(57)【要約】      （修正有）【課題】生産中の集合基板が搬送コンベアへ引っ掛かる等の不具合を低減できる集合基板の製造方法を提供する。【解決手段】厚み６０μｍ以下の第１の絶縁層１下に厚み３０μｍ以上の第１の銅箔が張着された第１の銅箔付き絶縁層を準備する工程と、第１の絶縁層１上に第１の配線導体２を形成する工程と、第１の銅箔付き絶縁層上に厚み６０μｍ以下の第２の絶縁層３の上に厚み３０μｍ以上の第２の銅箔が張着された第２の銅箔付き絶縁層を積層する工程と、第１及び第２の銅箔の少なくとも一方を枠状に形成して第１及び第２の絶縁層１、３の少なくとも一方の中央部を露出させる工程と、第１及び第２の絶縁層１、３の少なくとも一方に第１の配線導体２に達するビアホール７を形成する工程と、ビアホール７内を含む第１及び第２の絶縁層１、３の少なくとも一方の表面に第２の配線導体５を形成する工程とを行なう。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚みが６０μｍ以下の第１の絶縁層の下面に厚みが３０μｍ以上の第１の銅箔が張着された第１の銅箔付き絶縁層を準備する第１の工程と、前記第１の絶縁層の上面に第１の配線導体を形成する第２の工程と、前記第１の配線導体が形成された第１の銅箔付き絶縁層の上面に、厚みが６０μｍ以下の第２の絶縁層の上面に厚みが３０μｍ以上の第２の銅箔が張着された第２の銅箔付き絶縁層を積層する第３の工程と、前記第１および第２の銅箔の少なくとも一方をその外周部を枠状に残してエッチング除去して前記第１および第２の絶縁層の少なくとも一方の中央部を露出させる第４の工程と、露出した前記第１および第２の絶縁層の少なくとも一方に前記第１の配線導体に達するビアホールを形成する第５の工程と、前記ビアホール内を含む前記第１および第２の絶縁層の少なくとも一方の表面に第２の配線導体をセミアディティブ法により形成する第６の工程とを行なうことを特徴とする集合基板の製造方法。
【請求項２】
前記第４の工程において、前記第１および第２の銅箔の両方をその外周部を枠状に残してエッチングして前記第１および第２の絶縁層の両方の中央部を露出させ、前記第５の工程において、前記第１および第２の絶縁層の両方に前記第１の配線導体に達するビアホールを形成し、前記第６の工程において、前記ビアホール内を含む前記第１と第２の絶縁層の両方の表面に前記第２の配線導体をセミアディティブ法により形成することを特徴とする請求項１記載の集合基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２の配線導体が形成された前記第１の銅箔付き絶縁層の下面に、厚みが６０μｍ以下の第３の絶縁層の下面に厚みが１５μｍ以上の第３の銅箔が張着された第３の銅箔付き絶縁層を積層するとともに、前記第２の配線導体が形成された前記第２の銅箔付き絶縁層の上面に、厚みが６０μｍ以下の第４の絶縁層の上面に厚みが１５μｍ以上の第４の銅箔が張着された第４の銅箔付き絶縁層を積層する第７の工程と、前記第３および第４の銅箔をその外周部を枠状に残してエッチングして前記第３および第４の絶縁層の中央部を露出させる第８の工程と、露出した前記第３の絶縁層に下面側の前記第２の配線導体に達するビアホールを形成するとともに、露出した前記第４の絶縁層に上面側の前記第２の配線導体に達するビアホールを形成する第９の工程と、前記第９の工程で形成されたビアホール内を含む前記第３および第４の絶縁層の表面に第３の配線導体をセミアディティブ法により形成する第１０の工程とを行なうことを特徴とする請求項２記載の集合基板の製造方法。
【請求項４】
前記第４の工程において、前記第２の銅箔をその外周部を枠状に残してエッチングして前記第２の絶縁層の中央部を露出させ、前記第５の工程において、露出した前記第２の絶縁層に前記第１の配線導体に達するビアホールを形成し、前記第６の工程において、前記ビアホール内を含む露出した前記第２の絶縁層の表面に前記第２の配線導体をセミアディティブ法により形成し、次に前記第２の配線導体が形成された前記第２の銅箔付き絶縁層の表面に、厚みが６０μｍ以下の第３の絶縁層の上面に厚みが１５μｍ以上の第３の銅箔が張着された第３の銅箔付き絶縁層を積層する第１１の工程と、前記第１の銅箔および第３の銅箔をその外周部を枠状に残してエッチングして前記第１および第３の絶縁層の中央部を露出させる第１２の工程と、露出した前記第１の絶縁層に前記第１の配線導体に達するビアホールを形成するとともに、露出した前記第３の絶縁層に前記第２の配線導体に達するビアホールを形成する第１３の工程と、前記第１３の工程で形成されたビアホール内を含む前記第１および第３の絶縁層の表面に第３の配線導体をセミアディティブ法により形成する第１４の工程とを行なうことを特徴とする請求項１記載の集合基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄型の集合基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話や携帯式の音楽プレーヤーなどに代表される電子機器には、配線基板上に半導体素子が搭載された電子部品が組み込まれているが、近年、これらの電子機器の薄型、高機能化が進む中で、電子部品に使用される配線基板にも薄型、高機能化が要求されている。
【０００３】
ところで、このような配線基板は、それぞれが個別の配線基板となる複数の製品領域と、これらの製品領域を取り囲むようにして設けられた捨て代領域とから成る矩形の集合基板を形成した後、各製品領域を個片に分断することで複数の配線基板が同時に製造される場合がある。
【０００４】
このような集合基板を製造する場合、例えば、まず１辺の大きさが５００〜６００ｍｍ程度の絶縁層の両面に厚みが３〜１２μｍ程度の銅箔が張着された銅箔付き絶縁層を出発材料とする。この銅箔付き絶縁層にはその中央部に個別の配線基板となる製品領域を多数設けておくとともに、その外周部に枠状の捨て代領域を設けておく。そして、この銅箔付き絶縁層に、エッチング加工やドリル加工、めっき加工や積層加工等を施すことにより集合基板が製造される。このような集合基板の製造に用いられる加工装置内および加工装置間には、例えば、回転する円柱状のロールが搬送方向を横切る状態で所定の間隔に複数配設された搬送用コンベアが多用されている。そして、加工中の集合基板は、両主面が水平方向となる状態でこの搬送用コンベアに乗せられて加工装置内をあるいは加工装置間を搬送される。
【０００５】
ところが、上述のような配線基板の薄型化の要求に対応するために集合基板に用いられる銅箔付き絶縁層の厚みが薄くなってくると、銅箔付き絶縁層の剛性が小さくなるために加工中の集合基板に反りが発生しやすくなる。このため、加工中の集合基板を搬送用コンベアにより搬送するときに、加工中の集合基板が搬送用コンベアのロールに引っ掛かったり、巻きこんだりする等の不具合が生じる場合があった。特に、銅箔付き絶縁層における絶縁層の厚みが６０μｍ以下になると、加工中の集合基板に発生する反りが大きくなり搬送時の引っ掛かりや巻き込み等の不具合の発生が顕著になるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平２−２２８９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、絶縁層の厚みが６０μｍ以下の薄い銅箔付き絶縁層を出発材料として用いて集合基板を製造するときに、加工中の集合基板に生じる反りを抑制することで、加工中の集合基板が搬送時に搬送用コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込んだりする等の不具合を低減することができる集合基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の集合基板の製造方法は、厚みが６０μｍ以下の第１の絶縁層の下面に厚みが３０μｍ以上の第１の銅箔が張着された第１の銅箔付き絶縁層を準備する第１の工程と、第１の絶縁層の上面に第１の配線導体を形成する第２の工程と、第１の配線導体が形成された第１の銅箔付き絶縁層の上面に、厚みが６０μｍ以下の第２の絶縁層の上面に厚みが３０μｍ以上の第２の銅箔が張着された第２の銅箔付き絶縁層を積層する第３の工程と、第１および第２の銅箔の少なくとも一方をその外周部を枠状に残してエッチング除去して第１および第２の絶縁層の少なくとも一方の中央部を露出させる第４の工程と、露出した第１および第２の絶縁層の少なくとも一方に第１の配線導体に達するビアホールを形成する第５の工程と、ビアホール内を含む第１および第２の絶縁層の少なくとも一方の表面に第２の配線導体をセミアディティブ法により形成する第６の工程とを行なうことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の集合基板の製造方法によれば、出発材料となる第１の銅箔付き絶縁層は、これを構成する第１の絶縁層の厚みが６０μｍ以下と薄いものの、この第１の絶縁層の下面に張着されている第１の銅箔の厚みが３０μｍ以上と厚いことから、この第１の銅箔により十分な剛性を維持することができる。また、第１の配線導体が形成された第１の銅箔付き絶縁層の上面に、厚みが６０μｍ以下の第２の絶縁層の上面に厚みが３０μｍ以上の第２の銅箔が張着された第２の銅箔付き絶縁層を積層した後に、第１および第２の銅箔の少なくとも一方をエッチング除去するときに、その外周部を枠状に残しておくことから、残った第１および第２の銅箔により第１および第２の銅箔付き絶縁層の積層体に剛性を持たせることができるため反りを抑制することが可能となる。これらにより、加工中の集合基板が搬送時に搬送用コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込んだりする等の不具合を低減できる集合基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の製造方法により製造される集合基板の例を説明するための概略断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｆ）は、本発明の製造方法における実施形態の一例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図３】図３（ｇ）〜（ｋ）は、本発明の製造方法における実施形態の一例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法における別の実施形態の一例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図５】図５（ｅ）〜（ｈ）は、本発明の製造方法における別の実施形態の一例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｅ）は、本発明の製造方法におけるさらに別の実施形態の一例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図７】図７（ｆ）〜（ｊ）は、本発明の製造方法におけるさらに別の実施形態の一例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図８】図８（ｋ）〜（ｍ）は、本発明の製造方法におけるさらに別の実施形態の一例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本発明の実施形態の一例を図１〜図８を基に説明する。なお、図１〜図８では、簡易のため製品領域Ｘを一つのみ示しているが、実際には数十〜数百個の製品領域Ｘが配設されている。
【００１２】
図１に、本発明の製造方法により製造される集合基板１０の例を示す。図１に示すように、本発明の製造方法により製造される集合基板１０は、厚みが３０μｍ以上の銅箔４により補強された厚みが６０μｍ以下の第１の絶縁層１と第２の絶縁層３とを具備しており、その中央部に個別の配線基板と成る製品領域Ｘを有しているとともにその外周部に枠状の捨て代領域Ｙを有している。製品領域Ｘにおいては、第１の絶縁層１と第２の絶縁層３との間に第１の配線導体２が配設されているとともに、第１の絶縁層１の下面および第２の絶縁層３の上面には第２の配線導体５が配設されている。これらの第２の配線導体５は、第１の絶縁層１および第２の絶縁層３に形成されたビアホール７を介して第１の配線導体２に電気的に接続されている。更にその上には、ソルダーレジスト層６が被着されている。捨て代領域Ｙにおいては、第１の絶縁層１の下面および第２の絶縁層３の上面に枠状の銅箔４が配設されている。この枠状の銅箔４は、集合基板１０の製造中に集合基板１０に反りが発生しないように剛性を付与する補強部材として作用する。このような厚みが３０μｍ以上の枠状の銅箔４を有することによって、加工中の集合基板１０を搬送コンベアのロールに引っ掛けたり、巻き込んだりすることなく、搬送することができる。
【００１３】
次に、図２（ａ）〜（ｆ）および図３（ｇ）〜（ｋ）を基に本発明の製造方法における実施形態の一例を説明する。まず、図２（ａ）に示すように第１の絶縁層１の下面に第１の銅箔１１が被着されるとともに、上面に薄膜銅箔１２が被着された第１の銅箔付き絶縁層１３を準備する。第１の絶縁層１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。第１の絶縁層１の厚みは６０μｍ以下である。このような第１の銅箔付き絶縁層１３は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化させたプリプレグの下面に第１の銅箔１１を張り付け、上面に薄膜銅箔１２を張り付けたものを熱硬化させることにより得られる。第１の銅箔１１の厚みは３０〜８０μｍ程度であり、薄膜銅箔１２の厚みは３〜１２μｍ程度である。第１の銅箔付き絶縁層１３は、その下面に３０〜８０μｍの厚い銅箔１１が張着されていることから、第１の絶縁層１の厚みが６０μｍ以下と薄いにもかかわらず、厚みの厚い第１の銅箔１１により十分な剛性が付与される。したがって、搬送コンベア上にこの第１の銅箔付き絶縁層１３を搬送させたとしても、搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりすることなく、良好に搬送させることができる。なお、第１の銅箔１１の厚みが３０μｍ未満の場合は、第１の銅箔付き絶縁層１３の剛性が不足して第１の銅箔付き絶縁層１３に反りが発生しやすくなり、搬送コンベア上に第１の銅箔付き絶縁層１３を搬送させると、搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりする危険性が高くなる。したがって、第１の銅箔１１の厚みは３０μｍ以上に特定される。また、第１の銅箔１１の厚みが８０μｍを超えると、後述するように、この第１の銅箔１１を部分的にエッチング除去する際に、そのエッチングに時間を要し、集合基板１０の製造効率が悪いものとなる。したがって、第１の銅箔１１の厚みは３０〜８０μｍの範囲であることが好ましい。
【００１４】
次に、図２（ｂ）に示すように、第１の銅箔付き絶縁層１３の上下面にめっきレジスト層１４を被着する。上面側のめっきレジスト層１４には、第１の配線導体２を形成する位置の薄膜銅箔１２を露出させる開口部を形成する。下面側のめっきレジスト層１４は、第１の銅箔１１の下面の全面を覆うように形成する。めっきレジスト１４を形成する場合は、例えばアクリル樹脂などの感光性樹脂を含むレジスト用フィルムを第１の銅箔付き絶縁層１３の上下面に張着し、それを周知のフォトリソグラフィー技術を採用して所定の開口パターンを有するように露光および現像することにより形成する。なお、レジスト用フィルムを現像する場合、露光済のレジストフィルムが張着された第１の銅箔付き絶縁層１３を、搬送ロールを備えた搬送コンベア上を搬送させながら、その上下から現像液を噴射してレジスト用フィルムの未硬化部分を除去する方法が採用される。このとき、加工中の第１の銅箔付き絶縁層１３は、その下面に３０〜８０μｍの厚い第１の銅箔１１が張着されていることから、第１の絶縁層１の厚みが６０μｍ以下と薄いにもかかわらず、厚みの厚い第１の銅箔１１により十分な剛性が付与される。したがって、搬送コンベア上にこの加工中の第１の銅箔付き絶縁層１３を搬送させたとしても、搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりすることなく、良好に搬送させることができる。
【００１５】
次に、図２（ｃ）に示すように、めっきレジスト１４から露出する薄膜銅箔１２の表面に電解めっき法により第１のめっき金属層２Ｐを析出させる。なお、第１のめっき金属層２Ｐとしては、電解銅めっきが好適に用いられる。第１のめっき金属層２Ｐの厚みは５〜３５ｍｍ程度である。
【００１６】
次に、図２（ｄ）に示すように、めっきレジスト１４を除去するとともに、第１のめっき金属層２Ｐから露出する薄膜銅箔１２をエッチング除去する。これによって、薄膜銅箔１２を下地とした第１のめっき金属層２Ｐから成る第１の配線導体２が第１の絶縁層１の上面に形成される。めっきレジスト層１４の除去は、めっきレジスト層１４が張着された第１の銅箔付き絶縁層１３を、搬送ロールを備えた搬送コンベア上を搬送させながら、その上下からアルカリ性のレジスト剥離液を噴射することによって行なわれる。また薄膜銅箔１２をエッチング除去する場合は、めっきレジスト１４が除去された第１の銅箔付き絶縁層１３を、搬送ロールを備えた搬送コンベア上を搬送させながら、その上下からエッチング液を噴射して第１のめっき金属層２Ｐから露出する薄膜銅箔１２をエッチング除去する方法が採用される。このとき、加工中の第１の銅箔付き絶縁層１３は、その下面に３０〜８０μｍの厚い第１の銅箔１１が張着されていることから、第１の絶縁層１の厚みが６０μｍ以下と薄いにもかかわらず、厚みの厚い第１の銅箔１１により十分な剛性が付与される。したがって、搬送コンベア上にこの加工中の第１の銅箔付き絶縁層１３を搬送させたとしても、搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりすることなく、良好に搬送させることができる。なお、本例では周知のセミアディティブ法により第１の配線導体２を形成する例を示したが、周知のサブトラクティブ法により第１の配線導体２を形成してもよい。
【００１７】
次に、図２（ｅ）に示すように、第１の配線導体２が形成された第１の絶縁層１の上面に、第２の絶縁層３の上面に第２の銅箔１５が張着された第２の銅箔付き絶縁層１６を積層して積層体１７を形成する。第２の銅箔付き絶縁層１６を積層する場合は、第１の配線導体２が形成された第１の絶縁層１の上面に第２の絶縁層３が半硬化状態の第２の銅箔付き絶縁層１６を重ね合わせて、それらを１７５〜２４５℃の温度に加熱するとともに上下から２〜３ＭＰａの圧力を加えてやればよい。なお、第２の絶縁層３の厚みは６０μｍ以下であり、第２の銅箔１５の厚みは３０〜８０μｍである。
【００１８】
次に、図２（ｆ）に示すように、第１の銅箔１１および第２の銅箔１５を、外周部を枠状に残してエッチング除去して枠状の銅箔１１ａ、１５ａを形成する。枠状の銅箔１１ａ，１５ａの幅は、それぞれ１０〜１５ｍｍ程度あることが好ましい。枠状の銅箔１１ａ，１５ａの幅がそれぞれ１０ｍｍ未満であると、加工中の集合基板に十分な剛性を付与することが出来ないおそれがあり、１５ｍｍを超えると後述する第２の配線導体５を形成するためのスペースが小さくなってしまう。第１の銅箔１１および第２の銅箔１５のエッチングは、第１の銅箔１１の下面および第２の銅箔１５の上面に、枠状の銅箔１１ａ，１５ａに対応する形状のエッチングレジスト層を被着形成するとともに、それらのエッチングレジスト層から露出する部分の第１の銅箔１１および第２の銅箔１５をエッチング除去する方法が採用される。なお、これらのエッチングレジスト層の形成や第１の銅箔１１および第２の銅箔１５のエッチングの際にも、積層体１７を搬送ロールを備えた搬送コンベア上を搬送させながらの加工が施される。このとき、加工中の積層体１７は、その上下面に３０〜８０μｍの厚い第１の銅箔１１および第２の銅箔１５あるいは枠状の銅箔１１ａ，１５ａが張着されていることから、これらの第１の銅箔１１および第２の銅箔１５あるいは枠状の銅箔１１ａ，１５ａにより十分な剛性が付与される。したがって、搬送コンベア上にこの加工中の積層体１７を搬送させたとしても、搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりすることなく、良好に搬送させることができる。
【００１９】
次に、図３（ｇ）に示すように、第１の絶縁層１および第２の絶縁層３に第１の配線導体２の一部に到達するビアホール７を形成する。ビアホール７は、例えばレーザにより加工される。ビアホール７の直径は３５〜１００μｍ程度である。なお、ビアホール７を形成した後にはデスミア処理をすることが好ましい。その後、ビアホール７の内側および第１および第２の絶縁層１、３の表面に厚みが０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層（不図示）を被着させる。無電解めっき層は、後述する第２のめっき金属層５Ｐの下地金属として機能し、例えば無電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００２０】
次に、図３（ｈ）に示すように、積層体１７の上下面にめっきレジスト１８を被着形成する。これらのめっきレジスト１８には、無電解めっき層（不図示）が被着されたビアホール７およびその周囲ならびに後述する第２の配線導体５を形成する位置を露出させる開口部を形成する。めっきレジスト１８の形成は、上述しためっきレジスト１４の場合と同様にして行なう。このとき、加工中の積層体１７は、その外周部に幅が１０〜１５ｍｍで厚みが３０μｍ以上の枠状の銅箔１１ａ、１５ａが張着されていることから、第１および第２の絶縁層１、３の厚みが６０μｍ以下と薄いにもかかわらず、厚みの厚い枠状の銅箔１１ａ、１５ａにより十分な剛性が付与される。したがって、搬送コンベア上に加工中の積層体１７を搬送させたとしても、搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりすることなく、良好に搬送させることができる。
【００２１】
次に、図３（ｉ）に示すように、めっきレジスト１８から露出するビアホール７およびその周囲ならびに第２の配線導体５を形成する位置の第１および第２の絶縁層１、３の表面に電解めっき法により第２のめっき金属層５Ｐを析出させる。第２のめっき金属層５Ｐとしては、例えば電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００２２】
次に、図３（ｊ）に示すように、めっきレジスト１８を除去するとともに、第２のめっき金属層５Ｐから露出する無電解めっき層をエッチング除去する。これによって、無電解めっき層を下地とした第２のめっき金属層５Ｐから成る第２の配線導体５が形成される。なお、めっきレジスト１８の除去は、上述しためっきレジスト１４の場合と同様にして行なう。また、無電解めっき層のエッチング除去は、上述した薄膜銅箔１２の場合と同様にして行なう。このとき、加工中の積層体１７は、その外周部に幅が１０〜１５ｍｍで厚みが３０μｍ以上の枠状の銅箔１１ａ、１５ａが張着されていることから、第１および第２の絶縁層１、３の厚みが６０μｍ以下と薄いにもかかわらず、厚みの厚い枠状の銅箔１１ａ、１５ａにより十分な剛性が付与される。したがって、搬送コンベア上に加工中の積層体１７を搬送させたとしても、搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりすることなく、良好に搬送させることができる。
【００２３】
次に、図３（ｋ）に示すように、第２の配線導体５が形成された第１および第２の絶縁層１、３の表面に、第２の配線導体５の一部を露出する開口部を有するソルダーレジスト層６を形成することにより図１に示した集合基板１０が完成する。
【００２４】
次に、図４（ａ）〜（ｄ）および図５（ｅ）〜（ｈ）を基に本発明の製造方法における別の実施形態の一例を説明する。なお、図２および図３と同様の箇所には同様の符号を付して説明するとともに、図２および図３と同じ工程についてはその詳細な説明を省略する。まず、図４（ａ）に示すように、上述の図２（ａ）〜図３（ｊ）を基に説明した工程を行うことで、積層された第１および第２の絶縁層１、３の間に第１の配線導体２が形成されるとともに、上下面に第２の配線導体５と枠状の銅箔１１ａ、１５ａが形成された積層体１９を作る。この場合、上述したように、積層体１９を形成するための第１の銅箔付き絶縁層１３や加工中の積層体１９が搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりすることはない。また、積層体１９が十分な剛性を有しているので、以下に説明する工程においても、加工中の基板が搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりすることはない。
【００２５】
次に、図４（ｂ）に示すように、第１の絶縁層１の下面に、第３の絶縁層２０の下面に第３の銅箔２１が張着された第３の銅箔付き絶縁層２２を積層するとともに、第２の絶縁層３の上面に、第４の絶縁層２３の上面に第４の銅箔２４が張着された第４の銅箔付き絶縁層２５を積層する。このような積層の際には、上述した第２の銅箔付き絶縁層１６の場合と同様に１７５〜２４５℃の温度を加えた状態で、２〜３ＭＰａの圧力で加圧を行なえばよい。なお、第３の絶縁層２０および第４の絶縁層２３の厚みは６０μｍ以下であり、第３の銅箔２１および第４の銅箔２４の厚みは１５〜２０μｍ程度である。
【００２６】
次に、図４（ｃ）に示すように、第３の銅箔２１および第４の銅箔２４を、外周部を枠状に残してエッチング除去して枠状の銅箔２１ａ、２４ａを形成する。枠状の銅箔２１ａ，２４ａの幅は上述した枠状の銅箔１１ａ，１５ａと同様の１０〜１５ｍｍ程度あることが好ましい。第３の銅箔２１および第４の銅箔２４のエッチングは、上述した第１の銅箔１１および第２の銅箔１５の場合と同様にして行なえばよい。
【００２７】
次に、図４（ｄ）に示すように、第３の絶縁層２０および第４の絶縁層２３に第２の配線導体５の一部に到達するビアホール７を形成する。ビアホール７は、例えばレーザにより加工される。ビアホール７の直径は３５〜１００μｍ程度である。なお、ビアホール７を形成した後にはデスミア処理をすることが好ましい。その後、ビアホール７の内側および第３および第４の絶縁層２０、２３の表面に厚みが０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層（不図示）を被着させる。無電解めっき層は、後述する第３のめっき金属層２６Ｐの下地金属として機能し、例えば無電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００２８】
次に、図５（ｅ）に示すように、無電解めっき層（不図示）が被着されたビアホール７およびその周囲ならびに第３の配線導体２６を形成する位置を露出させる開口部を有するめっきレジスト２７を、第３の絶縁層２０および第４の絶縁層２３の表面に形成する。めっきレジスト２７の形成は、上述のめっきレジスト１４の場合と同様にして行なう。
【００２９】
次に、図５（ｆ）に示すように、めっきレジスト２７から露出するビアホール７およびその周囲ならびに第３の配線導体２６を形成する位置の第３および第４の絶縁層２０、２３の表面に電解めっき法により第３のめっき金属層２６Ｐを析出させる。第３のめっき金属層２６Ｐとしては、例えば電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００３０】
次に、図５（ｇ）に示すように、めっきレジスト２７を除去するとともに、第３のめっき金属層２６Ｐから露出する無電解めっき層をエッチング除去する。これによって、無電解めっき層を下地とした第３のめっき金属層２６Ｐから成る第３の配線導体２６が形成される。なお、めっきレジスト２７の除去は、上述しためっきレジスト１４の場合と同様にして行なう。また、無電解めっき層のエッチング除去は、上述した薄膜銅箔１２の場合と同様にして行なう。
【００３１】
次に、図５（ｈ）に示すように、第３の配線導体２６が形成された第３および第４の絶縁層２０、２３の表面に、第３の配線導体２６の一部を露出する開口部を有するソルダーレジスト層６を形成することにより集合基板３０が完成する。
【００３２】
次に、図６（ａ）〜（ｅ）および図７（ｆ）〜（ｊ）ならびに図８（ｋ）〜（ｍ）を基に本発明の製造方法におけるさらに別の実施形態の一例を説明する。なお、図２および図３と同様の箇所には同様の符号を付して説明するとともに、図２および図３と同じ工程については詳細な説明を省略する。まず、図６（ａ）に示すように、上述の図２（ａ）〜（ｅ）を基に説明した工程を行うことで、先述の積層体１７を形成する。この場合、上述したように、積層体１７を形成するための第１の銅箔付き絶縁層１３や加工中の積層体１７が搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりすることはない。
【００３３】
次に、図６（ｂ）に示すように、第２の銅箔１５を、外周部を枠状に残してエッチング除去することで枠状の銅箔１５ａを形成する。枠の幅は１０〜１５ｍｍ程度あることが好ましい。１０ｍｍ以下であると加工中の積層体１７に十分な剛性を付与することが出来ないおそれがあり、１５ｍｍ以上であると後述する第２の配線導体５を形成するためのスペースが小さくなってしまう。なお、第２の銅箔１５のエッチングは上述した銅箔１５の場合と同様にして行なう。この場合、加工中の積層体１７には、第１の銅箔１１および第２の銅箔１５あるいは枠状の銅箔１１ａ，１５ａにより十分な剛性が付与される。したがって、搬送コンベア上にこの加工中の積層体１７を搬送させたとしても、搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりすることなく、良好に搬送させることができる。積層体１７が十分な剛性を有しているので、以下に説明する工程においても、加工中の基板が搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりすることはない。
【００３４】
次に、図６（ｃ）に示すように、第２の絶縁層３に第１の配線導体２の一部に到達するビアホール７を形成する。ビアホール７は、例えばレーザにより加工される。ビアホール７の直径は３５〜１００μｍ程度である。なお、ビアホール７を形成した後にはデスミア処理をすることが好ましい。その後、ビアホール７の内側および第２の絶縁層３の表面に厚みが０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層（不図示）を被着させる。無電解めっき層は、後述する第２のめっき金属層５Ｐの下地金属として機能し、例えば無電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００３５】
次に、図６（ｄ）に示すように、無電解めっき層（不図示）が被着されたビアホール７およびその周囲ならびに後述する第２の配線導体５を形成する位置を露出させる開口部を有するめっきレジスト２８を、第２の絶縁層３の表面に形成する。めっきレジスト２８の形成は、上述のめっきレジスト１４の場合と同様にして行なう。このとき、加工中の積層体１７は、その下面に３０〜８０μｍの厚い第１の銅箔１１が張着されているとともに、その上面の外周部に幅が１０〜１５ｍｍで厚みが３０μｍ以上の枠状の銅箔１５ａが張着されていることから、第１および第２の絶縁層１、３の厚みが６０μｍ以下と薄いにもかかわらず、厚みが３０μｍ以上の第１の銅箔１１、および枠状の銅箔１５ａにより十分な剛性が付与される。したがって、搬送コンベア上に加工中の集合基板を搬送させたとしても、搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりすることなく、良好に搬送させることができる。
【００３６】
次に、図６（ｅ）に示すように、めっきレジスト２８から露出するビアホール７およびその周囲ならびに第２の配線導体５を形成する位置の第２の絶縁層３の表面に電解めっき法により第２のめっき金属層５Ｐを析出させる。第２のめっき金属層５Ｐとしては、電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００３７】
次に、図７（ｆ）に示すように、めっきレジスト２８を除去するとともに、第２のめっき金属層５Ｐから露出する無電解めっき層をエッチング除去する。これによって、無電解めっき層を下地とした第２のめっき金属層５Ｐから成る第２の配線導体５が形成される。なお、めっきレジスト２８の除去は、上述しためっきレジスト１４の場合と同様にして行なう。また、無電解めっき層のエッチング除去は、上述した薄膜銅箔１２の場合と同様にして行なう。このとき、加工中の積層体１７は、その下面に３０〜８０μｍの厚い第１の銅箔１１が張着されているとともに、その上面の外周部に幅が１０〜１５ｍｍで厚みが３０μｍ以上の枠状の銅箔１５ａが張着されていることから、第１および第２の絶縁層１、３の厚みが６０μｍ以下と薄いにもかかわらず、厚みが３０μｍ以上の第１の銅箔１１、および枠状の銅箔１５ａにより十分な剛性が付与される。したがって、搬送コンベア上に加工中の積層体１７を搬送させたとしても、搬送コンベアのロールに引っ掛かったり、巻き込まれたりすることなく、良好に搬送させることができる。
【００３８】
次に、図７（ｇ）に示すように、第２の絶縁層３の上面に、第３の絶縁層２０の上面に第３の銅箔２１が張着された第３の銅箔付き絶縁層２２を積層する。このような積層の際には、上述した第２の銅箔付き絶縁層１６の場合と同様に１７５〜２４５℃の温度を加えた状態で、２〜３ＭＰａの圧力で加圧を行なえばよい。なお、第３の絶縁層２０の厚みは６０μｍ以下であり、第３の銅箔２１の厚みは１５〜２０μｍ程度である。
【００３９】
次に、図７（ｈ）に示すように、第１の銅箔１１および第３の銅箔２１を、外周部を枠状に残してエッチング除去して枠状の銅箔１１ａ、２１ａを形成する。枠状の銅箔１１ａ，２１ａの幅は上述した枠状の銅箔１５ａと同様の１０〜１５ｍｍ程度あることが好ましい。第１の銅箔１１および第３の銅箔２１のエッチングは、上述した第２の銅箔１５の場合と同様にして行なえばよい。
【００４０】
次に、図７（ｉ）に示すように、第１の絶縁層１に第１の配線導体２の一部に到達するビアホール７を形成するとともに、第３の絶縁層２０に第２の配線導体５の一部に到達するビアホール７を形成する。ビアホール７は、例えばレーザにより加工される。ビアホール７の直径は３５〜１００μｍ程度である。なお、ビアホール７を形成した後にはデスミア処理をすることが好ましい。その後、ビアホール７の内側および第１および第３の絶縁層１、２０の表面に厚みが０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層（不図示）を被着させる。無電解めっき層は、後述する第３のめっき金属層２６Ｐの下地金属として機能し、例えば無電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００４１】
次に、図７（ｊ）に示すように、無電解めっき層（不図示）が被着されたビアホール７およびその周囲ならびに第３の配線導体２６を形成する位置を露出させる開口部を有するめっきレジスト２９を、第１の絶縁層１および第３の絶縁層２０の表面に形成する。めっきレジスト２９の形成は、上述のめっきレジスト１４の場合と同様にして行なう。
【００４２】
次に、図８（ｋ）に示すように、めっきレジスト２９から露出するビアホール７およびその周囲ならびに第３の配線導体２６を形成する位置の第１および第３の絶縁層１、２０の表面に電解めっき法により第３のめっき金属層２６Ｐを析出させる。第３のめっき金属層２６Ｐとしては、例えば電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００４３】
次に、図８（ｌ）に示すように、めっきレジスト２９を除去するとともに、第３のめっき金属層２６Ｐから露出する無電解めっき層をエッチング除去する。これによって、無電解めっき層を下地とした第３のめっき金属層２６Ｐから成る第３の配線導体２６が形成される。なお、めっきレジスト２９の除去は、上述しためっきレジスト１４の場合と同様にして行なう。また、無電解めっき層のエッチング除去は、上述した薄膜銅箔１２の場合と同様にして行なう。
【００４４】
次に、図８（ｍ）に示すように、第３の配線導体２６が形成された第１および第３の絶縁層１、２０の表面に、第３の配線導体２６の一部を露出する開口部を有するソルダーレジスト層６を形成することにより集合基板４０が完成する。
【符号の説明】
【００４５】
１            第１の絶縁層
２            第１の配線導体
３            第２の絶縁層
５            第２の配線導体
７            ビアホール
１０          集合基板
１１          第１の銅箔
１３          第１の銅箔付き絶縁層
１５          第２の銅箔
１６          第２の銅箔付き絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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