(57)【要約】【課題】高さ方向における寸法精度の良いパッケージを用いた光通信モジュールを提供する。【解決手段】光通信モジュール１に用いられるパッケージ１０は、基板１１と、枠体１２と、蓋１３とを有する。枠体１２は、金属枠体２０とセラミック枠体３０とロウ材３９とを有し、金属枠体２０は、前壁２１と第１側壁２２を有する。前壁２１は、基板１１の主面１１ａに固定された一端面２１ａと、蓋１３に固定された他端面２１ｂとを有し、第１側壁２２は、第１開口端１２ａから第２開口端１２ｂへ向かう方向に基板１１の主面１１ａから離間した第１下端２２ｂと、蓋１３に固定された第１上端２２ａとを有する。セラミック枠体３０は、基板１１と第１側壁２２との間に配置される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージと、
前記パッケージ内に収容された光半導体素子と、
信号光が入出射する光ファイバを前記光半導体素子に光学的に接続するための接続部材と、を備える光通信モジュールであって、
前記パッケージは、第１開口端と第２開口端とを有する枠体と、前記第１開口端を塞ぐ基板と、前記第２開口端を塞ぐ蓋と、を有し、
前記枠体は、金属枠体とセラミック枠体とロウ材とを有し、
前記金属枠体は、前壁と第１側壁とを有し、
前記前壁は、前記基板の主面に固定された一端面と、前記蓋に固定された他端面とを有し、
前記第１側壁は、前記第１開口端から前記第２開口端へ向かう方向に前記基板の前記主面から離間した第１下端と、前記蓋に固定された第１上端とを有し、
前記セラミック枠体は、前記基板と前記第１側壁との間に配置された第２側壁を有し、
前記第２側壁の第２上端は、前記第１下端に固定され、
前記第２側壁の第２下端は、前記基板の前記主面に固定され、
前記ロウ材は、前記セラミック枠体を前記金属枠体に固定し、
前記接続部材は、前記前壁に設けられた貫通孔に連通して前記前壁に固定されている、ことを特徴とする光通信モジュール。
【請求項２】
前記貫通孔には、光透過部材が配置される配置面が設けられ、
前記配置面の法線方向は、前記光半導体素子から出射される前記信号光の進行方向に対して傾いている、ことを特徴とする請求項１に記載の光通信モジュール。
【請求項３】
前記基板に固定されている電子冷却器を更に備え、
前記光半導体素子は、前記電子冷却器を介して前記基板に固定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光通信モジュール。
【請求項４】
前記ロウ材は、銀ロウである、ことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の光通信モジュール。
【請求項５】
第１開口端と第２開口端とを有する枠体と、
前記第１開口端を塞ぐ基板と、
前記第２開口端を塞ぐ蓋と、を備え、
前記枠体は、金属枠体とセラミック枠体とロウ材とを有し、
前記金属枠体は、前壁と第１側壁とを有し、
前記前壁は、前記基板の主面に固定された一端面と、前記蓋に固定された他端面とを有し、
前記第１側壁は、前記第１開口端から前記第２開口端へ向かう方向に前記基板の前記主面から離間した第１下端と、前記蓋に固定された第１上端とを有し、
前記セラミック枠体は、前記基板と前記第１側壁との間に配置された第２側壁を有し、
前記第２側壁の第２上端は、前記第１下端に固定され、
前記第２側壁の第２下端は、前記基板の前記主面に固定され、
前記ロウ材は、前記セラミック枠体を前記金属枠体に固定していることを特徴とする光通信モジュール用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信モジュール及び光通信モジュールに用いられるパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光トランシーバの伝送速度の高速化及び伝送距離の長延化が進んでいる。このような光トランシーバでは、電子冷却器に光半導体素子を搭載して光半導体素子の温度を制御している。
【０００３】
光トランシーバに用いられるパッケージには、金属部材又はセラミック部材が用いられている。このパッケージの前面には、接続部材を介して光透過部材が固定されている。パッケージには、パッケージ内に収容された光半導体素子と外部回路との間の電気的接続を確保するためのリード端子が設けられている。リード端子は、パッケージ側面に設けられる場合や、パッケージを構成するセラミック積層部をフィードスルーして取り付けたセラミック基板に設けられる場合がある。
【０００４】
特許文献１〜６には、光半導体素子を収容するための光通信用パッケージが記載されている。特許文献１に記載されたパッケージでは、セラミックリングを挟んでガラス等の光透過部材が金属壁に接合されている。特許文献１に記載されたパッケージでは、レンズを保持する金属部材がセラミック枠体の側面にロウ付けされている。特許文献３に記載されたパッケージでは、セラミック枠体の側面に接合された一のフランジを挟んで、光透過部材を保持する別のフランジが、パッケージに固定されている。特許文献４〜６に記載されたパッケージでは、セラミック枠体の側面に金属部材が接合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６―１５１６２９号公報
【特許文献２】特開平１０―１４８７３６号公報
【特許文献３】特開２００２―２２８８８３号公報
【特許文献４】特開２００２―２２８８８４号公報
【特許文献５】特開２００２―２２８８８８号公報
【特許文献６】特開２００２―２２８８９１号公報
【特許文献７】特開平１０―２７５８７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献７には、光半導体素子を収容するパッケージが記載されている。このパッケージは、基体と、基体の上に配置されたセラミック枠体と、枠体の上に配置された蓋体とを備えている。このセラミック枠体には、フランジが挿入される孔が設けられている。この孔は、階段状の断面を有しているので、セラミック枠体とフランジとを接合したときに生じる応力が分散される。このような構成により、フランジが挿入された孔におけるクラックの発生を抑制できる。
【０００７】
セラミック部材で構成されている枠体は、焼結工程においてセラミック部材が収縮するので寸法誤差が大きくなるおそれがある。パッケージの高さ方向の寸法誤差が大きい場合、光通信モジュールが搭載される装置の設計では、光通信モジュールの寸法誤差を許容するための寸法余裕が必要である。寸法誤差が大きくなると、必要な寸法余裕も大きくなるので、装置の小型化を阻害するおそれがある。従って、高さ方向における寸法精度の良いパッケージを用いた光通信モジュールが求められていた。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みて為されたものであり、高さ方向における寸法精度の良いパッケージ及びそのパッケージを用いた光通信モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る光通信モジュールは、パッケージと、前記パッケージ内に収容された光半導体素子と、信号光が入出射する光ファイバを前記光半導体素子に光学的に接続するための接続部材と、を備える光通信モジュールであって、前記パッケージは、第１開口端と第２開口端とを有する枠体と、前記第１開口端を塞ぐ基板と、前記第２開口端を塞ぐ蓋と、を有し、前記枠体は、金属枠体とセラミック枠体とロウ材とを有し、前記金属枠体は、前壁と第１側壁とを有し、前記前壁は、前記基板の主面に固定された一端面と、前記蓋に固定された他端面とを有し、前記第１側壁は、前記第１開口端から前記第２開口端へ向かう方向に前記基板の前記主面から離間した第１下端と、前記蓋に固定された第１上端とを有し、前記セラミック枠体は、前記基板と前記第１側壁との間に配置された第２側壁を有し、前記第２側壁の第２上端は、前記第１下端に固定され、前記第２側壁の第２下端は、前記基板の前記主面に固定され、前記ロウ材は、前記セラミック枠体を前記金属枠体に固定し、前記接続部材は、前記前壁に設けられた貫通孔に連通して前記前壁に固定されている。
【００１０】
また、本発明に係る光通信モジュール用パッケージは、第１開口端と第２開口端とを有する枠体と、前記第１開口端を塞ぐ基板と、前記第２開口端を塞ぐ蓋と、を備え、前記枠体は、金属枠体とセラミック枠体とロウ材とを有し、前記金属枠体は、前壁と第１側壁とを有し、前記前壁は、前記基板の主面に固定された一端面と、前記蓋に固定された他端面とを有し、前記第１側壁は、前記第１開口端から前記第２開口端へ向かう方向に前記基板の前記主面から離間した第１下端と、前記蓋に固定された第１上端とを有し、前記セラミック枠体は、前記基板と前記第１側壁との間に配置された第２側壁を有し、前記第２側壁の第２上端は、前記第１下端に固定され、前記第２側壁の第２下端は、前記基板の前記主面に固定され、前記ロウ材は、前記セラミック枠体を前記金属枠体に固定している。
【００１１】
この光通信モジュールのパッケージは、枠体と、枠体の第１開口端を塞ぐ基板と、枠体の第２開口端を塞ぐ蓋とにより構成されている。枠体は、金属枠体とセラミック枠体とを有している。金属枠体は、基板に固定された一端面と、蓋に固定された他端面を有しているため、枠体の高さは前壁部の一端面から他端面までの高さで規定される。従って、パッケージの高さは、基板の厚さと、金属枠体の一端面から他端面までの高さと、蓋体の厚さとを合計した総和の長さで規定される。このような構成によれば、寸法誤差が大きいセラミック枠体を用いた場合であっても、高さ方向の寸法精度のよいパッケージが得られる。従って、寸法精度の良いパッケージを用いた光通信モジュールが得られる。
【００１２】
また、光通信モジュールでは、前記貫通孔には、光透過部材が配置される配置面が設けられ、前記配置面の法線方向は、前記光半導体素子から出射される前記信号光の進行方向に対して傾いていてもよい。このような構成によれば、配置面の法線方向が、光半導体素子の光軸方向に対して傾いているので、光半導体素子から出射された信号光の進行方向は光透過部材の入射面と直交しない。従って、光半導体素子から出射された信号光が光透過部材で反射されて光半導体素子に戻ることを防止することができる。
【００１３】
また、光通信モジュールでは、前記基板に固定されている電子冷却器を更に備え、前記光半導体素子は、前記電子冷却器を介して前記基板に固定されていてもよい。このような構成によれば、光半導体素子の温度が所望の温度に制御される。従って、光半導体素子の特性を所定の特性に維持することができる。
【００１４】
また、光通信モジュールでは、前記ロウ材が銀ロウであってもよい。このような構成によれば、金属枠体とセラミック枠体とを容易に一体化することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、高さ方向における寸法精度の良いパッケージ及びそのパッケージを用いた光通信モジュールが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明に係るパッケージ及び該パッケージを用いた光通信モジュールを概略的に示す図である。
【図２】図２は、本実施形態に係るパッケージを説明するための図である。
【図３】図３は光通信モジュールの断面を示す図である。
【図４】図４は光通信モジュールの断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら本発明による光通信モジュール及び光通信モジュール用パッケージの実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付す。
【００１８】
図１及び図２に示されるように、光通信モジュール１は、パッケージ１０と、パッケージ１０に収容される光出射部４０（図３参照）と、信号光Ｓが入出射する光ファイバ６１を光出射部４０に光学的に接続するための接続部材５０と有する。
【００１９】
パッケージ１０は、基板１１と、光出射部４０を囲むように配置された枠体１２と、枠体１２を密封するための蓋１３とを有する。
【００２０】
基板１１は、金属製の板状部材である。基板１１は、例えばプレス加工が可能な銅モリブデン（ＣｕＭｏ）を材料として用いることができる。基板１１は、枠体１２の第１開口端１２ａに固定されて、パッケージ１０の底部をなす。また、基板１１は、パッケージ１０の内部に収容された光出射部４０において発生する熱を放出するための放熱基板である。基板１１は、後述するフレキシブルプリント基板１４（以下、ＦＰＣ基板という）よりも大きい厚さを有している。例えば、基板１１の厚さは、０．５〜１．０ｍｍであり、好適には０．５ｍｍである。
【００２１】
図３に示されるように、基板１１は、主面１１ａと、主面１１ａの反対側にある裏面１１ｂとを有している。主面１１ａには、光半導体素子４４を有する光出射部４０と、枠体１２とが配置される。主面１１ａは、枠体１２の高さを規定するための基準面である。
【００２２】
枠体１２は、基板１１の主面１１ａにおいて光出射部４０を囲んで配置されて、光出射部４０が収容されるキャビティを画成している。枠体１２は、金属枠体２０と、セラミック枠体３０とを有している。
【００２３】
金属枠体２０は、枠体１２の一部をなし、前壁２１と第１側壁２２とを有している。金属枠体２０を側面視すると、金属枠体２０は略Ｌ字状の形状を有している。これら前壁２１と第１側壁２２とは、一体成形されている。金属枠体２０の成形には、金属粉末射出成形法（ＭＩＭ法）を用いることができる。ＭＩＭ法によれば、金属枠体２０が容易且つ低コストで製造される。金属枠体２０を構成する材料には、コバールが好適である。コバールを用いることにより、後述するレンズホルダ５１（図１参照）を容易に接合することができる。また、金属枠体２０の熱膨張係数が、レンズホルダ５１が有する熱膨張係数に近づくため、熱膨張係数の差異によるクラックの発生を抑制することができる。さらに、コバールの粉末は、ＭＩＭ法による成形材料として好適である。
【００２４】
前壁２１は、基板１１の主面１１ａに固定された一端面２１ａと、蓋１３に固定された他端面２１ｂを有している。前壁２１にはレンズホルダ５１が溶接されるため、溶接により発生する内部応力に対して変形を抑制するための剛性が要求される。例えば、前壁２１は、１ｍｍ以上の厚さｔ１を有している。
【００２５】
前壁２１には、前壁２１の厚さ方向に延びた貫通孔２３が設けられている。この貫通孔２３は、前壁２１を貫通する孔部２３ａと、前壁２１の内面２１ｃから延びた凹部２３ｂとにより構成されている。凹部２３ｂの底には、光透過部材２４を配置するための配置面２３ｃが形成されている。配置面２３ｃは、光軸Ｃに直交する面に対して傾いている。
【００２６】
この配置面２３ｃに固定される光透過部材２４は、例えば、サファイアやガラスを用いることができる。この光透過部材２４は平板状の部材であり、配置面２３ｃに固定されたとき、光透過部材２４の信号光Ｓが入射される面は光軸Ｃに対して傾いている。光透過部材２４は、低融点ガラス、ＡｕＳｎ半田又はＡｕＧｅ半田の何れか一つを用いて、配置面２３ｃに接合される。このように、凹部２３ｂにより光透過部材２４が容易に位置決めされる。
【００２７】
第１側壁２２は、第１上端２２ａと第１下端２２ｂとを有している。また、第１側壁２２は、側壁２２ｃと、後壁２２ｄとを含んでいる。第１上端２２ａは、第２開口端１２ｂに含まれており、前壁２１の他端面２１ｂとともに第２開口端１２ｂを構成している。すなわち、第１上端２２ａと他端面２１ｂとは同じ平面に含まれている。第１下端２２ｂは、第１開口端１２ａから第２開口端１２ｂに向かう方向に、基板１１の主面１１ａから離間した端部である。なお、第１側壁２２は、蓋１３を溶接したときに生じる内部応力を開放する領域として機能するので、セラミック枠体３０に伝達される内部応力が低減される。
【００２８】
なお、凹部２３ｂの側面を延長した基線Ｌ１は、後述するセラミック枠体３０の後壁３２ｂと交差することが好ましい（図４参照）。このように構成することにより、金属枠体２０の製造時に貫通孔２３を形成するための金型を容易に抜き取ることができる。また、前壁２１と第１側壁２２とで構成される角部２８には、ロウ溜まり部２９（図１参照）を設けておくことが好ましい。ロウ溜まり部２９を設けることにより、角部２８において金属枠体２０とセラミック枠体３０とが確実に固定されるため、パッケージ内部を好適に気密封止することができる。
【００２９】
セラミック枠体３０は、金属枠体２０と基板１１との間に配置され、基板１１とロウ付けされている。このセラミック枠体３０は、光出射部４０を囲む第２側壁３２と、前壁３１とを有している。第２側壁３２は、側壁３２ａ及び後壁３２ｂからなる。
【００３０】
側壁３２ａの一端と前壁３１との各々は、金属枠体２０の前壁２１に接触している。後壁３２ｂは、前壁３１の反対側に設けられている。後壁３２ｂの高さは側壁３２ａと同じであり、後壁３２ｂの上端と側壁３２ａの上端とは、金属枠体２０の第１下端２２ｂに固定される第２上端３４ａを構成する。また、前壁３１の下端と、側壁３２ａの下端と、後壁３２ｂの下端とは、基板１１の主面１１ａに固定される第２下端３４ｂを構成する。第２下端３４ｂは、基板１１の主面１１ａに固定されている。第２上端３４ａは、金属枠体２０の第１下端２２ｂに固定されている。
【００３１】
図４に示されるように、セラミック枠体３０の高さＨ１は、第２下端３４ｂから第２上端３４ａまでの距離で規定される。この高さは、基板１１の主面１１ａから金属枠体２０の第１下端２２ｂまでの高さＨ２よりも低くなるように設定されている。セラミックからなる部材では、セラミックの製造上の理由から、設計値に対して例えば１０％程度の寸法誤差が生じる。セラミック枠体３０の高さは、寸法誤差を含んだセラミック枠体３０の最大高さが、主面１１ａから第１下端２２ｂまでの高さよりも低くなるように設定される。
【００３２】
このような高さに設定されたセラミック枠体３０は、基板１１と金属枠体２０との間に配置されたとき、金属枠体２０の第１下端２２ｂとセラミック枠体３０の第２上端３４ａとの間には、隙間ｔ２が生じることになる。この隙間ｔ２は、ロウ材３９を充填することにより埋められて、金属枠体２０にセラミック枠体３０が固定される。このロウ材３９には、銀ロウを用いることができる。
【００３３】
例えば、セラミック枠体３０の高さは、寸法値２．０〜２．５ｍｍに対して１０％の寸法誤差０．２０〜０．２５ｍｍに設定される。なお、金属枠体２０とセラミック枠体３０との間に設けられる隙間はロウ材３９により充填される。ロウ材３９で充填可能な隙間の長さは、０．３ｍｍ程度である。そのため、枠体１２の寸法設計では、隙間を０．２５〜０．３０ｍｍに設定することが好ましい。
【００３４】
図３に示されるように、前壁３１の高さは、基板１１の主面１１ａから光半導体素子４４の光軸Ｃの高さよりも低くなるように設定されている。さらに、金属枠体２０の前壁３１に設けられた貫通孔２３の外周縁２４ｂよりも低くなるように設定されている。
【００３５】
セラミック枠体３０は、複数のセラミック基板３７，３８が積層された構成を有する。前壁３１の一部、側壁３２ａの一部及び後壁３２ｂの一部を構成する一体成形されたセラミック基板３７が基板１１の主面１１ａに２枚積層されている。セラック基板３７は、矩形状の外形を有している。更に、セラミック基板３７上には、側壁３２ａの一部及び後壁３２ｂの一部を構成する一体成形されたセラミック基板３８が複数枚積層されている。セラミック基板３８は、一端が開口した矩形状の形状を有している。セラミック基板３７，３８には、光半導体素子４４と外部回路との電気的接続を確保するための、配線パターンが設けられている。
【００３６】
光半導体素子４４はセラミック枠体３０の内側に設けられたパッドにワイヤを介して接続される。パッドは、セラミック基板３７，３８に設けられた配線パターン及びセラミック基板３７，３８を貫通する貫通ビアを介して、セラミック基板３７に設けられた端子部３６ａに接続されている。
【００３７】
後壁２２ｄから前壁２１へ向かう方向に沿った枠体１２の長さは、後壁２２ｄから前壁２１へ向かう方向に沿った基板１１の長さよりも長い。前壁２１は基板１１の主面１１ａに固定されているため、枠体１２の後側では、セラミック枠体３０が基板１１と固定されていない底面部３６が設けられる。この底面部３６には端子部３６ａが設けられている。端子部３６ａには、外部回路との電気的接続を確保するためのＦＰＣ基板１４が接続されている。ＦＰＣ基板１４を用いることにより、リード端子を設ける必要がないため、作業工程が短縮されると共に、光通信モジュールの製造コストが低減される。
【００３８】
図１に示されるように、蓋１３は、金属からなる薄板状の部材である。蓋１３は、枠体１２の第２開口端１２ｂに抵抗溶接法により固定されて、パッケージ１０の開口を塞いでいる。この蓋１３を枠体１２に固定してパッケージ１０の内部が気密封止（ハーメチックシール）する。
【００３９】
図３及び図４に示されるように、光出射部４０は、信号光Ｓを出射する。光出射部４０は、電子冷却器４１、ベース４２、回路基板４３、光半導体素子４４及びレンズ４６を備えている。基板１１の主面１１ａの上には、光半導体素子４４の温度を調節するための電子冷却器４１が配置されている。この電子冷却器４１には、例えばペルチェ素子を用いることができる。電子冷却器４１の上には、金属材料からなるベース４２が配置されている。ベース４２には、光半導体素子４４が配置された回路基板４３と、レンズ４６とが固定されている。
【００４０】
光半導体素子４４は、信号光Ｓを入射する素子である。例えば、光半導体素子４４には、レーザダイオードを用いることができる。この光半導体素子４４は、パッケージ１０の前壁２１に向けて信号光Ｓを出射する。レンズ４６は、信号光Ｓの光路上に配置されている。光通信モジュール１を受信用モジュールとして用いる場合には、光半導体素子４４として、受光素子、例えばフォトダイオードを用いることができる。
【００４１】
図１に示されるように、パッケージ１０の前壁２１には、光ファイバ６１を光半導体素子４４に光学的に接続するための接続部材５０が固定されている。この接続部材５０は、前壁２１にＹＡＧ溶接されたレンズホルダ５１と、光ファイバ６１が挿入されるスリーブ５３と、レンズホルダ５１をスリーブ５３に連結するためのジョイントスリーブ５２からなる。
【００４２】
レンズホルダ５１、スリーブ５３及びジョイントスリーブ５２のそれぞれは円筒状の外形をなし、互いに異なる外径寸法を有する。また、レンズホルダ５１、スリーブ５３及びジョイントスリーブ５２は、信号光Ｓを光ファイバ６１の端面に導くための貫通孔が設けられている。レンズホルダ５１の貫通孔には、レンズが配置されていてもよい。また、スリーブの貫通孔の内径は、光ファイバ６１が挿入可能な寸法に設定されている。
【００４３】
本実施形態のパッケージ１０及び該パッケージ１０を用いた光送信モジュール１によれば、枠体１２と、枠体１２の第１開口端１２ａを塞ぐ基板１１と、枠体１２の第２開口端１２ｂを塞ぐ蓋１３とにより構成されている。枠体１２は、金属枠体２０とセラミック枠体３０とを有している。金属枠体２０は、基板１１に固定された一端面２１ａと、蓋１３に固定された他端面２１ｂを有しているため、枠体１２の高さは前壁２１の一端面２１ａから他端面２１ｂまでの高さで規定される。従って、パッケージ１０の高さは、基板１１の厚さと、金属枠体２０の一端面２１ａから他端面２１ｂまでの高さと、蓋１３の厚さとを合計した総和の長さで規定される。金属枠体２０は、セラミック枠体３０に比べて良好な寸法精度を得ることができるため、寸法精度の良いパッケージ１０を用いた光通信モジュール１が得られる。
【００４４】
また、信号光Ｓが入出射するための貫通孔２３は、金属枠体２０の前壁２１に設けられている。前壁２１は、基板１１の主面１１ａに固定されるため、高さ方向に関して、主面１１ａを基準とした貫通孔２３の位置決めがなされる。このように構成することにより、基準面である主面１１ａに対して、精度良く貫通孔２３を位置決めすることができるので、貫通孔２３の設計自由度を高めることができる。
【００４５】
また、配置面２３ａの法線方向が、光半導体素子４５の光軸Ｃの方向に対して傾いているので、光半導体素子４５から出射された信号光Ｓの進行方向は光透過部材２４の入射面２４ａと直交しない。従って、光半導体素子４５から出射された信号光Ｓが光透過部材２４で反射されて光半導体素子４５に戻ることを防止することができる。
【００４６】
また、光半導体素子４５の温度が電子冷却器４１により所望の温度に制御される。従って、光半導体素子４５の特性を所定の特性に維持することができる。
【００４７】
また、ロウ材３９として銀ロウを用いているので、金属枠体２０とセラミック枠体３０とを容易に一体化することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１…光通信モジュール、１０…パッケージ、１１…基板、１１ａ…主面、１２…枠体、１２ａ…第１開口端、１２ｂ…第２開口端、１３…蓋、２０…金属枠体、２１…前壁、２１ａ…一端面、２１ｂ…他端面、２２…第１側壁、２２ａ…第１上端、２２ｂ…第１下端、３０…セラミック枠体、３９…ロウ材、３２…第２側壁、３２ａ…第２上端、３２ｂ…第２下端。
【図１】
2013175668.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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