(57)【要約】      （修正有）【課題】基板収容容器内を低湿度の状態に保つ。【解決手段】基板収容容器１０の内部をパージするパージ装置は、基板収容容器１０の開口１０ａの上方に設けられ、基板収容容器１０と反対側に斜め下方に向けて、且つ開口１０ａの幅の全面にわたって乾燥ガスを供給する上部ノズル２と、基板収容容器１０の開口１０ａの左右の側方にそれぞれ設けられ、当該開口１０ａの外側から基板収容容器１０の内部に向けて乾燥ガスを供給する複数の側部ノズル３、４と、を有している。側部ノズル３，４は開口１０ａの高さ以上の長さを有し、且つ上下方向にわたって所定の間隔で乾燥ガスを供給する供給孔６が複数形成されている。一方の側部ノズルに形成された各供給孔６と、他方の側部ノズルに設けられる各供給孔６は、同一の高さに位置しないように互い違いに配置されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置で処理される複数の基板を上下方向に多段に収容する基板収容容器の外部から、当該基板収容容器の内部をパージする装置であって、
前記基板収容容器の開口の上方に設けられ、前記基板収容容器と反対側に斜め下方に向けて、且つ前記開口の幅の全面にわたって乾燥ガスを供給する上部ノズルと、
前記基板収容容器の開口の左右の側方にそれぞれ設けられ、当該開口の外側から基板収容容器の内部に向けて乾燥ガスを供給する複数の側部ノズルと、を有し、
前記側部ノズルは前記開口の高さ以上の長さを有し、且つ上下方向にわたって所定の間隔で乾燥ガスを供給する供給孔が複数形成され、
前記基板収容容器の開口の側方の一方に設けられる前記側部ノズルに形成された各供給孔と、他方に設けられる前記側部ノズルに形成された各供給孔は、同一の高さに位置しないように互い違いに配置されていることを特徴とする、基板収容容器のパージ装置。
【請求項２】
前記側部ノズルの各供給孔は、前記基板収容容器内に収容される基板と基板の間の高さにそれぞれ設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の基板収容容器のパージ装置。
【請求項３】
前記供給孔は、前記側部ノズルの上下方向に少なくとも２つ以上隣り合って連続に形成されていることを特徴とする、請求項２に記載の基板収容容器のパージ装置。
【請求項４】
前記複数の側部ノズルには、当該複数の側部ノズルのいずれからも前記基板収容容器内に収容される基板と基板の間に乾燥ガスが供給されないように前記供給孔を設けていない欠陥部が形成されていことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板収容容器のパージ装置。
【請求項５】
前記複数の側部ノズルは、前記基板収容容器の対角線に沿って乾燥ガスを供給することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の基板収容容器のパージ装置。
【請求項６】
前記複数の側部ノズルは、前記基板収容容器に向けて水平方向に乾燥ガスを供給することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の基板収容容器のパージ装置。
【請求項７】
前記上部ノズルは、鉛直方向に対して５度〜１５度斜め下方に向けて乾燥ガスを供給することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の基板収容容器のパージ装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のパージ装置による基板収容容器のパージ方法であって、
前記基板収容容器を載置部に載置し、
基板収容容器の蓋を開放した後に前記上部ノズル及び側部ノズルから乾燥ガスの供給を開始し、
前記基板収容容器内の基板の処理が終了した後に当該基板収容容器の蓋を閉止し、
前記基板収容容器のドアを閉止した後に前記乾燥ガスの供給を停止することを特徴とする、基板収容容器のパージ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハなどの基板を収容する収容容器のパージ装置及びパージ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイスの製造プロセスは、清浄度を高く維持された、いわゆるクリーンルーム内で行われていた。しかしながら、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）及びウェハを処理する各種処理装置が大型化するに伴い、クリーンルームのランニングコストが上昇してきている。そのため、近年では、処理装置内部の清浄度及び処理装置間のウェハの受け渡しに用いられる、いわゆるＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）と呼ばれる基板収容容器内部の清浄度のみを高く維持する手法が採用されている。
【０００３】
上述の基板収容容器は、複数のウェハを互いに平行な状態で多段に収容可能であり、当該基板収容容器の一面に形成された開口部からウェハを搬入出するように構成されている。この基板収容容器の内部には清浄度の高い窒素ガス等が封入されており、当該基板収容容器内へのパーティクル等の汚染物質の侵入を防止している。
【０００４】
しかしながら、基板収容容器には未処理のウェハのみならず、処理装置で処理を終えたウェハも収容される。そのため、処理装置内でウェハに付着したパーティクル等がそのまま基板収容容器に持ち込まれる場合がある。そうすると、このパーティクルにより他ウェハが汚染され、それにより製品の歩留まりが低下してしまう恐れがある。
【０００５】
ウェハに付着したパーティクルを除去する方法としては、例えば特許文献１には、基板収容容器に多段に収容された各ウェハの表面に対して清浄度の高いパージガスを吹き付ける手法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１２８１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に示される手法を用いても、依然としてウェハにパーティクルが付着してしまうことがあった。この点について本発明者らか鋭意調査したところ、ウェハにパージガスを吹き付けることで当該ウェハに付着したパーティクルの除去はできていることが確認された。
【０００８】
そこで、パーティクルの付着源について更に調査したところ、当該パーティクルは、半導体デバイスの製造プロセスにおけるプラズマエッチング工程後に発生していることが確認された。発明者らの考察によれば、このパーティクルはプラズマエッチング後のウェハから放出されるガスに起因して発生するものである。
【０００９】
推定されるパーティクルの発生原因について説明する。プラズマエッチング工程では、例えば、水素ガス（Ｈ２）、窒素ガス（Ｎ２）及びＣｘＦｙガスが高周波電力によりプラズマ化されるが、プラズマ中の反応により、副生成物としてＮＨ４Ｆが生成される。そして、シリコンウェハ上にこのＮＨ４Ｆが堆積した状態で基板収容容器内の大気と反応すると、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６が生成される。そして、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６が基板収容容器内の大気中の水分と更に反応するとＳｉＯ２が生成され、これがパーティクルとして基板収容容器内のウェハに付着すると考えられる。
【００１０】
また、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６と水分との反応により、ＳｉＯ２のほかにフッ酸（ＨＦ）が生成され、これによりウェハ上にプラズマエッチングで形成されたトレンチの側面などがエッチング（不要なエッチング）されてしまうという問題も確認されている。
【００１１】
したがって、プラズマエッチング終了後のウェハから放出されるガスが基板収容容器内で水分と反応することを防止するためには、基板収容容器内の湿度を低い状態に保つことが望ましい。
【００１２】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、基板収容容器内を低湿度の状態に保つことを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明は、基板処理装置で処理される複数の基板を上下方向に多段に収容する基板収容容器の外部から、当該基板収容容器の内部をパージする装置であって、前記基板収容容器の開口の上方に設けられ、前記基板収容容器と反対側に斜め下方に向けて、且つ前記開口の幅の全面にわたって乾燥ガスを供給する上部ノズルと、前記基板収容容器の開口の左右の側方にそれぞれ設けられ、当該開口の外側から基板収容容器の内部に向けて乾燥ガスを供給する複数の側部ノズルと、を有し、前記側部ノズルは前記開口の高さ以上の長さを有し、且つ上下方向にわたって所定の間隔で乾燥ガスを供給する供給孔が複数形成され、前記基板収容容器の開口の側方の一方に設けられる前記側部ノズルに形成された各供給孔と、他方に設けられる前記側部ノズルに形成された各供給孔は、同一の高さに位置しないように互い違いに配置されていることを特徴としている。
【００１４】
本発明によれば、上部ノズルにより基板収容容器と反対側に斜め下方に向けて、且つ前記開口の幅の全面にわたって乾燥ガスを供給することで、基板収容容器の開口前面に、いわゆるエアカーテンを形成することができる。これにより、基板収容容器の開口から基板収容容器内に外部の大気が流入するのを防止できる。また、基板収容容器の開口の左右の側方にそれぞれ設けられた側部ノズルの供給孔は、同一の高さに位置しないように互い違いに設けられているので、左右の側部ノズルから供給される乾燥ガスが互いに干渉し滞留することがない。これにより基板収容容器の内部に万遍なく乾燥ガスを行き渡らせ、基板収容容器内を乾燥状態に維持することができる。その結果、プラズマエッチング終了後のウェハから、パーティクルや不要なエッチングの原因となるガスが放出されても、基板収容容器内で水分と反応してＳｉＯ２やフッ酸が生成されることがなくなる。これにより、基板収容容器内の基板を良好な状態に維持することができる。
【００１５】
前記側部ノズルの各供給孔は、前記基板収容容器内に収容される基板と基板の間の高さにそれぞれ設けられていてもよい。
【００１６】
前記供給孔は、前記側部ノズルの上下方向に少なくとも２つ以上隣り合って連続に形成されていてもよい。
【００１７】
前記複数の側部ノズルには、当該複数の側部ノズルのいずれからも前記基板収容容器内に収容される基板と基板の間に乾燥ガスが供給されないように前記供給孔を設けていない欠陥部が形成されていてもよい。
【００１８】
前記複数の側部ノズルは、前記基板収容容器の対角線に沿って乾燥ガスを供給してもよい。
【００１９】
前記複数の側部ノズルは、前記基板収容容器に向けて水平方向に乾燥ガスを供給してもよい。
【００２０】
前記上部ノズルは、鉛直方向に対して５度〜１５度斜め下方に向けて乾燥ガスを供給してもよい。
【００２１】
別な観点による本発明は、前記パージ装置による基板収容容器のパージ方法であって、前記基板収容容器を載置部に載置し、基板収容容器の蓋を開放した後に前記上部ノズル及び側部ノズルから乾燥ガスの供給を開始し、前記基板収容容器内の基板の処理が終了した後に当該基板収容容器の蓋を閉止し、前記基板収容容器のドアを閉止した後に前記乾燥ガスの供給を停止することを特徴としている。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板収容容器内を低湿度の状態に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施の形態にかかるパージ装置の構成の一例を示す斜視図である。
【図２】本実施の形態にかかるパージ装置と基板収容容器近傍の構成の概略を示す正面図である。
【図３】本実施の形態にかかるパージ装置と基板収容容器近傍の構成の概略を示す縦断面図である。
【図４】本実施の形態にかかるパージ装置と基板収容容器近傍の構成の概略を示す横断面図である。
【図５】本実施の形態にかかるパージ方法の一例を示すタイムチャートである。
【図６】他の実施の形態にかかるパージ装置と基板収容容器近傍の構成の概略を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態の一例について、図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態に係るパージ装置１の構成の概略を示す斜視図である。図２及び図３は、パージ装置１と基板収容容器１０との位置関係を示す正面図及び縦断面図である。また、図４は、パージ装置１と基板収容容器１０との位置関係を示す横断面図である
【００２５】
図１に示すように、パージ装置１は、水平方向に延伸する上部ノズル２と、当該上部ノズル２に連通し、上部ノズル２の両端部から下方に延伸して設けられた複数の側部ノズル３、４を有している。
【００２６】
上部ノズル２は、箱状の形状を有しその内部に複数のウェハＷを水平且つ等間隔で多段に収容する基板収容容器１０の開口１０ａの上方に配置されており、当該開口１０ａの幅以上の長さを有している。上部ノズル２には、後述するガス供給源２０からの乾燥ガスを、基板収容容器１０の開口１０ａと反対側に例えば鉛直方向に対して所定の角度θ、本実施の形態においては１５度の角度で斜め下方向に向けて供給する供給孔５が、所定の間隔で複数設けられている。供給孔５は基板収容容器１０の開口１０ａの幅にわたって乾燥ガスを供給するように、少なくとも開口１０ａの幅以上の領域に形成されている。
【００２７】
側部ノズル３、４は、例えば図２に示すように、それぞれ基板収容容器１０の開口１０ａの左右の側方に配置されており、当該開口１０ａの高さ、即ち当該開口１０ａの鉛直方向の長さ以上の長さを有している。側部ノズル３、４には、開口１０ａの外側から基板収容容器１０の内部に向けて乾燥ガスを供給する供給孔６が、それぞれ複数形成されている。
【００２８】
供給孔６は、図２及び図３に示すように、基板収容容器１０内に収容されるウェハＷとウェハＷの間の高さにそれぞれ配置されている。ここで、側部ノズル３に形成された各供給孔６と、側部ノズル４に形成された各供給孔６とは同一の高さに位置しないように、側部ノズル３と側部ノズル４にそれぞれ互い違いに設けられている。なお、互い違いに形成されているとは、必ずしも供給孔６が側部ノズル３と側部ノズル４に供給孔６が１つずつ交互に設けられていることのみを意味するのではなく、例えば側部ノズル３、４のいずれか一方のノズルに、複数の供給孔６を上下方向に隣り合って連続して設け、他方のノズルに、一方のノズルの供給孔６と重複しない高さに複数の供給孔６を同じく連続して設けることをも含む。なお、本実施の形態においては、図２に示すように、側部ノズル３に少なくとも２つ以上の供給孔６上下方向に隣り合って連続して設けられ、側部ノズル４に、側部ノズル３に設けられた供給孔６と重複しない高さに同じく２つ以上の供給孔６を上下方向に隣り合って連続して設けられている。
【００２９】
また、側部ノズル３、４には、図２、３に示すように、例えば当該側部ノズル３、４のいずれにも、供給孔６が形成されていない欠陥部７が形成されている。この欠陥部７が形成されることにより、基板収容容器１０内に収容されるウェハＷとウェハＷの間には、供給孔６から乾燥ガスが直接供給されない領域Ｇが形成される。なお、図３においては、理解を容易にするために、側部ノズル３に形成された供給孔６と、側部ノズル４に形成された供給孔６を、側部ノズル４に重ね合わせて描図している。
【００３０】
また、供給孔６は、例えば図４に示すように、基板収容容器１０の対角線に沿って、蓋３０とポートドア４０を開けた状態の開口１０ａから基板収容容器１０内に向かって水平方向に乾燥ガスを供給できるように、平面視において所定の角度で斜め方向に形成されている。この所定の角度は、例えば３０度〜６０度が好ましく、本実施の形態においては例えば４５度に設定されている。
【００３１】
上部ノズル２には、図１に示すように、パージガスとして例えば乾燥窒素を供給するガス供給源２０が、給気管２１を介して接続されている。給気管２１から上部ノズル２に供給された乾燥ガスは、当該上部ノズル２に連通する側部ノズル３、４にもそれぞれ供給される。給気管２１には、ガス供給源２０からのガスの供給及び停止を制御する遮断弁２２が設けられている。給気管２１における遮断弁２２の下流には、流量計２３と流量調節機構２４が設けられ、ガス供給源２０からの乾燥ガスの供給量を調節できるように構成されている。本実施の形態では、乾燥ガスは例えば２００ｍＬ／ｍｉｎで供給され、上部ノズル２と側部ノズル３、４のそれぞれに、三分の一ずつの流量が流れるように各供給孔５、６の大きさが形成されている。なお、本実施の形態のパージ装置１では、側部ノズル３、４を上部ノズル２に連通させた一体構成としているが、例えば上部ノズル２と側部ノズル３、４をそれぞれ独立した構成としてもよい。かかる場合、給気管２１を上部ノズル、側部ノズル３、４に対してそれぞれ個別に設けてもよい。その場合、給気管２１を、例えば遮断弁２２の下流側で例えば３つに分岐し、分岐後の各給気管２１にそれぞれ他の遮断弁を設け、他の遮断弁の下流側に流量計２３と流量調節機構２４をそれぞれ設けことで、各ノズル２、３、４に供給する乾燥ガスを独立して制御してもよい。
【００３２】
上述の基板収容容器１０には、開口１０ａを密閉する蓋３０が設けられている。基板収容容器１０の下面は、ウェハ処理装置の搬送室３１を形成する隔壁３２の外方に設けられた、載置部としての載置台３３によって支持されるように構成されている。基板収容容器１０は、例えば図示しない搬送機構によりウェハ処理装置の外部から搬送され、載置台３３の上面に載置される。なお、搬送室３１内には、上方から下方に向かう大気の流れ、いわゆるダウンフローが形成されている。
【００３３】
載置台３３は隔壁３２の外面に設けられた支持部材３４により支持されている。載置台３３は、図示しない移動機構により支持部材３４上を水平方向に移動自在に構成されており、載置台３３を基板収容容器１０と共に隔壁３２側に対して前後に移動させることができる。
【００３４】
載置台３３の後方には、係止部材３５が設けられており、この係止部材３５により、載置台３３と基板収容容器１０とを所定の位置で係止（クランプ）することができる。
【００３５】
蓋３０は図示しない嵌合部材を備えており、この嵌合部材により蓋３０と基板収容容器１０とを嵌合（ラッチ）することができる。また、隔壁３２における蓋３０に対向する位置にはポートドア４０が設けられている。ポートドア４０は、載置台３３を移動させて蓋３０をポートドア４０に当接（ドック）させることにより、蓋３０を保持できるように構成されている。ポートドア４０は図示しない駆動機構により開閉自在に構成されている。そのため、ポートドア４０と蓋３０を当接させて状態でポートドア４０を開閉操作することにより蓋３０を開閉することができる。
【００３６】
上述の各遮断弁２２、や流量調節機構２４などは、制御装置５０により制御される。制御装置５０は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、基板収容容器１０のパージなどを行うことができる。なお、このような操作を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどの記憶媒体Ｈに記憶されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御装置５０にインストールされたものが用いられている。
【００３７】
本実施の形態にかかるパージ装置１は以上のように構成されており、次に、このパージ装置１による基板収容容器１０内のパージ方法について説明する。図５は、パージ方法の工程の例を示すタイムチャートであり、横軸は時間、縦軸は各機器の状態を表している。
【００３８】
基板収容容器１０のパージにあたっては、先ず基板収容容器１０が載置台３３に載置される（図５の時間ｔ０）。次いで、係止部材３５により基板収容容器１０が載置台３３に係止（クランプ）される（図５の時間ｔ１）。その後、載置台３３を隔壁３２側に移動させ、基板収容容器１０の蓋３０とポートドア４０とを当接（ドック）させる（図５の時間ｔ２）。
【００３９】
次いで、蓋３０のラッチが解除（アンラッチ）される（図５の時間ｔ３）。その後、駆動機構（図示せず）により蓋３０が搬送室３１側に向かって水平に移動して基板収容容器１０が開放される（図５の時間ｔ４）。水平方向に移動した蓋３０は、その後基板収容容器１０の開口１０ａの下方に移動し（図５の時間ｔ５）、搬送室３１内に設けられた搬送機構（図示せず）が基板収容容器１０内の各ウェハＷにアクセスできるようになる。そして、蓋３０が開放されると共に遮断弁２２が開操作され（図５の時間ｔ５）、パージ装置１の上部ノズル２からは、開口１０ａと反対側に斜め下方向に向けて乾燥ガスが供給されエアカーテンが形成される。そして、このエアカーテンにより、搬送室３１内のダウンフローが基板収容容器１０内に流入することを抑制できる。
【００４０】
また、遮断弁２２の開操作により、側部ノズル３、４からは基板収容容器１０内に乾燥ガスが供給される。その際、側部ノズル３、４に互い違いに形成された供給孔６から供給された乾燥ガスは、図３に示すように、他の供給孔６から供給された乾燥ガスと干渉し滞留することなく、基板収容容器１０の後方、即ち開口１０ａの反対側の端部まで到達する。即ち、側部ノズル３、４の供給孔６が同一の高さに設けられた場合、それぞれの供給孔６から供給された乾燥ガスは同じウェハＷ間を流れて互いに干渉し滞留するので、それにより基板収容容器１０内で乾燥ガスの流れが乱れ、基板収容容器１０の後方端部まで乾燥ガスが到達しないことが考えられるが、本実施の形態のように、供給孔６を側部ノズル３、４に互い違いに形成することで、そのような干渉を防止できる。 
【００４１】
そして、基板収容容器１０の後方端部に到達した乾燥ガスは、ウェハＷとウェハＷの間であって、側部ノズル３、４の欠陥部７に対応する領域から基板収容容器１０の開口ａに向かって流れ、基板収容容器１０から排出される。このように、側方ノズル３、４に欠陥部７を形成することで、側部ノズル３、４の供給孔６から供給された乾燥ガスが、基板収容容器１０の後方端部から開口１０ａに向かって戻る乾燥ガスと干渉し滞留することを防止できる。その結果、基板収容容器１０内を効率的に乾燥ガスの雰囲気に置換し、当該基板収容容器１０内の湿度を低い状態に保つことができる。なお、蓋３０が開放された状態においては、基板収容容器１０内の湿度は例えば３５％以下に維持される。なお、供給される乾燥ガスの流量は、予め行われる試験などに基づいて決定される。
【００４２】
その後、各ウェハＷがウェハ処理装置で順次プラズマエッチング処理され、すべてのウェハＷの処理が完了して基板収容容器１０に再度収容されると、先ず蓋３０がポートドア４０と共に上方に移動する（図５の時間ｔ６）。次いで蓋３０を上昇させ、パージ装置１からの乾燥ガスの供給を維持した状態で、蓋３０を開口１０ａの前方で所定の時間保持する。このように、開口１０ａの前方に蓋３０を位置させることで、開口１０ａから搬送室３１の大気が基板収容容器１０内に流入することを防止しつつ、側部ノズル３、４からは開口１０ａから乾燥ガスの供給を継続できる。その結果、蓋３０を開口１０ａの下方に下降させた状態と比較して、さらに基板収容容器１０内の湿度を低下させることができる。
【００４３】
そして、所定の時間経過後、蓋３０を基板収容容器１０側に向かって水平移動させる（図５の時間ｔ７）。その後、遮断弁２２を閉じ、乾燥ガスの供給を停止する（図４の時間ｔ８）。
【００４４】
その後、蓋３０がラッチされ、蓋３０により基板収容容器１０が密閉される（図５の時間ｔ９）。基板収容容器１０が密閉されると、載置台３３を隔壁３２と反対側に移動させ、基板収容容器１０の蓋３０とポートドア４０の切り離し（アンドック）が行われる（図５の時間ｔ１０）。次いで、基板収容容器１０と載置台３３の係止を解除（アンクランプ）する（図５の時間ｔ１１）。その後、基板収容容器１０が載置台３３から取り除かれ（図５の時間ｔ１２）、ウェハＷに他の処理工程を実施する他の処理装置に搬送され、一連のパージ作業が終了する。
【００４５】
以上の実施の形態によれば、上部ノズル２により基板収容容器１０の開口１０ａと反対側に斜め下方に向けて、且つ開口１０ａの幅の全面にわたって乾燥ガスを供給するので、基板収容容器１０の開口１０ａ前面に、いわゆるエアカーテンを形成することができる。これにより、基板収容容器１０の開口１０ａから、搬送室３１内の大気が基板収容容器１０内に流入して基板収容容器１０内の湿度が上昇することを抑制できる。特に、エアカーテンを鉛直下方に向けて形成した場合は、当該エアカーテンに搬送室３１に形成されたダウンフローが巻き込まれ、基板収容容器１０の開口１０ａの下部で搬送室３１内の大気が流入してしまうところ、本実施の形態のように、エアカーテンを所定の角度で形成することで、搬送室３１に形成されたダウンフローが基板収容容器１０の開口１０ａから当該基板収容容器１０内に流入することを効果的に抑制できる。
【００４６】
また、側部ノズル３、４の供給孔６が、同一の高さに位置しないように互い違いに設けられているので、左右の側部ノズルから供給される乾燥ガス基板収容容器１０内で互いに干渉し滞留することがない。これにより基板収容容器１０の内部に万遍なく乾燥ガスを行き渡らせ、基板収容容器内を乾燥状態に維持することができる。特に、当該側部ノズル３、４のいずれにも、供給孔６が形成されていない欠陥部７を形成することにより、基板収容容器１０内に収容されるウェハＷとウェハＷの間に、供給孔６から乾燥ガスが直接供給されない領域を確保し、この領域から基板収容容器１０内に供給された乾燥ガスを排出できるので、効率的に基板収容容器１０内を乾燥ガス雰囲気に置換することができる。その結果、プラズマエッチング終了後のウェハＷから、パーティクルや不要なエッチングの原因となるガスが放出されても、基板収容容器内１０で水分と反応してＳｉＯ２やフッ酸が生成されることがなくなる。これにより、基板収容容器内１０のウェハＷを良好な状態に維持することができる。
【００４７】
また、以上の実施の形態では、パージ装置１を基板収容容器１０とは別個独立に設けたので、基板収容容器１０の形状が変わった場合でも、同じパージ装置１を使用できる。具体的には、例えば基板収容容器１０を貫通して乾燥ガスを供給するような接続機構を設けると、基板収容容器１０の形状が変化したときに、当該機構と基板収容容器１０との接続にずれが生じて正常にパージ装置１を使用することができなくなってしまうことがある。その場合、その都度基板収容容器１０に対応して乾燥ガスの供給機構を設ける必要があるので、設備費用が増加してしまう。これに対して本実施の形態では、パージ装置１を基板収容容器１０の外部に設けているので、基板収容容器１０の形状によらず使用が可能である。
【００４８】
以上の実施の形態では、供給孔６を基板収容容器１０内のウェハＷ間に対応する高さに設けて乾燥ガスを各ウェハＷ間に分配して供給するので、基板収容容器１０内に搬送室３１の大気が流入しても、直ちにウェハＷの表面を乾燥ガス雰囲気に置換することができる。そのため、ウェハＷの表面を乾燥ガス雰囲気に維持することができる。なお、以上の実施の形態では、乾燥ガスを水平方向に供給するように供給孔６を形成したが、乾燥ガスの供給方向は必ずしも水平方向とする必要はなく、例えば図６に示すように、基板収容容器１０内の各ウェハＷの間に対して斜め上方から供給するようにしてもよい。
【００４９】
なお、供給孔６を同じ大きさに形成した場合、例えば上部ノズル２から近い供給孔６は乾燥ガスの供給量が多く、遠い供給孔６は乾燥ガスの供給量が少なくなることが考えられる。したがって、供給孔６の大きさは必ずしも同一とする必要はなく、例えば上部ノズル２に近い位置の供給孔６の大きさを、上部ノズル２より遠い位置の供給孔６よりも小さくしたりしてもよい。また、側部ノズル３と側部ノズル４とで供給孔６を異なる大きさとしてもよく、基板収容容器１０内を万遍なく乾燥ガス雰囲気に置換することができれば、その形状や大きさは任意に設定が可能である。また、上部ノズル２に形成された供給孔５の大きさについても、同様に、任意に設定が可能である。
【００５０】
以上の実施の形態では、蓋３０を下降させた後に乾燥ガスの供給を開始していたが、それ以前に乾燥ガスの供給を開始してもよい。
【００５１】
以上の実施の形態では、上部ノズル２の供給孔５を、基板収容容器１０の開口１０ａと反対側に１５度の角度で斜め下方に向けて乾燥ガスを供給するように形成したが、開口１０ａに対する角度、即ち鉛直方向とのなす角については、５〜１５度の間で任意に設定が可能である。本発明者らによれば、角度を５度より小さくした場合、既述のように、上部ノズル２により形成される乾燥ガスに搬送室３１のダウンフローが巻き込まれてしまい、エアカーテンとしての機能を充分に確保できず、蓋３０が開いた状態において、基板収容容器１０内の湿度を３５％以下に保持できないことが確認されている。また、角度を１５度より大きくした場合も、基板収容容器３５内の湿度を３５％以下に確保できないことが確認されている。角度を大きくした場合、搬送室３１のダウンフローがエアカーテンを貫通して基板収容容器１０内に流入してしまうものと考えられる。
【００５２】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００５３】
１    パージ装置
２    上部ノズル
３、４    側部ノズル
５    供給孔
６    供給孔
７  欠陥部
１０  基板収容容器
２０  ガス供給源
２１  給気管
２２  遮断弁
２３  流量計
２４  流量調節機構
２５  遮断弁
３０  蓋
３１  搬送室
３２  隔壁
３３  載置台
３４  支持部材
３５  係止部材
４０  ポートドア
５０  制御装置
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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