(57)【要約】【課題】本発明は、外部電極用導電性ペースト、これを用いた積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明によると、導電性金属粉末と、平均粒径が０．０５〜３．０μｍである球形のガラスフリットと、を含む外部電極用導電性ペースト、これを用いた積層セラミック電子部品及びその製造方法が提供される。本発明によると、外部電極用導電性ペーストを製造するにあたり、微粉の球形ガラスフリットを適用することにより、低温で優れた緻密度を有する外部電極の具現が可能であり、クラック発生を抑制し、信頼性に優れた積層セラミック電子部品を具現することができる。【選択図】図２
2013123024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性金属粉末と、
平均粒径が０．０５〜３．０μｍである球形のガラスフリットと、を含む外部電極用導電性ペースト。
【請求項２】
前記球形のガラスフリットの平均粒径は０．０５〜１．５μｍである請求項１に記載の外部電極用導電性ペースト。
【請求項３】
前記ガラスフリットは、前記導電性金属粉末に対して０．１〜２００体積％の含量を有する請求項１に記載の外部電極用導電性ペースト。
【請求項４】
前記ガラスフリットは、粉末形態または前記導電性金属粉末の表面にコーティングされたコア−シェル形態である請求項１に記載の外部電極用導電性ペースト。
【請求項５】
前記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群から選択される一つ以上である請求項１に記載の外部電極用導電性ペースト。
【請求項６】
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を挟んで互いに対向するように配置される第１及び第２内部電極と、
前記第１内部電極と電気的に連結された第１外部電極及び前記第２内部電極と電気的に連結された第２外部電極と、を含み、
前記第１及び第２外部電極は導電性金属粉末及び球形のガラスフリットを含み、前記ガラスフリットは前記導電性金属粉末に対して０．１〜２００体積％の含量を有する、積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記球形のガラスフリットの平均粒径は、０．０５〜３．０μｍである請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記球形のガラスフリットの平均粒径は、０．０５〜１．５μｍである請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群から選択される一つ以上である請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
誘電体層及び前記誘電体層を挟んで互いに対向するように配置される第１及び第２内部電極を含むセラミック本体を製造する段階と、
導電性金属粉末及び平均粒径が０．０５〜３．０μｍである球形のガラスフリットを含む外部電極用導電性ペーストを製造する段階と、
前記第１及び第２内部電極と電気的に連結されるように、外部電極ペーストを前記セラミック本体上に塗布する段階と、
前記セラミック本体を焼成して第１及び第２外部電極を形成する段階と、を含む積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記球形のガラスフリットの平均粒径は０．０５〜１．５μｍである請求項１０に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記ガラスフリットは、前記導電性金属粉末に対して０．１〜２００体積％の含量を有する請求項１０に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記ガラスフリットは、粉末形態または前記導電性金属粉末の表面にコーティングされたコア−シェル形態である請求項１０に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群から選択される一つ以上である請求項１０に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１５】
前記セラミック本体を焼成する段階は、７００℃以下で行われる請求項１０に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低温で優れた緻密度を有する外部電極用導電性ペースト、これを用いた積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子製品の小型化の傾向に伴い、積層セラミック電子部品も小型化及び大容量化が求められている。
【０００３】
積層セラミック電子部品の小型化及び大容量化の要求に応じて、積層セラミック電子部品の外部電極も薄層化している。
【０００４】
外部電極ペーストは、主材料として銅（Ｃｕ）などの伝導性金属を用いてチップ密閉性及びチップとの電気的連結性を保障し、補助材料としてガラスを用いて上記金属の焼結収縮時に空き空間を満たすとともに、外部電極とチップとの結合力を付与する機能をする。
【０００５】
上記ガラスとしては酸化物系ガラス粉末が主に用いられ、上記外部電極ペーストをチップの端部に塗布した後に焼結させることにより外部電極を形成し、その後ニッケル（Ｎｉ）とスズ（Ｓｎ）を順に電解メッキしてメッキ層を形成する。
【０００６】
しかし、上記外部電極の薄層化により、メッキ時にメッキ液が浸透して信頼性が低下するという問題が生じる可能性がある。
【０００７】
上記メッキ液の浸透による信頼性の低下を改善するためには、メッキ液の浸透を防止できる緻密な外部電極を形成する必要がある。
【０００８】
このために、外部電極用導電性ペーストに含まれる導電性金属粉末を微粒形態で用いることによりコーナーカバレッジ（Ｃｏｒｎｅｒ  ｃｏｖｅｒａｇｅ）を改善しているが、ガラスフリットの場合、形状が不均一で、粒径が大きい形態を用いている。
【０００９】
上記不均一な形状の大きい粒径を有するガラスフリットは、電極焼成過程で液相に相変移した後に金属粒界に移動し、この際、ガラスが存在していた空間は大きな気孔として存在するため、外部電極の緻密度の低下をもたらす。
【００１０】
一方、このような緻密度の低下を防止するために高い電極焼成温度で焼成する場合、外部電極内の金属粒子の拡散及び体積膨脹によるクラック不良をもたらすという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、低温で優れた緻密度を有する外部電極用導電性ペースト、これを用いた積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施形態によると、導電性金属粉末と、平均粒径が０．０５〜３．０μｍである球形のガラスフリットと、を含む外部電極用導電性ペーストが提供される。
【００１３】
上記球形のガラスフリットの平均粒径は０．０５〜１．５μｍであることができる。
【００１４】
上記ガラスフリットは、上記導電性金属粉末に対して０．１〜２００体積％の含量を有することができる。
【００１５】
上記ガラスフリットは、粉末形態または上記導電性金属粉末の表面にコーティングされたコア−シェル形態であることができる。
【００１６】
上記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群から選択される一つ以上であることができる。
【００１７】
本発明の他の実施形態によると、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を挟んで互いに対向するように配置される第１及び第２内部電極と、上記第１内部電極と電気的に連結された第１外部電極及び上記第２内部電極と電気的に連結された第２外部電極と、を含み、上記第１及び第２外部電極は導電性金属粉末及び球形のガラスフリットを含み、上記ガラスフリットは上記導電性金属粉末に対して０．１〜２００体積％の含量を有する、積層セラミック電子部品が提供される。
【００１８】
上記球形のガラスフリットの平均粒径は、０．０５〜３．０μｍであることができ、０．０５〜１．５μｍであることができる。
【００１９】
上記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群から選択される一つ以上であることができる。
【００２０】
本発明の他の実施形態によると、誘電体層及び上記誘電体層を挟んで互いに対向するように配置される第１及び第２内部電極を含むセラミック本体を製造する段階と、導電性金属粉末及び平均粒径が０．０５〜３．０μｍである球形のガラスフリットを含む外部電極用導電性ペーストを製造する段階と、上記第１及び第２内部電極と電気的に連結されるように、外部電極ペーストを上記セラミック本体上に塗布する段階と、上記セラミック本体を焼成して第１及び第２外部電極を形成する段階と、を含む積層セラミック電子部品の製造方法が提供される。
【００２１】
上記球形のガラスフリットの平均粒径は０．０５〜１．５μｍであることができる。
【００２２】
上記ガラスフリットは、上記導電性金属粉末に対して０．１〜２００体積％の含量を有することができる。
【００２３】
上記ガラスフリットは、粉末形態または上記導電性金属粉末の表面にコーティングされたコア−シェル形態であることができる。
【００２４】
上記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群から選択される一つ以上であることができる。
【００２５】
上記セラミック本体を焼成する段階は、７００℃以下で行われることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によると、外部電極用導電性ペーストを製造するにあたり、微粉の球形ガラスフリットを適用することにより、低温で優れた緻密度を有する外部電極の具現が可能であり、クラック発生を抑制し、信頼性に優れた積層セラミック電子部品を具現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態による外部電極用導電性ペーストを概略的に示す概略図である。
【図２】本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’の断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造工程図である。
【図５】本発明の実施例及び比較例による焼成温度毎の外部電極の断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさ等はより明確な説明のために誇張されることがあり、図面上において同一の符号で示される要素は同一の要素である。
【００２９】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００３０】
図１は本発明の一実施形態による外部電極用導電性ペーストを概略的に示す概略図である。
【００３１】
図１を参照すると、本発明の一実施形態による外部電極用導電性ペーストは、導電性金属１粉末と、平均粒径が０．０５〜３．０μｍである球形のガラスフリット２と、を含むことができる。
【００３２】
上記導電性金属１は、静電容量の形成のために後述する第１及び第２内部電極２１、２２と電気的に連結できる材質であれば特に制限されず、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群から選択される一つ以上であることができる。
【００３３】
本発明の一実施形態による外部電極用導電性ペーストは、平均粒径が０．０５〜３．０μｍである球形のガラスフリット２を含むことができる。
【００３４】
上記ガラスフリット２が平均粒径０．０５〜３．０μｍの微粒形態で含まれることにより、緻密度が向上された薄膜の外部電極を具現することができる。
【００３５】
即ち、外部電極用導電性ペーストに平均粒径が３．０μｍを超過する不均一な形状のガラスが含まれる場合は、上記ペーストを用いて薄膜の外部電極を形成する際に、上記不均一な巨大ガラス粒子がペースト内に存在する可能性がある。
【００３６】
これにより、上記不均一な巨大ガラスは上記電極焼成過程で液相に相変移した後、導電性金属粒界に移動し、この際、上記ガラスが存在していた空間は大きな気孔として存在するため、外部電極の緻密度が低下する可能性がある。
【００３７】
即ち、外部電極内に不均一な形状のガラスが存在する場合は、ペースト内の導電性金属粒子とガラス粒子との間の最密充填（ｃｌｏｓｅ  ｐａｃｋｉｎｇ）構造が不可能であり、充填密度（ｐａｃｋｉｎｇ  ｄｅｎｓｉｔｙ）の低下によりペースト内の気孔率が高くなる可能性がある。
【００３８】
この場合、外部電極の焼成後、緻密な外部電極の具現が困難となる。
【００３９】
また、上記外部電極の焼成後に緻密度が低下することを防止するために、焼成温度を高めて導電性金属の拡散を誘導することにより上記の問題を解決することができるが、この場合、外部電極内の導電性金属の内部電極への拡散及び体積膨脹によりクラックが発生する可能性がある。
【００４０】
一方、上記ガラスフリット２の平均粒径が０．０５μｍ未満である場合は、上記ガラスフリットの平均粒径が小さすぎるため、外部電極の焼成後にクラック不良が生じるなど、信頼性が低下する可能性がある。
【００４１】
従って、本発明の一実施形態によると、外部電極用導電性ペーストに平均粒径が０．０５〜３．０μｍである球形のガラスフリット２が含まれることにより、電極焼成を低温で行っても、外部電極の緻密度が低下することを防止することができ、これにより、焼成後に発生するクラックを低減することができるため、優れた信頼性を有することができる。
【００４２】
また、上記外部電極用導電性ペーストに平均粒径が０．０５〜１．５μｍである球形のガラスフリット２が含まれる場合、外部電極の緻密度及び信頼性の向上効果がさらに高くなる。
【００４３】
一方、上記ガラスフリット２の形状は球形であることができる。
【００４４】
本発明の一実施形態によると、上記ガラスフリット２が球形の均一な形状を有するため、上記ペースト内で上記導電性金属１の粒子間の距離が近くなって外部電極の緻密度が低下することを防止することができる。
【００４５】
即ち、不均一な形状のガラス粒子を用いる場合、導電性金属粒子間の距離も不規則的であるため、焼成後に外部電極の緻密度が低下する問題があったが、本発明の一実施形態による外部電極用導電性ペーストは、上記ガラスフリット粒子が球形の均一な形状を有するため、上記の問題を解決することができる。
【００４６】
また、球形の均一なガラスフリット２を用いることにより、外部電極の焼成を低温で行っても外部電極の緻密度が低下することを防止することができるため、上記外部電極用導電性ペーストを用いると、信頼性に優れた積層セラミック電子部品を具現することができる。
【００４７】
上記ガラスフリット２を球形の均一な形状に製造する方法は、特に制限されず、例えば、ガラスを構成する原材料を高温で溶融して合成することにより行うことができる。
【００４８】
本発明の一実施形態によると、上記ガラスフリットの含量は、特に制限されるものではないが、例えば上記導電性金属粉末に対して０．１〜２００体積％の含量を有することができる。
【００４９】
上記ガラスフリットの含量が上記導電性金属粉末に対して０．１体積％未満である場合は、ガラスフリットの含量が少なすぎてチップと外部電極との間の接着不良の問題が生じる可能性がある。
【００５０】
一方、上記ガラスフリットの含量が上記導電性金属粉末に対して２００体積％を超過する場合は、ガラスフリットの含量が多すぎてガラスフリットの溶出によるメッキ不良の問題が生じる可能性がある。
【００５１】
一方、上記外部電極用導電性ペースト内のガラスフリットは、粉末形態に含まれてもよく、または上記導電性金属粉末の表面にコーティングされたコア−シェル形態に含まれてもよいが、これに制限されるものではない。
【００５２】
上記外部電極用導電性ペースト内のガラスフリットが上記導電性金属粉末の表面にコーティングされたコア−シェル形態に含まれる場合、上記ガラスフリットが均一な形態にペースト内に存在することができ、低温でも緻密な外部電極を具現することができる。
【００５３】
図２は本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。
【００５４】
図３は図２のＡ−Ａ’の断面図である。
【００５５】
図２及び図３を参照すると、本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層３を含むセラミック本体１０と、上記セラミック本体１０内で上記誘電体層３を挟んで互いに対向するように配置される第１及び第２内部電極２１、２２と、上記第１内部電極２１と電気的に連結された第１外部電極３１及び上記第２内部電極２２と電気的に連結された第２外部電極３２と、を含み、上記第１及び第２外部電極３１、３２は導電性金属粉末及び球形のガラスフリットを含み、上記ガラスフリットは上記導電性金属粉末に対して０．１〜２００体積％の含量を有することができる。
【００５６】
以下、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を説明するにあたり、特に積層セラミックキャパシタを用いて説明するが、これに制限されるものではない。
【００５７】
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタにおいて、「長さ方向」は図２の「Ｌ」方向、「幅方向」は「Ｗ」方向、「厚さ方向」は「Ｔ」方向と定義する。ここで「厚さ方向」は誘電体層を積み上げる方向、即ち「積層方向」と同様の概念で用いられることができる。
【００５８】
本発明の一実施形態によると、上記誘電体層３を形成する原料としては、十分な静電容量を得ることができるものであれば特に制限されず、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末であることができる。
【００５９】
上記誘電体層３を形成する材料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末に、本発明の目的に応じて多様なセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。
【００６０】
上記第１及び第２内部電極２１、２２を形成する材料は、特に制限されず、例えば、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）のうち一つ以上の物質からなる導電性ペーストを用いて形成されることができる。
【００６１】
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、上記第１内部電極２１と電気的に連結された第１外部電極３１及び上記第２内部電極２２と電気的に連結された第２外部電極３２を含むことができる。
【００６２】
上記第１及び第２外部電極３１、３２は、静電容量の形成のために上記第１及び第２内部電極２１、２２と電気的に連結されることができ、上記第２外部電極３２は、上記第１外部電極３１と異なる電位に連結されることができる。
【００６３】
本発明の一実施形態によると、上記第１及び第２外部電極３１、３２は導電性金属粉末及び球形のガラスフリットを含み、上記ガラスフリットは上記導電性金属粉末に対して０．１〜２００体積％の含量を有することができる。
【００６４】
上記球形のガラスフリットの平均粒径は、０．０５〜３．０μｍであることができ、特に０．０５〜１．５μｍであることができる。
【００６５】
上記外部電極用導電性ペーストに関する特徴は上述の本発明の一実施形態による説明と重複されるため、ここでは省略する。
【００６６】
本発明の一実施形態によると、上記第１及び第２外部電極３１、３２内に、球形で、平均粒径が０．０５〜３．０μｍである微粒のガラスフリットが含まれることにより、低温で焼成する場合にも緻密な外部電極を具現することができ、低温で焼成することにより、クラック不良が減少して信頼性に優れた積層セラミック電子部品を具現することができる。
【００６７】
図４は本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造工程図である。
【００６８】
図４を参照すると、本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、誘電体層３及び上記誘電体層３を挟んで互いに対向するように配置される第１及び第２内部電極２１、２２を含むセラミック本体１０を製造する段階と、導電性金属粉末及び平均粒径が０．０５〜３．０μｍである球形のガラスフリットを含む外部電極用導電性ペーストを製造する段階と、上記第１及び第２内部電極２１、２２と電気的に連結されるように、外部電極ペーストを上記セラミック本体１０上に塗布する段階と、上記セラミック本体１０を焼成して第１及び第２外部電極３１、３２を形成する段階と、を含むことができる。
【００６９】
上記の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法において、上述した一実施形態による積層セラミック電子部品と重複される説明は省略する。
【００７０】
以下、本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法を詳細に説明するにあたり、特に積層セラミックキャパシタを用いて説明するが、これに制限されるものではない。
【００７１】
まず、誘電体層３及び上記誘電体層３を挟んで互いに対向するように配置される第１及び第２内部電極２１、２２を含むセラミック本体１０を製造することができる。
【００７２】
上記誘電体層３は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末をセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤と配合して、バスケットミル（Ｂａｓｋｅｔ  Ｍｉｌｌ）を用いて形成されたスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥することにより、数μｍの厚さに製造されたセラミックグリーンシートに形成することができる。
【００７３】
次に、グリーンシート上に導電性ペーストをディスペンシング（ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）し、スキージ（ｓｑｕｅｅｇｅｅ）を一側方向に進行させながら導電性ペーストによる内部電極層を形成することができる。
【００７４】
この際、導電性ペーストは、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）などの貴金属材料及びニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）のうち一つの物質で形成されてもよく、少なくとも二つの物質を混合して形成してもよい。
【００７５】
このように内部電極層が形成された後、グリーンシートをキャリアフィルムから分離し、複数のグリーンシートそれぞれを互いに重なるように積層することにより、積層体を形成することができる。
【００７６】
次に、グリーンシート積層体を高温、高圧で圧着した後、圧着されたシート積層体を切断工程を経て所定サイズに切断することにより、セラミック本体を製造することができる。
【００７７】
次に、導電性金属粉末及び平均粒径が０．０５〜３．０μｍである球形のガラスフリットを含む外部電極用導電性ペーストを製造することができる。
【００７８】
上記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）及び銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）からなる群から選択される一つ以上であることができる。
【００７９】
上記ガラスフリットは、上記導電性金属粉末に対して０．１〜２００体積％の含量を有することができる。
【００８０】
次に、上記第１及び第２内部電極２１、２２と電気的に連結されるように、外部電極ペーストを上記セラミック本体１０上に塗布することができる。
【００８１】
最後に、上記セラミック本体１０を焼成して第１及び第２外部電極３１、３２を形成することができる。
【００８２】
また、本発明の一実施形態によると、上記セラミック本体１０を焼成する段階は７００℃以下で行われることができるが、これに制限されるものではない。
【００８３】
以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明がこれによって制限されるものではない。
【００８４】
本実施例は、導電性金属粉末及び平均粒径が０．０５〜３．０μｍである球形のガラスフリットを含む外部電極用導電性ペーストを用いて形成された第１及び第２外部電極を含む積層セラミックキャパシタに対して、クラック発生有無及び信頼性をテストするために行われた。
【００８５】
本実施例による積層セラミックキャパシタは下記のような段階を経て製作された。
【００８６】
まず、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末を含んで形成されたスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥して複数のセラミックグリーンシートを製造し、これにより誘電体層を形成した。
【００８７】
上記誘電体層の焼成後の厚さは１μｍ以下に製作した。
【００８８】
次に、ニッケル粒子の平均サイズが０．０５〜０．２μｍである内部電極用導電性ペーストを製造した。
【００８９】
上記グリーンシート上に上記内部電極用導電性ペーストをスクリーン印刷工法により塗布して内部電極を形成した後、２００層を積層して積層体を製作した。
【００９０】
その後、圧着及び切断して０６０３規格サイズ（Ｓｉｚｅ）のチップを製作し、上記チップをＨ２  ０．１％以下の還元雰囲気のもとで温度１０５０〜１２００℃で焼成した。
【００９１】
次に、本発明の実施例による外部電極ペーストを用いて外部電極を形成し、メッキなどの工程を経て積層セラミックキャパシタを製作した。
【００９２】
比較例は、従来の外部電極ペーストを用いて外部電極を形成したことを除き、上記の製造方法と同様に製作された。
【００９３】
下記表１は、外部電極用導電性ペースト内に含まれるガラスフリットの平均粒径及び形状による焼成緻密度、クラック不良有無、ブリスター（ｂｌｉｓｔｅｒ）不良有無及び信頼性を比較した表である。
【００９４】
下記の信頼性評価は８５８５耐湿性評価に基づいて行い、具体的には、相対湿度８５％、８５℃の温度で６．３Ｖ、１２時間のテスト条件で行われた。
【００９５】
【表１】
2013123024.tif 000003
（ここで、○は良好、Δは普通、×は不良である場合を示す）
【００９６】
上記表１を参照すると、比較例１及び比較例２はガラスフリットの平均粒径がそれぞれ０．０１、３．５μｍの場合で、本発明の数値範囲を外れており、電極焼成によるクラック発生及び信頼性低下の問題があることが分かる。
【００９７】
また、比較例３は不均一な形状を有し、平均粒径が５．０μｍである従来のガラスフリットを含む場合であり、電極焼成によるクラック発生及び信頼性低下の問題があることが分かる。
【００９８】
一方、実施例１〜６は本発明の数値範囲を満たす場合であり、平均粒径が０．０５〜３．０μｍである球形のガラスフリットを含む外部電極用導電性ペーストを用いる場合、クラック発生の問題がなく、信頼性にも優れた結果を示すことが分かる。
【００９９】
図５は本発明の実施例及び比較例による焼成温度毎の外部電極の断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。
【０１００】
図５を参照すると、本発明の実施例である平均粒径が０．５μｍである球形のガラスフリットを含む外部電極の焼成温度が７００℃である場合は、緻密度が非常に優れることが分かる。
【０１０１】
一方、本発明の比較例である平均粒径が５．０μｍであり、不均一な形状のガラスフリットを含む外部電極の焼成温度が７００℃である場合は、緻密度において問題があることが分かる。
【０１０２】
従って、本発明の一実施形態によると、第１及び第２外部電極が平均粒径が０．０５〜３．０μｍである球形のガラスフリットを含む導電性ペーストを用いて形成されることにより、クラック不良を防止し、信頼性に優れた積層セラミック電子部品の具現が可能である。
【０１０３】
本発明は、上述の実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求範囲により限定される。従って、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で、当技術分野の通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【０１０４】
１  導電性金属
２  球形のガラスフリット
３  誘電体層
１０  セラミック本体
２１  第１内部電極
２２  第２内部電極
３１、３２  第１及び第２外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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