(57)【要約】【課題】半導体チップを基板に搭載する際に半導体チップを基板に押し付ける荷重の均一化を図ることが可能なプリント基板の製造方法を提供する。【解決手段】実装ステージ１４の支持面１４Ｓに、外縁平坦面３４から湾曲して凹む形状のキャビティ部３６が形成される。キャビティ部３６には、中央に向かうにしたがって傾斜する傾斜面３６Ｓが形成される。半導体チップ２４のパッケージ基板１６への押付時にパッケージ基板１６がキャビティ部３６に沿って撓み、半導体チップ２４とパッケージ基板１６との間隔Ｄ１が均一化される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部材上で基板を支持し、
前記基板に対し前記支持部材の反対側に半導体チップを配置して押付部材により該基板に該半導体チップを押し付け、
前記支持部材として前記基板に搭載される前記半導体チップの外形形状よりも大きいキャビティ部が形成されると共に該キャビティ部の底面の少なくとも一部にキャビティ部の中央に向かう傾斜部が形成されたものを用い、前記半導体チップの前記基板への押し付け時に半導体チップのバンプを前記傾斜部に対向させ、
前記基板と前記半導体チップとの間に配置された接着剤により半導体チップを基板に接着するプリント基板の製造方法。
【請求項２】
支持部材上で基板を支持し、
前記基板に対し前記支持部材の反対側に半導体チップを配置して押付部材により該基板に該半導体チップを押し付け、
前記押付部材として前記基板に搭載される前記半導体チップの外形形状よりも大きいキャビティ部が形成されると共に該キャビティ部の底面の少なくとも一部にキャビティ部の中央に向かう傾斜部が形成され、前記半導体チップの前記基板への押し付け時に半導体チップのバンプ裏面部分を前記傾斜部に対向させ、
前記基板と前記半導体チップとの間に配置された接着剤により半導体チップを基板に接着するプリント基板の製造方法。
【請求項３】
前記キャビティ部として、該キャビティ部の中央に向かって傾斜し前記傾斜部となる傾斜面を有するものを用いる請求項１又は請求項２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項４】
前記キャビティ部として、該キャビティ部の中央に向かって階段状に形成され、前記傾斜部となる複数の階段面を有するものを用いる請求項１又は請求項２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項５】
支持部材上で基板を支持し、
前記基板に対し前記支持部材の反対側に半導体チップを配置して押付部材により該基板に該半導体チップを押し付け、
前記支持部材として、前記基板に搭載される半導体チップの外形形状よりも大きい凹部が形成されると共に該凹部を覆うように撓み変形可能な撓み部材が配置されたものを用い、前記半導体チップの前記基板への押し付け時に半導体チップのバンプによって前記撓み部材を少なくともバンプ接触部分を凹部中央に向かって傾斜させ、
前記基板と前記半導体チップとの間に配置された接着剤により半導体チップを基板に接着するプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願の開示する技術は、プリント基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に搭載される半導体チップは、より薄く形成することで、基板組立体（半導体チップが搭載された基板）の薄型化を図ることが可能になる。しかし、半導体チップを薄くすると剛性が低くなるため、基板への接合時に撓むことが懸念される。
【０００３】
たとえば、多層配線基板において、半導体部品の中央のチップ構成部に対応した位置に一部の層が除去された空乏エリアを形成し、チップ構成部の変形挙動と多層配線基板の変形挙動との違いを緩和する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２１６２９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、基板と半導体チップとの間に樹脂剤を接着剤（あるいは封止材）として用いると、半導体チップを基板に押し付けるときに、撓み変形した半導体チップと基板との間に樹脂剤が存在するために、この部分に大きな荷重が作用する。そしてその反面、半導体チップに設けられたバンプ部分には荷重が作用しづらくなることがある。
【０００６】
本願の開示技術は、半導体チップを基板に搭載する際に半導体チップを基板に押し付ける荷重の均一化を図ることが可能なプリント基板の製造方法を提供することが目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願の開示するプリント基板の製造方法は、支持部材上で基板を支持し、支持部材の反対側に半導体チップを配置して、押付部材により基板に半導体チップを押し付ける。支持部材と押付部材のいずれか一方には傾斜部を備えたキャビティ部が形成されるか、若しくは、支持部材の凹部が撓み部材で覆われている。そして、半導体チップの上記押し付け時に、半導体チップのバンプが傾斜部に接触するか、若しくはバンプの接触によって撓み部材が傾斜し傾斜部が出現する。これにより、半導体チップが撓んだ場合の、半導体チップと基板との隙間の均一化が図られる。撓み変形した半導体チップと基板との間に樹脂材が存在していても、半導体チップを基板に押し付ける荷重の均一化を図ることができる。
【発明の効果】
【０００８】
本願の開示するプリント基板の製造方法によれば、半導体チップを基板に搭載する際に半導体チップを基板に押し付ける荷重の均一化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態のプリント基板の製造方法を製造装置の断面で（Ａ）〜（Ｃ）へと順に示す概略工程図である。
【図２】第１実施形態のプリント基板の製造装置における実装ステージを示し（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】比較例のプリント基板の製造方法を製造装置の断面で（Ａ）〜（Ｃ）へと順に示す概略工程図である。
【図４】比較例のプリント基板の製造方法における半導体チップの変形量を定性的に示すグラフである。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）はいずれも第１実施形態のプリント基板の製造装置に適用可能な実装ステージを示す平面図及び断面図である。
【図６】第２実施形態のプリント基板の製造方法を製造装置の断面で（Ａ）〜（Ｃ）へと順に示す概略工程図である。
【図７】第３実施形態のプリント基板の製造方法を製造装置の断面で（Ａ）〜（Ｃ）へと順に示す概略工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本願の開示するプリント基板の製造方法（以下、単に「製造方法」と略記する）の実施形態を、この製造方法に適用可能なプリント基板の製造装置（以下、単に「製造装置」と略記する）の一部と共に、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
なお、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、製造装置１２は、後述する半導体チップ２４の搭載方向に沿った断面として示している。
【００１２】
図１（Ａ）に示すように、製造装置１２は、上面が支持面１４Ｓとされた略板状の実装ステージ１４を有している。支持面１４Ｓには、パッケージ基板１６が支持される。第１実施形態において、実装ステージ１４は支持部材の一例であり、支持部材としては、要するにパッケージ基板１６を支持できればよい。また、パッケージ基板１６は基板の一例である。
【００１３】
パッケージ基板１６は、所定の絶縁性及び剛性を有する材料（たとえばエポキシ樹脂等）によって平坦な板状に形成された基材１８を有している。この基材１８上に、必要に応じて所望の回路パターンが銅箔等により形成されている。
【００１４】
製造装置１２は、押付部材２０を有している。第１実施形態の押付部材２０は、支持面１４Ｓと対向する平坦な押付面２０Ｐを有している。また、押付部材２０には、押付面２０Ｐの法線方向に貫通する吸着孔２２が設けられている。図示しない吸着装置からの負圧を作用させることで、押付面２０Ｐ側に半導体チップ２４を吸着することができる。
【００１５】
さらに、押付部材２０は、図示しない加熱機構により、少なくとも押付面２０Ｐを後述する接着剤３０の溶融温度以上に加熱することができる。同じく図示しない駆動機構により、吸着した半導体チップ２４を実装ステージ１４上のパッケージ基板１６に向かって前進させて押し付けることが可能である。
【００１６】
半導体チップ２４は、略板状に形成されると共に、内部に所望の回路があらかじめ形成されたチップ本体２６を有している。チップ本体２６には、複数のバンプ２８が形成されている。
【００１７】
バンプ２８のそれぞれは、パッケージ基板１６との対向面に向かって突出している。そして、バンプ２８の先端がパッケージ基板１６に接触することで、半導体チップ２４がパッケージ基板１６の所定位置に搭載されると共に、これらが電気的に導通される。図示の例では、バンプ２８は、チップ本体２６を法線方向（矢印Ａ１方向）に見たときの外縁部分の近傍に沿って複数配置されている。
【００１８】
本実施形態の製造方法では、図１（Ａ）に示すように、半導体チップ２４をパッケージ基板１６に搭載する前の段階で、これらの間（パッケージ基板１６上）に接着剤３０が塗布される。接着剤３０は、たとえば樹脂接着剤を用いることができる。
【００１９】
バンプ３０としては、はんだバンプを挙げることができるが、この他にも、たとえばスタッドバンプや金バンプ等であってもよい。
【００２０】
接着剤３０は、図示の例では、バンプ２８の間の位置でパッケージ基板１６上に塗布されている。そして、図１（Ｂ）に示すように、半導体チップ２４がパッケージ基板１６に向かって押し付けられると、接着剤３０も半導体チップ２４に押されて広がる。これにより、広い範囲で基材１８と半導体チップ２４のチップ本体２６及びバンプ２８に接触し、半導体チップ２４がパッケージ基板１６に強固に接着される。接着剤３０の一部は、半導体チップ２４のチップ本体２６の外延部分からさらに外側（図１（Ｂ）の横方向）にはみ出している。
【００２１】
押付部材２０の押付面２０Ｐと半導体チップ２４との間には、分離部材３２が配置される。分離部材３２は、接着剤３０から分離しやすい材料によって、半導体チップ２４の外縁よりも大きな膜状に形成されている。そして、半導体チップ２４は、分離部材３２を介して（押付面２０Ｐとの間に分離部材３２を挟んで）、押付部材２０により吸着されている。
【００２２】
分離部材３２は、チップ本体２６の外縁部分からはみ出した接着剤３０が不用意に他の部材（たとえば押付部材２０）に付着しないようにしている。さらに、上記したように分離部材３２は接着剤３０に対する分離性が高いので、接着剤３０が付着しても、容易に分離できる。分離部材３２としては、たとえば、薄膜状に形成されたフッ素樹脂テープを用いることができる。
【００２３】
本実施形態では、図２（Ａ）及び（Ｂ）にも詳細に示すように、実装ステージ１４の支持面１４Ｓが、実装ステージ１４の外縁部分に位置する枠状の外縁平坦面３４を有している。支持面１４Ｓの中央には、この外縁平坦面３４から湾曲して凹む形状のキャビティ部３６が形成されている。キャビティ部３６はこのように下に向かって凹んでいるので、中央に向かうにしたがって傾斜する傾斜面３６Ｓを有している。
【００２４】
キャビティ部３６は、図示の例では、図２（Ｂ）から分かるように、断面において全体として湾曲している（ただし曲率が一定である必要はない）。また、図２（Ａ）から分かるように、平面で見ると、外周３６Ｇが全体として半導体チップ２４に対応させた形状（略正方形）とされているが、角部は所定の曲率で湾曲され、アール部３６Ｒが設けられている。
【００２５】
キャビティ部３６の大きさは、図１（Ａ）に示すように、半導体チップ２４のチップ本体２６を法線方向（矢印Ａ１方向）に見たとき、チップ本体２６の外形のサイズよりも大きくなるように形成されている。したがって、半導体チップ２４をパッケージ基板１６に搭載するときに、バンプ２８と傾斜面３６Ｓとを、パッケージ基板１６を介して対向させることが可能である。
【００２６】
パッケージ基板１６に半導体チップ２４を実装してプリント基板３８を製造するには、まず、図１（Ａ）に示すように、実装ステージ１４の支持面１４Ｓ上でパッケージ基板１６を支持する。支持面１４Ｓには、キャビティ部３６が形成されているが、基材１８は所定の剛性を有しているので、パッケージ基板１６が不用意に撓むことはない。本実施形態では、この状態で、パッケージ基板１６上に、接着剤３０を塗布しておく。
【００２７】
また、パッケージ基板１６と対向するように、押付部材２０により、分離部材３２を介して半導体チップ２４を吸着し、実装ステージ１４の反対側で保持する。
【００２８】
そして、押付部材２０を駆動し、半導体チップ２４をパッケージ基板１６に向かって押し付ける。このとき、半導体チップ２４のバンプ２８が傾斜面３６Ｓと対向するように位置を合わせておく。
【００２９】
半導体チップ２４をパッケージ基板１６に向かって移動させると、半導体チップ２４は、まず、接着剤３０の頂部に接触する。さらに半導体チップ２４をパッケージ基板１６に向かって押し付ける。ここで、分離部材３２が熱により軟化し、半導体チップ２４には等分布の荷重Ｆ１（押付力）が作用する。そして、半導体チップ２４に押された接着剤３０は、図１（Ｂ）に示すように、横方向に広がりつつ、半導体チップ２４に反力を作用させる。
【００３０】
ここで、図３には、比較例の製造装置を用いた製造方法が示されている。
【００３１】
比較例の製造装置１１２では、実装ステージ１１４の支持面１１４Ｓにキャビティ部３６（図１及び図２参照）は形成されておらず、全体が平坦に形成されている。比較例の製造装置１１４は、実装ステージ１１４の構造以外は、第１実施形態の製造装置１２と略同一の構成である。
【００３２】
半導体チップ２４の厚みが薄い（剛性が低い）と、半導体チップ２４が撓むことがある。比較例の製造装置１１４を用いた場合、半導体チップ２４が撓むと、半導体チップ２４の中央部分が周縁部分よりもパッケージ基板１６に接近し、中央部分には、周縁部分と比較して、より大きな反力Ｆ３がパッケージ基板１６から作用する。このため、バンプ２８に作用するパッケージ基板１６からの実質的な反力Ｆ２は小さくなる。
【００３３】
また、半導体チップ２４とパッケージ基板１６とは、線膨張係数が異なる場合が多い。したがって、上記した半導体チップ２４の変形に加えて、線膨張係数の違いによって、さらに半導体チップ２４が変形することがある。
【００３４】
図４には、半導体チップ２４の幅方向の位置と変形量との関係が定性的に示されている。ここでいう幅方向の位置とは、たとえば、図３（Ｂ）における半導体チップ２４の左端からの右方向への位置であり、Ｗ０が全幅（右端）を示す。この図４に示すように、比較例の製造方法では、半導体チップ２４の変形量が略Ｗ字状（実際の変形は逆Ｗ字状）となることがある。
【００３５】
このように半導体チップ２４が変形すると、バンプ２８はチップ本体２６の周縁部分に設けられているので、バンプ２８に作用する荷重（パッケージ基板１６からの反力）がさらに小さくなる。
【００３６】
これに対し、本実施形態では、実装ステージ１４にキャビティ部３６が形成されている。しかも、傾斜部３６Ｓがパッケージ基板１６を介してバンプ２８と対向している。このため、半導体チップ２４がパッケージ基板１６に押し付けられたときに、図１（Ｂ）から分かるように、パッケージ基板１６がキャビティ部３６に沿って撓む。そして、半導体チップ２４とパッケージ基板１６との間隔Ｄ１が、比較例の構造よりも、各部位で均一化される。
【００３７】
これにより、比較例の構造と比較して、バンプ２８に対する荷重伝達が良好となる。換言すれば、バンプ２８をより確実にパッケージ基板１６に押し付けることが可能である。半導体チップ２４のパッケージ基板１６への接触性も良好になるので、実装信頼性が高くなる。
【００３８】
半導体チップ２６をパッケージ基板１６に取り付けた後は、図１（Ｃ）に示すように、押付部材２０による押し付けを解除すると共に、分離部材３２を除去する。接着剤３０が接着力を発揮することで、半導体チップ２４がパッケージ基板１６に接着される。これにより、半導体チップ２６が実装されたプリント基板４８が得られる。
【００３９】
なお、キャビティ部の形状は、上記したように全体が湾曲した形状に限定されず、図５（Ａ）〜（Ｄ）に例示する各種の形状とすることが可能である。なお、図５（Ａ）〜（Ｄ）のそれぞれにおいて、下側に図示される断面図は、それぞれの上側の平面図におけるＤ−Ｄ線断面となっている。
【００４０】
図５（Ａ）に示すキャビティ部４０は、中央に平坦な（外縁平坦面３４と平行な）中央平坦面４０Ｆが形成されている。そして、中央平坦面４０Ｆと外縁平坦面３４との間に、外縁平坦面３４から中央平坦面４０Ｆに向かって傾斜する傾斜面４０Ｓが形成されている。また、キャビティ部４０を平面視すると、図２（Ａ）で示したキャビティ部３６と同様に、外周４０Ｇが全体として略正方形とされ、角部にアール部４０Ｒが設けられている。
【００４１】
図５（Ｂ）に示すキャビティ部４２は、中央に平坦な（外縁平坦面３４と平行な）中央平坦面４２Ｆが形成され、中央平坦面４２Ｆと外縁平坦面３４との間に、外縁平坦面３４から中央平坦面４２Ｆに向かって傾斜する傾斜面４２Ｓが形成されている。この点は、図５（Ａ）に示すキャビティ部４０と略同様である。しかし、このキャビティ部４２を平面視すると、略正方形とされた外周３６Ｇの角部が、略直線状に面取りされて、面取り部４２Ｔが設けられている。
【００４２】
上記したキャビティ部３６、４０、４２は、半導体チップ２４をパッケージ基板１６に押し付けたときの半導体チップ２４及びパッケージ基板１６の湾曲形状に近い。したがって、半導体チップ２４とパッケージ基板１６との間隔Ｄ１（図１（Ｂ）参照）の均一化を図る観点から好ましい形状である。
【００４３】
特に、図２に示したキャビティ部３６は断面で見て全体的に湾曲しており、パッケージ基板１６の湾曲形状にさらに近い。したがって、パッケージ基板１６に対し、湾曲時に応力が局所的に作用することを抑制できる。
【００４４】
これに対し、キャビティ部４０、４２は、中央平坦面４０Ｆ、４２Ｆが形成されている。したがって、キャビティ部４０、４２の形成時に、これら中央平坦面４０Ｆ、４２Ｆを位置基準として用いることができるので、キャビティ部３６と比較して形成が容易である。
【００４５】
図５（Ｃ）に示すキャビティ部４４は、中央平坦面４４Ｆと外縁平坦面３４との間で、外縁平坦面３４から中央平坦面４４Ｆへ接近する複数（図示の例では２つ）の階段面４４Ｓが形成されている。中央平坦面４４Ｆ及び階段面４４Ｓは、いずれも外縁平坦面３４と平行である。このキャビティ部４４は、外縁平坦面３４から中央平坦面４４Ｆに向かう傾斜面は存在しないが、複数の階段面４４Ｓを全体として見ると、外縁平坦面３４から中央平坦面４４Ｆへと接近する傾斜部となっている。なお、このキャビティ部４４を平面視すると、外周が正方形に形成されている。
【００４６】
このキャビティ部４４は、傾斜部である階段面４４Ｓが、外縁平坦面３４と平行になっている。キャビティ部３６、４０、４２と比較して、傾斜面が存在しないことで、キャビティ部３６、４０、４２と比較して、成形が容易である。
【００４７】
図５（Ｄ）に示すキャビティ部４６は、中央平坦面４６Ｆと傾斜面４６Ｓとの間に溝部４６Ｄが形成されている。溝部４６Ｄは、平面視にて、中央平坦面４６Ｆを取り囲むように正方形の枠状に形成されている。溝部４６Ｄの幅Ｗ１は、湾曲したパッケージ基板１６を支持した状態で、溝部４６Ｄに起因する局所的な凹みがパッケージ基板１６に生じないように設定されている。
【００４８】
このキャビティ部４６は、キャビティ部４０、４２と比較して成形が容易である。すなわち、キャビティ部４０、４２では、中央平坦面４０Ｆ、４２Ｆと傾斜面４０Ｓ、４２Ｓとの境界部分において、加工時に生じる材料が残ると正確な形状を作り出すことが難しいことがある。これに対し、キャビティ部４６では、溝部４６Ｄが、上記した残余の材料が入り込む部分（いわゆる「逃げ」）として作用するためである。
【００４９】
図５（Ａ）〜（Ｄ）に示したキャビティ部の形状はあくまで一例であり、キャビティ部はこれらの形状に限定されるものではない。
【００５０】
図６（Ａ）〜（Ｃ）には、第２実施形態の製造方法が、この製造方法に適用可能なプリント基板の製造装置の一部と共に示されている。第２実施形態において、第１実施形態と同一の構成要素、部材等については同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
【００５１】
第２実施形態の製造装置５２では、押付部材２０の押付面２０Ｐに、外縁平坦面５４とキャビティ部５６とが形成されている。
【００５２】
キャビティ部５６は、第１実施形態において図１及び図２に示したキャビティ部３６とは逆に、上に向かって全体的に湾曲するように凹んでおり、傾斜面５６Ｓが形成されている。また、キャビティ部５６は、チップ本体２６の外形のサイズよりも大きくなるように形成されている。したがって、半導体チップ２４を搭載するときに、半導体チップ２４におけるバンプ２８の裏面部分と傾斜面５６Ｓとを、チップ本体２６を介して対向させることが可能である。
【００５３】
そして、第２実施形態では、実装ステージ１４には第１実施形態のキャビティ部３６（図２及び図５等参照）は形成されておらず、支持面１４Ｓの全体が平坦に形成されている。
【００５４】
第２実施形態の製造方法では、第１実施形態の製造方法と同様に、支持面１４Ｓに支持されたパッケージ基板１６と対向するように、押付部材２０により、分離部材３２を介して半導体チップ２４を吸着し保持する。そして、押付部材２０を駆動し、半導体チップ２４をパッケージ基板１６に向かって押し付ける。半導体チップ２４は、まず、接着剤３０の頂部に接触する。さらに半導体チップ２４をパッケージ基板１６に向かって押し付けると、熱により軟化した分離部材３２を介して、半導体チップ２４には荷重Ｆ１（押付力）が作用する。
【００５５】
このとき、第２実施形態では押付面２０Ｐにキャビティ部５６が形成されているので、図６（Ｂ）に示すように、分離部材３２、半導体チップ２４、接着剤３０及びパッケージ基板１６が、押付部材２０に向かって（上方に）凸となるように湾曲する。
【００５６】
特に、接着剤３０及びパッケージ基板１６の中央部分には、最初に半導体チップ２４が接触するため、押付部材２０からの熱が早い段階で伝わる。これに対し、接着剤３０及びパッケージ基板１６の周縁部分では押付部材２０から伝熱が遅く作用することに加え、周囲への熱の放散も中央部分よりも生じやすい。このため、パッケージ基板１６の中央部分の膨張量が多くなり、上に凸となるように湾曲する。
【００５７】
第２実施形態では、このように半導体チップ２４だけでなく、パッケージ基板１６も湾曲することで、半導体チップ２４とパッケージ基板１６との間隔Ｄ１が、比較例の構造（図３参照）よりも均一化され、バンプ２８に対する荷重伝達が良好となる。バンプ２８をより確実にパッケージ基板１６に押し付けることが可能であり、半導体チップ２４のパッケージ基板１６への接触性も良好になるので、実装信頼性が高くなる。
【００５８】
第１実施形態と同様に、半導体チップ２６をパッケージ基板１６に取り付けた後は、図６（Ｃ）に示すように、押付部材２０による押し付けを解除すると共に、分離部材３２を除去する。これにより、半導体チップ２６が実装されたプリント基板４８が得られる。
【００５９】
なお、第２実施形態において、押付面２０Ｐに形成するキャビティ部の形状は、図６に示した形状に限定されない。たとえば、図５（Ａ）〜（Ｄ）に示す各種の形状を、上に向かって凹むような形状として採用することが可能である。
【００６０】
第１実施形態及び第２実施形態において、キャビティ部３６の最深部の深さは特に限定されない。ただし、半導体チップ２４の湾曲時には、変形した分離部材３２の一部がキャビティ部３６に入り込むので、分離部材３２の厚みの±２０％とすれば、分離部材３２の変形を確実に許容できる。
【００６１】
図７（Ａ）〜（Ｃ）には、第３実施形態の製造方法が、この製造方法に適用可能なプリント基板の製造装置の一部と共に示されている。第３実施形態において、第１実施形態と同一の構成要素、部材等については同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
【００６２】
第３実施形態の製造装置６２では、実装ステージ１４は、たとえばセラミック製とされ、パッケージ基板１６と比較して、線膨張係数が小さく（実質的にほとんど熱膨張しない）設定されている。
【００６３】
実装ステージ１４の中央部分（外縁平坦面３４の内側）には、凹部６４が形成されている。凹部６４は、図示の例では、断面において、長方形状に支持面１４Ｓを凹ませて形成されている。凹部６４は、チップ本体２６を法線方向（矢印Ａ１方向）に見たとき、チップ本体２６の外形のサイズよりも大きくなるように形成されている。また、凹部６４の深さは、後述するように、撓み部材６６が撓んだ状態で、撓み部材６６が接触しない程度の十分な深さとされている。
【００６４】
凹部６４は、撓み部材６６によって覆われている。本実施形態では、撓み部材６６は、線膨張係数がパッケージ基板１６の線膨張整数と同程度（たとえば１０〜２５ｐｐｍ／度）の金属によって、薄膜状（ダイヤフラム状）に形成されている。撓み部材６６の周囲は外縁平坦面３４に固定されている。通常状態（たとえば、実装ステージ１４の反対側から押されていない状態）では、撓み部材は湾曲しておらず、実装ステージ１４との接触面の反対側が平坦な支持面６８となっている。
【００６５】
これに対し、中央部分（凹部６４に対応する部分）は、支持面６８側（実装ステージ１４の反対側）から押されると、凹部６４内に入り込むように湾曲する。特に、図７（Ｂ）に示すように、製造工程において、パッケージ基板１６を介して半導体チップ２４のバンプ２８と対向する部分には傾斜面３６Ｓが出現する。
【００６６】
第３実施形態の製造方法では、支持部材である実装ステージ１４上に、撓み部材６６を介して（支持面６８に接触して）パッケージ基板１６が支持される。
【００６７】
そして、第１実施形態の製造方法と同様に、支持面６８に支持されたパッケージ基板１６と対向するように、押付部材２０により、分離部材３２を介して半導体チップ２４を吸着し保持する。その後、押付部材２０を駆動し、半導体チップ２４をパッケージ基板１６に向かって押し付ける。半導体チップ２４は、まず、接着剤３０の頂部に接触する。さらに半導体チップ２４をパッケージ基板１６に向かって押し付けると、熱により軟化した分離部材３２を介して、半導体チップ２４には等分布の荷重Ｆ１（押付力）が作用する。半導体チップ２４に押された接着剤３０は、横方向に広がりつつ、実装ステージ１４に向かって押し付けられる。
【００６８】
第３実施形態では、実装ステージ１４の凹部６４が撓み部材６６で覆われている。したがって、撓み部材６６がこのように押されると、図７（Ｂ）に示すように、撓み部材６６の中央部分が凹部６４に入り込むように湾曲する。そして、少なくともバンプ２８が接触した部分には、撓み部材６６の支持面６８に傾斜面６８Ｓが出現する。なお、図示の例では、撓み部材６６が凹部６４を覆っている部分の概ね全体が湾曲している。
【００６９】
第３実施形態では、このように撓み部材６６が湾曲することで、半導体チップ２４とパッケージ基板１６との間隔Ｄ１が、比較例の構造（図３参照）よりも均一化され、バンプ２８に対する荷重伝達が良好となる。バンプ２８をより確実にパッケージ基板１６に押し付けることが可能であり、半導体チップ２４のパッケージ基板１６への接触性も良好になるので、実装信頼性が高くなる。
【００７０】
第１実施形態及び第２実施形態と同様に、半導体チップ２６をパッケージ基板１６に取り付けた後は、図７（Ｃ）に示すように、押付部材２０による押し付けを解除すると共に、分離部材３２を除去する。これにより、半導体チップ２６が実装されたプリント基板４８が得られる。
【００７１】
特に、上記の例では、撓み部材６６の線膨張係数をパッケージ基板１６の線膨張係数と同程度としている。したがって、パッケージ基板１６の内部温度分布に偏りがある場合に、この温度の偏りによる変形に追従して、撓み部材６６も撓むことになる。このため、撓み部材６６の線膨張係数がパッケージ基板１６の線膨張係数と大きく異なる構成と比較して、半導体チップ２４とパッケージ基板１６との間隔Ｄ１を均一化し、バンプ２８に対する荷重伝達を良好にする効果が高くなる。
【００７２】
なお、第３実施形態において、撓み部材６６の厚みは、上記したように接着剤３０に押されたときに所望の撓み形状を実現できれば特に限定されない。かかる観点から、撓み部材６６の厚みは、たとえば０．２ｍｍ以下とすることが好ましい。ただし、余りに薄いと、撓み部材６６の剛性が低くなるため、必要な剛性を得る観点からは、たとえば０．０５ｍｍ以上とすることが好ましい。
【００７３】
いずれの実施形態においても、半導体チップ２４が薄い場合に、これらの製造方法を好ましく適用してプリント基板３８を製造できる。すなわち、半導体チップ２４が厚い場合（ばとえば厚みが１００μｍ程度）の場合には、剛性が高いので、図３（Ｂ）に示したような半導体チップ２４の撓みも生じにくい。そして、バンプ２８には、十分な押付荷重を伝達できる。
【００７４】
これに対し、半導体チップ２４が薄い場合（たとえば厚みが５０μｍ程度）場合には、剛性が低いので、図３（Ｂ）に示したように撓みが生じやすい。特に、半導体チップ２４をフリップチップ実装したプリント基板３８において、高さを低くすること（低背化）が求められている。このため、半導体チップ２４の厚みを薄くすることがある。このような薄い半導体チップを用いた場合に、半導体チップ２４とパッケージ基板１６との間隔Ｄ１が、比較例の構造よりも均一化し、バンプ２８に対する荷重伝達を良好とすることが可能である。
【００７５】
以上、本願の開示する技術の一実施形態について説明したが、本願の開示する技術は、上記に限定されるものでなく、上記以外にも、その主旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施可能であることは勿論である。
【００７６】
本明細書は、以上の各実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００７７】
（付記１）
支持部材上で基板を支持し、
前記基板に対し前記支持部材の反対側に半導体チップを配置して押付部材により該基板に該半導体チップを押し付け、
前記支持部材として前記基板に搭載される前記半導体チップの外形形状よりも大きいキャビティ部が形成されると共に該キャビティ部の底面の少なくとも一部にキャビティ部の中央に向かう傾斜部が形成されたものを用い、前記半導体チップの前記基板への押し付け時に半導体チップのバンプを前記傾斜部に対向させ、
前記基板と前記半導体チップとの間に配置された接着剤により半導体チップを基板に接着するプリント基板の製造方法。
【００７８】
（付記２）
支持部材上で基板を支持し、
前記基板に対し前記支持部材の反対側に半導体チップを配置して押付部材により該基板に該半導体チップを押し付け、
前記押付部材として前記基板に搭載される前記半導体チップの外形形状よりも大きいキャビティ部が形成されると共に該キャビティ部の底面の少なくとも一部にキャビティ部の中央に向かう傾斜部が形成され、前記半導体チップの前記基板への押し付け時に半導体チップのバンプ裏面部分を前記傾斜部に対向させ、
前記基板と前記半導体チップとの間に配置された接着剤により半導体チップを基板に接着するプリント基板の製造方法。
【００７９】
（付記３）
前記キャビティ部として、該キャビティ部の中央に向かって傾斜し前記傾斜部となる傾斜面を有するものを用いる付記１又は付記２に記載のプリント基板の製造方法。
【００８０】
（付記４）
前記キャビティ部として、該キャビティ部の中央に向かって階段状に形成され、前記傾斜部となる複数の階段面を有するものを用いる付記１又は付記２に記載のプリント基板の製造方法。
【００８１】
（付記５）
前記キャビティ部として、前記支持部材を前記搭載部材の搭載方向に沿った断面で見て全体に湾曲する形状とされているものを用いる付記３に記載のプリント基板の製造方法。
【００８２】
（付記６）
前記キャビティ部として、前記支持部材を前記搭載部材の搭載方向に沿った断面で見て中央の中央平坦面と該中央平坦面の両側に位置する前記傾斜面とを有しているものを用いる付記３に記載のプリント基板の製造方法。
【００８３】
（付記７）
前記キャビティ部として、前記支持部材を前記搭載部材の搭載方向に沿った断面で見て中央の中央平坦面と該中央平坦面の両側に位置する前記階段面とを有しているものを用いる付記４に記載のプリント基板の製造方法。
【００８４】
（付記８）
支持部材上で基板を支持し、
前記基板に対し前記支持部材の反対側に半導体チップを配置して押付部材により該基板に該半導体チップを押し付け、
前記支持部材として、前記基板に搭載される半導体チップの外形形状よりも大きい凹部が形成されると共に該凹部を覆ように撓み変形可能な撓み部材が配置されたものを用い、前記半導体チップの前記基板への押し付け時に半導体チップのバンプによって前記撓み部材を少なくともバンプ接触部分を凹部中央に向かって傾斜させ、
前記基板と前記半導体チップとの間に配置された接着剤により半導体チップを基板に接着するプリント基板の製造方法。
【００８５】
（付記９）
基板を支持可能な支持部材と、
前記支持部材に支持された基板に対し該支持部材の反対側から半導体チップを該基板に押し付けるための押付部材と、
前記支持部材又は前記押圧部材に形成され、前記基板に搭載される前記半導体チップの外形形状よりも大きいキャビティ部と、
前記キャビティ部の底面の少なくとも一部に形成され前記半導体チップが前記基板に押し付けられるときに該半導体チップのバンプと対向する位置で該キャビティ部の中央に向かう傾斜部と、
を有するプリント基板の製造装置。
【００８６】
（付記１０）
基板を支持可能な支持部材と、
前記支持部材に支持された基板に対し該支持部材の反対側から半導体チップを該基板に押し付けるための押付部材と、
前記支持部材に形成され、前記基板に搭載される半導体チップの外形形状よりも大きい凹部と、
前記支持部材に設けられ前記凹部を覆って平坦にすると共に前記半導体チップが前記基板に押し付けられるときに該半導体チップのバンプに押されると該凹部内へと撓み変形可能な撓み部材と、
を有するプリント基板の製造装置。
【符号の説明】
【００８７】
１２  製造装置
１４  実装ステージ（支持部材の一例）
１６  パッケージ基板（基板の一例）
２０  押付部材
２０Ｐ      押付面
２４  半導体チップ
２８  バンプ
３０  接着剤
３２  分離部材
３４  外縁平坦面
３６  キャビティ部
３６Ｓ      傾斜面（傾斜部の一例）
３８  プリント基板
４０  キャビティ部
４０Ｆ      中央平坦面
４０Ｓ      傾斜面（傾斜部の一例）
４２  キャビティ部
４２Ｓ      傾斜面（傾斜部の一例）
４４  キャビティ部
４４Ｓ      階段面（傾斜部の一例）
４６  キャビティ部
４６Ｓ      傾斜面（傾斜部の一例）
５２  製造装置
５６  キャビティ部
６２  製造装置
６４  凹部
６６  撓み部材
６８Ｓ      傾斜面（傾斜部の一例）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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