(57)【要約】【課題】遠隔で診断し、復旧が可能であるメモリシステムが提供される。【解決手段】１つ又はそれ以上のメモリチップとスマートメモリコントローラを含む。スマートメモリコントローラはクラウドに連結される送信機を含む。送信機はメモリと関連された製品識別情報ＩＤをクラウドへ伝送する。クラウド基盤のデータセンターは製品識別情報、及びそれと関連されたメモリ情報を受信し、格納する。スマートメモリテスターはクラウド基盤データセンターから製品特定テストプログラムを受信する。スマートメモリテスターはクラウドを経由して製品特定テストプログラムによるメモリの遠隔テストを遂行する。クラウド基盤のデータセンターに格納された情報は世界何処でも何時でも認証された個人によってアクセスされ得る。テスト結果と診断情報に基づいて復旧ソリューションが遠隔に決定され得る。復旧ソリューションはスマートメモリコントローラに伝送されてメモリ復旧に使用され得る。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリと、
前記メモリに連結されたスマートメモリコントローラと、を含み、
前記スマートメモリコントローラは、
クラウドに連結され、前記メモリに関連された製品識別情報を伝送するように設定される送信機と、
前記クラウドに連結され、前記クラウドから前記メモリの前記製品識別情報に関連された製品特定テストプログラムを受信する受信機と、を含むメモリシステム。
【請求項２】
前記スマートメモリコントローラは前記メモリ上で前記製品特定テストプログラムを実行するように設定され、
前記送信機は前記製品特定テストプログラムと関連されたテスト情報及び診断情報を前記クラウドへ伝送するように設定される請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項３】
前記受信機は前記クラウドから復旧ソリューションを受信し、
前記スマートメモリコントローラは前記復旧ソリューションを前記メモリに適用する請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項４】
前記スマートメモリコントローラは前記メモリ上で前記製品特定テストプログラムを実行するように設定され、
前記送信機は前記製品特定テストプログラムと関連された前記テスト情報及び前記診断情報を前記クラウドへ伝送するように設定される請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項５】
前記製品特定テストプログラムは、１つ又はそれ以上のテストパターン、アドレススクランブルテスト情報、データスクランブルテスト情報を含み、
前記受信機は前記クラウドから１つ又はそれ以上の前記テストパターン、前記アドレススクランブルテスト情報、前記データスクランブルテスト情報を受信する請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項６】
前記スマートメモリコントローラは、
前記受信機に連結されて１つ又はそれ以上の前記テストパターンをデコーディングするテストパターンデコーダーと、
前記受信機に連結されて前記アドレススクランブルテスト情報と前記データスクランブルテスト情報をデコーディングするテストコードデコーダーと、を含む請求項５に記載のメモリシステム。
【請求項７】
前記製品特定テストプログラムは１つ又はそれ以上のメモリ命令語を含み、
前記受信機は前記クラウドから１つ又はそれ以上の前記メモリ命令語を受信する請求項６に記載のメモリシステム。
【請求項８】
前記スマートメモリコントローラはシークェンサーをさらに含み、
前記テストコードデコーダーは前記１つ又はそれ以上のメモリ命令語をデコーディングし、
前記シークェンサーは前記１つ又はそれ以上のメモリ命令語と前記１つ又はそれ以上のテストパターンをバッファリングおよび配列し、
前記スマートメモリコントローラはデコーディングされた１つ又はそれ以上のテストパターンに基づいて、及びデコーディングされた１つ又はそれ以上のメモリ命令語に応答して前記メモリからデータを読み出すか、或いは前記メモリにデータを書き込む請求項７に記載のメモリシステム。
【請求項９】
前記シークェンサーは前記アドレススクランブルテスト情報と前記データスクランブルテスト情報をバッファリング及び配列し、
前記スマートメモリコントローラはデコーディングされた前記アドレススクランブルテスト情報とデコーディングされた前記データスクランブルテスト情報に基づいて前記メモリからデータを読み出すか、或いは前記メモリにデータを書き込む請求項８に記載のメモリシステム。
【請求項１０】
クラウドに連係して遠隔メモリと連係された製品識別情報を受信するクラウド基盤データセンターと、
前記クラウド基盤データセンターに連結されて、前記クラウド基盤データセンターから前記遠隔メモリの前記製品識別情報に関連された製品特定テストプログラムを受信する受信機を含むスマートメモリテスターと、を含み、
前記スマートメモリテスターは前記クラウドに連結された送信機を含み、前記クラウドを経由して前記製品特定テストプログラムによって前記遠隔メモリをテストするメモリシステム。
【請求項１１】
前記クラウド基盤データセンターは前記製品識別情報を参照して前記製品特定テストプログラムを選択し、
前記クラウド基盤データセンターは前記製品特定テストプログラムと関連されたテスト結果及び診断情報を受信し、
前記スマートメモリテスターの受信機は前記クラウドから前記製品特定テストプログラムと関連されたテスト結果及び診断情報を受信する請求項１０に記載のメモリシステム。
【請求項１２】
前記クラウド基盤データセンターは前記テスト結果、前記診断情報、及び前記遠隔メモリと関連された前記製品識別情報を格納して、前記テスト結果と前記診断情報が任意の時間に任意のアクセスポイントで認証された職員にアクセス可能するように設定される請求項１１に記載のメモリシステム。
【請求項１３】
前記クラウド基盤データセンターは前記テスト結果及び前記診断情報を参照して復旧ソリューションを決定し、
前記クラウド基盤データセンターは前記復旧ソリューションを前記遠隔メモリに伝送する請求項１２に記載のメモリシステム。
【請求項１４】
前記製品特定テストプログラムは１つ又はそれ以上のテストパターン、アドレススクランブルテスト情報、及びデータスクランブルテスト情報を含み、
前記スマートメモリテスターの送信機は前記１つ又はそれ以上のテストパターン、アドレススクランブルテスト情報、及びデータスクランブルテスト情報を前記クラウドへ伝送する請求項１０に記載のメモリシステム。
【請求項１５】
前記スマートメモリテスターは、
前記送信機に連結されて１つ又はそれ以上のテストパターンを符号化するテストパターンエンコーダーと、
前記送信機に連結されて前記アドレススクランブルテスト情報及び前記データスクランブルテスト情報を符号化するテスト符号エンコーダーをさらに含む請求項１４に記載のメモリシステム。
【請求項１６】
前記製品特定テストプログラムは１つ又はそれ以上のメモリ命令語を含み、
前記スマートメモリテスターの送信機は１つ又はそれ以上の前記メモリ命令語を前記クラウドへ伝送する請求項１５に記載のメモリシステム。
【請求項１７】
前記スマートメモリテスターは生成器をさらに含み、
前記テスト符号エンコーダーは１つ又はそれ以上の前記メモリ命令語を符号化し、
前記生成器は前記１つ又はそれ以上のメモリ命令語と前記１つ又はそれ以上のテストパターンを生成する請求項１６に記載のメモリシステム。
【請求項１８】
メモリと、
前記メモリに連結されたスマートメモリコントローラと、を含み、前記スマートメモリコントローラはクラウドに連結されて前記メモリに関連された製品識別情報を前記クラウドへ伝送し、
前記クラウドに連係して遠隔メモリと連係された製品識別情報を受信するクラウド基盤データセンターと、
前記クラウド基盤データセンターに連結されて、前記クラウド基盤データセンターから前記遠隔メモリの前記製品識別情報に関連された製品特定テストプログラムを受信する受信機を含むスマートメモリテスターと、を含み、
前記スマートメモリテスターは前記クラウドに連結された送信機を含み、前記クラウドを経由して前記製品特定テストプログラムによって前記メモリを遠隔にテストするメモリシステム。
【請求項１９】
前記スマートメモリコントローラは前記クラウドから前記メモリの製品識別情報と関係された前記製品特定テストプログラムを受信し、前記製品特定テストプログラムを前記メモリ上で実行し、
前記スマートメモリコントローラの送信機は前記製品特定テストプログラムと関連されたテスト情報及び診断情報を前記クラウドへ伝送するように設定され、
前記クラウド基盤データセンターは前記製品特定テストプログラムと関連された前記テスト結果と前記診断情報を受信する請求項１８に記載のメモリシステム。
【請求項２０】
前記クラウド基盤データセンターは前記テスト結果、前記診断情報、及び前記遠隔メモリと関連された前記製品識別情報を格納して、前記テスト結果と前記診断情報が任意の時間に任意のアクセスポイントで認証された職員にアクセス可能するように設定される請求項１９に記載のメモリシステム。
【請求項２１】
前記クラウド基盤データセンターは前記テスト結果及び前記診断情報を参照して復旧ソリューションを決定し、
前記クラウド基盤データセンターは前記復旧ソリューションを前記遠隔メモリへ伝送し、
前記スマートメモリコントローラの受信機は前記クラウドから前記復旧ソリューションを受信し、
前記スマートメモリコントローラは前記メモリに前記復旧ソリューションを適用する請求項１９に記載のメモリシステム。
【請求項２２】
遠隔メモリ診断及び動作遂行方法において、
スマートメモリコントローラによって、メモリに関連された製品識別情報をクラウドへ保安が確保された状態で安全に伝送する段階と、
前記メモリの遠隔個体によって前記メモリに関連された前記製品識別情報を前記クラウドから受信する段階と、
前記遠隔個体によって前記メモリの前記製品識別情報と関連された製品特定テストプログラムを前記クラウドへ伝送する段階と、
前記スマートメモリコントローラによって、前記メモリの製品識別情報と関連された前記製品特定テストプログラムを前記クラウドから安全に受信する段階と、を含む方法。
【請求項２３】
前記遠隔個体はクラウド基盤のデータセンターを含み、
前記メモリと関連されたテスト結果、診断情報、前記製品識別情報を前記クラウド基盤のデータセンターに格納する段階と、
前記テスト結果と前記診断情報を任意のインターネットアクセスポイント及び時間に認証された職員に提供する段階と、を含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記遠隔個体によってテスト結果と診断情報に基づいて復旧ソリューションを決定する段階と、
前記遠隔個体によって前記復旧ソリューションを前記クラウドへ安全に伝送する段階と、
前記スマートメモリコントローラによって、前記クラウドから前記復旧ソリューションを安全に受信する段階と、
前記復旧ソリューションを前記メモリに適用する段階と、を含む請求項２２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はスマートメモリ技術に関し、より詳細には遠隔にメモリシステムを診断し、最適化する技術と方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明はスタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、同期式ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、フラッシュメモリ、相変化ランダムアクセスメモリ（ＰＣＲＡＭ）、スピントランスファートルクランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＲＡＭ）、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）、抵抗性ランダムアクセスメモリ（ＲＲＡＭ（登録商標））等を含むメモリ集積回路を含むメモリシステムに情報を格納し、復旧技術に関連される。ここで、開示される発明の特徴は特にＳＴＴ−ＲＡＭ、ＭＲＡＭ、及びＲＲＡＭ（登録商標）のように確率論的な特性と相対的に高いエラー率を有するメモリに良く適用され得る。
【０００３】
半導体メモリ装置は電子システムでデータを格納するために幅広く使用されている。半導体メモリは大きく不揮発性メモリと揮発性メモリとに区分される。スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）や同期式ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）のような揮発性メモリ装置は提供される電源が切られれば、格納されたデータを失う。しかし、フラッシュメモリ、ＥＰＲＯＭ、ＭＲＡＭのような不揮発性半導体メモリ装置は提供される電源が遮断された後にも格納された電荷を維持する。電源故障や停電のような状況によってデータが消失されてはならない分野で不揮発性メモリがデータを格納するために使用される。
【０００４】
図１Ａ乃至図１ＤはスピントランスファートルクＭＲＡＭ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）セルを形成するために使用される磁気トンネル接合（以下、ＭＴＪ：ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｔｕｎｎｅｌ  ｊｕｎｃｔｉｏｎ）構造の断面を概略的に示す。図１Ａ乃至図１Ｄを参照すれば、ＭＴＪ１０は基準層１２、トンネル層１４、及び自由層１６を含む。基準層１２と自由層１６とは強磁性体層で形成し、反面トンネル層１４は非磁性層で形成され得る。基準層１２の磁化方向は製造工程で固定され、そのためＳＴＴ−ＲＡＭメモリ装置の動作の時には固定される。しかし、自由層１６の磁化方向はＭＴＪ構造へ流れる電流の大きさが要求される強さに到達すれば、変わり得る。
【０００５】
図１Ａでは基準層１２と自由層１６とは同一の磁化方向、即ち、平行磁化状態を有することと示されている。図１Ｂでは、基準層１２と自由層１６は反対の磁化方向、即ち、反平行磁化状態を有することと示されている。図１Ｃで、基準層１２と自由層１６とは同一であるが（平行状態）、自由層１６とトンネル層１４との間に定義される面に垂直になる方向の磁化状態を示す。図１Ｄで、基準層１２と自由層１６は互に反対方向であるが（反平行状態）、自由層１６とトンネル層１４との間に定義される面に各々垂直方向の磁化状態を示す。
【０００６】
図１Ａ、図１Ｃで示された平行状態から図１Ｂ、図１Ｄに示された反平行状態にスイッチするために基準層１２の電圧ポテンシャルが自由層１６の電圧ポテンシャルより相対的に高くならなければならない。この電圧差はスピン分極電子が自由層１６から基準層１２へ流れるように誘導し、これらの角運動量を変化させ、結局自由層１６の磁化方向を反平行状態に変化させる。反平行状態から平行状態にスイッチするために、自由層１６の電圧ポテンシャルが基準層１２の電圧ポテンシャルより相対的に高くならなければならない。この電圧差がスピン分極電子が基準層１２から自由層１６へ流れるように誘導し、これらの角運動量を変化させ、結局自由層１６の磁化方向を平行状態に変化させる。
【０００７】
平行状態から非平行状態に、又はその反対にスイッチするために、ＭＴＪ１０へ印加される電圧とＭＴＪ１０を流れる電流の大きさとは各々の閾値の対より大きくなければならない。スイッチングが発生するための閾値電圧を超過する電圧は、ここでスイッチング電圧Ｖｃと称する。同様に、スイッチングが発生するための閾値電流を超過する電流は、ここでスイッチング電流Ｉｃと称する。
【０００８】
広く公知されたように、自由層１６と基準層１２とが同一の磁化方向（即ち、平行状態）を有する場合、ＭＴＪ１０は相対的に低い抵抗を有する。反対に、自由層１６と基準層１２とが反対の磁化方向（即ち、反平行状態）を有する場合、ＭＴＪ１０は相対的に大きい抵抗を有する。このような抵抗値の差異はＭＴＪ１０がメモリ格納装置として動作する能力を提供する。このようなＭＴＪ１０の物理的な特性によって、ＭＴＪ１０の磁化状態を平行状態から反平行状態に変化させるために要求される臨界電流は、ＭＴＪ１０の磁化状態を反平行状態から平行状態に変化させるために要求される臨界電流より一般的に大きい。
【０００９】
図２ＡはＳＴＴ−ＭＲＡＭ形態のメモリセルで可変抵抗を構成する磁気トンネル接合１０、ＭＴＪとＳＴＴ−ＭＲＡＭセル３０を構成する選択トランジスター２０とを示す。ＭＴＪ１０は基準又は固定層１２、自由層１６、及び固定層１２と自由層１６との間に形成されるトンネル層１４を含む。トランジスター２０は高電流駆動が可能であり、低い閾値電圧、ＰＭＯＳトランジスターより相対的に小さい面積を有するＮＭＯＳトランジスターであり得る。ＭＲＡＭ３０に‘１’を書き込むための電流は‘０’を書き込むための電流と異なり得る。このような２つの書込み条件の差異による電流方向の対称性はトランジスター２０のゲート−ソース電圧の非対称性に起因する。
【００１０】
以下ではＭＲＡＭセルは該当ＭＴＪの自由層と基準層とが平行状態Ｐである場合、即ち低抵抗状態のＭＴＪを論理‘０’に定義する。反対に、ＭＲＡＭセルは該当ＭＴＪの自由層と基準層とが反平行状態ＡＰである場合、即ち高抵抗状態のＭＴＪを論理‘１’に定義する。他の実施形態で、ＭＲＡＭセルが反平行ＡＰ状態で論理‘０’に、そして平行状態Ｐで論理‘１’に定義され得ることは容易に理解できる。その上に、図２Ａで示したようにＭＴＪ１０の基準層が対応する選択トランジスターと隣接していることとみなす。
【００１１】
上記議論に従って、矢印３５方向（即ち、上側方向）へ流れる電流は該当ＭＴＪを（ｉ）平行状態Ｐから反平行状態ＡＰにスイッチするか、或いは（ｉｉ）以前に形成された反平行状態ＡＰを安定化させる。同様に、矢印４０方向（即ち、下側方向）へ流れる電流は該当ＭＴＪを（ｉ）反平行状態ＡＰから平行状態Ｐにスイッチするか、或いは（ｉｉ）以前に形成された平行状態Ｐを安定化させる。しかし、他の実施形態でこのような原則は逆になり得る。即ち、ＭＴＪの自由層が該当選択トランジスターに隣接することができる。このような実施形態（図示せず）では、矢印３５方向（即ち、上側方向）へ流れる電流は該当ＭＴＪを（ｉ）反平行状態ＡＰから平行状態Ｐにスイッチするか、或いは（ｉｉ）以前に形成された平行状態Ｐを安定化させる。同様に、矢印４０方向（即ち、下側方向）へ流れる電流は該当ＭＴＪを（ｉ）平行状態Ｐから反平行状態ＡＰにスイッチするか、或いは（ｉｉ）以前に形成された反平行状態ＡＰを安定化させる。
【００１２】
図２Ｂは格納されるデータにしたがって抵抗値が可変される格納媒体である図２Ａに図示されたＭＴＪ１０を模式的に示したＭＲＡＭ３０を示す。
【００１３】
ＭＴＪ１０をＡＰ状態からＰ状態に、又はＰ状態からＡＰ状態にスイッチするために要求される電圧は臨界スイッチング電圧Ｖｃ０を超過しなければならない。このスイッチング電圧Ｖｃ０に対応する電流を臨界電流又はスイッチング電流Ｉｃ０と称する。明かに示された臨界スイッチング電圧Ｖｃ０及びそれと関連された臨界スイッチング電流Ｉｃ０の大きさは多様な方式に定義され得る。例えば、特定時間以内にメモリセルの５０％のスイッチング確率に対応する値で選択され得る。言い換えれば、ＭＴＪ１０の設計及び／又は特定臨界スイッチング電圧Ｖｃ０及び／又はスイッチング電流Ｉｃ０条件でのスイッチング確率測定値に基づいて選択されるか、或いは決定され得る。
【００１４】
臨界スイッチング電流Ｉｃ０の閾値が充足されれば、メモリビットのスイッチング値は５０％の機会を有する（即ち、‘０’から‘１’に、又は‘１’から‘０’に）。期待信頼値標準を満足させるためのエラー率でスイッチングが発生するように保証するためにオーバードライブ電流が供給することもできる。このオーバードライブ電流、又はスイッチング電流Ｉｓｗは臨界スイッチング電流Ｉｃ０の１．３倍、１．５倍、２倍、又はそれ以上であり得る。例えば、もしＭＴＪを駆動する臨界スイッチング電流Ｉｃ０が２０ｎｓの書込みパルス幅で７μＡである場合、ＭＴＪの状態を信頼性あるようにスイッチするためのスイッチング電流Ｉｓｗは１１μＡ又はそれ以上であり得る。
【００１５】
一部の場合では、安全書込み電流（例えば、書込みエラー率が約１０ｅ−９未満である場合）は特定時間周期（例えば、１０ｎｓ）で約１．５乃至２倍の臨界スイッチング電流Ｉｃ０になり得る。メモリセルからビット値を読み出すためには相対的に安全読出し電流が提供され得る（例えば、読出しエラー率が約１０ｅ−９未満である場合）。即ち、安全読出し電流は臨界スイッチング電流Ｉｃ０の約０．２倍（２０％）であり得る。
【００１６】
他の例を通じて、もし臨界スイッチング電流Ｉｃ０が６μＡである場合、一般動作モードでの書込み電流は少なくとも１２μＡ、又は大略その程度より低く、一般モードでの読出し電流は１．２μＡより低くなり得る。このような方式に、一般書込み条件でメモリセルが適切にスイッチングする可能性は非常に高く、ある場合には概ね１００％に近くなる。類似に、一般読出し条件でメモリセルが意図しないようにスイッチングする可能性は非常に低く、概ね０％に近い。
【００１７】
一度ＡＰ状態にスイッチングされれば、印加電圧を除去してもＭＴＪ１０の状態には影響を及ばない。同様に、一般的な動作モードで、ＡＰ状態からＰ状態にスイッチングするために最小限の負電圧の臨界スイッチング電圧Ｖｃ０が提供されてメモリセルに反対方向に流れる最小限の臨界スイッチング電流Ｉｃ０が流れるようにすることができる。一度Ｐ状態にスイッチングされれば、印加電圧を除去してもＭＴＪ１０の状態には影響を及ばない。
【００１８】
言い換えれば、ＭＴＪ１０は‘０’を書き込むために反平行状態（即ち、高抵抗状態、又は論理‘１’状態）から平行状態（即ち、低抵抗状態又は論理‘０’状態）にスイッチングすることができる。ＭＴＪ１０が最初論理‘１’又は反平行状態に存在する場合、一般動作モードで‘０’を格納するために、トランジスター２０へ矢印４０方向の最小臨界スイッチング電流Ｉｃ０以上の電流が流れなければならない。このために、トランジスター２０のソースノード（又はソースラインＳＬが抵抗性経路（図示せず）を通じて接地ポテンシャルに連結され、正電圧がトランジスター２０のゲートノード（ワードラインＷＬ）へ提供され、正電圧がトランジスター２０のドレーンノード（ビットラインＢＬ）に連結される。
【００１９】
上述したように、論理‘１’を格納するためにＭＴＪ１０は平行状態で反平行状態にスイッチングされ得る。ＭＴＪ１０が最初論理‘０’又は平行状態Ｐに存在する場合、一般動作モードで‘１’を格納するために、トランジスター２０へ矢印３５方向の最小臨界スイッチング電流Ｉｃ０以上の電流が流れなければならない。このために、トランジスター２０のソースノード（又はソースラインＳＬ）抵抗性経路（図示せず）を通じて正電圧が提供され、トランジスター２０のゲートノード（ワードラインＷＬ）に正電圧が提供され、トランジスター２０のドレーンノード（ビットラインＢＬ）は抵抗性経路（図示せず）を通じて接地ポテンシャルに連結される。
【００２０】
図３は多様な書込みサイクルの間のＭＴＪ状態（又はそれの抵抗）の変化を示す。平行状態（Ｐ、低抵抗状態）から反平行状態（ＡＰ、又は高抵抗状態）に遷移するために最小限臨界スイッチング電圧Ｖｃ０又はそれ以上の正電圧が印加される。一度ＡＰ状態にスイッチングされれば、印加電圧を除去してもＭＴＪの状態には影響を及ばない。同様に、反平行状態（ＡＰ、高抵抗状態）から平行状態（Ｐ、又は低抵抗状態）に遷移するために臨界スイッチング電圧Ｖｃ０より低い負電圧が印加される。一度Ｐ状態にスイッチングされれば、印加電圧を除去してもＭＴＪ１０の状態には影響は及ばない。反平行状態に存在するＭＴＪの抵抗はＲｈｉｇｈに対応する。平行状態Ｐに存在するＭＴＪの抵抗はＲｌｏｗに対応する。
【００２１】
図４Ａは反平行状態（ＡＰ、即ち、高抵抗又は論理‘１’状態）から平行状態（Ｐ、即ち、低抵抗又は論理‘０’状態）にプログラムされるＭＴＪ１０を示す。この図面で、ＭＴＪ１０は最初論理‘１’又は反平行状態であることと仮定する。上述したように、‘０’を格納するために最小限臨界スイッチング電流Ｉｃ０より大きい電流Ｉｓｗがトランジスター２０で矢印４０方向に流れなければならない。このために、トランジスター２０のソースノード（又はソースラインＳＬ）が抵抗性経路（図示せず）を通じて接地ポテンシャルに連結され、正電圧ＶＰＰがトランジスター２０のゲートノード（ワードラインＷＬ）へ提供され、正電圧ＶＣＣがトランジスター２０のドレーンノード（ビットラインＢＬ）に連結される。
【００２２】
図５は図４Ａ、図４Ｂに示されたＭＴＪ１０のような一般的なＭＴＪで論理‘０’の書込み動作区間（略、２５ｎｓと３５ｎｓとの間）と、論理‘１’書込み動作区間（略、４５ｎｓと５５ｎｓとの間）でのワードラインＷＬ、ソースラインＳＬ、ソースノードＳＮ、及びビットラインＢＬの電圧レベルを示すタイミング図である。供給電圧ＶＣＣは約１．８Ｖであると仮定する。ワードライン信号ＷＬと列選択信号ＣＳとは示したように３．０Ｖのプログラム電圧レベルまでブースティングされる。‘０’の書込み動作の間に、ビットラインＢＬ、ソースラインＳＬ、及びソースノードＳＮのノード電圧は示したように各々約１．４３Ｖ、０．３４Ｖ、及び０．８８Ｖに設定される。‘１’の書込み動作の間に、ビットラインＢＬ、ソースラインＳＬ、及びソースノードＳＮのノード電圧は示したように各々約０．２３Ｖ、１．４３Ｖ、及び０．８４Ｖに設定される。示してはいないが、例示的なコンピューターシミュレーションのために、ＭＴＪへ流れる電流は‘０’書込み動作では１２１μＡ、‘１’書込み動作では９９．２μＡが流れる。
【００２３】
図４Ｂは論理‘１’を格納する時、平行状態Ｐから反平行状態ＡＰにプログラムされるＭＴＪ１０を示す。この図面で、ＭＴＪ１０は最初論理‘０’又は平行状態であることと仮定する。論理‘１’を格納するために、トランジスター２０へ矢印３５方向の最小臨界スイッチング電流Ｉｃ０以上の電流が流れなければならない。このために、トランジスター２０のソースラインＳＬには抵抗性経路（図示せず）を通じて電圧ＶＣＣが提供され、ワードラインＷＬノードに電圧ＶＰＰが、及びビットラインＢＬは抵抗性経路（図示せず）を通じて接地ポテンシャルが連結される。結果的に論理‘１’の書込み動作の間に、トランジスター２０のゲート−ソース電圧はＶＷＬ−ＶＳＮに設定され、トランジスター２０のドレーン−ソース電圧はＶＳＬ−ＶＳＮに設定される。このＳＴＴ−ＲＡＭタイプのメモリセルは優れた不揮発性メモリソリューションを提供することができる。
【００２４】
残念ながら、ＳＴＴ−ＲＡＭ又は他の形態のメモリチップで製造工程やその他の欠陥によって、メモリチップの全てメモリセルが適切に動作することはできない。メモリ復旧（ｍｅｍｏｒｙ  ｒｅｐａｉｒ）工程で、メモリチップはテストされ、フェイルメモリ素子はリダンダントメモリ素子に代替される。レーザー復旧工程で、メモリ復旧は一般的に第１番目のウエハー分類テストの以後に遂行される。レーザーを通じて結合が存在するメモリ素子を非活性化させるためにメモリヒューズバンク（ｍｅｍｏｒｙ  ｆｕｓｅ  ｂａｎｋｓ）を切断し、これらをリダンダント素子に代替する。メモリリペアは最終使用者では遂行されない。
【００２５】
メモリアクセス、保安データストレージ、データ検証及び復旧、データテスティング、メモリリペア等を提供するための多様なメモリシステムが提案されている。例えば、このようなシステムは特許文献１乃至特許文献８に開示され、これらのような特許文献は本発明のレファレンスに包含される。
【００２６】
ＰＣＲＡＭ、ＭＲＡＭ、及びＲＲＡＭ（登録商標）ディバイスのような相対的に高いエラー率と確率モデル傾向を有するメモリ特性を有するので、従来の技術ではメモリ欠陥を検出し、解決することは適切ではない。この分野では、メモリシステムにに対する総合的な診断と復旧ソリューションを提供することが難しいか、或いは不可能である。ここに開示される発明の概念はこのような従来技術の限界を言及している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２７】
【特許文献１】米国特許第６，６５７，９１４号明細書
【特許文献２】米国特許第６，７５４，８６６号明細書
【特許文献３】米国特許第７，３６５，５５７号明細書
【特許文献４】米国特許第７，４６６，１６０号明細書
【特許文献５】米国特許第７，４６６，６０３号明細書
【特許文献６】米国特許第７，６７３，１９３号明細書
【特許文献７】米国特許第７，７６８，８４７号明細書
【特許文献８】米国特許第７，７７９，３１１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
本発明の目的は遠隔に診断し、復旧が可能であるメモリシステムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
本発明の技術的特徴によれば、本発明のスマートメモリシステムは保安クラウドを通じて遠隔システム活性化及び復旧個体に連結され得る。インターネットに連結可能である装置に具現された前記スマートメモリシステムは、クラウドのアクセスが存在する任意の時間と場所でアクセス及び最適化が可能である。例えば、使用者開示命令や自動生成命令に基づいて遠隔テスト装備が前記装置によってアクセス及び活用され得る。前記スマートメモリシステムは遠隔に位置したアプリケーションエンジニアやその他の個体によって実時間診断及び復旧に活用され得る。
【００３０】
本発明の少なくとも１つの技術的特徴を含む実施形態は、メモリ、及び前記メモリに連結されたスマートメモリコントローラを含み、前記スマートメモリコントローラはクラウドに連結された送信機を含み、前記送信機は前記メモリと連係された製品識別情報を前記クラウドへ伝送し、前記クラウドに連係して遠隔メモリと連係された製品識別情報を受信するクラウド基盤データセンターを含み、前記クラウド基盤データセンターに連結されて、前記クラウド基盤データセンターから前記遠隔メモリの前記製品識別情報に関連された製品特定テストプログラムを受信する受信機を含むスマートメモリテスターを含み，前記スマートメモリテスターは前記クラウドと連結される送信機をさらに含み，前記クラウドを経由して前記製品特定テストプログラムによって前記メモリを遠隔にテストする。
【００３１】
本発明の技術的特徴にしたがう遠隔メモリ診断及び動作遂行方法において、例えば、スマートメモリコントローラによってメモリに関連された製品識別情報をクラウドへ保安が確保された状態で安全に伝送する段階、前記メモリの遠隔個体によって前記メモリに関連された前記製品識別情報を前記クラウドから受信する段階、前記遠隔個体によって前記メモリの前記製品識別情報と関連された製品特定テストプログラムを前記クラウドへ伝送する段階、及び前記スマートメモリコントローラによって前記メモリの製品識別情報と関連された前記製品特定テストプログラムを前記クラウドから安全に受信する段階を含む。
【００３２】
本発明の一実施形態において、本発明のメモリシステムはシステム−イン−パッケージ（ＳｉＰ）又はシステム−オン−チップ（ＳｏＣ）として具現され得る。このような実施形態はメモリアレイとメモリプロセスチップとの間に良好な連結が前提されなければならない。このような連結は、例えば、真性シリコンビア（ＴＳＶ）やその他のＳｉＰ技術を通じて達成できる。低いレイテンシと高いスループットのＳｉＰ連結を通じて向上されたシステム性能を提供することができる。このようなシステムの適用にしたがう不利な費用条件はＳｉＰ技術費用の持続的減少にしたがって最小化される。
【００３３】
本発明の特徴によれば、クロックなし（ｃｌｏｃｋ−ｌｅｓｓ）メモリ動作の提供又は非使用メモリセクションに対する電力遮断等による入出力ローディングの減少にしたがう電力消費を節減させ得る。電圧制御、温度補償、及び非同期式タイミング回路は電力消耗を減らし、効率的な動作を提供することに役に立つ。
【００３４】
本発明の他の特徴によれば、ディバイスプロセッサーは反複的な演算や作業の負担をスマートメモリシステムに分担させ得る。例えば、ＡＲＭ、ＭＩＰｓや望ましい特許プロセッサーの組合わせがスマートメモリシステムのメモリコントローラの内部又は他の領域に提供されて、装置のシステム資源を確保するための多様なプロセシング作業を遂行できる。
【００３５】
本発明の特徴にしたがうスマートメモリコントローラ及び／又は遠隔個体によって、メモリモニタリング、復旧、訂正、再割当も遂行できる。ＥＣＣ、アンチ−ヒューズ復旧、エラー遮断、読出し−比較−書込み、弱いビット置換、及びその他のエラー訂正技術がスマートメモリシステムで具現されることによって、データ安定性とエラー率を低減させ得る。
【００３６】
本発明の特徴の組合わせにしたがうメモリはＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＲＯＭ、ＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ、ＦｅＲＡＭ、ＰＣＲＡＭ、ＲＲＡＭ（登録商標）、ＭＲＡＭ、ＳＴＴ−ＭＲＡＭ等のメモリセルの中で少なくとも１つを包含することができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、メモリ装置の高い安定性とエラー率減少を具現することができる。
【００３８】
先に言及された、及び追加される本発明の技術的特徴及び長所は以下の図面を参照する詳細な説明を通じて明確に理解され得る。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１Ａ】平行磁化状態に対応するスピン伝達トルクＭＲＡＭセルの磁気トンネル接合構造の断面を概略的に示す断面図である。
【図１Ｂ】反平行磁化状態に対応する図１Ａの磁気トンネル接合構造の断面を概略的に示す断面図である。
【図１Ｃ】平行磁化状態に対応するスピン伝達トルクＭＲＡＭセルの磁気トンネル接合構造の断面を概略的に示す断面図である。
【図１Ｄ】反平行磁化状態に対応する図１Ｃの磁気トンネル接合構造の断面を概略的に示す断面図である。
【図２Ａ】選択トランジスターに連結される磁気トンネル接合の層を簡略に示す図面である。
【図２Ｂ】図２Ａの選択トランジスターに連結される磁気トンネル接合の簡略構造を示す図面である。
【図３】印加電圧によって抵抗が変化される図２Ａの磁気トンネル接合を示す図面である。
【図４Ａ】反平行状態で平行状態にスイッチングされることによってプログラムされる磁気トンネル接合の簡略に示す図面である。
【図４Ｂ】平行状態で反平行状態にスイッチングされることによってプログラムされる磁気トンネル接合の簡略に示す図面である。
【図５】論理‘０’と論理‘１’書込み動作区間で複数の信号を示すタイミング図である。
【図６】本発明の関連回路とメモリシステムを示すブロック図である。
【図７】クラウドに連結される保安インターフェイスを含む関連回路とメモリシステムを示すブロック図である。
【図８Ａ】スマートメモリコントローラとクラウドを通じて連結される遠隔スマートテスターコントローラを含むメモリシステムを示すブロック図である。
【図８Ｂ】図８Ａのスマートメモリコントローラを示すブロック図である。
【図８Ｃ】図８Ａのスマートテストコントローラを示すブロック図である。
【図９】スマートメモリシステムと通信する複数の要素、クラウド基盤データセンター、及び／又は遠隔スマートテスターを含むシステムを示すブロック図である。
【図１０】メモリ装置を安全にかつ遠隔にテストする技術を示す順序図である。
【図１１】メモリ装置を安全にかつ遠隔にメモリテストに対する情報を格納し、そのような情報にアクセスする技術を示す順序図である。
【図１２】本発明の実施形態によるメモリ装置を遠隔にテストし、復旧方法を示す順序図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
本発明の長所及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付される図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば明確になる。しかし、本発明は以下で開示される実施形態に限定されず、互いに異なる多様な形態に具現され得て、単なる本実施形態は本発明の開示が完全になるようにし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されることであり、本発明は請求項の範疇によって定義されるだけである。他の面で、以下で詳細に説明されないが、広く公知された方法、手続、要素、回路、ネットワーク等は不必要に又は曖昧に解釈されないようにするために詳細な説明は省略される。
【００４１】
第１及び／又は第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されるが、前記構成要素は前記用語によって限定されない。これら用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の概念にしたがう権利範囲から離脱されずに、第１構成要素は第２構成要素と称され得て、類似に第２構成要素は第１構成要素とも称され得る。
【００４２】
本明細書で使用した用語は単なる特定な実施形態を説明するために使用され、本発明を限定しようとする意図ではない。詳細な説明と請求項で使用した単数の表現は文脈の上に明確に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。本明細書で使用する用語‘及び／又は’は列挙される１つ又はそれ以上の項目の可能である全ての組合わせを言及又は包含するために使用されることは容易に理解できる。本明細書で、“包含”又は“有する”等の用語は実施された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらを組合わせたことが存在することを示すためのものであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらを組合わせた物の存在又は付加可能性を予め排除しないこととして理解しなければならない。図面に示された要素と特徴はこのような必ずそれに限定されないことは容易に理解できる。
【００４３】
書込み動作の間に、メモリセルは同一であり、固定された条件でも任意の他の機会に任意の他の時間に遂行され得る。このような動作は工場テストの間に、スクリーンを通じて検出できる消耗メカニズムの結果ではなく、メモリセルの書込み特性にしたがう確率論的な現象に起因する。工場で遂行されるテスト及び復旧工程によって非確率論的な原因によって欠陥セルとして決定されたメモリセルは可用セル集合（ｃｅｌｌ−ｐｏｐｕｌａｔｉｏｎ）から除去される。例えば、リダンダンシ動作で特定欠陥を有するメモリセルはオンチップリダンダントセルによって代替されることによってリペアされる。欠陥セルが復旧されないバッドチップは廃棄される。しかし、テストと復旧動作の以後にも残っている可用セル集合で相変わらずメモリチップの信頼性に影響を及ぶ確率的な動作を示すセルが存在する。
【００４４】
工場で行われるテストと復旧工程が完了されれば、チップは最終使用者へ伝達されてディバイスに装着される。チップが最終使用者による一般的な用途として使用される場合、メモリシステムは書込み速度が遅い欠陥セルの場合には可用アドレス空間で欠陥セルをマップアウトさせることのような基本的なフラッグ及び復旧動作を遂行できる。しかし、そのような基本的な動作は顧客システムの外部では制御されるか、或いは認知されることができない。
【００４５】
顧客システムに対するオンライン接続を有しない特定個体（ｅｎｔｉｔｙ）や個人の上述した不足な可視性及び接続は幅広く、より完全なメモリ動作、誤謬、復旧ソリューション提供を遮断する。設置されるメモリシステムの数は膨大であり、持続的に増加しているので、従来の診断及び復旧ソリューションの本質的な問題が発生するようになることはあまりにも明確である。遠隔に確率論的なセル動作問題を定量化し、克服できる新しいソリューションが必要である。
【００４６】
本発明の実施形態によれば、顧客の位置に設置されたメモリシステムは遠隔のメモリテスター（例えば、伝統的に使用者に配送される以前に工場でメモリのテストが可能である自動テスト装備（ＡＴＥ：ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｔｅｓｔ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）によってアクセス可能である。ここに開示される本発明の特徴によれば、製品識別情報ＩＤのようなメモリ製品情報がメモリテスターや認証されたその他の個体や人に認識され得る。そして、製品特定テスターパターンと復旧ソリューションがそのような情報を使用してローカルメモリシステムに提供され得る。ローカルシステムでの制限されたテスト範囲によって妨害されず、メモリシステムは数多くの遠隔ツールと資源に対するアクセスを獲得することができる。その他の例によれば、テストプログラムは顧客の使用パターンと環境とに基づいて最適化され得る。リダンダンシ分析と他の復旧ソリューションが顧客システムに提供されることもあり得る。
【００４７】
外部システムへの効率的及び効果的なアクセスを提供するために設計されたスマートメモリチップ（ＳｏＣ、ＭＣＭ、又はＳｉＰ）がクラウドへのアクセスを獲得するために使用され得る。また、スマートメモリコントローラを含むメモリチップがテストメモリクラウドへ直接アクセスすることができる。テスト命令、メモリ命令、アドレス、データ、テスト機能、製品ＩＤ等がクラウドから、そしてクラウドへ符号化及び／又は復号化されて安全に伝達され得る。テスト命令又はメモリ命令はバッファリング及び／又は配列され得る。
【００４８】
符号化及び／又は復号化データはクラウドを含むインターネット（例えば、無線又はイーサーネットケーブル等）又は適切なネットワークを通じて安全に伝送又は受信され得る。該当テストサイト（例えば、メインテスト設備、ローカル領域自動診断テストサイト、又はローカルアプリケーションエンジニア）がメモリシステムに情報を安全に伝送及び受信して、テストパターンとメモリ命令を通じて診断を遂行し、そして復旧ソリューションを適用することができる。
【００４９】
クラウド基盤データセンターは製品識別情報ＩＤとその他のメモリ特定情報を受信し、格納できる。製品識別情報ＩＤとその他のメモリ特定情報はダウンロードされる遠隔テスターがこの分野の製品（即ち、メモリタイプ、サイズ、仕様（ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、工程等）を識別し、適切なテストプログラムを選択するのに使用される。
テスト結果はデータセンターにアップロードされ得る。テスト結果は製造社のテストサイトでテストエンジニア、アプリケーションエンジニア、又は顧客等によって復旧され得る。したがって、データは、世界何処でも、何時でも認証された個体によってアクセスされ得る。
【００５０】
図６は本発明の実施形態による回路とメモリシステム６００を示すブロック図である。本発明の技術的特徴によれば、スマートメモリシステムは信頼性あるように、そして一貫された作業を遂行するために、望ましくはロジックプロセッサーに比べて高いエラー率、遅い読出し／書込み時間を有するメモリを許容する。
【００５１】
図６を参照すれば、スマートメモリシステム６００は読出し及び書込み動作を保証するためにメモリ６１５とスマートメモリコントローラ６２０との間に提供されるハンドシェーキングインターフェイス６０５を含むスマートメモリ６０２を含む。その上に、共通非同期メモリバス６１０が承認信号動作と読出し及び書込み動作とを保証するために提供される。共通非同期メモリバス６１０は望ましくは読出し及び書込み動作でメインシステムメモリ６１５への意図したデータの読出しや書込み動作を保証するためのハンドシェーキング手続を遂行する。さらに、ハンドシェーキングインターフェイス６０５が遂行するハンドシェーキング動作はボトルネックを回避し、経路変更能力を提供する。たとえ、ここで例示される（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ、ＲＲＡＭ（登録商標））メインシステムメモリ６１５は例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＲＯＭ、ＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ、ＦｅＲＡＭ、ＲＣＲＡＭ、ＲＲＡＭ（登録商標）、ＭＲＡＭ、ＳＴＴＭＲＡＭ等の未来形メモリであり得る。
【００５２】
スマートメモリシステム６００には、例えば、劣悪なデータ保有特性を有する不揮発性メモリビットやセクターに対するタッグ使用及び頻繁なリフレッシュ動作を通じて格納されるデータを維持する方式のエラー率低減方式が提供され得る。そして、エラー訂正符号（ＥＣＣ）、信号処理、プログラム可能であるリペア動作もメモリのエラーの減少及び訂正するために使用され得る。スマートメモリコントローラ６２０は適切なメモリリテンション及び読出し及び書込み動作を保証するために再設定及び最適化プロセッサーを遂行できる。高速インターフェイス６２５はロジックの動作速度を整合するためにスマートコントローラ６２０とシステムバス６１０との間に包含され得る。
【００５３】
スマートメモリ６０２は、例えば、１つ又はそれ以上のマルチプルロジックプロセッサー、或いはその他のディバイスが具備する装置に連結させるか、或いはそれらの内部に実装され得る。この実施形態で、ディバイスロジック６３０はアプリケーションロジック６３５、プロセッサー６４０、内部メモリ及びコントローラ６４５、及びアナログ装置６５０を含む。スマートメモリ６０２はシステムバス６１０を通じて１つ又はそれ以上のロジックコンポーネントと通信するように構成され得る。本発明の実施形態によれば、マルチシステムが並列的に存在することができる。例えば、マルチプロセッサーと付属回路とプログラム可能であり、メモリ形態の独立的な入出力インターフェイスと共に設定可能であるアドレス方式が使用され得る。
【００５４】
図７は本発明の一実施形態によるスマートメモリシステム７００を示すブロック図である。図７を参照すれば、スマートメモリシステム７００は成功的な読出し及び書込み動作を保証するためにメモリ７１５とスマートメモリコントローラ７２０との間に提供されるマルチプルハンドシェーキングインターフェイス又はバス７０５を含むスマートメモリ７０２を含む。スマートメモリコントローラ７２０はクラウド７３５と無線又はイーサーネットケーブル等の方式に連結される。
【００５５】
このようなクラウド７３５との直接アクセスはメモリ７１５に対する遠隔自動テストを行うようにする。例えば、スマートメモリ７０２から遠距離に位置する自動化テスト装備（７４０、ＡＴＥ）がメモリ７１５に対する診断、テスト、及び／又は復旧動作を遂行できる。以下でこのような動作が詳細に説明される。その上に、テストサイト又は個体（例えば、メインテスト設備、ローカル領域自動診断テストサイト、アプリケーションエンジニア等）がテストパターンとメモリ命令語とのような診断情報を安全に送受信し、また通信と復旧ソリューションの適用、及び以下で説明される動作を遂行できる。
【００５６】
スマートメモリコントローラ７２０はビルトインセルフテスト（ＢＩＳＴ）、アドレススクランブル、データスクランブル、プログラム可能である復旧、システムバスモニタリング等を自体で遂行される動作方式に、又は外部の遠隔個体によって遂行される動作方式に遂行できる。このような動作は以下でより詳細に説明される。スマートメモリコントローラ７２０はテストアルゴリズム翻訳機及び／又はテストシークェンス発生器を包含することができる。
【００５７】
共通非同期メモリバス７０５は書込み及び読出し動作の成功を保証するための承認信号を提供することができる。共通非同期メモリバス７０５は望ましくは読出し及び書込み動作の間に意図したデータがメインシステムメモリ７１５から成功的に読み出されたか、或いは成功的に書き込まれるかを確認するためにハンドシェーキング手続を適用することができる。さらに、マルチプルハンドシェーキングメモリインターフェイス７０５はボトルネックの回避と経路再設定能力を提供することができる。たとえ、ここで例示される（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ、ＲＲＡＭ（登録商標））メインシステムメモリ７１５は例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＲＯＭ、ＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ、ＦｅＲＡＭ、ＲＣＲＡＭ、ＲＲＡＭ（登録商標）、ＭＲＡＭ、ＳＴＴ−ＭＲＡＭ等の未来形メモリであり得る。システムバス７１０はシステム入出力仕様にしたがう。しかし、システムは非同期式ハンドシェーク形態のインターフェイスを使用することのみに制限されない。
【００５８】
スマートメモリシステム７００には、例えば、劣悪なデータ保有特性を有する不揮発性メモリビットやセクターに対するタッグ使用及び頻繁なリフレッシュ動作を通じて格納されるデータを維持する方式のエラー率低減方式が提供され得る。そして、エラー訂正符号（ＥＣＣ）、信号処理、プログラム可能であるリペア動作もメモリのエラーを減少及び訂正するために使用され得る。スマートメモリコントローラ７２０は適切なメモリリテンション及び読出し及び書込み動作を保証するために再設定及び最適化プロセッサーを遂行できる。高速インターフェイス７２５はロジックの動作速度を整合させるためにスマートコントローラ７２０とシステムバス１０との間に包含され得る。
【００５９】
スマートメモリ７０２は、例えば、１つ又はそれ以上のマルチプルロジックプロセッサー或いはその他のディバイスが具備する装置に連結させるか、或いはそれらの内部に実装され得る。この実施形態で、ディバイスロジック７３０はマイクロプロセッサー７４４、マイクロコントローラ７４６、アナログ回路７４５、ＲＦディバイス７５６、センサー７５８、マルチメディアユニット７６４、ＭＰＥＧ４ユニット７６６、デジタル信号プロセッサー（ＤＳＰ、７６８）、キャッシュ７７４、ＦＩＦＯバッファ７７６、シングルポートＳＲＡＭ７７８、マルチポートＳＲＡＭ７８０を含む。ディバイスロジック７３０は上述した列挙されたロジックプロセッサーや、他のディバイス、又はそれらの何らかの組合わせでも構成され得ることは容易に理解できる。スマートメモリ７０２はシステムバス７７１０を通じて１つ又はそれ以上のロジックコンポーネントと通信するように構成され得る。
【００６０】
図８Ａは本発明の実施形態によるスマートメモリコントローラ８２０とクラウドを通じて通信する遠隔スマートテスターコントローラ８４０を含むメモリシステム８００を示すブロック図である。スマートメモリコントローラ８２０はメモリ７１５に連結され得る。スマートメモリコントローラ８２０はクラウド基盤データセンター８８０に連結され得て、メモリ７１５と関連された製品識別情報（ＩＤ、８６２）をクラウドへ伝送することができる。スマートメモリコントローラ８２０は製品識別情報８６２と関連された製品特定テストプログラム８７０をクラウドから受信できる。
【００６１】
スマートメモリコントローラ８２０は製品特定テストプログラム８７０をメモリ７１５上で実行することができる。スマートメモリコントローラ８２０は製品特定テストプログラム８７０によるテスト結果８６４及び／又は診断情報８６６をクラウド基盤データセンター８８０へ伝送することができる。スマートメモリコントローラ８２０は製品履歴８８２、製品詳細仕様８８４、及び／又は顧客フィードバック情報８８６をクラウド基盤データセンター８８０へ伝達することができる。スマートメモリコントローラ８２０はクラウド基盤データセンター８８０から復旧ソリューション８６８を受信できる。スマートメモリコントローラ８２０は復旧ソリューション８６８をメモリ７１５に適用することができる。又は、スマートメモリコントローラ８２０はテスト結果及び／又は診断情報を参照して自ら復旧ソリューションを決定し、メモリに復旧ソリューションを適用することができる。以下で説明されるが、スマートメモリコントローラ８２０はバッドメモリ位置に対するタッグ及び／又は再マッピング機能を具備する。
【００６２】
製品特定テストプログラム８７０は１つ又はそれ以上のテストパターン８７２、アドレススクランブルテスト情報８７４、データスクランブルテスト情報８７６を包含することができる。スマートメモリコントローラ８２０は１つ又はそれ以上のテストパターン８７２、アドレススクランブルテスト情報８７４、データスクランブルテスト情報８７６をクラウドから受信することができる。スマートメモリコントローラ８２０はアドレススクランブルテスト情報８７４、データスクランブルテスト情報８７６を復号化できる。
【００６３】
製品特定テストプログラム８７０は１つ又はそれ以上のメモリ命令語８７８を包含することができる。スマートメモリコントローラ８２０は１つ又はそれ以上のメモリ命令語８７８をクラウドから受信することができる。スマートメモリコントローラ８２０は１つ又はそれ以上のメモリ命令語８７８を復号化できる。スマートメモリコントローラ８２０は１つ又はそれ以上のメモリ命令語８７８及び／又は１つ又はそれ以上のテストパターン８７２をバッファリングし、配列できる。スマートメモリコントローラ８２０は復号化された１つ又はそれ以上のメモリ命令語８７８及び／又は１つ又はそれ以上のテストパターン８７２に応答してメモリ７１５からデータを読み出すか、或いはメモリ７１５にデータを書き込むことができる。
【００６４】
さらに、スマートメモリコントローラ８２０はアドレススクランブルテスト情報８７４及びデータスクランブルテスト情報８７６をバッファリングし、配列できる。アドレススクランブルテスト情報８７４及びデータスクランブルテスト情報８７６はメモリテスト動作で物理ビット位置をデコーディングし、意図するメモリビットに対する正確なストレスを提供する。それはチェッカーボードパターン、ソリッドパターン、行ストライプパターン、列ストライプパターン、対角線パターン等の真のテストパターンを許容する。スマートメモリコントローラ８２０は復号化されたアドレススクランブルテスト情報８７４及びデータスクランブルテスト情報８７６に応答してメモリ７１５からデータを読み出すか、或いはメモリ７１５にデータを書き込むことができる。
【００６５】
他の実施形態で、クラウド基盤データセンター８８０は相対的に遠い距離に位置するメモリ７１５の製品識別情報８６２を受信して格納できる。例えば、クラウド基盤データセンター８８０は地球上のある場所に位置し、メモリ７１５は地球上で遠く離れた他の場所に位置することができる。クラウド基盤データセンター８８０はメモリ７１５に関連されたテスト結果８６４、診断情報８６６、製品識別情報８６２、製品履歴８８２、製品詳細仕様８８４、及び／又は顧客フィードバック情報８８６を格納し、この情報は任意の時間でも、任意のインターネットアクセスポイントでも認証された個体によってアクセスされ得る。
【００６６】
スマートメモリテスター及び／又はコントローラ８４０はクラウド基盤データセンター８８０に連結され得る。スマートメモリコントローラ８４０は自動化テスト装備（ＡＴＥ）に包含されるか、或いは外部で連結され得る。又はスマートメモリコントローラ８４０はその他の適当なメモリテスト器具８９０やシステムに提供され得る。スマートメモリコントローラ８４０はクラウド基盤データセンター８８０から遠隔のメモリ７１５の製品識別情報８６２に該当する製品特定テストプログラム８７０を受信できる。スマートメモリコントローラ８４０は製品特定テストプログラム８７０にしたがってクラウドを通じて遠隔にメモリ７１５をテストできる。
【００６７】
他の実施形態で、クラウド基盤データセンター８８０は格納された製品識別情報８６２を参照して製品特定テストプログラム８７０を選択することができる。フィールドアプリケーションエンジニア、テストエンジニア、デザインエンジニア等のような認証された個人が任意の時間に、任意のインターネットアクセスポイントでクラウド基盤データセンター８８０に格納された情報にアクセスでき、製品特定テストプログラム８７０を選択し及び／又は製品特定テストプログラム８７０のスマートテストコントローラ８４０やスマートメモリコントローラ８２０へ伝送するように制御することができる。
【００６８】
フィールドアプリケーションエンジニア、製品エンジニア、又はテストエンジニア等の個人が製品情報（例えば、製品特定テストパターン、アドレス／データスクランブル、テストシークェンス、タイミング情報等）を任意のインターネットアクセスポイント（例えば、スマートフォン、タブレット、ラップトップコンピュータ、ＰＣ等）からクラウド基盤データセンター８８０にアップロードすることもあり得る。
【００６９】
クラウド基盤データセンター８８０は製品特定テストプログラム８７０に関連された、テスト結果８６４、診断情報８６６、製品識別情報８６２、製品履歴８８２、製品詳細仕様８８４、及び／又は顧客フィードバック情報８８６を受信できる。フィールドアプリケーションエンジニア、テストエンジニア、デザインエンジニア等のような認証された個人が任意の時間に、任意のインターネットアクセスポイントでクラウド基盤データセンター８８０に格納された情報にアクセスできる。クラウド基盤データセンター８８０はそのような情報を全世界に散在された１つ又はそれ以上（例えば、数百万又は数十億）のメモリ装置に格納できる。結果的に、失敗通計と他の正量化可能である情報とが獲得され得り、分析され得る。
【００７０】
他の実施形態によれば、スマートテスターコントローラ８４０は製品特定テストプログラム８７０に関連された、テスト結果８６４、診断情報８６６、製品履歴８８２、製品詳細仕様８８４、及び／又は顧客フィードバック情報８８６を受信できる。このような情報はスマートテスターコントローラ８４０によって与えられた製品特定テストの調整、新しいテストを生成するのに使用され得る。
【００７１】
クラウド基盤データセンター８８０はテスト結果８６４、診断情報８６６、製品履歴８８２、製品詳細仕様８８４、及び／又は顧客フィードバック情報８８６を参照して自動的に復旧ソリューション８６８を決定することができる。又は、認証された個体がクラウド基盤データセンター８８０にアクセスして、テスト結果８６４、診断情報８６６、製品履歴８８２、製品詳細仕様８８４、及び／又は顧客フィードバック情報８８６を参照して復旧ソリューション８６８を決定することができる。クラウド基盤データセンター８８０又はスマートメモリテスターコントローラ８４０は決定された復旧ソリューション８６８を遠距離のメモリ７１５へ伝送することができる。
【００７２】
上述したように、製品特定テストプログラム８７０は１つ又はそれ以上のテストパターン８７２、アドレススクランブルテスト情報８７４、及び／又はデータスクランブルテスト情報８７６を包含することができる。スマートメモリテスターコントローラ８４０は１つ又はそれ以上のテストパターン８７２、アドレススクランブルテスト情報８７４、及び／又はデータスクランブルテスト情報８７６をクラウドへ伝送することができる。クラウド基盤データセンター８８０は製品特定テストプログラム８７０に関連されたテスト結果８６４及び／又は診断情報８６６を受信できる。スマートメモリテスターコントローラ８４０は製品特定テストプログラム８７０に関連されたテスト結果８６４及び／又は診断情報８６６をクラウド基盤データセンター８８０又はスマートメモリコントローラ８２０から直接受信できる。
【００７３】
スマートメモリテスターコントローラ８４０は１つ又はそれ以上のテストパターン８７２を符号化できる。スマートメモリテスターコントローラ８４０はアドレススクランブルテスト情報８７４及び／又はデータスクランブルテスト情報８７６を符号化されるか、或いは暗号化できる。製品特定テストプログラム８７０はスマートメモリテストコントローラ８４０によってクラウドへ伝送できる１つ又はそれ以上のメモリ命令語を含む。スマートメモリテストコントローラ８４０は例えば１つ又はそれ以上のメモリ命令語８７８及び／又は１つ又はそれ以上のテストパターン８７２をバッファリングし、再配列できる。
【００７４】
図８Ｂは本発明の実施形態による図８Ａのスマートメモリコントローラ８２０をさらに詳細に示すブロック図である。以下では図８Ａ及び図８Ｂが参照される。
【００７５】
スマートメモリコントローラ８２０は送信機／受信機／バッファブロック８１０を含む。送信機／受信機／バッファブロック８１０は１つのブロックに図示されたが、スマートメモリコントローラ８２０は各々分離された送信機、受信機、バッファユニットを包含することもあり得る。送信機８１０はクラウド８３５に連結されてメモリ７１５の製品識別情報８６２をクラウド８３５及び／又はクラウド基盤データセンター８８０へ伝達することができる。受信機８１０はクラウド８３５に連結されてメモリ７１５の製品識別情報８６２をクラウド８３５及び／又はクラウド基盤データセンター８８０から受信できる。
【００７６】
送信機８１０は製品特定テストプログラム８７０によるテスト結果８６４及び／又は診断情報８６６をクラウド８３５及び／又はクラウド基盤データセンター８８０へ伝送することができる。受信機８１０はクラウド８３５及び／又はクラウド基盤データセンター８８０から復旧ソリューション８６８を受信できる。スマートメモリコントローラ８２０は受信された復旧ソリューション８６８をメモリ７１５に適用することができる。
【００７７】
受信機８１０はクラウド８３５及び／又はクラウド基盤データセンター８８０から１つ又はそれ以上のテストパターン８７２、アドレススクランブルテスト情報８７４、データスクランブルテスト情報８７６を受信できる。スマートメモリコントローラ８２０は受信機８１０に連結されるテストパターン及びアドレス／データスクランブルデコーダー８０６をさらに包含できる。テストパターンデコーダー８０６はアドレススクランブルテスト情報及びデータスクランブルテスト情報と関連された１つ又はそれ以上のテストパターン８７２を復号化できる。アドレス／データスクランブルデコーダー８０６は論理アドレスを対応する物理アドレス位置に復号する。例えば、アドレス／データスクランブルデコーダー８０６は相反されたデータが隣接するメモリ領域に書き込まれてセルの間に漏洩が発生するか、相反されたデータ状態が大部分であるメモリ領域にいずれか１つのデータ状態を特定順序に書き込むか、或いは読み出してことを行うようにする。スマートメモリコントローラ８２０は受信機８１０に連結されるテスト符号デコーダー８０８を包含することができる。テスト符号デコーダー８０８は１つ又はそれ以上のメモリ命令語８７８、アドレススクランブルテスト情報８７４、及び／又はデータスクランブルテスト情報８７６を復号化できる。
【００７８】
受信機８１０はクラウド８３５及び／又はクラウド基盤データセンター８８０から１つ又はそれ以上のメモリ命令語８７８を受信できる。スマートメモリコントローラ８２０は命令語、アドレス、及び／又はデータシークェンサー８０２を包含することができる。シークェンサー８０２は入出力バッファ８０４を包含するか、或いはそれに連結され得る。シークェンサー８０２は１つ又はそれ以上のメモリ命令語８７８、１つ又はそれ以上のテストパターン８７２、及びアドレスとスクランブルテスト情報を配列し、バッファリングできる。１つ又はそれ以上のメモリ命令語８７８及び／又は１つ又はそれ以上のテストパターン８７２、及びスクランブル情報に応答してデータがメモリ７１５から読み出されるか、或いはメモリ７１５に書き込まれ得る。
【００７９】
さらに、シークェンサー８０２はアドレススクランブルテスト情報８７４及び／又はデータスクランブルテスト情報８７６を配列し、バッファリングできる。スマートメモリコントローラ８２０は復号化されたアドレススクランブルテスト情報８７４及び／又はデータスクランブルテスト情報８７６に応答してメモリ７１５からデータを読み出すか、或いはメモリ７１５にデータを書き込むことができる。
【００８０】
入出力バッファ８０４はメモリ７１５から読出し及び／又は書込み動作に関係された結果及び／又は状態情報を受信し、バッファリングする。結果及び／又は状態情報は結果及び状態レジスター８０７に格納され得る。スマートメモリコントローラ８２０はレジスター８０７から結果及び／又は状態情報を受信し、符号化できる結果及び状態エンコーダー８０９をさらに包含できる。送信機８１０は結果及び／又は状態情報をクラウド８３５及び／又はクラウド基盤データセンター８８０へ伝送することができる。
【００８１】
図８Ｃは本発明の実施形態に図８Ａのスマートテスターコントローラ８０３をさらに詳細に示すブロック図である。以下では図８Ａ、図８Ｂ、及び図８Ｃが説明に参照される。
【００８２】
スマートメモリテスターコントローラ８４０はクラウド８３５及び／又はクラウド基盤データセンター８８０に連結される送信機／受信機／バッファブロック８５０を含む。送信機／受信機／バッファブロック８５０は１つのブロックに図示されたが、スマートメモリテスターコントローラ８５０は各々分離された送信機、受信機、バッファユニットを包含することもあり得る。送信機８５０はクラウド８３５及び／又はクラウド基盤データセンター８８０からメモリ７１５の製品識別情報８６２に関係された製品特定テストプログラム８７０を受信できる。スマートメモリテスターコントローラ８４０は送信機及び／又は受信機８５０を通じてクラウド８３５を経由して製品特定テストプログラム８７０にしたがって遠隔にメモリ７１５をテストできる。
【００８３】
他の実施形態によれば、クラウド基盤データセンター８８０は格納された製品識別情報８６２を参照して製品特定テストプログラム８７０を選択することができる。フィールドアプリケーションエンジニア、テストエンジニア、デザインエンジニア等のような認証された個人が任意の時間に、任意のインターネットアクセスポイントでクラウド基盤データセンター８８０に格納された情報にアクセスでき、製品特定テストプログラム８７０を選択し及び／又は製品特定テストプログラム８７０のスマートテストコントローラ８４０やスマートメモリコントローラ８２０へ伝送するように制御することができる。
【００８４】
クラウド８３５及び／又はクラウド基盤データセンター８８０は製品特定テストプログラム８７０に関連された、テスト結果８６４、診断情報８６６、製品識別情報８６２、製品履歴８８２、製品詳細仕様８８４、及び／又は顧客フィードバック情報８８６を受信できる。フィールドアプリケーションエンジニア、テストエンジニア、デザインエンジニア等のような認証された個人が任意の時間に、任意のインターネットアクセスポイントでクラウド基盤データセンター８８０に格納された情報にアクセスできる。
【００８５】
他の実施形態によれば、スマートテスターコントローラ８４０の受信機８５０はクラウド８３５及び／又はクラウド基盤データセンター８８０から製品特定テストプログラム８７０に関連された、テスト結果８６４、診断情報８６６、製品履歴８８２、製品詳細仕様８８４、及び／又は顧客フィードバック情報８８６を受信できる。このような情報はスマートテスターコントローラ８４０によって与えられた製品特定テストの調整、新しいテストを生成するのに使用され得る。
【００８６】
上述したように、製品特定テストプログラム８７０は１つ又はそれ以上のテストパターン８７２、アドレススクランブルテスト情報８７４、及び／又はデータスクランブルテスト情報８７６を包含することができる。スマートメモリテスターコントローラ８４０の送信機８５０は１つ又はそれ以上のテストパターン８７２、アドレススクランブルテスト情報８７４、及び／又はデータスクランブルテスト情報８７６をクラウド８３５及び／又はクラウド基盤データセンター８８０へ伝送することができる。クラウド基盤データセンター８８０は製品特定テストプログラム８７０に関連されたテスト結果８６４及び／又は診断情報８６６を受信できる。スマートメモリテスターコントローラ８４０の受信機８５０は製品特定テストプログラム８７０に関連されたテスト結果８６４及び／又は診断情報８６６をクラウド８３５及び／又はクラウド基盤データセンター８８０、又はスマートメモリコントローラ８２０から直接受信できる。
【００８７】
スマートメモリテスターコントローラ８４０は結果及び状態デコーダー８１３はテスト結果８６４及び／又は診断情報８６６、及び／又は状態情報を復号化できる。スマートメモリテスターコントローラ８４０は結果及び状態デコーダー８１３から復号された情報を受信し、格納する結果及び診断レジスター８１１を包含することができる。結果、診断及び／又は状態情報の受信は入出力バッファ８４４を通じてテスター８９０が遂行できる。
【００８８】
スマートメモリテスターコントローラ８４０は命令語、アドレス、及び／又はデータ発生器８４２をさらに包含できる。発生器８４２はバッファ８４４に連結させるか、或いは関係され得る。発生器８４２は例えば、１つ又はそれ以上のメモリ命令語８７８及び／又は１つ又はそれ以上のテストパターン８７２を生成することができる。スマートメモリコントローラ８４０は送信機８５０に連結されるテストパターン及びアドレス／データスクランブルエンコーダー８５６をさらに包含できる。テストパターンエンコーダー８５６はアドレススクランブルテスト情報及びデータスクランブルテスト情報と関連された１つ又はそれ以上のテストパターン８７２を符号化できる。スマートメモリテスターコントローラ８４０は送信機８５０に連結されるテスト符号エンコーダー８５４を包含することができる。テスト符号エンコーダー８５４はアドレススクランブルテスト情報８７４、及び／又はデータスクランブルテスト情報８７６を符号化できる。
【００８９】
製品特定テストプログラム８７０は発生器８４２から生成されてテスト符号エンコーダー８５４によって符号化され、スマートメモリテスターコントローラ８４０の送信機８５０によってクラウド８３５へ伝送される１つ又はそれ以上のメモリ命令語８７８を含む。
【００９０】
所定の構成はスマートメモリコントローラ８２０とスマートメモリテスターコントローラ８４０の構成として記述されたが、多様な他の構成が上述した構成の間に提供されるか、或いは付加され得り、構成の配列は図示された順序に制限される必要はない。
【００９１】
図９は本発明の特徴にしたがう複数の構成及び個体がスマートメモリシステム７０２、クラウド基盤データセンター８８０、及び／又は遠隔スマートメモリテスターコントローラ８４０を含むシステム９００を示すブロック図である。システム９００に含まれる一部構成は以前の図面で詳細に説明されたので、それらに対する説明は簡単にするために省略する。
【００９２】
スマートメモリテスターコントローラ８４０は自動化テスト装備（ＡＴＥ）や他の適当なテスト装備で構成されるメモリテスト器具８９０に包含されるか、或いは連結され得る。スマートメモリコントローラ８４０は保安サイト又は保安ゲートウェイ装置９１５に防火壁９１０を通じて連結され得る。保安ゲートウェイ装置９１５はクラウド８３５に連結され得る。
【００９３】
クラウド基盤データセンター８８０は上述したように、クラウド８３５に連結されてクラウド８３５に連結される装備に位置するメモリに関係された情報を受信し、格納し、伝達する。
【００９４】
他の装置及び個体もクラウド８３５に連結され得る。例えば、カメラ９１０はスマートメモリ７０２を包含でき、カメラ９１０に内装されるスマートメモリコントローラ７２０の送受信機８１０を通じてクラウド８３５に連結され得る。システム９００に図示されたいずれか１つ又はそれ以上の装置及び個体は各々スマートメモリコントローラ７２０と該当メモリとを包含することができる。
【００９５】
例を追加すれば、コンピューターサーバー９６５、個人用コンピューター９４０、タブレット装置９４５、ラップトップコンピュータ９２５、個人用デジタル補助装備９５０、電話機９５５、ネットワーク装置９６０、及びそのような種類の装置の各々がスマートメモリコントローラ７２０と該当メモリを包含でき、各々はクラウド８３５に連結され得る。
【００９６】
エンジニア９３０、アプリケーションフィールド職員９３５、及び／又は認証された職員はクラウド８３５を通じてクラウド基盤データセンター８８０に格納された情報にアクセスできる。このような人は上述した情報を使用して製品特定テストプログラムが多様な装置内のメモリで動作するように制御することができる。このような人はテスト結果や他の有用な情報を収集でき、そのような情報を分析して１つの装置又は多い装置に対する集められた形態に処理できる。
【００９７】
テストサイト（例えば、メインテスト設備、ローカル領域自動診断テストサイト等）や個人（例えば、ローカルアプリケーションエンジニア、テストエンジニア、デザインエンジニア等）が診断のための情報（例えば、テストパターン、メモリ命令語等）や復旧ソリューションを保安条件で受信し、伝送することができる。クラウド基盤データセンター８８０は製品識別情報及びその他の製品特定情報を包含することができる。製品識別情報は上述したようにフィールドで製品を識別するために使用され得り、遠隔テスター９０５に適切なテストプログラムをダウンロードできる情報として使用される。
【００９８】
テスト結果はクラウド基盤データセンター８８０にアップロードされ得る。テスト結果は製造社のテストサイトでテストエンジニアや製造テストサイトの他の職員、アプリケーションエンジニア、又は顧客等によって復旧され得る。したがって、データは、世界どこでもどの時間でも認証された個体によってアクセスされ得る。
【００９９】
図１０は本発明の実施形態による遠隔にメモリ装置を安全にテストする技術を示す順序図である。本発明の開始段階（１００５）で、スマートメモリコントローラがメモリに関連された製品識別情報をクラウドへ保安が確保された状態で安全に伝送する。段階（１０１０）で、メモリから遠隔に位置する個体（例えば、クラウド基盤データセンター、遠隔テスト装備やコントローラ等）によって前記メモリに関連された前記製品識別情報をクラウドから受信する。段階（１０１５）で、遠隔個体によって、メモリの製品識別情報と関連された製品特定テストプログラムがクラウドへ保安状態で伝送される。
【０１００】
段階（１０２０）で、スマートメモリコントローラはメモリの製品識別情報と関連された製品特定テストプログラムをクラウドから安全に保安モードに受信する。情報に対するエンコーディング、暗号化、保安通信チャンネル等を通じて情報は安全に伝送及び受信される。
【０１０１】
図１１は本発明の実施形態によるメモリテストに関連された情報を遠隔に保安モードに格納し、そのような情報に対するアクセスを提供する技術を示す順序図（１１００）である。  
【０１０２】
開始段階（１１０５）で、世界至る所に散在する多様なメモリ装置に内装される１つ又はそれ以上のスマートメモリコントローラがクラウド基盤データセンターへ製品識別情報ＩＤｓを伝送する。段階（１１１０）で、クラウド基盤データセンターがメモリに関連された製品識別情報ＩＤを格納する。次の段階（１１１５）で、各々のメモリに対して遂行されたテストと関連されたテスト結果及び／又は診断情報をクラウド基盤データセンターに格納する。段階（１１２０）で、テスト結果及び／又は診断情報は適当な始点に任意のインターネット接続ポイントに該当する認証された個人に提供される。
【０１０３】
図１２は本発明の実施形態によるメモリ装置の遠隔テスト及び復旧方法を示す順序図（１２００）である。開始段階（１２０５）で、メモリはクラウドを経由して遠隔にテストされる。段階（１２１０）で、メモリに対する遠隔テストと関連されたテスト結果及び／又は診断情報はクラウド基盤データセンターに格納され得る。次の段階（１２１５）で、テストが完了されたか否かが決定される。もし、テストが完了されなかったら（はい方向）、手続は段階（１２０５）へ復帰して追加動作とテストを進行する。反面、テストが完了されたら（いいえ方向）、手続はテスト結果及び／又は診断情報に基づいた１つ又はそれ以上の診断ソリューションを決定するための段階（１２２０）へ移動する。この決定はクラウド基盤データセンターによって、自動的に遂行されるか、或いはテスト結果の分析の後にエンジニアによって遂行できる。
【０１０４】
段階（１２２５）で、復旧ソリューションはクラウドへ保安状態で伝送される。段階（１２３０）で、復旧ソリューションはスマートメモリコントローラによってクラウドから安全に受信される。ここで、手続は段階（１２３５）と段階（１２４０）の中の１つに移動する。もし、段階（１２３５）が選択されれば、スマートメモリコントローラは効果的であり、特定使用パターンや環境を考慮した最適の方式にメモリが復旧されるように復旧ソリューションをメモリに適用する。他の技術的特徴によれば、メモリを復旧の代わりに（例えば、メモリがそれ以上復旧されない場合）、段階（１２４０）で欠陥メモリ位置が識別され、タッグが適用される。したがって、使用者（例えば、プロセッサー、マイクロコントローラ等）が欠陥アドレスにアクセスできないように設定するか、欠陥アドレスを良好なメモリのアドレスに再マッピングする。
【０１０５】
上述した順序図で説明されたように、決定動作は説明された順序にしたがって発生する必要はなく、むしろ互いに異なる時間で発生し得る。上述した段階は必ず順序図に開示された手続によって発生する必要は無いことは容易に理解できる。
【０１０６】
本発明の技術的特徴は先に説明された特定実施形態および本発明の技術を変形した種々の実施形態に限定されないことをこの分野で技術を習得した者に明確である。ここで、詳細に説明された本発明の実施形態によるスマートメモリシステムは外部自動テスト装備（ＡＴＥ）がシステムメモリに直接連結されることを許容し、したがって最終使用者装置の具現の以後にもオンチップテスティングを許容するように設定される。自動テスト装備（ＡＴＥ）は保安モードクラウド連結の際に、システムメモリをテストするためのテストパターンを遂行するようにスケジューリングできる。遠隔に位置するアプリケーションエンジニアは実時間にエラー診断及びメモリ復旧を提供するために装置のメモリにアクセスを受信することができる。
【０１０７】
保安クラウド連結を通じる遠隔システム制御及び復旧はメモリ内部に診断及び復旧機能が具備される場合よりさらに大きいメモリ診断及び復旧能力を提供にしたがってスマートメモリ装置の価値を高くすることができる。インターネット連結可能である装置にスマートメモリシステムが具現される時、場所と時間に拘らずにクラウドアクセスが可能であるところではメモリシステムにに対するアクセス及び最適化のためのツールを提供することができる。
【０１０８】
例えば、使用者開示又は自動で生成されるテスト要求に基づいてメモリ装置の遠隔テスト装備へのアクセス及び活用が可能である。スマートメモリシステムは遠距離に位置するアプリケーションエンジニアによって、実時間診断及び復旧を行われるようにする。各々の場合、復旧分析と復旧能力はディバイス自体に復旧及び診断能力を具備する場合よりさらに大きくなる。このようなそして他の実施形態に対する詳細な説明は詳細な説明に包含され、該当図面に記載されている。
【０１０９】
後述する論議は実施できる本発明の技術事項を適用した適切な装置又は装置に対する簡略であり、一般的な説明を提供しようとする意図に基づく。一般的に装置又は装置はプロセッサー、メモリ（例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ）、又は他の状態保存媒体、格納装置、ビデオインターフェイス、及び入出力インターフェイスポートに連結されるシステムバスを含む。装置又は装置はいずれか程度は通常の入力装置（例えば、キーボード、マイク等）からの入力のみでなく、その他の装置から受信される指示、仮想現実環境での相互作用、及び生体フィードバック、又はその他の入力信号によって制御され得る。
【０１１０】
ここで使用される用語‘装置（ｍａｃｈｉｎｅ）’は１つの装置、仮想装置、又は相互データを交換できる装置のシステム、仮想装置、又は共に駆動される装置を幅広くカバーする概念である。例示的な装置は個人用コンピューター、ワークステーション、サーバー、携帯用コンピューター、ハンドヘルド装置、電話、タブレット等のコンピューター装置のみでなく、自動車と汽車、タクシー等のような個人用又は共用運送装置も包含される。
【０１１１】
装置又は装置は、例えば、プログラム可能である又はプログラム不可論理ディバイスやアレイ、ＡＳＩＣ、埋め込み型コンピューター、スマートカード等のような埋め込み型コントローラを包含することができる。装置又は装置は１つ又はそれ以上の遠隔装置とネットワークインターフェイス、モデム、又はその他の通信連結手段を通じて連結され得る。装置はイントラネット、インターネット、ＬＡＮ、ＷＡＮ等のような物理的及び／又は論理的ネットワークを通じて相互連結され得る。
【０１１２】
この分野で通常の知識を習得した者はネットワーク通信が各種有線及び／又はＲＦ、衛星、マイクロ波、ＩＥＥＥ５４５．１１、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、光通信、赤外線、ケーブル、レーザー等の近距離又は遠距離キャリアを使用するプロトコルが使用され得ることをよく理解できる。
【０１１３】
本発明の特徴にしたがう実施形態は機能、手続、データ構造、アプリケーションプログラム等の関連されたデータと共に又は参照して説明され得る。関連されたデータは装置によってアクセスされる時、装置内部で遂行される作業や具体的なデータ形態、又はローレベルハードウェアコンテキストであり得る。関連されたデータは例えば、揮発性及び／又は不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ）やハードディスクドライブ、フロッピー（登録商標）ディスク、光ストレージ、テープ、フラッシュメモリ、メモリスティック、デジタルビデオディスク、生体ストレージ等のような他の格納装置及びそれに関連された格納媒体に格納され得る。
【０１１４】
関連されたデータは物理及び／又は論理ネットワークを含む伝送環境でパケット、直列データ、並列データ、伝送信号等の形態にそして圧縮されるか、或いは暗号化されたフォーマットに伝達され得る。関連されたデータは分布的な環境と、局部的に格納された及び／又は遠隔にアクセスされて使用され得る。本発明の実施形態によれば、１つ又はそれ以上のプロセッサーによって遂行され得る指示を含む一時的ではなく、機械解読が可能である媒体を包含することができる。上述した指示はここで記述した発明の特徴にしたがう要素を遂行することを含む。
【０１１５】
以上で説明された実施形態のみに本発明が制限されない。たとえ幾つかの実施形態が説明されたが、この分野で知識を習得した者には本発明の新規な教示の際や開示された長所の実質的な分離無しで多様な変更が可能である。したがって、このような変更が請求項で定義される本発明の範囲に包含される。
【０１１６】
以上のように図面と明細書で実施形態が開示された。ここで、特定な用語が使用されたが、これは単なる本発明を説明するための目的で使用されたことであるが、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使用されたことではない。したがって、本技術分野の通常の知識を有する者であれば、これから多様な変形及び均等な他実施形態が可能であることを理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は添付された特許請求の範囲の技術的思想によって定められなければならない。
【符号の説明】
【０１１７】
６０２  スマートメモリ
６１０  システムバス
６１５  メモリ
６２０  スマートメモリコントローラ
６２５  高速インターフェイス
６３０  ロジック
６３５  アプリケーションロジック
６４０  プロセッサー
６４５  メモリ＋コントローラ
６５０  アナログ
７０２  スマートメモリ
７１０  システムバス
７１５  メモリ
７２０  スマートメモリコントローラ
７２５  高速インターフェイス
７４０  メモリＡＴＥ
７４４  マイクロプロセッサー
７４５  マイクロコントローラ
７５４  アナログロジック
７５６  ＲＦディバイス
７５８  センサー
７６４  マルチメディアユニット
７６６  ＭＰＥＧ４ユニット
７７４  キャッシュ
７７６  ＦＩＦＯ
７７８  シングルポートＳＲＡＭ
７８０  マルチポートＳＲＡＭ
７３０  ロジック
８０２  命令語、アドレス、及びデータシークェンサー
８０４  入出力バッファ
８０６  テストパターン、アドレス／データスクランブルデコーダー
８０７  結果及び状態レジスター
８０８  テスト符号デコーダー
８０９  結果及び状態エンコーダー
８１０  保安送信機／受信機／バッファ
８１１  結果及び状態レジスター
８１３  結果及び状態デコーダー
８２０  スマートメモリコントローラ
８３５  クラウド
８４０  スマートメモリコントローラ
８４２  命令語、アドレス、及びデータ発生器
８４４  入出力バッファ
８５０  保安送信機／受信機／バッファ
８５４  テスト符号エンコーダー
８５６  テストパターン、アドレス／データスクランブルエンコーダー
８６２  製品ＩＤ
８６４  テスト結果
８６６  診断情報
８６８  復旧ソリューション
８７０  製品特定テストプログラム
８７２  テストパターン
８７４  アドレススクランブル
８７６  データスクランブル
８８０  クラウド基盤データセンター
８８２  製品履歴
８８４  製品詳細仕様
８８６  顧客フィードバック
８９０  テスター
【図１Ａ】
2013168145.tif 000003
【図１Ｂ】
2013168145.tif 000004
【図１Ｃ】
2013168145.tif 000005
【図１Ｄ】
2013168145.tif 000006
【図２Ａ】
2013168145.tif 000007
【図２Ｂ】
2013168145.tif 000008
【図３】
2013168145.tif 000009
【図４Ａ】
2013168145.tif 000010
【図４Ｂ】
2013168145.tif 000011
【図５】
2013168145.tif 000012
【図６】
2013168145.tif 000013
【図７】
2013168145.tif 000014
【図８Ａ】
2013168145.tif 000015
【図８Ｂ】
2013168145.tif 000016
【図８Ｃ】
2013168145.tif 000017
【図９】
2013168145.tif 000018
【図１０】
2013168145.tif 000019
【図１１】
2013168145.tif 000020
【図１２】
2013168145.tif 000021
【外国語明細書】
2013168145000001.pdf