(57)【要約】【課題】リソグラフィ工程数の増加を抑制しながら微細化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、導電膜１３と、導電膜１３上方で所定のパターンを有して形成されたパターン膜とを形成する工程と、所定のパターンの側面の形状を反映させた第１側壁膜パターン２５を形成する工程と、第１側壁膜パターン２５の側面の形状を反映させた第２側壁膜パターンを形成する工程と、第２側壁膜パターンを用いて導電膜１３をパターニングする工程と、を備える。所定のパターンは、凸部または切れ込み１６を含み、第２側壁膜パターンを形成する工程は、凸部または切れ込み１６に対応して形成された突起部２６の側面上に形成された突起外周部を含むようにし、導電膜１３における突起外周部に対応した部分に、導電膜１３へのコンタクトを配置する。【選択図】図１
2013175594.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電膜と、前記導電膜上方で所定のパターンを有して形成されたパターン膜とを含む積層膜を基板上に形成する工程と、
前記所定のパターンの側面の形状を反映させた第１側壁膜パターンを前記基板上に形成する工程と、
前記第１側壁膜パターンの側面の形状を反映させた第２側壁膜パターンを前記基板上に形成する工程と、
前記第２側壁膜パターンを用いて前記導電膜をパターニングする工程と、
を備え、
前記所定のパターンは、上方から見て、開口部と、前記開口部から延びる切れ込みを含み、
前記第１側壁膜パターンを形成する工程は、前記切れ込みを埋め込んだ突起部であって、前記突起部以外の部分より突出した前記突起部を含むように前記第１側壁膜パターンを形成し、
前記第２側壁膜パターンを形成する工程は、前記突起部の側面上に形成された突起外周部を含むようにループ状の前記第２側壁膜パターンを形成し、
パターニングされた前記導電膜における前記突起外周部に対応した部分に、前記導電膜へのコンタクトを配置する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
導電膜と、前記導電膜上方に設けられた犠牲膜と、前記犠牲膜上方で所定のパターンを有して形成されたパターン膜とを含む積層膜を基板上に形成する工程と、
前記所定のパターンの側面の形状を反映させた第１側壁膜パターンを前記基板上に形成する工程と、
前記第１側壁膜パターンを用いて前記犠牲膜をパターニングし、犠牲膜パターンを前記基板上に形成する工程と、
前記犠牲膜パターンの側面の形状を反映させた第２側壁膜パターンを前記基板上に形成する工程と、
前記第２側壁膜パターンを用いて前記導電膜をパターニングする工程と、
を備え、
前記所定のパターンは、上方から見て、島状部と、前記島状部から延びる凸部を含み、
前記犠牲膜パターンを形成する工程は、前記第１側壁膜パターンにおける前記凸部の側面上に形成された部分及び前記形成された部分に挟まれた領域と対応して前記犠牲膜に形成された突起部であって、前記突起部以外の部分より突出した前記突起部を含むように前記犠牲膜パターンを形成し、
前記第２側壁膜パターンを形成する工程は、前記突起部の側面上に形成された突起外周部を含むようにループ状の前記第２側壁膜パターンを形成し、
パターニングされた前記導電膜における前記突起外周部に対応した部分に、前記導電膜へのコンタクトを配置する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
導電膜と、前記導電膜上方に設けられた犠牲膜と、前記犠牲膜上方で所定のパターンを有して形成されたパターン膜とを含む積層膜を基板上に形成する工程と、
前記所定のパターンの側面の形状を反映させた第１側壁膜パターンを前記基板上に形成する工程と、
前記第１側壁膜パターンを用いて前記犠牲膜をパターニングし、犠牲膜パターンを前記基板上に形成する工程と、
前記犠牲膜パターンの側面の形状を反映させた第２側壁膜パターンを前記基板上に形成する工程と、
前記第２側壁膜パターンを用いて前記導電膜をパターニングする工程と、
を備え、
前記所定のパターンは、上方から見て、開口部と、前記開口部から延びる切れ込みと、前記開口部の側面から延びた凸部とを含み、
前記第１側壁膜パターンを形成する工程は、前記切れ込みを埋め込んだ第１突起部であって、前記第１突起部以外の部分より突出した前記第１突起部を含むように前記第１側壁膜パターンを形成し、
前記犠牲膜パターンを形成する工程は、前記第１側壁膜パターンにおける前記凸部の側面上に形成された部分及び前記形成された部分に挟まれた領域と対応して前記犠牲膜に形成された第２突起部であって、前記第２突起部以外の部分より突出した前記第２突起部を含むように前記犠牲膜パターンを形成し、
前記第２側壁膜パターンを形成する工程は、前記犠牲膜パターンにおける前記第１突起部に対応した部分及び前記第２突起部の側面上にそれぞれ形成された突起外周部を含むようにループ状の前記第２側壁膜パターンを形成し、
パターニングされた前記導電膜における前記突起外周部に対応した部分に、前記導電膜へのコンタクトを配置する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
導電膜と、前記導電膜上方で所定のパターンを有して形成されたパターン膜とを含む積層膜を基板上に形成する工程と、
前記所定のパターンの側面の形状を反映させた第１側壁膜パターンを前記基板上に形成する工程と、
前記第１側壁膜パターンの側面の形状を反映させた第２側壁膜パターンを前記基板上に形成する工程と、
前記第２側壁膜パターンを用いて前記導電膜をパターニングする工程と、
を備え、
前記所定のパターンは、上方から見て、凸部または切れ込みを含み、
前記第２側壁膜パターンを形成する工程は、前記凸部または切れ込みに対応して形成された突起部であって、前記突起部以外の部分より突出した前記突起部の側面上に形成された突起外周部を含むようにループ状の前記第２側壁膜パターンを形成し、
パターニングされた前記導電膜における前記突起外周部に対応した部分に、前記導電膜へのコンタクトを配置する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記導電膜における前記突起外周部に対応した部分を複数個形成し、少なくとも１つの前記突起外周部に対応した部分を切断する請求項１、２、４及び５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化の要求によって、リソグラフィには解像限界以下の配線ピッチの形成が必要となってきている。これを解決する為の一般的な方法としてダブルパターニングが挙げられる。ダブルパターニングの手法としては、ラインアンドスペースの側壁転写プロセスがある。この方法を用いれば、リソグラフィで解像可能なピッチの１／２倍のサイズでパターンを形成することができる。さらに、２回の側壁転写プロセスを適用することにより、リソグラフィで解像可能なピッチの１／４倍のサイズでパターンを形成することができる。しかし、コンタクト領域のような二次元のパターンを２回側壁転写プロセスを用いて形成させる場合には、多数のリソグラフィ工程を必要とし、生産コストが増加する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１１７８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、リソグラフィ工程数の増加を抑制しながら微細化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、導電膜と、前記導電膜上方で所定のパターンを有して形成されたパターン膜とを含む積層膜を基板上に形成する工程と、前記所定のパターンの側面の形状を反映させた第１側壁膜パターンを前記基板上に形成する工程と、前記第１側壁膜パターンの側面の形状を反映させた第２側壁膜パターンを前記基板上に形成する工程と、前記第２側壁膜パターンを用いて前記導電膜をパターニングする工程と、を備える。前記所定のパターンは、上方から見て、凸部または切れ込みを含み、前記第２側壁膜パターンを形成する工程は、前記凸部または切れ込みに対応して形成された突起部であって、前記突起部以外の部分より突出した前記突起部の側面上に形成された突起外周部を含むようにループ状の前記第２側壁膜パターンを形成し、パターニングされた前記導電膜における前記突起外周部に対応した部分に、前記導電膜へのコンタクトを配置する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する図であり、（ａ）、（ｄ）、（ｇ）及び（ｊ）は、コンタクト領域の工程平面図であり、（ｂ）、（ｅ）、（ｈ）及び（ｋ）は、最小配線部の工程平面図であり、（ｃ）、（ｆ）、（ｉ）及び（ｌ）は、最小配線部の工程断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する図であり、（ａ）、（ｄ）、（ｇ）及び（ｊ）は、コンタクト領域の工程平面図であり、（ｂ）、（ｅ）、（ｈ）及び（ｋ）は、最小配線部の工程平面図であり、（ｃ）、（ｆ）及び（ｉ）は、最小配線部の工程断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）は、最小配線部を示す。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、三叉路を例示する図である。
【図５】第１の実施形態の比較例に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）、（ｃ）、（ｅ）及び（ｇ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）及び（ｈ）は、最小配線部を示す。
【図６】第１の実施形態の比較例に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）、（ｃ）、（ｅ）及び（ｇ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）及び（ｈ）は、最小配線部を示す。
【図７】第１の実施形態の比較例に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）及び（ｃ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）及び（ｄ）は、最小配線部を示す。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の比較例に係る半導体装置の製造方法において、コンタクトパターンを例示する図である。
【図９】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）、（ｃ）、（ｅ）及び（ｇ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）及び（ｈ）は、最小配線部を示す。
【図１０】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）、（ｃ）、（ｅ）及び（ｇ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）及び（ｈ）は、最小配線部を示す。
【図１１】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）、（ｃ）、（ｅ）及び（ｇ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）及び（ｈ）は、最小配線部を示す。
【図１２】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）は、最小配線部を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態について説明する。
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する図であり、（ａ）、（ｄ）、（ｇ）及び（ｊ）は、コンタクト領域の工程平面図であり、（ｂ）、（ｅ）、（ｈ）及び（ｋ）は、最小配線部の工程平面図であり、（ｃ）、（ｆ）、（ｉ）及び（ｌ）は、最小配線部の工程断面図である。
図２は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する図であり、（ａ）、（ｄ）、（ｇ）及び（ｊ）は、コンタクト領域の工程平面図であり、（ｂ）、（ｅ）、（ｈ）及び（ｋ）は、最小配線部の工程平面図であり、（ｃ）、（ｆ）及び（ｉ）は、最小配線部の工程断面図である。
図３は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）は、最小配線部を示す。
図４（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、三叉路を例示する図である。
【０００８】
先ず、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板１０、例えばシリコン基板上に、下から順に導電膜１３、第２の犠牲膜１２、第１の犠牲膜１１及びフォトレジストパターン１５が積層された積層膜１４を形成する。ここで、フォトレジストパターン１５は、導電膜１３の上方に第２の犠牲膜１２及び第１の犠牲膜１１を介して形成されたフォトレジストパターン膜を、リソグラフィーにより以下のような形状へとパターニングすることで得られたものである。
図１（ａ）に示すように、コンタクト領域１７におけるフォトレジストパターン１５には、四角形、例えば長方形の開口部１５ａを形成する。以下、本明細書においては、基板１０上のパターンの形状を説明するためにＸＹ直交座標系を導入する。このＸＹ直交座標系においては、開口部１５ａの長辺が延びる方向のうち一方を＋Ｘ方向、その逆方向を−Ｘ方向とする。短辺が延びる方向のうち一方を＋Ｙ方向、その逆方向を−Ｙ方向とする。
【０００９】
開口部１５ａの短辺のうち−Ｘ方向側の辺１５ｂの両端には、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に延びる切れ込み１６ａ及び１６ｂを形成する。開口部１５ａの短辺のうち＋Ｘ方向側の辺１５ｃの両端には、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に延びる切れ込み１６ｃ及び１６ｄを形成する。さらに、開口部１５ａの長辺のうち＋Ｙ方向側の辺１５ｄの中央部には、＋Ｙ方向に延びる切れ込み１６ｅを形成する。開口部１５ａの長辺のうち−Ｙ方向側の辺１５ｅの中央部には、−Ｙ方向に延びる切れ込み１６ｆを形成する。切れ込み１６ａ〜１６ｆを切れ込み１６という。
辺１５ｂの中央部には、−Ｘ方向に延びた後、−Ｙ方向に延びる屈曲切れ込み１６ｇを形成する。
【００１０】
一方、図１（ｂ）に示すように、最小配線部１８におけるフォトレジストパターン１５には、Ｙ方向に延びる複数のパターン１９を形成する。パターン１９の間をパターン間２０という。パターン間２０を、コンタクト領域１７における屈曲切れ込み１６と接続するように形成する。したがって、パターン間２０の幅と屈曲切れ込み１６の幅は等しい。
ここで、リソグラフィーにおける最小パターンの１ピッチ分の幅を幅ＰＣＥＬＬとする。幅ＰＣＥＬＬはリソグラフィーにより決まる固定値である。リソグラフィーにより最小配線部１８に形成された１本のパターン１９及び１つのパターン間２０を合わせた幅が幅ＰＣＥＬＬとなる。これに対して、パターン間２０の幅を幅ＳＣＥＬＬという。ここでは、幅ＳＣＥＬＬは、パターン形状に対応して変動する幅とする。フォトレジストパターン１５においては、幅ＳＣＥＬＬは、幅ＰＣＥＬＬの略１／２となっている。また、切れ込み１６の幅を幅ＳＨＵとする。幅ＳＨＵもパターン形状に対応して変動する幅である。フォトレジストパターン１５においては、幅ＳＨＵを幅ＳＣＥＬＬの略１／２とする。切れ込み１６は、孤立しているパターンなので、幅ＰＣＥＬＬ及び幅ＳＣＥＬＬより細くすることができる。
【００１１】
次に、図１（ｄ）〜（ｆ）に示すように、フォトレジストパターン１５をマスクとして、第１犠牲膜１１をエッチングし、第１犠牲膜パターン２１を形成する。その後、第１犠牲膜パターン２１をスリミングする。これにより、コンタクト領域１７における第１犠牲膜パターン２１には、開口部１５ａと相似形であり、開口部１５ａより面積が大きい開口部２１ａが形成される。第１犠牲膜パターン２１は、フォトレジストパターン１５を用いてパターニングされたものであり、第１犠牲膜パターン２１の側面の形状はフォトレジストパターン１５の側面の形状が反映されている。
【００１２】
開口部２１ａの短辺のうち−Ｘ方向側の辺２１ｂの両端に、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に延びる切れ込み２２ａ及び２２ｂを形成する。開口部２１ａの短辺のうち＋Ｘ方向側の辺２１ｃの両端に、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に延びる切れ込み２２ｃ及び２２ｄを形成する。さらに、開口部２１ａの長辺のうち＋Ｙ方向側の辺２１ｄの中央部に、＋Ｙ方向に延びる切れ込み２２ｅを形成する。開口部２１ａの長辺のうち−Ｙ方向側の辺２１ｅの中央部に、−Ｙ方向に延びる切れ込み２２ｆを形成する。切れ込み２２ａ〜２２ｆを切れ込み２２という。切れ込み２２の幅を、切れ込み１６の幅より大きくする。
辺２１ｂの中央部に、−Ｘ方向に延びた後、−Ｙ方向に延びる屈曲切れ込み２２ｇを形成する。
【００１３】
最小配線部１８における第１犠牲膜パターン２１には、パターン１９より幅が小さいパターン２３を形成する。パターン間２４の幅ＳＣＥＬＬを、パターン間２０の幅より大きくする。
パターン間２４の幅ＳＣＥＬＬを、幅ＰＣＥＬＬの略３／４となるように制御する。切れ込み２２の幅ＳＨＵを幅ＰＣＥＬＬの１／２以下となるように制御する。
【００１４】
次に、図１（ｇ）〜（ｉ）に示すように、第１犠牲膜パターン２１を覆うように基板１０上に第１側壁膜を形成し、第１側壁膜における第１犠牲膜パターン２１の側面上以外の部分を除去して、第１犠牲膜パターン２１の側面上に、第１側壁膜パターン２５を形成する。第１側壁膜パターン２５の幅２５ａを、幅ＰＣＥＬＬの略１／４となるように制御する。その後、第１犠牲膜パターン２１を除去する。
これにより、コンタクト領域１７において、第１側壁膜パターン２５には、開口部２１ａの側面に沿って形成された環状の環状部２５ｂ、切れ込み２２ａ〜２２ｆを第１側壁膜で埋め込んだ突起部２６ａ〜２６ｆ、屈曲切れ込み２２ｇの側面に沿って形成された２本の屈曲部２６ｇが形成される。環状部２５ｂ及び屈曲部２６ｇの幅は、幅２５ａである。突起部２６ａ〜２６ｆの幅を、切れ込み２２の幅と同じ幅とし、幅２５ａより大きくする。突起部２６ａ〜２６ｆは、環状部２５ｂにおけるＸ方向に延びる部分からＹ方向に突出している。
最小配線部１８における第１側壁膜パターン２５には、パターン２３の側面に沿って形成したパターン２７が含まれる。パターン２７間の幅ＳＣＥＬＬは、幅ＰＣＥＬＬの略１／４である。第１側壁膜パターン２５は、フォトレジストパターン１５の側面の形状や第１犠牲膜パターン２１の側面の形状が反映されたものとなっている。
【００１５】
次に、図１（ｊ）〜（ｌ）に示すように、第１側壁膜パターン２５をマスクとして第２犠牲膜１２をエッチングし、第２犠牲膜パターン２８を形成する。その後、第２犠牲膜パターン２８をスリミングする。第２犠牲膜パターン２８は、第１側壁膜パターン２５を用いてパターニングされたものであり、第２犠牲膜パターン２８の側面の形状は、第１側壁膜パターン２５の側面の形状が反映されたものとなっている。
これにより、コンタクト領域１７において、第２犠牲膜パターン２８には、環状部２８ｂ、突起部２９ａ〜２９ｆ、屈曲部２９ｇが形成される。環状部２８ｂ及び屈曲部２９ｇの幅は、幅２５ａより小さくなる。突起部２６ａ〜２６ｆの幅は環状部２８ｂ及び屈曲部２９ｇの幅より大きい。
最小配線部１８における第２犠牲膜パターン２８には、パターン３０が形成される。パターン３０の幅を、幅ＰＣＥＬＬの略１／８となるように制御する。
【００１６】
次に、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、第２犠牲膜パターン２８を覆うように基板１０上に第２側壁膜を形成し、第２側壁膜における第２犠牲膜パターン２８の側面上以外の部分を除去して、第２犠牲膜パターン２８の側面上に、第２側壁膜パターン３１を形成する。第２側壁膜パターン３１の幅３１ａを、幅ＰＣＥＬＬの略１／８となるように制御する。その後、第２犠牲膜パターン２８を除去する。
これにより、コンタクト領域１７において、第２側壁膜パターン３１には、環状部２８ｂの内側の側面に沿って形成された環状の環状部３１ｂ、突起部２９ａ〜２９ｆの側面に沿って形成された突起外周部３２ａ〜３２ｆ、隣り合う突起外周部３２ａ〜３２ｆを接続するように環状部２８ｂの外側の側面に沿って形成された外周部３１ｃ、各屈曲部２９ｇの両側面に形成された屈曲部３１ｄが含まれるようになる。このように、第２側壁膜パターン３１を、突起外周部３２ａ〜３２ｆを含むようにループ状に形成する。
最小配線部１８における第２側壁膜パターン３１には、パターン３０の側面に沿って形成されたパターン３３が形成される。パターン３３の幅は、幅ＰＣＥＬＬの略１／８である。第２側壁膜パターン３１は、第１側壁膜パターン２５の側面の形状や第２犠牲膜パターン２８の側面の形状が反映されたものとなっている。
【００１７】
次に、図２（ｄ）〜（ｆ）に示すように、突起外周部３２ａ〜３２ｄ上にコンタクトパターン３４ａ〜３４ｄを形成する。コンタクトパターン３４ａ〜３４ｄを、フォトリソグラフィーにより形成する。コンタクトパターン３４ａ及び３４ｂを、環状部３１ｂを覆わないように形成する。一方、コンタクトパターン３４ｃ及び３４ｄを、環状部３１ｂを覆うように形成する。コンタクトパターン３４ａ〜３４ｄをコンタクトパターン３４という。
【００１８】
次に、図２（ｇ）〜（ｉ）に示すように、第２側壁膜パターン３１及びコンタクトパターン３４をマスクとして導電膜１３をエッチングする。これにより、配線パターン３５及びコンタクトパターン３７が形成される。配線パターン３５及びコンタクトパターン３７は、第２側壁膜パターン３１及びコンタクトパターン３４を用いてパターニングされたものである。
コンタクト領域１７において、配線パターン３５には、環状部３５ｂ、突起外周部３６ｅ及び３６ｆ、隣り合う突起外周部３６ｅ及び３６ｆやコンタクトパターン３７を接続する外周部３５ｃ、４本の屈曲部３５ｄが含まれるようになる。コンタクトパターン３７には、コンタクトパターン３７ａ〜３７ｄが含まれる。配線パターン３５のうち、第２側壁膜パターン３１における突起外周部３２ａ〜３２ｄに対応した部分に、コンタクトを配置する。
最小配線部１８における配線パターン３５に、パターン３８を形成する。パターン３８の幅は、幅ＰＣＥＬＬの略１／８である。パターン３８間の幅も幅ＰＣＥＬＬの略１／８であり、最小配線部１８における配線パターン３５のピッチは幅ＰＣＥＬＬの略１／４である。
【００１９】
次に、図２（ｊ）及び（ｋ）に示すように、配線パターン３５におけるコンタクトパターン３７ｃ及び３７ｄ間の環状部３５ｂ及び外周部３５ｃ、並びに突起外周部３６ｅ及び３６ｆ以外の部分を覆うフォトレジストパターン３９を形成する。その後、フォトレジストパターン３９をマスクにして、配線パターン３５をエッチングする。
これにより、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線パターン３５におけるコンタクトパターン３７ｃ及び３７ｄ間の環状部３５ｂ及び外周部３５ｃ並びに突起外周部３２ｅ及び３２ｆに対応した部分、すなわち、突起外周部３６ｅ及び３６ｆが切断される。これにより、配線パターン３５がループカットされて、４本の各屈曲部３５ｄに対応するようにコンタクトパターン３７ａ〜３７ｄが接続される。
【００２０】
次に、本実施形態の効果について説明する。
図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態においては、第１のリソグラフィーでフォトレジストパターンに形成した切れ込みを第１側壁膜で埋め込む。これにより、第１側壁膜パターン２５に突起部２６を形成することができる。そして、突起部２６ａ〜２６ｆを、環状部２５ｂにおけるＸ方向に延びる部分からＹ方向（パターン長手方向と直交する方向）に突出させることができる。すなわち、突起部２６ａ〜２６ｆと、環状部２５ｂにおけるＸ方向に延びる部分とで三叉路４０を形成することができる。よって、第２側壁膜パターン３１における環状部３１ｂと、突起外周部３２ａ〜３２ｆとを隔離することができる。また、第２側壁膜パターン３１を用いて導電膜１３をパターニングした場合に、コンタクトパターン３７ａ及び３７ｂと、環状部３５ｂとの電気的なショートを抑制することができる。さらに、配線パターン３５における突起外周部３６ｅ及び３６ｆを、他の配線パターンを切断することなく、リソグラフィーにより容易に切断することができる。
【００２１】
なお、図１（ａ）〜（ｉ）に示すように、本実施形態においては、フォトレジストパターン１５をマスクとして、第１犠牲膜１１をエッチングすることにより、第１犠牲膜パターン２１を形成し、その後、第１犠牲膜パターン２１の側面上に、第１側壁膜パターン２５を形成したが、これに限らない。例えば、フォトレジストパターン１５を芯材とし、フォトレジストパターン１５をスリミングした後で、フォトレジストパターン１５の側面上に、第１側壁膜パターン２５を形成してもよい。
また、図１（ｊ）〜（ｌ）及び図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態においては、第１側壁膜パターン２５をマスクとして、第２犠牲層１２をエッチングすることにより、第２犠牲膜パターン２８を形成し、その後、第２犠牲膜パターン２８の側面上に、第２側壁膜パターン３１を形成したが、これに限らない。例えば、第１側壁膜パターン２５を芯材とし、第１側壁膜パターン２５をスリミングした後で、第１側壁膜パターン２５の側面上に、第２側壁膜パターン３１を形成してもよい。
さらに、図２（ｄ）〜（ｉ）に示すように、本実施形態においては、第２側壁膜パターン３１及びコンタクトパターン３４をマスクとして、導電膜１３をエッチングすることにより、配線パターン３５を形成したが、これに限らない。例えば、導電膜１３上にハードマスクを介して第２側壁膜パターン３１を形成し、第２側壁膜パターン３１をマスクとして、先ずハードマスクをエッチングによりパターニングする。次に、パターニングされたハードマスクをマスクとして導電膜１３をエッチングする。このようにして、配線パターン３５を形成してもよい。
また、図２（ｊ）及び（ｋ）並びに図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態においては、配線パターン３５におけるコンタクトパターン３７ｃ及び３７ｄ間の環状部３５ｂ及び外周部３５ｃ並びに突起外周部３６ｅ及び３６ｆを切断して、ループカットしているが、これに限らない。例えば、導電膜１３の上方において、第２側壁膜パターン３１における環状部３１ｂ及び外周部３１ｃ並びに突起外周部３２ｅ及び３２ｆを切断して、ループカットしてもよい。
【００２２】
（比較例）
次に、第１の実施形態の比較例について説明する。
図５は、第１の実施形態の比較例に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）、（ｃ）、（ｅ）及び（ｇ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）及び（ｈ）は、最小配線部を示す。
図６は、第１の実施形態の比較例に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）、（ｃ）、（ｅ）及び（ｇ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）及び（ｈ）は、最小配線部を示す。
図７は、第１の実施形態の比較例に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）及び（ｃ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）及び（ｄ）は、最小配線部を示す。
図８（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の比較例に係る半導体装置の製造方法において、コンタクトパターンを例示する図である。
【００２３】
前述の第１の実施形態における図１（ｃ）と同様に、基板上に、積層膜を形成する。
このとき、図５（ａ）に示すように、コンタクト領域１７におけるフォトレジストパターン１５には、四角形、例えば長方形の開口部１５ａを形成する。
開口部１５ａの短辺のうち−Ｘ方向側の辺１５ｂの中央部には、−Ｘ方向に延びた後、−Ｙ方向に延びる屈曲切れ込み１６ｇが形成されている。
図５（ｂ）に示すように、最小配線部１８におけるフォトレジストパターン１５には、Ｙ方向に延びる複数のパターン１９を形成する。
【００２４】
次に、図５（ｃ）及び（ｄ）に示すように、フォトレジストパターン１５をマスクとして、第１犠牲膜をエッチングし、第１犠牲膜パターン２１を形成する。その後、第１犠牲膜パターン２１をスリミングする。これにより、コンタクト領域１７における第１犠牲膜パターン２１には、開口部１５ａと相似形であり、開口部１５ａより面積が大きい開口部２１ａが形成される。
開口部２１ａの短辺のうち−Ｘ方向側の辺２１ｂの中央部には、−Ｘ方向に延びた後、−Ｙ方向に延びる屈曲切れ込み２２ｇが形成される。
最小配線部１８における第１犠牲膜パターン２１には、パターン１９より幅が小さいパターン２３が形成される。
【００２５】
次に、図５（ｅ）及び（ｆ）に示すように、第１犠牲膜パターン２１の側面上に、第１側壁膜パターン２５を形成する。その後、第１犠牲膜パターン２１を除去する。
これにより、コンタクト領域１７において、第１側壁膜パターン２５には、開口部２１ａの側面に沿って形成された環状の環状部２５ｂ、屈曲切れ込み２２ｇの側面に沿って形成された２本の屈曲部２６ｇが含まれるようになる。
最小配線部１８における第１側壁膜パターン２５には、パターン２３の側面に沿ってパターン２７が形成される。
【００２６】
次に、図５（ｇ）及び（ｈ）に示すように、環状部２５ｂにおける＋Ｘ方向側の辺２５ｃ上に、コンタクトパターン４１を形成する。コンタクトパターン４１は、フォトリソグラフィーにより形成する。次に、第１側壁膜パターン２５及びコンタクトパターン４１をマスクとして第２犠牲膜をエッチングする。
【００２７】
これにより、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２犠牲膜パターン２８を形成する。その後、第２犠牲膜パターン２８をスリミングする。
コンタクト領域１７において、第２犠牲膜パターン２８には、環状部２８ｂ及び屈曲部２９ｇが形成される。また、環状部２８ｂの＋Ｘ方向側の辺２８ｃには、コンタクトパターン４２が形成される。
最小配線部１８における第２犠牲膜パターン２８には、パターン３０が形成される。
【００２８】
次に、図６（ｃ）及び（ｄ）に示すように、第２犠牲膜パターン２８及びコンタクトパターン４２の側面上に、第２側壁膜パターン３１を形成する。その後、第２犠牲膜パターン２８を除去する。
これにより、コンタクト領域１７において、第２側壁膜パターン３１には、環状部２８ｂの内側の側面に沿って形成された環状の環状部３１ｂ、環状部２８ｂの外側の側面に沿って形成された外周部３１ｃ、各屈曲部２９ｇの両側面に形成された屈曲部３１ｄ、環状部３１ｂにその両端が接続され、コンタクトパターン４２における−Ｘ方向側の部分の側面に沿って形成された側面部４３ａ、外周部３１ｃにその両端が接続され、コンタクトパターン４２における＋Ｘ方向側の部分の側面に沿って形成された側面部４３ｂが含まれるようになる。
最小配線部１８における第２側壁膜パターン３１には、パターン３０の側面に沿って形成されたパターン３３が含まれるようになる。
【００２９】
次に、図６（ｅ）及び（ｆ）に示すように、側面部４３ａ上にコンタクトパターン３４ａ及び３４ｂを形成し、側面部４３ｂ上にコンタクトパターン３４ｃ及び３４ｄを形成する。コンタクトパターン３４ａ〜３４ｄは、フォトリソグラフィーにより形成する。
【００３０】
次に、図６（ｇ）及び（ｈ）に示すように、第２側壁膜パターン３１及びコンタクトパターン３４をマスクとして導電膜１３をエッチングする。これにより、配線パターン３５及びコンタクトパターン３７が形成される。
コンタクト領域１７において、配線パターン３５には、環状部３５ｂ、外周部３５ｃ、側面部４４ａ及び４４ｂ、４本の屈曲部３５ｄが含まれるようになる。コンタクトパターン３７には、側面部４４ａに接続されたコンタクトパターン３７ａ及び３７ｂ、側面部４４ｂに接続されたコンタクトパターン３７ｃ及び３７ｄが含まれるようになる。
最小配線部１８における配線パターン３５には、パターン３８が形成される。
【００３１】
次に、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線パターン３５におけるコンタクトパターン３７ａ及び３７ｂ間の側面部４４ａ並びにコンタクトパターン３７ｃ及び３７ｄ間の側面部４４ｂ以外の部分を覆うフォトレジストパターン３９を形成する。その後、フォトレジストパターン３９をマスクにして、配線パターン３５をエッチングする。
これにより、図７（ｃ）及び（ｄ）に示すように、４本の各屈曲部３５ｄに対応するようにコンタクトパターン３７ａ〜３７ｄが接続される。
【００３２】
本比較例においては、コンタクト領域１７において、コンタクトパターン３７を形成するために、フォトレジストパターン１５、コンタクトパターン４１、コンタクトパターン３４及びフォトレジストパターン３９の４つのフォトリソグラフィー工程を必要としている。
前述の第１の実施形態と比較して、コンタクトパターン４１をフォトグラフィーにより形成する工程を余分に必要とする。よって、生産コストが増加する。
【００３３】
また、図８（ａ）に示すように、コンタクトパターン３７の接続部分において、配線パターン３５における環状部３５ｂ及び外周部３５ｃは反対方向に延びている。これは、図８（ｂ）に示すように、コンタクトパターン４１を第１側壁膜パターン２５上に形成する際は、余裕をもってオーバーラップさせるためである。
一方、図８（ｃ）に示すような配置とするためには、精密な位置合わせが必要であり、バラツキを考慮すると困難である。したがって、コンタクトパターン４１の接続部分を三叉路に形成することができない。よって、比較例においては、図８（ａ）のように、配線の両側面から両側に延びるコンタクトパターン３７としなければならず、配線の両側にコンタクトが配置されるスペースを必要とする。したがって、コンタクトパターンを配置する自由度が制限される。
【００３４】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。
図９は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）、（ｃ）、（ｅ）及び（ｇ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）及び（ｈ）は、最小配線部を示す。
【００３５】
前述の第１の実施形態における図１（ｃ）と同様に、基板上に、積層膜を形成する。ただし、ここでは、積層膜におけるフォトレジストパターンの形状が第１の実施形態と異なる。
すなわち、図９（ａ）に示すように、コンタクト領域１７におけるフォトレジストパターン５５には、四角形、例えば長方形の島状部５５ａを形成する。以下、本明細書においては、基板上のパターンの形状を説明するためにＸＹ直交座標系を導入する。このＸＹ直交座標系においては、島状部５５ａの長辺が延びる方向のうち一方を＋Ｘ方向、その逆方向を−Ｘ方向とする。短辺が延びる方向のうち一方を＋Ｙ方向、その逆方向を−Ｙ方向とする。
【００３６】
島状部５５ａの短辺のうち−Ｘ方向側の辺５５ｂの両端には、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に延びる凸部５６ａ及び５６ｂを形成する。島状部５５ａの短辺のうち＋Ｘ方向側の辺５５ｃの両端には、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に延びる凸部５６ｃ及び５６ｄを形成する。さらに、島状部５５ａの長辺のうち＋Ｙ方向側の辺５５ｄの中央部には、＋Ｙ方向に延びる凸部５６ｅを形成する。開口部１５ａの長辺のうち−Ｙ方向側の辺５５ｅの中央部には、−Ｙ方向に延びる凸部５６ｆを形成する。凸部５６ａ〜５６ｆを凸部５６という。
【００３７】
辺５５ｂの中央部には、−Ｘ方向に延びた後、−Ｙ方向に延びる屈曲部５６ｇが形成されている。
図９（ｂ）に示すように、最小配線部１８におけるフォトレジストパターン５５には、第１の実施形態におけるフォトレジストパターン１５と同様のＹ方向に延びる複数のパターン１９を形成する。最小配線部１８におけるパターン１９を、コンタクト領域１７における屈曲部５６ｇと接続するように形成する。したがって、パターン１９の幅と屈曲部５６ｇの幅は等しい。ここで、パターン１９の幅を幅ＬＣＥＬＬとする。幅ＬＣＥＬＬは、パターン形状に対応して変動する幅である。コンタクト領域１７における凸部５６の幅ＬＨＵは、孤立しているので、幅ＬＣＥＬＬより小さくすることができる。幅ＬＨＵもパターン形状に対応して変動する幅である。
【００３８】
次に、図９（ｃ）及び（ｄ）に示すように、フォトレジストパターン５５をマスクとして、第１犠牲膜をエッチングし、第１犠牲膜パターン２１を形成する。その後、第１犠牲膜パターン２１をスリミングする。これにより、コンタクト領域１７における第１犠牲膜パターン２１には、島状部５５ａと相似形であり、島状部５５ａより面積が小さい島状部６１ａが形成される。。第１犠牲膜パターン２１は、フォトレジストパターン５５を用いてパターニングされたものであり、第１犠牲膜パターン２１の側面の形状はフォトレジストパターン５５の側面の形状が反映されている。
【００３９】
島状部６１ａの短辺のうち−Ｘ方向側の辺６１ｂの両端に、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に延びる凸部６２ａ及び６２ｂを形成する。島状部６１ａの短辺のうち＋Ｘ方向側の辺６１ｃの両端に、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に延びる凸部６２ｃ及び６２ｄを形成する。さらに、島状部６１ａの長辺のうち＋Ｙ方向側の辺６１ｄの中央部に、＋Ｙ方向に延びる凸部６２ｅを形成する。島状部６１ａの長辺のうち−Ｙ方向側の辺６１ｅの中央部に、−Ｙ方向に延びる凸部６２ｆを形成する。凸部６２ａ〜６２ｆを凸部６２という。凸部６２の幅は、凸部５６の幅より小さい。
辺６１ｂの中央部には、−Ｘ方向に延びた後、−Ｙ方向に延びる屈曲部６２ｇを形成する。
【００４０】
最小配線部１８における第１犠牲膜パターン２１に、パターン１９より幅が小さいパターン２３を形成する。パターン２３の幅及びパターン２３間の幅は、第１の実施形態の場合と同様である。また、凸部６２の幅ＬＨＵを、例えば１０ｎｍ以下程度とする。
【００４１】
次に、図９（ｅ）及び（ｆ）に示すように、第１犠牲膜パターン２１の側面上に、第１側壁膜パターン２５を形成する。第１側壁膜パターン２５の幅２５ａを、第１の実施形態と同様に、図１（ｂ）に示した幅ＰＣＥＬＬの略１／４となるように制御する。その後、第１犠牲膜パターン２１を除去する。
これにより、コンタクト領域１７において、第１側壁膜パターン２５には、凸部６２ａ〜６２ｆの側面に沿って形成された外周部６３ａ〜６３ｆ、隣り合う外周部６３ａ〜６３ｆ間を接続し、島状部６１ａの側面に沿って形成された環状部６５ｂ、屈曲部６２ｇの側面に沿って形成された２本の屈曲部６６ｇが含まれるようになる。外周部６３ａ〜６３ｆを外周部６３という。各外周部６３は２本のＹ方向に延びる部分６３ｌ及び６３ｒを含んでいる。部分６３ｌ及び６３ｒの一端同士を接続させ、部分６３ｌ及び６３ｒの他端をそれぞれ環状部６５ｂに接続する。部分６３ｌ及び部分６３ｒに挟まれた領域の幅ＳＨＵは、幅２５ａより小さい。各外周部６３、環状部６５ｂ及び屈曲部６６ｇの幅は、幅２５ａである。
最小配線部１８における第１側壁膜パターン２５には、パターン２３の側面に沿ってパターン２７が形成される。パターン２７間の幅ＳＣＥＬＬは、幅２５ａと略同じ幅となるようにする。第１側壁膜パターン２５は、フォトレジストパターン５５の側面の形状や第１犠牲膜パターン２１の側面の形状が反映されたものとなっている。
【００４２】
次に、図９（ｇ）及び（ｈ）に示すように、第１側壁膜パターン２５をマスクとして第２犠牲膜をエッチングし、第２犠牲膜パターン２８を形成する。各外周部６３の部分６３ｌ及び部分６３ｒで挟まれた領域の幅ＳＨＵは小さく、エッチングで除去することができない場合がある。これにより、各外周部６３の部分６３ｌ及び６３ｒ並びにそれらの間は一体化して突起部２９となる。突起部２９の幅は、突起部２９以外の部分における第２犠牲膜パターン２８の幅より大きい。その後、第２犠牲膜パターン２８をスリミングする。
これにより、コンタクト領域１７において、第２犠牲膜パターン２８には、環状部２８ｂ、突起部２９ａ〜２９ｆ、屈曲部２９ｇが形成される。突起部２９ａ〜２９ｆの幅は環状部２８ｂ及び屈曲部２９ｇの幅より大きい。突起部２９ａ〜２９ｆは、環状部２８ｂにおけるＸ方向に延びる部分から突出している。
最小配線部１８における第２犠牲膜パターン２８には、パターン３０が形成される。パターン３０の幅を、第１の実施形態と同様に、幅ＰＣＥＬＬの略１／８になるように制御する。第２犠牲膜パターン２８は、第１側壁膜パターン２５を用いてパターニングされたものであり、第２犠牲膜パターン２８の側面の形状は、第１側壁膜パターン２５の側面の形状が反映されたものとなっている。
【００４３】
その後、前述の第１の実施形態と同様に、図２及び図３に示す工程を実施する。これらの工程については、説明を省略する。
【００４４】
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態において、第２犠牲膜パターン２８は、突起部２９ａ〜２９ｆを含んでいる。すなわち、新たにフォトグラフィー工程を設けなくても、第２犠牲膜パターン２８における突起部２９ａ〜２９ｆと環状部２８ｂとで三叉路を形成することができる。これにより、第２側壁膜パターンを形成した際に、第２側壁膜パターンにおける環状部と、突起外周部とを隔離して、電気的なショートを抑制しながら、各配線パターンに対応したコンタクトパターンを形成することができる。また、三叉路で分離したパターンを切断することにより、配線パターンのループカットを行うことができる。
よって、製造工程数を少なくして生産コストを低減することができる。本実施形態における上記以外の構成及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４５】
なお、図９（ａ）〜（ｆ）に示すように、本実施形態においては、フォトレジストパターン５５をマスクとして、第１犠牲膜１１をエッチングすることにより、第１犠牲膜パターン２１を形成し、その後、第１犠牲膜パターン２１の側面上に、第１側壁膜パターン２５を形成したが、これに限らない。例えば、フォトレジストパターン５５を芯材とし、フォトレジストパターン５５をスリミングした後で、フォトレジストパターン５５の側面上に、第１側壁膜パターン２５を形成してもよい。
【００４６】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。
図１０は、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）、（ｃ）、（ｅ）及び（ｇ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）及び（ｈ）は、最小配線部を示す。
図１１は、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）、（ｃ）、（ｅ）及び（ｇ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）及び（ｈ）は、最小配線部を示す。
図１２は、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程平面図であり、（ａ）は、コンタクト領域を示し、（ｂ）は、最小配線部を示す。
【００４７】
前述の第１の実施形態における図１（ｃ）と同様に、基板上に、積層膜を形成する。ただし、ここでは、積層膜におけるフォトレジストパターンの形状が第１の実施形態と異なる。
すなわち、図１０（ａ）に示すように、コンタクト領域１７におけるフォトレジストパターン８５には、矩形、例えば長方形の開口部１５ａを形成する。以下、本明細書においては、基板上のパターンの形状を説明するためにＸＹ直交座標系を導入する。このＸＹ直交座標系においては、開口部１５ａの長辺が延びる方向のうち一方を＋Ｘ方向、その逆方向を−Ｘ方向とする。短辺が延びる方向のうち一方を＋Ｙ方向、その逆方向を−Ｙ方向とする。
【００４８】
開口部１５ａの短辺のうち−Ｘ方向側の辺１５ｂの両端に、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に延びる切れ込み１６ａ及び１６ｂを形成する。開口部１５ａの長辺のうち＋Ｙ方向側の辺１５ｄの中央部に、−Ｙ方向に延びる凸部８６ａを形成する。開口部１５ａの長辺のうち−Ｙ方向側の辺１５ｅの中央部に、＋Ｙ方向に延びる凸部８６ｂを形成する。切れ込み１６ａ及び１６ｂを切れ込み１６という。凸部８６ａ及び８６ｂを凸部８６という。
【００４９】
図１０（ｂ）に示すように、最小配線部１８におけるフォトレジストパターン８５には、第１の実施形態におけるフォトレジストパターン１５と同様のＹ方向に延びる複数のパターン１９を形成する。切れ込み１６の幅及び凸部８６の幅を、パターン１９間の幅ＳＣＥＬＬの１／２以下とする。切れ込み１６及び凸部８６は、孤立しているパターンなので、図１０（ｂ）におけるパターン１９の１ピッチ分の幅ＰＣＥＬＬ及び幅ＳＣＥＬＬより細くすることができる。コンタクト領域１７における開口部１５ａの辺１５ｂの中央部から引き出された屈曲切り込み１６ｇは、第１の実施形態と同様に最小配線部１８におけるパターン１９間のスペースと接続される。
【００５０】
次に、図１０（ｃ）及び（ｄ）に示すように、フォトレジストパターン８５をマスクとして、第１犠牲膜をエッチングし、第１犠牲膜パターン２１を形成する。その後、第１犠牲膜パターン２１をスリミングする。これにより、コンタクト領域１７における第１犠牲膜パターン２１には、開口部１５ａと相似形であり、開口部１５ａより面積が大きい開口部２１ａが形成される。第１犠牲膜パターン２１は、フォトレジストパターン８５を用いてパターニングされたものであり、第１犠牲膜パターン２１の側面の形状はフォトレジストパターン８５の側面の形状が反映されている。
【００５１】
開口部２１ａの短辺のうち−Ｘ方向側の辺２１ｂの両端には、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に延びる切れ込み２２ａ及び２２ｂが形成される。開口部２１ａの長辺のうち＋Ｙ方向側の辺２１ｄの中央部には、−Ｙ方向に延びる凸部９２ａが形成される。開口部２１ａの長辺のうち−Ｙ方向側の辺２１ｅの中央部には、＋Ｙ方向に延びる凸部９２ｂが形成される。切れ込み２２ａ及び２２ｂを切れ込み２２という。凸部９２ａ及び９２ｂを凸部９２という。切れ込み２２の幅は、切れ込み１６の幅より大きい。凸部９２の幅は、凸部８６の幅より小さい。
辺２１ｂの中央部に、−Ｘ方向に延びた後、−Ｙ方向に延びる屈曲切れ込み２２ｇをフォトレジストパターン８５における屈曲切れ込み１６ｇと対応するように形成する。
【００５２】
最小配線部１８における第１犠牲膜パターン２１には、パターン１９より幅が小さいパターン２３が形成される。パターン２３間の幅は、パターン１９間の幅より大きい。
【００５３】
次に、図１０（ｅ）及び（ｆ）に示すように、第１犠牲膜パターン２１の側面上に、第１側壁膜パターン２５を形成する。第１側壁膜パターン２５の幅２５ａを、幅ＰＣＥＬＬの略１／４となるように制御する。その後、第１犠牲膜パターン２１を除去する。
これにより、コンタクト領域１７において、第１側壁膜パターン２５には、開口部２１ａの側面に沿って形成された環状の環状部２５ｂ、切れ込み２２ａ及び２２ｂが埋め込まれた突起部２６ａ及び２６ｂ、凸部９２ａ及び９２ｂの側面に沿って形成された外周部９３ａ及び９３ｂ、屈曲切れ込み２２ｇの側面に沿って形成された２本の屈曲部２６ｇが含まれるようになる。外周部９３ａ及び９３ｂは、２本のＹ方向に延びる部分９３ｌ及び９３ｒを含んでいる。部分９３ｌ及び９３ｒの一端同士を接続し、部分９３ｌ及び９３ｒの他端をそれぞれ環状部２５ｂに接続する。外周部９３ａ及び９３ｂ、環状部２５ｂ及び屈曲部２６ｇの幅は、幅２５ａである。
最小配線部１８における第１側壁膜パターン２５には、パターン２３の側面に沿ってパターン２７が形成される。パターン２７の幅は、幅ＰＣＥＬＬの略１／４である。第１側壁膜パターン２５は、フォトレジストパターン８５の側面の形状や第１犠牲膜パターン２１の側面の形状が反映されたものとなっている。
【００５４】
次に、図１０（ｇ）及び（ｈ）に示すように、第１側壁膜パターン２５をマスクとして第２犠牲膜をエッチングし、第２犠牲膜パターン２８を形成する。外周部９３ａ及び９３ｂの部分９３ｌ及び部分９３ｒで挟まれる領域は幅が小さく、エッチングで除去することができない場合がある。これにより、外周部９３ａ及び９３ｂの部分９３ｌ及び９３ｒ並びにそれらの間は一体化して突起部９９ａ及び９９ｂとなる。その後、第２犠牲膜パターン２８をスリミングする。
これにより、コンタクト領域１７において、第２犠牲膜パターン２８には、環状部２８ｂ、突起部２６ａ及び突起部２６ｂと対応した突起部２９ａ及び２９ｂ、突起部９９ａ及び９９ｂ、屈曲部２９ｇが形成される。突起部２９ａ及び２９ｂ並びに突起部９９ａ及び９９ｂの幅は、環状部２８ｂ及び屈曲部２９ｇの幅より大きい。突起部２９ａ及び２９ｂ並びに突起部９９ａ及び９９ｂは、環状部２８ｂにおけるＸ方向に延びる部分より突出している。
最小配線部１８における第２犠牲膜パターン２８には、パターン３０が形成される。パターン３０の幅を、幅ＰＣＥＬＬの略１／８になるように制御する。第２犠牲膜パターン２８は、第１側壁膜パターン２５を用いてパターニングされたものであり、第２犠牲膜パターン２８の側面の形状は、第１側壁膜パターン２５の側面の形状が反映されたものとなっている。
【００５５】
次に、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２犠牲膜パターン２８の側面上に、第２側壁膜パターン３１を形成する。第２側壁膜パターン３１の幅３１ａを、幅ＰＣＥＬＬの略１／８となるように制御する。その後、第２犠牲膜パターン２８を除去する。
これにより、コンタクト領域１７において、第２側壁膜パターン３１には、環状部２８ｂの内側の側面に沿って形成された環状の環状部３１ｂ、突起部２９ａ及び２９ｂの側面に沿って形成された突起外周部３２ａ及び３２ｂ、環状部２８ｂの外側の側面に沿って形成された外周部３１ｃ、突起部９９ａ及び９９ｂの側面に沿って形成された突起外周部９７ａ及び９７ｂ、各屈曲部２９ｇの両側面に形成された屈曲部３１ｄが含まれるようになる。このように、第２側壁膜パターン３１を、突起部２９ａ及び２９ｂの側面上に形成された突起外周部３２ａ及び３２ｂ並びに突起部９９ａ及び９９ｂの側面上に形成された突起外周部９７ａ及び９７ｂを含むようにループ状に形成する。
最小配線部１８における第２側壁膜パターン３１には、パターン３０の側面に沿って形成されたパターン３３が形成される。パターン３３の幅は、幅ＰＣＥＬＬの略１／８である。第２側壁膜パターン３１は、第１側壁膜パターン２５の側面の形状や第２犠牲膜パターン２８の側面の形状が反映されたものとなっている。
【００５６】
次に、図１１（ｃ）及び（ｄ）に示すように、突起外周部３２ａ、３２ｂ、９７ａ及び９７ｂ上にコンタクトパターン３４ａ〜３４ｄを形成する。コンタクトパターン３４ａ〜３４ｄは、フォトリソグラフィーにより形成する。コンタクトパターン３４ａ及び３４ｂを、環状部３１ｂを覆わないように形成する。一方、コンタクトパターン３４ｃ及び３４ｄを、外周部３１ｃを覆わないように形成する。コンタクトパターン３４ａ〜３４ｄをコンタクトパターン３４という。
【００５７】
次に、図１１（ｅ）及び（ｆ）に示すように、第２側壁膜パターン３１及びコンタクトパターン３４をマスクとして導電膜をエッチングする。これにより、配線パターン３５及びコンタクトパターン３７が形成される。配線パターン３５及びコンタクトパターン３７は、第２側壁膜パターン３１及びコンタクトパターン３４を用いてパターニングされたものである。
コンタクト領域１７において、配線パターン３５には、環状部３５ｂ、外周部３５ｃ、４本の屈曲部３５ｄが含まれる。コンタクトパターン３７には、コンタクトパターン３７ａ〜３７ｄが含まれる。配線パターン３５のうち、第２側壁膜パターン３１における突起外周部３２ａ、３２ｂ、９７ａ及び９７ｂに対応した部分に、コンタクトを配置する。
最小配線部１８における配線パターン３５には、パターン３８が形成される。パターン３８の幅は、幅ＰＣＥＬＬの略１／８であり、最小配線部１８における配線パターン３５のピッチは幅ＰＣＥＬＬの略１／４である。
【００５８】
次に、図１１（ｇ）及び（ｈ）に示すように、配線パターン３５における環状部３５ｂ及び外周部３５ｃの＋Ｘ方向の端縁部分以外の部分を覆うフォトレジストパターン３９を形成する。その後、フォトレジストパターン３９をマスクにして、配線パターン３５をエッチングする。
これにより、図１２（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線パターン３５における環状部３５ｂ及び外周部３５ｃの＋Ｘ方向の端縁部分が切断される。これにより、４本の各屈曲部３５ｄに対応するようにコンタクトパターン３７ａ〜３７ｄが接続される。
【００５９】
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態において、第２犠牲膜パターン２８は、前述の第１の実施形態と同様の突起部２９ａ〜２９ｆ並びにフォトレジストパターン８５の開口部１５ａの内部の凸部８６を利用して形成した突起部９９ａ及び９９ｂを含み、新たにフォトグラフィー工程を設けなくても、第２犠牲膜パターン２８に三叉路を形成することができる。これにより、第２側壁膜パターン３１を形成した際に、第２側壁膜パターン３１における環状部３１ｂと突起外周部３２ａ及び３２ｂ、並びに外周部３１ｃと突起外周部９７ａ及び９７ｂの間を隔離して、電気的なショートを抑制しながら各配線パターン３５に対応したコンタクトパターン３７を形成することができる。
よって、製造工程数を少なくして生産コストを低減することができる。
また、フォトレジストパターン８５における開口部１５ａの内部及び外部のいずれに対応した部分にも、任意にコンタクトパターン３７を形成することができる。よって、コンタクトパターン３７を配置する自由度が制限されない。本実施形態における上記以外の構成及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００６０】
なお、図１０（ａ）〜（ｆ）に示すように、本実施形態においては、フォトレジストパターン８５をマスクとして、第１犠牲膜１１をエッチングすることにより、第１犠牲膜パターン２１を形成し、その後、第１犠牲膜パターン２１の側面上に、第１側壁膜パターン２５を形成したが、これに限らない。例えば、フォトレジストパターン８５を芯材とし、フォトレジストパターン８５をスリミングした後で、フォトレジストパターン８５の側面上に、第１側壁膜パターン２５を形成してもよい。さらに、配線パターン３５及びコンタクトパターン３７を形成する導電膜上にハードマスクを介して第２側壁膜パターン３１を形成し、第２側壁膜パターン３１及びコンタクトパターン３４が転写されたハードマスクのパターンをマスクとして導電膜のパターニングを行ってもよいし、配線パターン３５の代わりに第２側壁膜パターン３１に対して＋Ｘ方向の端縁部分を切断するループカットを行ってもよい。
【００６１】
以上説明した実施形態によれば、リソグラフィ工程数の増加を抑制しながら微細化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００６２】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１０：基板、１１：第１犠牲膜、１２：第２犠牲膜、１３：導電膜、１４：積層膜、１５、３９、５５、８５：フォトレジストパターン、１５ａ、２１ａ：開口部、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２５ｃ、２８ｃ、５５ｂ、５５ｃ、５５ｄ、５５ｅ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ、６１ｅ：辺、１６、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ、２２、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ、２２ｆ：切れ込み、１６ｇ、２２ｇ：屈曲切れ込み、１７：コンタクト領域、１８：最小配線部、１９、２３、２７、３０、３３、３８：パターン、２０、２４：パターン間、２１：第１犠牲膜パターン、２５：第１側壁膜パターン、２５ａ、３１ａ：幅、２５ｂ、２８ｂ、３１ｂ、３５ｂ、６５ｂ：環状部、２６、２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ、２６ｅ、２６ｆ、２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ、２９ｆ、９９ａ、９９ｂ：突起部、２６ｇ、２９ｇ、３１ｄ、３５ｄ、５６ｇ、６２ｇ、６６ｇ：屈曲部、２８：第２犠牲膜パターン、３１：第２側壁膜パターン、３１ｃ、３５ｃ、６３、６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄ、６３ｅ、６３ｆ、９３ａ、９３ｂ：外周部、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ、３２ｆ、３６ｅ、３６ｆ、９７ａ、９７ｂ：突起外周部、３４、３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ、３７、３７ａ、３７ｂ、３７ｃ、３７ｄ、４１、４２：コンタクトパターン、３５：配線パターン、４０：三叉路、４３ａ、４３ｂ、４４ａ、４４ｂ：側面部、５５ａ、６１ａ：島状部、５６、５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄ、５６ｅ、５６ｆ、６２、６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆ、８６、８６ａ、８６ｂ、９２、９２ａ、９２ｂ：凸部、６３ｌ、６３ｒ、９３ｌ、９３ｒ：部分、ＬＨＵ、ＰＣＥＬＬ、ＬＣＥＬＬ、ＳＣＥＬＬ、ＳＨＵ：幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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