(57)【要約】【課題】ローディング中の基板の曲りを減少させるための措置を取ったサポートを提供する。【解決手段】物体を支持するように構成されたサポート表面を有する、物体のためのサポートであって、サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、サポート表面の可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、収縮位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分と実質的に同じ平面にあり、延在位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分の平面から突出する。【選択図】図２
2013118366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体のためのサポートであって、
前記物体を支持するサポート表面を備え、
前記サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、前記サポート表面の前記可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、前記収縮位置では、前記サポート表面の前記可動部分が前記サポート表面の前記主要部分と実質的に同じ平面にあり、前記延在位置では、前記サポート表面の前記可動部分が前記サポート表面の前記主要部分の前記平面から突出する、サポート。
【請求項２】
前記サポート表面の前記可動部分は、可動部分の上端であり、および／または、上から見て多面形の側面を形成する、請求項１に記載のサポート。
【請求項３】
物体のためのサポートであって、
前記物体を支持するサポート表面と、
上から見て多面形の側面を形成し、かつ収縮位置と延在位置との間で移動可能である細長可動部分であって、前記収縮位置では、前記可動部分の上端が前記サポート表面の主要部分の平面にあるかまたはそれより低く、前記延在位置では、前記可動部分の前記上端が前記サポート表面の前記主要部分の前記平面から突出する、細長可動部分と
を備える、サポート。
【請求項４】
前記収縮位置において、前記可動部分の前記上端は、前記サポート表面の可動部分を形成し、かつ前記サポート表面の残部を含む前記サポート表面の前記主要部分と実質的に同じ平面にある、請求項３に記載のサポート。
【請求項５】
前記多面形は少なくとも８つの側面を含み、および／または、前記多面形は実質的に円形であり、および／または、前記多面形は実質的にギャップレスの完全形状であり、および／または、前記多面形は複数の可動セグメントによって形成される、請求項２〜４のうちのいずれかに記載のサポート。
【請求項６】
前記セグメントはギャップによって分けられ、隣接するセグメント間のギャップの長さの合計は前記多面形の外周の５０％より少ない、請求項５に記載のサポート。
【請求項７】
各可動部分は、上から見て弧状の形状である、請求項１〜６のうちのいずれかに記載のサポート。
【請求項８】
前記サポート表面は個別の突出体の複数の上端から形成され、および／または、前記サポートは負圧を用いて前記物体を前記サポート表面にクランプさせ、および／または、前記サポートは静電力を用いて前記物体を前記サポート表面にクランプさせ、および／または、前記サポートはリソグラフィ装置内の基板を支持する、請求項１〜７のうちのいずれかに記載のサポート。
【請求項９】
前記可動部分は、突出体５つの幅より小さく、突出体３つの幅より小さく、突出体２つの幅より小さく、または突出体１つの幅であり、および／または、前記可動部分は前記突出体より低い隆起を備え、および／または、上から見て前記可動部分は細長く、および／または、前記可動部分は前記サポート表面の中心から一定の半径方向距離で位置決めされ、および／または、前記可動部分は前記可動部分に囲われた前記サポート表面の領域のサイズが前記可動部分に囲われていない前記サポート表面の領域のサイズの２０％以内であるように位置決めされ、および／または、上から見た前記可動部分の前記領域は、上から見た前記サポート表面の前記領域の少なくとも０．３％、上から見た前記サポート表面の前記領域の少なくとも０．５％または上から見た前記サポート表面の前記領域の少なくとも０．８％である、請求項８に記載のサポート。
【請求項１０】
前記隆起に囲われた領域と流体連結しかつ負圧源と接続可能である導管をさらに備え、および／または、前記可動部分が前記収縮位置にあるときに前記可動部分と前記サポート表面との間のガスの通過に抵抗するシールをさらに備え、および／または、前記可動部分を加熱および／または冷却するヒータおよび／またはクーラをさらに備え、および／または、前記可動部分とは異なる前記サポート表面の中心からの半径方向距離に位置決めされたさらなる可動部分をさらに備え、および／または、前記収縮位置にあるときの前記可動部分を能動的に位置決めするコントローラをさらに備える、請求項９に記載のサポート。
【請求項１１】
請求項１〜１０のうちのいずれかに記載のサポートを備える、リソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記サポート表面上の前記物体を位置決めするハンドラをさらに備える、請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記ハンドラは上方から前記物体を掴む、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記ハンドラは前記物体をその端部にて掴む、請求項１２または１３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
デバイス製造方法であって、
パターン付き放射ビームをサポート表面によって支持された基板上に投影することを含み、
前記サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、前記サポート表面の前記可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、前記収縮位置では、前記サポート表面の前記可動部分が前記サポート表面の前記主要部分と実質的に同じ平面にあり、前記延在位置では、前記サポート表面の前記可動部分が前記サポート表面の前記主要部分の前記平面から突出する、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、サポート、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  機械は、比較的高い屈折率を有する液体（例えば、水）が投影システムの最終要素と基板との間の空間を満たすものであってよい。一実施形態では、液体は蒸溜水であるが、別の液体を用いることもできる。別の流体、特に、湿潤流体、非圧縮性流体、および／または、空気より高い屈折率、望ましくは水より高い屈折率を有する流体が適切であり得る。ガスを含まない流体が特に望ましい。これのポイントは、露光放射が液体ではより短い波長を有するためより小さいフィーチャの結像を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効な開口数（ＮＡ）を増加させ、かつ焦点深度も増加させるとみなされてもよい。他の液浸液も提案されており、それらは、中に固体粒子（例えば、石英）が浮遊する水またはナノ粒子浮遊物（例えば、１０ｎｍまでの最大寸法を有する粒子）を有する液体を含む。浮遊粒子は、それらが浮遊している液体と同様または同じ屈折率を有してもよく、または有さなくてもよい。適切であり得る他の液体としては、芳香族、フッ化炭化水素などの炭化水素および／または水溶液が挙げられる。
【０００４】
[0004]  パターニングデバイスは、回路パターンの代わりに他のパターン（例えば、カラーフィルタパターンまたはドットマトリクス）を生成するために使用されてもよい。パターニングデバイスは、従来のマスクの代わりに、回路または他の適用可能なパターンを生成する個別制御可能素子アレイを含むパターニングアレイを備えてもよい。従来のマスクベースのシステムと比較してそのような「マスクレス」システムの利点は、パターンをより迅速かつより低価格で提供および／または変更することができることである。
【０００５】
[0005]  したがって、マスクレスシステムは、プログラマブルパターニングデバイス（例えば、空間光変調器、コントラストデバイスなど）を含む。プログラマブルパターニングデバイスは、個別制御可能素子アレイを用いて所望のパターン付きビームを形成するように（例えば、電子的または光学的に）プログラミングされる。プログラマブルパターニングデバイスの種類としては、マイクロミラーアレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）アレイ、グレーティングライトバルブアレイなどが挙げられる。
【０００６】
[0006]  本明細書中にその全容が参考として援用されるＰＣＴ特許出願公報第ＷＯ２０１０／０３２２２４号に開示されるように、従来のマスクの代わりに、モジュレータが、基板の露光領域を所望のパターンに従って変調された複数のビームに露光させるように構成されてよい。投影システムは、変調されたビームを基板上に投影するように構成され、かつ複数のビームを受けるためにレンズアレイを含んでよい。投影システムは、変調されたビームを基板上に投影するように構成され、かつ複数のビームを受けるためにレンズアレイを含んでよい。投影システムは、露光領域の露光中にレンズアレイをモジュレータに対して移動させるように構成されてよい。
【０００７】
[0007]  リソグラフィ装置は、極端紫外線（例えば、約５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する）を用いる極端紫外線（ＥＵＶ）装置であってよい。
【発明の概要】
【０００８】
[0008]  リソグラフィ装置の一実施形態では、基板は、基板の底部側で基板を保持するロボットによって基板テーブルのサポート表面上にロードされる。実質的に水平のサポート表面上での基板のローディングを容易にするために、複数のピン（以下「ｅピン」）が基板テーブルに設けられる。例えば、３つのｅピンが設けられてよい。ｅピンは、ｅピンの上端が基板テーブルより上に延在する延在位置と、ｅピンの上端が基板テーブルに収縮される収縮位置との間で移動可能である。
【０００９】
[0009]  基板テーブル上での基板のローディング中、ロボットは延在位置におけるｅピン上に基板をロードする。基板はサポート表面より上方に伸びるｅピン上で受け取られるため、基板をｅピン上に残してロボットを引く抜くことができる。その後、ｅピンを収縮位置に移動させて基板をサポート表面上に置くことができる。
【００１０】
[0010]  ローディングシーケンス中の基板の形状は、基板の重力沈下によって画定される。基板の下に流れるガス（例えば、空気）の影響などの他の影響も基板の形状に影響を与え得る。基板が基板テーブルに接触している間は最終基板形状を操作する自由が限られている。
【００１１】
[0011]  増大したサイズを有する基板がリソグラフィ装置で扱われる。現在、３００ｍｍまでの幅を有する基板サイズがリソグラフィプロセスで使用されている。基板の幅（例えば、直径）を、例えば、直径約４５０ｍｍに増大することが望ましい。これらのより大きい基板は、より小さい厚さ対幅の比率を有し、結果的に低下した曲げ剛性となる。結果として、基板は、延在位置におけるｅピンに対してより大きい重力偏向を有することがあり、これは本質的に、より大きい基板ロードグリッドエラーおよび潜在的なオーバーレイエラーへとも繋がり得る。さらに、ｅピンは、例えば直径３００ｍｍの基板と比較して増加した重量の基板を支持するためにより大きい表面積を有する必要があり得る。これは、基板がサポートにクランプされたときの平坦度の減少へと繋がり得る（なぜなら、その状態では、基板は上記のｅピンによって支持されていないからである）。
【００１２】
[0012]  例えば、ローディング中の基板の曲りを減少させるための措置を取ったサポートを提供することが望ましい。
【００１３】
[0013]  本発明の一態様によると、物体を支持するように構成されたサポート表面を備える、物体のためのサポートが提供される。サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、サポート表面の可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、収縮位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分と実質的に同じ平面にあるように適合され、延在位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分の平面から突出する。
【００１４】
[0014]  本発明の一態様によると、物体のためのサポートであって、物体を支持するように構成されたサポート表面と、上から見て多面形の側面を形成するように配置され、かつ収縮位置と延在位置との間で移動可能である細長可動部分であって、収縮位置では、可動部分の上端がサポート表面の主要部分の平面にあるかまたはそれより低くなるように適合され、延在位置では、可動部分の上端はサポート表面の主要部分の平面から突出する、細長可動部分と、を備える、サポートが提供される。
【００１５】
[0015]  本発明の一態様によると、パターン付き放射ビームをサポート表面によって支持された基板上に投影することを含むデバイス製造方法が提供される。サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、サポート表面の可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、収縮位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分と実質的に同じ平面にあるように適合され、延在位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分の平面から突出する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
[0016]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0017]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0018]  図２は、一実施形態によるサポートを平面図で概略的に示す。
【図３】[0019]  図３は、収縮位置における場合の図２のラインＩＩＩを通る断面図を示す。
【図４】[0020]  図４は、延在位置における場合の図２のラインＩＩＩを通る断面図を示す。
【図５】[0021]  図５は、図２のラインＶを通る断面図を示す。
【図６】[0022]  図６は、図２の実施形態の可動部分の一部の詳細な平面図である。
【図７】[0023]  図７は、一実施形態の可動部分を示す。
【図８】[0024]  図８は、一実施形態によるサポートを平面図で概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0025]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、
-  放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
-  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
-  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
-  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１８】
[0026]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１９】
[0027]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２０】
[0028]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００２１】
[0029]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２２】
[0030]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２３】
[0031]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２４】
[0032]  リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（あるいはステージまたはサポート）、例えば、２つ以上の基板テーブルあるいは１つ以上の基板テーブルおよび１つ以上のセンサまたは測定テーブルの組み合わせを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。リソグラフィ装置は、基板、センサおよび／または測定テーブルと同様の方法で並行して使うことができる２つ以上のパターニングデバイス（あるいはステージまたはサポート）を有してよい。
【００２５】
[0033]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないというだけを意味するのではなく、露光中、投影システムと基板および／またはマスクとの間に液体を置くことができることを意味するものである。これは、基板のような構造物を液体内に沈めることを含む場合と含まない場合がある。参照符号ＩＭは、液浸技術を行うための装置が配置され得る場所を示す。そのような装置は、液浸液用の供給システムおよび液体を関心領域に含ませるためのシール部材を含んでもよい。そのような装置は、基板テーブルが液浸液によって完全に覆われるように任意的に構成されてよい。
【００２６】
[0034]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２７】
[0035]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するためのアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成するとみなしてもよく、あるいは、みなさなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体部分であってよく、あるいは、リソグラフィ装置とは別個の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬがその上に設置されるように構成されてよい。任意的に、イルミネータＩＬは、取り外し可能であり、かつ別々に（例えば、リソグラフィ装置製造業者または別の供給者によって）設けられてもよい。
【００２８】
[0036]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２９】
[0037]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
１．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３０】
[0038]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３１】
[0039]  リソグラフィ装置は基板テーブルＷＴを備える。図２〜図８にて基板テーブルＷＴの上部をより詳細に示している。図２は、基板テーブルＷＴのサポート１の一実施形態の平面図である。サポート１は、物体を支持するように構成されており、リソグラフィ装置の場合は基板Ｗを支持する。
【００３２】
[0040]  サポート１は、サポート表面２０を備える。サポート表面２０は、基板テーブルＷＴ上で基板Ｗを支持するように構成される。サポート表面２０は、平面であってもよいが、大量の個別のバール（突出体、図２では黒い点として示している）または本体２２の頂面２５からサポート高さまで延在する他の物体によって画定されてもよい。突出体は、例えば、約１．５〜３．０ｍｍのピッチを有してよい。基板Ｗが支持される突出体の頂面は、サポート表面２０を画定する。基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に置かれたときに基板Ｗと接触する表面積を減少させるために突出体が存在する。各接触点は、汚染可能性の源であり、全接触領域を減少させることは、汚染の可能性を減少させる。
【００３３】
[0041]  サポート１は、サポート表面２０上の所定領域で基板Ｗを受けるように構成されている。所定領域は中心３０を含む。一実施形態では、中心３０は、基板ＷＴ上に置かれた基板Ｗの実質的中心を受け入れる。
【００３４】
[0042]  所定領域は、比較的大きい幅またはサイズの基板Ｗ、例えば、直径４５０ｍｍの円形基板を受け入れるように設計されてよい。そのような大きいサイズの基板Ｗは、小さい厚さ対幅の比率を有し、結果的に低下した曲げ剛性となる。一実施形態では、所定領域は、直径４５０ｍｍの円形基板とは異なる上から見た形状および／または異なる幅またはサイズの基板を受け入れるように設計されてもよい。
【００３５】
[0043]  特に低下した曲げ剛性を有する基板Ｗに対しては、３つのｅピンのみを用いて基板Ｗを支持表面２０から持ち上げてそこに下ろすことは、基板Ｗの表面変形に繋がり得る。基板Ｗのローディング中に引き起こされる表面変形は、基板Ｗがサポート１にクランプされたときに基板Ｗ内のより多くのストレスに繋がり得る。基板Ｗがサポート１にクランプされたときの基板Ｗ内のストレスは、オーバーレイグリッドエラーへと繋がり得る。３つのｅピンを用いる基板Ｗのアンローディング中、基板Ｗは、その外縁が垂れ下がりやすい。外縁での垂れ下がりは、他のどの箇所よりもサポート表面２０の外側領域（例えば、最も外側の突出体）のさらなる磨耗へと繋がり得る。時間とともに、これは、基板Ｗの縁におけるフォーカスエラーへと繋がり得る。
【００３６】
[0044]  より多くのｅピンを有するサポート１を提供することが解決策となり得るが、これは、上から見て、突出体の形態を有するサポート表面２０が設けられていない場所がより多くサポート１内にあることに繋がり得る（なぜなら、基板Ｗがサポート１にクランプされたときにｅピンに支持されていないからである）。これは、基板Ｗがサポート１にクランプされたときの基板Ｗの非平坦性へと繋がり、それによってオーバーレイエラーへと繋がり得る。
【００３７】
[0045]  図２の実施形態では、サポート表面２０への移動／サポート表面２０からの移動中に基板Ｗを支持するためにｅピンより大きな表面積が設けられる。減少させなければ生じるであろう（突出体によって提供される）サポート表面２０内のギャップを減少させるために、サポート１の可動部分５０は、サポート表面２０の可動部分を形成する表面（突出体５５の上端）も備える。サポート表面２０の可動部分は、サポート１の本体２２に対して移動可能である。基板Ｗは、基板Ｗのアンローディングおよびローディング中にサポート表面２０の可動部分によって支持される。一実施形態では、サポート表面２０の可動部分は、結像中、基板Ｗがさらにサポート表面２０の残部によって支持されているときに、基板Ｗを支持する。サポート表面２０の残部はサポート表面の主要部分であり、サポート１の本体２２に対して非可動性である。
【００３８】
[0046]  図３および図４を参照して図示されるように、可動部分５０、したがってサポート表面２０の可動部分は、本体２２に対して移動可能である。可動部分５０は、サポート表面２０の可動部分がサポート表面２０の主要部分の面にあるかまたはそれより低い収縮位置と、サポート表面２０の可動部分がサポート表面２０の主要部分から突出する延在位置との間で移動可能である。一実施形態では、収縮位置において、可動部分５０（すなわち、サポート表面２０の可動部分）上の突出体５５の上端は、サポート表面２０の主要部分（例えば、残部）と実質的に同じ面にある。
【００３９】
[0047]  図２に示すようなリングの形態を有する可動部分５０は、例えば、その外周に沿って等間隔に配置された３つの位置で作動してよい。細長部材５７（図５に示す）を用いて可動部分５０を３つの個別の箇所で作動させる一方、その個別の箇所の間の可動部分５０は四角に近い断面を有する（図５に示すような細長部分５７を有さない）。
【００４０】
[0048]  図２に示すように、可動部分５０は細長く、上から見て多面形の側面を形成するように配置される。これは、細長くなく、多面形の側面を形成しないが（三角形の）角を形成するｅピンとは対照的である。一実施形態では、多面形は少なくとも８つの側面を有しており、円形に近いほど、基板Ｗに生じる変形が少ない。図２に示すような実施形態では、可動部分５０は、実質的に円の形状（すなわち、無限側面形状）で配置される。一実施形態では、可動部分５０は、実質的にギャップを有さない完全な形状である。一実施形態では、可動部分５０は環状である。利点としては、基板Ｗの改善されたサポートおよびローディング／アンローディング中の少ない曲がりである。
【００４１】
[0049]  一実施形態では、可動部分５０は１つより多い可動部分を含んでよい。例えば、図２の可動部分５０は、複数の別々（任意的に、個別）の可動セグメントに分離してもよい。その場合、各可動部分５０は、上から見て弧状の形状であってよい。代替的にまたはそれに加えて、少なくとも１つの可動部分は、複数の細長い（例えば、線形）可動部分によって提供されてよい。可動部分５０は、以下に説明する図８に図示するようなギャップ５９によって分けられてよい。
【００４２】
[0050]  一実施形態では、中心３０に対する可動部分５０の半径方向位置は、基板Ｗの最良のサポートおよび自重による最小の曲りに対して選択される。一実施形態では、可動部分５０より内側のサポート表面２０の領域のサイズは、可動部分５０の外側のサポート領域２０の領域のサイズと実質的に同等である。このルールからいくらかの変更は可能であるが、変更は少ないほど良い。例えば、内側および外側の領域は、互いの２０％以内であり、望ましくは互いの１０％以内、さらに望ましくは５％以内である。
【００４３】
[0051]  一実施形態では、可動部分５０のサイズおよび重さを減少または最小にするために、可動部分５０は、図２に示すように、１つのバール（突出体５５）のみの幅の可動表面を有する。しかしながら、単一のバールの幅は基板Ｗを十分に支持するために足りない場合があり、一実施形態では、可動部分５０の幅（半径方向）は少なくとも２つのバール（突出体５５）の幅であってよい。一実施形態では、可動部分５０は半径方向における５つまたはそれより少ないバールの幅である。バールが５つより多い場合、可動部分５０のサイズおよび重さは、可動部分５０を移動させるためのメカニズムが基板テーブルＷＴ内にうまく収容されない場合があるほど大きくなり得る。
【００４４】
[0052]  一実施形態では、サポート表面２０の上から見た全領域と比較して可動部分５０の上から見た領域は、少なくとも０．３％、少なくとも０．５％または少なくとも０．８％である。したがって、サポートの領域は、当該技術分野のものよりかなり大きい（当該技術分野におけるｅピンは、サポート表面２０の領域の約０．１％の領域を有する）。結果的に、変形はかなり少なくなり得る。
【００４５】
[0053]  一実施形態では、直径３００ｍｍの基板に対して、可動部分５０は、直径１７０ｍｍ＋／−４０ｍｍを有するだろう。直径４５０ｍｍの基板に対して、可動部分５０は、直径約２５５ｍｍ＋／−５０ｍｍを有するだろう。可動部分５０は、幅約５ｍｍ（一般的に、幅２ｍｍ〜２０ｍｍ）となるであろう。
【００４６】
[0054]  図３は、上端（突出体５５（またはサポート表面の可動部分）の上端）が基板Ｗを支持する収縮状態にある可動部分５０を示している。可動部分５０の上端は、サポート表面２０の可動部分を含む。
【００４７】
[0055]  一実施形態では、複数の可動部分５０は、個別に作動できる。一実施形態では、複数の可動部分５０は一緒に作動する。一実施形態では、複数の可動部分５０は、中心３０から同じ半径方向距離に位置決めされる。
【００４８】
[0056]  一実施形態では、収縮位置における可動部分５０の位置は受動的に制御される。例えば、一実施形態では、可動部分５０の位置は、（例えば、図３に示すようなシール６０によって）可動部分５０と本体２２との間の接合部によって制御され、それによって、可動部分５０の上面はサポート表面２０と実質的に同一平面にある。
【００４９】
[0057]  一実施形態では、可動部材５０の位置は、収縮位置で能動的に制御される。一実施形態では、その目的のために、位置決めデバイス、センサおよびコントローラが提供される。例えば、能動サーボ位置決めを用いて可動部分５０の位置を制御することができ、それによって、その頂面は、サポート表面２０と実質的に同じ平面にある。一実施形態では、能動制御は、圧電素子との可動部分５０の接合部（例えば、シール６０）によって達成される。
【００５０】
[0058]  一実施形態では、可動部分５０は、本体２２と同じ材料からなる。一実施形態では、可動部分５０の材料はＳｉＳｉＣである。
【００５１】
[0059]  図４では、可動部分５０は、基板Ｗのローディングまたはアンローディング中の延在位置にある。この位置では、基板Ｗはサポート表面２０の可動部分によってのみ支持される。
【００５２】
[0060]  一実施形態では、可動部分５０には、可動部分５０を熱調整するために１つ以上のヒータおよび／またはクーラが設けられてよい。図３から分かるように、可動部分５０は、サポート１（すなわち、本体２２）の残部から離される。したがって、可動部分５０は、サポート１の残部から熱的に離される。結果的に、可動部材５０は、サポート１の残部とは異なる温度を有し得る。これは、サポート表面２０の可動部分を通る基板Ｗへの望ましくない熱伝達／基板Ｗからの望ましくない熱伝達へと繋がり、それによって基板Ｗの局所的加熱または冷却へと繋がり得る。基板Ｗのそのような局所的加熱または冷却は、オーバーレイエラーへと繋がり得る。一実施形態では、１つ以上のヒータおよび／またはクーラが可動部分５０に設けられる。１つ以上のヒータおよび／またはクーラは、可動部分５０の温度をサポート１の残部（例えば、本体２２）の温度と実質的に同等の温度に持ってくるために可動部分５０に対する熱負荷を加える／除去するように制御される。このように、サポート表面２０の可動部分を通る熱伝達を介して達成される局所的な加熱／冷却の影響を減少させ、最小にするか、あるいは、回避することもできる。一実施形態では、同じ目的のために、温度調節された流体が中を通る通路のための導管が可動部分５０に設けられる。
【００５３】
[0061]  サポート１は、サポート表面２０上の適切な位置に基板をクランプしてよい。これは、どのような方法で行われてもよい。図３の実施形態は、これが真空を用いてどのように達成することができるかを示す。基板Ｗと、突出体と、サポート１の本体２２の上面２５との間の空間に負圧が生成される。可動部分５０はサポート１の本体２２とは別個のため、可動部分５０と本体２２との間のギャップは、可動部分５０が収縮位置にあるときに密閉される。これは、可動部分５０と本体２２との間に、一方または他方に貼り付けられるシール６０を与えることによって達成することができる。シール６０は非接触シールであってもよい。非接触シールとは、収縮位置においてもシール６０と可動部分５０との間に小さなギャップ（数μｍ）があることを意味する。シール６０は、基板Ｗと本体の頂面２５との間に負圧が形成されて維持することができるように、可動部分５０と本体２２との間にガス通路に対する抵抗力を提供する。シール６０と可動部分５０との距離は小さく保たれ（１または２μｍ程度）、これは、適切なレベルの真空が基板Ｗと本体２２の頂面２５とバールとの間の空間でもまだ達成できることを確実にするために役立つ。非接触性シール６０は、可動部分５０上の位置を強要しないおよび／または汚染感度を最小にするという利点を有する。接触性シールの汚染は、可動部分５０の位置の不正確さへと繋がり得る。
【００５４】
[0062]  サポート１が静電クランプである場合、シール６０が設けられる必要はないが、可動部分５０のための位置決めフィーチャ（受動的または能動的）としてシールが存在し得る。クランピングの均一性および／またはローディングおよびアンローディング中のクランピングを確実にするために可動部分５０と基板Ｗとの間に静電クランプ力を存在させるために役立つことが望ましい場合がある。これは、本体２２のあらゆる箇所でも同じように達成することができる。これがどのように達成されるかの例を図７に示す。
【００５５】
[0063]  可動部分５０が延在位置または他のあらゆる位置にあるときに基板Ｗと可動部分５０との間にクランプ力が加えられることが望ましい場合がある。さらに、上記したように、特にサポート１が静電クランプサポートである場合に可動部分５０が収縮位置にあったときでさえも、可動部分５０と基板Ｗとの間に力が加えられることが有意であり得る。この場合、図７に示すように可動部分５０と基板Ｗとの間の力を達成する方法は、可動部分５０の収縮位置および延在位置の両方およびその２つの位置の間のあらゆる位置で使用することができる。
【００５６】
[0064]  図５および図６は、真空クランプに対して延在位置（および他のあらゆる位置）における可動部分５０と基板Ｗとの間にクランプ力を加えることができる方法を示す。これは、可動部分５０上に隆起７０を設けることによって達成される。隆起７０は、サポート表面２０の可動部分（すなわち、突出体５５の上部）より低い上面を有する。このような方法で、隆起７０と基板Ｗとの間に接触はない。開口部７１が、隆起７０によって囲われた領域と流体接触して設けられる。真空源、例えば、可動部分５０の本体に形成されたチャンバ７２は、細長部材５７内の導管７３を通って負圧源に接続される。このような方法で、隆起７０と基板Ｗとの間の負圧を生成して基板Ｗを可動部分５０に引き寄せることができる。図２に示しかつ図６にさらに詳細に示すように、隆起７０がバール（突出体）の代わりに存在することがあり、バールは隆起７０が存在しない場合にその場所に存在する。この理由のため、多面形の周りに少しの隆起７０のみしか設けられない場合がある。隆起７０は、汚染とそれによってもたらされ得る非平坦性を避けるために基板Ｗと接触しない。細長部材５７（例えば、３つなど、可動部分５０の外周にいくつかある）を用いて可動部分５０を移動させるとともに導管７３を提供する。
【００５７】
[0065]  図７は、静電サポート１内の可動部分５０と基板Ｗとの間にどのように引力が提供され得るかを示している。この実施形態では、電極８０が可動部分５０内で誘電体層８２と絶縁体層８４との間に設けられる。電極８０は、基板Ｗと電極８０との間にクランプ力が生成されるように正の電圧または負の電圧を有してよく、それによって、基板Ｗを可動部分５０上に引き寄せる。
【００５８】
[0066]  一実施形態では、基板Ｗと可動部分５０との間のクランプ力が基板Ｗのローディングおよびアンローディング中に加えられる。クランプ力を起動／停止するためにコントローラ１００が設けられてよい。
【００５９】
[0067]  図８は、以下に記載すること以外は図２の実施形態と同じである実施形態を示す。図２および図８の実施形態の間の全てのまたは一部のみの違いが実施されている実施形態が可能である。
【００６０】
[0068]  一実施形態では、複数の１つ以上のさらなる可動部分１５０が提供されてよい。可動部分１５０は、収縮位置では基板Ｗと接触しないという観点からｅピンと同じであるか、または、上記の可動部分５０と同じであってもよい。一実施形態では、さらなる可動部分１５０は、複数の別個の可動部分１５０である。さらなる可動部分１５０は、可動部分５０の半径方向内向き、半径方向外向きまたはその両方に位置決めされてよい。
【００６１】
[0069]  一実施形態では、複数の可動部分５０がある。可動部分５０は細長くてもよい。図８に示すように、一実施形態では、複数の可動部分５０は、多面形の側面を形成してよい。複数の可動部分５０は、その形状のセグメントを形成してよい。隣接する可動部分５０の間にギャップ５９があってもよい。ギャップ５９の存在が基板Ｗの曲りという結果にならないためには、一実施形態では、多面形の隣接する可動部分５０の間のギャップ５９の全長は、上から見て複数の可動部分５０によって形成される多面形の外周のうちの５０％より少ない。
【００６２】
[0070]  サポート１は、基板テーブルＷＴの一部を形成してよい。そのような基板テーブルＷＴは、リソグラフィ装置、例えば、投影リソグラフィ装置で使用されてよい。
【００６３】
[0071]  本発明の一実施形態によるサポート１を備えるリソグラフィ装置は、基板をサポート１にロードおよび／またはアンロードする基板ハンドラ６００を備えてよい。そのような基板ハンドラ６００は、下から基板Ｗを支持する２つのアームを有してよい。アームは、基板Ｗがサポートにロードされたときに可動部分５０の外側にある領域で基板Ｗを支持することができる。それに加えてまたは代替的に、基板ハンドラ６００の１つ以上のアームは、可動部分５０の位置と同等またはそれ以下の半径の位置で基板Ｗを支持することができる。これは、図８の実施形態において、基板ハンドラ６００のアームがギャップ５９を通って可動部分５０と可動部分５０との間に挿入することができた場合、および／または、１つ以上の可動部分５０が延在位置から移動して基板Ｗの下のアームを適切な位置に置くことができた場合に達成することができる。
【００６４】
[0072]  一実施形態では、基板ハンドラ６００は基板を上から扱うことができる。一実施形態では、基板ハンドラ６００は、基板を上から基板の端部で扱うことができる。一実施形態では、基板ハンドラ６００の保持機構は、基板Ｗのエッジに沿って基板Ｗを支持するように配置された複数のブラケットを備えることができる。そのような実施形態では、ブラケットは、基板Ｗを取り出しかつ取り外すために外向きおよび内向きに移動するように配置されてよい。そのような変位を可能にするために、ホルダには、圧電または電磁アクチュエータなどの１つ以上のアクチュエータが設けられてよい。そのような実施形態は、本明細書中にその全容が参考として援用される、２０１１年１０月２７日に出願された米国特許出願第ＵＳ６１／５５２，２８２号に記載されている。
【００６５】
[0073]  一態様では、物体を支持するように構成されたサポート表面を含む物体のためのサポートが提供される。サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、サポート表面の可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、収縮位置では、サポート表面の可動部分はサポート表面の主要部分と実質的に同じ平面にあるように適合され、延在位置では、サポート表面の可動部分はサポート表面の主要部分の平面から突出する。
【００６６】
[0074]  一実施形態では、サポート表面の可動部分は可動部分の上端である。
【００６７】
[0075]  一実施形態では、サポート表面の可動部分は、上から見て多面形の側面を形成するように配置される。
【００６８】
[0076]  一態様では、物体のためのサポートであって、物体を支持するように構成されたサポート表面と、上から見て多面形の側面を形成するように配置され、かつ収縮位置と延在位置との間で移動可能である細長可動部分であって、収縮位置では、可動部分の上端がサポート表面の主要部分の平面にあるかまたはそれより低くなるように適合され、延在位置では、可動部分の上端がサポート表面の主要部分の平面から突出する、細長可動部分とを含む、サポートが提供される。
【００６９】
[0077]  一実施形態では、収縮位置において、可動部分の上端は、サポート表面の可動部分を形成し、かつサポート表面の残部を含むサポート表面の主要部分と実質的に同じ平面にあるように適合される。
【００７０】
[0078]  一実施形態では、多面形は少なくとも８つの側面を備える。
【００７１】
[0079]  一実施形態では、多面形は実質的に円形である。
【００７２】
[0080]  一実施形態では、多面形は実質的にギャップレスの完全形状である。
【００７３】
[0081]  一実施形態では、多面形は複数の可動セグメントによって形成される。
【００７４】
[0082]  一実施形態では、セグメントはギャップによって分けられ、隣接するセグメント間のギャップの長さの合計は多面形の外周の５０％より少ない。
【００７５】
[0083]  一実施形態では、各可動部分は、上から見て弧状の形状である。
【００７６】
[0084]  一実施形態では、サポート表面は個別の突出体の複数の上端から形成される。
【００７７】
[0085]  一実施形態では、可動部分は、突出体５つの幅より小さく、突出体３つの幅より小さく、突出体２つの幅より小さく、または突出体１つの幅である。
【００７８】
[0086]  一実施形態では、可動部分は突出体より低い隆起を備える。
【００７９】
[0087]  一実施形態では、サポートは、隆起に囲われた領域と流体連結しかつ負圧源と接続可能である導管をさらに備える。
【００８０】
[0088]  一実施形態では、上から見て可動部分は細長い。
【００８１】
[0089]  一実施形態では、可動部分はサポート表面の中心から一定の半径方向距離で位置決めされる。
【００８２】
[0090]  一実施形態では、可動部分は、可動部分に囲われたサポート表面の領域のサイズが可動部分に囲われていないサポート表面の領域のサイズの２０％以内であるように位置決めされる。
【００８３】
[0091]  一実施形態では、上から見た可動部分の領域は、上から見たサポート表面の領域の少なくとも０．３％、上から見たサポート表面の領域の少なくとも０．５％または上から見たサポート表面の領域の少なくとも０．８％である。
【００８４】
[0092]  一実施形態では、サポートは、可動部分が収縮位置にあるときに可動部分とサポート表面との間のガスの通過に抵抗するためのシールをさらに備える。
【００８５】
[0093]  一実施形態では、サポートは、可動部分を加熱および／または冷却するヒータおよび／またはクーラをさらに備える。
【００８６】
[0094]  一実施形態では、サポートは、可動部分とは異なるサポート表面の中心からの半径方向距離に位置決めされたさらなる可動部分をさらに備える。
【００８７】
[0095]  一実施形態では、サポートは、負圧を用いて物体をサポート表面にクランプさせるように構成される。
【００８８】
[0096]  一実施形態では、サポートは、静電力を用いて物体をサポート表面にクランプさせるように構成される。
【００８９】
[0097]  一実施形態では、サポートは、リソグラフィ装置内の基板を支持するように構成される。
【００９０】
[0098]  一実施形態では、サポートは、収縮位置にあるときの可動部分を能動的に位置決めするように構成されたコントローラをさらに備える。
【００９１】
[0099]  一態様では、上記したサポートを含むリソグラフィ装置が提供される。
【００９２】
[00100]  一実施形態では、リソグラフィ装置は、サポート表面上の物体を位置決めするハンドラをさらに備える。
【００９３】
[00101]  一実施形態では、ハンドラは上方から前記物体を掴むように配置される。
【００９４】
[00102]  一実施形態では、ハンドラは前記物体をその端部にて掴むように構成される。
【００９５】
[00103]  一態様では、パターン付き放射ビームをサポート表面によって支持された基板上に投影することを含むデバイス製造方法が提供される。サポート表面は、主要部分および可動部分を備え、サポート表面の可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、収縮位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分と実質的に同じ平面にあるように適合され、延在位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分の平面から突出する。
【００９６】
[00104]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００９７】
[00105]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００９８】
[00106]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００９９】
[00107]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明の実施形態は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。さらに、機械読取可能命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実施可能である。２つ以上のコンピュータプログラムは、１つ以上の異なるメモリおよび／またはデータ記憶媒体に格納されてよい。
【０１００】
[00108]  本発明の一実施形態は、直径３００ｍｍ、４５０ｍｍまたは他のあらゆるサイズの直径を有する基板に適用されてよい。
【０１０１】
[00109]  本明細書中に記載されたあらゆるコントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に配置された１つ以上のコンピュータプロセッサによって読み取られた場合に、各コントローラまたはあらゆるコントローラの組み合わせが動作することができる。各々のコントローラまたはその組み合わせは、信号を受信、処理および送信するためのあらゆる適切な構成を有してよい。１つ以上のプロセッサは、少なくとも１つのコントローラと連絡するように構成される。例えば、各コントローラは、上記した方法のための機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つ以上のプロセッサを含んでよい。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを格納するための１つまたは複数のデータ格納媒体および／またはそのような１つまたは複数の媒体を受け入れるためのハードウェアを含んでよい。したがって、（１つまたは複数の）コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムの機械読取可能命令に従って動作してよい。
【０１０２】
[00110]  本発明の１つ以上の実施形態は、液浸液が溶液槽の形態で、または基板の局所的な表面積上のみに、または非閉じ込め状態で設けられているかに関わらず、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構成では、液浸液は、基板および／または基板テーブルの表面上に流れてよく、それによって、基板テーブルおよび／または基板の実質的に覆われていない表面全体が濡れる。そのような非閉じ込め液浸システムでは、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めないか、または、液浸液閉じ込めの一部を提供し得るが液浸液の実質的に完全な閉じ込めを提供しない。
【０１０３】
[00111]  一実施形態では、リソグラフィ装置は、投影システムの露光側に配置された２つ以上のテーブルを備えるマルチステージ装置であり、各テーブルは１つ以上の物体を備えるおよび／または保持する。一実施形態では、１つ以上のテーブルが放射感応性基板を保持してもよい。一実施形態では、１つ以上のテーブルが投影システムからの放射を測定するためにセンサを保持してもよい。一実施形態では、マルチステージ装置は、放射感応性基板を保持するように構成された第１テーブル（すなわち、基板テーブル）と、放射感応性基板を保持するように構成されていない第２テーブル（以下、通常、測定および／またはクリーニングテーブルと呼ぶがこれに限定されない）とを備える。第２テーブルは、放射感応性基板以外の１つ以上の物体を備えるおよび／または保持してもよい。そのような１つ以上の物体としては、投影システムからの放射を測定するセンサ、１つ以上のアライメントマークおよび／またはクリーニングデバイス（例えば、液体閉じ込め構造を洗浄する）から選択される１つ以上のものであってよい。
【０１０４】
[00112]  一実施形態では、リソグラフィ装置は、装置のコンポーネントの位置、速度等を測定するためにエンコーダシステムを備えてもよい。一実施形態では、コンポーネントは基板テーブルを備える。一実施形態では、コンポーネントは測定および／またはクリーニングテーブルを備える。エンコーダシステムは、本明細書中に記載されたテーブルのための干渉計システムに加えてまたはその代わりであってもよい。エンコーダシステムは、スケールまたはグリッドと関連している（例えば、それらと組み合わされている）センサ、トランスデューサまたは読み取りヘッドを備える。一実施形態では、可動コンポーネント（例えば、基板テーブルおよび／または測定および／またはクリーニングテーブル）は、１つ以上のスケールまたはグリッドを有し、コンポーネントがリソグラフィ装置のフレームに対して移動するそのフレームは、１つ以上のセンサ、トランスデューサまたは読み取りヘッドを有する。１つ以上のセンサ、トランスデューサまたは読み取りヘッドは、（１つ以上の）スケールおよび（１つ以上の）グリッドと協働してコンポーネントの位置、速度等を決定する。一実施形態では、コンポーネントがリソグラフィ装置のフレームに対して移動するそのフレームは１つ以上のスケールまたはグリッドを有し、可動コンポーネント（例えば、基板テーブルおよび／または測定および／またはクリーニングテーブル）は（１つ以上の）スケールまたは（１つ以上の）グリッドと協働してコンポーネントの位置、速度等を決定する１つ以上のセンサ、トランスデューサまたは読み取りヘッドを有する。
【０１０５】
[00113]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【０１０６】
[00114]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【外国語明細書】
2013118366000001.pdf