(57)【要約】【課題】未反応のガスを効率的に分解することができる成膜装置を提供する。【解決手段】成膜装置１００は、成膜を行うためのガスを供給するガス供給部９と、成膜を行う基板を成膜を行うための所定の温度にするための加熱部２と、ガス供給部９から供給されるガスを用いて成膜を行う成膜領域２１と、成膜領域２１の内部に供給されたガスを分解するための分解領域２２とを有している。分解領域２２は、ガスが流通する方向において成膜領域２１の下流側に配置されており、かつ分解領域２２においてガスが流通するチャネル７中に位置し、ガスを分解するための発熱体１０を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜を行うためのガスを供給するガス供給部と、
成膜を行う基板を成膜を行うための所定の温度にするための加熱部と、
前記ガス供給部から供給される前記ガスを用いて成膜を行う成膜領域と、
前記成膜領域の内部に供給された前記ガスを分解するための分解領域とを備え、
前記分解領域は、前記ガスが流通する方向において前記成膜領域の下流側に配置されており、かつ前記分解領域において前記ガスが流通するチャネル中に位置し、前記ガスを分解するための発熱体を有する、成膜装置。
【請求項２】
前記分解領域は、前記ガスが流通する前記チャネルを囲うように形成されたサセプタを含み、
前記発熱体は、前記サセプタから前記チャネルに突出するように配置されている、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記発熱体は、回転可能に設けられている、請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記発熱体は、気体が流れることで回転される、請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記サセプタは、前記発熱体の台座部を収容する収容部と、前記収容部の内壁と前記発熱体の前記台座部との間の空隙に前記気体を導入するための導入配管とを含む、請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記発熱体の前記台座部は前記台座部によって保持されている傘状部よりも幅が広くなっている、請求項５に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記発熱体と直接接触し前記発熱体を回転駆動する駆動部材をさらに備えた、請求項３に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記発熱体の回転数は、２０ｒｐｍ以上１００ｒｐｍ以下である、請求項３〜７のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項９】
前記発熱体は、前記サセプタに固定されている、請求項２に記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記発熱体の幅は、前記チャネルの幅の５０％以上９０％以下である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項１１】
前記発熱体の高さは、前記チャネルの高さの５０％以上８０％以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項１２】
前記発熱体は、前記分解領域に対して着脱自在に設けられている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関するものであり、より特定的には、ガスを分解するための分解領域を有する成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の製造用に炭化珪素基板が用いられ始めている。炭化珪素は珪素に比べて大きなバンドギャップを有する。そのため、炭化珪素基板を用いた半導体装置は、耐圧が高く、オン抵抗が低く、また高温環境下での特性の劣化が小さいといった利点を有する。
【０００３】
特開２０１０−１３８０４１号公報には、たとえば炭化珪素のエピタキシャル層を成膜するための製造装置が記載されている。この装置は、成膜の原料となるガス（以降、原料ガスまたはガスとも称す）を用いて成膜を行う成膜領域と、成膜に用いられなかった未反応の残留原料ガスを分解するための分解領域とを有している。これにより、成膜に用いられなかった未反応の原料ガスが分解領域によって分解されることによって、未反応の原料ガスがそのままの状態で成膜装置の外部に排気されることを抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１３８０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板のサイズが大型化（たとえば４インチ超）してくると、成膜効率を向上させる観点からも成膜に使用する原料ガスの濃度が高くなる。従来の方法によって高い濃度の原料ガスを分解する場合には、分解領域を長くする必要がある。しかしながら、分解領域を大きくすると装置が大型化してしまいコストアップにつながってしまう。また、高い濃度の原料ガスを分解するために加熱領域を広くする必要があるので消費電力が大きくなってしまう。そのため、基板サイズが大型化した場合、効率的に未反応の原料ガスを分解することが困難であった。
【０００６】
本発明は、以上の問題に鑑みなされたものであり、その目的は、未反応のガスを効率的に分解することができる成膜装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る成膜装置は、成膜を行うためのガスを供給するガス供給部と、成膜を行う基板を成膜を行うための所定の温度にするための加熱部と、ガス供給部から供給されるガスを用いて成膜を行う成膜領域と、成膜領域の内部に供給されたガスを分解するための分解領域とを有している。ガス供給部は、成膜を行うためのガスを供給するためのものである。加熱部は、成膜を行う基板を成膜を行うための所定の温度にするためのものである。成膜領域は、ガス供給部から供給されるガスを用いて成膜を行うためのものである。分解領域は、成膜領域の内部に供給されたガスを分解するためのものである。分解領域は、ガスが流通する方向において成膜領域の下流側に配置されており、かつ分解領域においてガスが流通するチャネル中に位置し、ガスを分解するための発熱体を有している。
【０００８】
分解領域において、加熱部に近い位置にあるガスは分解されやすいが、加熱部から遠い位置（すなわちチャネルの中心付近）にあるガスは加熱されにくいので分解されにくい。本発明に係る成膜装置は、ガスが流通するチャネル中にガスを分解するための発熱体を有している。そのため、加熱されにくいチャネルの中心付近のガスを発熱体で加熱することでガスが効率的に分解される。結果としてガスが分解されずに成膜装置の外部に排気されることを抑制することができる。
【０００９】
上記の成膜装置において好ましくは、分解領域は、ガスが流通するチャネルを囲うように形成されたサセプタを含む。発熱体は、サセプタからチャネルに突出するように配置されている。発熱体がサセプタからチャネルに突出するように配置されているため、チャネルの中心付近から外周付近に存在するガスを加熱することでガスを効率的に分解することができる。
【００１０】
上記の成膜装置において好ましくは、発熱体は、回転可能に設けられている。発熱体が回転することによって、分解領域のチャネル中のガスの流速を遅くすることができる。これにより、チャネル中のガスを長時間加熱することができるので、より効率的にガスを分解することができる。
【００１１】
上記の成膜装置において好ましくは、発熱体は、気体が流れることで回転される。これにより、簡易な構造で発熱体を回転させることができる。
【００１２】
上記の成膜装置において好ましくは、サセプタは、発熱体の台座部を収容する収容部と、収容部の内壁と発熱体の台座部との間の空隙に気体を導入するための導入配管とを含む。これにより、簡易な構造で発熱体を回転させることができる。
【００１３】
上記の成膜装置において好ましくは、発熱体の台座部は台座部によって保持されている傘状部よりも幅が広くなっている。これにより、発熱体が気体によって安定して回転する。
【００１４】
上記の成膜装置において好ましくは、発熱体と直接接触し発熱体を回転駆動する駆動部材をさらに有している。これにより、発熱体の回転数を正確に制御することができる。
【００１５】
上記の成膜装置において好ましくは、発熱体の回転数は、２０ｒｐｍ以上１００ｒｐｍ以下である。これにより、成膜領域のガスの気流を乱すことなくガスの流速を低減することができる。発熱体の回転数が２０ｒｐｍ以上であれば、発熱体の回転によってガスの流速を低下させる効果が大幅に向上する。一方、発熱体の回転数が１００ｒｐｍ以下であれば、成膜領域におけるガスの層流を乱すことなく分解領域のガスの流速を低減することができる。
【００１６】
上記の成膜装置において好ましくは、発熱体は、サセプタに固定されている。これにより、サセプタからの熱を発熱体に効率的に伝達することができる。
【００１７】
上記の成膜装置において好ましくは、発熱体の幅は、チャネルの幅の５０％以上９０％以下である。これにより、チャネル中のガスの流速を広い範囲で低減することで、効率良くガスを分解することができる。発熱体の幅がチャネルの幅の５０％以上であれば、発熱体がガスを加熱する効果が大幅に向上する。一方、発熱体の幅がチャネルの幅の９０％以下であれば、ガスが通過する領域を小さくし過ぎることなく、発熱体によってガスを加熱することができる。そのため、発熱体の幅は、チャネルの幅の５０％以上９０％以下であることが好ましい。
【００１８】
上記の成膜装置において好ましくは、発熱体の高さは、チャネルの高さの５０％以上８０％以下である。これにより、チャネル中のガスの流速を広い範囲で低減することで、効率良くガスを分解することができる。発熱体の高さがチャネルの高さの５０％以上であれば、サセプタに近い部分のガスのみならずサセプタから離れたチャネルの中央部分のガスを効果的に加熱することができる。一方、発熱体の高さがチャネルの高さの８０％以下であれば、発熱体を容易に取出すことができる。そのため、発熱体の高さは、チャネルの高さの５０％以上８０％以下であることが好ましい。
【００１９】
上記の成膜装置において好ましくは、発熱体は、分解領域に対して着脱自在に設けられている。発熱体が着脱自在であるので、分解領域から基板を取出すことができる。それゆえ、成膜領域から基板を取出す必要がないので、パーティクルを低減することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の成膜装置によれば、分解領域においてガスが流通するチャネル中に設けられた発熱体によって未反応のガスを効率的に分解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る成膜装置の構成を概略的に示す断面模式図である。
【図２】図１の線分ＩＩ−ＩＩにおける概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１の変形例に係る成膜装置の構成を概略的に示す断面模式図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る成膜装置の構成を概略的に示す断面模式図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る成膜装置の発熱体の構成を概略的に示す断面模式図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る成膜装置の発熱体の構成を概略的に示す平面模式図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る成膜装置の構成を概略的に示す断面模式図である。
【図８】本発明の実施の形態４に係る成膜装置の構成を概略的に示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態が説明される。なお、各実施の形態において、同一の機能を果たす部位には同一の参照符号が付されており、その説明は特に必要がなければ繰り返さない。
【００２３】
（実施の形態１）
図１を参照して、本発明の実施の形態１に係る成膜装置の構成を示す。本実施の形態１に係る成膜装置１００は、基板１１の主表面上にたとえば炭化珪素や珪素などのエピタキシャル層を形成するためのＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置である。図１に示すように、成膜装置１００は、ガス供給部９と、成膜領域２１と、分解領域２２と、加熱部２と、発熱体１０とを主に有している。ガス供給部９は、成膜を行う成膜領域２１の内部に成膜の原料となるガスＧ１を供給する部分である。成膜領域２１は、ガス供給部９から供給された成膜の原料となるガスを用いて基板１１に成膜を行う部分である。分解領域２２は、成膜領域２１の内部に供給されたガスであって、成膜に用いられなかった未反応の残留ガスを分解する部分である。本実施の形態１の成膜装置１００は、成膜領域２１と分解領域２２とが水平方向に隣接して配置されている、所謂、横型の成膜装置である。加熱部２は、たとえば高周波コイルから成り、成膜を行う基板１１を成膜を行うための所定の温度にするための部分である。発熱体１０は、分解領域２２においてガスが流通するチャネル７中に位置しており、ガスを分解するためのものである。発熱体１０は、たとえばカーボンを主な原料とする材料からなる。
【００２４】
本実施の形態における成膜領域２１および分解領域２２は、石英管１と、断熱材３と、サセプタ５とを有している。石英管１は、高周波コイルの巻回を容易にするため、たとえば円筒状である。断熱材３は、成膜装置１００の内部であるチャネル７と成膜装置１００の外部とを断熱するためのものである。断熱材３の材質としては、たとえば炭素繊維を用いることができる。加熱部２である高周波コイルが石英管１の回りに配置されており、高周波コイルによってサセプタ５を加熱することによって原料ガスＧ１、基板１１および発熱体１０を加熱することができる。これにより、成膜を行う基板１１を、成膜を行うための所定の温度にすることができる。また、分解領域２２においては、残留ガスを分解するために必要な温度にまで残留ガスを加熱することができる。また、成膜領域２１および分解領域２２は、原料ガスＧ１が流通するチャネル７を囲うように形成されたサセプタ５を有している。分解領域２２は、原料ガスＧ１が流通する方向において成膜領域２１の下流側に配置されている。言い換えれば、原料ガスＧ１は成膜領域２１から分解領域２２に向かって流通する。
【００２５】
図１および図２を参照して、成膜領域２１および分解領域２２の長軸方向に垂直な断面における中央部分に、ガス供給部９が供給するガスの流路としてのチャネル７が形成されている。チャネル７は、サセプタ５の中央部を空洞化することで形成されている。なお、ここで長軸方向とは、図１における左右方向、図２における奥行き方向のように、ガスの流路に沿った方向（流通方向）のことである。本実施の形態において、成膜領域２１の長軸方向の長さＬ１は、分解領域２２の長軸方向の長さＬ２よりも長くなっているが、成膜領域２１の長軸方向の長さＬ１が、分解領域２２の長軸方向の長さＬ２よりも短くてもよいし、同じでもよい。
【００２６】
図２に示すように、チャネル７の断面形状は、たとえば矩形状を有している。チャネル７中でのガスの流れの状態を成膜に適したものとするため、また、基板１１を均等に加熱するため、チャネル７の断面は矩形状とすることが好ましい。チャネル７の外周部を囲むように、サセプタ５が長軸方向に配置されている。そしてサセプタ５の外周部を囲むように、断熱材３が配置されている。長軸方向に垂直な断面における断熱材３の外周形状は、たとえば円形状である。断熱材３の外周を覆うように石英管１が配置されている。石英管１は図２に示すように長軸方向に垂直な断面での外周形状が円形状となっている。
【００２７】
また、チャネル７の外周部を取り囲むサセプタ５の、長軸方向に垂直な断面における外周形状は、たとえば六角形状を有している。また、石英管１の形状は円筒状である。高周波コイルに高周波電流を流すための電源（図示せず）から、石英管１の回りに配置された高周波コイルに高周波電流を流すと、電磁誘導作用により、高周波コイルに囲まれた領域、すなわち図２に示す高周波コイルの内部の領域に存在する導電性物質は誘導加熱される。ここで、サセプタ５としてたとえば導電性の高純度カーボンを用いれば、サセプタ５が電磁誘導作用を受けて発熱する。
【００２８】
このサセプタ５は、図１に示すように成膜領域２１および分解領域２２の両方に配置されている。成膜領域２１におけるサセプタ５が、加熱部２である高周波コイルに通電することより発熱すれば、チャネル７に供給された成膜の原料としてのガスおよび基板１１が加熱される。同様に、分解領域２２におけるサセプタ５が加熱すれば発熱体１０が加熱される。
【００２９】
成膜領域２１のチャネル７には、ガス供給部９により、継続的に成膜用のガスが供給される。このガスの一部は成膜領域２１において加熱、分解されて、基板１１の主表面上に形成される膜の材料となる。しかし、特に図２に示したチャネル７の中央付近の領域（図１における上下方向の中央付近）に存在するガスは、チャネル７中の他の領域に位置するガスよりサセプタ５からの距離が相対的に遠いため、成膜領域２１において十分に加熱されないことがある。十分に加熱されなかったガスは成膜領域２１において分解されず、未反応のまま残留ガスとして分解領域２２のチャネル７に到達する。
【００３０】
図２を参照して、発熱体１０は、サセプタ５からチャネル７に突出するように配置されている。発熱体１０は、サセプタ５に接触して固定されてチャネル７に突出していてもよいし、サセプタ５に接触することなくサセプタ５近傍からチャネル７へ突出していてもよい。発熱体１０の幅Ｗ２は、チャネル７の幅Ｗ１の５０％以上９０％以下であることが好ましい。また、発熱体１０の高さＨ２はチャネルの高さＨ１の５０％以上８０％以下であることが好ましい。ここで、幅方向とは、上記長軸方向（ガスの流通方向）と垂直であって、基板１１が配置されている側のサセプタ５の面に沿った方向であり、図２において左右方向である。高さ方向とは、上記長軸方向（ガスの流通方向）および上記幅方向に垂直な方向であり、図２において上下方向である。
【００３１】
発熱体１０の形状は、本実施の形状においては円柱状であるがこれに限られず、たとえば、直方体、多角柱、円板状などであっても構わない。また、好ましくは、発熱体１０は分解領域２２に対して着脱可能に設けられている。
【００３２】
図３を参照して、分解領域２２のチャネル７中に位置する発熱体１０の変形例について説明する。なお、図３は、チャネル７の中央部を通り上記長軸方向と幅方向とに沿った平面における断面図である。複数の発熱体１０が、分解領域２２の長軸方向に沿って、サセプタ５からチャネル７に突出するように配置されている。チャネル７中に存在するガスのうち、サセプタ５に近い位置に存在するガスは加熱されやすいが、サセプタ５から遠い位置に存在するガスは加熱されづらい。そのため、効率的にチャネル７の中央付近におけるガスを分解するために、チャネル７の幅方向での中央付近に配置されている発熱体１０の数が、チャネル７の幅方向での外周付近に配置されている発熱体１０の数よりも多いことが好ましい。
【００３３】
またサセプタ５の形状も、サセプタ５から発生する熱が効率よくチャネル７のガスに伝播する構成とすることが好ましい。図２に示すように、サセプタ５の１頂点Ｂの近傍において、サセプタ５の厚みがたとえば位置Ａの近傍でのサセプタ５の厚みより厚くなっている（つまり頂点Ｂの近傍においては位置Ａの近傍よりサセプタ５の部分の体積が大きくなっている）。この結果、頂点Ｂの近傍において、サセプタ５の熱容量が大きくなる。このため、図２における上下方向については、サセプタ５がチャネル７に供給することができる熱量が安定する。
【００３４】
さらに、サセプタ５の断面形状を六角形状とすれば、サセプタ５の断面形状がたとえば四角形状である場合より、サセプタ５の全体を高周波コイルの電磁誘導作用により均一に加熱することができる。これは六角形状が左右対称かつ点対称な形状であること、六角形状からなるサセプタ５の外周面上の任意の位置から高周波コイルまでの距離の偏差が、たとえば四角形状からなるサセプタ５における当該偏差に比べて小さくなることによるものである。
【００３５】
上述したように成膜装置１００はＣＶＤ法を用いて基板１１の主表面上に所望の膜をエピタキシャル成長させる。基板１１としては、たとえばＳｉやＳｉＣ、ＳｉＧｅなどの半導体基板を用いることができる。そして、成膜の原料としてガス供給部９から供給するガスＧ１としては、たとえばＳｉＨ4やＣ3Ｈ8のほか、Ｓｉ2Ｈ6やＧｅＨ4などを用いることができる。そしてこれらのそれぞれのガスを用いた場合に形成できる成膜の種類としては、たとえばＳｉＨ4を用いればＳｉのエピタキシャル層、ＳｉＨ4とＣ3Ｈ8、それにキャリアガスとしてのＨ2（水素）を供給した場合にはＳｉＣのエピタキシャル層などを挙げることができる。
【００３６】
次に、本実施の形態１の成膜装置１００の作用効果について説明する。
本実施の形態１に係る成膜装置１００は、分解領域２２においてガスが流通するチャネル７中に位置し、ガスを分解するための発熱体１０を有している。そのため、加熱されにくいチャネル７の中心付近のガスを発熱体１０で加熱することでガスが効率的に分解される。結果としてガスが分解されずに排気されることを抑制することができる。
【００３７】
また、分解領域２２はガスが流通するチャネル７を囲うように形成されたサセプタ５を含み、発熱体１０はサセプタ５からチャネル７に突出するように配置されている。そのため、チャネル７の中心付近から外周付近に存在するガスを加熱することで効率的にガスを分解することができる。
【００３８】
また、発熱体１０はサセプタ５に固定されている。これにより、サセプタ５からの熱を発熱体１０に効率的に伝達することができる。
【００３９】
また、発熱体１０の幅は、チャネル７の幅の５０％以上９０％以下である。これにより、チャネル７中のガスの流速を広い範囲で低減することで、効率良くガスを分解することができる。なお図３に示すように複数の発熱体１０を設置する場合、上記チャネル７中の所定の位置での発熱体１０の合計の幅がチャネル７の幅の５０％以上９０％以下であることが好ましい。
【００４０】
また、発熱体１０の高さは、チャネル７の高さの５０％以上８０％以下である。これにより、チャネル７中のガスの流速を広い範囲で低減することで、効率良くガスを分解することができる。
【００４１】
また、発熱体１０は分解領域２２に対して着脱自在に設けられている。発熱体１０が着脱自在であるので、分解領域２２を介して成膜領域２１から基板１１を容易に取出すことができる。それゆえ、成膜領域２１に基板１１の取出し口などを設ける必要がないので、パーティクルを低減することができる。
【００４２】
（実施の形態２）
図４を参照して、本発明の実施の形態２に係る成膜装置の構成を説明する。実施の形態２に係る成膜装置２００は、上述した本発明の実施の形態１に係る成膜装置１００と、基本的に同様の構造を備えている。ただし、本実施の形態２の成膜装置２００の発熱体１０は、気体が流れることで回転されるように、回転可能に設けれておりこの点において実施の形態１の成膜装置１００と異なっている。実施の形態２の成膜装置２００のサセプタ５には成膜装置２００の外部から気体Ｇ２を分解領域２２に供給するための導入配管１２（図５）が設けられている。気体Ｇ２は、たとえばＨ2ガスである。導入配管１２は、成膜領域２１にあるサセプタ５の内部を通過した後、分解領域２２にあるサセプタ５にまで延在している。導入配管１２は、分解領域２２にあるサセプタ５においてチャネル７に開通するように曲がっている。
【００４３】
図５および図６を参照して、本実施の形態２に係る成膜装置２００の発熱体１０の構成について説明する。発熱体１０は、台座部３０と、傘状部３１とを備える。台座部３０には、溝部１４と、凹部１５とが形成されている。台座部３０は、傘状部３１を支える部分であり、傘状部３１と支柱により連結されている。言い換えれば、傘状部３１は台座部３０によって保持されている。好ましくは、台座部３０の幅ｂは、それ以外部分（たとえば傘状部３１）の幅ａよりも広い。図６に示すように、発熱体１０の台座部３０の裏面には複数の溝部１４が設けられている。溝部１４は、その底面が円周方向に向かって傾斜するように設けられており、溝部１４の深さが円周方向に変化する。
【００４４】
図５に示すように、サセプタ５には、発熱体１０の台座部３０を収容するための収容部３２が設けられている。収容部３２の中心付近には突起１３が設けられており、台座部３０の裏面の中央付近に設けられている凹部１５に突起１３が挿入される。導入配管１２を通じて収容部３２に気体Ｇ２が供給可能になっている。気体Ｇ２が導入配管１２を通じて、収容部３２の内壁と発熱体１０の台座部３０との間の空隙に（たとえば台座部３０の裏面の外周部に向けて）導入されると、気体Ｇ２が発熱体１０の溝部１４に継続的に吹き付けられることによって発熱体１０が回転する。発熱体１０の回転数は、たとえば気体Ｇ２の供給量を変化させることで調節可能である。発熱体１０の回転数は、好ましくは、２０ｒｐｍ以上１００ｒｐｍ以下である。発熱体１０の傘状部３１が回転することで、チャネル７中のガスの流速を低減可能である。
【００４５】
本発明の実施の形態２は、上述した各点においてのみ、本発明の実施の形態１と異なる。すなわち、本発明の実施の形態２において、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態１に準ずる。
【００４６】
次に、本実施の形態２の成膜装置２００の作用効果について説明する。
本実施の形態２に係る成膜装置２００の発熱体１０は回転可能に設けられている。発熱体１０が回転することによって、チャネル７中のガスの流速を遅くすることができる。これにより、分解領域２２におけるチャネル７中のガスを長時間加熱することができるので、より効率的にガスを分解することができる。
【００４７】
また、発熱体１０は気体が流れることで回転される。これにより、簡易な構造で発熱体１０を回転させることができる。
【００４８】
また、サセプタ５は、発熱体１０の台座部３０を収容する収容部３２と、収容部３２の内壁と発熱体１０の台座部３０との間の空隙に気体を導入するための導入配管１２とを含む。これにより、簡易な構造で発熱体１０を回転させることができる。
【００４９】
また、発熱体１０の台座部３０は発熱体１０の台座部３０によって保持されている傘状部３１よりも幅が広くなっている。これにより、発熱体１０が気体によって安定して回転する。
【００５０】
また、発熱体１０の回転数は、２０ｒｐｍ以上１００ｒｐｍ以下である。これにより、成膜領域２１のガスの気流を乱すことなくガスの流速を低減することができる。
【００５１】
（実施の形態３）
図７を参照して、本発明の実施の形態３に係る成膜装置３００の構成を説明する。実施の形態３に係る成膜装置３００は、上述した本発明の実施の形態２に係る成膜装置２００と、基本的に同様の構造を備えている。ただし、本実施の形態３の成膜装置３００は、発熱体１０と直接接触し発熱体１０を回転駆動する駆動部材１８が設けられている。駆動部材１８とはたとえばモータである。発熱体１０と駆動部材１８とは軸１７によって接続されており、駆動部材１８による駆動力を発熱体１０に伝達することができる。軸１７は、サセプタ５、断熱材３および石英管１を貫通する貫通孔の内部を通るように配置されている。軸受けシール１６は、たとえば石英管１の内部に配置され、軸１７を囲うように設けられている。発熱体１０の回転数は、駆動部材１８を制御する制御部（図示せず）によって精度よく調整することができる。
【００５２】
本発明の実施の形態３は、上述した各点においてのみ、本発明の実施の形態２と異なる。すなわち、本発明の実施の形態３において、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態２に準ずる。
【００５３】
次に、本実施の形態３の成膜装置３００の作用効果について説明する。
本実施の形態の成膜装置３００は、発熱体１０と直接接触し発熱体１０を回転駆動する駆動部材１８をさらに有している。これにより、発熱体１０の回転数を精度よく制御することができる。
【００５４】
（実施の形態４）
図８を参照して、本発明の実施の形態４に係る成膜装置４００の構成を説明する。本発明の実施の形態４に係る成膜装置４００は、上述した本発明の実施の形態３に係る成膜装置３００と、基本的に同様の構造を備えている。ただし、成膜装置４００は、いわゆる縦型の成膜装置であって、長軸方向、すなわちガス供給部９から供給したガスがチャネル７において流通する方向が鉛直方向に沿っている。すなわち、図７における成膜装置３００を、図８に示すようにガスが図の上下方向に流通するよう９０°回転させた構造となっている。このため、成膜装置４００では、成膜領域２１上に分解領域２２が積層配置された状態になっている。
【００５５】
ガスが上下方向に沿った方向に（具体的には下方から上方に向けて）流通する成膜装置４００においても、ガスが左右方向（水平方向）に沿った方向に流通する成膜装置３００と同様に、分解領域２２に発熱体１０を設けていることにより、成膜領域２１にて分解しなかった未反応のガスを、サセプタ５に加えて発熱体１０によって加熱することにより分解することができるという効果を奏する。なお、ガス供給部９から供給される成膜の原料としてのガスは、チャネル７の下方からチャネル７に導入され、チャネル７中を上方に向けて流通する。したがって図８に示す成膜装置４００のように、ガスの上流側に位置する成膜領域２１が下側に、ガスの下流側に位置する分解領域２２が上側になるように配置することが好ましい。
【００５６】
発熱体１０は、駆動部材１８により直接接続されて回転駆動されることが好ましい。駆動部材１８は、成膜装置４００の分解領域２２の横側に設置されている。
【００５７】
本発明の実施の形態４は、上述した各点においてのみ、本発明の実施の形態３と異なる。すなわち、本発明の実施の形態４において、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態３に準ずる。
【００５８】
次に、本実施の形態４の成膜装置４００の作用効果について説明する。
本実施の形態の成膜装置４００は、所謂縦型の成膜装置であって、発熱体１０と直接接触し発熱体１０を回転駆動する駆動部材１８をさらに有している。それゆえ、発熱体１０が重力によって落ちないように保持しながら発熱体１０を回転させることができる。
【００５９】
今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上述した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６０】
１  石英管、２  加熱部、３  断熱材、５  サセプタ、７  チャネル、９  ガス供給部、１０  発熱体、１１  基板、１２  導入配管、１３  突起、１４  溝部、１５  凹部、２１  成膜領域、２２  分解領域、３０  台座部、３１  傘状部、３２  収容部、１００，２００，３００，４００  成膜装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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