(57)【要約】【課題】被処理基板をステージに載置した際に基板周縁部が浮いた状態であっても基板をステージ上に吸着保持する。【解決手段】被処理基板Ｇを載置するステージ２と、前記ステージに載置される前記被処理基板の縁部を押さえ付け可能な押さえ付け手段６とを備え、前記押さえ付け手段は、前記被処理基板の周囲に複数設けられ、基板上面の縁部に対し係止可能な係止面を有する係止部材７と、前記係止部材をステージ面に対して昇降移動させる昇降手段１１と、前記係止部材を鉛直軸回りに回転させる回転手段９とを有し、前記係止部材の係止面が、前記回転手段により前記基板側に向けられ、前記昇降手段により前記係止部材が下降移動されることにより、前記係止部材が前記被処理基板の縁部に係止し、前記ステージに対し押さえ付ける。【選択図】図１
2013168461.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板をステージ上に保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
前記被処理基板を載置する前記ステージと、前記ステージに載置される前記被処理基板の縁部を押さえ付け可能な押さえ付け手段とを備え、
前記押さえ付け手段は、
前記被処理基板の周囲に複数設けられ、基板上面の縁部に対し係止可能な係止面を有する係止部材と、前記係止部材をステージ面に対して昇降移動させる昇降手段と、前記係止部材を鉛直軸回りに回転させる回転手段とを有し、
前記係止部材の係止面が、前記回転手段により前記基板側に向けられ、前記昇降手段により前記係止部材が下降移動されることにより、前記係止部材が前記被処理基板の縁部に係止し、前記ステージに対し押さえ付けることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ステージに載置された被処理基板の周囲において、前記ステージの上面から上方に突出する複数の位置調整ピンを有すると共に、前記位置調整ピンにより前記ステージに載置された被処理基板の端部を水平方向に押圧して、前記被処理基板を水平方向において所定の位置に配置するための水平方向位置調整手段を備えることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項３】
前記押さえ付け手段により前記ステージ面に押さえ付けられる被処理基板を、前記ステージ面に設けられた複数の吸引部により吸引し、ステージ面に吸着させる吸着手段を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された基板処理装置。
【請求項４】
被処理基板をステージ上に保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、
前記ステージ上に前記被処理基板を載置するステップと、
前記ステージに載置される前記被処理基板の周囲に複数設けられ、基板上面の縁部に対し係止可能な係止面を有する係止部材を、前記基板側に向けるステップと、
前記係止部材を下降移動させ、前記係止部材により前記被処理基板の縁部を前記ステージに対し押さえ付けるステップとを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
前記ステージ上に前記被処理基板を載置するステップの後、
前記被処理基板の周囲において前記ステージの上面から上方に突出する複数の位置調整ピンにより前記被処理基板の端部を水平方向に押圧し、前記被処理基板を水平方向において所定の位置に配置するステップを実行することを特徴とする請求項４に記載された基板処理方法。
【請求項６】
前記係止部材により前記被処理基板の縁部を前記ステージに対し押さえ付けるステップの後、
前記ステージ面に押さえ付けられた被処理基板を、前記ステージ面に設けられた複数の吸引部により吸引し、ステージ面に吸着させるステップを実行することを特徴とする請求項４または請求項５に記載された基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関し、特に被処理基板をステージ上に保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばシリコンを用いる太陽電池は、ｎ型シリコンとｐ型シリコンとが積層された半導体構造を有し、この半導体に所定波長の光が当たると、光電効果により電気が発生する。この太陽電池は、太陽光などの光を効率よく吸収するために、通常、受光面を構成するパネル（以下、カバーガラスと称する）を反射防止膜で被覆している。
従来、カバーガラスに反射防止膜を形成する方法としては、例えば、特許文献１に開示されるように、プラズマＣＶＤ法により水素を含有する窒化シリコン膜を前記パネルに形成する技術などが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３４０３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、プラズマＣＶＤ法により反射防止膜を形成する場合、真空排気設備が必要になるなど、設備が大規模になるため、コストが嵩むという課題がある。
前記課題を解決するものとして、所定の塗布液をカバーガラスに塗布し、塗布膜を焼成することにより反射防止膜を形成する方法がある。この方法によれば、真空環境でなくともガラス上に反射防止膜を形成することができ、コストを低減することができる。
【０００５】
前記塗布膜形成によりカバーガラス上に反射防止膜を形成する装置として、本願出願人は、従来、図１２に示すような塗布処理装置５０を用いている。
図１２の塗布処理装置５０は、カバーガラスとなるガラス基板Ｇが載置されるステージ５１と、前記基板Ｇに対しスリット状の吐出口から塗布液を吐出するスリットノズル５２と、スリットノズル５２を保持すると共にこれを基板Ｇの上面にそって走査（移動）させるノズル移動機構５３とを備える。
【０００６】
ノズル移動機構５３は、ステージ５１の左右両側に敷設された一対のレール５４と、レール５４に沿って移動可能に設けられ、ステージ５１を跨ぐように門状に形成された門形フレーム５５と、門形フレーム５５をレール５４に沿って移動させるリニアモータ機構などの駆動機構５６とを有している。
前記門形フレーム５５は、ノズル保持部５７によってスリットノズル５２を保持し、ノズル保持部５７はボールねじ機構などの昇降機構５８によって昇降移動可能になっている。
【０００７】
このように構成された塗布処理装置５０においてガラス基板Ｇに反射防止膜を形成するための塗布液の塗布処理は次のように行われる。
先ず、ステージ５１にガラス基板Ｇが載置され、ステージ５１に設けられたアライメント機構（図示せず）によりステージ面に沿った水平方向の位置合わせがなされる。また、基板Ｇはステージ５１に設けられた吸引機構（図示せず）によりステージ５１に吸着され保持される。
そして、駆動機構５６により、スリットノズル５２はステージ５２上に保持されたガラス基板Ｇの一端から他端まで走査されると共に、塗布液をガラス基板Ｇ上に吐出し、基板Ｇ上には塗布液が膜状に塗布される。
【０００８】
ところで、太陽電池に用いられるカバーガラスは、強度を持たせるために強化ガラスが用いられる。強化ガラスの形成にあっては、板ガラスを高温（例えば約７００℃）まで加熱した後、ガラス表面に空気を吹き付け、均一かつ急激に冷やすことで強化する方法（風冷強化法）が多く採用されている。
【０００９】
しかしながら、そのように風冷強化法により形成されたカバーガラスにあっては、急激な温度変化により基板周縁部が反ることが多く、図１３のようにステージ５１上に載置された基板Ｇの縁部が浮き、ステージ面に設けられた吸引部６０から吸引しても基板Ｇをステージ５１に吸着できないことがあった。
その結果、塗布処理において基板上を走査されるスリットノズル５２が基板Ｇに干渉する、あるいはステージ５１に対して基板Ｇが傾斜するため、膜厚が偏るなどの不具合が生じるという課題があった。
【００１０】
また、前記カバーガラスにあっては、ガラス面の光反射を低減し、光の吸収率を向上させるためにガラスの一面（片面）にエンボス加工が施されるものがある。しかしながら、そのようなエンボス加工を施す際にも、基板周縁が反ることがあり、前記のような反りに起因する課題を有していた。
【００１１】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、被処理基板をステージ上に吸着保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置において、被処理基板をステージに載置した際に基板周縁部が浮いた状態であっても基板をステージ上に吸着保持することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、被処理基板をステージ上に保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、前記被処理基板を載置する前記ステージと、前記ステージに載置される前記被処理基板の縁部を押さえ付け可能な押さえ付け手段とを備え、前記押さえ付け手段は、前記被処理基板の周囲に複数設けられ、基板上面の縁部に対し係止可能な係止面を有する係止部材と、前記係止部材をステージ面に対して昇降移動させる昇降手段と、前記係止部材を鉛直軸回りに回転させる回転手段とを有し、前記係止部材の係止面が、前記回転手段により前記基板側に向けられ、前記昇降手段により前記係止部材が下降移動されることにより、前記係止部材が前記被処理基板の縁部に係止し、前記ステージに対し押さえ付けることに特徴を有する。
このように構成することにより、被処理基板をステージに載置した際、仮に被処理基板の縁部が反ってステージから浮いた状態であっても、前記複数の係止部材により基板周縁部を押さえ付け、基板全体をステージに密着させることができる。
その結果、例えば塗布処理において基板上を走査されるスリットノズルが基板に干渉することがなく、また、ステージに対して基板面が傾斜することがないため、塗布膜を均一に塗布することができる。
【００１３】
また、前記ステージに載置された被処理基板の周囲において、前記ステージの上面から上方に突出する複数の位置調整ピンを有すると共に、前記位置調整ピンにより前記ステージに載置された被処理基板の端部を水平方向に押圧して、前記被処理基板を水平方向において所定の位置に配置するための水平方向位置調整手段を備えることが望ましい。
このように水平方向位置調整手段を有することにより、水平方向における所定位置に基板を配置し、前記係止部材が下降移動された際、係止部材の係止面が基板周縁部に係止するようにすることができる。
【００１４】
また、前記押さえ付け手段により前記ステージ面に押さえ付けられる被処理基板を、前記ステージ面に設けられた複数の吸引部により吸引し、ステージ面に吸着させる吸着手段を備えることが望ましい。
このように吸着手段を有することにより、基板をステージ面に完全に吸着保持することができる。
【００１５】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理方法は、被処理基板をステージ上に保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、前記ステージ上に前記被処理基板を載置するステップと、前記ステージに載置される前記被処理基板の周囲に複数設けられ、基板上面の縁部に対し係止可能な係止面を有する係止部材を、前記基板側に向けるステップと、前記係止部材を下降移動させ、前記係止部材により前記被処理基板の縁部を前記ステージに対し押さえ付けるステップとを含むことに特徴を有する。
このようなステップにより、被処理基板をステージに載置した際、仮に被処理基板の縁部が反ってステージから浮いた状態であっても、前記複数の係止部材により基板周縁部を押さえ付け、基板全体をステージに密着させることができる。
その結果、例えば塗布処理において基板上を走査されるスリットノズルが基板に干渉することがなく、また、ステージに対して基板面が傾斜することがないため、塗布膜を均一に塗布することができる。
【００１６】
また、前記ステージ上に前記被処理基板を載置するステップの後、前記被処理基板の周囲において前記ステージの上面から上方に突出する複数の位置調整ピンにより前記被処理基板の端部を水平方向に押圧し、前記被処理基板を水平方向において所定の位置に配置するステップを実行することが望ましい。
このようにすることにより、水平方向における所定位置に基板を配置し、前記係止部材が下降移動された際、係止部材の係止面が基板周縁部に係止するようにすることができる。
【００１７】
また、前記係止部材により前記被処理基板の縁部を前記ステージに対し押さえ付けるステップの後、前記ステージ面に押さえ付けられた被処理基板を、前記ステージ面に設けられた複数の吸引部により吸引し、ステージ面に吸着させるステップを実行することが望ましい。
このようにすることにより、基板をステージ面に完全に吸着保持することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、被処理基板をステージ上に吸着保持し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置において、被処理基板をステージに載置した際に基板周縁部が浮いた状態であっても基板をステージ上に吸着保持することのできる基板処理装置及び基板処理方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明に係る基板処理装置を適用可能な塗布処理装置の実施形態を示す側断面図である。
【図２】図２は、図１の塗布処理装置の平面図である。
【図３】図３は、図１の塗布処理装置の正面から見た断面図である。
【図４】図４は、図１の塗布処理装置が備えるアライメントピンの構成を説明するための断面図である。
【図５】図５は、図１の塗布処理装置における被処理基板への塗布液の塗布動作の流れを示すフローである。
【図６】図６は、図１の塗布処理装置においてステージに形成された貫通孔と、貫通孔に挿通された直立棒と、直立棒の上端に支持された爪部材を示す平面図である。
【図７】図７は、図１の塗布処理装置において爪部材の一連の動作を示す断面図である。
【図８】図８は、図１の塗布処理装置において爪部材の変形例を示す平面図である。
【図９】図９は、図１の塗布処理装置においてステージに形成された貫通孔の変形例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図１の塗布処理装置において爪部材が被処理基板に係止する奥行き寸法を示す断面図である。
【図１１】図１１は、本発明に係る基板処理装置を適用可能な塗布処理装置において、爪部材を用いた押さえ付け手段と、基板の水平方向位置を調整する水平方向位置調整手段の機能を一つの機構に纏めて示す断面図である。
【図１２】図１２は、従来の塗布処理装置の構成を示す斜視図である。
【図１３】図１３は、従来の塗布処理装置において、基板周縁が反ることによる課題を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置を適用可能な塗布処理装置の実施形態を示す側断面図である。また、図２は、図１の塗布処理装置の平面図であり、図３は、図１の塗布処理装置を正面から見た断面図である。尚、この塗布処理装置１は、例えば太陽電池カバーガラス用のガラス基板（以下、基板Ｇと称する）を被処理基板とし、基板Ｇ上に反射防止膜を形成するための塗布液を塗布する装置である。
【００２１】
図示するように塗布処理装置１は、基板Ｇを載置するためのステージ２と、ステージ２の左右両側に敷設された一対のレール３と、レール３に沿って走査方向（Ｘ方向）に移動可能なノズル移動機構４とを備える。
【００２２】
ステージ２は、箱状の筐体５の上部に固定され、その上面に基板Ｇが載置されるようになっている。筐体５内には、ステージ２に載置された基板Ｇの周縁部を押さえ付けるための押圧機構６（押さえ付け手段）が設けられている。
この押圧機構６は、基板Ｇの周縁部を押さえ付けるための複数の爪部材７（係止部材）と、それら爪部材７を支持する複数の直立棒８とを有している。
前記爪部材７は、直立棒８の上端において水平方向に鍔状に突出して設けられ、その下面（係止面）が基板上面の縁部に係止し、基板縁部をステージ２に対して押さえ付けるようになっている。また、押圧機構６は、各直立棒８をそれぞれ軸回りに回転可能に支持する回転機構９（回転手段）と、全ての回転機構９を同じ高さに保持するフレーム１０とを有する。更には、前記フレーム１０を昇降可能に保持する昇降機構１１（昇降手段）を有し、この昇降機構１１は、筐体５の底部に設けられている。
【００２３】
また、ステージ２には、上下に貫通する複数の貫通孔２ａが設けられ、それら複数の貫通孔２ａには前記複数の直立棒８がそれぞれ上下動自在に挿通されている。これにより、前記昇降機構１１が前記フレーム１０を上下移動させると、それに伴い複数の直立棒８がステージ２に対して同時に上下移動するようになっている。
【００２４】
また、前記爪部材７は、直立棒８の上端に設けられているため、直立棒８の上下動に伴い爪部材７も上下移動するようになっている。
具体的に説明すると、爪部材７が上昇移動するとその下端（係止面である爪部材下面）が少なくとも基板面より高く突出するようになっている。
また、爪部材７が下降移動する際、爪部材７の突出方向（係止面）が基板側を向くことにより、基板縁部が爪部材７により押さえ付けられ、爪部材７の突出方向（係止面）が基板Ｇとは反対側を向くことにより、図７（ａ）に示すように貫通孔２ａ内に収容されるようになっている。
尚、前記複数の直立棒８は、前記のようにそれぞれ回転機構９に支持されているため、各回転機構９の駆動によって、爪部材７を鉛直軸回りに回転させることが可能である。このため、基板Ｇへの塗布処理時とそれ以外の待機時とで爪部材７の突出方向（係止面の方向）が基板側とその反対側との間で切り替えられるようになっている。
【００２５】
また、図２に示すようにステージ２には、基板Ｇの受け渡しの際、基板Ｇの角隅を含む周縁部の複数箇所をステージ面に対し所定の高さに支持するための昇降可能な受け渡しピン１２が設けられている。
また、図２に示すようにステージ２の上面には、複数の直線状の吸引溝１３（吸引部）が設けられ、真空ポンプなどの吸引機構１４（図１参照）により吸引溝１３からの吸引を行い、基板Ｇの下面をステージ２に吸着させるようになっている。尚、吸引溝１３及び吸引機構１４により吸引手段が構成される。
【００２６】
更に、図２に示すようにステージ２には、基板Ｇの水平方向の位置を所定位置に合わせるためのアライメントピン１５（位置調整ピン）が、基板Ｇ周囲の四隅付近にそれぞれ２つずつ設けられている。
前記アライメントピン１５は、図４（ａ）に示すように回転ユニット１６に支持されている。回転ユニット１６は、ステージ２の上面側に形成された円筒状の孔２ｂの中に収容されている。回転ユニット１６は、アライメントピン１５を直立させた状態で支持する円板状の支持板１７と、支持板１７の中心部を下方から支持する支持棒１８と、支持棒１８を軸回りに回転可能に支持する回転機構１９とを有している。尚、前記アライメントピン１５と回転ユニット１６とにより水平方向位置調整手段が構成される。
【００２７】
図示するようにアライメントピン１５は、支持板１７上の周縁部に直立しているため、回転機構１９により支持棒１８が軸回りに回転され、それにより支持板１７が回転すると、アライメントピン１５は孔２ｂの内周縁に沿って円弧を描くように移動する構成となされている。このため、図４（ｂ）に示すように基板Ｇがステージ２に載置され、回転機構１９により支持棒１８が軸回りに回転されると、アライメントピン１５が孔２ｂの内周縁に沿って移動し、図４（ｃ）に示すようにアライメントピン１５が基板Ｇの端部を押圧して所定位置に移動させるようになっている。
尚、前記したようにアライメントピン１５は、基板Ｇの四隅に対応して複数設けられているため、全てのアライメントピン１５が孔２ｂの内周縁に沿って移動することにより、ステージ２上における基板Ｇの水平方向位置が所定位置となるように構成されている。
【００２８】
また、図１乃至図３に示すようにノズル移動機構４は、レール３に沿って例えばリニア機構により移動可能な一対のスライダ２０と、ステージ２を跨ぐようにスライダ２０の上に設けられた門形フレーム２１と、門形フレーム２１の下に吊り下げられた状態で支持され、基板幅方向に長い吐出口２２ａを有するノズル２２とを備えている。
門形フレーム２１には、図３に示すように水平姿勢を維持するように左右両側が垂直方向に軸が延びる一対のロッド２３により支持され、このロッド２３は門形フレーム２１の下面に設けられたシリンダ機構２４により上下移動可能となされている。
このため、ノズル２２は、門形フレーム２１に対して昇降することができ、塗布処理時に下降し、ステージ２上の基板Ｇに対して所定距離を維持するようになっている。
【００２９】
また、ノズル２２には塗布液供給管２５が接続され、この塗布液供給管２５を介して塗布液供給部２６からノズル２２に塗布液が供給されるように構成されている。
尚、図３に示すように、ノズル２２の下部における左右両側は、ステージ２側から突出する爪部材７との干渉を避けるために切り欠き２２ｂが形成されている。
【００３０】
また、図１に示すように、この塗布処理装置１の各機構（回転機構９，昇降機構１１、吸引機構１４、スライダ２０など）は制御部３０によって駆動制御されるように構成されている。
【００３１】
続いて、このように構成された塗布処理装置１の一連の動作について図５を用いて説明する。図５は、塗布処理装置１における基板Ｇへの塗布液の塗布動作の流れを示すフローである。
先ず、基板Ｇがステージ２の上方に搬入され、ステージ２上で受け渡しピン１２（図２参照）が上昇して基板Ｇを受け取る。そして、受け渡しピン１２が下降することにより基板Ｇがステージ２上に載置される（図５のステップＳ１）。
ここで、基板Ｇの縁部は、基板自体の反りにより図７（ａ）に示すようにステージ面に対して浮いた状態となっている。
【００３２】
次いで、基板Ｇの四隅に設けられた全てのアライメントピン１５が、孔２ｂの内周縁に沿って移動され、アライメントピン１５が基板Ｇの端部を押圧して、基板Ｇがステージ２上の水平方向において所定の位置に配置される（図５のステップＳ２）。
水平方向における位置調整（アライメント作業）がなされると、図７（ｂ）に示すようにステージ２に対して直立棒８が上昇移動される（図５のステップＳ３）。これにより、直立棒８の上端に設けられている爪部材７は基板Ｇよりも上方に配置される。
【００３３】
尚、直立棒８及びその上端に設けられた爪部材７は、貫通孔２ａに沿って昇降移動されるが、図６（平面図）及び図７（ａ）に示すように、爪部材７が貫通孔２ａ内に収容された状態にあっては、爪部材７は基板Ｇと反対側に向けて突出している（係止面が基板Ｇとは反対側に向けられている）。
したがって、前記ステップＳ３では、図７（ｂ）に示すように爪部材７はその状態のまま基板Ｇよりも上方に移動され、基板Ｇに干渉しないようになされている。
【００３４】
次に回転機構９により直立棒８が軸回りに１８０°回転され、爪部材７が鉛直軸回りに回転し、基板Ｇ側に突出する状態（係止面が基板Ｇ側に向けられた状態）となされる（図５のステップＳ４）。
そして、昇降機構１１によりフレーム１０が下降され、図７（ｃ）に示すように爪部材７が下降して基板Ｇの縁部に係止し、ステージ面に対して押さえ付ける（図５のステップＳ５）。これにより、基板Ｇの反りが矯正され、基板Ｇはステージ２に略密着した状態となされる。
更に、吸引機構１４の駆動によりステージ２の吸引溝１３から吸引動作がなされ、基板Ｇはステージ面に完全に吸着される（図５のステップＳ６）。
【００３５】
次いで、制御部３０は、ノズル２２の吐出口２２ａの高さが基板Ｇの上面から所定距離となるようにシリンダ機構２４を駆動してノズル２２を下降させる。そして、レール３に沿ってスライダ２０を移動させ、基板Ｇ上でノズル２２を走査させる。
また、制御部３０は、ノズル２２が基板Ｇ上を走査する際、塗布液供給部２６からノズル２２に塗布液を供給し、それによりノズル２２の吐出口２２ａから塗布液が吐出されて基板Ｇに塗布液が塗布される（図５のステップＳ７）。
【００３６】
基板Ｇに対するノズル２２の走査が終了し、塗布液の塗布が完了すると、制御部３０は吸引機構１４の駆動を停止し、基板Ｇをステージ２から吸着解除する（図５のステップＳ８）。
また、昇降機構１１の駆動によりフレーム１０が上昇され、爪部材７が上昇して基板Ｇに対する押さえ付けが解除される（図５のステップＳ９）。尚、このとき基板Ｇの反りにより基板Ｇの縁部が再び浮いても、塗布後から塗布液の溶媒の揮発が進んでいるため基板上の塗布液が流れることはなく、基板面には均一に塗布液が塗布された状態となっている。
【００３７】
次に回転機構９の駆動により直立棒８が軸回りに１８０°回転され、爪部材７が基板Ｇとは反対側に向けられる（図５のステップＳ１０）。
そして、昇降機構１１の駆動によりフレーム１１が下降され、爪部材７が貫通孔２ａに収容される（図５のステップＳ１１）。
また、受け渡しピン１２が上昇し、基板Ｇがステージ２の上方に配置され、搬送ロボット（図示せず）により搬出される（図５のステップＳ１２）。
【００３８】
以上のように、本発明に係る実施形態によれば、ステージ８に載置された基板Ｇの外周に沿って、水平方向に回転可能且つ昇降移動可能な複数の爪部材７が設けられ、それら複数の爪部材７により基板縁部を押さえ付け可能な構成となっている。
これにより、仮に基板Ｇの縁部が反ってステージ２から浮いた状態であっても、前記複数の爪部材７により基板周縁部を押さえ付け、基板Ｇの全体をステージ２に密着させてステージ２上に吸着保持することができる。
その結果、塗布処理において基板上を走査されるスリットノズル５２が基板Ｇに干渉することがなく、また、ステージ２に対して基板面が傾斜することがないため、塗布膜を均一に塗布することができる。
【００３９】
尚、前記実施の形態において示した爪部材７の幅寸法は、特に限定されるものではなく、例えば図６に示した爪幅ｄ１よりも図８に示すように広い幅寸法ｄ２に形成してよい。そのようにすれば、基板Ｇの縁部をより安定した状態で押さえ付けることができる。
【００４０】
また、前記実施の形態に示したステージ２の貫通路２ａは、図６の平面図に示すように、爪部材７の突出した部分に沿った形状の爪部材収容部２ａ１がステージ２の上下に貫通して形成されているものとした。
しかしながら、塗布処理を行わない待機時に爪部材７を最も下降させても、爪部材７をステージ２の下方位置まで移動させる必要はないため、爪部材収容部２ａ１は、図９に示すようにステージ上面から爪部材７が隠れる程度の深さに形成すればよい。
【００４１】
また、前記実施の形態にあっては、図１０に示すように爪部材７が基板Ｇの縁部に係止する奥行き寸法ｄ３は特に限定されないが、基板Ｇに塗布膜形成される領域に達しない限り、奥行き寸法ｄ３は大きいほうが好ましい。
【００４２】
また、前記実施の形態においては、爪部材７を昇降及び回転させる機構と、アライメントピン１５の機構とを別個に設けたが、それらを一つの機構に纏めてもよい。
その場合、例えば図１１（ａ）に示すように構成することができる。尚、図１１（ａ）に示す機構において、既に図１乃至図３に示した部材と同じ機能を奏するものについては同一の符号及び名称で示している。
【００４３】
図示するように、爪部材７を保持する直立棒８は、円板状の支持板３１の周縁部に支持され、支持板３１の中心部が支持棒３２によって下方から支持されている。支持棒３２は回転機構９により軸回りに回転可能に支持されている。このため、支持棒３２と共に支持板３１が軸回りに回転すると、直立棒８が貫通孔２ａの内周縁に沿って移動するようになされている。また、直立棒８の上端に支持された爪部材７は、貫通孔２ａの外側に向けて突出するように配置され、基板Ｇが載置される前においては、図１１（ａ）に示すように基板Ｇが載置される側とは反対側に向けて突出する状態となされている。
また、回転機構９は前記実施の形態で説明したようにフレーム１０に支持されている。
【００４４】
この構成において、図１１（ａ）に示すようにステージ２に基板Ｇが載置されると、基板Ｇの縁部は反って浮いた状態であるが、回転機構９により支持板３１が鉛直軸回りに１８０°回転され、直立棒８が貫通孔２ａの内周縁に沿って移動する。
これにより図１１（ｂ）に示すように直立棒８が基板Ｇの端部を押して基板Ｇを所定位置まで移動させ、水平方向における位置合わせが行われる。また、このとき爪部材７は基板Ｇ側に突出した状態となっている。
次にフレーム１０と共に爪部材７を下降させ、図１１（ｃ）に示すように基板Ｇの縁部を押さえ付け、基板Ｇをステージ２に密着させる。
このように構成すれば、より少ない駆動機構により基板Ｇの水平方向における位置合わせとステージ２への押さえ付けを行うことができる。
【００４５】
また、前記実施の形態にあっては、本発明に係る基板処理装置を塗布処理装置に適用したが、本発明はそれに限らず、被処理基板をステージに保持して所定の処理を施す装置であれば適用することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１          塗布処理装置
２          ステージ
３          レール
４          ノズル移動機構
５          筐体
６          押圧機構（押さえ付け手段）
７          爪部材（係止部材）
８          直立棒
９          回転機構（回転手段）
１１        昇降機構（昇降手段）
１２        受け渡しピン
１３        吸引溝（吸引部、吸引手段）
１４        吸引機構（吸引手段）
１５        アライメントピン（位置調整ピン、水平方向位置調整手段）
１６        回転ユニット（水平方向位置調整手段）
２０        スライダ
２２        ノズル
３０        制御部
Ｇ          ガラス基板（被処理基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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