(57)【要約】【課題】基板Ｗを回転させながら撮像領域Ｒd内の画像を順次撮像する構成において、基板Ｗの画像を取得した結果から基板Ｗの回転周期を求めることを可能とする技術の提供を目的とする。【解決手段】基板Ｗの円周に渡って、極座標系で表された基板Ｗの画像ＩＭ1で基板Ｗの端が描くエッジ曲線ＥＣが特定されるとともに、回転角度軸θに平行な仮想直線ＶＬがエッジ曲線ＥＣに交差するように配置される。この際、エッジ曲線ＥＣのうち仮想直線ＶＬから動径軸方向ρの正側に延びる正側曲線Ｅpと、仮想直線ＶＬから動径軸方向ρの負側に延びて正側曲線Ｅpと等しい長さの負側曲線Ｅmとが同一形状を有するように、仮想直線ＶＬは配置される。そして、仮想直線ＶＬとエッジ曲線ＥＣの交点ｔ1、ｔ2、ｔ3から基板Ｗの回転周期Ｔを求める。【選択図】図８
2013170958.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
曲率が一定な曲線部を周縁に有する撮像対象物を支持しつつ回転する回転支持手段と、
前記回転支持手段に支持される前記撮像対象物にその撮像領域が重なるように配置された撮像手段と、
前記回転支持手段により前記撮像対象物を回転させつつ前記撮像手段に前記撮像領域内の前記撮像対象物を撮像させることで、回転中心からの動径および回転角度を座標軸とする極座標系で表された前記撮像対象物の画像を取得する画像取得手段と、
前記撮像対象物周縁の前記曲線部に相当する範囲において、極座標系で表された前記撮像対象物の画像で前記撮像対象物の端が描くエッジ曲線を特定するエッジ曲線特定手段と、
回転角度軸に平行で前記エッジ曲線に交差する仮想直線であって、前記エッジ曲線のうち前記仮想直線から一方側に延びる第１部分と前記仮想直線から他方側に延びる第２部分とが同一形状を有するように配置された前記仮想直線と、前記エッジ曲線との交点から前記撮像対象物の回転周期を求める回転周期算出手段と、
前記撮像対象物を撮像した結果に基づいて基板に処理を行う基板処理手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記回転周期算出手段は、動径軸方向における前記仮想直線の位置を調整することで、前記第１部分と前記第２部分とが同一形状となる位置に前記仮想直線を配置する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記回転周期算出手段は、前記第１部分と前記第２部分との形状を比較する形状比較部を有しており、前記形状比較部による比較結果に基づいて前記仮想直線を配置する請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１部分および前記第２部分は、前記仮想直線から前記エッジ曲線の極値点に到る前の範囲に存在する曲線である請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記回転周期算出手段が求めた前記撮像対象物の回転周期から、前記撮像対象物の周長を求める周長算出手段をさらに備える請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記撮像対象物は、円形である請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記撮像対象物は、前記基板である請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板は、その方向を示すための切欠部をその円周部分に有する請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記仮想直線の位置に基づいて、前記撮像対象物の前記曲線部の曲率中心と前記回転中心との距離を求める中心間距離算出手段をさらに備えた請求項１ないし８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
曲率が一定な曲線部を周縁に有する撮像対象物を回転させながら、前記撮像対象物にその撮像領域が重なるように配置された撮像手段に前記撮像領域内の前記撮像対象物を撮像させることで、回転中心からの動径および回転角度を座標軸とする極座標系で表された前記撮像対象物の画像を取得する画像取得工程と、
前記撮像対象物周縁の前記曲線部に相当する範囲において、極座標系で表された前記撮像対象物の画像で前記撮像対象物の端が描くエッジ曲線を特定するエッジ曲線特定工程と、
回転角度軸に平行で前記エッジ曲線に交差する仮想直線であって、前記エッジ曲線のうち前記仮想直線から一方側に延びる第１部分と前記仮想直線から他方側に延びる第２部分とが同一形状を有するように配置された前記仮想直線と、前記エッジ曲線との交点から前記撮像対象物の回転周期を求める回転周期算出工程と、
前記撮像対象物を撮像した結果に基づいて基板に処理を行う基板処理工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、撮像対象物を回転させつつ撮像領域内の撮像対象物を撮像した結果に基づいて、基板に処理を行う基板処理技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１では、基板の外観検査（基板処理）を実行するために、基板を撮像する構成を具備した外観検査装置（基板処理装置）が記載されている。具体的に説明すると、この装置では、その上面に基板を支持しながら回転する回転テーブルと、回転テーブル上の基板を撮像するラインセンサカメラとが設けられている。そして、回転テーブルに伴って基板が所定量回転する度に、ラインセンサカメラがその撮像領域内の１ライン分の画像を取得する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２３４９３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように基板等のように円形の撮像対象物の画像を取得するにあたっては、撮像対象物を回転させながら撮像領域内の画像を順次撮像する手法を好適に用いることができる。ただし、撮像対象物を回転させながら検査等の処理を実行する装置では、撮像対象物の回転周期を知ることが必要となる場合がある。一例を挙げれば次のとおりである。つまり、上述のようにして、１ライン分の画像を基板の１回転分について撮像して基板全体の画像を取得するにあたっては、基板を正確に１回転させることは困難であり、基板の回転量は１回転より多少ずれることがある。したがって、実際に取得された画像から、基板全体の外観を見るためには、基板の１回転分に相当する画像を把握する必要があり、換言すれば、撮像対象物である基板の回転周期を知る必要がある。
【０００５】
この際、例えば回転テーブルにエンコーダが取り付けられていれば、エンコーダから撮像対象物の回転周期に関する情報を取得することもできる。しかしながら、基板処理装置の構成によっては、このようなエンコーダ出力が必ずしも得られない場合も考えられる。そこで、撮像対象物の画像を取得した結果から撮像対象物の回転周期を求めることができれば、より好適と言える。
【０００６】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、撮像対象物を回転させながら撮像領域内の画像を順次撮像する構成において、撮像対象物の画像を取得した結果から撮像対象物の回転周期を求めることを可能とする技術の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明にかかる基板処理装置は、上記目的を達成するために、曲率が一定な曲線部を周縁に有する撮像対象物を支持しつつ回転する回転支持手段と、回転支持手段に支持される撮像対象物にその撮像領域が重なるように配置された撮像手段と、回転支持手段により撮像対象物を回転させつつ撮像手段に撮像領域内の撮像対象物を撮像させることで、回転中心からの動径および回転角度を座標軸とする極座標系で表された撮像対象物の画像を取得する画像取得手段と、撮像対象物周縁の曲線部に相当する範囲において、極座標系で表された撮像対象物の画像で撮像対象物の端が描くエッジ曲線を特定するエッジ曲線特定手段と、回転角度軸に平行でエッジ曲線に交差する仮想直線であって、エッジ曲線のうち仮想直線から一方側に延びる第１部分と仮想直線から他方側に延びる第２部分とが同一形状を有するように配置された仮想直線と、エッジ曲線との交点から撮像対象物の回転周期を求める回転周期算出手段と、撮像対象物を撮像した結果に基づいて基板に処理を行う基板処理手段とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
この発明にかかる基板処理方法は、上記目的を達成するために、曲率が一定な曲線部を周縁に有する撮像対象物を回転させながら、撮像対象物にその撮像領域が重なるように配置された撮像手段に撮像領域内の撮像対象物を撮像させることで、回転中心からの動径および回転角度を座標軸とする極座標系で表された撮像対象物の画像を取得する画像取得工程と、撮像対象物周縁の曲線部に相当する範囲において、極座標系で表された撮像対象物の画像で撮像対象物の端が描くエッジ曲線を特定するエッジ曲線特定工程と、回転角度軸に平行でエッジ曲線に交差する仮想直線であって、エッジ曲線のうち仮想直線から一方側に延びる第１部分と仮想直線から他方側に延びる第２部分とが同一形状を有するように配置された仮想直線と、エッジ曲線との交点から撮像対象物の回転周期を求める回転周期算出工程と、撮像対象物を撮像した結果に基づいて基板に処理を行う基板処理工程とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
このように構成された発明（基板処理装置、基板処理方法）では、その撮像領域が撮像対象物に重なるように撮像手段が配置されている。そして、撮像対象物を回転させながら撮像手段に撮像領域内の撮像対象物を撮像させることで、回転中心からの動径および回転角度を座標軸とする極座標系で表された撮像対象物の画像が取得される。ちなみに、撮像対象物は曲率が一定な曲線部を周縁に有するが、この曲線部の曲率中心と回転中心は互いにずれることが通常と考えられる。したがって、この曲線部に相当する範囲では、極座標系で表された撮像対象物の画像の端が正弦曲線を描くこととなる。そこで、本発明は、この正弦曲線を用いて、撮像対象物の回転周期を求める。
【００１０】
具体的には、撮像対象物周縁の曲線部に相当する範囲において、極座標系で表された撮像対象物の画像で撮像対象物の端が描くエッジ曲線が特定されるとともに、回転角度軸に平行な仮想直線がエッジ曲線に交差するように配置される。この際、エッジ曲線のうち仮想直線から一方側に延びる第１部分と、仮想直線から他方側に延びる第２部分とが同一形状を有するように、仮想直線は配置される。このように配置された仮想直線は、正弦的に変動するエッジ曲線の変動幅の中心線となる。したがって、この仮想直線とエッジ曲線の交点から撮像対象物の回転周期を求めることができる。こうして、本発明では、撮像対象物の画像を取得した結果から撮像対象物の回転周期を求めることが可能となっている。
【００１１】
なお、本明細書において、比較対象である２つの対象物（第１部分、第２部分）が同一形状を有するとは、一方の対象物に適当な対称操作を行うことで、一方の対象物が他方の対象物に一致することを指すものとする。また、対称操作としては、恒等操作、回転操作、鏡映操作、反転操作、回映操作、回反操作、並進操作が挙げられる。
【００１２】
この際、回転周期算出手段は、動径軸方向における仮想直線の位置を調整することで、第１部分と前記第２部分とが同一形状となる位置に仮想直線を配置するように、基板処理装置を構成しても良い。
【００１３】
また、回転周期算出手段は、第１部分と第２部分との形状を比較する形状比較部を有しており、形状比較部による比較結果に基づいて仮想直線を配置するように、基板処理装置を構成しても良い。
【００１４】
ちなみに、第１部分と第２部分とを形状比較した結果に基づいて仮想直線を配置する構成において、エッジ曲線の変動幅の中心線に仮想直線を正確に配置するにあたっては、この中心線からの仮想直線の位置ずれが形状比較部の比較結果に鋭敏に反映されることが好ましい。これに対して、変化が比較的緩やかなエッジ曲線の極値点を第１部分および第２部分が含んでしまうと、仮想直線の位置ずれに対して形状比較部の比較結果が鈍感になってしまう傾向にある。そこで、第１部分および第２部分は、仮想直線からエッジ曲線の極値点に到る前の範囲に存在する曲線であるように、基板処理装置を構成しても良い。
【００１５】
なお、上述のようにして求めた回転周期の利用態様は種々のものが考えられる。そこで例えば、回転周期算出手段が求めた撮像対象物の回転周期から、撮像対象物の周長を求める周長算出手段をさらに備えるように、基板処理装置を構成しても良い。
【００１６】
また、撮像対象物が円形である場合には、本発明を特に好適に適用することができる。この場合、撮像対象物は基板であっても良い。この際、基板は、その方向を示すための切欠部をその円周部に有するものであっても良い。かかる構成においても、本発明を好適に適用することができる。
【００１７】
ちなみに、上記仮想直線の位置は、エッジ曲線の変動幅の中心線に相当する。したがって、この仮想直線の位置からは、上述のような撮像対象物の回転周期のみならず、撮像対象物の曲線部の曲率中心と回転中心との距離を知ることもできる。そこで、仮想直線の位置に基づいて、撮像対象物の曲線部の曲率中心と回転中心との距離を求める中心間距離算出手段をさらに備えるように、基板処理装置を構成しても良い。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、撮像対象物を回転させながら撮像領域内の画像を順次撮像する構成において、撮像対象物の画像を取得した結果から撮像対象物の回転周期を求めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を例示する側面図である。
【図２】光照射手段と撮像手段との位置関係を模式的に示す平面図である。
【図３】光照射手段の要部断面を模式的に示した断面図である。
【図４】光照射手段から撮像手段へ至る光路を模式的に示した平面図である。
【図５】画像処理手段が取得する画像の一例を模式的に示す図である。
【図６】基板の中心と回転テーブルの回転中心の位置関係を模式的に示した平面図である。
【図７】回転周期算出部が備える構成を模式的に示すブロック図である。
【図８】基板の回転周期を算出する動作を説明する動作説明図である。
【図９】極座標系から直交座標系への座標変換処理で実行される画像処理の内容を模式的に示した図である。
【図１０】画像処理手段が取得した画像における基板の端を拡大して示す模式図である。
【図１１】極座標系から直交座標系へ座標を変換する座標変換処理の内容を模式的に示す図である。
【図１２】仮想円に引いた接線の式の各係数を表す式を示した図である。
【図１３】基板の形状の変形例を示す平面図である。
【図１４】正側曲線および負側曲線の取り方の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を例示する側面図である。同図および以下に示す図面では、Ｚ軸を鉛直軸とするＸＹＺ直交座標系を適宜示す。この基板処理装置１は、円形の半導体ウェハ等の基板（以下、基板Ｗと称する）を撮像した結果に基づいて基板Ｗの検査を実行する基板検査装置である。具体的には、基板処理装置１は、基板Ｗを支持する回転テーブル２と、基板Ｗに光を照射する光照射手段３と、基板Ｗを撮像する撮像手段４と、電力供給や信号処理を担う電装系５とを、検出ユニット１０に配置した概略構成を備える。
【００２１】
回転テーブル２は、基板Ｗが載置されるその上面に開口する複数の吸引孔を有しており、図示を省略する吸引手段によって各吸引孔を吸引することで、基板Ｗを吸着して保持する。そして、回転テーブル２は、検出ユニット１０に設けられたモーターＭ2からの回転駆動力を受けて、基板Ｗを保持しつつＺ軸周りに回転する。
【００２２】
光照射手段３は、回転テーブル２上に水平に保持された基板Ｗの上方の位置であって、基板Ｗの中心Ｃwを通る鉛直線Ｌvに対してＸ軸方向の一方側の位置に配置される。これに対して、撮像手段４は、回転テーブル２上に水平に保持された基板Ｗの上方の位置であって、上記鉛直線Ｌvに対してＸ軸方向の他方側の位置に配置される。つまり、光照射手段３と撮像手段４とは、基板Ｗの中心Ｃwを通る鉛直軸Ｌvを挟んで互いに反対側に配置されている。そして、光照射手段３から射出されて基板Ｗに入射角α1で入射した光は、基板Ｗにおいて反射角α2で正反射（α1＝α2）された後に撮像手段４へ向かう。
【００２３】
この際、現在主流の３００[mm]の径を有する半導体ウェハを基板Ｗとして用いる場合には、光が基板Ｗへ入射する入射角α1は、２０度ないし４５度となる。次世代型のより大型化した基板、具体的には４５０[mm]の半導体ウェハを基板Ｗとして用いる場合も同様である。
【００２４】
撮像手段４は、基板Ｗから反射角α2で正反射された光を反射する光学系４１と、光学系４１で反射された光を検出して電気信号に変換する光電変換部４２とを有する。光学系４１は、長方形状を有した平板状のミラー４１１を保持板４１２で保持した構成を有しており、基板Ｗからの正反射光をミラー４１１で反射して光電変換部４２へと導く。この光電変換部４２は、例えばラインセンサカメラで構成される。このラインセンサカメラとしては、ＣＣＤ(Charge Coupled Device)やＣＭＯＳ(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等のラインセンサ素子、増幅器、駆動回路、Ａ／Ｄ（Analog／Digital）変換器、メモリ、入出力回路、結像レンズ（撮像レンズ）および筐体等によって構成される周知のラインセンサカメラを用いることができる。
【００２５】
このように、光照射手段３が射出した光が基板Ｗで反射された後に、撮像手段４へと入射する。こうして、撮像手段４によって基板Ｗの画像を撮像することができる。続いては、これら光照射手段３および撮像手段４のより具体的な構成について説明する。
【００２６】
図２は、光照射手段と撮像手段との位置関係を模式的に示す平面図である。図３は、光照射手段の要部断面を模式的に示した断面図である。図４は、光照射手段から撮像手段へ至る光路を模式的に示した平面図である。なお、図４では、光路を示すために光電変換部４２が光学系４１に対してずらして記載されているが、実際には図１および図２に示すように、光電変換部４２は光学系４１の直上に配置されている。
【００２７】
光照射手段３は、Ｙ軸方向に長尺な円柱形状の光源３１を、同じくＹ軸方向に長尺であって中空の円筒支持部材３２で周方向に覆った構成を具備している。円筒支持部材３２にはＹ軸方向に延びるスリットＳ32（図３）が回転テーブル２上の基板Ｗへ向けて開口しており、光源３１から射出された光はスリットＳ32を介して基板Ｗに照射される。これによって、基板ＷにはＹ軸方向に延びる直線状に光が照射されることとなる。また、円筒支持部材３２と光源３１との隙間には、スリットＳ32の逆側から光源３１を覆うように反射材３１aが設けられている。これによって、光源３１からスリットＳ32の逆向きに射出された光は、反射材３１aでスリットＳ31へと反射される。その結果、スリットＳ32を通過する光量を増大させて、基板Ｗに照射される光量を十分に確保することが可能となっている。
【００２８】
図２に示すように、光源３１は、回転テーブル５上の基板Ｗの中心Ｃwに対して、Ｙ軸方向の一方側に寄って配置されており、その一方端が検出ユニット１０の一方側壁１０aに固定されている。これに対して、光源３１の他方端は、連結部３３、連結管３４および光ファイバー３５を介してＬＥＤ(Light Emitting Diode)に接続されている。より具体的には、連結管３４の一方端が連結部３３を介して光源３１の端（他方端）に接続されるとともに、連結管３４の他方端が検出ユニット１０の他方側壁１０bに固定されている。そして、検出ユニット１０の外側において、連結管３４の端（他方端）が光ファイバー３５を介してＬＥＤ３６に接続されている。したがって、ＬＥＤ３６からの光が、光ファイバー３５によって導光された後に、連結管３４および連結部３３を介して光源３１に到達して、光源３１から射出される。
【００２９】
こうして、光照射手段３から射出された光が、Ｙ軸方向に延びる直線状に基板Ｗに照射された後に撮像手段４へと向かう。つまり、図４の破線で示すように、光照射手段３から射出された光は、回転テーブル２上の基板Ｗで正反射された後に、光学系４１でさらに反射されて光電変換部４２に入射する。ここで、光電変換部４２に入射する光が基板Ｗで反射される領域を撮像領域Ａdとすると、撮像領域Ａdは、基板Ｗの端から中心Ｃwまでの範囲に重複する。この際、撮像領域Ａdは、基板Ｗの半径よりやや長い直線形状を有しており、基板Ｗの端から中心Ｃwまでの範囲Ａrの両側にはみ出している。なお、図４では、撮像領域Ａdがこの範囲Ａtに対して基板中心Ｃw側にはみ出した範囲に符号ΔＡrが付されている。そして、このような撮像領域Ａdで反射された光が縮小されて、光電変換部４２の受光部に結像される。こうして、撮像手段４は撮像領域Ａd内における１ライン分の基板Ｗの画像を撮像することとなる。
【００３０】
以上が、基板処理装置１の備える機械的構成の概要である。続いては、図１に戻って、基板処理装置１の備える電気的構成、すなわち電装系５の構成について説明する。電装系５は、基板処理装置１の各部の制御を統括する制御手段５１と、基板処理装置１の各部へ電源供給を行う電源５２と、撮像手段４の撮像結果に対して画像処理を実行する画像処理手段５３とを有する。
【００３１】
特に制御手段５１は、駆動モータＭ2を回転させて回転テーブル２の回転動作を制御しつつ、撮像手段４に撮像動作を適宜実行させることで、基板Ｗの画像を取得する。具体的には、制御手段５１は、回転テーブル２を回転させて基板Ｗを所定角度回転させる度に撮像手段４に１ライン分の撮像を実行させる処理を、基板Ｗの一周分について行うことで、基板Ｗの概ね全体の画像を取得する。
【００３２】
また、画像処理手段５３は、撮像手段４が所定の回転角度毎に撮像した１ライン分の画像を順次受信する。これによって、図５に示すような、回転角度と回転中心からの距離（動径）を座標軸とする極座標系で表される基板Ｗの概ね全体の画像を取得する（画像取得工程）。ここで、図５は、画像処理手段が取得する画像の一例を模式的に示す図である。なお、同図および以下に説明する図面では、回転角度θと回転中心からの距離（動径）ρとで表される極座標軸を適宜示す。また、同図においては、画像ＩＭ1の左端が基板Ｗの略中心に対応し、画像ＩＭ1の右端が基板Ｗの端に対応する。
【００３３】
図５に示すように、画像ＩＭ1において基板Ｗの端が描くエッジ曲線ＥＣは、正弦曲線となる。これは、基板Ｗの中心Ｃwが回転テーブル２の回転中心に対してずれていることに起因する。つまり、基板Ｗは、その中心Ｃwが回転テーブル２の回転中心に一致するように載置されることが理想的である。しかしながら、実際には基板Ｗの載置精度に限界があるために、図６に示すように、基板Ｗの中心Ｃwと回転テーブル２の回転中心Ｃrとが互いにずれるといった載置ずれが発生する。
【００３４】
図６は、基板の中心と回転テーブルの回転中心の位置関係を模式的に示した平面図である。同図に示すように、基板の中心Ｃwと回転テーブル２の回転中心Ｃrはずれ量ΔＣだけずれている。したがって、円形の基板Ｗの端から回転中心Ｃrまでの距離は、基板Ｗの直径Ｒwにずれ量ΔＣを加算した最大値（＝Ｒw＋ΔＣ）と、基板Ｗの直径Ｒwからずれ量ΔＣを減算した最小値（＝Ｒw−ΔＣ）の間で正弦的に変動する。その結果、図５に示すように、画像処理手段５３が取得した画像ＩＭ1では、基板Ｗの端が直線状にならずに振幅ΔＣで正弦的に波打つこととなる。
【００３５】
図１に戻って説明を続ける。画像処理手段５３は、上述のようにして取得した画像ＩＭ1に基づいて、基板Ｗの検査を実行する。具体的には、画像処理手段５３に設けられた評価部５３１が、画像ＩＭ1に基づいて基板Ｗの検査を実行する。この際、画像ＩＭ1を取得するにあたって回転した回転テーブル２の回転量はちょうど１回転とはならず、１回転より若干多くなることが通常である。したがって、画像ＩＭ1には、基板Ｗの１回転分より多い画像が含まれる。そこで、画像処理手段５３は、画像ＩＭ1のうちから基板Ｗの一回転分に相当する画像を把握するために、基板Ｗの回転周期を求める回転周期算出部５４を備える。
【００３６】
図７は、回転周期算出部が備える構成を模式的に示すブロック図である。また、図８は、基板の回転周期を算出する動作を説明する動作説明図である。なお、以下の説明では、極座標の各座標軸ρ、θの図中矢印側を正側と称し、図中矢印方向と逆向き側を負側と適宜称する。回転周期算出部５４は、エッジ曲線特定器５４１および回転周期算出器５４２で構成される。エッジ曲線特定器５４１は、基板Ｗの円周全体に渡って、画像ＩＭ1で基板Ｗの端が描くエッジ曲線ＥＣを特定する（エッジ曲線特定工程）。そして、回転周期算出器５４２は、内蔵する仮想直線調整器５４２１および形状比較器５４２２を用いて、エッジ曲線ＥＣから基板Ｗの回転周期を求める。
【００３７】
図８に示すように具体的には、仮想直線調整器５４２１は、回転角度軸θに平行な仮想直線ＶＬを、エッジ曲線ＥＣに交差するように極座標系に配置する。一方、形状比較器５４２２は、エッジ曲線ＥＣのうち、仮想直線ＶＬから動径軸方向ρの正側に延びる正側曲線Ｅpと、仮想直線ＶＬから動径軸方向ρの負側に延びる負側曲線Ｅmとの形状を比較する。ここで、正側曲線Ｅpは、仮想直線ＶＬとエッジ曲線ＥＣとの交点から回転方光軸θの正側に所定範囲Δθにあるエッジ曲線ＥＣの部分であり、正側曲線Ｅmは、仮想直線ＶＬとエッジ曲線ＥＣとの交点から回転方光軸θの負側に所定範囲Δθにあるエッジ曲線ＥＣの部分である。このように、正側曲線Ｅpおよび負側曲線Ｅmは、仮想直線ＶＬとエッジ曲線ＥＣとの交点から回転角度軸θへ等距離の範囲にある。さらに、正側曲線Ｅpおよび負側曲線Ｅmが仮想直線ＶＬからエッジ曲線ＥＣの極値点に到る前の範囲に存在するように、所定距離θは設定されている。
【００３８】
形状比較器５４２２が正側曲線Ｅpと負側曲線Ｅmとの形状を比較した結果は、仮想直線調整器５４２１に出力される。そして、比較結果が不一致である場合には、仮想直線調整器５４２１が動径軸方向ρに仮想直線ＶＬの位置を変更するとともに、形状比較器５４２２が再び正側曲線Ｅpと負側曲線Ｅmとの形状を比較する。こうして仮想直線ＶＬの動径軸方向ρへの位置を調整する動作は、正側曲線Ｅpと負側曲線Ｅmの形状が一致するまで実行される。これによって、最終的には、正側曲線Ｅpと負側曲線Ｅmとは互いに同一形状を有し、エッジ曲線ＥＣの変動幅ΔＥＣの中心に仮想直線ＶＬが配置されることとなる（換言すれば、後述する変動中心線Ｌzc（図１０）に仮想直線ＶＬが一致する）。ちなみに、エッジ曲線ＥＣの変動幅ΔＥＣの中心に仮想直線ＶＬが配置された状態では、正側曲線Ｅpと負側曲線Ｅmとは互いに等しい長さを有する。
【００３９】
このように、仮想直線ＶＬがエッジ曲線ＥＣの変動幅ΔＥＣの中心に配置された場合、仮想直線ＶＬとエッジ曲線ＥＣとの交点ｔ1、ｔ2、ｔ3等から基板Ｗの回転周期Ｔを求めることができる。つまり、交点ｔ1〜ｔ3の間隔は基板Ｗの回転周期Ｔに相当するため、回転周期算出器５４２は、交点ｔ1〜ｔ3の間隔を基板Ｗの回転周期Ｔとして求めることができる。あるいは、交点ｔ1〜ｔ2の間隔や交点ｔ2〜ｔ3の間隔は基板Ｗの回転周期の半分に相当するため、回転周期算出器５４２は、交点ｔ1〜ｔ3の間隔もしくは交点ｔ1〜ｔ2の間隔を２倍した値を基板Ｗの回転周期Ｔとして求めることができる（回転周期算出工程）。
【００４０】
こうして、画像処理手段５３は、画像ＩＭ1のうち回転周期Ｔの範囲にある画像を、基板Ｗの１回転分に相当する画像として把握することができる。そして、画像処理手段５３の評価部５３１は、基板Ｗの１回転分に相当する画像に基づいて、基板Ｗの検査を実行することができる。
【００４１】
この際の検査としては、種々の検査を実行することができる。具体例を挙げれば、レジスト膜が塗布されてエッジビードが除去された基板Ｗに対して、エッジビードの除去線の良否検査を行う場合等は、極座標系で表された基板Ｗの画像を用いることが好適となる。なぜなら、極座標系で基板Ｗを表した場合、エッジビードの除去が適切に行われた除去線の形状は略直線となる一方、エッジビードの除去が適切に行われなかった除去線の形状は直線から外れるため、エッジビード除去線の形状を確認するだけで、容易にエッジビード除去線の良否検査を行えるからである。
【００４２】
なお、検査の種類によっては、極座標系よりも直交座標系において基板Ｗの画像を表すことが好適となる場合もある。具体例を挙げれば、複数のダイが形成された半導体の基板Ｗに対して、ダイどうしを相互に比較して不良のダイを特定する検査を行う場合などは、直交座標系で表された基板Ｗの画像を用いることが好適となる。なぜなら、直交座標系で基板Ｗを表した場合、各ダイは基本的には同一の形状や模様を有する一方、異常のあるダイは他の正常なダイと比較して形状や模様において異なるため、ダイどうしの形状や模様を相互に比較するだけで、不良のダイを容易に特定できるからである。
【００４３】
そこで、画像処理手段５３は、基板Ｗの画像を極座標系から直交座標系へと変換する画像変換処理を実行する座標変換部５３２と、座標変換処理に必要となる情報を記憶するメモリ５３３とを有する（図１）。続いては、この座標変換処理について説明する。
【００４４】
図９は、極座標系から直交座標系への座標変換処理で実行される画像処理の内容を模式的に示した図である。上述のとおり、画像処理手段５３は、基板Ｗが所定の回転角度回転する度に１ライン分の画像を受信することで、極座標系で表される基板Ｗの概ね全体の画像を取得する。つまり、画像処理手段５３が取得する画像ＩＭ1は、図９の「画像処理手段が取得した画像」の欄に示すように、極座標系で表された画像となる。なお、同欄において、画像ＩＭ1の左端が基板Ｗの略中心に対応し、画像ＩＭ1の右端が基板Ｗの端に対応する。また、後に示す「基板の載置ずれ補正画像」および「変換対象範囲の画像」の欄における画像ＩＭ2についても同様である。
【００４５】
図１０は、画像処理手段が取得した画像における基板の端を拡大して示す模式図である。図１０において、基板Ｗの変動中心線（いわゆるゼロクロスライン）が符号Ｌzcで表されている。上述したとおり、基板Ｗは、変動中心線Ｌzcを中心に振幅ΔＣで正弦的に変動する。この際、基板中心Ｃwと回転中心Ｃrの間にずれが無くてずれ量ΔＣがゼロである理想的な場合には、基板Ｗの端は変動中心線Ｌzcに一致する。換言すれば、基板Ｗの端を変動中心線Ｌzcに揃える操作を実行することで、基板中心Ｃwと回転中心Ｃrの間にずれが無い場合に相当する基板Ｗの画像を生成することができる。具体的には、座標変換部５３２は、ｎ番目のラインデータＤ(n)の端（θn、ρz＋Δρz）が変動中心線Ｌzcの位置ρzからずれている量Δρzを求めて、当該ラインデータＤnを（−Δρz）だけρ方向にシフトせさせる処理を各ラインデータＤ(1)、Ｄ(2)、…に対して実行する。これによって、図９の「基板の載置ずれ補正画像」の欄に示すように、基板中心Ｃwと回転中心Ｃrの間にずれが無い場合に相当する基板Ｗの画像ＩＭ2が生成される。なお、画像ＩＭ2では、右端が直線状に揃えられたため、左端が正弦的に振動する曲線Ｌ1となる。
【００４６】
こうして、基板Ｗの載置ずれを補正した上で、座標変換部５３２は、基板Ｗの端から回転中心Ｃrまでの変換対象範囲Ａtの画像に対して、極座標系から直交座標系への座標変換処理を実行する。ちなみに、画像ＩＭ1を取得するにあたって回転した回転テーブル２の回転量はちょうど１回転とはならず、１回転より若干多くなることが通常である。したがって、画像ＩＭ1、ＩＭ2には、基板Ｗの１回転分より多い余分な画像が含まれる。よって、適切に座標変換処理を行うためには、この余分な画像を除くことが好ましい。これに対応して、ここでの座標変換処理では、ρ方向において基板Ｗの端から回転中心Ｃrまでの間にあるとともにθ方向において基板Ｗの回転周期Ｔの間にある範囲が変換対象範囲として特定される。なお、ここでの回転周期Ｔは、上述の回転周期算出部５４が算出したものが用いられる。
【００４７】
なお、図６に示すように、撮像手段４が１ライン分の画像を取得する撮像領域Ａdは、回転中心Ｃrから距離ΔＡdだけはみ出している。換言すれば、極座標系での動径方向ρ（直線状の撮像領域Ａdが延びる方向）において、撮像領域Ａdは回転中心Ｃrを跨いで変換対象範囲Ａtからはみ出している。そのため、画像ＩＭ2には、変換対象範囲Ａtから外れた場所の画像が紛れ込んでいる。このような状態で、画像ＩＭ2の全体が変換対象範囲Ａtの画像に対応するものとして座標変換処理を行うと、直交座標系に変換された画像に部分的な歪みが生じる。具体例を挙げると、直線で表されるべきパターンが部分的に屈曲したり、途切れたりといった歪みが生じる。
【００４８】
そこで、図９の「変換対象範囲」の欄に示すように、座標変換部５３２は、基板Ｗの端から回転中心Ｃrの変換対象範囲Ａtを画像ＩＭ2上において特定する動作を行なう。ちなみに、極座標系において、回転中心Ｃrの位置は、基板Ｗの端から回転中心Ｃrに向かって基板半径Ｒwの距離にある仮想直線Ｌrを中心に、曲線Ｌ1と同一形状で正弦振動する曲線Ｌ2として現れる。したがって、曲線Ｌ2より右側にあって回転周期Ｔの間にある範囲が変換対象範囲Ａtとして特定される。
【００４９】
ただし、撮像手段４と基板Ｗとの位置関係によって、動径軸方向ρにおける撮像手段４の１画素に対応する距離Ｐxは変動する。そのため、撮像手段４の撮像した画像上において、いずれの部分が変換対象範囲Ａtの画像であるかを特定するために、基板Ｗの端から基板半径Ｒwだけ離れた位置を見積もって当該位置で変動する曲線Ｌ2を推定するにあたっては、この距離Ｐxの値が必要となる。これに対して、この実施形態では、動径軸方向ρにおける撮像手段４の１画素に対応する距離Ｐxが距離情報として予め求められてメモリ５３３に記憶されており、座標変換部５３２は、基板Ｗの半径Ｒwを距離Ｐxで除すことで半径Ｒwに相当する画素数を求め、基板Ｗの端から当該画素数だけ離れた位置で正弦振動する曲線Ｌ2を推定する（つまり、回転中心Ｃrの位置を推定する）。これによって、変換対象範囲Ａtが正確に特定される。そして、座標変換部５３２は、こうして特定した変換対象範囲Ａtにある基板Ｗの画像ＩＭ2に対して座標変換処理を実行する。この際、上述したとおり変換対象範囲Ａtは、θ方向においては回転周期Ｔに相当する長さを有する。
【００５０】
ところで、撮像手段４が１ライン分の画像を取得する撮像領域Ａdは、回転テーブル２の回転中心Ｃrに一致していることが理想的であるが、実際には回転中心Ｃrに対してずれることが多い。このように撮像領域Ａdが回転中心Ｃrからずれている場合、このずれ量を考慮すること無く座標変換処理を実行すると、直交座標系に変換された画像に部分的な歪みが生じる。具体例を挙げると、直線で表されるべきパターンが部分的に屈曲したり、途切れたりといった歪みが生じる。そこで、この実施形態では、撮像領域Ａdと回転中心Ｃrとのずれ量Ｒ0が、撮像領域Ａdと回転中心Ｃrの位置関係を示す位置情報として予め求められてメモリ５３３に記憶されている。そして、座標変換部５３２は、このずれ量Ｒ0に基づいて座標変換処理を実行する。これについて、以下に詳述する。
【００５１】
図１１は、極座標系から直交座標系へ座標を変換する座標変換処理の内容を模式的に示す図である。同図では、直交座標系における回転テーブル２の回転中心Ｃrと撮像領域Ａdとの位置関係が示されている。なお、複数の撮像領域Ａdが示されているが、これは複数の撮像領域Ａdが実際に存在することを示すものではなく、基板Ｗに対して相対的に回転移動する撮像領域Ａdを異なる回転角度毎に示したものである。
【００５２】
上述のとおり、基板Ｗを所定角度回転させる度に撮像手段４に１ライン分の撮像を実行することで、基板Ｗの概ね全体の画像が取得される。このような構成では、直線状の撮像領域Ａdが、回転テーブル２の回転中心Ｃrの周りを相対的に回転することとなる。この際、撮像領域Ａdと回転中心Ｃrがずれ量Ｒ0だけずれていると、撮像領域Ａdは、回転テーブル２の回転中心Ｃrからずれ量Ｒ0だけ距離を置きながら回転する。換言すれば、回転中心Ｃrを中心とする半径Ｒ0の仮想円Ｃeに接しながら撮像領域Ａdは回転する。
【００５３】
そこで、座標変換部５３２は、メモリ５３３に記憶されるずれ量Ｒ0に基づいて、このような撮像領域Ａdの軌跡を特定する。このように撮像領域Ａdの軌跡をずれ量Ｒ0から特定することで、撮像手段４が撮像領域Ａdで撮像して取得したデータが、いずれの場所を撮像したものであるかを的確に把握することができる。具体的には、回転角度θに対応する１ライン分のラインデータは、回転中心Ｃrから距離Ｒ0を置いて回転中心Ｃr周りに角度θだけ回転した撮像領域Ａdで撮像されたデータであると把握できる。
【００５４】
そして、座標変換部５３２はこうして特定した撮像領域Ａdの軌跡に基づいて、極座標系での任意の点を直交座標系での点に対応付けて、極座標系から直交座標系への画像変換処理を実行する。つまり、撮像領域Ａdが仮想円Ｃeに接する接点から撮像領域Ａd上の任意の点までの距離が極座標系での動径方向ρの距離に対応付けられるとともに、撮像領域Ａdの角度が極座標系での角度θに対応付けられる。これによって、極座標系と直交座標系とが的確に対応付けられる。
【００５５】
具体的には、直交座標系において、回転中心Ｃr（ｘk，ｙk）を中心とする半径Ｒ0の仮想円Ｃeに対して任意の点（ｘj，ｙj）から引いた接線の式を
ａｘ＋ｂｙ＋ｃ＝０
とおくと、係数ａ、ｂ、ｃのそれぞれは、図１２に示す各式で表される。ここで、図１２は、仮想円に引いた接線の式の各係数を表す式を示した図である。そこで、座標変換部５３２は、図１２に示した式を用いて、極座標系の各点直交座標系の対応する点に写像して座標変換処理を実行する。これによって、図９の「直交座標系での画像」の欄に示すように、直交座標系で表された基板Ｗの画像ＩＭ3が得られる。なお、仮想円Ｃeの範囲内では撮像領域Ａdが通過しないため画像が取得されない。したがって、直交座標系での基板Ｗの画像ＩＭ3では、仮想円Ｃeは画像の欠落した不可視円として現れる。そして、画像処理手段５３の評価部５３１が、直交座標系で表された基板Ｗの画像に基づいて、例えば基板Ｗに形成された複数のダイのうち、異常のあるダイを特定するといった検査を実行する（基板処理工程）。
【００５６】
以上に説明したように、この実施形態では、では、その撮像領域Ａdが基板Ｗ（撮像対象物）に重なるように撮像手段４が配置されている。そして、基板Ｗを回転させながら撮像手段４に撮像領域Ａd内の基板Ｗを撮像させることで、回転中心Ｃrからの動径ρおよび回転角度θを座標軸とする極座標系で表された基板の画像ＩＭ1が取得される。ちなみに、基板Ｗの円周の中心Ｃwと回転中心Ｃrは互いにずれることが通常である。したがって、基板Ｗの円周に渡って、極座標系で表された基板Ｗの画像ＩＭ1の端が正弦曲線を描くこととなる。そこで、この実施形態は、この正弦曲線を用いて、基板Ｗの回転周期Ｔを求める。
【００５７】
具体的には、基板Ｗの円周に渡って、極座標系で表された基板Ｗの画像ＩＭ1で基板Ｗの端が描くエッジ曲線ＥＣが特定されるとともに、回転角度軸θに平行な仮想直線ＶＬがエッジ曲線ＥＣに交差するように配置される。この際、エッジ曲線ＥＣのうち仮想直線ＶＬから動径軸方向ρの正側に延びる正側曲線Ｅpと、仮想直線ＶＬから動径軸方向ρの負側に延びる負側曲線Ｅmとが同一形状を有するように、仮想直線ＶＬは配置される。このように配置された仮想直線ＶＬは、正弦的に変動するエッジ曲線ＥＣの変動幅ΔＥＣの中心線となる。したがって、この仮想直線ＶＬとエッジ曲線ＥＣの交点ｔ1、ｔ2、ｔ3から基板Ｗの回転周期Ｔを求めることができる。こうして、この実施形態では、基板Ｗの画像ＩＭ1を取得した結果から基板Ｗの回転周期Ｔを求めることが可能となっている。
【００５８】
ところで、この実施形態では、エッジ曲線ＥＣの正側曲線Ｅpと負側曲線Ｅmとの形状を比較した結果に基づいて仮想直線ＶＬを配置する。このような構成において、エッジ曲線ＥＣの変動幅ΔＥの中心線に仮想直線ＶＬを正確に配置するにあたっては、この中心線からの仮想直線ＶＬの位置ずれが、曲線Ｅp、Ｅmの形状比較結果に鋭敏に反映されることが好ましい。これに対して、変化が比較的緩やかなエッジ曲線ＥＣの極値点を正側曲線Ｅpおよび負側曲線Ｅmが含んでしまうと、仮想直線ＶＬの位置ずれに対して曲線Ｅp、Ｅmの形状比較結果が鈍感になってしまう傾向にある。これに対して、この実施形態では、正側曲線Ｅpおよび負側曲線Ｅmは、仮想直線ＶＬからエッジ曲線ＥＣの極値点に到る前の範囲に存在する。したがって、仮想直線ＶＬの位置ずれが、曲線Ｅp、Ｅmの形状比較結果に鋭敏に反映されるため、エッジ曲線ＥＣの変動幅ΔＥの中心線に仮想直線ＶＬを正確に配置することができる。
【００５９】
また、この実施形態のように、基板Ｗが円形である場合には、本発明を特に好適に適用することができる。この際、基板Ｗは、その方向を示すためのノッチ（切欠部）をその円周部に有するものであっても良い。この場合においても、本発明を好適に適用することができる。
【００６０】
このように、この実施形態では、基板処理装置１が本発明の「基板処理装置」に相当し、回転テーブル２が本発明の「回転支持手段」に相当し、撮像手段４が本発明の「撮像手段」に相当し、画像処理手段５３が本発明の「画像取得手段」に相当し、エッジ曲線特定器５４１が本発明の「エッジ曲線特定手段」に相当し、回転周期算出器５４２が本発明の「回転周期算出手段」に相当し、評価部５３１が本発明の「基板処理手段」に相当する。また、基板Ｗが本発明の「撮像対象物」に相当し、基板Ｗの周縁全体が本発明の「曲線部」に相当し、基板Ｗの中心が本発明の「曲率中心」に相当し、エッジ曲線ＥＣが本発明の「エッジ曲線」に相当し、仮想直線ＶＬが本発明の「仮想直線」に相当し、正側曲線Ｅpが本発明の「第１部分」に相当し、負側曲線Ｅmが本発明の「第２部分」に相当し、回転周期Ｔが本発明の「回転周期」に相当する。
【００６１】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、基板Ｗに対して検査を行う場合について説明した。しかしながら、基板処理装置１が基板Ｗに対して実行する処理は基板検査に限られない。そこで、基板Ｗを回転させながら基板Ｗにレジストを塗布する処理を実行する基板処理装置１や、基板Ｗを回転させながら基板Ｗのエッジビードを除去する処理を実行する基板処理装置１に対しても本発明を適用することができる。
【００６２】
また、基板Ｗの形状は円形に限られない。そこで、図１３のような形状の基板Ｗに対して本発明を適用することもできる。図１３は、基板の形状の変形例を示す平面図である。同図の基板Ｗの周縁は、円弧Ｂ1（つまり、曲率が一定な曲線部）と直線Ｂ2とで構成されている。このような基板Ｗを用いた場合であっても、円弧Ｂ1に相当する範囲では、極座標系で表された画像ＩＭ1での基板Ｗの端は正弦曲線を描く。そこで、円弧Ｂ1に相当する範囲でエッジ曲線ＥＣを特定し、このエッジ曲線ＥＣに基づいて上記要領で基板Ｗの回転周期Ｔを求めることができる。特に、図１３の例では、円弧Ｂ1に対する中心角の大きさが１８０度より大きいため、十分な長さのエッジ曲線ＥＣを確保することができ、基板Ｗの回転周期Ｔを求めるにあたって好適と言える。ただし、円弧Ｂ1に対する中心角の大きさが１８０以下である場合にも本発明を適用することは可能である。
【００６３】
また、上記実施形態では、撮像対象物は基板Ｗであった。しかしながら、基板Ｗ以外の撮像対象物を撮像する基板処理装置１に対して本発明を適用することができる。具体的には、基板Ｗの表面に塗布された、曲率が一定な曲線部を有する円形状のレジスト膜あるいは氷の膜を撮像対象物として撮像する基板処理装置１に対して本発明を適用しても良い。
【００６４】
また、正側曲線Ｅpおよび負側曲線Ｅmの取り方についても上記の態様に限られず、種々の変形が可能である。そこで、図１４に示すように、正側曲線Ｅpおよび負側曲線Ｅmを取っても良い。なお、図１４は、正側曲線および負側曲線の取り方の変形例を示す図である。同図の例では、２本の正側曲線Ｅp1、Ｅp2と、２本の負側曲線Ｅm1、Ｅm2が取られている。なお、上記実施形態と同様にして、これらの曲線Ｅp1、Ｅp2、Ｅm1、Ｅm2は、仮想直線ＶＬとエッジ曲線ＥＣとの交点から回転角度軸θへ等距離の範囲に取られている。このような構成では、仮想直線ＶＬがエッジ曲線ＥＣの変動幅ΔＥＣの中心に位置した場合、これらの曲線Ｅp1、Ｅp2、Ｅm1、Ｅm2は同一形状となる。そこで、仮想直線ＶＬの位置を動径軸方向ρに調整しながら、曲線Ｅp1、Ｅp2、Ｅm1、Ｅm2の形状が互いに一致する仮想直線ＶＬの位置を求めることで、仮想直線ＶＬをエッジ曲線ＥＣの変動幅ΔＥＣの中心に配置することができる。
【００６５】
また、形状比較器５４２２において、曲線形状の一致を判断する手法についても、種々のものが採用できる。具体的には、比較対象である曲線の間で差分を取り、この差分値が所定の閾値以下である場合には、これらの曲線は一致すると判断しても良い。
【００６６】
なお、上述のようにして求めた回転周期Ｔの利用態様は種々のものが考えられる。そこで例えば、回転周期算出部５４が求めた基板Ｗの回転周期Ｔから、画像処理手段５３（周長算出手段）が基板Ｗの周長を求めるように構成しても良い。具体的には、回転角度軸方向θにおける撮像手段４の１画素に対応する距離Ｐxxをメモリ５３３に記憶しておき、回転周期Ｔの範囲にある画素数に距離Ｐxxで乗ずることで基板Ｗの周長を求めることができる。
【００６７】
ところで、上述のエッジ曲線ＥＣに示したとおり、画像ＩＭ1では基板Ｗの端が変動する。そして、図６を用いて説明したとおり、この変動振幅は、基板Ｗの中心Ｃwと回転テーブル２の回転中心Ｃrとのずれ量ΔＣに相当する。つまり、エッジ曲線ＥＣの振幅が判れば、ずれ量ΔＣを求めることができる。これに対して、仮想直線調整器５４２１により位置が調整された仮想直線ＶＬは、エッジ曲線ＥＣの変動幅ΔＥＣの中心に位置する。したがって、仮想直線ＶＬとエッジ曲線ＥＣの頂点（換言すれば極値点）との距離が、エッジ曲線ＥＣの振幅に相当し、すなわちずれ量ΔＣとなる。そこで、位置調整がなされた仮想直線ＶＬの位置に基づいて、基板Ｗの中心Ｃwと回転テーブル２の回転中心Ｃrとのずれ量ΔＣを求めるように、画像処理手段５３（中心間距離算出手段）を構成しても良い。
【００６８】
また、上記実施形態では、撮像手段４の１画素に対応する距離Ｐxを予め求める手法や、撮像領域Ａdと回転中心Ｃrとのずれ量Ｒ0を予め求める手法については特に説明しかなったが、これらの手法としては種々のものを採用できる。一例を挙げると次のとおりである。
【００６９】
上述したとおり、変換対象範囲Ａtから外れた場所の画像を取り込んで座標変換処理を行った場合、直交座標系で表される画像に歪みが生じる。そこで、上記実施形態では、撮像手段４の１画素に対応する距離Ｐxに基づいて変換対象範囲Ａtにある画像が特定される。この際、距離Ｐxが正しい値でないと、変換対象範囲Ａtを正確に特定することができず、直交座標系で表される画像には歪みが生じる。そこで、距離Ｐxを求める際には、このような距離Ｐxの値と画像の歪みとの関係を利用することができる。
【００７０】
つまり、例えば直線状のテストパターンが形成されたテスト用の基板Ｗの画像ＩＭ1を上述の要領で極座標系において取得する。そして、上述の要領で当該画像ＩＭ1を、画像ＩＭ2を経由して、直交座標系での画像ＩＭ3に変換する。この動作を距離Ｐxの値を変化させながら複数回実行することで、テストパターンの歪みの程度が異なる複数の画像ＩＭ3が得られる。そして、テストパターンの歪みが最も小さい画像ＩＭ3を取得するにあたって用いた距離Ｐxの値が、正しい距離Ｐxを示すものとして求めることができる。
【００７１】
また、上述したとおり、撮像領域Ａdと回転中心Ｃrのずれ量Ｒ0を考慮すること無く座標変換処理を行った場合、直交座標系で表される画像に歪みが生じる。そこで、上記実施形態では、このずれ量Ｒ0から求められた撮像領域Ａdの軌跡に基づいて、撮像手段４が撮像領域Ａdで撮像して取得したデータが、いずれの場所を撮像したものであるかを把握している。この際、ずれ量Ｒ0が正しい値でないと、撮像したデータがいずれの場所のものかを正確に把握することができず、直交座標系で表される画像には歪みが生じる。そこで、ずれ量Ｒ0を求める際には、このようなずれ量Ｒ0の値と画像の歪との関係を利用することができる。
【００７２】
つまり、距離Ｐxの場合と同様に、例えば直線状のテストパターンが形成されたテスト用の基板Ｗの画像ＩＭ1を上述の要領で極座標系において取得する。そして、上述の要領で当該画像ＩＭ1を、画像ＩＭ2を経由して、直交座標系での画像ＩＭ3に変換する。この動作をずれ量Ｒ0の値を変化させながら複数回実行することで、テストパターンの歪みの程度が異なる複数の画像ＩＭ3が得られる。そして、テストパターンの歪みが最も小さい画像ＩＭ3を取得するにあたって用いたずれ量Ｒ0の値が、正しいずれ量Ｒ0を示すものとして求めることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、撮像対象物を回転させながら撮像領域内の画像を順次撮像することで、極座標系で表された撮像対象物の画像を取得し、その結果に基づいて基板への処理を実行する基板処理装置に利用することができる。
【符号の説明】
【００７４】
１…基板処理装置
２…回転テーブル
３…光照射手段
４…撮像手段
５３…画像処理手段
５３１…評価部
５４１…エッジ曲線特定器
５４２…回転周期算出器
ＥＣ…エッジ曲線
Ｅp…正側曲線
Ｅm…負側曲線
ＶＬ…仮想直線
Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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