(57)【要約】【課題】省スペース化され、小型軽量化されたＬＥＤドライバモジュール及びこれを用いたＬＥＤ電球を提供する。【解決手段】入力電圧から後段の回路部を保護する保護回路１１と、保護回路１１を介して入力された入力電圧を整流する整流回路１２と、整流回路１２により整流された入力電圧からノイズ成分を除去するフィルタ回路１３と、フィルタ回路１３によりノイズ成分が除去された入力電圧を閾値と比較する電圧コンパレータ１４と、電圧コンパレータ１４の比較結果に応じて、負荷であるＬＥＤモジュール２０のうち、給電対象となるＬＥＤブロック部Ｂ１，Ｂ２を切り替えるスイッチ１５とを備えるＬＥＤドライバモジュール１０及びこれを用いたＬＥＤ電球１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電圧から後段の回路部を保護する保護部と、
前記保護部を介して入力された入力電圧を整流する整流部と、
前記整流部により整流された入力電圧からノイズ成分を除去するフィルタ部と、
前記フィルタ部によりノイズ成分が除去された入力電圧を閾値と比較する電圧比較部と、
前記電圧比較部の比較結果に応じて、負荷であるＬＥＤモジュールのうち、給電対象となるＬＥＤブロック部を切り替えるスイッチ部と
を備えることを特徴とするＬＥＤドライバモジュール。
【請求項２】
前記スイッチ部は、出力電流のピークを１００％とした場合に５％以下の出力エリアが存在しないように、給電対象となるＬＥＤブロック部を切り替えることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤドライバモジュール。
【請求項３】
前記ＬＥＤモジュールは、ｎ個直列×ｍ個並列に接続された複数のＬＥＤ素子を備え、
前記スイッチ部は、前記電圧比較部の比較結果に応じて、前記ＬＥＤ素子の直列数を切り替えることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤドライバモジュール。
【請求項４】
前記入力電圧が閾値以上である場合、降圧型スイッチングＤＣ／ＤＣ回路により全ＬＥＤブロック部へ給電し、前記入力電圧が閾値以上でない場合、電流制限器により一部のＬＥＤブロック部へ給電することを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤドライバモジュール。
【請求項５】
前記入力電圧をｎ個の閾値の高い値から順に比較し、前記入力電圧がｋ番目に比較した閾値以上である場合、電流制限器によりＬＥＤブロック部Ｂｋ〜Ｂｎへ給電することを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤドライバモジュール。
【請求項６】
前記ＬＥＤドライバモジュールを形成するプリント回路基板のサイズは、２８．０ｍｍ×１１．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤドライバモジュール。
【請求項７】
前記ＬＥＤモジュールは、ＣＯＢ構造であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤドライバモジュール。
【請求項８】
前記フィルタ部に接続されたメインスイッチと、
前記メインスイッチと前記スイッチ部の間に接続された定電流コンパレータとを備え、
前記定電流コンパレータにＭＯＳＦＥＴを用いることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤドライバモジュール。
【請求項９】
前記フィルタ部に接続されたメインスイッチと、
前記メインスイッチと前記スイッチ部の間に接続された定電流コンパレータとを備え、
前記メインスイッチにＭＯＳＦＥＴを用いることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤドライバモジュール。
【請求項１０】
前記ＬＥＤドライバモジュールを形成するプリント回路基板の一方の面に高背タイプの部品が実装され、他方の面に低背タイプの部品が実装されることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤドライバモジュール。
【請求項１１】
前記一方の面の入力端子側から順にフューズ、バリスタ、ダイオードブリッジ、発振回路が実装され、前記一方の面の出力端子側に切欠きが形成されていることを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤドライバモジュール。
【請求項１２】
前記ＬＥＤモジュールに接続されるリード線が前記一方の面から前記他方の面に前記切欠きを通じて配線されていることを特徴とする請求項１１に記載のＬＥＤドライバモジュール。
【請求項１３】
入力電圧から後段の回路部を保護する保護部と、前記保護部を介して入力された入力電圧を整流する整流部と、前記整流部により整流された入力電圧からノイズ成分を除去するフィルタ部と、前記フィルタ部によりノイズ成分が除去された入力電圧を閾値と比較する電圧比較部と、前記電圧比較部の比較結果に応じて、負荷であるＬＥＤモジュールのうち、給電対象となるＬＥＤブロック部を切り替えるスイッチ部とを備えるＬＥＤドライバモジュールと、
前記ＬＥＤドライバモジュールから給電されるＬＥＤモジュールと、
前記ＬＥＤドライバモジュール及び前記ＬＥＤモジュールが搭載されるケースと、
前記ＬＥＤモジュールを覆う透光性カバーと
を備えることを特徴とするＬＥＤ電球。
【請求項１４】
前記スイッチ部は、出力電流のピークを１００％とした場合に５％以下の出力エリアが存在しないように、給電対象となるＬＥＤブロック部を切り替えることを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤ電球。
【請求項１５】
前記ＬＥＤモジュールは、ｎ個直列×ｍ個並列に接続された複数のＬＥＤ素子を備え、
前記スイッチ部は、前記電圧比較部の比較結果に応じて、前記ＬＥＤ素子の直列数を切り替えることを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤ電球。
【請求項１６】
前記入力電圧が閾値以上である場合、降圧型スイッチングＤＣ／ＤＣ回路により全ＬＥＤブロック部へ給電し、前記入力電圧が閾値以上でない場合、電流制限器により一部のＬＥＤブロック部へ給電することを特徴とする請求項１５に記載のＬＥＤ電球。
【請求項１７】
前記入力電圧をｎ個の閾値の高い値から順に比較し、前記入力電圧がｋ番目に比較した閾値以上である場合、電流制限器によりＬＥＤブロック部Ｂｋ〜Ｂｎへ給電することを特徴とする請求項１５に記載のＬＥＤ電球。
【請求項１８】
前記ＬＥＤ電球は、ミニクリプトン形であることを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤ電球。
【請求項１９】
前記ＬＥＤ電球は、外径３５ｍｍ×全長６７ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤ電球。
【請求項２０】
前記ＬＥＤドライバモジュールを形成するプリント回路基板のサイズは、２８．０ｍｍ×１１．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤ電球。
【請求項２１】
前記ＬＥＤモジュールは、ＣＯＢ構造であることを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤ電球。
【請求項２２】
前記フィルタ部に接続されたメインスイッチと、
前記メインスイッチと前記スイッチ部の間に接続された定電流コンパレータとを備え、
前記定電流コンパレータにＭＯＳＦＥＴを用いることを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤ電球。
【請求項２３】
前記フィルタ部に接続されたメインスイッチと、
前記メインスイッチと前記スイッチ部の間に接続された定電流コンパレータとを備え、
前記メインスイッチにＭＯＳＦＥＴを用いることを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤ電球。
【請求項２４】
前記ＬＥＤドライバモジュールを形成するプリント回路基板の一方の面に高背タイプの部品が実装され、他方の面に低背タイプの部品が実装されることを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤ電球。
【請求項２５】
前記一方の面の入力端子側から順にフューズ、バリスタ、ダイオードブリッジ、発振回路が実装され、前記一方の面の出力端子側に切欠きが形成されていることを特徴とする請求項２４に記載のＬＥＤ電球。
【請求項２６】
前記ＬＥＤモジュールに接続されるリード線が前記一方の面から前記他方の面に前記切欠きを通じて配線されていることを特徴とする請求項２５に記載のＬＥＤ電球。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）ドライバモジュール及びＬＥＤ電球に関し、特に、小型軽量化されたＬＥＤドライバモジュール及びこれを用いたＬＥＤ電球に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、省電力で長寿命のＬＥＤ電球が急速に普及し始めている。従来技術の一例としては、特許文献１や特許文献２を挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１９８４８９号公報
【特許文献２】特開２０１１−１５９６３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＬＥＤ電球に搭載するＬＥＤ素子の数が多いほど、大容量の電解コンデンサが必要となる。すなわち、直列に接続するＬＥＤ素子の数が多いほど、電解コンデンサで電荷を保持しなければならない時間的領域が長くなるため、大容量が必要である。また、並列に接続するＬＥＤ素子の数が多いほど、電解コンデンサから保護しなければならない電荷量が増えるため、大容量が必要である。
【０００５】
しかしながら、小型（例えばＥ１７形）のＬＥＤ電球に組み込まれるＬＥＤドライバモジュールは、ＬＥＤ電球に収容可能な小面積のプリント回路基板上に多数の素子を搭載しなければならない。そのため、体積の大きい電解コンデンサを搭載するのが困難である。
【０００６】
本発明の目的は、省スペース化され、小型軽量化されたＬＥＤドライバモジュール及びこれを用いたＬＥＤ電球を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、入力電圧から後段の回路部を保護する保護部と、前記保護部を介して入力された入力電圧を整流する整流部と、前記整流部により整流された入力電圧からノイズ成分を除去するフィルタ部と、前記フィルタ部によりノイズ成分が除去された入力電圧を閾値と比較する電圧比較部と、前記電圧比較部の比較結果に応じて、負荷であるＬＥＤモジュールのうち、給電対象となるＬＥＤブロック部を切り替えるスイッチ部とを備えるＬＥＤドライバモジュールが提供される。
【０００８】
また、本発明の他の態様によれば、入力電圧から後段の回路部を保護する保護部と、前記保護部を介して入力された入力電圧を整流する整流部と、前記整流部により整流された入力電圧からノイズ成分を除去するフィルタ部と、前記フィルタ部によりノイズ成分が除去された入力電圧を閾値と比較する電圧比較部と、前記電圧比較部の比較結果に応じて、負荷であるＬＥＤモジュールのうち、給電対象となるＬＥＤブロック部を切り替えるスイッチ部とを備えるＬＥＤドライバモジュールと、前記ＬＥＤドライバモジュールから給電されるＬＥＤモジュールと、前記ＬＥＤドライバモジュール及び前記ＬＥＤモジュールが搭載されるケースと、前記ＬＥＤモジュールを覆う透光性カバーとを備えるＬＥＤ電球が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、省スペース化され、小型軽量化されたＬＥＤドライバモジュール及びこれを用いたＬＥＤ電球を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施の形態に係るＬＥＤ電球の構成例を示す模式的ブロック構成図。
【図２】第１の実施の形態に係るＬＥＤ電球の構成例をより具体的に示す模式的ブロック構成図。
【図３】第１の実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュールの動作例を示すフローチャート図。
【図４】第１の実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュールの波形を示すグラフであって、（ａ）入力電圧波形図、（ｂ）出力電圧波形図、（ｃ）出力電流波形図。
【図５】第１の実施の形態に係るＬＥＤ電球の構成例を示す模式的正面透視図。
【図６】第１の実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュールの構成例を示す模式的回路ブロック構成図。
【図７】第１の実施の形態に係るプリント回路基板の構成例を示す模式的平面図であって、（ａ）表面の模式的平面図、（ｂ）裏面の模式的平面図。
【図８】従来のプリント回路基板の構成例を示す模式的平面図であって、（ａ）表面の模式的平面図、（ｂ）裏面の模式的平面図。
【図９】第１の実施の形態に係るＬＥＤモジュールの構成例を示す模式的回路ブロック構成図。
【図１０】第１の実施の形態に係る他のＬＥＤモジュールの構成例を示す模式的回路ブロック構成図。
【図１１】第１の実施の形態に係るアルミナ基板の構成例を示す模式的平面図。
【図１２】従来のアルミナ基板の構成例を示す模式的平面図。
【図１３】第１の実施の形態に係るＬＥＤモジュールの模式的断面構造例。
【図１４】第２の実施の形態に係る閾値を説明するための図であって、（ａ）ノイズ成分が除去された入力電圧と閾値との関係を示すグラフ、（ｂ）ＬＥＤドライバモジュールに搭載されるスイッチと閾値との関係を示す模式的ブロック構成図。
【図１５】第２の実施の形態に係るＬＥＤ電球の構成例を示す模式的ブロック構成図。
【図１６】第２の実施の形態に係るＬＥＤ電球の構成例をより具体的に示す模式的ブロック構成図。
【図１７】第２の実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュールの動作例を示すフローチャート図。
【図１８】第３の実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュールの構成例を示す模式的回路ブロック構成図。
【図１９】第３の実施の形態に係るプリント回路基板の構成例を示す模式的平面図であって、（ａ）表面の模式的平面図、（ｂ）裏面の模式的平面図。
【図２０】第３の実施の形態に係るプリント回路基板に形成された切欠きを説明するための図であって、（ａ）切欠きが形成されていないときの模式的側面図、（ｂ）切欠きが形成されているときの模式的側面図。
【図２１】第３の実施の形態に係る他のプリント回路基板の構成例を示す模式的平面図であって、（ａ）表面の模式的平面図、（ｂ）裏面の模式的平面図。
【図２２】第３の実施の形態に係るプリント回路基板に形成された切欠きを説明するための図であって、（ａ）中央付近の縁部に形成された切欠きを説明するための図、（ｂ）入力端子の外側に形成された切欠きを説明するための図。
【図２３】第４の実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュールの構成例を示す模式的回路ブロック構成図。
【図２４】第４の実施の形態に係るプリント回路基板の構成例を示す模式的平面図であって、（ａ）表面の模式的平面図、（ｂ）裏面の模式的平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各構成部品の厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００１２】
又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、各構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１３】
［第１の実施の形態］
以下、図１〜図１３を用いて第１の実施の形態を説明する。
【００１４】
第１の実施の形態に係るＬＥＤ電球１は、ＬＥＤドライバモジュール１０と、ＬＥＤドライバモジュール１０から給電されるＬＥＤモジュール２０と、ＬＥＤドライバモジュール１０及びＬＥＤモジュール２０が搭載されるケース３０と、ＬＥＤモジュール２０を覆う透光性カバー４０とを備え、ＬＥＤドライバモジュール１０は、入力電圧から後段の回路部を保護する保護回路１１と、保護回路１１を介して入力された入力電圧を整流する整流回路１２と、整流回路１２により整流された入力電圧からノイズ成分を除去するフィルタ回路１３と、フィルタ回路１３によりノイズ成分が除去された入力電圧を閾値と比較する電圧コンパレータ１４と、電圧コンパレータ１４の比較結果に応じて、負荷であるＬＥＤモジュール２０のうち、給電対象となるＬＥＤブロック部Ｂ１，Ｂ２を切り替えるスイッチ１５とを備える。
【００１５】
また、スイッチ１５は、出力電流のピークを１００％とした場合に５％以下の出力エリアが存在しないように、給電対象となるＬＥＤブロック部Ｂ１，Ｂ２を切り替えても良い。
【００１６】
また、ＬＥＤモジュール２０は、ｎ個直列×ｍ個並列に接続された複数のＬＥＤ素子を備え、スイッチ１５は、電圧コンパレータ１４の比較結果に応じて、ＬＥＤ素子の直列数を切り替えても良い。
【００１７】
また、入力電圧が閾値以上である場合、降圧型スイッチングＤＣ／ＤＣ回路１６により全ＬＥＤブロック部Ｂ１，Ｂ２へ給電し、入力電圧が閾値以上でない場合、電源制限器１７により一部のＬＥＤブロック部Ｂ２へ給電しても良い。
【００１８】
また、入力電圧をｎ個の閾値の高い値から順に比較し、入力電圧がｋ番目に比較した閾値以上である場合、電源制限器１７によりＬＥＤブロック部Ｂｋ〜Ｂｎへ給電しても良い。
【００１９】
また、ＬＥＤ電球１は、ミニクリプトン形であっても良い。
【００２０】
また、ＬＥＤ電球１は、外径３５ｍｍ×全長６７ｍｍ以下であっても良い。
【００２１】
また、ＬＥＤドライバモジュール１０を形成するプリント回路基板１０ａのサイズは、２８．０ｍｍ×１１．５ｍｍ以下であっても良い。
【００２２】
また、ＬＥＤモジュール２０は、ＣＯＢ（Chip on Board）構造であっても良い。ＣＯＢ構造とは、ベアチップ（ＬＥＤ素子Ｄそのもの）をアルミナ基板２１ａ上の配線パターンに直接実装し、ワイヤーボンディングして樹脂封止する構造をいう。
【００２３】
（全体構成）
図１は、第１の実施の形態に係るＬＥＤ電球１の構成例を示す模式的ブロック構成図である。この図に示すように、ＬＥＤ電球１は、ＬＥＤドライバモジュール１０と、ＬＥＤモジュール２０とを備えている。
【００２４】
ＬＥＤモジュール２０は、昼光色（色温度５０００Ｋ程度）や電球色（色温度３０００Ｋ程度）の光を発するＬＥＤ電球１の光源であり、ｎ個直列×ｍ個並列に接続された複数のＬＥＤ素子（ＶＦ：例えば３Ｖ）を備えている。ここでは、給電対象となる２つのＬＥＤブロック部Ｂ１，Ｂ２を備えているものとする。
【００２５】
ＬＥＤドライバモジュール１０は、商用交流電源２から交流電圧（例えばＡＣ１００Ｖ±１０％）が入力されると、この交流電圧を直流のＬＥＤ駆動電圧（例えばＤＣ３２Ｖ）に変換してＬＥＤモジュール２０に供給する。具体的には、保護回路１１と、整流回路１２と、フィルタ回路１３と、電圧コンパレータ１４と、スイッチ１５と、降圧型スイッチングＤＣ／ＤＣ回路１６と、電源制限器１７とをプリント回路基板上に備えている。
【００２６】
保護回路１１は、過電流や過電圧から後段の回路部を保護する。整流回路１２は、保護回路１１を介して入力された入力電圧（交流電圧）を整流する。フィルタ回路１３は、整流回路１２により整流された入力電圧からノイズ成分を除去する。電圧コンパレータ１４は、フィルタ回路１３によりノイズ成分が除去された入力電圧を閾値と比較する。スイッチ１５は、電圧コンパレータ１４の比較結果に応じて、負荷であるＬＥＤモジュール２０のうち、給電対象となるＬＥＤブロック部Ｂ１，Ｂ２を切り替える。
【００２７】
より具体的には、図２に示すように、降圧型スイッチングＤＣ／ＤＣ回路１６の動作を切り替えるためのスイッチ１５と、電源制限器１７の動作を切り替えるためのスイッチ１５とを備えている。これらスイッチ１５には電圧コンパレータ１４の比較結果が入力され、その比較結果に応じてスイッチ１５がオン／オフするようになっている。
【００２８】
（動作例）
図３は、第１の実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュール１０の動作例を示すフローチャート図である。また、図４は、第１の実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュール１０の波形を示すグラフであって、図４（ａ）は入力電圧波形、図４（ｂ）は出力電圧波形、図４（ｃ）は出力電流波形を示している。以下、これらの図を用いてＬＥＤドライバモジュール１０の動作例を説明する。
【００２９】
まず、電源が投入されると（図３、ステップＳ１）、整流回路１２により入力電圧を整流し、フィルタ回路１３によりノイズ成分を除去する。次いで、図４（ａ）に示すように、ノイズ成分が除去された入力電圧と閾値（例えば３０Ｖ）を電圧コンパレータ１４により比較する（図３、ステップＳ２）。
【００３０】
ここで、入力電圧が閾値以上である場合、降圧型スイッチングＤＣ／ＤＣ回路１６により全ＬＥＤブロック部Ｂ１及びＢ２へ給電する（図３、ステップＳ３）。入力電圧が閾値以上である場合とは、具体的には、図４（ａ）に示す期間Ａである。降圧型スイッチングＤＣ／ＤＣ回路１６は、フィルタ回路１３の出力を降圧することによって所望の直流電圧を生成するようになっている。その際、図４（ｃ）に示すように、ＬＥＤモジュール２０に流れる出力電流を一定値（例えば１２０ｍＡ）に維持する定電流制御を行う。
【００３１】
一方、入力電圧が閾値以上でない場合、電源制限器１７により一部のＬＥＤブロック部Ｂ２のみへ給電する（図３、ステップＳ４）。すなわち、ＬＥＤブロック部Ｂ１へは給電しないようになっている。入力電圧が閾値以上でない場合とは、具体的には、図４（ａ）に示す期間Ｂである。この場合でも、図４（ｂ）に示すように、ＬＥＤブロック部Ｂ２については１５Ｖ以上の電圧が供給され、出力電流のピークを１００％とした場合に５％以下の出力エリアが存在しないようにしている。これにより、ちらつきのほとんどないＬＥＤ電球１を提供することが可能となる。
【００３２】
（ＬＥＤ電球）
図５は、第１の実施の形態に係るＬＥＤ電球１の構成例を示す模式的正面透視図である。この図に示すように、ＬＥＤ電球１は、ＬＥＤドライバモジュール１０と、ＬＥＤドライバモジュール１０から給電されるＬＥＤモジュール２０と、ＬＥＤドライバモジュール１０及びＬＥＤモジュール２０が搭載されるケース３０と、ＬＥＤモジュール２０を覆う透光性カバー４０とを備えている。
【００３３】
例えば、ＬＥＤ電球１は、Ｅ１７口金に対応したミニクリプトン形であり、外径３５ｍｍ×全長６７ｍｍ以下である。ＬＥＤドライバモジュール１０を形成するプリント回路基板１０ａのサイズは、２８．０ｍｍ×１１．５ｍｍ以下である。このプリント回路基板１０ａは、体積の大きい電解コンデンサを搭載していないので、ミニクリプトン形のＬＥＤ電球１にも容易に収納することができる。このようなＬＥＤ電球１が過度な温度になることを避けるため、ヒートスプレッダやヒートシンクを備えても良いことはもちろんである。
【００３４】
（ＬＥＤドライバモジュール）
図６は、第１の実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュール１０の構成例を示す模式的回路ブロック構成図である。この図に示すように、ＬＥＤドライバモジュール１０は、入力端子ＬＰ１〜ＬＰ２と、出力端子ＬＰ３〜ＬＰ５と、ｎｐｎ型バイポーラトランジスタＱ１及びＱ２と、抵抗Ｒ１〜Ｒ７と、コンデンサＣ１〜Ｃ７と、ダイオードＤ１と、コイルＬ１及びＬ２と、ダイオードブリッジＤＢ１と、フューズＦ１と、バリスタＶＲ１と、ツェナーダイオードＺＤ１と、ＭＯＳＦＥＴ１４ａとを備えている。
【００３５】
入力端子ＬＰ１は、商用交流電源２のライブ端子Ｌが接続されるビア（メッキ穴）である。入力端子ＬＰ２は、商用交流電源２のニュートラル端子Ｎが接続されるビアである。
【００３６】
出力端子ＬＰ３は、ＬＥＤモジュール２０の第１のアノード端子Ａ１が接続されるビアである。出力端子ＬＰ４は、ＬＥＤモジュール２０の第２のアノード端子Ａ２が接続されるビアである。出力端子ＬＰ５は、ＬＥＤモジュール２０のカソード端子Ｃが接続されるビアである。
【００３７】
フューズＦ１の第１端は、入力端子ＬＰ１に接続されている。ヒューズＦ１の第２端は、バリスタＶＲ１の第1端に接続されている。バリスタＶＲ１の第２端は、入力端子ＬＰ２に接続されている。フューズＦ１及びバリスタＶＲ１は、保護回路１１を形成する。
【００３８】
ダイオードブリッジＤＢ１の第１入力端は、ヒューズＦ１の第２端に接続されている。ダイオードブリッジＤＢ１の第２入力端は、入力端子ＬＰ２に接続されている。ダイオードブリッジＤＢ１は、整流回路１２を形成する。
【００３９】
コンデンサＣ１の第１端は、ダイオードブリッジＤＢ１の第1出力端に接続されている。コンデンサＣ１の第２端は、出力端子ＬＰ５に接続されている。抵抗Ｒ１の第１端は、ダイオードブリッジＤＢ１の第２出力端に接続されている。抵抗Ｒ１の第２端は、出力端子ＬＰ５に接続されている。コンデンサＣ１及び抵抗Ｒ１は、フィルタ回路１３を形成する。
【００４０】
トランジスタＱ１のコレクタは、ダイオードブリッジＤＢ１の第１出力端とツェナーダイオードＺＤ１の第１端に接続されている。トランジスタＱ１のエミッタは、抵抗Ｒ４の第１端とダイオードＤ１のアノードに接続されている。トランジスタＱ１のべ一スは、トランジスタＱ２のコレクタ、抵抗Ｒ２の第２端、及び、コンデンサＣ２の第１端に接続されている。トランジスタＱ２のべ一スは、ダイオードＤ１のカソードとコンデンサＣ３の第１端に接続されている。トランジスタＱ２のエミッタは、抵抗Ｒ４の第２端とコンデンサＣ３の第２端に接続されている。コンデンサＣ２の第２端は、コイルＬ２の第１端に接続されている。コイルＬ２の第２端は、コイルＬ１の第１端、抵抗Ｒ４の第２端、及び、ダイオードＤ２のカソードに接続されている。コイルＬ１の第２端は、出力端子ＬＰ３に接続されている。トランジスタＱ１、抵抗Ｒ２、コンデンサＣ３、及びツェナーダイオードＺＤ１は、メインスイッチ１５ａを形成する。ツェナーダイオードＺＤ１は、３０Ｖ程度のものを採用すれば良い。トランジスタＱ２、抵抗Ｒ４、コンデンサＣ３、及びダイオードＤ１は、定電流コンパレータ１６ａを形成する。コイルＬ１及びＬ２は、発振回路１６ｂを形成する。
【００４１】
ダイオードＤ２のアノードは、出力端子ＬＰ５に接続されている。コンデンサＣ６の第１端は、抵抗Ｒ４の第２端に接続されている。コンデンサＣ５の第２端は、出力端子ＬＰ５に接続されている。抵抗Ｒ５の第１端は、ＭＯＳＦＥＴ１４ａのゲートに接続されている。抵抗Ｒ５の第２端は、出力端子ＬＰ５に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１４ａのドレインは、ダイオードブリッジＤＢ１の第１出力端に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１４ａのソースは、コンデンサＣ７の第１端、及び抵抗Ｒ６の第１端に接続されている。ダイオードＤ２、コンデンサＣ６、抵抗Ｒ５、及びＭＯＳＦＥＴ１４ａは、電圧コンパレータ１４を形成する。ＭＯＳＦＥＴ１４ａは、スイッチ１５に相当する。
【００４２】
コンデンサ（セラミックコンデンサ）Ｃ７の第１端は、ＭＯＳＦＥＴ１４ａのソースに接続されている。コンデンサＣ７の第２端は、出力端子ＬＰ５に接続されている。コンデンサＣ７は、出力平滑コンデンサ１８ｂを形成する。
【００４３】
抵抗Ｒ６の第１端は、ＭＯＳＦＥＴ１４ａのソースに接続されている。抵抗Ｒ６の第２端は、出力端子ＬＰ４に接続されている。抵抗Ｒ６は、電源制限器１７を形成する。
【００４４】
抵抗Ｒ７の第１端は、抵抗Ｒ６の第２端に接続されている。抵抗Ｒ７の第２端は、出力端子ＬＰ５に接続されている。抵抗Ｒ７は、ホタルスイッチ用のブリーダ１９を形成する。ホタルスイッチは、ＬＥＤ電球１の点消灯を切り替える手段として壁面等に設けられ、ＬＥＤ電球１の消灯時に点灯し、ＬＥＤ電球１の点灯時に消灯する小型の発光部を備えたスイッチである。
【００４５】
コンデンサＣ４の第１端は、出力端子ＬＰ３に接続されている。コンデンサＣ４の第２端は、コンデンサＣ５の第１端に接続されている。コンデンサＣ５の第２端は、出力端子ＬＰ５に接続されている。コンデンサＣ４及びＣ５は、出力平滑コンデンサ１８ａを形成する。これにより、ＬＥＤ駆動電圧が生成されることになる。
【００４６】
ここで、図４に示す期間Ａの電流容量は抵抗Ｒ４で決まり、期間Ｂの電流容量は抵抗Ｒ６で決まる。期間Ａの場合は、出力端子ＬＰ３−ＬＰ５を使ってＬＥＤモジュール２０にＬＥＤ駆動電圧が供給される。一方、期間Ｂの場合は、ＭＯＳＦＥＴ１４ａがオンし、出力端子ＬＰ４−ＬＰ５を使ってＬＥＤモジュール２０にＬＥＤ駆動電圧が供給される。これにより、入力電圧が閾値（３０Ｖ）以下であっても、直列数を半分に減らしてＬＥＤモジュール２０を発光させることができる。なお、入力電圧が１５Ｖ以下となった場合でも、セラミックコンデンサＣ７に蓄えた電荷をＬＥＤモジュール２０に供給し続けることが可能である。
【００４７】
（プリント回路基板）
図７は、第１の実施の形態に係るプリント回路基板１０ａの構成例を示す模式的平面図であって、図７（ａ）は表面、図７（ｂ）は裏面を示している。既に説明した通り、このプリント回路基板１０ａのサイズは、２８．０ｍｍ×１１．５ｍｍ以下である。この図に示すように、プリント回路基板１０ａには、入力端子ＬＰ１〜ＬＰ２、出力端子ＬＰ３〜ＬＰ５、ＭＯＳＦＥＴ１４ａが搭載されている。もちろん、抵抗やトランジスタ等、ＬＥＤドライバモジュール１０を構成するその他の部品も搭載されている。また、テスト時にプローブを当接するためのパッドＰＤ１〜ＰＤ１４が形成されている。図中の符号Ｏはプローブ加工原点である。
【００４８】
比較のため、従来のプリント回路基板１０ｂの構成例を示す模式的平面図を図８に示す。図８（ａ）は表面、図８（ｂ）は裏面を示している。この図に示すように、従来のプリント回路基板１０ｂの出力端子はＬＰ３とＬＰ４の２つである。ＭＯＳＦＥＴ１４ａも備えていないことが分かる。
【００４９】
（ＬＥＤモジュール）
図９は、第１の実施の形態に係るＬＥＤモジュール２０の構成例を示す模式的回路ブロック構成図である。この図に示すように、ＬＥＤモジュール２０は、第１のアノード端子Ａ１と、第２のアノード端子Ａ２と、カソード端子Ｃと、ＬＥＤ素子Ｄ１〜Ｄ１２，Ｄ２１〜Ｄ３２とを備えている。
【００５０】
ここでは、１２個直列×２個並列に２４個のＬＥＤ素子が接続されている。具体的には、ＬＥＤ素子Ｄ１〜Ｄ１２は直列に接続され、ＬＥＤ素子Ｄ２１〜Ｄ３２も直列に接続されている。ＬＥＤ素子Ｄ１〜Ｄ１２とＤ２１〜Ｄ３２は並列に接続されている。ＬＥＤ素子Ｄ１及びＤ２１のアノードは、第１のアノード端子Ａ１に接続されている。ＬＥＤ素子Ｄ７及びＤ２７のアノードは、第２のアノード端子Ａ２に接続されている。ＬＥＤ素子Ｄ１２及びＤ３２のカソードは、カソード端子Ｃに接続されている。ＬＥＤ素子Ｄ１〜Ｄ６及びＤ２１〜Ｄ２６は、ＬＥＤブロック部Ｂ１を形成する。ＬＥＤ素子Ｄ７〜Ｄ１２及びＤ２７〜３２は、ＬＥＤブロック部Ｂ２を形成する。
【００５１】
このように、本実施の形態では、ｎ個直列×ｍ個並列に複数のＬＥＤ素子を接続して冗長性を持たせている。もちろん、ＬＥＤモジュール２０は、図９に示す構成に限定されるものではない。例えば、図１０に示すように、２つのＬＥＤ素子Ｄ１及びＤ２，・・・，Ｄ２３及びＤ２４をそれぞれ並列に接続したものを直列に接続し、各位置にツェナーダイオードＤ２５〜Ｄ３６を設けても良い。この場合も、直列接続を二等分する位置（ＬＥＤ素子Ｄ１３及びＤ１４のアノード）に第２のアノード端子Ａ２が接続されている。第２のアノード端子Ａ２が接続される位置はこれに限定されるものではなく、適宜変更することが可能である。ただし、出力電流のピークを１００％とした場合に５％以下の出力エリアが存在しない範囲で変更するのが好ましい。
【００５２】
（アルミナ基板）
図１１は、第１の実施の形態に係るアルミナ基板２１ａの構成例を示す模式的平面図である。ここでは、各ＬＥＤ素子を区別することなく「ＬＥＤ素子Ｄ」と表記している。このアルミナ基板２１ａは、ＬＥＤモジュール２０を構成する基板であって、第１のアノード端子Ａ１と、第２のアノード端子Ａ２と、カソード端子Ｃと、複数のＬＥＤ素子Ｄと、蛍光体層２２を備えている。蛍光体層２２の詳細については後述する。
【００５３】
比較のため、従来のアルミナ基板２１ｂの構成例を示す模式的平面図を図１２に示す。この図に示すように、従来のアルミナ基板２１ｂのアノード端子Ａは１つである。
【００５４】
（ＬＥＤモジュールの模式的断面構造例）
図１３は、第１の実施の形態に係るＬＥＤモジュール２０の模式的断面構造例である。このＬＥＤモジュール２０は、ＣＯＢ構造を採用している。
【００５５】
この図に示すように、アルミナ基板２１ａ上に配線パターン２３，２４が形成されている。配線パターン２３上にＬＥＤ素子Ｄが実装され、そのＬＥＤ素子Ｄの上面電極（図示省略）と配線パターン２４とがボンディングワイヤ２５により接続されている。白樹脂の土手（ダム材）２６の内部には、第１発光蛍光体２２ａと第２発光蛍光体２２ｂとを透光性樹脂中に混合分散した蛍光体層２２を備える。
【００５６】
例えば、ＬＥＤ素子Ｄは、窒化物系半導体により形成された青色ＬＥＤで形成されていても良い。この場合、第１発光蛍光体２２ａおよび第２発光蛍光体２２ｂは、共に黄色蛍光体で形成されていても良い。或いは、演色性を確保するために、第１発光蛍光体２２ａは赤色蛍光体、第２発光蛍光体２２ｂは、緑色蛍光体で形成されていても良い。
【００５７】
ここで、青色ＬＥＤを励起光源とする黄色蛍光体としては、例えば、Ｃｅ添加ＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12:Ｃｅ）蛍光体、Ｅｕ添加α−サイアロン（ＣａＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ）、シリケート蛍光体（（Ｓｒ,Ｂａ,Ｃａ,Ｍｇ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ）などを用いることができる。すなわち、青色発光ＬＥＤの青色光の一部を黄色蛍光体により黄色の発光に変換し、青＋黄の発光により白色発光を得ることができる。
【００５８】
また、青色ＬＥＤを励起光源とする緑色蛍光体としては、例えば、Ｅｕ添加β−サイアロン（Ｓｉ6-zＡｌzＯzＮ8-z：Ｅｕ）蛍光体、Ｃｅ添加ＣＳＳＯ（Ｃａ3Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ）蛍光体などを用いることができる。
【００５９】
また、青色ＬＥＤを励起光源とする赤色蛍光体としては、例えば、Ｅｕ添加ＣａＡｌＳｉＮ3（ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ）蛍光体などを用いることができる。
【００６０】
また、ＬＥＤ素子Ｄは、窒化物系半導体により形成された紫外光ＬＥＤで形成されていても良い。この場合、第１発光蛍光体２２ａおよび第２発光蛍光体２２ｂは、共に黄色蛍光体で形成されていても良い。或いは、演色性を確保するために、第１発光蛍光体２２ａは青色蛍光体、第２発光蛍光体２２ｂは、黄色蛍光体で形成されていても良い。
【００６１】
紫外光ＬＥＤを励起光源とする青色蛍光体としては、紫外光を受けて青色に発光するものであれば良く、例えば、ハロゲン酸塩蛍光体、アルミン酸塩蛍光体、ケイ酸塩蛍光体などが挙げられる。また、付活剤としては、例えば、セリウム、ユウロピウム、マンガン、ガドリニウム、サマリウム、テルビウム、スズ、クロム、アンチモン等の元素を挙げることができる。この中でもユウロピウムが好ましい。付活剤の添加量は、蛍光体に対して０．１〜１０ｍｏｌ％の範囲が好ましい。
【００６２】
紫外光ＬＥＤを励起光源とする黄色蛍光体としては、青色発光を吸収して黄色に発光する蛍光体および紫外線を吸収して黄色に発光する蛍光体のいずれであっても良い。ここで、演色性を確保するために、第１発光蛍光体２２ａを青色蛍光体、第２発光蛍光体２２ｂを黄色蛍光体で形成する場合には、発光効率を一層高めるためには、紫外線を吸収して黄色に発光する蛍光体が望ましい。青色発光を吸収して黄色に発光する蛍光体としては、例えば、有機蛍光体では、アリルスルホアミド・メラミンホルムアルデヒド共縮合染色物やペリレン系蛍光体等を挙げることができ、無機蛍光体では、アルミン酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩等を挙げることができる。このなかでも長時間使用可能な点から、ペリレン系蛍光体、ＹＡＧ系蛍光体が特に好ましい。また、付活剤としては、例えば、セリウム、ユウロピウム、マンガン、ガドリニウム、サマリウム、テルビウム、スズ、クロム、アンチモン等の元素を挙げることができる。この中でもセリウムが好ましい。付活剤の添加量は、蛍光体に対して０．１〜１０ｍｏｌ％の範囲が好ましい。蛍光体と付活剤との組み合わせとしては、ＹＡＧとセリウムとの組み合わせが好ましい。
【００６３】
また、紫外線を吸収して黄色に発光する蛍光体としては、例えば、（Ｌａ，Ｃｅ）（Ｐ，Ｓｉ）Ｏ4や、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏなどの蛍光体を挙げることができる。また、付活剤としては、例えば、テルビウム、亜鉛などを挙げることができる。
【００６４】
蛍光体層２２中の第１発光蛍光体２２ａ・第２発光蛍光体２２ｂの含有量は、ＬＥＤ素子Ｄや蛍光体の種類などから適宜決定すればよいが、一般にその含有量は、各蛍光体とも蛍光体層２２に対して１〜２５ｗｔ％の範囲が望ましい。
【００６５】
尚、実施の形態に係るＬＥＤモジュール２０に搭載される白色ＬＥＤには、ＬＥＤ搭載用汎用パッケージを使用して実装されていても良い。
【００６６】
また、ＬＥＤの構成として、例えば、１パッケージ中に「青色ＬＥＤ＋緑色ＬＥＤ＋赤色ＬＥＤ」を収容して白色ＬＥＤを構成することもできる。このようなマルチチップの例として、「赤外ＬＥＤ＋青色ＬＥＤ」のマルチチップで、青色光励起によって黄色光を発光する蛍光体を組み合わせることもできる。黄色蛍光体は、赤外光による影響を受けないため、小型１パッケージで構成可能であり、占有スペースを小さくすることができ、小さなスペースに実装可能である。
【００６７】
以上説明したように、本実施の形態では、入力電圧を閾値と比較し、その比較結果に応じて給電対象となるＬＥＤブロック部Ｂ１，Ｂ２を切り替えるようにしている。そのため、体積の大きい電解コンデンサを搭載する必要がなくなり、小型軽量化されたＬＥＤドライバモジュール１０及びこれを用いたＬＥＤ電球１を提供することが可能となる。
【００６８】
また、出力電流のピークを１００％とした場合に５％以下の出力エリアが存在しないように、給電対象となるＬＥＤブロック部Ｂ１，Ｂ２を切り替えるようにしている。これにより、ちらつきのほとんどないＬＥＤ電球１を提供することが可能となる。
【００６９】
［第２の実施の形態］
以下、第２の実施の形態を第１の実施の形態と異なる点のみ説明する。
【００７０】
（閾値）
図１４は、第２の実施の形態に係る閾値を説明するための図であって、図１４（ａ）は、ノイズ成分が除去された入力電圧と閾値との関係を示すグラフ、図１４（ｂ）は、ＬＥＤドライバモジュール１０に搭載されるスイッチ１５と閾値との関係を示す模式的ブロック構成図である。ここでは、ＬＥＤモジュール２０は、ｎ個直列×ｍ個並列に接続された複数のＬＥＤ素子（ＶＦ：例えば３Ｖ）を備えているものとする。この場合、図１４（ａ）に示すように、例えば３Ｖ間隔でｎ個の閾値Ｓ＿１〜Ｓ＿ｎを設定しても良い。これにより、図１４（ｂ）に示すように、ｎ個の閾値Ｓ＿１〜Ｓ＿ｎに応じてｎ段階にスイッチ１５を切り替えることが可能となる。
【００７１】
（全体構成）
図１５は、第２の実施の形態に係るＬＥＤ電球１の構成例を示す模式的ブロック構成図である。ここでは、ｎ個のＬＥＤブロック部Ｂ１〜Ｂｎを備えているものとする。この場合、スイッチ１５の後段にｎ個の電源制限器１７＿１〜１７＿ｎを備え、これら電源制限器１７＿１〜１７＿ｎをｎ個の閾値Ｓ＿１〜Ｓ＿ｎに応じてスイッチ１５で切り替えるようになっている。このような構成は、第１の実施の形態と比べて、ＬＥＤモジュール２０側に多くの電極を設ける必要があるものの、降圧型スイッチングＤＣ／ＤＣ回路１６が不要になるというメリットがある。
【００７２】
より具体的には、図１６に示すように、ｎ個の電源制限器１７＿１〜１７＿ｎの動作を切り替えるためのスイッチ１５を備えている。これらスイッチ１５には電圧コンパレータ１４の比較結果が入力され、その比較結果に応じてスイッチ１５がオン／オフするようになっている。
【００７３】
（動作例）
図１７は、第２の実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュール１０の動作例を示すフローチャート図である。ここでも、出力電流のピークを１００％とした場合に５％以下の出力エリアが存在しないように、給電対象となるＬＥＤブロック部Ｂ１〜Ｂｎを切り替える場合を例示して説明する。
【００７４】
まず、電源が投入されると（図１７、ステップＳ１１）、ノイズ成分が除去された入力電圧と閾値Ｓ＿１を電圧コンパレータ１４により比較する（図１７、ステップＳ１２）。ここで、入力電圧をｎ個の閾値Ｓ＿１〜Ｓ＿ｎの高い値から順に比較し、入力電圧がｋ番目に比較した閾値Ｓ＿ｋ以上である場合、電源制限器１７によりＬＥＤブロック部Ｂｋ〜Ｂｎへ給電するようになっている。
【００７５】
具体的には、入力電圧が最も高い閾値Ｓ＿１以上である場合、全ＬＥＤブロック部Ｂ１〜Ｂｎへ給電する（図１７、ステップＳ１３）。一方、入力電圧が最も高い閾値Ｓ＿１以上でない場合は、入力電圧と２番目に高い閾値Ｓ＿２を比較する（図１７、ステップＳ１４）。そして、入力電圧が２番目に高い閾値Ｓ＿２以上である場合、ＬＥＤブロック部Ｂ２〜Ｂｎへ給電する（図１７、ステップＳ１５）。以降、入力電圧が最も低い閾値Ｓ＿ｎ以上になるまで同様の処理を繰り返す（図１７、ステップＳ１６）。
【００７６】
以上説明したように、本実施の形態でも、入力電圧を閾値Ｓ＿１〜Ｓ＿ｎと比較し、その比較結果に応じて給電対象となるＬＥＤブロック部Ｂ１〜Ｂｎを切り替えるようにしているため、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第１の実施の形態と比べて、ＬＥＤモジュール２０側に多くの電極を設ける必要があるものの、降圧型スイッチングＤＣ／ＤＣ回路１６が不要になるというメリットがある。
【００７７】
［第３の実施の形態］
以下、図１８〜図２２を用いて、第３の実施の形態を第１または第２の実施の形態と異なる点のみ説明する。
【００７８】
（ＬＥＤドライバモジュール）
本実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュール１０は、フィルタ回路１３に接続されたメインスイッチ１５ａと、メインスイッチ１５ａとＭＯＳＦＥＴ１４ａ（スイッチ１５）の間に接続された定電流コンパレータ１６ａとを備え、定電流コンパレータ１６ａにＭＯＳＦＥＴを用いる。
【００７９】
第１の実施の形態では、図６に示すように、バイポーラトランジスタＱ２を備えている。このトランジスタＱ２、抵抗Ｒ４、コンデンサＣ３、及びダイオードＤ１で定電流コンパレータ１６ａを形成している。トランジスタＱ２の基準電圧ＶＲＥＦが抵抗Ｒ４にかかる電圧Ｖ２よりも大きい場合はトランジスタＱ２がオンとなり、トランジスタＱ２の基準電圧ＶＲＥＦが抵抗Ｒ４にかかる電圧Ｖ２以下の場合はトランジスタＱ２がオフとなる。
【００８０】
ここで、トランジスタＱ２の基準電圧ＶＲＥＦは、ダイオードＤ１の順電圧ＶＦとトランジスタＱ２のベース・エミッタ間電圧ＶＢＦによって決まる。このダイオードＤ１とトランジスタＱ２のベース・エミッタ間はシリコン製であるため、トランジスタＱ２の基準電圧ＶＲＥＦは負の温度特性を持っている。そのため、高温になるとトランジスタＱ２の基準電圧ＶＲＥＦが低下し、ＬＥＤモジュール２０への出力電流が低下してしまう。
【００８１】
そこで、本実施の形態では、定電流コンパレータ１６ａにＭＯＳＦＥＴを用いる。以下、本実施の形態を図面に従って更に詳しく説明する。
【００８２】
図１８は、第３の実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュール１０の構成例を示す模式的回路ブロック構成図である。第１の実施の形態と異なる点は、バイポーラトランジスタＱ２に代えてＭＯＳＦＥＴ３１を備えている点である。バイポーラトランジスタＱ２では入力電流で制御するのに対して、ＭＯＳＦＥＴ３１では入力電圧による電界で制御する。すなわち、ＭＯＳＦＥＴ３１はバイポーラトランジスタＱ２と動作原理が異なり、高温になっても基準電圧ＶＲＥＦが低下する問題が生じない。そのため、期待した出力電流を得ることができ、期待した明るさでＬＥＤモジュール２０を発光させることが可能となる。また、このようにバイポーラトランジスタＱ２に代えてＭＯＳＦＥＴ３１を備えると、バイアス電流を流さなくて済むため、消費電力を１．５％程度低減することができる。さらに、ダイオードＤ１とコンデンサＣ３が不要になるというメリットもある。ダイオードＤ１を設けていた箇所には、ノイズを減衰させるためのゲート抵抗Ｒ８を備えておく。
【００８３】
（プリント回路基板）
本実施の形態では、ＬＥＤドライバモジュール１０を形成するプリント回路基板１０ｃの表面に高背タイプの部品が実装され、裏面に低背タイプの部品が実装されている。
【００８４】
また、表面の入力端子ＬＰ１，ＬＰ２側から順にフューズＦ１、バリスタＶＲ１、ダイオードブリッジＤＢ１、発振回路１６ｂが実装され、表面の出力端子ＬＰ３，ＬＰ４側に切欠き４１が形成されていてもよい。
【００８５】
また、ＬＥＤモジュール２０に接続されるリード線５０が表面から裏面に切欠き４１を通じて配線されていてもよい。
【００８６】
図１９は、第３の実施の形態に係るプリント回路基板１０ｃの構成例を示す模式的平面図であって、図１９（ａ）は表面、図１９（ｂ）は裏面を示している。
【００８７】
表面には、図１９（ａ）に示すように、入力端子ＬＰ１，ＬＰ２側から順にフューズＦ１、バリスタＶＲ１、ダイオードブリッジＤＢ１、発振回路１６ｂ等の部品が実装されている。表面の部品は、主に高背タイプの部品である。一方、裏面には、図１９（ｂ）に示すように、バイポーラトランジスタＱ１やＭＯＳＦＥＴ３１等の部品が実装されている。裏面の部品は、主に低背タイプの部品である。このように、一方の面に高背タイプの部品を実装し、他方の面に低背タイプの部品を実装すると、プリント回路基板１０ｃの省スペース化を図ることが可能である。もちろん、部品の実装形態は、図１９に示す形態に限定されるものではない。例えば、ＭＯＳＦＥＴ３１を表面に実装するようにしてもかまわない。なお、表面・裏面ともオール面実装部品を採用するのが好ましい。
【００８８】
また、図１９（ａ）（ｂ）に示すように、プリント回路基板１０ｃの出力端子ＬＰ３，ＬＰ４の外側に２つの矩形の切欠き４１が形成されている。出力端子ＬＰ３，ＬＰ４からはリード線が引き出され、ＬＥＤモジュール２０に接続されるようになっている。この切欠き４１は、リード線５０を表面から裏面に配線するためのものである。すなわち、ＬＥＤ電球１のケース３０にプリント回路基板１０ｃを搭載する場合において、切欠き４１が形成されていないときは、図２０（ａ）に示すように、リード線５０がプリント回路基板１０ｃの端部でかさばって邪魔になる。一方、切欠き４１が形成されているときは、図２０（ｂ）に示すように、リード線５０を表面から裏面に切欠き４１を通じて配線することができる。裏面には低背タイプの部品が実装されているので、リード線５０をプリント回路基板１０ｃの中央方向（図２０では左方向）に逃がすことができる。そのため、ＬＥＤ電球１のケース３０にプリント回路基板１０ｃを容易に搭載することが可能となる。
【００８９】
なお、ここでは、プリント回路基板１０ｃの出力端子ＬＰ３，ＬＰ４の外側に２つの矩形の切欠き４１が形成されている場合を例示しているが、切欠き４１の形状や個数は特に限定されるものではない。例えば、図２１に示すように、出力端子ＬＰ３，ＬＰ４の内側に１つの矩形の切欠き４４を形成してもよい。この場合でも、リード線５０を表面から裏面に切欠き４４を通じて配線することができる。
【００９０】
また、図１９（ａ）（ｂ）に示すように、プリント回路基板１０ｃの中央付近の縁部に２つの切欠き４２が形成されている。すなわち、図２２（ａ）に示すように、１枚のシート部材５１から多数のプリント回路基板１０ｃを切り出す際、ある程度のバリが生じることを想定して切欠き４２を形成するようにしている。
【００９１】
さらに、図１９（ａ）（ｂ）に示すように、プリント回路基板１０ｃの入力端子ＬＰ１，ＬＰ２の外側に２つの切欠き４３が形成されている。このような切欠き４３を形成しておけば、図２２（ｂ）に示すように、ＬＥＤ電球１のケース３０にプリント回路基板１０ｃを搭載する場合、ケース３０の口金にプリント回路基板１０ｃが接触しにくくなる。
【００９２】
以上説明したように、本実施の形態では、バイポーラトランジスタＱ２に代えてＭＯＳＦＥＴ３１を備えるようにしているため、高温になっても、期待した出力電流を得ることができ、期待した明るさでＬＥＤモジュール２０を発光させることが可能となる。また、このようにバイポーラトランジスタＱ２に代えてＭＯＳＦＥＴ３１を備えると、バイアス電流を流さなくて済むため、消費電力を１．５％程度低減することができる。さらに、ダイオードＤ１とコンデンサＣ３が不要になるというメリットもある。
【００９３】
また、本実施の形態では、ＬＥＤドライバモジュール１０を形成するプリント回路基板１０ｃの表面に高背タイプの部品が実装され、裏面に低背タイプの部品が実装されている。これにより、プリント回路基板１０ｃの省スペース化を図ることが可能である。
【００９４】
また、本実施の形態では、表面の入力端子ＬＰ１，ＬＰ２側から順にフューズＦ１、バリスタＶＲ１、ダイオードブリッジＤＢ１、発振回路１６ｂが実装され、表面の出力端子ＬＰ３，ＬＰ４側に切欠き４１が形成されている。これにより、効率よく各部品が配置されるので、プリント回路基板１０ｃの面積を削減することが可能である。
【００９５】
また、本実施の形態では、ＬＥＤモジュール２０に接続されるリード線５０が表面から裏面に切欠き４１を通じて配線されている。これにより、リード線５０をプリント回路基板１０ｃの裏面の中央方向に逃がすことができる。そのため、ＬＥＤ電球１のケース３０にプリント回路基板１０ｃを容易に搭載することが可能となる。
【００９６】
［第４の実施の形態］
以下、図２３〜図２４を用いて、第４の実施の形態を第３の実施の形態と異なる点のみ説明する。
【００９７】
（ＬＥＤドライバモジュール）
本実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュール１０は、フィルタ回路１３に接続されたメインスイッチ１５ａと、メインスイッチ１５ａとＭＯＳＦＥＴ１４ａ（スイッチ１５）の間に接続された定電流コンパレータ１６ａとを備え、メインスイッチ１５ａにＭＯＳＦＥＴを用いる。
【００９８】
図２３は、第４の実施の形態に係るＬＥＤドライバモジュール１０の構成例を示す模式的回路ブロック構成図である。第３の実施の形態と異なる点は、バイポーラトランジスタＱ１に代えてＭＯＳＦＥＴ３２を備えている点である。すなわち、バイポーラトランジスタＱ１のベース・エミッタ間もシリコン製であるため、高温になるとベース・エミッタ間電圧ＶＢＦが低下する。そうすると、ベース電流ＩＢが上昇するため、コレクタ電流ＩＣが上昇し、トランジスタＱ１が発熱する。その結果、ベース・エミッタ間電圧ＶＢＦが更に低下するため、熱暴走を起こしてトランジスタＱ１を破壊する恐れがある。
【００９９】
そこで、本実施の形態では、図２３に示すように、メインスイッチ１５ａにＭＯＳＦＥＴ３２を用いる。これにより、高温になってもベース・エミッタ間電圧ＶＢＦが基準電圧ＶＲＥＦが低下する問題が生じない。そのため、熱暴走を起こしてトランジスタＱ１を破壊することを回避することができる。
【０１００】
また、ＭＯＳＦＥＴ３２には、図２３に示すように、過電圧保護のため双方向に２つのツェナーダイオードＤ３及びＤ４を設けている。これらツェナーダイオードＤ３及びＤ４のツェナー電圧（例えば１６Ｖ）は、ＭＯＳＦＥＴ３２のゲート電圧以上であってゲート・ドレイン間の耐圧（例えば３０Ｖ）以下としている。
【０１０１】
（プリント回路基板）
図２４は、第４の実施の形態に係るプリント回路基板１０ｃの構成例を示す模式的平面図であって、図２４（ａ）は表面、図２４（ｂ）は裏面を示している。図２４（ｂ）に示すように、裏面には、バイポーラトランジスタＱ１に代えてＭＯＳＦＥＴ３２が実装されている。また、双方向に２つのツェナーダイオードＤ３及びＤ４が実装されている。その他の点は、第３の実施の形態（図１９参照）と同様である。
【０１０２】
以上説明したように、本実施の形態では、バイポーラトランジスタＱ１に代えてＭＯＳＦＥＴ３２を備えるようにしている。そのため、高温になっても、熱暴走を起こしてトランジスタＱ１を破壊することを回避することができる。
【０１０３】
以上説明したように、本発明によれば、小型軽量化されたＬＥＤドライバモジュール１０及びこれを用いたＬＥＤ電球１を提供することが可能となる。
【０１０４】
[その他の実施の形態]
上記のように、本発明は第１〜第４の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【０１０５】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。例えば、出力電流のピークを１００％とした場合に５％以下の出力エリアが存在しないように制御する場合について説明したが、この「５％」の値は特に限定されるものではない。すなわち、電気安全法等に規定される内容に応じて適宜変更することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明に係るＬＥＤドライバモジュール及びＬＥＤ電球は、省スペース化、小型軽量化することが必要な照明装置に適用することができる。特に、ちらつきを防止することが必要な照明装置に適用するのが効果的である。
【符号の説明】
【０１０７】
１…ＬＥＤ電球
１０…ＬＥＤドライバモジュール
１１…保護部（保護回路）
１２…整流部（整流回路）
１３…フィルタ部（フィルタ回路）
１４…電圧比較部（電圧コンパレータ）
１５…スイッチ部（スイッチ）
１５ａ…メインスイッチ
１６…降圧型スイッチングＤＣ／ＤＣ回路
１６ａ…定電流コンパレータ
１６ｂ…発振回路
１７，１７＿１，・・・，１７＿ｎ…電源制限器
２０…ＬＥＤモジュール
Ｂ１，Ｂ２，・・・，Ｂｎ…ＬＥＤブロック部
Ｄ１〜Ｄ１２，Ｄ２１〜Ｄ３２…ＬＥＤ素子
３０…ケース
３１，３２…ＭＯＳＦＥＴ
４０…透光性カバー
４１…切欠き
５０…リード線
Ｆ１…フューズ
ＶＲ１…バリスタ
ＤＢ１…ダイオードブリッジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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