(57)【要約】【課題】微細なパターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】インクの液滴１２０を基材１００に向かって順次吐出して基材１００上にパターン１１０を形成するパターン形成方法は、基材１００上の所定位置Ｐｎに向かって第１のレーザ光Ｌ１を照射して当該所定位置Ｐｎを加熱する第１の工程Ｓ１１と、インクの液滴１２０を所定位置Ｐｎに向かって吐出する第２の工程Ｓ１３と、飛翔中のインクの液滴１２０に向かって第２のレーザ光Ｌ２を照射して当該液滴１２０を加熱する第３の工程Ｓ１４と、を備えており、第１のレーザ光Ｌ１の波長と、第２のレーザ光Ｌ２の波長と、が相違している。【選択図】  図４
2013123654.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクの液滴を基材に向かって順次吐出して前記基材上にパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記基材上の所定位置に向かって第１のレーザ光を照射して前記所定位置を加熱する第１の工程と、
前記液滴を前記所定位置に向かって吐出する第２の工程と、
飛翔中の前記液滴に向かって第２のレーザ光を照射して前記液滴を加熱する第３の工程と、を備えており、
前記第１のレーザ光の波長と、前記第２のレーザ光の波長と、が相違していることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン形成方法であって、
前記第１のレーザ光の波長は、前記インクに対する吸収率よりも前記基材に対する吸収率の方が高い波長であり、
前記第２のレーザ光の波長は、前記基材に対する吸収率よりも前記インクに対する吸収率の方が高い波長であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のパターン形成方法であって、
前記第２のレーザ光のパワー密度は、前記第１のレーザ光のパワー密度よりも相対的に低いことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
インクの液滴を基材に向かって順次吐出して前記基材上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
前記基材上の所定位置に向かって第１のレーザ光を照射して前記所定位置を加熱する第１のレーザ照射手段と、
前記液滴を前記所定位置に向かって吐出する液滴吐出手段と、
飛翔中の前記液滴に向かって第２のレーザ光を照射して前記液滴を加熱する第２のレーザ照射手段と、を備えており、
前記第１のレーザ光の波長と、前記第２のレーザ光の波長と、が相違していることを特徴とするパターン形成装置。
【請求項５】
請求項４に記載のパターン形成装置であって、
前記第１のレーザ光の波長は、前記インクに対する吸収率よりも前記基材に対する吸収率の方が高い波長であり、
前記第２のレーザ光の波長は、前記基材に対する吸収率よりも前記インクに対する吸収率の方が高い波長であることを特徴とするパターン形成装置。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のパターン形成装置であって、
前記第２のレーザ光のパワー密度は、前記第１のレーザ光のパワー密度よりも相対的に低いことを特徴とするパターン形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクの液滴を基材に向かって順次吐出して当該基材上に所定形状のパターンを形成するパターン形成方法及びパターン形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
インクジェットを用いて基板上に配線パターンを形成する際に、当該基板上において液滴が着弾する箇所をレーザ光やランプによって予め加熱することで、着弾直後の液滴を迅速に固化させる技術が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００９／０７２６０３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、樹脂材料等の比較的融点の低い材料で基板を構成すると、着弾した液滴が固化する温度まで基板を十分に加熱することができない場合がある。そのため、液滴を迅速に乾燥させることができず、微細なパターンを形成することが困難であるという問題があった。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、微細なパターンを形成することが可能なパターン形成方法およびパターン形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］本発明に係るパターン形成方法は、インクの液滴を基材に向かって順次吐出して前記基材上にパターンを形成するパターン形成方法であって、前記基材上の所定位置に向かって第１のレーザ光を照射して前記所定位置を加熱する第１の工程と、前記液滴を前記所定位置に向かって吐出する第２の工程と、飛翔中の前記液滴に向かって第２のレーザ光を照射して前記液滴を加熱する第３の工程と、を備えており、前記第１のレーザ光の波長と、前記第２のレーザ光の波長と、が相違していることを特徴とする。
【０００７】
［２］上記発明において、前記第１のレーザ光の波長は、前記インクに対する吸収率よりも前記基材に対する吸収率の方が高い波長であり、前記第２のレーザ光の波長は、前記基材に対する吸収率よりも前記インクに対する吸収率の方が高い波長であってもよい。
【０００８】
［３］上記発明において、前記第２のレーザ光のパワー密度は、前記第１のレーザ光のパワー密度よりも相対的に低くてもよい。
【０００９】
［４］また、本発明に係るパターン形成装置は、インクの液滴を基材に向かって順次吐出して前記基材上にパターンを形成するパターン形成装置であって、前記基材上の所定位置に向かって第１のレーザ光を照射して前記所定位置を加熱する第１のレーザ照射手段と、前記液滴を前記所定位置に向かって吐出する液滴吐出手段と、飛翔中の前記液滴に向かって第２のレーザ光を照射して前記液滴を加熱する第２のレーザ照射手段と、を備えており、前記第１のレーザ光の波長と、前記第２のレーザ光の波長と、が相違していることを特徴とする。
【００１０】
［５］上記発明において、前記第１のレーザ光の波長は、前記インクに対する吸収率よりも前記基材に対する吸収率の方が高い波長であり、前記第２のレーザ光の波長は、前記基材に対する吸収率よりも前記インクに対する吸収率の方が高い波長であってもよい。
【００１１】
［６］上記発明において、前記第２のレーザ光のパワー密度は、前記第１のレーザ光のパワー密度よりも相対的に低くてもよい。
【００１２】
なお、上記発明において、前記パターン形成装置は、前記基材を前記液滴吐出手段に対して相対移動させる移動手段を備えてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基材上の所定位置を第１のレーザ光によって予め加熱しておくと共に、飛翔中の液滴を第２のレーザ光によって加熱するので、微細なパターンを形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の実施形態におけるパターン形成装置の概要を示す全体構成図である。
【図２】図２は、図１のII部の拡大図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態におけるパターン形成装置の他の構成を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態におけるパターン形成方法を示すフローチャートである。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｄ）は、図４の各ステップを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１は本発明の実施形態におけるパターン形成装置の概要を示す全体構成図、図２は図１のII部の拡大図である。
【００１７】
本実施形態におけるパターン形成装置１０は、インクの液滴１２０を基材１００に向かって順次吐出して基材１００上に配線パターン１１０を形成する、いわゆるインクジェット方式の印刷装置である。
【００１８】
このパターン形成装置１０は、図１に示すように、ステージ２０と、インクジェットヘッド３０と、第１のレーザ照射装置４０と、第２のレーザ照射装置５０と、温度センサ６０と、制御装置７０と、を備えている。
【００１９】
ステージ２０は、配線パターン１１０が形成される基材１００を保持する保持面２１を有している。この保持面２１には、例えば静電チャックが設けられており、保持面２１上に載置された基材１００を吸着することが可能となっている。また、このステージ２０は、例えば、特に図示しないボールネジ機構によって、図中のＸＹ平面上を移動することが可能となっている。
【００２０】
なお、静電吸着に代えて、真空吸着や粘着等によって保持面２１が基材１００を保持してもよい。基材１００が薄くて柔軟性に富む場合には、基材１００の全面を固定することが好ましい。また、ステージ２０を透明な材料で構成して、後述する第１及び第２のレーザ光Ｌ１，Ｌ２のどちらか一方または両方を、ステージ２０を介して基材１００の裏面に向かって照射してもよい。
【００２１】
因みに、本実施形態における基材１００は、ポリイミド（ＰＩ）樹脂で構成されたフィルムである。なお、基材１００を構成する材料は、特にこれに限定されず、例えば、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の樹脂材料を用いてもよい。
【００２２】
また、金属材料や半導体材料で基材１００を構成してもよい。金属材料としては、例えば、アルミニウム、銅、金、半田等を例示することができる。また、半導体材料としては、例えば、シリコン、シリコンカーバイト、ガリウム砒素、ガリウムナイトライド等を例示することができる。また、例えば、アルミナ等のセラミックスや石英ガラス等で、基材１００を構成してもよい。
【００２３】
インクジェットヘッド３０は、ステージ２０の保持面２１に対向したノズル３１を有している。特に図示しないが、このノズル３１は、インクが充填された微小な圧力室に連通しており、この圧力室内に大きな圧力を発生させることで、インクの液滴１２０をノズル３１の開口３２を介して基材１００に向かって吐出することが可能となっている。なお、このインクジェットヘッド３０の圧力発生方式としては、ピエゾ方式、バブル方式、或いは静電吸引方式のいずれを用いてもよい。
【００２４】
ノズル３１から吐出されるインク液滴１２０の径は、配線パターン１１０の最小幅に対して０．１〜２．０倍程度であり、具体的には、１０〜１５０［μｍ］、好ましくは５０〜１００［μｍ］である。また、インク液滴１２０を、当該液滴１２０の径に対して０．２５〜５．０倍の間隔で、基材１００上に着弾させることで、配線パターン１１０が途切れてしまうのを防止することができる。
【００２５】
因みに、本実施形態におけるインクは、銀ナノ粒子を有機溶媒中に分散させたものである。なお、本発明におけるインクは、導電性材料、半導体材料、絶縁性材料等の機能性材料を含有していれば、特にこれに限定されない。ここで、導電性材料としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、ビスマス、鉛、インジウム、錫、亜鉛、チタン、及びアルミニウムの群からなる金属種群のうちの何れか一種若しくは二種以上の金属、又は、前記金属種群のうちの何れか二種以上の金属からなる合金等を例示することができる。また、前記金属種群のうちの何れか一種若しくは二種以上の金属の酸化物を含む無機物を用いてもよいし、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール等の導電性ポリマーのモノマーやオリゴマーを用いてもよい。また、絶縁性材料としては、例えば、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等を例示することができる。また、半導体材料として、例えば、シリコン（Ｓｉ）などの無機半導体や、ジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェン（Ｃ８−ＢＴＢＴ）などの有機半導体を用いてもよい。さらに、機能性材料として、例えば、液晶パネルの配向膜やカラーフィルタ材料をインクが含有してもよいし、例えば、ＤＮＡやタンパク質等のバイオマテリアル、薬剤等をインクが含有してもよい。なお、導電性材料が金属の場合には、金属無機塩や有機金属錯体を有機溶媒中に分散させてもよい。
【００２６】
第１のレーザ照射装置４０は、第１のレーザ発振器４１と、第１のミラー４２と、第１のレンズ４３と、を有している。なお、第１のレーザ照射装置４０の光学系の構成やレイアウト等は、特にこれに限定されない。第１のレーザ発振器４１は、例えば、１０．５［μｍ］の波長の第１のレーザ光Ｌ１を発振することが可能な炭酸ガス（ＣＯ２）レーザ発振器である。
【００２７】
第１のレーザ発振器４１から出射された第１のレーザ光Ｌ１は、第１のミラー４２で反射された後に、第１のレンズ４３で集光されて、図２に示すように、基材１００上の所定位置（着弾予定位置）Ｐｎに照射される。この基材１００上の所定位置Ｐｎは、基材１００上において、インクジェットヘッド３０から吐出されたインク液滴１２０が着弾する予定の位置であり、配線パターン１１０の描画方向においてインク液滴１２０が着弾する最新の着弾位置Ｐｎ−１よりも、０．１〜２［ｍｍ］程度上流側（同図における左方向）の位置である。基材１００上におけるこの着弾予定位置Ｐｎは、第１のレーザ光Ｌ１の照射によって、インクの液滴１２０が着弾する前に予め加熱される。
【００２８】
第２のレーザ照射装置５０も、第２のレーザ発振器５１と、第２のミラー５２と、第２のレンズ５３と、を有している。なお、第２のレーザ照射装置５０の光学系の構成やレイアウト等は、特にこれに限定されない。第２のレーザ発振器５１は、例えば、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、或いはツリウム（Ｔｍ）等を光ファイバにドーピングしたファイバレーザ発振器であり、５３２［ｎｍ］の波長の第２のレーザ光Ｌ２を発振することが可能となっている。
【００２９】
なお、第２のレーザ発振器５１として、ファイバレーザ発振器に代えて、３５５［ｎｍ］の波長のレーザ光を発振するＹＡＧレーザ発振器やＹＶＯ４レーザ発振器であってもよいし、或いは、３００〜６００［ｎｍ］の波長のレーザ光を発振するエキシマレーザ発振器を用いてもよい。
【００３０】
第２のレーザ発振器５１から出射された第２のレーザ光Ｌ２は、第２のミラー５２で反射された後に、第２のレンズ５３で集光されて、図２に示すように、基材１００上におけるインク液滴１２０の最新着弾位置Ｐｎ−１と、描画方向において最新着弾位置Ｐｎ−１よりも下流側（図２における右方向）の部分と、を含む領域に照射される。このため、この第２のレーザ光Ｌ２は、同図に示すように、インクジェットヘッド３０のノズル３１から基材１００に向かって飛翔するインク液滴１２０の経路の一部を照射している。
【００３１】
なお、基材１００上における第２のレーザ光Ｌ２の照射位置は、当該第２のレーザ光Ｌ２が飛翔中のインク液滴１２０を照射可能であれば特に限定されない。例えば、第２のレーザ光Ｌ２が、基材１００上において、インク液滴１２０の着弾位置Ｐｎ−１のみを照射してもよいし、当該着弾位置Ｐｎ−1よりも下流側の部分のみを照射してもよい。
【００３２】
なお、この第２のレーザ光Ｌ２によるインクの液滴１２０の加熱は、当該液滴１２０の溶媒が突沸しない程度に抑制する必要がある。そのため、本実施形態では、第２のレーザ光Ｌ２のパワー密度を、第１のレーザ光Ｌ１のパワー密度に対して１／１〜１／２０程度に設定している。
【００３３】
ここで、基材１００を構成する樹脂材料の多くは、波長が３〜２０［μｍ］の帯域に吸収ピークを有している。一方、銀インクの粒子径が５〜１５［ｎｍ］の場合、波長が３００〜６００［ｎｍ］の帯域に、局在表面プラズモン共鳴（ＬＳＰＲ：Localized Surface Plasmon Resonance）に起因する吸収帯が現れる。
【００３４】
そのため、本実施形態では、第１のレーザ光Ｌ１（波長：１０．５［μｍ］）は、インクの液滴１２０よりも基材１００に吸収されやすくなっているのに対し、第２のレーザ光Ｌ２（波長：５３２［ｎｍ］）は、基材１００よりもインクの液滴１２０に吸収されやすくなっている。すなわち、本実施形態では、第１のレーザ光Ｌ１の波長は、インクに対する吸収率よりも基材１００に対する吸収率の方が高い波長となっているのに対し、第２のレーザ光Ｌ２の波長は、基材１００に対する吸収率よりもインクに対する吸収率の方が高い波長となっており、第１のレーザ光Ｌ１の波長が、第２のレーザ光Ｌ２の波長に対して相対的に大きくなっている。
【００３５】
なお、基材が透明な樹脂基板である場合には、当該透明樹脂基板に多く吸収される３８０［ｎｍ］以下の波長のＵＶレーザを、第１のレーザ光Ｌ１として用いる必要がある。このため、金属ナノ粒子を含有するインクを透明な樹脂基材に印刷する場合には、第１のレーザ光Ｌ１の波長が第２のレーザ光Ｌ２の波長に対して相対的に小さくなる。
【００３６】
温度センサ６０は、例えばサーモグラフィ等から構成されており、基材１００上の着弾予定位置Ｐｎの温度を非接触で計測することが可能となっている。この温度センサ６０は制御装置７０に接続されており、制御装置７０は、温度センサ６０の計測結果に基づいて、基材１００上の着弾予定位置Ｐｎの温度が目標温度範囲に内包されるように、ステージ２０、インクジェットヘッド３０、及びレーザ照射装置４０，５０を制御する。
【００３７】
制御装置７０は、例えば、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、及び各種インタフェース等を備えたコンピュータから構成されており、基材１００に形成する配線パターン１１０の形状（座標情報）が予め記憶されている。この制御装置７０は、所定のプログラムを実行することで、基材１００上に配線パターン１１０を形成するように、ステージ２０、インクジェットヘッド３０、及びレーザ照射装置４０，５０を制御する。
【００３８】
なお、レーザ照射装置の構成は上記に特に限定されない。図３は本発明の実施形態におけるパターン形成装置の他の構成を示す図である。
【００３９】
図３に示す例では、レーザ照射装置８０は、レーザ発振器８１と、回折格子８２と、第１のミラー８３と、第１のレンズ８４と、第２のミラー８５と、減光フィルタ８６と、第３のミラー８７と、第２のレンズ８８と、を有している。
【００４０】
レーザ発振器８１は、二種類の異なる波長のレーザ光を発振することが可能な２波長レーザ発振器である。この２波長レーザ発振器８１は、活性層が異なる発光・共振部を隣接してワンチップ内に形成したものであり、活性層の構造を変更することで波長を任意に変更することが可能となっている。本例におけるレーザ発振器８１は、波長が７８５［ｎｍ］の近赤外域のレーザ光と、波長が４０５［ｎｍ］の青紫域のレーザ光と、を発振する半導体レーザ発振器であり、前者を第１のレーザ光Ｌ１として使用し、後者を第２のレーザ光Ｌ２として使用する。
【００４１】
このレーザ発振器８１によって発振されたレーザ光は、回折格子８２によって第１のレーザ光Ｌ１と第２のレーザ光Ｌ２に分割される。そして、第１のレーザ光Ｌ１は、第１のミラー８３で反射された後に、第１のレンズ８４で集光されて、基材１００上の着弾予定位置に照射される。
【００４２】
一方、第２のレーザ光Ｌ２は、第２のミラー８５で反射され、減光フィルタ８６を通過し、第３のミラー８７で再度反射された後に、第２のレンズ８８で集光されて、基材１００上におけるインク液滴１２０の最新の着弾位置と、描画方向における最新着弾位置よりも下流側の部分と、を含む領域に照射される。なお、本例では、第２のレーザ光Ｌ２が減光フィルタ８６を通過することで、第２のレーザ光Ｌ２のパワー密度が、第１のレーザ光Ｌ１のパワー密度に対して相対的に低くなる。
【００４３】
なお、回折格子８２を介在させずに、レーザ発振器８１に出射口を２つ設けて、それぞれの出射口から第１のレーザ光Ｌ１と第２のレーザ光Ｌ２とを別々に出射してもよい。
【００４４】
また、レーザ発振器８１として、上述の２波長半導体レーザ発振器に代えて、波長が１０６４［ｎｍ］の近赤外域のレーザ光と、波長が５３２［ｎｍ］のグリーン域のレーザ光と、を発振するファイバレーザ発振器を用いてもよい。
【００４５】
このファイバレーザ発振器では、先ず、１０６４［ｎｍ］のレーザ光を発振させ、ビームスプリッタによって分割した一方のレーザ光を第１のレーザ光Ｌ１として出射すると共に、他方のレーザ光を非線形光学結晶に入射させ第二高調波を発生させて第２のレーザ光Ｌ２として出射する。なお、この場合の第２のレーザ光Ｌ２は、第二高調波に特に限定されず、第三高調波等のより高次の高調波のレーザ光であってもよい。
【００４６】
次に、本実施形態における配線パターンの形成方法について、図４及び図５（ａ）〜図５（ｄ）を参照しながら説明する。図４は本発明の実施形態における配線パターンの形成方法のフローチャート、図５（ａ）〜図５（ｄ）は図４の各ステップを示す図である。
【００４７】
先ず、図４のステップＳ１１において、図５（ａ）に示すように、第１のレーザ照射装置４０によって基材１００に向かって第１のレーザ光Ｌ１を照射することで、基材１００上の着弾予定位置Ｐｎを加熱する。この際、上述のように、第１のレーザ光Ｌ１の波長は、基材１００に対する吸収率の高い波長であるので、第１のレーザ光Ｌ１が基材１００に効率的に吸収され、これにより基材１００が加熱される。
【００４８】
次いで、図４のステップＳ１２において、図５（ｂ）に示すように、ステージ２０を図中右側に向かって所定量移動させることで、基材１００をインクジェットヘッド３０に対して相対移動させて、先のステップＳ１１で予熱された着弾予定位置Ｐｎをインクジェットヘッド３０のノズル３１に対向させる。
【００４９】
次いで、図４のステップＳ１３において、図５（ｃ）に示すように、インクジェットヘッド３０が、基材１００上の最新着弾位置Ｐｎに向かって、インクの液滴１２０を吐出する。
【００５０】
インクジェットヘッド３０のノズル３１から吐出されたインク液滴１２０は、図４のステップＳ１４において、飛翔する間に第２のレーザ光Ｌ２内を通過する。この際、上述のように、第２のレーザ光Ｌ２の波長は、インクに対する吸収率が高い波長となっているので、第２のレーザ光Ｌ２が飛翔中のインク液滴１２０に効率的に吸収され、これにより当該液滴１２０が加熱される。
【００５１】
インクジェットヘッド３０のノズル３１から吐出されたインク液滴１２０は、第２のレーザ光Ｌ２内を通過した後、図５（ｄ）に示すように、基材１００上における最新着弾位置Ｐｎに着弾する。この際、第１のレーザ光Ｌ１によって基材１００が予熱されていると共に、第２のレーザ光Ｌ２によってインク液滴１２０も予熱されているので、基材１００上への着弾直後からインクの乾燥が始まる。このため、基材１００上でのインクの濡れ広がりが抑制され、所謂コーヒーステイン現象が抑制されるので、微細な配線パターンを形成することが可能となる。
【００５２】
なお、図４のステップＳ１２におけるステージ２０の移動によって、基材１００上における次の着弾予定位置Ｐｎ＋１が第１のレーザ光Ｌ１の照射位置に移動するので、ステップＳ１３〜Ｓ１４が行われる間中、第１のレーザ光Ｌ１によって当該着弾予定位置Ｐｎ＋１が予熱される。
【００５３】
以上に説明したステップＳ１０の描画工程を繰り返すことで配線パターン１１０を全て描画し終えたら、図４のステップＳ２０において、基材１００をオーブンに投入して８０℃でインクを乾燥させる。次いで、図４のステップＳ３０において、当該基材１００上の配線パターン１１０に対して、窒素雰囲気下で２５０℃の加熱処理を行うことでインクを焼結させる。このように配線パターン１１０が形成された基材１００は、例えば、フレキシブルプリント配線板等として使用される。
【００５４】
以上のように、本実施形態では、第１のレーザ光Ｌ１による基材１００の予熱に加えて、第２のレーザ光Ｌ２によってインク液滴１２０を予熱するので、基材１００を比較的融点の低い樹脂材料で構成した場合に、第１のレーザ光Ｌ１による基材１００の加熱を弱めても、インク液滴１２０の予熱によってその不足分を補うことができる。そのため、基材１００上でのインクの濡れ広がりが抑制され、微細な配線パターン１１０を形成することが可能となると共に、第１のレーザ光Ｌ１によって基材１００が損傷するのを抑制することができる。
【００５５】
特に、本実施形態では、第１のレーザ光Ｌ１の波長が、インクに対する吸収率よりも基材１００に対する吸収率の方が高い波長であるので、第１のレーザ光Ｌ１によって基材１００を効率的に加熱することができると共に、この第１のレーザ光Ｌ１によってインク液滴１２０を加熱してしまうのを防止することができる。
【００５６】
また、本実施形態では、第２のレーザ光Ｌ２の波長が、基材１００に対する吸収率よりもインクに対する吸収率の方が高い波長であるので、第２のレーザ光Ｌ２によってインクの液滴１２０を効率的に加熱することができると共に、この第２のレーザ光Ｌ２によって基材１００を加熱してしまうのを防止することができる。
【００５７】
また、本実施形態では、第２のレーザ光Ｌ２のエネルギ密度が、第１のレーザ光Ｌ１のエネルギ密度よりも相対的に低くなっているので、インク液滴１２０の溶媒の突沸を防止することができる。
【００５８】
なお、本実施形態における図４のステップＳ１１が本発明における第１の工程の一例に相当し、本実施形態における図４のステップＳ１３が本発明における第２の工程の一例に相当し、本実施形態における図４のステップＳ１４が本発明における第３の工程の一例に相当する。また、本実施形態における第１のレーザ光Ｌ１が本発明における第１のレーザ光の一例に相当し、本実施形態における第２のレーザ光Ｌ２が本発明における第２のレーザ光の一例に相当する。
【００５９】
また、本実施形態におけるインクジェットヘッド３０が本発明における液滴吐出手段の一例に相当し、本実施形態における第１のレーザ照射装置４０が本発明における第１のレーザ照射手段の一例に相当し、本実施形態における第２のレーザ照射装置５０が本発明における第２のレーザ照射手段の一例に相当する。
【００６０】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００６１】
例えば、本発明の実施形態に係るパターン形成方法は、フレキシブルプリント配線板の配線パターンの形成の他、リジッドプリント配線板やフレックスリジッドプリント基板の配線パターンの形成、多層プリント配線板や部分多層プリント配線板の各層の配線パターンの形成、チップとメイン基板との間に介在するインタポーザの配線パターンの形成、ＤＮＡやタンパク質などのバイオマテリアルや薬剤を含むインクによるパターンの形成等に用いることができる。
【符号の説明】
【００６２】
１０…パターン形成装置
２０…ステージ
３０…インクジェットヘッド
４０…第１のレーザ照射装置
４１…第１のレーザ発振器
４２…第１のミラー
４３…第１のレンズ
５０…第２のレーザ照射装置
５１…第２のレーザ発振器
５２…第２のミラー
５３…第２のレンズ
６０…温度センサ
７０…制御装置
１００…基材
１１０…配線パターン
１２０…インクの液滴
Ｌ１…第１のレーザ光
Ｌ２…第２のレーザ光
【図１】
2013123654.tif 000003
【図２】
2013123654.tif 000004
【図３】
2013123654.tif 000005
【図４】
2013123654.tif 000006
【図５】
2013123654.tif 000007