(57)【要約】      （修正有）【課題】排気手段の２次側の排気管内に於ける反応副生成物の析出を防止し、反応副生成物による前記排気管の詰りを有効に抑制し、更に省資源化、省エネルギ化を図るものである。【解決手段】基板を処理する処理室と、該処理室に反応性ガスを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段と、前記処理室を排気する為の第１の排気管と、該第１の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、該排気手段から排気されるガスを排気する為の第２の排気管と、該第２の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、制御装置とを有する基板処理装置であって、前記不活性ガス供給手段は、前記制御装置により反応性ガスを供給するレシピを実行しない場合の不活性ガスの供給量を、レシピを実行する場合の不活性ガスの供給量よりも少ない量とする様制御される。【選択図】図１
2013161898.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、該処理室に反応性ガスを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段と、前記処理室を排気する為の第１の排気管と、該第１の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、該排気手段から排気されるガスを排気する為の第２の排気管と、該第２の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、制御装置とを有する基板処理装置であって、前記不活性ガス供給手段は、前記制御装置により反応性ガスを供給するレシピを実行しない場合の不活性ガスの供給量を、レシピを実行する場合の不活性ガスの供給量よりも少ない量とする様制御されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する処理室と、該処理室に反応性ガスを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段と、前記処理室を排気する為の第１の排気管と、該第１の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、該排気手段から排気されるガスを排気する為の第２の排気管と、該第２の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、制御装置とを有する基板処理装置であって、前記制御装置は、前記処理室に基板がある状態では反応性ガスを供給するレシピを実行し基板を処理すると共に、前記不活性ガス供給手段は前記第２の排気管に不活性ガスを供給する第１の工程と、前記処理室に基板がない状態では、前記レシピを実行せずに、前記不活性ガス供給手段は、前記第２の排気管に前記第１の工程の際に供給する不活性ガスの供給量より少ない量の不活性ガスを供給する第２の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板を処理する処理室と、該処理室に反応性ガスを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段と、前記処理室を排気する為の第１の排気管と、該第１の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、該排気手段から排気されるガスを排気する為の第２の排気管と、該第２の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、制御装置とを有する基板処理装置であって、前記制御装置は、前記処理室に基板がある状態では反応性ガスを供給するレシピを実行し基板を処理すると共に、前記不活性ガス供給手段は前記第２の排気管に不活性ガスを供給する第１の工程と、前記処理室に基板がない状態では、前記レシピを実行せずに、前記不活性ガス供給手段は、前記第２の排気管に前記第１の工程の際に供給する不活性ガスの供給量より少ない量の不活性ガスを供給する第２の工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理室に反応性ガスを交互に供給しつつ排気管より排気して基板を処理する基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び基板処理方法、特に前記排気管内に於ける反応副生成物の堆積を低減する基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び基板処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置として、例えば半導体製造装置を構成する処理炉では、半導体ウェーハ等の基板に成膜する方法として、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が広く採用されている。ＣＶＤ法とはガス種Ａとガス種Ｂとを同時に処理室に供給し、処理室内の基板に成膜を行うものである。処理室の残留ガスは、真空ポンプにより、排気管を介して除害装置等の排ガス処理装置に流している。
【０００３】
図７は、上記したＣＶＤ装置を構成するＣＶＤ処理炉の、一般的な排ガス系統図を示している。
【０００４】
シールキャップ１により気密に閉塞された石英製の反応管２内に、ガス種Ａ及びＢを導入して基板処理を行う。ガス種Ａ及びＢは、前記反応管２の下部に設けられたガス導入ポート３，４より、加熱された前記反応管２内に導入される。該反応管２内に導入されたガス種Ａ及びＢは、複数の基板上に供給され、基板上に成膜が行われる。基板上に成膜を行った後、残留ガスは、前記反応管２の下部に設けられた排気ポート５より、排気管６、トラップ７、排気管８、真空ポンプ９、排気管１１を経由して除害装置１２に送出され、処理される。
【０００５】
上記したＣＶＤ処理炉の排ガス系内では、ガス種Ａ及びＢが反応し、生成される反応副生成物は、前記トラップ７、例えば水冷トラップによって強制的に低温化させ、固相に析出付着させて取除く方法が一般的である。前記排気ポート５と前記トラップ７とを連結する前記排気管６には、反応副生成物が固相に析出しない温度に加熱できる配管加熱ヒータ１３が装着され、該配管加熱ヒータ１３により、前記トラップ７よりも下流側の前記排気管８，１１等には反応副生成物が付着せず、反応副生成物により前記排気管８，１１の詰りが起らない様になっている。尚、前記トラップ７は定期的にメンテナンスが行われる。
【０００６】
近年、半導体装置の微細化が求められており、半導体装置の微細化を達成する為、基板上に生成される膜の薄膜化が望まれている。薄膜化を実現する為、２種の材料を交互に基板上に供給し、基板上で反応させて成膜する方法が提案されている。
【０００７】
図８は、上記方法を使用した際の排ガス系統図を示している。尚、図８中、図７中と同等のものには同符号を付している。
【０００８】
この手法では、例えばガス種Ａをガス導入ポート３より、反応管２内部の複数枚の基板上に供給し、基板上に吸着させる。その後、一旦前記反応管２内部のガス種Ａを排気する。続いてガス種Ｂをガス導入ポート４より供給し、基板上に吸着したガス種Ａと反応させて基板上に成膜を行わせる。成膜を行わせた後、前記反応管２内部のガス種Ｂを排気し、再度該反応管２内部にガス種Ａを供給する。ガス種Ａとガス種Ｂの供給及び排気を繰返し行うことで、基板上に薄膜を生成する。
【０００９】
前述の方法では、前記排気ポート５と前記真空ポンプ９との間の排気管１４には、配管加熱ヒータ１３を設ける必要がある。その理由としては、ガス原料に液体有機原料を気化させて用いる場合、前記真空ポンプ９の１次側（上流側）で有機原料が冷却されると再液化し、前記排気管１４内に滞留し、次に供給されるガスと接触することで、前記排気管１４内に反応副生成物が付着する虞れがあるからである。従って、前記排気管１４への反応副生成物の付着を防止する為、前記配管加熱ヒータ１３を設ける必要がある。
【００１０】
図７又は図８の排ガス系統に於いて、設備レイアウトによっては、前記真空ポンプ９と前記除害装置１２との間の排気管が極めて長くなることがある。これは、多数の半導体製造装置の排ガスを、１台の前記除害装置１２で共通に処理する場合、該除害装置１２に対して比較的近い距離に設置された半導体製造装置もあれば、比較的遠い距離に設置された半導体製造装置も出てくる為である。
【００１１】
排気管６，８の配管長が長い場合でも、図７に示すＣＶＤ処理炉では、前記トラップ７により、前記排気管６，８等には反応副生成物が付着することはない。然し乍ら、図８に示す処理炉では、ガス種Ａとガス種Ｂとが前記真空ポンプ９の２次側（下流側）の前記排気管１１で反応する虞れがある。
【００１２】
又、前記排気管１４は、前記真空ポンプ９によってガスが抜取られて圧力が低くなるので、ガスが殆ど存在せず、複数のガス種が反応することはない。然し乍ら、前記真空ポンプ９の２次側の排気管１１は、内部の圧力が高く、抜取られたガスが比較的ゆっくりと流れ、而も配管長が長い場合には前記排気管１１内にガスが漂う為、相前後して抜取られた複数のガス種の内、前に抜取ったガス種に、後に抜取ったガス種が追いついて両者が反応する虞れがある。
【００１３】
上記問題を防止する為、排気管１１の全長に亘って加熱ヒータを設けることが望ましいが、配管が長くなると、その全長に亘って加熱ヒータを設けて加熱することは、経済的な面で難しく、加熱ヒータを設けていない前記排気管１１内で、複数のガス種の反応が起り、反応副生成物が冷却されて固化し、排気管１１壁に付着することとなる。
【００１４】
上述した様に、処理室に反応性ガスを交互に供給しつつ排気して基板を処理する従来の基板処理装置に於いては、前記真空ポンプ９の２次側の排気管１１の配管長が長くなり、又配管長が長くなることで低温部が生じると、前記排気管１１の途中で複数のガス種が反応し、更に該排気管１１の低温部で反応したガスが固相に析出して反応副生成物が堆積し、前記排気管１１が詰ってしまう虞れがあった。又、該排気管１１が詰ると、基板処理装置を停止し、前記排気管１１を洗浄する等のメンテナンスを頻繁に行う必要があった。
【００１５】
尚、前記真空ポンプ９と前記除害装置１２との間にトラップ７を設け、反応したガスを該トラップ７により強制的に低温化させ、固相に析出付着させて取除くことも考えられる。然し乍ら、前記真空ポンプ９の２次側は、処理装置が設置される工場側の排出装置による排出作用しか作用していない為、圧力が高くなり、前記トラップ７の上流側でガスが滞留してしまい、反応副生成物の堆積を助長してしまう虞れがある。又、特に複数の反応性ガスを交互に供給する方式では、複数の反応性ガスを同時に供給する方式とは異なり、常時全域にて反応するわけではないので、前記トラップ７によっては反応副生成物を有効に取除くのが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００６−１９０７８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は斯かる実情に鑑み、排気手段の２次側の排気管内に於ける反応副生成物の析出を防止し、反応副生成物による前記排気管の詰りを有効に抑制し、更に省資源化、省エネルギ化を図る基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び基板処理方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室に反応性ガスを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段と、前記処理室を排気する為の第１の排気管と、該第１の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、該排気手段から排気されるガスを排気する為の第２の排気管と、該第２の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、制御装置とを有する基板処理装置であって、前記不活性ガス供給手段は、前記制御装置により反応性ガスを供給するレシピを実行しない場合の不活性ガスの供給量を、レシピを実行する場合の不活性ガスの供給量よりも少ない量とする様制御される基板処理装置に係るものである。
【００１９】
又本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室に反応性ガスを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段と、前記処理室を排気する為の第１の排気管と、該第１の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、該排気手段から排気されるガスを排気する為の第２の排気管と、該第２の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、制御装置とを有する基板処理装置であって、前記制御装置は、前記処理室に基板がある状態では反応性ガスを供給するレシピを実行し基板を処理すると共に、前記不活性ガス供給手段は前記第２の排気管に不活性ガスを供給する第１の工程と、前記処理室に基板がない状態では、前記レシピを実行せずに、前記不活性ガス供給手段は、前記第２の排気管に前記第１の工程の際に供給する不活性ガスの供給量より少ない量の不活性ガスを供給する第２の工程とを有する半導体装置の製造方法に係るものである。
【００２０】
更に又本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室に反応性ガスを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段と、前記処理室を排気する為の第１の排気管と、該第１の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、該排気手段から排気されるガスを排気する為の第２の排気管と、該第２の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、制御装置とを有する基板処理装置であって、前記制御装置は、前記処理室に基板がある状態では反応性ガスを供給するレシピを実行し基板を処理すると共に、前記不活性ガス供給手段は前記第２の排気管に不活性ガスを供給する第１の工程と、前記処理室に基板がない状態では、前記レシピを実行せずに、前記不活性ガス供給手段は、前記第２の排気管に前記第１の工程の際に供給する不活性ガスの供給量より少ない量の不活性ガスを供給する第２の工程とを有する基板処理方法に係るものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基板を処理する処理室と、該処理室に反応性ガスを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段と、前記処理室を排気する為の第１の排気管と、該第１の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、該排気手段から排気されるガスを排気する為の第２の排気管と、該第２の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、制御装置とを有する基板処理装置であって、前記不活性ガス供給手段は、前記制御装置により反応性ガスを供給するレシピを実行しない場合の不活性ガスの供給量を、レシピを実行する場合の不活性ガスの供給量よりも少ない量とする様制御されるので、不活性ガスの省ガス化を図ると共に、不活性ガスを常時供給することで前記第２の排気管内を積極的に排気でき、該第２の排気管の酸化及び酸化に伴う該第２の排気管の腐食を防止することができる。
【００２２】
又本発明によれば、基板を処理する処理室と、該処理室に反応性ガスを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段と、前記処理室を排気する為の第１の排気管と、該第１の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、該排気手段から排気されるガスを排気する為の第２の排気管と、該第２の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、制御装置とを有する基板処理装置であって、前記制御装置は、前記処理室に基板がある状態では反応性ガスを供給するレシピを実行し基板を処理すると共に、前記不活性ガス供給手段は前記第２の排気管に不活性ガスを供給する第１の工程と、前記処理室に基板がない状態では、前記レシピを実行せずに、前記不活性ガス供給手段は、前記第２の排気管に前記第１の工程の際に供給する不活性ガスの供給量より少ない量の不活性ガスを供給する第２の工程とを有するので、必要以上の不活性ガスが消費されるのを防止し、省ガス化を図ると共に、不活性ガスを常時供給することで前記第２の排気管内を積極的に排気でき、該第２の排気管の酸化及び酸化に伴う該第２の排気管の腐食を防止することができるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施例に係る基板処理装置を構成するガス排気系統を備えた処理炉の概略図である。
【図２】本発明の実施例に係る加熱ガス供給ユニットの構成図である。
【図３】本発明の実施例に係る基板処理装置の斜視図である。
【図４】該基板処理装置の側面図である。
【図５】本発明の実施例に係る基板処理装置の処理炉の概略構成図である。
【図６】該処理炉の横断面図である。
【図７】従来のＣＶＤ法を用いた一般的な排ガス系統図である。
【図８】従来の複数の反応性ガスを交互に供給する基板処理方法を用いた一般的な排ガス系統図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
【００２５】
先ず図３、図４に於いて、本発明の実施例に係る基板処理装置の概略について説明する。尚、以下の説明では、基板処理装置として、複数枚の基板を一括して処理する縦型の装置（以下、単に処理装置と称す）に適用した場合について説明する。
【００２６】
本実施例の処理装置２１は筐体２２を有している。該筐体２２の前面には、シリコン等からなるウェーハ（基板）２３が収納されたポッド（基板収納容器）２４を外部から前記筐体２２内に挿入し、又該筐体２２から外部に払出す為のＩ／Ｏステージ（保持具授受部材）２５が付設され、前記筐体２２内にはポッド２４を保管する為のポッド棚（載置手段）２６が敷設されている。又、前記筐体２２内には、ウェーハ２３の搬送エリアであり、後述のボート（基板保持手段）２７のローディング、アンローディング空間となる窒素（Ｎ2 ）パージ室（気密室）２８が設けられている。該Ｎ2 パージ室２８は、ウェーハ２３の自然酸化膜を防止する様、内部にＮ2 等の不活性ガスが充満された密閉容器となっている。
【００２７】
ポッド２４としては、現在、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｔ  Ｐｏｄ）というタイプが主に使用されており、該ポッド２４の一側面に設けられた開口部を蓋体（図示せず）で塞ぐことで、大気からウェーハ２３を隔離して搬送でき、前記蓋体を取去ることで前記ポッド２４に対してウェーハ２３を出入れさせることができる。ポッド２４の蓋体を取外し、該ポッド２４内の雰囲気と前記Ｎ2 パージ室２８の雰囲気とを連通させる為、該Ｎ2 パージ室２８の前面側には、ポッドオープナ（開閉手段）２９が設けられている。該ポッドオープナ２９、前記ポッド棚２６、及び前記Ｉ／Ｏステージ２５間のポッド２４の搬送は、ポッド移載機３１によって行われる。該ポッド移載機３１によるポッド２４の搬送空間には、前記筐体２２に設けられたクリーンユニット（図示せず）によって清浄化された空気がフローされる様になっている。
【００２８】
前記Ｎ2 パージ室２８の内部には、複数枚のウェーハ２３を多段に積載する前記ボート２７と、ウェーハ２３のノッチ（又はオリエンテーションフラット）の位置を任意の位置に合わせる基板位置合せ装置３２が設けられると共に、前記ポッドオープナ２９上のポッド２４と前記基板位置合せ装置３２と前記ボート２７との間でウェーハ２３の搬送を行うウェーハ移載機（搬送手段）３３が設けられている。又、前記Ｎ2 パージ室２８の上部にはウェーハ２３を処理する為の処理炉３４が設けられており、該処理炉３４の内部には処理室３６が画成される。前記ボート２７はボートエレベータ（昇降手段）３５によって前記処理炉３４へローディング、又は該処理炉３４からアンローディングすることができる。
【００２９】
次に、前記処理装置２１の動作について説明する。
【００３０】
先ず、ＡＧＶ（自走型搬送車）やＯＨＴ（天井吊下式搬送装置）等により、前記筐体２２の外部から搬送されたポッド２４は、前記Ｉ／Ｏステージ２５に載置される。該Ｉ／Ｏステージ２５に載置されたポッド２４は、前記ポッド移載機３１によって直接ポッドオープナ２９上に搬送されるか、又は一旦前記ポッド棚２６にストックされた後、前記ポッドオープナ２９上に搬送される。該ポッドオープナ２９上に搬送されたポッド２４は、前記ポッドオープナ２９によって蓋体を取外され、ポッド２４の内部雰囲気が前記Ｎ2 パージ室２８の雰囲気と連通される。
【００３１】
次に、前記ウェーハ移載機３３によって、前記Ｎ2 パージ室２８の雰囲気と連通した状態のポッド２４内からウェーハ２３を取出す。取出されたウェーハ２３は、前記基板位置合せ装置３２によって任意の位置にノッチが定まる様に位置合せが行われ、位置合せ後、前記ボート２７へチャージされる（ウェーハチャージ）。
【００３２】
前記ボート２７へのウェーハ２３のチャージ完了後、前記処理室３６を気密に閉塞する炉口シャッタ３７を開放し、前記ボートエレベータ３５によりウェーハ２３を搭載した前記ボート２７をローディングする（ボートアップ）。
【００３３】
ローディング後は、前記処理炉３４にてウェーハ２３に任意の処理が実施され（プロセス）、処理後は上述とは逆の手順でボートダウンし、ウェーハディスチャージをして、ウェーハ２３及びポッド２４は前記筐体２２の外部へと払出される。
【００３４】
次に、本実施例にて行われる成膜処理について説明する。
【００３５】
本実施例では、例えばＳｉＯ（酸化珪素）膜を形成する場合を考える。ガス種ＡとしてＴＤＭＡＳ（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ3 ）2 ）3 、トリスジメチルアミノシラン）と、ガス種Ｂとして酸素（Ｏ2 ）とを用いて成膜処理を行う。又、ガス供給は、複数種類の反応性ガスを１種類ずつ交互に供給する。そして、膜厚制御は、反応性ガス供給のサイクル数で制御する（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、処理を２０サイクル行う）。
【００３６】
次に、図５、図６を用い、前記処理装置２１の前記処理炉３４について説明する。加熱手段であるヒータ３８の内側に、ウェーハ２３を処理する反応容器として反応管３９が設けられ、該反応管３９の下端開口は蓋体であるシールキャップ４１により、気密部材であるＯリング４２を介して気密に閉塞される。又、少なくとも前記ヒータ３８、前記反応管３９、前記シールキャップ４１により前記処理炉３４が形成される。前記シールキャップ４１には石英キャップ４３を介して前記ボート２７が立設され、前記石英キャップ４３は前記ボート２７を保持する保持体となっており、該ボート２７が前記処理炉３４内に装入される様になっている。前記ボート２７にはバッチ処理される複数のウェーハ２３が水平姿勢で管軸方向に多段に積載され、前記ヒータ３８は前記処理炉３４内に装入されたウェーハ２３を所定の温度に加熱する。
【００３７】
又、前記処理炉３４には複数種類、本実施例に於いては２種類のガスを前記処理炉３４へ供給する供給管としてのガス供給管４４，４５が接続される。第１のガス供給管４４からは、流量制御手段である第１のマスフローコントローラ４６及び開閉弁である第１のバルブ４７を介し、更に前記処理炉３４内に形成された後述するバッファ室４８を介して前記処理炉３４内に反応性ガスが供給される。第２のガス供給管４５からは、流量制御手段である第２のマスフローコントローラ４９、開閉弁である第２のバルブ５１、ガス溜め５２、及び開閉弁である第３のバルブ５３を介し、後述するガス供給部５４を介して前記処理炉３４に反応性ガスが供給されている。
【００３８】
該処理炉３４は、排気ポート５５にガスを排気する排気管である第１の排気管５６が設けられる。該第１の排気管５６により第４のバルブ５７を介して前記処理炉３４が排気手段である真空ポンプ５８に接続され、真空排気される様になっている。尚、前記第４のバルブ５７は弁を開閉して前記処理炉３４の真空排気・真空排気停止ができると共に、更に弁開度を調節して前記処理炉３４内の圧力を調整可能な開閉弁である。又、前記真空ポンプ５８の２次側に第２の排気管５９が設けられ、前記真空ポンプ５８から排出されるガスを直接大気中へ、又は必要に応じて除害装置６１を経て大気中へ排気する様になっている。
【００３９】
前記処理炉３４を構成する前記反応管３９の内壁と、ウェーハ２３との間の断面円弧状の空間には、前記反応管３９の下部より上部の内壁にウェーハ２３の積載方向に沿って、ガス分散空間である前記バッファ室４８が設けられ、該バッファ室４８のウェーハ２３と隣接する壁の端部には、ガスを供給する供給口である複数の第１のガス供給孔６２が設けられている。該第１のガス供給孔６２は、前記反応管３９の中心へ向けて開口しており、前記第１のガス供給孔６２は、下部から上部に亘ってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同一の開口ピッチで設けられている。
【００４０】
又、前記バッファ室４８の前記第１のガス供給孔６２が設けられた端部と反対側の端部には、ノズル６３が前記反応管３９の下部より上部に亘りウェーハ２３の積載方向に沿って配設されている。前記ノズル６３には、ガスを供給する供給孔である複数の第２のガス供給孔６４が設けられている。該第２のガス供給孔６４の開口面積は、前記バッファ室４８と前記処理炉３４の差圧が小さい場合には、上流側から下流側迄同一の開口面積で同一の開口ピッチとするのがよいが、差圧が大きい場合には、上流側から下流側に向って開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくするとよい。
【００４１】
本実施例に於いて、前記第２のガス供給孔６４の開口面積や開口ピッチを上流側から下流側にかけて調節することで、該第２のガス供給孔６４より噴出させるガスの流速の差はあるが、流量を略同量としている。又、各第２のガス供給孔６４から前記バッファ室４８に一旦ガスを噴出させて導入し、ガスの流速差を均一化させることとした。
【００４２】
即ち、前記バッファ室４８に於いて、各第２のガス供給孔６４より噴出されたガスは、前記バッファ室４８で各ガスの粒子速度が緩和された後、前記第１のガス供給孔６２より前記処理炉３４内に噴出される。この間に、各第２のガス供給孔６４より噴出されたガスは流速が均一化され、各第１のガス供給孔６２から噴出される際には、均一な流速と流量とを有するガスとすることができる。
【００４３】
更に、前記バッファ室４８に、細長い構造を有する第１の電極である第１の棒状電極６５及び第２の電極である第２の棒状電極６６が配設され、前記第１の棒状電極６５及び前記第２の棒状電極６６は、上部より下部に亘って電極を保護する保護管である電極保護管６７に保護されている。前記第１の棒状電極６５と前記第２の棒状電極６６のいずれか一方は整合器６８を介して高周波電源６９に接続され、いずれか他方は基準電位であるアースに接続されている。この結果、前記第１の棒状電極６５及び前記第２の棒状電極６６間のプラズマ生成領域７１にプラズマが生成される。
【００４４】
前記電極保護管６７は、前記第１の棒状電極６５及び前記第２の棒状電極６６のそれぞれを、前記バッファ室４８の雰囲気と隔離した状態で該バッファ室４８に挿入できる構造となっている。ここで、前記電極保護管６７の内部は外気（大気）と同一雰囲気であると、該電極保護管６７にそれぞれ挿入された前記第１の棒状電極６５及び前記第２の棒状電極６６は、前記ヒータ３８の加熱で酸化されてしまう。そこで、前記電極保護管６７の内部には、窒素等の不活性ガスを充填或はパージし、酸素濃度を充分低く抑えて前記第１の棒状電極６５及び前記第２の棒状電極６６の酸化を防止する為の不活性ガスパージ機構（図示せず）が設けられる。
【００４５】
更に、前記第１のガス供給孔６２の位置より、前記反応管３９の内周を反時計回りに１２０°程度回転した位置の内壁に、前記ガス供給部５４が設けられている。該ガス供給部５４は、本実施例の成膜に於いては、ウェーハ２３へ複数種類のガスを１種類ずつ交互に供給する際、前記バッファ室４８とガス供給種を分担する様になっている。
【００４６】
前記ガス供給部５４も、前記バッファ室４８と同様にウェーハ２３と隣接する位置に、同一ピッチでガスを供給する供給孔である第３のガス供給孔７２を有し、下部では前記第２のガス供給管４５が接続されている。
【００４７】
前記第３のガス供給孔７２の開口面積は、前記バッファ室４８と前記処理炉３４の差圧が小さい場合には、上流側から下流側迄同一の開口面積、同一の開口ピッチとするとよいが、差圧が大きい場合には、上流側から下流側に向って開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくするとよい。
【００４８】
前記反応管３９の中央部には、複数枚のウェーハ２３を多段に同一間隔で積載する前記ボート２７が設けられており、該ボート２７は前記ボートエレベータ３５により、前記反応管３９に対して装入、装脱ができる様になっている。又、処理の均一性を向上させる為、前記ボート２７を回転させる回転手段であるボート回転機構７３が設けられており、該ボート回転機構７３を回転させることにより、前記石英キャップ４３に保持された前記ボート２７が回転する様になっている。
【００４９】
又、前記処理装置２１は制御部であるコントローラ７４を有し、該コントローラ７４は前記第１、第２のマスフローコントローラ４６，４９、前記第１〜第４のバルブ４７，５１，５３，５７、前記ボートエレベータ３５、前記ヒータ３８、前記真空ポンプ５８、前記整合器６８、前記高周波電源６９、前記ボート回転機構７３に接続されている。前記コントローラ７４によって、前記第１、第２のマスフローコントローラ４６，４９の流量調整、前記第１〜第３のバルブ４７，５１，５３の開閉動作及び前記第４のバルブ５７の開閉及び圧力調整動作、前記ボートエレベータ３５の昇降動作制御、前記ヒータ３８の温度調節、前記真空ポンプ５８の起動及び停止、前記整合器６８のインピーダンス制御、前記高周波電源６９の電力供給制御、前記ボート回転機構７３の回転速度調節が行われる。
【００５０】
次に、半導体製造方法の一工程として、本実施例に於ける成膜例について、ＴＤＭＡＳガス及びＯ2 ガスを用いてＳｉＯ膜を成膜する場合について説明する。
【００５１】
先ず、成膜しようとするウェーハ２３を前記ボート２７にチャージし、該ボート２７をアップして前記処理炉３４に装入する。装入後、次の３つのステップを順次実行する。これらのステップは、予めプロセスレシピとして制御部に記憶されているものであり、基板処理時はそのプロセスレシピを実行することで、各構成の動作を制御している。この３つのステップをまとめて第１の工程と呼ぶ。
【００５２】
［ステップ１］
ステップ１では、プラズマ励起に必要なＯ2 ガスと、プラズマ励起の必要のないＴＤＭＡＳガスとを並行して流す。先ず前記第１のガス供給管４４に設けた前記第１のバルブ４７及び前記第１の排気管５６に設けた前記第４のバルブ５７を共に開放し、前記第１のガス供給管４４から前記第１のマスフローコントローラ４６により流量調整されたＯ2 ガスを、前記ノズル６３の前記第２のガス供給孔６４から前記バッファ室４８に噴出させる。又、前記第１の棒状電極６５及び前記第２の棒状電極６６間に前記高周波電源６９から前記整合器６８を介して高周波電力を印加してＯ2 ガスをプラズマ励起し、活性種として前記処理炉３４内に供給しつつ、前記第１の排気管５６を介して排気する。
【００５３】
Ｏ2 ガスは反応温度が高く、上記ウェーハ温度では反応しないので、プラズマ励起することにより活性種としてから流す様にしており、この為ウェーハ温度は設定した低い温度範囲のままで行える。
【００５４】
Ｏ2 ガスをプラズマ励起することにより活性種として供給している時、前記第２のガス供給管４５の上流側の前記第２のバルブ５１を開放し、下流側の前記第３のバルブ５３を閉め、ＴＤＭＡＳガスも流す様にする。これにより、前記第２、第３のバルブ５１，５３間に設けた前記ガス溜め５２にＴＤＭＡＳガスを溜める。この時、前記処理炉３４内に流されているガスは、Ｏ2 ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種であり、ＴＤＭＡＳガスは存在しない。従って、Ｏ2 ガスは気相反応を起すことはなく、プラズマにより励起され活性種となったＯ2 ガスは、ウェーハ２３上の下地膜と表面反応する。
【００５５】
［ステップ２］
ステップ２では、前記第１のガス供給管４４の前記第１のバルブ４７を閉め、Ｏ2 ガスの供給を停止するが、ＴＤＭＡＳガスは引続き前記ガス溜め５２に供給を継続する。該ガス溜め５２に所定圧、所定量のＴＤＭＡＳガスを溜ると、上流側の前記第２のバルブ５１を閉塞し、前記ガス溜め５２にＴＤＭＡＳガスを閉込めておく。
【００５６】
［ステップ３］
ステップ３では、前記処理炉３４の排気が終了すると、前記第４のバルブ５７を閉じて排気を停止し、次に前記第３のバルブ５３を開放する。該第３のバルブ５３の開放により、前記ガス溜め５２に溜められていたＴＤＭＡＳガスが前記処理炉３４内に一気に供給される。ＴＤＭＡＳガスの供給により、ウェーハ２３の下膜上のＯ2 とＴＤＭＡＳガスとが表面反応し、ウェーハ２３上にＳｉＯ膜が成膜される。
【００５７】
成膜後、前記第３のバルブ５３を閉じ、前記第４のバルブ５７を開放して前記処理炉３４を真空排気し、残留するＴＤＭＡＳガスの成膜に寄与した後のガスを排除する。又、この時にＮ2 ガス等の不活性ガスを前記処理炉３４に供給すると、残留するＴＤＭＡＳガスの成膜に寄与した後のガスを該処理炉３４から排除する効果を更に向上させることができる。
【００５８】
又、該処理炉３４内の雰囲気を排気した後、再度前記第２のバルブ５１を開放し、前記ガス溜め５２にＴＤＭＡＳガスの供給を開始する。
【００５９】
上記ステップ１〜ステップ３を１サイクルとし、該サイクルを複数回繰返すことにより、ウェーハ２３上に所定膜厚のＳｉＯ膜を成膜する。
【００６０】
前記処理装置２１では、ガスは下地膜表面に吸着する。該ガスの吸着量は、ガスの圧力及び暴露時間に比例する。よって、希望する一定量のガスを、短時間で吸着させる為には、ガスの圧力を短時間で大きくする必要がある。この点で、本実施例では、前記第４のバルブ５７を閉塞したうえで、前記ガス溜め５２内に溜めたＴＤＭＡＳガスを瞬間的に供給しているので、前記処理炉３４内の圧力を急激に上げることができ、希望する一定量のガスを瞬間的に吸着させることができる。
【００６１】
又、本実施例では、前記ガス溜め５２にＴＤＭＡＳガスを溜めている間に、Ｏ2 ガスをプラズマ励起することにより活性種として供給、及び前記処理炉３４の排気をしているので、ＴＤＭＡＳガスを溜める為の特別なステップを必要としない。又、前記処理炉３４内を排気してＯ2 ガスを除去した後にＴＤＭＡＳガスを供給しているので、両者がウェーハ２３に向う途中で反応することはなく、供給されたＴＤＭＡＳガスは、ウェーハ２３に吸着しているＯ2 と有効に反応させることができる。
【００６２】
ウェーハ２３への成膜終了後は、前記ボート２７をダウンして前記処理炉３４より装脱し、前記ボート２７からウェーハ２３をディスチャージする。
【００６３】
ところで、前述した様に、前記処理室３６にガス種Ａ、Ｂを交互に供給しつつ排気してウェーハを処理する処理炉３４に於いては、前記真空ポンプ５８の２次側の前記第２の排気管５９内では、複数のガス種が反応し、該第２の排気管５９の低温部で固相に析出し、反応副生成物が堆積し、該反応副生成物によって前記第２の排気管５９が詰ってしまう虞れがある。この為、前記処理装置２１を停止して前記第２の排気管５９を洗浄する等のメンテナンスを頻繁に行う必要があった。この傾向は、特に前記真空ポンプ５８の２次側の前記第２の排気管５９が長くなる場合に顕著であった。
【００６４】
そこで、本実施例では、上記問題を回避する為、前記真空ポンプ５８の２次側に設けられた前記第２の排気管５９に、高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を設け、前記第２の排気管５９内に高温の不活性ガスを供給し、該第２の排気管５９内部で反応副生成物が形成されない様にした。以下、これを詳細に説明する。
【００６５】
図１は、前記処理炉３４に設けられたガス排気系統を示している。
【００６６】
該処理炉３４は、ウェーハ２３を処理する前記処理室３６を内部に形成する前記反応管３９と、該反応管３９の外周に設けられウェーハ２３を加熱する前記ヒータ３８とを備えている。又、前記処理室３６にガス種Ａ、Ｂを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段としての第１のガス供給ポート７６、第２のガス供給ポート７７と、前記処理室３６を排気する為の前記排気ポート５５、該排気ポート５５に接続された前記第１の排気管５６と、該第１の排気管５６を介して前記処理室３６を排気する前記真空ポンプ５８と、該真空ポンプ５８の２次側から排出されるガスを排気する為の前記第２の排気管５９と、該第２の排気管５９を介して排気ガスの有害成分を取除く前記除害装置６１とを備えている。
【００６７】
前記真空ポンプ５８の１次側の前記第１の排気管５６には、配管加熱ヒータ７８が装着されている。具体的には、前記排気ポート５５と前記真空ポンプ５８との間には、前記第４のバルブ５７が設けられており、前記配管加熱ヒータ７８は前記排気ポート５５から前記第４のバルブ５７迄の配管を加熱する様になっている。
【００６８】
又、前記真空ポンプ５８の２次側の前記第２の排気管５９に、高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段としての加熱ガス供給ユニット７９が設けられている。該加熱ガス供給ユニット７９は、加熱ガス供給管８１を介して加熱した不活性ガスを前記第２の排気管５９に供給し、該第２の排気管５９内部に反応副生成物が析出しない様にしている。前記加熱ガス供給ユニット７９は、例えばＮ2 ガスを前記真空ポンプ５８の近傍の１箇所より前記第２の排気管５９内に供給する様になっている。Ｎ2 ガスを前記真空ポンプ５８の近傍の１箇所より供給するのは、最も簡便で加熱効率がよいからである。
【００６９】
又、前記加熱ガス供給ユニット７９は、前記処理装置２１の交流電源（図示せず）を投入すると、前記加熱ガス供給ユニット７９から、高温に加熱されたＮ2 ガスが前記第２の排気管５９に流れる様になっている。
【００７０】
更に、本実施例では、第１の工程である反応性ガスを供給するレシピを実行する場合に、前記第２の排気管５９に大量の高温のＮ2 ガスを供給する。一方、第２の工程である反応性ガスを供給するレシピを実行しない場合の工程、即ちアイドル、スタンバイモード時等であって、レシピを実行し、ウェーハ２３に対して成膜処理を行った後の状態に於いては、反応性ガスを供給せずに、前記第２の排気管５９に供給される高温のＮ2 ガスの供給量を第１の工程より低減させる様にした。従って、必要以上のＮ2 ガスが消費されるのを防止でき、又Ｎ2 ガスの低減によりＮ2 ガスを加熱する為の電力を低減でき、資源の有効利用を図ることができる。更には、アイドル、スタンバイモード時等に於いてもＮ2 ガスを供給し続けることで、前記第２の排気管５９内の酸化及びそれに伴う該第２の排気管５９の腐食を防ぐことができる。
【００７１】
上記した実施例によれば、次の様な効果がある。
【００７２】
（１）反応副生成物による前記第２の排気管５９の詰りを有効に抑制することができる。
前記加熱ガス供給ユニット７９を設け、加熱された不活性ガスを前記真空ポンプ５８の２次側の前記第２の排気管５９に供給する様にしたので、該第２の排気管５９内に低温部が生じない様になる。従って、該第２の排気管５９の排気配管長が長くなっても低温部が生じないので、該第２の排気管５９に反応副生成物が付着する虞れがなくなり、反応副生成物による前記第２の排気管５９の詰りを有効に抑制することができる。
【００７３】
（２）前記真空ポンプ５８の排気能力が低下しない。
不活性ガスを、前記真空ポンプ５８の１次側に設けた前記第１の排気管５６に供給すると、前記真空ポンプ５８の排気能力が低下し、前記処理室３６内の速やかな排気ができずスループットが著しく低下するが、前記真空ポンプ５８の１次側の前記第１の排気管５６には不活性ガスを供給せず、前記真空ポンプ５８の２次側の前記第２の排気管５９に不活性ガスを供給しているので、前記真空ポンプ５８の排気能力が低下しない。
【００７４】
（３）不活性ガス資源の有効利用が図れる。
本実施例では、比較的圧力が高く、排気ガスへの熱伝導度が高い、前記真空ポンプ５８の２次側に高温のＮ2 をガス供給するので、比較的少量のＮ2 ガスを供給すれば足り、不活性ガス資源の有効利用が図れる。
【００７５】
又、本実施例では、レシピ実行時に大流量のＮ2 ガスを供給し、アイドル、スタンバイモード時等のレシピを実行していない場合にも少量のＮ2 ガスを供給し続けることで、酸素成分を含有したガスを用いて処理を行った後、前記第２の排気管５９内に酸素成分が残留し、該第２の排気管５９が酸化されるのを防止できると共に、必要以上のＮ2 ガスを必要とせず、不活性ガス資源の有効利用を図ることができる。
【００７６】
図２は、上記効果を実現する為の前記加熱ガス供給ユニット７９の具体的な構成図を示している。
【００７７】
該加熱ガス供給ユニット７９は、熱排気口８２を設けたハウジング８３を備えている。該ハウジング８３には、前記処理装置２１の電源となるＡＣ電源に接続されるＡＣ電源端子８４、Ｎ2 ガスが供給されるＮ2 ガス供給口８５、Ｎ2 ガスが排出されるＮ2 ガス排出口８６が設けられている。
【００７８】
又、前記ハウジング８３内には、前記Ｎ2 ガス供給口８５と前記Ｎ2 ガス排出口８６とを結ぶＮ2 ガスライン８７が設けられる。該Ｎ2 ガスライン８７には、前記Ｎ2 ガス供給口８５から前記Ｎ2 ガス排出口８６に向って順次、手動バルブ８８、圧力を調整するレギュレータ８９、流量を調整する流量調整器９１、及び熱交換器９２が設けられる。
【００７９】
該熱交換器９２は、Ｎ2 加熱用のランプ９３から受ける熱によりＮ2 ガスを加熱する様になっている。該ランプ９３は電力調整器９６に接続され、該電力調整器９６は、リレー接点９７を介して前記ＡＣ電源端子８４と接続されている。前記ランプ９３は、温度センサ９４に基づく温度調節計９５からの出力値に応じた電力を、電力調整器９６から供給され、前記熱交換器９２を介してＮ2 ガスが設定温度となる様に制御される。
【００８０】
又、前記流量調整器９１と前記リレー接点９７は、前記処理装置２１の前記コントローラ７４が有する作動ユニット９８と電気的に接続され、該作動ユニット９８からの信号により前記リレー接点９７のオン／オフが行われると共に、前記作動ユニット９８から送られる２パターンの信号により、前記流量調整器９１が所定の２パターンの開度となる様制御される。
【００８１】
前記作動ユニット９８からの信号により、前記リレー接点９７が閉じると、前記電力調整器９６に電流が流れ、前記ランプ９３が点灯して前記熱交換器９２が作動する。これにより、該熱交換器９２内を流れるＮ2 ガスが所定温度（約１５０〜１６０℃）に加熱される。
【００８２】
又、前記作動ユニット９８から２パターンの信号のいずれか一方が送られると、前記流量調整器９１は、例えば全開となり、前記Ｎ2 ガスライン８７にＮ2 ガスが流れ、大流量の高温のＮ2 ガスが前記Ｎ2 ガス排出口８６から排出される。前記作動ユニット９８から２パターンの信号のいずれか他方が送られると、前記流量調整器９１は、例えば僅かに開いた状態となり、前記Ｎ2 ガスライン８７にＮ2 ガスが流れ、小流量の高温のＮ2 ガスが前記Ｎ2 ガス排出口８６から排出される。
【００８３】
上述した前記加熱ガス供給ユニット７９は、前記作動ユニット９８により作動が制御される。該作動ユニット９８は、例えば２４Ｖの直流電源９９と、前記リレー接点９７の制御信号及び前記流量調整器９１の制御信号とを送信可能な信号送信手段１００とを備える。
【００８４】
前記処理装置２１側では、前記コントローラ７４により予め組込まれた各種プロセスレシピにより順を追って前記処理装置２１を動作させる様になっている。各プロセスレシピ毎に、前記作動ユニット９８より前記流量調整器９１に対して２パターンの制御信号のいずれか一方を出力するソフトを組む様にする。これにより、反応性ガスを流すレシピを実行する場合、前記作動ユニット９８より前記流量調整器９１が全開となる様制御信号が出力され、該流量調整器９１の開度が全開となり、前記加熱ガス供給ユニット７９より高温のＮ2 ガスを大量に流す様にする。又、反応性ガスを流すレシピを実行していない場合、前記作動ユニット９８より前記流量調整器９１が僅かに開放される様制御信号が出力され、該流量調整器９１の開度を僅かに開とし、前記加熱ガス供給ユニット７９より流す高温のＮ2 ガスの量を低減させる様にする。
【００８５】
ここで、反応性ガスを流すレシピとは、例えば、ウェーハチャージ、ボートアップ、成膜、ボートダウン、ウェーハディスチャージ迄の一連の作業を行うレシピをいい、この一連の作業の期間がレシピの実行中となる。このレシピの実行中は、継続して高温のＮ2 ガスを大量に流す様にする。その理由は、前記加熱ガス供給ユニット７９の前記ランプ９３をオンにしてから、Ｎ2 ガスの温度が目標の温度（約１５０〜１６０℃）に安定する迄時間が掛り（３０〜４０分）、その時間を確保する為である。
【００８６】
上述した様に、本実施例に於ける前記加熱ガス供給ユニット７９は、前記処理装置２１内から前述したソフトにより信号が出力された際に、前記ランプ９３を点灯させる。又、高温のＮ2 ガスを必要とするプロセスレシピを実行する際には、前記流量調整器９１を全開とすることで高温且つ大量のＮ2 ガスを流す様にし、アイドル、スタンバイモード時等レシピを実行していない際には、前記流量調整器９１を僅かに開とし、流すＮ2 ガスの流量を低減させている。更に、Ｎ2 ガス流量の低減に伴い、Ｎ2 ガスを加熱する前記ランプ９３に供給される電力も低減される。
【００８７】
従って、ＡＣ電源供給時点で、直ちに前記ランプ９３が点灯し、エアバルブが全開となり、電源投入時には常時高温のＮ2 ガスが供給される従来の加熱ガス供給ユニットと比べて、Ｎ2 ガスの低減による省資源化、Ｎ2 ガス低減に伴う前記ランプ９３に供給される電力の省電力化を図ることができる。
【００８８】
又、前記第２の排気管５９には、前記加熱ガス供給ユニット７９より常時高熱のＮ2 ガスが供給されているので、前記第２の排気管５９内の酸素成分を積極的に排気することができ、該第２の排気管５９内に残留した酸素成分により該第２の排気管５９が酸化されるのを防止することができる。
【００８９】
尚、上述した実施例では、前記加熱ガス供給ユニット７９は、前記真空ポンプ５８の近傍の前記第２の排気管５９に接続し、加熱された不活性ガス、例えばＮ2 ガスを前記真空ポンプ５８の近傍の１箇所より、前記第２の排気管５９内に供給する様になっている。然し乍ら、本発明はこれに限定されない。該第２の排気管５９内の複数箇所から高温の不活性ガスを供給する様にしてもよい。これによれば、１箇所から供給する場合の様に、前記第２の排気管５９の配管長が長くなった場合でも、該第２の排気管５９の全長に亘って該第２の排気管５９内を有効に加熱することができる。従って、加熱ガス供給箇所より離れるに従って、配管内部の温度が低下するということがなくなり、反応副生成物が固相に堆積し、配管内部に析出するのを防止することができる。特に、この様に複数箇所から高温の不活性ガスを供給する様な場合に於いては、Ｎ2 ガス流量及び前記ランプ９３の消費電力が増加するので、上述した前記加熱ガス供給ユニット７９を用いることにより、Ｎ2 ガスの消費量及び電力消費の抑制の利点は大きい。
【００９０】
（付記）
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００９１】
本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、該処理室に反応性ガスを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段と、前記処理室を排気する為の第１の排気管と、該第１の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、該排気手段から排気されるガスを排気する為の第２の排気管と、該第２の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、制御装置とを有する基板処理装置であって、前記不活性ガス供給手段は、前記制御装置により反応性ガスを供給するレシピを実行しない場合の不活性ガスの供給量を、レシピを実行する場合の不活性ガスの供給量よりも少ない量とする様制御されることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００９２】
又、本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、該処理室に反応性ガスを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段と、前記処理室を排気する為の第１の排気管と、該第１の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、該排気手段から排気されるガスを排気する為の第２の排気管と、該第２の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、制御装置とを有する基板処理装置であって、前記制御装置は、前記処理室に基板がある状態では反応性ガスを供給するレシピを実行し基板を処理すると共に、前記不活性ガス供給手段は前記第２の排気管に不活性ガスを供給する第１の工程と、前記処理室に基板がない状態では、前記レシピを実行せずに、前記不活性ガス供給手段は、前記第２の排気管に前記第１の工程の際に供給する不活性ガスの供給量より少ない量の不活性ガスを供給する第２の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００９３】
又、本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、該処理室に反応性ガスを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段と、前記処理室を排気する為の第１の排気管と、該第１の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、該排気手段から排気されるガスを排気する為の第２の排気管と、該第２の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、制御装置とを有する基板処理装置であって、前記制御装置は、前記処理室に基板がある状態では反応性ガスを供給するレシピを実行し基板を処理すると共に、前記不活性ガス供給手段は前記第２の排気管に不活性ガスを供給する第１の工程と、前記処理室に基板がない状態では、前記レシピを実行せずに、前記不活性ガス供給手段は、前記第２の排気管に前記第１の工程の際に供給する不活性ガスの供給量より少ない量の不活性ガスを供給する第２の工程とを有することを特徴とする基板処理方法が提供される。
【００９４】
更に、本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、該処理室に反応性ガスを交互に供給する複数の反応性ガス供給手段と、前記処理室を排気する為の第１の排気管と、該第１の排気管を介して前記処理室を排気する排気手段と、該排気手段から排気されるガスを排気する為の第２の排気管と、該第２の排気管に高温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、制御装置とを有する基板処理装置であって、前記不活性ガス供給手段は、前記制御手段により反応性ガスを供給するレシピを実行しない場合の不活性ガスの供給量を、レシピを実行する場合の不活性ガスの供給量よりも少ない量とする様制御されることを特徴とする半導体製造装置が提供される。
【符号の説明】
【００９５】
２１            処理装置
２３            ウェーハ
３４            処理炉
３６            処理室
４４            第１のガス供給管
４５            第２のガス供給管
５４            ガス供給部
５５            排気ポート
５６            第１の排気管
５８            真空ポンプ
５９            第２の排気管
６１            除害装置
７４            コントローラ
７９            加熱ガス供給ユニット
８１            加熱ガス供給管
９８            作動ユニット
【図１】
2013161898.tif 000003
【図２】
2013161898.tif 000004
【図３】
2013161898.tif 000005
【図４】
2013161898.tif 000006
【図５】
2013161898.tif 000007
【図６】
2013161898.tif 000008
【図７】
2013161898.tif 000009
【図８】
2013161898.tif 000010