(57)【要約】【課題】安価に短時間で製造することができるとともに、密着性の高いカーボンナノチューブを生成することができるカーボンナノチューブ生成用基板およびこれを用いたカーボンナノチューブの生成方法を提供する。【解決手段】基板本体２に形成されたバッファ層３の表面側に触媒金属４を介して熱ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを生成するためのカーボンナノチューブ生成用基板１であって、上記バッファ層３が、上記触媒金属４からなる膜が形成された所定硬度の表層部３Ｕと、この表層部３Ｕより硬度が低い深層部３Ｌとから構成され、上記バッファ層３は、上記熱ＣＶＤ法の加熱により、深層部３Ｌが硬化して、表層部３Ｕに触媒金属４を沈み込ませて固着させるものである。【選択図】図１
2013155067.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体に形成されたバッファ層の表面側に触媒を介して加熱によりカーボンナノチューブを生成するためのカーボンナノチューブ生成用基板であって、
上記バッファ層が、上記触媒からなる膜が形成された所定硬度の表層部と、この表層部より硬度が低い深層部とから構成され、
上記バッファ層は、カーボンナノチューブを生成するための加熱により、上記深層部が硬化して、上記表層部に触媒を沈み込ませて固着させるものであることを特徴とするカーボンナノチューブ生成用基板。
【請求項２】
バッファ層が、基板本体に塗布された溶液を表面側から焼成して形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ生成用基板。
【請求項３】
バッファ層の厚さが１００〜１０００ｎｍであり、バッファ層を形成するための焼成による入熱量が４〜２４Ｊ／ｍ２であることを特徴とする請求項２に記載のカーボンナノチューブ生成用基板。
【請求項４】
表層部の厚さがバッファ層の厚さの１０〜６０％であり、表層部の所定硬度が鉛筆硬度でＦ以上３Ｈ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブ生成用基板。
【請求項５】
バッファ層が二酸化ケイ素からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブ生成用基板。
【請求項６】
バッファ層が二酸化ケイ素を含む酸化物であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブ生成用基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブ生成用基板のバッファ層に、このカーボンナノチューブ生成用基板の触媒を介して熱ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを生成することを特徴とするカーボンナノチューブの生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンナノチューブ生成用基板およびこれを用いたカーボンナノチューブの生成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
カーボンナノチューブは、将来的に大規模な需要が見込まれており、大量に生産する方法として、熱ＣＶＤ法が適している。熱ＣＶＤ法で使用される基板には、石英、シリコン、金属、タイルなどが挙げられるが、カーボンナノチューブの大量生産を考慮すれば、安価な材料である金属やタイルが適している。しかし、これら金属やタイルを基板として使用するには、シリカやアルミナなどからなる中間層（バッファ層ともいう）が必要となる。バッファ層の形成には、カーボンナノチューブの大量生産を考慮すれば、乾式法ではなく、生産性およびコスト的に有利な湿式法が採用される。なお、湿式法では、スピンコート、ディップコート、ロールコート、インクジェットなどで溶液を塗布した後に、焼成処理を行って塗膜を硬化させる。
【０００３】
基板に生成したカーボンナノチューブは、そのまま導電性材料や熱伝導層に利用される場合、基板との密着性が高い方が望ましい。カーボンナノチューブと基板との密着性を高めるには、熱ＣＶＤ法において、加熱温度を上げるか、基板に供給する原料ガスの濃度を変化させるという方法がある。しかし、加熱温度は、触媒金属が最も活性する温度に設定する必要があり、自由に上げられるものではない。また、原料ガスの濃度は、生成するカーボンナノチューブの長さに依存するため、カーボンナノチューブの品質を下げないためにも、変更することができない。
【０００４】
このような状況の下、加熱温度や原料ガスの濃度を変更することなく、カーボンナノチューブと基板との密着性を高めるために、基板上のカーボンナノチューブに、電子線照射装置で１０〜２０ｋｅＶ程度のエネルギーを有する電子線を照射して、カーボンナノチューブ同士、またはカーボンナノチューブと基板とを固着させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、他の方法として、基板に軟質金属薄膜を介して生成させたカーボンナノチューブを、加圧用基板で加圧して、基板に密着させる方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２５７９５０号公報
【特許文献２】特開２００６−２１００４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記特許文献１に記載の方法だと、高価な装置である電子線照射装置が必要となり、大量生産に適していない。また、上記特許文献２に記載の方法だと、加圧によりカーボンナノチューブが変形するという欠点がある。
【０００７】
さらに、上述した湿式法でバッファ層を形成するための焼成処理は、良好なバッファ層を得るために高い焼成温度で長時間行われるが、高価な装置を必要とし、時間がかかるという問題もある。また、このように製造されたカーボンナノチューブ生成用基板（図５参照）は、カーボンナノチューブを生成するため熱ＣＶＤ法により加熱されると、カーボンナノチューブを生成させる触媒金属がバッファ層に十分に固着しないので（図６参照）、バッファ層に対するカーボンナノチューブの密着性が不十分であった。
【０００８】
そこで、本発明は、安価に短時間で製造することができるとともに、密着性の高いカーボンナノチューブを生成することができるカーボンナノチューブ生成用基板およびこれを用いたカーボンナノチューブの生成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１に係る本発明のカーボンナノチューブ生成用基板は、基板本体に形成されたバッファ層の表面側に触媒を介して加熱によりカーボンナノチューブを生成するためのカーボンナノチューブ生成用基板であって、
上記バッファ層が、上記触媒からなる膜が形成された所定硬度の表層部と、この表層部より硬度が低い深層部とから構成され、
上記バッファ層は、カーボンナノチューブを生成するための加熱により、上記深層部が硬化して、上記表層部に触媒を沈み込ませて固着させるものである。
【００１０】
また、請求項２に係る本発明のカーボンナノチューブ生成用基板は、請求項１に係る発明のカーボンナノチューブ生成用基板のバッファ層が、基板本体に塗布された溶液を表面側から焼成して形成されたものである。
【００１１】
さらに、請求項３に係る本発明のカーボンナノチューブ生成用基板は、請求項２に係る発明のカーボンナノチューブ生成用基板において、バッファ層の厚さが１００〜１０００ｎｍであり、バッファ層を形成するための焼成による入熱量が４〜２４Ｊ／ｍ２であるものである。
【００１２】
また、請求項４に係る本発明のカーボンナノチューブ生成用基板は、請求項１乃至３のいずれか一項に係る発明のカーボンナノチューブ生成用基板において、表層部の厚さがバッファ層の厚さの１０〜６０％であり、表層部の所定硬度が鉛筆硬度でＦ以上３Ｈ以下であるものである。
【００１３】
また、請求項５に係る本発明のカーボンナノチューブ生成用基板は、請求項１乃至４のいずれか一項に係る発明のカーボンナノチューブ生成用基板のバッファ層が二酸化ケイ素からなるものである。
【００１４】
また、請求項６に係る本発明のカーボンナノチューブ生成用基板は、請求項１乃至４のいずれか一項に係る発明のカーボンナノチューブ生成用基板のバッファ層が二酸化ケイ素を含む酸化物であるものである。
【００１５】
また、請求項７に係る本発明のカーボンナノチューブの生成方法は、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブ生成用基板のバッファ層に、このカーボンナノチューブ生成用基板の触媒を介して熱ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを生成する方法である。
【発明の効果】
【００１６】
上記カーボンナノチューブ生成用基板によると、バッファ層の形成に高温および長時間の焼成を行う必要がないので、安価に製造することができる。
また、上記カーボンナノチューブ生成用基板およびこれを用いたカーボンナノチューブの生成方法によると、カーボンナノチューブが生成する触媒金属は、熱ＣＶＤ法の加熱によりバッファ層の表層部に固着するので、バッファ層に対するカーボンナノチューブの密着性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態に係るカーボンナノチューブ生成用基板の概略構成を示す側部断面図である。
【図２】同カーボンナノチューブ生成用基板を熱ＣＶＤ法により加熱したものの側部断面図である。
【図３】同カーボンナノチューブ生成用基板の製造工程を説明する側部断面図であり、（ａ）は基板、（ｂ）は基板とこれに塗布されたバッファ層溶液、（ｃ）は基板と焼成により形成されたバッファ層、（ｄ）は製造されたカーボンナノチューブ生成用基板を示す図である。
【図４】熱ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを生成するための熱ＣＶＤ装置の概略図である。
【図５】従来のカーボンナノチューブ生成用基板の概略構成を示す側部断面図である。
【図６】従来のカーボンナノチューブ生成用基板を熱ＣＶＤ法により加熱したものの側部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態に係るカーボンナノチューブ生成用基板について図１および図２に基づき説明する。このカーボンナノチューブ生成用基板は、加熱によりカーボンナノチューブを生成するための基板である。本実施の形態では、カーボンナノチューブを生成するための加熱の一例として、熱化学気相成長法（以下では熱ＣＶＤ法という）を採用する場合を説明する。ここで、図１には本発明のカーボンナノチューブ生成用基板を示し、図２には図１のカーボンナノチューブ生成用基板を熱ＣＶＤ法により加熱したものを示す。
【００１９】
図１に示すように、上記カーボンナノチューブ生成用基板１は、基板本体２と、基板本体２の表面に形成されたバッファ層３と、バッファ層３の表面に形成されてカーボンナノチューブを生成するための触媒金属４からなる膜（以下では触媒金属膜という）とから構成される。
【００２０】
基板本体２は、カーボンナノチューブの生産性を考慮すれば、安価な材料からなるものが好ましく、金属板または平板タイル（陶器質またはせっ器質）が使用される。バッファ層３は、触媒金属膜を形成する前に、基板本体２の表面に塗布されたバッファ層溶液を表面側（つまり基板本体２の反対側）から焼成して形成されたものである。また、バッファ層３の厚さは１００〜１０００ｎｍであり、バッファ層３を形成するための焼成による入熱量は、バッファ層３（正確にはバッファ層溶液）に対して４〜２４Ｊ／ｍ２である。このため、バッファ層３は、基板本体２の反対側に位置して焼成により所定硬度に硬化した表層部３Ｕと、基板本体２側に位置して表層部３Ｕより硬度が低い深層部３Ｌとから構成される。上記表層部３Ｕの厚さは、バッファ層３の厚さの１０〜６０％である。また、表層部３Ｕの上記所定硬度は、鉛筆硬度でＦ以上３Ｈ以下である。一方、上記深層部３Ｌは、上記熱ＣＶＤ法の加熱により、硬化し始めるとともに、表層部３Ｕの表面近傍（触媒金属膜との境界近傍）を流動させて、表層部３Ｕの表面近傍に触媒金属４の一部を沈み込ませ得る程度の硬度を有する。したがって、バッファ層３は、図２に示すように、熱ＣＶＤ法の加熱により、深層部３Ｌが硬化し始めるとともに、表層部３Ｕの表面近傍が流動し、表層部３Ｕの表面近傍に触媒金属４の一部を沈み込ませて、表層部３Ｕに触媒金属４を固着させるものである。また、触媒金属４は、熱ＣＶＤ法の加熱により、微粒化して表層部３Ｕの表面近傍に固着されて、生成するカーボンナノチューブをバッファ層３に密着させる作用を有する。なお、図１および図２のバッファ層３では（図５および図６のバッファ層でも）、硬度が高いほど濃色で示す。
【００２１】
以下、上記カーボンナノチューブ生成用基板１の製造方法について図３に基づき説明する。
［カーボンナノチューブ生成用基板の製造方法］
まず、図３（ａ）に示す基板本体２に、バッファ層３を形成するためのバッファ層溶液Ｓを図３（ｂ）に示すように塗布し、塗布されたバッファ層溶液Ｓを表面側（つまり基板本体２の反対側）から焼成して、厚さが１００〜１０００ｎｍのバッファ層３を図３（ｃ）に示すように形成する。焼成では、入熱量をバッファ層３（正確にはバッファ層溶液Ｓ）に対して４〜２４Ｊ／ｍ２とすることで、表層部３Ｕの厚さがバッファ層３の厚さの１０〜６０％になるとともに、表層部３Ｕの所定硬度が鉛筆硬度でＦ以上３Ｈ以下になる。
【００２２】
その後、基板本体２に形成されたバッファ層３に、図３（ｄ）に示すように触媒金属４を付着させて触媒金属膜を形成することで、カーボンナノチューブ生成用基板１を製造する。
【００２３】
ところで、上記バッファ層溶液Ｓの塗布には、スピンコート法、ロールコート法、ナイフコート法、カーテンコート法、キスコート法、ディップコート法、スプレー法、スクリーンコート法などを採用することができる。また、上記触媒金属膜の形成には、ＥＢ法、スパッタ法、真空蒸着法などを採用することができる。
【００２４】
次に、上記カーボンナノチューブ生成用基板１を用いたカーボンナノチューブの生成方法について図２および図４に基づき説明する。
［カーボンナノチューブの生成方法］
熱ＣＶＤ法によるカーボンナノチューブの生成には、図４に示す一般的な熱ＣＶＤ装置が使用される。
【００２５】
まず、図４に示すように、カーボンナノチューブ生成用基板１を石英製の反応管Ｒに入れて基台Ｂに置いた後、反応管Ｒの一端から不活性ガスＮを供給するとともに、反応管Ｒの他端から排気する。そして、反応管Ｒを外装する電気ヒータＨによりカーボンナノチューブ生成用基板１を加熱し、反応管Ｒの一端から原料ガスＧをカーボンナノチューブ生成用基板１に供給するとともに、反応管Ｒの他端から排気する。なお、原料ガスＧには、メタン、エタン、プロパン若しくはヘキサンなどのアルカン類、エチレン類若しくはプロピレンなどの不飽和有機化合物、または、ベンゼン若しくはトルエンなどの芳香族化合物を用いてもよい。
【００２６】
反応管Ｒの内部では、熱ＣＶＤ法の加熱により、図２に示すように、カーボンナノチューブ生成用基板１の触媒金属膜が熱ＣＶＤ法の加熱により微粒化する。一方、カーボンナノチューブ生成用基板１のバッファ層３では、深層部３Ｌが硬化し始めるとともに、表層部３Ｕの表面近傍が流動し、表層部３Ｕの表面近傍に触媒金属４の一部が沈み込み、表層部３Ｕに微粒化した触媒金属４が固着する。そして、微粒化した触媒金属４にカーボンナノチューブが生成していく。所望厚さのカーボンナノチューブが生成すると、加熱および原料ガスＧの供給を停止して、図４に示す反応管Ｒからカーボンナノチューブ生成用基板１を取り出す。
【００２７】
このように、上記カーボンナノチューブ生成用基板１によると、バッファ層３の形成に高温および長時間の焼成を行う必要がなく、焼成による入熱量がバッファ層３に対して４〜２４Ｊ／ｍ２で済むため、安価に製造することができる。
【００２８】
また、上記カーボンナノチューブ生成用基板１およびこれを用いたカーボンナノチューブの生成方法によると、カーボンナノチューブが生成する触媒金属４は、熱ＣＶＤ法の加熱によりバッファ層３の表層部３Ｕに固着するので、バッファ層３に対するカーボンナノチューブの密着性を向上させることができる。
【００２９】
以下、上記実施の形態をより具体的に示した複数の実施例に係るカーボンナノチューブ生成用基板１について説明する。
【実施例１】
【００３０】
基板本体２として、５０×５０ｍｍのステンレス板を使用した。また、バッファ層溶液Ｓとして、溶媒であるエタノールに原料であるエチルポリシリケートおよび反応促進用の触媒である塩酸を溶かしたものを使用した。なお、上記バッファ層溶液Ｓにおける原料（エチルポリシリケート）濃度は５ｗｔ％とし、触媒（塩酸）濃度は０．０３ｗｔ％とした。そして、基板本体２に、バッファ層溶液Ｓをスピンコート法でバッファ層３の厚さが２００ｎｍになるように塗布した。次に、大気中でバッファ層溶液Ｓを基板本体２の反対側から焼成して、二酸化ケイ素からなる厚さが２００ｎｍのバッファ層３を形成した。
【００３１】
その後、触媒金属４としてＦｅ微粒子を使用し、Ｆｅ微粒子をＥＢ法で膜厚が５ｎｍ程度になるように触媒金属膜をバッファ層３に形成することで、カーボンナノチューブ生成用基板１を製造した。なお、バッファ層３を形成するための焼成による入熱量（焼成温度および焼成時間）を様々に変化させて、多種のカーボンナノチューブ生成用基板１を製造した。
【００３２】
このように製造されたカーボンナノチューブ生成用基板１に、上記実施の形態で説明した熱ＣＶＤ装置を使用して、熱ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを生成した。なお、原料ガスＧとして濃度１５％のアセチレンガスを使用し、電気ヒータＨによる昇温速度を１５℃／分、加熱温度を７００℃、加熱時間（加熱温度に達してからの保持時間）を１５分にした。
【００３３】
バッファ層３の表層部３Ｕにおける硬度と生成したカーボンナノチューブの剥離強度との関係を計測するため、熱ＣＶＤ法を行う前のカーボンナノチューブ生成用基板１に鉛筆硬度試験を行い、熱ＣＶＤ法を行った後のカーボンナノチューブ生成用基板１にカーボンナノチューブの成長判定および密着性判定を行った。
【００３４】
鉛筆硬度試験では、まず、エッチングレートが既知のイオン銃で、バッファ層３の表面を試験対象となる深さまで除去した。次に、鉛筆硬度試験用の試験器（コーテック製）に鉛筆（三菱鉛筆製）を保持させ、バッファ層３に対して４５度の角度および７５０ｇｆの負荷で鉛筆を接触させた後、試験器を移動させて、バッファ層３の傷の有無から鉛筆硬度を判定した。なお、使用した鉛筆は、鉛筆硬度がＨＢ〜４Ｈの６種類である。
【００３５】
カーボンナノチューブの成長判定では、カーボンナノチューブの長さおよび本数密度を判定対象とした。カーボンナノチューブの長さの計測には、レーザー膜厚計測器を使用した。また、カーボンナノチューブの本数密度は、カーボンナノチューブの長さ、直径および重さから算出した。カーボンナノチューブの直径の計測にはＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を使用し、カーボンナノチューブの重さはカーボンナノチューブ生成前後のカーボンナノチューブ生成用基板１の重量差から算出した。そして、カーボンナノチューブの成長判定では、基板本体２の一面に長さが４４〜５５μｍで本数密度が１×１０９本／ｃｍ２のＣＮＴが成長した場合を○とし、それ以外を×とした。
【００３６】
バッファ層３に対するカーボンナノチューブの密着性判定のために、カーボンナノチューブの剥離強度試験を行った。この剥離強度試験には、３ｃｍ２（１ｃｍ×３ｃｍ）のスコッチテープ（スコッチは登録商標）および剥離強度試験機を使用した。そして、密着性判定では、剥離強度が１．５［Ｎ］以上を○とし、剥離強度が０．５［Ｎ］以下を×とした。
【００３７】
このようにして判定した結果を表１に示す。なお、以下の表１〜表４でのＣＮＴはカーボンナノチューブの略称である。
【００３８】
【表１】
2013155067.tif 000003
表１に示すように、バッファ層３の全厚さに対する表面からの深さが１０〜６０％において、硬度が鉛筆硬度でＦ以上３Ｈ以下の場合に、カーボンナノチューブの成長判定および密着性判定がいずれも○、すなわち、総合判定が◎になった。
【実施例２】
【００３９】
本発明のバッファ層３の臨界厚さを調べるために、上記実施例１では２００ｎｍであったバッファ層３の厚さを、本実施例２では１００ｎｍおよび１０００ｎｍにした。なお、バッファ層３の厚さ以外については、本実施例２は上記実施例１と全く同一である。
【００４０】
本実施例２における結果を表２に示す。
【００４１】
【表２】
2013155067.tif 000004
表２に示すように、バッファ層３の厚さが１００ｎｍまたは１０００ｎｍであっても、バッファ層３の全厚さに対する表面からの深さが１０〜６０％において、硬度が鉛筆硬度でＦ以上３Ｈ以下の場合に、カーボンナノチューブの成長判定および密着性判定がいずれも○、すなわち、総合判定が◎になった。
【比較例】
【００４２】
本発明のバッファ層３の臨界厚さを調べるために、上記実施例１および２では２００ｎｍ，１００ｎｍおよび１０００ｎｍであったバッファ層３の厚さを、本比較例では５０ｎｍおよび１２００ｎｍにした。なお、バッファ層３の厚さ以外については、本比較例は上記実施例１および２と全く同一である。
【００４３】
本比較例における結果を表３に示す。
【００４４】
【表３】
2013155067.tif 000005
表３に示すように、バッファ層３の厚さが５０ｎｍまたは１２００ｎｍであれば、カーボンナノチューブの成長判定が×、すなわち総合判定が◎にならなかった。
【実施例３】
【００４５】
上記実施例１および２に係るバッファ層３は二酸化ケイ素のみからなるが、本実施例３に係るバッファ層３は次の混合物からなる。すなわち、本実施例３に係るバッファ層３は、７０重量％の二酸化ケイ素と、１８重量％の酸化アルミニウムと、残りが混合酸化物とからなる。この混合酸化物は、酸化ナトリウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化リチウム、酸化鉄（ＦｅＯ）、酸化カリウム、酸化銅（ＣｕＯ）、および酸化亜鉛である。なお、バッファ層３以外については、本実施例３は上記実施例１と全く同一である。
【００４６】
本実施例３における結果を表４に示す。
【００４７】
【表４】
2013155067.tif 000006
表４に示すように、バッファ層３が上記混合物からなるものあっても、バッファ層３の全厚さに対する表面からの深さが１０〜６０％において、硬度が鉛筆硬度でＦ以上３Ｈ以下の場合に、カーボンナノチューブの成長判定および密着性判定がいずれも○、すなわち、総合判定が◎になった。なお、上記実施例１〜３において総合判定が◎になった場合、バッファ層３を形成するための焼成による入熱量は、バッファ層３に対して４〜２４Ｊ／ｍ２であった。
【００４８】
このように、上記カーボンナノチューブ生成用基板１によると、バッファ層３の形成に高温および長時間の焼成を行う必要がなく、焼成による入熱量がバッファ層３に対して４〜２４Ｊ／ｍ２で済むため、安価に製造することができた。
【００４９】
また、上記実施例１〜３に係るカーボンナノチューブ生成用基板１およびこれを用いたカーボンナノチューブの生成方法によると、バッファ層３の厚さを１００〜１０００ｎｍにするとともに、バッファ層３を二酸化ケイ素または上記混合物からなるものにし、バッファ層３を形成するための焼成による入熱量をバッファ層３に対して４〜２４Ｊ／ｍ２とすることで、上記カーボンナノチューブ生成用基板１にカーボンナノチューブを十分に成長させることができ、さらに、バッファ層３に対するカーボンナノチューブの密着性を向上させることができた。
【００５０】
ところで、上記実施の形態では、上記カーボンナノチューブ生成用基板１にカーボンナノチューブを生成するための加熱として、熱ＣＶＤ法を採用する場合を説明したが、熱ＣＶＤ法の替わりに、触媒金属４を微粒化する工程の後に、カーボンナノチューブを生成する工程を加えた方法を採用してもよい。この場合、触媒金属４を微粒化する工程での加熱条件は、昇温速度が約１５℃／分、加熱温度が５５０〜７５０℃、加熱時間が１０〜３０分である。また、カーボンナノチューブを生成する工程は、プラズマＣＶＤ法など、カーボンナノチューブを生成する公知の方法である。
【符号の説明】
【００５１】
Ｒ    反応管
Ｂ    基台
Ｈ    電気ヒータ
Ｇ    原料ガスＧ
Ｎ    不活性ガス
Ｓ    バッファ層溶液
１    カーボンナノチューブ生成用基板
２    基板本体
３    バッファ層
３Ｕ  表層部
３Ｌ  深層部
４    触媒金属
【図１】
2013155067.tif 000007
【図２】
2013155067.tif 000008
【図３】
2013155067.tif 000009
【図４】
2013155067.tif 000010
【図５】
2013155067.tif 000011
【図６】
2013155067.tif 000012