(57)【要約】【課題】有機薄膜トランジスタ素子を有する回路基板であって、曲面追従性に優れ、人体や曲面を有する部材にも取り付けが可能であり、しかも、そのような人体や曲面を有する部材に取り付けても、有機薄膜トランジスタ素子の破損や基板からの脱落を防止できる回路基板を提供する。【解決手段】本発明の伸縮性回路基板は、基板と、基板上に形成された厚みが１〜１．２μｍのパリレン薄膜層と、パリレン薄膜層上に形成された複数の有機薄膜トランジスタ素子と、該複数の有機薄膜トランジスタ素子間を接続する伸縮性導体とを有する伸縮性回路基板であって、前記基板は、（メタ）アクリロイル基末端ウレタンポリマーとアクリル系モノマーとを含有するエネルギー線硬化性組成物の硬化物からなる伸縮性母材中に特定のポリマー材料からなる難伸長部が部分的に且つ一体的に形成されており、前記複数の有機薄膜トランジスタ素子が前記基板の難伸長部上に載置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、基板上に形成された厚みが１〜１．２μｍであるパリレン薄膜層と、パリレン薄膜層上に形成された複数の有機薄膜トランジスタ素子と、該複数の有機薄膜トランジスタ素子間を接続する伸縮性導体とを有する伸縮性回路基板であって、
前記基板は、（メタ）アクリロイル基末端ウレタンポリマーとアクリル系モノマーとを含有するエネルギー線硬化性組成物の硬化物からなる伸縮性母材中に、多官能アクリル系モノマーに由来する構成単位をポリマーの全構成単位に対して５０重量％以上含むアクリル系ポリマーを含有するポリマー材料からなり、表面形状又は伸縮性有機基材表面を投影面としたときの投影形状が略円形である難伸長部が部分的に且つ一体的に形成されているシート状伸縮性有機基材であり、
前記パリレン薄膜層は、前記難伸長部側の面上に形成されており、かつ、
前記有機薄膜トランジスタ素子は、ｐ型半導体ジナフト［２，３−ｂ：２′，３′−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（ＤＮＴＴ）を用いたボトムゲートトップコンタクト型  ２Ｖ駆動薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、かつ、
前記伸縮性導体は、単層カーボンナノチューブ、ゴム及びイオン性液体からなるカーボンナノチューブゴム組成物により形成された伸縮性導線であり、かつ、
前記複数の有機薄膜トランジスタ素子が前記基板の難伸長部上に前記パリレン薄膜層を介して載置されていることを特徴とする伸縮性回路基板。
【請求項２】
前記シート状伸縮性有機基材の難伸長部と伸縮性母材の界面近傍において、伸び特性がグラデーションをなしている請求項１に記載の伸縮性回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は伸縮性回路基板に関する。より詳細には、本発明は有機薄膜トランジスタ素子を有する伸縮可能な回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、液晶ディスプレイなどのフラット・パネルディスプレイ装置において、各ピクセルの表示動作を制御するスイッチング素子、各ピクセルを駆動させる駆動素子として利用されている。また、プラスチック基板を利用するため、薄膜トランジスタの動作層に利用される半導体薄膜層として、低温条件下で作製が可能な有機半導体の薄膜層を用いる有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）の開発も進められている。
【０００３】
特許文献１には、有機薄膜トランジスタの製造方法として、基板上にゲート電極を形成する工程と、前記前記ゲート電極表面を被覆するゲート絶縁膜を基板上に形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に有機半導体膜を形成する工程と、前記有機半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成する工程を有し、前記有機半導体膜の形成工程では、真空蒸着法を用いて有機半導体膜の形成を行い、前記ソース電極およびドレイン電極の形成工程では、超微細インクジェット印刷装置を用いて金属ナノ粒子分散液を所定のパターン形状に塗布して、金属ナノ粒子分散液塗布層を形成し、該金属ナノ粒子分散液塗布層を加熱焼成処理して、金属ナノ粒子の焼結体層からなるソース電極およびドレイン電極を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法が開示されている。また、この文献には、ゲート絶縁膜上に有機半導体の薄膜層を形成する際、予め、ゲート絶縁膜表面に、有機半導体を構成する有機化合物の「自己組織化単分子膜（Self Assembled Monolayer:SAM）」を形成する手法を利用することが好ましいと記載されている。また、この文献には、基板として、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミドなどのプラスチック材料で形成される基板を用いることができると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２２４７１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板として上記のポリエチレンテレフタレートやポリイミド等の材料で形成された基板を用いる場合には、基板に伸縮性がないため、有機薄膜トランジスタ素子を有する回路基板を人体や曲面を有する部材に取り付けることが困難である。一方、基板として伸縮性材料からなる基板を用いる場合には、曲面には追従するものの、有機薄膜トランジスタ素子に応力が働き、該素子が破損したり、基板から脱落するおそれがある。
【０００６】
従って、本発明の目的は、有機薄膜トランジスタ素子を有する回路基板であって、曲面追従性に優れ、人体や曲面を有する部材にも取り付けが可能であり、しかも、そのような人体や曲面を有する部材に取り付けても、有機薄膜トランジスタ素子の破損や基板からの脱落を防止できる回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記の目的を達成するため鋭意検討した結果、有機薄膜トランジスタ素子を有する回路基板において、基板として特定構造のシート状伸縮性有機基材を用いると、人体や曲面を有する部材にも取り付けが可能であり、しかも、そのような人体や曲面を有する部材に取り付けても、有機薄膜トランジスタ素子の破損や基板からの脱落を防止できる回路基板が得られることを見出し、本発明を完成した。
【０００８】
すなわち、本発明は、基板と、基板上に形成された厚みが１〜１．２μｍであるパリレン薄膜層と、パリレン薄膜層上に形成された複数の有機薄膜トランジスタ素子と、該複数の有機薄膜トランジスタ素子間を接続する伸縮性導体とを有する伸縮性回路基板であって、前記基板は、（メタ）アクリロイル基末端ウレタンポリマーとアクリル系モノマーとを含有するエネルギー線硬化性組成物の硬化物からなる伸縮性母材中に、多官能アクリル系モノマーに由来する構成単位をポリマーの全構成単位に対して５０重量％以上含むアクリル系ポリマーを含有するポリマー材料からなり、表面形状又は伸縮性有機基材表面を投影面としたときの投影形状が略円形である難伸長部が部分的に且つ一体的に形成されているシート状伸縮性有機基材であり、前記パリレン薄膜層は、前記難伸長部側の面上に形成されており、かつ、前記有機薄膜トランジスタ素子は、ｐ型半導体ジナフト［２，３−ｂ：２′，３′−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（ＤＮＴＴ）を用いたボトムゲートトップコンタクト型  ２Ｖ駆動薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、かつ、前記伸縮性導体は、単層カーボンナノチューブ、ゴム及びイオン性液体からなるカーボンナノチューブゴム組成物により形成された伸縮性導線であり、かつ、前記複数の有機薄膜トランジスタ素子が前記基板の難伸長部上に前記パリレン薄膜層を介して載置されていることを特徴とする伸縮性回路基板を提供する。
【０００９】
前記シート状伸縮性有機基材の難伸長部と伸縮性母材の界面近傍において、伸び特性がグラデーションをなしているのが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の伸縮性回路基板によれば、基板として、特定の組成物からなる伸縮性母材中に特定構造からなる難伸長部が部分的且つ一体に形成されたシート状伸縮性有機基材を用いているため、伸縮性及び曲面追従性に優れ、人体や曲面を有する部材等に取り付けることができるとともに、そのような人体や曲面を有する部材等に取り付けても、前記シート状伸縮性有機基材の難伸長部上に有機薄膜トランジスタ素子が載置されているので、有機薄膜トランジスタ素子に応力がかからず、該素子の破損や基板からの脱落を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の伸縮性回路基板の一例を示す有機薄膜トランジスタ素子搭載部を模式的に示す概略断面図である。
【図２】本発明の伸縮性回路基板の一例を模式的に示す図（平面図）である。
【図３】本発明において基板として用いるシート状伸縮性有機基材の一例を示す概略斜視図である。
【図４】図３のシート状伸縮性有機基材のIV−IV線断面を示す概略斜視図である。
【図５】本発明において基板として用いるシート状伸縮性有機基材の製造方法の一例を示す概略図（断面図）である。
【図６】本発明において基板として用いるシート状伸縮性有機基材の引張試験及びヒステリシス試験で用いる試験サンプルの例を示す概略図（平面図）である。
【図７】製造例３において得られたシート状伸縮性有機基材の伸縮性母材中における難伸長部境界近傍の写真を示す。
【図８】実施例１の伸縮性回路基板の伸長時のトランジスタ特性を示すグラフである。
【図９】実施例１の伸縮性回路基板の伸長後のトランジスタ特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の伸縮性回路基板は、基板と、基板上に形成されたパリレン薄膜層と、パリレン薄膜層上に形成された複数の有機薄膜トランジスタ素子と、該複数の有機薄膜トランジスタ素子間を接続する伸縮性導体とを有している。
【００１３】
図１は本発明の伸縮性回路基板の一例を示す有機薄膜トランジスタ素子搭載部を模式的に示す概略断面図である。この例では、基板１上にパリレン薄膜層４が形成され、該パリレン薄膜層４上に有機薄膜トランジスタ素子１０が搭載されている。有機薄膜トランジスタ素子１０は、パリレン薄膜層４に接しているゲート電極５と、前記ゲート電極５表面を被覆するゲート絶縁膜６と、前記ゲート絶縁膜６上に形成された自己組織化単分子膜７と、前記自己組織化単分子膜７上に形成された有機半導体膜８と、前記有機半導体膜８上に形成されたソース電極９a及びドレイン電極９ｂとで構成されている。
【００１４】
図２は本発明の伸縮性回路基板の一例を模式的に示す図（平面図）である。この例において、１は基板、４はパリレン薄膜層、１０は有機薄膜トランジスタ素子、１１は複数の有機薄膜トランジスタ素子１０を接続する伸縮性導体である。
【００１５】
［基板］
前記基板は、（メタ）アクリロイル基末端ウレタンポリマーとアクリル系モノマーとを含有するエネルギー線硬化性組成物の硬化物からなる伸縮性母材中に、多官能アクリル系モノマーに由来する構成単位をポリマーの全構成単位に対して５０重量％以上含むアクリル系ポリマーを含有するポリマー材料からなり、表面形状又は伸縮性有機基材表面を投影面としたときの投影形状が略円形である難伸長部が部分的に且つ一体的に形成されているシート状伸縮性有機基材である。
【００１６】
図３は本発明において基板として用いるシート状伸縮性有機基材の一例を示す概略斜視図である。図４は図３のシート状伸縮性有機基材のIV−IV線断面を示す概略斜視図である。図３及び図４において、シート状伸縮性有機基材１は、伸縮性母材２（伸縮性母材部）と、該伸縮性母材２中に部分的に且つ一体的に形成されている難伸長部３とで構成されている。
【００１７】
難伸長部３は伸縮性母材２中に部分的且つ一体的に複数形成されていればよく、例えば、伸縮性母材２中の複数の箇所に非連続的に散在若しくは点在している。難伸長部３の表面形状又は伸縮性有機基材１表面を投影面としたときの投影形状（伸縮性有機基材１表面側から見た形状）は略円形である。難伸長部３はシート厚み方向に延びる柱状であるのが好ましい。
【００１８】
難伸長部３の面方向の長軸（最長部）の長さ（例えば、直径）は、有機薄膜トランジスタ素子の大きさに応じて適宜選択できるが、通常、０．１〜１０ｍｍであり、好ましくは０．５〜５ｍｍである。この長さが小さすぎると、有機薄膜トランジスタ素子１０の搭載性、固定性が悪くなり、大きすぎると、製造しにくくなる。
【００１９】
難伸長部３と伸縮性母材部２の界面（境界部）近傍においては、組成及び／又は物性（伸び特性、硬度等）が徐々に変化するグラデーション（グラディエント）をなしていてもよい。難伸長部３と伸縮性母材部２の界面近傍にこのようなグラデーション（例えば、後述する伸長率についてのグラデーション）を有する伸縮性有機基材は、例えば該伸縮性有機基材を伸長させた時、難伸長部３と伸縮性母材部２との界面で切れにくいという特性を有する。また、難伸長部３と伸縮性母材部２の界面（境界部）近傍だけでなく、難伸長部３及び／又は伸縮性母材部２の多くの部分或いは全体に亘ってグラデーションを呈していてもよい。グラデーション部を有する伸縮性有機基材において、難伸長部３と伸縮性母材部２との境界は、伸縮性母材部２の非グラデーション部の硬度［伸縮性母材部の全体に亘ってグラデーションを呈している場合は、硬度の最も低い箇所の硬度］と、難伸長部３の非グラデーション部の硬度［難伸長部３の全体に亘ってグラデーションを呈している場合には、硬度の最も高い箇所の硬度］の平均値を結ぶ線によって定めることができる。
【００２０】
本発明において、難伸長部３は伸縮性母材２中のどの部位に形成されていてもよいが、有機薄膜トランジスタ素子１０の固定性の点で、少なくとも一方の表面に露出した状態で形成されているのが好ましい。難伸長部３は伸長性有機基材の表面に露出していない状態で形成されていてもよい。また、伸長性有機基材の円滑な伸縮性を担保するため、難伸長部３は、伸長性母材２の面方向の端部以外の箇所に形成されているのが好ましい。すなわち、難伸長部３は伸縮性母材２に包含される状態（但し、両表面を除く）で形成されているのが好ましい。但し、伸縮性母材２の面方向の端部を補強したり、該端部に異なる特性を付与する場合などには、難伸長部３を該端部に形成する場合もある。
【００２１】
前記伸縮性母材２中に形成された複数の難伸長部３はランダムに形成されていてもよいが、利用性の点から規則的パターンで形成されているのが好ましい。複数の難伸長部３が規則的パターンで形成されている場合、隣接する難伸長部３間の距離（最短距離）は、例えば、０．１〜１０ｍｍであり、好ましくは０．５〜５ｍｍである。
【００２２】
シート状伸縮性有機基材１の厚みは、例えば５０μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以上である。シート状伸縮性有機基材１の厚みの上限は、例えば１０００μｍであり、好ましくは５００μｍである。
【００２３】
前記難伸長部３は、シート状伸縮性有機基材１の一方の表面から連続して形成されていてもよく、シート状伸縮性有機基材１の一方の表面から他方の表面に至るまで連続して形成されていてもよい。また、前記難伸長部３は、シート状伸縮性有機基材１の内部に埋没されて形成されてもよい。前記難伸長部３の厚み方向の長さ（厚み）は、有用性の観点等から、上記何れの場合も、シート状伸縮性有機基材１の厚みの少なくとも１／５０が好ましく、より好ましくは少なくとも１／２０、さらに好ましくは少なくとも１／１０、特に好ましくは少なくとも１／４である。また、有機薄膜トランジスタ素子１０の保持性等の観点から、例えば、難伸長部３がシート状伸縮性有機基材１の一方の表面から連続して形成されている場合などには、前記難伸長部３の厚み方向の長さ（厚み）は、さらに、シート状伸縮性有機基材１の厚みの少なくとも１／３、中でも少なくとも１／２（とりわけ、少なくとも２／３）であるのが望ましい。
【００２４】
本発明において、シート状伸縮性有機基材１の引張試験（試験片の幅２０ｍｍ、チャック間距離５０ｍｍ、温度２５℃、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎ）における伸度（破断伸度）は、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは１２０％以上であり、強度（破断応力）は、好ましくは１．０ＭＰａ以上、より好ましくは２．０ＭＰａ以上、さらに好ましくは３．０ＭＰａ以上である。前記強度は高いほどよいが、上限は、例えば１００ＭＰａであり、通常は５０ＭＰａ以下である。引張試験機を用いた引張試験等に用いるシート状伸縮性有機基材１の試験サンプルの例を図６に示す。
【００２５】
前記シート状伸縮性有機基材において、伸縮性母材２は伸長性及び伸縮性に優れるが、難伸長部３は伸長性が低い。前記シート状伸縮性有機基材は、引張試験機を用いた伸長試験（温度２５℃）において、該伸長性有機基材を１．５倍（元の長さの１５０％）まで伸長させた際（但し、１．５倍まで伸長しない有機基材については、１．２５倍まで伸長させた際）、難伸長部３の伸長率Ｓ１（％）（元の長さに対する伸びた長さの割合）は、４９％以下が好ましく、より好ましくは４０％以下、さらに好ましくは２５％以下、特に好ましくは１０％以下である。
【００２６】
また、前記シート状伸縮性有機基材は、引張試験機を用いた伸長試験（温度２５℃）において、該シート状伸縮性有機基材を１．５倍（元の長さの１５０％）まで伸長させた際（但し、１．５倍まで伸長しない有機基材については、１．２５倍まで伸長させた際）、伸縮性母材部２の伸長率Ｓ２（％）（元の長さに対する伸びた長さの割合）と難伸長部３の伸長率Ｓ１（％）の比率［Ｓ２（％）／Ｓ１（％）］が１より大きいのが好ましい。このようなシート状伸縮性有機基材では、該基材を一方向に伸長させた際、伸縮性母材部２が伸長しても、難伸長部３が伸長しにくく、形状が変化しにくいため、難伸長部３に有機薄膜トランジスタ素子１０を安定に固定、保持させることができる。前記比率［Ｓ２（％）／Ｓ１（％）］は、より好ましくは２以上であり、さらに好ましくは５以上（特に１０以上）である。
【００２７】
さらに、前記シート状伸縮性有機基材は、引張試験機を用いた伸長試験（温度２５℃）において、該シート状伸縮性有機基材を１．５倍（元の長さの１５０％）まで伸長させた際（但し、１．５倍まで伸長しない有機基材については、１．２５倍まで伸長させた際）、伸縮性母材部２の伸長率Ｓ２（％）と難伸長部３の伸長率Ｓ１（％）の差［Ｓ２（％）−Ｓ１（％）］は、２０％以上であるのが好ましく、４０％以上であるのがより好ましい。
【００２８】
本発明において、前記シート状伸縮性有機基材の伸長性は等方向性であるのが好ましい。例えば、一方向における前記伸縮性母材部２の伸長率Ｓ２（１）（％）と、該方向に対して直交する方向における前記伸縮性母材部２の伸長率Ｓ２（２）（％）との比［Ｓ２（１）／Ｓ２（２）］［但し、Ｓ２（１）≧Ｓ２（２）とする］は、１〜１．３が好ましく、１〜１．２がより好ましく、１〜１．１が特に好ましい。
【００２９】
本発明において、前記シート状伸縮性有機基材は伸縮性を有する。該シート状伸縮性有機基材において、引張試験機を用いた５０％伸長時のヒステリシス試験（試験片の幅２０ｍｍ、チャック間距離５０ｍｍ、温度２５℃、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎ）により得られる伸長回復率は、１０％以上であるのが好ましく、より好ましくは３０％以上、さらに好ましくは５０％以上（特に好ましくは７０％以上）である。
【００３０】
また、前記シート状伸縮性有機基材では、通常、伸縮性母材２は軟質であり、難伸長部３は硬質である。例えば、前記シート状伸縮性有機基材においては、ゴム硬度計を用いた硬さ試験（試験片３０ｍｍ×３０ｍｍの伸縮性有機基材の１０枚積層品、針押し込み１０秒後の硬さ、温度２５℃）により求めた難伸長部３の硬さＨ１と伸縮性母材２の硬さＨ２との比（Ｈ１／Ｈ２）が１より大きいことが好ましく、より好ましくは１．０１以上、さらに好ましくは１．１０以上、特に好ましくは１．２０以上である。
【００３１】
また、伸縮性母材２及び難伸長部３の硬さの尺度として引張弾性率を用いることもできる。前記シート状伸縮性有機基材においては、固体粘弾性測定装置（サンプルサイズ：長さ２５ｍｍ×幅３ｍｍ、チャック間距離：５ｍｍ、モード：時間分散、温度：２７℃、周波数：１Ｈｚ、初期歪み：０．２％、測定時間：１２０秒、測定回数：１０回）により測定した難伸長部３の引張弾性率Ｅ’１（Ｐａ）と伸縮性母材２の引張弾性率Ｅ’２（Ｐａ）の比（Ｅ’１／Ｅ’２）が１より大きいことが好ましく、より好ましくは５以上、さらに好ましくは１０以上、特に好ましくは１００以上である。
【００３２】
さらに、伸縮性母材２及び難伸長部３の硬さの尺度としてナノインデンテーション測定における荷重を用いることもできる。前記伸縮性有機基材においては、ナノインデンテーション測定（押し込み深さ４μｍ、押し込み速度１．５μｍ／秒、温度２５℃）における難伸長部３の荷重Ｐ１と伸縮性母材２の荷重Ｐ２との比（Ｐ１／Ｐ２）が１より大きいことが好ましく、より好ましくは１．０１以上、さらに好ましくは１．１０以上、特に好ましくは１．５０以上である。
【００３３】
なお、伸縮性母材部２の表面（少なくとも一方の表面）、難伸長部３の形成部位の表面（少なくとも一方の表面）の表面粗さＲａは、それぞれ、１００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下がさらに好ましい。特に難伸長部３の表面粗さは小さいほど有機薄膜トランジスタ素子を精度よく設置することができ、有機薄膜トランジスタ素子の有する性能を確実に発揮させることができる。なお、ＲａはＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により測定することができる。
【００３４】
［伸縮性母材］
本発明において、伸縮性母材２は（メタ）アクリロイル基末端ウレタンポリマーとアクリル系モノマーとを含有する活性エネルギー線硬化性組成物の硬化物により構成される。
【００３５】
前記（メタ）アクリロイル基末端ウレタンポリマーは、公知の方法、例えば、末端にイソシアネート基を有するウレタンポリマーとヒドロキシルアルキル（メタ）アクリレートとを反応させることにより製造できる。
【００３６】
前記末端にイソシアネート基を有するウレタンポリマーは、ポリイソシアネート化合物と、長鎖ポリオール化合物、及び必要に応じて用いられる鎖伸長剤や他のイソシアネート反応性化合物とを、慣用の方法で反応させることにより得ることができる。
【００３７】
ポリイソシアネート化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族ジイソシアネート；イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシアネート、ノルボルネンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート等の脂環式ジイソシアネート；ナフタレンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、ジフェニルジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ジフェニルエーテルジイソシアネート、ジフェニルプロパンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート；キシリレンジイソシアネート、テトラメチレンキシリレンジイソシアネート等の芳香脂肪族ジイソシアネート；ダイマー酸ジイソシアネートなどが挙げられる。
【００３８】
長鎖ポリオール化合物としては、例えば、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリオレフィンポリオール、ポリアクリルポリオールなどが挙げられる。長鎖ポリオールの数平均分子量は、通常、５００以上であり、好ましくは５００〜１００００、より好ましくは５５０〜４０００である。長鎖ポリオールは単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。
【００３９】
ポリエーテルポリオールとしては、例えば、ポリエチレンエーテルグリコール、ポリプロピレンエーテルグリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール（ＰＴＭＧ）などのポリアルキレンエーテルグリコールの他、エチレンオキシド−プロピレンオキシド共重合体などのモノマー成分として複数のアルキレンオキシドを含む（アルキレンオキサイド−他のアルキレンオキサイド）共重合体などが挙げられる。
【００４０】
ポリエステルポリオールとしては、例えば、多価アルコールと多価カルボン酸との縮合重合物；環状エステル（ラクトン）の開環重合物；多価アルコール、多価カルボン酸及び環状エステルの３種類の成分による反応物などを用いることができる。多価アルコールと多価カルボン酸との縮合重合物において、多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、１，５−ペンタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，６−ヘキサンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、グリセリン、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、シクロヘキサンジオール類（１，４−シクロヘキサンジオールなど）、シクロヘキサンジメタノール類（１，４−シクロヘキサンジメタノールなど）、ビスフェノール類（ビスフェノールＡなど）、糖アルコール類（キシリトールやソルビトールなど）などを用いることができる。一方、多価カルボン酸としては、例えば、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、アジピン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸等の脂肪族ジカルボン酸；１，４−シクロヘキサンジカルボン酸等の脂環式ジカルボン酸；テレフタル酸、イソフタル酸、オルトフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、トリメリット酸等の芳香族ジカルボン酸などが挙げられる。また、環状エステルの開環重合物において、環状エステルとしては、例えば、プロピオラクトン、β−メチル−δ−バレロラクトン、ε−カプロラクトンなどが挙げられる。３種類の成分による反応物において、多価アルコール、多価カルボン酸、環状エステルとしては、前記例示のものなどを用いることができる。
【００４１】
ポリカーボネートポリオールとしては、例えば、多価アルコールとホスゲン、クロロギ酸エステル、ジアルキルカーボネート又はジアリールカーボネートとの反応物；環状炭酸エステル（アルキレンカーボネートなど）の開環重合物などが挙げられる。具体的には、多価アルコールとホスゲンとの反応物において、多価アルコールとしては、前記例示の多価アルコール（例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，６−ヘキサンジオール等）を用いることができる。また、環状炭酸エステルの開環重合物において、アルキレンカーボネートとしては、例えば、エチレンカーボネート、トリメチレンカーボネート、テトラメチレンカーボネート、ヘキサメチレンカーボネートなどが挙げられる。なお、ポリカーボネートポリオールは、分子内にカーボネート結合を有し、末端がヒドロキシル基である化合物であればよく、カーボネート結合とともにエステル結合を有していてもよい。ポリカーボネートポリオールの代表的な例として、ポリヘキサメチレンカーボネートジオール、ポリヘキサメチレンカーボネートジオールにラクトンを開環付加重合して得られるジオール、ポリヘキサメチレンカーボネートジオールとポリエステルジオール又はポリエーテルジオールとの共縮合物などが挙げられる。
【００４２】
ポリオレフィンポリオールは、オレフィンを重合体又は共重合体の骨格（又は主鎖）の成分とし且つ分子内に（特に末端に）ヒドロキシル基を少なくとも２つ有するポリオールである。前記オレフィンとしては、末端に炭素−炭素二重結合を有するオレフィン（例えば、エチレン、プロピレン等のα−オレフィンなど）であってもよく、また末端以外の部位に炭素−炭素二重結合を有するオレフィン（例えば、イソブテンなど）であってもよく、さらにはジエン（例えば、ブタジエン、イソプレンなど）であってもよい。ポリオレフィンポリオールの代表的な例として、ブタジエンホモポリマー、イソプレンホモポリマー、ブタジエン−スチレンコポリマー、ブタジエン−イソプレンコポリマー、ブタジエン−アクリロニトリルコポリマーなどのブタジエン若しくはイソプレン系ポリマーの末端をヒドロキシル基に変性したものが挙げられる。
【００４３】
ポリアクリルポリオールは、（メタ）アクリレートを重合体又は共重合体の骨格（又は主鎖）の成分とし且つ分子内に（特に末端に）ヒドロキシル基を少なくとも２つ有するポリオールである。（メタ）アクリレートとしては、（メタ）アクリル酸アルキルエステル［例えば、（メタ）アクリル酸Ｃ１−２０アルキルエステルなど］が好適に用いられる。
【００４４】
前記鎖伸長剤としては、熱可塑性ポリウレタンの製造に通常用いられる鎖伸長剤を使用でき、その種類は特に制限されないが、低分子量のポリオール、ポリアミン等を用いることができる。鎖伸長剤の分子量は、通常、５００未満であり、好ましくは３００以下である。鎖伸長剤は単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。
【００４５】
鎖伸長剤の代表的な例として、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，６−ヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノールなどのポリオール（特に、ジオール）；ヘキサメチレンジアミン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジシクロヘキシルメタン、４，４′−メチレンビス−２−クロロアニリンなどのポリアミン（特に、ジアミン）などが挙げられる。
【００４６】
前記末端にイソシアネート基を有するウレタンポリマーとしては、ポリイシソアネート化合物、長鎖ポリオール化合物、及び必要に応じて鎖伸長剤、他のイソシアネート反応性化合物とを、ポリイソシアネートのイソシアネート基のモル数と、長鎖ポリオール及び鎖伸長剤等が有するイソシアネート反応性基（水酸基、アミノ基等）のモル数との比（ＮＣＯ／イソシアネート反応性基）が１以上となる範囲で反応させることにより得られる。この反応には、反応を促進するため、必要に応じて、第３級アミン、有機金属化合物、スズ化合物等の触媒を用いてもよい。
【００４７】
前記ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートとしては、例えば、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートなどを用いることができる。これらのヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートは１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。
【００４８】
前記末端にイソシアネート基を有するウレタンポリマーとヒドロキシルアルキル（メタ）アクリレートとの反応は、公知乃至慣用の方法により行うことができる。
【００４９】
本発明において、前記アクリル系モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸イソペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどの（メタ）アクリル酸Ｃ１−２０アルキルエステル；（メタ）アクリル酸シクロペンチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸イソボルニルなどの脂環式基を有する（メタ）アクリル酸エステル；（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸フェノキシエチルなどの芳香族炭化水素基を有する（メタ）アクリル酸エステル；（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルなどの（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシルなどの水酸基（ヒドロキシル基）含有モノマー；（メタ）アクリル酸、２−カルボキシエチル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルコハク酸、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルフタル酸などのカルボキシル基又は酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸メチルグリシジルなどのエポキシ基含有モノマーなどが挙げられる。
【００５０】
前記アクリル系モノマーとしては、上記のほか、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンＥＯ付加トリ（メタ）アクリレート、グリセリンＰＯ付加トリ（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレート、ビニル（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなどの多官能性モノマーを使用することもできる。なお、「ＥＯ」はエチレンオキサイド、「ＰＯ」はプロピレンオキサイドを示す。
【００５１】
本発明においては、前記アクリル系モノマーとして、少なくとも（メタ）アクリル酸Ｃ１−２０アルキルエステルを用いるのが好ましい。また、伸縮性母材２と難伸長部３との界面における密着強度を向上させるため、前記アクリル系モノマーとして難伸長部３を構成するポリマーのモノマーと同一のモノマーを少なくとも用いるのも好ましい。
【００５２】
前記アクリル系モノマーとして（メタ）アクリル酸Ｃ１−２０アルキルエステル（メタ）アクリル酸Ｃ１−２０アルキルエステルを用いる場合、前記アクリル系モノマー全体に占める（メタ）アクリル酸Ｃ１−２０アルキルエステルの割合は、例えば、１０重量％以上（１０〜１００重量％）、好ましくは４０重量％以上（４０〜１００重量％）、より好ましくは５０重量％以上（５０〜１００重量％）、さらに好ましくは６０重量％以上（６０〜１００重量％）である。また、前記アクリル系モノマーとして（メタ）アクリル酸Ｃ１−２０アルキルエステルとともに、（メタ）アクリル酸イソボルニルなどの脂環式基を有する（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリル酸等のカルボキシル基又は酸無水物基含有モノマーや（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマーを用いてもよい。この場合、（メタ）アクリル酸イソボルニルなどの脂環式基を有する（メタ）アクリル酸エステル、カルボキシル基又は酸無水物基含有モノマー、ヒドロキシル基含有モノマーの使用量は、硬化性モノマー全体に対して、それぞれ、例えば０〜９０重量％（０．１〜９０重量％程度）、好ましくは０〜５０重量％（０．１〜５０重量％程度）の範囲から選択することができ、１〜４５重量％程度用いてもよい。
【００５３】
前記（メタ）アクリロイル基末端ウレタンポリマーと前記アクリル系モノマーとの比率［前者／後者（重量比）］は、例えば、１／９９〜９９／１、好ましくは２０／８０〜９５／５、より好ましくは２５／７５〜９０／１０、さらに好ましくは３０／７０〜７５／２５である。この割合が小さすぎると、伸長性や伸縮性が低下しやすくなる。
【００５４】
前記活性エネルギー線硬化性組成物中の前記（メタ）アクリロイル基末端ウレタンポリマーと前記アクリル系モノマーの占める割合（総量）は、例えば５０重量％以上、好ましくは８０重量％以上、より好ましくは９０重量％以上である。
【００５５】
伸縮性母材２は、前記活性エネルギー線硬化性組成物に紫外線等のエネルギー線を照射して硬化させることにより形成できる。この際、通常、光重合開始剤が用いられる。光重合開始剤として、例えば、ベンゾインエーテル系光重合開始剤、アセトフェノン系光重合開始剤、α−ケトール系光重合開始剤、芳香族スルホニルクロリド系光重合開始剤、光活性オキシム系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、ベンジル系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、ケタール系光重合開始剤、チオキサントン系光重合開始剤等が用いられる。
【００５６】
上記ベンゾインエーテル系光重合開始剤としては、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、アニソールメチルエーテルなどが挙げられる。上記アセトフェノン系光重合開始剤としては、例えば、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、４−フェノキシジクロロアセトフェノン、４−（ｔ−ブチル）ジクロロアセトフェノンなどが挙げられる。上記α−ケトール系光重合開始剤としては、例えば、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−［４−（２−ヒドロキシエチル）フェニル］−２−メチルプロパン−１−オンなどが挙げられる。上記芳香族スルホニルクロリド系光重合開始剤としては、例えば、２−ナフタレンスルホニルクロライドなどが挙げられる。上記光活性オキシム系光重合開始剤としては、例えば、１−フェニル−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）−オキシムなどが挙げられる。上記ベンゾイン系光重合開始剤としては、例えば、ベンゾインなどが挙げられる。上記ベンジル系光重合開始剤としては、例えば、ベンジルなどが挙げられる。上記ベンゾフェノン系光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ポリビニルベンゾフェノン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどが挙げられる。上記ケタール系光重合開始剤としては、例えば、ベンジルジメチルケタールなどが挙げられる。上記チオキサントン系光重合開始剤としては、例えば、チオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン、ドデシルチオキサントンなどが挙げられる。
【００５７】
光重合開始剤の使用量としては、特に限定されないが、活性エネルギー線硬化性組成物中の硬化性化合物全量１００重量部に対して、例えば０．０１〜３重量部であり、その上限は、好ましくは１重量部、さらに好ましくは０．５重量部であり、その下限は、好ましくは０．０２重量部、さらに好ましくは０．０５重量部である。
【００５８】
伸縮性母材部２には、必要に応じて、例えば、架橋剤（例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤など）、架橋促進剤、シランカップリング剤、粘着付与樹脂（ロジン誘導体、ポリテルペン樹脂、石油樹脂、油溶性フェノールなど）、老化防止剤、充填剤、着色剤（顔料や染料など）、紫外線吸収剤、酸化防止剤、可塑剤、軟化剤、界面活性剤、帯電防止剤などの添加剤が、本発明の特性を損なわない範囲で含まれていてもよい。
【００５９】
［難伸長部］
本発明において、難伸長部３は、多官能アクリル系モノマーに由来する構成単位をポリマーの全構成単位に対して５０重量％以上（より好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは８０重量％以上）含むアクリル系ポリマーを含有するポリマー材料から構成されている。前記ポリマー材料中のポリマーは１種単独であってもよく、２種以上の混合物であってもよい。
【００６０】
多官能アクリル系モノマーに由来する構成単位をポリマーの全構成単位に対して５０重量％以上含むアクリル系ポリマーの、難伸長部を構成するポリマー材料全体に占める割合は、例えば５重量％以上、好ましくは１０重量％以上、さらに好ましくは１５重量％以上であり、５０重量％以上（例えば９０重量％以上）であってもよい。
【００６１】
多官能アクリル系モノマーとして、例えば、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンＥＯ付加トリ（メタ）アクリレート、グリセリンＰＯ付加トリ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。多官能モノマーの中でも３官能以上（例えば、３〜６官能）の多官能モノマーが最も好ましい。
【００６２】
難伸長部３を、多官能アクリル系モノマーに由来する構成単位をポリマーの全構成単位に対して５０重量％以上（より好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは８０重量％以上）含むアクリル系ポリマーを含有するポリマー材料で構成する場合は、例えば、前記多官能アクリル系モノマーをモノマー全体の５０重量％以上含むモノマー成分を含有するエネルギー線硬化性組成物を伸縮性母材形成用材料層の所定部位に配した後、エネルギー線を照射して硬化（重合）させることにより形成できる。この場合、前記多官能アクリル系モノマー以外の他のモノマーとして、前記伸縮性母材形成用のアクリル系モノマーとして例示したモノマーのうち単官能モノマーを適宜選択して使用できる。
【００６３】
難伸長部３を形成する際には、通常、硬化性基を硬化させるため光重合開始剤が用いられる。光重合開始剤としては、特に限定されず、前記伸縮性母材２を形成する場合と同様の光重合開始剤を使用できる。光重合開始剤の使用量としては、特に限定されないが、硬化性化合物全量１００重量部に対して、例えば０．０１〜３重量部であり、その上限は、好ましくは１重量部、さらに好ましくは０．５重量部であり、その下限は、好ましくは０．０２重量部、さらに好ましくは０．０５重量部である。
【００６４】
難伸長部３には、必要に応じて、例えば、架橋剤（例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤など）、架橋促進剤、シランカップリング剤、粘着付与樹脂（ロジン誘導体、ポリテルペン樹脂、石油樹脂、油溶性フェノールなど）、老化防止剤、充填剤、着色剤（顔料や染料など）、紫外線吸収剤、酸化防止剤、可塑剤、軟化剤、界面活性剤、帯電防止剤などの添加剤が、本発明の特性を損なわない範囲で含まれていてもよい。
【００６５】
［シート状伸縮性有機基材の製造］
本発明におけるシート状伸縮性有機基材は、例えば、下記の工程Ａ、工程Ｂ及び工程Ｃを経ることにより製造できる。
【００６６】
工程Ａ：前記（メタ）アクリロイル基末端ウレタンポリマーとアクリル系モノマーとを含有するエネルギー線硬化性組成物を用いて、支持体上に伸縮性母材形成用材料層を形成する工程
工程Ｂ：前記伸縮性母材形成用材料層の所定部位に、難伸長部の表面形状又は基材表面投影形状が所望の形状となるように、前記難伸長部形成用のエネルギー線硬化性組成物を配する（含有させる）工程
工程Ｃ：前記難伸長部形成用のエネルギー線硬化性組成物を配した伸縮性母材形成用材料層にエネルギー線を照射して、前記難伸長部形成用のエネルギー線硬化性組成物及び伸縮性母材形成用材料層を硬化させて、伸縮性母材中に難伸長部が部分的に且つ一体的に形成されたシート状伸縮性有機基材を得る工程
図５は上記方法を示す概略説明図（断面図）である。図５の（ａ）は工程Ａ、（ｂ）は工程Ｂ、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）［又は、（ｄ′）、（ｅ′）、（ｆ）］は工程Ｃに該当する。
【００６７】
工程Ａでは、支持体４０上に伸縮性母材形成用材料層２０を形成する。支持体４０としては、特に限定されないが、例えばセパレータを用いることができる。セパレータとしては、特に限定されず、慣用の剥離紙、剥離処理層を有するセパレータ、フッ素ポリマーからなる低接着性基材、無極性ポリマーからなる低接着性基材などを使用できる。上記剥離処理層を有するセパレータとしては、例えば、シリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系、硫化モリブデン等の剥離処理剤により表面処理されたプラスチックフィルムや紙等が挙げられる。上記フッ素ポリマーからなる低接着性基材におけるフッ素系ポリマーとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、クロロフルオロエチレン−フッ化ビニリデン共重合体等が挙げられる。また、上記無極性ポリマーとしては、例えば、オレフィン系樹脂（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなど）等が挙げられる。なお、セパレータは公知乃至慣用の方法により製造することができる。また、セパレータの厚さ等も特に限定されない。
【００６８】
前記伸縮性母材形成用材料層２０は、前記（メタ）アクリロイル基末端ウレタンポリマーとアクリル系モノマーとを含有するエネルギー線硬化性組成物（光重合開始剤を含む）３０を支持体４０上に塗工することにより形成できる。
【００６９】
前記エネルギー線硬化性組成物には、必要に応じて溶剤を添加してもよいが、後で溶剤を除去する工程が増えるので、溶剤を使用しないのが好ましい。また、前記エネルギー線硬化性組成物には、熱による重合を防止するため、必要に応じて重合禁止剤を添加してもよい。
【００７０】
前記エネルギー線硬化性組成物はシロップ状であるのが好ましい。前記エネルギー線硬化性組成物の粘度は、作業性等の観点から、塗工する際の温度（例えば１０〜４０℃の範囲内の所定温度、特に２５℃）において、例えば、０．１〜５０Ｐａ・ｓであり、その上限は、好ましくは３０Ｐａ・ｓ、さらに好ましくは２０Ｐａ・ｓであり、下限は、好ましくは０．５Ｐａ・ｓ、さらに好ましくは１Ｐａ・ｓである。この粘度が低すぎると形状の保持が困難になりやすく、逆に高すぎると塗工作業性が低下しやすくなる。
【００７１】
前記エネルギー線硬化性組成物の塗工方法は特に限定されず、例えば、マイヤーバー、ブレードコーター、エアナイフコーター、ロールコーター、ダイコーター等のコーター、押出機、印刷機などを使用できる。なお、伸縮性母材形成用材料層２０の形成は、適宜な型を用いて行うこともできる。この場合には、前記エネルギー線硬化性組成物の粘度は前記範囲より低くてもよい。
【００７２】
前記伸縮性母材形成用材料層２０の厚みは、例えば、１０〜２０００μｍであり、その上限は、好ましくは１０００μｍ、さらに好ましくは５００μｍであり、下限は、好ましくは５０μｍ、さらに好ましくは１００μｍである。
【００７３】
工程Ｂでは、前記伸縮性母材形成用材料層の所定部位に、難伸長部の表面形状又は基材表面投影形状が所望の形状となるように、前記難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物３０を配する（含有させる）。
【００７４】
工程Ｂは、多官能アクリル系モノマーを５０重量％以上（より好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは８０重量％以上）含むモノマー成分と、光重合開始剤とを含有するエネルギー線硬化性組成物を、前記伸縮性母材形成用材料層２０の所定箇所に上から添加（滴下）することにより行うことができる。
【００７５】
前記難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物３０はシロップ状であるのが好ましい。難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物３０の粘度は、作業性等の観点から、塗工する際の温度（例えば１０〜４０℃の範囲内の所定温度、特に２５℃）において、例えば、１０〜５００００ｍＰａ・ｓであり、その上限は、好ましくは３００００ｍＰａ・ｓ、さらに好ましくは２００００ｍＰａ・ｓであり、下限は、好ましくは２０ｍＰａ・ｓ、さらに好ましくは３０ｍＰａ・ｓである。この粘度が低すぎると所望の形状が得られにくくなり、逆に高すぎると塗工作業性が低下しやすくなる。
【００７６】
難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物３０の添加、注入方法は特に限定されず、例えば、注射器、適宜な滴下装置等を使用できる。
【００７７】
難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物３０の使用量及び粘度を調整することにより、硬化後の難伸長部３の大きさ（面方向の大きさ及び高さ）をコントロールできる。難伸長性ポリマー部３を複数形成する場合は、適宜な間隔をおいて、難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物３０を適用する。なお、難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物３０の添加又は注入箇所を規制する手段を用いることにより、硬化後の難伸長部３の形状を制御することができる。
【００７８】
難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物の伸縮性母材形成用材料層への適用（塗工、滴下、印刷）の後、必要に応じて、難伸長部形成用材料が伸縮性母材形成用材料層の所定の深さまで浸透、移行するまで放置する。
【００７９】
工程Ｃでは、前記難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物３０を配した伸縮性母材形成用材料層２０にエネルギー線を照射して、前記難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物３０及び伸縮性母材形成用材料層２０を硬化させて、伸縮性母材２中に難伸長部３が部分的に且つ一体的に形成されたシート状伸縮性有機基材を得る。
【００８０】
図５ではエネルギー線として紫外線（ＵＶ）を用いているが、α線、β線、γ線、中性子線、電子線などの電離性放射線や、可視光線であってもよい。
【００８１】
エネルギー線の照射エネルギー、照射時間、照射方法などは特に限定されず、光重合開始剤を活性化させて、モノマー成分の反応を生じさせることができればよい。
【００８２】
エネルギー線の照射装置としては、慣用のものを使用できる。例えば、紫外線を照射する場合には、水銀灯、蛍光灯、ナトリウムランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ネオン管、ネオンランプ、高輝度放電灯などを用いることができる。
【００８３】
エネルギー線照射の際、酸素による硬化阻害を防止する目的や、表面を平滑にする目的のため、前記難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物３０を含有させた伸縮性母材形成用材料層２０の表面にカバーフィルム５０を積層してもよい。カバーフィルム５０としては、前記支持体４０と同様のセパレータなどを使用できる。カバーフィルム５０の積層は、例えば、ハンドローラー等を用いて行うことができる。
【００８４】
エネルギー線照射は数段階に分けて行ってもよい。例えば、紫外線を照射する場合、図５の（ｃ）に示すように、予め高い照度（例えば、５０〜１０００ｍＷ／ｃｍ２）にて短時間照射（例えば、積算照射量１０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２）した後、図５の（ｄ）に示すように、前記カバーフィルム５０を積層し、その後、図５の（ｅ）に示すように、低い照度（例えば、１〜４０ｍＷ／ｃｍ２）にて長時間照射（例えば、積算照射量５００〜１００００ｍＪ／ｃｍ２）してもよい。このように、エネルギー線照射を数段階に分けて照射することにより、ハンドローラーによるカバーフィルム５０の積層時の作業性を向上することができる。図中、２００は部分硬化した伸縮性母材形成用材料層であり、３００は部分硬化した難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物である。
【００８５】
エネルギー線照射を１段で行う場合には、例えば、工程Ｂの後、図５の（ｄ′）に示すように、前記難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物３０を含有させた伸縮性母材形成用材料層２０の表面にカバーフィルム５０を積層し、図５の（ｅ′）に示すように紫外線を照射してもよい。この場合の紫外線の照度は、例えば１〜４０ｍＷ／ｃｍ２、積算照射量は、例えば５００〜１００００ｍＪ／ｃｍ２である。
【００８６】
上記のようにして難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物３０及び伸縮性母材形成用材料層２０を硬化させた後、図５の（ｆ）に示されるように、必要に応じてカバーフィルム５０、支持体４０を剥離し、必要に応じて適宜な大きさに切断し、シート状伸縮性有機基材１として使用に供される。切断操作はカバーフィルム５０や支持体４０の剥離前に行ってもよい。
【００８７】
なお、難伸長部と伸縮性母材部の界面近傍において、組成及び／又は物性（伸び特性、硬度等）に関してグラデーションをなしているシート状伸縮性有機基材は、例えば、伸縮性母材形成用材料及び難伸長部形成用材料として、互いに共通又は類似する材料（モノマー等）を用いたり、互いに親和性のある材料（溶媒、モノマー等）を用いることにより製造することができる。このようなグラデーションは、モノマー成分、溶媒等の拡散、移行と、その後の硬化、溶媒の乾燥除去等により形成される。従って該グラデーションを有する伸長性有機基材のグラデーション部では、各部位（難伸長部、伸縮性母材部）の形成用材料から想定される組成とは異なるものとなる。なお、グラデーションの程度（幅）は、伸縮性母材形成用材料及び難伸長部形成用材料（モノマー等）の種類や量により調整できる。また、前記のように、難伸長部形成用材料としてのエネルギー線硬化性組成物中にポリマーを配合する場合には、該ポリマーの種類、量、重量平均分子量等によりグラデーションの程度（幅）を調整することもできる。
【００８８】
こうして得られるシート状伸縮性有機基材は本発明の伸縮性回路基板における基板として使用される。
【００８９】
［パリレン薄膜層］
本発明では、基板１の難伸長部３側の面上にパリレン薄膜層４を有する。パリレン薄膜層４を設けることにより、有機薄膜トランジスタ素子１０を載せる表面の耐熱性が向上し、基板１表面の硬度が高くなり、プロセスの熱などによる基材の曲りなどのダメージを低減できるため、有機薄膜トランジスタ素子１０を安定に基板１の難伸長部３上に載置できる。また、基板１上にパリレン薄膜層４を設けることで、基板１の伸縮性母材２表面のタックにより該基板１と伸縮性回路基板製造工程で用いる装置やその部品とが貼着してプロセス上のトラブルが生じるのを防止できる。
【００９０】
パリレンはパラキシリレン系ポリマーの総称であり、パリレンＮ、パリレンＣ、パリレンＤ、パリレンＨＴ、パリレンｄｉＸ−ＳＲなどが存在する。本発明では、これらのいずれのパリレンも使用できるが、中でも、耐熱性の高いパリレンｄｉＸ−ＳＲが好ましい。
【００９１】
パリレン薄膜層４は、特に制限されないが、例えば、パリレンを公知の蒸着法（例えば、真空蒸着法、熱ＣＶＤ法など）によって基板１の表面に蒸着させることにより、形成することができる。
【００９２】
パリレン薄膜層４の厚みは、１〜１．２μｍである。パリレン薄膜層４の厚みが１μｍ未満では、有機薄膜トランジスタ素子１０を載せるための難伸長部の耐熱性が十分とはいえず、また、真空蒸着法でゲート電極成膜時にパターニングに用いるメタルマスクがくっついてしまう。逆に、パリレン薄膜層４の厚みが１．２μｍを超えると、基板であるシート状伸縮性有機基材の伸縮性を損ないやすく、かつ、難伸長部３表面の平坦性が損なわれる。
【００９３】
［有機薄膜トランジスタ素子］
本発明において、有機薄膜トランジスタ素子としては、ｐ型半導体ジナフト［２，３−ｂ：２′，３′−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（ＤＮＴＴ）を用いたボトムゲートトップコンタクト型  ２Ｖ駆動薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を使用している。
【００９４】
図１に示す有機薄膜トランジスタ素子１０は、その一例である（例えば、特開２００９−２２４７１４号公報等参照）。
【００９５】
図１において、有機薄膜トランジスタ素子１０は、前記のように、パリレン薄膜層４に接しているゲート電極５と、前記ゲート電極５表面を被覆するゲート絶縁膜６と、前記ゲート絶縁膜６上に形成された自己組織化単分子膜７と、前記自己組織化単分子膜７上に形成された有機半導体膜８と、前記有機半導体膜８上に形成されたソース電極９ａ及びドレイン電極９ｂとで構成されている。
【００９６】
有機薄膜トランジスタ素子１０において、例えば、ゲート電極５のサイズは、ゲート長：ＬＧは、５μｍ〜３０μｍの範囲、好ましくは、７μｍ〜２０μｍの範囲に選択し、ゲート幅：ＷＧは、１００μｍ〜３００μｍの範囲に選択する。また、チャネル長：Ｌｃｈａｎｎｅｌは、ゲート長：ＬＧを基準として、２ＬＧ≧Ｌｃｈａｎｎｅｌ≧ＬＧの範囲、好ましくは、４／３・ＬＧ≧Ｌｃｈａｎｎｅｌ≧ＬＧの範囲に選択する。すなわち、ゲート電極５を挟むように形成される。ソース電極９ａおよびドレイン電極９ｂのゲート電極側の側端間の間隔：ＬＳ−Ｄは、ゲート長：ＬＧを基準として、２ＬＧ≧ＬＳ−Ｄ≧ＬＧの範囲、好ましくは、４／３・ＬＧ≧ＬＳ−Ｄ≧ＬＧの範囲に選択する。
【００９７】
ゲート電極５はゲート絶縁膜６の下に位置し、ソース電極９ａおよびドレイン電極９ｂは、ゲート絶縁膜６の上に位置するが、直上から観察した際、ソース電極９ａおよびドレイン電極９ｂの形状は、実質的に、それぞれ、長さＬＳの短辺、長さＷＳの長辺を有する矩形、長さＬＤの短辺、長さＷＤの長辺を有する矩形と見做すことができ、また、ゲート絶縁膜６の形状は、長さＬＧの短辺、長さＷＧの長辺を有する矩形と見做すことができるように、各電極のパターン形状を選択することが好ましい。
【００９８】
通常、ゲート電極５、ソース電極９aおよびドレイン電極９ｂの形状を前記のように選択する際、ソース電極９aおよびドレイン電極９ｂの矩形パターンの一辺と、ゲート電極の５矩形パターンの長さＷＧの長辺が並行となるように配置する。例えば、ソース電極９aおよびドレイン電極９ｂの矩形パターンの長さＷＳの長辺、長さＷＤの長辺が、ゲート電極の矩形パターンの長さＷＧの長辺が並行となるように配置する。その際、ソース電極９aおよびドレイン電極９ｂの矩形パターンの長さＷＳの長辺、長さＷＤの長辺は、ゲート電極５の矩形パターンの長さＷＧの長辺より短くし、また、長さＷＳの長辺と長さＷＤの長辺を等しい長さに選択する。すなわち、ＷＧ＞ＷＳ＝ＷＤの条件を満足するように選択する。例えば、ＷＧ＞ＷＳ＝ＷＤ≧１／２・ＷＧの条件、好ましくは、ＷＧ＞ＷＳ＝ＷＤ≧２／３・ＷＧの条件を満足するように選択する。例えば、ソース電極９aおよびドレイン電極９ｂの矩形パターンの長さＷＳの長辺、長さＷＤの長辺を、ＷＧ＞ＷＳ＝ＷＤ≧２／３・ＷＧの条件を満す範囲で、７０μｍ〜２５０μｍの範囲に選択する。
【００９９】
一方、有機薄膜トランジスタ素子１０の動作層として利用される有機半導体の薄膜層（有機半導体膜）８は、少なくとも、チャネル長：Ｌｃｈａｎｎｅｌのチャネル領域は、実質的に、長さＬｃｈａｎｎｅｌの短辺、長さＷｃｈａｎｎｅｌの長辺を有する矩形と見做すことができるように、パターンニングする。このチャネル領域の幅：Ｗｃｈａｎｎｅｌは、ゲート電極５のゲート幅：ＷＧより狭くする。通常、チャネル領域の幅：Ｗｃｈａｎｎｅｌは、ソース電極９aおよびドレイン電極９ｂの矩形パターンの長さＷＳの長辺、長さＷＤの長辺よりも狭くすることが好ましい。すなわち、少なくとも、ＷＧ＞Ｗｃｈａｎｎｅｌの条件を満足し、好ましくは、ＷＧ＞ＷＳ＝ＷＤ≧Ｗｃｈａｎｎｅｌの条件を満足するように選択する。例えば、ＷＧ＞ＷＳ＝ＷＤ≧Ｗｃｈａｎｎｅｌ≧１／２・ＷＧの条件、より好ましくは、ＷＧ＞ＷＳ＝ＷＤ≧Ｗｃｈａｎｎｅｌ≧２／３・ＷＧの条件を満足するように選択する。例えば、チャネル領域の幅：Ｗｃｈａｎｎｅｌを、ＷＧ＞ＷＳ＝ＷＤ≧Ｗｃｈａｎｎｅｌ≧２／３・ＷＧの条件を満す範囲で、７０μｍ〜２５０μｍの範囲に選択する。
【０１００】
有機薄膜トランジスタにおいて、チャネル領域の長さ：Ｌｃｈａｎｎｅｌは、ソース電極９aおよびドレイン電極９ｂのゲート電極５側の側端間の間隔：ＬＳ−Ｄに相当している。チャネル領域の直上から観察した際、ソース電極９aのゲート電極５側の側端と、ゲート電極５の側端との間隙：ΔＬＳ−Ｇと、ドレイン電極９ｂのゲート電極５側の側端と、ゲート電極５の側端との間隙：ΔＬＤ−Ｇとは、その合計は、（ＬＳ−Ｄ−ＬＧ）＝（ΔＬＳ−Ｇ＋ΔＬＤ−Ｇ）となっている。従って、ＬＧ≧（ΔＬＳ−Ｇ＋ΔＬＤ−Ｇ）≧０、好ましくは、１／３・ＬＧ≧（ΔＬＳ−Ｇ＋ΔＬＤ−Ｇ）≧０の範囲とする。例えば、ゲート長：ＬＧは、５μｍ〜３０μｍの範囲、好ましくは、７μｍ〜２０μｍの範囲に選択される際、（ΔＬＳ−Ｇ＋ΔＬＤ−Ｇ）は、０μｍ〜２０μｍの範囲、好ましくは、０μｍ〜１０μｍの範囲に選択する。
【０１０１】
ソース電極９aおよびドレイン電極９ｂの矩形パターンを形成する際、そのパターン描画精度は、前記の（ΔＬＳ−Ｇ＋ΔＬＤ−Ｇ）の値よりも、より高い精度であることが必要である。換言するならば、そのパターン描画精度は、最小のスペース幅が、１μｍ〜１０μｍの範囲となるように選択することが好ましい。また、描画される線幅のバラツキ（直線からの揺らぎ幅）は、１μｍ〜１０μｍの範囲となるように、パターン描画精度を保持することが好ましい。超微細インクジェット印刷装置を用いて、描画する際、個々の液滴が塗布されるドット径（直径）は、描画精度に応じて、０．５μｍ〜５μｍの範囲となるように、液滴の吐出条件を設定する。
【０１０２】
ゲート電極５を形成する金属として、従来から有機薄膜トランジスタ素子のゲート電極５の形成に利用されている金属種を利用できる。本発明においては、ゲート電極５を形成する金属として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉから選択される金属を採用することが好ましい。これらの中でも、Ａｌが好ましい。パリレン薄膜層４上に、ゲート電極５を形成する際、蒸着法、スパッタ法を利用して金属薄膜を形成し、フォトリソグラフ法を適用して、所望の形状パターンにパターニングを行う手法が利用できる。また、ゲート電極５の形成工程でも、超微細インクジェット印刷装置を用いて、金属ナノ粒子分散液を所定のパターン形状に塗布して、基板上に金属ナノ粒子分散液塗布層を形成し、該金属ナノ粒子分散液塗布層を加熱焼成処理して、金属ナノ粒子の焼結体層からなるゲート電極５を形成することもできる。
【０１０３】
ゲート絶縁膜６を形成する絶縁材料として、従来から有機薄膜トランジスタ素子のゲート絶縁膜の形成に利用されている絶縁材料を利用できる。本発明においては、ゲート絶縁膜６を形成する絶縁材料として、無機絶縁材料、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＡｌＯｘ（酸化アルミニウム；Ａｌ２Ｏ３等）、Ｔａ２Ｏ５が好適に利用できる。これらの中でも、ＡｌＯｘが好ましい。これら無機絶縁材料からなるゲート絶縁膜６の形成は、ＰＥ・ＣＶＤ（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Phase Deposition）法、スパッタ法を利用して、所望の膜厚の絶縁膜を形成し、フォトリソグラフ法を適用して、所望の形状パターンにパターニングを行う手法が利用できる。ゲート絶縁膜６の膜厚は、用いる絶縁膜の比誘電率：εｒ−Ｉ、ならびに、絶縁耐性を考慮して、所望のゲート耐圧を達成できる範囲に選択する。
【０１０４】
ゲート電極の厚さ：Ｔgateは、通常、その表面を被覆するゲート絶縁膜６の膜厚：Ｔinsulatorよりも、薄くなるように選択することが好ましい。すなわち、Ｔinsulator≧Ｔgateの条件を満足するように選択する。例えば、３／４・Ｔinsulator≧Ｔgate≧１／８・Ｔinsulatorの条件、好ましくは、２／３・Ｔinsulator≧Ｔgate≧１／６・Ｔinsulatorの条件を満足するように、ゲート電極の厚さ：Ｔgateを選択する。
【０１０５】
前記の条件を満たす範囲では、ゲート電極の側端による段差（Ｔgate）よりも、形成されるゲート絶縁膜の膜厚：Ｔinsulatorが厚いため、この段差部の側壁面に対しても、ゲート絶縁膜による被覆が確実に達成される。
【０１０６】
あるいは、本発明においては、ゲート絶縁膜６を形成する絶縁材料として、有機絶縁材料、例えば、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂材料を利用することもできる。絶縁性樹脂材料を使用する場合も、ゲート絶縁膜６の膜厚は、用いる絶縁膜の比誘電率：εｒ−Ｉ、ならびに、絶縁耐性を考慮して、所望のゲート耐圧を達成できる範囲に選択する。
【０１０７】
ゲート絶縁膜６上に形成される有機半導体の薄膜層が、動作層として利用される。その際、チャネル領域では、ゲート電極の直上、ゲート絶縁膜６と有機半導体膜８との界面に実効的なチャネル層が形成される。すなわち、ゲート電極に印加されるゲート電圧：ＶＧが、閾値バイアス：Ｖｔｈを超えた時点（ＶＧ＜Ｖｔｈ）で、前記の実効的なチャネル層を経由するドレイン電流：Ｉｄ−ＯＮが流れ、「ＯＮ状態」となる。
【０１０８】
本発明においても、ゲート絶縁膜６上に有機半導体の薄膜層（有機半導体膜）８を形成する際、予め、ゲート絶縁膜６表面に、有機化合物の「自己組織化単分子膜（Self Assembled Monolayer:SAM）」７を形成する手法を利用することが好ましい。この手法に関しては、例えば、米国特許第６，４３３，３５９号明細書（特許文献１）、Frank-J. Meyer zu Heringdorf, et al. "Growth Dynamics of Pentacene Thin Films", Nature Vol.412, 517 (2001)などに、その詳細が開示されている。
【０１０９】
有機半導体膜８を構成する有機化合物の自己組織化単分子膜７を形成する手法としては、浸漬法、スタンプ法が挙げられる。
【０１１０】
浸漬法では、自己組織化単分子膜７を形成させる表面をアッシング処理（例えば、３００Ｗで５分間）した後、その有機化合物が単分子で分散している単分子分散液中に浸漬する。これにより、ゲート絶縁膜６表面に吸着した単分子を核として、「自己組織的」にラテラル方向に単分子膜が成長し、最終的に、規則的な分子配向を有する自己組織化単分子膜７が形成される。
【０１１１】
スタンプ法では、ポリジメチルシロキサンなどの支持体を加熱乾燥させた後、単分子分散液中に浸漬および乾燥させることにより支持体の表面に自己組織化単分子膜７を形成させ、スタンプを得る。その後、ゲート絶縁膜６表面をアッシング処理（例えば、３００Ｗで５分間）し、自己組織化単分子膜７を密着させた後、支持体から自己組織化単分子膜７を剥離することにより、自己組織化単分子膜７を転写する。このスタンプ法によれば、シート状伸縮性有機基材の膨潤を防止できる。
【０１１２】
例えば、ｎ−オクタデシルフォスフォン酸（Ｃ１８Ｈ３７ＰＯ３Ｈ）を用いて、「自己組織化単分子膜」を作製する際には、ゲート電極表面に形成された下地絶縁膜上に、ｎ−オクタデシルフォスフォン酸（Ｃ１８Ｈ３７ＰＯ３Ｈ）の固定がなされることが好ましい。具体的には、下地絶縁膜の表面に存在するヒドロキシ基（−ＯＨ）と、該フォスフォン酸とのエステル結合を介して、固定がなされることが好ましい。この目的で利用される、下地絶縁膜としては、アルミニウム酸化物、銀酸化物、タンタル酸化物など、ゲート電極を構成する金属を酸化させることにより形成可能な金属酸化物からなる膜を採用することが好ましい。
【０１１３】
その後、自己組織化単分子膜７を下地層として、有機化合物を、真空蒸着法を利用して、堆積すると、堆積される層も、下地層の規則性を反映した、秩序配列を保持した有機半導体の薄膜層（有機半導体膜）８となる。
【０１１４】
この自己組織化単分子膜７を下地層として利用する有機半導体の薄膜層（有機半導体膜）８の形成法は、下地層上での堆積過程は、真空蒸着法を利用するため、蒸散可能な低分子型の有機半導体材料に適用できる。例えば、テトラセン、ペンタセンなどのアセン類、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ジナフト［２，３−ｂ：２′，３′−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（ジナフトチオフェタフェン、ＤＮＴＴ）からなる有機半導体の薄膜層８の形成に好適に利用できる。作製する有機半導体層が、代表的なｐ型有機半導体であるペンタセン、または代表的なｎ型有機半導体であるヘキサデカフルオロ銅フタロシアニンからなる層である際、特に有効な手段となる。本発明においても、作製する有機半導体層は、ペンタセンまたはヘキサデカフルオロ銅フタロシアニン、ジナフト［２，３−ｂ：２′，３′−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（ＤＮＴＴ）からなる層であることが好ましい。
【０１１５】
通常、有機半導体膜８の膜厚：Ｔｃｈａｎｎｅｌは、３０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に選択することが好ましい。
【０１１６】
例えば、ｐ型有機半導体材料であるペンタセンで形成される有機半導体膜を採用する場合には、該有機半導体膜の膜厚：Ｔｃｈａｎｎｅｌは、３０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲に選択することが好ましい。また、ｎ型有機半導体材料であるヘキサデカフルオロ銅フタロシアニンで形成される有機半導体膜を採用する場合には、該有機半導体膜の膜厚：Ｔｃｈａｎｎｅｌは、３０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲に選択することが好ましい。さらに、ジナフト［２，３−ｂ：２′，３′−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（ＤＮＴＴ）で形成される有機半導体膜を採用する場合には、該有機半導体膜の膜厚：Ｔｃｈａｎｎｅｌは、３０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲に選択することが好ましい。
【０１１７】
ゲート絶縁膜６上に、有機半導体膜８を形成した後、この有機半導体膜８の表面に、ソース電極９aおよびドレイン電極９ｂを形成する。前記ソース電極９aおよびドレイン電極９ｂの形成方法としては、公知の方法、例えば、超微細インクジェット印刷装置を用いて、金属ナノ粒子分散液を所定のパターン形状に塗布して、金属ナノ粒子分散液塗布層を形成し、該金属ナノ粒子分散液塗布層を加熱焼成処理して、金属ナノ粒子の焼結体層からなるソース電極９aおよびドレイン電極９ｂを形成する方法を採用できる（特開２００９−２２４７１４号公報参照）。
【０１１８】
上記方法では、前記金属ナノ粒子分散液塗布層の最小線幅を、１μｍ〜１０μｍの範囲に選択し、金属ナノ粒子分散液塗布層の塗布膜厚を、３０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲に選択できる。また、前記金属ナノ粒子分散液中に分散されている、金属ナノ粒子の平均粒子径を、１〜１００ｎｍの範囲とすることができる。
【０１１９】
前記金属ナノ粒子としては、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、タンタル、ビスマス、インジウム、錫、チタン、アルミニウムからなる金属の群より選択される、一種類の金属からなるナノ粒子、二種類以上の金属からなるナノ粒子の混合物、あるいは、該金属の群より選択される、二種類以上の金属の合金からなるナノ粒子が挙げられる。これらの中でも、特に、金が好ましい。
【０１２０】
本発明の伸縮性回路基板において、複数の有機薄膜トランジスタ素子１０が基板１の難伸長部３の上に（パリレン薄膜層４を介して）載置されている。本発明の伸縮性回路基板では、シート状伸縮性有機基材１を伸縮させても、難伸長部３はほとんど伸長せず変形が極めて小さいので、難伸長部３の上部に載置、固定された有機薄膜トランジスタ素子１０の破損、脱落を防止できる。
【０１２１】
［伸縮性導体］
本発明の伸縮性回路基板では、前記難伸長部３の上部に載置された複数の有機薄膜トランジスタ素子１０間が伸縮性導体１１により接続されている。
【０１２２】
伸縮性導体１１は、ゲート電極に接続されるワード線１１ａと、ドレイン電極９ｂに接続されるビット線１１ｂとを備えている。また、ワード線１１ａとビット線１１ｂとの重なり部分は、公知の方法によって電気的に絶縁されている。
【０１２３】
この伸縮性導体１１は、カーボンナノチューブ、ゴム及びイオン性液体からなるカーボンナノチューブゴム組成物により形成されている。このカーボンナノチューブゴム組成物としては、公知のもの、例えば、国際第２００９／１０２０７７号パンフレットに記載されているカーボンナノチューブゴム組成物を使用できる。
【０１２４】
カーボンナノチューブとしては、特に限定されず、公知の種々のカーボンナノチューブを使用できる。好ましいカーボンナノチューブとして、基板から垂直配向した成長させたカーボンナノチューブ配向集合体を成長基板から剥離した粉体状の単層カーボンナノチューブが挙げられる。カーボンナノチューブの長さは、例えば、１μｍ以上１０ｃｍ以下である。
【０１２５】
前記イオン性液体としては、カーボンナノチューブと親和性が高く、分散処理をした際にゲル状となるものが好ましい。イオン性液体として、例えば、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム  テトラフルオロボレート、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム  ヘキサフルオロホスフェート、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム  ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  テトラフルオロボレート、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  ヘキサフルオロホスフェート、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミドなどが挙げられる。
【０１２６】
前記ゴムとしては、特に制限はなく、天然ゴム、合成ゴムを使用でき、例えば、フッ素ゴム、天然ゴム、プロピレンゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンアクリロゴム、ニトリルブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、クロロスチレン化ポリエチレンゴム、塩化ポリエチレンゴム、アクリルゴム、エピクロロヒドリンゴム、多硫化ゴムなどが挙げられる。これらの中でも、取扱性、弾性等の観点から、フッ素ゴム、シリコーンゴムが好ましい。
【０１２７】
前記カーボンナノチューブゴム組成物は、例えば、有機溶剤にカーボンナノチューブ及びイオン性液体を添加し、撹拌混合して、カーボンナノチューブイオン液体ゲルを得、これにゴムを添加し、撹拌混合することにより得ることができる。前記有機溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、アセトン、四塩化炭素、４−メチル−２−ペンタノンなどが挙げられる。
【０１２８】
カーボンナノチューブとイオン性液体は親和性が高く、カーボンナノチューブをイオン性液体中に分散処理することで、ゲル状になる。そして、このカーボンナノチューブイオン性液体ゲル中に、イオン性液体と混和性を有するゴムを添加して混合すると、ゴムがカーボンナノチューブイオン性液体ゲル中に均一に分散する。
【０１２９】
前記カーボンナノチューブゴム組成物において、前記イオン性液体の量は、カーボンナノチューブ１００重量部に対して、例えば、５０〜１０００重量部であり、下限は、好ましくは１００重量部、上限は、好ましくは５００重量部である。また、前記ゴムの量は、カーボンナノチューブ１００重量部に対して、例えば、１００〜１００００重量部であり、下限は、好ましくは１５０重量部、上限は、好ましくは７０００重量部である。
【０１３０】
伸縮性導体１１は、前記カーボンナノチューブゴム組成物を、基板１上のパリレン薄膜層上の所定箇所に所望のパターンで（有機薄膜トランジスタ素子間が接続されるように）、スクリーン印刷、型抜き印刷、インクジェット印刷、ディスペンサー等を用いて印刷、塗布し、乾燥させることにより形成できる。
【０１３１】
これにより、伸縮性回路基板を得ることができる。
【０１３２】
このような伸縮性回路基板は、面方向（一軸方向）に１４５％伸長させたときにも、トランジスタの電気特性が変化せず、また、面方向（一軸方向）に２０％伸長させたときの有機薄膜トランジスタ素子のキャリア移動度は、例えば、０．１〜１．０ｃｍ２／Ｖｓである。
【０１３３】
なお、キャリア移動度とは、固体の物質中での電子の移動のしやすさを示す量で、物質の電気的特性を決めるパラメータのひとつである。移動度は抵抗値に反比例し、半導体の場合、キャリアとは、電子および正孔のことであり、キャリアの移動のしやすさを示す値として定義される。
【０１３４】
また、キャリア移動度は、半導体パラメータ・アナライザーにより測定することができる。
【０１３５】
キャリア移動度が上記範囲であれば、半導体と絶縁膜の良好なコンタクトが実現されており、トランジスタの入出力特性に影響する伝達曲線の往復のヒステリシスが小さく、キャリアが移動せず留まることをかなり抑制することができる。
【０１３６】
そして、本発明の伸縮性回路基板においては、複数の有機薄膜トランジスタ素子１０間が前記伸縮性導体１１により接続され、電気的に導通している。本発明の伸縮性回路基板は、伸縮性母材１と伸縮性導体１１がともに伸縮性を有するので、曲面追従性に優れ、人体や曲面を有する部材に取り付けが可能である。そして、前記のように、シート状伸縮性有機基材１を伸縮させても、難伸長部３はほとんど伸長しないので、難伸長部３の上部に載置、固定された有機薄膜トランジスタ素子１０の破損、脱落を防止できる。
【０１３７】
従って、本発明の伸縮性回路基板は、アンビエントエレクトロニクスにおいて、例えば、人とインターラクチィブな電子機器、或いはヘルスケアのため人の体内で使用される電気機器等に利用可能である。
【実施例】
【０１３８】
以下、本発明について実施例及び比較例を挙げてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
【０１３９】
製造例１（母材シロップの製造）
冷却管、温度計、および攪拌装置を備えた反応容器に、（メタ）アクリル系モノマーとして、イソボルニルアクリレート（商品名「ＩＢＸＡ」、大阪有機化学工業（株）製）を７１重量部、ｎ−ブチルアクリレート（ＢＡ、東亜合成（株）製）を１９重量部、アクリル酸（ＡＡ、東亜合成（株）製）を１０重量部、ポリオールとして、数平均分子量６５０のポリ（オキシテトラメチレン）グリコール（ＰＴＭＧ６５０、三菱化学（株）製）を６８．４重量部、触媒としてジラウリン酸ジブチルスズ（ＤＢＴＬ）０．０１重量部を投入し、攪拌しながら、水添キシリレンジイソシアネート（ＨＸＤＩ、三井化学ポリウレタン（株）製）を２５．５重量部滴下し、６５℃で５時間反応させ、ウレタンポリマー−アクリル系モノマー混合物を得た。その後、さらにヒドロキシエチルアクリレート（商品名「アクリックス  ＨＥＡ」、東亜合成（株）製）６．１重量部を投入し、６５℃で１時間反応することでアクリロイル基末端ウレタンポリマー−アクリル系モノマー混合物を得た。その後、光重合開始剤として２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（商品名「イルガキュア６５１」、ＢＡＳＦ社製）を０．１５重量部添加した。なお、イソシアネート基含有成分およびポリオール（ヒドロキシル基含有成分）のＮＣＯ／ＯＨ（官能基の当量比）は１．２５、ポリマー濃度は５０ｗｔ％であった。得られたシロップ（母材シロップ）の粘度（２５℃）は８Ｐａ・ｓであった。
【０１４０】
製造例２（難伸長部形成用シロップの製造）
トリメチロールプロパンＥＯ付加トリアクリレート（商品名「ビスコート＃３６０」、大阪有機化学工業（株）製）１００重量部に、青色染料（商品名「ＳＺ７６２０」、大日精化工業（株）製）０．１重量部および光重合開始剤として２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（商品名「イルガキュア６５１」０．１重量部を投入して分散させ、アクリル系モノマー混合物（難伸長性ポリマー部（難伸長部）形成用シロップ）を得た。得られた難伸長部形成用シロップの粘度（２５℃）は６６ｍＰａ・ｓであった。
【０１４１】
製造例３（シート状伸縮性有機基材の製造）
セパレータ（商品名「ＭＲＦ３８」、三菱樹脂（株）製、厚み３８μｍ）の表面に、製造例１で得られた母材シロップをアプリケーターにて塗工し、厚み２００μｍの母材シロップ層を形成した。この母材シロップ層の所定部位に、上から、製造例２で得られた難伸長部形成用シロップ（約０．０１ｇ）を滴下し、島状の難伸長部形成用シロップ部を長手方向に３０ｍｍ間隔（中心間距離）でパターンを形成した。そして、上から、紫外線ランプ（ブラックライトタイプ）により紫外線を照射し（紫外線照度：３．４ｍＷ／ｃｍ２、積算照射量：１００ｍＪ／ｃｍ２）、母材シロップ及び難伸長性ポリマー部形成用シロップを半硬化させた後、半硬化したシロップ上にカバーセパレータ（商品名「ＭＲＦ３８」、三菱樹脂（株）製、厚み３８μｍ）をハンドローラーにて貼り合わせ、さらに紫外線ランプ（ブラックライトタイプ）により紫外線を照射し（紫外線照度：３．４ｍＷ／ｃｍ２、積算照射量：２０００ｍＪ／ｃｍ２）、母材シロップの硬化物（＝易伸長性ポリマー母材）中に略円柱状の難伸長部形成用シロップ硬化部（＝難伸長性ポリマー部）（直径約８ｍｍ）が所定の間隔［３０ｍｍ間隔（中心間の距離）］で配置された伸長性有機基材（厚み：２００μｍ）を得た。
【０１４２】
得られたシート状伸縮性有機基材の伸縮性母材中における難伸長部境界近傍の写真を図７に示す。
【０１４３】
実施例１
製造例３で得られた伸長性有機基材Ａの難伸長部側の表面に、化学蒸着法によってパリレンｄｉＸ−ＳＲ（第三化成（株）製）を蒸着させ、厚み１．１μｍのパリレン薄膜層を形成した。
【０１４４】
次いで、得られたパリレン薄膜層の表面における、伸長性有機基材Ａの難伸長部に対応する箇所に、特開２００９−２２４７１４号公報における実施例１と同様にして、ゲート電極、ゲート絶縁膜および自己組織化単分子膜を形成した後、その表面に、さらに、有機半導体層、ソース電極およびドレイン電極を形成した。これにより、パリレン薄膜層上に、有機薄膜トランジスタ素子を積層した。
【０１４５】
すなわち、ゲート電極において、ＴＦＴのスイッチング動作に利用されるチャネル領域の部分の形状は、矩形形状とした。その矩形形状において、ゲート長：ＬＧは、１μｍに、ゲート幅：ＷＧは、３００μｍに選択している。ゲート電極の金属種は、アルミニウムであり、膜厚：Ｔgate＝２０ｎｍの蒸着膜を、上記の形状パターンにパターニングした。
【０１４６】
また、ゲート電極を被覆し、基板１の表面全体を覆うように、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ膜）／ＡｌＯｘからなるゲート絶縁膜を形成した。その際、ゲート電極の直上のＡｌＯｘ層の膜厚：ＴＡｌＯｘは、ＴＡｌＯｘ＝２００ｎｍとした。また、パリレン薄膜層の表面上の領域では、ＡｌＯｘ膜上に、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ膜）を形成した。
【０１４７】
また、ゲート絶縁膜上、ゲート電極を挟む位置に、ソース電極、ドレイン電極形成用の金属ナノ粒子分散液の塗布膜を形成する。該金属ナノ粒子分散液は、平均粒子径Ｄ：３ｎｍの銀ナノ粒子の表面に、ドデシルアミン（融点２８．３℃、沸点２４８℃、）による被覆剤分子層を形成したものを、分散溶媒Ｎ１４（テトラデカン、粘度 ２．０〜２．３ ｍＰａ・ｓ（２０℃）、融点５．８６℃、沸点２５３．５７℃、日鉱石油化学製）中に分散したものである。該金属ナノ粒子分散液中には、銀ナノ粒子１００質量部当たり、被覆剤分子のドデシルアミンが２０質量部、分散溶媒のＮ１４が５２質量部含ませた。なお、該銀ナノ粒子分散液の液粘度は、１０ｍＰａ・ｓ（２０℃）であった。
【０１４８】
前記の銀ナノ粒子分散液を用いて、超微細インクジェット装置の吐出孔の口径：Ｄｏｐｅｎを０．２μｍに選択し、噴射される液滴量を０．７ｆＬに設定し、塗布膜を形成する。噴射時の液滴量ＶO：０．７ｆＬの液滴は、球形形状と仮定すると、液滴径：Ｄ０（直径）は、１μｍに相当する。この塗布条件では、噴射時の液滴量０．７ｆＬの一液滴で描画されるドットの径は、平均１〜２μｍであった。
【０１４９】
ソース電極形成用の金属ナノ粒子分散液塗布膜の形状は、短辺：ＬＳ＝２μｍ、長辺：ＷＳ＝３００μｍの矩形とし、塗布膜の厚さ：ＴＳ−ｄｒａｗは、０．３μｍに選択した。該塗布膜の矩形パターンの長辺と、ゲート電極のソース電極側の側端との間隔：ΔＬＳ−Ｇは、ΔＬＳ−Ｇ＝１μｍに選択した。
【０１５０】
ドレイン電極５形成用の金属ナノ粒子分散液塗布膜の形状は、短辺：ＬＤ＝２μｍ、長辺：ＷＤ＝３００μｍの矩形とし、塗布膜の厚さ：ＴＤ−ｄｒａｗは、０．３μｍに選択した。該塗布膜の矩形パターンの長辺と、ゲート電極のドレイン電極側の側端との間隔：ΔＬＤ−Ｇは、ΔＬＤ−Ｇ＝１μｍに選択した。
【０１５１】
そして、金属ナノ粒子分散液塗布膜に、温度１３０℃、時間６０分間、窒素ガス気流中で低温焼成処理を施し、銀ナノ粒子の焼結体層を形成した。
【０１５２】
別途、ゲート絶縁膜に利用するＳＡＭ膜上に、同じ条件で作製される、幅２μｍ、長さ１００μｍの矩形形状の銀ナノ粒子の焼結体層において、該焼結体層の平均膜厚：Ｔｂａｋｅｄを測定すると、０．３μｍであった。また、該銀ナノ粒子焼結体層の抵抗率は、２５μΩ・ｃｍであった。
【０１５３】
低温焼成処理により得られる銀ナノ粒子の焼結体層を、ソース電極、ドレイン電極として利用した。従って、ソース電極、ドレイン電極の膜厚：ＴＳ，ＴＤは、平均０．３μｍと見積もられる。また、銀ナノ粒子焼結体層の矩形パターンの各辺における線幅の乱れ（微小凹凸）：δＬＳ，δＬＤは、１００ｎｍと見積もられた。
【０１５４】
作製されたソース電極とドレイン電極の間隔：ＬＳ−Ｄは、２μｍであった。チャネル領域の長さの設計値：Ｌｃｈａｎｎｅｌ＝３μｍに対して、その差（Ｌｃｈａｎｎｅｌ−ＬＳ−Ｄ）は、僅かに１μｍであった。
【０１５５】
自己組織化単分子膜（ＳＡＭ膜）／ＡｌＯｘからなるゲート絶縁膜の形成は、下記の工程で行った。すなわち、まず、Ａｌのゲート電極の表面に、プラズマ酸化処理を施し、Ａｌの表面に、ＡｌＯｘ層を形成した。その後、水洗処理を施すと、このＡｌＯｘ層の表面には、Ａｌ−ＯＨ型のヒドロキシ基が高密度で存在する状態となった。その後、単分子分散溶液中に浸漬し、ＡｌＯｘ層の表面に自己組成的に単分子膜を形成した。該単分子分散溶液は、ｎ−オクタデシルフォスフォン酸（Ｃ１８Ｈ３７ＰＯ３Ｈ）を、分散溶媒２プロパノール中に、分散濃度１−５ｍｍｏｌ／Ｌ以上で分散したものである。液温３０℃の該単分子分散溶液中に、２時間浸漬した後、取り出し、残余する分散液を、窒素ブロー処理により除去し、１００℃のオーブンで１０分間アニールを行った。ｎ−オクタデシルフォスフォン酸（Ｃ１８Ｈ３７ＰＯ３Ｈ）は、ＡｌＯｘ層表面のＡｌ−ＯＨ型のヒドロキシ基と反応し、エステル結合を形成する結果、ＡｌＯｘ層表面に自己組織化単分子膜が形成された。
【０１５６】
ＡｌＯｘ層の表面に「自己組織化単分子膜」が形成されたゲート絶縁膜の表面に、ペンタセンを蒸着法により堆積させた。堆積されるペンタセン蒸着膜の膜厚：Ｔｃｈａｎｎｅｌは、３０ｎｍに選択している。ペンタセンの蒸着条件は、ペンタセンの蒸着源温度２３０℃、基板温度６０℃を選択している。なお、堆積されるペンタセン蒸着膜の膜厚：Ｔｃｈａｎｎｅｌは、別途、ゲート絶縁膜に利用するＳＡＭ膜／ＡｌＯx積層膜上に、同じ蒸着条件で、ペンタセン蒸着膜を作製し、蒸着時間と蒸着膜厚の相関を測定した結果に基づき、推定した値である。その際、ペンタセン蒸着膜の膜厚の測定は、ペンタセン蒸着膜の比屈折率を、固体の比屈折率と等しいと仮定して、エリプソメトリー法により行うことができる。
【０１５７】
最終的に、有機半導体層を所定のパターン形状、長さ：ＬＯＳ＝４０μｍ、幅：ＷＯＳ＝３００μｍの矩形形状にパターニングした。
【０１５８】
なお、有機薄膜トランジスタ素子は、パリレン薄膜層上において、４００個（４０個（長手方向）×１０個（幅方向））形成された。
【０１５９】
一方、国際第２００９／１０２０７７号パンフレットにおける実施例１と同様にして、カーボンナノチューブゴムペースト（カーボンナノチューブゴム組成物）を調製し、そのペーストを印刷法によって、上記の有機薄膜トランジスタ素子間を接続するように塗布した。その後、国際第２００９／１０２０７７号パンフレットにおける実施例１と同様にして、カーボンナノチューブゴムペーストを乾燥させ、有機薄膜トランジスタ素子間をカーボンナノチューブゴムからなる配線で接続した。
【０１６０】
すなわち、カーボンナノチューブとして、特願２００９−００１５８６、特願２００６−５２７８９４に記載の方法などを用いて基板から垂直配向した成長させた、カーボンナノチューブ配向集合体を成長基板から剥離した、粉体状の単層カーボンナノチューブ（以下ＳＷＮＴ）を用いた。カーボンナノチューブは、密度：０．０３ｇ／ｃｍ３、ＢＥＴ−比表面積：１２００ｍ２／ｇ、平均外径：２．５ｎｍ、半値幅２ｎｍ、炭素純度９９．９％、ヘルマンの配向係数０．８、長さ３００μｍ以上８００μｍ以下の特性を持つ。
【０１６１】
有機溶剤４−メチル−２−ペンタノン（典型量２０ｍｌ）にＳＷＮＴ（典型量３０ｍｇ）およびイオン性液体ＢＭＩＴＦＳＩ（典型量６０ｍｇ）を添加し、スターラーを用い、７００ｒｐｍを超える回転数の条件下に、室温で１６時間攪拌し、得られた混合物をジェットミル分散機（ＮＡＮＯ−ＪＥＴ ＰＡＬ，ＪＮ１０、ＪＯＫＯＨ株式会社）に入れ、６０ＭＰａでジェットし、カーボンナノチューブを有機溶剤中に均一分散させて、カーボンナノチューブイオン液体ゲルを得る。
【０１６２】
次に、このカーボンナノチューブイオン性液体ゲルに有機溶剤４−メチル−２−ペンタノン（典型量８０ｍｌ）とイオン性液体との混和性、相溶性を有するフッ素ゴム（ダイキン工業社製Ｄａｉｅｌ−Ｇ９１２）（典型量５０−１５００ｍｇ）を添加し、スターラーを用い、約３００ｒｐｍの条件下に、室温で１６時間攪拌して、カーボンナノチューブゴムペーストを得る。
【０１６３】
このカーボンナノチューブ／ゴム分散ゲルを室温で１２時間乾燥することにより、カーボンナノチューブゴムを得る。このカーボンナノチューブゴムの組成はＳＷＮＴ  ２１重量％、ＢＭＩＴＦＳＩ  ４３重量％、Ｇ９１２  ３６重量％であり、導電性は７３Ｓ／ｃｍを示した。
【０１６４】
そして、カーボンナノチューブゴムペーストを室温で６時間乾燥し、４−メチル−２−ペンタノンの一部を蒸散させて、粘度を調整した後、有機薄膜トランジスタ素子間に印刷し、乾燥させて、幅１００μｍの線幅にパターンされたＰＤＭＳ基板上のカーボンナノチューブゴムからなる配線を得た。
【０１６５】
これにより、伸縮性回路基板を得た。
【０１６６】
［評価試験］
＜伸び量の測定＞
造例３で得られたシート状伸長性有機基材のサンプル（幅２０ｍｍ）を、チャック間（５０ｍｍ）に難伸長性ポリマー部が２つ以上入るように設置（２つの硬質ポリマー部の中心間距離：３０ｍｍ）して、引張試験機（商品名「Autograph AG-X 200N」、（株）島津製作所製）により引張試験（温度：２５℃、引張速度：２００ｍｍ／ｍｉｎ）を行い、５０％伸長時（元の長さの１５０％）における難伸長性ポリマー部の伸長方向の伸長率Ｓ１（％）（平均値）と、難伸長性ポリマー部以外の部位［易伸長性ポリマー母材部（＝易伸長部）］の伸長方向の伸長率Ｓ２（％）（平均値）を計測し、それらの比（Ｓ２／Ｓ１）及び差（Ｓ２−Ｓ１）（％）を計算で求めた。なお、Ｓ１＝０の時は、Ｓ２／Ｓ１＝∞とした。
【０１６７】
伸長率Ｓ１（％）は、難伸長性ポリマー部の伸長方向の径（基材表面の略円の径）を伸長の前後で測定し、式：｛（伸長後の長さ−伸長前の長さ）／（伸長前の長さ）｝×１００）により計算で求めた。
【０１６８】
伸長率Ｓ２（％）は、難伸長性ポリマー部以外の部位（易伸長性ポリマー母材部）の伸長方向に６箇所印を付けておき、隣り合う印の間の長さを伸長の前後で測定し、式：｛（伸長後の長さ−伸長前の長さ）／（伸長前の長さ）｝×１００）により計算で求めた。
【０１６９】
その結果、Ｓ１（％）＝１、Ｓ２（％）＝７８、（Ｓ２／Ｓ１）＝７８、（Ｓ２−Ｓ１）（％）＝７７であった。
【０１７０】
なお、製造例３で得られたシート状伸長性有機基材は伸縮性をも有していた。
【０１７１】
＜伸長時および伸長後のトランジスタ特性＞
実施例１で得られた伸縮性回路基板を、その面方向に引き伸ばし、その引き伸ばされた状態において、伸縮性回路基板に設けられたトランジスタの性質を調べた。
【０１７２】
すなわち、伸縮性回路基板を一軸方向に、０〜１４５％までの種々の伸長率（元の長さの１．０倍〜２．４５倍）で引き伸ばし、伸長時のトランジスタの電気特性を測定した。
【０１７３】
なお、伸長率が１４５％を超えると、シート状伸長性有機基材が破断したため、トランジスタの電気特性を測定できなかった。
【０１７４】
また、伸長ひずみを開放し、伸長後のトランジスタにおける電気特性を測定した。
【０１７５】
得られた電気特性をそれぞれ図８および図９に示す。
【０１７６】
図８および図９からわかるように、伸長率が１４５％になるまで伸長させた場合にも、トランジスタの電気特性はほぼ変化することなく、優れた特性を示した。
【０１７７】
＜キャリア移動度の測定＞
実施例１で得られた伸縮性回路基板を、その面方向に２０％引き伸ばし、有機薄膜トランジスタ素子のキャリア移動度を、半導体パラメータ・アナライザー（品番：４１５６Ｃ、アジレント社製）を用いて、伝達曲線を作成し、電界効果移動度を測定した。その結果、キャリア移動度は０．１〜１．０ｃｍ２／Ｖｓであった。
【符号の説明】
【０１７８】
１      シート状伸縮性有機基材（基板）
２      伸縮性母材（部）
２０    ポリマー母材形成用材料層（伸縮性母材形成用エネルギー線硬化性組成物層）
２００  部分硬化した伸縮性母材形成用エネルギー線硬化性組成物層
３      難伸長部
３０    難伸長部形成用材料（難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物）
３００  部分硬化した難伸長部形成用エネルギー線硬化性組成物
４      パリレン薄膜層
５      ゲート電極
６      ゲート絶縁膜
７      自己組織化単分子膜
８      有機半導体膜
９ａ    ソース電極
９ｂ    ドレイン電極
１０    有機薄膜トランジスタ素子
１１    伸縮性導線
４０    支持体
５０    カバーフィルム
【図１】
2013168575.tif 000003
【図２】
2013168575.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2013168575.tif 000008
【図８】
2013168575.tif 000009
【図９】
2013168575.tif 000010
【図７】
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