(57)【要約】      （修正有）【課題】集積型薄膜太陽電池モジュールの作製において、金属裏面電極層に分離溝を形成する際、当該分離溝周辺の金属裏面電極層にバリが生じたり、金属裏面電極層の下層にクラックが生じることがない製造法を提供する。【解決手段】基板１１上に、絶縁層１２、シリコンからなる緩衝層１３、分離溝Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が形成された金属裏面電極層１４、光吸収層１５、及び透明電極層１７を順次積層した集積型薄膜太陽電池モジュール１において、金属裏面電極層１４に分離溝Ｐ１を形成する方法であって、金属裏面電極層１４を分離する分離溝Ｐ１を形成する際、下層の緩衝層１３が露出するまで、金属裏面電極層１４を切削する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面が絶縁性を備えた基板上に、シリコンからなる緩衝層、分離溝が形成された金属裏面電極層、光吸収層、及び透明電極層を順次積層した集積型薄膜太陽電池モジュールにおいて、当該金属裏面電極層に分離溝を形成する方法であって、
上記金属裏面電極層を分離する分離溝を形成する際、下層の上記緩衝層が露出するまで、上記金属裏面電極層を切削する、
ことを特徴とする集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法。
【請求項２】
上記金属裏面電極層を分離する分離溝を形成する際、上記金属裏面電極層と共に、下層の上記緩衝層まで切削する、
請求項１記載の集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法。
【請求項３】
上記金属裏面電極層を分離する分離溝を形成する際、上記金属裏面電極層と共に、上記緩衝層を少なくとも厚さ５ｎｍ以上１００ｎｍ以下にまで切削する、
請求項２記載の集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法。
【請求項４】
上記金属裏面電極層を分離する分離溝は、レーザースクライブによって形成される、
請求項１乃至３いずれかの項に記載の集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法。
【請求項５】
上記基板は、金属基板と、当該金属基板上に積層された絶縁基板とからなる、
請求項１乃至４いずれかの項に記載の集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法。
【請求項６】
上記基板は、ガラス基板である、
請求項１乃至４いずれかの項に記載の集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法。
【請求項７】
上記集積型薄膜太陽電池モジュールは、ＣＩＳ系光吸収層を積層したＣＩＳ系集積型薄膜太陽電池モジュールである、
請求項１乃至６いずれかの項に記載の集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積型薄膜太陽電池モジュールの作製過程において、金属裏面電極層に分離溝を形成する際、当該分離溝周辺にバリやクラックが生じるのを防ぐ技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、集積型薄膜太陽電池モジュールは例えば、図７に示されるように、基板２１上に、シリカなどからなる絶縁層２２、モリブデンなどからなる金属裏面電極層２３、ｐ型の光吸収層２４、及びｎ型の透明電極層２５を順に積層して、ｐｎヘテロ接合デバイスを構成している。
【０００３】
また、基板２１上に製膜された各層は、分離溝Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６によって複数のセルに分離されており、各セルは直列接続して集積構造を形成している。
なお、光吸収層２４と透明電極層２５の間には適宜、バッファ層が製膜されることがある。また、図７に示した従来例に係る集積型薄膜太陽電池モジュール２０は、基板２１と金属裏面電極層２３の絶縁を図るために絶縁層２２を積層させているが、これは基板２１が金属からなる場合には必要であるが、基板２１がガラスによって構成されている場合等では、必ずしも必要な層ではない。
【０００４】
この集積型薄膜太陽電池モジュール２０の作製工程は、順次行われる、絶縁層２２の製膜工程、金属裏面電極層２３の製膜工程、分離溝Ｐ４の形成工程、光吸収層２４の製膜工程、分離溝Ｐ５の形成工程、透明電極層の製膜工程、分離溝Ｐ６の形成工程からなる。
ここで、レーザースクライブによって金属裏面電極層２３を切削して分離溝Ｐ４を形成する際、図８に示されるように、金属裏面電極層２３にレーザーを照射すると、照射した部分の金属裏面電極層２３が完全に除去できずに捲れ上がり、バリＢが発生することがある。バリＢは、分離溝Ｐ４を挟んで隣接する金属裏面電極層２３同士のショートを招いたり、分離溝Ｐ４上に積層される層との密着性を悪くして、剥離の原因ともなったりする。
【０００５】
また、確実に金属裏面電極層２２を分離するため、下層の絶縁層２２を切削する程度に金属裏面電極層２３を切削してしまうと、露出した絶縁層２２にクラックＣが入りやすくなる。クラックＣは、基板２１と金属裏面電極層２３間のリークパスを形成して絶縁低下を引き起こし、製造不良の原因となったり、モジュールの特性劣化の一因となったりもする。
【０００６】
この点、特許文献１、２には、基板と金属裏面電極層との間に、シリカなどの無アルカリ層や、インジウム（In）層など、別の層を設ける技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１０３６６３号公報
【特許文献２】特開２００６−１６５３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１、２記載の技術は、基板と金属裏面電極層との間に、ガラス基板からアルカリ成分が拡散するのを防いだり、基板から膜が剥離するのを防いだりすることを目的とした層を設けるものであって、これによって上記のようなバリＢやクラックＣが防止できるものではない。また、このようなバリＢやクラックＣを防止するための技術はこれまで開示されていない。
【０００９】
そこで、本発明は、集積型薄膜太陽電池モジュールの作製において、金属裏面電極層に分離溝を形成する際、当該分離溝周辺の金属裏面電極層にバリが生じたり、金属裏面電極層の下層にクラックが生じたりすることによって、モジュールの特性劣化を防ぐことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法は、少なくとも表面が絶縁性を備えた基板上に、シリコンからなる緩衝層、分離溝が形成された金属裏面電極層、光吸収層、及び透明電極層を順次積層した集積型薄膜太陽電池モジュールにおいて、当該金属裏面電極層に分離溝を形成する方法であって、上記金属裏面電極層を分離する分離溝を形成する際、下層の上記緩衝層が露出するまで、上記金属裏面電極層を切削することを特徴とする。
少なくとも表面が絶縁性を備えた基板とは、基板上に、絶縁体からなる層を積層させて一体的に構成したものや、基板自体が絶縁体によって構成されたものをいう。
【００１１】
また、上記金属裏面電極層を分離する分離溝を形成する際、上記金属裏面電極層と共に、下層の上記緩衝層まで切削するものとしてもよい。
【００１２】
また、上記金属裏面電極層を分離する分離溝を形成する際、上記金属裏面電極層と共に、上記緩衝層を少なくとも厚さ５ｎｍ以上１００ｎｍ以下にまで切削するものとしてもよい。
【００１３】
また、上記金属裏面電極層を分離する分離溝は、レーザースクライブによって形成されるものとしてもよい。
【００１４】
また、上記基板は、金属基板と、当該金属基板上に積層された絶縁基板とからなるものとしてもよい。
【００１５】
また、上記基板は、ガラス基板であるものとしてもよい。
【００１６】
また、上記集積型薄膜太陽電池モジュールは、ＣＩＳ系光吸収層を積層したＣＩＳ系集積型薄膜太陽電池モジュールであるものとしてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、集積型薄膜太陽電池モジュールの作製において、金属裏面電極層に分離溝を形成する際、当該分離溝周辺の金属裏面電極層にバリが生じたり、金属裏面電極層の下層にクラックが生じたりすることがなく、モジュールの特性劣化を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法によって作製した集積型薄膜太陽電池モジュールの構造を示す模式図である。
【図２】本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法を用いて集積型薄膜太陽電池モジュールを作製する工程のうち、（ａ）金属裏面電極層まで製膜した状態、（ｂ）金属裏面電極層を分離する分離溝を形成した状態を示す模式図である。
【図３】本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法を用いて集積型薄膜太陽電池モジュールを作製する工程のうち、（ａ）高抵抗バッファ層まで製膜した状態、（ｂ）光吸収層及び高抵抗バッファ層を分離する分離溝を形成した状態を示す模式図である。
【図４】本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法を用いて集積型薄膜太陽電池モジュールを作製する工程のうち、（ａ）透明電極層まで製膜した状態、（ｂ）光吸収層、高抵抗バッファ層、及び透明電極層を分離する分離溝を形成した状態を示す模式図である。
【図５】従来例に係る集積型薄膜太陽電池モジュールの作製方法によって形成した、金属裏面電極層を分離する分離溝の状態を示す電子顕微鏡写真である。
【図６】本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の作製方法によって形成した、金属裏面電極層を分離する分離溝の状態を示す電子顕微鏡写真である。
【図７】従来例に係る集積型薄膜太陽電池モジュールの構造を示す模式図である。
【図８】従来例に係る集積型薄膜太陽電池モジュールの作製方法により、（ａ）金属裏面電極層を分離する分離溝を形成する前の状態、（ｂ）金属裏面電極層を分離する分離溝を形成した状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法について、図を参照して説明する。
まず、図１に、本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法を用いて作製した集積型薄膜太陽電池モジュール１０の構造を示す。
集積型薄膜太陽電池モジュール１０は、基板１１上に、絶縁層１２、緩衝層１３、金属裏面電極層１４、ｐ型の光吸収層１５、高抵抗バッファ層１６、及びｎ型の透明電極層１７を順次積層したサブストレート構造によって構成されている。
【００２０】
基板１１上に積層される金属裏面電極層１４、光吸収層１５、高抵抗バッファ層１６、及び透明電極層１７には、作製工程において分離溝Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が形成されている。
分離溝Ｐ１は金属裏面電極層１４を分離し、分離溝Ｐ２は光吸収層１５と高抵抗バッファ層１６を分離し、分離溝Ｐ３は光吸収層１５、高抵抗バッファ層１６、及び透明電極層１７を分離している。
この分離溝Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３はいずれも複数形成されており、隣り合う分離溝Ｐ３の間には、発電の最小単位となるセルが構成される。さらに、各セルは隣り合うセルと直列接続しており、これにより、各セルが集積した集積型薄膜太陽電池モジュール１０が構成されている。
【００２１】
以下、図２〜４を参照して、集積型薄膜太陽電池モジュール１０を作製する工程と共に、基板１１上に製膜される各層の詳細と、本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法の詳細を説明する。
【００２２】
各層を積層させる基板１１には、本実施形態では金属製のものが用いられており、より具体的にはフェライト系ステンレスが用いられている。また、この基板１１は厚さ０．１mmに構成され、可撓性を有している。
なお、基板１１の厚さは、０．０２〜０．５mmであってもよく、材料についても、フェライト系以外のステンレスのほか、アルミニウム、チタンや炭素鋼等の金属やその合金等を用いることもできる。また、基板１１が可撓性を有していなくとも、本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法は適用可能である。
【００２３】
＜絶縁層１２の製膜＞
まず、図２（ａ）に示されるように、基板１１と、金属裏面電極層１４、さらには金属裏面電極層１４上に積層される半導体素子との絶縁を確保するための絶縁層１２を、基板１１上に製膜する。
絶縁層１２は例えば、シリカ（SiO2）、アルミナ（Al2O3）などの絶縁体によって構成される。
【００２４】
この絶縁層１２は例えば、シリカ（SiO2）ターゲットを用いたＡＣスパッタによって、基板１１表面に電力密度４W/cm2にて１μmの厚さに製膜する。
なお、電力密度は１〜１０W/cm2、膜厚は０．５〜１００μmの範囲でもよい。また、製膜方法もシリカ（SiO2）の蒸着やシリコンターゲットを用いた反応性スパッタを用いてもよい。
【００２５】
＜緩衝層１３の製膜＞
次に、後述する分離溝Ｐ１の形成工程における絶縁層１２の保護、及び分離溝Ｐ１周辺における金属裏面電極層１４のバリの発生防止のため、絶縁層１２上にシリコンからなる緩衝層１３を製膜する。
この緩衝層１３は例えば、シリコンターゲットを用いたＡＣスパッタによって、絶縁層１２上に電力密度４W/cm２にて１０〜１０００nmの厚さに製膜する。
なお、電力密度は１〜１０W/cm２の範囲でもよいし、製膜方法にはＤＣスパッタ法や蒸着法を用いてもよいが、いずれの場合にも均一な厚さに製膜する。
【００２６】
＜金属裏面電極層１４の製膜＞
さらに、緩衝層１３上に、モリブデン（Mo）からなる金属裏面電極層１４を製膜する。
この金属裏面電極層１４は例えば、モリブデン（Mo）ターゲット用いたＤＣスパッタによって、緩衝層１３上に電力密度４〜５W/cm２にて０．２〜０．６μｍの厚さに製膜する。
なお、電力密度は１〜１０W/cm２の範囲でもよく、また、膜厚は０．１〜１μmの範囲でもよい。また、製膜方法にはＡＣスパッタ法や蒸着法を用いてもよい。
また、この金属裏面電極層１４には、クロム（Cr）、アルミニウム（Al）等の金属材料を用いてもよい。
【００２７】
＜分離溝Ｐ１の形成＞
そして、図２（ｂ）に示されるように、レーザースクライブによって、金属裏面電極層１４を切削して条溝状の分離溝Ｐ１を複数形成することにより、金属裏面電極層１４を複数の領域に分離する。
使用するレーザー光源は、波長１μmのパルスレーザーであり、加工部でのパワーは約１Wである。
この条件にしたがって、金属裏面電極層１４を切削する際には、完全に金属裏面電極層１４を分離するため、少なくとも、下層の緩衝層１３が露出するまで切削する。さらに好適には、下層の緩衝層１３も一定の厚さまで切削するとよい。具体的には、緩衝層１３を、厚さ５〜１００nmにまで切削するとよい。
【００２８】
このように分離溝Ｐ１を形成すると、金属裏面電極層１４の分離溝Ｐ１周辺にバリが発生するのを防ぐことができる。また、絶縁層１２にレーザーが照射されることがないため、絶縁層１２にクラックが発生するのを防ぐことができる。
【００２９】
なお、分離溝P1に緩衝層１３が薄く残っても、その膜厚が薄いため、分離溝P1を挟んで隣り合う金属裏面電極層１４間は高抵抗となる。このため、分離溝Ｐ１を挟んで隣り合う金属裏面電極層１４間に生じるリーク電流は無視できるレベルであり、モジュールの電気特性に影響はない。特に、緩衝層１３を厚さ５〜１００nmまで切削すれば、分離溝Ｐ１を挟んで隣り合う金属裏面電極層１４間の絶縁性は十分に確保される。
【００３０】
＜光吸収層１５の製膜＞
続いて、図３（ａ）に示されるように、金属裏面電極層１４上に、光電変換層である光吸収層１５を製膜する。
本実施形態では、光吸収層１５として、ＣＩＳ系光吸収層が用いられている。ＣＩＳ系光吸収層は、I−III−VI2族カルコパイライト構造の薄膜であり、例えば、CuInSe2、Cu(InGa)Se2、Cu(InGa)(SSe)2等の多元化合物半導体薄膜が用いられる。
この光吸収層１５の製膜は例えば、ＤＣスパッタ法でCuGa膜を製膜し、さらにインジウム（In）膜をＤＣスパッタ法で積層して、金属プリカーサー膜を製膜したうえ、この金属プリカーサー膜をセレン化及び硫化することで形成される。なお、セレン化温度は３５０℃〜６００℃、硫化温度は５５０℃〜６５０℃であり、形成される光吸収層１５の厚さは１．５〜２．５μmである。
【００３１】
なお、他の光吸収層１５の製膜方法として、多元同時蒸着法を用いてもよい。この場合、金属裏面電極層１４まで積層させた基板１１を、５００℃程度以上に加熱しておき、銅（Cu）、インジウム（In）、ガリウム（Ga）、セレン（Sn）を含む原料を同時に蒸着することで、光吸収層１５が製膜される。
また、他の光吸収層１５として、ＣＺＴＳ系化合物半導体、アモルファスシリコン、あるいはポリシリコンなどの半導体薄膜による光電変換層を用いてもよい。
【００３２】
＜高抵抗バッファ層１６の製膜＞
次に、光吸収層１５と透明電極層１７との電気的接合を形成するため、高抵抗バッファ層１６を製膜する。
この高抵抗バッファ層１６は例えば、液相成長法（CBD）によって、光吸収層１５上に硫化亜鉛（ZnS）等の亜鉛混晶化合物の薄膜として、約５０nmの厚さに製膜する。
また、この方法以外に、亜鉛の有機金属化合物を用いた有機金属化学的気相成長法（MOCVD）を用いてもよく、製膜する高抵抗バッファ層１６に微量の水酸化亜鉛（Zn(OH)2）を含有させてもよい。
【００３３】
＜分離溝Ｐ２の形成＞
そして、図３（ｂ）に示されるように、メカニカルスクライブによって、光吸収層１５と高抵抗バッファ層１６とを切削して、分離溝Ｐ２を複数形成する。
【００３４】
＜透明電極層１７の製膜＞
続いて、図４（ａ）に示されるように、高抵抗バッファ層１６上に、受光面を形成する透明電極層１７を製膜する。
この透明電極層１７は例えば、MOCVD法によって、高抵抗バッファ層１６上に厚さ０．５〜２．５μmのZnO:Bを製膜する。製膜には、MOCVD法に替えて、スパッタ法を用いてもよい。
なお、他の透明電極層１７として、ZnO:Al、ZnO:Ga等の酸化亜鉛系薄膜のほか、ITO（Indium Tin Oxide）や酸化スズ（SnO2）等の透明金属を用いてもよい。
【００３５】
＜分離溝Ｐ３の形成＞
そして、図４（ｂ）に示されるように、分離溝Ｐ２と同様、メカニカルスクライブによって、光吸収層１５、高抵抗バッファ層１６、及び透明電極層１７を切削して、分離溝Ｐ３を複数形成する。
以上の工程により、隣り合う分離溝Ｐ３の間には、発電の最小単位となるセルが構成され、各セル同士は直列接続して集積型薄膜太陽電池モジュール１を構成する。
【００３６】
ここで、本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法によって分離溝Ｐ１を形成した場合と、従来例によって緩衝層１３を設けることなく分離溝Ｐ１を形成した場合夫々について、分離溝Ｐ１周辺の状態を、図５、６の電子顕微鏡写真によって示す。
図５は従来例によって分離溝Ｐ１を形成した場合を示しており、分離溝Ｐ１の周辺では、金属裏面電極層１４が捲れ上がってバリＢが発生している。さらに、金属裏面電極層１４が捲れ上がることで、分離溝Ｐ１の幅自体も一定でなく、分離溝Ｐ１を挟んで隣り合う金属裏面電極層１４間でショートを引き起こしかねない状態になっている。
【００３７】
これに対して、図６は本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法によって分離溝Ｐ１を形成した場合を示しており、分離溝Ｐ１周辺の金属裏面電極層１４にバリＢは発生していない。そのため、分離溝Ｐ１の幅も一定になっており、分離溝Ｐ１を挟んで隣り合う金属裏面電極層１４間の絶縁性が十分に確保されている。また、緩衝層１３の下層に積層された絶縁層１２も露出しておらず、レーザーによるダメージを受けていないことが見て取れる。
【００３８】
また、本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法によって分離溝Ｐ１を形成した場合と、従来例によって緩衝層１３を設けることなく分離溝Ｐ１を形成した場合夫々について、分離溝Ｐ１を挟んで隣り合う金属裏面電極層１４間の絶縁抵抗を測定した結果を下記表１に示す。
なお、この測定は、金属裏面電極層１４に８つの分離溝Ｐ１を形成することによって、金属裏面電極層１４を９つの区画に隔てた上、この９つの区画を端から順に電極１〜９に見立てて、各電極間の抵抗値を個別に測定したものである。また、本実施形態の作製条件について、緩衝層１３は厚さ１００nm以下にまで切削している。
【００３９】
【表１】
2013206889.tif 000003
【００４０】
従来例による場合では、抵抗値が低いだけでなく、抵抗値にばらつきがある上、半数以上の測定カ所でショートが発生している。これらは金属裏面電極層１４のバリＢに起因するものであった。
一方、本実施形態による場合では、すべての測定点において測定器の限界値（５０MΩ）を上回る絶縁抵抗が得られた。この結果から、本実施形態では、ショートが発生しておらず、電気的にも良好な分離がなされていることが分かる。
【００４１】
以上の本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法によれば、金属裏面電極層１４を分離する分離溝Ｐ１の形成の際、分離溝Ｐ１の周辺に金属裏面電極層１４のバリが発生するのを防ぐことができる。この結果、分離溝Ｐ１を挟んで隣接する金属裏面電極層１４間におけるショートの発生を防ぐことができる。
また、分離溝Ｐ１形成時における絶縁層１２や基板１１へのダメージがなく、絶縁層１２や基板１１にクラックが発生するのを防ぐことができる。この結果、クラックに基づく金属裏面電極層１４と基板１１の間の絶縁不良を防いで、モジュールの特性劣化を防ぐことができる。
【００４２】
なお、本実施形態では、基板１１に金属材料を用いたが、ポリイミド等の有機材料、ガラス等の無機材料を用いることもできる。また、導電性を有しない有機材料や無機材料を用いる場合には、必ずしも絶縁層１２を設ける必要ないが、この場合にも、本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法を用いれば、分離溝Ｐ１を形成する際、緩衝層１３が積層されていることで、緩衝層１３の下層の基板１１にクラックが生じたり、金属裏面電極層１４にバリが生じたりするのを防ぐことができる。
【００４３】
また、本実施形態では、高抵抗バッファ層１６を積層させた集積型薄膜太陽電池モジュール１を作製する場合を示したが、高抵抗バッファ層１６を製膜しない場合でも、本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法を適用することができる。また、基板１１上にアルカリバリア層などを適宜、積層させる場合にも、同様に本実施形態に係る集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法を適用することができる。
【００４４】
また、本実施形態では、分離溝Ｐ２、Ｐ３をメカニカルスクライブによって形成したが、これに限らず、レーザースクライブによって形成することもできる。
【符号の説明】
【００４５】
１０    集積型薄膜太陽電池モジュール
１１    基板
１２    絶縁層
１３    緩衝層
１４    金属裏面電極層
１５    光吸収層
１６    高抵抗バッファ層
１７    透明電極層
２０    集積型薄膜太陽電池モジュール
２１    基板
２２    絶縁層
２３    金属裏面電極層
２４    光吸収層
２５    透明電極層
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６    分離溝
Ｂ      バリ
Ｃ      クラック
【図１】
2013206889.tif 000004
【図２】
2013206889.tif 000005
【図３】
2013206889.tif 000006
【図４】
2013206889.tif 000007
【図７】
2013206889.tif 000008
【図８】
2013206889.tif 000009
【図５】
2013206889.tif 000010
【図６】
2013206889.tif 000011