(57)【要約】【課題】インプリント後の加工に与える影響を小さくすることができるインプリント方法を提供すること。【解決手段】実施形態のインプリント方法では、第１のテンプレートに形成されているテンプレートパターンを被加工基板上の複数のインプリントショットに転写して転写パターンを形成する。そして、前記インプリントショット間の領域であるインプリントショット間領域にレジストを滴下する。さらに、前記第１のテンプレートとは異なる第２のテンプレートを前記レジストに接触させることにより、前記インプリントショット間領域に前記レジストを充填させる。そして、前記レジストに硬化光を照射して前記レジストを硬化させ、前記インプリントショット間領域を硬化させたレジストで埋め込む。そして、前記レジストから前記第２のテンプレートを引き離す。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工基板上に転写材としての第１のレジストを滴下した後、第１のテンプレートに形成されているテンプレートパターンを前記第１のレジストに複数回に渡って転写することにより、複数のインプリントショットに転写パターンを形成するインプリントステップと、
前記インプリントショット間の領域であるインプリントショット間領域に第２のレジストを滴下する滴下ステップと、
前記第１のテンプレートとは異なる第２のテンプレートを前記第２のレジストに接触させることにより、前記インプリントショット間領域に前記第２のレジストを充填させる接触ステップと、
前記第２のレジストに硬化光を照射して前記第２のレジストを硬化させ、前記インプリントショット間領域を硬化させた第２のレジストで埋め込む硬化ステップと、
前記第２のレジストから前記第２のテンプレートを引き離す離型ステップと、
を含み、
前記第２のテンプレートは、前記第２のレジストに接触させられる第１の凸部領域を有し、前記第１の凸部領域の上面は、前記インプリントショット間領域の一部と略同じ形状および略同じ大きさであり、
前記インプリントショットは、矩形状領域であって、かつ各インプリントショットは、前記被加工基板上にマトリクス状に配置され、
前記上面形状は、中心部領域と、前記中心部領域から延びる４つの矩形領域と、を有した十字型領域であり、
前記第２のテンプレートを前記第２のレジストに接触させる際には、前記十字型領域が格子状に並んだ４つのインプリントショットに近接するよう、前記第１の凸部領域が前記第２のレジストに接触させられ、
前記十字型領域のうち、前記矩形領域のそれぞれは、近接させられるインプリントショットの１辺の長さの半分よりも長い第１の辺と、前記インプリントショット間の幅と略同じ長さを有した第２の辺と、を有していることを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
被加工基板上に転写材としての第１のレジストを滴下した後、第１のテンプレートに形成されているテンプレートパターンを前記第１のレジストに複数回に渡って転写することにより、複数のインプリントショットに転写パターンを形成するインプリントステップと、
前記インプリントショット間の領域であるインプリントショット間領域に第２のレジストを滴下する滴下ステップと、
前記第１のテンプレートとは異なる第２のテンプレートを前記第２のレジストに接触させることにより、前記インプリントショット間領域に前記第２のレジストを充填させる接触ステップと、
前記第２のレジストに硬化光を照射して前記第２のレジストを硬化させ、前記インプリントショット間領域を硬化させた第２のレジストで埋め込む硬化ステップと、
前記第２のレジストから前記第２のテンプレートを引き離す離型ステップと、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項３】
前記第２のテンプレートは、前記第２のレジストに接触させられる第１の凸部領域を有し、前記第１の凸部領域の上面は、前記インプリントショット間領域の一部と略同じ形状および略同じ大きさであることを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記インプリントショットは、矩形状領域であって、かつ各インプリントショットは、前記被加工基板上にマトリクス状に配置され、
前記上面形状は、中心部領域と、前記中心部領域から延びる４つの矩形領域と、を有した十字型領域であり、
前記第２のテンプレートを前記第２のレジストに接触させる際には、前記十字型領域が格子状に並んだ４つのインプリントショットに近接するよう、前記第１の凸部領域が前記第２のレジストに接触させられることを特徴とする請求項３に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記十字型領域のうち、前記矩形領域のそれぞれは、近接させられるインプリントショットの１辺の長さの半分よりも長い第１の辺と、前記インプリントショット間の幅と略同じ長さを有した第２の辺と、を有していることを特徴とする請求項４に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記上面形状が異なる第２のテンプレートを複数準備しておき、
前記インプリントショット間領域の位置毎に、前記第２のテンプレートの何れかを前記第２のレジストに接触させることを特徴とする請求項３に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記第２のテンプレートは、前記第２のレジストに接触させられる第２の凸部領域を有し、前記第２の凸部領域の上面は、前記インプリントショット間領域の全体と略同じ形状および略同じ大きさの領域を有していることを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記第２のテンプレートは、前記第２のレジストに接触させられる第３の凸部領域を有し、前記第３の凸部領域の上面は、少なくとも１つのインプリントショットの領域と、前記インプリントショット間領域の一部と、を含む領域と略同じ形状および略同じ大きさの領域を有していることを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記第２のテンプレートは、前記第２のレジストに接触させられる第４の凸部領域を有し、前記第４の凸部領域は、前記インプリントショットのパターン密度または前記インプリントショットの外周部分のパターン密度と略同じパターン密度のパターンが形成されていることを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
被加工基板上の第１のインプリントショット内に形成された第１のレジストパターンと、前記第１のインプリントショットに隣接する第２のインプリントショット内に形成された第２のレジストパターンと、の間の領域であるインプリントショット間領域に滴下されたレジストに接触させられることを特徴とするテンプレート。
【請求項１１】
前記レジストに接触させられる凸部領域を有し、
前記凸部領域の上面形状は、前記インプリントショット間領域の一部と略同じ形状であることを特徴とする請求項１０に記載のテンプレート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリント方法およびテンプレートに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造におけるリソグラフィ工程で用いられる技術の１つにナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）がある。ＮＩＬは、電子ビーム（Electron  Beam：ＥＢ）描画等によって形成したテンプレートを、ウエハなどの被処理基板に押し当てることにより、被処理基板上にテンプレートパターンに応じたパターンを転写する技術である。
【０００３】
ＮＩＬを行う際には、被処理基板上に塗布された光硬化剤に、所望パターンの溝をもつテンプレートを圧着する。そして、テンプレートと光硬化樹脂を密着させたまま露光によって光硬化剤を固め、その後、テンプレートを被処理基板から離型することにより、被処理基板上の光硬化剤にパターンを形成する。
【０００４】
このようなＮＩＬでは、インプリントショット間に光硬化剤のない部分（Ｇａｐ部）（むき出しの部分）が形成され、インプリント後の加工に影響を与えるという問題がある。このため、インプリント後の加工に与える影響を小さくすることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２６０２９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、インプリント後の加工に与える影響を小さくすることができるインプリント方法およびテンプレートを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、インプリント方法が提供される。前記インプリント方法では、被加工基板上に転写材としての第１のレジストを滴下した後、第１のテンプレートに形成されているテンプレートパターンを前記第１のレジストに複数回に渡って転写することにより、複数のインプリントショットに転写パターンを形成する。そして、前記インプリントショット間の領域であるインプリントショット間領域に第２のレジストを滴下する。さらに、前記第１のテンプレートとは異なる第２のテンプレートを前記第２のレジストに接触させることにより、前記インプリントショット間領域に前記第２のレジストを充填させる。そして、前記第２のレジストに硬化光を照射して前記第２のレジストを硬化させ、前記インプリントショット間領域を硬化させた第２のレジストで埋め込む。そして、前記第２のレジストから前記第２のテンプレートを引き離す。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、レジスト層の形成処理手順を示す図である。
【図３】図３は、転写テンプレートを用いたインプリント工程の処理手順を説明するための図である。
【図４】図４は、第１の実施形態に係るレジスト埋め込み処理を説明するための図である。
【図５】図５は、第１の実施形態に係る埋め込みテンプレートの構成を示す図である。
【図６】図６は、埋め込みテンプレートを用いたレジストの埋め込み処理手順を説明するための図である。
【図７】図７は、滴下領域と埋め込みテンプレートとの大きさの関係を説明するための図である。
【図８】図８は、第２の実施形態に係る埋め込みテンプレートの構成例を示す図である。
【図９】図９は、第２の実施形態に係る滴下領域の例を示す図である。
【図１０】図１０は、硬化したレジストが埋め込まれる領域を説明するための図である。
【図１１】図１１は、第３の実施形態に係る埋め込みテンプレートの構成を示す図である。
【図１２】図１２は、第４の実施形態に係る埋め込みテンプレートの構成を示す図である。
【図１３】図１３は、第４の実施形態に係る滴下領域の例を示す図である。
【図１４】図１４は、第５の実施形態に係る埋め込みテンプレートの構成を示す図である。
【図１５】図１５は、第６の実施形態に係るレジスト埋め込み処理を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るインプリント方法およびテンプレートを詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。インプリント装置１は、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）などのインプリントリソグラフィを行なう装置である。インプリント装置１は、モールド基板であるテンプレート（原版）を用いて、ウエハＷなどの被転写基板（被加工基板）上にレジストパターンを形成する。
【００１１】
本実施形態のインプリント装置１は、回路パターンなどが形成された第１のテンプレートを用いてウエハＷ上にテンプレートパターン（回路パターンなど）の転写を行なうとともに、第１のテンプレートとは異なる第２のテンプレートを用いてインプリントショット間にレジストの埋め込みを行なう。
【００１２】
なお、以下の説明では、回路パターンの転写に用いる第１のテンプレートを転写テンプレートＴｘといい、レジストの埋め込みに用いる第２のテンプレートを埋め込みテンプレート（本実施形態では、後述する埋め込みテンプレートＴ１）という。
【００１３】
インプリント装置１は、転写テンプレートＴｘを用いてインプリントした後（回路パターンの転写後）に、インプリントショット間にレジスト（ＵＶ（Ultra-Violet-rays）硬化樹脂などの光硬化剤）を滴下する。これにより、インプリント装置１は、ウエハＷ上の領域のうち、インプリントによって回路パターンが転写されていないインプリントショット間（溝の部分）にレジストを塗布する。そして、インプリント装置１は、インプリントショット間の形状に応じた凹凸面を有した埋め込みテンプレートＴ１を用いてレジストを押印し、これにより、インプリントショット間をレジストで埋める。
【００１４】
インプリント装置１は、原版ステージ２、基板チャック４、試料ステージ５、基準マーク６、アライメントセンサ７、液滴下装置８、ステージベース９、ＵＶ光源１０を備えている。また、本実施形態のインプリント装置１は、制御装置２０を備えている。図１では、インプリント装置１が埋め込みテンプレートＴ１を用いてインプリントショット間をレジストで埋める場合について説明する。
【００１５】
試料ステージ５は、ウエハＷを載置するとともに、載置したウエハＷと平行な平面内（水平面内）を移動する。試料ステージ５は、ウエハＷに転写材としてのレジストを滴下する際にはウエハＷを液滴下装置８の下方側に移動させ、ウエハＷへの押印処理を行う際には、ウエハＷを埋め込みテンプレートＴ１の下方側に移動させる。
【００１６】
また、試料ステージ５上には、基板チャック４が設けられている。基板チャック４は、ウエハＷを試料ステージ５上の所定位置に固定する。また、試料ステージ５上には、基準マーク６が設けられている。基準マーク６は、試料ステージ５の位置を検出するためのマークであり、ウエハＷを試料ステージ５上にロードする際の位置合わせに用いられる。
【００１７】
ステージベース９の底面側（ウエハＷ側）には、原版ステージ２が設けられている。原版ステージ２は、埋め込みテンプレートＴ１の裏面側（テンプレートパターンの形成されていない側の面）から埋め込みテンプレートＴ１を真空吸着などによって所定位置に固定する。
【００１８】
ステージベース９は、原版ステージ２によって埋め込みテンプレートＴ１を支持するとともに、埋め込みテンプレートＴ１のテンプレートパターンをウエハＷ上のレジストに押し当てる。ステージベース９は、上下方向（鉛直方向）に移動することにより、埋め込みテンプレートＴ１のレジストへの押し当てと、埋め込みテンプレートＴ１のレジストからの引き離し（離型）と、を行う。インプリントに用いるレジストは、例えば、光硬化性などの樹脂（光硬化剤）（薬液）である。また、ステージベース９上には、アライメントセンサ７が設けられている。アライメントセンサ７は、ウエハＷの位置検出や埋め込みテンプレートＴ１の位置検出を行うセンサである。
【００１９】
本実施形態のステージベース９は、ウエハＷ上にテンプレートパターンを転写する際には、転写テンプレートＴｘを支持するとともに、転写テンプレートＴｘを上下方向に移動させる。また、ステージベース９は、インプリントショット間にレジストを埋め込む際には、埋め込みテンプレートＴ１を支持するとともに、埋め込みテンプレートＴ１を上下方向に移動させる。
【００２０】
液滴下装置８は、インクジェット方式によってウエハＷ上にレジストを滴下する装置である。液滴下装置８が備えるインクジェットヘッド（図示せず）は、レジストの液滴を噴出する複数の微細孔を有している。
【００２１】
ＵＶ光源１０は、ＵＶ光を照射する光源であり、ステージベース９の上方に設けられている。ＵＶ光源１０は、埋め込みテンプレートＴ１がレジストに押し当てられた状態で、埋め込みテンプレートＴ１上からＵＶ光を照射する。制御装置２０は、インプリント装置１の各構成要素に接続（図示せず）され、各構成要素を制御する。
【００２２】
インプリント装置１は、レジスト層として、インプリントショット内のレジストパターンと、インプリントショット間のレジストと、をウエハＷ上に形成する。図２は、レジスト層の形成処理手順を示す図である。
【００２３】
インプリント装置１は、ウエハＷ上の各インプリントショットにインプリントを行なう（ステップＳ１）。インプリントを行う際には、試料ステージ５に載せられたウエハＷが液滴下装置８の直下まで移動させられる。そして、ウエハＷ上のインプリントショット位置にレジストが滴下される。
【００２４】
その後、試料ステージ５上のウエハＷが転写テンプレートＴｘの直下に移動させられる。そして、転写テンプレートＴｘがウエハＷ上のレジストに押し当てられる。転写テンプレートＴｘとレジストとを所定時間だけ接触させた後、この状態でＵＶ光源１０をレジストに照射させてレジストを硬化させる。これにより、テンプレートパターンに対応する転写パターンが、インプリントショット内のレジストに転写される。インプリントの際には、インプリントショット毎にテンプレートパターンの転写が繰り返される。
【００２５】
この後、インプリント装置１は、ウエハＷ上のインプリントショット間にレジストの埋め込みを行なう（ステップＳ２）。インプリントを行う際には、試料ステージ５に載せられたウエハＷが液滴下装置８の直下まで移動させられる。そして、ウエハＷ上のインプリントショット間にレジストが滴下される。
【００２６】
その後、試料ステージ５上のウエハＷが埋め込みテンプレートＴ１の直下に移動させられる。そして、埋め込みテンプレートＴ１がウエハＷ上のレジストに押し当てられる。埋め込みテンプレートＴ１とレジストとを所定時間だけ接触させた後、この状態でＵＶ光源１０をレジストに照射させてレジストを硬化させる。これにより、インプリントショット間にレジストが埋め込まれる。インプリントショット間へのレジストの埋め込みは、例えば、インプリントショット間を複数の領域に分割しておき、分割された領域毎に行なわれる。
【００２７】
このように、インプリント装置１は、転写テンプレートＴｘを用いたインプリントの後に、埋め込みテンプレートＴ１を用いたレジストの埋め込みを行なう。これにより、ウエハＷ上には、テンプレートパターンが転写されたレジストと、インプリントショット間に埋め込まれたレジストと、が形成される。
【００２８】
つぎに、インプリント工程の処理手順について説明する。図３は、転写テンプレートを用いたインプリント工程の処理手順を説明するための図である。図３では、インプリント工程におけるウエハＷや転写テンプレートＴｘなどの断面図を示している。
【００２９】
図３の（ａ）に示すように、ウエハＷの上面にはレジスト１２Ｘが滴下される。これにより、ウエハＷに滴下されたレジスト１２Ｘの各液滴はウエハＷ面内に広がる。そして、図３の（ｂ）に示すように、転写テンプレートＴｘがレジスト１２Ｘ側に移動させられ、図３の（ｃ）に示すように、転写テンプレートＴｘがレジスト１２Ｘに押し当てられる。このように、石英基板等を掘り込んで作った転写テンプレートＴｘをレジスト１２Ｘに接触させると、毛細管現象により転写テンプレートＴｘのテンプレートパターン内にレジスト１２Ｘが流入する。
【００３０】
予め設定しておいた時間だけ、レジスト１２Ｘを転写テンプレートＴｘに充填させた後、ＵＶ光が照射される。これにより、レジスト１２Ｘが硬化する。そして、図３の（ｄ）に示すように、硬化したレジストパターン１２Ｙから転写テンプレートＴｘを離型することにより、テンプレートパターンを反転させたレジストパターン１２ＹがウエハＷ上に形成される。
【００３１】
つぎに、第１の実施形態にかかるレジスト埋め込み処理について説明する。図４は、第１の実施形態に係るレジスト埋め込み処理を説明するための図である。図４では、ウエハＷを上面からみた図を示している。
【００３２】
図４の（ａ）に示すように、ウエハＷ上には、複数のインプリントショット２２にレジストパターン１２Ｙが形成される。インプリントショット２２は、概略矩形状をなしており、ウエハＷ上に所定の間隔でマトリクス状に配置されている。この配置により、各インプリントショット２２には、隣接するインプリントショット２２との間に、所定の幅を有した隙間（以下、インプリントショット間領域２１という）が設けられている。インプリントショット間領域２１は、レジストパターン１２Ｙが形成されていない領域であり、Ｇａｐ部である。
【００３３】
インプリントショット２２にレジストパターン１２Ｙが形成された後、図４の（ｂ）に示すように、インプリントショット間領域２１には、レジスト１３Ｘが滴下される。レジスト１３Ｘは、レジストパターン１２Ｙの形成に用いたレジスト１２Ｘと同じレジスト成分であってもよいし、異なるレジスト成分であってもよい。
【００３４】
インプリント装置１は、インプリントショット間領域２１の一部の領域にレジスト１３Ｘを滴下する。具体的には、インプリント装置１は、縦横２つずつで格子状に並ぶ４つのインプリントショット２２の一部に接するよう、レジスト１３Ｘをクロス形状領域（滴下領域Ａ１）内に滴下する。滴下領域Ａ１は、ウエハＷを上面から見た場合に、第１のインプリントショット２２の下辺および右辺に隣接し、第２のインプリントショット２２の下辺および左辺に隣接している。さらに、滴下領域Ａ１は、ウエハＷを上面から見た場合に、第３のインプリントショット２２の上辺および右辺に隣接し、第４のインプリントショット２２の上辺および左辺に隣接している。
【００３５】
滴下領域Ａ１にレジスト１３Ｘが滴下された後、埋め込みテンプレートＴ１がレジスト１３Ｘに押し当てられ、その後、レジスト１３ＸにＵＶ光が照射される。これにより、図４の（ｃ）に示すように、滴下領域Ａ１に、硬化したレジスト１３Ｙが埋め込まれる。
【００３６】
図５は、第１の実施形態に係る埋め込みテンプレートの構成を示す図である。埋め込みテンプレートＴ１は、クロス形状（クロスバー状）の上面を有した凸部（押し当て部Ｐ１）を有しており、この押し当て部Ｐ１の上面がレジスト１３Ｘに押し当てられる。押し当て部Ｐ１の上面形状であるクロス形状は、滴下領域Ａ１と同様の形状を有している。換言すると、押し当て部Ｐ１の上面形状は、インプリントショット間領域２１の一部と略同じ形状である。また、押し当て部Ｐ１の上面は、滴下領域Ａ１よりも僅かに小さく構成されている。この構成により、押し当て部Ｐ１をレジスト１３Ｘに押し当てた際に、形成済みのレジストパターン１２Ｙに押し当て部Ｐ１が衝突しない。
【００３７】
なお、押し当て部Ｐ１の上面形状を、インプリントショット間領域２１の一部と略同じ大きさにしてもよいし、インプリントショット間領域２１の一部よりも大きな領域としてもよい。
【００３８】
図６は、埋め込みテンプレートを用いたレジストの埋め込み処理手順を説明するための図である。図６では、レジストの埋め込み工程におけるウエハＷや埋め込みテンプレートＴ１などの断面図を示している。
【００３９】
図６の（ａ）に示すように、ウエハＷへは、転写テンプレートＴｘを用いてレジストパターン１２Ｙを形成しておく。レジストパターン１２Ｙは、テンプレートパターンが転写された転写パターン４２と、この転写パターン４２の周囲を囲む周囲パターン４１と、を有している。周囲パターン４１は、転写パターン４２と略同じ高さを有した壁パターンである。この構成により、インプリントショット間領域２１は、周囲パターン４１によって挟まれている。レジスト１３Ｘは、周囲パターン４１と、この周囲パターン４１の隣にある周囲パターン４１と、の間のクロス形状領域（滴下領域Ａ１）に滴下される。
【００４０】
ウエハＷに滴下されたレジスト１３Ｘの各液滴は滴下領域Ａ１内で広がる。そして、図６の（ｂ）に示すように埋め込みテンプレートＴ１がレジスト１３Ｘ側に移動させられ、埋め込みテンプレートＴ１の押し当て部Ｐ１がレジスト１３Ｘに押し当てられる。
【００４１】
図６の（ａ）に示したように、滴下領域Ａ１にレジスト１３Ｘを滴下しただけの状態では、既にインプリントされているレジストパターン１２Ｙ（インプリントショット２２）とレジストパターン１２Ｙとの間に隙間がある。図６の（ｂ）に示したように、埋め込みテンプレートＴ１をレジスト１３Ｘに接触させて滴下領域Ａ１にレジスト１３Ｘを充填させることにより、レジスト１３Ｘがレジストパターン１２Ｙ間の隙間を埋める。
【００４２】
この後、図６の（ｃ）に示すように、略透明な埋め込みテンプレートＴ１上からＵＶ光Ｌ１が照射される。レジスト１３Ｘは、ＵＶ光Ｌ１が照射されることにより、図６の（ｄ）に示すように硬化したレジスト１３Ｙとなる。これにより、レジスト１３Ｙが滴下領域Ａ１に埋め込まれる。レジスト１３Ｘが硬化してレジスト１３Ｙとなった後、埋め込みテンプレートＴ１をレジスト１３Ｙから離型させる。
【００４３】
なお、滴下領域Ａ１に滴下するレジスト１３Ｘの高さは、周囲パターン４１の高さ以上であってもよいし、周囲パターン４１の高さより低くてもよい。滴下領域Ａ１に滴下するレジスト１３Ｘの高さが周囲パターン４１の高さより低い場合、周囲パターン４１とレジスト１３Ｘの高さの差が、押し当て部Ｐ１の厚さよりも小さくなるよう、レジスト１３Ｘを滴下しておく。これにより、埋め込みテンプレートＴ１のうち押し当て部Ｐ１以外の箇所をレジストパターン１２Ｙに接触させることなく、押し当て部Ｐ１をレジスト１３Ｘに押し当てることが可能となる。
【００４４】
つぎに、滴下領域Ａ１の大きさ（転写テンプレートＴｘを用いて形成されたレジストパターン１２Ｙの大きさ）と、埋め込みテンプレートＴ１の大きさと、の関係について説明する。図７は、滴下領域と埋め込みテンプレートとの大きさの関係を説明するための図である。図７の（ａ）は、転写テンプレートＴｘを用いて形成されたレジストパターン１２Ｙの一例を示す斜視図である。また、図７の（ｂ）は、埋め込みテンプレートＴ１の一例を示す斜視図である。また、図７の（ｃ）は、埋め込みテンプレートＴ１（押し当て部Ｐ１）の他の構成例である埋め込みテンプレートＴ１’（押し当て部Ｐ１’）を示す斜視図である。なお、図７の（ａ）では、レジストパターン１２Ｙを直方体で示しているが、レジストパターン１２Ｙは、ライン＆スペースパターンなどが形成されたパターンである。
【００４５】
図７の（ａ）に示すように、４つのレジストパターン１２Ｙが格子状に配置されることにより、クロス形状の滴下領域Ａ１が形成される。また、図７の（ｂ）に示すように、埋め込みテンプレートＴ１は、４本の軸部（矩形領域）と、中心部（中心部領域）と、によってクロス形状の上面を構成している。
【００４６】
レジストパターン１２Ｙの底面および上面は、Ｘ方向が寸法ｘでＹ方向が寸法ｙの矩形領域である。また、隣接するレジストパターン１２Ｙとレジストパターン１２Ｙとの間のＸ方向の距離（滴下領域Ａ１の幅）がＢｘであり、Ｙ方向の距離がＢｙである。
【００４７】
また、埋め込みテンプレートＴ１の軸部は、軸方向の長さＬｘ＝ｘの軸部が２本と、軸方向の長さＬｙ＝ｙの軸部が２本と、の４本で構成されている。また、長さＬｘ＝ｘの軸部の幅は、幅Ｂｙであり、長さＬｙ＝ｙの軸部の幅は、幅Ｂｘである。
【００４８】
そして、長さＬｘ＝ｘの軸部が、レジストパターン１２Ｙの寸法ｘの辺に隣接し、かつ長さＬｙ＝ｙの軸部が、レジストパターン１２Ｙの寸法ｙの辺に隣接するよう、埋め込みテンプレートＴ１が滴下領域Ａ１上のレジスト１３Ｘに押し当てられる。
【００４９】
インプリントショット間領域２１にレジスト１３Ｙを埋め込む際には、滴下領域Ａ１にレジスト１３Ｘを滴下し、滴下領域Ａ１のレジスト１３Ｘに埋め込みテンプレートＴ１を押し当てる処理が繰り返される。換言すると、複数の滴下領域Ａ１のそれぞれにレジスト１３Ｘを滴下し、各滴下領域Ａ１のレジスト１３Ｘに埋め込みテンプレートＴ１を押し当てる。
【００５０】
このため、クロス形状の横方向に延びる軸部の長さをＬｘ＝ｘとし、縦方向に延びる軸部の長さをＬｙ＝ｙとしておくことにより、インプリントショット間領域２１へのレジスト１３Ｙの埋め込みを効率良く繰り返すことが可能となる。
【００５１】
なお、押し当て部Ｐ１’の軸部を、軸方向の長さＬｘ＞ｘ／２の軸部が２本と、軸方向の長さＬｙ＞ｙ／２の軸部が２本と、の４本としてもよい。この場合、長さＬｘ＞ｘ／２の軸部が、レジストパターン１２Ｙの寸法ｘの辺に隣接し、かつ長さＬｙ＞ｙ／２の軸部が、レジストパターン１２Ｙの寸法ｙの辺に隣接するよう、埋め込みテンプレートＴ１が滴下領域Ａ１上のレジスト１３Ｘに押し当てられる。
【００５２】
なお、滴下領域Ａ１を、押し当て部Ｐ１’の軸部の長さに応じた領域としてもよい。例えば、滴下領域Ａ１のうち、長さＬｘ＞ｘ／２の軸部が押し当てられる領域を、長さＬｘ＞ｘ／２の軸部よりも短い寸法であって且つｘ／２以上の長さとする。また、滴下領域Ａ１のうち、長さＬｙ＞ｙ／２の軸部が押し当てられる領域を、長さＬｙ＞ｙ／２の軸部よりも短い寸法であってｙ／２以上の長さとする。
【００５３】
換言すると、十字型のクロスバーである押し当て部Ｐ１’の横棒と縦棒の長さを、ウエハＷに既にインプリントされているインプリントショット２２の各辺の半分より長くしておく。
【００５４】
例えば、クロス形状の横方向に延びる軸部の長さがＬｘ＜ｘ／２である場合、レジスト１３Ｘのうち、隣接する滴下領域Ａ１の境界付近に滴下されるレジスト１３Ｘは、押し当て部によって押し当てることができない。一方、クロス形状の横方向に延びる軸部の長さをＬｘ＞ｘ／２、Ｌｙ＞ｙ／２としておくことにより、レジスト１３Ｘのうち、隣接する滴下領域Ａ１の境界付近に滴下されるレジスト１３Ｘであっても押し当て部Ｐ１’によって押し当てることができる。別言すれば、４つのインプリントショット２２の集まる領域（角）に押し当て部Ｐ１’の中心部を合わせて、押し当て部Ｐ１’をレジスト１３Ｘに接触させることができる。
【００５５】
このため、クロス形状の横方向に延びる軸部の長さをＬｘ＞ｘ／２とし、縦方向に延びる軸部の長さをＬｙ＞ｙ／２としておくことにより、埋め込みテンプレートＴ１’を用いたレジスト１３Ｘへの押し当て処理を、効率良く繰り返すことが可能となる。また、ウエハＷ内の全Ｇａｐ部を埋め込んでインプリントする際に、Ｇａｐ部を残すことなくレジスト１３Ｙを充填できる。
【００５６】
なお、テンプレートＴ１，Ｔ１’の幅は、滴下領域Ａ１の幅よりも少し短くてもよい。また、テンプレートＴ１，Ｔ１’の長さは、滴下領域Ａ１の長さよりも少し短くてもよい。
【００５７】
埋め込みテンプレートＴ１を用いたインプリントショット間領域２１へのレジスト１３Ｙの埋め込みは、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。半導体装置（半導体集積回路）を製造する際には、ウエハＷへの成膜処理、転写テンプレートＴｘを用いたインプリント処理、埋め込みテンプレートＴ１などを用いたレジスト１３Ｙの埋め込み処理、レジストパターン１２Ｙおよびレジスト１３Ｙ上からのエッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
【００５８】
なお、本実施形態では、インプリント装置１が、各インプリントショットにレジストパターン１２Ｙを形成する場合について説明したが、インプリント装置１以外の他のインプリント装置によって各インプリントショットにレジストパターン１２Ｙを形成してもよい。
【００５９】
このように第１の実施形態によれば、埋め込みテンプレートＴ１を用いてインプリントショット間領域２１にレジスト１３Ｙを埋め込むので、レジストパターン１２Ｙ上からエッチング処理などの加工を行う際に、インプリントショット間領域２１をレジスト３Ｙで保護することが可能となる。したがって、インプリント後のウエハＷの加工の際に、インプリントショット間領域２１の下層部（下地基板）などからの影響を小さくすることが可能となる。
【００６０】
また、埋め込みテンプレートＴ１の押し当て部Ｐ１の形状をクロス形状としているので、４つのインプリントショット２２で形成された十字形状のＧａｐ部（滴下領域Ａ１）を１度の埋め込み処理で埋めることが可能となる。
【００６１】
（第２の実施形態）
つぎに、図８〜図１０を用いてこの発明の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、クロス形状以外の押し当て部を有した埋め込みテンプレートを用いて、インプリントショット間領域２１へのレジスト１３Ｙの埋め込みを行なう。
【００６２】
図８は、第２の実施形態に係る埋め込みテンプレートの構成例を示す図である。図８の（ａ）に示す埋め込みテンプレートＴ２は、Ｌ字型の上面形状を有した凸部（押し当て部Ｐ２）を備えている。そして、押し当て部Ｐ２の上面が、後述するＬ字型の滴下領域Ａ２に滴下されたレジスト１３Ｘに押し当てられる。
【００６３】
同様に、図８の（ｂ）に示す埋め込みテンプレートＴ３は、矩形状の上面形状を有した凸部（押し当て部Ｐ３）を備えている。そして、押し当て部Ｐ３の上面が、後述する矩形状の滴下領域Ａ３に滴下されたレジスト１３Ｘに押し当てられる。
【００６４】
また、図８の（ｃ）に示す埋め込みテンプレートＴ４は、Ｔ字型の上面形状を有した凸部（押し当て部Ｐ４）を備えている。そして、押し当て部Ｐ４の上面が、後述する矩形状の滴下領域Ａ４に滴下されたレジスト１３Ｘに押し当てられる。
【００６５】
また、図８の（ｄ）に示す埋め込みテンプレートＴ５は、環状形状の上面形状を有した凸部（押し当て部Ｐ５）を備えている。そして、押し当て部Ｐ５の上面が、後述する矩形状の滴下領域Ａ５に滴下されたレジスト１３Ｘに押し当てられる。
【００６６】
図９は、第２の実施形態に係る滴下領域の例を示す図である。図９では、図４と同様にウエハＷを上面からみた図を示している。図９の（ａ）〜（ｄ）に示す滴下領域Ａ２〜Ａ５は、それぞれ図８の（ａ）〜（ｄ）に示した埋め込みテンプレートＴ２〜Ｔ５を用いてレジスト１３Ｙを埋め込む際にレジスト１３Ｘが滴下される領域である。
【００６７】
図９の（ａ）は、Ｌ字型の押し当て部Ｐ２に適用されるＬ字型の滴下領域Ａ２を示し、図９の（ｂ）は、矩形状の押し当て部Ｐ３に適用される矩形状の滴下領域Ａ３を示している。また、図９の（ｃ）は、Ｔ字型の押し当て部Ｐ４に適用されるＴ字型の滴下領域Ａ４を示し、図９の（ｄ）は、環状形状の押し当て部Ｐ５に適用される環状形状の滴下領域Ａ５を示している。
【００６８】
押し当て部Ｐ２〜Ｐ５の上面は、それぞれ滴下領域Ａ２〜Ａ５よりも僅かに小さく構成されている。この構成により、押し当て部Ｐ２〜Ｐ５をレジスト１３Ｘに押し当てた際に、形成済みのレジストパターン１２Ｙに押し当て部Ｐ２〜Ｐ５が衝突しない。
【００６９】
なお、押し当て部Ｐ２〜Ｐ５の上面を、それぞれ滴下領域Ａ２〜Ａ５と略同じ大きさとしてもよいし、滴下領域Ａ２〜Ａ５よりも大きな領域としてもよい。
【００７０】
インプリントショット２２にレジストパターン１２Ｙが形成された後、図９の（ａ）〜（ｄ）の何れかに示すように、インプリントショット間領域２１には、レジスト１３Ｘが滴下される。
【００７１】
図９の（ａ）に示すように、Ｌ字型の滴下領域Ａ２は、１つのインプリントショット２２のＸ方向の１辺およびＹ方向の１辺に隣接する領域である。図９の（ａ）では、１つのインプリントショット２２の右辺および上辺に隣接する滴下領域Ａ２を示している。
【００７２】
また、図９の（ｂ）に示すように、矩形状の滴下領域Ａ３は、１つのインプリントショット２２のＸ方向またはＹ方向の１辺に隣接する領域である。なお、滴下領域Ａ３は、インプリントショット２２の頂点位置近傍（Ｘ方向の１辺とＹ方向の１辺が交わる頂点領域）を含む領域であってもよいし、含まない領域であってもよい。
【００７３】
図９の（ｃ）に示すように、Ｔ字型の滴下領域Ａ４は、Ｌ字型の滴下領域Ａ２と矩形状の滴下領域Ａ３とを組み合わせることによって、構成されたＴ字型の領域である。換言すると、滴下領域Ａ４は、ウエハＷを上面から見た場合に、第１のインプリントショット２２の上辺および右辺に隣接し、第２のインプリントショット２２の上辺および左辺に隣接している。この場合において、第１のインプリントショット２２の右辺と第２のインプリントショット２２の左辺とは、同じ辺である。
【００７４】
図９の（ｄ）に示すように、環状形状の滴下領域Ａ５は、１つのインプリントショット２２を囲う領域である。図９の（ｄ）では、１つのインプリントショット２２のＸ方向の２辺である上辺および下辺と、Ｙ方向の２辺である右辺および左辺と、４つのインプリントショット２２の１つずつの頂点が集まる領域と、に隣接する滴下領域Ａ５を示している。
【００７５】
図１０は、硬化したレジストが埋め込まれる領域を説明するための図である。図１０では、図９と同様にウエハＷを上面からみた図を示している。図１０の（ａ）〜（ｄ）に示す滴下領域Ａ２〜Ａ５は、それぞれ図９の（ａ）〜（ｄ）に示した滴下領域Ａ２〜Ａ５と同じ領域である。
【００７６】
図１０の（ａ）に示すように、Ｌ字型の滴下領域Ａ２にレジスト１３Ｘを滴下して埋め込みテンプレートＴ２で押印し硬化させることにより、滴下領域Ａ２にレジスト１３Ｙが埋め込まれる。
【００７７】
同様に、図１０の（ｂ）に示すように、矩形状の滴下領域Ａ３にレジスト１３Ｘを滴下して埋め込みテンプレートＴ３で押印し硬化させることにより、滴下領域Ａ３にレジスト１３Ｙが埋め込まれる。
【００７８】
また、図１０の（ｃ）に示すように、Ｔ字型の滴下領域Ａ４にレジスト１３Ｘを滴下して埋め込みテンプレートＴ４で押印し硬化させることにより、滴下領域Ａ４にレジスト１３Ｙが埋め込まれる。
【００７９】
また、図１０の（ｄ）に示すように、環状領域の滴下領域Ａ５にレジスト１３Ｘを滴下して埋め込みテンプレートＴ５で押印し硬化させることにより、滴下領域Ａ５にレジスト１３Ｙが埋め込まれる。
【００８０】
本実施形態では、埋め込みテンプレートＴ２〜Ｔ５を組み合わせることにより、インプリントショット間領域２１をレジスト１３Ｙで埋め込む。換言すると、インプリントショット間領域２１の位置毎に、埋め込みテンプレートＴ２〜Ｔ５の何れかをレジスト１３Ｘに接触させることにより、インプリントショット間領域２１をレジスト１３Ｙで埋め込む。例えば、インプリントショット間領域２１のうち、ウエハＷの中心部に位置するインプリントショット間領域２１には、埋め込みテンプレートＴ５を用いてレジスト１３Ｙの埋め込みを行なう。そして、ウエハＷの外周部に位置するインプリントショット間領域２１には、埋め込みテンプレートＴ３を用いてレジスト１３Ｙの埋め込みを行なう。
【００８１】
このように第２の実施形態によれば、埋め込みテンプレートＴ２〜Ｔ５の少なくとも１つを用いてインプリントショット間領域２１にレジスト１３Ｙを埋め込むので、第１の実施形態と同様に、インプリント後のウエハＷの加工の際に、インプリントショット間領域２１の下層部などからの影響を小さくすることが可能となる。
【００８２】
（第３の実施形態）
つぎに、図１１を用いてこの発明の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、平板状の押し当て部を有した埋め込みテンプレートを用いて、インプリントショット間領域２１へのレジスト１３Ｙの埋め込みを行なう。
【００８３】
図１１は、第３の実施形態に係る埋め込みテンプレートの構成を示す図である。埋め込みテンプレートＴ６は、概略平板状の押し当て部Ｐ６を有している。押し当て部Ｐ６は、押し当て部Ｐ５の環状形状の内部を埋め込んだ矩形状の上面を有している。このため、押し当て部Ｐ６の外周部は、押し当て部Ｐ５の外周部と略同じ大きさで構成されている。換言すると、押し当て部Ｐ６は、インプリントショット２２と、その周辺領域と、を含む領域と同じ形状を有した上面を有している。なお、押し当て部Ｐ６の外周部は、押し当て部Ｐ５の外周部よりも大きく構成しておいてもよい。
【００８４】
埋め込みテンプレートＴ６は、例えば、滴下領域Ａ１〜Ａ５の何れか又はこれらを組み合わせた領域に滴下されたレジスト１３Ｘを押し当てる際に用いられる。このとき、滴下領域Ａ１〜Ａ５には、周囲パターン４１よりも高い位置までレジスト１３Ｘを滴下しておく。これにより、押し当て部Ｐ６がレジストパターン１２Ｙに接触することなく、押し当て部Ｐ６をレジスト１３Ｘに接触させることが可能となる。
【００８５】
なお、押し当て部Ｐ６の上面の広さは、複数のインプリントショット２２を含む領域であってもよい。例えば、押し当て部Ｐ６の上面を、第１の実施形態で説明したクロス形状の滴下領域Ａ１と、この滴下領域Ａ１の周辺の４つのインプリントショット２２と、を含む領域と同じ広さとしてもよい。また、押し当て部Ｐ６の上面形状を、ウエハＷ上のすべてのインプリントショット２２を含む領域と同じ大きさまたは、それ以上の大きさとしてもよい。この場合、押し当て部Ｐ６の上面形状は、インプリントショット間領域２１の全体と略同じ形状を含んでいる。
【００８６】
このように、押し当て部Ｐ６を平板状としておくことにより、インプリントショット間領域２１の何れの領域にレジスト１３Ｘを滴下しても、レジスト１３Ｘに押し当て部Ｐ６を接触させることが可能となる。
【００８７】
このように第３の実施形態によれば、埋め込みテンプレートＴ６を用いてインプリントショット間領域２１にレジスト１３Ｙを埋め込むので、第１の実施形態と同様に、インプリント後のウエハＷの加工の際に、インプリントショット間領域２１の下層部などからの影響を小さくすることが可能となる。
【００８８】
また、インプリントショット間領域２１の何れの領域にレジスト１３Ｘを滴下しても、レジスト１３Ｘに押し当て部Ｐ６を接触させることができるので、埋め込みテンプレートＴ６によるレジスト１３Ｘの押し当て処理を効率良く繰り返すことが可能となる。また、押し当て部Ｐ６を平板状の凸部としているので、埋め込みテンプレートＴ６をレジスト１３Ｘに接触させる際の位置合わせを容易に行なうことが可能となる。
【００８９】
（第４の実施形態）
つぎに、図１２および図１３を用いてこの発明の第４の実施形態について説明する。第４の実施形態では、ウエハＷのインプリントショット間領域２１全面に対して一括してレジスト１３Ｙの埋め込みを行なう。
【００９０】
図１２は、第４の実施形態に係る埋め込みテンプレートの構成を示す図である。埋め込みテンプレートＴ７は、ウエハＷ上の全てのインプリントショット間領域２１に滴下されたレジスト１３Ｘを一括して押し当てることができる押し当て部Ｐ７を有している。押し当て部Ｐ７は、環状に構成された複数の凸部がマトリクス状に接合されて構成されている。図１２では、環状形状の上面を有した凸部が格子状に並ぶよう、凸部がＹ方向に３つずつ並べられ、Ｘ方向に４つずつ並べられている場合を示している。
【００９１】
図１３は、第４の実施形態に係る滴下領域の例を示す図である。図１３では、図４と同様にウエハＷを上面からみた図を示している。図１３に示す滴下領域Ａ７は、それぞれ図１２に示した埋め込みテンプレートＴ７を用いてレジスト１３Ｙを埋め込む際にレジスト１３Ｘが滴下される領域である。滴下領域Ａ７は、押し当て部Ｐ７と同様の形状を有した格子状の領域である。
【００９２】
インプリントショット２２にレジストパターン１２Ｙが形成された後、全てのインプリントショット間領域２１（滴下領域Ａ７）に、レジスト１３Ｘが滴下される。そして、レジスト１３Ｘに対して押し当て部Ｐ７の上面が押し当てられる。
【００９３】
押し当て部Ｐ７の上面は、滴下領域Ａ７よりも僅かに小さく構成されている。この構成により、押し当て部Ｐ７をレジスト１３Ｘに押し当てた際に、形成済みのレジストパターン１２Ｙに押し当て部Ｐ７が衝突しない。
【００９４】
なお、滴下領域Ａ７のうち最外周部分には、レジスト１３Ｘを滴下しなくてもよい。この場合、押し当て部Ｐ７の最外周部分には、凸部を設けておく必要はない。
【００９５】
また、押し当て部Ｐ７を構成している環状形状の内部を埋め込んでおき、押し当て部Ｐ７を概略平板状の凸部としてもよい。この場合、テンプレートＴ７は、テンプレートＴ６と略同様の形状となる。押し当て部Ｐ７を概略平板状の凸部とする場合、滴下領域Ａ７には、周囲パターン４１よりも高い位置までレジスト１３Ｘを滴下しておく。これにより、押し当て部Ｐ７が転写パターン４２に接触することなく、押し当て部Ｐ７をレジスト１３Ｘに接触させることが可能となる。
【００９６】
このように第４の実施形態によれば、埋め込みテンプレートＴ７を用いてインプリントショット間領域２１にレジスト１３Ｙを埋め込むので、インプリントショット間領域２１に一括してレジスト１３Ｙを埋め込むことが可能となる。したがって、短時間でインプリントショット間領域２１にレジスト１３Ｙを埋め込むことが可能となる。
【００９７】
（第５の実施形態）
つぎに、図１４を用いてこの発明の第５の実施形態について説明する。第５の実施形態では、押し当て部のパターン密度を、インプリントショット２２のパターン密度と略同じパターン密度とする。
【００９８】
図１４は、第５の実施形態に係る埋め込みテンプレートの構成を示す図である。図１４に示す埋め込みテンプレートＴ８は、所定のテンプレートパターンで構成された押し当て部Ｐ８を有している。押し当て部Ｐ８のテンプレートパターンは、インプリントショット２２のパターン密度と略同じパターン密度を有している。
【００９９】
押し当て部Ｐ８は、図７に示した埋め込みテンプレートＴ１に、テンプレートパターンを設けた構成となっている。換言すると、押し当て部Ｐ８は、押し当て部Ｐ１の領域にテンプレートパターンを配置することによって形成されている。
【０１００】
これにより、テンプレートＴ８を用いてインプリントショット間領域２１にレジスト１３Ｙを埋め込む場合に、インプリントショット間領域２１にインプリントショット２２と略同じパターン密度のレジストパターン（レジスト１３Ｙ）を形成することが可能となる。
【０１０１】
なお、押し当て部Ｐ８のテンプレートパターンを、インプリントショット２２の外周部近傍のパターン密度と略同じパターン密度としてもよい。また、押し当て部Ｐ８を、押し当て部Ｐ２〜Ｐ７の何れかの領域にテンプレートパターンを配置することによって構成してもよい。
【０１０２】
このように第５の実施形態によれば、埋め込みテンプレートＴ８を用いてインプリントショット間領域２１にレジスト１３Ｙを埋め込むので、インプリントショット間領域２１にインプリントショット２２と略同じパターン密度のレジストパターンを形成することが可能となる。したがって、インプリント後のウエハＷの加工の際に、パターン密度の影響を小さくすることが可能となる。
【０１０３】
（第６の実施形態）
つぎに、図１５を用いてこの発明の第６の実施形態について説明する。第６の実施形態では、レジストパターン１２Ｙにパターン欠陥領域などが発生した場合に、パターン欠陥領域にレジスト１３Ｙを埋め込む。
【０１０４】
図１５は、第６の実施形態に係るレジスト埋め込み処理を説明するための図である。図１５では、図４と同様に、ウエハＷを上面からみた図を示している。図１５の（ａ）に示すように、ウエハＷ上には、複数のインプリントショット２２にレジストパターン１２Ｙが形成される。このような場合において、インプリントショット２２の何れかにパターン欠陥領域Ａ１０などが発生する場合がある。パターン欠陥領域Ａ１０は、レジストパターン１２Ｙのうち、装置の故障やパーティクルの発生などが原因でパターン欠陥が発生し、この結果、レジストパターン１２Ｙが形成されなかった領域である。
【０１０５】
各インプリントショット２２にレジストパターン１２Ｙが形成された後、図１５の（ｂ）に示すように、パターン欠陥領域Ａ１０には、レジスト１３Ｘが滴下される。パターン欠陥領域Ａ１０にレジスト１３Ｘが滴下された後、埋め込みテンプレートＴ６などがレジスト１３Ｘに押し当てられ、その後、レジスト１３ＸにＵＶ光が照射される。これにより、図１５の（ｃ）に示すように、パターン欠陥領域Ａ１０に、硬化したレジスト１３Ｙが埋め込まれる。なお、レジスト１３Ｘに押し当てるテンプレートは、テンプレートＴ６に限らず他のテンプレートであってもよい。
【０１０６】
このように第１〜第６の実施形態によれば、インプリント後のウエハＷの加工の際に、下層部などからの影響を小さくすることが可能となる。
【０１０７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１０８】
１…インプリント装置、８…液滴下装置、１２Ｘ，１３Ｘ，１３Ｙ…レジスト、１２Ｙ…レジストパターン、２１…インプリントショット間領域、２２…インプリントショット、Ａ１〜Ａ５，Ａ７…滴下領域、Ｌ１…ＵＶ光、Ｐ１〜Ｐ８…押し当て部、Ｔ１〜Ｔ８…埋め込みテンプレート、Ｔｘ…転写テンプレート、Ｗ…ウエハ。
【図１】
2013161866.tif 000003
【図２】
2013161866.tif 000004
【図３】
2013161866.tif 000005
【図４】
2013161866.tif 000006
【図５】
2013161866.tif 000007
【図６】
2013161866.tif 000008
【図７】
2013161866.tif 000009
【図８】
2013161866.tif 000010
【図９】
2013161866.tif 000011
【図１０】
2013161866.tif 000012
【図１１】
2013161866.tif 000013
【図１２】
2013161866.tif 000014
【図１３】
2013161866.tif 000015
【図１４】
2013161866.tif 000016
【図１５】
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