(57)【要約】【課題】プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供する。【解決手段】電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、
前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、
プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、
前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段と
を備えることを特徴とする交換時期判定装置。
【請求項２】
前記プラズマ処理の処理条件は前記電極に供給された高周波電力又は前記処理容器内の圧力、ガス種若しくはガス流量を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の交換時期判定装置。
【請求項３】
前記積算手段は前記処理容器に導入されたガスの組成別にプラズマ処理の処理条件に係る値を積算するようにしてあり、
前記記録手段はプラズマ処理の処理条件に係る値に関して処理容器に導入されたガスの組成別に電極の交換時期と対応する積算値が記録されている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の交換時期判定装置。
【請求項４】
前記プラズマ処理は前記基板上の薄膜に対するエッチング処理を含む
ことを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の交換時期判定装置。
【請求項５】
基板上の薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定する交換時期判定方法において、
前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算し、
積算した積算値及びプラズマ処理の処理条件に係る値に関して記録手段に記録された電極の交換時期と対応する積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する
ことを特徴とする交換時期判定方法。
【請求項６】
基板上の薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置及び
該プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定する交換時期判定装置
を備えるプラズマ処理システムにおいて、
前記交換時期判定装置は、
前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、
プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、
前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段と
を有する
ことを特徴とするプラズマ処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
エッチング装置を含むプラズマ処理装置の電極は、当該装置の稼働に伴い、入射するイオンによりエッチングされる。このエッチングによる電極の消耗は、被処理体の品質のバラツキ及び被処理体の歩留り悪化を招来せしめる。そこで、プラズマ処理装置が有する電極の材質、構造等を改良し、被処理体の歩留り向上を図る技術がある（例えば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−２６７２３５号公報
【特許文献２】特開２００６−２８７１６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、プラズマ処理装置が有する電極の材質、構造等を改良しても、電極の消耗自体がなくなるわけではない。そのため、電極の交換時期になった場合、電極を交換する必要がある。かかるとき、コスト及び歩留りを鑑み、電極の交換時期を正確に判定する必要がある。
【０００５】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものである。その目的は、プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願に係る交換時期判定装置は、電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備えることを特徴とする。
【０００７】
本願に係る交換時期判定装置では、プラズマ処理装置が処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する。交換時期判定装置は、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段を備えている。交換時期判定装置は、積算した積算値と、記録手段に記録された積算値とに基づいて、プラズマ処理装置が備える電極の交換時期を判定する。
【０００８】
本願に係る交換時期判定装置は、前記プラズマ処理の処理条件は前記電極に供給された高周波電力又は前記処理容器内の圧力、ガス種若しくはガス流量を含むことを特徴とする。
【０００９】
本願に係る交換時期判定装置では、電極に供給された高周波電力又は処理容器内の圧力、ガス種若しくはガス流量を積算する。交換時期判定装置は、電極の交換に対応する高周波電力又は圧力、ガス種若しくはガス流量に関する積算値が記録された記録手段を備えている。交換時期判定装置は、積算した高周波電力又は圧力、ガス種若しくはガス流量に関する積算値と、記録手段に記録された高周波電力又は圧力、ガス種若しくはガス流量に関する積算値とに夫々基づいて、プラズマ処理装置が備える電極の交換時期を判定する。
【００１０】
本願に係る交換時期判定装置は、前記積算手段は前記処理容器に導入されたガスの組成別にプラズマ処理の処理条件に係る値を積算するようにしてあり、前記記録手段はプラズマ処理の処理条件に係る値に関して処理容器に導入されたガスの組成別に電極の交換時期と対応する積算値が記録されていることを特徴とする。
【００１１】
本願に係る交換時期判定装置では、プラズマ処理に係るガスの組成別にプラズマ処理の処理条件に係る値を積算する。交換時期判定装置は、プラズマ処理の処理条件に係る値に関してガスの組成別に電極の交換と対応する積算値が記録された記録手段を備える。交換時期判定装置は、積算した積算値と、記録手段に記録された積算値とに基づいて、プラズマ処理装置が備える電極の交換時期を判定する。
【００１２】
本願に係る交換時期判定装置は、前記プラズマ処理は前記基板上の薄膜に対するエッチング処理を含むことを特徴とする。
【００１３】
本願に係る交換時期判定装置では、プラズマ処理は基板上の薄膜に対するエッチング処理を含む。
【００１４】
本願に係る交換時期判定方法は、基板上の薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定する交換時期判定方法において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算し、積算した積算値及びプラズマ処理の処理条件に係る値に関して記録手段に記録された電極の交換時期と対応する積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定することを特徴とする。
【００１５】
本願に係る交換時期判定方法では、基板上の薄膜をプラズマ処理装置がプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する。交換時期判定方法は、積算した積算値と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して記録手段に記録された、プラズマ処理装置が備える電極の交換時期に対応する積算値とに基づいて、電極の交換時期を判定する。
【００１６】
本願に係るプラズマ処理システムは、基板上の薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置及び該プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定する交換時期判定装置を備えるプラズマ処理システムにおいて、前記交換時期判定装置は、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを有することを特徴とする。
【００１７】
本願に係るプラズマ処理システムでは、基板上の薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置と、プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定する交換時期判装置とを備えている。交換時期判定装置は、プラズマ処理装置が処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する。交換時期判定装置は、記録手段を備えており、その記録手段にはプラズマ処理装置が備える電極の交換時期と対応した処理条件に係る値に関する積算値が記録されている。交換時期判定装置は、積算した積算値と、記録手段に記録された積算値とに基づいて、プラズマ処理装置が備える電極の交換時期を判定する。
【発明の効果】
【００１８】
本願に係る交換時期判定装置等によれば、プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】エッチング装置の一例を示す概略側断面図である。
【図２】交換時期判定装置のハードウェア群の一例を示すブロック図である。
【図３】高周波電力プロファイルの一例を概略的に示した説明図である。
【図４】圧力プロファイルの一例を概略的に示した説明図である。
【図５】判定テーブルのレコードレイアウトの一例を示した説明図である。
【図６】上部電極の交換時期判定処理の手順の一例を示すフローチャートである。
【図７】上部電極の交換時期判定処理の手順の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の実施の形態について、その図面を参照して説明する。本実施の形態に係るプラズマ処理システムは、交換時期判定装置及びプラズマ処理装置を含む。交換時期判定装置は、プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定する。当該電極は、例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）装置、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、エッチング装置等が備える電極であり、高周波電源（ＲＦ電源）と接続される。ＣＶＤ装置は、高周波電力（ＲＦ電力）が供給された電極によりプラズマ励起された材料ガスを基板上で反応させ、成膜する。ＰＶＤ装置は、高周波電力が供給された電極によりプラズマ励起されたＡｒイオン等によりターゲット材をスパッタし、スパッタされた原子、分子を基板に付着させる。エッチング装置は、高周波電力が供給された電極によりラジカル及びイオンを生成させ、基板上の薄膜をエッチングする。以下では、プラズマ処理装置の一例としてエッチング装置を挙げ、エッチング装置が備える電極の交換時期を判定する交換時期判定装置について説明する。
なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００２１】
実施の形態１
図１は、エッチング装置２の一例を示す概略側断面図である。エッチング装置２は、コンピュータである交換時期判定装置１と有線又は無線により接続されている。交換時期判定装置１は、エッチング装置２の各構成部を制御すると共に、エッチング処理の制御パラメータ（処理条件）をモニタリングし、かつ当該制御パラメータの時間プロファイルを記録する。交換時期判定装置１は、記録したエッチング処理の制御パラメータに関する時間プロファイルに基づいて、電極の交換時期を判定する。
【００２２】
なお、エッチング装置２の各構成部を制御する端末装置を、エッチング装置２と交換時期判定装置１との間に別途設け、交換時期判定装置１は、エッチング装置２の各構成部を制御しない構成であってもよい。かかる場合、交換時期判定装置１は、当該端末装置から情報を受け付けることにより、エッチング処理に係る制御パラメータのモニタリング、制御パラメータに関する時間プロファイルの記録、電極の交換時期の判定処理等を実行する。
【００２３】
エッチング装置２は、例えばマグネトロンプラズマエッチング装置、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマエッチング装置、ＩＣＰ（Inductively coupled Plasma）エッチング装置等のドライエッチング装置を含む。図１は、無磁場の枚葉式平行平板型プラズマエッチング装置の一例を示している。
【００２４】
エッチング装置２は、処理容器２０、載置台３、ガス供給機構４、圧力計５及び排気機構６を含む。
処理容器２０は、その内部において基板Ｓ上の薄膜をプラズマエッチングするための真空チャンバである。処理容器２０は、アルミニウム等の熱伝導性及び導電性が良好な材料により構成されており、接地されている。処理容器２０の１つの側壁部２１には、搬入出口２２が形成されている。搬入出口２２は、ゲートバルブ２３により開閉自在に構成されている。処理容器２０外部に設けられた図示しない搬送手段は、搬入出口２２を介して、基板Ｓを処理容器２０に搬入し、かつ処理容器２０から搬出する。
なお、基板Ｓは、シリコンウエハ、ガラス基板、有機基板等を含む。
【００２５】
載置台３は、その上面に基板Ｓを載置するための構成部であり、処理容器２０内部の底面に設置されている。載置台３は、例えばアルミニウムからなり、アノード電極である下部電極としての機能を有する。載置台３は、フォーカスリング３１、昇降ピン３２、昇降機構３３及びべローズ３４を含む。
フォーカスリング３１は、例えばセラミック、シリコン、シリカ、炭化ケイ素、カーボン等から構成された環状部材であり、載置台３の上面周縁部及び側面部に設けられている。フォーカスリング３１は、プラズマを均一にし、エッチングレートの面内均一性を担保する機能を有する。
【００２６】
昇降ピン３２は、昇降機構３３に接続されており、載置台２の内部に少なくとも３本設けられている。昇降ピン３２は、昇降機構３３により載置台３上面に対して突没可能になっており、基板Ｓを載置台３に対して昇降する。基板Ｓは、昇降ピン３２により持ち上げられた位置にある場合、図示しない搬送手段により載置及び離脱が行われる。
べローズ３４は、部分的にひだを設けた筒状部材であり、処理容器２０内の気密性を保持するために昇降ピン３２を覆っている。
なお、載置台３は、内部に温度計並びに交換時期判定装置１により制御可能な加熱機構及び冷却機構を備えていてもよい。これにより、交換時期判定装置１は基板Ｓの温度を制御してもよい。
【００２７】
ガス供給機構４は、シャワーヘッド４０、絶縁部材４１１、高周波電源部４３、ガス供給路４４、流量調節部４５、第一ガス供給部４６及び第二ガス供給部４７を含む。
シャワーヘッド４０は、平板状の上部電極ベース４１及び平板状の上部電極４２を含む。シャワーヘッド４０の形状は、円盤状でもよいし、角板状でもよい。
上部電極ベース４１は、絶縁部材４１１を介して処理容器２０の天板に設けられており、処理容器２０から電気的に浮いた状態となっている。上部電極ベース４１には、プラズマ発生用の高周波電源部４３が接続されている。高周波電源部４３は接地されている。
【００２８】
上部電極４２は、例えば単結晶シリコン、アモルファスカーボン、テフロン（登録商標）板、石英板、アルミニウム等で構成されている。上部電極４２は、上部電極ベース４１と図示しないボルトで固定されており、上部電極ベース４１の下側に配置されている。上部電極４２は、上部電極ベース４１と導通し、カソード電極としての機能を有する。交換時期判定装置１は、高周波電源部４３を制御し、上部電極４２に印加される電圧又は交流電流の周波数を調整する。
【００２９】
上部電極ベース４１と上部電極４２との間には、エッチングガスの拡散空間４１２が設けられている。載置台３の上面と対向する上部電極４２には複数の通気孔４２１が形成されており、拡散空間４１２内のエッチングガスは、通気孔４２１を介して載置台３上方の処理空間に供給される。絶縁部材４１１には、温度計４２２が設けられている。温度計４２２は、例えば熱電対（Ｋ−タイプ熱電対、Ｐｔセンサ等）であり、シャワーヘッド４０に印加される高周波電圧の影響を避けるために、絶縁部材４１１に設けられている。交換時期判定装置１は、温度計４２２を介して上部電極４２の温度を、外挿によりモニタリングすることができる。
上部電極４２は、基板Ｓ上の薄膜に対するエッチング処理に伴い、ラジカル及びイオンによるエッチングを被るため、次第に消耗する部材である。
【００３０】
なお、温度計４２２は、上部電極ベース４１又は上部電極４２に設けられてもよい。かかる場合、温度計４２２は絶縁性を有する保護管により覆われてもよい。
また、温度計４２２は、処理容器２０内部又は外部に設けられた赤外線放射温度計又はレーザ温度計であってもよい。赤外線放射温度計又はレーザ温度計により上部電極４２の温度を測定する場合、放射検出器又は導光部と上部電極４２との間を占めるプラズマ、観察窓等が測定値に及ぼす影響を補正する。
更に、温度計４２２は、絶縁部材４１１、上部電極ベース４１又は上部電極４２に設けられるダイオード温度計、例えばシリコンダイオード温度計、ＧａＡｌＡｓダイオード温度計等であってもよい。
【００３１】
ガス供給路４４の一端は、処理容器２０の天板に設けられた開口部に接続されている。ガス供給路４４の他端は、ガス供給路４４１及びガス供給路４４２の２本に分岐し、夫々流量調節部４５を介して第一ガス供給部４６及び第二ガス供給部４７と接続されている。
第一ガス供給部４６には、薄膜をエッチングするためのエッチングガスが貯蔵されている。エッチングガスは、ハロゲン元素を含むガスであり、薄膜を構成するエッチング対象材料に応じて選択される。エッチングガスは、例えばＣＦ4 、ＣＦ6 であり、例えばＨＢｒ、Ｃｌ2 である。
第二ガス供給部４７には、エッチングレート又は選択比を制御するための添加ガス（例えば、Ｏ2 又はＨ2 ）が貯蔵されている。例えば、Ｓｉをエッチングする場合、Ｏ2 をＣＦ4 に添加するとき、エッチングレートが飛躍的に向上することが知られている。
なお、ガス供給部の数は、個々のエッチング処理に応じて、増減されてよい。例えば、Ａｒガスが第三のガス供給部として、ガス供給機構４に組み込まれてもよい。
【００３２】
流量調節部４５は、上流から下流へ向かって直列に接続された開閉バルブ及びマスフローコントローラ（ＭＦＣ：Mass Flow Controller）を２列含む。開閉バルブ及びマスフローコントローラの各列は、夫々第一ガス供給部４６及びガス供給路４４１の間、並びに第二ガス供給路４７及びガス供給路４４２の間に介設されている。流量調節部４５は、交換時期判定装置１からの指示に基づいて、エッチングガス及び添加ガスの供給量を調節すると共に、エッチングガスと添加ガスとの混合比を調節する機能を有する。交換時期判定装置１は流量調節部４５が制御するガスの混合比及びガス流量をモニタリングする。
【００３３】
圧力計５は、例えばダイヤフラム式圧力計、熱伝導率式圧力計、ピラニ真空計、電離真空計等である。圧力計５は、処理容器２０内の圧力を検出し、検出した圧力を交換時期判定装置１に出力する。
【００３４】
排気機構６は、排気路６１、圧力制御器６２及び排気装置６３を含む。排気路６１は、その一端が処理容器２０の底面に形成された開口部に接続されている。排気路６１の他端には、圧力制御器６２を介して排気装置６３が接続されている。排気装置６３は、例えばターボ分子ポンプ、ドライポンプ、スパッタイオンポンプ等の真空ポンプであり、交換時期判定装置１により制御される。処理容器２０内のガスは、排気装置６３により、排気路６１から図示しない外部の除害装置へ排気されるようになっている。
【００３５】
圧力制御器６２は、例えば交換時期判定装置１により制御されるＡＰＣ（Auto Pressure Control）バルブである。交換時期判定装置１は、圧力計５から受け付けた処理容器２０内の圧力に基づいて、ＡＰＣバルブの開度を調節することにより、処理容器２０内の圧力を調節する。
【００３６】
図２は、交換時期判定装置１のハードウェア群の一例を示すブロック図である。交換時期判定装置１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）（積算手段、判定手段）１１及びＲＡＭ（Random Access Memory）１２を含む。また、ＣＰＵ１１は、ハードディスク（記録手段）１３、ディスクドライブ１４、通信部１５、タイマ１６、表示部１７及び操作部１８を含む。交換時期判定装置１の各構成部は、バス１ｂを介して接続されている。
【００３７】
ＣＰＵ１１は、交換時期判定装置１の各構成部を制御する。ＣＰＵ１１は、ハードディスク１３に記録されたプログラム１Ｐを読み込み、当該プログラム１Ｐを実行する。
ＲＡＭ１２は、ＣＰＵ１１による処理の過程で必要な作業変数、データ等を一時的に記録する。なお、ＲＡＭ１２は主記憶装置の一例であり、ＲＡＭ１２の代わりにフラッシュメモリ、メモリカード等が用いられてもよい。
【００３８】
ハードディスク１３は、ＣＰＵ１１が実行するプログラム１Ｐを記録している。ハードディスク１３は、交換時期判定装置１内部に取り付けられるものであっても、交換時期判定装置１外部に設置されるものであってもよい。なお、ハードディスク１３は補助記憶装置の一例であり、大容量の情報の記録が可能なフラッシュメモリ、ＣＤ（Compact Disc）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）、ＢＤ（Blu-ray Disc、登録商標）等の光ディスク１ａにより代替されてもよい。
【００３９】
ハードディスク１３には、レシピ１Ｄ、プロファイルファイル１Ｆ及び判定テーブル１Ｔが記録されている。レシピ１Ｄには、エッチング処理の実施条件が記録されている。プロファイルファイル１Ｆは、エッチング処理を実施する場合の制御パラメータの時間プロファイルを記録するファイルである。判定テーブル１Ｔには、上部電極４２の交換時期を判定するために参照されるエッチング処理の制御パラメータに関する積算値が記録されている。
なお、エッチング装置２が上部電極４２の交換期間よりも長時間連続稼働される場合、プロファイルファイル１Ｆは、ハードディスク１３に記録されていなくてもよい。
【００４０】
ディスクドライブ１４は、外部の記録媒体である光ディスク１ａから情報を読み込み、光ディスク１ａに情報を記録する。
通信部１５は、モデム又はＬＡＮ（Local Area Network）カード等であり、ネットワークＮに接続されている。ネットワークＮは、ＬＡＮ、ＷＡＮ（Wide Area Network）、インターネット、ＶＰＮ（Virtual Private Network）、電話回線網等である。
【００４１】
タイマ１６は、計時を信号としてＣＰＵ１１に送信する。
表示部１７は、例えば液晶ディスプレイ、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）ディスプレイ等の画面を有し、ＣＰＵ１１からの指示に従って、プログラム１Ｐに係る様々な画面を表示する。なお、表示部１７は、音声を出力するスピーカを内蔵していてもよい。
【００４２】
操作部１８は、ユーザが各種の入力を行うキーボード、マウス、タッチパネル等の入力デバイスを含む。操作部１８は、ユーザによる操作に基づいて入力信号を生成する。生成された入力信号は、バス１ｂを介してＣＰＵ１１に送信される。
【００４３】
次に、交換時期判定装置１及びエッチング装置２の動作について説明する。
エッチング装置２のゲートバルブ２３を開き、図示しない搬送手段により基板Ｓを載置台３上方の所定位置まで搬送する。昇降ピン３２を上昇させ、基板Ｓを搬送手段から昇降ピン３２の先端に受け渡す。搬送手段を処理容器２０の外部に退出させる。昇降ピン３２を下降させて、基板Ｓを載置台３に載置する。ゲートバルブ２３を閉じる。
【００４４】
排気装置６３を稼働し、圧力調整器６２により処理容器２０内をレシピ１Ｄに設定された圧力に調整する。この圧力制御の開始と共に、ＣＰＵ１１は圧力計５からの圧力値を、タイマ１６の計時に従い所定時間間隔でＲＡＭ１２に記録する。
流量調節部４５は、第一ガス供給部４６及び第二ガス供給部４７から夫々エッチングガス及び添加ガスを処理容器２０に供給する。ここで、ＣＰＵ１１は、レシピ１Ｄに設定されたガスの種類、ガス流量及びガスの混合比を、タイマ１６の計時に従い所定時間間隔でＲＡＭ１２に記録する。
【００４５】
エッチングガス及び添加ガスは、ガス供給路４４及び拡散空間４１２内で十分に混合され、通気孔４２１を介して処理容器２０内部の処理空間に吐出される。その際、高周波電源部４３から上部電極４２に高周波電力が供給される。基板Ｓ上方側の処理空間にプラズマが形成され、基板Ｓ上の薄膜に対してエッチング処理が施される。ここで、ＣＰＵ１１は、レシピ１Ｄに設定された高周波電力を、タイマ１６の計時に従い所定時間間隔でＲＡＭ１２に記録する。また、ＣＰＵ１１は、温度計４２２が検出した上部電極４２の温度を、タイマ１６の計時に従い所定時間間隔でＲＡＭ１２に記録する。
【００４６】
プラズマ化したガスは、基板Ｓ上の薄膜表面を伝わりながら周縁部側へ流れ、排気路６１から処理容器２０の外へ排気される。レシピ１Ｄに基づくエッチング処理が終了した場合、上部電極４２への高周波電力の供給は停止される。処理容器２０内の圧力は元の状態に戻される。搬送手段は、基板Ｓの搬入時と逆の順序で基板Ｓを載置台３から処理容器２０の外部へ搬出し、一連のエッチング処理が終了する。
ＣＰＵ１１は、圧力、ガスの種類、ガス流量、ガスの混合比、高周波電力及び温度に関するＲＡＭ１２への記録を停止し、ＲＡＭ１２に記録したこれらのエッチング処理の制御パラメータの時間プロファイルをハードディスク１３に記録する。
【００４７】
次の基板Ｓが処理容器２０に搬入され、エッチング処理が再び実施される。次々と実施されるエッチング処理は、同じ条件で繰り返されることもあれば、毎回異なる条件で繰り返されることもある。このエッチング条件は、デバイスの生産計画に基づくものであり、個々の工場、個々のエッチング装置２毎に、異なる場合がある。
ＣＰＵ１１は、上述と同様に、エッチング処理毎に制御パラメータの時間プロファイルをハードディスク１３のプロファイルファイル１Ｆに追加記録する。こうして、ハードディスク１３には、エッチング装置２０の稼働開始から制御パラメータの時間プロファイルが蓄積されていく。
【００４８】
図３は、高周波電力プロファイルの一例を概略的に示した説明図である。図３の横軸は時間を示し、縦軸は上部電極４２に供給された高周波電力を示す。上部電極４２に供給される高周波電力の時間プロファイルは、エッチング処理毎に異なり、図３のグラフ上では異なる形状及び大きさを示す。
【００４９】
図４は、圧力プロファイルの一例を概略的に示した説明図である。図４の横軸は時間を示し、縦軸は処理容器２０内の圧力（真空度）を示す。処理容器２０内の圧力は、エッチング処理毎に異なり、図４のグラフ上では異なる形状及び大きさを示す。
【００５０】
基板Ｓ上の薄膜をエッチングする場合の制御パラメータがいくつか知られている。その制御パラメータの中には、上部電極４２のエッチングレートにも対応するパラメータがある。上部電極４２のエッチングレートに対応するパラメータは、例えば上部電極４２に供給される高周波電力、処理容器２０内の圧力（ガス圧）及びガスの組成（混合比）を含む。
【００５１】
エッチングレートに関係する電子密度とイオン密度とは、高周波電力にほぼ比例して増加する。ラジカルの発生率は電子密度に比例するため、ラジカル密度も高周波電力に比例して増加する。そうすると、上部電極４２の消耗は、高周波電力の時間積分値に比例すると考えられる。ただし、気相中で発生する種々の二次反応のために、ラジカル密度が増加しない場合もある。
【００５２】
高周波電力が一定である場合に、圧力を増加させたとき、プラズマ密度は増大する傾向がある。しかし、圧力を上げ過ぎた場合、プラズマ密度は低下する。また、圧力を下げ過ぎた場合もプラズマ密度は低下する。
圧力が高すぎる場合、シース内でのイオン−分子衝突が起こり、イオンのエネルギーが減少してしまうため、エッチングレートが減少する。一方、Ｓｉをエッチングする場合、化学反応が主であるため、エッチングレートはラジカル濃度に大きく依存し、圧力が高いほど増大する。
圧力は、等方性エッチングと異方性エッチングとで異なる値が設定されることが普通であり、被加工材料の違いによっても異なる値が設定される。
【００５３】
エッチングガスには、エッチング対象材料と反応して揮発性の高い生成物が生じるようにするため、ハロゲン元素を含むガスが使用されることが多い。具体的なエッチングガスの選択は、等方性エッチングと異方性エッチングとの違い、エッチング対象材料の違い等を考慮して行われる。エッチングガスの組成（種類及び混合比）が異なる場合、上部電極４２の消耗に対する影響も異なる。
【００５４】
エッチングは時間経過とともに進行するので、エッチング処理の制御パラメータの値をエッチング処理に要するサイクル時間で積分した積算値は、上部電極４２の消耗の程度と相関する。ここでの積分値は、例えば、図３、図４のグラフが示す、エッチング処理時間における面積和である。なお、図４において、エッチング処理時間（減圧されている時間）ではない面積和は積分値から除外される。
【００５５】
図５は、判定テーブル１Ｔのレコードレイアウトの一例を示した説明図である。判定テーブルは、ＩＤ、ガス組成、電力量（電力積算値）及び圧力積算値の各列を含む。ＩＤは、判定テーブル１Ｔのレコードを識別する識別記号である。ガス組成は、エッチングガスの種類及びその混合比である。電力量は、上部電極４２に供給された高周波電力の時間積分値であり、単位はＷｓである。すなわち、電力量は電気エネルギーである。圧力積算値は、圧力の時間積分値であり、単位はＰａ・ｓである。
【００５６】
図５の判定テーブル１Ｔは、予めエッチング処理の制御パラメータを変動させて上部電極４２及び基板Ｓ上の薄膜に対してエッチングを実施し、エッチング後の薄膜の評価により、作成される。薄膜の評価方法は、特に限定されず、触針段差計、エリプソメトリ、ＦＴＩＲ（Fourier Transform Infrared Spectroscopy）、ラマン散乱等が利用されてよい。薄膜の評価結果に基づいて、上部電極４２の消耗度も評価される。
例えばＩＤ＝０００１のレコードは、ガス組成がＣＦ4 （７０％）＋Ｃ3 Ｆ8 （３０％）である場合、電力量が値１Ｗｓであるとき、上部電極４２の交換時期であることを示している。例えば、ＩＤ＝０００５のレコードは、ガス組成がＣＦ4 （７０％）＋Ｃ3 Ｆ8 （３０％）である場合、電力量が値５Ｗｓかつ圧力積算値が値６Ｐａ・ｓであるとき、上部電極４２の交換時期であることを示している。
【００５７】
なお、図５の判定テーブル１Ｔは、上部電極４２の消耗の度合いから作成されてもよい。上部電極４２の消耗の度合いは、目視又は計器により上部電極４２の薄化、反り又は歪を測定することにより、設定される。他方、エッチング処理の制御パラメータの時間積分値を別途算出し、上部電極４２の交換を必要とする消耗度に対応する電力量又は圧力積算値をガス組成別に判定テーブル１Ｔに記録しておく。
【００５８】
ＣＰＵ１１は、１枚の基板Ｓ上の薄膜に対するエッチング処理が終了した段階で、モニタリングしていた制御パラメータの時間プロファイルをハードディスク１３に記録されたプロファイルファイル１Ｆに追加する。ＣＰＵ１１は、プロファイルファイル１Ｆに記録された各制御パラメータを時間で積分し、判定テーブル１Ｔを参照することにより、上部電極４２の交換時期を判定する。その際、１つの制御パラメータに基づいて上部電極４２の交換時期を判定してもよいし、組み合わせた複数の制御パラメータに基づいて上部電極４２の交換時期を判定してもよいことは勿論である。
【００５９】
図６は、上部電極４２の交換時期判定処理の手順の一例を示すフローチャートである。ＣＰＵ１１は、エッチング装置２によるエッチング処理が終了したか否か判定する（ステップＳ１０１）。ＣＰＵ１１は、エッチング装置２によるエッチング処理が終了していないと判定した場合（ステップＳ１０１：ＮＯ）、処理をステップＳ１０１に戻す。
【００６０】
ＣＰＵ１１は、エッチング装置２によるエッチング処理が終了したと判定した場合（ステップＳ１０１：ＹＥＳ）、直近のエッチング処理に係る制御パラメータの時間プロファイルをプロファイルファイル１Ｆに追加する（ステップＳ１０２）。ＣＰＵ１１は、プロファイルファイル１Ｆをハードディスク１３からＲＡＭ１２に読み出す（ステップＳ１０３）。ＣＰＵ１１は、プロファイルファイル１Ｆに基づき、ガス組成別に高周波電力及び圧力、あるいは高周波電力又は圧力について時間積分を実施する（ステップＳ１０４）。ステップＳ１０４において、ＣＰＵ１１はガス組成別に電力量及び圧力積算値、あるいは電力量又は圧力積算値を取得する。
【００６１】
ＣＰＵ１１は、取得したガス組成別の電力量、圧力積算値のレコードを判定テーブル１Ｔから検索する（ステップＳ１０５）。ここでＣＰＵ１１は、電力量のみを検索する場合、例えば図５のＩＤ＝０００１、０００２等のレコードを利用する。ＣＰＵ１１は、電力量及び圧力積算値を検索する場合、例えば図５のＩＤ＝０００５、０００６等のレコードを利用する。
【００６２】
ＣＰＵ１１は、検索に成功したか否か判定する（ステップＳ１０６）。ＣＰＵ１１は、検索に成功しなかったと判定した場合（ステップＳ１０６：ＮＯ）、処理を終了する。ＣＰＵ１１は、検索に成功したと判定した場合（ステップＳ１０６：ＹＥＳ）、上部電極４２の交換を促す通知を表示部１７に表示し（ステップＳ１０７）、処理を終了する。
【００６３】
なお、エッチング装置２が上部電極４２の交換期間よりも長時間連続稼働される場合、ステップＳ１０２及びステップＳ１０３はなくてもよい。かかる場合、ＣＰＵ１１は、エッチング装置２によるエッチング処理が終了したと判定した場合（ステップＳ１０１：ＹＥＳ）、ＲＡＭ１２に記憶しておいた制御パラメータの時間プロファイルに基づいて、ステップＳ１０４を実行する。
あるいは、エッチング装置２が上部電極４２の交換期間よりも長時間連続稼働される場合、ステップＳ１０２、ステップＳ１０３及びステップＳ１０４はなくてもよい。かかる場合、ＣＰＵ１１は制御パラメータの時間プロファイルをＲＡＭ１２に記録しない。ＣＰＵ１１は、タイマ１６が計時する所定時間毎に制御パラメータの積算処理を繰り返す。ＣＰＵ１１は、エッチング装置２によるエッチング処理が終了したと判定した場合（ステップＳ１０１：ＹＥＳ）、逐次積算した制御パラメータの積算値に基づいて、ステップＳ１０５を実行する。
【００６４】
ＣＰＵ１１は、ステップＳ１０６において、取得した電力量、圧力積算値が判定テーブル１Ｔに記録された電力量、圧力積算値から所定の範囲内あるか否かを判定してもよい。例えば、ＣＰＵ１１は、取得した電力量が判定テーブルの電力量の９５％以上、１０５％以下の範囲内にある場合、検索に成功したと判定し、取得した電力量が判定テーブル１Ｔの電力量の９５％より小さく１０５％より大きい場合、検索に成功しなかったと判定してもよい。
ステップＳ１０７において、ＣＰＵ１１は、表示部１７に内蔵されたスピーカから上部電極４２の交換を促す音声を出力してもよい。
【００６５】
判定テーブル１Ｔに記録された電力量又は圧力積算値は、時間積分値と比較される閾値として利用されてもよい。例えば、ＣＰＵ１１は、ステップＳ１０５において、判定テーブル１Ｔから電力量、圧力積算値を読み出し、読み出した電力量、圧力積算値を閾値として設定する。次に、ＣＰＵ１１は、ステップＳ１０６において、高周波電力又は圧力に関する時間積分値を判定テーブル１Ｔから取得した閾値と比較することにより、上部電極４２を交換するか否かを判定する。ＣＰＵ１１は、上部電極４２を交換すると判定した場合、ステップＳ１０７に処理を進め、上部電極４２を交換しないと判定した場合、処理を終了する。なお、ＣＰＵ１１が上部電極４２を交換すると判定する場合は、時間積分値が閾値より大きいときもあるし、小さいときもある。上部電極４２の交換基準は、エッチング処理の制御パラメータ毎に、又はエッチング処理の制御パラメータの組み合わせ毎に予めプログラム１に設定しておく。
【００６６】
交換時期判定装置１によれば、エッチング装置２の電極を交換する時期を判定することができる。
従来、エッチング装置２の電極は、基板Ｓの処理枚数、処理回数、処理累積時間等から消耗度合いを判定し、交換されている。しかし、エッチングの条件は、エッチング処理毎にレシピ１Ｄに従い、変更されることが普通であり、基板Ｓの処理枚数、処理回数、処理累積時間等に係る標準限界値を超えた場合であっても、上部電極４２はまだ利用可能である場合がある。また、標準限界値を超えていない場合であっても、上部電極４２は交換すべき程度に消耗していることがある。
交換時期判定装置１は、エッチング処理の制御パラメータについて時間プロファイルの積算値を求める。交換時期判定装置１は、予め交換を要する消耗度に対応した積算値が記録された判定テーブル１Ｔを参照し、求めた積算値から上部電極４２を交換すべきか否かを判定する。交換時期判定装置１は、エッチング装置２の利用環境に依存した制御パラメータの時間プロファイルに基づいて上部電極４２の交換時期を判定することにより、コスト削減及び歩留り向上を図ることができる。
【００６７】
ガス流量を上部電極４２の交換時期判定のパラメータに追加してもよい。エッチングガスのガス流量が多いほど、エッチングレートは増大する。しかし、エッチングガスが多すぎる場合、圧力の増大、プラズマ密度の低下、ひいてはエッチングレートの低下を引き起こすものと考えられる。そこで、ＣＰＵ１１は、エッチング処理が終了した時点で、ガス流量の時間プロファイルをプロファイルファイル１Ｆに記録する。ＣＰＵ１１は、ガス流量を時間積分した積算値を算出する。判定テーブル１Ｔには、予め上部電極４２の交換時期と対応するガス流量の積算値をガス組成別に記録しておく。更に、電力量又は圧力積算値と組み合わせたガス流量の積算値も判定テーブル１Ｔに記録しておく。交換時期判定装置１は、判定テーブル１Ｔを参照し、求めたガス流量の積算値又は他の制御パラメータとガス流量とに関する積算値から上部電極４２を交換すべきか否かを判定する。
【００６８】
上部電極４２の温度を上部電極４２の交換時期判定のパラメータに追加してもよい。例えば、温度が高いほどラジカルと上部電極４２の材料物質との反応速度は速くなる。そこで、ＣＰＵ１１は、エッチング処理が終了した時点で、温度計４２２が検出した上部電極４２の温度の時間プロファイルをプロファイルファイル１Ｆに記録する。ＣＰＵ１１は、温度を時間積分した積算値を算出する。判定テーブル１Ｔには、予め上部電極４２の交換時期と対応する温度の積算値をガス組成別に記録しておく。更に、電力量又は圧力積算値と組み合わせた温度の積算値も判定テーブル１Ｔに記録しておく。交換時期判定装置１は、判定テーブル１Ｔを参照し、求めた温度の積算値又は他の制御パラメータと温度とに関する積算値から上部電極４２を交換すべきか否かを判定する。
【００６９】
なお、エッチング装置２は、基板Ｓを１枚ずつ処理する枚葉式に限らず、基板Ｓを一度に複数枚処理するバッチ式でもよい。
エッチング装置２の電極構造は、上部電極４２と下部電極が水平に配置され、基板Ｓが下部電極に載置されるデポダウン（face down deposition）であった。しかし、エッチング装置２の電極構造は、上部電極４２と下部電極が水平に配置され、基板Ｓが上部電極４２に設置されるデポアップ（face up deposition）であってもよい。デポアップの場合、基板Ｓの下面に形成された薄膜に対してエッチングが行われる。デポアップの場合、交換時期を判定する判定対象の電極は、下部電極である。すなわち、交換時期を判定する判定対象の電極は上部の電極に限らず、下部の電極であってもよい。
エッチング装置２の電極構造は、ＩＶＥ（Interdigital Vertidal Electrodes）であってもよい。ＩＶＥは、複数の電極を櫛歯状に鉛直に立てた構造を有する。ＩＶＥの場合、交換時期を判定する判定対象の電極は、側方の電極である。すなわち、交換時期を判定する判定対象の電極は上部又は下部の電極に限らず、側方の電極であってもよい。
【００７０】
実施の形態２
実施の形態２は、エッチング処理に関するガス組成の変化を考慮し、上部電極４２の交換時期を判定する形態に関する。
エッチング装置２により行われるエッチング処理のガス組成は、エッチング処理毎に異なる場合がある。かかる場合、ガス組成の違いにより上部電極４２の材料物質に対する反応性が異なるため、上部電極４２の消耗の程度は変化する。そこで、エッチング処理毎に制御パラメータが上部電極４２の消耗に寄与する寄与度を設定する。例えば、あるガス組成でのエッチング処理における制御パラメータの上部電極４２消耗に対する寄与度は０．３であり、別のガス組成でのエッチング処理における制御パラメータの上部電極４２消耗に対する寄与度は０．１といった具合である。交換時期判定装置１は、全エッチング処理の寄与度を加算し、加算した寄与度に基づいて、上部電極４２の交換時期を判定する。
【００７１】
ＣＰＵ１１は、１枚の基板Ｓ上の薄膜に対するエッチング処理が終了した段階で、モニタリングしていた制御パラメータの時間プロファイルをハードディスク１３に記録されたプロファイルファイル１Ｆに追加する。ＣＰＵ１１は、プロファイルファイル１Ｆに記録された各制御パラメータをエッチングの処理時間で積分し、判定テーブル１Ｔを参照して、各制御パラメータ毎に上部電極４２の交換時期を判定するための寄与度を算出する。ＣＰＵ１１は求めた寄与度を加算し、上部電極４２の交換時期を判定する。
【００７２】
図７は、上部電極４２の交換時期判定処理の手順の一例を示すフローチャートである。以下の処理では、プロファイルファイル１Ｆに高周波電力及び圧力の時間プロファイルが記録されているものとする。
ＣＰＵ１１は、エッチング装置２によるエッチング処理が終了したか否か判定する（ステップＳ２０１）。ＣＰＵ１１は、エッチング装置２によるエッチング処理が終了していないと判定した場合（ステップＳ２０１：ＮＯ）、処理をステップＳ２０１に戻す。
【００７３】
ＣＰＵ１１は、エッチング装置２によるエッチング処理が終了したと判定した場合（ステップＳ２０１：ＹＥＳ）、プロファイルファイル１Ｆに直近のエッチング処理に係る制御パラメータの時間プロファイルをプロファイルファイル１Ｆに追加する（ステップＳ２０２）。ＣＰＵ１１は、プロファイルファイル１Ｆをハードディスク１３からＲＡＭ１２に読み出す（ステップＳ２０３）。ＣＰＵ１１は、プロファイルファイル１Ｆに基づき、１回のエッチング処理について高周波電力及び圧力の時間積分を実施する（ステップＳ２０４）。ステップＳ２０４において、ＣＰＵ１１は１回のエッチング処理について電力量及び圧力積算値を取得する。
【００７４】
ＣＰＵ１１は、上部電極４２の交換時期を判定するための寄与度を算出する（Ｓ２０５）。以下、ステップS２０５における寄与度の算出方法について説明する。ステップＳ２０４において、あるエッチング処理について取得した電力量及び圧力積算値が夫々ｘ１（Ｗｓ）、ｙ１（Ｐａ・ｓ）であり、そのエッチング処理のガス組成は、ＣＦ4 （７０％）＋Ｃ3 Ｆ8 （３０％）であったとする。ＣＰＵ１１は、ガス組成がＣＦ4 （７０％）＋Ｃ3 Ｆ8 （３０％）であり、電力量及び圧力積算値が記録されたレコードを判定テーブル１Ｔから検索する。ここでは、ＣＰＵ１１は、図５のＩＤ＝０００５のレコードを検索したとする。
【００７５】
ＣＰＵ１１は、図５のＩＤ０００５に対応する電力量の値５（Ｗｓ）及び圧力積算値の値６（Ｐａ・ｓ）で、上記の電力量ｘ１（Ｗｓ）及び圧力積算値ｙ１（Ｐａ・ｓ）をノーマライズした値の和を寄与度とする。すなわち、（ｘ１／値５）＋（ｙ１／値６）を寄与度とする。
【００７６】
ステップＳ２０４において、別のエッチング処理について取得した電力量及び圧力積算値が夫々ｘ２（Ｗｓ）、ｙ２（Ｐａ・ｓ）であり、そのエッチング処理のガス組成は、Ａｒ（９０％）＋Ｃ4 Ｆ8 （１０％）であったとする。ＣＰＵ１１は、ガス組成がＡｒ（９０％）＋Ｃ4 Ｆ8 （１０％）であり、電力量及び圧力積算値が記録されたレコードを判定テーブル１Ｔから検索する。ここでは、ＣＰＵ１１は、図５のＩＤ＝０００６のレコードを検索したとする。
【００７７】
ＣＰＵ１１は、図５のＩＤ０００６に対応する電力量の値７（Ｗｓ）及び圧力積算値の値８（Ｐａ・ｓ）で、別のエッチング処理について取得した電力量ｘ２（Ｗｓ）及び圧力積算値ｙ２（Ｐａ・ｓ）をノーマライズした値の和を寄与度とする。すなわち、（ｘ２／値７）＋（ｙ２／値８）を寄与度とする。
【００７８】
ＣＰＵ１１は、パターンファイル１Ｆに記録された全エッチング処理に関する制御パラメータの時間プロファイルについて寄与度を算出したか否か判定する（ステップＳ２０６）。ＣＰＵ１１は、パターンファイル１Ｆに記録された全エッチング処理に関する制御パラメータの時間プロファイルについて寄与度を算出していないと判定した場合（ステップＳ２０６：ＮＯ）、ステップＳ２０４に処理を戻す。ステップＳ２０４に戻ったＣＰＵ１１は、他のエッチング処理ついて、ステップＳ２０４及びステップＳ２０５を実行する。
【００７９】
ＣＰＵ１１は、パターンファイル１Ｆに記録された全エッチング処理に関する制御パラメータの時間プロファイルについて寄与度を算出したと判定した場合（ステップＳ２０６：ＹＥＳ）、寄与度の和が１か否かを判定する（ステップＳ２０７）。すなわち、上述例の場合、ＣＰＵ１１は、
（ｘ１／値５）＋（ｙ１／値６）
＋（ｘ２／値７）＋（ｙ２／値８）
＋・・・
が１か否か判定する。
【００８０】
ＣＰＵ１１は、寄与度の和が１でないと判定した場合（ステップＳ２０７：ＮＯ）、処理を終了する。ＣＰＵ１１は、寄与度の和が１であると判定した場合（ステップＳ２０７：ＹＥＳ）、上部電極４２の交換を促す通知を表示部１７に表示し（ステップＳ２０８）、処理を終了する。
なお、ＣＰＵ１１は、ステップＳ２０７において、寄与度の和が１から所定の範囲内にあるか否かを判定してもよい。例えば、ＣＰＵ１１は、寄与度の和が０．９５以上、１．０５以下である場合、寄与度の和が１であると判定し、寄与度の和が０．９５より小さく１．０５より大きい場合、寄与度の和が１でないと判定してもよい。
【００８１】
交換時期判定装置１によれば、上部を交換するまでの間に、ガス組成が異なる複数種類のエッチング処理を複数回実施した場合であっても、エッチング装置２の電極を交換する時期を判定することができる。
【００８２】
ＣＰＵ１１は、プログラム１Ｐ又は判定テーブル１Ｔを、ディスクドライブ１４を介して光ディスク１ａ、磁気テープ、磁気ディスク、光磁気ディスク等から読み込んでもよい。また、プログラム１Ｐ又は判定テーブル１Ｔを記録したフラッシュメモリ等の半導体メモリ１ｃ、磁気テープ、磁気ディスク、光磁気ディスク等が交換時期判定装置１内に実装されてもよい。さらに、ＣＰＵ１１は、プログラム１Ｐ又は判定テーブル１Ｔを、通信部１５を介して図示しない外部の情報処理装置又は記録装置からダウンロードすることも可能である。
【００８３】
実施の形態２は以上の如きであり、その他は実施の形態１と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【符号の説明】
【００８４】
１        交換時期判定装置
１１      ＣＰＵ（積算手段、判定手段）
１２      ＲＡＭ
１３      ハードディスク（記録手段）
１６      タイマ
２        エッチング装置
２０      処理容器
２２      搬入出口
２３      ゲートバルブ
３        載置台
３１      フォーカスリング
３２      昇降ピン
３３      昇降機構
３４      ベローズ
４        ガス供給機構
４０      シャワーヘッド
４１      上部電極ベース
４１２    拡散空間
４２      上部電極
４２１    通気孔
４１１    絶縁部材
４３      高周波電源部
４４、４４１、４４２  ガス供給路
４５      流量調節部
４６      第一ガス供給部
４７      第二ガス供給部
５        圧力計
６        排気機構
６１      排気路
６２      圧力制御器
６３      排気装置
Ｓ        非処理基板
１Ｐ      プログラム
１Ｄ      レシピ
１Ｆ      プロファイルファイル
１Ｔ      判定テーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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