(57)【要約】      （修正有）【課題】高い光電変換効率を有する光電変換セルを製造するための製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】光電変換セルの製造装置は、基板１と、該基板１上に設けられた下部電極と、該下部電極上に設けられた光電変換層とを有する光電変換セルの製造装置である。そして、上記光電変換セルの製造装置は、基板１を支持する支持手段と、スクライブによって前記光電変換層の一部を除去する加工ツール１５を有するスクライブ手段と、前記支持手段および前記スクライブ手段の少なくとも一方を一方向に移動させる移動手段とを備えている。本実施形態において、加工ツール１５は、下部電極の上面に当接する当接部と、該当接部に隣接するとともに前記一方向に延びる凹部とを有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に設けられた下部電極と、該下部電極上に設けられた光電変換層とを有する光電変換セルの製造装置であって、
前記基板を支持する支持手段と、
スクライブによって前記光電変換層の一部を除去する加工ツールを有するスクライブ手段と、
前記支持手段および前記スクライブ手段の少なくとも一方を一方向に移動させる移動手段とを備えており、
前記加工ツールは、前記下部電極の上面に当接する当接部と、該当接部に隣接するとともに前記一方向に延びる凹部とを有する、光電変換セルの製造装置。
【請求項２】
前記一方向に直交する他方向における前記凹部の開口幅は、前記他方向における前記当接部の幅よりも小さい、請求項１に記載の光電変換セルの製造装置。
【請求項３】
前記加工ツールは、前記当接部および前記凹部を複数有するとともに、前記当接部および前記凹部が前記他方向に沿って交互に並んでいる、請求項２に記載の光電変換セルの製造装置。
【請求項４】
前記他方向における前記凹部の開口幅は、前記凹部の深さ方向に向かって、漸次小さくなっている、請求項２または請求項３に記載の光電変換セルの製造装置。
【請求項５】
前記凹部の底面は、該凹部の深さ方向に突出する曲面である、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の光電変換セルの製造装置。
【請求項６】
基板と、該基板上に設けられた下部電極と、該下部電極上に設けられた光電変換層とを有する光電変換セルの製造方法であって、
前記基板上に前記下部電極を設ける工程と、
前記下部電極上に前記光電変換層を設ける工程と、
前記基板を支持手段で支持する工程と、
加工ツールを有するスクライブ手段および前記支持手段の少なくとも一方を一方向に移動させて、スクライブによって前記光電変換層の一部を除去する工程とを備えており、
前記光電変換層の一部を除去する工程は、前記下部電極の上面に当接する当接部と、該当接部に隣接するとともに前記一方向に延びる凹部とを有する前記加工ツールで行なう、光電変換セルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換セルの製造装置及び光電変換セルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光発電等に使用される光電変換セルは、様々な種類のものがあるが、ＣＩＳ系（銅インジウムセレナイド系）に代表されるカルコパイライト系光電変換セルは比較的低コストで太陽電池モジュールの大面積化が容易なことから、研究開発が進められている。
【０００３】
このカルコパイライト系光電変換セルは通常、ガラス基板上にモリブデン（Ｍｏ）などの金属薄膜からなる下部電極層、カルコパイライト系の化合物半導体層（ＣＩＧＳ）からなる光吸収層、硫化カドミウムまたは硫化亜鉛薄膜からなるバッファ層および錫を含んだ酸化インジウム（ＩＴＯ）などの透明電極を備えている。
【０００４】
このカルコパイライト系光電変換セルでは、所定の出力電圧を得るために、それぞれの膜を除去してパターニングすることにより、光電変換セルに分割し、さらに基板上でそれらの光電変換セルを電気的に接続し、集積化することが一般的である。このパターニングには、下部電極層上に配置された光吸収層およびバッファ層を、加工ツールを用いたメカニカルスクライブ法で除去している。そして、メカニカルスクライブで除去された部位に透明電極を設けることによって、隣り合う光電変換セルを電気的に接続している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３７３９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
メカニカルスクライブ法では、加工ツールの先端面を下部電極層の上面と当接させた状態で一方向に走査し、光吸収層およびバッファ層の一部を除去して溝部が形成される。このとき、加工ツールに過度な圧力がかかると、下部電極層に光吸収層が押し付けられるようになり、下部電極層上に光吸収層の一部が残存する場合があった。この残存した光吸収層の一部分は、抵抗成分として作用する。そのため、隣り合う光電変換セルを透明電極で接続すると、直列抵抗が大きくなる場合があった。これにより、光電変換効率が低下する可能性があった。
【０００７】
本発明の一つの目的は、下部電極層上の光吸収層の残存を低減し、高い光電変換効率を有する光電変換セル製造するための製造装置及び製造方法を提供することである。 
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造装置は、基板と、該基板上に設けられた下部電極と、該下部電極上に設けられた光電変換層とを有する光電変換セルの製造装置である。そして、本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造装置は、前記基板を支持する支持手段と、スクライブによって前記光電変換層の一部を除去する加工ツールを有するスクライブ手段と、前記支持手段および前記スクライブ手段の少なくとも一方を一方向に移動させる移動手段とを備えている。本実施形態において、前記加工ツールは、前記下部電極の上面に当接する当接部と、該当接部に隣接するとともに前記一方向に延びる凹部とを有する。
【０００９】
本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造方法は、基板と、該基板上に設けられた下部電極と、該下部電極上に設けられた光電変換層とを有する光電変換セルの製造方法である。そして、本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造方法は、前記基板上に前記下部電極を設ける工程と、前記下部電極上に前記光電変換層を設ける工程と、前記基板を支持手段で支持する工程と、加工ツールを有するスクライブ手段および前記支持手段の少なくとも一方を一方向に移動させて、スクライブによって前記光電変換層の一部を除去する工程とを備えている。本実施形態において、前記光電変換層の一部を除去する工程は、前記下部電極の上面に当接する当接部と、該当接部に隣接するとともに前記一方向に延びる凹部とを有する前記加工ツールで行なう。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造装置および光電変換セルの製造方法では、加工ツールの凹部が位置していた部位における光電変換層にはスクライブによる応力が集中しやすくなっている。これにより、上記部位における光電変換層が上記応力の集中によって下部電極からの剥離が生じやすくなり、下部電極上に残存する光電変換層が少なくなる。その結果、抵抗の上昇が低減されて、光電変換効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】光電変換セルの一例を示す斜視図である。
【図２】図１の光電変換セルの断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は本発明の光電変換セルの製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の光電変換セルの製造装置の実施形態を示す模式図である。
【図５】図４の加工ツールの部分拡大図である。
【図６】加工ツールの他の形態を示す部分拡大図である。
【図７】加工ツールの他の形態を示す部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面には、光電変換セル１０の配列方向（図１の図面視左右方向）をＸ軸とする右手系のＸＹＺ座標が付しているものがある。まず、本発明の実施形態に係る光電変換セルの製造装置および製造方法で製造される光電変換セルの実施形態について説明する。
【００１３】
＜光電変換セル＞
本発明の一実施形態に係る光電変換セル１０は、図１、図２に示すように、複数並べられることによって光電変換装置１１を形成している。この光電変換セル１０は、基板１と、下部電極２と、光電変換層（光吸収層３およびバッファ層４）と、上部電極５と、集電電極６と、接続電極７とを備えている。
【００１４】
なお、本実施形態において光電変換に寄与する光電変換層は、光吸収層３とこれにヘテロ接合されたバッファ層４とを具備する例を示しているが、これに限定されない。光電変換層は、少なくとも下部電極２側の部位がカルコパイライト系の半導体（カルコゲン化合物半導体ともいう）を含んでいればよい。よって、光電変換層は下部電極２側からカルコゲン化合物半導体を含むバッファ層４および光吸収層３を積層したものであってもよく、一方で、異なる導電型の半導体層がホモ接合されたものであってもよい。また、上部電極５は半導体層から成るものも含み、いわゆる窓層と呼ばれるものも含む。
【００１５】
光電変換セル１０は、光吸収層３およびバッファ層４をまたがるように設けられた接続導体７によって、上部電極５と、隣接する光電変換セル１０の下部電極２が延出された部
位とが電気的に接続されている。換言すれば、接続導体７は、隣り合う光電変換層間で一方の光電変換セル１０の上部電極５と、他方の光電変換セル１０の下部電極２とを電気的に接続している。これにより、隣接する光電変換セル１０同士は、図１中のＸ方向に沿って直列接続され、集積化されている。
【００１６】
なお、一つの光電変換セル１０内において、接続導体７は光吸収層３およびバッファ層４をまたがるように設けられており、上部電極５と下部電極２とで挟まれた光吸収層３とバッファ層４とで光電変換が行なわれる。
【００１７】
基板１は、光吸収層３等を支持するためのものである。このような基板１としては、例えば厚さ１〜３ｍｍ程度のソーダライムガラス（ＳＬＧ）を用いることができる。
【００１８】
下部電極２は、一方向（図１および図２中のＸ方向）に互いに間隔をあけて基板１の一主面上に配置されている。なお、本実施形態では、図２において、上記間隔に対応する分離溝Ｐ１によって互いに離間した３つの下部電極２が設けられている。このような下部電極２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）または金（Ａｕ）等の金属またはこれらの合金や金属積層構造体が用いられる。この下部電極２は、基板１上にスパッタリング法または蒸着法等で厚さ０．２〜１μｍ程度に形成される。
【００１９】
光吸収層３は、下部電極２上に配置されている。本実施形態において、光吸収層３は、カルコゲン化合物半導体を含んでいる。カルコゲン化合物半導体とは、カルコゲン元素である硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）またはテルル（Ｔｅ）を含む化合物半導体である。例えば、カルコゲン化合物半導体としては、例えば、Ｉ-III-VI化合物半導体がある。I-III-VI化合物半導体とは、Ｉ-Ｂ族元素（１１族元素ともいう）とIII-Ｂ族元素（１３族元素ともいう）とVI-Ｂ族元素（１６族元素ともいう）との化合物半導体であり、カルコパイラ
イト構造を有し、カルコパイライト系化合物半導体と呼ばれる（ＣＩＳ系化合物半導体ともいう）。  I-III-VI化合物半導体としては、例えば、二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ２）、二セレン化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２）、二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２）、二イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ２）又は薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜がある。
【００２０】
光吸収層３は、例えばｐ型の導電型を有する厚さ１〜３μｍ程度の薄膜である。また光吸収層３がI-III-VI化合物半導体から成る場合、その表面にヘテロ接合を形成するためのバッファ層４を有することが好ましい。バッファ層４としては、例えば、硫化カドミウム（ＣｄＳ）や硫化インジウム（ＩｎＳ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等の混晶化合物半導体がある。
【００２１】
上部電極５は、いわゆる窓層と呼ばれるものを含み、例えばｎ型の導電型を有する禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の厚さ１〜２μｍ程度の酸化亜鉛（ＺｎＯ）やアルミニウムやボロン、ガリウム、インジウム、フッ素などを含んだ酸化亜鉛との化合物、錫を含んだ酸化インジウム（ＩＴＯ）や酸化錫（ＳｎＯ２）などからなる金属酸化物半導体薄膜である。窓層は光電変換セル１０を構成する一方の電極として見なすことができるため、本実施形態では上部電極５とみなしている。上部電極５は、このような窓層に加えてさらに透明導電膜を形成してもよい。
【００２２】
接続導体７は、光吸収層３およびバッファ層４を貫通し、隣り合う光電変換セル同士において、一方の光電変換セル１０の上部電極５と他方の光電変換セル１０の下部電極２と
を電気的に接続するものである。接続導体７は、上部電極５と同じ材料であってもよく、金属ペーストを固化したものであってもよい。なお、固化というのは、金属ペーストに用いるバインダーが熱可塑性樹脂である場合の熔融後の固化状態を含み、バインダーが熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂等の硬化性樹脂である場合の硬化後の状態をも含む。接続信頼性を高めるという観点からは、Ａｇ等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストを用いることが好ましい。
【００２３】
上部電極５上には、本実施形態のように集電電極６を設けてもよい。集電電極６は、例えば、図１、図２に示すように、光電変換セル１０の一端から接続導体７にわたって線状に形成されている。これにより、光吸収層３の光電変換により生じた電荷を、上部電極５を介して集電電極６で集電できる。そして、集電された電荷は、接続導体７を介して隣接する光電変換セル１０に良好に導電される。よって、本実施形態では、上部電極５を薄くしても光吸収層３で発生した電荷を効率よく取り出すことができる。それゆえ、このような集電電極６は、発電効率の向上に寄与する。
【００２４】
集電電極６の幅は、５０〜４００μｍであればよい。これにより、良好な導電性を維持しつつ、過度な受光面積の減少を低減できる。また、集電電極６は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。集電電極６は、例えば、Ａｇ等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストをパターン状に印刷し、これを乾燥し、固化することによって形成することができる。
【００２５】
＜光電変換セルの製造方法＞
次に、光電変換セルの製造方法の一実施形態について図３を用いて説明する。
【００２６】
まず、ＳＬＧなどの基板１を準備する。基板１の大きさは、例えば５０ｃｍ×１００ｃｍ程度、厚さ５ｍｍ程度である。
【００２７】
次に、図３（ａ）に示すように、基板１を洗浄した後、その一主面に下部電極２となるモリブデン層等をスパッタリング法などで成膜する。次いで、この下部電極２にＹＡＧ（イットリウム、アルミニウム、ガーネット）レーザを照射して幅１０〜１００μｍ程度の分割溝Ｐ１を形成することにより、モリブデン層をパターニングして複数の短冊状の下部電極２を形成する。このパターニング後のモリブデン層の幅は３〜１５ｍｍ程度である。
【００２８】
次に、図３（ｂ）に示すように、下部電極２上に光吸収層３となるＩ−III−VI族化合
物を含む膜をスパッタリング法、蒸着法または印刷法などを用いて成膜する。例えば、ＣＩＧＳの光吸収層３をスパッタリング法で形成する場合は、Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲットを用いてスパッタリングで成膜された金属薄膜上に、さらにＩｎターゲットを用いてスパッタリングで金属薄膜を積層することで形成すればよい。
【００２９】
一方、印刷法であれば、Ｃｕ、ＩｎおよびＧａを含有したペーストを基板１上にスクリーン印刷法を用いて塗布し、１００〜１５０℃程度の温度で乾燥を行なうことにより、皮膜を作製する。次に、この皮膜を焼成し、カルコゲン化を行なうことにより、光吸収層３を形成する。この焼成は、上述の皮膜を形成した基板１を焼成炉内に載置して、炉内を減圧すると共に基板１を４００〜６００℃程度まで昇温させ、昇温後この温度を維持しながら炉内にＨ２Ｓｅガスを導入するなどして、セレンを含む雰囲気下で、６０〜９０分程度処理することで行なう。このようにして、例えば、Ｉ−III−VI族化合物としてＣｕ、Ｉ
ｎおよびＧａを含有した皮膜をセレン化することにより、ＣＩＧＳを含む光吸収層３膜が形成される。また、この焼成においては、カルコゲン元素としてセレンのほか、イオウやテルルでも応用可能である。
【００３０】
次いで、図３（ｃ）に示すように、光吸収層３上に、例えば、ＣｄＳをケミカルバスデポジション法（ＣＢＤ法）などで、１０〜２００ｎｍ程度の厚みになるように成膜し、バッファ層４を形成する。さらに、バッファ層４上に、例えば、ＩＴＯをスパッタリング法または蒸着法などで０．０５〜０．５μｍ程度の厚みになるように成膜し、上部電極５を形成する。
【００３１】
次に、下部電極に形成した分割溝Ｐ１から２０〜１００μｍ程度離間した位置に、図３（ｄ）に示すように光吸収層３、バッファ層４および上部電極５を一方向（Ｙ方向）に沿って直線状に除去した分割溝Ｐ２を形成する。この分割溝Ｐ２は、メカニカルスクライブ法によって形成される。分割溝Ｐ２の幅は、メカニカルスクライブで用いる加工ツールの大きさを変更することによって調整可能である。このような分離溝Ｐ２の幅は、５０〜５００μｍ程度であればよい。なお、分離溝Ｐ２を形成する際のスクライブ法については、後に詳述する。
【００３２】
次に、図３（ｅ）に示すように、上部電極５上および分割溝Ｐ２内に銀ペーストなどを印刷することによって、集電電極６および接続導体７を形成する。これにより、分割溝Ｐ２に配置された接続導体７によって、一方の光電変換セル１０の上部電極５と隣接する他方の光電変換セル１０の下部電極２とが電気的に接続されるようになる。
【００３３】
最後に、図３（ｆ）に示すように、分離溝Ｐ２の端部から１０〜１００μ程度離間した位置に、光吸収層３、バッファ層４、上部電極５および集電電極６をメカニカルスクライブでパターニングして分離溝Ｐ３を形成する。これにより、接続導体７を介して直列接続された複数の光電変換セル１０を有する光電変換装置２０が形成される。この分離溝Ｐ３の幅は、例えば、２０〜１００μｍ程度である。
【００３４】
＜光電変換セルの製造装置＞
次に、本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造装置について図４乃至図７を用いて説明する。本実施形態に係る光電変換セルの製造装置は、主として、上述した分離溝Ｐ２の形成時に利用される。そのため、以下の説明では、本実施形態としてスクライブ装置を一例として挙げて説明する。
【００３５】
本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造装置（以下、スクライブ装置３０とする）は、図４に示すように、テーブル１２と、駆動シャフト１３と、サーボモーター１４と、加工ツール１５と、ホルダ１６およびアーム１７を備えている。
【００３６】
テーブル１２は、基板１を支持する支持手段である。このようなテーブル１２は、例えば、厚さが１０〜３０ｍｍ程度のステンレスで形成される。また、テーブル１２の大きさは、特に限定されるものではなく、基板１より１０〜５０ｍｍ程度大きければよい。また、テーブル１２には、厚み方向に貫通する複数の貫通孔が設けられている（図示なし）。これにより、テーブル１２の基板１の載置面の裏側から真空ポンプなどを用いて貫通孔内を減圧することによって、基板１がテーブル１２の載置面に固定される。この貫通孔の大きさは、例えば、直径が３〜１０ｍｍ程度である。
【００３７】
駆動シャフト１３およびサーボモーター１４は、テーブル１２をＸ方向およびＹ方向に移動可能とする移動手段である。これにより、テーブル１２は、駆動シャフト１３およびサーボモーター１４によって、一方向に移動させることができる。駆動シャフト１３は、サーボモーター１４と連結されており、シーケンサー等で制御されたサーボモーター１４によって移動方向および移動距離が制御される。
【００３８】
加工ツール１５は、光電変換層等をメカニカルスクライブする機能を有している。この
加工ツール１５は、ネジ等でホルダ１６に固定されている。また、ホルダ１６は、ネジ等でアーム１７に取り付けられている。なお、加工ツール１５の形状等については、後述する。
【００３９】
アーム１７は、ホルダ１６に固定された加工ツール１５をＺ軸方向に移動可能にするものである。それゆえ、アーム１７には、加工ツール１５をＺ軸方向に移動可能にするためのエアーシリンダおよびスプリングが設けられている。また、アーム１７は、スクライブ時に加工ツール１５が所定の圧力で基板１の表面を押圧するように調整する機構も有している。本実施形態では、加工ツール１５、ホルダ１６およびアーム１７によってスクライブ手段を構成している。また、アーム１７には、シーケンサー等によって制御されたサーボモーター（図示なし）によってＸ方向およびＹ方向にも移動できるようにしてもよい。
【００４０】
このように、上記スクライブ手段とテーブル１２等の支持手段とは、少なくとも一方がサーボモーター等の移動手段によって一方向に移動できればよい。すなわち、スクライブ手段および支持手段は、移動手段によって相対的に移動可能である。
【００４１】
次に、加工ツール１５の詳細について説明する。加工ツール１５は、図５に示すように、本体部１８、先端部１９および刃先部２０を有する。
【００４２】
本体部１８は、ホルダ１６に固定される部位であり、略四角柱状を成している。先端部１９は、本体部１８と刃先部２０とをつなぐ部位であり、刃先部２０に向かって径が小さくなるテーパー状を成している。そのため、先端部１９の側面には、傾斜部２１が設けられている。そして、この傾斜部２１の角度を調整することによって、刃先部２０のＸ軸方向の幅を調整できる。
【００４３】
刃先部２０は、実際に光電変換層および上部電極５と接触して、これらを基板１から部分的に除去する機能を有している。そして、刃先部２０は、スクライブで形成する分離溝の幅と、図５におけるＸ方向の幅とが略同一となるように調整されている。それゆえ、加工ツール１５は、図３（ｄ）で示した分離溝Ｐ２を形成する場合、刃先部２０がＹ方向に移動するように動く。
【００４４】
刃先部２０は、下部電極２の上面に当接する当接部２２と、該当接部２２に隣接するとともに、加工ツール１５の移動方向（一方向）に延びる凹部２３とを有している。なお、本実施形態において、上記移動方向は、図３（ｄ）におけるＹ方向である。また、加工ツール１５は、当接部２２と連続する底面部２４および側面部２５を有している。それゆえ、加工ツール１５は、図６に示すように、底面部２４と側面部２５との間に当接部２２が位置している。
【００４５】
加工ツール１５は、図３（ｄ）の工程で分離溝Ｐ２を形成すると、当接部２２と接触した光電変換層が除去される。一方で、下部電極２上の光電変換層の一部が加工ツール１５（刃先部２０）の凹部２３に入り込む。そのため、加工ツール１５の移動方向（Ｙ方向）に沿って延びるように光電変換層の一部が凹部２３に入り込んだ部位（入り込み部）ができる。この入り込み部は、当接部２２で下部電極２の上面に押圧されていないため、下部電極２との密着強度が、当接部２２で押圧された部位に比べて弱まっているから、剥離が生じやすい。加えて、入り込み部は、下部電極上においてＹ方向に略一直線状に形成されるため、スクライブによって生じた応力が集中しやすくなっている。これにより、上記応力の集中によって上記入り込み部および該入り込み部近傍の光電変換層が下部電極２から連続的に剥離しやすくなる。それゆえ、凹部２３が形成されていない当接部２２のみの加工ツールで分離溝Ｐ２を形成する態様に比べて、下部電極上に残存する光電変換層が少なくなる。その結果、抵抗の上昇が低減されて、光電変換効率を高めることができる。また
、当接部２２の押圧によって下部電極２上に残った光電変換層の一部が上記入り込み部と連続するように形成されれば、上記応力の集中によって、同時に下部電極２から剥離する。
【００４６】
加工ツール１５の刃先部２０の当接部２２および凹部２３の大きさは、分離溝Ｐ２の大きさに応じて適宜設定すればよい。例えば、刃先部２０の幅方向（Ｘ方向）の大きさが２００μｍ程度であれば、当接部２２のＸ方向における大きさは２５〜５０μｍ程度、凹部２３のＸ方向における大きさは１０〜２０μｍ程度であればよい。また、凹部２３の深さ方向（Ｚ方向）の大きさは、例えば、５〜３０μｍ程度であればよい。
【００４７】
また、凹部２３のＸ方向における開口幅は、当接部２２のＸ方向における幅よりも小さくしてもよい。これにより、上記入り込み部の幅が小さくなるため、上記入り込み部に応力がより集中しやすくなる。その結果、上記入り込み部および該入り込み部近傍の光電変換層が下部電極２からより剥離しやすくなる。このとき、凹部２３のＸ方向における開口幅は、当接部２２のＸ方向における幅よりも１／３〜１／２程度小さければよい。
【００４８】
次に、スクライブ装置３０の動作について説明する。まず、基板１上に下部電極２を設ける工程（図３（ａ）の工程）と、下部電極２上に光電変換層を設ける工程（図３（ｂ）および図３（ｃ））を経た基板１を準備する。
【００４９】
次いで、図４に示すように、テーブル１２上で基板１を支持する。なお、図４における基板１には、図３（ｃ）の工程を経て得られたものが用いられている。
【００５０】
次に、テーブル１２を一方向（図４のＹ方向）に移動させて、加工ツール１５でスクライブすることによって光電変換層の一部を除去し、分離溝Ｐ２を形成する（図３（ｄ））。なお、加工ツール１５によるスクライブは、図３（ｆ）で示した分離溝Ｐ３の形成時に用いてもよい。
【００５１】
また、加工ツール１５は、当接部２２および凹部２３を複数有していてもよい。このとき、当接部２２および凹部２３は、加工ツール１５の移動方向に相当する一方向（Ｙ方向）に直交する他方向（本実施形態ではＹ方向と直交するＸ方向に相当する）に沿って交互に並んでいてもよい。これにより、当接部２２の押圧によって下部電極上に残った残存部が、上記入り込み部および上記入り込み部近傍の光電変換層と連続する可能性が高まる。その結果、上記入り込み部および上記入り込み部近傍の光電変換層の剥離に伴って上記残存部も下部電極から剥離しやすくなる。
【００５２】
また、加工ツール１５は、図６（ａ）に示すように、凹部２３の開口幅が凹部２３の深さ方向（Ｚ方向）に向かって、漸次小さくなっていてもよい。すなわち、凹部２３の底部の幅が開口幅よりも小さくなる。そのため、スクライブ後に形成される上記入り込み部の頂部の幅が小さくなり、当該頂部に応力が集中しやすくなる。これにより、上記入り込み部および上記入り込み部近傍の光電変換層が下部電極から剥離しやすくなる。また、このような凹部２３であれば、分離溝Ｐ２の幅に応じて凹部２３の開口幅を大きくしても、上記入り込み部および上記入り込み部近傍の光電変換層が剥離しやすくなる。
【００５３】
また、加工ツール１５は、図６（ｂ）に示すように、凹部２３の底面が凹部２３ｂの深さ方向に突出する曲面であってもよい。これにより、凹部２３のＸＺ面における断面積を比較的大きくすることができる。それゆえ、分割溝Ｐ２の形成時において、当接部２２で除去された光電変換層等が、隣接する凹部２３内に巻き込まれても、凹部２３から排出されやすくなる。その結果、凹部２３内における光電変換層等の詰まりの発生が低減される。
【００５４】
また、加工ツール１５の刃先部２０は、当接部２２および凹部２３を含む面が曲面を成していてもよい。これにより、被加工面に対する刃先部２０の設置が容易になるため、安定したスクライブか可能となる。
【００５５】
なお、本発明は上記一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。例えば、上記入り込み部および上記入り込み部近傍の光電変換層を下部電極からより剥離させるべく、分離溝の形成工程の後に、洗浄工程等を利用して、不要な光電変換層を除去する工程を加えてもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１：基板
２：下部電極
３：光吸収層
４：バッファ層
５：上部電極
６：集電電極
７：接続導体
１０：光電変換セル
１１：光電変換装置
１２：テーブル
１３：駆動シャフト
１４：サーボモーター
１５：加工ツール
１６：ホルダ
１７：アーム
１８：本体部
１９：先端部
２０：刃先部
２１：傾斜部
２２：当接部
２３：凹部
２４：底面部
２５：側面部
３０：スクライブ装置
Ｐ１〜Ｐ３：分離溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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