(57)【要約】【課題】キュリー温度のばらつきを効率よく求めることができる方法を提供する。【解決手段】記録層を備えた磁気記録媒体の記録特性を評価する方法であって、レーザ光の照射後において、記録層の磁化状態を検出するステップＳ２と、検出した磁化状態、および、その磁化状態を示す前記記録層におけるレーザ光の照射時の温度分布に基づいて、当該記録層のキュリー温度のばらつきを求めるステップＳ３とを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録層を備えた磁気記録媒体の記録特性を評価する方法であって、
光照射後において、前記記録層の磁化状態を検出するステップと、
前記検出した磁化状態、および、その磁化状態を示す前記記録層の温度分布に基づいて、当該記録層のキュリー温度のばらつきを求めるステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ばらつきを求めるステップは、前記温度分布から検出される前記光照射時の温度変化に対する、前記磁化状態に基づいて検出される残留磁化の減磁特性を求め、その減磁特性に対応する分布をもつキュリー温度の標準偏差を得ることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記標準偏差をσ、前記キュリー温度をＴ’、平均キュリー温度をＴcとしたとき、前記分布Ｍres（T）は、
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の関係式を満たすことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の記録特性を評価する方法に関し、特に、キュリー温度のばらつきを評価する方法に関する。
【０００２】
磁気記録媒体においては、磁気記録の面記録密度を高めるための熱アシスト記録が行なわれることがよく知られている。この熱アシスト記録とは、磁気記録媒体の表面に光を照射し、その磁気記録媒体における光吸収による加熱を利用することで、磁気記録媒体の記録層の保持力を低下させて書込みを行なう技術である。例えば特許文献１、２に開示された磁気記録媒体では、熱アシスト記録が利用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２１０４４７号公報
【特許文献２】特開２０１０−１２９１６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１、２に開示された磁気記録媒体では、熱アシスト記録を利用することによってキュリー温度付近で記録が行なわれている。
【０００５】
一方、そのキュリー温度のばらつきが生じた場合には、ジッターノイズの要因となることが知られている。これは、スポット径に絞り込んだレーザ光を照射して加熱する熱アシスト記録では、その加熱により達するキュリー温度にばらつきが生じると、キュリー温度のばらつきの要因となる磁気記録媒体の記録層の保持力にもばらつきが生じるからである。
【０００６】
かかる状況を踏まえて、キュリー温度のばらつきの観察が要請される。従来の観察方法として、例えば、磁気力顕微鏡でサンプル、例えば磁気ディスクの磁気粒子の磁化状態を観察する方法では、その磁気ディスクの温度を徐々に上げていき、キュリー温度に達した磁性粒子から磁化が消滅していくのを検査するようにしている。磁気ディスクの記録層には一般に、数nm径の磁性粒子が多数存在しており、個々の磁性粒子における温度のばらつきが、キュリー温度のばらつきに起因すると考えられている。しかし、この方法では、特殊な装置である磁気力顕微鏡が高価であることに加えて、複数のサンプルのキュリー温度を測定する場合には、サンプルの加熱および冷却を行う必要があるため、キュリー温度の測定に長時間を要してしまう。あるいは、個々の磁性粒子を識別する必要があるため、極めて微小な範囲についてしか検査できない。あるいは、加熱されたサンプルの記録層は、破壊されるため、そのサンプルは、製品として使用することができない。
【０００７】
そこで本発明は、上述した観点に鑑み、キュリー温度のばらつきを効率よく求めることができる磁気記録媒体の記録特性を評価する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するための方法は、記録層を備えた磁気記録媒体の記録特性を評価する方法であって、光照射後において、上記記録層の磁化状態を検出するステップと、上記検出した磁化状態、および、その磁化状態を示す上記記録層における光照射時の温度分布に基づいて、当該記録層のキュリー温度のばらつきを求めるステップとを含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、キュリー温度のばらつきを効率よく求めることができることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態における磁気ディスクの構成例を示す断面図である。
【図２】熱アシスト記録時のキュリー温度のばらつきを求める方法の一例を示す説明図である。
【図３】記録特性評価装置においてレーザ光を磁気ディスクに照射しているときの様子の例を示す図である。
【図４】記録層の温度分布の導出方法の一例を示す説明図である。
【図５】レーザ光を照射する前における磁気ディスクの磁化状態の一例を示す図である。
【図６】レーザ光を照射したときの磁気ディスク上の温度分布モデルの一例を示すグラフである。
【図７】レーザ光を照射したときの磁気ディスク上の温度分布の一例を示す説明図である。
【図８】レーザ光を照射した後における磁気ディスクの磁化状態の一例を示す説明図である。
【図９】レーザ光の出力を変更して照射したときの磁気ディスク上の温度分布モデルの一例を示すグラフである。
【図１０】レーザ光の出力を変更して照射したときの磁気ディスク上の温度分布の一例を示す説明図である。
【図１１】レーザ光の出力を変更して照射した後における磁気ディスクの磁化状態の一例を示す説明図である。
【図１２】磁気ディスクの記録層において、想定されたキュリー温度の正規分布を示す図である。
【図１３】温度に対する磁化残留率の一例を示す図である。
【図１４】トラック位置に対する磁化残留率の一例を示す図である。
【図１５】トラック中心からの温度差に対する磁化残留率の一例を示す図である。
【図１６】トラック中心からの温度差に対する磁化残留率をフィテッングした場合の一例を示す図である。
【図１７】変形例における記録特性評価装置の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について説明する。この実施形態では、磁気記録媒体として、例えば磁気ディスク(Hard Disk Drive)を適用し、熱アシスト記録時に設定されるキュリー温度のばらつきを評価する方法が実現される。
【００１２】
[磁気ディスク１００の構成]
図１は、本発明の実施形態における磁気ディスク１００の構成例を示す断面図である。
【００１３】
図１に示すように、この磁気ディスク１００には、基板１１上に、裏打ち層１２と、下地層１３と、記録層１４と、保護層１５とが順に積層されている。
【００１４】
基板１１は、例えば２．５インチのガラスディスクが用いられている。裏打ち層１２は、軟磁性体からなるＳＵＬ層であり、例えばCoFe合金がＤＣマグネトロンスパッタ法で生膜されている。
【００１５】
下地層１３は、記録層１４の結晶成長を制御する役割を担っており、例えばＲｕがＤＣマグネトロンスパッタ法で生膜されている。
【００１６】
記録層１４は、情報の記録を担う層である。本実施形態においては、この層のキュリー温度のバラツキを測定する。例えばCoCrPt合金で強磁性体に形成される。
【００１７】
保護層１５には、例えば、ダイヤモンドカーボンが化学気相成長法で成膜されている。なお、図１の磁気ディスク１００は例示に過ぎず、他の金属、合金、多層膜で構成するようにしてもよい。
【００１８】
[キュリー温度のばらつきの算出]
次に、磁気ディスク１００の記録特性を評価するために、熱アシスト記録時のキュリー温度のばらつきを求める方法の概略について、図２および図３を参照して説明する。図２は、熱アシスト記録時のキュリー温度のばらつきを求める方法の一例を示す説明図である。図３は、記録特性評価装置３００においてレーザ光を磁気ディスク１００に照射しているときの様子の例を示す図である。
【００１９】
まず、図２に示すように、磁気ディスク１００に対して、図３に示す磁気ヘッド３０においてレーザ光が照射され、その照射時における記録層１４の温度分布を導出する（ステップＳ１）。この実施形態では、レーザ光は、図３に示すように、記録特性評価装置３００の磁気ヘッド３０において照射される。レーザ光が照射されると、その領域は加熱され、データが記録されることになる。
【００２０】
図３では、レーザ光が照射されて加熱されたトラック１０１が例示的に示してある。温度分布の導出の方法については、後で詳細に説明する。
【００２１】
次に、レーザ光の照射後には、記録層１４の磁化状態を検出する（ステップＳ２）。磁化状態の検出の方法は、後で詳細に説明する。
【００２２】
次に、ステップＳ２で検出した磁化状態、および、その磁化状態を示す記録層１４におけるレーザ光の照射時の温度分布に基づいて、記録層１４のキュリー温度のばらつきを導出する（ステップＳ３）。ばらつきの導出の方法については、後で詳細に説明する。
【００２３】
以下、さらに詳細に説明する。初めに図１、図３〜図１１を参照して、記録層１４の温度分布を導出する例について具体的に説明する。図４は、記録層１４の温度分布の導出方法の一例を示す説明図である。図５は、レーザ光を照射する前における磁気ディスク１００の磁化状態の一例を示す図である。図６は、レーザ光を照射したときの磁気ディスク１００上の温度分布モデルの一例を示すグラフである。図７は、レーザ光を照射したときの磁気ディスク１００上の温度分布の一例を示す説明図である。図８は、レーザ光を照射した後における磁気ディスク１００の磁化状態の一例を示す説明図である。
【００２４】
図４において、熱アシスト記録による記録特性を評価するための磁気記録媒体を形成する（ステップＳ１１）。
【００２５】
この実施形態では、磁気記録媒体は、例えば図１に示した磁気ディスク１００であるので、以下の手順で磁気ディスク１００を形成する。まず、２．５インチのガラス基板１１上に、CoFe合金からなる軟磁性裏打ち層１２をＤＣマグネトロンスパッタ法で成膜する。次に、裏打ち層１２上に、Ruからなる下地層１３をＤＣマグネトロンスパッタ法で生成した後、下地層１３上に、CoCrPt合金からなる記録層１４をＤＣマグネトロンスパッタ法で形成する。この例では、CoCrPt合金は、記録層１４のキュリー温度が例えば６００Ｋとなるように、Co６７．９ａｔ％、Cr２０．９ａｔ％、Pt１２.０ａｔ％の比率にする。記録層１４は、温度検知を行なう役割も担う。
【００２６】
次に、記録層１４上に、ダイヤモンドライクカーボンからなる保護層１５を化学気相成長法で形成する。
【００２７】
磁気ディスク１００が形成された後、その磁気ディスク１００にレーザ光を照射する前に、磁気ヘッド３０は、磁気ディスク１００の記録層１４上に、磁気マーク群（以下、「マーク群」と表記する。）を記録する（ステップＳ１２）。後述するように、マーク群は、磁気ディスク１００の記録特性を調べる目的で記録される。この実施形態では、マーク群は、ビットが、磁気ディスク１００のトラック（円周）一周分記録されたものである。マーク群は、例えば５００ｋＦＣＩ（Flux Change per Inch)の線記録密度を有する。図５では、マーク群を淡い斜線で示してある。マーク群の記録は、クロストラック方向に沿って、所定の間隔を隔てて繰り返し行なわれる。
【００２８】
上述した所定の間隔は、レーザ光の直径より大きくなるように設定される。しかし、マーク間の間隔を短くするためには、マーク間の間隔を磁気ヘッド３０の記録幅と同程度にする必要があるので、所定の間隔は、磁気ヘッド３０の記録幅と同程度とするのが好ましい。これは、光変調方式では記録幅がレーザ光のスポット径程度まで広がるからである。この実施形態の説明では、一例として、磁気ヘッド３０の記録幅、および、各マーク間の間隔をともに１００ｎｍとして記録を１００回繰り返す。このようにして、磁気ディスク１００には、例えば幅１０μｍの領域にマークが記録される。
【００２９】
すべてのマークが記録された後、図示しないアクチュエータにより磁気ディスク１００を回転させながら、磁気ディスク１００にレーザ光を照射する（ステップＳ１３）。例えば室温Ｔｉ＝３００Ｋでレーザ光を照射した場合の磁気ディスク１００内の温度分布モデルは、図６に示すように、トラック位置が０μｍ付近の温度が、キュリー温度Ｔｃ＝６００Ｋ以上になる。この場合、磁気ディスク１００においては、図７に示すように、トラック方向（０〜１μｍ）およびクロスクロック方向（−１〜＋１）において、３００Ｋから７００Ｋまでの温度が設定される。この場合、６００Ｋから７００Ｋまでの領域（キュリー温度Ｔｃ以上となる領域）は、クロストラック方向の区間が、−０．３から＋０．３までとなる。
【００３０】
なお、図４では、一例として、レーザ光のスポット直径を５μｍ、レーザ光の波長を８３０ｎｍ、光源を赤色レーザ素子として設定する。
【００３１】
また、実際にレーザ光を照射する条件（以下では適宜、「第１条件」と表記する。）は、図５のものと異なり、次のように設定する。例えば、レーザ光は、３００Ｋの室温のときに、１４０ｍＷで出力し、その出力方向は、マークの方向に向けられる。そして、レーザ光の照射時間は、磁気ディスク１００が１周する時間、例えば６０ｍｓｅｃとする。また、磁気ディスク１００は１０００ｒｐｍで回転させる。
【００３２】
次に、レーザ光の照射後において、磁気ヘッド３０において測定された記録層１４の磁気特性を評価する（ステップＳ１４）。この実施形態では、磁気特性の評価は、磁気ディスク１周分の読み出し信号の平均振幅の大きさを示す平均振幅特性ＴＡＡ(Track Average Amplitude)を用いて行なわれる。
【００３３】
具体的には、レーザ光ｄ１の照射前に、あらかじめＴＡＡを測定しておき、そのＴＡＡと照射後のＴＡＡとを比較し、比較の結果に応じて、評価の対象となる記録層１４の領域が、マークの消磁した領域（以下では、「消磁領域」という。）か否かを確認する。例えば、照射後のＴＡＡが照射前より０．１倍以下に減少した場合は、消磁領域と判定される。逆に、照射後のＴＡＡが照射前より０．１倍より大きい場合は、消磁領域と判定されない。図７の例においては、６００K以上となるクロストラック方向が−０．３から＋０．３までの領域は消磁領域となる。図８において、この領域を白枠で示す。
【００３４】
次に、レーザ光ｄ１の出力を変更し、上記のステップＳ１２〜Ｓ１４の一連の手順を行なう（ステップＳ１５）。この手順について図９〜図１１を参照して説明する。図９は、レーザ光の出力を変更して照射したときの磁気ディスク１００上の温度分布モデルの一例を示すグラフである。図１０は、レーザ光の出力を変更して照射したときの磁気ディスク１００上の温度分布の一例を示す説明図である。図１１は、レーザ光の出力を変更して照射した後における磁気ディスク１００の磁化状態の一例を示す説明図である。
【００３５】
例えば、レーザ光の出力が１０％大きくなるように変更し、室温Ｔｉ＝３００Ｋでそのレーザ光を照射した場合の磁気ディスク１００内の温度分布モデルｔ２の温度は、図９に示すように、トラック位置が０μｍ付近において、上述した図６の温度分布モデルｔ１の温度より高くなる。この場合、レーザ光の照射により加熱される温度が、出力を変更する前より上昇するため、図１０に示すように、６００Ｋから７００Ｋまでの領域（キュリー温度Ｔｃ以上となる領域）は、クロストラック方向の区間が、−０．３５から＋０．３５までに広がる。そのために、図１１に示すように、クロストラック方向が例えば−０．３５から＋０．３５までの領域において、マークが消え（図１１において、白枠で示す。）、消磁領域と判定される。
【００３６】
なお、この実施形態で実際に変更されるレーザ光の出力は、例えば、変更前より１０％高い１５４Ｗに設定される。このときのレーザ光の照射条件（以下では適宜、「第２条件」と表記する。）は、レーザ光の出力値を除いて、第１条件と同様である。すなわち、レーザ光は、３００Kの室温のときに出力し、その出力方向は、記録対象となるマークの中心に向けられる。
【００３７】
そして、レーザ光の照射時間は、磁気ディスク１００が１周する時間、例えば６０ｍｓｅｃとする。また、磁気ディスク１００は１０００ｒｐｍで回転させる。このようにして、１５４Ｗでレーザ光を出力したときの消磁領域を確認することが可能となっている。
【００３８】
次に、ステップＳ１４で判定された消磁領域（第１条件下で判定された消磁領域）と、ステップＳ１５で判定された消磁領域（第２条件下で判定された消磁領域）とを比較し、その比較結果から、記録層１４上の温度分布を求める（ステップＳ１６）。具体的には、第１条件下での消磁領域と第２条件下での消磁領域との位置の差分から消磁領域付近の温度勾配を求める。この温度勾配の算出では、スケーリング則が用いられる。このスケーリング則は、熱伝導方程式のスケーリング特性と同様に適用できる。以下に、その検討結果を説明する。
【００３９】
物質中の熱伝導現象は一般的には、以下の熱伝導方程式によって定義される。
Ｃｖ*∂Ｔ／∂ｔ  ＝  λΔＴ  （１）
【００４０】
式（１）中、Ｃｖは物質の比熱、Ｔは温度、ｔは時間、λは物質の熱伝導率である。
【００４１】
ここで、Ｃｖおよびλが、Ｔに依存しない定数として定義できる場合、式（１）において、例えばＴ＝２Ｔ′と置くと、式（２）を導くことができる。
Ｃｖ*∂２Ｔ′／∂ｔ  ＝  λΔ２Ｔ′  （２）
【００４２】
ここで、式（２）は、式（３）に置き換えることができる。
Ｃｖ*∂Ｔ′／∂ｔ  ＝  λΔＴ′  （３）
【００４３】
式（３）は、物質の熱伝導率および比熱が変化しない条件下においては、熱流および温度の特性では、スケーリングの関係が成り立つことを示している。つまり、熱流の分布が相似で単純に大きさが２倍になる場合、物質の温度変化の大きさも、２倍になるように変化するとみなすことができる。
【００４４】
一般に、物質の熱伝導率および比熱においては、温度関数で表されるため、スケーリングの関係は成り立たない。しかし、熱流の変化が極めて小さい場合、例えば＋１０％程度であれば、物質の熱伝導率および比熱の変化が小さくなるため、ほとんど変化しないとみなすことができる。この場合、温度分布の変化率は、熱流の変化率と等しいとみなせる。つまり、熱流の変化が＋１０％であれば、熱分布の変化も＋１０％であるとみなすことができる。したがって、上述した実施形態において、第２条件下のレーザ光の出力を＋１０％と設定した。このことは、温度分布の形状を保ったまま、温度上昇を全体的に＋１０％変化させられることを意味する。
【００４５】
上記のスケーリング則により、消磁領域付近の温度勾配が算出される。具体的には、まず、第２条件下で判定された消磁領域の境界（図１１では、例えば、クロストラック方向が−０．３５または＋０．３５上の部分）は、第１条件においては、どの程度の温度になるかを求める。この場合、消磁領域の境界は、キュリー温度に達していると考えられるから、第１条件下での境界部分の温度は、スケーリング則に従い、{（キュリー温度−室温）/（レーザ光の出力を変更する前後の比率）+室温}の関係式から求められる。
【００４６】
図４の例では、室温＝３００Ｋ、キュリー温度＝６００Ｋ、（レーザ光の出力を変更する前後の比率）＝１．１（すなわち、１５４Ｗ／１４０Ｗ）の場合について説明しているので、第２条件下での境界部分の温度は、{（６００−３００）/１．１+３００}から、略５７２Ｋに達していることがわかる。
【００４７】
さらに、第１条件下での消磁領域（例えば、図８のクロストラック方向区間-０．３μｍ〜+０．３μｍ）と第２条件下での消磁領域（例えば、図１１のクロストラック方向区間-０．３５μｍ〜+０．３５μｍ）との位置の差分から、その差分の間の領域の温度勾配を求める。例えば、上述したように、第２条件下での境界部分の温度が、略５７２Ｋとなるときに、上述した消磁領域間の位置の差分が０．０５μｍの場合には、その差分の領域における温度勾配は、{（６００−５７２）/０．０５}から、５６０Ｋ/μｍとなる。
【００４８】
このようにステップＳ１１〜Ｓ１６の手順により、キュリー温度に達する消磁領域の境界付近の温度勾配を求めることができる。この実施形態では、温度勾配を求めるためには、磁気ヘッド３０によって記録層１４の消磁領域、すなわち磁化状態を検出しなければならない。このことは、検査光を用いた光学的手法で温度勾配を求める場合より、温度勾配の分解能が高められることに等しく、これにより温度分布の算出精度が高まる。つまり、検査光では、波長の大きさが制限されるからである。
【００４９】
[記録層１４の磁化状態の検出]
次に、ステップＳ２における記録層１４の磁化状態を検出する方法について、図１２〜図１４を参照して説明する。図１２は、磁気ディスク１００の記録層１４において、想定されたキュリー温度の正規分布を示す図である。図１３は、温度に対する磁化残留率の一例を示す図である。図１４は、トラック位置に対する磁化残留率の一例を示す図である。
【００５０】
この実施形態では、記録層１４の磁化状態を検出するために、クロストラック方向の減磁状態を求める。減磁状態は、例えば、レーザ光の照射時における低温側から高温側までの間にわたる磁化残留率である。記録層１４のキュリー温度の分布としては正規分布を用いる。
【００５１】
この場合、加熱する温度に対する初期磁化からの残留磁化は、図１２に示した温度分布の積分値が減算されたものに等しくなるので、図１３に示したように変化する。
【００５２】
ここで図１２の正規分布において、平均値μから標準偏差＋σ分だけ離れた位置までの累積確率分布は約６８％、＋２σ分だけ離れた位置までの累積確率分布は約９５％となる。磁化測定の誤差が２〜３％分あると仮定すると、大まかに見て従来のキュリー温度測定値と、キュリー温度分布として正規分布を仮定したときのキュリー温度平均値は標準偏差の約２倍程度の差があると考えられる。
【００５３】
この実施形態では、図１２に示したようなキュリー温度分布を持つときに、キュリー温度の平均値が５７０Ｋ、標準偏差が１５Ｋ（従来のキュリー温度定義ではTc＝約600Kとなる場合を想定）の磁気ディスク１００に対し、図６の温度分布を与える加熱条件でのレーザ照射を行った場合を考える。この場合の残留磁化分布は、図１４に示している。図１４において、横軸はトラック位置、縦軸は残留磁化率を示してある。
【００５４】
図１４では、トラック位置が−０．３５μｍ〜−０．５μｍにおいて、磁化残留率が０→１に変化し、または、トラック位置が０．３５μｍ〜０．５μｍにおいて、磁化残留率が０→１に変化している。この場合の温度勾配は、図４に示したステップＳ１６の手順により、０．５４Ｋ／ｎｍと算出される。
【００５５】
なお、キュリー温度ばらつきの存在は温度勾配測定には影響を与えない。キュリー温度のばらつきを考慮した場合、前述の測定法の中で「キュリー温度」としていたのは、磁気記録層の磁化がほぼ消失し測定誤差と区別が付かない程度しか残っていないような温度のことであり、ここでは「平均キュリー温度からキュリー温度ばらつきの標準偏差の二倍程度高い温度」として読み直されるが、これは従来の定義の「キュリー温度」と何ら違いはない。
【００５６】
[キュリー温度のばらつきの導出]
次に、ステップＳ３における記録層１４のキュリー温度のばらつきを導出する方法について、図１５および図１６を参照して説明する。図１５は、図１４のデータをトラック中心からの温度差に対する磁化残留率の変化として表した図である。図１６は、トラック中心からの温度差に対する磁化残留率をフィテッングした場合の一例を示す図である。
【００５７】
ここで、図１４において、残留磁化率が１→０に減少している領域では、温度変化がトラック位置に対し線形になると仮定する。この例では、トラック位置が−０．５μｍ〜０μｍの領域を考える。この仮定を前提にして、図１４の横軸をトラック中心からの温度差として読み替えると、図１５に示したものとなる。図１５では、−３００Ｋから−１５０Ｋまでの温度差に対する磁化残留率が示してある。
【００５８】
図１６では、図１５の累積残留磁化率のフィッティングを行った結果が示してある。この実施形態では、フィッティングには、最小二乗法による評価関数を用いて、準ニュートン法による逐次探索で実施した。
【００５９】
この場合の探索結果の近似式は以下の数式で与えられる。
【００６０】
【数１】
2013161492.tif 000003
【００６１】
ここで、σは標準偏差、Ｔ’はキュリー温度、Ｔcは平均キュリー温度、示している。
【００６２】
その結果、標準偏差が約１３.６Kのときに、図１６のフィッティングカーブ（図１６では破線で示す。）が得られた。これは、モデルデータとして用いた「真の標準偏差」１５Ｋに対し、約１０％程度の誤差である。以上から、キュリー温度ばらつきを約１０％程度の誤差で導出することが可能なことが示された。なお、図１６では、図１５に示された磁化残留率の変化を実線で示してある。
【００６３】
以上説明したように、トラック中心からの温度差に対する残留磁化率を利用して、キュリー温度のばらつきを測定するので、磁気ディスク１００の一部、例えばトラック幅程度の微小な領域におけるキュリー温度のばらつきを測定することができる。言い換えると、磁気記録媒体表面上の所望する部分についてのキュリー温度のばらつきを測定することできる。
【００６４】
（変形例１）
以上では、図３を参照して、磁気ヘッド３０によりレーザ光を照射する場合について説明した。しかしながら、磁気ヘッド３０からレーザ光を照射するようにすると、磁気ヘッド３０の磁気読取素子が有限の幅を持っているため、磁化状態は、読取素子の幅の分だけ歪んでしまう。そのため、レーザ光のスポット径をなるべく大きくするようにすることが好ましい。例えば、５００Ｇbpsi級の磁気ディスクの磁気ヘッドの場合は、読取素子の幅は５０nm程度であるから、レーザ光のスポット径は、５０nmより大きくするのが好ましい。
【００６５】
図１７は、変形例における記録特性評価装置３００Ａの構成例を示す図である。図１７に示す例では、記録特性評価装置３００Ａは、磁気ヘッド３０とは別に光源２０を備える。光源２０は、レーザ光ｄ１を磁気ディスク１００に照射している。これにより、レーザ光ｄ１のスポット径を大きくすることができる。
【００６６】
以上、実施形態および変形例を詳述してきたが、具体的な構成はそれらに限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更や、他の用途への適用なども含まれる。
【００６７】
例えば、磁気記録媒体は磁気ディスクの場合を例にとって説明したが、磁気テープなどでもよい。
【符号の説明】
【００６８】
３０  磁気ヘッド
１００  磁気ディスク  
【図１】
2013161492.tif 000005
【図２】
2013161492.tif 000006
【図３】
2013161492.tif 000007
【図４】
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【図５】
2013161492.tif 000009
【図６】
2013161492.tif 000010
【図７】
2013161492.tif 000011
【図８】
2013161492.tif 000012
【図９】
2013161492.tif 000013
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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