(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体デバイスにおける精密なキャリアプロファイルを解析する方法を提供する。【解決手段】空乏層領域を形成可能な２つの異種層の接合面の面積をＳとする半導体デバイスに対し、電圧Ｖを印加する電圧印加ステップと、前記半導体デバイスの容量Ｃを測定する容量測定ステップと、前記面積Ｓ、前記空乏層幅ＷＤの前記異種層の形成材料により決定される誘電率ε、前記電圧Ｖ及び前記容量Ｃから、前記空乏層幅ＷＤを次式（１）及び（３）のいずれかに基づき算出し、前記キャリア密度ρ（ＷＤ）を次式（２）及び（４）のいずれかに基づき算出するキャリアプロファイル算出ステップとを有する。１．ＷＤ＝εＳ／Ｃ、２．ρ＝−[Ｃ３／ｅεＳ２]*dＶ／ｄＣ−Ｃ２Ｖ／ｅεＳ２、３．ＷＤ＝Ｓε／[Ｃ+Ｖ*dＣ／dＶ]、４．ρ＝−[１／ｅεＳ２]*[Ｃ+Ｖ*dＣ／dＶ]３*［２dＣ／ｄＶ+Ｖ*d２Ｃ／ｄＶ２]−１【選択図】図４
2013175550.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極と、空乏層領域を形成可能な２つの異種層が積層された積層構造とを有し、これらの接合面の面積を面積Ｓとする半導体構造を備える半導体デバイスに対し、前記接合面を基準として前記２つの異種層のいずれかの厚み方向に伸長する前記空乏層領域の伸長幅を示す空乏層幅ＷＤと、前記空乏層幅ＷＤの前記空乏層領域におけるキャリア濃度ρ（ＷＤ）との関係を示すキャリアプロファイルを解析するキャリアプロファイル解析方法であって、
前記電極に電圧Ｖを印加する電圧印加ステップと、
前記電圧Ｖの印加に基づき、前記半導体デバイスの容量Ｃを測定する容量測定ステップと、
前記面積Ｓ、前記空乏層幅ＷＤの前記異種層の形成材料により決定される誘電率ε、前記電圧Ｖ及び前記容量Ｃから、前記空乏層幅ＷＤを次式（１）及び（３）のいずれかに基づき算出し、前記キャリア密度ρ（ＷＤ）を次式（２）及び（４）のいずれかに基づき算出するキャリアプロファイル算出ステップと、を有することを特徴とするキャリアプロファイル解析方法。
ただし、次式（２）及び（４）中のｅは、電気素量を示す。
【数１】
2013175550.tif 000040
【数２】
2013175550.tif 000041
【請求項２】
キャリアプロファイル算出ステップが空乏層幅ＷＤを次式（３）に基づき算出するステップである請求項１に記載のキャリアプロファイル解析方法。
【数３】
2013175550.tif 000042
【請求項３】
キャリアプロファイル算出ステップがキャリア密度ρ（ＷＤ）を次式（４）に基づき算出するステップである請求項１から２のいずれかに記載のキャリアプロファイル解析方法。
【数４】
2013175550.tif 000043
【請求項４】
電極と、空乏層領域を形成可能な２つの異種層が積層された積層構造とを有し、これらの接合面の面積を面積Ｓとする半導体構造を備える半導体デバイスに対し、前記接合面を基準として前記２つの異種層のいずれかの厚み方向に伸長する前記空乏層領域の伸長幅を示す空乏層幅ＷＤと、前記空乏層幅ＷＤの前記空乏層領域におけるキャリア濃度ρ（ＷＤ）との関係を示すキャリアプロファイルを解析するキャリアプロファイル解析装置であって、
前記面積Ｓ、前記空乏層幅ＷＤの前記異種層の形成材料により決定される誘電率ε、前記電極を介して前記半導体デバイスに印加される電圧Ｖ及び前記電圧Ｖの印加に基づいて測定される前記半導体デバイスの容量Ｃの入力に基づき、前記空乏層幅ＷＤを次式（１）及び（３）のいずれかに基づき算出し、前記キャリア密度ρ（ＷＤ）を次式（２）及び（４）のいずれかに基づき算出するキャリアプロファイル算出手段と、を有することを特徴とするキャリアプロファイル解析装置。
ただし、次式（２）及び（４）中のｅは、電気素量を示す。
【数５】
2013175550.tif 000044
【数６】
2013175550.tif 000045
【請求項５】
キャリアプロファイル算出手段が空乏層幅ＷＤを次式（３）に基づき算出する請求項４に記載のキャリアプロファイル解析装置。
【数７】
2013175550.tif 000046
【請求項６】
キャリアプロファイル算出手段がキャリア密度ρ（ＷＤ）を次式（４）に基づき算出する請求項４から５のいずれかに記載のキャリアプロファイル解析装置。
【数８】
2013175550.tif 000047
【請求項７】
請求項１から４のいずれかに記載のキャリアプロファイル解析方法により算出された空乏層幅ＷＤ及びキャリア密度ρ（ＷＤ）に基づき、半導体デバイスの構造を設計することを特徴とする半導体デバイスの設計方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容量電圧法（ＣＶ法）を用いたキャリアプロファイル解析方法、キャリアプロファイル解析装置及び半導体デバイス設計方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の電気的特性の評価方法として、一般的にホール測定及び容量電圧法（ＣＶ法）が利用されている。前記ホール測定では、前記半導体中のキャリア濃度に加え、キャリア移動度が算出できるが、評価する対象の平均的な特性しか得ることができない。一方、前記ＣＶ法では、キャリア移動度は評価できないが前記キャリア濃度の膜厚方向におけるプロファイル（キャリアプロファイル）の評価が可能であり、更に電極がついた実デバイス状態で評価可能であるため広く利用されている。
【０００３】
近年では、前記半導体の作製に関し、微細加工技術の進展及び薄膜作製技術の向上に基づき、前記半導体のデバイス構造のより高度な最適化が求められている。そのため、どのような構造が最適であるのかの判断手法として、前記半導体の前記キャリアプロファイルを精密に評価する評価技術の確立が期待されている。
また、前記半導体を利用したデバイスである太陽電池についても同様に、高い変換効率を得るため、その構造の最適化が求められ、前記キャリアプロファイルの評価技術の確立が期待されている。
しかしながら、現在まで様々な標準を供給しているアメリカ国立標準技術研究所（ＮＩＳＴ）や独立行政法人産業技術総合研究所（ＡＩＳＴ）においては、前記半導体におけるドーピング濃度のプロファイル（例えば、Ｓｉ中のＢ濃度など）に関する標準は供給されているが、前記半導体中の前記キャリアプロファイルに関する標準が供給されておらず、前記キャリアプロファイルの評価に関する標準が存在しない状態である。
【０００４】
前記半導体デバイスに対する、これまでの前記ＣＶ法を用いた前記キャリアプロファイルの評価方法を一般的な太陽電池をモデル例に説明する。前記一般的な太陽電池の構造を図１に示す。
該図１に示される太陽電池５０は、裏面電極層１上に、ｐ型半導体層２、ｎ＋型半導体層３、窓層４がこの順で積層され、窓層４上に櫛状の表面電極層５が配されて構成される。該図１中の符号Ａは、ｐ型半導体層２とｎ＋型半導体層３のｐｎ接合面を示し、符号Ｓは、ｐｎ接合面Ａの面積と同等の面積を示し、図中、同面積である窓層４の太枠部分の面積として表示している。ＷＤは、ｐｎ接合面Ａを基準としてｐ型半導体層２の厚み方向に伸長する空乏層領域の空乏層幅を示す。
この太陽電池５０に対し、裏面電極層１と表面電極層５を介してＬＣＲメータを接続して、前記キャリアプロファイル測定用の電気回路を構成する。
前記ＬＣＲメータを調整し、太陽電池５０に電圧Ｖを印加すると、ｐｎ接合面Ａを含む周辺領域に空乏層領域が形成され、この空乏層領域における容量Ｃ（空乏層容量とも呼ばれる）が前記ＬＣＲメータで測定される。
即ち、図２に示す太陽電池のエネルギーダイアグラムに示すように、ｐ型半導体層２とｎ＋型半導体層３のｐｎ接合面Ａでは、ｐ型半導体層２のキャリアである正孔と、ｎ＋型半導体層のキャリアである電子とが再結合し、これら異種層の位置によってエネルギー準位が異なるバンドギャップが生じ、電気的に絶縁状態の空乏層領域が生じる。
【０００５】
ここで、空乏層領域における空乏層幅ＷＤと、キャリア密度ρ（ＷＤ）とは、これまで次式により求められている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００６】
【数１】
2013175550.tif 000003
ただし、これらの式中、εは、前記空乏層領域が形成される層の形成材料で決定される誘電率を示し、Ｓは、ｐｎ接合面の面積を示し、Ｃは、容量を示し、ｅは、電気素量を示し、Ｖは、印加電圧を示す。
【０００７】
よって、太陽電池５０における空乏層幅ＷＤと、該空乏層幅ＷＤの空乏層領域におけるキャリア密度ρ（ＷＤ）とは、太陽電池５０におけるｐｎ接合面Ａの面積Ｓと、空乏層幅ＷＤのｐ型半導体２の形成材料により決定されるεと、前記ＬＣＲメータから印加される電圧Ｖと、前記ＬＣＲメータで測定される容量Ｃとに基づいて、前記式から与えられ、これら空乏層幅ＷＤ及びキャリア密度ρ（ＷＤ）の関係で前記キャリアプロファイルを評価していた。
また、このキャリアプロファイル評価方法は、前記太陽電池に限らず、原理が共通するｐｎ接合の半導体デバイス、ショットキー接合の半導体デバイスの前記空乏層領域における前記キャリアプロファイルの評価についても、広く用いられている。
【０００８】
しかしながら、このキャリアプロファイル評価方法では、解析の簡便化のために物理モデルの単純化を行っており、正しい前記キャリアプロファイルを評価できない問題がある。
即ち、従来のキャリアプロファイル評価方法に用いられる前記式では、（１）容量の電圧による商（Ｃ／Ｖ）と微分容量（ｄＣ／ｄＶ）を同一視する仮定を行っており、また、（２）実際にはポテンシャル勾配があるにも関わらず、これがないとする平行平板コンデンサのモデルを利用した仮定を行っており、前記半導体デバイスが有する現実の前記キャリアプロファイルから乖離した前記キャリアプロファイルしか得られない問題がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｓ．Ｍ.ジィー著、「半導体デバイス」、初版、産業図書株式会社、平成１３年３月、ｐ.１６４−１７０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、太陽電池を含む半導体デバイスにおける精密なキャリアプロファイルを解析して、理想的な前記半導体デバイスを設計可能とするキャリアプロファイル解析方法、キャリアプロファイル解析装置、及び半導体デバイス設計方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  電極と、空乏層領域を形成可能な２つの異種層が積層された積層構造とを有し、これらの接合面の面積を面積Ｓとする半導体構造を備える半導体デバイスに対し、前記接合面を基準として前記２つの異種層のいずれかの厚み方向に伸長する前記空乏層領域の伸長幅を示す空乏層幅ＷＤと、前記空乏層幅ＷＤの前記空乏層領域におけるキャリア濃度ρ（ＷＤ）との関係を示すキャリアプロファイルを解析するキャリアプロファイル解析方法であって、前記電極に電圧Ｖを印加する電圧印加ステップと、前記電圧Ｖの印加に基づき、前記半導体デバイスの容量Ｃを測定する容量測定ステップと、前記面積Ｓ、前記空乏層幅ＷＤの前記異種層の形成材料により決定される誘電率ε、前記電圧Ｖ及び前記容量Ｃから、前記空乏層幅ＷＤを次式（１）及び（３）のいずれかに基づき算出し、前記キャリア密度ρ（ＷＤ）を次式（２）及び（４）のいずれかに基づき算出するキャリアプロファイル算出ステップと、を有することを特徴とするキャリアプロファイル解析方法。ただし、次式（２）及び（４）中のｅは、電気素量を示す。
【数２】
2013175550.tif 000004
【数３】
2013175550.tif 000005
＜２＞  キャリアプロファイル算出ステップが空乏層幅ＷＤを次式（３）に基づき算出するステップである前記＜１＞に記載のキャリアプロファイル解析方法。
【数４】
2013175550.tif 000006
＜３＞  キャリアプロファイル算出ステップがキャリア密度ρ（ＷＤ）を次式（４）に基づき算出するステップである前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のキャリアプロファイル解析方法。
【数５】
2013175550.tif 000007
＜４＞  電極と、空乏層領域を形成可能な２つの異種層が積層された積層構造とを有し、これらの接合面の面積を面積Ｓとする半導体構造を備える半導体デバイスに対し、前記接合面を基準として前記２つの異種層のいずれかの厚み方向に伸長する前記空乏層領域の伸長幅を示す空乏層幅ＷＤと、前記空乏層幅ＷＤの前記空乏層領域におけるキャリア濃度ρ（ＷＤ）との関係を示すキャリアプロファイルを解析するキャリアプロファイル解析装置であって、前記面積Ｓ、前記空乏層幅ＷＤの前記異種層の形成材料により決定される誘電率ε、前記電極を介して前記半導体デバイスに印加される電圧Ｖ及び前記電圧Ｖの印加に基づいて測定される前記半導体デバイスの容量Ｃの入力に基づき、前記空乏層幅ＷＤを次式（１）及び（３）のいずれかに基づき算出し、前記キャリア密度ρ（ＷＤ）を次式（２）及び（４）のいずれかに基づき算出するキャリアプロファイル算出手段と、を有することを特徴とするキャリアプロファイル解析装置。ただし、次式（２）及び（４）中のｅは、電気素量を示す。
【数６】
2013175550.tif 000008
【数７】
2013175550.tif 000009
＜５＞  キャリアプロファイル算出手段が空乏層幅ＷＤを次式（３）に基づき算出する前記＜４＞に記載のキャリアプロファイル解析装置。
【数８】
2013175550.tif 000010
＜６＞  キャリアプロファイル算出手段がキャリア密度ρ（ＷＤ）を次式（４）に基づき算出する前記＜４＞から＜５＞のいずれかに記載のキャリアプロファイル解析装置。
【数９】
2013175550.tif 000011
＜７＞  前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のキャリアプロファイル解析方法により算出された空乏層幅ＷＤ及びキャリア密度ρ（ＷＤ）に基づき、半導体デバイスの構造を設計することを特徴とする半導体デバイスの設計方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、従来技術における前記諸問題を解決することができ、太陽電池を含む半導体デバイスにおける精密なキャリアプロファイルを解析して、理想的な前記半導体デバイスを設計可能とするキャリアプロファイル解析方法、キャリアプロファイル解析装置、及び半導体デバイス設計方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】太陽電池の一般的な構造を示す図である。
【図２】太陽電池のエネルギーダイアグラムを示す説明図である。
【図３】実施例に係る太陽電池の構造を示す図である。
【図４】従来法によるキャリアプロファイルの解析結果と、本発明によるキャリアプロファイルの解析結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（キャリアプロファイル解析方法）
本発明のキャリアプロファイル解析方法は、電圧印加ステップと、容量測定ステップと、キャリアプロファイル算出ステップと、を有する。
【００１５】
＜解析対象となる半導体デバイス＞
前記キャリアプロファイル解析方法で解析対象となる半導体デバイスとしては、従来の前記ＣＶ法で解析対象とされる半導体デバイスの全てを含み、電極と、空乏層領域を形成可能な２つの異種層が積層された積層構造を有し、これらの接合面の面積を面積Ｓとする半導体構造を備える半導体デバイスが該当する。
前記キャリアプロファイル解析方法では、この半導体デバイスに対し、前記接合面を基準として前記２つの異種層のいずれかの厚み方向に伸長する前記空乏層領域の伸長幅を示す空乏層幅ＷＤと、前記空乏層幅ＷＤの前記空乏層領域におけるキャリア濃度ρ（ＷＤ）との関係を示すキャリアプロファイルを解析する。
【００１６】
より具体的な前記半導体デバイスとしては、前記接合面を基準として前記２つの異種層のいずれかの厚み方向に伸長する前記空乏層領域を形成可能な積層構造を有する限り特に制限はなく、例えば、片側段階接合（ｐ＋ｎ接合若しくはｐｎ＋接合）、ショットキー接合、ＭＯＳ接合を有する公知の半導体デバイスが該当し、また、ｐｎ接合、ショットキー接合を有する公知の太陽電池デバイスも、これに含まれる。
また、前記２つの異種層としては、ｐ型半導体層、ｐ＋型半導体層、ｎ型半導体層、ｎ＋型半導体層、金属層が挙げられ、これらの層の組み合わせにおいて、いずれか一方の層に前記空乏層領域が形成されるものが該当する。また、前記２つの異種層としては、同一組成の層であっても、当該層中に性質の異なる層が生ずる場合、例えば、同一組成の層中にｐ型半導体層とｎ＋型半導体層が生ずる場合には、これら性質の異なる層も含む。
つまり、前記キャリアプロファイル解析方法は、電圧印加時に単一層の前記空乏層幅のみが変化する場合に適用できる。従って、その単一層のキャリア分布が評価可能である。
なお、キャリア濃度が同程度のｐ層及びｎ層からなるｐｎ接合を有する半導体デバイスについては、電圧印加時にｐ層及びｎ層のそれぞれの厚み方向に前記空乏層が伸長するため、前記ＣＶ法と同様に解析の対象とならない。
【００１７】
＜電圧印加ステップ＞
前記電圧印加ステップは、前記半導体デバイスの前記電極に対して電圧Ｖを印加するステップである。これにより、前記２つの異種層のうち、少なくともいずれかの層に解析対象となる前記空乏層幅ＷＤを有する前記空乏層領域が生ずる。
前記電極に対して、前記電圧Ｖを印加する方法としては、特に制限はなく、前記電極に外部電源を接続することが挙げられる。
【００１８】
＜容量測定ステップ＞
前記容量測定ステップは、前記電圧Ｖの印加に基づき、前記半導体デバイスの容量Ｃを測定するステップである。
前記電圧Ｖの印加に基づく前記半導体デバイスの容量Ｃを測定する方法としては、特に制限はなく、前記電極に容量測定器を接続することが挙げられる。
前記電圧印加ステップ及び前記容量測定ステップを実施する好ましい方法としては、前記電極に公知のＬＣＲメータを接続し、該ＬＣＲメータから出力される電圧Ｖに基づき、前記半導体デバイスの前記空乏層領域が形成する容量Ｃを前記ＬＣＲメータで測定する方法が挙げられる。
【００１９】
＜キャリアプロファイル算出ステップ＞
前記キャリアプロファイル算出ステップは、前記面積Ｓ、前記空乏層幅ＷＤの前記異種層の形成材料により決定される誘電率ε、前記電圧Ｖ及び前記容量Ｃから、前記空乏層幅ＷＤを次式（１）及び（３）のいずれかに基づき算出し、前記キャリア密度ρ（ＷＤ）を次式（２）及び（４）のいずれかに基づき算出するステップである。ただし、次式（２）及び（４）中のｅは、電気素量を示す。
【数１０】
2013175550.tif 000012
【数１１】
2013175550.tif 000013
【００２０】
前記式（１）〜（４）に関し、前記従来のキャリアプロファイル解析方法では、前記空乏層領域における空乏層幅ＷＤと、キャリア密度ρ（ＷＤ）とを次のように求めている。
【００２１】
【数１２】
2013175550.tif 000014
ただし、前記（Ａ−１）において、Ｑは、前記空乏層中の電荷量を示す。
【００２２】
【数１３】
2013175550.tif 000015
【００２３】
【数１４】
2013175550.tif 000016
【００２４】
これらの式では、（１）容量の電圧による商（Ｃ／Ｖ）と微分容量（ｄＣ／ｄＶ）を同一視する仮定を行っており、また、（２）実際にはポテンシャル勾配があるにも関わらず、これがないとする平行平板コンデンサのモデルを利用した仮定を行っており、前記半導体デバイスが有する現実の前記キャリアプロファイルから乖離した前記キャリアプロファイルしか得られない。
【００２５】
そのため、先ず（１）容量の電圧による商（Ｃ／Ｖ）と微分容量（ｄＣ／ｄＶ）を同一視する仮定を排除した算出方法を検討し、以下の算出方法を得た。
【００２６】
【数１５】
2013175550.tif 000017
【００２７】
【数１６】
2013175550.tif 000018
【００２８】
【数１７】
2013175550.tif 000019
【００２９】
【数１８】
2013175550.tif 000020
【００３０】
【数１９】
2013175550.tif 000021
【００３１】
前記式（２）の右辺第１項は、従来の前記式（Ａ−２）と同様であるが、容量の電圧による商（Ｃ／Ｖ）と微分容量（ｄＣ／ｄＶ）を同一視する仮定を排除することで、前記式（２）の右辺第２項が追加される。
なお、前記空乏層幅ＷＤは、従来の前記式（１）による算出方法と同様にして算出される。
【００３２】
更に、（１）容量の電圧による商（Ｃ／Ｖ）と微分容量（ｄＣ／ｄＶ）を同一視する仮定と、（２）実際にはポテンシャル勾配があるにも関わらず、これがないとする平行平板コンデンサのモデルを利用した仮定のそれぞれの仮定を排除した算出方法を検討し、以下の算出方法を得た。
【００３３】
【数２０】
2013175550.tif 000022
【００３４】
【数２１】
2013175550.tif 000023
【００３５】
ただし、前記式（Ｃ−２）中、φｎは、電圧Ｖ印加時の前記接合面を基準とした、前記空乏層領域が形成されるｎ型バルク中の静電ポテンシャルを示し、φｎ０は、ゼロバイアス時の前記接合面を基準とした、前記空乏層領域が形成されるｎ型バルク中の静電ポテンシャルを示し、Ｅは、前記空乏層中の電界を表す。
なお、前記（Ｃ−２）式では、ｐ＋ｎ接合を想定し、電圧Ｖの印加によるｎ型半導体層中での静電ポテンシャル変化を示しているが、前記φｎ及び前記φｎ０を前記空乏層領域が形成されるバルク中の静電ポテンシャルに変更することで、前記ｐｎ＋接合におけるｐ型半導体層中の静電ポテンシャル変化や、ショットキー接合、ＭＯＳ接合におけるｐ型半導体層又はｎ型半導体層中の静電ポテンシャル変化でも、同様に式変形を行うことができる。
この式（Ｃ−２）において、Ｅ（ＷＤ）＝０であるので、第１項を消去すると、微分のガウス法則より、
【００３６】
【数２２】
2013175550.tif 000024
であるから、
【００３７】
【数２３】
2013175550.tif 000025
となる。
【００３８】
【数２４】
2013175550.tif 000026
【００３９】
【数２５】
2013175550.tif 000027
【００４０】
【数２６】
2013175550.tif 000028
【００４１】
【数２７】
2013175550.tif 000029
より、
【００４２】
【数２８】
2013175550.tif 000030
【００４３】
【数２９】
2013175550.tif 000031
前記式（Ｃ−９）に前記式（Ｃ−１０）を代入すると、
【００４４】
【数３０】
2013175550.tif 000032
したがって、
【００４５】
【数３１】
2013175550.tif 000033
また、
【００４６】
【数３２】
2013175550.tif 000034
であるから、
【００４７】
【数３３】
2013175550.tif 000035
【００４８】
前記式（３）では、従来の前記式（１）と、分母が異なって表現される。また、前記式（４）では、従来の前記式（Ａ−２）と右辺全体が異なって表現される。
より精密に前記キャリアプロファイルを解析するためには、（１）容量の電圧による商（Ｃ／Ｖ）と微分容量（ｄＣ／ｄＶ）を同一視する仮定と、（２）平行平板コンデンサのモデルを利用した仮定とを排除して導出した前記式（３）、（４）により、前記空乏層領域における空乏層幅ＷＤと、キャリア密度ρ（ＷＤ）とを算出することが好ましい。
【００４９】
なお、前記式（２）、（３）、（４）中のｄＣ／ｄＶとしては、このまま計算することができないため、特に制限はないが、電圧Ｖの差分（ΔＶ）及び容量Ｃの差分（ΔＣ）を利用した差分商ΔＣ／ΔＶとして取扱うことが好ましい。また、前記式（４）中のｄ２Ｃ／ｄＶ２については、前記差分商ΔＣ／ΔＶのスプラインフィットを行い、そのフィッティング関数を微分することにより算出することが好ましい。
【００５０】
（キャリアプロファイル解析装置）
本発明のキャリアプロファイル解析装置は、電極と、空乏層領域を形成可能な２つの異種層が積層された積層構造とを有し、これらの接合面の面積を面積Ｓとする半導体構造を備える半導体デバイスに対し、前記接合面を基準として前記２つの異種層のいずれかの厚み方向に伸長する前記空乏層領域の伸長幅を示す空乏層幅ＷＤと、前記空乏層幅ＷＤの前記空乏層領域におけるキャリア濃度ρ（ＷＤ）との関係を示すキャリアプロファイルを解析するキャリアプロファイル解析装置であって、前記面積Ｓ、前記空乏層幅ＷＤの前記異種層の形成材料により決定される誘電率ε、前記電極を介して前記半導体デバイスに印加される電圧Ｖ及び前記電圧Ｖの印加に基づいて測定される前記半導体デバイスの容量Ｃの入力に基づき、前記空乏層幅ＷＤを次式（１）及び（３）のいずれかに基づき算出し、前記キャリア密度ρ（ＷＤ）を次式（２）及び（４）のいずれかに基づき算出するキャリアプロファイル算出手段と、を有する。ただし、次式（２）及び（４）中のｅは、電気素量を示す。
【００５１】
【数３４】
2013175550.tif 000036
【００５２】
【数３５】
2013175550.tif 000037
【００５３】
前記キャリアプロファイル算出手段の構成としては、特に制限はないが、前記式（１）〜（４）の数式を記憶する記憶部と、前記面積Ｓ、前記誘電率ε、前記電気素量ｅ、前記電圧Ｖ及び前記容量Ｃの数値を入力する入力部と、これらの数値の入力に基づき、前記式（１）〜（４）の数式処理を行って、前記空乏層幅ＷＤ及び前記キャリア濃度ρ（ＷＤ）を算出する演算処理部とを有する構成が挙げられる。
【００５４】
本発明のキャリアプロファイル解析装置は、前記キャリアプロファイル解析方法における前記キャリアプロファイル算出ステップを実行するものであり、前記キャリアプロファイル算出手段以外については、前記キャリアプロファイル解析方法について説明した事項を適用することができる。
【００５５】
また、前記キャリアプロファイル算出手段としても、前記キャリアプロファイル解析方法について説明したように、より精密に前記キャリアプロファイルを解析するため、（１）容量の電圧による商（Ｃ／Ｖ）と微分容量（ｄＣ／ｄＶ）を同一視する仮定と、（２）平行平板コンデンサのモデルを利用した仮定とを排除して導出した前記式（３）、（４）により、前記空乏層領域における空乏層幅ＷＤと、前記キャリア密度ρ（ＷＤ）とを算出することが好ましい。
【００５６】
また、前記キャリアプロファイル解析方法について説明したように、前記式（２）、（３）、（４）中のｄＣ／ｄＶとしては、電圧Ｖの差分（ΔＶ）及び容量Ｃの差分（ΔＣ）を利用した差分商ΔＣ／ΔＶとして取扱うことが好ましく、また、前記式（４）中のｄ２Ｃ／ｄＶ２については、前記差分商ΔＣ／ΔＶのスプラインフィットを行い、そのフィッティング関数を微分することにより算出することが好ましく、前記キャリアプロファイル算出手段としては、このような数式処理を行うことが好ましい。
【００５７】
（半導体デバイス設計方法）
本発明の半導体デバイス設計方法は、前記キャリアプロファイル解析方法により算出された空乏層幅ＷＤ及びキャリア密度ρ（ＷＤ）に基づき、半導体デバイスの構造を設計する方法である。
【００５８】
ここで、前記キャリア密度ρ（ＷＤ）の理想的な数値は、前記半導体デバイスの種類ごとに異なる。例えば、太陽電池デバイスの場合ｐｎ＋接合を利用した場合、ｐ層が吸収層になり、そのキャリアプロファイルの制御が必要である。また、制御が可能な範囲でのキャリアプロファイルに基づいて、吸収層の膜厚の設定が必要である。前記吸収層の膜厚を増大させることにより、多くの光を吸収することができるが、増大させすぎると直列抵抗の増大により前記太陽電池デバイスの性能劣化を招く。また、製造コスト、材料コストの増加につながるため最適な膜厚設定が必要である。
例えば、ＣＩＧＳ太陽電池の吸収係数は、２×１０４ｃｍ−１程度であるので、９８％以上の光を吸収するには膜厚が２．０μｍ程度、もしくはそれ以上必要である。また、前記ＣＩＧＳ太陽電池の正孔濃度ρ（ＷＤ）に関し、通常、制御可能な濃度領域は、１×１０１５〜１×１０１７ｃｍ−３程度である。更に、前記吸収層中の電子の拡散長は、１．０μｍ程度である。このような条件では、熱平衡時（Ｖ＝０）の前記空乏層幅ＷＤは、吸収層の膜厚は吸収に必要な２．０μｍから拡散長の１．０μｍを差し引いた１．０μｍ程度であればよい。
したがって、同条件下の前記正孔濃度ρ（ＷＤ）としては、熱平衡時の前記空乏層幅が約１．０μｍである、１．０ｘ１０１５ｃｍ−３が最適値である。正孔濃度の上昇は、熱平衡時の空乏層幅の減少につながり、実質的な吸収膜厚の減少につながる。例えば、熱平衡時の空乏層が０．５μｍであれば、電子の拡散長１．０μｍとの和の１．５μｍが実質的な吸収領域となる。太陽光の吸収率の減少が３％まで許容であるとすると、空乏層幅が約０．５μｍである正孔濃度約４．５×１０１５ｃｍ−３までが許容である。
よって、前記ＣＩＧＳ太陽電池においては、熱平衡時の前記空乏層幅ＷＤが０．５μｍ〜１．０μｍ程度であり、従って、前記正孔濃度ρ（ＷＤ）としては、１．０ｘ１０１５ｃｍ−３〜４．５×１０１５ｃｍ−３程度であることが好ましい。
【００５９】
このように、前記キャリアプロファイルの制御及び評価を最適に実施することは、前記太陽電池デバイス、更にはこれ以外の半導体デバイスにとって重要な課題である。
そして、前記本発明のキャリアプロファイル解析方法では、前記キャリアプロファイルの制御及び評価を最適に実施することができ、更には、前記キャリアプロファイル解析方法により解析される前記空乏層幅ＷＤ及び前記キャリア密度ρ（ＷＤ）の数値に基づき、前記半導体デバイスの構造（例えば、前記異種層の厚み、形成材料、形成方法及びこれに含まれる不純物のドーピング濃度など）を変更して、前記好ましい数値範囲に属するような再設計を行えば、理想的な半導体デバイスを設計することができる。
【実施例】
【００６０】
（太陽電池の作製）
図３に示す構造を有するＣＩＧＳ太陽電池１００を以下のように作製した。
先ず、青板ガラス基板１０１上に、スパッタリング装置を用い、モリブデン（Ｍｏ）をターゲットとしたスパッタリングを行って、厚みが０．８μｍのＭｏで構成される裏面電極１０２を形成した。
次いで、裏面電極１０２上に、真空蒸着装置を用い、３段階法により、厚みが２μｍのＣｕＩｎＧａＳｅ２で構成される光吸収層１０３を形成した。
次いで、光吸収層１０３上に、化学析出法を用い、厚みが５０ｎｍのＣｄＳで構成されるバッファー層１０４を形成した。
次いで、バッファー層１０４上に、スパッタリング装置を用い、厚みが０．１μｍのＺｎＯで構成される半絶縁層１０５を形成した。
次いで、半絶縁層１０５上に、スパッタリング装置を用い、厚みが０．６μｍのＺｎＯで構成される窓層１０６を形成した。
次いで、窓層１０６上に、真空蒸着装置を用い、ＭｇＦ２の反射防止膜１０７を形成した。
また、窓層１０６上に、スパッタリング装置を用い、Ａｌの表面電極１０８を形成した。
以上により、キャリアプロファイルの解析対象となるＣＩＧＳ太陽電池１００を作製した。
このＣＩＧＳ太陽電池では、ＣＩＧＳの光吸収層１０３がｐ型半導体層として一旦形成されるが、ＣＩＧＳの最表面側（ＣｄＳのバッファー層１０４側）の５０ｎｍ程度は、その後に積層するＣｄＳのバッファー層１０４からのＣｄ拡散によりｎ型化し、このｐｎ接合面を含む周辺領域に空乏層領域が形成される。なお、このＣＩＧＳの光吸収層１０３中のｎ型半導体層は、電子濃度が光吸収層１０３のｐ型半導体層に比較して非常に大きい（１×１０１７ｃｍ−３程度）ため、熱平衡時における、その空乏層幅は、ｐ型半導体層の空乏層幅に比べて小さく無視できる。
また、ここでは、ＣＩＧＳの光吸収層１０３のｐｎ界面（光吸収層１０３中のｎ型半導体層（ｎ＋型半導体層）とｐ型半導体層とを異種層としてみたときのこれらの界面）を接合面とし、この接合面を基準としてｐ型半導体層（光吸収層１０３）の厚み方向に伸長する前記空乏層領域の伸長幅を示す空乏層幅ＷＤと、前記空乏層幅ＷＤの前記空乏層領域におけるキャリア濃度ρ（ＷＤ）との関係を示すキャリアプロファイルを解析する。
【００６１】
（キャリアプロファイルの解析）
ＣＩＧＳ太陽電池１００に対し、裏面電極１０２と表面電極１０８を介してＬＣＲメータ（アジレント社製、Ｅ４９８０Ａ）を接続した。
遮光状態のＣＩＧＳ太陽電池１００に対して、前記ＬＣＲメータからＡｌ電極を基準にＭｏ電極に電圧Ｖを印加し、このときのＣＩＧＳ太陽電池１００の容量Ｃを測定した。
電圧Ｖ値を正負に掃引し、空乏層幅ＷＤを変化させた状態についての電圧Ｖの値に応じた容量Ｃの値を取得した。
なお、ＣＩＧＳ太陽電池１００の前記接合面における面積Ｓは、５．８２×１０−５ｍ２であり、また、ＣＩＧＳの比誘電率εｒ（ε＝εｒ×ε０、εは誘電率、ε０は真空の誘電率）は１３．５とした。
【００６２】
＜従来法によるキャリアプロファイルの解析＞
前述の電圧Ｖ、容量Ｃ、面積Ｓ及び誘電率εの各値をもとに、次式に基づく、空乏層幅ＷＤとキャリア濃度ρ（ＷＤ）を算出した。
なお、算出は、市販のパーソナルコンピュータに次式に基づく算出処理を行うプログラムを組み込み、これを実行させることで行うこととした。
また、次式に基づく算出処理にあたっては、次式中のｄＣ／ｄＶを、電圧Ｖの差分（ΔＶ）及び容量Ｃの差分（ΔＣ）を利用した差分商ΔＣ／ΔＶとして取扱った。また、電気素量ｅは、１．６０２×１０−１９Ｃとして取扱った。
【００６３】
【数３６】
2013175550.tif 000038
これにより、電圧Ｖの値に応じて変化する空乏層幅ＷＤと、この空乏層幅ＷＤの空乏層領域におけるキャリア濃度ρ（ＷＤ）を算出し、電圧Ｖの値ごとの空乏層幅ＷＤ及びキャリア濃度ρ（ＷＤ）からなるキャリアプロファイルを解析した。
なお、ＬＣＲメータにより得られた容量は、測定装置及びデバイス形状に応じた寄生容量を差し引き補正することにより、空乏層による容量Ｃとして取り扱った。
【００６４】
＜本発明によるキャリアプロファイルの解析＞
前述の電圧Ｖ、容量Ｃ、面積Ｓ及び誘電率εの各値をもとに、次式（３）、（４）に基づく、空乏層幅ＷＤとキャリア濃度ρ（ＷＤ）を算出した。
なお、算出は、市販のパーソナルコンピュータに次式（３）、（４）に基づく算出処理を行うプログラムを組み込み、これを実行させることで行うこととした。
また、次式（３）、（４）に基づく算出処理にあたっては、次式（３）、（４）中のｄＣ／ｄＶを、電圧Ｖの差分（ΔＶ）及び容量Ｃの差分（ΔＣ）を利用した差分商ΔＣ／ΔＶとして取扱った。また、次式（４）中のｄ２Ｃ／ｄＶ２については、前記差分商ΔＣ／ΔＶのスプラインフィットを行い、そのフィッティング関数を微分することにより算出することとした。また、電気素量ｅは、１．６０２×１０−１９Ｃとして取扱った。
なお、ＬＣＲメータにより得られた容量は測定装置およびデバイス形状に応じた寄生容量を差し引き補正することにより、空乏層による容量Ｃとして取り扱った。
【００６５】
【数３７】
2013175550.tif 000039
これにより、電圧Ｖの値に応じて変化する空乏層幅ＷＤと、この空乏層幅ＷＤの空乏層領域におけるキャリア濃度ρ（ＷＤ）を算出し、電圧Ｖの値ごとの空乏層幅ＷＤ及びキャリア濃度ρ（ＷＤ）からなるキャリアプロファイルを解析した。
【００６６】
従来法によるキャリアプロファイルの解析結果と、本発明によるキャリアプロファイルの解析結果を図４に示す。図４中、従来法におけるキャリアプロファイルの解析結果をＯｌｄ  Ｍｅｔｈｏｄとして示し、本発明によるキャリアプロファイルの解析結果をＮｅｗ  Ｍｅｔｈｏｄとして示している。
この図４から理解されるように、従来法におけるキャリアプロファイルの解析結果では、本発明によるキャリアプロファイルの解析結果に比べて、キャリア濃度を大きく評価している（例えば、空乏層幅ＷＤ（Ｄｅｐｔｈ）が８００ｎｍのときに、キャリア濃度が２倍以上）。
また、従来法におけるキャリアプロファイルの解析結果では、本発明によるキャリアプロファイルの解析結果に比べて、空乏層幅ＷＤ（Ｄｅｐｔｈ）の評価領域が狭くなっている（空乏層幅ＷＤが１，０００ｎｍ未満であると評価）。
そのため、従来法におけるキャリアプロファイルの解析結果では、太陽電池１００のキャリアプロファイルを精密に評価できていない。
以上のように、本発明のキャリアプロファイル解析方法によれば、現実に対応していない仮定を排除（より少ない仮定を利用）することで、より精密な前記キャリアプロファイルの評価が可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１    裏面電極層
２    ｐ型半導体層
３    ｎ＋型半導体層
４    窓層
５    表面電極
５０    太陽電池
１００    ＣＩＧＳ太陽電池
１０１    青板ガラス
１０２    裏面電極
１０３    光吸収層
１０４    バッファー層
１０５    半絶縁層
１０６    窓層
１０７    反射防止膜
１０８    表面電極
ＷＤ    空乏層幅
Ｓ    面積
Ａ    ｐｎ接合面
【図１】
2013175550.tif 000048
【図２】
2013175550.tif 000049
【図３】
2013175550.tif 000050
【図４】
2013175550.tif 000051