(57)【要約】【課題】新しいリペア処理の技術を用いた発光装置の製造方法を提供し、また、発光装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】この製造方法は、駆動基板上に、画素ごとに導通した第１電極層を形成することを含む。１つの前記画素に対応した複数のウィンドウを有するウィンドウ層が、前記第１電極層上に形成される。少なくとも前記複数のウィンドウ内に発光層が形成される。前記発光層上に第２電極層が形成される。前記複数のウィンドウのうち少なくとも１つの第１のウィンドウ内に異物が混入している場合に、次の処理が行われる。つまり、前記第１のウィンドウ内に設けられた前記発光層に接続された前記第１電極層の第１の領域が、前記第１電極層の第２の領域から分断してそれらを絶縁するように、前記第１電極層にレーザが照射される。前記第２の領域とは、前記複数のウィンドウのうち前記第１のウィンドウとは異なる少なくとも１つの第２のウィンドウ内に設けられた前記発光層に接続された前記第１電極層の領域である。【選択図】図２
2013206550.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動基板上に、画素ごとに導通した第１電極層を形成し、
１つの前記画素に対応した複数のウィンドウを有するウィンドウ層を、前記第１電極層上に形成し、
少なくとも前記複数のウィンドウ内に発光層を形成し、
前記発光層上に第２電極層を形成し、
前記複数のウィンドウのうち少なくとも１つの第１のウィンドウ内に異物が混入している場合、前記第１のウィンドウ内に設けられた前記発光層に接続された前記第１電極層の第１の領域を、前記複数のウィンドウのうち前記第１のウィンドウとは異なる少なくとも１つの第２のウィンドウ内に設けられた前記発光層に接続された前記第１電極層の第２の領域から分断してそれらを絶縁するように、前記第１電極層にレーザを照射する
発光装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第２電極層の形成後、前記レーザ照射の前に、前記第２電極層上に封止材を配置する工程をさらに具備する
発光装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置の製造方法であって、
前記レーザの照射工程では、前記駆動基板及び前記封止材のうち前記封止材側から、前記第１電極層にレーザが照射される
発光装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置の製造方法であって、
前記レーザの照射工程では、前記ウィンドウ層を介して前記第１電極層にレーザが照射される
発光装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置の製造方法であって、
前記ウィンドウ層の形成工程では、前記複数のウィンドウを区画するフレーム領域が形成され、
前記レーザの照射工程では、前記第１のウィンドウを囲むように、前記フレーム領域に沿って前記第１電極層にレーザが照射される
発光装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第１電極層の形成工程では、前記複数のウィンドウに対応してそれぞれ独立して設けられた複数の導電部と、前記複数の導電部同士を導通させる線部とが、前記第１電極層として形成され、
前記レーザの照射工程では、前記第１の電極層の前記線部が分断される
発光装置の製造方法。
【請求項７】
駆動回路を有する駆動基板と、
前記駆動回路と導通可能な第１の導電部と、前記第１の導電部と絶縁されるように分断された第２の導電部と、前記第１の導電部及び前記第２の導電部間の分断跡とを有し、画素ごとに前記駆動基板上に設けられた第１電極層と、
１つの前記画素に対応した複数のウィンドウを有し、前記第１電極層上に設けられたウィンドウ層と、
少なくとも前記複数のウィンドウ内に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２電極層と、
前記第２電極層上に設けられた封止材と
を具備する発光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置であって、
前記ウィンドウ層は、前記複数のウィンドウを区画するフレーム領域を有し、
前記第１電極層の前記分断跡は、前記フレーム領域に沿って設けられている
発光装置。
【請求項９】
請求項７に記載の発光装置であって、
前記第１電極層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との導通を目的として形成された、前記分断跡を持つ線部をさらに有する
発光装置。
【請求項１０】
駆動回路を有する駆動基板と、
前記駆動回路と導通可能な第１の導電部と、前記第１の導電部と絶縁されるように分断された第２の導電部と、前記第１の導電部及び前記第２の導電部間の分断跡とを有し、画素ごとに前記駆動基板上に設けられた第１電極層と、
１つの前記画素に対応した複数のウィンドウを有し、前記第１電極層上に設けられたウィンドウ層と、
少なくとも前記複数のウィンドウ内に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２電極層と、
前記第２電極層上に設けられた封止材と、を含む発光装置と、
画像を取得し、取得した画像の画像信号に応じて前記発光装置を駆動する駆動回路と
を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、主に有機ＥＬ（Electro-Luminescence）等の発光装置、その製造方法、及び、その発光装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載の有機ＥＬ装置は、画素電極上に配置された、隔壁、及び、画素電極を複数の領域に分割する分割層を備えている。画素電極上の有機層に異物が混入した場合、分割層に向けてレーザが照射される。この場合、異物が混入した領域を囲むように、分割層及び隔壁上に積層された有機層及び対向電極が除去される。これにより、除去された領域（溝）によって囲まれた対向電極には電位が供給されず、その領域は滅点領域となり、他の領域は、実質的に発光する領域となる（例えば、特許文献１の明細書段落[００５０]、図８及び９参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−３４８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
最近では、新しいリペア処理の技術を用いた、発光装置の製造方法の開発が要求されている。
【０００５】
本技術の目的は、新しいリペア処理の技術を用いた発光装置の製造方法を提供し、また、発光装置及びこれを備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本技術に係る発光装置の製造方法は、駆動基板上に、画素ごとに導通した第１電極層を形成することを含む。
１つの前記画素に対応した複数のウィンドウを有するウィンドウ層が、前記第１電極層上に形成される。
少なくとも前記複数のウィンドウ内に発光層が形成される。
前記発光層上に第２電極層が形成される。
前記複数のウィンドウのうち少なくとも１つの第１のウィンドウ内に異物が混入している場合に、次の処理が行われる。つまり、前記第１のウィンドウ内に設けられた前記発光層に接続された前記第１電極層の第１の領域が、前記第１電極層の第２の領域から分断からそれらを絶縁するように、前記第１電極層にレーザが照射される。前記第２の領域とは、前記複数のウィンドウのうち前記第１のウィンドウとは異なる少なくとも１つの第２のウィンドウ内に設けられた前記発光層に接続された前記第１電極層の領域である。
【０００７】
本技術では、第１電極層が分断されることにより、リペア処理が行われるため、新しいリペア処理が提供される。
【０００８】
前記発光装置の製造方法は、前記第２電極層の形成後、前記レーザ照射の前に、前記第２電極層上に封止材を配置する工程をさらに具備してもよい。
【０００９】
このように、封止材の配置工程後であっても、レーザ照射によるリペアを行うことができる。したがって、本技術は、封止材の配置工程前にレーザ照射によるリペアが行われる場合に比べ、製品の生産効率を高めることができる。
【００１０】
前記レーザの照射工程では、前記駆動基板及び前記封止材のうち前記封止材側から、前記第１電極層にレーザが照射されてもよい。
【００１１】
その場合、前記レーザの照射工程では、前記ウィンドウ層を介して前記第１電極層にレーザが照射されてもよい。これにより、レーザの照射時において、第１電極層の電極材料の吹き上がりの発生を抑制することができる。
【００１２】
前記ウィンドウ層の形成工程では、前記複数のウィンドウを区画するフレーム領域が形成され、前記レーザの照射工程では、前記第１のウィンドウを囲むように、前記フレーム領域に沿って前記第１電極層にレーザが照射されてもよい。これにより、１画素の発光面積中、滅点化する面積をできるだけ小さくすることができる。
【００１３】
前記第１電極層の形成工程では、前記複数のウィンドウに対応してそれぞれ独立して設けられた複数の導電部と、前記複数の導電部同士を導通させる線部とが、前記第１電極層として形成されてもよい。その場合、前記レーザの照射工程では、前記第１の電極層の前記線部が分断されてもよい。
【００１４】
これにより、レーザ照射の領域（距離）を少なくすることができる。その結果、レーザ照射による絶縁を容易及び確実にし、また、レーザ照射によるリペアの処理時間を短くすることができる。
【００１５】
本技術に係る発光装置は、駆動基板と、第１電極層と、ウィンドウ層と、発光層と、第２電極層と、封止材とを具備する。
前記駆動基板は、駆動回路を有する。
前記第１電極層は、前記駆動回路と導通可能な第１の導電部と、前記第１の導電部と絶縁されるように分断された第２の導電部と、前記第１の導電部及び前記第２の導電部間の分断跡とを有し、画素ごとに前記駆動基板上に設けられる。
前記ウィンドウ層は、前記第１電極層上に設けられ、１つの前記画素に対応した複数のウィンドウを有する。
前記発光層は、少なくとも前記複数のウィンドウ内に設けられる。
前記第２電極層は、前記発光層上に設けられる。
前記封止材は、前記第２電極層上に設けられる。
【００１６】
前記ウィンドウ層は、前記複数のウィンドウを区画するフレーム領域を有し、前記第１電極層の前記分断跡は、前記フレーム領域に沿って設けられてもよい。
【００１７】
前記第１電極層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との導通を目的として形成された、前記分断跡を持つ線部をさらに有してもよい。
本技術に係る電子機器は、上記の発光装置と、画像を取得し、取得した画像の画像信号に応じて前記発光装置を駆動する駆動回路とを具備する。
【発明の効果】
【００１８】
以上、本技術によれば、新しいリペア処理を提供することができる。。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本技術の第１の実施形態に係る発光装置として、有機ＥＬを利用した表示装置の１つの画素を示す平面図である。
【図２】図２は、図１におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図３は、レーザによる分断線を説明するための図である。
【図４】図３は、レーザによる分断跡が形成された表示装置の断面図である。
【図５】図５Ａは、第１電極層の「吹き上がり」が発生した様子を示す顕微鏡写真である。図５Ｂは、図５Ａ中、破線で囲まれた部分の拡大写真である。
【図６】図６Ａは、ウィンドウ層がある状態で、第１電極層にレーザが照射されて分断された様子を示す顕微鏡写真である。図６Ｂは、図６Ａ中、破線で囲まれた部分の拡大写真である。
【図７】図７は、本技術の第２の実施形態に係る表示装置の１つの画素を示す平面図である。
【図８】図８は、図７におけるＣ−Ｃ線断面図である。
【図９】図９は、第１電極層の線部が分断された状態を示す断面図である。
【図１０】図１０は、その分断跡を有する線部を示す斜視図である。
【図１１】図１１Ａ〜Ｄは、ウィンドウ層のウィンドウの形状の他の形態をそれぞれ示す平面図である。
【図１２】図１２は、複数の異物が混入した場合等の分断線を説明するための図である。
【図１３】図１３は、表示装置が電子機器に組み込まれる場合に、表示装置が適用されるモジュールを示す平面図である。
【図１４】図１４は、電子機器としてテレビジョン装置の外観を示す図である。
【図１５】図１５は、電子機器としてデジタルカメラの外観を示す図である。
【図１６】図１６は、電子機器としてノート型パーソナルコンピュータの外観を示す図である。
【図１７】図１７は、電子機器としてビデオカメラの外観を示す図である。
【図１８】図１８は、電子機器として携帯電話機の外観を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら、本技術の実施形態を説明する。
【００２１】
[第１の実施形態]
【００２２】
図１は、本技術の第１の実施形態に係る発光装置として、有機ＥＬを利用した表示装置の１つの画素を示す平面図である。図２は、図１におけるＡ−Ａ線断面図である。図１は、図２におけるＢ−Ｂ線断面で示される。図１及び２では、異物Ｐが混入した状態の表示装置１００が示されている。
【００２３】
「１つの画素」とは、この表示装置１００がカラー表示方式を採用する場合、１つのカラーに対応するサブ画素を意味する。
【００２４】
この表示装置１００は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。図２に示すように、表示装置１００は、基板１１、基板１１上に形成された駆動層であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）層１２、及び、このＴＦＴ層１２上に形成された平坦化層１３を備える。基板１１及びＴＦＴ層１２により駆動基板１０が構成される。あるいは、基板１１、ＴＦＴ層１２及び平坦化層１３により駆動基板１０が構成されてもよい。
【００２５】
ＴＦＴ層１２には、図示しないＴＦＴを有する駆動回路が設けられている。平坦化層１３は、主に層間絶縁膜により形成され、また、図示しないコンタクトプラグ等を有する。
【００２６】
表示装置１００は、平坦化層１３上に形成された第１電極層（アノード）２１、第１電極層２１上に形成されたウィンドウ層２０を備える。また、表示装置１００は、第１電極層２１及びウィンドウ層２０上に形成された電界発光層である有機層２３、及び、有機層２３上に形成された第２電極層（カソード）２２を有する。
【００２７】
第１電極層２１は、１つの画素ごとに導通するように形成されている。図１に示すように、第１電極層２１は、コンタクトホール２１ａと、コンタクトホール２１ａ内に形成された導電材料とを有する。導電材料は、上記平坦化層１３に設けられた図示しないコンタクトプラグに導通するように接続されている。
【００２８】
ウィンドウ層２０は、画素ごとに複数のウィンドウ２０ａ、本実施形態では例えば４つのウィンドウ２０ａを有する。これらウィンドウ２０ａは、各層の積層方向に、このウィンドウ層２０を貫通して設けられている。また、ウィンドウ層２０は、これらウィンドウ２０ａを形作るフレーム領域２０ｂを有する。本実施形態では、概略四角形状のウィンドウ２０ａがマトリクス状に配置されるように、フレーム領域２０ｂが形成されている。
【００２９】
有機層２３は、典型的には、第１電極層２１側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層が順に積層されて、構成されている。発光層は、赤、緑及び青（ＲＧＢ）の３色のうち、１画素で１つの色の光を発する領域を有する。
【００３０】
有機層２３は、第１電極層２１に接続されるように、少なくともウィンドウ層２０のウィンドウ２０ａ内における第１電極層２１上に設けられていればよい。しかし、この表示装置１００の製造を容易にするために、ウィンドウ２０ａ内の有機層２３と連続するように、フレーム領域２０ｂ上にも有機層２３が形成されている。
【００３１】
第２電極層２２は共通電極として機能する。
【００３２】
表示装置１００は、この第２電極層２２上に配置された封止材１６を備える。封止材１６は、例えば、第１封止材としての封止樹脂層１４と、第２封止材としての封止基板１５とを含む概念である。封止樹脂層１４及び封止基板１５の間には、カラーフィルタ層１９が設けられている。
【００３３】
カラーフィルタ層１９は、画素ごとに、それらの画素に対応するようにＲＧＢのカラーフィルタ１７と、それらカラーフィルタ１７の領域を区画するブラックマトリクス１８とを有する。
【００３４】
表示装置１００が備える各層（ＴＦＴ層１２〜封止樹脂層１４）の成膜は、大気圧蒸着、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）またはＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）による公知の成膜技術を用いて行われる。また、それら各層のパターニングは、フォトリソグラフィ及びエッチング等の公知のパターニング技術により形成されればよい。
【００３５】
ウィンドウ層２０及びそのウィンドウ２０ａも、典型的には、上記の成膜技術及びパターニング技術により形成される。
【００３６】
カラーフィルタ層１９は、フォトリソグラフィ及びエッチングによるパターニング技術により形成されてもよいし、それ以外にも、マスク蒸着、インクジェット印刷、あるいはスクリーン印刷等の技術により形成されてもよい。
【００３７】
カラーフィルタ層１９が形成された後、駆動基板１０からカラーフィルタ層１９までを備える処理対象デバイスに、封止基板１５が装着される。封止基板１５による封止（装着）工程は、処理対象デバイスに含まれる余分な空気や水分を除去するため、典型的には真空中で行われる。
あるいは、他の実施形態に係る製造工程として、カラーフィルタ層１９が封止基板１５に形成された後、その封止基板１５側のデバイスと、例えば封止樹脂層１４まで形成された駆動基板１０側のデバイスとを貼り合わせてもよい。その場合、封止基板１５上に図示しない接着層が形成され、その接着層上にカラーフィルタ層１９が形成されてもよい。
【００３８】
以上のように構成された表示装置１００のリペア処理について説明する。
【００３９】
本実施形態に係るリペア処理は、典型的には、封止基板１５による封止工程後に行われる。例えば、表示装置１００が、図１及び２に示すように、ウィンドウ２０ａ内に異物Ｐが混入し、第１電極層２１及び第２電極層２２がショートしている、あるいはショートの可能性が高い状態にあるとする。このようなショート状態では、有機層２３は、１画素全体で発光しなくなる。
【００４０】
そこで図示しないリペア装置は、図３に示すようにレーザを一点鎖線Ｓに沿って照射する。一点鎖線Ｓはウィンドウ層２０のフレーム領域２０ｂに沿った線である。すなわちリペア装置は、４つのウィンドウ２０ａのうち異物Ｐが混入したウィンドウ（第１のウィンドウ）内における有機層２３下の第１電極層２１の部分（第１の領域）を、第１電極層２１の他の部分（第２の領域）から分断してそれらを絶縁するように、第１電極層２１にレーザを照射する。
【００４１】
上記第１の電極層２１の他の部分とは、異物Ｐが混入したウィンドウ２０ａとは異なるウィンドウ（第２のウィンドウ（群））内に設けられた有機層２３下の第１電極層２１の部分である。
【００４２】
本実施形態では、駆動基板１０及び封止基板１５のうち、封止基板１５側からレーザを照射する方法（以下、トップ側照射という。）、及び、駆動基板１０側からレーザを照射する方法（以下、ボトム側照射）の２つの方法がある。
【００４３】
トップ側照射が選択される場合、リペア装置は、封止基板１５、カラーフィルタ１７、封止樹脂層１４、有機層２３及びウィンドウ層２０のフレーム領域２０ｂを介して、第１電極層２１にレーザを照射する。封止基板１５、カラーフィルタ１７、封止樹脂層１４、有機層２３及びウィンドウ層２０のフレーム領域２０ｂは、後述するように、特定波長領域を有するレーザを透過する材料により構成される。第１電極層２１は、その特定波長領域のレーザを吸収する。これにより、図４に示すように、第１電極層２１が分断され、分断跡（空間）Ｋが形成される。
【００４４】
ボトム側照射が選択される場合、リペア装置は、基板１１、ＴＦＴ層１２及び平坦化層１３を介して、第１電極層２１にレーザを照射する。これら、基板１１、ＴＦＴ層１２及び平坦化層１３は、後述するように、特定波長領域を有するレーザを透過する材料により構成される。第１電極層２１は、その特定波長領域のレーザを吸収する。これにより、上記トップ側照射の場合と同様、第１電極層２１が分断され、分断跡（空間）Ｋが形成される。
【００４５】
このようなリペア処理により、４つのウィンドウ２０ａのうち、異物Ｐが混入したウィンドウにのみ対応する第１電極層２１の領域が、残りの３つのウィンドウ２０ａに対応する第１電極の領域から絶縁される。したがって、それら３つのウィンドウ２０ａに対応する第１電極層２１の機能は正常に保たれる。その結果、それら３つのウィンドウ２０ａに対応する有機層２３の発光機能は残される。
【００４６】
第１電極層２１が分断されることで、複数の導電部（第１の導電部及び第２の導電部）が形成される。つまり、一の導電部（第１の導電部）が、異物Ｐがない３つのウィンドウ２０ａに対応する導電部であり、他の導電部（第２の導電部）が、異物Ｐが混入したウィンドウ２０ａに対応する導電部である。
【００４７】
以上のように、本技術は、上記特許文献１のように第２電極層を分断せずに、第１電極層２１を分断することができ、新しいリペア処理を提供することができる。リペア処理により、生産の歩留まりが向上する。
【００４８】
特に、本実施形態によれば、封止基板１５の配置工程の後にリペア処理を行うことができる。したがって、封止材１６の配置工程前にレーザ照射によるリペアが行われる場合に比べ、表示装置１００の生産効率を高めることができる。
【００４９】
具体的には、ＴＦＴ層１２〜封止基板１５までの形成工程は、真空中で形成される工程が多いので、できるだけ、真空中と大気圧中との間における処理対象デバイスの移動回数を少なくしたい。これは、その移動回数が多いと、生産効率が悪く、真空環境を作るためのエネルギーやコストが増えるからである。
【００５０】
例えば、表示装置１００の製造途中で、異物Ｐによるショート欠陥を排除するためのリペア処理を行うとなると、真空及び大気圧の間での処理対象デバイスの移動回数が増える。例えば全層のうち途中の層（例えば有機層２３または封止樹脂層１４）まで形成した後に、リペア処理を行い、その後、再度真空中に処理対象デバイスを戻してカラーフィルタ層１９及び封止基板１５を形成する場合、真空及び大気圧の間での基板１１の移動回数が増える。
【００５１】
レーザによるリペア処理が大気圧中で行われるとすると、封止基板１５の封止後にリペア処理される方が、その処理対象デバイスの、真空及び大気圧の間での基板１１の移動回数を減らすことができる。これにより、表示装置１００の生産効率を高めることができる。
【００５２】
また、特にトップ側照射によるリペア処理によれば、封止材１６側から、ウィンドウ層２０（のフレーム領域２０ｂ）を介して、レーザが第１電極層２１に照射されるため、第１電極層２１の「吹き上がり」の発生を抑制することができる。
【００５３】
図５Ａは、その第１電極層の「吹き上がり」が発生した様子を示す顕微鏡写真である。図５Ｂは、図５Ａ中、破線Ｅで囲まれた部分の拡大写真である。
【００５４】
図５Ａに示すデバイスは、ガラス基板１１１、ALNdの第１電極層１２１、有機層１２３、及び、第２電極層（この実験では、Ptの保護層とした）１２２を備える。本技術のようなウィンドウ層２０がない状態で、第１電極層１２１がレーザに照射されて分断されると、空洞Ｋ’が発生する。その空洞Ｋ’の周囲では、第１電極層１２１が有機層１２３を超えて弾き飛ばされ、弾き飛ばされた一部がその有機層１２３の上層である第２電極層１２２まで達している。この状態は、ショートが起こる状態、あるいは起こる可能性が高い状態である。この吹き上がりの発生率は、レーザの出力にも起因する。
【００５５】
一方、図６Ａは、本技術のようにウィンドウ層１２０がある状態で、ウィンドウ層１２０の材料を介して第１電極層１２１にレーザが照射されて分断された様子を示す顕微鏡写真である。図６Ｂは、図６Ａ中、破線Ｅで囲まれた部分の拡大写真である。このように、本技術では、吹き上がりの発生がなく、きれいに第１電極層１２１が分断されている。第１電極層１２１には分断跡１２１ｂが示されている。すなわち、確実に、図２及び４における第１電極層２１及び第２電極層２２のショート欠陥を除去することができる。
【００５６】
[第２の実施形態]
【００５７】
図７は、本技術の第２の実施形態に係る表示装置の１つの画素を示す平面図である。図８は、図７におけるＣ−Ｃ線断面図である。これ以降の説明では、上記第１の実施形態に係る表示装置１００が含む部材や機能等について同様のものは説明を簡略化または省略し、異なる点を中心に説明する。
【００５８】
本実施形態に係る表示装置２００は、上記実施形態に係る表示装置１００と同様に、１つの画素内で、複数のウィンドウ４０ａを有するウィンドウ層４０を備える。ウィンドウ層４０は、１つの画素内で長方形状の２つのウィンドウ４０ａを有する。
【００５９】
表示装置２００の第１電極層４１は、この複数のウィンドウ４０ａに対応したそれぞれ独立して設けられた複数の導電部４１ｂと、これら導電部４１ｂ同士を導通させる線部４１ｃとを有する。線部４１ｃは、コンタクトホール４１ａ（図７参照）を介して平坦化層１３に設けられた図示しないコンタクトプラグに接続されている。
【００６０】
図８に示すように、積層方向での各層の配置は、上記第１の実施形態に係る表示装置１００と同様である。
【００６１】
図７に示すように、例えば１つのウィンドウ４０ａ内に異物Ｐが混入し、第１電極層４１及び第２電極層２２がショートした状態（図２参照）が発生したとする。この場合、リペア装置は、一点鎖線Ｓに沿って、つまり、線部４１ｃの長手方向を横切るように線部４１ｃにレーザを照射して分断する。これにより、第１電極層４１の導電部４１ｂ同士が絶縁される。
【００６２】
図９は、線部４１ｃが分断された状態を示す断面図であり、図１０は、その分断跡Ｋを有する線部４１ｃを示す斜視図である。図９に示すように、トップ側照射及びボトム側照射のどちらでもよい。
【００６３】
本実施形態では、導電部４１ｂ同士を接続する線部４１ｃの長手方向を横切るように、線部４１ｃが分断されるため、レーザ照射の距離を少なくすることができる。その結果、レーザ照射による絶縁を容易及び確実にし、また、レーザ照射によるリペアの処理時間を短くすることができる。
【００６４】
[第３の実施形態]
【００６５】
図１１Ａ〜Ｄは、ウィンドウ層のウィンドウの形状の他の形態をそれぞれ示す平面図である。図１１Ａ〜Ｄに示すこれらの表示装置の第１電極層は、画素ごとに１つずつ設けられており、これらの表示装置は、上記第１の実施形態に係る表示装置のタイプに分類される。
【００６６】
図１１Ａに示すウィンドウ層６０は、縦方向に３つ、及び、横方向に２つのウィンドウ６０ａを有する。
【００６７】
図１１Ｂに示すウィンドウ層６５は、縦方向に３つの、横長のウィンドウ６５ａを有する。
【００６８】
図１１Ｃに示すウィンドウ層７０は、縦方向に三角形の４つのウィンドウ７０ａを有する。それら三角形の向きは、それら三角形が極力密に配置されるような向きとなっている。
【００６９】
図１１Ｄに示すウィンドウ層７５は、横方向に２つの、縦長のウィンドウ７５ａを有する。
【００７０】
なお、図１１Ａ〜Ｄに示したウィンドウ形状を有するウィンドウ層が、上記第２の実施形態に係る表示装置２００のように、画素ごとに複数の導電部が設けられるタイプの表示装置に適用されてもよい。
【００７１】
[表示装置を構成する要素がそれぞれ取り得る材料]
【００７２】
以下、上記実施形態のすべてにおいて、本技術に係る表示装置を構成する要素（各層）がそれぞれ取り得る材料の例を挙げる。
【００７３】
「基板１１」：ガラス、石英、金属箔、シリコン、またはプラスチック
「ＴＦＴ層１２」：ＴＦＴ層１２内においてレーザが照射され得る部分（ボトム側照射の場合）には、構造体は特に形成されていないので、ここでは材料名を省略する。リペア用のレーザの照射範囲は、半径10μm〜20μmであり、その半径内には構造体が形成されていない。なお、ＴＦＴ層内の絶縁部分は、下記平坦化１３の材料と同じでよい。
「平坦化層１３」：有機絶縁膜（例えば有機ポリイミド、アクリル系樹脂、またはノボラック系樹脂）、または、無機絶縁膜（例えばSiOx、SiNx及びSiONのうちの少なくとも１種を含む単層膜あるいは積層膜）
「第１電極層２１、４１」：導電材料全般（例えば、MgAg、AlNd等が挙げられる。あるいは、MoとAl（またはAlNd）との積層構造、あるいは、TiとAl又はAlNdの積層構造でもよい。）
「第２電極層２２」：導電材料全般（例えばMgAg、AlNd、ITO、またはIZO等が挙げられる。そのほか、Mg、Ca、Na、もしくはMgAg合金でもよいし、LiF等、アルカリ金属とハロゲン化物の２層で構成されてもよい。）
「有機層２３」：
＜赤色発光層＞：例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（DPVBi）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（BSN）を混合した材料
＜緑色発光層＞：例えばADNやDPVBiにクマリン６を混合した材料
＜青色発光層＞：例えばDPVBiに４，４'−ビス［２−｛４−（N，N−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（DPVBi）を混合した材料
「ウィンドウ層２０、４０等」：アクリル、または、上記平坦化層１３と同じ材料
「封止樹脂層１４」：無機アモルファス性の絶縁性材料（例えばアモルファスシリコン（a-Si）、アモルファス炭化シリコン（a-SiC）、アモルファス窒化シリコン（a-Si1-xNx）、アモルファスカーボン（a-C））
「カラーフィルタ１７」：上記封止樹脂層の材料と同じ
「封止基板１５」：ガラス、石英、金属箔、シリコン、またはプラスチック
【００７４】
以下では、「トップ側照射」及び「ボトム側照射」によるリペア処理に適した材料例を挙げる。
【００７５】
（トップ側照射に適した例）
「第１電極層２１、４１」  ：Al、またはAlNdの単層構造
「第２電極層２２」        ：ITOまたはIZO
「リペア用のレーザ」      ：波長800nm〜1064nm、出力5μW〜80μＷ（これらの範囲は、カラーフィルタを介してリペア処理が行われる場合の範囲を示している。）
有機層２３、ウィンドウ層２０、樹脂封止層１４、カラーフィルタ１７及び封止基板１５は、それぞれ上記した材料と同じである。
【００７６】
（ボトム側照射に適した例）
「ＴＦＴ層１２」          ：アモルファスシリコン、ポリシリコン等に使用される一般的な材料でよい。
「平坦化層１３」          ：有機絶縁膜（例えば有機ポリイミド、アクリル系樹脂、またはノボラック系樹脂）、または、無機絶縁膜（例えばSiOx、SiNx及びSiONのうちの少なくとも１種を含む単層膜あるいは積層膜）（ただし、ノボラック系樹脂を除く）
「第１電極層２１」        ：MoとAl（またはAlNd）との積層構造、TiとAl（またはAlNd）との積層構造
「リペア用のレーザの波長」：波長355nm〜1064nm、出力5μW〜80μＷ
基板１１（ボトム側基板）は、上記した材料と同じである。
【００７７】
[電子機器の実施形態]
【００７８】
以下、上述した各実施形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施形態に係る表示装置は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、あるいはビデオカメラなどの電子機器に適用され得る。この電子機器は、画像（静止画及び動画を含む）を取得し、その画像信号（映像信号ともいう）に応じてその表示装置を駆動する、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。電子機器は、画像を外部から受信すること、及び、その画像を生成することでのうち少なくとも一方を行うことにより、画像を取得可能である。
【００７９】
（モジュール）
上記実施形態に係る表示装置は、例えば、図１３に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。符号１１０は、上記表示装置１００による構成される表示領域である。このモジュールは、例えば、駆動基板１１の一辺に、封止基板１５から露出した領域２１０を有する。この領域２１０に、駆動回路（信号線駆動回路１２０及び走査線駆動回路１３０）の配線が延長されることで外部接続端子（図示せず）が形成される。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００８０】
信号線駆動回路１２０は、図示しない信号供給源から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線を介して選択された、画素ごとに設けられた有機発光要素に供給する。この有機発光要素が、上記した各実施形態に係る表示装置に対応する。
【００８１】
走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、有機発光要素への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線に走査信号を順次供給する。
【００８２】
（適用例１）
図１４は、電子機器としてテレビジョン装置の外観を表す。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００８３】
（適用例２）
図１５は、電子機器としてデジタルカメラの外観を表す。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００８４】
（適用例３）
図１６は、電子機器としてノート型パーソナルコンピュータの外観を表す。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０、文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００８５】
（適用例４）
図１７は、電子機器としてビデオカメラの外観を表す。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０、この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００８６】
（適用例５）
図１８は、電子機器として携帯電話機の外観を表す。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０、サブディスプレイ７５０、ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００８７】
[その他の実施形態]
【００８８】
本技術は、以上説明した実施形態に限定されず、他の種々の実施形態を実現することができる。
【００８９】
上記実施形態では、１つのウィンドウ内に異物Ｐが混入する例を説明した。そのほか、図１２Ａ〜Ｃにそれぞれ示すように、異物Ｐが混入した場合でも、一点鎖線Ｓで示すように、第１電極層２１が分断されればよい。
【００９０】
図１２Ｃで示される表示装置では、異物Ｐが２つのウィンドウ２０ａにまたがって混入している。また、図１２Ｃの場合、コンタクトホール２１ａから遠い側の２つのウィンドウ２０ａに対応する第１電極層２１と、当該コンタクトホール２１ａ内の導電部材との導通が残されるように、第１電極層２１が分断される。
【００９１】
上記実施形態に係る表示装置である発光装置は、有機層として有機ＥＬを用いたが、無機ＥＬを利用してもよい。
【００９２】
上記実施形態では、封止基板１５が装着された後にリペア処理が行われた。しかし、封止樹脂層１４が形成される前に、第２電極層２２側からのレーザ照射によるリペア処理が行われてもよい。あるいは、封止樹脂層１４が形成された後、カラーフィルタ層１９が形成される前に、封止樹脂層１４側からのレーザ照射によるリペア処理が行われてもよい。
【００９３】
以上説明した各形態の特徴部分のうち、少なくとも２つの特徴部分を組み合わせることも可能である。
【００９４】
本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）駆動基板上に、画素ごとに導通した第１電極層を形成し、
１つの前記画素に対応した複数のウィンドウを有するウィンドウ層を、前記第１電極層上に形成し、
少なくとも前記複数のウィンドウ内に発光層を形成し、
前記発光層上に第２電極層を形成し、
前記複数のウィンドウのうち少なくとも１つの第１のウィンドウ内に異物が混入している場合、前記第１のウィンドウ内に設けられた前記発光層に接続された前記第１電極層の第１の領域を、前記複数のウィンドウのうち前記第１のウィンドウとは異なる少なくとも１つの第２のウィンドウ内に設けられた前記発光層に接続された前記第１電極層の第２の領域から分断してそれらを絶縁するように、前記第１電極層にレーザを照射する
発光装置の製造方法。
（２）（１）に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第２電極層の形成後、前記レーザ照射の前に、前記第２電極層上に封止材を配置する工程をさらに具備する
発光装置の製造方法。
（３）（２）に記載の発光装置の製造方法であって、
前記レーザの照射工程では、前記駆動基板及び前記封止材のうち前記封止材側から、前記第１電極層にレーザが照射される
発光装置の製造方法。
（４）（３）に記載の発光装置の製造方法であって、
前記レーザの照射工程では、前記ウィンドウ層を介して前記第１電極層にレーザが照射される
発光装置の製造方法。
（５）（４）に記載の発光装置の製造方法であって、
前記ウィンドウ層の形成工程では、前記複数のウィンドウを区画するフレーム領域が形成され、
前記レーザの照射工程では、前記第１のウィンドウを囲むように、前記フレーム領域に沿って前記第１電極層にレーザが照射される
発光装置の製造方法。
（６）（４）に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第１電極層の形成工程では、前記複数のウィンドウに対応してそれぞれ独立して設けられた複数の導電部と、前記複数の導電部同士を導通させる線部とが、前記第１電極層として形成され、
前記レーザの照射工程では、前記第１の電極層の前記線部が分断される
発光装置の製造方法。
（７）駆動回路を有する駆動基板と、
前記駆動回路と導通可能な第１の導電部と、前記第１の導電部と絶縁されるように分断された第２の導電部と、前記第１の導電部及び前記第２の導電部間の分断跡とを有し、画素ごとに前記駆動基板上に設けられた第１電極層と、
１つの前記画素に対応した複数のウィンドウを有し、前記第１電極層上に設けられたウィンドウ層と、
少なくとも前記複数のウィンドウ内に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２電極層と、
前記第２電極層上に設けられた封止材と
を具備する発光装置。
（８）（７）に記載の発光装置であって、
前記ウィンドウ層は、前記複数のウィンドウを区画するフレーム領域を有し、
前記第１電極層の前記分断跡は、前記フレーム領域に沿って設けられている
発光装置。
（９）（７）に記載の発光装置であって、
前記第１電極層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との導通を目的として形成された、前記分断跡を持つ線部をさらに有する
発光装置。
（１０）駆動回路を有する駆動基板と、
前記駆動回路と導通可能な第１の導電部と、前記第１の導電部と絶縁されるように分断された第２の導電部と、前記第１の導電部及び前記第２の導電部間の分断跡とを有し、画素ごとに前記駆動基板上に設けられた第１電極層と、
１つの前記画素に対応した複数のウィンドウを有し、前記第１電極層上に設けられたウィンドウ層と、
少なくとも前記複数のウィンドウ内に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２電極層と、
前記第２電極層上に設けられた封止材と、を含む発光装置と、
画像を取得し、取得した画像の画像信号に応じて前記発光装置を駆動する駆動回路と
を具備する電子機器。
【符号の説明】
【００９５】
１０…駆動基板
１２…ＴＦＴ層
１４…封止樹脂層
１５…封止基板
１６…封止材
１７…カラーフィルタ
１９…カラーフィルタ層
２０、４０、６０、６５、７０、７５…ウィンドウ層
２０ａ、４０ａ、６０ａ、６５ａ、７０ａ、７５ａ…ウィンドウ
２０ｂ…フレーム領域
２１、４１…第１電極層
２２…第２電極層
２３…有機層
４１ｂ…導電部
４１ｃ…線部
１００、２００…表示装置
【図１】
2013206550.tif 000003
【図２】
2013206550.tif 000004
【図３】
2013206550.tif 000005
【図４】
2013206550.tif 000006
【図７】
2013206550.tif 000007
【図８】
2013206550.tif 000008
【図９】
2013206550.tif 000009
【図１０】
2013206550.tif 000010
【図１１】
2013206550.tif 000011
【図１２】
2013206550.tif 000012
【図１３】
2013206550.tif 000013
【図１４】
2013206550.tif 000014
【図１５】
2013206550.tif 000015
【図１６】
2013206550.tif 000016
【図１７】
2013206550.tif 000017
【図１８】
2013206550.tif 000018
【図５】
2013206550.tif 000019
【図６】
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