(57)【要約】【課題】ガラス基板に化学強化およびレーザー強化を施す場合において、応力ムラを抑制して強度を高めることが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板の製造方法は、円環状のガラス基板１Ｇを形成する工程と、ガラス基板１Ｇの内部応力を測定する工程（Ｓ２１）と、ガラス基板１Ｇの内周縁部にレーザー光を照射して異質相を形成することで内周縁部を強化する工程（Ｓ２２）とを備え、ガラス基板１Ｇの内周縁部を強化する工程（Ｓ２２）は、内部応力の測定結果に基づいて、レーザー光を照射する位置およびレーザー光の強度を調整することを含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
円環状のガラス基板を形成する工程と、
前記ガラス基板の内部応力を測定する工程と、
前記ガラス基板の内周縁部にレーザー光を照射して異質相を形成することで前記内周縁部を強化する工程とを備え、
前記ガラス基板の内周縁部を強化する工程は、前記内部応力の測定結果に基づいて、前記レーザー光を照射する位置および前記レーザー光の強度を調整することを含む、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記ガラス基板の内周縁部を強化する工程は、前記内部応力を測定する工程と同時に行なわれる、請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記レーザー光は、前記情報記録媒体用ガラス基板における記録面に相当する部分を避けた位置に照射される、請求項１または請求項２に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記ガラス基板を回転させるとともに、前記レーザー光を照射するレーザーを前記ガラス基板の径方向に移動させることにより、前記内周縁部の強化を行なう工程が実施される、請求項１から請求項３のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記ガラス基板を固定するとともに、前記レーザー光を照射するレーザーを前記ガラス基板の周表面に平行で、かつ、互いに直交する第１方向および第２方向に移動させることにより、前記内周縁部の強化を行なう工程が実施される、請求項１から請求項３のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置などに用いられる情報記録媒体には、従来からガラス基板が用いられている。これらの基板上に磁気薄膜層が形成され、磁気薄膜層を磁気ヘッドで磁化することにより、磁気薄膜層に情報が記録される。
【０００３】
ガラス基板は、脆性材料であるため、落下などの衝撃により、損傷することがある。しかし、ガラス基板が軽い衝撃によって簡単に損傷したのでは、ハードディスクドライブ装置の使用性に問題があるため、ガラス基板の強度を高めることが要求されている。
【０００４】
また、近年、ハードディスクドライブ装置においては、２．５インチの記録媒体１枚で、記録容量が５００ＧＢ（片面２５０ＧＢ）、面記録密度が６３０Ｇｂ／平方インチ以上の記録密度を有するものが開発されており、磁気ヘッドと情報記録媒体との間の距離（フライングハイト）がさらに小さくなってきている。このため、ガラス基板のゆがみに対する要求性能が厳しくなってきており、この意味においても、ガラス基板の強度を高めることが要求されている。
【０００５】
円環状のガラス基板の中央部分は、製造工程およびハードディスクドライブ装置内において、固定装置によってクランプされる（このクランプされる部分を、本明細書では、「クランプ部分」と称する場合がある。）。
【０００６】
特開２００６−５９４６３号公報（特許文献１）には、上記クランプ部分を強化するために、ガラス基板に異質相を形成することが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−５９４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
さらにガラス基板を強化するために、圧縮応力層を形成するための化学強化と、その後のレーザー強化とを併用することを検討した。しかし、化学強化は一般的には高温で溶融された処理液に一定時間ガラス基板を浸漬させて施されるため、処理液の対流等による温度ムラにより化学強化により付与されるガラス基板の内部応力にはバラつきが生じる場合がある。このバラつきを考慮せずに、一様にレーザー光を照射した場合、ガラス基板の強度にムラが生じるだけではなく、化学強化による内部応力のムラが増大して逆に強度を弱めてしまったり、形状変化等の問題が発生する場合があることが判明した。
【０００９】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ガラス基板に化学強化およびレーザー強化を施す場合において、応力ムラを抑制して強度を高めることが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、円環状のガラス基板を形成する工程と、ガラス基板の内部応力を測定する工程と、ガラス基板の内周縁部にレーザー光を照射して異質相を形成することで内周縁部を強化する工程とを備え、ガラス基板の内周縁部を強化する工程は、内部応力の測定結果に基づいて、レーザー光を照射する位置およびレーザー光の強度を調整することを含む。
【００１１】
１つの実施態様では、上記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、ガラス基板の内周縁部を強化する工程は、内部応力を測定する工程と同時に行なわれる。
【００１２】
１つの実施態様では、上記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、レーザー光は、情報記録媒体用ガラス基板における記録面に相当する部分を避けた位置に照射される。
【００１３】
１つの実施態様では、上記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、ガラス基板を回転させるとともに、レーザー光を照射するレーザーをガラス基板の径方向に移動させることにより、内周縁部の強化を行なう工程が実施される。
【００１４】
１つの実施態様では、上記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、ガラス基板を固定するとともに、レーザー光を照射するレーザーをガラス基板の周表面に平行で、かつ、互いに直交する第１方向および第２方向に移動させることにより、内周縁部の強化を行なう工程が実施される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、情報記録媒体用ガラス基板の強度ムラを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の斜視図である。
【図２】実施の形態における情報記録媒体の斜視図である。
【図３】実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を示すフロー図である。
【図４】実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板のクランプ部分と記録面とを示す図である。
【図５】レーザー光による異質相形成について説明する図である。
【図６】本発明の実施例１に係る情報記録媒体用ガラス基板のクランプ部の強化を実施するための装置を示す図である。
【図７】本発明の実施例２に係る情報記録媒体用ガラス基板のクランプ部の強化および検査工程を実施するための装置を示す図である。
【図８】図６，図７に示す装置を制御する機構を説明するための図である。
【図９】応力測定結果の実例を示す図である。
【図１０】応力測定結果に基づくレーザー光の照射位置および強度の調整方法について説明するための図（その１）である。
【図１１】応力測定結果に基づくレーザー光の照射位置および強度の調整方法について説明するための図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施の形態について説明する。なお、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。
【００１８】
なお、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。
【００１９】
（情報記録媒体１の構成）
図１および図２を参照して、情報記録媒体用ガラス基板１Ｇおよび情報記録媒体１の構成について説明する。図１は、情報記録媒体用ガラス基板１Ｇの斜視図、図２は、情報記録媒体の斜視図である。
【００２０】
図１に示すように、情報記録媒体１に用いられる情報記録媒体用ガラス基板１Ｇ（以下、「ガラス基板１Ｇ」と称する。）は、中心に孔１１が形成された環状の円板形状を呈している。ガラス基板１Ｇは、外周端面１２、内周端面１３、表主表面１４、および裏主表面１５を有している。ガラス基板１Ｇとしては、アモルファスガラス等を用い、たとえば、外径約６５ｍｍ、内径約２０ｍｍ、厚さ約０．８ｍｍ、表面粗さは、約２．０Å以下である。
【００２１】
ガラス基板１Ｇのインチサイズに特に限定はなく、０．８インチ、１．０インチ、１．８インチ、２．５インチ、３．５インチ各種ガラス基板１Ｇを、情報記録媒体用のディスクとして製造してもよい。
【００２２】
落下衝撃によるガラス基板１Ｇの割れに対して有効であることから、ガラス基板１Ｇの厚みは０．３０ｍｍ〜２．２ｍｍが好ましい。ここでいうガラス基板１Ｇの厚みとは基板上の点対象となる任意の何点かで測定した値の平均値を意味する。
【００２３】
図２に示すように、情報記録媒体１は、上記したガラス基板１Ｇの表主表面１４上に磁気薄膜層２３が形成されている。図示では、表主表面１４上にのみ磁気薄膜層２３が形成されているが、裏主表面１５上に磁気薄膜層２３を設けることも可能である。
【００２４】
磁気薄膜層２３の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法、スパッタリングにより形成する方法、無電解めっきにより形成する方法が挙げられる。
【００２５】
スピンコート法での膜厚は約０．３〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜厚は０．０４〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での膜厚は０．０５〜０．１μｍ程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成がよい。
【００２６】
磁気薄膜層２３に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉ、Ｃｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。近年では、熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、ＦｅＰｔ系の材料が用いられるようになってきている。
【００２７】
磁気ヘッドの滑りをよくするために磁気薄膜層２３の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。
【００２８】
必要により下地層、保護層を設けてもよい。情報記録媒体１における下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。
【００２９】
下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。
【００３０】
磁気薄膜層２３の摩耗、腐食を防止する保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。
【００３１】
上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層を形成してもよい。
【００３２】
（ガラス基板１Ｇの製造工程）
次に、図３を参照して、本実施の形態に係るガラス基板１Ｇの製造方法を説明する。図３は、ガラス基板１Ｇの製造方法を示すフロー図である。
【００３３】
まず、ステップ１０（以下、「Ｓ１０」と略す。ステップ１１以降も同様。）の「ガラス溶融工程」において、ガラス基板を構成するガラス素材を溶融する。
【００３４】
Ｓ１１の「プレス成形工程」において、溶融させたガラス素材を上型および下型を用いたプレスによりガラス基板を作製した。使用したガラス組成は、一般的なアルミノシリケートガラスを用いた。ガラス基板の作製方法としては成形に限らず、公知の手法である板ガラスからの切り出し等でも構わず、ガラス組成もこれに限らない。
【００３５】
Ｓ１２の「第１ラップ工程」において、ガラス基板の両主表面をラッピング加工した。この第１ラップ工程は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置を用いて行なった。具体的には、ガラス基板の両面に上下からラップ定盤を押圧させ、研削液をガラス基板の主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行なった。このラッピング加工により、おおよそ平坦な主表面を有するガラス基板を得た。
【００３６】
Ｓ１３の「コアリング工程」において、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、ガラス基板の中心部に穴を形成し、円環状のガラス基板を作製した。ガラス基板の内周端面、および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を実施した。
【００３７】
Ｓ１４の「第２ラップ工程」において、ガラス基板の両主表面について、上記第１ラップ工程（Ｓ１２）と同様に、ラッピング加工を行なった。この第２ラップ工程を行なうことにより、前工程のコアリングや端面加工において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができる。その結果、後工程での主表面の研磨時間を短縮することができる。
【００３８】
Ｓ１５の「外周研磨工程」において、ガラス基板の外周端面について、ブラシ研磨による鏡面研磨を行なった。このとき研磨砥粒としては、一般的な酸化セリウム砥粒を含むスラリーを用いた。
【００３９】
Ｓ１６の「第１ポリッシュ工程」において、主表面研磨を行なった。この第１ポリッシュ工程は、上述の第１および第２ラップ工程（Ｓ１２，Ｓ１４）において主表面に残留したキズや反りを矯正することを主目的とするものである。この第１ポリッシュ工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により主表面の研磨を行なった。研磨剤としては、一般的な酸化セリウム砥粒を用いた。
【００４０】
Ｓ１７の「化学強化工程」において、ガラス基板１Ｇの主表面に対して表面強化層を形
成した。具体的には、３００℃に加熱された硝酸カリウム（７０％）と硝酸ナトリウム（３０％）の混合溶液中に、ガラス基板１Ｇを約３０分間浸漬することによって化学強化を行なった。その結果、ガラス基板の内周端面および外周端面のリチウムイオンおよびナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオンおよびカリウムイオンにそれぞれ置換され、圧縮応力層が形成されることでガラス基板の主表面及び端面が強化された。
【００４１】
Ｓ１８の「第２ポリッシュ工程」において、主表面研磨工程を施した。この第２ポリッシュ工程は上述までの工程で発生、残存している主表面上の微小欠陥等を解消して鏡面状に仕上げること、反りを解消し所望の平坦度に仕上げることを目的とする。この第２ポリッシュ工程は、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により研磨を行なった。研磨剤としては、平滑面を得る為に平均粒径が約２０ｎｍのコロイダルシリカを用いた。
【００４２】
Ｓ１９の「最終洗浄工程（Final  Cleaning）」において、ガラス基板の主表面、端面
の最終洗浄を実施する。これによりガラス基板上に残存する付着物を除去する。
【００４３】
Ｓ２０の「記録面検査工程」において、情報を記録する部分である記録面の欠陥検査を行なう。記録面の欠陥検査は、ガラス基板のクランプ部分をクランプした状態で行なわれる。
【００４４】
Ｓ２１の「応力測定工程」において、ガラス基板１Ｇの表面の応力状態を測定する。ガラス基板１Ｇの表面には、Ｓ１７の「化学強化工程」において、圧縮応力が付与されているが、その付与の程度には、若干のバラつきがある。Ｓ２１の「応力測定工程」により、Ｓ１７の「化学強化工程」において付与された圧縮応力のバラつきを把握することができる。応力測定は、たとえば、複屈折による位相差を測定することにより行なう（測定方法についての詳細は後述する。）。
【００４５】
Ｓ２２の「クランプ部強化工程」において、レーザー光を用いて、クランプ部の強化が行なわれる。この際、Ｓ２１の「応力測定工程」において測定されたガラス基板１Ｇの表面の応力状態に基づいて、レーザー光を照射する位置およびレーザー光の強度が調整される（調整の方法についての詳細は後述する。）。
【００４６】
なお、レーザー光を照射する位置およびレーザー光の強度の調整は、ガラス基板１Ｇの表面の応力状態に基づいて、手動で行なわれてもよいし、自動的に行なわれてもよい。
【００４７】
また、Ｓ２１の「応力測定工程」およびＳ２２の「クランプ部強化工程」は同時進行で行なわれてもよい。
【００４８】
（応力測定工程（Ｓ２１）の実施態様）
上述のとおり、Ｓ２１の応力測定工程は、複屈折による位相差の測定により行なうことが可能である。この位相差の測定方法について説明する。
【００４９】
Ｓ１７の「化学強化工程」において形成された圧縮応力層は、光学的な「ひずみ層」と捉えることができる。圧縮応力層では、透過光に対して光学軸に平行な方向と垂直な方向で有効屈折率が異なる複屈折が発生する。よって、電界成分が平行なＴＥ偏光と、格子の線に電界成分が垂直なＴＭ偏光の伝搬速度に差が生じ、透過光に位相差（リタデーション）が発生する。
【００５０】
ガラス基板表面の任意の位置における上記複屈折による位相差を測定することで、その位置における圧縮応力層の厚みや圧縮応力の強さを測定することが可能である。
【００５１】
具体的には、Ｓ１７の「化学強化工程」による圧縮応力が、ガラス基板１Ｇの平面方向に均一に発生した場合において、透過光による位相差の測定を行なったときは、複屈折は発生せず、位相差は検知されない。他方、上記圧縮応力にバラつきがある場合、透過光による測定を行なうと、位相差を検出することができる。検出された位相差は、圧縮応力の面内方向におけるバラつきに対応するものである。
【００５２】
本明細書において、「位相差」とは、ガラス基板の面内方向に発生する位相差（単位：ｎｍ）を意味し、下記の式で表される。
Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
Ｒｅ：位相差（ｎｍ）
ｎｘ：測定点における面内方向の最も屈折率が大きい方向ｘにおける屈折率
ｎｙ：測定点における面内方向のｘ方向と直交する方向ｙにおける屈折率
ｄ：ガラス基板の厚さ（ｎｍ）
このような面方向の位相差は、たとえばＰＡ−１００（フォトニックラティス社製）等を用いて、ガラス基板の主表面に直交する方向の透過光における位相差を測定することで検出可能である。該位相差の測定解析位置は、たとえば、ガラス基板１Ｇの径方向において、内周端面１３より径方向外方に０．５ｍｍである位置から、外周端面１２より径方向内方に０．５ｍｍである位置までである。
【００５３】
なお、外周端面１２および内周端面１３の近傍における位相差を測定しない理由は、端面１２，１３のエッジが原因となって光が透過しない場合があり、エッジによる暗部か複屈折による暗部かを区別できず、ガラス基板の主面に比べて高い数値が測定されるためである。
【００５４】
（クランプ部強化工程（Ｓ２２）の実施態様）
クランプ部強化工程（Ｓ２２）は、図５に示すように、ガラス基板１Ｇの内周縁部に位置するクランプ部分１Ｇ０（図４参照）にレーザー光ＬＢを照射して、母材と物性の異なる異質相を形成することでクランプ部分１Ｇ０を強化するというものである。
【００５５】
本実施の形態では、レーザー光ＬＢは、記録面１Ｇ１（図４参照）に相当する部分を避けた位置に照射される。このように、レーザー照射領域を、クランプ部周辺に限定することで、データ記録面には影響を及ぼさないでガラス基板の強化を行なうことが可能となる。
【００５６】
また、本実施の形態において、ガラス基板の強化および検査に使用するレーザーは、超短パルス（フェムト秒）レーザーであることが好ましい。超短パルスレーザーを用いることにより、極めて短い時間にエネルギーが集中するため、ガラス基板１Ｇの表面への影響を最小限に留めることができる。具体的なレーザーの波長としては特に制限はないが、４００ｎｍ〜１２００ｎｍ程度の波長を有するレーザーを好ましく用いることができる。
【００５７】
クランプ部分は、ハードディクスドライブ装置内において、固定装置によってクランプされる部分であるため、その強度を高めることは重要である。本実施の形態では、Ｓ１７の「化学強化工程」における化学強化に加えて、クランプ部強化工程（Ｓ２２）におけるレーザー強化がガラス基板１Ｇに施される。
【００５８】
上述のとおり、Ｓ１７の「化学強化工程」において付与される圧縮応力には、若干のバラつきがある。本実施の形態では、上述した応力測定工程（Ｓ２１）において圧縮応力のバラつきを測定し、その測定結果に基づいて、クランプ部強化工程（Ｓ２２）におけるレーザー光の照射位置および強度の調整を行なうことにより、上述の異質層の発生する密度を調整し、結果として面内における内部応力のばらつきを低減するとともに、レーザー照射による強化の効果を確実に得られるため、レーザー照射によりガラス基板の強度を高めることが可能となる。すなわち、レーザー強化後のクランプ部において、所望の強度をムラなく得ることが可能である。
【００５９】
なお、本実施の形態に係る応力測定工程（Ｓ２１）およびクランプ部強化工程（Ｓ２２）は、図３に示すように、一連の製造工程の中に組み込まれてもよいし、そうでなくともよい。たとえば、応力測定工程（Ｓ２１）およびクランプ部強化工程（Ｓ２２）を経たガラス基板に対して、追加的に強化を行なってもよい。
【００６０】
また、クランプ部強化工程（Ｓ２２）において、クランプ部の強化を行なうと同時に、レーザー光ＬＢがクランプ部分の欠陥部分で散乱して生じた散乱光を検出することで欠陥検査を行なうようにしてもよい。
【００６１】
＜実施例＞
以下、上述した応力測定工程（Ｓ２１）およびクランプ部強化工程（Ｓ２２）の具体的な態様を、実施例１および実施例２として説明する。
【００６２】
図６は、実施例１に係る応力測定工程（Ｓ２１）およびクランプ部強化工程（Ｓ２２）を実施するための装置を示す図である。
【００６３】
図６に示すように、レーザー１００は、ガラス基板１Ｇに向けてレーザー光を照射する。ガラス基板１Ｇは、スピンドル３００に保持されている。スピンドル３００によってガラス基板１Ｇは回転させられる。また、レーザー１００は、図６中の矢印ＤＲ１方向（ガラス基板１Ｇの径方向）に移動可能である。ガラス基板１Ｇの回転およびレーザー１００の移動により、ガラス基板１Ｇのクランプ部分全域にレーザー光を照射することが可能となる。
【００６４】
図６に示すスピンドル３００は、ガラス基板１Ｇの中央の孔から１ｍｍ以下の部分を保持している。この部分は、実際にクランプされない部分であるため、本実施例では、実際にクランプする部分に触れずにガラス基板１Ｇの強化および検査を行なうことが可能である。
【００６５】
応力測定器２００は、複屈折による位相差を測定する。より具体的には、ガラス基板１Ｇに面照明４００から白色光を照射し、ガラス基板１Ｇの複数箇所における透過光の位相差の量を測定する。その位相差を測定することで、圧縮応力のバラつきを評価することが可能である。
【００６６】
図７は、実施例２に係る応力測定工程（Ｓ２１）およびクランプ部強化工程（Ｓ２２）を実施するための装置を示す図である。
【００６７】
図７に示すように、実施例２に係る装置は、実施例１の変形例であって、ガラス基板１Ｇをチャック５００により固定するとともに、レーザー１００をガラス基板１Ｇを図７中の矢印ＤＲ１方向および矢印ＤＲ２方向に移動可能とすることを特徴とする。レーザー１００の移動により、ガラス基板１Ｇのクランプ部分全域にレーザー光を照射することが可能となる。
【００６８】
実施例２のその他の部分については、実施例１と同様であるので、詳細な説明は繰り返さない。
【００６９】
図８は、実施例１，２に係る装置を制御する機構を説明するための図である。図８（ａ）に示すように、制御機構は、コンピューター３０と、モニター４０とを備える。コンピューター３０によって、実施例１，２に係るレーザー１００、応力測定器２００、スピンドル３００、面照明４００、チャック５００の動作が制御される。
【００７０】
図８（ｂ）は、制御操作を行なう際のモニター４０の表示内容を示す図である。図８（ｂ）に示すように、設定された強化領域４１および入力されたパラメーター４２がモニター４０に表示される。
【００７１】
図８（ｃ）は、応力測定工程（Ｓ２１）により測定された圧縮応力のバラつきを表すモニター４０の表示内容を示す図である。図８（ｃ）に示すように、測定された圧縮応力の分布がモニター４０に表示される。
【００７２】
図９は、応力測定工程（Ｓ２１）による応力測定結果の実例を示す図である。図９において、輝度の高い部分が、圧縮応力が大きい部分である。図９の例では、クランプ部分において、圧縮応力にバラつきが見られる。
【００７３】
次に、図１０，図１１を用いて、応力測定工程（Ｓ２１）における応力測定結果に基づく、クランプ部強化工程（Ｓ２２）におけるレーザー光の照射位置および強度の調整方法の例について説明する。
【００７４】
図１０に示す例では、図１０（ａ）中の矢印Ａ方向（ガラス基板の円周方向）に沿って応力分布をプロットし、その値が予め設定された閾値以下である範囲（図１０（ｂ）のＢ部）にレーザー強化を施す。
【００７５】
図１１に示す例では、ガラス基板１Ｇを（１）〜（８）の領域に分け、各領域における応力の平均値を算出し、その値が予め設定された閾値以下である範囲（（２）および（４））にレーザー強化を施す。
【００７６】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００７７】
１  情報記録媒体、１Ｇ  情報記録媒体用ガラス基板、１Ｇ０  クランプ部分、１Ｇ１  記録面、１１  孔、１２  外周端面、１３  内周端面、１４  表主表面、１５  裏主表面、２３  磁気薄膜層、３０  コンピューター、４０  モニター、１００  レーザー、２００  応力測定器、３００  スピンドル、４００  面照明、５００  チャック。
【図１】
2013206517.tif 000003
【図２】
2013206517.tif 000004
【図３】
2013206517.tif 000005
【図４】
2013206517.tif 000006
【図５】
2013206517.tif 000007
【図６】
2013206517.tif 000008
【図７】
2013206517.tif 000009
【図８】
2013206517.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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【図９】
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