(57)【要約】【課題】効率的にメタマテリアルを製造する。【解決手段】支持体を形成するステップと、前記支持体に電磁波共振体を形成する材料を蒸着し、前記支持体に前記電磁波共振体を配置するステップと、を含み、前記支持体を形成するステップは、基板上に、厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造を有するミクロ相分離膜を形成するステップと、前記厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造内に、充填物を充填するステップであって、前記充填物は、前記カラム構造の高さを超える深さまで形成されるステップと、前記基板から、前記充填物を有する前記多孔膜を分離するステップと、前記充填物を有する前記前記多孔膜から、該前記多孔膜を選択的に除去し、前記充填物からなる支持体を得るステップと、を有するメタマテリアルの製造方法。【選択図】図１
2013182212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波に対して共振する電磁波共振体を備えるメタマテリアルの製造方法であって、
（ａ）電磁波共振体が形成される部分を有する支持体を形成するステップと、
（ｂ）前記支持体の前記部分に、電磁波共振体を形成する材料を蒸着し、前記支持体に前記電磁波共振体を配置するステップと、
を含み、
前記支持体を形成するステップは、
（ｃ）基板上に、厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造を形成するステップと、
（ｄ）前記厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造内に、充填物を充填するステップであって、前記充填物は、前記カラム構造の高さを超える深さまで形成されるステップと、
（ｅ）前記基板から、前記充填物を有する前記多孔膜を分離するステップと、
（ｆ）前記充填物を有する前記多孔膜から、該多孔膜を選択的に除去し、前記充填物からなる支持体を得るステップと、
を有することを特徴とするメタマテリアルの製造方法。
【請求項２】
前記支持体を形成する前記（ｃ）のステップは、
（ｃ１）基板上に、ブロック共重合体のミクロ相分離現象を利用して、ヘキサゴナル配置の親水相のカラム構造を有するミクロ相分離膜を形成するステップ
を有する、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記充填物は、金属であり、
前記（ｄ）のステップは、
（ｄ１）前記厚さ方向に貫通穴を有した多孔膜のカラム構造内に、金属を電析するステップ
を有する、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記充填物は、非金属であり、
前記（ｄ）のステップは、
（ｄ２）前記厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造内に、非金属を析出させるステップ
を有する、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記支持体の前記部分は、カラムを有し、
前記（ｂ）のステップにおいて、前記支持体の前記部分に、第１の方向から、電磁波共振体を形成する材料を蒸着することにより、前記電磁波共振体を形成する材料は、前記カラムの上面と、前記カラムの側面の少なくとも一部とに蒸着される、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項６】
前記（ｂ）のステップは、前記電磁波共振体を形成する材料を、異なる２以上の方向から前記支持体の前記部分に蒸着するステップを有する、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項７】
前記電磁波共振体は、前記支持体の側面方向から見たとき、前記部分に略逆Ｕ字型に蒸着される、請求項１乃至６のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項８】
前記電磁波共振体を形成する材料は、前記支持体の前記部分以外の箇所には蒸着されない、請求項１乃至７のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項９】
前記支持体は、前記電磁波に対して透過性の材料で構成される、請求項１乃至８のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項１０】
前記（ｂ）のステップは、前記支持体の前記部分に、電磁波共振体を形成する材料を物理蒸着するステップを有する、請求項１乃至９のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項１１】
前記電磁波共振体を形成する材料は、グラフェン、インジウムスズ酸化物、亜鉛酸化物、およびスズ酸化物からなる群から選定された、少なくとも一つである、請求項１乃至１０のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項１２】
前記（ｂ）のステップは、
（ｂ１）前記支持体の前記部分に金属膜を蒸着するステップと、
（ｂ２）前記金属膜上に、グラフェン膜を蒸着するステップと、
を有する、請求項１乃至１１のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項１３】
さらに、
（ｂ３）前記グラフェン膜を有する前記支持体を、前記グラフェン膜のある側が内側となるようにして、第２の支持体と一体化させるステップと、
（ｂ４）前記支持体および前記金属膜を選択的に除去して、前記グラフェン膜を有する第２の支持体を得るステップと、
を有する、請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
さらに、
（ｇ１）前記支持体を液体中に選択的に溶解させるステップと、
（ｇ２）前記電磁波共振体が液体中に分散された状態のメタマテリアルを形成するステップと、
を有する、請求項１乃至１３のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項１５】
さらに、
（ｈ）前記支持体に配置された前記電磁波共振体を、粘着性を有する材料に転写させるステップ、
を有する、請求項１乃至１４のいずれか一つに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メタマテリアルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまでに、メタマテリアルを製造する方法およびメタマテリアルに関連した各種技術が開示されている。
【０００３】
例えば、特開２００６−３５０２３２号公報（特許文献１）には、光波の波長よりも小さな電気共振器と磁気共振器との少なくともいずれか一方を、所定の平面内にのみ複数配置したメタマテリアルが開示されている。また、特開２００９−０５７５１８号公報（特許文献２）には、基材上にナノ金属構造体を形成する工程と、前記金属ナノ構造体が埋め込まれている樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜を前記基材から剥離する工程とを有する異方性フィルムの製造方法において、前記基材上にナノ金属構造体を形成する工程は、少なくとも、基材上に設けられた鋳型の表面に、無電解めっきにより形成される金属層を含む被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜の一部または全部を残したまま、前記鋳型の一部または全部を除去する工程とを有することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】日本国特開２００６−３５０２３２号公報
【特許文献２】日本国特開２００９−０５７５１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の一般的なメタマテリアルを製造する方法では、電磁波共振体を製造する際に、リソグラフィー技術およびエッチング技術を用いる。しかしながら、このような方法では、例えば、微細な電磁波共振体を有するメタマテリアルを量産する場合などにおいて、電磁波共振体の寸法形状等にバラツキが生じるおそれがある。このため、従来の方法では、実験室レベルではメタマテリアルを製造することが可能であっても、メタマテリアルを効率的に（歩留まり良く）量産することは難しいと考えられる。
【０００６】
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、より効率的にメタマテリアルを製造することが可能な方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、電磁波に対して共振する電磁波共振体を備えるメタマテリアルの製造方法であって、
（ａ）電磁波共振体が形成される部分を有する支持体を形成するステップと、
（ｂ）前記支持体の前記部分に、電磁波共振体を形成する材料を蒸着し、前記支持体に前記電磁波共振体を配置するステップと、
を含み、
前記支持体を形成するステップは、
（ｃ）基板上に、厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造を形成するステップと、
（ｄ）前記厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造内に、充填物を充填するステップであって、前記充填物は、前記カラム構造の高さを超える深さまで形成されるステップと、
（ｅ）前記基板から、前記充填物を有する前記多孔膜を分離するステップと、
（ｆ）前記充填物を有する前記多孔膜から、該多孔膜を選択的に除去し、前記充填物からなる支持体を得るステップと、
を有することを特徴とするメタマテリアルの製造方法が提供される。
【０００８】
ここで、本発明による製造方法において、前記支持体を形成する前記（ｃ）のステップは、
（ｃ１）基板上に、ブロック共重合体のミクロ相分離現象を利用して、ヘキサゴナル配置の親水相のカラム構造を有するミクロ相分離膜を形成するステップ
を有してもよい。
【０００９】
また、本発明による製造方法において、前記充填物は、金属であり、
前記（ｄ）のステップは、
（ｄ１）前記厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造内に、金属を電析するステップ
を有してもよい。
【００１０】
あるいは、本発明による製造方法において、前記充填物は、非金属であり、
前記（ｄ）のステップは、
（ｄ２）前記厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造内に、非金属を析出させるステップ
を有してもよい。
【００１１】
また、本発明による製造方法において、前記支持体の前記部分は、カラムを有し、
前記（ｂ）のステップにおいて、前記支持体の前記部分に、第１の方向から、電磁波共振体を形成する材料を蒸着することにより、前記電磁波共振体を形成する材料は、前記カラムの上面と、前記カラムの側面の少なくとも一部とに蒸着されてもよい。
【００１２】
また、本発明による製造方法において、前記（ｂ）のステップは、前記電磁波共振体を形成する材料を、異なる２以上の方向から前記支持体の前記部分に蒸着するステップを有してもよい。
【００１３】
また、本発明による製造方法において、前記電磁波共振体は、前記支持体の側面方向から見たとき、前記部分に略逆Ｕ字型に蒸着されてもよい。
【００１４】
また、本発明による製造方法において、前記電磁波共振体を形成する材料は、前記支持体の前記部分以外の箇所には蒸着されなくてもよい。
【００１５】
また、本発明による製造方法において、前記支持体は、前記電磁波に対して透過性の材料で構成されてもよい。
【００１６】
また、本発明による製造方法において、前記（ｂ）のステップは、前記支持体の前記部分に、電磁波共振体を形成する材料を物理蒸着するステップを有してもよい。
【００１７】
また、本発明による製造方法において、前記電磁波共振体を形成する材料は、グラフェン、インジウムスズ酸化物、亜鉛酸化物、およびスズ酸化物からなる群から選定された、少なくとも一つであってもよい。
【００１８】
また、本発明による製造方法において、前記（ｂ）のステップは、
（ｂ１）前記支持体の前記部分に金属膜を蒸着するステップと、
（ｂ２）前記金属膜上に、グラフェン膜を蒸着するステップと、
を有してもよい。
【００１９】
この場合、本発明による製造方法は、さらに、
（ｂ３）前記グラフェン膜を有する前記支持体を、前記グラフェン膜のある側が内側となるようにして、第２の支持体と一体化させるステップと、
（ｂ４）前記支持体および前記金属膜を選択的に除去して、前記グラフェン膜を有する第２の支持体を得るステップと、
を有してもよい。
【００２０】
また、本発明による製造方法は、さらに、
（ｇ１）前記支持体を液体中に選択的に溶解させるステップと、
（ｇ２）前記電磁波共振体が液体中に分散された状態のメタマテリアルを形成するステップと、
を有してもよい。
【００２１】
また、本発明による製造方法は、さらに、
（ｈ）前記支持体に配置された前記電磁波共振体を、粘着性を有する材料に転写させるステップ、
を有してもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明では、従来に比べて、より効率的にメタマテリアルを製造することが可能な方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明によるメタマテリアルの製造方法の一例の概略的なフロー図である。
【図２】本発明によるメタマテリアルの製造方法における各工程を模式的に示した図である。
【図３】メタマテリアルの一部の拡大斜視図（図３（ａ））、およびメタマテリアルの一部の拡大上面図（図３（ｂ））を概略的に示した図である。
【図４】ある特定の周波数の電磁波に対する電磁波共振体の共振の性質を評価する方法を説明する図である。
【図５】メタマテリアルの一態様を模式的に示した図である。
【図６】メタマテリアルの別の一態様を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の構成について説明する。
【００２５】
本発明では、電磁波に対して共振する電磁波共振体を備えるメタマテリアルの製造方法であって、
（ａ）電磁波共振体が形成される部分を有する支持体を形成するステップと、
（ｂ）前記支持体の前記部分に、電磁波共振体を形成する材料を蒸着し、前記支持体に前記電磁波共振体を配置するステップと、
を含み、
前記支持体を形成するステップは、
（ｃ）基板上に、厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造を形成するステップと、
（ｄ）前記厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造内に、充填物を充填するステップであって、前記充填物は、前記カラム構造の高さを超える深さまで形成されるステップと、
（ｅ）前記基板から、前記充填物を有する前記多孔膜を分離するステップと、
（ｆ）前記充填物を有する前記多孔膜から、該多孔膜を選択的に除去し、前記充填物からなる支持体を得るステップと、
を有することを特徴とするメタマテリアルの製造方法が提供される。
【００２６】
従来の一般的なメタマテリアルを製造する方法では、電磁波共振体を製造する際に、リソグラフィー技術およびエッチング技術を用いる。しかしながら、このような方法では、例えば、微細な電磁波共振体を有するメタマテリアルを量産する場合などにおいて、電磁波共振体の寸法形状等にバラツキが生じるおそれがある。このため、従来の方法では、メタマテリアルを効率的に量産することは難しいと考えられる。
【００２７】
これに対して、本発明では、前記電磁波共振体を配置する際に使用される支持体を、
・基板上に、厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造を形成するステップと、
・前記厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造内に、充填物を充填するステップであって、前記充填物は、前記カラム構造の高さを超える深さまで形成されるステップと、
・前記基板から、前記充填物を有する前記多孔膜を分離するステップと、
・前記充填物を有する前記多孔膜から、該多孔膜を選択的に除去するステップと、により製造する。
【００２８】
この場合、後述するように、極めて微細なカラム状パターンを有する支持体を、高精度で容易に製造できる。
【００２９】
また、本発明によるメタマテリアルの製造方法では、電磁波共振体は、蒸着法によって支持体に配置される。この場合、比較的大きな精度誤差が生じ得るリソグラフィー技術を使用する必要はなく、高い精度で再現性良く、メタマテリアルを製造できる。
【００３０】
また、本発明によるメタマテリアルの製造方法では、支持体の大面積化が容易となり、メタマテリアルを効率的に量産することが可能になる。
【００３１】
（ブロック共重合体のミクロ相分離現象）
ここで、本発明によるメタマテリアルの製造方法において、厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造を形成する方法としては、ブロック共重合体のミクロ相分離現象を利用している。使用されるブロック共重合体のミクロ相分離現象について、簡単に説明する。
【００３２】
親水性高分子鎖と疎水性高分子鎖の双方を有するブロック共重合体は、所定の条件下で、両鎖が相分離し、特徴的な微細構造を示すことが知られている（ミクロ相分離現象）（例えば特開２０１２−１７８７号公報）。
【００３３】
例えば、以下の化学式で表されるブロック共重合体（１）は、親水性高分子鎖（式（１）のＡ部分）と疎水性高分子鎖（式（１）のＺ部分）とが互いに非相溶性であるため、熱処理により容易に相分離し、ヘキサゴナル配置の親水相を有するカラム構造を形成する。
【００３４】
【化１】
2013182212.tif 000003
ここで、Ｒ１およびＲ２は、水素原子またはアルキル基であり、Ｒ３は、メチル基であり、ｐは、４〜３０の整数であり、ｑは、５〜５００の整数であり、Ａは、親水性高分子鎖であり、Ｂは、ハロゲン原子であり、Ｚは、液晶性メソゲン鎖である。
【００３５】
カラム構造における親水相の直径は、熱処理条件等により制御することができ、例えば、直径３ｎｍ程度の超微細なカラムから、直径３００ｎｍの比較的大きなカラムまで調整できる。
【００３６】
また、例えば、このようなヘキサゴナル配置の親水相を有するカラム構造で構成されたミクロ相分離膜を用いて、水溶液中で電解めっきを行うと、ミクロ相分離膜の親水相の位置に、めっきされた金属が選択的に電析される。その結果、金属層がカラム状に電析されたミクロ相分離膜を得ることができる。
【００３７】
ただし、前述のようなブロック共重合体のミクロ相分離現象によって得られる親水相のカラム構造では、各親水相のカラムの高さ（全長）がまちまちであり、この技術をそのまま、メタマテリアル用の支持体に適用することはできない。蒸着法でメタマテリアルを製造しようとした場合、電磁波共振体の配置に使用される支持体は、各カラムが、一定の高さで高精度に配列されている必要があるからである。
【００３８】
そこで、本願発明では、ミクロ相分離膜をそのまま利用する代わりに、親水相のカラム内に充填物を充填し、ミクロ相分離膜を上下反転することにより、支持体を製造する。この場合、充填物が親水相のカラムを超える高さで形成されていれば、ミクロ相分離膜を上下反転した際に、親水相のカラムの高さのばらつきは、最終的に得られる支持体のカラムの高さには影響しない。
【００３９】
なお、ミクロ相分離膜は、その後、充填物から選択的に除去され、最終的には、充填物で構成された支持体が得られる。
【００４０】
このような支持体の製造方法では、極めて微細なカラム状パターンを有する支持体を、高精度で容易に製造できる。また、支持体の製造に利用される、親水相のカラム構造を有するミクロ相分離膜は、ブロック共重合体の熱処理によって、いわば「自発的に」形成される。従って、本発明では、支持体の製造の際に、あまり特殊な装置および／または環境を準備する必要はなく、さらに、大面積の支持体を容易に製造できる。
【００４１】
なお、厚さ方向に貫通穴を有する多孔膜のカラム構造を形成する方法としては、アルミニウム薄膜やシリコン薄膜等の導電性もしくは半導体性薄膜の陽極酸化による方法もある。カラム構造の配置を制御するための表面の凹凸形成や、電気化学反応による陽極酸化のための精密な電流制御などが必要であることから、生産性についてはブロック共重合体のミクロ相分離にはおよばないものの、厚さ方向に貫通穴を有した多孔膜のカラム構造の形成は可能である。
【００４２】
（本発明によるメタマテリアルの製造法）
次に、図面を参照して、本発明によるメタマテリアルの製造方法の一例について、詳しく説明する。
【００４３】
図１には、本発明によるメタマテリアルの製造方法の一例の概略的なフロー図を示す。また、図２には、本発明によるメタマテリアルの製造方法における各工程を模式的に示す。
【００４４】
図１に示すように、本発明によるメタマテリアルの製造方法は、
（ａ）電磁波共振体が形成される部分を有する支持体を形成するステップ（Ｓ１１０）と、
（ｂ）前記支持体の前記部分に、電磁波共振体を形成する材料を蒸着し、前記支持体に前記電磁波共振体を配置するステップ（Ｓ１６０）と、
を含み、
前記支持体を形成するステップ（Ｓ１１０）は、
（ｃ）基板上に、ブロック共重合体のミクロ相分離現象を利用して、ヘキサゴナル配置の親水相のカラム構造を有するミクロ相分離膜を形成するステップ（Ｓ１２０）と、
（ｄ）前記ミクロ相分離膜の前記親水相のカラム構造内に、充填物を充填するステップであって、前記充填物は、前記カラム構造の高さを超える深さまで形成されるステップ（Ｓ１３０）と、
（ｅ）前記基板から、前記充填物を有する前記ミクロ相分離膜を分離するステップ（Ｓ１４０）と、
（ｆ）前記充填物を有する前記ミクロ相分離膜から、該ミクロ相分離膜を選択的に除去し、前記充填物からなる支持体を得るステップ（Ｓ１５０）と、
を有する。
【００４５】
以下、各ステップについて、説明する。
【００４６】
（ステップＳ１１０）
まず、電磁波共振体が形成される部分を有する支持体が形成される。
【００４７】
支持体は、以下のステップＳ１２０〜ステップＳ１５０を経て形成される。
【００４８】
（ステップＳ１２０）
図２（ａ）に示すように、まず、第１の表面１１２を有する基板１１０が準備される。
【００４９】
基板１１０は、後に第１の表面１１２上に、ミクロ相分離膜を支持する役割を有する。
【００５０】
基板１１０の材質は、特に限られない。強いて言えば、基板１１０は、後にミクロ相分離膜と分離されるため、ミクロ相分離膜との密着性があまり良くない材料であることが好ましい。ただし、基板１１０とミクロ相分離膜との密着性が極端に悪いと、基板１１０上にミクロ相分離膜を適正に設置することができなくなるおそれがある。
【００５１】
基板１１０は、導電性であっても、非導電性であってもよい。導電性基板としては、金属基板、または表面に導電性コーティングを設置した基板が挙げられる。非導電性基板としては、ガラス基板および樹脂基板等が挙げられる。
【００５２】
次に、基板１１０の上に、ブロック共重合体膜１２０が設置される。
【００５３】
ブロック共重合体は、前述のように、所定の環境下でミクロ相分離現象が生じ、ヘキサゴナル配置の親水相を有するカラム構造が形成されるものであれば、その種類は、特に限られない。そのようなブロック共重合体は、当業者には良く知られている。なお、ブロック共重合体は、例えば、前述の式（１）で示されるブロック共重合体であってもよい。
【００５４】
基板１１０へのブロック共重合体膜１２０の設置方法は、特に限られない。ブロック共重合体膜１２０は、例えば、スピンコーティング法、またはスプレー塗布等により、基板１１０に設置されてもよい。
【００５５】
次に、ブロック共重合体膜１２０を有するガラス基板１１０を熱処理して、ブロック共重合体膜１２０にミクロ相分離現象を発現させる。
【００５６】
熱処理温度は、ブロック共重合体膜１２０の種類によって異なるが、例えば、ブロック共重合体膜１２０の融点をＴｍ（℃）としたとき、Ｔｍ−２０℃〜Ｔｍ＋４０℃の範囲であってもよい。
【００５７】
これにより、図２（ｂ）に示すようなミクロ相分離膜１３０が形成される。ミクロ相分離膜１３０は、親水相のカラム１３２の部分と疎水相１３６の部分とで構成され、すなわちヘキサゴナル配置の親水相のカラム１３２を有するカラム構造１３８を有する。
【００５８】
親水相のカラム１３２の直径は、特に限られないが、例えば、３ｎｍ〜３００ｎｍの範囲である。
【００５９】
なお、図の例では、各親水相のカラム１３２の高さは、一定に示されているが、実際には、微視的に見たとき、各親水相のカラム１３２の高さは、ばらばらであり、一定ではない。
【００６０】
（ステップＳ１３０）
次に、ミクロ相分離膜１３０を有するガラス基板１１０において、親水相のカラム１３２の部分に充填物が充填される。
【００６１】
充填物は、導電性のもの（例えば金属）であっても、非導電性のもの（例えばセラミックス）であってもよい。
【００６２】
以下、親水相のカラム１３２の部分に導電性の充填物を充填する場合を例に、この工程について説明する。
【００６３】
まず、ミクロ相分離膜１３０を有するガラス基板１１０に対して、電解めっき処理が行われる。
【００６４】
なお、基板１１０が導電性を有する場合は、この基板１１０をそのまま使用できる。一方、基板１１０が非導電性基板である場合には、あらかじめ導電性物質の蒸着や無電解メッキ処理等を行い、基板１１０を導電性にしておく必要がある。
【００６５】
基板１１０に対して電解めっき処理が行われると、ミクロ相分離膜１３０の疎水相１３６の部分は、電解めっきのマスクとして機能する。従って、電析物は、ミクロ相分離膜１３０の親水相のカラム１３２の部分に、選択的に電析される。すなわち、電析物は、ミクロ相分離膜１３０の親水相のカラム１３２内に、親水相を押しのけるように形成される。
【００６６】
また、電解めっき処理は、電析物の厚さが、少なくとも親水相のカラム１３２の高さを超えるまで実施される。
【００６７】
その結果、図２（ｃ）に示すように、ミクロ相分離膜１３０の上部に、電析膜１４０が構成される。電析膜１４０は、親水相のカラム１３２内に形成されたカラム状部分１５０と、ミクロ相分離膜１３０の上部に形成された基部１５５とを有するように形成される。なお、図２（ｃ）では、明確化のため、親水相のカラム１３２は、示されていない（元の親水相のカラム１３２の位置は、電析膜のカラム状部分１５０で充填される）。
【００６８】
なお、以上の例では、親水相のカラム１３２の部分に導電性の充填物を充填する場合について説明した。しかしながら、充填物は、導電性物質ではなく、非導電性物質であってもよい。充填物が非導電性物質の場合、例えば、一般的な液相析出法等を利用して、非導電性物質を親水相のカラム１３２の部分に充填できる。非導電性の充填物は、ＳｉＯ２等であってもよい。
【００６９】
以上のことから、以降の説明では、ミクロ相分離膜１３０の上部（および親水相のカラム１３２の内部）に設置される部材を、「電析膜１４０」ではなく、「充填物１４０」と称することにする。
【００７０】
（ステップＳ１４０）
次に、図２（ｄ）に示すように、ミクロ相分離膜１３０および充填物１４０が、基板１１０の第１の表面１１２との界面から剥離される。
【００７１】
これにより、ミクロ相分離膜１３０および充填物１４０で構成された組立体１６０が得られる。
【００７２】
（ステップＳ１５０）
次に、得られた組立体１６０から、ミクロ相分離膜１３０が選択的に除去される。
【００７３】
ミクロ相分離膜１３０の除去方法は、特に限られない。ミクロ相分離膜１３０は、例えば、熱分解処理、酸素プラズマ処理、または有機溶媒による溶解処理等により、組立体１６０から除去してもよい。
【００７４】
これにより、図2（ｅ）に示すような、カラム状部分１５０および基部１５５を有する充填物１４０で構成された支持体２００が得られる。
【００７５】
前述のように、ミクロ相分離膜１３０の親水相のカラム１３２は、極めて微細であり、極めて高精度に配列される。従って、そのような親水相のカラム１３２内に形成されたカラム状部分１５０を有する充填物１４０、すなわち支持体２００は、極めて高精度に配列された、微細なカラム状部分１５０を有することになる。また、支持体２００のカラム状部分１５０の先端は、ミクロ相分離膜１３０の親水相のカラム１３２の先端部分ではなく、逆に親水相のカラム１３２の根本の部分に対応する。従って、支持体２００は、高さが正確に整えられたカラム状部分１５０を有するように構成できる。
【００７６】
（ステップＳ１６０）
次に、前述までの工程で得られた支持体２００を用いて、メタマテリアルが製造される。
【００７７】
より具体的には、図２（ｆ）に示すように、支持体２００のカラム状部分１５０に、電磁波共振体２１０（より正確には、電磁波共振体を形成する材料）が蒸着により配置される。
【００７８】
なお、蒸着は、図２（ｆ）に示すように、支持体２００のカラム状部分１５０の延伸方向（Ｚ方向）に対して、所定の角度θ（０＜θ＜９０゜）を有する、第１の方向Ｐから実施されることが好ましい。なお、角度θは、ＸＺ平面に垂直な方向（図２（ｆ）において、紙面に垂直な方向）から見たとき、カラム状部分１５０の延伸方向に対して、時計回りの方向の角度を表す。これにより、支持体２００のカラム状部分１５０の先端部分にのみ、電磁波共振体２１０を蒸着できる。
【００７９】
また、図２（ｆ）に示すように、必要な場合、その後、支持体２００のカラム状部分１５０の延伸方向に対して、所定の角度φ（−９０゜＜φ＜０）を有する、第２の方向Ｑから、蒸着が実施されてもよい。なお、角度φは、ＸＺ平面に垂直な方向（図２（ｆ）において、紙面に垂直な方向）から見たとき、カラム状部分１５０の延伸方向に対して、反時計回りの方向の角度を表す。角度φは、角度θと絶対値が等しくてもよい。
【００８０】
このような２回の蒸着を実施した場合、支持体２００の側面から見たとき、支持体２００のカラム状部分１５０に、略逆Ｕ字型の電磁波共振体２１０を配置できる。
【００８１】
このような略逆Ｕ字型の電磁波共振体２１０の配列は、電気回路のＵ字コイルの配列と考えることができる。支持体２００に対して概ね垂直方向から電磁波を入射すると、該電磁波の磁場成分がＵ字コイルを貫くこととなり、電磁波共振体２１０内に電磁誘導により電流が流れ、その電流が反抗磁場を形成するように働く。この現象は磁場共鳴と呼ばれ、電磁波共振体２１０のＵ字のそれぞれの端部の長さを蒸着角度φ、θにより変えることかでき、透磁率と誘電率を調節することができる。それによって例えば、共振周波数の直後の高周波数帯で透磁率と誘電率が、ともに負の値となることで負の屈折率を実現することのできるメタマテリアルのリング共振器（Ｓｐｌｉｔ  Ｒｉｎｇ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ（ＳＲＲ））として利用できる。ＳＲＲを有するメタマテリアルでは、従来はリソグラフィー技術およびエッチング技術によって略U字型ＳＲＲや略Ｃ字型ＳＲＲが平面内に形成されたものが報告されているが、その様なＳＲＲで磁場共鳴現象を発現するためには、電磁波をＳＲＲが形成された面内に入射するか、面に対して斜め方向から入射して、平面方向の磁場成分を利用する必要があり、レンズや波長選択フィルターなどの光素子として使いにくいものであった。一方、本発明の略逆Ｕ字型では、前述の様に電磁波を支持体に対して垂直に方向から入射することで機能することから素子応用がしやすい利点を有する。
【００８２】
蒸着方法の種類は、特に限られない。例えば、電磁波共振体２１０は、物理蒸着法または化学蒸着法で形成されてもよい。
【００８３】
物理蒸着は、固体の原料を加熱することによって原料を気化させ、および気化した原料のガスを基板の表面に堆積させる手段であり、あるいはイオンや高エネルギーの粒子をターゲットに衝突させて、飛び出した粒子を基板の表面に堆積させる手段である。さらに、物理蒸着としては、真空蒸着、スパッタリングおよびイオンプレーティングなどが挙げられる。真空蒸着としては、例えば、電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着などが挙げられる。スパッタリングとしては、例えば、直流（ＤＣ）スパッタリング、交流（ＡＣ）スパッタリング、高周波（ＲＦ）スパッタリング、パルス化直流（ＤＣ）スパッタリング、マグネトロンスパッタリングなどが挙げられる。
【００８４】
化学蒸着は、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、基板表面あるいは気相での化学反応により膜を堆積させる手段である。化学蒸着としては、例えば、熱ＣＶＤ、光ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、エピタキシャルＣＶＤなどが挙げられる。
【００８５】
（メタマテリアルの構成について）
次に、図面を参照して、前述のような本発明による製造方法によって得られるメタマテリアルの構成例について、簡単に説明する。
【００８６】
図３には、本発明による製造方法によって得られるメタマテリアルの一構成例を概略的に示す。図３（ａ）には、メタマテリアルの一部の拡大斜視図が示されている。また、図３（ｂ）には、メタマテリアルの一部の拡大上面図が示されている。
【００８７】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、このメタマテリアル３００は、支持体２００と、電磁波共振体３１０とで構成される。
【００８８】
支持体２００は、基部１５５と、該基部１５５の上部にカラム状に形成された、複数のカラム１９０とを有する。各カラム１９０は、メタマテリアル３００を上部から見たとき、ヘキサゴナル配置となるように配列されている。図３（ａ）（ｂ）には、明確化のため、カラム１９０の構成単位となる、単位六角形状配置３２０が破線で示されている。
【００８９】
電磁波共振体３１０は、ヘキサゴナル配置となるように配列された各カラム１９０の上面、および側面の一部に配置されている。より詳しくは、電磁波共振体３１０は、メタマテリアルを水平方向（図のＸ方向）から見たとき、略逆Ｕ字型の形態となるようにして、各カラム１９０の先端に形成されている。
【００９０】
なお、このようなメタマテリアル３００は、例えば、各カラム１９０の延伸方向（Ｚ方向）に対して傾斜する２方向から、支持体２００に、電磁波共振体を形成する材料を蒸着することにより構成できる。
【００９１】
例えば、図３（ａ）、（ｂ）の例では、最初に矢印３３０の方向から、第１回目の蒸着が行われ、次に矢印３４０の方向から、第２回目の蒸着が行われる。ここで、矢印３３０および３４０は、支持体２００の表面と垂直な同一の平面（ＸＺ平面）内にあるものの、カラム１９０の延伸軸（Ｚ軸）に対して相互に反対向きに傾斜している。
【００９２】
この場合、矢印３３０の側からの第１回目の蒸着の際には、２つの相互に隣接するカラム１９０において、下流側のカラムと支持体２００は、上流側のカラムの陰となるため、各カラム１９０の側面全体と支持体２００には、蒸着材料が成膜されなくなる。すなわち、蒸着材料は、カラム１９０の上面と、側面の一部にのみ成膜される。
【００９３】
同様に、矢印３４０の側からの第２回目の蒸着の際には、２つの相互に隣接するカラム１９０において、下流側のカラムと支持体２００は、上流側のカラムの陰となるため（第１回目の蒸着とは、上流と下流の関係が逆となることに留意する必要がある）、各カラム１９０の側面全体と支持体２００には、蒸着材料が成膜されなくなる。すなわち、蒸着材料は、カラム１９０の上面と、側面の１回目の蒸着によって成膜がなされた部分とは反対側の部分にのみ成膜される。
【００９４】
従って、これにより、カラム１９０の先端に、略逆Ｕ字型の形態で電磁波共振体３１０を形成できる。
【００９５】
なお、図３の例では、第１の方向（矢印３３０の方向）および第２の方向（矢印３４０の方向）は、メタマテリアル３００を上部から見たとき、カラム１９０の単位配列を構成する六角形の一つの辺に対して、垂直な方向（図３（ｂ）のＹ方向）となっている。
【００９６】
しかしながら、これは一例に過ぎず、蒸着の際の第１の方向および第２の方向は、必要な電磁波共振体の形状に応じて、適宜選定すればよい。
【００９７】
（電磁波共振体の共振の評価方法について）
ここで、ある特定の周波数の電磁波に対する電磁波共振体の共振の性質を評価する方法を説明する。
【００９８】
図４（ａ）〜（ｃ）は、ある特定の周波数の電磁波に対する電磁波共振体の共振の性質を評価する方法を説明する図である。図４（ａ）は、ある特定の周波数の電磁波に対する電磁波共振体の共振の性質を評価する装置を説明する図である。
【００９９】
図４（ａ）に示すように、電磁波共振体を含む試料４２０の共振の性質を評価する装置４１０は、光源４３０、偏光板４４０、および分光光度計４５０を含む。装置４１０において、光源４３０は、無偏光の白色光を発生する。光源４３０から発生した無偏光の白色光は、偏光板４４０を通過する。偏光板４４０を通過した白色光は、直線偏光である。次に、直線偏光の白色光は、試料４２０に入射する。試料４２０に入射した直線偏光の白色光のうち共振周波数の直線偏光が、試料４２０に含まれる電磁波共振体と共振すると、共振周波数の直線偏光は、試料４２０に含まれる電磁波共振体によって吸収される。そこで、分光光度計４５０を用いて白色光における様々な波長に対する試料４２０を通過した直線偏光の吸光度を測定する。
【０１００】
次に、電磁波共振体に代えて、該電磁波共振体の材料と同一の材料で作られた（実質的に）球状の粒子を用いて、同様にして、直線偏光の波長に対する試料４２０における粒子の吸光度を得る。そして、試料４２０における電磁波共振体の吸光度と、試料４２０における粒子の吸光度との間に有意な差が観察される場合には、電磁波共振体は、電磁波に対して単純な粒子とは異なる共振する電磁波共振体であると判断される。
【０１０１】
さらに、図4（ａ）に示される装置４１０を用いて、試料に電磁波共振体がランダムに配置されているか、規則的に配列されているか、を調べることもできる。装置４１０は、好ましくは、試料４２０を回転させる手段及び偏光板４４０を回転させる手段の少なくとも一方を有する。
【０１０２】
まず、電磁波共振体を含む試料について波長を切り換えて吸光度を測定した後、吸収のピークとなる波長を特定する。そして、光源４３０から発生する無偏光の白色光の波長をこの特定された波長に固定し、偏光板を回転させるか、または試料を回転させるかして、吸光度の変化を観察する。なお、試料４２０は、実線と破線とで示されるように回転させるほか、Ｈ方向にも回転させて吸光度の変化を観察する。偏光板４４０はＨ方向に回転させて、吸光度の変化を観察する。図４（ｂ）は偏光板を回転させた場合、図４（ｃ）は試料を回転させた場合、の電磁波共振体の吸光度の変化を説明する図である。
【０１０３】
試料４２０における電磁波共振体が規則的に配列された場合には、試料４２０に含まれた電磁波共振体に起因する直線偏光の吸光度は、直線偏光の方向と電磁波共振体の規則的な配列の方向との間の角度に依存する。このため、図４（ｂ）の実線に示すように、偏光板４４０を回転させると、試料４２０に含まれた電磁波共振体に起因する光の吸光度は、変動する。また、図４（ｃ）の実線に示すように、試料４２０を回転させる手段によって試料４２０を回転させると、試料４２０に含まれた電磁波共振体に起因する光の吸光度は、変動する。
【０１０４】
また、試料４２０における電磁波共振体がランダムに配置された場合には、図４（ｂ）の点線に示すように偏光板を回転させても、試料４２０に含まれた電磁波共振体に起因する光の吸収は偏光板の回転に依存しない。さらに、図４（ｃ）の点線に示すように、試料４２０を回転させる手段によって試料４２０を回転させても、試料４２０に含まれた電磁波共振体に起因する光の吸光度は、試料４２０の回転に依存しない。
【０１０５】
（メタマテリアルの形態について）
本発明による方法で製造されるメタマテリアルは、いかなる形態で提供されてもよい。
【０１０６】
以下、図面を参照して、メタマテリアルのいくつかの態様について、説明する。
【０１０７】
図５には、メタマテリアルの一態様を模式的に示す。
【０１０８】
メタマテリアルは、電磁波共振体を支持体から分離した状態で、提供されてもよい。
【０１０９】
例えば、図５の例では、メタマテリアル５００は、電磁波共振体５１０が液体５２０中に分散された状態で提供されている。
【０１１０】
例えば、支持体のみを選択的に溶解させることにより、このような態様のメタマテリアル５００を提供できる。
【０１１１】
図６には、メタマテリアルの別の一態様を模式的に示す。
【０１１２】
図６の例では、メタマテリアル６００は、樹脂の硬化体６２０および電磁波共振体６１０からなる、レンズのような光学素子として構成される。
【０１１３】
メタマテリアル６００において、電磁波共振体６１０は、樹脂の硬化体６２０に不規則に（ランダム）に分散されている。このため、メタマテリアル６００は、例えば、電磁波の偏光の方向に対して等方性の物理的な性質（例えば、比透磁率、屈折率、分散など）を有するレンズとして機能する。また、樹脂の硬化体６２０に分散される電磁波共振体６１０を適宜設計することによって、調整された等方的な物理的な性質（例えば、比透磁率、屈折率、分散など）を有するレンズを提供できる。
【０１１４】
この他にも、各種形態でメタマテリアルが提供できることは、当業者には明らかである。
【０１１５】
例えば、図３に示したような形態で、支持体２００のカラム１９０に配置された電磁波共振体３１０を、粘着性材料に転写させ、支持体２００と電磁波共振体３１０とを分離させてもよい。そのような粘着性材料は、例えば、シリコーンゴム等であってもよい。この場合、電磁波共振体３１０の配列を有する、シリコーンゴム製のシート材を得ることができる。
【実施例】
【０１１６】
以下、本発明の実施例について説明する。
【０１１７】
（実施例１）
以下の方法で、メタマテリアルを作製した。
【０１１８】
（ミクロ相分離膜を有する基板の調製）
まず、公知の方法で、以下の式（２）に示す化学式を有するブロック共重合体を準備した。
【０１１９】
【化２】
2013182212.tif 000004
このブロック共重合体の調製方法は、例えば、特開２０１２−１７８７号公報等に記載されている。このブロック共重合体をトルエン中に溶解し、４重量％のブロック共重合体濃度のトルエン溶液を調製した。
【０１２０】
次に、表面にインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が設置されたガラス基板（無アルカリガラス基板）を準備した。このガラス基板の表面を、紫外線オゾン処理により清浄化した後、ガラス基板のＩＴＯが設置された表面に、トルエン溶液をスピンコーティングした。
【０１２１】
その後、ガラス基板を乾燥させることにより、ブロック共重合体がコーティングされたガラス基板を得た。ブロック共重合体の膜厚は、約１５０ｎｍである。
【０１２２】
次に、このガラス基板を用いて、１４０℃で１時間の熱処理を行った。
【０１２３】
これにより、ガラス基板上に、ブロック共重合体のミクロ相分離膜が形成された。ミクロ相分離膜は、親水相の部分がヘキサゴナル配置で配列されたカラム構造を有する。各カラムの直径は、おおよそ５０ｎｍ程度であり、隣接するカラム同士の間の間隔（すなわちヘキサゴナル配置の六角形の１辺の長さ）は、約１５０ｎｍであった。
【０１２４】
（支持体の作製）
次に、得られたミクロ相分離膜付きガラス基板を用いて、ミクロ相分離膜に対して、酸化亜鉛膜の電析を行った。酸化亜鉛膜の厚さは、約３μｍとした。この厚さでは、ミクロ相分離膜の親水相のカラムの先端部分は、酸化亜鉛膜によって、完全に被覆される。
【０１２５】
なお、酸化亜鉛膜の電析方法は、当業者には良く知られており（例えば、特開２０００−４５０９５号公報等）、ここではこれ以上説明しない。
【０１２６】
酸化亜鉛膜の電析により、ミクロ相分離膜の親水相の部分に、酸化亜鉛電析物が充填された。すなわち、酸化亜鉛膜は、親水相の部分に充填されたカラム状部分と、ミクロ相分離膜の上部を覆う基部と、を有するように形成された。
【０１２７】
その後、上部に酸化亜鉛膜が形成されたミクロ相分離膜をガラス基板から剥離した。
【０１２８】
次に、剥離物を４５０℃で１時間保持することにより、剥離物からミクロ相分離膜を選択的に分解、除去した。
【０１２９】
これにより、カラム状部分および基部を有する酸化亜鉛膜製の支持体が形成された。
【０１３０】
（電磁波共振体の配置）
次に、得られた支持体の各カラム状部分の先端に、金の電磁波共振体を設置し、メタマテリアルを製造した。
【０１３１】
電磁波共振体は、支持体に対して、異なる２方向から金を物理蒸着することにより、支持体の各カラム状部分の先端に、略逆Ｕ字型となるように設置した。各カラム状部分の上面における金の膜厚は、約３０ｎｍである。
【０１３２】
なお、第１の方向は、前述の図３における矢印３３０の方向、すなわち、カラム状部分の延伸方向（Ｚ方向）から見たとき、単位六角形配列の一つの辺に対して垂直な方向であって、ＹＺ平面に垂直な見たとき、Ｚ方向に対して、角度θだけ、時計回りに傾斜した方向とした。ここで、θ＝６０゜である。また、第２の方向は、前述の図３における矢印３４０の方向、すなわち、カラム状部分の延伸方向（Ｚ方向）から見たとき、単位六角形配列の一つの辺に対して垂直な方向であって、ＹＺ平面に垂直な見たとき、Ｚ方向に対して、角度φだけ、反時計回りに傾斜した方向とした。ここで、φ＝−θ＝６０゜である。
【０１３３】
得られたメタマテリアルを用いて、電磁波特性（共振特性）を測定した。
【０１３４】
電磁波特性は、メタマテリアルに対して、電磁波共振体のコイルを磁場が貫通する方向の偏光を照射し、得られる光吸収スペクトルを測定することにより実施した。
【０１３５】
測定の結果、波長約８００ｎｍの領域に、磁場共鳴による吸収ピークが観測され、製作されたメタマテリアルが、特定の波長で共振特性を示すことが確認された。
【０１３６】
（実施例２）
実施例１と同様の方法により、ＩＴＯが形成された表面上に、ブロック共重合体がコーティングされたガラス基板を得た。ブロック共重合体の膜厚は、約１００ｎｍである。
【０１３７】
次に、このガラス基板を用いて１５０℃で１時間の熱処理を行い、ミクロ相分離膜を形成した。各カラムの直径は、おおよそ５０ｎｍ程度であり、隣接するカラム同士の間の間隔（すなわちヘキサゴナル配置の六角形の１辺の長さ）は、約１００ｎｍであった。
【０１３８】
その後、実施例１と同様の方法により、カラム状部分および基部を有する酸化亜鉛膜製の支持体を形成した。
【０１３９】
次に、得られた支持体の各カラム状部分の先端に、銅の蒸着膜を形成した。
【０１４０】
銅の蒸着膜は、支持体に対して、異なる２方向から銅を物理蒸着することにより、支持体の各カラム状部分の先端に、略逆Ｕ字型となるように設置した。各カラム状部分の上面における銅の膜厚は、約３０ｎｍである。また、第１の方向および第２の方向は、前述の実施例１の場合と同様である。
【０１４１】
次に、メタン、アルゴンおよび水素の混合ガスを用いて、ＣＶＤ法により、各カラム状部分の先端にグラフェン膜を成膜した。
【０１４２】
各ガスの流量は、メタン２７ＳＣＣＭ、アルゴン１８ＳＣＣＭ、および水素９ＳＣＣＭとした。また、成膜圧力は、３Ｐａとし、成膜温度は３２０℃とし、成膜時間は２００秒とした。
【０１４３】
ここで、銅の蒸着膜は、グラフェン膜を形成する際の触媒層として機能する。このため、グラフェン膜は、各カラム状部分のうち、銅の蒸着膜が設置されている箇所にのみ形成される。これにより、各カラム状部分の先端に、略逆Ｕ字型のグラフェン膜が形成された。
【０１４４】
次に、得られた支持体上に、エポキシ系樹脂（エクセルエポ・透明タイプ；セメダイン社製）を滴下、塗布し、その上から、撥液処理を行った石英ガラス基板を押し付けた。この状態で、２０分間保持し、エポキシ系樹脂を硬化させた。
【０１４５】
その後、石英ガラス基板を取り外すことにより、銅膜およびグラフェン膜を有する支持体と、エポキシ樹脂とからなる組立体を得た。
【０１４６】
次に、５％の硫化水素水溶液に組立体を浸漬し、支持体および銅膜を選択的に溶解させることにより、グラフェン膜の凹パターンを有するエポキシ樹脂製のメタマテリアルを作製した。
【０１４７】
一方、これとは別に、平坦な２０ｍｍ×２０ｍｍ×０．５ｍｍの石英ガラス基板上に、厚さ約３０ｎｍの銅膜を蒸着したサンプルを用いて、前述の工程を実施することにより、平坦なグラフェン膜を有する平坦なエポキシ樹脂（測定用サンプル）を作製した。
【０１４８】
また、この測定用サンプルを用いて、透過率測定およびシート抵抗測定を実施した。
【０１４９】
測定用サンプルの透過率測定の結果、波長４００ｎｍにおける透過率は、７０％であり、波長８００ｎｍにおける透過率は、８０％であった。また、測定用サンプルのシート抵抗は、１０ｋΩ／ｓｑであった。
【０１５０】
この測定用サンプルの評価結果から、実施例２の方法によって得られたメタマテリアルは、可視光域で良好な透過性を有することが確認された。
【０１５１】
（実施例３）
実施例１と同様の方法により、ＩＴＯが形成された表面にブロック共重合体がコーティングされたガラス基板を得た。ブロック共重合体の膜厚は、約１００ｎｍである。
【０１５２】
なお、実施例３では、ガラス基板として、ソーダライムガラス基板を使用した。
【０１５３】
次に、このガラス基板を用いて１５０℃で１時間の熱処理を行い、ミクロ相分離膜を形成した。各カラムの直径は、おおよそ５０ｎｍ程度であり、隣接するカラム同士の間の間隔（すなわちヘキサゴナル配置の六角形の１辺の長さ）は、約１００ｎｍであった。
【０１５４】
次に、得られたミクロ相分離膜付きガラス基板を用いて、ミクロ相分離膜の親水相のカラムに対して、充填物の充填を行った。充填物には、シリカ（ＳｉＯ２）を選定し、一般的な液相析出法を利用して、ミクロ相分離膜の親水相のカラムにシリカを充填した。
【０１５５】
なお、シリカ層の全体の厚さは、約２０μｍとした。この厚さでは、ミクロ相分離膜の親水相のカラムの先端部分は、シリカ層によって、完全に被覆される。
【０１５６】
なお、シリカ膜の液相析出法は、当業者には良く知られており（例えば、ＮＥＷ  ＧＬＡＳＳ  Ｖｏｌ．１２，Ｎｏ．２，ｐ．４６−ｐ．５０，１９９６等）、ここではこれ以上説明しない。
【０１５７】
シリカ膜の液相析出により、ミクロ相分離膜の親水相の部分に、シリカが充填された。すなわち、シリカ膜は、親水相の部分に充填されたカラム状部分と、ミクロ相分離膜の上部を覆う基部と、を有するように形成された。
【０１５８】
その後、シリカ膜が形成されたミクロ相分離膜をガラス基板から剥離した。
【０１５９】
次に、剥離物を大気圧プラズマ処理することにより、剥離物からミクロ相分離膜を選択的に分解、除去した。
【０１６０】
これにより、カラム状部分および基部を有するシリカ膜製の支持体が形成された。
【０１６１】
次に、得られた支持体の各カラム状部分の先端に、銀の蒸着膜を形成した。
【０１６２】
銀の蒸着膜は、支持体に対して、異なる２方向から銅を物理蒸着することにより、支持体の各カラム状部分の先端に、略逆Ｕ字型となるように設置した。各カラム状部分の上面における銀の膜厚は、約３０ｎｍである。また、第１の方向および第２の方向は、前述の実施例１の場合と同様である。
【０１６３】
以上の工程により、各カラム状部分の先端に、銀製の電磁波共振体が配置されたメタマテリアルが作製された。
【０１６４】
以上の工程を繰り返すことにより、同様のメタマテリアルを多数製造した。
【０１６５】
次に、一つのメタマテリアルの上に、エポキシ系樹脂（エクセルエポ・透明タイプ；セメダイン社製）を滴下、塗布してから、別のメタマテリアルを積層した。同様の操作を１０回繰り返し、１０層のメタマテリアルが積層された積層体を製造した。
【０１６６】
以上、本発明の実施形態を具体的に説明してきたが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、これらの実施形態を、本発明の主旨及び範囲を逸脱することなく、変更する、変形する、及び／又は組み合わせることができる。
【０１６７】
本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
【産業上の利用可能性】
【０１６８】
本発明は、メタマテリアルの製造方法に利用できる。
【符号の説明】
【０１６９】
１１０    基板
１１２    第１の表面
１２０    ブロック共重合体膜
１３０    ミクロ相分離膜
１３２    親水相のカラム
１３６    疎水相
１３８    カラム構造
１４０    電析膜、充填物
１５０    カラム状部分
１５５    基部
１６０    組立体
１９０    カラム
２００    支持体
２１０    磁波共振体
３００    メタマテリアル
３１０    電磁波共振体
３２０    単位六角形状配置
３３０    矢印（１回目の蒸着方向）
３４０    矢印（２回目の蒸着方向）
４１０    装置
４２０    試料
４３０    光源
４４０    偏光板
４５０    分光光度計
５００    メタマテリアル
５１０    電磁波共振体
５２０    液体
６００    メタマテリアル
５１０    電磁波共振体
６２０    樹脂の硬化体
【図１】
2013182212.tif 000005
【図２】
2013182212.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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