(57)【要約】【課題】チャネル幅の変動を抑えることが可能な薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】ゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられると共に前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有する酸化物半導体層と、前記ゲート絶縁膜および前記酸化物半導体層の上に設けられたチャネル保護層と、前記チャネル保護層に設けられた接続孔を介して前記酸化物半導体層に接続されたソース・ドレイン電極とを備え、前記酸化物半導体層は、前記チャネル領域の一部に、前記接続孔よりも幅の狭い狭幅領域を有する薄膜トランジスタ。【選択図】図４
2013161895.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられると共に前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有する酸化物半導体層と、
前記ゲート絶縁膜および前記酸化物半導体層の上に設けられたチャネル保護層と、
前記チャネル保護層に設けられた接続孔を介して前記酸化物半導体層に接続されたソース・ドレイン電極と
を備え、
前記酸化物半導体層は、前記チャネル領域の一部に、前記接続孔よりも幅の狭い狭幅領域を有する
薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記酸化物半導体層は、前記狭幅領域以外の広幅領域の一つ以上の角または辺に、前記ソース・ドレイン電極よりもはみ出したはみ出し部分を有する
請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記はみ出し部分は、前記広幅領域の、前記狭幅領域を囲む四つの角に設けられている
請求項２記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記はみ出し部分は、前記広幅領域の、チャネル幅方向に対向する辺の少なくとも一方に設けられている
請求項２記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記酸化物半導体層は、前記接続孔の一部に、前記チャネル保護層および前記ソース・ドレイン電極から露出した露出部分を有する
請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
表示素子と、前記表示素子を駆動する薄膜トランジスタとを備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられると共に前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有する酸化物半導体層と、
前記ゲート絶縁膜および前記酸化物半導体層の上に設けられたチャネル保護層と、
前記チャネル保護層に設けられた接続孔を介して前記酸化物半導体層に接続されたソース・ドレイン電極と
を備え、
前記酸化物半導体層は、前記チャネル領域の一部に、前記接続孔よりも幅の狭い狭幅領域を有する
表示装置。
【請求項７】
表示素子と、前記表示素子を駆動する薄膜トランジスタとを有する表示装置を備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられると共に前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有する酸化物半導体層と、
前記ゲート絶縁膜および前記酸化物半導体層の上に設けられたチャネル保護層と、
前記チャネル保護層に設けられた接続孔を介して前記酸化物半導体層に接続されたソース・ドレイン電極と
を備え、
前記酸化物半導体層は、前記チャネル領域の一部に、前記接続孔よりも幅の狭い狭幅領域を有する
薄膜トランジスタ。
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタを有する表示装置、およびこの表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
亜鉛、インジウム、ガリウム、スズ、あるいはそれらの混合物の酸化物（以下「酸化物半導体」）は優れた半導体特性を示すことが知られており、近年ではアクティブマトリクス型ディスプレイの駆動素子として薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」）への応用が盛んに研究されている。例えば、亜鉛、インジウム、ガリウムからなる混合酸化物（以下「ＩＧＺＯ」）は、従来半導体として使用されてきたアモルファスシリコンの１０倍以上の電子移動度を示すため、大画面・高精細・高フレームレートの液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ向け応用が渇望されている。
【０００３】
ボトムゲート型ＴＦＴの形成においては、チャネル保護層を酸化物半導体層の全面に形成し、チャネル保護層に設けた接続孔（コンタクトホール）を介してソース・ドレイン電極を酸化物半導体層に接続することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。このようにすることにより、ＴＦＴ形成プロセス中に酸化物半導体層をチャネル保護膜で保護しつつマスク数少なくＴＦＴを形成することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１３５４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された方法では、チャネル保護層に設けた接続孔の幅によりチャネル幅（Ｗ）が決定されるので、チャネル保護層のエッチングばらつきによりチャネル幅が変動するおそれがあり、未だ改善の余地があった。
【０００６】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、チャネル幅の変動を抑えることが可能な薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタを備えた表示装置、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示による薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられると共にゲート電極に対向してチャネル領域を有する酸化物半導体層と、ゲート絶縁膜および酸化物半導体層の上に設けられたチャネル保護層と、チャネル保護層に設けられた接続孔を介して酸化物半導体層に接続されたソース・ドレイン電極とを備え、酸化物半導体層は、チャネル領域の一部に、接続孔よりも幅の狭い狭幅領域を有するものである。
【０００８】
ここに「幅」とは、チャネル幅方向の寸法をいう。チャネル幅方向は、チャネル長（ソース・ドレイン電極間の距離）方向に直交する方向をいう。
【０００９】
本開示の薄膜トランジスタでは、酸化物半導体層のチャネル領域の一部に、接続孔よりも幅の狭い狭幅領域が設けられているので、チャネル幅（Ｗ）は狭幅領域の幅により決定される。よって、チャネル保護層のエッチングばらつきにより接続孔の幅がばらついた場合でも、チャネル幅の変動が抑えられる。
【００１０】
本開示の表示装置は、表示素子と、前記表示素子を駆動する薄膜トランジスタとを備え、薄膜トランジスタは上記本開示の薄膜トランジスタにより構成されているものである。
【００１１】
本開示の表示装置では、チャネル幅の変動が抑えられた上記本開示の薄膜トランジスタにより表示素子が駆動される。よって、チャネル幅の変動に起因するトランジスタ特性のばらつきが小さくなり、輝度むら等の表示品質の低下が抑えられる。
【００１２】
本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。
【００１３】
本開示の電子機器では、上記本開示の表示装置により表示動作がなされる。
【発明の効果】
【００１４】
本開示の薄膜トランジスタによれば、酸化物半導体層のチャネル領域の一部に、接続孔よりも幅の狭い狭幅領域を設けるようにしたので、チャネル保護層のエッチングばらつきに起因するチャネル幅の変動を抑えることが可能となる。よって、この薄膜トランジスタを用いて表示装置または電子機器を構成すれば、チャネル幅の変動による特性ばらつきの少ない薄膜トランジスタにより、高品質な表示が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。
【図３】図２に示したＴＦＴの構成を表す断面図である。
【図４】図３に示したＴＦＴの構成を表す平面図である。
【図５】図４に示した酸化物半導体層と接続孔とを抜粋して表す平面図である。
【図６】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図７】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す図である。
【図９】図８に続く工程を表す図である。
【図１０】従来の薄膜トランジスタの問題点を説明するための平面図である。
【図１１】変形例１に係る薄膜トランジスタの構成を表す平面図である。
【図１２】変形例２に係る薄膜トランジスタの構成を表す平面図である。
【図１３】変形例３に係る薄膜トランジスタの構成を表す平面図である。
【図１４】変形例４に係る薄膜トランジスタの構成を表す平面図である。
【図１５】本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図１６】図１５に示した画素の等価回路を表す図である。
【図１７】図１５に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図１８】本開示の第３の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１９】図１８に示した駆動基板の構成を表す平面図である。
【図２０】図１９に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図２１】図１８に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図２２】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２３】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２４】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図２５】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２６】（Ａ）は適用例４の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２７】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図２８】適用例６の外観を表す斜視図である。
【図２９】（Ａ）は適用例７の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（有機ＥＬ表示装置；チャネル領域の一部に狭幅領域を設けると共に、酸化物半導体層の角をソース・ドレイン電極からはみ出させた例）
２．変形例１（酸化物半導体層のチャネル幅方向に対向する二辺の両方をソース・ドレイン電極からはみ出させた例）
３．変形例２（酸化物半導体層のチャネル幅方向に対向する二辺の一方をソース・ドレイン電極からはみ出させた例）
３．変形例３（酸化物半導体層を、接続孔の一部において、チャネル保護層およびソース・ドレイン電極から露出させた例）
４．変形例４（変形例１，３を組み合わせた例）
５．第２の実施の形態（液晶表示装置）
６．第３の実施の形態（電子ペーパー表示装置）
７．適用例（モジュール，電子機器）
【００１７】
（第１の実施の形態）
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、後述するＴＦＴ基板１に、表示素子として後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂよりなる画素ＰＸＬＣがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が設けられている。表示領域１１０の周辺には、信号部である水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１２１と、スキャナ部であるライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１３１および電源スキャナ（ＤＳＣＮ）１３２とが配置されている。
【００１８】
表示領域１１０において、列方向には信号線ＤＴＬ１０１〜１０ｎが配置され、行方向には走査線ＷＳＬ１０１〜１０ｍおよび電源ラインＤＳＬ１０１〜１０ｍが配置されている。各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬとの交差点に、有機発光素子ＰＸＬＣ（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル））を含む画素回路１４０が設けられている。各信号線ＤＴＬは、水平セレクタ１２１に接続され、この水平セレクタ１２１から信号線ＤＴＬに映像信号が供給される。各走査線ＷＳＬは、ライトスキャナ１３１に接続されている。各電源ラインＤＳＬは、電源ラインスキャナ１３２に接続されている。
【００１９】
図２は、画素回路１４０の一例を表したものである。画素回路１４０は、サンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トランジスタ３Ｂと、保持容量３Ｃと、有機発光素子ＰＸＬＣよりなる発光素子３Ｄとを有するアクティブ型の駆動回路である。サンプリング用トランジスタ３Ａは、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬ１０１に接続され、そのソースおよびドレインの一方が対応する信号線ＤＴＬ１０１に接続され、他方が駆動用トランジスタ３Ｂのゲートｇに接続されている。駆動用トランジスタ３Ｂは、そのドレインｄが対応する電源線ＤＳＬ１０１に接続され、ソースｓが発光素子３Ｄのアノードに接続されている。発光素子３Ｄのカソードは接地配線３Ｈに接続されている。なお、この接地配線３Ｈは全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されている。保持容量３Ｃは、駆動用トランジスタ３Ｂのソースｓとゲートｇとの間に接続されている。
【００２０】
サンプリング用トランジスタ３Ａは、走査線ＷＳＬ１０１から供給される制御信号に応じて導通し、信号線ＤＴＬ１０１から供給された映像信号の信号電位をサンプリングして保持容量３Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタ３Ｂは、電源電位にある電源線ＤＳＬ１０１から電流の供給を受け、保持容量３Ｃに保持された信号電位に応じて駆動電流を発光素子３Ｄに供給するものである。発光素子３Ｄは、供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。
【００２１】
図３は、図２に示したサンプリング用トランジスタ３Ａを構成するＴＦＴ２０の断面構成を表したものである。また、図３には、図２に示した保持容量３Ｃを併せて表している。なお、図２に示した駆動用トランジスタ３Ｂも、図３に示したＴＦＴ２０と同様の構成を有している。
【００２２】
ＴＦＴ２０は、例えば、基板１０上に、ゲート電極２１，ゲート絶縁膜２２，酸化物半導体層２３，チャネル保護層２４，ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄをこの順に有する酸化物半導体トランジスタである。ここで酸化物半導体とは、亜鉛，インジウム，ガリウム，スズまたはそれらの混合物の酸化物をいい、優れた半導体特性を示すことが知られている。
【００２３】
ゲート電極２１は、ＴＦＴ２０に印加されるゲート電圧により酸化物半導体層２３中の電子密度を制御するものであり、例えば、厚みが２００ｎｍ以下であり、モリブデン（Ｍｏ）により構成されている。
【００２４】
ゲート絶縁膜２２は、例えば、厚みが３００ｎｍ以下であり、シリコン酸化膜により構成されている。また、ゲート絶縁膜２２は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜により構成されていてもよい。
【００２５】
酸化物半導体層２３は、例えば、厚みが４０ｎｍであり、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏｘｉｄｅ））により構成されている。酸化物半導体薄膜層２３の構成材料としては、非晶質のものには、ＩＧＺＯのほか、酸化インジウムスズ亜鉛（ＩＴＺＯ）が挙げられる。結晶質の酸化物半導体としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ），ＩＴＯ，酸化インジウム（ＩｎＯ）等が挙げられる。
【００２６】
なお、酸化物半導体層２３の上には、必要に応じて保護膜（図３には図示せず、図７（Ｂ）参照。）を設けることも可能である。保護膜は、例えば、厚みが５０ｎｍであり、シリコン酸化膜により構成されている。
【００２７】
チャネル保護層２４は、ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄのエッチング工程においてチャネル領域を保護するストッパー層となるものである。チャネル保護層２４は、例えば、厚みが２００ｎｍであり、シリコン酸化膜により構成されている。
【００２８】
ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄは、チャネル保護層２４に設けられた接続孔２４Ａを介して、酸化物半導体層２３に接続されている。ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄは、モリブデン，アルミニウム，チタン等の金属あるいはそれらの多層膜により構成されている。ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄの具体的な構成としては、例えば、酸化物半導体層２３の側から、厚みが５０ｎｍのモリブデン層２５Ａ、厚みが２００ｎｍから１μｍのアルミニウム層２５Ｂおよび厚みが５０ｎｍのチタン層２５Ｃの積層膜が好ましい。なお、ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄは、ＴＦＴ２０の用途・応用によっては、モリブデン層，アルミニウム層およびモリブデン層の積層膜、または、チタン層，アルミニウム層およびチタン層の積層膜により構成することも可能である。
【００２９】
なお、ＴＦＴ２０は、必要に応じてパッシベーション膜（図示せず）により全面を覆われていてもよい。パッシベーション膜の構成材料は、ゲート絶縁膜２２またはチャネル保護層２４と同様である。
【００３０】
保持容量３Ｃは、例えば、ゲート電極２１と同層の下部電極３１と、ゲート絶縁膜２２と同層の絶縁膜３２と、ドレイン電極２５Ｄから延長された上部電極３３とを有している。なお、酸化物半導体層２３は、ＴＦＴ２０との段差を小さくするため、保持容量３Ｃにも設けられている。
【００３１】
図４は、図３に示したＴＦＴ２０をソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄの側から見た平面構成を表したものである。図４では、酸化物半導体層２３が設けられている領域には網掛けを施し、チャネル保護層２４が設けられている領域には右下がりの斜線を付している。また、図５は、図４に示した酸化物半導体層２３および接続孔２４Ａを抜粋して表したものである。
【００３２】
酸化物半導体層２３は、ゲート電極２１に対向してチャネル領域２３Ａを有している。チャネル領域２３Ａの一部（例えばチャネル長方向における中央部）には、狭幅領域２３Ｂが設けられている。この狭幅領域２３Ｂの幅Ｗ２３は、接続孔２４Ａの幅Ｗ２４よりも狭い。これにより、このＴＦＴ２０では、チャネル幅Ｗの変動を抑えることが可能となっている。
【００３３】
すなわち、狭幅領域２３Ｂを設けることにより、ＴＦＴ２０のチャネル幅Ｗは、狭幅領域２３の幅Ｗ２３によって決まる。従って、製造工程における接続孔２４Ａの幅Ｗ２４の変動にかかわらず、安定したチャネル幅Ｗを得ることが可能となる。なお、二つの接続孔２４Ａの間の距離が、ＴＦＴ２０のチャネル長Ｌとなる。
【００３４】
狭幅領域２３Ｂの幅Ｗ２３は、製造工程における接続孔２４Ａの幅Ｗ２４の変動を考慮して、接続孔２４Ａの幅Ｗ２４が最も小さくなった場合でも、狭幅領域２３Ｂの幅Ｗ２３が接続孔２４Ａの幅Ｗ２４よりも狭くなるように設定されていることが望ましい。
【００３５】
また、酸化物半導体層２３は、狭幅領域２３Ｂ以外の領域（狭幅領域２３Ｂの両側）に、広幅領域２３Ｃを有している。この広幅領域２３Ｃは、ソース・ドレイン領域、すなわち、接続孔２４Ａを介してソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄが接続される領域である。
【００３６】
広幅領域２３Ｃは、狭幅領域２３Ｂを囲む四つの角に、ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄよりもはみ出したはみ出し部分２３Ｄを有していることが好ましい。はみ出し部分２３Ｄは、後述する酸化物半導体層２３の回復アニール（酸素の供給）工程において酸素の供給口となるものであり、これによりトランジスタ特性の回復を効率良く短時間で行うことが可能となる。
【００３７】
図６は、表示領域１１０の断面構成を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは短冊形の平面形状を有し、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。
【００３８】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、ＴＦＴ基板１上に、平坦化絶縁膜５１を間にして、アノード（陽極）５２、電極間絶縁膜５３、後述する発光層を含む有機層５４、およびカソード（陰極）５５がこの順に積層された構成を有している。
【００３９】
このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜などの保護膜５６により被覆され、更にこの保護膜５５上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層６０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板７１が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。封止用基板７１には、必要に応じてカラーフィルタ７２およびブラックマトリクスとしての光遮蔽膜７３が設けられていてもよい。
【００４０】
平坦化絶縁膜５１は、上述したＴＦＴ２０よりなるサンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トランジスタ３Ｂを含む画素駆動回路１４０が形成されたＴＦＴ基板１の表面を平坦化するためのものである。平坦化絶縁膜５１は、微細な接続孔５１Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜５１の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）などの無機材料が挙げられる。図２に示した駆動トランジスタ３Ｂは、平坦化絶縁膜５１に設けられた接続孔５１Ａを介してアノード５２に電気的に接続されている。
【００４１】
アノード５２は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。また、アノード５２は、発光層で発生した光を反射させる反射電極としての機能を有しており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。アノード５２は、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ）あるいは金（Ａｕ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。
【００４２】
電極間絶縁膜５３は、アノード５２とカソード５５との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば、ポリイミドなどの有機材料、または酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）などの無機絶縁材料により構成されている。電極間絶縁膜５３は、アノード５２の発光領域に対応して開口部を有している。なお、有機層５４およびカソード５５は、発光領域だけでなく電極間絶縁膜５３の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは電極間絶縁膜５３の開口部だけである。
【００４３】
有機層５４は、例えば、アノード５２の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層（いずれも図示せず）を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層５４は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。なお、有機層５４の構成材料は、一般的な低分子または高分子有機材料であればよく、特に限定されない。
【００４４】
カソード５５は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。また、カソード５５は、ＩＴＯまたはＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛（登録商標））により構成されていてもよい。
【００４５】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００４６】
（ＴＦＴ基板１を形成する工程）
図７ないし図９は、ＴＦＴ２０の製造方法を工程順に表したものである。なお、図７ないし図９には、左側にＴＦＴ２０の製造工程を、右側に配線の交差または重なり部分（例えば走査線ＷＳＬと信号線ＤＴＬとの交差または重なり部分）の製造工程をそれぞれ表している。
【００４７】
まず、基板１０に、酸化物半導体層２３を有するＴＦＴ２０を形成し、ＴＦＴ基板１を形成する。すなわち、ガラスよりなる基板１０上に、例えばスパッタリング法により、モリブデン膜を２００ｎｍ以下の厚みで形成する。次いで、このモリブデン膜に対して、フォトリソグラフィおよびエッチングを施す。これにより、図７（Ａ）の左側に示したように、ＴＦＴ２０の形成予定領域に、ゲート電極２１を形成する。また、図７（Ａ）の右側に示したように、配線の交差または重なり部分に、ゲート電極２１と同層の配線（例えば走査線ＷＳＬ）を形成する。
【００４８】
続いて、同じく図７（Ａ）に示したように、基板１０の全面に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法により、シリコン酸化膜よりなるゲート絶縁膜２２を３００ｎｍ以下の厚みで形成する。
【００４９】
そののち、ゲート絶縁膜２２の上に、厚み４０ｎｍのＩＧＺＯ膜（図示せず）および厚み５０ｎｍのシリコン酸化膜（図示せず）を形成し、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより、ＩＧＺＯ膜およびシリコン酸化膜を所定の形状に成形する。これにより、図７（Ｂ）の左側に示したように、ＴＦＴ２０の形成予定領域には、酸化物半導体層２３および保護膜２６を形成する。このとき、酸化物半導体層２３のチャネル領域２３Ａの一部に狭幅領域２３Ｂを設ける。一方、図７（Ｂ）の右側に示したように、配線の交差または重なり部分では、酸化物半導体層２３および保護膜２６は除去される。
【００５０】
なお、保護膜２６を使わず、直接ＩＧＺＯ膜に対してフォトリソグラフィおよびエッチングを施すことにより酸化物半導体層２３を形成することも可能である。
【００５１】
酸化物半導体層２３を形成したのち、図８（Ａ）に示したように、ゲート絶縁膜２２，酸化物半導体層２３および保護膜２６の上に、例えばＣＶＤ法により、シリコン酸化膜２４Ｂを形成する。
【００５２】
続いて、シリコン酸化膜２４Ｂおよび保護膜２６を、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形する。これにより、図８（Ｂ）に示したように、接続孔２４Ａを有するチャネル保護層２４を形成する。
【００５３】
そののち、例えばスパッタリング法により、厚みが５０ｎｍのモリブデン層２５Ａ、厚みが５００ｎｍのアルミニウム層２５Ｂおよび厚みが５０ｎｍのチタン層２５Ｃを形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形する。これにより、図９の左側に示したように、ＴＦＴ２０の形成予定領域には、ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄを形成する。ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄは、接続孔２４Ａを介して酸化物半導体層２３に接続される。以上により、図３に示したＴＦＴ２０が形成される。一方、図９の右側に示したように、配線の交差または重なり部分では、ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄと同層の配線（例えば信号線ＤＴＬ）を形成する。
【００５４】
ここでは、図４および図５に示したように、酸化物半導体層２３のチャネル領域２３Ａの一部に狭幅領域２３Ｂが設けられているので、ＴＦＴ２０のチャネル幅Ｗは狭幅領域２３Ｂの幅Ｗ２３により決定される。よって、チャネル保護層２４のエッチングばらつきにより接続孔２４Ａの幅Ｗ２４がばらついた場合でも、ＴＦＴ２０のチャネル幅Ｗの変動が抑えられる。
【００５５】
これに対して従来では、図１０（Ａ）に示したように、ＴＦＴ１２０のチャネル幅Ｗはチャネル保護層（図示せず）に設けられる接続孔１２４Ａの幅により決定されていた。そのため、図１０（Ｂ）に示したように、接続孔１２４Ａのエッチング量が大きくなった場合には、ＴＦＴ１２０のチャネル幅Ｗも大きくなっていた。一方、図１０（Ｃ）に示したように、接続孔１２４Ａのエッチング量が小さくなった場合には、ＴＦＴ１２０のチャネル幅Ｗも小さくなっていた。つまり、ＴＦＴ１２０のチャネル幅Ｗが、チャネル保護層（図示せず）のエッチングばらつきにより変動してしまっていた。なお、図１０では、図４に示したＴＦＴ２０に対応する構成要素には１００番台の同一の符号を付している。また、図１０では、チャネル保護層が設けられている領域の斜線（図４参照。）を省略している。
【００５６】
図９に示したソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄを形成したのち、酸化物半導体層２３の回復アニール（酸素の供給）工程を行う。これにより、製造工程中に酸化物半導体層２３中に発生した欠陥を回復させる。ここでは、広幅領域２３Ｃの、狭幅領域２３Ｂを囲む四つの角に、ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄよりもはみ出したはみ出し部分２３Ｄが設けられている。よって、はみ出し部分２３Ｄが酸素の供給口となり、トランジスタ特性の回復が効率良く短時間で行われる。
【００５７】
以上により、図３に示したＴＦＴ２０を有するＴＦＴ基板１が形成される。
【００５８】
（有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する工程）
続いて、ＴＦＴ２０の上層に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂよりなる表示領域１１０を形成する。すなわち、まず、ＴＦＴ基板１の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、平坦化絶縁膜５１および接続孔５１Ａを形成し、焼成する。次いで、例えば直流スパッタリングにより、上述した材料よりなるアノード５２を成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。続いて、例えばＣＶＤ法により上述した厚みおよび材料よりなる電極間絶縁膜５３を形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて開口部を形成する。そののち、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層５４およびカソード５５を順次成膜し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。続いて、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを、上述した材料よりなる保護膜５６で覆う。
【００５９】
そののち、保護膜５６の上に、接着層６０を形成する。そののち、カラーフィルタ７２および光遮蔽膜７３が設けられ、上述した材料よりなる封止用基板７１を用意し、ＴＦＴ基板１と封止用基板７１とを接着層６０を間にして貼り合わせる。以上により、図６に示した表示装置が完成する。
【００６０】
この表示装置では、走査線ＷＳＬから供給される制御信号に応じてサンプリング用トランジスタ３Ａが導通し、信号線ＤＴＬから供給された映像信号の信号電位がサンプリングされて保持容量３Ｃに保持される。また、第１電位にある電源線ＤＳＬから駆動用トランジスタ３Ｂに電流が供給され、保持容量３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流が発光素子３Ｄ（有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）に供給される。発光素子３Ｄ（有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）は、供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光する。この光は、カソード５５，カラーフィルタ７２および封止用基板７１を透過して取り出される。
【００６１】
ここでは、酸化物半導体層２３のチャネル領域２３Ａの一部に、接続孔２４よりも幅の狭い狭幅領域２３Ｂが設けられているので、ＴＦＴ２０のチャネル幅Ｗは狭幅領域２３Ｂの幅Ｗ２３により決定され、チャネル幅Ｗの変動が抑えられている。よって、チャネル幅Ｗの変動に起因するトランジスタ特性のばらつきが小さくなっており、輝度むら等の表示品質の低下が抑えられる。
【００６２】
このように本実施の形態では、酸化物半導体層２３のチャネル領域２３Ａの一部に、接続孔２４よりも幅の狭い狭幅領域２３Ｂを設けるようにしたので、チャネル保護層２４のエッチングばらつきに起因する接続孔２４の幅Ｗ２４の変動の影響を無効にし、安定したチャネル幅Ｗを得ることが可能となる。よって、チャネル幅Ｗの変動によるトランジスタ特性のばらつきを低減し、表示品質を高めることが可能となる。
【００６３】
また、狭幅領域２３Ｂ以外の広幅領域２３Ｃに、狭幅領域２３Ｂを囲む四つの角に、ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄよりもはみ出したはみ出し部分２３Ｄを設けるようにしたので、酸化物半導体層２３の回復アニール（酸素の供給）工程において、はみ出し部分２３Ｄから酸素を供給し、トランジスタ特性の回復を短時間で行うことが可能となる。
【００６４】
（変形例１）
なお、上記実施の形態では、はみ出し部分３２Ｄが、広幅領域２３Ｃの、狭幅領域２３Ｂを囲む四つの角に設けられている場合について説明した。しかしながら、はみ出し部分２３Ｄは、広幅領域２３Ｃの一つ以上の角または辺に設けられていればよく、その配置は特に限定されない。
【００６５】
例えば、図１１に示したように、はみ出し部分２３Ｄは、広幅領域２３Ｃの、チャネル幅方向に対向する辺の両方に設けられていてもよい。本変形例では、はみ出し部分２３Ｄが広幅領域２３Ｃの四つの辺に設けられているので、酸化物半導体層２３の回復アニール（酸素の供給）工程において酸素の供給効率を高め、トランジスタ特性の回復を更に短時間で行うことが可能となる。なお、図１１以降では、チャネル保護層２４が設けられている領域の斜線（図４参照。）を省略している。
【００６６】
（変形例２）
また、例えば、図１２に示したように、はみ出し部分２３Ｄは、広幅領域２３Ｃの、チャネル幅方向に対向する辺の一方（例えば下辺）に設けられていてもよい。本変形例では、はみ出し部分２３Ｄが広幅領域２３Ｃの二つの辺に設けられているので、変形例１と同様に、酸化物半導体層２３の回復アニール（酸素の供給）工程において酸素の供給効率を高め、トランジスタ特性の回復を更に短時間で行うことが可能となる。
【００６７】
なお、図示しないが、はみ出し部分２３Ｄは、広幅領域２３Ｃの、チャネル幅方向に対向する辺の上辺に設けられていてもよいことは言うまでもない。
【００６８】
（変形例３）
更に、例えば、上記実施の形態では、ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄが接続孔２４Ａの全体を埋め込んでいる場合について説明したが、図１３に示したように、ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄの端が接続孔２４Ａ内に位置していてもよい。この場合には、酸化物半導体層２３は、接続孔２４Ａの一部に、チャネル保護層２４およびソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄから露出した露出部分２３Ｅを有している。この露出部分２３Ｅは、はみ出し部分２３Ｄと同様に、酸化物半導体層２３の回復アニール（酸素の供給）工程において酸素の供給口となることが可能である。よって、トランジスタ特性の回復を短時間で効率良く行うことが可能となる。
【００６９】
なお、本変形例では、酸化物半導体層２３が、酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ），ＩＴＯ，酸化インジウム（ＩｎＯ）等の結晶質の酸化物半導体により構成されていることが好ましい。ソース電極２５Ｓおよびドレイン電極２５Ｄとのエッチング選択比を大きくすることが可能となるからである。
【００７０】
（変形例４）
加えて、例えば、図１４に示したように、変形例１と変形例３とを組み合わせることも可能である。すなわち、酸化物半導体層２３は、はみだし部分２３Ｄと露出部分２３Ｅとの両方を有していてもよい。なお、図示しないが、変形例２と変形例３とを組み合わせることも可能であることは言うまでもない。
【００７１】
（第２の実施の形態）
図１５は、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の全体構成を表したものである。この表示装置は、液晶テレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば、上述したＴＦＴ基板１に、表示素子として後述する複数の液晶表示素子１０Ｌよりなる画素ＰＸＬＣがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が設けられている。表示領域１１０の周辺には、信号部であるデータドライバ１２１Ａと、スキャナ部であるゲートドライバ１３１Ａとが配置されている。表示領域１１０の背面側には、バックライトユニットとしての照明部１５０が設けられている。
【００７２】
図１６は、画素ＰＸＬＣの等価回路を表したものである。画素ＰＸＬＣは、第１の実施の形態で説明したＴＦＴ２０と、液晶表示素子１０Ｌと、容量素子Ｃｓｔとを有している。
【００７３】
ＴＦＴ２０は、画素ＰＸＬＣに対して、映像信号を供給するためのスイッチング素子としての機能を有するものであり、第１の実施の形態と同様に構成されている。ＴＦＴ２０のゲートは、左右方向に延在するゲートバスラインＧＬに接続されている。このゲートバスラインＧＬには、上下方向に延在するソースバスラインＳＬが直交している。ＴＦＴ２０のソースはソースバスラインＳＬに接続され、ドレインは液晶表示素子１０Ｌの一端および容量素子Ｃｓｔの一端に接続されている。
【００７４】
液晶表示素子１０Ｌは、ＴＦＴ２０を介して供給される信号電圧に応じて表示のための動作を行う表示素子としての機能を有するものである。液晶表示素子１０Ｌの他端は接地されている。
【００７５】
容量素子Ｃｓｔは、両端間に電位差を発生させるものであり、具体的には電荷を蓄積させる誘電体を含んで構成されている。容量素子Ｃｓｔの他端は、ゲートバスラインＧＬに平行すなわち左右方向に延在する容量素子バスラインＣＬに接続されている。
【００７６】
図１７は、表示領域１１０の断面構成を表したものである。ＴＦＴ基板１は、第１の実施の形態と同様に、基板１０に、酸化物半導体層２３（図３参照。）を有するＴＦＴ２０を有している。液晶表示素子１０Ｌは、平坦化絶縁膜８１の上に、例えばＩＴＯよりなる画素電極８２Ａを有している。また、対向基板８３上には、赤色フィルタ８４Ｒ，緑色フィルタ８４Ｇおよび青色フィルタ８４Ｂよりなるカラーフィルタ８４，光遮蔽膜８５，並びに例えばＩＴＯよりなる共通電極８２Ｂが設けられている。画素電極８２Ａと共通電極８２Ｂとの間には液晶層８２Ｃが設けられている。なお、図１７では容量素子Ｃｓｔは省略している。
【００７７】
平坦化絶縁膜８１は、第１の実施の形態の平坦化絶縁膜５１と同様に構成されている。ＴＦＴ２０は、平坦化絶縁膜８１に設けられた接続孔８１Ａを介して画素電極８２Ａに接続されている。
【００７８】
この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００７９】
（ＴＦＴ基板１を形成する工程）
まず、第１の実施の形態と同様にして、基板１０に、酸化物半導体層２３を有するＴＦＴ２０を形成し、ＴＦＴ基板１を形成する。
【００８０】
（液晶表示素子１０Ｌを形成する工程）
続いて、ＴＦＴ２０の上層に液晶表示素子１０Ｌよりなる表示領域１１０を形成する。すなわち、まず、ＴＦＴ基板１の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、平坦化絶縁膜８１および接続孔８１Ａを形成し、焼成する。次いで、例えば直流スパッタリングにより、上述した材料よりなる画素電極８２Ａを成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。
【００８１】
また、対向基板８３にカラーフィルタ８４，光遮蔽膜８５および上述した材料よりなる共通電極８２Ｂを形成し、ＴＦＴ基板１と対向基板８３とを封止枠（図示せず）を間にして貼り合わせる。そののち、封止枠の開口（図示せず）から液晶を注入することにより、画素電極８２Ａと共通電極８２Ｂとの間に液晶層８２Ｃを形成し、開口を封止する。以上により、図１７に示した表示装置が完成する。
【００８２】
この表示装置では、照明部１５０からの光は、光学シート（図示せず）により均一に拡散されて液晶表示素子１０Ｌに入射する。この入射光は、画素電極８２Ａと共通電極８２Ｂとの間に印加された映像電圧に基づいて画素毎に変調されつつ液晶層８２Ｃを透過する。液晶層８２Ｃを透過した光は、カラーフィルタ８４を通過することにより、カラーの表示光として対向基板８３の外側へ取り出される。
【００８３】
本実施の形態の作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８４】
（第３の実施の形態）
図１８は、本開示の第３の実施の形態に係る表示装置の断面構成を表したものである。この表示装置は、電気泳動現象を利用して画像（例えば文字情報等）を表示する電気泳動型ディスプレイ（いわゆる電子ペーパーディスプレイ）であり、ＴＦＴ基板１上に、表示層９１、対向基板９２，透明接着層９３，保護膜９４をこの順に有している。なお、図１８はこの表示装置の形状を模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なる。
【００８５】
ＴＦＴ基板１には、図１９に示したように、中央の表示領域１１０の周囲に、この表示領域１１０を完全に取り囲むように接着領域１１０Ａが設けられている。表示領域１１０上には表示層９１が設けられ、接着領域１１０Ａには、保護膜９４の端部が接着層９４Ａにより接着されている。
【００８６】
ＴＦＴ基板１は、基体９０Ａ上にバリア層９０ＢおよびＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路９０Ｃをこの順に積層させたものである。基体９０Ａは、例えば、ガラス、石英、シリコン、ガリウム砒素等の無機材料、ステンレス等の金属材料あるいは、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等のプラスチック材料等からなる。この基体９０Ａは、ウェハなどの剛性を有するものであってもよく、薄層ガラス、フィルムまたは金属箔など可撓性を有するものであってもよい。基体９０Ａが可撓性を有するものであれば、折り曲げ可能な表示装置を実現できる。基体９０Ａの厚み（積層方向の厚み。以下単に厚みという。）は、例えば１０μｍ〜１００μｍである。
【００８７】
バリア層９０Ｂは、例えばＣＶＤ法により形成されたＡｌＯｘ Ｎ１−Ｘ （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．２）膜または窒化シリコン（Ｓｉ３ Ｎ４ ）膜であり、水分や有機ガスによるＴＦＴ回路９０Ｃおよび表示層９１の劣化を抑えるものである。バリア層９０Ｂは、ＣＶＤ法により成膜される場合がほとんどであり、蒸着法により成膜した場合と比較すると緻密で、透湿性がより低くなる。
【００８８】
ＴＦＴ回路９０Ｃは画素を選択するためのスイッチング機能を有している。このＴＦＴ回路９０Ｃは、例えば、第１の実施の形態において図３を参照して説明したＴＦＴ２０により構成されている。
【００８９】
図２０は、図１９に示した表示領域１１０の断面構成を表したものである。表示層９１は、画素電極９１Ａと共通電極９１Ｂとの間に電気泳動型の表示体９１Ｃを有している。画素電極９１Ａは、平坦化絶縁膜９５の接続孔９５Ａを介してＴＦＴ回路９０Ｃに接続されている。表示層９１の積層方向の厚みは、例えば４０μｍ〜１６５μｍ程度である。画素電極９１Ａは画素ごとに設けられており、例えばクロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金からなる。共通電極９１Ｂは、対向基板９２の一面に亘り設けられており、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化アンチモン−酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）またはアルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）等の透光性導電材料（透明電極材料）により構成されている。
【００９０】
対向基板９２は、表示層９１と同様に表示領域１１０上に設けられており例えば１２５μｍ程度の厚みを有する。本実施の形態では、対向基板９２側において画像が表示されるため、対向基板９２には光透過性の材料が用いられるが、この点を除き、基体９０Ａと同様の材料を用いることができる。
【００９１】
保護膜９４は、表示層９１を封止するものである。保護膜９４は、防湿機能に加え、反射防止機能あるいは防眩機能等の光学機能、更には外力に対する保護機能を兼ねており、その膜厚は、例えば数百μｍ程度である。
【００９２】
保護膜９４は対向基板９２に対して透明接着層９３により固定されている。この透明接着層９３は、例えば、２５μｍの厚みのＯＣＡ（Optical Clear Adhesive）等からなる。基体９０Ａを可撓性基板により構成するときには、透明接着層９３も可撓性であることが好ましい。
【００９３】
保護膜９４により封止された表示領域１１０と接着領域１１０Ａとの間（表示層９１および対向基板９２の側面と保護膜９４との間）は空隙９５となっており、表示層９１および対向基板９２の側面は空隙９５により囲まれている。
【００９４】
この表示装置は、例えば以下のようにして製造することができる。
【００９５】
（ＴＦＴ基板１を形成する工程）
図２１は、この表示装置の製造方法を工程順に表したものである。まず、図２１（Ａ）に示したように、基体９０Ａに例えばＣＶＤ法により窒化シリコンからなるバリア層９０Ｂを形成する。次いで、同じく図２１（Ａ）に示したように、バリア層９０Ｂの上に、酸化物半導体層２３を有するＴＦＴ２０よりなるＴＦＴ回路９０Ｃを形成し、ＴＦＴ基板１とする。ＴＦＴ２０は、第１の実施の形態と同様にして形成することができる。
【００９６】
（電気泳動型の表示層９１を形成する工程）
ＴＦＴ基板１を形成したのち、例えばクロム、金、白金、ニッケル、銅、タングステン、アルミニウムあるいは銀からなる金属膜をＴＦＴ基板１の全面に形成し、これをパターニングすることにより、画素電極９１Ａを形成する。
【００９７】
次いで図２１（Ｂ）に示したように、共通電極９１Ｂを備えた対向基板９２に例えば塗布により表示体９１Ｃを形成した後、この対向基板９２をＴＦＴ基板１に貼り合わせる。これにより、ＴＦＴ基板１上に表示層９１および対向基板９２が形成される。共通電極９１Ｂは、例えばＩＴＯを対向基板９２の一方の面の全面に成膜し、形成しておく。
【００９８】
対向基板９２を貼合したのち、透明接着層９３により保護膜９４を対向基板９２上に固定する。このとき、保護膜９４には、その全ての辺において表示領域１１０の辺よりも大きく、その面積が表示領域１１０の面積よりも大きいものを用いる。これにより、保護膜９４に表示領域１１０の外側に張り出す部分が形成される。続いて、保護膜９４の表示領域１１０から張り出した部分をＴＦＴ基板１側に折り曲げ、表示層９１の側面を覆うようにしてＴＦＴ基板１の接着領域１１０Ａに接着層９４により固定する。以上により、図１８ないし図２０に示した表示装置が完成する。
【００９９】
この表示装置では、表示層９１において、画素電極９１Ａと共通電極９１Ｂとの間に印加された映像電圧に基づいて電気泳動型の表示体９１Ｃにより表示が行われる。
【０１００】
本実施の形態の作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０１】
（適用例）
続いて、図２２ないし図２９を参照して、上記実施の形態に係る表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話やスマートフォン等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、この表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１０２】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図２２に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜６などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１０の一辺に、第１の実施の形態における封止用基板７１および接着層６０、または第２の実施の形態における対向基板８３から露出した領域１６０を設け、この露出した領域１６０に、第１の実施の形態における水平セレクタ１２１，ライトスキャナ１３１および電源スキャナ１３２、または第２の実施の形態におけるデータドライバ１２１Ａおよびゲートドライバ１３１Ａの配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）１６１が設けられていてもよい。
【０１０３】
（適用例１）
図２３（Ａ）および図２３（Ｂ）はそれぞれ、上記実施の形態の表示装置が適用される電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０および非表示部２２０を有しており、この表示部２１０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１０４】
（適用例２）
図２４は、上記実施の形態の表示装置が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部２３０および非表示部２４０を有しており、この表示部２３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１０５】
（適用例３）
図２５は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１０６】
（適用例４）
図２６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１０７】
（適用例５）
図２７は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１０８】
（適用例６）
図２８は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、この表示部６４０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１０９】
（適用例７）
図２９は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１１０】
以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【０１１１】
また、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【０１１２】
更に、本発明は、有機発光素子のほか、液晶表示素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、またはエレクトロデポジション型もしくエレクトロクロミック型の表示素子などの他の表示素子を用いた表示装置にも適用可能である。
【０１１３】
加えて、例えば、上記実施の形態において表示装置の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素を更に備えていてもよい。
【０１１４】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられると共に前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有する酸化物半導体層と、
前記ゲート絶縁膜および前記酸化物半導体層の上に設けられたチャネル保護層と、
前記チャネル保護層に設けられた接続孔を介して前記酸化物半導体層に接続されたソース・ドレイン電極と
を備え、
前記酸化物半導体層は、前記チャネル領域の一部に、前記接続孔よりも幅の狭い狭幅領域を有する
薄膜トランジスタ。
（２）
前記酸化物半導体層は、前記狭幅領域以外の広幅領域の一つ以上の角または辺に、前記ソース・ドレイン電極よりもはみ出したはみ出し部分を有する
前記（１）記載の薄膜トランジスタ。
（３）
前記はみ出し部分は、前記広幅領域の、前記狭幅領域を囲む四つの角に設けられている
前記（２）記載の薄膜トランジスタ。
（４）
前記はみ出し部分は、前記広幅領域の、チャネル幅方向に対向する辺の少なくとも一方に設けられている
前記（２）記載の薄膜トランジスタ。
（５）
前記酸化物半導体層は、前記接続孔の一部に、前記チャネル保護層および前記ソース・ドレイン電極から露出した露出部分を有する
前記（１）ないし（４）のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
（６）
表示素子と、前記表示素子を駆動する薄膜トランジスタとを備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられると共に前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有する酸化物半導体層と、
前記ゲート絶縁膜および前記酸化物半導体層の上に設けられたチャネル保護層と、
前記チャネル保護層に設けられた接続孔を介して前記酸化物半導体層に接続されたソース・ドレイン電極と
を備え、
前記酸化物半導体層は、前記チャネル領域の一部に、前記接続孔よりも幅の狭い狭幅領域を有する
表示装置。
（７）
表示素子と、前記表示素子を駆動する薄膜トランジスタとを有する表示装置を備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられると共に前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有する酸化物半導体層と、
前記ゲート絶縁膜および前記酸化物半導体層の上に設けられたチャネル保護層と、
前記チャネル保護層に設けられた接続孔を介して前記酸化物半導体層に接続されたソース・ドレイン電極と
を備え、
前記酸化物半導体層は、前記チャネル領域の一部に、前記接続孔よりも幅の狭い狭幅領域を有する
薄膜トランジスタ。
電子機器。
【符号の説明】
【０１１５】
１…ＴＦＴ基板、３Ａ…サンプリング用トランジスタ、３Ｂ…駆動用トランジスタ、３Ｃ…保持容量、３Ｄ…発光素子、１０…基板、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、２０…ＴＦＴ、２１…ゲート電極、２２…ゲート絶縁膜、２３…酸化物半導体層、２４…チャネル保護層、２５Ｓ…ソース電極、２５Ｄ…ドレイン電極、２６…パッシベーション膜、５１…平坦化絶縁膜、５２…アノード、５３…電極間絶縁膜、５４…有機層、５５…カソード、５６…保護膜、６０…接着層、７１…封止用基板、１１０…表示領域、１４０…画素駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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