(57)【要約】【課題】導電性接着剤とサスペンション用基板の接続構造領域との接合信頼性を向上させて、アクチュエータ素子との電気的な接続の信頼性を向上させることができるサスペンション用基板を提供する。【解決手段】本発明によるサスペンション用基板１は、絶縁層１０と、絶縁層１０のアクチュエータ素子４４の側の面に設けられた金属支持層１１と、絶縁層１０のアクチュエータ素子４４とは反対側の面に設けられた配線層１２であって、複数の配線１３ｂと、接続構造領域３に設けられ、対応する配線１３ｂに接続されると共にアクチュエータ素子４４に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部１６と、を有する配線層１２と、を備えている。金属支持層１１のアクチュエータ素子４４の側の面に、導電性接着剤に接合される金めっき層８４が設けられている。金めっき層８４の外周縁８４ａに、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部８５が設けられている。【選択図】図２
2013206490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、
絶縁層と、
前記絶縁層の前記アクチュエータ素子の側の面に設けられた金属支持層と、
前記絶縁層の前記アクチュエータ素子とは反対側の面に設けられた配線層であって、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する前記配線層と、を備え、
前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層が設けられ、
前記金めっき層は、その外周縁に設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部を有していることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔と、前記絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔と、を有し、前記配線層の前記アクチュエータ素子の側の面を露出させ、少なくとも一部に前記導電性接着剤が注入される注入孔が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記金めっき層は、平面視で前記注入孔を囲むようにリング状に形成され、
前記金めっき層は、その内周縁に設けられた、平面視で凹凸状に形成された内周縁凹凸部を有していることを特徴とする請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記配線接続部と前記金属支持層とは、前記絶縁層を貫通する導電接続部によって接続されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
前記配線接続部の前記アクチュエータ素子の側の面は、前記絶縁層および前記金属支持層によって覆われていることを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
前記金めっき層は、平面視で円形状に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のサスペンション用基板。
【請求項７】
前記金めっき層は、平面視でリング状に形成され、
前記金めっき層は、その内周縁に設けられた、平面視で凹凸状に形成された内周縁凹凸部を有していることを特徴とする請求項５に記載のサスペンション用基板。
【請求項８】
前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔と、前記絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔と、を有し、前記配線層の前記アクチュエータ素子の側の面を露出させ、少なくとも一部に前記導電性接着剤が注入される注入孔が設けられていることを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板。
【請求項９】
前記金属支持層は、前記金属支持層貫通孔を画定する貫通孔画定面を有し、
前記金めっき層は、前記貫通孔画定面に延びていることを特徴とする請求項８に記載のサスペンション用基板。
【請求項１０】
前記金めっき層は、平面視で前記注入孔を囲むようにリング状に形成され、
前記金めっき層は、その内周縁に設けられた、平面視で凹凸状に形成された内周縁凹凸部を有していることを特徴とする請求項８に記載のサスペンション用基板。
【請求項１１】
前記外周縁凹凸部の凹凸高さは、０．００１５ｍｍ〜０．０２００ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のサスペンション用基板。
【請求項１２】
アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、
絶縁層と、
前記絶縁層の前記アクチュエータ素子の側の面に設けられた金属支持層と、
前記絶縁層の前記アクチュエータ素子とは反対側の面に設けられた配線層であって、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する前記配線層と、を備え、
前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔と、前記絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔と、を有し、前記配線層の前記アクチュエータ素子の側の面を露出させ、少なくとも一部に前記導電性接着剤が注入される注入孔が設けられ、
前記注入孔により露出された前記配線接続部の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層が設けられ、
前記金めっき層は、その外周面に設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部を有していることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項１３】
前記配線接続部と前記金めっき層との間に、ニッケルめっき層が介在され、
前記ニッケルめっき層は、前記注入孔により露出された前記配線接続部の面の全体を覆っていることを特徴とする請求項１２に記載のサスペンション用基板。
【請求項１４】
前記外周縁凹凸部の凹凸高さは、０．００１５ｍｍ〜０．０２００ｍｍであることを特徴とする請求項１２または１３に記載のサスペンション用基板。
【請求項１５】
ベースプレートと、
前記ベースプレートに、ロードビームを介して取り付けられた請求項１乃至１４のいずれかに記載の前記サスペンション用基板と、
前記ベースプレートおよび前記ロードビームの少なくとも一方に接合されると共に、前記サスペンション用基板の前記接続構造領域に前記導電性接着剤を介して接続された前記アクチュエータ素子と、を備えたことを特徴とするサスペンション。
【請求項１６】
請求項１５に記載の前記サスペンションと、
前記サスペンションに実装されたヘッドスライダと、を備えたことを特徴とするヘッド付サスペンション。
【請求項１７】
請求項１６に記載の前記ヘッド付サスペンションを備えたことを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項１８】
アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
絶縁層と、前記絶縁層の一方の面に設けられた金属支持層と、前記絶縁層の他方の面に設けられた配線層と、を有する積層体を準備する工程と、
前記配線層において、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に、前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を形成する工程と、
前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層を形成する工程と、を備え、
前記金めっき層を形成する工程において、前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、レジスト開口の周縁が平面視で凹凸状に形成されたレジスト凹凸部を有するレジストを用いて金めっきが施され、このことにより、形成された前記金めっき層の外周縁に、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部が形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１９】
アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
絶縁層と、前記絶縁層の一方の面に設けられた金属支持層と、前記絶縁層の他方の面に設けられた配線層と、を有する積層体を準備する工程と、
前記配線層において、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に、前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を形成する工程と、
前記金属支持層において、前記接続構造領域に設けられ、当該金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔を形成する工程と、
前記絶縁層において、当該絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔であって、前記金属支持層貫通孔と共に、前記配線接続部の前記アクチュエータ素子の側の面を露出させ、少なくとも一部に前記導電性接着剤が注入される注入孔を構成する前記絶縁層貫通孔を形成する工程と、
前記注入孔により露出された前記配線接続部の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層を形成する工程と、を備え、
前記金めっき層を形成する工程において、前記配線接続部の前記アクチュエータ素子の側の面に、レジスト開口の周縁が平面視で凹凸状に形成されたレジスト凹凸部を有するレジストを用いて金めっきが施され、このことにより、形成された前記金めっき層の外周縁に、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部が形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法に係り、とりわけ、導電性接着剤とサスペンション用基板の接続構造領域との接合信頼性を向上させて、アクチュエータ素子との電気的な接続の信頼性を向上させることができるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、データが記憶されるディスクに対してデータの書き込みおよび読み取りを行う磁気ヘッドスライダが実装されたサスペンション用基板を備えている。このサスペンション用基板は、金属支持層と、金属支持層に絶縁層を介して積層された複数の配線を有する配線層と、を備えており、各配線に電気信号を流すことにより、ディスクに対してデータの書き込みまたは読み取りを行うようになっている。
【０００３】
このようなハードディスクドライブにおいては、ディスク上の所望のデータトラックに磁気ヘッドスライダを移動させるために、磁気ヘッドスライダを支持するアクチュエータアームを回転させるＶＣＭアクチュエータ（例えば、ボイスコイルモータ）を、サーボコントロールシステムによって制御している。
【０００４】
ところで、近年、ディスクの高密度化により、トラックの幅が小さくなっている。このため、ＶＣＭアクチュエータによって、磁気ヘッドスライダを所望のトラックに精度良く位置合わせすることが困難な場合がある。
【０００５】
このことに対処するために、ＶＣＭアクチュエータとＰＺＴマイクロアクチュエータ（Ｄｕａｌ  Ｓｔａｇｅ  Ａｃｔｕａｔｏｒ：ＤＳＡ）とを協働させて、所望のトラックに磁気ヘッドスライダを移動させるデュアルアクチュエータ方式のサスペンションが知られている（例えば、特許文献１参照）。このＰＺＴマイクロアクチュエータは、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなる圧電素子等のピエゾ素子により構成され、電圧が印加されることにより伸縮し、磁気ヘッドスライダを微小に移動させるようになっている。このようなデュアルアクチュエータ方式のサスペンションにおいては、ＶＣＭアクチュエータが、磁気ヘッドスライダの位置を大まかに調整し、ＰＺＴマイクロアクチュエータが、磁気ヘッドスライダの位置を微小調整する。このようにして、磁気ヘッドスライダを、所望のトラックに、迅速に、かつ精度良く位置合わせするようになっている。
【０００６】
特許文献１に示すサスペンション用基板においては、圧電素子に給電するための端子部において電気絶縁層に貫通孔が設けられて銅の端子が露出され、電気絶縁層の圧電素子側の面にステンレスリングが設けられている。ステンレスリングの内部に液状の導電性接着剤を注入することにより、導電性接着剤が銅の端子および圧電素子に接合されて、圧電素子が銅の端子に電気的に接続されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−２３８８６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、導電性接着剤とステンレスリングとの接合面積は、スペースの都合により限られてしまう。このことにより、導電性接着剤とステンレスリングとの接合強度を向上させて、圧電素子とサスペンション用基板との電気的な接続の信頼性を向上させることが困難になっているという問題がある。
【０００９】
ところで、サスペンション用基板の銅の端子と圧電素子とを接合するための導電性接着剤には、以下のような理由から、銀ペーストを用いることが主流になっている。すなわち、圧電素子の電極としては、一般的に、銀または金が用いられているが、このような金属は、半田に含まれている錫に対して可溶性を有している。このため、半田付けの作業時間が長くなると、電極の銀または金が半田の中に溶け込み、圧電素子の電極が消失される。電極の消失を防止するためには、数％の金または銀を半田に含有させる対策が挙げられるが、このような対策を行った場合であっても、電極の消失を完全に防ぐことは困難である。また、半田付け作業時の温度上昇により、消極（Depolarization）を引き起こす可能性がある。このような観点から、錫に対して可溶性ではなく、かつ、接着温度が低い銀ペーストが用いられている。
【００１０】
銀ペーストには、接合性が要求されることはもちろんのこと、消極の防止を目的として低いガラス転移温度が要求されると共に、圧電素子の伸縮に対して効果的にスライダを変位させることを目的として低い弾性率が要求される。ところで、銀ペーストの導電性を向上させるためには銀フィラーの含有量を増大させることが有効と考えられるが、銀フィラーの含有量を増大させた場合、銀ペーストのガラス転移温度が高くなるという問題がある。また、銀ペーストの接合性を向上させるためには銀フィラーを微細化することが有効と考えられるが、銀フィラーを微細化した場合、銀ペーストの弾性率が高くなるという問題がある。これらのことから、導電性接着剤としての銀ペーストを改良することにより、銀ペーストとサスペンション用基板の端子との導電性および接合性を向上させることは困難である。
【００１１】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、導電性接着剤とサスペンション用基板の接続構造領域との接合信頼性を向上させて、アクチュエータ素子との電気的な接続の信頼性を向上させることができるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、第１の解決手段として、アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、絶縁層と、前記絶縁層の前記アクチュエータ素子の側の面に設けられた金属支持層と、前記絶縁層の前記アクチュエータ素子とは反対側の面に設けられた配線層であって、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する前記配線層と、を備え、前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層が設けられ、前記金めっき層は、その外周縁に設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部を有していることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【００１３】
なお、上述した第１の解決手段によるサスペンション用基板において前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔と、前記絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔と、を有し、前記配線層の前記アクチュエータ素子の側の面を露出させ、少なくとも一部に前記導電性接着剤が注入される注入孔が設けられている、ようにしてもよい。
【００１４】
また、上述した第１の解決手段によるサスペンション用基板において、前記金めっき層は、平面視で前記注入孔を囲むようにリング状に形成され、前記金めっき層は、その内周面に設けられた、平面視で凹凸状に形成された内周縁凹凸部を有しているようにしてもよい。
【００１５】
また、上述した第１の解決手段によるサスペンション用基板において、前記配線接続部と前記金属支持層とは、前記絶縁層を貫通する導電接続部によって接続されているようにしてもよい。
【００１６】
また、上述した第１の解決手段によるサスペンション用基板において、前記配線接続部の前記アクチュエータ素子の側の面は、前記絶縁層および前記金属支持層によって覆われているようにしてもよい。
【００１７】
また、上述した第１の解決手段によるサスペンション用基板において、前記金めっき層は、平面視で円形状に形成されているようにしてもよい。
【００１８】
また、上述した第１の解決手段によるサスペンション用基板において、前記金めっき層は、平面視でリング状に形成され、前記金めっき層は、その内周面に設けられた、平面視で凹凸状に形成された内周縁凹凸部を有しているようにしてもよい。
【００１９】
また、上述した第１の解決手段によるサスペンション用基板において、前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔と、前記絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔と、を有し、前記配線層の前記アクチュエータ素子の側の面を露出させ、少なくとも一部に前記導電性接着剤が注入される注入孔が設けられているようにしてもよい。
【００２０】
また、上述した第１の解決手段によるサスペンション用基板において、前記金属支持層は、前記金属支持層貫通孔を画定する貫通孔画定面を有し、前記金めっき層は、前記貫通孔画定面に延びているようにしてもよい。
【００２１】
また、上述した第１の解決手段によるサスペンション用基板において、前記金めっき層は、平面視で前記注入孔を囲むようにリング状に形成され、前記金めっき層は、その内周縁に設けられた、平面視で凹凸状に形成された内周縁凹凸部を有しているようにしてもよい。
【００２２】
また、上述した第１の解決手段によるサスペンション用基板において、前記外周縁凹凸部の凹凸高さは、０．００１５ｍｍ〜０．０２００ｍｍであるようにしてもよい。
【００２３】
また、本発明は、第２の解決手段として、アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、  絶縁層と、前記絶縁層の前記アクチュエータ素子の側の面に設けられた金属支持層と、前記絶縁層の前記アクチュエータ素子とは反対側の面に設けられた配線層であって、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する前記配線層と、を備え、前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔と、前記絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔と、を有し、前記配線層の前記アクチュエータ素子の側の面を露出させ、少なくとも一部に前記導電性接着剤が注入される注入孔が設けられ、前記注入孔により露出された前記配線接続部の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層が設けられ、前記金めっき層は、その外周面に設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部を有していることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【００２４】
なお、上述した第２の解決手段によるサスペンション用基板において、前記配線接続部と前記金めっき層との間に、ニッケルめっき層が介在され、前記ニッケルめっき層は、前記注入孔により露出された前記配線接続部の面の全体を覆っているようにしてもよい。
【００２５】
また、上述した第２の解決手段によるサスペンション用基板において、前記外周縁凹凸部の凹凸高さは、０．００１５ｍｍ〜０．０２００ｍｍであるようにしてもよい。
【００２６】
本発明は、ベースプレートと、前記ベースプレートに、ロードビームを介して取り付けられた上述のサスペンション用基板と、前記ベースプレートおよび前記ロードビームの少なくとも一方に接合されると共に、前記サスペンション用基板の前記接続構造領域に前記導電性接着剤を介して接続された前記アクチュエータ素子と、を備えたことを特徴とするサスペンションを提供する。
【００２７】
本発明は、上述のサスペンションと、前記サスペンションに実装されたヘッドスライダと、を備えたことを特徴とするヘッド付サスペンションを提供する。
【００２８】
本発明は、上述のヘッド付サスペンションを備えたことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００２９】
本発明は、第３の解決手段として、アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層と、前記絶縁層の一方の面に設けられた金属支持層と、前記絶縁層の他方の面に設けられた配線層と、を有する積層体を準備する工程と、前記配線層において、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に、前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を形成する工程と、前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層を形成する工程と、を備え、前記金めっき層を形成する工程において、前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、レジスト開口の周縁が平面視で凹凸状に形成されたレジスト凹凸部を有するレジストを用いて金めっきが施され、このことにより、形成された前記金めっき層の外周縁に、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部が形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００３０】
本発明は、第４の解決手段として、アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層と、前記絶縁層の一方の面に設けられた金属支持層と、前記絶縁層の他方の面に設けられた配線層と、を有する積層体を準備する工程と、前記配線層において、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に、前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を形成する工程と、前記金属支持層において、前記接続構造領域に設けられ、当該金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔を形成する工程と、前記絶縁層において、当該絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔であって、前記金属支持層貫通孔と共に、前記配線接続部の前記アクチュエータ素子の側の面を露出させ、少なくとも一部に前記導電性接着剤が注入される注入孔を構成する前記絶縁層貫通孔を形成する工程と、前記注入孔により露出された前記配線接続部の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層を形成する工程と、を備え、前記金めっき層を形成する工程において、前記配線接続部の前記アクチュエータ素子の側の面に、レジスト開口の周縁が平面視で凹凸状に形成されたレジスト凹凸部を有するレジストを用いて金めっきが施され、このことにより、形成された前記金めっき層の外周縁に、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部が形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、導電性接着剤とサスペンション用基板の接続構造領域との接合信頼性を向上させて、アクチュエータ素子との電気的な接続の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明の実施の形態におけるサスペンション用基板の一例を示す平面図である。
【図２】図２は、図１のサスペンション用基板における接続構造領域の断面を示す図である。
【図３】図３は、図２のＡ方向からみた接合用金めっき層の平面図である。
【図４】図４は、図３のＢ部におけるめっき層の外周縁を拡大して示す写真である。
【図５】図５は、接合用金めっき層の外周縁を拡大して示す平面図である。
【図６】図６は、銀ペーストを示す断面写真である。
【図７】図７は、低温焼結後の銀ペーストに含まれる銀フィラーの長さを示すグラフである。
【図８】図８は、本発明の実施の形態におけるサスペンションの一例を示す平面図である。
【図９】図９は、図８のサスペンションの一部を示す裏面図である。
【図１０】図１０は、図８のサスペンションにおけるピエゾ素子の一例を示す斜視図である。
【図１１】図１１は、図８のサスペンションにおいて、接続構造領域の断面を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態におけるヘッド付サスペンションの一例を示す平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態におけるハードディスクドライブの一例を示す斜視図である。
【図１４】図１４（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図である。
【図１５】図１５（ａ）〜（ｃ）は、図１４（ｅ）、（ｆ）のめっき処理時に使用されるレジストを形成する方法を示す図である。
【図１６】図１６は、レジストのレジスト開口の周縁を拡大して示す平面図である。
【図１７】図１７は、接続構造領域の変形例（変形例１）を示す断面図である。
【図１８】図１８は、接続構造領域の変形例（変形例２）を示す断面図である。
【図１９】図１９は、図１８のＣ方向からみた接合用金めっき層の平面図である。
【図２０】図２０は、接続構造領域の変形例（変形例３）を示す断面図である。
【図２１】図２１は、接続構造領域の変形例（変形例４）を示す断面図である。
【図２２】図２２は、図２１のＤ方向から見た接合用金めっき層の平面図である。
【図２３】図２３は、接合用金めっき層の変形例（変形例５）を示す平面図である。
【図２４】図２４は、接続構造領域の変形例（変形例６）を示す断面図である。
【図２５】図２５は、接続構造領域の変形例（変形例７）を示す断面図である。
【図２６】図２６は、サスペンション用基板の製造方法の変形例（変形例８）を示す露光マスクを部分的に拡大した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
図１乃至図１６を用いて、本発明の実施の形態におけるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
【００３４】
図１に示すように、サスペンション用基板１は、基板本体領域２と、一対のピエゾ素子（アクチュエータ素子、図８参照）４４に導電性粒子を含む導電性接着剤（例えば、銀ペースト）を介して接続可能な接続構造領域３と、を有している。このうち基板本体領域２は、後述のヘッドスライダ５２（図１２参照）が実装されるヘッド領域２ａと、ＦＰＣ基板（外部機器、図１２参照）７１が接続されるテール領域２ｂと、を有している。ヘッド領域２ａには、ヘッドスライダ５２に接続される複数のヘッド端子５が設けられ、テール領域２ｂには、ＦＰＣ基板７１に接続される複数のテール端子（外部機器接続端子）６が設けられており、ヘッド端子５とテール端子６とが、後述する信号配線１３ａを介してそれぞれ接続されている。また、一対の接続構造領域３は、基板本体領域２の両側方に配置されており、連結領域４を介して基板本体領域２に連結されている。
【００３５】
図１および図２に示すように、サスペンション用基板１は、絶縁層１０と、絶縁層１０の一方の面（接続されるピエゾ素子４４の側の面）に設けられた金属支持層１１と、絶縁層１０の他方の面（ピエゾ素子４４とは反対側の面）に設けられ、複数の配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃを有する配線層１２と、を備えている。なお、図示しないが、絶縁層１０と配線層１２との間に、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）からなり、約３００ｎｍ厚さを有するシード層が介在されており、絶縁層１０と配線層１２との密着性を向上させている。
【００３６】
図１に示すように、複数の配線は、一対の読取配線と一対の書込配線とを含む信号配線１３ａと、ピエゾ素子４４に接続される一対の素子配線１３ｂと、を含んでいる。このうち一対の素子配線１３ｂは、金属支持層１１の金属支持配線部分１１ｂを介して、互いに電気的に接続されている。この金属支持層１１の金属支持配線部分１１ｂは、金属支持層１１の本体部分１１ａから分離されて島状に形成されており、当該本体部分１１ａとは電気的に絶縁されるようになっている。また、金属支持層１１の金属支持配線部分１１ｂと素子配線１３ｂとは、絶縁層１０を貫通する配線ビア２７によって互いに電気的に接続されている。このようにして、ピエゾ素子４４から延びる２つの素子配線１３ｂは、基板本体領域２にて合流し、テール領域２ｂに設けられた対応する一のテール端子６に接続されるようになっている。このことにより、一対のピエゾ素子４４に印加される電圧を均等にして、各ピエゾ素子４４の伸縮量の精度を向上させている。
【００３７】
また、ヘッド領域２ａには、接地用のヘッド端子５の接地をとるための接地ビア２８が設けられている。この接地ビア２８は、接地配線１３ｃを介して接地用のヘッド端子５に接続されており、絶縁層１０を貫通して、接地用のヘッド端子５と金属支持層１１の本体部分１１ａとを電気的に接続している。
【００３８】
図１および図２に示すように、配線層１２は、各接続構造領域３に設けられた配線接続部１６を有している。各配線接続部１６は、対応する素子配線１３ｂに接続されると共に、ピエゾ素子４４に導電性接着剤を介して電気的に接続されるようになっている。
【００３９】
金属支持層１１は、接続構造領域３に設けられたリング状の金属枠体部１７を有している。金属枠体部１７は、図１に示すように、島状に形成されており、基板本体領域２における金属支持層１１の本体部分１１ａとは分離されて電気的に絶縁されている。また、絶縁層１０は、接続構造領域３に設けられたリング状の絶縁枠体部１８を有している。
【００４０】
金属支持層１１の金属枠体部１７は、当該金属枠体部１７を貫通する金属支持層貫通孔３１ａを形成している。また、絶縁層１０の絶縁枠体部１８は、金属支持層貫通孔３１ａに対応して、当該絶縁枠体部１８を貫通する絶縁層貫通孔３１ｂを形成している。このようにして、配線層１２の配線接続部１６のピエゾ素子４４側の面が、金属支持層貫通孔３１ａおよび絶縁層貫通孔３１ｂにより露出されるようになっている。すなわち、金属支持層貫通孔３１ａおよび絶縁層貫通孔３１ｂにより、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面を露出させる注入孔３１が構成されている。そして、本実施の形態においては、配線接続部１６は、絶縁層貫通孔３１ｂ上に設けられており、注入孔３１の金属支持層貫通孔３１ａおよび絶縁層貫通孔３１ｂに、導電性接着剤が注入されるようになっている。
【００４１】
配線接続部１６の絶縁層貫通孔３１ｂにおいて露出された面に、ニッケル（Ｎｉ）めっきおよび金（Ａｕ）めっきが順次施されて、接続用めっき層３２が形成されている。この接続用めっき層３２は、配線接続部１６上に設けられた接続用ニッケルめっき層３３と、接続用ニッケルめっき層３３上に設けられた接続用金めっき層３４と、を有している。このうち接続用ニッケルめっき層３３の厚さは、０．３μｍ〜４．０μｍ、接続用金めっき層３４の厚さは、０．５μｍ〜３．０μｍであることが好適である。
【００４２】
図２および図３に示すように、金属枠体部１７のピエゾ素子４４の側の面（図２における下面）に、ニッケルめっきおよび金めっきが順次施されて、接合用めっき層８２が設けられている。この接合用めっき層８２は、金属枠体部１７上に設けられた接合用ニッケルめっき層８３と、接合用ニッケルめっき層８３上に設けられた接合用金めっき層８４と、を有している。このうち接合用金めっき層８４は、後述するように、ピエゾ素子４４に接合される導電性接着剤に接合されるようになっている（図１１参照）。なお、これら接合用ニッケルめっき層８３の厚さおよび接合用金めっき層８４の厚さは、上述した接続用ニッケルめっき層３３および接続用金めっき層３４の厚さとそれぞれ同様であることが好ましい。
【００４３】
金属支持層１１の金属枠体部１７は、金属支持層貫通孔３１ａを画定する貫通孔画定面１７ａを有している。上述した接合用金めっき層８４を含む接合用めっき層８２は、貫通孔画定面１７ａに延び、絶縁層１０の絶縁枠体部１８に達するようにしてもよい。また、接合用めっき層８２の外径は、金属枠体部１７の外径より小さくなっており、金属枠体部１７の外周側領域が露出されるようになっている。
【００４４】
図４および図５に示すように、接合用金めっき層８４は、その外周縁８４ａに設けられた、平面視で凹凸状に形成された（好適には複数の）外周縁凹凸部８５を有している。各外周縁凹凸部８５は、平面視で内側に凹む外周縁凹部８５ａと、平面視で外側に突出する外周縁凸部８５ｂと、を含み、後述する銀フィラー４９ｂが入り込むことができるように平面視で凹凸状に形成されている。また、本実施の形態においては、接合用ニッケルめっき層８３の外周縁も、接合用金めっき層８４と同様の形状で、平面視で凹凸状に形成されている。このことにより、銀フィラー４９が、接合用ニッケルめっき層８３の外周縁の凹凸に入り込んで接触することができる。ここで、平面視とは、金属支持層１１と絶縁層１０と配線層１２とが積層された積層方向から見た状態、より具体的には、図３に示された状態を意味する。
【００４５】
ところで、図６および図７に示すように、導電性接着剤には、銀ペースト４９を用いることが好適である。銀ペースト４９は、例えばエポキシ樹脂などのバインダー基材４９ａと、銀コロイドと、銀フィラー（導電性粒子）４９ｂとを混合させたものであり、塗布後に例えば、１５０℃〜３５０℃程度の温度で加熱して低温焼結させることにより、銀コロイドが銀粒子化して銀フィラー４９ｂとなるものである。このため、焼結後の銀ペースト４９内に存在する銀フィラー４９ｂは、その多くが小さくなっている。その様子が図６に示され、図６に示された断面写真から得られる銀フィラー４９ｂの大きさが図７に示されている。なお、図６は、銀ペースト４９として、エイブルスティック社／ナショナル・スターチ・アンド・ケミカル・カンパニー製の「ＡＢＬＥＢＯＮＤ  ２０３０ＳＣ」の商標名で市販される導電性エポキシ樹脂を使用し、窒素（Ｎ２）雰囲気の炉内に収容し、１５０℃で６０分加熱して硬化させることにより低温焼結させた場合の銀ペースト４９の断面を示しており、図６において黒く見える部分がバインダー基材４９ａに相当し、白く見える部分が銀フィラー４９ｂに相当している。また、図７における銀フィラー４９ｂの長さとは、銀フィラー４９ｂの最大外形寸法を示している。
【００４６】
図７に示されているように、多くの銀フィラー４９ｂは、その長さが０．０１５ｍｍ以下となっている。このことから、外周縁凹凸部８５の凹凸高さＨ１（凹凸距離、図５参照）は、０．００１５ｍｍ〜０．０２００ｍｍ、とりわけ、０．００１５ｍｍ〜０．０１００ｍｍであることが好ましい。このように凹凸高さを０．００１５ｍｍ以上とすることにより、銀フィラー４９ｂを接合用金めっき層８４の外周縁凹凸部８５に入り込ませて接触させることができる。また、凹凸高さを０．０２００ｍｍ以下、とりわけ、０．０１００ｍｍ以下とすることにより、外周縁凹凸部８５の個数を増大させて、外周縁凹凸部８５に銀フィラー４９ｂを接触させる確率を高めることができる。このことにより、接合用金めっき層８４と導電性接着剤との接合信頼性を向上させることができる。
【００４７】
なお、凹凸高さは、図５に示すように、接合用金めっき層８４の外周縁８４ａの一部を、顕微鏡などを用いて、例えば、円弧状の外周縁８４ａが直線とみなすことができる程度に拡大した状態にして測定することができる。例えば、接合用金めっき層８４の外周縁８４ａの半径が０．１２０ｍｍの場合、オリンパス株式会社製の測定顕微鏡ＳＴＭ６−ＬＭを用いて０．１００ｍｍ×０．１００ｍｍの平面視野まで拡大することにより、円弧状の外周縁８４ａを直線とみなすことが可能となる。この図５に示す状態において、凹凸状に形成されている外周縁８４ａから近似され得る直線状の基準線の方向を画定し、当該基準線の方向に略平行な外周縁凹凸部８５の外周縁凹部８５ａの谷底線と外周縁凸部８５ｂの山頂線との間隔を測定し、測定された間隔を上述した凹凸高さとすることができる。
【００４８】
ところで、図２に示すように、絶縁層１０上には、配線層１２の配線接続部１６を覆う保護層２０が設けられている。保護層２０には、配線接続部１６の保護層２０の側の面の一部分を露出させる検査用貫通孔２１が設けられている。この検査用貫通孔２１において配線接続部１６の露出された面に、検査用ニッケルめっき層２３と検査用金めっき層２４とを有する検査用めっき層２２が形成されている。これら検査用ニッケルめっき層２３と検査用金めっき層２４とは、上述したニッケルめっき層３３および金めっき層３４と同様にして形成することができる。この検査用貫通孔２１において配線接続部１６が露出されているため、プローブ等の導通検査器を用いることにより、配線接続部１６の上面から配線接続部１６とピエゾ素子４４との間の導通検査を行うことができるようになっている。また、保護層２０は、基板本体領域２および連結領域４においては、配線層１２の各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃを覆うように形成されている。なお、図１においては、図面を明瞭にするために、保護層２０は省略している。
【００４９】
なお、図１に示すように、基板本体領域２において、金属支持層１１および絶縁層１０を貫通して、後述のロードビーム４３との位置合わせを行うための２つの治具孔２５が設けられている。各治具孔２５は、後述するロードビーム４３の長手方向軸線（Ｘ）上に配置されている。すなわち、当該長手方向軸線（Ｘ）は、各治具孔２５を通っている。
【００５０】
次に、各構成部材について詳細に述べる。
【００５１】
絶縁層１０の材料としては、所望の絶縁性を有する材料であれば特に限定されることはないが、例えば、ポリイミド（ＰＩ）を用いることが好適である。なお、絶縁層１０の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。また、絶縁層１０の厚さは、５μｍ〜３０μｍ、とりわけ８μｍ〜１０μｍであることが好ましい。このことにより、金属支持層１１と各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃとの間の絶縁性能を確保するとともに、サスペンション用基板１全体としての剛性が喪失されることを防止することができる。
【００５２】
各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、電気信号を伝送するための導体として構成されており、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃの材料としては、所望の導電性を有する材料であれば特に限定されることはないが、銅（Ｃｕ）を用いることが好適である。銅以外にも、純銅に準ずる電気特性を有する材料であれば用いることもできる。ここで、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃの厚さは、例えば１μｍ〜１８μｍ、とりわけ９μｍ〜１２μｍであることが好ましい。このことにより、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃの伝送特性を確保するとともに、サスペンション用基板１全体としての柔軟性が喪失されることを防止することができる。なお、ヘッド端子５、テール端子６および配線接続部１６は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃと同一の材料、同一の厚みで形成されており、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃと共に配線層１２を構成している。
【００５３】
金属支持層１１は、ステンレスにより形成されている。このことにより、金属支持層１１に、所望の導電性、弾力性、および強度を持たせている。なお、金属支持層１１の厚さは、配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃの厚さよりも大きいことが好ましい。また、金属支持層１１の厚さは、一例として、１０μｍ〜３０μｍ、とりわけ１５μｍ〜２０μｍとすることができる。このことにより、金属支持層１１の導電性、剛性、および弾力性を確保することができる。
【００５４】
保護層２０の材料としては、樹脂材料、例えば、ポリイミドを用いることが好適である。なお、保護層２０の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。保護層２０の厚さは、２μｍ〜３０μｍであることが好ましい。
【００５５】
次に、図８乃至図１１を用いて、本実施の形態におけるサスペンション４１について説明する。図８に示すサスペンション４１は、ベースプレート４２と、ベースプレート４２上に取り付けられ、サスペンション用基板１の金属支持層１１を保持するロードビーム４３と、上述のサスペンション用基板１と、ベースプレート４２およびロードビーム４３の少なくとも一方に接合されると共に、サスペンション用基板１の接続構造領域３に接続されたピエゾ素子４４と、を有している。
【００５６】
このうちベースプレート４２は、ステンレスからなり、図９に示すように、サスペンション用基板１のヘッド領域２ａの側に配置されたヘッド側プレート４２ａと、テール領域２ｂの側に配置されたテール側プレート４２ｂと、ヘッド側プレート４２ａとテール側プレート４２ｂとを連結した可撓部４２ｃと、を有している。また、ベースプレート４２は、ピエゾ素子４４を収容する収容開口部４２ｄを有している。この収容開口部４２ｄは、ヘッド側プレート４２ａ、テール側プレート４２ｂおよび可撓部４２ｃにより形成されている。
【００５７】
ロードビーム４３は、ベースプレート４２と同様にステンレスからなり、図８および図９に示すように、サスペンション用基板１のヘッド領域２ａの側に配置されたヘッド側ビーム４３ａと、テール領域２ｂの側に配置されたテール側ビーム４３ｂと、ヘッド側ビーム４３ａとテール側ビーム４３ｂとを連結した可撓部４３ｃと、を有している。また、ロードビーム４３は、ピエゾ素子４４の接続構造領域３の側の面を露出させる露出開口部４３ｄを有している。この露出開口部４３ｄは、ヘッド側ビーム４３ａ、テール側ビーム４３ｂおよび可撓部４３ｃにより形成されている。
【００５８】
このようにして形成されたベースプレート４２およびロードビーム４３にピエゾ素子４４が接合されている。すなわち、図８および図９に示すように、ピエゾ素子４４は、ベースプレート４２の収容開口部４２ｄに収容されて、ベースプレート４２に接合されると共に、ロードビーム４３のベースプレート４２の側の面に接合されている。また、図１１に示すように、サスペンション用基板１の接続構造領域３は、ロードビーム４３の露出開口部４３ｄを介してピエゾ素子４４に接続されている。
【００５９】
ロードビーム４３には、サスペンション用基板１の各治具孔２５に対応して、ビーム治具孔（図示せず）が設けられており、サスペンション用基板１にロードビーム４３を取り付ける際に、サスペンション用基板１とロードビーム４３との位置合わせを行うことができるようになっている。このロードビーム４３の治具孔は、長手方向軸線（Ｘ）上に配置されている。そして、ロードビーム４３とサスペンション用基板１とが溶接により固定されるようになっている。
【００６０】
ピエゾ素子４４は、電圧が印加されることにより、図８、図１２の矢印Ｐ方向に伸縮する圧電素子として構成されており、ヘッドスライダ５２をスウェイ方向（旋回方向、図８、図１２の矢印Ｑ方向）に移動させるためのものである。各ピエゾ素子４４は、図１０に示すように、互いに対向する一対の電極４４ａと、一対の電極４４ａ間に介在され、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等の圧電セラミックスにより形成された圧電材料部４４ｂと、を有している。一対のピエゾ素子４４の圧電材料部４４ｂは、互いに１８０°異なる分極方向となるように形成されており、所定の電圧が印加されると、一方のピエゾ素子４４が収縮すると共に、他方のピエゾ素子４４が伸長するようになっている。このようなピエゾ素子４４は、図８に示すように、ロードビーム４３の長手方向軸線（Ｘ）に沿って配置されており、その伸縮方向が、当該長手方向軸線（Ｘ）に平行になっている。また、ピエゾ素子４４は、長手方向軸線（Ｘ）に対して互いに線対称に配置されており、各ピエゾ素子４４の伸縮が、ヘッドスライダ５２に均等に伝達されるようになっている。また、本実施の形態においては、ピエゾ素子４４に接続される接続構造領域３が、基板本体領域２の両側方に配置されており、ピエゾ素子４４の伸縮を効果的にヘッドスライダ５２の変位に利用することができるようになっている。
【００６１】
図１１に示すように、各ピエゾ素子４４は、非導電性接着剤からなる非導電性接着部４６を介してベースプレート４２およびロードビーム４３に接合されている。また、ピエゾ素子４４の一方（サスペンション用基板１とは反対側）の電極４４ａは、図９および図１１に示すように、導電性接着剤からなる第１導電性接着部４７を介してベースプレート４２に電気的に接続されている。さらに、ピエゾ素子４４の他方（サスペンション用基板１の側）の電極４４ａは、図１１に示すように、導電性接着剤からなる第２導電性接着部４８を介して配線接続部１６に接合されると共に電気的に接続されている。すなわち、配線接続部１６とピエゾ素子４４との間に導電性接着剤からなる第２導電性接着部４８が形成され、ピエゾ素子４４が第２導電性接着部４８を介して配線接続部１６に接合されると共に、ピエゾ素子４４の当該他方の電極４４ａが、第２導電性接着部４８を介して配線接続部１６に電気的に接続されている。ここで、図１１は、一例として、接続構造領域３の長手方向軸線（Ｘ）に沿った断面を示している。図１１においては、サスペンション用基板１の接続構造領域３が、連結領域４の柔軟性によって、ピエゾ素子４４の側にわずかに押し込まれている例を示している。
【００６２】
次に、図１２により、本実施の形態におけるヘッド付サスペンション５１について説明する。図１２に示すヘッド付サスペンション５１は、上述したサスペンション４１と、サスペンション用基板１に実装され、そのヘッド端子５に接続されたヘッドスライダ５２とを有している。
【００６３】
続いて、図１３により、本実施の形態におけるハードディスクドライブ６１について説明する。図１３に示すハードディスクドライブ６１は、ケース６２と、このケース６２に回転自在に取り付けられ、データが記憶されるディスク６３と、このディスク６３を回転させるスピンドルモータ６４と、ディスク６３に所望のフライングハイトを保って近接するように設けられ、ディスク６３に対してデータの書き込みおよび読み取りを行うヘッドスライダ５２を含むヘッド付サスペンション５１と、を有している。このうちヘッド付サスペンション５１は、ケース６２に対して移動自在に取り付けられており、ケース６２にはヘッド付サスペンション５１のヘッドスライダ５２をディスク６３上に沿って移動させるボイスコイルモータ６５が取り付けられている。また、ヘッド付サスペンション５１は、ボイスコイルモータ６５にアーム６６を介して取り付けられると共に、ハードディスクドライブ６１を制御する制御部（図示せず）に接続されたＦＰＣ基板７１（図１２参照）に接続されている。このようにして、電気信号が、サスペンション用基板１とＦＰＣ基板７１を介して、制御部とヘッドスライダ５２との間で伝送されるようになっている。
【００６４】
次に、本実施の形態によるサスペンション用基板１の製造方法について説明する。ここでは、一例として、接続構造領域３の断面を示す図１４および図１５を用いて、サブトラクティブ法によりサスペンション用基板１を製造する方法について説明する。
【００６５】
まず、絶縁層１０と、絶縁層１０の一方の面（接続されるピエゾ素子４４側の面）に設けられた金属支持層１１と、絶縁層１０の他方の面に設けられた配線層１２と、を有する積層体３５を準備する（図１４（ａ）参照）。この場合、まず、金属支持層１１を準備し、この金属支持層１１上に、非感光性ポリイミドを用いた塗工方法により絶縁層１０が形成される。続いて、絶縁層１０上に、ニッケル、クロムおよび銅がスパッタ工法により順次コーティングされ、シード層（図示せず）が形成される。その後、このシード層を導通媒体として、銅めっきにより配線層１２が形成される。このようにして、絶縁層１０と金属支持層１１と配線層１２とを有する積層体３５が得られる。
【００６６】
続いて、配線層１２において複数の配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃと配線接続部１６とが形成されると共に、金属支持層１１に金属支持層貫通孔３１ａが形成される（図１４（ｂ）参照）。この場合、フォトファブリケーションの手法により、配線層１２上にパターン状のレジスト（図示せず）が形成され、レジストの開口から、塩化第二鉄水溶液などの腐食液により配線層１２および金属支持層１１がエッチングされる。このようにして、所望の形状を有する配線層１２および金属支持層貫通孔３１ａが形成される。この際、基板本体領域２では、図１に示すようなヘッド端子５およびテール端子６が形成される。その後、レジストは除去される。
【００６７】
次に、絶縁層１０上に、配線層１２の各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび配線接続部１６を覆う所望の形状の保護層２０が形成される（図１４（ｃ）参照）。この場合、非感光性ポリイミドが、ダイコータを用いて、絶縁層１０上にコーティングされ、これを乾燥させて、保護層２０が形成される。続いて、形成された保護層２０上に、パターン状のレジスト（図示せず）が形成され、保護層２０のうち露出された部分がエッチングされ、保護層２０を硬化させる。このようにして、所望の形状の保護層２０が得られる。この際、保護層２０には、検査用貫通孔２１が形成される。なお、保護層２０をエッチングする方法は、特に限定されるものではないが、ウェットエッチングを行うことが好ましい。とりわけ、エッチング液は、保護層２０の材料の種類に応じて適宜選択することが好ましいが、例えば、保護層２０がポリイミド樹脂により形成される場合には、有機アルカリエッチング液等のアルカリ系エッチング液を用いることができる。その後、レジストが除去される。
【００６８】
保護層２０が得られた後、絶縁層１０において絶縁層貫通孔３１ｂを含む絶縁枠体部１８が形成されると共に、絶縁層１０が所望の形状に外形加工される（図１４（ｄ）参照）。この場合、まず、パターン状のレジスト（図示せず）が形成され、絶縁層１０の露出された部分がエッチングされて、絶縁枠体部１８が形成されると共に絶縁層１０が外形加工される。ここで、絶縁層１０をエッチングする方法は、保護層２０をエッチングする方法と同様に、特に限定されるものではないが、ウェットエッチングを行うことが好ましい。とりわけ、エッチング液は、絶縁層１０の材料の種類に応じて適宜選択することが好ましいが、例えば、絶縁層１０がポリイミド樹脂により形成される場合には、有機アルカリエッチング液等のアルカリ系エッチング液を用いることができる。エッチングが行われた後、レジストは除去される。
【００６９】
次に、接合用めっき層８２が形成される（図１４（ｅ）、（ｆ）参照）。すなわち、金属支持層１１のピエゾ素子４４の側の面に、図１５および図１６に示すように、レジスト開口８７ａの周縁が平面視で凹凸状に形成されたレジスト凹凸部８８を有するレジスト８７を用いてめっきが施され、このことにより、外周縁が平面視で凹凸状に形成された接合用めっき層８２が得られる。ここでは、レジスト８７のレジスト開口８７ａの周縁にレジスト凹凸部８８を形成する方法について、図１５および図１６を用いて以下に詳細に述べる。なお、図１５においては、便宜上、接続構造領域３の下側の面に形成されるレジストを示し、接続構造領域３の上側の面に形成されるレジストは省略している。
【００７０】
まず、金属支持層１１上に、水溶性タイプのネガ型感光性のレジスト８７（好適には３８μｍの厚さを有するドライフィルム・フォトレジスト）がラミネートされる（図１５（ａ）参照）。
【００７１】
続いて、ラミネートされたレジスト８７に、高圧水銀灯から紫外線が照射され、当該レジスト８７が露光される（図１５（ｂ）参照）。この場合、紫外線は、所定形状のマスク開口８９ａを有する露光マスク８９を介して照射される。また、この場合、レジスト８７は、所定の露光量で露光される。この露光量は、例えば、ストーファー２１段ステップタブレット（デュポン社製リストン（登録商標）ストーファー２１段ステップタブレット）を用いて評価することができる。
【００７２】
ステップタブレットは、レジストへの最適な露光量を決めるためのツールである。具体的には、ステップタブレットは、光学濃度が順次に高くなる２１の段数を有し、光学濃度が最も低い部分で通過する光の量が最も多く、光学濃度が最も高い部分で通過する光の量が最も少なくなるようになっている。露光の際、露光されるレジストの上面に載置し、ステップタブレットを通してレジストを露光することにより、レジストには、段数に応じた露光量で紫外線が照射され、照射された露光量に応じてレジストが光硬化する。露光後に現像することにより、硬化していない未露光部分が除去されるが、レジストが残存する最大の段数を確認することにより、露光量を評価することができるようになっている。すなわち、最適な露光量は、一般に、使用するレジストの材料の種類に応じて変わり得るが、ステップタブレットを用いることにより、材料の種類によらずに最適な露光量を評価することができる。
【００７３】
このストーファー２１段ステップタブレットを用いた場合、残存するレジストの最大段数が１０〜１８段となるような露光量で、レジスト８７が露光されることが好ましい。このことにより、レジスト８７のレジスト開口８７ａ（図１５（ｃ）参照）の周縁に、レジスト凹凸部８８が形成され、所望の凹凸高さの凹凸を形成することができる。なお、レジスト凹凸部８８の凹凸高さは、外周縁凹凸部８５の凹凸高さと同様に、０．００１５ｍｍ〜０．０２００ｍｍ、とりわけ、０．００１５ｍｍ〜０．０１００ｍｍであることが好ましい。
【００７４】
その後、露光されたレジスト８７が、濃度１ｗｔ％の炭酸ナトリウム水溶液を用いてスプレー現像される。この場合、炭酸ナトリウム水溶液がレジスト８７の未露光部分を溶解または分散除去する。このことにより、未露光部分が除去された所定形状のレジスト８７が得られる（図１５（ｃ）参照）。この際、レジスト８７のレジスト開口８７ａの周縁には、凹凸が形成される。すなわち、図１６に示すように、レジスト８７のレジスト開口８７ａの周縁に、レジスト凸部８８ａおよびレジスト凹部８８ｂを含むレジスト凹凸部８８が形成される。
【００７５】
現像の後、レジスト８７が加熱処理される。一般的には、加熱処理は、現像前に行われて、散乱光により不均一になったレジスト８７のレジスト開口８７ａの周縁を一様にすると共に、レジスト８７の密着性を向上させ、現像処理後の耐エッチング性、耐めっき性を高める。しかしながら、本実施の形態においては、上述したように、現像後に、レジスト８７を加熱処理する。このことにより、現像処理後の耐めっき性を高めると共に、レジスト８７のレジスト開口８７ａの周縁に形成されたレジスト凹凸部の形状を維持することが可能となる。なお、加熱処理には、熱風乾燥方式などを適用することが好適であり、例えば、５０℃以上１６０℃以下の温度環境下に２０秒以上曝すことが好ましい。
【００７６】
このようにして、図１６に示すように、レジスト開口８７ａの周縁にレジスト凹凸部８８が形成された所定パターンのレジスト８７が得られる。その後、この得られたレジスト８７を用いてニッケルめっきおよび金めっきが順次施されて接合用めっき層８２が形成される。
【００７７】
このうち接合用ニッケルめっき層８３は、レジスト８７のレジスト開口８７ａから露出された部分が酸洗浄されて、電解めっき法により得られる（図１４（ｅ）参照）。得られた接合用ニッケルめっき層８３の外周縁は、レジスト８７のレジスト凹凸部８８に対応するように凹凸状に形成される。接合用ニッケルめっき層８３が形成される際、配線接続部１６に接続用ニッケルめっき層３３が形成される。また、この際、ヘッド端子５およびテール端子６（いずれも図１参照）にも同様にしてニッケルめっきが施され、配線接続部１６の検査用貫通孔２１により露出された部分にもニッケルめっきが施される（すなわち、検査用ニッケルめっき層２３が形成される）。なお、めっきを施す方法としては、電解めっき法に限られることはなく、浸漬めっき法、治具めっき法などを用いることもできる。
【００７８】
続いて、ニッケルめっきを施す際に用いたレジスト８７を用いて、接合用金めっき層８４が電解めっき法により得られる（図１４（ｆ）参照）。得られた接合用金めっき層８４の外周縁８４ａに外周縁凹凸部８５が形成されて、当該外周縁８４ａは、上述した接合用ニッケルめっき層８３の外周縁と同様にして、平面視で凹凸状に形成される。すなわち、レジスト８７のレジスト凸部８８ａに対応して外周縁凹部８５ａが形成されると共に、レジスト凹部８８ｂに対応して外周縁凸部８５ｂが形成される。接合用金めっき層８４が形成される際、接続用ニッケルめっき層３３に接続用金めっき層３４が形成される。また、この際、ヘッド端子５およびテール端子６（いずれも図１参照）にも金めっきが施され、配線接続部１６上の接続用ニッケルめっき層３３上にも金めっきが施される（すなわち、検査用金めっき層２４が形成される）。
【００７９】
その後、レジスト８７は除去される。このようにして、接続用めっき層３２および接合用めっき層８２が得られる。
【００８０】
形成された接続用金めっき層３４および接合用金めっき層８４の表面は、洗浄処理されてもよい。例えば、サスペンション用基板１を真空チャンバー内に設置して当該真空チャンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、常圧にて放電電力１００Ｗ、周波数１５ｋＨｚの条件で、アルゴンガスプラズマ処理を１分間行ってもよい。このことにより、接続用金めっき層３４および接合用金めっき層８４の表面を洗浄することができ、接続用金めっき層３４および接合用金めっき層８４と導電性接着剤との密着性を向上させることが可能となる。
【００８１】
なお、金属支持層１１と接合用金めっき層８４との密着性をより一層向上させるために、接合用ニッケルめっき層８３は、以下のようにして形成されていてもよい。すなわち、金属支持層１１の表面のうち対応する部分に、まず、不動態被膜を除去するために塩酸系めっき液を用いたニッケルストライクめっきが施され、その後、電解めっき法によりニッケルめっきが施されて接合用ニッケルめっき層８３が形成されることが好ましい。このようにニッケルストライクめっきを施すことにより、金属支持層１１の表面の不動態被膜を除去することができ、金属支持層１１と接合用ニッケルめっき層８３との密着性を向上させることができる。この場合、ニッケルストライクめっきのめっき厚さは、０．０５μｍ〜０．１μｍ、電解めっき法によるニッケルめっきのめっき厚さは、０．５μｍ〜２．５μｍとすることが好ましい。あるいは、密着性をさらに向上させるためにニッケルストライクめっきのめっき厚さを０．１μｍ程度とし、接合用ニッケルめっき層８３にピンホールが形成されることを抑制するために電解めっき法によるめっき厚さを０．５μｍ〜５．０μｍとすることもできる。後者の場合においてニッケルストライクめっきを施す際、電流値を増大させることにより、めっき厚さを増大させることができる。また、前者の場合は後者の場合よりも電流値を低減させて（あるいはめっき時間を短くして）ストライクめっきを行っているが、この場合、金属支持層１１の表面のうち接合用めっき層８２が形成されない領域が腐食することを抑制できる。なお、ニッケルストライクめっきを施す場合における接合用金めっき層８４の厚さは、０．５μｍ〜２．５μｍとすることが好適である。
【００８２】
接続用めっき層３２および接合用めっき層８２が形成された後、金属支持層１１が外形加工されて、金属枠体部１７が形成される（図１４（ｇ）参照）。この場合、まず、金属支持層１１の下面に、ドライフィルムを用いて、パターン状のレジスト（図示せず）が形成される。次に、例えば、塩化鉄系エッチング液により、金属支持層１１のうちレジストから露出された部分がエッチングされ、金属枠体部１７が形成されると共に、金属支持層１１が所望の形状に外形加工される。この金属枠体部１７は、基板本体領域２における金属支持層１１の本体部分１１ａと分離される。その後、レジストは除去され、本実施の形態によるサスペンション用基板１が得られる。
【００８３】
次に、このようにして得られたサスペンション用基板１を用いたサスペンションの製造方法について説明する。
【００８４】
まず、ベースプレート４２およびロードビーム４３を準備すると共に、上述したサスペンション用基板１を準備する。
【００８５】
次に、ベースプレート４２に、ロードビーム４３を介して、サスペンション用基板１が、溶接により取り付けられる。この場合、まず、ベースプレート４２にロードビーム４３が溶接により固定され、続いて、ロードビーム４３に設けられたビーム治具孔（図示せず）と、サスペンション用基板１に設けられた治具孔２５とにより、ロードビーム４３とサスペンション用基板１とのアライメントが行われる。その後、サスペンション用基板１の金属支持層１１に溶接が施されて、ロードビーム４３とサスペンション用基板１が互いに接合されて固定される。
【００８６】
次に、ピエゾ素子４４が、接着剤を用いてベースプレート４２およびロードビーム４３に接合されると共に、サスペンション用基板１の接続構造領域３にそれぞれ接続される。この場合、まず、ピエゾ素子４４が非導電性接着部４６を介してベースプレート４２およびロードビーム４３に接合される。次いで、導電性接着剤が塗布されて第１導電性接着部４７が形成され、第１導電性接着部４７を介してピエゾ素子４４の一方（サスペンション用基板１とは反対側）の電極４４ａが、ベースプレート４２に導電性接着剤を介して電気的に接続される。
【００８７】
また、ピエゾ素子４４の他方（サスペンション用基板１の側）の電極４４ａは、第２導電性接着部４８を介してサスペンション用基板１の接続構造領域３に接合されると共に電気的に接続される（図１１参照）。この場合、サスペンション用基板１の注入孔３１に導電性接着剤が予め注入されており、ピエゾ素子４４をベースプレート４２およびロードビーム４３に接合した際、接続構造領域３は、ピエゾ素子４４の一方の電極４４ａに接合されると共に電気的に接続される。このことにより、第２導電性接着部４８は、金属枠体部１７だけではなく、金属枠体部１７に設けられた接合用金めっき層８４にも接合される。
【００８８】
このようにして、本実施の形態によるサスペンション４１が得られる。
【００８９】
このサスペンション４１のヘッド端子５に、ヘッドスライダ５２が接続されて図１２に示すヘッド付サスペンション５１が得られる。さらに、このヘッド付サスペンション５１がハードディスクドライブ６１のアーム６６に取り付けられると共に、サスペンション用基板１のテール端子６にＦＰＣ基板７１が接続されて、図１３に示すハードディスクドライブ６１が得られる。
【００９０】
図１３に示すハードディスクドライブ６１においてデータの書き込みおよび読み取りを行う際、ボイスコイルモータ６５によりヘッド付サスペンション５１のヘッドスライダ５２がディスク６３上に沿って移動し、スピンドルモータ６４により回転しているディスク６３に所望のフライングハイトを保って近接する。このことにより、ヘッドスライダ５２とディスク６３との間で、データの受け渡しが行われる。この間、サスペンション用基板１とＦＰＣ基板７１を介して、ＦＰＣ基板７１に接続されている制御部（図示せず）とヘッドスライダ５２との間で電気信号が伝送される。このような電気信号は、サスペンション用基板１においては、各信号配線１３ａによって、ヘッド端子５（図１参照）とテール端子６との間で伝送される。
【００９１】
ヘッドスライダ５２を移動させる際、ボイスコイルモータ６５が、ヘッドスライダ５２の位置を大まかに調整し、ピエゾ素子４４が、ヘッドスライダ５２の位置を微小調整する。すなわち、サスペンション用基板１の接続構造領域３の側のピエゾ素子４４の電極４４ａに所定の電圧を印加することにより、長手方向軸線（Ｘ）に沿った方向（図８、１２の矢印Ｐ方向）に、一方のピエゾ素子４４が収縮すると共に他方のピエゾ素子４４が伸長する。この場合、ベースプレート４２の可撓部４２ｂとロードビーム４３の可撓部４３ｃとが弾性変形し、ロードビーム４３の先端側に位置するヘッドスライダ５２がスウェイ方向（旋回方向Ｑ）に移動することができる。なお、ピエゾ素子４４の電極４４ａに印加される電圧は、素子配線１３ｂ、配線接続部１６および第２導電性接着部４８を介して当該電極４４ａに入力される。このようにして、ヘッドスライダ５２を、ディスク６３の所望のトラックに、迅速に、かつ精度良く位置合わせすることができる。
【００９２】
このように本実施の形態によれば、金属支持層１１のピエゾ素子４４の側の面に、導電性接着剤に接合される接合用金めっき層８４が設けられ、当該接合用金めっき層８４の外周縁８４ａに外周縁凹凸部８５が形成されて、当該外周縁８４ａが平面視で凹凸状に形成されている。このことにより、導電性接着剤の導電性粒子（例えば、銀フィラー４９ｂ）を外周縁凹凸部８５に入り込ませて接触させることができ、接合用金めっき層８４と導電性接着剤との接合信頼性を向上させることができる。また、接合用金めっき層８４と導電性接着剤との接触面積を増大させることができ、このことによっても接合用金めっき層８４と導電性接着剤との接合信頼性を向上させることができる。このため、接続構造領域３と導電性接着剤との電気的接続を安定化させて、ピエゾ素子４４との電気的な接続の信頼性を向上させることができる。
【００９３】
また、本実施の形態によれば、接続構造領域３において、金属支持層貫通孔３１ａと絶縁層貫通孔３１ｂとを有する注入孔３１に導電性接着剤が注入されている。このことにより、アンカー効果によって、接続構造領域３と導電性接着剤との接合信頼性を向上させることができる。このため、接続構造領域３と導電性接着剤との電気的接続を安定化させて、ピエゾ素子４４との電気的な接続の信頼性を向上させることができる。
【００９４】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明してきたが、本発明によるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法は、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であり、以下に示す各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【００９５】
以下、本発明の実施の形態の変形例について、図１７乃至図２６を用いて説明する。図１７乃至図２６においては、図１乃至図１６に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００９６】
（変形例１）
上述した本実施の形態においては、サブトラクティブ法によりサスペンション用基板１が作製されて、配線接続部１６が絶縁層貫通孔３１ｂ上に形成されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、アディティブ法によりサスペンション用基板１を作製してもよい。この場合、図１７に示すように、配線接続部１６の一部が絶縁層貫通孔３１ｂ内に埋設される。この場合、金属支持層貫通孔３１ａにより配線接続部１６が露出され、導電性接着剤は、絶縁層貫通孔３１ｂ内に注入されることはなく、金属支持層貫通孔３１ａ内に注入される。すなわち、導電性接着剤は、金属支持層貫通孔３１ａおよび絶縁層貫通孔３１ｂにより構成される注入孔３１の一部（金属支持層貫通孔３１ａ）に注入される。この場合、導電性接着剤の使用量を低減することができ、導電性接着剤が接続構造領域３の周囲にはみ出すことを抑制できる。
【００９７】
（変形例２）
上述した本実施の形態においては、接合用金めっき層８４を含む接合用めっき層８２が、金属支持層貫通孔３１ａを形成する金属枠体部１７の貫通孔画定面１７ａに延びている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図１８に示すように、接合用めっき層８２は、金属枠体部１７のピエゾ素子４４の側の面にのみ設けられるようにしてもよい。この場合、接合用めっき層８２は、図１９に示すように、接合用ニッケルめっき層８３と共に、平面視で注入孔３１を囲むようにリング状に形成されることが好ましい。そして、この場合、接合用金めっき層８４が、その内周縁８４ｂに設けられた、平面視で凹凸状に形成された（好適には複数の）内周縁凹凸部９０を有していることが好適である。このことにより、接合用金めっき層８４と導電性接着剤との接合信頼性をより一層向上させることができる。この場合、接合用ニッケルめっき層８３の内周縁も、接合用金めっき層８４と同様の形状で、平面視で凹凸状に形成されていることが好ましい。
【００９８】
内周縁凹凸部９０は、平面視で内側に凹む内周縁凹部９０ａと、平面視で外側に突出する内周縁凸部９０ｂと、を含み、銀フィラー４９ｂが入り込むことができるように平面視で凹凸状に形成されている。内周縁凹凸部９０の凹凸高さは、外周縁凹凸部８５の凹凸高さと同様に、０．００１５ｍｍ〜０．０２００ｍｍ、とりわけ、０．００１５ｍｍ〜０．０１００ｍｍであることが好ましい。また、内周縁凹凸部９０の凹凸高さは、外周縁凹凸部８５の凹凸高さと同様にして、内周縁凹部９０ａの谷底線と、内周縁凸部９０ｂの山頂線との間隔を測定し、測定された間隔を凹凸高さとすることができる。
【００９９】
（変形例３）
上述した本実施の形態においては、金属支持層１１および絶縁層１０に設けられた注入孔３１によって配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面が露出され、注入孔３１に導電性接着剤が注入されることによって、配線接続部１６が導電性接着剤を介してピエゾ素子４４に電気的に接続される例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図２０に示すように、配線接続部１６のピエゾ素子４４の側の面が、絶縁層１０および金属支持層１１の金属支持接続部９４によって覆われて、配線接続部１６と金属支持接続部９４とが、絶縁層１０を貫通する導電接続部９５によって接続されるようにしてもよい。この場合、金属支持接続部９４は電極として機能することができ、ピエゾ素子４４の電極４４ａに印加される電圧は、素子配線１３ｂ、配線接続部１６、導電接続部９５、金属支持接続部９４および第２導電性接着部４８を介して当該電極４４ａに入力される。なお、金属支持接続部９４は、島状に形成されており、基板本体領域２における金属支持層１１の本体部分１１ａとは分離されて電気的に絶縁されている。
【０１００】
より具体的には、絶縁層１０を貫通する絶縁層導電接続孔９５ａが設けられ、配線接続部１６を貫通する配線層導電接続孔９５ｂが設けられ、保護層２０を貫通する保護層導電接続孔９５ｃが設けられて、絶縁層導電接続孔９５ａ、配線層導電接続孔９５ｂおよび保護層導電接続孔９５ｃに、ニッケルめっきを施すことにより導電接続部９５が形成されている。図２０に示す導電接続部９５は、金属支持接続部９４とは反対側の外方、すなわち、保護層２０から外方に露出している。このため、プローブ等の導通検査器を用いることにより、導電接続部９５の上面から導電接続部９５とピエゾ素子４４との間の導通検査を行うことができる。なお、導電接続部９５は、図２０に示す形態に限られることはなく、アディティブ法によって、配線接続部１６と導電接続部９５が同一の材料によって一体に形成されるようにしてもよい。この場合、導電接続部９５は保護層２０によって覆われる。
【０１０１】
図２０に示す変形例３においては、接続構造領域３における金属支持層１１に金属支持層貫通孔３１ａが形成されていないため、接合用金めっき層８４を円形状に形成することができる。このことにより、接合用金めっき層８４と導電性接着剤との接触面積を増大させて、接合用金めっき層８４と導電性接着剤との接触抵抗を低減することができる。また、接合用金めっき層８４の外周縁凹凸部８５に、導電性接着剤の導電性粒子（例えば、銀フィラー４９ｂ）が入り込んで接触することによっても、接合金用めっき層８４と導電性接着剤との接触抵抗を低減することができる。このため、接続構造領域３とピエゾ素子４４との電気的接続を安定化させることができ、サスペンション用基板１とピエゾ素子４４との電気的な接続の信頼性を向上させることができる。
【０１０２】
（変形例４）
上述した変形例３においては、接合用金めっき層８４が円形状に形成されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図２１および図２２に示すように、接合用金めっき層８４は、平面視でリング状に形成されていてもよい。この場合、接合用金めっき層８４が、その内周縁８４ｂに設けられた、平面視で凹凸状に形成された（好適には複数の）内周縁凹凸部９０を有していることが好適である。このことにより、接合用金めっき層８４と導電性接着剤との接合信頼性をより一層向上させて、接続構造領域３とピエゾ素子４４との電気的な接続を安定化させることができる。この場合、接合用ニッケルめっき層８３の内周縁も、接合用金めっき層８４と同様の形状で、平面視で凹凸状に形成されている。
【０１０３】
内周縁凹凸部９０は、平面視で内側に凹む内周縁凹部９０ａと、平面視で外側に突出する内周縁凸部９０ｂと、を含み、銀フィラー４９ｂが入り込むことができるように平面視で凹凸状に形成されている。内周縁凹凸部９０の凹凸高さは、外周縁凹凸部８５の凹凸高さと同様に、０．００１５ｍｍ〜０．０２００ｍｍ、とりわけ、０．００１５ｍｍ〜０．０１００ｍｍであることが好ましい。また、内周縁凹凸部９０の凹凸高さは、外周縁凹凸部８５の凹凸高さと同様にして、内周縁凹部９０ａの谷底線と、内周縁凸部９０ｂの山頂線との間隔を測定し、測定された間隔を凹凸高さとすることができる。
【０１０４】
（変形例５）
また、上述した変形例３および４においては、接合用めっき層８２は、互いに分離された複数（例えば、３つ）の接合用めっき層分割体９６を有し、各接合用めっき層分割体９６が、例えば図２３に示すように、平面視で円形状に形成されていてもよい。この場合、各接合用めっき層分割体９６が、その外周縁９６ａに設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部８５（図４および図５参照）を有している。このことにより、各接合用めっき層分割体９６と導電性接着剤との接合信頼性をより一層向上させて、接続構造領域３とピエゾ素子４４との電気的な接続を安定化させることができる。
【０１０５】
（変形例６）
上述した本実施の形態においては、図２４に示すように、配線接続部１６と金属枠体部１７とが、図２０に示す変形例３と同様な導電接続部９５によって接続されるようにしてもよい。この場合、配線接続部１６が、接続用めっき層３２を介して第２導電性接着部４８に電気的に接続されるルートと、配線接続部１６が、導電接続部９５、金属枠体部１７および接合用めっき層８２を介して第２導電性接着部４８に電気的に接続されるルートと、が形成される。
【０１０６】
図２４に示す変形例６においては、上述したように、配線接続部１６は、第２導電性接着部４８に、直接（より具体的には接続用めっき層３２を介して）電気的に接続されると共に、導電接続部９５、金属枠体部１７および接合用めっき層８２を介して電気的に接続される。このことにより、配線接続部１６と第２導電性接着部４８との間の電気的な抵抗を低減することができる。また、接合用金めっき層８４の外周縁凹凸部８５に、導電性接着剤の導電性粒子（例えば、銀フィラー４９ｂ）が入り込んで接触することによっても、接合金用めっき層８４と導電性接着剤との接触抵抗を低減することができる。さらに、接合用めっき層８２が、金属支持層１１の貫通孔画定面１７ａに延びていることから、接合用めっき層８２と第２導電性接着部４８との接触面積を増大させることができる。このため、接続構造領域３とピエゾ素子４４との電気的接続を安定化させることができ、サスペンション用基板１とピエゾ素子４４との電気的な接続の信頼性を向上させることができる。
【０１０７】
（変形例７）
また、上述した本実施の形態においては、接合用金めっき層８４が、金属枠体部１７のピエゾ素子４４の側の面に設けられ、当該接合用金めっき層８４が、その外周縁８４ａに設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部８５を有している例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図２５に示すように、配線接続部１６に設けられた接続用金めっき層３４が、その外周縁３４ａに設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部８５（図４および図５参照）を有していてもよい。この場合、配線接続部１６と接続用金めっき層３４との間に介在された接続用ニッケルめっき層３３は、注入孔３１により露出された配線接続部１６の面の全体を覆っていることが好ましい。このことにより、配線接続部１６の絶縁層貫通孔３１ｂにより露出された面の腐食を防止することができる。また、接続用金めっき層３４は、接続用ニッケルめっき層３３より小さく形成されており、接続用ニッケルめっき層３３の外周側領域が、ピエゾ素子４４の側に露出されている。
【０１０８】
変形例７においては、接続用金めっき層３４の外周縁３４ａに形成された外周縁凹凸部８５により、接続用金めっき層３４と導電性接着剤との接合信頼性を向上させることができる。また、この場合、外周縁凹凸部８５に、導電性接着剤の導電性粒子（例えば、銀フィラー４９ｂ）が入り込んで接触する。このことにより、接続用金めっき層３４と導電性接着剤との接触抵抗を低減することができ、接続構造領域３とピエゾ素子４４との電気的接続を安定化させることができる。このため、サスペンション用基板１とピエゾ素子４４との電気的な接続の信頼性を向上させることができる。
【０１０９】
（変形例８）
また、上述した本実施の形態においては、めっき用のレジスト８７（図１５および図１６参照）を露光する際、紫外線の照射量を増大させて、レジスト８７のレジスト開口８７ａの周縁に凹凸を形成し、接合用金めっき層８４の外周縁８４ａに外周縁凹凸部８５が形成されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図２６に示すように、めっき用のレジスト８７を露光する際に用いる露光マスク８９のマスク開口８９ａの周縁に、マスク凹部９７ａおよびマスク凸部９７ｂを含むマスク凹凸部９７を形成して、当該周縁を予め凹凸状に形成させてもよい。このような露光マスク８９を用いることにより、紫外線の照射量を増大させることなく通常の照射量で露光した場合であっても、レジスト８７のレジスト開口８７ａの周縁に凹凸を形成することができる。なお、露光マスク８９のマスク凹凸部９７の凹凸高さＨ２は、０．００５ｍｍ〜０．０２０ｍｍであることが好ましく、とりわけ、０．００５ｍｍ〜０．０１０ｍｍであることが好ましい。０．００５ｍｍ以上とすることにより、露光マスク８９を作製するための描画機が通常の描画分解能に設定されている場合であっても、マスク凹部９７ａおよびマスク凸部９７ｂを有する露光マスク８９を作製することができ、０．０２０ｍｍ以下、とりわけ、０．０１０ｍｍ以下とすることにより、マスク凹部９７ａおよびマスク凸部９７ｂの個数を増大させることができる。
【０１１０】
このようにして形成されたレジスト８７を用いることにより、接合用金めっき層８４の外周縁８４ａに外周縁凹凸部８５を形成することができる。この場合、外周縁凹凸部８５の凹凸高さは、上述したマスク凹凸部９７の凹凸高さと同様となる。
【実施例】
【０１１１】
上述した本実施の形態に基づいて、露光量を変えながら、接合用金めっき層８４を形成するためのレジスト８７を作製し、めっき処理を施して形成された接合用金めっき層８４の外周縁凹凸部８５の凹凸高さを測定した。ここでは、露光量の評価に、上述したストーファー２１段ステップタブレットを用いた。
【０１１２】
本実施例においては、レジスト８７を露光する際、当該レジスト８７上にステップタブレットを載置し、ステップタブレットを通してレジスト８７に紫外線を照射し、露光した。その後に現像して加熱処理を行い、ニッケルめっきおよび金めっきを順次施して、外周縁凹凸部８５を形成した。形成された外周縁凹凸部８５の凹凸高さを測定したところ、表１のようなデータが得られた。
【０１１３】
なお、表１に示す凹凸高さは平均値を示している。ここでは、上述した本実施の形態と同様にして外周縁凹凸部の凹凸高さを任意の１５箇所で測定し、これらの平均値を算出し、表１を得た。
【０１１４】
【表１】
2013206490.tif 000003
【０１１５】
表１に示されているように、ステップタブレットの段数が増大するにつれて、凹凸高さが増大していることがわかる。すなわち、ステップタブレットの段数が増大するということは、露光機から照射される紫外線の露光量が増大していることを意味するので、露光量を増大させるにつれて、凹凸高さが増大することがわかる。また、図７に示されているように、銀ペースト４９の銀フィラー４９ｂの長さの多くが０．００１５ｍｍ以下であることから、表１からは、少なくともステップタブレットの１０段が、レジスト８７が残存する最大段数となるようにレジスト８７を露光することにより、銀ペースト４９内のほとんどの銀フィラー４９ｂを入り込ませて接触させることが可能な凹凸高さが得られることがわかる。
【符号の説明】
【０１１６】
１    サスペンション用基板
２    基板本体領域
２ａ  ヘッド領域
２ｂ  テール領域
３    接続構造領域
４    連結領域
５    ヘッド端子
６    テール端子
１０  絶縁層
１１  金属支持層
１１ａ  本体部分
１１ｂ  金属支持配線部分
１２  配線層
１３ａ  信号配線
１３ｂ  素子配線
１３ｃ  接地配線
１６  配線接続部
１７  金属枠体部
１７ａ  貫通孔画定面
１８  絶縁枠体部
２０  保護層
２１  検査用貫通孔
２２  検査用めっき層
２３  検査用ニッケルめっき層
２４  検査用金めっき層
２５  治具孔
２７  配線ビア
２８  接地ビア
３１  注入孔
３１ａ  金属支持層貫通孔
３１ｂ  絶縁層貫通孔
３２  接続用めっき層
３３  接続用ニッケルめっき層
３４  接続用金めっき層
３４ａ  外周縁
３５  積層体
４１  サスペンション
４２  ベースプレート
４２ａ  ヘッド側プレート
４２ｂ  テール側プレート
４２ｃ  可撓部
４２ｄ  収容開口部
４３  ロードビーム
４３ａ  ヘッド側ビーム
４３ｂ  テール側ビーム
４３ｃ  可撓部
４３ｄ  露出開口部
４４  ピエゾ素子
４４ａ  電極
４４ｂ  圧電材料部
４６  非導電性接着部
４７  第１導電性接着部
４８  第２導電性接着部
４９  銀ペースト
４９ａ  バインダー基材
４９ｂ  銀フィラー
５１  ヘッド付サスペンション
５２  ヘッドスライダ
６１  ハードディスクドライブ
６２  ケース
６３  ディスク
６４  スピンドルモータ
６５  ボイスコイルモータ
６６  アーム
７１  ＦＰＣ基板
８２  接合用めっき層
８３  接合用ニッケルめっき層
８４  接合用金めっき層
８４ａ  外周縁
８４ｂ  内周縁
８５  外周縁凹凸部
８５ａ  外周縁凹部
８５ｂ  外周縁凸部
８７  レジスト
８７ａ  レジスト開口
８８  レジスト凹凸部
８８ａ  レジスト凸部
８８ｂ  レジスト凹部
８９  露光マスク
８９ａ  マスク開口
９０  内周縁凹凸部
９０ａ  内周縁凹部
９０ｂ  内周縁凸部
９４  金属支持接続部
９５  導電接続部
９５ａ  絶縁層導電接続孔
９５ｂ  配線層導電接続孔
９５ｃ  保護層導電接続孔
９６  めっき層分割体
９６ａ  外周縁
９７  マスク凹凸部
９７ａ  マスク凹部
９７ｂ  マスク凸部
【図１】
2013206490.tif 000004
【図２】
2013206490.tif 000005
【図３】
2013206490.tif 000006
【図５】
2013206490.tif 000007
【図８】
2013206490.tif 000008
【図９】
2013206490.tif 000009
【図１０】
2013206490.tif 000010
【図１１】
2013206490.tif 000011
【図１２】
2013206490.tif 000012
【図１３】
2013206490.tif 000013
【図１４】
2013206490.tif 000014
【図１５】
2013206490.tif 000015
【図１６】
2013206490.tif 000016
【図１７】
2013206490.tif 000017
【図１８】
2013206490.tif 000018
【図１９】
2013206490.tif 000019
【図２０】
2013206490.tif 000020
【図２１】
2013206490.tif 000021
【図２２】
2013206490.tif 000022
【図２３】
2013206490.tif 000023
【図２４】
2013206490.tif 000024
【図２５】
2013206490.tif 000025
【図２６】
2013206490.tif 000026
【図４】
2013206490.tif 000027
【図６】
2013206490.tif 000028
【図７】
2013206490.tif 000029