(57)【要約】【課題】  耐水性の高い光電変換モジュールを提供する。【解決手段】  光電変換モジュールＭは、基板２と、基板２上に配置された光電変換部１と、基板２上の光電変換部１の外側に配置され、光電変換部１に電気的に接続された電極層８と、光電変換部１に沿って一方向に延在するように電極層８上に配置された配線導体１１と、光電変換部１上に封止材９を介して接合されたカバー部材１０とを備え、配線導体１１は、カバー部材１０の下面に接触している。【選択図】  図５
2013153101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に配置された光電変換部と、
前記基板上の前記光電変換部の外側に配置され、該光電変換部に電気的に接続された電極層と、
前記光電変換部に沿って一方向に延在するように前記電極層上に配置された配線導体と、
前記光電変換部上に封止材を介して接合されたカバー部材とを備え、
前記配線導体は、前記カバー部材の下面に接触していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記配線導体の上側表面は、前記一方向に沿って伸びる頂部を有する、前記カバー部材側に凸の矩形面または前記カバー部材側に凸の曲面を有しており、前記頂部が前記カバー部材に接触していることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記配線導体は、前記電極層に接触していることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記配線導体の下側表面は、前記一方向に沿って伸びる第２頂部を有する、前記電極層側に凸の矩形面または前記電極層側に凸の曲面を有しており、前記第２頂部が前記電極層に接触していることを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光電変換部を封止材で封止して成る光電変換モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エネルギー問題や環境問題の深刻化に伴い、光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽光発電が注目を集めている。
【０００３】
この太陽光発電に使用される光電変換モジュールでは、光電変換部から得られた電力を、配線導体等を介して外部に取り出している。このような光電変換モジュールでは、この光電変換モジュール内の正極および負極にそれぞれ接続された配線導体が、光電変換モジュールの裏面に配置された端子ボックスの内部に導出されている。光電変換モジュールの表面の光電変換部および配線導体は樹脂等の封止材で封止されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２１６６０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光電変換モジュールは、光電変換部を保護するために封止材の上にガラス等のカバー部材が設けられる。しかしながら、カバー部材を設ける際、封止材の厚みがばらつきやすく、光電変換部における封止状態が不均一となる。その結果、耐水性の弱い部位が生じ、光電変換モジュールの耐水性を向上するのが困難である。
【０００６】
本発明の一つの目的は、耐水性の高い光電変換モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールは、基板と、該基板上に配置された光電変換部と、前記基板上の前記光電変換部の外側に配置され、該光電変換部に電気的に接続された電極層と、前記光電変換部に沿って一方向に延在するように前記電極層上に配置された配線導体と、前記光電変換部上に封止材を介して接合されたカバー部材とを備え、前記配線導体は、前記カバー部材の下面に接触している。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールによれば、光電変換部上の封止材の厚みのばらつきを低減して、光電変換モジュールの耐水性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る光電変換モジュ−ルの光電変換部の一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示した光電変換部の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る光電変換モジュ−ルの受光面側からみた斜視図である。
【図４】図３に示した光電変換モジュ−ルの裏面側からみた斜視図である。
【図５】図３のＡ−Ａ部の断面図である。
【図６】光電変換モジュールの他の例における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の光電変換モジュ−ルの実施形態の一例について、図面を参照しつつ説明する。
【００１１】
まず、光電変換モジュ−ルの一部である光電変換部について説明する。なお、各図には、後述する光電変換セルの配列方向をＸ軸とする右手系のＸＹＺ座標が付している場合がある。
【００１２】
＜光電変換部＞
光電変換部１は、基板２の一主面上に設けられている。そして、この光電変換部１は、下部電極３と、光吸収層４およびバッファ層５を備えた光電変換層と、透光性導電層６および集電電極７を備えた上部電極とを有する。この光電変換部１では、下部電極３および上部電極で挟まれた光吸収層４およびバッファ層５によって光電変換が行なわれる。
【００１３】
この光電変換部１は、図１に示すように、複数の光電変換セル１ａ、１ｂが電気的に接続されるような態様を成している。具体的には、図１に示すように、一方の光電変換セル１ａの上部電極（集電電極７）と、一方の光電変換セル１ａに隣り合う他方の光電変換セル１ｂの下部電極３とが電気的に接続されている。これにより、隣接する光電変換セル１ａ、１ｂは、図１中のＸ方向に沿って直列接続され、基板２上で集積化されている。
【００１４】
また、光電変換部１には、この光電変換部１で得られた電気出力を外部に導出するための出力電極８（出力電極８Ａ、８Ｂ）がそれぞれ設けられている。
【００１５】
次に、光電変換部１の各部材について説明する。
【００１６】
下部電極３は、一方向（図１のＸ方向）に互いに間隔をあけて基板２の一主面上に複数配置されている。本実施形態では、図２に示すように、上記間隔に対応する分離溝Ｐ１によって互いに離間した３つの下部電極３が設けられている。なお、下部電極３の個数については、図１に示したものに限られない。このような下部電極３は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）または金（Ａｕ）等の金属またはこれらの合金を含む薄膜であればよい。また、これらの金属が積層されてなる構造体であってもよい。この下部電極３は、例えば、基板２上にスパッタリング法または蒸着法等を利用して、厚さ０．２〜１μｍ程度に形成すればよい。
【００１７】
光吸収層４は、下部電極３上に配置されている。光吸収層４は、例えば、化合物半導体を含んでいる。このような化合物半導体としては、例えば、カルコゲン化合物半導体が挙げられる。カルコゲン化合物半導体は、カルコゲン元素である硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）またはテルル（Ｔｅ）を含むものである。カルコゲン化合物半導体としては、例えば、Ｉ−III−VI化合物半導体がある。I−III−VI化合物半導体とは、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素ともいう）、III−Ｂ族元素（１３族元素ともいう）およびVI−Ｂ族元素（１６族元素ともいう）の化合物半導体である。そして、このようなI−III−VI化合物半導体は、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物半導体とも呼ばれる（ＣＩＳ系化合物半導体ともいう）。I−III−VI化合物半導体としては、例えば、二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ２）、二セレン化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２）、二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２）、二イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ２）または薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜がある。なお、光吸収層４が含む化合物半導体は、上記したＩ−III−VI化合物半導体だけでなく、例えば、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、硫黄（Ｓ）を含む、ＣＺＴＳ系のものであってもよい。このようなＣＺＴＳ系化合物半導体としては、例えば、Ｃｕ２ＺｎＳｎＳ４が挙げられる。ＣＺＴＳ系化合物半導体は、I−III−VI化合物半導体のようにレアメタルを使用していないため、材料を確保しやすい。また、光吸収層４は、例えば、ｐ型の導電型を有し、厚さが１〜３μｍ程度である。
【００１８】
光吸収層４は、例えばスパッタリング法、蒸着法等といった真空プロセスによって形成される。また、光吸収層４は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成される。塗布法あるいは印刷法では、例えば、光吸収層４に主として含まれる元素の錯体溶液が下部電極層３の上に塗布され、その後、乾燥および熱処理が行われる。
【００１９】
バッファ層５は、光吸収層４の＋Ｚ側の主面の上に設けられており、光吸収層４の第１導電型とは異なる第２導電型（ここではｎ型の導電型）を有する半導体を主に含む。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体（キャリア）が異なる半導体である。また、光吸収層４の導電型がｎ型であり、バッファ層５の導電型がｐ型であってもよい。ここでは、バッファ層５と光吸収層４との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、各光電変換セルでは、ヘテロ接合領域を形成する光吸収層４とバッファ層５とにおいて光電変換が生じ得る。
【００２０】
バッファ層５は、化合物半導体を主に含む。バッファ層５に含まれる化合物半導体としては、例えば硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化インジウム（Ｉｎ２Ｓ３）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、セレン化インジウム（Ｉｎ２Ｓｅ３）、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）、（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）および（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ等が挙げられる。また、バッファ層５が１Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有していれば、リ−ク電流の発生が低減され得る。なお、バッファ層５は、例えば、ケミカルバスデポジション（ＣＢＤ）法等によって形成され得る。
【００２１】
また、バッファ層５は、光吸収層４の一主面の法線方向（＋Ｚ方向）に厚さを有する。この厚さは、例えば、１０〜２００ｎｍに設定される。バッファ層５の厚さが１００〜２００ｎｍであれば、バッファ層５の上に透光性導電層６がスパッタリング法等で形成される際に、バッファ層５においてダメージが生じ難くなる。
【００２２】
透光性導電層６は、バッファ層５の＋Ｚ側の主面の上に設けられており、例えば、ｎ型の導電型を有する透明の導電層（透明導電層とも言う）である。この透光性導電層６は、光吸収層４において生じた電荷を取り出す電極（取出電極とも言う）として働く。透光性導電層６は、バッファ層５よりも低い抵抗率を有する材料を主に含む。透光性導電層６には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれてもよいし、窓層と透明導電層とが含まれてもよい。
【００２３】
透光性導電層６は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化亜鉛の化合物、錫が含まれた酸化インジウム（ＩＴＯ）および酸化錫（ＳｎＯ２）等の金属酸化物半導体等が挙げられる。酸化亜鉛の化合物は、アルミニウム、ボロン、ガリウム、インジウムおよびフッ素のうちの何れか１つの元素等が含まれたものである。
【００２４】
透光性導電層６は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって形成され得る。透光性導電層６の厚さは、例えば、０．０５〜３．０μｍである。ここで、透光性導電層６が、１Ω・ｃｍ未満の抵抗率と、５０Ω／□以下のシート抵抗とを有していれば、透光性導電層６を介して光吸収層４から電荷が良好に取り出され得る。
【００２５】
バッファ層５および透光性導電層６は、光吸収層４が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質（光透過性とも言う）を有していてもよい。これにより、光吸収層４における光の吸収効率の低下が低減され得る。また、透光性導電層６の厚さが０．０５〜０．５μｍであれば、透光性導電層６における光透過性が高められると同時に、光電変換によって生じた電流が良好に伝送され得る。さらに、透光性導電層６の絶対屈折率とバッファ層５の絶対屈折率とが略同一であれば、透光性導電層６とバッファ層５との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。
【００２６】
集電電極７は、透光性導電層６の＋Ｚ側の主面（一主面とも言う）の上に設けられている線状部７ａと、接続部７ｂを有している。そして、例えば、光電変換セル１ａの透光性導電層６によって集められた電荷は、線状部７ａによってさらに集められ、接続部７ｂを介して隣接する光電変換セル１ｂに伝達され得る。
【００２７】
この線状部７ａが設けられることで、透光性導電層６における導電性が補われるため、透光性導電層６の薄層化が可能となる。これにより、電荷の取り出し効率の確保と、透光性導電層６における光透過性の向上とが両立し得る。なお、線状部７ａが、例えば、銀等の導電性が優れた金属を主に含んでいれば、光電変換部１における変換効率が向上し得る。なお、線状部７ａに含まれる金属としては、例えば銅、アルミニウムおよびニッケル等が挙げられる。
【００２８】
また、線状部７ａの幅は、５０〜４００μｍであれば、隣接する光電変換セル１ａおよび光電変換セル１ｂ間における良好な導電が確保されつつ、光吸収層４への光の入射量の低下が低減され得る。１つの光電変換セルに複数の線状部７ａが設けられる場合、該複数の線状部７ａの間隔は、例えば、２．５ｍｍ程度であればよい。
【００２９】
なお、線状部７ａの表面が、光吸収層４が吸収し得る波長領域の光を反射する性質を有していれば、光電変換部１がモジュ−ル化された際に、線状部７ａの表面で反射した光が、モジュール内で再び反射して光吸収層４に入射し得る。これにより、光電変換部１における変換効率が向上し得る。このような線状部７ａは、例えば、透光性の樹脂に光反射率の高い銀等の金属粒子が添加されたペーストを用いて形成すればよい。また、アルミニウム等の光反射率の高い金属が線状部７ａの表面に蒸着されることによっても実現できる。
【００３０】
接続部７ｂは、光吸収層４およびバッファ層５を分離する分離溝Ｐ２内に配置されている。この接続部７ｂは、線状部７ａと電気的に接続している。そして、例えば、光電変換セル１ａ内に位置する接続部７ｂは、分離溝Ｐ２を通って隣の光電変換セル１ｂから延伸されている下部電極３に接続するような垂下部を有している。これにより接続部７ｂは、図１（ａ）において、光電変換セル１ａの上部電極（透光性導電層６および線状部７ａ）と、光電変換セル１ｂの下部電極３とを電気的に接続できる。なお、図１では、透光性導電層６に電気的に接続された光電変換セル１ａの線状部７ａと光電変換セル１ｂの下部電極３とを直に接続しているが、この形態に限られない。接続部７ｂは、例えば、分離溝Ｐ２に配置されるバッファ層５および透光性導電層６の少なくとも一方を介して光電変換セル１ａの上部電極と光電変換セル１ｂの下部電極３とを電気的に接続する形態であってもよい。
【００３１】
接続部７ｂは、線状部７ａと同様の材質、方法で作製してもよい。そのため、接続部７ｂは、線状部７ａの形成と同時に行なってもよい。また、接続部７ｂは、線状部７ａの一部であってもよい。
【００３２】
出力電極８Ａ、８Ｂは、各光電変換セルで光から変換された電流を外部に出力するものである。出力電極８Ａおよび出力電極８Ｂは、一方が正極であり、他方が負極である。本実施形態では、光電変換部１の一端側に出力電極８Ａ、他端側に出力電極８Ｂがそれぞれ設けられている。すなわち、出力電極８Ａおよび出力電極８Ｂは、光電変換部１と電気的に接続されているといえる。具体的に、本実施形態において、出力電極８Ａは、光電変換セル１ａの一端側（−Ｘ方向）に位置する下部電極３の一部が延在された部位に相当する。一方で、出力電極８Ｂは、光電変換セル１ｂの他端側（＋Ｘ方向）に位置する下部電極３の一部が延在された部位に相当する。なお、本実施形態では、出力電極８Ａおよび出力電極８Ｂを下部電極３の一部を延在させて形成しているが、これに限られない。出力電極８Ａおよび出力電極８Ｂは、例えば、光電変換セルの上部電極の一部を延在させて形成してもよい。また、光電変換セルが３個以上配列されるような場合は、光電変換部１の一端に位置する光電変換セルに出力電極８Ａが設けられ、光電変換部１の他端に位置する光電変換セルに出力電極８Ｂが設けられる。
【００３３】
次に、光電変換部１の製造方法の一例について説明する。
【００３４】
まず、基板２の外周部から内側に３〜２０ｍｍ程度を除く略全面にモリブデン等の金属をスパッタリング法で成膜し、下部電極３を形成する。次いで、下部電極３の所望の位置にＹＡＧ（イットリウム、アルミニウム、ガーネット）レーザ等を照射して分割溝Ｐ１を形成し、下部電極３をパターニングする。次に、パターニングされた下部電極３上に光吸収層４をスパッタリング法、蒸着法または印刷法等を用いて成膜する。次いで、光吸収層４上にバッファ層５を溶液成長法（ＣＢＤ法）等で成膜する。
【００３５】
次に、スパッタリング法または有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等でバッファ層５上に透光性導電層６を成膜する。次いで、メカニカルスクライビング等で分割溝Ｐ２を形成して、光吸収層４、バッファ層５および透光性導電層６をパターニングする。次に、透光性導電層６上にスクリーン印刷法等で金属ペーストを塗布した後、焼成して集電電極７を形成する。次いで、メカニカルスクライビング等でＹ方向に沿って分割溝Ｐ３を形成してパターニングを行なうことにより、Ｘ方向に配列する複数の光電変換セルを形成することによって、光電変換部１が形成される。
【００３６】
次に、Ｘ方向における両端に位置する光電変換セル（本実施形態では光電変換セル１ａおよび光電変換セル１ｂ）について、例えばブレードおよびホイールブラシ等などを用いて光吸収層４、バッファ層５、透光性導電層６および集電電極７等を２〜７ｍｍ程度の幅で削り取り、下部電極３の一部を延在させる。これにより、光電変換セル１ａの一端部に出力電極８Ａを形成し、光電変換セル１ｂの他端部に出力電極８Ｂが形成される。
【００３７】
＜光電変換モジュール＞
本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールＭは、図３〜図５に示すように、光電変換部１と、基板２と、封止材９と、カバー部材１０と、配線導体１１と、端子ボックス１２とを備えている。
【００３８】
基板２は、光電変換部１を支持する機能を有している。また、基板２の材質としては、は、厚さ１〜３ｍｍ程度の青板ガラス（ソーダライムガラス）または硼珪酸ガラス等が挙げられる。なお、基板２の材質としてはこれに限定されず、他のガラス、セラミックス、樹脂および金属等が用いられてもよい。また、基板２の形状は、例えば矩形状、円形状等の平板状であればよい。
【００３９】
封止材９は、図５に示すように、基板２およびカバー部材１０の互いに対向する一主面間に充填されている。この封止材９は、光電変換部１を保護するとともに、基板２およびカバー部材１０を接着する機能を有している。また、封止材９は、光電変換部１を覆うように配置されている。このような封止材９としては、例えば共重合したエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）を主成分とする樹脂が挙げられる。なお、ＥＶＡには、樹脂の架橋を促進すべく、トリアリルイソシアヌレート等の架橋剤が含まれていてもよい。
【００４０】
カバー部材１０は、封止材９と接触するように設けられており、光電変換部１等を外部から保護する機能を有している。このカバー部材１０の大きさおよび形状は、基板２とほぼ同等のものである。カバー部材１０は、光透過率と必要な強度の点から、例えば、風冷強化した白板ガラス等を用いることができる。
【００４１】
配線導体１１は、出力電極８と電気的に接続されており、光電変換部１の出力を、出力電極８を介して外部に導く機能を有している。本実施形態において、配線導体１１Ａは、出力電極８Ａと電気的に接続されている。一方で、配線導体１１Ｂは、出力電極８Ｂと電気的に接続されている。配線導体１１Ａおよび配線導体１１Ｂは、図３に示すように、基板２に設けられた開口部２ａを介して基板２の裏面側に引き出され、端子ボックス１２内まで延びている。開口部２ａは、基板２の一主面から他主面に向かって形成された基板２を貫通する貫通孔である。開口部２ａは、光電変換部１を基板２上に形成する前に予め設けてもよいし、光電変換部１を形成した後に設けてもよい。なお、基板２が青板ガラスである場合、開口部２ａは、ドリル等を用いた機械加工法およびＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザなどによるレーザ加工法等で形成できる。
【００４２】
配線導体１１は、例えば厚み０．３〜２ｍｍ程度の銅や銀、アルミニウムやこれらを含む合金や積層体などの金属部材で作製される。また、配線導体１１の幅は、例えば出力電極８Ａ、８Ｂの幅の５０％〜９０％程度にすればよい。
【００４３】
配線導体１１は、図５に示すように、カバー部材１０の下面に接触している。つまり、配線導体１１は、光電変換部１よりも厚い部材から成り、この配線導体１１上にカバー部材１０が載置されている。このような構成により、カバー部材１０と基板２との間隔のばらつきを低減することができ、光電変換部１の全体の封止条件を良好にすることができる。その結果、耐水性の弱い部位が生じ難くなり、光電変換モジュールＭの耐水性を高めることができる。
【００４４】
配線導体１１の延伸方向に垂直な断面の形状は特に限定されず、円形状や矩形状等が挙げられる。カバー部材１０との界面から光電変換部１側へ水分が浸入するのを有効に抑制するという観点からは、配線導体１１の上側（カバー部材１０側）の表面は、配線導体１１の延伸方向に沿って伸びる頂部を有する、カバー部材１０側に凸の矩形面またはカバー部材１０側に凸の曲面を有しており、この頂部がカバー部材１０に接触していてもよい。このような配線導体１１の例として、例えば、図５のように、延伸方向に垂直な断面の形状が円形のものがある。図５においては、配線導体１１の上側表面が、カバー部材１０側に凸の曲面となっており、配線導体１１の延伸方向に沿って伸びる頂部を有している。そして、この頂部で配線導体１１とカバー部材１０とが線接触している。
【００４５】
また、光電変換装置の他の例として、図６に示されるような形状の配線導体が用いられてもよい。図６において光電変換装置Ｍ２は、延伸方向に垂直な断面の形状が矩形状の配線導体２１が、その稜線をカバー部材１０および出力電極８に向けて配置されている。なお、図６において、光電変換装置Ｍと同様の構成の部位には同様の符号が付されている。図６においては、配線導体２１の上側表面が、カバー部材１０側に凸の矩形面となっており、配線導体２１の延伸方向に沿って伸びる頂部（稜線）を有している。そして、この頂部で配線導体２１とカバー部材１０とが線接触している。このような矩形状の配線導体２１を用いると、光電変換部１上の封止材９の厚みばらつきを低減できるとともに、配線導体２１の曲げに対する強度も高くなり光電変換モジュールＭ２の変形による破損を有効に抑制することができる。
【００４６】
また、図５の光電変換モジュールＭおよび図６の光電変換モジュールＭ２に示されるように、配線導体１１、２１は、さらにその下面が出力電極８と接触していてもよい。出力電極８と配線導体１１、２１とは半田等の接合材によって接合されており、出力電極８と配線導体１１、２１との間の接合材の厚みばらつきも生じる可能性がある。配線導体１１、２１と出力電極８とが接触していると、この接合材の厚みばらつきをも低減することが可能となり、さらに光電変換部１上の封止材９の厚みばらつきを低減できる。図５の光電変換モジュールＭでは、配線導体１１の断面が円形状である。よって、配線導体１１の下側表面が、延伸方向に沿って伸びる第２頂部を有する、出力電極８側に凸の曲面を有しており、この第２頂部が出力電極８に接触している。また、図６の光電変換モジュールＭ２では、配線導体２１の断面が矩形状であり、その稜線がカバー部材１０および出力電極８と接触するように配置されている。よって、配線導体２１の下側表面が、延伸方向に沿って伸びる第２頂部を有する、出力電極８側に凸の矩形面を有しており、この第２頂部（稜線）が出力電極８に接触している。
【００４７】
貫通孔８ａの形状は、特に限定されるものでなく、出力電極８を平面視して、円形、楕円形および四角形等であればよい。また、貫通孔８ａは、出力電極８を平面視して、細長い形状であってもよい。また、貫通孔８ａの幅は、５０〜２００μｍであればよい。また、出力電極８を平面視して得られる貫通孔８ａの面積は、配線導体１１と出力電極８との接着面積の０．１〜５％であればよい。これにより、配線導体１１と出力電極８との導通を確保しつつ、接着強度を高めることができる。
【００４８】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正及び変更を加えることができる。
【符号の説明】
【００４９】
Ｍ、Ｍ２：光電変換モジュ−ル
１：光電変換部
２：基板
８、８Ａ、８Ｂ：出力電極（電極）
９：封止材
１０：カバー部材
１１、１１Ａ、１１Ｂ：配線導体
【図１】
2013153101.tif 000003
【図２】
2013153101.tif 000004
【図３】
2013153101.tif 000005
【図４】
2013153101.tif 000006
【図５】
2013153101.tif 000007
【図６】
2013153101.tif 000008