(57)【要約】【課題】透明基材上に形成された透明導電膜及び遮光性導電膜の積層構造に対して、パターニング工程での導電膜の抵抗値上昇を抑制し腐食を防ぐことのできる、導電性積層体の加工方法を提供する。【解決手段】透明基材上に、透明導電膜、遮光性導電膜、保護膜の積層部を含む成膜を行い、保護膜上へ第一フォトレジスト層を形成し、第一フォトレジスト層を露光し、第一フォトレジスト層を現像し、第一フォトレジスト層のない部分の保護膜をパターニングし、保護膜のない部分の透明導電膜及び遮光性導電膜をエッチングし、第一フォトレジスト層を保護膜が残るように剥離し、透明導電膜、遮光性導電膜及び保護膜が積層されている面へ第二フォトレジスト層を形成し、第二フォトレジスト層を露光し、第二フォトレジスト層を現像し、第二フォトレジスト層のない部分の保護膜及び遮光性導電膜をエッチングし、第二フォトレジスト層を剥離する。【選択図】図４
2013190852.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材の少なくとも一方の面に、透明導電膜、遮光性導電膜、及び保護膜が順次積層された積層部を含むように、成膜が行われてなる、導電性積層体を得る工程と、
前記導電性積層体の前記保護膜上へ第一フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第一フォトレジスト層を部分的に露光する工程と、
現像することにより前記第一フォトレジスト層をパターニングする工程と、
パターニングされた前記第一フォトレジスト層が形成されていない部分の前記保護膜をパターニングする工程と、
パターニングされた前記保護膜が形成されていない部分の前記透明導電膜及び前記遮光性導電膜をエッチングする工程と、
前記第一フォトレジスト層を、前記保護膜を少なくとも一部残すように剥離する工程と、
前記第一フォトレジスト層が剥離された後の、前記透明導電膜、前記遮光性導電膜及び少なくとも一部が残された前記保護膜が積層されている面へ第二フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第二フォトレジスト層を部分的に露光する工程と、
現像することにより前記第二フォトレジスト層をパターニングする工程と、
パターニングされた前記第二フォトレジスト層が形成されていない部分の前記保護膜及び前記遮光性導電膜をエッチングする工程と、
前記第二フォトレジスト層を剥離する工程と、
を備えた導電性積層体の加工方法。
【請求項２】
前記保護膜がアルカリ性に対し溶解性を有することを特徴とする請求項１に記載の導電性積層体の加工方法。
【請求項３】
前記保護膜が二酸化ケイ素であることを特徴とする請求項１または２に記載の導電性積層体の加工方法。
【請求項４】
前記遮光性導電膜が金属膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の導電性積層体の加工方法。
【請求項５】
前記透明導電膜と前記遮光性導電膜と前記保護膜とがロールトゥロール方式で順次積層されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の導電性積層体の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性積層体をパターニングする導電性積層体の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイ画面を指で触れたり、ペンで押圧するだけで入力できる透明タッチパネルが普及している。このタッチパネルの電極として使用される透明導電性基材は基本的にガラスもしくは高分子フィルムに導電膜を積層した構成を有している。特に近年では可撓性、加工性に優れ、軽量である等の点からポリエチレンテレフタレートをはじめとする高分子フィルムを使用した透明導電性フィルムが使用されている。
【０００３】
タッチパネルには、静電容量方式や光学式等の多様な方式のものが存在する。その中で、透明導電フィルムが使用されるのは、上下の電極が接触することでタッチ位置を特定する抵抗膜式や、静電容量の変化を感知する静電容量方式のものである。タッチパネルは、携帯用端末装置及び携帯ゲーム機等のディスプレイ前面に使用されており、そのため、ディスプレイの表示を損なわない透過・反射特性が必要となる。
【０００４】
特に透明導電性フィルムでは、スマートフォンやスレートＰＣに搭載されるタッチパネルの市場が伸びており、主に静電容量方式が採用されている。静電容量方式に使用される透明導電性フィルムは、導電膜をパターニングする必要があるため、導電膜の有無が目立たないような工夫が必要なことや、抵抗膜式と比較して低抵抗であることが要求されている。
【０００５】
タッチパネルの形成に用いられる導電性フィルムは基材に透明導電膜、金属膜を順次積層された導電性フィルムが用いられ、ディスプレイ部に用いられる透明導電膜だけでなく、額縁部に形成される配線部においても、金属膜をエッチングすることによりパターン形成される。パターンを形成する一連の工程において、レジスト剥離をする工程でレジスト直下にある金属膜と剥離液が接触することによる抵抗値上昇が発生する。また、特許文献１に記載されているように、パターニングされた金属膜が腐食してしまう現象に対し、パターン形成後に配線部に防錆機能膜を印刷法やフォトプロセスにより形成する方法が取られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４８５５５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の方法ではパターン形成工程後に金属膜上に防錆保護膜を形成するための工程が必要となる。
【０００８】
本発明は、かかる従来技術の課題に鑑みてなされたもので、その目的は、透明基材上に形成された透明導電膜及び遮光性導電膜の積層構造に対して、パターニング工程の一部であるレジスト剥離による導電膜の抵抗値上昇を抑制するとともに腐食を防ぐことのできる導電性積層体の加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するための手段として、請求項１に記載の発明は、透明基材の少なくとも一方の面に、透明導電膜、遮光性導電膜、及び保護膜が順次積層された積層部を含むように、成膜が行われてなる、導電性積層体を得る工程と、前記導電性積層体の前記保護膜上へ第一フォトレジスト層を形成する工程と、前記第一フォトレジスト層を部分的に露光する工程と、現像することにより前記第一フォトレジスト層をパターニングする工程と、パターニングされた前記第一フォトレジスト層が形成されていない部分の前記保護膜、前記透明導電膜及び前記遮光性導電膜をエッチングする工程と、前記第一フォトレジスト層を剥離する工程と、前記第一フォトレジスト層が剥離された後の、前記透明導電膜、前記遮光性導電膜及び少なくとも一部が残された前記保護膜が積層されている面へ第二フォトレジスト層を形成する工程と、前記第二フォトレジスト層を部分的に露光する工程と、
現像することにより前記第二フォトレジスト層をパターニングする工程と、パターニングされた前記第二フォトレジスト層が形成されていない部分の前記保護膜及び前記遮光性導電膜をエッチングする工程と、前記第二フォトレジスト層を剥離する工程と、を備えた導電性積層体の加工方法である。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、前記保護膜がアルカリ性に対し溶解性を有することを特徴とする請求項１に記載の導電性積層体の加工方法である。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明は、前記保護膜が二酸化ケイ素であることを特徴とする請求項１または２に記載の導電性積層体の加工方法である。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明は、前記遮光性導電膜が金属膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の導電性積層体の加工方法である。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明は、前記透明導電膜と前記遮光性導電膜と前記保護膜とがロールトゥロール方式で順次積層されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の導電性積層体である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、導電性積層体をパターニングする際に必要なフォトレジスト剥離工程において、導電膜が保護膜に覆われた状態となる局面が多いことにより、フォトレジスト直下の導電膜がレジスト剥離液に接触することによって抵抗値上昇することを抑制し、且つ、大気に導電膜が晒されることによる酸化、腐食しにくい導電性積層体の加工を行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態を示すものであり、第１の導電性積層体の構成を示す断面図
【図２】本発明の実施形態を示すものであり、（ａ）は第２の導電性積層体の構成を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の変形例の構成を示す断面図
【図３】本発明の実施形態を示すものであり、第３の導電性積層体の構成を示す断面図
【図４】本発明の実施形態を示すものであり、（ａ）〜（ｋ）は導電性積層体パターニング工程を示す説明図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態を、図面を用いながら説明する。なお、本発明は、以下に記載する実施の形態に限定されうるものではなく、当業者の知識に基づいて設計の変更などの変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれるものである。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態に係る導電性積層体１の構成を示す断面図である。図１において、導電性積層体１は、透明基材２の一方の面に透明導電膜３を、透明導電膜３上に遮光性導電膜４を、遮光性導電膜４の上に保護膜５を、それぞれ備えている。
【００１８】
図２（ａ）は本発明の一実施形態に係る導電性積層体２Ａの構成を示す断面図である。導電性積層体２Ａは、図１に示した導電性積層体１の透明基材２の一方の面に設けられた透明導電膜３と透明基材２との間にハードコート層６が設けられた構成である。その他の実施形態としては、図２（ｂ）のように、図２（ａ）の構成において透明基材２の透明導電膜３及び遮光性導電膜４が設けられていない側の面にもハードコート層６を設けられた、導電性積層体２Ｂも可能である。
【００１９】
図３（ａ）は本発明の一実施形態に係る導電性積層体３Ａの断面図である。導電性積層体３Ａは、図１に示した導電性積層体１の透明基材２の一方の面に設けられた透明導電膜３と透明基材２との間に光学調整層７が設けられた構成である。その他の実施形態としては、図３（ｂ）のように、図２（ａ）で示された構成において、ハードコート層６と透明導電膜３との間に光学調整層７が設けられた構成の導電性積層体３Ｂも可能である。図１〜図３のいずれの導電性積層体も、透明基材２の一方の面に、透明導電膜３、遮光性導電膜４、及び保護膜５が順次積層された積層部を含むように、成膜が行われてなるものである。また、当該積層部は、透明基材２の一方の面のみならず、他方の面に形成された膜に含まれていてもよい。
【００２０】
図４（ａ）〜（ｋ）は、本発明の導電性積層体をパターニングする工程の一実施形態を説明する断面図である。図４では導電性積層体１を例にとって説明しているが、導電性積層体２Ａ、２Ｂ、３Ａ、および３Ｂなどのその他の導電性積層体にも同様に当てはまる工程である。導電性積層体１にレジスト膜８を形成し、フォトリソグラフィー工程や現像、エッチング、レジスト剥離工程を行うことにより、図１に示した導電性積層体１の透明基材２の一方の面に設けられた透明導電膜３と遮光性導電膜４との回路形成が行われる。
【００２１】
図４（ａ）は図１で示された導電性積層体１であり、レジスト膜形成工程により図４（ｂ）に示されるように保護膜５上にレジスト膜８が形成される。次に露光工程によりパターンが露光され、図４（ｃ）のように露光部９が形成される。次に現像工程により、図４（ｄ）のように露光部９以外のレジスト膜８がアルカリ性を示す現像液により溶解することでパターニングされ、併せてレジスト膜８の直下にある保護膜５、すなわちパターニングされたレジスト膜８が形成されていない部分の保護膜５も当該現像液に溶解することでレジスト膜８のパターンに自己整合してパターニングされる。次にエッチング工程により図４（ｅ）のように露光部９直下以外の、すなわちパターニングされた保護膜８が形成されていない部分の遮光性導電膜４及び透明導電膜３を溶解する。次にレジスト剥離工程により、露光部９であるレジストの剥離が行われる。剥離液にはアルカリ性を示す薬剤を使用するため、露光部９直下にある保護膜５も溶解される。剥離液が直接遮光性導電膜４に触れると酸化等の化学反応により抵抗値が上昇するため、それを防ぐために図４（ｆ）のように保護膜５を少なくとも一部、好ましくは僅かに、遮光性導電膜４上に残すとよい。
【００２２】
図４（ｆ）までの状態であると、ディスプレイ部となる部分に遮光性導電膜４と保護膜５とが残る状態であるため、図４（ｇ）から（ｋ）に示されるように再度現像からレジスト剥離工程を通して、最終的にパターニングが終了する。詳述すると、図４（ｇ）では、少なくとも一部が残された保護膜５上が形成されているパターン上にレジスト膜８が形成される。図４（ｈ）では、露光工程によりパターンが露光され、露光部９が形成される。図４（ｉ）では、現像工程により露光部９以外のレジスト膜８及び保護膜５がアルカリ性を示す現像液により溶解することでパターニングされる。図４（ｊ）では、パターニングされた保護膜５が形成されていない部分の遮光性導電膜４がエッチングされる。図４（ｋ）ではレジスト剥離工程により、露光部９であるレジストの剥離が行われる。このように、本実施形態によれば、導電性積層体をパターニングする際に必要なフォトレジスト剥離工程において、導電膜が保護膜に覆われた状態となる局面が多いことにより、フォトレジスト直下の導電膜がレジスト剥離液に接触することによって抵抗値上昇することを抑制し、且つ、大気に導電膜が晒されることによる酸化、腐食しにくい導電性積層体の加工を行うことが出来る。
【００２３】
本発明で用いる透明基材２は、樹脂からなるプラスチックフィルムが用いられる。プラスチックフィルムとしては、成膜工程および後工程において十分な強度があり、表面の平滑性が良好であれば、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリアリレートフィルム、環状ポリオレフィンフィルム、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。その厚さは部材の薄型化と基材の可撓性とを考慮し、１０μｍ以上２００μｍ以下程度のものが用いられる。
【００２４】
透明基材２に含有される材料としては、周知の種々の添加剤や安定剤、例えば帯電防止剤、可塑剤、滑剤、易接着剤などが使用されてもよい。各層との密着性を改善するため、前処理としてコロナ処理、低温プラズマ処理、イオンボンバード処理、薬品処理などを施してもよい。
【００２５】
本発明で用いるハードコート層６は、導電性積層体に機械的強度を持たせるために設けられる。用いられる樹脂としては、特に限定はしないが、透明性と適度な硬度と機械的強度を持つ樹脂が好ましい。具体的には３次元架橋の期待できる３官能以上のアクリレートを主成分とするモノマー又は架橋性オリゴマーのような光硬化性樹脂が好ましい。
【００２６】
３官能以上のアクリレートモノマーとしては、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ポリエステルアクリレートなどが好ましい。特に好ましいのは、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレートおよびポリエステルアクリレートである。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用しても構わない。また、これら３官能以上のアクリレートの他にエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリオールアクリレートなどのいわゆるアクリル系樹脂を併用することが可能である。
【００２７】
架橋性オリゴマーとしては、ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどのアクリルオリゴマーが好ましい。具体的にはポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、ポリウレタンのジアクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレートなどがある。
【００２８】
ハードコート層６は、その他に粒子、光重合開始剤などの添加剤を含有してもよい。
【００２９】
添加する粒子としては、有機又は無機の粒子が挙げられるが、透明性を考慮すれば、有機粒子を用いることが好ましい。有機粒子としては、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂及びフッ素樹脂などからなる粒子が挙げられる。
【００３０】
粒子の平均粒径は、ハードコート層６の厚みによって異なるが、ヘイズ等の外観上の理由により、下限として２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、上限としては３０μｍ以下、好ましくは１５μｍ以下のものを使用する。また、粒子の含有量も同様の理由で、樹脂に対し、０．５重量％以上５重量％以下であることが好ましい。
【００３１】
光重合開始剤を添加する場合、ラジカル発生型の光重合開始剤として、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルメチルケタールなどのベンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン、２、２、−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、などのアセトフェノン類、メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−アミルアントラキノンなどのアントラキノン類、チオキサントン、２、４−ジエチルチオキサントン、２、４−ジイソプロピルチオキサントンなどのチオキサントン類、アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタールなどのケタール類、ベンゾフェノン、４、４−ビスメチルアミノベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類及びアゾ化合物などがある。これらは単独または２種以上の混合物として使用でき、さらにはトリエタノールアミン、メチルジエタノールアミンなどの第３級アミン、２−ジメチルアミノエチル安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸エチルなどの安息香酸誘導体などの光開始助剤などと組み合わせて使用することができる。
【００３２】
上記光重合開始剤の添加量は、主成分の樹脂に対して０．１重量％以上５重量％以下であり好ましくは０．５重量％以上３重量％以下である。下限値未満では樹脂層の硬化が不十分となり好ましくない。また、上限値を超える場合は、樹脂層の黄変を生じたり、耐候性が低下したりするため好ましくない。光硬化型樹脂を硬化させるのに用いる光は紫外線、電子線、あるいはガンマ線などであり、電子線あるいはガンマ線の場合、必ずしも光重合開始剤や光開始助剤を含有する必要はない。これらの線源としては高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプや加速電子などが使用できる。
【００３３】
また、ハードコート層６の厚みは、特に限定されないが、０．５μｍ以上１５μｍ以下の範囲が好ましい。また、透明基材２と屈折率が同じかもしくは近似していることがより好ましく、１．４５以上１．７５以下程度が好ましい。
【００３４】
ハードコート層６の形成方法は、主成分である樹脂等を溶剤に溶解させ、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーターなどの公知の塗布方法で形成する。
【００３５】
溶剤については、上記の主成分の樹脂等を溶解するものであれば特に限定しない。具体的には、溶剤として、エタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、などが挙げられる。これらの溶剤は１種を単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００３６】
本発明における光学調整層７は、高屈折率層単層、または、低屈折率層単層、または、高屈折率薄膜と低屈折率薄膜とを各１層以上交互に積層した積層構造を備える。光学調整層７を積層構造とし、各層の膜厚を調整することにより、透明導電性フィルムの全光線透過率、色相を調整することができる。
【００３７】
本発明の光学調整層７における高屈折率層とは、光の波長５５０ｎｍでの屈折率が１．７５以上２．４以下であり、消衰係数が０．５以下の層とすることが好ましい。
【００３８】
高屈折率層形成材料としては、例えば、インジウム、錫、チタン、珪素、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、マグネシウム、ビスマス、セリウム、クロム、白金、炭素、タンタル、アルミニウム、ゲルマニウム、ガリウム、アンチモン、ネオジウム、ランタン、トリウム、ハフニウム、イットリウム、ロジウム、セレニウム、ユーロピウム、イッテルビウム、スカンジウム、プラセオジウム、サマリウム等の元素、または、これらの元素の酸化物、弗化物、硫化物、窒化物、または、酸化物、弗化物、硫化物、窒化物の混合物等が挙げられる。酸化物、弗化物、硫化物、窒化物の化学組成は、化学量論的な組成と一致しなくてもよい。なお、高屈折率層を複数層設ける場合、高屈折率層形成材料は同一であってもよいし、異なっていても構わない。
【００３９】
本発明の光学調整層７における低屈折率層とは、光の波長５５０ｎｍでの屈折率が１．３以上１．７５未満、消衰係数が０．５以下の層とすることが好ましい。
【００４０】
低屈折率層形成材料としては、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化チタン、弗化マグネシウム、弗化バリウム、弗化カルシウム、弗化ハフニウム、弗化ランタン、弗化ナトリウム、弗化アルミニウム、弗化炭素、弗化鉛、弗化ストロンチウム、弗化イッテルビウム、弗化ネオジウム、弗化リチウム、弗化サマリウム等の化合物、または、これら化合物の混合物等が挙げられる。これら化合物の化学組成は、化学量論的な組成と一致しなくてもよい。なお、低屈折率層を複数層設ける場合、低屈折率層形成材料は同一であってもよいし、異なっていても構わない。
【００４１】
本発明における高屈折率層および低屈折率層は、蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法等の真空成膜法により形成されることが好ましい。
【００４２】
透明導電膜３は、特に限定はしないが、透明かつ導電性を備えている必要がある。例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、それらの混合酸化物、さらには、その他必要に応じて、Ａｌ、Ｚｒ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｗ等の添加物を含有させるなど、目的・用途により種々の材料が使用でき、特に限定されるものではない。現在のところ、最も信頼性が高く、多くの実績のある材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。さらに、導電性ポリマーを用いても良く、導電性ポリマーとしてはπ共役系高分子が用いられる。例えばポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリアニリン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリフェニレンスルフィド、ポリピリジルビニレン、及びポリアジン等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、また、目的に応じて２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でもポリエチレンジオキシチオフェンは表面抵抗値が数百Ω/□程度で透明性が比較的良好であり、好適に用いることが可能である。
【００４３】
本発明における透明導電膜３は、蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法等の真空成膜法により形成されることが好ましい。ただし、導電性ポリマーを用いる場合には、スピンコート法、ローラコート法、バーコート法、ディップコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、ダイコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、ニーダーコート法等の塗布法や、スクリーン印刷法、スプレー印刷法、インクジェット印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法等の印刷法コート等によるコーティングで塗布される。
【００４４】
本発明における遮光性導電膜４は、特に限定はしないが、導電率が高く、遮光性の良い単一の金属膜やそれらの合金又は化合物などからなる層が挙げられ、蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法等の真空成膜法により形成されることが好ましい。金属の一例としては、アルミニウム、銅、銀、錫などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。その中で、銅からなる遮光性導電膜４は安価で導電性に優れ、容易にエッチングできる点で特に好ましい。厚みは３０ｎｍ以上であり、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００４５】
透明導電膜３をエッチングするために用いられるエッチャントは、使用する材料に応じて選定すればよく、例えば、塩酸、シュウ酸、硫酸、塩化第二鉄、王水、硫酸加水、リン硝酢酸、フッ化アンモニウム等が挙げられるが、特に限定されるものではない。また、遮光性導電膜４のみを選択的にエッチングするために、透明導電膜３ではエッチングされないが、遮光性導電膜４はエッチングされるエッチャントが必要となる。例えば、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４６】
本発明における保護膜５は、特に限定はしないが、アルカリ性に溶解性を有する材料であれば良く、例えば二酸化ケイ素が用いられる。厚みは現像工程における薬液の種類、温度、現像時間等の条件に合わせて、フォトレジストの無い部分が完全に溶解され、かつ、レジスト剥離工程において、遮光性導電膜４の上に保護膜５が残るように設計されることが好ましい。これによりレジスト剥離工程における剥離液の遮光性導電膜４へのアタックによる抵抗値上昇を防ぐことができ、且つ、保護膜５が遮光性導電膜４に残ることで、大気に触れることなどでの酸化、腐食の抑制をすることができる。
【００４７】
現像工程に用いられる現像液は、特に限定はしないが、ｐＨが９．８以上のアルカリ性を示す材料であることが好ましく、例えば炭酸ナトリウムやモノエタノールアミン、トリエタノールアミンを主成分とした現像液が挙げられる。ｐＨが９．８未満であると、保護膜５が溶解されにくく、保護膜５が残ることにより遮光性導電膜４をエッチング出来なくなる恐れがある。
【００４８】
レジスト剥離工程に用いられる剥離液は、特に限定はしないが、例えば、水酸化ナトリウム、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、２-アミノエタノール、アルカノールアミンを主成分とした剥離液が挙げられる。
【実施例】
【００４９】
次に実施例及び比較例について説明する。
【００５０】
＜実施例１＞
透明基材２として厚さ１２５μｍのニ軸延伸ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、両面にハードコート層を塗布した。透明基材２の一方の面に透明導電膜、遮光性導電膜、保護膜を順にマグネトロンスパッタリング法によりインラインで成膜を行い、導電性積層体を作製した。透明導電膜にはＩＴＯ、遮光性導電膜にはＣｕ、保護膜にはＳｉＯ2を用いた。透明導電膜と遮光性導電膜と保護膜とは、ロールトゥロール方式で順次積層することもできる。次に現像液には炭酸ナトリウム３％水溶液、Ｃｕエッチングのエッチャントには過硫酸ナトリウム１５％水溶液、ＩＴＯエッチングにはシュウ酸５％水溶液、レジスト剥離にはモノエタノールアミンを主成分とした剥離液を使用し、図４（ａ）から（ｋ）までのパターニング工程を通すことにより、透明導電膜及び遮光性導電膜のパターニングを行った。
【００５１】
＜実施例２＞
レジスト剥離液に水酸化ナトリウム３％水溶液を使用する以外は実施例１と同様の方法で透明導電膜、遮光性導電膜のパターニングを行った。
【００５２】
＜比較例１＞
導電性積層体を作成するにあたり、遮光性導電膜上に保護膜を設けない以外は実施例１と同様の方法で導電膜、遮光性導電膜のパターニングを行った。
【００５３】
＜比較例２＞
比較例１と同様に保護膜を設けない導電性積層体を用いて、実施例２と同様の方法で透明導電膜、遮光性導電膜のパターニングを行った。
【００５４】
得られた導電性積層体を下記評価方法にて評価した。
【００５５】
［評価方法１］
透明導電膜の抵抗値：三菱化学アナリテック社製の表面抵抗測定装置Ｌｏｒｅｓｔａ ＧＰを用いて表面抵抗値を４端子法で測定した。
【００５６】
実施例１及び２、比較例１、２の表面抵抗値測定結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】
2013190852.tif 000003
【００５８】
比較例１及び２では表面抵抗値の上昇率が１７〜３１％程度となり、レジスト剥離工程での剥離液でのアタックの影響を受けているのに対し、実施例１及び２で得られた導電性積層体はパターニング前の表面抵抗値に対し、表面抵抗値の上昇率が４〜７％程度に抑えられている結果となった。これにより、本発明の有効性を確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、電子機器のディスプレイ上に入力デバイスとして取り付けられる透明なタッチパネルの製造や、フレキシブルディスプレイの電極の製造などに用いられる。
【符号の説明】
【００６０】
１、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ…導電性積層体
２…透明基材
３…透明導電膜
４…遮光性導電膜
５…保護膜
６…ハードコート層
７…光学調整層
８…レジスト膜
９…露光部
【図１】
2013190852.tif 000004
【図２】
2013190852.tif 000005
【図３】
2013190852.tif 000006
【図４】
2013190852.tif 000007