(57)【要約】【課題】本発明は、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、金属支持基板、絶縁層、配線層、配線被覆層およびカバー層がこの順に形成されたサスペンション用基板であって、上記配線層は、上記カバー層側の表面に形成された段差部と、上記段差部から連続的に形成され、他の部分よりも薄い端子部とを有し、上記段差部によって上記端子部が上記カバー層から離間することにより、上記カバー層の上記配線層側の表面が露出し、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層上に形成された配線被覆層と、前記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記配線層は、前記カバー層側の表面に形成された段差部と、前記段差部から連続的に形成され、他の部分よりも薄い端子部とを有し、
前記段差部によって前記端子部が前記カバー層から離間することにより、前記カバー層の前記配線層側の表面が露出し、
前記端子部の表面に、前記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記カバー層の下端部と前記端子めっき部の頂面との厚さ方向の差（Ｈ１）が、０．３μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記カバー層の材料が、感光性材料であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記端子めっき部および前記配線被覆層が、同じ金属を含有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
前記金属がＮｉであることを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
前記端子めっき部上に、表面めっき部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項８】
請求項７に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項９】
請求項８に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項１０】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層上に形成された配線被覆層と、前記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記カバー層側の前記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、前記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、前記段差部によって前記端子部を前記カバー層から離間させることにより、前記カバー層の前記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、
前記端子部の表面に、前記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャ）は、例えば、金属支持基板（例えばステンレス鋼）、絶縁層（例えばポリイミド樹脂）、配線層（例えば銅）、カバー層（例えばポリイミド樹脂）がこの順に積層された基本構造を有する。
【０００３】
また、配線層およびカバー層の間には、配線被覆層（例えばＮｉめっき）が設けられる場合がある。配線被覆層を設けることで、配線層を構成する金属がカバー層に拡散することを防止できる。さらには、配線層およびカバー層の密着性を向上させることもできる。また、サスペンション用基板の配線層は、通常、記録再生用素子または外部回路基板との電気的な接続を行う端子部を有する。この端子部の表面には、腐食防止の観点から、Ｎｉめっき等の端子めっき部を設けることが知られている。
【０００４】
端子めっき部の端部は、特に腐食の影響を受けやすい。そのため、端子めっき部の端部の構造を工夫する試みが知られている。例えば、特許文献１の図２においては、配線被覆層の端面、配線部から離間する配線被覆層の下面の部分、配線被覆層から離間する配線部の上面部分（傾斜面）、および端子部の表面と密着するように、端子被覆部が形成されたサスペンション用基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−０９６７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の図２に記載されているように、配線被覆層の端面に、端子被覆部を形成したとしても、配線被覆層自体の膜厚は薄く、通常、ポア（小孔）を有しているため、端子部を十分に保護することができないという問題がある。特に、長期使用において、徐々に端子部の腐食が生じる可能性が高い。
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成された配線被覆層と、上記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、上記カバー層側の表面に形成された段差部と、上記段差部から連続的に形成され、他の部分よりも薄い端子部とを有し、上記段差部によって上記端子部が上記カバー層から離間することにより、上記カバー層の上記配線層側の表面が露出し、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【０００９】
上記発明においては、上記カバー層の下端部と上記端子めっき部の頂面との厚さ方向の差（Ｈ１）が、０．３μｍ以上であることが好ましい。外気および液体が配線被覆層まで侵入すること、および、カバー層に由来する異物（パーティクル）が発生することを十分に抑制できるからである。
【００１０】
本発明によれば、上記端子めっき部が形成されていることから、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板とすることができる。
【００１１】
上記発明においては、上記カバー層の材料が、感光性材料であることが好ましい。カバー層に由来する異物（パーティクル）の発生を効果的に抑制できるからである。カバー層の材料が感光性材料である場合、カバー層の下端部の角度θはより小さくなる傾向にある。これは、感光性材料とともに用いられる溶媒が、カバー層の配線層側の表面（カバー層の底面）に残留しやすいからである。上記溶媒は、感光性重合反応（例えばポリイミド化）を促進しやすいため、溶媒を除去しづらいカバー層の底面では感光性重合反応が進行しやすい。その結果、カバー層の下端部は非常に薄くなり（例えばナノオーダーの裾引き部が形成され）、異物の発生が生じやすくなるが、本発明は、この異物の発生を効果的に抑制できるという利点がある。
【００１２】
上記発明においては、上記端子めっき部および上記配線被覆層が、同じ金属を含有することが好ましい。両者の密着性が向上し、端子部の腐食をさらに防止できるからである。
【００１３】
上記発明においては、上記金属がＮｉであることが好ましい。
【００１４】
上記発明においては、上記端子めっき部上に、表面めっき部が形成されていることが好ましい。
【００１５】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１６】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、端子部の腐食を防止したサスペンションとすることができる。
【００１７】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００１８】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、端子部の腐食を防止した素子付サスペンションとすることができる。
【００１９】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００２０】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００２１】
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成された配線被覆層と、上記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００２２】
本発明によれば、端子部形成工程および端子めっき部形成工程を行うことにより、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板を得ることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のサスペンション用基板は、端子部の腐食を防止できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図２】図１（ａ）における記録再生用素子実装領域を拡大した拡大図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明における端子部を説明する概略断面図である。
【図５】本発明における端子部を説明する概略断面図である。
【図６】本発明における端子部を説明する模式図である。
【図７】本発明における配線層を説明する模式図である。
【図８】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図９】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１０】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図１１】サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１２】アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２６】
Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成された配線被覆層と、上記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、上記カバー層側の表面に形成された段差部と、上記段差部から連続的に形成され、他の部分よりも薄い端子部とを有し、上記段差部によって上記端子部が上記カバー層から離間することにより、上記カバー層の上記配線層側の表面が露出し、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部が形成されていることを特徴とするものである。
【００２７】
図１は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、カバー層および絶縁層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する複数の配線層１０３ａ〜１０３ｄとを有するものである。配線層１０３ａおよび配線層１０３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１０３ｃおよび配線層１０３ｄも一対の配線層である。これらの２つの配線層は、一方がライト用（記録用、書込み用）配線層であり、他方がリード用（再生用、読取り用）配線層である。一方、図１（ｂ）に示すように、サスペンション用基板１００は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３上に形成されたカバー層４とを有する。
【００２８】
図２は、図１（ａ）における記録再生用素子実装領域を拡大した拡大図である。図２において、４本の配線層１０３ａ〜１０３ｄは、記録再生用素子実装領域１０１の近傍まで配置され、記録再生用素子（図示せず）と電気的に接続される。図３（ａ）は図２のＡ−Ａ断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の拡大図である。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、配線層３およびカバー層４の間には、配線被覆層５が形成されている。また、配線層３は、カバー層４側の表面に形成された段差部３ａと、段差部３ａから連続的に形成され、他の部分よりも薄い端子部３ｂとを有する。また、段差部３ａによって端子部３ｂがカバー層４から離間することにより、カバー層４の配線層３側の表面４ａが露出する。言い換えると、段差部３ａの位置は、カバー層４の配線層３側の表面４ａが露出する位置になる。また、端子部３ｂの表面に、カバー層４の下端部４ｂを覆う端子めっき部６が形成されている。なお、この端子めっき部６は単一組成のめっき部であり、端子めっき部６上に、Ａｕめっき等から構成される表面めっき部７が形成されている。この端子めっき部６は、全体的に段差部３ａの深さよりも厚いことが好ましい。また、段差部３ａよりも端子部３ｂ側には、配線被覆層５は形成されていない。
【００２９】
本発明によれば、上記端子めっき部が形成されていることから、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板とすることができる。このように、従来よりも大幅に厚い端子めっき部を形成することにより、外気および液体（例えば環境試験に用いられる水）が、配線被覆層まで侵入できなくなる。その結果、配線被覆層のポアに起因する端子部（配線層）の腐食を防止できる。特に、本発明は、長期使用における端子部の腐食を効果的に防止できるという利点がある。
【００３０】
さらに、本発明によれば、端子めっき部がカバー層の下端部を覆うように形成されていることから、カバー層に由来する異物（パーティクル）の発生を抑制できる。例えば、カバー層の端部が非常に薄い場合、サスペンション用基板の製造時および使用時において、カバー層に由来する異物が発生するという問題がある。これに対して、本発明によれば、カバー層の下端部（薄い部分）を端子めっき部で覆うことから、異物の発生を抑制できるという利点がある。
【００３１】
一方、特許文献１の図６には、第一の層６ａ（例えばＮｉめっき部）と、第二の層６ｂ（例えばＡｕめっき部）から構成される端子被覆部６が形成されている。しかしながら、特許文献１における第二の層６ｂは、通常、Ａｕめっき部を用いた薄い層であり、外気および液体が、容易に配線被覆層まで侵入してしまうという問題がある。同様に、第二の層６ｂは薄い層であることから、カバー層に由来する異物（パーティクル）の発生を抑制することは困難であるという問題がある。これに対して、本発明においては、従来よりも大幅に厚い端子めっき部を形成することにより、上記の問題を解決できるという利点がある。
【００３２】
また、端子めっき部を厚くすると、端子部のファインピッチ化に対して不利になるため、端子めっき部（特許文献１における第一の層６ａ）を、本発明のように厚くすることは通常行われていない。これに対して、本発明においては、端子部のファインピッチ化に対して多少不利になるものの、敢えて端子めっき部を厚くすることで、上述した問題を解決できるという利点がある。また、端子めっき部を厚くすると、端子部の強度が向上し、素子との接続時（あるいは再接続するための離脱時）における端子部の変形を防止できるという利点がある。また、従来、端子部および素子の接続方法としてソルダーボールボンディング法が知られているが、近年、端子数増加に適した接続方法としてソルダーボールジェットボンディング法が採用されつつある。ソルダージェットボンディング法では、瞬間的に高熱が端子部に加わるため、配線層のバリアとして機能する端子めっき部と、半田との間に金属間化合物が形成されてしまう場合がある。そのため、端子めっき部が薄いと、端子めっき部のバリア性が低下し、配線層を構成する金属（例えば銅）の拡散を防止することが困難になる場合がある。これに対して、本発明のおいては、端子めっき部を厚くすることで、端子めっき部のバリア性を高く維持できるという利点がある。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
【００３３】
１．サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層および配線層を少なくとも有するものである。
【００３４】
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。
【００３５】
本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００３６】
本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、９μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。本発明における配線層としては、例えば、ライト用配線層、リード用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ用配線層、グランド用配線層、ノイズシールド用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層等を挙げることができる。
【００３７】
本発明における配線被覆層は、配線層上に形成されるものである。配線被覆層を設けることで、配線層を構成する金属がカバー層に拡散することを防止できる。さらには、配線層およびカバー層の密着性を向上させることもできる。配線被覆層の材料としては、特に限定されるものではないが、例えばＮｉ、Ｓｎ等の金属、および、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ等の合金を挙げることができる。また、配線被覆層は、めっきから構成されていることが好ましい。配線被覆層の厚さは、例えば５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３８】
本発明におけるカバー層は、配線被覆層上に形成されるものである。カバー層を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。
【００３９】
２．サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、端子部の表面に、特定の端子めっき部が形成されていることを大きな特徴とする。端子めっき部としては、特に限定されるものではないが、例えば、Ｎｉめっき、Ｃｕめっき等を挙げることができ、中でもＮｉめっきが好ましい。特に、本発明においては、端子めっき部および配線被覆層が、同じ金属を含有することが好ましい。両者の密着性が向上し、端子部の腐食をさらに防止できるからである。上記金属は、Ｎｉであることが好ましい。また、本発明においては、端子めっき部上に、表面めっき部が形成されていることが好ましい。端子部の電気化学的安定性をさらに高くすることができるからである。表面めっき部としては、例えば、Ａｕめっき、Ａｇめっき等を挙げることができ、中でもＡｕめっきが好ましい。
【００４０】
図４に示すように、カバー層４の下端部４ｂと端子めっき部６の頂面との厚さ方向の差をＨ１とし、配線被覆層５とカバー層４の下端部４ｂとの長さをＬ１とし、段差部３ａの深さをＤ１とし、配線被覆層５の厚さをＴ１とし、表面めっき層７の厚さをＴ２とし、カバー層４の下端部４ｂの角度（底面に対する側面の角度）をθとした場合、Ｈ１は、例えば０．３μｍ以上であることが好ましく、０．５μｍ以上であることがより好ましく、１．０μｍ以上であることがさらに好ましい。Ｈ１が小さすぎると、外気および液体が、容易に配線被覆層５まで侵入してしまう可能性やカバー層に由来する異物（パーティクル）の発生を抑制することは困難になる可能性があるからである。また、Ｈ１は、カバー層の厚さよりも大きくても良い。例えば、配線層の端子部と、素子の端子部との距離が離れている場合に、Ｈ１をカバー層よりも大きくすることで、端子めっき部に高さ調整機能を付与することができ、信頼性の高い接続を行うことができるからである。一方、Ｈ１の上限は、特に限定されるものではないが、例えば１０μｍである。また、Ｌ１は、例えば０．３μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましく、０．５μｍ〜３μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｌ１が小さすぎると、配線被覆層５を十分に除去できない可能性があり、Ｌ１が大きすぎると、カバー層４が配線層３側に陥没する可能性があるからである。
【００４１】
また、Ｄ１は、例えば０．５μｍ〜８μｍの範囲内であることが好ましく、１μｍ〜４μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｄ１が小さすぎると、配線被覆層５を十分に除去できない可能性があり、Ｄ１が大きすぎると、端子部の機械的強度が不足する可能性があるからである。また、Ｔ１は、例えば５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。Ｔ１が小さすぎると、配線層を構成する金属がカバー層に拡散することを十分に防止できない可能性や配線層およびカバー層の密着性を十分に向上させることができない可能性があるからである。Ｔ１が大きすぎると、拡散防止機能や密着性向上機能は変わらず、厚みだけが大きくなるからである。また、Ｔ２は、例えば０．５μｍ〜４．０μｍの範囲内であることが好ましく、０．５μｍ〜２．０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４２】
また、θは、通常９０°未満であり、７０°以下であることが好ましく、１５°〜６５°の範囲内であることがより好ましい。θが上記範囲内にあることにより、カバー層に由来する異物（パーティクル）の発生を抑制できるからである。また、カバー層の材料が感光性材料である場合、θはより小さくなる傾向にある。これは、感光性材料とともに用いられる溶媒が、カバー層の配線層側の表面（カバー層の底面）に残留しやすいからである。上記溶媒は、感光性重合反応（例えばポリイミド化）を促進しやすいため、溶媒を除去しづらいカバー層の底面では感光性重合反応が進行しやすい。その結果、カバー層の下端部は非常に薄くなり（例えばナノオーダーの裾引き部が形成され）、異物の発生が生じやすくなるが、本発明は、この異物の発生を効果的に抑制できるという利点がある。
【００４３】
また、図４に示した段差部３ａは、厚さ方向に対して平行な壁部から構成されるものであるが、本発明における段差部は、図５（ａ）に示すように、厚さ方向に対して所定の角度を有する壁部から構成される段差部３ａであっても良く、図５（ｂ）に示すように、曲面状の壁部から構成される段差部３ａであっても良い。
【００４４】
また、本発明における端子部は、素子（記録再生用素子、熱アシスト用素子、アクチュエータ素子）との接続に用いられる、ヘッド側の端子部であっても良く、外部回路基板との接続に用いられる、テール側の端子部であっても良い。図６（ａ）は、外部回路基板との接続に用いられる端子部の一例を示す概略平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図６（ａ）、（ｂ）に示される端子部は、いわゆるフライングリード型の端子部であり、超音波接合等で、外部回路基板の端子部と電気的に接続される。
【００４５】
また、本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。本発明において、「絶縁層上に形成される」とは、絶縁層に接するように形成される場合のみならず、絶縁層との間に何らかの層を介して形成される場合をも含む概念である。図７（ａ）は、いわゆる配線積層型のサスペンション用基板であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図７（ｂ）に示すように、金属支持基板１、第一絶縁層２ｘ、第一配線層３ｘ、第二絶縁層２ｙ、第二配線層３ｙ、カバー層４がこの順に形成されている。本発明における配線層は、第一配線層３ｘであっても良く、第二配線層３ｙであっても良い。
【００４６】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、サスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
【００４７】
図８は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図８に示されるサスペンション３００は、上述したサスペンション用基板１００と、サスペンション用基板１００の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム２００とを有するものである。
【００４８】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、端子部の腐食を防止したサスペンションとすることができる。
【００４９】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。
【００５０】
Ｃ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。
【００５１】
図９は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図９に示される素子付サスペンション４００は、上述したサスペンション３００と、サスペンション３００（サスペンション用基板１００の記録再生用素子実装領域１０１）に実装された記録再生用素子３０１とを有するものである。
【００５２】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、端子部の腐食を防止した素子付サスペンションとすることができる。
【００５３】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。
【００５４】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
【００５５】
図１０は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１０に示されるハードディスクドライブ５００は、上述した素子付サスペンション４００と、素子付サスペンション４００がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク４０１と、ディスク４０１を回転させるスピンドルモータ４０２と、素子付サスペンション４００の素子を移動させるアーム４０３およびボイスコイルモータ４０４と、上記の部材を密閉するケース４０５とを有するものである。
【００５６】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００５７】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｃ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００５８】
Ｅ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成された配線被覆層と、上記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００５９】
本発明によれば、端子部形成工程および端子めっき部形成工程を行うことにより、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板を得ることができる。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、サブトラクティブ法による製造方法と、アディティブ法による製造方法とに大別することができる。
【００６０】
１．サブトラクティブ法
まず、サブトラクティブ法による製造方法について説明する。サブトラクティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上に配線被覆層を形成する配線被覆層形成工程と、上記配線被覆層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。
【００６１】
図１１は、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１１においては、まず、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａおよび導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図１１（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、配線層３を形成する（図１１（ｂ））。次に、配線層３上に配線被覆層５を形成する（図１１（ｃ））。次に、配線被覆層５上にカバー層４を形成する（図１１（ｄ））。次に、金属支持部材１Ａに開口部を設けるためにウェットエッチングする（図１１（ｅ））。
【００６２】
その後、絶縁部材２Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、絶縁層２を形成する（図１１（ｆ））。カバー層４側の配線層３の表面をエッチングすることにより、段差部３ａ、および、段差部３ａから連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部３ｂを形成し、かつ、段差部３ａによって端子部３ｂをカバー層４から離間させることにより、カバー層４の配線層３側の表面４ａを露出させる（図１１（ｇ））。次に、端子部３ｂの表面に、カバー層４の下端部４ｂを覆い、単一組成の端子めっき部６を形成し、その端子めっき部６上に表面めっき部７を形成する（図１１（ｇ））。次に、金属支持部材１Ａの外形加工を行い金属支持基板１を形成し、サスペンション用基板を得る。
以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００６３】
（１）積層部材準備工程
積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。
【００６４】
サブトラクティブ法においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより絶縁層が得られ、積層体の導体部材をエッチングすることにより配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。
【００６５】
（２）配線層形成工程
配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する工程である。
【００６６】
配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がＣｕである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００６７】
また、サブトラクティブ法においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば、開口部や治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の少なくとも一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。
【００６８】
（３）配線被覆層形成工程
配線被覆層形成工程は、上記配線層上に配線被覆層を形成する工程である。
【００６９】
配線被覆層の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えば、配線層上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する配線層上に、無電解めっきまたはストライクめっきを行う方法を挙げることができる。
【００７０】
（４）カバー層形成工程
カバー層形成工程は、上記配線層上にカバー層を形成する工程である。
【００７１】
カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。
【００７２】
（５）絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する工程である。
【００７３】
絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。
【００７４】
（６）端子部形成工程
端子部形成工程は、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる工程である。
【００７５】
端子部の形成方法としては、例えば、配線被覆層上にドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する配線被覆層をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、配線被覆層および導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば配線被覆層の材料がＮｉである場合には、フェリシアン化カリウムまたは過マンガン酸塩を含むアルカリ性エッチング液、硝酸第二セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む酸性エッチング液等を用いることができる。
【００７６】
（７）端子めっき部形成工程
端子めっき部形成工程は、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する工程である。
【００７７】
端子めっき部の形成方法としては、所望のめっき部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法を挙げることができる。例えば、Ｎｉめっきから構成される端子めっき部を形成する場合、用いられる電解Ｎｉめっき浴としては、例えば、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、めっき条件は、特に限定されるものではなく、所望の条件（めっき時間、印加電圧等）を選択すれば良い。さらに、本発明においては、端子めっき部上に、表面めっき部を形成する表面めっき形成工程を行うことが好ましい。
【００７８】
（８）金属支持基板形成工程
金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する工程である。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。
【００７９】
金属支持部材をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００８０】
２．アディティブ法
次に、アディティブ法による製造方法について説明する。アディティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上に配線被覆層を形成する配線被覆層形成工程と、上記配線被覆層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。
【００８１】
図１２は、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１２においては、まず、金属支持部材１Ａを準備する（図１２（ａ））。次に、金属支持部材１Ａの表面上に、パターン状の絶縁層２を形成する（図１２（ｂ））。次に、絶縁層２上に配線層３を形成する（図１２（ｃ））。次に、配線層３上に配線被覆層５を形成する（図１２（ｄ））。次に、配線被覆層５上にカバー層４を形成する（図１２（ｅ））。次に、金属支持部材１Ａに開口部を設けるためにウェットエッチングし（図１２（ｆ））、同様に、絶縁層２に開口部を設けるためにウェットエッチングする（図１２（ｇ））。
【００８２】
その後、カバー層４側の配線層３の表面をエッチングすることにより、段差部３ａ、および、段差部３ａから連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部３ｂを形成し、かつ、段差部３ａによって端子部３ｂをカバー層４から離間させることにより、カバー層４の配線層３側の表面４ａを露出させる（図１２（ｈ））。次に、端子部３ｂの表面に、カバー層４の下端部４ｂを覆い、単一組成の端子めっき部６を形成し、その端子めっき部６上に表面めっき部７を形成する（図１２（ｉ））。次に、金属支持部材１Ａの外形加工を行い金属支持基板１を形成し、サスペンション用基板を得る。
以下、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００８３】
（１）金属支持部材準備工程
金属支持部材準備工程は、金属支持部材を準備する工程である。金属支持部材には、例えば市販の金属支持部材を用いることができる。
【００８４】
（２）絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する工程である。
【００８５】
絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の絶縁層を得ることができる。また、絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の絶縁層を得ることができる。
【００８６】
（３）配線層形成工程
配線層形成工程は、上記絶縁層上に、配線層を形成する工程である。
【００８７】
配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、配線層の形成前に、スパッタリング法等により絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。
【００８８】
（４）その他の工程
その他の工程については、上述したサブトラクティブ法による製造方法で記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００８９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００９０】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００９１】
［実施例１］
厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４である金属支持部材上に、絶縁部材形成材料として第１の非感光性ポリイミドを用い、厚さ１０μｍの絶縁部材を塗工方法にて形成した。さらに、その絶縁部材上にシード層となるＮｉ−Ｃｒ−Ｃｕをスパッタリングで約３００ｎｍコーティングし、それを導通媒体としＣｕめっきにて厚さ９μｍのＣｕめっき層である導体部材を形成し、積層部材を得た（図１１（ａ））。
【００９２】
次に、ＳＵＳ側で位置精度が重要な治具孔と、Ｃｕめっき層側で目的とする配線層を形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、レジストパターンを得た。その後、塩化第二鉄液を用いてウェットエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から配線層を形成し、金属支持部材に治具孔を形成した（図１１（ｂ））。
【００９３】
その後、還元剤として次亜リン酸ナトリウムを含有する酸性のめっき浴にて、無電解Ｎｉめっきを行い、配線層の表面に配線被覆層を形成した（図１１（ｃ））。次に、配線被覆層上に、感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い５００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が２８０℃〜３５０℃の範囲になり、最高到達温度の保持時間が０．１分〜６０分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。次に、窒素雰囲気下で加熱を行い、カバー層を形成した（図１１（ｄ））。次に、金属支持部材に開口部を設けるためにウェットエッチングを行った（図１１（ｅ））。
【００９４】
その後、絶縁部材２Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、絶縁層２を形成した（図１１（ｆ））。次に、端子部を形成するためにレジスト製版を行い、ウェットエッチングにより、段差部および端子部を形成した（図１１（ｇ））。次に、電解Ｎｉめっきを行い、端子部上に端子めっき部を形成し、その後、電解Ａｕめっきを行い、表面めっき部を形成した（図１１（ｈ））。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【００９５】
得られたサスペンション用基板の端子部の断面寸法を、図４における寸法で示すと、Ｈ１＝０．７６５μｍであり、Ｌ１＝２．０２１μｍであり、Ｄ１＝２．０２３μｍであり、Ｔ１＝１４５．１ｎｍであり、Ｔ２＝７４８．１ｎｍであった。
【００９６】
［実施例２］
厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４である金属支持部材を用意した（図１２（ａ））。金属支持部材に感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い５００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が１６０℃〜１９０℃の範囲になり、最高到達温度の保持時間が０．１分〜６０分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。その後、窒素雰囲気下で加熱を行い、絶縁層を形成した。金属支持部材上に形成された絶縁層の厚さは１０μｍであった（図１２（ｂ））。次に、スパッタリング法により、絶縁層側の表面に、Ｃｒ単層のシード層を３５〜４５ｎｍ形成した。次に、レジスト製版を行い、レジストパターンから露出する表面に、配線層を形成した（図１２（ｃ））。
【００９７】
その後、Ｎｉストライクめっきにより、配線層の表面に配線被覆層を形成した（図１２（ｄ））。次に、配線被覆層上に、感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い５００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が２８０℃〜３５０℃の範囲になり、最高到達温度の保持時間が０．１分〜６０分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。次に、窒素雰囲気下で加熱を行い、カバー層を形成した（図１２（ｅ））。次に、金属支持部材に開口部を設けるためにウェットエッチングを行った（図１２（ｆ））。次に、絶縁層に開口部を設けるためにウェットエッチングを行った（図１２（ｇ））。
【００９８】
その後、端子部を形成するためにレジスト製版を行い、ウェットエッチングにより、段差部および端子部を形成した（図１２（ｈ））。次に、電解Ｎｉめっきを行い、端子部上に端子めっき部を形成し、その後、電解Ａｕめっきを行い、端子めっき部上に表面めっき部を形成した（図１２（ｉ））。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【符号の説明】
【００９９】
１…金属支持基板、  ２…絶縁層、  ３…配線層、  ３ａ…段差部、  ３ｂ…端子部、  ４…カバー層、  ４ａ…カバー層の配線層側の表面、  ４ｂ…カバー層の下端部、  ５…配線被覆部、  ６…端子めっき部、  ７…表面めっき部、  １００…サスペンション用基板、  １０１…記録再生用素子実装領域、  １０２…外部回路基板接続領域、  １０３…配線層
【図１】
2013045482.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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