(57)【要約】【課題】通過帯域よりも低周波数側及び高周波数側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性表面波フィルタにおいて、前記減衰域において良好な減衰量を得ること。【解決手段】２つのＳＡＷ共振子１１、１２を入力ポート５と出力ポート６との間に互いに並列に接続する。そして、周波数と減衰量との関係を示す特性図において、これらＳＡＷ共振子１１、１２の各々の減衰域に形成されるサイドローブの位置を互いに位置ずれさせるために、第１のＳＡＷ共振子１１の本数Ｎと、第２のＳＡＷ共振子１２の本数Ｎと、を互いに異なる本数に設定する。更に、このように本数Ｎを互いに異なる数量に設定したことに伴うインピーダンスの不整合を解消するために、これらＳＡＷ共振子１１、１２の互いの交差長Ｗを異なった寸法にする。【選択図】図１
2013005048.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通過帯域よりも低周波数側及び高周波数側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性表面波フィルタにおいて、
ＩＤＴ電極と前記ＩＤＴ電極を弾性表面波の伝搬方向における一方側及び他方側から挟むように配置された一対の反射器とを圧電基板上に各々形成すると共に、互いの通過帯域が揃うように構成された第１のＳＡＷ共振子及び第２のＳＡＷ共振子と、
これら第１のＳＡＷ共振子及び第２のＳＡＷ共振子に共通に設けられた入力ポートと、
前記第１のＳＡＷ共振子及び前記第２のＳＡＷ共振子に共通に設けられた出力ポートと、を備え、
前記ＩＤＴ電極は、弾性表面波の伝搬方向に沿うように各々配置されると共に互いに平行となるように形成された一対のバスバーと、これらバスバーの一方側及び他方側から互いに交互に櫛歯状に伸び出すように配置された複数本の電極指と、を備え、
前記第１のＳＡＷ共振子及び前記第２のＳＡＷ共振子は、周波数と減衰量との関係を示す特性図において、各々の減衰域に形成されるサイドローブの位置を互いに位置ずれさせるために、各々のＩＤＴ電極における電極指が互いに異なる本数に設定され、
一対のバスバー間において互いに隣接する電極指同士が交差する長さ寸法を交差長とすると、前記第１のＳＡＷ共振子及び前記第２のＳＡＷ共振子は、各々のインピーダンスの整合を取るために、互いに異なる交差長に設定されていることを特徴とする弾性表面波フィルタ。
【請求項２】
前記通過帯域の比帯域は、１％以上であることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通過帯域よりも低周波数側及び高周波数側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性表面波（ＳＡＷ：surface  acoustic  wave）フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＡＷ（Surface  Acoustic  Wave：弾性表面波）を利用したフィルタの一つとして、ある周波数帯域に通過帯域を設けると共に、この通過帯域よりも低周波数側及び高周波数側に各々減衰域（阻止域）を設けたバンドパスフィルタが知られている。このようなフィルタは、ＩＤＴ（Inter  Digital  Transducer）電極と、このＩＤＴ電極を弾性表面波（以下「弾性波」と言う）の伝搬方向における一方側及び他方側から挟むように配置された一対の反射器と、を圧電基板上に配置した共振器（ＬＣＭＲ：Longitudinal  Couple  Mode  Resonator）型のＳＡＷフィルタにより構成される。
【０００３】
このフィルタは、例えば携帯電話にて受信される電波が当該携帯電話の内部に到達する前にこの電波からノイズを除去するためのＲＦフィルタや、携帯電話の内部にて前記電波の変換を行うＩＦフィルタなどとして用いられる。携帯電話用のＲＦフィルタの場合には、比帯域（通過帯域÷（通過帯域の中心周波数）×１００）が１％以上もの広帯域となるように、ＩＤＴ電極の電極指の本数が例えば数十本程度に設定される。一方、特許文献１、２のフィルタは、一般に共振を合成させて通過帯域を広げることが前提の技術であり、特許文献２に記載されているように、ＧＳＭのＩＦフィルタ等は、狭帯域なフィルタ特性を持つ特徴がある。そして、比帯域が１％より小さい狭帯域のフィルタとなるように、電極指の本数を例えば数百本以上に設定している。
【０００４】
以上説明した電気的に並列接続された２種類のＬＣＭＲ型の構成では、電極指の本数に互いに大きな差異があることから、通過帯域の広さ（比帯域の大きさ）が互いに異なっていることに加えて、減衰域でも互いの周波数特性が異なっている。具体的には、広帯域であるＲＦフィルタの減衰域では、図９に模式的に示すように、各々の電極指にて励振される弾性波に対応する減衰極（ポール）とサイドローブとが形成される。一方、狭帯域であるＩＦフィルタの減衰域では、図１０に模式的に示すように、電極指の本数が多いために前記サイドローブが互いに干渉し合い、概略フラットな特性となる。従って、ＲＦフィルタでは、減衰域における減衰量がある値よりも大きくなるように規格（例えば図９中の一点鎖線）が定められている場合において、前記サイドローブによって減衰域における特性が規格を外れてしまうことがある。尚、図９及び図１０は、夫々電極指の重み付けや間引きを行わない状態での特性を模式的に示している。
特許文献１、２には、通過帯域が各々狭帯域となるように構成されたＳＡＷ共振器を２つ並列に接続し、これらＳＡＷ共振器の各々の通過帯域同士を接続していわば一つの大きな通過帯域を形成する技術について記載されているが、既述の課題については記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−３３４４７６
【特許文献２】特開平１０−２９４６４４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、通過帯域よりも低周波数側及び高周波数側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性表面波フィルタにおいて、前記減衰域において良好な減衰量を得ることのできる弾性表面波フィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の弾性表面波フィルタは、
通過帯域よりも低周波数側及び高周波数側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性表面波フィルタにおいて、
ＩＤＴ電極と前記ＩＤＴ電極を弾性表面波の伝搬方向における一方側及び他方側から挟むように配置された一対の反射器とを圧電基板上に各々形成すると共に、互いの通過帯域が揃うように構成された第１のＳＡＷ共振子及び第２のＳＡＷ共振子と、
これら第１のＳＡＷ共振子及び第２のＳＡＷ共振子に共通に設けられた入力ポートと、
前記第１のＳＡＷ共振子及び前記第２のＳＡＷ共振子に共通に設けられた出力ポートと、を備え、
前記ＩＤＴ電極は、弾性表面波の伝搬方向に沿うように各々配置されると共に互いに平行となるように形成された一対のバスバーと、これらバスバーの一方側及び他方側から互いに交互に櫛歯状に伸び出すように配置された複数本の電極指と、を備え、
前記第１のＳＡＷ共振子及び前記第２のＳＡＷ共振子は、周波数と減衰量との関係を示す特性図において、各々の減衰域に形成されるポールの位置を互いに位置ずれさせるために、各々のＩＤＴ電極における電極指が互いに異なる本数に設定され、
一対のバスバー間において互いに隣接する電極指同士が交差する長さ寸法を交差長とすると、前記第１のＳＡＷ共振子及び前記第２のＳＡＷ共振子は、各々のインピーダンスの整合を取るために、互いに異なる交差長に設定されていることを特徴とする。前記通過帯域の比帯域は、１％以上であっても良い。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、入力ポートと出力ポートとの間に第１のＳＡＷ共振子及び第２のＳＡＷ共振子を互いに並列に配置すると共に、これらＳＡＷ共振子の各々において周波数と減衰量との関係を示す特性図における減衰域に形成されるサイドローブの位置を互いに位置ずれさせるために、第１のＳＡＷ共振子のＩＤＴ電極の電極指と、第２のＳＡＷ共振子のＩＤＴ電極の電極指と、を互いに異なる本数に設定している。そして、これらＳＡＷ共振子同士の間におけるインピーダンスの整合を取るために、一対のバスバー間において互いに隣接する電極指同士が交差する長さ寸法である交差長について、各々のＳＡＷ共振子において互いに異なる長さ寸法に設定している。そのため、通過帯域における挿入損失の劣化を抑えつつ、減衰域において良好な（大きな）減衰量のバンドパスフィルタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明のフィルタの一例を示す平面図である。
【図２】従来のフィルタにおいて得られる特性を示す模式図である。
【図３】前記従来のフィルタを示す平面図である。
【図４】前記本発明のフィルタの特性を示す模式図である。
【図５】前記本発明のフィルタの特性を示す特性図である。
【図６】前記従来のフィルタの特性を示す特性図である。
【図７】本発明のフィルタの他の例を示す平面図である。
【図８】本発明のフィルタの更に別の例を示す平面図である。
【図９】従来のフィルタの特性を示す模式図である。
【図１０】従来のフィルタの特性を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施の形態の一例である弾性表面波フィルタについて、図１を参照して説明する。このフィルタは、通過帯域よりも低周波数側及び高周波数側に各々減衰域が設けられると共に、通過帯域の比帯域が１％以上もの広帯域となるように設定されたバンドパスフィルタであり、入力ポート５と出力ポート６との間に第１のＳＡＷ共振子１１と第２のＳＡＷ共振子１２とを互いに並列に接続して構成されている。具体的には、弾性波の伝搬方向における一方側及び他方側を夫々右方向及び左方向と呼ぶと、例えば水晶などの圧電基板１０上には、左側に第１のＳＡＷ共振子１１が配置され、右側に第２のＳＡＷ共振子１２が配置されている。従って、入力ポート５は、これらＳＡＷ共振子１１、１２に対して共通に設けられ、出力ポート６は、ＳＡＷ共振子１１、１２に対して共通に設けられている。
【００１１】
これら第１のＳＡＷ共振子１１及び第２のＳＡＷ共振子１２のうち、始めに第１のＳＡＷ共振子１１について説明する。この第１のＳＡＷ共振子１１は、３つのＩＤＴ電極２１を弾性波の伝搬方向に配置すると共に、これらＩＤＴ電極２１を弾性波の伝搬方向における一方側及び他方側から挟むように、一対の反射器３１、３１を設けて構成されている。ＩＤＴ電極２１は、弾性波の伝搬方向に沿うように各々配置されると共に互いに平行となるように形成された一対のバスバー２２、２２と、これらバスバー２２、２２のうち一方側のバスバー２２から他方側のバスバー２２に向かって交互に櫛歯状に伸び出す複数本の電極指２３と、を各々備えている。各々の電極指２３は、電極指２３の幅寸法及び互いに隣接する電極指２３、２３間の離間寸法からなる周期長（周期単位）λが弾性波の伝搬方向に沿って周期的に繰り返されるように配置されている。従って、前記周期長λに対応する波長の弾性波が圧電基板１０上を伝搬する。図１中３２は反射器電極指、３３は反射器バスバーである。尚、図１では電極指２３の本数について簡略化して描画している。
【００１２】
これらＩＤＴ電極２１の各々の電極指２３の本数Ｎは、既述のように比帯域が１％以上となるように、例えば数十本程度に各々設定されている。即ち、これら３つのＩＤＴ電極２１について、左側から右側に向かって夫々第１のＩＤＴ電極２１、第２のＩＤＴ電極２１及び第３のＩＤＴ電極２１と呼ぶと、本数Ｎは、第１のＩＤＴ電極２１では１８〜３５本、第２のＩＤＴ電極２１では３０〜５４本、第３のＩＤＴ電極２１では１８〜３５本となっている。具体的には、本数Ｎは、第１のＩＤＴ電極２１、第２のＩＤＴ電極２１及び第３のＩＤＴ電極２１では、夫々２３本、４１本及び２３本となっている。また、互いに隣接して交差するように一方側のバスバー２２及び他方側のバスバー２２から夫々伸びる電極指２３、２３同士の交差する長さ寸法を交差長Ｗと呼ぶと、第１のＳＡＷ共振子１１では、交差長Ｗは３つのＩＤＴ電極２１の各々において例えば８×λ〜３０×λとなっている。
【００１３】
第１のＩＤＴ電極２１において、奥側のバスバー２２は接地され、手前側のバスバー２２は出力ポート６に接続されている。第２のＩＤＴ電極２１では、奥側のバスバー２２が入力ポート５に接続され、手前側のバスバー２２が接地されている。第３のＩＤＴ電極２１では、奥側のバスバー２２が接地され、手前側のバスバー２２が出力ポート６に接続されている。
【００１４】
続いて、第２のＳＡＷ共振子１２について説明する。この第２のＳＡＷ共振子１２についても、弾性波の伝搬方向に沿って３つのＩＤＴ電極２１が配置されると共に、これら３つのＩＤＴ電極２１の左側及び右側に各々反射器３１が配置されている。従って、第１のＳＡＷ共振子１１と第２のＳＡＷ共振子１２とでは、ＩＤＴ電極２１の数量は揃っている。この第２のＳＡＷ共振子１２についても、３つのＩＤＴ電極２１について左側から右側に向かって夫々第１のＩＤＴ電極２１、第２のＩＤＴ電極２１及び第３のＩＤＴ電極２１と呼ぶと、第１のＩＤＴ電極２１において、奥側のバスバー２２は接地され、手前側のバスバー２２は出力ポート６に接続されている。第２のＩＤＴ電極２１の奥側のバスバー２２には入力ポート５が接続され、手前側のバスバー２２は接地されている。第３のＩＤＴ電極２１では、奥側のバスバー２２が接地され、手前側のバスバー２２が出力ポート６に接続されている。
【００１５】
第２のＳＡＷ共振子１２において、電極指２３の本数Ｎは、第１のＩＤＴ電極２１、第２のＩＤＴ電極２１及び第３のＩＤＴ電極２１では、夫々１８〜３５本、３０〜５４本及び１８〜３５本となっている。具体的には、前記本数Ｎは、第１のＩＤＴ電極２１、第２のＩＤＴ電極２１及び第３のＩＤＴ電極２１では、夫々２１本、３９本及び２１本となっている。また、第２のＳＡＷ共振子１２における交差長Ｗは、３つのＩＤＴ電極２１の各々において例えば８×λ〜３０×λ（第１のＳＡＷ共振子１１の交差長Ｗ≠第２のＳＡＷ共振子１２の交差長Ｗ）となっている。従って、これら本数Ｎ及び交差長Ｗは、第１のＳＡＷ共振子１１と第２のＳＡＷ共振子１２とにおいて夫々互いに異なる数量（寸法）に設定されている。本数Ｎについては、第１のＩＤＴ電極２１同士、第２のＩＤＴ電極２１同士及び第３のＩＤＴ電極２１同士で互いに異なる数量に夫々設定されている。また、３つのＩＤＴ電極２１の電極指２３の本数Ｎの合計についても、第１のＳＡＷ共振子１１と第２のＳＡＷ共振子１２とでは異なる数量となっている。このように本数Ｎ及び交差長Ｗを設定した理由について、以下に詳述する。
【００１６】
即ち、例えばＳＡＷ共振子１１（１２）について、既述のように比帯域が１％以上もの広帯域となるように本数Ｎを数十本程度に設定した場合には、図２の上側に示すように、減衰域には、電極指２３の各々（詳しくは互いに隣接する電極指２３、２３間の各々の領域）にて発生した弾性波に対応するポールとサイドローブとが生成する。そして、２つのＳＡＷ共振子１１、１２を図３のように互いに同じように（本数Ｎを互いに同じ数量に）構成した場合には、図２の上段及び中段に示すように、減衰域における前記ポール及びサイドローブは、これらＳＡＷ共振子１１、１２において互いに同じ位置（周波数）に生成することになる。
【００１７】
従って、このように互いに同じように構成したＳＡＷ共振子１１、１２同士を入力ポート５と出力ポート６との間に互いに並列に接続したフィルタの特性は、図２の下段に示すように、各々のＳＡＷ共振子１１、１２における減衰域のポール及びサイドローブがそのままの形状で残るか、あるいはＳＡＷ共振子１１、１２の各々のポール同士及びサイドローブ同士が互いに重なり合って増幅されることになる。そのため、図２の下段に「Ｌ」の一点鎖線で示すように、減衰域における減衰量がある値よりも大きくなるように規格が設定されている時には、フィルタの特性がサイドローブによって前記規格を外れてしまう場合がある。尚、図２は、周波数と減衰量との関係を模式的に示した特性図である。以下の図４も同様である。
【００１８】
そこで、本発明では、図４の上段及び中段に示すように、２つのＳＡＷ共振子１１、１２において互いに異なる本数Ｎに設定し、例えばＳＡＷ共振子１１（図４の上段）の減衰域において互いに隣接するサイドローブ間の領域に、例えばＳＡＷ共振子１２（図４の中段）のサイドローブが位置するようにしている。そのため、これらＳＡＷ共振子１１、１２を入力ポート５と出力ポート６との間に互いに並列に接続すると、ＳＡＷ共振子１１におけるサイドローブと、ＳＡＷ共振子１２におけるサイドローブと、が交互に配置され、いわばＳＡＷ共振子１１の減衰域における山とＳＡＷ共振子１２の減衰域における谷とが重なり合うので、図４の下段に示すように、所望の減衰域における減衰量を調整できる。
【００１９】
この時、ＳＡＷ共振子１１、１２間において互いの本数Ｎを変えると、これらＳＡＷ共振子１１、１２間におけるインピーダンスが互いに異なる状態（値）になってしまう。従って、このようなＳＡＷ共振子１１、１２を合成（並列に接続）すると、インピーダンスの整合が取れずに、例えば通過帯域において挿入損失が増加してしまう。
【００２０】
そのため、本発明では、既述のようにＳＡＷ共振子１１、１２において互いの交差長Ｗを変えることにより、これらＳＡＷ共振子１１、１２間で互いに異なる本数Ｎに設定したことに起因するインピーダンスの不整合を解消している。即ち、ＳＡＷ共振子１１、１２における交差長Ｗを互いに異なる値に設定することにより、ＳＡＷ共振子１１とＳＡＷ共振子１２とのインピーダンスを互いに揃えている。具体的には、第２のＳＡＷ共振子１２では、第１のＳＡＷ共振子１１よりも本数Ｎを少なく設定したので、その分第１のＳＡＷ共振子１１よりもインピーダンスが高くなっている。そのため、第２のＳＡＷ共振子１２では、本数Ｎを少なくしてインピーダンスが高くなった分、交差長Ｗを広くして、インピーダンスを低くしている。
【００２１】
従って、これらＳＡＷ共振子１１、１２を入力ポート５と出力ポート６との間に互いに並列に接続すると、既述の図４に示したように、減衰域における減衰量が良好となり（大きくなり）、更にＳＡＷ共振子１１、１２間のインピーダンスの整合が取られるので、通過帯域における挿入損失が小さく抑えられる。この時、ＳＡＷ共振子１１、１２の各々の通過帯域同士が互いにほぼ重なり合う（揃う）。このようなＳＡＷ共振子１１、１２の各々の通過帯域について一例を挙げると、ＳＡＷ共振子１１の通過帯域における下端周波数及び上端周波数を夫々ｆ１、ｆ２とした場合には、ＳＡＷ共振子１２の通過帯域における下端周波数は０．９９７ｆ１〜１．００３ｆ１となり、ＳＡＷ共振子１２の通過帯域における上端周波数は０．９９７ｆ２〜１．００３ｆ２となる。
【００２２】
図５は、本発明のフィルタにおいて得られる周波数特性を示しており、減衰域における１３５０ＭＨｚ付近では減衰量が４２ｄＢもの大きな値となっている。また、減衰域における通過帯域に近接する１６８０ＭＨｚ付近では、１２．０ｄＢ程度の減衰量が得られていた。一方、既述の図３に示すフィルタでは、図６に示すように、１３５０ＭＨｚ及び１６８０ＭＨｚにおける夫々の減衰量は４０ｄＢ及び１０．５ｄＢ程度となっており、本発明の特性よりも減衰量が小さく（悪く）なっていた。
【００２３】
上述の実施の形態によれば、２つのＳＡＷ共振子１１、１２を入力ポート５と出力ポート６との間に互いに並列に接続している。そして、周波数と減衰量との関係を示す特性図において、これらＳＡＷ共振子１１、１２の各々の減衰域に形成されるサイドローブの位置を互いに位置ずれさせるために、第１のＳＡＷ共振子１１の本数Ｎと、第２のＳＡＷ共振子１２の本数Ｎと、を互いに異なる本数に設定している。更に、このように本数ＮをＳＡＷ共振子１１、１２間で互いに異なる数量に設定したことに伴うインピーダンスの不整合を解消するために、これらＳＡＷ共振子１１、１２の互いの交差長Ｗを異なった寸法にしている。そのため、通過帯域における挿入損失の劣化を抑えつつ、減衰域において良好な減衰量を得ることができる。
【００２４】
従って、比帯域が１％以上もの広い通過帯域となるように電極指２３の本数Ｎを既述のように少なく設定した場合であっても、減衰域において良好な減衰量が得られる。言い換えると、比帯域が１％より小さな（狭帯域の）ＩＦフィルタなどのように本数Ｎを例えば数百本程度まで増やすことなく、即ち通過帯域を狭帯域化することなく、広い通過帯域を保ったままで良好な特性を持つバンドパスフィルタを得ることができる。
【００２５】
ここで、インピーダンスの整合を取るにあたり、既述の例ではＳＡＷ共振子１２の交差長Ｗを調整したが、ＳＡＷ共振子１１の交差長Ｗを変えても良い。また、第２のＳＡＷ共振子１２において、第１のＳＡＷ共振子１１よりも本数Ｎを多く設定すると共に交差長Ｗを短く設定しても良い。即ち、減衰域において２つのＳＡＷ共振子１１、１２の互いのサイドローブ同士が互いに位置ずれし、そしてＳＡＷ共振子１１、１２において互いのインピーダンスの整合が取れるようにこれら本数Ｎ及び交差長Ｗを調整しても良い。
【００２６】
また、ＳＡＷ共振子１１、１２間において互いの本数Ｎを変えるにあたり、３つのＩＤＴ電極２１のうち一つだけ本数Ｎを変えていても良いし、３つのＩＤＴ電極２１の本数Ｎの合計をＳＡＷ共振子１１、１２において揃えると共に各々のＩＤＴ電極２１の本数Ｎを変えていても良い。
【００２７】
以上の例では、各々のＳＡＷ共振子１１、１２に３つのＩＤＴ電極２１を設けたが、図７に示すように、ＩＤＴ電極２１を各々２つずつ配置しても良い。この例において、ＳＡＷ共振子１１、１２の各々のＩＤＴ電極２１について、図１と同様に左側から右側に向かって第１のＩＤＴ電極２１及び第２のＩＤＴ電極２１と呼ぶと、第１のＳＡＷ共振子１１では、第１のＩＤＴ電極２１の手前側のバスバー２２が出力ポート６に接続され、第２のＩＤＴ電極２１の奥側のバスバー２２が入力ポート５に接続されている。第１のＳＡＷ共振子１１において、第１のＩＤＴ電極２１の奥側のバスバー２２及び第２のＩＤＴ電極２１の手前側のバスバー２２は、各々接地されている。
【００２８】
また、第２のＳＡＷ共振子１２では、第１のＩＤＴ電極２１の奥側のバスバー２２が入力ポート５に接続され、第２のＩＤＴ電極２１の手前側のバスバー２２が出力ポート６に接続されている。そして、第２のＳＡＷ共振子１２における第１のＩＤＴ電極２１の手前側のバスバー２２と、第２のＩＤＴ電極２１の奥側のバスバー２２と、は各々接地されている。この場合においても、第２のＳＡＷ共振子１２では、減衰域において第１のＳＡＷ共振子１１のサイドローブと当該第２のＳＡＷ共振子１２のサイドローブとが互いに位置ずれするように、またインピーダンスの整合が取れるように、第１のＳＡＷ共振子１１と比べて、本数Ｎが少なく且つ交差長Ｗが長く設定されている。
この時、第１のＳＡＷ共振子１１と第２のＳＡＷ共振子１２とにおいて、互いのＩＤＴ電極２１の数量を変えても良く、具体的には第１のＳＡＷ共振子１１では３つのＩＤＴ電極２１を配置すると共に、第２のＳＡＷ共振子１２では２つのＩＤＴ電極２１を設けても良い。
【００２９】
以上の各例では、入力ポート５と出力ポート６との間に２つのＳＡＷ共振子１１、１２を互いに並列に接続した構成を採ったが、例えば３つのＳＡＷ共振子を互いに並列に接続しても良い。図８は、このような例を示しており、既述の図１における第１のＳＡＷ共振子１１の左側に、第３のＳＡＷ共振子１３を配置している。第３のＳＡＷ共振子１３において、第２のＩＤＴ電極２１の奥側のバスバー２２が入力ポート５に接続され、第１のＩＤＴ電極２１の手前側のバスバー２２及び第３のＩＤＴ電極２１の手前側のバスバー２２は各々出力ポート６に接続されている。そして、第３のＳＡＷ共振子１３では、第１のＩＤＴ電極２１の奥側のバスバー２２、第２のＩＤＴ電極２１の手前側のバスバー２２及び第３のＩＤＴ電極２１の奥側のバスバー２２は、各々接地されている。第３のＳＡＷ共振子１３では、第１のＳＡＷ共振子１１及び第２のＳＡＷ共振子１２の各々の減衰域に形成されるポールＰの位置と当該第３のＳＡＷ共振子１３の減衰域に形成されるポールＰの位置とが互いに位置ずれし、また３つのＳＡＷ共振子１１、１２、１３においてインピーダンスの整合が取れるように、第１のＳＡＷ共振子１１よりも本数Ｎが多く設定されると共に交差長Ｗが短く設定されている。
以上説明した本発明の弾性表面波フィルタは、例えば携帯電話用（携帯電話の内部に設けられる部品あるいは携帯電話の基地局に用いられる装置）のＲＦフィルタとして好適に用いられる。
【符号の説明】
【００３０】
５  入力ポート
６  出力ポート
１０  圧電基板
１１、１２  ＳＡＷ共振子
２１  ＩＤＴ電極
２２  バスバー
２３  電極指
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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