(57)【要約】【課題】蒸着（イオンプレーティングを含む）による成膜工法において金属パターンの膜厚のムラを抑制し、かつ熱による反りを抑える機械的強度を維持することのできる成膜用マスクを提供することを目的とする。【解決手段】マスク基板１２と、基点の周囲に配置されていて、マスク基板１２を貫通している孔であり、マスク基板１２の一方の面１２ａ側の開口部の面積が他方の面１２ｂ側の開口部の面積よりも大きく、かつ前記孔の側壁が基点貫通孔１４に対し反対側を向く側壁２２以外の側壁２０が垂直である複数の他の貫通孔１８（１８ａ〜１８ｃ）を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク基板と、
基点の周囲に配置されていて、前記マスク基板を貫通している孔であり、前記マスク基板の一方の面側の開口部の面積が他方の面側の開口部の面積よりも大きく、かつ前記孔の側壁が前記基点に対し反対側を向く側壁以外の側壁が垂直である複数の貫通孔と、
を備えていることを特徴とする成膜用マスク。
【請求項２】
前記基点から離れた位置に配置された前記貫通孔ほど、前記一方の面に配置された開口部の面積が大きいことを特徴とする請求項１に記載の成膜用マスク。
【請求項３】
前記基点に対し反対側を向く前記側壁が傾斜面であることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜用マスク。
【請求項４】
前記基点に対し反対側を向く前記側壁が、段差を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜用マスク。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のマスクを備え、
蒸着源の直上または直下位置に、前記基点を位置させたことを特徴とする蒸着装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の成膜用マスクを用い、前記基点の垂線上に蒸着源を配して、蒸着を行ったことを特徴とするウェーハ。
【請求項７】
請求項６に記載のウェーハを個片化して形成した圧電振動片を搭載したことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項８】
請求項７に記載の圧電デバイスを搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電デバイスに係り、特に製造工程の１つである金属パターンの蒸着に用いられる成膜用マスクに関する。また、本発明は、この成膜用マスクを搭載した蒸着装置、並びに前記成膜用マスクを用いて製造されたウェーハ、並びにこのウェーハから製造された圧電振動子を実装した圧電デバイス、および電子機器にも関連する。
【背景技術】
【０００２】
成膜用のマスクは、基板上に直接金属パターンを形成する場合に用いられる。マスクを用いて行う成膜の工法としては、真空蒸着、イオンプレーティング、およびスパッタなどが知られている。
【０００３】
このような工法のうち、真空蒸着やイオンプレーティングは、蒸着物質が蒸着源（ソース源）から放射状に飛散して、試料である基板などに付着して成膜が成される。これに対しスパッタは、蒸着源（ターゲット）に対して電子やイオンを高速で衝突させ、蒸着源から粒子を弾き飛ばし、弾き飛ばされた粒子が試料である基板などに付着することで成膜が成される。
【０００４】
そして、このような成膜方法のうち、真空蒸着やイオンプレーティングは、蒸着源が点であることより、小型基板等に対する成膜に適している。一方、スパッタは、蒸着源として大きな面積のものを採用することができるため、大型基板にも均一に成膜することができるとされている。
【０００５】
近年、電子機器の小型化に伴う電子デバイスの小型化により、成膜技術の微細化、高精度化が要求されてきている。このような実状の中、上記のような成膜工法では、成膜に用いるマスクの厚みに起因した金属パターンの膜厚のムラによる電気的特性の劣化や、製品信頼性、固体性能差等が問題視されてきている。そして、特許文献１には、このような問題を解決するためのマスクに関する技術が開示されている。
【０００６】
特許文献１に開示されているマスクは、スパッタによる成膜用のものである。特許文献１に開示されているマスクは、マスクに形成されている貫通孔における開口部の大きさをマスク表裏面において異ならせるというものである。具体的には、蒸着源側に位置することとなる開口部を他方の面の開口部よりも大きくすることで、貫通孔の側壁に傾斜、あるいは段差を持たせるというものである。
【０００７】
このような特徴を持ったマスクを用いてスパッタを行うことによれば、マスクの厚みによって影になる部分が減る。このため、開口縁部により基板等への付着を阻まれる粒子が減り、貫通孔の側壁近傍における金属パターンの厚みが薄くなることを抑制することができる。すなわち、金属パターンの膜厚のムラを抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−２２２６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
確かに、上記のような特徴を持つマスクは、マスクの厚みによって生ずるいわゆる影の発生を抑制し、金属パターンの膜厚のムラを抑制することに効果的であるといえる。
しかし、１つの基板に対して複数の金属パターンを形成する場合には、マスクに対して複数の貫通孔を形成することとなる。このような条件を持つマスクに対して特許文献１に開示されているような特徴を持たせた場合、マスクにおける薄肉部の割合が増し、機械的な強度不足となり、取扱い作業時に曲がってしまうといった懸念がある。
【００１０】
また、真空蒸着やイオンプレーティングなどのように加熱を伴う成膜工法においては、マスクに反りが生ずる虞があると共に、寿命が短くなるといった虞がある。
そこで本発明では、蒸着（イオンプレーティングを含む）による成膜工法において金属パターンの膜厚のムラを抑制し、かつ熱による反りを抑える機械的強度を維持することのできる、すなわち取扱い作業時に曲がる虞の無い成膜用マスクを提供することを第１の目的とする。また、本発明では、この成膜用マスクを搭載した蒸着装置、およびこの成膜用マスクを用いて製造したウェーハを提供することを第２の目的とする。さらに、本発明では、前記ウェーハを用いて製造した圧電デバイス、および電子機器を提供することを第３の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］マスク基板と、基点の周囲に配置されていて、前記マスク基板を貫通している孔であり、前記マスク基板の一方の面側の開口部の面積が他方の面側の開口部の面積よりも大きく、かつ前記孔の側壁が前記基点に対し反対側を向く側壁以外の側壁が垂直である複数の貫通孔と、を備えていることを特徴とする成膜用マスク。
このような構成の成膜用マスクであれば、蒸着を行う上での金属パターンの膜厚のムラを抑制することができる。さらに、熱によるマスク基板の反りや、取扱い作業時における変形を抑制することもできる。
【００１２】
［適用例２］前記基点から離れた位置に配置された前記貫通孔ほど、前記一方の面に配置された開口部の面積が大きいことを特徴とする適用例１に記載の成膜用マスク。
このような構成とすることにより、マスク基板に対する薄肉部の形成割合を減らすことができる。よって、マスクの機械的な強度低下を抑制すると共に、マスク基板の反りを抑制する効果を高めることができる。
【００１３】
［適用例３］前記基点に対し反対側を向く前記側壁が傾斜面であることを特徴とする適用例１または２に記載の成膜用マスク。
このような構成とすることにより、金属微粒子の飛散方向と傾斜面の角度を合わせ込むことが可能となる。これにより、無駄な薄肉部の形成を行う必要が無くなる。
【００１４】
［適用例４］前記基点に対し反対側を向く前記側壁が、段差を備えていることを特徴とする適用例１または２に記載の成膜用マスク。
このような構成の成膜用マスクは、ハーフエッチングや段階的なエッチングにより形成することが可能となる。このため、傾斜面を形成する場合に比べて製造が容易であり、マスクの製造コストを抑えることができる。
【００１５】
［適用例５］適用例１乃至４のいずれか１項に記載のマスクを備え、蒸着源の直上または直下位置に、前記基点を位置させたことを特徴とする蒸着装置。
このような構成の蒸着装置によれば、ウェーハの中央に形成される金属パターンの膜厚と、ウェーハの縁部側に形成される金属パターンの膜厚のバラツキや変形を抑制することができる。
【００１６】
［適用例６］適用例１乃至４のいずれか１項に記載の成膜用マスクを用い、前記基点の垂線上に蒸着源を配して、蒸着を行ったことを特徴とするウェーハ。
このような特徴を有するウェーハであれば、ウェーハの中央に形成される金属パターンの膜厚と、ウェーハの縁部側に形成される金属パターンの膜厚のバラツキや変形が抑制されることとなる。
【００１７】
［適用例７］適用例６に記載のウェーハを個片化して形成した圧電振動片を搭載したことを特徴とする圧電デバイス。
このような特徴を有する圧電デバイスによれば、金属パターンの膜厚に起因した電気的特性の固体差を抑制することができる。
【００１８】
［適用例８］適用例７に記載の圧電デバイスを搭載したことを特徴とする電子機器。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施形態に係る成膜用マスクの平面構成を示す図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面を示す図である。
【図３】図１におけるＢ−Ｂ断面を示す図である。
【図４】第１の実施形態に係る成膜用マスクの使用状態を示す図である。
【図５】第１の実施形態における貫通孔を異形とした場合の例を示す平面図である。
【図６】第２の実施形態に係る成膜用マスクの使用状態を示す断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る成膜用マスクの変形例を示す図である。
【図８】実施形態に係る成膜用マスクを搭載した蒸着装置の構成を示す側面図である。
【図９】図８におけるＡ矢視を示す図である。
【図１０】実施形態に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。
【図１１】実施形態に係る電子機器の一例である携帯電話の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ本発明の成膜用マスク、蒸着装置、ウェーハ、圧電デバイス、および電子機器に係る実施の形態について説明する。
まず、図１〜図３を参照して、第１の実施形態に係る成膜用マスクについて説明する。ここで、図１は、実施形態に係る成膜用マスクの平面構成を示す概略図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ断面を示す図であり、図３は、図１におけるＢ−Ｂ断面を示す図である。なお、本実施形態においては、説明を簡略化するために、開口パターンの形状、数については模式的に示すこととする。
【００２１】
図１に示すように、本実施形態に係る成膜用マスク１０（以下、単にマスク１０と称す）は、マスク基板１２と、複数の貫通孔とを基本として構成されている。マスク基板１２は、マスク１０を構成する母材であり、構成部材としては、金属、または磁性体などであれば良い。また、図１中においては、その外形形状を矩形としているが、その形状については限定する必要性は無い。マスク基板１２の板厚は、具体的に限定されるものではないが、ウェーハ３０（図４参照）に対して真空蒸着やイオンプレーティングによる成膜処理を行う際に、熱により反りが生じない程度の機械的強度を保つことができる板厚を確保した上で、薄いものとすることが望ましい。
【００２２】
貫通孔は、大別して、基点となる貫通孔（以下、基点貫通孔１４と称す）と、他の複数の貫通孔（以下、他の貫通孔１８（１８ａ〜１８ｃ）と称す）から成る。基点貫通孔１４は、詳細を後述する蒸着装置１００（図８参照）との関係において、直下に蒸着源１１８（図８参照）が配置される位置に設けられた貫通孔である。図１においては、説明を簡単化するために、マスク基板１２の中心に位置する貫通孔を基点貫通孔１４としている。
【００２３】
基点貫通孔１４は、マスク基板１２における一方の面１２ａに配置された開口部の面積および形状と、他方の面１２ｂに配置された開口部の面積および形状を同一としている。そして、一方の面１２ａに形成された開口部と他方の面１２ｂに形成された開口部とを繋ぐ側壁１６は、マスク基板１２の一方の面１２ａ（他方の面１２ｂ）に対して、ほぼ垂直に形成されている。基点貫通孔１４は、蒸着源１１８の直上に位置することとなる。このため、基点貫通孔１４を介してウェーハの表面に形成される金属パターンが、マスクの厚みに起因した影の影響を受けることは無い。よって、側壁１６をほぼ垂直に形成することで、薄肉となる割合を減らすことができ、マスク１０の機械的強度を保つことが可能となる。なお、マスク基板１２における一方の面１２ａとは、蒸着源１１８側に位置することとなる面であり、他方の面１２ｂとは、ウェーハ３０側に位置することとなる面である。
【００２４】
複数の他の貫通孔１８は、それぞれ基点貫通孔１４の周囲に形成されている。他の貫通孔１８は、一方の面１２ａに形成された開口部の面積と他方の面１２ｂに形成された開口部の面積が異なる。具体的には、一方の面１２ａに形成された開口部の方が、他方の面１２ｂに形成された開口部の面積よりも大きくなるように形成されている。そして、２つの開口部を繋ぐ側壁（断面）のうち、基点貫通孔１４と反対側を向くように形成された側壁２２以外の側壁２０が、マスク基板１２の一方の面１２ａ（他方の面１２ｂ）に対してほぼ垂直に形成している。本実施形態では、他の貫通孔１８における側壁のうち、基点貫通孔１４と反対側を向くように形成された側壁２２を階段状として段部２４を形成している。このような構成とすることで、一方の面１２ａに配置された開口部と他方の面１２ｂに配置された開口部との面積差を補いつつ、両者を繋ぐ構成としている。なお、段部２４を有する側壁２２には、他方の面１２ｂの開口端部から一方の面１２ａの開口端部に向けて、開口面積を広げる方向の傾斜を持たせるようにすると良い。このような構成により、マスク基板１２の厚みに起因した影の発生を抑制することが可能となるからである。また、段部２４を有する側壁２２以外の側壁２０をほぼ垂直に形成することで、薄肉部の割合を減らし、マスク基板１２の機械的強度の維持を図ることができる。
【００２５】
他の貫通孔１８の側壁２０，２２を上記構成とした場合、図１に示すように、図中、基点貫通孔１４に対してＸ軸方向に沿って並ぶ他の貫通孔１８ａには、Ｙ軸方向に平行な側壁に段部２４が設けられることとなる。一方、基点貫通孔１４に対してＹ軸方向に沿って並ぶ他の貫通孔１８ｂには、Ｘ軸方向に平行な側壁に段部２４が設けられることとなる。そして、基点貫通孔１４を基準としてＸ軸方向とＹ軸方向の間に位置する他の貫通孔１８ｃには、Ｘ軸方向に平行な側壁とＹ軸方向に平行な側壁の双方に段部２４が設けられることとなる。
【００２６】
また、このような構成を基本とする他の貫通孔１８では、基点貫通孔１４の直下に配置される蒸着源１１８と、他方の面１２ｂに配置された開口部の開口縁部とを繋ぐ直線に、一方の面１２ａに配置された開口部の開口縁部が掛かることが無いように、一方の面１２ａの開口部を形成している。このような構成とすることで、一方の面１２ａに配置された開口部の開口縁部が、蒸着処理を行う上での影になることが無くなるからである。
【００２７】
このような構成のマスク１０であれば、蒸着処理を行う際、マスク１０の厚みに起因した影が生じる虞が無い。このため、図４に示すように、基点貫通孔１４の直下に配置された蒸着源１１８から放射状に飛散する金属粒子が、貫通孔（基点貫通孔１４、他の貫通孔１８）の配置位置に係わらず、ウェーハ３０表面に均等に付着し易くなる。このため、ウェーハ３０表面に形成される金属パターン３２の膜厚のムラが抑制され、製造されるデバイスの電気的特性や製品信頼性の向上、および固体性能差の抑制を図ることが可能となる。また、段部２４を形成する側壁２２を必要最低限の範囲としているため、マスク基板１２の板厚減少による機械的強度の劣化を抑制し、熱による反りの発生を防止にも寄与することができる。
【００２８】
上記実施形態では、説明を簡単化するために、貫通孔（基点貫通孔１４、他の貫通孔１８）の平面視形状を矩形としている。しかしながら、図５に示すように、貫通孔（基点貫通孔１４、他の貫通孔１８）の平面視形状を円形等とした場合であっても、本発明を適用することができる。よって、貫通孔の形状の変化は、本発明の実施に影響を与えない。
【００２９】
次に、図６を参照して、第２の実施形態に係る成膜用マスクについて説明する。なお、図６は、本実施形態に係るマスクの断面形状の特徴を示す概略図である。
本実施形態に係るマスク１０ａの殆どの構成は、上述した第１の実施形態に係るマスク１０と同様である。よって、その構成を同一とする箇所には、図面に同一符号を付して、詳細な説明は省略することとする。
【００３０】
本実施形態に係るマスク１０ａと、第１の実施形態に係るマスク１０との相違点は、他の貫通孔１８（１８ａ〜１８ｃ：図６中には、貫通孔１８ａのみを示す）の側壁２２に設ける段部２４の形態にある。具体的には、基点貫通孔１４との距離が遠い他の貫通孔１８ほど、段部２４の幅を広くする構成としている。すなわち、第１の実施形態に係るマスク１０においては、他の貫通孔１８の位置に係わらず均等としていた段部２４の幅に、基点貫通孔１４からの距離に応じた変化を持たせる構成としたのである。
【００３１】
このような構成とすることで、基点貫通孔１４近傍に配置される他の貫通孔１８においては、段部２４の形成幅を抑制することができる。このため、段部２４形成のための薄肉化に起因したマスク１０ａの機械的強度の低下を抑制することができる。また、段部２４の幅は、基点貫通孔１４から他の貫通孔１８までの距離に応じた最少の幅とすることができることも、マスク１０ａの機械的強度の低下抑制に寄与することとなる。さらに、基点貫通孔１４からの距離に応じて段部２４の幅を適宜変える構成とすることができるため、マスク１０ａと蒸着源１１８との距離が近い場合であっても、適宜対応した構成とすることができる。
【００３２】
また、その他の構成、作用、効果については、上記第１の実施形態に係るマスク１０と同様とする。
なお、上記実施形態ではいずれも、マスク基板１２の厚み方向中間部に、段部２４を備えるような構成として示しているが、図７に示すように、段部２４を無くし、単なる傾斜面により側壁２２を構成するようにしても良い。このような構成とすることによれば、より無駄な薄肉化を抑制しつつ、マスク１０ａ（１０）の厚みに起因した影の発生を防ぐことが可能となる。
【００３３】
次に、図８、図９を参照して、本実施形態に係る蒸着装置の構成について説明する。なお、図８は、実施形態に係る蒸着装置の側面構成を示す図であり、図９は、図８におけるＡ方向矢視を示す図である。
【００３４】
本実施形態に係る蒸着装置１００は、チャンバー１０２と、回転テーブル１０４、加工物ホルダー１１２、および蒸着源１１８を基本として構成されている。
チャンバー１０２は、蒸着処理を行うための真空領域を確保するための容器である。
【００３５】
回転テーブル１０４は、加工物であるウェーハ３０に対する蒸着処理をバッチにて施すための機構である。回転テーブル１０４は、円板部１０６と回転軸１０８を有する。回転軸１０８には、モーター等の駆動手段１１０が接続されている。なお、円板部１０６に関しては、詳細を後述する加工物ホルダー１１２を複数、放射状に支持して回転させることが可能な構成であれば良いため、複数のアーム（不図示）により構成するものとしても良い。
【００３６】
加工物ホルダー１１２は、蒸着を施すウェーハ３０を保持するための要素である。加工物ホルダー１１２は、回転テーブル１０４における円板部１０６の外周側に複数、放射状に配置されている。このような構成とすることで、回転テーブル１０４の回転に応じて、加工物ホルダー１１２に支持されたウェーハ３０の蒸着をバッチにて行うことができるからである。
【００３７】
実施形態に係る蒸着装置１００の加工物ホルダー１１２は、ホルダー本体１１４と、回転機構１１６を備える。ホルダー本体１１４は、鍬型状に形成された挟持具であり、蒸着を施すウェーハ３０と、上記実施形態に係るマスク１０（１０ａ）とを重ねた状態で保持することを可能とする。実施形態に係る蒸着装置１００の場合、処理対象とするウェーハ３０の表裏両面にマスク１０（１０ａ）を配置して保持することを可能としている。
【００３８】
回転機構１１６は、回転テーブル１０４の作用によって公転するホルダー本体１１４を自転させるための機構である。このような機構を備えることにより、ウェーハ３０の表裏両面に対して蒸着処理を施すことが可能となる。なお、回転機構１１６の稼動位置は任意とすることができる。このため図９に示す例では、装置上部側を蒸着位置とし、装置下部側においてホルダー本体１１４の自転を行うように構成している。
【００３９】
蒸着源１１８は、ウェーハ３０表面へ蒸着させる金属粒子を飛散させるための要素である。蒸着源１１８には、ボート１２０とヒーター１２２が備えられる。ボート１２０は、金属粒子の原料となる金属を配置する容器である。ヒーター１２２は、ボート１２０を加熱し、ボート１２０に配置された原料（金属膜を形成するための原料）を溶融、飛散させるための要素である。
【００４０】
このような基本構成を有する蒸着装置１００では、加工物ホルダー１１２のホルダー本体１１４に、処理対象とするウェーハ３０とマスク１０（１０ａ）を配置する。この時、ウェーハ３０を一対のマスク１０（１０ａ）で挟み込むようにして配置する。
【００４１】
加工物ホルダー１１２に対して、ウェーハ３０とマスク１０（１０ａ）を配置した後、チャンバー１０２内の真空引きを行う。
チャンバー１０２内の真空引きを行った後、回転テーブル１０４、および加工物ホルダー１１２を稼動させ、ホルダー本体１１４を公転させると共に自転させる。このような動作と共に、ヒーター１２２によりボート１２０を加熱し、ボート１２０に配置された金属を溶融させ、微粒子として飛散させる。そして、飛散させた粒子がマスク１０（１０ａ）の貫通孔（基点貫通孔１４、他の貫通孔１８）を介してウェーハ３０表面へ付着し、所望する膜厚を得られた後に、加工物ホルダー１１２からウェーハ３０、およびマスク１０（１０ａ）を取り外す。
【００４２】
このようにして形成されたウェーハ３０は、金属パターンの膜の厚みが均等となるこのため、電気的特性の劣化や、信頼性の低下等を防ぐことができる。
なお、上記実施形態では、蒸着について、真空蒸着に沿った工法に基づいて説明してきた。しかしながら、本願における蒸着には、イオンプレーティングやスパッタなどの概念が含まれるものとする。上記実施形態に係る方法をスパッタに適用しようとする場合、蒸着源１１８に相当するターゲットと、マスク１０，１０ａとの関係が上下逆となる。
【００４３】
次に、本発明に係る圧電デバイスについて、図１０を参照して説明する。本実施形態に係る圧電デバイス５０は、図１０に示すように、パッケージ５２と、このパッケージ５２の内部に収容された圧電振動片６２を基本として構成されるものを挙げることができる。パッケージ５２は、枡状に形成されたベース５４と、ベース５４における開口部を封止するリッド５６とを基本として構成されている。そして、ベース５４とリッド５６の接合部材として、シームリング５８が採用されている。
【００４４】
圧電振動片６２は、上記のようにして金属パターン３２を形成したウェーハ３０（図４等参照）を個片化することで製造される。具体的には、ウェーハ素板を圧電体により構成した場合、ウェーハ表面には、励振電極６４と、引出電極６６、および入出力電極６８に相当する金属パターン３２を形成する。その後、ウェットエッチングにより圧電振動片６２の外形を、ウェーハによって構成される枠部に接続した状態で形成する。外形エッチングを終えた後、これを分離して個片化することで、圧電振動片６２が完成する。
【００４５】
ベース５４に対する圧電振動片６２の実装は、導電性接着剤７０を介して成される。具体的には、ベース５４の内部に形成された実装端子６０に導電性接着剤７０を塗布し、塗布した導電性接着剤７０上に、圧電振動片６２における入出力電極６８が位置するように搭載すれば良い。
【００４６】
このようにして製造された圧電デバイス５０は、ウェーハ単位のロットで見た場合、バッチ処理の影響による金属パターンの膜厚のバラツキが少ない。このため、周波数温度特性などの電極膜厚に依存した特性に対する固体差が生じ難い。よって、規定の精度に対する信頼性の高い圧電デバイスとすることができる。
【００４７】
次に、上記のような構成の圧電デバイスを搭載した電子機器について説明する。なお、図１１は、上記実施形態で説明した圧電デバイスを搭載した電子機器の一例としての携帯電話を示す図である。
【００４８】
図１１に示す携帯電話８０は、圧電デバイス５０を基準クロック発振源などとして備える構成とされている。また、図１１に示す携帯電話８０の外観構成としては、液晶表示装置８４、複数の操作ボタン８６、受話口８２、および送話口８８を挙げることができる。
【００４９】
また、圧電デバイスを搭載する電子機器は、携帯電話に限られるものでは無い。例えば、電子ブック、パーソナルコンピューターデジタルスチールカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のデジタルビデオカメラ、カーナビゲーション装置等に対しても、基準クロック発振源として搭載することができる。
【００５０】
また、上記実施形態で説明した圧電デバイス５０は、単にパッケージ５２内に圧電振動片６２を備えるだけの構成としていた。しかしながら、パッケージ５２内部には、圧電振動片６２に加え、他の電子部品等を実装する構成としても良い。また、パッケージ５２の形態や、圧電振動片６２の形態を種々変更することで、発振器、周波数フィルター、ジャイロセンサー、圧力センサーといったデバイスを構成することもできる。
【符号の説明】
【００５１】
１０………マスク、１２………マスク基板、１２ａ………一方の面、１２ｂ………他方の面、１４………基点貫通孔、１６………側壁、１８（１８ａ〜１８ｃ）………他の貫通孔、２０………側壁、２２………側壁、２４………段部、３０………ウェーハ、１００………蒸着装置、１０２………チャンバー、１０４………回転テーブル、１０６………円板部、１０８………回転軸、１１０………駆動手段、１１２………加工物ホルダー、１１４………ホルダー本体、１１６………回転機構、１１８………蒸着源、１２０………ボート、１２２………ヒーター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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