(57)【要約】【課題】蛍光体キャップによりＬＥＤダイを被覆したＬＥＤ装置を製造しやすくする。【解決手段】ＬＥＤ装置１０は、ＬＥＤダイ２０を回路基板１４にフリップチップ実装し、そのＬＥＤダイ２０が蛍光体キャップ１１で被覆されている。このとき蛍光体キャップ１１の平面外形と回路基板１４の平面外形が等しくなっている。このＬＥＤ装置１０は、ＬＥＤダイ２０をフリップチップ実装した集合基板１４ａと蛍光体キャップシート１１ａとが準備された状態から、集合基板１４ａに蛍光体キャップシート１１ａを重ね、その後切断するだけの工程を経るだけで得られる。【選択図】図２
2013118210.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子をフリップチップ実装した回路基板を備え、該半導体発光素子を蛍光体キャップで被覆した半導体発光装置の製造方法において、
前記回路基板が連結した集合基板と複数の前記半導体発光素子を準備する基板準備工程と、
前記集合基板の回路基板の配列ピッチと等しいピッチで前記蛍光体キャップが連結した蛍光体キャップシートを準備する蛍光体キャップシート準備工程と、
前記集合基板に前記複数の半導体発光素子をフリップチップ実装するフリップチップ実装工程と、
前記半導体発光素子を実装した前記集合基板と前記蛍光体キャップシートとを重ね合わせる重ね合わせ工程と、
前記蛍光体キャップシートごと前記集合基板を切断し、前記半導体発光装置を得る個片化工程と
を備えることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記蛍光体キャップシート準備工程において、金型に蛍光体シートを配置してから、前記金型を使った成形により前記蛍光体シート上に前記蛍光体キャップの側部となる白色反射部材を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記フリップチップ実装工程の後に、前記半導体発光素子に接着剤を塗布する接着剤塗布工程があることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項４】
半導体発光素子をフリップチップ実装した回路基板を備える半導体発光装置において、
前記半導体発光素子を被覆する蛍光体キャップが前記半導体発光素子と共に前記回路基板上に実装され、
前記蛍光体キャップの平面外形と前記回路基板の平面外形が等しく形成された
ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項５】
前記蛍光体キャップと前記半導体発光素子の間に接着層があることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記蛍光体キャップの側部に白色反射部材があることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蛍光体層で被覆された半導体発光素子を備える半導体発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハーから切り出した半導体発光素子（以下特に断らない限りＬＥＤダイと呼ぶ）は、回路基板やリードフレームに実装しパッケージ化することが多い（以下ＬＥＤダイをパッケージ化したものをＬＥＤ装置と呼ぶ）。パッケージ化の一例として特許文献１の図１を図７に転記する。なお一部、部材を示す番号を変更している。図７は従来例として示した発光装置４（ＬＥＤ装置）の断面図である。図７において、無機材質基板２（回路基板）にＬＥＤ１（ＬＥＤダイ）がフリップチップ実装され、ＬＥＤ１の上面と側面が波長変換層３（蛍光体層）で被覆され、さらにガラス蓋５でＬＥＤ１が封止されている。無機材質基板２は配線パターン２ａ、出力電極２ｂ、スルーホール２ｃ、接着層２ｄを備えている。波長変換層３は、特許文献１の段落００２８に記載されているように、シリコーン樹脂により作成された蛍光体キャップであり、この蛍光体キャップをＬＥＤ１に被せたものである。
【０００３】
ＬＥＤダイが小さい場合、特許文献１に示された発光装置１０（ＬＥＤ装置）のように、マザー基板とＬＥＤダイとの電極間ピッチを調整するため、インターポーザとして回路基板やリードフレームが使われる。これに対しＬＥＤダイが大きくなると、ＬＥＤダイの底面にマザー基板の電極間ピッチと一致する接続用電極を形成できるようになる。例えば特許文献２の図５を図８転記する。図８は従来例として示した蛍光型ＬＥＤ８０（ＬＥＤ装置）の断面図である。なお図８では特許文献２の図５に対し部材の番号を変更している。蛍光型ＬＥＤ８０（ＬＥＤ装置）は、透明基板８１、ｎ型窒化物半導体層８２、ｐ型窒化物半導体層８３、ｎ側電極８４、及びｐ側電極８５からなるＬＥＤダイの底部に絶縁膜８６を備え、絶縁膜８６に形成した外部接続用電極８７，８８が直接的にマザー基板の電極に接続する。このＬＥＤダイのｎ型及びｐ型の電極８５，８６はスルーホール９１，９２を介して外部接続電極８７，８８と接続している。なおＬＥＤダイを被覆する蛍光樹脂８９は、蛍光粒子を含有する樹脂キャップ（蛍光体キャップ）であり、ＬＥＤダイに被せて固定されている。
【０００４】
ふつうＬＥＤダイに含まれる半導体層は絶縁膜で被覆されているので、絶縁膜上にマザー基板と直接的に接続できる外部接続電極を形成すると構造が簡単になる。特許文献２で示された蛍光型ＬＥＤ８０（ＬＥＤ装置）であれば、製造工程等を簡略化しようとする場合、絶縁層８６をｎ型及びｐ型窒化物半導体層８４，８５等を覆う絶縁膜とすれば良い。この絶縁膜は電気的に接続するための領域が開口しているので、この開口部を塞ぐようにしながら外部接続電極のピッチを調整することになる。またＬＥＤダイを被覆している蛍光体キャップ（蛍光樹脂８９）は、ＬＥＤダイの周囲に均一な蛍光体層を簡単に形成できる。この蛍光体キャップは、製造を容易にするのに加え、蛍光体を節約できたり、方位角による発光色のムラを低減できたりする。以上のように、マザー基板と直接的に接続できる電極（ｎ型及びｐ型の電極８５，８６）と蛍光体キャップとを組合せれば構造が簡単で製造が容易なＬＥＤ装置が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１７７３７５号公報  （図１、段落００２８）
【特許文献２】特開２０１１−９５７２号公報  （図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながらこのようなＬＥＤ装置は、実装用の回路基板がない場合、回路基板が担っていたインターポーザやその他の機能を、底部において電極構造や保護部材により補填しなければならない。インターポーザ機能としては、図８に示した特許文献２のＬＥＤ装置（蛍光型ＬＥＤ８０）のように、所望の位置に外部接続電極を配置するため金属配線を多層化して対応することが多い。また他の機能としては、例えばＬＥＤ装置の底面から侵入しようとする有害物質や応力の防止機能があげられる。有害物質としては水分や硫黄などがあり、絶縁膜のピンホールを通じて半導体層に侵入し半導体層を劣化させる。このため底面に配置する保護部材を強化しなくてはならない。また外部接続電極がＬＥＤ素子底面に直接的に形成されていると、外部から侵入して来る応力が半導体に含まれる金属層などを剥離させることがある。そこで外部接続電極の柔軟性や配線間の位置関係、金属層間の接続力などを調整して対応せざるを得ない。
【０００７】
以上のような不具合は回路基板があれば回路基板により軽減される。しかしながらＬＥＤダイを回路基板上に実装したＬＥＤ装置を多数個準備し、このＬＥＤ装置で照明装置を構成するとき、各ＬＥＤ装置に蛍光体キャップを被せる工程が負担になるという課題がある。
【０００８】
そこで本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、蛍光体を節約できたり発光色の方位角依存性が少なかったりする蛍光体キャップのメリットを享有しながら、蛍光体キャップを被せる工程が大きな負担とならない半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため本発明の半導体発光装置の製造方法は、半導体発光素子をフリップチップ実装した回路基板を備え、該半導体発光素子を蛍光体キャップで被覆した半導体発光装置の製造方法において、
前記回路基板が連結した集合基板と複数の前記半導体発光素子を準備する基板準備工程と、
前記集合基板の回路基板の配列ピッチと等しいピッチで前記蛍光体キャップが連結した蛍光体キャップシートを準備する蛍光体キャップシート準備工程と、
前記集合基板に前記複数の半導体発光素子をフリップチップ実装するフリップチップ実装工程と、
前記半導体発光素子を実装した前記集合基板と前記蛍光体キャップシートとを重ね合わせる重ね合わせ工程と、
前記蛍光体キャップシートごと前記集合基板を切断し、前記半導体発光装置を得る個片化工程とを備えることを特徴とする。
【００１０】
この半導体発光装置の製造方法は、複数の回路基板が連結した集合基板に複数の半導体発光装置をフリップチップ実装し、並行して準備しておいた蛍光体キャップシートを重ねあわせ、蛍光体キャップシートごと回路基板を切断することにより、多数個同時に半導体発光装置を作成するものである。この半導体発光装置は、半導体発光素子を実装した回路基板を備え、さらにこの蛍光体キャップシートを切断して得られる蛍光体キャップで半導体発光素子を被覆しているので、蛍光体キャップ及び回路基板のメリットを亨有している。そして個別の半導体発光素子に個別に蛍光体キャップを被せる必要がないため蛍光体キャップを被せる工程が大きな負担とならない。
【００１１】
前記蛍光体キャップシート準備工程において、金型に蛍光体シートを配置してから、前
記金型を使った成形により前記蛍光体シート上に前記蛍光体キャップの側部となる白色反射部材を形成してもよい。
【００１２】
前記フリップチップ実装工程の後に、前記半導体発光素子に接着剤を塗布する接着剤塗布工程があっても良い。
【００１３】
上記目的を達成するため本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子をフリップチップ実装した回路基板を備える半導体発光装置において、
前記半導体発光素子を被覆する蛍光体キャップが前記半導体発光素子と共に前記回路基板上に実装され、
前記蛍光体キャップの平面外形と前記回路基板の平面外形が等しく形成された
ことを特徴とする半導体発光装置。
【００１４】
この半導体発光装置は、まず複数の回路基板が連結した集合基板に複数の半導体発光装置をフリップチップ実装し、これと並行して複数の蛍光体キャップが連結した蛍光体キャップシートを準備しておき、この回路基板上に蛍光体キャップシートを重ね、その後蛍光体キャップシートごと回路基板を切断することにより、多数個同時に作成できる。また本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子を実装した回路基板を備え、さらにこの蛍光体キャップシートを切断して得られる蛍光体キャップが半導体発光素子を被覆している。このようにして本発明の半導体発光装置は、蛍光体キャップ及び回路基板のメリットを享有しながら、個別の半導体発光素子に個別に蛍光体キャップを被せる必要がないため蛍光体キャップを被せる工程が大きな負担とならない。
【００１５】
前記蛍光体キャップと前記半導体発光素子の間に接着層があっても良い。
【００１６】
前記蛍光体キャップの側部に白色反射部材があっても良い。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように本発明の半導体発光装置及びその製造方法によれば、蛍光体を節約でき発光色の方位角依存性が少ない蛍光体キャップのメリットを享有していながら、製造工程を短縮した半導体発光装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ装置の外形図。
【図２】図１のＬＥＤ装置の断面図。
【図３】図１のＬＥＤ装置の製造方法の説明図。
【図４】本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ装置の正面図。
【図５】図４のＬＥＤ装置の断面図。
【図６】図４のＬＥＤ装置の蛍光体キャップシート準備工程の説明図。
【図７】従来例として示したＬＥＤ装置の断面図。
【図８】従来例として示したＬＥＤ装置の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図１〜６を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。
（第１実施形態）
【００２０】
図１により本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ装置１０（半導体発光装置）の外観を
説明する。図１はＬＥＤ装置１０の外観を示す外形図であり、（ａ）が正面図、（ｂ）が底面図である。ＬＥＤ装置１０を正面から眺めると、蛍光体キャップ１１の下部に回路基板１４が見え、さらに回路基板１４の下に外部接続電極１２，１３が見える（ａ）。なお図示していないがＬＥＤ装置１０を上面から眺めると蛍光体キャップ１１のみが見える。ＬＥＤ装置１０を下から眺めると、回路基板１４の内側に外部接続電極１２，１３が見える（ｂ）。
【００２１】
図２によりＬＥＤ装置１０の内部構造を説明する。図２は図１（ｂ）のＡＡ線に沿って描いたＬＥＤ装置１０の断面図である。ＬＥＤ装置１０は、回路基板１４と、その回路基板１４にフリップチップ実装したＬＥＤダイ２０（半導体発光素子）と、接着剤１５を介してＬＥＤダイ２０を被覆している蛍光体キャップ１１とからなる。
【００２２】
ＬＥＤダイ２０は、サファイア基板２１と、サファイア基板２１の底面に形成されたｎ型半導体層２２と、ｎ型半導体層２２の下に形成されたｐ型半導体層２３と、ｐ型及びｎ型半導体層２３，２２を覆い開口部を有する絶縁膜２４と、絶縁膜２４の開口部においてそれぞれｐ型及びｎ型半導体層２３，２２と接続するｐ側及びｎ側の電極２５，２６とを備えている。サファイア基板２１は透明絶縁基板であり厚さが８０〜１２０μｍである。ｎ型半導体層２２はＧａＮバッファ層とｎ型ＧａＮ層からなり厚さが５μｍ程度である。ｐ型半導体層２３は、反射や原子拡散防止などさまざまな機能に対応する金属多層膜とｐ型ＧａＮ層からなり厚みが１μｍ程度である。図示していないが発光層はｐ型半導体層２３とｎ型半導体層２２の境界部にあり、平面形状はｐ型半導体層２３とほぼ等しい。絶縁膜２４はＳｉＯ２やポリイミドからなり厚さが数１００ｎｍ〜１μｍ程度である。ｐ側及びｎ側の電極２５，２６はＡｕ又はＣｕをコアとするバンプであり、電解メッキ法で形成し厚さが１０〜３０μｍ程度である。
【００２３】
回路基板１４は、上面に内部接続電極１６，１７、並びに下面に外部接続電極１２，１３が形成され、内部接続電極１６，１７と外部接続電極１２，１３はスルーホール電極１８，１９で接続している。回路基板１４の板材は、熱伝導性等や反射率を考慮して、金属、セラミック、樹脂などから選択する。内部接続電極１６，１７及び外部接続電極１２，１３はＮｉとＡｕをメッキした銅箔であり、厚さは数μｍ〜５０μｍ程度である。スルーホール電極１８，１９は直径１００〜数１００μｍのスルーホールに金属ペーストを充填したものである。なお回路基板１４は蛍光体キャップ１１と平面的なサイズが等しい。
【００２４】
蛍光体キャップ１１は、蛍光体を含有したシリコーン樹脂からなり、上側が閉じた箱形をしている。シリコーン樹脂はミラブルであり柔軟性を有する。ここでミラブルとはゴム状に架橋したシリコーンを硫黄でさらに架橋したものであるが、硬質のシリコーンに比べ架橋が少なくなっている。蛍光体キャップ１１の上面と側面は厚さが１００〜２００μｍである。なお蛍光体キャップ１１の下端は回路基板１４と近接しているので、ＬＥＤダイ２０の底面の周辺部から洩れ出そうとする光を遮っている。蛍光体キャップ１１とＬＥＤダイ２０を接着する接着剤１５は、サファイア基板２１の屈折率と蛍光体キャップの屈折率を連続的に変化させ発光効率を低下させないという機能もある。接着剤１５はＬＥＤダイ２０の下部に存在することが好ましく、回路基板１４と蛍光体キャップ１１の間に接着剤１５が薄く存在しても良い。
【００２５】
ＬＥＤダイ２０のｐ側及びｎ側の電極２５，２６と回路基板の内部接続電極１６，１７とはＡｕ−Ｓｎ共晶により接続させると良い。このＡｕ−Ｓｎ共晶接合は、予めｐ側及びｎ側の電極２５，２６若しくは内部接続電極１６，１７上にＡｕ−Ｓｎ合金層を形成しておき、Ａｕ−Ｓｎ合金層を溶融させてそれぞれの電極を接合する。Ａｕ−Ｓｎ共晶接合は溶融温度を３００〜４００℃に設定できるため、ＬＥＤ装置１０をマザー基板（図示せず）に半田リフローで接合するとき、ｐ側及びｎ側の電極２５，２６と内部接続電極１６，
１７の接続部を固体状態にしておけるため好ましい。ちなみに半田リフローは２６０℃程度である。
【００２６】
次に図３によりＬＥＤ装置１０の製造方法を説明する。図３はＬＥＤ装置１０の製造方法の説明図であり、（ａ）が集合基板１４ａとＬＥＤ素子２０を準備する基板準備工程、（ｂ）がＬＥＤ素子２０を集合基板１４ａにフリップチップ実装するフリップチップ実装工程、（ｃ）がＬＥＤ素子２０に接着剤１５を塗布する接着剤塗布工程、（ｄ）が蛍光体キャップシート１１ａを準備する蛍光体キャップシート準備工程、（ｅ）がＬＥＤ素子２０を実装した集合基板１４ａと蛍光体キャップシート１１ａを重ね合わせる重ね合わせ工程、（ｆ）が蛍光体キャップシート１１ａごと集合基板１４ａを切断しＬＥＤ装置１０を得る個片化工程、を示している。なお図３では、ＬＥＤダイ２０のｐ型及びｎ型半導体層２３，２２、回路基板１４の内部接続電極１６，１７等（図２参照）を図示せず、ＬＥＤダイ２０、集合基板１４ａを簡略化して描いている。
【００２７】
まず（ａ）で示す基板準備工程において、回路基板１４が連結した集合基板１４ａと複数のＬＥＤダイ２０を準備する。次に（ｂ）で示すフリップチップ実装工程において、集合基板１４ａに複数のＬＥＤダイ２０をフリップチップ実装する。集合基板１４ａ上の内部接続電極１６，１７（図２参照）のピッチにあわせてＬＥＤダイ２０を粘着シート（図示せず）に配列し、この粘着シートを集合基板１４ａと重ね、粘着シートごとＬＥＤダイ２０を加熱加圧し、一括して複数のＬＥＤダイ２０を集合基板１４ａに接続する。なお粘着シートにはＬＥＤダイ２０のサファイア基板２１（図２参照）を貼り付け、ｐ側及びｎ側の電極２５，２６（図２参照）を露出する。またＬＥＤダイ２０のｐ側及びｎ側の電極２５，２６の下面、又は内部接続電極１６ａ，１７ａの上面に予めＡｕ−Ｓｎ層を形成しておき、接続面が所定の温度（３００〜４００℃）になっている状態を数秒から数１０秒間維持する。次に（ｃ）で示す接着剤塗布工程において、ＬＥＤダイ２０の上面に適量の接着剤をディスペンサで塗布する。
【００２８】
これら（ａ），（ｂ），（ｃ）で示した基板準備工程，フリップチップ実装工程，接着剤塗布工程と並行して、（ｄ）で示す蛍光体キャップシート１１ａを準備する。蛍光体キャップシート１１ａは、集合基板１４ａにおける回路基板１４の配列ピッチと等しいピッチで蛍光体キャップ１１が連結したものであり、射出成型で作成する。蛍光体キャップシート１１ａの材料であるシリコーン樹脂は、重合度３０００から１００００の線状ポリマーを主成分とし、シリカ系補強性充填剤、潤滑剤、各種添加剤を配合したもので、使用時に加硫剤を添加することにより加熱硬化する。
【００２９】
フリップチップ実装したＬＥＤダイ２０に接着剤１５ａを塗布した集合基板１４ａと、蛍光体キャップシート１１ａが準備できたら、これらを重ね合わせる。（ｅ）で示す重ね合わせ工程において、集合基板１４ａと蛍光体キャップシート１１ａを重ね合わせたら加熱加圧し接着剤１５ａを硬化させ接着層１５を形成する。このとき接着剤１５ａはＬＥＤダイ２０の側面及び底面に回り込んでいる。
【００３０】
最後に（ｆ）で示す個片化工程において、蛍光体キャップシート１１ａごと集合基板１４ａを切断し、ＬＥＤ装置１０を得る。ダイサーにより切断するとき、蛍光体キャップシート１１ａと集合基板１４ａの硬さが異なるため、異なったブレードを使用してもよい。このとき回路基板１４の平面サイズと蛍光体キャップ１１の平面サイズは加工精度の分だけ僅かに異なる。
【００３１】
図３で示した製造方法は、集合基板１４ａを最後の個片化工程で切断していた。なお集合基板１４ａを複数の回路基板を含むように分割しても良い。同様に蛍光体キャップシートも小型化しても良い。つまり集合基板の精度、ＬＥＤダイの実装精度、蛍光体キャップ
シートの加工精度などを加味して、分割した集合基板等が最も効率的になるようにする。また少数個の試作品を顧客に提供する場合などでは、フリップチップ実装した集合基板を個片化し、同様に蛍光体キャップシートから個片化した蛍光体キャップでＬＥＤダイ２０を被覆しても良い。
【００３２】
また図３で示した製造方法には（ｃ）で示した接着剤塗布工程があった。蛍光体キャップシート１１ａが半硬化状態で接着性を備えていれば、ＬＥＤダイ２０の上面又は側面と蛍光体キャップシート１１ａを直接的に接着することにより接着剤塗布工程を省略できる。
（第２実施形態）
【００３３】
図１，２に示したＬＥＤ装置１０は上部に光を出射するとともに側部にも光を出射する。しかしながらＬＥＤ装置の使い方によっては側部に出射する光を利用しにくいことがある。そこで図４〜６により本発明の第２実施形態として側部には出射光がなく、上部にのみ光を出射するＬＥＤ装置４０を説明する。
【００３４】
図４により本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ装置４０（半導体発光装置）の外観を説明する。図４はＬＥＤ装置４０の正面図である。ＬＥＤ装置１０を正面から眺めると、最上部に蛍光体層４１、その下に白色反射部材４２が見え、さらにその下に回路基板１４と外部接続電極１２，１３が見える。ここで蛍光体キャップ４３は蛍光体層４１と白色反射部材４２からなる。回路基板１４と外部接続電極１２，１３は、図１に示したＬＥＤ装置１０に含まれる回路基板１４と外部接続電極１２，１３と同じものである。このため図示していないＬＥＤ装置４０の底面は図１（ｂ）と同じものとなる。
【００３５】
次に図５によりＬＥＤ装置４０の内部構造を説明する。なお図５は図１（ｂ）のＡＡ線に相当する切断線に沿って描いたＬＥＤ装置４０の断面図である。ＬＥＤ装置４０の断面と、図２に示したＬＥＤ装置１０の断面は、ＬＥＤ装置４０において、蛍光体キャップ４３が上部の蛍光体層４１と側部の白色反射部材４２とからなっていることだけである。蛍光体層４１は、蛍光粒子を含有したシート状のシリコーン樹脂である。白色反射部材４２は酸化チタン等の反射性微粒子を含有したシリコーン樹脂であり、ＬＥＤダイ２０をとり囲んでいる。蛍光体層４１及び白色反射部材４２はともにミラブルである。
【００３６】
ＬＥＤダイ２０の側部から出射した光は白色反射部材４２を含むさまざまな面で反射し最終的に上方へ向かう。ＬＥＤ装置４０は、反射等に伴う損失があるためＬＥＤ装置１０よりも全光束が小さくなるが、上方に向かう光しかないため使いやすい場合がある。
【００３７】
最後に図６により蛍光体キャップシート４３ａを準備する工程を説明する。図６はＬＥＤ装置４０の蛍光体キャップシート準備工程の説明図である。先ず蛍光体シート４１ａを準備する（ａ）。蛍光体シート４１ａは、硬化前のシリコーン樹脂に蛍光体を混練し、シート上にして硬化させたものであり、その厚さは１００μｍ程度である。次に金型４４を使い白色反射部材４２ａを形成する（ｂ）。先ず金型４４内に蛍光体シート４１ａを敷き、金型４４をセットしたら硬化前の白色反射部材４２ａを注入し硬化させる。最後に金型４４から蛍光体キャップシート４３ａを取り出す（ｃ）。ＬＥＤ装置４０の他の工程は図３で示した各工程と同じである。
【００３８】
ＬＥＤ装置１０及びＬＥＤ４０の製造方法において、基板準備工程では一の集合基板１４ａに実装するＬＥＤダイ２０の特性（例えばピーク波長など）を揃えておくことが好ましい。このようにしてＬＥＤ装置１０及び４０の色度範囲を狭くすることができる。同時に蛍光体キャップシート１１ａ，４３ａの発光特性を複数通り準備しておくことが好ましい。例えばＬＥＤダイ２０が青色で発光する場合、蛍光体キャップ１１に含まれる緑色の蛍光体、赤色の蛍光体の量及び比率を複数通り調整しておく。このようにするとＬＥＤダイ２０の特性がシフトしても、発光特性の異なる蛍光体キャップシート１１ａ，４３ａから適切なものを選択することにより、この色度シフトを補償しＬＥＤ装置１０，４０の色度範囲を小さくできる。
【００３９】
またこの手法は色度を正確に管理する場合だけでなく、色度の仕様変更に迅速に対応するのにも役立つ。例えば顧客が色度を指定してきた場合、予め集合基板１４ａに実装しておいた蛍光体キャップシート１１ａ，４３ａ実装前のＬＥＤダイ２０に、やはり予め準備しておいた蛍光体キャップシート１１ａ，４３ａを組合せて製品を提供することが可能となる。このように短時間で色度仕様の変更に対応できるため在庫管理にも柔軟に対応できる。すなわち蛍光体キャップシート１１ａ，４３ａと、ＬＥＤダイ２０をフリップチップ実装しただけの集合基板１４ａを準備しておけば、この集合基板１４ａと蛍光体キャップシート１１ａ，４３ａとを重ね合わせ、切断するだけで製品供給が可能となるわけである。
【符号の説明】
【００４０】
１０，４０…ＬＥＤ装置（半導体発光装置）、
１１，４３…蛍光体キャップ、
１１ａ，４３ａ…蛍光体キャップシート、
１２，１３…外部接続電極、
１４…回路基板、
１４ａ…集合基板、
１５…接着層、
１５ａ…接着剤、
１６，１７…内部接続電極、
１８，１９…スルーホール電極、
２０…ＬＥＤダイ（半導体発光素子）、
２１…サファイア基板、
２２…ｎ型半導体層、
２３…ｐ型半導体層、
２４…絶縁膜、
２５…ｐ側電極、
２６…ｎ側電極、
４１…蛍光体層、
４１ａ…蛍光体シート、
４２，４２ａ…白色反射部材、
４４…金型。
【図１】
2013118210.tif 000003
【図２】
2013118210.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2013118210.tif 000009
【図８】
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