(57)【要約】【課題】チップの反りを抑制する半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】集積回路が表面に設けられたチップの側面に側面接着部材を形成する側面接着部材の形成工程と、前記チップの裏面に配置された裏面接着部材を介して前記チップをチップ搭載基板に押圧しながら前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に押圧して前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に接着する第１の接着工程と、前記第１の接着工程の後に前記裏面接着部材を加熱して前記チップ搭載基板に前記チップを接着する第２の接着工程とを有すること。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路が表面に設けられたチップの側面に、側面接着部材を形成する側面接着部材の形成工程と、
前記チップの裏面に配置された裏面接着部材を介して前記チップをチップ搭載基板に押圧しながら、前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に押圧して前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に接着する第１の接着工程と、
前記第１の接着工程の後に、前記裏面接着部材を加熱して、前記チップ搭載基板に前記チップを接着する第２の接着工程とを
有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の接着工程の後に、前記側面接着部材を取り除くことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記側面接着部材の形成工程は、前記チップの側面に接する樹脂配置領域に熱硬化性樹脂を配置した後、前記熱硬化性樹脂を半硬化させて前記チップの側面に前記側面接着部材を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記チップは、１０μｍ以上１００μｍ以下の厚さを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
集積回路が表面に設けられたチップと、
前記チップが搭載されたチップ搭載基板と、
前記チップの裏面に設けられ、前記チップを前記チップ搭載基板に接着する裏面接着部材と、
前記半導体チップの側面に設けられ、前記チップを前記チップ搭載基板に接着する側面接着部材とを
有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、半導体チップと、半導体チップが搭載されたチップ搭載基板とを有している。半導体チップは、接着部材によりチップ搭載基板に接着される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３２６２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体装置の小型化や半導体チップのスタック化に伴い、半導体チップは薄層化している。半導体チップは、薄層化されると反りやすくなる。このようなチップをチップ搭載基板に密着させることは困難であり、ボンディングワイヤのショートやチップクラック等の問題が生じている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の問題を解決するために、本製造方法の一観点によれば、集積回路が表面に設けられたチップの側面に側面接着部材を形成する側面接着部材の形成工程と、前記チップの裏面に配置された裏面接着部材を介して前記チップをチップ搭載基板に押圧しながら前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に押圧して前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に接着する第１の接着工程と、前記第１の接着工程の後に前記裏面接着部材を加熱して前記チップ搭載基板に前記チップを接着する第２の接着工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。 
【発明の効果】
【０００６】
実施の形態によれば、薄層化されたチップの反りを抑制する半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図２】実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図３】実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図４】実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図５】側面接着部材が形成されたチップの構成図である。
【図６】コレットの構成図である。
【図７】図２に示す工程を説明する平面図である。
【図８】側面接着部材を用いない半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図９】側面接着部材を用いない半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図１０】側面接着部材の変形例を説明する図である。
【図１１】側面接着部材の変形例を説明する図である。
【図１２】図１を参照して説明した側面接着部材の製造方法を説明する平面図である。
【図１３】コレットの変形例の下面図である。
【図１４】実施の形態２の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図１５】実施の形態２の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図１６】チップの部分断面図の一例である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０００９】
（実施の形態１）
図１乃至４は、本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【００１０】
（１）側面接着部材の形成工程（図１（ａ）〜（ｄ））
集積回路（図示せず）が表面に形成されたウエハー状の半導体基板（例えば、シリコン基板）２の裏面にダイシングフィルム４を貼り付けた後、この半導体基板２をブレード６で切断する（図１（ａ）参照）。これにより、集積回路が表面に形成された複数のチップ８が形成される。チップ８の厚さは、例えば１０μｍ以上１００μｍ以下である。尚、図１（ａ）乃至（ｄ）には、ウエハー状の半導体基板２の一部が示されている。
【００１１】
半導体基板２の切断により、各チップ８の間には、ブレード６と略同じ幅の溝１０が形成される（図１（ｂ）参照）。この溝１０に、例えばスピンコートまたは真空印刷によりペースト状の熱硬化性接着部材１２（例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂）を充填する。
【００１２】
この熱硬化性接着部材１２を加熱して、半硬化接着部材１４を形成する。半硬化接着部材１４は、ペースト状の熱硬化性接着部材に含まれる低分子量の化合物が加熱処理により高分子に変化する途中の中間物である。半硬化接着部材は、熱硬化性接着部材を短時間加熱して形成される所謂Ｂ−ステージの熱硬化性樹脂である。
【００１３】
この半硬化接着部材１４の中央部を、図１（ｃ）に示すように、半導体基板２の切断に用いたブレード６より幅の狭いブレード１６で切断する。これにより、図１（ｄ）に示すように、チップ８の側面に固形接着部材１８（以下、側面接着部材と呼ぶ）が形成される。以上の説明から明らかなように、側面接着部材１８は、チップ８の側面に接着されている。
【００１４】
図５（ａ）は、側面接着部材１８が形成されたチップ８の平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のVB-VB線に沿った断面図である。
【００１５】
チップ８の表面２０（図５（ｂ）参照）には、集積回路が形成されている。更に、このチップ８の表面２０には、図５（ａ）に示すように、チップ８の外周に沿って複数の電極パッド２２が設けられている。表面２０の下側の領域は、分割された半導体基板２ａである。
【００１６】
更に、集積回路の表面２０には、ポリイミド等の保護膜（図示せず）が設けられている。電極パッド２２上のポリイミド膜は除去され、ボンディングワイヤが接続されるようになっている。尚、図５（ｂ）以外の図面では、集積回路の表面２０は省略されている。
【００１７】
（２）第１の接着工程（図２（ａ）〜（ｃ））
次に、図２（ａ）に示すように、チップ搭載基板（例えば、ガラスエポキシ基板やセラミック基板）２４をダイボンダー（図示せず）にセットする。このチップ搭載基板２４のチップ搭載領域に、接着部材２６（以下、裏面接着部材と呼ぶ）を塗布する。裏面接着部材２６は、例えばペースト状のエポキシ樹脂（または、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂など）である。
【００１８】
次に、チップ８をダイシングフィルム４から取り外し、図２（ａ）に示すように、ダイボンダーのコレット２８に吸着する。図６（ａ）は、コレット２８の下面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のVIB-VIB線に沿った断面図である。
【００１９】
図６（ａ）に示すように、コレット２８は、枠状突出部３０と、枠状突出部３０の外周に接する複数の突起部３２とを有している。枠状突出部３０の内側には、排気口３４が設けられている。この排気口３４から、枠状突出部３０内の空気が排気される。これにより、チップ８がコレット２８に吸着される。枠状突出部３０の外縁は、チップ８の外縁に略一致するように設定されている。
【００２０】
図６（ｂ）に示すように、突起部３２は、枠状突出部３０より更に突出している。図２（ａ）に示すように、この突起部３２に側面接着部材１８が接触した状態で、チップ８はコレット２８に吸着される。
【００２１】
図７は、図２に示す工程を説明する平面図である。図７（ａ）は、コレット２８によってチップ搭載基板２４の上方に配置されたチップ８を見た図である。図７（ａ）は、図２（ａ）に対応している。
【００２２】
図２（ａ）および図７（ａ）に示すように、チップ８はコレット２８に吸着され、裏面接着部材２６の真上に配置される。
【００２３】
次に、図２（ｂ）に示すように、ダイボンダーに内蔵されたヒータ３６でコレット２８を加熱しながら、チップ８をチップ搭載基板２４に押圧する。これにより、チップ８は、その裏面に配置された裏面接着部材２６を介して押圧される。この時、裏面接着部材２６が、チップ８とチップ搭載基板２４の間を満たすように押し広げられる。尚、コレット２８の加熱温度は、例えば１００〜１５０℃である。
【００２４】
図７（ｂ）は、チップ８が、チップ搭載基板２４に接触した直後の状態を示している。図７（ｂ）は、図２（ｂ）に対応している。
【００２５】
チップ８がコレット２８に吸着されると、側面接着部材１８と突起部３２の接触部３８の温度が上昇する（図７（ｂ）参照）。すると、接触部３８の側面接着部材１８が軟化し、そのタック性（粘着性）が高くなる。このタック性が高くなった側面接着部材１８がチップ搭載基板２４に押圧され、接触部３８の側面接着部材１８がチップ搭載基板２４に接着される。
【００２６】
これによりチップ８は、側面接着部材１８を介して、チップ搭載基板２４に仮接着される。この接着は一時的なものであり、側面接着部材１８は、後述する樹脂封止工程の前に除去される。尚、以上の説明から明らかなように、チップ８の押圧と側面接着部材１８の押圧は、略同時に進行する。
【００２７】
図２（ｃ）に示すように、チップ８は所定の荷重まで押圧された後、コレット２８から分離される。押圧時間は、例えば０.５〜１.０秒である。
【００２８】
図７（ｃ）は、コレット２８から分離されたチップ８および側面接着部材１８を示している。図７（ｃ）は、図２（ｃ）に対応している。側面接着部材１８は、半硬化性樹脂である。したがって、側面接着部材１８は、コレット２８の突起部３２で押圧されると、例えば図７（ｃ）に示すように変形する。
【００２９】
図１６は、チップ８の部分断面図の一例である。図１６に示すように、チップ８は、例えばＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）絶縁膜６０によって周囲を囲われた半導体素子６２と、複数の層間絶縁膜６４と、層間絶縁膜６４に埋め込まれた配線６６およびプラグ６８を有している。
【００３０】
この層間絶縁膜６４等の部材は、高温で形成される。このためチップ８には、表面２０と半導体基板２の熱膨張係数の違いにより内部応力（以下、チップ内応力と呼ぶ）が発生する。一方、チップ８の厚さは、上述したように極めて薄い（１０〜１００μｍ）。このためチップ８は、チップ内応力によって容易に反り返る。
【００３１】
本実施の形態では、図２（ｃ）に示すように、側面接着部材１８によりチップ８がチップ搭載基板２４に仮接着される。このためチップ８がコレット２８から分離された後も、チップ８の形状は平坦に保たれる。
【００３２】
（３）第２の接着工程（図３（ａ））
次に、チップ８が接着されたチップ搭載基板２４を、ヒータ３６を有する恒温槽４０にセットする。この恒温槽４０を用いて、裏面接着部材２６を加熱する。加熱温度および加熱時間は、例えば１００〜１５０℃および２時間程度である。
【００３３】
この加熱処理によって、裏面接着部材２６が硬化する。硬化した裏面接着部材２６ａにより、チップ８はチップ搭載基板２４に強く接着される。
【００３４】
加熱処理の間、チップ８の側面は、側面接着部材１８によりチップ搭載基板２４に仮接着されている。このためチップ８は平坦な形状を保ったまま、チップ搭載基板２４に接着される。
【００３５】
（４）側面接着部材の剥離工程（図３（ｂ））
次に、図３（ｂ）に示すように、側面接着部材１８をチップ搭載基板２４およびチップ８から剥離する。
【００３６】
（５）ボンディング工程（図３（ｃ））
次に、チップ搭載基板２４の表面に設けられた電極パッド（図示せず）とチップ８の電極パッド２２を、ボンディングワイヤ４２で接続する。チップ８が平坦なので、ボンディングワイヤ４２とチップ８の外周部が接触して、ショートすることはない。
【００３７】
（６）封止工程および半田ボール形成工程（図４（ａ）〜（ｂ））
その後、チップ８およびボンディングワイヤ４２をモールド樹脂４４で封止する。この際図４（ａ）に示すように、金型（図示せず）に充填されたモールド樹脂４４を恒温槽４０で加熱して硬化させる。
【００３８】
最後に、図４（ｂ）に示すように、チップ搭載基板２４の裏面側の電極パッド（図示せず）に、半田ボール４６を形成する。裏面側の電極パッドは、ビアによりチップ搭載基板２４の表面側の電極パッドに接続されている。以上により、薄層化されたチップ８が反らずに格納された半導体装置３７が形成される。
【００３９】
（７）側面接着部材を用いない半導体装置の製造方法
図８及び９は、側面接着部材１８を用いない半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【００４０】
まず、図８（ａ）に示すように、ペースト状の裏面接着部材２６をチップ搭載基板２４に塗布する。その後、コレット２８ａにチップ８を吸着し、裏面接着部材２６の上方に配置する。ここでは、突起部３２を有さないコレット２８ａを用いる。
【００４１】
次に、図８（ｂ）に示すように、裏面接着部材２６を介して、チップ８をチップ搭載基板２４に押圧する。すると、反っていたチップ８が略平坦になり、チップ８とチップ搭載基板２４の間が裏面接着部材２６で満たされる。
【００４２】
しかし、チップ８をコレット２８ａから分離すると、図８（ｃ）に示すようにチップ８は再び反り返る。この時、裏面接着部材２６に、ひけ４８（空間）が発生する。
【００４３】
このため次の接着工程（裏面接着部材の加熱工程）では、裏面接着部材２６は、図８（ｄ）に示すように、反り返ったまま恒温槽４０で加熱され硬化する。その結果、チップ８は、反ったままチップ搭載基板２４に接着される。
【００４４】
この反り返ったチップ８に対して、図９（ａ）に示すように、チップ８の電極パッド２２とチップ搭載基板２４の電極パッドがボンディングワイヤ４２で接続される。すると、領域Ａに示すように、反り返ったチップ８の端とボンディングワイヤ４２が接触または接近する。その結果、ボンディングワイヤ４２と集積回路がショートしやすくなる。或いは、領域Ｂに示すように、ボンディングワイヤ４２が電極パッド２２から剥れ易くなる。
【００４５】
次に、図９（ｂ）に示すように、チップ８およびボンディングワイヤ４２をモールド樹脂４４で封止する。この際、まずチップ８が搭載されたチップ搭載基板２４が金型（図示せず）内に装着され、この金型にモールド樹脂４４が充填される。その後、モールド樹脂４４は加熱され、硬化させる。
【００４６】
金型にモールド樹脂４４が充填されると、ひけ４８の上側でチップ８が破壊され易くなる。例えば、ひけ４８が裏面接着部材２６の内部に閉じ込められると、ボイド５２になる。このボイド５２の上側では、チップ８がモールド樹脂４４から受ける圧力に対抗する力が働かない。このためチップ８が破壊され、チップクラック５０が発生する。
【００４７】
最後に、図９（ｃ）に示すように、チップ搭載基板２４の裏面側の電極パッドに半田ボール４６を形成して、半導体装置３７ａが完成する。
【００４８】
このように、側面接着部材１８を用いないで半導体装置３７ａを製造すると、ボンディングワイヤ４２のショート、ボンディングワイヤ４２の電極パッドからの剥れ、およびチップクラック５０の発生等の問題が生じ易くなる。
【００４９】
更に、半導体装置３７ａをプリント基板等に半田付けすると、ボイド５２内の水分が高温に曝されて膨張し、半導体装置３７ａを破壊する（所謂、ポップコーン現象）。
【００５０】
これらの問題は、すべてチップ８の反りに起因している。本実施の形態によれば、図２を参照して説明したようにチップ８の反りが抑制されるので、これらの問題の一部または全部が解決される。
【００５１】
（８）変形例
図１０及び１１は、側面接着部材の変形例１８ａを説明する図である。
【００５２】
図１を参照して説明したように、図５に示す側面接着部材１８は、チップ８の側面に接する樹脂配置領域（溝１０）に熱硬化性樹脂１２を配置し、この熱硬化性樹脂１２を半硬化させて形成する。
【００５３】
図１２は、図１を参照して説明した側面接着部材１８の製造方法を説明する平面図である。図１２に示す例では、チップ８を囲う領域（樹脂配置領域）に、熱硬化性樹脂１２が配置される。一方、変形例１８ａの製造方法では、図１０に示すように、チップ８の四隅をそれぞれ囲う複数の孤立領域（樹脂配置領域）に、熱硬化性樹脂１２が配置される。したがって、図１１に示すように、チップ８の四隅に側面接着部材（変形例１８ａ）が形成される。
【００５４】
図１３は、コレットの変形例２８ａの下面図である。図６を参照して説明したコレット２８は、図６（ａ）に示すように、枠状突出部３０の四隅にそれぞれ２つの突起部３２を有している。一方、変形例２８ａは、図１３に示すように、枠状突出部３０の四隅に突起部３２を一つずつ有している。
【００５５】
いずれのコレットでも、突起部３２は側面接着部材１８の一部を押圧するだけなので、過剰な裏面接着部材２６や空気の排出経路が確保される。また、チップ８の対角線に沿って側面接着部材１８が押圧されるので、チップ８の反りが効率良くに抑制される。
【００５６】
（実施の形態２）
図１４及び１５は、本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。実施の形態１と共通する部分については、説明を省略する。
【００５７】
（１）側面接着部材および裏面接着部材の形成工程
まず、図１と略同じ工程により、チップ８の側面に側面接着部材１８を形成する。その後、裏面接着部材２６ｂとして、チップ８の裏面にフィルム状の接着部材５４（例えば、Die Attach Film）を接着する。
【００５８】
（２）第１の接着工程（図１４（ａ）〜（ｃ））
まず、ダイボンダーに、チップ搭載基板２４を装着する。その後、図１４（ａ）に示すように、チップ８をコレット２８で吸着し、チップ搭載基板２４の上方に配置する。
【００５９】
次に、図１４（ｂ）に示すように、ダイボンダーに内蔵されたヒータ３６でチップ搭載基板２４を加熱しながら、フィルム状の接着部材（以下、接着フィルムと呼ぶ）５４を介してチップ８をチップ搭載基板２４に押圧する。押圧時間は、０.５〜１.０秒程度である。この時、側面接着部材１８も突起部３２によりチップ搭載基板２４に押圧され、側面接着部材１８がチップ搭載基板２４に接着される。この側面接着部材１８によって、チップ８はチップ搭載基板２４に仮接着される。
【００６０】
ところで、側面接着部材１８だけでなく接着フィルム（裏面接着部材）５４も、チップ搭載基板２４を介して加熱される。接着フィルム（裏面接着部材）５４が加熱されると、そのタック性が高くなる。このためチップ８は、側面接着部材１８だけでなく接着フィルム５４によっても、チップ搭載基板２４に接着される。しかし、加熱時間が短いので、接着フィルム５４だけで、チップ８の反りを防ぐことは困難である。このため、側面接着部材１８が用いられる。
【００６１】
尚、本実施の形態では、コレット２８は加熱されない。これは、チップ８の吸着時に接着フィルム５４は加熱されて、チップ８のピックアップが困難になることを回避するためである。
【００６２】
チップ８の搭載が終了すると、チップ搭載基板２４は、ダイボンダーから取り外される。これにより、チップ８に対するコレット２８の押さえが無くなる。しかし、チップ８は、側面接着部材１８によりチップ搭載基板２４に仮接着されているので、平坦な形状を保ち続ける（図１４（ｃ）参照）。
【００６３】
（３）ボンディング工程（図１５（ａ））
次に、図１５（ａ）に示すように、側面接着部材１８を残したまま、チップ８の電極パッド２２とチップ搭載基板の電極パッドをボンディングワイヤ４２で接続する（図１５（ａ）参照）。
【００６４】
（４）封止工程および第２の接着工程（図１５（ｂ））
次に、チップ８およびボンディングワイヤ４２をモールド樹脂４４で封止する（封止工程）。この際、恒温槽４０を用いてモールド樹脂４４を加熱し硬化させる。
【００６５】
この時、接着フィルム５４も加熱され、チップ８がチップ搭載基板２４に強く接着される（第２の接着工程）。
【００６６】
接着フィルム５４によるチップ８の接着は、接着フィルム５４の押圧（図１４（ｂ））により、第１の接着工程（図１４（ａ）〜（ｃ））で始まる。その後、接着フィルム５４によるチップ８の接着は、チップ搭載基板２４のダイボンダーからの取り出しにより一旦停止するが、モールド樹脂の封止工程で再開し完了する。
【００６７】
（５）半田ボール形成工程（図１５（ｃ））
最後に、図１５（ｃ）に示すように、チップ搭載基板２４の裏面側に半田ボール４６を形成する。
【００６８】
以上の工程により、集積回路が表面に設けられたチップ８、チップ８が搭載されたチップ搭載基板２４、裏面接着部材２６ｂ、および側面接着部材１８を有する半導体装置３７ｃが形成される。
【００６９】
ここで、裏面接着部材２６は、チップ８の裏面に設けられ、チップ８をチップ搭載基板２４に接着する接着部材である。側面接着部材１８は、半導体チップ８の側面に設けられ、チップ８をチップ搭載基板２４に接着する接着部材である。
【００７０】
上述したように、封止工程までは接着フィルム５４の接着力は、チップ８の反りを防ぐには不十分である。このため側面接着部材１８を用いないと、チップ８のコレット２８からの取り外す時に、チップ搭載基板２４から接着フィルム５４の一部が剥離して、チップ８が反り返る。このため実施の形態１と同様、ボンディングワイヤのショートなど種々の問題が発生する。
【００７１】
しかし、本実施の形態によれば、側面接着部材１８によりチップ８の反りが抑制されるので、これらの問題の全部または一部が解決される。
【００７２】
本実施の形態では、側面接着部材１８は除去されないが、実施の形態１と同様に、側面接着部材１８は除去されてもよい。
【００７３】
また、本実施の形態では、裏面接着部材２６ｂの加熱処理は、モールド樹脂の加熱処理と同時に行われる。しかし、実施の形態１と同様に、モールド樹脂を加熱する前に裏面接着部材２６ｂを加熱してもよい。
【００７４】
以上の例では、側面接着部材１８は、エポキシ樹脂を半硬化させて形成される。しかし、側面接着部材１８の原料は、エポキシ樹脂には限られない。例えば、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂から、側面接着部材１８を形成してもよい。また、熱可塑性樹脂（例えば、アクリル樹脂やＡＢＳ（Acrylonitrile Butadiene Styrene）樹脂）から、側面接着部材１８を形成してもよい。更に、室温でタック性を有するように調合されたエポキシ樹脂から、側面接着部材１８を形成してもよい。この場合、コレット２８やチップ搭載基板２４の加熱は不要である。
【００７５】
上の例では、裏面接着部材は、ペースト状のエポキシ樹脂または接着フィルムである。しかし、裏面接着部材は、これらの接着部材に限られない。例えば、裏面接着部材は、銀ペース等の導電性接着部材やエポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂であってもよい。
【００７６】
以上の例では、チップ８が有する基板２は、シリコン基板である。しかし、基板２は、シリコン基板以外の基板であってもよい。例えば、基板２は、ＳＯＩ（Silicon on Insulator)基板やＧａＡｓ基板等の化合物半導体基板であってもよい。
【００７７】
以上の実施の形態１及び２に関し、更に以下の付記を開示する。
【００７８】
（付記１）
集積回路が表面に設けられたチップの側面に、側面接着部材を形成する側面接着部材の形成工程と、
前記チップの裏面に配置された裏面接着部材を介して前記チップをチップ搭載基板に押圧しながら、前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に押圧して前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に接着する第１の接着工程と、
前記第１の接着工程の後に、前記裏面接着部材を加熱して、前記チップ搭載基板に前記チップを接着する第２の接着工程とを
有する半導体装置の製造方法。
【００７９】
（付記２）
付記１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の接着工程の後に、前記側面接着部材を取り除くことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【００８０】
（付記３）
付記１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記側面接着部材の形成工程は、前記チップの側面に接する樹脂配置領域に熱硬化性樹脂を配置した後、前記熱硬化性樹脂を半硬化させて前記チップの側面に前記側面接着部材を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【００８１】
（付記４）
付記３に記載の半導体装置の製造方法において、   
前記樹脂配置領域は、前記チップの四隅の孤立領域または前記チップを囲う領域であることを
特徴とする半導体装置の形成方法。
【００８２】
（付記５）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記裏面接着部材は、前記チップ搭載基板に塗布された接着部材であることを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【００８３】
（付記６）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記裏面接着部材は、前記チップの裏面に接着されたフィルム状の接着部材であり、
前第１の接着工程は、前記フィルム状の接着部材を加熱しながら前記チップを前記チップ搭載基板に押圧し、
前記フィルム状の接着部材による前記チップの接着は、前記第１の工程で始まることを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【００８４】
（付記７）
付記１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記チップは、１０μｍ以上１００μｍ以下の厚さを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【００８５】
（付記８）
集積回路が表面に設けられたチップと、
前記チップが搭載されたチップ搭載基板と、
前記チップの裏面に設けられ、前記チップを前記チップ搭載基板に接着する裏面接着部材と、
前記半導体チップの側面に設けられ、前記チップを前記チップ搭載基板に接着する側面接着部材とを
有する半導体装置。
【符号の説明】
【００８６】
８・・・チップ
１４・・・半硬化接着部材
１８・・・側面接着部材
２４・・・チップ搭載基板
２６・・・裏面接着部材
２８・・・コレット
３７、３７a・・・半導体装置
５４・・・接着フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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