(57)【要約】【課題】本発明は、電子装置が如何なる種類のアダプターに電気接続されても適切な作業電圧下で作業できる過電圧保護回路及びこの過電圧保護回路を用いた電子装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る過電圧保護回路は、電圧入力端と、電圧出力端と、第一選択回路と、第二選択回路と、を備える。入力電圧が第一基準電圧より小さい場合、第一選択回路を介して直接電子装置に作業電圧が提供され、入力電圧が第一基準電圧より大きい場合、第二選択回路を介して電子装置に作業電圧が提供される。【選択図】図１
2013182623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置内に設置されて該電子装置に適切な作業電圧を提供する過電圧保護回路において、
入力電圧を受ける電圧入力端と、
作業電圧を出力して、該電子装置に該作業電圧を提供する電圧出力端と、
前記電圧入力端と前記電圧出力端とを電気接続させる第一スイッチ回路を備える第一選択回路と、
一端が前記電圧入力端に電気接続されている第二スイッチ回路と、前記第二スイッチ回路の他端と前記電圧出力端とを電気接続させ、且つ前記入力電圧を降圧させる降圧回路と、を備える第二選択回路と、を備え、
前記入力電圧が第一基準電圧より小さい場合、前記第一スイッチ回路は導通されると共に、前記第二スイッチ回路は遮断され、この時、入力電圧は、前記第一スイッチ回路を介して、直接前記電圧出力端から出力されて、前記電子装置に提供され、
前記入力電圧が第一基準電圧より大きい場合、前記第一スイッチ回路は遮断されると共に、前記第二スイッチ回路は導通され、この時前記入力電圧は、前記第二スイッチ回路を介して前記降圧回路に伝送され、該降圧回路によって降圧された降圧電圧は電圧出力端から出力されて、前記電子装置に提供されることを特徴とする過電圧保護回路。
【請求項２】
前記入力電圧が、第二基準電圧より大きい場合、前記第二基準電圧は、前記第一基準電圧より大きく、この時、前記第一スイッチ回路及び前記第二スイッチ回路は遮断されて、前記電子装置に電圧が提供されないことを特徴とする請求項１に記載の過電圧保護回路。
【請求項３】
前記第一スイッチ回路は、第一ダイオード、第一バイポーラ接合トランジスタ、第二バイポーラ接合トランジスタ、及び第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタを備え、前記第一ダイオードの陰極は、第一抵抗を介して前記電圧入力端に接続され、前記第一ダイオードの陽極は、前記第一バイポーラ接合トランジスタのベース電極に接続され、また、該第一バイポーラ接合トランジスタのベース電極は、並列接続された第二抵抗と第一キャパシターとを介して接地され、前記第一バイポーラ接合トランジスタのコレクター電極は、第三抵抗を介して前記電圧入力端に接続されると共に、第四抵抗を介して前記第二バイポーラ接合トランジスタのベース電極にも接続され、前記第一バイポーラ接合トランジスタのエミッタ電極は接地され、前記第二バイポーラ接合トランジスタのベース電極は、第二キャパシターを介して接地され、前記第二バイポーラ接合トランジスタのコレクター電極は、第五抵抗を介して前記電圧入力端に接続され、前記第二バイポーラ接合トランジスタのコレクター電極は、前記第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタのグリッド電極にも接続され、前記第二バイポーラ接合トランジスタのエミッタ電極は接地され、前記第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタのソース電極は、前記電圧入力端に接続され、前記第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタのドレイン電極は、前記電圧出力端に接続されることを特徴とする請求項２に記載の過電圧保護回路。
【請求項４】
前記第二スイッチ回路は、第二ダイオード、第三バイポーラ接合トランジスタ、第四バイポーラ接合トランジスタ、及び第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタを備え、前記第二ダイオードの陰極は、第六抵抗を介して前記電圧入力端に接続され、前記第二ダイオードの陽極は、前記第三バイポーラ接合トランジスタのベース電極に接続され、また、該第三バイポーラ接合トランジスタのベース電極は、並列接続されている第七抵抗と第三キャパシターを介して接地され、且つ第八抵抗を介して前記第一スイッチ回路の第一バイポーラ接合トランジスタのコレクター電極に接続され、前記第三バイポーラ接合トランジスタのコレクター電極は、第九抵抗を介して前記電圧入力端に接続され、前記第三バイポーラ接合トランジスタのエミッタ電極は接地され、前記第四バイポーラ接合トランジスタのベース電極は、前記第三バイポーラ接合トランジスタのコレクター電極に接続され、且つ第四キャパシターを介して接地され、前記第四バイポーラ接合トランジスタのコレクター電極は、第十抵抗を介して前記電圧入力端に接続され、前記第四バイポーラ接合トランジスタのエミッタ電極は接地され、前記第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタのグリッド電極は、前記第四バイポーラ接合トランジスタのコレクター電極に接続され、前記第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタのソース電極は、前記電圧入力端に接続され、前記第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタのドレイン電極は、前記降圧回路の入力端に接続されることを特徴とする請求項３に記載の過電圧保護回路。
【請求項５】
前記降圧回路は、第三ダイオード、第四ダイオード、第五ダイオード、及び第六ダイオードを備え、前記第三ダイオードと前記第四ダイオードとは直列接続され、前記第五ダイオードと前記第六ダイオードとは直列接続され、直列接続された前記第三ダイオード及び前記第四ダイオードと、直列接続された前記第五ダイオード及び前記第六ダイオードとは、並列接続を形成し、前記第三ダイオードと前記第五ダイオードとの陽極は、共に前記降圧回路の入力端を形成し、前記第四ダイオードと前記第六ダイオードとの陰極は、共に前記降圧回路の出力端を形成し、該出力端は前記過電圧保護回路の電圧出力端として作用することを特徴とする請求項４に記載の過電圧保護回路。
【請求項６】
前記第二ダイオードのピーク逆電圧は、前記第一ダイオードのピーク逆電圧より大きいことを特徴とする請求項５に記載の過電圧保護回路。
【請求項７】
前記過電圧保護回路は、第一電圧保護回路をさらに備え、前記第一電圧保護回路は、第五キャパシター、第六キャパシター、及び第十一抵抗を備え、前記第五キャパシターは、前記電圧入力端と地との間に接続され、前記第六キャパシター及び前記第十一抵抗は、並列接続方式によって前記電圧入力端と地との間に接続されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか1項に記載の過電圧保護回路。
【請求項８】
前記過電圧保護回路は、第二電圧保護回路をさらに備え、前記第二電圧保護回路は、第七キャパシター、第八キャパシター、及び第九キャパシターを備え、前記第七キャパシターと前記第八キャパシターと前記第九キャパシターとは、互いに並列接続方式によって前記電圧出力端とグランドとの間に接続されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか1項に記載の過電圧保護回路。
【請求項９】
内部に適切な作業電圧を提供できる過電圧保護回路が設置されている電子装置において、
前記過電圧保護回路は、
入力電圧を受ける電圧入力端と、
作業電圧を出力して、該電子装置に該作業電圧を提供する電圧出力端と、
前記電圧入力端と前記電圧出力端とを電気接続させる第一スイッチ回路を備える第一選択回路と、
一端が前記電圧入力端に電気接続されている第二スイッチ回路と、前記第二スイッチ回路の他端と前記電圧出力端とを電気接続させ、且つ前記入力電圧を降圧させる降圧回路と、を備える第二選択回路と、を備え、
前記入力電圧が第一基準電圧より小さい場合、前記第一スイッチ回路は導通されると共に、前記第二スイッチ回路は遮断されて、この時、入力電圧は、前記第一スイッチ回路を介して直接前記電圧出力端から出力され、前記電子装置に提供され、
前記入力電圧が第一基準電圧より大きい場合、前記第一スイッチ回路は遮断されると共に前記第二スイッチ回路は導通され、この時、前記入力電圧は、前記第二スイッチ回路を介して前記降圧回路に伝送され、該降圧回路によって降圧された降圧電圧は、電圧出力端から出力されて、前記電子装置に提供されることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気回路に関し、特に過電圧保護回路及びこの過電圧保護回路を用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、カメラ、ノートパソコン、ＤＶＤプレーヤー等の電子装置は、各種異なる範囲の作業電圧に対応する。従って、これらの電子装置に対して、それぞれ適切な電圧を提供するために、各種のアダプターが市販されている。
【０００３】
しかし、あるアダプターが提供した電圧が、該アダプターに電気接続された電子装置の作業電圧よりも大きい場合、電子装置が破懐される恐れがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
以上の問題点に鑑みて、本発明は、電子装置が如何なる種類のアダプターに電気接続されても、適切な作業電圧下で作業できる過電圧保護回路及びこの過電圧保護回路を用いた電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するために、本発明に係る過電圧保護回路は、電子装置内に設置されて該電子装置に適切な作業電圧を提供する。前記過電圧保護回路は、入力電圧を受ける電圧入力端と、作業電圧を出力して、該電子装置に該作業電圧を提供する電圧出力端と、電圧入力端と電圧出力端とを電気接続させる第一スイッチ回路を備える第一選択回路と、一端が前記電圧入力端に電気接続されている第二スイッチ回路と、前記第二スイッチ回路の他端と前記電圧出力端とを電気接続させ、且つ前記入力電圧を降圧させる降圧回路と、を備える第二選択回路と、を備える。前記入力電圧が第一基準電圧より小さい場合、前記第一スイッチ回路が導通されると共に、前記第二スイッチ回路は遮断され、この時、入力電圧は、前記第一スイッチ回路を介して直接前記電圧出力端から出力されて、前記電子装置に提供され、前記入力電圧が第一基準電圧より大きい場合、前記第一スイッチ回路は遮断されると共に、前記第二スイッチ回路は導通され、この時、前記入力電圧は前記第二スイッチ回路を介して前記降圧回路に伝送され、該降圧回路によって降圧された降圧電圧は電圧出力端から出力されて、前記電子装置に提供される。
【０００６】
また、前記課題を解決するために、本発明に係る電子装置は、内部に適切な作業電圧を提供できる過電圧保護回路が設置されている。前記過電圧保護回路は、入力電圧を受ける電圧入力端と、作業電圧を出力して、該電子装置に該作業電圧を提供する電圧出力端と、電圧入力端と電圧出力端とを電気接続させる第一スイッチ回路を備える第一選択回路と、一端が前記電圧入力端に電気接続されている第二スイッチ回路と、前記第二スイッチ回路の他の一端と前記電圧出力端とを電気接続させ、且つ前記入力電圧を降圧させる降圧回路とを備える第二選択回路と、を備える。前記入力電圧が第一基準電圧より小さい場合、前記第一スイッチ回路は導通されると共に、この時、前記第二スイッチ回路は遮断されて、入力電圧は、前記第一スイッチ回路を介して直接前記電圧出力端から出力されて、前記電子装置に提供され、前記入力電圧が第一基準電圧より大きい場合、前記第一スイッチ回路は遮断されると共に、前記第二スイッチ回路は導通され、この時、前記入力電圧は前記第二スイッチ回路を介して前記降圧回路に伝送され、該降圧回路によって降圧された降圧電圧は電圧出力端から出力されて、前記電子装置に提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る過電圧保護回路及びその過電圧保護回路を用いた電子装置によれば、電子装置は、常に適切な電圧範囲内で安定的に作業できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に係る過電圧保護回路の機能ブロック図である。
【図２】本発明に係る過電圧保護回路の具体的な回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面に基づいて、本発明に係る過電圧保護回路及びこの過電圧保護回路を用いた電子装置について詳細に説明する。
【００１０】
図１を参照すると、本発明に係る過電圧保護回路１００は、電子装置２００内に設置されて、該電子装置２００に適切な作業電圧を提供する。電子装置２００は、携帯電話、カメラ、ノートパソコン、DVDプレーヤー等であることができる。
【００１１】
過電圧保護回路１００は、電圧入力端Ｖｉｎ、電圧出力端Ｖｏｕｔ、第一選択回路１０、及び第二選択回路２０を備える。電圧入力端Ｖｉｎは、電子装置２００の外部から入力される電圧（入力電圧）を受ける。電圧出力端Ｖｏｕｔは、作業電圧を出力して、電子装置２００に該作業電圧を提供する。
【００１２】
第一選択回路１０は、電圧入力端Ｖｉｎと電圧出力端Ｖｏｕｔとを電気接続させる第一スイッチ回路１０１を備える。
【００１３】
第二選択回路２０は、第二スイッチ回路２０１及び降圧回路２０２を備える。第二スイッチ回路２０１の一端は、電圧入力端Ｖｉｎに電気接続されている。降圧回路２０２は、第二スイッチ回路２０１の他端と電圧出力端Ｖｏｕｔとを電気接続させる。降圧回路２０２は、電圧入力端Ｖｉｎからの入力電圧を降圧させる。
【００１４】
本実施形態において、過電圧保護回路１００は、第一電圧保護回路３０及び第二電圧保護回路４０をさらに備える。第一電圧保護回路３０は、電圧入力端Ｖｉｎとグランドとの間に接続されて、該電圧入力端Ｖｉｎからの入力電圧の電磁干渉（ＥＭＩ）及び電圧の突然の変化を防止する。第二電圧保護回路４０は、電圧出力端Ｖｏｕｔとグランドとの間に接続されて、電子装置２００に出力される電圧の電磁干渉及び電圧の突然の変化を防止する。
【００１５】
電圧入力端Ｖｉｎからの入力電圧が、第一基準電圧Ｖ１より小さい場合、第一スイッチ回路１０１は導通されると共に、第二スイッチ回路２０１は遮断される。また、この時、過電圧保護回路１００は、第一スイッチ回路１０１を介して、直接に入力電圧を電圧出力端Ｖｏｕｔから出力させて、電子装置２００に使用させる。電圧入力端Ｖｉｎからの入力電圧が、第一基準電圧Ｖ１より大きい場合、第一スイッチ回路１０１は遮断されると共に、第二スイッチ回路２０１は導通される。また、この時、過電圧保護回路１００は、入力電圧を、第二スイッチ回路２０１を介して降圧回路２０２に伝送して、この降圧回路２０２によって降圧させた後、この降圧電圧を電圧出力端Ｖｏｕｔから出力させて、電子装置２００に使用させる。本実施形態において、さらに、電圧入力端Ｖｉｎからの入力電圧が、第一基準電圧Ｖ１より大きく、且つ第二基準電圧Ｖ２より小さい場合、第一スイッチ回路１０１は遮断されると共に、第二スイッチ回路２０１は導通される。また、この時、過電圧保護回路１００は、入力電圧において降圧回路２０２によって降圧された降圧電圧を、電圧出力端Ｖｏｕｔから出力させて、電子装置２００に使用させる。また、電圧入力端Ｖｉｎからの入力電圧が、第二基準電圧Ｖ２よりも大きい場合、第一スイッチ回路１０１及び第二スイッチ回路２０１は遮断されて、過電圧保護回路１００は、電子装置２００に電圧を提供しない。
【００１６】
図２は、本発明に係る過電圧保護回路１００の具体的な回路図である。図２に示したように、第一スイッチ回路１０１は、第一ダイオードＤ１、第一バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）Ｑ１、第二バイポーラ接合トランジスタＱ２、及び第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）Ｍ１を備える。第一ダイオードＤ１の陰極は、第一抵抗Ｒ１を介して電圧入力端Ｖｉｎに接続され、第一ダイオードＤ１の陽極は、第一バイポーラ接合トランジスタＱ１のベース電極に接続される。該第一バイポーラ接合トランジスタＱ１のベース電極は、並列接続された第二抵抗Ｒ２と第一キャパシターＣ１とを介して接地される。第一バイポーラ接合トランジスタＱ１のコレクター電極は、第三抵抗Ｒ３を介して電圧入力端Ｖｉｎに接続されると共に、第四抵抗Ｒ４を介して第二バイポーラ接合トランジスタＱ２のベース電極に接続される。第一バイポーラ接合トランジスタＱ１のエミッタ電極は、接地される。また、前記第二バイポーラ接合トランジスタＱ２のベース電極は、第二キャパシターＣ２を介して接地される。第二バイポーラ接合トランジスタＱ２のコレクター電極は、第五抵抗Ｒ５を介して電圧入力端Ｖｉｎに接続される。この第二バイポーラ接合トランジスタＱ２のコレクター電極は、第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ１のグリッド電極にも接続される。第二バイポーラ接合トランジスタＱ２のエミッタ電極は接地される。第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ１のソース電極は、電圧入力端Ｖｉｎに接続され、第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ１のドレイン電極は、電圧出力端Ｖｏｕｔに接続される。
【００１７】
第二スイッチ回路２０１は、第二ダイオードＤ２、第三バイポーラ接合トランジスタＱ３、第四バイポーラ接合トランジスタＱ４、及び第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ２を備える。第二ダイオードＤ２の陰極は、第六抵抗Ｒ６を介して電圧入力端Ｖｉｎに接続され、第二ダイオードＤ２の陽極は、第三バイポーラ接合トランジスタＱ３のベース電極に接続される。また、該第三バイポーラ接合トランジスタＱ３のベース電極は、並列接続されている第七抵抗Ｒ７と第三キャパシターＣ３とを介して接地され、且つ第八抵抗Ｒ８を介して第一スイッチ回路１０１の第一バイポーラ接合トランジスタＱ１のコレクター電極に接続される。第三バイポーラ接合トランジスタＱ３のコレクター電極は、第九抵抗Ｒ９を介して電圧入力端Ｖｉｎに接続され、第三バイポーラ接合トランジスタＱ３のエミッタ電極は接地される。第四バイポーラ接合トランジスタＱ４のベース電極は、第三バイポーラ接合トランジスタＱ３のコレクター電極に接続され、且つ第四キャパシターＣ４を介して接地される。第四バイポーラ接合トランジスタＱ４のコレクター電極は、第十抵抗Ｒ１０を介して電圧入力端Ｖｉｎに接続され、第四バイポーラ接合トランジスタＱ４のエミッタ電極は接地される。第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ２のグリッド電極は、第四バイポーラ接合トランジスタＱ４のコレクター電極に接続され、第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ２のソース電極は、電圧入力端Ｖｉｎに接続され、第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ２のドレイン電極は、降圧回路２０２の入力端に接続される。
【００１８】
降圧回路２０２は、第三ダイオードＤ３、第四ダイオードＤ４、第五ダイオードＤ５、及び第六ダイオードＤ６を備える。第三ダイオードＤ３と第四ダイオードＤ４とは、直列接続され、第五ダイオードＤ５と第六ダイオードＤ６とは、直列接続される。直列接続された第三ダイオードＤ３及び第四ダイオードＤ４と、直列接続された第五ダイオードＤ５及び第六ダイオードＤ６とは、並列接続を形成する。第三ダイオードＤ３と第五ダイオードＤ５との陽極は、共に降圧回路２０２の入力端を形成し、第四ダイオードＤ４と第六ダイオードＤ６との陰極は、共に降圧回路２０２の出力端を形成し、該出力端は、過電圧保護回路１００の電圧出力端Ｖｏｕｔとして作用する。
【００１９】
本実施形態において、第一バイポーラ接合トランジスタＱ１、第二バイポーラ接合トランジスタＱ２、第三バイポーラ接合トランジスタＱ３、及び第四バイポーラ接合トランジスタＱ４は、全てＮＰＮ型トランジスタであり、第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ１及び第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ２は、Ｐ型トランジスタである。第二ダイオードＤ２のピーク逆電圧は、第一ダイオードＤ１のピーク逆電圧より大きい。好ましくは、第一ダイオードＤ１のピーク逆電圧は第一基準電圧Ｖ１に等しく、第二ダイオードＤ２のピーク逆電圧は第二基準電圧Ｖ２に等しい。
【００２０】
例えば、過電圧保護回路１００を車載用電源システムに用いた場合、車載用電源システムから過電圧保護回路１００の電圧入力端Ｖｉｎに入力された電圧の波動範囲（通常、１０Ｖ〜１６Ｖ）は比較的大きいため、第一ダイオードＤ１のピーク逆電圧を１３Ｖとし、第二ダイオードＤ２のピーク逆電圧を１５Ｖとする。
【００２１】
車載用電源システムから過電圧保護回路１００の電圧入力端Ｖｉｎに入力された電圧（入力電圧）が、１３．７Ｖ（第一ダイオードＤ１の逆方向への導通に必要な電圧が１３Ｖであり、第一バイポーラ接合トランジスタＱ１の導通に必要な電圧が０．７Ｖである）より小さい場合、第一バイポーラ接合トランジスタＱ１は遮断され、第二バイポーラ接合トランジスタＱ２及び第三バイポーラ接合トランジスタＱ３は導通される。また、この時、第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ１のグリッド電極は、前記導通された第二バイポーラ接合トランジスタＱ２を介して接地される。これにより、前記第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ１が導通されて、第一スイッチ回路１０１は導通する。また、第四バイポーラ接合トランジスタＱ４のベース電極が前記導通された第三バイポーラ接合トランジスタＱ３を介して接地されて、該第四バイポーラ接合トランジスタＱ４が遮断される。この時、第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ２のグリッド電極が第十抵抗Ｒ１０を介して電圧入力端Ｖｉｎに接続されて高レベルの電圧になることによって、該第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ２は遮断される。これにより、過電圧保護回路１００は、１３．７Ｖより小さい入力電圧を、第一スイッチ回路１０１を介して直接電子装置２００に提供する。
【００２２】
入力電圧が１３．７Ｖより大きく、且つ１５．７Ｖ（第二ダイオードＤ２の逆方向への導通に必要な電圧が１５Ｖであり、第三バイポーラ接合トランジスタＱ３の導通に必要な電圧が０．７Ｖである）より小さい場合、第一バイポーラ接合トランジスタＱ１は導通され、第二バイポーラ接合トランジスタＱ２及び第三バイポーラ接合トランジスタＱ３は遮断される。また、この時、第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ１のグリッド電極が第五抵抗Ｒ５を介して電圧入力端Ｖｉｎに接続されて高レベルの電圧になることによって、該第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ１が遮断されて、第一スイッチ回路１０１は遮断される。また、この時、第四バイポーラ接合トランジスタＱ４が導通されるため、第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ２のグリッド電極が接地されて、該第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ２が導通して、第二スイッチ回路２０１は導通する。これにより、過電圧保護回路１００は、１３．７Ｖより大きく、且つ１５．７Ｖより小さい入力電圧を、降圧回路２０２の４つのダイオード（Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６）を介して降圧し、この降圧電圧を電子装置２００に提供する。
【００２３】
入力電圧が１５．７Ｖより大きい場合、第一バイポーラ接合トランジスタＱ１及び第三バイポーラ接合トランジスタＱ３が導通され、第二バイポーラ接合トランジスタＱ２、第四バイポーラ接合トランジスタＱ４、第一ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ１、及び第二ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ２が全て遮断されるため、第一スイッチ回路１０１及び第二スイッチ回路２０１は全て遮断される。これにより、過電圧保護回路１００は、電子装置２００に電圧を提供しない。
【００２４】
本実施形態において、第一電圧保護回路３０は、第五キャパシターＣ５、第六キャパシターＣ６、及び第十一抵抗Ｒ１１を備える。第五キャパシターＣ５は、電圧入力端Ｖｉｎとグランドとの間に接続されて、該電圧入力端Ｖｉｎから入力された電圧の電磁干渉を防止する。第六キャパシターＣ６及び第十一抵抗Ｒ１１は、並列接続方式によって、電圧入力端Ｖｉｎとグランドとの間に接続されて、電圧の突然の変化を防止する。第二電圧保護回路４０は、第七キャパシターＣ７、第八キャパシターＣ８、及び第九キャパシターＣ９を備える。第七キャパシターＣ７と第八キャパシターＣ８と第九キャパシターＣ９とは、互いに並列接続方式によって、電圧出力端Ｖｏｕｔとグランドとの間に接続されて、該電圧出力端Ｖｏｕｔから電子装置２００に出力された電圧の電磁干渉及び電圧の突然の変化を防止する。また、他の実施形態において、第一電圧保護回路３０及び第二電圧保護回路４０は省略することもできる。
【００２５】
本実施形態において、第一抵抗Ｒ１、第二抵抗Ｒ２、第四抵抗Ｒ４、第五抵抗Ｒ５、第六抵抗Ｒ６、第七抵抗Ｒ７、第八抵抗Ｒ８、及び第十抵抗Ｒ１０の抵抗値は１０Ｋであり、第三抵抗Ｒ３及び第九抵抗Ｒ９の抵抗値は１００Ｋであり、第一キャパシターＣ１、第五キャパシターＣ５、及び第三キャパシターＣ３の容量値は０．１μＦであり、第二キャパシターＣ２、第八キャパシターＣ８、及び第四キャパシターＣ４の容量値は１μＦであり、第六キャパシターＣ６及び第九キャパシターＣ９の容量値は１０００ｐＦである。
【００２６】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形又は修正が可能であり、該変形又は修正もまた本発明の特許請求の範囲内に含まれるものであることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【００２７】
１００  過電圧保護回路
２００  電子装置
Ｖｉｎ  電圧入力端
Ｖｏｕｔ  電圧出力端
１０  第一選択回路
１０１  第一スイッチ回路
２０  第二選択回路
２０１  第二スイッチ回路
２０２  降圧回路
３０  第一電圧保護回路
４０  第二電圧保護回路
【図１】
2013182623.tif 000003
【図２】
2013182623.tif 000004