(57)【要約】      （修正有）【課題】有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、電荷輸送層を乾式成膜法で成膜する場合においても、良好にクロストークを抑制する。【解決手段】有機ＥＬ素子を、素子毎に分割された第１電極４と、電荷輸送層５と、発光層６と、を含み、前記電荷輸送層５が発光層６よりも抵抗が低い有機化合物層と、複数の有機ＥＬ素子に共通して設けられた第２電極７とから構成し、複数の有機ＥＬ素子の間には、幅方向の断面が逆テーパー形状で、電荷輸送層５の厚さよりも大きく、且つ、前記第２電極７の厚さよりも小さい深さを有する溝３、或いは電荷輸送層５の厚さよりも大きく、且つ、前記第２電極７の厚さよりも小さい高さを有する隔壁を設けて、隣接する有機ＥＬ素子間で電荷輸送層５を分断する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の有機ＥＬ素子を備え、前記有機ＥＬ素子は素子毎に分割された第１電極と、電荷輸送層と、発光層と、を含む有機化合物層と、複数の有機ＥＬ素子に共通して設けられた第２電極とを有する表示装置において、
前記電荷輸送層は前記発光層よりも抵抗が小さく、
前記複数の有機ＥＬ素子の間には、幅方向の断面が逆テーパー形状の溝或いは隔壁を有し、
前記溝の深さ或いは隔壁の高さは、前記電荷輸送層の厚さよりも大きく、且つ、前記第２電極の厚さよりも小さいことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記溝の開口部の幅或いは前記隔壁の最も広い部分の幅が、前記複数の第１電極の間隔よりも狭いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２電極が酸化物導電膜からなる請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記電荷輸送層は蒸着により成膜されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネル対応の自発光型デバイスが注目されている。自発光型デバイスとしては、プラズマ発光表示素子、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子等がある。この中で、特に、有機ＥＬ素子に関しては、研究開発が精力的に進められており、緑単色や、青、赤等の色を加えたエリアカラータイプのアレイが製品化され、現在はフルカラー化への開発が活発化している。フルカラー発光アレイを作製する場合、発光層を画素（素子）毎に塗り分ける方式と、発光層は白色で、カラーフィルターを画素毎に塗り分ける方式がある。
【０００３】
また、最近では、発光アレイの高精細化も検討されている。高精細化により画素サイズが小さくなると、隣接する電極間の距離が近くなるため、低抵抗の電荷輸送層を介した漏れ電流により、意図した画素の周辺画素が発光してしまうクロストークが問題となることがある。このような問題を解決するため、特許文献１には、エレクトロルミネッセント層と第１電極層の間の電荷輸送層を、第１電極に沿って分離するレリーフパターンを備えた有機ＥＬ装置が開示されている。また、特許文献２には、オーバーハング部を有する隔壁で、第２電極を分割する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００３−５３０６６０号公報
【特許文献２】特開平８−３１５９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１記載の発明は、電荷輸送層をスピンコーティング法のような湿式成膜法で成膜する場合に、順テーパー角度を持つレリーフを設けることで、電荷輸送層を複数の第１電極間で分割するものである。電荷輸送層を湿式成膜法で形成するため、レリーフが順テーパー角度であっても十分な高さを持つか、或いはレリーフの表面を電荷輸送層形成材料の溶液をはじくように表面処理することで、電荷輸送層を自発的に分割することが可能であるとする。また、順テーパー角度であるため、真空蒸着のような乾式成膜法で形成される第２電極を中断しない。
【０００６】
しかしながら、電荷輸送層成膜の別の一般的手段である真空蒸着等の乾式成膜法においては、レリーフの側面や上面にも膜が付着するため、順テーパー角度のレリーフで電荷輸送層を分割することは困難である。これは、特許文献１記載の発明において、乾式成膜法で形成される第２電極が中断されないのと同様である。
【０００７】
一方、特許文献２にあるように、オーバーハング部を有する隔壁を設ける例は、単純マトリクス駆動のために、第２電極も分割される。トランジスタ等のスイッチング素子を基板側に設けるアクティブマトリクス駆動においては、第２電極は共通であることが望ましい。第２電極が分割されることは、個別にコンタクト部を設けたり、コンタクト部の有機層を除去する必要があり、コストの増大を招く恐れがある。
【０００８】
本発明の課題は、有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、電荷輸送層を乾式成膜法で成膜する場合においても、良好にクロストークを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、複数の有機ＥＬ素子を備え、前記有機ＥＬ素子は素子毎に分割された第１電極と、電荷輸送層と、発光層と、を含む有機化合物層と、複数の有機ＥＬ素子に共通して設けられた第２電極とを有する表示装置において、
前記電荷輸送層は前記発光層よりも抵抗が小さく、
前記複数の有機ＥＬ素子の間には、幅方向の断面が逆テーパー形状の溝或いは隔壁を有し、
前記溝の深さ或いは隔壁の高さは、前記電荷輸送層の厚さよりも大きく、且つ、前記第２電極の厚さよりも小さいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、電荷輸送層を乾式成膜法で成膜する場合においても、電荷輸送層を介して生じるクロストークが抑制され、良好な表示が可能な表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の表示装置の一実施形態の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の表示装置における溝或いは隔壁の作用を説明するための断面模式図である。
【図３】本発明の表示装置における溝及び隔壁の断面形状を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の表示装置の他の実施形態の構成を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の表示装置における溝或いは隔壁の位置を模式的に示す平面図である。
【図６】本発明の表示装置の電荷輸送層成膜時における蒸着源とその位置を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を用いて本発明をより詳細に説明する。
【００１３】
図１は本発明の表示装置の一実施形態の構成を模式的に示す断面図である。本実施形態は、基板１上の下地層２上に、不図示の配線及びスイッチング素子に接続された複数の第１電極４を備える。該第１電極４は有機ＥＬ素子毎に分割して配置されており、該第１電極上に電荷輸送層５と発光層６及び複数の第１電極４にまたがって、第２電極７を備える。複数の第１電極４の間には、幅方向の断面が逆テーパー形状の溝或いは隔壁を備え、該溝の深さ或いは隔壁の高さが、前記電荷輸送層の厚さよりも大きく、前記第２電極の厚さよりも小さいことが、本発明の特徴である。図１は溝３を設けた実施形態であり、隔壁１４を設けた実施形態の断面模式図を図４に示す。尚、本発明において溝或いは隔壁の幅方向の断面が逆テーパー形状であるとは、溝の場合は幅方向の断面において開口部より底部側の幅が狭い形状であり、隔壁の場合は、底部よりも上部の幅が広い形状である。
【００１４】
尚、電荷輸送層５とは、発光層６よりも第１電極４寄りにある層を示す。一般的に、駆動電圧を下げるために、電荷輸送層５には発光層６よりも抵抗の低い材料を用いることが多い。特に、第１電極４との界面、或いは第１電極４と発光層６との間に、電子供与型、或いは電子受容型の材料を含むことがあり、この場合には周辺の有機化合物膜との間で電子の授受が起こり、キャリアが生成されるために電気抵抗値が大幅に低下する。本発明は、このような電子供与型、或いは電子受容型の材料を含む層を有する場合に、特に効果的である。もちろん、このような材料を含まずとも、電気抵抗が小さいか、或いは隣接する第１電極４間の距離が短く、隣接画素間のリーク電流により、意図しない画素の発光が起こる場合には効果を有する。
【００１５】
図２に示すように、真空蒸着などの異方性の成膜方法で形成される場合、逆テーパー形状の溝３、或いは隔壁を有することで、溝３或いは隔壁の側面８には、電荷輸送層５は実質的にほとんど付着しない。このため、隣接する第１電極４間で電荷輸送層５が分断されるため、電荷輸送層５を介して電流が流れることによるクロストークを抑制することができる。一方で、溝３の深さ或いは隔壁の高さを第２電極７の厚さよりも小さくしているため、第２電極７の断線や高抵抗化に伴う発光ムラ等の、表示品位の低下を避けることができる。
【００１６】
有機ＥＬ素子を用いた表示装置において用いられる隔壁は、第１電極４の端部を覆うように形成され、有機化合物層（５，６）の断線による第１電極４と第２電極７間でのショート、及び第２電極７の断線を防ぐため、順テーパー角度を持つことが一般的である。一方、単純マトリクス駆動の表示装置に用いられる隔壁は、通常第２電極７を分断することが目的であるため、逆テーパーである場合にも、第２電極７よりも十分に大きな高さを有する。本発明は溝３或いは隔壁１４の断面形状が逆テーパー形状であり、なおかつ電荷輸送層５の膜厚よりも大きく、第２電極７の膜厚よりも小さな高さを有するところに特徴を有する。
【００１７】
本発明において、第２電極７は、断線や抵抗の増加による輝度ムラや消費電力の増大を防ぐために、十分な膜厚を有することが望ましい。第２電極７を透明導電膜から構成し、トップエミッション構成としてもよいし、第２電極７を金属等の反射電極として、ボトムエミッション構成としてもよい。一方で第２電極７の膜厚を厚くしすぎると、コストの増大を招く。また、第２電極７として透明導電膜を用いる場合には、第２電極７を厚くしすぎると、膜の吸収による発光効率の低下を招く。第２電極７の膜厚は好ましくは、３０ｎｍ乃至２μｍである。より好ましくは、２００ｎｍ乃至１μｍの膜厚である。
【００１８】
一方、電荷輸送層５の膜厚としては、電極からの注入を確保するとともに、発光層６からの励起子やキャリアの漏れを抑制するために、薄すぎないほうがよい。また、厚すぎると駆動電圧の上昇を招くため、厚すぎないほうがよい。電荷輸送層５の膜厚としては、５ｎｍ乃至３００ｎｍ、より好ましくは１０ｎｍ乃至２００ｎｍ程度が好適である。
【００１９】
断面が逆テーパー形状の溝３の深さ、或いは隔壁１４の高さとしては、電荷輸送層５を十分に断線せしめ、なおかつ第２電極７の抵抗を下げるために、電荷輸送層５の膜厚よりも大きく、第２電極７の膜厚よりも小さいことが望ましい。より好ましくは、電荷輸送層５の膜厚の２倍以上であり、なおかつ第２電極７の膜厚の半分以下であるとよい。かかる場合に、クロストークの防止と、第２電極７の断線を抑制することができる。また、このような膜厚関係を満たすため、前記電荷輸送層５の膜厚は、第２電極７の膜厚よりも小さいことが必要である。
【００２０】
逆テーパー形状の溝３、或いは隔壁１４のテーパー角度としては、なるべく大きな角度である方が、電荷輸送層５を断線させやすいため、好ましい。尚、本発明におけるテーパー角度とは、図２に示すように、溝３或いは隔壁１４のうち最も後退した点と、該後退した点よりも上部にある点のうち、最も張り出した点を結ぶ線と、基板法線とのなす角度（図２の１１に示す角度）のことを指すものとする。電荷輸送層５を断線させることができれば、溝３や隔壁１４の側面の角度が傾斜していることに限らない。尚、図２においては、便宜上、溝３の形態を図示しているが、溝３の側面８を隔壁１４の側面とみなせば本発明における作用は全く同じである。
【００２１】
図３に溝３、及び隔壁１４の断面形状の例について示す。溝の場合、図３（ａ）のような逆テーパー形状が挙げられ、図３（ｂ）のように複数の層の積層からなってもよい。また、図３（ｃ）のように、高さ方向に一部順テーパー形状となっていてもよい。この場合、側面のうち、逆テーパー部分が電荷輸送層５よりも高く、全体の高さが第２電極７の膜厚よりも小さければよい。また、図３（ｄ）のように、オーバーハングを持つ形状も本発明で言う逆テーパー形状に含める。また、隔壁１４の例としては、図３（ｅ）のように、逆テーパー形状でも、図３（ｆ）のように、Ｔ字型、即ち側面がオーバーハングを持つ形状も含めるものとする。
【００２２】
逆テーパー形状の溝３を設ける場合、図１に示すように、溝３の開口部の幅１２は、隣接する第１電極７の間隔１３よりも小さいことが好ましい。かかる場合に、電荷輸送層５の断線を起こす部分で、第１電極４が露出することを避けられるため、第１電極４と第２電極７間のショートを避けることができる。また、開口部の両側に付着した電荷輸送層５が互いに接触することを避け、確実に電荷輸送層５を断線させるため、前記溝３の開口部の幅１２は、少なくとも電荷輸送層５の膜厚の２倍以上であることが好ましい。また、溝３の幅が広すぎると、画素の開口率が低下するため、広すぎないことが好ましい。溝３の幅としては、好ましくは、５０ｎｍ以上、２μｍ以下がよい。より好ましくは、１００ｎｍ以上１μｍ以下がよい。
【００２３】
一方、図４に示すように、隔壁１４を設ける場合、隔壁１４の最も幅の広い部分の幅１５が、隣接する第１電極４の間隔１３よりも小さいことが好ましい。この場合、電荷輸送層５の断線を起こす部分で、第１電極４と第２電極７間のショートを避けることができる。より好ましくは、隔壁１４上で最も張り出した部分と、第１電極４の端部との間の基板面内方向の距離１６が、電荷輸送層５の成膜時に隔壁１４の影になる部分よりも長いことが好ましい。隔壁１４の影になる領域では、成膜された膜厚が薄くなる。隔壁１４を第１電極４から離すことで、第１電極４と第２電極７のショートを避けることができるため、好ましい。また、隔壁１４の幅が広すぎると、画素の開口率が低下するため、広すぎないことが好ましい。隔壁１４の幅としては、好ましくは、５０ｎｍ以上、２μｍ以下がよい。より好ましくは、１００ｎｍ以上１μｍ以下がよい。
【００２４】
また、隔壁１４や溝３を設ける場所は、第１電極４よりも基板１側でもよく、第１電極４より基板１から離れた場所でもよく、第１電極４と同じ高さであってもよい。例えば、第１電極４の下地に設けてもよいし、第１電極４端部を覆うように素子分離膜を設け、該素子分離膜上に溝や隔壁を設けてもよい。
【００２５】
第１電極４の端部は、露出していてもよいし、素子分離膜（不図示）で覆われていてもよい。前記第１電極４端部が露出している場合、端部の角度が前記溝３、或いは隔壁１４の角度よりも緩やかであることが好ましい。尚、この場合の緩やかの定義とは、逆テーパー、垂直、順テーパーの順に緩やかであるとする。同じ逆テーパー同士の比較においては、側面と基板面の法線なす角度（図２の１１）が小さいものほど角度が緩やかであるとし、順テーパー同士の比較においては、側面と基板面の法線のなす角度が大きいものほど角度が緩やかであるとする。かかる場合に、第１電極４端部での電荷輸送層５の断切れを防ぎ、第１電極４と第２電極７間でのリークを防ぐとともに、前記溝３或いは隔壁１４の側面における電荷輸送層５の分断を図ることができる。素子分離膜を設ける場合、素子分離膜と第１電極４が接する面の角度は、前記隔壁１４或いは溝３の角度よりも緩やかであることが好ましい。かかる場合においても、素子分離膜端部での電荷輸送層５の断切れによる第１電極４と第２電極７のショートを防ぐとともに、前記溝３或いは隔壁１４の側面における電荷輸送層５の分断を図ることができる。
【００２６】
電荷輸送層５の成膜については、真空蒸着法を用いることが好ましい（図２参照）。この場合、成膜分子の直進性が高いため、逆テーパーの角度１１よりも、分子の入射角度１０が小さくなるように遮蔽板等を用いた蒸着源を用いて成膜すれば、隔壁１４や溝３の上部が傘となって、電荷輸送層５を好適に分断することができるため、好ましい。
【００２７】
また、前記隔壁１４や溝３を設ける場所は、全ての画素間に設けてもよいし、一部に設けてもよい。例を図５に示す。図５（ａ）に示すように、第１電極４の周囲を囲むように溝３或いは隔壁１４を設けてもよいし、図５（ｂ）に示すように、第１電極４の長辺の間のみに溝３或いは隔壁１４を設けてもよい。後者においては、画素間のリークパスが長い長辺は溝３或いは隔壁１４により分断するとともに、短辺には溝３或いは隔壁置かないことで、開口率の向上を図ることができる。
【００２８】
さらに、大判の基板で有機材料を蒸着する際に、ライン状の蒸着源を用い、基板或いは蒸着源を移動させながら成膜する方法をとる場合がある（図６参照）。この場合、蒸着源１７の長辺と垂直方向（図６（ａ））では、制限板１８等を設けることで分子の入射角度１９を制限しやすいが、蒸着源長辺と平行な方向（図６（ｂ））には分子の入射角度１９が広くなりやすい。かかる場合に、画素の長辺方向と蒸着源１７の長辺を平行に設置することがより好ましい（図６（ｃ））。このような構成にすることで、画素間のリークパスが長い長辺方向の電荷輸送層を分断することができる。
【００２９】
一方、縦及び横のいずれの方向にも入射角度を制限するような制限板を設けた点蒸着源を用いて成膜してもよい。この場合、縦及び横のいずれの方向でも電荷輸送層を分断することができる。
【００３０】
次に、前記隔壁１４や溝３の作製方法について述べる。例えば、溝３の場合の例では、初めにＣＶＤ法を用いてＳｉＮ／ＳｉＯ／ＳｉＮの積層膜を形成し、その上に電極材料の成膜、パターニングにより、第１電極４を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術を用いて、溝３を形成したいところ以外を覆うレジストパターンを作製する。エッチングガスとして、ＣＦ4を用いたリアクティブイオンエッチングにより、最上層のＳｉＮをパターニングする。さらに、緩衝フッ酸溶液により、ウェットエッチングを行うと、エッチングレートの差により、最上層のＳｉＮよりも、ＳｉＯ層のサイドエッチングが進み、オーバーハング構造を作ることができる。
【００３１】
また、溝３の深さが深くなりすぎないように、溝３形成部分の下に、エッチングストップ層として、エッチングレートの小さな材料を設けてもよい。かかる場合に、溝３の深さが不均一であることによる外観上の不均一を避けることができるため、好ましい。
【００３２】
また、隔壁１４の例としては、ネガ型レジストを用い、露光時間を通常よりも長めにすることで、上部に行くほど線幅が広がる逆テーパー形状を作ることもできる。
【００３３】
各画素で表示する色は、全て同じでもよいし、画素毎に異なってもよい。画素毎で表示色を変える方法としては、シャドウマスクを用いて発光層６を画素毎に塗り分けてもよいし、白色の発光層６を全画素共通で設け、画素毎にカラーフィルターを塗り分けることで多色表示を行ってもよい。
【００３４】
以下、その他の構成部材について説明する。
【００３５】
基板１としては、石英、ガラス、シリコンウェハー、樹脂、金属など何を用いてよい。また、基板１上には、不図示の薄膜トランジスタなどのスイッチング素子や配線を備える。
【００３６】
下地層２としては、第１電極４と不図示の配線の導通を確保するために、コンタクトホールを形成可能で、なおかつ未接続の配線との絶縁を確保できれば、何を用いてもよい。例えば、ポリイミド等の樹脂、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の酸化膜、などを用いることができる。
【００３７】
第１電極４としては、反射電極として用いる場合には、例えばクロム、アルミニウム、銀、チタン、又はこれらの合金、積層したものなどを用いることができる。また、透明電極として用いる場合には、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの金属酸化物などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。電極の形成には、公知のフォトリソグラフィ技術を用いることができる。例えば、４μｍ×１６μｍの形状の電極を、２μｍの間隔で複数設けてもよい。これらの電極を、不図示のコンタクトホールを介したスイッチング素子により独立に駆動することで、多色表示が可能である。
【００３８】
電荷輸送層５としては、公知の材料を好適に用いることができる。第１電極４をアノードとする場合には、正孔輸送層を用いる。正孔輸送層としては、公知の材料を好適に用いることができる。例えば、トリフェニルジアミン誘導体、オキソジアゾール誘導体、ポリフィリル誘導体、スチルベン誘導体等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入層と正孔輸送層との積層体、即ち複数の層で正孔輸送層の機能を担ってもよい。正孔注入層としては、酸化モリブデン、酸化タングステン等の酸化物、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）などの有機化合物、また、これらの材料と正孔輸送層との混合層を用いてもよい。特にＦ４ＴＣＮＱなどの材料を正孔輸送層と混合させると、低抵抗の正孔注入・輸送層となり、駆動電圧の低減を図ることができる。前記正孔輸送層の厚さは、各画素共通でもよいし、干渉を合わせる上で、色に応じて膜厚を変えてもよい。
【００３９】
一方、第１電極４をカソードして用いる場合には、電荷輸送層５としては、電子輸送層を用いる。電子輸送層としては、公知の材料を好適に用いることができる。例えば、アルミキノリノール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体、フェナントロリン誘導体等、が挙げられるがこれらに限定されるものではない。また、電子注入層と電子輸送層との積層体、即ち複数の層で電子輸送層の機能を担ってもよい。
【００４０】
電子注入層としては、電子供与性のドーパントと電子輸送性の材料の混合物を用いてもよい。電子供与性のドーパントとしては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、希土類金属、及びこれらの化合物を用いることができる。電子注入層は、電子輸送性材料に、アルカリ金属化合物を０．１乃至数十％含有させることにより形成される。より好ましくは、前記アルカリ金属化合物はセシウム化合物である。さらに、より好ましくは、前記セシウム化合物が炭酸セシウム及び炭酸セシウム由来の物質である。電子注入層を形成する好適な手法は、炭酸セシウムと電子輸送性材料を共蒸着することである。良好な電子注入性を確保するためには、電子注入層の膜厚が１０乃至１００ｎｍであることが好ましい。尚、共蒸着時に炭酸セシウムが分解するなどして、電子注入層内に炭酸セシウム由来の（Ｃｓ11Ｏ3）Ｃｓ10や（Ｃｓ11Ｏ3）Ｃｓ、Ｃｓ11Ｏ3などのサブオキサイドが形成される場合がある。またセシウムと有機化合物との間で配位化合物が形成される場合がある。
【００４１】
発光層６としては、公知の発光材料を何れも好適に用いることができる。発光材料は、単体で有機発光層として機能する材料を用いてもよいし、ホスト材料と発光ドーパントや電荷輸送ドーパント、発光補助ドーパントなどとの混合系として機能する材料を用いてもよい。また、発光層６は各画素において表示する色に応じて異なる材料を用いてもよいし、共通の材料を用いてもよい。
【００４２】
また、本発明における発光層６は単層でもよいし、発光層６の第２電極７側に、他の層を積層させてもよい。例えば、第２電極７がカソードの場合、正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層などをさらに設けてもよい。また、第２電極７がアノードの場合、電子阻止層／正孔輸送層／正孔注入層などを設けてもよい。これらの材料としては、前記電荷輸送層５の材料として述べたものなどを用いることができる。本発明において、有機化合物層とは、第１電極４と第２電極７との間に配置される、少なくとも上記電荷輸送層５と発光層６とを含む有機化合物膜からなる積層体をいう。
【００４３】
第２電極７は、ＩＴＯなどの透明電極を使用してトップエミッション素子としてもよいし、アルミニウム（Ａｌ）などの反射電極を使用してボトムエミッション素子としてもよいし、特に限定されない。好ましくは酸化物導電膜である。第２電極７の形成方法としては、何を用いてもよいが、直流及び交流スパッタ法などを用いると、膜のカバレッジがよく、抵抗を下げやすいためより好ましい。
【００４４】
第２電極７形成後に、不図示の封止部材を設けてもよい。例えば、第２電極７上に吸湿剤を設けたガラスを接着することで、有機化合物層に対する水等の浸入を抑え、表示不良の発生を抑えることができる。また、別の実施形態としては、第２電極４上にＳｉＮ等のパッシベーション膜を設け、有機化合物層に対する水等の浸入を抑えてもよい。例えば、第２電極４形成後に真空を破らずに別のチャンバーに搬送し、ＣＶＤ法で５μｍのＳｉＮ膜を形成することで、封止膜としてもよい。
【００４５】
また、各画素にカラーフィルターを設けてもよい。例えば、画素のサイズに合わせたカラーフィルターを別の基板上に設け、それを発光層を設けた基板と貼り合わせてもよいし、ＳｉＮ等の封止膜上にカラーフィルターをパターニングしてもよい。
【００４６】
本発明の表示装置は、各種ディスプレイに好適に用いることができる。ディスプレイとはテレビやパソコンの表示部や電子機器に搭載される表示部といった画像表示装置のことである。電子機器に搭載される表示部として好ましくは車内の表示部であったり、デジタルカメラの画像表示部であったり、或いは複写機やレーザービームプリンタといった事務機器の操作パネルを挙げることができる。
【符号の説明】
【００４７】
３：溝、４：第１電極、５：電荷輸送層、６：発光層、７：第２電極、１４：隔壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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