(57)【要約】【課題】装置の設置環境を問わず、昇華乾燥により基板を良好に乾燥させることができる基板乾燥装置を提供する。【解決手段】除湿部５４および温度調整部５５を装置に設け、常温窒素ガス供給源５１からの常温窒素ガスを除湿部５４および温度調整部５５を通過させて凍結乾燥用窒素ガスを生成する。つまり、常温窒素ガスを除湿部５４によって凍結乾燥を行うための処理温度よりも低い液体窒素の温度程度に冷却して低露点化し、さらに低露点化窒素ガスを温度調整部５５によって処理温度に調整し、これを乾燥用窒素ガスとして凍結膜に供給して昇華乾燥を行っている。したがって、常温窒素ガス供給源５１から供給される窒素ガス中に多くの水分が含まれていたとしても、装置内で凍結乾燥に適した露点および温度を有する窒素ガスに調整された上で凍結膜に供給される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面上の液体を凍結させて凍結体を形成する凍結手段と、
前記基板表面に向けて前記液体の凝固点よりも低い処理温度でかつ前記凍結体の温度よりも低い露点を有する乾燥用気体を供給して前記凍結体を昇華乾燥させる昇華乾燥手段とを備え、
前記昇華乾燥手段は、気体を前記処理温度よりも低い温度に冷却して除湿する除湿部と、前記除湿部により除湿された気体を前記処理温度に昇温する温度調整部とを有し、前記温度調整部で温度調整された気体を前記乾燥用気体として前記凍結体に供給することを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板乾燥装置であって、
前記乾燥用気体は窒素ガスであり、
前記除湿部は、液体窒素に浸漬される熱交換パイプに窒素ガスを流通させることで前記液体窒素と前記窒素ガスを熱交換して除湿する基板乾燥装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板乾燥装置であって、
前記温度調整部は、恒温液に浸漬される熱交換パイプに前記除湿部により除湿された気体を流通させることで前記恒温液と熱交換して当該気体を前記処理温度に調整する基板乾燥装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の基板乾燥装置であって、
前記温度調整部は、前記除湿部により除湿された気体を配管により送給するとともに前記配管を介して前記配管内の気体を加熱して前記処理温度に調整する基板乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種基板（以下、単に「基板」という）を乾燥させる基板乾燥装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、基板の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。ここで、微細加工を良好に行うためには基板表面を清浄な状態に保つ必要があり、必要に応じて基板表面に対して洗浄処理が行われる。そして、洗浄処理後に、基板表面に付着しているＤＩＷ（deionized Water：脱イオン水）などの液体を除去して基板を乾燥させる必要がある。この乾燥時における重要な課題のひとつが基板表面に形成されているパターンを倒壊させずに基板乾燥を行うことである。この課題を解消する方法として昇華乾燥技術が注目されている。この昇華乾燥技術は、例えば特許文献１に記載されているように、基板表面上の液体を凍結させて凍結膜（凍結体）を形成した後、基板表面に向けて液体の凝固点よりも低い温度でかつ凍結膜の温度よりも低い露点を有する乾燥用気体を継続して供給することで凍結膜を昇華乾燥させるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１９９２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来技術では、乾燥処理を良好に行うためには、２つの条件、つまり(1)乾燥用気体の温度が液体の凝固点よりも低いこと、(2)乾燥用気体の露点が凍結膜の温度よりも低いこと、を満足させる必要がある。ここで、基板乾燥装置を設置する工場のユーティリティから供給される窒素ガスを乾燥用気体として利用することが考えられる。しかしながら、当該窒素ガスが必ずしも上記した２つの条件ともに満足しているというわけではない。したがって、昇華乾燥を安定して行うためには、上記した２つの条件を満足する乾燥用気体を如何に準備するかが大きな問題となっている。
【０００５】
この発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、装置の設置環境を問わず、昇華乾燥により基板を良好に乾燥させることができる基板乾燥装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明にかかる基板乾燥装置は、上記目的を達成するため、基板表面上の液体を凍結させて凍結体を形成する凍結手段と、基板表面に向けて液体の凝固点よりも低い処理温度でかつ凍結体の温度よりも低い露点を有する乾燥用気体を供給して凍結体を昇華乾燥させる昇華乾燥手段とを備え、昇華乾燥手段は、気体を処理温度よりも低い温度に冷却して除湿する除湿部と、除湿部により除湿された気体を処理温度に昇温する温度調整部とを有し、温度調整部で温度調整された気体を乾燥用気体として凍結体に供給することを特徴としている。
【０００７】
本発明では、除湿部が気体を処理温度よりも低い温度に冷却して除湿し、その除湿された気体を温度調整部が処理温度に昇温し、これを乾燥用気体として凍結体に供給する。このように除湿部および温度調整部が装置内に設けられており、除湿部に与えられる気体が乾燥用気体に要求される２条件を満足していなくとも、当該気体の温度および露点が装置内で調整されて乾燥用気体として凍結体に供給され、これによって昇華乾燥が良好に行われる。
【０００８】
ここで、乾燥用気体として窒素ガスを用いることができる。この場合、除湿部が、液体窒素に浸漬される熱交換パイプに窒素ガスを流通させることで液体窒素と窒素ガスを熱交換して除湿するように構成してもよい。この場合、除湿部に与えられる気体、例えば装置を設置した工場から供給されるユーティリティ窒素ガスに含まれる水分が熱交換パイプの内面に霜としてトラップされて理論的には気体の露点を液体窒素の温度と同等の露点まで低下させることができる。
【０００９】
また、温度調整部の構成は任意であるが、温度調整部としては、例えば恒温液に浸漬される熱交換パイプに除湿部により除湿された気体を流通させることで恒温液と熱交換して当該気体を処理温度に調整するものを採用してもよい。また、除湿部により除湿された気体を配管により送給するとともに当該配管を介して配管内の気体を加熱して処理温度に調整するものであってもよい。これらを採用することで、乾燥用気体の温度を正確に処理温度に調整することができ、昇華乾燥を良好に行うことができる。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように、除湿部および温度調整部を装置内に設けて乾燥用気体を装置内で準備するように構成しているので、装置の設置環境を問わず、昇華乾燥により基板を良好に乾燥させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明にかかる基板乾燥装置の第１実施形態を装備した基板処理装置を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。
【図３】除湿部および温度調整部の構成を示す図である。
【図４】この発明にかかる基板乾燥装置の第２実施形態における除湿部および温度調整部の構成を示す図である。
【図５】凍結膜の材料に対する乾燥用気体のガス露点、ガス温度の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１はこの発明にかかる基板乾燥装置の第１実施形態を装備した基板処理装置を示す図であり、図２は図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図であり、図３は除湿部および温度調整部の構成を示す図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Ｗの表面Ｗｆをリンス処理する枚葉式の基板処理装置であり、当該リンス処理後に昇華乾燥技術を用いて基板Ｗを乾燥させる。
【００１３】
この基板処理装置は、基板Ｗに対して洗浄処理を施す処理空間をその内部に有する処理チャンバ１と、装置全体を制御する制御ユニット４とを備えている。この処理チャンバ１内には、スピンチャック２とＤＩＷ吐出ノズル３と遮断部材９とが設けられている。スピンチャック２は、基板Ｗの表面Ｗｆを上方に向けて略水平姿勢に保持した状態で、基板Ｗを回転させるものである。ＤＩＷ吐出ノズル３は、スピンチャック２に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに向けてＤＩＷを吐出するものである。遮断部材９は、スピンチャック２の上方に、スピンチャック２に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向して配置されている。
【００１４】
上記スピンチャック２の中心軸２１の上端部には、円板状のスピンベース２３がネジなどの締結部品によって固定されている。この中心軸２１はモータを含むチャック回転機構２２の回転軸に連結されている。そして、制御ユニット４からの動作指令に応じてチャック回転機構２２が駆動されると、中心軸２１に固定されたスピンベース２３が回転中心軸Ａ０を中心に回転する。
【００１５】
スピンベース２３の周縁部付近には、基板Ｗの周縁部を把持するための複数個のチャックピン２４が立設されている。チャックピン２４は、円形の基板Ｗを確実に保持するために３個以上設けてあればよく、スピンベース２３の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。各チャックピン２４のそれぞれは、基板Ｗの周縁部を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板Ｗの外周端面を押圧して基板Ｗを保持する基板保持部とを備えている。各チャックピン２４は、基板保持部が基板Ｗの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部が基板Ｗの外周端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。
【００１６】
そして、スピンベース２３に対して基板Ｗが受渡しされる際には、各チャックピン２４を解放状態とし、基板Ｗに対してリンス処理を行う際には、各チャックピン２４を押圧状態とする。各チャックピン２４を押圧状態とすると、各チャックピン２４は基板Ｗの周縁部を把持して、基板Ｗがスピンベース２３から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持されることとなる。これにより、基板Ｗは、その表面Ｗｆを上方に向け、裏面Ｗｂを下方に向けた状態で保持される。なお、この実施形態では、基板Ｗの表面Ｗｆに微細パターンが形成されており、表面Ｗｆがパターン形成面となっている。
【００１７】
ＤＩＷ吐出ノズル３をスキャン駆動するための駆動源として、スピンチャック２の周方向外側にノズル駆動用回転モータ３１が設けられている。この回転モータ３１には回転軸３３が接続され、この回転軸３３にはアーム３５が水平方向に延びるように接続されており、このアーム３５の先端に上記ＤＩＷ吐出ノズル３が取り付けられている。そして、制御ユニット４からの動作指令に応じて回転モータ３１が駆動されると、アーム３５が回転軸３３回りに揺動することとなる。
【００１８】
上記遮断部材９は、中心部に開口を有する円板状に形成されている。遮断部材９の下面は、基板Ｗの表面Ｗｆと略平行に対向する基板対向面となっており、基板Ｗの直径と同等以上の大きさに形成されている。遮断部材９は略円筒形状を有する支持軸９１の下端部に略水平に取り付けられている。この支持軸９１は、水平方向に延びるアーム９２により保持されている。また、アーム９２には、遮断部材昇降機構９４が接続されており、制御ユニット４からの動作指令に応じて、遮断部材９をスピンベース２３に近接させたり、逆に離間させる。具体的には、制御ユニット４は、遮断部材昇降機構９４の動作を制御して、基板処理装置に対して基板Ｗを搬入出させる際には、遮断部材９をスピンチャック２の上方の離間位置（図１に示す位置）に上昇させる一方、基板Ｗに対して後述する凍結処理、乾燥処理および結露防止処理を施す際には、遮断部材９をスピンチャック２に保持された基板Ｗの表面Ｗｆのごく近傍に設定された対向位置まで下降させる。
【００１９】
支持軸９１は中空になっており、その内部にガス供給管９５挿通されるとともに、当該ガス供給管９５にガス供給管９６が挿通されて、いわゆる二重管構造となっている。そして、両ガス供給管９５、９６が窒素ガス供給機構５と接続されており、窒素ガス供給機構５からガス供給管９５、９６に対して常温窒素ガスおよび凍結乾燥用窒素ガスがそれぞれ供給される。すなわち、窒素ガス供給機構５は、図２に示すように、当該基板処理装置が設置される工場のユーティリティのひとつである常温窒素ガス供給源５１から配管５２を介して常温窒素ガスの供給を受ける。この配管５２はガス供給管９５の上方端部と接続されるとともに、その途中で別の配管５３が分岐してガス供給管９６の上方端部と接続されている。また、配管５３には、常温窒素ガス供給源５１側から順に除湿部５４および温度調整部５５が介挿されている。なお、この配管５３は、配管５２からの分岐部分と除湿部５４とを接続する配管５３ａ、除湿部５４と温度調整部５５とを接続する配管５３ｂ、および温度調整部５５とガス供給管９６とを接続する配管５３ｃで構成されている。
【００２０】
除湿部５４は、常温窒素ガス供給源５１から供給される常温窒素ガスを冷却して同窒素ガス中に含まれる水分を除去して露点を低下させる。より詳しくは、除湿部５４はタンク構造を有する容器５４１を有している。この容器５４１を構成する材料としては、液体窒素温度に耐えうる材料、例えば、ガラス、石英またはＨＤＰＥ（高密度ポリエチレン：High Density Polyethylene）を用いることができる。なお、容器６４１を断熱容器で覆う二重構造を採用してもよい。この場合、外部容器は、処理チャンバ外部の雰囲気と容器６４１との間での熱移動を抑制するために、断熱性の高い材料、例えば発泡性樹脂やＰＶＣ（ポリ塩化ビニル樹脂：polyvinyl chloride）などにより形成するのが好適である。
【００２１】
容器５４１には、液体窒素を取り入れる液体窒素導入口５４３が設けられている。そして、該導入口５４３を介して液体窒素供給部７から液体窒素が容器５４１内に導入される。また、容器５４１内には液面センサ（図示省略）が設けられて、容器内の液体窒素の量を一定に保っている。また、容器５４１の内部には、ステンレス、銅などの金属管で形成されたコイル状の熱交換パイプ５４７がガス通送路として設けられている。熱交換パイプ５４７は容器５４１に貯留された液体窒素に浸漬されており、その内部には常温窒素ガス供給源５１から配管５２および配管５３ａを介して常温窒素ガスが供給される。これにより、常温窒素ガスが液体窒素により冷やされ、同窒素ガスに含まれる水分が熱交換パイプ５４７の内面に霜としてトラップされて窒素ガスの露点を液体窒素の温度と同等の露点まで低下させる。こうして、低露点化された窒素ガスが配管５３ｂを介して温度調整部５５に送給される。
【００２２】
温度調整部５５は、除湿部５４で液体窒素の温度に近い温度まで冷却された窒素ガス（以下「低露点化窒素ガス」という）の温度を凍結乾燥処理に適した温度、例えば−６０［℃］程度に調整する。この温度調整部５５は、恒温液５５１を貯留する恒温槽５５２を有している。この恒温槽５５２に貯留された恒温液５５１はペルチェ素子などの温調素子５５３によって一定温度に制御される。また、恒温槽５５２の内部には、ステンレス、銅などの金属管で形成されたコイル状の熱交換パイプ５５４がガス通送路として設けられており、温調された恒温液に浸漬されている。そして、除湿部５４から低露点化窒素ガスが配管５３ｂを介して熱交換パイプ５５４に供給され、恒温液との間で熱交換される。これにより、低露点化窒素ガスの温度が凍結乾燥処理に適した温度に調整された後、配管５３ｃを介してガス供給管９６の上方端部に供給する。このように、恒温液５５１を用いた温度調整を行っているため、凍結乾燥用窒素ガスの温度を正確に処理温度に調整することが可能となっている。
【００２３】
このガス供給管９６の下方端部は遮断部材９の開口に延設されるとともに、その先端に凍結乾燥用窒素ガス吐出ノズル９７が設けられている。そして、次に説明するように、液膜を凍結する凍結処理および液膜を昇華乾燥する乾燥処理において低温の凍結乾燥用窒素ガスを基板表面Ｗｆに向けて供給する。
【００２４】
一方、二重管構造を形成するもう一方のガス供給管９５は上記したように配管５２を介して常温窒素ガス供給源５１と接続されている。そして、基板Ｗに対する乾燥処理後に実行される結露防止処理時に、遮断部材９と基板Ｗの表面Ｗｆとの間に形成される空間に向けてガス供給管９５から常温窒素ガスが供給される。なお、この実施形態では、常温窒素ガス供給源５１から結露防止用ガスとして常温窒素ガスを供給しているが、常温の空気や他の不活性ガスなどを供給するようにしてもよい。また、結露防止用ガスの温度は常温に限定されるものではなく、加熱したものを用いてもよい。つまり、常温以上の空気や不活性ガス（窒素ガスを含む）を結露防止用ガスとして用いることができる。
【００２５】
このように構成された基板処理装置では、制御ユニット４のメモリ（図示省略）に記憶されたプログラムにしたがって、制御ユニット４が装置各部を以下に説明するように制御して一連の処理を実行する。すなわち、この装置では、基板搬入時には、遮断部材９はスピンチャック２の上方の離間位置に退避して基板Ｗとの干渉を防止しており、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で表面Ｗｆがフッ酸等の薬液処理が施された基板Ｗが装置内に搬入され、スピンチャック２に保持される。すると、ＤＩＷ吐出ノズル３を基板Ｗの回転中心ＡＯ上方の回転中心位置へ移動させてリンス工程を実行する。
【００２６】
リンス工程が完了すると、基板Ｗを回転させたままＤＩＷ吐出ノズル３からのＤＩＷ供給を停止するとともにＤＩＷ吐出ノズル３を基板Ｗから離間した退避位置に移動させる。基板表面Ｗｆ上のＤＩＷの一部は基板Ｗ外に振り切られ（振り切り工程）、基板表面Ｗｆの全体に所定の厚みを有する液膜（水膜）が形成される。こうして所望厚みの液膜が形成されると、基板Ｗの回転が停止されるとともに、遮断部材９が対向位置まで降下され、基板表面Ｗｆに近接配置される。これにより、基板表面Ｗｆが遮断部材９の基板対向面に近接した状態で覆われ、基板Ｗの周辺雰囲気から遮断される。
【００２７】
続いて凍結処理を実行する。すなわち、常温窒素ガス供給源５１から供給される常温窒素ガスを除湿部５４に送り込んで低露点化窒素ガスを生成し、さらに当該低露点化窒素ガスを温度調整部５５に送り込んでＤＩＷ液膜の凍結乾燥処理に適した温度、例えば−６０［℃］に昇温して凍結乾燥用窒素ガスを生成する。そして、当該凍結乾燥用窒素ガスをノズル９７から基板表面Ｗｆに供給する。これにより、基板表面Ｗｆ全面に凍結乾燥用窒素ガスを供給して液膜を凍結させて凍結膜を形成する。
【００２８】
そして、凍結膜の形成後も凍結乾燥用窒素ガスを基板表面Ｗｆに継続して供給し続けることで昇華乾燥を進行させる。このとき、昇華により発生した水蒸気成分は凍結乾燥用窒素ガスの気流に乗って基板表面Ｗｆから取り除かれるため、凍結膜から昇華して発生した水蒸気成分が液相や固相に戻り基板表面Ｗｆに再付着するのを確実に防止することができる。このように、実施形態では、大気圧雰囲気で凍結膜が液相を経由することなく気相に昇華されるとともに凍結乾燥用窒素ガスと一緒に基板表面Ｗｆから除去されて基板Ｗが乾燥される。
【００２９】
なお、本実施形態では乾燥工程の完了後に、凍結乾燥用窒素ガスの供給を停止するのと入れ替えに常温窒素ガスを基板表面Ｗｆに供給して基板Ｗの温度を常温付近まで戻す。これによって、基板Ｗに結露が発生するのを確実に防止することができる。最後に、遮断部材９がスピンチャック２の上方の離間位置に退避した後に、処理チャンバ１から処理済の基板Ｗが搬出される。
【００３０】
以上のように、本実施形態によれば、除湿部５４および温度調整部５５を装置に設け、常温窒素ガス供給源５１からの常温窒素ガスを除湿部５４および温度調整部５５を通過させて凍結乾燥用窒素ガスを生成している。つまり、常温窒素ガスを除湿部５４によって凍結乾燥を行うための処理温度（本実施形態では、−６０［℃］）よりも低い液体窒素の温度程度に冷却して低露点化し、さらに低露点化窒素ガスを温度調整部５５によって処理温度に調整し、これを凍結乾燥用窒素ガスとして凍結膜に供給して昇華乾燥を行っている。したがって、常温窒素ガス供給源５１から供給される窒素ガス中に多くの水分が含まれていたとしても、装置内で凍結乾燥に適した露点および温度を有する窒素ガスに調整された上で凍結膜に供給される。その結果、昇華乾燥を良好に行うことができる。
【００３１】
このように第１実施形態では、窒素ガス供給機構５が本発明の「凍結手段」および「昇華乾燥手段」として機能している。また、窒素ガスが本発明の「気体」として用いられており、低露点化窒素ガスが本発明の「除湿部により除湿された気体」に相当し、凍結乾燥用窒素ガスが本発明の「温度調整部で温度調整された気体」に相当する。
【００３２】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば第１実施形態で採用した温度調整部５５と異なる構成で低露点化窒素ガスの温度を処理温度に調整してもよい。例えば図４に示すように、温度調整部５５をヒーティングケーブル５５５と給電部５５６とで構成してもよい（第２実施形態）。すなわち、除湿部５４とガス供給管９６とを接続する配管５３ｄにヒーティングケーブル５５５を巻装し、給電部５５６からのヒーティングケーブル５５５への給電によってヒーティングケーブル５５５を発熱させて配管５３ｄ内を流れる低露点化窒素ガスを昇温して処理温度に調整してもよい。このように図４に示す第２実施形態では、配管５３ｄ、ヒーティングケーブル５５５および給電部５５６により本発明の「温度調整部」が構成されている。
【００３３】
また、単に配管５３ｄを比較的長く設け、自然吸熱によって低露点化窒素ガスの温度調整を行うように構成してもよい。この第３実施形態では、配管５３ｄが本発明の「温度調整部」として機能する。
【００３４】
また、上記実施形態では、窒素ガス供給機構５の温度調整部５５から供給される窒素ガスによって凍結処理と昇華乾燥処理とを連続的に行っている。つまり、窒素ガス供給機構５は本発明の「昇華乾燥手段」として機能するのみならず、本発明の「凍結手段」としても機能しており、温度調整部５５からの窒素ガスを凍結用窒素ガスおよび乾燥用窒素ガスとして用いている。ただし、これとは異なる構成の「凍結手段」を用いてもよく、例えば冷却機構を備えたスピンベース２３を用いてもよく、スピンベース２３の上面に直接基板Ｗを当接させたり、スピンベース２３の上面に基板Ｗを近接配置させた状態で凍結処理を行ってもよい。この場合、温度調整部５５から供給される窒素ガスは昇華乾燥処理を行うための乾燥用気体として機能している。
【００３５】
また、上記実施形態では遮断部材９を基板表面Ｗｆに近接配置した状態で乾燥用窒素ガスをノズル９７から基板表面Ｗｆに供給して凍結膜を乾燥させているが、例えば乾燥用窒素ガスを吐出するノズルを回転する基板Ｗの表面Ｗｆに対してスキャンさせて基板表面Ｗｆ全体に乾燥用窒素ガスを供給して凍結膜を乾燥させてもよい。
【００３６】
また、上記実施形態では、基板表面Ｗｆに付着したＤＩＷや純水の凍結膜を昇華して乾燥させているが、乾燥対象物質はＤＩＷなどに限定されるものではなく、他の液体であっても同様にして除去することができる。例えば基板上に付着するリンス液を、他の液体（ドライアイス、ターシャリーブタノール（tert-butanol）、樟脳(camphor)、パラジクロロベンゼン（paradichlorobenzene）、テトラクロロジフルオロエタン（tetrachlorodifluoroethane）、ナフタレン（naphthalene）など）に置換し、基板Ｗ上の他の液体を凝固させて凍結膜を形成した後で昇華乾燥させてもよい。このような液体で構成される凍結膜を昇華乾燥させる場合、乾燥用気体のガス温度およびガス露点については図６に示すように設定すればよいが、ガス露点とガス温度との差（＝（ガス温度）−（ガス露点））が大きいほどプロセス時間の短縮が可能となり、好適である。
【００３７】
また、液膜に限定されるものではなく、液滴であっても同様にして除去することができる。
【００３８】
さらに、上記実施形態では基板乾燥装置を基板処理装置に組み込み、当該基板乾燥装置によりリンス処理後の基板を乾燥させているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、基板表面に付着する液体を凍結させた凍結体を昇華して基板を乾燥させる基板乾燥装置全般に適用することができる。また、基板乾燥装置内で前処理工程の薬液処理手段を組み込み、薬液処理から乾燥処理までの一連の処理を装置内で続けて行うように構成する装置にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
この発明は、各種基板の表面上の液体を凍結させて凍結体を形成し、当該凍結体を昇華させて乾燥させる基板乾燥装置に適用することができる。
【符号の説明】
【００４０】
５…窒素ガス供給機構
５３ｄ…配管（温度調整部）
５４…除湿部
５５…温度調整部
５４７…熱交換パイプ（除湿部）
５５１…恒温液（温度調整部）
５５２…恒温槽（温度調整部）
５５３…温調素子（温度調整部）
５５４…熱交換パイプ（温度調整部）
５５５…ヒーティングケーブル（温度調整部）
５５６…給電部（温度調整部）
Ｗ…基板
Ｗｆ…（基板の）表面
【図１】
2013206927.tif 000003
【図２】
2013206927.tif 000004
【図３】
2013206927.tif 000005
【図４】
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【図５】
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