(57)【要約】【課題】鉛の使用量を低減しつつ信頼性を向上させることができる電気・機械変換素子、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置を提供する。【解決手段】インクジェット記録装置８０の記録ヘッド９４は、電気・機械変換素子３０を備えている。電気・機械変換素子３０は、振動板３１の上に形成された下部電極層３４、下部電極層３４の上に形成された電気・機械変換層３６、電気・機械変換層３６の上に形成された上部電極層３７を備えている。電気・機械変換層３６は、ＢａＴｉＯ３を主成分とし、電界印加による歪みを呈するものである。そして、下部電極層３４上にはシード層３５が配置されている。【選択図】図４
2013188904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の上に形成された下部電極層と、この下部電極層の上に形成された電気・機械変換層と、この電気・機械変換層の上に形成された上部電極層とを備える電気・機械変換素子であって、
前記電気・機械変換層はＢａＴｉＯ３を主成分として電界印加による歪みを呈するものであり、前記下部電極上にはシード層が配置されていることを特徴とする電気・機械変換素子。
【請求項２】
請求項１に記載の電気・機械変換素子において、
前記シード層には、前記ＢａＴｉＯ３と同じ結晶構造を有するものを使用したことを特徴とする電気・機械変換素子。
【請求項３】
請求項１に記載の電気・機械変換素子において、
前記シード層には、ＰｂＴｉＯ３のＰｂの一部をＬａ置換した（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ３、前記ＰｂＴｉＯ３のＴｉの一部をＺｒに置換したＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）、前記（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ３のＴｉの一部をＺｒに置換した（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３のいずれかを使用したことを特徴とする電気・機械変換素子。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電気・機械変換素子において、
前記シード層の膜厚が１ｎｍ〜２０ｎｍであることを特徴とする電気・機械変換素子。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の電気・機械変換素子において、
前記ＢａＴｉＯ３を主成分とする前記電気・機械変換層は、前記ＢａＴｉＯ３のＴｉの一部をＳｎに置換した下記の式（１）、（２）を満たすものであることを特徴とする電気・機械変換素子。
（１−ｘ）ＢａＴｉＯ３−ｘＢａＳｎＯ３  ・・・（１）
０．０１＜ｘ＜０．１０（ｘは置換割合）・・・（２）
【請求項６】
請求項５に記載の電気・機械変換素子において、
当該電気・機械変換素子の電気・機械変換層は、ＣＳＤ法で形成するときの結晶化温度が７５０℃以上に設定されたものであることを特徴とする電気・機械変換素子。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電気・機械変換素子を具備することを特徴とする液滴吐出ヘッド。 
【請求項８】
請求項７に記載の液滴吐出ヘッドを具備することを特徴とする液滴吐出装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気・機械変換素子、この電気・機械変換素子を備える液滴吐出ヘッド、この液滴吐出ヘッドを備える液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、インクジェットプリンタ等のインクジェット記録装置（液滴吐出装置）には、インク滴（液滴）を用紙等の記録媒体に吐出させる記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）を備えている。
【０００３】
記録ヘッドは、ノズル孔が形成されたノズル基板と、前記ノズル孔に連通する液室、加圧エネルギーを発生する電気・機械変換素子、電気・機械変換素子を駆動する駆動回路部材等を有する液室基板とを備えている。そして、駆動回路部材から駆動電圧を電気・機械変換素子へ印加することにより液室内のインクを加圧する圧力が発生され、ノズル孔からインク滴が吐出される。
【０００４】
電気・機械変換素子は、基板と、この基板の上に形成された下部電極層と、この下部電極層の上に形成された電気・機械変換層と、この電気・機械変換層の上に形成された上部電極層とを備えている（特許文献１参照）。この電気・機械変換素子は、上下部の電極を介して電気・機械変換層に駆動電圧が印加されることにより、電気・機械変換層が電界印加による歪みを呈し、上記で説明したように記録ヘッドの薄膜アクチュエータとしての使用が可能になる。
【０００５】
ところで、チタン酸ジルコン酸鉛系薄膜（ＰＺＴ膜と略す）は高い圧電性を有することから電気・機械変換層として使用されている。しかし、ＰＺＴ膜には有害な鉛が含まれているので、環境汚染等の問題から無鉛材料であるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分として電気・機械変換層（電気・機械変換膜）を形成することが検討されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＢａＴｉＯ３を主成分として電気・機械変換層を形成する場合には、ＢａＴｉＯ３の結晶が十分に成長しないため、粒径が十分に大きくならず、粒組織が均一にならない。したがって、ＢａＴｉＯ３を主成分とした電気・機械変換層は、鉛の使用量は低減するものの、電界印加が繰り返し行われることで圧電特性が劣化しやすくなり、信頼性が十分とはいえなかった。
【０００７】
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたものであり、鉛の使用量を低減しつつ信頼性を向上させることができる電気・機械変換素子、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、鋭意研究の結果、前記課題を解決するために以下のような電気・機械変換素子、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置を採用した。
【０００９】
本発明の電気・機械変換素子は、基板と、この基板の上に形成された下部電極層と、この下部電極層の上に形成された電気・機械変換層と、この電気・機械変換層の上に形成された上部電極層とを備える電気・機械変換素子であって、
前記電気・機械変換層はＢａＴｉＯ３を主成分として電界印加による歪みを呈するものであり、前記下部電極上にはシード層が配置されていることを特徴としている。
【００１０】
本発明の液滴吐出ヘッドは、本発明の電気・機械変換素子を具備することを特徴としている。また、本発明の液滴吐出装置は、本発明の液滴吐出ヘッドを具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、電気・機械変換素子を構成する電気・機械変換層をＢａＴｉＯ３を主成分として電界印加による歪みを呈するように形成し、下部電極上にシード層を配置した。このため、このシード層により、ＢａＴｉＯ３の結晶成長を促進させることが可能になるので、シード層が配置されていない場合に比べて粒径を十分に大きくでき、粒組織も均一になることが可能になる。したがって、電気・機械変換層は、電界印加が繰り返し行われても従来より圧電特性が劣化しにくくなる。よって、本発明は、鉛の使用量を低減しつつ信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施の形態を示すインクジェット記録装置の外観斜視図である。
【図２】図１のインクジェット記録装置の構成を示す断面図である。
【図３】図１のインクジェット記録装置の記録ヘッドを集積した構成を示す断面図である。
【図４】図３の電気・機械変換素子の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図にしたがって説明する。
【００１４】
図１は本発明の一実施の形態を示すインクジェット記録装置８０（液滴吐出装置）の外観斜視図である。図２は、図１のインクジェット記録装置８０の構成を示す断面図である。最初に、インクジェット記録装置８０の構成について説明する。
【００１５】
インクジェット記録装置８０は、装置本体８１の内部に設けた印字機構部８２等を備えている。この印字機構部８２は、主走査方向に移動可能なキャリッジ９３と、このキャリッジ９３に搭載したインクジェットヘッドである記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）９４と、この記録ヘッド９４へインクを供給するインクカートリッジ９５等を有している。
【００１６】
また、装置本体８１の下方部には、前方側から多数枚の用紙８３を積載可能な給紙カセット（或いは給紙トレイでもよい。）８４が抜き差し自在に装着されている。また、装置本体８１の前部には、用紙８３を手差しで給紙するための手差しトレイ８５が開倒可能に取り付けられている。
【００１７】
給紙カセット８４或いは手差しトレイ８５から給送される用紙８３は、装置本体８１へ取り込まれ、印字機構部８２によって所要の画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ８６に排紙されるようになっている。
【００１８】
印字機構部８２は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド９１および従ガイドロッド９２と、この主ガイドロッド９１および従ガイドロッド９２によって主走査方向に摺動自在に保持されているキャリッジ９３とを有している。このキャリッジ９３には、イエロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、ブラック（Ｂｋ）の各色のインク滴を吐出するインクジェットヘッドである複数の記録ヘッド９４が装着され、各記録ヘッド９４は、主走査方向と交差する方向に配列したインク吐出口（ノズル）を有し、インク滴吐出方向は下方に向けられている。
【００１９】
また、キャリッジ９３には、各記録ヘッド９４に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ９５がそれぞれ交換可能に装着されている。
【００２０】
インクカートリッジ９５は、上方に大気と連通する大気口(図示せず)と、下方にはインクジェットヘッドへインクを供給する供給口(図示せず)とを有し、内部にはインクが充填された多孔質体が設けられている。この多孔質体の毛管力によりインクジェットヘッドへ供給されるインクがわずかな負圧に維持されている。
【００２１】
ここでは、記録ヘッド９４として各色の記録ヘッド９４を用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する１個のヘッドでもよい。
【００２２】
キャリッジ９３を主走査方向に移動走査するため、主走査モータ９７で回転駆動される駆動プーリ９８と従動プーリ９９との間にタイミングベルト１００を張装し、このタイミングベルト１００をキャリッジ９３に固定している。そして、主走査モータ９７の正逆回転によりキャリッジ９３が往復駆動される。
【００２３】
一方、給紙カセット８４にセットした用紙８３を記録ヘッド９４の下方側に搬送するために、給紙カセット８４から用紙８３を分離給装する給紙ローラ１０１及びフリクションパッド１０２と、用紙８３を案内するガイド部材１０３と、給紙された用紙８３を反転させて搬送する搬送ローラ１０４と、この搬送ローラ１０４の周面に押し付けられる搬送コロ１０５及び搬送ローラ１０４からの用紙８３の送り出し角度を規定する先端コロ１０６とが装置本体８１に設けられている。
【００２４】
搬送ローラ１０４は、副走査モータ１０７によってギヤ列(図示せず)を介して回転駆動される。
【００２５】
そして、キャリッジ９３の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラ１０４から送り出された用紙８３を記録ヘッド９４の下方側で案内する用紙ガイド部材である印写受け部材１０９を設けている。この印写受け部材１０９の用紙搬送方向下流側には、用紙８３を排紙方向へ送り出すために回転駆動される搬送コロ１１１、拍車１１２を設け、さらに用紙８３を排紙トレイ８６に送り出す排紙ローラ１１３及び拍車１１４と、排紙経路を形成するガイド部材１１５，１１６とを配設している。
【００２６】
記録時には、キャリッジ９３を移動させながら画像信号に応じて記録ヘッド９４を駆動することにより、停止している用紙８３にインクを吐出して１行分を記録し、用紙８３を所定量搬送後次の行の記録を行う。記録終了信号または、用紙８３の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ用紙８３を排紙する。
【００２７】
また、キャリッジ９３の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、記録ヘッド９４の吐出不良を回復するための回復装置１１７を配置している。回復装置１１７はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段を有している。キャリッジ９３は印字待機中にはこの回復装置１１７側に移動されてキャッピング手段で記録ヘッド９４をキャッピングされ、吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。また、記録途中などに記録と関係しないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出性能を維持する。
【００２８】
図３は、記録ヘッド９４を集積した構成を示す断面図である。この記録ヘッド９４は、圧力室２１を形成するとともに下部が開口された断面コ字状の圧力室基板２０と、圧力室基板２０の下部の開口を閉塞したノズル板１０とを有している。圧力室基板２０はＳi基板で形成されるとともに、Ｓi基板からなる振動板（基板）３１を有している。圧力室２１内にはインク（図示せず）が収容されている。ノズル板１０には、インクの吐出口であるノズル孔１１が形成されている。
【００２９】
振動板３１には電気・機械変換素子３０が形成されている。圧力室基板２０には電気・機械変換素子３０を駆動する駆動回路部材等（図示せず）が接続されている。そして、駆動回路部材から駆動電圧を電気・機械変換素子３０へ印加することにより振動板３１が振動して圧力室２１内のインクを加圧する圧力が発生され、ノズル孔１１からインク滴が吐出される。
【００３０】
図４は、電気・機械変換素子３０の構成を示す断面図である。この電気・機械変換素子３０は、上述した振動板３１、振動板３１上に形成された誘電膜３２、誘電膜３２上に形成された密着層３３、密着層３３上に形成された下部電極層３４、下部電極層３４上に形成されたシード層３５、シード層３５上の中央部に形成された電気・機械変換層３６、電気・機械変換層３６上に形成された上部電極層３７を備えている。
【００３１】
誘電膜３２との例しては、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、ＺｒＯ２膜、これらの複合膜、Ｓｉ熱酸化膜等が挙げられる。密着層３３の例としてはＴｉ膜、下部電極層３４の例としてはＰｔ等が挙げられる。
【００３２】
電気・機械変換層３６は、ＢａＴｉＯ３を主成分とし、電界印加による歪みを呈するものである。そして、シード層３５により、ＢａＴｉＯ３の結晶成長を促進させること（種効果）が可能になるので、シード層３５が配置されていない場合に比べて粒径を十分に大きくでき、粒組織も均一になることが可能になる。したがって、電気・機械変換層３６は、電圧印加が繰り返し行われても従来より圧電特性が劣化しにくくなる。よって、本実施の形態の電気・機械変換素子３０は、鉛の使用量を低減しつつ信頼性を向上させることができる。さらに、この電気・機械変換素子３０を備えた記録ヘッド９４、インクジェット記録装置８０についても同様の効果を得ることができる。
【００３３】
また、本実施の形態のインクジェット記録装置８０においては、上記の電気・機械変換素子３０を用いた記録ヘッド９４を搭載しているので、振動板３１の駆動不良によるインク滴吐出不良がなく、安定したインク滴吐出特性が得られて、画像品質が向上することになる。
【００３４】
なお、電気・機械変換層３６は、その膜厚が１μｍ〜２０μｍが好ましく、２μｍ〜２０μｍがさらに好ましい。
【００３５】
また、電気・機械変換層３６は、ＢａＴｉＯ３のＴｉの一部をＳｎに置換した下記の式（１）、（２）を満たすものであるものが好ましい。
（１−ｘ）ＢａＴｉＯ３−ｘＢａＳｎＯ３  ・・・（１）
０．０１＜ｘ＜０．１０（ｘは置換割合）・・・（２）
【００３６】
また、シード層３５には、一般式ＡＢＯ３で表される材料が使用される。Ａは＋２価の金属元素、Ｂは＋４価の金属元素、Ｏは酸素である。具体的には以下の通りである。
【００３７】
Ａとしては、まず、Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａの２価の金属元素が挙げられる。その他は、Ｎａ，Ｋ等の１価の元素とＬａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｂｉ等の３価の元素とが（Ａ１／２１＋，Ａ１／２３＋）のように複合して２価の元素と等価に振舞う組合せでも良い。
【００３８】
Ｂとしては、まず、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖの４価の金属元素が挙げられる。その他は、Ｍｇ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｃｄ等の２価の元素とＮｂ，Ｔａ等の５価の元素とが、（Ｂ１／３２＋，Ｂ２／３５＋）のように複合して４価の元素と等価に振舞う組合せでも良い。
【００３９】
また、Ｆｅ，Ｓｃ，Ｉｎやランタニド等の３価の元素とＮｂ，Ｔａなどの５価の元素とが、（Ｂ１／２３＋，Ｂ１／２５＋）のように複合して４価の元素と等価に振舞う組合せでも良い。
【００４０】
また、Ｃｄ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｏ等の２価の元素とＷ等の６価の元素とが、（Ｂ１／２２＋，Ｂ１／２６＋）のように複合して４価の元素と等価に振舞う組合せでも良い。
【００４１】
また、Ｆｅ等の３価の元素とＷ等の６価の元素とが、（Ｂ２／３３＋，Ｂ１／３６＋）のように複合して４価の元素と等価に振舞う組合せでも良い。
【００４２】
上記に示したシード層３５の中で、ＰｂＴｉＯ３等のＰｂを含む材料は一般に結晶化温度が低い。例えば、Ｐｂを含む材料をＣＳＤ法により形成する場合は４５０℃の熱処理で結晶化薄膜が得られる。
【００４３】
また、ＢａＴｉＯ３の格子定数にあわせこむために、ＰｂＴｉＯ３のＰｂの一部をＬａ置換した（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ３ でも良い。その他には、ＰｂＴｉＯ３のＴｉの一部をＺｒに置換したＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３ 、（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ３のＴｉの一部をＺｒに置換した（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３のいずれかを使用しても良い。
【００４４】
また、シード層３５の膜厚は、電気・機械変換層の膜厚の１０００分の１であることが好ましい。具体的な膜厚は１ｎｍ〜２０ｎｍであることが好ましく、２ｎｍ〜２０ｎｍがさらに好ましい。余剰な膜厚は鉛使用量を増加させるので上限値を設定している。
【００４５】
また、シード層３５には、電気・機械変換層３６のＢａＴｉＯ３と同じ結晶構造を有するものを使用することが好ましい。また、シード層３５は、連続膜または不連続膜（島状膜）のいずれでも良い。
【００４６】
このようなシード層３５上に形成された電気・機械変換層３６をＣＳＤ法で形成するときの結晶化温度は、７５０℃以上に設定することが好ましい。これにより、粒径の巨大化と均一化が達成できる。
【００４７】
以上、本発明に係る実施例を例示したが、この実施例は本発明の内容を限定するものではない。また、本発明の請求項の範囲を逸脱しない範囲であれば、各種の変更等は可能である。
【００４８】
以下、実施例を示して本発明を具体的に説明する。なお、ここで説明する実施例は、単に例示であって、本発明を限定するものではない。
【００４９】
（実施例１）
実施例１では、シード層の材料を変えて電気・機械変換層の特性を測定した。実施例１にかかるデータを以下に示す。
【００５０】
（試料Ｎｏ．１１）
（１）基板・・・Ｓｉ基板（膜厚：６２５μｍ）
（２）誘電層・・・Ｓｉ熱酸化膜（膜厚：１μｍ）
（３）密着層・・・Ｔｉ膜（膜厚５０ｎｍ）
（４）下部電極層・・・Ｐｔ（膜厚：１００ｎｍ）
（５）電気・機械変換層・・・０．９５ＢａＴｉＯ３−０．０５ＢａＳｎＯ３（膜厚：２μｍ、結晶構造：ペロブスカイト構造、成膜方法：ＣＳＤ法、結晶化温度：８５０℃）
（６）シード層・・・ＰｂＴｉＯ３ （膜厚：４ｎｍ、結晶構造：ペロブスカイト構造）
【００５１】
（試料Ｎｏ．１２）
シード層として、０．８ＰｂＴｉＯ３−０．２ＰｂＺｒＯ３（膜厚：４ｎｍ、結晶構造：ペロブスカイト構造）を用いた。その他の構成は、試料Ｎｏ．１１の（１）〜（５）と同じである。
【００５２】
（試料Ｎｏ．１３）
シード層として０．９ＰｂＴｉＯ３−０．１ＬａＴｉＯ３（膜厚：４ｎｍ、結晶構造：ペロブスカイト構造）を用いた。その他の構成は、試料Ｎｏ．１１の（１）〜（５）と同じである。
【００５３】
（試料Ｎｏ．１４）
シード層として、０．７ＢａＴｉＯ３−０．３ＳｒＴｉＯ３（膜厚：４ｎｍ、結晶構造：ペロブスカイト構造）を用いた。その他の構成は、試料Ｎｏ．１１の（１）〜（５）と同じである。
【００５４】
（試料Ｎｏ．１５）
シード層として、ＬｉＮｂＯ３（膜厚：４ｎｍ、結晶構造：イルメナイト構造）を用いた。その他の構成は、試料Ｎｏ．１１の（１）〜（５）と同じである。
【００５５】
（試料Ｎｏ．１６）
シード層を用いずに、試料Ｎｏ．１１の（１）〜（５）で構成した。
【００５６】
各シード層の製造方法は、従来の通りなので説明は省略する。下記の表１に、材料が異なるシード層と電気・機械変換層の特性との関係を示す。
【００５７】
【表１】
2013188904.tif 000003
【００５８】
なお、電気・機械変換層（０．９５ＢａＴｉＯ３−０．０５ＢａＳｎＯ３）の粒組織を説明すると、横軸に粒径寸法、縦軸にその頻度をプロットしたグラフ（一般的な粒度分布グラフ）において中心値に対して対称な分布を示す場合と２つのピークを持つ場合（バイノーダル）がある。
【００５９】
電気・機械変換層の粒径の測定は、電子顕微鏡にて膜表面のＳＥＭ像を観察し、その視野に入る粒をカウントする。任意に直線を引き、これに交わる粒を抽出、大まかな輪郭から円を近似、その直径を結晶粒の粒径とした（一般的なＳＥＭインターセプト法）。サンプル数は１試料に付き５０個以上を計測した。先述のバイノーダル分布はシード層なしのサンプルに強く現れる。
【００６０】
表１に示すように、シード層の結晶構造は、電気・機械変換層の材料の結晶構造（ペロブスカイト構造）と同じものであるほうが良い。これにより、電気・機械変換層の粒径（平均粒径）を大きくすることができ、電気・機械変換層の比誘電率、つまり電界印加を向上させることができる。
【００６１】
また、シード層の組成にＰｂが含まれている場合は、粒径の増加と均一化が認められ、電気・機械変換層の比誘電率の増加が認められる。
【００６２】
なお、シード層が０．９５ＢａＴｉＯ３−０．０５ＢａＳｎＯ３の場合は、温度に対する静電容量変化は室温から１００℃の温度範囲でブロードなピークを持ち、約６０℃に最大値を示す。
【００６３】
（実施例２）
実施例２では、電気・機械変換層の結晶化温度を変えて電気・機械変換層の特性を測定した。実施例２にかかるデータを以下に示す。
【００６４】
（試料Ｎｏ．２１）
シード層・・・ＰｂＴｉＯ３（膜厚：４ｎｍ、結晶化温度：８００℃）
電気・機械変換層・・・０．９５ＢａＴｉＯ３−０．０５ＢａＳｎＯ３（膜厚：２μｍ、成膜方法：ＣＳＤ法、結晶化温度：７００℃）
その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じである。
【００６５】
（試料Ｎｏ．２２）
シード層は、試料Ｎｏ．２１と同じである。電気・機械変換層は、試料Ｎｏ．２１と同じものを使用したが、結晶化温度を７５０℃に設定した。その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じものである。
【００６６】
（試料Ｎｏ．２３）
シード層は、試料Ｎｏ．２１と同じである。電気・機械変換層は、試料Ｎｏ．２１と同じものを使用したが、結晶化温度を８００℃に設定した。その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じものである。
【００６７】
（試料Ｎｏ．２４）
シード層は、試料Ｎｏ．２１と同じである。電気・機械変換層は、試料Ｎｏ．２１と同じものを使用したが、結晶化温度を８５０℃に設定した。その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じものである。
【００６８】
（試料Ｎｏ．２５）
シード層は、試料Ｎｏ．２１と同じである。電気・機械変換層は、試料Ｎｏ．２１と同じものを使用したが、結晶化温度を９００℃に設定した。その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じものである。
【００６９】
（試料Ｎｏ．２６）
シード層は、試料Ｎｏ．２１と同じである。電気・機械変換層は、試料Ｎｏ．２１と同じものを使用したが、結晶化温度を９５０℃に設定した。その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じである。
【００７０】
下記の表２に、電気・機械変換層の結晶化温度と電気・機械変換層の特性との関係を示す。
【００７１】
【表２】
2013188904.tif 000004
【００７２】
結晶化温度が７００℃では、従来よりも各特性（平均粒径、最大粒径、最小粒径、比誘電率）が優れており、７５０℃以上では各特性が上昇してさらに優れていることがわかる。
【００７３】
結晶化温度が８５０℃までは、結晶化温度の上昇に伴って各特性は上昇するが、８５０℃以上では、飽和する傾向がみられる。
【００７４】
（実施例３）
実施例３では、シード層の膜厚を変えて電気・機械変換層の特性を測定した。実施例３にかかるデータを以下に示す。
【００７５】
（試料Ｎｏ．３１）
シード層・・・ＰＺＴ（２０／８０）、膜厚は１ｎｍ、結晶化温度は８５０℃である。
電気・機械変換層・・・０．９５ＢａＴｉＯ３−０．０５ＢａＳｎＯ３（膜厚：２μｍ、成膜方法：ＣＳＤ法、結晶化温度：８５０℃）
その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じである。
【００７６】
（試料Ｎｏ．３２）
シード層・・・ＰＺＴ（２０／８０）、膜厚２ｎｍ、結晶化温度８５０℃である。
電気・機械変換層は、試料Ｎｏ．３１と同じである。
その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じである。
【００７７】
（試料Ｎｏ．３３）
シード層・・・ＰＺＴ（２０／８０）、膜厚４ｎｍ、結晶化温度８５０℃である。
電気・機械変換層は、試料Ｎｏ．３１と同じである。
その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じである。
【００７８】
（試料Ｎｏ．３４）
シード層・・・ＰＺＴ（２０／８０）、膜厚１０ｎｍ、結晶化温度８５０℃である。
電気・機械変換層は、試料Ｎｏ．３１と同じである。
その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じである。
【００７９】
（試料Ｎｏ．３５）
シード層・・・ＰＺＴ（２０／８０）、膜厚２０ｎｍ、結晶化温度８５０℃である。
電気・機械変換層は、試料Ｎｏ．３１と同じである。
その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じである。
【００８０】
（試料Ｎｏ．３６）
シード層・・・ＰＺＴ（２０／８０）、膜厚４０ｎｍ、結晶化温度８５０℃である。
電気・機械変換層は、試料Ｎｏ．３１と同じである。
その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じである。
【００８１】
（試料Ｎｏ．３０）
シード層を用いずに、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）、試料Ｎｏ．３１の電気・機械変換層で構成した。
【００８２】
なお、シード層の膜厚の制御は、ＣＳＤ前躯体溶液の濃度を制御することで行う。膜厚の測定には接触式段差計や分光エリプソメータを用いる。
【００８３】
下記の表３に、シード層の膜厚と電気・機械変換層の特性との関係を示す。
【００８４】
【表３】
2013188904.tif 000005
【００８５】
シード層の膜厚が２０ｎｍまでは、膜厚が大きくなるに伴って各特性は上昇するが、２０ｎｍを超えると、各特性が飽和する傾向がみられる。
【００８６】
（実施例４）
実施例４では、シード層の有無による電気・機械変換層の特性を測定した。実施例４にかかるデータを以下に示す。
【００８７】
（試料Ｎｏ．４１）
シード層・・・ＰｂＴｉＯ３（膜厚：４ｎｍ、結晶化温度：４５０℃）
電気・機械変換層・・・０．９５ＢａＴｉＯ３−０．０５ＢａＳｎＯ３（膜厚：２μｍ、成膜方法：ＣＳＤ法、結晶化温度：７５０℃）
その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じである。
【００８８】
（試料Ｎｏ．４２）
シード層・・・０．８ＰｂＴｉＯ３−０．２ＰｂＺｒＯ３（膜厚：４ｎｍ、結晶化温度：５８０℃）
電気・機械変換層は、試料Ｎｏ．４１と同じである。
その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じである。
【００８９】
（試料Ｎｏ．４３）
シード層・・・０．９ＰｂＴｉＯ３−０．１ＬａＴｉＯ３（膜厚：４ｎｍ、結晶化温度：５４０℃）
電気・機械変換層は、試料Ｎｏ．４１と同じである。
その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じである。
【００９０】
（試料Ｎｏ．４４）
シード層・・・０．７ＢａＴｉＯ３−０．３ＳｒＴｉＯ３（膜厚：４ｎｍ、結晶化温度：７５０℃）
電気・機械変換層は、試料Ｎｏ．４１と同じである。
その他の構成は、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）と同じである。
【００９１】
（試料Ｎｏ．１０）
シード層を用いずに、実施例１の試料Ｎｏ．１１の（１）〜（４）、試料Ｎｏ．３１の電気・機械変換層で構成した。
【００９２】
下記の表４に、シード層の有無による電気・機械変換層の特性を示す。
【００９３】
【表４】
2013188904.tif 000006
【００９４】
表４に示すように、シード層がある電気・機械変換層（試料Ｎｏ．４１〜４４）の比誘電率（電界印加）は、シード層がない電気・機械変換層（試料Ｎｏ．１０）の比誘電率よりも大きいことがわかる。
【００９５】
また、シード層の結晶化温度は、シード層に使用されている材料の結晶化温度とほぼ一致している。したがって、実施例のシード層の効果は、従来の薄膜化技術で使用されているシード層の種効果と同じであることがわかる。
【符号の説明】
【００９６】
３０    電気・機械変換素子
３１    振動板（基板）
３４    下部電極層
３５    シード層
３６    電気・機械変換層
３７    上部電極層
８０    インクジェット記録装置（液滴吐出装置）    
９４    記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００９７】
【特許文献１】特開２００９−５４９３４号公報
【図１】
2013188904.tif 000007
【図２】
2013188904.tif 000008
【図３】
2013188904.tif 000009
【図４】
2013188904.tif 000010