(57)【要約】【課題】  基板の洗浄速度を速くして、処理時間を短縮する。【解決手段】  処理ヘッド２は、回転する基板Wが進入する進入口４ａと、回転する基板が退出する退出口４ｂと、この進入口４ａと退出口４ｂとの間に設けた処理液供給口８，９及び吸引口１０と、上記処理液供給口８，９から吸引口１０との間にあって上記基板の外周部分の被洗浄エリアが挿入される流体通路４ｃ，４ｄとを備え、上記処理液供給口８，９から導入された処理液と、上記吸引口１０の負圧によって処理ヘッド外から引き込まれた気体とを混合し、これら混合流体を上記吸引口１０から吸引する過程で、この混合流体を上記流体通路４ｃ，４ｄ内に流通させて基板を洗浄する基板処理装置において、上記吸引口１０を挟んだ両側それぞれに、少なくとも１以上の処理液供給口を配置した。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の外周部分を挿入可能にした処理ヘッドを有し、この処理ヘッドは、回転する基板が進入する進入口と、回転する基板が退出する退出口と、この進入口と退出口との間に設けた処理液供給口及び吸引口と、上記処理液供給口から吸引口との間にあって上記基板の外周部分の被洗浄エリアが挿入される流体通路とを備え、上記処理液供給口から導入された処理液と、上記吸引口の負圧によって処理ヘッド外から引き込まれた気体とを混合し、これら混合流体を上記吸引口から吸引する過程で、この混合流体を上記流体通路内に流通させて基板を洗浄する基板処理装置において、上記吸引口を挟んだ両側のそれぞれに、少なくとも１以上の処理液供給口を配置した基板処理装置。
【請求項２】
上記複数の処理液供給口には、それぞれ個別に供給流量制御手段を接続した請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記処理液供給口を、吸引口を挟んだ両側に対称に配置した請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
上記処理液供給口を、吸引口を挟んだ両側に非対称に配置した請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
上記流体通路中に、混合流体中の処理液を霧化させる霧化手段を設けた請求項１〜４のいずれか１に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハー等の各種基板の外周部を洗浄する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体は、その製造工程で、ウエハー基板の表面に各種の成膜を施す成膜工程、成膜した薄膜から不要な部分を除去するエッチング工程、基板の表面を洗浄する洗浄工程及び乾燥する乾燥工程等の各種工程を繰り返して、基板の表面に微細パターンを形成することによって形成される。
【０００３】
上記基板の表面は、不要な部分を除去したり、洗浄したりされるが、基板の外周部などに、不要な膜が形成されたままになることがある。これらの膜がめくれて剥離したりすると、異物として処理済の基板の表面に付着して、不良品の原因となる可能性がある。
そこで、異物が基板表面に付着しないように、基板の外周部を洗浄して、剥離した膜片などの異物を除去する装置として、例えば、特許文献１に記載された処理装置が従来から知られている。
【０００４】
上記特許文献１に記載の処理装置は、図４〜図６に示すように、基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させる回転テーブル１と、この基板Ｗの外周縁の一部に位置させるようにして外周部を洗浄する処理ヘッド２とを備えるとともに、これら回転テーブル１及び処理ヘッド２は、チャンバー３に収容されている。このチャンバー３は、その天井にチャンバー３内へ供給する気体をコントロールする図示していない空調機が設置されフィルター３ａを通して気体を供給し、下方に内部の気体を排出させる排気口３ｂが形成されている。
上記処理ヘッド２は、図４、図６に示すように回転テーブル１によって支持された基板Ｗの外周に沿って配置される。
【０００５】
そして、処理ヘッド２は、図５に示すように断面が矩形の空間４を有するとともに、この空間４内には、処理液を供給する処理液供給口５と、処理液などを吸引する吸引口６とを備えている。なお、上記処理液供給口５を、矢印Ａ方向（図４，図６参照）に回転する基板Ｗが空間４に進入する進入口４ａ側に設け、吸引口６を、回転する基板Ｗが退出する退出口４ｂ側に設けている。
また、上記処理ヘッド２は、空間４の開口に沿って一対の線状の突部２ａ，２ａを形成し、挿入される基板Ｗ側において空間４の内外を区画している。
さらに、上記処理液供給口５には、上記空間４に挿入された基板Ｗの被洗浄領域を洗浄するための各種処理液を供給する処理液供給装置を接続し、配管Ｄ１及びバルブＶ１を介して接続し、上記吸引口６には、吸引口６を負圧にして空間４内を吸引する吸引装置を配管Ｄ２及びバルブＶ２を介して接続している。
【０００６】
そして、上記空間４内に基板Ｗを挿入した状態で、上記バルブＶ２を開けて、吸引装置によって上記吸引口６から空間４内を吸引して負圧にすると、処理ヘッド２外から気体が引き込まれて高速気流が形成される。このとき、配管Ｄ１のバルブＶ１を開けると上記処理液供給口５から空間４内に処理液が導入され、その処理液が上記高速気流に、混合されて気液混合流体の流れが形成される。なお、上記混合流体の流れは吸引口６の負圧によって形成されるものであって、処理液供給口５に接続した供給手段が処理液を積極的に加圧しているわけではない。
この混合流体は、処理ヘッド２の空間４の内壁と基板Ｗとの隙間であって、上記処理液供給口５と吸引口６との間に対応する部分に形成される流体通路４ｃを流れるが、この流れによって、基板Ｗの外周部分の被洗浄エリアが洗浄される。
【０００７】
なお、図６において、矢印Ａは基板Ｗの回転方向であるが、他の矢印は流体の流れを示すものであり、破線の矢印は気体、実線は処理液及び混合流体を示している。
また、図中符号７は空間４内を流れる混合流体の流速を局所的に変化させるための突起である。このような突起７を形成して流速を変化させると、上記混合流体に含まれる処理液が霧化して、処理液を基板Ｗの被洗浄エリアに均一にいきわたらせることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−０９９６１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記のように、従来の基板処理装置は、処理ヘッド２内において、基板Ｗの進入口４ａ側に処理液供給口５を設け、退出口４ｂ側に吸引口６を設けて、吸引口６を負圧にすることによって、処理液供給口５から吸引口６までの間に処理液を含んだ混合流体の流れを形成している。そのため、空間４内に挿入された基板Ｗの外周部のうち、実際に処理液に接触するのは、処理液供給口５と吸引口６の間に対応する網かけで示した洗浄エリアＥ１のみである。しかし、基板Ｗを回転させることによって、この洗浄エリアＥ１が相対的に移動し、基板Ｗの全周にわたる被洗浄エリアが洗浄されることになる。
従って、基板Ｗを洗浄する処理速度は上記洗浄エリアＥ１の大きさに依存することになる。つまり、洗浄エリアＥ１の基板Ｗの外周に沿った長さを大きくすれば、処理速度を上げることができる。
【００１０】
しかし、上記洗浄エリアＥ１を形成する混合流体の流れは、上記したように吸引口６を負圧にすることによって形成されるため、上記洗浄エリア１Ｅを長くするために、処理液供給口５と吸引口６との距離をやたらに大きくすることはできない。なぜなら、処理液供給口５と吸引口６との距離が大きくなれば、基板の進入口４ａ及び退出口４ｂ以外の開口面積が広くなり、基板進入口４ａの気体流入量が減るので、距離が短い場合より基板進入口４ａでの流速が遅くなって、処理効率が落ちてしまうからである。また、吸引口６からの距離が長いことによる圧力損失の影響も大きくなってしまう。
この発明の目的は、上記洗浄エリアを大きくしつつ、処理効率を上げられる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、基板の外周部分を挿入可能な処理ヘッドを有し、この処理ヘッドは、回転する基板が進入する進入口と、回転する基板が退出する退出口と、この進入口と退出口との間に設けた処理液供給口及び吸引口と、上記処理液供給口から吸引口との間にあって上記基板の外周部分の被洗浄エリアが挿入される流体通路とを備え、上記処理液供給口から導入された処理液と、上記吸引口の負圧によって処理ヘッド外から引き込まれた気体とを混合し、これら混合流体を上記吸引口から吸引する過程で、この混合流体を上記流体通路内に流通させて基板を洗浄する基板処理装置を前提とする。
第１の発明は、上記基板処理装置を前提とし、上記吸引口を挟んだ両側それぞれに、少なくとも１以上の処理液供給口を配置したことを特徴とする。
なお、上記洗浄には、エッチング液を使用したウェットエッチングも含まれることにする。
また、上記吸引口の両側とは、基板の回転中心と吸引口の中心とを通る直線を境にして、基板の回転方向両側のことである
【００１２】
第２の発明は、上記複数の処理液供給口には、それぞれ個別に供給流量制御手段を接続したことを特徴とする。
第３の発明は、上記処理液供給口を、吸引口を挟んだ両側に対称に配置したことを特徴とする。
第４の発明は、上記処理液供給口を、吸引口を挟んだ両側に非対称に配置したことを特徴とする。
なお、吸引口を挟んだ両側に設けた処理液供給口が、上下位置が異なる場合も、非対称に配置したものに含まれる。
第５の発明は、上記流体通路中に、混合流体中の処理液を霧化させる霧化手段を設けたことを特徴とする。
なお、上記霧化手段による霧化とは、処理液を、数〔μｍ〕から数百〔μｍ〕の粒状にすることである。
【発明の効果】
【００１３】
第１〜第５の発明によれば、基板の回転方向にそって、吸引口の両側に処理液供給口を配置したので、処理液供給口と吸引口との相対的な距離を短くしながら、洗浄エリアを長く確保できる。また、上記のように処理液供給口と吸引口との相対的な距離を短くできるので、処理液供給口に対して、吸引口側の負荷を上げずにその吸引力を大きく保つことができる。
【００１４】
なお、従来の装置では、処理液供給口を設けていない側からは、気体のみが吸引口に吸い込まれることになるが、この発明では、従来の装置で気体のみを吸い込んでいた分の吸引力を、処理液の混合流体を吸い込む吸引力として利用できる。
このように、この発明では、単に処理液供給口と吸引口との距離を長くした場合とは違い、処理液供給口に対する吸引口側の吸引力を大きく保ちながら、両側から混合流体を吸い込み、基板の外周に沿って接触する処理エリアを長くして、効率的な処理が可能になる。
【００１５】
特に、第２の発明によれば、処理液供給口ごとに処理液の供給量を調整することができるため、処理ヘッド内の位置による処理液量のバランスを適宜設定して、被処理基板の特性に応じた処理が可能になる。
第３の発明によれば、吸引口の両側における洗浄エリアの長さを均等にすることができる。
第４の発明によれば、洗浄対象物の種類や付着している位置に応じて、混合流体中の処理液の粒径や洗浄エリアを変えて、異なる特性を出すことができる。
【００１６】
第５の発明によれば、混合流体中の処理液を、霧化することができ、混合流体中の処理液を吸入した高速流と同様の高速度で処理基板に衝突させることが可能になり、その衝撃で高い洗浄効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態の処理ヘッドに基板が挿入された状態の断面図である。
【図２】第１実施形態の処理ヘッドの側面図である。
【図３】第２実施形態の処理ヘッドに基板が挿入された状態の断面図である。
【図４】従来例の基板処理装置の概要図である。
【図５】従来例の処理ヘッドの側面図である。
【図６】従来例の処理ヘッドに基板が挿入された状態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下にこの発明の第１実施形態を示す。
図１、図２に示すこの第１実施形態の基板処理装置は、処理ヘッド２に設けた処理液供給口と吸引口の配置が、図４〜図６に示す従来の基板処理装置と異なるとともに、図２に示すように処理ヘッド２内の空間４の形状を上下において広さが不均一になるようにし、基板Ｗを挿入したとき、その下面の空間を上面側より大きくしている。このように、上下の空間の大きさを変えたのは、基板Ｗの上面側に比べて下面側の被洗浄領域を大きくするためであり、表面側では洗浄液が付着しないようにしたまま、裏面側は広い範囲を洗浄することが可能となる。但し、このような空間４の形状は、この発明の基板処理装置において必須の構成ではなく、上下において均等に空間を形成してもよい。
【００１９】
また、上記空間４を囲む突部２ａ，２ｂの対向間隔を狭くすることによって、基板Ｗの表面側からの気体の引き込み量が多くなりすぎないように制御している。このように、上記対向間隔からの気体の引き込み量を制御しているのは、基板Ｗ側からの引き込み量が多くなると、基板Ｗの進入口４ａや退出口４ｂ側からの引き込み量が少なくなって、基板Ｗの外周に沿った流体の流れを形成しにくくなるためである。
【００２０】
その他の構成は従来の装置と同じである。従って、従来と同じ構成要素には同じ符号を用い、以下には図４及び図５も参照しながら説明する。
また、この第１実施形態の基板処理装置の全体構成は図４に示す従来例と同じであり、処理ヘッド２の外観も図4に示す従来例と同じである。そこで、以下には、上記従来例と異なる点を中心に説明する。
【００２１】
第１実施形態の処理ヘッド２は、上記空間４内に、処理液を供給するための処理液供給口８，９と負圧を維持する吸引口１０とを設けている。これら、処理液供給口８，９と吸引口１０の配置は、図1に示すとおりであり、空間４のほぼ中央に上記吸引口１０を設けるとともに、この吸引口１０から両側に等距離の位置に処理液供給口８，９を配置している。これら処理液供給口８、９及び吸引口１０は、それぞれ処理液供給手段と、吸引手段に接続している（図１、図４参照）。
なお、上記空間４内であって、処理液供給口８，９と吸引口１０との間を流体通路４ｃ，４ｄとしている。
【００２２】
但し、この第１実施形態では、各処理液供給口８，９を、この発明の流量制御手段である流量制御バルブＶ３，Ｖ４を介して処理液供給装置に接続した配管Ｄ１に接続している。これらのバルブＶ３、Ｖ４の開度を個別に調整することによって、吸引口１０の負圧によって引き込まれる処理液の供給流量を、処理液供給口８，９ごとに制御することが可能である。つまり、上記流体通路４ｃ中の処理液量と流体通路４ｄ中の処理液量とを別々に制御できる。
なお、図１に示す第１実施形態では、上記処理液供給口８，９を、それぞれ流量制御バルブＶ３，Ｖ４を介して同じ配管Ｄ１に接続しているが、別々の配管を介して別々の処理液供給手段に接続してもよい。処理液供給手段を別にすれば、処理液供給口ごとに種類の異なる処理液を供給することもできる。
【００２３】
上記のように構成した処理ヘッド２に基板Ｗの外周部分を挿入した状態で、上記吸引口１０を吸引し、上記流体通路４ｃ，４ｄを負圧にしてバルブＶ３，Ｖ４を開くと、処理液供給口８，９から処理液が空間４に導入される。このように処理液が空間４に導入されると、吸引口１０の負圧によって処理ヘッド２外から引き込まれた気体と、上記処理液とが混合し、その混合流体が図示の矢印のように吸引口１０へ吸い込まれて流れを形成する。これにより、基板Ｗの外周部分の被洗浄エリアが処理液で洗浄される。
【００２４】
なお、上記流体通路４ｃ，４ｄでは、吸引口１０の負圧によって上記処理液供給口８，９から処理液を引き込んで気体と混合するのであって、処理液供給手段が、処理液を積極的に加圧して供給する必要はない。具体的には、処理液供給口８，９までの処理液供給通路間に設けた流量制御バルブＶ３，Ｖ４を開くだけで、吸引口１０の負圧によって処理ヘッド２内の空間４へ処理液を導入できる。また、上記流量制御バルブＶ３，Ｖ４の開度によって処理ヘッド２側へ引き込まれる流量を調整することもできる。
【００２５】
この第１実施形態において、処理液を含んだ混合流体が基板Ｗに接触する洗浄エリアは進入口４ａ側の処理液供給口８から退出口４ｂ側の処理液供給口９までであり、その長さは上記流体通路４ｃ，４ｄの長さの合計となる。そして、上記吸引口１０から処理液供給口８，９までの距離を、従来の吸引口６から処理液供給口５までの流体通路４ｃ距離と同等にすれば、この洗浄エリアＥ２は、従来の洗浄エリアＥ１の２倍の長さになる。このように、基板Wの外周部分において処理液が接触する長さを２倍にすれば、処理時間を半分にすることができる。
【００２６】
この第１実施形態のように、ひとつの処理ヘッド２内に、処理液供給口を２箇所に設けることによって処理液の供給量も多くなるが、供給量が２倍になったとしても、吸引口１０の吸引力を２倍にする必要はない。
その理由は、次のとおりである。
例えば、図１の処理液供給口９がなかった場合にも、吸引口１０が負圧になれば、処理ヘッド２外の気体は基板Ｗの退出口４ｂ側からも引き込まれる。このようにもともと退出口４ｂから吸引口１０の負圧によって引き込まれる気体の流れに処理液を混合することに、特別に大きなき吸引力を必要としない。上記処理液供給口９は、退出口４ｂよりも吸引口１０に近い位置にあるため、吸引口１０の負圧による吸引力が十分に作用する位置であり、その吸引力で大量の気体のみを引き込んでいた状態と比べて、少量の処理液を混合することは吸引エネルギーを効率的に利用することになる。
【００２７】
なお、この第１実施形態でも、上記空間４内の流体通路４ｃ，４ｄに、図６に示す従来例と同様の突起７を設け、混合流体の流れに変化を与え、処理液を霧化するようにしてもよい。その場合、上記突起７がこの発明の処理液を霧化させる霧化手段にあたる。霧化手段は突起に限らず、壁面に沿った流れを変化させるものならよく、例えば凹部などでもよい。
【００２８】
図３に示す第２実施形態は、処理液供給口１１，１２の位置が、第１実施形態の処理液供給口８，９とは異なるが、その他は図１の第１実施形態と同じである。
この第２実施形態の基板処理装置は、処理ヘッド２の上部に処理液供給口１１，１２を形成し、空間４に挿入された基板Ｗの上面から処理液を供給するようにしている。図３は、処理ヘッド２に挿入された基板Ｗの上面位置での断面図であり、図には、流体通路４ｃ，４ｄの基板Ｗより下方の部分のみが現れているが、基板Ｗの上方に位置する処理液供給口１１，１２は二点鎖線の仮想線で示している。
【００２９】
この第２実施形態においても、上記処理液供給口１１と１２とは、吸引口１０の両側に配置されているため、吸引口１０の両側に流体通路４ｃ，４ｄが形成され、基板Ｗの外周部分において洗浄液が接触する洗浄エリアＥ３は、吸引口の片側のみに処理液供給口を設けた従来の処理装置の流体通路４ｃのみと比べて長くなる。そのため、この基板処理装置を用いれば、従来よりも洗浄速度を早くして、処理時間を短縮することができる。
【００３０】
なお、吸引口及び処理液供給口の配置は、吸引口１０の両側に少なくとも一つの処理液供給口が設けられればよく、上記第１、第２実施形態のものに限らない。
上記吸引口の両側とは、基板Ｗの回転中心と吸引口１０とを通る直線Ｌを境にして、基板の回転方向両側のことである（図１，図３参照）。
【００３１】
特に、第１実施形態では、上記一対の処理液供給口８，９を、吸引口１０を中心に対称位置に設けたが、両側の処理液供給口８，９を必ずしも対称位置に設ける必要はない。上記実施形態のように対称位置に設ければ、吸引口１０を境にした両側の流体通路４ｃ，４ｄ内の混合流体の状態を同一にでき、同一条件の洗浄エリアの範囲を長くできる。
また、吸引口１０の両側に少なくとも一つの処理液供給口が設けられればよく、処理液供給口の数は、それぞれの側に１つとは限らない。例えば、吸引口１０を境にして片側に少なくとも１つの処理液供給口を設ければ、他方の側には複数の処理液供給口を設けてもかまわない。
【００３２】
例えば、図１の処理液供給口８と図３の処理液供給口１２とを配置してもよいし、処理液供給口９と１２、あるいは上記４つの処理液供給口８，９，１１，１２を全て設けてもよい。また、その他の組み合わせでもよい。
吸引口と処理液供給口との距離や配置、数が異なれば、処理液供給口それぞれからの混合流体の流速や向き、処理液の粒径なども異なり、洗浄力にも差がでると考えられるが、これらの要素は処理の目的に応じて決めることができる。
【００３３】
また、上記混合流体中の処理液の粒径は、上記吸引口および処理液供給口の配置だけでなく、吸引力や処理液供給量によっても変化する。さらに、上記突起７などの霧化手段によっても処理液の粒径を調整することができる。
処理液の粒径が大きければ、基板Ｗに接触したときの接触時間が長くなり、小さければ基板Ｗとの接触時間は短くなる。そのため、洗浄対象によって、処理液の接触時間を長くする必要がある場合には粒径を大きくし、接触時間が短時間で足りる場合には微粒化して用いることができる。また、処理液を微粒化すれば、広範囲に処理液を供給することができる。
【００３４】
例えば、基板Ｗの被洗浄領域で洗浄除去したい物質が、処理液との接触時間が長くなければ除去できない物質の場合、処理液の供給量を多くしたり、混合流体の流速を抑えたり、処理液の粒径を大きくしたりする条件を選択することができる。また、その反対に、処理液との接触時間が短くて足りる場合には、処理液の供給量を少なくしたり、混合流体の流速を上げたり、処理液の粒径を小さくしたりすることもできる。
また、吸引口１０の両側で供給する処理液の種類を変えて、一方の側で第１の処理液によって処理した基板Ｗを他方の側の別の処理液で処理することによって、洗浄処理を完結させることもできる。
【００３５】
さらにまた、上記第１、第２実施形態では、処理液供給口を基板Ｗの進入口４ａや退出口４ｂの近傍に設けているが、何れの処理液供給口も、基板Ｗの進入口４ａや退出口４ｂの近傍に設けなければならないということはない。但し、処理液供給口を、進入口４ａや退出口４ｂからあまり離れた位置に配置すると、流体通路以外の部分の長さが長くなるとともに、上記侵入口４ａ及び退出口４ｂから吸引口１０までの距離が相対的に長くなって、気体を引き込むために必要な吸引力が、処理液の吸引に有効に利用されないことになる。そのため、処理液供給口は、空間４の進入口４ａや退出口４ｂに近い位置に配置する方が好ましい。
【００３６】
なお、上記実施形態では、吸引口１０よりも退出口４ｂ側に処理液供給口が配置されるが、この処理液供給口から供給された処理液と気体との混合流体は、通常、数百〔ｍ／ｓｅｃ〕の高速で吸引口１０に引き込まれるようにしているので、退出口４ｂから退出する基板Ｗ上には処理液が残ることはほとんどない。つまり、吸引口１０よりも退出口４ｂ側に処理液供給口を設けたとしても、基板Ｗは、乾燥状態で処理ヘッド２に進入するとともに乾燥状態で退出し、処理ヘッド２外に処理液が飛散することはない。
【００３７】
また、上記第１、第２実施形態では、処理ヘッド２に設けた突部２ａ，２ｂの対向間隔を狭くして、基板Ｗの表面側からの気体の吸い込み量を少なくしている。上記突部２ａ，２ｂ間から吸い込む気体量を少なくできれば、基板の進入口４ａ及び退出口４ｂ側から吸い込まれる気体量が多くなり、基板Ｗの外周に沿った流れを形成し易くなる。
但し、上記突部２ａ，２ｂ間から処理ヘッド２の空間４内に流れ込む気流によって、空間４内の処理液が外部へ飛び出して、基板Ｗの表面を濡らしてしまうことを防止できるため、この方向の気流も必要である。この気流も、上記突部２ａ，２ｂの対向間隔や、対向長さを調整することなどによって設定可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
この発明は、外周部分の被洗浄エリアを洗浄する必要がある円盤状のさまざまな基板の外周部分の洗浄処理に適用可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１      回転テーブル
２      処理ヘッド
４      空間
４ａ    進入口
４ｂ    退出口
４ｃ    流体通路
４ｄ    流体通路
１０      吸引口
８，９，１１，１２      処理液供給口
【図１】
2013118205.tif 000003
【図２】
2013118205.tif 000004
【図３】
2013118205.tif 000005
【図４】
2013118205.tif 000006
【図５】
2013118205.tif 000007
【図６】
2013118205.tif 000008