(57)【要約】【課題】半導体製造装置におけるヒーターの歪みを抑制し、ヒーターの歪みに起因する温度分布の不均一を防止するとともに、ヒーターの劣化を防止し長寿命化を図る。【解決手段】半導体製造装置の基板を加熱するためのヒーター（加熱手段）４０は、加熱部４２と、加熱部４２を電源の電極部（金属支持電極部）５１に接続するための端子部４１とを備える。端子部４１は、電極部５１との接続部と加熱部４２との間に、加熱手段の変形を抑制する固定リング４３が固定されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器と、前記反応容器内に設置され、基板を搭載する基板支持手段と、前記基板支持手段を加熱する加熱手段と、前記反応容器内にガスを供給するガス供給手段とを備えた半導体製造装置において、
前記加熱手段は、加熱部と、当該加熱部を電源の電極部に接続するための端子部とを備え、前記端子部は、前記電極部との接続部と前記加熱部との間に、前記加熱手段の変形を抑制する固定手段が固定されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体製造装置であって、
前記加熱手段の加熱部は円筒形状であって、前記端子部は前記円筒形状の軸方向に延びた一対の垂直部を有し、前記固定手段は前記円筒形状と同軸のリング状部材であって、前記一対の垂直部に固定されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体製造装置であって、
前記加熱手段の加熱部は円板形状であって、前記端子部は前記円板形状の面と直交する方向に延びた一対の垂直部を有し、前記固定手段は前記円板の中心と同軸のリング状部材であって、前記一対の垂直部に固定されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の半導体製造装置であって、
前記一対の垂直部は、前記リング状の固定手段の外側又は内側に固定されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
請求項１ないし４いずれか一項に記載の半導体製造装置であって、
前記固定手段の熱膨張率は、前記加熱手段の熱膨張率以下であることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】
半導体製造装置を用いて基板上に成膜する方法であって、
前記半導体製造装置が請求項１ないし５のいずれか一項に記載の半導体製造装置であることを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
基板上に半導体結晶を成膜する方法であって、
反応容器内に基板を加熱する加熱手段を設置し、前記加熱手段の上に基板を搭載した基板支持手段を載置する準備工程と、
前記準備工程後に、前記反応容器内に反応ガスを供給し、基板上に成膜する反応工程と、を含み、
前記準備工程は、前記加熱手段の加熱部と一対の端子部との間に固定手段を固定する第一準備工程と、
前記固定手段を固定した加熱手段の端子部を、前記反応容器内の電極部に接続する第二準備工程と、
を含むことを特徴とする成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高温下で基板に結晶成長させる半導体製造装置とそれを用いた成膜方法に関し、特に半導体製造装置の加熱手段の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
加熱した基板上に材料ガスを供給し、基板上に結晶を成長させる半導体製造装置として、ＭＯＣＶＤ装置、ＣＶＤ装置、単結晶引き上げ成長装置などの装置が多用されている。これら装置では、組成及び膜厚が均一な結晶成長を行うために、基板を所定の高温となるように均一に加熱することが要求される。そのため、種々のヒーターの形状や材質が検討され、利用されている。一般的には、材料として、カーボン（グラファイト）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ＳｉＣコートカーボン、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等が用いられている。また形状としては、図７（ａ）に示すような円筒形状のヒーターや、図７（ｂ）に示すような渦巻形状のヒーターが一般的である。渦巻き形状のヒーターは、基板を搭載するサセプタを裏面側から加熱する際に、基板またはサセプタの面内が均一に加熱できるように工夫されている。円筒形状のヒーターは、側面から見たときスリット状の切り込みが形成してあり、ヒーター線幅が均一となっている。円筒形状のヒーターはその内側に配置された坩堝やサセプタを側面側から加熱するようになっている。
【０００３】
これらヒーターは、いずれも通電のための一対の端子部が形成されており、これら端子部が装置内の支持電極部と接合されている。一対の端子部は、通常、ヒーターの中心に対し対称な位置に設けられている。しかし、このような２点で支持した構造のヒーターでは、２つの端子部を結ぶ方向と直交する方向にヒーターが膨らみ、均一な加熱を阻害するという問題がある。また端子部と支持電極部との接合部に熱応力が集中し、接合部の接触が不安定となったり、歪みが大きくなるなどの問題もある。
【０００４】
特許文献１には、光ファイバ用線引加熱炉用ヒーターについて、端子部に屈曲部を設け、加熱時に発生する熱応力をこの屈曲部で吸収する構造を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２０６６４６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載された技術では、ある程度ヒーターの変形を抑制することはできるが、屈曲部を設けたことによってヒーターに上下動が発生するおそれがある。また接合部周辺への熱応力の集中の問題は、解決することができない。
【０００７】
半導体製造装置のヒーターは１０００℃近い或いはそれ以上の温度になるため、端子部温度が８００℃以上の高温となる。このような高温下におかれるヒーターは、その取り付け時にわずかでも端子部に位置ずれがあると、端子部に熱応力が加わることによって歪みが大きくなり、この部分からヒーターが劣化する。また高温下で酸素などの酸性化ガス雰囲気やアンモニアガスなどの腐食性ガス雰囲気にさらされると、端子部が腐食したりエッチングされる。このような場合、支持電極部との接触が不安定となり、端子部と支持電極部との間でスパークが発生し、ヒーターの破損につながる。端子部のエッチングが激しい場合には、直接にヒーター破損を引き起こす。
【０００８】
このため、従来、カーボンヒーターの寿命は３００時間程度、ＳｉＣコートカーボンヒーターでも６００時間程度であり、さらなるヒーターの劣化防止と長寿命化が望まれている。
【０００９】
本発明は、ヒーターの歪みを抑制し、ヒーターの歪みに起因する温度分布の不均一を防止すること、及び、ヒーターの劣化を防止し長寿命化を図ることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体製造装置は、基板の加熱手段であるヒーターの端子部に歪みを抑制する固定手段を設けることにより、上記課題を解決したものである。
即ち、本発明の半導体製造装置は、反応容器と、前記反応容器内に設置され、基板を搭載する基板支持手段と、前記基板支持手段を加熱する加熱手段と、前記反応容器内にガスを供給するガス供給手段とを備え、前記加熱手段は、加熱部と、当該加熱部を電源の電極部に接続するための端子部とを備え、前記端子部の電極部との接続部と前記加熱部との間に、前記加熱手段の変形を抑制する固定手段が固定されている。
【００１１】
加熱手段の加熱部の形状は円筒形状であっても、円板形状であてもよい。前者の場合、端子部は円筒形状の軸方向に延びた一対の垂直部を有し、固定手段は円筒形状と同軸のリング状部材であって、一対の垂直部に固定される。後者の場合、端子部は前記円板形状の面と直交する方向に延びた一対の垂直部を有し、固定手段は円板の中心と同軸のリング状部材であって、一対の垂直部に固定される。
【００１２】
本発明の半導体製造装置において、好ましくは、固定手段の熱膨張率は、加熱手段の熱膨張率以下である。
【００１３】
また本発明の成膜方法は、本発明の半導体製造装置を用いたものである。具体的には、反応容器内に基板を加熱する加熱手段を設置し、前記加熱手段の上に基板を搭載した基板支持手段を載置する準備工程と、前記準備工程後に、前記反応容器内に反応ガスを供給し、基板上に成膜する反応工程とを含み、前記準備工程は、前記加熱手段の加熱部と一対の端子部との間に固定手段を固定する第一準備工程と、前記固定手段を固定した加熱手段の端子部を、前記反応容器内の電極部に接続する第二準備工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ヒーターの端子部に歪みを抑制する固定手段を設けるという簡単な構造で、効果的にヒーターの歪みを抑制するとともに端子部にかかる熱応力を低減し、ヒーターの破損を防止し、その長寿命化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明が適用される半導体製造装置の全体概要を示す図。
【図２】（ａ）、（ｂ）は、本発明の一実施形態のヒーターを示す上面図及び側面図
【図３】ヒーターの端子部と金属支持電極部との接続構造を示す分解斜視図
【図４】ヒーターにかかる熱応力を説明する図で、（ａ）は固定リングがない場合、（ｂ）は固定リングがある場合を示す。
【図５】固定リングの変更例を示す図
【図６】固定リングの他の変更例を示す図
【図７】（ａ）〜（ｃ）は種々のヒーターを示す上面図及び側面図である。
【図８】本発明の半導体製造装置の製造工程の一例を示すフロー
【図９】実施例及び比較例におけるヒーター寿命を比較したグラフ
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、実施例及び比較例のヒーター各部の加熱特性を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
図１に、本発明が適用される半導体製造装置の全体概要を示す。この半導体製造装置は、材料ガスを高温下で反応させて基板上に成長させるＣＶＤ装置であり、主な要素として、反応容器１と、反応容器１内に材料ガスを供給するためのフローチャンネル２と、基板１０を支持するサセプタ３と、サセプタ３を加熱するためのヒーター４０と、ヒーター電源５と、サセプタ３の回転機構（不図示）などを備えている。
【００１７】
反応容器１には、材料ガスを供給するガス供給管６１〜６３が接続されており、これらガス供給管６１〜６３から供給される材料ガスは、フローチャンネル２を介して混合ガスとして基板１０上に供給される。材料ガスとしては、成長させる結晶によって異なるが、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）等の有機金属ガス、ＮＨ３ガス、Ｎ２等のキャリアガスなどが用いられる。これら材料ガスは、ガス流量調整装置６１ａ〜６３ａによって所定のガス流量に調整されて各ガス供給管６１〜６３から反応容器１に供給される。
【００１８】
反応容器１には、圧力計７が備えられると共に排気ポンプ９に接続された圧力制御弁８が備えられており、圧力制御弁９によって反応容器１内の圧力が一定となるように制御された状態で、反応後の副生ガスや余剰のガスが排気される。
【００１９】
フローチャンネル２は、ガス供給管６１〜６３からそれぞれ供給される材料ガスを混合して、基板１０上に供給し、基板の上部に混合ガスのガス流層とその下にガスの淀み層を形成するようになっている。
【００２０】
サセプタ３は、熱伝導性の良好な材料、例えばグラファイト等のカーボン材料の表面をＳｉＣ膜でコートした材料からなり、基板１０を支持するとともに、ヒーター４からの熱を均熱化して基板１０に伝える機能を持つ。反応容器１内には、基板温度及びヒーター温度を計測するための放射温度計等の温度センサー３１、３２が設置されている。
【００２１】
ヒーター４０は、グラファイト等のカーボン、ＳｉＣでコートされたカーボン等からなり、サセプタ３の側面を取り囲む円筒状の形状を有し、その中心軸がサセプタ３の回転軸３１と一致するように配置されている。ヒーター４０の一端には、一対の端子部４１が形成されており、これら端子部４１はそれぞれ金属支持電極部５１が接続されている。一対の金属支持電極部５１は、ヒーター電源５に接続されている。ヒーター４０の端子部４１には熱電対等の端子部温度を測定するための温度センサー４７が取り付けられている。ヒーター温度は、反応容器１内に設置された放射温度計（温度センサー）３２からのフィードバック制御により調整され、所望のヒーター温度となるようにヒーター電源５からヒーター４０に電力が供給される。
【００２２】
ヒーター４０の構造について、図２を参照して詳述する。図２の（ａ）はヒーターを上から見た図、（ｂ）は側面図である。図示するように、ヒーター４０は、加熱部となる円筒部４２と一対の端子部４１とからなり、円筒部４２には、円筒の軸方向に上下から互い違いに切り込み（スリット）が形成されており、これにより１本の長い導体をジグザグに折り曲げた構造と等価の構造を有している。一対の端子部４１は円筒部４２の下端に、円筒の径方向の対向する位置に配置されている。
【００２３】
端子部４１は、さらに図３に示すように、円筒部４２からその軸方向に延びる垂直部４１ａと垂直部に対し直交する水平部４１ｂとからなるＬ字形状を有し、水平部４１ｂには金属支持電極部５１に固定するためのネジ穴が形成されている。金属支持電極部５１は、図３に示すように、端子部４１をネジ止めするための穴５１ａが形成されるとともに、ヒーター電源５の円柱状の電極５２が貫通する円筒状の穴５１ｂが形成されている。円筒状の穴５１ｂには、その軸方向に沿ってスリット５１ｃが形成されるとともに、スリット５１ｃに垂直なネジ穴５１ｄが形成されている。金属支持電極部５１は、円筒状穴５１ｂに電極５２をはめ込んだ状態で、ネジ穴５１ｄをネジ止めすることにより、ヒーター電源５の電極５２に堅固に固定される。ヒーター４０は、端子部４１を金属支持電極部５１のネジ穴５１ａにネジ止めすることにより、金属支持電極部５１に固定される。この際、金属支持電極部５１と電極５２との接続部及び金属支持電極部５１と端子部４１との接続部において、取付時（ネジ止め時）にわずかにでも位置ずれがあると、図３中に矢印で示すように、ヒーター加熱時の熱応力（ヒーターが熱により変形しようとする力）により歪みの応力が発生する。
【００２４】
本実施形態では、取付時の位置ずれを防止し、熱応力を抑制する手段として、端子部４１の垂直部４１ａに、ヒーター４０の変形を防止するための固定リング４３が嵌合されている（図２）。固定リング４３の材料としては、高熱伝導性であって絶縁性がある材料を用いる。また熱膨張率の低い材料、特に、熱膨張率がヒーターの熱膨張率以下である材料を用いることが望ましい。そのような材料として、具体的には、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮなどが挙げられる。
【００２５】
固定リング４３の大きさは、ヒーター４の大きさにより異なるが、製造上及びヒーター４０への取付の観点から、円筒部の軸方向の高さが４ｍｍ以上、円筒部の径方向の厚みが１ｍｍ以上であることが好ましい。具体的には、一例として、円筒部４２の外径が５０ｍｍの場合、固定リング４３の高さは５ｍｍ、幅は２ｍｍとし、円筒部４２の外径が８０ｍｍの場合、固定リングの高さは８ｍｍ、幅は５ｍｍとする。
【００２６】
固定リング４３をヒーター端子部４１に固定する方法は、特に限定されるものではないが、製造上、ネジ等によって固定することが望ましい。前掲の大きさの固定リングでは、例えばＭ３のネジを用いることができる。
【００２７】
固定リング４３を固定する位置は、垂直部４１ａの円筒部４２との境の近傍であることが好ましい。固定リング４３を円筒部４２との境に近い位置にすることにより、円筒部４２にかかる熱応力を低減し、ヒーター４１の歪みを抑制することができる。
【００２８】
このような構造のヒーター４０における固定リング４３の作用について、図４を参照して説明する。ヒーター４０が加熱されたとき、ヒーター４０は、図４中太矢印で示すように、熱により膨張する力（熱応力）が発生する。ここでヒーター４０の端子部４１は金属支持電極４５に固定されているので、固定リング４３がない場合には、図４（ａ）に示すように、熱応力は金属支持電極４５への固定部分を支点として円筒部４２が外側に広がろうとする力、即ち角度θの変形を与える力として作用する。このため大きな力がヒーターの円筒部にかかる。また変形の応力は、円筒部４２を２本で支える端子部４１に大きく作用し、金属支持電極４５との接触を不安定にしたり、垂直部４１ａと水平部４１ｂとの境である屈曲部を変形する。
【００２９】
これに対し、端子部４１に固定リング４３を固定した場合には、図４（ｂ）に示すように、熱応力が作用する支点は、固定リング４３を固定した部分になるため、図４（ａ）の場合と同じ角度θに変形する力が加わっても固定リング４３で固定された点と円筒部４２上端までの距離が短くなるので、円筒部４２に加わる力が低減される。加えて、固定リング４３自体がわずかながら熱膨張することにより、その分、円筒部に加わる熱応力が低減される。このように、円筒部４２の径の変形θ’を低減できることから、その上に位置するサセプタ３への熱の伝達の変動を抑制し、均一なサセプタ温度（基板温度）を保つことができる。
【００３０】
またヒーターの円筒部４２から端子部４１に熱が伝導される際に固定リング４３にも熱が伝導され、その熱は固定リング４３を介して放熱されるため、円筒部４２から端子部４１に移動する熱量を減らすことができ、これにより端子部４１の高温化とそれによって引き起こされるエッチングを抑制することができ、ヒーターの長寿命化を図ることができる。
【００３１】
以上説明したように、本実施形態の半導体製造装置によれば、サセプタを加熱するヒーターの端子部に固定リングを設けるという簡単な構造を追加することで、ヒーター取付時に位置ずれなくヒーターを金属支持端子部に固定することができる。これによりヒーターの歪みを抑制することができ、均一なサセプタ温度を保つことができる。またヒーターの破損につながるヒーター端子部の過熱や変形を抑制することができ、ヒーターの長寿命化を図ることができ、ヒーター交換回数を低減することができる。
【００３２】
なお図１及び図２に示す実施形態では、一つの固定リングを設けた場合を示したが、図５に示すように、固定リング４３を２以上設けることも可能である。また、固定リング４３を端子部４１の外側に嵌めるのではなく、図６に示すように、ヒーター端子部４１の内側に固定することも可能であり、この場合も、固定リングの数は１又は複数であってもよい。固定リング４３を内側に設ける場合、外径をヒーター円筒部４２の内径とほぼ等しくすること以外は、図２の実施形態と同様にすることができ、また固定方法も同様の方法を採用することができる。
【００３３】
また図１及び図２に示す実施形態では、ヒーターとして、円筒部を有し、円筒部に円筒の軸方向のスリットが入った構造を持つヒーターを備えた半導体製造装置を説明したが、図７（ｂ）、（ｃ）に示すように、渦巻き状の面状ヒーターや、円筒部に円筒の周方向にスリットが入った構造のヒーターについても同様に適用することができ、同様の効果を得ることができる。
【００３４】
さらに図１では、フローチャンネル方式の半導体製造装置を示したが、本発明は２フロータイプやシャワーヘッドノズルからガスを供給する方式の装置等にも適用でき、またＭＯＣＶＤ以外の半導体製造装置、例えば、スパッタ装置等にも適用することができる。
【００３５】
次に、上記構成の半導体製造装置を用いた成膜方法について説明する。
図８に、図１の半導体製造装置を用いた成膜方法の工程を示す。本発明の成膜方法は、主として装置の準備工程と、準備工程後の反応工程とからなり、準備工程はヒーター４に固定リング４３をセットする工程８１と、固定リングをセットした後のヒーターの上にサセプタ３及び基板１０をセットする工程８３とを含む。以下、各工程について説明する。
【００３６】
まず図２又は図７に示すヒーターの端子部に、固定リングを嵌めてネジ止めしてヒーター４を用意する（工程８１）。このヒーターの端子部４１を反応容器内の金属支持端子部５１にネジで固定する（工程８２）。
【００３７】
次に基板１０を固定したサセプタ３を反応容器１内に入れ、ヒーター４の上にセットする（工程８３）。ヒーター４やサセプタ３の出し入れを行った反応容器１の開口（不図示）を閉じ、反応容器１を排気ポンプ９で一度真空排気した後、反応容器１内へガス供給管６２から不活性ガスを供給するとともに、圧力制御弁し、一対の金属支持電極部５１にヒーター電源５から電力を供給し、ヒーターを所望の温度に加熱する（工程８４）。
【００３８】
反応工程は成膜する結晶等によって異なるが、図８には、一例として、ＡｌＮ層の成膜の場合を示している。この反応工程は、基板を予備加熱する熱処理工程８５、昇温工程８６、材料ガスを導入して基板上にＡｌＮ層を形成する成膜工程８７、冷却工程８８を含む。熱処理工程８５では、基板温度が１０００℃になるまでヒーターを加熱し、昇温し基板を熱処理する。次いで基板温度が１２００℃になるまでヒーターを加熱し、昇温した後（昇温工程８６）、成膜工程８７では、ヒーター温度を１２００℃に保ち、反応性ガスとしてＮＨ３をガス供給管６３から所定ガス流量で供給し、次いで不活性ガスでバブリングした有機金属材料（ＴＭＡ）をガス供給管６１から所定ガス流量で供給し、基板上に結晶成長させる。所定時間の結晶成長後にＮＨ３ガス及び材料ガスの供給を停止し、不活性ガスのみを所定ガス流量で供給する。同時にヒーター４への電力供給を停止し、ヒーター４を常温まで冷却する（冷却工程８８）。
【００３９】
以上のように反応工程では、ヒーター温度が１０００℃以上の高温となるが、ヒーター４の端子部４１には固定リング４３が固定されているため、ヒーターの加熱部（円筒部或いは渦巻き状加熱部）の変形が抑制され、均一な加熱温度を達成することができ、均一な組成、膜厚の成膜を行うことができる。
【００４０】
以上、本発明の成膜方法をＭＯＣＶＤによるＡｌＮ膜の場合を例に説明したが、本発明の成膜方法は反応の準備工程に特徴があり、反応工程については一層の成膜のみならず二層以上の成膜の場合でも、ＭＯＣＶＤ以外の半導体製造装置を用いた成膜でも同様に適用することができる。
【実施例】
【００４１】
本発明の半導体製造装置における固定リングの効果を確認するために、図１に示す半導体製造装置を用いて、以下の条件で図８に示す工程でヒーター加熱実験を行い、ヒーターが破損、断線するまで繰り返した。
【００４２】
基板：Ｃ面サファイア、基板回転速度１０ｒｍｐ
熱処理工程：ヒーター温度１０００℃、保持時間１０分間、ＮＨ３ガス流量５．０ＳＬＭ、Ｎ２ガス流量１．０ＳＬＭ
昇温工程：ヒーター温度〜１２００℃
成膜工程：ヒーター温度１２００℃、ＴＭＡ＋Ｎ２ガスのガス流量１．０ｓｃｃｍ、反応時間３時間
【００４３】
実験は、ヒーターに図２に示すような固定リングを固定した場合（実施例）と固定リングを固定しない場合（比較例）について行った。比較例のヒーター寿命で規格化した実施例のヒーター寿命を図９のグラフに示す。この結果からも明らかなように、実施例の半導体製造装置では、比較例に比べ約１．７８倍の長寿命化が実現できた。
【００４４】
また実験の繰り返し５回目において、基板温度及びヒーター表面温度を、放射温度計３１、３２で測定するとともに、ヒーター端子部温度を熱電対４７で計測した。その結果を図１０（ａ）、（ｂ）のグラフに示す。図１０（ａ）中、「×」は基板温度、「○」及び「◇」は、それぞれ実施例のヒーター加熱部温度及び端子部温度である。図１０（ｂ）中、「●」及び「◆」は、それぞれ比較例のヒーター加熱部温度及び端子部温度である。
【００４５】
図１０（ａ）、（ｂ）の比較からわかるように、温度が制御されている基板温度及びヒーター加熱部の温度は実施例も比較例も同じ結果であったが、端子部は実施例では比較例に比べ大幅に低く、基板温度が１２００℃、加熱部温度が１２９１℃に上昇した時点（３時間経過後）でも、実施例の端子部温度は７５１℃であり８００℃未満に抑制できた。これは固定リングによる放熱作用の結果と考えられ、固定リングにより端子部の過熱が抑制されることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明によれば、ヒーターの端子部にその変形を抑制する固定リングを設けるという簡単な構成で、熱応力によるヒーターの歪みや端子部の劣化を抑制し、ヒーターの長寿命化を図ることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１・・・反応容器、２・・・フローチャンネル、３・・・サセプタ、５・・・ヒーター電源、１０・・・基板、４０・・・ヒーター、４１・・・端子部、４２・・・円筒部、４３・・・固定リング、５１・・・金属支持電極部、６１〜６３・・・ガス供給管。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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