凹部）に対応する硬化物Ｃ部分の状態を、光学顕微鏡を用いて観察した。銅パターンが形成されていない部分（凹部）に対応する硬化物Ｃ部分２５箇所中、埋め込みができていない箇所の数Ｔ１を計測し、凹凸表面に対する硬化物Ｃの密着性（埋め込み性）を評価した。
【０１４４】
さらに、光学顕微鏡を用いて、銅パターン（凸部）に対応する硬化物Ｃ部分２６箇所の各厚みを測定した。
【０１４５】
埋め込み性を下記の判定基準で判定した。
【０１４６】
［埋め込み性の判定基準］
○○：埋め込みができていない箇所の数Ｔ１が０かつ各パターン２６箇所全てのパターンにおいて最小厚みが４２μｍ以上
○：埋め込みができていない箇所の数Ｔ１が０かつ各パターン２６箇所全てのパターンにおいて最小厚みが３５μｍ以上４２μｍ未満
×：埋め込みができていない箇所の数Ｔ１が１以上又は各パターン２６箇所全てのパターンにおいて最小厚みが３５μｍ未満
【０１４７】
なお、硬化物Ｃの埋め込み性及び厚みは、ラミネート後のＢステージフィルムの埋め込み性及び厚みと相関がある。
【０１４８】
結果を下記の表１に示す。なお、下記の表１において、粘度比は、８０℃での溶融粘度の１２０℃での溶融粘度に対する比（８０℃での溶融粘度／１２０℃での溶融粘度）を示す。また、下記の表１では、各成分の配合量は「固形分重量部」を単位として記載した。
【０１４９】
【表１】
2013082873.tif 000003
【符号の説明】
【０１５０】
１１…多層基板
１２…回路基板
１２ａ…上面
１３〜１６…硬化物層
１７…金属層（配線）
【図１】
2013082873.tif 000004