(57)【要約】      （修正有）【課題】インプリントによりモールドのパターンを樹脂基材に転写し、その凹部に導電層を形成するにあたって、ばらつきの少ない均一な厚みで導電層を形成し得る回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】第１樹脂基材上に第２樹脂基材を積層して積層基材を形成し、インプリントモールドを、第２樹脂基材の一面から、第２樹脂基材を貫通しかつ第１樹脂基材の厚みの中途まで達するように圧入して、積層基材に第１樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を形成し、さらに少なくとも凹部の内面を覆うように、導電性第１材料からなる導電層を形成し、次いで第１材料と異なる第２材料からなる薄膜を、少なくとも前記凹部内の底面側の導電層を覆い、かつ前記凹部内の側壁面側の導電層を覆わないように形成した後、凹部内における側壁面側に形成されている導体層を、選択エッチングにより除去し、さらに第２樹脂基材を除去する。【選択図】図１
2013045828.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１樹脂基材上に第２樹脂基材を積層して積層基材を形成する積層工程と、
前記積層基材に対し、形成すべき導体パターンに対応するパターンの凸部を有するインプリントモールドを、第２樹脂基材の一面から、前記凸部が第２樹脂基材を貫通しかつ第１樹脂基材の厚みの中途まで達するように圧入する圧入工程と、
前記インプリントモールドを積層基材から離型させて、第２樹脂基材を貫通しかつ第１樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を形成する離型工程と、
少なくとも前記凹部の内面を覆うように、導電性の第１材料からなる導電層を形成する導電層形成工程と、
前記第１材料と異なる第２材料からなる薄膜を、少なくとも前記凹部の底面上の導電層を覆い、かつ前記凹部の側壁面上の導電層を覆わないように形成する薄膜形成工程と、
前記凹部内の側壁面上に形成されている導体層を、前記第２材料は溶解させずに第１材料のみを選択的に溶解させる選択エッチングにより除去する選択エッチング工程と、
前記第２樹脂基材を除去する第２樹脂基材除去工程と、
を有してなることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
形成すべき導体パターンに対応する凸部を有するインプリントモールドを、前記凸部が第１樹脂基材の一面から第１樹脂基材の厚みの中途まで達するように圧入する圧入工程と、
前記インプリントモールドの凸部が第２樹脂基材を貫通するように、第２樹脂基材の一面から第２樹脂基材にインプリントモールドの凸部を押し込む貫通工程と、
第１樹脂基材上に第２樹脂基材を積層して、第２樹脂基材を貫通しかつ第１樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を有する積層基材を形成する積層工程と、
少なくとも前記凹部の内面を覆うように、導電性の第１材料からなる導電層を形成する導電層形成工程と、
前記第１材料と異なる第２材料からなる薄膜を、少なくとも前記凹部の底面上の導電層を覆い、かつ前記凹部の側壁面上の導電層を覆わないように形成する薄膜形成工程と、
前記凹部内の側壁面上に形成されている導電層を、前記第２材料は溶解させずに第１材料のみを選択的に溶解させる選択エッチングにより除去する選択エッチング工程と、
前記第２樹脂基材を除去する第２樹脂基材除去工程と、
を有してなることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記導電層形成工程において、前記導電層を、前記凹部内における第１樹脂基材に形成された凹部深さに相当する厚みで形成することを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２材料として導電性材料を用いることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれかの請求項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１材料として、Ｃｕを用い、前記第２材料として、ＳｎもしくはＡｌを用いることを特徴とする請求項４に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に使用される回路基板の製造方法に関し、特に、転写によって基板に導体パターンを形成する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
転写によって基板に導体パターンを形成する技術としては、ナノインプリント（ＮＩＬ）や、射出成形、ホットエンボスなどがある。これらのうちでも、ＮＩＬは、極微細なパターンを形成する技術として、近年注目を浴びている。
ナノインプリントを適用して回路基板を製造する方法では、基本的には、最終的に形成するべき微細な導体パターンに対応する凸パターンを有するモールド（インプリントモールド）を用いる。そして、そのインプリントモールドを、樹脂基材の表面に押し付けて、その凸パターンに対応する凹パターンを樹脂基材に形成し（転写し）、その凹パターンに導体材料を充填するものである。
【０００３】
従来のこの種の回路基板の製造方法としては、例えば特許文献１に示される方法が知られている。この特許文献１に示される方法について、図５（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。
【０００４】
特許文献１の方法では、先ず、樹脂層１０１上に無電解めっきなどにより金属薄層１０３を形成する。次いで金属薄層１０３の上からインプリンティングモールド１０５を押し当て、最終的に形成すべき配線パターンに相当する凹部１０７を樹脂層１０１に形成する。その後、インプリンティングモールド１０５を離型させてから、金属薄層１０３上の全面に電解めっきにより導電層（電解めっき層）１０９を形成する。さらに凹部１０７内以外の余分な電解めっき層および金属薄層をエッチングにより除去して、凹部１０７内のみに、金属薄層１０３および電解めっき層１０９からなる導体層１１０を残して、配線パターンを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７‐２４３１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に示される方法では、導体層１１０の主要部分を電解めっきにより形成しているため、凹部１０７内の導体層１１０の厚みが不均一となりやすい。
例えば図５（ｄ）に示しているように、幅の広い凹部１０７ａ内では、電解めっき層１０９ａの厚みが、幅の狭い凹部１０７ｂ内の電解めっき層１０９ｂの厚みよりも小さくなる傾向を示す。その結果、図５（ｅ）に示しているように、最終的な配線パターンとして、幅の広い凹部１０７ａ内に形成された導体層１１０ａが薄くなってしまいやすく、そのため電気的特性に問題が生じてしまうことがある。また、エッチングによって余分なめっき金属を除去するにあたっても、幅の広い凹部１０７ａ内で導体層１１０ａが過剰にエッチングされて、その導体層１１０ａが、さらに薄くなってしまったり、極端な場合は消失してしまったりすることもある。
【０００７】
上記問題を回避するため、エッチング量を少なくすれば、樹脂層１０１の凸部上の導体層の厚みの大きい部分で、導体層がエッチングにより除去しきれずに、図５（ｅ）に示すように、形成すべき配線パターン以外の部分に導体層１１０ｃが残ってしまうという不都合が生じる。
【０００８】
また、エッチングの代わりとして、あるいはエッチングと併用して、バフ研磨などの機械的な研磨を適用して、不要な導体層を除去することも考えられるが、研磨による場合も、幅の広い凹部内では導体層の研磨深さが大きくなって、最終的に残る導体層の厚みが薄くなってしまいやすい。
このように、インプリンティングを適用した特許文献１に記載の回路基板の製造方法では、導体層の厚みのばらつきを抑えることは困難であった。
【０００９】
本発明は、以上のような事情に鑑みてなされたもので、インプリントを適用して樹脂基材に埋め込んだ導体パターンを形成するにあたって、ばらつきの少ない均一な厚みで導電層を形成しうる方法を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以上のような課題を解決するため、本発明においては、基本的には、２枚の樹脂基材を積層した積層基材として、インプリントモールドにより凹部を形成した積層基材を作製し、その後、少なくとも凹部内面に導電層を形成してから、その凹部底面の導電層の上に、エッチングマスクとして機能する薄膜を形成し、その後に、余分な導電層を選択エッチングにより除去し、これによって凹部の底面上に所定の厚みで導電層を残すようにして、導電層の厚みのばらつきを少なくするようにした。
【００１１】
すなわち本発明の基本的な態様（第１の態様）による回路基板の製造方法は、
第１樹脂基材上に第２樹脂基材を積層して積層基材を形成する積層工程と、
前記積層基材に対し、形成すべき導体パターンに対応するパターンの凸部を有するインプリントモールドを、第２樹脂基材の一面から、前記凸部が第２樹脂基材を貫通しかつ第１樹脂基材の厚みの中途まで達するように圧入する圧入工程と、
前記インプリントモールドを積層基材から離型させて、第２樹脂基材を貫通しかつ第１樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を形成する離型工程と、
少なくとも前記凹部の内面を覆うように、導電性の第１材料からなる導電層を形成する導電層形成工程と、
前記第１材料と異なる第２材料からなる薄膜を、少なくとも前記凹部の底面上の導電層を覆い、かつ前記凹部の側壁面上の導電層を覆わないように形成する薄膜形成工程と、
前記凹部内の側壁面上に形成されている導電層を、前記第２材料は溶解させずに第１材料のみを選択的に溶解させる選択エッチングにより除去する選択エッチング工程と、
前記第２樹脂基材を除去する第２樹脂基材除去工程と、
を有してなることを特徴とすることを特徴とするものである。
【００１２】
このような第１の態様の回路基板の製造方法においては、選択エッチング工程で、積層基材の凹部内の導電層のうち、凹部の側壁面上の導電層がエッチングにより除去され、凹部内の底面上の導電層については、第２材料からなる薄膜がエッチングマスクとして機能するため、エッチング後、凹部の第１樹脂基材内の導電層は、エッチングされずに凹部内に充填厚みのまま残る。凹部以外に形成された導電層は、第２樹脂基材を剥離することによって、完全に存在しない状態とすることができる。
なお、凹部の底面上の導電層のうち、幅方向両端付近の部分は、選択エッチング工程で若干エッチングされて、その厚み（凹部底面からの高さ）が、幅方向中央部（薄膜で覆われている部分）よりも若干減少することがあるが、エッチング時間を調整することによって、概ね平坦にすることができる。
なお、導電層形成工程や薄膜形成工程において、仮に、積層基材の凹部以外の部分（例えば第２樹脂基材の一面上）に導電層や薄膜が形成された場合でも、その部分の導電層や薄膜は、選択エッチング工程後の第２樹脂基材除去工程で、第２樹脂基材とともに除去されてしまう。そのため、これらの個所に形成された導電層や薄膜が、回路基板製品として不都合を招くこともない。さらにこの場合、これらの個所の導電層および薄膜を、改めて別工程で除去する必要もない。
【００１３】
また本発明の第２の態様による回路基板の製造方法は、
形成すべき導体パターンに対応する凸部を有するインプリントモールドを、前記凸部が第１樹脂基材の一面から第１樹脂基材の厚みの中途まで達するように圧入する圧入工程と、
前記インプリントモールドの凸部が第２樹脂基材を貫通するように、第２樹脂基材の一面から第２樹脂基材にインプリントモールドの凸部を押し込む貫通工程と、
第１樹脂基材上に第２樹脂基材を積層して、第２樹脂基材を貫通しかつ第１樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を有する積層基材を形成する積層工程と、
少なくとも前記凹部の内面を覆うように、導電性の第１材料からなる導電層を形成する導電層形成工程と、
前記第１材料と異なる第２材料からなる薄膜を、少なくとも前記凹部の底面上の導電層を覆い、かつ前記凹部の側壁面上の導電層を覆わないように形成する薄膜形成工程と、
前記凹部内の側壁面上に形成されている導電層を、前記第２材料は溶解させずに第１材料のみを選択的に溶解させる選択エッチングにより除去する選択エッチング工程と、
前記第２樹脂基材を除去する第２樹脂基材除去工程と、
を有してなることを特徴とする。
【００１４】
このような第２の態様の回路基板の製造方法は、第２樹脂基材を貫通しかつ第１樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を有する積層基材を形成するまでの工程は、第１の態様の回路基板の製造方法の製造方法と異なるが、その後の導電層形成工程、薄膜形成工程、選択エッチング工程、および第２樹脂基材除去工程は、第１の態様の回路基板の製造方法と同じである。したがって、前述のような第１の態様の回路基板の製造方法による作用効果と同様な作用効果を得ることができる。
【００１５】
また本発明の第３の態様による回路基板の製造方法は、前記第１または第２の態様の回路基板の製造方法において、さらに前記導電層形成工程で、前記導電層を、前記凹部内における第１樹脂基材に形成された凹部深さに相当する厚みで形成することを特徴とするものである。
【００１６】
第３の態様の回路基板の製造方法によれば、最終的に凹部内に残る導電層の表面位置が第２樹脂基材の表面位置と実質的に同じになり、平面内に導電層を埋め込んだ回路基板を得ることができる。
【００１７】
さらに本発明の第４の態様による回路基板の製造方法は、前記第１〜３の態様の回路基板の製造方法おいて、前記第２材料として導電性材料を用いることを特徴とするものである。
【００１８】
第４の態様によれば、凹部内の導電層上の薄膜も導体として機能するから、凹部内の導電層上の薄膜を残したままで、回路基板として使用することが可能となる。
【００１９】
さらに本発明の第５の態様による回路基板の製造方法は、前記第４の態様の回路基板の製造方法おいて、前記第１材料として、Ｃｕを用い、前記第２材料として、ＳｎもしくはＡｌを用いることを特徴とするものである。
【００２０】
第５の態様によれば、選択エッチング工程において、第２材料からなる薄膜をエッチングすることなく、凹部の側壁面上に形成された第１材料からなる導電層を、確実かつ容易にエッチングすることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、樹脂基材内に埋め込まれた導電層の厚みのばらつきが少ない回路基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の回路基板製造法の第１の実施形態を工程順に示す略解図である。
【図２】図１に示される第１の実施形態の要部を拡大して示す略解図である。
【図３】本発明の回路基板製造法の第２の実施形態の一部の工程を、工程順に示す略解図である。
【図４】本発明の回路基板製造法の第３の実施形態の一部の工程を、工程順に示す略解図である。
【図５】ナノインプリントを適用した従来の回路基板の製造方法の一例を段階的に示す略解図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
図１（ａ）〜（ｉ）に、本発明の第１の実施形態の製造方法を段階的に示し、図２（ａ）〜（ｅ）に、その要部を拡大して示す。なお図２（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ図１（ｅ）〜（ｉ）に対応する。
【００２４】
先ず積層工程として、図１（ａ）に示すように、シート状の第１樹脂基材１１および第２樹脂基材１２を積層する。このように第１、第２樹脂基材を積層した状態のものを、以下、積層基材１３と称する。
第１樹脂基材１１および第２樹脂基材１２の材料は、後述するインプリントモールドによる加圧時においてその加圧力により塑性変形可能な非導電性の樹脂であれば、特に限定されない。一般には、ＡＢＳ（アクリロニトリルブタジエンスチレン共重合体）樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマ）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）樹脂、ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂が好適である。また加圧時の温度などによっては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂も使用することができる。第１樹脂基材１１および第２樹脂基材１２の厚みは特に限定しないが、通常はそれぞれ５〜５０μｍ程度が好適である。また第１、第２樹脂基材１１、１２を積層するにあたっては、これらを単に重ね合わせるだけでもよいが、後工程でのハンドリングを考慮して、接着剤により仮止め程度に接着したり、あるいは適宜加熱して圧着したりしてもよい。
【００２５】
一方、圧入工程の準備段階として、図１（ｂ）に示すように、形成すべき導体パターンに対応する凸パターンを有するインプリントモールド１４を準備しておく。このインプリントモールド１４においては、その下面側の凸部１４Ａが、形成すべき導体パターンに対応するとともに、凸部１４Ａの間の凹部１４Ｂが導体パターンの非形成部分に対応する。なおインプリントモールドの材料としては、従来からナノインプリントによる回路基板の製造に使用されている微細パターン転写用のモールド、例えばＳｉ（シリコン）、あるいはＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３などのセラミック、石英や石英系ガラス、Ｎｉなどの金属、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）などの硬質材料からなるものを用いることができる。
【００２６】
そして圧入工程として、図１（ｃ）に示すように、積層基材１３における第２樹脂基材１２の上面（一面）側にインプリントモールド１４を押し当てて加圧し、インプリントモールド１４の凸部１４Ａを、積層基材１３内に圧入する。このとき、インプリントモールド１４の圧入深さを、その凸部１４Ａが第２樹脂基材１２を貫通しかつ第１樹脂基材１１の厚みの中途まで達するように調整する。
【００２７】
次いで離型工程として、インプリントモールド１４を上昇させて、インプリントモールド１４を積層基材１３から離型させる。これにより積層基材１３に、図１（ｄ）に示すように、第２樹脂基材１２を貫通しかつ第１樹脂基材１１の厚みの中途まで達する凹部１５が形成された状態となる。
【００２８】
その後、導電層形成工程として、図１（ｅ）および図２（ａ）に示すように、少なくとも積層基材１３における凹部１５の内面（凹部の底面１５Ａおよび側壁面１５Ｂ）を覆うように、導電性を有する第１材料からなる導電層１６を形成する。この第１材料としては、一般に回路基板で導体パターンに使用されている良導電性の金属、例えばＣｕ，Ａｇなどを用いる。なお本実施形態では、積層基材１３における凹部１５の内面のみならず、積層基材１３の上面（第２樹脂基材１２の一面）をも覆うように導電層１６を形成している。
【００２９】
導電層１６を形成するための具体的方法としては、例えば無電解めっきや蒸着により薄いシード層を形成し、その後、電解めっきを施す方法が好適である。また、導電性ペーストを印刷などによりコートし、その後焼成することによって導電層１６を形成することもできる。また導電層１６の形成態様としては、凹部１５の全体を埋めてしまう、いわゆるビアフィリングではなく、凹部１５の内面形状に沿った、いわゆるコンフォーマル形状とすることが望ましい。また導電層１６の厚みは、凹部１５における第１樹脂基材１１の凹部深さＤ（図２（ａ）参照）と同じか、それに近い厚みとなるように定めることが望ましい。
【００３０】
次いで、薄膜形成工程として、図１（ｆ）および図２（ｂ）に示すように、少なくとも積層基材１３における凹部１５の底面１５Ａ上の導電層を覆い、かつ少なくとも積層基材１３における凹部１５の側壁面１５Ｂ上の導電層を覆わないように、第２材料からなる薄膜１７を形成する。なお本実施形態では、薄膜１７は、積層基材１３における凹部１５の底面１５Ａ上の導電層、および積層基材１３の上面（第２樹脂基材１２の一面）の導電層を覆い、かつ積層基材１３における凹部１５の側壁面１５Ｂ上の導電層を覆わないように形成している。
【００３１】
薄膜１７は、その後の選択エッチング工程において、導電層エッチングに対するエッチングマスクとして機能するものである。したがって薄膜１７の材料（第２材料）としては、導電層を構成している第１材料とは異なる材料であって、かつ選択エッチング工程でエッチングされない材料を選定する。また薄膜１７の第２材料は、非導電性であってもよいが、最終的な使用形態を考慮すれば、後述するように、良導電性の金属からなる材料を用いることが望ましい。例えば導電層１６の材料（第１材料）としてＣｕを用いる場合、薄膜１７の材料（第２材料）としては、ＳｎもしくはＡｌを用いることが望ましい。その他、Ｎｉ，Ｔｉ、Ｃｏ，Ｃｒなども使用できる。
【００３２】
薄膜１７の形成のための具体的方法は特に限定されず、蒸着法やスパッタリングなど、種々の成膜法を適用できる。但し、凹部１５の側壁面１５Ｂ上の導電層を覆わずに、凹部１５の底面１５Ａ上の導電層の上に成膜されるように、成膜方向が制御される成膜方法を選定する。すなわち、第２樹脂基材１２の上面に対して垂直な面には成膜されず、主として第２樹脂基材１２の上面に平行な面に成膜される成膜方法を選定すればよい。一般的な蒸着法でも、そのような成膜方向制御は容易に達成可能である。
【００３３】
次いで選択エッチング工程として、図１（ｇ）および図２（ｃ）に示すように、凹部１５における側壁面１５Ｂに形成されている導電層１６を、選択的に溶解、除去させる。すなわち、薄膜１７を構成している第２材料は溶解させずに、導電層１６を構成している第１材料のみを選択的に溶解させるような選択エッチング液を用いて、側壁面１５Ｂ上の導電層をエッチングして除去する。例えば導電層１６（第１材料）としてＣｕを用い、薄膜１７（第２材料）としてＳｎ、Ａｇ、あるいはＡｌを用いた場合、エッチング液に市販の硫酸／過酸化水素系のエッチング液を用いることができる。
【００３４】
このような選択エッチングを施せば、凹部１５における側壁面１５Ｂ上に形成されている導電層はエッチングにより除去されるが、凹部１５における底面１５Ａ上の導電層は、薄膜１７によりエッチングが阻止されるため、凹部１５内に残留する。
より詳細には、凹部１５の底面１５Ａ上の導電層１６のうち、その幅方向両端付近の領域Ｐ（図２（ｃ）参照）を除いた中央部領域Ｑの導電層は、薄膜１７によって覆われているため、選択エッチング前の厚みのまま残留する。一方、凹部１５の底面１５Ａ上の導電層１６のうち、幅方向両端付近の領域Ｐの導電層は、エッチングによって若干侵食される。ただし、選択エッチング工程における導電層１６に対するエッチングは、主として凹部１５内の空間から側壁面１５Ｂに向かう方向に進行する。そのため、幅方向両端付近の領域Ｐでのエッチング深さ（底面１５Ａに向かう方向への侵食深さ）は比較的小さい。したがって幅方向両端付近の領域Ｐでも、かなりの厚みで導電層１６が残る。結局、凹部１５の底部１５Ａ上には、中央部が比較的厚く、両端部付近が若干薄い状態で導電層１６が残るが、全体的に見れば、凹部１５内の導電層１６は比較的平坦となっていると言うことができる。
【００３５】
その後、第２樹脂基材除去工程として、図１（ｈ）および図２（ｄ）に示すように、第１樹脂基材１１上の第２樹脂基材１２を除去する。この除去方法としては、第２樹脂基材１２を、選択的に溶解させてもよく、あるいは機械的に第２樹脂基材１２を第１樹脂基材１１から剥離させてもよい。なお第２樹脂基材１２の除去に伴って、第２樹脂基材１２上の導電層および薄膜も同時に除去される。
【００３６】
第２樹脂基材１２を除去した後には、第１樹脂基材１１の凹部１５内にのみ、導電層１６が残った回路基板（図２（ｄ））が得られる。なおこの状態では、凹部１５内の導電層１６における中央部領域Ｑの上に、薄膜１７も残っている。ここで、薄膜１７の材料（第２材料）として、ＳｎやＡｌなどの良導電性材料が用いられている場合には、導電層１６上に薄膜１７が残ったまま、回路基板として使用することができる。
【００３７】
また場合によっては、前記第２樹脂基材除去工程終了後に、薄膜除去工程として、図１（ｉ）および図２（ｅ）に示すように、導電層１６上の薄膜１７を、エッチングや研磨によって除去して、回路基板としてもよい。このように薄膜１７を除去しておけば、薄膜１７の材料（第２材料）が良導電性材料でない場合でも、回路基板として好適に使用することができる。
【００３８】
なお、インプリントモールド１４としては、例えば図３（ａ）〜（ｄ）に示すように、凸部１４Ａが多段形状をなすものを用いても良く、その場合には、より微細な導体パターンを形成することができる。なお図３（ａ）〜（ｄ）は、図１（ｂ）〜（ｅ）に対応して示すものであり、図３（ｄ）より後の工程は、図１（ｆ）〜（ｈ）もしくは図１（ｆ）〜（ｉ）に示す工程と同様であればよい。
【００３９】
なお、図示はしないが、前述のようにして導体パターンを形成した回路基板における、導体パターンの側の面の上に保護用の樹脂を被覆することによって、片面封止の回路基板とすることができる。
【００４０】
また、樹脂基材を貫通するビアホールを、レーザ加工法やインプリント法の任意の手段により形成し、そのビアホールに導体を充填して貫通電極を形成した回路基板とすれば、その回路基板を２層以上の多層に積層した多層基板とすることも可能である。
【００４１】
なお、以上の説明では、第１樹脂基材と第２樹脂基材とを積層して積層基材を形成した後、その積層基材における第２樹脂基材の表面インプリントモールドの凸部を押し込むことによって、第２樹脂基材を貫通しかつ第１樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を積層基材に形成することとしているが、このような凹部を有する積層基材を作製するまでの工程は、上述のようなプロセスに限定されるものではない。例えば、第１樹脂基材と第２樹脂基材とを積層する以前の段階で、積層基材の凹部となるべき形状の部分（凹部及び貫通部）を、第１および第２樹脂基材にそれぞれ個別に形成しておき、その後に第１及び第２樹脂基材を積層してもよい。その場合の一例について、図４（ａ）〜（ｇ）を参照して説明する。
【００４２】
図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、インプリントモールド１４の凸部１４Ａを第１樹脂基材１１の表面（一面）に押し込んで、第１樹脂基材１１の厚みの中途まで達する凹部１５−１を第１樹脂基材１１に形成する。一方、それとは別に、図４（ｄ）〜（ｆ）に示すように、インプリントモールド１４の凸部１４Ａを第２樹脂基材１２の表面（一面）に押し込んで、第１樹脂基材１１の全厚みを貫通する貫通部１５−２を第２樹脂基材１２に形成する。その後、図４（ｇ）に示すように、第１樹脂基材１１と第２樹脂基材１２とを、第１樹脂基材１１の凹部１５−１の位置と第２樹脂基材１２の貫通部１５−２の位置とが合致するように位置合わせしながら、第１樹脂基材１１と第２樹脂基材１２とを積層して、積層基材１３とする。このように積層した状態で、第１樹脂基材１１の凹部１５−１と第２樹脂基材１２の貫通部１５−２とが連続する凹部１５、すなわち第２樹脂基材１２を貫通しかつ第１樹脂基材１１の厚みの中途まで達する凹部１５が積層基材１３に形成される。なお、その後のプロセスとしては、例えば図１（ｅ）〜（ｉ）に示したようなプロセスを適用すればよい。
【００４３】
またその他、図示はしないが、図４（ａ）〜（ｃ）に示したと同様に、インプリントモールドの凸部を第１樹脂基材の表面（一面）に押し込んで、第１樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を第１樹脂基材に形成し、さらにその第１樹脂基材表面における凹部以外の部分に、第２樹脂基材を印刷などによって形成し、これによって、第２樹脂基材を貫通しかつ第１樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を有する積層基材を形成してもよい。
【００４４】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはもちろんである。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１１・・・第１樹脂基材、１２・・・第２樹脂基材、１３・・・積層基材、１４・・・インプリントモールド、１４Ａ・・・インプリントモールドの凸部（凸パターン）、１５・・・凹部、１５Ａ・・・凹部の底面、１５Ｂ・・・凹部の側壁面、１６・・・導電層、１７・・・薄膜。
【図１】
2013045828.tif 000003
【図２】
2013045828.tif 000004
【図３】
2013045828.tif 000005
【図４】
2013045828.tif 000006
【図５】
2013045828.tif 000007