(57)【要約】【課題】導電回路層に特別な加工を施すことなく、絶縁層にクラックが発生することを抑制したり、発生したクラックの進展を抑制することが可能な高信頼性の回路基板を提供する。【解決手段】本発明によれば、金属基板と、この基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導電回路層を有し、前記絶縁層は、無機ファイバー層を備え、前記無機ファイバー層は、エポキシ系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、及びシアナート系樹脂から選択される樹脂と、アスペクト比が３以上である無機ファイバーとを含み、前記無機ファイバーの充填率は、２０〜８０体積％である金属ベース回路基板が提供される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、この基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導電回路層を有し、
前記絶縁層は、無機ファイバー層を備え、
前記無機ファイバー層は、エポキシ系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、及びシアナート系樹脂から選択される樹脂と、アスペクト比が３以上である無機ファイバーとを含み、前記無機ファイバーの充填率は、２０〜８０体積％である金属ベース回路基板。
【請求項２】
前記無機ファイバー層は、前記絶縁層の内部又は前記金属基板側に設けられる請求項１に記載の金属ベース回路基板。
【請求項３】
前記無機ファイバーは、直径が前記無機ファイバー層の厚さの０．８〜１倍であり、前記無機ファイバー層中で互いに重ならないように配置されている請求項１又は２に記載の金属ベース回路基板。
【請求項４】
前記無機ファイバーは、直径が前記無機ファイバー層の厚さの０．０１〜０．５倍であり、且つ前記無機ファイバー層中に網目状に配置されている請求項１又は２に記載の金属ベース回路基板。
【請求項５】
前記無機ファイバーは、アルミナ、シリカ、窒化アルミ、窒化ケイ素、窒化硼素の単独又は複数の組み合わせからなる請求項１〜４の何れか１つに記載の金属ベース回路基板。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１つに記載の回路基板と、この回路基板上に搭載された電子部品を有する電子部品搭載基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層にクラックが発生することを抑制したり、発生したクラックの進展を抑制することが可能な高信頼性の回路基板及び電子部品搭載基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、金属板上に無機フィラ−を充填したエポキシ樹脂等からなる絶縁層を設け、その上に導電回路層を配設した金属ベース回路基板が、熱放散性に優れることから高発熱性電子部品を実装する回路基板として用いられている（例えば、特許文献１〜４）。
特許文献１の回路基板では、エポキシ樹脂を主体とする樹脂、硬化剤化合物、シリコーン軟質粒子及び無機充填剤を含む組成物を用いて絶縁層を形成することによって、電子部品固定のための半田にクラックが発生することを抑制している。
特許文献２の回路基板では、（１）エポキシ樹脂を主体とする樹脂、（２）ポリエーテル骨格を有し、主鎖の末端に１級アミン基を有する硬化剤を含む硬化剤、及び（３）無機充填剤を必須成分とする組成物を用いて絶縁層を形成することによって、電子部品固定のための半田にクラックが発生することを抑制している。
特許文献３の回路基板では、主鎖がポリエーテル骨格を有し直鎖状であるエポキシ樹脂、芳香環を有し、主鎖の末端に１級アミン基を２個以上有する硬化剤、及び無機充填剤を必須成分とする回路基板用組成物を用いて絶縁層を形成することによって、電子部品固定のための半田にクラックが発生することを抑制している。
特許文献４の回路基板では、絶縁層と接する金属板の側面部を、特定の角度に調節することによって、絶縁層にクラックが発生することを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−０７６５４９号公報
【特許文献２】特開２００２−０１２６５３号公報
【特許文献３】特開２００８−２６６５３５号公報
【特許文献４】特開２００１−２１７３６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１〜３の発明は、電子部品固定のための半田にクラックが発生することを抑制することを目的としており、絶縁層に発生するクラックについては、議論されていない。また、特許文献４の発明は、絶縁層に発生するクラックを抑制することを目的としているが、導電回路層の側面部をエッチングで特定の角度に調節する必要があり、そのためのコストが発生していた。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、絶縁層にクラックが発生することを抑制したり、発生したクラックの進展を抑制することが可能な高信頼性の回路基板を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、金属基板と、この基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導電回路層を有し、前記絶縁層は、無機ファイバー層を備え、前記無機ファイバー層は、エポキシ系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、及びシアナート系樹脂から選択される樹脂と、アスペクト比が３以上である無機ファイバーとを含み、前記無機ファイバーの充填率は、２０〜８０体積％である金属ベース回路基板が提供される。
【０００７】
本発明者らは、信頼性が極めて高い金属ベース回路基板を開発すべく、電子部品を固定した導電回路層を、Ｂステージ状態にした絶縁層に貼り合わせ、絶縁層を硬化させた後に、ヒートサイクル試験を行ったところ、図１に示すように、導電回路層のエッジ部近傍において、絶縁層にクラックが生じる場合があることに気がついた。このクラックは、絶縁層の厚さ方向に延びており、金属基板にまで到達すると、金属基板と導電回路層との間に絶縁不良が生じてしまう。
【０００８】
この問題に取り組むにあたって、本発明者らは、最初に、樹脂の成分を変更したり、フィラー含有率を減少させたりすることによって、クラックの発生及び進展を抑制することも考えたが、これらの方法では、絶縁層の強度や耐久性が低下したり、絶縁層の熱伝導率が低下するといった副作用が生じる場合があるので、別の方法で、クラックの発生及び進展を抑制することを検討した。
【０００９】
そして、クラックの発生が主にフィラー粒子同士の界面での接着性が不足していることに起因していることに気が付き、この界面を減らすべく、従来、フィラーとして一般に使用されている無機粒子に代えて、フィラーとして無機ファイバーを含有する無機ファイバー層を絶縁層中に形成することを思いつき、本発明の完成に到った。
【００１０】
無機ファイバーは、アルミナ、シリカ、窒化アルミ、窒化ケイ素、窒化硼素のような無機材料がファイバー状になっているものであり、一本一本がある程度の長さを有しているので、無機粒子をフィラーとして用いた場合よりも界面が少なくなり、界面での接着性が不足していることに起因するクラックの発生及び進展が抑制される。
【００１１】
以下、本発明の種々の実施形態を説明する。以下に示す種々の実施形態は、互いに組み合わせ可能である。
好ましくは、前記無機ファイバー層は、前記絶縁層の内部又は前記金属基板側に設けられる。
好ましくは、前記無機ファイバーは、直径が前記無機ファイバー層の厚さの０．８〜１倍であり、前記無機ファイバー層中で互いに重ならないように配置されている
好ましくは、前記無機ファイバーは、直径が前記無機ファイバー層の厚さの０．０１〜０．５倍であり、且つ前記無機ファイバー層中に網目状に配置されている。
好ましくは、前記無機ファイバーは、アルミナ、シリカ、窒化アルミ、窒化ケイ素、窒化硼素の単独又は複数の組み合わせからなる。
【００１２】
また、本発明によれば、上記回路基板と、この回路基板上に搭載された電子部品を有する電子部品搭載基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】従来の回路基板において、導電回路層のエッジ部近傍において絶縁層に発生するクラックを示す断面ＳＥＭ写真である。
【図２】本発明の一実施形態の回路基板の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の無機ファイバー層の形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図２を用いて、本発明の一実施形態の回路基板について説明する。
図２に示すように、本実施形態の回路基板は、金属基板１と、基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された導電回路層３を有する。
【００１５】
１．金属基板１
金属基板１の材質は、特に制限はなく、鉄、銅、アルミニウムやその合金を用いることができる。基板１の厚さは、特に限定されないが、例えば０.２ｍｍ以上４ｍｍ以下である。基板１が薄すぎるとハンドリングが困難であったり、放熱性が悪化したりするからであり、基板１が厚すぎると、回路基板全体が不必要に厚くなってしまうからである。
【００１６】
２．絶縁層２
絶縁層２は、樹脂と無機ファイバーを含有する無機ファイバー層を備えている。絶縁層２は、無機ファイバー層のみからなる単層構造であってもよく、樹脂と無機粒子が含有する無機粒子層と、無機ファイバー層との積層構造であってもよい。絶縁層２の構造の例は、金属基板１側から順に、無機粒子層、無機ファイバー層、及び無機粒子層の三層構造や、金属基板１側から順に、無機ファイバー層及び無機粒子層の二層構造である。無機ファイバー層が絶縁層２の表面に配置されると、絶縁層２の表面に多くの無機ファイバーが露出して、絶縁層２への導電回路層３の接着性が悪化する場合がある。このため、絶縁層２の表面層は、無機粒子層であることが好ましく、従って、無機ファイバー層は、絶縁層２の内部又は金属基板１側に配置されることが好ましい。但し、絶縁層２の表面層が無機ファイバー層であっても、充填率を下げることによって接着力を高めることができるので、絶縁層２の表面層を無機ファイバー層にすることも可能である。
【００１７】
２−１．絶縁層の厚さ
本実施形態において、絶縁層２の厚さは、８０μｍ以上３００μｍ以下が好ましい。この範囲が好ましいのは、あまりに薄いと電気絶縁性が確保できなくなる傾向にあり、あまりに厚いと熱放散性が低下する傾向にあり、さらに小型化や薄型化に寄与できなくなる傾向にあるためである。
【００１８】
２−２．無機ファイバー層
無機ファイバー層は、エポキシ系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、及びシアナート系樹脂から選択される樹脂と、アスペクト比が３以上である無機ファイバーとを含む。
【００１９】
（１）樹脂
本実施形態の絶縁層２の樹脂は、エポキシ系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、及びシアナート系樹脂から選択される。これらの樹脂は、耐熱性及び力学強度に優れているので、これらの樹脂を用いることによって、得られる金属ベース回路基板の耐熱性及び力学強度を高めることができる。
【００２０】
エポキシ系樹脂は、エポキシ樹脂の単独重合物であってもよく、他の成分との共重合物であってもよい。エポキシ系樹脂は、高いＴｇ（例：２００℃以上）を有するものが好ましく、そのようなエポキシ系樹脂の例として、特開２０１１−２０８００７、特開２００５−０８９６３３に記載のように、多環芳香族型エポキシ樹脂と芳香族アミンとを反応させて得られるものや、特開２００２−０１２６５３に記載のように応力緩和性に優れるものが用いられる。多環芳香族型エポキシ樹脂としては、主鎖が、ビフェニル、アントラセン、ナフタレン、ターフェニルのような多環芳香族骨格を有するものが耐熱性の観点からは好ましい。
【００２１】
また、エポキシ樹脂は、例えばフェニルメタン型、テトラキスフェノールメタン型、ビフェニル型、およびビスフェノールＡアルキレンオキサイド付加物型のエポキシ樹脂であってもよい。応力緩和性の観点からは、主鎖がポリエーテル骨格を有し直鎖状であるエポキシ樹脂が好ましく、主鎖がポリエーテル骨格を有し直鎖状であるエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型の水素添加エポキシ樹脂、ポリプロピレングリコール型エポキシ樹脂、ポリテトラメチレングリコール型エポキシ樹脂に代表される脂肪族エポキシ樹脂、およびポリサルファイド変性エポキシ樹脂等があり、これらを複数組み合わせてもよい。
【００２２】
エポキシ樹脂には硬化剤を添加することが好ましい。硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応して硬化させるものであれば特に限定されず、それらの具体例としては、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡやレゾルシンなどから合成される各種ノボラック、各種多価フェノール化合物、無水マレイン酸、無水マレイン酸、無水ピロメリト酸などの酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどがあげられる。半導体装置封止用としては、耐熱性、耐湿性および保存性の点から、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどのノボラック樹脂が好ましく用いられ、用途によっては二種以上の硬化剤を併用してもよい。硬化剤の添加量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂１００質量部に対して、５質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、例えば５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０質量部であり、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。
【００２３】
ベンゾオキサジン系樹脂は、ベンゾオキサジンの単独重合物であってもよく、他の成分特にエポキシ化合物との共重合物であってもよい。ベンゾオキサジン系樹脂の例として、特開２０１１−２３１１９６号に記載のように、ベンゾオキサジン誘導体と多環芳香族型エポキシ樹脂とを反応させて得られるものが耐熱性の点からは好ましい。エポキシ化合物との共重合にあたっては、他に適当なフェノール、アミン系の硬化剤を共存させてもよい。
【００２４】
シアナート（シアネート）系樹脂とは、加熱によりトリアジン構造を形成し硬化する樹脂である。このようなシアナート系樹脂の原料としては、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＥ型、ビスフェノールＭ型等のビスフェノール型シアナート、ノボラック型シアナート、ジシクロペンタジエニルビスフェノール型シアナート等がある。このようなシアナート樹脂やその原料については特開２０１１-１４４２２９、特開２００９−３５７２８、特開平０５-６５３５２に記載されており、１種もしくは２種以上を適宜混合して使用することも可能である。これらのシアネート化合物は、そのまま使用してもよく、あるいはプレポリマー化したものを使用することもできる。
【００２５】
尚、プレポリマー化する方法は、特に限定されないが、例えば、５０〜２００℃程度に加熱することにより得られる。また、触媒の存在下で、加熱することによりプレポリマー化することができる。本シアネート樹脂は、硬化促進剤を併用することは好ましい。促進剤の種類や配合量は特に限定するものではなく、例えばイミダゾール系化合物、有機リン系化合物、第３級アミン、第４級アンモニウム塩、金属塩等が用いられ、２種類以上を併用してもよい。
【００２６】
シアナート樹脂は耐熱性が高い特徴を有するが、力学的強度や靱性、耐クラック性の向上のため、適当な樹脂とのＩＰＮ（インターペネトレーションネットワーク）構造とすることが好ましい。ＩＰＮ構造に用いられる他の樹脂としては、スチレン-Ｎフェニルマレイミド-ジビニルベンゼン共重合体や、オレフィン-ジビニルベンゼン共重合体等の炭化水素系樹脂が好適に用いられる。ＩＰＮ構造に用いられる樹脂は、シアナート樹脂の硬化時に適当なラジカル開始剤によりモノマーから重合、架橋されてもよく、あるいはプレポリマーとして添加され、架橋されてもよい。
【００２７】
（２）無機ファイバー
無機ファイバー層では、フィラーとして、アスペクト比が３以上である無機ファイバーが用いられる。無機ファイバーとしては、電気絶縁性に優れかつ熱伝導率の高いものが用いられ、例えばアルミナ、シリカ、窒化アルミ、窒化ケイ素、窒化硼素の単独又は複数の組み合わせからなるものが用いられる。
【００２８】
上記の通り、従来の無機粒子では、粒子同士の界面での接着性が不足していることに起因してクラックが発生しやすくなっていたところ、本実施形態では、細長いファイバー状の無機ファイバーが用いられるので界面の数が必然的に減少し、その結果、クラックの発生及び進展が抑制される。無機ファイバーのアスペクト比（長さ／直径の比）は、３以上であり、例えば３、５、１０、２０、５０、１００であり、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。無機ファイバーの断面形状は、特に限定されないが、例えば円形又は略円形である。無機ファイバーの直径は、特に限定されないが、例えば０．１〜２００μｍであり、具体的には例えば０．１、０．５、１、５、１０、２０、５０、１００、１５０、２００μｍであり、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。
【００２９】
無機ファイバー層の形態は、主に２つあり、第１の形態は、図３に示すように、無機ファイバー層４の厚さとほぼ同じ直径を有する無機ファイバー７を互いに重ならないように（例えば平行に）樹脂５中に配置する形態であり、第２の形態は、直径が無機ファイバー層の厚さの半分未満である無機ファイバーを網目状に配置する形態である。無機ファイバー層の構成は、これらに限定されず、例えば（無機ファイバーの直径）／（無機ファイバー層の厚さ）の比の値が０．５〜０．９９程度の比較的太い無機ファイバーと、上記比の値が０．０１〜０．４９程度の比較的細い無機ファイバーとが網目状になっているような形態であってもよい。
【００３０】
第１の形態の場合、（無機ファイバー７の直径）／（無機ファイバー層４の厚さ）の比の値は、例えば０．８〜１であり、０．９〜１であることが好ましい。このような形態では、無機ファイバー７が存在している部位においては、無機ファイバー層４の熱伝導率は、無機ファイバー７を構成する無機材料のバルクの熱伝導率に近くなるので、放熱性が高くなる。上記値が小さすぎると、無機ファイバー層４の熱伝導率が低下する。また、無機ファイバー７同士が接触しないように無機ファイバー７を配置すれば、無機ファイバー７同士の間の界面でのクラックの発生及び進展を抑制することができる。
【００３１】
第２の形態の場合、（無機ファイバーの直径）／（無機ファイバー層の厚さ）の比の値は、０．０１〜０．５であり、具体的には例えば、０．０１、０．０５、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５であり、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。第２の形態では、無機ファイバーの直径が無機ファイバー層の厚さに比べて小さいので、網目状に配置することが可能である。網目状に配置すれば無機ファイバーが互いに絡み合うので、例えクラックが発生しても、その進展途中に無機ファイバーが存在して、クラックの進展が抑制される。上記値が小さすぎると、無機ファイバー同士の界面が増えてしまってクラックが発生及び進展しやすくなり、上記値が大きすぎると、網目構造の形成が困難になる。「網目状に配置」の具体的な形態は、特に限定されず、織物のように無機ファイバーが規則的に配置されて網目状になっている形態であってもよく、不織布のように無機ファイバーが不規則に配置されて網目状になっている形態であってもよい。
【００３２】
無機ファイバーの充填率は、特に限定されないが、例えば２０〜８５体積％であり、具体的には２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５体積％であり、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。
【００３３】
無機ファイバーは、種々の公知の方法で製造可能である。アルミナファイバーは、例えば、特開２００９−２７５３２１に記載のように、ＰＶＡ及びアルミナ源を含む原料溶液をスピニング法によってアルミナ前駆体繊維とし、これを焼成することによって製造することができる。シリカファイバーは、例えば、特開２０１１−１１９６９に記載のように、溶融ガラスをノズルから紡出することによって製造可能である。窒化アルミファイバーは、例えば、Journal of the Ceramic Society of Japan 110 [1] 67-69 (2002)に記載のように、アルミナ繊維を還元することによって製造することができる。窒化ケイ素ファイバーは、例えば特開平９−４９１２５に記載のように、ポリカルボシランを紡糸してなる繊維を電子線の照射により不融化してから巻枠に巻取って繊維巻体とし、この繊維巻体の表面を無機繊維で覆った後、アンモニア気流中で焼成し、続いて不活性ガス雰囲気中で連続焼成することによって製造することができる。窒化硼素ファイバーは、例えば特開２００３ー２８６６１６に記載のように、ボリルボラジン前駆体を熱重縮合させてポリマーを得て、このポリマーを紡糸して繊維を得て、この繊維を熱セラミック化することによって製造可能である。
【００３４】
２−３．無機粒子層
無機粒子層は、エポキシ系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、及びシアナート系樹脂から選択される樹脂と、無機粒子とを含む。
樹脂に関する説明は、無機ファイバー層と同様である。無機粒子層に含有される無機粒子としては、電気絶縁性に優れかつ熱伝導率の高いものが用いられ、例えばアルミナ、シリカ、窒化アルミ、窒化ケイ素、窒化硼素の単独又は複数の組み合わせがあり、高い充填可能性及び高い熱伝導性の見地から、アルミナ、窒化アルミ、窒化ケイ素、窒化硼素が好ましい。樹脂や無機粒子・ファイバーの材料は、無機ファイバー層と無機粒子層とで異なっていも同一であってもよい。
無機粒子の充填率は、例えば、４０〜８５体積％であり、具体的には４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５体積％であり、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。無機粒子は、充填率を高めるために、平均粒子径が異なる複数種類の粒子を混合したものを用いることができる。例えば、二種類の粒子を混合する場合、平均粒子径が５〜５０μｍの大粒子と、平均粒径が０．５〜２μｍの小粒子とを混合することができる。なお、本明細書において、「平均粒径」は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味する。
【００３５】
３．導電回路層３
導電回路層の素材としては、銅、アルミニウム、鉄、錫、金、銀、モリブデン、ニッケル、チタニウムの単体又はこれら金属を二種類以上含む合金があり、汎用性の高い銅が好ましい。導電回路層の形状としては、板、シート、箔、これらの積層体がある。導電回路層の厚さは、５０〜３００μｍである。厚さが薄すぎると、大電流を流したときの発熱が大きくなり、厚さが厚すぎると、絶縁層２にクラックが生じやすくなるからである。導電回路層３の表面にニッケルメッキ、ニッケル−金メッキ等のメッキ処理をしても良い。
【００３６】
４．製造方法
本実施形態の回路基板の製造方法は、例えば、金属基板１上に樹脂（例：エポキシ樹脂及び硬化剤）と無機粒子を含む樹脂組成物を塗布して加熱硬化させてＣステージ状態にした層（Ｃステージ層）を形成し、その上に、無機ファイバーを配置し、その後、無機粒子を含まない樹脂組成物を塗布して熱プレスを行なってＢステージ状態又はＣステージ状態の無機ファイバー層を形成し、その後、樹脂と無機粒子を含む樹脂組成物を塗布して加熱硬化してＢステージ状態にした層（Ｂステージ層）を形成し、この層の表面に導電回路層３としての金属箔をラミネート又は熱プレスする製造方法がある。また、Ｃステージ層を省略し、金属基板１上に直接無機ファイバー層を形成してもよい。さらに、無機ファイバー層形成時に、無機粒子を含まない樹脂組成物を塗布する工程は省略してもよい。この工程を省略した場合、Ｂステージ層形成時に塗布した樹脂組成物から樹脂が無機ファイバーに含浸されて無機ファイバー層が形成される。
【００３７】
なお、「Ｂステージ状態」とは、樹脂組成物が室温で乾いた状態を示し、高温に加熱すると再び溶融する状態をいい、より厳密には、ＤＳＣ（Differential Scanning Calorimetry：示差走査型熱量計）を用いて、硬化時に発生する熱量から計算した値で硬化度が７０％未満の状態を示す。さらに、Ｂステージのエポキシ樹脂組成物を加熱し、硬化を進めることで、Ｃステージのエポキシ樹脂組成物を作製することができる。「Ｃステージ状態」とは、樹脂組成物の硬化がほぼ終了した状態で、高温に加熱しても再度溶融することはない状態をいい、硬化度７０％以上の状態をいう。
【００３８】
本発明において、上記樹脂組成物には、物性に影響を与えない範囲で、硬化促進剤、変色防止剤、界面活性剤、カップリング剤、着色剤、粘度調整剤などを適宜配合することができる。
【実施例】
【００３９】
水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂（YX8000、三菱化学）１００質量部、ビフェニル型エポキシ樹脂（YX4000、三菱化学）２２質量部、高分子量ビスフェノールA型エポキシ樹脂（YD-017、新日鐵化学）２２質量部、フェノール樹脂（MEH-8005、昭和化成）８４質量部を１３０℃まで加熱した後、攪拌して混合し、室温まで冷却した後、トリフェニルフォスフィン（TPP、北興化学）０．１質量部、及び無機フィラーを加えて、プラネタリーミキサーで１５分間、攪拌混合しエポキシ樹脂組成物を作製した。無機フィラーは、エポキシ樹脂組成物全体に対して５０容量％となるように添加した。また、無機フィラーとして、球状アルミナ（DAW-10、電気化学工業）７０体積％と、球状アルミナ（ASFP-30、電気化学工業）３０体積％を混合したものを用いた。
【００４０】
厚さ３００μｍの銅板上に、得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ１００μｍで塗布した後に１５０℃４５分で加熱してＣステージ状態とした（Ｃステージ層）。その後、上記樹脂組成物を厚さ１５０μｍで塗布した後に１１０℃３０分で加熱してＢステージ状態とした（Ｂステージ層）。次に、予め準備した厚さ７０μｍの導電回路層（リードフレーム）を１２０℃４０秒で加熱した状態で仮接着し、その後、１７５℃１８０秒のモールド成形をした後、１８０℃４時間のアフターキュアを経て、比較例サンプルを作製した。このサンプルに対して、高温高湿（８５℃８５％）下で−４０℃〜１５０℃の間でのヒートサイクルを繰り返し行った。
その結果、比較例サンプルでは、１０回のヒートサイクルで、導電回路層のエッジ部で絶縁層にクラックが発生した（図１参照）。
【００４１】
次に、以下のサンプルを作製し、同様のヒートサイクル試験を行った。その結果、サンプル（１）（２）の何れにおいてもクラックが発生したものの、無機ファイバー層でクラックの進展が阻止され、クラックがＣステージ層に到達しなかった。
【００４２】
（１）Ｃステージ層形成時に塗布するエポキシ樹脂組成物の厚さを９０μｍにし、Ｃステージ層上に平均直径が１μｍであるアルミナファイバーを厚さ１０μｍになるように網目状に配置し、その後、上記と同様の工程を行って作製したサンプル（ファイバーの充填率：５０体積％）
（２）Ｃステージ層を形成せずに、銅板上に平均直径が１０μｍであるアルミナファイバーを厚さ１００μｍになるように網目状に配置し、その上にフィラーを含まないエポキシ樹脂組成物を塗布して熱プレスすることによってエポキシ樹脂組成物をファイバー内に含浸させるとともにＣステージ状態にまで硬化させ、その後、上記と同様のＢステージ層形成等の工程を行って作製したサンプル（ファイバーの充填率：５０体積％）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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