(57)【要約】【課題】本発明は、製造工程が簡略化された、導体と導体との電気的接続構造を提供することを目的とする。【解決手段】第１導体１０と第２導体１１との電気的接続構造であって、第１導体１０と、第１導体１０に重ねられた第２導体１１と、第１導体１０及び第２導体１１の少なくとも一方に、第１導体１０及び第２導体１１の他方に向かって圧縮された低圧縮部１２と、低圧縮部１２に隣接して形成されると共に低圧縮部１２よりも高圧縮された高圧縮部１３と、を備え、｛（圧縮後の導体の断面積）／（圧縮前の導体の断面積）｝×１００（％）で定義された圧縮率について、低圧縮部１２の圧縮率は５０％よりも大きく設定されており、高圧縮部１３の圧縮率は５０％よりも小さく設定されている。【選択図】図１
2013206744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導体と、
前記第１導体に重ねられた第２導体と、
前記第１導体及び前記第２導体の少なくとも一方に、前記第１導体及び前記第２導体の他方に向かって圧縮された低圧縮部と、
前記低圧縮部に隣接して形成されると共に前記低圧縮部よりも高圧縮された高圧縮部と、を備え、
｛（圧縮後の導体の断面積）／（圧縮前の導体の断面積）｝×１００（％）で定義された圧縮率について、前記低圧縮部の圧縮率は５０％よりも大きく設定されており、前記高圧縮部の圧縮率は５０％よりも小さく設定されている、導体と導体との電気的接続構造。
【請求項２】
前記高圧縮部の圧縮率は、３５％以下に設定されている請求項１に記載の導体と導体との電気的接続構造。
【請求項３】
前記高圧縮部の圧縮率は、２５％以下に設定されている請求項２に記載の導体と導体との電気的接続構造。
【請求項４】
前記高圧縮部の圧縮率は、２０％以下に設定されている請求項３に記載の導体と導体との電気的接続構造。
【請求項５】
前記第１導体及び前記第２導体の少なくとも一つがアルミニウム又はアルミニウム合金である請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の導体と導体との電気的接続構造。
【請求項６】
前記第１導体及び前記第２導体の双方がアルミニウム又はアルミニウム合金である請求項５に記載の導体と導体との接続構造。
【請求項７】
前記第１導体及び前記第２導体の双方に、前記低圧縮部及び前記高圧縮部が形成されている請求項１ないし６のいずれか一項に記載の導体と導体との電気的接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体と導体との電気的接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、導体と導体とを電気的に接続するための構造として、特許文献１に記載のものが知られている。この電気的接続構造は、束ねられた複数の導体（特許文献１に係る素線に相当）に超音波振動を与えることにより、導体の表面に形成された、電気抵抗が比較的に大きな酸化膜等の被膜を剥がし、被膜が剥がされることにより露出された金属表面同士が互いに接触するようになっている。これにより、複数の導体間が電気的に接続されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−８２１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上記の構成によると、導体に対して超音波振動を与えるための工程が必要となる。
【０００５】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、製造工程が簡略化された、導体と導体との電気的接続構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、導体と導体との電気的接続構造であって、第１導体と、前記第１導体に重ねられた第２導体と、前記第１導体及び前記第２導体の少なくとも一方に、前記第１導体及び前記第２導体の他方に向かって圧縮された低圧縮部と、前記低圧縮部に隣接して形成されると共に前記低圧縮部よりも高圧縮された高圧縮部と、を備え、｛（圧縮後の導体の断面積）／（圧縮前の導体の断面積）｝×１００（％）で定義された圧縮率について、前記低圧縮部の圧縮率は５０％よりも大きく設定されており、前記高圧縮部の圧縮率は５０％よりも小さく設定されている。
【０００７】
本発明によれば、低圧縮部と、この低圧縮部に隣接して形成された高圧縮部との間の領域において、第１導体と第２導体とが強くこすれ合う。これにより、第１導体の表面に形成された酸化膜と、第２導体の表面に形成された酸化膜とが剥がれて、第１導体及び第２導体の金属面が露出する。この金属面同士が互いに接触することにより、第１導体と第２導体との間の電気的抵抗を小さくすることができる。
【０００８】
また、第１導体と第２導体とを重ねて、一方を他方に向かって圧縮するという簡易な手法により第１導体と第２導体とを電気的に接続することができる。
【０００９】
本発明の実施態様としては以下の態様が好ましい。
【００１０】
前記高圧縮部の圧縮率は、３５％以下に設定されていることが好ましい。上記の態様によれば、第１導体と、第２導体とが少なくとも部分的に凝着するので、第１導体と第２導体との間の電気的抵抗を更に小さくすることができる。
【００１１】
前記高圧縮部の圧縮率は、２５％以下に設定されていることが好ましい。上記の態様によれば、第１導体と、第２導体とが凝着して金属結合するので、第１導体と第２導体との間の電気的抵抗を更に小さくすることができる。
【００１２】
前記高圧縮部の圧縮率は、２０％以下に設定されていることが好ましい。上記の態様によれば、第１導体と、第２導体とが確実に凝着して金属結合するので、第１導体と第２導体との間の電気的抵抗を確実に小さくすることができる。
【００１３】
前記第１導体及び前記第２導体の少なくとも一つがアルミニウム又はアルミニウム合金である場合には、アルミニウムの表面には酸化膜が形成されやすいので、特に有効である。
【００１４】
前記第１導体及び前記第２導体の双方がアルミニウム又はアルミニウム合金である場合には、アルミニウムの表面には酸化膜が形成されやすいので、特に有効である。
【００１５】
前記第１導体及び前記第２導体の双方に、前記低圧縮部及び前記高圧縮部が形成されている事が好ましい。上記の態様によれば、第１導体と第２導体との間の電気的な抵抗を更に小さくすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、導体と導体との電気的接続構造につき、製造工程を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は本発明の実施形態１に係る第１導体と第２導体との電気的接続構造を示す断面図である。
【図２】図２は第１導体と第２導体とを重ね合わせた状態を示す斜視図である。
【図３】図３は第１導体と第２導体とを重ね合わせた状態を示す平面図である。
【図４】図４は重ね合わされた第１導体と第２導体を、上下から下側金型及び上側金型で加圧加工する前の状態を示す断面図である。
【図５】図５は重ね合わされた第１導体と第２導体を、上下から下側金型及び上側金型で加圧加工している状態を示す断面図である。
【図６】図６は実験例８につき、重ね合わされた第１導体と第２導体を、上下から下側金型及び上側金型で加圧加工している状態を示す断面図である。
【図７】図７は圧縮率と引張強度との関係を示すグラフである。
【図８】図８は実験例１に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率３０倍のＳＥＭ写真である。
【図９】図９は実験例１に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率２００倍のＳＥＭ写真である。
【図１０】図１０は実験例２に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率３０倍のＳＥＭ写真である。
【図１１】図１１は実験例２に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率２００倍のＳＥＭ写真である。
【図１２】図１２は実験例３に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率３０倍のＳＥＭ写真である。
【図１３】図１３は実験例３に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率２００倍のＳＥＭ写真である。
【図１４】図１４は実験例４に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率３０倍のＳＥＭ写真である。
【図１５】図１５は実験例４に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率２００倍のＳＥＭ写真である。
【図１６】図１６は実験例５に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率３０倍のＳＥＭ写真である。
【図１７】図１７は実験例５に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率２００倍のＳＥＭ写真である。
【図１８】図１８は実験例６に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率３０倍のＳＥＭ写真である。
【図１９】図１９は実験例６に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率２００倍のＳＥＭ写真である。
【図２０】図２０は実験例７に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率３０倍のＳＥＭ写真である。
【図２１】図２１は実験例７に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率２００倍のＳＥＭ写真である。
【図２２】図２２は実験例８に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率３０倍のＳＥＭ写真である。
【図２３】図２３は実験例８に係る第１導体と第２導体との電気的接続部分を示す、倍率２００倍のＳＥＭ写真である。
【図２４】図２４は本発明の実施形態２に係る第１導体と第２導体との電気的接続構造を示す断面図である。
【図２５】図２５は本発明の実施形態３に係る第１導体と第２導体との電気的接続構造を示す断面図である。
【図２６】図２６は本発明の実施形態４に係る第１導体と第２導体との電気的接続構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を、図１ないし図７を参照しつつ説明する。本実施形態は、金属製であって板状をなす第１導体１０及び第２導体１１が、互いに重ねられた状態で電気的に接続されている。第１導体１０及び第２導体１１は、アルミニウム又はアルミニウム合金製である。第１導体１０及び第２導体１１は、断面形状が矩形状をなす板状に形成されている。図１における下側に位置する第１導体１０の上には第２導体１１が重ねられている。
【００１９】
第１導体１０を構成する金属と、第２導体１１を構成する金属は、同じであってもよく、また、異なっていてもよい。第１導体１０又は第２導体１１を構成する金属は、アルミニウム、銅、鉄、チタニウム、錫、亜鉛、ニッケル等の、任意の金属又はこれらの少なくとも一種を含む合金から、必要に応じて適宜に選択することができる。
【００２０】
第１導体１０の下面には、第２導体１１側（上方）に圧縮された低圧縮部１２が形成されている。この低圧縮部１２の中央付近には、低圧縮部１２に隣接すると共に低圧縮部１２よりも高圧縮された高圧縮部１３が形成されている。
【００２１】
また、第２導体１１の上面には、第１導体１０側（下方）に低圧縮部１２が形成されている。この低圧縮部１２の中央付近には、低圧縮部１２に隣接すると共に低圧縮部１２よりも高圧縮された高圧縮部１３が形成されている。
【００２２】
圧縮率を、｛｛圧縮後の導体の断面積）／（圧縮前の導体の断面積）｝×１００（％）と定義する。このように圧縮率を定義した場合、高圧縮とは圧縮率が小さいことを意味し、低圧縮１２とは圧縮率が大きいことを意味する。
【００２３】
（作用、効果）
続いて、歩実施形態の作用、効果について説明する。まず、低圧縮部１２の圧縮率は、５０％よりも大きいことが好ましい。５０％よりも大きく設定することにより、第１導体１０及び第２導体１１が圧縮されることにより与えられるダメージを軽減することができる。
【００２４】
高圧縮部１３の圧縮率は、５０％よりも小さいことが好ましい。圧縮率を５０％よりも小さく設定することにより、第１導体１０と第２導体１１との間の電気的抵抗を小さくすることができる。これは、以下の理由による。つまり、第１導体１０と第２導体１１とを圧縮すると、圧縮された領域において、第１導体１０及び第２導体１１が流動するように変形する。このとき、低圧縮部１２と、この低圧縮部１２に隣接して形成された高圧縮部１３との間において、第１導体１０と第２導体１１とが強くこすれ合う。すると、第１導体１０の表面に形成された酸化膜と、第２導体１１の表面に形成された酸化膜とがこすれ合うことによって剥がれる。これにより、第１導体１０を構成する金属表面が露出すると共に、第２導体１１を構成する金属表面が露出する。そして、第１導体１０の金属表面と、第２導体１１の金属表面とが接触することにより、第１導体１０と第２導体１１との電気的抵抗が低減されるようになっている。
【００２５】
また、高圧縮部１３の圧縮率は、３５％以下であることが、より好ましい。圧縮率を３５％以下に設定することにより、低圧縮部１２と高圧縮部１３との間の領域において、第１導体１０と、第２導体１１とが少なくとも部分的に凝着する。これにより、第１導体１０と第２導体１１との間の電気的抵抗を更に小さくすることができる。
【００２６】
更に、高圧縮部１３の圧縮率は、２５％以下であることが、特に好ましい。圧縮率を２５％以下に設定することにより、第１導体１０と、第２導体１１とが凝着して金属結合する。これにより、第１導体１０と第２導体１１との間の電気的抵抗を更に小さくすることができる。
【００２７】
更に、高圧縮部１３の圧縮率は、２０％以下であることが、特に好ましい。圧縮率を２０％以下に設定することにより、第１導体１０と、第２導体１１とが確実に凝着して金属結合する。これにより、第１導体１０と第２導体１１との間の電気的抵抗を確実に小さくすることができる。
【００２８】
また、第１導体１０と第２導体１１とを重ねて、一方を他方に向かって圧縮するという簡易な手法により第１導体１０と第２導体１１とを電気的に接続することができる。
【００２９】
（実験例）
続いて、本発明の効果を確かめるための実験を以下に説明する。図２及び図３に示すように、板状をなす第１導体１０及び第２導体１１の端部を重ねる。第１導体１０及び第２導体１１の幅寸法Ｗは１０ｍｍであり、厚さ寸法Ｔは２ｍｍである。
【００３０】
（実験例１〜７）
図４に示すように、上下に重ねられた第１導体１０及び第２導体１１を、一対の金型１４，１６によって上下から圧縮する。下側に位置する下側金型１４の上面には、上方に突出する突起１５が形成されている。下側金型１４の上面は、１０ｍｍ四方の正方形状をなしている。突起１５は、下側金型１４の上面の中央付近に形成されている。突起１５は、上面から見て、４ｍｍ四方の正方形状をなしている。
【００３１】
一方、上側に位置する上側金型１６の下面には、下方に突出する突起１５が形成されている。上側金型１６の下面は、１０ｍｍ四方の正方形状をなしている。突起１５は、上側金型１６の下面の中央付近に形成されている。突起１５は、下面から見て、４ｍｍ四方の正方形状をなしている。
【００３２】
図５に示すように、下側金型１４及び上側金型１６によって上下から第１導体１０及び第２導体１１を挟み付けて圧縮する。これにより、第１導体１０及び第２導体１１には、低圧縮部１２と、この低圧縮部１２に隣接する高圧縮部１３とが形成される。
【００３３】
詳細には、第１導体１０には、下側金型１４の上面に対応する位置に低圧縮部１２が形成されると共に、下側金型１４の突起１５に対応する位置に高圧縮部１３が形成される。また、第２導体１１には、上側金型１６の下面に対応する位置に低圧縮部１２が形成されると共に、上側金型１６の突起１５に対応する位置に高圧縮部１３が形成される。
【００３４】
第１導体１０に形成された低圧縮部１２及び高圧縮部１３の圧縮率は、以下のようにして測定される。まず、圧縮前の第１導体１０の厚さ寸法を測定する。続いて、圧縮後において低圧縮部１２及び高圧縮部１３の厚さ寸法を測定する。低圧縮部１２の圧縮率は、｛（圧縮後における低圧縮部１２の厚さ寸法）／（圧縮前の第１導体１０の厚さ寸法）｝×１００（％）で算出される。また、高圧縮部１３の圧縮率は、｛（圧縮後における高圧縮部１３の厚さ寸法）／（圧縮前の第１導体１０の厚さ寸法）｝×１００（％）で算出される。
【００３５】
下側金型１４及び上側金型１６で挟み付けることにより、第１導体１０及び第２導体１１は、圧縮されると共に、下側金型１４及び上側金型１６の外方に逃げるように変形する。本実施形態に係る圧縮率は、下側金型１４及び上側金型１６の外方に逃げた体積については考慮せず、少なくとも低圧縮部１２又は高圧縮部１３に残存して、第１導体１０と第２導体１２との接続に寄与する部分の体積のみを考慮したものである。このため、低圧縮部１２及び高圧縮部１３の厚さ寸法により圧縮率を算出しても問題はない。
【００３６】
また、圧縮率は例えば以下のようにして算出してもよい。まず、圧縮前の第１導体１０及び第２導体１２の断面をＳＥＭにより観察した後に、公知の画像解析により第１導体１０及び第２導体１２の断面積を算出する。次いで、圧縮後の第１導体１０及び第２導体１２の断面を上記と同様にして画像解析により算出する。その後、圧縮率の定義に従って、圧縮率を算出してもよい。
【００３７】
実験例１〜７においては、低圧縮部１２の圧縮率を５５％で一定とし、高圧縮部１３の圧縮率をそれぞれ異ならせた。具体的には、各実験例における高圧縮部１３の圧縮率は、実験例１が１０％であり、実験例２が１５％であり、実験例３が２０％であり、実験例４が２５％であり、実験例５が３０％であり、実験例６が３５％であり、実験例７が５０％とした。
【００３８】
（実験例８）
図６に示すように、上下に重ねられた第１導体１０及び第２導体１１を、一対の金型１８，１９によって上下から圧縮する。下側金型１８の上面は、１０ｍｍ四方の正方形状をなしている。一方、上側金型１９の下面は、１０ｍｍ四方の正方形状をなしている。
【００３９】
図６に示すように、下側金型１８及び上側金型１９によって上下から第１導体１０及び第２導体１１を挟み付けて圧縮する。この結果、実験例８においては、第１導体１０には１つの圧縮部１７が形成されると共に、第２導体１１にも１つの圧縮部１７が形成される。実験例８における圧縮部１７の圧縮率は、２０％に設定されている。
【００４０】
（引張試験）
上記の実験例１〜８に係る第１導体１０及び第２導体１１に対し、引張試験を行った。上側金型１６及び下側金型１４による圧縮工程が実行された後、第１導体１０及び第２導体１１をそれぞれチャックで把持し、１００ｍｍ／分で引っ張ることにより引張試験を実行し、引張破断強度を測定した。測定機器は、島津製作所製の、オートグラフＡＧ−ＩＳとロードセルＳＬＢＬ−１ＫＮを用いた。結果を表１にまとめる。
【００４１】
【表１】
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【００４２】
また、図６に、引張強度と圧縮率との関係を示した。実験例１〜７については高圧縮部１３の圧縮率をプロットし、実験例８については圧縮部１７の圧縮率をプロットした。
【００４３】
実験例１〜７につき、圧縮率が３０％以上の場合には、第１導体１０と第２導体１１とは接合していなかった。このため、引張強度は０Ｎであった。一方、圧縮率が２５％以下であると、第１導体１０と第２導体１１とが凝着して、金属結合していた。このため、引張強度は３２１．７Ｎ以上であった。更に、圧縮率が２０％以下であると、第１導体１０と第２導体１１とが確実に凝着して金属結合していた。このため、引張強度は５６７．４Ｎ以上であった。詳細には、６３８．８Ｎ（実験例３）、５６７．４Ｎ（実験例２）、６３１．０Ｎ（実験例１）であった。
【００４４】
一方、高圧縮部１３を有しない実験例８では、引張強度は０Ｎであった。すなわち、高圧縮部１３が形成されない場合には、圧縮率を２０％にしても、第１導体１０と第２導体１１とが凝着しないことが分かった。
【００４５】
（ＳＥＭ観察）
上記の実験例１〜８に係る第１導体１０及び第２導体１１につき、上記の引張試験を実行した後の高圧縮部１３又は圧縮部１７をＳＥＭにより観察した。第１導体１０と第２導体１１とが凝着したか否かにつき、ＳＥＭ観察した結果を表１にまとめた。
【００４６】
（実験例１）
図８には、第１導体１０と第２導体１１の破断部分を３０倍に拡大したＳＥＭ写真を示す。実験例１においては、第１導体１０と第２導体１１とは凝着して金属結合している。このため、引張試験後、第１導体１０及び第２導体１１の一方に、他方が固着して残存していた。図９には、同じ部分を２００倍に拡大したＳＥＭ写真を示す。第１導体１０と第２導体１１とが固着している状態が示されている。
【００４７】
（実験例２）
図１０には、第１導体１０と第２導体１１の破断部分を３０倍に拡大したＳＥＭ写真を示す。実験例２においても、実験例１と同様に、第１導体１０と第２導体１１とは凝着して金属結合している。このため、引張試験後、第１導体１０及び第２導体１１の一方に、他方が固着して残存していた。図１１には、同じ部分を２００倍に拡大したＳＥＭ写真を示す。第１導体１０と第２導体１１とが固着している状態が示されている。
【００４８】
（実験例３）
図１２には、第１導体１０と第２導体１１の破断部分を３０倍に拡大したＳＥＭ写真を示す。実験例３においても、実験例１と同様に、第１導体１０と第２導体１１とは凝着して金属結合している。このため、引張試験後、第１導体１０及び第２導体１１の一方に、他方が固着して残存していた。図１３には、同じ部分を２００倍に拡大したＳＥＭ写真を示す。第１導体１０と第２導体１１とが固着している状態が示されている。
【００４９】
（実験例４）
図１４には、第１導体１０と第２導体１１の破断部分を３０倍に拡大したＳＥＭ写真を示す。実験例４においては、引張強度が３２１．７Ｎを示したことから、第１導体１０と第２導体１１とが少なくとも部分的には固着していたことが分かる。しかし、第１導体１０及び第２導体１１の一方に、他方が固着する程度にまで強固に固着していなかったと考えられる。このため、３０倍に拡大された図１４には、第１導体１０と第２導体１１とが固着した状態は示されていなかった。しかしながら、同じ部分を２００倍に拡大した図１５には、第１導体１０又は第２導体１１の表面が非常に荒れた状態が示されている。これは、高圧縮部１３と低圧縮部１２との間の領域において、第１導体１０と第２導体１１とが微視的には凝着していることを示している。
【００５０】
（実験例５）
図１６には、第１導体１０と第２導体１１の破断部分を３０倍に拡大したＳＥＭ写真を示す。実験例５においては、引張強度が０Ｎであったことから、第１導体１０と第２導体１１とは巨視的には固着していなかったことが分かる。また、３０倍に拡大された図１６には、第１導体１０と第２導体１１とが固着した状態は示されていなかった。しかしながら、同じ部分を２００倍に拡大した図１７には、第１導体１０又は第２導体１１の表面が非常に荒れた状態が示されている。これは、高圧縮部１３と低圧縮部１２との間の領域において、第１導体１０と第２導体１１とが微視的には凝着していることを示している。
【００５１】
（実験例６）
図１８には、第１導体１０と第２導体１１の破断部分を３０倍に拡大したＳＥＭ写真を示す。実験例６においては、引張強度が０Ｎであったことから、第１導体１０と第２導体１１とは巨視的には固着していなかったことが分かる。また、３０倍に拡大された図１８には、第１導体１０と第２導体１１とが固着した状態は示されていなかった。しかしながら、同じ部分を２００倍に拡大した図１９には、第１導体１０又は第２導体１１の表面が非常に荒れた状態が示されている。これは、高圧縮部１３と低圧縮部１２との間の領域において、第１導体１０と第２導体１１とが微視的には凝着していることを示している。
【００５２】
（実験例７）
図２０には、第１導体１０と第２導体１１の破断部分を３０倍に拡大したＳＥＭ写真を示す。実験例７においては、引張強度が０Ｎであったことから、第１導体１０と第２導体１１とは巨視的には固着していなかったことが分かる。また、３０倍に拡大された図２０には、第１導体１０と第２導体１１とが固着した状態は示されていない。また、同じ部分を２００倍に拡大した図２１には、第１導体１０又は第２導体１１の表面が荒れた状態は示されていない。このため、実験例７においては、高圧縮部１３と低圧縮部１２との間の領域において、第１導体１０と第２導体１１とが微視的にも凝着していなかったことが分かる。
【００５３】
（実験例８）
図２２には、第１導体１０と第２導体１１の破断部分を３０倍に拡大したＳＥＭ写真を示す。実験例８においては、引張強度が０Ｎであったことから、第１導体１０と第２導体１１とは巨視的には固着していなかったことが分かる。また、３０倍に拡大された図２２には、第１導体１０と第２導体１１とが固着した状態は示されていない。また、同じ部分を２００倍に拡大した図２３には、第１導体１０又は第２導体１１の表面が荒れた状態は示されていない。このため、実験例８においては、圧縮部１７において、第１導体１０と第２導体１１とが微視的にも凝着していなかったことが分かる。
【００５４】
＜実施形態２＞
次に、本発明の実施形態２を、図２４を参照しつつ説明する。本実施形態においては、第１導体１０の下面には、１つの圧縮部１７が形成されている。一方、第２導体１１の上面には、圧縮部１７と対応する位置に、低圧縮部１２が形成されている。この低圧縮部１２の略中央位置には、低圧縮部１２に隣接して高圧縮部１３が形成されている。
【００５５】
上記以外の構成については、実施形態１と略同様なので、同一部材については同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００５６】
本実施形態においては、第２導体１１に形成された低圧縮部１２と高圧縮部１３との間の領域において、第１導体１０と第２導体１１とが強くこすれ合う。これにより、第１導体１０の表面に形成された酸化膜と、第２導体１１の表面に形成された酸化膜とがこすれ合うことによって剥がれる。これにより、第１導体１０を構成する金属表面が露出すると共に、第２導体１１を構成する金属表面が露出する。そして、第１導体１０の金属表面と、第２導体１１の金属表面とが接触することにより、第１導体１０と第２導体１１との電気的抵抗が低減される。
【００５７】
＜実施形態３＞
次に、本発明の実施形態３を、図２５を参照しつつ説明する。本実施形態においては、第２導体１１の上面には低圧縮部１２が形成されている。この低圧縮部１２には、図２５における左右方向に並んで２つの高圧縮部１３が形成されている。
【００５８】
上記以外の構成については、実施形態２と略同様なので、同一部材については同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００５９】
本実施形態によれば、複数の高圧縮部１３が形成されているので、第１導体１０と第２導体１１との間の電気的な抵抗を一層小さくすることができる。
【００６０】
＜実施形態４＞
次に、本発明の実施形態４を、図２６を参照しつつ説明する。本実施形態においては、第１導体１０の下面には、第１導体１０の先端寄りの位置に、低圧縮部１２が形成されている。低圧縮部１２に対して先端と反対側の位置には、低圧縮部１２に隣接して高圧縮部１３が形成されている。
【００６１】
また、第２導体１１の上面には、第２導体１１の先端寄りの位置に、高圧縮部１３が形成されている。高圧縮部１３に対して先端と反対側の位置には、低圧縮部１２が隣接して形成されている。
【００６２】
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）第１導体１０及び第２導体１１は、断面形状が矩形状をなす板材としたが、これに限られず、第１導体１０及び第２導体１１の断面形状は、円形状、楕円形状としてもよく、また、三角形状、正方形状等の多角形状としてもよく、必要に応じて任意の形状を適宜に選択できる。
【００６３】
（２）第１導体１０及び第２導体１１の表面に、研磨処理、酸処理、アルカリ処理等の、公知の処理を実施してもよい。
【００６４】
（３）低圧縮部１２に隣接して高圧縮部１３が形成されていればよく、例えば、１つの低圧縮部１２に複数の高圧縮部１３が隣接して形成される構成としてもよく、また、１つの高圧縮部１３に複数の低圧縮部１２が隣接して形成される構成としてもよく、必要に応じて任意の形態とすることができる。
【００６５】
（４）複数の導体が積層された積層体を圧縮する構成としてもよい。すなわち、積層体を構成する複数の導体のうち、任意の一つを第１導体１０とし、この第１導体１０に重なる導体を第２導体１１としてもよい。
【００６６】
（５）第１導体１０と、第２導体１１とは、異なる形状のものを用いてもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１０…第１導体
１１…第２導体
１２…低圧縮部
１３…高圧縮部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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