(57)【要約】      （修正有）【課題】透明導電膜の表面の異物を効率的に除去し、かつ透明導電膜の表面に適度な凹凸を形成し得る光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】透明導電膜を設けた基板をプラズマＣＶＤ成膜室に搬入するステップと、透明導電膜に対し、物理エッチング用ガスと化学エッチング用ガスとの混合ガスでプラズマ処理を行なうことにより、透明導電膜に付着した異物を除去するステップと、透明導電膜上に光電変換層を形成するステップとを含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電膜を設けた基板をプラズマＣＶＤ成膜室に搬入するステップと、
前記透明導電膜に対し、物理エッチング用ガスと化学エッチング用ガスとの混合ガスでプラズマ処理を行なうことにより、前記透明導電膜に付着した異物を除去するステップと、
前記透明導電膜上に光電変換層を形成するステップとを含む、光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記物理エッチング用ガスは、窒素、アルゴン、およびヘリウムからなる群より選択される１種以上であり、
前記化学エッチング用ガスは、水素、および酸素からなる群より選択される１種以上である、請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板は、前記基板が前記プラズマＣＶＤ成膜室に搬入される前において、ＩＳＯ  １４６４４−１のクラス４よりも清浄度の劣る雰囲気を通過したものである、請求項１または２に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板は、前記基板が前記プラズマＣＶＤ成膜室に搬入される前において、直径１０μｍ以上の異物が存在する雰囲気を通過したものである、請求項１〜３のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板は、工場入荷後もしくは洗浄工程後において、ＩＳＯ  １４６４４−１のクラス４よりも清浄度の劣る雰囲気を通過したものである、請求項３に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板は、工場入荷後もしくは洗浄工程後において、直径１０μｍ以上の異物が存在する雰囲気を通過したものである、請求項４に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
前記透明導電膜は、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、またはＩＴＯのいずれかからなる、請求項１〜６のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
前記物理エッチング用ガスは、前記混合ガス全体に対し、１体積％以上９０体積％以下含まれている、請求項１〜７のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
前記物理エッチング用ガスは、窒素であり、
前記化学エッチング用ガスは、水素であり、
前記物理エッチング用ガスは、前記混合ガス全体に対し、２０体積％以上６０体積％以下含まれている、請求項１〜７のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置の製造方法に関し、特に、基板上に形成された透明導電膜をプラズマ処理する工程を含む光電変換装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光電変換装置は、光エネルギを電気エネルギに変換するものであるから、エネルギ問題の解決策の一つとして注目を集めている。光電変換装置は、透明導電膜が形成された基板上に、ｐ型層、ｉ型層、ｎ型層等の光電変換層を形成し、さらに裏面電極を形成することによって作製する。光電変換装置は、変換効率を高めることが要求されている。
【０００３】
光電変換装置の変換効率を高めるための試みとして、たとえば特開２００８−２８３０７５号公報（特許文献１）には、透明導電膜に対して水素プラズマ処理する技術が開示されている。特許文献１に示されるように、透明導電膜に対して水素プラズマ処理を実施することにより、透明導電膜の抵抗率を低下させるとともに、透明導電膜の表面形状や膜質を改質し、光電変換装置の変換効率を向上させることができる。
【０００４】
また、特開昭６３−２１１６８５号公報（特許文献２）、特開平１０−３３５６８４号公報（特許文献３）、および特開昭６４−６１９５９号公報（特許文献４）にも、特許文献１と同様に、透明導電膜の表面を水素プラズマで処理する技術が開示されている。
【０００５】
特許文献１〜４に示されるように、透明導電膜上にｐ型層を形成する前に、透明導電膜の表面を水素プラズマで処理することにより、透明導電膜の表面が改質（還元）されて、透明導電膜とｐ型層との界面の接合状態がよくなる。これにより、透明導電膜とｐ型層との界面における電力損失が減少し、光電変換装置の光電変換効率を高めることができる。
【０００６】
一方、特開２００４−３１１９６５号公報（特許文献５）には、酸化亜鉛からなる透明導電膜に対し、Ａｒ等の希ガス元素または窒素によるプラズマ処理を行なう技術が開示されている。特許文献５に示されるように透明導電膜を処理することにより、透明導電膜の透明性を低下させることなく、膜中に含まれる水分を除去することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２８３０７５号公報
【特許文献２】特開昭６３−２１１６８５号公報
【特許文献３】特開平１０−３３５６８４号公報
【特許文献４】特開昭６４−６１９５９号公報
【特許文献５】特開２００４−３１１９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述の水素プラズマによる処理では、透明導電膜の表面に付着した異物を完全に除去することはできない。このように異物が残存することにより、光電変換装置の内部でリーク電流が発生し、変換効率が低下することがある。また、水素は、分子量が小さいため、透明導電膜の表面にも凹凸が十分に形成されない。このため、透明導電膜に接するｐ型層との接合力が低下するだけでなく、入射光が透明導電膜とｐ型層との界面で反射し、光電変換装置に光を十分に取り込めなくなることもある。
【０００９】
本発明は、上記のような現状に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、透明導電膜の表面の異物を効率的に除去し、かつ透明導電膜の表面に適度な凹凸を形成し得る光電変換装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を行なった結果、透明導電膜に対し、化学スパッタリングと物理スパッタリングとを併用してプラズマ処理を同時進行させることにより、透明導電膜の表面の異物を効率的に除去するとともに、透明導電膜の表面に適度な凹凸を形成し得ることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１１】
すなわち、本発明の光電変換装置の製造方法は、透明導電膜を設けた基板をプラズマＣＶＤ成膜室に搬入するステップと、透明導電膜に対し、物理エッチング用ガスと化学エッチング用ガスとの混合ガスでプラズマ処理を行なうことにより、透明導電膜に付着した異物を除去するステップと、透明導電膜上に光電変換層を形成するステップとを含むことを特徴とする。
【００１２】
物理エッチング用ガスは、窒素、アルゴン、およびヘリウムからなる群より選択される１種以上であり、化学エッチング用ガスは、水素、および酸素からなる群より選択される１種以上であることが好ましい。
【００１３】
基板は、基板がプラズマＣＶＤ成膜室に搬入される前において、たとえば工場入荷後もしくは洗浄工程後において、ＩＳＯ  １４６４４−１のクラス４よりも清浄度の劣る雰囲気を通過したものであることが好ましい。基板は、基板がプラズマＣＶＤ成膜室に搬入される前において、たとえば工場入荷後もしくは洗浄工程後において、直径１０μｍ以上の異物が存在する雰囲気を通過したものであることが好ましい。
【００１４】
透明導電膜は、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、またはＩＴＯのいずれかからなることが好ましい。
物理エッチング用ガスは、混合ガス全体に対し、１体積％以上９０体積％以下含まれていることが好ましい。物理エッチング用ガスは、窒素であり、化学エッチング用ガスは、水素であり、物理エッチング用ガスは、混合ガス全体に対し、２０体積％以上６０体積％以下含まれていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、上記の構成を有することにより、透明導電膜の表面の異物を効率的に除去するとともに、透明導電膜の表面に適度な凹凸を形成し、光電変換装置の変換効率を高め得るという優れた効果を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】各実施例および各比較例の短絡電流値を示すグラフである。
【図２】各実施例および各比較例のＲＢリーク発生箇所数を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の光電変換素子の製造方法を説明する。
＜光電変換素子＞
本発明の光電変換素子の製造方法は、透明導電膜を設けた基板をプラズマＣＶＤ成膜室に搬入するステップと、透明導電膜に対し、物理エッチング用ガスと化学エッチング用ガスとの混合ガスでプラズマ処理を行なうことにより、透明導電膜に付着した異物を除去するステップと、透明導電膜上に光電変換層を形成するステップとを含むことを特徴とする。上記化学エッチングガスと物理エッチングガスとを併用してプラズマ処理することにより、透明導電膜の表面に付着した異物を効率的に除去することができる。
【００１８】
ここで、「物理エッチング」とは、透明導電膜の表面に対して、粒子が衝突することによって、透明導電膜そのものや透明導電膜の表面に付着した異物と弾性散乱して、物理的に弾き飛ばす手法をいう。この物理エッチングは、代表的にはスパッタリングを挙げることができる。また、「化学エッチング」とは、透明導電膜の表面に、反応性イオンや中性ラジカルが結合することによって、透明導電膜そのものや透明導電膜の表面に付着した異物を揮発性化合物に化学変化させて排出する手法をいう。
【００１９】
本発明のプラズマ処理は、化学エッチング単体の処理、または物理エッチング単体の処理では予想だにできないほど透明導電膜に付着した異物を効率的に除去し得る。このような優れた異物の除去作用が得られる理由は必ずしも明らかではないが、おそらく物理エッチングと化学エッチングとが交互に透明導電膜の表面を処理することによるものと考えられる。つまり、本発明では、物理エッチングにより透明導電膜の表面に付着した異物を分子レベルに分解して叩き出し、この分解された異物が化学エッチングで揮発性化合物に変化されて排気されるというように、物理エッチングと化学エッチングとが交互に相互を補完し、透明導電膜の表面に付着した異物を効率的に除去するものと考えられる。
【００２０】
これに対し、たとえば物理エッチング単体の処理は、透明導電膜の表面に付着した異物を分子レベルに分解することはできるが、その分解された異物が完全には除去されずに一部は透明導電膜の表面に堆積してしまうため、効率的に異物を除去することができない。また、化学エッチング単体の処理は、透明導電膜の表面に付着した異物が物理的に分解されないため、異物の表面のみの化学変化が起こって処理されるだけで、異物の内部までを化学変化させて除去するのに過剰な時間が必要になる。
【００２１】
上記の混合ガスにおいて、物理エッチング用ガスは、混合ガス全体に対し、１体積％以上９０体積％以下含まれていることが好ましく、１０体積％以上８０体積％以下含まれていることがより好ましく、さらに好ましくは２０体積％以上６０体積％以下含まれていることである。物理エッチング用ガスをこのような比率に調整することにより、透明導電膜の表面に付着した異物を効率的に除去することができ、光電変換装置の変換効率を高めることができる。
【００２２】
上記の物理エッチング用ガスの濃度は、各ガスの組成に併せて最適な濃度に調整することが好ましく、たとえば物理エッチング用ガスが窒素で、化学エッチング用ガスが水素のときには、物理エッチング用ガスは、混合ガス全体に対し、２０体積％以上５５体積％以下含まれていることが好ましい。また、たとえば物理エッチング用ガスがアルゴンで、化学エッチング用ガスが水素のときには、物理エッチング用ガスは、混合ガス全体に対し、２体積％以上７０体積％以下含まれていることが好ましい。
【００２３】
（物理エッチング用ガス）
上記の物理エッチング用ガスは、窒素、アルゴン、およびヘリウムからなる群より選択される１種以上であることが好ましい。このような物理エッチング用ガスを用いて、透明導電膜の表面に付着した異物を除去することにより、光電変換装置のリーク電流を低減するとともに、異物を起点とした膜剥がれや膜ムラを防止することもできる。なお、レーザー光の照射によって透明導電膜に溝部を形成するときに混入される導電性の異物は、リーク電流を発生させて、光電変換装置の光電変換効率を低下させる。
【００２４】
上記組成で混合されたエッチング用ガスは、透明導電膜の表面を化学変化させるとともに、透明導電膜のテクスチャ構造の表面にさらに微細な起伏を生じさせることができる。つまり、上記の物理エッチング用ガスによるスパッタリングにより、透明導電膜の表面が、大きな凹凸の表面に微細な凹凸が形成された構造となる。このような形状となることにより、透明導電膜と接する光電変換層との界面での反射損失を低減し、短絡電流（Ｉｓｃ）を高めることができる。
【００２５】
上記物理エッチング用ガスは、水素に比して質量数が大きいため、透明導電膜を構成するＳｎやＯ、および異物に含まれるＣやＳｉ等の固体原子を外部に反跳しやすい。特に、質量数が大きい物理エッチング用ガスほど、透明導電膜に付着した異物を外部に多く反跳させることができる。
【００２６】
しかし、物理エッチングは異物だけでなく透明導電膜の結合も切断してしまうので、物理エッチング用ガスに用いるガスの質量数が大きいほど、透明導電膜に与えるダメージも大きくなる。つまり、基板の汚染状況（異物の大きさや数）によって、最適となる物理エッチング用ガスは異なる。使用例としては、上記３種の中で最も安価なＮ2を最初に選択し、Ｎ2では透明導電膜のダメージが大きい場合にはＮ2よりも質量の小さいＨｅへ変更し、Ｎ2では物理エッチングの効果が弱い場合にはＮ2よりも質量の大きいＡｒへ変更するということが挙げられる。
【００２７】
（化学エッチング用ガス）
また、化学エッチング用ガスは、水素、および酸素からなる群より選択される１種以上であることが好ましい。水素は、窒素によりスパッタされた残滓が、基板表面に再付着するのを防ぐ役割を果たすものと推察される。なぜなら、化学エッチング用ガスである水素の割合を減らすと、光電変換装置の短絡電流（Ｉｓｃ）が低下する傾向が見られたからである。
【００２８】
（基板）
本発明において、基板は、基板がプラズマＣＶＤ成膜室に搬入される前において、ＩＳＯ  １４６４４−１のクラス４よりも清浄度の劣る雰囲気を通過したものであることが好ましい。「基板がプラズマＣＶＤ成膜室に搬入される前」は、たとえば「工場入荷時もしくは洗浄工程完了時」であることが好ましい。ここで、「工場入荷後」とは、光電変換装置を製造する工場の外部から何らかの輸送手段によって運ばれてきた基板の状態を意味し、「洗浄工程後」とは、例えば純水によるウェット洗浄を終えた後の基板の状態を意味する。工場入荷時もしくは洗浄工程完了時においては、基板は清浄な状態に保たれている可能性があるが、その後に工場内の清浄度の劣る雰囲気を通過した場合は、透明導電膜の表面に異物が付着している可能性が高く、本発明の効果を得る上で最適と考えられる。
【００２９】
上記の基板は、基板がプラズマＣＶＤ成膜室に搬入される前において、直径１０μｍ以上の異物が存在する雰囲気を通過したものであることが好ましい。このような異物が存在する雰囲気を通過した基板は、透明導電膜に形成された溝部に異物が溜まってリーク電流を発生させる可能性が高く、本発明の効果を得る上で最適と考えられる。なお、「基板がプラズマＣＶＤ成膜室に搬入される前」については上述のとおりである。
【００３０】
（透明導電膜）
本発明において、透明導電膜は、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、またはＩＴＯのいずれかからなることが好ましい。このような組成からなる透明導電膜に対して上記エッチングが行なわれ、よって、本発明の効果が期待できる。
【実施例】
【００３１】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３２】
実施例では、以下に示す方法に従って、集積構造を有する光電変換装置を製造した。基板上の透明導電膜には、レーザースクライブ法により所定間隔で第１分離溝が形成されており、透明導電膜の上には、当該透明導電膜を覆うようにシリコン系半導体層を堆積させた。
【００３３】
本実施例では、基板側から順に、ｐ層、ｉ層、およびｎ層からなるｐｉｎ光電変換層が２つ堆積されてなるタンデム型光電変換装置を作製した。ここで、光入射側に位置するｐｉｎ光電変換層をトップ層と定義し、裏面電極側に位置するｐｉｎ光電変換層をボトム層と定義する。トップ層とボトム層とは、別々のプラズマＣＶＤ装置で作製することもできる。しかし、トップ層とボトム層とを１つのプラズマＣＶＤ装置で作製することにより、トップ層を成膜するための装置からボトム層を成膜するための装置へ基板を搬送する時間をなくすことができる。よって、一つの光電変換装置を作製するために要する時間を短縮でき、光電変換装置の生産量を増加させることができる。本実施例では、１つのプラズマＣＶＤ装置で、トップ層とボトム層とを作製した。
【００３４】
ボトム層を作製した後、レーザースクライブ法により、所定間隔でシリコン系半導体層に第２分離溝を形成した。これにより、第２分離溝は、隣り合うシリコン系半導体層同士を電気的に直列接続するためのコンタクトラインとなった。
【００３５】
シリコン系半導体層の上に、当該シリコン系半導体層を覆うように裏面電極を形成した。その後、レーザースクライブ法により、所定間隔で、シリコン系半導体層および裏面電極を連通する第３分離溝が形成された。これにより、第３分離溝のピッチで分離された光電変換層が直列に接続されたストリングが形成された。その後、レーザースクライブ法またはサンドブラスト法などにより、基板の周縁部において（基板の外縁から１０ｍｍ〜２０ｍｍの範囲において）、透明導電膜、シリコン系半導体層、および裏面電極を取り除いた。これにより、トリミング領域が形成され、光電変換装置の絶縁性能（絶縁耐圧など）の向上を図ることができた。
【００３６】
そして、裏面電極の上面の周縁に、電流取り出し用の電極を形成した。これにより、集積構造を有する光電変換装置が製造された。以下では、各工程を具体的に示す。
【００３７】
＜実施例１＞
（基板をプラズマＣＶＤ成膜室に搬入するステップ）
本実施例では、１０００ｃｍ×１４００ｃｍの基板を準備した。この基板は、工場に搬入されてから、ウェット洗浄を行なっていない状態のものであり、基板の表面にはＳｎＯ2からなる透明導電膜が形成されたものである。上記の基板を平行平板型のプラズマＣＶＤ装置に搬入した。
【００３８】
（透明導電膜に付着した異物を除去するステップ）
上記プラズマＣＶＤ装置の成膜ガス導入部から、０．１体積％のＮ2ガスと９９．９体積％のＨ2ガスとを導入し、成膜室の圧力を６００Ｐａに調整した。そして、５０ｍＷ／ｃｍ2の投入電力で、透明導電膜の表面を２０秒間プラズマ処理することにより、透明導電膜の表面に付着した異物を除去した。
【００３９】
（トップ層を形成するステップ）
上記の透明導電膜のプラズマ処理後に以下の条件で透明導電膜上にトップ層を作製した
ｐ層（非晶質炭化シリコン層）：Ｈ2、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、およびＣＨ4を使用。膜厚は５〜２０ｎｍであった
ｉ層（非晶質シリコン層）：Ｈ2、およびＳｉＨ4を使用。膜厚は２２０〜３２０ｎｍであった
ｎ層（非晶質シリコン層＋微結晶シリコン層）：Ｈ2、ＳｉＨ4、およびＰＨ3を使用。膜厚は５〜３０ｎｍであった。
【００４０】
上記条件以外の条件であってトップ層におけるｐ層、ｉ層およびｎ層の形成に共通する条件としては、成膜圧力を６００〜１０００Ｐａとし、成膜温度を１７０〜２００℃とした。プラズマ発生用電極に印加される電力については、４００Ｈｚ周期にパルス化された１１ＭＨｚ高周波で、投入電力を５０〜１８０ｍＷ／ｃｍ2とした。
【００４１】
（ボトム層を形成するステップ）
次に、以下の条件でトップ層上にボトム層を作製した
ｐ層（微結晶シリコン層）：Ｈ2、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＣＨ4、およびＮ2を使用。膜厚は５〜３０ｎｍであった
ｉ層（微結晶シリコン層）：Ｈ2、およびＳｉＨ4を使用。膜厚は１２００〜２０００ｎｍであった
ｎ層（非晶質シリコン層）：Ｈ2、ＳｉＨ4、およびＰＨ3を使用。膜厚は６０〜８０ｎｍであった。
【００４２】
上記条件以外の条件であってボトム層におけるｐ層、ｉ層およびｎ層の形成に共通する条件としては、成膜圧力を４００〜１６００Ｐａとし、成膜温度を１４０〜１７０℃とした。プラズマ発生用電極に印加される電力については、１１ＭＨｚ高周波で、投入電力を９０〜３５０ｍＷ／ｃｍ2とした。
【００４３】
（裏面電極を形成するステップ）
トップ層およびボトム層を製造する装置とは別の製造装置において、ＺｎＯ層、およびＡｇ層をスパッタリング法により作製した。ＺｎＯ層の膜厚を４０〜１００ｎｍとし、Ａｇ層の膜厚を５０〜２００ｎｍとした。
【００４４】
（集積化）
以上のようにして、透明導電膜上に、２つのｐｉｎ光電変換層からなるタンデム型光電変換装置を作製した後、上述したレーザースクライブ法にて集積構造を作製した。透明導電膜の形成された基板寸法１０００ｍｍ×１４００ｍｍに対して、基板の周縁部のトリミング領域を基板の外縁から１２ｍｍとした。集積段数（分離溝で電気的に分離された光電変換層の直列接続数）を１８０段とした。
【００４５】
＜実施例２〜１４、比較例１〜２＞
実施例１に対し、透明導電膜に付着した異物を除去するステップにおける混合ガスのＮ2濃度とＨ2濃度との混合比を表１に示すように変更したことが異なる他は、実施例１と同様にして、実施例２〜１４および比較例１〜２の光電変換装置を作製した。なお、比較例１では、窒素ガス単体で透明導電膜に付着した異物を除去し、比較例２では、水素ガス単体で透明導電膜に付着した異物を除去した。
【００４６】
【表１】
2013175545.tif 000002
【００４７】
＜実施例１５〜１９＞
実施例１のプラズマ処理において、混合ガスのＮ2ガスをＡｒガスに代えて、表２に示す混合比として、透明導電膜に付着した異物を除去したことが異なる他は、実施例１と同様にして、実施例１５〜１９の光電変換装置を作製した。
【００４８】
【表２】
2013175545.tif 000003
【００４９】
＜評価＞
各実施例および各比較例の光電変換装置に対し、２５℃下で１ｋＷ／ｍ2の強度の光（ＡＭ１．５ソーラーシミュレータ）を照射することにより、最大出力Ｐｍａｘ（Ｗ）および短絡電流値Ｉｓｃ（Ａ）を測定した。その結果は、表１および表２の「Ｉｓｃ」の欄に示すとおりで、図１にそのグラフを示す。図１は、各実施例および各比較例の短絡電流値を示すグラフである。なお、短絡電流値Ｉｓｃの値が大きいほど、光電変換装置から取り出せる最大の電流値が高いことを意味する。Ｉｓｃの値は、０．８６Ａ以上であることが好ましい。また、Ｐｍａｘの値が高いほど、光電変換装置の最大電力が高いことを意味する。
【００５０】
さらに、各実施例および各比較例の光電変換装置に対し、ＲＢ処理を行なうことにより、リーク発生箇所数を算出した。ＲＢ処理は、ｐｉｎ接合の逆方向に５〜８Ｖの電圧を印加することにより、膜剥がれやピンホールに起因するセルリーク箇所の修復する処理である。比較例２の光電変換装置におけるリーク発生箇所数を１００とし、比較例２のリーク発生箇所数に対する、各実施例および比較例１のリーク発生箇所数を算出した。このようにして算出したリーク発生箇所数の割合を表１および表２の「ＲＢ」の欄に示すとおりで、図２にそのグラフを示す。図２は、各実施例および各比較例のＲＢリーク発生箇所数を示すグラフである。なお、ＲＢの値が小さいほど、リーク発生箇所数が少なく、リーク発生原因となる異物が少ないことを意味する。ＲＢの値は、３０以下であることが好ましい。
【００５１】
＜評価結果の考察＞
実施例１〜１４と比較例１〜２との対比から、水素単体で透明導電膜をプラズマ処理する場合、窒素単体で透明導電膜をプラズマ処理する場合よりも、水素と窒素との混合ガスによって透明導電膜をプラズマ処理する場合の方が、短絡電流が高く、かつＲＢリークの発生数が少ないことがわかる。
【００５２】
また、図１および図２のグラフから、透明導電膜の表面をプラズマ処理する場合、混合ガス全体に対する窒素ガスの割合が１％以上９０％以下が好適で、特に、混合ガス全体に対する窒素の割合が２０％以上６０％以下のとき、異物の除去を効率的に行なうことができ、窒素の割合が４０％のときに最高の効率で異物の除去を行ない得ることが明らかとなった。
【００５３】
実施例１５〜１９の結果から、透明導電膜の表面をプラズマ処理する場合、混合ガス全体に対するアルゴンの割合が２％以上７０％以下が好適であり、特に、混合ガス全体に対するアルゴンの１０％以上５０％以下のときに、異物の除去を効率的に行ない得ることが明らかとなった。
【００５４】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
【００５５】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図１】
2013175545.tif 000004
【図２】
2013175545.tif 000005