(57)【要約】【課題】モールドの製造において、視認性が高くかつ残膜の増大に影響を与えないアライメントパターンの形成を可能とする。【解決手段】モールド１の製造方法において、パターン１２および１３が表面に形成された凹凸基板１４の当該表面上に、視認性薄膜３およびレジスト膜４を形成し、メインパターン領域１０に対応するレジスト膜４の部分が凹部４ａとなるように、段差基板５をレジスト膜４に押し付けた後、段差基板５を離型し、上記領域上のレジスト膜４が除去され、アライメントパターン１３の凸部上の視認性薄膜３ａは露出しかつパターン１３の凹部内の視認性薄膜３ｂはレジスト膜４に被覆された状態となるように、レジスト膜４をエッチングし、上記凹部に残ったレジスト膜４ｂをマスクとして視認性薄膜３をエッチングし、レジスト膜４ｂを除去する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸構造を有するメインパターンおよびアライメントパターンが表面に形成された凹凸基板の該表面上に、前記アライメントパターンを構成する材料との関係でコントラストを生じる視認性材料から構成される視認性薄膜を形成し、
該視認性薄膜の上から前記表面上にレジスト膜を形成し、
前記メインパターンが形成された領域に対応する前記レジスト膜の部分が凹部となるように、所定の段差構造を有する段差基板を前記レジスト膜に押し付けた後、前記段差基板を離型し、
前記領域上の前記レジスト膜が除去されるとともに、前記アライメントパターンの凸部上の前記視認性薄膜は露出しかつ前記アライメントパターンの凹部内の前記視認性薄膜は前記レジスト膜に被覆された状態となるように、前記レジスト膜をエッチングし、
前記アライメントパターンの凹部に残った前記レジスト膜をマスクとして前記視認性薄膜をエッチングし、
該凹部に残った前記レジスト膜を除去することを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項２】
前記視認性材料が、金属材料並びに金属材料の酸化物、窒化物、酸窒化物、ケイ素化合物、炭化物およびホウ化物の少なくとも１種を含む材料であることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項３】
前記視認性材料がクロム、酸化クロムおよび窒化クロムの少なくとも１種を含む材料であることを特徴とする請求項２に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項４】
前記視認性薄膜の膜形成時の厚さが、２ｎｍ以上アライメントパターンの凹部の深さの９０％に相当する長さ以下であることを特徴とする請求項１から３いずれかに記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項５】
前記凹凸基板が、複版用基板上にレジスト膜を形成し、前記メインパターンおよび前記アライメントパターンに対応したオリジナルパターンを有するマスターモールドを用いて、前記メインパターンおよび前記アライメントパターンを前記レジスト膜に転写し、パターンが転写された前記レジスト膜をマスクとしてエッチングすることにより形成されたものであることを特徴とする請求項１から４いずれかに記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項６】
前記複版用基板がメサ型形状を有することを特徴とする請求項５に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項７】
前記複版用基板が、前記レジスト膜が形成される面の反対側の面に繰り抜き部を有することを特徴とする請求項５または６に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細な凹凸パターンを表面に有するナノインプリント用のモールドの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ナノインプリントは、凹凸パターンを形成した型(一般的にモールド、スタンパ、テンプレートとも呼ばれる)を被加工物上に塗布されたレジストに押し付け（インプリント）、レジストを力学的に変形または流動させて微細なパターンを精密にレジスト膜に転写する技術である。モールドを一度作製すれば、ナノレベルの微細構造を簡単に繰り返して成型できるため経済的であるとともに、有害な廃棄物および排出物が少ない転写技術であるため、近年、さまざまな分野へも応用が期待されている。
【０００３】
ナノインプリントによって精密にパターンを転写するためには、モールドのパターンを正確に形成することの他、モールドとナノインプリント用の基板との位置合わせが重要である。そこで、モールドには、メインパターン（モールド上のパターンであって被加工物に本来転写されるべき対象となるパターンに対応したパターン）の他に、アライメントパターン（アライメントマーク）も形成されるのが一般的である。
【０００４】
アライメントパターンは視認性が要求されるため、例えば特許文献１から３のように、視認性の観点から従来様々な工夫がなされている。例えば特許文献１には、フォトマスク法で遮光膜８１をパターン形成面Ｓ（凹凸構造の凸部の上面に沿った面）上に堆積させたアライメントパターン８０（図７ａ）を形成することが開示されている。また、特許文献２には、アライメントパターンの視認性を向上させる観点から、屈折率１．７以上の材料８３が凹部に充填されたアライメントパターン８２（図７ｂ）を形成することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２８５９号公報
【特許文献２】特開２０１０−３４５８４号公報
【特許文献３】特開２０１１−６６２３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の方法では、アライメントパターン８０がパターン形成面Ｓ上に突出してしまい、ナノインプリントを実施する際に残膜（インプリント時に押し付けきれずに、凹凸パターンの凸部に対応する位置に残るレジスト膜）の厚さが増大してしまうという問題がある。また、特許文献２では、一旦アライメントパターン８２を被覆するように材料８３を堆積させ、その後パターン形成面Ｓ上に突出した部分をＣＭＰ（化学機械研磨）で削る工程を経ることを開示しているが（特許文献２の００５７段落）、実際には凹凸パターンの粗密、モールド自体の湾曲およびその表面粗さ等によりＣＭＰによって当該突出した部分を均一に削ることは難しいという問題がある。一部でもパターン形成面Ｓ上に当該突出した部分が残っていれば、特許文献１の場合と同様に残膜の増大を招くことになる。
【０００７】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、アライメントパターンを有するモールドの製造において、視認性が高くかつ残膜の増大に影響を与えないアライメントパターンの形成を可能とするモールドの製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係るナノインプリント用モールドの製造方法は、
凹凸構造を有するメインパターンおよびアライメントパターンが表面に形成された凹凸基板の当該表面上に、アライメントパターンを構成する材料との関係でコントラストを生じる視認性材料から構成される視認性薄膜を形成し、
視認性薄膜の上から上記表面上にレジスト膜を形成し、
メインパターンが形成された領域に対応するレジスト膜の部分が凹部となるように、所定の段差構造を有する段差基板をレジスト膜に押し付けた後、段差基板を離型し、
上記領域上のレジスト膜が除去されるとともに、アライメントパターンの凸部上の視認性薄膜は露出しかつアライメントパターンの凹部内の視認性薄膜はレジスト膜に被覆された状態となるように、レジスト膜をエッチングし、
アライメントパターンの凹部に残ったレジスト膜をマスクとして視認性薄膜をエッチングし、
当該凹部に残ったレジスト膜を除去することを特徴とするものである。
【０００９】
そして、本発明に係るモールドの製造方法において、視認性材料は、金属材料並びに金属材料の酸化物、窒化物、酸窒化物、ケイ素化合物、炭化物およびホウ化物の少なくとも１種を含む材料であることが好ましく、特にクロム、酸化クロムおよび窒化クロムの少なくとも１種を含む材料であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明に係るモールドの製造方法において、視認性薄膜の膜形成時の厚さは、２ｎｍ以上アライメントパターンの凹部の深さの９０％に相当する長さ以下であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明に係るモールドの製造方法において、凹凸基板は、複版用基板上にレジスト膜を形成し、メインパターンおよびアライメントパターンに対応したオリジナルパターンを有するマスターモールドを用いて、メインパターンおよびアライメントパターンをレジスト膜に転写し、パターンが転写されたレジスト膜をマスクとしてエッチングすることにより形成されたものを採用することができる。
【００１２】
また、本発明に係るモールドの製造方法において、複版用基板はメサ型形状を有することが好ましく、レジスト膜が形成される面の反対側の面に繰り抜き部を有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るモールドの製造方法は、メインパターンおよびアライメントパターンが表面に形成された凹凸基板の当該表面上に、視認性薄膜を形成し、視認性薄膜の上から上記表面上にレジスト膜を形成し、メインパターンが形成された領域に対応するレジスト膜の部分が凹部となるように、所定の段差構造を有する段差基板をレジスト膜に押し付けた後、段差基板を離型し、上記領域上のレジスト膜が除去されるとともに、アライメントパターンの凸部上の視認性薄膜は露出しかつアライメントパターンの凹部内の視認性薄膜はレジスト膜に被覆された状態となるように、レジスト膜をエッチングし、アライメントパターンの凹部に残ったレジスト膜をマスクとして視認性薄膜をエッチングし、当該凹部に残ったレジスト膜を除去することを特徴とする。これにより、アライメントパターンの凹部のみ視認性材料によって充填することができ、かつパターン形成面上の視認性薄膜をエッチングによって充分に除去することができる。この結果、アライメントパターンを有するモールドの製造において、視認性が高くかつ残膜の増大に影響を与えないアライメントパターンの形成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態の製造方法により製造されるモールドの構成を示す概略図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面におけるモールドの構成を示す概略断面図である。
【図３】実施形態の製造方法の工程を示す概略断面図である。
【図４】実施形態の製造方法の工程を示す概略断面図である。
【図５】実施形態において使用した凹凸基板の製造方法の工程を示す概略断面図である。
【図６】他のモールドおよび複版用基板の断面構成を示す概略断面図である。
【図７】従来のアライメントパターンを示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限られるものではない。なお、視認しやすくするため、図面中の各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。
【００１６】
「モールドの製造方法の第１の実施形態」
本実施形態の製造方法によれば、例えば図１の示されるようなアライメントパターン付きのナノインプリント用モールド１が製造される。図１は、実施形態の製造方法により製造されるモールドの構成を示す概略図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’断面におけるモールドの構成を示す概略断面図である。
【００１７】
モールド１は、主として、モールドの本体となる凹凸基板１４と視認性薄膜１５から構成される。
【００１８】
凹凸基板１４は例えば、その一表面の中央にメインパターン領域１０を有し、メインパターン領域１０の周囲に４つのアライメントパターン領域１１を有している。メインパターン領域１０は、メインパターン１２が形成された凹凸基板１４の表面上の領域であり、アライメントパターン領域１１は、アライメントパターン１３が形成された凹凸基板１４の表面上の領域である。メインパターン１２およびアライメントパターン１３（以下、併せて単にパターンともいう）は、例えば電子線リソグラフィー法やナノインプリント法によって形成される。凹凸基板１４の材料は、例えばシリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラスおよびソーダガラス等である。凹凸基板１４の平面視における二次元形状は、特に限定されず、図１では矩形状であるが、円盤状でもよい。
【００１９】
メインパターン１２は、凹凸構造を有し、例えばライン＆スペースパターンである。またメインパターン１２は、その他ドット状の又は細長い凸部が配列した構造をとり得る。メインパターン１２において、凸部の長さ、凸部の幅、凸部同士の間隔および凹部底面からの凸部の高さ（凹部の深さ）は、転写すべきパターンに応じて適宜設定される。例えば、凸部の幅は１０〜１００ｎｍであり、凸部同士の間隔は１０〜５００ｎｍであり、凸部の高さは１０〜５００ｎｍである。
【００２０】
アライメントパターン１３は、モールド１とナノインプリントを実施する際の被加工基板との位置合わせを行うためのマークである。アライメントパターン１３も、凹凸構造を有し、例えば、モアレ干渉法による位置合わせのためのライン＆スペースパターンや、十字パターンである。アライメントパターン１３においても、凸部の長さ、凸部の幅、凸部同士の間隔および凹部底面からの凸部の高さは、メインパターン１２の場合と同様の範囲で適宜設定される。
【００２１】
視認性薄膜１５は、アライメントパターン１３を構成する材料との関係でコントラストを生じる視認性材料から構成され、アライメントパターン１３の凹部のみに配置（充填）されている。「コントラストを生じる」とは、上記２つの材料部分を視覚的に（顕微鏡観察を含む）区別できることを意味する。アライメントパターン１３の凹部のみに視認性薄膜１５が充填されていることにより、アライメントパターン１３の凹部と凸部とをそれぞれ区別して視覚によって認識しやすくなる。これにより、アライメントパターン１３の視認性が向上することとなる。
【００２２】
視認性材料は、特に限定されないが視認性向上の観点から、金属材料並びに金属材料の酸化物、窒化物、酸窒化物、ケイ素化合物、炭化物およびホウ化物の少なくとも１種を含む材料であることが好ましい。そして視認性材料は、特にクロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯｘ）および窒化クロム（ＣｒＮ）並びにＭｏＳｉＮ化合物、ＭｏＳｉＯＮ化合物、ＴａＳｉＯｘ化合物、ＴａＣｒ化合物、ＺｒＳｉＯｘ化合物およびＴｉＮ化合物の少なくとも１種を含む材料であることが好ましい。従来ハードマスクとして知られているクロム、酸化クロムおよび窒化クロム等を使用すれば、既存の設備で安価に視認性薄膜を形成することができる。なお、視認性材料が複数の場合には、視認性薄膜１５は、それらの材料が混合された構造であってもよいし、それぞれの材料により構成された層が重ねられた積層構造であってもよい。
【００２３】
そして、本実施形態のモールド１の製造方法について説明する。図３および図４は、本実施形態の製造方法の工程を示す概略断面図である。
【００２４】
本実施形態のモールド１の製造方法は、図３および図４に示されるように、メインパターン１２およびアライメントパターン１３が表面に形成された凹凸基板１４を用意し（図３ａ）、その凹凸基板１４の上記表面上に、視認性材料から構成される視認性薄膜３を形成し（図３ｂ）、視認性薄膜３の上から上記表面上にレジスト膜４を形成し（図３ｃ）、メインパターン領域１０に対応するレジスト膜の部分が凹部４ａとなるように、所定の段差構造を有する段差基板５をレジスト膜４に押し付けた後、段差基板５を離型し（図３ｄ）、上記メインパターン領域１０上のレジスト膜４が除去されるとともに、アライメントパターン１３の凸部上の視認性薄膜３ａは露出しかつアライメントパターン１３の凹部内の視認性薄膜３ｂはレジスト膜４ｂに被覆された状態となるように、レジスト膜４をエッチングし（図４ｅ）、アライメントパターン１３の凹部に残ったレジスト膜４ｂをマスクとして視認性薄膜３をエッチングし（図４ｆ）、当該凹部に残ったレジスト膜４ｂをエッチングにより除去する（図４ｇ）ものである。
【００２５】
視認性薄膜３の形成は、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等によって視認性材料を堆積させることにより実施される。視認性薄膜３の厚さは、アライメントパターン１３の凹部の深さに相当する長さ、つまり当該凹部の全部を丁度充填する程度の厚さ以下とする。後述する工程において、アライメントパターン１３の凸部上の視認性薄膜３ａは露出しかつアライメントパターン１３の凹部内の視認性薄膜３ｂはレジスト膜４に被覆された状態を実現するためである。
【００２６】
また、視認性を確保するという観点から、視認性薄膜３の膜形成時の厚さは、２ｎｍ以上であることが好ましい。また視認性薄膜３の膜形成時の厚さは、アライメントパターン１３の凹部の深さの９０％に相当する長さ以下であることが好ましい。これは、アライメントパターン１３の凹部に残ったレジスト膜４ｂをマスクとして視認性薄膜３をエッチングする工程（図４ｆ）において、レジスト膜４ｂがマスクとしてエッチングに耐えることができない場合でもアライメントパターン１３の視認性を確保するためである。金属材料（例えばクロム）の一般的なレジスト材料に対するエッチング選択比は最大で３程度には調整できる。例えば、視認性薄膜３ａおよび３ｂの膜厚が同じと仮定した場合、仮に上記選択比が３だとすると、凹凸パターンの深さが１００Ｄの時、厚さ７５Ｄの視認性薄膜に対して厚さ２５Ｄのレジスト膜が存在する場合に、凸部上の視認性薄膜３ａと凹部内のレジスト膜４ｂが同時に除去される計算となる。このときの視認性薄膜３の厚さは上記深さの７５％（＝７５Ｄ／１００Ｄ）である。しかしながら、視認性薄膜３は最終的に視認可能な程度に残ればよいため、上記工程（４ｆ）において視認性薄膜３ｂが少々エッチングされても本発明における課題の解決に支障はない。視認性薄膜３の厚さが９０Ｄ（上記深さの９０％）である場合には、厚さ１０Ｄのレジスト膜４ｂがエッチングされる間に、視認性薄膜３ａのうち厚さ３０Ｄの部分がエッチングされる。そして、視認性薄膜３ａのうち残りの厚さ６０Ｄの部分がエッチングされる間に、視認性薄膜３ｂのうち厚さ６０Ｄの部分がエッチングされ、最終的には視認性薄膜３ｂのうち残りの厚さ３０Ｄの部分が残る。一般的に凹凸パターンの凹部の深さは１０ｎｍ以上であることを考慮すると、上記計算によれば最終的な視認性薄膜３の厚さとして３ｎｍは確保されることとなる。ただし、視認性薄膜３ａおよび３ｂの膜厚が同じとならない場合や上記選択比を充分に担保することができない場合もあるため、視認性を確実に確保するために、視認性薄膜３の膜形成時の厚さは、上記深さの８０％に相当する長さ以下であることがより好ましく、７０％に相当する長さ以下であることが特に好ましい。特にアライメントパターン１３の凹部の実際に設定される深さを考慮すると、視認性薄膜３の厚さは３〜１５ｎｍであることがより好ましく、４〜１０ｎｍであることが特に好ましい。
【００２７】
レジスト膜４の形成は、視認性薄膜３の上から、例えばインプリント用のレジスト材料をスピンコート法やインクジェット法で塗布することにより実施される。レジスト膜４の材料は、後に視認性薄膜３およびレジスト膜４を交互にエッチングすることから、視認性材料との関係でエッチング選択比を担保しやすい材料を選択することが好ましい。
【００２８】
段差基板５の押し付けは、段差基板５の凸部である段差部５ａのある面をレジスト膜４に押し付けることにより実施される。この際、段差部５ａがメインパターン領域１０に対向するように位置合わせを行う。段差部５ａの段差境界部分で規定される輪郭（二次元形状）は、予めメインパターン領域１０の形状およびアライメントパターン領域１１の配置を考慮して形成されている。したがって、この押し付け工程により、メインパターン領域１０を含みアライメントパターン領域１１を含まない所定の領域に対応するレジスト膜４の部分のみが、段差部５ａに押されて凹部４ａとなる。段差基板５の材料は特に限定されない。なお、凹凸基板の表面上の所定の領域に「対応するレジスト膜の部分」とは、凹凸基板のパターン形成面上にレジスト膜を投影するように眺めた際に、当該領域上に投影されるレジスト膜の部分を意味する。また、レジスト膜の部分が「凹部となる」とは、当該部分のレジスト膜の厚さが、段差基板の段差部に押されなかったレジスト膜の部分と比較して薄くなることを意味する。なお、凹部となるレジスト膜の部分は、アライメントパターン領域１１に対応するレジスト膜の部分を含まない範囲で、メインパターン領域１０に対応するレジスト膜の部分の周辺部分を含んでいてもよい。
【００２９】
段差部５ａの高さＨ３は理想的には、後述する工程において、アライメントパターン１３の凸部上の視認性薄膜３ａは露出しかつアライメントパターン１３の凹部内の視認性薄膜３ｂはレジスト膜４ｂに被覆された状態を実現した場合の当該レジスト膜４ｂの最大の膜厚に相当する。したがって段差部５ａの高さＨ３は、アライメントパターン１３の凹部の深さＨ１から視認性薄膜３の厚さＨ２を引いた程度の高さとすればよい。なお、Ｈ１−Ｈ２の高さはあくまで目安であり、段差部５ａの高さＨ３はＨ１−Ｈ２の高さよりも高くても低くてもよい。高い場合には最初のレジスト膜４のエッチング工程におけるエッチング量を調整することにより、また低い場合には上記エッチング選択比を充分に担保することにより、後述する工程において上記所定の状態を実現することができるからである。
【００３０】
レジスト膜４の最初のエッチングは、例えば反応性イオンエッチング等によって実施される。なお、エッチングガスＧ１は、例えば酸素系ガスを用いて、視認性薄膜３に対するレジスト膜４のエッチング選択比が高くなるように調整される。「メインパターン領域１０上のレジスト膜４が除去される」とは、メインパターン領域１０における凸部上の視認性薄膜３および凹部の中の視認性薄膜３が露出することを意味する。つまり、このエッチング工程によりアライメントパターン１３の凹部内のみにレジスト膜４ｂが残ることとなる。
【００３１】
視認性薄膜３のエッチングは、同様に、例えば反応性イオンエッチング等によって実施される。なお、エッチングガスＧ２は、例えば視認性薄膜３がクロム薄膜である場合には塩素系ガスを用いて、レジスト膜４に対する視認性薄膜３のエッチング選択比が高くなるように調整される。本工程では、アライメントパターン１３の凹部に残ったレジスト膜４ｂがマスクとして機能するため、パターン形成面Ｓ上の視認性薄膜３は除去されるが、レジスト膜４ｂに被覆された当該凹部内の視認性薄膜３ｂはそのまま残ることとなる。エッチングによって視認性薄膜３を除去する場合、パターン形成面Ｓ上の視認性薄膜３にエッチングガスが均等に到達することができる。したがって、本発明によれば、凹凸パターンの粗密、凹凸基板１４の湾曲およびその表面粗さ等の影響をほとんど受けず、パターン形成面Ｓ上の視認性薄膜３を充分に除去することができる。
【００３２】
そして、２回目のレジスト膜のエッチングによってアライメントパターン１３の凹部に残ったレジスト膜４が除去されることにより、モールド１が製造されることとなる。なお、エッチングガスＧ３は、エッチングガスＧ１と同じでも異なっていてもよい。また、本実施形態ではレジスト膜４ｂをエッチングによって除去したが、レジスト膜４ｂの除去は必ずしもエッチングである必要はない。
【００３３】
「モールドの製造方法の第２の実施形態」
次に、モールドの製造方法の第２の実施形態について説明する。本実施形態は、凹凸基板１４の形成から開始される点で第１の実施形態と異なる。したがって、第１の実施形態と同様の構成についての詳細な説明は、特に必要がない限り省略する。
【００３４】
図５は、第１の実施形態において使用した凹凸基板１４の製造方法の工程を示す概略断面図である。
【００３５】
本実施形態のモールドの製造方法は、複版用基板６０上にレジスト膜６１を形成し、メインパターンおよびアライメントパターンに対応した（反転したものを含む）オリジナルパターン１２ａおよび１３ａを有するマスターモールド６２を用いて、メインパターンおよびアライメントパターンをレジスト膜６１に転写し（図５ａ）、パターンが転写されたレジスト膜６１をマスクとしてエッチングガスＧ４によってエッチングすることにより凹凸基板１４を形成し（図５ｂおよび図５ｃ）、その後この凹凸基板１４を用いて第１の実施形態の工程を実施するものである。つまり、本実施形態の製造方法によって製造されるモールドは、マスターモールド６２の複版（レプリカ）となる。
【００３６】
基板６０は、凹凸基板１４の基となるものであり、レジスト膜６１の材料は、特に限定されず一般的な光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を使用することができる。
【００３７】
マスターモールド６２は、メインパターン１２に対応したパターン１２ａおよびアライメントパターン１３に対応したパターン１３ａからなるオリジナルパターンを有する。このオリジナルパターン１２ａおよび１３ａは、電子線リソグラフィー法により同時に形成されたものである。マスターモールド６２の材料は、例えばシリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラスおよびソーダガラス等である。
【００３８】
ナノインプリント法では、同じモールドを何回も繰り返し使用することができるが、繰り返し回数に応じてモールドは劣化する。このため、例えば半導体デバイスの製造等の現場では、同じパターンを有するモールドを複数枚準備しておく必要がある。しかしながら、電子線リソグラフィーによるパターニングには時間を要するため、電子線リソグラフィーによって一枚一枚パターニングしてモールドを製造することは非常に非効率である。そこで、本実施形態のように、電子線リソグラフィーによってパターニングしたマスターモールド６２を得た後は、このマスターモールド６２を基にナノインプリント法によって複版を製造することにより、同じパターンを有するモールドを低コストで大量に得ることができる。
【００３９】
（設計変更）
上記実施形態では、エッチングがドライエッチングの場合について説明したが、本発明においてエッチングは必ずしもこれに限られず、ウェットエッチングを使用することもできる。また、所望の工程で基板等の洗浄工程を適宜追加することもできる。
【００４０】
また、第２の実施形態において、基板６０の代りに図６ａのような、レジスト膜が形成される面の反対側の面に繰り抜き部７９を有するメサ型基板７０を使用することもできる。メサ型基板とは、例えば図６ａに示されるような台地（メサ）状の構造７６を有するような基板をいう。なお、図６ａでは、マスターモールドとの位置合わせを行うためのレジストレーションマーク７８がフランジ部７４に設けられている。また、繰り抜き部７９は、例えばレジスト膜が形成される表面（パターンが形成される表面）の反対側の表面をエッチング法等によって除去することにより製造される。
【００４１】
そして、当該メサ型基板７０を用いて第２の実施形態と同様の工程を得ることにより、図６ｂに示されるようなメサ型のモールド２を製造することができる。モールド２は、メインパターン領域２０およびアライメントパターン領域２１をメサ部２６に有しており、メインパターン領域２０およびアライメントパターン領域２１には、それぞれメインパターン２２およびアライメントパターン２３が形成されている。また、アライメントパターン２３の凹部には視認性薄膜２５が配置されている。また、モールド２は、パターンが形成された表面の反対側の面には繰り抜き部２９が設けられた構造を有する。また、フランジ部２４にはレジストレーションマーク２８が設けられている。また、レジストレーションマーク２８の視認性向上の観点から、レジストレーションマーク２８の上面にクロム薄膜を形成することが好ましい。なお、レジストレーションマーク２８は無くてもよい。メサ型基板７０とマスターモールドとの位置合わせ精度はそれほど高くなくてよいため、この場合には例えばメサ部の輪郭を使用して位置合わせをすることができる。
【００４２】
このようなメサ型のモールド２を使用した場合には、被加工物上に塗布されたレジストにモールドを押し付けた際に、メサ部２６の周囲の空間が流動するレジストの逃げ場となるため、レジストの流動範囲を制限でき、レジストからモールド２を剥離する際の力が小さくて済む。また、パターンを表面に形成した後に基板をメサ型に加工する場合には、その加工時にパターンが破損するという問題があるが、メサ型基板上にパターンを形成することにより、この問題は解決される。
【００４３】
また、モールド２が繰り抜き部２９を有する場合には、レジストからモールド２を剥離する時に、レジストおよびモールド２の付着力と剥離方向に働く剥離力とによって繰り抜き部２９近傍の部分に応力がかかり、モールド２自体が湾曲することとなる。このため、レジストおよびモールド２の界面の周囲に剥離力が集中して働くため、従来よりも小さな力で剥離を開始することができる。そして、剥離が進行するにつれて剥離力は周囲から中心へと順次効率よく働いていくため、剥離性が向上する。
【００４４】
なお、モールドは、メサ型構造を有するという特徴および繰り抜き部を有するとう特徴のいずれか一方を有していればよい。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明の製造方法は、例えば、トランジスタ等の半導体デバイスおよびハードディスク等の磁気記録媒体の製造に適用することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１、２ モールド
３     視認性薄膜
４     レジスト膜
５     段差基板
５ａ   段差部
１０、２０    メインパターン領域
１１、２１    アライメントパターン領域
１２、２２    メインパターン
１３、２３    アライメントパターン
１４   凹凸基板
１５、２５    視認性薄膜
２４   フランジ部
２６   メサ部
２８   レジストレーションマーク
２９   繰り抜き部
６０   複版用基板
６１   レジスト膜
６２   マスターモールド
７０   メサ型基板
８０、８２    従来技術におけるアライメントパターン
Ｓ     パターン形成面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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