(57)【要約】  【課題】  高価なトリミング装置を用いずとも高精度の要求に応えることのできる導体間の容量調整方法を提供する。  【解決手段】  基材上に複数の導体を備え、該導体同士の対向面における前記導体の上端部を除去することによって導体間の容量を調整する導体間の容量調整方法である。従来のようにサブミクロンオーダーでの導体の削除を必要とせず、トリミング量を大きくとることができることから、高価なトリミング装置を用いずとも、前記導体の上端部を除去するという容易な加工によって微少な導体間の容量調整を行なうことができ、高い歩留まりを得ることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に複数の導体を備え、該導体同士の対向面における前記導体の上端部を除去することによって導体間の容量を調整することを特徴とする導体間の容量調整方法。
【請求項２】
前記導体同士の対向面における最小導体間距離が、導体形成時に定まるものであることを特徴とする請求項１に記載の容量調整方法。
【請求項３】
前記導体を機械的加工により除去することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の容量調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体間の容量調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材上に設けられた複数の導体の離間距離を所定値とすることによって、導体間の容量の調整が行なわれている。例えば、特許文献１において、レーザーを用いて導体を除去する（トリミング）ことで、複数の導体の離間距離を所定値とすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表2003−502893号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年の高精度の要求に応えるには、導体の離間距離を、サブミクロンオーダーでトリミングする必要がある。しかしながら、レーザーを用いた調整方法においては、サブミクロンオーダーでのトリミングによる微少な導体間の容量調整は困難であり、歩留まりが低いものであった。また、サブミクロンオーダーでのトリミングが可能なトリミング装置は、高価であった。
【０００５】
本発明は、上述した問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、高価なトリミング装置を用いずとも高精度の要求に応えることのできる導体間の容量調整方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の導体間の容量調整方法は、基材上に複数の導体を備え、該導体同士の対向面における前記導体の上端部を除去することによって導体間の容量を調整することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の容量調整方法によれば、従来のようにサブミクロンオーダーでの導体の削除を必要とせず、トリミング量を大きくとることができることから、高価なトリミング装置を用いずとも、前記導体の上端部を除去するという容易な加工によって微少な導体間の容量調整を行なうことができ、高い歩留まりを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態の導体間の容量調整方法の概要を示す、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’線での断面図である。
【図２】従来の導体間の容量調整方法の概要を示す、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’線での断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本実施形態の導体間の容量調整方法について詳細に説明する。
【００１０】
本実施形態の導体間の容量調整方法によれば、基材上に複数の導体を備え、該導体同士の対向面における前記導体の上端部を厚み方向に除去することによって導体間の容量を調整することを特徴とするものである。
【００１１】
これにより、従来のようにサブミクロンオーダーでの導体の削除を必要とせず、トリミング量を大きくとることができることから、高価なトリミング装置を用いずとも、前記導体の上端部を厚み方向に除去するという容易な加工によって微少な導体間の容量調整を行なうことができ、高い歩留まりを得ることができる。
【００１２】
図１を用いて本実施形態の導体間の容量調整方法を具体的に説明する。図１に記載の誘電体フィルタ10は、基材である複数の貫通孔３（３’）（なお、以降の記載においては、共通して係る記載においては、貫通孔３と記載する。）を備える誘電体ブロック１と、貫通孔３の内周面に形成された内導体４と、貫通孔３の開口面を除く外周面に形成された外導体５と、開口面の一方において内導体同士を接続するように形成された接続導体６と、開口面の他方において内導体４のそれぞれにのみ接続されるとともに、対向するように配置された導体２とを備えているものである。なお、図１は、本実施形態の容量調整方法の一例を示すものであり、本実施形態の容量調整方法が誘電体フィルタにのみ用いられるものでないことはいうまでもない。
【００１３】
本実施形態の導体間の容量調整方法においては、従来よりも導体２の厚みを厚く形成することが好ましい。このような厚みの厚い導体２は、スクリーン印刷法を用いればよく、複数回重ねて印刷して乾燥させた後に焼結させてもよく、印刷毎に乾燥させて焼結させることを複数回繰り返すものであってもよい。
【００１４】
図１（ｂ）の図１（ａ）におけるＡ−Ａ’線での断面図において、導体２同士の対向面における導体２の上端部であるＤ部を除去することにより導体２間の容量の微調整が可能となる。
【００１５】
また、導体２間の容量に最も影響を及ぼすのは、導体２同士の対向面における最小導体間距離であることから、この最小導体間距離は、導体２の形成時である印刷時に定まるものであることが好ましい。導体２間の容量に最も影響を及ぼす導体２同士の対向面における最小導体間距離が定まっているものであれば、より容易に微少な容量調整を可能とすることができる。
【００１６】
また、本実施形態の導体間の容量調整方法によれば、トリミング量を大きくとることができることから、トリミングはレーザーのみならず機械的加工が可能であり、例えば、誘電体フィルタ10の作製において、レーザーによるトリミング時における導体２や誘電体ブロック１が還元されたり、半導体化されたりすることで、必要な導体２や誘電体ブロック１にダメージを与えて無負荷Ｑが悪化することがない。さらに、上述したダメージを修復するための追加工程（熱処理）が必要となることもないことから、高精度の要求に応える誘電体フィルタ10を効率よく作製することができる。具体的な機械的加工としては、デューターでの加工、サンドブラスト、バレル研磨等が挙げられる。
【００１７】
なお、貫通孔３、３’に基づく同軸共振器間において結合しているものであり、導体２間同士の容量の変化は、同軸共振器間の結合度の変化にも影響を与えるものであることから、以下において、結合度の調整に関する実施例について記載する。
【実施例】
【００１８】
誘電体フィルタにおいて、初期状態からの結合度ｋを0.01下げるのに必要な導体の除去寸法についてシミュレーションにより確認した。
【００１９】
各寸法については、図１および図２（なお、図２において、図１と同様の構成を示すものについては同じ符号を付す。）に基づいて説明する。図１および図２に共通する基材で
ある誘電体ブロック１の備える貫通孔３の内径φは３ｍｍとし、導体２のＸ，Ｙの寸法については、6.2ｍｍとし、Ｌの距離は200μｍとした。また、図１における導体２の厚みＴは、200μｍとし、図２における導体２の厚みは、20μｍとした。
【００２０】
そして、表１に示すように、結合度を0.01下げるのに必要な導体２の除去寸法について、シミュレーションにより確認した。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
その結果、図２に示す誘電体フィルタ20においては、導体２同士の距離を15μｍ拡げるべく、導体２のそれぞれを対向面から貫通孔３側に7.5μｍの除去が必要であった。これ
に対し、図１に示す誘電体フィルタ10においては、導体２同士の対向面における導体２の上端部を厚み方向に100μｍの除去が必要であった。
【００２３】
この結果から、図２に示す誘電体フィルタ20においては、サブミクロンオーダーでのトリミングが必要であり、このトリミングは極めて困難であり、歩留まりが低くなるものであった。また、歩留まりを低下させることなく、サブミクロンオーダーでのトリミングを行なおうとすれば、高価なトリミング装置を用いらなければならなかった。これに対し、図１に示す誘電体フィルタ10のように本実施形態の導体間の容量調整方法によれば、高価なトリミング装置を用いずともトリミング量が大きいことから、容易な加工によって微少な導体間の容量調整が可能であることがわかった。
【００２４】
また、トリミング量が大きいことから、トリミングはレーザーのみならず機械的加工が可能であり、例えば、誘電体フィルタ10の作製において、レーザーによるトリミング時における導体２や誘電体ブロック１が還元されたり、半導体化されたりすることで、必要な導体２や誘電体ブロック１にダメージを与えて無負荷Ｑが悪化することがない。さらに、上述したダメージを修復するための追加工程（熱処理）が必要となることもないことから、高精度の要求に応える誘電体フィルタ10を効率よく作製することができることがわかった。
【符号の説明】
【００２５】
１：基材（誘電体ブロック）
２：導体
３、３’：貫通孔
４：内導体
５：外導体
６：接続導体
10：誘電体フィルタ
【図１】
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【図２】
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