(57)【要約】【課題】封止される有機半導体素子に接触されないで有機半導体素子との間に隙間が確保されて優れた耐久性が維持されるとともにフレキシブル性にも優れた有機半導体素子用封止材とこれを用いた有機半導体素子封止体を提供する。【解決手段】有機半導体素子が配置される透明基板との間で有機半導体素子を封止するためのものであり、透明基板との間でシールされるシール領域となる周辺部１６ａよりも内側の中央部１６ｂには有機半導体素子を収容可能な深さに窪む絞り加工が施されており、絞り加工の天井部１６ｃには２方向以上に凹部１８ａと凸部２０ａとが繰り返されるエンボス加工が施されている有機半導体素子用封止材１６とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体素子が配置される透明基板との間で有機半導体素子を封止するための有機半導体素子用封止材であって、
透明基板との間でシールされるシール領域となる周辺部よりも内側には有機半導体素子を収容可能な深さに窪む絞り加工が施されており、絞り加工の天井部には２方向以上に凹部と凸部とが繰り返されるエンボス加工が施されていることを特徴とする有機半導体素子用封止材。
【請求項２】
絞り加工の天井部には、さらに、一方向に折り畳まれる蛇腹加工が施されていることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体素子用封止材。
【請求項３】
絞り加工の天井部の内側面には、エンボス形状に沿って吸湿材が塗工されていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機半導体素子用封止材。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の有機半導体素子用封止材を用いて有機半導体素子が封止されていることを特徴とする有機半導体素子封止体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体素子用封止材および有機半導体素子封止体に関し、さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機発光素子、有機ＥＬ素子）や有機薄膜太陽電池などに好適な有機半導体素子用封止材および有機半導体素子封止体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子に用いられる有機発光素子や有機薄膜太陽電池に用いられる光電変換素子などの有機半導体素子には、一対の電極層と一対の電極層間に配置された有機半導体層とを有する積層体からなるものが知られている。この有機半導体素子の陰極層の材料には水分に弱い材料が用いられることから、有機半導体素子は封止材を用いて封止される。
【０００３】
有機半導体素子を封止する封止材としては、ガラス基板がよく用いられる。また、ガラス基板同士を貼り合わせるためには、硬化性接着剤が用いられることが多い。よく用いられるガラス基板の厚みは２００μｍ以上と厚いため、基板に柔軟性を持たせたものにはされていない。また、硬化性接着剤も硬化後には柔軟性が低下している。したがって、よく知られる有機半導体素子の封止体はフレキシブル性を有する構造になっていない。
【０００４】
一方、特許文献１には、ガラス基板などの透明基板に対して溶融接着される封止用樹脂シートを用い、透明基板と封止用樹脂シートの間でエレクトロルミネッセンス素子を封止するエレクトロルミネッセンス表示装置が記載されている。この際、封止用樹脂シートには、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂が用いられている。なお、特許文献１には、フレキシブル性を有する構造になっている記載はなく、透明基板の厚みも０．３ｍｍ以上と厚い。そして、封止用樹脂シートは、柔軟であるため、透明基板に対して溶融接着する際にエレクトロルミネッセンス素子の上部との間に隙間を保持することができず、エレクトロルミネッセンス素子の上部と接触してこれを傷つけるおそれがある。
【０００５】
特許文献２には、発光装置用の封止構造において素子基板に対向配置される封止基板の素子基板と対向する側が発光素子を収容する凹状に形成される缶封止の封止構造が記載されている。そして、封止基板の長手方向に折り畳まれた蛇腹構造を有することにより短手方向よりも長手方向に柔軟性が高くなり、プリンタ等の画像形成装置においてラインヘッドとして用いられる場合に生じる長手方向の反りを吸収し、封止基板と素子基板とを接着するシール材に発生する応力を低減することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１６８５５５号公報
【特許文献２】特開２００７−２５０３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２では、プリンタ等の画像形成装置においてラインヘッドとして用いられる場合に生じる長手方向の反りが問題とされていることから、封止基板の長手方向に折り畳まれた蛇腹構造を有するが、短手方向に柔軟性を有する構成とはなっていない。また、長手方向の反りを問題としているものであり、発光装置が長手方向や短手方向のいずれにもフレキシブル性に優れることの記載もない。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、封止される有機半導体素子に接触されないで有機半導体素子との間に隙間が確保されて優れた耐久性が維持されるとともにフレキシブル性にも優れた有機半導体素子用封止材とこれを用いた有機半導体素子封止体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため本発明に係る有機半導体素子用封止材は、有機半導体素子が配置される透明基板との間で有機半導体素子を封止するための有機半導体素子用封止材であって、透明基板との間でシールされるシール領域となる周辺部よりも内側には有機半導体素子を収容可能な深さに窪む絞り加工が施されており、絞り加工の天井部には２方向以上に凹部と凸部とが繰り返されるエンボス加工が施されていることを要旨とするものである。
【００１０】
このとき、絞り加工の天井部には、さらに、一方向に折り畳まれる蛇腹加工が施されていてもよい。また、絞り加工の天井部の内側面には、エンボス形状に沿って吸湿材が塗工されていてもよい。
【００１１】
そして、本発明に係る有機半導体素子は、上記の有機半導体素子用封止材を用いて有機半導体素子が封止されていることを要旨とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る有機半導体素子用封止材によれば、透明基板との間でシールされるシール領域となる周辺部よりも内側に有機半導体素子を収容可能な深さに窪む絞り加工が施されているので、封止される有機半導体素子に接触されないで有機半導体素子との間に隙間が確保され、優れた耐久性が維持される。優れた耐久性が維持されるには絞り形状が維持される必要があり、絞り形状が維持される厚肉材料によって構成されるのでフレキシブル性が低下するが、絞り加工の天井部には２方向以上に凹部と凸部とが繰り返されるエンボス加工が施されているので、凹部と凸部とが繰り返される２方向以上で柔軟性に優れる。これにより、優れたフレキシブル性も確保される。
【００１３】
このとき、絞り加工の天井部に、さらに、一方向に折り畳まれる蛇腹加工が施されていると、蛇腹加工が施されている方向にはより一層曲がりやすくなるので、フレキシブル性がさらに高められることとなる。
【００１４】
そして、絞り加工の天井部には凹部と凸部とが繰り返されるエンボス加工が施されているので、エンボス形状（凹凸形状）に沿って吸湿材が塗工されることで、吸湿材の表面積が向上し、吸湿速度を上げることができる。
【００１５】
そして、本発明に係る有機半導体素子封止体によれば、上記の有機半導体素子用封止材を用いて有機半導体素子が封止されていることから、有機半導体素子が封止材に接触されず優れた耐久性が維持されるとともに、フレキシブル性にも優れる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】有機半導体素子用封止材の中央部に有機半導体素子を収容可能な深さに窪む絞り加工が施され、かつ、絞り加工の天井部に凹部と凸部とが繰り返されるエンボス加工が施された状態を示す模式図（ａ）と、その短手方向（Ｂ−Ｂ線）断面図（ｂ）と、その長手方向（Ａ−Ａ線）断面図（ｃ）である。
【図２】有機半導体素子用封止材の絞り加工の天井部に凹部と凸部とが繰り返されるエンボス加工が施された状態を示す模式図である。
【図３】有機半導体素子用封止材の絞り加工の天井部に凹部と凸部とが繰り返されるエンボス加工が施された状態を示す模式図である。
【図４】有機半導体素子用封止材の絞り加工の天井部にその長手方向に折り畳まれる蛇腹加工が施された状態を示す模式図（ａ）と、その長手方向（Ｃ−Ｃ線）断面図（ｂ）である。
【図５】有機半導体素子用封止材の絞り加工の天井部にその斜め方向に折り畳まれる蛇腹加工が施された状態を示す模式図（ａ）と、その斜め方向（Ｄ−Ｄ線）断面図（ｂ）である。
【図６】有機半導体素子用封止材の絞り加工の天井部の内側面に吸湿材が塗工された状態を示す模式図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る有機半導体素子封止体の斜視図（ａ）と、その長手方向（Ｅ−Ｅ線）断面図（ｂ）である。
【図８】有機半導体素子の層構成の一例を示した断面図である。
【図９】絞り加工が施されていない封止材を用いて封止した状態を示す模式図（ａ）と、熱圧着により封止材の内側面が有機半導体素子に接触した状態を示す模式図（ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明に係る有機半導体素子用封止材（以下、単に本封止材ということがある。）について詳細に説明する。
【００１８】
本封止材は、アルミニウム、ステンレスなどの防湿性に優れる金属からなる金属箔や、金属箔と樹脂フィルムの積層体などによって構成される。樹脂フィルムの材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、二軸延伸ポリプロピレン等のポリオレフィンなどが挙げられる。
【００１９】
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、本封止材１６は、透明基板との間でシールされるシール領域となる周辺部１６ａと、有機半導体素子が収容される収容領域となる中央部１６ｂに区画される。周辺部１６ａよりも内側の中央部１６ｂには、有機半導体素子を収容可能な深さに窪む絞り加工が施されている。この絞り加工により、収容される有機半導体素子の表面と本封止材１６の内側面との間には隙間が確保され、収容される有機半導体素子が本封止材１６の内側面に接触するのが防止される。絞り加工の深さは、有機半導体素子の厚さに応じて適宜決定すればよいが、有機半導体素子の厚さを考慮すれば、通常、１０〜３００μｍの範囲内に設定することができる。
【００２０】
本封止材１６は、絞り形状が維持されやすいように厚肉材料によって構成されることが好ましい。このような観点から、本封止材１６の厚さは１５μｍ以上であることが好ましい。より好ましくは３０μｍ以上である。一方、本封止材１６の厚さが厚すぎると、フレキシブル性が損なわれやすくなる。このような観点から、本封止材１６の厚さは１００μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは８０μｍ以下である。
【００２１】
絞り加工の天井部１６ｃには、凹部１８ａと凸部２０ａとが繰り返されるエンボス加工が施されており、天井部１６ｃの外側から内側に向かって窪む凹部１８ａが天井部１６ｃの長手方向および短手方向のそれぞれに複数個並ぶようにマトリックス状に配置されている。マトリックス状に配置された凹部１８ａと凹部１８ａの間は凸部２０ａとなっており、凸部２０ａは全体として格子状になっている。なお、図１では、凹部１８ａの形状が円形状となっているが、絞り加工の天井部１６ｃに形成される凹部の形状としてはこれに限定されるものではない。例えば図２に示すような四角形状の凹部１８ｂや、図３に示すような十字形状の凹部１８ｃなどであってもよい。
【００２２】
凹部と凸部とが繰り返されている方向と交差する方向に曲げの力が加わったときには凹部あるいは凸部が広がって伸びるため、その方向に曲がりやすくなっている。図１〜３のいずれにおいても、エンボス加工によって、長手方向と、短手方向と、斜め方向の少なくとも３方向に凹部と凸部とが繰り返されているので、凹部と凸部とが繰り返される２方向以上で柔軟性に優れる。一方向だけでなく他方向にも曲がりやすくなっており、これによりフレキシブル性が高められている。
【００２３】
絞り形状が維持される厚肉材料によって構成された場合にはフレキシブル性が低下するが、絞り加工の天井部１６ｃに２方向以上に凹部と凸部とが繰り返されるエンボス加工が施されることで、凹部と凸部とが繰り返される２方向以上で柔軟性に優れる。これにより、優れたフレキシブル性が確保される。
【００２４】
絞り加工の天井部１６ｃには、さらに、一方向に折り畳まれる蛇腹加工が施されていても良い。一方向に折り畳まれる蛇腹加工は、図４に示すように、絞り加工の天井部１６ｃに形成された複数本の折り込み線２２ａに沿って絞り加工の天井部１６ｃを交互に折り込むことによって行われる。折り込み線２２ａは、折り畳まれる方向と直交する方向に延びており、折り畳まれる方向に沿って並ぶように複数本の折り込み線２２ａは互いに平行に配置されている。図４では、長手方向に折り畳まれる蛇腹加工が施されており、例えば長手方向に曲げられる場合などに有効である。
【００２５】
蛇腹加工の折り畳まれる方向としては、長手方向に限定されるものではない。短手方向や、図５に示すように斜め方向であっても良い。図５に示す絞り加工の天井部１６ｃにおいては、折り畳まれる斜め方向と直交する斜め方向に複数本の折り込み線２２ｂが延びている。斜め方向に折り畳まれる蛇腹加工は、捻られる場合などに有効である。このように、蛇腹加工は、使用する際の曲げ形状に合わせた加工とすることができる。蛇腹加工が施されている方向にはより一層曲がりやすくなるので、フレキシブル性がさらに高められることとなる。
【００２６】
図６に示すように、本封止材１６の内側面には、吸湿材２４が塗工されていても良い。特に、有機半導体素子が収容される収容領域となる中央部１６ｂ（絞り加工の天井部１６ｃ）の内側面に吸湿材２４が塗工されることが好ましい。絞り加工の天井部１６ｃには凹部と凸部とが繰り返されるエンボス加工が施されているので、エンボス形状（凹凸形状）に沿って吸湿材２４が塗工されると、吸湿材２４の表面積が向上するため、吸湿速度を上げることができる。吸湿材２４は、本封止材１６のエンボス加工前に塗工してもよいし、エンボス加工後に塗工してもよい。
【００２７】
吸湿材２４としては、酸化カルシウム、酸化アルミニウムなどの吸湿性を有する金属酸化物やゼオライトなどが挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上組み合わせて用いても良い。吸湿材２４は、吸湿効果が効果的に発揮されやすいように、本封止材１６の内側面に広く薄膜状に形成されていることが好ましい。
【００２８】
以上の構成の本封止材１６を用いて有機半導体素子が封止されることにより本発明に係る有機半導体素子封止体が得られる。以下に、本発明に係る有機半導体素子封止体の詳細について説明する。
【００２９】
図７には、本発明の一実施形態に係る有機半導体素子封止体１０の構成を示している。一実施形態に係る有機半導体素子封止体１０は、有機半導体素子１２と、透明基板１４と、本封止材１６と、シール材２６と、を備えたものから構成されている。
【００３０】
有機半導体素子１２は、図８に示すように、一対の電極層１２ａ，１２ｃ（陽極層１２ａと陰極層１２ｃ）および一対の電極層１２ａ，１２ｃ間に配置された有機半導体層１２ｂを有する積層体からなる。一対の電極層１２ａ，１２ｃおよび有機半導体層１２ｂは、図示しないフィルム基材の上に積層されてもよいし、透明基板１４上に直接積層されてもよい。有機半導体素子１２は、薄平たい形状で構成され、フレキシブル性に優れる。
【００３１】
有機半導体素子１２のフィルム基材に好適な材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポリメタクリル酸メチル、ポリアリレート、シクロオレフィンポリマーなどを挙げることができる。フィルム基材は、これらの樹脂材料のうちの１種のみで形成されていても良いし、２種以上の樹脂材料を組み合わせることにより形成されていても良い。フィルム基材の厚みは、例えば、３〜１０００μｍの範囲内、１０〜５００μｍの範囲内、あるいは、１０〜３００μｍの範囲内などに設定されていれば良い。
【００３２】
有機半導体素子１２の陰極層１２ｃには、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金組成物、導電性化合物、または、これらの混合物などを好ましく用いることができる。このような材料としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｒｂおよび希土類金属などの金属、Ｎａ−Ｋ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｃａ合金、およびＡｌ−Ｌｉ合金などの合金組成物を挙げることができる。
【００３３】
有機半導体素子１２の陰極層１２ｃは、真空蒸着法、スパッタリング法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、パイロゾル法、スプレー法などの各種成膜方法により形成することができる。陰極層１２ｃの厚さは、０．１〜１０００ｎｍの範囲内、あるいは１〜３００ｎｍなどに設定されていれば良い。また、陰極層１２ｃの抵抗としては、１〜１５０Ω／ｓｑ．の範囲内、あるいは１０〜４０Ω／ｓｑ．などに設定されていれば良い。
【００３４】
有機半導体素子１２の陽極層１２ａには、光を入出力させるなどの観点から、良好な透明性を有する材料が好ましく用いられる。このような材料としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、導電性化合物、または、これらの混合物などを挙げることができる。より具体的には、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などを挙げることができる。陽極層１２ａは、これらの材料のうちの１種のみで形成されていても良いし、２種以上の材料を組み合わせることにより形成されていても良い。
【００３５】
有機半導体素子１２の陽極層１２ａは、陰極層１２ｃと同様、真空蒸着法、スパッタリング法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、パイロゾル法、スプレー法などの各種成膜方法により形成することができる。陽極層１２ａの厚さは、１０〜５０００ｎｍの範囲内、あるいは５０〜３００ｎｍなどに設定されていれば良い。また、陽極層１２ａの抵抗としては、７〜１０００Ω／ｓｑ．の範囲内、あるいは１０〜２００Ω／ｓｑ．などに設定されていれば良い。
【００３６】
有機半導体素子１２の有機半導体層１２ｂには、有機発光材料や光電変換材料を含む材料が好ましく用いられる。有機発光材料としては、Ａｌｑ３（トリス−（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）に代表される金属錯体、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。光電変換材料としては、ペンタセンなどの有機単結晶、ポリ−３−メチルチオフェン、ポリアセチレン、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、ポリアルキルチオフェンおよびその誘導体等の導電性高分子およびその誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、メロシアニン誘導体、クロロフィル等の合成色素、有機金属ポリマーなどを挙げることができる。
【００３７】
陰極層１２ｃと有機半導体層１２ｂとの間には、電子注入性を向上させる材料からなる電子注入層１２ｄが設けられても良い。電子注入層１２ｄは、ＮａＦ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇなどの薄膜からなる。電子注入層１２ｄは、真空蒸着法、スパッタリング法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、パイロゾル法、スプレー法などの各種成膜方法により形成することができる。電子注入層１２ｄは、高真空化で活性を維持したまま数ｎｍという厚みで成膜されるので、有機半導体素子１２の物理的接触により劣化が促進されるおそれがある。また、有機半導体素子１２の物理的接触により電子注入層１２ｄが物理的に傷つくことで不具合箇所を増大させる原因となる。このような理由から、本封止材１６が有機半導体素子１２と接触しないようにすることが望まれる。
【００３８】
また、陰極層１２ｃと有機半導体層１２ｂとの間には、電子輸送性を向上させるなどの目的で、図示されない電子輸送層が設けられても良い。電子輸送層には、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンピリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、スチルベン誘導体などの電子輸送性材料や、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）などのアルミキノリノール錯体などを好ましく用いることができる。
【００３９】
陽極層１２ａと有機半導体層１２ｂとの間には、正孔注入性や正孔輸送性を向上させるなどの目的で、正孔注入層１２ｅや正孔輸送層１２ｆが設けられても良い。正孔注入層１２ｅには、正孔注入性を向上させるＣｏ酸化物、Ｃｕ酸化物、Ｍｏ酸化物、Ｎｉ酸化物、アミン系有機化合物、ヒドラゾン系有機化合物、スチルベン系有機化合物、スターバスト系有機化合物（これらの有機化合物には有機金属錯体も含まれる。）などの材料を用いることができる。正孔輸送層１２ｆには、フタロシアニン、ポリアニリン、オリゴチオフェン、ベンジシン誘導体、トリフェニルアミン、ピラゾリン誘導体、トリフェニレン誘導体などの有機材料を用いることができる。
【００４０】
透明基板１４は、有機半導体素子１２の光の出入りが行われる光入出部となる。透明基板１４には、薄板ガラスや透明フィルムなどが用いられる。有機半導体素子封止体１０にフレキシブル性（柔軟性）を持たせるためには、薄板ガラス自体も柔軟性を有する必要がある。この観点から、薄板ガラスの厚みとしては、２００μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１００μｍ以下である。一方、透明基板１４の強度を確保するなどの観点から、薄板ガラスの厚みとしては、３０μｍ以上であることが好ましい。より好ましくは５０μｍ以上である。
【００４１】
透明基板１４として用いられる透明フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、二軸延伸ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエーテルスルホン、透明ポリイミド、有機無機ハイブリッド材などが好適なものとして挙げられる。これらのうちでは、表面平滑性、耐熱性、製造コスト等の観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどが好ましい。また、耐熱性の面からは、有機無機ハイブリッド材などが好ましい。透明フィルムは、薄板ガラスよりも柔軟性が確保されやすいので、厚みは特に限定されないが、柔軟性と強度のバランスに優れるなどの観点から、例えば３〜１０００μｍの範囲、１０〜５００μｍの範囲、あるいは、１０〜３００μｍの範囲などに厚みを設定することができる。
【００４２】
有機無機ハイブリッド材は、有機系材料と無機系材料の複合材料であり、有機系モノマーと無機系モノマーの複合体や、有機系ポリマーと無機系ポリマーの複合体などを挙げることができる。また、材料種でいえば、ケイ素系材料を挙げることができる。ケイ素系材料としては、ポリシロキサンとシリコーン樹脂の複合体を挙げることができる。有機無機ハイブリッド材の具体的なものとしては、日本合成社製「ＤＬＸ・ＭＫＳ」や新日鐵化学社製「シルプラス」などを挙げることができる。
【００４３】
透明基板１４として用いられる透明フィルムは、上記材料のみからなるフィルムで構成されていても良いし、上記材料からなるフィルムの表面の少なくとも一方に水分の透過を低減させるバリア性の透明薄膜が設けられていても良い。バリア性の透明薄膜の材料としては、酸化ケイ素、酸化チタン、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどを挙げることができる。
【００４４】
シール材２６は、透明基板１４と本封止材１６の間で、透明基板１４および本封止材１６の熱圧着される周辺部１６ａに介在される。シール材２６は、透明基板１４と本封止材１６を熱圧着する際の粘着剤として用いられる。したがって、熱可塑性樹脂を含み、熱融着性を有する。シール材２６の熱可塑性樹脂としては、オレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、メタクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、アイオノマー樹脂、酢酸ビニル樹脂などが挙げられる。これらのうちでは、吸湿性などの観点から、オレフィン系樹脂が好ましい。
【００４５】
オレフィン系樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィンや、エチレン共重合体などが挙げられる。エチレン共重合体としては、エチレン−αオレフィン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）などが挙げられる。
【００４６】
シール材２６の熱可塑性樹脂は架橋されていてもよい。熱可塑性樹脂が架橋されると、シール材２６からの透湿がより抑えられる効果も発揮される。これにより、水分の侵入による有機半導体素子１２の性能低下を抑える効果もより高められる。
【００４７】
熱可塑性樹脂を架橋するには、熱可塑性樹脂に対し、電子線照射、加熱、紫外線照射などを行うと良い。熱架橋は、熱可塑性樹脂に対し有機過酸化物などを添加することにより行うことができる。紫外線架橋は、熱可塑性樹脂に対し光重合開始剤などを添加することにより行うことができる。
【００４８】
また、シール材２６からの透湿をより抑えるなどの観点から、シール材２６には、吸湿性フィラーが分散されていても良い。吸湿性フィラーとしては、酸化カルシウム、酸化アルミニウムなどの吸湿性を有する金属酸化物やゼオライトなどが挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上組み合わせて用いても良い。
【００４９】
吸湿性フィラーは、シール材２６中に１〜３０質量％の範囲内で含まれていることが好ましい。より好ましくは３〜１５質量％の範囲内である。吸湿性フィラーの含有量が１質量％よりも少ないと、吸湿効果が低く、シール材２６からの透湿をより抑える効果が低い。吸湿性フィラーの含有量が３０質量％よりも多いと、シール材２６の接着性や柔軟性を低下させやすい。
【００５０】
有機半導体素子１２は、本封止材１６を用いて封止される。具体的には、有機半導体素子１２の陽極層１２ａが透明基板１４側に配置されるように透明基板１４上に有機半導体素子１２を配置する。次いで、有機半導体素子１２の上から本封止材１６を被せ、シール材２６を用いて有機半導体素子１２を封止する。以上により、有機半導体素子封止体１０が得られる。本封止材１６の周辺部１６ａが透明基板１４との間でシールされるシール領域であり、周辺部１６ａよりも内側の中央部１６ｂに有機半導体素子１２を収容可能な深さに窪む絞り加工が施されているので、封止する際に本封止材１６の周辺部１６ａを熱圧着しても、収容される有機半導体素子１２の表面と本封止材１６の内側面との間には隙間が確保され、収容される有機半導体素子１２が本封止材１６の内側面に接触するのが防止される。
【００５１】
これに対し、絞り加工が施されていない封止材２８を用いた場合には、図９（ａ）（ｂ）に示すように、周辺部２８ａの熱圧着を行い、シール材２６の厚さが薄くなったときに、有機半導体素子１２が配置される部分の厚さも薄くなる。そうすると、有機半導体素子１２を収容する収容空間が厚さ方向に狭くなって封止材２８の内側面と有機半導体素子１２の上部との間に隙間を保持することができず、封止材２８の内側面が有機半導体素子１２に接触してこれを傷つけるおそれがある。
【００５２】
以上の構成の有機半導体素子封止体１０は、軽量・柔軟であるため、例えば曲面形状の場所などに、照明などの用途で用いることができる。
【００５３】
以上、本発明は上記実施形態、実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改変が可能なものである。
【符号の説明】
【００５４】
１０  有機半導体素子封止体
１２  有機半導体素子
１４  透明基材
１６  本封止材
２６  シール材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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