(57)【要約】【課題】外装メッキ剥がれや、Ａｇマイグレーションが抑制された信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  実施形態の半導体装置は、入力リードと、発光素子と、出力リードと、受光素子と、樹脂成型体と、を有する。入力リードは、入力インナーリード部と、入力アウターリード部と、第１の銀層と、を有する。発光素子は、第１の銀層の表面に設けられる。出力リードは、出力インナーリード部と、出力アウターリード部と、第２の銀層と、を有する。また、第２の銀層は、上面部と、上面部から出力インナーリード部の側面に広がった側面部と、を有する。受光素子は、第２の銀層の上面部に設けられ、発光素子と対向する。樹脂成型体は、発光素子と、受光素子と、入力インナーリード部と、出力インナーリード部と、包む。出力リードは、第２の銀層の側面部から出力インナーリード部の側面に到達する切断面を有する。【選択図】図１
2013161923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力側と出力側とが電気的に絶縁された半導体装置であって、
入力インナーリード部と、入力アウターリード部と、前記入力インナーリード部の表面に設けられた第１の銀層と、を有する入力リードと、
前記第１の銀層の表面に設けられた発光素子と、
出力インナーリード部と、前記入力アウターリード部が突出する方向とは反対の方向に突出する出力アウターリード部と、前記出力インナーリード部の表面に設けられた第２の銀層と、を有する出力リードであって、前記第２の銀層は、前記出力インナーリード部の上面に設けられた上面部と、前記上面部から前記出力インナーリード部の側面に広がった側面部と、を有する出力リードと、
前記第２の銀層の前記上面部に設けられ、前記発光素子から放出される光を受光可能な受光素子と、
前記発光素子と、前記受光素子と、前記入力インナーリード部と、前記出力インナーリード部と、包む樹脂成型体と、
を備え、
前記出力リードは、前記第２の銀層の前記側面部から前記出力インナーリード部の前記側面に到達する切断面を有し、
前記樹脂成型体は、前記切断面を覆う半導体装置。
【請求項２】
前記出力インナーリード部は、ダイパッド部と、前記ダイパッド部から外方に突出する吊りピンと、を含み、
前記第２の銀層の前記側面部は、前記吊りピンの側面に広がり、
前記受光素子は、前記ダイパッド部の上面に設けられた前記第２の銀層の前記上面部に設けられた請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
ダイパッド部と、前記ダイパッド部から外方に突出する吊りピンと、少なくとも前記ダイパッド部の表面に設けられた第１の銀層と、を有する第１のリードであって、前記第１の銀層は、上面部と、前記上面部から前記吊りピンの側面に広がった第１の側面部と、を有する第１のリードと、
前記第１の銀層の前記上面部に設けられた半導体素子と、
インナーリード部と、アウターリード部と、前記インナーリード部の表面に設けられた第２の銀層と、を有する第２のリードであって、前記第２の銀層は上面部と、前記上面部から前記インナーリード部の側面に広がった第２の側面部と、を有し、前記ダイパッド部の外側に設けられた第２のリードと、
前記半導体素子と、前記第２の銀層の前記上面部と、を接続するボンディングワイヤと、
前記半導体素子と、前記ダイパッド部と、前記吊りピンと、前記インナーリード部と、前記ボンディングワイヤと、を包む樹脂成型体と、
を備え、
前記第１のリードは、前記第１の銀層の前記第１の側面部から前記吊りピンの前記側面に到達する第１の切断面を有し、
前記第２のリードは、前記第２の銀層の前記第２の側面部から前記インナーリード部の前記側面に到達する第２の切断面を有し、
前記樹脂成型体は、前記第１および第２の切断面を覆う半導体装置。
【請求項４】
複数のリードを有するリードフレームであって、前記複数のリードの上面部と前記上面部から前記リードフレームの側面に広がった側面部とを有する銀メッキ層が設けられ、前記銀メッキ層の前記側面部から前記リードの前記側面に到達する切断面を有するリードフレームを用い、前記複数のリードのうちの第１のリードの前記銀メッキ層の上面部に半導体素子を接着する工程と、
前記半導体素子と、前記複数のリードのうちの第２のリードの前記銀メッキ層の上面部と、をボンディングワイヤにより接続する工程と、
前記第１のリードの前記切断面と、前記第２のリードの前記切断面と、前記第１のリードのインナーリード部と、前記第２のリードのインナーリード部と、前記半導体素子と、前記ボンディングワイヤと、を包むように樹脂成型体を形成する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項５】
プレス加工または研削により、前記切断面を形成する工程をさらに備えた請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームに半導体素子を接着した半導体装置では、リードフレームの表面にＡｇ層を選択的に設ける場合がある。たとえば、集積回路装置において、Ａｇ層とボンディングワイヤとは、良好なコンタクトを保つことができる。また、発光装置において、光反射率の高いＡｇ層を内部に設けると、光取り出し効率を高めることができる。
【０００３】
Ａｇ層をメッキで形成する場合、表面の不要領域をシリコンラバーなどでマスクすると、必要領域のみに選択メッキができる。しかしながら、リードフレームの厚さ方向の側面にメッキ液が漏れて、側面Ａｇ層すなわちリードフレームの側面に形成されたＡｇ層が生じやすい。特に、半導体装置を小型化する場合、リードフレームも小型となるので側面Ａｇ層の発生を抑制することがより困難となる。
【０００４】
メッキによる側面Ａｇ層は、リードフレームの長手方向に沿った側面に広がりやすい。側面Ａｇ層があるとＳｎＡｇなどの外装メッキ層が剥がれやすくなる。また、リードフレームと、樹脂成型体と、の間隙に沿って、Ａｇがマイグレーションを生じる問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３４０３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
外装メッキ剥がれや、Ａｇマイグレーションが抑制された信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。  
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の半導体装置は、入力側と出力側とが電気的に絶縁された状態で信号伝達が可能な半導体装置であって、入力リードと、発光素子と、出力リードと、受光素子と、樹脂成型体と、を有する。入力リードは、入力インナーリード部と、入力アウターリード部と、入力インナーリード部の表面に設けられた第１の銀層と、を有する。発光素子は、第１の銀層の表面に設けられる。出力リードは、出力インナーリード部と、入力リードのアウターリード部の突出する方向とは反対の方向に突出する出力アウターリード部と、出力インナーリード部の表面に設けられた第２の銀層と、を有する。また、第２の銀層は、出力インナーリード部の上面に設けられた上面部と、上面部から出力インナーリード部の側面に広がった側面部と、を有する。受光素子は、第２の銀層の上面部に設けられ、発光素子と対向する。樹脂成型体は、発光素子と、受光素子と、入力インナーリード部と、出力インナーリード部と、包む。出力リードは、第２の銀層の側面部から出力インナーリード部の側面に到達する切断面を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（ａ）は第１の実施形態にかかる半導体装置の模式斜視図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、である。
【図２】第１の実施形態にかかる半導体発光素子の製造方法のフロー図である。
【図３】図３（ａ）はシェービング前のリードフレームの部分模式平面図、図３（ｂ）はシェービング後のリードフレームの部分模式平面図、である。
【図４】図４（ａ）は切断面のうちＡ部の写真図、図４（ｂ）は切断面のうちＢ部の写真図、である。
【図５】図５（ａ）は出力側のリードフレームのシェービング前の模式平面図、図５（ｂ）はそのシェービング後の模式平面図、である。なお、斜線部はメッキ領域を示す。
【図６】図６（ａ）は外装メッキ後のリードフレームのうちの１つを上方からみた模式斜視図、図６（ｂ）は下方からみた模式斜視図、図６（ｃ）は入力リード１０のＡｇメッキ層を示す写真図、である。
【図７】図７（ａ）は第１の実施形態にかかる半導体装置の出力側フレームのシェービング前の模式平面図、図７（ｂ）は変形例のシェービング後の模式平面図、である。
【図８】図８（ａ）は第２の実施形態にかかる半導体装置の樹脂成型前の模式平面図、図８（ｂ）はＥＸ部を拡大した模式平面図、である。
【図９】第２の実施形態にかかる半導体装置の製造方法のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図１（ａ）は第１の実施形態にかかる半導体装置の模式斜視図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、である。
半導体装置は、入力リード１０と、発光素子３０と、出力リード２０と、受光素子４０と、樹脂成型体５０と、を有する。なお、樹脂成型体５０は、破線で表している。
【００１０】
入力リード１０は、第１入力リード１１と、第２入力リード１２と、を含む。第１入力リード１１は、ダイパッド部１１ａを含むインナーリード部１１ｂと、アウターリード部１１ｃと、インナーリード部１１ｂの表面に設けられた第１の銀（Ａｇ）層６１と、を有する。発光素子３０は、ダイパッド部１１ａに設けられた第１のＡｇ層６１に接着される。
【００１１】
また、第２入力リード１２は、ボンディング部１２ａを含むインナーリード部１２ｂと、アウターリード部１２ｃと、インナーリード部１２ｂの表面に設けられた第１のＡｇ層６０と、を有する。発光素子３０の上部電極と、ボンディング部１２ａに設けられた第１のＡｇ層６１と、はＡｕ線などのボンディングワイヤで接続される。
【００１２】
出力リード２０は、第１出力リード２１と、第２出力リード２２と、第３出力リード２３と、を含む。第１出力リード２１は、ダイパッド２１ａを含むインナーリード部２１ｂと、アウターリード部２１ｃと、ダイパッド部２１ａの表面に設けられた第２のＡｇ層６０と、を有する。また、第２出力リード２２は、ダイパッド部２２ａを含むインナーリード部２２ｂと、アウターリード部２２ｃと、ダイパッド部２２ａの表面に設けられた第２のＡｇ層６０と、を有する。
【００１３】
また、第３出力リード２３は、ダイパッド部２３ａと吊りピン２３ｂ、２３ｃとを含むインナーリード部と、ダイパッド部２３ａの表面に設けられた第２のＡｇ層６０と、を有する。第３出力リードの第２のＡｇ層６０の上面には、受光素子４０が接着される。吊りピン２３ｂ、２３ｃは、リードフレーム状態において、ダイパッド部２３ａを出力側リードフレームに連結するリードである。樹脂成型ののち、ダイパッド部２３ａは、固定されるので、吊りピン２３ｂ、２３ｃは、切断され、切断面が樹脂成型体５０の表面近傍に残る。
【００１４】
なお、図１（ａ）において、斜線部は、リードフレームの表面に第２のＡｇ層６０と、第１のＡｇ層６１と、が設けられたことを示す。インナーリード部にＡｇ層を設けることにより、可視光〜赤外光の波長において、放出光の反射率を高め、かつ入射光が漏れることを抑制できる。このため、発光素子３０の出力を低減でき、発光素子３０のサイズを縮小できる。
【００１５】
また、ボンディングワイヤとＡｇとは良好なオーミックコンタクトを形成する。このため、信頼性とコンタクト抵抗とが改善できる。受光素子４０をフォトダイオードの直列接続とすると、いわゆるフォトボル出力となる。また、受光素子４０を受光ＩＣとしその出力を２つのＭＯＳトランジスタ５２、５３のゲートにそれぞれ接続しゲートドライブしてもよい。
【００１６】
図２は、第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法のフロー図である。
まず、 鉄ニッケル合金や銅合金からなりプレス加工されたリードフレーム素材の片面に、たとえば、選択メッキによるＡｇ層を形成する。選択メッキ用マスクとしては、シリコンラバーなどを用いることができる。半導体装置のリードは、薄くて細い。このため、マスクの隙間からメッキ液が漏れてリードフレームの厚さ方向の側面には、マスクの隙間から漏れたメッキ液により上面部から広がったＡｇからなる側面部が形成される。
【００１７】
図３（ａ）は第２のＡｇ層の模式斜視図、図３（ｂ）は側面部を除去したリードの模式斜視図、である。
図３（ａ）のように、マスクの隙間から、メッキ液が毛細管現象やブリード現象により滲みだし、吊りピン２３ｃの側面に側面部６０ｄを生じる。吊りピン２３ｃの厚さは、たとえば、１００〜３００μｍなどとすることができる。なお、斜線部はメッキ領域を示す。
Ａｇからなる側面部６０ｄが樹脂成型体５０の外部に露出すると、ＳｎやＳｎＡｇ外装メッキ工程において、前処理剤に含まれる燐（Ｐ）などが析出し、外装メッキ層の密着性が低下し、剥がれなどの問題を生じる。吊りピン２３ｃが樹脂成型体５０の表面から、たとえば、０．１ｍｍ程度突出し、側面部に剥がれを生じやすいＳｎＡｇ層が付着することは好ましくない。
【００１８】
また、半導体装置を動作中において、樹脂成型体５０と、吊りピン２３ｃと、の間隙に侵入した湿気などによりＡｇがマイグレーションを生じ樹脂成型体５０の表面に移動することがある。このため、吊りピン２３ｃと、樹脂成型体５０と、の間に間隙が広がり密着性が低下する。また、隙間から侵入した外気などにより、Ａｇの硫化などを生じやすくなる。このように、Ａｇを含む側面部６０ｄが、吊りピン２３ｃに残ると半導体装置の信頼性が低下する。
【００１９】
第１の実施形態では、図３（ｂ）のように、プレス加工または研削などのシェービングを行い、Ａｇからなる側面部６０ｄから吊りピン２３ｃの側面に到達する切断面を形成する。切断面は、第２のＡｇ層６０の側面部６０ｄの切断面６０ｂと、吊りピン２３ｃの側面のリード切断面２３ｄと、を含む。削り取る厚さは、たとえば、５０〜１５０μｍなどとすることができる。
【００２０】
図４（ａ）は切断面のうちＡ部の写真図、図４（ｂ）は切断面のうちＢ部の写真図、である。
図４（ａ）、（ｂ）のように、リードフレームの厚さ方向の側面には、側面部６０ｄが広がっている。また、Ａｇ層６０の上面部６０ａの端部６０ｃと、シェービング後の側面部６０ｄのシェービングによる切断面６０ｂと、吊りピンのリード切断面２３ｄ、２３ｅ（フレーム材）と、が現れる。この切断面６０ｂ、リード切断面２３ｄ、２３ｅを覆うように樹脂成型体５０を形成すればよい。
【００２１】
図５（ａ）は出力側のリードフレームのシェービング前の模式平面図、図５（ｂ）はそのシェービング後の模式平面図、である。なお、斜線部はメッキ領域を示す。
図５（ｂ）のように、吊りピン２３ｂ、２３ｃは、の側面は、たとえば、５０〜１５０μｍそれぞれシェービングにより削り取られ、リードフレームの素材からなるリード切断面２３ｄ、２３ｅが露出する。樹脂成型体５０と、リードフレームの素材とは密着性が良好であり気密性を高めることができる。また、Ａｇが樹脂成型体５０の外部に連続していないのでＡｇのマイグレーションが抑制できる。
【００２２】
なお、ダイパッド部２１ａ、２２ａには、ＭＯＳトランジスタ４２ａ、４２ｂをそれぞれ接着するためのものであるので、ＭＯＳトランジスタ５２、５３を設けない場合には削除できる。
【００２３】
このようにしてリードフレームを準備したのち、出力第３リード２３の第２のＡｇ層６０の表面にＳｉなどからなる受光素子４０を、Ａｇペーストなどの導電性接着剤を用いて接着する（Ｓ２０２）。さらに受光素子４０の電極と、出力リード２０と、をＡｕなどのボンディングワイヤを用いて接続する（Ｓ２０４）。
【００２４】
他方、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＡｌＮなどからなる発光素子３０を、Ａｇペーストなどの導電性接着剤を用いて鉄ニッケル合金や銅合金からなる第１入力リード１１のダイパッド部１１ａ上の第１のＡｇ層６１に接着する（Ｓ３００）。
【００２５】
また、発光素子３０の上面電極と、第２入力リード１２のボンディング部１２ａと、をＡｕ線などのボンディングワイヤを用いて接続する（Ｓ３０２）。
【００２６】
発光素子３０には、透明樹脂によるエンキャップを行うことができる。この場合、リード１１に両面メッキを行い、リードフレームに含まれるＣｕがエンキャップ剤５１と接しないようにすると、Ｃｕイオンの移動による影響を低減でき、発光素子３０の信頼性がより高められる。なお、入力側のリードフレームの実装工程と、出力側のリードフレームの実装工程と、のうちの、どちらを先に行ってもよい。
【００２７】
続いて、入力側のリードフレームと、出力側のリードフレームと、を位置合わせし溶接などにより固定する（Ｓ３０４）。さらに、エポキシなどの樹脂を用いて成型する（Ｓ３０６）。この場合、樹脂成型体５０は、図３（ｂ）に破線で示すように、第２のＡｇ層６０の上面部６０ａの端部６０ｃと、側面部６０ｄの端部６０ｄと、を覆うように形成される。
【００２８】
また、図５（ｂ）に破線で示すように、ダイパッド部２１ａ、２２ａが、同様に樹脂成型体５０により包まれる。
【００２９】
さらに、アウターリード部の表面に、ＳｎやＳｎＡｇなどを用いて外装メッキを行う（Ｓ３０８）。
【００３０】
図６（ａ）は外装メッキ後のリードフレームのうちの１つを上方からみた模式斜視図、図６（ｂ）は下方からみた模式斜視図、図６（ｃ）は入力リード１０のＡｇメッキ層を示す写真図、である。
吊りピン２３ｂ、２３ｃは、リードフレームに連結された状態である。吊りピン２３ｂ、２３ｃの側面はシェービングされているので、側面にＡｇは広がっておらず、Ａｇ層６０が樹脂成型体５０の外表面に露出することはない。
【００３１】
入力リード１０は、ダイパッド部１１ａ、１２ａと、アウターリード部１１ｃ、１２ｃと、の距離が長い。このため、図（ｃ）のように、Ａｇ層６１の側面部６１ｄが樹脂成型体５０の表面まで到達することが抑制できている。
【００３２】
このあと、リードカットを行ってリードフレームから半導体装置を分離する。この場合、入力リード１０および出力リード２０のアウターリード部の長さは、実装基板へ取り付けに必要な長さとする。吊りピン２３ｂ、２３ｃは、Ｂ−Ｂ線に沿って切断される。また、吊りピン２３ｂ、２３ｃは、成型体５０の表面から、たとえば、０〜０．１５ｍｍ外部に突出してもよい。なお、吊りピン２３ｂ、２３ｃが、このように僅かに外部に突出して切断されていても、「インナーリードは樹脂成型体に包まれる」ものとする。
【００３３】
図１に示す第１の実施形態にかかる半導体装置は、入力リード１０と、出力リード２０と、が電気的に絶縁されている。まず、発光素子３０は、入力電気信号に応じて電気−光変換を行う。発光素子３０と対向するように設けられた受光素子４０は、入射光を光−電気変換する。必要に応じて、トランスインピーダンス回路などを内蔵して増幅した信号を出力することができる。ＭＯＳトランジスタ５２、５３によりさらに出力を増幅することができる。
【００３４】
受光素子４０、はフォトダイオードやフォトトランジスタなどとすることができ、さらに増幅回路が一体化された受光ＩＣとすることもできる。このような半導体装置は、光結合装置、フォトカプラーなどと呼ぶことができる。また、その用途は、データ伝送や通信などであり、産業機器、数値制御工作機械、プロセスコントローラなどに広く用いることができる。この場合、情報の大容量化に伴って、光結合装置のサイズの小型化が必要である。本実施形態によれば、Ａｇ層を確実に設けることができリードフレームの小型化が容易となる。
【００３５】
図７（ａ）は第１の実施形態にかかる半導体装置の出力側フレームのシェービング前の模式平面図、図７（ｂ）は変形例にかかるリードフレームのシェービング後の模式平面図、である。
図７（ａ）において、吊りピン２３ｂ、２３ｃ、第１出力リード２１、および第２出力リード２２の側面には、Ａｇからなる側面部６０ｄが広がっている。図７（ｂ）では、第１出力リード２１にシェービングによりリード切断面２１ｄがさらに設けられている。また、第２出力リード２２にシェービングによりリード切断面２２ｄがさらに設けられている。
【００３６】
第１出力リード２１および第２出力リード２２において、第２のＡｇ層６０の端部から樹脂成型体５０の表面までの距離は、吊りピンにおける第２のＡｇ層６０の上面部６０ａの端部から樹脂成型体５０の表面までの距離よりも長い。このため、側面部が樹脂成型体５０の表面に到達しにくい。もし、シェービングによりリード切断面２１ｄ、２２ｄをさらに設けると、Ａｇのマイグレーションが抑制され、第１出力リード２１と、第２出力リード２２と、の間の短絡をさらに抑制できる。たとえば、リード間のピッチを１．２７ｍｍ以下とし、パッケージを小型化する場合、マイグレーションによるリード間の短絡をさらに抑制できる。また、外装メッキの剥がれが抑制できる。さらに、入力リード１０に、シェービングを行い第１のＡｇ層６１の側面部を除去してもよい。
【００３７】
図８（ａ）は第２の実施形態にかかる半導体装置の樹脂成型前の模式平面図、図８（ｂ）はＥＸ部を拡大した模式平面図、である。
半導体装置は、第１のリード８０と、半導体素子８４と、第２のリード８２と、樹脂成型体９２と、ボンディングワイヤ８６と、を有する。
【００３８】
第１のリード８０は、吊りピン８０ｂとダイパッド部８０ａとを有するインナーリード部８０ｃと、アウターリード部８０ｄと、インナーリード部８０ｃの表面に設けられた第１のＡｇ層９０と、を有する。半導体素子８４は、第１のＡｇ層９０の表面に接着される。
【００３９】
また、第２のリード８２は、インナーリード部８２ａと、アウターリード部８２ｂと、インナーリード部８２ａの表面に設けられた第２のＡｇ層９１と、を有する。また、第２のリード８２は、ダイパッド部８０ａの外側に設けられる。樹脂成型体９２は、半導体素子８４と、ダイパッド部８０ａと、吊りピン８０ｂと、第２のリード８２のインナーリード部８２ａと、を包むように設けられる。
【００４０】
図８（ｂ）のように、第２のＡｇ層９１は、上面部９１ａから第２のリード８２の側面に広がった側面部９１ｄを有する。第２のリード８２は、第２のＡｇ層９１の第２の側面部９１ｄから第２のリード８２の側面に到達する切断面を有する。
【００４１】
同様に、第１のＡｇ層９０は、上面部９０ａから第１のリード８０の側面に広がった側面部を有する。第１のリード８０は、第１のＡｇ層９０の第１の側面部から第１のリードの側面に到達する切断面を有する。これらの切断面は、樹脂成型体９２によりそれぞれ覆われる。このため、Ａｇ層が樹脂成型体９２の外側まで移動することが抑制できる。
【００４２】
図９は、第２の実施形態の製造方法のフロー図である。
リードフレーム９５の所定の位置にマスクを設け、メッキにより第１のＡｇ層９０と、第２のＡｇ層９１と、を形成する。第１及び第２のＡｇ層９０、９１は、図８に斜線で示す。また、第１のリード８０の吊りピン８０ｂの側面と、第２のリード８２の側面と、にシェービングを行いＡｇからなる側面部を削り取る。
【００４３】
このように加工したリードフレームに、半導体素子８４を接着する（Ｓ４０２）。さらに半導体素子８４の上部電極と、第２のリード８０のインナーリード８２ａと、をＡｕなどからなるボンディングワイヤ８６を用いてそれぞれ接続する。インナーリード８２ａにはメッキによるＡｇ層が設けられているので、多数のワイヤを確実にかつ短時間で接続することができる（Ｓ４０２）。
【００４４】
続いて、樹脂が切断面を覆うように樹脂成型体９２を形成する（Ｓ４０４）。続いて、アウターリード８２の不要な領域、および吊りピンをカットし、必要に応じてアウターリードの外装メッキを行う（Ｓ４０６）。
【００４５】
第２の実施形態において、半導体素子８４は、トランジスタ、ＭＯＳトランジスタ、集積回路などとすることができる。また、集積回路は、ディジタル回路、アナログ回路、これらの混載回路などとすることができる。この場合、細くて短いリードにＡｇメッキを行うと、第１の実施形態と同じように側面に不要なＡｇを含む側面部が形成され、マイグレーションにより樹脂成型体９２の外側に移動する。しかしながら、第２の実施形態では、Ａｇマイグレーションが抑制され、信頼性の高い半導体装置とすることができる。
【００４６】
以上のように、第１および第２の実施形態によれば、外装メッキ剥がれや、Ａｇマイグレーションが抑制され、信頼性の高い半導体装置が提供される。
【００４７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４８】
１０  入力リード、１１  第１入力リード、１２  第２入力リード、２０  出力リード、２１  第１出力リード、２２  第２出力リード、２３第３出力リード、３０  発光素子、４０  受光素子、５０  樹脂成型体、６０  第２のＡｇ層、６１  第１のＡｇ層、８０  第１のリード、８２  第２のリード、８４  半導体素子、８６  ボンディングワイヤ、９０  第１のＡｇ層、９１  第２のＡｇ層、９２  樹脂成型体、９５  リードフレーム  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図４】
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【図６】
2013161923.tif 000011