(57)【要約】      （修正有）【課題】パッケージの気密封止性能を向上させ、また特性向上を容易にすることのできる圧電振動デバイスを提供する。【解決手段】表面実装型水晶発振器は、ベースに水晶振動板２がリッドにより気密収納され、また発振回路用のＩＣ４が搭載された構成である。ベースは下方に開口したキャビティＣを有している。段部１１１はキャビティＣの開口から一定の深さ寸法を隔ててキャビティ内部に矩形の周状に形成された構成であり、段部の上面にリッドがろう材３１により接合される。側壁部１１の下方（開口側）１１ａは段部より薄い側壁構成であり、ベース底面の４つの角には外部端子１４が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
励振電極が形成された圧電振動板と、前記圧電振動板を収納するキャビティを有するとともに、前記キャビティ側の外周に外部端子を有するベースと、前記キャビティを気密封止し、ベースに気密接合されるリッドとを有し、前記キャビティ形成の反対面に前記圧電振動板と導電接合される回路素子を設けた圧電振動デバイスであって、
前記ベースはキャビティ内に周状の段部を有し、前記段部に前記リッドが接合されるとともに、前記リッドは前記外部端子よりもキャビティ側に配置された構成であり、前記リッドと前記段部の接合はろう材からなり、前記ろう材はキャビティ内部にメニスカスを有することを特徴とする圧電振動デバイス。
【請求項２】
前記キャビティは平面で見て矩形であり、前記外部端子が前記キャビティの角部外側に接した切り欠き領域を有することを特徴とする請求項１記載圧電振動デバイス。
【請求項３】
圧電振動デバイスの製造方法であって、
圧電振動板を収納するキャビティを有し、当該キャビティ内であって当該キャビティ開口から深さ寸法を有する位置に段部を有するとともに、前記キャビティの開口より上方に外部端子が形成されたベースが多数個一体的に形成されたベース集合体を用意する工程と、
前記ベース集合体の各ベースのキャビティ内に励振電極の形成された圧電振動板を導電接合する工程と、
接合面の外縁部にろう材を形成し、前記深さ寸法より薄い板厚のリッドを用意する工程と、
前記ベース集合体の各ベースの段部に各々リッドを配置し、ベース及びリッドを加熱することによりリッドのろう材を溶融させベースとリッドとを気密接合する工程と、
ベースのキャビティ形成の反対面に前記圧電振動板と導電接合される回路素子を導電接合する工程と、
ベース集合体の各ベース間を分離する分離工程を有することを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に用いられる圧電振動デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶等の圧電素子を用いた圧電振動子または圧電発振器は、周波数タイミングデバイスとして電子機器に汎用されている。例えば、特開２００３−１９８２５２号（特許文献）は圧電素子を密閉構造容器の雰囲気中に収納し、容器の外側に圧電素子を発振させる半導体部品を搭載した構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００３−１９８２５２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献においては、圧電素子を密閉構造容器の雰囲気中に収納し、容器の外側に圧電素子を発振させる半導体部品を搭載した構成である構成により、密閉構造容器に収納された圧電素子の状態で、特性の良好なものに対して半導体部品を搭載することにより、圧電発振器の製造歩留まりを向上させることができるという利点を有している。
【０００５】
しかしながら上記特許文献では容器の外周部分にフタが設けられ、当該フタ上に電極が設けられた構成となっている。当該電極はプリント配線基板（実装基板）上の導通パターンと導通をとるための引出電極であるが、このような構成では前記フタと電極にプリント配線基板との導電接合に係る応力が直接的にかかることになり、フタの接合領域が破損する等気密封止性能が低下するおそれがあった。
【０００６】
また上記特許文献においては、一定の気密封止性能を得るために、フタと密閉構造容器の接合領域を大きくする必要があるが、このような場合圧電素子を収納する領域（キャビティ）が小さくなり、収納される圧電素子が必要以上に小さくなってしまうことがあった。以上の理由で、圧電素子の設計の自由度が低下し、圧電発振器としての特性向上が困難になることがあった。
【０００７】
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、パッケージの気密封止性能を向上させ、また特性向上を容易にすることのできる圧電振動デバイスを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するためになされたもので、励振電極が形成された圧電振動板と、前記圧電振動板を収納するキャビティを有するとともに、前記キャビティ側の外周に外部端子を有するベースと、前記キャビティを気密封止し、ベースに気密接合されるリッドとを有し、前記キャビティ形成の反対面に前記圧電振動板と導電接合される回路素子を設けた圧電振動デバイスであって、前記ベースはキャビティ内に周状の段部を有し、前記段部に前記リッドが接合されるとともに、前記リッドは前記外部端子よりもキャビティ内側に配置された構成であり、前記リッドと前記段部の接合はろう材からなり、前記ろう材はキャビティ内部にメニスカスを有することを特徴としている。
【０００９】
段部はキャビティ内にあってキャビティの底面と外部端子形成面との間に形成されている。またろう材はガラスろう材等の絶縁性ろう材や金属ろう材をあげることができるが、電極の短絡を防止する観点からは絶縁性のリッドを用い絶縁性ろう材により接合する構成が好ましい。
【００１０】
なお、前記キャビティ形成の反対面に設置した回路素子は、例えばＩＣ等の半導体素子であり、当該回路素子をベースに形成された接続電極にフリップチップボンディングまたはワイヤボンディングにより導電接合してもよい。また回路素子の保護目的として樹脂コーティングを行ってもよいし、また設置した回路素子をキャップで被覆してもよい。
【００１１】
また回路素子をリードフレームに搭載し、外部接続に必要な実装端子を露出させた状態で樹脂モールドした回路モジュールを、ベースの前記キャビティ形成の反対面に設置したベースに導電接合する構成であってもよい。
【００１２】
上記構成によれば、前記キャビティ側の外周に外部端子を有する構成のベースを用い、前記ベースはキャビティ内に周状の段部を有し、前記段部に前記リッドが接合されている。また、前記リッドは前記外部端子よりもキャビティ内側に配置された構成であり、前記リッドと前記段部の接合はろう材からなり、前記ろう材はキャビティ内部にメニスカスを有している。これにより外部端子の内側に形成されたキャビティ内の段部にリッドが配置され、当該段部にてろう材で接合されることになる。このような構成によりろう材に係る外部応力を低減することができ、例えば外部端子をプリント配線基板に導電接合した際に応力が生じたとしても緩衝作用が機能し、ろう材にクラック等が生じる等の損傷を抑制することができる。よって、ベースとリッドの気密信頼性を向上させ、圧電振動デバイスの特性を安定化させることができる。
【００１３】
またろう材はキャビティ内部にメニスカスを有する構成（インナーメニスカス構成）により、キャビティ内部にろう材が高い強度で接合配置されていることにより、ろう材の損傷を抑制することができる。さらに前記インナーメニスカス構成により、接合強度を維持したままベースの側壁部を比較的薄くすることができ、ベースの外形サイズに対して大きなサイズの圧電板をキャビティに収納することができる。よって、圧電振動デバイスの設計自由度を向上させ、また特性を向上させることができる。
【００１４】
また前記キャビティは平面で見て矩形であり、前記外部端子が前記キャビティの角部外側に接した切り欠き領域を有した構成（切り欠き領域が前記キャビティの開口に臨んだ構成）であってもよい。このような構成はキャビティの一部が外部端子に伸長形成された構成になるが、キャビティの容積を拡大させることができ、大きなサイズの圧電板を用いることができる。
【００１５】
切り欠き領域の内側は段差になっているので境界条件を有し、表面張力を発揮することができる。これにより圧電振動デバイスの実装基板への実装（導電接合）時、すなわち外部端子を実装基板の電極パッドに鉛フリー半田等の金属ろう材で接合する際、金属ろう材の流れ抑制をする、ろう材保持効果を高めることができる。
【００１６】
また本発明は圧電振動デバイスの製造方法についても提案している。すなわち、圧電振動デバイスの製造方法であって、圧電振動板を収納するキャビティを有し、当該キャビティ内であって当該キャビティ開口から深さ寸法を有する位置に段部を有するとともに、前記キャビティの開口より上方に外部端子が形成されたベースが多数個一体的に形成されたベース集合体を用意する工程と、前記ベース集合体の各ベースのキャビティ内に励振電極の形成された圧電振動板を導電接合する工程と、接合面の外縁部にろう材を形成し、前記深さ寸法より薄い板厚のリッドを用意する工程と、前記ベース集合体の各ベースの段部に各々リッドを配置し、ベース及びリッドを加熱することによりリッドのろう材を溶融させベースとリッドとを気密接合する工程と、ベースのキャビティ形成の反対面に前記圧電振動板と導電接合される回路素子を導電接合する工程と、ベース集合体の各ベース間を分離する分離工程を有することを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法である。
【００１７】
前記分離工程は事前に各ベース間にブレイク用の溝を設けた当該溝に沿ってブレイクする分離方法でもよいし、ベース間をダイシングにより切断する分離方法であってもよい。いずれの分離方法も分離実施時において、ベースの外周領域に歪み応力を生じさせるが、上記製造方法により当該応力がベースとリッドの接合を担うろう材への悪影響を緩和することができる。
【００１８】
またリッドの接合面の外縁部にろう材を形成するに際し、段部の幅（奥行き）寸法よりも幅の広いろう材を形成することにより、キャビティの内側にメニスカス（インナーメニスカス）を効率的に形成することができる。
【００１９】
上記製造方法によれば、圧電振動板を収納するキャビティを有し、当該キャビティ内であって当該キャビティ開口から深さ寸法を有する位置に段部を有するとともに、前記キャビティの開口より上方に外部端子が形成されたベースが多数個一体的に形成されたベース集合体を用意する工程と、接合面の外縁部にろう材を形成し、前記深さ寸法より薄い板厚のリッドを用意する工程と、前記ベース集合体の各ベースの段部に各々リッドを配置し、ベース及びリッドを加熱することによりリッドのろう材を溶融させベースとリッドとを気密接合する工程を有することにより、多数個のベースに対して各々リッドを搭載し、加熱により気密接合することができるので、量産性を向上させることができる。また、リッドが深さ寸法より薄い板厚構成であるので、前記外部端子よりキャビティ側に離間してリッドが配置して接合されることになり、ベースとリッドを接合するろう材に係る外部応力を低減することができる。従来の構成ではシート集合体と分離する際、フタ（リッド）と容器（ベース）間の接合部分にクラック等の損傷を与えることがあったが、本発明によれば例えばプリント配線基板（実装基板）との導電接合時に応力が生じたとしても緩衝作用が機能し、ろう材にクラック等が生じる等の損傷を抑制することができる。これによりベースとリッドの気密信頼性を向上させ、圧電振動デバイスの特性を安定化させることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、パッケージの気密封止性能を向上させ、また特性向上を容易にすることのできる圧電振動デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明による第１の実施形態を示す圧電振動デバイスの内部構造を示す断面図
【図２】図１においてリッド封止前のベース底面図
【図３】本発明による圧電振動デバイスの製造方法を示す図
【図４】本発明による圧電振動デバイスの製造方法を示す図
【図５】本発明による圧電振動デバイスの製造方法を示す図
【図６】本発明による圧電振動デバイスの製造方法を示す図
【図７】本発明による圧電振動デバイスの製造方法を示す図
【図８】本発明による圧電振動デバイスの製造方法を示す図
【図９】本発明による第２の実施形態を示す圧電振動デバイスの内部構造を示す断面図
【図１０】図３においてリッド封止前のベース底面図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明による好ましい実施の形態について図面に基づいて説明する。
本発明による第１の実施の形態を圧電振動デバイスとして表面実装型水晶発振器を例にとり図１および図２とともに説明する。
【００２３】
表面実装型水晶発振器は、ベース１に圧電振動板として水晶振動板２がリッド３により気密収納され、また回路素子として発振回路用のＩＣ４が搭載された構成である。
【００２４】
ベース１はその内外部に金属膜からなる配線が施されたアルミナ等のセラミックスからなり、全体として外形が直方体形状で、下方に開口したキャビティＣを有している。ベース１は基部１０のセラミックからなる層と、側壁部１１のセラミックからなる層からなり、また側壁部１１の層の下側には段部１１１のセラミックからなる層を有している。図１において基部１０の表面（キャビティ底面）には一対の支持電極１２，１３が一方の短辺側に並列して形成されている。
【００２５】
段部１１１はキャビティＣの開口から一定の深さ寸法を隔ててキャビティ内部に矩形の周状に形成された構成であり、段部１１１は平坦な上面を有し、当該上面に後述のリッド３が保持される。側壁部１１の下方（開口側）１１ａは段部より薄い側壁構成であり、図２に示すように側壁部の下面であって、４つの角には外部端子１４，１５，１６，１７が形成されている。各外部端子はキャビティの角部外側に接した切り欠き領域を有する構成であり、平面で見てＬ字形状（Ｌ字の内側の角部が前記キャビティに臨んだ構成）を有している。これによりキャビティの容積を拡大させることができ、大きなサイズの圧電板を用いることができる。なお、Ｌ字形状領域の内側は段差になっているので境界条件を有し、表面張力を発揮することができ、これにより圧電振動デバイスの実装基板への実装（導電接合）時に鉛フリー半田等の金属ろう材の流れ抑制をする、ろう材保持効果を高めることができる。なお、外部端子はＬ字形状でなく、矩形形状であってもよい。
【００２６】
図１においてベース１の上面（開口の反対側）は、平坦な平面を有し、その中央部分に複数の搭載電極４１が形成されている。これら搭載電極４１は前記支持電極１２，１３と電気的に接続され、また後述する回路素子との接続電極となる。
【００２７】
なお、前述の支持電極１２，１３、外部端子１４乃至１７，および搭載電極４１はそれぞれ複数層の金属膜からなり、例えばベースのセラミックス表面にタングステン（Ｗ）がメタライズ技術により形成され、タングステンの上面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）の順でメッキ技術により形成されている。
【００２８】
水晶振動板２はＡＴカット水晶板からなり、平面で見て長辺と短辺を有する矩形形状である。水晶振動板２の表裏面には矩形状の励振電極２１，２２が対向して形成されており、各々引出電極により水晶振動板の一方の短辺に引き出されている。また水晶振動板２は導電性接合材Ｓにより、前記引出電極各々と支持電極１２，１３が導電接合され、一方の短辺側を片持ち保持する状態でベースのキャビティの内底面にほぼ平行な状態で支持されている。
【００２９】
リッド３はアルミナ等のセラミックからなる平板からなり、長辺と短辺を有する矩形形状で、前記段部の上面にリッドの外縁部分が対応して搭載できる外形サイズに設定されている。またリッドの厚さは前記段部の深さ寸法より薄く（小さく）形成されている。
【００３０】
リッド３の外縁部分には周状にろう材３１が形成され、当該ろう材３１により段部１１１の上面と気密的に接合されている。本実施の形態において、ろう材３１は低融点ガラス材からなり、接合時には図１に示すようにキャビティＣの内部に一部はみ出た状態でメニスカス３１ａが形成された、インナーメニスカス構造を有している。なお、リッドで気密封止されたキャビティＣは、不活性ガス雰囲気または真空雰囲気に保たれ、これにより水晶振動板２および励振電極２１，２２等を外気から遮断し、特性を安定化させている。
【００３１】
回路素子としての発振回路用のＩＣ４は、直方体形状で下面（接合面）に複数の接続パッド（図示せず）を有している。ＩＣ４は前述の電極形成された水晶振動板２と電気的に接続され、水晶振動板２と発振回路を構成する回路素子が集積化された構成である。なお、本実施の形態は回路素子として１つのＩＣを例示したが、これに限らず例えば複数の回路素子を用いてもよい。また回路素子は発振回路用の構成のみならず、温度センサ素子や温度補償回路素子等を単独または組み合わせて構成してもよい。
【００３２】
またＩＣ４は前述の搭載電極にフリップチップボンディング法により電気的及び機械的に接合されているが、これに限らず例えばワイヤボンディング法や半田ろう接合（低融点金属ろう材による接合）を用いてもよい。
【００３３】
なおＩＣ４はキャップ５で全体が被覆され、これによりＩＣ４を外気から保護し、また外部との機械的接触をしないよう構成されている。キャップ５は金属または樹脂からなるが、本実施の形態ではコバール等の金属板をコア材として用いている。またキャップ５はその断面が逆凹形であり、外周領域にはフランジ５１が形成されている。フランジ５１とベース１の上面とは例えば樹脂接着材で接合されている。なお、電磁的シールド効果を得る場合は、金属製のキャップを用い導電接合材でベースと接合し、かつこれをアース端子に接続すればよい。
【００３４】
以上の構成により、励振電極が形成された圧電振動板と、前記圧電振動板を収納するキャビティを有するとともに、前記キャビティ側の外周に外部端子を有するベースと、前記キャビティを気密封止し、ベースに気密接合されるリッドとを有し、前記キャビティ形成の反対面に前記圧電振動板と導電接合される回路素子を設けた圧電振動デバイスであって、前記ベースはキャビティ内に周状の段部を有し、前記段部に前記リッドが接合されるとともに、前記リッドは前記外部端子よりもキャビティ内側に配置された構成であり、前記リッドと前記段部の接合はろう材からなり、前記ろう材はキャビティ内部にメニスカスを有する圧電振動デバイスを得ることができる。
【００３５】
以上の構成により、リッド３は外部端子１４乃至１７の内側に配置され、かつ外部端子より下方（キャビティ内側）の位置に配置された構成となり、外部端子が実装基板と接続された場合でもここに生じる歪み応力のリッド及びろう材への伝搬を抑制し、気密封止における信頼性が向上する。またインナーメニスカス構成により、気密封止性能を向上させるとともに、気密封止に寄与するろう材がキャビティ内部に位置されるので、側壁部および段部の厚さを薄くすることができる、これによりキャビティの大型化が期待され、水晶振動板の設計の自由度を拡げ、また特性を向上させることができる。
【００３６】
また前記外部端子が前記キャビティ開口の角部外側に接した切り欠き領域を有するＬ字形状であり、このような構成はキャビティの一部が外部端子に伸長形成された構成になるが、キャビティの容積を拡大させることができ、大きなサイズの圧電板を用いることができる。またＬ字形状領域の内側は段差になっているので境界条件を有し、表面張力を発揮することができ、これにより圧電振動デバイスの実装基板への実装（導電接合）時に鉛フリー半田等の金属ろう材の流れ抑制をする保持効果を高めることができる。
【００３７】
次に上記圧電振動デバイスの製造方法について、多数個のベースが一体形成されたベース集合体を用いた製造方法を例にとり、図面を参照して説明する。図３乃至図８は第１の実施形態に示した圧電振動デバイスの製造方法の一例を示している。
【００３８】
図３に示すように、ベース集合体Ｇを用意する。ベース集合体Ｇはベース１が複数一体的に形成された構成であり、具体的には複数のベース１が一体的にマトリクス状に配された構成である。各ベース毎に支持電極１２や段部１１１，搭載電極４１を有するとともに側壁部１１は隣接するベースと一体的に形成されている。また側壁部１１の上面には外部端子１４，１６等が形成されている。これらベース集合体は基部１０を構成するセラミック層と、段部１１１を構成するセラミック層と、側壁部１１を構成するセラミック層とを積層し、電極配線用の必要なメタライズ層とともに一体焼成してなる。またメタライズ層上にはメッキ層が形成されている。
【００３９】
図４に示すように、支持電極上にペースト状の導電接合材Ｓを塗布し、その上に電極形成された水晶振動板２を塗布する。また接合強度を向上させたい場合等、必要に応じて水晶振動板の上にさらに導電接合材Ｓを塗布（２度塗布）してもよい。本実施の形態においては２度塗布を行っている。なお導電接合材は例えばシリコーン系樹脂材に銀（Ａｇ）等の導電フィラーを添加したペースト状の接合材であり、塗布後加熱により硬化させる。
【００４０】
水晶振動板の励振電極に対して電極膜厚を増加または減少させることにより周波数調整を行い、その後、図５に示すように、各ベースに各々リッドを搭載する。リッドの外縁部には周状にガラス層３０が予め形成され、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気か真空雰囲気でベースの段部に上記構成のリッドを配置し、キャビティを被覆した状態で加熱を行う。なお、ガラス層３０の幅はリッドを段部に配置した際に、キャビティの内部にはみ出る寸法に設定することにより、前記インナーメニスカス構成を形成しやすくなる。
【００４１】
図６に示すように、前記加熱を行うことによりガラス層３０が溶融しガラスによるろう材３が形成され、表面張力によりインナーメニスカス構成３１ａが形成される。なお、リッドが段部に固定された状態でリッド上面がベースの外部端子の上面より下の位置にある必要がある。これを実現するためにリッドの厚さは段部の深さ寸法より小さく設定され、さらにはリッドとろう材の合計厚さが段部の深さ寸法より小さく設定されていることが必要となる。なお、外部端子を厚肉にすることにより、リッド上面がベースの外部端子の上面より下方に位置させることも可能である。
【００４２】
次に図７に示すように、ベースの上面に回路素子であるＩＣ４を搭載する。ベース上面には搭載電極４１が複数形成され、ＩＣ４を当該搭載電極にフリップチップボンディングにより接合を行う。フリップチップボンディングを行うにあたっては、搭載電極の表面およびＩＣ４の接続電極上面には金（Ａｕ）層を形成することにより、接合をスムーズに行うことができる。
【００４３】
図８に示すように、ＩＣ４をキャップで被覆する。キャップは金属製であり、外周部分に形成されたフランジ部分を接合材でベースに接合する。その後、図８に記載した切断線Ｌでダイシングにより分離して、個別の圧電振動デバイスを得る。
【００４４】
次に本発明による第２の実施の形態を圧電振動デバイスとして表面実装型水晶発振器を例にとり図９および図１０とともに説明する。
【００４５】
第２の実施形態で示す表面実装型水晶発振器は、基本的な構成は第１の実施形態と類似するが、水晶振動板の構成および支持構成、外部端子の構成および回路素子の構成が異なっている。
【００４６】
ベース６はその内外部に金属膜からなる配線が施されたアルミナ等のセラミックスからなり、全体として外形が直方体形状で、下方に開口したキャビティＣを有している。ベース６は基部６０のセラミックからなる層と、側壁部６１のセラミックからなる層からなり、また側壁部６１の層の下側には段部６１１のセラミックからなる層を有している。図９において基部６０の下方表面（キャビティの底面）には一対の支持電極６２，６３が長辺の両端部分に形成されている。段部６１１はキャビティの開口から一定の深さ寸法を隔ててキャビティ内部に矩形の周状に形成された構成であり、段部６１１は平坦な上面を有し、当該上面に後述のリッド３が保持される。側壁部６１の下方（キャビティ開口側）６１ａは段部より薄い側壁構成である。図１０に示すように側壁部の下面であって、４つの角には外部端子６４，６５，６６，６７が形成され、また各角部には各々角部が切り欠かれたキャスタレーション６４ａ，６５ａ，６６ａ，６７ａが形成されている。なお、外部端子はこれらキャスタレーションを介して角部の側壁に一部伸長している。また各外部端子はキャビティの角部外側に接した切り欠き領域を有するＬ字形状（Ｌ字の内側の角部が前記キャビティに臨んだ構成）である。
【００４７】
図９においてベース６の上面（開口の反対側）は、平坦な平面を有し、その中央部分に複数の搭載電極４２が形成されている。これら搭載電極４２は後述する回路素子との接続電極となる。
【００４８】
なお、前述の支持電極６２，６３、外部端子６４乃至６７，および搭載電極４２はそれぞれ複数層の金属膜からなり、例えばベースのセラミックス表面にタングステン（Ｗ）がメタライズ技術により形成され、タングステンの上面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）の順でメッキ技術により形成されている。
【００４９】
水晶振動板２はＡＴカット水晶板からなり、平面で見て長辺と短辺を有する矩形形状であり、水晶振動板２の表裏面には矩形状の励振電極２３，２４が対向して形成されており、各々引出電極２３ａ，２４ａにより水晶振動板の両短辺に引き出されている。また水晶振動板２は導電性接合材Ｓにより、前記引出電極各々と支持電極６２，６３が導電接合され、両短辺をそれぞれ保持する両持ち状態で、ベースのキャビティの内底面にほぼ平行な状態で支持されている。
【００５０】
リッド３はアルミナ等のセラミックからなる平板からなり、長辺と短辺を有する矩形形状で、前記段部の上面にリッドの外縁部分が対応して搭載できる外形サイズに設定されている。またリッド３の厚さは前記段部の深さ寸法より小さく形成されている。なおリッド３はコバール等のコア材にニッケル（Ｎｉ）メッキを行った金属板を用いてもよい。またリッドの外縁部を除く部分を薄肉化してもよい。このような構成により水晶振動板の収納空間を増加させることができる。
【００５１】
リッド３の外縁部分には周状にろう材３１が形成され、当該ろう材３１により段部６１１の上面と気密的に接合されている。本実施の形態においてろう材３１は低融点ガラス材からなり、接合時には図９に示すようにキャビティＣの内部に一部はみ出た状態でメニスカス３１ａが形成された、インナーメニスカス構造を有している。なお、リッドで気密封止されたキャビティは、不活性ガス雰囲気または真空雰囲気に保たれ、これにより水晶振動板を外気から遮断し、特性を安定化させている。なお、リッドと段部の接合を金属ろう材で行ってもよい。
【００５２】
回路素子としての発振回路用のＩＣ４は、ＩＣ素子がリードフレーム４３に搭載され、絶縁性樹脂４４で被覆されたモジュール構成である。ＩＣ素子が金属製のリードフレーム４３にフリップチップボンディングやワイヤボンディング、ダイボンディングにより電気的かつ機械的に接続され、ＩＣ素子表面を絶縁性樹脂４４によりモールドされている。なお、リードフレーム４３に搭載される回路素子は、ＩＣ素子以外に他の回路素子やセンサ素子を単独または複数搭載してもよい。
【００５３】
またＩＣ４は前述の搭載電極にフリップチップボンディング法により電気的及び機械的に接合されているが、これに限らず半田ろう接合等を用いてもよい。
【００５４】
以上の構成により、第１の実施形態における作用に加えて、水晶振動板が両持ち支持されるので耐衝撃性が向上し、絶縁性樹脂に被覆された回路素子構成であるので取扱が簡便であり、生産性向上に寄与する。
【００５５】
なお、上記各実施の形態において、圧電振動板としてＡＴカットの水晶振動板を例示したが、これに限定されるものではなく、ＳＣカット水晶振動板や音叉型水晶振動板、または他の種類の圧電振動板を用いてもよい。
【００５６】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
機能部品付き圧電振動子や圧電発振器の量産に適用できる。
【符号の説明】
【００５８】
１、６  ベース
１０  基部
１１  側壁部
１１１  段部
２  水晶振動板（圧電振動板）
３  リッド
３１  ろう材
３１ａ  インナーメニスカス構成
４  回路素子（ＩＣ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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