(57)【要約】【課題】画像表示装置の断線不良の発生箇所を特定する検査を、効率良く、また基板を汚染することなく行う。【解決手段】同じ画素内のＦＥＴ１７のドレインとして用いる拡散層１４及び電荷蓄積容量２１の電極１９は、１つの画素電極２２に電気的に接続されている。検査用基板１０の要部は、すべての画素電極２２の表面に導電膜２６が被覆形成された構造を有する。導電膜２６はすべての画素電極２２に電気的に接続され、更に外部のモニタ電極に電気的に接続されている。選択した一画素に入力した映像信号とモニタ電極に供給される信号とを比較し、それらが同じであれば、選択した一画素の入力側からその画素の画素電極２２までの電流経路中に断線がなく、更には列信号線に接続されたスイッチング素子にも異常がなく、すべて電気的に繋がっていることが分かる。【選択図】図２
2013178312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の列信号線及び複数本の行走査線がそれぞれ交差する交差部に設けられた複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれに対して１画素ずつ順次に選択する駆動手段とを備える第１の基板と、光透過特性を有する共通電極が表面に形成された第２の基板とを、前記第１の基板の表面に形成された前記複数の画素をそれぞれ構成する複数の画素電極と前記共通電極とが離間対向するように配置した前記第１及び第２の基板間の空間に、印加電圧によって光透過率が変化する電気光学材料からなる光変調層が充填封入された画像表示装置の検査方法であって、
前記第１の基板の表面に形成されている前記複数の画素電極のすべてを被覆すると共に、前記第１の基板の前記複数の画素が形成されている領域の外側に設けられたモニタ電極に電気的に接続された導電膜を有する検査用基板を用意する第１のステップと、
前記駆動手段により前記検査用基板の前記複数の画素を１画素ずつ順次に選択すると共に、選択した画素に映像信号を供給してその画素内の電荷蓄積手段に保持させる第２のステップと、
選択した前記画素内の前記電荷蓄積手段の保持電圧が前記画素電極及び前記導電膜を通して供給されて前記モニタ電極から出力される出力値と、前記選択した画素に供給される前記映像信号の値とを比較して検査結果を得る第３のステップと
を含むことを特徴とする画像表示装置の検査方法。
【請求項２】
前記導電膜は、導電性ポリマーまたは前記導電性ポリマーを含む導電性組成物であることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の検査方法。
【請求項３】
前記検査用基板は、画像表示装置の完成前に有機溶剤により前記導電膜が除去されて前記第１の基板とされることを特徴とする請求項１又は２記載の画像表示装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画像表示装置の検査方法に係り、特に液晶等の電気光学材料を画素毎に駆動する駆動基板を基板（ウェハ）状態で検査するための画像表示装置の断線不良を検査する画像表示装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶等の電気光学材料と能動回路で画素を構成する画像表示装置の需要が益々高まりつつある。この種の画像表示装置では、表示画像の高解像度化に伴い、各画素部分における素子欠陥の発生等が重要な問題になっている。表示上確認される欠陥としては、画素単位で発生する点状欠陥と、同一の映像信号用配線又は走査信号用配線に沿った画素で組織的に発生する線状欠陥とがあるが、特に線状欠陥は表示画面で著しく目立つために致命的な欠陥となる。
【０００３】
そのため、従来から、完成した画像表示装置のパネル部について、前記の欠陥の有無を確認するための検査工程が不可欠になっている。そして、従来の欠陥検査方法には、大別すると次のような方法がある。
【０００４】
(1)完成した画像表示装置の表示状態を直接的な目視手段又は光センサを用いた手段によって確認する方法。
【０００５】
(2)全ての映像信号用配線に接続された電極と、全ての走査信号用配線に接続された電極とを設けておき、両電極間の導通の有無を確認して各配線間に短絡が発生しているか否かを検査する方法(例えば、特許文献１、２参照)。
【０００６】
(3)通常の映像信号の書込み動作で各能動回路の容量に電荷を蓄積させた後、蓄積された電荷を逆に読出すことにより、各能動回路が正常に動作しているか否かを電気的に検査する方法(例えば、特許文献３、４参照)。
【０００７】
(4)電解液に浸した素子基板上の画素電極及び対向検出電極の間に電圧を印加し、電解液を介して画素電極及び対向検出電極の間に流れる電流を測定し、その電流値によって素子基板の良否を判別する検査方法（例えば、特許文献５参照）。
【０００８】
なお、(1)の検査方法は画像表示装置が完成した後に実行されるが、(2)〜(4)の検査方法は駆動基板である第１基板が完成した後の電気光学材料（液晶）の組込み前に実行される。 
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特公平５−５８６６２号公報
【特許文献２】特開平５−３２３３８１号公報
【特許文献３】特開平３−１４２４９９号公報
【特許文献４】特開平６−４３４９０号公報
【特許文献５】特開２００２−７２９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、上記(1)〜(3)の各検査方法には次のような課題がある。すなわち、(1)の検査方法では、表示上の欠陥の有無及び欠陥の発生箇所は確認できるが、欠陥の発生原因(断線や短絡等)を特定することが難しい。また、(2)の検査方法では、映像信号用配線と走査信号用配線との間の短絡の有無を確認できるのみであり、その他の原因(断線等)の欠陥を知ることは難しい。また、前記の短絡による欠陥に関しても、その発生箇所や発生の数を確認することは難しい。また、(3)の検査方法では液晶の組込み前に検査できることを除けば、(1)の検査方法に関する課題と同様の課題がある。更に、(4)の検査方法では、電解液である導電性溶液に基板が汚染される恐れがあり、また検査前に入出力端子等の画素電極以外の端子を被覆する必要がある。
【００１１】
このように、従来の検査方法によると、多様に発生する欠陥について、その発生箇所と欠陥原因等を確認することが難しい。特に、断線については発生を特定する手段が無く、装置をすべて組み立てるまで検出ことは難しい。
【００１２】
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、画像表示装置の断線不良の発生箇所を特定する検査を、効率良く、また基板を汚染することなく行い得る画像表示装置の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するため、本発明の画像表示装置の検査方法は、複数本の列信号線及び複数本の行走査線がそれぞれ交差する交差部に設けられた複数の画素と、複数の画素のそれぞれに対して１画素ずつ順次に選択する駆動手段とを備える第１の基板と、光透過特性を有する共通電極が表面に形成された第２の基板とを、第１の基板の表面に形成された複数の画素をそれぞれ構成する複数の画素電極と共通電極とが離間対向するように配置した第１及び第２の基板間の空間に、印加電圧によって光透過率が変化する電気光学材料からなる光変調層が充填封止された画像表示装置の検査方法であって、第１の基板の表面に形成されている複数の画素電極のすべてを被覆すると共に、第１の基板の複数の画素が形成されている領域の外側に設けられたモニタ電極に電気的に接続された導電膜を有する検査用基板を用意する第１のステップと、駆動手段により検査用基板の複数の画素を１画素ずつ順次に選択すると共に、選択した画素に映像信号を供給してその画素内の電荷蓄積手段に保持させる第２のステップと、選択した画素内の電荷蓄積手段の保持電圧が画素電極及び導電膜を通して供給されてモニタ電極から出力される出力値と、選択した画素に供給される映像信号の値とを比較して検査結果を得る第３のステップとを含むことを特徴とする。
【００１４】
また、上記の目的を達成するため、本発明の画像表示装置の検査方法は、導電膜は、導電性ポリマーまたは導電性ポリマーを含む導電性組成物であることを特徴とする。また、検査用基板は、画像表示装置の完成前に有機溶剤により導電膜が除去されて第１の基板とされることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、画像表示装置の断線不良の発生箇所を特定する検査を、効率良く、また基板を汚染することなく行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の画像表示装置の検査方法の一実施の形態の手順説明用フローチャートである。
【図２】本発明の検査方法で用いる検査用基板の一画素の要部の一例の縦断面図である。
【図３】本発明の検査方法で用いる検査用基板に形成されている一画素の一例の等価回路図である。
【図４】本発明の検査方法で用いる配線後の検査用基板の一実施の形態の等価回路図である。
【図５】液晶表示装置の一例の縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は、本発明になる画像表示装置の検査方法の一実施の形態の手順説明用フローチャートを示す。ここでは、画像表示装置としてアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を例にとって説明する。
【００１９】
まず、検査用基板を用意する（ステップＳ１）。検査対象の液晶表示装置は、表面に複数の画素電極が２次元マトリクス状に形成された第１の基板と、表面に形成された共通電極が上記複数の画素電極に対して離間対向するように配置される光透過性の第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間の空間に充填封止される液晶層とから構成される一般的な構成である。上記の検査用基板は、第１の基板の表面に形成されたすべての画素電極の上に導電膜が被覆され、かつ、その導電膜が外部の電極パッドに電気的に接続されたものである。導電膜として、本実施の形態では、導電性及び光透過性を備えた導電性高分子である導電性ポリマー、あるいは導電性ポリマーを含む導電性組成物を用いる。
【００２０】
図２は、検査用基板の一画素の要部の一例の縦断面図を示す。同図において、検査用基板１０は、シリコン（Ｓi）基板１１の表面に拡散層１２、１４及び１５が形成され、拡散層１４と拡散層１５との間にはフィールド酸化膜１６が形成されている。拡散層１２及び１４は、それらの間のＳi基板１１の上方に絶縁膜を介して形成されたゲート電極１３と共に例えばＰ型のＭＯＳ型電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴという）１７を構成している。拡散層１２はＦＥＴ１７のソース、拡散層１４はＦＥＴ１７のドレインとして機能する。
【００２１】
拡散層１５の上方には絶縁膜２０を介して例えばポリシリコン等の電極１９がゲート電極１３と電気的に分離して形成されている。この電極１９と拡散層１５とそれらの間の絶縁膜２０とにより、電荷蓄積容量２１が形成されている。
【００２２】
また、ゲート電極１３、電極１９、フィールド酸化膜１６等は第１層間絶縁膜１８１により被覆され、その第１層間絶縁膜１８１上には第１メタル層１Ｍが形成されている。第１メタル層１Ｍは第２層間絶縁膜１８２により被覆され、その第２層間絶縁膜１８２上には第２メタル層２Ｍが形成されている。更に、第２メタル層２Ｍは第３層間絶縁膜１８３により被覆され、その第３層間絶縁膜１８３上には第３メタル層３Ｍが形成されている。なお、第１〜第３層間絶縁膜１８１〜１８３は光透過特性を有する。
【００２３】
第３メタル層３Ｍには複数の画素電極２２が２次元マトリクス状に形成されている。図２には、複数の画素電極のうちの一つの画素電極２２の全部と、それに隣接する２つの画素電極２２の一部をそれぞれ示しており、隣接する２つの画素電極２２の間には隙間２３が設けられている。ドレインとして用いる拡散層１４及び電極１９は第１層間絶縁膜１８１に別々に形成されたスルーホール内の配線を介して第１メタル層１Ｍの同じ金属膜２４に電気的に接続されている。また、金属膜２４は、第２層間絶縁膜１８２に形成されたスルーホール内の配線を介して第２メタル層２Ｍの金属膜２５に電気的に接続され、更に金属膜２５は第３層間絶縁膜１８３に形成されたスルーホール内の配線を介して画素電極２２に電気的に接続されている。従って、同じ画素内のＦＥＴ１７のドレインとして用いる拡散層１４及び電荷蓄積容量２１の電極１９は、１つの画素電極２２に電気的に接続されている。以上の断面構造が第１の基板であり、この構造自体は公知である。
【００２４】
検査用基板１０の要部は、図２に示すように、上記の断面構造の第１の基板の表面に形成されているすべての画素電極２２の表面に導電膜２６が被覆形成された構造を有する。これにより、すべての画素電極２２は、導電膜２６を介して電気的に接続される。導電膜２６は導電性ポリマーを用いて形成することができる。導電性ポリマーの例としては、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニリン、ポリフルオレン、ポリビチオフェン、ポリイソチオフェン、ポリ（３,４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリイソチアナフテン、ポリイソナフトチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリアセン、ポリチアジル、ポリエチレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリドデシルチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリフェニレンスルフィド等やその誘導体がある。
【００２５】
検査用基板１０は、導電膜２６が第１の基板の２次元マトリクス状に配列された複数の画素からなる表示領域の外部に用意された特定のモニタ電極にのみ電気的に接続されるように、フォトプロセスにより導電膜２６の不必要な部分を剥離除去して形成された基板である。これにより、検査用基板１０は、第１の基板に形成されたすべての画素電極が導電膜２６を介して上記の特定のモニタ電極に電気的に接続された構造である。
【００２６】
図３は、検査用基板１０に形成されている一画素の一例の等価回路図を示す。同図中、図２と同一構成部分には同一符号を付してある。図３において、画素はＦＥＴ１７、電荷蓄積容量２１及び画素電極２２を含む能動回路により構成されている。ＦＥＴ１７はドレインが電荷蓄積容量２１の一端に接続されると共に画素電極２２に接続された、画素選択用スイッチングトランジスタである。画素電極２２には導電膜２６が電気的に接続されている。ＦＥＴ１７は、ゲートが後述する行走査線Ｇに接続され、ソースが後述する列信号線Ｄに接続されている。
【００２７】
この画素においては、行走査線Ｇに入力される行走査信号によりＦＥＴ１７がオン状態とされている画素選択期間、列信号線Ｄを介して供給される映像信号をＦＥＴ１７を通して電荷蓄積容量２１に保持すると共に、その保持電圧を画素電極２２に印加し、更に導電膜２６を介して特定のモニタ電極（図示せず）へ出力する。
【００２８】
なお、液晶表示装置として製品化して使用する場合には、後述するように導電膜２６は除去された後、画素電極２２と離間対向する位置に形成される共通電極との間の空間に液晶層が充填封入されて液晶表示素子を構成する。そして、周知のように、画素電極２２と共通電極との電位差に応じた電界によって液晶層の画素電極の領域毎に光透過率が変化され、入射光がその光透過率の変化により変調され、画素単位で変調された出射光による画像表示が行われる。
【００２９】
図１に戻って説明する。次に、上記の検査用基板１０の各画素に映像信号を入力する（ステップＳ２）。ここで、映像信号入力のために、まず、検査用基板１０に対して映像信号用配線、行走査線、列信号線の配線を行う。
【００３０】
図４は、配線後の検査用基板の一実施の形態の等価回路を示す。図４において、複数の画素３１がｊ行ｋ列（j,kはいずれも２以上の自然数）の２次元マトリクス状に規則的に配列されている。各画素３１はそれぞれ図３に示した等価回路図で表される。各画素３１のうち同じ行に配列されているｋ個の画素は、垂直アドレス回路３２から行走査信号が１水平走査期間毎に順次に供給されるｊ本の行走査線Ｇ1〜Ｇjのうちの１本の行走査線（図３のＧに相当）に接続されている。また、各画素３１のうち同じ列に配列されているｊ個の画素は、水平アドレス回路３３からスイッチング素子Ｑ1〜Ｑkを通して映像信号が１水平走査期間内に順次に供給されるｋ本の列信号線Ｄ1〜Ｄkのうちの１本の列信号線（図３のＤに相当）に接続されている。
【００３１】
第１の基板には画素３１と共に上記の垂直アドレス回路３２、水平アドレス回路３３、スイッチング素子Ｑ1〜Ｑk、行走査線Ｇ1〜Ｇj、列信号線Ｄ1〜Ｄkが形成されている。検査用基板は第１の基板に形成されたすべての画素３１の画素電極２２が導電膜２６を介して、すべての画素３１からなる表示領域の外部のモニタ電極２８に電気的に接続されている。なお、図４では便宜上、表示領域のすべての画素３１を導電膜２６を示す破線で囲んで示しているが、導電膜２６は図２及び図３と共に説明したように、すべての画素３１内の画素電極２２に電気的に接続され、更にモニタ電極２８に電気的に接続されている。
【００３２】
続いて、図１のステップＳ２では上記の配線後に、図４の端子３４から既知の映像信号を供給すると共に、その映像信号の同期信号に同期して垂直アドレス回路３２から行走査信号を出力させると共に、水平アドレス回路３３から制御信号を出力させることで映像信号入力を行う。
【００３３】
垂直アドレス回路３２は、ｊ本の行走査線Ｇ1〜Ｇjに対して１本ずつ１水平走査期間単位で行走査信号を順次に出力し、かつ、１垂直走査期間ではｊ本すべての行走査線Ｇ1〜Ｇjに行走査信号を出力する。一方、水平アドレス回路３３は、スイッチング素子Ｑ1〜Ｑkのゲートに、１水平走査期間内で制御信号を順次に供給し、スイッチング素子Ｑ1〜Ｑkを１つずつ順番に、かつ、時分割的にオンに制御する。これにより、表示領域内のすべての画素３１のうち、行走査信号が供給されるｋ個の画素に対して、端子３４から入力される映像信号がスイッチング素子Ｑ1〜Ｑkを通して１水平走査期間内で列信号線Ｄ1〜Ｄkに順次に出力される。
【００３４】
従って、表示領域内のすべての画素３１は、行走査信号が供給され、かつ、スイッチング素子Ｑ1〜Ｑkのうち制御信号によりオン状態とされた１つのスイッチング素子に接続された１本の列信号線に接続された１つの画素３１のみに対して映像信号が供給されるオン状態となり、その１つの画素３１以外の画素はすべて映像信号が入力されないオフ状態になる。オン状態になった１つの画素３１は、図３に示したように、供給される映像信号をオン状態のＦＥＴ１７を通して電荷蓄積容量２１に保持すると共に、その保持電圧を画素電極２２に印加し、更に導電膜２６を介して図４のモニタ電極２８へ出力する。従って、端子３４に入力される映像信号がそのまま選択された１つの画素３１を通してモニタ電極２８に供給されることになる。
【００３５】
そこで、本実施の形態では、図１のステップＳ２に続いて、画素３１に入力した映像信号とモニタ電極２８に供給される信号とを比較する（ステップＳ３）。モニタ電極２８に供給される信号の値と端子３４に供給される映像信号の画素値とが同じであれば、選択された１つの画素３１の入力側からその画素３１の画素電極２２までの電流経路中に断線がなく、更には列信号線に接続されたスイッチング素子にも異常がなく、すべて電気的に繋がっていることが分かる。他方、モニタ電極２８に供給される信号の値と端子３４に供給される映像信号の画素値とが異なっていれば、選択された１つの画素３１の入力側からその画素３１の画素電極２２までの電流経路中に断線があるか、あるいは列信号線に接続されたスイッチング素子に異常があることが分かる。
【００３６】
以下、同様にして、垂直アドレス回路３２の行走査信号出力と水平アドレス回路３３の制御信号出力とに同期して、表示領域内のすべての画素３１に対してステップＳ３の比較動作を行ったかを判断する（ステップＳ４）。すべての画素３１に対してステップＳ３の比較動作を行った場合には検査を終了する。このようにして、表示領域内のすべての画素３１について個々に断線の有無の検査が効率良くできる。
【００３７】
すなわち、垂直アドレス回路３２から出力される行走査信号と水平アドレス回路３３から出力される制御信号とにより選択される１つの画素３１を特定することができるので、個々の画素３１内の断線の有無の検査ができる。また、異常が検出された画素３１が複数個ある場合は、それら異常発生画素の配置により行走査線や列信号線の断線やスイッチング素子の異常を個々に検査することもできる。
【００３８】
また、本実施の形態によれば、後述するようにその後に液晶表示装置として完成させて実際に表示を行わなくても、第１の基板が良品か不良品かの判別ができ、その第１の基板を製造プロセスから外すことで製造コストの低減や歩留まりの向上ができる。更に、本実施の形態によれば、検査時に電解液に浸す必要がないため、電解液により第１の基板が汚染される心配がない。
【００３９】
以上の検査用基板１０を用いた検査終了後、検査用基板１０は表面の導電膜２６が公知の方法により有機溶剤にて除去され、第１の基板のみとされる。有機溶剤としては、導電膜２６が導電性ポリマーの場合は、例えば次亜塩素酸塩の水溶液を用いることができる。当該塩としては、アルカリ金属塩またはアルカリ土類金属塩を例示でき、好ましくはアルカリ金属塩である。当該アルカリ金属塩としては、ナトリウム塩またはカリウム塩が好ましく、より好ましくはナトリウム塩である。当該アルカリ土類金属塩としては、カルシウム塩が好ましい。
【００４０】
上述した検査方法によれば、全てウェハの状態で実施することが可能である。すなわち、半導体プロセスで用いられる標準的なウェハテスターを使用することも可能である。導電膜２６を有機溶剤にて除去するに際しては、半導体プロセスで標準的に用いられるウェハのスピン洗浄機を用いることができる。有機溶剤や洗浄液をウェハ中央付近に滴下しながらウェハを高速回転することで導電膜２６の除去及び除去後の表面洗浄、さらには乾燥までクリーンな環境下で行うことができる。したがって、前述した特許文献５記載の方法に比べて検査後に基板が汚染されることはなく、清浄な素子表面を維持することが可能である。
【００４１】
次に、良品と判定された第１の基板に対して、表面に共通電極が形成された光透過性の第２の基板と液晶とを用いて公知の工程を経て一般的な構造の液晶表示装置を完成する。図５は、液晶表示装置の一例の縦断面図を示す。同図中、図２と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４２】
図５において、第１の基板４１は、導電膜２６を除去して露出した複数の画素電極２２の上に配向膜４４が被覆形成されている。また、第２の基板４２は、ガラス基板４５の表面に導電性及び光透過特性を有する共通電極４６が形成され、更に共通電極４６の上に配向膜４７が被覆形成された構造である。第１の基板４１の画素電極２２と第２の基板４２の共通電極４６とが離間対向するように第１の基板４１と第２の基板４２とが配置され、それらの基板間の空間に液晶層４３が充填封入されている。このようにして、図５に示す断面構造の最終的な液晶表示装置に完成させることができる。なお、図５の例では、画素電極２２は導電性及び光反射特性を有しており、第２の基板４２及び液晶層４３を透過した光を反射し、その反射光を入射光路を逆進させて第２の基板４２より出射する。
【００４３】
なお、本発明は以上の実施の形態に限定されるものではなく、例えば、実施の形態では画素電極２２とモニタ電極２８とを電気的に接続するための導電膜２６として導電性ポリマーを用いたが、導電性ポリマー以外の導電性を持つ材料であれば導電膜２６として用いることができる。ただし、画素の表面を腐食せず、検査後に容易に除去できる材料が望ましい。また、本発明は透過型液晶表示装置にも適用でき、更には液晶以外の印加電圧によって光透過率が変化する電気光学材料による光変調層が離間対向する２つの基板間に設けられた構造の他の表示素子（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）など）を用いた画像表示装置にも適用できる。
【符号の説明】
【００４４】
１０  検査用基板
１１  Ｓi基板
１２、１４、１５  拡散層
１３  ゲート電極
１７  電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
１９  電極
２０  絶縁膜
２１  電荷蓄積容量
２２  画素電極
２３  隙間
２６  導電膜
２８  モニタ電極
３１  画素
３２  垂直アドレス回路
３３  水平アドレス回路
４１  第１の基板
４２  第２の基板
４３  液晶層
４４、４７  配向膜
４５  ガラス基板
４６  共通電極
Ｇ1〜Ｇj、Ｇ  行走査線
Ｄ1〜Ｄk、Ｄ  列信号線
Ｑ1〜Ｑk  スイッチング素子
【図１】
2013178312.tif 000003
【図２】
2013178312.tif 000004
【図３】
2013178312.tif 000005
【図４】
2013178312.tif 000006
【図５】
2013178312.tif 000007