(57)【要約】【課題】リードエラーの発生率を低下させることを可能とする磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。【解決手段】磁気記録層２０が形成されたガラス基板１Ｇは、一方の主表面側が凹となるように同心円的に湾曲した形状を有している。これにより、この磁気ディスクを高速回転させて、磁気ヘッドによって記録・再生を実施した場合においても、磁気ディスクの表面は高い平坦度を維持した状態で回転することができるため、磁気ヘッドにおけるリードエラーの発生率を低下させることが可能となる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱アシスト記録方式に用いられる磁気記録媒体の製造方法であって、
環状の円板形状を有するガラス基板を準備する工程と、
前記ガラス基板の２つの主表面を粗研摩する工程と、
粗研摩された前記ガラス基板の２つの前記主表面に対して表面強化層を形成する工程と、
一方の前記表面強化層の研磨量と他方の前記表面強化層の研磨量とが異なるように、２つの前記表面強化層に対して精密研磨処理を施すことにより、研磨量が少ない側の前記表面強化層が位置する前記主表面側が凹面となるように同心円的に前記ガラス基板を湾曲させる工程と、
前記ガラス基板が一方の主表面側に向けて同心円的に湾曲した形状のまま、前記ガラス基板の少なくとも一方の主表面に磁気記録層が形成される工程と、
を備える、磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記磁気記録層は、前記ガラス基板が凸となる研磨量が多い側の前記表面強化層が位置する前記主表面側に形成される、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
２つの前記主表面上にそれぞれ前記磁気記録層が形成される、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
熱アシスト記録方式に用いられる磁気記録媒体であって、
環状の円板形状を有するガラス基板と、
前記ガラス基板の２つの主表面のうち少なくと一方の主表面に設けられる平面形状が円形の磁気記録層と、を備え、
前記磁気記録層が設けられた前記ガラス基板は、一方の主表面側に向けて同心円的に湾曲した形状を有する、磁気記録媒体。
【請求項５】
前記ガラス基板の厚さ方向における、前記ガラス基板の中心部と縁部との距離は、０．１μｍ〜３．０μｍである、請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記ガラス基板の中心から２５ｍｍ位置における周方向の１周分における、最小二乗平面から最高点までの距離と最小二乗平面から最低点までの距離との合計の値が、１．０μｍ以下である、請求項４または５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記磁気記録層は、前記ガラス基板が凸となる前記主表面側に設けられる、請求項４から６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
２つの前記主表面上にそれぞれ前記磁気記録層が設けられる、請求項４から６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク（ＨＤＤ）等の情報記録媒体用の基板、特に熱アシスト記録媒体用の基板として適する磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク（ＨＤＤ）等の情報記録媒体用の基板としては、アルミニウム合金が用いられていた。しかしながら、アルミニウム合金は、変形しやすく、また研磨後の基板表面の平滑性が十分ではない等の問題を有していたため、現在ではガラス基板が広く使用されている（たとえば特許文献１〜６）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−０８００２５号公報
【特許文献２】特開２０００−１６９１８４号公報
【特許文献３】特開２００６−３２７９３５号公報
【特許文献４】特開２００６−３２７９３６号公報
【特許文献５】特開２００７−１６１５５２号公報
【特許文献６】国際公開第２００９／０２８５７０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
昨今、上記のような情報記録媒体においては、その情報記録量の増大に伴って記録密度を超高密度状態とすることが求められている。記録手段としては磁性方式が採用されているため、記録密度を高密度化すると記録の保持力が弱くなり、所謂「熱揺らぎ」として知られるように、記録中に発生する熱の影響により記録が消失してしまうという問題があった。
【０００５】
このような問題を解決する手段として、熱アシスト記録という方式の情報記録手段が注目されている。この熱アシスト記録は、レーザで記録媒体用の基板を加熱しながら情報記録を行なうことにより、上記のような問題を解決しようとするものである。このような熱アシスト記録方式の記録媒体は、基板（以下、「熱アシスト記録媒体用の基板」ともいう）としてガラス基板が用いられ、そのガラス基板上に複数の層からなる磁性磁気記録層（以下単に「磁気記録層」という）を形成した構成を有するが、該磁気記録層を緻密化させることを目的としてその形成時（成膜時）に５５０℃程度の極めて高い温度が適用されるという特殊性を有している。
【０００６】
さらに、磁気記録層を形成した後に、磁気記録層の結晶磁気異方性を向上させる目的から、約６００℃程度の後加熱処理が行なわれている。
【０００７】
このように高温の加熱処理を施した場合には、磁気記録媒体のガラス基板に非対称（後述する鞍型、楕円型）の変形が生じるおそれがある。その結果、磁気記録ヘッドを用いた記録情報の読出し時に磁気記録ヘッドがガラス基板に衝突し、リードエラーを発生させることが考えられる。
【０００８】
本発明は、上記のような現状に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、リードエラーの発生率を低下させることを可能とする磁気記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に基づいた、磁気記録媒体の製造方法においては、熱アシスト記録方式に用いられる磁気記録媒体の製造方法であって、環状の円板形状を有するガラス基板を準備する工程と、上記ガラス基板の２つの主表面を粗研摩する工程と、粗研摩された上記ガラス基板の２つの上記主表面に対して表面強化層を形成する工程と、一方の上記表面強化層の研磨量と他方の上記表面強化層の研磨量とが異なるように、２つの上記表面強化層に対して精密研磨処理を施すことにより、研磨量が少ない側の上記表面強化層が位置する上記主表面側が凹面となるように同心円的に上記ガラス基板を湾曲させる工程と、上記ガラス基板が一方の主表面側に向けて同心円的に湾曲した形状のまま、上記ガラス基板の少なくとも一方の主表面に磁気記録層が形成される工程とを備える。
【００１０】
他の形態では、上記磁気記録層は、上記ガラス基板が凸となる研磨量が多い側の上記表面強化層が位置する上記主表面側に形成される。
【００１１】
他の形態では、２つの上記主表面上にそれぞれ上記磁気記録層が形成される。
この発明に基づいた、磁気記録媒体においては、熱アシスト記録方式に用いられる磁気記録媒体であって、環状の円板形状を有するガラス基板と、上記ガラス基板の２つの主表面のうち少なくとも一方の主表面に設けられる平面形状が円形の磁気記録層と、を備え、上記磁気記録層が設けられた上記ガラス基板は、一方の主表面側に向けて同心円的に湾曲した形状を有する。
【００１２】
他の形態では、上記ガラス基板の厚さ方向における、上記ガラス基板の中心部と縁部との距離は、０．１μｍ〜３．０μｍである。
【００１３】
他の形態では、上記ガラス基板の中心から２５ｍｍ位置における周方向の１周分における、最小二乗平面から最高点までの距離と最小二乗平面から最低点までの距離との合計の値が、１．０μｍ以下である。
【００１４】
他の形態では、上記磁気記録層は、上記ガラス基板が凸となる上記主表面側に設けられる。
【００１５】
他の形態では、２つの上記主表面上にそれぞれ上記磁気記録層が設けられる。
【発明の効果】
【００１６】
この発明に基づいた磁気記録媒体およびその製造方法によれば、リードエラー発生率を低下させことを可能とする磁気記録媒体およびその製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態における熱アシスト磁気記録装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態における熱アシスト磁気記録装置の概略構成を示す側面図である。
【図３】実施の形態における磁気ディスクに用いられるガラス基板を示す斜視図である。
【図４】実施の形態における磁気ディスクを示す斜視図である。
【図５】実施の形態における他の磁気ディスクの部分拡大断面図である。
【図６】実施の形態における磁気ディスクの断面図である。
【図７】実施の形態における磁気ディスクの製造工程を示すフロー図である。
【図８】実施の形態における磁気ディスクの製造工程における化学強化工程を示すガラス基板の部分拡大断面図である。
【図９】実施の形態における磁気ディスクの製造工程における精密研磨工程におけるガラス基板の部分拡大断面図である。
【図１０】実施の形態における磁気ディスクの製造工程における精密研磨工程を施した後のガラス基板の部分拡大断面図である。
【図１１】実施の形態における他の磁気ディスクの断面図である。
【図１２】実施例および比較例において用いた磁気ディスクの種別を示す図である。
【図１３】実施例において用いた磁気ディスクの、（Ａ）鞍型の磁気ディスクの内部応力状態を示す模式図、（Ｂ）楕円型の磁気ディスクの内部応力状態を示す模式図、（Ｃ）楕円型の磁気ディスクの内部応力状態を示す模式図である。
【図１４】比較例１〜比較例２、および実施例１〜実施例３における、「ガラス基板平坦度（μｍ）」、「磁気ディスク平坦度(μｍ）」、「周方向ＴＩＲ(μｍ）」、および「リードエラー（％）（衝突によるもの）」の測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明に基づいた磁気記録媒体およびその製造方法について、以下、図を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。
【００１９】
また、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。また、各実施の形態における構成を適宜組み合わせて用いることは当初から予定されていることである。
【００２０】
（熱アシスト磁気記録装置２の概略構成）
まず、図１から図６を参照して、熱アシスト磁気記録装置２の概略構成の一例について説明する。なお、図１は、熱アシスト磁気記録装置２の概略構成を示す平面図、図２は、熱アシスト磁気記録装置２の概略構成を示す側面図、図３は、磁気ディスク１に用いられるガラス基板１Ｇを示す斜視図、図４は、磁気ディスク１を示す斜視図、図５は、他の磁気ディスク１Ａの部分拡大断面図、図６は、磁気ディスク１Ａの断面図である。
【００２１】
図１に示すように、熱アシスト磁気記録装置２は、矢印ＤＲ１方向に回転駆動される磁気記録媒体である熱アシスト磁気記録用の磁気ディスク１に対して、磁気記録ヘッド２Ｄが対向配置されている。なお、磁気ディスク１の形状については図６を用いて後述するが、本実施の形態において用いる磁気ディスク１は、同心円的に一方の主表面側に湾曲した形状を有している。
【００２２】
なお、「同心円的」にとは、磁気ディスク１の中心部からの距離が略等しい位置（円上）においては、基板の厚さ方向において、磁気ディスク１の中心部からの高さが略同じであり、中心から離れるほど、その高さが中心側よりも高く設けられる形状を意味する。
【００２３】
磁気記録ヘッド２Ｄは、サスペンション２Ｃの先端部に搭載されている。サスペンション２Ｃは、支軸２Ａを支点として矢印ＤＲ２方向（トラッキング方向）に回動可能に設けられている。支軸２Ａには、トラッキング用アクチュエータ２Ｂが取り付けられている。
【００２４】
図２に示すように、磁気ディスク１を挟んで、磁気記録ヘッド２Ｄに対向する側には、レーザ光ＬＢが照射される。磁気ディスク１上の記録する部分をレーザ光ＬＢで瞬間的に加熱し、磁気記録ヘッド２Ｄで磁気ディスク１にデータを記録する。
【００２５】
磁気ディスク１に形成された磁性層の磁気粒子は、その温度が上昇すると保持力が低くなる。レーザ光ＬＢで磁性層を加熱することで、常温では高い保持力を有する磁性層でも、通常の磁気記録ヘッド２Ｄでの記録が可能となり、超高密度記録の実現を可能とする。
【００２６】
なお、ここでは磁気記録ヘッド２Ｄの位置とレーザ光ＬＢの照射位置とは磁気ディスクに対して対向する構成としているが、ヘッドの構成と位置制御を簡略化するためにはそれらを磁気ディスク１に対して同一の側に配置構成してもよい。とくに磁気ディスク１の両面を記録面として使用する際には同一の側に配置構成することとなる。
【００２７】
（磁気ディスク１の構成）
次に、図３および図４を参照して、磁気ディスク１の構成について説明する。なお、図３は、磁気ディスク１に用いられるガラス基板１Ｇを示す斜視図、図４は、磁気ディスク１を示す斜視図である。
【００２８】
図３に示すように、磁気ディスク１に用いられるガラス基板１Ｇは、中心に孔１１が形成された環状の円板形状を呈している。ガラス基板１Ｇは、外周端面１２、内周端面１３、表主表面１４、および裏主表面１５を有している。ガラス基板１Ｇの大きさの一例としては、外径約６４ｍｍ、内径約２０ｍｍ、厚さ約０．８ｍｍである。
【００２９】
図４に示すように、磁気ディスク１は、上記したガラス基板１Ｇの表主表面１４上に磁性層２３が形成されている。図示では、表主表面１４上にのみ磁性層２３が形成されているが、裏主表面１５上に磁性層２３を設けることも可能である（図１１参照）。
【００３０】
磁性層２３の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきにより形成する方法が挙げられる。
【００３１】
スピンコート法での膜厚は約０．３〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜厚は０．０４〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での膜厚は０．０５〜０．１μｍ程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成が好ましい。
【００３２】
磁性層２３に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。近年では、熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、ＦｅＰｔ系の材料が用いられるようになってきている。
【００３３】
また、磁気記録ヘッドの滑りをよくするために磁性層２３の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。
【００３４】
さらに必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスクにおける下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。
【００３５】
また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。
【００３６】
磁性層２３の摩耗や腐食を防止する保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。
【００３７】
なお、上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層を形成してもよい。
【００３８】
（磁気ディスク１Ａ）
図５に、他の磁気ディスク１Ａの構成の一例を示す。図５は、他の磁気ディスク１Ａの部分拡大断面図である。この磁気ディスク１Ａは、ガラス基板１Ｇの上に複数層を有する磁気記録層２０が形成されている。
【００３９】
磁気記録層２０は、ガラス基板１Ｇの表主表面１４上に直接形成されるＡｌＮ等からなるシード（凹凸制御）層２１、シード（凹凸制御）層２１の上に形成される厚さ約６０ｎｍの下地層２２、下地層２２の上に形成される厚さ約３０ｎｍの磁性層２３、磁性層２３の上に形成される厚さ約１０ｎｍの保護層２４、および、保護層２４の上に形成される厚さ約０．８ｎｍの潤滑層２５を含んでいる。
【００４０】
なお、上記磁気ディスク１Ａの構成はあくまでも一例であり、磁気ディスク１Ａに要求される性能に応じて、ガラス基板１Ｇの大きさ、磁気記録層２０の構成は適宜変更される。
【００４１】
（磁気ディスク１Ａの詳細構造）
次に、図５に示す磁気記録層２０を採用した場合の磁気ディスク１Ａの詳細構造について、図６を参照して説明する。なお、図４に示した、磁気記録層として磁性層２３のみを形成した磁気ディスク１であっても同様である。
【００４２】
本実施の形態における磁気ディスク１Ａは、磁気記録層２０が形成されたガラス基板１Ｇは、一方の主表面側に向けて凹面となるように同心円的に湾曲した形状を有している。ここで、上記したように、「同心円的」とは、ガラス基板１Ｇの中心部からの距離が略等しい位置（円上）では、ガラス基板１Ｇの厚さ方向において、ガラス基板１Ｇの中心部からの高さが略同じであり、中心から離れるほど、その高さが中心側よりも高く設けられることを意味する。
【００４３】
本実施の形態では、ガラス基板１Ｇの厚さ方向における、ガラス基板１Ｇの中心部と縁部との距離（ｈ1）は、０．１μｍ〜３．０μｍであるガラス基板１Ｇが用いられている。また、ガラス基板１Ｇの周方向１周分のＴＩＲ(Total Indicator Runout）の値が、１．０μｍ以下となる、ガラス基板１Ｇが用いられている。なお、ＴＩＲ値については、後述する。また、磁気記録層２０は、ガラス基板１Ｇが凸となる主表面側に設けられている。
【００４４】
（ガラス基板１Ｇの製造工程）
次に、図７から図１１を参照して、本実施の形態に係るハードディスク用の磁気ディスク１Ａの製造方法を説明する。なお、図７は、磁気ディスク１Ａの製造工程を示すフロー図、図８は、磁気ディスク１Ａの製造工程における化学強化工程を示すガラス基板１Ｇの部分拡大断面図、図９は、磁気ディスク１Ａの製造工程における精密研磨工程におけるガラス基板１Ｇの部分拡大断面図、図１０は、磁気ディスク１Ａの製造工程における精密研磨工程を施した後のガラス基板１Ｇの部分拡大断面図、図１１は、他の磁気ディスク１Ｂの断面図である。
【００４５】
まず、ステップ１０（以下、「Ｓ１０」と略す。ステップ２０以降も同様。）の「ガラス溶融工程」において、基板を構成するガラス素材を溶融する。次に、Ｓ２０の「プレス成形工程」において、溶融ガラスを下型上に流し込み、上型によってプレス成形する。以上により、環状の円板形状を有するガラス基板１Ｇが準備される。
【００４６】
ガラス素材としては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、およびボロシリケートガラスなどを用いることができる。
【００４７】
Ｓ３０の「粗研磨工程」において、プレス成形されたガラス基板の表面が研磨加工され、ガラス基板の平坦度などが予備調整される。次にＳ４０の「化学強化工程」において、ガラス基板１Ｇの２つの主表面に対して表面強化層が形成される。
【００４８】
「化学強化工程」の具体的としては、化学強化液として、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）との混合溶液などを用いる。化学強化液を３００℃以上に加熱し、ガラス基板１Ｇを予熱し、化学強化溶の液中に約３時間〜約４時間浸漬する。
【００４９】
このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板１Ｇの表層のリチウムイオンおよびナトリウムイオンが、化学強化溶液中の相対的にイオン半径の大きなナトリウムイオンおよびカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板の表面が強化される。
【００５０】
図８の断面図に示すように、「化学強化工程（Ｓ４０）」により、ガラス基板１Ｇの２つの主表面には、それぞれ厚さ（ｔ１）が、約１０μｍ程度の表面強化層１０１Ａ，１０１Ｂが形成される。なお、ガラス基板１Ｇの主表面の平坦性および強度において優れた特性を得るには、ガラス基板１Ｇにはアルミノシリケートガラスを用いることが好ましい。
【００５１】
次に、Ｓ５０の「精密研磨工程」において、ガラス基板１Ｇに研磨加工が施される。この「精密研磨工程」においては、ガラス基板１Ｇの主表面の粗さを整える研磨工程を施するとともに、図９に示すように、表面強化層１０１Ａの研磨量と、表面強化層１０１Ｂの研磨量とが異なるようにガラス基板１Ｇに対して研磨加工を施す。
【００５２】
本実施の形態では、表面強化層１０１Ａの研磨量（ｔ２）を約２μｍ（残り厚さ（ｔ３）は、約８μｍ）、表面強化層１０１Ｂの研磨量（ｔ４）を約５μｍ（残り厚さ（ｔ５）は、約５μｍ）とした。
【００５３】
このように、表面強化層１０１Ａの研磨量と、表面強化層１０１Ｂの研磨量とが異なるようにガラス基板１Ｇに対して研磨加工を施すことで、残り厚さが厚い表面強化層１０１Ａの方が、表面強化層１０１Ｂに比べて圧縮応力が異なることとなる。
【００５４】
その結果、図１０に示すように、ガラス基板１Ｇは、研磨量が少ない側の表面強化層１０１Ａが位置する主表面側が凹面となうように同心円的にガラス基板１Ｇが湾曲することになる。湾曲の程度は、表面強化層１０１Ａの研磨量および表面強化層１０１Ｂの研磨量により適宜決定される。
【００５５】
なお、Ｓ３０の「粗研磨工程」とＳ４０の「化学強化工程」との間に、主にガラス基板１Ｇの主表面の粗さを整える研磨工程を採用することも可能である。
【００５６】
次に、Ｓ６０の「洗浄工程」において、ガラス基板は洗浄される。以上の工程により、ハードディスク用基板に適用可能なガラス基板１Ｇが得られる。
【００５７】
さらに、Ｓ７０の「成膜工程」において、磁気記録層２０が、ガラス基板１Ｇが凸となる研磨量が多い側の表面強化層１０１Ｂが位置する主表面側に形成される。最後に、Ｓ８０の「後熱処理工程」において、結晶磁界異方性向上のための加熱処理を施す。加熱温度は、約６００℃である。以上により、磁気ディスク（ハードディスク）１Ａが完成する。
【００５８】
なお、ガラス基板１Ｇは、厚さ約０．８ｍｍであるのに対して、磁気記録層２０は厚さが約１００ｎｍであることから、磁気記録層２０が、ガラス基板１Ｇの湾曲状態に影響を与えることはない。
【００５９】
また、上記実施の形態では、Ｓ７０の「成膜工程」において、磁気記録層２０が、ガラス基板１Ｇが凸となる研磨量が多い側の表面強化層１０１Ｂが位置する主表面側に形成される場合について説明したが、図１１に示すように、ガラス基板１Ｇの２つの主表面上にそれぞれ磁気記録層２０が形成された、磁気ディスク１Ｂを用いることも可能である。
【００６０】
以上、冒頭に説明したように、従来、磁気記録層が形成されたガラス基板は、「成膜工程」においては、磁気記録層を形成した後に、磁気記録層の結晶磁気異方性を向上させる目的から、約６００℃程度の後加熱処理が行なわれ、ガラス基板に非対称の鞍型や楕円型の変形が生じることが問題視されていた。
【００６１】
しかし、本実施の形態においては、予め「成膜工程」の前に、ガラス基板１Ｇに対し、一方の主表面側に向けて同心円的にガラス基板１Ｇを湾曲させておくことで、ガラス基板１Ｇの全体としての剛性が高まり、「成膜工程」における後加熱処理が施された場合であっても、ガラス基板に非対称の変形を生じさせることを防止することが可能となる。
【００６２】
さらに、ガラス基板１Ｇを一方の主表面側に向けて同心円的に湾曲させておくことで、この磁気ディスクを高速回転させて、磁気ヘッドによって記録・再生を実施した場合においても、磁気ディスクの表面は高い平坦度を維持した状態で回転することができるため、磁気ヘッドにおけるリードエラーの発生率を低下させることが可能となる。
【００６３】
（実施例）
次に、上述した実施の形態で示した製造方法で製造した磁気ディスクの実施例について説明する。上述した実施の形態で示した製造方法で製造した磁気ディスク（以下、実施例の磁気ディスクと称する。）１０枚と、従来の製造方法で製造した磁気ディスク（以下、比較例の磁気ディスクと称する。）１０枚とを準備した。
【００６４】
これら合計２０枚の磁気ディスクに対して、光学干渉計を用いて磁気ディスクの形状測定を行なった。その結果を図１２および図１３に示す。ガラス基板には、２．５インチのガラス基板を用い、ガラス基板の両面に磁気記録膜を成膜したものを用いた。
【００６５】
磁気ディスクの形状は、図１３に示すように、大別すると３種類に分けることができる。図１３（Ａ）は、鞍型と呼ばれる形状である。図中において点線で示すラインは、磁気ディスクの高さ（ガラス基板１Ｇの厚さ方向における、ガラス基板１Ｇの中心部からの高さ）方向で見た場合の、磁気ディスクの中心から同じ距離にある位置を結んだ線である。いわゆる、等高線である。鞍型の磁気ディスクの場合には、磁気ディスクの縁部側に中心が位置するような等高線が現れている。この場合、磁気ディスクは波打ったような状態となる。
【００６６】
図１３（Ｂ）は、楕円型と呼ばれる形状である。楕円型の磁気ディスクの場合には、磁気ディスクの中心から見て等高線が楕円状に現れている。この場合、磁気ディスクは円筒状に丸まったような状態となる。図１３（Ｃ）は、同心円型と呼ばれる形状である。同心円型の磁気ディスクの場合には、磁気ディスクの中心に対して同心円的に等高線が現れている。基板の内部応力状態を制御しない一般的な基板加工プロセスによれば、これらの形状は加工プロセスで蓄積された内部応力の分布状態によってランダムに現れる。
【００６７】
この同心円的に等高線が現れた場合には、底の浅いお椀形状を呈し、基板の厚さ方向において、ガラス基板の中心部からの距離が等しい位置（円上）においては、ガラス基板の中心部からの高さが同じであり、中心から離れるほど、その高さが中心側よりも高く設けられる形状となる。
【００６８】
図１２に示すように、実施例の磁気ディスク１０枚は、測定の結果、全て（Ｃ）同心円型であった。一方、比較例の磁気ディスク１０枚は、６枚が（Ａ）鞍型、４枚が（Ｂ）楕円型であり、（Ｃ）同心円型は存在しなかった。
【００６９】
次に、実施例の磁気ディスクと、比較例の磁気ディスクとの間で、リードエラーの発生状態の比較を行なった。その結果を図１４に示す。
【００７０】
比較例の磁気ディスクの中から、（Ａ）鞍型１枚、（Ｂ）楕円型１枚を選んで下記の測定を実施した。（Ａ）鞍型の磁気ディスクを比較例１、（Ｂ）楕円型の磁気ディスクを比較例２と称する。また、実施例の磁気ディスクの中から３枚を選んで下記の測定を実施した。これらの（Ｃ）同心円型の磁気ディスクを、実施例１〜実施例３と称する。
【００７１】
磁気ディスクの測定においては、（ａ）ガラス基板平坦度（μｍ）、（ｂ）磁気ディスク平坦度、（ｃ）周方向ＴＩＲの値（μｍ）、および（ｄ）リードエラー（衝突によるもの）を測定した。なお、同心円型の判定には、（ｉ）ディスクの中心に対して、等高線が同心であることと、（ｉｉ）中心から１７ｍｍ位置、および中心から２５ｍｍ位置での周方向の１周分のＴＩＲの値が共に１．０μｍ以下であることとを条件とした。
【００７２】
（ａ）ガラス基板平坦度は、磁気記録膜を成膜する前のガラス基板を測定したものである。（ｂ）磁気ディスク平坦度および（ｃ）周方向ＴＩＲ（μｍ）は、磁気記録膜を成膜した後の磁気ディスクを測定したものである。
【００７３】
こで、（ａ）ガラス基板平坦度、（ｂ）磁気ディスク平坦度、および（ｃ）周方向ＴＩＲの値は、基板の平坦度を表す指標であり、評価面の最小二乗平面から最高点までの距離と、最小二乗平面から最低点までの距離との合計の値である。
【００７４】
（ａ）ガラス基板平坦度および（ｂ）磁気ディスク平坦度は、基板の全面を測定するもので、最小二乗平面を基準とした最高点までの距離、最低点までの距離、の合計を評価面の全面にわたって測定した値である。（ｃ）周方向ＴＩＲは、中心から２５ｍｍの位置における周方向１周分を測定した値である。
【００７５】
周方向１周分のＴＩＲを１．０μｍ以下にすると磁気ヘッドの低浮上化や高速回転への対応が容易になり、安定して記録・再生を行なうことができる。周方向ＴＩＲが１．０μｍより大きいと、場合によっては磁気ヘッドと磁気ディスクとの衝突による記録・再生エラーが発生するおそれがある。よって、周方向ＴＩＲは１．０μｍ以下であることが好ましい。その中でも好ましくは０．５μｍ以下である。（ｃ）周方向ＴＩＲと（ｂ）平坦度とは、光学干渉計によって測定した。
【００７６】
図１４に示すように、比較例１での（ｄ）リードエラーは「３２％」、比較例２での（ｄ）リードエラーは「１８％」であるのに対して、実施例１での（ｄ）リードエラーは「５％」、実施例２および３での（ｄ）リードエラーは「２％」との測定結果が得られた。これにより、実施例１から３における磁気ディスクを用いた場合には、リードエラーの発生率を低下させることが可能であることが確認できた。
【００７７】
なお、（ａ）ガラス基板平坦度および（ｂ）磁気ディスク平坦度との間には、大きな変化がない。これは、「精密研磨工程」において、同心円型に形成されたガラス基板の形状が、磁気記録膜の成膜加熱処理においてもそのままの形状が維持されていることを意味している。
【００７８】
以上、本実施の形態における磁気ディスクおよびその製造方法によれば、情報のエラー発生率を低下させことを可能とする磁気ディスクおよびその製造方法を提供することが可能となる。
【００７９】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００８０】
１，１Ａ，１Ｂ  磁気ディスク、１Ｇ  ガラス基板、２  熱アシスト磁気記録装置、２Ａ  支軸、２Ｂ  トラッキング用アクチュエータ、２Ｃ  サスペンション、２Ｄ  磁気記録ヘッド、１１  孔、１２  外周端面、１３  内周端面、１４  表主表面、１５  裏主表面、２０  磁気記録層、２１  シード（凹凸制御）層、２２  下地層、２３  磁性層、２４  保護層、２５  潤滑層、１０１Ａ，１０１Ｂ  表面強化層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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