(57)【要約】【課題】高温・高湿条件下でも高耐久性を維持する楕円偏光板を提供する。【解決手段】偏光膜と当該偏光膜の片面又は両面に積層された少なくとも１層の位相差補償フィルムとを有する楕円偏光板であって、（１）前記偏光膜は、当該膜中において偏光性材料が略同一方向に配向しており、（２）前記偏光性材料は、平均太さ２０〜３００ｎｍであり平均長さ０．４μｍ以上である誘電体からなるナノワイヤの表面に、厚さ１〜１５ｎｍの金属メッキ層を形成することにより得られる金属メッキナノワイヤである、ことを特徴とする楕円偏光板。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏光膜と当該偏光膜の片面又は両面に積層された少なくとも１層の位相差補償フィルムとを有する楕円偏光板であって、
（１）前記偏光膜は、当該膜中において偏光性材料が略同一方向に配向しており、
（２）前記偏光性材料は、平均太さ２０〜３００ｎｍであり平均長さ０．４μｍ以上である誘電体からなるナノワイヤの表面に、厚さ１〜１５ｎｍの金属メッキ層を形成することにより得られる金属メッキナノワイヤである、
ことを特徴とする楕円偏光板。
【請求項２】
前記位相差補償フィルムは、トリアセチルセルロース、ノルボルネン、（メタ）アクリル、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリサルフォン、ポリスチレン及びポリエーテルサルフォンからなる群から選択される少なくとも１種の材質からなる、請求項１に記載の楕円偏光板。
【請求項３】
前記位相差補償フィルムは、当該フィルム中において液晶性材料がホモジニアス配向又はホメオトロピック配向している、請求項１に記載の楕円偏光板。
【請求項４】
ポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンを主成分とする保護フィルムが片面又は両面に積層されている、請求項１〜３のいずれかに記載の楕円偏光板。
【請求項５】
請求項４に記載の楕円偏光板をロール形状に巻き取ることにより得られる楕円偏光板ロール。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の楕円偏光板を用いた液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置又は３Ｄディスプレイ用楕円偏光サングラス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属メッキナノワイヤを偏光性材料として用いた楕円偏光板に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイには液晶表示用等の偏光板が利用されている。偏光板としては、一般に吸収型偏光板と称されるものが広く利用されている。これは、異方性の色素をフィルム上で配向させることにより得られ、具体的には、水溶性のヨウ素化合物等を吸水性のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムに含浸させた後に延伸し、更にホウ酸等で架橋した後、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等の保護フィルムを積層することにより作製されている。
【０００３】
なお、液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイでは、偏光板が単独で使用されることは少なく、液晶セル等を通過した光の複屈折を補償する目的で位相差補償フィルムと組み合わせて使用されることが多い。そして、偏光板と位相差補償フィルムとを組み合わせた部材は、一般に「楕円偏光板」又は「円偏光板」と称されている。
【０００４】
上記楕円偏光板に関する先行技術としては、特許文献１、２等が公知である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１５５９７０号公報
【特許文献２】特開平１０−１８６１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来の楕円偏光板（円偏光板）には、次のような問題がある。
（１）従来の楕円偏光板に用いるヨウ素化合物等の色素は耐熱性が低く、高温条件下では退色して偏光性能が低下する。
（２）ＰＶＡフィルムが高倍率で延伸されているため、高温条件下で収縮することにより偏光性能が低下したり、保護フィルムに複屈折が生じてフラットパネルディスプレイに光漏れが生じたりする場合がある。
（３）ＰＶＡフィルムやＴＡＣフィルムの吸湿性が大きいため、これらのフィルムが吸湿した場合には、楕円偏光板にカールが生じ易い。
【０００７】
以上を踏まえ、本発明は、高温・高湿条件下でも高耐久性を維持する楕円偏光板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の金属メッキナノワイヤを偏光性材料として用いた偏光膜と位相差補償フィルムとを組み合わせた楕円偏光板によれば上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち、本発明は下記の楕円偏光板に関する。
１．偏光膜と当該偏光膜の片面又は両面に積層された少なくとも１層の位相差補償フィルムとを有する楕円偏光板であって、
（１）前記偏光膜は、当該膜中において偏光性材料が略同一方向に配向しており、
（２）前記偏光性材料は、平均太さ２０〜３００ｎｍであり平均長さ０．４μｍ以上である誘電体からなるナノワイヤの表面に、厚さ１〜１５ｎｍの金属メッキ層を形成することにより得られる金属メッキナノワイヤである、
ことを特徴とする楕円偏光板。
２．前記位相差補償フィルムは、トリアセチルセルロース、ノルボルネン、（メタ）アクリル、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリサルフォン、ポリスチレン及びポリエーテルサルフォンからなる群から選択される少なくとも１種の材質からなる、上記項１に記載の楕円偏光板。
３．前記位相差補償フィルムは、当該フィルム中において液晶性材料がホモジニアス配向又はホメオトロピック配向している、上記項１に記載の楕円偏光板。
４．ポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンを主成分とする保護フィルムが片面又は両面に積層されている、上記項１〜３のいずれかに記載の楕円偏光板。
５．上記項４に記載の楕円偏光板をロール形状に巻き取ることにより得られる楕円偏光板ロール。
６．上記項１〜４のいずれかに記載の楕円偏光板を用いた液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置又は３Ｄディスプレイ用楕円偏光サングラス。 
【００１０】
以下、先ず金属ナノワイヤと偏光性との関係について説明し、次に本発明で用いる偏光性材料（金属メッキナノワイヤ）及び本発明の楕円偏光板について説明する。
【００１１】
金属ナノワイヤと偏光性との関係
光は、進行方向に垂直な面内で互いに直角な方向に振動する２つの偏光（本明細書ではｐ偏光及びｓ偏光と言う）に分けることができる。偏光膜は、２つの偏光のうち、一方の偏光を透過し、他方の偏光を遮断（吸収又は反射）する機能を有する。
【００１２】
最近、幅及び長さがナノメーターサイズである棒状金属が、光などの電磁波に対して異方性を示すことが報告されている。なお、長さ１μｍ以上の棒状金属を金属ナノワイヤ、長さ１μｍ未満の棒状金属を金属ナノロッドと呼ぶ場合があるが、以下、本明細書では、両者をまとめて長さ０．４μｍ以上の棒状金属を金属ナノワイヤと呼ぶ。
【００１３】
以下、電磁波の例として光を挙げて説明する。
【００１４】
金属ナノワイヤの長さが光の波長より長く、幅が光の波長より充分細い場合を考える。金属ナノワイヤに光が入射すると、金属ナノワイヤの長さ方向に電場振動面を持つ偏光は、金属ナノワイヤの自由電子を振動させることにより吸収又は反射される。他方、金属ナノワイヤの幅方向に電場振動面を持つ偏光は、金属ナノワイヤの自由電子が光に共鳴した振動を起こし難いため透過する（正確には「前方散乱する」という表現が正しいが、以下、簡略的に「透過する」と言う。）ことが知られている。
【００１５】
金属が光を吸収又は反射するのは、光が電磁波であり、金属中の自由電子が光の電場に共鳴して振動し、光のエネルギーが運動エネルギーに変わるからである。よって、金属が光を吸収又は反射するためには、光の進行方向と垂直な方向に、金属中の自由電子が振動できるだけの金属の幅が必要である。
【００１６】
ミーの理論及びレイリーの散乱の理論では、金属の幅が１０ｎｍ程度以下になると自由電子が振動できなくなり、光の吸収又は反射は起こらず透過すると考えられている。また、逆に金属の幅が光の波長以上ならば効率良く吸収又は反射すると考えられている。よって、金属ナノワイヤの場合には、長さが光の波長より長く、幅が１０ｎｍ程度以下であれば良好な偏光性材料になると考えられる。
【００１７】
次に、金属ナノワイヤの長さが光の波長より長く、幅が１０ｎｍ程度の場合における、光の吸収・反射の違いについて図１を参照しながら説明する。なお、電場振動面が金属ナノワイヤの長さ方向と一致する光をｓ偏光とし、電場振動面が金属ナノワイヤの幅方向と一致する光をｐ偏光とする。図１には、光の進行方向と直角に四角柱状の金属ナノワイヤを並べた場合におけるｓ偏光及びｐ偏光の電場の振動方向と、金属ナノワイヤの長さ方向、幅方向及び厚み方向との関係が示されている。
【００１８】
ｐ偏光は、金属ナノワイヤの幅が１０ｎｍ程度以下であれば、金属ナノワイヤの自由電子を振動させない。よって、金属ナノワイヤの長さ、厚みに拘わらず、ｐ偏光は吸収も反射もせず透過する。
【００１９】
ｓ偏光は、金属ナノワイヤの長さが光の波長より長ければ、金属ナノワイヤの自由電子を振動させる。この時、幅が１０ｎｍ以下でも光は吸収又は反射される。なお、光が吸収されるか反射されるかは、金属ナノワイヤの厚みによって決まる。
【００２０】
入射した光の強度が自然対数の２乗分の１（＝約１／７．５）になる厚みは「表皮深さ」と呼ばれ、表皮深さは（２／ωμσ）の１／２乗である。なお、ωは光の角振動数、μは金属の透磁率、σは金属の導電率である。
【００２１】
よって、波長５００ｎｍの可視光の場合は、ωμは４．８×１０−９でほぼ一定であり、金属の導電率σ（Ｓ／ｍ）は、銀：６１×１０６、アルミニウム：４０×１０６、ニッケル：１５×１０６、タンタル：８×１０６であるから、表皮深さはそれぞれ、銀：２．７ｎｍ、アルミニウム：３．５ｎｍ、ニッケル：４．１ｎｍ、タンタル：５．３ｎｍとなる。
【００２２】
即ち、導電率が８×１０６Ｓ／ｍ程度以上の導電性の良い金属に光を入射させた場合、厚みが４〜５ｎｍ程度ならば光は吸収される。また、厚みがこの２倍以上（１０ｎｍ以上）であれば表面で光を吸収した後、電磁場が金属の下層に反対の電流を起こし、反射光を生じるため光の反射が起きる。即ち、金属ナノワイヤの厚みが５ｎｍ程度ならば吸収され、厚みが１０ｎｍ程度ならば反射されることになる。このことは、金属ナノワイヤの形状が四角柱から多角柱に変わった場合でも同様である。
【００２３】
金属の表皮深さを併せて考慮すると、金属ナノワイヤの長さが４００ｎｍ（０．４μｍ）以上で厚みが５ｎｍ以下ならばｐ偏光は透過し、ｓ偏光は吸収されることが分かる。また、長さが４００ｎｍ（０．４μｍ）以上で厚みが１０ｎｍ程度ならばｐ偏光は透過し、ｓ偏光は反射されることが分かる。よって、このサイズの金属ナノワイヤを略同一方向に配向させれば偏光膜が得られる。
【００２４】
しかしながら、偏光性及び配向性を高くするには、金属ナノワイヤは直線であることが要求されるが、幅が数ｎｍで直線性が良く、生産性の良い金属ナノワイヤの製造法は殆ど知られていない。また、金属ナノワイヤの幅が細いほど、取り扱い中に曲がったり凝集したりするため、生産上も問題がある。
【００２５】
よって、本発明では、金属ナノワイヤに代えて、平均太さ２０〜３００ｎｍであり平均長さ０．４μｍ以上である誘電体からなるナノワイヤの表面に、厚さ１〜１５ｎｍの金属メッキ層を形成することにより得られる金属メッキナノワイヤを偏光性材料として用いる。この金属メッキナノワイヤであれば、平均太さ２０〜３００ｎｍであり平均長さ０．４μｍ以上である誘電体は直線性の良いものを生産性良く製造することができるため、直線性及び配向性の良い金属メッキナノワイヤを生産性良く製造することができる。また、厚さ１〜１５ｎｍの金属メッキ層を形成することにより、厚さ方向の光を透過し、長さ方向の光を吸収する偏光膜とすることができ、偏光性材料として用いることができる。更に、金属メッキ層が従来の色素（偏光性を発現する手段）の代わりであり、耐熱性に優れた偏光膜を提供することができる。
【００２６】
本発明で用いる偏光性材料
本発明で用いる偏光性材料は、平均太さ２０〜３００ｎｍであり平均長さ０．４μｍ以上である誘電体からなるナノワイヤの表面に、厚さ１〜１５ｎｍの金属メッキ層を形成することにより得られる金属メッキナノワイヤであることを特徴とする。
【００２７】
本発明では、平均太さ２０〜３００ｎｍであり平均長さ０．４μｍ以上である誘電体からなるナノワイヤを用いる。なお、「平均」は、電子顕微鏡像においてナノワイヤを任意に１０本選び出したときの太さ及び長さのそれぞれの平均値である。
【００２８】
誘電体の平均太さは２０〜３００ｎｍであり、好ましくは５０〜２００ｎｍである。なお、誘電体が円柱状又は擬円柱状の場合には太さ＝厚さであるが、そうでない場合、例えば、多角柱状又は多角柱がねじれた形状である場合にも太さ＝厚さとする。なお、多角柱の一辺の長さは光の波長よりも十分短いことが好ましい。
【００２９】
誘電体のアスペクト比は限定的ではないが、１０以上が好ましい。誘電体の長さが２０μｍを超える場合には、誘電体の直線性が失われ易くなるおそれがある。また、アスペクト比が１０未満の場合には、偏光性と配向性が低下するおそれがある。
【００３０】
誘電体からなるナノワイヤとしては、エレクトロスピニング法により得られるナノワイヤとして、（メタ）アクリル樹脂のナノワイヤ、シリカのナノワイヤ等が合成されている。また、気相法により得られるナノワイヤとして、アルミナなどのナノワイヤが合成されている。また、Langmuir, 2004, 20 (11), 4784〜4786頁及びCrystal Growth and Design, 2006, 6(6), 1504〜1508頁には、水熱法により得られるナノワイヤとして、太さ３０〜１２０ｎｍであり長さ数μｍ〜５０μｍのヒドロキシアパタイト又はフルオロアパタイトのナノワイヤ（いずれも屈折率は１．６４程度）が報告されている。更に、Langmuir, 2007, 23(19), 9850〜9859頁には、ベーマイトのナノワイヤ（屈折率１．７程度）の合成法が報告されている。
【００３１】
その他、誘電体からなるナノワイヤとして、珪素、アルミニウム等の酸化物又は水酸化物からなるナノワイヤ、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、亜鉛及びカリウムのいずれかの金属のリン酸塩、硫酸塩、ホウ酸塩、ケイ酸塩又はフェニルリン酸塩からなるナノワイヤも知られている。
【００３２】
本発明では、これらの誘電体に限定されず、誘電体の屈折率（ｎｄ）が１．４７〜２．２であるナノワイヤであれば好適に使用できる。この中でも、屈折率（ｎｄ）は１．４７〜１．８がより好ましい。本発明では、これらの誘電体の中でも、ポリ（メタ）アクリル酸メチルなどの（メタ）アクリル樹脂、炭酸カルシウム、フルオロアパタイト、チタン酸カリウム、硫酸マグネシウム等を特に好適に使用できる。
【００３３】
誘電体が結晶からなる場合には、通常、多角柱状又は多角柱がねじれた形状を有する。よって、必要に応じて、誘電体の表面を同程度の屈折率を有する同一又は別の誘電体でコートし、表面を曲面とした円柱状又は擬円柱状のナノワイヤにしてから使用してもよい。この場合には、コート後のナノワイヤが、平均太さ２０〜３００ｎｍであり平均長さ０．４μｍ以上であり、好ましくはアスペクト比が１０以上となるように設定する。
【００３４】
具体的には、誘電体がコア層とその表面に形成されたコート層とを有し、コア層の屈折率が１．４７〜２．２であり、コート層の屈折率は、コア層の屈折率をｎｃとし、ｎｃ±０．４以内であることが好ましい。この中でも、コア層の屈折率（ｎｃ）は１．４７〜１．８がより好ましく、コート層の屈折率はｎｃ±０．２以内であることがより好ましい。
【００３５】
コート層としては、コア層と同一の化合物を同一の析出反応で結晶化時間をかけないように時間を短縮して析出させたものが挙げられるが、これに限定されない。
【００３６】
コア層としては、例えば、（メタ）アクリル樹脂、シリコン樹脂等が好ましい。また、必要に応じて、（メタ）アクリル樹脂、シリコン樹脂等に架橋剤（例えば、チタン系架橋剤、ジルコニウム系架橋剤）を添加してコア層としてもよい。架橋剤を添加することにより、コア層の屈折率を調整したり、最終的に得られる偏光性材料の配向性を高めたりすることができる。
【００３７】
上記コア層の表面に（メタ）アクリル樹脂、シリコン樹脂等の非晶性樹脂でコート層を形成して表面が曲面からなるナノワイヤを作製することが、J.Am.Chem.Soc., 2005年, 127 (46), 16040〜16041頁、Crystal Growth and Design, 2006年, 6 (11), 2422〜2426頁、J.Phys.Chem.B, 2006年, 110 (2), 807〜811頁等に記載されている。また、シリカを用いてコート層を形成することが、J.Phys.Chem.B, 2005年, 109(1), 151〜154頁及びJ.Phys.Chem.B, 2006年, 110 (2), 807〜811頁等に記載されている。
【００３８】
誘電体からなるナノワイヤの表面に形成する金属メッキ層は、無電解メッキにより形成することが好ましい。無電解メッキする金属は、１）液層中の反応で析出し易いもの、２）腐食し難いもの、３）表面に不動態層又はそれに準じた保護層を形成することにより腐食し難いものであることが好ましい。
【００３９】
金属メッキ層に用いる金属としては、ニッケル、クロム、亜鉛、タンタル、ニオブ、銀、鉄及びアルミニウムの少なくとも１種が好ましい。上記の中でも、金属メッキ層の無着色性を確保する観点から、ニッケル、クロム、亜鉛、タンタル、ニオブ及びアルミニウムの少なくとも１種がより好ましい。特にアルミニウムメッキについては、メシチレン中でシクロペンタジエニルアルミニウムの熱分解により析出させることが、Chem. Mater. 2006, 18, 1634に報告されており、この反応液中でアルミニウムメッキしてもよい。
【００４０】
金属メッキ層の厚みは１〜１５ｎｍであれば良く、好ましくは１〜１０ｎｍである。金属メッキ層の表面が不動態被膜で覆われている場合には、不動態被膜の厚みは金属メッキ層の厚みよりも薄いことが好ましい。また、金属メッキ層と不動態被膜を合わせた厚みは金属メッキ層の厚みの２倍以下であることが好ましい。なお、不動態被膜を意図的に形成する際は、金属メッキナノワイヤを溶剤中で加熱するか又は酸化剤で表面処理することにより形成することができる。
【００４１】
数ｎｍ程度の金属メッキ層を形成する場合には、メッキ液の溶剤として金属との親和性が高いものを使うと、溶剤の中で金属が凝集し、均一な金属メッキ層が得られ難いことが知られている。この点、J.Phys.Chem.B, 2004年, 108 (28), 9745〜9751頁、J.Phys.Chem.C, 2008年, 112 (11), 4042〜4048頁には、数ｎｍ程度の金属メッキ層を形成する場合には、配位性の低い溶剤を用いるか又は溶剤の沸点付近で反応させることが好ましいことが報告されている。よって、このような溶剤を選ぶか、又は、ナノワイヤの表面をカップリング剤で処理して金属との親和性を高めてから金属メッキすることが好ましい。
【００４２】
本発明では、必要に応じて、金属メッキナノワイヤの表面を、更に５０ｎｍ以下の誘電体被膜でコートしてもよい。コートに用いる誘電体は、屈折率が前記ｎｄに対して±０．４以内のものが好ましく、ｎｄ±０．２以内のものがより好ましい。コート材料としては、例えば、アルコキシシランとアルコキシジルコニウムとを酸又はアルカリで加水分解して得られるアルコキシシランとアルコキシチタンと共重合体や、アルコキシシランとアルコキシジルコニウムとを酸又はアルカリで加水分解して得られるアルコキシシランとアルコキシジルコニウムの共重合体が挙げられる。このように、金属メッキナノワイヤの表面を更に誘電体被膜でコートする場合には、偏光性材料の屈折率を調整できるとともに、偏光性材料の配向性を更に高めることができる。
【００４３】
本発明の偏光性材料は、屈折率（ｎｒ）がｎｄ±０．４以内の樹脂中に分散・配向させることにより偏光膜として使用することができる。屈折率（ｎｒ）としては、ｎｄ±０．２以内がより好ましい。
【００４４】
樹脂中に分散させる場合の偏光性材料の含有量は、樹脂及び偏光性材料の合計量を１００重量％とし、１０〜７０重量％程度が好ましく、３０重量％〜５０重量％程度がより好ましい。また、樹脂中に分散させた後に効率的に配向させるには、分散後に一軸延伸することが好ましい。これにより、偏光膜が得られる。
【００４５】
本発明の偏光性材料の光学的挙動については、次の通りである。
【００４６】
ｓ偏光は、偏光性材料の長さが光の波長以上であれば、金属メッキ層内の自由電子の振動により吸収又は反射されて透過しない。ｐ偏光は、金属メッキ層の厚さが光の波長よりも充分短ければ、金属メッキ層内の自由電子の運動は起こらず、金属は誘電体と同様の光学的挙動を示し、入射した光は、分子に束縛された電子の双極子振動によって散乱する。この場合、散乱が前方散乱（＝透過）になるか否かの確認が必要である。また、この光が内部の誘電体層でも同様に散乱されるため、この散乱方向も確認する必要がある。以下、散乱方向を検証する。
【００４７】
分子中の電子による双極子振動では、入射光と同じ光が弾性散乱される。均一層中では光は直進するが、誘電率の異なる物質の界面では、界面が光の波長より十分大きい平面のときは、反射光又はエバネッセント波が生じる。これは、界面を挟んで、波長に相当する長さの界面で分子群が共鳴して双極子振動することに基づく。
【００４８】
しかしながら、ｐ偏光の場合は、金属メッキナノワイヤの厚さ方向に波長に相当する界面の長さが無いため、反射光及びエバネッセント波は生じない。従って、ｐ偏光については金属メッキナノワイヤを透過する光の方向を調べれば良いことになる。
【００４９】
以下、樹脂中に本発明の偏光性材料（金属メッキナノワイヤ）が分散・配向しており、偏光性材料が誘電体層（誘電体は１層）と金属メッキ層とからなるものを考え、散乱の方向＝波面法線の方向（単位ベクトルをｓであらわす。）を図２により確認する。
【００５０】
図２で、樹脂層（１）→境界ａ→金属メッキ層（２）→境界ｂ→誘電体層（３）の順に光が進行し、樹脂層（１）内の磁場をＨ１、光の速度をｖ１、屈折率をｎ１、波面法線の単位ベクトルをｓ１、金属メッキ層（２）内の磁場をＨ２、光の速度をｖ２、屈折率をｎ２、波面法線の単位ベクトルをｓ２、誘電体層（３）内の磁場をＨ３、光の速度をｖ３、屈折率をｎ３、波面法線の単位ベクトルをｓ３、時間をｔ、境界ａの位置ベクトルをｒａ、境界ｂの位置ベクトルをｒｂとする。この時、境界ａでの樹脂層（１）内の磁場Ｈ１、金属メッキ層（２）内の磁場Ｈ２はそれぞれ
Ｈ１＝Ｈ０１ｅｘｐｉω（ｔ−ｒａ・ｓ１／ｖ１）及び
Ｈ２＝Ｈ０２ｅｘｐｉω（ｔ−ｒａ・ｓ２／ｖ２）である。
境界ａにおける磁場成分の接線成分及び法線成分が連続であることから、
ｓ１／ｖ１＝ｓ２／ｖ２で、このためには、ｓ１ｘ／ｖ１＝ｓ２ｘ／ｖ２になり、
ｖ１ｎ１＝ｖ２ｎ２、ｓ１ｘ／ｓ２ｘ＝ｓｉｎθ１／ｓｉｎθ２から
ｎ１ｓｉｎθ１＝ｎ２ｓｉｎθ２となり、振幅はそのままで、進行方向はスネルの法則と同様に屈折する。
境界ｂでは同様に、振幅は変わらず、
ｎ３ｓｉｎθ３＝ｎ２ｓｉｎθ２＝ｎ１ｓｉｎθ１となる。
ｎ３＝ｎ１なら、θ３＝θ１で、金属メッキナノワイヤに入射した光は、金属メッキ層（２）前後で光の強度も光の進行方向も変わらないことになる。同様に、誘電体層（３）→金属メッキ層（２）→樹脂層（１）の順に出て行く光も、強度も進行方向も変わらない。従って、ｐ偏光は進行方向を保ったまま金属メッキナノワイヤ中を透過する。これは、反射が起こらないことで前方散乱が起きていることに基づく。
【００５１】
更に、金属メッキ層の表面に、光吸収度の低い数ｎｍの不動態被膜がある場合は、被膜の厚みは一定とみなせる。樹脂層と誘電体層の屈折率が同じならば、同様に光の振幅と進行方向は変わらないことになり、ｐ偏光は透過することになる。つまり、ｓ偏光は吸収又は反射され、ｐ偏光は透過することになる。
【００５２】
なお、偏光度を高くするためには、図２において、ｐ偏光の振動方向の幅ｗが短いほど良く、先に掲げた特開２００６−２０１５４０号公報及びNIKKEI MICRODEVICE, 2005年12月号, 156〜157頁等から、ｗは１００ｎｍ以下が好ましい。この中でも、金属メッキ層が薄く、ナノワイヤの側面があらゆる方向を向くと考えれば、ナノワイヤの太さが２００ｎｍ以下でｗの平均値は１００ｎｍより充分短くなり、偏光膜として要求される偏光度を達成すると考えられる。
【００５３】
偏光膜製造用塗料及び偏光膜
偏光膜製造用塗料は上記偏光性材料を含有し、塗料として用いるために樹脂バインダー、溶剤等の少なくとも１種を含有する。
【００５４】
金属ナノワイヤを生産性良く配向させる方法として、特開２００８−２７９４３４号公報に金属ナノワイヤの配向塗工法が公開されており、本発明ではこの塗工法を用いて塗料を塗工し、偏光性材料を基板上に配向させることが好ましい。なお、基板としては、塗工により得られた偏光膜を剥離可能な基板を用いることが好ましい。このような基板には、表面の平滑性と乾燥熱に対する耐熱性が求められ、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等が挙げられる。
【００５５】
上記塗工法は、偏光性材料を含有する塗料を塗工バーにより塗工するものであり、偏光性材料を配向させるために、塗工中の偏光性材料のブラウン運動が穏やかであることが必要である。ここで、ブラウン運動は偏光性材料が重く、長いほど穏やかである。
【００５６】
本発明で用いる偏光性材料は、大きさ、比重とも小さい。そのため、効率的に配向するには、ブラウン運動を抑える目的で増粘用の樹脂を溶解した、少なくとも数百ｍＰａ・ｓ以上の粘度の塗料とすることが好ましい。この場合、増粘用の樹脂が、塗膜乾燥後、塗膜中で偏光性材料を囲む樹脂層となる。この樹脂層の屈折率は、ｐ偏光の透過率を良くするため、前記の通り、ナノワイヤの屈折率ｎｄとの差が±０．４以内であることが好ましく、±０．２以内であることがより好ましい。樹脂層の屈折率は、例えば、（メタ）アクリル樹脂又はアクリルアミド樹脂を主成分とし、必要に応じて、架橋剤（例えばチタン系架橋剤、ジルコニウム系架橋剤等）を併用することで１．４７〜２．２に調整することができる。
【００５７】
好適には、沸点１５０℃以下の溶剤に（メタ）アクリル樹脂又はアクリルアミド樹脂と、必要に応じて架橋剤（例えばチタン系架橋剤、ジルコニウム系架橋剤等）を添加して粘度３００ｍＰａ・ｓ以上とした樹脂溶液に、偏光性材料を分散させて塗料とする。
【００５８】
そして、上記塗料を塗工バーを用いたバーコート法で基板に塗工するに際し、
（１）前記塗工は、前記塗工バーの円周部と前記基材フィルムとの接触長さＰが、Ｐ≧１０００×Ｌ（Ｌ：金属メッキナノワイヤの平均長さ）となる条件下での塗工であり、
（２）前記塗工バーは、少なくとも前記塗工バーと前記基材フィルムとが接触する領域に均等に溝が設けられており、前記溝の幅Ｗが、５０×φ≦Ｗ≦１００００×φ（φ：金属メッキナノワイヤの平均太さ）であることが好ましい。
【００５９】
溝の幅Ｗは金属メッキナノワイヤの平均太さより充分広い必要が有るが、あまりに溝の幅が広いか、接触長さＰが短いと配向性が不充分になる。
【００６０】
本発明において、溝を設けた塗工バーとしては、一定の径を有するワイヤーを塗工バーの表面に密に巻きつけたもの（いわゆる「ワイヤーバー」）、又は、塗工バー自体の表面に一定の幅、深さを有する溝を一定ピッチで設けたもの（いわゆる「メイヤーバー」）が用いられる。なお、ワイヤーバーについては、隣接するワイヤーの間隙が溝となる。
【００６１】
上記溝は、溝の幅Ｗが５０×φ≦Ｗ≦１００００×φ（φ：金属メッキナノワイヤの平均太さ）になるように設定する。５０×φ＞Ｗであると、溝の幅Ｗよりも金属メッキナノワイヤの平均太さφ×５０の方が大きくなって、金属メッキナノワイヤの短軸が溝に入らないため配向できない。また、Ｗ＞１００００×φであると、金属メッキナノワイヤの短軸が配向しにくくなる。溝の幅Ｗが上記条件を満たすと、各溝において金属メッキナノワイヤに剪断流が起こって、金属メッキナノワイヤが塗工方向（略同一方向）に配向する。溝の深さは、金属メッキナノワイヤの平均太さφよりも大きければ特に限定されない。
【００６２】
本発明において、塗工バーの円周部と基材フィルムとの接触長さＰは、Ｐ≧１０００×Ｌ（Ｌ：金属メッキナノワイヤの平均長さ）の条件を満たすように設定する。接触長さＰが上記条件を満たさないと、充分に剪断流が起こらず、金属メッキナノワイヤを配向率８０％以上で配向させることが難しい。
【００６３】
上記接触長さＰは、使用する塗工バーの直径Ｒに応じて、抱き角θを調整することにより、上記条件を満たせるよう設定する。つまり、πＲ×θ／３６０≧１５０×Ｌを満たすように、各々調整すればよい。
【００６４】
塗工バーの直径Ｒは１５〜２００ｍｍであることが好ましい。塗工バーの直径を１５ｍｍより細くすると、基材の曲げ弾性の影響で塗工バーと基材フィルムとの密着が不良となりやすい。また、２００ｍｍ以上であると、塗工バーが重くなり、塗工機のモーターに負荷がかかるため好ましくない。
【００６５】
抱き角θについては、πＲ×θ／３６０≧１５０×Ｌを満たせるならば、特に限定されず、塗工装置等に合わせて適宜決定されればよい。
【００６６】
乾燥塗膜の厚さは限定的ではないが、望ましい偏光特性を発揮させるためには、０．１μｍ〜１０μｍ程度が好ましい。
【００６７】
配向後の偏光性材料（金属メッキナノワイヤ）は、隣接する偏光性材料どうしの間隙が光の波長未満となることが好ましい。
【００６８】
また、塗料に用いる溶剤は、沸点が１５０℃より低いものが好ましく、脂肪族アルコール、脂肪族エーテル、脂肪族ケトン、脂肪酸エステル、脂肪族ハロゲン化物、芳香族アルコール、芳香族エーテル、芳香族ケトン、芳香族エステル、芳香族ハロゲン化物等のうち、沸点が１５０℃以下のものが好ましい。
【００６９】
本発明の楕円偏光板
本発明の楕円偏光板は、偏光膜と当該偏光膜の片面又は両面に積層された少なくとも１層の位相差補償フィルムとを有する楕円偏光板であって、
（１）前記偏光膜は、当該膜中において偏光性材料が略同一方向に配向しており、
（２）前記偏光性材料は、平均太さ２０〜３００ｎｍであり平均長さ０．４μｍ以上である誘電体からなるナノワイヤの表面に、厚さ１〜１５ｎｍの金属メッキ層を形成することにより得られる金属メッキナノワイヤであることを特徴とする。
【００７０】
上記特徴を有する本発明の楕円偏光板は、金属メッキナノワイヤの金属メッキ層が従来の色素（ヨウ素化合物等の偏光性を発現する色素）の代わりであり耐熱性が高い。また、高温・高湿条件下で収縮やカールが生じ易いＰＶＡフィルムを用いる必要がなく、高温・高湿条件下でも高耐久性を維持することができる。
【００７１】
本発明の楕円偏光板は、偏光膜については前述の通りであり、その片面又は両面に少なくとも１層の位相差補償フィルムが積層されている。位相差補償フィルムは、液晶セル等を通過した光の複屈折を補償する目的で設けられるものであり、公知の楕円偏光板に使用されているものをそのまま適用することができる。
【００７２】
位相差補償フィルムの材質は限定的ではないが、例えば、トリアセチルセルロース、ノルボルネン、（メタ）アクリル、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリサルフォン、ポリスチレン及びポリエーテルサルフォンからなる群から選択される少なくとも１種の材質が好ましい。位相差補償フィルムは、上記列挙した樹脂を押出製膜の後に一軸又は二軸に延伸する方法、上記列挙した樹脂にレタデーション向上剤を添加後、溶剤キャスト法により製膜する方法、上記溶剤キャスト方により製膜後、更に延伸する方法等により得られる。
【００７３】
また、上記列挙した樹脂を製膜する際に当該膜中に液晶性材料をホモジニアス配向又はホメオトロピック配向させたものも位相差補償フィルムとして使用することができる。このような液晶性材料を配向させた位相差補償フィルムは市販品を使用することもできる。
【００７４】
本発明で用いる位相差補償フィルムは、耐久性の観点からガラス転移温度（Ｔｇ）は、１２０℃以上であることが好ましく、１３０〜１５０℃がより好ましい。また、主にフラットパネルディスプレイに用いるものであることから、全光線透過率は８５％以上であることが好ましい。
【００７５】
偏光膜と位相差補償フィルムとを積層する際は接着剤を用いることができる。ウレタン系、アクリル系、ポリビニルアルコール系等の接着剤が好ましく、これらの接着剤を使用する場合には透明性が確保し易い。また、接着剤は位相差補償フィルムとの屈折率差が±０．３以内であることが好ましい。
【００７６】
本発明の楕円偏光板は、ポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンを主成分とする保護フィルムが片面又は両面に積層されていることが好ましい。当該保護フィルムは、実質的にポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンからなるものが好ましく、通常はポリエチレンテレフタレートフィルム又はポリエチレンのフィルムを用いる。かかる保護フィルムは楕円偏光板自体を保護するために最表面に設けるものである。保護フィルムは厚さが２０〜８０μｍ程度が好ましく、４０〜６０μｍ程度がより好ましい。これらの保護フィルムを積層することによって、表面の滑り性が向上し、また搬送中の傷発生防止にも有効であるため楕円偏光板はロール化し易い。本発明は、片面又は両面にポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンを主成分とする保護フィルムを積層した後、ロール形状に巻き取ることにより得られる楕円偏光板ロールの発明も包含する。
【００７７】
なお、本発明の楕円偏光板は、上記最表面に設ける保護フィルムのほか、偏光膜を保護する保護フィルムを偏光膜に隣接する位置に設けることができる。偏光膜を保護する保護フィルムとしては、公知のＴＡＣフィルムなどが使用できる。偏光膜を保護する保護フィルムの厚さは２０〜８０μｍ程度が好ましく、３０〜６０μｍ程度がより好ましい。
【００７８】
本発明の楕円偏光板は、高温・高湿条件下でも高耐久性を維持でき、フラットパネルディスプレイ、特に液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置の部材として好適に使用できるほか、３Ｄディスプレイ用楕円偏光サングラス等の用途にも好適に使用することができる。
【発明の効果】
【００７９】
本発明の楕円偏光板は、金属メッキナノワイヤの金属メッキ層が従来の色素（ヨウ素化合物等の偏光性を発現する色素）の代わりであり耐熱性が高い。また、高温・高湿条件下で収縮やカールが生じ易いＰＶＡフィルムを用いる必要がなく、高温・高湿条件下でも高耐久性を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】光の進行方向と直角に四角柱状の金属ナノワイヤを並べた場合におけるｓ偏光及びｐ偏光の電場の振動方向と、金属ナノワイヤの長さ方向、幅方向及び厚み方向との関係を示す図である。具体的には、ｓ偏光は吸収又は反射され、ｐ偏光は透過して、偏光性材料となることを示す図である。
【図２】樹脂層（１）→金属メッキ層（２）→誘電体層（３）を通るｐ偏光の進行方向とその電場を示す図である。ｐ偏光の電場は紙面と平行であり進行方向と直角方向に振動し、この電場でメッキ層内の自由電子はｗの方向に運動し、ｗが短いほどｐ偏光の透過性が良くなることを説明する図である。
【図３】本発明で用いる偏光膜（一例）の偏光性を有限差分時間領域法によりシミュレーションするためのモデルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００８１】
以下に製造例、比較製造例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明する。但し、本発明は製造例及び実施例に限定されない。
（偏光膜の製造とその特性評価）
製造例１
平均太さ１００ｎｍ、平均長さ２μｍの円柱状のポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）のナノワイヤの表面に金属メッキ層を形成した金属メッキナノワイヤをアクリル系樹脂（屈折率１．４９）の塗膜中に分散、配向させた（図３参照）。なお、ＰＭＭＡナノワイヤの屈折率は１．４９である。塗膜は乾燥させて偏光膜とした。以下、「塗膜」と略記する。
【００８２】
塗膜の偏光性能を市販の有限差分時間領域法ソフトで計算した結果を表１に示す。
（但し、ニッケルメッキナノワイヤについては、塗膜中にニッケルメッキナノワイヤが多量に重なった場合の計算は、計算量が膨大となるため、図３に示すように、平均太さ１００ｎｍのナノワイヤが、２００ｎｍ厚みの塗膜に平均ピッチ２００ｎｍで平行に配向しているものを１層とし、有限差分時間領域法で１層の透過率を求め、更にLambert-Beerの方法を用いて２．６μｍ＝１３層分の透過率を求めた。）
【００８３】
【表１】
2013083828.tif 000002
【００８４】
表１中の偏光度は、ｐ偏光の透過率をＴｘとし、ｓ偏光の透過率をＴｙとし、これらから計算される単体透過率Ｔ、パラ透過率Ｔｐ及びクロス透過率Ｔｃを用いて算出した。具体的には、次の通りであり、他の製造例及び比較製造例についても同様である。
・単体透過率Ｔ（％）＝（Ｔｘ＋Ｔｙ）／２
・パラ透過率Ｔｐ（％）＝（Ｔｘ２＋Ｔｙ２）／２
・クロス透過率Ｔｃ（％）＝Ｔｘ・Ｔｙ
【００８５】
【化１】
2013083828.tif 000003
【００８６】
表１の結果から、金属メッキ層をニッケル（３．５ｎｍ厚み）としたときの塗膜の偏光板としての性能は良好である。
【００８７】
製造例２〜４及び比較製造例１〜２
平均太さ１００ｎｍ、平均長さ２０μｍの円柱状のフルオロアパタイト（屈折率１．６３５）のナノワイヤの表面に金属メッキ層としてクロムメッキ層を形成した金属メッキナノワイヤをアクリル系樹脂の塗膜（屈折率１．４９、厚さ０．２μｍ）中に分散、配向させた。実施例及び比較例ごとにクロムメッキ層の厚さを変更した。塗膜の偏光性能をシグマ光機社製の偏光解析装置（特注品）を用いて評価した結果を表２に示す。
【００８８】
クロムメッキ層が薄い場合（比較製造例１）には、ｓ偏光の反射率が低く、十分な偏光分離が得られない。また、クロムメッキ層が厚い場合（比較製造例２）には、ｓ偏光の反射率が高く且つ透過率が低くなり偏光分離は十分得られるが、ｐ偏光の透過率が低下して偏光素子としての損失が大きくなるので好ましくない。よって、金属メッキ層の厚さは２〜１５ｎｍに設定することが好ましい。
【００８９】
【表２】
2013083828.tif 000004
【００９０】
製造例５〜６及び比較製造例３〜４
平均太さを変えた平均長さ２０μｍの円柱状のＰＭＭＡ（屈折率１．４９）のナノワイヤに７．５μｍ厚のアルミメッキ層を形成した金属メッキナノワイヤをアクリル系樹脂の塗膜（屈折率１．４９）中に分散、配向した。塗膜の偏光性能を上記偏光解析装置を用いて評価した結果を表３に示す。塗膜の厚さは基本的に０．２μｍとし、ナノワイヤの平均太さが２００ｎｍの場合は０．３μｍ、３００ｎｍの場合は０．３５μｍとした。
【００９１】
ナノワイヤの平均太さが細い場合（比較製造例３）には、偏光分離が十分に得られない。平均太さが太い場合（比較製造例４）には、ｓ偏光の反射率が大きく偏光分離が得られており、太さ３００ｎｍでも偏光機能は発揮される。但し、比較製造例４ではｓ偏光の透過率もある程度認められるので、より好ましいナノワイヤの太さは１００〜２００ｎｍである。
【００９２】
【表３】
2013083828.tif 000005
【００９３】
製造例７〜８及び比較製造例５
平均太さ１００ｎｍであり平均長さを変えた円柱状のフルオロアパタイト（屈折率１．６３５）のナノワイヤの表面に１０ｎｍ厚のクロムメッキ層を形成した金属メッキナノワイヤをアクリル系樹脂の塗膜（屈折率１．４９、厚さ０．２μｍ）中に分散、配向した。塗膜の偏光性能を上記偏光解析装置を用いて評価した結果を表４に示す。
【００９４】
ナノワイヤの平均長さが短い場合（比較製造例５）には、ｓ偏光の反射率より透過率が高くなり、偏光分離が十分に得られない。ナノワイヤの平均長さが２μｍ以上あれば偏光分離機能は発揮される。但し、ナノワイヤの取り扱い易さからは２０μｍ以下が好ましい。
【００９５】
【表４】
2013083828.tif 000006
【００９６】
製造例９〜１１及び比較製造例６
平均太さ１００ｎｍ、平均長さ２０μｍの円柱状のナノワイヤに７．５μｍ厚のアルミニウムメッキ層を形成した金属メッキナノワイヤを樹脂塗膜中に分散、配向した。塗膜の偏光性能を上記偏光解析装置を用いて評価した結果を表５に示す。各製造例及び比較製造例は屈折率差を変えたものであり、組み合わせ（ナノワイヤ／樹脂）は以下の通りである。
・製造例９：硫酸マグネシウム（屈折率１．５３）／アクリル系（屈折率１．４９）
・製造例１０：チタン酸カリウム（屈折率２．２）／エピスルフィド系（屈折率１．８）
・製造例１１：チタン酸カリウム（屈折率２．２）に１０ｎｍ厚のエピスルフィド系（屈折率１．８）をコート／チオウレタン系（屈折率１．６５）
・比較製造例６：チタン酸カリウム（屈折率２．２）／アクリル系（屈折率１．４９）
製造例のように、ナノワイヤと塗膜の屈折率差が多少大きくても偏光分離機能は十分発揮されるが、比較例のように屈折率差が大きすぎるとｓ偏光の透過率が増えて偏光分離性能が低下する。
【００９７】
【表５】
2013083828.tif 000007
【００９８】
（楕円偏光板の製造とその特性評価）
実施例１〜３及び比較例１〜３
実施例１〜３で用いる偏光膜として、製造例１で作製したものを用意した（Ｎｉメッキ＝３．５ｎｍ）。また、比較例１〜３で用いる偏光膜として、市販のプレーン偏光板（日東電工製タイプＦ）を購入し、ＴＡＣフィルム（保護フィルム）を水中で丁寧に剥離・除去したものを用意した。
【００９９】
位相差補償フィルムとして、下記の３種類を用意した。
（１）位相差補償フィルム１
環状ポリオレフィン樹脂（ノルボルネン）である日本ゼオン社製：ゼオノア＃１４２０Ｒを準備した。当該樹脂を１００℃で４時間乾燥後、一軸押出機に投入して溶融し、金型を通過したフィルムを冷却ロールで均一に固化させて厚み８０μｍのロールを採取した。
【０１００】
上記ロールを自由幅ネックイン式の縦一軸延伸装置に連続的に投入し、長さ方向に１．５倍に延伸することで一軸延伸品（ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚ）、Ｒｏ＝１４０ｎｍを得た。なお、ｎｘ、ｎｙ、ｎｚは各方向の屈折率を示す。
（２）位相差補償フィルム２
ポリカーボネートである帝人化成社製：ピュアエース−８０を準備し、上記（１）と同様に長さ方向に１．５倍延伸することでＲｏ＝１３８ｎｍのロールを採取した。
【０１０１】
上記ロールを自由幅ネックイン式の縦一軸延伸装置に連続的に投入し、長さ方向に１．５倍に延伸することで一軸延伸品（ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚ）、Ｒｏ＝１４０ｎｍを得た。なお、ｎｘ、ｎｙ、ｎｚは各方向の屈折率を示す。
（３）位相差補償フィルム３
ＪＸ日鉱日石エネルギー社製の液晶フィルム（商品名ＮＶフィルム：ホメオトロピック配向：両面ハードコートタイプ）を用意した。
【０１０２】
偏光膜の片面に各位相差補償フィルムをウレタン系接着剤（乾燥厚さ１μｍ）を用いて積層した。このとき、実使用条件に準じて偏光板の吸収軸と位相差板の遅相軸が４５度になるように貼合した。なお、位相差補償フィルム３は遅相軸方向が平面上に無いので、長手方向を合わせてRoll-to-Rollにより積層した。偏光膜と位相差補償フィルムの組み合わせについて表６に示す。
【０１０３】
また、偏光膜の他面には、偏光膜の保護フィルムとしてプレーンＴＡＣフィルム（８０μｍ）をウレタン系接着剤（乾燥厚さ１μｍ）を用いて積層した。
【０１０４】
【表６】
2013083828.tif 000008
【０１０５】
試験例１
実施例及び比較例で作製した楕円偏光板の耐久性試験を行った。耐久性試験の手順は、下記の通りとした。
【０１０６】
実施例及び比較例で作製した楕円偏光板を、偏光板の吸収軸方向が４５度になるように１００ｍｍ四方の正方形に打抜いた。これは、偏光板の収縮応力の影響が最も発現し易い条件である。その後、位相差補償フィルム面が貼合面となるように配置し、ガラス板に２５μｍの高耐久のアクリル系粘着剤を介してラミネーターで貼合し、オートクレーブ（５０℃、５気圧、１０ｍｉｎ）に収容して貼合時の余分なエアーを抜いた。
【０１０７】
耐久性試験条件は以下の通りとした。
・（条件１）１００℃  ＤＲＹオーブン
・（条件２）８０℃、９０％  湿熱オーブン
投入後１００、５００、１０００、１５００及び２０００時間後に取り出して下記の測定項目１〜３について測定した。
≪測定項目１：偏光度≫
シグマ光機社製偏光解析装置ＡＰＡＳを用いて測定した。これは、熱、及び水分による偏光性の低下（従来型偏光板の場合はヨウ素の昇華）の指標となる。
≪測定項目２：光抜け状態観察≫
後方から均一な偏光光を照射し、クロスニコル状態での周縁部光漏れを目視観察した。また、正面からだけでなく、斜め方向からも確認した。これは、偏光子の収縮による位相差値の変化の指標となる。
【０１０８】
光抜けが認められない場合には○、エッジ部から５ｍｍ迄に光抜けが確認される場合には△、エッジ部から５ｍｍ以上の光り抜けが確認される場合には×と評価した。
≪測定項目３：剥がれ状態観察≫
エッジ部のガラスからの剥離状態を目視観察した。これは、熱による偏光子の収縮変化の指標となる。
【０１０９】
剥がれが認められない場合には○、エッジ部から２ｍｍ未満に剥がれが認められる場合には△、エッジ部から２ｍｍ以上の剥がれが認められる場合には×と評価した。
【０１１０】
各測定項目の結果を下記表７に示す。
【０１１１】
【表７】
2013083828.tif 000009
【０１１２】
表７の結果から明らかなように、実施例で作製した楕円偏光板は比較例で作成した楕円偏光板と比べて、耐久性（初期からの偏光度低下、額縁状の光漏れ、粘着剤の剥がれ）に大幅な改善が認められることが分かる。
【図１】
2013083828.tif 000010
【図２】
2013083828.tif 000011
【図３】
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