(57)【要約】【課題】バンプを使用せずに基板上に半導体チップが実装された電子部品を提供する。【解決手段】異方性導電部材１０５には、開口部１１１の縁における保護膜１０３と接続パッド部１０２との間の段差よりも大きい径を有する略球形状の、複数の導電体１０６が全体に分散して含まれており、接続パッド部１０２の露出した部分とリード配線１２０とが導電体１０６の上下で少なくとも接触するまで近づけられた構成とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続パッド部および該接続パッド部の少なくとも一部を露出する開口部を有する保護膜が表面に形成された半導体チップと、リード配線が表面に配設された基板とを備え、
上記半導体チップと上記基板とは、上記接続パッド部の保護膜から上記開口部を通して露出した部分と上記リード配線とが向き合うように対面した状態で、少なくとも上記接続パッド部の露出した部分を被覆する異方性導電部材を介して接着固定された電子部品において、
上記異方性導電部材には、上記開口部の縁における上記保護膜と上記接続パッド部との間の段差よりも大きい径を有する略球形状の、複数の導電体が全体に分散して含まれており、
上記接続パッド部の露出した部分と上記リード配線とは、それぞれ上記導電体に接触していることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
接続パッド部および該接続パッド部の少なくとも一部を露出する開口部を有する保護膜が表面に形成された半導体チップと、リード配線が表面に均一な厚みで配設された基板とを備え、
上記半導体チップと上記基板とは、上記接続パッド部の保護膜から上記開口部を通して露出した部分と上記リード配線とが向き合うように対面した状態で、少なくとも上記接続パッド部の露出した部分を被覆する異方性導電部材を介して接着固定された電子部品において、
上記開口部は、上記保護膜が上記リード配線と重ならないように設けられており、
上記異方性導電部材には、略球形状の、複数の導電体が全体に分散して含まれており、
上記接続パッド部の露出した部分と上記リード配線とは、それぞれ上記導電体に接触していることを特徴とする電子部品。
【請求項３】
上記異方性導電部材は、光または熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
【請求項４】
上記異方性導電部材は、両面粘着性のフィルムであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項５】
上記異方性導電部材は、上記半導体チップを封止することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
接続パッド部および該接続パッド部の少なくとも一部を露出する開口部を有する保護膜が表面に形成された半導体チップと、リード配線が表面に配設された基板とを備え、上記半導体チップと上記基板とは、上記接続パッド部の保護膜から上記開口部を通して露出した部分と上記リード配線とが向き合うように対面した状態で、少なくとも上記接続パッド部の露出した部分を被覆する異方性導電部材を介して接着固定された電子部品の製造方法において、
上記半導体チップの上記接続パッド部が保護膜から露出した部分と上記基板の上記リード配線とが向き合うように対面させた上記半導体チップと上記基板との間に、上記開口部の縁における上記保護膜と上記接続パッド部との間の段差よりも大きい径を有する略球形状の複数の導電体が全体に分散して含まれている異方性導電部材を配置する異方性導電部材配置ステップと、
上記接続パッド部の露出した部分と上記リード配線とが上記導電体に少なくとも接触するまで、上記異方性導電部材を上記半導体チップおよび上記基板に圧着する圧着ステップとを含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項７】
接続パッド部および該接続パッド部の少なくとも一部を露出する開口部を有する保護膜が表面に形成された半導体チップと、リード配線が均一な厚みで表面に配設された基板とを備え、上記半導体チップと上記基板とは、上記接続パッド部の保護膜から上記開口部を通して露出した部分と上記リード配線とが向き合うように対面した状態で、少なくとも上記接続パッド部の露出した部分を被覆する異方性導電部材を介して接着固定された電子部品の製造方法において、
上記開口部を、上記保護膜が上記リード配線と重ならないように設ける開口ステップと、
上記半導体チップの上記接続パッド部が保護膜から露出した部分と上記基板の上記リード配線とが向き合うように対面させた上記半導体チップと上記基板との間に、略球形状の複数の導電体が全体に分散して含まれている異方性導電部材を配置する異方性導電部材配置ステップと、
上記接続パッド部の露出した部分と上記リード配線とが上記導電体に少なくとも接触するまで、上記異方性導電部材を上記半導体チップおよび上記基板に圧着した状態で上記半導体チップと基板とを接着固定する圧着ステップとを含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】
上記異方性導電部材は、光または熱硬化性樹脂であり、
上記圧着ステップで上記異方性導電部材を上記半導体チップおよび基板に圧着した状態で、上記異方性導電部材を硬化させる硬化ステップをさらに含むことを特徴とする請求項６または７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
上記硬化ステップで上記異方性導電部材が上記半導体チップを封止するように、上記異方性導電部材配置ステップにて、上記半導体チップと上記基板との間に上記異方性導電部材を配置することを特徴とする請求項８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
上記異方性導電部材は、フィルム状であることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インナーリードを備えたフィルム基材等の基板上に半導体チップが実装された電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置などに使用される駆動用集積回路は、フレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuits）に直接フェイスダウンボンディングする、ＣＯＦ（Chip On Film）と呼ばれる形態で供給されている。
【０００３】
ＦＰＣは、銅箔等の金属配線とポリイミド等の耐熱性テープとを貼り合わせたテープ材を成形して作製される。例えば、液晶表示装置では、ＦＰＣに駆動用集積回路を実装し、次に液晶パネルと該ＦＰＣとの接続を行うことによって、液晶表示装置が製造される。ＦＰＣは折り曲げが容易であるため、ＦＰＣを使用することによって、液晶表示装置の狭額縁化を行うことができる。
【０００４】
図１１（ａ）、（ｂ）および図１２（ａ）、（ｂ）に、フィルム基材にチップを搭載した、ＣＯＦによる従来の半導体装置８００、７００の例をそれぞれ示す。図１１（ａ）および図１２（ａ）はＣＯＦの平面図であり、図１１（ｂ）および図１２（ｂ）は、図１１（ａ）および図１２（ａ）中に示した破線Ｐ−Ｐ´および破線Ｏ−Ｏ´における断面図である。
【０００５】
図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体装置８００は、フィルム基材８１３とチップ８０１とを備え、フィルム基材８１３には銅配線８１１ａ、８１１ｂが配設されており、その銅配線８１１ａ、８１１ｂとチップ８０１に形成した回路とを、バンプ８１０を介して接続した構造である。すなわち、チップ８０１の回路とフィルム基材８１３に配設された配線８１１ａ、８１１ｂとが、電気的に接続されており、信号を導通することができるようになっている。ここでは、図１１（ａ）、（ｂ）に示す半導体装置８００について説明したが、図１２（ａ）、（ｂ）に示す半導体装置７００についても同様である。
【０００６】
図１３〜１５を用いて、従来の半導体装置９００について説明する。
【０００７】
図１３は、インナーリード９２０が配設されたテープ９１２（図１５参照）の上に、チップ９０１（図１５参照）が搭載された半導体装置９００について、テープ９１２を通してチップ９０１を透視した平面図である。図１３のように、チップ９０１の表面には、保護膜９０３（図１５）が形成されており、テープ９１２に配設されたインナーリード９２０とチップ９０１に設けられた（チップ９０１に形成された回路に繋がる）接続パッド部９０２とが、バンプ９３０を介して接続されている。
【０００８】
図１５は、図１３の破線Ｑ−Ｑ´における半導体装置９００の断面図である。同図の通り、チップ９０１は半導体基板９０１´に配線９５０、接続パッド部９０２が形成され、これらを被覆する保護膜９０３のうち接続パッド９０２に対応する位置に開口部９１１が設けられた構成である。また、フィルム基材９１０はテープ９１２の上にインナーリード９２０が配設された構成である。前述のように、テープ９１２に配設されたインナーリード９２０と、チップ９０１上に形成された接続パッド部９０２とが、バンプ９３０を介して接続していることが分かる。
【０００９】
半導体装置９００の製造方法について、図１５と同位置における断面図である図１４の（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。なお、以下の説明において、ダイシング処理前のウエハ状態のものを「半導体基板９０１ａ´」「チップ９０１ａ」と記し、ダイシング処理後の個片状態のものを「半導体基板９０１´」「チップ９０１」と記す。
【００１０】
図１４の（ａ）は、トップメタルを配置する前の状態の半導体基板９０１ａ´を示している。
【００１１】
次に、図１４の（ｂ）に示すように、半導体基板９０１ａ´の表面に、トップメタルにて、接続パッド部９０２と配線９５０とを形成する。
【００１２】
つづいて、図１４の（ｃ）のように、半導体基板９０１ａ´の接続パッド部９０２を設けた側の表面に保護膜９０３を形成するとともに、接続パッド部９０２に対応する位置に開口部９１１を設ける。
【００１３】
さらに、図１４の（ｄ）のように、開口部９１１によって露出した接続パッド部９０２を被覆するように、バンプ９３０を形成する。
【００１４】
以上で、ウエハ状態のチップ９０１ａが完成する。
【００１５】
次に、ダイシング処理を行うことで、ウエハ状態のチップ９０１ａを個々のチップ９０１に分割する。そして、以下のように、バンプ９３０を介して、チップ９０１の接続パッド部９０２と、フィルム基材９１０（テープ９１２にインナーリード９２０が配設された基材）のインナーリード９２０との接続を行う。
【００１６】
図１４の（ｅ）のように、チップ９０１をフェイスダウン状態（チップ９０１の接続パッド部９０２が形成された面を下にした状態）にして、インナーリード９２０と接続パッド部９０２上に形成したバンプ９３０との位置合わせを行い、バンプ９３０をインナーリード９２０に熱圧着する。すると、バンプ９３０とインナーリード９２０の錫メッキとで共晶が形成され、接続パッド部９０２とインナーリード９２０とが接続される。
【００１７】
バンプ９３０とインナーリード９２０とを接続した後、図１５のように、フィルム基材９１０とチップ９０１との間において、バンプ９３０が形成されていない部分の全体に、アンダーフィル材９４０（封止樹脂）を充填すると、半導体装置９００が完成する。
【００１８】
このように、ＣＯＦの例である半導体装置９００では、バンプ９３０を介して、インナーリード９２０と、接続パッド部９０２との接続を行う。そのため、接続パッド部９０２およびインナーリード９２０を接続するためのバンプ９３０を、接続パッド部９０２に設ける必要がある。しかし、バンプ９３０は例えば金を材料とする金バンプであって、高価であるため製造コストを増大させる。また、半導体装置９００は、接続パッド部およびインナーリードを複数有しているため、接続パッド部９０２ごとにそれぞれバンプ９３０を形成してから、それぞれの接続パッド部９０２とインナーリード９２０とを接続する必要がある。そのため、多くの接続パッド部９０２を有する半導体装置９００では、バンプ９３０の形成数が多いことから工程が煩雑になる。
【００１９】
そこで、特許文献１には、図１６に示すように、チップ１００１のボンディングパッド部（接続パッド部）１００２と配線基板（ＦＰＣ）１００８の配線１０１０とを、異方性導電フィルム１００９で接合および接着固定する技術が開示されている。この技術によれば、配線１０１０の位置に形成したバンプ１００７と、チップ１００１のボンディングパッド部１００２とが、異方性導電フィルム１００９を介して接続される。
【００２０】
ここで、異方性導電フィルム１００９は、複数の微細な導電性粒子１００６を含有する絶縁性の樹脂である。異方性導電フィルム１００９を介してチップ１００１と配線基板１００８とを接合し、圧着すると、異方性導電フィルム１００９に含まれる導電性粒子１００６が、チップ１００１と配線基板１００８との間、詳細にはボンディングパッド部１００２と配線１０１０とによって両端から挟まれる。こうすることで、チップ１００１から配線基板１００８の方向には導通するので、ボンディングパッド部１００２から配線１０１０に電気を通す。一方、それと垂直な方向には、導電性粒子１００６同士の間に絶縁性の樹脂が介在することから電気を通さない。
【００２１】
すなわち、異方性導電フィルム１００９は、圧着することによって電気的な異方性を持つものであり、これを介して配線基板１００８とチップ１００１との接合を行うことによって、ボンディングパッド部１００２にはバンプを形成することなく、配線１０１０と、ボンディングパッド部１００２に形成したバンプ１００７とを電気的に接続することができる。さらに、配線１０１０とバンプ１００７との接合は、一つずつ行う必要はなく、配線基板１００８にそれぞれバンプ１００７を予め形成しておき、チップ１００１と配線基板１００８との間に異方性導電フィルム１００９を挟んで圧着することによって、複数の配線１０１０とバンプ１００７を一括して接合することができる。従って、前述の半導体装置９００と比較して、工数を削減することができる。また、半導体装置９００のように、ボンディングパッド部１００２にバンプを形成することがないので、当該バンプの形成工程が不要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２２】
【特許文献１】日本国特許  第２９１９９７６号公報（１９９９年４月２３日登録）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
しかしながら、特許文献１に開示された半導体装置１０００では、チップ１００１側（ボンディン部パッド部１００２）にはバンプを形成する必要はないものの、配線基板１００８側（配線１０１０）にはバンプ１００７を形成しており、バンプ１００７の材料コストおよびバンプ１００７形成のための工程はなお必要であるという問題がある。
【００２４】
本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、その目的は、バンプを使用せずに基板上に半導体チップが実装された電子部品およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
上記課題を解決するために、本発明に係る電子部品は、接続パッド部および該接続パッド部の少なくとも一部を露出する開口部を有する保護膜が表面に形成された半導体チップと、リード配線が表面に配設された基板とを備え、上記半導体チップと上記基板とは、上記接続パッド部の保護膜から上記開口部を通して露出した部分と上記リード配線とが向き合うように対面した状態で、少なくとも上記接続パッド部の露出した部分を被覆する異方性導電部材を介して接着固定された電子部品において、上記異方性導電部材には、上記開口部の縁における上記保護膜と上記接続パッド部との間の段差よりも大きい径を有する略球形状の、複数の導電体が全体に分散して含まれており、上記接続パッド部の露出した部分と上記リード配線とは、それぞれ上記導電体に接触していることを特徴としている。
【００２６】
上記特徴によれば、接続パッド部とリード配線とは、それぞれ導電体に接触している。すなわち、接続パッド部とリード配線とは、導電体を介して電気的に接続している。従って、リード配線にバンプを形成する必要がない。
【００２７】
また、上記特徴によれば、異方性導電部材には、開口部の縁における保護膜と接続パッド部との間の段差よりも大きい径を有する略球形状の、複数の導電体が全体に分散して含まれている。すなわち、上記導電体は、径が保護膜と接続パッド部との間の段差よりも大きいので、接続パッド部に接触させるように上記導電体を置いたとき、導電体のリード配線側の頂部が保護膜の表面よりもリード配線の表面に近くなる。
【００２８】
異方性導電材料を半導体チップおよび基板に圧着するとき、接続パッド部とリード配線との間隔が狭まると同時に保護膜とリード配線との間隔も狭まってゆく。このとき、上述のことから、保護膜とリード配線とが接触するよりも必ず先に、リード配線と接続パッド部とがそれらの間にある導電体の両端に接触して、導電体を挟む形になる。従って、異方性導電部材の圧着を行ったときに、リード配線と接続パッド部とがその間にある導電体に接触する前に、保護膜とリード端子部が接触してしまってそれ以上間隔を狭めることができなくなり、リード配線と接続パッド部とが導電体に接触できないということがない。ゆえに、リード配線と接続パッド部とが導電体を介して接続できず導通されないということがなく、リード配線と接続パッド部とは導電体を介して確実に導通される。
【００２９】
従って、バンプを使用せずに、接続パッド部とリード配線とを確実に導通させることができる。また、導電体が接続パッド部およびリード配線に挟まれて変形するまで異方性導電部材の圧着を行えば、導電体と接続パッド部の接触面積および導電体とリード配線の接触面積が広くなるため、接続パッド部およびリード配線が異方性導電部材と単に接触するまで圧着する場合よりも接続抵抗を低くすることができる。
【００３０】
また、本発明に係る電子部品は、接続パッド部および該接続パッド部の少なくとも一部を露出する開口部を有する保護膜が表面に形成された半導体チップと、リード配線が均一な厚みで表面に配設された基板とを備え、上記半導体チップと上記基板とは、上記接続パッド部の保護膜から上記開口部を通して露出した部分と上記リード配線とが向き合うように対面した状態で、少なくとも上記接続パッド部の露出した部分を被覆する異方性導電部材を介して接着固定された電子部品において、上記開口部は、上記保護膜が上記リード配線と重ならないように設けられており、上記異方性導電部材には、略球形状の、複数の導電体が全体に分散して含まれており、上記接続パッド部の露出した部分と上記リード配線とは、それぞれ上記導電体に接触していることを特徴としている。
【００３１】
上記特徴によれば、接続パッド部とリード配線とは、それぞれ導電体に接触している。すなわち、接続パッド部とリード配線とは、導電体を介して電気的に接続している。従って、リード配線にバンプを形成する必要がない。
【００３２】
また、上記特徴によれば、開口部は、保護膜がリード配線と重ならないように設けられている。
【００３３】
異方性導電部材に含まれる導電体の径が保護膜と接続パッド部との間の高低差よりも小さい場合について考える。
【００３４】
この場合、異方性導電材料を半導体チップおよび基板に圧着するとき、半導体チップと基板との間隔が狭くなってゆくと、リード配線と接続パッド部とがそれらの間にある導電体に両端で接触して挟む形になるよりも先に、保護膜とリード配線との間隔がゼロになる。このとき、開口部は保護膜がリード配線と重ならないように設けられているため、保護膜とリード配線とは接触することはない。そして、半導体チップと基板との間隔をさらに狭くすると、保護膜とリード配線とが互い違いになり、さらに上記間隔を狭くすることができる。終に、接続パッド部とリード配線との間隔が、導電体の径と等しくなったとき、リード配線と接続パッド部とがそれらの間にある導電体に上下で接触して挟む形になる。
【００３５】
すなわち、保護膜の開口部が、保護膜とリード配線とが接触しない形状に設けられているために、リード配線と接続パッド部とが導電体に接触できないことがない。ゆえに、リード配線と接続パッド部とが導電体を介して接続できず導通されないということがなく、リード配線と接続パッド部とは導電体を介して確実に導通することができる。
【００３６】
また、導電体の径が保護膜と接続パッド部との間の高低差よりも大きい場合には、半導体チップと基板との間隔が狭くなってゆくと、保護膜とリード配線との間隔がゼロになるよりも先に、リード配線と接続パッド部とがそれらの間にある導電体に両端で接触して挟む形になる。従って、この場合でもリード配線と接続パッド部とは導電体を介して確実に導通することができる。
【００３７】
本発明に係る電子部品において、異方性導電部材は、光または熱硬化性樹脂であってもよい。
【００３８】
本発明に係る電子部品において、異方性導電部材は、フィルム状であってもよい。
【００３９】
本発明に係る電子部品において、異方性導電部材は、半導体チップを封止していてもよい。
【００４０】
上記構成によれば、半導体チップの接着固定面すなわち接続パッド部および保護膜の設けられた面は、異方性導電部材によって封止されるので、該異方性導電部材を半導体チップの封止樹脂とすることができる。従って、半導体チップの封止樹脂を別途形成する必要はないので、その分構造を簡素化することができるとともに、製造工程を簡略化することができる。
【００４１】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、接続パッド部および該接続パッド部の少なくとも一部を露出する開口部を有する保護膜が表面に形成された半導体チップと、リード配線が表面に配設された基板とを備え、上記半導体チップと上記基板とは、上記接続パッド部の保護膜から上記開口部を通して露出した部分と上記リード配線とが向き合うように対面した状態で、少なくとも上記接続パッド部の露出した部分を被覆する異方性導電部材を介して接着固定された電子部品の製造方法において、上記半導体チップの上記接続パッド部が保護膜から露出した部分と上記基板の上記リード配線とが向き合うように対面させた上記半導体チップと上記基板との間に、上記開口部の縁における上記保護膜と上記接続パッド部との間の段差よりも大きい径を有する略球形状の複数の導電体が全体に分散して含まれている異方性導電部材を配置する異方性導電部材配置ステップと、上記接続パッド部の露出した部分と上記リード配線とが上記導電体に少なくとも接触するまで、上記異方性導電部材を上記半導体チップおよび上記基板に圧着する圧着ステップとを含むことを特徴としている。
【００４２】
上記特徴によれば、接続パッドとリード配線との導通は、導電体を介して行われ、バンプを必要としない。従って、接続パッド部にバンプを形成する工程が必要ない。よって、電子部品の製造方法を簡素化することができる。
【００４３】
さらに、半導体チップに複数の接続パッド部が形成された構成において、上記異方性導電部材配置ステップでは、同時に複数の接続パッド部を被覆するように異方性導電体を配置し、上記圧着ステップを行えば、同時に複数の接続パッド部とリード配線とを導通させることができる。ゆえに、一組の半導体パッド部とリード配線とを順番に導通させてゆく製造方法と比較して、製造に掛かる時間を短縮することができる。
【００４４】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、接続パッド部および該接続パッド部の少なくとも一部を露出する開口部を有する保護膜が表面に形成された半導体チップと、リード配線が均一な厚みで表面に配設された基板とを備え、上記半導体チップと上記基板とは、上記接続パッド部の保護膜から上記開口部を通して露出した部分と上記リード配線とが向き合うように対面した状態で、少なくとも上記接続パッド部の露出した部分を被覆する異方性導電部材を介して接着固定された電子部品の製造方法において、上記開口部を、上記保護膜が上記リード配線と重ならないように設ける開口ステップと、上記半導体チップの上記接続パッド部が保護膜から露出した部分と上記基板の上記リード配線とが向き合うように対面させた上記半導体チップと上記基板との間に、略球形状の複数の導電体が全体に分散して含まれている異方性導電部材を配置する異方性導電部材配置ステップと、上記接続パッド部の露出した部分と上記リード配線とが上記導電体に少なくとも接触するまで、上記異方性導電部材を上記半導体チップおよび上記基板に圧着した状態で上記半導体チップと基板とを接着固定する圧着ステップとを含むことを特徴としている。
【００４５】
上記特徴によれば、接続パッドとリード配線との導通は、導電体を介して行われ、バンプを必要としない。従って、接続パッド部にバンプを形成する工程が必要ない。
【００４６】
本発明に係る電子部品の製造方法において、異方性導電部材は、光または熱硬化性樹脂であり、上記圧着ステップで上記異方性導電部材を上記半導体チップおよび基板に圧着した状態で、上記異方性導電部材を硬化させる硬化ステップをさらに含んでいてもよい。
【００４７】
上記構成によれば、複数の接続パッド部を被覆するように未硬化状態の異方性導電部材を半導体チップに形成し、基板に圧着および接着固定することができる。
【００４８】
本発明に係る電子部品の製造方法では、上記硬化ステップで上記異方性導電部材が上記半導体チップを封止するように、上記異方性導電部材配置ステップにて、上記半導体チップと上記基板との間に上記異方性導電部材を配置してもよい。
【００４９】
上記構成によれば、半導体チップの接着固定面すなわち接続パッド部および保護膜の設けられた面は、異方性導電部材によって封止されるので、該異方性導電部材を半導体チップの封止樹脂とすることができる。従って、半導体チップの樹脂封止の工程を別途行う必要はないので、その分製造方法を簡素化することができる。
【００５０】
本発明に係る電子部品の製造方法において、異方性導電部材は、フィルム状であってもよい。
【発明の効果】
【００５１】
以上のように、本発明に係る電子部品は、異方性導電部材には、開口部の縁における保護膜と接続パッド部との間の段差よりも大きい径を有する略球形状の、複数の導電体が全体に分散して含まれており、接続パッド部の露出した部分とリード配線とは、それぞれ上記導電体に接触している構成である。
【００５２】
また、本発明に係る電子部品は、開口部は、保護膜がリード配線と重ならないように設けられており、異方性導電部材には、略球形状の、複数の導電体が全体に分散して含まれており、接続パッド部の露出した部分と上記リード配線とは、それぞれ上記導電体に接触している構成である。
【００５３】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、半導体チップの接続パッド部が保護膜から露出した部分と基板のリード配線とが向き合うように対面させた上記半導体チップと上記基板との間に、開口部の縁における上記保護膜と上記接続パッド部との間の段差よりも大きい径を有する略球形状の複数の導電体が全体に分散して含まれている異方性導電部材を配置する異方性導電部材配置ステップと、上記接続パッド部の露出した部分と上記リード配線とが上記導電体に少なくとも接触するまで、上記異方性導電部材を上記半導体チップおよび上記基板に圧着する圧着ステップとを含む構成である。
【００５４】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、開口部を、保護膜がリード配線と重ならないように設ける開口ステップと、半導体チップの接続パッド部が上記保護膜から露出した部分と基板の上記リード配線とが向き合うように対面させた上記半導体チップと上記基板との間に、略球形状の複数の導電体が全体に分散して含まれている異方性導電部材を配置する異方性導電部材配置ステップと、上記接続パッド部の露出した部分と上記リード配線とが上記導電体に少なくとも接触するまで、上記異方性導電部材を上記半導体チップおよび上記基板に圧着した状態で上記半導体チップと基板とを接着固定する圧着ステップとを含む構成である。
【００５５】
これにより、バンプを使用せずに基板上に半導体チップが実装された電子部品を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する図である。
【図３】図１に示す半導体装置の一部を示す断面図である。
【図４】図４の（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施形態に係る半導体装置の一例を示す平面図である。
【図５】図４に示す半導体装置の他の変形例の構成を示す図である。
【図６】図４の（ｂ）の例に示す開口部の場合における、半導体装置の一部を示す断面図である。
【図７】図６に示す半導体装置の変形例の構成を示す断面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【図９】（ａ）〜（ｅ）は、図８に示す半導体装置の製造工程を説明する図である。
【図１０】図８に示す半導体装置の一部を示す断面図である。
【図１１】従来の半導体装置の一例を示す図であり、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）は（ａ）に示す破線Ｐ−Ｐ´における断面図を示す。
【図１２】従来の他の半導体装置の一例を示す図であり、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）は（ａ）に示す破線Ｏ−Ｏ´における断面図を示す。
【図１３】従来のさらに他の半導体装置の平面図である。
【図１４】（ａ）〜（ｅ）は、図１３に示す従来の半導体装置の製造工程を説明する図である。
【図１５】図１３に示す従来の半導体装置の一部を示す断面図である。
【図１６】従来のさらに他の半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５７】
〔実施形態１〕
本発明に係る電子部品の実施の一形態について図１〜図３に基づいて説明すれば以下のとおりである。
【００５８】
（半導体装置１００の構成）
図１は、本実施形態に係る半導体装置（電子部品）１００の一部を示す断面図であり、図３に破線Ａ−Ａ´で示す断面図である。
【００５９】
図１に示すように、半導体装置１００は、テープ（基板）１１２とチップ（半導体チップ）１０１とを備えており、テープ１１２に配設されたインナーリード（リード配線）１２０と、チップ１０１に形成された接続パッド部１０２とが電気的に接続されている。なお、テープ１１２にインナーリード１２０が配設されたものを、以下ではフィルム基材１１０と呼ぶ。また、チップ１０１は、半導体基板１０１´に接続パッド部１０２、配線１５０、および保護膜１０３を形成した構成である。
【００６０】
半導体装置１００は、接続パッド部１０２および接続パッド部１０２の一部を露出する開口部１１１を有する保護膜１０３が表面に形成されたチップ（半導体チップ）１０１が、インナーリード１２０を表面に配設したフィルム基材１１０にフェイスダウンで搭載された構成である。
【００６１】
チップ１０１とフィルム基材１１０とは、接続パッド部１０２の保護膜１０３から露出した部分とインナーリード１２０とが向き合うように対面した状態で、少なくとも接続パッド部１０２の露出した部分を被覆する異方性導電材料（異方性導電部材）１０５を介して接着固定されている。
【００６２】
また、保護膜１０３は、開口部１１１の少なくとも縁においてインナーリード１２０と重なるように形成されている。そして、インナーリード１２０と保護膜１０３との距離は、インナーリード１２０と接続パッド部１０２との距離よりも短い。さらに、異方性導電材料１０５には、開口部１１１の縁における保護膜１０３と接続パッド部１０２との間の段差よりも大きい径を有する、略球形状の複数の導電性ビーズ（導電体）１０６が、異方性導電材料１０５全体に分散して含まれている。そして、接続パッド部１０２の露出した部分とインナーリード１２０とが、導電性ビーズ１０６の上下の頂点で接触している。
【００６３】
ここで、各部材のサイズの一例を示す。インナーリード１２０は厚さ８μｍの銅箔であり、異方性導電材料１０５に含まれる、異方性の導電物質である導電性ビーズ１０６（導電体）は直径３μｍの球形である。また、開口部１１１と接続パッド部１０２との間に形成された段差の高さは１μｍである。このように、導電性ビーズ１０６の直径は開口部１１１と接続パッド部１０２との間に形成された段差の高さよりも大きい。なお、ここに示したサイズは単なる一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。
【００６４】
図３の平面図は、フィルム基材１１０を通してチップ１０１を透視したものを示している。チップ１０１は保護膜１０３によって覆われており、該保護膜１０３には複数の開口部１１１が設けられている。開口部１１１が設けられている位置の下には、開口部１１１よりも大きな接続パッド部１０２が存在している。複数の接続パッド部１０２のそれぞれは、開口部１１１に対応する位置で導電性ビーズ１０６を介してインナーリード１２０と接続されている。
【００６５】
（半導体装置１００の製造方法）
次に、図２の（ａ）〜（ｅ）を用いて、接続パッド部１０２とインナーリード１２０とを接続する工程について説明する。図２の（ａ）〜（ｅ）は、図３の破線Ａ−Ａ´で示す位置における断面図である。
【００６６】
チップ１０１は、半導体基板１０１´上に拡散工程等でトランジスタを形成し、その上方にメタル配線を形成してトランジスタを接続することにより回路が形成されている。上記メタル配線は複数の層で形成され、それぞれの層間は絶縁膜で分離されている。また、“同層”でないメタル配線の接続は絶縁層に穴（Ｖｉａ）をあけることにより行われる。このとき、上述の複数の層で形成されるメタル配線の最上層となる配線１５０をトップメタルと呼ぶ。ここで、上記“同層”とは、複数の部材が同じ部材の同じ面上に形成されていることを示す。
【００６７】
図２の（ａ）は、トップメタルを配置する前の状態の半導体基板１０１ａ´を示している。以降の（ｂ）〜（ｄ）の各処理は、ウエハ状態の半導体基板１０１ａ´に対して行われる。ここでは、ウエハ状態の半導体基板とダイシング後の個々の半導体基板とを区別するため、ウエハ状態のものを「半導体基板１０１ａ´」と記し、ダイシング処理後の個片状態のものを「半導体基板１０１´」と記して区別する。また、ダイシング処理前において、チップ１０１と同じ構成を備えるがダイシング処理前の中間状態のものを「チップ１０１ａ」と呼ぶ。
【００６８】
次に、半導体基板１０１ａ´の上に、図２の（ｂ）のように、トップメタルにて接続パッド部１０２と配線１５０とを形成する。このとき、接続パッド部１０２と配線１５０とは、トップメタルを作成する工程で同時に作成される。このため、接続パッド部１０２と配線１５０とは同層の関係であり、かつ、同じ高さで形成される。
【００６９】
続いて、図２の（ｃ）のように、半導体基板１０１ａ´の接続パッド部１０２を設けた面に保護膜１０３を形成する。さらに、図２の（ｄ）のように、接続パッド部１０２の上部に対応する位置において保護膜１０３を開口し開口部１１１を形成する（開口ステップ）。
【００７０】
以上の工程により、チップ１０１ａが形成される。
【００７１】
次に、チップ１０１ａのダイシング処理を行い、個々のチップ１０１に分割する。そして、以下に説明するように、アセンブリ工程として、チップ１０１とフィルム基材１１０との接続を行う。
【００７２】
図２の（ｅ）は、フィルム基材１１０にチップ１０１をフェイスダウンで実装する直前の状態を示している。図示のように、フィルム基材１１０にはインナーリード１２０があらかじめ形成されており、フィルム基材１１０のインナーリード１２０が形成された面（上面）には、異方性導電材料１０５を塗布しておく（異方性導電部材配置ステップ）。ここで、異方性導電材料１０５は熱硬化性樹脂を含んでいる。また、異方性導電材料１０５は、以下で述べる圧着ステップにおいて、上下から異方性導電材料１０５に圧力が加えられたときに、該異方性導電材料１０５の内部で導電性ビーズ１０６が位置を移動できる程度の粘性を持った状態で、フィルム基材１１０に塗布される。異方性導電材料１０５の材料としては、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂など、異方性導電部材として一般的に使用される樹脂であれば、上記のような粘性を有している。
【００７３】
異方性導電材料１０５はペーストの状態で供給され、フィルム基材１１０の上面のうち、チップ１０１が搭載される部分全体に塗布される。このように、異方性導電材料１０５をフィルム基材１１０の上面のうちチップ１０１が搭載される部分全体に塗布することによって、実装後のチップ１０１の全面が異方性導電材料１０５によって被覆される。
【００７４】
次に、接続パッド部１０２とインナーリード１２０とが対応するように、チップ１０１とフィルム基材１１０との位置合わせを行う。
【００７５】
そして、異方性導電材料１０５をフィルム基材１１０とチップ１０１とに圧着する。異方性導電性材料１０５の圧着により、以下のように接続パッド部１０２とインナーリード１２０とが電気的に接続される。
【００７６】
異方性導電材料１０５に圧力を加えると、接続パッド部１０２とインナーリード１２０との間に存在する導電性ビーズ１０６は、接続パッド部１０２およびインナーリード１２０とに、図１に示すように上下の頂点で接触する（圧着ステップ）。さらに圧力を加えれば、導電性ビーズ１０６は、図１に示すインナーリード１２０と接続パッド部１０２との間の導電性ビーズ１０６´のように、上下から押しつぶされて変形することによって、接続パッド部１０２およびインナーリード１２０に広い面積で密着した状態となる。こうすることによって、接続パッド部１０２とインナーリード１２０とは、導電性ビーズ１０６を介して電気的に確実に接続された状態となる。
【００７７】
このとき、導電性ビーズ１０６が接続パッド部１０２とインナーリード１２０とに接触した時点で圧力を加えることをやめても、接続パッド部１０２とインナーリード１２０の間で信号を送受信することはできる。しかし、接続抵抗を低くして、より良好な導通を確保するためには、導電性ビーズ１０６が変形するまで圧力を掛けつづけることが望ましい。
【００７８】
ここで、導電性ビーズ１０６の径を小さくし、かつ数を多くすれば、変形を伴わない圧着であっても、十分な導通を確保することができる。ただし、導電性ビーズ１０６の径は、開口部１１１の縁と接続パッド部１０２との間に形成される段差の高さよりも大きくなければならない。そうでなければ、異方性導電材料１０５の圧着時に、接続パッド部１０２とインナーリード１２０との間の距離を縮めていったとき、導電性ビーズ１０６が接続パッド部１０２およびインナーリード１２０に接触するより前に、保護膜１０３とインナーリード１２０とが接触して、それ以上距離を縮めることができなくなる。そうなると、接続パッド部１０２とインナーリード１２０とを導電性ビーズ１０６を介して電気的に接続することができなくなる。
【００７９】
なお、異方性導電材料１０５を圧着するときに、保護膜１０３とテープ１１２とが、導電性ビーズ１０６を介して接続される可能性があるが、仮に接続されたとしても、これらの部材は非導電物質であるので電流は流れない。従って、保護膜１０３とテープ１１２との間でショートする心配はない。
【００８０】
前述のように、異方性導電材料１０５は、熱を加えることにより硬化する樹脂（熱硬化性樹脂）を含んでいる。上記圧着と同時にフィルム基材１１０に対して熱を加えることにより、異方性導電材料１０５に含まれる上記熱硬化性樹脂が硬化する（硬化ステップ）。また、上記熱硬化性樹脂は接着材としての機能も有しており、チップ１０１とフィルム基材１１０とを接着する。このようにチップ１０１とフィルム基材１１０とを接着する工程をアセンブリ工程と呼ぶ。チップ１０１表面を被覆する異方性導電材料１０５を硬化することによって、完成品の半導体装置１００の強度を高めるとともに、チップ１０１表面を保護し、チップ１０１の封止樹脂としての役割を果たすことができる。
【００８１】
なお、本実施形態では、異方性導電材料１０５が熱硬化性樹脂を含む例について説明したが、熱硬化性樹脂に限られるものではなく、例えば光硬化性樹脂など、その他の種類の硬化性樹脂を含んでいてもよい。
【００８２】
以上の工程によって、半導体装置１００が完成する。
【００８３】
このように、半導体装置１００は、導電性ビーズ１０６の直径が開口部１１１と接続パッド部１０２との間に形成された段差の高さよりも大きいために、接続パッド部１０２とインナーリード１２０とが導電性ビーズ１０６（１０６´）の上下の頂点で接触している構造である。従って、バンプを使用せずに、接続パッド部１０２とインナーリード１２０とが確実に導通される。
【００８４】
また、半導体装置１００の製造方法では、チップ１０１とフィルム基材１１０とを、導電性ビーズ１０６（１０６´）によって電気的に接続するために、バンプを形成する工程が必要ない。さらに、フィルム基材１１０とチップ１０１との間は、異方性導電材料１０５によって充填されるので、それらの間にアンダーフィル材を充填する工程は必要ない。
【００８５】
〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について図４〜図７に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００８６】
本実施形態では、開口部が接続パッド部全体を露出するように形成される例を説明する。
【００８７】
（半導体装置２００の構成）
図４の（ａ）（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置（電子部品）２００を平面視し、フィルム基材２１０を通してチップ（半導体チップ）２０１を透視した図である。
【００８８】
図４の（ａ）あるいは（ｂ）のように、半導体装置２００では、フィルム基材２１０に均一な厚みで配設されたインナーリード（リード配線）２２０と上下方向に重なる部分およびその周辺に保護膜２０３の開口部２１１が設けられている。図４の（ａ）は、半導体装置２００を平面視したときにインナーリード２２０と重なる部分およびその周辺の保護膜２０３に開口部２１１ａを設けた場合を示している。図４の（ｂ）は、図４の（ａ）と同じ位置の保護膜２０３を開口することに加えて、隣接する接続パッド部２０２の間にある保護膜２０３を開口して開口部２１１ｂとした場合を示している。図４の（ａ）と（ｂ）とに示す構造は、次のように使い分ける。
【００８９】
図４の（ｂ）に示す構造において、隣接する接続パッド部２０２間にトップメタルの配線がある場合を図５に示す。配線２５０ｃ´は接続パッド部２０２と同層（チップ２０１の表面）に形成されており、かつ配線２５０ｃ´の位置が開口部２１１ｂ内に含まれる図５の構造では、異方性導電材料（異方性導電部材）２０５を圧着したときに、異方性導電材料２０５に含まれる導電性ビーズ（導電体）２０６によって、隣接する配線２５０ｃ´同士が電気的に接続され、ショート（リーク）してしまう可能性がある。このことは、隣接する配線２５０ｃ´の間に導電性ビーズ２０６が入り込むことなどによって生じる。
【００９０】
そこで、隣接する接続パッド部２０２の間に配線２５０を設ける場合には、図４の（ａ）のように、隣接する接続パッド部２０２の間において、配線２５０を設けた位置に保護膜２０３が残るように開口部２１１ａを設ける。こうすることによって、配線２５０は保護膜２０３によって被覆されるので、該配線２５０間でショートが発生しない。
【００９１】
一方、液晶ドライバ（ＬＣＤドライバ）など、出力端子数が多い構成では、接続パッド部２０２間の距離が短く、隣接する接続パッド部２０２の間に、接続パッド部２０２と同層の配線２５を配置しない場合が多い。この場合には、図４の（ｂ）のように、隣接する接続パッド部２０２の間に保護膜２０３が介在しないように開口部２１１ｂを設けてもよい。あるいは、保護膜２０３をチップ２０１中央のみに形成すれば、接続パッド部２０２が形成されたチップ２０２の端部には保護膜２０３が形成されていない状態となるので、開口部２１１ｂを形成する工程を省略することができる。
【００９２】
なお、図４の（ｂ）の構造において、隣接する接続パッド部２０２の間隔は導電性ビーズ２０６の径と比較するととても大きいので、該接続パッド部２０２同士が導電性ビーズ２０６によって接続される可能性はほとんどない。また、配線２５０と接続パッド部２０２との間隔、および隣接する配線２５０間の距離を導電性ビーズ２０６の径よりも十分広く設けることが可能な場合には、図４の（ｂ）の構成であっても、接続パッド部２０２間に配線２５０を設けることができる。
【００９３】
以下では、図４の（ｂ）に示す構造の例について説明する。
【００９４】
図６は、図４の（ｂ）に破線Ｂ−Ｂ´で示す位置における断面図である。図４の（ｂ）に示す構成では、接続パッド部２０２より外側に配線２５０は存在しない。
【００９５】
ここで、接続パッド部２０２より外側に、接続パッド部２０２と同層であって、かつ保護膜２０３によって覆われていない配線２５０ｄ´が形成されていた場合には、本実施形態の変形例（半導体装置２００´）の断面図を示す図７のように、配線２５０と接続パッド部２０２とが導電性ビーズ２０６Ａによって電気的に接続され、ショートする可能性がある。従って、図４の（ｂ）の構成では、保護膜２０３によって覆われていない配線２５０´を配置しない。このことは、図４（ａ）の構造においても同様である。
【００９６】
図４の（ｂ）および図６に示すように、半導体装置２００は、図１に示した半導体装置１００と異なり、接続パッド部２０２の全体が保護膜２０３から露出している。すなわち接続パッド部２０２の全体が開口部２１１ｂの内側にある。これは、前実施形態で説明した半導体装置１００の製造方法において、本実施形態の半導体装置２００では、接続パッド部２０２の中央付近に位置するインナーリード２２０と保護膜２０３とが重なり合う部分がないように、開口部２１１ｂを設けているためである。
【００９７】
このように、半導体装置２００では、接続パッド部２０２の中央付近に位置するインナーリード２２０と保護膜２０３とは、上下方向に重なる部分がない。その結果、保護膜２０３と接続パッド部２０２との高低差よりも小さい径を有する導電性ビーズ２０６を含む異方性導電材料２０５を使用することができる。例えば、上記高低差が１μｍとすれば、１μｍより小さい径の導電性ビーズ２０６を使用することができる。その理由について、以下に詳細に説明する。
【００９８】
（半導体装置２００の製造方法）
半導体装置２００の製造方法では、まず、接続パッド部２０２の中央付近に位置するインナーリード２２０と保護膜２０３とが重なり合う部分がないように、開口部２１１ｂを設ける（開口ステップ）。次に、前記実施形態１で説明した製造方法と同様に、異方性導電材料２０５をフィルム基材２１０とチップ２０１との間に配置し（異方性導電部材配置ステップ）、続いて異方性導電材料２０５をフィルム基材２１０およびチップ２０１に圧着する（圧着ステップ）。
【００９９】
このとき、保護膜２０３とインナーリード２２０とが近づいてゆき、いずれチップ１０１とフィルム基材２１０との間隔が狭くなってゆく。しかし、インナーリード２２０と保護膜２０３とは、半導体装置２００を平面視したときに、重なり合う部分がないために、保護膜２０３とインナーリード２２０とが接触することはない。
【０１００】
さらに、チップ２０１とフィルム基材２１０との間隔を狭くして、接続パッド部２０２とインナーリード２２０との間隔が、導電性ビーズ２０６の径（例えば１μｍ）と等しくなったとき、インナーリード２２０と接続パッド部２０２とがそれらの間にある導電性ビーズ２０６の上下の頂点に接触して挟む形になる。
【０１０１】
さらに圧力を加えれば、図６に導電性ビーズ２０６´として示すように、インナーリード２２０と接続パッド部２０２との間にある導電性ビーズ２０６は上下に押しつぶされて変形し、インナーリード２２０および接続パッド部２０２と広い面積で密着する。このとき、保護膜２０３の表面が、インナーリード２２０の表面より下になっていてもよい。
【０１０２】
このように、半導体装置２００では、インナーリード２２０と保護膜２０３とは半導体装置２００を平面視したときに、重なり合う部分がないように開口部２１１ｂが設けられるために、導電性ビーズ２０６の径（大きさ）を、保護膜２０３と接続パッド部２０２との間に形成された段差よりも小さくしても、インナーリード２２０と接続パッド部２０２とは導電性ビーズ２０６（２０６´）を介して確実に導通することができる。径の小さな導電性ビーズ２０６を使用することによって、径の大きい導電性ビーズを使用する場合よりも多くの導電性ビーズによってインナーリード２２０と接続パッド部２０２とを電気的に接続することができる。従って、それらの導通がより確実になるという効果を奏する。
【０１０３】
また、半導体装置２００の製造方法では、前記実施形態１と同様に、チップ２０１とフィルム基材２１０とを、異方性導電材料２０５によって電気的に接続するために、これらの間にバンプを形成する工程が必要ない。さらに、フィルム基材２１０とチップ２０１との間にアンダーフィル材を充填する工程は必要なく、かつアセンブリ工程でチップの樹脂封止を行う工程も必要ない。
【０１０４】
〔実施形態３〕
本発明のさらに他の実施形態について図８から図１０に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０１０５】
本実施形態では、異方性導電部材として、両面粘着性であってフィルム形状を有する異方性導電フィルムを用いる例について説明する。
【０１０６】
図８は本実施形態に係る半導体装置（電子部品）３００の平面図であり、フィルム基材３１０を通して透視したチップ（チップ半導体）３０１を示している。チップ３０１の全体を覆う保護膜３０３には開口部３１１が設けられている。開口部３１１の下には、開口部３１１の全体からはみ出す大きさの接続パッド部３０２が存在しており、接続パッド部３０２は開口部３１１の形成位置においてインナーリード（リード配線）３２０と接続されている。開口部３１１は、半導体装置１００における開口部１１１と同じ位置に形成されている。すなわち、半導体装置１００におけるｐｏｉｎｔＡと同様に、半導体装置３００では、ｐｏｉｎｔＢにおいて保護膜３０３とインナーリード３２０とが重なり合っている。
【０１０７】
インナーリード３２０と接続パッド部３０２との接続工程を説明する図を、図９の（ａ）〜（ｅ）として示す。なお、図９の（ａ）〜（ｅ）に示すのは、図８に破線Ｃ−Ｃ´で示す断面図である。
【０１０８】
図９の（ａ）は、トップメタルを配置する前の状態の半導体基板３０１a´を示している。
【０１０９】
次に、図９の（ｂ）に示すように、半導体基板３０１a´の上に，トップメタルにて接続パッド部３０２と配線３５０とを形成する。接続パッド部３０２とトップメタルは同工程で作製され、同じ高さで形成される。
【０１１０】
つづいて、図９の（ｃ）に示すように、半導体基板３０１a´に保護膜３０３を形成し、さらに図９の（ｄ）のように、接続パッド部３０２上の保護膜３０３を開口して開口部３１１を形成する（開口ステップ）。
【０１１１】
以上の工程により、ダイシング処理前のチップ３０１aが形成される。また、以上の工程までは、半導体装置１００の製造方法で図２の（ａ）〜（ｄ）を用いて説明した工程と同様に、半導体基板３０１a´がウエハの状態で行われる。
【０１１２】
続いて、チップ３０１ａのダイシング処理を行い、個々のチップ３０１に分割した後、以下に説明するように、チップ３０１とフィルム基材３１０との接続を行う。
【０１１３】
図９の（ｅ）は、フィルム基材３１０の上にチップ３０１をフェイスダウンで実装する直前の状態を示している。フィルム基材３１０の配線３５０が形成された面には、導電性ビーズ（導電体）３１６を含む異方性導電フィルム（異方性導電部材）（ＡＣＦ；Anisotropic Conductive Film）３１５を貼り付け（導電性部材配置ステップ）、チップ３１０をフィルム基材３１０にボンディングする前に、接続パッド部３０２とインナーリード３２０との位置合わせを行っておく。なお、異方性導電フィルム３１５は熱硬化性樹脂を含んでいる。
【０１１４】
このとき、異方性導電フィルム３１５は、チップ３０１が搭載される部分全面に貼り付ける。このように、異方性導電フィルム３１５をチップ３０１の全面に貼り付けることにより、従来のようにフィルム基材とチップとの間にアンダーフィル材を充填する工程が必要ない。なお、異方性導電フィルム３１５は、接続パッド部３０２の保護膜３０３から露出した位置のみに貼り付けてもよい。
【０１１５】
ここで、上述の部材のサイズの一例を示す。インナーリード３２０は厚さ８μｍの銅箔であり、異方性導電フィルム３１５には異方性を有する直径３μｍの球形の導電性ビーズ３１６が含まれており、開口部３１１と保護膜３０３との間の段差は１μｍである。
【０１１６】
次に、フィルム基材３１０に貼り付けた異方性導電フィルム３１５をチップ３０１とフィルム基材３１０とに圧着する（圧着ステップ）。
【０１１７】
上記圧着ステップでは、異方性導電フィルム３１５に圧力を加えることにより、接続パッド部３０２とインナーリード３２０の間に導電性ビーズ３１６が挟まれた状態となり、さらに圧力を加え続ければ、図１０に示す導電性ビーズ３１６´のように、導電性ビーズ３１６は上下方向からチップ３０１およびフィルム基材３１０からの圧力を受けて上下方向につぶれて変形した状態となる。このとき、チップ３０１と導電性ビーズ３１６およびフィルム基材３１０と導電性ビーズ３１６とは、圧着している状態である。
【０１１８】
上記圧着状態のまま、異方性導電フィルム３１５に熱を加えることによって異方性導電フィルム３１５を硬化すれば、接続パッド部３０２とインナーリード３２０とが、導電性ビーズ３１６によって電気的に接続された状態で固定される。
【０１１９】
なお、導電性ビーズ３１６が接続パッド部３０２とインナーリード３２０とに接触をした時点で圧力を加えることを止めて、その状態で異方性導電フィルム３１５を硬化したとしても、電気信号を導通することはできる。しかし、導電性ビーズ３１６´のように変形するまで圧力をかけて硬化することで、接続抵抗を低くして、より良好な導通を確保することができる。
【０１２０】
また、導電性ビーズ３１６の径を小さくして、かつその数を増やせば、導電性ビーズ３１６の変形を伴わない圧着であっても、十分な導通を確保することが可能である。
【０１２１】
なお、保護膜３０３およびフィルム基材３１０は非導電物質であるので、これらが導電性ビーズ３１６によって接続されたとしても電流が流れることはなく、保護膜３０３とフィルム基材３１０とがショートする心配はない。
【０１２２】
このように、半導体装置３００では、異方性導電部材として、両面粘着性のフィルム形状を有する異方性導電フィルム３１５を使用する。そのため、該異方性導電フィルム３１５によってチップ３０１およびフィルム基材３１０を貼り合わせるだけで、バンプを形成するような手間を必要とせず、簡単に接続パッド部３０２とインナーリード３２０とを導通させることができるとともに、チップ３０１とフィルム基材３１０とを接着することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明は、インナーリードを備えたフィルム基材等の基板上に半導体チップが実装された電子部品に利用することができる。
【符号の説明】
【０１２４】
１００、２００、３００  半導体装置（電子部品）
１０１、２０１、３０１  チップ（半導体チップ）
１０２、２０２、３０２  接続パッド部
１０３、２０３、３０３  保護膜
１０５、２０５  異方性導電材料（異方性導電部材）
１０６、１０６’、２０６、２０６’、３１６、３１６’  導電性ビーズ（導電体）
１１１、２１１、３１１  開口部
１１２、２１２、３１２  テープ（基板）
１２０、２２０、３２０  インナーリード（リード配線）
３１５  異方性導電フィルム（異方性導電部材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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