(57)【要約】      （修正有）【課題】反り付け加工性の良好な、使用時におけるはんだ接合部の信頼性を高めたベース板用の銅或いは銅合金板及びその製造方法が提供される。【解決手段】導電率が９０％ＩＡＣＳ以上の銅或いは銅合金からなり、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の平均値（ＧＯＳ）が０．１１〜３．６２°であり、表面の｛５４１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ１）と｛５２１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ２）との比であるＩ１／Ｉ２が０．９〜７．０であり、ビッカース硬さ（ＨＶ）と結晶粒径（Ｄ）との比であるＨＶ／Ｄが１〜１５０である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電率が９０％ＩＡＣＳ以上の銅或いは銅合金からなり、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の平均値（ＧＯＳ）が０．１１〜３．６２°であり、表面の｛５４１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ１）と｛５２１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ２）との比であるＩ１／Ｉ２が０．９〜７．０であり、ビッカース硬さ（ＨＶ）と後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の結晶粒径（Ｄ）との比であるＨＶ／Ｄが１〜１５０であることを特徴とする反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板。
【請求項２】
前記結晶粒径（Ｄ）の結晶粒径分布図において、平均結晶粒径をＤ１とした時に、Ｄ１±０．５Ｄ１の範囲内の結晶粒径（Ｄ）の面積占有率が６０％を超えることを特徴とする請求項１に記載の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板。
【請求項３】
前記ベース板用銅或いは銅合金板の表面の表面粗さＲａが０．００５〜０．０９μｍであり、前記表面上にＮｉ系めっきが施されたことを特徴とする請求項１或いは２に記載の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板。
【請求項４】
前記ベース板用銅は、純度が９９．９６質量％以上である純銅からなることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板。
【請求項５】
前記ベース板用銅合金は、Ｚｒ；０．０１５〜０．０３質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板。
【請求項６】
前記ベース板用銅合金は、Ｆｅ；０．０５〜０．１５質量％、Ｐ；０．０１５〜０．０５質量％、Ｚｎ；０．０１〜０．２質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板。
【請求項７】
請求項１〜請求項６の何れか１項に記載の銅合金板の製造方法であって、溶解鋳造、熱間圧延、冷間圧延、酸洗処理、焼鈍、仕上げ冷間圧延をこの順で含む工程で銅或いは銅合金板を製造するに際して、圧延開始温度を９００℃以上として複数回の熱間圧延を行い、熱間圧延後に１パス当たりの加工率を３０〜６０％として複数回の冷間圧延を行い、前記銅或いは銅合金の再結晶温度をＴ１℃とし、焼鈍温度をＴ２℃とした場合に、１．２×Ｔ１≦Ｔ２なる温度で時間を３０〜３００秒として連続焼鈍を行うことを特徴とする反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板の製造方法。
【請求項８】
前記酸洗処理時の機械研磨を表面粒度が＃３２０〜＃６００の研磨ロールにて実施することを特徴とする請求項７に記載の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反り付け加工性、特に、反り付け加工後の寸法精度の公差が優れたベース板用銅或いは銅合金板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大規模集積回路（ＬＳＩ）等の発熱を伴う電子部品においては、電子部品を正常に動作させるために、熱を外部に放散させるベース板（ヒートシンク）が取り付けられる。このベース板の素材としては、熱伝導率が高く、軽量で加工性の良いアルミニウムや銅或いは銅合金が一般的に使用されている。また、ベース板は、半導体モジュールの組立過程や電気或いは電子機器としての使用中にできるだけ変形しないことが望まれるが、組立て時に、はんだ接合時の昇温で軟化して、０．２ ％ 耐力が低下し易く、半導体素子基板との熱膨張差に起因する「反り」が生じ易くなる。通常、この反り対策として、ベース板には、プレスなどによる反り付け加工にて、いわゆる「逆反り」を予め形成しておき、はんだ接合時に発生する反りを出来るだけ相殺する処置が施されている。
【０００３】
特許文献１には、パワー半導体モジュールやＩＣパッケージ等の組立工程において、接合後の平坦性に優れ、接合時や使用環境時のヒートサイクルによりはんだ接合部にクラックが発生せず、且つ、熱伝導、コスト的に優れた銅基合金製放熱板が開示されている。０．２％耐力が３００Ｎ／ｍｍ２ 以上で、４００℃で１０分間の加熱後の０．２％耐力が加熱前の０．２％耐力の９０％以上であり、熱伝導率が３５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素とＰとを合計で０．０１〜０．３％含有する銅基合金からなり、各辺の長さがそれぞれ１０〜２００ｍｍで、板厚が０．１〜５ｍｍである放熱板において、形状が曲率半径１００ｍｍ以上の湾曲状で、そり量をそれぞれ２００μｍ以下を与えることによって、組み立て工程後の平坦性に優れ、熱放散性を向上させることを特徴としている。
【０００４】
特許文献２では、Ｐｂフリーはんだで複数の半導体基板を接合した後の放熱板形状を安定して精度良くフラット化することのできる放熱板として、複数の半導体基板をはんだ接合により搭載するための銅または銅合金からなる放熱板であって、特定の式（ＲA≦ＲB＜ＲS、１０≦ＲA／（ＬA・ｔ）≦７０、１０≦ＲB／（ＬB・ｔ）≦７０、２００≦ＲS／（ＬS・ｔ）≦１００００）を満たすように、並設する半導体基板の搭載部分と、その間の部分とで曲率半径に差を付けて反り付けしたことを特徴とする半導体基板用放熱板を開示している。
【０００５】
特許文献３では、半導体モジュールの放熱板に好適な銅合金であって、特にＰbフリーはんだで接合した場合に放熱板の変形を抑制する効果の高い銅合金を開示している。質量％で、Ｎi：３〜１５％、Ｂ：３％以下、Ｃu、Ｎi、Ｂを除く元素の合計：３％以下、残部Ｃu、かつ、Ｎi／Ｂ≦７の組成をもち、Ｃuマトリックス中のＮｉ濃度が２.５質量％以下である銅合金である。特性としては、熱伝導率２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、熱膨張係数１６．６×１０−６ ／Ｋ以下、０.２％耐力２７０Ｎ／ｍｍ２ 以上、耐熱温度２７０℃以上を有する。この合金は、１０％以上の冷間圧延が施された冷間圧延材に、４００〜９００℃の温度範囲で時効析出を伴う焼鈍を施してＣuマトリックス中のＮi濃度を２.５質量％以下とし、次いで５〜４０％の仕上げ圧延を行う方法で製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−６８９４９号公報
【特許文献２】特開２００７−８８０４５号公報
【特許文献３】特開２００６−１０４４９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の銅或いは銅合金のベース板では、反り付け加工性、特に、反り付け加工後の寸法精度の公差のばらつきが大きく、使用時におけるはんだ接合部の信頼性に不安が見られていた。
【０００８】
本発明では、上述の欠点を解決し、反り付け加工性の良好な、使用時におけるはんだ接合部の信頼性を高めたベース板用の銅或いは銅合金板及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、鋭意検討の結果、導電率が９０％ＩＡＣＳ以上のベース板用の銅或いは銅合金板は、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の平均値（ＧＯＳ）が０．１１〜３．６２°であり、表面の｛５４１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ１）と｛５２１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ２）との比であるＩ１／Ｉ２が０．９〜７．０であり、ビッカース硬さ（ＨＶ）と後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の結晶粒径（Ｄ）との比であるＨＶ／Ｄが１〜１５０であると、良好な反り付け加工性を示すことを見出した。
更に、この良好な反り付け加工性を有するベース板用の銅或いは銅合金板は、溶解鋳造、熱間圧延、冷間圧延、酸洗処理、焼鈍、仕上げ冷間圧延をこの順で含む工程で製造され、圧延開始温度を９００℃として複数回の熱間圧延を行い、熱間圧延後に１パス当たりの加工率を３０〜６０％として複数回の冷間圧延を行い、銅或いは銅合金の再結晶温度をＴ１℃とし、焼鈍温度をＴ２℃とした場合に、１．２×Ｔ１≦Ｔ２なる温度で時間を３０〜３００秒として連続焼鈍を行うことにより、製造されることも見出した。
【００１０】
即ち、本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板は、導電率が９０％ＩＡＣＳ以上の銅或いは銅合金からなり、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の平均値（ＧＯＳ）が０．１１〜３．６２°であり、表面の｛５４１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ１）と｛５２１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ２）との比であるＩ１／Ｉ２が０．９〜７．０であり、ビッカース硬さ（ＨＶ）と後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の結晶粒径（Ｄ）との比であるＨＶ／Ｄが１〜１５０であることを特徴とする。
【００１１】
反り付け加工は、長方形状の銅或いは銅合金板のベース板にプレス加工にて、長辺側及び短辺側に所定の寸法量にてなされることが多く、その導電率が９０％ＩＡＣＳ以上のベース板の（１）後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の平均値（ＧＯＳ）が０．１１〜３．６２°であり、（２）表面の｛５４１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ１）と｛５２１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ２）との比であるＩ１／Ｉ２が０．９〜７．０であり、（３）ビッカース硬さ（ＨＶ）と後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒径（Ｄ）との比であるＨＶ／Ｄが１〜１５０であることにより、反り付け加工後の寸法精度の公差のばらつきが小さくなり、使用時におけるはんだ接合部の信頼性を高めることができる。
上記の（１）〜（３）の条件のうち、何れか一つが外れても、反り付け加工後の寸法精度の公差のばらつきは小さくならない。
【００１２】
更に、本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板は、前記結晶粒径（Ｄ）の結晶粒径分布図において、平均結晶粒径をＤ１とした時に、Ｄ１±０．５Ｄ１の範囲内の結晶粒径（Ｄ）の面積占有率が６０％を超えることを特徴とする。
ベース板用の銅或いは銅合金板における、結晶粒径（Ｄ）の結晶粒径分布図において、平均結晶粒径をＤ１とした時に、Ｄ１±０．５Ｄ１の範囲内の結晶粒径（Ｄ）の面積占有率が６０％を超えることにより、反り付け加工後の寸法精度の公差のばらつきを更に小さくすることができる。
【００１３】
更に、本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板は、前記ベース板用銅或いは銅合金板の表面の表面粗さＲａが０．００５〜０．０９μｍであり、前記表面上にＮｉ系めっきが施されたことを特徴とする。
ベース板用の銅或いは銅合金板における、表面の表面粗さＲａが０．００５〜０．０９μｍであることにより、その表面に良好なＮｉ系めっきを施すことができ、使用時におけるはんだ接合部の信頼性が更に増加する。表面粗さＲａが０．００５μｍ未満では、効果は見られず、０．０９μｍを超えると、めっきの付着性や均質性が悪くなる。
【００１４】
更に、本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板は、前記ベース板用銅は、純度が９９．９６質量％以上である純銅からなることを特徴とする。
純度が９９．９６質量％以上である純銅、例えば、三菱伸銅（株）製合金名「ＯＦＣ」は、導電率が高く、加工性も良好であり、本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅に好適である。
【００１５】
更に、本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板は、前記ベース板用銅合金は、Ｚｒ；０．０１５〜０．０３質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる組成を有することを特徴とする。
Ｚｒ；０．０１５〜０．０３質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる組成を有する銅合金板、例えば、三菱伸銅（株）製合金名「ＺＣ」は、導電率が高く、純銅より高い強度を有しており、弾性係数が高く、本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅合金に好適である。
【００１６】
更に、本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板は、前記ベース板用銅は、Ｆｅ；０．０５〜０．１５質量％、Ｐ；０．０１５〜０．０５質量％、Ｚｎ；０．０１〜０．２質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる組成を有することを特徴とする。
Ｆｅ；０．０５〜０．１５質量％、Ｐ；０．０１５〜０．０５質量％、Ｚｎ；０．０１〜０．２質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる組成を有する銅合金板、例えば、三菱伸銅（株）製合金名「ＴＡＭＡＣ４」は、導電率が高く、純銅より高い強度を有しており、耐熱性に優れており、本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅合金に好適である。
【００１７】
本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板の製造方法は、溶解鋳造、熱間圧延、冷間圧延、酸洗処理、焼鈍、仕上げ冷間圧延をこの順で含む工程で銅或いは銅合金板を製造するに際して、圧延開始温度を９００℃以上として複数回の熱間圧延を行い、熱間圧延後に１パス当たりの加工率を３０〜６０％として複数回の冷間圧延を行い、前記銅或いは銅合金の再結晶温度をＴ１℃とし、焼鈍温度をＴ２℃とした場合に、１．２×Ｔ１≦Ｔ２なる温度で時間を３０〜３００秒として連続焼鈍を行うことを特徴とする。
熱間圧延、冷間圧延、焼鈍を上記の条件で実施することにより、結晶組織が微細化され、導電率が９０％ＩＡＣＳ以上のベース板の（１）後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の平均値（ＧＯＳ）が０．１１〜３．６２°であり、（２）表面の｛５４１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ１）と｛５２１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ２）との比であるＩ１／Ｉ２が０．９〜７．０であり、（３）ビッカース硬さ（ＨＶ）と後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒径（Ｄ）との比であるＨＶ／Ｄが１〜１５０となり、反り付け加工後の寸法精度の公差のばらつきが小さくなり、使用時におけるはんだ接合部の信頼性が高まる。
【００１８】
本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅或いは銅合金板の製造方法は、前記酸洗処理時の機械研磨を表面粒度が＃３２０〜＃６００の研磨ロールで実施することを特徴とする。
酸洗処理時の機械研磨を表面粒度が＃３２０〜＃６００の研磨ロールで実施することにより、ベース板用銅或いは銅合金板の表面の表面粗さＲａが０．００５〜０．０９μｍとなり、その表面に良好なＮｉ系めっきを施すことが可能となり、使用時におけるはんだ接合部の信頼性が更に増加する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明により、反り付け加工性の良好な、使用時におけるはんだ接合部の信頼性を高めたベース板用の銅或いは銅合金板及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明のベース板用銅或いは銅合金板の一実施対応例の長さ及びそり量を記入した平面図及び側面図である。
【図２】本発明のベース板用銅或いは銅合金板の一実施対応例の結晶粒径分布図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明のベース板用銅或いは銅合金板の一実施形態につき、図１を参照に説明する。
本発明の導電率が９０％ＩＡＣＳ以上のベース板用銅或いは銅合金板１は、Ｘ方向にｄｘ、Ｙ方向にｄｙの反り量を有している。
その材質としては、銅板であるなら、純度が９９．９６質量％以上である純銅からなることが好ましく、例えば、三菱伸銅（株）製合金名「ＯＦＣ」は、導電率が高く、加工性も良く、本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅板に適している。また、銅合金板であるなら、（１）Ｚｒ；０．０１５〜０．０３質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる組成を有することが好ましく、例えば、三菱伸銅（株）製合金名「ＺＣ」は、導電率が高く、純銅より高い強度を有しており、弾性係数が高く、本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅合金板に適している。また、他の銅合金として、（２）Ｆｅ；０．０５〜０．１５質量％、Ｐ；０．０１５〜０．０５質量％、Ｚｎ；０．０１〜０．２質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる組成を有することが好ましく、例えば、三菱伸銅（株）製合金名「ＴＡＭＡＣ４」は、導電率が高く、純銅より高い強度を有しており、耐熱性に優れているので、本発明の反り付け加工性に優れたベース板用銅合金板に適している。
【００２２】
ベース板用銅或いは銅合金板１は、導電率が９０％ＩＡＣＳ以上であり、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の平均値（ＧＯＳ）が０．１１〜３．６２°であり、表面の｛５４１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ１）と｛５２１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ２）との比であるＩ１／Ｉ２が０．９〜７．０であり、ビッカース硬さ（ＨＶ）と後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒径（Ｄ）との比であるＨＶ／Ｄが１〜１５０である。
反り付け加工は、長方形状の銅或いは銅合金板のベース板にプレス加工にて、長辺側及び短辺側に所定の寸法量にてなされることが多く、その導電率が９０％ＩＡＣＳ以上のベース板の（１）後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の平均値（ＧＯＳ）が０．１１〜３．６２°であり、（２）表面の｛５４１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ１）と｛５２１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ２）との比であるＩ１／Ｉ２が０．９〜７．０であり、（３）ビッカース硬さ（ＨＶ）と後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒径（Ｄ）との比であるＨＶ／Ｄが１〜１５０であることにより、反り付け加工後の寸法精度の公差のばらつきが小さくなり、使用時におけるはんだ接合部の信頼性を高めることができる。
上記の（１）〜（３）の条件のうち、何れか一つが外れても、反り付け加工後の寸法精度の公差のばらつきは小さくならない。
【００２３】
更に、図２に示すように、ベース板用銅或いは銅合金板１は、結晶粒径（Ｄ）の結晶粒径分布図において、平均結晶粒径をＤ１とした時に、Ｄ１±０．５Ｄ１の範囲内の結晶粒径（Ｄ）の面積占有率が６０％を超えることを特徴とする。
ベース板用の銅或いは銅合金板における、図２の結晶粒径（Ｄ）の結晶粒径分布図において、平均結晶粒径をＤ１とした時に、Ｄ１±０．５Ｄ１の範囲内の結晶粒径（Ｄ）の面積占有率が６０％を超えることにより、反り付け加工後の寸法精度の公差のばらつきを更に小さくすることができる。
また、ベース板用銅或いは銅合金板１は、その表面の表面粗さＲａが０．００５〜０．０９μｍであり、その板面上にＮｉ系めっきが施されていても良い。表面の表面粗さＲａが０．００５〜０．０９μｍであることにより、その表面に良好な性状のＮｉ系めっきを施すことができ、使用時におけるはんだ接合部の信頼性が更に増加する。表面粗さＲａが０．００５μｍ未満では、効果は見られず、０．０９μｍを超えると、めっき付着性や均質性が悪くなる。
【００２４】
次に、本発明のベース板用銅或いは銅合金板１の製造方法につき説明する。
ベース板用銅或いは銅合金板１は、溶解鋳造、熱間圧延、冷間圧延、酸洗処理、焼鈍、仕上げ冷間圧延をこの順で含む工程にて、熱間圧延開始温度を９００℃以上として複数回の熱間圧延を行い、熱間圧延後に１パス当たりの加工率を３０〜６０％として複数回の冷間圧延を行い、この冷間圧延後の銅或いは銅合金の再結晶温度をＴ１℃とし、焼鈍温度をＴ２℃とした場合に、１．２×Ｔ１≦Ｔ２なる温度で時間を３０〜３００秒として連続焼鈍を行うことにより製造される。
熱間圧延、冷間圧延、焼鈍を上記の条件で実施することにより、導電率が９０％ＩＡＣＳ以上のベース板用銅或いは銅合金板１における、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の平均値（ＧＯＳ）が０．１１〜３．６２°となり、表面の｛５４１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ１）と｛５２１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ２）との比であるＩ１／Ｉ２が０．９〜７．０となり、ビッカース硬さ（ＨＶ）と後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒径（Ｄ）との比であるＨＶ／Ｄが１〜１５０となり、反り付け加工後の寸法精度の公差のばらつきが小さくなり、使用時におけるはんだ接合部の信頼性を高めることができる。
熱間圧延開始温度、複数回の熱間圧延、冷間圧延の条件の何れか一つが外れても、銅或いは銅合金板の結晶組織は、前述の様にはならない。
また、酸洗処理は、酸洗いと機械研磨とが施されるが、その時の機械研磨を表面粒度が＃３２０〜＃６００の研磨ロールで実施することにより、表面の表面粗さＲａが０．００５〜０．０９μｍとなり、その表面に良好なＮｉ系めっきを施すことができ、使用時におけるはんだ接合部の信頼性が更に増加する。
【実施例】
【００２５】
銅素材として、三菱伸銅（株）製合金名「ＴＣ」（純度が９９．９質量％以上であるタフピッチ銅）、三菱伸銅（株）製合金名「ＯＦＣ」（純度が９９．９６質量％以上である純銅）、銅合金素材として、三菱伸銅（株）製合金名「ＺＣ」（Ｚｒ；０．０１５〜０．０３質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物）、「ＴＡＭＡＣ４」（Ｆｅ；０．０５〜０．１５質量％、Ｐ；０．０１５〜０．０５質量％、Ｚｎ；０．０１〜０．２質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物）を使用し、溶解鋳造、表１に示す条件にて、熱間圧延、冷間圧延、酸洗処理、焼鈍、仕上げ冷間圧延をこの順で実施し、実施例１〜１０、比較例１〜１０の長さ１００ｍｍ×幅４０ｍｍ×板厚３ｍｍのベース板用銅或いは銅合金板を作製した。
なお、冷間圧延後の各銅素材の再結晶温度は、タフピッチ銅が２７０℃、「ＯＦＣ」が２７０℃、「ＺＣ」が５５０℃、「ＴＡＭＡＣ４」が５２０℃である。
【００２６】
【表１】
2013142162.tif 000002
【００２７】
これらの試料につき、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の平均値（ＧＯＳ）、結晶粒径（Ｄ）、Ｘ線回折装置にて｛５４１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ１）と｛５２１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ２）、ビッカース硬さ（ＨＶ）、導電率を測定した。
全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の平均値（ＧＯＳ）は、次のようにして求めた。
前処理として、１０ｍｍ×１０ｍｍの試料を１０％硫酸に１０分間浸漬した後、水洗、エアブローにより散水した後に、散水後の試料を日立ハイテクノロジーズ社製フラットミリング（イオンミリング）装置で、加速電圧５ｋＶ、入射角５°、照射時間１時間にて表面処理を施した。
次に、ＴＳＬ社製ＥＢＳＤシステム付きの日立ハイテクノロジーズ社製走査型電子顕微鏡Ｓ−３４００Ｎでその試料表面を観察した。観察条件は、加速電圧２５ｋＶ、測定面積１５０μｍ×１５０μｍとした。
観察結果より、全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の平均値は次の条件にて求めた。
ステップサイズ０．５μｍにて、測定面積範囲内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなした。次に、結晶粒界で囲まれた個々の結晶粒の全てについて、結晶粒内の全ピクセル間の方位差の平均値（ＧＯＳ：Ｇｒａｉｎ  Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  Ｓｐｒｅａｄ）を数１の式にて計算し、その全ての値の平均値を全結晶粒における結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差とした。なお、２ピクセル以上が連結しているものを結晶粒とした。
【００２８】
【数１】
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【００２９】
上式において、ｉ、ｊは結晶粒内のピクセルの番号を示す。
ｎは結晶粒内のピクセル数を示す。
αijはピクセルｉとｊの方位差を示す。
【００３０】
結晶粒径（Ｄ）は、次のようにして求めた。
前処理として、１０ｍｍ×１０ｍｍの試料を１０％硫酸に１０分間浸漬した後、水洗、エアブローにより散水した後に、散水後の試料を日立ハイテクノロジーズ社製フラットミリング（イオンミリング）装置で、加速電圧５ｋＶ、入射角５°、照射時間１時間にて表面処理を施した。
次に、ＴＳＬ社製ＥＢＳＤシステム付きの日立ハイテクノロジーズ社製走査型電子顕微鏡Ｓ−３４００Ｎでその試料表面を観察した。観察条件は、加速電圧２５ｋＶ、測定面積１５０μｍ×１５０μｍとした。
観察結果より、結晶粒径は次の条件にて求めた。
ステップサイズ０．５μｍにて、測定面積範囲内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が１０°以上である境界を結晶粒界とみなし、各結晶の粒径（Ｄ）を測定し、更に、その結晶粒径分布図を求めた。
｛５４１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ１）と｛５２１｝結晶面のＸ線回折強度（Ｉ２）は、次のようにして求めた。
銅合金板材の板面（圧延面）を＃１５００耐水ペーパーで研磨仕上げした試料を用意し、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて、Ｍｏ−Ｋα線、管電圧２０ｋＶ、管電流２ｍＡの条件で、試料の研磨仕上げ面について｛５４１｝面のＸ線回折強度と｛５２１｝面のＸ線回折強度Ｉ｛２２０｝を測定した。
ビッカース硬さの測定は、マイクロビッカース硬度計にて、４．９Ｎ（０．５ｋｇｆ）の加重を加えて行った。
導電率の測定は、ＪＩＳＨ０５０５の導電率測定方法に従って測定した。
その結果を表２に示す。
更に、これらの試料につき、プレス加工にて、図１に示す様な長辺側Ｘ＝１００ｍｍ、短辺側Ｙ＝５０ｍｍの長方形で、長辺側に反り量目標値ｄｘ＝＋０．３ｍｍ、短辺側に反り量目標値ｄｙ＝＋０．１５ｍｍであるベース板を各々１０枚作製し、そのｄｘ、ｄｙの寸法公差のばらつきを測定した。
反り量はダイヤルゲージにて測定した。
その結果を表２に示す。
【００３１】
【表２】
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【００３２】
これらの結果より、本発明のベース板用の銅或いは銅合金板は、反り付け加工後の寸法精度の公差のばらつきが小さく、使用時におけるはんだ接合部の信頼性が高いことがわかる。
また、実施例３、４と比較例３、４の試料につき、次のようにＮｉめっき密着性試験を行った。
試験材に前処理として２Ａ×３０秒の電解脱脂を施し、純水で洗浄し、次いで１０％ 硫酸を用いて１０秒の酸洗を行い、純水で洗浄した。その後、２Ａ×１２０秒の通電により厚さ１．５μｍＮiめっきを行った。めっき浴はスルファミン酸Ｎi浴を用い、純Ｎi板を試験材の表面に対向するように設置して行った。試験材は全体がめっき浴中に浸漬するようにした。めっき後の試験片を大気中３００℃×５分の加熱処理に供した後、試験材の底辺側の端部から１０ｍｍの位置について切断・樹脂埋めを行い、断面観察（光学顕微鏡３００倍）を行った。その結果、実施例３、４には、母材とめっき層との間に空隙が観察されず、比較例３、４には、母材とめっき層との間に空隙が観察された
この結果より、本発明のベース板用の銅或いは銅合金板は、その表面に良好なＮｉ系めっきを施すことができ、使用時におけるはんだ接合部の信頼性が更に増加することがわかる。
【００３３】
以上、本発明の実施形態であるめっき付銅条材の製造方法について説明したが、本発明はこの記載に限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００３４】
１  ベース板用銅或いは銅合金板
ｄｘ  Ｘ方向の反り
ｄｙ  Ｙ方向の反り
【図１】
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【図２】
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