(57)【要約】      （修正有）【課題】光電変換素子の活性層に用いた場合に開放端電圧が高くなる化合物の提供。【解決手段】下式で表される化合物。2013220994.tif 000054〔式中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、窒素原子又は＝ＣＨ−を表す。Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、又は−Ｎ（Ｒ５）−を表す。Ｙ３は、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒ５）−又は−ＣＲ６＝ＣＲ７−を表す。Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、直接結合、−Ｃ（Ｒ８）（Ｒ９）−又は−Ｎ（Ｒ１０）−を表す。Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は複素環基を表す。Ａ１とＡ２の少なくとも一方は、特定式で表される基である。〕【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表される化合物。
2013220994.tif 000051
（１）
〔式（１）中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、窒素原子又は＝ＣＨ−を表す。Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、又は−Ｎ（Ｒ５）−を表す。Ｙ３は、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒ５）−又は−ＣＲ６＝ＣＲ７−を表す。Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、直接結合、−Ｃ（Ｒ８）（Ｒ９）−又は−Ｎ（Ｒ１０）−を表す。Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ｑは、１〜３の整数を表す。Ｙ１が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｙ２が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｙ３が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｚが複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ１が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ２が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ３が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ４が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｘ１が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｘ２が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は２価の複素環基を表す。ｐ及びｒは、それぞれ独立に、０〜２の整数を表す。ｐが２である場合、２個あるＡｒ１は同一でも相異なってもよい。ｒが２である場合、２個あるＡｒ２は同一でも相異なってもよい。Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は複素環基を表す。ただし、Ａ１とＡ２の少なくとも一方は、式（Ａ−１）で表される基又は式（Ａ−２）で表される基である。
2013220994.tif 000052
（Ａ−１）      （Ａ−２）
（式（Ａ−１）及び式（Ａ−２）中、Ｗ１〜Ｗ８は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｙ４は、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、又は−Ｎ（Ｒ１１）−を表す。Ｒ１１は、水素原子又は置換基を表す。）〕
【請求項２】
密度汎関数法を用いて計算した最高被占軌道のエネルギーが−４．５５ｅＶ以下である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｚが酸素原子である請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ３及びＲ４の両方が、フッ素原子である請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項５】
Ａ１及びＡ２の両方が、式（Ａ−１）で表される基又は式（Ａ−２）で表される基である請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物を含む薄膜。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物と電子受容性化合物とを含む組成物。
【請求項８】
電子受容性化合物が、フラーレン誘導体である請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の組成物を含む薄膜。
【請求項１０】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物、又は、請求項７若しくは８に記載の組成物と、溶媒とを含む溶液。
【請求項１１】
第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を備え、該活性層に請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物、又は、請求項７若しくは８に記載の組成物を含有する電子素子。
【請求項１２】
光電変換素子である請求項１１に記載の電子素子。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光電変換素子を備える太陽電池モジュール。
【請求項１４】
請求項１２に記載の光電変換素子を備えるイメージセンサー。
【請求項１５】
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層とを備え、該活性層に請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物、又は、請求項７若しくは８に記載の組成物を含有する有機薄膜トランジスタ。
【請求項１６】
式（１−２）で表される化合物。
2013220994.tif 000053
（１−２）
〔式中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、窒素原子又は＝ＣＨ−を表す。Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、又は−Ｎ（Ｒ５）−を表す。Ｙ３は、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒ５）−又は−ＣＲ６＝ＣＲ７−を表す。Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、直接結合、−Ｃ（Ｒ８）（Ｒ９）−又は−Ｎ（Ｒ１０）−を表す。Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。２個あるＲ３は同一でも相異なってもよい。２個あるＲ４は同一でも相異なってもよい。２個あるＸ１は同一でも相異なってもよい。２個あるＸ２は同一でも相異なってもよい。２個あるＹ３は同一でも相異なってもよい。Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。〕
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定の構造を有する化合物及びそれを用いた電子素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、地球温暖化防止のため、大気中に放出されるＣＯ２の削減が求められている。例えば、家屋の屋根にｐｎ接合型のシリコン系太陽電池などを用いるソーラーシステムの採用が提唱されているが、上記シリコン系太陽電池に用いられる単結晶、多結晶及びアモルファスシリコンは、その製造工程において高温、高真空条件が必要であるという問題がある。
【０００３】
一方、光電変換素子の一態様である有機薄膜太陽電池は、シリコン系太陽電池の製造プロセスに用いられる高温、高真空プロセスが省略でき、塗布プロセスのみで安価に製造できる可能性があり、近年注目されている。有機薄膜太陽電池に用いる化合物としては、繰り返し単位（Ａ）及び繰り返し単位（Ｂ）からなる高分子化合物が提案されている（特許文献１）。
【０００４】
2013220994.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００９−５０６５１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記高分子化合物を含む活性層を有する光電変換素子は、開放端電圧が必ずしも十分に高くなかった。
【０００７】
本発明は、光電変換素子の活性層に用いた場合に開放端電圧が高くなる化合物、及び該化合物を用いた電子素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、第一に、式（１）で表される化合物を提供する。
2013220994.tif 000003
（１）
〔式（１）中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、窒素原子又は＝ＣＨ−を表す。Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、又は−Ｎ（Ｒ５）−を表す。Ｙ３は、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒ５）−又は−ＣＲ６＝ＣＲ７−を表す。Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、直接結合、−Ｃ（Ｒ８）（Ｒ９）−又は−Ｎ（Ｒ１０）−を表す。Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ｑは、１〜３の整数を表す。Ｙ１が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｙ２が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｙ３が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｚが複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ１が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ２が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ３が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ４が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｘ１が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ｘ２が複数個ある場合は、それらは同一でも相異なってもよい。Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は２価の複素環基を表す。ｐ及びｒは、それぞれ独立に、０〜２の整数を表す。ｐが２である場合、２個あるＡｒ１は同一でも相異なってもよい。ｒが２である場合、２個あるＡｒ２は同一でも相異なってもよい。Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は複素環基を表す。ただし、Ａ１とＡ２の少なくとも一方は、式（Ａ−１）で表される基又は式（Ａ−２）で表される基である。
2013220994.tif 000004
（Ａ−１）      （Ａ−２）
（式（Ａ−１）及び式（Ａ−２）中、Ｗ１〜Ｗ８は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｙ４は、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、又は−Ｎ（Ｒ１１）−を表す。Ｒ１１は、水素原子又は置換基を表す。）〕
【０００９】
本発明は第二に、密度汎関数法を用いて計算した最高被占軌道のエネルギーが−４．５５ｅＶ以下である前記化合物を提供する。
【００１０】
本発明は第三に、Ｚが酸素原子である前記化合物を提供する。
【００１１】
本発明は第四に、Ｒ３及びＲ４の両方が、フッ素原子である前記化合物を提供する。
【００１２】
本発明は第五に、Ａ１及びＡ２の両方が、式（Ａ−１）で表される基又は式（Ａ−２）で表される基である前記化合物を提供する。
【００１３】
本発明は第六に、前記化合物を含む薄膜を提供する。
【００１４】
本発明は第七に、前記化合物と電子受容性化合物とを含む組成物を提供する。
【００１５】
本発明は第八に、電子受容性化合物が、フラーレン誘導体である前記組成物を提供する。
【００１６】
本発明は第九に、前記組成物を含む薄膜を提供する。
【００１７】
本発明は第十に、前記化合物、又は、前記組成物と、溶媒とを含む溶液を提供する。
【００１８】
本発明は第十一に、第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を備え、該活性層に前記化合物、又は、前記組成物を含有する電子素子を提供する。
【００１９】
本発明は第十二に、光電変換素子である前記電子素子を提供する。
【００２０】
本発明は第十三に、前記光電変換素子を備える太陽電池モジュールを提供する。
【００２１】
本発明は第十四に、前記光電変換素子を備えるイメージセンサーを提供する。
【００２２】
本発明は第十五に、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層とを備え、該活性層に前記化合物、又は、前記組成物を含有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【００２３】
本発明は第十六に、式（１−２）で表される化合物を提供する。
2013220994.tif 000005
（１−２）
〔式中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、窒素原子又は＝ＣＨ−を表す。Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、又は−Ｎ（Ｒ５）−を表す。Ｙ３は、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒ５）−又は−ＣＲ６＝ＣＲ７−を表す。Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、直接結合、−Ｃ（Ｒ８）（Ｒ９）−又は−Ｎ（Ｒ１０）−を表す。Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。２個あるＲ３は同一でも相異なってもよい。２個あるＲ４は同一でも相異なってもよい。２個あるＸ１は同一でも相異なってもよい。２個あるＸ２は同一でも相異なってもよい。２個あるＹ３は同一でも相異なってもよい。Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。〕
【発明の効果】
【００２４】
本発明の化合物を含む活性層を有する光電変換素子は開放端電圧を高いため、本発明は極めて有用である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２６】
本発明の化合物は、式（１）で表される化合物である。
2013220994.tif 000006
【００２７】
式（１）中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、窒素原子又は＝ＣＨ−を表す。Ｘ１及びＸ２は、本発明の化合物を含む光電変換素子の開放端電圧を向上させる観点から、窒素原子が好ましい。
式（１）中、Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、セレン原子又は−Ｎ（Ｒ５）−を表す。Ｙ１及びＹ２は、化合物の安定性の観点から、硫黄原子、酸素原子及び−Ｎ（Ｒ５）−が好ましく、硫黄原子及び酸素原子がより好ましく、硫黄原子が特に好ましい。
Ｙ３は、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒ５）−又は−ＣＲ６＝ＣＲ７−を表す。Ｙ３は、化合物の安定性を向上させる観点から、硫黄原子、酸素原子、及び−ＣＲ６＝ＣＲ７−が好ましく、硫黄原子及び酸素原子がより好ましく、硫黄原子が特に好ましい。
Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、直接結合、−Ｃ（Ｒ８）（Ｒ９）−又は−Ｎ（Ｒ１０）−を表す。Ｚは、化合物の合成のしやすさの観点から、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基及び直接結合が好ましく、酸素原子、カルボニル基及び直接結合がより好ましく、酸素原子及び直接結合がさらに好ましく、酸素原子が特に好ましい。
【００２８】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、置換基を有していてもよいアリールアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基、置換基を有していてもよいアリールアルキニル基、置換カルボキシ基、カルボキシ基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、ニトロ基及びシアノ基が挙げられる。
【００２９】
ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
【００３０】
アルキル基は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、環状であってもよい。アルキル基の炭素原子数は、通常１〜３０であり、１〜２０が好ましい。アルキル基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル墓、ペンチル基、イソペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基、エイコシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。
【００３１】
アルコキシ基のうちのアルキル基部分は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、環状であってもよい。アルコキシ基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、１〜１５が好ましい。アルコキシ基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ハロゲン原子及びアルコキシ基（例えば、炭素数１〜２０）が挙げられる。置換基を有していてもよいアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基及び２−メトキシエチルオキシ基が挙げられる。
【００３２】
アルキルチオ基のうちのアルキル基部分は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、環状であってもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、１〜１５が好ましい。アルキルチオ基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。置換基を有していてもよいアルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基及びトリフルオロメチルチオ基が挙げられる。
【００３３】
アリール基とは、芳香族炭化水素から芳香環に結合している水素原子１個を除いた基を意味し、アリール基の炭素原子数は通常６〜６０である。アリール基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表されるハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例と同じである。置換基を有していてもよいアリール基の具体例としては、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基（ここで、炭素原子を意味する「Ｃ」に付された数字は炭素原子数を意味している。「Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ」とは、基中に炭素原子数１〜１２のアルコキシ基が含まれることを表す。アルコキシフェニル基中のアルコキシ基は、好ましくはＣ１〜Ｃ８アルコキシであり、より好ましくはＣ１〜Ｃ６アルコキシである。Ｃ１〜Ｃ８アルコキシは、炭素原子数１〜８のアルコキシであることを表し、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシは、炭素原子数１〜６のアルコキシであることを表す。Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ及びＣ１〜Ｃ６アルコキシの具体例としては、前述のＲ１〜Ｒ１０で表されるアルコキシ基の具体例として例示した基が挙げられる。以下も同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基（「Ｃ１〜Ｃ１２アルキル」とは、基中に炭素原子数１〜１２のアルキル基が含まれることを表す。アルキルフェニル基中のアルキル基は、好ましくはＣ１〜Ｃ８アルキルであり、より好ましくはＣ１〜Ｃ６アルキルである。Ｃ１〜Ｃ８アルキルは、炭素原子数１〜８のアルキルであることを表し、Ｃ１〜Ｃ６アルキルは、炭素原子数１〜６のアルキルであることを表す。Ｃ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキル及びＣ１〜Ｃ６アルキルの具体例としては、前述のＲ１〜Ｒ１０で表されるアルキル基の具体例として例示した基が挙げられる。以下も同様である。）、１−ナフチル基、２−ナフチル基及びペンタフルオロフェニル基が挙げられる。
【００３４】
アリールオキシ基は、その炭素数が通常６〜６０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表されるハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例と同じである。置換基を有していてもよいアリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基及びペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられる。
【００３５】
アリールチオ基は、その炭素原子数が通常６〜６０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表されるハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例と同じである。置換基を有していてもよいアリールチオ基の具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基及びペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。
【００３６】
アリールアルキル基は、その炭素原子数が通常７〜６０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表されるハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例と同じである。置換基を有していてもよいアリールアルキル基の具体例としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基及び２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基が挙げられる。
【００３７】
アリールアルコキシ基は、その炭素原子数が通常７〜６０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表されるハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例と同じである。置換基を有していてもよいアリールアルコキシ基の具体例としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基及び２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基が挙げられる。
【００３８】
アリールアルキルチオ基は、その炭素原子数が通常７〜６０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表されるハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例と同じである。置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基の具体例としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基及び２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基が挙げられる。
【００３９】
アシル基は、カルボン酸中の水酸基を除いた基を意味し、その炭素原子数は通常２〜２０である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、トリフルオロアセチル基等の炭素数２〜２０のハロゲン原子で置換されていてもよいアルキルカルボニル基、ベンゾイル基、ペンタフルオロベンゾイル基等のハロゲン原子で置換されていてもよいフェニルカルボニル基が挙げられる。
【００４０】
アシルオキシ基は、カルボン酸中の水素原子を除いた基を意味し、その炭素原子数は通常２〜２０である。アシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基及びペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。
【００４１】
アミド基とは、アミドから窒素原子に結合した水素原子１個を除いた基を意味し、その炭素数は通常１〜２０である。アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基及びジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。
【００４２】
イミド基は、イミド（−ＣＯ−ＮＨ−ＣＯ−で表される２価の基を含む化合物）のうちの窒素原子に結合した水素原子１個を除いた基である。イミド基の具体例としては、スクシンイミド基、及びフタルイミド基が挙げられる。
【００４３】
置換アミノ基とは、アミノ基の水素原子のうちの１個又は２個が置換基で置換された基であり、該置換基としては、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基が挙げられる。該置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表される置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基の定義及び具体例と同じである。置換アミノ基の炭素原子数は、通常１〜４０である。置換アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキルオキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基及び２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基が挙げられる。
【００４４】
置換シリル基とは、シリル基の水素原子のうちの１個、２個又は３個が置換基により置換された基を意味し、一般に、シリル基の３個の水素原子全てが置換基により置換された基である。該置換基としては、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基が挙げられる。該置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表される置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基の定義及び具体例と同じである。置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基及びジメチルフェニルシリル基が挙げられる。
【００４５】
置換シリルオキシ基とは、上記の置換シリル基に酸素原子が結合した基である。置換シリルオキシ基の具体例としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ基、トリイソプロピルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−ｐ−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基及びジメチルフェニルシリルオキシ基が挙げられる。
【００４６】
置換シリルチオ基とは、上記の置換シリル基に硫黄原子が結合した基である。置換シリルチオ基の具体例としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリプロピルシリルチオ基、トリイソプロピルシリルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ−ｐ−キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルチオ基及びジメチルフェニルシリルチオ基が挙げられる。
【００４７】
置換シリルアミノ基とは、アミノ基の水素原子のうちの１個又は２個が置換シリル基で置換された基であり、該置換シリル基は上記のとおりである。置換シリルアミノ基の具体例としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリプロピルシリルアミノ基、トリイソプロピルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ−ｐ−キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基、ジ（トリメチルシリル）アミノ基、ジ（トリエチルシリル）アミノ基、ジ（トリプロピルシリル）アミノ基、ジ（トリイソプロピルシリル）アミノ基、ジ（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル）アミノ基、ジ（トリフェニルシリル）アミノ基、ジ（トリ−ｐ−キシリルシリル）アミノ基、ジ（トリベンジルシリル）アミノ基、ジ（ジフェニルメチルシリル）アミノ基、ジ（ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル）アミノ基及びジ（ジメチルフェニルシリル）アミノ基が挙げられる。
【００４８】
アリールアルケニル基は、その炭素原子数が通常８〜２０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表されるハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例と同じである。置換基を有していてもよいアリールアルケニル基の具体例としては、スチリル基が挙げられる。
【００４９】
アリールアルキニル基は、その炭素原子数が通常８〜２０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表されるハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例と同じである。置換基を有していてもよいアリールアルキニル基の具体例としては、フェニルアセチレニル基が挙げられる。
【００５０】
置換カルボキシ基は、カルボキシ基中の水素原子がアルキル基又はアリール基で置換された基を意味し、その炭素原子数は通常２〜２０である。置換カルボキシ基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基が挙げられる。
【００５１】
複素環基は、フラン、チオフェン、ピロール、ピロリン、ピロリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾール、ピラゾリン、プラゾリジン、フラザン、トリアゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、テトラゾール、ピラン、ピリジン、ピペリジン、チオピラン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、モルホリン、トリアジン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、インドリン、イソインドリン、クロメン、クロマン、イソクロマン、ベンゾピラン、キノリン、イソキノリン、キノリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、インダゾール、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、キナゾリジン、シンノリン、フタラジン、プリン、プテリジン、カルバゾール、キサンテン、フェナントリジン、アクリジン、β-カルボリン、ペリミジン、フェナントロリン、チアントレン、フェノキサチイン、フェノキサジン、フェノチアジン、フェナジン等の置換基を有していてもよい複素環式化合物から水素原子を１個除いた基を意味する。該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、置換基を有していてもよいアリールアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基、置換基を有していてもよいアリールアルキニル基、置換カルボキシ基、カルボキシ基、ニトロ基及びシアノ基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、置換基を有していてもよいアリールアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、置換アミノ基、置換シリル基、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基、置換基を有していてもよいアリールアルキニル基及び置換カルボキシ基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表されるハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、置換基を有していてもよいアリールアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、置換アミノ基、置換シリル基、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基、置換基を有していてもよいアリールアルキニル基及び置換カルボキシ基の定義及び具体例と同じである。複素環基としては、芳香族複素環基が好ましい。
【００５２】
複素環オキシ基としては、上記の複素環基に酸素原子が結合した式（１１）で表される基が挙げられる。
複素環チオ基としては、上記の複素環基に硫黄原子が結合した式（１２）で表される基が挙げられる。
2013220994.tif 000007
〔式（１１）及び式（１２）中、Ａｒ７は、複素環基を表す。〕
【００５３】
複素環オキシ基は、その炭素原子数が通常２〜６０である。複素環オキシ基の具体例としては、チエニルオキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニルオキシ基、ピロリルオキシ基、フリルオキシ基、ピリジルオキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、トリアゾリルオキシ基、オキサゾリルオキシ基、チアゾールオキシ基及びチアジアゾールオキシ基が挙げられる。
【００５４】
複素環チオ基は、その炭素原子数が通常２〜６０である。複素環チオ基の具体例としては、チエニルメルカプト基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニルメルカプト基、ピロリルメルカプト基、フリルメルカプト基、ピリジルメルカプト基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジルメルカプト基、イミダゾリルメルカプト基、ピラゾリルメルカプト基、トリアゾリルメルカプト基、オキサゾリルメルカプト基、チアゾールメルカプト基及びチアジアゾールメルカプト基が挙げられる。
【００５５】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は、化合物の有機溶媒に対する溶解性を向上させる観点から、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリール基、及び置換基を有していてもよいアリールオキシ基が好ましく、置換基を有していてもよいアルキル基、及び置換基を有していてもよいアリール基がより好ましく、置換基を有していてもよいアルキル基が特に好ましい。
Ｒ３及びＲ４は、本発明の化合物を含む光電変換素子の開放端電圧を向上させる観点から、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリール基、及び置換基を有していてもよいアリールオキシ基が好ましく、水素原子、ハロゲン原子、及び置換基を有していてもよいアルコキシ基がより好ましく、水素原子、及びハロゲン原子が特に好ましい。Ｒ３及びＲ４で表されるハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、及び臭素原子が好ましく、フッ素原子、及び塩素原子がより好ましく、フッ素原子が特に好ましい。
【００５６】
式（１）中、ｑは、１〜３の整数を表す。ｑは、本発明の化合物を含む光電変換素子の開放端電圧を向上させる観点から、１及び２が好ましく、１が特に好ましい。
【００５７】
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は２価の複素環基を表す。
【００５８】
アリーレン基とは、芳香族炭化水素に含まれる芳香環に結合している水素原子のうちの２個を除いた基を意味する。アリーレン基には、ベンゼン環を含む基、縮合環を含む基、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接結合した基、及び独立したベンゼン環又は縮合環２個以上がビニレン等の基を介して結合した基も含まれる。
アリーレン基の炭素原子数は、通常、６〜６０であり、６〜２０が好ましい。アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表されるハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基の定義及び具体例と同じである。
【００５９】
２価の複素環基とは、フラン、チオフェン、ピロール、ピロリン、ピロリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾール、ピラゾリン、プラゾリジン、フラザン、トリアゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、テトラゾール、ピラン、ピリジン、ピペリジン、チオピラン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、モルホリン、トリアジン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、インドリン、イソインドリン、クロメン、クロマン、イソクロマン、ベンゾピラン、キノリン、イソキノリン、キノリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、インダゾール、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、キナゾリジン、シンノリン、フタラジン、プリン、プテリジン、カルバゾール、キサンテン、フェナントリジン、アクリジン、β-カルボリン、ペリミジン、フェナントロリン、チアントレン、フェノキサチイン、フェノキサジン、フェノチアジン、フェナジン等の置換基を有していてもよい複素環式化合物から水素原子を２個除いた基を意味する。該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、置換基を有していてもよいアリールアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基、置換基を有していてもよいアリールアルキニル基、置換カルボキシ基、カルボキシ基、ニトロ基及びシアノ基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、置換基を有していてもよいアリールアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、置換アミノ基、置換シリル基、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基、置換基を有していてもよいアリールアルキニル基及び置換カルボキシ基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表されるハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、置換基を有していてもよいアリールアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、置換アミノ基、置換シリル基、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基、置換基を有していてもよいアリールアルキニル基及び置換カルボキシ基の定義及び具体例と同じである。２価の複素環基の炭素原子数は、通常、２〜６０であり、６〜２０が好ましい。ここでいう炭素原子数は、複素環を構成する炭素原子であり、置換基を有する場合の置換基に含まれる炭素原子数を含まない。２価の複素環基は、２価の芳香族複素環基が好ましい。
【００６０】
２価の複素環基には、単環の複素環式化合物から水素原子を２個取り除いた基、縮合環を含有する複素環式化合物から水素原子を２個取り除いた基、及び、２個以上の複素環式化合物同士を直接結合、又はメチレン基、エチレン基、カルボニル基等の２価の基で橋かけした構造を有する有橋多環式複素環式化合物から水素原子を２個取り除いた基が含まれる。
【００６１】
置換基を有していてもよいアリーレン基としては、例えば、式１〜式４４で表される基が挙げられる。
2013220994.tif 000008
【００６２】
2013220994.tif 000009
【００６３】
2013220994.tif 000010
【００６４】
2013220994.tif 000011
【００６５】
2013220994.tif 000012
【００６６】
2013220994.tif 000013
【００６７】
式１〜式４４中、Ｒは、水素原子又は置換基を表す。Ｒが複数個ある場合、複数個あるＲは同一であってもよく、それぞれ異なっていてもよい。Ｒで表される置換基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表される置換基の定義及び具体例と同じである。Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、ニトロ基、及びシアノ基が好ましく、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、及び置換基を有していてもよいアルコキシ基がより好ましく、水素原子、及び置換基を有していてもよいアルキル基が特に好ましい。
【００６８】
式１〜式４４で表される基において、式１で表される基、式２０で表される基、及び式３６で表される基が好ましく、式１で表される基、及び式３６で表される基がより好ましく、式１で表される基が特に好ましい。
【００６９】
２価の複素環基としては、例えば、式１０１〜式２４４で表される基が挙げられる。
【００７０】
2013220994.tif 000014
【００７１】
2013220994.tif 000015
【００７２】
2013220994.tif 000016
【００７３】
2013220994.tif 000017
【００７４】
2013220994.tif 000018
【００７５】
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【００７６】
2013220994.tif 000020
【００７７】
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【００７８】
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【００７９】
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【００８０】
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【００８１】
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【００８２】
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【００８３】
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【００８４】
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【００８５】
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【００８６】
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【００８７】
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【００８８】
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【００８９】
2013220994.tif 000033
【００９０】
式１０１〜式２４４中、Ｒは前述と同じ意味を表す。Ｒが複数個ある場合、複数個あるＲは同一であってもよく、それぞれ異なっていてもよい。
【００９１】
Ａｒ１及びＡｒ２は、本発明の化合物を含有する活性層を有する光電変換素子の光電変換効率を向上させる観点からは、２価の複素環基が好ましい。
２価の複素環基としては、式１５３、式１５４、式１５５、式１５６、式１５７、式１６５、式１６６、式１６７、式１６８、式１６９、式１７０、式１７１、式１７２、式１７３、式１７４、式１７５、式１７６、式１７７、式１７８、式１８４、式１９０、式１９１、式１９２、式１９３、式１９４、式１９５、式１９６、式１９７、式１９８、式２０３、式２０８、式２１３、式２１８、式２２３、式２２８、式２３３、及び式２３４で表される基が好ましく、式１５６、式１６５、式１６９、式１７０、式１７１、式１７２、式１７３、式１７４、式１７５、式１７６、式１７８、式１８４、式１９８、式２０８、式２１８、及び式２２３で表される基がより好ましく、式１５６、式１７１、式１７２、式１７８、式１８４、式１９８、式２０８、式２１８、及び式２２３で表される基がさらに好ましく、式１５６で表される基、式１７１で表される基、及び式２１８で表される基が特に好ましい。
【００９２】
式（１）中、ｐ及びｒは、それぞれ独立に、０〜２の整数を表す。ｐは、０及び２が好ましい。ｒは１が好ましい。
【００９３】
Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は複素環基を表す。ただし、Ａ１とＡ２の少なくとも一方は、式（Ａ−１）で表される基又は式（Ａ−２）で表される基である。
2013220994.tif 000034
（Ａ−１）      （Ａ−２）
【００９４】
Ａ１及びＡ２で表される置換基を有していてもよいアリール基及び複素環基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表される置換基を有していてもよいアリール基及び複素環基の定義及び具体例と同じである。
アリール基としては、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基、及び置換基を有していてもよいフルオレニル基が好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基、及び置換基を有していてもよいフルオレニル基がより好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基が特に好ましい。
複素環基としては、芳香族複素環基が好ましく、置換基を有していてもよいフラン、チオフェン、ピロール、チアゾール、ベンゾチアジアゾール、キノキサリン、チエノチオフェン、チアゾロチアゾール、及びチエノピラジンからなる群から選ばれる化合物の複素環に結合している水素原子を１個除いた基がより好ましく、置換基を有していてもよいチオフェン、ベンゾチアジアゾール、及びキノキサリンからなる群から選ばれる化合物の複素環に結合している水素原子を１個除いた基がさらに好ましく、置換基を有していてもよいチオフェン、及びベンゾチアジアゾールからなる群から選ばれる化合物の複素環に結合している水素原子を１個除いた基がより好ましく、置換基を有していてもよいチエニル基が特に好ましい。
【００９５】
式（Ａ−１）及び式（Ａ−２）中、Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４、Ｗ５、Ｗ６、Ｗ７、及びＷ８は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。化合物の安定性を向上させる観点から、Ａ１及びＡ２の両方が、式（Ａ−１）で表される基又は式（Ａ−２）で表される基であることが好ましい。
【００９６】
Ｗ１〜Ｗ８で表される置換基を有していてもよいアルキル基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表される置換基を有していてもよいアルキル基の定義及び具体例と同じである。
【００９７】
式（Ａ−２）中、Ｙ４は、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、又は−Ｎ（Ｒ１１）−を表す。Ｒ１１は、水素原子又は置換基を表す。Ｒ１１で表される置換基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表される置換基の定義及び具体例と同じである。Ｙ４は、化合物の安定性を向上させる観点から、硫黄原子が好ましい。
【００９８】
本発明の化合物は、密度汎関数法を用いて計算した最高被占軌道(ＨＯＭＯ)のエネルギーが−４．５５ｅＶ以下であることが好ましい。
ＨＯＭＯを計算する手法としては、半経験的分子軌道法、密度汎関数法、非経験的分子軌道法などの量子化学的手法が挙げられ、分子構造及び被占有軌道のエネルギーの計算精度の観点から、密度汎関数法及び非経験的分子軌道法が好ましく、密度汎関数法がより好ましく、ハイブリッド型の密度汎関数法がさらに好ましく、Ｂ３ＬＹＰ法がとくに好ましい。密度汎関数法、又は非経験的分子軌道法を用いる場合、計算時間の短縮及び計算精度の観点から、基底関数として３−２１Ｇ＊及び６−３１Ｇ（ｄ）が好適に用いられ、６−３１（ｄ）がより好ましい。分子構造については、構造最適化を行うことにより、安定な構造を求めることがより好ましい。以上の計算を行うために、Ｇａｕｓｓｉａｎ０９、ＧＡＭＥＳＳなどの量子化学計算プログラムパッケージを利用することができる。式（１）で表される化合物の最高被占軌道のエネルギーとフラーレン誘導体等の電子受容性化合物の最低空軌道のエネルギーの差が大きいほど、開放端電圧が大きくなることが期待される。すなわち、式（１）で表される化合物の最高被占有軌道のエネルギーが小さいほど、上述のエネルギー差が大きくなり、開放端電圧が大きくなることが期待される。最高被占有軌道のエネルギーは、好ましくは−４．６０ｅＶ以下であり、より好ましくは−４．６５ｅＶ以下である。
【００９９】
本発明の化合物の製造方法としては、特に制限されるものではなく、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｋｕｍａｄａカップリング反応、Ｙａｍａｍｏｔｏカップリング反応、酸化カップリング反応などを用いることができるが、化合物の合成の容易さからは、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を用いる方法、及びＳｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる方法が好ましい。
【０１００】
本発明の化合物の一態様である式（１−１）で表される化合物の製造方法を述べる。
2013220994.tif 000035
（１−１）
〔式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｗ６、Ｗ７、Ｗ８、Ａｒ１、及びＡｒ２は、前述と同じ意味を表す。〕
【０１０１】
式（１−１）で表される化合物を製造する方法としては、例えば、式（１−２）で表される化合物と、式（Ａ−３）で表される化合物及び式（Ａ−４）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とを、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いて反応させる方法が挙げられる。
2013220994.tif 000036
（１−２）
〔式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、前述と同じ意味を表す。Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。〕
2013220994.tif 000037
（Ａ−３）                      （Ａ−４）
〔式（Ａ−３）及び（Ａ−４）中、Ｙ４、Ｗ６、Ｗ７、Ｗ８、Ａｒ１、及びＡｒ２は、前述と同じ意味を表し、Ｕ１及びＵ２は、それぞれ独立に、ホウ酸エステル残基又はジヒドロキシボリル基を表す。〕
【０１０２】
上記Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に用いる式（Ａ−３）で表される化合物のモル数と式（Ａ−４）で表わされる化合物のモル数との合計が、式（１−２）で表わされる化合物のモル数に対して、過剰であることが好ましい。反応に用いる式（１−２）で表わされる化合物のモル数を１モルとした場合、式（Ａ−３）で表される化合物のモル数と式（Ａ−４）で表わされる化合物のモル数との合計が、１．０５モル〜１０モルであることが好ましく、１．１モル〜５モルであることがより好ましい。
【０１０３】
ホウ酸エステル残基とは、ホウ酸ジエステルから水酸基を除去した基を意味し、ジアルキルエステル残基、ジアリールエステル残基、ジ（アリールアルキル）エステル残基などが挙げられる。ホウ酸エステル残基の具体例としては、下記式：
2013220994.tif 000038
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。）
で表される基が例示される。
【０１０４】
式（１−２）における、Ｑ１及びＱ２で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。化合物の合成の容易さからは、臭素原子、及びヨウ素原子が好ましく、臭素原子がより好ましい。
【０１０５】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を行う方法として具体的には、任意の溶媒中において、触媒としてパラジウム触媒を用い、塩基の存在下で反応させる方法が挙げられる。
【０１０６】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に使用するパラジウム触媒としては、例えば、Ｐｄ（０）触媒、及びＰｄ（ＩＩ）触媒が挙げられ、具体的には、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムアセテート、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、及びビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウムが挙げられ、反応操作の容易さ及び反応速度の観点からは、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムアセテート、及びトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムが好ましい。
パラジウム触媒の添加量は、特に限定されず、触媒としての有効量であればよいが、式（１−２）で表される化合物１モルに対して、通常、0.0001モル〜0.5モル、好ましくは0.0003モル〜0.1モルである。
【０１０７】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に使用するパラジウム触媒としてパラジウムアセテートを用いる場合は、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン等のリン化合物を配位子として添加することができる。この場合、配位子の添加量は、パラジウム触媒１モルに対して、通常、0.5モル〜100モルであり、好ましくは0.9モル〜20モル、さらに好ましくは１モル〜10モルである。
【０１０８】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に使用する塩基としては、無機塩基、有機塩基、及び無機塩が挙げられる。無機塩基としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、及び水酸化バリウムが挙げられる。有機塩基としては、例えば、トリエチルアミン、及びトリブチルアミンが挙げられる。無機塩としては、例えば、フッ化セシウムが挙げられる。
塩基の添加量は、式（１−２）で表される化合物１モルに対して、通常、0.5モル〜100モル、好ましくは0.9モル〜20モル、さらに好ましくは１モル〜１０モルである。
【０１０９】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、及びテトラヒドロフランが挙げられる。本発明に用いられる化合物の溶解性の観点からは、トルエン、及びテトラヒドロフランが好ましい。また、塩基は、水溶液として加え、２相系で反応させてもよい。塩基として無機塩を用いる場合は、無機塩の溶解性の観点から、通常、水溶液として加えて反応させる。
なお、塩基を水溶液として加え、２相系で反応させる場合は、必要に応じて、第４級アンモニウム塩などの相間移動触媒を加えてもよい。
【０１１０】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を行う温度は、前記溶媒にもよるが、通常、50〜160℃であり、原料化合物の転化率を向上させる観点からは、60〜120℃が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。反応時間は、目的の生成物の転化率に達したときを終点としてもよいが、通常、0.1時間〜200時間程度である。１時間〜30時間程度が効率的で好ましい。
【０１１１】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応は、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下、Ｐｄ（０）触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガスや窒素ガス等で、十分脱気された系で行う。具体的には、反応系内を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、この容器に、式（１−２）で表される化合物、式（Ａ−３）で表される化合物及び／又は（Ａ−４）で表される化合物、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を仕込み、さらに、容器内の空気を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより、脱気した溶媒、例えば、トルエンを加えた後、この溶液に、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより脱気した塩基、例えば、炭酸ナトリウム水溶液を滴下した後、加熱、昇温し、例えば、還流温度で８時間、不活性雰囲気を保持しながら反応する。
【０１１２】
上記反応で得られた反応生成物は、例えば、水を加えて希釈した後に有機溶媒で抽出し、有機層中の溶媒を留去する処理等の通常の後処理を行い、式（１−１）で表される化合物を得ることができる。反応生成物の単離及び精製はクロマトグラフィーによる分取や再結晶などの方法により行うことができる。
【０１１３】
式（１−２）で表される化合物を製造する方法としては、例えば、式（１−３）で表される化合物と、式（１−４）で表される化合物とを、パラジウム触媒の存在下、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を用いて反応させる方法が挙げられる。
2013220994.tif 000039
（１−３）
〔式中、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ、Ｒ１、及びＲ２は、前述と同じ意味を表す。Ｔ1及びＴ2は、それぞれ独立に、置換スタンニル基を表す。〕
2013220994.tif 000040
（１−４）
〔式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ３、Ｒ３、Ｒ４、Ｑ１及びＱ２は、前述と同じ意味を表す。〕
【０１１４】
置換スタンニル基としては、-ＳｎＲ１００３で表される基等が挙げられる。ここでＲ１００は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、アルキル基、アリール基などが挙げられる。
アルキル基の炭素原子数は通常１〜３０である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル墓、ペンチル基、イソペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、３−メチルペンチル基、２一メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基、エイコシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。アリール基の具体例としてはフェニル基及びナフチル基が挙げられる。置換スタンニル基として好ましくは-ＳｎＭｅ３、-ＳｎＥｔ３、-ＳｎＢｕ３、及び-ＳｎＰｈ３であり、より好ましくは-ＳｎＭｅ３、-ＳｎＥｔ３、及び-ＳｎＢｕ３である。上記好ましい例において、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｂｕはブチル基を、Ｐｈはフェニル基を表す。
【０１１５】
具体的には、触媒として、例えば、パラジウム触媒下で任意の溶媒中で反応する方法が挙げられる。
Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応に使用するパラジウム触媒としては、例えば、Ｐｄ（０）触媒、及びＰｄ（ＩＩ）触媒が挙げられる。具体的には、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムアセテート、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、及びビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウムが挙げられ、反応操作の容易さ及び反応速度の観点からは、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、及びトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムが好ましい。
Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応に使用するパラジウム触媒の添加量は、特に限定されず、触媒としての有効量であればよいが、式（１−４）で表される化合物１モルに対して、通常、0.0001モル〜0.5モル、好ましくは0.0003モル〜0.2モルである。
【０１１６】
また、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応において、必要に応じて配位子や助触媒を用いることもできる。配位子としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２−フリル）ホスフィン等のリン化合物やトリフェニルアルシン、トリフェノキシアルシン等の砒素化合物が挙げられる。助触媒としてはヨウ化銅、臭化銅、塩化銅、及び２−テノイル酸銅(Ｉ)が挙げられる。
配位子又は助触媒を用いる場合、配位子又は助触媒の添加量は、パラジウム触媒１モルに対して、通常、0.5モル〜100モルであり、好ましくは0.9モル〜20モル、さらに好ましくは１モル〜10モルである。
【０１１７】
Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、トルエン、ジメトキシエタン、及びテトラヒドロフランが挙げられる。本発明に用いられる化合物の溶解性の観点からは、トルエン、及びテトラヒドロフランが好ましい。
【０１１８】
Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を行う温度は、前記溶媒にもよるが、通常、50〜160℃であり、60〜120℃が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。
前記反応を行う時間（反応時間）は、目的の転化率に達したときを終点としてもよいが、通常、0.1時間〜200時間程度である。１時間〜30時間程度が効率的で好ましい。
【０１１９】
Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応は、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下、Ｐｄ触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガスや窒素ガス等で、十分脱気された系で行う。具体的には、反応系内を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、この容器に、式（１−３）で表される化合物、式（１−４）で表される化合物、パラジウム触媒を仕込み、さらに、容器を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより、脱気した溶媒、例えば、トルエンを加えた後、必要に応じて配位子や助触媒を加え、その後、加熱、昇温し、例えば、還流温度で８時間、不活性雰囲気を保持しながら反応する。
【０１２０】
上記反応で得られた反応生成物は、例えば、水を加えて希釈した後に有機溶媒で抽出し、有機層中の溶媒を留去する処理等の通常の後処理を行い、式（１−２）で表される化合物を得ることができる。反応生成物の単離及び精製はクロマトグラフィーによる分取や再結晶などの方法により行うことができる。
【０１２１】
本発明の化合物は、高い電子及び／又はホール輸送性を発揮し得ることから、該化合物を含む薄膜を素子に用いた場合、電極から注入された電子やホール、或いは、光吸収によって発生した電荷を輸送することができる。これらの特性を活かして光電変換素子、有機薄膜トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子等の種々の電子素子に好適に用いることができる。以下、これらの素子について個々に説明する。
【０１２２】
＜光電変換素子＞
本発明の光電変換素子は、第１の電極と第２の電極との間に、本発明の化合物を含む１層以上の活性層を有する。
本発明の光電変換素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、ｐ型の有機半導体とｎ型の有機半導体との有機組成物から形成される活性層を有する光電変換素子が好ましい。本発明の化合物は、ｐ型の有機半導体として用いることが好ましい。
【０１２３】
本発明の光電変換素子の他の態様は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極間に、本発明の化合物を含む第１の活性層と、該第１の活性層に隣接して、フラーレン誘導体等の電子受容性化合物を含む第２の活性層を含む光電変換素子である。
【０１２４】
本発明の光電変換素子は、通常、基板上に形成される。該基板は、電極を形成する際、及び、有機物の層を形成する際に化学的に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム及びシリコンが挙げられる。基板が不透明な場合には、基板の反対側の電極（即ち、基板から遠い方の電極）が透明又は半透明であることが好ましい。
【０１２５】
前記の透明又は半透明の電極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、及び半透明の金属薄膜が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性材料を用いて作製された膜、ＮＥＳＡ、金、白金、銀及び銅が挙げられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド及び酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法及びメッキ法が挙げられる。
電極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機化合物から形成した透明導電膜を用いてもよい。
【０１２６】
一方の電極は透明でなくてもよく、該電極の材料としては、金属、導電性高分子が挙げられる。電極の材料の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、それらの金属うち２つ以上の金属の合金、それらの金属のうち１つ以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群から選ばれる１種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金及びカルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
【０１２７】
光電変換効率を向上させるための手段として、活性層以外の付加的な中間層を使用してもよい。中間層に用いられる材料としては、フッ化リチウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化チタン等の酸化物、ＰＥＤＯＴ（ポリ−（３，４−エチレンジオキシチオフェン−２，５−ジイル））などが挙げられる。
【０１２８】
＜活性層＞
前記活性層は、本発明の化合物を一種単独で含んでいても二種以上を組み合わせて含んでいてもよい。また、前記活性層のホール輸送性を高めるため、前記活性層中に電子供与性化合物及び／又は電子受容性化合物として、本発明の化合物以外の化合物を混合して用いることもできる。なお、前記電子供与性化合物及び前記電子受容性化合物は、これらの化合物のエネルギー準位のエネルギーレベルから相対的に決定される。
【０１２９】
前記電子供与性化合物としては、本発明の化合物のほか、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体が挙げられる。
【０１３０】
前記電子受容性化合物としては、本発明の化合物のほか、例えば、炭素材料、酸化チタン等の金属酸化物、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン）等のフェナントロリン誘導体、フラーレン、フラーレン誘導体が挙げられ、好ましくは、酸化チタン、カーボンナノチューブ、フラーレン、フラーレン誘導体であり、特に好ましくはフラーレン、フラーレン誘導体である。
フラーレン、フラーレン誘導体としてはＣ60、Ｃ70、Ｃ7６、Ｃ7８、Ｃ84及びその誘導体が挙げられる。フラーレン誘導体は、フラーレンの少なくとも一部が修飾された化合物を表す。
【０１３１】
フラーレン誘導体としては、例えば、式（Ｉ）で表される化合物、式（ＩＩ）で表される化合物、式（ＩＩＩ）で表される化合物、及び式（ＩＶ）で表される化合物が挙げられる。
2013220994.tif 000041
（Ｉ）          （ＩＩ）          （ＩＩＩ）        （ＩＶ）
（式（Ｉ）〜（ＩＶ）中、Ｒａは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基又はエステル構造を有する基を表す。複数個あるＲａは、同一であっても相異なってもよい。Ｒｂは置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。複数個あるＲｂは、同一であっても相異なってもよい。）
【０１３２】
Ｒａ及びＲｂで表される置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもようアリール基の定義及び具体例は、前述のＲ１〜Ｒ１０で表される置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基の定義及び具体例と同じである。
【０１３３】
Ｒａで表されるヘテロアリール基は、例えば、チオフェンジイル基、ピリジンジイル基、フランジイル基及びピロールジイル基が挙げられる。
【０１３４】
Ｒａで表されるエステル構造を有する基は、例えば、式（Ｖ）で表される基が挙げられる。
2013220994.tif 000042
（Ｖ）
（式中、ｕ１は、１〜６の整数を表す、ｕ２は、０〜６の整数を表す、Ｒｃは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。）
【０１３５】
Ｒｃで表される置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基及び置換基を有していてもよいヘテロアリール基の定義及び具体例は、Ｒａで表される置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基及び置換基を有していてもよいヘテロアリール基の定義及び具体例と同じである。
【０１３６】
Ｃ６０の誘導体の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
2013220994.tif 000043
【０１３７】
Ｃ７０の誘導体の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
2013220994.tif 000044
【０１３８】
また、フラーレン誘導体の例としては、[６，６]フェニル−Ｃ６１酪酸メチルエステル（Ｃ６０ＰＣＢＭ、[6,6]-Phenyl C61 butyric acid methyl ester）、[６，６]フェニル−Ｃ７１酪酸メチルエステル（Ｃ７０ＰＣＢＭ、[6,6]-Phenyl C71 butyric acid methyl ester）、[６，６]フェニル−Ｃ８５酪酸メチルエステル（Ｃ８４ＰＣＢＭ、[6,6]-Phenyl C85 butyric acid methyl ester）、[６，６]チエニル−Ｃ６１酪酸メチルエステル（[6,6]-Thienyl C61 butyric acid methyl ester）が挙げられる。
【０１３９】
本発明の化合物を光電変換素子に用いる場合、本発明の化合物と電子受容性化合物とを含む組成物を光電変換素子の活性層に用いることが好ましい。活性層中に本発明の化合物と電子受容性化合物とを含む場合、電子受容性化合物の量は、本発明の化合物１００重量部に対して、１０〜１０００重量部が好ましく、２０〜５００重量部がより好ましい。
電子受容性化合物としては、フラーレン誘導体が好ましい。活性層中に本発明の化合物とフラーレン誘導体とを含む場合、フラーレン誘導体の量は、本発明の化合物１００重量部に対して、１０〜１０００重量部が好ましく、２０〜５００重量部がより好ましい。
【０１４０】
活性層の厚さは、１ｎｍ〜１００μｍが好ましく、２ｎｍ〜１０００ｎｍがより好ましく、５ｎｍ〜５００ｎｍがさらに好ましく、２０ｎｍ〜２００ｎｍが特に好ましい。
【０１４１】
前記活性層の製造方法は、如何なる方法で製造してもよく、例えば、化合物と溶媒とを含む溶液からの成膜や、真空蒸着法による成膜方法が挙げられる。
【０１４２】
＜光電変換素子の製造方法＞
光電変換素子の好ましい製造方法は、第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有する素子の製造方法であって、該第１の電極上に本発明の化合物と溶媒とを含む溶液(インク)を塗布法により塗布して活性層を形成する工程、該活性層上に第２の電極を形成する工程を有する素子の製造方法である。
【０１４３】
溶液からの成膜に用いる溶媒は、本発明の化合物を溶解させるものであればよい。該溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン等の炭化水素溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル溶媒が挙げられる。本発明の化合物は、通常、前記溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。
【０１４４】
溶液を用いて成膜する場合、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットコート法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、スリットコート法、キャピラリーコート法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、バーコート法、ナイフコート法、ノズルコート法、インクジェットコート法及びスピンコート法が好ましい。
成膜性の観点からは、２５℃における溶媒の表面張力が１５ｍＮ／ｍより大きいことが好ましく、１５ｍＮ／ｍより大きく１００ｍＮ／ｍよりも小さいことがより好ましく、２５ｍＮ／ｍより大きく６０ｍＮ／ｍよりも小さいことがさらに好ましい。
【０１４５】
＜光電変換素子の用途＞
本発明の光電変換素子は、太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。
【０１４６】
また、電極間に電圧を印加した状態、あるいは無印加の状態で光を照射することにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。
【０１４７】
＜太陽電池モジュール＞
有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとりうる。太陽電池モジュールは、一般的には金属、セラミック等の支持基板の上にセルが構成され、その上を充填樹脂や保護ガラス等で覆い、支持基板の反対側から光を取り込む構造をとるが、支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を取り込む構造とすることも可能である。具体的には、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプと呼ばれるモジュール構造、アモルファスシリコン太陽電池などで用いられる基板一体型モジュール構造等が知られている。本発明の化合物を用いて製造される有機薄膜太陽電池も使用目的や使用場所及び環境により、適宜これらのモジュール構造を選択できる。
【０１４８】
代表的なスーパーストレートタイプあるいはサブストレートタイプのモジュールは、片側又は両側が透明で反射防止処理を施された支持基板の間に一定間隔にセルが配置され、隣り合うセル同士が金属リード又はフレキシブル配線等によって接続され、外縁部に集電電極が配置されており、発生した電力を外部に取り出される構造となっている。基板とセルの間には、セルの保護や集電効率向上のため、目的に応じエチレンビニルアセテート（EVA）等様々な種類のプラスチック材料をフィルム 又は充填樹脂の形で用いてもよい。また、外部からの衝撃が少ないところなど表面を硬い素材で覆う必要のない場所において使用する場合には、表面保護層を透明プラスチックフィルムで構成し、又は上記充填樹脂を硬化させることによって保護機能を付与し、片側の支持基板をなくすことが可能である。
支持基板の周囲は、内部の密封及びモジュールの剛性を確保するため金属製のフレームでサンドイッチ状に固定し、支持基板とフレームの間は封止材料で密封シールする。また、セルそのものや支持基板、充填材料及び封止材料に可撓性の素材を用いれば、曲面の上に太陽電池を構成することもできる。
ポリマーフィルム等のフレキシブル支持体を用いた太陽電池の場合、ロール状の支持体を送り出しながら順次セルを形成し、所望のサイズに切断した後、周縁部をフレキシブルで防湿性のある素材でシールすることにより電池本体を作製できる。また、Solar Energy Materials and Solar Cells, 48,p383-391記載の「SCAF」とよばれるモジュール構造とすることもできる。更に、フレキシブル支持体を用いた太陽電池は曲面ガラス等に接着固定して使用することもできる。
【０１４９】
＜有機薄膜トランジスタ＞
本発明の化合物は、有機薄膜トランジスタにも用いることができる。有機薄膜トランジスタとしては、ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となる活性層（有機半導体層）と、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを備えた構成を有するものが挙げられ、活性層中に本発明の化合物が含まれる。有機薄膜トランジスタとしては、電界効果型有機薄膜トランジスタ及び静電誘導型等有機薄膜トランジスタが挙げられる。
【０１５０】
電界効果型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる活性層（有機半導体層）、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極、並びに、有機半導体層とゲート電極との間に配置される絶縁層を備えることが好ましい。
特に、ソース電極及びドレイン電極が、活性層に接して設けられており、さらに有機半導体層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていることが好ましい。電界効果型有機薄膜トランジスタにおいては、活性層が、本発明の化合物を含む有機薄膜によって構成される。
【０１５１】
静電誘導型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる活性層（有機半導体層）、並びに電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を有し、このゲート電極が活性層中に設けられていることが好ましい。特に、ソース電極、ドレイン電極及び活性層中に設けられたゲート電極が、活性層に接して設けられていることが好ましい。ここで、ゲート電極の構造としては、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成され、且つゲート電極に印加した電圧で電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、くし形電極が挙げられる。静電誘導型有機薄膜トランジスタにおいても、活性層が、本発明の化合物を含む有機薄膜によって構成される。
【０１５２】
有機薄膜トランジスタは、例えば電気泳動ディスプレイ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ等の画素の制御や、画面輝度の均一性や画面書き換え速度を制御のために用いられる画素駆動素子等として用いることができる。
【０１５３】
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
本発明の化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に用いることもできる。有機ＥＬ素子は、第１の電極と第２の電極との間に発光層を有する。有機ＥＬ素子は、発光層の他にも、正孔輸送層、電子輸送層を含んでいてもよい。該発光層、正孔輸送層、電子輸送層のいずれかの層中に本発明の化合物が含まれる。発光層中には、本発明の化合物の他にも、電荷輸送材料（電子輸送材料と正孔輸送材料の総称を意味する）を含んでいてもよい。有機ＥＬ素子としては、陽極と発光層と陰極とを有する素子、さらに陰極と発光層の間に、該発光層に隣接して電子輸送材料を含有する電子輸送層を有する陽極と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子、さらに陽極と発光層の間に、該発光層に隣接して正孔輸送材料を含む正孔輸送層を有する陽極と正孔輸送層と発光層と陰極とを有する素子、陽極と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子等が挙げられる。第１の電極と第２の電極の少なくとも一方は、透明又は半透明であることが好ましい。
【実施例】
【０１５４】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１５５】
実施例１
（化合物３の合成）
2013220994.tif 000045
化合物１          化合物２                            化合物３
内部の空気をアルゴンで置換した１００ｍＬフラスコに、特開２０１２−３６３５７号公報の実施例５３に記載された方法により合成した化合物１を５００ｍｇ（０．４７５ｍｍｏｌ）、特開２０１２−３６３５７号公報の参考例１４に記載された方法により合成した化合物２を３９３ｍｇ（１．１９ｍｍｏｌ）、トリス(２−トリル)ホスフィンを１３．０ｍｇ（０．０４２６ｍｍｏｌ）、脱水トルエンを１０ｍｌ入れた。得られたトルエン溶液を、アルゴンで３０分バブリングした。その後、トルエン溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムを６．５ｍｇ（０．００７１ｍｍｏｌ）加え、１０５℃で６時間攪拌した。その後、フラスコを室温までに冷却し、有機層を水５０ｍＬで２回洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過した後、エバポレーターで溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製して化合物３を２０９ｍｇ得た。
【０１５６】
実施例２
（化合物５の合成）
2013220994.tif 000046
内部の空気をアルゴンで置換した１００ｍＬフラスコに、化合物３を２００ｍｇ（０．２０６ｍｍｏｌ）、化合物４（シグマアルドリッチ社製）を５７１ｍｇ（１．５２ｍｍｏｌ）、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、シグマアルドリッチ社製）を５０ｍｇ加え、トルエン２０ｍＬに溶解させ、得られたトルエン溶液をアルゴンで３０分バブリングした。その後、酢酸パラジウムを０．６７ｍｇ、トリス(２−メトキシフェニル)ホスフィンを３．７ｍｇ、１６．７重量％の炭酸ナトリウム水溶液を２ｍＬ加え、１００℃で６時間攪拌を行った。分液ロートを用いて水層を除去した後、有機層を水で２回洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過した後、エバポレーターで溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製して化合物５を２２０ｍｇ得た。
【０１５７】
実施例３
（有機薄膜太陽電池の作製及び評価）
電子受容性化合物である[６，６]フェニル−Ｃ７１酪酸メチルエステル（Ｃ７０ＰＣＢＭ）（アメリカンダイソース社製、商品名：ＡＤＳ７１ＢＦＡ、ロット番号：１０Ｅ３９Ｅ)と、電子供与性化合物である化合物５とを、化合物５の重量に対するＣ７０ＰＣＢＭの重量比が２となるよう混合し、混合物の濃度が１．５重量％となるよう、ｏ−ジクロロベンゼンに溶解させた。得られた溶液を、孔径０．５μｍのテフロン（登録商標）フィルターで濾過し、塗布溶液１を調製した。
【０１５８】
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板を紫外線オゾン戦場装置で洗浄し、表面処理を行った。次に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン−２，５−ジイル）とポリスチレンスルホン酸とを含む液（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ液）（ヘレウス社製、ＣｌｅｖｉｏｓＰ  ＶＰ  ＡＩ４０８３）をスピンコートによりＩＴＯ膜上に塗布し、大気中１２０℃で１０分間加熱し、膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、前記塗布溶液１を、スピンコートにより正孔注入層上に塗布し、活性層を得た。活性層の膜厚は１００ｎｍであった。その後、真空蒸着機により、活性層上にカルシウムを膜厚４ｎｍで蒸着し、次いで、アルミニウムを膜厚１００ｎｍで蒸着することにより、有機薄膜太陽電池を作製した。蒸着を行う時の真空度は、すべて１〜９×１０-3Ｐａであった。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、２ｍｍ×２ｍｍの正方形であった。得られた有機薄膜太陽電池にソーラシミュレーター(分光計器製、商品名OTENTO-SUNII：AM1.5Gフィルター、放射照度100mW/cm2)を用いて一定の光を照射し、発生する電圧を測定した。開放端電圧は０．７９Ｖであった。
【０１５９】
実施例４
（有機薄膜太陽電池の作製及び評価）
化合物５の重量に対するＣ７０ＰＣＢＭの重量比が３／７となるよう混合し、溶液中の混合物の濃度を２．１４重量％とした以外は実施例３と同様に有機薄膜太陽電池を作製し、開放端電圧を測定した。開放端電圧は０．８４Ｖであった。
【０１６０】
実施例５
（化合物７の合成）
2013220994.tif 000047
内部の空気をアルゴンで置換した四つ口フラスコに、化合物６を４６６．８ｍｇ（０．３００ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを２０ｍＬ加え、均一な溶液とし、室温（２５℃）で、３０分間アルゴンでバブリングを行った。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウムを１３．７４ｍｇ（０．０１５ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレートを１７．４１ｍｇ（０．０６０ｍｍｏｌ）、３ｍｏｌ／Ｌのリン酸カリウム水溶液を１．０ｍＬ（３．０ｍｍｏｌ）加えた。６０℃に加熱したオイルバスにフラスコを浸し、攪拌しながら、フェニルボロン酸７３．２ｍｇ（０．６００ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶かした溶液を５分かけて滴下した。１時間後、液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。反応液に水を加え、有機層をヘキサンで抽出し、展開溶媒にヘキサンを用いたカラムで精製を行い、その後、乾燥させて化合物７を３９０ｍｇ得た。
【０１６１】
実施例６
（有機薄膜太陽電池の作製及び評価）
化合物５の代わりに化合物７を用いた以外は実施例３と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、開放端電圧を測定した。開放端電圧は０．８０Ｖであった。
【０１６２】
参考例１
（高分子化合物Ａの合成）
2013220994.tif 000048
化合物８                  化合物９
フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物８を５６１ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）、化合物９（シグマアルドリッチ社製）を３８８．１ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、シグマアルドリッチ社製）を２０２ｍｇ加え、トルエン２０ｍｌに溶解させ、得られたトルエン溶液をアルゴンで３０分バブリングした。その後、反応液に酢酸パラジウムを２．２５ｍｇ、トリス(２−メトキシフェニル)ホスフィンを１２．３ｍｇ、１６．７重量％の炭酸ナトリウム水溶液を６．５ｍＬ加え、１００℃で５時間攪拌を行った。その後、反応液にフェニルホウ酸５０ｍｇを加え、さらに７０℃で２時間反応させた。その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム２ｇと水２０ｍＬを加え、２時間還流下で攪拌を行った。水層を除去後、有機層を水２０ｍｌで２回洗浄し、次いで、３重量%の酢酸水溶液２０ｍＬで２回洗浄し、さらに水２０ｍＬで２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーを濾過後、乾燥させ、得られたポリマーをｏ−ジクロロベンゼン３０ｍＬに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムに通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーを濾過後、乾燥させ、精製された重合体を２８０ｍｇ得た。以下、この重合体を高分子化合物Ａと呼称する。ＧＰＣで測定した高分子化合物Ａのポリスチレン換算の分子量は、重量平均分子量が３００００であり、数平均分子量が１４０００であった。
【０１６３】
比較例１
（有機薄膜太陽電池の作製及び評価）
化合物５の代わりに高分子化合物Ａを用いた以外は実施例３と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、開放端電圧を測定した。開放端電圧は０．６０Ｖであった。
【０１６４】
【表１】
2013220994.tif 000049
【０１６５】
計算例１
化合物５に対して、構造最適化計算を行い、安定構造を求め、化合物５の最高被占有軌道のエネルギーを計算した。最高被占有軌道のエネルギーを求める方法には、ハイブリッド型密度汎関数法であるB3LYP法を用い、基底関数には６−３１G（ｄ）を用いた。計算ソフトウェアはGaussian09（Gaussian Inc.製）を用いた。化合物５の最高被占有軌道のエネルギーは、−４．５９ｅＶであった。
【０１６６】
計算例２
化合物５と同様に、化合物７に対して、構造最適化計算を行い、安定構造を求め、化合物７の最高被占有軌道のエネルギーを計算した。最高被占有軌道のエネルギーを求める方法には、ハイブリッド型密度汎関数法であるB3LYP法を用い、基底関数には６−３１G（ｄ）を用いた。計算ソフトウェアはGaussian09（Gaussian Inc.製）を用いた。化合物７の最高被占有軌道のエネルギーは、−４．７１ｅＶであった。
【０１６７】
【表２】
2013220994.tif 000050