(57)【要約】【課題】反応生成物の堆積量が低減できる薄膜製造装置を提供する。【解決手段】固定挟持部材２１の底壁２１１の露出面（底壁面の高電圧電極１１から外れた位置）２１１Ｒに、反応ガスの排出口となる貫通穴２１１ｂを設ける。高電圧電極１１の可撓性基板１側とは反対側の面と成膜室２０の底壁２１との間に、例えば絶縁板４を配置することにより、空間を設けない。【選択図】図１
2013170314.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室と、前記成膜室内に、基板を挟んで対向配置される板状の接地電極および高電圧電極と、を有し、
前記高電圧電極から反応ガスを前記基板に向けて吹き出させるとともに、前記接地電極と高電圧電極との間に電圧を印加することにより、前記反応ガスを分解してプラズマを発生させて、プラズマＣＶＤ法により前記基板に薄膜を形成する薄膜製造装置であって、
前記成膜室は、前記高電圧電極の前記基板側とは反対側の面に対向する底壁面と、前記高電圧電極の側面に対向する側壁面を有し、
前記底壁面の前記高電圧電極から外れた位置に、前記反応ガスの排出口を有し、
前記高電圧電極の前記基板側とは反対側の面と前記成膜室の前記底壁面との間に空間を有さないことを特徴とする薄膜製造装置。
【請求項２】
前記高電圧電極の前記基板側とは反対側の面と前記成膜室の前記底壁面との間に絶縁板が配置されている請求項１記載の薄膜製造装置。
【請求項３】
前記高電圧電極の前記基板側とは反対側の面が前記成膜室の前記底壁面に接触している請求項１記載の薄膜製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、成膜室と、前記成膜室内に、基板を挟んで対向配置される板状の接地電極および高電圧電極と、を有し、前記高電圧電極から反応ガスを前記基板に向けて吹き出させるとともに、前記接地電極と高電圧電極との間に電圧を印加することにより、前記反応ガスを分解してプラズマを発生させて、プラズマＣＶＤ法により前記基板に薄膜を形成する薄膜製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
前記薄膜製造装置では、成膜室の側壁や底壁に反応ガスの排出口が形成されているが、反応ガスが排出される際に成膜室の側壁面や底壁面に衝突して冷やされると、反応生成物となって堆積し、この堆積物が剥がれて基板を汚染する恐れがある。また、反応ガスの排気経路が反応生成物により攪乱され、基板上に形成される薄膜の膜厚均一性に影響を及ぼす恐れがある。
【０００３】
これを防止するために、特許文献１には、プラズマＣＶＤ法による薄膜製造装置において、成膜に使用されずに残った反応ガスを、プラズマの生成部から垂直方向または水平方向へ直進させて排気することにより、排出される反応ガスが反応室の内壁面等に付着する量を最小限に抑えることが記載されている。
一方、薄膜光電変換素子を生産性よく製造する方法として、長尺の高分子材料あるいはステンレス鋼などの金属からなる可撓性基板上に、ａ−Ｓｉを主材料とした光電変換層を含む各層を形成する方法がある。この方法を実施する装置として、複数列の長尺の可撓性基板を、基板面を鉛直面に沿わせて、並行して搬送しながら、ステッピングロール方式で成膜する薄膜製造装置が提案されている（特許文献２等を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１６８６３６号公報
【特許文献２】特開平８−２９３４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された技術には、反応生成物の堆積量を低減するという点で改善の余地がある。
この発明の課題は、成膜室と、前記成膜室内に、基板を挟んで対向配置される板状の接地電極および高電圧電極と、を有し、前記高電圧電極から反応ガスを前記基板に向けて吹き出させる構造のプラズマＣＶＤ法による薄膜製造装置において、特許文献１に記載された装置よりも反応生成物の堆積量が低減できる装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明の薄膜製造装置は、成膜室と、前記成膜室内に、基板を挟んで対向配置される板状の接地電極および高電圧電極と、を有し、前記高電圧電極から反応ガスを前記基板に向けて吹き出させるとともに、前記接地電極と高電圧電極との間に電圧を印加することにより、前記反応ガスを分解してプラズマを発生させて、プラズマＣＶＤ法により前記基板に薄膜を形成する薄膜製造装置であって、前記成膜室は、前記高電圧電極の前記基板側とは反対側の面に対向する底壁面と、前記高電圧電極の側面に対向する側壁面を有し、前記底壁面の前記高電圧電極から外れた位置に、前記反応ガスの排出口を有し、 前記高電圧電極の前記基板側とは反対側の面と前記成膜室の前記底壁面との間に空間を有さないことを特徴とする。
【０００７】
この発明の薄膜製造装置を実現するために、前記高電圧電極の前記基板側とは反対側の面と前記成膜室の前記底壁面との間に絶縁板が配置されていてもよいし、前記高電圧電極の前記基板側とは反対側の面が前記成膜室の前記底壁面に接触していてもよい。
【発明の効果】
【０００８】
この発明の薄膜製造装置によれば、特許文献１に記載された薄膜製造装置よりも反応生成物の堆積量を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の第１実施形態を説明する図である。
【図２】この発明の第２実施形態を説明する図である。
【図３】この発明の第３実施形態を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、この発明の実施形態について説明する。
この実施形態では、二列の長尺の可撓性基板を、基板面を鉛直面に沿わせて、並行して搬送しながらステッピングロール方式で成膜する薄膜製造装置に、この発明を適用した例について説明するが、これとは異なる薄膜製造装置に適用できることを妨げるものではない。
この薄膜製造放置は、送り室、予備真空室、成膜用真空室、および巻き取り室で形成されている。送り室の各搬送ロールから送り出された各可撓性基板は、予備真空室を通って成膜用真空室に入り、成膜用真空室に独立に形成される二つの成膜室で、各可撓性基板の基板面にプラズマＣＶＤ法による成膜が行われた後、巻き取り室の搬出ロールで巻き取られる。
【００１１】
［第１実施形態］
図１を用いて、第１実施形態の成膜用真空室について説明する。図１（ａ）は搬送される可撓性基板１の基板面に沿って成膜用真空室を切断した図である。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図に相当する。図１（ａ）は図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面図に対応する。
成膜用真空室１００は、上壁１０１、下壁１０２、および側壁１０３により、内部が外気と隔離されている。成膜用真空室１００内に、鉛直方向に延びて上壁１０１および下壁１０２に接触する導電性のシールドブロック３が配置されている。シールドブロック３により、成膜用真空室１００の内部が二つの空間１００ａ，１００ｂに分けられている。
【００１２】
各空間１００ａ，１００ｂに、高電圧電極１１と接地電極１２が可撓性基板１を挟んで対向配置されている。高電圧電極１１は、反応ガスを可撓性基板１に向けて吹き出すシャワー電極である。接地電極１２には可撓性基板１を加熱するヒータが内蔵されている。
各空間１００ａ，１００ｂ内には、また、成膜室２０を形成する導電性の固定挟持部材２１および可動挟持部材２２と、絶縁板４と、棒状の給電体５が配置されている。そして、成膜用真空室１００の外部に、二つの高周波電源６が配置されている。
【００１３】
固定挟持部材２１は底壁２１１と側壁２１２とからなり、底壁２１１と側壁２１２とで囲まれた空間に、高電圧電極１１と絶縁板４が配置されている。高電圧電極１１の裏面（基板１側とは反対側の面）の中央部に突出部１１ａが形成されている。固定挟持部材２１の底壁２１１の中央部に、高電圧電極１１の突出部１１ａを通す貫通穴２１１ａが形成されている。突出部１１ａは、貫通穴２１１ａを通ってシールドブロック３側に突出している。
【００１４】
固定挟持部材２１の底壁２１１の貫通穴２１１ａと高電圧電極１１の突出部１１ａとの隙間が、絶縁リング２１３で塞がれている。すなわち、高電圧電極１１の突出部１１ａは絶縁リング２１３を介して固定挟持部材２１の底壁２１１に固定されている。
高電圧電極１１と絶縁板４は同じ長方形の面形状を有する。絶縁板４は、高電圧電極１１の裏面と固定挟持部材２１の底壁２１１との間に配置されている。絶縁板４には、高電圧電極１１の突出部１１ａを通す貫通穴４１が形成されている。絶縁板４は、固定挟持部材２１の底壁２１１に絶縁ネジで固定されている。絶縁板４による高周波電圧の損失を防止するために、絶縁板４としては、誘電率１に近い絶縁体からなるものを使用する必要がある。
【００１５】
固定挟持部材２１の底壁２１１をなす面は、高電圧電極１１の板面より大きい。そのため、図１（ａ）に示すように、高電圧電極１１をなす長方形の四辺の全ての外側に高電圧電極１１から外れた露出面２１１Ｒが存在する。この露出面２１１Ｒの下側の二箇所に、反応ガスの排出口となる貫通穴２１１ｂが形成されている。
図１（ｂ）に示すように、左右の固定挟持部材２１の底壁２１１は、それぞれ上下の絶縁ブロック２３，２４を介してシールドブロック３に固定されている。下側の絶縁ブロック２４に、底壁２１１の貫通穴２１１ｂに連続する貫通穴２４ａが形成されている。また、成膜用真空室１００を形成する下壁１０２に貫通穴１０２ａが形成されている。
【００１６】
そして、シールドブロック３の下部には、左右の絶縁ブロック２４の貫通穴２４ａに連通する各開口部３１と、そこから下側に延びて下壁１０２の貫通穴１０２ａと連通する排気口３２が形成されている。
また、上壁１０１のシールドブロック３を挟んだ両側に、貫通穴１０１ａが形成されている。各貫通穴１０１ａに絶縁スリーブ１０５が嵌めてある。棒状の給電体５の上部は、この絶縁スリーブ１０５を通って成膜用真空室１００の外部に出ている。給電体５の上端は高周波電源６に接続されている。給電体５の下端は高電圧電極１１の突出部１１ａに接続されている。これにより、高電圧電極１１が高周波電源６に接続されている。
【００１７】
可動挟持部材２２は、底壁２２１と、側壁２２２と、底壁２２１の裏面（基板１側とは反対側の面）の中央部に形成されたアーム状の進退部材２２３とからなる。可動挟持部材２２の底壁２２１と側壁２２２で囲まれた空間に、可動挟持部材２２が固定されている。進退部材２２３の先端は成膜用真空室１００の側壁１０３を貫通して外部に至り、図示されないアクチュエータに取り付けられている。
【００１８】
アクチュエータが進退部材２２３を駆動することにより、可動挟持部材２２は固定挟持部材２１に対して進退し、可動挟持部材２２と固定挟持部材２１で可撓性基板１を挟持する挟持位置と、挟持しない解放位置に配置される。可動挟持部材２２が挟持位置に配置されると、固定挟持部材２１の端面にシール部材を介して可撓性基板１が密着し、内部が気密に保たれた状態の成膜室２０が形成される。図１（ｂ）は解放状態を示している。
【００１９】
この実施形態の成膜用真空室１００では、以下のことが行われる。
成膜用真空室１００に搬送された可撓性基板１は、高電圧電極１１と接地電極１２との間に保持された状態で一旦停止される。この状態で、アクチュエータが進退部材２２３を駆動することにより、図１（ａ）に二点鎖線で示すように、可動挟持部材２２が固定挟持部材２１側に移動して挟持位置に配置される。これに伴い、固定挟持部材２１の端面にシール部材を介して可撓性基板１が密着することにより、内部が気密に保たれた状態の成膜室２０が形成される。
【００２０】
そして、排気口３２を介して成膜室２０内を排気しながら、例えばａ−Ｓｉ系の薄膜を形成するための反応ガスを成膜室２０内に導入し、高電圧電極１１と接地電極２１との間に高周波電圧を印加する。これにより、成膜室２０内にプラズマを発生させ、プラズマＣＶＤ法により、成膜室２０内の可撓性基板１の基板面にａ−Ｓｉ系の薄膜を形成する。なお、二つの成膜室２０の間は、絶縁ブロック２３，２４により電気絶縁されているため、成膜室２０毎にプラズマの制御を行うことができる。
【００２１】
この成膜時に、成膜に使用されずに各成膜室２０内に残った反応ガスは、図１（ｂ）に矢印で示すように、各成膜室２０内で、高電圧電極１１と可撓性基板１との間を通って下側に移動し、高電圧電極１１および絶縁板４と固定挟持部材２１の側壁２１２との間を通る。次に、固定挟持部材２１の底壁２１１に設けた貫通穴２１１ｂ、および下側の絶縁ブロック２４の貫通穴２４ａを通って、シールドブロック３の各開口部３１から排気口３２に入り、下壁１０２の貫通穴１０２ａから外部に排出される。
【００２２】
このように、この実施形態の薄膜製造装置によれば、成膜室２０内に残った反応ガスが高電圧電極１１の裏面に回り込まないため、固定挟持部材２１の底壁２１１の内面に衝突する量が低減される。底壁２１１は低温であるため、反応ガスが衝突すると反応生成物が堆積し易いが、この部分に衝突する量が減少されることで、反応生成物の堆積量を低減できる。これにより、メンテナンスサイクルが延び、メンテナンス間の成膜回数を増やすことができるため、生産性が向上する。
また、従来は、成膜ステップ毎に増加する反応生成物により反応ガスの流れが変動することが、薄膜の膜厚にバラツキが生じる原因となっていたが、反応ガスの流れが変動しにくくなることで、薄膜の品質確保の点でも有利である。
【００２３】
［第２実施形態］
図２を用いて、第２実施形態の成膜用真空室について説明する。図２（ａ）は搬送される可撓性基板１の基板面に沿って成膜用真空室を切断した図である。図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図に相当する。図２（ａ）は図２（ｂ）のＢ−Ｂ断面図に対応する。
成膜用真空室１００は、上壁１０１、下壁１０２、および側壁１０３により、内部が外気と隔離されている。成膜用真空室１００内に、鉛直方向に延びて上壁１０１および下壁１０２に接触する導電性のシールドブロック３が配置されている。シールドブロック３により、成膜用真空室１００の内部が二つの空間１００ａ，１００ｂに分けられている。
【００２４】
各空間１００ａ，１００ｂに、高電圧電極１１と接地電極１２が可撓性基板１を挟んで対向配置されている。高電圧電極１１は、反応ガスを可撓性基板１に向けて吹き出すシャワー電極である。接地電極１２には可撓性基板１を加熱するヒータが内蔵されている。
各空間１００ａ，１００ｂ内には、また、成膜室２０を形成する導電性の固定挟持部材２１Ａおよび可動挟持部材２２と、棒状の給電体５が配置されている。そして、成膜用真空室１００の外部に、二つの高周波電源６が配置されている。
【００２５】
固定挟持部材２１Ａは底壁２１１Ａと側壁２１２Ａとからなり、側壁２１２Ａの底壁２１１Ａ側の部分に絶縁体枠２１２ａが配置されている。すなわち、固定挟持部材２１Ａの側壁２１２Ａは、底壁２１１Ａ側に配置された絶縁体枠２１２ａと、反対側に配置された導電体枠２１２ｂとからなる。高電圧電極１１の裏面（基板１側とは反対側の面）の中央部に突出部１１ａが形成されている。
【００２６】
固定挟持部材２１Ａの底壁２１１Ａの中央部に、高電圧電極１１の突出部１１ａを通す貫通穴２１１ａが形成されている。突出部１１ａは貫通穴２１１ａを通ってシールドブロック３側に突出している。高電圧電極１１の裏面は固定挟持部材２１Ａの底壁２１１Ａに接触し、高電圧電極１１の突出部１１ａは底壁２１１Ａの貫通穴２１１ａに固定されている。
【００２７】
固定挟持部材２１Ａの底壁２１１Ａをなす面は、高電圧電極１１の板面より大きい。そのため、図２（ａ）に示すように、高電圧電極１１をなす長方形の四辺の全ての外側に高電圧電極１１から外れた露出面２１１Ｒが存在する。この露出面２１１Ｒの下側の二箇所に、反応ガスの排出口となる貫通穴２１１ｂが形成されている。
図２（ｂ）に示すように、左右の固定挟持部材２１Ａの底壁２１１Ａは、それぞれ上下の絶縁ブロック２３，２４を介してシールドブロック３に固定されている。下側の絶縁ブロック２４に、底壁２１１の貫通穴２１１ｂに連続する貫通穴２４ａが形成されている。また、成膜用真空室１００を形成する下壁１０２に貫通穴１０２ａが形成されている。
【００２８】
そして、シールドブロック３の下部には、左右の絶縁ブロック２４の貫通穴２４ａに連通する各開口部３１と、そこから下側に延びて下壁１０２の貫通穴１０２ａと連通する排気口３２が形成されている。
また、上壁１０１のシールドブロック３を挟んだ両側に、貫通穴１０１ａが形成されている。各貫通穴１０１ａに絶縁スリーブ１０５が嵌めてある。棒状の給電体５の上部は、この絶縁スリーブ１０５を通って成膜用真空室１００の外部に出ている。給電体５の上端は高周波電源６に接続されている。給電体５の下端は高電圧電極１１の突出部１１ａに接続されている。これにより、高電圧電極１１が高周波電源６に接続されている。
【００２９】
可動挟持部材２２は、底壁２２１と、側壁２２２と、底壁２２１の裏面（基板１側とは反対側の面）の中央部に形成されたアーム状の進退部材２２３とからなる。可動挟持部材２２の底壁２２１と側壁２２２で囲まれた空間に、可動挟持部材２２が固定されている。進退部材２２３の先端は成膜用真空室１００の側壁１０３を貫通して外部に至り、図示されないアクチュエータに取り付けられている。
【００３０】
アクチュエータが進退部材２２３を駆動することにより、可動挟持部材２２は固定挟持部材２１Ａに対して進退し、可動挟持部材２２と固定挟持部材２１Ａで可撓性基板１を挟持する挟持位置と、挟持しない解放位置に配置される。可動挟持部材２２が挟持位置に配置されると、固定挟持部材２１Ａの端面にシール部材を介して可撓性基板１が密着し、内部が気密に保たれた状態の成膜室２０が形成される。図２（ｂ）は、解放状態を示している。
【００３１】
この実施形態の成膜用真空室１００では、以下のことが行われる。
成膜用真空室１００に搬送された可撓性基板１は、高電圧電極１１と接地電極１２との間に保持された状態で一旦停止される。この状態で、アクチュエータが進退部材２２３を駆動することにより、図２（ａ）に二点鎖線で示すように、可動挟持部材２２が固定挟持部材２１Ａ側に移動して挟持位置に配置される。これに伴い、固定挟持部材２１Ａの端面にシール部材を介して可撓性基板１が密着することにより、内部が気密に保たれた状態の成膜室２０が形成される。
【００３２】
そして、排気口３２を介して成膜室２０内を排気しながら、例えばａ−Ｓｉ系の薄膜を形成するための反応ガスを成膜室２０内に導入し、高電圧電極１１と接地電極２１との間に高周波電圧を印加する。これにより、成膜室２０内にプラズマを発生させ、プラズマＣＶＤ法により、成膜室２０内の可撓性基板１の基板面にａ−Ｓｉ系の薄膜を形成する。なお、二つの成膜室２０の間は、絶縁ブロック２３，２４により電気絶縁されているため、成膜室２０毎にプラズマの制御を行うことができる。
【００３３】
この成膜時に、成膜に使用されずに各成膜室２０内に残った反応ガスは、図２（ｂ）に矢印で示すように、各成膜室２０内で、高電圧電極１１と可撓性基板１との間を通って下側に移動し、高電圧電極１１と可撓性基板１との間を通って下側に移動し、高電圧電極１１と絶縁枠体２１２ａとの間を通る。次に、固定挟持部材２１Ａの底壁２１１Ａに設けた貫通穴２１１ｂ、および下側の絶縁ブロック２４の貫通穴２４ａを通って、シールドブロック３の各開口部３１から排気口３２に入り、下壁１０２の貫通穴１０２ａから外部に排出される。
【００３４】
このように、この実施形態の薄膜製造装置によれば、成膜室２０内に残った反応ガスが高電圧電極１１の裏面に回り込まないため、固定挟持部材２１Ａの底壁２１１Ａの内面に衝突する量が低減される。底壁２１１Ａは低温であるため、反応ガスが衝突すると反応生成物が堆積し易いが、この部分に衝突する量が減少されることで、反応生成物の堆積量を低減できる。これにより、メンテナンスサイクルが延び、メンテナンス間の成膜回数を増やすことができるため、生産性が向上する。
【００３５】
また、従来は、成膜ステップ毎に増加する反応生成物により反応ガスの流れが変動することが、薄膜の膜厚にバラツキが生じる原因となっていたが、反応ガスの流れが変動しにくくなることで、薄膜の品質確保の点でも有利である。
さらに、この実施形態の成膜用真空室は、第１実施形態の成膜用真空室と比較して、成膜室を形成する固定挟持部材の構造が簡単なものであるとともに、固定挟持部材の底壁と高電圧電極との間に絶縁板を配置しないことで高周波電圧の損失が防止できる。
【００３６】
［第３実施形態］
図３を用いて、第３実施形態の成膜用真空室について説明する。図３（ａ）は搬送される可撓性基板１の基板面に沿って成膜用真空室を切断した図である。図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面図に相当する。図３（ａ）は図３（ｂ）のＢ−Ｂ断面図に対応する。
成膜用真空室１００は、上壁１０１、下壁１０２、および側壁１０３により、内部が外気と隔離されている。成膜用真空室１００内に、鉛直方向に延びて上壁１０１および下壁１０２に接触する導電性のシールドブロック３が配置されている。シールドブロック３により、成膜用真空室１００の内部が二つの空間１００ａ，１００ｂに分けられている。
【００３７】
各空間１００ａ，１００ｂに、高電圧電極１１と接地電極１２が可撓性基板１を挟んで対向配置されている。高電圧電極１１は、反応ガスを可撓性基板１に向けて吹き出すシャワー電極である。接地電極１２には可撓性基板１を加熱するヒータが内蔵されている。
各空間１００ａ，１００ｂ内には、また、成膜室２０を形成する導電性の固定挟持部材２１および可動挟持部材２２と、絶縁板４と、棒状の給電体５が配置されている。そして、成膜用真空室１００の外部に、二つの高周波電源６が配置されている。
【００３８】
固定挟持部材２１は底壁２１１と側壁２１２とからなり、底壁２１１と側壁２１２とで囲まれた空間に、高電圧電極１１と絶縁板４が配置されている。高電圧電極１１の裏面（基板１側とは反対側の面）の中央部に突出部１１ａが形成されている。固定挟持部材２１の底壁２１１の中央部に、高電圧電極１１の突出部１１ａを通す貫通穴２１１ａが形成されている。突出部１１ａは、貫通穴２１１ａを通ってシールドブロック３側に突出している。
【００３９】
固定挟持部材２１の底壁２１１の貫通穴２１１ａと高電圧電極１１の突出部１１ａとの隙間が、絶縁リング２１３で塞がれている。すなわち、高電圧電極１１の突出部１１ａは絶縁リング２１３を介して固定挟持部材２１の底壁２１１に固定されている。
高電圧電極１１と絶縁板４は同じ長方形の面形状を有する。絶縁板４は、高電圧電極１１の裏面と固定挟持部材２１の底壁２１１との間に配置されている。絶縁板４には、高電圧電極１１の突出部１１ａを通す貫通穴４１が形成されている。絶縁板４は、固定挟持部材２１の底壁２１１に絶縁ネジで固定されている。絶縁板４による高周波電圧の損失を防止するために、絶縁板４としては、誘電率１に近い絶縁体からなるものを使用する必要がある。
【００４０】
固定挟持部材２１の底壁２１１をなす面は、高電圧電極１１の板面より大きい。そのため、図３（ａ）に示すように、高電圧電極１１をなす長方形の四辺の全ての外側に高電圧電極１１から外れた露出面２１１Ｒが存在する。この露出面２１１Ｒに、反応ガスの排出口となる断面円形の貫通穴２１１ｂが２２個形成されている。露出面２１１Ｒの左右部分に、それぞれ７個の貫通穴２１１ｂが均等に配置されている。露出面２１１Ｒの上下部分には、それぞれ中央部を挟んだ両側に２個ずつ、貫通穴２１１ｂが形成されている。
【００４１】
図３（ｂ）に示すように、左右の固定挟持部材２１の底壁２１１は、それぞれ枠状の絶縁ブロック２５を介してシールドブロック３に固定されている。絶縁ブロック２５には、固定挟持部材２１の底壁２１１の露出面２１１Ｒに形成されている２２個の貫通穴２１１ｂと同じ位置に、貫通穴２５ａが形成されている。また、成膜用真空室１００を形成する下壁１０２に貫通穴１０２ａが形成されている。
そして、シールドブロック３には、左右の絶縁ブロック２５の各貫通穴２５ａに連通する各開口部３１と、上下方向に延びて下壁１０２の貫通穴１０２ａと連通する排気口３２が形成されている。
【００４２】
また、上壁１０１のシールドブロック３を挟んだ両側に、貫通穴１０１ａが形成されている。各貫通穴１０１ａに絶縁スリーブ１０５が嵌めてある。棒状の給電体５の上部は、この絶縁スリーブ１０５を通って成膜用真空室１００の外部に出ている。給電体５の上端は高周波電源６に接続されている。給電体５の下端は高電圧電極１１の突出部１１ａに接続されている。これにより、高電圧電極１１が高周波電源６に接続されている。
【００４３】
可動挟持部材２２は、底壁２２１と、側壁２２２と、底壁２２１の裏面（基板１側とは反対側の面）の中央部に形成されたアーム状の進退部材２２３とからなる。可動挟持部材２２の底壁２２１と側壁２２２で囲まれた空間に、可動挟持部材２２が固定されている。進退部材２２３の先端は成膜用真空室１００の側壁１０３を貫通して外部に至り、図示されないアクチュエータに取り付けられている。
【００４４】
アクチュエータが進退部材２２３を駆動することにより、可動挟持部材２２は固定挟持部材２１に対して進退し、可動挟持部材２２と固定挟持部材２１で可撓性基板１を挟持する挟持位置と、挟持しない解放位置に配置される。可動挟持部材２２が挟持位置に配置されると、固定挟持部材２１の端面にシール部材を介して可撓性基板１が密着し、内部が気密に保たれた状態の成膜室２０が形成される。図３（ｂ）は解放状態を示している。
【００４５】
この実施形態の成膜用真空室１００では、以下のことが行われる。
成膜用真空室１００に搬送された可撓性基板１は、高電圧電極１１と接地電極１２との間に保持された状態で一旦停止される。この状態で、アクチュエータが進退部材２２３を駆動することにより、図３（ａ）に二点鎖線で示すように、可動挟持部材２２が固定挟持部材２１側に移動して挟持位置に配置される。これに伴い、固定挟持部材２１の端面にシール部材を介して可撓性基板１が密着することにより、内部が気密に保たれた状態の成膜室２０が形成される。
【００４６】
そして、排気口３２を介して成膜室２０内を排気しながら、例えばａ−Ｓｉ系の薄膜を形成するための反応ガスを成膜室２０内に導入し、高電圧電極１１と接地電極２１との間に高周波電圧を印加する。これにより、成膜室２０内にプラズマを発生させ、プラズマＣＶＤ法により、成膜室２０内の可撓性基板１の基板面にａ−Ｓｉ系の薄膜を形成する。なお、二つの成膜室２０の間は、絶縁ブロック２５により電気絶縁されているため、成膜室２０毎にプラズマの制御を行うことができる。
【００４７】
この成膜時に、成膜に使用されずに各成膜室２０内に残った反応ガスは、図３（ｂ）に矢印で示すように、各成膜室２０内で、上部に存在する反応ガスは直接、それ以外は高電圧電極１１と可撓性基板１との間を通って下側または左右に移動した後に、高電圧電極１１および絶縁板４と固定挟持部材２１の側壁２１２との間を通る。次に、固定挟持部材２１の底壁２１１に設けた２２個の貫通穴２１１ｂ、および絶縁ブロック２５に設けた２２個の貫通穴２５ａを通って、シールドブロック３の各開口部３１から排気口３２に入り、下壁１０２の貫通穴１０２ａから外部に排出される。
【００４８】
このように、この実施形態の薄膜製造装置によれば、成膜室２０内に残った反応ガスが高電圧電極１１の裏面に回り込まないため、固定挟持部材２１の底壁２１１の内面に衝突する量が低減される。底壁２１１は低温であるため、反応ガスが衝突すると反応生成物が堆積し易いが、この部分に衝突する量が減少されることで、反応生成物の堆積量を低減できる。これにより、メンテナンスサイクルが延び、メンテナンス間の成膜回数を増やすことができるため、生産性が向上する。
【００４９】
また、従来は、成膜ステップ毎に増加する反応生成物により反応ガスの流れが変動することが、薄膜の膜厚にバラツキが生じる原因となっていたが、反応ガスの流れが変動しにくくなることで、薄膜の品質確保の点でも有利である。
さらに、この実施形態の成膜用真空室は、第１および第２実施形態の成膜用真空室と比較して、固定挟持部材の底壁の露出面２１１Ｒの貫通穴２１１ｂが枠状の露出面２１１Ｒにほぼ均等に形成され、シールドブロック３に全ての貫通穴２１１ｂに連通する開口部３１が形成されているため、反応ガスの排出効率が高くなる。
【符号の説明】
【００５０】
１  可撓性基板
１１  高電圧電極
１１ａ  高電圧電極の突出部
１２  接地電極
１００  成膜用真空室
１００ａ，１００ｂ  成膜用真空室内の空間
１０１  成膜用真空室の内部を外気と隔離する上壁
１０１ａ  上壁の貫通穴
１０２  成膜用真空室の内部を外気と隔離する下壁
１０２ａ  下壁の貫通穴
１０３  成膜用真空室の内部を外気と隔離する側壁
１０５  絶縁スリーブ
２０  成膜室
２１  固定挟持部材
２１１  固定挟持部材の底壁
２１１ａ  底壁の貫通穴
２１１ｂ  底壁の貫通穴（反応ガスの排出口）
２１１Ｒ  底壁の露出面（底壁面の高電圧電極から外れた位置）
２１２  固定挟持部材の側壁
２１３  絶縁リング
２２  可動挟持部材
２２１  可動挟持部材の底壁
２２２  可動挟持部材の側壁
２２３  可動挟持部材の進退部材
２３  絶縁ブロック
２４  絶縁ブロック
２４ａ  絶縁ブロックの貫通穴
２５  絶縁ブロック
２５ａ  絶縁ブロックの貫通穴
３  シールドブロック
３１  シールドブロックの開口部
３２  シールドブロックの排気口
４  絶縁板
４１  絶縁板の貫通穴
５  給電体
６  高周波電源
【図１】
2013170314.tif 000003
【図２】
2013170314.tif 000004
【図３】
2013170314.tif 000005