(57)【要約】【課題】酸化物材料を半導体層として用いた薄膜トランジスタにおいて、チャネル領域の特にチャネル幅方向から照射される光を効果的に遮光することで、光照射による薄膜トランジスタの特性変化を抑制するとともに開口率の低下を抑える。【解決手段】基板上に金属材料からなるゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、酸化物材料からなる半導体層４と、保護層と、ソース電極６およびドレイン電極７とを有する薄膜トランジスタであって、この薄膜トランジスタは、ゲート電極２の長手方向と半導体層４のチャネル長方向が平面視で直交している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属材料からなるゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物材料からなる半導体層と、保護層と、ソース電極およびドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタであって、
前記ゲート電極の長手方向と前記半導体層のチャネル長方向が平面視で直交していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
基板上に金属材料からなるゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物材料からなる半導体層と、保護層と、ソース電極およびドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタであって、
前記ゲート電極の長手方向と前記半導体層のチャネル長方向が平面視で直交しており、
前記ゲート電極と前記半導体層とが交差する部分の幅は、少なくとも前記半導体層のチャネル長と同じであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
基板上に金属材料からなるゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物材料からなる半導体層と、保護層と、ソース電極およびドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極の長手方向と前記半導体層のチャネル長方向が平面視で直交しており、
前記ゲート電極と前記半導体層とが交差する部分の幅は、前記半導体層のチャネル長以上であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３に記載の薄膜トランジスタをマトリクス状に配置した構造を有する画像表示装置であって、
前記薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜と、前記ドレイン電極と接続された画素電極と、表示要素と、対向電極と、対向基板とを有することを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタおよび画像表示装置の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、アクティブマトリクス型画像表示装置のスイッチング素子として薄膜トランジスタが広く使用されている。
現在商品化されている薄膜トランジスタにおいて、半導体層としてアモルファスファスシリコンや多結晶シリコンなどのシリコン材料を使用したものが主流となっている。しかし、アモルファスシリコンは移動度が１ｃｍ２／Ｖｓ以下と低く、また、多結晶シリコンは大面積での成膜が困難であるという問題がある。
その問題を解決するために、大面積に成膜可能であり、非晶質シリコンの〜１０倍程度の移動度を持つといわれる酸化物材料を半導体層として使用する酸化物薄膜トランジスタの開発が盛んに行われている。
【０００３】
酸化物薄膜トランジスタの半導体層としてはＺｎＯ系材料の検討が進められており、特にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ（ＩＧＺＯ）は、良好な薄膜トランジスタ特性を示す材料として注目されている（非特許文献１）。
しかし、ＩＧＺＯを半導体層に用いた酸化物半導体薄膜トランジスタでは、可視光領域の短波長側の光および紫外光が照射されることによって、しきい値のシフトやＳ値の劣化などの特性変化が生じるという問題が指摘されている（非特許文献２）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｋ．Ｎｏｍｕｒａ，ｅｔ．ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ，４３２，４８８（２００４）．
【非特許文献２】Ｋ．Ｎｏｍｕｒａ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．ＳＩＤ，１８，７８９（２０１０）．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
金属酸化物からなる酸化物半導体は、本来バンドギャップエネルギーが３ｅＶ程度であり、本来可視光領域において透明であるはずであるが、バンドギャップ近傍の裾準位の存在のため、バンドギャップエネルギー以下の光でも特性変化が生じてしまう。そのため、このような薄膜トランジスタを画像表示装置のスイッチング素子として使用すると、回路が正常に動作しないため、画像の表示が非常に困難となる。
このような問題を解決するために、一般的には酸化物半導体層に光が照射されるのを防ぐために遮光層が用いられる。しかしながら、遮光層を使用することにより、画像表示装置の開口率が低下するという問題がある。
【０００６】
本発明者は、酸化物材料を半導体層に用いた酸化物半導体薄膜トランジスタへの光照射の影響について、チャネル長およびチャネル幅に対する遮光層の大きさについて検討を行い、チャネル幅に対して遮光層をより大きくとる方が、光照射の影響軽減に効果があることを見出した。
本発明は、以上の点を鑑み、酸化物半導体薄膜トランジスタの遮光層と半導体層の形状を工夫することにより、半導体層への光照射を防ぎつつ、開口率の低下を抑えた酸化物半導体薄膜トランジスタを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のうち第一の発明は、基板上に金属材料からなるゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物材料からなる半導体層と、保護層と、ソース電極およびドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極の長手方向（延設方向）と前記半導体層のチャネル長方向が平面視で直交していることを特徴とする。
第一の発明によれば、金属材料からなるゲート電極の長手方向と半導体層のチャネル長方向が平面視で直交することにより、ゲート電極が半導体層への光照射を防ぐ遮光層として機能する。さらに、両者が平面視で直交していることにより、半導体層のチャネル領域の特にチャネル幅方向から照射される光を効果的に遮光することが可能であり、光照射による薄膜トランジスタの特性変化を抑制することができる。
【０００８】
また、本発明のうち第二の発明は、基板上に金属材料からなるゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物材料からなる半導体層と、保護層と、ソース電極およびドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極の長手方向と前記半導体層のチャネル長方向が平面視で直交しており、前記ゲート電極と前記半導体層とが交差する部分の幅は、少なくとも前記半導体層のチャネル長と同じであることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明のうち第三の発明は、基板上に金属材料からなるゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物材料からなる半導体層と、保護層と、ソース電極およびドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極の長手方向と前記半導体層のチャネル長方向が平面視で直交しており、前記ゲート電極と前記半導体層とが交差する部分の幅は、前記半導体層のチャネル長より大きいことを特徴とする。
また、本発明のうち第四の発明は、第一乃至第三の発明のいずれか一に係る薄膜トランジスタをマトリクス状に配置した構造を有する画像表示装置であって、前記薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜と、前記ドレイン電極と接続された画素電極と、表示要素と、対向電極と、対向基板とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、酸化物材料を半導体層として用いた薄膜トランジスタにおいて、金属材料からなるゲート電極の長手方向と、半導体層のチャネル長方向が平面視で直交する構造としたので、チャネル領域の特にチャネル幅方向から照射される光を効果的に遮光することができる。そのため、光照射による薄膜トランジスタの特性変化を抑制することができ、開口率の低下を抑えた薄膜トランジスタを作製することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタの概略平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ'線での断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る画像表示装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ、説明する。なお実施の形態において、同一の構成要素については同一の符号を付し、実施の形態の相互において重複する説明は省略する。
図１は本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタを示す概略平面図である。図２は本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタを示す概略断面図であり、図１のＡ−Ａ'は図２のＡ−Ａ'に対応する。
本発明の薄膜トランジスタは、図２に示すように、基板１に上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上に形成されたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に形成された半導体層４と、半導体層４を保護するための保護層５と、半導体層４に接続されたソース電極６およびドレイン電極７とを備えている。
【００１３】
以下、本発明の各構成要素について、薄膜トランジスタの製造工程に沿って説明する。
本発明の実施の形態に係る基板１としては、具体的にはポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフォン、トリアセチルセルロース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合樹脂、耐候性ポリエチレンテレフタレート、耐候性ポリプロピレン、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、透明性ポリイミド、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂、ガラスおよび石英等を使用することができるが、本発明ではこれらに限定されるものではない。これらは単独で使用してもよいが、二種以上を積層した複合の基板１として使用することもできる。
【００１４】
本発明の実施の形態に係る基板１が有機物フィルムである場合は、薄膜トランジスタの耐久性を向上させるために透明のガスバリア層（図示せず）を形成することが好ましい。ガスバリア層としては酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）およびダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）などが挙げられるが本発明ではこれらに限定されるものではない。またこれらのガスバリア層は２層以上積層して使用することもできる。ガスバリア層は有機物フィルムを用いた基板１の片面だけに形成してもよいし、両面に形成しても構わない。ガスバリア層は真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、レーザーアブレーション法、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ホットワイヤーＣＶＤ法およびゾル−ゲル法などを用いて形成することができるが本発明ではこれらに限定されるものではない。
【００１５】
まず基板上にゲート電極２を形成する。電極部分と配線部分は明確に分かれている必要はなく、本発明では特に各薄膜トランジスタの構成要素としては電極と呼称している。また電極と配線を区別する必要のない場合には、合わせてゲート、ソース、ドレイン等と記載する。
本発明の実施の形態に係る電極であるゲート電極２、及びそれらに接続される配線には、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）などの導電性材料を用いることができるが、本発明ではこれらに限定されるものではない。また、これらの材料は単層で用いても構わないし、積層および合金等として用いても構わない。
【００１６】
ゲート電極２は半導体層４の遮光層として機能するため、少なくとも半導体層と重なる領域においては酸化物半導体の特性に影響を与える波長領域である５４０ｎｍ以下の光に対して不透明である必要がある。
ゲート電極２は、真空蒸着法、スパッタ法などの真空成膜法やゾル−ゲル法、スクリーン印刷、凸版印刷、インクジェット法などのウェット成膜法で形成することができるが、これらに限定されず、公知一般の方法を用いることができる。パターニングは、例えばフォトリソグラフィ法を用いてパターン形成部分をレジストなどにより保護し、エッチングによって不要部分を除去して行うことができるが、これについてもこの方法に限定されず、公知一般のパターニング方法を用いることができる。
【００１７】
次にゲート電極２を覆うようにゲート絶縁膜３を形成する。ゲート絶縁膜３は、ゲート電極２の外部との接続部を除き、基板上全面に形成することができる。本発明の実施の形態に係るゲート絶縁膜３に使用される材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等のポリアクリレート、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＶＰ（ポリビニルフェノール）等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。ゲートリーク電流を抑えるために、絶縁材料の抵抗率は１０１１Ωｃｍ以上、より好ましくは１０１４Ωｃｍ以上であることが望ましい。
【００１８】
ゲート絶縁膜３は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、ホットワイヤーＣＶＤ法等の真空成膜法や、スピンコート法、ダイコート法、スクリーン印刷法等のウェット成膜法を材料に応じて適宜用いて形成される。これらのゲート絶縁膜３は単層として用いても構わないし、２層以上積層して用いることもできる。また成長方向に向けて組成を傾斜したものでも構わない。
【００１９】
次に、半導体層４を形成する。本発明の実施の形態に係る半導体層４としては、金属酸化物を主成分とする酸化物半導体材料が使用できる。酸化物半導体材料は亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、マグネシウム（Ｍｇ）、及びガリウムのうち１種類以上の元素を含む酸化物である、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化タングステン（ＷＯ）、及び酸化亜鉛インジウムガリウム（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）などの材料が挙げられる。これらの材料の構造は単結晶、多結晶、微結晶、結晶とアモルファスの混晶、ナノ結晶散在アモルファス、アモルファスのいずれであっても構わない。
【００２０】
半導体層４は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、パルスレーザー堆積法、真空蒸着法などの真空成膜法や、有機金属化合物を前駆体とするゾルゲル法や化学浴堆積法、また、金属酸化物の微結晶およびナノ結晶を分散させた溶液を塗布する方法等のウェット成膜法を用いることができるが、これらに限定されず、公知一般の方法を用いることができる。
半導体層４のパターニングには、例えばフォトリソグラフィ法を用いてパターン形成部分をレジストなどにより保護し、エッチングによって不要部分を除去して行うことができるが、印刷法などを用いて成膜とパターニングを同時に行っても良い。これについてもこの方法に限定されず、公知一般のパターニング方法を用いることができる。
【００２１】
ここで、図１に示すように、半導体層４は、チャネル領域のチャネル長方向Ｃが、ゲート電極２の長手方向（延設方向）Ｌと平面視で直交するように配置している。ゲート電極２と半導体層４をこのような配置にすることにより、チャネル領域の特にチャネル幅方向から照射される光を効果的に遮光し、光照射による薄膜トランジスタの特性変化を抑制することができる。
【００２２】
また、半導体層４のチャネル長Ｓとゲート電極２の幅については、ゲート電極２と半導体層４とが交差する部分の幅Ｗが、少なくとも半導体層４のチャネル長Ｓと同じになるよう配置する。これによって、チャネル長方向Ｃについても遮光効果を得ることが可能である。特に厳密に遮光する場合には、ゲート電極２と半導体層４とが交差する部分の幅Ｗを半導体層４のチャネル長Ｓ以上にすることにより、十分な遮光効果を得ることができる。
【００２３】
半導体層４のバックチャネル部を保護するための保護層５を形成する。保護層５は少なくとも半導体層４のソース電極６およびドレイン電極７との接続部を除くバックチャネル部を覆うように形成することが好ましい。
本発明の実施の形態に係る保護層５に使用される材料としては、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等のポリアクリレート、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＶＰ（ポリビニルフェノール）等の絶縁材料が挙げられるがこれらに限定されるものではない。保護層５の材料の抵抗率は１０１１Ωｃｍ以上、より好ましくは１０１４Ωｃｍ以上であることが望ましい。
【００２４】
保護層５は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、ホットワイヤーＣＶＤ法等の真空成膜法や、スピンコート法、ダイコート法、スクリーン印刷法等のウェット成膜法を材料に応じて適宜用いて形成される。これらの保護層５は単層として用いても構わないし、２層以上積層して用いることもできる。また成長方向に向けて組成を傾斜したものでも構わない。
【００２５】
次にソース電極６およびドレイン電極７を形成する。本発明の実施の形態に係るソース電極６、ドレイン電極７、及びそれらに接続される配線には、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）などの導電性材料を用いることができるが、本発明ではこれらに限定されるものではない。また、これらの材料は単層で用いても構わないし、積層および合金等として用いても構わない。
【００２６】
ソース電極６およびドレイン電極７は、真空蒸着法、スパッタ法などの真空成膜法やゾル−ゲル法、スクリーン印刷、凸版印刷、インクジェット法などのウェット成膜法で形成することができるが、これらに限定されず、公知一般の方法を用いることができる。パターニングは、例えばフォトリソグラフィ法を用いてパターン形成部分をレジストなどにより保護し、エッチングによって不要部分を除去して行うことができるが、これについてもこの方法に限定されず、公知一般のパターニング方法を用いることができる。
【００２７】
本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタを用いて画像表示装置とするためには、ソース電極６と画素電極９を絶縁するための層間絶縁膜８と、ドレイン電極７と接続された画素電極９と、画像を表示するための表示要素１０と、対向電極１１と対向基板１２を形成する。また、本発明の薄膜トランジスタを用いて画像表示装置にする際には、キャパシタ電極１３を形成することが望ましい。
【００２８】
本発明の実施の形態に係る層間絶縁膜８は、酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等のポリアクリレート、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＳ（ポリスチレン）、ＰＶＰ（ポリビニルフェノール）透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ樹脂等を使用することができるがこれらに限定されるものではない。層間絶縁膜８はソース電極７と画素電極９を絶縁するために、その抵抗率が１０１１Ωｃｍ以上、特に１０１４Ωｃｍ以上であることが好ましい。層間絶縁膜８はゲート絶縁膜３あるいは保護層５と同じ材料であっても構わないし、異なる材料であっても構わない。また、これらの層間絶縁膜８は２層以上積層して用いても良い。
【００２９】
層間絶縁膜８は真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ法、ホットワイヤーＣＶＤ法等のドライ成膜法や、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法等のウェット成膜法を材料に応じて適宜用いて形成される。
層間絶縁膜８は、ドレイン電極７上に開口部を有しており、ドレイン電極７と画素電極９を接続させることができる。開口部は層間絶縁膜８の形成と同時または形成後にフォトリソグラフィ法やエッチング等の公知の方法を用いて設けられる。層間絶縁膜８を用いることにより、ソース電極６上にも画素電極を形成することが可能になるため、画像表示装置の開口率を向上させることができる。
【００３０】
次に層間絶縁膜８上に導電性材料を成膜し、所定の画素形状にパターニングして画素電極９を形成する。図３に示すように、ドレイン電極が露出するように開口部が形成されている層間絶縁膜上に画素電極を形成することによりドレイン電極と画素電極の導通を取ることができる。
さらに、画素電極９上に表示要素１０、対向電極１１および対向基板１２を設けることで、図３に示したような本発明の画像表示装置とすることができる。表示要素の例としては、液晶、有機エレクトロルミネッセンス、および電気泳動方式（電子ペーパー）の表示要素等が挙げられる。表示要素１０、対向電極１１および対向基板１２の積層方法としては、画素電極上に対向基板１２、対向電極１１、表示要素１０の形成された積層体を貼り合わせる方法や、画素電極上に表示要素、対向電極、対向基板を順次積層する方法等、表示要素の種類により適宜選択すればよい。
【００３１】
キャパシタ電極１３は、電極部分と配線部分は明確に分かれている必要はなく、本発明では特に各薄膜トランジスタの構成要素としてキャパシタ電極と呼称している。
本発明の実施の形態に係るキャパシタ電極１３、及びそれらに接続される配線には、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの導電性材料を用いることができるが、本発明ではこれらに限定されるものではない。また、これらの材料は単層で用いても構わないし、積層および合金等として用いても構わない。
【００３２】
キャパシタ電極１３は、真空蒸着法、スパッタ法などの真空成膜法やゾル−ゲル法、スクリーン印刷、凸版印刷、インクジェット法などのウェット成膜法で形成することができるが、これらに限定されず、公知一般の方法を用いることができる。パターニングは、例えばフォトリソグラフィ法を用いてパターン形成部分をレジストなどにより保護し、エッチングによって不要部分を除去して行うことができるが、これについてもこの方法に限定されず、公知一般のパターニング方法を用いることができる。
【実施例】
【００３３】
本発明の実施例として、図３に示す画像表示装置を作製した。
基板１としてコーニング社製無アルカリガラスＥＡＧＬＥ  ＸＧを用いた。基板１上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いてＭｏを２００ｎｍの膜厚で成膜し、フォトリソグラフィ法により所望の形状にパターニングを行った。具体的には、感光性ポジ型フォトレジストを塗布後、マスク露光、アルカリ現像液による現像を行い、所望の形状のレジストパターンを形成した。さらにＭｏエッチング液によりエッチングを行い、不要なＭｏを溶解させた。その後、レジスト剥離液によりフォトレジストを除去し、所望の形状のゲート電極２およびキャパシタ電極１３を形成した（以下、このようなパターニング方法をフォトリソグラフィ法として省略する）。
【００３４】
次に、ゲート電極２およびキャパシタ電極１３の上に、ゲート絶縁膜３として、ＰＥＣＶＤ法により酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を３００ｎｍの膜厚で成膜した。
その後、スパッタリング法により酸化亜鉛インジウムガリウム（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）を５０ｎｍの膜厚で成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行い、半導体層４とした。半導体層４は、チャネル領域のチャネル長方向Ｃが、ゲート電極２の長手方向Ｌと平面視で直交し、ゲート電極２と半導体層４とが交差する部分の幅Ｗが、半導体層４のチャネル長Ｓと同じになるよう配置した。
【００３５】
続いて、ＰＥＣＶＤ法により酸化シリコンを１５０ｎｍの膜厚で成膜し、フォトリソ法およびドライエッチング法を用いて不要な部分を除去し、保護層５を形成した。Ｍｏを１００ｎｍの膜厚で成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行い、ソース電極６およびドレイン電極７を形成した。
次に、ネガ型の感光性樹脂を塗布し、マスク露光、アルカリ現像、焼成を行い、層間絶縁膜８を形成した。層間絶縁膜８上にＩＴＯを１００ｎｍの膜厚で成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行い、画素電極９とした。その後、表示要素１０、対向電極１１、対向基板１２として、電気泳動表示要素である電子ペーパ前面板を貼り付け、実施例の画像表示装置とした。
【符号の説明】
【００３６】
１・・・基板
２・・・ゲート電極
３・・・ゲート絶縁膜
４・・・半導体層
５・・・保護層
６・・・ソース電極
７・・・ドレイン電極
８・・・層間絶縁膜
９・・・画素電極
１０・・・表示要素
１１・・・対向電極
１２・・・対向基板
１３・・・キャパシタ電極
Ｃ・・・半導体層のチャネル長方向
Ｌ・・・ゲート電極の長手方向（延設方向）
Ｓ・・・半導体層のチャネル長
Ｗ・・・ゲート電極と半導体層とが交差する部分の幅
【図１】
2013206994.tif 000003
【図２】
2013206994.tif 000004
【図３】
2013206994.tif 000005