(57)【要約】【課題】描画の異常を正確に検出するために有利な技術を提供する。【解決手段】描画装置１００は、ブランカーと、荷電粒子線を通過させるアパーチャが形成されていて且つ前記ブランカーを通過した荷電粒子線を遮断または通過させるプレートと、荷電粒子線を検出するように前記プレートに配置された検出部と、前記プレートに配置されていて、前記検出部から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換器と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブランカーと、荷電粒子線を通過させるアパーチャが形成されていて且つ前記ブランカーを通過した荷電粒子線を遮断または通過させるプレートとを有し、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
荷電粒子線を検出するように前記プレートに配置された検出部と、
前記プレートに配置されていて、前記検出部から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換器と、を備える、
ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記ＡＤ変換器から出力されたデジタル信号に基づいて、前記描画が正常であるかおよび前記描画が異常であるかの少なくとも一方の判断を行う処理部を更に備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記プレートに配置されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記処理部は、
前記ＡＤ変換器から出力されたデジタル信号に基づいて前記描画の状態を示す描画状態データを生成する生成部と、
前記ブランカーを制御するための描画制御データと前記描画状態データとに基づいて前記判断を行う判断部と、
を含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の描画装置。
【請求項５】
前記処理部による前記判断は、基板への荷電粒子線の照射位置、基板への荷電粒子線の照射タイミング、基板への荷電粒子線の照射時間、基板への荷電粒子線の非照射時間、基板への荷電粒子線の照射パルス数、および、基板への荷電粒子線の照射量の少なくとも１つに関する、
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記処理部により前記描画が正常ではないと判断された場合に、基板への再描画がなされる、
ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
前記描画装置は、複数の荷電粒子線で前記描画を行うように構成され、
前記処理部は、前記描画を正常に行うことができない荷電粒子線を特定し、
当該特定された荷電粒子線とは異なる荷電粒子線で基板への再描画がなされる、
ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項８】
前記処理部により前記描画が正常ではないと判断された場合に、前記描画が正常になされるように、前記ブランカーを制御するための描画制御データが修正される、
ことを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項９】
前記検出部は、電荷検出素子を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
前記検出部は、前記電荷検出素子から出力されるアナログ信号を増幅する増幅部を更に含む、
ことを特徴とする請求項９に記載の描画装置。
【請求項１１】
前記電荷検出素子は、光電変換素子を含む、
ことを特徴とする請求項９又は１０に記載の描画装置。
【請求項１２】
ブランカーと、荷電粒子線を通過させるアパーチャが形成されていて且つ前記ブランカーを通過した荷電粒子線を遮断または通過させるプレートとを有し、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
荷電粒子線を検出するように前記プレートに配置された検出部を備え、前記検出部は、光電変換素子を含む、
ことを特徴とする描画装置。
【請求項１３】
物品製造方法であって、
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の描画装置によって基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画装置および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子線描画装置などの荷電粒子線描画装置において、サブシステム相互間における信号のタイミングずれ、または、信号へのノイズの混入などによって描画異常が発生しうる。例えば、基板への荷電粒子線の照射・非照射を制御するためのブランカーを駆動するシステムに異常が発生すると、ショット（描画の最小単位）の位置ずれやドーズ量の異常などの描画不良が発生しうる。あるいは、荷電粒子線を制御するための構成要素のチャージアップなどによる荷電粒子線の軌道の乱れや、マイクロ放電による電場の急激な変動などによって、ドーズ量不足やパターン抜けなどの描画不良が引き起こされうる。
【０００３】
特許文献１には、第１のスリットと第２のスリットを組み合わせることで任意の形状の電子ビームを作り、その電子ビームを描画材料状に照射してパターンを描画する電子ビーム描画装置が開示されている。該描画装置は、第２のスリットの開口部を電子ビームが通過しないようにして、第２のスリットを流れる電流Ｉａを求め、次に、第２のスリットの開口部を電子ビームの一部が通過するようにして、第２のスリットを流れる電流Ｉｂを求める。そして、ＩａとＩｂとの差分に基づいて描画材料状の電流密度が求められる。このようにして、ショット毎に電流密度が求められる。ここで、第２のスリットを流れる電流は、入力端子が第２のスリットに接続されたオペアンプを含む増幅回路によって検出される。該オペアンプの出力は、ローパスフィルタを経てＡ／Ｄ変換器に提供され、該Ａ／Ｄ変換器によってデジタルデータに変換されて制御コンピュータに提供される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−７０９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された描画装置では、第２のスリットに電子ビームが入射することによって第２のスリットを流れる電流は、第２のスリットに接続された増幅回路によって検出され、ローパスフィルタを経てＡ／Ｄ変換器によってデジタルデータに変換される。したがって、特許文献１に記載された描画装置では、電子ビームが入射する位置と増幅回路の位置とが遠く、また、第２のスリットと増幅回路とを接続する信号ケーブルの長さが長くなるので、誤差が大きくなりうる。
【０００６】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、描画の異常を正確に検出するために有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの側面は、ブランカーと、荷電粒子線を通過させるアパーチャが形成されていて且つ前記ブランカーを通過した荷電粒子線を遮断または通過させるプレートとを有し、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置に係り、前記描画装置が、荷電粒子線を検出するように前記プレートに配置された検出部と、前記プレートに配置されていて、前記検出部から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換器と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、例えば、描画の異常を正確に検出するために有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態の描画装置の概略構成を示す図。
【図２】描画制御データと検出部から出力される信号との関係を例示する図。
【図３】本発明の第２実施形態の描画装置の概略構成を示す図。
【図４Ａ】本発明の第３実施形態の描画装置の概略構成を示す図。
【図４Ｂ】本発明の第３実施形態の描画装置の概略構成を示す図。
【図５】描画制御データと検出部から出力される信号との関係を例示する図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明に係る描画装置は、荷電粒子線によって基板に描画を行うように構成される。本発明は、１つの荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置にも適用可能であるし、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置にも適用可能である。荷電粒子線は、例えば、電子線またはイオン線でありうる。以下では、荷電粒子線として電子線を使用する描画装置について例示的に説明するが、これは本発明を制限することを意図したものではない。
【００１１】
図１は、本発明の第１実施形態の描画装置１００の概略構成を示す図である。描画装置１００は、１つの電子線（荷電粒子線）ＥＢによって基板３に描画を行うように構成される。描画装置１００は、電子線ＥＢを発生する電子源１と、ブランカーユニット１５と、ブランカーユニット１５を通過してきた電子線ＥＢを遮断または通過させるストッピングアパーチャＳＡとを備えうる。描画装置１００はまた、電子線ＥＢを走査する偏向器ＤＦと、基板３を位置決めする基板位置決め機構５０とを備えうる。
【００１２】
ブランカーユニット１５は、電子線ＥＢを偏向させる偏向器によって構成される１つのブランカー４を含む。ブランカー４は、典型的には、基板３に電子線ＥＢを照射するときは電子線ＥＢを偏向させず、基板３に電子線ＥＢを照射しないときは電子線ＥＢを偏向させる。ストッピングアパーチャＳＡは、電子線ＥＢを通過させるアパーチャ（開口）５と、電子線ＥＢを遮断する遮断部ＢＬと、を有するプレート１１を含む。ブランカーユニット１５によって電子線ＥＢが偏向されない場合（つまり、基板３に電子線ＥＢを照射する場合）は、電子線ＥＢは、プレート１１に設けられたアパーチャ５を通過する。ブランカーユニット１５によって電子線ＥＢが偏向される場合（つまり、基板３に電子線ＥＢを照射しない場合）は、電子線ＥＢは、プレート１１の遮断部ＢＬに入射し、遮断部ＢＬによって遮断される。このように、ブランカーユニット１５によって基板３への電子線ＥＢの照射・非照射を制御する動作は、ブランキング動作と呼ばれうる。
【００１３】
描画装置１００は、ブランカーユニット１５によるブランキング動作、偏向器ＤＦによる電子線ＥＢの走査、および、基板位置決め機構５０による基板３の走査を制御部１２によって同期制御しながら基板３にパターンを描画する。
【００１４】
描画装置１００は、検出部３０と、ＡＤ変換器８とを備えている。検出部３０は、ストッピングアパーチャＳＡを構成するプレート１１の遮断部ＢＬに入射する電子線ＥＢを検出するようにプレート１１の遮断部ＢＬに配置されている。検出部３０は、電子線ＥＢがブランカーユニット１５に正常に偏向されたときに検出部３０に電子線ＥＢが入射するように配置される。検出部３０は、例えば、電子線ＥＢを構成する電子（電荷）を検出する電荷検出素子６を含みうる。ここで、電荷検出素子６は、電荷蓄積領域と、電子線ＥＢの入射によって該電荷蓄積領域に蓄積された電子（電荷）の量に相当する信号（典型的には電圧信号）を出力する読み出し回路とを含みうる。ここで、電荷蓄積領域に蓄積された電子の量は、電子線ＥＢの電流の積分値に対応する。電荷検出素子６としては、フォトダイオード、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサなどの光電変換素子を使用することができる。ここで、電荷検出素子６としては、ＣＣＤイメージセンサまたはＣＭＯＳイメージセンサなどのイメージセンサを使用することにより、遮断部ＢＬへの電子線ＥＢの入射位置を検出することができる。検出部３０は、電荷検出素子６から出力される信号を増幅する増幅部７を含んでもよい。ＡＤ変換器８は、プレート１１に配置されていて、検出部３０から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。
【００１５】
ここで、電荷検出素子６をストッピングアパーチャＳＡのプレート１１に配置し、入射する電子線ＥＢを電荷検出素子６によって検出することにより、電子線ＥＢを高いＳＮ比で検出することができる。これにより、描画の異常を正確に検出することができる。これに対して、特許文献１に記載された構成では、第２のスリットや、第２のスリットと増幅回路とを接続する信号ケーブルにノイズが入りやすく、高いＳＮ比を得ることが難しい。また、第２のスリットを一定電位に固定することができないという不利益もある。
【００１６】
更に、ＡＤ変換器８をストッピングアパーチャＳＡのプレート１１に配置することにより、検出部３０とＡＤ変換器８との距離（アナログ信号の伝達距離）を短くすることができ、これにより、更に高いＳＮ比を実現することができる。プレート１１は、例えば、検出部３０が形成された基板と、ＡＤ変換器８が形成された基板とを張り合わせることによって形成されうる。あるいは、検出部３０およびＡＤ変換器８は、１つの基板に形成されてもよい。あるいは、検出部３０およびＡＤ変換器８は、１つのチップの中に形成され、該チップが基板に配置されてもよい。
【００１７】
描画装置１００は、ＡＤ変換器８から出力される信号に基づいて基板３への描画が正常であるかどうかを判断する処理部４０を備えうる。処理部４０は、例えば、ストッピングアパーチャＳＡのプレート１１に配置されうる。この場合、プレート１１は、例えば、検出部３０が形成された基板と、ＡＤ変換器８が形成された基板と、処理部４０が形成された基板とを張り合わせることによって形成されうる。
【００１８】
処理部４０は、生成部９と、判断部１０とを含みうる。生成部９は、ＡＤ変換器８から出力されるデジタル信号に基づいて、基板３への描画の状態を示す描画状態データを生成するように構成されうる。判断部１０は、ブランカーユニット１５を制御するための描画制御データと、生成部９によって生成される描画状態データとに基づいて、基板３への描画が正常であるかどうかを判断するように構成されうる。
【００１９】
図２を参照しながら描画制御データと検出部３０から出力される信号との関係を例示的に説明する。描画装置１００は、例えば、パルス幅固定方式またはパルス幅変調方式によって基板３への電子線ＥＢのドーズ量を制御するように構成されうる。図２（ａ）は、パルス幅固定方式における描画制御データ（ＢＤｆ）と検出部３０から出力され信号（Ｉｆ）との関係を例示している。図２（ｂ）は、パルス幅変調方式における描画制御データ（ＢＤｍ）と検出部３０から出力される信号（Ｉｍ）との関係を例示している。なお、検出部３０から出力される信号とＡＤ変換器８から出力される信号とは等価である。よって、ＩｆおよびＩｍをＡＤ変換器８から出力された信号であると考えてもよい。
【００２０】
ブランカーユニット１５は、描画制御データに従って制御され、描画制御データが”０”であるときは電子線ＥＢがオフとなり、描画制御データが”１”であるときは電子線ＥＢがオンとなる。ここで、電子線ＥＢがオンとは、基板３に電子線ＥＢが入射すること（典型的には、ブランカーユニット１５が電子線を偏向させないこと）を意味する。一方、電子線がオフとは、基板３に電子線ＥＢが入射しないこと（典型的には、ブランカーユニット１５が電子線を偏向させ、ストッピングアパーチャＳＡの遮断部ＢＬに入射させること）を意味する。
【００２１】
パルス幅固定方式では、同じ幅のパルスの回数によって電子線ＥＢのオン時間の総量、即ちドーズ量が制御され、パルス幅変調方式では、パルスの幅を変えることによって電子線ＥＢのオン時間の総量、即ちドーズ量が制御される。
【００２２】
基板３に照射される電子線ＥＢの量（ドーズ量）は、ストッピングアパーチャＳＡで遮断されなかった電子線ＥＢの量である。逆に、ストッピングアパーチャＳＡで遮断される電子線ＥＢの量は、基板３に照射されない電子線ＥＢの量である。したがって、描画制御データ（ＢＤｆ）と検出部３０から出力された信号（Ｉｆ）とは、互いに反対の関係になる。同様に、描画制御データ（ＢＤｍ）と検出部３０から出力された信号（Ｉｍ）とは、互いに反対の関係になる。よって、生成部９は、ＡＤ変換器８から提供される信号に基づいて、基板３に入射した電子線ＥＢの状態を示す描画状態データを生成し、これを出力する。判断部１０は、検出部３０からの描画状態データに基づいて基板３に照射された電子線の状態と、ブランカーユニット１５を制御するための描画制御データによって規定された電子線の状態とに基づいて基板３への描画が正常であるかどうかを判断することができる。
【００２３】
ここで、処理部４０（判断部１０）が基板３への描画が正常であるかどうかを判断する項目としての電子線の状態は、例えば、
（ａ）基板３への電子線ＥＢの照射位置、
（ｂ）基板３への電子線ＥＢの照射タイミング、
（ｃ）基板３への電子線ＥＢの照射時間、
（ｄ）基板３への電子線ＥＢの非照射時間、
（ｅ）基板３への電子線ＥＢの照射パルス数、および、
（ｆ）基板３への電子線ＥＢの照射量、
の少なくとも１つを含みうる。これらの情報は、例えば、同期制御のためのクロック信号を逓倍して得られるサンプリングクロックに基づいてＡＤ変換器８の出力をサンプリングすることによって得ることができる。ここで、同期制御のためのクロック信号とは、例えば、ブランカーユニット１５によるブランキング動作、偏向器ＤＦによる電子線ＥＢの走査、および、基板位置決め機構５０による基板３の走査を同期制御するためのクロック信号でありうる。
【００２４】
処理部４０による判断結果は、制御部１２に提供される。制御部１２は、処理部４０から提供された判断結果に基づいて、描画動作を制御しうる。制御部１２は、処理部４０により基板３への描画が正常ではないと判断された場合に、基板３への再描画がなされるように、ブランカーユニット１５、偏向器ＤＦおよび基板位置決め機構５０などを制御しうる。あるいは、制御部１２は、処理部４０により基板３への描画が正常ではないと判断された場合に、当該判断のなされた基板３のショット領域（またはショット領域中の部分領域）を特定する情報を記憶する。あるいは、制御部１２は、処理部４０により基板３への描画が正常ではないと判断された場合に、描画動作が停止されるように、ブランカーユニット１５、偏向器ＤＦおよび基板位置決め機構５０などを制御しうる。あるいは、制御部１２は、処理部４０により基板３への描画が正常ではないと判断された場合に、基板３への描画が正常になされるように、描画制御データを修正しうる。例えば、基板３への電子線ＥＢの照射位置が目標位置からずれている場合において、制御部１２は、該照射位置が目標位置に一致するように描画制御データを修正しうる。なお、そのような判断を制御部１２に行わせてもよいが、当該判断をプレート１１等に配置した処理部４０に行わせ、当該判断の結果を制御部１２に送信する構成には、次のような利点がある。すなわち、当該構成によれば、プレート１１と制御部１２との間の通信量の削減、制御部１２の負荷の削減、および、当該判断の遅れの低減の少なくとも一つの点で有利である。
【００２５】
図３は、本発明の第２実施形態の描画装置１０１の概略構成を示す図である。なお、第２実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。第２実施形態の描画装置１０１は、複数の電子線ＥＢによって基板３に描画を行う。第２実施形態の描画装置１０１では、第１実施形態の描画装置１００におけるブランカーユニット１５、ストッピングアパーチャＳＡがそれぞれブランカーユニット１５’、ストッピングアパーチャＳＡ’によって置き換えられている。ブランカーユニット１５’は、複数のブランカー４を含み、各ブランカー４は、典型的には、基板３に電子線ＥＢを照射するときは電子線ＥＢを偏向させず、基板３に電子線ＥＢを照射しないときは電子線ＥＢを偏向させる。ストッピングアパーチャＳＡ’は、電子線ＥＢを通過させる複数のアパーチャ５と、電子線ＥＢを遮断する遮断部ＢＬと、を有するプレート１６を含む。
【００２６】
電子源１から放射された電子は、コリメーターレンズ１３の作用により平行な電子線となる。コリメーターレンズ１３からの平行な電子線は、複数のアパーチャが配列されたアパーチャアレイ１４によって複数の電子線ＥＢに分割される。各電子線ＥＢのブランキング動作は、ブランカーユニット１５’の対応するブランカー４によって個別に制御される。
【００２７】
描画装置１００は、複数の電子線ＥＢにそれぞれ対応するように、複数の検出部３０および複数のＡＤ変換器８を備えている。各検出部３０は、ストッピングアパーチャＳＡ’を構成するプレート１６の遮断部ＢＬに入射する電子線ＥＢを検出するようにプレート１６（遮断部ＢＬ）に配置されている。各検出部３０は、電子線ＥＢがブランカーユニット１５’に正常に偏向されたときに検出部３０に電子線ＥＢが入射するように配置される。各検出部３０は、例えば、電子線ＥＢを構成する電子（電荷）を検出する電荷検出素子６を含みうる。各ＡＤ変換器８は、プレート１６に配置されていて、対応する検出部３０から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。このようにストッピングアパーチャＳＡ’に検出部３０を配置した構成は、複数の電子線ＥＢを個別に検出するために有利である。これに対して、特許文献１に記載された構成は、第２のスリットを流れる電流を検出する方式であるので、本質的に、複数の電子ビームで描画を行う描画装置において該複数の電子ビームの電流密度を個別に検出することへの応用が難しい。
【００２８】
描画装置１０１は、複数のＡＤ変換器８から出力される信号に基づいて基板３への描画が正常であるかどうかを判断する処理部４０を備えうる。処理部４０は、例えば、ストッピングアパーチャＳＡ’のプレート１６に配置されうる。この場合、プレート１６は、例えば、複数の電荷検出素子６が形成された基板と、複数のＡＤ変換器８が形成された基板と、処理部４０が形成された基板とを張り合わせることによって形成されうる。
【００２９】
処理部４０は、生成部９と、判断部１０とを含みうる。生成部９は、複数のＡＤ変換器８から出力されるデジタル信号に基づいて、複数の電子線ＥＢによる基板３への描画の状態を示す描画状態データを生成するように構成されうる。判断部１０は、ブランカーユニット１５’の各ブランカー４を制御するための描画制御データと、生成部９によって生成される描画状態データとに基づいて、複数の電子線ＥＢによる基板３への描画が正常であるかどうかを判断するように構成されうる。
【００３０】
処理部４０による判断結果は、制御部１２に提供される。制御部１２は、処理部４０から提供された判断結果に基づいて、描画動作を制御しうる。制御部１２は、処理部４０により基板３への描画が正常ではないと判断された場合に、基板３への再描画がなされるように、ブランカーユニット１５’、偏向器ＤＦおよび基板位置決め機構５０などを制御しうる。ここで、処理部４０は、描画を正常に行うことができない電子線ＥＢを特定し、当該特定された電子線ＥＢを示す情報を制御部１２に提供するように構成されうる。制御部１２は、当該特定された電子線ＥＢとは異なる電子線ＥＢによって基板３への再描画を行うように、ブランカーユニット１５’、偏向器ＤＦおよび基板位置決め機構５０などを制御しうる。
【００３１】
図４Ａ、４Ｂは、本発明の第３実施形態の描画装置１０２の概略構成を示す図である。なお、第３実施形態として言及しない事項は、第１および／または第２実施形態に従いうる。第３実施形態の描画装置１０２は、複数の電子線ＥＢによって基板に描画を行う。
【００３２】
第３実施形態の描画装置１０２では、第２実施形態の描画装置１０１におけるストッピングアパーチャＳＡ’がストッピングアパーチャＳＡ”によって置き換えられている。ストッピングアパーチャＳＡ”は、複数のアパーチャ５と、電子線ＥＢを遮断する遮断部ＢＬと、を有するプレート１６を含む。ここで、各アパーチャ５は、少なくとも２つの電子線ＥＢを通過させる。
【００３３】
描画装置１０２は、複数の検出部３０および複数のＡＤ変換器８を備えている。ここで、各アパーチャ５に対して少なくとも１つの検出部３０が設けられる。図４Ａに示す例では、１つのアパーチャ５に対して１つの検出部３０が設けられ、図４Ｂに示す例では、１つのアパーチャ５に対して複数の検出部３０が設けられている。１つのアパーチャ５あたりの検出部３０の個数は、各アパーチャ５を通過する電子線ＥＢの数やブランカー４の偏向感度などに応じて決定されうる。第３実施形態では、１つの検出部３０によって少なくとも２つの電子線ＥＢが検出される。即ち、基板３に電子線ＥＢを入射させないように電子線ＥＢをブランカー４によって偏向させたときに、１つの検出部３０に対して少なくとも２つの電子線ＥＢが入射しうる。１つの検出部３０に対して少なくとも２つの電子線ＥＢが入射した場合、検出部３０によって、当該少なくとも２つの電子線ＥＢの量の合計値が検出される。ＡＤ変換器８は、典型的には、１つの検出部３０に対して１つのＡＤ変換器８が割り当てられるように設けられる。
【００３４】
図５を参照しながら描画制御データと検出部３０から出力される信号との関係を例示的に説明する。図５（ａ）は、パルス幅固定方式における描画制御データ（ＢＤ１〜３）と検出部３０から出力され信号（Ｉｓｕｍ）との関係を例示している。図５（ｂ）は、パルス幅変調方式における描画制御データ（ＢＤ１〜３）と検出部３０から出力され信号（Ｉｓｕｍ）との関係を例示している。ここで、ＢＤ１〜３は、３つのブランカー４をそれぞれ制御するための描画制御データであり、ＢＤｓｕｍは、それらの合計値を示している。Ｉｓｕｍは、１つの検出部３０に入射する電子線の量の合計値を示している。描画制御データ（ＢＤｓｕｍ）と検出部３０から出力された信号（Ｉｓｕｍ）とは、互いに反対の関係になる。
【００３５】
描画装置１０２は、複数のＡＤ変換器８から出力される信号に基づいて基板３への描画が正常であるかどうかを判断する処理部４０を備えうる。処理部４０は、例えば、ストッピングアパーチャＳＡ”のプレート１６に配置されうる。この場合、プレート１６は、例えば、複数の検出部３０が形成された基板と、複数のＡＤ変換器８が形成された基板と、処理部４０が形成された基板とを張り合わせることによって形成されうる。
【００３６】
処理部４０は、生成部９と、判断部１０とを含みうる。生成部９は、各ＡＤ変換器８から出力されるデジタル信号に基づいて、該ＡＤ変換器８に対応する検出部３０を共有する電子線ＥＢによる基板３への描画の状態を示す描画状態データを生成するように構成されうる。判断部１０は、ブランカーユニット１５’の各ブランカーを制御するための描画制御データと、生成部９によって生成される描画状態データとに基づいて、複数の電子線ＥＢによる基板３への描画が正常であるかどうかを判断するように構成されうる。
【００３７】
処理部４０による判断結果は、制御部１２に提供される。制御部１２は、処理部４０から提供された判断結果に基づいて、描画動作を制御しうる。制御部１２は、処理部４０により基板３への描画が正常ではないと判断された場合に、基板３への再描画がなされるように、ブランカーユニット１５’、偏向器ＤＦおよび基板位置決め機構５０などを制御しうる。ここで、処理部４０は、描画を正常に行うことができない電子線ＥＢを含むグループ（アパーチャ５を共有する電子線ＥＢ）を特定し、当該特定された電子線ＥＢを示す情報を制御部１２に提供するように構成されうる。制御部１２は、当該特定されたグループとは異なるグループの電子線ＥＢによって基板３への再描画を行うように、ブランカーユニット１５’、偏向器ＤＦおよび基板位置決め機構５０などを制御しうる。
【００３８】
第３実施形態によれば、検出部３０およびＡＤ変換器８の個数を減らすことができ、ストッピングアパーチャＳＡ”へのそれらの配置を容易にすることができる。
【００３９】
以下、本発明の一実施形態の物品製造方法について説明する。物品は、例えば、半導体デバイス等のデバイスでありうる。半導体デバイスは、ウエハ（半導体基板）に集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程とを経ることにより製造される。前工程は、前述の描画装置を用いて、感光剤が塗布されたウエハにパターンを描画する工程と、そのウエハを現像する工程とを含みうる。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）とを含みうる。
【図１】
2013182944.tif 000003
【図２】
2013182944.tif 000004
【図３】
2013182944.tif 000005
【図４Ａ】
2013182944.tif 000006
【図４Ｂ】
2013182944.tif 000007
【図５】
2013182944.tif 000008