(57)【要約】【課題】外部電極の厚さ低減及び密着強度向上を効果的に図れる電子部品を提供する。【解決手段】電子部品の外部電極Ｅ１は、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に散乱状態で付着した金属粒子ＳＰ１と、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に金属粒子ＳＰ１を覆うように形成された電極主膜Ｆsp2とから成る。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品本体の表面に外部電極を有する電子部品であって、
前記外部電極は、前記部品本体の外部電極形成部分の表面に散乱状態で付着した金属粒子と、前記部品本体の外部電極形成部分の表面に前記金属粒子を覆うように形成された電極主膜とから成る、
ことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記部品本体はセラミックスを主材とする、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記金属粒子は鉄または鉄を主成分とする合金の粒子であり、前記電極主膜は銅またはニッケルである、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
部品本体の表面に外部電極を形成する工程を備えた電子部品の製造方法であって、
前記外部電極形成工程は、（１）スパッタリング法によって前記部品本体の外部電極形成部分の表面に金属粒子を散乱状態で付着させるステップと、（２）スパッタリング法によって前記部品本体の外部電極形成部分の表面に前記金属粒子を覆うように電極主膜を形成するステップとを含む、
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記部品本体はセラミックスを主材とする、
ことを特徴とする請求項４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記金属粒子は鉄または鉄を主成分とする合金の粒子であり、前記電極主膜は銅またはニッケルである、
ことを特徴とする請求項４または５に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部電極に工夫を凝らした電子部品と、該外部電極を有する電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップコンデンサやチップインダクタやチップレジスタや圧電チップ等の電子部品には、部品本体の内部に設けられた機能要素、例えば電極層やコイルや抵抗層等と電気的に接続する外部電極が該部品本体の表面に設けられている。
【０００３】
この外部電極は、一般に、部品本体の表面の一部に形成された電極下地膜と、該電極下地膜の表面に形成された電極主膜とによって構成されており、通常、電極下地膜の形成手法には金属ペーストの塗布及び焼付けが採用され、電極主膜の形成手法には電解メッキが採用されている。外部電極を構成する電極下地膜は電極主膜の密着強度を向上させる役目を果たすものであるが、該電極下地膜の形成手法が金属ペーストの塗布及び焼付けであることから、外部電極の厚さを低減すること、例えば外部電極の厚さをμｍオーダーとすることは極めて難しい。
【０００４】
外部電極の厚さは電子部品が小型（例えば０６０３サイズや０４０２サイズ）になるほど該電子部品のサイズへの影響が大きくなるため、とりわけ、小型化及び低背化が望まれている電子部品にあっては外部電極の厚さ低減が重要視されており、該厚さ低減のために外部電極を構成する電極下地膜及び電極主膜の両方をスパッタリング法にて形成する試みが為されている（特許文献１を参照）。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示された外部電極はそれ以前の外部電極と同様に密着強度向上用電極下地膜と電極主膜とによって構成されていて「外部電極の厚さ＝電極下地膜の厚さ＋電極主膜の厚さ」となるため、電極主膜の厚さのみを低減すると外部電極の密着強度が低下することもあって、電極下地膜と電極主膜の両方の厚さを低減しなければ外部電極の厚さ低減を図ることはできない。要するに、特許文献１に開示された外部電極構造では、外部電極の厚さ低減と密着強度向上の両方を満足するにも限界がある。
【０００６】
本願発明者は前記事情を念頭に鋭意研究の上、電極下地膜を有しない外部電極構造を捻出することより、外部電極の厚さ低減及び密着強度向上を効果的に図れる電子部品と、該外部電極を有する電子部品の作製に好適な製造方法を創作するに至った。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２９９５１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、外部電極の厚さ低減及び密着強度向上を効果的に図れる電子部品と、該外部電極を有する電子部品の作製に好適な製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するため、本発明（電子部品）は、部品本体の表面に外部電極を有する電子部品であって、前記外部電極は、前記部品本体の外部電極形成部分の表面に散乱状態で付着した金属粒子と、前記部品本体の外部電極形成部分の表面に前記金属粒子を覆うように形成された電極主膜とから成る、ことをその特徴とする。
【００１０】
また、本発明（電子部品の製造方法）は、部品本体の表面に外部電極を形成する工程を備えた電子部品の製造方法であって、前記外部電極形成工程は、（１）スパッタリング法によって前記部品本体の外部電極形成部分の表面に金属粒子を散乱状態で付着させるステップと、（２）スパッタリング法によって前記部品本体の外部電極形成部分の表面に前記金属粒子を覆うように電極主膜を形成するステップとを含む、ことをその特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る電子部品及びその製造方法によれば以下の如き効果が得られる。即ち、部品本体の外部電極形成部分の表面には金属粒子が散乱状態で付着しているため、該外部電極形成部分の表面において金属粒子が存在する箇所が凸となり、且つ、存在しない箇所（外部電極形成部分の表面が露出する箇所）が凹となる。また、電極主膜は散乱状態で付着した金属粒子を覆うように外部電極形成部分の表面に形成されているため、該電極主膜には前記凹に入り込んで外部電極形成部分の表面に達する最大厚さ箇所と前記凹に入り込まない厚さの薄い箇所とが混在する。
【００１２】
つまり、電極主膜には、該電極主膜を直接平坦な面に形成する場合に比べて、密着総面積が増加する作用が得られると共に、金属粒子の形状に基づくアンカー作用が得られため、該電極主膜の密着強度向上が図れる。また、外部電極の厚さに相当する電極主膜の最大厚さを金属粒子を覆える最小値に設定しても前記密着強度向上が図れるため、電極主膜の最大厚さを低減することに依る外部電極の厚さ低減が図れる。
【００１３】
要するに、本発明に係る電子部品によれば、電極下地膜を有しない前記外部電極構造を採用することによって、外部電極の厚さ低減及び密着強度向上を効果的に図ることができるし、本発明に係る電子部品の製造方法によれば、前記効果が得られる電子部品を的確に製造することができる。
【００１４】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、第１実施形態に係る外部電極形成の第１ステップの説明図である。
【図２】図２は、第１ステップ後の部品本体の側面図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係る外部電極形成の第２ステップの説明図である。
【図４】図４は、第２ステップ後の部品本体の側面図である。
【図５】図５は、外部電極形成後の電子部品の側面図である。
【図６】図６は、検証品と比較品の外部電極の密着強度を示す図である。
【図７】図７は、図６に示した密着強度の測定方法の説明図である。
【図８】図８は、比較品の側面図である。
【図９】図９は、第２実施形態に係る外部電極形成の第１ステップの説明図である。
【図１０】図１０は、第１ステップ後の部品本体の側面図である。
【図１１】図１１は、第２実施形態に係る外部電極形成の第２ステップの説明図である。
【図１２】図１２は、第２ステップ後の部品本体の側面図である。
【図１３】図１３は、外部電極形成後の電子部品の側面図である。
【図１４】図１４は、検証品と比較品の外部電極の密着強度を示す図である。
【図１５】図１５は、比較品の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
《第１実施形態》
図１は外部電極形成に用いたＤＣマグネトロン方式のスパッタ装置１０を示すもので、該スパッタ装置１０はチャンバー１１と、上側ターゲット電極１２と、Ｎ極及びＳ極を有する磁石１３と、下側試料台電極１４と、ＤＣ電源１５とを備える。チャンバー１１は、ガス供給源（図示省略）に接続された第１ポート１１ａと、真空ポンプ（図示省略）に接続された第２ポート１１ｂとを有する。上側ターゲット電極１２は平坦な下面を有し、磁石１３は該下面或いはその内側に設けられている。磁石１３は永久磁石または電磁石から成り、永久磁石の場合には常に磁界を形成でき、電磁石の場合には電力の供給または非供給によって磁界の形成と非形成を適宜選択できる。下側試料台電極１４は平坦な上面を有し、該上面は上側ターゲット電極１２の下面と平行に向き合っている。ＤＣ電源１５は所定のＤＣ電力を上側ターゲット電極１２と下側試料台電極１４に供給する。また、ＤＣ電源１５は、上側ターゲット電極１２と下側試料台電極１４の接続極性を切り替える機能を有する。
【００１７】
〈外部電極形成の第１ステップ〉
第１ステップを行うに際しては、図１に示したように、ターゲットＴＡ１を上側ターゲット電極１２の下面に配置すると共に、多数の部品本体ＣＢが保持された部品保持具Ｊ１を下側試料台電極１４の上面に配置する。
【００１８】
ターゲットＴＡ１は所定厚さを有する平板状を成す。このターゲットＴＡ１の材料は好ましくは鉄、または、ステンレス鋼等の鉄を主成分とした合金である。勿論、チタン、クロム、または、タンタルや、これらのうちの少なくとも１種以上を含む合金等をターゲットＴＡ１の材料としても良い。
【００１９】
部品保持具Ｊ１は所定厚さを有する平板状を成し、その上面に多数の凹部Ｊ１ａを有している。各凹部Ｊ１ａは部品本体ＣＢの一部（外部電極形成部分ＣＢａ）を除く部分を収納して保持するためのものであり、該外部電極形成部分ＣＢａの表面は部品保持具Ｊ１から露出する（図２を参照）。この部品保持具Ｊ１の材料は導電材料と非導電材料の何れであっても良いが、該部品保持具Ｊ１に電極としての機能を発揮させる場合にはステンレス鋼やアルミニウム等が好ましい。
【００２０】
部品本体ＣＢは外部電極を形成することによってチップコンデンサやチップインダクタやチップレジスタや圧電チップ等の電子部品となるものであって、略直方体形状を成している。この部品本体ＣＢはセラミックスを主材とし、内部に機能要素、例えば電極層やコイルや抵抗層等を有している。部品本体ＣＢの主材であるセラミックスの材料は電子部品によって異なるが、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、チタン酸ジルコン酸鉛等が代表例として挙げられる。
【００２１】
そして、ガス供給源から第１ポート１１ａを通じてチャンバー１１内に不活性ガスを導入し、且つ、真空ポンプにより第２ポート１１ｂを通じてチャンバー１１内の真空度を調節した状態で、磁界形成下において、上側ターゲット電極１２を負極とし下側試料台電極１４を正極としてＤＣ電源１５から両電極１２及び１４に高ＤＣ電圧を所定時間印加する。
【００２２】
チャンバー１１内に導入される不活性ガスは好ましくはアルゴンであるが、ネオン、キセノン等であっても良い。また、スパッタ装置１０の仕様によって異なるが、チャンバー１１内への不活性ガス導入量は１０〜５００ｓｃｃｍの範囲内の値に設定され、チャンバー１１内の真空度は概ね１０-1〜５０Ｐａの範囲内の値に設定され、両電極１２及び１４に印加される高ＤＣ電圧は電力として表すと概ね１０〜１００００Ｗの範囲内の値に設定され、高ＤＣ電圧の印加時間は概ね１０〜６０ｓｅｃの範囲内の値に設定される。
【００２３】
これにより、図１及び図２に示したように、不活性ガスがプラズマ化し、正イオンＩＩがターゲットＴＡ１に衝突して該ターゲットＴＡ１の表面から金属粒子（原子や分子を指す）ＳＰ１が弾き飛ばされ、弾き飛ばされた金属粒子ＳＰ１が各部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に散乱状態で付着する。
【００２４】
この第１ステップで肝要な点は、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に金属粒子ＳＰ１を散乱状態で付着させることにある。ターゲットＴＡ１の表面から弾き飛ばされる金属粒子ＳＰ１の粒径はｎｍオーダーであるが、高ＤＣ電圧の印加時間を長くすると部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に金属粒子ＳＰ１が堆積して膜が形成されてしまうため、ここでは高ＤＣ電圧の印加時間を極力短くすること等によって膜の形成を回避する。因みに、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に付着した金属粒子ＳＰ１の表面被覆率を数値で表すと３０〜９０％の範囲内である。
【００２５】
〈外部電極形成の第２ステップ〉
第１ステップに続けて第２ステップを行うに際しては、図２に示したように、ターゲットＴＡ１を別のターゲットＴＡ２に交換する。
【００２６】
ターゲットＴＡ２は所定厚さの平板状を成す。このターゲットＴＡ２の材料は外部電極の電極主膜となる材料であって、好ましくは銅、ニッケル、または、銀等である。
【００２７】
そして、ガス供給源から第１ポート１１ａを通じてチャンバー１１内に不活性ガスを導入し、且つ、真空ポンプにより第２ポート１１ｂを通じてチャンバー１１内の真空度を調節した状態で、磁界形成下において、上側ターゲット電極１２を負極とし下側試料台電極１４を正極としてＤＣ電源１５から両電極１２及び１４に高ＤＣ電圧を所定時間印加する。
【００２８】
チャンバー１１内に導入される不活性ガスは好ましくはアルゴンであるが、ネオン、キセノン等であっても良い。また、スパッタ装置１０の仕様によって異なるが、チャンバー１１内への不活性ガス導入量は１０〜５００ｓｃｃｍの範囲内の値に設定され、チャンバー１１内の真空度は概ね１０-1〜５０Ｐａの範囲内の値に設定され、両電極１２及び１４に印加される高ＤＣ電圧は電力として表すと概ね１０〜１００００Ｗの範囲内の値に設定され、高ＤＣ電圧の印加時間は概ね６０〜３００ｓｅｃの範囲内の値に設定される。
【００２９】
これにより、図３及び図４に示したように、不活性ガスがプラズマ化し、正イオンＩＩがターゲットＴＡ２に衝突して該ターゲットＴＡ２の表面から金属粒子（原子や分子を指す）ＳＰ２が弾き飛ばされ、弾き飛ばされた金属粒子ＳＰ２が各部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に前記金属粒子ＳＰ１を覆うように堆積して電極主膜Ｆsp2が形成される。
【００３０】
この第２ステップで肝要な点は、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に金属粒子ＳＰ２を前記金属粒子ＳＰ１を覆うように堆積させて電極主膜Ｆsp2を形成することにある。ここでは高ＤＣ電圧の印加時間を膜形成に適した時間に設定すること等によって、前記金属粒子ＳＰ１を覆う電極主膜Ｆsp2を形成する。因みに、前記電極主膜Ｆsp2の最大厚さを数値で表すと、０．５〜１０μｍ、好ましくは１〜３μｍの範囲内の値である。
【００３１】
〈外部電極形成の第３ステップ〉
第２ステップに続けて第３ステップを行うに際しては、ターゲットＴＡ２をターゲットＴＡ１に交換すると共に、部品保持具Ｊ１に保持されている各部品本体ＣＢの向きを反転させて再保持させた後に該部品保持具Ｊ１を下側試料台電極１４の上面に配置する。
【００３２】
そして、第１ステップと同様の条件で、ガス供給源から第１ポート１１ａを通じてチャンバー１１内に不活性ガスを導入し、且つ、真空ポンプにより第２ポート１１ｂを通じてチャンバー１１内の真空度を調節した状態で、磁界形成下において、上側ターゲット電極１２を負極とし下側試料台電極１４を正極としてＤＣ電源１５から両電極１２及び１４に高ＤＣ電圧を所定時間印加する。
【００３３】
これにより、第１ステップと同様に、不活性ガスがプラズマ化し、正イオンＩＩがターゲットＴＡ１に衝突して該ターゲットＴＡ１の表面から金属粒子（原子や分子を指す）ＳＰ１が弾き飛ばされ、弾き飛ばされた金属粒子ＳＰ１が各部品本体ＣＢの反対側の外部電極形成部分ＣＢａの表面に散乱状態で付着する。この第３ステップで肝要な点は前記第１ステップで述べた通りである。
【００３４】
〈外部電極形成の第４ステップ〉
第３ステップに続けて第４ステップを行うに際しては、ターゲットＴＡ１をターゲットＴＡ２に交換する。
【００３５】
そして、第２ステップと同様の条件で、ガス供給源から第１ポート１１ａを通じてチャンバー１１内に不活性ガスを導入し、且つ、真空ポンプにより第２ポート１１ｂを通じてチャンバー１１内の真空度を調節した状態で、磁界形成下において、上側ターゲット電極１２を負極とし下側試料台電極１４を正極としてＤＣ電源１５から両電極１２及び１４に高ＤＣ電圧を所定時間印加する。
【００３６】
これにより、第２ステップと同様に、不活性ガスがプラズマ化し、正イオンＩＩがターゲットＴＡ２に衝突して該ターゲットＴＡ２の表面から金属粒子（原子や分子を指す）ＳＰ２が弾き飛ばされ、弾き飛ばされた金属粒子ＳＰ２が各部品本体ＣＢの反対側の外部電極形成部分ＣＢａの表面に前記金属粒子ＳＰ１を覆うように堆積して電極主膜Ｆsp2が形成される。この第４ステップで肝要な点は前記第２ステップで述べた通りである。
【００３７】
〈部品本体に外部電極が形成された電子部品〉
図５は前記第１ステップ〜第４ステップを経て部品本体ＣＢの両端部に外部電極Ｅ１が形成された電子部品、例えばチップコンデンサやチップインダクタやチップレジスタや圧電チップ等の電子部品を示す。ここでの外部電極Ｅ１は、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に散乱状態で付着した金属粒子ＳＰ１と、外部電極形成部分ＣＢａの表面に該金属粒子ＳＰ１を覆うように形成された電極主膜Ｆsp2とから成る。
【００３８】
〈電子部品及びその製造方法によって得られる効果〉
図２から分かるように、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面には金属粒子ＳＰ１が散乱状態で付着しているため、該外部電極形成部分ＣＢａの表面において金属粒子ＳＰ１が存在する箇所が凸となり、且つ、存在しない箇所（外部電極形成部分ＣＢａの表面が露出する箇所）が凹となる。また、図４から分かるように、電極主膜Ｆsp2は散乱状態で付着した金属粒子ＳＰ１を覆うように外部電極形成部分ＣＢａの表面に形成されているため、該電極主膜Ｆsp2には前記凹に入り込んで外部電極形成部分ＣＢａの表面に達する最大厚さ箇所と前記凹に入り込まない厚さの薄い箇所とが混在する。
【００３９】
つまり、電極主膜Ｆsp2には、該電極主膜Ｆsp2を直接平坦な面に形成する場合（図８を参照）に比べて、密着総面積が増加する作用が得られると共に、金属粒子ＳＰ１の形状に基づくアンカー作用が得られため、該電極主膜Ｆsp2の密着強度向上が図れる。また、外部電極Ｅ１の厚さに相当する電極主膜Ｆsp2の最大厚さを金属粒子ＳＰ１を覆える最小値に設定しても前記密着強度向上が図れるため、電極主膜Ｆsp2の最大厚さを低減することに依る外部電極Ｅ１の厚さ低減が図れる。
【００４０】
要するに、前記電子部品によれば、電極下地膜を有しない前記外部電極構造を採用することによって、外部電極Ｅ１の厚さ低減及び密着強度向上を効果的に図ることができるし、前記製造方法によれば、前記効果が得られる電子部品を的確に製造することができる。
【００４１】
〈効果の検証〉
前記効果、特に密着強度向上の検証に際しては、検証品１-1〜１-3（図５を参照）と比較品（図８を参照）とを５個ずつ作製して、各々に密着強度試験を実施してその結果を確認した。
【００４２】
検証品１-1〜１-3は、部品本体ＣＢとして０６０３サイズのチップコンデンサの部品本体（チタン酸バリウムを主材とするもの）に外部電極Ｅ１を形成したものであって、各々の外部電極Ｅ１を、
〔検証品１-1〕
（第１ステップ及び第３ステップの条件）
・不活性ガス                ：アルゴン
・不活性ガスの導入量        ：１０ｓｃｃｍ
・チャンバー１１の真空度    ：０．５Ｐａ
・ＤＣ電力                  ：１００Ｗ
・ＤＣ電力の印加時間        ：６０ｓｅｃ
・ターゲットＴＡ１          ：鉄
・金属粒子ＳＰ１の表面被覆率：５０％
（第２ステップ及び第４ステップの条件）
・不活性ガス                ：アルゴン
・不活性ガスの導入量        ：１００ｓｃｃｍ
・チャンバー１１の真空度    ：３Ｐａ
・ＤＣ電力                  ：１００Ｗ
・ＤＣ電力の印加時間        ：１８０ｓｅｃ
・ターゲットＴＡ２          ：銅
・電極主膜Ｆsp2の最大厚さ   ：１μｍ
〔検証品１-2〕
（第１ステップ及び第３ステップの条件）
・不活性ガス                ：アルゴン
・不活性ガスの導入量        ：１００ｓｃｃｍ
・チャンバー１１の真空度    ：２Ｐａ
・ＤＣ電力                  ：１００Ｗ
・ＤＣ電力の印加時間        ：１５ｓｅｃ
・ターゲットＴＡ１          ：鉄
・金属粒子ＳＰ１の表面被覆率：７０％
（第２ステップ及び第４ステップの条件）
検証品１-1と同じ
〔検証品1-3〕
（第１ステップ及び第３ステップの条件）
・不活性ガス                ：アルゴン
・不活性ガスの導入量        ：５００ｓｃｃｍ
・チャンバー１１の真空度    ：３０Ｐａ
・ＤＣ電力                  ：１００Ｗ
・ＤＣ電力の印加時間        ：１０ｓｅｃ
・ターゲットＴＡ１          ：鉄
・金属粒子ＳＰ１の表面被覆率：４０％
（第２ステップ及び第４ステップの条件）
検証品１-1と同じ
にて前記第１ステップ〜第４ステップに準じて形成した。
【００４３】
一方、比較品は、部品本体ＣＢとして０６０３サイズのチップコンデンサの部品本体（チタン酸バリウムを主材とするもの）に外部電極Ｅ１’を形成したものであって、該外部電極Ｅ１’を、
〔比較品〕
（第１ステップ及び第３ステップの条件）
第１ステップ及び第３ステップは実施せず
（第２ステップ及び第４ステップの条件）
検証品１-1と同じ
にて前記第２ステップ及び第４ステップのみに準じて形成した。図８から分かるように、比較品の外部電極Ｅ１’は検証品１-1〜１-3（図５を参照）のような「外部電極形成部分ＣＢａの表面に散乱状態で付着した金属粒子ＳＰ１」を有せず、電極主膜Ｆsp2のみから成っている。
【００４４】
密着強度試験は、図７に示したように、ガラスエポキシ基板ＳＵＢの銅パッドＳＵＢａ上に鉛フリー半田ペーストをスクリーン印刷によって厚さ５０μｍで塗布し、この上に検証品１-1〜１-3と比較品をそれぞれ搭載して、ピーク温度２８０℃、１０ｓｅｃの温度プロファイルにてリフロー半田付けを行い、ロードセル式加圧試験機によって検証品１-1〜１-3と比較品の側面の中心（＋印を参照）を２．５ｍｍ／ｍｉｎの速度で加圧し、各々の外部電極Ｅ１が剥離したときの荷重を密着強度（単位はｋｇｆ／ｍｍ2）に変換してその数値を確認した。
【００４５】
図６から分かるように、検証品１-1〜１-3の電極主膜Ｆsp2の最大厚さが比較品の電極主膜Ｆsp2の厚さと同じであっても、検証品１-1の外部電極Ｅ１の密着強度の平均値（約０．９０ｋｇｆ／ｍｍ2）と、検証品１-2の外部電極Ｅ１の密着強度の平均値（約１．０６ｋｇｆ／ｍｍ2）と、検証品１-3の外部電極Ｅ１の密着強度の平均値（約０．９７ｋｇｆ／ｍｍ2）は、何れも、比較品の外部電極Ｅ１’の密着強度の平均値（約０．７３ｋｇｆ／ｍｍ2）に比べて高く、密着強度向上が図れていることが確認できた。
【００４６】
《第２実施形態》
図９に示したスパッタ装置１０の構成は、図１に示したものと同じであるため、その説明を省略する。
【００４７】
〈外部電極形成の第１ステップ〉
第１ステップを行うに際しては、図９に示したように、多数の部品本体ＣＢが保持された部品保持具Ｊ２を下側試料台電極１４の上面に配置する。この第１ステップは部品保持具Ｊ２をターゲットとして使用するものであるため、上側ターゲット電極１２の下面にターゲットを配置する必要はない。
【００４８】
部品保持具Ｊ２は所定厚さを有する平板状を成し、その上面に多数の凹部Ｊ２ａを有している。各凹部Ｊ２ａは部品本体ＣＢの一部（外部電極形成部分ＣＢａ）を除く部分を収納して保持するためのものであり、該外部電極形成部分ＣＢａの表面は部品保持具Ｊ２から露出する（図１０を参照）。この部品保持具Ｊ２はターゲットとして使用されるもので、該部品保持具Ｊ２の材料は好ましくは鉄、または、ステンレス鋼等の鉄を主成分とした合金である。勿論、チタン、クロム、タンタル、珪素、または、ジルコニウムや、これらのうちの少なくとも１種以上を含む合金等を部品保持具Ｊ２の材料としても良い。
【００４９】
部品本体ＣＢは外部電極を形成することによってチップコンデンサやチップインダクタやチップレジスタや圧電チップ等の電子部品となるものであって、略直方体形状を成している。この部品本体ＣＢはセラミックスを主材とし、内部に機能要素、例えば電極層やコイルや抵抗層等を有している。部品本体ＣＢの主材であるセラミックスの材料は電子部品によって異なるが、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、チタン酸ジルコン酸鉛等が代表例として挙げられる。
【００５０】
そして、ガス供給源から第１ポート１１ａを通じてチャンバー１１内に不活性ガスを導入し、且つ、真空ポンプにより第２ポート１１ｂを通じてチャンバー１１内の真空度を調節した状態で、磁界非形成下、或いは、磁界形成下において、前記《第１実施形態》の第１ステップとは逆に、上側ターゲット電極１２を正極とし下側試料台電極１４を負極としてＤＣ電源１５から両電極１２及び１４に高ＤＣ電圧を所定時間印加する。
【００５１】
チャンバー１１内に導入される不活性ガスは好ましくはアルゴンであるが、ネオン、キセノン等であっても良い。また、スパッタ装置１０の仕様によって異なるが、チャンバー１１内への不活性ガス導入量は１〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の値に設定され、チャンバー１１内の真空度は概ね１０-2〜１００Ｐａの範囲内の値に設定され、両電極１２及び１４に印加される高ＤＣ電圧は電力として表すと概ね１０〜１００００Ｗの範囲内の値に設定され、高ＤＣ電圧の印加時間は概ね１００〜３００ｓｅｃの範囲内の値に設定される。
【００５２】
これにより、図９及び図１０に示したように、不活性ガスがプラズマ化し、正イオンＩＩが部品保治具Ｊ２に衝突して該部品保治具Ｊ２の表面から金属粒子（原子や分子を指す）ＳＰ３が弾き飛ばされ、弾き飛ばされた金属粒子ＳＰ３が各部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に散乱状態で付着する。
【００５３】
この第１ステップで肝要な点は、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に金属粒子ＳＰ３を散乱状態で付着させることにある。部品保治具Ｊ２の表面から弾き飛ばされる金属粒子ＳＰ３の粒径はｎｍオーダーであるが、高ＤＣ電圧の印加時間を長くすると部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に金属粒子ＳＰ３が堆積して膜が形成されてしまうため、ここでは高ＤＣ電圧の印加時間を極力短くすること等によって膜の形成を回避する。因みに、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に付着した金属粒子ＳＰ３の表面被覆率を数値で表すと３０〜９０％の範囲内である。
【００５４】
〈外部電極形成の第２ステップ〉
第１ステップに続けて第２ステップを行うに際しては、図１１に示したように、ターゲットＴＡ４を上側ターゲット電極１２の下面に配置する。
【００５５】
ターゲットＴＡ４は所定厚さの平板状を成す。このターゲットＴＡ４の材料は外部電極の電極主膜となる材料であって、好ましくは銅、または、ニッケルである。
【００５６】
そして、ガス供給源から第１ポート１１ａを通じてチャンバー１１内に不活性ガスを導入し、且つ、真空ポンプにより第２ポート１１ｂを通じてチャンバー１１内の真空度を調節した状態で、磁界形成下において、上側ターゲット電極１２を負極とし下側試料台電極１４を正極としてＤＣ電源１５から両電極１２及び１４に高ＤＣ電圧を所定時間印加する。
【００５７】
チャンバー１１内に導入される不活性ガスは好ましくはアルゴンであるが、ネオン、キセノン等であっても良い。また、スパッタ装置１０の仕様によって異なるが、チャンバー１１内への不活性ガス導入量は１〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の値に設定され、チャンバー１１内の真空度は概ね１０-2〜１００Ｐａの範囲内の値に設定され、両電極１２及び１４に印加される高ＤＣ電圧は電力として表すと概ね１０〜１００００Ｗの範囲内の値に設定され、高ＤＣ電圧の印加時間は概ね１０〜３００ｓｅｃの範囲内の値に設定される。
【００５８】
これにより、図１１及び図１２に示したように、不活性ガスがプラズマ化し、正イオンＩＩがターゲットＴＡ４に衝突して該ターゲットＴＡ４の表面から金属粒子（原子や分子を指す）ＳＰ４が弾き飛ばされ、弾き飛ばされた金属粒子ＳＰ４が各部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に前記金属粒子ＳＰ３を覆うように堆積して電極主膜Ｆsp4が形成される。
【００５９】
この第２ステップで肝要な点は、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に金属粒子ＳＰ４を前記金属粒子ＳＰ３を覆うように堆積させて電極主膜Ｆsp4を形成することにある。ここでは高ＤＣ電圧の印加時間を膜形成に適した時間に設定すること等によって、前記金属粒子ＳＰ３を覆う電極主膜Ｆsp4を形成する。因みに、前記電極主膜Ｆsp4の最大厚さを数値で表すと、０．５〜１０μｍ、好ましくは１〜３μｍの範囲内の値である。
【００６０】
〈外部電極形成の第３ステップ〉
第２ステップに続けて第３ステップを行うに際しては、ターゲットＴＡ４を外すと共に、部品保持具Ｊ２に保持されている各部品本体ＣＢの向きを反転させて再保持させた後に該部品保持具Ｊ２を下側試料台電極１４の上面に配置する。
【００６１】
そして、第１ステップと同様の条件で、ガス供給源から第１ポート１１ａを通じてチャンバー１１内に不活性ガスを導入し、且つ、真空ポンプにより第２ポート１１ｂを通じてチャンバー１１内の真空度を調節した状態で、磁界非形成下、或いは、磁界形成下において、上側ターゲット電極１２を正極とし下側試料台電極１４を負極としてＤＣ電源１５から両電極１２及び１４に高ＤＣ電圧を所定時間印加する。
【００６２】
これにより、第１ステップと同様に、不活性ガスがプラズマ化し、正イオンＩＩが部品保治具Ｊ２に衝突して該部品保治具Ｊ２の表面から金属粒子（原子や分子を指す）ＳＰ３が弾き飛ばされ、弾き飛ばされた金属粒子ＳＰ３が各部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に散乱状態で付着する。この第３ステップで肝要な点は前記第１ステップで述べた通りである。
【００６３】
〈外部電極形成の第４ステップ〉
第３ステップに続けて第４ステップを行うに際しては、ターゲットＴＡ４を上側ターゲット電極１２の下面に配置する。
【００６４】
そして、第２ステップと同様の条件で、ガス供給源から第１ポート１１ａを通じてチャンバー１１内に不活性ガスを導入し、且つ、真空ポンプにより第２ポート１１ｂを通じてチャンバー１１内の真空度を調節した状態で、磁界形成下において、上側ターゲット電極１２を負極とし下側試料台電極１４を正極としてＤＣ電源１５から両電極１２及び１４に高ＤＣ電圧を所定時間印加する。
【００６５】
これにより、第２ステップと同様に、不活性ガスがプラズマ化し、正イオンＩＩがターゲットＴＡ４に衝突して該ターゲットＴＡ４の表面から金属粒子（原子や分子を指す）ＳＰ４が弾き飛ばされ、弾き飛ばされた金属粒子ＳＰ４が各部品本体ＣＢの反対側の外部電極形成部分ＣＢａの表面に前記金属粒子ＳＰ３を覆うように堆積して電極主膜Ｆsp4が形成される。この第４ステップで肝要な点は前記第２ステップで述べた通りである。
【００６６】
〈部品本体に外部電極が形成された電子部品〉
図１３は前記第１ステップ〜第４ステップを経て部品本体ＣＢの両端部に外部電極Ｅ２が形成された電子部品、例えばチップコンデンサやチップインダクタやチップレジスタや圧電チップ等の電子部品を示す。ここでの外部電極Ｅ２は、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に散乱状態で付着した金属粒子ＳＰ３と、外部電極形成部分ＣＢａの表面に該金属粒子ＳＰ３を覆うように形成された電極主膜Ｆsp4とから成る。
【００６７】
〈電子部品及びその製造方法によって得られる効果〉
図１０から分かるように、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面には金属粒子ＳＰ３が散乱状態で付着しているため、該外部電極形成部分ＣＢａの表面において金属粒子ＳＰ３が存在する箇所が凸となり、且つ、存在しない箇所（外部電極形成部分ＣＢａの表面が露出する箇所）が凹となる。また、図１２から分かるように、電極主膜Ｆsp4は散乱状態で付着した金属粒子ＳＰ３を覆うように外部電極形成部分ＣＢａの表面に形成されているため、該電極主膜Ｆsp4には前記凹に入り込んで外部電極形成部分ＣＢａの表面に達する最大厚さ箇所と前記凹に入り込まない厚さの薄い箇所とが混在する。
【００６８】
つまり、電極主膜Ｆsp4には、該電極主膜Ｆsp4を直接平坦な面に形成する場合（図１５を参照）に比べて、密着総面積が増加する作用が得られると共に、金属粒子ＳＰ３の形状に基づくアンカー作用が得られため、該電極主膜Ｆsp4の密着強度向上が図れる。また、外部電極Ｅ２の厚さに相当する電極主膜Ｆsp4の最大厚さを金属粒子ＳＰ３を覆える最小値に設定しても前記密着強度向上が図れるため、電極主膜Ｆsp4の最大厚さを低減することに依る外部電極Ｅ２の厚さ低減が図れる。
【００６９】
要するに、前記電子部品によれば、電極下地膜を有しない前記外部電極構造を採用することによって、外部電極Ｅ２の厚さ低減及び密着強度向上を効果的に図ることができるし、前記製造方法によれば、前記効果が得られる電子部品を的確に製造することができる。
【００７０】
〈効果の検証〉
前記効果、特に密着強度向上の検証に際しては、検証品２-1〜２-3（図１３を参照）と比較品（図１５を参照）とを５個ずつ作製して、各々に密着強度試験を実施してその結果を確認した。
【００７１】
検証品２-1〜２-3は、部品本体ＣＢとして０６０３サイズのチップコンデンサの部品本体（チタン酸バリウムを主材とするもの）に外部電極Ｅ２を形成したものであって、各々の外部電極Ｅ２を、
〔検証品２-1〕
（第１ステップ及び第３ステップの条件）
・不活性ガス                ：アルゴン
・不活性ガスの導入量        ：５０ｓｃｃｍ
・チャンバー１１の真空度    ：５Ｐａ
・ＤＣ電力                  ：２００Ｗ
・ＤＣ電力の印加時間        ：６０ｓｅｃ
・部品保治具Ｊ２            ：鉄
・金属粒子ＳＰ３の表面被覆率：５０％
（第２ステップ及び第４ステップの条件）
・不活性ガス                ：アルゴン
・不活性ガスの導入量        ：１００ｓｃｃｍ
・チャンバー１１の真空度    ：３Ｐａ
・ＤＣ電力                  ：１００Ｗ
・ＤＣ電力の印加時間        ：１８０ｓｅｃ
・ターゲットＴＡ４          ：銅
・電極主膜Ｆsp4の最大厚さ   ：１μｍ
〔検証品２-2〕
（第１ステップ及び第３ステップの条件）
・不活性ガス                ：アルゴン
・不活性ガスの導入量        ：２００ｓｃｃｍ
・チャンバー１１の真空度    ：２０Ｐａ
・ＤＣ電力                  ：５０Ｗ
・ＤＣ電力の印加時間        ：１２０ｓｅｃ
・部品保治具Ｊ２            ：鉄
・金属粒子ＳＰ３の表面被覆率：６０％
（第２ステップ及び第４ステップの条件）
検証品２-1と同じ
〔検証品２-3〕
（第１ステップ及び第３ステップの条件）
・不活性ガス                ：アルゴン
・不活性ガスの導入量        ：５０ｓｃｃｍ
・チャンバー１１の真空度    ：４０Ｐａ
・ＤＣ電力                  ：５０Ｗ
・ＤＣ電力の印加時間        ：２４０ｓｅｃ
・部品保治具Ｊ２            ：鉄
・金属粒子ＳＰ３の表面被覆率：５０％
（第２ステップ及び第４ステップの条件）
検証品２-1と同じ
の条件下で前記第１ステップ〜第４ステップに準じて形成した。
【００７２】
一方、比較品は、部品本体ＣＢとして０６０３サイズのチップコンデンサの部品本体（チタン酸バリウムを主材とするもの）に外部電極Ｅ２’を形成したものであって、該外部電極Ｅ２’を、
〔比較品〕
（第１ステップ及び第３ステップの条件）
第１ステップ及び第３ステップは実施せず
（第２ステップ及び第４ステップの条件）
検証品２-1と同じ
にて前記第２ステップ及び第４ステップのみに準じて形成した。図１５から分かるように、比較品の外部電極Ｅ２’は、検証品２-1〜２-3（図１３を参照）のような「外部電極形成部分ＣＢａの表面に散乱状態で付着した金属粒子ＳＰ３」を有せず、電極主膜Ｆsp4のみから成っている。
【００７３】
密着強度試験の方法は、図７を用いて先に説明した試験方法と同じであるため、その説明を省略する。図１４から分かるように、検証品２-1〜２-3の電極主膜Ｆsp4の最大厚さが比較品の電極主膜Ｆsp4の厚さと同じであっても、検証品２-1の外部電極Ｅ２の密着強度の平均値（約０．９２ｋｇｆ／ｍｍ2）と、検証品２-2の外部電極Ｅ２の密着強度の平均値（約１．０６ｋｇｆ／ｍｍ2）と、検証品２-3の外部電極Ｅ２の密着強度の平均値（約１．０ｋｇｆ／ｍｍ2）は、何れも、比較品の外部電極Ｅ２’の密着強度の平均値（約０．７３ｋｇｆ／ｍｍ2）に比べて高く、密着強度向上が図れていることが確認できた。
《他の実施形態》
（１）前記第１実施形態及び第２実施形態では、部品本体ＣＢの両端部に外部電極Ｅ１またはＥ２を形成した電子部品を示したが、外部電極形成部分ＣＢａは部品本体ＣＢの端部に限定されないし、端部以外の表面箇所に外部電極Ｅ１またはＥ２と同等の外部電極を形成した場合でも前記同様の効果を得ることができる。
【００７４】
（２）前記第１実施形態及び第２実施形態では、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に散乱状態で付着した金属粒子ＳＰ１またはＳＰ３と、部品本体ＣＢの外部電極形成部分ＣＢａの表面に該金属粒子ＳＰ１またはＳＰ３を覆うように形成された電極主膜Ｆsp2またはＦsp4とから成る外部電極Ｅ１及びＥ２を有する電子部品を示したが、電極主膜Ｆsp2またはＦsp4の表面に半田付け用の第２の電極主膜、例えばスズから成る電極主膜を、電極主膜Ｆsp2またはＦsp4と同様のスパッタリング法によって形成したものを外部電極としても良い。この場合でも、外部電極の第２の電極主膜を除く部分に関しては前記同様の効果を得ることができる。
【００７５】
（３）前記第１実施形態及び第２実施形態では、上側にターゲット電極１２が設けられ下側に試料台電極１４が設けられたＤＣマグネトロン方式のスパッタ装置を示したが、試料台電極１４が上側に設けられ下側にターゲット電極１２が設けられたＤＣマグネトロン方式のスパッタ装置を用いても前記同様の外部電極を形成できる。
【００７６】
（４）前記第１実施形態及び第２実施形態では、ＤＣマグネトロン方式のスパッタ装置を用いて外部電極を形成した電子部品を示したが、マグネトロン方式以外の方式、例えば２極方式、３極方式、４極方式、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）方式、イオンビーム方式等を利用したスパッタ装置であっても前記同様の外部電極を形成できるし、前記方式においてＲＦ電源を用いたスパッタ装置であっても前記同様の外部電極を形成できる。
【符号の説明】
【００７７】
１０…スパッタ装置、１１…チャンバー、１２…上側ターゲット電極、１３…磁石、１４…下側試料台電極、ＴＡ１，ＴＡ２，ＴＡ４…ターゲット、Ｊ１，Ｊ２…部品保治具、ＣＢ…部品本体、ＣＢａ…外部電極形成部分、ＳＰ１，ＳＰ３…金属粒子、Ｆsp2，Ｆsp4…電極主膜、Ｅ１，Ｅ２…外部電極。
【図１】
2013045891.tif 000003
【図２】
2013045891.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2013045891.tif 000008
【図７】
2013045891.tif 000009
【図８】
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【図９】
2013045891.tif 000011
【図１０】
2013045891.tif 000012
【図１１】
2013045891.tif 000013
【図１２】
2013045891.tif 000014
【図１３】
2013045891.tif 000015
【図１４】
2013045891.tif 000016
【図１５】
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