(57)【要約】【課題】欠陥の大きさに関わらず、欠陥修正を正確に行うことが可能な欠陥修正装置、欠陥修正方法および欠陥修正プログラムを提供すること。【解決手段】基板を載置するとともに、基板の板面に平行な平面上で撮像部に対して相対的に移動可能なステージと、ステージの移動を制御するとともに、修正処理を行う欠陥修正位置所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを移動させるステージ制御部と、ステージ制御部によるステージ移動によって欠陥修正位置から移動した第１撮像位置において撮像された第１の撮像画像と参照画像とを比較するマッチング部と、マッチング部による判定に基づいて、基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、参照画像をもとに生成するマスク生成部と、レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状を前記マスク画像に応じた形状に整形する光束整形手段と、を備えた。【選択図】図２
2013123721.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を取得する撮像部を有し、前記撮像部が取得した画像を用いて前記基板に対してレーザ光を照射して前記基板上の欠陥の修正処理を行う欠陥修正装置であって、
前記基板を載置するとともに、該基板の板面に平行な平面上で前記撮像部に対して相対的に移動可能なステージと、
前記ステージの移動を制御するとともに、前記修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを移動させるステージ制御部と、
前記ステージ制御部によるステージ移動によって前記欠陥修正位置から移動した第１撮像位置において撮像された第１の撮像画像と参照画像とを比較するマッチング部と、
前記マッチング部による判定に基づいて、前記基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、前記参照画像をもとに生成するマスク生成部と、
レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状を前記マスク画像に応じた形状に整形する光束整形手段と、
を備えたことを特徴とする欠陥修正装置。
【請求項２】
前記マッチング部は、前記ステージ制御部によるステージ移動によって移動した前記第１撮像位置において撮像された第１の撮像画像と前記参照画像とを比較して適合度を算出し、
前記適合度が予め設定された閾値と比して小さいか否かを判断する制御部を備え、
前記ステージ制御部は、前記制御部によって前記適合度が前記閾値以下であると判断された場合、所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを前記第１撮像位置から移動させ、
前記マッチング部が、前記ステージ制御部によるステージ移動によって前記第１撮像位置から移動した第２撮像位置において撮像された第２の撮像画像と、前記参照画像とを比較することを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項３】
前記ステージ制御部は、前記制御部によって前記適合度が前記閾値より大きいと判断された場合、前記ステージを前記欠陥修正位置に移動させ、
前記マッチング部は、前記ステージ制御部によるステージ移動によって前記第１または第２撮像位置から移動した前記欠陥修正位置において撮像された第３の撮像画像と前記第１または第２の撮像画像とを比較して、前記第１または第２の撮像画像と前記第３の撮像画像との間の前記パターンのシフト量を算出し、
前記マスク生成部は、生成したマスク画像に対して、前記シフト量をもとにマスク画像をシフトさせることを特徴とする請求項２に記載の欠陥修正装置。
【請求項４】
前記マスク生成部は、非レーザ照射領域の外縁間の距離より大きく前記マスク部を形成することによって、前記レーザ照射領域を縮小させるエロージョン処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項５】
周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を撮像部によって取得し、前記撮像部が取得した画像を用いて前記基板に対してレーザ光を照射して前記基板上の欠陥の修正処理を行う欠陥修正方法であって、
前記修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを移動させるステージ移動ステップと、
前記ステージ移動ステップによるステージ移動によって前記欠陥修正位置から移動した第１撮像位置において撮像された第１の撮像画像と参照画像とを比較するマッチングステップと、
前記マッチングステップによる判定に基づいて、前記基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、前記参照画像をもとに生成するマスク生成ステップと、
レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状を前記マスク画像に応じた形状に整形する光束整形ステップと、
を含むことを特徴とする欠陥修正方法。
【請求項６】
周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を撮像部によって取得し、前記撮像部が取得した画像を用いて前記基板に対してレーザ光を照射して前記基板上の欠陥の修正処理をコンピュータに実行させるための欠陥修正プログラムであって、
前記修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを移動させるステージ移動手順と、
前記ステージ移動手順によるステージ移動によって前記欠陥修正位置から移動した第１撮像位置において撮像された第１の撮像画像と参照画像とを比較するマッチング手順と、
前記マッチング手順による判定に基づいて、前記基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、前記参照画像をもとに生成するマスク生成手順と、
レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状を前記マスク画像に応じた形状に整形する光束整形ステップと、
を含むことを特徴とする欠陥修正プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種基板へのパターニングプロセスの際に生じたパターニングエラー（欠陥）を修復するための欠陥修正装置、欠陥修正方法および欠陥修正プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ、などのＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）基板や、半導体ウエハや、プリント基板など、各種基板の製造では、その歩留りを向上するために、各パターニングプロセス後、逐次、配線の短絡や接続不良や断線やパターン不良などのパターニングエラー（欠陥）が存在するか否かが検査される。この検査の結果、欠陥が存在すれば、随時、そのエラー箇所が修正される。
【０００３】
上述した欠陥を修正する技術としては、欠陥箇所にレーザ光を照射して修正する、いわゆるレーザリペアと呼ばれる技術が存在する（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１が開示する欠陥修正方法では、被加工物のパターン画像と正常パターン画像との比較を行ってパターンの欠陥を検出するとともに、正常パターンから得られる被加工物のパターンを生成し、ＤＭＤなどの微小ミラーアレイ（レーザ光整形手段）を用いてレーザ光の断面形状をそのパターンに応じて整形して、被加工物にレーザ光を照射することで、欠陥修正を行う。この欠陥修正方法によれば、上記のような欠陥に限らず、基板表面に付着したパーティクルやレジストなどの異物も除去することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２６２１９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１が開示する従来の欠陥修正方法では、パターニングプロセス後の基板表面を撮像し、これにより得られたパターン画像（被検査画像）と予め得られている正常のパターン画像とを画像処理によって比較することで、基板表面における欠陥の存在領域を特定する。しかしながら、撮像視野内の大部分を覆うような欠陥が存在すると、正常のパターン画像に対する被検査画像のパターンマッチングを行った際、このマッチングしている比率（適合度）を示すマッチングスコアが低下する。これにより、被検査画像のパターンと正常のパターン画像との整合が取れず、正確な位置合わせができなくなり、被検査画像における正常パターンの情報が得られないという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、欠陥の大きさに関わらず、欠陥修正を正確に行うことが可能な欠陥修正装置、欠陥修正方法および欠陥修正プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる欠陥修正装置は、周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を取得する撮像部を有し、前記撮像部が取得した画像を用いて前記基板に対してレーザ光を照射して前記基板上の欠陥の修正処理を行う欠陥修正装置であって、前記基板を載置するとともに、該基板の板面に平行な平面上で移動可能なステージと、前記ステージの移動を制御するとともに、前記修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを移動させるステージ制御部と、前記ステージ制御部によるステージ移動によって前記欠陥修正位置から移動した第１撮像位置において撮像された第１の撮像画像と参照画像とを比較するマッチング部と、前記マッチング部による比較結果に基づいて、前記基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、前記参照画像をもとに生成するマスク生成部と、レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状を前記マスク画像に応じた形状に整形する光束整形手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明にかかる欠陥修正装置は、上記の発明において、前記マッチング部は、前記ステージ制御部によるステージ移動によって移動した前記第１撮像位置において撮像された第１の撮像画像と前記参照画像とを比較して適合度を算出し、前記適合度が予め設定された閾値と比して小さいか否かを判断する制御部を備え、前記ステージ制御部は、前記制御部によって前記適合度が前記閾値以下であると判断された場合、所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを前記第１撮像位置から移動させ、前記マッチング部が、前記ステージ制御部によるステージ移動によって前記第１撮像位置から移動した第２撮像位置において撮像された第２の撮像画像と、前記参照画像とを比較することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明にかかる欠陥修正装置は、上記の発明において、前記ステージ制御部は、前記制御部によって前記適合度が前記閾値より大きいと判断された場合、前記ステージを前記欠陥修正位置に移動させ、前記マッチング部は、前記ステージ制御部によるステージ移動によって前記第１または第２撮像位置から移動した前記欠陥修正位置において撮像された第３の撮像画像と前記第１または第２の撮像画像とを比較して、前記第１または第２の撮像画像と前記第３の撮像画像との間の前記パターンのシフト量を算出し、前記マスク生成部は、生成したマスク画像に対して、前記シフト量をもとにマスク画像をシフトさせることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明にかかる欠陥修正装置は、上記の発明において、前記マスク生成部は、非レーザ照射領域の外縁間の距離より大きく前記マスク部を形成することによって、前記レーザ照射領域を縮小させるエロージョン処理を行うことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明にかかる欠陥修正方法は、周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を撮像部によって取得し、前記撮像部が取得した画像を用いて前記基板に対してレーザ光を照射して前記基板上の欠陥の修正処理を行う欠陥修正方法であって、前記修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを移動させるステージ移動ステップと、前記ステージ移動ステップによるステージ移動によって前記欠陥修正位置から移動した第１撮像位置において撮像された第１の撮像画像と参照画像とを比較するマッチングステップと、前記マッチングステップによる比較結果に基づいて、前記基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、前記参照画像をもとに生成するマスク生成ステップと、レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状を前記マスク画像に応じた形状に整形する光束整形ステップと、を含むことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明にかかる欠陥修正プログラムは、周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を撮像部によって取得し、前記撮像部が取得した画像を用いて前記基板に対してレーザ光を照射して前記基板上の欠陥の修正処理をコンピュータに実行させるための欠陥修正プログラムであって、前記修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを移動させるステージ移動手順と、前記ステージ移動手順によるステージ移動によって前記欠陥修正位置から移動した第１撮像位置において撮像された第１の撮像画像と参照画像とを比較するマッチング手順と、前記マッチング手順による比較結果に基づいて、前記基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、前記参照画像をもとに生成するマスク生成手順と、レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状を前記マスク画像に応じた形状に整形する光束整形ステップと、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、視野領域を覆うように欠陥が存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合、この欠陥修正位置から所定絵素離れた位置の撮像画像を用いてマッチング処理を行って、そのマッチング結果をもとにマスク画像を生成するようにしたので、欠陥の大きさに関わらず、欠陥修正を正確に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１による欠陥修正装置に組み込まれる欠陥追跡方法の概略を説明するための概念図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１による欠陥修正装置の概略構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１による欠陥修正方法におけるマスク生成処理の概略フローを示すフローチャートである。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１にかかる欠陥修正装置の記憶部に記憶される参照画像の一例を示す模式図である。
【図５】図５は、図４に示す参照画像をもとに生成されるマスク画像を示す模式図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態１にかかる欠陥修正装置のレーザ加工用対物レンズの視野領域の一例を示す模式図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態１にかかる欠陥修正装置の記憶部に記憶される参照画像の一例を示す模式図である。
【図８】図８は、図７に示す参照画像をもとに生成されるマスク画像を示す模式図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態２による欠陥修正方法におけるマスク生成処理の概略フローを示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態３による欠陥修正方法におけるマスク生成処理の概略フローを示すフローチャートである。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態３にかかる欠陥修正装置の記憶部に記憶される参照画像の一例を示す模式図である。
【図１２】図１２は、図１１に示す参照画像をもとに生成されるマスク画像を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための形態を図面と共に詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の説明において参照する各図は、本発明の内容を理解し得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎない。すなわち、本発明は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。
【００１６】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１による欠陥修正装置、欠陥修正方法および欠陥修正プログラムを、図面を用いて詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本実施の形態１による欠陥修正装置１００（図２参照）に組み込まれる欠陥追跡方法の概略を説明するための概念図である。本実施の形態１において、欠陥修正装置１００には、たとえばＡＯＩ（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ）システムなどの外部の検査手段で特定された欠陥の座標が入力される。以下、本説明において、パターニングエラーや、基板表面に付着したパーティクルやレジストなどの異物を単に欠陥という。この座標を、他の座標と区別するため、欠陥座標という。欠陥座標は、１つの欠陥に１つずつ与えられる。なお、以下の説明において、座標とは、基板（以下、ワークという）が載置されるステージ上面もしくはステージを支持する筐体上に設けられた基準位置を原点としたワーク表面もしくはステージ上面における２次元座標をいう。
【００１８】
本実施の形態１による欠陥修正装置１００が実行する欠陥修正方法では、図１（ａ）に示すように、まず、リペア対象基板（以下、ワークという）表面における入力された欠陥座標に基づいてワークを移動し、欠陥修正装置１００における顕微鏡部の視野領域Ｒ１内に欠陥が写るようステージ１１６を制御する。つづいて、顕微鏡部が対物レンズＭ１５の視野領域Ｒ１を撮像することで得られた画像を解析することで、この画像に収められた欠陥Ｄの領域（認識欠陥領域）Ｄ１を特定する。ただし、解析する領域は、画像全体ではなく、画像全体に相当する視野領域Ｒ１よりも小さい特定の認識領域Ｒ２であってもよい。また、この認識領域Ｒ２を視野領域Ｒ１内に複数設定してもよい。
【００１９】
なお、本実施の形態１にかかる顕微鏡部では、対物レンズＭ１５として、たとえば１倍，２倍，５倍の比較的倍率の低い対物レンズ（以下、「低倍対物レンズ」という）と、１０倍，２０倍，５０倍の低倍対物レンズの倍率に対して高倍率である対物レンズ（以下、「高倍対物レンズ」という）とが少なくとも一つずつレボルバに装着され、対物レンズの切り替えが可能である。低倍対物レンズおよび高倍対物レンズの倍率は一例であり、高倍対物レンズが低倍対物レンズに対して高ければよい。また、このとき（視野領域Ｒ１）の対物レンズＭ１５は、低倍対物レンズである。
【００２０】
また、この欠陥修正方法では、上記において特定した認識欠陥領域Ｄ１の重心Ｃ１の座標を特定し（図１（ａ）参照）、つづいて、欠陥Ｄの視野領域Ｒ１（または認識領域Ｒ２）外にまで延在する部分（認識外欠陥領域Ｄ２）を追跡する追跡処理Ｓ１を実行する。本実施の形態１では、この追跡処理Ｓ１として、図１（ｂ）に示すような、図１（ａ）において特定した重心Ｃ１を欠陥修正装置１００の顕微鏡部による視野領域Ｒ１の中心に引き込む処理を行う場合を例に挙げる。この引き込みにより、図１（ｂ）に示すように、欠陥Ｄのうち視野領域Ｒ１外であった認識外欠陥領域Ｄ２の少なくとも一部もしくは全体が視野領域Ｒ１内に引き込まれるため、この引き込まれた部分に対するレーザリペアが可能になる。ただし、この追跡処理Ｓ１は、たとえば算出した重心Ｃ１の座標が、認識領域Ｒ２の外端近く、すなわち認識領域Ｒ２内であって中心領域Ｒ３以外に含まれる場合のみ、実行されても良い。
【００２１】
つづいて、この欠陥修正方法では、図１（ｃ）に示すように、引き込んだ後の視野領域Ｒ１を撮像することで得られた画像に含まれる認識欠陥領域Ｄ１ａを特定し、この認識欠陥領域Ｄ１ａに対して割り振る１つ以上のショット領域（修正領域）ｐ１〜ｐ５の中心座標（リペア座標）ｃ１〜ｃ５をそれぞれ算出するリペア座標算出処理Ｓ２を実行する。
【００２２】
つぎに、対物レンズＭ１５を高倍対物レンズ（レーザ加工対物レンズ）に切り替え、ショット領域（修正領域）ｐ１〜ｐ５の中心座標（リペア座標）ｃ１〜ｃ５に順次ステージ１１６を移動させてセンタリングし、顕微鏡部がレーザ加工対物レンズの視野内の画像を撮像する。顕微鏡部は、撮像された被検査画像を、予めレシピとして記憶部１０７に記憶されている参照画像とマッチングさせて、マスク画像を作成する。
【００２３】
その後、制御部１０１は、図１（ｄ）に示すように、算出したリペア座標ｃ１〜ｃ５に従い、順次、得られたマスク画像に基づいて二次元変調素子１２３（ＤＭＤ１２３）を駆動して、欠陥Ｄにレーザ照射することで、ワーク表面における欠陥箇所を修復するリペア処理Ｓ３を実行する。
【００２４】
以上のような動作により、本実施の形態１では、欠陥Ｄが、視野領域Ｒ１外であっても、欠陥Ｄにおける視野領域Ｒ１外の部分を視野領域Ｒ１内に引き込んだ上で欠陥Ｄに対してショット領域ｐ１〜ｐ５（リペア座標ｃ１〜ｃ５）を割り振ることが可能である。これにより、１回の撮像で欠陥Ｄ全体を写しきれなかった場合でも、この欠陥Ｄ全体に対して連続してレーザ照射することが可能となり、この結果、行程数の増加および作業時間の冗長を抑制しつつ欠陥Ｄ全体を修復することが可能となる。
【００２５】
つぎに、本実施の形態１による欠陥修正装置１００について、図面を参照して詳細に説明する。図２は、本実施の形態１による欠陥修正装置の概略構成を示すブロック図である。図２に示すように、欠陥修正装置１００は、Ｘ−Ｙ平面内を移動可能なステージ１１６と、ステージ１１６の水平移動を制御するステージ制御部１０４と、ステージ１１６上に載置されたワークＷ１０を上方から観察する顕微鏡部１１０と、ワークＷ１０に照射する欠陥修復用のレーザ光を出力するレーザリペアヘッド１２０と、顕微鏡部１１０で取得された画像データに対して各種画像処理を実行する画像処理部１０２と、本実施の形態１による欠陥修正方法を実現するプログラムである欠陥修正プログラムを含む各種プログラムや各種パラメータなどを格納する記憶部１０７と、記憶部１０７から読み出した各種プログラムおよびパラメータを実行することで本実施の形態１による欠陥追跡方法を実現するとともに欠陥修正装置１００内の各部を制御する制御部１０１と、制御部１０１からの制御の下でレーザリペアヘッド１２０が出力する欠陥修復用のレーザ光の光束断面形状（レーザ光の光軸と垂直な断面の形状）を調整する領域設定部１０３と、顕微鏡部１１０で取得された画像や各種情報を表示する表示部１０５および欠陥修正装置１００に対する各種操作や設定をユーザに入力させる入力部１０６を含むユーザインタフェースと、を備える。なお、ステージ１１６がＸ−Ｙ平面内を移動可能な構成だけでなく、顕微鏡１１０がＸ−Ｙ平面内を移動可能な構成としてもよく、ステージ１１６と顕微鏡１１０を相対的に移動させて顕微鏡部１１０がワークＷ１０を走査できる構成であればどのような形態であっても構わない。
【００２６】
上記構成において、リペア対象であるワークＷ１０は、所定のパターンが形成されたＦＰＤ用のガラス基板や半導体基板やプリント基板などである。このワークＷ１０は、ステージ１１６上に載置される。ステージ１１６の載置面には、無数の穴が設けられている。この無数の穴は不図示のポンプから供給される気体によってワークＷ１０を浮上させた状態で不図示の固定部材によりステージ１１６上で保持する。或いは、この無数の穴を、不図示のバキュームポンプに連結し、この無数の穴からの吸気によって、ステージ１１６上に載置されたワークＷ１０をステージ１１６対して吸着して固定することも可能である。また、上記のような、ステージ１１６上でワークＷ１０を保持する保持手段として、上記以外にも回転する複数のローラーによって基板を移動可能に保持するローラーステージの構成としてもよい。さらに、支持ピンやクランプ機構など、機械的な手段を用いて基板を支持する構成としてもよい。なお、本実施の形態１にかかるワークＷ１０は、周期的に同一のパターンが形成されているＦＰＤ用のガラス基板（ＴＦＴ基板）として説明する。このワークＷ１０には、スイッチング回路として機能するＴＦＴの絵素（画素を構成するサブピクセル）や配線パターンなどが周期的に複数形成されている。
【００２７】
顕微鏡部１１０は、ステージ１１６上のワークＷ１０を照明する光源１１２と、照明されたワークＷ１０を撮像するＣＣＤセンサやＣＭＯＳセンサなどの撮像素子１１１と、を含み、対象基板であるワークＷ１０の一部を拡大した画像を取得する撮像部として機能する。顕微鏡部１１０の光源１１２から出力された照明光は、リレーレンズＭ１６を透過してハーフミラーＭ１４で反射された後、ワークＷ１０に対する観察光軸ＡＸと同軸の光として対物レンズＭ１５を介してワークＷ１０を照明する。また、このように照明されたワークＷ１０の像は、観察光軸ＡＸに沿って配置された対物レンズＭ１５、ハーフミラーＭ１４、リレーレンズＭ１３、および結像レンズＭ１２を含む観察光学系によって、撮像素子１１１の受光面に、たとえば数倍〜数十倍に拡大されて結像される。なお、この観察光学系を介した撮像素子１１１の視野領域は、図１に示す視野領域Ｒ１に相当する。この視野領域Ｒ１は、１つのショット領域よりも広範囲である。さらに、光源１１２によって照明される領域は、少なくとも視野領域Ｒ１よりも広範囲である。さらにまた、少なくとも視野領域Ｒ１内は、光源１１２からの照明光によって上方から略均一に照明される。
【００２８】
撮像素子１１１で取得された画像データは、画像処理部１０２に入力される。画像処理部１０２は、入力された画像データに対して各種画像処理を実行した後、処理後の画像データを表示部１０５に入力する。これにより、表示部１０５に、顕微鏡部１１０で取得された視野領域Ｒ１の画像がたとえば略リアルタイムに表示される。また、画像処理部１０２は、撮像素子１１１によって取得された画像と記憶部１０７に記憶されている参照画像（標本パターン画像）とを用いてマッチング処理を行うマッチング部１０２ａと、マッチング部１０２ａによる比較結果に基づいて、ワークＷ１０における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、参照画像をもとに生成するマスク生成部１０２ｂとを有する。
【００２９】
また、ステージ制御部１０４は、制御部１０１からの制御の下、制御部１０１から入力される座標（欠陥座標、重心座標およびリペア座標等の所定の位置座標）が顕微鏡部１１０の視野領域Ｒ１における中心に位置するように、ステージ１１６を水平移動する。これにより、制御部１０１から入力される座標（欠陥座標、重心座標およびリペア座標等）が顕微鏡部１１０の視野領域Ｒ１における中心に位置するように、顕微鏡部１１０とワークＷ１０との相対位置が制御される。
【００３０】
レーザリペアヘッド１２０は、ワークＷ１０に照射されるレーザ光（以下、リペアレーザ光という）を出力するレーザ光源１２１と、レーザ光源１２１からのレーザ光の光束断面形状（以下、レーザ断面形状という）を所望の形状（後述するマスク画像に応じた形状）に整形する光束整形手段として空間光変調器である微小ミラーアレイ１２３と、レーザ光源１２１からのリペアレーザ光と観察光学系の視野を調整するための光（以下、ガイド光という）を出力するＬＥＤ１２２と、を含み、顕微鏡部１１０が取得した画像に基づいてワークＷ１０に欠陥修復用に空間変調したレーザ光を照射するレーザ照射部として機能する。ＬＥＤ１２２からのガイド光は、ハーフミラーＭ２１で反射されることで、その光軸がレーザ光源１２１の光軸と一致する。また、レーザ光源１２１からのリペアレーザ光ならびにＬＥＤ１２２からのガイド光の光軸は、高反射ミラーＭ２２、微小ミラーアレイ１２３、および高反射ミラーＭ２３を介した後、ハーフミラーＭ２４で反射されることで、その光軸が観察光軸ＡＸと一致する。したがって、ハーフミラーＭ２４で反射されたリペアレーザ光およびガイド光は、リレーレンズＭ１３、ハーフミラーＭ１４および対物レンズＭ１５を介してステージ１１６上のワークＷ１０に上方から観察光軸ＡＸに沿って照射される。尚、微小ミラーアレイ１２３には、例えばＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）を用いればよい。また、光束整形手段として他のＭＥＭＳデバイスや、液晶シャッターなどの透過型の空間変調素子など、他のデバイスで代用することも可能である。このような他のデバイスを採用する場合は、上記の光学系は当分野の技術常識に照らし合わせ、光学条件に応じた適切な配置や部材を用いた構成とする。尚、上記のＬＥＤ１２２は、ガイド光によってリペアレーザ光の照射位置を確認したり調整したりするために用いるものであるので、必要に応じて省略しても構わない。
【００３１】
なお、空間光変調器である微小ミラーアレイ１２３は、たとえば微小デバイスの１つである微小ミラーが２次元アレイ状に配列された構成を備える。各微小ミラーの反射角は、制御部１０１からの制御のもと、オン角度とオフ角度との少なくとも２つのうちのいずれかの角度に切り替え可能である。オン角度とは、この状態にある微小ミラーで反射されたリペアレーザ光がステージ１１６上のワークＷ１０に投射される角度であり、オフ角度とは、この状態にある微小ミラーで反射されたリペアレーザ光が不必要な光として光路外に設けられる不図示の遮光部材や吸収部材などのレーザダンパーに照射される角度である。したがって、２次元アレイ状に配列された微小ミラーそれぞれの反射角をオン角度とオフ角度とのいずれかにスイッチングすることで、ワークＷ１０に投射されるリペアレーザ光の断面形状を制御することが可能である。オン角度とオフ角度とのスイッチングは、後述するマスク画像に基づいて制御される。これにより、レーザ光源１２１からのリペアレーザ光の断面形状を修復パターンの形状に調整してワークＷ１０に照射することが可能となる。この修復パターンは、正常な配線パターン以外にリペアレーザ光を照射する修復パターンであり、たとえばパターン除去不良などの欠陥を修復する場合には、ショット領域中の正常な配線等の領域に対応する微小ミラーをオフ角度とし、それ以外の領域に対応する微小ミラーをオン角度としたパターンとなる。
【００３２】
修復パターンの設定は、上記のように正常な配線パターンに応じて設定する以外に、欠陥形状に合わせて設定するようにしても構わない。この場合、リペアレーザ光の断面形状を欠陥形状に合わせて、欠陥領域に対応する微小ミラーをオン角度とし、欠陥領域以外の領域に対応する微小ミラーをオフ角度とすればよい。
【００３３】
領域設定部１０３は、制御部１０１から入力された修復箇所のパターン（マスク画像）にしたがって微小ミラーアレイ１２３の微小ミラーの反射角をそれぞれ制御することで、リペアレーザ光の断面形状を修復パターンの形状に制御する。
【００３４】
また、制御部１０１は、上述のように、記憶部１０７から読み出した各種プログラムおよびパラメータを実行することで本実施の形態１による欠陥修正方法を実現するとともに欠陥修正装置１００内の各部を制御する。ここで、制御部１０１が実行する欠陥修正方法におけるマスク生成処理を、図面を参照して詳細に説明する。図３は、本実施の形態１による欠陥修正方法におけるマスク生成処理の概略フローを示すフローチャートである。なお、以下の説明では、制御部１０１の制御のもと、各部が動作しているものとして説明する。
【００３５】
まず、制御部１０１は、レーザ加工用対物レンズ（高倍対物レンズ）として対物レンズＭ１５を用いてレーザ加工用対物レンズ視野内の画像（第１画像）をＣＣＤ１１１に撮像させる（ステップＳ１０１）。その後、マッチング部１０２ａは、第１画像と記憶部１０７に記憶されている参照画像（標本パターン画像）とを用いてマッチング処理（第１マッチング）を行う（ステップＳ１０２）。マッチング処理では、画像中の白色の面積の比率などに基づいて、撮像された画像と標本パターン画像との合致度（適合度、マッチングしている比率）であるマッチングスコアを算出する。
【００３６】
ここで、マッチング部１０２ａが、第１画像と記憶部１０７に記憶されている参照画像とのマッチングスコアが閾値より大きいと判定した場合（ステップＳ１０３：Ｙｅｓ）、マスク生成部１０２ｂが、第１マッチングで用いた参照画像をもとにマスク画像を生成する（ステップＳ１０４）。
【００３７】
図４は、本実施の形態１にかかる欠陥修正装置１００の記憶部１０７に記憶される参照画像の一例を示す模式図である。図５は、図４に示す参照画像をもとに生成されるマスク画像を示す模式図である。図４に示す参照画像において、レーザ照射領域であるショット領域Ｓｈ１および非照射領域である配線パターンのパターン部Ｐ１が形成されている場合、マスク生成部１０２ｂは、図５に示すように、レーザ光を透過させる透過部Ｔｒ１（オン角度に制御される領域）、およびショット領域Ｓｈ１に応じてレーザ光が透過しない領域（オフ角度に制御される領域）であるＴＦＴや配線パターンなどを含む非透過部Ｓｎ１（マスク部）を形成することで、マスク画像Ｍｓ１を生成する。なお、本実施の形態１では、例えば、図４に示す破線Ｅで囲まれた領域内のパターンを１つの絵素として周期的に同一の絵素が配列されているものとする。
【００３８】
図６は、本実施の形態１にかかる欠陥修正装置１００のレーザ加工用対物レンズの視野領域Ｒ４の一例を示す模式図である。ステップＳ１０３において、図６に示すように、視野領域Ｒ４のパターンＰ２を覆うように欠陥Ｄが存在する場合、マッチングスコアが小さくなる、またはマッチング不可（例えば、マッチングスコアが０）となる。マッチング部１０２ａが、第１画像と記憶部１０７に記憶されている参照画像とのマッチングスコアが閾値以下であると判定した場合（ステップＳ１０３：Ｎｏ）、制御部１０１は、ステージ制御部１０４に対して、ワークＷ上の周期的な絵素において所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に（所定絵素分に応じた距離）ステージ１１６を移動させる旨の指示を出す（ステップＳ１０５）。ここで、上述した所定絵素分の距離は、所定の絵素数と絵素サイズとを乗じて決められる。
【００３９】
ステージ１１６が所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に移動すると、周期的に同一の絵素が配列されるため、レーザ加工用対物レンズ（対物レンズＭ１５）視野内には、第１画像と異なる絵素における第１画像と同一パターン部分が配置されることとなる。制御部１０１は、この異なる絵素における第１画像と略同一のパターン部分を第２画像（第１の撮像画像）としてＣＣＤ１１１に撮像するよう指示する（ステップＳ１０６）。
【００４０】
その後、マッチング部１０２ａは、第２画像と記憶部１０７に記憶されている参照画像とを用いてマッチング処理（第２マッチング）を行う（ステップＳ１０７）。ここで、マッチング部１０２ａが、第２画像と記憶部１０７に記憶されている参照画像とのマッチングスコアが閾値より大きいと判定した場合（ステップＳ１０８：Ｙｅｓ）、ステージ制御部１０４は、対物レンズＭ１５が元の座標（欠陥修正位置）に位置するようにステージ１１６を移動させる（ステップＳ１０９）。
【００４１】
ステージ１１６が欠陥修正位置に移動すると、制御部１０１は、この位置におけるレーザ加工用対物レンズ視野内の画像を第３画像（第３の撮像画像）としてＣＣＤ１１１に撮像するよう指示する（ステップＳ１１０）。ここで、第３画像は、第１画像と略同一の位置で撮像された画像となる。
【００４２】
ステップＳ１１０において第３画像を取得後、マッチング部１０２ａは、第２画像と第３画像とを用いてマッチング処理（第３マッチング）を行う（ステップＳ１１１）。第３マッチングでは、マスク画像を作成するための参照画像とマッチングした第２画像と、元の位置における第３画像とのずれ（シフト量）を算出する。第３マッチングによって得られるシフト量は、理論的には第２画像におけるパターンと第３画像におけるパターンとが一致するため０となるが、ステージ１１６の移動精度等による画像間のパターンにずれが生じた場合に補正するためのものである。
【００４３】
マッチング部１０２ａによる第３マッチングが終了すると、マスク生成部１０２ｂは、第２マッチングで用いた参照画像をもとにマスク画像を生成する（ステップＳ１１２）。ステップＳ１１２によってマスク画像が得られると、マスク生成部１０２ｂは、第３マッチングの結果をもとに、得られたシフト量分マスク画像をシフトさせる（ステップＳ１１３）。
【００４４】
一方、ステップＳ１０８において、マッチング部１０２ａが、第２画像と記憶部１０７に記憶されている参照画像とのマッチングスコアが閾値以下であると判定した場合（ステップＳ１０８：Ｎｏ）、制御部１０１は、第２マッチングにかかるマッチング回数が、所定回数を越えているか否かを判断する（ステップＳ１１４）。
【００４５】
ここで、制御部１０１が第２マッチングにかかるマッチング回数が、所定回数を越えていないと判断した場合（ステップＳ１１４：Ｙｅｓ）、制御部１０１は、ステップＳ１０５に移行して、さらに所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に（所定絵素分に応じた距離）ステージ１１６を移動させ、この移動位置における撮像画像（第２の撮像画像）を第２画像として、上述した処理を繰り返す。なお、このときの所定絵素は、元の絵素（欠陥修正位置における絵素）から所定値を順次付加するものであってもよいし、移動前の絵素に所定値として１以上の整数を付加するものであってもよい。
【００４６】
一方で、制御部１０１が第２マッチングにかかるマッチング回数が、所定回数を越えていると判断した場合（ステップＳ１１４：Ｎｏ）、制御部１０１は、ステップＳ１１５に移行して、マッチングエラーである旨の報知処理を行う。この報知処理は、表示部１０５における表示画面上にマッチングエラーである旨の表示を行ってもよいし、音または光を用いて報知するものであってもよい。
【００４７】
上述したマスク生成処理によって、視野領域を覆うように欠陥Ｄが存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合であっても、この欠陥修正位置に応じたマスク画像を生成することが可能となる。すなわち、本発明は、周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を撮像部によって取得し、撮像部が取得した画像を用いて基板に対してレーザ光を照射して基板上の欠陥の修正処理を行う欠陥修正方法であり、修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置にステージを移動させ（ステージ移動ステップ：Ｓ１０５）、ステージ移動によって欠陥修正位置から移動した第１撮像位置において第１の撮像画像を取得し（Ｓ１０６）、次に第１の撮像画像と参照画像とを比較し（マッチングステップ：Ｓ１０７）、マッチングスコアの判定（Ｓ１０８）に基づいて、基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を参照画像をもとに生成し（マスク生成ステップ：Ｓ１１２）レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状をマスク画像に応じた形状に整形して（光束整形ステップ）、欠陥修正対象にレーザ光を照射して欠陥修正を行うものであり、本発明の技術方案として図３における全てのステップが必要となるものではない。
【００４８】
図７は、本実施の形態１にかかる欠陥修正装置１００の記憶部１０７に記憶される参照画像Ｒｆ２の一例を示す模式図である。図８は、図７に示す参照画像をもとに生成されるマスク画像Ｍｓ２を示す模式図である。図７に示す参照画像Ｒｆ２のように、３絵素周期でコンタクトホールＨが形成されている場合、図３のフローチャートにおけるステップＳ１０５の所定絵素の設定を３絵素に設定することによって、図８に示すマスク画像Ｍｓ２のように、絵素ずれを起こすことなく、コンタクトホールＨに対応する非透過部Ｓｎ２（マスク部）を形成することができる。
【００４９】
上述した実施の形態１によれば、視野領域を覆うように欠陥Ｄが存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合、この欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置の撮像画像を用いてマッチング処理を行って、そのマッチング結果をもとにマスク画像を生成するようにしたので、欠陥の大きさに関わらず、正確な欠陥修正を行うことが可能である。
【００５０】
（実施の形態２）
図９は、本実施の形態２による欠陥修正方法におけるマスク生成処理の概略フローを示すフローチャートである。なお、以下の説明では、制御部１０１の制御のもと、各部が動作しているものとして説明する。本実施の形態２では、欠陥修正位置から予め欠陥がないと分かっている位置に移動してマスク画像を生成する。
【００５１】
まず、ステージ制御部１０４は、欠陥修正位置から設定された絵素分に応じた位置にステージ１１６を移動させる（ステップＳ２０１）。ステージ１１６の移動後、レーザ加工用対物レンズ（高倍対物レンズ）として対物レンズＭ１５を用いてレーザ加工用対物レンズ視野内の画像（第１画像）をＣＣＤ１１１に撮像させる（ステップＳ２０２）。
【００５２】
ここで、ステップＳ２０１では、例えば、制御部１０１が、記憶部１０７で記憶される欠陥情報から、隣接する欠陥のない領域若しくは欠陥面積の小さい欠陥領域の存在する位置情報を取得し、その位置情報をもとに移動先の絵素を設定することで、ステージ制御部１０４が、設定された移動先の絵素の位置にステージ１１６を移動させる。なお、この移動先の絵素は、欠陥位置に対してそれぞれ最も近い絵素が移動先として設定されるものであってもよいし、ある欠陥のない絵素を移動先の絵素として設定し、毎回この設定された絵素に移動するものであってもよい。また、図７に示す参照画像Ｒｆ２のように、ワークＷ１０において、数絵素周期でコンタクトホールＨが形成される場合は、この周期が考慮されていることが好ましい。
【００５３】
その後、マッチング部１０２ａが、第１画像と記憶部１０７に記憶されている参照画像（標本パターン画像）とを用いてマッチング処理（第１マッチング）を行う（ステップＳ２０３）。マッチング処理後、ステージ制御部１０４は、元の座標（欠陥修正位置）にステージ１１６を移動させる（ステップＳ２０４）。
【００５４】
ステップＳ２０４におけるステージ１１６の移動後、レーザ加工用対物レンズ（高倍対物レンズ）として対物レンズＭ１５を用いてレーザ加工用対物レンズ視野内の画像（第２画像）をＣＣＤ１１１に撮像させる（ステップＳ２０５）。
【００５５】
ステップＳ２０５において第２画像を取得すると、マッチング部１０２ａは、第１画像と第２画像とを用いてマッチング処理（第２マッチング）を行う（ステップＳ２０６）。この第２マッチングは、上述した第３マッチングに対応し、マスク画像を作成するための参照画像とマッチングした第１画像と、元の位置における第２画像とのずれ（シフト量）を算出する。
【００５６】
マッチング部１０２ａによる第２マッチングが終了すると、マスク生成部１０２ｂは、第１マッチングで用いた参照画像をもとにマスク画像を生成する（ステップＳ２０７）。ステップＳ２０７によってマスク画像が得られると、マスク生成部１０２ｂは、第２マッチングの結果をもとに、得られたシフト量分マスク画像をシフトさせる（ステップＳ２０８）。
【００５７】
上述したマスク生成処理によって、視野領域を覆うように欠陥Ｄが存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合であっても、この欠陥修正位置に応じたマスク画像を生成することが可能となる。
【００５８】
上述した実施の形態２によれば、実施の形態１と同様、視野領域を覆うように欠陥Ｄが存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合、この欠陥修正位置から所定の絵素数分離れた位置の撮像画像を用いてマッチング処理を行って、そのマッチング結果をもとにマスク画像を生成するようにしたので、欠陥の大きさに関わらず、正確な欠陥修正を行うことが可能である。
【００５９】
また、実施の形態２によれば、欠陥修正位置から、隣接する欠陥のない領域若しくは欠陥面積の小さい欠陥領域の存在する位置に移動するようにしたので、上述した実施の形態１におけるステップＳ１１４のような繰り返し処理を行う必要がないため、処理を簡易化し、処理時間を短縮することができる。
【００６０】
（実施の形態３）
図１０は、本実施の形態３による欠陥修正方法におけるマスク生成処理の概略フローを示すフローチャートである。なお、以下の説明では、制御部１０１の制御のもと、各部が動作しているものとして説明する。本実施の形態３では、欠陥修正位置から予め欠陥がないと分かっている位置に移動してマスク画像を生成する。
【００６１】
まず、ステージ制御部１０４は、欠陥修正位置から設定された絵素分に応じた距離ステージ１１６を移動させる（ステップＳ３０１）。ステージ１１６の移動後、レーザ加工用対物レンズ（高倍対物レンズ）として対物レンズＭ１５を用いてレーザ加工用対物レンズ視野内の画像（基板画像）をＣＣＤ１１１に撮像させる（ステップＳ３０２）。
【００６２】
ここで、ステップＳ３０１では、上述したステップＳ２０１と同様、例えば、制御部１０１が、記憶部１０７で記憶される欠陥情報から、隣接する欠陥のない領域若しくは欠陥面積の小さい欠陥領域の存在する位置情報を取得し、その位置情報をもとに移動先の絵素を設定することで、ステージ制御部１０４が、設定された移動先の絵素の位置にステージ１１６を移動させる。なお、この移動先の絵素は、欠陥位置に対してそれぞれ最も近い絵素が移動先として設定されるものであってもよいし、ある欠陥のない絵素を移動先の絵素として設定し、毎回この設定された絵素に移動するものであってもよい。また、図７に示す参照画像Ｒｆ２のように、ワークＷ１０において、数絵素周期でコンタクトホールＨが形成される場合は、この周期が考慮されていることが好ましい。
【００６３】
その後、マッチング部１０２ａが、基板画像と記憶部１０７に記憶されている参照画像（標本パターン画像）とを用いてマッチング処理を行う（ステップＳ３０３）。マッチング部１０２ａによるマッチング処理が終了すると、マスク生成部１０２ｂは、ステップＳ３０３におけるマッチングで用いた参照画像をもとにマスク画像を生成する（ステップＳ３０４）。
【００６４】
ステップＳ３０４によってマスク画像が得られると、マスク生成部１０２ｂは、生成されたマスク画像に対するエロージョン処理を行う（ステップＳ３０５）。このエロージョン処理では、図１１に示すような参照画像Ｒｆ３において、レーザ照射領域であるショット領域Ｓｈ２および非照射領域であるパターン部Ｐ３が形成されている場合、マスク生成部１０２ｂは、図１２に示すように、レーザ光が透過しない領域（オフ角度に制御される領域）である非透過部Ｓｎ３（マスク部）を、パターン部Ｐ３（図１２破線参照）の幅より大きく形成し、レーザ光を透過させる透過部Ｔｒ２（オン角度に制御される領域）がショット領域Ｓｈ２より小さい面積となるように縮小することで、マスク画像Ｍｓ３を生成する。
【００６５】
上述したマスク生成処理によって、視野領域を覆うように欠陥Ｄが存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合であっても、この欠陥修正位置に応じたマスク画像を生成することが可能となる。領域設定部１０３は、このマスク画像Ｍｓ３を用いて、上述した微小ミラーアレイ１２３の微小ミラーの反射角をそれぞれ制御することで、リペアレーザ光の断面形状を修復パターンの形状に制御して、ワークＷ１０に対してリペアレーザ光を照射する。
【００６６】
上述した実施の形態３によれば、実施の形態１と同様、視野領域を覆うように欠陥Ｄが存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合、この欠陥修正位置から所定の絵素数分離れた位置の撮像画像を用いてマッチング処理を行って、そのマッチング結果をもとにマスク画像を生成するようにしたので、欠陥の大きさに関わらず、正確な欠陥修正を行うことが可能である。
【００６７】
また、実施の形態３によれば、レーザ光が透過しない領域（オフ角度に制御される領域）である非透過部Ｓｎ３を、パターン部Ｐ３の幅より大きく形成し、レーザ光を透過させる透過部Ｔｒ２（オン角度に制御される領域）がショット領域Ｓｈ２より小さい面積となるように縮小するようにしたので、上述した実施の形態１におけるステップＳ１１２のようなシフト量算出や、ステップＳ１１４のような繰り返し処理を行う必要がないため、処理を簡易化し、処理時間を短縮することができる。
【００６８】
以上のように、本発明にかかる欠陥修正装置、欠陥修正方法および欠陥修正プログラムは、欠陥の大きさに関わらず、欠陥修正を正確に行うことに有用である。
【符号の説明】
【００６９】
１００  欠陥修正装置
１０１  制御部
１０２  画像処理部
１０３  領域設定部
１０４  ステージ制御部
１０５  表示部
１０６  入力部
１０７  記憶部
１１０  顕微鏡部
１１１  撮像素子
１１２  光源
１１６  ステージ
１２０  レーザリペアヘッド
１２１  レーザ光源
１２２  ＬＥＤ
１２３  微小ミラーアレイ
Ｍｓ１〜Ｍｓ３  マスク画像
Ｐ１〜Ｐ３  パターン部
Ｒｆ１〜Ｒｆ３  参照画像
Ｓｈ１，Ｓｈ２  ショット領域
Ｓｎ１〜Ｓｎ３  非透過部
Ｔｒ１，Ｔｒ２  透過部
【図１】
2013123721.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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