(57)【要約】      （修正有）【課題】高解像度の画像を取得するため、Ｘ線光量を増大する方法やスループットの向上する方法を提供する。【解決手段】試料にＸ線を照射し、欠陥の径より大きい焦点サイズを持つＸ線源と、Ｘ線源により照射されて該試料を透過したＸ線をＸ線透過像として検出し、該試料の走査方向と平行な方向に長い画素を持ち該試料に近接して配置されたＸ線ＴＤＩ検出器と、Ｘ線ＴＤＩ検出器により検出されたＸ線透過像に基づき欠陥を検出する欠陥検出部と、を備え高解像度の画像を取得する。【選択図】図１
2013178242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料にＸ線を照射し、欠陥の径より大きい焦点サイズを持つＸ線源と、
前記Ｘ線源により照射されて該試料を透過したＸ線をＸ線透過像として検出し、該試料の走査方向と平行な方向に長い画素を持ち該試料に近接して配置されたＸ線ＴＤＩ検出器と、
前記Ｘ線ＴＤＩ検出器により検出されたＸ線透過像に基づき欠陥を検出する欠陥検出部と、を備えるＸ線検査装置。
【請求項２】
請求項１記載のＸ線検査装置であって、
さらに、前記Ｘ線源から照射されたＸ線の該試料の表面における照射領域を制限する線源スリットを備えることを特徴とするＸ線検査装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＸ線検査装置であって、
前記Ｘ線ＴＤＩ検出器は、該試料に対して前記Ｘ線源と反対側に配置されていることを特徴とするＸ線検査装置。  
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のＸ線検査装置であって、
前記Ｘ線源は複数のＸ線管を備えており、前記複数のＸ線管から照射されるＸ線は、該試料の表面の互いに異なる領域を照射することを特徴とするＸ線検査装置。
【請求項５】
請求項２記載のＸ線検査装置であって、
前記Ｘ線源は複数のＸ線管を備えており、
前記線源スリットは、前記複数のＸ線管が該試料の表面の互いに異なる領域を照射するように配置されていることを特徴とするＸ線検査装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のＸ線検査装置であって、
前記Ｘ線ＴＤＩ検出器は、該試料の走査方向に直交する方向に並列に複数配置されていることを特徴とするＸ線検査装置。
【請求項７】
請求項６記載のＸ線検査装置であって、
前記複数配置された前記Ｘ線ＴＤＩ検出器の受光部は間に隙間がないように配置されていることを特徴とするＸ線検査装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載のＸ線検査装置であって、
前記欠陥検出部により検出された欠陥を表示する表示部を備えることを特徴とするＸ線検査装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載のＸ線検査装置であって、
前記Ｘ線源の管電圧が２０ｋＶ以上５０ｋＶ以下に設定され、
前記Ｘ線ＴＤＩ検出器が高解像度型シンチレータを備えることを特徴とするＸ線検査装置。
【請求項１０】
欠陥の径より大きい焦点サイズを持つＸ線源から該試料にＸ線を照射するＸ線照射工程と、
前記Ｘ線照射工程により照射されて該試料を透過したＸ線を、該試料の走査方向と平行な方向に長い画素を持ち該試料に近接して配置されたＸ線ＴＤＩ検出器によりＸ線透過像として検出するＸ線透過像検出工程と、
前記Ｘ線透過像検出工程により検出されたＸ線透過像に基づき欠陥を検出する欠陥検出工程と、を備えるＸ線検査方法。
【請求項１１】
請求項１０記載のＸ線検査方法であって、
さらに、前記Ｘ線源から照射されたＸ線の該試料の表面における照射領域を制限する制限工程を備えることを特徴とするＸ線検査方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載のＸ線検査方法であって、
前記Ｘ線ＴＤＩ検出器は、該試料に対して前記Ｘ線源と反対側に配置されていることを特徴とするＸ線検査方法。  
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれかに記載のＸ線検査方法であって、
前記Ｘ線源は複数のＸ線管を備えており、
前記Ｘ線照射工程では、該試料の表面の互いに異なる領域を照射することを特徴とするＸ線検査方法。
【請求項１４】
請求項１１記載のＸ線検査方法であって、
前記Ｘ線源は複数のＸ線管を備えており、
前記制限工程では、前記複数のＸ線管が該試料の表面の互いに異なる領域を照射するように制限することを特徴とするＸ線検査方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至１４のいずれかに記載のＸ線検査方法であって、
前記Ｘ線ＴＤＩ検出器は、該試料の走査方向に直交する方向に並列に複数配置されていることを特徴とするＸ線検査方法。
【請求項１６】
請求項１５記載のＸ線検査方法であって、
前記複数配置された前記Ｘ線ＴＤＩ検出器の受光部は間に隙間がないように配置されていることを特徴とするＸ線検査方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至１６のいずれかに記載のＸ線検査方法であって、
前記欠陥検出工程により検出された欠陥を表示する表示工程を備えることを特徴とするＸ線検査方法。
【請求項１８】
Ｘ線源により照射されて試料を透過したＸ線をＸ線透過像として検出し、該試料の走査方向と平行な方向に長い画素を持つＸ線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料にＸ線を照射し、試料を透過したＸ線の強度分布に基づいて試料を検査するＸ線検査装置、検査方法およびＸ線検査装置に用いられるＸ線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
本技術分野の背景技術として、特開平９−７２８６３号公報（特許文献１）がある。この公報には、「フロア面より数十センチ以上上方の高さレベルで被検査物が搬送されるＸ線透過自動検査装置において、フォーカスサイズの径が５０μｍ以上のＸ線源と、該Ｘ線源が上部に配設されると共に、被検査物の搬入・搬出口よりも下側の内側位置に被検査物の画像を撮像する撮像面が配設されるシールドボックスと、該シールドボックス内の撮像場所にて、前記搬入・搬出口の高さレベルと撮像面の高さレベルとの間で昇降し、前記搬入口で受取った被検査物を支持して前記撮像面の上側の検査レベルまで下降し、かつ撮像済の被検査物を支持して搬出口の高さレベルまで上昇する被検査物の水平移送機能を持つ昇降台を設けたことを特徴とする簡易型高分解能Ｘ線透過自動検査装置。」（特許請求の範囲の請求項１）が開示されており、これにより「低コストで分解能の優れたプリント基板の撮像が得られ、かつＸ線源のメインテナンスや交換を容易ならしめるコンパクトな簡易型高分解能Ｘ線透過自動検査装置」の提供が可能となると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−７２８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
リチウムイオン二次電池の電極材料に含まれる微小金属異物の検査では、５０μｍ以下の微小な金属物体を高速に検査することが求められる。電極の製造工程では、シート状の電極材料がロール搬送により速度５００ｍｍ／ｓ以上の高速度で連続的に搬送されるため、インライン検査を行うには、速度５００ｍｍ／ｓ以上の試料走査速度で連続的に検査することが必要である。
【０００５】
試料にＸ線を照射し試料を透過したＸ線の強度分布に基づいて試料を検査するＸ線検査において、微小な物体を検査するには、解像度の高いＸ線透過像を得ること、および十分大きいＸ線光量によるＸ線透過像を得ることが必要である。ここで、Ｘ線光量とは、試料に照射するＸ線の強度と検出器の蓄積時間（露光時間）との積を指す。
【０００６】
前者が必要なのは、物体の大きさに対して解像度が低い場合には像がボケてしまい、物体の像のコントラストが低下するためである。
【０００７】
後者が必要なのは、Ｘ線光量が不足する場合には、物体の像のコントラストに対してショットノイズが相対的に大きくなり、画像のＳＮ比が低下することで、物体を判別することが難しくなるためである。ここで、ショットノイズはフォトンショットノイズや量子ノイズとも呼ばれるものであり、画像のノイズの中でショットノイズ成分の占める割合が大きい場合、画像のＳＮ比はＸ線光量を大きくすることでＸ線光量の平方根に比例して向上する。
【０００８】
高解像度のＸ線透過像を得るには、マイクロフォーカスＸ線管などの焦点サイズの小さいＸ線源を用い、Ｘ線源−試料間距離に対してＸ線源−カメラ間の距離を大きく遠ざけて拡大像を得る方法がある。しかし、焦点サイズの小さいＸ線源は高い出力が得られないため、Ｘ線光量の不足で画像のＳＮ比が低下する。特に高速検査を行う場合は蓄積時間が短くなるため、この問題が顕著となる。
【０００９】
大きなＸ線光量を得るには、高出力のＸ線源を用いる、あるいはＴＤＩ（Ｔｉｍｅ  Ｄｅｌａｙ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）型のＸ線カメラを用いて蓄積時間を稼ぐ方法がある。しかし、前者は焦点サイズの大きなＸ線源が必要となるため、高解像度の画像取得と両立しない課題がある。後者は、ＴＤＩカメラのラインレートを試料走査速度に同期させる必要があるが、市場で入手可能なＸ線ＴＤＩカメラのラインレートに上限があるため、非常に高速な試料走査速度には対応できない課題がある。例えば、上限ラインレートが約２ｋＨｚのＸ線ＴＤＩカメラで、５０μｍの画素寸法の場合、対応できる上限の試料搬送速度は１００ｍｍ／ｓである。
【００１０】
前記特許文献１には、高分解能Ｘ線透過自動検査装置が記載されている。しかし、特許文献１の装置は、高解像度の画像を取得するための構成として「該シールドボックス内の撮像場所にて、前記搬入・搬出口の高さレベルと撮像面の高さレベルとの間で昇降し、前記搬入口で受取った被検査物を支持して前記撮像面の上側の検査レベルまで下降し、かつ撮像済の被検査物を支持して搬出口の高さレベルまで上昇する被検査物の水平移送機能を持つ昇降台」が記載されているが、Ｘ線光量を増大する必要性については記載されていない。また、高速搬送される試料の検査方法についても記載されていない。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。
【００１２】
本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、
試料にＸ線を照射し、欠陥の径より大きい焦点サイズを持つＸ線源と、前記Ｘ線源により照射されて該試料を透過したＸ線をＸ線透過像として検出し、該試料の走査方向と平行な方向に長い画素を持ち該試料に近接して配置されたＸ線ＴＤＩ検出器と、前記Ｘ線ＴＤＩ検出器により検出されたＸ線透過像に基づき欠陥を検出する欠陥検出部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば，解像度の高いＸ線透過像を、十分大きいＸ線光量にて得ることで、微小な欠陥を検出することができる。
【００１４】
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係るＸ線検査装置の構成を説明するための構成図である。
【図２】本発明に係るＸ線源を説明する構成図である。
【図３】本発明に係るＸ線源、検査対象物、およびＴＤＩカメラの位置関係を説明する図である。
【図４】本発明に係る光源部、検査対象物、およびＴＤＩカメラの位置関係と像のボケ量との関係を説明する図である。
【図５】本発明に係る複数のＴＤＩカメラを並列する構成例を説明する構成図である。
【図６】本発明に係る複数のＸ線管による像の重複を説明する図である。
【図７】本発明に係る本実施例の光源部、およびＴＤＩカメラの配置を説明する図である。
【図８】本発明に係る扁平画素を有するＸ線ＴＤＩカメラを説明する図である。
【図９】本発明に係る扁平画素を有するＸ線ＴＤＩカメラの別の実施例を説明する図である。
【図１０】本発明に係る高解像度のＸ線ＴＤＩカメラの構成を説明する図である。
【図１１】本発明に係るＸ線ＴＤＩカメラのシンチレータの解像度を向上する開口マスクを説明する図である。
【図１２】本発明に係るＸ線検査方法を説明するためのフロー図である。
【図１３】本発明に係るＸ線ＴＤＩカメラの受光センサの配置を説明する図である。
【図１４】本発明に係るＸ線のエネルギーと金属異物コントラスト対ノイズ比との関係を説明する図である。
【図１５】本発明に係るＸ線ＴＤＩカメラの断面構造を説明する図である。
【図１６】本発明に係るＸ線ＴＤＩカメラのゲイン設定を説明する図である。
【図１７】本発明に係るＸ線ＴＤＩカメラの別の実施例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本実施例では、試料にＸ線を照射し、試料を透過したＸ線の強度分布に基づいて試料を検査するＸ線検査装置の例を説明する。
【００１７】
図１は本実施例のＸ線検査装置の構成図の例である。
【００１８】
Ｘ線検査装置１００は、Ｘ線源１、線源遮蔽部２、線源スリット３、Ｘ線ＴＤＩカメラ４、直接光遮蔽部５、装置カバー６、欠陥判定部７、制御部８、表示部９を有する。
【００１９】
Ｘ線源１は試料Ｗに向けてＸ線を照射する。Ｘ線源１による試料上のＸ線照射領域の形状は線源スリット３によって制限される。線源遮蔽部２は試料上の照射領域以外に向かうＸ線を遮蔽する。線源遮蔽部２と線源スリット３により、検査に必要外のＸ線の漏れ量を低減され、Ｘ線検査装置１００の安全性が向上する。
【００２０】
試料Ｗに照射されたＸ線は試料Ｗを透過しＸ線ＴＤＩカメラ４によってＸ線透過画像として検出される。検出器としてＸ線ＴＤＩカメラ４を用いることで、連続的に搬送される試料ＷのＸ線透過画像を絶え間なく取得することができる。また、通常のＸ線ラインカメラを使用する場合に比べて、ＴＤＩの段数分だけ多くの蓄積時間をとることができ、Ｘ線光量が増すことでＳＮ比の高い画像が得られ、検査感度が向上する。
【００２１】
直接光遮蔽部５は、試料ＷおよびＸ線ＴＤＩカメラ４を透過したＸ線を遮蔽し、装置外にＸ線が漏洩することを防ぐためのものである。装置カバー６は線源遮蔽部２、線源スリット３、直接光遮蔽部５で遮蔽しきれないＸ線成分、および反射／散乱Ｘ線成分を遮蔽するとともに、Ｘ線が照射される空間を隔離し、人の手などがその空間に入ることを防ぐためのものである。線源遮蔽部２、線源スリット３、直接光遮蔽部５あるいは装置カバー６が所定の条件に設置されていない場合、インターロックが作動し、Ｘ線源１によるＸ線の照射が停止する。以上の構成により、装置オペレータ等のＸ線被曝が回避され、Ｘ線検査装置１００の安全性が確保される。
【００２２】
図１にはＸ線源１を試料Ｗの上方に置き、Ｘ線ＴＤＩカメラ４を試料Ｗの下方に置く配置を示したが、Ｘ線検査装置１００を設置する床面からの試料Ｗまでの距離が長く、試料Ｗの下方に十分なスペースが確保できる場合は、Ｘ線検査装置１００の外形をコンパクトにするため、Ｘ線源１を試料Ｗの下方に設置し試料Ｗの上にＸ線ＴＤＩカメラ４を設置してもよい。また、欠陥判定部７、制御部８、あるいは表示部９は、装置カバー６の内部に設置してもよい。
【００２３】
欠陥判定部７は、Ｘ線ＴＤＩカメラ４で検出されたＸ線透過像に基づいて、試料に存在する欠陥を判別し、その存在の有無、存在する数、位置、あるいは大きさを出力する。ここで欠陥とは、リチウムイオン二次電池の電極材料においてリチウムイオン二次電池完成品の信頼性を低下させうる要因であり、例えばリチウムイオン二次電池の正極材料、負極材料、集電体、セパレータに含まれる微小金属異物、あるいは正極材料、負極材料、セパレータの空孔や塗工不良を含む。
リチウムイオン二次電池の正極材料に含まれる微小金属異物の検査では、Ｘ線ＴＤＩカメラ４の固定パターンノイズ、ランダムに発生するショットノイズ、およびシート状の正極の活物質の厚さムラ、密度ムラなどが背景ノイズとなる。検出した画像に対し、微小金属異物および背景ノイズの画像上の特徴に基いて、背景ノイズを減衰し、微小金属異物などに基づく欠陥信号を強調するフィルタ処理を行い、フィルタ後の画像に対し、その残存ノイズ成分を実質的に検出しないしきい値レベルを設定し、しきい値レベルを越える箇所を欠陥と判定することで、微小金属異物などの欠陥が検出される。金属異物が正極に付着している場合、あるいは正極材料より重い元素からなる金属異物が正極材料内部に埋まっている場合、Ｘ線透過像において背景より暗い欠陥信号として現れる。正極材料より軽い元素からなる金属異物が正極材料内部に埋まっている場合、あるいは正極材料の塗工漏れ、空孔がある場合は、Ｘ線透過像において背景より明るい欠陥信号として現れる。欠陥部の明度の空間的な広がりの中心（背景との明度差が最大となる位置、あるいは明度差の重心位置）を欠陥位置として計測する。さらに、欠陥部の背景との明度差および明度の空間的な広がりから欠陥の大きさを計測する。以上の欠陥判定結果を検査後に確認できるよう、欠陥部と周囲の背景を含む欠陥画像、欠陥位置の情報、および欠陥に付随する情報（欠陥の大きさ、種類）が、欠陥判定部７あるいは制御部８が内蔵するメモリに保存される。
【００２４】
制御部８は、入力部１０から、あるいは前述の各構成部品からの信号を受け、Ｘ線源１、Ｘ線ＴＤＩカメラ４、欠陥判定部７のパラメータ設定、制御を行う。前述の各構成部品のパラメータ設定値、状態、検査条件、欠陥判定結果（欠陥個数、位置、欠陥寸法、欠陥画像）が表示部９に表示される。
【００２５】
入力部１０では、ユーザなど外部からの各構成要件のパラメータ設定値や検査条件などの入力を受け、制御部８に送る。  
搬送系１１によって、検査対象の試料Ｗが搬送、走査される。搬送系１１による試料走査の速度に合せて、Ｘ線ＴＤＩカメラ４のラインレートが設定され、走査速度に同期した撮像が行われる。搬送系１１はＸ線ＴＤＩカメラ４のタイミング同期に必要な、搬送速度、あるいは搬送距離などの情報を制御部８に出力する。例えばＸ線検査装置１００を、試料の製造工程などにおいて予め試料が実質的に一定速度にて搬送されている環境に設置して用いる場合は、Ｘ線検査装置１００自体が搬送系１１を有する必要はなく、試料の製造工程などに予め設置されている搬送系を兼用し、これに同期するようＸ線ＴＤＩカメラ４を設定して動作すればよい。この場合、必要に応じて、試料の製造工程などの搬送系の出力あるいは搬送されている試料をエンコーダによって計測して得られる位置計測値、あるいは速度計によって計測して得られる速度計測値を同期に用いる情報として制御部に入力して用いる。
【００２６】
図２は本実施例のＸ線源を説明する構成図である。
【００２７】
Ｘ線源１は複数のＸ線管を有する。図２、および後述の図６、および図７では、Ｘ線源１が二つのＸ線管１０１、１０２を有する例を図示したが、よりＸ線光量を増大するために三つ以上のＸ線管を用いてもよい。Ｘ線管１０１、１０２各々は、試料Ｗ上の互いに異なる領域を照射する。試料Ｗ上で照射領域が重なり合わないよう、線源スリット３が設置、調整される。Ｘ線管１０１および１０２が照射した試料Ｗ上の領域を透過したＸ線はＸ線ＴＤＩカメラ４の受光部１０３に入射し、検出される。Ｘ線管をＮ個並列して使用することで、一つのＸ線管が照射する領域の長さが１／Ｎ倍になり、Ｘ線管と試料間の距離が１／Ｎ倍になる。Ｘ線の照射強度はＸ線管からの距離の二乗に反比例するため、試料上の単位面積当りに与えられるＸ線強度がＮの二乗倍に増加する。これにより、Ｘ線光量を増大することができる。
【００２８】
図７は本実施例の光源部、およびＴＤＩカメラの配置を説明する図である。
【００２９】
試料Ｗの走査方向をＸ方向、それに垂直な方向をＹ方向とする。Ｘ線ＴＤＩカメラ４は、Ｘ方向がＴＤＩ蓄積方向、Ｙ方向が長手方向になるよう、設置、調整される。Ｘ線源１が有する複数のＸ線管（１０１，１０２）はＹ方向に沿って並べられる。
【００３０】
図３は本実施例のＸ線源、検査対象物、およびＴＤＩカメラの位置関係を説明する図である。
【００３１】
Ｘ線源に含まれるＸ線管の内部でＸ線の発生する領域は焦点と呼ばれる。図３の２０１がＸ線管の焦点領域を示す。焦点領域２０１は有限の大きさを持つ。ここでは焦点サイズｄとし、焦点サイズｄが欠陥の径よりも大きくなるように設定する。例えば、焦点サイズｄ＝０．４ｍｍのサブミリフォーカスＸ線管では連続出力が２００Ｗ以上、ｄ＝１ｍｍのミリフォーカスＸ線管では連続出力が１０００Ｗ以上得られる。焦点領域２０１から発したＸ線は、試料面Ｗを透過し、受光部に微小物体２０３の像２０４を形成する。像２０４の位置の周囲に対する像２０４位置の透過Ｘ線強度の低下量を微小物体によるコントラストとする。このとき、像２０４の両脇に焦点サイズｄに応じた像のボケ２０５が発生する。図３の右側の図に示すように、試料面Ｗを受光部１０３に接近させることで、微小物体の像に対するボケの大きさを小さくすることができる。微小物体の像の大きさに対して、ボケの大きさが大きいと、受光部１０３で検出される透過Ｘ線強度分布における微小物体のコントラストが低下するため、検出感度が低下する。
【００３２】
幾何学的な計算から、ボケ２０５の受光部上での大きさは、焦点サイズｄ、線源−試料距離ａおよび試料−受光部距離ｂを用いて、ｂｄ／ａと表される。試料上の像は受光部上で拡大率（ａ＋ｂ）／ａ倍で拡大されるので、試料上の寸法に換算したボケ２０５の大きさは、ｂｄ／（ａ＋ｂ）と求められる。
【００３３】
図４は本実施例の光源部、検査対象物、およびＴＤＩカメラの位置関係と像のボケ量との関係を説明する図である。上記式に基づき、横軸に試料−受光部距離ｂと線源−受光部距離（ａ＋ｂ）との比を、縦軸に試料面上換算のボケ量をとり、焦点サイズごとのボケ量を示す。
【００３４】
５０μｍ以下の物体を高感度に検査するには、ボケ量を５０μｍ以下に抑えることが有効である。例えば、リチウムイオン二次電池の正極材料に含まれる微小金属異物の検査では、検査対象の正極材料の厚さが２００μｍ程度である。この場合、試料−受光部距離ｂを１ｍｍ程度に近づけることができる。例えば、Ｘ線ＴＤＩカメラ４のＹ方向の長さが３００ｍｍ、照射角が全角で３０度のＸ線管を４個用いる場合、線源−試料間距離ａは１４０ｍｍとなる。このとき、試料上の寸法に換算したボケ２０５の大きさはｄ／１４０となり、焦点サイズが５ｍｍ程度と大きい高出力ミリフォーカスＸ線源を用いても、３６μｍ程度と小さく抑えられる。
【００３５】
複数のＸ線管を並列する場合、Ｘ線管と試料間距離が短くなる分、試料上の寸法に換算したボケ２０５の大きさが大きくなる傾向があるが、特に上記のように検査対象試料が例えば１ｍｍ以下と薄い場合は、試料−受光部距離ｂを１ｍｍ程度に縮小でき、十分に高い解像度を確保することができる。
【００３６】
試料を搬送する搬送系１１あるいは製造工程の搬送系の精度によっては、試料表面が例えば２ｍｍ程度上下動する場合がある。また、Ｘ線ＴＤＩカメラ４は受光部がカメラ筐体に格納されており、筐体表面から受光部までの距離が５〜１０ｍｍ離れている場合がある。そのような場合、試料−受光部距離ｂを７〜１２ｍｍより長くして、試料とカメラ筐体の接触を回避するのが望ましい。例えば、焦点サイズ０．４ｍｍのサブミリフォーカスＸ線管と、カメラ筐体表面から受光部までの距離が１０ｍｍのＸ線ＴＤＩカメラを用い、線源−試料距離ａを２００ｍｍ、試料−カメラ筐体表面距離を１０ｍｍと設定すると、試料−受光部距離ｂが２０ｍｍ、試料上の寸法に換算したボケ２０５の大きさが４０μｍとなり、試料とカメラ筐体の接触を回避しつつボケを小さく抑えることができる。  図５は複数のＴＤＩカメラを並列する構成例を説明する構成図である。
【００３７】
Ｘ線源１、線源遮蔽部２、線源スリット３、ＴＤＩカメラ４を有するＸ線光学系をＹ方向に複数並列することで、広い幅の試料を検査することができる。複数のＴＤＩカメラ３０３、３０４が機械的に干渉しないようにＸ方向にずらしつつ、Ｙ方向（試料の幅方向）に関して複数の受光部３０１、３０２の隙間ができないように並べることで、検査対象領域の抜けを無くすことができる。図５には二つを並列する例を図示したが、三つ以上を並列してもよい。
【００３８】
図６は複数のＸ線管による像の重複を説明する図である。
【００３９】
複数のＸ線管１０１，１０２によって試料面Ｗを隙間なくカバーすると、Ｙ方向に関して、各々のＸ線管の照射領域の境界近くの一部の領域（領域４０４）の像が受光部上（領域４０５）で重複して検出される。重複領域４０５については、欠陥判定部７において、像の重複に対応した欠陥判定処理が行われる。
【００４０】
像が重複している領域に対応した画像処理の一例として、重複領域のみ欠陥判定しきい値を高くする方法がある。重複領域は、互いに相関のない二画像分の背景ノイズが重なるため、重複のない領域に対して、ノイズが√２倍になる。よって、重複領域のみ、欠陥判定しきい値を√２倍高く設定することで、重複領域のノイズ増加に起因する誤検出を回避しつつ、重複領域の欠陥を検出することができる。
【００４１】
境界でのＸ線入射角が垂直に近いほど、また試料−受光部距離が短いほど、像の重複領域が小さくなる。像の重複領域を小さくするには、例えば、照射角（Ｘ線管から出射するＸ線光束の広がり角）が小さい（例えば３０度以下の）Ｘ線管を用いること、あるいは特に厚さの薄い試料の場合に試料−受光部距離を小さくする（例えばｂ＜２０ｍｍ）こと、あるいはＸ線管の並列数を増やして一つのＸ線管がカバーする照射領域を狭くすること、などが有効である。
【００４２】
図１４は、Ｘ線のエネルギーと金属異物コントラスト対ノイズ比との関係を説明する図である。金属異物材料（Fe、Cu）および正極材料（LiCoO2、LiMn2O4、LiFePO4）各々のＸ線透過率のエネルギー依存性より、金属異物の有無による透過率差から金属異物のコントラストを、あるＸ線光量を仮定した場合の透過光量からフォトンショットノイズによるノイズを計算により求め、コントラスト対ノイズ比を算出した。金属異物の大きさは５０μｍ角、正極材料の厚さは１００μｍとした。図１４より、いずれの異物材料、正極材料も、１０ｋｅＶ前後（５〜１５ｋｅＶ）で最も高い異物コントラスト対ノイズ比が得られるため、このエネルギー領域のＸ線をＸ線管１０１，１０２より照射するのが、微小な異物を検出するために有効である。
Ｘ線管１０１、１０２は各々管電圧が調整可能であり、管電圧の調整によって照射するＸ線の線質（エネルギー分布）を調整することができる。一般に、Ｘ線管から発生するＸ線のエネルギー分布のピークあるいは平均エネルギーは、Ｘ線管に与える管電圧のおよそ１／３である。本例では管電圧を調整し３０ｋＶ（１５〜４５ｋＶ）に設定することで、図１４に示したコントラスト対ノイズ比が最大となるエネルギー領域のＸ線が試料に照射され、検査感度を高めることができる。最適な管電圧は試料の材料、厚さ、欠陥の材料、厚さなどに依存する。実際の検査に先立って、同種の試料、欠陥を検査し、管電圧を最適化しておくことが望ましい。予め、試料の材料、厚さ、欠陥の材料、厚さなどに対応する最適な管電圧の情報を準備し、検査条件に合致した管電圧を選択することで、高い検査感度を実現することができる。一般にリチウムイオン電池正極材料（厚さ２００μｍ以下）など厚さが薄い試料の薄い欠陥（厚さ１００μｍ以下）を検査する場合、管電圧は３０ｋＶ前後（１５〜５０ｋＶ）が望ましい。
【００４３】
図１５は、Ｘ線ＴＤＩカメラ４の断面構造を説明する図である。Ｘ線ＴＤＩカメラ４は、シンチレータ５１２、ファイバプレート５１４、ＴＤＩカメラ５０２（受光画素を模式的に図示した）より構成される。シンチレータ５１２にてＸ線像が可視光像に変換され、ファイバプレート５１４にて可視光像が伝送され、可視光に対応したＴＤＩカメラ５０２にて検出される。シンチレータ５１２の材料としては柱状構造ＣｓＩやＧＯＳなどが用いられる。シンチレータ５１２では、Ｘ線が可視光に変換されファイバプレートに到達するまでに、像のボケが発生する。柱状構造ＣｓＩシンチレータは、微細な柱状の結晶構造を持ち、出力光の広がりによるボケが小さい特徴があるが、それでもある程度のボケが発生する。ここで発生するボケを低減するには、厚さが薄い高解像度型シンチレータをシンチレータ５１２として用いることが有効である。例えばシンチレータ５１２の厚さを１５０μｍとすることで、寸法５０μｍ程度の欠陥を検出するのに必要な空間分解能（１０ＬＰ／ｍｍの縞パターンのコントラストが３３％程度）を得ることができることが知られている。
【００４４】
厚さの薄い高解像度型のシンチレータを用いる場合、一般に、シンチレータを透過するＸ線量が増えるため、出力光量（検出感度）が低下する、ＴＤＩカメラ５０２が被曝して劣化する、などの弊害が出る。本実施例では、前記の管電圧の調整で述べたように、薄い試料に合わせて、３０ｋＶ前後（２０〜５０ｋＶ）の低い管電圧に設定する。この場合、シンチレータを薄くしても照射Ｘ線のほとんどがシンチレータで吸収されるため、上記の弊害は顕在化しない。例えば管電圧を５０ｋＶに設定した場合、発生するＸ線エネルギーはおよそ２０ｋｅＶ程度である。このエネルギーでのＣｓＩの質量減弱係数は５０ｃｍ＾２／ｇであることから、厚さ１５０μｍのＣｓＩシンチレータの透過率は３．４％と求められる。入射Ｘ線の９６％以上はシンチレータにて吸収され、可視光に変換される。５０ｋＶより低い管電圧では、透過率はより低くなるため、前記弊害が更に軽減される。
【００４５】
図１６は、Ｘ線ＴＤＩカメラの回路ゲイン設定を説明する図である。Ｘ線ＴＤＩカメラは、内部にＸ線像に対応するアナログ電気信号を出力するＴＤＩセンサ素子と、その出力を増幅しＡ／Ｄ変換してデジタル信号を出力するカメラ回路を備える。高い検査感度を得るためには、先に述べたようにより多くの入射Ｘ線量を検出することが有効である。図１６にてカメラゲイン高と表記したグラフは、カメラ回路の増幅ゲインが高く設定されているため、ＴＤＩセンサ素子が飽和する前にカメラ回路が飽和する状態に対応する。これに対し、カメラゲイン低と表記したグラフは、ＴＤＩセンサ素子が飽和してもカメラ回路が飽和しない状態に対応する。より多くの入射Ｘ線を検出するためには後者の低カメラゲイン設定にした上で、ＴＤＩセンサ素子の出力線形性が保たれる上限の入射Ｘ線量になるよう、Ｘ線管１０１，１０２の出力が設定するのが望ましい（最適Ｘ線管出力設定）。低カメラゲイン設定の状態にあることは、Ｘ線管出力を上げていった際に、ＴＤＩセンサ素子の飽和に対応した出力レベルでデジタル出力信号が一定となる（デジタル出力信号が飽和レベルまで到達しない）ことで確認できる。最適Ｘ線間出力設定を行った後、カメラ回路の増幅ゲインを再度調整し、出力信号がカメラ回路飽和レベルに達しない範囲で増幅ゲインを上げることで、カメラ回路のノイズによるＳＮ比低下を抑制することができる。
【００４６】
図８は、扁平画素を有するＸ線ＴＤＩカメラを説明する図である。
【００４７】
Ｘ線ＴＤＩカメラ４は、ＴＤＩ蓄積動作を正しく行うために、試料の走査速度と撮影周波数（ラインレート）を同期させる必要がある。同期しない場合、得られる像がＸ方向にボケて広がるために検査感度が低下する。同期させるためのラインレートｆＬは、Ｘ線ＴＤＩカメラの検査対象試料走査方向の画素サイズｐｘ、試料走査速度ｖｘ、およびＸ線光学系の像拡大率Ｍを用いて、ｆＬ＝Ｍ  ×  ｖｘ  ／  ｐｘと表される。試料走査速度ｖｘが大きい場合、ＴＤＩカメラのラインレートの上限の制約により、同期撮影が困難となる課題がある。
【００４８】
前述した試料Ｗを受光部に接近させる光学系は、像拡大率Ｍが低く（１に近く）保たれるため、同期に必要なラインレートを低く抑えることができ、試料走査速度ｖｘが大きい高速検査を行うために有効である。
【００４９】
また、ＴＤＩの走査方向の画素サイズｐｘを大きくすることで、同期に必要なラインレートを低くすることができ、高速検査への対応が可能となる。画素サイズを大きくすることは、検出画像の解像度が下がるため感度低下につながるが、Ｙ方向の画素サイズを小さく保ち、Ｘ方向の画素サイズのみを大きくすることで、解像度低下による感度低下を必要最小限に抑えつつ、高速検査を行うことが可能となる。
【００５０】
例えばラインレート２ｋＨｚのＴＤＩカメラを用いる場合、ｐｘ＝４００μｍ、ｐｙ＝５０μｍ、Ｍ＝１、の条件で、試料走査速度ｖｘ＝８００ｍｍ／ｓでの検査を行うことができる。また、ラインレート８ｋＨｚのＴＤＩカメラを用いる場合、ｐｘ＝１００μｍ、ｐｙ＝５０μｍ、Ｍ＝１、の条件で、試料走査速度ｖｘ＝８００ｍｍ／ｓでの検査を行うことができる。
【００５１】
通常の正方形画素のＴＤＩカメラをＸ方向にのみビニング動作させることで、上記のＸ方向の画素サイズがＹ方向の画素サイズに比べて大きいＴＤＩカメラとして使用することができる。画素サイズ５０μｍの正方形画素のＴＤＩカメラを、Ｘ方向の８画素ごとにビニング動作させることで、ｐｘ＝４００μｍ、ｐｙ＝５０μｍのＴＤＩカメラとして動作する。Ｘ方向の２画素ごとにビニング動作させることで、ｐｘ＝１００μｍ、ｐｙ＝５０μｍのＴＤＩカメラとして動作する。
【００５２】
Ｘ方向をＮ画素ビニングすることで扁平画素を作る方法は、ＴＤＩカメラの飽和上限電荷量がビニングによって増加するため、Ｘ線光量が非常に大きい条件でも信号の飽和が起きにくい利点がある。
【００５３】
図９は、扁平画素を有するＸ線ＴＤＩカメラの別の実施例を説明する図である。
【００５４】
Ｘ線ＴＤＩカメラは、シンチレータをファイバプレートで可視光用のＴＤＩカメラと結合した構成である。通常、ファイバプレートは、シンチレータで光に変換された像を、像の変形等を行うこと無く等倍で可視光用のＴＤＩカメラに転送する役割を持つ。図９に示すような、Ｙ方向に対して、Ｘ方向を１／Ｎに縮小するような、あるいはＸ方向に対してＹ方向をＮ倍に拡大するような、非対称ファイバープレート５０１を用いて、シンチレータと正方形画素のＴＤＩカメラを結合することで、Ｘ方向に長い扁平画素を有するＸ線ＴＤＩカメラが構成される。非対称ファイバプレート５０１として、テーパ光ファイバが用いられる。
【００５５】
また、非対称ファイバプレートは可視光像を縦横が異なる倍率で変形して転送するもので代用することが可能である。例えば、シリンドリカルレンズ、非球面レンズ、球面レンズ等の組合せを有する、Ｘ方向とＹ方向の光学倍率が異なる結像光学系により、シンチレータの出力面を可視光用ＴＤＩカメラの受光部５０２に結像してもよい。
【００５６】
Ｘ方向をＮ画素ビニングすることで扁平画素を作る方法では、ビニングによりＴＤＩ蓄積段数が１／Ｎに低減するのに対し、非対称ファイバプレートを用いて扁平画素を作る方法は、元のＴＤＩカメラのＴＤＩ蓄積段数が維持されるため、同じＸ線照射条件でもより多くのＸ線光量を稼ぐことができる利点がある。
【００５７】
図１０は、高解像度のＸ線ＴＤＩカメラの構成を説明する図である。
【００５８】
Ｘ線ＴＤＩカメラは、シンチレータでＸ線を可視光に変換して検出するが、その変換の過程で光が拡散してボケが発生するため、解像度の上限が５０μｍ程度に制限される課題がある。シンチレータ５１２の上下にシンチレータの解像度の上限よりも解像度の高い開口マスク５１１、５１３を配置し、その透過光をファイバプレート５１４で受光部に導くことで、変換過程での光の拡散によるボケが抑えられ、５０μｍ以下の高い解像度が得られる。開口マスク５１１の各開口部を通過したＸ線光束によりシンチレータ５１２で出力された光束の中心部が開口マスク５１３の対応する各開口部を通過するよう、開口マスク５１１と開口マスク５１３の相対位置が調整される。なお、前記のＸ線ＴＤＩカメラ４の受光部１０３はシンチレータ５１２の入力面（、開口マスクを用いる場合は、開口マスク５１１の面と実質的に同じ）に対応する。
【００５９】
図１１は、Ｘ線ＴＤＩカメラのシンチレータの解像度を向上する開口マスクを説明する図である。
【００６０】
透過領域を白で、遮光領域を黒で表示した。開口マスク５１１はＸ線を遮光する材質で、開口マスク５１３の遮光領域はシンチレータで出力される光を遮光する材質で形成される。個々の透過領域を狭くするほど高い解像度が得られるが、狭くし過ぎると開口率（透過領域の面積率）が低下し、得られるＸ線光量が低下する。図１１に示した例はφ２５μｍの透過領域をＸ、Ｙ方向に５０μｍピッチで配置したもので、解像度２５μｍ、開口率３９％が得られる。本開口マスクは通常のＣＣＤカメラあるいはラインスキャンカメラと共に用いると、遮光領域の画像が得られない問題があるが、ＴＤＩカメラと組み合わせることで、試料の走査によって試料上の任意の領域が遮光領域と透過領域を交互に通過するため、試料全面の画像を高解像度で取得することができる。
【００６１】
図１２は、本発明に係るＸ線検査方法を説明するためのフロー図である。
図１の入力部１０や他の各構成部品から受信した検査条件等に関する信号を制御部８が受けて（step１２０１）、制御部８により搬送系１１やＸ線ＴＤＩカメラ４、Ｘ線源１などの条件設定を行う（step１２０２）。その後、Ｘ線源１によりstep１２０２で設定した条件にて試料にＸ線を照射する（step１２０３）。Step１２０３にて照射されたＸ線が試料を透過し、Ｘ線透過像をＸ線ＴＤＩカメラ４により検出する（step１２０４）。欠陥判定部７がstep１２０４で検出したＸ線透過像を処理して試料に存在する欠陥を検出する（step１２０５）。step１２０５による欠陥の検出結果を表示部９に表示する（step１２０６）。  
図１３は本発明に係るＸ線ＴＤＩカメラの受光センサの配置を説明する図である。
【００６２】
Ｘ線ＴＤＩカメラ４として、Ｘ方向に位置がずれた複数の受光センサ４１３、４１４によってＹ方向に長い受光領域が形成されるものを用い、受光センサ毎に対応するＸ線管を備えたものを用い、複数のＸ線管による複数の試料像４１１，４１２の位置をＸ方向にずらして互いに重ならないようにすることで、図６にて説明した像の重なりを回避することができる。
【００６３】
図１７は本発明に係るＸ線ＴＤＩカメラの別の実施例を説明する図である。本実施例のＸ線ＴＤＩカメラは、シンチレータ６０１、光路偏向素子６０２、レンズ系６０３、ＴＤＩカメラ６０４を有する。シンチレータ６０１は試料のＸ線透過像検出位置（すなわち前記Ｘ線ＴＤＩカメラ４の受光部設置位置）に設置される。シンチレータ６０１にてＸ線像から変換された可視光像の光束は、光路偏向素子６０２にて反射して向きを変え、レンズ系６０３によってＴＤＩカメラ６０４の受光面上に結像して画像として検出される。本構成により、ＴＤＩカメラ６０４へのＸ線の照射を回避できるため、ＴＤＩカメラ６０４の劣化を避けることができる。また、可視光用ＴＤＩカメラはＸ線ＴＤＩカメラより多画素、高速な市販品があるため、可視光用ＴＤＩカメラをＴＤＩカメラ６０４として用いることで、前記実施例にてＸ線ＴＤＩカメラを用いた場合より高速、高感度検査が実現できる。
【００６４】
シンチレータ６０１は、微小欠陥を高感度に検出するため、厚さの薄い高解像度型のシンチレータが用いられる。光路偏向素子６０２は、ミラーまたはプリズムなどの光反射素子からなる。結像による像の劣化を防ぐため、一点に結像する光束の断面積当りの面精度がλ／１０以下であることが望ましい。レンズ系６０３は、シンチレータ６０１の出力面をＴＤＩカメラ６０４の受光面に結像する。ＴＤＩカメラ６０４は、水平画素数４０００画素以上、垂直画素数（ＴＤＩ積算段数）１２８段以上、ラインレート１２ｋＨｚ以上、画素ピッチ１４μｍ以下、シンチレータの出力光波長（ＣｓＩシンチレータの場合は５５０ｎｍ）に対応する感度波長域、ダイナミックレンジ８００（５８ｄＢ）以上のものを使用する。
【００６５】
ＴＤＩカメラ６０４におけるＴＤＩ積算ボケの発生を抑えるため、レンズ系６０３は、視野端における歪曲収差が１／（２×ＴＤＩ積算段数）以下であることが望ましい。例えばＴＤＩ積算段数が１２８段の場合は歪曲収差０．３９％以下のものを用いる。レンズ系６０３の光学倍率Ｍは、エリアシング、およびサンプリング位相に依存した欠陥信号ばらつきを低減するため、シンチレータ６０１およびＸ線管焦点サイズに起因するボケの径をｄ、ＴＤＩカメラ６０４の画素ピッチをｐとした場合、ｄＭ＜２ｐとするのが望ましい。ただし、光学倍率が小さすぎると単位時間当たりの検査面積が小さくなるため、２ｐ＜ｄＭ＜４ｐが望ましい。ｄ＝６０μｍ、ｐ＝７μｍの場合、光学倍率は０．２３倍以上０．４７倍以下が適当である。
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【００６６】
また、制御線や情報線は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしも全ての制御線や情報線を示しているとは限らない。実際には殆ど全ての構成が相互に接続されていると考えてもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１…Ｘ線源
２…線源遮蔽部
３…線源スリット
４…Ｘ線ＴＤＩカメラ
５…直接光遮蔽部
６…装置カバー
７…欠陥判定部
８…制御部
９…表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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