(57)【要約】【課題】本発明は、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板を提供することを課題とする。【解決手段】本発明においては、金属支持基板、絶縁層、配線層およびカバー層がこの順に積層されたサスペンション用基板であって、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部に、上記配線層の断線部が形成され、上記開口部に、上記断線部に存在していた上記配線層の形状が転写された転写部を有する上記カバー層が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供することをにより、上記課題を解決する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層上に形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、
前記金属支持基板および前記絶縁層の開口部に、前記配線層の断線部が形成され、
前記開口部に、前記断線部に存在していた前記配線層の形状が転写された転写部を有する前記カバー層が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記断線部が、めっき部を有する前記配線層の断線部であることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項４】
請求項３に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項５】
請求項４に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項６】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層上に形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記金属支持基板および前記絶縁層の開口部に前記配線層が露出する中間部材を形成する中間部材準備工程と、
前記開口部から露出する前記配線層をエッチングすることで断線部を形成し、前記断線部に存在していた前記配線層の形状が転写された転写部を有する前記カバー層を形成する断線部形成工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項７】
前記断線部形成工程の前に、前記配線層の一部にめっき部を形成するめっき部形成工程を有することを特徴とする請求項６に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。
【０００３】
ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャ）は、通常、一方の先端部分に形成され、磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子を実装する記録再生用素子実装領域と、他方の先端部分に形成され、外部回路基板との接続を行う外部回路基板接続領域と、記録再生用素子実装領域および外部回路基板接続領域を接続する配線層とを有する。また、サスペンション用基板は、通常、金属支持基板、絶縁層および配線層がこの順に積層された基本構造を有する。
【０００４】
例えば配線層の端子部の表面には、劣化防止や接続信頼性向上を目的として、めっき部を設けることが知られている。また、特許文献１には、めっき部を電気めっきで設ける際に給電のために設けるめっきリードの一部をエッチングにより除去する、配線回路基板の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２７２５４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
配線層の一部を除去し断線部を形成すると、後述する図４に示すように、断線された配線層の端部が、カバー層から露出する場合がある。露出した端部に、例えば外部機器が接触すると、記録再生用素子等の素子に静電気が伝わり、最悪の場合、素子の静電破壊が生じる可能性がある。
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部に、上記配線層の断線部が形成され、上記開口部に、上記断線部に存在していた上記配線層の形状が転写された転写部を有する上記カバー層が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【０００９】
本発明によれば、断線部に、転写部を有するカバー層が形成されていることから、断線された配線層の端部がカバー層から露出しない構造となる。そのため、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板とすることができる。
【００１０】
上記発明においては、上記断線部が、めっき部を有する上記配線層の断線部であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１２】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、静電気による影響を受けにくいサスペンションとすることができる。
【００１３】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００１４】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、静電気による影響を受けにくい素子付サスペンションとすることができる。
【００１５】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００１６】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００１７】
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部に上記配線層が露出する中間部材を準備する中間部材準備工程と、上記開口部から露出する上記配線層をエッチングすることで断線部を形成し、上記断線部に存在していた上記配線層の形状が転写された転写部を有する上記カバー層を形成する断線部形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００１８】
本発明によれば、カバー層を形成し、その後、断線部を形成することで、断線された配線層の端部がカバー層から露出しない構造となる。そのため、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板を得ることができる。
【００１９】
上記発明においては、上記断線部形成工程の前に、上記配線層の一部にめっき部を形成するめっき部形成工程を有することが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のサスペンション用基板は、静電気による影響を受けにくいという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図２】本発明における断線部を説明する概略斜視図である。
【図３】本発明における断線部を説明する模式図である。
【図４】本発明における断線部を説明する概略平面図である。
【図５】本発明における断線部を説明する概略断面図である。
【図６】本発明における断線部を説明する概略断面図である。
【図７】本発明における断線部を説明する概略平面図である。
【図８】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図９】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１０】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図１１】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１２】本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【図１３】本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【図１４】本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【図１５】本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２３】
Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部に、上記配線層の断線部が形成され、上記開口部に、上記断線部に存在していた上記配線層の形状が転写された転写部を有する上記カバー層が形成されていることを特徴とするものである。
【００２４】
図１は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する複数の配線層１０３ａ〜１０３ｄとを有するものである。配線層１０３ａおよび配線層１０３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１０３ｃおよび配線層１０３ｄも一対の配線層である。２つの一対の配線層は、一方が書込用配線層であり、他方が読取用配線層である。また、図１（ｂ）に示すように、サスペンション用基板１００は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３を覆うように形成されたカバー層４とを有する。
【００２５】
図２は、本発明における断線部を説明する概略斜視図である。また、図３（ａ）は図２のＡ−Ａ断面図であり、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ断面図であり、図３（ｃ）は図２の概略平面図である。図２に示すように、金属支持基板１および絶縁層２の開口部Ｘに、配線層３の断線部３ｘが形成されている。また、図３（ａ）〜（ｃ）示すように、開口部Ｘに、断線部３ｘに存在していた配線層（断線部３ｘが形成される前の配線層）の形状が転写された転写部４ｘを有するカバー層４が形成されている。
【００２６】
本発明によれば、断線部に、転写部を有するカバー層が形成されていることから、断線された配線層の端部がカバー層から露出しない構造となる。そのため、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板とすることができる。ここで、図４に示すように、カバー層４の開口部において断線部を形成すると、断線された配線層の端部がカバー層から露出する場合がある。このような露出する端部（残渣部）は、例えば、配線層およびカバー層の間にＮｉ等の保護金属層が存在する場合に生じやすい。その理由は保護金属層の存在によりエッチングが進行しにくくなるからである。これに対して、本発明においては、図３（ｃ）に示すように、断線された配線層の端部がカバー層から露出しないため、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板とすることができる。その結果、素子の静電破壊等を防止できるという利点がある。また、図３（ｂ）に示すように、断線された配線層の端部は、絶縁層および金属支持基板により保護されるので、たとえ金属支持基板側から外部機器が接近しても、外部機器および配線層の接触を防止できるという利点がある。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
【００２７】
１．サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層およびカバー層を少なくとも有する。
【００２８】
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。
【００２９】
本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００３０】
本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３１】
上記配線層としては、例えば書込用配線層、読取用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ素子用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、グランド用配線層、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層等を挙げることができる。
【００３２】
また、配線層の一部の表面には、めっき部が形成されていることが好ましい。めっき部を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できるからである。特に、本発明においては、配線層の端子部にめっき部が形成されていることが好ましい。めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Ａｕめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ｃｕめっき等を挙げることができる。中でも、配線層の表面側からＮｉめっきおよびＡｕめっきが形成されていることが好ましい。めっき部の厚さは、例えば０．１μｍ〜４μｍの範囲内である。
【００３３】
本発明のサスペンション用基板は、配線層を覆うカバー層を有していても良い。カバー層を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。配線層上のカバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３４】
２．サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板および絶縁層の開口部に、配線層の断線部が形成されていることを一つの特徴とする。断線部が形成される配線層の種類は、特に限定されるものではなく、上述した任意の配線層を挙げることができる。中でも、本発明においては、断線部が、めっき部を有する配線層の断線部であることが好ましい。例えば複数の端子部でめっき線を共有させると、省スペース化を図ることができるからである。また、図５（ａ）に示すように、断線部３ｘの距離をＬ１とすると、Ｌ１は、例えば１０μｍ以上であり、１０μｍ〜３００μｍの範囲内であることが好ましく、２０μｍ〜２００μｍの範囲内であることがより好ましい。上記範囲であれば、十分な絶縁を図りつつ、断線された配線層の端部に外部機器が接触することを防止できるからである。
【００３５】
本発明における開口部は、通常、露出する配線層をエッチングし断線部を形成するための開口部である。金属支持基板の開口部と、絶縁層の開口部との位置関係は、特に限定されるものではないが、図５（ａ）に示すように、絶縁層２の開口部が、金属支持基板１の開口部よりも内側に形成されていることが好ましい。すなわち、開口部における絶縁層２の端部２１が、開口部における金属支持基板１の端部１１よりも突出していることが好ましい。配線層３と金属支持基板１との短絡を防止できるからである。
【００３６】
また、本発明においては、図５（ｂ）に示すように、開口部における絶縁層２の端部２１が、断線された配線層３の端部３１よりも突出していることが好ましい。ここで、配線層３の端部３１と、絶縁層２の端部２１との距離Ｌ２は、特に限定されるものではないが、例えば３μｍ以上であることが好ましく、３μｍ〜５０μｍの範囲内であることがより好ましく、１０μｍ〜２５μｍの範囲内であることがさらに好ましい。上記範囲であれば、配線層の端部と外部機器との接触をさらに防止できるからである。
【００３７】
本発明においては、通常、配線層上にカバー層を形成した後に、上記開口部から露出する配線層をエッチングし断線部を形成する。そのため、カバー層には、断線部に存在していた配線層の形状が転写された転写部が形成される。カバー層は、平面視上、断線された配線層の端部と重複するように形成されていれば良く、断線部の全域に形成されていることが好ましい。また、カバー層は、平面視上、上記開口部の全体を覆うように形成されていても良い。
【００３８】
本発明におけるカバー層は、上記開口部において、配線方向に沿って直線的に形成されていても良く、配線方向に沿って段差部を有するように形成されていても良い。前者の具体例としては、図３（ｂ）に示すように、配線方向Ｄに沿って直線的（厚さ方向において変化せず）に形成されたカバー層４を挙げることができる。この場合、カバー層上部に外部接続機器を搭載するときに平行性を確保できる(例えば、記録再生用素子実装領域に断線部が必要な場合に、記録再生用素子の平行性を確保できる)という利点を有する。一方、図６（ａ）、（ｂ）は、図３（ａ）、（ｂ）と同様に、それぞれ図２のＡ−Ａ断面およびＢ−Ｂ断面を示す。後者の具体例としては、図６（ｂ）に示すように、配線方向Ｄに沿って段差部Ｕを有するように（厚さ方向において変化するように）形成されたカバー層４を挙げることができる。この場合、例えば個片のサスペンション用基板にカットするためのカットラインを、上記断線部と一致させることで、カットしやすいという利点がある。すなわち、上記断線部では、カバー層のみしか存在しないため総厚が薄く、さらに、金属支持基板からカバー層までの距離（厚さ方向の距離）が小さいため、カット時にサスペンション用基板に加わる応力が小さく、サスペンション用基板が変形しにくいという利点がある。
【００３９】
また、本発明における断線部の設置位置は、特に限定されるものではなく、任意の場所を選択できる。断線部の設置位置の一例としては、例えば図７（ａ）に示すように、めっき線３ｃに設けられた断線部３ｘを挙げることができる。より具体的には、引き回し部３ａ、端子部３ｂ、めっき線３ｃを有する配線層において、複数の端子部３ｂがめっき線３ｃを共有しており、そのめっき線３ｃに断線部３ｘが設けられている。この場合、めっき部を形成した後に、めっき線３ｃに断線部３ｘを形成することで、各々の配線層が独立したものとなる。なお、図７（ｂ）に示すように、各端子部３ｂに接続された複数のめっき線３ｃが集まる集約点Ｐに断線部３ｘが設けられていても良い。端子部３ｂの種類は特に限定されるものではなく、例えば、カバー層側の表面および絶縁層側の表面が露出した端子部（フライングリード）であっても良く、カバー層側の表面または絶縁層側の表面が露出した端子部であっても良い。また、端子部は、例えば、外部回路基板との接続される端子部であっても良く、テスト用の電極に接続される端子部（テストパッド）であっても良い。
【００４０】
断線部の設置位置の他の例としては、例えば図７（ｃ）に示すように、端子間接続部３ｄに設けられた断線部３ｘを挙げることができる。より具体的には、引き回し部３ａ、端子部３ｂ、めっき線３ｃ、端子間接続部３ｄを有する配線層において、複数の端子部３ｂを接続する端子間接続部３ｄに断線部３ｘが設けられている。また、めっき線３ｃにも断線部３ｘが設けられている。この場合も、めっき部を形成した後に、めっき線３ｃおよび端子間接続部３ｄに断線部３ｘを形成することで、各々の配線層が独立したものとなる。
【００４１】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
【００４２】
図８は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図８に示されるサスペンション３００は、上述したサスペンション用基板１００と、サスペンション用基板１００の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム２００とを有するものである。
【００４３】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、静電気による影響を受けにくいサスペンションとすることができる。
【００４４】
本発明のサスペンションは、サスペンション用基板と、ロードビームとを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。
【００４５】
Ｃ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。
【００４６】
図９は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図９に示される素子付サスペンション４００は、上述したサスペンション３００と、サスペンション３００の記録再生用素子実装領域１０１に実装された記録再生用素子３０１と、を有するものである。
【００４７】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、静電気による影響を受けにくい素子付サスペンションとすることができる。
【００４８】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明における記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。また、本発明の素子付サスペンションは、熱アシスト用素子、アクチュエータ素子等の他の素子を有していても良い。
【００４９】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
【００５０】
図１０は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１０に示されるハードディスクドライブ５００は、上述した素子付サスペンション４００と、素子付サスペンション４００がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク４０１と、ディスク４０１を回転させるスピンドルモータ４０２と、素子付サスペンション４００の素子を移動させるアーム４０３およびボイスコイルモータ４０４と、上記の部材を密閉するケース４０５とを有するものである。
【００５１】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００５２】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｃ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００５３】
Ｅ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部に上記配線層が露出する中間部材を準備する中間部材準備工程と、上記開口部から露出する上記配線層をエッチングすることで断線部を形成し、上記断線部に存在していた上記配線層の形状が転写された転写部を有する上記カバー層を形成する断線部形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００５４】
図１１は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略断面図である。図１１においては、まず、金属支持基板１および絶縁層２の開口部に配線層３が露出する中間部材１１０を準備する（図１１（ａ）、中間部材準備工程）。次に、開口部から露出する配線層３をエッチングすることで断線部を形成し、断線部に存在していた配線層（断線部が形成される前の配線層）の形状が転写された転写部４ｘを有するカバー層４を形成する（図１１（ｂ）、断線部形成工程）。これにより、サスペンション用基板が得られる。
【００５５】
本発明によれば、カバー層を形成し、その後、断線部を形成することで、断線された配線層の端部がカバー層から露出しない構造となる。そのため、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板を得ることができる。
以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法について、工程毎に説明する。
【００５６】
１．中間部材準備工程
本発明における中間部材準備工程は、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部に上記配線層が露出する中間部材を準備する工程である。中間部材準備工程の具体的な方法としては、例えばサブトラクティブ法およびアディティブ法を挙げることができる。以下、これらの方法について詳細に説明する。
【００５７】
（１）サブトラクティブ法
まず、サブトラクティブ法を用いた中間部材準備工程について説明する。サブトラクティブ法を用いた中間部材準備工程の一例としては、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし配線層を形成する配線層形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし開口部を有する金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有する工程を挙げることができる。
【００５８】
具体的には、図１２に示すように、まず、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａ、および導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図１２（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、配線層３を形成する（図１２（ｂ））。この際、金属支持部材１Ａに対して、ウェットエッチングを同時に行い、開口部を有する金属支持基板１を形成する。次に、配線層３上にカバー層４を形成し（図１２（ｃ））、絶縁部材２Ａに対してウェットエッチングを行うことで開口部を有する絶縁層２を形成する（図１２（ｄ））。これにより、中間部材１１０が得られる。その後、開口部をレジスト５で保護した状態で、めっき部（図示せず）を形成する（図１２（ｅ））。これにより、開口部から露出する配線層３にめっき部が形成されることを防止でき、断線層の形成が容易になる。最後に、開口部から露出する配線層３に対して、ウェットエッチングを行うことで、サスペンション用基板１００が得られる（図１２（ｆ））。なお、この製造方法では、図３（ａ）と同様のサスペンション用基板が得られる。
以下、サブトラクティブ法を用いた中間部材準備工程について、工程ごとに説明する。
【００５９】
（ｉ）積層部材準備工程
積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。
【００６０】
サブトラクティブ法においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより絶縁層が得られ、積層部材の導体部材をエッチングすることにより配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して、絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。
【００６１】
（ii）配線層形成工程
配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する工程である。
【００６２】
配線層の形成方法としては、例えば、導体部材上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がＣｕである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００６３】
（iii）金属支持基板形成工程
金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし開口部を有する金属支持基板を形成する工程である。金属支持基板形成工程および配線層形成工程は、同時に行っても良く、別個に行っても良いが、前者が好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。
【００６４】
金属支持基板の形成方法としては、例えば、金属支持部材上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する金属支持部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００６５】
（iv）カバー層形成工程
カバー層形成工程は、上記配線層上にカバー層を形成する工程である。
【００６６】
カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングすることによりパターン状のカバー層を得ることができる。
【００６７】
（ｖ）絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成する工程である。
【００６８】
絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。
【００６９】
（vi）めっき部形成工程
本発明においては、断線部形成工程の前に、配線層の一部にめっき部を形成するめっき部形成工程を有することが好ましい。
【００７０】
めっき部は、通常、電解めっき法により形成されるものである。例えば電解Ｎｉめっき浴としては、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、電解Ａｕめっき浴としては、シアン化金浴、酸性金浴等を挙げることができる。
【００７１】
（２）アディティブ法
次に、アディティブ法を用いた中間部材準備工程について説明する。アディティブ法を用いた中間部材準備工程の一例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持基板をエッチングし開口部を有する金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、上記絶縁層をエッチングし開口部を形成する絶縁層開口部形成工程とを有する工程を挙げることができる。
【００７２】
具体的には、図１３に示すように、まず金属支持部材１Ａを準備する（図１３（ａ））。次に、金属支持部材１Ａの表面上に、開口部を有しないパターン状の絶縁層２を形成する（図１３（ｂ））。次に、絶縁層２上にシード層（図示せず）を形成し、そのシード層上に配線層３を形成する（図１３（ｃ））。次に、配線層３上にカバー層４を形成する（図１３（ｄ））。その後、金属支持部材１Ａに対して、ウェットエッチングを行い、開口部を有する金属支持基板１を形成する（図１３（ｅ））。次に、絶縁層２に対して、ウェットエッチングを行い、開口部を形成する（図１３（ｆ））。これにより、中間部材１１０が得られる。その後、開口部をレジスト５で保護した状態で、めっき部（図示せず）を形成する（図１３（ｇ））。最後に、開口部から露出する配線層３に対して、ウェットエッチングを行うことで、サスペンション用基板１００が得られる（図１３（ｈ））。なお、この製造方法では、上述したサブトラクティブ法を用いた場合と同様のサスペンション用基板が得られる。
【００７３】
アディティブ法を用いた中間部材準備工程の他の例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記開口部から露出した金属支持部材上に配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持基板をエッチングし開口部を有する金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有する工程を挙げることができる。
【００７４】
具体的には、図１４に示すように、まず金属支持部材１Ａを準備する（図１４（ａ））。次に、金属支持部材１Ａの表面上に、開口部を有するパターン状の絶縁層２を形成する（図１４（ｂ））。次に、開口部から露出した金属支持部材１Ａ上にシード層（図示せず）を形成し、そのシード層上に配線層３を形成する（図１４（ｃ））。次に、配線層３上にカバー層４を形成する（図１４（ｄ））。次に、めっき部を形成しない部位をレジスト５で保護した状態で、めっき部（図示せず）を形成する（図１４（ｅ））。なお、配線層３は露出していないので、配線層３を保護する必要はないが、他の部位を保護するために、レジスト５が付随的に形成される。次に、金属支持部材１Ａに対して、ウェットエッチングを行い、開口部を有する金属支持基板１を形成する（図１４（ｆ））。これにより、中間部材１１０が得られる。最後に、開口部から露出する配線層３に対して、ウェットエッチングを行うことで、サスペンション用基板１００が得られる（図１４（ｇ））。なお、この製造方法では、図６（ａ）と同様のサスペンション用基板が得られる。
【００７５】
図１４に示す製造方法では、金属支持基板形成工程（図１４（ｆ））および断線部形成工程（図１４（ｇ））を連続的に行うことが好ましい。そのため、めっき部形成工程（図１４（ｅ））は、中間部材１１０の形成前に行うことが好ましい。一方、図１５に示すように、金属支持基板形成工程（図１５（ｅ））および断線部形成工程（図１５（ｇ））を別個に行う場合には、めっき部形成工程（図１５（ｆ））を両工程の間に行っても良い。すなわち、中間部材準備工程の後に、めっき部形成工程を行っても良い。なお、アディティブ法における各工程については、基本的にサブトラクティブ法における各工程で記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００７６】
２．断線部形成工程
次に、本発明における断線部形成工程について説明する。本発明における断線部形成工程は、上記開口部から露出する上記配線層をエッチングすることで断線部を形成し、上記断線部に存在していた上記配線層の形状が転写された転写部を有する上記カバー層を形成する工程である。
【００７７】
上記開口部から露出する配線層のエッチング方法としては、特に限定されるものではないが、例えばウェットエッチングを挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がＣｕである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、本発明においては、断線部形成工程と同時に、金属支持基板の外形加工を行っても良い。
【００７８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００７９】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００８０】
［実施例］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁部材）、厚さ９μｍの電解銅層（導体部材）を有する積層部材を準備した（図１２（ａ））。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から配線層を形成し、金属支持部材に開口部を形成した（図１２（ｂ））。
【００８１】
その後、パターニングされた配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した（図１２（ｃ））。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成した（図１２（ｄ））。次に、開口部をレジストで保護し、配線層の端子部に、電解Ａｕめっきによりめっき部を形成した（図１２（ｅ））。最後に、塩化第二鉄液を用いて、開口部から露出する配線層のエッチングと、金属支持基板の外形加工とを行った（図１２（ｆ））。これにより、サスペンション用基板を得た。
【符号の説明】
【００８２】
Ｘ…開口部、１…金属支持基板、  ２…絶縁層、  ３…配線層、  ３ｘ…断線部、  ３ａ…引き回し部、  ３ｂ…端子部、  ３ｃ…めっき線、  ３ｄ…端子間接続部、  ４…カバー層、  ４ｘ…転写部、  ５…レジスト、  ２１…絶縁層の端部、  ３１…配線層の端部、  １００…サスペンション用基板、  １０１…記録再生用素子実装領域、  １０２…外部回路基板接続領域、  １０３…配線層、  １１０…中間部材
【図１】
2013182648.tif 000003
【図２】
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【図３】
2013182648.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2013182648.tif 000012
【図１１】
2013182648.tif 000013
【図１２】
2013182648.tif 000014
【図１３】
2013182648.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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