(57)【要約】【課題】相対する電極間の優れた接続信頼性と、隣接する電極間の優れた絶縁信頼性とを与える異方導電性フィルム、並びにこれを用いた接続構造体の製造方法、及び該方法によって製造される接続構造体の提供。【解決手段】導電性粒子層と、該導電性粒子層に積層された絶縁性接着剤層とを有し、該導電性粒子層は、絶縁性樹脂を含むバインダーと、導電性粒子とからなり、該絶縁性接着剤層の１００℃における粘度に対する、該バインダーの１００℃における粘度の比が、１０〜１０００である、異方導電性フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性粒子層と、該導電性粒子層に積層された絶縁性接着剤層とを有し、
該導電性粒子層は、絶縁性樹脂を含むバインダーと、導電性粒子とからなり、
該絶縁性接着剤層の１００℃における粘度に対する、該バインダーの１００℃における粘度の比が、１０〜１０００である、異方導電性フィルム。
【請求項２】
前記導電性粒子層において、前記導電性粒子の平均粒径に対する前記導電性粒子の平均粒子間隔の比が、０．５〜１０である、請求項１に記載の異方導電性フィルム。
【請求項３】
前記バインダーの１００℃における粘度が３０００Ｐａ．ｓ〜５０００００Ｐａ．ｓであり、かつ前記絶縁性接着剤層の１００℃における粘度が１００Ｐａ．ｓ〜１００００Ｐａ．ｓである、請求項１又は２に記載の異方導電性フィルム。
【請求項４】
前記絶縁性接着剤層の１００℃における粘度に対する、前記バインダーの１００℃における粘度の比が、１００〜３００である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の異方導電性フィルム。
【請求項５】
前記絶縁性接着剤層が、カチオン硬化性樹脂及びカチオン硬化剤を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方導電性フィルム。
【請求項６】
回路基板と、ＩＣチップと、該回路基板及び該ＩＣチップを接続する異方導電性フィルムとを有する接続構造体の製造方法であって、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の異方導電性フィルムを用いて、ＩＣチップの電極と、回路基板とを熱圧着によって接続する工程を含む、接続構造体の製造方法。
【請求項７】
前記回路基板の線膨張係数が、２．５×１０-6Ｋ-1〜８×１０-6Ｋ-1である、請求項６に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項８】
前記回路基板が、シリコン又は酸化アルミニウムで構成されている、請求項６又は７に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項９】
前記熱圧着によって前記ＩＣチップの外周に異方導電性フィルムのフィレット部が形成され、
異方導電性フィルムの単位面積当たりの導電性粒子数に対する、該フィレット部の単位面積当たりの導電性粒子数の比が、１〜３である、請求項６〜８のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性粒子の平均粒径に対する、前記ＩＣチップの外周部から最外周電極までの距離の比が、５〜３００である、請求項６〜９のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項１１】
請求項６〜１０のいずれか１項に記載の方法により製造される、接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方導電性フィルム、並びにこれを用いて、相対するＩＣチップ電極と回路基板電極とを電気的に接続する接続構造体の製造方法、及び該方法によって製造される接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方導電性フィルムは、一般に、絶縁性接着剤中に導電性粒子を分散させたフィルムであり、相対するＩＣチップ電極と回路基板電極とを接続するために用いられる接続部材である。異方導電性フィルムは、例えば、有機基板とＩＣチップとの間、又はガラス基板とＩＣチップとの間の接続用として、主としてフラットパネルディスプレイ分野で広範に用いられている。
【０００３】
一方、ＩＣチップにおいては、高集積化及び高周波数化が進んでいる。よって、有機基板上にＩＣチップを実装するために、従来の方法に加え、配線長を短くすることが可能な異方導電性フィルム用いたＩＣチップ積層化接続、及びインターポーザーへの接続に対する要求が高まっている。
【０００４】
これまで、ＩＣチップ電極のような微細回路を接続するための異方導電性フィルムに関して、短絡防止のため、導電性粒子と同等の線膨張係数をもつ絶縁性粒子を配合する方法（特許文献１参照）、導電性粒子の表面を電気絶縁樹脂で被覆する方法（特許文献２参照）、及び、導電性粒子を含む層と導電性粒子を含まない層とを積層することによって、隣接する回路間の短絡を防止する方法（特許文献３及び４参照）、等が公知である。また、導電性粒子を単層に配列し、異方導電性フィルム中の導電性粒子を低減し、接続−絶縁のバランス化を図る方法が公知である（特許文献５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−３４９３３９号公報
【特許文献２】特許第２８９５８７２号公報
【特許文献３】特公平７−９９６４４号公報
【特許文献４】特開平６−４５０２４号公報
【特許文献５】国際公開第２００５／０５４３８８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、これら公知の方法を用いた場合でも、接続性を確保するために導電性粒子の配合量を多くした場合、短絡が発生してしまうという課題があった。
【０００７】
さらに、接続したＩＣチップ下から流れ出した導電性粒子が多い場合、ＩＣチップ周辺の異方導電性フィルムの液だまり部分、いわゆるフィレット部分で導電性粒子の滞留箇所が生じる場合がある。この場合、回路基板上の端子間、ＩＣチップ内の回路と接続電極との間、ＩＣチップの電極間、ＩＣチップの電極と回路基板上の電極との間等で短絡が発生し、又は絶縁抵抗の低下が生じるという課題があった。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、相対する電極間の優れた接続信頼性と、隣接する電極間の優れた絶縁信頼性とを与える異方導電性フィルム、並びに、このような異方導電性フィルムを用いて、相対するＩＣチップ電極と回路基板電極との間の電気的に接続する際に、ＩＣチップの隣接する電極間、及びＩＣチップと相対する回路基板における隣接する電極間の優れた絶縁信頼性と共に、接続された相対する電極間の優れた接続信頼性を実現する、接続構造体の製造方法、及び該方法によって製造される接続構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の異方導電性接着フィルムを用いることで上記課題の解決が得られることを見出し、本発明をなすに至った。即ち、本発明は、下記の通りである。
【００１０】
［１］  導電性粒子層と、該導電性粒子層に積層された絶縁性接着剤層とを有し、
該導電性粒子層は、絶縁性樹脂を含むバインダーと、導電性粒子とからなり、
該絶縁性接着剤層の１００℃における粘度に対する、該バインダーの１００℃における粘度の比が、１０〜１０００である、異方導電性フィルム。
［２］  上記導電性粒子層において、上記導電性粒子の平均粒径に対する上記導電性粒子の平均粒子間隔の比が、０．５〜１０である、上記［１］に記載の異方導電性フィルム。
［３］  上記バインダーの１００℃における粘度が３０００Ｐａ．ｓ〜５０００００Ｐａ．ｓであり、かつ上記絶縁性接着剤層の１００℃における粘度が１００Ｐａ．ｓ〜１００００Ｐａ．ｓである、［１］又は［２］に記載の異方導電性フィルム。
［４］  上記絶縁性接着剤層の１００℃における粘度に対する、上記バインダーの１００℃における粘度の比が、１００〜３００である、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の異方導電性フィルム。
［５］  上記絶縁性接着剤層が、カチオン硬化性樹脂及びカチオン硬化剤を含む、上記［１］〜［４］のいずれかに記載の異方導電性フィルム。
［６］  回路基板と、ＩＣチップと、該回路基板及び該ＩＣチップを接続する異方導電性フィルムとを有する接続構造体の製造方法であって、
上記［１］〜［５］のいずれかに記載の異方導電性フィルムを用いて、ＩＣチップの電極と、回路基板とを熱圧着によって接続する工程を含む、接続構造体の製造方法。
［７］  上記回路基板の線膨張係数が、２．５×１０-6Ｋ-1〜８×１０-6Ｋ-1である、上記［６］に記載の接続構造体の製造方法。
［８］  上記回路基板が、シリコン又は酸化アルミニウムで構成されている、上記［６］又は［７］に記載の接続構造体の製造方法。
［９］  上記熱圧着によって上記ＩＣチップの外周に異方導電性フィルムのフィレット部が形成され、
異方導電性フィルムの単位面積当たりの導電性粒子数に対する、該フィレット部の単位面積当たりの導電性粒子数の比が、１〜３である、上記［６］〜［８］のいずれかに記載の接続構造体の製造方法。
［１０］  上記導電性粒子の平均粒径に対する、上記ＩＣチップの外周部から最外周電極までの距離の比が、５〜３００である、上記［６］〜［９］のいずれかに記載の接続構造体の製造方法。
［１１］  上記［６］〜［１０］のいずれかに記載の方法により製造される、接続構造体。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、相対する電極間の優れた接続信頼性と、隣接する電極間の優れた絶縁信頼性とを与える異方導電性フィルムが提供される。更に、本発明によれば、このような異方導電性フィルムを用いて、相対するＩＣチップ電極と回路基板電極との間を電気的に接続する際に、優れた絶縁信頼性と共に優れた接続信頼性を実現する、接続構造体の製造方法及び該方法によって製造される接続構造体が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態（以下、「実施の形態」と略記する。）について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
【００１３】
＜異方導電性フィルム＞
本発明の一態様は、導電性粒子層と、該導電性粒子層に積層された絶縁性接着剤層とを有し、該導電性粒子層は、絶縁性樹脂を含むバインダーと、導電性粒子とからなり、該絶縁性接着剤層の１００℃における粘度に対する、該バインダーの１００℃における粘度の比が、１０〜１０００である、異方導電性フィルムを提供する。
【００１４】
［導電性粒子層］
導電性粒子層は、導電性粒子と絶縁性樹脂とを含み、より典型的には導電性粒子及び絶縁性樹脂とからなる。絶縁性樹脂として後述の硬化性樹脂を用いる態様においては、導電性粒子層が硬化剤を更に含有する。
【００１５】
（導電性粒子）
本実施の形態に用いられる導電性粒子としては、金属粒子、高分子核材に金属薄膜を形成した粒子、等を用いることができる。金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、錫、鉛、インジウム、パラジウム等の単体の粒子、これらの金属の２種以上が層状又はグラデーション状に組み合わされている粒子、及び、これらの金属の２種以上の組み合わせによる合金、半田等が例示される。２種以上の金属が層状に組み合わされている粒子としては、銅にニッケルめっきした粒子、銅に半田めっきした粒子、ニッケルに金めっきした粒子等が例示される。２種以上の金属がグラデーション状に組み合わされている粒子としては、中心部が銅、表層部が銀であり、そして中間部は、中心部に近い側から遠い側に向かって銅リッチから銀リッチに連続的に組成が変化している粒子等が例示される。融点が１５０℃以上５００℃以下の合金粒子又は半田粒子を用いる場合は、予め粒子表面をいわゆるフラックスで被覆しておくことが好ましい。フラックスを用いることは、例えば粒子表面の酸化物を取り除くという効果が得られる点で好ましい。フラックスとしては、アビエチン酸等の脂肪酸を用いることができる。
【００１６】
高分子核材を金属薄膜で被覆した粒子としては、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ジビニルベンゼン樹脂、ＮＢＲ、ＳＢＲ等のポリマーから選ばれる１種又は２種以上の組み合わせで形成された高分子核材を、めっき等により金属被覆した粒子が例示される。金属薄膜の厚みは、接続安定性と粒子の凝集性の観点から、０．００５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。
【００１７】
導電性粒子は、球状であることが好ましく、その場合、真球に近いものがより好ましい。導電性粒子の長径（最大径）に対する短径（最小径）の比としては０．５以上が好ましく、０．７以上が更に好ましく、０．９以上が一層好ましい。長軸に対する短軸の比の最大値は１である。
【００１８】
導電性粒子は、表面が絶縁樹脂、絶縁樹脂粒子、又は無機粒子等で絶縁被覆された粒子であってもよく、また、微小突起を表面に有する金平糖型の粒子であってもよい。
【００１９】
導電性粒子の平均粒径は、接続しようとする電極の、隣接電極間距離よりも小さい必要がある。加えて、該平均粒径は、接続しようとする電子部品の電極高さのバラツキよりも大きいことが好ましい。そのため、導電性粒子の平均粒径は０．５μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１．０μｍ以上２００μｍ以下、更に好ましくは、２．０μｍ以上１００μｍ以下、特に好ましくは３．０μｍ以上５０μｍ以下である。導電性粒子の粒径分布の標準偏差は平均粒径の５０％以下であることが好ましい。また、接続する電極高さに対する該平均粒径の比は、０．１〜１の範囲であることが好ましく、０．３〜０．７の範囲であることがより好ましい。上記比が０．１以上であれば、電極傾き及び電極高さバラツキを緩和でき、接続性が良好であり、好ましい。また上記比が１以下であれば、接続部以外のＩＣチップの内部回路を損傷することが無く好ましい。上記の平均粒径は、レーザー式粒度分布計による測定、又は、マイクロスコープ等による拡大画像を画像処理ソフトウェア（例えば「Ａ像君」（旭化成株式会社製））で処理する方法で測定される値である。
【００２０】
（バインダー）
本実施の形態に用いられるバインダーは絶縁性樹脂を含む。絶縁性樹脂は、典型的には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、及び電子線硬化性樹脂から選ばれる１種以上の樹脂を含有する。これら樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ＳＢＲ、ＳＢＳ、ＮＢＲ、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリイソブチレン樹脂、アルキルフェノール樹脂、スチレンブタジエン樹脂、及びカルボキシル変性ニトリル樹脂が挙げられる。これらの樹脂は変性樹脂であってもよい。特に、密着性の観点から、絶縁性樹脂は、エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂を含有することが好ましい。
【００２１】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、テトラメチレンビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、レゾルシン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エーテル型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエーテルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂はハロゲン化又は水素添加されていてもよく、またウレタン変性、ゴム変性、シリコーン変性等の変性エポキシ樹脂でもよい。
【００２２】
また、フィルム形成性、接着性、及び硬化時の応力緩和を付与する目的で、絶縁性樹脂は高分子樹脂を含有することが好ましい。高分子樹脂としては前記した熱可塑性樹脂のうち、数平均分子量が１００００〜１００００００のものが好ましい。数平均分子量が１００００〜１００００００の成分の含有量は、絶縁性樹脂全体の２〜８０質量％であることが好ましい。上記数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーを用いてポリスチレン換算にて測定したときの値を意味する。
【００２３】
絶縁性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは８０〜２５０℃、より好ましくは１００〜２００℃である。ガラス転移温度が８０℃以上である場合、接着性の点で有利であり、２５０℃以下である場合、応力緩和の点で有利である。
【００２４】
絶縁性樹脂は硬化性樹脂であることができる。この場合、導電性粒子層は硬化剤を更に含有する。例えばカチオン硬化性樹脂とカチオン硬化剤との組合せを用いることができる。カチオン硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂及びオキセタン樹脂が挙げられる。硬化剤としては、潜在性硬化剤が好ましい。潜在性硬化剤としては、マイクロカプセル型潜在性硬化剤、熱カチオン硬化剤等が挙げられる。
【００２５】
マイクロカプセル型潜在性硬化剤としては、硬化剤の表面を樹脂皮膜等で安定化したものが好ましい。このような硬化剤によれば、接続時の熱及び／又は荷重で樹脂皮膜が破壊され、硬化剤がマイクロカプセル外に拡散し、硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂又はオキセタン樹脂）と反応する。エポキシ樹脂との組合せで用いる場合のマイクロカプセル型潜在性硬化剤としては、アミンアダクト、イミダゾールアダクト等のアダクト型硬化剤をマイクロカプセル化した潜在性硬化剤が、安定性と硬化性とのバランスの観点から好ましい。上記のマイクロカプセル型潜在性硬化剤は、好ましくは、エポキシ樹脂１００質量部に対して２〜１００質量部の量で用いられる。
【００２６】
熱カチオン硬化剤としては、芳香族スルホニウム塩型硬化剤が好ましい。熱カチオン硬化剤は、硬化性樹脂中に均一配合でき、触媒型で硬化できるため、低温、短時間での硬化が可能であり、溶剤安定性も良好であるという観点から好ましい。芳香族スルホニウム塩型硬化剤における陰イオンとしては、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフルオロボレート、テトラキスペンタハロゲン化フェニルボレート等を用いることができる。中でも、不純物イオンを低減できるという観点から、テトラキスペンタハロゲン化フェニルボレートが好ましく、テトラキスペンタフルオロフェニルボレートが特に好ましい。
【００２７】
好ましい態様において、導電性粒子層中の導電性粒子は、１層で（すなわち層厚み方向において互いに重ならないように）分散配列されている。このような１層での分散配列は、相対する電極間の良好な接続信頼性と、隣接する電極間の良好な絶縁信頼性との両立のために有利である。
【００２８】
導電性粒子の平均粒径に対する導電性粒子層の厚みの比は、０．５〜３の範囲であることが好ましく、０．６〜２の範囲であることがより好ましく、０．８〜１．５の範囲であることが更に好ましく、０．９〜１．２の範囲であることが更に好ましい。上記比が０．５〜３の範囲である場合、接続性と導電粒子の流動抑制とがともに良好であり好ましい。
【００２９】
導電性粒子層においては、導電性粒子の平均粒径に対する導電性粒子の平均粒子間隔の比が、０．５〜１０の範囲であることが好ましく、１．０〜５の範囲であることがより好ましい。平均粒子間隔とは、マイクロスコープ等による拡大画像について画像処理ソフトウェア（例えば「Ａ像君」（旭化成株式会社製））により計測する方法で測定される粒子間距離の数平均である。上記比が０．５以上であれば、導電性粒子の凝集による短絡が起こり難い点で好ましく、１０以下であれば接続安定性の実現に必要な導電性粒子数を確保しやすい点で好ましい。
【００３０】
導電性粒子層中での導電性粒子の分散配列状態としては、略正三角形状の分散配列が好ましい。略正三角形状の分散配列においては、近接する導電性粒子の間隔が等間隔に近いため、接続される電極上に位置する導電性粒子の数が、電極間でほぼ一定であり、接続部の導電性粒子数のバラツキが少なく、接続抵抗が均一化するため、好ましい。
【００３１】
導電性粒子層中の導電性粒子は、接続安定性の観点から、全粒子数の９０％以上が単独で（すなわち凝集せずに）存在していることが好ましい。
【００３２】
導電性粒子層中の導電性粒子が凝集している場合、接続安定性の観点から、凝集体を構成する導電性粒子の個数は３個以下であることが好ましい。
【００３３】
導電性粒子層におけるバインダーの１００℃における粘度は３０００Ｐａ．ｓ〜５０００００Ｐａ．ｓの範囲であることが好ましく、５０００Ｐａ．ｓ〜３０００００Ｐａ．ｓの範囲であることがより好ましく、１００００Ｐａ．ｓ〜２０００００Ｐａ．ｓの範囲であることが更に好ましい。上記粘度が３０００Ｐａ．ｓ以上であれば、接続時の導電性粒子の流動を抑制しやすく、好ましい。また、上記粘度が５０００００Ｐａ．ｓ以下であれば、接続抵抗値が良好であり好ましい。
【００３４】
本実施の形態において、バインダーの粘度は、導電性粒子層の構成成分のうち導電性粒子以外の成分の粘度である。バインダーの１００℃における粘度は、レオメータにより測定することができる。具体的には、バインダーのシートを作製し、６０℃／分の昇温条件で測定することが好ましい。
【００３５】
［絶縁性接着剤層］
絶縁性接着剤層は、導電性粒子を本質的に含まない。絶縁性接着剤層は、導電性粒子を含まない他は上述した導電性粒子層と同様の材料で構成できる。但し、絶縁性接着剤層の１００℃における粘度に対する、導電性粒子層におけるバインダーの１００℃における粘度の比が、１０〜１０００の範囲であるように、両層の構成材料を選択する。異方導電性フィルムにおいて絶縁性接着剤層が導電性粒子層と積層されていることによって、異方導電性フィルムを介して相対する電極間を電気的に接続する際に、相対する電極間での良好な接続信頼性と、隣接する電極間での良好な絶縁信頼性とを実現できる。例えば、相対するＩＣチップ電極と回路基板電極とを接続する際、接続部（すなわち電極部分）においては、異方導電性フィルムが圧着された状態となるため、導電性粒子は比較的高粘度である導電性粒子層の内部に留まっている。一方、接続部以外の部分では、異方導電性フィルムにかかる圧力が低く、比較的低粘度である絶縁性接着剤層に向かって導電性粒子が流動できるため、導電性粒子層内の導電性粒子の存在密度が接続部と比べて低くなる。これにより、相対する電極間での良好な接続信頼性と、隣接する電極間での良好な絶縁信頼性との両立という効果が良好に得られる。
【００３６】
好ましい態様において、絶縁性接着剤層は、カチオン硬化性樹脂及びカチオン硬化剤を含む。カチオン硬化性樹脂及びカチオン硬化剤の好ましい組合せとしては、エポキシ樹脂及び／又はオキセタン樹脂と、スルホニウム塩型カチオン硬化剤、好ましくは陰イオンがテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートであるスルホニウム塩型カチオン硬化剤との組合せが挙げられる。
【００３７】
接続される電極の高さの和（すなわち、相対する電極の高さの和）に対する、絶縁性接着剤層の膜厚の比は、０．７〜１．２の範囲であることが好ましく、０．８〜１．１の範囲であることがより好ましい。上記比は、接着強度の観点から、０．７以上が好ましく、接続抵抗の観点から、１．２以下が好ましい。絶縁性接着剤層は、硬化性樹脂及び硬化剤に加えて、各種添加剤を含んでもよい。
【００３８】
絶縁性接着剤層の１００℃における粘度は、１００Ｐａ．ｓ〜１００００Ｐａ．ｓの範囲であることが好ましく、２００Ｐａ．ｓ〜５０００Ｐａ．ｓの範囲であることがより好ましく、３００Ｐａ．ｓ〜１０００Ｐａ．ｓの範囲であることが更に好ましい。ハンドリング性の観点から１００Ｐａ．ｓ以上が好ましく、接続安定性の観点から１００００Ｐａ．ｓ以下が好ましい。１００℃における粘度の測定方法は、導電性粒子層におけるバインダーの粘度測定と同様である。
【００３９】
異方導電性フィルムにおいて、絶縁性接着剤層の１００℃における粘度に対する、導電性粒子層におけるバインダーの１００℃における粘度の比は、１０〜１０００の範囲であり、好ましくは５０〜５００の範囲であり、より好ましくは８０〜４００の範囲であり、更に好ましくは１００〜３００の範囲である。上記比が１０以上であれば、接続時に導電性粒子の流れ出しを抑制でき、１０００以下であれば、接続抵抗安定化が可能である。
【００４０】
異方導電性フィルムの好ましい態様においては、導電性粒子層におけるバインダーの１００℃における粘度が３０００Ｐａ．ｓ〜５０００００Ｐａ．ｓであり、かつ絶縁性接着剤層の１００℃における粘度が１００Ｐａ．ｓ〜１００００Ｐａ．ｓである。このような導電性粒子層と絶縁性接着剤層との組合せによれば、導電性粒子の流れ出しの防止効果、及び接続抵抗安定化の効果が特に良好に実現される。
【００４１】
異方導電性フィルムの、導電性粒子層におけるバインダー、及び絶縁性接着剤層は、それぞれ、各種添加剤，例えば絶縁粒子、充填剤、軟化剤、硬化促進剤、安定剤、着色剤、難燃剤、流動調整剤、カップリング剤等を含有することもできる。
【００４２】
絶縁性粒子、充填剤等の固形物を配合する場合、これらの最大粒径は、導電性粒子の平均粒径未満であることが好ましい。またカップリング剤としては、エポキシ基、ケチミン基、ビニル基、アクリル基、アミノ基、イソシアネート基等のうち１種以上を有するシランカップリング剤が、密着性の観点から好ましい。
【００４３】
［異方導電性フィルムの製造］
次に異方導電性フィルムの製造方法について例示する。異方導電性フィルムの製造方法としては、以下の方法を例示できる。
（１）予め分散配列させた導電性粒子を、前述のバインダーからなる層（以下、バインダー層ともいう）に転写して導電性粒子層を形成し、更に該導電性粒子層（好ましくは導電性粒子が転写されている面）を絶縁性接着剤層にラミネートする方法。
（２）予めバインダー層と絶縁性接着剤層とを積層し、バインダー層側に、予め分散配列させた導電性粒子を転写する方法。
（３）予め分散配列させた導電性粒子上にバインダー層をコーティングし、更にバインダー層（好ましくは導電性粒子が転写されている面）を絶縁性接着剤層にラミネートする方法。
【００４４】
導電性粒子を分散配列させる方法としては、予め所定の位置に窪みを形成し、その窪みに導電性粒子を充填する方法、及び、２軸延伸可能なフィルム上に粘着剤層を形成し、その上に導電性粒子を単層充填し、導電性粒子が分散配列するようにフィルムを延伸し、導電性粒子が分散配列されているとともに延伸されている状態を保ったまま固定する方法、を用いることができる。導電性粒子の転写性、及び導電性粒子の凝集抑制の観点から、上記のうち後者の方法、すなわち、導電性粒子を充填したフィルムを延伸する方法が好ましい。
【００４５】
＜接続構造体の製造方法及び接続構造体＞
本発明の別の態様は、回路基板と、ＩＣチップと、該回路基板及び該ＩＣチップを接続する異方導電性フィルムとを有する接続構造体の製造方法であって、
上述の異方導電性フィルムを用いて、ＩＣチップの電極と、回路基板とを熱圧着によって接続する工程を含む、接続構造体の製造方法を提供する。
【００４６】
本実施の形態に用いる回路基板としては、シリコン、酸化アルミニウム（アルミナ）、ガリウム砒素、ガラス等を材料とする無機基板が好ましい。より典型的な態様において、回路基板は、シリコン又は酸化アルミニウムで構成されている。また、回路基板がＩＣチップであり、接続構造体がＩＣチップ積層の構造をとることも好適である。複数のＩＣチップを積層する場合、ＩＣチップ内に貫通回路を設け、上面側に回路電極を設け、裏面側に電極を形成することが好ましい。また、回路電極面に別途ワイヤーボンディング用の電極を設け、ワイヤーボンディングにより他の回路基板との電気的接続を形成することもできる。
【００４７】
ＩＣチップの電極配置としては、チップ下面のほぼ全面に電極が配置されている全面配置、チップ下面の中心部を除く部分に電極が配置されている周辺面配置、チップ下面端部の２辺又は４辺に電極が配置されている２辺配置又は４辺配置等が挙げられる。更に、２辺配置又は４辺配置としては、電極の一部又は全部が２列以上に配置されている千鳥配置等も挙げられる。
【００４８】
本実施の形態に用いる回路基板の線膨張係数は２．５×１０-6Ｋ-1〜８×１０-6Ｋ-1の範囲であることが好ましい。ＩＣチップと回路基板とが接続されてなる接続構造体の反りによる特性変化を制御する観点から、上記範囲の線膨張係数が好ましい。
【００４９】
チップ形状は、正方形、長方形等の形状であることができる。長方形の場合、応力緩和の観点から長辺と短辺との比が１〜３０の範囲であることが好ましい。
【００５０】
本実施の形態においては、異方導電性フィルム中の導電性粒子の平均粒径に対する、ＩＣチップの外周部からＩＣチップの最外周電極までの距離の比は、５〜３００の範囲であることが好ましく、１０〜１００の範囲であることがより好ましい。最外周電極とは、ＩＣチップに形成されている複数の電極のうち最外周に位置するものを意味する。
【００５１】
上記比が５以上の場合、ＩＣチップの接続部（すなわち電極部分）から流れ出た導電性粒子が非接続部（すなわち電極以外の部分）に滞留する場合でも、電極端子間での短絡が起こり難く好ましい。上記比が３００以下の場合、ＩＣチップの接続部から流れ出る導電性粒子の量が少ないため、回路基板における回路部分での短絡防止の観点から好ましい。
【００５２】
本実施の形態において、典型的には、熱圧着によってＩＣチップの外周に異方導電性フィルムのフィレット部が形成される。この場合、電極端子間での短絡防止の観点から、異方導電性フィルムの単位面積当たりの（すなわち異方導電性フィルム全体の平均としての単位面積当たりの）導電性粒子数に対する、フィレット部の単位面積当たりの導電性粒子数の比が、１〜３の範囲であることが好ましい。フィレット部とは、熱圧着によってチップ外周に流れ出た異方導電性フィルムがチップ外周部に沿って盛り上がった部分である。フィレット部の厚みは、異方導電性フィルムの種類及び熱圧着条件に応じて変わるが、一例では、熱圧着部（すなわち接続部）における異方導電性フィルム厚みの５〜４０倍程度である。一般に、フィレット部は電極端子間の短絡を招来しやすい。本実施の形態によれば、導電性粒子層と絶縁性接着剤層とを有する異方導電性フィルムによって、このようなフィレット部における導電性粒子の存在密度を低減でき、これにより電極端子間の短絡を防止できる。特に、上記比が１〜３の範囲であれば、フィレット部における導電性粒子の存在密度が低いことによる短絡防止効果が一層良好に実現される。
【００５３】
フィレット部の単位面積当たりの導電性粒子数は、異方導電性フィルムが熱圧着前よりも厚く盛り上がった部分について、導電性粒子数をこの部分の面積（具体的には回路基板との接触面の面積）で除することで算出することができる。フィレット部の導電性粒子数は、具体的にはレーザー顕微鏡を用いて計測可能である。フィレット部のみを取り出して導電性粒子数を計測することも可能である。一方、異方導電性フィルムの単位面積当たりの導電性粒子数は、光学顕微鏡等で異方導電性フィルム表面全体の拡大画像を撮影し、画像中の導電性粒子数を計測してフィルム面積で除することにより算出することができる。
【００５４】
ＩＣチップの接続電極は、アルミニウム、銅、ニッケル、タングステン、チタン、及び銀から選ばれる１種又は２種以上の金属からなる単層又は複層の電極であることが好ましい。また、それら電極上に金、半田、又は銅からなる凸電極を形成したものを用いることが好ましい。接続電極の接続部以外の部分は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、ポリイミド等の絶縁膜で覆われていることが好ましい。
【００５５】
各接続電極の面積は、５００μｍ2〜１００００μｍ2の範囲であることが好ましく、１０００μｍ2〜５０００μｍ2の範囲であることがより好ましい。
【００５６】
一方、回路基板の回路電極は、アルミニウム、ニッケル、銅、タングステン、チタン、タンタル、モリブデン、インジウムスズ酸化物、及びインジウム亜鉛酸化物から選ばれる１種又は２種以上からなる単層又は複層の電極であることが好ましい。回路電極の接続部以外の部分は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、ポリイミド等の絶縁膜で覆われていることが好ましい。
【００５７】
本発明の別の態様は、上述したような方法で製造される接続構造体を提供する。得られる接続構造体の具体例は、メモリ用ＩＣ、ロジック用ＩＣ、メモリ及びロジック混載パッケージ等である。
【実施例】
【００５８】
次に、実施例及び比較例を挙げて本実施の形態をより具体的に説明するが、本実施の形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００５９】
［実施例１］
バインダー層Ａ
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度：８４℃、数平均分子量：９５００）９０ｇ，ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量：１９０、２５℃における粘度：１４０００ｍＰａ．ｓ）１０ｇ、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン１．５ｇ、酢酸エチル２５０ｇを混合しバインダー層Ａ用ワニスを得た。このワニスを厚さ３８μｍの剥離処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、６０℃で１５分間乾燥し、膜厚２．２μｍのバインダー層Ａを得た。同様の方法で粘度測定用のシートを作製し、レオメータ（６０℃／分で昇温）で１００℃における粘度を測定したところ、３５０００Ｐａ．ｓであった。
【００６０】
絶縁性接着剤層Ｂ
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度：９１℃、数平均分子量：１１３００）４０ｇ，ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量：１９０、２５℃における粘度：１４０００ｍＰａ．ｓ）１０ｇ、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン１．０ｇを酢酸エチル−トルエンの混合溶剤（混合質量比１：１）に溶解し、固形分５０質量％の溶液を得た。マイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（マイクロカプセルの平均粒径：５μｍ、活性温度：１２３℃、液状エポキシ樹脂）５０ｇ（液状エポキシ樹脂３３．５ｇ含有）を前記固形分５０質量％溶液に混合分散させた。得られた分散液を、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ベースフィルム）上に塗布し、６０℃で１５分間送風乾燥し、厚さ１６μｍの絶縁性接着剤層Ｂを得た。同様の方法で粘度測定用のシートを作製し、レオメータ（６０℃／分で昇温）で１００℃における粘度を測定したところ、４５０Ｐａ．ｓであった。
【００６１】
導電性粒子分散配列シートＣ
厚さ１００μｍの無延伸共重合ポリプロピレンフィルム上に、粘着層としてニトリルゴムラテックス−メチルメタアクリレートのグラフト共重合体接着剤を４μｍの厚みで塗布したものに平均粒径３．８μｍの金めっきプラスチック粒子（アクリル樹脂に金めっきがされた粒子）（導電性粒子）をほぼ隙間無く単層充填した。すなわち、該粘着層表面に導電性粒子が重なるように敷き詰め、その後、過剰な導電性粒子を軟質ゴムからなるスクレバーで掻き落とした。５００倍拡大表面画像を画像処理ソフトウェア（Ａ像君、旭化成株式会社製）で計測する方法で算出した充填率は８０％であった。
【００６２】
このフィルムを２軸延伸装置（東洋精機製Ｘ６Ｈ−Ｓ、パンタグラフ方式のコーナーストレッチ型の２軸延伸装置）を用いて縦横にそれぞれ１０個のチャックを用いて固定し、１３５℃で１２０秒予熱し、その後、１０％／秒の速度で２．４倍延伸して固定し、導電性粒子分散配列シートＣを得た。マイクロスコープを用いて、導電性粒子数を測定したところ、シート表面の１００μｍ×１００μｍの範囲内の導電性粒子数は１３２個であった。導電性粒子の平均粒子間隔を計測したところ１２．１μｍであり、導電性粒子は略正三角形に分散配列しており、凝集粒子は０個であった。
【００６３】
異方導電性フィルムＤ
上記導電性粒子分散配列シートＣの導電性粒子分散配列面にバインダー層Ａを積層し、８０℃及び０．４ＭＰａの条件でラミネートし、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がし、その剥離面に絶縁性接着剤層Ｂを積層し、５５℃、０．６ＭＰａの条件でラミネートし、その後粘着剤付きのポリプロピレンフィルムを剥がし、異方導電性フィルムＤを得た。
【００６４】
［実施例２］
バインダー層Ｅ
４−メトキシフェニル−β−ナフチルメチルメチルスルホニウム  テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを０．５ｇを加え、乾燥温度を５０℃とし、膜厚を２．８μｍとした以外は実施例１と同様にしてバインダー層Ｅを得た。１００℃における粘度は３５５００Ｐａ．ｓであった。
【００６５】
絶縁性接着剤層Ｆ
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度：９１℃、数平均分子量：１１３００）６０ｇ、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量：１９０、２５℃における粘度：１４０００ｍＰａ．ｓ）４０ｇ、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン１．０ｇを酢酸エチル−トルエンの混合溶剤（混合質量比１：１）に溶解し、固形分５０質量％溶液を得た。４−メトキシフェニル−β−ナフチルメチルメチルスルホニウム  テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート２．０ｇを前記固形分５０質量％溶液に混合分散させた。得られた分散液を、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ベースフィルム）上に塗布し、５０℃で１５分間送風乾燥し、厚さ１６μｍの絶縁性接着剤層Ｆを得た。同様の方法で粘度測定用のシートを作製し、レオメータ（６０℃／分で昇温）で１００℃における粘度を測定したところ、８００Ｐａ．ｓであった。
【００６６】
異方導電性フィルムＧ
導電性粒子分散配列シートＣの導電性粒子分散配列面にバインダー層Ｅを積層し、５５℃及び０．８ＭＰａの条件でラミネートし、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がし、その剥離面に絶縁性接着剤層Ｆを積層し、５５℃、０．６ＭＰａの条件でラミネートし、その後、粘着剤付きのポリプロピレンフィルムを剥がし、異方導電性フィルムＧを得た。
【００６７】
［実施例３］
バインダー層Ｈ
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度：８４℃、数平均分子量：９５００）９５ｇ，ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量：１９０、２５℃における粘度：１４０００ｍＰａ．ｓ）５ｇ、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン１．２ｇ、酢酸エチル２５０ｇを混合しバインダー層Ｈ用ワニスを得た。このワニスを厚さ３８μｍの剥離処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、６０℃で１５分間乾燥し、膜厚２．２μｍのバインダー層Ｈを得た。同様の方法で粘度測定用のシートを作製し、レオメータ（６０℃／分で昇温）で１００℃における粘度を測定したところ、１１３０００Ｐａ．ｓであった。
【００６８】
バインダー層Ａに代えてバインダー層Ｈを使用する以外は、実施例１と同様にして異方導電性フィルムＩを得た。
【００６９】
［比較例１］
異方導電性フィルムＪ
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度：９１℃、数平均分子量：１１３００）６０ｇ、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量：１９０、２５℃における粘度：１４０００ｍＰａ．ｓ）４０ｇ、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン１．０ｇを酢酸エチル−トルエンの混合溶剤（混合質量比１：１）に溶解し、固形分５０質量％溶液を得た。４−メトキシフェニル−β−ナフチルメチルメチルスルホニウム  テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート２．０ｇ、平均粒径３．８μｍの金めっきプラスチック粒子（アクリル樹脂に金メッキがされた粒子）（導電性粒子）を前記の固形分５０質量％溶液に混合分散させた。導電性粒子の添加量は、乾燥後の単位面積当たりの導電性粒子数が５００００個／ｍｍ2となるようにした。得られた分散液を、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ベースフィルム）上に塗布し、５０℃で１５分間送風乾燥し、膜厚１８μｍの異方導電性フィルムＪを得た。
【００７０】
［比較例２］
バインダー層Ｋ
フェノキシ樹脂（ガラス転移温度：８４℃、数平均分子量：９５００）５０ｇ，ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量：１９０、２５℃における粘度：１４０００ｍＰａ．ｓ）５０ｇ、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン０．５ｇ、酢酸エチル２５０ｇを混合しバインダー層Ｋ用ワニスを得た。このワニスを厚さ３８μｍの剥離処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、６０℃で１５分間乾燥し、膜厚３．５μｍのバインダー層Ｋを得た。同様の方法で粘度測定用のシートを作製し、レオメータ（６０℃／分、昇温）で１００℃粘度を測定したところ、８２０Ｐａ．ｓであった。
【００７１】
異方導電性フィルムＬ
絶縁性接着剤層Ｂにバインダー層Ｋを積層し、５５℃及び０．６ＭＰａの条件でラミネートし、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がし、その剥離面に導電性粒子分散配列シートＣを積層し、５５℃及び０．６ＭＰａの条件でラミネートし、その後、粘着剤付きのポリプロピレンフィルムを剥がし、異方導電性フィルムＬを得た。
【００７２】
（測定用ＩＣチップ）
縦横各７．３ｍｍ、厚み７２５μｍのシリコンチップ上に、アルミニウム９９．５％及び銅０．５％（各々、原子％）、厚み０．５μｍ、５０μｍ角の接続電極を、接続パッドピッチ６０μｍで４辺端部（端部からの距離１２０μｍ）に形成した（電極バッド数４４８バッド）。電極パッドのうち１００パッドは、デイジーチェインで抵抗測定できるよう２パッドずつ接続し、別の辺の１００パッドは櫛形電極で絶縁抵抗測定できるように独立電極パッドとした。接続パッドの接続部には５２μｍ角及び０．１μｍ厚でチタン薄膜を形成した。次いで５０μｍ角の接続パッド部開口部以外にはプラズマ−窒化ケイ素の絶縁膜を０．３μｍ厚みで形成した。その後接続パッド開口部に１５μｍ厚みで金バンプを形成した。
【００７３】
（測定用回路基板）
縦横各３０ｍｍ、厚み７２５μｍのシリコンチップ上に、アルミニウム９９．５％銅及び０．５％（各々、原子％）、厚み０．５μｍの接続電極を、上記ＩＣチップと相対する位置に形成した。上記チップのデイジーチェインに対応する箇所の回路電極はデイジーチェインが形成されるよう２パッドずつ接続し、４端子抵抗測定できるよう引き出し配線及び測定電極を形成した。また、ＩＣチップの櫛形電極に対応する箇所の回路電極は１電極毎に櫛形電極となるように接続し、抵抗測定できるよう引き出し配線及び測定電極を形成した。回路電極パッドの接続部には５２μｍ角及び０．２μｍ厚みでインジウム錫酸化物薄膜を形成し、ついで５０μｍ角の接続パッド開口部、及び測定電極部以外の全面に０．３μｍ厚みの酸化ケイ素の絶縁膜を形成した。
【００７４】
（測定用接続構造体）
測定用回路基板上に、接続パッドが覆われるように８ｍｍ角の異方導電性フィルムを載せ、８０℃で３秒間加熱し、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がした。その後、接続パッドの位置を合わせて、測定用ＩＣチップを載せ、その上から４０ＭＰａ（総電極面積に対して）、１９０℃、１０秒（１８０℃までの到達時間１秒）の条件で熱圧着し、測定用接続構造体を得た。
【００７５】
（接続抵抗値評価）
測定用接続構造体の抵抗測定用電極について、デジタルハイテスター（３２３９、日置電機株式会社製）を用い、４端子法で接続抵抗値を測定した。
【００７６】
（絶縁抵抗評価）
イオンマイグレーション測定装置（ＡＶＩ−１４０−Ｓ−５０、エスペック株式会社製）を用い、測定用接続構造体を８５℃、８５％相対湿度中に保持しながら、定電圧定電流電源を用いて、対になる引き出し配線間に５０Ｖの直流電圧を印加した。この配線間の絶縁抵抗を５分間毎に測定し、絶縁抵抗値が１０ＭΩ以下になるまでの時間を測定し、その値を絶縁低下時間とした。この絶縁低下時間が５００時間未満の場合を×、５００時間以上の場合を○とした。
【００７７】
（単位面積当たりの導電性粒子数）
フィレット部、及び異方導電性フィルム全体について、マイクロスコープ（ＶＨＸ−１００、株式会社キーエンス製）によって撮影した表面画像から、単位面積当たりの導電性粒子数を計測した。具体的には、５００倍の拡大画像を１０箇所ずつ撮影し、それぞれの画像を画像処理ソフトウェア（Ａ像君、旭化成株式会社製）で計測し、１０箇所の平均値を算出し、単位面積当たりの導電性粒子数とした。得られた値から、異方導電性フィルム全体の単位面積当たりの導電性粒子数に対する、フィレット部の単位面積当たりの導電性粒子数の比を算出した。
【００７８】
以上の結果を表１に示す。表１から明らかなように、各実施例に示したＩＣチップの接続方法によって、絶縁信頼性に優れた接続構造体が形成された。
【００７９】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明は、ＩＣチップ電極のような微細回路を良好に接続でき、例えばメモリ用ＩＣ、ロジック用ＩＣ、メモリ及びロジック混載パッケージ等の製造に好適に適用される。