(57)【要約】【課題】処理液の流れを改善して再汚染を防止することができつつも、処理に要する処理液の量を削減することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】処理槽１は、カバー９が閉止された際に、オーバーフロー口１３の開口面積を狭くしてあるので、オーバーフロー口１３における処理液の排出流速を速められる。よって、オーバーフローされる処理液の処理槽１への巻き込みを抑制して、基板Ｗの再汚染を防止できる。さらに、カバー９が解放された際に、処理液のオーバーフロー位置ＯＬが基板Ｗの上縁よりも下方に位置するので、閉止時のカバー９が傾斜姿勢となる。したがって、カバー９を閉止して基板Ｗを処理する際に、処理槽１に貯留する処理液の容量を低減でき、基板Ｗの処理に要する処理液の容量を低減できる。また、カバー９を開放することで、処理槽１の上部に貯留する処理液を急速に排水できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液により基板を処理する基板処理装置において、
上方開口を介して基板を鉛直姿勢で収納し、処理液で基板を浸漬処理する処理槽と、
前記処理槽に基板を搬入する際に開放され、前記処理槽で基板を処理する際に閉止されるカバーとを備え、
前記カバーは、閉止された際に、処理液が下面に接触し、前記上方開口の面積を狭くしたオーバーフロー口を形成し、開放された際に、処理液のオーバーフロー位置が基板の上縁よりも下方に位置することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記処理槽は、前記カバーの揺動軸が設けられる側壁上面が、基板の上縁よりも低い位置に形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記カバーは、一対のカバー本体で構成され、
前記一対のカバー本体は、それぞれの揺動軸から基板の上縁に向かって直線的に形成された平板であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記カバーは、一対のカバー本体で構成され、
前記一対のカバー本体は、それぞれの揺動軸から基板の外縁に沿い、かつ上縁に向かって円弧状に形成された湾曲板であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板（以下、単に基板と称する）等の基板に対して、処理液により洗浄、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、鉛直姿勢で基板を槽本体に収容し、処理液を槽本体の上方開口からオーバーフローさせつつ処理を行う基板処理装置であって、槽本体における上方開口の面積を制限したオーバーフロー口を形成するカバーを、その下面が槽本体の処理液に接触する状態で設けるとともに、カバーを下面が処理液に接触する閉止位置と、槽本体の上方から待避した開放位置とにわたった変位可能に設けたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このように構成された装置は、カバーによって槽本体の上方開口の位置と面積とを制限したオーバーフロー口側に集まるように処理液を流して排出し、処理液が槽本体の上部から基板側に戻るように流れることを防止できる。したがって、基板から除去したパーティクルが混入することによる基板の再汚染を回避でき、処理品質を向上できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１０２８８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、処理液の流れを改善して基板の再汚染を防止することができるものの、槽本体に貯留する処理液の量が多く、基板の処理に要する処理液の量が多くなるという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理液の流れを改善して再汚染を防止することができつつも、処理に要する処理液の量を削減することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、処理液により基板を処理する基板処理装置において、上方開口を介して基板を鉛直姿勢で収納し、処理液で基板を浸漬処理する処理槽と、前記処理槽に基板を搬入する際に開放され、前記処理槽で基板を処理する際に閉止されるカバーとを備え、前記カバーは、閉止された際に、処理液が下面に接触し、前記上方開口の面積を狭くしたオーバーフロー口を形成し、開放された際に、処理液のオーバーフロー位置が基板の上縁よりも下方に位置することを特徴とするものである。
【０００８】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、処理槽は、カバーが閉止された際に、オーバーフロー口の開口面積を狭くしてあるので、オーバーフロー口における処理液の排出流速を速めることができる。したがって、オーバーフローされる処理液の処理槽への巻き込みを抑制して、基板から除去されたパーティクル等による基板の再汚染を防止することができる。さらに、カバーが解放された際に、処理液のオーバーフロー位置が基板の上縁よりも下方に位置するので、閉止時のカバーが傾斜姿勢となる。したがって、カバーを閉止して基板を処理する際に、処理槽に貯留する処理液の容量を低減することができる。その結果、基板の処理に要する処理液の容量を低減することができる。また、カバーを開放することで、処理槽の上部に貯留する処理液を急速に排水することができる。
【０００９】
また、本発明において、前記処理槽は、前記カバーの揺動軸が設けられる側壁上面が、基板の上縁よりも低い位置に形成されていることが好ましい（請求項２）。
【００１０】
カバーを開放すると、カバーの揺動軸を越えて処理槽の処理液が急速に流れ出るので、処理槽の下部からの処理液の排出と併せて、急速排水を行うことができる。
【００１１】
また、本発明において、前記カバーは、一対のカバー本体で構成され、前記一対のカバー本体は、それぞれの揺動軸から基板の上縁に向かって直線的に形成された平板であることが好ましい（請求項３）。
【００１２】
一対のカバー本体が平板で構成されるので、一対のカバーを容易に製作することができ、生産コストを抑制できる。
【００１３】
また、本発明において、前記カバーは、一対のカバー本体で構成され、  前記一対のカバー本体は、それぞれの揺動軸から基板の外縁に沿い、かつ上縁に向かって円弧状に形成された湾曲板であることが好ましい（請求項４）。
【００１４】
一対のカバー本体が湾曲板であり、基板の外縁に沿って上縁に向かって円弧状に形成されているので、基板の上縁に向かう端面に沿った処理液の流れを均一にすることができるとともに、処理に要する処理液の容量をさらに低減することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る基板処理装置によれば、処理槽は、カバーが閉止された際に、オーバーフロー口の開口面積を狭くしてあるので、オーバーフロー口における処理液の排出流速を速めることができる。したがって、オーバーフローされる処理液の処理槽への巻き込みを抑制して、基板から除去されたパーティクル等による基板の再汚染を防止できる。さらに、カバーが解放された際に、処理液のオーバーフロー位置が基板の上縁よりも下方に位置するので、閉止時のカバーが傾斜姿勢となる。したがって、カバーを閉止して基板を処理する際に、処理槽に貯留する処理液の容量を低減できる。その結果、基板の処理に要する処理液の容量を低減できる。また、カバーを開放することで、処理槽の上部に貯留する処理液を急速に排水することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
【図２】カバーを閉止した状態を示す縦断面図である。
【図３】カバーを開放した状態を示す縦断面図である。
【図４】実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
【図５】実施例３に係る基板処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の実施形態について以下に説明する。
【実施例１】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施例１について説明する。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
【００１９】
本実施例に係る基板処理装置は、処理槽１を備えている。この処理槽１は、複数枚の基板Ｗを起立姿勢で収納可能な大きさを有する。複数枚の基板Ｗは、紙面の奥手前方向に整列されている。処理槽１の底部には、両側に噴出管３が設けられている。噴出管３は、紙面の奥手前方向に長手方向を有する筒状を呈し、処理液を処理槽１の底部中央に向けて噴出する。処理槽１の両側に形成されている側壁は、その上面５が、処理槽１に収容された状態の基板Ｗの上縁より下方に形成されている。上面５には、平板で構成された一対のカバー本体７を有するカバー９が取り付けられている。
【００２０】
処理槽１の両側壁は、その上部に、揺動部１１が設けられている。揺動部１１には、一対のカバー本体７の揺動軸Ｐが配置されている。一対のカバー本体７は、図１に実線で示す閉止された閉止位置と、図１に二点鎖線で示す開放された開放位置とにわたって揺動駆動される。一対のカバー本体７は、閉止位置において、中央部にオーバーフロー口１３を形成する。このオーバーフロー口１３は、処理槽１の上方開口１４よりも狭くなるように、一対のカバー本体７の閉止位置が設定されている。また、一対のカバー本体７は、閉止時には、処理液が下面に接触し、オーバーフロー口１３から処理液を排出するように構成されている。一対のカバー７は、平板で構成されているので、製作を容易に行うことができる。
【００２１】
処理槽１の背後には、リフター１５が設けられている。このリフター１５は、複数枚の基板Ｗを起立姿勢で保持し、図１に二点鎖線で示す受け渡し位置と、図１に実線で示す処理位置とにわたって昇降するように構成されている。リフター１５は、処理槽１の後側内壁面に沿って延出された背板１７と、背板１７の下部に設けられ、基板Ｗの下縁を当接支持する３個の支持部１９とを備えている。
【００２２】
処理槽１の底面中央部には、排液口２１が形成されている。この排液口２１には、排液弁２３が取り付けられている。排液弁２３は、処理中に閉止され、処理の終了後に処理液を排出する場合には開放される。
【００２３】
上述した噴出管３には、供給配管２５の一端側が連通接続されている。供給配管２５の他端側には、処理液供給源２７が連通接続されている。供給配管２７には、制御弁２９が取り付けられている。制御弁２９は、処理液の供給及び遮断、流量調整を行う。
【００２４】
上述したカバー９の開閉動作は、開閉駆動部３１によって行われる。また、上述したリフター１５の昇降動作は、昇降駆動部３３によって行われる。上述した排液弁２３と、制御弁２９と、開閉駆動部３１と、昇降駆動部３３とは、制御部３５によって統括的に制御される。制御部３５は、ＣＰＵやメモリなどを備え、メモリに記憶されたレシピに応じて各部を操作する。
【００２５】
次に、図２及び図３を参照して、上述した基板処理装置の動作について説明する。なお、図２は、カバーを閉止した状態を示す縦断面図であり、図３は、カバーを開放した状態を示す縦断面図である。また、リフター１５に複数枚の基板Ｗが保持された状態で、既にリフター１５が処理位置にまで下降され、カバー９が閉止された状態から説明する。
【００２６】
図２に示すように、制御部３５は、制御弁２９を操作して、所定流量で処理液を噴出管３へ供給する。噴出管３に供給された処理液は、処理槽１の底面に沿って中央部へと進み、底部中央で上方へと向かう流れを生じる。さらに、処理槽１の両側の側壁内面に沿って上方へと向かい、全ての流れはオーバーフロー口１３を通って外部へと向かう。オーバーフロー口１３は、処理槽１の上方開口１４の開口面積よりも狭く形成されているので、オーバーフロー口１３における処理液の排出流速を速めることができる。したがって、オーバーフロー口１３からオーバーフローされる処理液の処理槽１への巻き込みを抑制して、基板Ｗから除去されたパーティクル等による基板Ｗの再汚染を防止することができる。また、閉止時には、一対のカバー７が基板Ｗの上縁から下方へ傾斜姿勢となるので、処理槽１に貯留する処理液の容量を低減できる。その結果、基板Ｗの処理に要する処理液の容量を低減できる。
【００２７】
上述した処理状態を所定時間だけ維持した後、制御部３５は、処理液の排出を行う。
【００２８】
図３に示すように、制御部３５は、制御弁２９を閉止して処理液の供給を遮断させ、排液弁２３を開放させるとともに、開閉駆動部３１を操作してカバー９を開放位置に移動させる。これにより、処理槽１は、上方開口１４を露出される。したがって、処理槽１に貯留していた処理液は、図中に矢印で示すように、一対のカバー本体７の上面を流下して処理槽１の外部へと排出される。このときに形成されるオーバーフローの液面の高さ位置は、図３中に二点鎖線で示すＯＬである。このオーバーフロー位置ＯＬは、一対のカバー本体７の揺動軸Ｐの上部にあたり、基板Ｗの上縁よりも下方に位置する。したがって、処理槽１の上部に貯留している処理液は、急速に処理槽１の外部へ排出される。制御部３５は、昇降駆動部３３を操作して、リフター１５を受け渡し位置に上昇させる。これにより、複数枚の基板Ｗに対する処理液による処理を終える。
【実施例２】
【００２９】
次に、図面を参照して本発明の実施例２について説明する。
図４は、実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示す縦断面図である。なお、図１における基板処理装置のうち、処理槽１の周辺についてのみ図示するとともに以下に説明し、他の構成については説明を省略する。
【００３０】
処理槽１Ａは、上方開口１４の両側であって、両側壁の上部にカバー９Ａを備えている。このカバー９Ａは、一対のカバー本体７Ａを備えている。一対のカバー本体７Ａは、円形状の基板Ｗの上縁に沿った湾曲板から構成されている。一対のカバー本体７Ａは、閉止時に上方開口１４よりの狭い面積のオーバーフロー口１３を形成するように、揺動部１１の揺動軸Ｐで揺動される。また、一対のカバー本体７Ａは、解放時にオーバーフロー位置ＯＬが基板Ｗの上縁より下方となるように、揺動部１１の高さ位置が設定されている。本実施例２では、オーバーフロー位置ＯＬが基板Ｗの高さの約１／２の位置となるように設定されており、カバー７Ａの開放による処理液の排出量を実施例１よりも多くすることができる。
【００３１】
このような実施例２の構成であっても、上述した実施例１と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一対のカバー本体７Ａが湾曲板であり、基板Ｗの外縁に沿って、かつ上縁に向かうように円弧状に形成されているので、基板Ｗの上部における端面に沿った処理液の流れを均一にすることができるとともに、処理に要する処理液の容量をさらに低減することができる。
【実施例３】
【００３２】
次に、図面を参照して本発明の実施例３について説明する。
図５は、実施例３に係る基板処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
【００３３】
本実施例３は、複数枚の角形の基板Ｗを処理する基板処理装置の処理槽１Ｂである。処理槽１Ｂは、基板Ｗの対向する頂部のうちの一方を鉛直方向に向け、他方を水平方向に向けた姿勢で複数枚の基板Ｗを支持するリフター１５Ｂを備える。処理槽１Ｂは、基板Ｗの水平方向の頂部のあたりに揺動部１１を備え、そこにカバー９Ｂが設けられている。カバー９Ｂは、一対のカバー本体７Ｂを備えている。一対のカバー本体７Ｂは、基板Ｗの上部の二辺に沿うような平板から構成されており、製作を容易に行うことができる。
【００３４】
また、一対のカバー本体７Ｂは、閉止時にオーバーフロー口１３が上方開口１４よりも狭くなるように揺動される。また、解放時には、オーバーフロー位置ＯＬが基板Ｗの上部の頂部より下方となるように、揺動部１１の高さ位置が設定されている。本実施例３では、オーバーフロー位置ＯＬが、水平方向の頂部付近となるように設定されており、カバー７Ａの開放による処理液の排出量を実施例１よりも多くすることができる。
【００３５】
このような実施例３の構成であっても、上述した実施例１と同様の作用効果を奏することができる。さらに、実施例３は、角形の基板Ｗであっても、好適に処理することができる。
【００３６】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００３７】
（１）上述した各実施例１〜３では、複数枚の基板Ｗを処理する装置を例示した。しかしながら、本発明は、一枚の基板Ｗを処理する装置であっても適用することができる。
【００３８】
（２）上述した各実施例１〜３では、リフター１５、１５Ａ、１５Ｂが処理槽１、１Ａ、１Ｂの処理位置に位置した状態で基板Ｗを処理する形態であるが、本発明は搬送手段が基板Ｗを処理槽１、１Ａ、１Ｂの内部に載置した後、処理中は搬送手段が外部に待機する構成であってもよい。
【符号の説明】
【００３９】
Ｗ  …  基板
１、１Ａ、１Ｂ  …  処理槽
３  …  噴出管
７、７Ａ、７Ｂ  …  一対のカバー本体
９、９Ａ、９Ｂ  …  カバー
１１  …  揺動部
Ｐ  …  揺動軸
１３  …  オーバーフロー口
１４  …  上方開口
ＯＬ  …  オーバーフロー位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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