(57)【要約】【課題】圧接により半導体素子のゲート電極層とゲート電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールの組立利便性を向上し、動作信頼性を向上する。【解決手段】半導体素子２のゲート電極層８に、ゲート電極ポスト３を設ける。ゲート電極ポスト３を覆うように半導体素子２上に絶縁ケース４を設ける。絶縁ケース４のゲート電極層８と対向する面に溝４ａを形成し、この溝４ａにゲート電極ポスト３をゲート電極層８に圧接するばね５を設ける。絶縁ケース４に、ゲート電極端子６が挿通する挿通孔４ｂを形成し、絶縁ケース４を挿通してゲート電極端子６をゲート電極ポスト３に圧接し、ゲート電極端子６とゲート電極層８とをゲート電極ポスト３を介して電気的に接続する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
当該半導体素子のゲート電極層と電気的に接続されるゲート電極端子と、
を備えた半導体モジュールであって、
前記ゲート電極層と前記ゲート電極端子との間に介在するゲート電極ポストと、
当該ゲート電極ポストを、前記ゲート電極層に圧接する弾性部材と、を有する
ことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記弾性部材を前記ゲート電極ポストに圧接する圧接力より小さい圧接力で、前記ゲート電極端子を前記ゲート電極ポストに圧接する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記弾性部材を前記ゲート電極ポストに圧接する絶縁ケースを設ける
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記絶縁ケースに前記弾性部材の端部が嵌合する嵌合溝を形成する
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記ゲート電極ポストをシート状に形成された導電体を層状に重ねて形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、産業用・車両用システムや変電設備やインバータなどの電力変換装置といった分野に用いられる絶縁形パワー半導体モジュールに対して、高耐圧、大容量のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の適用が行われている。このＩＧＢＴモジュールに代表される「絶縁形パワー半導体モジュール」若しくは「Isolated power semiconductor devices」は、それぞれＪＥＣ−２４０７−２００７、ＩＥＣ６０７４７−１５にて規格が制定されている。
【０００３】
一般的な絶縁形パワー半導体モジュールにおいて、スイッチング素子であるＩＧＢＴやダイオードなどの半導体素子は、半導体素子の下面に設けられた電極層を介してＤＢＣ（Direct Bond Copper）基盤の銅回路箔上にはんだ付けされる（例えば、非特許文献１）。ＤＢＣ基板とは、セラミックスなどからなる絶縁板に銅回路箔を直接接合したものである。
【０００４】
半導体素子の上面に設けられる電極層には、超音波ボンディングなどの方法によりアルミワイヤが接続される。このアルミワイヤは、例えば、ＤＢＣ基板上の銅回路箔と電気的に結線される。そして、ＤＢＣ基板の銅回路箔から外部へ接続するための銅端子（リードフレームやブスバー）は、銅回路箔とはんだ付けにより接続される。さらに、この周りは（スーパー）エンジニアリングプラスチックのケースで囲まれ、その中を電気絶縁のためのシリコーンゲルが充填される。
【０００５】
近年、半導体素子の動作温度の高温化が進んでいる。例えば、次世代の半導体素子であるＳｉＣ半導体は、２５０〜３００℃での動作が報告されている。動作温度が、１７５〜２００℃となると、この温度がはんだ材料の融点に近いため、従来のはんだ材料を用いることができない場合がある。そこで、はんだに置換する材料として、例えば、金属系高温はんだ（Ｂｉ，Ｚｎ，Ａｕ）、化合物系高温はんだ（Ｓｎ−Ｃｕ）、低温焼結金属（Ａｇナノペースト）などが提案されている。
【０００６】
また、はんだを用いない半導体モジュール構造として平型圧接構造パッケージが提案されている（非特許文献１、２)。平型圧接構造パッケージは、圧接により半導体素子の電極層とコンタクト端子との電気的接続や、半導体素子の電極層と基板との電気的接続を行う。一般的な平型圧接構造パッケージでは、半導体素子（例えば、ＩＧＢＴ、ダイオード）の端部に半導体素子及びコンタクト端子の位置決めをするガイドが設けられる。そして、半導体素子の上面電極層がコンタクト端子に接触した状態で半導体素子が基板（Ｍｏ基板やＤＢＣ基板など）上に設けられる。つまり、コンタクト端子と基板とが半導体素子を挟圧した状態で半導体モジュール内に設けられる。
【０００７】
平型圧接構造パッケージは、平型構造であることから半導体素子を両面から冷却することができる。このため、一般的に平型圧接構造パッケージの両端をヒートシンクで圧接することで、平型圧接構造パッケージの両面を冷却するとともに、そのヒートシンクを導電部材として用いる。さらに、平型圧接構造パッケージは、圧接により半導体素子と電極端子などを接続するので、はんだを用いることなく半導体素子が電気的、熱的に外部と接続される。
【０００８】
平型圧接構造の半導体モジュールでは、半導体モジュールを圧接する平型圧接構造パッケージ上下のヒートシンクを電気的に絶縁する必要があり、また、板バネで平型圧接構造パッケージを圧接するがこの設計の圧接力が平型圧接構造パッケージの電極ポストに均等にかかるようにする必要がある。これらにはノウハウがあり、圧接が不良であった場合は半導体素子の破壊の原因となるおそれがある。なお、ヒートシンクと平型圧接構造パッケージの圧接は、主にユーザが実施する。また、平型圧接構造の半導体モジュールは、回路を構成するのに、このヒートシンクや圧接のための板バネが小型化の妨げとなるなど、使いこなすのには熟練が要求される。このような理由により、平型圧接構造パッケージは限られた装置への適用となり、代わりに使い勝手の良い従来型の絶縁形パワー半導体モジュールが広く使われている。
【０００９】
高温で動作可能な半導体素子を有する半導体モジュールの温度サイクル、パワーサイクルなどの信頼性を向上させるために、半導体モジュールを構成する各部材（半導体、金属、セラミックスなどからなる部材）の熱膨張率の違いより生じる課題を解決する必要がある。例えば、基板−銅ベース間、基板−銅端子間において、銅とセラミックスの熱膨張係数が異なるので、半導体モジュールの温度が上昇すると銅とセラミックスを接続するはんだにせん断応力が働く。このせん断応力により、はんだに亀裂が生じて熱抵抗が増大したり電極端子が剥離したりするおそれがある。同様に、半導体素子−基板間のはんだにも亀裂が生じる場合がある。その他、条件によっては半導体素子上のアルミワイヤの接続部でもアルミニウムと半導体素子の熱膨張の差で応力が発生してアルミワイヤが疲労破断するおそれがあると考えられる。
【００１０】
年々半導体モジュールにおける電力密度の増加に伴い、半導体素子の電極層とアルミワイヤとの接合部などの半導体素子内部の接合温度が高くなり、はんだのせん断応力、アルミワイヤの応力が大きくなってきている。これに対して熱膨張の影響が半導体モジュールの設計寿命に至るまでの期間に亘って顕在化しないように半導体モジュールの構造を設計する必要がある。ＳｉＣやＧａＮのような高温で使用できるワイドバンドキャップ半導体素子の出現により、さらに熱膨張の影響の低減が要求されている。また、ＳｉＣ、ＧａＮなどの高温で使用可能な半導体素子の性能を活かす半導体モジュールとしても、半導体モジュールの温度サイクル、パワーサイクルなどの信頼性のさらなる向上が求められている。
【００１１】
そこで、半導体モジュールの高信頼性、環境性、利便性を同時に実現するために、はんだ接合あるいはワイヤーボンドを用いず、かつ両面冷却が容易で放熱性の面で有利な圧接型絶縁形パワー半導体モジュールが再び脚光を浴びている。
【００１２】
図２に示すように、従来の半導体モジュール１３は、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）のような絶縁ゲート型の半導体素子２を用いて構成される。そして、制御用のゲート端子１４と、制御用のエミッタ端子１５（または制御用のソース端子）を半導体モジュール１３の外部に引き出している。ゲート端子１４とゲート電極層８との接続は、チップ抵抗１７が設けられた銅回路箔１８とゲート端子１４とをアルミワイヤ１６で接続し、チップ抵抗１７とゲート電極層８とをアルミワイヤ１６で接続することで行う。また、エミッタ端子１５とエミッタ電極層７との接続は、エミッタ端子１５とエミッタ電極層７とをアルミワイヤ１６を接続することで行う。このアルミワイヤ１６の接続は、超音波ボンディング法などの方法を用いる。
【００１３】
このゲート電極層８とエミッタ電極層７（または、ソース電極層）からの制御信号の取り出しもアルミワイヤ１６による接続方法を用いない信頼性の高い半導体モジュールが求められている（例えば、特許文献１）。また、ゲート電極層８とゲート端子１４との間のチップ抵抗１７を用いない信頼性の高い半導体モジュールが求められている。
【００１４】
そこで、発明者らは、この発明に先立って、図３に示すようなチップ抵抗１７と同じ抵抗値を有する板ばね状のゲート電極端子２０をゲート電極層８に圧接して設ける半導体モジュール１９を開発した。この半導体モジュール１９は、ゲート電極端子２０が板ばね状に形成されており、ゲート電極端子２０の端部が、一定の圧力範囲でゲート電極層８に圧接する。このゲート電極端子２０が、チップ抵抗１７の機能を有するため、従来の半導体モジュール１３の回路と比較してアルミワイヤ１６の接合部が減少し、半導体モジュール１９の動作信頼性及び組立利便性が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特表２００７−５０７０８０号公報
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】電気学会高性能高機能パワーデバイス・パワーＩＣ調査専門委員会、「パワーデバイス・パワーＩＣハンドブック」、コロナ社、１９９６年７月、ｐ２８９、ｐ３３６
【非特許文献２】森睦宏，関康和、「大容量ＩＧＢＴの最近の進歩」、電気学会誌、社団法人電気学会、１９９８年５月、Ｖｏｌ．１１８（５）、ｐｐ．２７４−２７７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、半導体素子に形成されるゲート電極層の面積は小さく、ゲート電極端子をゲート電極層に圧接して設けて半導体モジュールを構成するとき、ゲート電極端子の位置合わせが困難となるおそれがある。また、半導体モジュールの振動によって、ゲート電極層とゲート電極端子との接触面がずれるおそれがある。
【００１８】
上記事情に鑑み、本発明は、圧接により半導体素子のゲート電極層とゲート電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールの組立利便性の向上及び動作信頼性の向上に貢献する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの一態様は、半導体素子と、当該半導体素子のゲート電極層と電気的に接続されるゲート電極端子と、を備えた半導体モジュールであって、前記ゲート電極層と前記ゲート電極端子との間に介在するゲート電極ポストと、当該ゲート電極ポストを、前記ゲート電極層に圧接する弾性部材と、を有することを特徴としている。
【００２０】
また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記弾性部材を前記ゲート電極ポストに圧接する圧接力より小さい圧接力で、前記ゲート電極端子を前記ゲート電極ポストに圧接することを特徴としている。
【００２１】
また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記弾性部材を前記ゲート電極ポストに圧接する絶縁ケースを設けることを特徴としている。
【００２２】
また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記絶縁ケースに前記弾性部材の端部が嵌合する嵌合溝を形成することを特徴としている。
【００２３】
また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記ゲート電極ポストをシート状に形成された導電体を層状に重ねて形成することを特徴としている。
【発明の効果】
【００２４】
以上の発明によれば、圧接により半導体素子のゲート電極層とゲート電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールの組立利便性の向上、及び動作信頼性の向上に貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体モジュールの要部断面図である。
【図２】従来技術に係る半導体モジュールの要部上面図である。
【図３】従来技術に係る半導体モジュールの要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の半導体モジュールについて、図１を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において、図１に示す断面図は、本発明の実施形態に係る半導体モジュール１を模式的に示したものであり、図面上の寸法比と実際の寸法比とは必ずしも一致するものではない。
【００２７】
（実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体モジュール１の要部断面図である。図１に示すように、実施形態に係る半導体モジュール１は、半導体素子２と、ゲート電極ポスト３と、絶縁ケース４と、ばね５と、ゲート電極端子６と、を備える。
【００２８】
半導体素子２は、例えば、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子であり、その上面にエミッタ電極層７（ソース電極層）、ゲート電極層８（制御電極層）が形成され、底面にコレクタ電極層９（ドレイン電極層）が形成される。なお、実施形態の説明では、便宜上、上面及び底面とするが上下方向は、本発明をなんら限定するものではない。
【００２９】
半導体素子２のエミッタ電極層７やゲート電極層８の近傍には、各電極層７，８と上周辺部電極との絶縁性を確保するための絶縁シート１０が設けられる。エミッタ電極層７には、エミッタ（ソース）電極ポスト１１が圧接により接続され、エミッタ電極層７とエミッタ電極端子（図示省略）がエミッタ電極ポスト１１を介して電気的に接続される。また、コレクタ電極層９には、コレクタ（ドレイン）電極ポスト１２が圧接により接続され、コレクタ電極層９とコレクタ電極端子（図示省略）がコレクタ電極ポスト１２を介して電気的に接続される。
【００３０】
ゲート電極ポスト３は、半導体素子２の絶縁シート１０に接して設けられる板状の導体であり、ゲート電極層８とゲート電極端子６とを電気的に接続する。ゲート電極ポスト３は、ゲート電極端子６が接続される接続部材であり、ゲート電極端子６は、ゲート電極ポスト３を介してゲート電極層８と電気的に接続される。ゲート電極ポスト３を形成する材料は、導電性が高く弾性力が高いものが望ましく、半導体素子２からの発熱に対して劣化しない耐熱性（耐熱温度が２５０℃以上、より好ましくは、３００℃以上）が求められる。よって、ゲート電極ポスト３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）またはモリブデン（Ｍｏ）などの単体金属やオーステナイト系ステンレス鋼（例えば、ＳＵＳ３０４など）などの合金を用いて形成される。
【００３１】
ゲート電極ポスト３は、ゲート電極層８と接する凸部を有する。ゲート電極層８の外周には、ゲート電極層８と上周辺部電極との絶縁を確保するため、厚み数マイクロメートル程度の絶縁膜（図示省略）が形成されており、ゲート電極層８の露出面は、その絶縁膜部分よりも凹んだ部分に存在する。そこで、ゲート電極ポスト３の凸部の端部の高さをゲート電極層８の外周部に形成された絶縁膜部分の高さより高い数マイクロメートル程度とし、ゲート電極層８と接するゲート電極ポスト３の凸部の端部の面積をゲート電極層８の面積よりもひとまわり小さい面積（絶縁膜部分程度小さい面積）とすることで、ゲート電極ポスト３とゲート電極層８の接合性がより良好なものとなる。
【００３２】
絶縁ケース４は、ゲート電極ポスト３を覆うように半導体素子２上に設けられる。絶縁ケース４は、セラミックや樹脂などの絶縁材料より形成される。絶縁ケース４の半導体素子２と対向する面であって、ゲート電極層８の電極面の法線方向延長上の部分近傍には溝４ａが形成され、この溝４ａにゲート電極ポスト３をゲート電極層８に圧接するばね５が設けられる。また、ゲート電極端子６が絶縁ケース４を挿通してゲート電極ポスト３と電気的に接続できるように、絶縁ケース４には、ゲート電極端子６が挿通する挿通孔４ｂが形成される。
【００３３】
ばね５は、ゲート電極ポスト３とゲート電極層８との接触部に必要な圧接力を作用させる弾性部材である。ばね５を形成する材料や、ばね５の形状は、特に限定されるものではなく、周知の材料や形状（ばね定数）を適宜選択して用いる。
【００３４】
ゲート電極端子６は、ゲート電極ポスト３を半導体素子２方向に圧接して設けられる。ゲート電極端子６の形状をばねなどの弾性を有する形状とすることで、ゲート電極端子６の端部が常にゲート電極ポスト３に圧接された状態となり、ゲート電極端子６とゲート電極ポスト３の電気的な接続を確保することができる。また、ゲート電極端子６の抵抗値がゲート抵抗の値となるように、ゲート電極端子６を構成する材料や形状を選択することで、従来の回路で設けられていたゲート抵抗が不要になり、半導体モジュール１の組立利便性が向上する。
【００３５】
以上のように、本発明の実施形態に係る半導体モジュール１によれば、ゲート電極層８とゲート電極端子６とをゲート電極ポスト３を介して接続することで、ゲート電極端子６の位置決めが容易になり、ゲート電極層８の面積が小さくてもゲート電極端子６とゲート電極層８の電気的接続の信頼性を確保することができる。つまり、ゲート電極ポスト３を大きくすることで、ゲート電極端子６の先端位置がゲート電極ポスト３上でずれたとしても、ゲート電極ポスト３により、ゲート電極端子６とゲート電極層８との間の導電性を確保することができる。
【００３６】
また、ゲート電極ポスト３の大きさを大きくすることで、ゲート電極端子６の配置場所を調整することが可能となる。その結果、大電流が流れる他の電極端子などの導体から離隔してゲート電極端子６を設けることができるので、ゲート電極端子６の短絡を防止することができる。
【００３７】
また、ゲート電極ポスト３をゲート電極層８に設けることで、半導体モジュール１の放熱性が向上する。スイッチング動作中の半導体素子２は、半導体素子２が発熱体となり高温となり、ゲート電極層８とゲート電極ポスト３の接合部分も高温となる。ゲート電極層８部分が過剰に加熱されると、半導体素子２の制御が困難となるおそれがあり、特にノーマリーオンデバイスの場合、オフ操作ができなくなるおそれがある。本発明の半導体モジュール１のように、ゲート電極層８にゲート電極ポスト３を設けると、発熱部（ゲート電極層８とゲート電極ポスト３）と外部との接触面積が広くなる。つまり、ゲート電極ポスト３が、ゲート電極層８周辺部の放熱経路として作用する。その結果、半導体モジュール１の放熱性が向上する。なお、ゲート電極ポスト３を導電性のシートを層状に重ねて形成すると、ゲート電極ポスト３と外部との接触面積がより広くなるので、半導体モジュール１の放熱性がより向上する。
【００３８】
また、ゲート電極端子６を、ゲート電極ポスト３を介してゲート電極層８に電気的に接続する場合、ゲート電極端子６とゲート電極層８とが直接接触していないので、ゲート電極端子６がゲート電極層８を傷つけることがない。
【００３９】
また、ゲート電極ポスト３をゲート電極層８に圧接するばね５を設けることで、ゲート電極ポスト３をゲート電極層８に圧接するために必要な圧力をゲート電極ポスト３に作用させる設計が容易になる。このとき、ばね５がゲート電極ポスト３を圧接する圧接力は、ゲート電極端子６がゲート電極ポスト３を圧接する圧接力より大きくなるようにする。このように、ばね５により、ゲート電極ポスト３とゲート電極層８に適切な接触圧を作用させることで、ゲート電極端子６がゲート電極ポスト３を圧接する圧接力は、ゲート電極端子６とゲート電極ポスト３の電気的な接触を維持できる圧接力で圧接すればよくなる。その結果、ゲート電極端子６を構成する材料の選択やゲート電極端子６の構造の選択する幅が広がる。
【００４０】
また、ばね５がゲート電極ポスト３を圧接する圧接力を、ゲート電極端子６がゲート電極ポスト３を圧接する圧接力より大きくすることで、万が一、ゲート電極端子６とゲート電極ポスト３の接触部がずれた場合でも、ばね５の圧接によって、ゲート電極層８とゲート電極ポスト３の接触は維持されるので、半導体モジュール１の動作信頼性が向上する。つまり、ゲート電極ポスト３とゲート電極層８との接触をばね５による圧接で確実に行うことが、ゲート電極端子６の振動による接触位置のずれ対策となり、圧接によりゲート電極端子６とゲート電極層８を接続する半導体モジュール１の長期信頼性を向上させることができる。
【００４１】
また、絶縁ケース４を設けることで、ゲート電極端子６とゲート電極ポスト３の接触位置精度を高めることができる。つまり、絶縁ケース４を、ゲート電極端子６、ゲート電極ポスト３及びばね５を固定できるような形状に加工することで、各部材の位置決めが容易かつ正確になる。また、絶縁ケース４を設けることで、ゲート電極層８、ゲート電極ポスト３またはゲート電極端子６と外部（または、ゲート電極層８近傍の他の導体）との絶縁性が向上するので、半導体モジュール１のノイズ対策となる。特に、ゲート電極層８とエミッタ（またはソース）電極層７とが近い位置に設けられる半導体素子２の場合において、絶縁ケース４と絶縁シート１０によりゲート電極層８とエミッタ電極層７との絶縁性を確保することができる。なお、絶縁シート１０を弾性力のある材料で形成することにより、絶縁ケース４と絶縁シート１０による絶縁性の効果をさらに高めることができる。
【００４２】
また、絶縁ケース４、またはゲート電極ポスト３にばね５が嵌合する嵌合溝（ざぐり）を形成すると、絶縁ケース４とばね５、またはゲート電極ポスト３とばね５が一体物として固定されるので、ばね５の位置決め及びばね５の固定がより確実になる。同様に、ゲート電極ポスト３に、ゲート電極端子６が嵌合する嵌合溝（ざぐり）を形成すると、ゲート電極ポスト３とゲート電極端子６が一体物として固定されるので、ゲート電極端子６の位置決め及びゲート電極端子６の固定がより確実になる。
【００４３】
なお、本発明の半導体モジュールは、上述した実施形態に限らず、本発明の特徴を損なわない範囲で適宜設計変更が可能であり、そのように変更された形態も本発明に係る半導体モジュールである。
【００４４】
例えば、本発明は、圧接により半導体素子のゲート電極層（制御用電極層）と外部（若しくは、内部の別の回路）に接続するためのゲート電極端子（制御電極端子）とを電気的に接続する半導体モジュールに適用可能である。
【００４５】
本発明の半導体モジュールによれば、はんだなどの接合剤を用いることなく半導体素子のゲート電極層とゲート電極端子とを電気的に接続することができる。よって、ＳｉＣ、ＧａＮなどの高温で使用可能な半導体素子の性能を生かす半導体モジュールに適用することで、半導体モジュールの温度サイクル、パワーサイクルなどの信頼性を向上することができる。
【００４６】
そして、本発明の半導体モジュールを高温動作が要求される絶縁形パワー半導体モジュールやインバータなどの電力変換装置に用いることで、絶縁形パワー半導体モジュールや電力変換装置の動作信頼性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１…半導体モジュール
２…半導体素子
３…ゲート電極ポスト
４…絶縁ケース
４ａ…溝
４ｂ…挿通孔
５…ばね（弾性部材）
６…ゲート電極端子
７…エミッタ電極層
８…ゲート電極層
９…コレクタ電極層
１０…絶縁シート
【図１】
2013179230.tif 000003
【図２】
2013179230.tif 000004
【図３】
2013179230.tif 000005