(57)【要約】【課題】トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量１３２の容量サイズが十分でなくても、当該トランジスター１２１の特性を十分に補償する。【解決手段】データ線１４には、保持容量７０が付加されて、初期化期間において階調レベルに応じた電圧を保持する。補償期間において、トランジスター１２３をオンさせた状態でトランジスター１２２をオンさせる。これにより、トランジスター１２１には、当該トランジスター１２１の駆動能力に応じた電流が流れて、保持容量７０によって保持されていた電圧が当該駆動能力に応じて負帰還制御される。【選択図】図７
2013083825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、複数のデータ線と、
前記複数のデータ線の各々の電位をそれぞれ保持する第１保持容量と、
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた画素回路と、
前記画素回路を駆動する駆動回路と、
を有し、
前記画素回路は、
ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給する第１トランジスターと、
前記第１トランジスターにより供給された電流に応じた輝度で発光する発光素子と、
前記第１トランジスターのゲート・ソース間の電圧を保持する第２保持容量と、
前記データ線と前記第１トランジスターのゲートとの間でオンまたはオフする第２トランジスターと、
前記第１トランジスターのゲート・ドレインの間でオンまたはオフする第３トランジスターと、
を含み、
前記駆動回路は、
第１期間に、前記第２トランジスターをオフさせた状態で、前記データ線に階調レベルに応じた電位のデータ信号を供給し、
前記第１期間に続く第２期間に、前記第２トランジスターおよび第３トランジスターをオンさせ、
前記第２期間の後の第３期間では、前記第２トランジスターおよび前記第３トランジスターをオフさせる
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素回路は、
一端が前記第１トランジスターのゲートに接続された第３保持容量を含み、
前記制御回路は、
前記第２トランジスターおよび前記第３トランジスターをオフさせた状態で、前記第３保持容量の他端の電位を、前記第２保持容量に保持された電圧を減少させる方向に変化させる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
一端が前記データ線に接続された第４保持容量を有し、
前記制御回路は、
前記第２トランジスターをオンさせた状態であって、前記第３トランジスターをオフさせた状態で、前記第４保持容量の他端の電位を、前記第２保持容量に保持された電圧を減少させる方向に変化させる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記データ線には、第１データ線と第２データ線とがあり、
前記駆動回路は、前記複数の走査線を所定の順番で選択し、
前記複数の走査線のうち一の走査線に対応する画素回路は、前記第１データ線に対応し、前記一の走査線の次に選択される走査線に対応する画素回路は、前記第２データ線に対応し、
前記一の走査線に対応する画素回路において、前記第２期間の動作が進行しているときに、前記一の走査線の次に選択される走査線に対応する画素回路において、前記第１期間の動作が進行している
ことを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１データ線と前記第２データ線との間に、所定の電位に維持された給電線が配設された
ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記駆動回路は、
前記第１期間に、前記第３トランジスターをオンさせ、その後、オフさせる
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記駆動回路は、
前記第３期間の前に前記第２トランジスターをオフさせるタイミングを、時間的に前後に移動可能とする
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記画素回路は、
前記第１トランジスターと前記発光素子との間でオンまたはオフする第４トランジスターを有し、
前記制御回路は、
前記第３期間において前記第４トランジスターをオンさせる
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項９】
複数の走査線と、複数のデータ線と、
前記複数のデータ線の各々の電位をそれぞれ保持する第１保持容量と、
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた画素回路と、
を有し、
前記画素回路は、
ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給する第１トランジスターと、
前記第１トランジスターにより供給された電流に応じた輝度で発光する発光素子と、
前記第１トランジスターのゲート・ソース間の電圧を保持する第２保持容量と、
前記データ線と前記第１トランジスターのゲートとの間でオンまたはオフする第２トランジスターと、
前記第１トランジスターのゲート・ドレインの間でオンまたはオフする第３トランジスターと、
を含む電気光学装置の駆動方法であって、
第１期間に、前記第２トランジスターをオフさせた状態で、前記データ線に階調レベルに応じた電位のデータ信号を供給し、
前記第１期間に続く第２期間に、前記第２トランジスターおよび第３トランジスターをオンさせ、
前記第２期間の後の第３期間では、前記第２トランジスターおよび前記第３トランジスターをオフさせる
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれかに記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば画素回路が微細化されたときに有効な電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ」という）素子などの発光素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。この電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して、上記発光素子や、保持容量、トランジスターなどを含む画素回路が表示すべき画素に対応して形成される構成が一般的である。このような構成において、表示すべき画像の画素の階調レベルに電圧をトランジスターのゲート・ソース間に印加させるとともに保持容量によって保持させる。これにより、当該トランジスターは、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を発光素子に供給するので、当該発光素子は、階調レベルに応じた輝度で発光することになる。
このような回路構成において、トランジスターの特性が画素回路毎に相違していると、表示画面の一様性を損なうような表示ムラが発生する。このため、トランジスターの特性を補償する技術が各種提案されている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２１５２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、表示サイズの小型化や表示の高精細化に伴って、画素回路が微細化されると、保持容量の容量サイズが小さくなって、トランジスターの特性を十分に補償することができなくなる、という問題が生じた。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、トランジスターのゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量の容量サイズが小さくても、当該トランジスターの特性を十分に補償することが可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置にあっては、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数のデータ線の各々の電位をそれぞれ保持する第１保持容量と、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた画素回路と、前記画素回路を駆動する駆動回路と、を有し、前記画素回路は、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給する第１トランジスターと、前記第１トランジスターにより供給された電流に応じた輝度で発光する発光素子と、前記第１トランジスターのゲート・ソース間の電圧を保持する第２保持容量と、前記データ線と前記第１トランジスターのゲートとの間でオンまたはオフする第２トランジスターと、前記第１トランジスターのゲート・ドレインの間でオンまたはオフする第３トランジスターと、を含み、前記駆動回路は、第１期間に、前記第２トランジスターをオフさせた状態で、前記データ線に階調レベルに応じた電位のデータ信号を供給し、前記第１期間に続く第２期間に、前記第２トランジスターおよび第３トランジスターをオンさせ、前記第２期間の後の第３期間では、前記第２トランジスターおよび前記第３トランジスターをオフさせることを特徴とする。本発明によれば、第１期間に、データ線に付加された第１保持容量は、階調レベルに応じた電圧を保持する。第２期間において、第１トランジスターは、第３トランジスターによってダイオード接続される。このダイオード接続によって流れる電流によって、第１保持容量に保持された電圧が第１トランジスターの駆動能力に応じて負帰還制御される。このため、画素回路において第１トランジスターのゲート・ソース間の電圧を保持する第２保持容量の容量サイズが小さくても、第１トランジスターの特性を十分に補償することができる。
【０００６】
ところで、このままでは第２期間においてダイオード接続された第１トランジスターのゲート・ソース間の電圧を、閾値電圧近傍にさせることが困難になり、低階調側（黒側）の表現が低下する可能性がある。そこで、本発明において、前記画素回路は、一端が前記第１トランジスターのゲートに接続された第３保持容量を含み、前記制御回路は、前記第２トランジスターおよび前記第３トランジスターをオフさせた状態で、前記第３保持容量の他端の電位を、前記第２保持容量に保持された電圧を減少させる方向に変化させる構成が好ましい。この構成によれば、画素回路に設けられた第３保持容量を介して、第１トランジスターのゲートの電位がオフセットされるので、第３期間の開始時には、第１トランジスターのゲート・ソース間の電圧を、閾値電圧近傍にさせることが容易になり、低階調側の表現を改善することができる。
【０００７】
また、低階調側の表現を改善するために、本発明において、一端が前記データ線に接続された第４保持容量を有し、前記制御回路は、前記第２トランジスターをオンさせた状態であって、前記第３トランジスターをオフさせた状態で、前記第４保持容量の他端の電位を、前記第２保持容量に保持された電圧を減少させる方向に変化させる構成としても良い。この構成によれば、画素回路外にあって、データ線に接続された第４保持容量を介して、第１トランジスターのゲートの電位がオフセットされるので、第３期間の開始時には、第１トランジスターのゲート・ソース間の電圧を、閾値電圧近傍にさせることが容易になる。
【０００８】
いずれの構成においても、前記データ線には、第１データ線と第２データ線とがあり、前記駆動回路は、前記複数の走査線を所定の順番で選択し、前記複数の走査線のうち一の走査線に対応する画素回路は、前記第１データ線に対応し、前記一の走査線の次に選択される走査線に対応する画素回路は、前記第２データ線に対応し、前記一の走査線に対応する画素回路において、前記第２期間の動作が進行しているときに、前記一の走査線の次に選択される走査線に対応する画素回路において、前記第１期間の動作が進行していることが好ましい。これにより、垂直周波数が同じでも、第１期間および第２期間として倍の時間を確保することができる。
【０００９】
ここで、前記第１データ線と前記第２データ線との間に、所定の電位に維持された給電線が配設された態様が好ましい。この態様によれば、第１データ線と第２データ線との容量結合によって一方の電位変動が他方の電位に影響を与えてしまうことを防止することができる。
本発明において、前記駆動回路は、前記第１期間に、前記第３トランジスターをオンさせ、その後、オフさせる構成が好ましい。この構成によれば、第３トランジスターのオンによって、それまで第２保持容量に保持されていた電圧が初期化されるので、第２期間における負帰還制御に及ぼす影響を抑えることができる。
また、本発明において、前記第３期間の前に前記第３トランジスターをオフさせるタイミングを、時間的に前後に移動可能とする構成としても良い。第１期間に第１保持容量に保持された電圧、すなわち階調レベルに応じた電圧は、負帰還制御により、第１トランジスターの駆動能力に応じて変更されるが、この負帰還制御の終期は、第２期間以降、第３トランジスターがオフするときである。したがって、前記第３トランジスターをオフさせるタイミングを時間的に前または後に移動させると、負帰還制御期間が一律に短く、または、長くなる。このため、第１トランジスターのゲート・ソース間の電圧に反映されて、発光素子に供給する電流、すなわち、発光素子の輝度を調整することが可能になる。
本発明において、前記画素回路は、前記第１トランジスターと前記発光素子との間でオンまたはオフする第４トランジスターを有し、前記制御回路は、前記第３期間において前記第４トランジスターをオンさせる構成としても良い。
【００１０】
なお、本発明は、電気光学装置のほか、電気光学装置の駆動方法や、当該電気光学装置を有する電子機器として概念することも可能である。電子機器は、典型的には、ヘッドマウント・ディスプレイや電子ビューファイダーのなどの表示装置が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の表示システムの全体構成を示すブロック図である。
【図２】第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図３】電気光学装置における画素回路を示す図である。
【図４】電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図５】電気光学装置の動作説明図である。
【図６】電気光学装置の動作説明図である。
【図７】電気光学装置の動作説明図である。
【図８】電気光学装置の動作説明図である。
【図９】第１実施形態の応用例に係る電気光学装置を示す図である。
【図１０】応用例の動作を示すタイミングチャートである。
【図１１】第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１２】電気光学装置における画素回路を示す図である。
【図１３】電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図１４】電気光学装置の動作説明図である。
【図１５】電気光学装置の動作説明図である。
【図１６】電気光学装置の動作説明図である。
【図１７】電気光学装置の動作説明図である。
【図１８】第２実施形態の応用例に係る電気光学装置を示す図である。
【図１９】応用例に係る電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図２０】実施形態等に係る電気光学装置を用いたＨＭＤを示す斜視図である。
【図２１】ＨＭＤの光学構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
＜第１実施形態＞
図１は、表示システム１の全体構成を示すブロック図である。この表示システム１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１０のほか、制御回路２、温度センサー３および光センサー４を含む構成となっている。
電気光学装置１０は、複数の画素回路や当該画素回路を駆動する駆動回路などが例えばシリコン基板に形成された有機ＥＬ装置であって、画素回路には、発光素子の一例であるＯＬＥＤが用いられている。
温度センサー３は、電気光学装置１０の周辺環境における温度を検出して、その温度情報を制御回路２に供給する。光センサー４は、周辺環境における輝度を検出して、その輝度情報を制御回路２に供給する。
制御回路２には、表示すべき画像を示す画像信号Ｖidが信号Ｓyncに同期して供給される。制御回路２は、電気光学装置１０における駆動回路を制御するために、信号Ｓyncにしたがって各種の制御信号を電気光学装置１０に供給するとともに、画像信号Ｖidを、電気光学装置１０の制御に合わせてデータ信号Ｖd(1)〜Ｖd(n)に変換して出力する。
なお、制御回路２は、検出された環境温度や環境輝度による設定情報に応じて、後述するように電気光学装置１０における輝度を調整する場合がある。
【００１４】
図２は、第１実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示す図である。この図に示されるように、電気光学装置１０は、走査線駆動回路２０と、デマルチプレクサ３０と、表示部１００とに大別される。
このうち、表示部１００には、表示すべき画像の画素に対応した画素回路１１０がマトリクス状に配列されている。詳細には、表示部１００において、ｍ行の走査線１２が図において横方向に延在して設けられ、また、３列毎にグループ化された（３ｎ）列のデータ線１４が図において縦方向に延在し、かつ、各走査線１２と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。そして、ｍ行の走査線１２と（３ｎ）列のデータ線１４との交差部に対応して、画素回路１１０が設けられている。このため、本実施形態において画素回路１１０は、縦ｍ行×横（３ｎ）列でマトリクス状に配列している。
【００１５】
ｍ、ｎは、いずれも自然数である。走査線１２および画素回路１１０のマトリクスのうち、行（ロウ）を区別するために、図において上から順に１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行と呼ぶ場合がある。同様にデータ線１４および画素回路１１０のマトリクスの列（カラム）を区別するために、図において左から順に１、２、３、…、（３ｎ−１）、（３ｎ）列と呼ぶ場合がある。
また、データ線１４のグループを一般化して説明するために、１以上ｎ以下の整数ｊを用いると、図１において左から数えてｊ番目のグループには、（３ｊ−２）列目、（３ｊ−１）列目および（３ｊ）列目のデータ線１４が属している、ということになる。
なお、同一行の走査線１２と同一グループに属する３列のデータ線１４との交差に対応した３つの画素回路１１０は、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画素に対応して、これらの３画素が表示すべきカラー画像の１ドットを表現する。すなわち、本実施形態では、ＲＧＢに対応したＯＬＥＤの発光によって１ドットのカラーを加法混色で表現する構成となっている。
【００１６】
電気光学装置１０には、次のような制御信号が制御回路２から供給される。詳細には、制御回路２から、走査線駆動回路２０を制御するための制御信号Ｃtryと、デマルチプレクサ３０での選択を制御するための正論理の制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)と、これらの相補的な関係にある負論理の制御信号／Ｓel(1)、／Ｓel(2)、／Ｓel(3)とが供給される。なお、制御信号Ｃtryには、実際にはパルス信号や、クロック信号、イネーブル信号など、複数の信号が含まれる。
また、制御回路２から、デマルチプレクサ３０での選択タイミングに合わせてデータ信号Ｖd(1)、Ｖd(2)、…、Ｖd(n)が１、２、…、ｎ番目のグループに対応して供給される。
なお、データ信号Ｖd(1)〜Ｖd(n)が取り得る電位の最高値Ｖdata(max)は、階調レベルが最低である黒レベルに相当し、最低値Ｖdata(min)は、階調レベルが最高である白レベルに相当する。
【００１７】
走査線駆動回路２０は、フレームの期間にわたって走査線１２を１行毎に順番に走査するための走査信号を、制御回路２から供給される制御信号Ｃtryにしたがって生成するものである。ここで、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の走査線１２に供給される走査信号を、それぞれＧwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(m-1)、Ｇwr(m)と表記している。
なお、走査線駆動回路２０は、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)のほかにも、当該走査信号に同期した各種の制御信号を生成して表示部１００に供給するが、図２においては図示を省略している。また、フレームの期間とは、電気光学装置１０が１カット（コマ）分の画像を表示するのに要する期間をいい、信号Ｓyncで規定される垂直走査周波数が１２０Ｈｚであれば、その１周期分の８．３秒の期間である。
【００１８】
デマルチプレクサ３０は、データ線１４毎に設けられたトランスミッションゲート３４の集合体であり、各グループを構成する３列のデータ線１４に対し、データ信号を順番に供給するものである。
ここで、ｊ番目のグループに属する（３ｊ−２）、（３ｊ−１）、（３ｊ）列目のデータ線１４に対応したトランスミッションゲート３４の入力端には、それぞれデータ信号Ｖd(j)が共通に供給され、各出力端は、それぞれ対応するデータ線１４の一端に接続されている。
また、ｊ番目のグループにおいて左端列である（３ｊ−２）列目のデータ線１４に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(1)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(1)がＬレベルであるとき）にオン（導通）して、データ信号Ｖd(j)を当該左端列のデータ線１４に供給する。同様に、ｊ番目のグループにおいて中央列である（３ｊ−１）列目のデータ線１４に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(2)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(2)がＬレベルであるとき）にオンし、データ信号Ｖd(j)を当該中央列のデータ線１４に供給する。ｊ番目のグループにおいて右端列である（３ｊ）列目のデータ線１４に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(3)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(3)がＬレベルであるとき）にオンし、データ信号Ｖd(j)を当該右端列のデータ線１４に供給する。
【００１９】
第１保持容量としての保持容量７０は、データ線１４毎に設けられている。詳細には、保持容量７０の一端はデータ線１４に接続され、他端は、各列の保持容量７０にわたって共通の例えば電位Ｖssに接地されている。なお、電位Ｖssは、論理信号である走査信号や制御信号のＬレベルに相当する。
また、本実施形態では、便宜的に走査線駆動回路２０およびデマルチプレクサ３０に分けているが、これらについては、まとめて、画素回路１１０を駆動する駆動回路として概念することが可能である。
【００２０】
図３を参照して画素回路１１０について説明する。各画素回路１１０については電気的にみれば互いに同一構成なので、ここでは、ｉ行目であって、ｊ番目のグループのうち左端列である（３ｊ−２）列に位置するもので代表して説明する。
なお、ｉは、画素回路１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｍ以下の整数である。
【００２１】
図３に示されるように、画素回路１１０は、Ｐチャネル型のトランジスター１２１〜１２５と、ＯＬＥＤ１３０と、保持容量１３２、１３３とを含む。また、ｉ行目の画素回路１１０には、走査信号Ｇwr(i)のほか、制御信号Ｇcmp(i)、Ｇel(i)、Ｇorst(i)、Ｖrf(i)が、走査線駆動回路２０によって共通に供給される。
【００２２】
ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０におけるトランジスター１２２にあっては、ゲートノードがｉ行目の走査線１２に接続され、ドレインまたはソースノードの一方が（３ｊ−２）列目のデータ線１４に接続され、他方がトランジスター１２１におけるゲートノードｇと、保持容量１３２の一端と、保持容量１３３の一端と、トランジスター１２３のドレインノードとにそれぞれ接続されている。
トランジスター１２１にあっては、ソースノードが給電線１１６に接続され、ドレインノードがトランジスター１２３のソースノードと、トランジスター１２４のソースノードとにそれぞれ接続されている。ここで、給電線１１６には、画素回路１１０において電源の高位側となる電位Ｖelが給電される。
トランジスター１２３にあって、ゲートノードにはｉ行目に対応した制御信号Ｇcmp(i)が供給される。
トランジスター１２４にあって、ゲートノードにはｉ行目に対応した制御信号Ｇel(i)が供給され、ドレインノードがトランジスター１２５のソースノードとＯＬＥＤ１３０のアノードとにそれぞれ接続されている。
トランジスター１２５にあって、ゲートノードにはｉ行目に対応した制御信号Ｇorst(i)が供給され、ドレインノードは電位Ｖorstに保たれている。
【００２３】
ここで、トランジスター１２１が第１トランジスターに相当し、トランジスター１２２が第２トランジスターに相当し、トランジスター１２３が第３トランジスターに相当し、トランジスター１２４が第４トランジスターに相当する。
また、保持容量１３２が第２保持容量に相当し、保持容量１３３が第３保持容量に相当する。ここで、保持容量７０、１３２、１３３の容量サイズをそれぞれＣ1、Ｃ2、Ｃ3としたとき、保持容量７０、１３２、１３３の容量サイズは、本実施形態では、次のような関係にある。
Ｃ1＞＞Ｃ2＞Ｃ3
すなわち、データ線１４に付加された保持容量７０の容量サイズは、画素回路１１０に設けられた保持容量１３２、１３３の容量サイズと比較すれば十分に大きい。
【００２４】
なお、保持容量１３２の他端は、給電線１１６に接続される。
保持容量１３３の他端は、制御信号Ｖrf(i)が供給される信号線１１７に接続される。この制御信号Ｖrf(i)は、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)のような論理信号ではなく、高位側の電位がＶrf_Hであり、低位側の電位がＶrf_Lで規定される。
また、本実施形態において電気光学装置１０はシリコン基板に形成されるので、トランジスター１２１〜１２５の基板電位を電位Ｖelとしている。
【００２５】
ＯＬＥＤ１３０のカソードは、画素回路１１０のすべてにわたって共通である共通電極１１８であり、画素回路１１０において電源の低位側となる電位Ｖctに保たれている。ＯＬＥＤ１３０のアノードは、画素回路１１０毎に個別に設けられる画素電極である。ＯＬＥＤ１３０は、上記シリコン基板において、アノードと光透過性を有するカソードとで白色有機ＥＬ層を挟持した素子である。そして、ＯＬＥＤ１３０には、出射側（カソード側）にＲＧＢのいずれかに対応したカラーフィルターが重ねられる。
このようなＯＬＥＤ１３０において、アノードからカソードに電流が流れると、カソードから注入された電子とアノードから注入された正孔とが有機ＥＬ層で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。このときに発生した白色光は、シリコン基板（アノード）とは反対側のカソードを透過し、カラーフィルターによる着色を経て、観察者側に視認される構成となっている。
【００２６】
図４を参照して電気光学装置１０の動作について説明する。なお、図４は、電気光学装置１０における各部の動作を説明するためのタイミングチャートであるが、電圧振幅を示す縦スケールは、説明便宜のために必ずしも一致していない。
この図に示されるように、走査線駆動回路２０が走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)の電位を順番に切り替えることによって、１フレームの期間において１〜ｍ行目の走査線１２が１水平走査期間（Ｈ）毎に順番に走査される。
１水平走査期間（Ｈ）での動作は、各行の画素回路１１０にわたって共通である。そこで以下については、ｉ行目が水平走査される走査期間において、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０について着目して動作を説明する。
【００２７】
本実施形態において、ｉ行目の走査期間は、大別すると、図４に示されるように初期化期間および補償期間に分けられる。そして、補償期間の後、間をおいて発光期間となり、１フレームの期間経過後に再びｉ行目の走査期間に至る。このため、時間の順でいえば、（発光期間）→初期化期間→補償期間→（発光期間）というサイクルの繰り返しとなる。
なお、図４においては、ｉ行目の走査期間に着目しているので、ｉ行目の制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)、Ｖrf(i)について図示しているが、ｉ行目以外の制御信号についても、対応する行の走査信号を基準とした波形となる。
【００２８】
＜発光期間＞
説明の便宜上、初期化期間の前提となる発光期間から説明する。図４に示されるように、ｉ行目の発光期間では、走査信号Ｇwr(i)がＨレベルである。また、論理信号である制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)のうち、制御信号Ｇel(i)のみがＬレベルであり、他はＨレベルである。
このため、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、図５に示されるように、トランジスター１２４がオンする一方、トランジスター１２２、１２３、１２５がオフしている。したがって、トランジスター１２１は、ゲート・ソース間の電圧Ｖgs、すなわち保持容量１３２で保持された電圧に応じた電流ＩdsをＯＬＥＤ１３０に供給する。後述するように発光期間における電圧Ｖgsは、階調レベルに応じた電圧を、トランジスター１２１の駆動能力に応じて負帰還制御した電圧である。このため、ＯＬＥＤ１３０には、階調レベルに応じた電流が、トランジスター１２１における駆動能力を相殺した状態で流れて発光することになる。
なお、ｉ行目の発光期間においては、ｉ行目以外の水平走査によって、走査される行に対応したデータ信号が供給されるので、データ線１４の電位は適宜変動する。ただし、ｉ行目の画素回路１１０においては、トランジスター１２２がオフしているので、データ線１４の電位変動を考慮する必要はない。
また、図５においては、動作説明で重要となる経路を太線で示している（以下、図６〜図８、図１４〜図１７においても同様である）。
【００２９】
＜初期化期間＞
次に、ｉ行目の初期化期間（第１期間）に至ると、発光期間と比較して、制御信号Ｇel(i)がＨレベルに、制御信号Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)がＬレベルに、それぞれ転じるとともに、制御信号Ｖrf(i)が電位Ｖrf_Lとなる。
このため、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、図６に示されるように、トランジスター１２３、１２５がオンする一方、トランジスター１２４がオフする。
【００３０】
第１に、トランジスター１２３のオンによってトランジスター１２１は、ダイオード接続状態になる。これにより、トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧Ｖgsが当該トランジスター１２１の閾値電圧Ｖthに収束するので、保持容量１３２による保持電圧は、発光期間における電圧状態からリセットされる。また、保持容量１３３の保持電圧についても、同様に、発光期間における電圧状態からリセットされる。したがって、次の補償期間において、ゲートノードｇがデータ線１４に接続された際に、保持容量１３２、１３３の保持電圧の影響を受けないようになっている。
【００３１】
第２に、トランジスター１２４のオフによってＯＬＥＤ１３０に流れる電流経路が遮断されるとともに、トランジスター１２５のオンによってＯＬＥＤ１３０のアノードが電位Ｖorstにリセットされる。
ＯＬＥＤ１３０は、上述したようにアノードとカソードとで有機ＥＬ層を挟持した構成であるので、アノード・カソードの間には並列に容量が寄生する。発光期間においてＯＬＥＤ１３０に電流が流れていたときに、当該ＯＬＥＤ１３０のアノード・カソード間の両端電圧が寄生容量によって保持されるが、当該寄生容量の保持電圧は、トランジスター１２５のオンによってリセットされる。このため、本実施形態では、後の発光期間においてＯＬＥＤ１３０に再び電流が流れるときに、寄生容量で保持された電圧の影響を受けにくくなる。
詳細には、例えば高輝度の表示状態から低輝度の表示状態に転じるときに、リセットしない構成であると、輝度が高い（大電流が流れた）ときの高電圧が保持されてしまうので、次に、小電流を流そうとしても、過剰な電流が流れてしまって、低輝度の表示状態にさせることができなくなる。これに対して、本実施形態では、トランジスター１２５のオンによってＯＬＥＤ１３０のアノードの電位がリセットされるので、低輝度側の再現性が高められることになる。
なお、本実施形態において、電位Ｖorstについては、当該電位Ｖorstと共通電極１１８の電位Ｖctとの差がＯＬＥＤ１３０の発光閾値電圧を下回るように設定される。このため、初期化期間（および、次に説明する補償期間）において、ＯＬＥＤ１３０はオフ（非発光）状態である。
【００３２】
第３に、ｉ行目の初期化期間では、データ信号Ｖd(1)〜Ｖd(n)として、ｉ行目であって各グループに属する３列のうち、左端列、中央列、右端列の画素の階調レベルに対応した電位のデータ信号が順番に供給される。例えば制御回路２は、ｊ番目のグループでいえば、図４に示されるようにデータ信号Ｖd(j)を、ｉ行（３ｊ−２）列の画素、ｉ行（３ｊ−１）列の画素、ｉ行（３ｊ）列の画素、の階調レベルに応じた電位に順番に切り替えて出力する。
また、制御回路２は、データ信号の出力に合わせて、制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)を排他的にＨレベルとする。なお、図４では省略しているが、制御回路２は、制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)の各論理レベルをそれぞれ反転させた制御信号／Ｓel(1)、／Ｓel(2)、／Ｓel(3)も出力している。
これによって、デマルチプレクサ３０では、各グループにおいてトランスミッションゲート３４が左端列、中央列、右端列の順番でオンして、各グループに属する３列のうち、左端列、中央列、右端列の画素のデータ信号がそれぞれに対応するデータ線１４に順番に供給される。したがって、データ線１４に付加された保持容量７０の各々は、ｉ行目であって、対応する列の画素の階調レベルに応じた電圧に充電されることになる。（３ｊ−２）列目のデータ線１４でいえば、ｉ行（３ｊ−２）列の画素の階調レベルに応じた電圧に充電される。
なお、制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)がＨレベルからＬレベルになると、各列のトランスミッションゲート３４がそれぞれオフになる。このため、各列のデータ線１４は、初期化期間においては、それぞれ電気的にどの部分にも接続されないフローティング状態になるが、供給されたデータ信号は保持容量７０によって保持される。
【００３３】
なお、次の補償期間に至る前に、制御信号Ｇcmp(i)が一旦Ｈレベルになるので、トランジスター１２１のダイオード接続が一旦解除される。
【００３４】
＜補償期間＞
次に、ｉ行目の補償期間（第２期間）に至ると、走査信号Ｇwr(i)がＬレベルに、制御信号Ｇorst(i)がＨレベルに、それぞれ変化する。このため、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、図７に示されるように、トランジスター１２２がオンする一方、トランジスター１２５がオフする。
【００３５】
トランジスター１２２のオンによって、トランジスター１２１のゲートノードｇは、データ線１４に接続された状態になる。また、ｉ行目の補償期間では、制御信号Ｇcmp(i)が再びＬレベルになるので、トランジスター１２１はダイオード接続状態になる。
このため、電流が、給電線１１６→トランジスター１２１→トランジスター１２３→トランジスター１２２→（３ｊ−２）列目のデータ線１４という経路で流れて、当該データ線１４に付加された保持容量７０を充電する。
【００３６】
このときに流れる電流は、トランジスター１２１の駆動能力（移動度、閾値電圧）に応じて異なるので、データ線１４（ゲートノードｇ）の電位上昇スピードに次のような変化をもたらす。すなわち、このときに流れる電流は、トランジスター１２１の駆動能力が高いほど多くなるので、データ線１４（ゲートノードｇ）の電位上昇スピードが速くなる一方、トランジスター１２１の駆動能力が低いほど少なくなるので、データ線１４の電位上昇スピードが遅くなる。
【００３７】
当該データ線１４を当該電流によって充電する直前の電位は、ｉ行（３ｊ−２）列の画素の階調レベルに応じた電位である。このため、トランジスター１２３がオフして補償期間が終了した時点における当該データ線１４の電位は、階調レベルに応じた電位を、トランジスター１２１の駆動能力に応じて変更したものとなる。これを、トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧Ｖgsでみてみると、次のような負帰還制御が働くことになる。すなわち、トランジスター１２１の駆動能力が高ければ、当該データ線１４は、階調レベルに応じた電位からの上昇スピードが速くなり、補償期間の終了時点における電圧Ｖgsが低くなる結果、駆動能力が高いトランジスター１２１に対しては、電流が少なく流れる方向に制御が働く。反対に、トランジスター１２１の駆動能力が低ければ、当該データ線１４では、階調レベルに応じた電位からの上昇スピードが遅くなり、補償期間の終了時点における電圧Ｖgsが高くなる結果、駆動能力が低いトランジスター１２１に対しては、電流が多く流れる方向に制御が働く。
【００３８】
やがて制御信号Ｇcmp(i)がＨレベルになる。制御信号Ｇcmp(i)がＨレベルになると、トランジスター１２３がオフになり、トランジスター１２１のダイオード接続が解除されるので、ｉ行目の補償期間が終了することになる。この後、走査信号Ｇwr(i)がＨレベルになると、トランジスター１２２がオフするので、ゲートノードｇはデータ線１４から電気的に切り離される。このとき、トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧Ｖgsは、保持容量１３２に保持される。
【００３９】
＜オフセット＞
ｉ行目の補償期間が終了した後に発光期間に至る。第１実施形態においては、ｉ行目の発光期間の開始時に、ｉ行目の信号線１１７に供給される制御信号Ｖrf(i)が、すなわち保持容量１３３の他端が、低位側の電位Ｖrf_Lから高位側の電位Ｖrf_Hに上昇する。一方、保持容量１３２の他端は電位Ｖelに固定されている。
このため、図８に示されるように、保持容量１３２、１３３の一端同士の接続点であるゲートノードｇの電位は、保持容量１３３の他端における電位変動分（Ｖrf_H−Ｖrf_L）を保持容量１３２、１３３の容量比に応じた分だけ上昇する方向にオフセットされる。トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧Ｖgsでみれば、当該電圧Ｖgsは、ゲートノードｇの電位上昇分だけ減少する。
【００４０】
このように本実施形態において、ゲートノードｇの電位をオフセットする理由は、次の通りである。
詳細には、発光期間において、階調レベルが最低の黒レベルであるときに相当する電圧Ｖgsは閾値電圧のＶthであり、以下、電圧Ｖgsは、階調レベルが高くなるにつれて（白レベルに近づくにつれて）、閾値電圧Ｖthから高くなる。
一方、本実施形態では、補償期間において、ダイオード接続したトランジスター１２１によって電流を流し、ゲートノードｇ（データ線１４）の電位を上昇させて、保持容量１３２に保持される電圧Ｖgsを低くしている。しかしながら、電圧Ｖgsが閾値電圧Ｖthに近づくにつれて、トランジスター１２１においてソースからドレインに向かって電流が流れにくくなる。
したがって、オフセットしない構成では発光期間に至るまでに、電圧Ｖgsを閾値電圧Ｖthに近づけることが困難になるので、低輝度側での階調表現が劣ってしまうことになる。
このため、本実施形態では、発光期間の開始時において、ゲートノードｇの電位をオフセットすることによって、電圧Ｖgsを絶対値でみて一律に減少させている。これにより、補償期間の終了時までに電圧Ｖgsが、電圧Ｖthに到達しなくても、オフセットによって電圧Ｖthにシフトさせることができるので、低輝度側の階調表現を改善することが可能になる。
【００４１】
＜発光期間＞
書込期間が終了すると、発光期間（第３期間）に至る。この発光期間では、制御信号Ｇel(i)がＬレベルになるので、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、トランジスター１２４がオンする。このため、先の図５に示したように、トランジスター１２１におけるゲート・ソース間の電圧Ｖgsに応じた電流ＩdsがＯＬＥＤ１３０に供給されることになる。
【００４２】
このような動作は、ｉ行目の走査期間において、着目した（３ｊ−２）列目の画素回路１１０以外のｉ行目の画素回路１１０においても時間的に並列して実行される。さらに、このようなｉ行目の動作は、１フレームの期間において１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の順番で実行されるとともに、フレーム毎に繰り返される。
この動作において、各画素回路１１０におけるＯＬＥＤ１３０には、トランジスター１２１の駆動能力のばらつきを補償した電流がそれぞれ供給される。したがって、本実施形態によれば、画素回路１１０毎にトランジスター１２１の駆動能力がばらついても、そのばらつきに起因した輝度のムラが抑制されるので、高品位な表示が可能となる。
【００４３】
ところで、表示サイズの小型化や表示の高精細化に伴って保持容量１３２の容量サイズが非常に小さい構成において、先行文献で述べられるような負帰還制御する技術、すなわち、階調レベルに応じた電圧を保持容量１３２によって保持させるとともに、当該保持電圧によってトランジスター１２１に電流を流して、当該保持電圧を負帰還制御する技術を適用したとき、次のような問題が生じる。
すなわち、保持容量１３２の容量サイズが非常に小さい場合に、負帰還制御のためにトランジスター１２１に電流が流れたとき、ゲート・ソース間の電圧Ｖgsが瞬時に閾値電圧Ｖthに達してしまう結果、階調レベルに応じた電圧が失われてしまう。このため、ＯＬＥＤ１３０に階調レベルに応じた電流を流すことができなくなる。
これに対し、本実施形態では、初期化期間において、階調レベルに応じた電圧をデータ線１４に付加された保持容量７０によって一旦保持させるとともに、補償期間において、保持容量７０の保持電圧を、トランジスター１２１の駆動能力に応じて負帰還制御し、最終的に保持容量１３２に保持させる構成となっている。すなわち、本実施形態では、負帰還制御の対象は、画素回路１１０内の保持容量１３２による保持電圧ではなく、データ線１４に付加された保持容量７０による保持電圧としている。
上述したように、保持容量７０の容量サイズは保持容量１３２の容量サイズよりも十分大きいので、保持容量１３２の容量サイズが非常に小さくても、負帰還制御の際に、ゲート・ソース間の電圧Ｖgsが瞬時に閾値電圧Ｖthに達してしまうことはない。したがって、本実施形態によれば、負帰還制御の際に保持容量１３２の容量サイズが非常に小さくても、その影響をほとんど無視することができるのである。
【００４４】
ところで、ＯＬＥＤ１３０は、一般には負の抵抗温度特性を有するので、低温時には高温時よりも電流が流れにくくなる。また、周辺環境が明るいとき、表示部１００による表示画像が見にくくなる。このため、低温時や明るいときには、表示部１００による表示画像の輝度を高める方向に制御する必要がある。
第１実施形態において保持容量７０の保持電圧は、すなわち階調レベルに応じた電圧は負帰還制御によってトランジスター１２１の駆動能力に応じて変更されるが、この負帰還制御の期間が短いほど階調レベルに応じた電圧からの変化分が少なくなる。電圧Ｖgsについて絶対値でみれば、負帰還制御の期間が短いほど、低下分が少なくなり、発光期間においてＯＬＥＤ１３０に流れる電流を多くする方向に作用する。
このため、第１実施形態では、負帰還制御の期間を短くすることで、表示部１００の表示部の画像の輝度を高めることができる。ここで、負帰還制御の期間とは、トランジスター１２１の駆動能力に応じた電流が給電線１１６からデータ線１４に流れる期間であるから、トランジスター１２２、１２３がともにオンしている期間である。
負帰還制御の期間の終期に着目したとき、トランジスター１２２をトランジスター１２３よりも先にオフさせてしまうと、容量サイズの小さい保持容量１３２が瞬時に閾値電圧Ｖthに充電されてしまうので、トランジスター１２３をトランジスター１２２よりも先にオフさせる必要がある。
具体的には、温度センサー３によって低温であると検出された場合や、光センサー４によって明るいと検出された場合、制御回路２は、走査線駆動回路２０に対し図４において矢印（ａ）で示されるように、走査信号Ｇwr(i)がＬレベルの状態において、制御信号Ｇcmp(i)がＬからＨレベルに変化させるタイミングを時間的に前側に移動させる構成が好ましいといえる。これにより、負帰還制御の期間を短くなるので、表示部１００による表示画像の輝度を高めることができる。反対に、温度センサー３によって高温であると検出された場合や、光センサー４によって暗いと検出された場合、制御回路２は、走査線駆動回路２０に対し図４において矢印（ｂ）で示されるように、走査信号Ｇwr(i)がＬレベルの状態において、制御信号Ｇcmp(i)がＬからＨレベルに変化させるタイミングを時間的に後側に移動させる構成が好ましいといえる。これにより、負帰還制御の期間を長くなるので、表示部１００による表示画像の輝度を低くすることができる。
なお、ここでは、ｉ行目に着目して説明しているが、１〜ｍ行目の走査期間において、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)がＬレベルである場合に、制御信号Ｇcmp(1)〜Ｇcmp(m)がＬからＨレベルに変化させるタイミングが時間的に前または後側に同じ割合で移動することになる。
【００４５】
＜第１実施形態の応用＞
第１実施形態においては、図４に示されるようにｉ行目でいえば、ｉ行目の水平走査期間（Ｈ）のうち、ほぼ前半を初期化期間とし、ほぼ後半を補償期間としている。第１実施形態では、このような水平走査を１行ずつ排他的かつ順番に実行する必要があるので、高速動作が要求される。そこで、このような高速動作を緩和させることができる応用例について説明する。
【００４６】
図９は、第１実施形態の応用例に係る電気光学装置１０の構成を示す図であり、図１０は、その応用例に係る電気光学装置１０における各部の動作を説明するためのタイミングチャートである。
まず、第１実施形態の応用例では、図９に示されるように、表示部１００の各列においては、第１データ線１４ａと、給電線７７と、第２データ線１４ｂとの３本が設けられている。
このうち、第１データ線１４ａは、奇数（１、３、５、…）行目の画素回路１１０に対応し、第２データ線１４ｂは、偶数（２、４、６、…）行目の画素回路１１０に対応している。また、給電線７７は、各列において第１データ線１４ａと第２データ線１４ｂとの間にそれぞれ位置し、例えば共通の電位Ｖssにそれぞれ接地されている。
【００４７】
保持容量７１は、第１データ線１４ａ毎に設けられ、その一端が第１データ線１４ａに接続され、他端は、例えば電位Ｖssに共通接地されている。保持容量７２は、第２データ線１４ｂ毎に設けられ、その一端が第２データ線１４ｂに接続され、他端は、例えば電位Ｖssに共通接地されている。
また、第１データ線１４ａに対応してデマルチプレクサ３１が設けられ、第２データ線１４ｂに対応してデマルチプレクサ３２が設けられている。デマルチプレクサ３１、３２の構成自体については、デマルチプレクサ３０と同様である。
【００４８】
なお、制御回路２からデマルチプレクサ３１、３２に供給される制御信号は次の通りである。
詳細には、デマルチプレクサ３１には、正論理の制御信号Ｓel_od(1)、Ｓel_od(2)、Ｓel_od(3)と、負論理の制御信号／Ｓel_od(1)、／Ｓel_od(2)、／Ｓel_od(3)とが供給される。制御信号Ｓel_od(1)、Ｓel_od(2)、Ｓel_od(3)は、奇数行の初期化期間におけるデータ信号の出力に合わせて順番にＨレベルとなる。制御信号／Ｓel_od(1)、／Ｓel_od(2)、／Ｓel_od(3)は、それぞれ制御信号Ｓel_od(1)、Ｓel_od(2)、Ｓel_od(3)を論理反転の関係にある信号である。
一方、デマルチプレクサ３２には、正論理の制御信号Ｓel_ev(1)、Ｓel_ev(2)、Ｓel_ev(3)と、負論理の制御信号／Ｓel_ev(1)、／Ｓel_ev(2)、／Ｓel_ev(3)とが供給される。制御信号Ｓel_ev(1)、Ｓel_ev(2)、Ｓel_ev(3)は、偶数行の初期化期間におけるデータ信号の出力に合わせて順番にＨレベルとなる。制御信号／Ｓel_ev(1)、／Ｓel_ev(2)、／Ｓel_ev(3)は、それぞれ制御信号Ｓel_ev(1)、Ｓel_ev(2)、Ｓel_ev(3)を論理反転の関係にある信号である。
【００４９】
なお、画素回路１１０の構成自体については、奇数行目が第１データ線１４ａに対応し、偶数行目が第２データ線１４ｂに対応すること以外、図３に示した構成と同様である。
【００５０】
第１実施形態の応用例において、連続する２行の動作を説明するために（ｉ−１）を奇数とし、ｉを偶数とする。
図１０に示されるように、この応用例では（ｉ−１）行目の補償期間と次のｉ行目の初期化期間とが重複して実行される。すなわち、（ｉ−１）行目の補償期間において、第１データ線１４ａに設けられた保持容量７１の保持電圧をトランジスター１２１の駆動能力に応じて負帰還制御する動作と、ｉ行目の初期化期間において、階調レベルに応じた電圧を、第２データ線１４ｂに設けられた保持容量７２に充電させる動作とが同時並行的に実行される。
なお、図１０においては図示を省略しているが、ｉ行目の補償期間と次の（ｉ＋１）行目の初期化期間とが重複して実行される。
【００５１】
このため、応用例では、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)がＬレベルとなる期間を、図４に示した例と比較してほぼ倍にすることができるとともに、各行における初期化期間と補償期間も、ほぼ倍の期間を確保することができるので、第１実施形態と比較して、高速動作を緩和することができるのである。
なお、図１０において、（ｉ−１）行目およびｉ行目の走査期間に対応した制御信号の拡大図は、図４における制御信号の拡大図よりも時間軸の横スケールを半分に圧縮して記載している。
【００５２】
また、この応用例では、各列において第１データ線１４ａと第２データ線１４ｂとが近接して配置されるが、その間に、一定電位に保たれた給電線７７が位置している。このため、給電線７７は、シールド線として機能することになるので、第１データ線１４ａまたは第２データ線１４ｂのいずれか一方による電位変化が容量結合によって他方に伝播してしまうことが抑えられる。
【００５３】
なお、この応用例では、走査線１２を１、２、３、４、…、（ｍ−１）、ｍ行目という順番で水平走査する場合を例にとって説明したが、次のような飛び越し走査にも適用できる。例えば、第１フィールドで１、３、５、…、（ｍ−３）、（ｍ−１）行目、というように奇数行目を順番に走査し、第２フィールドで２、４、６、…、（ｍ−２）、ｍ行目、というように偶数行目を順番に走査する場合にも適用可能である。この場合、第１データ線１４ａについては、１、２、５、６、…、（ｍ−３）、（ｍ−２）行目に対応させ、第２データ線１４ｂについては、３、４、７、８、…、（ｍ−１）、ｍ行目に対応させれば良い。すなわち、時間的に連続して２行の走査線に対応する画素回路１１０については、互いに異なるデータ線に対応させれば良い。
また、この応用例においても、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)の各々がＬレベルである場合に、制御信号Ｇcmp(1)〜Ｇcmp(m)がＬからＨレベルにそれぞれ変化するタイミングを時間的に前または後側に同じ割合で移動させることによって、表示画像の輝度を調整することが可能である。
【００５４】
＜第２実施形態＞
上述した第１実施形態（およびその応用例）においては、補償期間終了後におけるゲートノードｇのオフセットを、画素回路１１０の内の保持容量１３３を介したカップリングにより与える構成とした。
次に説明する第２実施形態においては、このオフセットを、画素回路１１０の外の保持容量を介したカップリングにより与える構成としたものである。
【００５５】
図１１は、第２実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示す図である。この図に示されるように第２実施形態では、第１実施形態（図２参照）と比較してオフセット回路４０が設けられる。
オフセット回路４０は、保持容量４４、トランスミッションゲート４６およびＮチャネル型のトランジスター４８の組がデータ線１４毎に設けられた集合体である。このうち、保持容量４４の一端は、対応するデータ線１４に接続されている。トランジスター４８にあっては、ソースノードが電位Ｖssに接地され、ドレインノードがトランスミッションゲート４６の出力端とともに保持容量４４の他端に接続され、ゲートノードには、制御回路２から制御信号Ｇiniが供給される。トランスミッションゲート４６にあっては、入力端に電位Ｖrefが給電されて、入力端から出力端へのオンまたはオフが、正論理の制御信号Ｇrefと、これの相補的な関係にある負論理の制御信号／Ｇrefとによって制御される。制御信号Ｇref、／Ｇrefは、制御回路２から供給される。
【００５６】
図１２は、第２実施形態における画素回路１１０の構成を示す図である。
この図に示される画素回路１１０が第１実施形態（図３参照）の画素回路と相違している点は、保持容量１３３を有していない点にある。このため、第２実施形態では、信号線１１７も設けられていない。
【００５７】
ここで、保持容量４４の容量サイズをＣ4としたとき、保持容量７０、１３２、４４の容量サイズは、本実施形態では、次のような関係となるように設定される。
Ｃ1＞Ｃ4＞＞Ｃ2
すなわち、保持容量４４の容量サイズは、保持容量７０の容量サイズよりも小さいが、保持容量１３２の容量サイズと比較すれば十分に大きい。
【００５８】
図１３を参照して第２実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。なお、図１３は、第２実施形態における各部の動作を説明するためのタイミングチャートであるが、電圧振幅を示す縦スケールは、説明便宜のために必ずしも一致していない。
この図に示されるように、第２実施形態においても、ｉ行目の走査期間は、初期化期間および補償期間に分けられる。そして、補償期間の後、間をおいて発光期間となり、１フレームの期間経過後に再びｉ行目の走査期間に至る。
また、以下については、第１実施形態と同様に、ｉ行目の走査期間において、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０について着目して動作を説明する。
【００５９】
＜発光期間＞
説明の便宜上、初期化期間の前提となる発光期間から説明する。図１３に示されるように、ｉ行目の発光期間では、走査信号Ｇwr(i)がＨレベルである。また、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)のうち、制御信号Ｇel(i)のみがＬレベルであり、他はＨレベルである。
このため、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、図１４に示されるように、トランジスター１２４がオンする一方、トランジスター１２２、１２３、１２５がオフしている。したがって、トランジスター１２１は、ゲート・ソース間の電圧Ｖgs、すなわち保持容量１３２で保持された電圧に応じた電流ＩdsをＯＬＥＤ１３０に供給する。
なお、ｉ行目の発光期間においては、ｉ行目以外の水平走査によって、走査される行に対応したデータ信号の供給などによって、データ線１４の電位は適宜変動する。ただし、ｉ行目の画素回路１１０においては、トランジスター１２２がオフしているので、データ線１４の電位変動を考慮する必要はない。
【００６０】
＜初期化期間＞
次に、ｉ行目の初期化期間に至ると、発光期間と比較して、制御信号Ｇel(i)がＨレベルに、制御信号Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)がＬレベルに、それぞれ転じる。
このため、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、図１５に示されるように、トランジスター１２３、１２５がオンする一方、トランジスター１２４がオフする。このため、トランジスター１２１がダイオード接続状態になるので、保持容量１３２の保持電圧がトランジスター１２１の閾値電圧Ｖthに初期化されるとともに、ＯＬＥＤ１３０のアノードが電位Ｖorstにリセットされる。
【００６１】
また、ｉ行目の初期化期間において、制御信号ＧiniがＨレベルになるので、トランジスター４８がオンする一方、制御信号ＧrefがＬレベルになるので、トランスミッションゲート４６がオフする。このため、保持容量４４の他端は電位Ｖssに接地される。
一方、ｉ行目の初期化期間においては、デマルチプレクサ３０によって、各データ線１４にはｉ行目であって対応する列の画素の階調レベルに応じたデータ信号が供給される。
このため、（３ｊ−２）列目のデータ線１４に付加された保持容量７０は、ｉ行（３ｊ−２）列の画素の階調レベルに応じた電圧に充電されることになる。
なお、次の補償期間に至る前に、制御信号Ｇcmp(i)が一旦Ｈレベルになるので、トランジスター１２１のダイオード接続が解除される点については第１実施形態と同様である。
【００６２】
＜補償期間＞
次に、ｉ行目の補償期間に至ると、走査信号Ｇwr(i)がＬレベルに、制御信号Ｇorst(i)がＨレベルに、それぞれ変化する。このため、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、図１６に示されるように、トランジスター１２２がオンする一方、トランジスター１２５がオフする。また、ｉ行目の補償期間では、制御信号Ｇcmp(i)が再びＬレベルになるので、トランジスター１２１はダイオード接続状態になる。
【００６３】
このため、電流が、給電線１１６→トランジスター１２１→トランジスター１２３→トランジスター１２２→（３ｊ−２）列目のデータ線１４という経路で流れるので、当該データ線１４に付加された保持容量７０、４４を充電する。このときに流れる電流は、第１実施形態で説明したように、トランジスター１２１の駆動能力に応じて異なる。このため、補償期間の終了時における保持容量１３２の保持電圧は、階調レベルに応じた電圧を、トランジスター１２１の駆動能力に応じた負帰還制御によって補正したものとなる。
【００６４】
なお、トランジスター１２５のオフによって、ＯＬＥＤ１３０のアノードはフローティング状態になるが、直前の電位Ｖorstに寄生容量によって維持される。
やがて、制御信号Ｇcmp(i)がＨレベルになると、トランジスター１２１のダイオード接続が解除されるので、ｉ行目の補償期間が終了することになる。
【００６５】
＜オフセット＞
ｉ行目の補償期間が終了した後に、走査信号Ｇwr(i)がＬレベルを維持した状態で、制御信号ＧiniがＬレベルになった後、制御信号ＧrefがＨレベルに（制御信号／ＧrefがＬレベルに）変化する。このため、図１７に示されるように、トランジスター４８がオフする一方、トランスミッションゲート４６がオンするので、保持容量４４の他端は電位Ｖssから電位Ｖrefに上昇する。
ここで、トランジスター１２２がオンした状態において保持容量１３２の他端は電位Ｖelに固定され、保持容量７０の他端も電位Ｖssに接地されている。このため、ゲートノードｇの電位は、保持容量４４の他端における電位変動分（Ｖref−Ｖss）を、保持容量４４、７０、１３２の容量比に応じた分だけ上昇する方向にオフセットされる。
なお、保持容量１３２の容量サイズは、保持容量４４、７０と比較して十分に小さいので、実際には、ゲートノードｇの電位変動は、保持容量４４の他端における電位変動分と保持容量４４、７０の容量比とでほぼ定まる。
このように第２実施形態では、発光期間の開始前においてゲートノードｇの電位をオフセットすることによって、電圧Ｖgsを絶対値でみて一律に減少させているので、第１実施形態と同様に、低輝度側の階調表現を改善することが可能になる。
【００６６】
＜発光期間＞
第２実施形態では、ゲートノードｇの電位がオフセットされた後に、間をおいてｉ行目の発光期間に至る。
この発光期間では、制御信号Ｇel(i)がＬレベルになるので、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、トランジスター１２４がオンする。このため、先の図１４に示したように、トランジスター１２１におけるゲート・ソース間の電圧Ｖgsに応じた電流ＩdsがＯＬＥＤ１３０に供給されることになる。
なお、ｉ行目の発光期間の開始は、次の（ｉ＋１）行目の初期化期間の開始を意味する。このため、制御信号ＧiniがＨレベルに、制御信号ＧrefがＬレベルに、それぞれ変化し、保持容量４４の他端が電位Ｖssに接地される。これにより、（ｉ＋１）行目に対応したデータ信号が供給されたときの準備が完了する。
【００６７】
発光期間において、各画素回路１１０におけるＯＬＥＤ１３０には、トランジスター１２１の駆動能力のばらつきを補償した電流がそれぞれ供給される。このため、第２実施形態において、画素回路１１０毎にトランジスター１２１の駆動能力がばらついても、そのばらつきに起因した輝度のムラが抑制されるので、高品位な表示が可能となる。
また、第２実施形態においては、オフセットの際に、第１実施形態のように画素回路１１０毎の保持容量１３３ではなく、各列に共通の保持容量４４を用いているので、列を共通とする画素回路１１０にわたってオフセット量が相違する、ということを防止することができる。
【００６８】
また、第２実施形態においても、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)の各々がＬレベルである場合に、制御信号Ｇcmp(1)〜Ｇcmp(m)がＬからＨレベルにそれぞれ変化するタイミングを時間的に前または後側に同じ割合で移動させることによって、表示画像の輝度を調整することが可能である。
【００６９】
＜第２実施形態の応用＞
第２実施形態においても、第１実施形態の場合と同様に高速動作を緩和させることができる。そこで次に、高速動作を緩和させることが可能な第２実施形態の応用例について説明する。
【００７０】
図１８は、第２実施形態の応用例に係る電気光学装置１０の構成を示す図であり、図１９は、当該応用例に係る電気光学装置１０における各部の動作を説明するためのタイミングチャートである。
第２実施形態の応用例では、図１８に示されるように、表示部１００の各列において図９と同様に、第１データ線１４ａと、給電線７７と、第２データ線１４ｂとの３本が設けられる。また、保持容量７１についても第１データ線１４ａ毎に、保持容量７２についても第２データ線１４ｂ毎に、それぞれ同様に設けられる。
また、第１データ線１４ａに対応してデマルチプレクサ３１およびオフセット回路４１が設けられ、第２データ線１４ｂに対応してデマルチプレクサ３２およびオフセット回路４２が設けられている。
【００７１】
なお、オフセット回路４１、４２の構成自体については、オフセット回路４０と同様である。ただし、制御回路２からオフセット回路４１、４２に供給される制御信号は次の通りである。
詳細には、オフセット回路４１には、制御信号Ｇref_od（／Ｇref_od）、Ｇini_odが供給される。制御信号Ｇref_od（／Ｇref_od）は、奇数行の初期化期間が終了する毎に一時的にＨ（Ｌ）レベルとなり、制御信号Ｇini_odは、制御信号Ｇref_odがＬレベルとなる期間にＨレベルとなる。
一方、オフセット回路４２には、制御信号Ｇref_ev（／Ｇref_ev）、Ｇini_evが供給される。制御信号Ｇref_ev（／Ｇref_ev）は、偶数行の初期化期間が終了する毎に一時的にＨ（Ｌ）レベルとなり、制御信号Ｇini_evは、制御信号Ｇref_evがＬレベルとなる期間にＨレベルとなる。
【００７２】
なお、画素回路１１０の構成自体については、奇数行目が第１データ線１４ａに対応するとともに、偶数行目が第２データ線１４ｂに対応すること以外、図１２に示した構成と同様である。
【００７３】
第２実施形態の応用例において、連続する２行の動作を説明するために（ｉ−１）を奇数とし、ｉを偶数とする。
図１９に示されるように、第２実施形態の応用例では、（ｉ−１）行目の補償期間において、第１データ線１４ａに設けられた保持容量７１の保持電圧をトランジスター１２１の駆動能力に応じて負帰還制御する動作と、ｉ行目の初期化期間において、階調レベルに応じた電圧を、第２データ線１４ｂに設けられた保持容量７２に充電させる動作とが同時並行的に実行される。
このため、応用例では、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)がＬレベルとなる期間を、図１３に示した例と比較してほぼ倍にすることができるとともに、各行における初期化期間と補償期間も、ほぼ倍の期間を確保することができるので、第２実施形態と比較して、高速動作を緩和することができるのである。
なお、図１９において、（ｉ−１）行目およびｉ行目の走査期間に対応した制御信号の拡大図は、図１３における制御信号の拡大図よりも時間軸の横スケールを半分に圧縮して記載している。
【００７４】
第２実施形態の応用例において、給電線７７がシールド線として機能することについては、第１実施形態の応用例と同様である。また、時間的に連続して２行の走査線に対応する画素回路１１０については、互いに異なるデータ線に対応させれば良い点についても、第１実施形態の応用例と同様である。さらに、制御信号Ｇcmp(1)〜Ｇcmp(m)がＬからＨレベルにそれぞれ変化するタイミングを時間的に前または後側に同じ割合で移動させることによって、表示画像の輝度を調整することについても、第１実施形態の応用例と同様である。
【００７５】
＜応用・変形例＞
本発明は、上述した実施形態や応用例などの実施形態等に限定されるものではなく、例えば次に述べるような各種の変形が可能である。また、次に述べる変形の態様は、任意に選択された一または複数を適宜に組み合わせることもできる。
【００７６】
＜デマルチプレクサ＞
実施形態等では、データ線１４を３列毎にグループ化するとともに、各グループにおいてデータ線１４を順番に選択して、データ信号を供給する構成としたが、グループを構成するデータ線数については「２」であっても良いし、「４」以上であっても良い。また、グループ化せずに、初期化期間において各列のデータ線１４にデータ信号を一斉に供給して、各列の保持容量７０を充電させる構成としても良い。
【００７７】
＜トランジスターのチャネル型＞
上述した実施形態等では、画素回路１１０におけるトランジスター１２１〜１２５をＰチャネル型で統一したが、Ｎチャネル型で統一しても良い。また、Ｐチャネル型およびＮチャネル型を適宜組み合わせても良い。
【００７８】
＜その他＞
実施形態等においては、電気光学装置１０をシリコン基板に集積した構成としたが、他の半導体基板に形成した構成しても良い。また、ポリシリコンプロセスを適用してガラス基板等に形成しても良い。いずれにしても、本発明は、画素回路１１０が微細化されて、保持容量１３２の容量サイズが小さくならざるを得ない構成に有効である。
実施形態等では、電気光学素子として発光素子であるＯＬＥＤを例示したが、例えば無機発光ダイオードやＬＥＤ（Light Emitting Diode）であっても良い。
【００７９】
＜電子機器＞
次に、実施形態等や応用例に係る電気光学装置１０を適用した電子機器について説明する。電気光学装置１０は、画素が小サイズで高精細な表示な用途に向いている。そこで、電子機器として、ヘッドマウント・ディスプレイを例に挙げて説明する。
【００８０】
図２０は、ヘッドマウント・ディスプレイの外観を示す図であり、図２１は、その光学的な構成を示す図である。
まず、図２０に示されるように、ヘッドマウント・ディスプレイ３００は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル３１０や、ブリッジ３２０、レンズ３０１Ｌ、３０１Ｒを有する。また、ヘッドマウント・ディスプレイ３００は、図２１に示されるように、ブリッジ３２０近傍であってレンズ３０１Ｌ、３０１Ｒの奥側（図において下側）には、左眼用の電気光学装置１０Ｌと右眼用の電気光学装置１０Ｒとが設けられる。
電気光学装置１０Ｌの画像表示面は、図２１において左側となるように配置している。これによって電気光学装置１０Ｌによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｌを介して図において９時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｌは、電気光学装置１０Ｌによる表示画像を６時の方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。
電気光学装置１０Ｒの画像表示面は、電気光学装置１０Ｌとは反対の右側となるように配置している。これによって電気光学装置１０Ｒによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｒを介して図において３時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｒは、電気光学装置１０Ｒによる表示画像を６時方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。
【００８１】
この構成において、ヘッドマウント・ディスプレイ３００の装着者は、電気光学装置１０Ｌ、１０Ｒによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。
また、このヘッドマウント・ディスプレイ３００において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を電気光学装置１０Ｌに表示させ、右眼用画像を電気光学装置１０Ｒに表示させると、装着者に対し、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる（３Ｄ表示）。
【００８２】
なお、電気光学装置１０については、ヘッドマウント・ディスプレイ３００のほかにも、ビデオカメラやレンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダーにも適用可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１０…電気光学装置、１２…走査線、１４…データ線、１４ａ…第１データ線、１４ｂ…第２データ線、２０…走査線駆動回路、３０…デマルチプレクサ、４０…オフセット回路、４４…保持容量、７０…保持容量、７７…給電線、１００…表示部、１１０…画素回路、１１６…給電線、１１７…信号線、１１８…共通電極、１２１〜１２５…トランジスター、１３０…ＯＬＥＤ、１３２、１３３…保持容量、３００…ヘッドマウント・ディスプレイ。
【図１】
2013083825.tif 000003
【図２】
2013083825.tif 000004
【図３】
2013083825.tif 000005
【図４】
2013083825.tif 000006
【図５】
2013083825.tif 000007
【図６】
2013083825.tif 000008
【図７】
2013083825.tif 000009
【図８】
2013083825.tif 000010
【図９】
2013083825.tif 000011
【図１０】
2013083825.tif 000012
【図１１】
2013083825.tif 000013
【図１２】
2013083825.tif 000014
【図１３】
2013083825.tif 000015
【図１４】
2013083825.tif 000016
【図１５】
2013083825.tif 000017
【図１６】
2013083825.tif 000018
【図１７】
2013083825.tif 000019
【図１８】
2013083825.tif 000020
【図１９】
2013083825.tif 000021
【図２０】
2013083825.tif 000022
【図２１】
2013083825.tif 000023