(57)【要約】【課題】クラックの発生がなく、反りの少ない無電解Ｎｉめっき被膜を有する構造物、及び半導体ウェハに無電解めっきにてＵＢＭを形成した際、Ｎｉめっき被膜にクラックの発生がなく、反りの少ない半導体ウェハおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基材上に無電解Ｎｉめっきにより形成されたＮｉめっき被膜を有する構造物であって、該Ｎｉめっき被膜が、柱状晶のＮｉめっき被膜が形成される無電解Ｎｉめっきと、非晶質のＮｉめっき被膜が形成される無電解Ｎｉめっきにより形成され、該柱状晶のＮｉめっき被膜が、Ｎｉめっき被膜の全膜厚の５０〜９０％に相当する分形成された後に、該柱状晶Ｎｉめっき被膜上に、非晶質のＮｉめっき被膜がＮｉめっき被膜の全膜厚の１０〜５０％に相当する分形成されてなる無電解Ｎｉめっき被膜を有する構造物、及び前記Ｎｉめっき被膜が、基材の電極表面上に形成されている構造物を備える半導体ウェハ。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に無電解Ｎｉめっきにより形成されたＮｉめっき被膜を有する構造物であって、該Ｎｉめっき被膜が、柱状晶のＮｉめっき被膜が形成される無電解Ｎｉめっきと、非晶質のＮｉめっき被膜が形成される無電解Ｎｉめっきにより形成され、該柱状晶のＮｉめっき被膜が、Ｎｉめっき被膜の全膜厚の５０〜９０％に相当する分形成された後に、該柱状晶Ｎｉめっき被膜上に、非晶質のＮｉめっき被膜がＮｉめっき被膜の全膜厚の１０〜５０％に相当する分形成されてなることを特徴とする無電解Ｎｉめっき被膜を有する構造物。
【請求項２】
前記Ｎｉめっき被膜が、基材の電極表面上に形成されていることを特徴とする請求項１記載の無電解Ｎｉめっき被膜を有する構造物。
【請求項３】
請求項２に記載の無電解Ｎｉめっき被膜を有する構造物を備えることを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項４】
基材の電極表面上に、無電解めっきによって形成されたＮｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄのいずれかの被膜を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体ウェハ。
【請求項５】
前記電極の最表面がアルミ系または銅系で形成されていることを特徴とする請求項３または４記載の半導体ウェハ。
【請求項６】
最終製品のウェハの厚みが３００μｍ以下であることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の半導体ウェハ。
【請求項７】
電極の最表面がアルミ系または銅系で形成されている半導体ウェハの電極上に、無電解Ｎｉめっきにより、引張り応力が５ＭＰａ未満となる柱状晶のＮｉめっき被膜がＮｉめっき被膜の全膜厚の５０〜９０％に相当する分形成された後、該柱状晶Ｎｉめっき被膜上に、引張り応力が５ＭＰａ以上となる非晶質のＮｉめっき被膜がＮｉめっき被膜の全膜厚の１０〜５０％に相当する分形成されてなることを特徴とする請求項３〜６のいずれか一項に記載の半導体ウェハ。
【請求項８】
請求項３〜７のいずれか一項に記載の半導体ウェハの製造方法であって、電極の最表面がアルミ系または銅系で形成されている半導体ウェハの電極上に、無電解Ｎｉめっきにより、引張り応力が５ＭＰａ未満となる柱状晶のＮｉめっき被膜をＮｉめっき被膜の全膜厚の５０〜９０％に相当する分形成した後、該柱状晶Ｎｉめっき被膜上に、引張り応力が５ＭＰａ以上となる非晶質のＮｉめっき被膜をＮｉめっき被膜の全膜厚の１０〜５０％に相当する分形成することを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無電解Ｎｉめっき被膜を有する構造物、及び該構造物を備える半導体ウェハ及びその製造方法に関し、更に半導体ウェハにＵＢＭ（アンダーバンプメタル）を形成した際、ウェハの反りの少ない半導体ウェハ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージング技術の小型化、高集積化に伴ない、ＬＳＩやＩＣなどのチップの接合方法としてワイヤボンディング法からフリップチップ法への移行が広がっており、フリップチップ法においては金属電極とはんだの接合を目的としたＵＢＭの形成が必須とされている。
【０００３】
ＵＢＭの形成方法としては、低コストが期待される無電解めっき法により形成することが増えてきている。無電解めっきによりＵＢＭを形成する方法としては、半導体ウェハ上のアルミニウム系金属表面に、ジンケート処理を行った後、無電解ニッケルめっきと無電解金めっきによりＮｉ／Ａｕ被膜のＵＢＭを形成する方法が一般的である。また、めっきしたウェハが高温または高湿下に晒される場合には、ＮｉがＡｕ被膜中に拡散し、表面に析出してＮｉ酸化物が形成され、はんだ濡れ性やワイヤボンディング性に悪影響を及ぼすため、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきを順次行い、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ被膜とすることが一般的である。各めっき被膜の膜厚は用途によって様々であるが、フリップチップのようなはんだ接合を必要とする場合には、Ｎｉ被膜は、はんだの拡散防止の観点から１．５μｍ以上が必要である。また、Ａｕ被膜は、はんだ接合では０．０３μｍ以上、ワイヤボンディングを行う場合では０．１０μｍ以上の膜厚が必要となる。Ｐｄ被膜は、Ｎｉの拡散防止の観点から０．０２μｍ以上が必要である。
【０００４】
パワー半導体の分野では、ＩＣチップの裏側がドレイン電極として使うためＩＣチップの裏側に金属を形成させる必要がある。通常、無電解めっきにより表面のＵＢＭを形成させる場合、ウェハ表面に無電解Ｎｉ／ＡｕまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきを行った後、バックグラインディング処理を行い、その後、裏面電極をスパッタ法で形成させる。一般的にはＴｉ／Ｎｉ／Ａｕ被膜を形成させる。その後、電気特性を測定した後、ダイシングを行い、チップ化する。
パワー半導体の一部の分野ではチップの軽薄短小化や低抵抗化のため、チップの薄膜化の要求が強く、１００μｍ以下のチップ厚みの半導体デバイスが製品として実用化されている。
【０００５】
しかしながら、電極上に１．５μｍ以上の無電解Ｎｉめっきを行うと、Ｎｉめっき被膜の応力によってウェハをバックグラインディングで薄くした場合に、はんだリフロー等の加熱時に反りが生じる。無電解めっきを行う電極面積が大きいほど、またウェハ厚を薄くすればするほど反りが大きくなり、その後の工程を進めることが困難となる。
【０００６】
このような反りの問題の解決策として、電極を分離してめっきする方法（特許文献１）やＮｉめっき液の添加剤等の組成を改良することによりＮｉ被膜を低応力化する方法（例えば、特許文献２）等が出願されている。前者は、応力が若干は緩和されるが、本来、Ｎｉ被膜に応力が存在しているため根本的な反り対策とはならない。また後者は、ウェハの反りの改善が可能であるが、低応力タイプのＮｉめっき被膜は厚膜化すると被膜にクラックが発生しやすく特性上問題となる。このように低応力タイプのＮｉめっきでクラックが発生するのは、低応力タイプのＮｉめっきはウェハ表面に対して垂直方向に成長して柱状晶となり、その粒界どうしの結合が弱いためと考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−３８１４０号公報
【特許文献２】特開２００５−２００７０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、クラックの発生がなく、反りの少ない無電解Ｎｉめっき被膜を有する構造物、及び半導体ウェハに無電解めっきにてＵＢＭを形成した際、Ｎｉめっき被膜にクラックの発生がなく、反りの少ない半導体ウェハおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは鋭意検討を行なった結果、基材上に低応力タイプの無電解Ｎｉめっきでめっきを行った後、通常のＮｉめっきを行うことにより、無電解Ｎｉめっき被膜を厚膜化してもクラックが発生しないことを見出した。そして半導体ウェハに前記低応力タイプの無電解Ｎｉめっきと、通常のＮｉめっきを行うことにより、ウェハをバックグラインディングして薄くしても、はんだリフロー等の加熱時に生じる反りが少なく、Ｎｉ被膜中にクラックも発生しないことを見出した。この際のＮｉ被膜の構造は、低応力タイプのＮｉめっきは柱状晶となり、通常のＮｉめっきは非晶質となる。
【００１０】
即ち、本発明は以下のとおりである。
（１）基材上に無電解Ｎｉめっきにより形成されたＮｉめっき被膜を有する構造物であって、該Ｎｉめっき被膜が、柱状晶のＮｉめっき被膜が形成される無電解Ｎｉめっきと、非晶質のＮｉめっき被膜が形成される無電解Ｎｉめっきにより形成され、該柱状晶のＮｉめっき被膜が、Ｎｉめっき被膜の全膜厚の５０〜９０％に相当する分形成された後に、該柱状晶Ｎｉめっき被膜上に、非晶質のＮｉめっき被膜がＮｉめっき被膜の全膜厚の１０〜５０％に相当する分形成されてなることを特徴とする無電解Ｎｉめっき被膜を有する構造物。
（２）前記Ｎｉめっき被膜が、基材の電極表面上に形成されていることを特徴とする前記（１）記載の無電解Ｎｉめっき被膜を有する構造物。
（３）前記（２）に記載の無電解Ｎｉめっき被膜を有する構造物を備えることを特徴とする半導体ウェハ。
（４）基材の電極表面上に、無電解めっきによって形成されたＮｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄのいずれかの被膜を有することを特徴とする前記（３）に記載の半導体ウェハ。
（５）前記電極の最表面がアルミ系または銅系で形成されていることを特徴とする前記（３）または（４）記載の半導体ウェハ。
（６）最終製品のウェハの厚みが３００μｍ以下であることを特徴とする前記（３）〜（５）のいずれか一項に記載の半導体ウェハ。
（７）電極の最表面がアルミ系または銅系で形成されている半導体ウェハの電極上に、無電解Ｎｉめっきにより、引張り応力が５ＭＰａ未満となる柱状晶のＮｉめっき被膜がＮｉめっき被膜の全膜厚の５０〜９０％に相当する分形成された後、該柱状晶Ｎｉめっき被膜上に、引張り応力が５ＭＰａ以上となる非晶質のＮｉめっき被膜がＮｉめっき被膜の全膜厚の１０〜５０％に相当する分形成されてなることを特徴とする前記（３）〜（６）のいずれか一項に記載の半導体ウェハ。
（８）前記（３）〜（７）のいずれか一項に記載の半導体ウェハの製造方法であって、電極の最表面がアルミ系または銅系で形成されている半導体ウェハの電極上に、無電解Ｎｉめっきにより、引張り応力が５ＭＰａ未満となる柱状晶のＮｉめっき被膜をＮｉめっき被膜の全膜厚の５０〜９０％に相当する分形成した後、該柱状晶Ｎｉめっき被膜上に、引張り応力が５ＭＰａ以上となる非晶質のＮｉめっき被膜をＮｉめっき被膜の全膜厚の１０〜５０％に相当する分形成することを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の、基材上に、無電解Ｎｉめっきにより柱状晶のＮｉめっき被膜がＮｉめっき被膜全膜厚の５０〜９０％に相当する分形成された後、該柱状晶Ｎｉめっき被膜上に、非晶質のＮｉめっき被膜がＮｉめっき被膜全膜厚の１０〜５０％に相当する分形成されてなる無電解Ｎｉめっき被膜を有する構造物は、Ｎｉめっき被膜にクラックの発生がなく、更にはんだリフロー等の加熱時に生じる反りを少なくすることができる。
また、本発明によれば、半導体ウェハの電極の最表面を無電解めっきで形成する際、低応力タイプの無電解Ｎｉめっきを行うことにより柱状晶のＮｉめっき被膜をＮｉめっき被膜全膜厚の５０〜９０％に相当する分形成した後、該柱状晶Ｎｉめっき被膜上に、通常のＮｉめっきを行うことにより非晶質のＮｉめっき被膜を、Ｎｉめっき被膜全膜厚の１０〜５０％に相当する分形成することにより、ウェハをバックグラインディングして薄くしてもはんだリフロー等の加熱時に生じる反りが少なく、更にはＮｉ被膜表面にクラックも発生しない。従って、本発明の半導体ウェハは、ウェハを薄くした後の製造工程を支障なく円滑に進めることが可能となり、また、クラックが無いためその品質特性にも問題を生じることはない。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の構成について説明する。
本発明の、基材上に無電解Ｎｉめっきにより形成されたＮｉめっき被膜を有する構造物は、該Ｎｉめっき被膜が、柱状晶のＮｉめっき被膜が形成される無電解Ｎｉめっきと、非晶質のＮｉめっき被膜が形成される無電解Ｎｉめっきにより形成され、該柱状晶のＮｉめっき被膜がＮｉめっき被膜全膜厚の５０〜９０％に相当する分形成された後、該柱状晶Ｎｉめっき被膜上に、非晶質のＮｉめっき被膜がＮｉめっき被膜全膜厚の１０〜５０％に相当する分形成されてなる。
前記柱状晶のＮｉめっき被膜は低応力タイプの無電解Ｎｉめっきにより、前記非晶質のＮｉ被膜は、通常タイプの無電解Ｎｉめっきにより形成することができる。低応力タイプの無電解Ｎｉめっきは、Ｎｉ被膜が引張り応力が５ＭＰａ未満のものであり、通常タイプの無電解Ｎｉめっきは、引張り応力が５ＭＰａ以上のものである。
低応力タイプの無電解Ｎｉめっきを行うとめっき被膜は柱状晶（縦方向にめっきが成長）となり、クラックが発生する場合が多い。一方、通常タイプの無電解Ｎｉめっきは、めっき被膜は非晶質であり、クラックの発生は見られない。しかし、非晶質の被膜は、厚くすると、応力が発生し、反りが発生し易い。
従って、低応力タイプの無電解Ｎｉめっきを行った際には、柱状晶となりクラックが発生しやすいが、その上に通常タイプの無電解Ｎｉめっきを行い、非晶質のめっき被膜を形成することにより、クラックの発生を防ぐことができる。即ち、柱状晶の被膜にクラックが発生している場合は、非晶質の被膜でそのクラック埋めることができ、表面にクラックが発生するのを防ぐことができる。またクラックが発生しやすい柱状晶の被膜の上に非晶質の被膜を形成することによりクラックが発生しにくくなり、クラックの発生を防止することができる。クラックを防止するためには、非晶質のＮｉめっき被膜をＮｉめっき被膜の全膜厚の１０〜５０％の膜厚に形成させる。１０％より薄いとクラックを十分に防止することができず、５０％を超えるとＮｉ被膜に応力が発生し、めっき後の工程で反りが発生するようになる。
【００１３】
低応力タイプの無電解Ｎｉめっきに用いるめっき液としては、柱状晶のＮｉめっき被膜が形成される公知の低応力タイプのめっき液を用いることができ、例えば、ＪＸ日鉱金属商事製ＫＧ−５３１、（株）ワールドメタル製リンデン２０４Ｌ等が挙げられ、好ましく用いることができる。
また、めっき条件としても公知の一般的なめっき条件でめっきすることができる。
そして、これらのめっき液を用いて形成されたＮｉ被膜は引張り応力が５ＭＰａ未満となる。
【００１４】
通常タイプの無電解Ｎｉめっきに用いるめっき液としては、非晶質のＮｉめっき被膜が形成される公知の通常タイプのめっき液を用いることができ、例えば、ＪＸ日鉱日石金属製ＵＢＮ−１８、ＪＸ日鉱金属商事製ＫＧ−５３５等が挙げられ、好ましく用いることができる。
また、めっき条件としても公知の一般的なめっき条件でめっきすることができる。
そして、これらのめっき液を用いて形成されたＮｉ被膜は引張り応力が５ＭＰａ以上となる。
【００１５】
尚、無電解Ｎｉめっきにより得られたＮｉめっき被膜が柱状晶であるか、非晶質であるかは、断面ＳＥＭ観察を行い、結晶状態を観察することにより判断することができる。
ここで、本発明において、柱状晶とは、断面ＳＥＭ観察において“柱状”の結晶組織を持つ多結晶組織であり、ウェハ表面に対して垂直方向に長く延びた結晶組織の領域が５０面積％以上あるものをいう。また、非晶質とは、断面ＳＥＭ観察において三次元的に規則正しい結晶構造を持たない固体物質であり、結晶のような長距離秩序はないが、短距離秩序はある物質の状態の領域が５０面積％以上あるものをいう。
断面の観察において、結晶形が判断しにくい場合は、ソフトエッチングを行うことにより結晶形を判明しやすくすることができる。
また、引っ張り応力は、例えば、ストリップ式応力試験器で測定することができる。
【００１６】
本発明の無電解Ｎｉめっき被膜を有する構造物は、薄くしても加熱時等に生じる反りが少なく、Ｎｉ被膜表面にクラックも発生しないので、基材上に無電解Ｎｉめっき被膜を有する各種の構造物として有用である。
前記基材としては、無電解Ｎｉめっき被膜を形成した際に反りの発生が問題となる基材に適用することができ、例えば、半導体ウェハに用いる電極を備えた基板、フレキシブル基板等が挙げられる。
特に基材の電極上に前記無電解Ｎｉめっき被膜を形成した構造物は、ＵＢＭとして無電解Ｎｉめっき被膜を形成した半導体ウェハとして好適に用いることができる。
【００１７】
本発明の半導体ウェハは、ＵＢＭの形成を無電解めっきで行うものであればどのようなウェハでもよい。但し、めっき面積が大きくウェハ面積に対するめっきされる面積の割合が大きいほど、めっきの応力が大きくなり反りやすくなるため、めっきされる面積の割合が大きいほど本発明の効果が大きく発現する。ウェハ厚みは特に制限が無いが、薄いほど反りやすくなるため、薄いほど本発明の効果が大きく発現する。最終製品のウェハの厚みが３００μｍ以下で効果が大きくなり、さらには１５０μｍ以下で顕著な効果を発揮する。めっき面積の割合が大きく、薄膜化の要求の高いパワー半導体に適している。
前記最終製品とは、本発明においては、ダイシングを行う直前のウェハを言う。
【００１８】
ウェハとしては、シリコンウェハを用いることができ、通常の工程により、電極を形成し、電極表面の最表面を銅系またはアルミ系表面とした後、本発明に係る無電解めっきを行うことが好ましい。その後、バックグラインディングして薄ウェハとし、裏面電極をスパッタや蒸着等により形成させる。また、無電解めっきとバックグラインディングの工程を入れ替えて、バックグラインディングを行ってから本発明に係る無電解めっきを行い、裏面電極の形成を行っても良い。
また、ウェハとしてはＧａＡｓ基板を用いることもできる。この場合、電極表面の最表面をＡｕ表面としたのち、本発明に係る無電解めっきを行うことが好ましい。
【００１９】
上述した電極表面の銅系としては、半導体ウェハの電極として用いられている公知の銅系のものでよく、例えば、純銅、リン青銅等の銅および銅合金が使用できる。アルミ系としては、半導体ウェハの電極として用いられている公知のアルミ系のものでよく、例えば純アルミ、ＡｌＣｕ（０．５％）、ＡｌＳｉ（１％）等のアルミ合金等が使用できる。
【００２０】
無電解めっきは、市販の前処理やめっき薬品を用いて、一般的なプロセスにより、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ被膜を形成させることができる。
例えば、電極が銅系表面でＮｉ／Ａｕめっきの場合、以下のプロセスになる。
脱脂→ソフトエッチング→酸浸漬→アクチベーション（触媒付与）→Ｎｉめっき
→Ａｕめっき
また、電極がアルミ系表面、Ｎｉ／Ａｕめっきの場合、以下のプロセスになる。
脱脂→ソフトエッチング→酸浸漬→一次ジンケート→酸浸漬→二次ジンケート
→Ｎｉめっき→Ａｕめっき
【００２１】
この際、無電解Ｎｉめっきは、低応力タイプでＮｉめっき被膜の全膜厚の５０〜９０％の膜厚で形成した後、通常タイプで１０〜５０％の膜厚で形成させる。低応力タイプの無電解Ｎｉめっきは、Ｎｉ被膜が引張り応力が５ＭＰａ未満のものであり、通常タイプの無電解Ｎｉめっきは、引張り応力が５ＭＰａ以上のものである。低応力タイプの無電解Ｎｉめっきはめっきを行うとめっき被膜は柱状晶（縦方向にめっきが成長）となり、クラックが発生する場合が多い。一方、通常タイプの無電解Ｎｉめっきは、めっき被膜は非晶質であり、クラックの発生は見られない。低応力タイプの無電解Ｎｉめっきを行った際には、クラックが発生し易く、その上に通常タイプの無電解Ｎｉめっきを行い、非晶質のめっき被膜を形成することによりクラックの発生を防止することができる。そのためには、非晶質のめっき被膜をＮｉめっき被膜の全膜厚に対して１０〜５０％形成させる。１０％より薄いとクラックを十分に埋めることができず、５０％を超えるとＮｉ被膜に応力が発生し、めっき後の工程で反りが発生するようになる。
柱状晶のめっき被膜と非晶質のめっき被膜の膜厚の割合は、以下のように求めることができる。例えば、低応力タイプの無電解Ｎｉめっきで柱状晶のめっき被膜を４μｍ形成し、その後、通常タイプの無電解めっきで非晶質のめっき被膜を形成して、Ｎｉめっき被膜全膜厚を５μｍとした場合、非晶質のめっき被膜の膜厚は１μｍとする。柱状晶のめっき被膜はＮｉめっき被膜全膜厚の８０％であり、非晶質のめっき被膜は全膜厚の２０％となる。
また、柱状晶の無電解Ｎｉめっき被膜と非晶質の無電解Ｎｉめっき被膜を形成した後に、それぞれのＮｉめっき被膜の膜厚を求め、柱状晶のめっき被膜と非晶質のめっき被膜の割合を求めることもできる。
各めっき膜の厚さは、ＳＥＭで断面観察を行い、測定することができる。断面の観察において、結晶形が判断しにくい場合は、ソフトエッチングを行うことにより結晶形を判明しやすくすることができる。
【００２２】
前記無電解Ａｕめっき、無電解Ｐｄめっきに用いるめっき液、めっき方法としては、半導体ウェハのＵＢＭ形成用に用いられている公知のめっき液、めっき方法を用いることができる。
無電解Ａｕめっき液をしては、例えば、ＪＸ日鉱日石金属製ＦＡ−２１０，ＦＡ−５００、ＣＦ−５００，ＣＦ−５００−ＳＳ等が挙げられ、好ましく用いることができる。また、無電解Ｐｄめっき液としては、例えば、ＪＸ日鉱日石金属製ＣＡ−４００等が挙げられ、好ましく用いることができる。
【００２３】
各めっきの膜厚は、ウェハの用途や要求特性により変わってくるが、Ｎｉめっきは、はんだ接合の際には、はんだの拡散防止の観点から１．５μｍ以上が必要であり、好ましくは１．５〜１０μｍである。また、Ａｕ被膜は、はんだ接合では濡れ性の観点から０．０３μｍ以上、ワイヤボンディングを行う場合では０．１０μｍ以上の膜厚が必要となり、好ましくは、はんだ接合では濡れ性の観点から０．０３〜０．５０μｍであり、ワイヤボンディングを行う場合では０．１０〜０．５０μｍである。また、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ仕様のＰｄ被膜は、Ｎｉの拡散防止の観点から０．０２μｍ以上が必要であり、好ましくは０．０２〜０．２０μｍである。
【実施例】
【００２４】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
実施例１
７００μｍ厚のシリコンウェハに、表面の電極最表面が２μｍ厚のＡｌＳｉ（１％）である電極を形成し、バックグラインディングを行い、１２０μｍ厚の６インチのシリコンウェハを作成した（ウェハ面積に対する電極面積は９０％）。このシリコンウェハに以下のプロセスに従い、Ｎｉ（５μｍ厚）／Ａｕ（０．０５μｍ厚）めっきを行った（Ｎｉ被膜の柱状晶８０％、非晶質２０％）。めっきを行った後、はんだリフローを想定して２７０℃、５分間の熱処理を行った。その結果、熱処理後のウェハの反りはみられなかった（反り：０ｍｍ）。また、被膜にはクラックの発生は見られなかった。
脱脂→ソフトエッチング→一次酸浸漬→一次ジンケート→二次酸浸漬
→二次ジンケート→Ｎｉめっき→Ａｕめっき
尚、Ｎｉめっきにおいて、下記ＫＧ−５３１を用いて得られたＮｉめっき被膜は、断面ＳＥＭ観察により柱状晶であることを確認した。また、下記ＵＢＮ−１８を用いて得られたＮｉめっき被膜は断面ＳＥＭ観察により非晶質であることを確認した。
【００２５】
上記プロセスで用いた前処理液およびめっき液は以下の通り。
脱脂液：ＵＡＣ−１６、ＪＸ日鉱日石金属製、５０℃、５分
ソフトエッチング液：ＳＫＤ、ＪＸ日鉱日石金属製、４０℃、５分
一次酸浸漬液：５０％硝酸、関東化学製、２２℃、３０秒
一次ジンケート液：ＵＡＺ１００、ＪＸ日鉱日石金属製、２２℃、３０秒
二次酸浸漬液：５０％硝酸、関東化学製、２２℃、１５秒
二次ジンケート液：ＵＡＺ１００、ＪＸ日鉱日石金属製、２２℃、１５秒
Ｎｉめっき液：ＫＧ−５３１（低応力タイプ）、ＪＸ日鉱金属商事製、８０℃、２０分
ＵＢＮ−１８（通常タイプ）、ＪＸ日鉱日石金属製、８０℃、５分
Ａｕめっき液：ＦＡ−５００、ＪＸ日鉱日石金属製、７５℃、２０分
【００２６】
尚、前記「反り」、及び「クラック」の発生の評価は以下のように行った。
「反り」はウェハを平面上に静置した場合の、平面からウェハの底面の最高点までの高さを「反り」として測定した。測定温度は２２℃とした。
クラックはＳＥＭで観察を行い、クラックが見つかった場合を「あり」とた。
【００２７】
実施例２
Ｎｉめっきを、ＫＧ−５３１を使用して８０℃で１５分、ＵＢＮ−１８を使用して８０℃で１０分めっきを行った（Ｎｉ被膜の柱状晶６０％、非晶質４０％）。それ以外は実施例１の条件でめっきを行い、反りの評価を行った。その結果、熱処理後のウェハの反りは最大１．５ｍｍであった。また、被膜にはクラックの発生は見られなかった。
【００２８】
実施例３
Ｎｉめっきを、ＫＧ−５３１を使用して８０℃で１２．５分、ＵＢＮ−１８を使用して８０℃で１２．５分めっきを行った（Ｎｉ被膜の柱状晶５０％、非晶質５０％）。それ以外は実施例１の条件でめっきを行い、反りの評価を行った。その結果、熱処理後のウェハの反りは最大２．０ｍｍであった。また、被膜にはクラックの発生は見られなかった。
【００２９】
比較例１
Ｎｉめっきを、ＵＢＮ−１８を使用して８０℃で２５分めっきを行った（Ｎｉ被膜の非晶質１００％）。それ以外は実施例１の条件でめっきを行い、反りの評価を行った。その結果、熱処理後のウェハの反りは最大１５．０ｍｍであった。また、被膜にはクラックの発生は見られなかった。
【００３０】
比較例２
Ｎｉめっきを、ＫＧ−５３１を使用して８０℃で１０分、ＵＢＮ−１８を使用して８０℃で１５分めっきを行った（Ｎｉ被膜の柱状晶４０％、非晶質６０％）。それ以外は実施例１の条件でめっきを行い、反りの評価を行った。その結果、熱処理後のウェハの反りは最大７．０ｍｍであった。また、被膜にはクラックの発生は見られなかった。
【００３１】
比較例３
Ｎｉめっきを、ＫＧ−５３１を使用して８０℃で２３分、ＵＢＮ−１８を使用して８０℃で２分めっきを行った（Ｎｉ被膜の柱状晶９２％、非晶質８％）。それ以外は実施例１の条件でめっきを行い、反りの評価を行った。その結果、熱処理後のウェハの反りは最大０．５ｍｍであった。また、被膜にはクラックの発生が見られた。
【００３２】
比較例４
Ｎｉめっきを、ＫＧ−５３１を使用して８０℃で２５分めっきを行った（Ｎｉ被膜の柱状晶１００％）。それ以外は実施例１の条件でめっきを行い、反りの評価を行った。その結果、熱処理後のウェハの反りはみられなかった（反り：０ｍｍ）。また、被膜にはクラックの発生が見られた。