(57)【要約】【課題】本発明は、表示品質が向上した高解像度の有機発光表示装置を提供する。【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、第１絶縁層を間に置いて基板上に位置し、第１方向に延長された第１ゲート配線、第２絶縁層を間に置いて前記第１ゲート配線上に位置し、前記第１方向に延長された第２ゲート配線、前記第２ゲート配線上に位置し、前記第１方向と交差する第２方向に延長されたデータ配線、前記第１ゲート配線、前記第２ゲート配線、前記データ配線のそれぞれに連結されている画素回路、および前記画素回路に連結された有機発光素子を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層を間に置いて基板上に位置し、第１方向に延長された第１ゲート配線と、
第２絶縁層を間に置いて前記第１ゲート配線上に位置し、前記第１方向に延長された第２ゲート配線と、
前記第２ゲート配線上に位置し、前記第１方向と交差する第２方向に延長されたデータ配線と、
前記第１ゲート配線、前記第２ゲート配線、前記データ配線のそれぞれに連結されている画素回路と、
前記画素回路に連結された有機発光素子と
を含む、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１ゲート配線および前記第２ゲート配線は、互いに非重畳となっている、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第２ゲート配線は、
第１スキャンラインと、
前記第１スキャンラインと離隔する初期化電源ラインと
を含み、
前記データ配線は、
データラインと、
前記データラインと離隔する駆動電源ラインと
を含む、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記画素回路は、
前記初期化電源ラインおよび前記駆動電源ラインと連結された第１キャパシタと、
前記駆動電源ラインと前記有機発光素子の間に連結された第１薄膜トランジスタと、
前記データラインと前記第１薄膜トランジスタの間に連結された第２薄膜トランジスタと
を含む、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１キャパシタは、
前記第１ゲート配線と同一層に形成されて前記初期化電源ラインと連結された第１キャパシタ電極と、
前記第２ゲート配線と同一層に形成されて前記駆動電源ラインと連結された第２キャパシタ電極と
を含む、請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１キャパシタは、前記第１キャパシタ電極と対応して前記基板と前記第１絶縁層の間に位置し、前記第２キャパシタ電極と連結されたアクティブ電極をさらに含む、請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第２キャパシタ電極は、前記第１方向に延長された、請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１薄膜トランジスタは、
前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第１アクティブ層と、
前記第１キャパシタ電極と連結され、前記第２ゲート配線と同一層に位置する第１ゲート電極と、
前記駆動電源ラインと連結された第１ソース電極と、
前記有機発光素子と連結された第１ドレイン電極と
を含む、請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第２薄膜トランジスタは、
前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第２アクティブ層と、
前記第１スキャンラインと連結され、前記第１ゲート配線と同一層に位置する第２ゲート電極と、
前記データラインと連結された第２ソース電極と、
前記第１薄膜トランジスタの前記第１ソース電極と連結された第２ドレイン電極と
を含む、請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第２薄膜トランジスタは、
前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第２アクティブ層と、
前記第１スキャンラインと連結され、前記第２ゲート配線と同一層に位置する第２ゲート電極と、
前記データラインと連結された第２ソース電極と、
前記第１薄膜トランジスタの前記第１ソース電極と連結された第２ドレイン電極と
を含む、請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記画素回路は、
前記第１ゲート配線と同一層に形成されて前記第１キャパシタ電極と連結された第３キャパシタ電極と、および前記第２ゲート配線と同一層に形成されて前記第１スキャンラインと連結された第４キャパシタ電極を含む第２キャパシタと
をさらに含む、請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記画素回路は、
前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第３アクティブ層と、前記第１スキャンラインと連結され、前記第２ゲート配線と同一層に位置する第３ゲート電極と、前記第１薄膜トランジスタの前記第１ドレイン電極と連結された第３ソース電極と、および前記第１薄膜トランジスタの前記第１ゲート電極と連結された第３ドレイン電極を含む第３薄膜トランジスタと
をさらに含む、請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記第１ゲート配線は、第２スキャンラインを含み、
前記画素回路は、
前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第４アクティブ層と、前記第２スキャンラインと連結され、前記第１ゲート配線と同一層に位置する第４ゲート電極と、前記初期化電源ラインと連結された第４ソース電極と、および前記第１薄膜トランジスタの第１ゲート電極と連結された第４ドレイン電極を含む第４薄膜トランジスタと
をさらに含む、請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記第１ゲート配線は、発光制御ラインをさらに含み、
前記画素回路は、
前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第５アクティブ層と、前記発光制御ラインと連結され、前記第１ゲート配線と同一層に位置する第５ゲート電極と、前記駆動電源ラインと連結された第５ソース電極と、および前記第１薄膜トランジスタの前記第１ソース電極と連結された第５ドレイン電極を含む第５薄膜トランジスタと
をさらに含む、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記画素回路は、
前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第６アクティブ層と、前記発光制御ラインと連結され、前記第１ゲート配線と同一層に位置する第６ゲート電極と、前記第１薄膜トランジスタの前記第１ドレイン電極と連結された第６ソース電極と、および前記有機発光素子と連結された第６ドレイン電極を含む第６薄膜トランジスタと
をさらに含む、請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
第１絶縁層を間に置いて基板上に位置し、第１方向に延長された第１ゲート配線と、
第２絶縁層を間に置いて前記第１ゲート配線上に位置し、前記第１方向に延長された第２ゲート配線と、
前記第２ゲート配線上に位置し、前記第１方向と交差する第２方向に延長されたデータ配線と、
前記第１ゲート配線、前記第２ゲート配線、前記データ配線のそれぞれに連結された複数の薄膜トランジスタおよび一つ以上のキャパシタを含む画素回路と、
前記画素回路を間に置いて第１電源と連結され、第２電源と連結される有機発光素子と
を含む、有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記複数の薄膜トランジスタのうち、ソース電極が前記第１電源と連結され、ドレイン電極が前記有機発光素子と連結された駆動薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第２ゲート配線と同一層に位置する、請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
前記複数の薄膜トランジスタのうち、ソース電極が前記駆動薄膜トランジスタのドレイン電極と連結され、ドレイン電極が前記駆動薄膜トランジスタのゲート電極と連結された補償薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第２ゲート配線と同一層に位置する、請求項１７に記載の有機発光表示装置。
【請求項１９】
前記複数の薄膜トランジスタのうち、前記駆動薄膜トランジスタおよび前記補償薄膜トランジスタを除いた残りの一つ以上のスイッチング薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第１ゲート配線と同一層に位置する、請求項１８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２０】
前記キャパシタの一電極は、前記第１ゲート配線と同一層に位置し、前記一電極と対向する他電極は、前記第２ゲート配線と同一層に位置する、請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関し、より詳しくは、複数の薄膜トランジスタおよび一つ以上のキャパシタを有する画素回路を含む有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、イメージを表示する装置であって、最近、有機発光表示装置（organic light emitting diode display）が注目されている。
【０００３】
有機発光表示装置は、それ自体で発光特性を有し、液晶表示装置（liquid crystal display device）とは異なり別途の光源を必要としないため、厚さと重量を軽減させることができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度および高い反応速度などの高品位特性を示す。
【０００４】
一般に有機発光表示装置は、基板上に位置し、一方向に延長されたゲート配線、ゲート配線と交差する方向に延長されたデータ配線、ゲート配線およびデータ配線のそれぞれに連結された画素回路および画素回路と連結された有機発光素子を含む。
【０００５】
しかし、最近、高解像度のディスプレイを要求することに伴い、有機発光表示装置に含まれているゲート配線、データ配線、画素回路および有機発光素子の個数が増加することによって、全体的な配線（特にデータ配線対個数が多いゲート配線）の配置問題および配線で電圧降下が発生する問題など多様な問題が発生して高解像度の有機発光表示装置でむらなどの品質低下が発生する問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の例示的な実施形態は、上述した問題点を解決するためのものであって、表示品質が向上した高解像度の有機発光表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した技術的課題を達成するための本発明の一実施形態は、第１絶縁層を間に置いて基板上に位置し、第１方向に延長された第１ゲート配線、第２絶縁層を間に置いて前記第１ゲート配線上に位置し、前記第１方向に延長された第２ゲート配線、前記第２ゲート配線上に位置し、前記第１方向と交差する第２方向に延長されたデータ配線、前記第１ゲート配線、前記第２ゲート配線、前記データ配線のそれぞれに連結されている画素回路、および前記画素回路に連結された有機発光素子を含む有機発光表示装置を提供する。
【０００８】
前記第１ゲート配線および前記第２ゲート配線は、互いに非重畳となっている。前記第２ゲート配線は、第１スキャンライン、および前記第１スキャンラインと離隔する初期化電源ラインを含み、前記データ配線は、データライン、および前記データラインと離隔する駆動電源ラインを含むことができる。
【０００９】
前記画素回路は、前記初期化電源ラインおよび前記駆動電源ラインと連結された第１キャパシタ、前記駆動電源ラインと前記有機発光素子の間に連結された第１薄膜トランジスタ、および前記データラインと前記第１薄膜トランジスタの間に連結された第２薄膜トランジスタを含むことができる。
【００１０】
前記第１キャパシタは、前記第１ゲート配線と同一層に形成されて前記初期化電源ラインと連結された第１キャパシタ電極、および前記第２ゲート配線と同一層に形成されて前記駆動電源ラインと連結された第２キャパシタ電極を含むことができる。
【００１１】
前記第１キャパシタは、前記第１キャパシタ電極と対応して前記基板と前記第１絶縁層の間に位置し、前記第２キャパシタ電極と連結されたアクティブ電極をさらに含むことができる。前記第２キャパシタ電極は、前記第１方向に延長され得る。
【００１２】
前記第１薄膜トランジスタは、前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第１アクティブ層、前記第１キャパシタ電極と連結され、前記第２ゲート配線と同一層に位置する第１ゲート電極、前記駆動電源ラインと連結された第１ソース電極、および前記有機発光素子と連結された第１ドレイン電極を含むことができる。
【００１３】
前記第２薄膜トランジスタは、前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第２アクティブ層、前記第１スキャンラインと連結され、前記第１ゲート配線と同一層に位置する第２ゲート電極、前記データラインと連結された第２ソース電極、および前記第１薄膜トランジスタの前記第１ソース電極と連結された第２ドレイン電極を含むことができる。
【００１４】
前記第２薄膜トランジスタは、前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第２アクティブ層、前記第１スキャンラインと連結され、前記第２ゲート配線と同一層に位置する第２ゲート電極、前記データラインと連結された第２ソース電極、および前記第１薄膜トランジスタの前記第１ソース電極と連結された第２ドレイン電極を含むことができる。
【００１５】
前記画素回路は、前記第１ゲート配線と同一層に形成されて前記第１キャパシタ電極と連結された第３キャパシタ電極、および前記第２ゲート配線と同一層に形成されて前記第１スキャンラインと連結された第４キャパシタ電極を含む第２キャパシタをさらに含むことができる。
【００１６】
前記画素回路は、前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第３アクティブ層、前記第１スキャンラインと連結され、前記第２ゲート配線と同一層に位置する第３ゲート電極、前記第１薄膜トランジスタの前記第１ドレイン電極と連結された第３ソース電極、および前記第１薄膜トランジスタの前記第１ゲート電極と連結された第３ドレイン電極を含む第３薄膜トランジスタをさらに含むことができる。
【００１７】
前記第１ゲート配線は、第２スキャンラインを含み、前記画素回路は、前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第４アクティブ層、前記第２スキャンラインと連結され、前記第１ゲート配線と同一層に位置する第４ゲート電極、前記初期化電源ラインと連結された第４ソース電極、および前記第１薄膜トランジスタの第１ゲート電極と連結された第４ドレイン電極を含む第４薄膜トランジスタをさらに含むことができる。
【００１８】
前記第１ゲート配線は、発光制御ラインをさらに含み、前記画素回路は、前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第５アクティブ層、前記発光制御ラインと連結され、前記第１ゲート配線と同一層に位置する第５ゲート電極、前記駆動電源ラインと連結された第５ソース電極、および前記第１薄膜トランジスタの前記第１ソース電極と連結された第５ドレイン電極を含む第５薄膜トランジスタをさらに含むことができる。
【００１９】
前記画素回路は、前記基板と前記第１絶縁層の間に位置する第６アクティブ層、前記発光制御ラインと連結され、前記第１ゲート配線と同一層に位置する第６ゲート電極、前記第１薄膜トランジスタの前記第１ドレイン電極と連結された第６ソース電極、および前記有機発光素子と連結された第６ドレイン電極を含む第６薄膜トランジスタをさらに含むことができる。
【００２０】
また、本発明の他の実施形態は、第１絶縁層を間に置いて基板上に位置し、第１方向に延長された第１ゲート配線、第２絶縁層を間に置いて前記第１ゲート配線上に位置し、前記第１方向に延長された第２ゲート配線、前記第２ゲート配線上に位置し、前記第１方向と交差する第２方向に延長されたデータ配線、前記第１ゲート配線、前記第２ゲート配線、前記データ配線のそれぞれに連結された複数の薄膜トランジスタおよび一つ以上のキャパシタを含む画素回路、および前記画素回路を間に置いて第１電源と連結され、第２電源と連結される有機発光素子を含む有機発光表示装置を提供する。
【００２１】
前記複数の薄膜トランジスタのうち、ソース電極が前記第１電源と連結され、ドレイン電極が前記有機発光素子と連結された駆動薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第２ゲート配線と同一層に位置することができる。
【００２２】
前記複数の薄膜トランジスタのうち、ソース電極が前記駆動薄膜トランジスタのドレイン電極と連結され、ドレイン電極が前記駆動薄膜トランジスタのゲート電極と連結された補償薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第２ゲート配線と同一層に位置することができる。
【００２３】
前記複数の薄膜トランジスタのうち、前記駆動薄膜トランジスタおよび前記補償薄膜トランジスタを除いた残りの一つ以上のスイッチング薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第１ゲート配線と同一層に位置することができる。
【００２４】
前記キャパシタの一電極は、前記第１ゲート配線と同一層に位置し、前記一電極と対向する他電極は、前記第２ゲート配線と同一層に位置することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一実施形態によれば、表示品質が向上した高解像度の有機発光表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置を概略的に示した図面である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】図１に示された画素を示す回路図である。
【図４】図３に示された画素回路および有機発光素子を示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の効果を説明するためのグラフである。
【図６】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の効果を説明するためのグラフである。
【図７】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の効果を説明するためのグラフである。
【図８】本発明の第２実施形態による有機発光表示装置の画素回路および有機発光素子を示す断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態による有機発光表示装置の画素回路および有機発光素子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図面を参照して本発明の多様な実施形態について本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳しく説明する。本発明は多様な異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２８】
本発明を明確に説明するために、説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似する構成要素については同一の参照符号を付した。
【００２９】
また、多様な実施形態において、同一な構成を有する構成要素については同一の符号を使用して代表的に第１実施形態で説明し、その他の実施形態では第１実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
【００３０】
また、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは、説明の便宜のために任意に示したので、本発明が必ずしも示されたところに限定されるのではない。
【００３１】
図面において、多くの層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」にあるという時、これは他の部分の「直上に」にある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。
【００３２】
また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」という時、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。また、明細書全体で、「上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準に上側に位置することを意味するのではない。
【００３３】
また、添付図面では、一つの画素に６個の薄膜トランジスタ（thin film transistor、ＴＦＴ）と２個の蓄電素子（capacitor）を備えた６Ｔｒ−２Ｃａｐ構造の能動駆動（active matrix、ＡＭ）型有機発光表示装置を示しているが、本発明がこれに限定されるのではない。したがって、有機発光表示装置は、一つの画素に複数の薄膜トランジスタと一つ以上の蓄電素子を備えることができ、別途の配線がさらに形成されたり、既存の配線が省略されて多様な構造を有するように形成することもできる。ここで、画素は画像を表示する最小単位をいい、有機発光表示装置は複数の画素を通じて画像を表示する。
【００３４】
以下、図１乃至図７を参照して本発明の第１実施形態による有機発光表示装置を説明する。図１は、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置を概略的に示した図面である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００３５】
図１および図２に示されているように、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０００は、ゲート駆動部１１０、第１ゲート配線ＧＷ１、第２ゲート配線ＧＷ２、発光制御駆動部１２０、データ駆動部１３０、データ配線ＤＷ、表示部１４０および画素１５０を含む。
【００３６】
ゲート駆動部１１０は、図示されていない外部の制御回路、例えばタイミング制御部などから供給される制御信号に対応して第１ゲート配線ＧＷ１または第２ゲート配線ＧＷ２に含まれている第１スキャンラインＳＣ２〜ＳＣｎまたは第２スキャンラインＳＣ１〜ＳＣｎ−１にスキャン信号を順次に供給する。そうすると、画素１５０はスキャン信号により選択されて順次にデータ信号を供給される。
【００３７】
第１ゲート配線ＧＷ１は、第１絶縁層ＧＩ１を間に置いて基板ＳＵＢ上に位置し、第１方向に延長されている。第１ゲート配線ＧＷ１は、第２スキャンラインＳＣｎ−１および発光制御ラインＥ１〜Ｅｎを含む。第２スキャンラインＳＣｎ−１は、ゲート駆動部１１０と連結されており、ゲート駆動部１１０からスキャン信号を供給される。発光制御ラインＥｎは、発光制御駆動部１２０と連結されており、発光制御駆動部１２０から発光制御信号を供給される。
【００３８】
第２ゲート配線ＧＷ２は、第２絶縁層ＧＩ２を間に置いて第１ゲート配線ＧＷ１上に位置し、第１方向に延長されている。第２ゲート配線ＧＷ２は、第１スキャンラインＳＣｎおよび初期化電源ラインＶｉｎｉｔを含む。
【００３９】
第１ゲート配線ＧＷ１および第２ゲート配線ＧＷ２は、互いに非重畳となっている。つまり、第１ゲート配線ＧＷ１と第２ゲート配線ＧＷ２は互いに重畳されない。
【００４０】
第１スキャンラインＳＣｎは、ゲート駆動部１１０と連結されており、ゲート駆動部１１０からスキャン信号を供給される。初期化電源ラインＶｉｎｉｔは、ゲート駆動部１１０と連結されており、ゲート駆動部１１０から初期化電源を印加される。
【００４１】
本発明の第１実施形態では初期化電源ラインＶｉｎｉｔがゲート駆動部１１０から初期化電源の印加を受けるが、本発明の他の実施形態では初期化電源ラインＶｉｎｉｔが追加的な他の構成と連結されて前記追加的な他の構成から初期化電源の印加を受けることができる。
【００４２】
発光制御駆動部１２０は、タイミング制御部などの外部から供給される制御信号に対応して発光制御ラインＥｎに発光制御信号を順次に供給する。そうすると、画素１５０は発光制御信号により発光が制御される。
【００４３】
つまり、発光制御信号は、画素１５０の発光時間を制御する。但し、発光制御駆動部１２０は、画素１５０の内部構造により省略されることもできる。
【００４４】
データ駆動部１３０は、タイミング制御部などの外部から供給される制御信号に対応して、データ配線ＤＷのうちデータラインＤＡｍにデータ信号を供給する。データラインＤＡｍに供給されたデータ信号は、第１スキャンラインＳＣｎにスキャン信号が供給される度にスキャン信号により選択された画素１５０に供給される。そうすると、画素１５０はデータ信号に対応する電圧を充電しこれに対応する輝度で発光する。
【００４５】
データ配線ＤＷは、第３絶縁層ＩＬＤを間に置いて第２ゲート配線ＧＷ２上に位置し、第１方向と交差する第２方向に延長されている。データ配線ＤＷは、データラインＤＡ１〜ＤＡｍおよび駆動電源ラインＥＬＶＤＤＬを含む。データラインＤＡｍは、データ駆動部１３０と連結されており、データ駆動部１３０からデータ信号を供給される。駆動電源ラインＥＬＶＤＤＬは、後述する外部の第１電源ＥＬＶＤＤと連結されており、第１電源ＥＬＶＤＤから駆動電源を供給される。
【００４６】
表示部１４０は、第１ゲート配線ＧＷ１、第２ゲート配線ＧＷ２およびデータ配線ＤＷの交差領域に位置する複数の画素１５０を含む。ここで、それぞれの画素１５０は、データ信号に対応する駆動電流に相応する輝度で発光する有機発光素子と、前記有機発光素子に流れる駆動電流を制御するための画素回路を含む。画素回路は、第１ゲート配線ＧＷ１、第２ゲート配線ＧＷ２およびデータ配線ＤＷのそれぞれと連結されており、有機発光素子は、前記画素回路に連結されている。
【００４７】
このような表示部１４０の有機発光素子は、画素回路を間に置いて外部の第１電源ＥＬＶＤＤと連結され、第２電源ＥＬＶＳＳと連結される。第１電源ＥＬＶＤＤおよび第２電源ＥＬＶＳＳのそれぞれは、駆動電源および共通電源のそれぞれを表示部１４０の画素１５０に供給し、画素１５０は画素１５０に供給された駆動電源および共通電源によりデータ信号に対応して第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光素子を通す駆動電流に対応する輝度で発光する。
【００４８】
このように、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０００は、画素１５０を第１方向に横切って互いに非重畳となっているゲート配線である第２スキャンラインＳＣｎ−１および発光制御ラインＥｎを含む第１ゲート配線ＧＷ１、および第１スキャンラインＳＣｎおよび初期化電源ラインＶｉｎｉｔを含む第２ゲート配線ＧＷ２のそれぞれがすべて同一層に位置するのではなく、ゲート配線である第１ゲート配線ＧＷ１および第２ゲート配線ＧＷ２のそれぞれが第２絶縁層ＧＩ２を間に置いて互いに異なる層に位置することによって、互いに異なる層に位置する隣接したゲート配線間の距離Ｗを狭く形成することができるため、同一な面積により多い画素１５０を形成することができる。つまり、高解像度の有機発光表示装置１０００を形成することができる。
【００４９】
ひいては、図１および図２に示された第２キャパシタ電極ＣＥ２は、後述する第１キャパシタＣ１を構成する電極であるが、必要に応じて第２キャパシタ電極ＣＥ２を第１方向に延長する場合にも、第２キャパシタ電極ＣＥ２を第２ゲート配線ＧＷ２と同一層に形成することによって、隣接したゲート配線間の距離Ｗを狭く形成して高解像度の有機発光表示装置１０００を形成することができる。
【００５０】
以下、図３および図４を参照して本発明の第１実施形態による画素１５０をより詳しく説明する。図３は、図１に示された画素を示す回路図である。図４は、図３に示された画素回路および有機発光素子を示す断面図である。
【００５１】
図３および図４に示されているように、画素１５０は、第１電源ＥＬＶＤＤと第２電源ＥＬＶＳＳの間に接続する有機発光素子ＯＬＥＤと、前記第１電源ＥＬＶＤＤと有機発光素子ＯＬＥＤの間に接続されて前記有機発光素子ＯＬＥＤに供給される駆動電源を制御する画素回路１５２とを含む。
【００５２】
有機発光素子ＯＬＥＤのアノード電極は、画素回路１５２を経由して第１電源ＥＬＶＤＤに連結された駆動電源ラインＥＬＶＤＤＬに接続され、有機発光素子ＯＬＥＤのカソード電極は、第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光素子ＯＬＥＤは、第１電源ＥＬＶＤＤから画素回路１５２を経て駆動電源が供給され、第２電源ＥＬＶＳＳから共通電源が供給される時、有機発光素子ＯＬＥＤに流れる駆動電流に対応する輝度で発光する。
【００５３】
画素回路１５２は、第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５、第６薄膜トランジスタＴ６、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２を含む。
【００５４】
第１薄膜トランジスタＴ１は、駆動電源ラインＥＬＶＤＤＬと有機発光素子ＯＬＥＤの間に連結され、画素１５０の発光期間の間にデータ信号に対応する駆動電源を第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光素子ＯＬＥＤに供給する。つまり、第１薄膜トランジスタＴ１は、画素１５０の駆動トランジスタとして機能する。第１薄膜トランジスタＴ１は、第１アクティブ層Ａ１、第１ゲート電極Ｇ１、第１ソース電極Ｓ１および第１ドレイン電極Ｄ１を含む。
【００５５】
第１アクティブ層Ａ１は、ポリシリコンを含み、ドーピング物質がドーピングされたソースおよびドレイン領域とソースおよびドレイン領域の間に位置するチャンネル領域を含む。第１アクティブ層Ａ１は、基板ＳＵＢに形成されたバッファー層ＢＵと第１絶縁層ＧＩ１の間に位置している。
【００５６】
第１ゲート電極Ｇ１は、第１キャパシタＣ１の第１キャパシタ電極ＣＥ１と連結されており、第２ゲート配線ＧＷ２と同一層に位置している。つまり、第１ゲート電極Ｇ１と第２アクティブ層Ａ２の間には第１絶縁層ＧＩ１および第２絶縁層ＧＩ２が位置している。
【００５７】
第１ソース電極Ｓ１は、第５薄膜トランジスタＴ５を経由して駆動電源ラインＥＬＶＤＤＬと連結されている。第１ドレイン電極Ｄ１は、第６薄膜トランジスタＴ６を経由して有機発光素子ＯＬＥＤと連結されている。
【００５８】
第２薄膜トランジスタＴ２は、データラインＤＡｍと第１薄膜トランジスタＴ１の間に連結され、第２スキャンラインＳＣｎ−１からスキャン信号が供給される時、データラインＤＡｍから供給されるデータ信号を画素１５０内部に伝達する。つまり、第２薄膜トランジスタＴ２は、画素１５０のスイッチングトランジスタとして機能する。第２薄膜トランジスタＴ２は、第２アクティブ層Ａ２、第２ゲート電極Ｇ２、第２ソース電極Ｓ２および第２ドレイン電極Ｄ２を含む。
【００５９】
第２アクティブ層Ａ２は、ポリシリコンを含み、ドーピング物質がドーピングされたソースおよびドレイン領域とソースおよびドレイン領域の間に位置するチャンネル領域を含む。第２アクティブ層Ａ２は、基板ＳＵＢに形成されたバッファー層ＢＵと第１絶縁層ＧＩ１の間に位置している。
【００６０】
第２ゲート電極Ｇ２は、第１スキャンラインＳＣｎと連結されており、第１ゲート配線ＧＷ１と同一層に位置している。つまり、第２ゲート電極Ｇ２と第２アクティブ層Ａ２の間には第１絶縁層ＧＩ１が位置している。
【００６１】
第２ソース電極Ｓ２は、データラインＤＡｍと連結されている。第２ドレイン電極Ｄ２は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ソース電極Ｓ１と連結されている。
【００６２】
第３薄膜トランジスタＴ３は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ドレイン電極Ｄ１と第１ゲート電極Ｇ１の間に連結され、画素１５０内部にデータ信号が供給される時、第１薄膜トランジスタＴ１をダイオード形態に連結して第１薄膜トランジスタＴ１のしきい電圧を補償する。つまり、第３薄膜トランジスタＴ３は、画素１５０の補償トランジスタとして機能する。第３薄膜トランジスタＴ３は、第３アクティブ層Ａ３、第３ゲート電極Ｇ３、第３ソース電極Ｓ３および第３ドレイン電極Ｄ３を含む。
【００６３】
第３アクティブ層Ａ３は、ポリシリコンを含み、ドーピング物質がドーピングされたソースおよびドレイン領域とソースおよびドレイン領域の間に位置するチャンネル領域を含む。第３アクティブ層Ａ３は、基板ＳＵＢに形成されたバッファー層ＢＵと第１絶縁層ＧＩ１の間に位置している。
【００６４】
第３ゲート電極Ｇ３は、第１スキャンラインＳＣｎと連結されており、第２ゲート配線ＧＷ２と同一層に位置している。つまり、第３ゲート電極Ｇ３と第３アクティブ層Ａ３の間には第１絶縁層ＧＩ１および第２絶縁層ＧＩ２が位置している。
【００６５】
第３ソース電極Ｓ３は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ドレイン電極Ｄ１と連結されている。第３ドレイン電極Ｄ３は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１と連結されている。
【００６６】
第４薄膜トランジスタＴ４は、初期化電源ラインＶｉｎｉｔと第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１の間に連結され、画素１５０にデータ信号が入力されるデータプログラミング期間の間に前記データ信号が画素１５０内部に円滑に供給されるように、前記データプログラミング期間に先んじた初期化期間の間に第２スキャンラインＳＣｎ−１からスキャン信号が供給される時、初期化電源ラインＶｉｎｉｔから供給される初期化電源を画素１５０内部に伝達して第１薄膜トランジスタＴ１を初期化する。つまり、第４薄膜トランジスタＴ４は、画素１５０のスイッチングトランジスタとして機能する。第４薄膜トランジスタＴ４は、第４アクティブ層Ａ４、第４ゲート電極Ｇ４、第４ソース電極Ｓ４および第４ドレイン電極Ｄ４を含む。
【００６７】
第４アクティブ層Ａ４は、ポリシリコンを含み、ドーピング物質がドーピングされたソースおよびドレイン領域とソースおよびドレイン領域の間に位置するチャンネル領域を含む。第４アクティブ層Ａ４は、基板ＳＵＢに形成されたバッファー層ＢＵと第１絶縁層ＧＩ１の間に位置している。
【００６８】
第４ゲート電極Ｇ４は、第２スキャンラインＳＣｎ−１と連結されており、第１ゲート配線ＧＷ１と同一層に位置している。つまり、第４ゲート電極Ｇ４と第４アクティブ層Ａ４の間には第１絶縁層ＧＩ１が位置している。
【００６９】
第４ソース電極Ｓ４は、初期化電源ラインＶｉｎｉｔと連結されている。第４ドレイン電極Ｄ４は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１と連結されている。
【００７０】
第５薄膜トランジスタＴ５は、駆動電源ラインＥＬＶＤＤＬと第１薄膜トランジスタＴ１の間に連結され、画素１５０の非発光期間の間に第１電源ＥＬＶＤＤと第１薄膜トランジスタＴ１の間の連結を遮断し、画素１５０の発光期間の間に前記第１電源ＥＬＶＤＤと第１薄膜トランジスタＴ１の間を連結する。つまり、第５薄膜トランジスタＴ５は、画素１５０のスイッチングトランジスタとして機能する。第５薄膜トランジスタＴ５は、第５アクティブ層Ａ５、第５ゲート電極Ｇ５、第５ソース電極Ｓ５および第５ドレイン電極Ｄ５を含む。
【００７１】
第５アクティブ層Ａ５は、ポリシリコンを含み、ドーピング物質がドーピングされたソースおよびドレイン領域とソースおよびドレイン領域の間に位置するチャンネル領域を含む。第５アクティブ層Ａ５は、基板ＳＵＢに形成されたバッファー層ＢＵと第１絶縁層ＧＩ１の間に位置している。
【００７２】
第５ゲート電極Ｇ５は、発光制御ラインＥｎと連結されており、第１ゲート配線ＧＷ１と同一層に位置している。つまり、第５ゲート電極Ｇ５と第５アクティブ層Ａ５の間には第１絶縁層ＧＩ１が位置している。
【００７３】
第５ソース電極Ｓ５は、駆動電源ラインＥＬＶＤＤＬと連結されている。第５ドレイン電極Ｄ５は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ソース電極Ｓ１と連結されている。
【００７４】
第６薄膜トランジスタＴ６は、第１薄膜トランジスタＴ１と有機発光素子ＯＬＥＤの間に連結され、画素１５０の非発光期間の間に第１薄膜トランジスタＴ１と有機発光素子ＯＬＥＤの間の連結を遮断し、画素１５０の発光期間の間に前記第１薄膜トランジスタＴ１と有機発光素子ＯＬＥＤの間を連結する。つまり、第６薄膜トランジスタＴ６は、画素１５０のスイッチングトランジスタとして機能する。第６薄膜トランジスタＴ６は、第６アクティブ層Ａ６、第６ゲート電極Ｇ６、第６ソース電極Ｓ６および第６ドレイン電極Ｄ６を含む。
【００７５】
第６アクティブ層Ａ６は、ポリシリコンを含み、ドーピング物質がドーピングされたソースおよびドレイン領域とソースおよびドレイン領域の間に位置するチャンネル領域を含む。第６アクティブ層Ａ６は、基板ＳＵＢに形成されたバッファー層ＢＵと第１絶縁層ＧＩ１の間に位置している。
【００７６】
第６ゲート電極Ｇ６は、発光制御ラインＥｎと連結されており、第１ゲート配線ＧＷ１と同一層に位置している。つまり、第６ゲート電極Ｇ６と第６アクティブ層Ａ６の間には第１絶縁層ＧＩ１が位置している。
【００７７】
第６ソース電極Ｓ６は、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ドレイン電極Ｄ１と連結されている。第６ドレイン電極Ｄ６は、有機発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と連結されている。
【００７８】
一方、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０００の第１薄膜トランジスタＴ１乃至第６薄膜トランジスタＴ６のそれぞれの第１ソース電極Ｓ１乃至第６ソース電極Ｓ６のそれぞれと第１ドレイン電極Ｄ１乃至第６ドレイン電極Ｄ６のそれぞれは、第１アクティブ層Ａ１乃至第６アクティブ層Ａ６のそれぞれと異なる層で形成されているが、これに限定されず、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の第１薄膜トランジスタ乃至第６薄膜トランジスタのそれぞれの第１ソース電極乃至第６ソース電極それぞれと第１ドレイン電極乃至第６ドレイン電極のそれぞれは、第１アクティブ層乃至第６アクティブ層のそれぞれと選択的に同一層で形成され得る。つまり、各薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極は、選択的にドーピング物質がドーピングされたポリシリコンで形成され得る。
【００７９】
第１キャパシタＣ１は、データプログラミング期間の間に画素１５０内部に供給されるデータ信号を保存し、これを１フレームの間に維持するためのもので、第１電源ＥＬＶＤＤと連結された駆動電源ラインＥＬＶＤＤＬと初期化電源ラインＶｉｎｉｔと連結された第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１との間に連結される。つまり、第１キャパシタＣ１は、ストレージキャパシタとして機能する。第１キャパシタＣ１は、第１キャパシタ電極ＣＥ１および第２キャパシタ電極ＣＥ２を含む。
【００８０】
第１キャパシタ電極ＣＥ１は、初期化電源ラインＶｉｎｉｔと連結された第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１と連結されており、第１ゲート配線ＧＷ１と同一層に位置している。
【００８１】
第２キャパシタ電極ＣＥ２は、駆動電源ラインＥＬＶＤＤＬと連結されており、第２ゲート配線ＧＷ２と同一層に位置している。第２キャパシタ電極ＣＥ２は、図１に示したように、隣接した画素１５０を横切って第１方向に延長されている。
【００８２】
つまり、第１キャパシタ電極ＣＥ１と第２キャパシタ電極ＣＥ２の間には第２絶縁層ＧＩ２が位置している。
【００８３】
第２キャパシタＣ２は、有機発光表示装置１０００でロードによる電圧降下を補償するためのもので、第１キャパシタＣ１の第１キャパシタ電極ＣＥ１と第１スキャンラインＳＣｎの間に連結される。つまり、第２キャパシタＣ２は、現在スキャン信号の電圧レベルが変更される時、特に現在スキャン信号の供給が中断される時点でカップリング作用により第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１の電圧を上昇させることによって、有機発光表示装置１０００内のロードによる電圧降下を補償するブースティングキャパシタとして機能する。第２キャパシタＣ２は、第３キャパシタ電極ＣＥ３および第４キャパシタ電極ＣＥ４を含む。
【００８４】
第３キャパシタ電極ＣＥ３は、第１キャパシタＣ１の第１キャパシタ電極ＣＥ１と連結されており、第１ゲート配線ＧＷ１と同一層に位置している。第４キャパシタ電極ＣＥ４は、第１スキャンラインＳＣｎと連結されており、第２ゲート配線ＧＷ２と同一層に位置している。つまり、第３キャパシタ電極ＣＥ３と第４キャパシタ電極ＣＥ４の間には第２絶縁層ＧＩ２が位置している。
【００８５】
第６薄膜トランジスタＴ６の第６ドレイン電極Ｄ６には、有機発光素子ＯＬＥＤが連結されている。有機発光素子ＯＬＥＤは、第４絶縁層ＰＬを間に置いて第６ドレイン電極Ｄ６上に位置して第６ドレイン電極Ｄ６と接続されたアノード電極ＥＬ１と、有機発光層ＯＬおよび第２電源ＥＬＶＳＳと連結されたカソード電極ＥＬ２を含む。有機発光層ＯＬは、画素定義層ＰＤＬによりその位置が決定され得、カソード電極ＥＬ２は、画素定義層ＰＤＬ上の全体にわたって位置することができる。
【００８６】
以下、上述した画素１５０の動作を説明する。まず、初期化期間と設定される第１期間の間に第２スキャンラインＳＣｎ−１を通じてローレベルの以前スキャン信号が供給される。そうすると、ローレベルの以前スキャン信号に対応して第４薄膜トランジスタＴ４がターンオンされ、初期化電源ラインＶｉｎｉｔから第４薄膜トランジスタＴ４を通じて初期化電源が第１薄膜トランジスタＴ１に供給されて第１薄膜トランジスタＴ１が初期化される。
【００８７】
その後、データプログラミング期間と設定される第２期間の間に第１スキャンラインＳＣｎを通じてローレベルの現在スキャン信号が供給される。そうすると、ローレベルの現在スキャン信号に対応して第２薄膜トランジスタＴ２および第３薄膜トランジスタＴ３がターンオンされる。
【００８８】
そして、第１薄膜トランジスタＴ１も第３薄膜トランジスタＴ３によりダイオード連結される形態にターンオンされ、特に先んじた第１期間の間に第１薄膜トランジスタＴ１が初期化されたため、第１薄膜トランジスタＴ１は順方向にダイオード連結される。
【００８９】
これによって、データラインＤＡｍから供給されたデータ信号が第２薄膜トランジスタＴ２、第１薄膜トランジスタＴ１および第３薄膜トランジスタＴ３を経由し、これによって第１キャパシタＣ１にはデータ信号と第１薄膜トランジスタＴ１のしきい電圧の差に対応する電圧が保存される。
【００９０】
その後、現在スキャン信号の供給が中断されながら現在スキャン信号の電圧レベルがハイレバルに変更されると、第２キャパシタＣ２のカップリング作用により第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１に印加される電圧が現在スキャン信号の電圧変動幅に対応して変更される。この時、第１キャパシタＣ１と第２キャパシタＣ２の間のチャージシェアリングにより第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１に印加される電圧が変更されるため、第１ゲート電極Ｇ１に印加される電圧変化量は現在スキャン信号の電圧変動幅と共に、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２の間のチャージシェアリング値に比例して変動する。
【００９１】
その後、発光期間と設定される第３期間の間に発光制御ラインＥｎから供給される発光制御信号がハイレバルからローレベルに変更される。そうすると、第３期間の間にローレベルの発光制御信号により第５薄膜トランジスタＴ５および第６薄膜トランジスタＴ６がターンオンされる。これによって、第１電源ＥＬＶＤＤから駆動電源ラインＥＬＶＤＤＬを通じて第５薄膜トランジスタＴ５、第１薄膜トランジスタＴ１、第６薄膜トランジスタＴ６および有機発光素子ＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳへの経路で駆動電流が流れるようになる。
【００９２】
このような駆動電流は、第１薄膜トランジスタＴ１により制御されるものであって、第１薄膜トランジスタＴ１は、自身の第１ゲート電極Ｇ１に供給される電圧に対応する大きさの駆動電流を発生させる。この時、上述した第２期間の間に第１キャパシタＣ１には第１薄膜トランジスタＴ１のしきい電圧が反映された電圧が保存されたため、第３期間の間に第１トランジスタＴ１のしきい電圧が補償される。
【００９３】
以下、図５乃至図７を参照して本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０００の効果を説明する。図５乃至図７は、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の効果を説明するためのグラフである。
【００９４】
図５で、ｘ軸は、有機発光表示装置の駆動薄膜トランジスタのゲート電極に印加されるゲート電圧Ｖｇｓを示し、ｙ軸は、有機発光表示装置の有機発光素子に流れる駆動電流Ｉｄを示し、Ｔｈｉｎ  ＧＩは、駆動薄膜トランジスタのアクティブ層とゲート電極の間の絶縁層が薄いことを示し、Ｔｈｉｃｋ  ＧＩは、駆動薄膜トランジスタのアクティブ層とゲート電極の間の絶縁層が厚いことを示す。
【００９５】
図５に示されているように、有機発光表示装置の駆動薄膜トランジスタがアクティブ層とゲート電極の間の絶縁層が薄いＴｈｉｎ  ＧＩで形成される場合、有機発光素子に流れる駆動電流Ｉｄにより有機発光素子が発光する光が黒色（ｂｌａｃｋ）と白色（ｗｈｉｔｅ）で表現される時、駆動薄膜トランジスタのゲート電極に印加されるゲート電圧Ｖｇｓは、第１範囲Ｒ１を有するようになる。つまり、駆動薄膜トランジスタがＴｈｉｎ  ＧＩで形成される場合、ゲート電極に印加されるゲート電圧Ｖｇｓの駆動範囲（Driving range、DR range）は第１範囲Ｒ１を有する。
【００９６】
これとは反対に、有機発光表示装置の駆動薄膜トランジスタがアクティブ層とゲート電極の間の絶縁層が厚いＴｈｉｃｋ  ＧＩで形成される場合、有機発光素子に流れる駆動電流Ｉｄにより有機発光素子が発光する光が黒色（ｂｌａｃｋ）と白色（ｗｈｉｔｅ）で表現される時、駆動薄膜トランジスタのゲート電極に印加されるゲート電圧Ｖｇｓは、第１範囲Ｒ１対比より広い第２範囲Ｒ２を有するようになる。つまり、駆動薄膜トランジスタがＴｈｉｃｋ  ＧＩで形成される場合、ゲート電極に印加されるゲート電圧Ｖｇｓの駆動範囲（Ｄｒｉｖｉｎｇ  ｒａｎｇｅ、ＤＲ  ｒａｎｇｅ）は第１範囲Ｒ１対比より広い第２範囲Ｒ２を有するようになる。
【００９７】
このように、駆動薄膜トランジスタの駆動範囲（Ｄｒ  ｒａｎｇｅ）が広い第２範囲Ｒ２を有すると、駆動薄膜トランジスタのゲート電極に印加されるゲート電圧Ｖｇｓの大きさを異にして有機発光素子から発光する光がより豊富な階調を有するように制御することができる。
【００９８】
図６で、ｘ軸は、有機発光表示装置のインチ当たりピクセル数（pixel per inch 、ｐｐｉ）を示し、ｙ軸は、駆動薄膜トランジスタの駆動範囲（Ｄｒ range）を示す。
【００９９】
図６に示されているように、有機発光表示装置のインチ当たりピクセル数（ｐｐｉ）が増加して高解像度の有機発光表示装置を具現するほど、有機発光素子から発光する光が豊富な階調を有するように高い駆動範囲（Ｄｒ range）が要求される。
【０１００】
上述と対応して、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０００は、複数の薄膜トランジスタである第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５および第６薄膜トランジスタＴ６のうち、第１ソース電極Ｓ１が第１電源ＥＬＶＤＤと連結された駆動電源ラインＥＬＶＤＤＬと連結されており、第１ドレイン電極Ｄ１が有機発光素子ＯＬＥＤと連結された駆動薄膜トランジスタである第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１が第２ゲート配線ＧＷ２と同一層に位置することによって、第１ゲート電極Ｇ１と第１アクティブ層Ａ１の間に第１絶縁層ＧＩ１および第２絶縁層ＧＩ２が位置してＴｈｉｃｋ  ＧＩを形成するため、有機発光素子ＯＬＥＤが豊富な階調を有する光を発光するように制御することができる。つまり、高解像度を有すると同時に表示品質が向上した有機発光表示装置１０００が提供される。
【０１０１】
図７で、ｘ軸は、有機発光表示装置の補償薄膜トランジスタのアクティブ層とゲート電極の間の絶縁層が単一層（単一ＧＩ）および二重層（二重ＧＩ）であることを示し、ｙ軸は、有機発光素子により表示される画像（ｉｍａｇｅ）に発生するむら水準を示す。
【０１０２】
図７に示されているように、有機発光表示装置の補償薄膜トランジスタが二重ＧＩを有する場合、補償薄膜トランジスタのゲート電極とアクティブ層の間の絶縁層に望まずに、形成される保存容量（capacitance、ｃａｐ）が小さくなるため、補償薄膜トランジスタのゲート電極とアクティブ層の間の絶縁層の保存容量が単一ＧＩ対比で５６％減少することを確認することができ、これによって有機発光素子により表示されるイメージに発生するむら水準が減少することを確認することができる。
【０１０３】
上述と対応して、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０００は、複数の薄膜トランジスタである第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５および第６薄膜トランジスタＴ６のうち、第３ソース電極Ｓ３が第１薄膜トランジスタＴ１の第１ドレイン電極Ｄ１に連結されており、第３ドレイン電極Ｄ３が第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極Ｇ１に連結された補償薄膜トランジスタである第３薄膜トランジスタＴ３の第３ゲート電極Ｇ３が第２ゲート配線ＧＷ２と同一層に位置することによって、第３ゲート電極Ｇ３と第３アクティブ層Ａ３の間に第１絶縁層ＧＩ１および第２絶縁層ＧＩ２が位置して二重ＧＩを形成するため、有機発光素子ＯＬＥＤにより表示される画像（image）に発生するむら水準を最少化することができる。つまり、高解像度を有すると同時に表示品質が向上した有機発光表示装置１０００が提供される。
【０１０４】
また、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０００は、複数の薄膜トランジスタである第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５および第６薄膜トランジスタＴ６うち、駆動薄膜トランジスタおよび補償薄膜トランジスタを除いた残りのスイッチング薄膜トランジスタである第２薄膜トランジスタＴ２、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５および第６薄膜トランジスタＴ６のそれぞれの第２ゲート電極Ｇ２、第４ゲート電極Ｇ４、第５ゲート電極Ｇ５および第６ゲート電極Ｇ６のそれぞれが第１ゲート配線ＧＷ１と同一層に位置することによって、第２ゲート電極Ｇ２、第４ゲート電極Ｇ４、第５ゲート電極Ｇ５および第６ゲート電極Ｇ６のそれぞれと第２アクティブ層Ａ２、第４アクティブ層Ａ４、第５アクティブ層Ａ５および第６アクティブ層Ａ６のそれぞれの間に第１絶縁層ＧＩ１のみが位置して薄い絶縁層を形成するため、スイッチング薄膜トランジスタである第２薄膜トランジスタＴ２、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５および第６薄膜トランジスタＴ６のそれぞれの電荷移動度が大きくなると同時にしきい電圧が小さくなって、第２薄膜トランジスタＴ２、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５および第６薄膜トランジスタＴ６のそれぞれは速い速度にターンオンおよびターンオフを行うことができる。これによって、全体的な有機発光表示装置１０００内部を流れる電流のロードが最小化されることによって、全体的な有機発光表示装置１０００が表示するイメージの表示品質が向上する。つまり、高解像度を有すると同時に表示品質が向上した有機発光表示装置１０００が提供される。
【０１０５】
また、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０００は、第１キャパシタＣ１の一電極である第１キャパシタ電極ＣＥ１および第２キャパシタＣ２の一電極である第３キャパシタ電極ＣＥ３が第１ゲート配線ＧＷ１と同一層に形成されており、第１キャパシタＣ１の他電極である第２キャパシタ電極ＣＥ２と第２キャパシタＣ２の他電極である第４キャパシタ電極ＣＥ４が第２ゲート配線ＧＷ２と同一層に形成されることによって、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２のそれぞれを第１ゲート配線ＧＷ１および第２ゲート配線ＧＷ２と同一な材料で形成することができる。これによって、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２は表面粗度が一定でないポリシリコンを含む必要がないため、電極の望まない表面積変形により保存容量が望まない変形を起こさない。つまり、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２のそれぞれは最初設計された正確な保存容量のみを保存することができ、これによって、第１薄膜トランジスタＴ１により制御される駆動電流を正確に制御して表示品質の低下が抑制される。つまり、高解像度を有すると同時に表示品質が向上した有機発光表示装置１０００が提供される。
【０１０６】
また、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０００は、第１キャパシタＣ１の第１キャパシタ電極ＣＥ１および第２キャパシタＣ２の第３キャパシタ電極ＣＥ３が第１ゲート配線ＧＷ１と同一層に形成されており、第１キャパシタＣ１の第２キャパシタ電極ＣＥ２と第２キャパシタＣ２の第４キャパシタ電極ＣＥ４が第２ゲート配線ＧＷ２と同一層に形成されることによって、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２のそれぞれが単一の第２絶縁層ＧＩ２のみを絶縁層として含むため、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２のそれぞれの保存容量が向上する。これによって、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２のそれぞれの面積を減少させることができるため、同一な面積に高解像度の有機発光表示装置１０００を形成することができる。
【０１０７】
以上のように、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０００は、ゲート配線を互いに層が異なる第１ゲート配線ＧＷ１および第２ゲート配線ＧＷ２で構成し、駆動薄膜トランジスタである第１薄膜トランジスタＴ１および補償薄膜トランジスタである第３薄膜トランジスタＴ３のそれぞれのゲート電極が第２ゲート配線ＧＷ２と同一層に位置して厚い絶縁層を有するように構成し、スイッチング薄膜トランジスタである第２薄膜トランジスタＴ２、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５および第６薄膜トランジスタＴ６のそれぞれのゲート電極が第１ゲート配線ＧＷ１と同一層に位置して薄い絶縁層を有するように構成し、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２のそれぞれを第１ゲート配線ＧＷ１と同一層である一電極および第２ゲート配線ＧＷ２と同一層である他電極で形成して、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２のそれぞれが正確な保存容量を有するように構成すると同時に薄い絶縁層を有するように構成することによって、表示品質が向上した高解像度の有機発光表示装置で形成することができる。
【０１０８】
以下、図８を参照して本発明の第２実施形態による有機発光表示装置を説明する。図８は、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置を示す断面図である。
【０１０９】
以下、第１実施形態と区別される特徴的な部分のみを抜粋して説明し、説明が省略された部分は第１実施形態による。そして、本発明の第２実施形態では、説明の便宜のために同一な構成要素に対しては本発明の第１実施形態と同一な参照符号を使用して説明する。
【０１１０】
図８に示されているように、第２薄膜トランジスタＴ２の第２ゲート電極Ｇ２は、第１スキャンラインＳＣｎと連結されて第２ゲート配線ＧＷ２と同一層に位置している。
【０１１１】
以上のように、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置１００２は、第２ゲート配線ＧＷ２と同一層に位置する第１スキャンラインＳＣｎと連結された第２薄膜トランジスタＴ２の第２ゲート電極Ｇ２が第２ゲート配線ＧＷ２と同一層に位置することによって、全体的な画素１５０のレイアウトを形成する時、第２ゲート電極Ｇ２と第１スキャンラインＳＣｎの連結のために追加的な接触孔（contact hole）およびこの接触孔に連結された追加的な配線を形成する必要がない。これによって、同一な面積により多い画素を形成して高解像度の有機発光表示装置を製造することができる。
【０１１２】
以下、図９を参照して本発明の第３実施形態による有機発光表示装置を説明する。図９は、本発明の第３実施形態による有機発光表示装置を示す断面図である。
【０１１３】
以下、第２実施形態と区別される特徴的な部分のみを抜粋して説明し、説明が省略された部分は第２実施形態による。そして、本発明の第３実施形態では、説明の便宜のために同一な構成要素に対しては本発明の第２実施形態と同一な参照符号を使用して説明する。
【０１１４】
図９に示されているように、第１キャパシタＣ１は、アクティブ電極ＡＥをさらに含む。アクティブ電極ＡＥは、第１キャパシタ電極ＣＥ１と対応して基板ＳＵＢと第１絶縁層ＧＩ１の間に位置し、第２キャパシタ電極ＣＥ２と連結されている。
【０１１５】
以上のように、本発明の第３実施形態による有機発光表示装置１００３は、第１キャパシタＣ１が第１キャパシタ電極ＣＥ１、第２キャパシタ電極ＣＥ２およびアクティブ電極ＡＥを含む多層キャパシタで構成されることによって、第１キャパシタＣ１の保存容量が向上する。これによって、第１キャパシタＣ１の面積を減少させることができるため、同一な面積に高解像度の有機発光表示装置１００３を形成することができる。
【０１１６】
一方、本発明の第３実施形態による有機発光表示装置１００３は、第１キャパシタＣ１が多層キャパシタで構成されているが、これに限定されず、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置では、第２キャパシタもさらに他のアクティブ電極を含む多層キャパシタで構成され得る。
【０１１７】
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、当業者によって特許請求の範囲の精神および技術的範囲に含まれる多様な変形および等価の形態で製造されうる。したがって、上記の実施形態は例示的なものであり、本発明をいかようにも限定するものではないことを理解しなければならない。
【符号の説明】
【０１１８】
ＧＩ１… 第１絶縁層
ＧＷ１…第１ゲート配線
ＧＩ２…第２絶縁層
ＧＷ２…第２ゲート配線
ＤＷ…データ配線
１５２…画素回路
ＯＬＥＤ…有機発光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図９】
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【図７】
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