(57)【要約】【課題】材料・プロセスの点で好適となった電界効果トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、チャネル層およびゲート絶縁層を少なくとも有する電界効果トランジスタの製造方法であって、金属塩、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物を用いてチャネル層を形成し、かかるチャネル層の形成に際して、酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下で金属塩含有組成物を加熱処理することを特徴とする、電界効果トランジスタの製造方法。【選択図】図２
2013175648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、チャネル層およびゲート絶縁層を有して成る電界効果トランジスタの製造方法であって、
金属塩、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物を用いて前記チャネル層を形成し、
前記チャネル層の形成に際して、酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下で前記金属塩含有組成物を加熱処理することを特徴とする、電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記雰囲気ガスにおける前記酸素ガスの濃度を１〜１００００ｐｐｍとすることを特徴とする、請求項１に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記雰囲気ガスを流通させた状態で前記金属塩含有組成物の前記加熱処理を行うことを特徴とする、請求項１または２に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項４】
管状炉を用いて前記加熱処理を行っており、該加熱処理に際しては前記雰囲気ガスを該管状炉内に流通させることを特徴とする、請求項３に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項５】
加熱炉を用いて前記加熱処理を行っており、該加熱処理に際しては該加熱炉内を陽圧にすることを特徴とする、請求項１または２に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記雰囲気ガスにおける前記不活性ガスが、窒素ガス、ヘリウム、ネオンおよびアルゴンから成る群から選択される１種以上のガスであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項７】
２００℃〜６００℃の温度で前記金属塩含有組成物の前記加熱処理を行うことを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記金属塩含有組成物に含まれる金属塩が、硝酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩、ハロゲン化物、アルコキシドおよびアセチルアセトン塩から成る群から選択される１種以上であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記金属塩含有組成物に含まれる前記金属塩が、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎから成る群から選択される１種以上の金属の塩であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記金属塩含有組成物に含まれる前記水の含有量が、該組成物基準で０．０５〜５０重量％であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
（ｉ）基板上にゲート電極を形成する工程、
（ｉｉ）前記ゲート電極を覆うように前記基板上に前記ゲート絶縁層を形成する工程、
（ｉｉｉ）前記金属塩含有組成物を前記ゲート絶縁層の上に供してチャネル前駆体層を形成し、該チャネル前駆体層を加熱してチャネル層を形成する工程、ならびに
（ｉｖ）前記チャネル層と接するように前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程
を含んで成り、
前記工程（ｉｉｉ）では、前記雰囲気ガス下で前記チャネル前駆体層の加熱処理を行うことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
（ｉ）’金属箔を用意する工程、
（ｉｉ）’前記金属箔上に前記ゲート絶縁層を形成する工程、
（ｉｉｉ）’ 前記金属塩含有組成物を前記ゲート絶縁層の上に供してチャネル前駆体層を形成し、該チャネル前駆体層を加熱してチャネル層を形成する工程、
（ｉｖ）’前記チャネル層と接するように前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程、
（ｖ）’前記チャネル層、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うように封止層を形成する工程、ならびに
（ｖｉ）’前記金属箔をエッチングして前記ゲート電極を形成する工程
を含んで成り、
前記工程（ｉｉｉ）’では、前記雰囲気ガス下で前記チャネル前駆体層の加熱処理を行うことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の製造方法で得られる電界効果トランジスタであって、
チャネル層、
ゲート電極、
前記チャネル層と前記ゲート電極との間に少なくとも位置するゲート絶縁層、および
前記チャネル層に接して配置されたソース電極およびドレイン電極
を有して成り、
前記チャネル層が金属酸化物を含んで成り、該金属酸化物が前記雰囲気ガス下の加熱によって前記金属塩含有組成物から形成された酸化物であって、前記チャネル層のキャリア濃度が１０１６／ｃｍ３〜１０１８／ｃｍ３となっていることを特徴とする、電界効果トランジスタ。
【請求項１４】
前記チャネル層における表面の算術平均粗さＲａが１０ｎｍ以下となっていることを特徴とする、請求項１３に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１５】
前記金属酸化物が、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎから成る群から選択される１種以上の金属を含んで成る金属酸化物であることを特徴とする、請求項９に従属する請求項１３または１４に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１６】
前記金属酸化物がアモルファス酸化物であることを特徴とする、請求項１３〜１５のいずれかに記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１７】
前記電界効果トランジスタが薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であることを特徴とする、請求項１３〜１６のいずれかに記載の電界効果トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界効果トランジスタおよびその製造方法に関する。より詳細には、本発明は、ＴＦＴとして用いることができる電界効果トランジスタおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報端末の普及に伴い、コンピュータ用のディスプレイとしてフラットパネルディスプレイに対するニーズが高まっている。フラットパネルディスプレイにおいては、一般に、液晶、有機ＥＬ（有機エレクトロルミネッセンス）、電気泳動等を利用した素子を用いて表示媒体を形成している。こうした表示媒体では画面輝度の均一性や画面書き換え速度等を確保するために、画像駆動素子としてアクティブ駆動素子（例えばＴＦＴ素子などの電界効果トランジスタ）を用いる技術が主流となっている。ＴＦＴは、“Thin Film Transistor”の略であって薄膜トランジスタとも称されるものである。例えば、通常のコンピュータディスプレイでは基板上にＴＦＴ素子を形成し、液晶、有機ＥＬ素子等が封止されている。
【０００３】
ここで、ＴＦＴ素子においては主にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等の半導体を用いることが主流となっているものの、ａ−Ｓｉの移動度が０．５程度と高くないため、ディスプレイの大面積化・高速駆動化の流れに対しては対応が困難になりつつある。
【０００４】
こうした状況の中、高特性で比較的簡便に作製できる半導体として、金属酸化物半導体が注目されている。かかる半導体の製造法としては、スパッタ法またはＡＬＤ法といった真空プロセスや、印刷技術を用いた溶液法などが考えられるものの、酸化物半導体の製造法としてはスパッタ法を用いるものが主流となってきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特願２０１０−２９０５１６
【特許文献２】特開２０１１−７７５１４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
スパッタ法などの真空プロセスは、当然ながら“真空装置”を必要とするが、その真空装置自体が比較的高価なものである。また、ＴＦＴのチャネル層となる金属酸化物半導体層の形成（特に「印刷技術を用いた溶液法により形成を行うプロセス」）では、高温かつ酸化性雰囲気が一般的に必要とされるので、基板、電極およびゲート絶縁材料などに耐熱性と耐酸化性とが要求される。つまり、基板、絶縁膜および電極材料といった他のＴＦＴ要素が材料選択の点で制限されてしまう。
【０００７】
一方で、チャネル層として金属酸化物層を形成したとしても、その金属酸化物層の酸化が不十分であると、閾値電圧がシフトしやすい。かかる場合、ゲート電圧が０Ｖでもソース電極とドレイン電極との間に電流が流れる、いわゆる“ノーマリーオン”となってしまう（図２５参照）。ゲート電圧を印加しない状態でもチャネルが形成されてドレイン電流が流れるトランジスタは、回路に用いる薄膜トランジスタとして適していない。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みたものである。つまり、本願発明の主たる課題は、薄膜トランジスタなどの電界効果トランジスタにおけるチャネル層を好適なプロセスで形成できる製造方法を提供することであり、また、それに伴って安定で高性能な電界効果トランジスタ（特に“ノーマリーオン”が防止された電界効果トランジスタ）を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明では、
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、チャネル層およびゲート絶縁層を少なくとも有する電界効果トランジスタの製造方法であって、
金属塩、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物からチャネル層を形成し、かかるチャネル層の形成に際して、酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下で金属塩含有組成物を加熱処理することを特徴とする、電界効果トランジスタの製造方法が提供される。
【００１０】
本発明の特徴の１つは、電界効果トランジスタのチャネル層形成において、「金属塩、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物」を用いると共に、かかる金属塩含有組成物を“酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下”にて加熱処理することである。
【００１１】
本明細書において「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス」とは、その名の通り、酸素ガスと不活性ガスとを含んだガスのことを意味している。しかしながら、不可避的又は偶発的に含まれ得る極微量な不純物の混入を排除するものでなく、それゆえに、本発明において“雰囲気ガス”とは、不可避的又は偶発的に含まれた極微量な不純物ガスも場合によっては含み得る。
【００１２】
また、本明細書において「電界効果トランジスタ」とは、電流通路（チャネル）のコンダクタンスをゲート電極からの電界によって制御するトランジスタのことを意味している。かかる電界効果トランジスタの１つを例示すれば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を挙げることができる。
【００１３】
ある好適な態様では、雰囲気ガスの酸素ガス濃度を約１ｐｐｍ〜約１００００ｐｐｍとする。つまり、不活性ガス中に酸素ガスが微量含まれた“実質的に不活性ガスの雰囲気下”において金属塩含有組成物の加熱処理を行う。
【００１４】
別のある好適な態様では、雰囲気ガスを流通させた状態で金属塩含有組成物の加熱処理を行う。つまり、金属塩含有組成物に対して「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成るガス」を流しながら、金属塩含有組成物の加熱処理を行う。かかる態様では、管状炉を用いて加熱処理を行うことが好ましい。この場合、金属塩含有組成物の加熱処理に際して「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成るガス」を管状炉内に流通させることが好ましい。
【００１５】
更に別のある好適な態様では、金属塩含有組成物の加熱処理を陽圧条件で行う。例えば、加熱チャンバーなどの加熱炉を用いて金属塩含有組成物の加熱処理を行う場合、加熱炉内を陽圧条件にする。
【００１６】
雰囲気ガスに含まれる不活性ガスは、窒素ガスおよび／または希ガスであることが好ましい。より具体的にいえば、不活性ガスは、窒素ガス、ヘリウム、ネオンおよびアルゴンから成る群から選択される１種以上のガスであることが好ましい。
【００１７】
ある好適な態様では、約２００℃〜約６００℃の温度で金属塩含有組成物の加熱処理を行う。換言すれば、酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下にて約２００℃〜約６００℃の加熱温度で金属塩含有組成物を焼成処理に付す。
【００１８】
金属塩含有組成物に含まれる金属塩は、硝酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩、ハロゲン化物、アルコキシドおよびアセチルアセトン塩から成る群から選択される１種以上の塩形態であってよく、好ましくは、硝酸塩である。
【００１９】
かかる硝酸塩に起因する金属塩は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、ＳｎおよびＳｂから成る群から選択される１種以上の金属の塩となっていてよい。好ましくは、金属塩含有組成物に含まれる金属塩は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎから選択される１種以上の金属の塩を含んで成る。
【００２０】
金属塩含有組成物中の「水」（または「水分」）は、組成物全体基準で０．０５〜５０重量％の含有率となっていることが好ましい。
【００２１】
本発明の製造方法は、以下の工程（ｉ）〜（ｉｖ）を有し得る：
（ｉ）基板上にゲート電極を形成する工程、
（ｉｉ）ゲート電極を覆うように基板上にゲート絶縁層を形成する工程、
（ｉｉｉ）ゲート絶縁層の上に「金属塩、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物」を供してチャネル前駆体層を形成し、かかるチャネル前駆体層を「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下」で加熱してチャネル層を形成する工程、ならびに
（ｉｖ）チャネル層と接するようにソース電極およびドレイン電極を形成する工程。
【００２２】
また、別の好適な形態では本発明の製造方法は、以下の工程（ｉ）’〜（ｖｉ）’を有し得る：
（ｉ）’金属箔を用意する工程、
（ｉｉ）’金属箔上にゲート絶縁層を形成する工程、
（ｉｉｉ）’ゲート絶縁層上に「金属塩、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物」を供してチャネル前駆体層を形成し、そのチャネル前駆体層を「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下」で加熱してチャネル層を形成する工程、
（ｉｖ）’チャネル層と接するようにソース電極およびドレイン電極を形成する工程、
（ｖ）’チャネル層、ソース電極およびドレイン電極を覆うように封止層を形成する工程、ならびに
（ｖｉ）’金属箔をエッチングしてゲート電極を形成する工程。
【００２３】
本発明では、上記製造方法によって得ることができる電界効果トランジスタも提供される。かかる本発明の電界効果トランジスタは、
チャネル層、
ゲート電極、
チャネル層とゲート電極との間に少なくとも位置するゲート絶縁層、および
チャネル層に接して配置されたソース電極およびドレイン電極
を有して成り、
チャネル層が金属酸化物を含んで成り、その金属酸化物が「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下の加熱」によって「金属塩、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物」から形成された酸化物となっており、かつ、チャネル層のキャリア濃度が約１０１６／ｃｍ３〜約１０１８／ｃｍ３となっていることを特徴としている。
【００２４】
本発明の電界効果トランジスタでは、金属酸化物のキャリア濃度が約１０１６／ｃｍ３〜約１０１８／ｃｍ３となっていることから、“ノーマリーオフ”に資するチャネル層が供されている。
【００２５】
本明細書において「チャネル層とゲート電極との間に少なくとも位置するゲート絶縁層」とは、ゲート絶縁膜の少なくも一部がチャネル層とゲート電極との間に存在している態様を実質的に意味している（図１参照）
【００２６】
ある好適な態様では、チャネル層における表面の算術平均粗さＲａが約１０ｎｍ以下、好ましくは約５ｎｍ以下、更に好ましくは約１ｎｍ以下となっている。即ち、チャネル層における表面（図面における上側表面）の算術平均粗さＲａは０（０を除く）〜約１０ｎｍ、好ましくは０（０を除く）〜約５ｎｍ、更に好ましくは０（０を除く）〜約１ｎｍとなっており、チャネル層が実質的に平坦となっている。
【００２７】
別のある好適な態様では、チャネル層の金属酸化物がアモルファス酸化物となっている。また、あくまでも原料組成物の金属塩に依存することになるが、チャネル層の金属酸化物はＩｎ、ＧａおよびＺｎから成る群から選択される１種以上の金属の酸化物となっている。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の製造方法に従えば、チャネル層原料として「金属塩、有機溶媒および水を含んで成るペースト状の金属塩含有組成物」を用いるので、かかるペースト原料を塗布・印刷して加熱することを通じてチャネル層の形成を行うことができる。これは、電界効果トランジスタを簡便なプロセスによって作製できることを意味しており、それゆえに、生産性が向上して低コスト化につながる。
【００２９】
特に本発明においては、「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス」を用いて金属塩含有組成物を加熱しており、これによって、緻密かつ安定なチャネル層を得ることができる。また、従来の溶液法での材料に求められていた耐酸化性は必要なくなり、たとえば銅といった“酸化に弱い材料”を薄膜トランジスタの製造に積極的に用いることができる。
【００３０】
更に本発明においては、“ノーマリーオフ”となる金属酸化物膜のチャネル層を結果的に得ることができる。一般的には「不活性雰囲気下の加熱は金属酸化物の酸化状態が不十分となって閾値電圧がシフトしやすくなる」と考えられるところ、本発明では、“実質的に不活性ガスとみなせる雰囲気”の条件であっても“ノーマリーオフ”となるチャネル層を得ることができる。つまり、本発明では、「金属塩、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物」を“みなし不活性ガス”の雰囲気中で加熱処理するといったプロセスを通じて安定で高特性な薄膜トランジスタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１実施形態における薄膜トランジスタの構造を示す断面図
【図２】本発明における「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下の金属塩含有組成物の加熱」の一例（管状炉を用いる態様）を表した模式図
【図３】本発明における「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下の金属塩含有組成物の加熱」の一例（加熱チャンバーを用いる態様）を表した模式図
【図４】本発明の第１実施形態における薄膜トランジスタの製造工程を示す工程断面図
【図５】本発明の第１実施形態における薄膜トランジスタの別の製造工程を示す工程断面図
【図６】本発明の第２実施形態における薄膜トランジスタの構造を示す断面図
【図７】本発明の第２実施形態における薄膜トランジスタの製造工程を示す工程断面図
【図８】本発明の第３実施形態における薄膜トランジスタの構造を示す断面図
【図９】本発明の第３実施形態における薄膜トランジスタの製造工程を示す工程断面図
【図１０】画像表示装置の全体外観を示す外観斜視図
【図１１】本発明の変更形態における薄膜トランジスタの構造
【図１２】本発明の変更形態における薄膜トランジスタの構造
【図１３】本発明の変更形態における薄膜トランジスタの構造
【図１４】ＡＦＭによる膜表面観察の結果
【図１５】算術平均粗さＲａの説明図
【図１６】Ｘ線反射率測定結果のグラフ図
【図１７】トランジスタ特性の確認試験の説明図
【図１８】トランジスタ特性の確認試験の結果のグラフ図
【図１９】電界効果トランジスタの製品適用例（テレビ画像表示部）を示した模式図
【図２０】電界効果トランジスタの製品適用例（携帯電話の画像表示部）を示した模式図
【図２１】電界効果トランジスタの製品適用例（モバイル・パソコンまたはノート・パソコンの画像表示部）を示した模式図
【図２２】電界効果トランジスタの製品適用例（デジタルスチルカメラの画像表示部）を示した模式図
【図２３】電界効果トランジスタの製品適用例（カムコーダーの画像表示部）を示した模式図
【図２４】電界効果トランジスタの製品適用例（電子ペーパーの画像表示部）を表した模式図
【図２５】“ノーマリーオン”を説明するためのグラフ（従来技術）
【発明を実施するための形態】
【００３２】
次に、図面を参照しながら、本発明の電界効果トランジスタの製造方法について説明する。また、かかる製造方法の説明に付随させる形で電界効果トランジスタについても説明を行う。
【００３３】
《金属塩含有組成物》
本発明の製造方法は、ゲート電極２０、ソース電極４０、ドレイン電極５０、チャネル層１０およびゲート絶縁層３０を有して成る電界効果トランジスタ１００（図１参照）の製造方法である。かかる本発明の製造方法では、金属塩、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物を酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下で加熱処理し、それによって、金属塩含有組成物から電界効果トランジスタのチャネル層を形成している。
【００３４】
雰囲気ガス中の酸素ガス濃度は、好ましくは約１ｐｐｍ〜約１００００ｐｐｍ、より好ましくは約２ｐｐｍ〜約１０００ｐｐｍ、さらに好ましく約３ｐｐｍ〜約１５０ｐｐｍである（例えば、３〜１００ｐｐｍ、４〜２０ｐｐｍあるいは６〜１５ｐｐｍであり得る）。このように雰囲気ガスの酸素濃度が低いので、本発明で用いる雰囲気ガスは“実質的に不活性ガスのガス雰囲気”とみなすことができる。尚、本発明でいう「酸素濃度」／「酸素ガス濃度」とは、例えば、ジルコニア式酸素濃度計「ＳＡ２５ＮＷ／ＬＤ−３００（東レエンジニアリング株式会社製）」を用いて測定することによって得られる値のことを意味している。
【００３５】
雰囲気ガスには、水、水素などが含まれないことが好ましい。不活性ガスと酸素ガスとは予め混合された状態で加熱処理装置に導入してもよいし、あるいは、それらを別々に加熱処理装置に導入してもよい。用いられる不活性ガスとしては、窒素またはヘリウム、ネオンもしくはアルゴン等の希ガスが好ましく、かかる場合、加熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、５Ｎ（９９．９９９％）以上、好ましくは６Ｎ（９９．９９９９％）以上とすることが好ましい。
【００３６】
ここで、本願発明者らは、金属塩、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物を上記雰囲気ガス中で加熱することによりチャネル層を形成した場合、雰囲気ガス中の酸素濃度が小さくなれども、形成されるチャネル層のキャリア濃度の増大は見られず、ＴＦＴ作動時のゲート電圧印加に起因するチャネルの抵抗値だけが小さくなることを見出した。尚、雰囲気ガス中の酸素濃度が小さすぎるとチャネル層（金属酸化物膜）が高抵抗体となり得るので、雰囲気ガス中の酸素ガス濃度の下限値は上記で示した値であることが好ましい。
【００３７】
金属塩含有組成物に含まれる金属塩の種類は、硝酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩、ハロゲン化物、アルコキシドおよびアセチルアセトン塩から成る群から選択される１種以上の塩形態であってよい。不純物残渣成分、プロセス簡易性といった点でいえば、硝酸塩が好ましい。
【００３８】
チャネル層の形成に用いる金属塩含有組成物に含まれる金属塩は、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）、Ｚｎ（亜鉛）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）およびＳｂ（アンチモン）から成る群から選択される１種以上の金属の塩となっていることが好ましい。これらの金属塩の酸化物は、単体あるいは複合酸化物となることで半導体になり得るからである。
【００３９】
特にチャネル層形成についていえば、金属塩含有組成物に含まれる金属塩がＩｎ、ＧａおよびＺｎ（亜鉛）を少なくとも含んで成る塩であることが好ましい。これらの金属塩の酸化物は移動度や安定性の点で電界効果トランジスタ（例えば薄膜トランジスタ）にとって好適となり得るからである。
【００４０】
金属塩含有組成物中の金属塩の含有量（濃度）は、金属塩自体が溶媒中に溶解するものであれば特に制限はなく、形成される金属酸化物膜の厚さなどに応じて適宜調整することができる。例えば、金属塩含有組成物中の金属塩の含有量（濃度）は約０．００５ｍｏｌ／Ｌ〜約１ｍｏｌ／Ｌの範囲であってよい（室温下の組成物全体基準）。
【００４１】
特に、Ｚｎを含む塩、Ｉｎを含む塩およびＧａを含む塩を含んで成る組成物をチャネル層形成に用いる場合、それぞれ等モルずつ用いてよく、例えば各０．０１〜０．５ｍｏｌ／Ｌ程度、好ましくは各０．０５〜０．１５ｍｏｌ／Ｌ程度（一例を挙げれば約０．１ｍｏｌ／Ｌ）の濃度であってよい（室温下の組成物全体基準）。
【００４２】
金属塩含有組成物に含まれる有機溶媒は、金属塩を安定に溶解できるものであれば特に制限はない。例えば、有機溶媒としては、メタノール、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、３−メトキシメチルブタノール（例えば３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール）、Ｎ−メチルピロリドンおよびテルピネオールなどから成る群から選択される１種以上の有機溶剤であってよい。このような有機溶媒の含有量は、特に制限されるわけではないが、例えば５０〜９０重量％程度、好ましくは６０〜８５重量％程度であってよい（組成物全体基準）。
【００４３】
金属塩含有組成物には水（又は水分）が含まれている。このような水含有量は、組成物全体を基準にして、好ましくは約０．０５重量％〜約５０重量％、より好ましくは約１重量％〜約５０重量％、更に好ましくは約５重量％〜約３０重量％である（例えば、約５重量％〜約２０重量％であってよい）。金属塩含有組成物に含まれている水の形態は、特に制限はなく、いずれの形態であってもかまわない。例えば、典型的には単体形態の水が金属塩含有組成物中に含まれていてよいものの、有機溶媒自体が水を含むものであってもよく、あるいは、金属塩の水和物としての水が含まれていてもよい。いずれの形態を含むにせよ、組成物全体を基準にした水分含有量の総計が上記数値範囲にあることが望ましい。
【００４４】
本発明においては、酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下で金属塩含有組成物の加熱処理を行う。雰囲気ガス下の加熱温度は、好ましくは約２００℃〜約６００℃、より好ましくは約３００℃〜約５００℃である。このような加熱処理を通じて、金属塩含有組成物が焼成に付されることになり、その結果、金属塩含有組成物からチャネル層が得られる。尚、本発明において「加熱温度」とは、加熱の対象となる“金属塩含有組成物”自体の温度を指しているものの、代替的又は簡易的には“雰囲気ガス”自体の温度と捉えてもよく、あるいは、加熱手段の設定温度と捉えてもよい。
【００４５】
雰囲気ガス下の加熱処理は、図２に示すように、雰囲気ガスを流通させた状態で行うことが好ましい。即ち、「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成るガス」を一方から他方へと流す環境下において金属塩含有組成物の加熱処理を行うことが好ましい。あくまでも一例にすぎないが、ガス流れの流量は、好ましくは約０．５ＳＬＭ〜約１００ＳＬＭであり、より好ましくは約１ＳＬＭ〜約５０ＳＬＭ、更に好ましくは約５ＳＬＭ〜約２０ＳＬＭの範囲である（ＳＬＭ：気体の標準状態において１分間に供給したガスの量をリットルで示す単位）。
【００４６】
雰囲気ガスの流通下における加熱では、図２に示すように、管状炉２００を用いることが好ましい。つまり、管状炉２００に対して「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成るガス」を流しながら、その管状炉２００の内部に設けられた金属塩含有組成物を加熱することが好ましい。ここでいう「管状炉」とは、炉が筒形態となっており、一方の炉端部からガスを流し込むことができ、他方の炉端部から供給ガスを排出することができる加熱炉のことを実質的に意味している。このような管状炉を用いると、管周りからの全体的に加熱することができ、均一加熱に資すると共に、連続的なガス供給に起因して金属塩含有組成物の周囲におけるガス成分比（酸素ガス濃度）の変動を少なくすることができる。即ち、管状炉では、“所望の温度”と“所望の濃度”との双方を出しやすい。
【００４７】
また、雰囲気ガス下の加熱処理は、図３に示すように、加熱チャンバー３００などの加熱炉を用いてもよい。かかる場合、加熱炉内が陽圧状態となる条件で金属塩含有組成物を加熱することが好ましい。ここでいう「陽圧」とは、加熱炉の内部空間と、その外部の周辺雰囲気との差圧を実質的に意味している。従って、「陽圧」は、例えば、加熱チャンバー３００の内部空間の圧力と大気圧との差で表わすことができる。あくまでも一例にすぎないが、例えば、加熱炉の内部が０（０を除く）〜約１０ｋＰａの陽圧状態、好ましくは０（０を除く）〜約１ｋＰａの陽圧状態、更に好ましくは０（０を除く）〜約５００Ｐａの陽圧状態となるような雰囲気ガス条件にすることが好ましい。このような“陽圧状態”では、外部からの不純物の混入が防げるので、炉内ガスの成分比（酸素ガス濃度）の変動を防止することができる。尚、“陽圧状態”を保つには、一般に、外部からガスを供給し続けることが好ましく、また、炉内の圧力が必要以上に高くなるのを避けるため必要に応じて加熱炉内のガスを排出することも好ましい。この観点でいうと、上記の『管状炉２００を用いる態様』は『加熱炉３００の内部を陽圧状態する態様』に相当し得るといえる。
【００４８】
本発明に従えば、実質的に不活性ガス雰囲気とみなせる条件下であってもノーマリーオフとなるチャネル層を得ることができる。より具体的な態様でいえば、「ゲート電圧−ドレイン電流の相関グラフにおいて立上電圧が負側へとシフトした特性を呈する“ノーマリーオン”(図２５)」が防止されたチャネル層を得ることができる（後述する図１８も併せて参照のこと）。また、本発明に従って“酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下の加熱”によって得られた金属酸化物は、その後の加熱処理に対する安定性が良いものとなる。つまり、その後の加熱処理の如何によらず、チャネル層としての良好な特性が維持され得る。
【００４９】
《製造プロセス》
第１実施形態
次に、図４（ａ）〜（ｅ）を参照しながら、図１に示す薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１００の製造工程について例示する。
【００５０】
薄膜トランジスタ１００の製造に際しては、まず、工程（ｉ）を実施する。つまり、図４（ａ）に示すように、基板６０上にゲート電極２０を形成する。
【００５１】
基板６０の材質としては、ガラス、アルミナ、ガラス−アルミナ複合材、シリコン、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ステンレス鋼または銅などを挙げることができる。本実施形態は基板６０としてガラス基板を用いる。基板６０の厚さは、好ましくは約５０μｍ〜約１８００μｍの範囲、より好ましくは約２００μｍ〜約８００μｍの範囲（例えば約７００μｍ）である。
【００５２】
ゲート電極２０は基板上の所定の位置に形成される。ゲート電極２０の材質としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）および／または亜鉛（Ｚｎ）等の金属材料、あるいは、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）、酸化イリジウム（ＩｒＯ２）、酸化白金（ＰｔＯ２）などの導電性酸化物などを挙げることができる。ゲート電極の形成方法は、特に制限されるものではなく、常套の電極形成法を採用してよい。例えば、ゲート電極を印刷法・印刷プロセスによって形成してよいし、あるいは、真空蒸着法やスパッタ法などによって形成してもよい。本実施形態としては、マスクを用いたスパッタ法でＩＴＯを成膜することによってゲート電極を形成する。ゲート電極２０の厚さは、好ましくは約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲、より好ましくは約１５ｎｍ〜約５０ｎｍの範囲（例えば約３０ｎｍ）である。
【００５３】
工程（ｉ）に引き続いて工程（ｉｉ）を実施する。つまり、図４（ｂ）に示すように、ゲート電極２０を覆うように基板６０上にゲート絶縁層３０を形成する。
【００５４】
ゲート絶縁層３０は樹脂系または無機絶縁物系の絶縁膜であり得る。樹脂系の絶縁膜としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド（ＰＩ）樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂（ＰＰＯ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）樹脂などから成る膜を挙げることができる。一方、無機絶縁物系の絶縁膜としては、例えば、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５等）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３等）、シリコン酸化物（ＳｉＯ２等）、ゼオライト酸化物（ＺｒＯ２等）、チタン酸化物（ＴｉＯ２等）、イットリウム酸化物（Ｙ２Ｏ３等）、ランタン酸化物（Ｌａ２Ｏ３等）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ２等）などの金属酸化物や、それらの金属の窒化物などから成る膜を挙げることができる。チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）などの誘電体から成る膜を挙げることができる。
【００５５】
ゲート絶縁層３０の形成も印刷法・印刷プロセスによって行ってもよいし、あるいは、真空蒸着法やスパッタ法などを使用してもよい。樹脂系絶縁膜の形成の場合は特に、樹脂材料を媒体に混合させたコーティング剤（感光剤を含むレジストであってもよい）を被形成位置に対して塗布した後で乾燥に付し、熱処理を施して硬化させることによって、ゲート絶縁層３０を形成することができる。一方、無機絶縁物系の場合では、マスクを用いた薄膜形成法（スパッタ法など）などによってゲート絶縁層３０を形成することができる。本実施形態としては、タンタル酸化物膜（Ｔａ２Ｏ５）をスパッタ法で形成してゲート絶縁層３０とする。ゲート絶縁層３０の厚さは、好ましくは約０．１μｍ〜約２μｍの範囲、より好ましくは約０．２μｍ〜約１μｍの範囲（例えば約０．３μｍ）である。
【００５６】
工程（ｉｉ）に引き続いて工程（ｉｉｉ）を実施する。つまり、図４（ｃ）に示すようにゲート絶縁層３０の上に金属塩含有組成物を塗布してチャネル前駆体層１１を形成した後、図４（ｄ）に示すようにチャネル前駆体層１１を加熱処理してチャネル層１０を得る。
【００５７】
金属塩含有組成物は、ペースト形態を有しているので、その塗布方法は、例えば、スプレーコート、スピンコート、スクリーン印刷、グラビアコート、バーコート、ロールコート、ダイコートまたはインクジェットなどの手法を用いることができる。これら塗布方法は、金属塩含有組成物の粘度に応じて適宜選択すればよく、それによって、均一な前駆体層厚さ（即ち均一な膜厚）を形成することができる。チャネル前駆体層１１の厚さは、好ましくは約３０μｍ〜約３００μｍの範囲、より好ましくは約５０μｍ〜約１５０μｍの範囲（例えば約７０μｍ）である。
【００５８】
チャネル前駆体層１１の加熱処理を通じて前駆体層が焼成に付され、それによって、前駆体層１１からチャネル層１０が形成される。かかる加熱処理は、一次加熱工程と二次加熱工程との２段階で行うことが好ましい。一次加熱工程は、チャネル前駆体層（即ち、塗布された金属塩含有組成物）の乾燥処理を主に意図している一方、二次加熱工程は、前駆体層の実質的な焼成処理を主に意図している。本発明においては、少なくとも、チャネル前駆体層の二次加熱工程を“酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下”で実施することが好ましい。
【００５９】
具体的には、一次加熱工程としてチャネル前駆体１１の乾燥処理を約１００℃〜約２００℃の温度で１〜１５分程度行った後、二次加熱工程として焼成処理を約２００℃〜約６００℃（より好ましくは約３００℃〜約５００℃）の温度で約１０〜約１２０分程度行うことが好ましい。一次加熱工程を経ずに約４００℃以上の加熱処理を行うと、得られる金属酸化物膜が不均一になり易く、斑状痕などが発生し易くなるからである。このような“不均一”が生じると、薄膜トランジスタの特性が安定し得ず、実用価値が損なわれてしまう。
【００６０】
一次加熱工程の温度は、金属塩含有組成物に含まれる有機溶媒の種類に応じて適宜選択すればよいが、金属塩含有組成物には水分が含まれるので、その観点から約１００℃以上であることが好ましい。一方、一次加熱工程の温度が必要以上に高くなると一次加熱工程後に形成される中間酸化物膜が均一になりにくいので、その観点から一次加熱工程の上限温度は２００℃であることが好ましい。
【００６１】
一次加熱工程の雰囲気ガスは特に制限されず、また、一次加熱工程の圧力条件も特に制限されない。それゆえに、一次加熱は例えば大気圧条件下で行ってよい。
【００６２】
一次加熱工程の加熱手段としては、例えば加熱炉を用いてよく、かかる加熱炉内に「ゲート電極２０、ゲート絶縁層３０およびチャネル前駆体層１１を備えた基板６０」を供すことによって、チャネル前駆体層を全体的に加熱処理することができる。
【００６３】
一次加熱工程で乾燥処理を行った後、二次加熱工程として焼成処理を実施する。本発明では、少なくとも二次加熱工程を「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下」において行う。より具体的には、「不活性ガス中の酸素ガス濃度が好ましくは１〜１００００ｐｐｍ程度、より好ましくは２〜１０００ｐｐｍ程度、さらに好ましく３〜１５０ｐｐｍ程度（例えば、３〜１００ｐｐｍ、４〜２０ｐｐｍあるいは６〜１５ｐｐｍ程度）となる略不活性ガスの雰囲気下」において乾燥後のチャネル前駆体層を加熱処理に付す。
【００６４】
二次加熱工程の温度は、金属酸化物膜の形成を促進させるものであるが、必要以上に温度が低くなると金属酸化物膜中にて残渣が多くなり、チャネル層の半導体特性が低下し易くなるので、その観点から約２００℃以上であることが好ましい。一方、二次加熱工程の上限温度については、基板６０の耐熱温度や金属酸化物膜の性質によって適宜決定すればよい。例えば基板としてガラス基板を用いた場合では５００℃程度が二次加熱工程の上限温度となり得る。また、耐熱性の高い基板を用いた場合であっても、約６００℃を超えると金属酸化物膜（例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系アモルファス金属酸化物膜など）が結晶化して信頼性を低下させ得るので、その観点から二次加熱工程の上限温度は約６００℃であることが好ましい。
【００６５】
また、二次加熱工程では、上述したような管状炉２００（図２）を用いてもよく、かかる管状炉２００内に電界効果トランジスタ前駆体１００’、即ち、「ゲート電極２０、ゲート絶縁層３０およびチャネル前駆体層１１を備えた基板６０」を供すことによって、チャネル前駆体層１１を加熱処理に付してよい。かかる場合、管状炉内へと流すガスの流量は、例えば、５ＳＬＭ〜２０ＳＬＭ程度であってもよい。また、二次加熱工程では、図３に示すような加熱チャンバー３００を用いてもよく、かかる加熱チャンバー３００内に電界効果トランジスタ前駆体１００’、即ち、「ゲート電極２０、ゲート絶縁層３０およびチャネル前駆体層１１を備えた基板６０」を供すことによって、チャネル前駆体層１１を加熱処理することができる。
【００６６】
工程（ｉｉｉ）の加熱処理によってチャネル前駆体層１１が焼成に付されることになり、その結果、チャネル前駆体層１１からチャネル層１０が形成される。最終的に得られるチャネル層１０の厚さは、好ましくは約８ｎｍ〜約５０ｎｍの範囲、より好ましくは約１０ｎｍ〜約２０ｎｍの範囲（例えば約１５ｎｍ）となり得る。
【００６７】
尚、工程（ｉｉｉ）におけるチャネル前駆体層の加熱処理（特に“二次加熱”）は、上述のような焼成以外にも、レーザー照射による焼成も可能である。
【００６８】
工程（ｉｉｉ）に引き続いて工程（ｉｖ）を実施する。つまり、図４（ｅ）に示すようにチャネル層１０に接するようにソース電極４０およびドレイン電極５０を形成する。ソース電極・ドレイン電極の材料としては、良好な導電性を持つ金属が好ましく、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）などを使用することができる。ソース電極４０およびドレイン電極５０の形成も、特に制限されるものではなく、常套の電極形成法を採用してよい。即ち、ソース電極およびドレイン電極の形成を印刷法・印刷プロセスによって行ってよいし、あるいは、真空蒸着法やスパッタ法などを使用してもよい。本実施形態としては、真空蒸着法を実施することによってアルミ電極を形成することによってソース電極・ドレイン電極を得る。ソース電極４０およびドレイン電極５０の各厚さは、好ましくは約０．０２μｍ〜約１０μｍの範囲、より好ましくは約０．０３μｍ〜約１μｍの範囲（例えば約０．１μｍ）である。
【００６９】
ソース電極・ドレイン電極の形成後、必要に応じてチャネル層の封止工程や配線層の形成などを行う。
【００７０】
以上のような工程（ｉ）〜（ｉｖ）を経ることによって、図４（ｅ）ないしは図１に示すような薄膜トランジスタ１００を得ることができる。このような製造プロセスでは、チャネル層１０を構成する「金属酸化物から成る半導体膜」を雰囲気ガス中の加熱によって形成する。それゆえ、チャネル形成に高価な真空装置などを用いずに低コストで高性能な薄膜トランジスタを得ることができ、かつ基板、電極および絶縁層などの材料選択は大きく制限されない。
【００７１】
得られた薄膜トランジスタ１００は、図１に示すように、チャネル層１０、ゲート電極２０、チャネル層１０とゲート電極２０との間に少なくとも位置するゲート絶縁層３０、および、チャネル層１０に接して配置されたソース電極４０およびドレイン電極５０を有して成っている。かかる薄膜トランジスタ１００では、チャネル層１０が金属酸化物から成っており、この金属酸化物が上述の金属塩含有組成物から形成された酸化物となっている。上記金属塩含有組成物から上記雰囲気ガス下の加熱により形成されたことに特に起因して、チャネル層１０では実質的にキャリア濃度が安定したものとなっている。チャネル層１０のキャリア濃度は１０１６ｃｍ−３以上かつ１０１８ｃｍ−３以下、好ましくは１０１７ｃｍ−３以上かつ１０１８ｃｍ−３以下となっている（その結果、オフ電流が小さく薄膜トランジスタとして好適になっている。ちなみに、“実質的に不活性ガス下の加熱”でない従来技術製法で得られるチャネル層のキャリア濃度は概ね１０２２ｃｍ−３である）。更に、薄膜トランジスタ１００では、チャネル層１０の金属酸化物が好ましくはアモルファス酸化物となっている。
【００７２】
本発明では、例えばＩｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）およびＺｎ（亜鉛）から成る群から選択される１種以上の金属の塩を含んで成る金属塩含有組成物を用いてチャネル層を形成した場合、得られたチャネル層１０がＩｎ、Ｇａおよび／またはＺｎを含んで成る金属酸化物から成る膜形態を有している。ここで特にチャネル層がＩｎ、ＧａおよびＺｎを含んだ金属酸化物から成る膜形態を有している場合、チャネル層１０の密度が４．０〜５．５ｇ／ｃｍ３程度、例えば４．３〜４．８ｇ／ｃｍ３程度となり得る（膜厚さ１０ｎｍ〜４０ｎｍ程度）。また、チャネル層１０の平坦性は向上したものとなり得、例えばチャネル層表面の算術平均粗さＲａが約１０ｎｍ以下、好ましくは約５ｎｍ以下、更に好ましくは約１ｎｍ以下（例えば約０．５ｎｍ以下）となっている。
【００７３】
第１実施形態の変更態様
次に、図５（ａ）〜（ｅ）を参照して、第１実施形態の薄膜トランジスタの製造方法につき変更態様を説明する。尚、上述した製造プロセスと同様の点については説明を省略する。
【００７４】
まず、図５（ａ）に示すように、基板６０上にゲート電極２０およびゲート絶縁層３０を形成する。
【００７５】
次いで、図５（ｂ）に示すように、ゲート絶縁層３０の略全体に及ぶように金属塩含有組成物を塗布してチャネル前駆体層１１を形成する。引き続いて、図５（ｃ）に示すように、チャネル前駆体層１１を加熱処理して、その前駆体層１１から金属酸化物膜１２を形成する。より具体的には、「金属塩、有機溶媒および水を含んだ金属塩含有組成物」を「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下」で加熱する工程を通じてチャネル層１０を形成する（かかる工程は、上記「第１実施形態」で説明した態様で実施できる）。
【００７６】
次いで、図５（ｄ）に示すように、金属酸化物膜１２を部分的に除去し、ゲート電極２０に対向する位置にチャネル層１０を形成する。かかる金属酸化物膜の部分的な除去は、例えば、ドライエッチングまたはウエットエッチングにより実施できる。
【００７７】
最後に、図５（ｅ）に示すように、チャネル層１０と接するようにソース電極４０およびドレイン電極５０を形成することによって薄膜トランジスタ１００を完成させる。
【００７８】
第２実施形態
次に、図７（ａ）〜（ｆ）を参照しながら、図６に示すような薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１００の製造プロセスについて例示する。かかる製造プロセスは[発明の概要]で説明した工程（ｉ）’〜（ｖｉ）’に相当するものである。上述した製造プロセスと同様の点については説明を省略する。
【００７９】
まず、工程（ｉ）’として金属箔９０を用意し、次いで、工程（ｉｉ）’として金属箔９０の上にゲート絶縁層３０を形成する（図７（ａ）参照）。
【００８０】
金属箔９０は、ゲート絶縁層３０やチャネル層１０を支持する部材として機能するものの、最終的には電極材料として利用される。それゆえ、金属箔９０を構成する金属としては、導電性を有し且つ融点が比較的高い金属が好ましく、例えば、銅（Ｃｕ、融点：１０８３℃）、ニッケル（Ｎｉ、融点：１４５３℃）、アルミニウム（Ａｌ、融点：６６０℃）、ステンレス（ＳＵＳ）を使用することができる。
【００８１】
ゲート絶縁層３０は、実施形態１と同様の手法で形成することができる。つまり、マスクを用いた薄膜形成法（スパッタ法など）などによってゲート絶縁層３０を形成してもよいし、あるいは、ゲート絶縁層用の金属塩含有組成物の塗布・加熱処理によってゲート絶縁層３０を形成してもよい。
【００８２】
工程（ｉｉ）’に引き続いて工程（ｉｉｉ）’を実施する。つまり、図７（ｂ）に示すようにゲート絶縁層３０の上に金属塩含有組成物を塗布してチャネル前駆体層１１を形成した後、図７（ｃ）に示すようにチャネル前駆体層１１を加熱処理してチャネル層１０を形成する。より具体的には、「金属塩、有機溶媒および水を含んだ金属塩含有組成物」を「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下」で加熱する工程を通じてチャネル層１０を形成する（かかる工程は、上記「第１実施形態」で説明した態様で実施できる）。
【００８３】
引き続いて工程（ｉｖ）’を実施する。つまり、図７（ｄ）に示すように、ソース電極４０およびドレイン電極５０をその両端がチャネル層１０と金属箔９０とに接するように形成する。かかるソース電極４０およびドレイン電極５０の形成方法としては、実施形態１と同様の手法で形成することができる。つまり、ソース電極およびドレイン電極の形成を印刷法・印刷プロセスによって行ってよいし、あるいは、真空蒸着法やスパッタ法などを使用してもよい。
【００８４】
次いで、工程（ｖ）’を実施する。つまり、チャネル層１０、ソース電極４０およびドレイン電極５０を覆うように封止層７０を形成する（図７（ｅ）参照）。封止層７０を構成する材料としては、硬化後に可撓性を有する樹脂材料が好ましい。このような樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド（ＰＩ）樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、それらの複合物等が挙げられる。これらの樹脂材料は、可撓性や寸法安定性などの性質に優れており、得られる薄膜トランジスタにフレキシブル性を付与する点で好ましいといえる。
【００８５】
封止層７０の形成方法は特に限定されないが、例えば未硬化の液状樹脂をスピンコートなどで塗布する方法や、未硬化の樹脂をフィルム状にして金属箔９０の上面に貼り合わせる方法や、フィルム状の封止層７０の表面に接着性材料を塗布し、該接着性材料を介して金属箔９０の上面に貼り合わせる方法などを採用することができる。このような貼り合わせに際しては、ロールラミネート、真空ラミネート、熱プレスなどで加熱しながら加圧する手法などを適宜採用することができる。
【００８６】
最後に、工程（ｖｉ）’を実施する。つまり、図７（ｆ）に示すように、支持体として機能していた金属箔９０をエッチングすることによって、ゲート電極２０、取出し電極８０ａ，８０ｂを形成する。エッチングは、特に制限されず、常套の方法（例えばフォトリソグラフィーを用いたエッチングなど）で行ってよい。
【００８７】
以上のような工程（ｉ）’〜（ｖｉ）’を経ることによって、図６ないしは図７（ｆ）に示すような薄膜トランジスタ１００を得ることができる。このようなプロセス態様でも、チャネル層１０を構成する「金属酸化物から成る半導体膜」を雰囲気ガス中の加熱によって形成する。それゆえ、チャネル形成に高価な真空装置などを用いずに低コストで高性能な薄膜トランジスタを得ることができ、かつ基板、電極および絶縁層の材料選択は大きく制限されない。
【００８８】
また、本実施形態の製造方法によれば、トランジスタ１００の支持体が可撓性を呈する樹脂封止層７０となるので、フレキシブル性を具備した薄膜トランジスタを比較的簡易に得ることができる。更には、本実施形態の製造方法によれば、金属箔９０を支持体としてその上面にゲート絶縁膜３０、チャネル層１０、ソース電極４０およびドレイン電極５０を形成した後で、金属箔９０上に封止層７０を形成しているので、チャネル層１０のみならずゲート絶縁膜３０やソース電極４０およびドレイン電極５０の作製までを封止樹脂の耐熱温度よりも高い焼成プロセスで実行することができる。
【００８９】
得られた薄膜トランジスタ１００は、図６に示すように、ゲート電極２０と、チャネル層１０と、ゲート絶縁層３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極５０と、封止層７０と、取出し電極８０ａ、８０ｂとを有して成る。具体的には、金属箔をエッチングすることによって形成されたゲート電極２０および取出し電極８０ａ、８０ｂと、チャネル層１０と、それらの間に形成されたゲート絶縁膜３０と、チャネル層１０および取出し電極８０ａ、８０ｂにそれぞれ接しているソース電極４０およびドレイン電極５０と、チャネル層１０とソース電極４０およびドレイン電極５０を封止する封止層７０とが設けられている。ゲート電極２０および取出し電極８０ａ、８０ｂは同一の金属箔から形成されたものであるので、図示するように、互いに同一平面状に位置している。ソース電極４０、ドレイン電極５０は、その一端がチャネル層１０およびゲート絶縁層３０の外縁よりも外側まで延びており、チャネル層１０と取出し電極８０ａ、８０ｂとを相互に電気的に接続している。
【００９０】
第２実施形態の薄膜トランジスタ１００であっても、チャネル層１０が金属酸化物から成っており、かかる金属酸化物が上述の金属塩含有組成物から形成された酸化物となっている。上記金属塩含有組成物から上記雰囲気ガス下の加熱により形成されたことに特に起因して、チャネル層１０では実質的にキャリア濃度が安定している。チャネル層１０のキャリア濃度は１０１６ｃｍ−３以上かつ１０１８ｃｍ−３以下、好ましくは１０１７ｃｍ−３以上かつ１０１８ｃｍ−３以下となっている（その結果、オフ電流が小さく薄膜トランジスタとして好適になっている。ちなみに、“実質的に不活性ガス下の加熱”でない従来技術製法で得られるチャネル層のキャリア濃度は概ね１０２２ｃｍ−３である）。更に、第２実施形態の薄膜トランジスタ１００でも、チャネル層１０の金属酸化物が好ましくはアモルファス酸化物となっている。また、例えばＩｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）およびＺｎ（亜鉛）から成る群から選択される１種以上の金属の塩を含んで成る金属塩含有組成物を用いてチャネル層が形成された場合、チャネル層１０はＩｎ、Ｇａおよび／またはＺｎを含んで成る金属酸化物から成る膜形態を有している。特にチャネル層１０がＩｎ、ＧａおよびＺｎを含んだ金属酸化物から形成された膜形態を有している場合、チャネル層１０の密度が４．０〜５．５ｇ／ｃｍ３程度、例えば４．３〜４．８ｇ／ｃｍ３程度となり得る（膜厚さ１０ｎｍ〜４０ｎｍ程度）。また、チャネル層１０の平坦性は向上したものとなっており、例えばチャネル層表面の算術平均粗さＲａが約１０ｎｍ以下、好ましくは約５ｎｍ以下、更に好ましくは約１ｎｍ以下（例えば約０．５ｎｍ以下）となっている。
【００９１】
なお、図示していないが、チャネル層１０の上に、少なくともチャネル層１０を封止する別の保護層が形成されていてもよい。このような保護層があれば、封止工程によるチャネル層の損傷を防ぐことができ、バックチャネルの更なる安定化につながるので、トランジスタ特性の向上と安定とをより好適に図ることができる。かかる保護層の材質としては、例えばフッ素樹脂、ポリイミド樹脂のような熱硬化性樹脂や、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物、ＳｉＮなどの窒化物を使用できる。
【００９２】
第３実施形態
図９（ａ）〜（ｆ）を参照しながら、図８に示すような薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１００の製造プロセスについて例示する。上述した製造プロセスと同様の点については説明を省略する。
【００９３】
まず、図９（ａ）に示すように、金属箔９０を用意し、その上にゲート絶縁層３０を形成する。マスクを用いた薄膜形成法（スパッタ法など）などによってゲート絶縁層３０を形成してもよいし、あるいは、ゲート絶縁層用の金属塩含有組成物の塗布・加熱処理によってゲート絶縁層３０を形成してもよい。
【００９４】
次いで、図９（ｂ）に示すように、ソース電極４０およびドレイン電極５０をその両端がチャネル層１０および金属箔９０に接するように形成する。真空蒸着法やスパッタ法などによってソース電極・ドレイン電極を形成してよいし、あるいは、ソース電極・ドレイン電極用の金属塩含有組成物の塗布および加熱処理によってソース・ドレイン電極を形成してもよい。
【００９５】
次いで、図９（ｃ）に示すように、「金属塩、有機溶媒および水を少なくとも含む金属塩含有組成物」を、ソース電極４０およびドレイン電極５０と接するようにゲート絶縁層３０の上に塗布して、チャネル前駆体層１１を形成する。そして、図９（ｄ）に示すようにチャネル前駆体層１１を「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下」で加熱する工程をもってチャネル層１０を形成する。かかる工程は、上記「第１実施形態」で説明した態様で実施する。
【００９６】
次いで、図９（ｅ）に示すように、チャネル層１０、ゲート絶縁層３０、ソース電極４０およびドレイン電極５０を覆うように、金属箔９０の上面に封止層７０を形成する。かかる封止層７０は、実施形態２と同様の手法で形成してよい。
【００９７】
最後に、図９（ｆ）に示すように、支持体として機能していた金属箔９０をエッチングすることによって、ゲート電極２０、取出し電極８０ａ、８０ｂを形成して薄膜トランジスタ１００を完成させる。
【００９８】
得られた薄膜トランジスタ１００は、図８に示すように、ゲート電極２０と、チャネル層１０と、ゲート絶縁層３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極５０と、封止層７０と、取出し電極８０ａ、８０ｂとを有して成る。より具体的には、金属箔をエッチングすることによって形成されたゲート電極２０および取出し電極８０ａ、８０ｂと、チャネル層１０と、それらの間に形成されたゲート絶縁膜３０と、チャネル層１０および取出し電極８０ａ、８０ｂにそれぞれ接しているソース電極４０およびドレイン電極５０と、チャネル層１０およびソース電極・ドレイン電極４０，５０を封止する封止層７０とが設けられている。第３実施形態の薄膜トランジスタ１００でも、チャネル層１０が金属酸化物から成っており、かかる金属酸化物が上述の金属塩含有組成物から形成された酸化物となっている。上記金属塩含有組成物から上記雰囲気ガス下の加熱により形成されたことに特に起因して、チャネル層１０では実質的にキャリア濃度が安定している。チャネル層１０のキャリア濃度は１０１６ｃｍ−３以上かつ１０１８ｃｍ−３以下、好ましくは１０１７ｃｍ−３以上かつ１０１８ｃｍ−３以下となっている（その結果、オフ電流が小さく薄膜トランジスタとして好適になっている。ちなみに、“実質的に不活性ガス下の加熱”でない従来技術製法で得られるチャネル層のキャリア濃度は概ね１０２２ｃｍ−３である）。更に、第３実施形態の薄膜トランジスタ１００でも、チャネル層１０の金属酸化物が好ましくはアモルファス酸化物となっている。また、例えばＩｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）およびＺｎ（亜鉛）から成る群から選択される１種以上の金属の塩を含んで成る金属塩含有組成物を用いてチャネル層が形成された場合、チャネル層１０はＩｎ、Ｇａおよび／またはＺｎを含んで成る金属酸化物から成る膜形態を有している。特にチャネル層１０がＩｎ、ＧａおよびＺｎを含んだ金属酸化物から形成された膜形態を有している場合、チャネル層１０の密度が４．０〜５．５ｇ／ｃｍ３程度、例えば４．３〜４．８ｇ／ｃｍ３程度となり得る（膜厚さ１０ｎｍ〜４０ｎｍ程度）。また、チャネル層１０の平坦性は向上したものとなっており、例えばチャネル層表面の算術平均粗さＲａが約１０ｎｍ以下、好ましくは約５ｎｍ以下、更に好ましくは約１ｎｍ以下（例えば約０．５ｎｍ以下）となっている。
【００９９】
《画像表示装置》
図１０に画像表示装置１０００の一例を示す。図１０では、画像表示装置１０００の全体の外観が示されている。
【０１００】
画像表示装置１０００は、例えば、有機ＥＬディスプレイである。図示するように、画像表示装置１０００は、ＴＦＴ部１１００と、ドライバ部（１２００、１３００）と、ＥＬ部１４００とから構成されており、ＴＦＴ部１１００の各画素に上記実施形態１〜３に係る薄膜トランジスタ１００が含まれている。
【０１０１】
具体的には、薄膜トランジスタ１００は、ＥＬ部１４００が備える有機ＥＬ素子の下に形成されており、薄膜トランジスタ１００を備える駆動用ＴＦＴ素子のドレイン電極５０は、有機ＥＬ素子に接続されている。なお、有機ＥＬ素子の上には、透明電極が形成されている。加えて、その上には、保護フィルム（例えば、ＰＥＴ、ＰＥＮなどの樹脂フィルム）が形成されている。
【０１０２】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されず、種々の改変がなされ得ることを当業者は容易に理解されよう。
【０１０３】
例えば、本発明に係る薄膜トランジスタは、種々の形態で実現することができる。例示すれば、図１１〜１３に示すような形態の薄膜トランジスタ１００を挙げることができる。
● 図１１に示す薄膜トランジスタ１００では、基板６０の上にソース電極４０およびドレイン電極５０が形成されており、ソース電極４０とドレイン電極５０との間にチャネル層１０がそれぞれに接するように形成されている。ゲート絶縁層３０はチャネル層１１およびソース電極・ドレイン電極４０,５０を覆うように形成されている。ゲート絶縁層３０の上にはチャネル層１０と対向する位置にゲート電極２０が形成されている。チャネル層１０、ゲート絶縁層３０、ソース電極４０およびドレイン電極５０は上記実施形態１で説明した方法で形成することができる。
● 図１２に示す薄膜トランジスタ１００では、基板６０の上にゲート電極２０およびゲート絶縁膜３０がこの順で形成されている。ゲート絶縁膜３０上にはソース電極４０およびドレイン電極５０が形成されており、チャネル層１０がソース電極４０およびドレイン電極５０に接するようにしてゲート絶縁膜３０上のゲート電極２０と対向する位置に形成されている。チャネル層１０、ゲート絶縁層３０、ソース電極４０およびドレイン電極５０は上記実施形態１で説明した方法で形成することができる。
● 図１３に示す薄膜トランジスタ１００では、基板６０の上にチャネル層１０が形成されており、その上にソース電極４０およびドレイン電極５０がチャネル層１０に接するようにして形成されている。ゲート絶縁層３０はチャネル層１１およびソース電極・ドレイン電極４０,５０を覆うように形成されている。ゲート絶縁層３０の上のチャネル層１０と対向する位置にはゲート電極２０が形成されている。チャネル層１０、ゲート絶縁層３０、ソース電極４０およびドレイン電極５０は上記実施形態１で説明した方法で形成することができる。
【実施例】
【０１０４】
《金属酸化物薄膜の特性確認試験》
［実施例１］
硝酸亜鉛六水和物と３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール（ＭＭＢ：製品名ソルフィットファイングレード、クラレ株式会社製）と純水（１０重量％）とを混合し、超音波バスで５分〜３０分間超音波処理して金属塩の含有量が０．３ｍｏｌ／Ｌの溶液を調製した。同様に、硝酸インジウムｘ水和物、硝酸ガリウムｘ水和物を用いて各金属塩の含有量が約０．３ｍｏｌ／Ｌの溶液を調製した。尚、調製に用いた３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール（ＭＭＢ）は、水を０．０５重量％程度含有していた。次に、調製した各溶液を混合し、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの各金属塩含有量が０．１ｍｏｌ／Ｌ、金属塩含有総量が０．３ｍｏｌ／Ｌとなるように「金属塩、有機溶媒および水を含んだ金属塩含有組成物」を調製した。
【０１０５】
調製した金属塩含有組成物をＳｉウェハ（１００）上にスピンコート（４０００ｒｐｍ×３０秒間）して試験基板を得た。引き続いて、ホットプレートにて１００℃×１０分間の条件で基板（金属塩含有組成物）を一次加熱し、次いで、管状炉の酸素濃度を１０ｐｐｍとなるよう窒素および酸素ガス流量を調整しながら、２時間かけて５５０℃まで昇温した後、５５０℃×３０分間の条件で同管状炉中にて基板（金属塩含有組成物）を二次加熱した（即ち、金属塩含有組成物を焼成に付した）。陽圧条件は、（加熱前）１００Ｐａ〜（加熱中）５ｋＰａとした。基板表面に形成された金属酸化物膜は、約０．０１μｍ〜約０．０２μｍの膜厚を有していた。
【０１０６】
《基板表面の原子間力顕微鏡像》
金属酸化物膜について、膜平坦性を確認した。具体的には、実施例１で作製した金属酸化物膜について、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）によって膜表面を観察した。装置としてはｎａｎｏ−Ｒ２（パシフィック・ナノテクノロジー社製）を使用した。
【０１０７】
ＡＦＭによる膜表面観察の結果を図１４に示す。実施例１の基板表面は均一であり、緻密かつ平坦な金属酸化物膜が作製できていることがわかった。具体的には、金属酸化物膜についての表面の算術平均粗さＲａは０．４３ｎｍとなっていた。尚、かかる算術平均荒さＲａは、走査プローブイメージプロセッサ「ＳＰＩＰ」（イメージメトロロジー社製）を用いることによって算出された値である（“Ｒａ”については図１５も参照のこと）。
【０１０８】
《膜密度の確認試験》
本発明にかかる金属酸化物膜について膜密度を確認した。具体的には、以下に示す条件において、金属塩含有組成物の塗布・加熱で得られた膜について密度を調べた。
・測定方法：ＸＲＲ（Ｘ線反射率測定法）
・装置：Ｘ線回折装置（BRUKER製）、Ｃｕ−Ｋα線
・ソフトウェア（Leptos）によるフィッティングで膜密度を算出
・原料塗布液：Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの金属塩（各０．１Ｍの等モル比：全濃度０．３Ｍ）、ＭＭＢおよび水１０重量％を含んだ混合液
・金属酸化物膜：実施例１で作製した金属酸化物膜。具体的には、Ｓｉ（100）ウエハ上に原料塗布液をスピンコート（４０００ｒｐｍ）し、１００℃にて１０分間の乾燥に付した後、管状炉の酸素濃度を１０ｐｐｍとなるよう窒素および酸素ガス流量を調整しながら、２時間かけて５５０℃まで昇温した後、５５０℃×３０分間、同管状炉中で二次加熱に付して得られた金属酸化物膜（陽圧条件：（加熱前）１００Ｐａ〜（加熱中）５ｋＰａ）。
【０１０９】
Ｘ線反射率測定結果を図１６に示す。本確認試験によって以下の事項を確認することができ、本発明に従って得られる金属酸化物膜（即ち、チャネル層など）が緻密なものであることが分かった。
・フィッティングで求めた膜の密度：４．７４８ｇ／ｃｍ３（フィッティングで求めた膜の厚み：１１．２ｎｍ）
・数ロットの塗布液を用いて検討した金属酸化物膜の密度：約４．５ｇ／ｃｍ３〜約５．３ｇ／ｃｍ３
《キャリア濃度の確認試験》
【０１１０】
本発明にかかる金属酸化物膜についてキャリア濃度を確認した。具体的には、以下に示す条件において、金属塩含有組成物の塗布・加熱で得られた膜についてキャリア濃度を調べた。
・測定方法：ホール効果測定法
・装置：ホール測定装置（BIO-RAD製）
・原料塗布液：Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの金属塩（各０．１Ｍの等モル比：全濃度０．３Ｍ）、ＭＭＢおよび水１０重量％を含んだ混合液
・金属酸化物膜：実施例１で作製した金属酸化物膜。具体的には、Ｓｉ（100）ウエハ上に原料塗布液をスピンコート（４０００ｒｐｍ）し、１００℃にて１０分間の乾燥に付した後、管状炉の酸素濃度を１０ｐｐｍとなるよう窒素および酸素ガス流量を調整しながら、２時間かけて５５０℃まで昇温した後、５５０℃×３０分間、同管状炉中で二次加熱に付して得られた金属酸化物膜（陽圧条件：（加熱前）１００Ｐａ〜（加熱中）５ｋＰａ）。
【０１１１】
本確認試験によって以下の事項を確認することができた。
・金属酸化物膜のキャリア濃度：４．２０×１０１７／ｃｍ３
・数ロットの塗布液を用いて検討した金属酸化物膜の密度：約３．７〜約４．８ｇ／ｃｍ３
【０１１２】
《トランジスタ特性の確認試験》
［実施例２］
本発明で得られるトランジスタの特性を確認するために、以下の手法に基づいて試験を行った（図１７参照）：
− 厚さ３００ｎｍの熱酸化膜付きＳｉ基板上に、実施例１で用いた原料塗布液をスピンコート法（４０００rpm）で塗布し、１００℃にて１０分間の乾燥に付した後、管状炉の酸素濃度を０．１、１０、１００ｐｐｍおよび２０％となるよう窒素および酸素ガス流量を調整しながら、２時間かけて５５０℃まで昇温した後、５５０℃×３０分間、同管状炉中で基板を二次加熱（焼成）した。５５０℃にて３０分間の焼成に付すことによって半導体膜を形成した。
− アルミをマスク蒸着することによってソース電極・ドレイン電極を形成した。
− シリコン基板をゲート電極として半導体特性を測定した。
−半導体パラメータアナライザ（Ｂ１５００Ａ、アジレントテクノロジー株式会社製）を用いて半導体特性を測定した。
− ドレイン電圧（Ｖｄ）を１０Ｖに設定して、ゲート電圧（Ｖｇ）を変化させたときのドレイン電流（Ｉｄ）を測定した。
【０１１３】
結果のグラフを図１８に示す。図１８のグラフから、本発明に従って「金属塩、有機溶媒、および水を含んだ金属塩含有組成物」を用いて「酸素ガスと不活性ガスとを含んで成る雰囲気ガス下の加熱」によって形成された半導体膜は、ノーマリーオフの特性を呈し、薄膜トランジスタのチャネル層として好適であることが分かった。
【０１１４】
《二次加熱温度》
二次加熱は、２００℃以上の温度とする必要があり、上記実施例では５５０℃とした。二次加熱の上限温度は基板の耐熱温度によって決めることが好ましい。例えば、スライドグラスより耐熱温度が低い基板であれば４００℃に近い温度で二次加熱することが好ましく、逆にスライドグラスよりも耐熱温度が高い基板であれば、基板の耐熱温度に近い温度で二次加熱することが可能であるといえる。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明の製造方法は、電界効果トランジスタの生産性に優れている。尚、得られる電界効果トランジスタは、各種画像表示部に用いることもでき、電子ペーパーやデジタルペーパー等にも用いることができる。例えば、図１９に示すようなテレビ画像表示部、図２０に示すような携帯電話やスマートフォンの画像表示部、図２１に示すようなモバイル・パソコンまたはノート・パソコンの画像表示部、図２２および図２３に示すようデジタルスチルカメラおよびカムコーダーの画像表示部、ならびに、図２４に示すような電子ペーパーの画像表示部などに用いることができる。更には、本発明の製造方法で得られるフレキシブル半導体装置は、現在、印刷エレクトロニクスで適用が検討されている各種用途（例えば、ＲＦ−ＩＤ、メモリ、ＭＰＵ、太陽電池、センサなど）にも適応することができる。
【符号の説明】
【０１１６】
１０  チャネル層
１１  チャネル前駆体層
１２  金属酸化物膜
２０  ゲート電極
３０  ゲート絶縁層（ゲート絶縁膜）
３１  ゲート絶縁前駆体層
４０  ソース電極
４１、５１  ソース電極・ドレイン電極の前駆体層
５０  ドレイン電極
６０  基板
７０  封止層
８０ａ、８０ｂ  取出し電極
９０  金属箔
１００  電界効果トランジスタ（例えば薄膜トランジスタ）
１００’  電界効果トランジスタ前駆体
２００  管状炉
２１０  管状炉に設けられたヒーター
３００  加熱炉（加熱チャンバー）
１０００  画像表示装置
１１００  ＴＦＴ部
１２００、１３００  ドライバ部
１４００  ＥＬ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図１４】
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【図１６】
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【図２５】
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