(57)【要約】【課題】低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供する。【解決手段】磁化固定層１００と非磁性絶縁層１１０と磁化自由層１２０を有する強磁性トンネル接合素子１０において、磁化自由層１２０は非磁性金属層２２１を挟んで強磁性層２２０、２２２を有し、２つの強磁性層２２０、２２２の磁化の方向が互いに平行である。２つの強磁性層の磁化の方向を互いに平行にすることにより、スピントランスファートルクが有効に働き、駆動電流を低減できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁化固定層、絶縁層、磁化自由層が順次積層された強磁性トンネル接合素子において、
前記磁化自由層は第１の非磁性層を挟んで設けられた第１及び第２の強磁性層を有し、前記第１及び第２の強磁性層の磁化が前記第１の非磁性層を介して平行に揃うことを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【請求項２】
請求項１記載の強磁性トンネル接合素子において、
前記磁化固定層は第２の非磁性層を挟んで設けられた第３及び第４の強磁性層を有し、前記第３及び第４の強磁性層の磁化が前記第２の非磁性層を介して反平行に揃うことを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【請求項３】
磁化固定層、絶縁層、磁化自由層からなる強磁性トンネル接合素子において、
前記磁化自由層が非磁性層を挟む複数の強磁性層で構成され、前記磁化自由層内の複数の強磁性層の磁化が前記非磁性層を介して平行に揃うことを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【請求項４】
請求項３記載の強磁性トンネル接合素子において、
磁化固定層が非磁性層を挟んだ２つの強磁性層で構成され、前記磁化固定層内の２つの強磁性層の磁化が前記磁化固定層内の前記非磁性層を介して反平行に揃うことを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の強磁性トンネル接合素子において、
前記第１及び第２の強磁性層の間の磁気的結合の大きさが前記第１及び第２の強磁性層の異方性エネルギーと同程度であることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【請求項６】
請求項５記載の強磁性トンネル接合素子において、
前記異方性エネルギーと同程度とは、±１０％以内であることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の強磁性トンネル接合素子において、
前記第１の非磁性層の厚さが２ナノメートル以上であることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【請求項８】
請求項３又は４に記載の強磁性トンネル接合素子において、
前記磁化自由層内の前記複数の強磁性層のそれぞれの間の磁気的結合の大きさが前記複数の強磁性層の異方性エネルギーと同程度であることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【請求項９】
請求項３又は４に記載の強磁性トンネル接合素子において、
前記異方性エネルギーと同程度とは、±１０％以内であることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【請求項１０】
請求項３又は４に記載の強磁性トンネル接合素子において、磁化自由層内非磁性層の厚さが２ナノメートル以上であることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流誘起磁化反転機構（スピントルク）により磁化が反転する強磁性トンネル接合素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗効果は、磁性体に磁場を印加したとき、あるいは磁性体の磁化状態が変化したとき電気抵抗が変化する現象である。この効果を利用した磁気抵抗効果素子として、従来から磁気ヘッドや磁気センサが知られ、近年、不揮発性固体磁気メモリ素子（ＭＲＡＭ）なども試作されるようになってきている。最近、以下に説明する電流誘起磁化反転機構、つまりスピントルクが提案され（非特許文献１、２）、実際にスピントルクによる磁化反転が確認された（非特許文献３、４）。このスピントルクによって、メモリセルへの書き込みが提案されている。これら広い意味でのＭＲＡＭは、１）不揮発性、２）書き換え耐性が原理的に無限大、３）書き込み速度が現状のフラッシュメモリより速い、という特性ため、現在汎用記憶装置として用いられる半導体メモリ（ＤＲＡＭ）を置き換える利点を有する。
【０００３】
ここでは電流誘起磁化反転機構について説明する。電流誘起磁化反転機構は、少なくとも２つの磁性体を用い、それぞれが磁化固定層、磁化自由層として機能する。これら磁化固定層と磁化自由層は、非磁性金属、あるいは非磁性絶縁体で接合される。電流印加時、伝導電子が磁化固定層を通り抜け、磁化自由層に進入する場合、伝導電子は固定層の磁化の向きに分極している。すなわちスピン流が流れる。そのため、分極した量に対応するスピン角運動量を磁化自由層に移行することができる。その結果、磁化自由層の磁化の向きを、磁化固定層のそれに平行に揃えることが出来る。
【０００４】
また、伝導電子の進行方向が逆の場合には、磁化固定層からの反射が支配的となる。つまり磁化固定層の磁化と同じスピンの向きのスピン流は透過し、逆向きのスピンを持つスピン流が磁化自由層に進入するため、磁化自由層の磁化の向きは磁化固定層のそれと反平行に揃えることが出来る。結果的には、電流の極性により磁化自由層の磁化の向きを制御することが可能であり、磁化固定層の磁化に対する相対的な向きが引き起こす磁気抵抗効果をメモリ素子に応用できる。磁化固定層と磁化自由層を非磁性絶縁体で接合すれば、通常、磁気抵抗効果のシグナルを大きく取れるため、強磁性トンネル接合素子が用いられる。
【０００５】
スピントルクによるメモリセルへの書き込みは、次に述べるように、２つの相反する課題を満たさなければならない。前述のように、伝導電子のスピン流が磁化自由層にスピン角運動量を移行するため、磁化自由層の磁化反転は磁化自由層の磁化が小さいほど容易である。つまり磁化自由層の体積が小さいほど、小さな電流で磁化が反転できる。一方メモリ素子機能の要請として、反転した磁化が熱擾乱に対し安定に保持されることが必要である。つまり磁化自由層の体積が大きいほど、情報は安定して保持される。これら２つの相反する課題を克服するため、磁化自由層として積層フェリ構造（あるいは積層アンチフェロ構造）と呼ばれる積層構造の強磁性層を用いることが提案され、また実施されている（非特許文献５）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】フィジカル  レビュー  Ｂ  ３９巻、６９９５−７００２頁（１９８９）（Ｐｈｙｓ．  Ｒｅｖ．Ｂ  ３９，  ６９９５−７００２  （１９８９））
【非特許文献２】フィジカル  レビュー  Ｂ  ５４巻、９３５３−９３５８頁（１９９６）（Ｐｈｙｓ．  Ｒｅｖ．Ｂ  ５４，  ９３５３−９３５８  （１９９６））
【非特許文献３】フィジカル  レビュー  レターズ  ８４巻、３１４９−３１５２頁（２０００）（Ｐｈｙｓ．  Ｒｅｖ．  Ｌｅｔｔ．８４，  ３１４９−３１５２  （２０００））
【非特許文献４】アプライド  フィジックス  レターズ  ７８巻、３６６３−３６６５頁（２００１）（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．７８，３６６３−３６６５  （２００１））
【非特許文献５】ジャパニーズ  ジャーナル  オブ  アプライド  フィジックス  ４５巻、Ｌ１０５７−１０６０頁（２００６）（Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ４５，  Ｌ１０５７  （２００６））
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための一実施形態として、磁化固定層、絶縁層、磁化自由層が順次積層された強磁性トンネル接合素子において、前記磁化自由層は第１の非磁性層を挟んで設けられた第１及び第２の強磁性層を有し、前記第１及び第２の強磁性層の磁化が前記第１の非磁性層を介して平行に揃うことを特徴とする強磁性トンネル接合素子とする。
【０００９】
また、磁化固定層、絶縁層、磁化自由層からなる強磁性トンネル接合素子において、前記磁化自由層が非磁性層を挟む複数の強磁性層で構成され、前記磁化自由層内の複数の強磁性層の磁化が前記非磁性層を介して平行に揃うことを特徴とする強磁性トンネル接合素子とする。
【発明の効果】
【００１０】
上記構成とすることにより、低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施例に係る強磁性トンネル接合素子の概略構造断面図である。
【図２】図１に示した強磁性トンネル結合素子の磁化固定層１００、強磁性層２２０の磁化の角度（θ、φ）をそれぞれ（０°、０°）、（１７０°、０°）に固定した場合の、強磁性層２２０（Ｆ１）に働くトルクの強磁性層２２２の磁化方向（θ２、φ２）依存性のシミュレーション結果を示す図である。
【図３】図１に示した強磁性トンネル結合素子の磁化固定層１００、強磁性層２２０の磁化の角度（θ、φ）をそれぞれ（０°、０°）、（１７０°、０°）に固定した場合の、強磁性層２２２（Ｆ２）に働くトルクの強磁性層２２２の磁化方向（θ２、φ２）依存性のシミュレーション結果を示す図である。
【図４】図２や図３における磁化の角度（θ、φ）の定義を示す図である。
【図５】図１に示した強磁性トンネル結合素子の強磁性層２２０の磁化の反転確率の電流密度依存性のシミュレーション結果を示す図である。
【図６】臨界電流密度と強磁性層間交換相互作用との関係を示すシミュレーション結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
上記目的を達成するため、本実施の形態に係る強磁性トンネル接合素子は、磁化固定層、絶縁層、磁化自由層を有し、前記磁化自由層が非磁性層を挟む複数の強磁性層で構成され、前記磁化自由層内の複数の強磁性層の磁化が非磁性層を介して平行に揃うことを特徴とする。
【００１３】
上記構成において、前記磁化自由層内の複数の強磁性層は非磁性層を介して平行に揃っているため、引き続く強磁性層に対して磁化固定層の役割を一部担うことにより、磁化反転駆動電流値を低減することが可能となる。なお、本発明における平行、反平行は、ユークリッド幾何学における厳密な意味での平行、反平行から±４５度のズレを含むものとする。
【００１４】
以上詳述したように、磁化自由層が非磁性層を挟む複数の強磁性層で構成され、前記磁化自由層内の複数の強磁性層の磁化が非磁性層を介して平行に揃えれば、強磁性トンネル接合素子は、磁化反転駆動電流値を低減する可能となる。また、この強磁性トンネル接合素子をメモリセルに用いることにより、従来に比べ約１／３の駆動電圧（駆動電流）で動作可能なＭＲＡＭが実現可能となる。なお、言うまでもないが、上記構成とすることによる読み出し電流への影響はない。
【００１５】
以下、実施例により詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
第１の実施例について図１を用いて説明する。なお、発明を実施するための形態に記載され、本実施例に未記載の事項は特段の事情がない限り本実施例にも適用できる。
【００１７】
図１は本実施例に係る強磁性トンネル接合素子１０の断面構造を示す図である。各接合面の平面形状は長さ１５０ｎｍ、幅８０ｎｍの楕円形であり、厚さ５ｎｍの磁化固定層１００の上部に、厚さ１ｎｍの非磁性絶縁層１１０、厚さ６ｎｍの磁化自由層１２０、を通常のスパッタ法により順次積層して形成した強磁性トンネル接合素子である。磁化自由層１２０は、強磁性層２２０、非磁性金属層２２１、強磁性層２２２、をそれぞれ厚さ２ｎｍで順次積層した構造とする。なお、本実施例では２つの強磁性層を用いたが、非磁性金属層を介して更に多くの強磁性層を積層してもよい。また、磁化固定層は、非磁性金属層を介して２つ以上の複数の強磁性層で構成してもよい。
【００１８】
十分大きな外部磁場を印加し、磁化固定層１００を含むすべての強磁性層１００、２２０、２２２の磁化を一方向に揃えた後、これとは逆向きの磁場を掃引し、磁化自由層１２０を構成する強磁性層２２０、２２２の磁化のみ反転させる。このとき、非磁性金属層２２１の厚さの詳細な微調整により強磁性層２２０、２２２は強磁性的に結合しているため、磁場の掃引により強磁性層２２０、２２２の磁化を反転させることが出来る。２つの強磁性層２２０、２２２の磁化の反転は、Ｍ−Ｈループを測定することで容易に確認できる。
【００１９】
この磁化配置の下で、図１の磁化固定層１００から強磁性層２２２の向きに電子を流した場合のシミュレーション結果を図２、図３、図５に示す。図２、図３は、強磁性層２２０に働くトルクの強磁性層２２２の磁化方向（θ２、φ２）依存性であり、磁化固定層１００の磁化の角度（θ、φ）を（０°、０°）、強磁性層２２０の磁化の角度（θ、φ）を（１７０°、０°）に固定した。ここで、角度（θ、φ）の定義を図４に示す。図４において、角度（θ、φ）が（０°、０°）とはＸ方向を示す。
【００２０】
ここで、シミュレーション手法について述べる。シミュレーションは、バリスティック伝導を仮定し、図１の積層構造に対応した一電子ポテンシャルを設定した上で放物線型バンド分散持つ自由電子模型の定常的散乱問題を解く。シュレディンガー方程式の解法は、数値的リカージョン法と呼ばれる手法を適用した。これは、空間をメッシュに刻み、隣のメッシュ点における波動関数との比を求めるものである。これは、量子力学的散乱問題における対数微分を数値的に求めることに相当する。対数微分は、散乱問題における位相のズレ（ｐｈａｓｅ  ｓｈｉｆｔ）と等価であるので、散乱に関する全情報が得られることになり、非常に精度の高い計算が可能である。
【００２１】
系全体にわたる波動関数が得られれば、通常の定義により、電流、スピン流が得られる。電流とは逆向きに粒子流を定義し、各強磁性層２２０、２２２に入り込む、あるいは出てくる粒子流のメッシュ点におけるスピン流の差をとれば、バリスティック伝導領域におけるトルクが求められる。数値的リカージョン法は、対数微分を計算しているので、波動関数の微分から得られる粒子流、スピン流の計算においても高い精度を有する。
【００２２】
電子の流れる向きが、図１における積層構造の左から右であるので、Ｓｌｏｎｃｚｅｗｓｋｉのトルクの素直な解釈では、強磁性層２２０の磁化は磁化固定層１００に平行に揃うようにトルクが働くと考えられる。図２、図３は、バイアス電圧が０．５Ｖの場合の、図１に示した強磁性トンネル接合素子の強磁性層２２０（Ｆ１）、２２２（Ｆ２）にはたらく面内トルクの計算結果を示し、図２は本実施例に係る強磁性トンネル結合素子の磁化固定層１００、強磁性層２２０の磁化の角度（θ、φ）をそれぞれ（０°、０°）、（１７０°、０°）に固定した場合の、強磁性層２２０（Ｆ１）に働くトルクの強磁性層２２２の磁化方向（θ２、φ２）依存性のシミュレーション結果を示す図、図３は磁化固定層１００、強磁性層２２０の磁化の角度（θ、φ）をそれぞれ（０°、０°）、（１７０°、０°）に固定した場合の、強磁性層２２２（Ｆ２）に働くトルクの強磁性層２２２の磁化方向（θ２、φ２）依存性のシミュレーション結果を示す図である。面内トルクの符号は、強磁性層２２０の磁化角度（θ、φ）が（１７０°、０°）の設定では、負のときに磁化固定層１００に平行に揃うことを表す。
【００２３】
図２から、強磁性層２２０（Ｆ１）が磁化固定層１００に平行に揃うよう最大のトルクが働くのは、強磁性層２２２の磁化角度（θ、φ）が（１４４°、１８０°）［０．８π＝１４４°］であることがわかる。
【００２４】
また、図３から、強磁性層２２２（Ｆ２）が磁化固定層１００に平行に揃うよう最大のトルクが働くのは、強磁性層２２２の磁化角度（θ、φ）が（１４４°、９０°）であることがわかる。磁化角度（θ、φ）のうち、φ成分は面直成分トルク、つまり強磁性層２２０、２２２の磁化が磁化固定層１００に平行に揃うよう回転する場合回転面に対し直交する成分のトルクを記述するので、磁化の運動に関して有効な成分ではない。
【００２５】
以上、強磁性層２２０と２２２は平行に揃っている方が、スピントランスファートルクとして有効に機能することが、スピントルクのシミュレーションから明らかになった。
【００２６】
上記知見に基づき、磁化自由層の２つの強磁性層を平行に揃えた図１に示した強磁性トンネル接合素子を作製したところ、同じスピントランスファートルクを得るのに小さな駆動電流にすることができた。
【００２７】
以上述べたように、本実施例によれば、磁化自由層の２つの強磁性層を平行に揃えることにより、低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供することができる。
【実施例２】
【００２８】
第２の実施例について以下説明する。なお、発明を実施するための形態又は実施例１に記載され、本実施例に未記載の事項は特段の事情がない限り本実施例にも適用できる。
【００２９】
実施例１に係る強磁性トンネル接合素子は、スピントランスファートルクのみの考察により、図１における磁化自由層１２０を構成する２つの強磁性層２２０、２２２が平行配列で磁化反転に有効であることを示すものであった。実際の磁化反転には、各種有効磁場、特に強磁性層２２０、２２２間にはたらく層間交換相互作用の役割が重要である。この効果を検証するため、磁化の運動方程式（ランダウ―リフシッツ―ギルバート方程式）に従って、磁化の運動をシミュレーションした。
【００３０】
シミュレーションの手法は次の通りである。マクロスピン模型と呼ばれる、強磁性層２２０、２２２をそれぞれ単磁区とみなす近似を適用し、それぞれに異方性磁場、反磁場、および前記（強磁性トンネル接合への応用１）で解析したスピントランスファートルクに対応する有効磁場、さらに強磁性層２２０、２２２間にはたらく層間交換相互作用に対応する有効磁場を導入する。また、有限温度（室温）の効果として、平均値ゼロ、分散値が（適当な単位系で）温度に比例するランダム磁場を導入し、ホインスキームにより解析した。マクロスピン模型から磁化の反転確率を求めるため、５１２サンプルに関して計算を行い、その単純平均を取ることで磁化の反転確率とした。
【００３１】
スピントランスファートルクを駆動する電流は、パルス電流であるのでパルス幅を６５ナノ秒とし、また実施例１で導入したバイアス電圧を図１における多層膜の抵抗で割って電流に換算した。また、初期配置は、図１における磁化自由層１２０を構成する２つの強磁性層２２０、２２２のうち、強磁性層２２０が磁化固定層１００にほぼ反平行（小さい値の乱数を導入し、初期配置をばらつかせるため）とした。
【００３２】
図５に、磁化自由層１２０を構成する２つの強磁性層２２０、２２２のうち、強磁性層２２０の反転確率のシミュレーション結果を示す。図５の実線が、２つ強磁性層２２０、２２２が平行配置で、強磁性的な層間交換相互作用の大きさが０．００２ｍＪ／ｍ２、の場合である。参考までに、２つ強磁性層２２０、２２２が反平行配置で、反強磁性的な層間交換相互作用の大きさが０．００２ｍＪ／ｍ２、の場合を破線で、また、磁化自由層１２０を構成する強磁性層が強磁性層２２０単一の場合を点線で示す。図から明らかなように、２つ強磁性層２２０、２２２が平行配置で強磁性的な層間交換相互作用の場合の方が、反平行配置で反強磁性な層間交換相互作用の場合より小さい電流密度で磁化が反転することが分かる。また、単一磁性層からなる磁化自由層の場合に比べ、平行配置で強磁性的な層間交換相互作用の場合は、磁化反転の臨界電流密度は半分以下という結果が得られた。
【００３３】
以上、強磁性層２２０と２２２は平行を保っている方が、つまり平行配置でかつ強磁性的な層間交換相互作用の場合の方が、磁化反転の臨界電流密度低減に有効に機能することが、磁化ダイナミクスのシミュレーションから明らかになった。
【００３４】
以上述べたように、本実施例によれば、磁化自由層の２つの強磁性層を平行に揃えることにより、低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供することができる。また、２つの強磁性層が平行配置でかつ強磁性的な層間交換相互作用を有する場合、磁化反転の臨界電流密度低減に有効である。
【実施例３】
【００３５】
第３の実施例について以下説明する。なお、発明を実施するための形態、実施例１、実施例２のいずれかに記載され、本実施例に未記載の事項は特段の事情がない限り本実施例にも適用できる。
【００３６】
実施例２は、ランダウ―リフシッツ―ギルバート方程式に従い、磁化の運動をシミュレーションすることにより、図１における磁化自由層１２０を構成する２つの強磁性層２２０、２２２が平行配列でかつ強磁性的な層間交換相互作用の場合の方が、磁化反転の臨界電流密度低減に有効であることを示すものであった。その際、強磁性層２２０、２２２にＣｏＦｅＢの合金、非磁性金属層２２１にＲｕ、をそれぞれ用い、２つ強磁性層２２０、２２２間には、大きさ０．００２ｍＪ／ｍ２の強磁性的な層間交換相互作用が働くと仮定した。実際の磁化反転には、非磁性金属層２２１の選択が重要である。この効果を検証するため、２つ強磁性層２２０、２２２間の強磁性的な層間交換相互作用をパラメータと見做しシミュレーションを行った。
【００３７】
シミュレーションの手法は、２つ強磁性層２２０、２２２間の強磁性的な層間交換相互作用、およびパルス電流のパルス幅、のそれぞれをパラメータとして扱った以外は、前記実施例２と全く同様である。また、以下の図６で、磁化の反転確率の値が１／２を示す電流密度の値を、臨界電流密度と定義する。
【００３８】
図６は、幾つかの電流パルス幅に対し、臨界電流密度を２つ強磁性層２２０、２２２間に働く強磁性的層間交換相互作用の関数として得られたシミュレーション結果である。電流パルス幅が小さい、あるいは大きい場合に対し、層間交換相互作用の関数として臨界電流密度の振る舞いが異なるのは、電流パルス幅に依存した磁化反転の２つのモードがある、という公知の物理的事実を反映したものである。着目すべきは、電流パルス幅が１０ナノ秒程度以下の高速反転モードにおいて、層間交換相互作用の関数として臨界電流密度には最小値が存在することである。このときの層間交換相互作用の大きさは０．００２−０．０１ｍＪ／ｍ２程度である。この断面積辺りのエネルギーの値を磁場に換算すると、シミュレーションに用いた強磁性層２２０、２２２の異方性磁場の値（０．０３Ｔ）と同程度という結果が得られた。
【００３９】
以上、強磁性層２２０と２２２の間には、これら強磁性層の異方性エネルギーと同程度の強磁性的な層間交換相互作用が働いている場合が、磁化反転の臨界電流密度低減に有効に機能することが、磁化ダイナミクスのシミュレーションから明らかになった。また、２つ強磁性層２２０、２２２間に働く層間交換相互作用の大きさは、非磁性金属層２２１の厚さに依存することが公知の事実として知られている。典型的な非磁性金属の場合、強磁性層２２０、２２２の異方性エネルギーと同程度の強磁性的な層間交換相互作用の大きさを与える非磁性金属の厚さは２ナノメートル以上である。なお、同程度とは±１０％以内である。
【００４０】
以上述べたように、本実施例によれば、磁化自由層の２つの強磁性層を平行に揃えることにより、低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供することができる。特に、磁化自由層の２つの強磁性層間に、これら強磁性層の異方性エネルギーと同程度の強磁性的な層間交換相互作用が働いている場合が、磁化反転の臨界電流密度低減に有効である。
【符号の説明】
【００４１】
１０…強磁性トンネル接合素子、
１００…磁化固定層、
１１０…非磁性絶縁層、
１２０…磁化自由層、
２２０…強磁性層、
２２１…非磁性金属層、
２２２…強磁性層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2013101989.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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