(57)【要約】【課題】本発明は、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを防止でき、ビア部または配線層の腐食を防止したサスペンション用基板を提供することを課題とする。【解決手段】本発明においては、金属支持基板１、絶縁層２、配線層３を有するサスペンション用基板であって、配線層３は絶縁層２の開口部に形成されたビア部６と接続され、ビア部６は金属支持基板１から絶縁され、ビア部６の底面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部７が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板であって、
前記配線層は、絶縁層の開口部に形成されたビア部と接続され、
前記ビア部は、前記金属支持基板から絶縁され、
前記開口部における前記ビア部の前記金属支持基板側の表面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記バリア部が、Ｔｉ、Ｐｄ、Ａｕ、ＰｔおよびＡｇの少なくとも一つを含有することを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記ビア部が、前記配線層と材料的な連続性を有するビア部であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記バリア部が、前記ビア部と材料的な連続性を有するバリア部であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項６】
請求項５に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項７】
請求項６に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項８】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記絶縁層の開口部に形成され、前記配線層および金属支持部材を接続するビア部を備える中間部材を準備する準備工程と、
前記金属支持部材からの給電により、前記配線層の表面に前記めっき部を形成するめっき部形成工程と、
前記金属支持部材をエッチングし、前記ビア部と絶縁した前記金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、
前記中間部材は、前記開口部における前記ビア部の前記金属支持基板側の表面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを防止でき、ビア部または配線層の腐食を防止したサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。
【０００３】
ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャ）は、通常、一方の先端部分に形成され、磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子を実装する記録再生用素子実装領域と、他方の先端部分に形成され、外部回路基板との接続を行う外部回路基板接続領域と、記録再生用素子実装領域および外部回路基板接続領域を接続する配線層とを有する。また、サスペンション用基板は、通常、金属支持基板、絶縁層および配線層がこの順に積層された基本構造を有する。
【０００４】
例えば配線層の端子部の表面には、劣化防止や接続信頼性向上を目的として、めっき部を設けることが知られている。従来、めっき部を形成するために、配線層の一部をめっき線として用いることが知られている。（例えば後述する図３）。これに対して、配線層および金属支持基板を、絶縁層を貫通するビア部により接続した部材（後述する中間部材）を作製し、次に、金属支持基板からの給電により配線層の表面にめっき部を形成し、その後、金属支持基板をエッチングし、配線層（およびビア部）を金属支持基板から独立化する技術が知られている。例えば特許文献１には、電解めっき後、金属薄膜が露出するように、金属支持層に第１開口部を設け、導体層を独立化することが開示されている。また、特許文献２には、金属薄膜が露出することを防ぐために、被覆部（絶縁された金属支持層）を設けることが開示されている。
【０００５】
なお、無電解めっきを用いる技術ではあるものの、特許文献３には、第１の接地部において金属支持基板に電気的に接続されるようにベース絶縁層上に形成された配線パターンを有し、第１の接地部を金属支持基板の分離部に設けた配線回路基板が開示され、無電解めっき後に、分離部を本体部から分離（切断）することにより、配線パターンを独立化することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１００４８８号公報
【特許文献２】特開２００９−２５９３１５号公報
【特許文献３】特開２０１０−１７１０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
配線層を独立化する場合、配線層に接続されたビア部と、金属支持基板とを確実に絶縁する必要がある。金属支持基板のエッチングは、通常、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等のレジストパターンから露出する金属支持基板に対して行われる。この際、金属支持基板形成用エッチング液によるエッチングで、ビア部または配線層が露出する場合がある。ビア部または配線層が露出すると、その露出面が腐食しやすいという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを防止でき、ビア部または配線層の腐食を防止したサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、絶縁層の開口部に形成されたビア部と接続され、上記ビア部は、上記金属支持基板から絶縁され、上記開口部における上記ビア部の上記金属支持基板側の表面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【００１０】
本発明によれば、ビア部の金属支持基板側の表面にバリア部が形成されていることから、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを防止でき、ビア部または配線層の腐食を防止できる。
【００１１】
上記発明においては、上記バリア部が、Ｔｉ、Ｐｄ、Ａｕ、ＰｔおよびＡｇの少なくとも一つを含有することが好ましい。配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することをより防止できるからである。
【００１２】
上記発明においては、上記ビア部が、上記配線層と材料的な連続性を有するビア部であることが好ましい。バリア部を設けることにより、ビア部の腐食を効果的に防止できるからである。
【００１３】
上記発明においては、上記バリア部が、上記ビア部と材料的な連続性を有するバリア部であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１５】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを防止でき、ビア部または配線層の腐食を防止したサスペンションとすることができる。
【００１６】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００１７】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを防止でき、ビア部または配線層の腐食を防止した素子付サスペンションとすることができる。
【００１８】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００１９】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００２０】
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記絶縁層の開口部に形成され、上記配線層および金属支持部材を接続するビア部を備える中間部材を準備する準備工程と、上記金属支持部材からの給電により、上記配線層の表面に上記めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、上記ビア部と絶縁した上記金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、上記中間部材は、上記開口部における上記ビア部の上記金属支持基板側の表面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００２１】
本発明によれば、中間部材がバリア部を有することから、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを防止でき、ビア部または配線層の腐食を防止したサスペンション用基板を得ることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のサスペンション用基板は、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを防止でき、ビア部または配線層の腐食を防止できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図２】本発明のサスペンション用基板を説明する模式図である。
【図３】従来のサスペンション用基板を説明する概略平面図である。
【図４】従来のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。
【図５】本発明におけるビア部を説明する概略断面図である。
【図６】本発明におけるビア部を説明する概略断面図である。
【図７】本発明におけるビア部を説明する概略断面図である。
【図８】本発明におけるビア部を説明する概略断面図である。
【図９】本発明における金属支持基板の開口部を説明する模式図である。
【図１０】本発明における金属支持基板の開口部を説明する模式図である。
【図１１】本発明における金属支持基板の開口部を説明する模式図である。
【図１２】本発明のサスペンション用基板を説明する模式図である。
【図１３】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１４】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１５】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図１６】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１７】本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２５】
Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、絶縁層の開口部に形成されたビア部と接続され、上記ビア部は、上記金属支持基板から絶縁され、上記開口部における上記ビア部の上記金属支持基板側の表面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部が形成されていることを特徴とするものである。
【００２６】
図１は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する複数の配線層１０３ａ〜１０３ｄとを有するものである。配線層１０３ａおよび配線層１０３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１０３ｃおよび配線層１０３ｄも一対の配線層である。これらの一対の配線層は、一方が書込用配線層であり、他方が読取用配線層である。また、図１（ｂ）に示すように、サスペンション用基板１００は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３を覆うように形成されたカバー層４とを有する。
【００２７】
図２は、本発明のサスペンション用基板を説明する模式図である。図２（ａ）は、本発明における外部回路基板接続領域を示す概略平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。なお、図２（ａ）では、便宜上、カバー層およびめっき部の記載は省略している。図２（ａ）に示すように、配線層３は、素子接続用端子部（図示せず）に接続された引き回し部３ａと、引き回し部３ａに接続された端子部（外部回路基板接続用端子部）３ｂと、端子部３ｂに接続されためっき線部３ｃとを有する。また、図２（ｂ）に示すように、端子部３ｂの表面にはめっき部５が形成され、めっき線部３ｃは絶縁層２の開口部に形成されたビア部６と接続されている。本発明においては、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、開口部におけるビア部６の底面（金属支持基板１側の表面）に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部７が形成されていることを大きな特徴とする。
【００２８】
本発明によれば、ビア部の金属支持基板側の表面にバリア部が形成されていることから、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを防止でき、ビア部または配線層の腐食を防止できる。
【００２９】
ここで、図３に示すように、従来のサスペンション用基板では、複数の端子部３ｂに、複数のめっき線部３ｃがそれぞれ形成され、各々のめっき線部３ｃが、支持枠１１０の導体層３ｄに接続されていた。これに対して、図４（ａ）に示すように、絶縁層２を貫通するビア部６を介してめっき線部３ｃと金属支持基板１とを接続し、金属支持基板１からの給電によりめっき部５を形成する場合、図３のように、各々が導体層３ｄに接続されためっき線部３ｃを設ける必要が無く、サスペンション用基板の小型化を図ることができる。一方、図４（ａ）におけるめっき線部３ｃは、ビア部６を介して金属支持基板１と接続されているため、配線層３を金属支持基板１から独立化する必要がある。
【００３０】
配線層を独立化する場合、図４（ｂ）に示すように、ビア部６の底面に位置する金属支持基板１を除去する方法が挙げられる。しかしながら、この方法では、例えばビア部６が金属支持基板形成用エッチング液によってエッチングされやすいものである場合、金属支持基板のエッチング時に、ビア部６もエッチングされ、最悪の場合は絶縁層２の開口部周辺における配線層３の一部が露出する。また、図４（ｃ）に示すように、ビア部６および配線層３が連続的に形成されている場合には、金属支持基板のエッチングにより、ビア部６が露出する。なお、特許文献１では、ビア部６の底面に、クロム薄膜および銅薄膜から構成される金属薄膜（いわゆるシード層）を設けることが記載されているが、クロムおよび銅は、材料的に金属支持基板用エッチング液（例えば塩化鉄系エッチング液）によりエッチングされる材料であるため、エッチング条件によってはビア部が露出する。一方、配線層を独立化する他の例として、図４（ｄ）に示すように、ビア部６の底面に位置する金属支持基板を被覆部１ａとして残し、被覆部１ａの周囲を除去して絶縁する方法が挙げられる。この方法では、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することは防止できるものの、リング状開口部のサイズＳ１が大きくなり、サスペンション用基板の小型化が図れないという問題がある。
【００３１】
これに対して、本発明においては、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、ビア部６の底面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部７が形成されていることから、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを防止でき、ビア部または配線層の腐食を防止できる。また、本発明においては、図４（ｄ）のような被覆部１ａを設ける必要が無いため、サスペンション用基板の小型化を図ることができる。サスペンション用基板を小型化することで、例えばサスペンション用基板の製造効率（面付け個数）が向上するという利点がある。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
【００３２】
１．サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層および配線層を少なくとも有する。
【００３３】
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。
【００３４】
本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００３５】
本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３６】
上記配線層としては、例えば書込用配線層、読取用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ素子用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、グランド用配線層、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層等を挙げることができる。
【００３７】
本発明におけるめっき部は、配線層の表面の少なくとも一部に形成されるものである。めっき部を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できる。特に、本発明においては、端子部にめっき部が形成されていることが好ましい。めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Ａｕめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ｃｕめっき等を挙げることができる。中でも、配線層の表面側からＮｉめっきおよびＡｕめっきが形成されていることが好ましい。めっき部の厚さは、例えば０．１μｍ〜４μｍの範囲内である。
【００３８】
本発明におけるサスペンション用基板は、配線層を覆うカバー層を有していることが好ましい。配線層の劣化（例えば腐食）を防止することができるからである。カバー層の材料は、例えば、上述した絶縁層の材料として記載した樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂であることが好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。配線層上のカバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３９】
２．サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明においては、絶縁層の開口部におけるビア部の底面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部が形成されている。ここで、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜とは、以下の金属薄膜をいう。すなわち、金属支持基板形成用エッチング液に対する、金属支持基板および金属薄膜のエッチングレートを同条件で測定し、両者の差が５倍以上（好ましくは１０倍以上）ある時に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜と判断することができる。なお、金属支持基板がステンレス鋼であり、金属薄膜がニッケルである場合、両者の差は通常１倍以上５倍未満である。また、金属支持基板がステンレス鋼であり、金属薄膜がクロムである場合、両者の差は通常１倍以上２倍以下である。また、金属支持基板形成用エッチング液としては、例えば塩化鉄系エッチング液を挙げることができ、具体的には、塩化第二鉄溶液等を挙げることができる。
【００４０】
本発明におけるバリア部の材料は、特に限定されるものではないが、通常、配線層の材料およびビア部の材料とは異なる材料である。中でも、本発明におけるバリア部は、Ｔｉ、Ｐｄ、Ａｕ、ＰｔおよびＡｇの少なくとも一つを含有することが好ましく、ＡｕおよびＰｄの少なくとも一方を含有することがより好ましい。耐エッチング性に加え、耐腐食性が優れているからである。また、本発明におけるバリア部は、金属単体から構成される金属薄膜であっても良く、金属合金から構成される金属薄膜であっても良い。図５に示すように、バリア部７の厚さをＴとした場合、Ｔは、例えば１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ〜３μｍの範囲内であることがより好ましい。上記範囲であれば、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを十分に防止できるからである。
【００４１】
また、図５に示すように、バリア部７の底面（金属支持基板１側の表面）７１と、絶縁層２の底面２１とは、面一であることが好ましい。金属支持基板形成用エッチング液によるビア部のエッチングを効果的に防止できるからである。「面一」とは、厚さ方向におけるバリア部７の底面７１と絶縁層２の底面２１との差（絶対値）が１μｍ以下であることをいう。なお、図示しないが、本発明におけるバリア部の底面は、絶縁層の底面よりも内側（配線層側）にあっても良い。
【００４２】
また、本発明におけるビア部は、図６（ａ）に示すように、配線層３とは材料的な連続性を有しないビア部６であっても良く、図６（ｂ）に示すように、配線層３と材料的な連続性を有するビア部６であっても良い。また、本発明におけるビア部が、図６（ａ）に示すように、配線層３とは材料的な連続性を有しないビア部６である場合、バリア部７およびビア部６が材料的な連続性を有していても良い。バリア部およびビア部を共通工程で形成でき、工程の短縮が図れるからである。
【００４３】
ここで、「材料的な連続性を有しない」とは、材料が異なること、または、同じ材料でも結晶サイズが異なることをいう。一方、「材料的な連続性を有する」とは、材料および結晶サイズが同じであることをいう。後述するアディティブ法のように、ビア部および配線層を同時に形成する場合には、ビア部および配線層の材料および結晶サイズは同じになり、両者は材料的に連続した状態となる。この場合は「材料的な連続性を有する」といえる。一方、後述するサブトラクティブ法のように、ビア部および配線層の材料が異なる場合、または、両者の材料が同一（例えば銅）であっても、配線層の形成後にビア部を形成する場合には、両者の界面に材料的特性（結晶サイズ等）の違いに起因する不連続性が生じる。この場合は「材料的な連続性を有しない」といえる。
【００４４】
本発明におけるビア部が、配線層とは材料的な連続性を有しないビア部である場合、ビア部の材料選択の幅が広がるという利点がある。ビア部の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばめっきを挙げることができる。中でも、本発明においては、ビア部の材料が、配線層の材料よりも耐腐食性が高い材料であることが好ましい。めっきの種類としては、例えばＮｉめっき等を挙げることができる。電解Ｎｉめっき法によりビア部を形成する場合、用いられる電解Ｎｉめっき浴としては、例えばワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。
【００４５】
一方、本発明におけるビア部が、配線層と材料的な連続性を有するビア部である場合、配線層およびビア部を同時に形成することができ、製造工程の簡略化を図ることができるという利点がある。また、バリア部を設けることにより、ビア部の腐食を効果的に防止できる。この場合、絶縁層および配線層の間にシード層が形成されていることが好ましい。配線層の形成が容易になるからである。特に、本発明においては、図７に示すように、ビア部６およびバリア部７の間にシード層９が形成されていることが好ましい。配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてシード層が露出することを防止できるからである。
【００４６】
本発明における配線層は、絶縁層の開口部に形成されたビア部と接続されている。絶縁層の開口部の平面視形状は特に限定されるものではないが、円状、楕円状、櫛状、十字状、棒状、任意の多角形状等を挙げることができる。図２（ｃ）に示すように、絶縁層２の開口部のサイズをＳ２とした場合、Ｓ２は、例えば２０μｍ〜６０μｍの範囲内であり、３０μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。また、本発明におけるビア部は、通常、金属支持基板から絶縁されている。そのため、ビア部が形成される位置において金属支持基板は除去され、開口部が形成される。金属支持基板の開口部の平面視形状は特に限定されるものではないが、円状、楕円状、櫛状、十字状、棒状、任意の多角形状等を挙げることができる。
【００４７】
また、本発明においては、図８に示すように、絶縁層２の開口部の端部が、通常、金属支持基板１の開口部の端部よりも突出する。両端部の差をＬ１とした場合、Ｌ１は、例えば１５μｍ以上であることが好ましく、１５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲内であれば、ビア部と金属支持基板とを確実に絶縁しつつ、サスペンション用基板の小型化を図ることができるからである。また、金属支持基板１の開口部のサイズをＳ１１とした場合、Ｓ１１は、例えば５０μｍ〜１２０μｍの範囲内であることが好ましく、６０μｍ〜１１０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４８】
本発明におけるビア部は、配線層に接続できる位置であれば任意の位置に設けることができる。ビア部の位置としては、例えば図２（ａ）のように、端子部３ｂよりも下流側（めっき線部３ｃ側）の位置を挙げることができる。また、図示しないが、端子部よりも上流側（引き回し部側）にビア部を設けても良い。なお、本発明における端子部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、外部回路基板接続用端子部、サスペンション用基板の電気検査を行うための電極を接触させるテスト用端子部（テストパッド）等を挙げることができる。
【００４９】
図９〜図１１は、本発明における金属支持基板の開口部を説明する模式図である。図９（ａ）は、本発明における外部回路基板接続領域を示す概略平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ断面図である。また、図９（ａ）では、便宜上、絶縁層、カバー層およびめっき部の記載は省略している。なお、これらの事項は、図１０および図１１においても同様である。本発明における金属支持基板は、図９に示すように、閉じた開口部（全周に金属支持基板が存在する開口部）を有していても良く、図１０に示すように、開いた開口部（全周に金属支持基板が存在しない開口部）を有していても良い。また、本発明における金属支持基板は、図１１に示すように、閉じた開口部を有する、リング状金属支持部を備えていても良い。
【００５０】
また、図１２は、本発明のサスペンション用基板を説明する模式図である。図１２（ａ）は、本発明における外部回路基板接続領域を示す概略平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図１２に示すように、本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板１とは絶縁されたビア部６ａの他に、金属支持基板と接続されたビア部６ｂを有していても良い。金属支持基板と接続されたビア部６ｂは、例えば、アクチュエータ素子に接続される共通電源用配線層に用いることができる。
【００５１】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
【００５２】
図１３は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１３に示されるサスペンション３００は、上述したサスペンション用基板１００と、サスペンション用基板１００の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム２００とを有するものである。
【００５３】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを防止でき、ビア部または配線層の腐食を防止したサスペンションとすることができる。
【００５４】
本発明のサスペンションは、サスペンション用基板と、ロードビームとを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。
【００５５】
Ｃ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。
【００５６】
図１４は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１４に示される素子付サスペンション４００は、上述したサスペンション３００と、サスペンション３００の記録再生用素子実装領域１０１に実装された記録再生用素子３０１と、を有するものである。
【００５７】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを防止でき、ビア部または配線層の腐食を防止した素子付サスペンションとすることができる。
【００５８】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明における記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。また、本発明の素子付サスペンションは、熱アシスト用素子、アクチュエータ素子等の他の素子を有していても良い。
【００５９】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
【００６０】
図１５は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１５に示されるハードディスクドライブ５００は、上述した素子付サスペンション４００と、素子付サスペンション４００がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク４０１と、ディスク４０１を回転させるスピンドルモータ４０２と、素子付サスペンション４００の素子を移動させるアーム４０３およびボイスコイルモータ４０４と、上記の部材を密閉するケース４０５とを有するものである。
【００６１】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００６２】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｃ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００６３】
Ｅ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記絶縁層の開口部に形成され、上記配線層および金属支持部材を接続するビア部を備える中間部材を準備する準備工程と、上記金属支持部材からの給電により、上記配線層の表面に上記めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、上記ビア部と絶縁した上記金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、上記中間部材は、上記開口部における上記ビア部の上記金属支持基板側の表面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部を有することを特徴とするものである。
【００６４】
図１６は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１６においては、まず、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａおよび導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図１６（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングを行い、配線層３を形成する（図１６（ｂ））。この際、金属支持部材１Ａに対して、同時にウェットエッチングを行い、治具孔等を設けても良い。次に、配線層３上にカバー層４を形成し（図１６（ｃ））、絶縁部材２Ａに対してウェットエッチングを行い、開口部を有する絶縁層２を形成する（図１６（ｄ））。次に、金属支持部材１Ａからの給電により、絶縁層２の開口部から露出する表面にバリア部７を形成する（図１６（ｅ））。次に、金属支持部材１Ａからの給電により、配線層３および金属支持部材１Ａを接続するビア部６を絶縁層２の開口部に形成する。これにより、中間部材１１が得られる（図１６（ｆ））。次に、金属支持部材１Ａからの給電により、配線層３（端子部３ｂ）の表面にめっき部５を形成する（図１６（ｇ））。次に、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、ビア部６と絶縁した金属支持基板１を形成する（図１６（ｈ））。これにより、サスペンション用基板が得られる。
【００６５】
図１７は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。図１７においては、まず、金属支持部材１Ａを準備する（図１７（ａ））。次に、金属支持部材１Ａの表面上に、開口部を有する絶縁層２を形成する（図１７（ｂ））。次に、金属支持部材１Ａからの給電により、絶縁層２の開口部から露出する表面にバリア部７を形成する（図１７（ｃ））。次に、図示しないが、絶縁層２側の表面全体に、スパッタリングによりシード層を形成し、所定のレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンから露出するシード層の表面に配線層３を形成する（図１７（ｄ））。次に、配線層３上にカバー層４を形成する（図１７（ｅ））。これにより、中間部材１１が得られる。次に、金属支持部材１Ａからの給電により、配線層３（端子部３ｂ）の表面にめっき部５を形成する（図１７（ｆ））。次に、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、ビア部６と絶縁した金属支持基板１を形成する（図１７（ｇ））。これにより、サスペンション用基板が得られる。
【００６６】
本発明によれば、中間部材がバリア部を有することから、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてビア部または配線層が露出することを防止でき、ビア部または配線層の腐食を防止したサスペンション用基板を得ることができる。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、例えば、サブトラクティブ法による製造方法と、アディティブ法による製造方法とに大別することができる。
【００６７】
１．サブトラクティブ法
まず、サブトラクティブ法による製造方法について説明する。サブトラクティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記開口部から露出する表面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部を形成するバリア部形成工程と、上記開口部に、上記配線層および上記金属支持部材を接続するビア部を形成するビア部形成工程と、上記金属支持部材からの給電により、上記配線層の表面にめっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、上記ビア部と絶縁した金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。なお、上述した図１６は、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００６８】
（１）積層部材準備工程
積層部材準備工程は、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する工程である。
【００６９】
サブトラクティブ法においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより絶縁層が得られ、積層部材の導体部材をエッチングすることにより配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して、絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。
【００７０】
（２）配線層形成工程
配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する工程である。
【００７１】
配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がＣｕである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００７２】
また、サブトラクティブ法においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。
【００７３】
（３）カバー層形成工程
カバー層形成工程は、上記配線層上にカバー層を形成する工程である。
【００７４】
カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。
【００７５】
（４）絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成する工程である。
【００７６】
絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。
【００７７】
（５）バリア部形成工程
バリア部形成工程は、上記開口部から露出する表面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部を形成する工程である。
【００７８】
バリア部の形成方法としては、所望のバリア部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、電解めっき法および無電解めっき法等のめっき法、スパッタリング法等のＰＶＤ法等を挙げることができる。
【００７９】
（６）ビア部形成工程
ビア部形成工程は、上記開口部に、上記配線層および上記金属支持部材を接続するビア部を形成する工程である。
【００８０】
ビア部の形成方法としては、所望のめっき部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法を挙げることができる。本発明においては、金属支持部材からの給電により、ビア部を形成することが好ましい。また、例えば、Ｎｉめっきから構成されるビア部を形成する場合、用いられる電解Ｎｉめっき浴としては、例えば、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。めっき条件は、特に限定されるものではなく、所望の条件（めっき時間、印加電圧等）を選択すれば良い。
【００８１】
（７）めっき部形成工程
めっき部形成工程は、上記金属支持部材からの給電により、上記配線層の表面にめっき部を形成する工程である。
【００８２】
金属めっき部の形成方法としては、所望のめっき部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法を挙げることができる。例えば電解Ａｕめっき浴としては、シアン化金浴、酸性金浴等を挙げることができる。
【００８３】
（８）金属支持基板形成工程
金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし、上記ビア部と絶縁した金属支持基板を形成する工程である。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。
【００８４】
金属支持基板の形成方法としては、例えば、金属支持部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する金属支持部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００８５】
２．アディティブ法
次に、アディティブ法による製造方法について説明する。アディティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記開口部から露出する表面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部を形成するバリア部形成工程と、上記絶縁層上に配線層を形成し、同時に、上記開口部に上記配線層および上記金属支持部材を接続するビア部を形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持部材からの給電により、上記配線層の表面にめっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、上記ビア部と絶縁した金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。なお、上述した図１７は、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
以下、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００８６】
（１）金属支持部材準備工程
金属支持部材準備工程は、金属支持部材を準備する工程である。金属支持部材には、例えば市販の金属支持部材を用いることができる。
【００８７】
（２）絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記金属支持部材上に、開口部を有する絶縁層を形成する工程である。
【００８８】
絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の絶縁層を得ることができる。また、絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の絶縁層を得ることができる。
【００８９】
（３）バリア部形成工程
バリア部形成工程については、上述したサブトラクティブ法におけるバリア部形成工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００９０】
（４）配線層形成工程
配線層形成工程は、上記絶縁層上に配線層を形成し、同時に、上記開口部に上記配線層および上記金属支持部材を接続するビア部を形成する工程である。
【００９１】
配線層およびビア部の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。具体的には、絶縁層上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁層の表面上に、電解めっき法を行う方法を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、配線層の形成前に、スパッタリング法等により絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。なお、シード層形成およびビア部形成の間に、上記バリア部形成工程を行っても良い。
【００９２】
（５）その他の工程
その他の工程については、上述したサブトラクティブ法における各工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００９３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００９４】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００９５】
［実施例１］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁部材）、厚さ９μｍの電解銅層（導体部材）を有する積層部材を準備した（図１６（ａ））。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から配線層を形成し（図１６（ｂ））、金属支持部材に治具孔を形成した（図示せず）。
【００９６】
その後、パターニングされた配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した（図１６（ｃ））。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成した（図１６（ｄ））。次に、金属支持部材からの給電により、絶縁層の開口部で露出する表面にバリア部（電解Ａｕめっき、厚さ２μｍ）を形成した（図１６（ｅ））。次に、金属支持部材からの給電により、配線層および金属支持部材を接続するビア部（電解Ｎｉめっき）を形成した（図１６（ｆ））。次に、金属支持部材からの給電により、配線層の端子部に、めっき部（電解Ａｕめっき）を形成した（図１６（ｇ））。最後に、塩化第二鉄液を用いて、金属支持部材のエッチングを行った（図１６（ｈ））。これにより、サスペンション用基板を得た。
【符号の説明】
【００９７】
１…金属支持基板、  １ａ…被覆部、  ２…絶縁層、  ３…配線層、  ３ａ…引き回し部、  ３ｂ…端子部、  ３ｃ…めっき線部、  ３ｄ…導体層、  ４…カバー層、  ５…めっき部、  ６…ビア部、  ７…バリア部、  ９…シード層、  ２１…絶縁層の底面、  ７１…バリア部の底面、  １００…サスペンション用基板、  １０１…記録再生用素子実装領域、  １０２…外部回路基板接続領域、  １０３…配線層
【図１】
2013206488.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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