(57)【要約】      （修正有）【課題】基板面内における不純物濃度の均一性の高い選択拡散層を簡便な方法で再現性良く形成可能な太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】第１導電型の半導体基板の一面側に、第２導電型の不純物元素が第１の濃度で拡散された第１不純物拡散層と第１不純物拡散層上を覆う第１酸化膜とを熱拡散法により形成する第１工程Ｓ３０と、第１酸化膜を所定のパターンにパターニングする第２工程Ｓ４０と、半導体基板に熱処理を施す第３工程Ｓ５０と、を含み、第３工程において、第１酸化膜から第１不純物拡散層に第２導電型の不純物元素を拡散させて第２不純物拡散層に変質させ、第１酸化膜に覆われていない第１不純物拡散層上に第２熱酸化膜を形成するとともに該第２熱酸化膜の下部領域から該第２熱酸化膜に第２導電型の不純物元素を拡散させて第３不純物拡散層に変質させる。【選択図】図１
2013161818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板の一面側に、第２導電型の不純物元素が第１の濃度で拡散された第１不純物拡散層と、前記第２導電型の不純物元素の酸化物を主成分として前記第１不純物拡散層上を覆う第１酸化膜とを熱拡散法により形成する第１工程と、
前記第１酸化膜を所定のパターンにパターニングする第２工程と、
前記半導体基板に熱処理を施す第３工程と、
前記パターニングされた前記第１酸化膜を除去する第４工程と、
前記半導体基板の一面側に受光面側電極を形成する第５工程と、
前記半導体基板の他面側に裏面側電極を形成する第６工程と、
を含み、
前記第３工程において、前記パターニングされた前記第１酸化膜から該第１酸化膜の下部領域の前記第１不純物拡散層に前記第２導電型の不純物元素を拡散させて該第１酸化膜の下部領域の前記第１不純物拡散層を前記第１の濃度よりも高い第２の濃度で前記第２導電型の不純物元素を含む第２不純物拡散層に変質させ、且つ前記パターニングされた前記第１酸化膜に覆われていない前記第１不純物拡散層上に第２熱酸化膜を形成するとともに該第２熱酸化膜の下部領域の前記第１不純物拡散層から該第２熱酸化膜に前記第２導電型の不純物元素を拡散させて前記パターニングされた前記第１酸化膜に覆われていない前記第１不純物拡散層を前記第１の濃度よりも低い第３の濃度で前記第２導電型の不純物元素を含む第３不純物拡散層に変質させ、
前記第５工程において、前記第２不純物拡散層上に前記受光面側電極を形成すること、
を特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記第２熱酸化膜をパッシベーション膜として残存させること、
を特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板が、ｎ型の導電型を有すること、
を特徴とする請求項２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板が、シリコン基板であること、
を特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶シリコン太陽電池において、受光面側の不純物拡散層の拡散濃度および深さは、表面再結合速度Ｓおよび不純物拡散層内の再結合速度を決定する要因であるため、光電変換効率に大きな影響を及ぼす。不純物拡散層の不純物濃度依存性として、不純物が高濃度になると再結合速度が増加するが、一方で受光面側電極との接触抵抗および表面導電率は低下するため内部抵抗損失は低減される。そこで、従来の均一拡散層では、再結合と内部抵抗損失とのバランスを考えた設計を行ってきた。
【０００３】
太陽電池の高効率化のために、受光面側の不純物拡散層のうち、受光面側電極の下部領域の不純物濃度を高濃度にし、それ以外の受光面部の不純物拡散層の不純物濃度を低濃度にする構造が提案されており、選択拡散層（セレクティブエミッタ）と呼ばれている。しかしながら、このような構造の形成は、作製プロセスが複雑となる。
【０００４】
例えば特許文献１では、受光面部拡散層を形成し、次に電極形成部に不純物を含むペーストを印刷して再度熱処理する方法を提案している。また、特許文献２では、不純物濃度の異なるドーピングペーストを印刷し、一度の熱処理で選択拡散層を形成する方法がある。また、その他にも、電極下部の不純物濃度に合わせて受光面側の全面に不純物を拡散して拡散層を形成した後に電極下部以外の不純物拡散層の最表面をエッチングにより除去することによって受光面部の不純物濃度を下げる手法がある。また、電極下部の不純物濃度に合わせて受光面側の全面に不純物を拡散した拡散層を形成した後に、電極下部以外の拡散層をすべて除去し、その後に低濃度に熱拡散を行う手法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２８１５６９号公報
【特許文献２】特開２００４−２２１１４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１による方法では、２回目の拡散でオートドーピングが生じるため、受光面拡散層の不純物濃度の最適化が難しい。また、特許文献２による方法は簡便であるが、ドーピングペーストを用いる場合は、従来の気相からの拡散方法と比較して特性が劣らないペーストの開発が必要である、という問題がある。
【０００７】
また、上述したように受光面側の全面に高濃度に不純物を拡散した後に電極下部以外の不純物拡散層の最表面をエッチングにより除去する方法では、最表面の高濃度領域を除去できるため、高光電変換効率が期待できる。しかし、エッチングする必要がある深さは０．１μｍ程度と非常に浅い。このため、薬品などでエッチングを行う場合には、処理ロット毎または基板面内のエッチング量の管理が難しく、処理ロット間または基板内におけるエッチングの均一性に問題がある。
【０００８】
また、上述したように受光面側の全面に高濃度に不純物を拡散した後に電極部以外の不純物拡散層を全て除去する場合は、プロセスの複雑化やウエハの薄肉化が問題となる。
【０００９】
さらに、これらのエッチングを用いる方法においては、基板の表面に形成されたテクスチャー形状の維持が問題となる可能性がある。
【００１０】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体基板の面内における不純物濃度の均一性の高い選択拡散層を簡便な方法で再現性良く形成可能な太陽電池の製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる太陽電池の製造方法は、第１導電型の半導体基板の一面側に、第２導電型の不純物元素が第１の濃度で拡散された第１不純物拡散層と、前記第２導電型の不純物元素の酸化物を主成分として前記第１不純物拡散層上を覆う第１酸化膜とを熱拡散法により形成する第１工程と、前記第１酸化膜を所定のパターンにパターニングする第２工程と、前記半導体基板に熱処理を施す第３工程と、前記パターニングされた前記第１酸化膜を除去する第４工程と、前記半導体基板の一面側に受光面側電極を形成する第５工程と、前記半導体基板の他面側に裏面側電極を形成する第６工程と、を含み、前記第３工程において、前記パターニングされた前記第１酸化膜から該第１酸化膜の下部領域の前記第１不純物拡散層に前記第２導電型の不純物元素を拡散させて該第１酸化膜の下部領域の前記第１不純物拡散層を前記第１の濃度よりも高い第２の濃度で前記第２導電型の不純物元素を含む第２不純物拡散層に変質させ、且つ前記パターニングされた前記第１酸化膜に覆われていない前記第１不純物拡散層上に第２熱酸化膜を形成するとともに該第２熱酸化膜の下部領域の前記第１不純物拡散層から該第２熱酸化膜に前記第２導電型の不純物元素を拡散させて前記パターニングされた前記第１酸化膜に覆われていない前記第１不純物拡散層を前記第１の濃度よりも低い第３の濃度で前記第２導電型の不純物元素を含む第３不純物拡散層に変質させ、前記第５工程において、前記パターニングされた前記第１酸化膜を除去した後に前記第２不純物拡散層上に前記受光面側電極を形成すること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、半導体基板の面内における不純物濃度の均一性の高い選択拡散層を簡便な方法で再現性良く形成可能であり、量産においても光電変換効率の高い太陽電池を均一に作製することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池の製造方法における選択拡散層の形成工程を説明するフローチャートである。
【図２−１】図２−１は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池の製造方法における選択拡散層の形成工程を説明する要部断面図である。
【図２−２】図２−２は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池の製造方法における選択拡散層の形成工程を説明する要部断面図である。
【図２−３】図２−３は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池の製造方法における選択拡散層の形成工程を説明する要部断面図である。
【図２−４】図２−４は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池の製造方法における選択拡散層の形成工程を説明する要部断面図である。
【図２−５】図２−５は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池の製造方法における選択拡散層の形成工程を説明する要部断面図である。
【図２−６】図２−６は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池の製造方法における選択拡散層の形成工程を説明する要部断面図である。
【図２−７】図２−７は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池の製造方法における選択拡散層の形成工程を説明する要部断面図である。
【図２−８】図２−８は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池の製造方法における選択拡散層の形成工程を説明する要部断面図である。
【図２−９】図２−９は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池の製造方法における選択拡散層の形成工程を説明する要部断面図である。
【図３】図３は、加熱処理におけるリンの拡散を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明にかかる太陽電池の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。
【００１５】
実施の形態
まず、本発明の実施の形態にかかる太陽電池の製造方法における選択拡散層（セレクティブエミッタ）の形成工程について図１および図２−１〜図２−９を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池の製造方法を説明するフローチャートである。図２−１〜図２−９は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池の製造方法を説明する要部断面図である。
【００１６】
まず、半導体基板として、例えば民生用太陽電池向けとして最も多く使用されているｐ型単結晶シリコン基板（以下、ｐ型シリコン基板１と称する）を用意する。
【００１７】
ｐ型シリコン基板１は、溶融したシリコンを冷却固化してできた単結晶シリコンインゴットまたは多結晶シリコンインゴットをバンドソーやマルチワイヤーソー等を用いてワイヤーソーで所望のサイズ・厚さにカット・スライスして製造するため、表面にスライス時のダメージが残っている。そこで、まずはこのダメージ層の除去も兼ねて、ｐ型シリコン基板１を酸または加熱したアルカリ溶液中、例えば水酸化ナトリウム水溶液に浸漬して表面をエッチングすることにより、シリコン基板の切り出し時に発生してｐ型シリコン基板１の表面近くに存在するダメージ領域を取り除く（図２−１、ステップＳ１０）。なお、ここではｐ型のシリコン基板を例に説明しているが、シリコン基板は、ｐ型でもｎ型でもかまわない。
【００１８】
また、ダメージ除去と同時に、またはダメージ除去に続いて、ｐ型シリコン基板１の受光面側の表面にテクスチャー構造として微小凹凸を形成する（図２−２、ステップＳ２０）。このようなテクスチャー構造を半導体基板の受光面側に形成することで、太陽電池の表面で光の多重反射を生じさせ、太陽電池に入射する光を効率的にシリコン基板の内部に吸収させることができ、実効的に反射率を低減し変換効率を向上させることができる。一般的には、アルカリを用いたｐ型シリコン基板１の表面の異方性エッチングにより、ランダムピラミッド形状のテクスチャー構造を形成する。
【００１９】
なお、本実施の形態は選択拡散層の製造方法に特徴を有するので、テクスチャー構造の形成方法や形状については、特に制限するものではない。例えば、イソプロピルアルコールを含有させたアルカリ水溶液や主にフッ酸、硝酸の混合液からなる酸エッチングを用いる方法、部分的に開口を設けたマスク材をｐ型シリコン基板１の表面に形成して該マスク材を介したエッチングによりｐ型シリコン基板１の表面にハニカム構造や逆ピラミッド構造を得る方法、或いは反応性ガスエッチング（ＲＩＥ：Reactive  Ion  Etching）を用いた手法など、何れの手法を用いても差し支えない。
【００２０】
つぎに、このｐ型シリコン基板１を熱拡散炉へ投入し、ｎ型の不純物であるリン（Ｐ）の雰囲気下で加熱する。この工程によりｐ型シリコン基板１の表面にリン（Ｐ）を高濃度に拡散させて、リン（Ｐ）を第１の濃度で含む第１ｎ型不純物拡散層（以下、第１ｎ型拡散層と称する）２ａを形成して半導体ｐｎ接合を形成する（図２−３、ステップＳ３０）。この不純物拡散処理におけるリン（Ｐ）の拡散濃度は、最終的な受光面側電極の下部の不純物拡散層における不純物濃度の設定条件より低濃度にする。たとえば最終的な受光面側電極の下部の不純物拡散層における不純物濃度の設定条件が表面シート抵抗：２０Ω／ｓｑ〜５０Ω／ｓｑである場合には、第１ｎ型拡散層のリン（Ｐ）の拡散濃度は例えば表面シート抵抗：３０Ω／ｓｑ〜８０Ω／ｓｑとする。
【００２１】
本実施の形態では、ｐ型シリコン基板１をオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）ガス雰囲気中において、例えば８５０℃〜９００℃の温度で加熱することにより、第１ｎ型拡散層２ａを形成する。ここで、第１ｎ型拡散層２ａの表面シート抵抗が例えば３０Ω／ｓｑ〜８０Ω／ｓｑとなるように処理温度、処理時間、ガス流量を調整して加熱処理を制御する。
【００２２】
また、第１ｎ型拡散層２ａの形成後の表面には、リンの酸化物を主成分とする酸化膜であるリンガラス層（ドーピングガラス層）３が形成される。なお、ここでは、ｐ型のシリコン基板にドナーとしてリン（Ｐ）を拡散させてｎ型拡散層を形成する場合を例に説明しているが、ｎ型のシリコン基板を用いる場合にはボロン（Ｂ）などのアクセプタを不純物として用いてｐ型拡散層を形成する。
【００２３】
つぎに、リンガラス層３を、受光面側電極の形状および形成位置に対応したパターンにパターニングする（図２−４、ステップＳ４０）。このパターニング工程でパターニングされたリンガラス層３は、次工程の熱処理時に電極接合部のみ不純物濃度を高くするための拡散源である。以下では、パターニングされたリンガラス層３を拡散源リンガラス層３ａと称する。リンガラス層３のパターニングは、たとえばリンガラス層３上にレジストを印刷した後にフッ酸で不要なリンガラス層３をエッチング除去する方法や、不要なリンガラス層３上にフッ酸を含むエッチングペーストを塗布して除去する方法などが挙げられるが、特に限定されない。
【００２４】
つぎに、ｐ型シリコン基板１を熱処理炉へ投入し、水蒸気雰囲気中でたとえば８００℃前後の温度で加熱処理（熱酸化処理）を行う（図２−５、ステップＳ５０）。この加熱処理において、拡散源リンガラス層３ａの下部領域の第１ｎ型拡散層２ａには、拡散源リンガラス層３ａからリン（Ｐ）が拡散する。これにより、拡散源リンガラス層３ａの下部領域の第１ｎ型拡散層２ａは、加熱処理前よりも不純物濃度が高濃度になり、第１の濃度よりも高い第２の濃度でリン（Ｐ）を含み低抵抗化された第２ｎ型不純物拡散層（以下、第２ｎ型拡散層と称する）２ｂに変質する。また、拡散源リンガラス層３ａは、熱酸化により表面に熱酸化膜が形成されて膜厚が増大する。図３は、加熱処理におけるリン（Ｐ）の拡散を説明する模式図である。
【００２５】
一方、この加熱処理において、拡散源リンガラス層３ａの下部領域以外の第１ｎ型拡散層２ａ上には熱酸化によりシリコン酸化膜４が形成される。そして、拡散源リンガラス層３ａの下部領域以外の第１ｎ型拡散層２ａからシリコン酸化膜４にリン（Ｐ）が拡散する。これにより、拡散源リンガラス層３ａの下部領域以外の第１ｎ型拡散層２ａは、加熱処理前よりも不純物濃度が低濃度になり、第１の濃度よりも低い第３の濃度でリン（Ｐ）を含み高抵抗化された第３ｎ型不純物拡散層（以下、第３ｎ型拡散層と称する）２ｃに変質する。
【００２６】
つぎに、ｐ型シリコン基板１の表裏面の拡散源リンガラス層３ａおよびシリコン酸化膜４を、フッ酸等を用いて除去する（図２−６、ステップＳ６０）。この際、形成された拡散源リンガラス層３ａおよびシリコン酸化膜４をその厚みだけ除去すれば良く、面内均一性および処理ごとの再現性を管理し易い。
【００２７】
なお、シリコン酸化膜４は、除去せずにそのまま使用してもかまわない。特に、ｎ型のシリコン基板にボロン（Ｂ）などのアクセプタを不純物として用いてｐ型拡散層を形成した場合は、酸化膜を不純物拡散層上のパッシベーション膜として用いることが好ましい。このため、シリコン酸化膜４を除去せずにそのままパッシベーション膜として用いることにより、選択拡散層の形成プロセスとパッシベーション膜の形成プロセスとを同時処理することができる。なお、この場合もｐ型シリコン基板１の裏面のシリコン酸化膜４は、後述する電極形成プロセスより前に除去しておくことが好ましい。
【００２８】
以上のような工程を実施することにより、受光面側電極の下部領域の不純物拡散層に適した不純物濃度を有する第２ｎ型拡散層２ｂと、受光部に適した不純物濃度を有する第３ｎ型拡散層２ｃとからなる選択拡散層２が形成される。これにより、第１導電型層であるｐ型単結晶シリコンからなるｐ型シリコン基板１と、該ｐ型シリコン基板の受光面側に形成された第２導電型層であるｎ型不純物拡散層である選択拡散層２と、によりｐｎ接合が構成された半導体基板１１が得られる。
【００２９】
上述した本実施の形態にかかる選択拡散層の製造方法では、選択拡散層２の各領域、すなわち第２ｎ型拡散層２ｂと第３ｎ型拡散層２ｃとの領域およびその不純物濃度が、拡散源リンガラス層３ａの配置および加熱処理により決定される。このため、薬液などを用いて不純物拡散層をエッチングして選択拡散層の各領域の決定や不純物濃度を調整する手法と比較して、ｐ型シリコン基板１の面内において高濃度不純物拡散領域および低濃度不純物拡散領域のそれぞれにおける不純物濃度の面内分布が均一であり、選択拡散層形成の処理毎（処理ロット毎）の不純物濃度の均一性も高くなり、安定して選択拡散層を製造可能である。
【００３０】
また、上述したプロセスを用いることにより、不純物拡散工程（ステップＳ３０）と加熱処理（熱酸化）工程とにおける処理温度、処理時間、ガス流量を調整することで、受光面電極の形成領域である第２ｎ型拡散層２ｂと、受光部である第３ｎ型拡散層２ｃとの不純物濃度をそれぞれ容易に且つ広範囲に設定可能である。
【００３１】
また、上述したプロセスを用いることにより、第１ｎ型拡散層の表面を熱酸化することにより表面準位を多く含む最表面を取り込むことで、表面再結合速度の低減が可能であり、また、第２ｎ型拡散層は低抵抗化され、受光面側電極との接触抵抗を充分に低減できるため、光電変換効率の向上に有効である。
【００３２】
つぎに、選択拡散層形成後の太陽電池の製造工程について説明する。まず、光電変換効率改善のために、半導体基板１１の受光面側（選択拡散層２側）に反射防止膜５を一様な厚みで形成する（図２−７、ステップＳ７０）。反射防止膜５としては、たとえば窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、窒化チタン（ＴｉＯ２）膜、一酸化シリコン（ＳｉＯ）膜などが好ましく、その成膜方法としてはＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法、スパッタリング法、蒸着法などが挙げられる。反射防止膜５の膜厚および屈折率は、光反射を最も抑制する値に設定する。屈折率は例えば２．０〜２．２程度であり、最適な反射防止膜厚は例えば７０ｎｍ〜９０ｎｍである。なお、反射防止膜５として、屈折率の異なる２層以上の膜を積層してもよい。
【００３３】
ついで、スクリーン印刷により電極を形成する。まず、受光面側電極を作製する（焼成前）。すなわち、半導体基板１１の受光面である反射防止膜５上に、受光面側電極の形状にガラスフリットを含む電極材料ペーストである銀ペースト６ａをスクリーン印刷によって塗布した後、銀ペースト６ａを乾燥させる（図２−８、ステップＳ８０）。銀ペースト６ａは、たとえば表銀グリッド電極と表銀バス電極とからなる受光面側電極の櫛形の形状に塗布される。
【００３４】
つぎに、半導体基板１１の裏面側にスクリーン印刷によって、裏アルミニウム電極の形状に電極材料ペーストであるアルミニウムペースト７ａを塗布し、さらに裏銀電極の形状に電極材料ペーストである銀ペーストを塗布し、乾燥させる（図２−８、ステップＳ８０）。なお、図中ではアルミニウムペースト７ａのみを示している。
【００３５】
その後、半導体基板１１の表面および裏面の電極ペーストを例えば６００℃〜９００℃で同時に焼成することで、半導体基板１１の表側では銀ペースト中に含まれているガラス材料で反射防止膜５が溶融している間に銀材料がシリコンと接触し再凝固する。これにより、受光面側電極としてたとえば表銀グリッド電極および表銀バス電極とが櫛形状に得られ、受光面側電極と半導体基板１１のシリコンとの導通が確保される（図２−９、ステップＳ９０）。このようなプロセスは、ファイヤースルー法と呼ばれる。
【００３６】
また、アルミニウムペースト７ａも半導体基板１１のシリコンと反応して裏アルミニウム電極７が得られ、かつ裏アルミニウム電極７の直下の表層部には、高濃度不純物を含んだｐ＋層（ＢＳＦ（Back  Surface  Field））８が形成される。また、銀ペーストの銀材料がシリコンと接触し再凝固して裏銀電極が得られる（図２−９）。なお、図中では表銀グリッド電極６および裏アルミニウム電極７のみを示している。
【００３７】
以上の工程を実施することにより、太陽電池セルが得られる。なお、電極材料であるペーストの半導体基板１１への配置の順番を、受光面側と裏面側とで入れ替えてもよい。
【００３８】
上述したように、本実施の形態にかかる太陽電池の製造方法においては、選択拡散層２の各領域、すなわち第２ｎ型拡散層２ｂと第３ｎ型拡散層２ｃとの領域およびその不純物濃度が、拡散源リンガラス層３ａの配置および加熱処理により決定される。このため、薬液などを用いて不純物拡散層をエッチングして選択拡散層の各領域の決定や不純物濃度を調整する手法と比較して、ｐ型シリコン基板１の面内において高濃度不純物拡散領域および低濃度不純物拡散領域のそれぞれにおける不純物濃度の面内分布が均一であり、選択拡散層形成の処理毎（処理ロット毎）の不純物濃度の均一性も高くなり、安定して選択拡散層を製造可能である。
【００３９】
また、本実施の形態にかかる太陽電池の製造方法においては、拡散工程と熱酸化工程とにおける処理温度、処理時間、ガス流量を調整することで、受光面電極の形成領域である第２ｎ型拡散層２ｂと、受光部である第３ｎ型拡散層２ｃとの不純物濃度をそれぞれ容易に且つ広範囲に設定可能である。
【００４０】
また、本実施の形態にかかる太陽電池の製造方法においては、不純物濃度の高い第２ｎ型拡散層２ｂを形成するための拡散源として不純物拡散工程で自然に形成されるリンガラス層を用いるため、新たな部材等の開発が不要であり、工程が簡略である。また、選択拡散層の各領域、すなわち第２ｎ型拡散層２ｂと第３ｎ型拡散層２ｃとを一度の加熱処理により同時に形成できるため、工程が簡略である。
【００４１】
そして、本実施の形態にかかる太陽電池の製造方法においては、拡散源リンガラス層３ａおよびシリコン酸化膜４は形成した厚さだけ除去すれば良く、薬品によりシリコンをエッチングする手法と比較して、選択拡散層の拡散濃度および深さの面内均一性および処理ごとの再現性を管理し易い。したがって、半導体基板１１の表面に形成されたテクスチャー形状を維持できる。
【００４２】
したがって、本実施の形態にかかる太陽電池の製造方法によれば、基板面内における不純物濃度の均一性の高い選択拡散層を簡便な方法で再現性良く形成可能であり、量産においても光電変換効率の高い太陽電池を均一に作製することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
以上のように、本発明にかかる太陽電池の製造方法は、半導体基板の面内における不純物濃度の均一性の高い選択拡散層を簡便な方法で再現性良く形成する場合に有用である。
【符号の説明】
【００４４】
１  ｐ型単結晶シリコン基板（ｐ型シリコン基板）
２  選択拡散層
２ａ  第１ｎ型不純物拡散層（第１ｎ型拡散層）
２ｂ  第２ｎ型不純物拡散層（第２ｎ型拡散層）
２ｃ  第３ｎ型不純物拡散層（第３ｎ型拡散層）
３  リンガラス層（ドーピングガラス層）
３ａ  拡散源リンガラス層
４  シリコン酸化膜
５  反射防止膜
６  表銀グリッド電極
６ａ  銀ペースト
７  裏アルミニウム電極
７ａ  アルミニウムペースト
１１  半導体基板
【図１】
2013161818.tif 000003
【図２−１】
2013161818.tif 000004
【図２−２】
2013161818.tif 000005
【図２−３】
2013161818.tif 000006
【図２−４】
2013161818.tif 000007
【図２−５】
2013161818.tif 000008
【図２−６】
2013161818.tif 000009
【図２−７】
2013161818.tif 000010
【図２−８】
2013161818.tif 000011
【図２−９】
2013161818.tif 000012
【図３】
2013161818.tif 000013