(57)【要約】【課題】積層した際、気泡が残留しにくく、かつ優れた機械的強度を有するプリプレグ、上記プリプレグを備えた基板、およびかかる基板を用いた半導体装置、およびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態に係るプリプレグ１は、層状に形成された繊維基材２と、繊維基材２の少なくとも一方の面側に設けられており、かつ樹脂組成物で構成された樹脂層３２と、を備えている。なお、該プリプレグ１は、繊維基材２中の少なくとも一部に、樹脂組成物の含浸されていない空隙層２１が、形成している。【選択図】図１
2013180406.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層状に形成された繊維基材と
前記繊維基材の少なくとも一方の面側に設けられており、樹脂組成物で構成された樹脂層と、
を備え、
前記繊維基材中の少なくとも一部に、前記樹脂組成物の含浸されていない空隙層が形成されたプリプレグ。
【請求項２】
前記繊維基材の最大の厚さをＴ１μｍとし、前記空隙層の平均厚さをＴ２μｍとしたとき、前記空隙層の平均厚さ／前記繊維基材の最大の厚さＴ２／Ｔ１は、２０％以上である請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項３】
前記繊維基材における前記空隙層を形成していない領域に、樹脂組成物を含浸させた樹脂含有浸部が形成されている請求項１または２に記載のプリプレグ。
【請求項４】
前記樹脂層が、前記繊維基材の両面に設けられており、前記一方の一面に設けられ、第１の樹脂組成物によって構成された第１の樹脂層と、
前記繊維基材において前記第１の樹脂層と他方の一面に設けられ、第２の樹脂組成物によって構成された第２の樹脂層と、
を備え、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に、前記空隙層が形成されている請求項１または２に記載のプリプレグ。
【請求項５】
前記第１の樹脂組成物と前記第２の樹脂組成物は、互いに組成の異なる化合物である請求項４に記載のプリプレグ。
【請求項６】
前記繊維基材はガラス繊維である請求項１乃至５のいずれか一項に記載のプリプレグ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載されたプリプレグが、複数積層された基板。
【請求項８】
積層体の上端と下端の少なくとも一方に、金属層をさらに有している請求項７に記載の基板。
【請求項９】
前記積層体の上部に導体パターンが形成されている請求項８に記載の基板。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一項に記載の基板と、
前記基板上に搭載された半導体素子と、
を含む半導体装置。
【請求項１１】
繊維基材の少なくとも一方の面側に樹脂組成物を供給し樹脂層を形成するとともに、前記繊維基材の少なくとも一部に空隙層を形成するプリプレグの製造方法。
【請求項１２】
前記樹脂組成物を供給する際、前記樹脂組成物を前記繊維基材の一方の面側に含浸させるとともに、前記繊維基材に前記樹脂組成物を含浸してなる樹脂含浸部を形成する請求項１１に記載のプリプレグの製造方法。
【請求項１３】
前記樹脂組成物を供給する際、前記繊維基材の前記一方の一面に、第１の樹脂組成物で構成されている第１の樹脂層と、
前記繊維基材の前記一面とは他方の一面側に、第２の樹脂組成物で構成されている第２の樹脂層と、
を離間した状態で形成する請求項１１に記載のプリプレグの製造方法。
【請求項１４】
前記第１の樹脂層は、液状の前記第１の樹脂組成物を前記繊維基材に供給・硬化し、
前記第２の樹脂層は、液状の前記第２の樹脂組成物を前記繊維基材に供給・硬化して形成する請求項１３に記載のプリプレグの製造方法。
【請求項１５】
前記樹脂組成物を供給する際、前記繊維基材の前記一方の一面に、半固形状の前記樹脂組成物からなる層をラミネートする工程をさらに含む請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載のプリプレグの製造方法。
【請求項１６】
複数のプリプレグを積層して積層体を形成する積層工程を有し、
前記複数のプリプレグの内、少なくとも一つは請求項１乃至６のいずれか一項に記載したプリプレグであって、
前記積層工程は、前記積層体を加熱、加圧することで、前記空隙層を消失させる工程を含む基板の製造方法。
【請求項１７】
金属層を形成する工程をさらに含む、請求項１６に記載の基板の製造方法。
【請求項１８】
積層方向に隣接する前記プリプレグの間に前記繊維基材を導入する工程をさらに含む請求項１６または１７に記載の基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至１８のいずれか一項に記載の基板の製造方法で得た基板を準備する工程と、
前記基板上に半導体素子を搭載する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリプレグ、基板、半導体装置、プリプレグの製造方法、基板の製造方法、および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリプレグ、あるいはプリプレグを用いた積層板の製造方法として、以下のものがある。
【０００３】
特許文献１には、プリプレグを形成することなく、繊維基材の両面に樹脂シートを配置し、加熱加圧により一体化してなる積層板が開示されている。かかる構成によって、耐熱性に優れ、反りの発生を十分に低減し、任意に折り曲げ可能なプリント配線板を作成することができる積層板を提供している。
【０００４】
特許文献２には、繊維基材の両面側に、２枚の樹脂シートは貼り付け、真空中で繊維基材に対して樹脂組成物を完全に含浸させたプリプレグが開示されている。上記特許文献２に記載のプリプレグでは、回路基板の薄膜化に対応することを目的としており、異なる樹脂組成物で構成される２つの樹脂層を形成することによって、要求される特性を維持した状態でプリプレグの薄膜化を実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２１４５２５号公報
【特許文献２】国際公開第２００７／０６３９６０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の積層板は、プレス成型時、繊維基材の両面に樹脂シートを配置し、加熱加圧することで一体化されている。このプレス成型時において繊維基材は、わずかに波打つことがある。本発明者は、繊維基材の波打ちが、積層板の成形不良に係っているという知見を得た。具体的には、積層板において繊維基材が波打っていることで、気泡の発生や、波打ち箇所に気泡が残留するという現象を引き起こすことを見いだした。
【０００７】
特許文献２に記載のプリプレグは、２枚の樹脂シートを繊維基材の両面側に貼り付け、真空中で繊維基材に対し樹脂組成物を完全含浸させている。特許文献２に記載の技術では、樹脂シートに含まれる樹脂組成物の選択次第で、樹脂組成物が繊維基材に完全に含浸されないことがある。繊維基材に樹脂組成物が完全に含浸されなかった場合、気泡が残留したプリプレグとなってしまう可能性がある。
【０００８】
本発明の目的は、積層した際、気泡が残留しにくく、かつ樹脂層を繊維基材によって指示しているプリプレグ、上記プリプレグを備えた基板、およびかかる基板を用いた半導体装置、およびそれらの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、層状に形成された繊維基材と
前記繊維基材の少なくとも一方の面側に設けられており、樹脂組成物で構成された樹脂層と、
を備え、
前記繊維基材中の少なくとも一部に、前記樹脂組成物の含浸されていない空隙層が形成されたプリプレグが提供される。
【００１０】
さらに、本発明によれば、上記プリプレグが、複数積層された基板が提供される。
【００１１】
さらに、本発明によれば、上記基板と、
前記基板上に搭載された半導体素子と、
を含む半導体装置が提供される。
【００１２】
さらに、本発明によれば、繊維基材の少なくとも一方の面側に樹脂組成物を供給し樹脂層を形成するとともに、前記繊維基材の少なくとも一部に空隙層を形成するプリプレグの製造方法が提供される。
【００１３】
さらに、本発明によれば、複数のプリプレグを積層して積層体を形成する積層工程を有し、
前記複数のプリプレグの内、少なくとも一つは上記プリプレグであって、
前記積層工程は、前記積層体を加熱、加圧することで、前記空隙層を消失させる工程を含む基板の製造方法が提供される。
【００１４】
さらに、本発明によれば、上記基板の製造方法で得た基板を準備する工程と、
前記基板上に半導体素子を搭載する工程と、
を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、樹脂組成物を供給した繊維基材の少なくとも一部に空隙層を設けたプリプレグを提供することができる。このように空隙層を有したプリプレグを積層する場合、プリプレグの積層と同時に、繊維基材への樹脂組成物の含浸を、プレス成型時に行うことができる。また、樹脂が繊維基材によって支持されているため、繊維基材が波打つことを防ぐことが出来る。
かかる構成によれば、プリプレグの積層時に空気が抜けやすいため、気泡が発生しにくい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態に係るプリプレグの断面図である。
【図２】本実施形態に係るプリプレグの上面図である。
【図３】本実施形態に係るプリプレグの断面図である。
【図４】本実施形態に係る基板の断面図である。
【図５】本実施形態に係る基板の断面図である。
【図６】本実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１８】
以下の説明では、図１〜７（以下の各図において同様）中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。また、図１〜７（以下の各図において同様）は、厚さ方向（図中の上下方向）に大きく誇張して示してある。
【００１９】
＜プリプレグ＞
本実施形態に係るプリプレグ１は、コア材として用いられても、ビルドアップ材として用いられてもよい。以下、ビルドアップ材として用いるプリプレグを例に本実施形態に係るプリプレグについて説明する。
【００２０】
（第一の実施形態）
図１は、本実施形態に係るプリプレグの断面図である。
図１に示すように、本実施形態に係るプリプレグ１は、層状に形成された繊維基材２と、繊維基材２の少なくとも一方の面側に設けられており、かつ樹脂組成物で構成された樹脂層３２と、を備えている。なお、該プリプレグ１は、繊維基材２中の少なくとも一部に、樹脂組成物の含浸されていない空隙層２１が、形成している。
【００２１】
なお、繊維基材２の最大の厚さをＴ１μｍとし、空隙層２１の平均厚さをＴ２μｍとしたとき、空隙層２１の平均厚さ／繊維基材２の最大の厚さＴ２μｍ／Ｔ１μｍは、２０％以上であることが好ましく、より好ましくは４０％以上、さらに好ましくは６０％以上である。空隙層２１の平均厚さ／繊維基材２の最大の厚さを上記範囲に設定することで、プリプレグ１を積層する際、気泡の残留を低減できる。また、空隙層２１の平均厚さ／繊維基材２の最大の厚さＴ２μｍ／Ｔ１μｍの上限は、特に制限はないが１００％でよい。ただし樹脂の密着性を重視するという観点からは９０％以下であることが好ましい。
【００２２】
図２は、本実施形態に係るプリプレグの空隙層を説明するための図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は下面図である。
図２の（ａ）に示すように、プリプレグ１に設けられた空隙層２１は、繊維基材２の一部が露出した形状であってもよい。この場合、図２の（ｂ）に示すように、一端から他端まで連通するように空隙層２１が、形成されていることが好ましい。このように、一端から他端まで連通した空隙層２１を設けることで、複数のプリプレグ１を積層した際、空気を端部から逃がすことが、さらに容易になる。
【００２３】
上記で述べたように、空隙層２１は、繊維基材２において樹脂組成物が含浸されずに露出している領域を示している。このように、空隙層２１を有したプリプレグ１を用いた場合、樹脂組成物は、複数のプリプレグ１を積層する際、繊維基材２に含浸する。また、空隙層２１を有したプリプレグ１を用いることで、複数のプリプレグ１を積層した際、内部に気泡が残留しにくい。このように、空隙層２１を有したプリプレグ１を積層した場合、従来の技術水準では残留してしまっていた気泡を、確実に排除することが可能である。
【００２４】
また、プリプレグ１を積層する際、空隙層２１を有したプリプレグ１を用いることによって、互いに独立した複数の繊維基材２および樹脂組成物を同時に積層する場合と比べ、繊維基材２自体の波打ちを解消することが可能である。つまり、空隙層２１を有したプリプレグ１を用いることによって、ハンドリング性を向上させることが可能である。
【００２５】
空隙層２１を有したプリプレグ１を用いることによって、衝撃吸収力等の機械的強度が、繊維基材２に樹脂組成物が完全に含浸された従来のプリプレグ１と比べて向上する。これは、樹脂よりも空気の方が、衝撃吸収力が高いからである。また、樹脂は変形しやすいという特性を、繊維基材２は変形しにくいが破損しやすいという特性をそれぞれ有している。このため、樹脂を完全に繊維基材２に対して含浸させている場合に発生していた、樹脂の変形に伴い繊維基材２が破損するという懸念を、空隙層２１を設けることによって軽減することが可能である。
【００２６】
さらに、繊維基材２の他方の面側に、同じ樹脂組成物で構成された樹脂層３２をさらに形成してもよい。この場合、空隙層２１を設けたことにより、当該樹脂層３２と樹脂含浸部３１との接触を、確実に防止することができる。接触を防止する理由としては、プリプレグ１を積層する際、プリプレグ１内の空気を確実に排除することが出来るからである。
【００２７】
（繊維基材）
繊維基材２としては、とくに限定されないが、ガラスクロスなどのガラス繊維基材、ポリベンゾオキサゾール樹脂繊維、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維などのポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維などのポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維などを主成分として構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙などを主成分とする紙基材などの有機繊維基材などが挙げられる。これらの中でも、強度、吸水率の点からガラス繊維基材がとくに好ましい。また、ガラス繊維基材を用いることにより、絶縁層の熱膨張係数をさらに小さくすることができる。
【００２８】
本実施形態で用いるガラス繊維基材としては、坪量（１ｍ２あたりの繊維基材の重量）が４ｇ／ｍ２以上１５０ｇ／ｍ２以下のものであることが好ましく、より好ましくは８ｇ／ｍ２以上１１０ｇ／ｍ２以下、さらに好ましくは１２ｇ／ｍ２以上６０ｇ／ｍ２以下、さらに好ましくは１２ｇ／ｍ２以上３０ｇ／ｍ２以下、さらに好ましくは１２ｇ／ｍ２以上２４ｇ／ｍ２以下である。
【００２９】
坪量が上記上限値を超える場合は、繊維基材２中の樹脂組成物の含浸性が低下し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の恐れが生じ、また炭酸ガス、ＵＶ、エキシマなどのレーザーによるスルーホールの形成が困難になる恐れがある。また、坪量が上記下限値を下回る場合は、ガラス繊維基材やプリプレグ１の強度が下がり、ハンドリングの低下や、プリプレグ１の作製が困難となる恐れや、基板１０の反りの効果が低下する恐れがある。
【００３０】
上記ガラス繊維基材の中でも、とくに、線膨張係数が６ｐｐｍ以下のガラス繊維基材であることが好ましく、３．５ｐｐｍ以下のガラス繊維基材であることがより好ましい。このような線膨張係数を有するガラス繊維基材を用いることにより、本実施形態の積層体１１の反りをさらに抑制することができる。
【００３１】
さらに、本実施形態で用いるガラス繊維基材を構成する材料の引張弾性率が６０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは６５ＧＰａ以上９２ＧＰａ以下、さらに好ましくは８６ＧＰａ以上９２ＧＰａ以下である。このような引張弾性率を有する繊維基材２を用いることにより、例えば半導体実装時のリフロー熱による配線板の変形を効果的に抑制することができるので、電子部品の接続信頼性がさらに向上する。
【００３２】
また、本実施形態で用いる繊維基材２は、１ＭＨｚでの誘電率が３．８以上７．０以下であることが好ましく、より好ましくは３．８以上６．８以下、さらに好ましくは３．８以上５．５以下である。このような誘電率を有する繊維基材２を用いることにより、積層体１１の誘電率をさらに低減でき、高速信号を用いた半導体パッケージに好適である。
【００３３】
上記のような線膨張係数、引張弾性率および誘電率を有するガラス繊維基材として、例えば、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、石英ガラス、ＵＮガラスなどからなるガラス繊維基材が好適に用いられる。
【００３４】
繊維基材２の厚みは、とくに限定されないが、５μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下、さらに好ましくは１２μｍ以上６０μｍ以下である。このような厚みを有する繊維基材２を用いることにより、プリプレグ１の製造時のハンドリング性がさらに向上し、とくに反り低減効果が顕著である。
【００３５】
繊維基材２の厚みが上記上限値を超える場合は、繊維基材２中の樹脂組成物の含浸性が低下し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の恐れが生じ、また炭酸ガス、ＵＶ、エキシマなどのレーザーによるスルーホールの形成が困難になる恐れがある。また、繊維基材２の厚みが上記下限値を下回る場合は、繊維基材２やプリプレグ１の強度が下がり、ハンドリングの低下や、プリプレグ１の作製が困難となる恐れや、基板１０の反りの効果が低下する恐れがある。
【００３６】
また、繊維基材２の使用枚数は、一枚に限らず、薄い繊維基材２を複数枚重ねて使用することも可能である。なお、繊維基材２を複数枚重ねて使用する場合は、その合計の厚みが上記の範囲を満たせばよい。  
【００３７】
また、本実施形態における絶縁層に含まれる繊維基材２と充填材との合計が、５５質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、７０質量％以上８５質量％以下であることがより好ましい。繊維基材２と充填材との合計が上記範囲を満たすと、繊維基材２への樹脂の含浸性、成形性のバランスをとりながら、積層体１１の剛性が高まり、実装時の積層体１１の反りをより一層低減できる。
【００３８】
繊維基材２の平均厚さは、特に限定されないが、１５０μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲程度であることがさらに好ましい。特定の厚さの繊維基材２を用いることにより、プリプレグ１の機械的強度を確保しつつ、プリプレグ１自体の薄型化を図ることができる。これに加えて、プリプレグ１に対する孔あけ等の加工を施す際の加工性も、向上することができる。
【００３９】
また、特定の厚さの繊維基材２を用いることは、プリプレグ１を積層して基板１０にした時、基板１０に対して、メカニカルドリルまたはレーザー照射による貫通孔(スルーホール)を加工する際の加工性も向上することができる。さらには、貫通孔同士間のピッチ間距離が７０μｍ以下の場合、狭ピッチにおける絶縁信頼性の向上を図ることもできる。
【００４０】
繊維基材２の一方の面側には、樹脂層３２および樹脂含浸部３１が設けられていてもよい。この樹脂層３２および樹脂含浸部３１は、樹脂組成物で構成されている。そして、樹脂組成物の組成は、樹脂層３２および樹脂含浸部３１に要求される特性に応じて、適宜設定される。本実施形態では、樹脂層３２上に配線部４００(導体パターン)を形成するために、樹脂組成物は、金属との密着性に優れるような組成であることが好ましい。このような樹脂組成物については、後に詳述する。
【００４１】
本実施形態によれば、樹脂含浸部３１の平均厚さをｔａl μｍとし、空隙層２１の平均厚さをＴ２μｍとしたとき、ｔａl μｍ≧Ｔ２ μｍなる関係を満足することが好ましい。これにより、繊維基材２を確実に保護することができる程度に樹脂含浸部３１ (樹脂組成物)で覆うことができる。
【００４２】
また、本実施形態によれば、繊維基材２の最大厚さをＴl μｍとしたとき、平均厚さｔａl μｍは、０．５×Ｔl μｍ以上０．９９×Ｔl μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．６×Ｔl μｍ以上０．９×Ｔl μｍ以下の範囲であることがより好ましい。平均厚さｔａl μｍをかかる範囲に設定することにより、樹脂層３２の繊維基材２に対するアンカー効果が発揮される。これにより、樹脂層３２が繊維基材２から剥離することを確実に防ぐことができる。
【００４３】
また、本実施形態によれば、樹脂層３２の平均厚さをｔａ２ μｍとしたとき、平均厚さｔａ２ μｍは、０．０２×ｔａl μｍ以上０．５×ｔａl μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．０５×ｔａl μｍ以上０．３×ｔａl μｍ以下の範囲であることがより好ましい。この関係を満足することで、プリプレグ１の上面側の部分に比較的高い剛性を付与することができる。なお、上記条件を満足する場合、プリプレグ１の上面に設けられた樹脂層３２に配線部４００を高い加工性で形成することができる。具体的には、平均厚さｔａ２ μｍは、０．１μｍ以上１５μｍ以下の範囲であることが好ましく、１μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。
【００４４】
本実施形態に使用する樹脂組成物は、例えば、次のような組成とすることが好ましい。
【００４５】
（熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂としては、とくに限定されないが、低線膨張率および高弾性率を有し、熱衝撃性の信頼性に優れたものであることが好ましい。
また、熱硬化性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは１６０℃以上３５０℃以下であり、さらに好ましくは１８０℃以上３００℃以下である。このようなガラス転移温度を有する熱硬化性樹脂を用いることにより、鉛フリー半田リフロー耐熱性がさらに向上するという効果が得られる。
【００４６】
具体的な熱硬化性樹脂として、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油などで変性した油変性レゾールフェノール樹脂などのレゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂などのトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが挙げられる。
これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用してもよい。
【００４７】
これらの中でも、とくにシアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）が好ましい。シアネート樹脂を用いることにより、絶縁層１０１の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、シアネート樹脂は、電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度などにも優れる。
【００４８】
シアネート樹脂は、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させたものや、必要に応じて加熱などの方法でプレポリマー化したものなどを用いることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂、ナフトールアラルキル型の多価ナフトール類と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂、ビフェニルアルキル型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。ノボラック型シアネート樹脂を用いることにより、架橋密度が増加し、耐熱性が向上する。したがって、絶縁層などの難燃性を向上させることができる。
【００４９】
この理由としては、ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成することが挙げられる。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。さらに、樹脂層の厚さを０．６ｍｍ以下にした場合であっても、ノボラック型シアネート樹脂を硬化させて作製した絶縁層を含む積層体１１は優れた剛性を有する。とくに、このような積層体１１は加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性にも優れる。
ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式（Ｉ）で示されるものを使用することができる。
【００５０】
【化１】
2013180406.tif 000003
【００５１】
一般式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは任意の整数である。ｎの下限は、とくに限定されないが、１以上が好ましく、とくに２以上が好ましい。ｎが小さすぎると、ノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が低下し、加熱時に低量体が脱離、揮発する場合がある。また、ｎの上限は、とくに限定されないが、１０以下が好ましく、とくに７以下が好ましい。ｎが大きすぎると溶融粘度が高くなりすぎ、樹脂層の成形性が低下する場合がある。
【００５２】
また、シアネート樹脂としては、下記一般式（II）で表わされるナフトール型シアネート樹脂も好適に用いられる。下記一般式（II）で表わされるナフトール型シアネート樹脂は、α−ナフトールあるいはβ−ナフトールなどのナフトール類とｐ−キシリレングリコール、α，α'−ジメトキシ−ｐ−キシレン、１，４−ジ（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼンなどとの反応により得られるナフトールアラルキル樹脂とシアン酸とを縮合させて得られるものである。一般式（II）のｎは１０以下であることがさらに好ましい。ｎが１０以下の場合、樹脂粘度が高くならず、繊維基材２への含浸性が良好で、積層体１１としての性能を低下させない傾向がある。また、合成時に分子内重合が起こりにくく、水洗時の分液性が向上し、収量の低下を防止できる傾向がある。
【００５３】
【化２】
2013180406.tif 000004
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基を示し、ｎは１以上の整数を示す。）
【００５４】
また、シアネート樹脂としては、下記一般式（III）で表わされるジシクロペンタジエン型シアネート樹脂も好適に用いられる。下記一般式（III）で表わされジシクロペンタジエン型シアネート樹脂は、下記一般式（III）のｎが０以上８以下であることがさらに好ましい。ｎが８以下の場合、樹脂粘度が高くならず、繊維基材２への含浸性が良好で、積層体１１としての性能の低下を防止できる。また、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂を用いることで、低吸湿性、および耐薬品に優れる。
【００５５】
【化３】
2013180406.tif 000005
（ｎは０以上８以下の整数を示す。）
【００５６】
シアネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、とくに限定されないが、Ｍｗ５００以上が好ましく、とくにＭｗ６００以上が好ましい。Ｍｗが小さすぎると樹脂層を作製した場合にタック性が生じ、樹脂層同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、Ｍｗの上限は、とくに限定されないが、Ｍｗ４，５００以下が好ましく、とくにＭｗ３，０００以下が好ましい。また、Ｍｗが大きすぎると反応が速くなりすぎ、回路基板とした場合に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。
シアネート樹脂などのＭｗは、例えば、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質：ポリスチレン換算）で測定することができる。
【００５７】
また、とくに限定されないが、シアネート樹脂は１種類を単独で用いてもよいし、異なるＭｗを有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。
【００５８】
樹脂組成物中に含まれる熱硬化性樹脂の含有量は、その目的に応じて適宜調整されれば良くとくに限定されないが、樹脂組成物全体に基づいて５質量％以上９０質量％以下が好ましく、さらに１０質量％以上８０質量％以下が好ましく、とくに２０質量％以上５０質量％以下が好ましい。熱硬化性樹脂の含有量が小さすぎるとプリプレグ１のハンドリング性が低下したり、樹脂層を形成するのが困難となる場合があり、含有量が大きすぎると樹脂層の強度や難燃性が低下したり、樹脂層の線膨張係数が増加し積層体１１の反りの低減効果が低下する場合がある。
【００５９】
熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（とくにノボラック型シアネート樹脂、ナフトール型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂）を用いる以外に、エポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を用いてもよいし、併用してもよい。エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００６０】
エポキシ樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。
【００６１】
これらエポキシ樹脂の中でもとくにアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性をさらに向上させることができる。
【００６２】
アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば下記一般式（ＩＶ）で示すことができる。
【００６３】
【化４】
2013180406.tif 000006
【００６４】
上記一般式（ＩＶ）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位ｎは任意の整数である。ｎの下限は、とくに限定されないが、１以上が好ましく、とくに２以上が好ましい。ｎが小さすぎると、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。ｎの上限は、とくに限定されないが、１０以下が好ましく、とくに５以下が好ましい。ｎが大きすぎると樹脂の流動性が低下し、成形不良などの原因となる場合がある。
【００６５】
上記以外のエポキシ樹脂としては縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐熱性、低熱膨張性をさらに向上させることができる。
【００６６】
縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、トリフェニレン、およびテトラフェン、その他の縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂である。縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、複数の芳香環が規則的に配列することができるため低熱膨張性に優れる。また、ガラス転移温度も高いため耐熱性に優れる。さらに、繰返し構造の分子量が大きいため従来のノボラック型エポキシに比べ難燃性に優れ、シアネート樹脂と組合せることでシアネート樹脂の弱点の脆弱性を改善することができる。したがって、シアネート樹脂と併用して用いることで、さらにガラス転移温度が高くなるため鉛フリー対応の実装信頼性に優れる。
【００６７】
縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、フェノール類化合物とホルムアルデヒド類化合物、および縮合環芳香族炭化水素化合物から合成された、ノボラック型フェノール樹脂をエポキシ化したものである。
【００６８】
フェノール類化合物は、とくに限定されないが、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールなどのクレゾール類、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノールなどのキシレノール類、２，３，５トリメチルフェノールなどのトリメチルフェノール類、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノールなどのエチルフェノール類、イソプロピルフェノール、ブチルフェノール、ｔ−ブチルフェノールなどのアルキルフェノール類、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、カテコール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレンなどのナフタレンジオール類、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、フルオログルシンなどの多価フェノール類、アルキルレゾルシン、アルキルカテコール、アルキルハイドロキノンなどのアルキル多価フェノール類が挙げられる。これらのうち、コスト面および分解反応に与える効果から、フェノールが好ましい。
【００６９】
アルデヒド類化合物は、とくに限定されないが、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ポリオキシメチレン、クロラール、ヘキサメチレンテトラミン、フルフラール、グリオキザール、ｎ-ブチルアルデヒド、カプロアルデヒド、アリルアルデヒド、ベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、テトラオキシメチレン、フェニルアセトアルデヒド、ｏ-トルアルデヒド、サリチルアルデヒド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、トリヒドロキシベンズアルデヒド、４−ヒドロキシ−３−メトキシアルデヒドパラホルムアルデヒドなどが挙げられる。
【００７０】
縮合環芳香族炭化水素化合物は、とくに限定されないが、例えば、メトキシナフタレン、ブトキシナフタレンなどのナフタレン誘導体、メトキシアントラセンなどのアントラセン誘導体、メトキシフェナントレンなどのフェナントレン誘導体、その他テトラセン誘導体、クリセン誘導体、ピレン誘導体、誘導体トリフェニレン、およびテトラフェン誘導体などが挙げられる。
【００７１】
縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、とくに限定されないが、例えば、メトキシナフタレン変性オルトクレゾールノボラックエポキシ、ブトキシナフタレン変性メタ（パラ）クレゾールノボラックエポキシ、およびメトキシナフタレン変性ノボラックエポキシなどが挙げられる。これらの中でも、下記式（Ｖ）で表される縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。
【００７２】
【化５】
2013180406.tif 000007
【００７３】
（式中、Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基であり、Ｒは互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基またはハロゲン元素、フェニル基、ベンジル基などのアリール基、およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基で、ｎ、ｐ、およびｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。）
【００７４】
【化６】
2013180406.tif 000008
【００７５】
（式（Ｖ）中のＡｒは、式（ＶＩ）中の（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造であり、式（ＶＩ）中のＲは、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基またはハロゲン元素、フェニル基、ベンジル基などのアリール基、およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基である。）
【００７６】
さらに上記以外のエポキシ樹脂としてはナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐熱性、低熱膨張性をさらに向上させることができる。また、ベンゼン環に比べナフタレン環のπ−πスタッキン効果が高いため、特に、低熱膨張性、低熱収縮性に優れる。更に、多環構造のため剛直効果が高く、ガラス転移温度が特に高いため、リフロー前後の熱収縮変化が小さい。ナフトール型エポキシ樹脂としては、例えば下記一般式（ＶＩＩ−１）、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂としては下記式（ＶＩＩ−２）、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂としては下記式（ＶＩＩ−３）（ＶＩＩ−４）（ＶＩＩ−５）、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂としては、例えば、下記一般式（ＶＩＩ−６）で示すことができる。
【００７７】
【化７】
2013180406.tif 000009
（ｎは平均１以上６以下の数を示し、Ｒはグリシジル基または炭素数１以上１０以下の炭化水素基を示す。）
【００７８】
【化８】
2013180406.tif 000010
【００７９】
【化９】
2013180406.tif 000011
【００８０】
【化１０】
2013180406.tif 000012
（式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２はそれぞれ独立的に水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、又はアラルキル基、又は、ナフタレン基、又はグリシジルエーテル基含有ナフタレン基を表し、ｏ及びｍはそれぞれ０〜２の整数であって、かつｏ又はｍの何れか一方は１以上である。）
【００８１】
エポキシ樹脂の含有量の下限は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体において１質量％以上が好ましく、とくに２質量％以上が好ましい。含有量が小さすぎるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合がある。エポキシ樹脂の含有量の上限は、とくに限定されないが、５５質量％以下が好ましく、とくに４０質量％以下が好ましい。含有量が大きすぎると耐熱性が低下する場合がある。
【００８２】
エポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、とくに限定されないが、Ｍｗ５００以上が好ましく、とくにＭｗ８００以上が好ましい。Ｍｗが小さすぎると樹脂層にタック性が生じる場合がある。Ｍｗの上限は、とくに限定されないが、Ｍｗ２０，０００以下が好ましく、とくにＭｗ１５，０００以下が好ましい。Ｍｗが大きすぎると樹脂層作製時、繊維基材２への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。エポキシ樹脂のＭｗは、例えばＧＰＣで測定することができる。
【００８３】
熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（とくにノボラック型シアネート樹脂、ナフトール型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂）やエポキシ樹脂（アリールアルキレン型エポキシ樹脂、とくにビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂）を用いる場合、さらにフェノール樹脂を用いることが好ましい。フェノール樹脂としては、例えばノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノール樹脂などが挙げられる。フェノール樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いてよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。これらの中でも、とくにアリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに吸湿半田耐熱性を向上させることができる。
【００８４】
アリールアルキレン型フェノール樹脂としては、例えばキシリレン型フェノール樹脂、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂などが挙げられる。ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂は、例えば、下記一般式（ＶＩＩＩ）で示すことができる。
【００８５】
【化１１】
2013180406.tif 000013
【００８６】
上記一般式（ＶＩＩＩ）で示されるビフェニルジメチレン型フェノール樹脂の繰り返し単位ｎは任意の整数である。ｎの下限は、とくに限定されないが、１以上が好ましく、とくに２以上が好ましい。ｎが小さすぎると耐熱性が低下する場合がある。また、繰り返し単位ｎの上限は、とくに限定されないが、１２以下が好ましく、とくに８以下が好ましい。また、ｎが大きすぎると他の樹脂との相溶性が低下し、作業性が低下する場合がある。
【００８７】
前述のシアネート樹脂（とくにノボラック型シアネート樹脂、ナフトール型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂）やエポキシ樹脂（アリールアルキレン型エポキシ樹脂、とくにビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂）とアリールアルキレン型フェノール樹脂との組合せにより、架橋密度をコントロールし、反応性を容易に制御できる。
【００８８】
フェノール樹脂の含有量の下限は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体において１質量％以上が好ましく、とくに５質量％以上が好ましい。フェノール樹脂の含有量が小さすぎると耐熱性が低下する場合がある。また、フェノール樹脂の含有量の上限は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体において５５質量％以下が好ましく、とくに４０質量％以下が好ましい。フェノール樹脂の含有量が大きすぎると低熱膨張の特性が損なわれる場合がある。
【００８９】
フェノール樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、とくに限定されないが、Ｍｗ４００以上が好ましく、とくにＭｗ５００以上が好ましい。Ｍｗが小さすぎると樹脂層にタック性が生じる場合が有る。また、フェノール樹脂のＭｗの上限は、とくに限定されないが、Ｍｗ１８，０００以下が好ましく、とくにＭｗ１５，０００以下が好ましい。Ｍｗが大きすぎると樹脂層の作製時、繊維基材２への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。フェノール樹脂のＭｗは、例えばＧＰＣで測定することができる。
【００９０】
さらに、シアネート樹脂（とくにノボラック型シアネート樹脂、ナフトール型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂）とフェノール樹脂（アリールアルキレン型フェノール樹脂、とくにビフェニルジメチレン型フェノール樹脂）とエポキシ樹脂（アリールアルキレン型エポキシ樹脂、とくにビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂）との組合せを用いて基板１０（とくに回路基板）を作製した場合、とくに優れた寸法安定性を得ることができる。
【００９１】
また、樹脂組成物は無機充填材をさらに含んでいる。これにより、積層体１１を薄型化しても、より一層優れた機械的強度を付与することができる。さらに、積層体１１の低熱膨張化をより一層向上させることができる。
【００９２】
（充填材）
充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。
【００９３】
充填材として、これらの中の１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、とくにシリカが好ましく、溶融シリカ（とくに球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。溶融シリカの形状には破砕状および球状がある。繊維基材２への含浸性を確保するためには、樹脂組成物の溶融粘度を下げるため球状シリカを使うなど、その目的にあわせた使用方法を採用することができる。
【００９４】
充填材の平均粒子径の下限は、とくに限定されないが、０．０１μｍ以上が好ましく、とくに０．１μｍ以上が好ましい。充填材の粒径が小さすぎるとワニスの粘度が高くなるため、プリプレグ１作製時の作業性に影響を与える場合がある。また、平均粒子径の上限は、とくに限定されないが、５．０μｍ以下が好ましく、とくに２．０μｍ以下が好ましい。充填材の粒径が大きすぎると、ワニス中で充填剤の沈降などの現象が起こり、均一な樹脂層を得ることが困難になる場合がある。また、内層基板の導体回路がＬ／Ｓが２０／２０μｍを下回る際には、配線間の絶縁性に影響する場合がある。
【００９５】
充填材の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒子径とする。
【００９６】
また充填材はとくに限定されないが、平均粒子径が単分散の充填材を用いてもよいし、平均粒子径が多分散の充填材を用いてもよい。さらに平均粒子径が単分散および／または多分散の充填材を１種類または２種類以上で併用してもよい。
【００９７】
さらに充填材は、平均粒子径５．０μｍ以下の球状シリカ（とくに球状溶融シリカ）が好ましく、とくに平均粒子径０．０１μｍ以上２．０μｍ以下の球状溶融シリカが好ましい。これにより、充填材の充填性をさらに向上させることができる。
【００９８】
充填材の含有量は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体において２０質量％以上８０質量％以下が好ましく、とくに３０質量％以上７５質量％以下が好ましい。含有量が上記範囲内であると、とくに低熱膨張、低吸水とすることができる。
【００９９】
また、本実施の形態に用いる樹脂組成物は、ゴム成分も配合することができ、例えば、ゴム粒子を用いることができる。ゴム粒子の好ましい例としては、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。
【０１００】
コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、または外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のものなどが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メタクリル酸メチルの重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。コアシェル型ゴム粒子の具体例としては、スタフィロイドＡＣ３８３２、ＡＣ３８１６Ｎ（商品名、ガンツ化成社製）、メタブレンＫＷ−４４２６（商品名、三菱レイヨン社製）が挙げられる。架橋アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＥＲ−９１（平均粒子径０．５μｍ、ＪＳＲ社製）などが挙げられる。
【０１０１】
架橋スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＳＫ−５００（平均粒子径０．５μｍ、ＪＳＲ社製）などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、メタブレンＷ３００Ａ（平均粒子径０．１μｍ）、Ｗ４５０Ａ（平均粒子径０．２μｍ）（三菱レイヨン社製）などが挙げられる。
【０１０２】
シリコーン粒子は、オルガノポリシロキサンで形成されたゴム弾性微粒子であればとくに限定されず、例えば、シリコーンゴム（オルガノポリシロキサン架橋エラストマー）そのものからなる微粒子、および二次元架橋主体のシリコーンからなるコア部を三次元架橋型主体のシリコーンで被覆したコアシェル構造粒子などが挙げられる。シリコーンゴム微粒子としては、ＫＭＰ−６０５、ＫＭＰ−６００、ＫＭＰ−５９７、ＫＭＰ−５９４（信越化学社製）、トレフィルＥ−５００、トレフィルＥ−６００（東レ・ダウコーニング社製）などの市販品を用いることができる。
【０１０３】
ゴム粒子の含有量は、とくに限定されないが、上記の無機充填材を合わせて、樹脂組成物全体に基づいて２０質量％以上８０質量％以下が好ましく、とくに３０質量％以上７５質量％以下が好ましい。含有量が範囲内であると、とくに低吸水とすることができる。
【０１０４】
（その他の添加剤）
このほか、必要に応じて、樹脂組成物にはカップリング剤、硬化促進剤、硬化剤、熱可塑性樹脂、有機充填材などの添加剤を適宜配合することができる。本発明で用いられる樹脂組成物は、上記成分を有機溶剤などにより溶解および／または分散させた液状形態で好適に用いることができる。
【０１０５】
カップリング剤の使用により、熱硬化性樹脂と充填材との界面の濡れ性が向上し、繊維基材２に対して樹脂組成物を均一に定着させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、耐熱性、とくに吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。
【０１０６】
カップリング剤としては、カップリング剤として通常用いられるものであれば使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることができる。
【０１０７】
カップリング剤の添加量の下限は、充填材の比表面積に依存するのでとくに限定されないが、充填材１００質量部に対して０．０５質量部以上、とくに０．１質量部以上が好ましい。カップリング剤の含有量が少なすぎると充填材を十分に被覆できないため耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。また、添加量の上限は、とくに限定されないが、３質量部以下が好ましく、とくに２質量部以下が好ましい。含有量が多すぎると反応に影響を与え、曲げ強度などが低下する場合がある。
【０１０８】
硬化促進剤としては公知のものを用いることができる。例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸など、オニウム塩化合物など、またはこの混合物が挙げられる。硬化促進剤として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いてもよいし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用してもよい。
オニウム塩化合物は、とくに限定されないが、例えば、下記一般式（ＩＸ）で表されるオニウム塩化合物を用いることができる。
【０１０９】
【化１２】
2013180406.tif 000014
【０１１０】
（式中、Ｐはリン原子、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ−は分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｎ（ｎ≧１）価のプロトン供与体のアニオン、またはその錯アニオンを示す。）
【０１１１】
硬化促進剤の含有量の下限は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体の０．００５質量％以上が好ましく、とくに０．０１質量％以上が好ましい。含有量が少なすぎると硬化を促進する効果が現れない場合がある。含有量上限は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体の５質量％以下が好ましく、とくに２質量％以下が好ましい。含有量が多すぎるとプリプレグ１の保存性が低下する場合がある。
【０１１２】
樹脂組成物では、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂などの熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体などのポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどの熱可塑性エラストマ−、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエンなどのジエン系エラストマーを併用してもよい。
【０１１３】
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂などが挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。
【０１１４】
これらの中でも、フェノキシ樹脂には、ビフェニル骨格およびビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂を用いるのが好ましい。これにより、ビフェニル骨格が有する剛直性により、フェノキシ樹脂のガラス転移温度を高くすることができるとともに、ビスフェノールＳ骨格の存在により、フェノキシ樹脂と金属との密着性を向上させることができる。その結果、積層体１１の耐熱性の向上を図ることができるとともに、回路基板を製造する際に、積層体１１に対する配線層の密着性を向上させることができる。また、フェノキシ樹脂には、ビスフェノールＡ骨格およびビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂を用いるのも好ましい。これにより、回路基板の製造時に、配線層の積層体１１への密着性をさらに向上させることができる。
また、下記一般式（Ｘ）で表されるビスフェノールアセトフェノン構造を有するフェノキシ樹脂を用いるのも好ましい。
【０１１５】
【化１３】
2013180406.tif 000015
【０１１６】
（式中、Ｒ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基またはハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ２は、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基またはハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ３ は、水素原子または炭素数１以上１０以下の炭化水素基であり、ｍは０以上５以下の整数である。）
【０１１７】
ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂は、嵩高い構造を持っているため、溶剤溶解性や、配合する熱硬化性樹脂成分との相溶性に優れる。また、低粗度で均一な粗面を形成することができるため微細配線形成性に優れる。
【０１１８】
ビスフェノールアセトフェノン構造を有するフェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂を触媒で高分子量化させる方法などの公知の方法で合成することができる。
【０１１９】
ビスフェノールアセトフェノン構造を有するフェノキシ樹脂は、一般式（Ｘ）のビスフェノールアセトフェノン構造以外の構造が含まれていても良く、その構造は特に限定されないが、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、ビフェニル型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型の構造などが挙げられる。中でも、ビフェニル型の構造を含むものが、ガラス転移温度が高く好ましい。
【０１２０】
ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂中の一般式（Ｘ）のビスフェノールアセトフェノン構造の含有量はとくに限定されないが、５モル％以上９５モル％以下が好ましく、より好ましくは１０モル％以上８５モル％以下であり、さらに好ましくは１５モル％以上７５モル％以下である。含有量が下限値に満たないと、耐熱性、耐湿信頼性を向上させる効果が得られない可能性がある。また、含有量が上限値を超えると、溶剤溶解性が悪くなるため、好ましくない。
【０１２１】
フェノキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、とくに限定されないが、Ｍｗ５，０００以上１００，０００以下が好ましく、１０，０００以上７０，０００以下がさらに好ましく２０，０００以上５０，０００以下が最も好ましい。Ｍｗが上限値を超えると、他の樹脂との相溶性や溶剤への溶解性が極めて悪くなるため好ましくなく、下限値未満であると、製膜性が悪くなり、回路基板の製造に用いる場合に、不具合を生じるため好ましくない。
【０１２２】
フェノキシ樹脂の含有量は、とくに限定されないが、充填材を除く樹脂組成物の５質量％以上４０質量％以下が好ましく、とくに１０質量％以上２０質量％以下が好ましい。含有量が上記下限値未満であると樹脂層の機械強度が低下したり、導体回路とのメッキ密着性が低下したりする場合があり、上記上限値を超えると絶縁層の熱膨張率が高くなり、耐熱性が低下したりする場合がある。
【０１２３】
さらに、樹脂組成物には、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加してもよい。
【０１２４】
顔料としては、カオリン、合成酸化鉄赤、カドミウム黄、ニッケルチタン黄、ストロンチウム黄、含水酸化クロム、酸化クロム、アルミ酸コバルト、合成ウルトラマリン青などの無機顔料、フタロシアニンなどの多環顔料、アゾ顔料などが挙げられる。
【０１２５】
染料としては、イソインドリノン、イソインドリン、キノフタロン、キサンテン 、ジケトピロロピロール、ペリレン、ペリノン 、アントラキノン、インジゴイド 、オキサジン、キナクリドン、ベンツイミダゾロン、ビオランスロン 、フタロシアニン、アゾメチンなどが挙げられる。
【０１２６】
プリプレグ１全体の面方向の熱膨張係数は、特に限定されないが、１６ｐｐｍ以下であることが好ましく、１２ｐｐｍ以下であることがより好ましく、５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の範囲であることがさらに好ましい。プリプレグ１の熱膨張係数が上述の範囲内であるとき、得られる基板１０において、繰り返しの熱衝撃に対する耐クラック性が向上する。
【０１２７】
プリプレグ１における面方向の熱膨張係数は、例えば、ＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１００Ｃ／分で昇温して評価することができる。
【０１２８】
次に、本実施形態に係るプリプレグの製造方法について説明する。
【０１２９】
本実施形態に係るプリプレグの製造方法は、繊維基材２の少なくとも一方の面側に樹脂組成物を供給し樹脂層３２を形成するとともに、繊維基材２の少なくとも一部に空隙層２１を形成する工程を含むものである。
【０１３０】
なお、樹脂組成物を繊維基材２の一方の面側に含浸させてもよく、これに伴い、繊維基材２に樹脂組成物を含浸してなる樹脂含浸部３１を形成してもよい。
【０１３１】
以下に、本実施形態に係るプリプレグの製造方法について詳説する。
【０１３２】
まず、繊維基材２の少なくとも一方の一面に樹脂組成物を供給する。繊維基材２への樹脂の供給は、後述で説明する方法１、あるいは方法２を採用することができる。
【０１３３】
（方法１）
樹脂組成物の供給に、ロール・ツゥ・ロール方式を採用する。こうすることで、樹脂層３２、空隙層２１の厚みをそれぞれ調節することが可能である。
【０１３４】
なお、樹脂組成物の供給に、ロール・ツゥ・ロール方式を採用した場合、繊維基材２の一面に樹脂組成物を含浸させ、樹脂含浸部３１を形成することも可能である。このように、樹脂含浸部３１形成して、繊維基材層３３を保護することが可能である。
【０１３５】
ロール・ツゥ・ロール方式とは、間隔をおいて互いに対向配置された一対のローラーを用いる手法である。ローラーの間隔は、適宜設定することが可能である。本実施形態に係るプリプレグ１の製造方法では、まず、１対のローラーの間に繊維基材２を配置する。このローラーに対して、繊維基材２の挿入方向を入口側、繊維基材２の進行方向を出口側とした時、入口側において繊維基材２をローラーに挿入する直前に、樹脂組成物は、繊維基材２に供給される。次に、繊維基材２が出口側に抜けるように一対のローラー内に侵入する。こうすることで、繊維基材２表面に供給された樹脂組成物は、目的の厚さになるように押し広げられる。なお、樹脂層や空隙層２１の厚みは、その用途に応じて、ローラーの間隔および樹脂組成物の供給量を変更することにより、簡便に変更することが可能である。
【０１３６】
なお、繊維基材２に樹脂組成物を供給する際、半固形状の樹脂組成物をラミネートして樹脂層３２を形成する方法を採用する。この手法は、均一な厚さの空隙層２１を形成するという点で、好ましい。
【０１３７】
（方法２）
繊維基材２に樹脂組成物を供給する際、繊維基材２に対して液状の樹脂組成物を供給し、繊維基材２上で硬化させる方法を採用する。
【０１３８】
この手法を採用した場合、具体的には、樹脂組成物のワニスを、繊維基材２の一方の面側に供給、含浸する。その後、この樹脂組成物のワニスを硬化（Ｂ−ステージ状態または任意の硬化状態）して、樹脂層３２および樹脂含浸部３１を形成する。
【０１３９】
なお、樹脂組成物を繊維基材２に含浸させて樹脂含浸部３１を確実に形成するには、例えば、含浸温度または含浸時間を適宜調整することにより、当該形成を行なうことができる。また、樹脂組成物のワニスを繊維基材２に供給する際には、ワニスを供給するのと反対側の面から吸引操作を行うようにしてもよい。これにより、樹脂組成物が繊維基材２２に確実に含浸して樹脂含浸部３１が形成される。このような吸引操作を行なう場合、その吸引時間や吸引力を適宜調整することにより、樹脂含浸部３１の形成をより確実に行なうことができる。また、繊維基材２に振動を与えつつ、ワニスを供給するようにしてもよい。これにより、樹脂組成物の繊維基材２の含浸は促進される。
【０１４０】
次に、本実施形態に係る効果について説明する。
【０１４１】
本実施形態に係るプリプレグ１は、繊維基材２中の少なくとも一部に、樹脂組成物の含浸していない空隙層２１を設けている。空隙層２１を設けたプリプレグ１を製造することによって、後述で説明するように、プリプレグ１を積層した際、空気が抜けやすく気泡が樹脂内に残留してしまうことを防止することができる。また、外部からの衝撃を空隙層２１によって吸収することも可能である。これにより、繊維基材２自体の破損防止につながり、機械的強度が向上したプリプレグ１を提供することができる。
【０１４２】
（第二の実施形態）
図３は、本実施形態に係るプリプレグの断面図である。
図３に示すように、繊維基材２の両面に、互いに組成の異なる樹脂組成物を用いて樹脂層３２が形成している点で第一の実施形態と異なっている。一方の面に、第一の樹脂組成物によって構成された第１の樹脂層４が、他方の面に第二の樹脂組成物によって形成された第２の樹脂層５が設けられている。なお、空隙層２１については、第一の実施形態と同様に、一端から他端まで連通するように形成されていればよく、繊維基材２の全面が露出するよう空隙層２１が形成されていることが好ましい。
【０１４３】
ここで、本実施形態に係るプリプレグ１を積層する際、プリプレグのコア側に設けられた層は、金属配線を埋め込むための層であり、表面側の層は、金属箔を密着させるための層となる。
【０１４４】
また、第１の樹脂層４と第２の樹脂層５のうち、一方の樹脂層が他方の樹脂層３２と比べて可とう性が高くてもよい。このとき、第１の樹脂層４と第２の樹脂層５の内、樹脂層の厚さが薄い方が可とう性は高いことが好ましい。このように、２種類の樹脂層の内、厚さが薄い方の樹脂層の可とう性を高く設定することによって、プリプレグ１の反りを抑制することが可能となる。
【０１４５】
第２の樹脂層５上に配線部４００（導体パターン）を形成するために、第２の樹脂組成物は、金属との密着性に優れるような組成に設定されている。また、第１の樹脂層４に他のプリプレグ１の配線部４００や、他の繊維基材２を確実に埋め込むために、第２の樹脂組成物は、第２の樹脂層５が第１の樹脂層４より流動性が高くなるような組成に設定されている。
【０１４６】
以下、この点について詳説する。
【０１４７】
第２の樹脂層５の可とう性は、第１の樹脂層４よりも高くなっている。このような大小関係となっている場合、第１の樹脂層４の平均厚さをｔａ３μｍとし、第２の樹脂層５の平均厚さをｔａ４μｍとしたとき、ｔａ４μｍ＜ｔａ３μｍとなる関係を満足するのが好ましい。より具体的には、１．２×ｔａ４μｍ＜ｔａ３μｍなる関係を満足するのが好ましく、２×ｔａ４μｍ＜ｔａ３μｍなる関係を満足するのがより好ましく、３×ｔａ４μｍ＜ｔａ３μｍなる関係を満足することがさらに好ましい。これは、次のような理由による。
【０１４８】
第２の樹脂層５の可とう性を、第１の樹脂層４より高く設定した場合、第２の樹脂層５の熱膨張率は、第１の樹脂層４より大きくなる傾向がある。このため、上記とは異なり「ｔａ４ >ｔａ３ 」とすると、プリプレグ１が加熱されたとき、第２の樹脂組成物が過剰に変形して、繊維基材２の部分で反りが生じるおそれがある。この繊維基材２の部分での反りは、プリプレグ１全体に大きく影響を与え、プリプレグ１自体が反ってしまうおそれがある。
【０１４９】
これに対して、「ｔａ４ >ｔａ３ 」とすれば、上記の不都合が生じるのを解消して、プリプレグ１に反りが発生するのを防止または抑制することが可能である。また、かかる関係を満足することにより、プリプレグ１の上面側の部分に比較的高い剛性と可とう性を付与することができるため、当該プリプレグ１の上面（第２の樹脂層５上）に配線部４００を高い加工性で形成することができる。一方、第１の樹脂層４は、高い流動性と十分な厚さを有することができるため、当該第１の樹脂層４に他のプリプレグ１の配線部４００や他の繊維基材２を埋め込む際、当該埋め込みを確実に行なうことができる、すなわち、他のプリプレグ１の配線部４００や他の繊維基材２に対する埋め込み性が向上する。
【０１５０】
さらに具体的には、平均厚さｔａ３μｍは、５μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることが好ましく、１０μｍ以上８０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。一方、平均厚さｔａ４μｍは、２μｍ以上５０μｍ以下の範囲であることが好ましく、５μｍ以上４０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。
【０１５１】
また、繊維基材２の最大厚さＴ１μｍに対して、平均厚さｔａ３μｍは、０．４×Ｔ１μｍ以上１．５×Ｔ１μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．５×Ｔ１μｍ以上１．２×Ｔ１μｍ以下の範囲であることがより好ましい。平均厚さｔａ４μｍは、０．２×Ｔ１μｍ以上０．８Ｔ１μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．３×Ｔ１μｍ以上０．７×Ｔ１μｍ以下の範囲であることがより好ましい。平均厚さｔａ３μｍおよびｔａ４μｍをかかる範囲に設定することにより、第１の樹脂層４および第２の樹脂層５がそれぞれ繊維基材２から剥離するのを確実に防止することができる。
【０１５２】
第１の樹脂組成物で構成されている第１の樹脂層４と、第２の樹脂組成物で構成されている第２の樹脂層５とを、形成する。このとき、繊維基材層３３は、第１の樹脂層４および第２の樹脂層５の間に配置されており、繊維基材層３３中の繊維基材２の表面の全体が露出している構成となる。なお、第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物は、互いに組成の異なるものであってもよい。
【０１５３】
また、本実施形態においても、かかる構成によって、第１の樹脂層４および第２の樹脂層５に要求される特性に応じて、樹脂組成物の組成を適宜変更することができる。
【０１５４】
従来技術におけるプリプレグ１のように第１の樹脂組成物のワニスや第２の樹脂組成物のワニスが繊維基材２に含浸したものである場合、当該プリプレグ１の製造過程でワニスの含浸の程度にバラつきが生じてしまう。その結果、歩留まりは低く、製造されるプリプレグ１の機械的強度にもバラつき（差）が生じてしまう。
【０１５５】
一方、本実施形態に係るプリプレグ１は、ワニスの繊維基材２への含浸が阻止されているため、従来のプリプレグで生じるような不具合が確実に防止される。これにより、製造される（得られる）プリプレグ１は、機械的強度が均一なものとなる。
【０１５６】
次に、本実施形態に係るプリプレグの製造方法について説明する。
【０１５７】
本実施形態に係るプリプレグ１の製造方法は、樹脂組成物を繊維基材２に供給する手法に関しては、第一の実施形態と同様である。
【０１５８】
なお、本実施形態に係るプリプレグ１の製造方法は、互いに組成の異なる樹脂組成物を用いて、繊維基材２の一面に、第１の樹脂組成物で構成されている第１の樹脂層４を形成し、第一の樹脂層とは他面側に、第２の樹脂組成物で構成されている第２の樹脂層５を形成する、という点で第一の実施形態とは異なっている。
【０１５９】
本実施形態において（方法１）を採用する場合、入口側において繊維基材をローラーに挿入する直前に、樹脂組成物は、繊維基材の両面から供給される点で第一の実施形態と異なっている。
【０１６０】
本実施形態において（方法２）を採用する場合、第１の樹脂層４を形成する際、液状の第１の樹脂組成物を繊維基材２に供給して、液状の第１の樹脂組成物を硬化してもよい。同様に、第２の樹脂層５を形成する際、液状の第２の樹脂組成物を繊維基材２に供給して、液状の第２の樹脂組成物を硬化してもよい。  このとき、繊維基材２が、液状の第１の樹脂組成物または液状の第２の樹脂組成物に対して、撥液性を有していてもよい。
【０１６１】
本実施形態において（方法２）を採用する場合、具体的には、液状の第１の樹脂組成物のワニスを繊維基材２の方の面側に供給し、その供給されたワニスを硬化（Ｂ−ステージ状態または任意の硬化状態）して、第１の樹脂層４を一旦形成する。その後、液状の第２の樹脂組成物のワニスを繊維基材２の他方の面側に供給し、その供給されたワニスを硬化して、第２の樹脂層５を形成することにより、プリプレグ１を確実に得ることができる。また、これらの樹脂層を形成する順序は、逆であってもよい。
【０１６２】
次に、本実施形態に係る効果について説明する。
【０１６３】
本実施形態においても、第一の実施形態と同様に、空隙層２１を設けたプリプレグ１を製造することによって、後述で説明するように、プリプレグ１を積層した際、空気が抜けやすく気泡が残留してしまうことを抑制することができる。また、外部からの衝撃を空隙層２１によって吸収することが可能である。これにより、繊維基材２自体の破損防止につながり、機械的強度が向上したプリプレグ１を提供することができる。
【０１６４】
＜基板＞
（第一の実施形態）
図４は、本実施形態に係る基板の断面図である。
図４に示すように、本実施形態に係る基板１０は、上記で述べたプリプレグ１を、従来のプリプレグ１３の両面に複数積層したものである。ただし、空隙層２１は、押圧されて消失している。なお、当該基板１０は、積層体１１の上端と下端の少なくとも一方に、金属層１２をさらに有しても、積層体１１の上部に導体パターンが形成されてもよい。
【０１６５】
なお、本発明の基板１０は、プリプレグ１３が省略され、２つのプリプレグ１が樹脂層３２同士を直接接合して、樹脂付きの金属層１２からなる積層体１１であってもよく、また、２つのプリプレグ１のうちの一方が省略された積層体１１であってもよく、また、金属層１２が省略されたものであってもよい。
【０１６６】
本実施形態に係る基板１０は、プリプレグ１を積層した積層体１１に気泡が残留しにくい。なぜなら、本発明によるプリプレグ１は、空隙層２１を有しているため、積層するときに、空気の逃げ道が確保されているからである。このため、空隙部に存在していた空気を、積層と同時に外部に逃がすことができる。
【０１６７】
次に、本実施形態に係る基板１０について詳説する。
【０１６８】
樹脂層３２は、上述した樹脂層３２を構成する樹脂組成物と異なる組成、具体的には、樹脂層３２が樹脂含浸部３１より可擦性が高くなるような組成に設定されている。この樹脂層３２を構成する樹脂組成物の構成成分には、上記樹脂組成物で挙げたものと同様のものを用いることができるが、樹脂や充填材等の種類および含有量、樹脂の分子量（平均繰り返し単位数）等の少なくとも１つを異ならせることにより、樹脂組成物の組成は、上記樹脂組成物と異なっている。その結果、樹脂層３２は、樹脂層３２と異なる特性を有している。
【０１６９】
この樹脂層３２の面方向、すなわち、プリプレグ１の長手方向（Ｘ方向）および幅方向（Ｙ方向）の熱膨張係数は、特に限定されないが、２０ｐｐｍ以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ以上１６ｐｐｍ以下の範囲であることがより好ましい。樹脂層３２の熱膨張係数が上述の範囲内であると、プリプレグ１は、高い接続信頼性を有すことができ、得られる基板１０は、半導体素子等の実装信頼性に優れたものとなる。
【０１７０】
繊維基材１３には、上述した繊維基材２と同様のものを用いることができる。また、本実施形態では、樹脂層３２は、前述したような特性（可擦性）を有するため、繊維基材１３の少なくとも一部は、樹脂層３２に確実に埋め込まれる（埋設される）。
【０１７１】
金属層１２は、配線部４００に加工される部分であり、例えば、銅箔、アルミ箔等の金属箔を積層体１１に接合すること、銅、アルミニヴムを積層体１１の表面にメッキすること等により形成される。また、本実施形態では、樹脂層３２は、上述したような特性を有するため、高い密着性で金属層１２を保持することができるとともに、高い加工精度で金属層１２を配線部４００に形成することができるようになっている。
【０１７２】
金属層１２と樹脂層３２とのピール強度は、０．５ｋＮ／ｍ以上であることが好ましく、０．６ｋＮ／ｍ以上であることがより好ましい。これにより、金属層１２を配線部４００に加工し、得られる半導体装置（図６参照）における接続信頼性をより向上させることができる。
【０１７３】
次に、本実施形態に係る基板１０の製造方法について説明する。
【０１７４】
本実施形態に係る基板１０の製造は、プリプレグ１を複数積層して積層体１１を形成している。このとき、プリプレグ１に形成されていた空隙層２１は、積層体１１を加熱、加圧することで、消失させている。なお、金属層１２を形成しても、積層方向に隣接するプリプレグ１の間に繊維基材２を導入してもよい。なお、複数のプリプレグの内、少なくとも一つが本実施形態に係るプリプレグ１であればよい。
【０１７５】
具体的に、プリプレグ１を加熱・加圧する際、以下に説明する方法を用いている。
【０１７６】
基板１０は、樹脂層３２上に金属層１２を形成したプリプレグ１を２つ用意し、これらのプリプレグ１で繊維基材１３を挟持した状態で、例えば、真空プレス、常圧ラミネータおよび真空下で加熱加圧するラミネータを用いて積層する方法が挙げられる。
【０１７７】
真空プレスは、平板に挟んで通常のホットプレス機等で実施できる。例えば、名機製作所社製の真空プレス、北川精機社製の真空プレス、ミカドテクノス社製の真空プレス等が挙げられる。また、ラミネータ装置としては、ニチゴー・モ一トン社製のバキュームアップリケータ一、名機製作所社製の真空加圧式ラミネー夕、目立テクノエンジニアリング社製の真空ロール式ドライコータ等のような市販の真空積層機、またはベルトプレス等を用いて製造することができる。
【０１７８】
本実施形態に係る効果について説明する。
【０１７９】
本実施形態に係る基板の製造方法を用いた場合、複数のプリプレグ１を積層、および繊維基材２への樹脂組成物の含浸を同時に行うことができる。これは、プリプレグ１を積層する際、高温高圧条件下で積層を行うため、実現できている。また、繊維基材２への樹脂組成物の含浸を積層時に行うため、積層板内に気泡が残留しにくい。なぜなら、プリプレグ１における空隙層２１の端部から空気が逃げやすいのと同時に、樹脂組成物の含浸は均一に行われるためである。
【０１８０】
また、従来の技術水準において行われていた積層板を形成する際に、樹脂組成物と繊維基材をそれぞれ独立した状態で、積層する方法と異なり、繊維基材２の波打ちが発生しないという点でも優れている。これは、繊維基材２と樹脂組成物とを事前にプリプレグとして製造した上で積層するからである。このように、プリプレグを積層した際、繊維基材がよじれないことで、波打ち箇所に気泡が残留することを防ぐことができる。
【０１８１】
（第二の実施形態）
図５は、本実施形態に係る基板の断面図である。
図５に示すように、本実施形態に係る基板１０は、第１の樹脂層４および第２の樹脂層５を含んでいる点以外は、第１の実施形態と同様である。また、基板１０の製造方法および効果についても、第一の実施形態と同様である。
【０１８２】
以下、第１の実施形態との相違点について、説明する。
【０１８３】
積層体１１は、第１の樹脂層２同士を内側にして配置された２つのプリプレグ１と、第２の樹脂層５同士間で挟持された繊維基材１３とを備える。
【０１８４】
繊維基材２には、上述した繊維基材２と同様のものを用いることができる。また、本実施形態では、第１の樹脂層４は、上述したような特性（流動性）を有するため、繊維基材２の少なくとも一部は、第１の樹脂層４に確実に埋め込まれる（埋設される）。
【０１８５】
金属層１２は、配線部４００に加工される部分であり、例えば、銅箔、アルミ箔等の金属箔を積層体１１に接合すること、銅、アルミニウムを積層体１１の表面にメッキすること等により形成される。また、本実施形態では、第２の樹脂層５は、前述したような特性を有するため、高い密着性で金属層１２を保持することができるとともに、高い加工精度で金属層１２を配線部４００に形成することができるようになっている。
【０１８６】
＜半導体装置＞
本実施形態に係る半導体装置は、上記で説明した基板１０上に半導体素子を搭載したものであり、第１の実施形態および第２の実施形態共に、共通である。半導体装置の製造方法は、基板１０を準備する工程と、基板１０上に半導体素子５００を搭載する工程と、を含んでいる。なお、半導体装置の製造方法についても、第１の実施形態および第２の実施形態共に、共通である。
【０１８７】
図６は、本実施形態に係る半導体装置の断面図である。
以下、図６を参照しつつ説明する。なお、図６中では、第２の実施形態に係る繊維基材２を省略して示し、第１の樹脂層４および第２の樹脂層５を一体として示してある。
【０１８８】
図６に示す半導体装置は、多層基板２００と、多層基板２００の上面に設けられたパッド部３００と、多層基板２００の下面に設けられた配線部４００と、パッド部３００にバンプ５０１を接続することにより、多層基板２００上に搭載された半導体素子５００とを有している。また、その他、多層基板２００の下面には、配線部４００、パッド部３００、半田ボール等が設けられていてもよい。
【０１８９】
多層基板２００は、コア基板として設けられた基板１０と、この基板１０の上側に設けられた３つのプリプレグ１ａ，１ｂ，１ｃと、基板１０の下側に設けられた３つのプリプレグ１ｄ，１ｅ，１ｆとを備えている。プリプレグ１ａ〜１ｃをそれぞれ構成する繊維基材２、第１の樹脂層４、第２の樹脂層５の基板１０からの配置順番と、プリプレグ１ｄ〜１ｆをそれぞれ構成する繊維基材２、第１の樹脂層４、第２の樹脂層５の基板１０からの配置順番とは、同じとなっている。
【０１９０】
また、多層基板２００は、プリプレグ１ａとプリプレグ１ｂとの聞に設けられた回路部２０１ａと、プリプレグ１ｂとプリプレグ１ｃとの聞に設けられた回路部２０１ｂと、プリプレグ１ｄとプリプレグ１ｅとの聞に設けられた回路部２０１ｄと、プリプレグ１ｅとプリプレグ１ｆとの聞に設けられた回路部２０１ｅとを有している。
【０１９１】
さらに、多層基板２００は、各プリプレグ１ａ〜１ｆをそれぞれ貫通して設けられ、隣接する回路部同士や、回路部２０１ａ〜ｅとパッド部３００とを電気的に接続する導体部２０２とを備えている。
【０１９２】
基板１０の各金属層１２は、それぞれ、所定のパターンに加工され、当該加工された金属層１２同士は、基板１０を貫通して設けられた導体部２０３により電気的に接続されている。
【０１９３】
なお、半導体装置１００（多層基板２００）は、基板１０の片面側に、４つ以上のプリプレグ１を設けるようにしてもよい。さらに、半導体装置１００は、本発明のプリプレグ１以外のプリプレグを含んでいてもよい。
【０１９４】
以上、本発明のプリプレグ１、基板１０および半導体装置１００を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、プリプレグ１、基板１０および半導体装置１００を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１９５】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【実施例】
【０１９６】
以下、本発明を、実施例を参照して詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
【０１９７】
以下、プリプレグ、基板、および半導体装置を製造した結果について詳説する。
【０１９８】
（実施例１）
（１）プリプレグの製造
（１−１）第１のプリプレグ
図３に示すプリプレグ１を製造した。製造方法は、以下のとおりである。また、図３における第１の樹脂層４を製造するためのキャリア材料を第１の樹脂シート、第２の樹脂層５を製造するためのキャリア材料を第２の樹脂シートとする。
【０１９９】
まず、第１の樹脂層４に用いる樹脂組成物のワニスを調製した。調製方法は、以下の通りである。
【０２００】
エポキシ樹脂としてナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−５０００）２．０質量部、ナフタレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−６０００）１０．０質量部、シアネートエステル樹脂（ロンザ製、ＰＴ−３０）１０．０質量部、マレイミド化合物としてビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン（ケイアイ化成工業社製、ＢＭＩ−７０）５．０質量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、充填材として球状シリカ（アドマテックス社製、ＫＢＭ５７３表面処理品、ＳＯＣ２、平均粒径０．５μｍ）１５．０質量部、球状シリカ（アドマテックス社製、ＳＯＣ４、平均粒径１．０μｍ）５２．０質量部、微球シリカ（アドマナノ、ＫＢＭ４０３表面処理品、平均粒径５５ｎｍ）５．０質量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．５質量部、硬化触媒として、４級ホスホニウム系硬化促進剤である（４一メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート（北興化学工業社製、ＴＰＴＰ−ＳＣＮ）０．５質量部を添加して、高速撹拌装置を用いて３０分間撹拌した。この撹拌では、不揮発分７５質量％となるように調整し、第１の樹脂層４に用いる樹脂組成物のワニス（以下、第１の樹脂ワニスと示す）を調製した。
【０２０１】
次に、第１の樹脂ワニスを塗工した第１の樹脂シートを作製した。作製方法は、以下のとおりである。
【０２０２】
第１の樹脂ワニスを、ポリエチレンテレフタレート基材（以下、ＰＥＴと示す）（帝人デュポンフィルム社製ピューレックス、３８μｍ）上に、ダイコーター装置を用いて、乾燥後の樹脂層の厚さが２６．５μｍとなるように塗工した。次に、１６０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、第１樹脂層４用の第１の樹脂シートを得た。
【０２０３】
次に、第２の樹脂層５に用いる樹脂組成物のワニスを調製した。調製方法は、以下の通りである。
【０２０４】
エポキシ樹脂としてナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−５０００）３０．０質量部、シアネートエステル樹脂（ロンザ製、ＰＴ−３０）１８．０質量部、フェノキシ樹脂（三菱化学社製ＹＸ６９５４ＢＨ３０、固形分３０％）１１質量部（固形分換算）を、メチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、充填材として球状シリカ（アドマテックス社製、ＫＢＭ５７３表面処理品、ＳＯＣ２、平均粒径０．５μｍ）４０．０質量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．５質量部、硬化触媒として、４級ホスホニウム系硬化促進剤である（４一メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート（北興化学工業社製、ＴＰＴＰ−ＳＣＮ）０．５質量部を添加して、高速撹拌装置を用いて３０分間撹拌した。この撹拌では、不揮発分６５質量％となるように調整し、樹脂組成物のワニス（以下、第２の樹脂ワニスと示す）を調製した。
【０２０５】
次に、第２の樹脂ワニスを塗工した第２の樹脂層を作製した。作製方法は、以下のとおりである。
【０２０６】
第２の樹脂ワニスを、ＰＥＴ上に、ダイコーター装置を用いて乾燥後の樹脂層の厚さが５μｍとなるように塗工した。次に、１６０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、第２樹脂層５用の第２の樹脂シートを得た。
【０２０７】
上記で述べた方法により得られた第１の樹脂シートおよび第２の樹脂シートを用いて図３に示すプリプレグ１（以下、第１のプリプレグと示す。）を製造した。製造方法は、以下のとおりである。
【０２０８】
第１の樹脂シートと第２の樹脂シートの間に、ガラス繊維基材（坪量４８ｇ／ｍ２、日東紡社製Ｅガラス織布、ＷＥＡ１０７８、ＩＰＣ規格１０７８）を配した。なお、第１の樹脂シートと第２の樹脂シートは、当該ガラス繊維の両面に樹脂層が繊維基材と向き合うように配された。次に、シリコンゴムロールで、ラミネート温度１２０℃、線圧１０Ｎ／ｃｍで、第１の樹脂シートと第２の樹脂シートをガラス繊維基材に貼り合わせを行うことで、両面にＰＥＴ基材を有した第１のプリプレグを得た。得られた第１のプリプレグに対して断面観察を行ったところ、空隙層２１の割合は、繊維基材の最大の厚さに対して約９０％であった。
【０２０９】
（１−２）第２のプリプレグ
多層用プリプレグ（以下、第２のプリプレグ）の製造を行った。製造方法は、以下のとおりである。なお、第２のプリプレグは、片面に極薄銅箔を有している点で第１のプリプレグと異なっている。
【０２１０】
多層用プリプレグの製造に用いた樹脂ワニスは上記第１のプリプレグに用いた樹脂ワニスと同様の方法で得た。また、キャリア材料は、以下の方法によって製造した。
【０２１１】
第１の樹脂ワニスを、ＰＥＴ上に、ダイコーター装置を用いて乾燥後の樹脂層の厚さが２８μｍとなるように塗工した。次に、１６０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、第１の樹脂層４用の第１の樹脂シートを得た。
【０２１２】
第２の樹脂ワニスを、キャリア箔付き極薄銅箔（三井金属鉱業社製、マイクロシンＥｘ、１．５μｍ）上に、ダイコーター装置を用いて乾燥後の樹脂層の厚さが５μｍとなるように塗工した。次に、１６０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、第２の樹脂層５用の第２の樹脂シートを得た。
【０２１３】
第２のプリプレグの製造方法における樹脂シートの貼り付け方法は、上記第１のプリプレグの製造方法と同様の方法を用いている。ただし、ガラス繊維基材（ユニチカ社製Ｅガラス織布、Ｅ０２Ｚ、ＩＰＣ規格１０１５、坪量１７ｇ／ｍ２）を用いている点で第１のプリプレグとは異なっている。上記材料および方法を用いて、片面に極薄銅箔を有する第２のプリプレグを得た。得られた第２のプリプレグに対して断面観察を行ったところ、空隙層２１の割合は、繊維基材の最大の厚さに対して約８０％であった。
【０２１４】
（２）基板の製造
基板（金属張積層板）を製造した。製造方法は、以下のとおりである。
【０２１５】
両面にＰＥＴ基材を有した第１のプリプレグからＰＥＴを剥離し、第１の樹脂層４を合わせて２枚重ねた上で、両面にキャリア箔付き極薄銅箔（三井金属鉱業社製、マイクロシンＥｘ、１．５μｍ）を配した。これを、平滑な金属板に挟み、２２０℃、３ＭＰａで２時間加熱加圧成形することにより、金属張積層板を得た。得られた金属箔付き積層板のコア層（積層板からなる部分）の厚みは、０．１０ｍｍであった。得られた金属張積層板に対して断面観察を行ったところ、空隙層２１が完全に消失していることを確認した。
【０２１６】
（３）半導体装置の製造
まず、多層プリント配線板の製造を行った。製造方法は、以下のとおりである。
【０２１７】
上記で製造した金属箔張積層板をコア基板として用いた。このコア基板の両面にセミアディティブ法を用いて、微細回路パターン（残銅率７０％、Ｌ／Ｓ＝２５／２５μｍ）を形成した内層回路基板を作成した。その内層回路基板の両面に、第２のプリプレグを真空ラミネートによって積層後、熱風乾燥装置を用いて２２０℃で６０分間加熱硬化を行った。次いで、キャリア箔を剥離後、炭酸レーザーによりブラインドビアホール（非貫通孔）を形成した。形成したビアホール内を、６０℃の膨潤液（アトテックジャパン社製、スウェリングディップ  セキュリガント  Ｐ）に５分間浸漬した。次に、８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン社製、コンセントレート  コンパクト  ＣＰ）に１０分浸漬後、中和して粗化処理をおこなった。
【０２１８】
次に、脱脂、触媒付与、および活性化の工程を経た後、無電解銅めっき皮膜を約０．５μｍ形成した。次いで、めっきレジストを形成し、無電解銅めっき皮膜を給電層としてパターン電気めっき銅２０μｍを形成させ、Ｌ／Ｓ＝２５／２５μｍの微細回路加工を施した。その後、熱風乾燥装置にて２００℃で６０分間アニール処理を行った後、フラッシュエッチングで給電層を除去した。
【０２１９】
給電層を除去した後、ソルダーレジスト層を積層し、次いで半導体素子搭載パッドなどが露出するように露光した。露光後、開口炭酸レーザーを用いて現像することによってブラインドビアホール（非貫通孔）を形成した。
【０２２０】
最後に、ソルダーレジスト層から露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層３μｍと、さらに無電解ニッケルめっき層上に対し、無電解金めっき層０．１μｍ、次いで半田めっき層５μｍとからなるめっき層を形成した。そして、得られた基板を５０１４ｍｍ×５０１４ｍｍサイズに切断し、半導体パッケージ用の多層プリント配線板を得た。
【０２２１】
次に、上記方法で製造した半導体パッケージ用の多層プリント配線板を用いて、図６に示す半導体パッケージを製造した。製造方法は、以下のとおりである。
【０２２２】
半導体パッケージ用の多層プリント配線板上に、半田バンプを有する半導体素子（ＴＥＧチップ、サイズ８２０ｍｍ×２０８ｍｍ、厚み１００７２５μｍ）を、フリップチップボンダー装置により、加熱圧着することで搭載した。次に、ＩＲリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂（住友ベークライト社製、ＣＲＰ−Ｘ４８００Ｂ）を充填し、当該液状封止樹脂を硬化させることで半導体パッケージを得た。なお、液状封止樹脂は、温度１５０℃、１２０分の条件で硬化させた。また、半導体素子の半田バンプは、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ組成の鉛フリー半田で形成されたものを用いた。
【０２２３】
以上、本発明の実施例について説明したが、種々の変形が可能である。
たとえば、プリプレグの製造方法として、ＰＥＴ上に樹脂ワニスを塗工、乾燥して得られる樹脂シートを用いた例を示したが、Ｂステージ状態のエポキシ樹脂フィルムを用いてもよい。
【符号の説明】
【０２２４】
１    プリプレグ
１ａ    プリプレグ
１ｂ    プリプレグ
１ｃ    プリプレグ
１ｄ    プリプレグ
１ｅ    プリプレグ
１ｆ    プリプレグ
２    繊維基材
４    第１の樹脂層
５    第２の樹脂層
１０    基板
１１    積層体
１２    金属層
１３    繊維基材、プリプレグ
２１    空隙層
３１    樹脂含浸部
３２    樹脂層
３３    繊維基材層
１００    半導体装置
２００    多層基板
２０１ａ    回路部
２０１ｂ    回路部
２０１ｄ    回路部
２０１ｅ    回路部
２０２    導体部
２０３    導体部
３００    パッド部
４００    配線部
５００    半導体素子
５０１    バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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