(57)【要約】      （修正有）【課題】太陽電池の裏面電極の端部の形状を、搬送装置が接触する領域に形成されることなく面積拡張することが可能な形状にすることにより、高品質かつ高効率の太陽電池を提供する。【解決手段】半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１とは異なる導電型で前記半導体ウエハの受光面に形成された拡散層と、前記拡散層上に形成された受光面電極と、前記半導体ウエハの受光面の裏面に形成された裏面電極５と、を有する太陽電池１００において、裏面電極５の端部は略正方形状であり、裏面電極５の端部は、近接する前記半導体ウエハの辺に向かう凸形状にすることで、裏面電極５の面積を、搬送装置が接触する領域に形成することなく拡張することが可能となり、高品質かつ高効率の太陽電池を提供する。【選択図】図１
2013175530.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハと、
前記半導体ウエハとは異なる導電型で前記半導体ウエハの受光面に形成された拡散層と、
前記拡散層上に形成された受光面電極と、
前記半導体ウエハの受光面の裏面に形成された裏面電極と、
を有する太陽電池において、
前記裏面電極は略正方形状であり、前記裏面電極の端部は、近接する前記半導体ウエハの辺に向かう凸形状をしていることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
前記凸形状は、近接する前記半導体ウエハの辺に最も近い前記裏面電極の端部上の点を交点とする同じ長さの２本の直線部で形成されている請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記凸形状は、前記半導体ウエハの少なくとも１辺以上に形成されている請求項１または２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記凸形状は、近接する半導体ウエハの辺に平行な１本の直線部と、前記半導体ウエハの辺に平行な１本の直線部以外の２本の直線部とで形成されている請求項１〜３のいずれかに記載の太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池に関し、特に受光面とその裏面とに電極が形成された太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光エネルギを直接電気エネルギに変換する太陽電池は、近年、特に地球環境問題の観点から、次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池としては、化合物半導体または有機材料を用いたものなど様々な種類があるが、現在、主流となっているのは、結晶シリコンを代表とする半導体ウエハを用いたものである。
【０００３】
その中で、現在、最も多く製造および販売されている太陽電池は、結晶シリコンウエハの受光面となる面に結晶シリコンウエハとは異なる導電型の層を形成し、受光面および受光面の反対側である裏面とに電極が形成された構造のものである。
【０００４】
特許文献１には、受光面および裏面に電極が形成された太陽電池が示されている。図１１に特許文献１の太陽電池の製造プロセスを示す。これによると、酸エッチングされたｐ型シリコン基板１０１の受光面となる面に、リンをドーパントとした熱拡散（約８００〜９００℃）を行い、ｎ型拡散層１０２を形成する。次に、シリコン基板１０１の受光面上に、シリコン窒化膜の反射防止膜１０３を形成する。次に、シリコン基板１０１の裏面の一部に裏面電極用銀ペーストをスクリーン印刷し、１５０℃程度で乾燥させることにより銀電極１０４を形成する。次に、シリコン基板１０１の裏面の銀電極１０４の形成領域を除くほぼ全面にアルミペーストをスクリーン印刷し、１５０℃程度で乾燥させることによりアルミ電極１０５を形成する。次に、受光面の所定の部分に受光面電極用銀ペーストをスクリーン印刷し、１５０℃程度で乾燥させることにより受光面電極１０６を形成する。最後にシリコン基板を空気中において７４０℃程度で焼成することにより、ｐ＋拡散層１０７を形成するとともに表裏面に形成された電極を形成する。このようにして図１１に示す太陽電池が製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２８４８５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の太陽電池は、アルミ電極１０５のスクリーン印刷後、乾燥のためにシリコン基板１０１を乾燥工程に搬送する必要がある。その際、シリコン基板１０１の裏面の端部を搬送装置で保持して搬送するため、シリコン基板１０１の裏面端部の搬送装置が接触する領域に未乾燥のアルミ電極１０５があると、搬送装置に接触して太陽電池に不良が発生する。
【０００７】
また、シリコン基板１０１はシリコン基板１０１を加工する際に生じる寸法誤差及び角度誤差によりサイズや四角の角度が変化し、またアルミ電極１０５はスクリーン印刷する際に生じる印刷誤差によりシリコン基板１０１に対する相対的な位置移動及び回転移動が発生する。
【０００８】
よって、アルミ電極１０５は、前記シリコン基板１０１の寸法変化及び角度変化と、アルミ電極１０５のアルミ基板１０１に対する相対的な位置移動及び回転移動とが共に発生した場合を考慮して、シリコン基板１０１の端部から一定の領域には形成しないように設計する必要があり、その分アルミ電極１０５のサイズが小さくなる。
【０００９】
一方で、太陽電池の出力を上げるためには、アルミ電極１０５のサイズは可能な限り大きくする必要があるが、上記の理由によりアルミ電極１０５のサイズを小さくせざるをえないという問題があった。
【００１０】
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、太陽電池の裏面電極の端部の形状を、搬送装置が接触する領域に形成されることなく面積拡張することが可能な形状にすることにより、高品質かつ高効率の太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明における太陽電池は、半導体ウエハと、半導体ウエハとは異なる導電型で半導体ウエハの受光面に形成された拡散層と、拡散層上に形成された受光面電極と、半導体ウエハの受光面の裏面に形成された裏面電極と、を有する太陽電池において、裏面電極の端部は略正方形状であり、裏面電極の端部は、近接する半導体ウエハの辺に向かう凸形状をしていることを特徴とする。
【００１２】
ここで、前記凸形状は、近接する半導体ウエハの辺に最も近い裏面電極の端部上の点を交点とする同じ長さの２本の直線部で形成されていてもよい。
【００１３】
また、前記凸形状は、半導体ウエハの少なくとも１辺以上に形成されていればよい。
【００１４】
また、前記凸形状は、近接する半導体ウエハの辺に平行な１本の直線部と、前記半導体ウエハの辺に平行な１本の直線部以外の２本の直線とで形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、太陽電池の裏面電極の面積を、搬送装置が接触する領域に形成することなく拡張することが可能となり、高品質かつ高効率の太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態及び実施例１の太陽電池の裏面アルミ（以降Ａｌと表記）電極形状を示す図である。
【図２】本発明の実施形態の太陽電池の構造を製造プロセスフローに沿って示す図である。
【図３】太陽電池の裏面Ａｌ電極の端部の形状を正方形とした場合を示す図である。
【図４】半導体ウエハの加工精度を示す図である。
【図５】裏面Ａｌ電極の半導体ウエハに対する位置精度及び回転精度を示す図である。
【図６】裏面Ａｌ電極のスクリーン印刷後に半導体ウエハを乾燥工程に搬送する際、搬送装置が半導体ウエハの端部に接触する領域を示す図である。
【図７】太陽電池の裏面Ａｌ電極の端部の形状を正方形とした場合の裏面Ａｌ電極の一辺の長さの算出方法を示す図である。
【図８】本発明の実施形態の太陽電池の裏面Ａｌ電極の端部の形状を導き出す際に用いる図である。
【図９】本発明の実施形態の太陽電池の裏面Ａｌ電極形状において、半導体ウエハが寸法変化及び角度変化し、かつ裏面Ａｌ電極が位置移動及び回転移動した場合の半導体ウエハと裏面Ａｌ電極との位置関係を示す図である。
【図１０】実施例２の太陽電池の裏面Ａｌ電極形状を示す図である。
【図１１】従来の太陽電池の構造を製造プロセスフローに沿って示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、本発明の実施形態の太陽電池の裏面Ａｌ電極形状を示している。本発明の実施形態の太陽電池１００は、半導体ウエハ１の受光面とは反対側である裏面上に、裏面銀（以降Ａｇと表記）電極４及び裏面Ａｌ電極５０が形成されている。裏面Ａｌ電極５０は、略正方形状であり、前記裏面電極の端部は、近接する前記半導体ウエハの辺に向かう凸形状をしている。より詳細には、裏面Ａｌ電極５０の端部の形状は、破線で表した電極の端部の形状を正方形とした場合の裏面Ａｌ電極５に、半導体ウエハ１の各辺に向かって凸状に広がる拡張領域１１を加えた形状をしているため、裏面Ａｌ電極面積が拡張した分太陽電池１００の出力が向上する。
【００１８】
次に、図２の（ａ）〜（ｇ）を用いて、本発明の実施形態の太陽電池の製造フローを説明する。
【００１９】
まず、図２（ａ）に示すように、ｐ型の半導体ウエハ１を準備し、半導体ウエハ１の受光面となる面にテクスチャ（図示せず）を形成する。
【００２０】
次に、図２（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１にＰ（リン）を熱拡散し、ｎ型拡散層２を形成する。熱拡散後、受光面以外の面のｎ型拡散層２をフッ硝酸によりエッチングし、接合分離を行う。
【００２１】
次に、図２（ｃ）に示すように、ＳｉＮ膜などの反射防止膜３を半導体ウエハ１の受光面に形成する。
【００２２】
次に、図２（ｄ）に示すように、半導体ウエハ１の受光面とは反対の面である裏面に裏面電極用Ａｇペーストをスクリーン印刷法により印刷し、乾燥工程を経て裏面Ａｇ電極４を形成する。なお、スクリーン印刷法はウエハステージに半導体ウエハ１を吸着により固定し、電極の端部の形状に開口したスクリーンマスクを半導体ウエハ１上に重ね合わせた後、スクリーンマスク上に充填された電極ペーストをスキージにより押し出し、半導体ウエハ１上に電極ペーストを転写する印刷方法である。
【００２３】
次に、図２（ｅ）に示すように、半導体ウエハ１の裏面の裏面Ａｇ電極４以外の領域にＡｌペーストをスクリーン印刷法により印刷し、乾燥工程を経て裏面Ａｌ電極５を形成する。
【００２４】
次に、図２（ｆ）に示すように、半導体ウエハ１の受光面に、ガラスフリットを含む受光面用Ａｇペーストをスクリーン印刷法により印刷し、乾燥工程を経て受光面Ａｇ電極６を形成する。
【００２５】
最後に、図２（ｇ）に示すように、半導体ウエハ１を７８０℃で焼成することにより、半導体ウエハ１の裏面Ａｌ電極５と接触している界面付近にｐ＋拡散層７が形成される。同時に、受光面Ａｇ電極６は含有するガラスフリットの作用により反射防止膜３を焼成貫通（ファイヤースルー）し、半導体ウエハ１の受光面のｎ型拡散層２と接続される。
【００２６】
以上の工程により、本発明の実施形態の太陽電池１００が製造される。
【００２７】
ここで、図３に示すように、裏面Ａｌ電極５の端部の形状を半導体ウエハ１の形状と同じ正方形で作製する場合、裏面Ａｌ電極５の端部が半導体ウエハ１の端部から一定の距離ｄｘ及びｄｙを離した形状で形成する必要がある。その理由は、裏面Ａｌ電極５をスクリーン印刷後、搬送装置が半導体ウエハ１の端部を未乾燥の裏面Ａｌ電極５に触れることなく保持し、乾燥工程に搬送する必要があるためである。よって、裏面Ａｌ電極５の形成領域は、半導体ウエハ１の加工精度、裏面Ａｌ電極５の半導体ウエハ１に対する印刷精度、及び裏面Ａｌ電極５のスクリーン印刷後に半導体ウエハ１を乾燥工程に搬送する際に搬送装置が接触する領域の３つの要因を全て考慮して設計する必要がある。
【００２８】
図４は、半導体ウエハ１の加工精度を示す図である。半導体ウエハ１には、ウエハ加工時の精度に起因する一定の寸法誤差及び角度誤差が存在する。一辺の長さがＡの正方形の半導体ウエハ１は、Ｘ方向及びＹ方向がそれぞれ±ａ１、角の角度が±ｃ１ラジアンの範囲で誤差が生じることを示している。
【００２９】
図５は、裏面Ａｌ電極５の半導体ウエハ１に対する印刷精度を示す図である。裏面Ａｌ電極５を形成する工程で用いられるスクリーン印刷工程には、印刷精度に起因する半導体ウエハに対する一定の位置誤差及び回転誤差が発生する。一辺の長さがＣｘの裏面Ａｌ電極５に対して、半導体ウエハ中心位置８に対する裏面Ａｌ電極中心位置９の位置は、Ｘ方向に±ａ２、Ｙ方向に±ｂ２の範囲で位置誤差が生じ、また裏面Ａｌ電極５は、裏面Ａｌ電極中心位置９を回転軸として±ｃ２ラジアンの範囲で回転誤差が生じることを示している。
【００３０】
図６は、裏面Ａｌ電極５のスクリーン印刷後に半導体ウエハ１を乾燥工程に搬送する際、搬送装置が半導体ウエハの端部に接触する領域を示す図である。搬送装置接触領域１０は、半導体ウエハ１の端部からａ３の距離の領域まで搬送装置が接触することを示している。
【００３１】
図７は、裏面Ａｌ電極の端部の形状を正方形とした場合の裏面Ａｌ電極の一辺の長さの算出方法を示す図である。ここで、図７においては、半導体ウエハ１の四つの角を左下の角から左回りにＶ１、Ｖ２、Ｖ３及びＶ４、半導体ウエハ１の中心をＰとしている。また、裏面Ａｌ電極５の四つの角を左下の角から左回りにＳ１、Ｓ２、Ｓ３及びＳ４、裏面Ａｌ電極５の中心をＱとしている。
【００３２】
前記の通り、裏面Ａｌ電極５のサイズは、図４〜図６に示した各条件を考慮した上で設計する必要がある。そこで、図７において、半導体ウエハ１がウエハ加工時の寸法誤差及び角度誤差により点Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３´及びＶ４´を結ぶ破線で表す１ａの形状に変化し、裏面Ａｌ電極５がスクリーン印刷時の位置誤差及び回転誤差により点Ｓ１´、Ｓ２´、Ｓ３´及びＳ４´を結ぶ一点鎖線で表す５ａの位置に移動したとする。この時、半導体ウエハ１ａの端部と裏面Ａｌ電極５ａの端部とは、半導体ウエハ１ａの辺Ｖ１−Ｖ４´と、裏面Ａｌ電極５ａの角の一つである点Ｓ４´との間で最も接近している。したがって、この部分の距離が搬送装置接触領域１０の基板ウエハ１の端部からの距離ａ３より大きくなるよう裏面Ａｌ電極５の一辺の長さＣｘを算出すれば良い。
【００３３】
ここで、半導体ウエハ１のＸ方向及びＹ方向の寸法変化量をそれぞれａ１´及びｂ１´、半導体ウエハ１の角Ｖ１の角度変化量をｃ１´とする。また、裏面Ａｌ電極中心位置９の半導体ウエハ中心位置８に対するＸ方向及びＹ方向の位置移動量をそれぞれａ２´及びｂ２´、裏面Ａｌ電極５が５ａに移動した時の回転移動角度をｃ２´とする。また、半導体ウエハ１のＸ方向の長さをＡ´=Ａ+ａ１´、半導体ウエハ１のＹ方向の長さをＢ´=Ａ+ｂ１´とする。また、点Ｓ４´から半導体ウエハ１の辺Ｖ１‐Ｖ４へ下ろした垂線と半導体ウエハ１の辺Ｖ１‐Ｖ４との交点をＵ、直線Ｓ４´Ｕと半導体ウエハ１ａの辺Ｖ１‐Ｖ４´との交点をＴとする。さらに、直線ＴＵから点Ｓ４´側に伸ばした延長線と、点Ｑから裏面Ａｌ電極５の辺Ｓ３‐Ｓ４に下ろした垂線との交点をＲ、点Ｑから裏面Ａｌ電極５ａの辺Ｓ３´‐Ｓ４´に伸ばした垂線と、裏面Ａｌ電極５ａの辺Ｓ３´‐Ｓ４´との交点をＷとする。以上の場合、図７中の各距離ＱＳ４´、ＵＶ１、ＴＵ、ＲＳ４´はそれぞれ数１に示す式で表すことが出来る。
【００３４】
【数１】
2013175530.tif 000003
これらより、半導体ウエハ１ａの端部と裏面Ａｌ電極５ａの端部とが最も接近する箇所の距離Ｓ４´Ｔ（＝ａ３）は数２に示す式で表すことが出来る。
【００３５】
【数２】
2013175530.tif 000004
ａ１´、ａ２´、ｂ１´、ｂ２´、ｃ１´、ｃ２´がこの範囲の中でＣｘは上記式を必ず満たす。よって、Ｃｘの最大値はａ１´＝−ａ１、ａ２´＝−ａ２、ｂ１´=ａ１、ｂ２´=ｂ２、ｃ１´＝ｃ１、ｃ２´＝ｃ２の時であり、Ｃｘは数３に示す式で表すことが出来る。
【００３６】
【数３】
2013175530.tif 000005
ここで、ｃ１及びｃ２は十分に小さいとき、数４に示す式が成り立つ。
【００３７】
【数４】
2013175530.tif 000006
よって、電極の端部の形状を正方形とした場合の裏面Ａｌ電極５の一辺の長さＣｘは数５に示す算出式で表すことが出来る。
【００３８】
【数５】
2013175530.tif 000007
次に、図８は、図１で示した本発明の実施形態の太陽電池１００の裏面Ａｌ電極５０の端部の形状を導き出す方法を示す図である。なお、図８においても、半導体ウエハ１の四つの角を図８の左下の角から左回りにＶ１、Ｖ２、Ｖ３及びＶ４、半導体ウエハ１の中心をＰ、裏面Ａｌ電極５の中心をＱとしている。
【００３９】
図８（ａ）は、半導体ウエハ１が、加工時の寸法誤差により、辺Ｖ３−Ｖ４の部分が点Ｖ３側に角度ｃ１で変化した、点線で示す１ａの形状になり、かつ裏面Ａｌ電極５が、スクリーン印刷時の位置誤差及び回転誤差により、点Ｖ４の方向に、Ｘ方向がａ２、Ｙ方向がｂ２、回転角度がｃ２で移動した、一点鎖線で示す５ａに移動した場合を示している。この場合、搬送装置接触領域１０と裏面Ａｌ電極５ａとは裏面Ａｌ電極５ａの角Ｓａでのみ接している。すなわち図８（ａ）の１１ａに示す領域については搬送装置接触領域１０にかかることが無いため、この領域を裏面Ａｌ電極５の拡張に使用出来ることがわかる。したがって、図８（ａ）で示した条件の場合、図８（ｂ）に示す電極の端部の形状を正方形にした場合の裏面Ａｌ電極５に拡張領域１１ａを加えた形状で設計すれば良い。なお、図８（ａ）より、拡張領域１１ａの角Ｓａは、半導体ウエハ１が１ａの形状になった時の角度ｃ１の錯角と、裏面Ａｌ電極５が５ａになった時の角度ｃ２の錯角とを合わせた角であるため、拡張領域１１ａの角Ｓａの角度はｃ１＋ｃ２である。
【００４０】
一方、図８（ｃ）は、半導体ウエハ１が、加工時の寸法誤差により、辺Ｖ１−Ｖ２の部分が点Ｖ２側に角度ｃ１で変化した、点線で示す１ｃの形状になり、かつ裏面Ａｌ電極５が、スクリーン印刷時の位置誤差及び回転誤差により、点Ｖ１の方向に、Ｘ方向がａ２、Ｙ方向がｂ２、回転角度がｃ２で移動した、一点鎖線で示す５ｃに移動した場合を示している。この場合、搬送装置接触領域１０と裏面Ａｌ電極５ｃとは裏面Ａｌ電極５ｃの角Ｓｃでのみ接している。すなわち図８（ｃ）の１１ｃに示す領域については搬送装置接触領域１０にかかることが無いため、この領域を裏面Ａｌ電極５の拡張に使用出来ることがわかる。したがって、図８（ｃ）で示した条件の場合、図８（ｄ）に示す電極の端部の形状を正方形にした場合の裏面Ａｌ電極５に拡張領域１１ｃを加えた形状で設計すれば良い。なお、図８（ｃ）より、拡張領域１１ａの角Ｓｃは、半導体ウエハ１が１ｃの形状になった時の角度ｃ１の錯角と、裏面Ａｌ電極５が５ｃになった時の角度ｃ２の錯角とを合わせた角であるため、拡張領域１１ｃの角Ｓｃの角度はｃ１＋ｃ２である。
【００４１】
しかし、実際の裏面Ａｌ電極５のスクリーン印刷工程においては、前記図８（ａ）及び図８（ｃ）で示した条件の両方共起こる可能性があるため、拡張可能な裏面Ａｌ電極の端部の形状は図８（ｂ）と図８（ｄ）の両方の条件を満たす形状にする必要がある。
【００４２】
よって、拡張可能な裏面Ａｌ電極の端部の形状は、図８（ｅ）に示す、図８（ｂ）と図８（ｄ）の両図を重ね合わせた図から、一辺の長さがＣｘの電極の端部の形状を正方形にした場合の裏面Ａｌ電極５に、底辺の長さがＣｘで底辺角がｃ１＋ｃ２の二等辺三角形の凸形状をした拡張領域１１を加えた形状にすれば良いことわかる。
【００４３】
さらに、前記図８で示した結果は半導体ウエハ１の他の３辺についても同様に当てはめることができる。
【００４４】
以上により、図１で示した、一辺の長さがＣｘの電極の端部の形状を正方形にした場合の裏面Ａｌ電極５の各辺に、底辺角ｃ１＋ｃ２の二等辺三角形の凸形状をした拡張領域１１を加えた本発明の実施形態の太陽電池１００の裏面Ａｌ電極５０の端部の形状が導き出される。
【００４５】
図９に、本発明の実施形態の太陽電池の裏面Ａｌ電極を用いた場合における、半導体ウエハが寸法誤差及び角度誤差により形状変化し、かつ裏面Ａｌ電極が半導体ウエハに対する位置誤差及び回転誤差により移動した場合の半導体ウエハと裏面Ａｌ電極との位置関係を示す。裏面Ａｌ電極５０は、半導体ウエハ１が寸法誤差及び角度誤差により点線で示す１ａに形状変化し、かつ裏面Ａｌ電極５０が位置誤差及び回転誤差により一点鎖線で示す５０ａに移動した場合においても、搬送装置接触領域１０にかかることは無い。よって、本発明の実施形態の太陽電池１００は電極の端部の形状を正方形にした場合の太陽電池と同等の品質を維持したまま出力向上が可能となる。
【００４６】
次に、本発明の実施形態を用いて作製した太陽電池の実施例を示す。
【実施例１】
【００４７】
実施例１は、図１で示した本実施形態の太陽電池の裏面Ａｌ電極形状を用いた例である。
【００４８】
本実施例においては、一辺の長さが１５６ｍｍの正方形で、加工精度が長さ±０．５ｍｍ、角度±０．５°の結晶シリコンウエハを使用する。
【００４９】
また、本実施例の製造工程で使用する裏面Ａｌ電極用ペーストのスクリーン印刷装置の半導体ウエハに対する位置精度はＸ方向、Ｙ方向共に±０．５ｍｍ、回転精度は±０．５°である。
【００５０】
また、本実施例の製造工程で使用する裏面Ａｌ電極用ペースト印刷後に半導体ウエハを乾燥工程へ搬送する装置における半導体ウエハ裏面に接触する領域はウエハ端部から０．２ｍｍである。また、裏面Ａｇ電極の幅は３．０ｍｍである。
【００５１】
前記各寸法値を前記数５で示した電極の端部の形状を正方形にした場合の裏面Ａｌ電極の一辺の長さＣｘの算出式にあてはめることにより、Ｃｘは１５０．１ｍｍと算出される。よって、実施例１の裏面Ａｌ電極面積は２２０３５平方ｍｍとなり、電極の端部の形状を正方形にした場合の裏面Ａｌ電極の面積２１６４２平方ｍｍより１．８％拡張することが出来る。
【００５２】
実施例１の裏面Ａｌ電極を有する太陽電池を作成した結果、電極の端部の形状を正方形にした場合の裏面Ａｌ電極を有する太陽電池より出力が１．２％向上する結果が得られた。
【実施例２】
【００５３】
図１０は、実施例２における太陽電池の裏面Ａｌ電極形状を示す図である。実施例１との違いは、実施例１における裏面Ａｌ電極の端部の各辺の拡張領域の頂点を、近接する半導体ウエハの端部の辺と平行な長さｆの直線で面取りしている点である。面取り寸法ｆを５０ｍｍの直線とし、使用基板ウエハ、スクリーン印刷装置及び裏面Ａｌペースト乾燥装置を含めた製造装置及び製造条件を実施例１と同じとした場合、実施例２の裏面Ａｌ電極面積は２１９９１平方ｍｍと電極の端部の形状を正方形にした場合の裏面Ａｌ電極面積２１６４２平方ｍｍより１．６％拡張することができる。
【００５４】
実施例２の裏面Ａｌ電極を有する太陽電池を作成した結果、電極の端部の形状を正方形にした場合の裏面Ａｌ電極を有する太陽電池より出力が１．１％向上する結果が得られた。
【００５５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多くの修正及び変更を加え得ることはもちろんである。
【００５６】
半導体ウエハの形状は、正方形に限らず、直方体又は直方体の四つの角を直線又は曲線で面取り加工したものであってもよい。
【００５７】
また、半導体ウエハの端部の一辺に近接する裏面Ａｌ電極の端部の凸形状は、近接する半導体ウエハの端部の一辺の中央部に最も近い点を交点とする同じ長さの２本の直線により形成されたものである場合に限らず、３本の直線の組み合わせや、円弧及び円弧と２本の直線との組み合わせにより形成されたものであってもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１、１ａ、１ｃ：半導体ウエハ
２：ｎ型拡散層
３：反射防止膜
４：裏面Ａｇ電極
５、５ａ、５ｃ、５０、５０ａ：裏面Ａｌ電極
６：受光面Ａｇ電極
７：ｐ＋拡散層
８：半導体ウエハ中心点
９：裏面Ａｌ電極中心点
１０：搬送装置接触領域
１１、１１ａ、１１ｃ：裏面Ａｌ電極の拡張領域
１００：太陽電池
【図１】
2013175530.tif 000008
【図２】
2013175530.tif 000009
【図３】
2013175530.tif 000010
【図４】
2013175530.tif 000011
【図５】
2013175530.tif 000012
【図６】
2013175530.tif 000013
【図７】
2013175530.tif 000014
【図８】
2013175530.tif 000015
【図９】
2013175530.tif 000016
【図１０】
2013175530.tif 000017
【図１１】
2013175530.tif 000018