(57)【要約】【課題】破損を生ぜしめることなく、必要に応じてインダクタンス値を自在に制御することが可能であって、完成後においてインダクタンス値が変動することのないインダクタンス内蔵配線基板及びそのインダクタンス値の制御方法を提供する。【解決方法】絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして配設された複数の配線層と、前記基板内に互いに離隔するようにして配設された複数のコイル導体と、前記基板の、前記複数のコイル導体によって囲まれた領域の中心部に形成された貫通孔の少なくとも一部を埋設する金属体、及び前記貫通孔の残部を埋設し、前記金属体を固定する非金属体とを具え、前記貫通孔を埋設する前記金属体の量に依存してインダクタンス値が決定されるようにして、インダクタ内蔵配線基板を構成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして配設された複数の配線層と、
前記基板内に互いに離隔するようにして配設された複数のコイル導体と、
前記基板の、前記複数のコイル導体によって囲まれた領域の中心部に形成された貫通孔の少なくとも一部を埋設する金属体、及び前記貫通孔の残部を埋設し、前記金属体を固定する非金属体とを具え、
前記貫通孔を埋設する前記金属体の量に依存してインダクタンス値が決定されることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板。
【請求項２】
前記金属体は磁性金属又は非磁性金属からなることを特徴とする、請求項１に記載のインダクタ内蔵配線基板。
【請求項３】
絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして配設された複数の配線層と、
前記基板内において、互いに離隔するようにして配設された複数のコイル導体と、
前記基板の、前記複数のコイル導体によって囲まれた領域の中心部に形成された貫通孔の内壁面の少なくとも一部に形成された金属膜体とを具え、
前記内壁面に形成された前記金属膜体の量に依存してインダクタンス値が決定されることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板。
【請求項４】
前記金属膜体は磁性金属又は非磁性金属からなることを特徴とする、請求項３に記載のインダクタ内蔵配線基板。
【請求項５】
絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして形成された複数の配線層及び互いに離隔するようにして形成された複数のコイル導体を有するインダクタ内蔵配線基板のインダクタンスの制御方法であって、
前記基板内において、前記複数のコイル導体で形成される領域の中心部に貫通孔を形成し、前記貫通孔を埋設する金属体の量を調節することにより、前記複数のコイル導体及び前記金属体で構成されるインダクタのインダクタンス値を制御するステップと、
前記貫通孔の前記金属体が埋設された部分の残部を非金属体で埋設し、前記金属体を固定するステップと、
を具えることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法。
【請求項６】
前記金属体は金属粉末を含むことを特徴とする、請求項５に記載のインダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法。
【請求項７】
前記金属体及び前記非金属体が交互に積層された棒状体を形成し、当該棒状体を前記貫通孔内に挿入することにより、前記貫通孔を埋設する金属体の量を調節することを特徴とする、請求項５に記載のインダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法。
【請求項８】
前記金属体は磁性金属又は非磁性金属からなることを特徴とする、請求項５〜７のいずれか一に記載のインダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法。
【請求項９】
絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして形成された複数の配線層及び互いに離隔するようにして形成された複数のコイル導体を有するインダクタ内蔵配線基板のインダクタンスの制御方法であって、
前記基板内において、前記複数のコイル導体で形成される領域の中心部に貫通孔を形成し、前記貫通孔の内壁面に形成する金属膜体の量を調節することにより、前記複数のコイル導体及び前記金属膜体で構成されるインダクタのインダクタンス値を制御するステップを具えることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法。
【請求項１０】
前記金属膜体は磁性金属又は非磁性金属からなることを特徴とする、請求項９に記載のインダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ内蔵配線基板、及びインダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板にインダクタンス回路を設ける場合は、配線基板の表面にチップコイルを搭載し、このチップコイルを配線基板中の配線層と電気的に接続することにより行っていた。チップコイルは、たとえば金属体または非金属体からなる円筒状部材に銅線を任意の回数巻き付けたものであり、円筒状部材内には、部材の軸線方向に移動可能な金属体または非金属体のコアが挿入されている。
【０００３】
一方、近年の電子装置の小型化に伴い、この電子装置を構成する配線基板及び電子部品の小型化の要求が高まっている。このような観点から、例えばインダクタンス回路を必要とする配線基板においては、当該配線基板内にインダクタを内蔵させることが行われている。
【０００４】
例えば特許文献１においては、コイル導体を内蔵させた配線基板において、当該基板の、コイル導体で囲まれた領域の中心部において開口部を形成し、当該開口部に磁性流体を充填することによって、配線基板内において、コイル導体及び磁性流体からなるインダクタを形成している。しかしながら、特許文献１に記載のインダクタ内蔵配線基板においては、インダクタンス値は画一的に決定されてしまうため、必要に応じてインダクタのインダクタンス値を調節することができないという問題があった。
【０００５】
また、特許文献２においては、コイル導体を内蔵させた配線基板において、当該基板の、コイル導体で囲まれた領域の中心部の貫通孔にタップを形成し、当該貫通孔内にコアを螺合させることによって、配線基板内において、コイル導体及びコアからなるインダクタを形成している。
【０００６】
特許文献２に記載のインダクタ内蔵配線基板においては、コアの貫通孔内への挿入度合いを調整することによってインダクタンス値を制御できるので、必要に応じてインダクタのインダクタンス値を調節できるという利点がある。しかしながら、コアの貫通孔内への挿入は、コアの螺合によって行うので、インダクタ内蔵配線基板が完成した後に、コアの螺合がずれてしまい、インダクタンス値が当初設定した値からずれてしまって、上記インダクタ内蔵配線基板を目的とする電子装置に適用することができなくなるという問題があった。
【０００７】
また、特許文献２に記載のインダクタ内蔵配線基板においては、コアの貫通孔内への挿入度合いによって、貫通孔内に空隙が生じる場合がある。したがって、その後のインダクタ内蔵配線基板の製造工程における、部品実装の際のリフロー処理等の加熱処理によって貫通孔の空隙中に存在する空気が膨張し、当該インダクタ内蔵配線基板を破損してしまう場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平４−１０１４０５号
【特許文献２】特開平６−７７３４２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、破損を生ぜしめることなく、必要に応じてインダクタンス値を自在に制御することが可能であって、完成後においてインダクタンス値が変動することのないインダクタンス内蔵配線基板及びそのインダクタンス値の制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成すべく、本発明は、
絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして配設された複数の配線層と、
前記基板内に互いに離隔するようにして配設された複数のコイル導体と、
前記基板の、前記複数のコイル導体によって囲まれた領域の中心部に形成された貫通孔の少なくとも一部を埋設する金属体、及び前記貫通孔の残部を埋設し、前記金属体を固定する非金属体とを具え、
前記貫通孔を埋設する前記金属体の量に依存してインダクタンス値が決定されることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板（第１のインダクタ内蔵配線基板）に関する。
【００１１】
また、本発明は、
絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして形成された複数の配線層及び互いに離隔するようにして形成された複数のコイル導体を有するインダクタ内蔵配線基板のインダクタンスの制御方法であって、
前記基板内において、前記複数のコイル導体で形成される領域の中心部に貫通孔を形成し、前記貫通孔を埋設する金属体の量を調節することにより、前記複数のコイル導体及び前記金属体で構成されるインダクタのインダクタンス値を制御するステップと、
前記貫通孔の前記金属体が埋設された部分の残部を非金属体で埋設し、前記金属体を固定するステップと、
を具えることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法（第１のインダクタンス値制御方法）に関する。
【００１２】
さらに、本発明は、
絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして配設された複数の配線層と、
前記基板内において、互いに離隔するようにして配設された複数のコイル導体と、
前記基板の、前記複数のコイル導体によって囲まれた領域の中心部に形成された貫通孔の内壁面の少なくとも一部に形成された金属膜体とを具え、
前記内壁面に形成された前記金属膜体の量に依存してインダクタンス値が決定されることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板（第２のインダクタンス内蔵配線基板）に関する。
【００１３】
また、本発明は、
絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして形成された複数の配線層及び互いに離隔するようにして形成された複数のコイル導体を有するインダクタ内蔵配線基板のインダクタンスの制御方法であって、
前記基板内において、前記複数のコイル導体で形成される領域の中心部に貫通孔を形成し、前記貫通孔の内壁面に形成する金属膜体の量を調節することにより、前記複数のコイル導体及び前記金属膜体で構成されるインダクタのインダクタンス値を制御するステップを具えることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法（第２のインダクタンス値制御方法）に関する。
【００１４】
本発明の第１のインダクタ内蔵配線基板及び第１のインダクタンス値制御方法によれば、絶縁性の基板内で、複数の配線層及び複数のコイル導体を有するインダクタ内蔵配線基板において、絶縁性基板の、複数のコイル導体で囲まれた領域に貫通孔を形成し、この貫通孔の少なくとも一部に金属体を埋設することにより、インダクタ内蔵配線基板の内蔵インダクタを複数のコイル導体及び金属体から構成するようにしている。
【００１５】
この場合、金属体はインダクタのコアを構成するので、金属体の、貫通孔に対する埋設度合い、すなわち貫通孔に対する埋設深さを調整することによって、上記インダクタのインダクタンス値が変化するようになる。したがって、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を必要に応じて適宜調節することができるようになる。
【００１６】
また、上記第１のインダクタ内蔵配線基板及び第１のインダクタンス値制御方法によれば、基板の貫通孔内に金属体を埋設した後、貫通孔内の残部に非金属体を埋設して金属体を固定するようにしている。したがって、インダクタ内蔵配線基板の完成後において、金属体の貫通孔内における埋設深さが変化して、インダクタンス値が当初設定した値からずれてしまうことがない。このため、上記インダクタ内蔵配線基板を目的とする電子装置に適用することができなくなるという問題を回避することができる。
【００１７】
さらに、上述のように、貫通孔の残部を非金属体で埋設することにより、その後のインダクタ内蔵配線基板の製造工程における、部品実装の際のリフロー処理等の加熱処理によって貫通孔の残部（空隙）が膨張することがない。したがって、インダクタ内蔵配線基板の製造工程における、当該インダクタ内蔵配線基板の破損を防止することができる。
【００１８】
なお、金属体は、磁性金属又は非磁性金属から構成することができる。この磁性金属は、当該金属が化合物となった場合においても、当該化合物が前記金属の物性に基づいて磁性を示す、例えばフェライトなどの酸化物磁性体をも含むものである。磁性金属の場合、コイル導体から発生した磁場（磁束）が金属体に集束するので、上記貫通孔内への挿入深さが増大すると、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値は増大する。したがって、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属体の貫通孔中への挿入深さを大きくし、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属体の貫通孔中への挿入深さを小さくする。
【００１９】
一方、非磁性金属の場合は、磁場のエネルギーが金属体へ漏洩するようになるので、上記貫通孔内への挿入深さが増大すると、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値は減少する。したがって、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属体の貫通孔中への挿入深さを小さくし、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属体の貫通孔中への挿入深さを大きくする。
【００２０】
また、本発明の第２のインダクタ内蔵配線基板及び第２のインダクタンス値制御方法によれば、絶縁性の基板内で、複数の配線層及び複数のコイル導体を有するインダクタ内蔵配線基板において、絶縁性基板の、複数のコイル導体で囲まれた領域に貫通孔を形成し、この貫通孔の内壁面の少なくとも一部に金属膜体を形成するようにしている。
【００２１】
この場合、金属膜体はインダクタのコアの一部を構成することになるので、金属膜体の、貫通孔の内壁面に対する形成度合い、すなわち貫通孔の内壁面に対する形成深さを調整することによって、上記インダクタのインダクタンス値が変化するようになる。したがって、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を必要に応じて適宜調節することができるようになる。
【００２２】
なお、金属膜体は磁性金属又は非磁性金属から構成することができる。磁性金属の場合、上記貫通孔内への形成深さが増大すると、コイル導体から発生した磁場（磁束）が金属膜体に集束するので、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値は増大する。したがって、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属膜体の貫通孔中への形成深さを大きくし、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属膜体の貫通孔中への形成深さを小さくする。
【００２３】
一方、非磁性金属の場合は、上記貫通孔内への形成深さが増大すると、磁場のエネルギーが金属膜体へ漏洩するようになるので、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値は減少する。したがって、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属膜体の貫通孔中への形成深さを小さくし、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属膜体の貫通孔中への形成深さを大きくする。
【００２４】
上述のように、本発明において、“磁性金属”は室温で強磁性を示す強磁性金属あるいはフェライト等の酸化物磁性体を意味するものであり、“非磁性金属”は、室温で常磁性あるいは超常磁性を示す金属を意味するものである。
【発明の効果】
【００２５】
以上、本発明によれば、破損を生ぜしめることなく、必要に応じてインダクタンス値を自在に制御することが可能であって、完成後においてインダクタンス値が変動することのないインダクタンス内蔵配線基板及びそのインダクタンス値の制御方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１の実施形態のインダクタ内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示すインダクタ内蔵配線基板の、インダクタ部分の断面を拡大して示す図である。
【図３】第１の実施形態のインダクタ内蔵配線基板におけるインダクタンスの調整方法を説明するための図である。
【図４】第１の実施形態のインダクタ内蔵配線基板におけるインダクタンスの調整方法を説明するための図である。
【図５】第１の実施形態のインダクタ内蔵配線基板におけるインダクタンスの他の調整方法を説明するための図である。
【図６】第１の実施形態のインダクタ内蔵配線基板におけるインダクタンスの他の調整方法を説明するための図である。
【図７】第１の実施形態のインダクタ内蔵配線基板におけるインダクタンスのその他の調整方法を説明するための図である。
【図８】第１の実施形態のインダクタ内蔵配線基板におけるインダクタンスのその他の調整方法を説明するための図である。
【図９】第２の実施形態のインダクタ内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。
【図１０】第１の実施形態のインダクタ内蔵配線基板におけるインダクタンスの調整方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明のその他の特徴及び利点について、発明を実施するための形態に基づいて説明する。
【００２８】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態のインダクタ内蔵配線基板の概略構成を示す断面図であり、図２は、図１に示すインダクタ内蔵配線基板の、インダクタ部分の断面を拡大して示す図である。なお、図１では、本発明の特徴を明確に説明すべく、互いに離隔して配設された配線層を電気的に接続する層間接続体については記載を省略している。
【００２９】
本実施形態のインダクタ内蔵配線基板１０は、絶縁性の基板１１内において、下側から順次に第１の配線層２１、第２の配線層２２、第３の配線層２３、第４の配線層２４、及び第５の配線層２５が互いに離隔するようにして配設されている。また、絶縁性の基板１１の両主面には、電子部品を表面実装するための、又はインダクタ内蔵配線基板１０をマザーボード等に実装するための第６の配線層２６及び第７の配線層２７が形成されている。
【００３０】
なお、第１の配線層２１から第７の配線層２７は、図示しない層間接続体で電気的に接続されている。
【００３１】
また、絶縁性の基板１１内において、第１の配線層２１から第７の配線層２７の内側には、第１のコイル導体３１、第２のコイル導体３２、第３のコイル導体３３、第４のコイル導体３４及び第５のコイル導体３５がこの順に積層されている。また、これら第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５で囲まれた領域の中心には貫通孔１１Ｈが形成され、貫通孔１１Ｈの上方には金属体４１が充填されているとともに、貫通孔１１Ｈの下方には非金属体４２が充填されている。
【００３２】
第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５及び貫通孔１１Ｈ内に充填された金属体４１はインダクタ内蔵配線基板１０のインダクタを構成し、金属体４１は上記インダクタのコアを構成する。
【００３３】
なお、第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５は、図示しない外部回路に接続され、当該外部回路から所定の電流が流れるようになっている。
【００３４】
また、第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５の平面レベルは、それぞれ第１の配線層２１から第５の配線層２５の平面レベルと同一とすることができる。この場合、いわゆる汎用の配線基板の製造方法において、第１の配線層２１から第５の配線層２５の形成と、第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５の形成とを同時に行うことができるので、本実施形態のインダクタ内蔵配線基板１０の製造工程を簡略化することができる。
【００３５】
絶縁性の基板１１は、例えばフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの熱硬化性樹脂から構成することができる。
【００３６】
第１の配線層２１から第７の配線層２７及び第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５は、金、銀、銅などの電気的良導体から構成することができる。
【００３７】
本実施形態のインダクタ内蔵配線基板１０においては、絶縁性の基板１１内の、第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５で囲まれた領域に貫通孔１１Ｈを形成し、この貫通孔１１Ｈの上方に金属体４１を埋設している。上述のように、金属体４１はインダクタのコアを構成するので、金属体４１の、貫通孔１１Ｈに対する埋設度合い、すなわち貫通孔１１Ｈに対する埋設深さ（図１及び図２に示す金属体４１の占める領域）を調整することによって、上記インダクタのインダクタンス値が変化するようになる。したがって、インダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンス値を必要に応じて適宜調節することができるようになる。
【００３８】
また、本実施形態では、絶縁性の基板１１の貫通孔１１Ｈ内に金属体４１を充填して埋設するとともに、貫通孔１１内の残部に非金属体４２を充填して埋設し、金属体４１を非金属体４２で固定するようにしている。したがって、インダクタ内蔵配線基板１０の完成後において、金属体４１の貫通孔１１Ｈ内における埋設深さが変化して、インダクタンス値が当初設定した値からずれてしまうことがない。このため、インダクタ内蔵配線基板１０を目的とする電子装置に適用することができなくなるという問題を回避することができる。
【００３９】
さらに、貫通孔１１Ｈの残部を非金属体４２で埋設することにより、その後のインダクタ内蔵配線基板１０の製造工程における、部品実装の際のリフロー処理等の加熱処理によって貫通孔１１Ｈの残部（空隙）が膨張することがない。したがって、インダクタ内蔵配線基板１０の製造工程における、当該インダクタ内蔵配線基板１０の破損を防止することができる。
【００４０】
金属体４１は、鉄、コバルト、ニッケルなどの強磁性金属又はフェライトなどの酸化物金属体から構成することができる。この場合、第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５から発生した磁場（磁束）が金属体４１に集束するので、金属体４１の、貫通孔１１Ｈ内への挿入深さ（図１及び図２に示す金属体４１の占める領域）が増大すると、インダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンス値は増大する。したがって、インダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属体の貫通孔中への挿入深さを大きくし、インダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属体の貫通孔中への挿入深さを小さくする。
【００４１】
但し、金属体４１を強磁性金属等から構成した場合は、金属体４１を貫通孔１１Ｈ中に多少でも埋設することによって、インダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンス値は増大する。したがって、金属体４１を用いたインダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンス値の制御は、金属体４１を用いない場合に比較して、インダクタンス値の増大の程度を制御することになる。
【００４２】
一方、金属体４１を、金、銀、銅などの常磁性金属又は強磁性金属あるいはフェリ磁性金属がナノ粒子化した超常磁性金属から構成した場合は、磁場のエネルギーが金属体４１へ漏洩するようになるので、貫通孔１１Ｈ内への挿入深さが増大すると、インダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンス値は減少する。したがって、インダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属体４１の貫通孔中への挿入深さ（図１及び図２に示す金属体４１の占める領域）を小さくし、インダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属体４１の貫通孔１１Ｈ中への挿入深さを大きくする。
【００４３】
但し、金属体４１を常磁性金属等から構成した場合は、金属体４１を貫通孔１１Ｈ中に多少でも埋設することによって、インダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンス値は減少する。したがって、金属体４１を用いたインダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンス値の制御は、金属体４１を用いない場合に比較して、インダクタンス値の減少の程度を制御することになる。
【００４４】
なお、非金属体４２は、例えばフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂をバインダーとしてセラミック粒子を分散させたもの等から構成することができる。しかしながら、安価であって取扱が容易である熱硬化性樹脂を担体で用いることが好ましい。
【００４５】
次に、本実施形態におけるインダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンスの調整方法、すなわち金属体４１の埋設深さの調整方法について説明する。
【００４６】
図３及び図４は、インダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンスの調整方法を説明するための図である。
【００４７】
最初に、ビー・スクエア・イット（Ｂ２ｉｔ：登録商標）あるいはアリブ（ＡＬＩＶＨ）等の汎用の配線基板の製造方法を用いて、絶縁性の基板１１内に第１の配線層２１から第５の配線層２５及び第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５を形成する。また、図示しない第６の配線層２６及び第７の配線層２７を形成し、インダクタ内蔵配線基板１０のアセンブリを形成する。
【００４８】
次いで、図３に示すように、上記アセンブリを上下反転した後、絶縁性の基板１１の第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５で囲まれた領域の中心において、ドリル加工あるいはレーザ加工により、貫通孔１１Ｈを形成する。次いで、貫通孔１１Ｈの下部を図示しない蓋体で塞いだ後、貫通孔１１Ｈ内に金属体４１の粉末あるいは当該粉末を含むペーストを、上記アセンブリのインダクタンス値を測定しながら充填する。なお、インダクタンス値の測定は、第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５を外部のインダクタンス測定装置に接続することによって行う。
【００４９】
上記アセンブリのインダクタンス値が所定の値になった後は、金属体４１の粉末あるいは当該粉末を含むペーストの充填を止め、図４に示すように、貫通孔１１Ｈの残部（空隙）に対して熱硬化性樹脂等の非金属体４２を充填して埋設する。これによって、図１及び図２に示すような所望のインダクタンス値を有するインダクタ内蔵配線基板１０を得ることができる。
【００５０】
なお、金属体４１の粉末あるいは当該粉末を含むペーストを用いることにより、貫通孔１１Ｈ内への充填を簡易に行うことができる。すなわち、貫通孔１１Ｈの開口が小さい場合においても、粉末の粒径を微細化し、あるいはペーストの粘度を減少させることによって、貫通孔１１Ｈ内への金属体４１の充填を簡易に行うことができるようになる。
【００５１】
図５及び図６は、インダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンスの他の調整方法を説明するための図である。
【００５２】
最初に、上述のようにしてインダクタ内蔵配線基板１０のアセンブリを形成する。次いで、図３に示すようにして、上記アセンブリを上下反転した後、絶縁性の基板１１の第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５で囲まれた領域の中心において、ドリル加工あるいはレーザ加工により、貫通孔１１Ｈを形成する。次いで、貫通孔１１Ｈの下部を図示しない蓋体で塞いだ後、貫通孔１１Ｈ内に金属体４１の粉末あるいは当該粉末を含むペーストを所定量充填し、貫通孔１１Ｈを部分的に埋設する。
【００５３】
次いで、図５又は図６に示すように、上記アセンブリのインダクタンス値を測定しながら、充填した金属体４１をレーザ光Ｌ又はドリルＤで除去する。そして、アセンブリのインダクタンス値が所定の値になった後は、レーザ光Ｌ又はドリルＤによる金属体４１の除去を止め、図４に示すようにして、貫通孔１１Ｈの残部（空隙）に対して熱硬化性樹脂等の非金属体４２を充填して埋設する。これによって、図１及び図２に示すような所望のインダクタンス値を有するインダクタ内蔵配線基板１０を得ることができる。
【００５４】
図７及び図８は、インダクタ内蔵配線基板１０のインダクタンスのその他の調整方法を説明するための図である。
【００５５】
最初に、上述のようにしてインダクタ内蔵配線基板１０のアセンブリを形成する。次いで、図３に示すようにして、上記アセンブリを上下反転した後、絶縁性の基板１１の第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５で囲まれた領域の中心において、ドリル加工あるいはレーザ加工により、貫通孔１１Ｈを形成する。
【００５６】
次いで、図７に示すように、金属体４１及び非金属体４２が交互に積層された（図では、非金属体４２が金属体４１で挟まれたような構成を呈している）棒状体４５を準備し、この棒状体４５を少なくとも金属体４１の一部が内部に残留するようにして貫通孔１１Ｈ内に挿入する。次いで、上記アセンブリのインダクタンス値を測定しながら、棒状体４５の位置を調整する。
【００５７】
そして、図８に示すように、アセンブリのインダクタンス値が所定の値になった後は、棒状体４５の位置を固定し、アセンブリの両主面から突出した部分を除去する。これによって、貫通孔１１Ｈが金属体４１によって所定の深さだけ埋設され、非金属体４２によって金属体４１が固定された、図１及び図２に示すような所望のインダクタンス値を有するインダクタ内蔵配線基板１０を得ることができる。
【００５８】
（第２の実施形態）
図９は、本実施形態のインダクタ内蔵配線基板の概略構成を示す断面図であり、第１の実施形態のインダクタ内蔵配線基板１０における図２に相当する。なお、類似あるいは同一の構成要素については同一の参照数字を用いている。
【００５９】
本実施形態のインダクタ内蔵配線基板５０は、絶縁性の基板１１の、第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５で囲まれた領域の中心に形成された貫通孔１１Ｈの内壁面の少なくとも一部に金属膜体５１が形成されている点を除き、第１の実施形態のインダクタ内蔵配線基板１０と同一の構成を採っている。
【００６０】
本実施形態のインダクタ内蔵配線基板５０において、金属膜体５１はインダクタのコアの一部を構成することになるので、金属膜体５１の、貫通孔１１Ｈの内壁面に対する形成度合い、すなわち貫通孔１１Ｈの内壁面に対する形成深さを調整することによって、上記インダクタのインダクタンス値が変化するようになる。したがって、インダクタ内蔵配線基板５０のインダクタンス値を必要に応じて適宜調節することができるようになる。
【００６１】
金属膜体５１は、鉄、コバルト、ニッケルなどの強磁性金属から構成することができる。この場合、第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５から発生した磁場（磁束）が金属膜体５１に集束するので、金属膜体５１の、貫通孔１１Ｈの内壁面での形成深さ（図９に示す金属膜体５１の占める領域）が増大すると、インダクタ内蔵配線基板５０のインダクタンス値は増大する。したがって、インダクタ内蔵配線基板５０のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属膜体５１の貫通孔１１Ｈの内壁面への形成深さを大きくし、インダクタ内蔵配線基板５０のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属膜体５１の貫通孔１１Ｈの内壁面への挿入深さを小さくする。
【００６２】
但し、金属膜体５１を強磁性金属から構成した場合は、金属膜体５１を貫通孔１１Ｈ中に多少でも埋設することによって、インダクタ内蔵配線基板５０のインダクタンス値は増大する。したがって、金属膜体５１を用いたインダクタ内蔵配線基板５０のインダクタンス値の制御は、金属膜体５１を用いない場合に比較して、インダクタンス値の増大の程度を制御することになる。
【００６３】
一方、金属膜体５１を、金、銀、銅などの常磁性金属又は強磁性金属あるいはフェリ磁性金属がナノ粒子化した超常磁性金属から構成した場合は、磁場のエネルギーが金属膜体５１へ漏洩するようになるので、貫通孔１１Ｈ内への挿入深さが増大すると、インダクタ内蔵配線基板５０のインダクタンス値は減少する。したがって、インダクタ内蔵配線基板５０のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属膜体５１の貫通孔１１Ｈの内壁面への形成深さ（図９に示す金属膜体５１の占める領域）を小さくし、インダクタ内蔵配線基板５０のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属膜体５１の貫通孔１１Ｈの内壁面への形成深さを大きくする。
【００６４】
但し、金属膜体５１を常磁性金属等から構成した場合は、金属膜体５１を貫通孔１１Ｈの内壁面に多少でも形成することによって、インダクタ内蔵配線基板５０のインダクタンス値は減少する。したがって、金属膜体５１を用いたインダクタ内蔵配線基板５０のインダクタンス値の制御は、金属膜体５１を用いない場合に比較して、インダクタンス値の減少の程度を制御することになる。
【００６５】
次に、本実施形態におけるインダクタ内蔵配線基板５０のインダクタンスの調整方法、すなわち金属膜体５１の形成深さの調整方法について説明する。
【００６６】
図１０は、インダクタ内蔵配線基板５０のインダクタンスの調整方法を説明するための図である。
【００６７】
最初に、ビー・スクエア・イット（Ｂ２ｉｔ：登録商標）あるいはアリブ（ＡＬＩＶＨ）等の汎用の配線基板の製造方法を用いて、絶縁性の基板１１内に第１の配線層２１から第５の配線層２５及び第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５を形成する。また、図示しない第６の配線層２６及び第７の配線層２７を形成し、インダクタ内蔵配線基板５０のアセンブリを形成する。
【００６８】
次いで、図３に示すように、絶縁性の基板１１の第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５で囲まれた領域の中心において、ドリル加工あるいはレーザ加工により、貫通孔１１Ｈを形成する。次いで、図１０に示すように、貫通孔１１Ｈの内壁面の全体にめっき法等により金属膜体５１Ｘを形成する。その後、アセンブリのインダクタンス値を測定しながらドリル等で金属膜体５１Ｘを研削し、上記アセンブリのインダクタンス値が所定の値になった後に研削を止める。これによって、貫通孔１１Ｈの内壁面に金属膜体５１が形成され、図９に示すような所望のインダクタンス値を有するインダクタ内蔵配線基板５０を得ることができる。
【００６９】
なお、ドリル研削の代わりにレーザ光研削を用いることもできる。
【００７０】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
【００７１】
例えば、上記実施形態では、第１の配線層２１から第７の配線層２７の内側に、第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５を配設しているが、第１の配線層２１から第７の配線層２７の外側に、第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５を配設することもできる。但し、この場合は、第１のコイル導体３１から第５のコイル導体３５で構成されるインダクタの磁場がノイズとして第１の配線層２１から第７の配線層２７に重畳してしまい、インダクタ内蔵配線基板１０又は５０が上手く機能しなくなる場合がある。
【符号の説明】
【００７２】
１０、５０  インダクタ内蔵配線基板
１１  絶縁性の基板
１１Ｈ  貫通孔
２１  第１の配線層
２２  第２の配線層
２３  第３の配線層
２４  第４の配線層
２５  第５の配線層
２６  第６の配線層
２７  第７の配線層
３１  第１のコイル導体
３２  第２のコイル導体
３３  第３のコイル導体
３４  第４のコイル導体
３５  第５のコイル導体
３２  第２の絶縁層
３３  第３の絶縁層
４１  金属体
４２  非金属体
５１  金属膜体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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