(57)【要約】【課題】表面凹凸が大きい遮光層の上でも断線のない微細な引出配線を有するタッチパネルの製造方法を提供する。【解決手段】  カバーガラスに少なくとも透光性導電膜、遮光層および引出配線を具備するタッチパネルの製造方法であって、感光性導電ペーストを塗布し、パターン露光し、現像した後、１００〜２５０℃で熱処理することにより前記引出配線を形成することを特徴とするタッチパネルの製造方法とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
カバーガラスに少なくとも透光性導電膜、遮光層および引出配線を具備するタッチパネルの製造方法であって、感光性導電ペーストを塗布し、パターン露光し、現像した後、１００〜２５０℃で熱処理することにより前記引出配線を形成することを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【請求項２】
前記感光性導電ペーストが不飽和二重結合を有する化合物、光重合開始剤および導電性粉末を含むことを特徴とする請求項１に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項３】
前記感光性導電ペーストが、ガラス転移温度−１０〜５０℃の範囲内の樹脂を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項４】
前記感光性導電ペーストが、ウレタン化合物を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項５】
前記感光性ペーストの粘度が１０〜５０Ｐａ・ｓの範囲内であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項６】
前記感光性導電ペーストを部分的に塗布して乾燥する工程を含む請求項１〜５のいずれかに記載のタッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は感光性導電ペーストを用いたタッチパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種静電容量型のタッチパネルの構造としては、ガラス基板やフィルム基板の一方面の基板中央部分に透光性導電膜が形成され、基板の入力領域より外側の周辺領域にタッチ時に変化する電気信号を送る役目の引出配線が形成されている。そして、基板に対して入力操作が行われる側にカバーガラスが配置されているものや、一方面の基板中央部分に透光性導電膜が形成された二枚のフィルムを張り合わせ、基板に対して入力操作が行われる側にカバーガラスが配置されているもの等が挙げられる。
【０００３】
近年、ガラス基板やフィルム基板を省略し、カバーガラス自体に透光性導電膜や引出配線を形成することによりコストダウン、薄膜化、軽量化を図る提案がなされている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１９２１２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、タッチパネルは、カバーガラスの入力領域より外側の周辺領域に黒色インクにより遮光層が形成されているものが多く、カバーガラス自体に引出配線を形成する場合、上記遮光層上に引出配線が形成される。この引出配線数が少ない場合、銀等の導電粉末を含むペーストを用いて、スクリーン等によりパターン印刷がなされるが、タッチパネルが大型化し、入力領域より外側の周辺領域の面積が大きくなると引出配線の数が多く必要となり、引出配線の微細化が必要なる。銀等の導電粉末を含むペーストを用いて、スクリーン等によりパターン印刷では微細な引出配線形成が困難であるため、アルミニウム、モリブデン、銀、クロム、銅等の金属をスパッタリング後、フォトレジストをマスクに微細配線を形成する方法がなされている。
【０００６】
しかしながら、カバーガラスの入力領域より外側の周辺領域に形成される遮光層は、カーボン等の黒色顔料を各種樹脂に分散させた黒色インクを印刷後、熱硬化させて形成されるものであるため、黒色顔料粒子の大きさや凝集状態によって遮光層の表面は凹凸が大きく、その表面に金属をスパッタリングすると断線が生じる問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため本発明のタッチパネルの製造方法は、次の構成を有する。すなわち、カバーガラスに少なくとも透光性導電膜、遮光層および引出配線を具備するタッチパネルにおいて、引出配線を感光性導電ペーストにより形成することを特徴とするタッチパネルの製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、表面凹凸が大きい遮光層の上でも断線のない微細な引出配線を有するタッチパネルの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明のタッチパネルの製造方法におけるタッチパネルは、カバーガラスに少なくとも透光性導電膜、遮光層および引出配線を具備し、引出配線を感光性導電ペーストにより形成する。
【００１０】
カバーガラスとしては、公知のものが使用できるが、例えば、強化処理を施した強化ガラスが有用である。強化処理としては、ガラス表面層の分子をイオン交換してガラス表面に大きな分子を形成し、ガラス表面層に圧縮応力を形成した化学強化ガラスやガラスを残留応力が残る温度まで加熱後、急冷することによりガラス表面層に圧縮応力を形成した物理強化ガラス等が挙げられる。
【００１１】
本発明のタッチパネルの製造方法を以下に例示する。
【００１２】
まず、上記カバーガラスの一方面の入力領域より外側の周辺領域に遮光層を形成する。遮光層としては、カーボンブラック等の顔料をポリエステル樹脂やエポキシ樹脂等に分散させ、硬化剤等を添加した黒色インクをパターン印刷して形成する。あるいは、黒色顔料を感光性成分に分散した感光性黒色ペーストを用いてフォトリソグラフィーにより形成してもよい。
そして、その遮光膜を全部または一部を被うように絶縁膜、保護膜を形成してもよい。絶縁膜や保護膜としては、ＳｉＯ２をスパッタリングや蒸着で形成する方法やアクリル樹脂、ノボラック樹脂、シロキサン樹脂を塗布、硬化して使用する方法がある。
【００１３】
次に、カバーガラスの一方面表面に第１の透光性導電膜を形成する。透光性導電膜としては、ＩＴＯをスパッタリング後、フォトレジスト等をマスクにエッチングする方法が有用であるが、銀ナノワイヤー、透明導電性高分子、カーボンナノチューブおよびナノ金属粒子等も用いることができる。
【００１４】
最後に、カバーガラスの一方面の入力領域より外側の周辺領域に引出配線を形成する。本発明においては、引出配線を感光性導電ペーストにより形成することが必要となる。また、引出配線上に上記のような保護膜を形成してもよい。
【００１５】
本発明における引出し配線を形成する感光性導電ペーストは、導電性粉末および感光性有機成分から構成される。
【００１６】
導電性粉末としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、酸化ルテニウム、Ｃｒ、Ｔｉ、およびインジウムの少なくとも１種を含むことが好ましく、これらの導電性粉末を単独、合金、あるいは混合粉末として用いることができる。これらの中でも導電性の観点からＡｇ、ＣｕおよびＡｕが好ましく、コスト、安定性の観点からＡｇであることがより好ましい。
【００１７】
導電性粉末の体積平均粒子径は０．１〜１０μｍが好ましく、より好ましくは０．３〜５μｍである。体積平均粒子径が０．１μｍ以上であると導電性粉末同士の接触確率が向上し、作製される導電パターンの比抵抗値、および断線確率を低くすることができる。さらに、露光時の活性光線が膜中をスムーズに透過することができるため、微細なパターニングが容易となる。また体積平均粒子径が１０μｍ以下であれば印刷後の回路パターンの表面平滑度、パターン精度、寸法精度が向上する。なお、体積平均粒子径は、コールターカウンター法、光子相関法およびレーザー回折法等により求めることができる。
【００１８】
導電性粉末の添加量としては感光性導電ペースト中の全固形分に対し、７０〜９５重量％の範囲内であることが好ましく、より好ましくは８０〜９０重量％である。７０重量％以上とすることにより、特にキュア時の硬化収縮における導電性粉末同士の接触確率が向上し、作製される導電パターンの比抵抗値、および断線確率を低くすることができる。また、９５重量％以下とすることにより、特に露光時の活性光線が膜中をスムーズに透過することができ、微細なパターニングが容易となる。また、固形分とは感光性導電ペーストから溶剤を除いたものである。
【００１９】
感光性有機成分としては、分子内に重合性不飽和基を有するモノマー、オリゴマーもしくはポリマーを含むものである。
【００２０】
分子内に重合性不飽和基を有するモノマーとしては、活性な炭素−炭素不飽和二重結合を有する化合物を用いることができる。官能基として、ビニル基、アリル基、アクリレート基、メタクリレート基、アクリルアミド基を有する単官能および多官能化合物が応用できる。具体的な例としては、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、グリセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＡ−エチレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールＡ−プロピレンオキサイド付加物のジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、２−（２−エトキシエトキシ）エチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、イソデシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、トリデシルアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレートまたは上記化合物のアクリル基を１部または全てメタクリル基に代えた化合物等が挙げられる。
【００２１】
本発明では、これらを１種または２種以上使用することができる。上記モノマーは、感光性導電ペースト中の全固形分に対し、１〜１５質量％の範囲で添加され、より好ましくは、２〜１０質量％の範囲内である。上記モノマーが１質量％未満の場合、感度が低下し、良好なパターン形成が困難になる。一方、上記モノマー１５質量％を越えると、乾燥膜にタックが生じ、露光時にフォトマスクが接触し、フォトマスクが汚れる問題や塗膜表面が乱れる問題を生じる。
分子内に重合性不飽和基を有するオリゴマーもしくはポリマーとしては、炭素−炭素２重結合を有する化合物から選ばれた成分の重合または共重合により得られる。このようなオリゴマーもしくはポリマーに対して、光反応性基を側鎖または分子末端に付加させることによって、分子内に重合性不飽和基を有するオリゴマーもしくはポリマーを得ることができる。
【００２２】
好ましい重合性不飽和基は、エチレン性不飽和基を有するものである。エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基などが挙げられる。
【００２３】
このような側鎖をオリゴマーもしくはポリマーに付加させる方法は、オリゴマーもしくはポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して、グリシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライドを付加反応させて作る方法がある。
【００２４】
グリシジル基を有するエチレン性不飽和化合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロトン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエーテルなどが挙げられる。イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物としては、（メタ）アクリロイルイソシアナート、（メタ）アクリロイルエチルイソシアネートなどがある。また、グリシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライドは、オリゴマーもしくはポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して０．０５〜１モル等量付加させることが好ましい。
【００２５】
このような分子内に重合性不飽和基を有するオリゴマーもしくはポリマーは、重量平均分子量（Ｍｗ）が２０００〜２０００００の範囲内、数平均分子量（Ｍｎ）が１０００〜５００００の範囲内であることが好ましく、より好ましくはＭｗが５０００〜１０００００の範囲内、Ｍｎが１０００〜３００００の範囲内である。Ｍｗ、Ｍｎが上記範囲内であることで、取扱性が良好で、光硬化時に均一な硬化性を得ることができる。
【００２６】
また、分子内に重合性不飽和基を有するオリゴマーもしくはポリマーのガラス転移温度は−１０〜５０℃であることが好ましく、１０〜４０℃であることがより好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると乾燥膜のタック性を抑制することができ、Ｔｇが５０℃以下であると屈曲時の内部応力を緩和することができ、特にクラックの発生を抑制することができる。
【００２７】
ガラス転移温度は、感光性成分の示差走査熱量計（ＤＳＣ）測定によって求めることもできるが、共重合成分であるモノマーの共重合比率およびそれぞれのモノマーのホモポリマーのガラス転移温度を用いて次の数式（１）により算出でき、本発明ではこの値を用いた。
【００２８】
１／Ｔｇ＝（Ｗ１／Ｔ１）＋（Ｗ２／Ｔ２）＋（Ｗ３／Ｔ３）＋・・・（１）
ここで、Ｔｇはポリマーのガラス転移温度（単位：Ｋ）を示し、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３・・・はモノマー１、モノマー２、モノマー３・・・のホモポリマーのガラス転移温度（単位：Ｋ）を示し、Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３・・・はモノマー１、モノマー２、モノマー３・・・の重量基準の共重合比率を示す。
本発明における感光性導電ペーストは、分子内に重合性不飽和基を有するモノマー、オリゴマーもしくはポリマーを含有するが、これらの成分はいずれも活性光線のエネルギー吸収能力はないため、光硬化を行わせるためには光重合開始剤を用いる必要がある。光重合開始剤は、光硬化に使用される光源によって選択され、光ラジカル重合開始剤や光カチオン重合開始剤等が使用できる。
【００２９】
光ラジカル重合開始剤としては、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−フェニルベンゾフェノン、４，４−ジクロロベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチル−ジフェニルサルファイド、アルキル化ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、４−ベンゾイル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−［２−（１−オキソ−２−プロペニルオキシ）エチル］ベンゼンメタナミニウムブロミド、（４−ベンゾイルベンジル）トリメチルアンモニウムクロリド、２−ヒドロキシ−３−（４−ベンゾイルフェノキシ）−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−プロペンアミニウムクロリド一水塩、２−イソプロピルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン、２ーヒドロキシ−３−（３，４−ジメチル−９−オキソ−９Ｈ−チオキサンテン−２−イロキシ）−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−プロパナミニウムクロリド、２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオサイド、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２−ビイミダゾール、１０−ブチル−２−クロロアクリドン、２−エチルアンスラキノン、ベンジル、９，１０−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、メチルフェニルグリオキシエステル、η5−シクロペンタジエニル−η6−クメニル−アイアン（１＋）−ヘキサフルオロフォスフェイト（１−）、ジフェニルスルフィド誘導体、ビス（η5−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウム、４，４−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、４−ベンゾイル−４−メチルフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，３−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニル−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、ベンジルメトキシエチルアセタール、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミノアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズスベロン、メチ���ンアントロン、４−アジドベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、２−フェニル−１，２−ブタジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１，３−ジフェニルプロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、Ｎ−フェニルグリシン、テトラブチルアンモニウム（＋１）ｎ−ブチルトリフェニルボレート（１−）、ナフタレンスルフォニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４−アゾビスイソブチロニトリル、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイルおよびエオシン、メチレンブルー等の光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミン等の還元剤の組み合わせ等や近紫外に吸収を持つ陽イオン染料とボレート陰イオンとの錯体、近赤外増感色素で増感されたハロゲン化銀と還元剤を組み合わせたもの、チタノセン、鉄アレーン錯体、有機過酸化物、ヘキサアリール、ビイミダゾール、Ｎ−フェニルグリシン、ジアリールヨードニウム塩等のラジカル発生剤の少なくとも１種と更に必要に応じて、３−置換クマリン、シアニン色素、メロシアニン色素、チアゾール系色素、ピリリウム系色素等の増感色素等が挙げられる。
【００３０】
光カチオン重合開始剤としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスフェート塩、アンチモネート塩等が挙げられる。
【００３１】
本発明では、これらを１種または２種以上使用することができる。光重合開始剤は、感導電ペーストに対し、０．０５〜１０質量％の範囲内で添加され、より好ましくは、０．１〜１０質量％である。光重合開始剤の量が少なすぎると光硬化不足となり、光重合開始剤の量が多すぎる場合には相溶性が不良になるおそれがある。
【００３２】
光重合開始剤と共に増感剤を使用することで感度を向上させ、反応に有効な波長範囲を拡大することができる。
【００３３】
増感剤の具体例としては、２，３−ビス（４−ジエチルアミノベンザル）シクロペンタノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、４，４−ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３−カルボニルビス（４−ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−トリルジエタノールアミン、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸（２−ジメチルアミノ）エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸（ｎ−ブトキシ）エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸２−エチルヘキシル、３−フェニル−５−ベンゾイルチオテトラゾール、１−フェニル−５−エトキシカルボニルチオテトラゾール等が挙げられる。
【００３４】
本発明で使用する導電ペーストではこれらを１種または２種以上使用することができる。増感剤を本発明の感光性ペーストに添加する場合、その添加量は感光性有機成分に対して通常０．０５〜１０質量％、より好ましくは０．１〜１０質量％である。増感剤の量が少なすぎれば光硬化を向上させる効果が発揮されず、増感剤の量が多すぎれば、相溶性が不良になる恐れがある。
【００３５】
本発明の感光性導電ペーストは、有機溶剤を含有することが好ましい。有機溶剤を用いることで、感光性導電ペーストの粘度調整を行うことができ、塗布膜の表面平滑性を向上できる。感光性導電ペーストの好ましい粘度としては、１０〜１００Ｐａ・ｓ（ブルックフィールド型の粘度計を用いて３ｒｐｍ測定した値）である。より好ましくは、１０〜５０Ｐａ・ｓである。感光性導電ペーストの粘度が１０〜１００Ｐａ・ｓの範囲内にあることで、段差ある場合にも被覆性が良好となる。感光性導電ペーストの粘度が１０Ｐａ・ｓ未満では、導電粉末の沈降の影響で塗布不良を生じたり、塗布時に液垂れを起こし、塗布面が不均一になる問題を生じる。また、感光性導電ペーストの粘度が１００Ｐａ・ｓを越えると段差がある場合に被覆性が不良となる。
有機溶剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、γ−ブチロラクトン、ブロモベンゼン、クロロベンゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモ安息香酸、クロロ安息香酸等、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、テルピネオール、３−メチル−３−メトキシブタノール、テキサノール、ベンジルアルコール、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。これらは、２種以上混合して用いてもよい。
【００３６】
本発明の感光性導電ペーストは、その所望の特性を損なわない範囲であれば分子内に不飽和二重結合を有しない非感光性ポリマー、可塑剤、レベリング剤、界面活性剤、シランカップリング剤、消泡剤、顔料等の添加剤を配合することもできる。
非感光性ポリマーの具体例としてはエポキシ樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド前駆体、既閉環ポリイミドなどが挙げられる。
【００３７】
可塑剤の具体例としてはジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ポリエチレングリコール、グリセリン等が挙げられる。レベリング剤の具体例としては特殊ビニル系重合物、特殊アクリル系重合物などが挙げられる。
【００３８】
シランカップリング剤としては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【００３９】
本発明の感光性導電ペーストは分散機、混練機などを用いて作製される。これらの具体例としては三本ローラー、ボールミル、遊星式ボールミルなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４０】
次に本発明の感光性導電ペーストを用いた引出配線の形成方法について説明する。カバーガラスの一方面に形成された遮光層、絶縁層、透光性導電膜上に感光性導電ペーストを塗布し、加熱して溶剤を揮発させて乾燥する。その後パターン形成用マスクを介し、露光し、現像することにより所望のパターンを形成する。そして、１００℃以上３００℃以下の温度でキュアして導電パターンを作製する。キュア温度は好ましくは１２０〜１８０℃である。加熱温度を１００℃未満にすると、樹脂の体積収縮量を大きくすることができず、比抵抗率を小さくすることができない。一方、加熱温度が３００℃を越えると、遮光層からの分解ガスが発生し、入力領域の透過率が低下する問題がある。
【００４１】
本発明の感光性導電ペーストを基板に塗布する方法としてはスピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷、ブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター、バーコーターなどの方法を用いて、全面または部分的に塗布する。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が、１〜２０μｍの範囲内になるように塗布する。
【００４２】
次に基板上に塗布した塗布膜から溶剤を除去する。溶剤を除去する方法としては、オーブン、ホットプレート、赤外線などによる加熱乾燥や真空乾燥などが挙げられる。加熱乾燥は５０℃から１８０℃の範囲で１分から数時間行うのが好ましい。
【００４３】
溶剤除去後の塗布膜上に、フォトリソグラフィー法によりパターン加工を行う。露光に用いられる光源としては水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）を用いるのが好ましい。
【００４４】
露光後、現像液を用いて未露光部を除去することによって、所望のパターンが得られる。アルカリ現像を行う場合の現像液としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどの化合物の水溶液が好ましい。また場合によっては、これらの水溶液にＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトンなどの極性溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは複数種添加したものを現像液として用いてもよい。また、これらのアルカリ水溶液に界面活性剤を添加したものを現像液として使用することもできる。有機現像を行う場合の現像液としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミドなどの極性溶媒を単独あるいは、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、キシレン、水、メチルカルビトール、エチルカルビトールなどと組み合わせた混合溶液が使用できる。
【００４５】
現像は、基板を静置または回転させながら上記の現像液を塗布膜面にスプレーする、基板を現像液中に浸漬する、あるいは浸漬しながら超音波をかけるなどの方法によって行うことができる。
【００４６】
現像後、水によるリンス処理を施してもよい。ここでもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えてリンス処理をしてもよい。
【００４７】
次に導電性を発現させるためにペースト組成物膜をキュアする。キュアする方法としては、オーブン、イナートオーブン、ホットプレート、赤外線などによる加熱乾燥や真空乾燥などが挙げられる。このようにキュア工程を経て導電パターンを作製することができる。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。各実施例および比較例で用いた材料および評価方法は以下の通りである。
（実施例１）
５０℃で４８時間真空乾燥したバインダーポリマー（根上工業社製ＴＲ−２５００）６０ｇ、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート１００ｇを撹拌装置、温度計を備えた３つ口フラスコに計量し、６０℃で加熱溶解させた。フラスコを３０℃まで冷却し、イソオクチルアクリレート５ｇ、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２５ｇ、１，６−ヘキサンジオール−ビス［（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］０．１ｇ、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン５ｇ、分散剤（共栄社化学社製、”フローレン”Ｇ−７００ＤＭＥＡ）２ｇを加え、２時間撹拌した。得られた有機成分１２０ｇと湿式還元法により製造されたもので平均粒径１．１９μｍ、比表面積１．１２ｍ２／ｇ、タップ密度４．８ｇ／ｃｍ３のＡｇ粉末３８０ｇを混合し、３本ローラーで混練して感光性導電ペーストを得た。
【００４９】
次に、スパッタリング法によりＩＴＯ膜を形成したカバーガラス（旭硝子製“Ｄｒａｇｏｎ  ｔｒａｉｌ”）の周辺部に加飾用黒色インク（（株）セイコーアドバンス製＃１０００に希釈剤、硬化剤、添加剤を加えて“あわとり錬太郎”（登録商標）ＡＲＥ−３１０（（株）シンキー製）で混合したもの）をスクリーン印刷し、通風オーブンで２００℃、１時間熱処理して加飾層を形成した。
【００５０】
続いて、加飾層の上にポリエステル製スクリーンメッシュを用いて上記感光性導電ペーストを印刷したのち、（株）デンコー製の面状遠赤外線加熱方式の乾燥炉を用いて９０℃で１０分間乾燥した。
【００５１】
乾燥後、ピッチ４０μｍ、線幅１６μｍのストライプ状パターンを有するフォトマスクを用いて露光した。露光は、露光機PEM-6M（ユニオン光学（株）製）を用いて露光量２００ｍＪ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）で行った。
【００５２】
露光後、３０℃に保持した炭酸ナトリウムの０．３質量％水溶液をシャワーで３０秒間かけることにより現像し、その後、シャワースプレーを用いて水洗浄し、光硬化していないスペース部分を除去してストライプ状のパターンを形成した。
【００５３】
最後に、（株）デンコー製の面状遠赤外線加熱方式の乾燥炉を用いて１５０℃で３０分間熱処理して導電パターンを形成した。
【００５４】
得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍで、残渣や剥がれはなく良好な微細配線であった。また、三菱化学製“ロレスタ”ＧＰを用いて表面抵抗を測定したところ、４１ｍΩ／□であった。
（実施例２）
感光性導電ペーストとして、湿式還元法により製造されたもので平均粒径１．１９μｍ、比表面積１．１２ｍ２／ｇ、タップ密度４．８ｇ／ｃｍ３のＡｇ粉末8
０ｇ、酸価＝８５、重量平均分子量＝３２，０００の感光性アクリルポリマー（東レ社製ＡＰＸ−７１６）２５ｇ、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート１０ｇ、ベンジル２．５ｇ、ベンゾインイソプロピルエーテル２ｇ、１，６−ヘキサンジオール−ビス［（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］０．０５ｇ、および３−メトキシ−３−メチルブタノール３０ｇを計量、撹拌後、３本ローラーで分散して得られたものを用いた以外は実施例１と同様に行った。
【００５５】
得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝１９μｍ／２１μｍで、残渣や剥がれはなく良好な微細配線であった。また、三菱化学製“ロレスタ”ＧＰを用いて表面抵抗を測定したところ、４３ｍΩ／□であった。
（実施例３）
加飾用黒色インクとして、帝国インキ製造のＭＲＸ−ＨＦを用いた以外は、実施例１と同様に行った。
【００５６】
得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍで、残渣や剥がれはなく良好な微細配線であった。また、三菱化学製“ロレスタ”ＧＰを用いて表面抵抗を測定したところ、４１ｍΩ／□であった。
（比較例１）
カバーガラス（旭硝子製“Ｄｒａｇｏｎ  ｔｒａｉｌ”）の周辺部に加飾用黒色インク（（株）セイコーアドバンス製＃１０００に希釈剤、硬化剤、添加剤を加えて“あわとり錬太郎”（登録商標）ＡＲＥ−３１０（（株）シンキー製）で混合したもの）をスクリーン印刷し、通風オーブンで２００℃、１時間熱処理して加飾層を形成した。
【００５７】
次に、加飾層の上にＭｏ−Ｎｂ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ−Ｎｄをそれぞれ１０００Å／１５００Å／１０００Åとなるように順次スパッタリング法で成膜した。次に、フォトレジスト（Ａｚマテリアルズ社製）を塗布、乾燥した後、ピッチ４０μｍ、線幅２０μｍのストライプ状パターンを有するフォトマスクを用いて露光した後、２．３８％のトリメチルアンモニウムハイドロオキサイドで現像した。続いて、燐酸／硝酸／酢酸／水酸化アンモニウム／水＝７５／３／５／３／１４（質量比）からなるエッチング液でエッチング後、ＮａＯＨでフォトレジストを剥離し、導電パターンを得た。
【００５８】
得られた導電パターンは、Ｌ／Ｓが、ほぼ２０μｍ／２０μｍであったが、断線部分が多く見られた。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明によれば、表面凹凸が大きい遮光層の上でも断線のない微細な引出配線を有するタッチパネルの製造方法を提供することができる