(57)【要約】【課題】ディスク形状の基板上に、ドット状記録部が円周方向に沿って規則的な格子状に、高密度に配列した情報記録媒体を製造すること。【解決手段】ディスク形状の基板上１０１に形成された、同心円または螺旋状の円周方向に沿う線状の分離領域１０２ａと、トラックを横切る線状の分離領域１０２ｂと、それらの分離領域によって囲まれた複数のセル１０３と、格子状に配列し、最近接するものの中心間距離のセル内の平均値がａであるような複数のドット状記録部１０５とを備えた情報記録媒体であって、トラック方向に沿う線上分離領域１０２ａとセルとの境界となる、セルの内周側の円弧の長さ１０７とトラック方向に沿う線上分離領域１０２ｂとセルとの境界となる、セルの外周側の円弧の長さ１０８の差をａ／２未満とする。【選択図】図１ａ
2013161496.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク形状の基板上に形成された、同心円または螺旋状のトラック方向に沿う線状の分離領域と、トラックを横切る線状の分離領域と、それらの分離領域によって囲まれた複数のセルと、格子状に配列し、最近接するものの中心間距離のセル内の平均値がａであるような複数のドット状記録部とを備えた情報記録媒体であって、トラック方向に沿う線上分離領域とセルとの境界となる、セルの内周側の円弧（以下、セルの内周側の円弧）の長さとセルのトラック方向に沿う線上分離領域とセルとの境界となる、セルの外周側の円弧（以下、セルの外周側の円弧）の長さの差がａ／２未満であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
複数のドット状記録部が六方格子を形成している請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
トラックを横切る線状の分離領域を、トラックをほぼ垂直に横切るように形成した、請求項１、２のいずれかに記載の情報記録媒体。
【請求項４】
トラックを横切る線状の分離領域を、ディスク形状の基板の内周から外周に向かって一直線に、放射状に複数形成した、請求項３に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
トラックを横切る線状の分離領域を、自己組織化現象を利用した際に形成されると予想される六方格子に沿うような線分や折れ線、あるいは曲線で形成した、請求項１、２のいずれかに記載の情報記録媒体。
【請求項６】
トラックを横切る線状の分離領域を、トラック方向に沿う線状の分離領域に対しておよそ６０°または１２０°となるように形成した、請求項１、２のいずれかに記載の情報記録媒体。
【請求項７】
セルの内周側の円弧の両端の２点とディスクの中心とのなす角θと、セルの内周側の円弧から外周側の円弧までの距離Δｒとの関係がΔｒθ＜ａ／２を満たすように線状分離領域を形成した、請求項１〜６のいずれかに記載の情報記録媒体。
【請求項８】
基板上に形成された、同心円または螺旋状のトラック方向に沿う線状の分離領域と、トラックを横切る線状の分離領域と、それらの分離領域によって囲まれた複数のセルと、格子状に配列し、最近接するものの中心間距離のセル内の平均値がａであるような複数のドット状の凹凸とを備えたパターン形成原盤であって、セルの内周側の円弧の長さとセルの外周側の円弧の長さの差がａ／２未満であることを特徴とするパターン形成原盤。
【請求項９】
複数のドット状の凹凸が規則的な六方格子を形成している請求項８に記載のパターン形成原盤。
【請求項１０】
トラックを横切る線状の分離領域を、トラックをほぼ垂直に横切るように形成した、請求項８、９のいずれかに記載のパターン形成原盤。
【請求項１１】
トラックを横切る線状の分離領域を、トラックの内周から外周に向かって一直線に、放射状に複数形成した、請求項１０に記載のパターン形成原盤。
【請求項１２】
トラックを横切る線状の分離領域を、自己組織化現象を利用した際に形成されると予想される六方格子に沿うような線分や折れ線、あるいは曲線で形成した、請求項８，９のいずれかに記載のパターン形成原盤。
【請求項１３】
トラックを横切る線状の分離領域を、トラック方向に沿う線状の分離領域に対しておよそ６０°または１２０°となるように形成した、請求項８、９のいずれかに記載のパターン形成原盤。
【請求項１４】
セルの内周側の円弧の両端の２点とディスクの中心とのなす角θと、セルの内周側の円弧から外周側の円弧までの距離Δｒとの関係がΔｒθ＜ａ／２を満たすように線状分離領域を形成した、請求項８〜１３のいずれかに記載のパターン形成原盤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は情報記録媒体および情報記録媒体の製造方法に関し、特に例えば、近接場光や磁場等を用いて記録再生が行われる高密度の情報記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報記録の分野では様々な光情報記録に関する研究が進められている。現在の光ディスクとしては、ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ−ｒａｙディスクなどが広く使われている。さらなる情報記録分野の進歩に伴って、より高密度の光メモリが求められるようになりつつある。ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ−ｒａｙディスクは最短マーク長をそれぞれ、０．８３μｍ、０．４０μｍ、０．１５μｍと小さくすることによって高密度化を実現してきた。しかしながら現行の光記録方式では、光の回折限界から、これ以上の大幅な記録マークの微小化は困難と考えられる。
【０００３】
近年、近接場光を用いた光記録方式がこの回折限界を打破する技術として大きな注目を集めるようになった。この近接場光は、光の波長以下の寸法の開口や微粒子等に光が入射したとき、それらのごく近傍に局在化した形で発生する光であり、近接場光で形成されるスポット径は、入射光の波長には依らず、入射した開口や微粒子等の寸法で決まる。
【０００４】
従来、先鋭化したファイバープローブ等に光を入射し、その先端に設けた微小開口に近接場光を発生させる方法が多く採られてきたが、入射光に対する光の利用効率が低いという課題があった。近年、この光利用効率を大幅に向上させる技術として、金属の表面プラズモン共鳴を利用した近接場光発生素子が提案されている（例えば特許文献１）。この技術は、微小な金属膜に適当な波長の光を照射して表面プラズモン共鳴を誘起し、金属膜近傍に近接場光を発生させて記録再生を行うものである。
【０００５】
また記録密度を向上させるために、予め基板にパターンを形成しておくこと（パターンドメディア）により安定した記録再生を行う方法も多く提案されている（例えば特許文献２および特許文献３）。
【０００６】
これらを利用してより微小な記録マークを記録することで、光メモリのさらなる高密度化、大容量化を実現することができる。
【０００７】
このパターンドメディアで１つのドット状記録部に１ビットの情報を記録するためには、一般には、これらドット状記録部が規則的に配列していることが必要である。
【０００８】
規則的に配列したドット状記録部を形成する１つの方法としては、フォトリソグラフィを利用する方法がある。しかしながら、紫外線露光を行った場合、超微細な加工は不可能である。また、荷電粒子線描画によると超微細な加工が可能となるものの、加工コストや加工スピードの点で、多数のドット状記録部を形成することは非現実的である。
【０００９】
このような状況のもと、物質が自然に構造を形成する現象、いわゆる自己組織化現象を応用したプロセスが注目を集めている。特に高分子ブロック共重合体（ブロックコポリマー）の自己組織化現象、いわゆるミクロ相分離現象を応用したプロセスは簡便な塗布プロセスにより数十ナノメートル〜数百ナノメートルの種々の形状を有する微細規則構造を形成できる点で優れたプロセスである。
【００１０】
この方法は、例えば、以下の特許文献３に記載されており、ポリマーＡとポリマーＢとのブロックコポリマーを溶媒中に溶解してなる溶液を基板上にスピンコートし、これにより得られる塗膜をアニール処理する。ここで言うアニール処理とは、ブロックコポリマーのミクロ相分離構造の配列規則性を向上し、欠陥を減少させる手法である。具体的には、製膜後のブロックコポリマーを真空中またはアルゴンガス、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中にて、ガラス転移温度（Ｔｇ）以上、分解温度（Ｔｄ）以下の定常状態で保持する方法や、ブロックコポリマーを溶解させる溶媒雰囲気中に保持する方法等が挙げられる。こうすると、各種条件を適宜設定することにより、塗膜中に、ポリマーＢからなる略球状或いは略円柱状の島状領域とポリマーＡからなる海状領域とを生じさせることができるとともに、略球状或いは略円柱状の島状領域を、規則的に配列させること、具体的にはそれらが六方格子を形成するように配列させることができる。この方法では、このようにして得られた配列を利用してドット状記録部を形成する。
【００１１】
この方法は自己組織化現象を利用して島状領域と海状領域とを形成しているので、極めて微細なパターンを容易に形成することができる。但し、先の自己組織化現象は、塗膜中の一箇所を起点として生じる訳ではなく、複数箇所を起点として生じる。外部からの規制力が作用していない条件のもとでは、或る箇所を起点とした自己組織化現象の結果として得られる六方格子と、他の箇所を起点とした自己組織化現象の結果として得られる六方格子との間に配列方向の相関はない。そのため、塗膜中には、六方格子の配列方向や配列の規則性が互いに異なる領域（以下、グレインと称する）が多数生じることとなる。
【００１２】
したがって、自己組織化現象を用いてパターンドメディアを作製する場合、自己組織的パターン形成時にパターン配列方向を揃える工夫が必要である。例えば、単結晶表面に存在する直線状ステップ方向に沿ってブロックコポリマーのパターンを配列させる方法が知られている（非特許文献１）。このように、パターンドメディア上で自己組織的パターンの配列方向を揃えるために、基板表面に直線状の溝構造や峰構造など方向性を持ったガイドパターンを形成する方法が有効であると考えられている。これらのガイドパターン付近で自己組織的パターン形成が起きると、パターンは溝や峰に沿って配列する。したがって、ディスクの円周方向（以下、トラック方向）に、同心円あるいは螺旋状の溝または峰パターンを形成すれば、記録材料のパターン方向を揃えて並べることができると考えられる。
【００１３】
上記の同心円あるいは螺旋状パターンを用いたパターンドメディア作製の場合、パターンは円周上のランダムな位置からグレインが成長するため、それぞれのグレイン内では規則正しい格子構造である。しかし、隣り合ったグレインが成長してぶつかり合う位置では、互いのグレインに格子配列の整合性がないため、格子位置から外れた位置にパターン形成が起きて、欠陥を発生させる。自己組織化現象を用いたパターンドメディアでは、こうしたランダムな位置の配列の欠陥は、書き込み・読み出しの際にエラーの原因となる。
【００１４】
そこで、基板上に複数のセルを囲むように分離する線状パターン（分離領域）を形成し、複数のセル内で自己組織化材料を自己組織化させて規則的な格子を組んだ粒子（ドット）状の配列パターンを形成する手法が提案されている（例えば特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特許４０３２６８９号公報
【特許文献２】特許２５８４１２２号公報
【特許文献３】特許３７９３０４０号公報
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】Ｍ．Ｊ．Ｆａｓｏｌｋａ  ｅｔ  ａｌ．，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．７９  （１９９７）  ｐ．３０１８
【非特許文献２】Ｐ．Ｒ．Ｋｒａｕｓｓ，ｅｔ  ａｌ．，  Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１３（１９９５），ｐｐ．２８５０
【非特許文献３】Ｋ．Ａｓａｋａｗａ  ｅｔ  ａｌ．；ＡＰＳ  Ｍａｒｃｈ  Ｍｅｅｔｉｎｇ，２０００
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、前記従来の構成では、セルおよび分離領域の形成方法が、ドット状の配列パターンを円周方向に沿って並べる際に、例えば、同一セル内において、内側よりも外側の方がドット状記録部が円周上に並ぶ個数が多くなってしまうことが考えられるため、同一セル内における複数グレインの発生や欠陥の発生を十分に抑えることができない。また、分離領域は一般的には記録領域として用いないため、情報記録媒体の高密度化・大容量化の点で、ドット状記録部を多く形成するためには、分離領域は少ない方が望ましい。その一方で、分離領域が不十分であると、格子位置から外れた位置にパターン形成が起きて、欠陥が発生してしまう。
【００１８】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、ディスク形状の基板上に、できるだけ少ない分離領域と自己組織化現象を利用して作製されたドット状記録部が規則的な格子を組んで高密度に配列し、かつドット状記録部の配列の乱れおよび欠陥の発生の少ない情報記録媒体とその製造方法、およびこのような情報記録媒体を製造するためのパターン形成原盤とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記従来の課題を解決するために、本発明の情報記録媒体は、少なくともディスク形状の基板上に形成された、同心円または螺旋状のトラック方向に沿う線状の分離領域と、トラックを横切る線状の分離領域と、それらの分離領域によって囲まれた複数のセルと、格子状に配列し、最近接するものの中心間距離のセル内の平均値がａであるような複数のドット状記録部とを備えた情報記録媒体であって、トラック方向に沿う線上分離領域とセルとの境界となるセルの内周側の円弧（以下、セルの内周側の円弧）の長さとセルのトラック方向に沿う線上分離領域とセルとの境界となるセルの外周側の円弧（以下、セルの外周側の円弧）の長さの差をａ／２未満とすることを特徴とする。
【００２０】
本構成によって、自己組織化現象を利用してドット状記録部となる格子状のパターンを形成する際、セル内の格子配列の乱れおよび欠陥発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の情報記録媒体および情報記録媒体の製造方法によれば、ディスク形状の基板上に、できるだけ少ない分離領域で、自己組織化現象を利用して作製されたドット状記録部が、円周方向に沿って高密度に配列し、かつドット状記録部の配列の乱れおよび欠陥の発生の少ない情報記録媒体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１ａ】本発明の実施の形態１における情報記録媒体の平面図と拡大図
【図１ｂ】本発明の実施の形態１における情報記録媒体のａ−ａ’間の断面図
【図２】本発明の実施の形態１において、トラックを横切る線状の分離領域を、トラック方向に沿う線状の分離領域に対しておよそ１２０°とした例のセルの平面図
【図３】本発明の実施の形態１において、トラックを横切る線状の分離領域を、自己組織化現象を利用した際に形成されると予想される六方格子に沿うような折れ線で形成した例のセルの平面図
【図４】本発明の実施の形態１において、トラックを横切る線状の分離領域を、自己組織化現象を利用した際に形成されると予想される六方格子に沿うような曲線で形成した例のセルの平面図
【図５】本発明の実施の形態１において、セルをトラック方向に細長くした例の情報記録媒体の平面図
【図６】本発明の実施の形態１において、セルを半径方向に細長くした例の情報記録媒体の平面図
【図７】本発明の実施の形態１において、互いに寸法の異なるセルを組み合わせた例の情報記録媒体の平面図
【図８】本発明の実施の形態１の工程を示した断面図
【図９】本発明の実施の形態２の工程を示した断面図
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるから、技術的に好ましい種々の限定が付与されているが、本発明の適用の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載が無い限り、これらの態様に限られるものではない。
【００２４】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における情報記録媒体の平面図と拡大図である。
【００２５】
図１において、セル１０３は、トラック方向に沿う線状の分離領域１０２ａと、トラックを横切る線状の分離領域１０２ｂによって囲まれた領域であり、このセル１０３内に、自己組織化現象を利用して六方格子状に配列したドット状記録部１０５を形成する。
【００２６】
ここで、図１のような円形のディスク基板上に、前記複数のセル１０３とパターンドメディアを作製する場合、内周側よりも外周側の方が必ず円周が長くなるため、セル１０３においても、内周側よりも外周側の円弧を長くする必要がある。しかしながら、ドット状記録部１０５の最近接ドット間距離ａ１０６に対して、内周側の円弧の長さ１０７と外周側の円弧の長さ１０８の差がａ／２以上であった場合、自己組織化現象を利用した際に外周側の円弧に沿って作製されるドットの数は、内周側の円弧に沿って作製されるドットの数よりも１つ以上多い方がより安定となり、それによって配列の乱れや複数グレイン、欠陥などが発生する確率が高くなる。
【００２７】
そのため、セル１０３の内周側の円弧の長さ１０７と外周側の円弧の長さ１０８の差をａ／２未満とすれば、セル１０３内の内周側と外周側でトラックに沿って並ぶドット状記録部１０５の数が同じとなるため、円周上に自己組織化現象を利用してドット状記録部１０５を配列させる際、配列の乱れや複数グレイン、欠陥などの発生を抑えることができる。
【００２８】
なお、ここで言う最近接ドット間距離ａは、前記セル１０３内において最近接するドット状記録部の中心間距離の平均値であり、セルの内周側の円弧、セルの外周側の円弧、トラック方向に沿う線上の分離領域１０２ａの位置関係は図１（ｂ）の通りである。
【００２９】
なお、トラックを横切る線状の分離領域１０２ｂが、トラック方向に沿う線状の分離領域１０２ａに対してほぼ垂直な線分あるいはそれに近い分離領域である場合、セルの内周側の円弧の両端の２点とディスクの中心とのなす角θ１０４と、セルの内周側の円弧から外周側の円弧までの距離Δｒ１０９との関係がΔｒθ＜ａ／２を満たすように、かつΔｒθができるだけ大きくなるように線状分離領域１０２ａ，１０２ｂを形成すれば、配列の乱れや欠陥の発生を抑えつつ、一般に非記録材料となる線状領域１０２ａ，１０２ｂを少なくし、ドット状記録部１０５を配列させるセル１０３の面積を大きくとることができる。
【００３０】
なお、トラックを横切る線状の分離領域１０２ｂは、さらに配列の乱れや欠陥を発生しにくくするため、自己組織化現象を利用した際に形成されると予想される六方格子に沿うような線分や折れ線、あるいは曲線で形成することが望ましい。例えば、トラックを横切る線状の分離領域１０２ｂは、トラック方向に沿う線状の分離領域１０２ａに対しておよそ６０°または１２０°となるように形成することなどが挙げられる。図２はトラックを横切る線状の分離領域１０２ｂが、トラック方向に沿う線状の分離領域１０２ａに対しておよそ１２０°となる場合を示している。また、自己組織化現象を利用した際に形成されると予想される六方格子に沿うような折れ線や曲線の例を図３と図４に示すが、本発明はこれに限定されない。この場合であっても、セルの内周側の円弧の両端の２点とディスクの中心とのなす角θ１０４と、セルの内周側の円弧から外周側の円弧までの距離Δｒ１０９との関係がΔｒθ＜ａ／２を満たすように、かつΔｒθができるだけ大きくなるように線状分離領域１０２ａ、１０２ｂを形成することが望ましい。
【００３１】
なお、上記の場合、セル１０３はΔｒθ＜ａ／２を満たすように形成されていればよく、図５のようにセル１０３をトラック方向に細長くして、トラック方向に沿う線上の分離領域の数を多く、かつトラックを横切る線状の分離領域を少なくしても良いし、図６のようにセル１０３を半径方向に細長くして、トラック方向に沿う線上の分離領域の数を少なく、トラックを横切る線状の分離領域の数を多くしても良い。あるいは、図７のように、Δｒθ＜ａ／２を満たしつつも、互いに寸法の異なるセルを組み合わせても良い。ただし、本発明はこれらに限定されない。
【００３２】
具体的な情報記録媒体の製造については、まずディスク基板１０１上に記録材料からなる記録層８０１を製膜する（図８（Ａ）、（Ｂ））。この記録層上に自己組織化材料の配列を制御するための溝構造や峰構造あるいは化学的なパターンの線状分離領域を形成するための制御膜１０２を製膜する（図８（Ｃ））。この制御膜１０２にリソグラフィーにより線状分離領域１０２ａ，１０２ｂを上述のようにパターニングする（図８（Ｄ））。上記の線状分離領域１０２ａ，１０２ｂによって囲まれた複数のセル１０３内または線状分離領域上に、自己組織化材料８０２ａ，８０２ｂを製膜した後、アニール処理などにより自己組織化材料８０２ａ，８０２ｂを規則配列化させる（図８（Ｅ））。
【００３３】
基板１０１の材質は特に本発明においては限定されない。しかしながら、表面平滑性、入手容易性を考慮し、シリコンウェハ、もしくはガラス基板が望ましい。また、基板１０１は必要に応じ、親水性／疎水性の表面処理を行ったり、各種膜を形成したりしても良い。
【００３４】
記録層８０１は、後述の（実施例１）では相変化材料を用いているが、磁気記録可能な磁性材料などでもよく、物理的な状態を変化させることが可能で、その状態をなんらかの物理現象を利用して読み取ることができるような、情報記録媒体の記録層となりうるものであれば、本発明においては特に限定されない。
【００３５】
制御膜に利用する材料は、記録層を破壊することがなくリソグラフィーにより構造形成が可能であり、自己組織化材料の製膜、規則配列化処理によりダメージを受けないものであればよく、例えばレジストが用いられるが、本発明においては特に限定されない。
【００３６】
制御膜のリソグラフィーには、光リソグラフィーや電子線リソグラフィーや原子間力顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡、近接場光顕微鏡などの走査型プローブを用いた方法、ナノインプリントリソグラフィー（例えば、非特許文献２）などが用いられるが、本発明においては特に限定されない。
【００３７】
自己組織化材料としては、ブロックコポリマー、ポリマーや金属などからなる数ｎｍから数１０ｎｍ径の微粒子などが用いられる。ブロックコポリマーを利用する場合には、形成される２種類以上のブロックのＲＩＥなどの加工手段に対するエッチング耐性が異なる材料を用いるか、またはいずれかのブロックがなんらかの方法により除去可能であるものを用いることが好ましい。例えば、ポリスチレンとポリメチルメタクリレートからなるブロックコポリマーを用いた場合には、ＣＦ４をエッチャントとして用いるリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）に対するエッチング耐性がポリスチレンの方がポリメチルメタクリレートより大きいためＲＩＥによりポリメチルメタクリレートの下地にある部分の記録層のみを選択的に削ることを可能であることが報告されている（例えば、非特許文献３）。また、ポリスチレンとポリブタジエンからなるブロックコポリマーを用いた場合には、オゾン処理によりポリスチレンブロックのみが残るように現像処理が可能である。
【００３８】
また、上述のブロックコポリマーはポリマーＡとポリマーＢの２種類の高分子鎖が結合した構造を有するＡＢ型のジブロックコポリマーの例であるが、ＡＢＡ型のトリブロックコポリマーであっても良いし、あるいは４種類以上の高分子鎖が結合したブロックコポリマーであっても良い。
【００３９】
また、３つ以上の高分子鎖を有するブロックコポリマーの場合、これら高分子鎖の配置は、線状の配置でなくても良く、分岐構造を有する配置であっても良い。これは、目的とするミクロ相分離構造の形状を得る上で最適なものを選択すれば良い。
【００４０】
このようなブロックコポリマーを構成する高分子鎖としては、前記ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリメチルメタクリレートの他、例えば、ポリエチレンオキシド、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルピリジン、ポリジメチルシロキサン、ポリブチルメタクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリエチレン、ポリイソプレン、ポリエチルエチレン、ポリフェロセニルシラン、ポリフェロセニルジメチルシラン等が挙げられるが、本発明においてはこれに限定されるものではない。
【００４１】
ブロックコポリマーを用いる場合、基板表面においてミセル構造またはシリンダ構造を形成するような成分比の分子を用いることが好ましい。これにより円形の互いに分離され規則配列したドット状記録部を形成することが可能となる。
【００４２】
ブロックコポリマーはベンゼン、トルエンなどの適当な溶媒で希釈した後、スピンコート法、ディップ法、スプレー法、インクジェット法などにより製膜することが可能である。しかしながら、本発明において、希釈溶媒、工法は特に限定されない。ブロックコポリマーの自己組織的な規則性の高い配列への相分離は、以下のようなアニール処理を行うことにより得られる。アニール処理としては、製膜後のブロックコポリマーを真空中またはアルゴンガス、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中にて、ガラス転移温度（Ｔｇ）以上、分解温度（Ｔｄ）以下の定常状態で保持する方法や、ブロックコポリマーを溶解させる溶媒雰囲気中に保持する方法等が挙げられる。ただし、本発明は本手法に限定されない。
【００４３】
ポリマーや金属などからなる数ｎｍから数１０ｎｍ径の微粒子を用いる場合には、微粒子を分散させた溶液を、線状分離領域を形成した基板の上から展開し乾燥し溶媒を取り除いた後、適当な溶媒により過剰に吸着した微粒子を取り除くことにより自己組織的な規則配列を作製することができる。また、微粒子を分散させた溶液中に基板をある時間浸すことにより微粒子を基板に吸着させ、規則配列を形成させることも可能である。ただし、本発明は本手法に限定されない。
【００４４】
ブロックコポリマーに対し、上述のような選択除去を行ってミセル構造またはシリンダ構造部分（島状部分８０２ａ）が除去される場合（図８（Ｆ））には、選択除去後にＳＯＧ（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）８０３を製膜し（図８（Ｇ））、ＳＯＧ８０３をマスクとしてＲＩＥで残った自己組織化材料（海状部分）８０２ｂや線状分離領域１０２ａ，１０２ｂを削る（図８（Ｈ））。さらにその下地の記録層を削ることによって、所望の規則配列したドット状記録部を形成することができる（図８（Ｉ））。なお、ここでは例として、ＳＯＧを用いてパターンを反転させる手法を挙げたが、本発明は本手法に限定されない。
【００４５】
一方、ブロックコポリマーに対し、選択除去を行ってミセル構造またはシリンダ構造部分が残る場合、あるいはポリマーや金属などからなる数ｎｍから数１０ｎｍ径の微粒子を用いる場合には、ＲＩＥや適当な溶媒等で制御膜を取り除いた後、自己組織化材料をマスクとして下地である記録層をＲＩＥなどにより削ることによって所望の規則配列したドット状記録部を形成することができる。記録層をよりアスペクト比高く削るためには、記録層と自己組織化材料との間にＳｉＯ２やＳｉなどのハードマスク層を形成し、ＲＩＥなどにより自己組織化材料の規則配列パターンをハードマスク層に転写した後、記録層を加工することも有効である。ＳｉＯ２やＳｉ、ＳＯＧはＲＩＥによりアスペクト比高く削ることができるため、これをマスクにして加工することにより、記録層をよりアスペクト比高くエッチングすることができる。ただし、本発明は本手法に限定されない。
【００４６】
ドット状記録部１０５形成後、非記録材料８０４によりドット状記録部１０５の記録材料を被覆し、研磨することにより記録媒体を作製する（図８（Ｉ））。また、ドット状記録部の被覆や研磨を行わずにそのまま使用することも可能であり、本発明は本手法に限定されない。
【００４７】
以上のようにして、円形のディスク基板上に、円周方向に沿って、六方格子状に高密度に規則配列したドット状記録部をもつ情報記録媒体を得ることができる。
【００４８】
（実施の形態２）
自己組織化材料を用いた方法により、凹凸の形状を持つパターン形成原盤を作製し、この原盤を利用して、ナノインプリントリソグラフィーの方法によりディスク基板にパターンを転写してもよい。この場合はまず、原盤となる基板９０１上に自己組織化材料の配列を制御するための溝構造または化学的なパターンの線状分離領域を形成するための制御膜１０２を製膜する（図９（Ａ）（Ｂ））。ただし、原盤となる基板は本発明においては限定されない。この制御膜１０２にリソグラフィーにより線状分離領域１０２ａ、１０２ｂをパターニングする（図９（Ｃ））。ここでのパターニングは実施の形態１と同様にして行う。上記の線状分離領域１０２ａ、１０２ｂによって囲まれた複数のセル１０３内または線状分離領域１０２ａ、１０２ｂ上に、自己組織化材料８０２ａ、８０２ｂを製膜した後、アニール処理などにより規則配列化させる（図９（Ｄ））。
【００４９】
その後、実施の形態１と同様にして、自己組織化材料あるいは自己組織化材料と制御膜、あるいは自己組織化材料を置換したＳＯＧなどをマスクにして基板のエッチングを行い、原盤を形成する（図９（Ｅ）（Ｆ））。また、アスペクト比を高くするために、実施の形態１で述べたようなハードマスク層を利用してもよく、本発明は本手法に限定されない。
【００５０】
記録層８０１となる膜を製膜したディスク基板１０１上にマスクとなる適当なレジスト材料の膜９０２を形成し、加熱あるいは紫外線照射あるいは両方を施しながら原盤を押し付けることにより（図９（Ｇ））、レジストにパターンを転写する（図９（Ｈ））。転写されたパターンを元に、エッチングによりドット状記録部を形成する（図９（Ｉ））。また、アスペクト比を高くするために、実施の形態１で述べたようなハードマスク層を利用してもよく、本発明は本手法に限定されない。その後、実施の形態１と同様にして情報記録媒体を製造する（図９（Ｊ））。
【００５１】
（実施例１）
本発明の方法に従って情報記録媒体を製造した例を説明する。
【００５２】
ガラスディスク基板上に、膜厚約５０ｎｍの記録材料、ここでは、相変化材料であるＧｅ１０Ｓｂ９０膜を製膜した。Ｇｅ１０Ｓｂ９０膜上にノボラック樹脂をベース樹脂とするレジストをスピンコートした。光リソグラフィーにより露光およびＴＭＡＨ水溶液による現像を行ってレジストを加工し、１５０℃でベークして樹脂を硬化させることにより、分離領域に対応するレジストパターンを形成した。ポリスチレン（ＰＳ）−ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のブロックコポリマー（分子量ＰＳ＝６５０００、ＰＭＭＡ＝１３５００）をエチルセロソルブアセテートに２重量部だけ溶解させた溶液を調製した。試料上に溶液をスピンコートしてセル内にブロックコポリマーを埋め込んだ。試料を真空中において１５０℃で３０時間アニールして、ブロックコポリマーを規則配列化させた。この結果、島状のＰＭＭＡ粒子が海状のＰＳ部分によって囲まれた構造が形成された。この試料に対して、ＣＦ４ガスを用い、出力１００Ｗ、３０ｓｃｃｍ、０．１ＴｏｒｒでＲＩＥを行った。この条件では、ＰＭＭＡが選択的にエッチングされ、海状のＰＳが残った。その後、ＳＯＧを製膜し、Ｏ２ガスを用いてアッシングを行い、ＰＳとレジストを除去した。その後、ＳＯＧをマスクとしてＡｒイオンミリングを行うことにより、記録材料をエッチングし、所望の六方格子状に規則配列したＧｅ１０Ｓｂ９０のドット状記録部を得た。
【００５３】
（実施例２）
次に原盤を利用して、ナノインプリントリソグラフィーの方法により情報記録媒体を製造した例を説明する。まず、シリコンディスク基板上に膜厚約５０ｎｍのＳｉＯ２膜を製膜した。レジストをスピンコートし、光リソグラフィーとＲＩＥによりＳｉＯ２膜をシリコン基板に達するまでエッチングして、セルを規定する分離領域を形成した。その後、アッシングによりレジストパターンを除去した。セル内にポリスチレン（ＰＳ）−ポリブタジエン（ＰＢ）のブロックコポリマー（分子量ＰＳ＝３００００、ＰＢ＝１２００００）のトルエン溶液（１％ｗ／ｗ）をスピンコートにより製膜し、アニールすることにより、ブロックコポリマーを規則配列化させて、ＰＳからなる島状部分とＰＢからなる海状部分を形成した。ブロックコポリマーをオゾン処理した後に水洗して、ＰＢを除去した後、ＳＯＧを製膜して海状部分を埋めた。その後ＲＩＥによりＰＳを除去後、ＳｉＯ２とＳＯＧをマスクとしてシリコン基板をエッチングすることにより、六方配列をもつ原盤を形成した。
【００５４】
ガラスディスク基板上にＧｅ１０Ｓｂ９０膜５０ｎｍを製膜し、レジストをスピンコートした。このガラスディスク基板に対して、上記の原盤を２００℃で加熱しながら圧着後、剥離した。この後、Ａｒイオンミリングによって凹部分のレジストとＧｅ１０Ｓｂ９０をエッチングし、アッシングにより残ったレジストを除去することで、六方格子状に規則配列したＧｅ１０Ｓｂ９０のドット状記録部を得た。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明にかかる情報記録媒体および情報記録媒体の製造方法は、情報記録媒体の記録密度を向上させる、等に有用である。
【符号の説明】
【００５６】
１０１    ディスク形状の基板
１０２    制御膜
１０２ａ    トラック方向に沿う線状の分離領域
１０２ｂ    トラックを横切る線状の分離領域
１０３    セル
１０４    セルの内周側の円弧の両端とディスクの中心のなす角θ
１０５    ドット状記録部
１０６    最近接ドット間距離ａ
１０７    セルの内周側の円弧の長さ
１０８    セルの外周側の円弧の長さ
１０９    セルの内周側の円弧から外周側の円弧までの距離Δｒ
１１０    セルの内周側の円弧
１１１    セルの外周側の円弧
８０１    記録層
８０２ａ    自己組織化材料（島状部分）
８０２ｂ    自己組織化材料（海状部分）
８０３    ＳＯＧ（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）
８０４    非記録材料
９０１    原盤となる基板
９０２  レジスト
【図１ａ】
2013161496.tif 000003
【図１ｂ】
2013161496.tif 000004
【図２】
2013161496.tif 000005
【図３】
2013161496.tif 000006
【図４】
2013161496.tif 000007
【図５】
2013161496.tif 000008
【図６】
2013161496.tif 000009
【図７】
2013161496.tif 000010
【図８】
2013161496.tif 000011
【図９】
2013161496.tif 000012