(57)【要約】【課題】成膜面への傷つきを簡単に抑制できる条の製造方法及び条の製造装置を提供すること。【解決手段】テープ状基材Ｔの少なくとも片面に薄膜を有する超電導用線材Ｓの製造装置であって、超電導用線材Ｓを搬送する基材搬送部１１と、搬送されるテープ状基材Ｔの非成膜面を洗浄する洗浄装置１５と、洗浄された超電導用線材Ｓを重ね巻きする基材用リール２１Ｂとを備えた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の少なくとも片面に薄膜を有する条の製造方法であって、
前記基材の非成膜面を洗浄する洗浄工程と、洗浄された前記条を重ね巻きする巻き取り工程とを備えたことを特徴とする条の製造方法。
【請求項２】
前記洗浄工程の前に、前記基材の前記片面に薄膜を形成する成膜工程を備えたことを特徴とする請求項１に記載の条の製造方法。
【請求項３】
前記条が連続的に搬送され、前記成膜工程と前記洗浄工程とが連続して行われることを特徴とする請求項２に記載の条の製造方法。
【請求項４】
前記基材は金属で形成され、前記薄膜は酸化物または窒化物を含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の条の製造方法。
【請求項５】
前記洗浄工程は、前記非成膜面の拭き取り、もしくは、当該非成膜面の表層部の除去の少なくとも一方により行われることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の条の製造方法。
【請求項６】
前記洗浄工程は、無塵繊維による前記非成膜面の表面部の拭き取り、除塵リールによる非成膜面の表面部の研磨、イオンビーム照射による非成膜面の表面部の除去、及び、サンドブラスト処理による非成膜面の表面部の研磨のいずれか１つ又はこれらの組み合わせによって行われることを特徴とする請求項５に記載の条の製造方法。
【請求項７】
基材の少なくとも片面に薄膜を有する条の製造装置であって、
前記条を搬送する搬送手段と、搬送される前記基材の非成膜面を洗浄する洗浄手段と、洗浄された前記条を重ね巻きする巻き取り手段とを備えることを特徴とする条の製造装置。
【請求項８】
前記搬送手段によって搬送される条に前記薄膜を形成する成膜手段を、前記洗浄手段の上流側に配置したことを特徴とする請求項７に記載の条の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、長尺の基材の少なくとも片面に薄膜を有する条の製造方法、及び、条の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、長尺の基材の表面（少なくとも片面）に薄膜が形成（以下、成膜という）された条が知られている。この種の条として、例えば、テープ状に形成された金属基材の表面に中間層膜、超電導層膜及び安定化層膜が積層して形成された超電導線材が知られている。また、基材の表面に効率良く成膜する技術として、従来、基材の成膜対象面を成膜する前に洗浄する洗浄工程を備えたものが数多く提案されている（例えば、特許文献１参照）。
ところで、基材（条）は、数十メートル（ｍ）〜数キロメートル（ｋｍ）の長尺に形成されているため、通常、これら基材はリールに巻き取られて保持されており、このリールから繰り出された基材の端部を他のリールで巻き取る構成（いわゆるリール・トゥ・リール）とし、これら一対のリール間を搬送される基材に対して、洗浄及び成膜がなされている。
【０００３】
この構成では、基材は、リール間を搬送される基材を支持する支持台上を走行するため、成膜前に基材の表面を洗浄したとしても、成膜時に、支持台と対向する非成膜面に、金属粉や成膜に用いられる有機材料等の汚れが付着する。これらの汚れが付着したまま基材（条）がリールに巻き取られた場合には、基材の成膜面の上に、汚れが付着した非成膜面が重ねられるため、成膜面への傷の転写やコンタミネーションの埋め込み等の不具合が生じ、成膜された条の性能が低下するという問題が想定される。
これを解消するために、成膜処理した後に、条の表面を洗浄する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２０２１５３号公報
【特許文献２】特開平７−２７５９２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した特許文献２に記載の技術では、成膜手段の後に、コイルグラインダー、軽酸洗装置、及び、ブラシロールのうち１種以上を配置するものであり、搬送される条の両面を洗浄するものである。
この構成では、非成膜面の汚れを確実に除去するように、条（基材）の両面を洗浄すると、成膜面に傷等が生じることがあり、一方、成膜面に傷がつかないような洗浄では、非成膜面の汚れを十分に除去することができないという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、成膜面への傷つきを抑制することができる条の製造方法及び条の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、基材の少なくとも片面に薄膜を有する条の製造方法であって、前記基材の非成膜面を洗浄する洗浄工程と、洗浄された前記条を重ね巻きする巻き取り工程とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
この構成において、前記洗浄工程の前に、前記基材の前記片面に薄膜を形成する成膜工程を備えたても良い。また、前記条が連続的に搬送され、前記成膜工程と前記洗浄工程とが連続して行われても良い。また、前記基材は金属で形成され、前記薄膜は酸化物または窒化物を含有する構成としても良い。
【０００９】
また、前記洗浄工程は、前記非成膜面の拭き取り、もしくは、当該非成膜面の表層部の除去の少なくとも一方により行われても良い。また、前記洗浄工程は、無塵繊維による前記非成膜面の表面部の拭き取り、除塵リールによる非成膜面の表面部の研磨、イオンビーム照射による非成膜面の表面部の除去、及び、サンドブラスト処理による非成膜面の表面部の研磨のいずれか１つ又はこれらの組み合わせによって行われる構成としても良い。
【００１０】
また、本発明は、基材の少なくとも片面に薄膜を有する条の製造装置であって、前記条を搬送する搬送手段と、搬送される前記基材の非成膜面を洗浄する洗浄手段と、洗浄された前記条を重ね巻きする巻き取り手段とを備えることを特徴とする。
【００１１】
この場合において、前記搬送手段によって搬送される条に前記薄膜を形成する成膜手段を、前記洗浄手段の上流側に配置した構成としても良い。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基材の非成膜面を洗浄する洗浄工程と、洗浄された条を重ね巻きする巻き取り工程とを備えたため、非成膜面に付着した汚れが成膜面の上に重ねられることを抑制することができる。このため、成膜面への傷の転写やコンタミネーションの埋め込み等の不具合の発生を簡単に低減でき、ひいては、成膜された条の性能低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施の形態にかかる線材製造装置を示す概略構成図である。
【図２】実施例１にかかる洗浄装置を示す概略構成図である。
【図３】実施例２にかかる洗浄装置を示す概略構成図である。
【図４】実施例３にかかる洗浄装置を示す概略構成図である。
【図５】実施例４にかかる洗浄装置を示す概略構成図である。
【図６】実施例５にかかる洗浄装置を示す概略構成図である。
【図７】各実施例における汚れの除去結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本実施の形態にかかる線材製造装置を示す概略構成図である。
線材製造装置１は、長尺のテープ状基材Ｔの表面に薄膜（例えば中間層膜）を形成し、条としての超電導用線材Ｓを製造するための装置である。
この線材製造装置１は、図１に示すように、テープ状基材Ｔを巻き取り走行させる基材搬送部（搬送手段）１１と、テープ状基材Ｔの表面（成膜面）２２に薄膜を形成する成膜チャンバ（成膜手段）１３と、テープ状基材Ｔの裏面（片方の面、非成膜面）２３を洗浄する洗浄装置（洗浄手段）１５とを備える。
【００１５】
基材搬送部１１は、テープ状基材Ｔが巻き掛けられる一対の基材用リール２１Ａ，２１Ｂを備え、これら基材用リール２１Ａ，２１Ｂ間においてテープ状基材Ｔを所定速度（１〜３００ｍ／ｈ）で搬送する、いわゆるリール・トゥ・リール（reel to reel）方式に構成されている。
本実施形態では、テープ状基材Ｔは、一方の基材用リール２１Ａに巻き掛けられた状態で保持されており、成膜する際に当該テープ状基材Ｔの先端が他方の基材用リール２１Ｂに巻き掛けられる。そして、他方の基材用リール２１Ｂを回転させることにより、テープ状基材Ｔが一方の基材用リール２１Ａから繰り出される一方、他方の基材用リール２１Ｂに重ねて巻き取られることでテープ状基材Ｔが搬送される。本実施形態では、他方の基材用リール２１Ｂが超電導用線材Ｓを重ね巻きする巻き取り手段として機能する。
【００１６】
テープ状基材Ｔには、幅１０ｍｍ程度、厚み０．１ｍｍ程度の平板形状を有した長尺（数十ｍ〜数ｋｍ）の金属基板が用いられる。金属基板の材料としては、例えば、強度及び耐熱性に優れた、Ｍｏ，Ｔａ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｃｒ等の金属又はこれらの合金を用いることができ、本実施形態では、低磁性の無配向金属基板（例えば、ニッケル基の耐熱・耐食合金であるハステロイ（登録商標））が用いられている。
また、本実施形態では、図中下面で示されるテープ状基材Ｔの表面２２が当該テープ状基材Ｔの成膜面であり、非成膜面には、テープ状基材Ｔの裏面２３に加えて両側面（図示略）を含む。
【００１７】
成膜チャンバ１３は、真空雰囲気中で、テープ状基材Ｔの表面（成膜面）２２に薄膜としての中間層膜を形成するものである。
具体的には、成膜チャンバ１３内を１×１０-3Ｐａまで真空引きした状態とし、テープ状基材Ｔを当該成膜チャンバ１３内に設けられたスパッタ装置（不図示）に導入する。このスパッタ装置では、例えば、Ｇｄ2Ｚｒ2Ｏ7を蒸着源とするスパッタ法により、テープ状基材Ｔの表面２２に所定の膜厚（例えば５ｎｍ〜１００ｎｍ）のベッド層（中間層）膜を形成する。この場合のＲＦスパッタ出力は３００Ｗである。
なお、中間層膜は、スパッタ法のみならず、ＩＢＡＤ(Ion Beam Assisted Deposition)法や、ＰＬＤ(Pulse Laser Deposition)法などを用いて形成する構成としてもよい。
【００１８】
ところで、テープ状基材Ｔは、当該テープ状基材Ｔを支持する支持台（不図示）上を走行するため、この支持台とテープ状基材Ｔとの接触により生じた摩耗粉や、中間層膜の形成に用いられる有機材料等の汚れがテープ状基材Ｔの裏面２３に付着する。これらの汚れが付着したままテープ状基材Ｔ（超電導用線材Ｓ）が他方の基材用リール２１Ｂに巻き取られた場合には、超電導用線材Ｓの表面（成膜面）２２の上に、汚れが付着した裏面（非成膜面）２３が重ねられるため、成膜面への傷の転写やコンタミネーションの埋め込み等の不具合が生じ、中間層膜が形成された超電導用線材Ｓの性能が低下する。
このため、本実施形態では、中間層膜の形成された後であって、超電導用線材Ｓが他方の基材用リール２１Ｂに巻き取られる前に、当該超電導用線材Ｓの裏面２３を洗浄する洗浄装置１５が設けられている。この構成によれば、超電導用線材Ｓの裏面２３に付着した汚れは、洗浄装置１５により除去されるため、この裏面２３に付着した汚れが超電導用線材Ｓの成膜面としての表面２２上に重ねて巻き取られることが抑制される。このため、成膜面への傷の転写やコンタミネーションの埋め込み等の不具合の発生を簡単に低減でき、ひいては、超電導用線材Ｓの性能低下を抑制することができる。
【００１９】
続いて、洗浄装置１５の各実施例について説明する。
［実施例１］
図２は、実施例１にかかる洗浄装置を示す概略構成図である。
洗浄装置１５は、超電導用線材Ｓの裏面２３側に接触して配置される一対の搬送リール３０Ａ，３０Ｂと、これら搬送リール３０Ａ，３０Ｂの間に配置される除塵リール３１とを備える。
搬送リール３０Ａ，３０Ｂは、超電導用線材Ｓが搬送される際に当該超電導用線材Ｓの移動とともに自由に回転する。これら搬送リール３０Ａ，３０Ｂは、それぞれ同一径Ｄ（１２ｃｍ）に設定され、所定距離Ｌ（８０ｃｍ）をあけて同一の高さ位置に配置される。
【００２０】
除塵リール３１は、搬送リール３０Ａ，３０Ｂと同一径Ｄ（１２ｃｍ）に設定され、その中心軸が所定距離Ｌのおよそ中央に位置するように配置されている。この除塵リール３１は、超電導用線材Ｓの搬送とは独立して回転するモータ（不図示）と、当該除塵リール３１の高さ位置を搬送リール３０Ａ，３０Ｂに対して変更するリフト（不図示）とを備える。
また、除塵リール３１は、外周面に紙やすり（研削手段）３２が貼り付けられ、除塵リール３１の回転によって搬送される超電導用線材Ｓの裏面２３の表層部を研削する。
【００２１】
具体的には、除塵リール３１は、超電導用線材Ｓの搬送方向と反対の向き（図中Ｘ方向）であって、搬送速度の約１／２の速度で回転するように制御される。また、除塵リール３１を下方（超電導用線材Ｓに接近する方向）に移動させ、除塵リール３１と超電導用線材Ｓとの接触面積を大きくしている。
この実施例では、除塵リール３１が回転することにより、この除塵リール３１の外周面に貼り付けられた紙やすり３２が超電導用線材Ｓの裏面２３の表層部を除去するため、この裏面２３に付着した汚れを取り除くことができる。
さらに、本実施例では、紙やすりの番手や除塵リール３１の回転速度を変えることで洗浄能力を変えることができるため、洗浄の強さを簡便に操作することができる。また、一対の搬送リール３０Ａ，３０Ｂと除塵リール３１との高さ位置の関係を変えることで、接触面積を操作することが可能であり、超電導用線材Ｓの搬送における張力を操作することで接触圧を操作することができる。また、除塵リール３１の直径を変えることで接触面積を設定することも可能である。
【００２２】
［実施例２］
図３は、実施例２にかかる洗浄装置を示す概略構成図である。
洗浄装置１５は、超電導用線材Ｓの裏面２３側に接触して配置される一対の搬送リール３０Ａ，３０Ｂと、これら搬送リール３０Ａ，３０Ｂの間に配置されるイオンビーム照射装置４０とを備える。搬送リール３０Ａ，３０Ｂについては、上記した実施例と同一の構成であるので説明を省略する。
イオンビーム照射装置４０は、高真空下において、真空容器内のイオン源へ導入した不活性ガス（例えばアルゴンガス）または反応性ガス（例えばフッ素化合物ガス）をイオン化し、イオン銃のグリッドに電圧を印加して加速し、イオンビームとして対象物に照射するものである。イオンビームが照射されると、超電導用線材Ｓの裏面２３に付着、もしくは吸着された汚れは、加速されたイオンのエネルギーを吸収し、多くの場合は分解反応を伴って、気化・脱離する。
【００２３】
イオンビーム照射装置４０の下方には、成膜面である超電導用線材Ｓの表面２２にイオンビームが回り込むことを抑制するカバー体４１が配置され、超電導用線材Ｓの裏面２３側には、イオンビームの照射位置付近に防着板４２が配置される。この防着板４２は、チラー等の冷却手段で冷却されており、気化・離脱された汚れを吸着する。
イオンビーム照射装置４０は、ビーム強度を２００Ｖ、１２５ｍＡとして照射し、照射時間を０．１〜１０ｓｅｃに設定されている。
本実施例では、イオンビーム照射装置４０は、真空雰囲気中で作動されるものであるため、例えば、成膜チャンバ１３内に、洗浄装置１５とスパッタ装置とを配置することにより、装置構成を簡素化することが可能となる。
【００２４】
［実施例３］
図４は、実施例３にかかる洗浄装置を示す概略構成図である。
洗浄装置１５は、超電導用線材Ｓの裏面２３側に接触して配置される一対の搬送リール３０Ａ，３０Ｂと、これら搬送リール３０Ａ，３０Ｂの間に配置されるサンドブラスト装置５０とを備える。搬送リール３０Ａ，３０Ｂについては、上記した実施例と同一の構成であるので説明を省略する。
サンドブラスト装置５０は、圧縮空気とともに、対象物に砂などの研磨材を吹き付けて対象物表面を加工するものである。研磨材が圧縮空気とともに超電導用線材Ｓの裏面２３に吹き付けられると、この裏面２３に付着した汚れは、研磨材の衝突により除去される。
また、超電導用線材Ｓの表面２２側の搬送方向下流側（サンドブラスト装置５０の配置よりも下流側）には、超電導用線材Ｓの表面２２に向かってエアーを噴射するエアノズル５１が配置されている。このエアノズル５１は、サンドブラスト装置５０から噴射された研磨剤や、この研磨剤によって除去された汚れが再び超電導用線材Ｓの表面２２に付着することを抑制するものである。
【００２５】
［実施例４］
図５は、実施例４にかかる洗浄装置１５を示す概略構成図である。
この実施例４では、上記した実施例１と略同一な構成を備え、除塵リール１３１の外周面にガラスクロス（無塵繊維）３４が装着されている点が異なる。同一の構成については説明を省略する。
ガラスクロス３４は、ガラス繊維で形成された布地であり、超電導用線材Ｓの裏面２３に付着した汚れを拭き取る。このガラスクロス３４は、上述した紙やすり３２と比べて、超電導用線材Ｓの裏面２３の表層部を研削するものではなく、当該裏面２３に付着した汚れを拭き取るものなので、汚れを除去する能力は小さいものの研削粉が生じないという特徴がある。
このため、本実施例にかかる洗浄装置１５を成膜チャンバ１３内にスパッタ装置と並べて配置することができることにより、装置構成を簡素化することが可能となる。
【００２６】
［実施例５］
図６は、実施例５にかかる洗浄装置１５を示す概略構成図である。
上記した実施例１では、除塵リール３１の外周面に紙やすり３２が貼り付けられていたが、紙やすり３２は時間経過とともに摩耗してしまうため、長時間の運用の際には、超電導用線材Ｓの裏面２３に付着した汚れを十分に除去することができないという事態が想定される。
このため、この実施例５では、長尺な紙やすり（研削手段）３６を所定速度で供給する一対の供給リール３７Ａ，３７Ｂが設けられている。これら供給リール３７Ａ，３７Ｂ間には、紙やすり３６が配置され、一方の供給リール３７Ｂから繰り出され、他方の供給リール３７Ａに巻き取られる。この巻き取り側の他方の供給リール３７Ａは、回転速度を変更可能なモータ（不図示）を備え、このモータは、除塵リール３１と同一速度で回転するように制御される。
これにより、成膜工程中に紙やすりが裏面２３に付着した汚れを除去することが出来ない程度に摩耗することが抑制され、超電導用線材Ｓの全長に亘って裏面２３に付着した汚れを除去することができる。また、除塵リール３１の外周面には、この外周面に接触して当該外周面を清掃するクリーニングローラ３８が設けられている。このクリーニングローラ３８は、除塵リール３１の外周面に紙やすり３６の摩耗粉等が付着することを抑制して、除塵リール３１と紙やすり３６との滑りを低減する。
【００２７】
実施例６〜９は、それぞれ実施例１〜３，５と、実施例４の外周面にガラスクロス３４が装着された除塵リール１３１とを組み合わせたものであり、この除塵リール１３１は、各実施例１〜３，５の除塵リール３１、イオンビーム照射装置４０、サンドブラスト装置５０及び除塵リール３１よりも、超電導用線材Ｓの搬送方向の下流側に配置されている。
この構成では、除塵リール３１、イオンビーム照射装置４０、サンドブラスト装置５０で発生した摩耗粉や研磨材を、除塵リール１３１に装着されたガラスクロス３４が拭き取ることにより、これら摩耗粉や研磨材が再び超電導用線材Ｓの裏面２３に付着することが抑制される。さらに、各洗浄装置を組み合わせることにより、より効果的に汚れを除去することができる。
【００２８】
図７は、各実施例１〜６及び比較例における汚れの除去結果を示すグラフである。比較例として、成膜チャンバ１３で中間層膜を形成し、洗浄をしていない超電導用線材Ｓを用いた。
また、除去結果の観測は、他方の基材用リール２１Ｂに巻き取った後の超電導用線材Ｓを所定速度（４ｍ／ｓ）で走行させ、この超電導用線材Ｓの表面（成膜面）２２上を欠陥検査装置で検査し、この表面２２上の欠陥数をカウントした。
図７に示すように、比較例では４８０カウントされた欠陥数が、実施例１〜９では、１８８カウント〜３２２カウントに減少することが判明した。これによれば、超電導用線材Ｓの裏面２３を洗浄した後に、重ね巻きをすることにより、裏面２３に付着した汚れが表面（成膜面）２２への傷の転写やコンタミネーションの埋め込み等の不具合の発生を簡単に低減でき、ひいては、超電導用線材Ｓの性能低下を抑制することができる。
【００２９】
このように、本実施形態によれば、テープ状基材Ｔの少なくとも片面に薄膜を有する超電導用線材Ｓの製造方法であって、テープ状基材Ｔの非成膜面である裏面２３を洗浄する洗浄工程と、洗浄された超電導用線材Ｓを重ね巻きする巻き取り工程とを備えたため、非成膜面に付着した汚れが成膜面の上に重ねられることを低減できる。このため、成膜面への傷の転写やコンタミネーションの埋め込み等の不具合の発生を簡単に低減でき、ひいては、超電導用線材Ｓの性能低下を抑制することができる。
【００３０】
また、本実施形態によれば、洗浄工程の前に、テープ状基材Ｔの表面２２に薄膜を形成する成膜工程を備えているため、成膜により汚れたテープ状基材Ｔの裏面２３を即座に洗浄することができる。
【００３１】
また、本実施形態によれば、テープ状基材Ｔが連続的に搬送され、成膜工程と洗浄工程とが連続して行われるため、成膜面への傷の転写やコンタミネーションの埋め込み等の不具合の発生をテープ状基材Ｔの全長に亘って低減できる。
【００３２】
また、本実施形態によれば、洗浄工程は、非成膜面の拭き取り、もしくは、当該非成膜面の表層部の除去の少なくとも一方により行われるため、超電導用線材Ｓの裏面の洗浄を簡単に行うことができる。
【００３３】
また、本実施形態によれば、洗浄工程は、ガラスクロス３４による非成膜面の表層部の拭き取り、除塵リール３１による非成膜面の表層部の研磨、イオンビーム照射による非成膜面の表層部の除去、及び、サンドブラスト処理による非成膜面の表層部の研磨のいずれか１つ又はこれらの組み合わせによって行われるため、超電導用線材Ｓの裏面の洗浄をより効果的に行うことができる。
【００３４】
また、本実施形態によれば、テープ状基材Ｔの少なくとも片面に薄膜を有する超電導用線材Ｓの製造装置であって、超電導用線材Ｓを搬送する基材搬送部１１と、搬送されるテープ状基材Ｔの非成膜面を洗浄する洗浄装置１５と、洗浄された超電導用線材Ｓを重ね巻きする基材用リール２１Ｂとを備えるため、成膜面への傷の転写やコンタミネーションの埋め込み等の不具合の発生を簡単に低減し、超電導用線材Ｓの性能低下を抑制することができる。
【００３５】
基材搬送部１１によって搬送される超電導用線材Ｓに薄膜を形成する成膜チャンバ１３を、洗浄装置１５の上流側に配置したため、成膜により汚れたテープ状基材Ｔの裏面２３を即座に洗浄することができる。
【００３６】
以上、本発明を一実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
例えば、本実施形態では、成膜チャンバとして、テープ状基材Ｔの表面に中間層膜を形成した構成について説明したが、これに限るものではなく、化学気相成長法(ＣＶＤ法：Chemical Vapor Deposition method)を用いて、中間層膜の上に、化学式ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-Yで表されるイットリウム系酸化物超電導体層（ＹＢＣＯ）を形成する構成としても良い。さらに、この超電導体層の上に、Ａｇ又はＡｇ合金からなる保護層をスパッタ法により形成する構成としても良い。
また、本実施形態では、中間層膜を形成する一例として、酸化物としてのＧｄ2Ｚｒ2Ｏ7で形成した中間層膜を示したが、これに限るものではなく、ＭｇＯやＣｅＯ2で形成しても良いし、窒化物としてのＴｉＮ、ＣｒＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ、Ｓｉ3Ｎ4等で形成しても良い。
【符号の説明】
【００３７】
１  線材製造装置
１１  基材搬送部（搬送手段）
１３  成膜チャンバ（成膜手段）
１５  洗浄装置（洗浄手段）
２１Ａ  基材用リール
２１Ｂ  基材用リール（巻き取り手段）
２２    表面（成膜面）
２３    裏面（非成膜面）
３１    除塵リール
３４    ガラスクロス（無塵繊維）
４０    イオンビーム照射装置
５０    サンドブラスト装置
５１    エアノズル
Ｓ      超電導用線材
Ｔ      テープ状基材
【図１】
2013155412.tif 000003
【図２】
2013155412.tif 000004
【図３】
2013155412.tif 000005
【図４】
2013155412.tif 000006
【図５】
2013155412.tif 000007
【図６】
2013155412.tif 000008
【図７】
2013155412.tif 000009