(57)【要約】【課題】上部磁性体の接合性、絶縁性、耐電圧特性などを優秀に維持すると共に透磁率を高め、インピーダンス特性を改善し、性能及び信頼性を向上することができる、ノイズ除去フィルタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のノイズ除去フィルタ１００は、下部磁性体１１０と、この下部磁性体１１０の上部に設けられ、少なくとも一つの導電体パターン１２１を有する絶縁層１２０と、この絶縁層１２０の上部に設けられる１次フェライト複合体１３１と、この１次フェライト複合体１３１の上部に設けられ、この１次フェライト複合体１３１の表面に形成された細孔を覆う２次フェライト複合体１３２とを備える上部磁性体１３０とを含む。【選択図】図５
2013135208.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の磁性体と、
前記第１の磁性体上に設けられ、少なくとも一つの導電体パターンを有する絶縁層と、
前記絶縁層上部設けられた１次フェライト複合体、及び当該１次フェライト複合体上に設けられた前記１次フェライト複合体の表面に形成された細孔を覆う２次フェライト複合体を備える第２の磁性体と
を含むノイズ除去フィルタ。
【請求項２】
前記１次フェライト複合体及び前記２次フェライト複合体は、フェライト粉末及びポリマを含んで構成される請求項１に記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項３】
前記２次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径は、前記１次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径より小さく形成される請求項２に記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項４】
前記１次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径は、２０〜３５μｍのサイズを有し、前記２次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径は、０．０１〜３μｍのサイズを有する請求項３に記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項５】
前記１次フェライト複合体を構成するフェライト粉末及びポリマは、重量比９：１の混合比率を有し、前記２次フェライト複合体を構成するフェライト粉末及びポリマは、重量比７：３の混合比率を有する請求項２から４の何れか１項に記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項６】
前記１次フェライト複合体及び前記２次フェライト複合体は、各々分散剤をさらに含む請求項２から５の何れか１項に記載のノイズ除去フィルタ。
【請求項７】
少なくとも一つの導電体パターンを有する絶縁層を準備するステップと、
前記絶縁層上に１次フェライト複合体を形成するステップと、
前記１次フェライト複合体の表面に形成された細孔を覆う２次フェライト複合体を形成するステップと
を含むノイズ除去フィルタの製造方法。
【請求項８】
前記１次フェライト複合体を形成するステップ後、前記１次フェライト複合体の表面をポリシングするステップと、
前記２次フェライト複合体を形成するステップ後、前記２次フェライト複合体の表面をポリシングするステップと
を含む請求項７に記載のノイズ除去フィルタの製造方法。
【請求項９】
前記１次フェライト複合体及び前記２次フェライト複合体は、フェライト粉末及びポリマを含む請求項７または８に記載のノイズ除去フィルタの製造方法。
【請求項１０】
前記２次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径は、１次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径より小さく形成される請求項９に記載のノイズ除去フィルタの製造方法。
【請求項１１】
前記１次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径は、２０〜３５μｍのサイズを有し、前記２次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径は、０．０１〜３μｍのサイズを有する請求項１０に記載のノイズ除去フィルタの製造方法。
【請求項１２】
前記１次フェライト複合体を構成するフェライト粉末及びポリマは、重量比９：１の混合比率を有し、前記２次フェライト複合体を構成するフェライト粉末及びポリマは、重量比７：３の混合比率を有する請求項９から１１の何れか１項に記載のノイズ除去フィルタの製造方法。
【請求項１３】
前記１次フェライト複合体及び前記２次フェライト複合体は、各々分散剤をさらに含む請求項９から１２の何れか１項に記載のノイズ除去フィルタの製造方法。
【請求項１４】
前記２次フェライト複合体を形成するステップは、前記細孔を含む前記１次フェライト複合体の表面に前記２次フェライト複合体を充填するステップを含む請求項７から１３の何れか１項に記載のノイズ除去フィルタの製造方法。
【請求項１５】
前記１次フェライト複合体を形成するステップ及び前記２次フェライト複合体を形成するステップは、内部のボイドを除去するための脱泡工程と、安定化及び硬化のためのレベリング工程と、表面研摩のためのポリシング工程とをさらに含む請求項７から１４の何れか１項に記載のノイズ除去フィルタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノイズ除去フィルタに関し、特に、簡単な構造及び工程で透磁率を高めると共にインピーダンス特性を改善して性能を向上することができるノイズ除去フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
ディジタルＴＶ、スマートホン、ノートパソコンなどのような電子製品は、高周波帯域でのデータ送受信の機能が広く使われている。今後にも、このようなＩＴ電子製品は、一つの機器だけではなく、相互間のＵＳＢ、その他の通信ポートを接続して多機能化・複合化して活用頻度が高くなると予想される。
【０００３】
データ送受信を早く行うためには、ＭＨｚ帯域の周波数帯域からＧＨｚ帯域の高周波数帯域へと移動してより多量の内部信号ラインを通じてデータをやりとるようになる。
【０００４】
このように多量のデータをやりとるために、メイン機器と周辺機器との間でＧＨｚ帯域の高周波数帯域の送受信時、信号の遅延やその他ノイズによってデータを円滑に処理するのに問題が発生している。
【０００５】
そのため、電子製品自体がノイズの発生源にならないようにすると共に、外部ノイズによって誤動作などが生じないようにするイミュニティ（Ｉｍｍｕｎｉｔｙ）対策が必要になる。
【０００６】
このため、ＩＴと周辺機器との接続部寄りにＥＭＩ対策部品を設けている。しかしながら、既存のＥＭＩ対策部品は巻線型／積層型タイプであって、チップ部品のサイズが大きく且つ電気的特性が悪く、特定の部位や大面積回路基板などのように限定領域のみに使用可能であった。そのため、電子製品のスリム化、小型化、複合化、多機能化への転換に応じるＥＭＩ対策部品が要求されている。
【０００７】
以下、添付の図１〜図４を参照して、従来技術によるＥＭＩ対策コイル部品の中でコモンモードフィルタについて詳記する。
【０００８】
図１〜図２ｃを参照して、従来のコモンモードフィルタは、下部磁性基板１０と、この下部磁性基板１０の上部に設けられ、内部に第１のコイルパターン２１と第２のコイルパターン２２とが上下対称に設けられる絶縁層２０と、この絶縁層２０の上部に設けられる上部磁性体３０とを含んで構成される。
【０００９】
前記絶縁層２０は、前記下部磁性基板１０の上部に、薄膜工程によって、前記第１のコイルパターン２１及び前記第２のコイルパターン２２が内部に形成されてなされる。該薄膜工程の一例には、特許文献１に示されている。
【００１０】
前記絶縁層２０には、前記第１のコイルパターン２１に対して電気を入出力するための第１の入力リードパターン２１ａ及び第１の出力リードパターン２１ｂが形成され、前記第２のコイルパターン２２に対して電気を入出力するための第２の入力リードパターン２２ａ及び第２の出力リードパターン２２ｂが形成される。
【００１１】
より詳しくは、前記絶縁層２０は、前記第１のコイルパターン２１及び前記第１の入力リードパターン２１ａを含む第１のコイル層と、前記第２のコイルパターン２２及び前記第２の入力リードパターン２２ａを含む第２のコイル層と、前記第１の出力リードパターン２１ｂ及び前記第２の出力リードパターン２２ｂを含む第３のコイル層とで構成される。
【００１２】
即ち、前記下部磁性基板１０の上面に、薄膜工程によって、前記第１のコイルパターン２１及び前記第１の入力リードパターン２１ａを形成した後、絶縁材料をコーティングして前記第１のコイル層を形成する。
【００１３】
前記第１のコイル層の上面に、薄膜工程によって、前記第１のコイルパターン２１に対応する前記第２のコイルパターン２２及び前記第２の入力リードパターン２２ａを形成した後、絶縁材料をコーティングして前記第２のコイル層を形成する。
【００１４】
続いて、前記第１のコイルパターン２１及び前記第２のコイルパターン２２の外部出力のために、前記第２のコイル層の上面に、薄膜工程によって前記第１の出力リードパターン２１ｂ及び前記第２の出力リードパターン２２ｂを形成した後、絶縁材料をコーティングして第３のコイル層を形成する。
【００１５】
前記第１のコイルパターン２１及び前記第２のコイルパターン２２は各々、前記第１の出力リードパターン２１ｂ及び前記第２の出力リードパターン２２ｂに、ビア接続構造によって電気的に接続される。
【００１６】
前記第１の入力リードパターン２１ａは、第１の入力スタッド端子４１ａに接続され、前記第１の出力リードパターン２１ｂは前記第１の入力スタッド端子４１ａに対応する第１の出力スタッド端子４１ｂに接続され、前記第２の入力リードパターン２２ａは、第２の入力スタッド端子４２ａに接続され、前記第２の出力リードパターン２２ｂは、前記第２の入力スタッド端子４２ａに対応する第２の出力スタッド端子４２ｂに接続される。
【００１７】
詳しくは示されていないが、前記第１のコイル層〜第３のコイル層は、シート形態で製作され、積層方式で結合されることによって、前述の第１及び第２のコイルパターンと、第１及び第２の入力リードパターンと、第１及び第２の出力リードパターンとを有する絶縁層を構成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開平８-２０３７３７号公報
【特許文献２】特開２００９-２８３８２４号公報
【特許文献３】特開２０１０-０６２３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
一方、前述のように構成された従来のコモンモードフィルタにおいて、前記上部磁性体３０は、前記絶縁層２０との接合性、絶縁性、耐電圧特性などを向上するために、フェライト粉末にバインダとして樹脂を混合した複合材料を充填して形成される。該混合する樹脂の量が多すぎると、コモンモードフィルタの透磁率が著しく減衰され、コモンモードフィルタの性能及び特性を低下させるという問題があった。
【００２０】
また、透磁率を高めるために、前記上部磁性体３０を構成するフェライト粉末の粒径を大きくすると、コモンモードフィルタの高周波特性が悪くなるという問題がある。また、前記上部磁性体３０のバインダとして樹脂の量を減らすと、前記上部磁性体３０の接合性、絶縁性、耐電圧特性などが悪くなるという問題があった。
【００２１】
また、透磁率を高めるための他の方法として、前記上部磁性体３０を成形する時高温環境を提供するものがある。しかしながら、この方法においては、温度が高い環境では作業性が低下し、また温度を高めるための設備の増加やコモンモードフィルタの信頼性を低下させるという問題があった。
【００２２】
一方、前記上部磁性体３０は、前記絶縁層２０の上部にフェライト粉末と樹脂とを混合した複合材料で充填されて硬化された後、ポリシング工程によって表面研摩が行われる。この時、上部磁性体３０の表面から該フェライト粉末が脱落するという問題があった。
【００２３】
より詳しくは、図３及び図４に示すように、前記上部磁性体３０は、透磁率の低下を防止するためにフェライト粉末に対比して重量比１０％程度の樹脂を混合するのが望ましい。これによって、前記絶縁層２０に対する前記上部磁性体３０の接合性は、ある程度一定に維持されることができる。しかしながら、前記上部磁性体３０へのポリシング工程時に上部磁性体の表面に加えられる押圧力に比べてフェライト粉末を結束させるための接合性は低い。そのため、該ポリシング工程時に前記上部磁性体３０の表面に加えられる押圧力によって、前記上部磁性体３０の表面からフェライト粉末が脱落され、該上部磁性体３０の表面において前記フェライト粉末が脱落された空間に細孔（ｐｏｒｅ）３０ａが設けられてしまった。
【００２４】
そのため、透磁率の低下を誘発するだけでなくコモンモードフィルタのインピーダンス特性を低下させ、性能及び信頼性を低減させるという不都合があった。
【００２５】
本発明は上記の問題に鑑みて成されたものであって、上部磁性体の接合性、絶縁性、耐電圧特性などを優秀に維持すると共に透磁率を高め、インピーダンス特性を改善し、性能及び信頼性を向上することができる、ノイズ除去フィルタ及びその製造方法を提供することに、その目的がある。
【００２６】
本発明の他の目的は、簡単な構造及び工程で透磁率を高めると共に、透磁率の向上のための設備の増加を前もって防止することによって、製造費用の上昇を防止すると共に生産性を向上することができる、ノイズ除去フィルタ及びその製造方法を提供することにある。
【００２７】
本発明のさらに他の目的は、上部磁性体の表面に発生する細孔を防止すると共に該細孔の大きさを極小化することによって、透磁率の低下を防止し、インピーダンス特性を高めて性能及び信頼性をより一層向上することができる、ノイズ除去フィルタ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
上記目的を解決するために、本発明によれば、下部磁性体と、この下部磁性体上部に設けられ、少なくとも一つの導電体パターンを有する絶縁層と、この絶縁層の上部に設けられる１次フェライト複合体と、この１次フェライト複合体の上部に設けられ、該１次フェライト複合体の表面に形成された細孔を覆う２次フェライト複合体とを有する上部磁性体と、を含むノイズ除去フィルタが提供される。
【００２９】
前記１次フェライト複合体及び前記２次フェライト複合体は、フェライト粉末及びポリマ（ｐｏｌｙｍｅｒ）を含んで構成される。
【００３０】
前記２次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径は、前記１次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径より小さく形成される。
【００３１】
一例として、前記１次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径は、２０〜３５μｍのサイズを有し、前記２次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径は、０．０１〜３μｍのサイズを有する。
【００３２】
前記１次フェライト複合体を構成するフェライト粉末及びポリマは、重量比９：１の混合比率を有し、前記２次フェライト複合体を構成するフェライト粉末及びポリマは、重量比７：３の混合比率を有する。
【００３３】
前記１次フェライト複合体及び前記２次フェライト複合体は、各々分散剤をさらに含んでもよい。
【００３４】
前記細孔は、前記１次フェライト複合体のポリシング工程時に発生され、前記２次フェライト複合体は、該細孔を含む前記１次フェライト複合体の表面に充填される。
【００３５】
前記１次フェライト複合体及び前記２次フェライト複合体は、各々充填された後、内部のボイド（ｖｏｉｄ）を除去するための脱泡工程と、安定化及び硬化のためのレベリング工程と、表面研摩のためのポリシング工程とを経って設けられる。
【００３６】
また、上記目的を解決するために、本発明の他の実施形態によれば、少なくとも一つの導電体パターンを有する絶縁層を準備するステップと、この絶縁層の上部に１次フェライト複合体を形成するステップと、この１次フェライト複合体の表面に形成された細孔を覆う２次フェライト複合体を形成するステップと、を含むノイズ除去フィルタの製造方法が提供される。
【００３７】
前記ノイズ除去フィルタの製造方法は、前記１次フェライト複合体を形成するステップ後に前記１次フェライト複合体の表面をポリシングするステップと、前記２次フェライト複合体を形成するステップ後に前記２次フェライト複合体の表面をポリシングするステップとを含む。
【００３８】
前記１次フェライト複合体及び前記２次フェライト複合体は、フェライト粉末及びポリマを含む。
【００３９】
前記２次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径は、望ましくは、１次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径より小さく形成される。
【００４０】
より詳しくは、前記１次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径は、２０〜３５μｍのサイズを有し、前記２次フェライト複合体のフェライト粉末の粒径は、０．０１〜３μｍのサイズを有する。
【００４１】
前記１次フェライト複合体を構成するフェライト粉末及びポリマは、重量比９：１の混合比率を有し、前記２次フェライト複合体を構成するフェライト粉末及びポリマは、重量比７：３の混合比率を有する。
【００４２】
前記１次フェライト複合体及び前記２次フェライト複合体は、各々分散剤をさらに含んでもよい。
【００４３】
前記２次フェライト複合体を形成するステップは、前記細孔を含む前記１次フェライト複合体の表面に前記２次フェライト複合体を充填するステップを含む。
【００４４】
前記１次フェライト複合体を形成するステップ及び前記２次フェライト複合体を形成するステップは各々、内部のボイド（ｖｏｉｄ）を除去するための脱泡工程と、安定化及び硬化のためのレベリング工程と、表面研摩のためのポリシング工程とをさらに含む。
【発明の効果】
【００４５】
前述のように、本発明のノイズ除去フィルタ及びその製造方法によれば、上部磁性体の接合性、絶縁性、耐電圧特性などを優秀に維持すると共に透磁率を高めることによって、ノイズ除去フィルタのインピーダンス特性を改善し、製品の性能及び信頼性を向上することができるという効果を奏する。
【００４６】
また、本発明のノイズ除去フィルタ及びその製造方法によれば、簡単な構造及び工程で透磁率を高めると共に、透磁率を向上するための設備の増加による製造費用の上昇を抑止し、生産性を向上することができるという効果を奏する。
【００４７】
また、本発明のノイズ除去フィルタ及びその製造方法によれば、上部磁性体の表面に発生する細孔を防止すると共に該細孔の大きさを極小化することによって、透磁率の低下を防止し、インピーダンス特性をより一層高めて、性能及び信頼性をより一層向上することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】従来のノイズ除去フィルタの中でコモンモードフィルタを概略的に示す断面図である。
【図２ａ】図１の１次コイルパターンを概略的に示す平面図である。
【図２ｂ】図１の２次コイルパターンを概略的に示す平面図である。
【図２ｃ】図２ａの１次コイルパターンの出力側リードパターンと図２ｂの２次コイルパターンの出力側リードパターンとを概略的に示す平面図である。
【図３】図１のノイズ除去フィルタの上部磁性体表面ポリシング後の状態を概略的に示す断面図である。
【図４】図３の上部磁性体の表面を示す平面写真である。
【図５】本発明の一実施形態によるノイズ除去フィルタを概略的に示す断面図である。
【図６】本発明によるノイズ除去フィルタで１次フェライト複合体及び２次フェライト複合体に対して行われる脱泡工程、レベリング工程及びポリシング工程を概略的に示す工程図である。
【図７】図５のノイズ除去フィルタの２次フェライト複合体の表面を示す平面写真である。
【図８ａ】本発明の一実施形態によるノイズ除去フィルタの製造方法を概略的に示す工程図であって、下部磁性体に１次導電体パターン及び２次導電体パターンを有する絶縁層が設けられた状態を概略的に示す断面図である。
【図８ｂ】同じく、図８ａの状態で絶縁層上に１次フェライト複合体が設けられた状態を概略的に示す断面図である。
【図８ｃ】同じく、図８ｂの状態で２次フェライト複合体が設けられた状態を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４９】
以下、本発明の好適な実施の形態は図面を参考にして詳細に説明する。次に示される各実施の形態は当業者にとって本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として挙げられるものである。従って、本発明は以下示している各実施の形態に限定されることなく他の形態で具体化されることができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現されることができる。明細書全体に渡って同一の参照符号は同一の構成要素を示している。
【００５０】
本明細書で使われた用語は、実摘形態を説明するためのものであって、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は文句で特別に言及しない限り複数形も含む。明細書で使われる「含む」とは、言及された構成要素、ステップ、動作及び/又は素子は、一つ以上の他の構成要素、ステップ、動作及び／又は素子の存在または追加を排除しないことに理解されたい。
【００５１】
以下、添付の図５〜図８ｃを参照して、本発明の一実施形態によるノイズ除去フィルタ及びその製造方法について詳記する。図５は、本発明の一実施形態によるノイズ除去フィルタを概略的に示す断面図で、図６は、１次フェライト複合体及び２次フェライト複合体に対して行われる脱泡工程、レベリング工程及びポリシング工程を概略的に示す工程図であり、図７は、図５のノイズ除去フィルタにおける２次フェライト複合体の表面を示す平面写真である。
【００５２】
図８ａ〜図８ｃは、本発明の一実施形態によるノイズ除去フィルタの製造方法を概略的に示す工程図であって、図８ａは、下部磁性体に１次導電体パターン及び２次導電体パターンを有する絶縁層が設けられた状態を概略的に示す断面図で、図８ｂは、図８ａの状態で絶縁層上に１次フェライト複合体が設けられた状態を概略的に示す断面図であり、図８ｃは、図８ｂの状態で２次フェライト複合体が設けられた状態を概略的に示す断面図である。
【００５３】
まず、図５〜図７を参照して、本発明の一実施形態によるノイズ除去フィルタについて詳記する。
【００５４】
図５及び図７に示すように、本発明の一実施形態によるノイズ除去フィルタ１００は大きく、第１の磁性体である下部磁性体１１０と、この下部磁性体１１０上に設けられ、１次導電体パターン１２１及び２次導電体パターン１２２を有する絶縁層１２０と、この絶縁層１２０の上部に形成されるキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）に設けられる第２の磁性体である上部磁性体１３０とを含んで構成される。
【００５５】
前記絶縁層１２０には、前記１次導電体パターン１２１に対して電気を入出力するための第１の入力リードパターン１２１ａ及び第１の出力リードパターン１２１ｂが形成され、前記２次導電体パターン１２２に対して電気を入出力するための第２の入力リードパターン１２２ａ及び第２の出力リードパターン１２２ｂが形成される。
【００５６】
また、本実施形態のノイズ除去フィルタ１００は、外部から前記第１及び第２の入力リードパターン１２１ａ、１２２ａへ電気を供給するために、前記第１及び第２の入力リードパターン１２１ａ、１２２ａに電気的に接続される第１及び第２の入力スタッド端子１４１ａ、１４２ａと、前記第１及び第２の出力リードパターン１２１ｂ、１２２ｂに電気的に接続され、前記１次及び２次導電体パターン１２１、１２２に供給された電気を外部に出力するための第１及び第２の出力スタッド端子１４１ｂ、１４２ｂとを含む。
【００５７】
また、本実施形態において、前記上部磁性体１３０は、前記キャビティに設けられる１次フェライト複合体１３１と、この１次フェライト複合体１３１の表面へのポリシング工程時に前記１次フェライト複合体１３１の表面に形成される細孔１３１ａを覆う２次フェライト複合体１３２とを含んで構成される。
【００５８】
前記１次フェライト複合体１３１及び前記２次フェライト複合体１３２は、各々フェライト粉末及びポリマを含んで構成される。
【００５９】
前記２次フェライト複合体１３２のフェライト粉末の粒径は、望ましくは、前記１次フェライト複合体１３１のフェライト粉末の粒径より小さく形成される。
【００６０】
一例として、前記１次フェライト複合体１３１のフェライト粉末の粒径は、２０〜３５μｍのサイズを有し、前記２次フェライト複合体１３２のフェライト粉末の粒径は、０．０１〜３μｍのサイズを有する。
【００６１】
また、前記１次フェライト複合体１３１を構成するフェライト粉末及びポリマは、重量比９：１の混合比率を有し、前記２次フェライト複合体を構成するフェライト粉末及びポリマは、重量比７：３の混合比率を有する。
【００６２】
言い換えれば、本実施形態のノイズフィルタ１００は、前記１次フェライト複合体１３１のフェライト粉末より微細なフェライト粉末を含む前記２次フェライト複合体１３２で前記１次フェライト複合体１３１の表面に形成された細孔１３１ａを覆うと共に、該２次フェライト複合体１３２のポリマ混合量を増加させることによって、該２次フェライト複合体１３２の表面研摩のためのポリシング工程時にフェライト粉末の脱落を最小化または防止し、図７に示すように、２次フェライト複合体１３２の表面に細孔の発生を最小化または防止するか、該細孔の大きさを極小化することができる。
【００６３】
したがって、前記１次フェライト複合体１３１及び前記２次フェライト複合体１３２を含む上部磁性体１３０の透磁率の低下を最小化または防止することによって、従来に対比して透磁率を著しく高め、インピーダンス特性を改善することによって、製品の性能及び信頼性を向上することができる。
【００６４】
一方、前記１次フェライト複合体１３１及び前記２次フェライト複合体１３２は、各々分散剤をさらに含んでもよい。
【００６５】
これによって、前記フェライト粉末と前記ポリマとの混合時、前記フェライト粉末の分散力を高め、各フェライト複合体内でフェライト粉末の均一な分布を得ることによって、ノイズ除去フィルタに均等な透磁率を提供し、インピーダンス特性を改善することができる。
【００６６】
また、図６に示すように、前記１次フェライト複合体１３１及び前記２次フェライト複合体１３２は各々充填された後、該充填されたフェライト粉末及びポリマの混合材料内に含まれた孔、即ちボイド（ｖｏｉｄ）とソルベントなどを除去する脱泡工程と、この脱泡工程後に前記混合材料が充填空間内の全体に渡って均一に充填、安定化されると共に硬化されるレベリング工程と、このレベリング工程で過度に充填された混合材料を取り除き、表面を研くためのポリシング工程とが行われる。
【００６７】
次に、図８ａ〜図８ｃを参照して、本発明の一実施形態によるノイズ除去フィルタの製造方法について詳記する。
【００６８】
まず、図８ａに示すように、フェライト系列の基板形態で製作された下部磁性体１１０を準備し、この下部磁性体１１０上に１次導電体パターン１２１及び２次導電体パターン１２２と、これらの１次及び２次導電体パターン１２１、１２２の各々の入出力側に形成される第１及び第２の入出力リードパターン１２１ａ、１２１ｂ、１２２ａ、１２２ｂとを含む絶縁層１２０を形成する。
【００６９】
続いて、前記第１及び第２の入出力リードパターン１２１ａ、１２１ｂ、１２２ａ、１２２ｂに電気的に接続される第１及び第２の入出力スタッド端子１４１ａ、１４１ｂ、１４２ａ、１４２ｂを形成する。第１及び第２の出力スタッド端子１４１ｂ、１４２ｂは、図７に示されている。
【００７０】
続いて、図８ｂに示すように、前記絶縁層１２０の上部に形成されたキャビティ、即ち前記第１及び第２の入出力スタッド端子１４１ａ、１４１、１４２ａ、１４２ｂ間の間隔によって形成される空間に、１次フェライト複合体１３１を充填する。
【００７１】
前記１次フェライト複合体１３１は、フェライト粉末及びポリマを含み、前記１次フェライト複合体１３１のフェライト粉末の粒径は、略２０〜３５μｍのサイズを有し、前記フェライト粉末及びポリマは、９：１の混合割合で混合される。
【００７２】
続いて、前記１次フェライト複合体１３１の表面研摩のために、ポリシング工程が行われる。
【００７３】
このポリシング工程時、前記１次フェライト複合体１３１の表面に加えられる押圧力によって、前記１次フェライト複合体１３１を構成するフェライト粉末が脱落され、前記１次フェライト複合体１３１の表面に細孔１３１ａが形成される。
【００７４】
本実施形態によれば、図８ｃに示すように、前記１次フェライト複合体１３１の表面に形成された細孔１３１ａを覆う２次フェライト複合体１３２を前記１次フェライト複合体１３１の表面に充填することができる。
【００７５】
同様に、前記２次フェライト複合体１３２はフェライト粉末及びポリマを含み、前記２次フェライト複合体１３２のフェライト粉末は、前記１次フェライト複合体１３１のフェライト粉末より小さな粒径を有するように形成される。一例として、前記２次フェライト複合体１３２のフェライト粉末の粒径は、０．０１〜３μｍのサイズを有する。
【００７６】
また、前記２次フェライト複合体１３２を構成するフェライト粉末及びポリマは、重量比７：３の混合比率を有する。
【００７７】
かくして、前記２次フェライト複合体１３２は、１次フェライト複合体１３１に比べてポリマの成分が増加することによってフェライト粉末に対する結束力が大きくなる。そのため、前記２次フェライト複合体１３２の表面研摩のためのポリシング工程時にフェライト粉末の脱落を最小化または防止することによって、該２次フェライト複合体１３２の表面に細孔の発生を最小化または防止することができる。
【００７８】
言い換えれば、本実施形態によれば、前記１次フェライト複合体１３１のフェライト粉末より微細なフェライト粉末を含む前記２次フェライト複合体１３２で、前記１次フェライト複合体１３１の表面に形成された細孔１３１ａを覆うと共に該２次フェライト複合体１３２のポリマ混合量を高めることによって、該２次フェライト複合体１３２の表面研摩のためのポリシング工程時にフェライト粉末の脱落を最小化または防止し、図７に示すように、前記２次フェライト複合体１３２の表面に細孔の発生を最小化または防止するか、該細孔の大きさを極小化することができる。
【００７９】
また、前記１次フェライト複合体１３１及び前記２次フェライト複合体１３２を含む上部磁性体１３０の透磁率の低下を最小化または防止し、従来に対比して透磁率を著しく高め、インピーダンス特性を改善することによって、製品の性能及び信頼性を向上することができる。
【００８０】
一方、前記１次フェライト複合体１３１及び前記２次フェライト複合体１３２は、各々分散剤をさらに含んでもよい。これによって、前記フェライト粉末と前記ポリマとの混合時、前記フェライト粉末の分散力を高めることによって、各フェライト複合体内でフェライト粉末の均一な分布を得ることができる。
【００８１】
また、前記１次フェライト複合体１３１を設ける工程と前記２次フェライト複合体を設ける工程とは、前述のように、内部のボイドを除去するための脱泡工程と、安定化及び硬化のためのレベリング工程と、表面研摩のためのポリシング工程とを各々さらに含んでもよい。前記ポリシング工程は、前述の前記１次フェライト複合体１３１及び前記２次フェライト複合体１３２へのポリシング工程を意味する。
【００８２】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、前記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００８３】
１００  ノイズ除去フィルタ
１１０  下部磁性体
１２０  絶縁層
１２１  １次導電体パターン
１２１ａ  第１の入力リードパターン
１２１ｂ  第１の出力リードパターン
１２２  ２次導電体パターン
１２２ａ  第２の入力リードパターン
１２２ｂ  第２の出力リードパターン
１３０  上部磁性体
１３１  １次フェライト複合体
１３２  ２次フェライト複合体
１４１ａ  第１の入力スタッド端子
１４１ｂ  第１の出力スタッド端子
１４２ａ  第２の入力スタッド端子
１４２ｂ  第２の出力スタッド端子
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図４】
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【図７】
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