(57)【要約】【課題】陽極と陰極との間に複数の発光する機能を有する層を備えた発光素子を有し、これら複数の発光する機能を有する層のうち、所望の層を選択的もしくは支配的に発光させることができる有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置および電子機器を提供すること。【解決手段】本適用例の有機ＥＬ装置の製造方法を用いて形成された発光素子１Ｒは、第１陽極としての陽極３Ｒと共通陰極としての陰極８との間に設けられた第２発光層としての青色発光層５Ｂと、陽極３Ｒと青色発光層５Ｂとの間に設けられた第１発光層としての赤色発光層５Ｒとを有し、さらに、青色発光層５Ｂと、赤色発光層５Ｒとの間に、この青色発光層５Ｂ側から、正孔輸送層４３と第１電子注入層６１とがこの順で積層された積層体で構成されるキャリア選択層４６を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのサブピクセルを有し、
第１サブピクセルの第１陽極と共通陰極との間に第１発光層を塗布方式で形成する工程と、
前記第１サブピクセルの前記第１発光層と前記共通陰極との間と、第２サブピクセルの第２陽極と前記共通陰極との間とに第２発光層を前記第１サブピクセルと前記第２サブピクセルとに跨って蒸着方式で形成する工程と、
前記第１発光層と前記第２発光層との間に電子注入層を蒸着方式で形成する工程と、
前記電子注入層と前記第２発光層との間に正孔輸送層を蒸着方式で形成する工程とを備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
第３サブピクセルの第３陽極と前記共通陰極との間に第３発光層を塗布方式で形成する工程を有し、
前記第２発光層は、前記第１発光層と前記共通陰極との間および前記第３発光層と前記共通陰極との間に形成され、
前記電子注入層は、前記第１発光層と前記第２発光層との間および前記第３発光層と前記第２発光層との間に形成され、
前記第１発光層、前記第２発光層、前記第３発光層は、それぞれ異なる発光色を示すことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１サブピクセルにおいては赤色の発光色を示す前記第１発光層を形成し、
前記第２サブピクセルにおいては青色の発光色を示す前記第２発光層を形成し、
前記第３サブピクセルにおいては緑色の発光色を示す前記第３発光層を形成することを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の中から選ばれた少なくとも１種の電子注入材料と、金属材料とを含んで形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記電子注入層は、前記電子注入材料と前記金属材料とを共蒸着して形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記電子注入材料が炭酸セシウムであって、前記金属材料がアルミニウムであることを特徴とする請求項４または５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
第１陽極と共通陰極との間に第１発光層と第２発光層とを有する第１サブピクセルと、
第２陽極と前記共通陰極との間に前記第２発光層を有する第２サブピクセルと、
前記第１サブピクセルと前記第２サブピクセルとに跨って形成された、前記第１発光層と前記第２発光層との間および前記第２陽極と前記第２発光層との間に形成された電子注入層と、
前記電子注入層と前記第２発光層との間に形成された正孔輸送層とを備え、
前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の中から選ばれた少なくとも１種の電子注入材料と、金属材料とを含んで形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記電子注入材料が炭酸セシウムであって、前記金属材料がアルミニウムであることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の発光素子を備える有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、発光効率（電流効率または外部量子効率）を高める上で、陽極と陰極の間に設けられた発光層に対して、陽極側から正孔を、陰極側から電子を、バランス良く注入することは重要である。
そこで、基板上に形成されたアノード（陽極）と、アノード上に形成された第１有機薄膜層と、第１有機薄膜層上に形成された有機発光層と、有機発光層上に形成された第２有機薄膜層と、第２有機薄膜層上に形成されたカソードと、を含み、第１有機薄膜層及び第２有機薄膜層は、各々単層または多層で構成され、第１有機薄膜層または第２有機薄膜層の少なくとも一部が絶縁体でドーピングまたは積層される有機ＥＬ素子が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、Ｍｏ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＢからなる群から選択された元素及びＯ、Ｆ、Ｓ、Ｃｌ、Ｓｅ、Ｂｒ及びＩからなる群から選択された元素からなる第１化合物、及び正孔注入層形成用有機化合物である正孔注入物質を含む正孔注入層を発光層と陽極との間に設けた有機発光素子が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１４７６３０号公報
【特許文献２】特開２００９−１５２１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、例えば上記に挙げられた元素のうち、ＬｉやＣｓなどは有機層中を拡散しやすいため（例えば、非特許文献１：パイオニア株式会社  技術情報誌「ＰＩＯＮＥＥＲ  Ｒ＆Ｄ」、Ｖｏｌ．１７、Ｎｏ．２、２００７年、第８頁から第１２頁を参照）、発光層と陽極の間の有機層に、ドーピングしたり、挿入したり、積層したり、する材料によっては、当該材料が有機層中に拡散し、最終的には発光層まで到達し、発光層の発光を阻害してしまうという課題があった。換言すれば、従来の発光素子では、所期の発光効率を得ることが困難であるという課題があった。
【０００５】
また、このようなキャリアバランスの乱れは、発光層を含む有機機能層の劣化を招くため、発光寿命が短くなってしまうという課題もあった。つまり、従来の発光素子では、所期の寿命を確保することが困難であるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、少なくとも２つのサブピクセルを有し、第１サブピクセルの第１陽極と共通陰極との間に第１発光層を塗布方式で形成する工程と、前記第１サブピクセルの前記第１発光層と前記共通陰極との間と、第２サブピクセルの第２陽極と前記共通陰極との間とに第２発光層を前記第１サブピクセルと前記第２サブピクセルとに跨って蒸着方式で形成する工程と、前記第１発光層と前記第２発光層との間に電子注入層を蒸着方式で形成する工程と、前記電子注入層と前記第２発光層との間に正孔輸送層を蒸着方式で形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法によれば、第２発光層を蒸着方式で形成することにより、第１発光層と第２発光層とをいずれも塗布方式で形成する場合に比べて、発光寿命が長い有機ＥＬ装置を製造することができる。
また、第１サブピクセルにおいて第１発光層と第２発光層との間には、第１発光層側から順に電子注入層と正孔輸送層とが形成されている。したがって、第１発光層と共通陰極との間に第２発光層を形成しても、第２発光層側から電子を第１発光層に注入することができるため、第１発光層を選択的に発光させることができる。さらに、第２サブピクセルでは、第２陽極と共通陰極との間に、第２陽極側から電子注入層と正孔輸送層と第２発光層とが形成されるので、第２発光層に正孔が輸送され共通陰極から電子を注入して発光させることができる。
つまり、第２サブピクセルにおける第２発光層を蒸着方式で形成するにあたり、蒸着マスクを用いずに第１サブピクセルと第２サブピクセルとに亘って第２発光層を形成しても、第１サブピクセルでは第１発光層を選択的に発光させ、第２サブピクセルでは第２発光層を発光させることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、第３サブピクセルの第３陽極と前記共通陰極との間に第３発光層を塗布方式で形成する工程を有し、前記第２発光層は、前記第１発光層と前記共通陰極との間および前記第３発光層と前記共通陰極との間に形成され、前記電子注入層は、前記第１発光層と前記第２発光層との間および前記第３発光層と前記第２発光層との間に形成され、前記第１発光層、前記第２発光層、前記第３発光層は、それぞれ異なる発光色を示すことを特徴とする。
この方法によれば、塗布方式で形成された第１発光層および第３発光層と、蒸着方式で形成された第２発光層とをそれぞれ選択的に発光させることができ、且つ長寿命な有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第１サブピクセルにおいては赤色の発光色を示す前記第１発光層を形成し、前記第２サブピクセルにおいては青色の発光色を示す前記第２発光層を形成し、前記第３サブピクセルにおいては緑色の発光色を示す前記第３発光層を形成することを特徴とする。
この方法によれば、フルカラーの発光が可能で長寿命な有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００１１】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の中から選ばれた少なくとも１種の電子注入材料と、金属材料とを含んで形成されることが好ましい。
この方法によれば、他の有機層に拡散し易い、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の中から電子注入材料を選んでも、電子注入層が金属材料を含むことで、電子注入材料の拡散を抑制することができる。つまり、電子注入材料が他の有機層に拡散することに起因する輝度の低下を抑制して、長寿命な有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００１２】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記電子注入層は、前記電子注入材料と前記金属材料とを共蒸着して形成されることが好ましい。
この方法によれば、電子注入層中で電子注入材料と金属材料とがむらなく均質に存在することになり、他の有機層への電子注入材料の拡散を効果的に抑制できる。
【００１３】
［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記電子注入材料が炭酸セシウムであって、前記金属材料がアルミニウムであることを特徴とする。
この方法によれば、他の有機層への炭酸セシウムの拡散をアルミニウムによって効果的に抑制することができる。
【００１４】
［適用例７］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、第１陽極と共通陰極との間に第１発光層と第２発光層とを有する第１サブピクセルと、第２陽極と前記共通陰極との間に前記第２発光層を有する第２サブピクセルと、前記第１サブピクセルと前記第２サブピクセルとに跨って形成された、前記第１発光層と前記第２発光層との間および前記第２陽極と前記第２発光層との間に形成された電子注入層と、前記電子注入層と前記第２発光層との間に形成された正孔輸送層とを備え、前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の中から選ばれた少なくとも１種の電子注入材料と、金属材料とを含んで形成されていることを特徴とする。
本適用例によれば、第１発光層と第２発光層との間に形成された電子注入層および正孔輸送層は、キャリア選択層として機能する。したがって、第１サブピクセルでは第１発光層を選択的に発光させ、第２サブピクセルでは第２発光層を発光させることができる。また、他の有機層に拡散し易い、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の中から電子注入材料を選んでも、電子注入層が金属材料を含むことで、電子注入材料の拡散を抑制することができる。つまり、電子注入材料が他の有機層に拡散することに起因する輝度の低下を抑制して、長寿命すなわち高い信頼性を有する有機ＥＬ装置を提供できる。
【００１５】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記電子注入材料が炭酸セシウムであって、前記金属材料がアルミニウムであることを特徴とする。
【００１６】
［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、高い信頼性を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態に係るディスプレイ装置の斜視図。
【図２】画素回路の一態様図。
【図３】表示パネルの側断面図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）製造工程の一態様を示す図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）製造工程の一態様を示す図。
【図６】第２実施形態に係る電子機器としてのモバイル型パーソナルコンピューターを示す斜視図。
【図７】電子機器としての携帯電話機を示す斜視図。
【図８】電子機器としてのディジタルスチルカメラを示す斜視図。
【図９】実施例１に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１０】比較例１に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１１】比較例２に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１２】比較例３に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１３】比較例４に係る発光素子を模式的に示した断面図。
【図１４】比較例２４Ｒに係る赤色発光素子を模式的に示した断面図。
【図１５】比較例２４Ｇに係る緑色発光素子を模式的に示した断面図。
【図１６】比較例２４Ｂに係る青色発光素子を模式的に示した断面図。
【図１７】比較例２５Ｂに係る青色発光素子を模式的に示した断面図。
【図１８】比較例２６Ｂに係る青色発光素子を模式的に示した断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
また、本実施形態、本実施例、本比較例における発光効率とは、電流効率または外部量子効率のことを指す。
【００１９】
＜第１実施形態＞
（有機ＥＬ装置の概要）
図１は、本実施形態に係るディスプレイ装置の一態様を示す斜視図である。
まず、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置としてのディスプレイ装置の概要について説明する。
【００２０】
ディスプレイ装置１００は、表示パネル１９、フレキシブル基板１２などから構成されている。表示パネル１９は、基板２１と封止基板２０との間に、発光層を含む機能層を挟持したボトムエミッション型の有機ＥＬ表示パネルであり、基板２１側から表示光を出射する。
表示パネル１９は、マトリックス状に配置された複数のサブ画素（サブピクセル）からなる表示領域Ｖを備えている。図１の右上に拡大して示すように、表示領域Ｖには、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のサブ画素が周期的に配列されており、各サブ画素が出射する表示光によりフルカラーの画像が表示される。なお、各サブ画素は発光画素である。
表示領域Ｖは、縦長の長方形をなしており、図１を含む各図においては、当該縦方向をＹ軸方向とし、縦方向よりも短い横方向をＸ軸方向と定義している。また、表示パネル１９の厚さ方向をＺ軸方向としている。
【００２１】
表示パネル１９において、基板２１が封止基板２０から張出した領域には、フレキシブル基板１２が接続されている。フレキシブル基板とは、例えば、ポリイミドフィルムの基材に鉄箔の配線などが形成された柔軟性を有するフレキシブルプリント回路基板の略称である。
また、フレキシブル基板１２には、駆動用ＩＣ（Integrated Circuit）１３が実装されており、その端部には、専用のコントローラーや、外部機器（いずれも図示せず）と接続するための複数の端子が形成されている。
表示パネル１９は、フレキシブル基板１２を介して、外部機器から電力や画像信号を含む制御信号の供給を受けることにより、表示領域Ｖに画像や文字などを表示する。または、面照明装置としても機能する。
【００２２】
（画素回路）
図２は、画素回路の一態様を示す図である。ここでは、図２を用いて、表示パネル１９のサブ画素の画素回路、および複数のサブ画素の走査駆動の概要について説明する。
図１において表示領域Ｖにマトリックス状に配置されたサブ画素の各々には、図２に示すような画素回路１４が形成されている。
画素回路１４は、サブ画素を選択するための選択用トランジスター（Thin Film Transistor）１５と、発光層を含む積層構造からなる機能層３８に電流を流すための駆動用トランジスター２４と、保持容量Ｃなどから構成されている。
選択用トランジスター１５のゲート端子には、走査線駆動回路１７からの走査線ＳＬが接続されており、ソース端子には、データ線駆動回路１８からのデータ線ＤＬが接続されている。
なお、走査線駆動回路１７、およびデータ線駆動回路１８は、図１における表示領域Ｖの周辺部分（額縁領域）に形成されている。または、駆動用ＩＣ１３内に形成されていても良い。
【００２３】
図２に戻る。
選択用トランジスター１５のドレイン端子には、駆動用トランジスター２４のゲート端子と、保持容量Ｃの一端が接続されている。
駆動用トランジスター２４のソース端子と、保持容量Ｃの他端とは、駆動電流出力回路（図示せず）から駆動電流が供給される配線ＩＬに接続されている。そして、駆動用トランジスター２４のドレイン端子は、陽極３に接続されている。
陽極３と、陰極８との間には、機能層３８が配置されている。また、陰極８は本発明の共通陰極であって、アースラインに接続されている。
【００２４】
走査線駆動回路１７は、シフトレジスターや出力バッファー（いずれも図示せず）を含んで構成され、駆動用ＩＣ１３からのタイミング信号に基づき、複数の走査線ＳＬに順次走査信号を供給する。
データ線駆動回路１８は、シフトレジスターやラッチ回路（いずれも図示せず）を含んで構成され、駆動用ＩＣ１３からのタイミング信号、およびデータ信号に基づき、複数のデータ線ＤＬにデータ信号を供給する。
走査信号によって選択された選択用トランジスター１５はオンし、データ信号が駆動用トランジスター２４に供給される。これにより、駆動用トランジスター２４がオンし、機能層３８に駆動電流が流れて発光する。また、駆動用トランジスター２４がオンするのと並行して、保持容量Ｃにデータ信号が保持されるため、容量に応じた時間（１フレーム相当の期間長）、発光が維持される。
なお、図２に示した画素回路に限定するものではなく、駆動電流によって、同様に機能層３８を点灯駆動可能な画素回路であれば異なる回路構成であっても良い。
【００２５】
（発光素子の詳細）
図３は、図１のｊ−ｊ断面における側断面図である。
表示パネル１９の表示領域Ｖには、Ｘ軸方向において赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のサブ画素が、周期的に形成されている。なお、連続するＲＧＢの３つのサブ画素からなる画素セットをカラー画素ともいう。
図３において、一番右側（Ｘ軸（−）側）に示されたサブ画素は、Ｂ光を発する青色画素であり、発光素子１Ｂを備えている。
青色サブ画素の隣のＧ光を発する緑色サブ画素、および緑色サブ画素の隣のＲ光を発する赤色サブ画素は、発光素子１Ｂとは異なる積層構造の発光素子１Ｇ、発光素子１Ｒをそれぞれ備えている。
【００２６】
以下、各発光素子について詳細に説明する。
発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、それぞれ、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂと、陰極８の間に、陰極８側から、第１の層と、第２の層と、第３の層とをこの順に備える。
第１の層は、第１の色を発光する機能を有する層である。以下、ある色を発光する機能を有する層を発光層と称する。本実施形態では、第１の色は青色であり、第１の層は、青色発光層５Ｂである。青色発光層５Ｂが本発明の第２発光層に相当する。
第２の層は、キャリア選択層４６である。キャリア選択層とは、第３の層の機能によってキャリアの流れが選択される機能を有する層であり、本発明の電子注入層としての第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）側からこの順に積層された積層体により構成される。
【００２７】
発光素子１Ｒと１Ｇにおいては、第３の層は第２の色を発光する機能を有する層であり、それぞれ、赤色発光層５Ｒと緑色発光層５Ｇである。つまり、本実施形態における第２の色は、発光素子１Ｒと発光素子１Ｇにおいて、それぞれ、赤色と緑色である。赤色発光層５Ｒが本発明の第１発光層に相当し、緑色発光層５Ｇが本発明の第３発光層に相当する。
また、発光素子１Ｂにおいては、第３の層は正孔注入層４１Ｂとなる。
発光素子１Ｒは、平坦化層２２上に、陽極３Ｒと、正孔注入層４１Ｒと、中間層４２Ｒと、第３の層としての赤色発光層５Ｒと、第２の層としてのキャリア選択層４６と、第１の層としての青色発光層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３と、陰極８とが、この順に積層されている。
また、発光素子１Ｇは、平坦化層２２上に、陽極３Ｇと、正孔注入層４１Ｇと、中間層４２Ｇと、第３の層としての緑色発光層５Ｇと、第２の層としてのキャリア選択層４６と、第１の層としての青色発光層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３と、陰極８とが、この順に積層されている。
【００２８】
本実施形態では、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂにおいて、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ、各正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、各中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび各発光層５Ｒ、５Ｇが、隔壁３１で区画されることにより個別に設けられ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８が、一体的に設けられている。
かかる構成とすることで、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、画素電極（個別電極）を構成し、さらに、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陰極８は、共通電極（共通陰極）を構成する。また、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、各駆動用トランジスター２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。
【００２９】
このように、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを備える表示パネル１９において、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの発光輝度を、駆動用トランジスター２４を用いて制御することにより、すなわち各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂへ印加する電圧を制御することにより、ディスプレイ装置１００のフルカラー表示が可能となる。
かかる構成の表示パネル１９において、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法が適用される。以下、発光素子１Ｒ、１Ｇについて、順次説明する。
なお、以降の説明において、発光色を特定して、例えば発光素子１Ｒを赤色発光素子１Ｒと表現したり、発光層５Ｒを赤色発光層５Ｒと表現することがある。また、機能を優先して、例えば、陽極３、正孔注入層４１、中間層４２、発光層５、キャリア選択層４６、陰極８などのように表現することもある。
【００３０】
（発光素子１Ｒ）
発光素子（赤色発光素子）１Ｒは、正孔注入層４１Ｒと、中間層４２Ｒと、赤色発光層５Ｒと、キャリア選択層４６と、青色発光層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３とが、陽極３Ｒ側からこの順に積層された積層体が、陽極３Ｒと陰極８との間に介挿されてなるものである。
発光素子１Ｒにおいて、キャリア選択層４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｒ側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子１Ｒにおいて、陽極３Ｒおよび陰極８は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極３Ｒは正孔注入層４１Ｒに正孔を注入する電極として機能し、陰極８は第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に電子を注入する電極として機能する。
【００３１】
このような構成の発光素子１Ｒでは、陽極３Ｒ、正孔注入層４１Ｒ、中間層４２Ｒと、赤色発光層５Ｒとが発光素子１Ｒ固有の構成部位となり得るが、本実施形態に関しては、発光素子１Ｒ固有の構成部位は赤色発光層５Ｒのみである。換言すれば、陽極３Ｒ、正孔注入層４１Ｒ、中間層４２Ｒ、キャリア選択層４６、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３、および陰極８は、発光素子１Ｇ、１Ｂの対応部位と同様である。
【００３２】
以下、発光素子１Ｒの構成部位について説明する。
［陽極３Ｒ］
本発明の第１陽極としての陽極３Ｒは、正孔注入層４１Ｒに正孔を注入する電極である。
この陽極３Ｒの構成材料としては、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料が好適に用いられる。
陽極３Ｒの構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、フッ素添加ＳｎＯ2、Ｓｂ添加ＳｎＯ2、ＺｎＯ、Ａｌ添加ＺｎＯ、Ｇａ添加ＺｎＯ等の金属酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような陽極３Ｒの平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、表示パネル１９を、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルとする場合、陽極３Ｒには光透過性が求められるため、上述した構成材料のうち、光透過性を有する金属酸化物が好適に用いられる。
【００３３】
［正孔注入層４１Ｒ］
正孔注入層４１Ｒは、陽極３Ｒからの正孔注入を容易にする機能を有するものである。
この正孔注入層４１Ｒの構成材料（正孔注入材料）としては、特に限定されないが、後述する、正孔注入層４１Ｒの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、導電性高分子材料（または導電性オリゴマー材料）に電子受容性ドーパントを添加したイオン伝導性正孔注入材料が好適に用いられる。
このようなイオン伝導性正孔注入材料としては、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）のようなポリチオフォン系正孔注入材料や、ポリアニリン−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）のようなポリアニリン系正孔注入材料や、下記一般式（１）で表わされるオリゴアニリン誘導体と、下記一般式（４）で表わされる電子受容性ドーパントとで塩を形成してなるオリゴアニリン系正孔注入材料が挙げられる。
【００３４】
【化１】
2013182851.tif 000003
［式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して未置換もしくは置換の一価炭化水素基またはオルガノオキシ基を示し、ＡおよびＢは、それぞれ独立して下記一般式（２）または下記一般式（３）で表される二価の基であり、Ｒ４〜Ｒ１１、はそれぞれ独立して水素原子、水酸基、未置換もしくは置換の一価炭化水素基またはオルガノオキシ基、アシル基、またはスルホン酸基であり、ｍおよびｎは、それぞれ独立して１以上の正数で、ｍ＋ｎ≦２０を満足する。］
【００３５】
【化２】
2013182851.tif 000004
【００３６】
【化３】
2013182851.tif 000005
［式中、Ｄは、ベンゼン環、ナフタレン環、アトラセン環、フェナントレン環または複素環を表し、Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立してカルボキシル基またはヒドロキシル基を表す。］
このような正孔注入層の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００３７】
［中間層４２Ｒ］
中間層４２Ｒは、正孔注入層４１Ｒから注入された正孔を赤色発光層５Ｒまで輸送する機能を有する。また、中間層４２Ｒは、赤色発光層５Ｒから中間層４２Ｒへ通過しようとする電子をブロックする機能を有する場合もある。
この中間層４２Ｒの構成材料としては、特に限定されないが、後述する、中間層４２Ｒの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、下記一般式（１６）で表わされるトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物が好適に用いられる。
【００３８】
【化４】
2013182851.tif 000006
【００３９】
このような中間層４２Ｒの平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、この中間層４２Ｒは、発光素子１Ｒを構成する、陽極３Ｒ、正孔注入層４１Ｒ、赤色発光層５Ｒ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
【００４０】
［赤色発光層５Ｒ］
赤色発光層５Ｒは、赤色に発光する赤色発光材料を含んで構成される。
発光素子１Ｒでは、この赤色発光層５Ｒが、陽極３Ｒとキャリア選択層（第２の層）４６との間に設けられた第３の層を構成し、この赤色発光層５Ｒが発光素子１Ｒにおける第２の色（赤色）を発光する機能を有する。
このような赤色発光層５Ｒの構成材料は、特に限定されないが、後述する、赤色発光層５Ｒの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、溶液化または分散液化できることが望ましい。そこで、赤色発光層５Ｒの構成材料としては、溶媒または分散媒に、溶解または分散することができる、高分子赤色発光材料および低分子赤色発光材料が好適に用いられ、例えば、下記一般式（１７）および下記一般式（１８）で表わされる高分子赤色発光材料が挙げられる。
【００４１】
【化５】
2013182851.tif 000007
【００４２】
なお、このような液相プロセスを経て形成される赤色発光層５Ｒを備える発光素子１Ｒは、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものである。
このような赤色発光層５Ｒの平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００４３】
［キャリア選択層４６］
第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｒ側からこの順に積層された積層体により、キャリア選択層（第２の層）４６が構成される。
発光素子１Ｒにおいて、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子を赤色発光層５Ｒに円滑に注入するというキャリア注入動作を行う。このため、発光素子１Ｒにおいて、青色発光層５Ｂの発光は大幅に抑制され、赤色発光層５Ｒが選択的もしくは支配的に発光する。
【００４４】
［第１電子注入層６１］
本発明の電子注入層としての第１電子注入層６１は、電子注入材料と金属材料とを含んでいる。
電子注入材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、アルカリ土類金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、希土類金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、金属錯体等のような電子注入材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上と金属材料とを組み合わせて用いることができる。
【００４５】
第１電子注入層６１をこのような電子注入材料を主材料として構成されるものとすることで、赤色発光層５Ｒへ輸送される電子量を調整することができる。
アルカリ金属としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられる。また、アルカリ土類金属としては、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａが挙げられる。さらに、希土類金属としては、例えば、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｂ、Ｅｕが挙げられる。
アルカリ金属塩としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ2ＣＯ3、ＬｉＣｌ、ＮａＦ、Ｎａ2ＣＯ3、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｃｓ2ＣＯ3、ＣｓＣｌが挙げられる。また、アルカリ土類金属塩としては、例えば、ＣａＦ2、ＣａＣＯ3、ＳｒＦ2、ＳｒＣＯ3、ＢａＦ2、ＢａＣＯ3が挙げられる。さらに、希土類金属塩としては、例えば、ＳｍＦ3、ＥｒＦ3が挙げられる。
【００４６】
金属錯体としては、例えば、８−キノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）やトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体が挙げられる。
金属材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕが挙げられる。
また、第１電子注入層６１は、真空蒸着法による共蒸着膜またはスパッタ法による共スパッタ膜であることが好ましい。これによって、第１電子注入層６１において電子注入材料と金属材料とが均質に含まれて、赤色発光層５Ｒへ輸送される電子量の調整が的確に行われる。
第１電子注入層６１の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。第１電子注入層６１の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、赤色発光層５Ｒへ輸送される電子量の調整が的確に行われる。
【００４７】
［正孔輸送層４３］
正孔輸送層４３は、正孔輸送層４３の陽極３側界面から注入された正孔を青色発光層５Ｂまで輸送する機能を発揮するものである。なお、正孔輸送層４３が青色発光層５Ｂから正孔輸送層４３に流れてくる電子をブロックする機能を持つことで、これら電子を青色発光層５Ｂに留めることができるので、より発光効率を高めることが可能である。加えて、正孔輸送層４３は、第１電子注入層６１が青色発光層５Ｂに直接接することを防いだり、第１電子注入層６１に用いられる電子注入材料が青色発光層５Ｂに拡散するのを低減したりする役割を担うことができる。
【００４８】
この正孔輸送層４３の構成材料としては、特に限定されないが、後述する、正孔輸送層４３の形成工程において、真空蒸着法のような気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、下記式（５）で表わされるビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）、下記式（６）で表わされる化合物のようなベンジジン誘導体等のアミン系化合物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４９】
【化６】
2013182851.tif 000008
【００５０】
このような正孔輸送層４３の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。正孔輸送層４３の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、正孔注入層４１Ｒから第１電子注入層６１を介して注入された正孔を赤色発光層５Ｒまで的確に輸送することができる。
【００５１】
［青色発光層５Ｂ］
青色発光層５Ｂは、青色を発光する発光材料を含んで構成された、発光作用（機能）を有する層（発光機能層）である。
青色発光層５Ｂは、陽極３Ｒ側から正孔が供給（注入）されるとともに、陰極８側から電子が供給（注入）されることにより、赤色発光層５Ｒにおいて正孔と電子とによって励起子（エキシトン）が形成され、この励起子が青色発光層５Ｂに含まれる青色発光材料において正孔と電子とが再結合して基底状態に戻る際にエネルギーを、青色の光として放出する機能を有する。換言すれば、青色発光層５Ｂは、青色発光層５Ｂに供給されるキャリアが正孔のみや電子のみである場合においては、正孔と電子の再結合が起こらず、発光しない。
このような青色発光材料としては、特に限定されないが、青色発光層５Ｂの形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るものが好適に用いられ、具体的には、下記式（７）で表わされる化合物のようなスチリル誘導体が挙げられる。
【００５２】
【化７】
2013182851.tif 000009
【００５３】
また、その他、青色発光材料としては、アントラセン誘導体をホスト材料とし、このホスト材料に、スチリル誘導体がゲスト材料として含まれるものであってもよい。
ホスト材料は、正孔と電子とにより励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを青色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、青色発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。
この場合、アントラセン誘導体としては、下記式（８）、下記式（９）および下記式（１０）で表わされる化合物が挙げられ、スチリル誘導体としては、下記式（１１）、下記式（１２）および下記式（１３）で表わされる化合物が挙げられ、それぞれ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５４】
【化８】
2013182851.tif 000010
【００５５】
なお、このような液相プロセスを経て形成される赤色発光層５Ｒと気相プロセスを経て形成される青色発光層５Ｂとを備える発光素子１Ｒは、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものである。
さらに、前述したようなゲスト材料およびホスト材料を用いる場合、青色発光層５Ｂ中におけるゲスト材料の含有量（ドープ量）は、ホスト材料に対して重量比で０．１％以上、２０％以下程度であるのが好ましく、０．５％以上、１０％以下程度であるのがより好ましい。ゲスト材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。
このような青色発光層５Ｂの平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００５６】
［電子輸送層６２］
電子輸送層６２は、陰極８から第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に注入された電子を青色発光層５Ｂに輸送する機能を有するものである。また、電子輸送層６２は、青色発光層５Ｂから電子輸送層６２へ通過しようとする正孔をブロックする機能を有する場合もある。
電子輸送層６２の構成材料（電子輸送材料）としては、特に限定されないが、電子輸送層６２の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）や８−キノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）のようなオキサジアゾール誘導体、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）のようなトリアゾール誘導体、下記式（１４）で表わされる化合物のようなシロール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、下記式（１５）で表わされる化合物のような含窒素複素環誘導体等が好適に用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５７】
【化９】
2013182851.tif 000011
【００５８】
電子輸送層６２の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。これにより、第２電子注入層６３から注入された電子を好適に青色発光層５Ｂに輸送することができる。
なお、この電子輸送層６２は、発光素子１Ｒを構成する正孔注入層４１Ｒ、赤色発光層５Ｒ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、第２電子注入層６３および陰極８の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
【００５９】
［第２電子注入層６３］
第２電子注入層６３は、陰極８から電子輸送層６２への電子の注入効率を向上させる機能を有するものである。
この第２電子注入層６３の構成材料（電子注入材料）としては、特に限定されないが、例えば、前述の第１電子注入層６１の構成材料として挙げたものと同様のものを用いることができる。
なお、第２電子注入層６３および第１電子注入層６１の構成材料（電子注入材料）は、それぞれ、これらを挟持する２つの層の構成材料の組み合わせに応じて、最適な注入効率が得られるものが選択されるため、第２電子注入層６３の構成材料と第１電子注入層６１の構成材料とは、同一であっても異なっていてもよい。
第２電子注入層６３の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、この第２電子注入層６３は、電子輸送層６２と陰極８の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
【００６０】
［陰極８］
共通陰極としての陰極８は、第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に電子を注入する電極である。この陰極８の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。陰極８の構成材料としては、後述する、陰極８の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ａｕまたはこれらを含む合金等が用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
特に、本実施形態のように、ボトムエミッション構造の表示パネル１９とする場合、陰極８には光透過性が求められず、陰極８の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄ等の金属または合金が好ましく用いられる。かかる金属または合金を陰極８の構成材料として用いることにより、陰極８の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００６１】
なお、表示パネル１９がトップエミッション構造である場合、陰極８の構成材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇ等の金属または合金を用いるのが好ましい。かかる金属または合金を陰極８の構成材料として用いることにより、陰極８の光透過性を維持しつつ、陰極８の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、かかる構成の発光素子１Ｒの陽極３Ｒ、正孔注入層４１Ｒ、赤色発光層５Ｒ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
【００６２】
（発光素子１Ｇ）
発光素子（緑色発光素子）１Ｇは、正孔注入層４１Ｇと、中間層４２Ｇと、緑色発光層５Ｇと、キャリア選択層４６と、青色発光層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３とが、陽極３Ｇ側からこの順に積層された積層体が、陽極３Ｇと陰極８との間に介挿されてなるものである。
発光素子１Ｇにおいて、キャリア選択層４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｇ側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子１Ｇにおいて、陽極３Ｇおよび陰極８は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極３Ｇは正孔注入層４１Ｇに正孔を注入する電極として機能し、陰極８は第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に電子を注入する電極として機能する。
発光素子１Ｇは、赤色発光層５Ｒに代えて緑色発光層５Ｇを備えること以外は、前述の発光素子１Ｒと同様の構成のものである。換言すれば、陽極３Ｇ、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇ、キャリア選択層４６、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３、および陰極８は、発光素子１Ｒの対応部位と同様である。
以下、発光素子１Ｇ固有の構成部位について説明する。
【００６３】
［緑色発光層５Ｇ］
緑色発光層５Ｇは、緑色に発光する緑色発光材料を含んで構成される。
発光素子１Ｇでは、この緑色発光層５Ｇが、陽極３Ｇとキャリア選択層（第２の層）４６との間に設けられた第３の層を構成し、この緑色発光層５Ｇが発光素子１Ｇにおける第２の色（緑色）を発光する機能を有する。
このような緑色発光層５Ｇの構成材料は、特に限定されないが、後述する、緑色発光層５Ｇの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、溶液化または分散液化できることが望ましい。そこで、緑色発光層５Ｇの構成材料としては、溶媒または分散媒に、溶解または分散することができる、高分子緑色発光材料および低分子緑色発光材料が好適に用いられ、例えば、下記一般式（１９）および下記一般式（２０）で表わされる高分子緑色発光材料が挙げられる。
【００６４】
【化１０】
2013182851.tif 000012
【００６５】
なお、このような液相プロセスを経て形成される緑色発光層５Ｇと気相プロセスを経て形成される青色発光層５Ｂとを備える発光素子１Ｇは、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものである。
このような緑色発光層５Ｇの平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、かかる構成の発光素子１Ｇの陽極３Ｇ、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇ、緑色発光層５Ｇ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
【００６６】
（発光素子１Ｂ）
発光素子（青色発光素子）１Ｂは、正孔注入層４１Ｂと、第１電子注入層６１と、正孔輸送層４３と、青色発光層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３とが陽極３Ｂ側からこの順に積層された積層体が、陽極３Ｂと陰極８の間に介挿されてなるものである。
このような発光素子１Ｂにあっては、青色発光層５Ｂに対し、陰極８側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３Ｂ側から正孔が供給（注入）される。そして、青色発光層５Ｂでは、正孔と電子とにより励起子（エキシトン）が形成され、この励起子の正孔と電子とが再結合して基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、青色発光層５Ｂが青色発光する。
発光素子１Ｂは、中間層４２Ｂと赤色発光層５Ｒがないこと以外は、前述の発光素子１Ｒと同様の構成のものである。換言すれば、陽極３Ｂ、正孔注入層４１Ｂ、キャリア選択層４６、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３、および陰極８は、発光素子１Ｒの対応部位と同様である。
（発光素子１Ｂの補足説明）
発光素子１Ｂにおいて、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を青色発光層５Ｂに留めるというキャリアブロック動作を行う。このため、発光素子１Ｂにおいて、青色発光層５Ｂは効率よく発光する。このキャリアブロック動作を的確に行うためには、発光素子１Ｂの正孔輸送層４３には、キャリアブロック機能を有するものを用いることが望ましい。例えば、前述の発光素子１Ｒの正孔輸送層４３の構成材料として挙げたアミン系化合物を用いることにより、正孔輸送層４３は電子ブロック機能を有するものとなる。
なお、かかる構成の発光素子１Ｂの陽極３Ｂ、正孔注入層４１Ｂ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
【００６７】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
図４（ａ）〜（ｃ）、および図５（ａ）〜（ｃ）は、表示パネルの製造工程における一態様を示す図であり、図３に対応した側断面図である。
ここでは、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法として上述した表示パネル１９の製造方法を例に挙げて説明する。
【００６８】
［１］まず、基板２１を用意し、各サブ画素に対応するように、複数の駆動用トランジスター２４を形成したのち、これら駆動用トランジスター２４を覆うように平坦化層２２を形成する（第１の工程）。
［１−Ａ］具体的には、基板２１を用意し、基板２１上に、駆動用トランジスター２４を含む画素回路素子を形成する。なお、説明の都合上、駆動用トランジスター２４を中心に説明する。
［１−Ａａ］基板２１上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが３０ｎｍ以上、７０ｎｍ以下程度のアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ａｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザーアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザーアニール法では、例えば、エキシマレーザーでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ2程度に設定される。
［１−Ａｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とすることで半導体層２４１を得、これら島状の半導体層２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが６０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度の酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ａｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
【００６９】
［１−Ａｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
［１−Ｂ］次に、駆動用トランジスター２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｂａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１平坦化層（図示省略）を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃ］次に、ドレイン電極２４５と、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂとを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｃａ］まず、第１平坦化層上に、第２平坦化層（図示省略）を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
なお、［１−Ｂ］工程および［１−Ｃ］工程において形成された第１平坦化層および第２平坦化層により平坦化層２２が構成される。
【００７０】
［２］次に、平坦化層２２上に、各配線２７に対応するように、陽極（個別電極）３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成する（第２の工程）。
この陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、平坦化層２２上に、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料を主材料として構成される薄膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
［３］次に、平坦化層２２上に、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを区画するように、すなわち、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを形成する領域を区画するように、隔壁（バンク）３１を形成する（第３の工程）。
隔壁３１は、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを覆うように平坦化層２２上に、絶縁膜を形成した後、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂが露出するようにフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。
ここで、隔壁３１の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、平坦化層２２等との密着性等を考慮して選択される。
具体的には、隔壁３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ2のような無機材料が挙げられる。
【００７１】
図４（ａ）は、ここまでの工程により隔壁３１までが形成された状態を示している。
また、隔壁３１の開口の形状は、図１に示すような画素の形状に対応した四角形の他、例えば、円形、楕円形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。
なお、隔壁３１の開口の形状を多角形とする場合には、角部は丸みを帯びているのが好ましい。これにより、正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび発光層５Ｒ、５Ｇを、後述するような液状材料を用いて形成する際に、これらの液状材料を、隔壁３１の内側の空間の隅々にまで確実に供給することができる。
このような隔壁３１の高さは、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、０．５μｍ以上、５μｍ以下程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、十分に隔壁（バンク）としての機能が発揮される。
【００７２】
なお、インクジェット法によって、正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび発光層５Ｒ、５Ｇを形成する場合、隔壁３１が形成された基板２１は、プラズマ処理されることが望ましい。具体的には、隔壁３１が形成された基板２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面と隔壁３１の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。次にＣＦ4等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、有機材料である感光性樹脂からなる隔壁３１の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液化される。これによって、隔壁３１の隔壁としての機能がより効果的に発揮される。
【００７３】
［４］次に、発光素子１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１Ｒ、中間層４２Ｒおよび赤色発光層５Ｒを形成し、発光素子１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇおよび緑色発光層５Ｇを形成し、さらに、発光素子１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１Ｂを形成する（第４の工程）。この第４の工程について、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ毎に以下に詳述する。
［発光素子１Ｒ］発光素子１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１Ｒ、中間層４２Ｒおよび赤色発光層５Ｒをこの順番に形成する。それぞれの層を形成する工程を正孔注入層４１Ｒ形成工程、中間層４２Ｒ形成工程、赤色発光層５Ｒ形成工程とし、以下に詳述する。
【００７４】
［正孔注入層４１Ｒ形成工程］まず、図４（ｂ）に示すように、正孔注入層４１Ｒをインクジェット法によって塗布する。具体的には、正孔注入材料を含有する正孔注入層４１Ｒ形成用のインク（液状材料）を、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出し、各陽極３Ｒ上に塗布する（塗布工程）。
ここで、正孔注入層形成用のインクの調製に用いる溶媒（インク溶媒）または分散媒（インク分散媒）としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、テトラリン等の脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００７５】
なお、陽極３Ｒ上に塗布された液状材料は、流動性が高く（粘性が低く）、水平方向（面方向）に広がろうとするが、図４（ｂ）に示すように、陽極３Ｒが隔壁３１により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔注入層４１Ｒの輪郭形状が正確に規定される。
次に、塗布した正孔注入層４１Ｒに対して後処理を施す（後処理工程）。具体的には、各陽極３Ｒ上に塗布した正孔注入層形成用のインク（液状材料）を乾燥し、正孔注入層４１Ｒを形成する。この乾燥によって、溶媒または分散媒を除去することができる。
図４（ｃ）には、乾燥後の正孔注入層４１Ｒの態様が示されている。
【００７６】
乾燥の手法としては、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理（例えば４０℃以上、８０℃以下程度）による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、必要に応じて、正孔注入層４１Ｒが形成された基板２１を１００℃以上、３００℃以下程度で加熱（ベーク）する。この加熱により、乾燥後に正孔注入層４１Ｒの膜内に残留した溶媒または分散媒を、取り除くことができる。また、加熱により架橋し溶媒に対して不溶化するような正孔注入材料を用いている場合は、この加熱によって正孔注入層４１Ｒを不溶化させることもできる。また、この加熱後、正孔注入層４１Ｒの未不溶化部分を除去するために、正孔注入層４１Ｒが形成された基板２１の表面を溶媒によってリンス（洗浄）することもある。このリンスによって、正孔注入層４１Ｒの未不溶化部分が、正孔注入層４１Ｒの上に形成される中間層４２Ｒに、混入することを防ぐことができる。
【００７７】
［中間層４２Ｒ形成工程］中間層４２Ｒ形成工程では、まず中間層４２Ｒを各正孔注入層４１Ｒ上に正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様のインクジェット法によって塗布し、次に塗布した中間層４２Ｒに対して正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様の後処理を施す。但し、中間層４２Ｒ形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、中間層４２Ｒの形成に適したものを適宜選択する。
図５（ａ）には、乾燥後の中間層４２Ｒの態様が示されている。
【００７８】
［赤色発光層５Ｒ形成工程］赤色発光層５Ｒ形成工程では、まず赤色発光層５Ｒを各中間層４２Ｒ上に正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様のインクジェット法によって塗布し、次に塗布した赤色発光層５Ｒに対して正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様の後処理を施す。但し、赤色発光層５Ｒ形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、赤色発光層５Ｒの形成に適したものを適宜選択する。図５（ｂ）には、乾燥後の赤色発光層５Ｒの態様が示されている。
上述した正孔注入層４１Ｒ形成工程、中間層４２Ｒ形成工程、赤色発光層５Ｒ形成工程には、インクジェット法を用いることが好ましい。インクジェット法では、インクの吐出量およびインク滴の着弾位置を、基板の面積の大小に関わらず高精度に制御できるため、かかる方法を用いることにより、正孔注入層４１Ｒの薄膜化、画素サイズの微小化、さらにはディスプレイ装置１００の大面積化を図ることができる。また、各層を形成するためのインク（液状材料）を、隔壁３１の内側に選択的に供給することができるため、インクのムダを省くことができる。
【００７９】
なお、これら、正孔注入層４１Ｒ形成工程、中間層４２Ｒ形成工程、赤色発光層５Ｒ形成工程は、インクジェット法に限らず、例えば、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の液相プロセスも用いることができる。
【００８０】
［発光素子１Ｇ］発光素子１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇおよび緑色発光層５Ｇをこの順番に発光素子１Ｒと同様の手法を用いて形成する。但し、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇ、緑色発光層５Ｇのそれぞれの層において、層の形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、それぞれの層の形成に適したものを適宜選択する。
【００８１】
［発光素子１Ｂ］発光素子１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１Ｂを発光素子１Ｒの正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様の手法を用いて形成する。但し、正孔注入層４１Ｂ形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、正孔注入層４１Ｂの形成に適したものを適宜選択する。
以上のように、正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび発光層５Ｒ、５Ｇの各層をインクジェット法によって形成する場合、各層は塗布工程と後処理工程を経て完全に形成されるが、各層の塗布工程は、図４（ｂ）（ｃ）、および図５（ａ）（ｂ）に示すように、他のサブ画素の塗布工程と一緒に行っても良いし、各層の後処理工程も、他のサブ画素と一緒に行っても良い。
【００８２】
［５］次に、図５（ｃ）に示すように、赤色発光層５Ｒ、緑色発光層５Ｇ、正孔注入層４１Ｂおよび隔壁３１に重なるように、すなわち、隔壁３１の平坦化層２２と接している面と反対側の全面を覆うように、第１電子注入層６１を形成する（第５の工程）。
これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の第１電子注入層６１が一括（一体的）に形成される。
この第１電子注入層６１も、前記工程［発光素子１Ｒ］で説明したスパッタ法や真空蒸着法により形成することができるが、中でも、真空蒸着法を用いるのが好ましい。真空蒸着法を用いることにより、赤色発光層５Ｒ、緑色発光層５Ｇ、正孔注入層４１Ｂへの成膜に伴うダメージを抑制しつつ、第１電子注入層６１を確実に形成することができる。
【００８３】
［６］次に、第１電子注入層６１の全面を覆うように、正孔輸送層４３を形成する（第６の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の正孔輸送層４３が一括に形成される。
［７］次に、正孔輸送層４３の全面を覆うように、青色発光層５Ｂを形成する（第７の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の青色発光層５Ｂが一括に形成される。
［８］次に、青色発光層５Ｂの全面を覆うように、電子輸送層６２を形成する（第８の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の電子輸送層６２が一括に形成される。
［９］次に、電子輸送層６２の全面を覆うように、第２電子注入層６３を形成する（第９の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の第２電子注入層６３が一括に形成される。
［１０］次に、第２電子注入層６３の全面を覆うように、陰極８を形成する（第１０の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の陰極８が一括に形成される。
なお、前記工程［６］〜［１０］で形成する各層も、前記工程［発光素子１Ｒ］で説明した気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、気相プロセスを用いるのが好ましい。気相プロセスを用いることにより、隣接する層同士間における層溶解を防止しつつ、形成すべき層を確実に形成することができる。
【００８４】
また、前記工程［発光素子１Ｒ］および［発光素子１Ｇ］において、それぞれ、発光層５Ｒおよび５Ｇをインクジェット法のような液相プロセスを用いて成膜することにより、発光色の異なる発光層５Ｒおよび５Ｇを容易に塗り分け、かつディスプレイ装置１００の大面積化を容易に実現することができる。加えて、前記工程［６］および［７］において、それぞれ、正孔輸送層４３および青色発光層５Ｂを気相プロセス（気相成膜法）を用いて形成することにより、発光素子１Ｂは、実用レベルの発光寿命を十分に備えるものとなる。さらに、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の青色発光層５Ｂを一括して（一体的に）形成する構成としたことから、高精細マスクを用いて、発光素子１Ｂに対して選択的に青色発光層５Ｂを成膜する必要がないため、工程の簡略化、さらには表示パネル１９の大面積化を容易に図ることができる。
【００８５】
また、前記工程［５］および［６］において、それぞれ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の第１電子注入層６１および正孔輸送層４３を一括して形成する構成とした、すなわち第１電子注入層６１および正孔輸送層４３で構成されるキャリア選択層４６を一体的に形成する構成としたことから、高精細マスクを用いて、発光素子１Ｂに対して選択的に第１電子注入層６１および正孔輸送層４３を成膜する必要がないため、工程の簡略化、さらには表示パネル１９の大面積化を容易に図ることができる。
以上のようにして、各駆動用トランジスター２４に対応して、複数の赤色、緑色および青色にそれぞれ発光する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが形成される。
【００８６】
［１１］次に、図３に示すように、封止基板２０を用意し、陰極８と封止基板２０との間にエポキシ系の接着剤を介在させた後、この接着剤を乾燥させる。これにより、エポキシ層３５を介して、封止基板２０で陰極８を覆うように陰極８と封止基板２０とを接合することができる。
この封止基板２０は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを保護する保護基板としての機能を発揮する。このような封止基板２０を、陰極８上に設ける構成とすることで、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。
以上のような工程を経て、図３に示す、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが封止基板２０により封止された表示パネル１９が完成される。
【００８７】
以上述べたように、本実施形態に係るディスプレイ装置１００（表示パネル１９）によれば、以下の効果を得ることができる。
以下、本実施形態の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが有する作用効果について、キャリア選択層４６の機能を中心に説明する。
【００８８】
本実施形態では、キャリア選択層（第２の層）４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）側からこの順に積層された積層体により構成される。
かかる構成のキャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に注入される電子の量を、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）側に接する層（第３の層）に応じて、選択的に制御する層である。すなわち、キャリア選択層（第２の層）４６は、第３の層の機能によってキャリアの流れが選択される機能を有する層である。
具体的には、発光素子１Ｒおよび１Ｇのように、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ）側に直接接する層が、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇの場合、すなわち、キャリア選択層４６の陽極３Ｒ、３Ｇ側界面に第２の色を発光する機能を有する発光層が接触する場合、キャリア選択層４６は青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子を赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇに円滑に注入する（キャリア注入動作）。このため、発光素子１Ｒの青色発光層５Ｂでは、正孔と電子との再結合が的確に抑制または防止されるため、発光素子１Ｒの青色発光層５Ｂは、青色発光しないか、青色発光したとしてもその発光は的確に抑制される。これに対して、赤色発光層５Ｒには、陰極８側から青色発光層５Ｂを介して電子が供給（注入）されるとともに、陽極３Ｒ側から正孔が供給（注入）される。そして、赤色発光層５Ｒでは、正孔と電子とによって励起子（エキシトン）が形成され、この励起子の正孔と電子とが再結合して基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、赤色発光層５Ｒが赤色に発光する。その結果、発光素子１Ｒは赤色に発光する。同様に、発光素子１Ｇにおいても、青色発光層５Ｂの発光は大幅に抑制され、緑色発光層５Ｇが選択的もしくは支配的に発光する。その結果、発光素子１Ｇは緑色に発光する。
【００８９】
一方、発光素子１Ｂのように、キャリア選択層４６の陽極３Ｂ側に接する層が正孔注入層４１Ｂの場合、すなわち、キャリア選択層４６の陽極３Ｂ側界面に正孔注入層４１Ｂが接触する場合、キャリア選択層４６は青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を青色発光層５Ｂに留める（キャリアブロック動作）。このため、青色発光層５Ｂにおいて、陽極３Ｂ側から供給（注入）された正孔と、陰極８側から供給（注入）された電子とによって励起子（エキシトン）が形成され易くなり、この励起子の正孔と電子とが再結合して基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、青色発光層５Ｂは効率良く発光する。その結果、発光素子１Ｂは高効率で青色に発光する。
【００９０】
このように、キャリア選択層４６は、キャリア選択層（第２の層）４６に接する第３の層の種類によって、キャリア注入動作を行ったり、キャリアブロック動作を行ったりする。
発光素子１Ｒと発光素子１Ｇにおけるキャリア選択層４６の電子に対する挙動と、発光素子１Ｂにおけるキャリア選択層４６の電子に対する挙動が異なる理由について、正孔注入層４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料だった場合を例に説明を行う。
まず、発光素子１Ｒおよび発光素子１Ｇのように、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ）側に接する層が、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇの場合、発光素子１Ｒおよび発光素子１Ｇのキャリア選択層４６内の第１電子注入層６１を構成している電子注入材料が、それぞれ、発光素子１Ｒおよび発光素子１Ｇの正孔輸送層４３内に拡散し、これによって発光素子１Ｒおよび発光素子１Ｇの正孔輸送層４３に備わっている電子ブロック機能が大きく低下する。この結果、発光素子１Ｒおよび発光素子１Ｇでは、青色発光層５Ｂから正孔輸送層４３へ電子が円滑に注入される。さらに、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇと、正孔輸送層４３との間に存在する第１電子注入層６１の機能により、正孔輸送層４３から、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇへの電子の注入も円滑に行われる。以上より、発光素子１Ｒおよび発光素子１Ｇのように、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ）側に接する層が、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇの場合、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子を、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇに円滑に注入する（キャリア注入動作）。すなわち、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂから、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇに、電子（キャリア）を円滑に流す動作を行う。
【００９１】
一方、発光素子１Ｂのように、キャリア選択層４６の陽極３Ｂ側に接する層が正孔注入層４１Ｂで、且つ、その正孔注入層４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料によって構成されている場合、発光素子１Ｂのキャリア選択層４６内の第１電子注入層６１を構成している電子注入材料が、正孔注入層４１Ｂ内に拡散、もしくは正孔注入層４１Ｂの陰極８側界面に吸着するため、発光素子１Ｂの第１電子注入層６１を構成している電子注入材料が、発光素子１Ｂの正孔輸送層４３内に拡散せず、発光素子１Ｂの正孔輸送層４３に備わっている電子ブロック機能が低下することはない。この結果、発光素子１Ｂでは、青色発光層５Ｂから正孔輸送層４３へ流れてくる電子が、正孔輸送層４３によってブロックされ、青色発光層５Ｂ内に留まる。以上より、キャリア選択層４６の陽極３Ｂ側に接する層が正孔注入層４１Ｂの場合、キャリア選択層４６は青色発光層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を青色発光層５Ｂに留める（キャリアブロック動作）。すなわち、キャリア選択層４６は、青色発光層５Ｂから流れてくる電子（キャリア）の流れを抑制する動作を行う。
【００９２】
本発明者の検討により、発光素子１Ｒからキャリア選択層４６を除き、青色発光層５Ｂと、赤色発光層５Ｒとが接触して積層された構成の赤色発光素子（キャリア選択層除外赤色発光素子）では、当該キャリア選択層除外赤色発光素子が備える陽極３Ｒと、陰極８との間に電圧を印加すると、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、赤色発光層５Ｒに円滑に注入（供給）することができず、これに起因して、青色発光層５Ｂにおいて、正孔と電子とが再結合するため、青色発光層５Ｂが青色に発光し、当該キャリア選択層除外赤色発光素子の赤色の色純度が悪化することが判っている。また、キャリア選択層除外赤色発光素子では、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、赤色発光層５Ｒに円滑に注入（供給）することができないことに起因して、赤色発光層５Ｒにおける電子と正孔のキャリアバランスが崩れ、発光効率が低下することが判っている。さらに、キャリア選択層除外赤色発光素子では、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、赤色発光層５Ｒに円滑に注入（供給）することができないことに起因して、赤色発光層５Ｒの陰極側界面でのキャリアに対するエネルギー障壁が増加し、駆動電圧が上昇することが判っている。
【００９３】
このように、キャリア選択層除外赤色発光素子では、赤色の色純度の悪化、発光効率の低下および駆動電圧の上昇という問題がある。しかしながら、発光素子１Ｒのように、青色発光層５Ｂと赤色発光層５Ｒとの間にキャリア選択層４６を介挿する構成とすることで、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、青色発光層５Ｂに留まらせることなく、赤色発光層５Ｒに円滑に注入（供給）することができるようになるので、これらの問題は全て解決される。
同様に、発光素子１Ｇからキャリア選択層４６を除き、青色発光層５Ｂと、緑色発光層５Ｇとが接触して積層された構成の緑色発光素子（キャリア選択層除外緑色発光素子）では、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、緑色発光層５Ｇに円滑に注入（供給）することができず、これに起因して、緑色の色純度の悪化、発光効率の低下および駆動電圧の上昇という問題が生じる。一方、本実施形態の発光素子１Ｇのように、青色発光層５Ｂと緑色発光層５Ｇとの間にキャリア選択層４６を介挿する構成とすることで、陰極８側から青色発光層５Ｂに注入された電子を、青色発光層５Ｂに留まらせることなく、緑色発光層５Ｇに円滑に注入（供給）することができるようになるので、これらの問題は全て解決される。
【００９４】
また、本実施形態の正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂは、気相プロセスを用いて形成することができる。本発明者の検討により、発光素子１Ｂにおいて、正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層の形成に、インクジェット法のような液相プロセスを用いた構成の青色発光素子では、発光素子１Ｂと比較して、その発光寿命や発光効率が低下するという問題があることが判っている。
正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層の汚染がこの問題の要因の１つになっていると考えられる。つまり、発光素子１Ｂのように気相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂを形成することが可能な場合、正孔輸送層４３の陰極８側界面を、真空以外の雰囲気にさらすことなく、次の青色発光層５Ｂの成膜を連続的に行うことができるが、正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層の形成に液相プロセスを用いると、液相プロセスによる成膜は真空雰囲気で行うことが困難であるため、液相プロセスによる成膜は真空以外の雰囲気（例えば大気や窒素）で行うことになり、少なくとも正孔輸送層４３の陰極８側界面は真空以外の雰囲気にさらされることになる。このように、液相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層を成膜した場合、正孔輸送層４３の陰極８側界面が汚染され易くなることは明白である。また、液相プロセスで正孔輸送層４３の成膜を行う場合、正孔輸送材料を溶媒または分散媒に、溶解または分散させた溶液を成膜に用いるため、正孔輸送層４３内に極微量の溶媒が残留し、これが正孔輸送層４３全体を汚染する可能性がある。同様に、液相プロセスで青色発光層５Ｂの成膜を行う場合、青色発光層５Ｂ内に極微量の溶媒が残留し、これが青色発光層５Ｂ全体を汚染する可能性がある。
【００９５】
これに対して、発光素子１Ｂのように、気相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂを形成することが可能な場合、液相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層を形成したことによる正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂの汚染を回避でき、液相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光層５Ｂのうち少なくとも１つの層を形成したことによる青色発光素子の発光寿命や発光効率の低下という問題は全て解決される。
【００９６】
本実施形態では、正孔注入層４１がイオン伝導性の正孔注入材料を主材料として構成されるのが好ましく、第１電子注入層６１がアルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物の電子注入材料を主材料として構成されるのが好ましいが、この場合、発光素子１Ｂおいて、第１電子注入層６１に含まれるこれら電子注入材料が、正孔輸送層４３側に拡散すると、電子注入材料が正孔輸送層４３に拡散することによる正孔輸送層４３の電子ブロック性の低下およびそれに伴う青色発光層５Ｂにおける発光効率の低下や、電子注入材料が青色発光層５Ｂへ拡散することによる青色発光層５Ｂにおける発光の阻害およびそれに伴う発光効率の低下という問題が起こる。しかしながら、本実施形態では、発光素子１Ｂにおいて、第１電子注入層６１とイオン伝導性の正孔注入層４１Ｂとが接触しているため、正孔注入層４１Ｂ内に拡散、もしくは正孔注入層４１Ｂの陰極８側界面に吸着するため、これに起因して、電子注入材料の正孔輸送層４３側への拡散が的確に抑制または防止され、前述の電子注入材料が正孔輸送層４３側へ拡散することによって起こる問題は解決される。
【００９７】
＜第２実施形態＞
（電子機器）
図６は、本発明の電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
上述した実施形態のディスプレイ装置１００は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図６において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピューター１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【００９８】
図７は、本発明の電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
図７において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【００９９】
図８は、本発明の電子機器としてのディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【０１００】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリーが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリーに転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリーに格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
【０１０１】
なお、本発明に係る電子機器は、図６のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図７の携帯電話機、図８のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、その他各種モニター類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。また、ディスプレイ装置１００（表示パネル１９）は、薄型の平面照明装置として用いることもできる。
【０１０２】
以上、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、上記実施形態では、有機ＥＬ装置は、青色よりも長波長の光を発光する発光素子として、赤色発光素子および緑色発光素子を備える場合としたが、この場合に限定されず、黄色発光素子や橙色発光素子のような青色よりも長波長の光を発光する発光素子を備えるものであってもよい。この場合、これら黄色発光素子および橙色発光素子に本発明の有機ＥＬ装置の製造方法が適用される。
【０１０３】
次に、本発明の具体的な実施例と比較例について説明する。
１．有機ＥＬ装置および発光素子の製造事例
【０１０４】
（実施例１）
図９は、実施例１に係る有機ＥＬ装置の模式断面図であり、図３に対応している。
実施例１は、前述した本発明の第１実施形態の具体的実施結果である。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板３２１として用意した。次に、この基板３２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂが形成された基板３２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１０５】
＜２＞次に、陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂが形成された基板３２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板３２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板３２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１０６】
＜３Ａ＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞次に、青色発光素子３０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板３２１を加熱し、各陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層３４１Ｒ、３４１Ｇ、３４１Ｂを形成した。
【０１０７】
＜４Ａ＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｃ＞次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱した。さらに、基板３２１の、赤色発光素子３０１Ｒおよび緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層３４１Ｒおよび３４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層３４２Ｒおよび３４２Ｇを形成した。
【０１０８】
＜５Ａ＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞次に、５Ａおよび５Ｂの各工程で塗布した、上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱する。これにより、各中間層３４２Ｒおよび３４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光層３０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層３０５Ｇとを形成した。
【０１０９】
＜６＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子３０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光層３０５Ｒ、緑色発光層３０５Ｇおよび正孔注入層３４１Ｂ上に、Ｃｓ2ＣＯ3とＡｌを蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む共蒸着膜を形成し、第１電子注入層３６１Ｋとした。
ここで、Ｃｓを「含む薄膜」とは、少なくともＣｓ塩を構成するＣｓ単体を含む薄膜となっていることを意味しており、Ｃｓ含有層が蒸着材料であるＣｓ塩を含んでいても良い。発明者は、別途行った予備実験により以下に示すような現象を観察しており、真空蒸着した膜がＣｓ塩のみからなる膜ではなく、Ｃｓ単体を含む膜となっていることを間接的に確かめている。
具体的には、Ｃｓ2ＣＯ3とＡｌを蒸着源として形成した共蒸着膜にＡｌの蒸着膜を積層したものを大気に曝すと、Ａｌの表面が激しく発砲し、表面に顕著な凹凸が生じることが確認された。蒸着膜としてＣｓ2ＣＯ3が成膜されているならば、積層したＡｌ膜に顕著な変化は起きないはずである。これは蒸着膜がＣｓ単体を含むため、大気暴露によって急激にＣｓ単体部が酸化や吸湿をしたためであると考えられる。
【０１１０】
＜７＞次に、第１電子注入層３６１Ｋ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層３４３を形成した。
＜８＞次に、正孔輸送層３４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層３０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層３０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層３０５Ｂ中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜９＞次に、青色発光層３０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層３６２を形成した。
【０１１１】
＜１０＞次に、電子輸送層３６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層３６３を形成した。
＜１１＞次に、第２電子注入層３６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極３０８を形成した。
＜１２＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図９に示すようなボトムエミッション構造の有機ＥＬ装置を製造した。
【０１１２】
（比較例１）
図１０は、比較例１に係る有機ＥＬ装置の模式断面図であり、図９に対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板４２１として用意した。次に、この基板４２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂが形成された基板４２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１１３】
＜２＞次に、陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂが形成された基板４２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁を形成した。さらに、隔壁が形成された基板４２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板４２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１１４】
＜３Ａ＞次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞次に、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞次に、青色発光素子４０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板４２１を加熱し、各陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層４４１Ｒ、４４１Ｇ、４４１Ｂを形成した。
【０１１５】
＜４Ａ＞次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞次に、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｃ＞次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板４２１を加熱した。さらに、基板４２１の、赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層４４１Ｒおよび４４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層４４２Ｒおよび４４２Ｇを形成した。
【０１１６】
＜５Ａ＞次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞次に、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞次に、青色発光素子４０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、α−ＮＰＤの１．０ｗｔ％テトラリン溶液を塗布した。
＜５Ｄ＞次に、５Ａ、５Ｂおよび５Ｃの各工程で塗布した、上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、α−ＮＰＤのテトラリン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板４２１を加熱する。これにより、各中間層４４２Ｒおよび４４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光層４０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層４０５Ｇとを形成した。さらに、正孔注入層４４１Ｂ上に、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層４４３Ｂを形成した。
【０１１７】
＜６＞次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子４０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光層４０５Ｒ、緑色発光層４０５Ｇおよび正孔輸送層４４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層４０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層４０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層４０５Ｂ中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１１８】
＜７＞次に、青色発光層４０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層４６２を形成した。
＜８＞次に、電子輸送層４６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層４６３を形成した。
＜９＞次に、第２電子注入層４６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極４０８を形成した。
＜１０＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、実施例１に対して、第１電子注入層３６１Ｋおよび正孔輸送層３４３の形成が省略され、正孔注入層４４１Ｂと青色発光層４０５Ｂとの間に正孔輸送層４４３Ｂが形成された、図１０に示すようなボトムエミッション構造の有機ＥＬ装置を製造した。
【０１１９】
（比較例２）
図１１は、比較例２に係る有機ＥＬ装置の模式断面図であり、図９に対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板５２１として用意した。次に、この基板５２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂが形成された基板５２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂが形成された基板５２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁を形成した。さらに、隔壁が形成された基板５２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板５２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１２０】
＜３Ａ＞次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞次に、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞次に、青色発光素子５０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板５２１を加熱し、各陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層５４１Ｒ、５４１Ｇ、５４１Ｂを形成した。
【０１２１】
＜４Ａ＞次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞次に、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｃ＞次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板５２１を加熱した。さらに、基板５２１の、赤色発光素子５０１Ｒおよび緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層５４１Ｒおよび５４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層５４２Ｒおよび５４２Ｇを形成した。
【０１２２】
＜５Ａ＞次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞次に、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞次に、青色発光素子５０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、α−ＮＰＤの１．０ｗｔ％テトラリン溶液を塗布した。
＜５Ｄ＞次に、５Ａ、５Ｂおよび５Ｃの各工程で塗布した、上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、α−ＮＰＤのテトラリン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板５２１を加熱する。これにより、各中間層５４２Ｒおよび５４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光層５０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層５０５Ｇとを形成した。さらに、正孔注入層５４１Ｂ上に、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層５４３Ｂを形成した。
【０１２３】
＜６＞次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子５０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光層５０５Ｒ、緑色発光層５０５Ｇおよび正孔輸送層５４３Ｂ上に、Ｃｓ2ＣＯ3とＡｌを蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む共蒸着膜を形成し、第１電子注入層５６１Ｋとした。
＜７＞次に、第１電子注入層５６１Ｋ上に、真空蒸着法を用いて、以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層５０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層５０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層５０５Ｂ中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１２４】
＜８＞次に、青色発光層５０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層５６２を形成した。
＜９＞次に、電子輸送層５６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層５６３を形成した。
＜１０＞次に、第２電子注入層５６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極５０８を形成した。
＜１１＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、実施例１に対して正孔輸送層３４３の形成が省略され、第１電子注入層５６１Ｋと正孔注入層５４１Ｂとの間に正孔輸送層５４３Ｂが形成された、図１１に示すようなボトムエミッション構造の有機ＥＬ装置を製造した。
【０１２５】
（比較例３）
図１２は、比較例３に係る有機ＥＬ装置の模式断面図であり、図９に対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板６２１として用意した。次に、この基板６２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂが形成された基板６２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂが形成された基板６２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁を形成した。さらに、隔壁が形成された基板６２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板６２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１２６】
＜３Ａ＞次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞次に、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞次に、青色発光素子６０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板６２１を加熱し、各陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層６４１Ｒ、６４１Ｇ、６４１Ｂを形成した。
【０１２７】
＜４Ａ＞次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞次に、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｃ＞次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板６２１を加熱した。さらに、基板６２１の、赤色発光素子６０１Ｒおよび緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層６４１Ｒおよび６４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層６４２Ｒおよび６４２Ｇを形成した。
【０１２８】
＜５Ａ＞次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞次に、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞次に、５Ａおよび５Ｂの各工程で塗布した、上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板６２１を加熱する。これにより、各中間層６４２Ｒおよび６４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光層６０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層６０５Ｇとを形成した。
【０１２９】
＜６＞次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子６０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光層６０５Ｒ、緑色発光層６０５Ｇおよび正孔注入層６４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層６４３を形成した。
＜７＞次に、正孔輸送層６４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層６０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層６０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１３０】
＜８＞次に、青色発光層６０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層６６２を形成した。
＜９＞次に、電子輸送層６６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層６６３を形成した。
＜１０＞次に、第２電子注入層６６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極６０８を形成した。
＜１１＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、実施例１に対して、第１電子注入層３６１Ｋの形成が省略された、図１２に示すようなボトムエミッション構造の有機ＥＬ装置を製造した。
【０１３１】
（比較例４）
図１３は、比較例４に係る有機ＥＬ装置の模式断面図であり、図９に対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板３２１として用意した。次に、この基板３２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂが形成された基板３２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１３２】
＜２＞次に、陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂが形成された基板３２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板３２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板３２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１３３】
＜３Ａ＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞次に、青色発光素子３０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板３２１を加熱し、各陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層３４１Ｒ、３４１Ｇ、３４１Ｂを形成した。
【０１３４】
＜４Ａ＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｃ＞次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱した。さらに、基板３２１の、赤色発光素子３０１Ｒおよび緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層３４１Ｒおよび３４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層３４２Ｒおよび３４２Ｇを形成した。
【０１３５】
＜５Ａ＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞次に、５Ａおよび５Ｂの各工程で塗布した、上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱する。これにより、各中間層３４２Ｒおよび３４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光層３０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層３０５Ｇとを形成した。
【０１３６】
＜６＞次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子３０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光層３０５Ｒ、緑色発光層３０５Ｇおよび正孔注入層３４１Ｂ上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第１電子注入層３６１とした。
【０１３７】
＜７＞次に、第１電子注入層３６１上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層３４３を形成した。
＜８＞次に、正孔輸送層３４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す青色発光層の構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層３０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層３０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜９＞次に、青色発光層３０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層３６２を形成した。
【０１３８】
＜１０＞次に、電子輸送層３６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層３６３を形成した。
＜１１＞次に、第２電子注入層３６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極３０８を形成した。
＜１２＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、実施例１に対して、金属材料を含まない第１電子注入層３６１を有する図１３に示すようなボトムエミッション構造の有機ＥＬ装置を製造した。
【０１３９】
（比較例２４Ｒ）
図１４は、比較例２４Ｒに係る有機ＥＬ装置の模式断面図であり、図９の赤色発光素子３０１Ｒに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板７２１として用意した。次に、この基板７２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極７０３Ｒ）を形成した。
そして、陽極７０３Ｒが形成された基板７２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極７０３Ｒが形成された基板７２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板７２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極７０３Ｒの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板７２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１４０】
＜３＞次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板７２１を加熱し、陽極７０３Ｒ上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層７４１Ｒを形成した。
＜４＞次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板７２１を加熱した。続いて、基板７２１の、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層７４１Ｒ上に、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層７４２Ｒを形成した。
【０１４１】
＜５＞次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板７２１を加熱する。これにより、各中間層７４２Ｒ上に、上記一般式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの赤色発光層７０５Ｒを形成した。
＜６＞次に、赤色発光層７０５Ｒ上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ１ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第２電子注入層７６３とした。
＜７＞次に、第２電子注入層７６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極７０８を形成した。
＜８＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
【０１４２】
以上の工程により、図１４に示すようなボトムエミッション構造の赤色発光素子７０１Ｒを製造した。この赤色発光素子７０１Ｒは、実施例１の赤色発光素子３０１Ｒ、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒ、比較例２の赤色発光素子５０１Ｒおよび比較例３の赤色発光素子６０１Ｒの特性を規格化するために用いた。
【０１４３】
（比較例２４Ｇ）
図１５は、比較例２４Ｇに係る有機ＥＬ装置の模式断面図であり、図９の緑色発光素子３０１Ｇに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板８２１として用意した。次に、この基板８２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極８０３Ｇ）を形成した。
そして、陽極８０３Ｇが形成された基板８２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極８０３Ｇが形成された基板８２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板８２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極８０３Ｇの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板８２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１４４】
＜３＞次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板８２１を加熱し、陽極８０３Ｇ上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層８４１Ｇを形成した。
＜４＞次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１６）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板８２１を加熱した。続いて、基板８２１の、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層８４１Ｇ上に、上記一般式（１６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層８４２Ｇを形成した。
【０１４５】
＜５＞次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板８２１を加熱する。これにより、各中間層８４２Ｇ上に、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの緑色発光層８０５Ｇを形成した。
＜６＞次に、緑色発光層８０５Ｇ上に、Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ１ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第２電子注入層８６３とした。
＜７＞次に、第２電子注入層８６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極８０８を形成した。
＜８＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
【０１４６】
以上の工程により、図１５に示すようなボトムエミッション構造の緑色発光素子８０１Ｇを製造した。この緑色発光素子８０１Ｇは、実施例１の緑色発光素子３０１Ｇ、比較例１の緑色発光素子４０１Ｇ、比較例２の緑色発光素子５０１Ｇおよび比較例３の緑色発光素子６０１Ｇの特性を規格化するために用いた。
【０１４７】
（比較例２４Ｂ）
図１６は、比較例２４Ｂに係る有機ＥＬ装置の模式断面図であり、図９の青色発光素子３０１Ｂに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板９２１として用意した。次に、この基板９２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極９０３Ｂ）を形成した。
そして、陽極９０３Ｂが形成された基板９２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極９０３Ｂが形成された基板９２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板９２１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極９０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板９２１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
【０１４８】
＜３＞次に、青色発光素子９０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板９２１を加熱し、陽極９０３Ｂ上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層９４１Ｂを形成した。
＜４＞次に、正孔注入層９４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層９４３Ｂを形成した。
＜５＞次に、正孔輸送層９４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層９０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層９０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１４９】
＜６＞次に、青色発光層９０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層９６２を形成した。
＜７＞次に、電子輸送層９６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層９６３を形成した。
＜８＞次に、第２電子注入層９６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極９０８を形成した。
＜９＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
【０１５０】
以上の工程により、図１６に示すようなボトムエミッション構造の青色発光素子９０１Ｂを製造した。この青色発光素子９０１Ｂは、実施例１の青色発光素子３０１Ｂ、比較例１の青色発光素子４０１Ｂ、比較例２の青色発光素子５０１Ｂおよび比較例３の青色発光素子６０１Ｂの特性を規格化するために用いた。
【０１５１】
（比較例２５Ｂ）
図１７は、比較例２５Ｂに係る有機ＥＬ装置の模式断面図であり、図９の青色発光素子３０１Ｂに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板２１２１として用意した。次に、この基板２１２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ電極（陽極２１０３Ｂ）を形成した。
そして、陽極２１０３Ｂが形成された基板２１２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極２１０３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、下記式（２１）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層２１４１Ｂを形成した。
【０１５２】
【化１１】
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【０１５３】
＜３＞次に、正孔注入層２１４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層２１４３Ｂを形成した。
＜４＞次に、正孔輸送層２１４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層２１０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層２１０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜５＞次に、青色発光層２１０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層２１６２を形成した。
【０１５４】
＜６＞次に、電子輸送層２１６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層２１６３を形成した。
＜７＞次に、第２電子注入層２１６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極２１０８を形成した。
＜８＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図１７に示すような陽極２１０３Ｂ上の各層が蒸着層で構成され、正孔注入層２１４１Ｂにイオン伝導性の材料を用いず、かつ第１電子注入層を有しない、ボトムエミッション構造の青色発光素子２１０１Ｂを製造した。
【０１５５】
（比較例２６Ｂ）
図１８は、比較例２６Ｂに係る有機ＥＬ装置の模式断面図であり、図９の青色発光素子３０１Ｂに対応している。
＜１＞まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板２２２１として用意した。次に、この基板２２２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ電極（陽極２２０３Ｂ）を形成した。
そして、陽極２２０３Ｂが形成された基板２２２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞次に、陽極２２０３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、上記式（２１）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層２２４１Ｂを形成した。
＜３＞次に、正孔注入層２２４１Ｂ上に、Ｃｓ2ＣＯ3とＡｌとを蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む共蒸着膜を形成し、第１電子注入層２２６１ＫＢとした。
【０１５６】
＜４＞次に、第１電子注入層２２６１ＫＢ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層２２４３Ｂを形成した。
＜５＞次に、正孔輸送層２２４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光層２２０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光層２２０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（８）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１５７】
＜６＞次に、青色発光層２２０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層２２６２を形成した。
＜７＞次に、電子輸送層２２６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層２２６３を形成した。
＜８＞次に、第２電子注入層２２６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極２２０８を形成した。
＜９＞次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
【０１５８】
以上の工程により、図１８に示すような各層が蒸着層で構成される青色発光素子２２０１Ｂを製造した。詳しくは、陽極２２０３Ｂ上の各層が蒸着層で構成され、正孔注入層２２４１Ｂにイオン伝導性の材料を用いず、かつ第１電子注入層２２６１ＫＢを有する、ボトムエミッション構造の青色発光素子２２０１Ｂを製造した。
【０１５９】
２．評価
実施例１および各比較例の有機ＥＬ装置および発光素子について、それぞれ、輝度が１０ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、このときに発光する発光素子の光の色を目視にて観察した。
ここで、１０ｃｄ／ｍ2という低輝度の値を選んだ理由は、本発明の実施例１の各発光素子および各比較例の各発光素子において、例え高輝度側（高電流密度側）で所望の発光色が得られたとしても、低輝度側（低電流密度側）に行くにつれて発光色が変化し、低輝度側（低電流密度側）では所望の発光色が得られない場合があったためである。逆に、低輝度側（低電流密度側）で所望の発光色が得られれば、高輝度側（高電流密度側）でも問題なく所望の発光色が得られた。なお、ここで所望の発光色が得られるとは、赤色発光素子では赤色発光が、緑色発光素子では緑色発光が、青色発光素子では青色発光が得られることを指す。
【０１６０】
また、実施例１および各比較例の有機ＥＬ装置および発光素子について、それぞれ、輝度が１，０００ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、発光素子にかかる電圧、発光素子から放出された光の電流効率を測定した。
さらに、実施例１および各比較例の有機ＥＬ装置および発光素子について、それぞれ、初期輝度が１，０００ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、初期輝度の８０％となるまでの時間（ＬＴ８０）を測定した。
そして、実施例１、比較例１、２、３については、比較例２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂで測定された測定値を基準として規格した値を求めた。
これらの結果を表１に示す。
【０１６１】
【表１】
2013182851.tif 000014
表１から明らかなように、実施例１の有機ＥＬ装置において、これらが備える発光素子は、赤色発光素子３０１Ｒでは赤色発光層３０５Ｒと青色発光層３０５Ｂとの間に、緑色発光素子３０１Ｇでは緑色発光層３０５Ｇと青色発光層３０５Ｂとの間に、青色発光素子３０１Ｂでは正孔注入層３４１Ｂと青色発光層３０５Ｂとの間に、それぞれ、キャリア選択層として第１電子注入層３６１Ｋと正孔輸送層３４３とが介挿された構成となっている。これにより、赤色発光素子３０１Ｒでは赤色発光層３０５Ｒが、緑色発光素子３０１Ｇでは緑色発光層３０５Ｇが、青色発光素子３０１Ｂでは青色発光層３０５Ｂが、それぞれ、選択的に発光した。その結果、赤色、緑色および青色の各発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂにおいて、それぞれ、高い色純度の赤色発光、緑色発光および青色発光が得られた。また、赤色、緑色および青色の発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂすべてにおいて、実施例１では０．９２以上という高い規格化電流効率が得られ、発光効率に優れた素子となった。さらに、赤色、緑色および青色の発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂすべてにおいて、実施例１では０．７１以上という優れた規格化寿命が得られ、長寿命化が図られたものとなった。加えて、赤色および緑色の発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇの規格化電圧は、実施例１では１．０９以下に抑えられており、駆動電圧の観点からも優れた特性が得られた。
【０１６２】
実施例１に対して、比較例１の有機ＥＬ装置では、第１電子注入層３６１Ｋと正孔輸送層３４３との介挿が省略されている。このため、赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇでは、それぞれ、青色発光層４０５Ｂから赤色発光層４０５Ｒおよび緑色発光層４０５Ｇへの電子の注入が円滑に行われず、その結果、赤色および緑色の他に、青色が発光してしまう結果となった。これによって、赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、それぞれ、赤色および緑色の色純度が大幅に低下した。これは、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、青色発光層４０５Ｂから、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇへの電子注入性が不十分であるため、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇのみならず、青色発光層４０５Ｂも同時に発光したためである。
さらに、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇの規格化寿命（ＬＴ８０）が、それぞれ、０．１１および０．３５と低い値を示した。これは、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、青色発光層４０５Ｂから、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇへの電子注入性が不十分であるため、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇの陰極４０８側界面の電子による劣化が大きかったためだと考えられる。
【０１６３】
また、比較例１の青色発光素子４０１Ｂの規格化寿命も０．５０と低い値となった。これは、比較例１の青色発光素子４０１Ｂの正孔輸送層４４３Ｂをインクジェット法で成膜したためである。つまり、真空蒸着法のような気相プロセスを用いれば、正孔輸送層４４３Ｂの陰極４０８側界面を、真空以外の雰囲気にさらすことなく、次の青色発光層４０５Ｂの成膜を連続的に行うことができるが、インクジェット法のような液相プロセスを用いると、正孔輸送層４４３Ｂの成膜は真空雰囲気で行うことが困難であるため、正孔輸送層４４３Ｂの成膜は真空以外の雰囲気（例えば大気や窒素）で行うことになり、少なくとも正孔輸送層４４３Ｂの陰極４０８側界面は真空以外の雰囲気にさらされることになる。このように液相プロセスを用いて正孔輸送層４４３Ｂを成膜した場合、正孔輸送層４４３Ｂの陰極４０８側界面が汚染され易くなり、これが青色発光素子４０１Ｂの寿命を短くする。また、液相プロセスで正孔輸送層４４３Ｂの成膜を行う場合、正孔輸送材料を溶媒に溶解させた溶液を成膜に用いるため、正孔輸送層４４３Ｂ内に極微量の溶媒が残留し、これが正孔輸送層４４３Ｂ全体を汚染するため、青色発光素子４０１Ｂの寿命を短くしていると考えられる。
【０１６４】
加えて、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇの規格化電圧が１．２２および１．２４と高い値を示した。これは、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、青色発光層４０５Ｂから、赤色発光層４０５Ｒもしくは緑色発光層４０５Ｇへの電子注入性が不十分であるため、赤色発光層４０５Ｒおよび緑色発光層４０５Ｇの陰極４０８側界面での電子に対するエネルギー障壁が高いという状態が生じ、その結果、駆動電圧が２割以上上昇するという結果になったと考えられる。
【０１６５】
また、比較例２の有機ＥＬ装置では、実施例１に対して、正孔輸送層３４３の介挿が省略されている。しかしながら、赤色発光素子５０１Ｒおよび緑色発光素子５０１Ｇにおいて、青色発光層５０５Ｂと赤色発光層５０５Ｒおよび緑色発光層５０５Ｇの間に第１電子注入層５６１Ｋが存在しているため、青色発光層５０５Ｂから赤色発光層５０５Ｒおよび緑色発光層５０５Ｇへの電子の注入が円滑に行われ、その結果、赤色発光素子５０１Ｒでは赤色発光層５０５Ｒのみが、緑色発光素子５０１Ｇでは緑色発光層５０５Ｇのみが、選択的に発光し、青色発光層５０５Ｂの発光を抑制することができた。但し、青色発光素子５０１Ｂにおいて、第１電子注入層５６１Ｋが青色発光層５０５Ｂに接する構造となっているため、この第１電子注入層５６１Ｋが青色発光層５０５Ｂの発光を阻害し、このため、規格化電流効率と規格化寿命が極端に低い値となり、実用レベルの特性に程遠い結果となった。また、電流効率が極端に低くなったことに起因して、駆動電圧も１．３８と大幅に上昇する結果となった。
【０１６６】
また、比較例３の有機ＥＬ装置では、実施例１に対して、第１電子注入層３６１Ｋの介挿が省略されている。
このため、赤色発光素子６０１Ｒにおいて、青色発光層６０５Ｂから正孔輸送層６４３への電子注入、および正孔輸送層６４３から赤色発光層６０５Ｒへの電子の注入が円滑に行われない。このため、赤色発光層６０５Ｒはほとんど発光せず、青色発光層６０５Ｂが強く発光してしまう結果となった。
同様に、比較例３の有機ＥＬ装置の緑色発光素子６０１Ｇにおいて、青色発光層６０５Ｂから正孔輸送層６４３への電子注入、および正孔輸送層６４３から緑色発光層６０５Ｇへの電子の注入が円滑に行わない。このため、緑色発光層６０５Ｇはほとんど発光せず、青色発光層６０５Ｂが強く発光してしまう結果となった。
つまり、比較例３の有機ＥＬ装置では、赤色発光素子６０１Ｒと緑色発光素子６０１Ｇと青色発光素子６０１Ｂの全てが青色に発光した。
【０１６７】
以上の実施例１と各比較例の結果をまとめると以下の通り。まず、赤色発光素子と緑色発光素子において、所望の発光色および０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのは、実施例１および比較例２である。
しかしながら、比較例２の青色発光素子５０１Ｂの電流効率は極端に低く、寿命も極端に短かったため、比較例２は有機ＥＬ装置として実用レベルに達しなかった。
次に、青色発光素子において、所望の発光色および０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのは、実施例１および比較例３である。しかしながら、比較例３の赤色発光素子６０１Ｒと緑色発光素子６０１Ｇは、青色に発光したため、有機ＥＬ装置として実用レベルに達しなかった。
【０１６８】
以上より、有機ＥＬ装置として実用レベルに達したのは、実施例１のみであった。
なお、本発明の実施例１の赤色発光素子３０１Ｒ、緑色発光素子３０１Ｇおよび青色発光素子３０１Ｂの全てにおいて、所望の色が得られたのは、第１電子注入層３６１Ｋと正孔輸送層３４３の積層体がキャリア選択層として機能したためである。また、本発明の実施例１の赤色発光素子３０１Ｒおよび緑色発光素子３０１Ｇにおいて、０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのも、第１電子注入層３６１Ｋと正孔輸送層３４３との積層体がキャリア選択層として機能したためである。さらに、本発明の実施例１の青色発光素子３０１Ｂにおいて、０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのは、第１電子注入層３６１Ｋと正孔輸送層３４３との積層体がキャリア選択層として機能し、且つ、正孔輸送層３４３と青色発光層３０５Ｂを真空蒸着法によって成膜したためである。
【０１６９】
比較例１と比較例３の青色発光素子の比較より、比較例３の真空蒸着法によって成膜した正孔輸送層６４３を有する青色発光素子６０１Ｂでは、比較例１のインクジェット法によって成膜した正孔輸送層４４３Ｂを有する青色発光素子４０１Ｂに比べ、２倍程度の寿命が得られ、比較例３の青色発光素子６０１Ｂの発光寿命は実用レベルに達した。さらに実施例１と比較例３の青色発光素子の比較により、実施例１の青色発光素子３０１Ｂの発光寿命は、比較例３の青色発光素子６０１Ｂの発光寿命と同等であり、実用レベルに達していることがわかる。これは、実施例１の正孔輸送層３４３と青色発光層３０５Ｂを、比較例３の正孔輸送層６４３と青色発光層６０５Ｂと同様に、真空蒸着法にて成膜したことに起因する。
【０１７０】
また、前述の電流効率の測定方法に従って測定した測定値から、比較例３の青色発光素子６０１Ｂの電流効率と、実施例１の青色発光素子３０１Ｂの電流効率とを、それぞれ、比較例３の青色発光素子６０１Ｂの電流効率で規格化した値を求めた。さらに、比較例２５Ｂの青色発光素子２１０１Ｂの電流効率と、比較例２６Ｂの青色発光素子２２０１Ｂの電流効率とを、それぞれ、比較例２５Ｂの青色発光素子２１０１Ｂの電流効率で規格化した値を求めた。
これらの結果を表２、表３に示す。
【０１７１】
【表２】
2013182851.tif 000015
【０１７２】
【表３】
2013182851.tif 000016
【０１７３】
ここで、表２は、青色発光素子６０１Ｂ、３０１Ｂがそれぞれ有する正孔注入層６４１Ｂ、３４１Ｂが、イオン伝導性の正孔注入材料で構成される場合において、第１電子注入層３６１Ｋの有無が青色発光素子６０１Ｂ、３０１Ｂの電流効率にどう影響するかを示すものである。これに対し、表３は、青色発光素子２１０１Ｂ、２２０１Ｂがそれぞれ有する正孔注入層２１４１Ｂ、２２４１Ｂが、イオン伝導性の正孔注入材料で構成されない場合において、第１電子注入層２２６１ＫＢの有無が青色発光素子２１０１Ｂ、２２０１Ｂの電流効率にどう影響するかを示すものである。
表２から明らかなように、正孔注入層６４１Ｂ、３４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料で構成される場合、第１電子注入層３６１Ｋを有する青色発光素子３０１Ｂの電流効率は、第１電子注入層３６１Ｋを有しない青色発光素子６０１Ｂの電流効率と、大きく変わらない。これに対して、表３から明らかなように、正孔注入層２１４１Ｂ、２２４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料で構成されない場合、第１電子注入層２２６１ＫＢを有する青色発光素子２２０１Ｂの電流効率は、第１電子注入層２２６１ＫＢを有しない青色発光素子２１０１Ｂの電流効率に比べ、大幅に低下する結果となった。
【０１７４】
つまり、正孔注入層／電子注入層／正孔輸送層／青色発光層／電子輸送層という同一の積層構造（積層体）であっても、正孔注入層をイオン伝導性の正孔注入材料で構成しなければ、第１電子注入層２２６１ＫＢの存在により、青色発光素子２２０１Ｂの青色発光が著しく阻害される結果となった。
このことは、正孔注入層２２４１Ｂがイオン伝導性の正孔輸送材料で構成されない場合、第１電子注入層２２６１ＫＢに含まれる電子注入材料が正孔輸送層２２４３Ｂや青色発光層２２０５Ｂに拡散し、これによって、青色発光層２２０５Ｂの青色発光が阻害されたことを示す。
【０１７５】
これに対して、実施例１では、正孔注入層３４１Ｂがイオン伝導性の正孔輸送材料で構成されている。したがって、第１電子注入層３６１Ｋに含まれる電子注入材料が主として、正孔注入層３４１Ｂに拡散、もしくは正孔注入層３４１Ｂの陰極３０８側界面に吸着するため、正孔輸送層３４３や青色発光層３０５Ｂへの電子注入材料の拡散が大幅に抑制された。
つまり、実施例１が備える青色発光素子３０１Ｂを、高い電流効率（発光効率）で発光させるには、正孔注入層３４１Ｂにイオン伝導性の正孔注入材料を用いることが好ましい。
【０１７６】
また、比較例４は、実施例１におけるＣｓ2ＣＯ3とＡｌの共蒸着膜から構成される第１電子注入層３６１Ｋを、Ｃｓ2ＣＯ3の蒸着膜から構成される第１電子注入層３６１に変更したものである。実施例１と比較例４の違いが大きく現れるのは、例えば、実施例１と比較例４の有機ＥＬ装置および発光素子について、それぞれ、初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ2となるように発光素子に定電流を流し、初期輝度の５０％となった時のそれぞれの発光素子の色を観察した時である。実施例１で観察されるのは、発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂで、それぞれ、赤色、緑色、青色であり、定電流駆動開始時の発光色と変わらない。一方、比較例４では、発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂで、それぞれ、ピンク色、青緑色、青色が観察され、定電流駆動開始時の各発光素子の発光色、赤色、緑色、青色と比べると、発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇにおいて、色が変化している。これは、比較例４の発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇでは、定電流駆動が進むにつれ、第１電子注入層３６１のＣｓの陰極３０８側への拡散が進み、青色発光層３０５Ｂが発光し始めるためである。この拡散を遅らせる一つの手段として、Ｃｓ2ＣＯ3の蒸着膜から構成される第１電子注入層３６１を、Ｃｓ2ＣＯ3とＡｌの共蒸着膜から構成される第１電子注入層３６１Ｋに変更することが有効である。ＡｌがＣｓの近傍に存在することにより、駆動中のＣｓの拡散速度を的確に調整でき、キャリア選択層の機能を長く保つことができる。
【０１７７】
このような電子注入材料と金属材料との組み合わせは、炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）とアルミニウム（Ａｌ）との組み合わせに限定されない。キャリア選択層の機能を長く保つため、第１電子注入層中の電子注入材料が陰極側に拡散することを遅らせる（抑制する）作用を効果的に得られる電子注入材料と金属材料との組み合わせとして以下の組み合わせを挙げることができる。
フッ化セシウム（ＣｓＦ）とアルミニウム（Ａｌ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）とアルミニウム（Ａｌ）、炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）と金（Ａｕ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）と金（Ａｕ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）と金（Ａｕ）、炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）と銀（Ａｇ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）と銀（Ａｇ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）と銀（Ａｇ）、炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）と銅（Ｃｕ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）と銅（Ｃｕ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）と銅（Ｃｕ）などである。
【０１７８】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【０１７９】
（変形例１）
図５を用いて説明する。
上記第１実施形態では、発光素子１Ｒ、１Ｇおよび１Ｂに対して本発明の有機ＥＬ装置の製造方法を適用して、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第３の層が、それぞれ、赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇであり、且つ、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第１の層が青色発光層５Ｂである場合について説明した。しかしながら、本発明の適用範囲は、かかる場合に限定されず、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第３の層と第１の層が、それぞれ、異なる発光色の発光層であれば良く、例えば、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第３の層が、それぞれ、黄色および橙色、第１の層が緑色を発光するものであっても良い。この場合、発光素子１Ｒは赤色発光層５Ｒに代えて黄色発光層を備え、発光素子１Ｇは緑色発光層５Ｇに代えて橙色発光層を備えるものとなる。さらに、発光素子１Ｒおよび１Ｇは、青色発光層５Ｂに代えて緑色発光層を備えるものとなる。
ただし、第１実施形態のように、発光素子１Ｒおよび１Ｇの、それぞれの第３の層に赤色発光層５Ｒおよび緑色発光層５Ｇを、第１の層に青色発光層５Ｂを、適用することが好ましい。
【０１８０】
（変形例２）
上記実施形態では、ディスプレイ装置１００を、基板２１側から光を取り出すボトムエミッション構造のディスプレイパネルに適用した場合について説明したが、これに限定されず、封止基板２０側から光を取り出すトップエミッション構造のディスプレイパネルにも適用することが可能である。
【０１８１】
（変形例３）
上記実施形態では、ディスプレイ装置１００の光Ｒ、Ｇ、Ｂを基板２１側から透過させるにあたって、それぞれの光に対応したカラーフィルター（色変換層）を設けていないが、基板２１に接する面もしくは基板２１内に、ＲＧＢの各サブ画素に対応して設けられたカラーフィルターを有する構造としても良い。これによって、ディスプレイ装置１００の色再現範囲を向上させることができる。
【符号の説明】
【０１８２】
１……発光素子、１Ｒ，３０１Ｒ，４０１Ｒ，５０１Ｒ，６０１Ｒ，７０１Ｒ……赤色発光素子、１Ｇ，３０１Ｇ，４０１Ｇ，５０１Ｇ，６０１Ｇ，８０１Ｇ……緑色発光素子、１Ｂ，３０１Ｂ，４０１Ｂ，５０１Ｂ，６０１Ｂ，９０１Ｂ，２１０１Ｂ，２２０１Ｂ……青色発光素子、３，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ，３０３Ｒ，３０３Ｇ，３０３Ｂ，４０３Ｒ，４０３Ｇ，４０３Ｂ，５０３Ｒ，５０３Ｇ，５０３Ｂ，６０３Ｒ，６０３Ｇ，６０３Ｂ，７０３Ｒ，８０３Ｇ，９０３Ｂ，２１０３Ｂ，２２０３Ｂ……陽極、４１，４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ，３４１Ｒ，３４１Ｇ，３４１Ｂ，４４１Ｒ，４４１Ｇ，４４１Ｂ，５４１Ｒ，５４１Ｇ，５４１Ｂ，６４１Ｒ，６４１Ｇ，６４１Ｂ，７４１Ｒ，８４１Ｇ，９４１Ｂ，２１４１Ｂ，２２４１Ｂ……正孔注入層、４２Ｒ，４２Ｇ，３４２Ｒ，３４２Ｇ，４４２Ｒ，４４２Ｇ，５４２Ｒ，５４２Ｇ，６４２Ｒ，６４２Ｇ，７４２Ｒ，８４２Ｇ……中間層、４３，３４３，４４３Ｂ，５４３Ｂ，６４３，９４３Ｂ，２１４３Ｂ，２２４３Ｂ……正孔輸送層、４６……キャリア選択層、５Ｒ，３０５Ｒ，４０５Ｒ，５０５Ｒ，６０５Ｒ，７０５Ｒ……赤色発光層、５……発光層としての発光層、５Ｇ，３０５Ｇ，４０５Ｇ，５０５Ｇ，６０５Ｇ，８０５Ｇ…緑色発光層、５Ｂ，３０５Ｂ，４０５Ｂ，５０５Ｂ，６０５Ｂ，９０５Ｂ，２１０５Ｂ，２２０５Ｂ……青色発光層、６１，３６１Ｋ，５６１Ｋ，２２６１ＫＢ……第１電子注入層、３８……機能層、６３，３６３，４６３，５６３，６６３，７６３，８６３，９６３，２１６３，２２６３……第２電子注入層、６２，３６２，４６２，５６２，６６２，９６２，２１６２，２２６２……電子輸送層、８，３０８，４０８，５０８，６０８，７０８，８０８，９０８，２１０８，２２０８……陰極、１９……表示パネル、２０……封止基板、２１，３２１，４２１，５２１，６２１，７２１，８２１，９２１，２１２１，２２２１……基板、１００，１１０……有機ＥＬ装置としてのディスプレイ装置、１１００……電子機器としてのパーソナルコンピューター、１２００……電子機器としての携帯電話機、１３００……電子機器としてのディジタルスチルカメラ。
【図１】
2013182851.tif 000017
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2013182851.tif 000023
【図８】
2013182851.tif 000024
【図９】
2013182851.tif 000025
【図１０】
2013182851.tif 000026
【図１１】
2013182851.tif 000027
【図１２】
2013182851.tif 000028
【図１３】
2013182851.tif 000029
【図１４】
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【図１５】
2013182851.tif 000031
【図１６】
2013182851.tif 000032
【図１７】
2013182851.tif 000033
【図１８】
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