(57)【要約】【課題】薄型化を図ることができ、かつ、不要輻射の発生を抑制できる高周波信号線路を提供することである。【解決手段】誘電体素体１２は、可撓性を有する複数の誘電体シート１８が積層されて構成されている。信号線２０は、誘電体素体１２に設けられている。グランド導体２２は、誘電体素体１２において信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられ、かつ、信号線２０と誘電体シート１８を介して対向している。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、信号線２０に沿って並んでおり、グランド導体２２からｚ軸方向の負方向側に向かって突出し、かつ、グランド導体２２のみに電気的に接続されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、
前記素体に設けられている線状の信号線と、
前記素体において前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線と前記絶縁体層を介して対向している第１のグランド導体と、
前記信号線と容量結合するように前記信号線に沿って並んでいる複数のビアホール導体であって、前記第１のグランド導体から積層方向の他方側に向かって突出し、かつ、該第１のグランド導体のみに電気的に接続されている複数の第１のビアホール導体と、
を備えていること、
を特徴とする高周波信号線路。
【請求項２】
前記信号線よりも積層方向の他方側には実質的にグランド導体が設けられていないこと、
を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
【請求項３】
前記素体において前記信号線よりも積層方向の他方側に設けられ、かつ、該信号線と重なるスリットが設けられているグランド導体であって、前記第１のビアホール導体と電気的に接続されていない第２のグランド導体を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
【請求項４】
前記複数の第１のビアホール導体は、前記信号線の特性インピーダンスが周期的に変動する構造をなしていること、
を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の高周波信号線路。
【請求項５】
隣り合う前記第１のビアホール導体の間隔が周期的に変動することによって、前記信号線の特性インピーダンスが周期的に変動していること、
を特徴とする請求項４に記載の高周波信号線路。
【請求項６】
前記信号線の特性インピーダンスが相対的に高い位置では、隣り合う前記第１のビアホール導体の間隔が相対的に大きく、
前記信号線の特性インピーダンスが相対的に低い位置では、隣り合う前記第１のビアホール導体の間隔が相対的に小さいこと、
を特徴とする請求項５に記載の高周波信号線路。
【請求項７】
前記複数の第１のビアホール導体と前記信号線との距離が周期的に変動することによって、前記信号線の特性インピーダンスが周期的に変動していること、
を特徴とする請求項４に記載の高周波信号線路。
【請求項８】
前記信号線の特性インピーダンスが相対的に高い位置では、前記第１のビアホール導体と該信号線との距離が相対的に大きく、
前記信号線の特性インピーダンスが相対的に低い位置では、前記第１のビアホール導体と該信号線との距離が相対的に小さいこと、
を特徴とする請求項７に記載の高周波信号線路。
【請求項９】
前記複数の第１のビアホール導体の径の太さが周期的に変動することによって、前記信号線の特性インピーダンスが周期的に変動していること、
を特徴とする請求項４に記載の高周波信号線路。
【請求項１０】
前記信号線の特性インピーダンスが相対的に高い位置では、前記第１のビアホール導体の径の太さが相対的に細く、
前記信号線の特性インピーダンスが相対的に低い位置では、前記第１のビアホール導体の径の太さが相対的に太いこと、
を特徴とする請求項９に記載の高周波信号線路。
【請求項１１】
前記複数の第１のビアホール導体の長さが周期的に変動することによって、前記信号線の特性インピーダンスが周期的に変動していること、
を特徴とする請求項４に記載の高周波信号線路。
【請求項１２】
前記信号線の特性インピーダンスが相対的に高い位置では、前記第１のビアホール導体の長さが相対的に短く、
前記信号線の特性インピーダンスが相対的に低い位置では、前記第１のビアホール導体の長さが相対的に長いこと、
を特徴とする請求項１１に記載の高周波信号線路。
【請求項１３】
前記素体において前記信号線よりも積層方向の他方側に設けられ、かつ、該信号線と重なる複数の開口が設けられている第２のグランド導体を、
更に備えており、
前記複数の第１のビアホール導体は、前記開口内に設けられていること、
を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
【請求項１４】
前記複数の第１のビアホール導体は、前記信号線の特性インピーダンスが前記開口を１周期として変動する構造をなしていること、
を特徴とする請求項１３に記載の高周波信号線路。
【請求項１５】
前記各開口の両端における前記信号線の特性インピーダンスは、該各開口の中央における該信号線の特性インピーダンスよりも低くなっていること、
を特徴とする請求項１４に記載の高周波信号線路。
【請求項１６】
前記信号線と容量結合するように前記信号線に沿って並んでいる複数のビアホール導体であって、前記第１のグランド導体から積層方向の他方側に向かって突出し、かつ、該第１のグランド導体のみに電気的に接続されている複数の第２のビアホール導体を、
更に備えており、
前記第１のビアホール導体及び前記第２のビアホール導体は、積層方向から平面視したときに、前記信号線を挟んでいること、
を特徴とする請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載の高周波信号線路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号線路に関し、より特定的には、可撓性を有する素体に信号線が設けられてなる高周波信号線路に関する。
【背景技術】
【０００２】
信号線がグランド導体によって上下から挟まれてなるトリプレート型のストリップライン構造を有する高周波信号線路では、信号線の高周波伝送ロスを小さくするために、信号線の線幅を広くすることが行われる。これにより、信号線の表面積が大きくなると共に、信号線と対向するグランド導体部分の面積が大きくなる。その結果、信号線の高周波伝送ロスが小さくなる。高周波伝送ロスとは、インピーダンス整合が取られた状態において主に高周波信号が熱に変化することによって生じるロスである。
【０００３】
しかしながら、信号線の線幅が広くなると、信号線とグランド導体とが対向する面積が大きくなり、信号線とグランド導体との間に発生する静電容量が大きくなる。したがって、高周波信号線路の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンス（例えば５０Ω）に一致させるためには、信号線とグランド導体との距離を大きくして、これらの間の静電容量を小さくする必要がある。ところが、信号線とグランド導体との距離が大きくなると、高周波信号線路の厚みが大きくなる。
【０００４】
そこで、特許文献１に記載のフレキシブル基板が提案されている。図１７は、特許文献１に記載のフレキシブル基板６００を積層方向から平面視した図である。
【０００５】
フレキシブル基板６００は、信号線路６０２及びグランド層６０４を備えている。信号線路６０２は、線状の導体である。グランド層６０４は、誘電体層を介して、信号線路６０２の積層方向の上側に積層されている。また、図示しないが、信号線路６０２の積層方向の下側にはグランド層が設けられている。そして、フレキシブル基板６００では、グランド層６０４には、複数の開口６０６が設けられている。開口６０６は、長方形状をなしており、信号線路６０２上において、信号線路６０２が延在している方向に一列に並んでいる。これにより、信号線路６０２は、積層方向の上側から平面視したときに、一部においてグランド層６０４と重なるようになる。その結果、信号線路６０２とグランド導体層６０４との間に形成される静電容量が小さくなる。よって、信号線路６０２とグランド導体層６０４との間隔を小さくすることができ、フレキシブル基板６００の薄型化が図られる。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のフレキシブル基板６００は、開口６０６が設けられているので、該開口６０６を介して不要輻射が発生するという問題を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−１２３７４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、薄型化を図ることができ、かつ、不要輻射の発生を抑制できる高周波信号線路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一形態に係る高周波信号線路は、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体において前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線と前記絶縁体層を介して対向している第１のグランド導体と、前記信号線と容量結合するように前記信号線に沿って並んでいる複数のビアホール導体であって、前記第１のグランド導体から積層方向の他方側に向かって突出し、かつ、該第１のグランド導体のみに電気的に接続されている複数の第１のビアホール導体と、を備えていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、薄型化を図ることができ、かつ、不要輻射の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図３】第１の実施形態に係る高周波信号線路の断面構造図である。
【図４】第１の実施形態に係る高周波信号線路の断面構造図である。
【図５】高周波信号線路の等価回路図である。
【図６】高周波信号線路の特性インピーダンスを示したグラフである。
【図７】高周波信号線路のコネクタの外観斜視図及び断面構造図である。
【図８】高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。
【図９】第１の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図１０】第２の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図１１】第３の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図１２】第４の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図１３】第５の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図１４】第２の実施形態に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図１５】第２の実施形態に係る高周波信号線路の拡大図である。
【図１６】高周波信号線路の等価回路図である。
【図１７】特許文献１に記載のフレキシブル基板を積層方向から平面視した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、第１の実施形態に係る高周波信号線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、第１の実施形態に係る高周波信号線路１０の断面構造図である。図４は、第１の実施形態に係る高周波信号線路１０の断面構造図である。図１ないし図４において、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。
【００１４】
高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号線路１０は、図１ないし図３に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）、信号線２０、グランド導体２２、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。
【００１５】
誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示す保護層１４及び誘電体シート（絶縁体層）１８（１８ａ〜１８ｃ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面（第１の主面）と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面（第２の主面）と称す。
【００１６】
線路部１２ａは、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも広い。
【００１７】
誘電体シート１８は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８は、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。以下では、誘電体シート１８のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
【００１８】
また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。
【００１９】
外部端子１６ａは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ｂは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、金めっきが施されている。
【００２０】
信号線２０は、図２に示すように、誘電体素体１２内に設けられている線状導体であり、誘電体シート１８ｂの表面をｘ軸方向に延在している。信号線２０の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ａ，１６ｂと重なっている。信号線２０の線幅は、例えば１００〜５００μｍである。本実施形態では、信号線２０の線幅は２４０μｍである。信号線２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００２１】
グランド導体２２（第１のグランド導体）は、図２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられ、より詳細には、誘電体素体１２の表面に最も近い誘電体シート１８ａの表面に設けられている。グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面においてｘ軸方向に延在しており、図３に示すように、誘電体シート１８ａを介して信号線２０と対向している。グランド導体２２には、実質的に開口が設けられていない。すなわち、グランド導体２２は、線路部１２ａにおける信号線２０に沿ってｘ軸方向に連続的に延在する電極、所謂ベタ状の電極である。ただし、グランド導体２２は線路部１２ａを完全に覆っている必要はなく、例えば、誘電体シート１８の熱可塑性樹脂が熱圧着される際に発生するガスを逃がすためにグランド導体２２の所定の位置に微小な穴などが設けられるものであってもよい。グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００２２】
また、グランド導体２２は、線路部２２ａ、端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。端子部２２ｂは、線路部１８ａ−ｂの表面に設けられ、外部端子１６ａの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、線路部１８ａ−ｃの表面に設けられ、外部端子１６ｂの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
【００２３】
ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ａと信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｂと信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００２４】
ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、誘電体シート１８ａ，１８ｂの線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。そして、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、信号線２０のｙ軸方向の正方向側において信号線２０に沿ってｘ軸方向に一列に並んでいる。更に、ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２２に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、グランド導体２２からｚ軸方向の負方向側に向かって突出している。ビアホール導体Ｂ２のｚ軸方向の負方向側の端部は、図４に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に位置している。
【００２５】
また、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側の誘電体シート１８ｃにはグランド導体が実質的に設けられていない。そのため、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、グランド導体２２にのみ接続されており、他のグランド導体には接続されていない。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００２６】
ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、誘電体シート１８ａ，１８ｂの線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。そして、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、信号線２０のｙ軸方向の負方向側において信号線２０に沿ってｘ軸方向に一列に並んでいる。更に、ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２２に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、グランド導体２２からｚ軸方向の負方向側に向かって突出している。ビアホール導体Ｂ４のｚ軸方向の負方向側の端部は、図４に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に位置している。
【００２７】
また、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側の誘電体シート１８ｃにはグランド導体が設けられていない。そのため、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、グランド導体２２にのみ接続されており、他のグランド導体には接続されていない。ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００２８】
以上のように、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２とビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０を挟んでいる。
【００２９】
ところで、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、以下に図面を参照しながら説明するように、信号線２０の特性インピーダンスが周期的に変動する構造をなしている。図５は、高周波信号線路１０の等価回路図である。図６は、高周波信号線路１０の特性インピーダンスを示したグラフである。横軸はｘ軸を示し、縦軸は特性インピーダンスを示す。
【００３０】
本実施形態に係る高周波信号線路１０では、ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の間隔が周期的に変動することによって、信号線２０の特性インピーダンスが周期的に変動している。より詳細には、図２に示すように、位置Ｘ１において、ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の間隔が最大に（相対的に大きく）なっており、位置Ｘ２において、ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の間隔が最小に（相対的に小さく）なっている。そして、位置Ｘ１と位置Ｘ２とは、ｘ軸方向に交互に等間隔に並んでいる。また、位置Ｘ１と位置Ｘ２との中間には、位置Ｘ３が存在している。位置Ｘ３では、ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の間隔が中間の大きさになっている。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が以上のような構成を有することにより、ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の間隔は、正弦波状に周期的に変動する。
【００３１】
ここで、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、信号線２０と容量結合しており、かつ、グランド導体２２に接続されている。したがって、高周波信号線路１０の等価回路図は、図５に示すようになる。より具体的には、位置Ｘ１〜Ｘ３における信号線２０のインダクタ成分Ｌ１が直列に接続されており、位置Ｘ１〜Ｘ３における信号線２０とビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４との間のキャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３の一端が各インダクタ成分Ｌ１に対して接続されている。キャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３の他端は、グランドに接続されている。また、ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の間隔が相対的に大きい位置Ｘ１では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ１の大きさが相対的に小さくなる。ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の間隔が相対的に小さい位置Ｘ２では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ２の大きさが相対的に大きくなる。ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の間隔が中間の大きさである位置Ｘ３では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ３の大きさが中間値となる。よって、Ｃ１＜Ｃ３＜Ｃ２の関係が成立する。
【００３２】
キャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３が以上のような関係を有することにより、図６に示すように、位置Ｘ１における信号線２０の特性インピーダンスＺ１は最大と（相対的に高く）なり、位置Ｘ２における信号線２０の特性インピーダンスＺ２は最小と（相対的に低く）なり、位置Ｘ３における信号線２０の特性インピーダンスＺ３は中間値となる。そして、信号線２０の特性インピーダンスは、正弦波状に周期的に変動する。なお、高周波信号線路１０の設計時には、特性インピーダンスＺ１は、例えば、７０Ωに設計され、特性インピーダンスＺ２は、例えば、３０Ωに設計され、特性インピーダンスＺ３は、例えば、５０Ωに設計される。そして、信号線２０の全体の特性インピーダンスが５０Ωに設計される。
【００３３】
保護層１４は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層１４は、グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。
【００３４】
また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。
【００３５】
接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａのｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
【００３６】
接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅのｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
【００３７】
コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図７は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図及び断面構造図である。
【００３８】
コネクタ１００ｂは、図１及び図７に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６及び中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板に円筒が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。
【００３９】
外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。
【００４０】
中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。
【００４１】
以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、グランド導体２２は、外部導体１１０に電気的に接続されている。
【００４２】
高周波信号線路１０は、以下に説明するように用いられる。図８は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。
【００４３】
電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。
【００４４】
回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。
【００４５】
レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨｚの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。
【００４６】
ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２の表面とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。誘電体素体１２の表面は、信号線２０に関してグランド導体２２側に位置する主面である。よって、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、ベタ状の（ｘ軸方向に連続的に延在する）グランド導体２２が位置している。
【００４７】
（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。
【００４８】
まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８を準備する。誘電体シート１８の銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。銅箔の厚みは、１０μｍ〜２０μｍである。
【００４９】
次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す外部端子１６及びグランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの銅箔上に、図２に示す外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）及びグランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６及びグランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成される。
【００５０】
次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す信号線２０を誘電体シート１８ｂの表面に形成する。なお、ここでのフォトリソグラフィ工程は、外部端子１６及びグランド導体２２を形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。
【００５１】
次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂのビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。
【００５２】
次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｃを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、図２に示すビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４を形成する。なお、各誘電体シート１８は、熱圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。また、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４は、誘電体シート１８を一体化した後に、貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填するかめっき膜を形成することによって形成されてもよい。
【００５３】
最後に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ａ上に保護層１４を形成する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。
【００５４】
（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０によれば、高周波信号線路１０の薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波信号線路１０では、信号線２０のｚ軸方向の正方向側のグランド導体２２のみが設けられ、信号線２０のｚ軸方向の負方向側にはグランド導体、特に信号線２０と重なるグランド導体が設けられていない。よって、信号線２０が、該信号線２０のｚ軸方向の負方向側に設けられているグランド導体に容量結合しない。すなわち、高周波信号線路１０では、特許文献１に記載のフレキシブルプリント基板６００のように、信号線２０のｚ軸方向の負方向側に設けられているグランド導体と信号線２０との距離を大きくするために、誘電体素体１２における信号線２０のｚ軸方向の負方向側の部分の厚みを大きくする必要がない。その結果、高周波信号線路１０の薄型化が図られる。そして、高周波信号線路１０の薄型化が図られることにより、高周波信号線路１０を湾曲させて用いることが容易となる。
【００５５】
また、高周波信号線路１０によれば、不要輻射の発生を抑制できる。より詳細には、高周波信号線路１０では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、図４に示すように、信号線２０に沿って並んでおり、かつ、グランド導体２２からｚ軸方向の負方向側に向かって突出している。これにより、信号線２０から発生する電気力線Ｅは、図４に示すように、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４へと向かうようになる。その結果、高周波信号線路１０から不要輻射が発生することが抑制される。なお、不要輻射をより効果的に抑制するためには、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４のｚ軸方向の負方向側の端部は、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に位置していることが好ましい。すなわち、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ３を設けていれば、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４は必ずしも設けられている必要はないが、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４を設けることによって、不要輻射をより効果的に抑制することができる。
【００５６】
また、高周波信号線路１０によれば、以下の理由によっても、不要輻射の発生を抑制できる。より詳細には、高周波信号線路において、信号線が一定の特性インピーダンスを有している場合には、特性インピーダンスが高くなる信号線路の両端が節となって比較的に長い波長を有する定常波が発生する。比較的に長い波長の定常波は、比較的に低い周波数を有している。このような比較的に低い周波数が、高周波信号線路において伝送される高周波信号の周波数よりも低いと、高周波信号が高周波信号線路を伝送された際に、比較的に低い周波数の不要輻射が高周波信号線路から発生する。
【００５７】
そこで、高周波信号線路１０では、信号線２０の特性インピーダンスは、周期的に変動している。これにより、信号線２０に発生する定常波の節は、特性インピーダンスが高くなる位置Ｘ１となる。すなわち、信号線２０に発生し得る定常波の波長は、特性インピーダンスの変動の１周期（すなわち、隣り合う位置Ｘ１間の距離）となり短くなる。その結果、信号線２０に発生し得る定常波の周波数は、比較的に高くなる。よって、信号線２０の特性インピーダンスの変動の周期を十分に短くすることにより、信号線２０に発生する定常波の周波数を、高周波信号線路１０において伝送される高周波信号の周波数よりも高くすることが可能である。これにより、高周波信号線路１０に高周波信号が伝送されたとしても、高周波信号線路１０から不要輻射が発生することが抑制されるようになる。なお、高周波信号線路１０から不要輻射が発生することをより効果的に抑制するために、信号線２０の特性インピーダンスの変動の周期は、高周波信号線路１０を伝送される高周波信号の半波長よりも短いことが好ましい。
【００５８】
このように、不要輻射の発生を抑制するためには、ビアホール導体は、信号線の特性インピーダンスが周期的に変動するような構造をなしていることが好ましいが、必ずしもこのような構造でなくても構わない。すなわち、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は等間隔に配置されていてもよい。この場合でも、不要輻射の発生を抑制することができる。
【００５９】
また、高周波信号線路１０によれば、グランド導体２２は、信号線２０とバッテリーパック２０６との間に位置している。これにより、信号線２０とバッテリーパック２０６とが容量結合することによって、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。
【００６０】
（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図９は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの誘電体素体１２の分解図である。
【００６１】
高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ａとの相違点は、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の配置が異なっている点である。より詳細には、高周波信号線路１０では、図２に示すように、隣り合うビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の間隔が周期的に変動することによって、信号線２０の特性インピーダンスが周期的に変動していた。一方、高周波信号線路１０ａでは、図９に示すように、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との距離が周期的に変動することによって、信号線２０の特性インピーダンスが周期的に変動している。
【００６２】
より詳細には、図９に示すように、位置Ｘ１において、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との距離が最大に（相対的に大きく）なっており、位置Ｘ２において、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との距離が最小に（相対的に小さく）なっている。そして、位置Ｘ１と位置Ｘ２とは、ｘ軸方向に交互に等間隔に並んでいる。また、位置Ｘ１と位置Ｘ２との中間には、位置Ｘ３が存在している。位置Ｘ３では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との距離が位置Ｘ１と位置Ｘ２のそれぞれの距離の中間の大きさになっている。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が以上のような構成を有することにより、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との間隔は、正弦波状に周期的に変動する。
【００６３】
ここで、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、信号線２０と容量結合しており、かつ、グランド導体２２に接続されている。したがって、高周波信号線路１０ａの等価回路図は、図５に示すようになる。より具体的には、位置Ｘ１〜Ｘ３における信号線２０のインダクタ成分Ｌ１が直列に接続されており、位置Ｘ１〜Ｘ３における信号線２０とビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４との間のキャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３の一端が各インダクタ成分Ｌ１に対して接続されている。キャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３の他端は、グランドに接続されている。また、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との距離が相対的に大きい位置Ｘ１では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ１の大きさが相対的に小さくなる。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との距離が相対的に小さい位置Ｘ２では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ２の大きさが相対的に大きくなる。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との距離が中間の大きさである位置Ｘ３では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ３の大きさが中間値となる。よって、Ｃ１＜Ｃ３＜Ｃ２の関係が成立する。
【００６４】
キャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３が以上のような関係を有することにより、図６に示すように、位置Ｘ１における信号線２０の特性インピーダンスＺ１は最大と（相対的に高く）なり、位置Ｘ２における信号線２０の特性インピーダンスＺ２は最小と（相対的に低く）なり、位置Ｘ３における信号線２０の特性インピーダンスＺ３は中間値となる。そして、信号線２０の特性インピーダンスは、正弦波状に周期的に変動する。
【００６５】
以上のように構成された高周波信号線路１０ａによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ａの薄型化を図ることができる。また、高周波信号線路１０ａによれば、高周波信号線路１０と同様に、不要輻射の発生を抑制できる。また、高周波信号線路１０ａによれば、高周波信号線路１０と同様に、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。
【００６６】
（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１０は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの誘電体素体１２の分解図である。
【００６７】
高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ｂとの相違点は、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の構造が異なっている点である。より詳細には、高周波信号線路１０では、図２に示すように、隣り合うビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の間隔が周期的に変動することによって、信号線２０の特性インピーダンスが周期的に変動していた。一方、高周波信号線路１０ｂでは、図１０に示すように、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の径の太さが周期的に変動することによって、信号線２０の特性インピーダンスが周期的に変動している。
【００６８】
より詳細には、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２及びビアホール導体Ｂ３，Ｂ４はそれぞれ、ｘ軸方向に一列に並んでいる。そして、位置Ｘ１において、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の径の太さが最小に（相対的に細く）なっており、位置Ｘ２において、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の太さが最大に（相対的に太く）なっている。そして、位置Ｘ１と位置Ｘ２とは、ｘ軸方向に交互に等間隔に並んでいる。また、位置Ｘ１と位置Ｘ２との中間には、位置Ｘ３が存在している。位置Ｘ３では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の太さが最大と最小の間の中間の太さになっている。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が以上のような構成を有することにより、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の太さは、正弦波状に周期的に変動する。
【００６９】
ここで、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、信号線２０と容量結合しており、かつ、グランド導体２２に接続されている。したがって、高周波信号線路１０の等価回路図は、図５に示すようになる。より具体的には、位置Ｘ１〜Ｘ３における信号線２０のインダクタ成分Ｌ１が直列に接続されており、位置Ｘ１〜Ｘ３における信号線２０とビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４との間のキャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３の一端が各インダクタ成分Ｌ１に対して接続されている。キャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３の他端は、グランドに接続されている。また、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の太さが相対的に細い位置Ｘ１では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ１の大きさが相対的に小さくなる。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の太さが相対的に太い位置Ｘ２では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ２の大きさが相対的に大きくなる。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の太さが中間の大きさである位置Ｘ３では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ３の大きさが中間値となる。よって、Ｃ１＜Ｃ３＜Ｃ２の関係が成立する。
【００７０】
キャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３が以上のような関係を有することにより、図６に示すように、位置Ｘ１における信号線２０の特性インピーダンスＺ１は最大と（相対的に高く）なり、位置Ｘ２における信号線２０の特性インピーダンスＺ２は最小と（相対的に低く）なり、位置Ｘ３における信号線２０の特性インピーダンスＺ３はその中間値となる。そして、信号線２０の特性インピーダンスは、正弦波状に周期的に変動する。
【００７１】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｂを湾曲させて用いることが容易となる。また、高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０と同様に、不要輻射の発生を抑制できる。また、高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０と同様に、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。
【００７２】
（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１１は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃの誘電体素体１２の分解図である。
【００７３】
高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ｃとの相違点は、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の構造及び接続導体４０，４２の有無である。より詳細には、高周波信号線路１０ｃでは、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、ｘ軸方向に等間隔に並んでいる。
【００７４】
また、高周波信号線路１０ｃは、接続導体４０，４２を更に備えている。接続導体４０，４２は、誘電体シート１８ｂの表面上に設けられ、かつ、ｘ軸方向に延在する長方形状の導体である。接続導体４０は、位置Ｘ２にあるビアホール導体Ｂ２及び該ビアホール導体Ｂ２にｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ２を接続している。接続導体４２は、位置Ｘ２にあるビアホール導体Ｂ４及び該ビアホール導体Ｂ４にｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ４を接続している。
【００７５】
ここで、高周波信号線路１０では、図２に示すように、隣り合うビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の間隔が周期的に変動することによって、信号線２０の特性インピーダンスが周期的に変動していた。一方、高周波信号線路１０ｃでは、図１１に示すように、接続導体４０，４２が一部のビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４を接続することによって、信号線２０の特性インピーダンスが周期的に変動している。
【００７６】
より詳細には、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４及び接続導体４０，４２は、信号線２０と容量結合しており、かつ、グランド導体２２に接続されている。したがって、高周波信号線路１０の等価回路図は、図５に示すようになる。より具体的には、位置Ｘ１〜Ｘ３における信号線２０のインダクタ成分Ｌ１が直列に接続されており、位置Ｘ１〜Ｘ３における信号線２０とビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４との間のキャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３の一端が各インダクタ成分Ｌ１に対して接続されている。キャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３の他端は、グランドに接続されている。
【００７７】
ここで、位置Ｘ１，Ｘ３において、接続導体４０，４２が設けられていない。一方、位置Ｘ２において、接続導体４０，４２が設けられている。これにより、位置Ｘ２では、接続導体４０，４２と信号線２０とが容量結合するようになる。その結果、位置Ｘ２におけるキャパシタ成分Ｃ２は、位置Ｘ１，Ｘ３におけるキャパシタ成分Ｃ１，Ｃ３よりも大きくなる。また、位置Ｘ３は、位置Ｘ２よりも接続導体４０，４２に近いので、位置Ｘ３におけるキャパシタ成分Ｃ３は、位置Ｘ１におけるキャパシタ成分Ｃ１よりも大きくなる。よって、Ｃ１＜Ｃ３＜Ｃ２の関係が成立する。
【００７８】
キャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３が以上のような関係を有することにより、図６に示すように、位置Ｘ１における信号線２０の特性インピーダンスＺ１は最大と（相対的に高く）なり、位置Ｘ２における信号線２０の特性インピーダンスＺ２は最小と（相対的に低く）なり、位置Ｘ３における信号線２０の特性インピーダンスＺ３はその中間値となる。そして、信号線２０の特性インピーダンスは、正弦波状に周期的に変動する。
【００７９】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｃによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｃの薄型化を図ることができる。また、高周波信号線路１０ｃによれば、高周波信号線路１０と同様に、不要輻射の発生を抑制できる。また、高周波信号線路１０ｃによれば、高周波信号線路１０と同様に、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。
【００８０】
（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１２は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｄの誘電体素体１２の分解図である。
【００８１】
高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ｄとの相違点は、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ６の構造が異なっている点である。より詳細には、高周波信号線路１０ｄでは、ビアホール導体Ｂ５，Ｂ６及び誘電体シート１８ｄが追加されている。誘電体シート１８ｄは、誘電体シート１８ｃのｚ軸方向の負方向側に設けられている。また、ビアホール導体Ｂ５，Ｂ６は、誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通している。
【００８２】
ここで、高周波信号線路１０では、図２に示すように、隣り合うビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４の間隔が周期的に変動することによって、信号線２０の特性インピーダンスが周期的に変動していた。一方、高周波信号線路１０ｄでは、図１２に示すように、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体Ｂ３，Ｂ４，Ｂ６からなるビアホール導体の長さが周期的に変動することによって、信号線２０の特性インピーダンスが周期的に変動している。
【００８３】
より詳細には、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５及びビアホール導体Ｂ３，Ｂ４，Ｂ６はそれぞれ、ｘ軸方向に一列に並んでいる。そして、位置Ｘ１において、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体Ｂ３，Ｂ４，Ｂ６からなるビアホール導体の長さが最小に（相対的に短く）なっている。すなわち、位置Ｘ１において、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ３のみが設けられ、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４〜Ｂ６が設けられていない。更に、位置Ｘ１の近傍においても、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ３のみが設けられ、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４〜Ｂ６が設けられていない。
【００８４】
また、位置Ｘ２において、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体Ｂ３，Ｂ４，Ｂ６からなるビアホール導体の長さが最大に（相対的に長く）なっている。すなわち、位置Ｘ２において、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ６が設けられている。更に、位置Ｘ２の近傍においても、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ６のみが設けられている。
【００８５】
また、位置Ｘ１と位置Ｘ２との中間には、位置Ｘ３が存在している。位置Ｘ３では、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体Ｂ３，Ｂ４，Ｂ６からなるビアホール導体の長さが中間の長さになっている。すなわち、位置Ｘ３において、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が設けられており、ビアホール導体Ｂ５，Ｂ６が設けられていない。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ６が以上のような構成を有することにより、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体Ｂ３，Ｂ４，Ｂ６からなるビアホール導体の長さは、正弦波状に周期的に変動する。
【００８６】
ここで、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ６は、信号線２０と容量結合しており、かつ、グランド導体２２に接続されている。したがって、高周波信号線路１０の等価回路図は、図５に示すようになる。より具体的には、位置Ｘ１〜Ｘ３における信号線２０のインダクタ成分Ｌ１が直列に接続されており、位置Ｘ１〜Ｘ３における信号線２０とビアホール導体Ｂ１〜Ｂ６との間のキャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３の一端が各インダクタ成分Ｌ１に対して接続されている。キャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３の他端は、グランドに接続されている。また、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体Ｂ３，Ｂ４，Ｂ６からなるビアホール導体の長さが相対的に短い位置Ｘ１では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ６と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ１の大きさが相対的に小さくなる。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体Ｂ３，Ｂ４，Ｂ６からなるビアホール導体長さが相対的に長い位置Ｘ２では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ６と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ２の大きさが相対的に大きくなる。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体Ｂ３，Ｂ４，Ｂ６からなるビアホール導体の長さが中間の長さである位置Ｘ３では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ６と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ３の大きさが中間値となる。よって、Ｃ１＜Ｃ３＜Ｃ２の関係が成立する。
【００８７】
キャパシタ成分Ｃ１〜Ｃ３が以上のような関係を有することにより、図６に示すように、位置Ｘ１における信号線２０の特性インピーダンスＺ１は最大と（相対的に高く）なり、位置Ｘ２における信号線２０の特性インピーダンスＺ２は最小と（相対的に低く）なり、位置Ｘ３における信号線２０の特性インピーダンスＺ３はその中間値となる。そして、信号線２０の特性インピーダンスは、正弦波状に周期的に変動する。
【００８８】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｄによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｄの薄型化を図ることができる。また、高周波信号線路１０ｄによれば、高周波信号線路１０と同様に、不要輻射の発生を抑制できる。また、高周波信号線路１０ｄによれば、高周波信号線路１０と同様に、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。
【００８９】
（第５の変形例）
以下に、第５の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１３は、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｅの誘電体素体１２の分解図である。
【００９０】
高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ｅとの相違点は、グランド導体２４の有無及びビアホール導体Ｂ１１〜Ｂ１４の有無である。より詳細には、高周波信号線路１０ｅは、グランド導体２４及びビアホール導体Ｂ１１〜Ｂ１４を更に備えている。グランド導体２４は、誘電体素体１２において信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられており、誘電体シート１８ｃの表面上に設けられている。グランド導体２４は、グランド導体２２と同じ外形をなしている。ただし、グランド導体２４には、図１３に示すように、ｘ軸方向に延在し、かつ、信号線２０と重なるスリット３２が設けられている。また、スリット３２は、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４とも重なっている。
【００９１】
ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２はそれぞれ、誘電体シート１８ａ，１８ｂの線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａにおいて信号線２０のｙ軸方向の正方向側に複数ずつ設けられている。そして、ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、グランド導体２２とグランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００９２】
ビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４はそれぞれ、誘電体シート１８ａ，１８ｂの線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａにおいて信号線２０のｙ軸方向の負方向側に複数ずつ設けられている。そして、ビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、グランド導体２２とグランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００９３】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｅによれば、高周波信号線路１０ｅの薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波信号線路１０ｅでは、グランド導体２４には、信号線２０と重なっているスリット３２が設けられている。よって、信号線２０とグランド導体２４との間に形成される静電容量は小さい。すなわち、信号線２０とグランド導体２４との間の静電容量を小さくするために、誘電体素体１２の厚みを大きくする必要がない。その結果、高周波信号線路１０ｅの薄型化が図られる。そして、高周波信号線路１０ｅの薄型化が図られることにより、高周波信号線路１０ｅを湾曲させて用いることが可能となる。
【００９４】
また、高周波信号線路１０ｅによれば、高周波信号線路１０と同様に、不要輻射の発生を抑制できる。特に、平面状のグランド導体であるグランド導体２４を設けることにより不要輻射の発生の抑制効果は大きくなる。また、高周波信号線路１０ｅによれば、高周波信号線路１０と同様に、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。
【００９５】
（第２の実施形態）
以下に、第２の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１４は、第２の実施形態に係る高周波信号線路１０ｆの誘電体素体１２の分解図である。
【００９６】
高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０ｆとの相違点は、グランド導体２４の形状、及び、ビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４の有無である。より詳細には、グランド導体２４は、複数の開口３０と複数のブリッジ部６０とが交互に信号線２０に沿って設けられることにより、はしご状をなしている。開口３０は、図１４に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっており、長方形状をなしている。
【００９７】
ここで、開口３０のｘ軸方向の長さは、例えば、１ｍｍ〜５ｍｍである。本実施形態では、開口３０のｘ軸方向の長さは、３ｍｍである。また、ブリッジ部６０のｘ軸方向の長さは、例えば、２５μｍ〜２００μｍである。本実施形態では、ブリッジ部６０のｘ軸方向の長さは、１００μｍである。
【００９８】
ビアホール導体Ｂ２１，Ｂ２２は、誘電体シート１８ａ，１８ｂの線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。そして、ビアホール導体Ｂ２１，Ｂ２２は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０内に設けられており、かつ、信号線２０のｙ軸方向の正方向側において信号線２０に沿ってｘ軸方向に一列に並んでいる。更に、ビアホール導体Ｂ２１のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２２に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ２１，Ｂ２２は、グランド導体２２からｚ軸方向の負方向側に向かって突出している。ビアホール導体Ｂ２２のｚ軸方向の負方向側の端部は、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ２１，Ｂ２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【００９９】
ビアホール導体Ｂ２３，Ｂ２４は、誘電体シート１８ａ，１８ｂの線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。そして、ビアホール導体Ｂ２３，Ｂ２４は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０内に設けられており、かつ、信号線２０のｙ軸方向の負方向側において信号線２０に沿ってｘ軸方向に一列に並んでいる。更に、ビアホール導体Ｂ２３のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２２に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ２３，Ｂ２４は、グランド導体２２からｚ軸方向の負方向側に向かって突出している。ビアホール導体Ｂ２２のｚ軸方向の負方向側の端部は、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に位置している。ビアホール導体Ｂ２３，Ｂ２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
【０１００】
ところで、ビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４は、以下に図面を参照しながら説明するように、信号線２０の特性インピーダンスが周期的に変動する構造をなしている。図１５は、第２の実施形態に係る高周波信号線路１０ｆの拡大図である。図１６は、高周波信号線路１０ｆの等価回路図である。
【０１０１】
本実施形態に係る高周波信号線路１０ｆでは、ビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４は、信号線２０の特性インピーダンスが開口３０を１周期として変動する構造をなしている。すなわち、ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４の間隔が、開口３０を１周期として変動することによって、信号線２０の特性インピーダンスが、開口３０を１周期として変動している。より詳細には、図１５に示すように、開口３０のｘ軸方向の中央に位置する位置Ｘ１１において、ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４の間隔が最大に（相対的に大きく）なっており、開口３０のｘ軸方向の両端に位置する位置Ｘ１２において、ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４の間隔が最小に（相対的に小さく）なっている。また、位置Ｘ１１と位置Ｘ１２との中間には、位置Ｘ１３が存在している。位置Ｘ１３では、ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４の間隔が中間の大きさになっている。ビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４が以上のような構成を有することにより、開口３０内におけるｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４の間隔は、ｘ軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、増加した後に減少するように正弦波状に変動する。
【０１０２】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｆでは、信号線２０の特性インピーダンスは、開口３０において、ｘ軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、最小値Ｚ１２、中間値Ｚ１３、最大値Ｚ１１の順に増加した後に、最大値Ｚ１１、中間値Ｚ１３、最小値Ｚ１２の順に減少するように変動する。すなわち、各開口３０のｘ軸方向の両端における信号線２０の特性インピーダンスは、各開口３０のｘ軸方向の中央における信号線２０の特性インピーダンスより低くなっている。更に、信号線２０の特性インピーダンスは、ブリッジ部６０（位置Ｘ１４）において、最小値Ｚ１２よりも小さな最小値Ｚ１４をとる。以下に、図面を参照しながら説明する。図１６は、第２の実施形態に係る高周波信号線路１０ｆの等価回路図である。
【０１０３】
より詳細には、ｘ軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４の間隔は、増加した後に減少するように変動している。そのため、位置Ｘ１１においてビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ１１が最小となる。これにより、位置Ｘ１１における特性インピーダンスは、インダクタ成分Ｌ１１が主となり、相対的に高くなる。
【０１０４】
一方、位置Ｘ１２においてビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ１２が最大となる。これにより、位置Ｘ１２における特性インピーダンスは、キャパシタ成分Ｃ１２が主となり、相対的に低くなる。
【０１０５】
また、位置Ｘ１３においてビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４と信号線２０との間に形成されるキャパシタ成分Ｃ１３が中間値となる。これにより、位置Ｘ１３における特性インピーダンスは、インダクタ成分Ｌ１３及びキャパシタ成分Ｃ１３の両方により形成され、中間値を取るようになる。
【０１０６】
また、ブリッジ部６０が設けられている位置Ｘ１４では、ブリッジ部６０と信号線２０との間に大きな静電容量が形成される。よって、位置Ｘ１４における特性インピーダンスは、キャパシタ成分Ｃ１４が主となり、位置Ｘ１２よりも低い最小値となる。
【０１０７】
これにより、高周波信号線路１０は、図１６に示す回路構成を有する。より詳細には、位置Ｘ１１では、信号線２０とビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４との間に小さな静電容量しか発生しないので、主に、信号線２０のインダクタ成分Ｌ１１によって特性インピーダンスＺ１１が発生する。また、位置Ｘ１２では、信号線２０とビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４との間に大きなキャパシタ成分Ｃ１２が発生しているので、主に、キャパシタ成分Ｃ１２によって特性インピーダンスＺ１２が発生する。また、位置Ｘ１３では、信号線２０とビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４との間にキャパシタ成分Ｃ１２よりも小さなキャパシタ成分Ｃ１３が発生しているので、信号線２０のインダクタ成分Ｌ１３及びキャパシタ成分Ｃ１３によって特性インピーダンスＺ１３が発生している。更に、位置Ｘ１４では、信号線２０とブリッジ部６０との間にキャパシタ成分Ｃ１２よりも大きなキャパシタ成分Ｃ１４が発生しているので、主に、キャパシタ成分Ｃ１４によって特性インピーダンスＺ１４が発生する。
【０１０８】
ここで、特性インピーダンスＺ１１は、例えば、７０Ωである。特性インピーダンスＺ１２は、例えば、４５Ωである。特性インピーダンスＺ１３は、例えば、５５Ωである。特性インピーダンスＺ１４は、例えば、３０Ωである。
【０１０９】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｆによれば、高周波信号が信号線路２０において反射されることが抑制される。より詳細には、高周波信号線路１０ｆにおいて、ビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４が設けられていない場合には、開口３０とブリッジ部６０との境界において特性インピーダンスが大きく変動する。そのため、開口３０とブリッジ部６０との境界において、高周波信号の反射が発生するおそれがある。
【０１１０】
一方、高周波信号線路１０ｆでは、ｘ軸方向に隣り合うビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４の間隔は、ｘ軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、開口３０内において増加した後に減少するように正弦波状に変動している。これにより、信号線２０の特性インピーダンスは、開口３０において、ｘ軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、最小値Ｚ１２、中間値Ｚ１３、最大値Ｚ１１の順に増加した後に、最大値Ｚ１１、中間値Ｚ１３、最小値Ｚ１２の順に減少するようになだらかに変動する。また、ブリッジ部６０（位置Ｘ１４）における信号線２０の特性インピーダンスは、最小値Ｚ１４である。よって、信号線の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、増加した後に減少するように変化する。その結果、高周波信号線路１０ｆでは、信号線２０の特性インピーダンスが大きく変動することがない。以上より、高周波信号線路１０ｆによれば、高周波信号が信号線路２０において反射されることが抑制される。
【０１１１】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｆによれば、グランド導体２４におけるグランド電位の安定化にともなう高周波伝送ロスの低減、さらにはシールド特性を向上させることができる。より詳細には、高周波信号線路１０ｆでは、位置Ｘ１２における隣り合うビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４の間隔は、領域Ｘ１１における隣り合うビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４の間隔よりも広い。これにより、高周波信号線路１０ｆでは、位置Ｘ１１における信号線２０の磁界エネルギーは、位置Ｘ１２における信号線２０の磁界エネルギーよりも高くなる。また、位置Ｘ１３における信号線２０の磁界エネルギーは、位置Ｘ１１における信号線２０の磁界エネルギーよりも低くなる。よって、開口３０における信号線２０の特性インピーダンスが、Ｚ１２、Ｚ１３、Ｚ１１、Ｚ１３、Ｚ１２・・・の順に繰り返し変動するようになる。よって、信号線２０において、ｘ軸方向に隣り合う部分における磁界エネルギーの変動が緩やかになる。その結果、位置Ｘ１１〜Ｘ１３の間において磁界エネルギーが小さくなり、グランド導体のグランド電位の変動が抑制され、不要輻射の発生および高周波信号の伝送損失が抑制される。
【０１１２】
（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号線路は、前記実施形態に係る高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｆに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【０１１３】
高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｆに示した構成を組み合わせてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
以上のように、本発明は、高周波信号線路に有用であり、特に、薄型化を図ることができ、かつ、不要輻射の発生を抑制できる点において優れている。
【符号の説明】
【０１１５】
Ｂ１〜Ｂ６，Ｂ１１〜Ｂ１４，Ｂ２１〜Ｂ２４，ｂ１，ｂ２  ビアホール導体
１０，１０ａ〜１０ｆ  高周波信号線路
１２  誘電体素体
１８ａ〜１８ｄ  誘電体シート
２０  信号線
２２，２４  グランド導体
３０  開口
３２  スリット
４０，４２  接続導体
６０  ブリッジ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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