(57)【要約】【課題】  比較的安価な装置構成でありながら、育成するサファイア単結晶への不純物の混入が少ないサファイア単結晶育成装置を提供する。【解決手段】  坩堝１０の上部に配置された、誘導コイル３２に電流が流れることで坩堝１０とともに発熱し、坩堝１０から引き上げられたサファイア単結晶体１５を加熱するためのアフターヒータ部材２０を、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）の少なくとも１種を主成分とする発熱部２２と、発熱部２２を被覆している、酸素を含有しない被覆層２４とを備える構成とすることで、比較的安価な高融点金属で発熱部２２を構成しつつ、この発熱部２２の酸化を防止する。【選択図】  図１
2013155069.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイア原料が充填される坩堝と、
電流が流れることで前記坩堝を発熱させて前記サファイア原料を溶融させ、前記坩堝内に貯留されたサファイア原料融液を得るための、前記坩堝の周囲に配置された誘導コイルと、
サファイア種結晶を保持して上下動し、前記坩堝内の前記サファイア原料融液に前記サファイア種結晶を接触させた後に上昇させることで、前記サファイア種結晶に連続したサファイア単結晶体を引き上げるための引き上げ機構と、
前記坩堝の上部に配置された、前記誘導コイルに電流が流れることで前記坩堝とともに発熱し、前記坩堝から引き上げられた前記サファイア単結晶体を加熱するためのアフターヒータ部材とを備えるサファイア単結晶育成装置であって、
前記アフターヒータ部材は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）の少なくとも１種を主成分とする発熱部と、
前記発熱部を被覆している、酸素を含有しない被覆層とを備えることを特徴とするサファイア単結晶育成装置。
【請求項２】
前記被複層は、炭化珪素（ＳｉＣ）からなることを特徴とする請求項１記載のサファイア単結晶育成装置。
【請求項３】
前記アフターヒータ部材は、筒状であって、前記引き上げ機構によって引き上げられている最中の前記サファイア単結晶体の周囲を囲むように配置されており、
前記誘導コイルは、前記アフターヒータ部材の周囲にも配置されていることを特徴とする請求項１または２記載のサファイア単結晶育成装置。
【請求項４】
前記アフターヒータ部材の内周面が、前記坩堝から引き上げ方向に離れるにしたがって、前記引き上げ機構によって引き上げられている最中の前記サファイア単結晶体に近づくように傾斜していることを特徴とする請求項３記載のサファイア単結晶育成装置。
【請求項５】
前記坩堝は、イリジウム（Ｉｒ）を主成分とすることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のサファイア単結晶育成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サファイア単結晶育成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
サファイア原料を充填した坩堝を高温に加熱してサファイア原料を溶融し、坩堝内のサファイア原料融液の液面に上方からサファイア種結晶を接触させた後に上昇させることで、サファイア種結晶に連なる長尺の単結晶体を育成する、いわゆるチョクラルスキー法と呼ばれる単結晶育成方法が、従来から実施されている。
【０００３】
チョクラルスキー法によるサファイア単結晶育成では、坩堝の周囲に高周波電流が流される誘導コイルが配されており、この誘導コイルに高周波電流を流すことにより生じる誘導加熱によって坩堝が発熱し、坩堝内のサファイア原料が溶融される。チョクラルスキー法では、サファイア種結晶の上昇に伴い、このサファイア原料融液から引き上げられるようにサファイア単結晶体が成長する。
【０００４】
サファイア単結晶体の最上部は、引き上げが進むにつれて坩堝から遠ざかっていく。坩堝から遠ざかった部分には、坩堝からの熱は伝わり難く、例えば発熱体が坩堝のみである場合には、成長中の単結晶体における温度分布が大きくなる。
【０００５】
例えば特許文献１には、温度分布に伴う熱応力によるサファイア単結晶体の損傷等を抑制するため、坩堝の上部に、坩堝以外の発熱体であるアフターヒータ部材を配置している。特許文献１記載のアフターヒータ部材は、例えばタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）からなる円筒状の部材であり、坩堝の上部に、成長した単結晶体の周囲を囲むように配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１９３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１のアフターヒータ部材は、比較的安価で融点が高い金属である、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）からなる。タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）、およびタンタル（Ｔａ）は、これら金属と同様に高い融点を持つ金属であるイリジウム（Ｉｒ）等に比べて安価であるが、イリジウム（Ｉｒ）に比べて酸化し易い。特許文献１の育成装置では、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）からなるアフターヒータが雰囲気中の酸素と反応して酸化し、場合によっては酸化被膜の破片が単結晶体に付着したりする虞があるという問題点があった。一方、酸化し難い金属であるイリジウム（Ｉｒ）をアフターヒータ部材として使用した場合は、イリジウム（Ｉｒ）は、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）およびタンタル（Ｔａ）に比べて材料価格が数十倍高いため、装置全体が高価になるといった問題点があった。本発明は、かかる問題点を解決するためになされた発明である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、サファイア原料が充填される坩堝と、電流が流れることで前記坩堝を発熱させて前記サファイア原料を溶融させ、前記坩堝内に貯留されたサファイア原料融液を得るための、前記坩堝の周囲に配置された誘導コイルと、サファイア種結晶を保持して上下動
し、前記坩堝内の前記サファイア原料融液に前記サファイア種結晶を接触させた後に上昇させることで、前記サファイア種結晶に連続したサファイア単結晶体を引き上げるための引き上げ機構と、前記坩堝の上部に配置された、前記誘導コイルに電流が流れることで前記坩堝とともに発熱し、前記坩堝から引き上げられた前記サファイア単結晶体を加熱するためのアフターヒータ部材とを備えるサファイア単結晶育成装置であって、前記アフターヒータ部材は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）の少なくとも１種を主成分とする発熱部と、前記発熱部を被覆している、酸素を含有しない被覆層とを備えることを特徴とするサファイア単結晶育成装置を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のサファイア単結晶育成装置によれば、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）といった比較的安価な高融点金属材料を用いてアフターヒータ部材の発熱部を構成しつつ、この発熱部を、酸素を含有しない被覆層によって被覆して、発熱部の酸化を防止しており、比較的安価な装置構成でありながら、育成するサファイア単結晶への不純物の混入も少ない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明のサファイア単結晶育成装置の一実施形態の構成を示す概略構成図である。
【図２】図１に示すサファイア単結晶育成装置が備えるアフターヒータ部材の概略斜視図である。
【図３】サファイア単結晶育成装置の他の例について示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明のサファイア単結晶育成装置の一実施形態について説明する。図１は、本発明のサファイア単結晶育成装置１（以下、育成装置１ともいう。）の概略構成図である。図２は、育成装置１が備えるアフターヒータ部材の２０の概略斜視図である。
【００１２】
育成装置１は、坩堝１０、育成室１６、保温材１７、育成室１６の側壁１６ａを介して坩堝１０の側壁１０ａを囲むように配置されたコイル３２、このコイル３２に交流電流を流すための高周波電源３０、結晶引き上げ機構４０、ガス供給部６０、排気部７０および制御部５０を有して構成されている。結晶引き上げ機構４０、高周波電源３０、ガス供給部６０および排気部７０には、制御部５０が接続されている。制御部５０は、ＣＰＵとメモリとを備えた例えば公知のコンピュータからなり、制御部５０が、育成装置１全体の動作を制御する。
【００１３】
坩堝１０は、例えばイリジウム（Ｉｒ）からなる、側壁１２ａの断面が円環状の容器体である。この坩堝１０には、サファイア単結晶の原料である酸化アルミニウム粉末が充填され、さらに、坩堝１０自体の発熱によって、この酸化アルミニウムが溶融されてなるサファイア原料融液が貯留される。育成装置１では、坩堝１０の開口１１から、結晶引き上げ機構４０の引き上げ軸４２が坩堝１０内部に挿入される構成となっている。
【００１４】
坩堝１０は、育成室１６内に配置されている。坩堝１０の周囲には保温材１７が充填されている。保温材１７は、例えばいわゆるジルコニアバブルからなり、坩堝１０からの熱の放出を抑制する。育成室１６は、坩堝１０と同様の、側壁１６ａの断面が円環状の容器体であり、例えばジルコニア（ＺｒＯ２）を主成分としたセラミックスからなる。
【００１５】
育成室１６には、育成室１６の内面から突出した保温板１８が設けられている。保温板１８も、例えばジルコニア（ＺｒＯ２）を主成分としたセラミックスからなる。坩堝１０の開口１１の側の端部は、この保温板１８の下側の主面と近接して配置されている。保温
板１８も、坩堝１０からの熱の放出を抑制する。
【００１６】
育成室１６の天板部１９には貫通孔１９ａが設けられており、この貫通孔１９ａに結晶引き上げ機構４０の引き上げ軸４２が挿通されている。引き上げ軸４２も、例えばジルコニア（ＺｒＯ２）を主成分としたセラミックスからなる。サファイア単結晶の育成の際、引き上げ軸４２の下端には、サファイア単結晶育成の基点となる、サファイア種結晶１３（以降、種結晶１３とする）が保持される。種結晶１３は、高純度のサファイア単結晶体である。
【００１７】
結晶引き上げ部４０は、引き上げ軸４２と、この引き上げ軸４２を図中の上下方向に移動させる、引き上げ機構部４４とを備えて構成されている。引き上げ機構部４４は、図示しないモーター等の動力源と、この動力源によって駆動して引き上げ軸４２を上下方向に移動させる図示しない機構部とを有している。サファイア単結晶育成の際、種結晶１３は引き上げ軸４２の先端（図１中の下端）に保持されて、坩堝１０の開口１１から、先端に種結晶１３が取り付けられた引き上げ軸４２が坩堝１０内に挿入され、坩堝１０に貯留されたサファイア原料融液の液面に種結晶１３が接触する。引き上げ軸４２は、坩堝１０の開口１１の中心を通る中心軸Ｃに対応する位置に配置されており、種結晶１３の一部が中心軸Ｃに対応する位置に浸漬されて、種結晶１３とサファイア原料融液とが接触する。
【００１８】
ガス供給部６０は、図示しないガスボンベ、ガス流量計、ガス配管等を備えている。ガス供給部６０は、ガス供給管６２を介して育成室１６内に接続されている。本実施形態では、ガス供給部６０にはアルゴン（Ａｒ）ガスボンベを備えており、ガス供給管６２を介して育成室１６内にアルゴン（Ａｒ）ガスが送られる。排気部７０は、例えば図示しない排気ポンプ等を備えている。排気部７０は、排気管７２を介して育成室１６に接続されており、育成室１６内の気体を排気管７２を介して排気する。
【００１９】
育成室１６内の保温板１８の上側には、アフターヒータ部材２０が配置されている。アフターヒータ部材２０は、例えばタングステン（Ｗ）からなる円筒状の発熱部２２と、発熱部２２を被覆する、酸素を含有しない被覆層２４を備えている。本実施形態の被覆層２４は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）からなる。アフターヒータ部材２０はタングステン（Ｗ）に限定されず、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）の少なくとも１種を主成分とする金属であればよい。発熱部２２の材質は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）それぞれ１種のみであってもよく、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）の少なくとも１種を主成分とする合金であってもよい。
【００２０】
コイル３２は例えば銅からなり、高周波電源３０に接続されている。コイル３２は、坩堝１０およびアフターヒータ部材２０の周囲に配置されており、高周波電源３０から高周波電圧が印加されて高周波電流が流れる。コイル３２の高周波電流に起因した電磁界によって、坩堝１０およびアフターヒータ部材２０の発熱部２２の表面に渦電流が流れ、坩堝１０およびアフターヒータ部材２０が発熱する。アフターヒータ部材２０の発熱体２２を構成するタングステン（Ｗ）は金属であり、例えば５．２９×１０−８Ω・ｍと高い導電性を有する。一方の炭化珪素（ＳｉＣ）は半導電性であり、発熱体２２に比べて著しく高い電気抵抗を有する。コイル３２の交流電流に起因した電磁界のエネルギーによって、発熱体２２の表面に集中して渦電流が形成され、発熱体２２が発熱する。ＳｉＣは高い熱伝導性を有しており、発熱体２２から発した熱は、被覆層２４の表面まで良好に伝達し、被覆層２４の表面が高温となる。
【００２１】
本実施形態では、アフターヒータ部材２０が、発熱し易い金属からなる発熱部２２を備えており、アフターヒータ部材２０を比較的高い温度まで昇温させることができる。タン
タル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）は、融点が高く価格が比較的低くかつ発熱し易い一方で、比較的酸化し易いという特性を持つ。育成室１６内には、残留した空気に含まれる酸素（Ｏ２）や、育成室１６の材質であるジルコニア（ＺｒＯ２）等のセラミックスから脱離した酸素（Ｏ２）ガスなど、酸素（Ｏ２）ガスが存在する。タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）の少なくとも１種を主成分とする金属と酸素（Ｏ２）ガスとが高温下で接触すると、このような金属は容易に酸化されてしまう。
【００２２】
本実施形態のアフターヒータ部材２０は、発熱部２２を被覆する、炭化珪素（ＳｉＣ）からなり酸素を含有しない被覆層２４を備えており、この被覆層２４によって発熱部２２の酸化が防止されている。ここで、酸素を含有しないとは、酸素含有割合が１質量％未満であることをいう。
【００２３】
炭化珪素（ＳｉＣ）からなる被覆層２４は、例えば公知のプラズマＣＶＤ法によって形成することができる。プラズマＣＶＤ法によって形成された炭化珪素（ＳｉＣ）は、緻密かつ強固であり、機械的な耐久性が高い。例えば、タングステン（Ｗ）からなる発熱部２２の表面を、酸素を含有しない、炭化珪素（ＳｉＣ）からなる被覆層２４によって被覆することで、発熱部２２表面の酸化を抑制することができる。また、炭化珪素（ＳｉＣ）は融点が２０００℃以上と高く、化学的にも安定しており、炭化珪素（ＳｉＣ）自体が酸化され難い。比較的発熱し易いと同時に比較的酸化し易いタングステン（Ｗ）からなる発熱部２２に、炭化珪素からなる被覆層２４を設けることで、発熱しやすく、かつ表面が酸化され難いアフターヒータ部材２０を構成することができる。
【００２４】
例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）からなる、酸素を含有しない被覆層２４を有することで、酸化され易いが比較的安価な、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）の少なくとも１種を主成分とする金属をアフターヒータ部材２０に使用することができ、サファイア単結晶育成装置１の価格が高くなるのを抑えることができる。また、本実施形態のアフターヒータ部材２０は、表面が酸化され難いので、複数回の単結晶育成に繰り返し使用することができ、サファイア単結晶育成を複数回にわたって繰り返し実施する場合のランニングコストを低減させることができる。
【００２５】
本実施形態のアフターヒータ部材２０の被覆層２４は炭化珪素（ＳｉＣ）からなるが、被覆層２４は炭化珪素（ＳｉＣ）に限定されず、酸素を含まない被覆層２４であればよい。比較的高い耐熱性を有し、かつ酸素を含まない被覆層２４の他の例として、窒化珪素（ＳｉＮ）等が挙げられる。窒化珪素（ＳｉＮ）からなる被覆層２４も、例えば公知のプラズマＣＶＤ法によって形成することができる。
【００２６】
単結晶育成装置１におけるサファイア単結晶の育成では、まず坩堝１０内に、サファイア単結晶の原料である酸化アルミニウム粉末が充填される。次に、排気ポンプ７０によって、ガス排気管７２を介して育成室１６内の気体を排気した後、ガス供給部６０により、ガス供給管６２を介して育成室１６内にアルゴンガスを充填する。以降、継続してアルゴンガスを育成室１６内に供給しつつ自然排気し、育成室１６を大気圧のアルゴンガス雰囲気とする。この状態で、高周波電源３０によってコイル３２に高周波電流を流し、坩堝１０の側壁１２、およびアフターヒータ部材２０を発熱させる。坩堝１０が発熱して高温となることで、坩堝１０内のサファイア単結晶原料が溶融し、坩堝１０内には溶融したサファイア単結晶原料（サファイア原料融液）が貯留された状態となる。
【００２７】
このように、サファイア原料融液が坩堝１０に貯留された状態で、坩堝１０内のサファイア原料融液の液面に、種結晶１３が接触させられる。種結晶１３は、引き上げ軸４２の先端に保持されて、坩堝１０の開口１１から、先端に種結晶１３が取り付けられた引き上
げ軸４２が坩堝１０内に挿入されて、坩堝１０の溶融原料の液面に種結晶１３が接触する。引き上げ軸４２は、坩堝１０の開口１１の中心を通る中心軸Ｃに対応する位置に配置されており、種結晶１３の一部が中心軸Ｃに対応する位置に浸漬される。
【００２８】
種結晶１３をサファイア原料融液に接触させた後、引き上げ軸４２は、中心軸Ｃを中心に回転しながら種結晶１３を上方に上昇させる。これにより、種結晶１３を起点に、溶融原料の単結晶（サファイア単結晶体１５）が上方に引き上げられるように成長する。
【００２９】
坩堝１０内のサファイア原料融液は、側壁１０ａの近傍では、誘導加熱された側壁１０ａによって温度が比較的上昇し易く、側壁１０ａから離れた坩堝１０中心部分（中心軸Ｃの近傍）では温度が比較的上昇し難い。さらに、中心軸Ｃの近傍にサファイア単結晶体１５が位置しており、坩堝１０内のサファイア原料融液の熱が、このサファイア単結晶体１５を介して坩堝１０外へ放熱され易い。このため、坩堝１０内では、側壁１０ａの近傍付近に比べて、中心軸Ｃの近傍において、サファイア原料融液の温度が比較的低くなり易い。特に、サファイアのように、赤外線や可視光に対して比較的高い透過率を有する結晶では、結晶の内部を輻射熱が伝熱し易く、サファイア単結晶体１５を伝わって坩堝１０内のサファイア原料融液から逃げる熱量が比較的大きい。サファイア単結晶を引き上げ法によって成長させる場合に、中心軸Ｃの近傍の温度は、比較的低くなり易い。
【００３０】
本実施形態では、アフターヒータ部材２０によって、引き上げ中のサファイア単結晶体１５自体の温度を比較的高く保っており、サファイア原料融液とサファイア単結晶体１５との温度差を小さく抑制することで、サファイア原料融液からサファイア単結晶体１５への熱量の流入が抑制される。このため、サファイア原料融液の温度が過度に低下して、サファイア単結晶体１５の育成状態に不具合が発生することが抑制される。また、アフターヒータ部材２０によって、長尺状のサファイア単結晶体１５が、引き上げ方向に沿った広い領域にわたって一様に加熱されるので、サファイア単結晶体１５自体の温度分布が小さく抑制され、この温度分布による熱応力に起因した機械的欠陥等の発生も抑制される。
【００３１】
タンタル（Ｔａ）やタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）など、酸化され易い金属をアフターヒータ部材として用いた場合は特に顕著であるが、通常、金属のみからなるアフターヒータ部材を用いた場合には、サファイア単結晶の育成１回ごとに、アフターヒータ部材の表面が著しく酸化し、酸化した金属片等が剥がれ落ち易い状態となる。これは、育成室内をアルゴン（Ａｒ）等で置換していても、残留した空気に含まれる酸素（Ｏ２）や、育成室内の各種セラミック材料から脱離した酸素（Ｏ２）が、高温に熱せられた金属からなるアフターヒータ部材と反応するためである。このため、従来の育成装置では、例えば１回のサファイア単結晶の育成毎に、使用されていない新しいアフターヒータ部材を用いる必要があり、結晶を複数回育成する場合のランニングコストが大きかった。アフターヒータ部材の酸化を避けるために、育成室内の酸素濃度をより低減する手段もあるが、このためには、育成室の気密性の向上や、排気ポンプの性能向上等が必要であり、この場合も多大なコストが生じる。
【００３２】
本発明は、アフターヒータ部材が、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）の少なくとも１種を主成分とする、比較的安価な金属部材の表面に、炭化珪素（ＳｉＣ）被膜が形成された比較的安価な構成でありながら、酸化し難く長期間繰り返し使用することができ、育成装置のコストおよび繰り返し行なう単結晶育成のランニングコストを低減することができる。本発明の育成装置を用いて育成したサファイア単結晶は、金属酸化物等の混入が少ない。
【００３３】
なお、本実施形態ではアフターヒータ部材２０の形状は円筒状であるが、アフターヒータ部材２０の形状は円筒状であることに限定されない。図３は、サファイア単結晶育成装
置の他の例である育成装置２について示す概略構成図である。図３（ａ）において、育成装置１と同様の構成については、図１と同じ符号を用いて示している。図３（ａ）は育成装置２の一部の概略構成図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す育成装置２が備えるアフターヒータ部材８０の概略斜視図である。
【００３４】
アフターヒータ部材８０は、アフターヒータ部材２０と同様、例えばタングステン（Ｗ）からなる発熱部８２と、発熱部８２を被覆する、酸素を含有しない被覆層８４とを有している。アフターヒータ部材８０は筒状体であり、アフターヒータ部材８０の内周面８０Ａが、坩堝１０から引き上げ方向（図３中の上方向）に離れるにしたがって、引き上げ機構４２によって引き上げられている最中のサファイア単結晶体１５に近づくように傾斜している。サファイア単結晶体１５の引き上げの最中に、坩堝１０は２０００℃以上の高温に加熱されており、坩堝１０および坩堝１０内に貯留されたサファイア原料融液から、いわゆる輻射熱が放出されている。すなわち、坩堝１０および坩堝１０内に貯留されたサファイア原料融液から、赤外線等の電磁波の形で熱エネルギーが放射されている。アフターヒータ部材８０は、内周面８０Ａが坩堝１０から離れるにしたがってサファイア単結晶体１５に近づくように傾斜しており、坩堝１０等の高温部から放射された赤外線が、アフターヒータ部材８０の内周面８０Ａによってサファイア単結晶体１５に向けて効率よく反射される。育成装置２では、このように内周面８０Ａが傾斜したアフターヒータ部材８０を用いることで、サファイア単結晶体１５の温度分布を効率よく低減している。
【００３５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の各種実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行なってもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００３６】
１  サファイア単結晶育成装置（育成装置）
１０  坩堝
１１  開口
１２  側壁
１３  サファイア種結晶
１５  サファイア単結晶体
１６  育成室
１７  保温材
１９  天板部
２０  アフターヒータ部材
２２  発熱体
２４  被覆層
１８  側壁
３２  コイル
３０  高周波電源
４０  結晶引き上げ機構
４２  引き上げ軸
４４  引き上げ機構部
５０  制御部
６０  ガス供給部
６２  ガス供給管
【図１】
2013155069.tif 000003
【図２】
2013155069.tif 000004
【図３】
2013155069.tif 000005