(57)【要約】【課題】被検査体の電極への影響を抑えつつ電極の微細ピッチ化及び微細領域化に対応して効率的に被検査体の検査を行うことができる低コストの検査用治具を提供する。【解決手段】被検査体２１の電極２２に接触される導電性を有する複数の接触子３３が微小電気機械システム技術によって基板３２に形成された検査用プローブ３１と、検査用プローブ３１を支持するプローブブロック１２とを備え、被検査体２１に対して検査用プローブ３１が垂直に配置され、検査用プローブ３１の接触子３３の先端側が基板３２の表面に対して所定角度で屈曲され、プローブブロック１２と被検査体２１とが近接されることにより、被検査体２１に対して垂直方向から近接されて接触子３３の先端からなる接点３５が被検査体２１の電極２２に接触される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極を有する被検査体の検査を行う検査用治具であって、
前記被検査体の前記電極に接触される導電性を有する複数の接触子が微小電気機械システム技術によって基板に形成された検査用プローブと、前記検査用プローブを支持するプローブブロックとを備え、
前記被検査体に対して前記検査用プローブが垂直に配置され、前記検査用プローブの前記接触子の先端側が前記基板の表面に対して所定角度で屈曲され、
前記プローブブロックと前記被検査体とが近接されることにより、前記被検査体に対して垂直方向から近接されて前記接触子の先端からなる接点が前記被検査体の電極に接触されることを特徴とする検査用治具。
【請求項２】
請求項１に記載の検査用治具であって、
前記プローブブロックは、前記被検査体との近接時に、前記被検査体の前記電極に前記接触子が接触した時点からの近接方向への変位量を一定量に規制するストッパーが設けられていることを特徴とする検査用治具。
【請求項３】
請求項２に記載の検査用治具であって、
前記プローブブロックと前記被検査体との近接方向への荷重が所定量となった時点で、前記プローブブロックをスライドさせて前記プローブブロックと前記被検査体との近接方向への荷重を一定にするスライド機構を備えることを特徴とする検査用治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどを検査する際に用いられる検査用治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどは、検査用治具を用いて通電試験等が行われる。このような検査用治具として、カンチレバー構造のプローブ針を基板上に多数備え、絶縁チューブで被覆した各プローブ針の中間部を、基板上の接地配線に接続した一体状の導電材に埋め込んだカンチレバー方式の検査用治具が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、測定対象物の電極パッドに接触する複数本のプローブと、このプローブが取り付けられるプローブヘッドと、プローブと接続される信号線が形成された基板と、信号線とプローブとを接続する導線とを具備し、基板には開口部が設けられており、開口部の縁部が内側に近い程低くなった略雛壇状に形成されており、各層において信号線が露出している垂直型プローブも知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−７１３５８号公報
【特許文献２】特開２０００−１６２２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、電子機器に搭載される被検査体である電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの微細化及び高集積化が積極的に行われており、これに伴い、これらの被検査体の電極も微細ピッチ化及び微細領域化されている。
【０００６】
このような状況において、特許文献１に示されたカンチレバー方式のプローブでは、耐久性を維持すべく一定の針径が必要となるため、被検査体の電極の微細ピッチ化及び微細領域化への適用が困難である。しかも、被検査体の電極へ大きな針痕が形成され、検査工程後における実装工程での不良発生の要因となってしまう。また、電極が被検査体の表面よりも内側に凹んだ箇所に配置されているような段付き形状の被検査体を検査するためには、針先の長さを長くせざるを得ず、針先の接点の位置精度の確保及び電極への押し付け荷重の制御が困難になり、また、耐久性が低下してしまう。
【０００７】
また、特許文献２に示された垂直型プローブでは、プローブを支持するセラミック板に対してプローブを支持するための孔部を、例えば、１００μｍ以下の微細ピッチで形成することが困難である。このため、被検査体の電極の微細ピッチ化に対応することが困難であった。また、プローブを支持するセラミック板が干渉してプローブの接点の電極への接触箇所の確認が困難となる。このため、高価な位置合わせ装置が必要となり、検査コストの増大を招いてしまう。
【０００８】
本発明の目的は、被検査体の電極への影響を抑えつつ電極の微細ピッチ化及び微細領域化に対応して効率的に被検査体の検査を行うことができる低コストの検査用治具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決することのできる本発明の検査用治具は、複数の電極を有する被検査体の検査を行う検査用治具であって、
前記被検査体の前記電極に接触される導電性を有する複数の接触子が微小電気機械システム技術によって基板に形成された検査用プローブと、前記検査用プローブを支持するプローブブロックとを備え、
前記被検査体に対して前記検査用プローブが垂直に配置され、前記検査用プローブの前記接触子の先端側が前記基板の表面に対して所定角度で屈曲され、
前記プローブブロックと前記被検査体とが近接されることにより、前記被検査体に対して垂直方向から近接されて前記接触子の先端からなる接点が前記被検査体の電極に接触されることを特徴とする。
【００１０】
本発明の検査用治具において、前記プローブブロックは、前記被検査体との近接時に、前記被検査体の前記電極に前記接触子が接触した時点からの近接方向への変位量を一定量に規制するストッパーが設けられていることが好ましい。
【００１１】
本発明の検査用治具において、前記プローブブロックと前記被検査体との近接方向への荷重が所定量となった時点で、前記プローブブロックをスライドさせて前記プローブブロックと前記被検査体との近接方向への荷重を一定にするスライド機構を備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、被検査体の電極に接触される導電性を有する複数の接触子が微小電気機械システム技術によって基板に形成された検査用プローブを備えるので、被検査体が微細化及び高集積化された電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどであっても良好に対応して確実に検査することができる。また、微小電気機械システム技術で作製された耐久性の高い検査用プローブを用いることで、繰り返し使用しても不具合の発生を抑えることができ、長寿命化を図ることができる。
【００１３】
また、接触子を屈曲させたので、被検査体の電極へ接点が接触した際に接触子が良好に弾性変形することとなる。これにより、被検査体の電極に対して接触子を安定した接触性を確保しつつ接触させることができ、電極に接触痕を残すような不具合をなくし、電極の損傷を極力防ぐことができる。したがって、検査工程後における被検査体の歩留まりを向上させることができ、被検査体の製造コストを削減することができる。
【００１４】
しかも、被検査体に対して垂直方向から近接して検査を行うことができるので、高価な位置決め装置を用いずに、検査用プローブの接触子と被検査体の電極との位置決めの容易化を図ることができる。また、被検査体に対して垂直方向から近接して検査を行うので、電極が被検査体の表面よりも内側に凹んだ箇所に配置されているような段付き形状であっても、接触子の接点を電極へ接触させて容易に検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る検査用治具の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】本発明に係る検査用治具の一実施形態を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は正面図、（ｄ）は背面図、（ｅ）は裏面図である。
【図３】検査用治具の構成を示す分解斜視図である。
【図４】検査用治具に設けられた検査用プローブの平面図である。
【図５】被検査体へ接触される検査用プローブの接触子の先端における側面図である。
【図６】被検査体への検査用プローブの接触子の接触の仕方を示す図であって、（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ接触子の先端における側面図である。
【図７】検査用治具の他の実施形態に係る斜視図である。
【図８】検査用治具の他の実施形態を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は正面図、（ｄ）は裏面図である。
【図９】検査用プローブの製造工程の一例を示す図であって、（ａ）から（ｉ）は、それぞれ製造途中の検査用プローブの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る検査用治具の実施の形態の例を、図面を参照して説明する。
図１に示すように、本実施形態に係る検査用治具１１は、プローブブロック１２を備えており、被検査体２１の上方に配置される。この検査用治具１１は、プローブブロック１２が検査装置のベース板１５に固定されて用いられる。被検査体２１は、ステージである被検査体ブロック１３の上面に保持されている。被検査体ブロック１３は、プローブブロック１２に対して上下に接離されるようになっている。そして、被検査体２１を検査する際に、被検査体ブロック１３が上昇してプローブブロック１２に近接される。なお、検査用治具１１と被検査体ブロック１３とは別体であり、検査用治具１１としては被検査体ブロック１３を有していなくてもよい。
【００１７】
この検査用治具１１は、高密度配線基板、段付き配線基板、電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの被検査体２１の通電試験を行う際に用いられるものであり、例えば、検査装置へ組み込まれて用いられる。被検査体２１となる表示デバイスとしては、例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）や有機ＥＬディスプレイなどがある。
【００１８】
図２及び図３に示すように、プローブブロック１２は、被検査体ブロック１３側へ突出する支持ブロック部２３を有しており、この支持ブロック部２３の一側部に、固定ブロック２４が固定されている。支持ブロック部２３には、位置決めピン２５及びネジ孔２６が形成されている。また、固定ブロック２４には、位置決めピン２５が挿し込まれる位置決め孔２７及びボルト２８が挿通されるボルト挿通孔２９が形成されている。そして、固定ブロック２４は、その位置決め孔２７に支持ブロック部２３の位置決めピン２５を挿通させ、ボルト挿通孔２９に挿通させたボルト２８を支持ブロック部２３のネジ孔２６へねじ込むことにより、支持ブロック部２３に位置決めされて固定される。
【００１９】
支持ブロック部２３に固定される固定ブロック２４は、プローブ取付部３０を有しており、このプローブ取付部３０の両側面に、検査用プローブ３１が固定されている。なお、固定ブロック２４のプローブ取付部３０への検査用プローブ３１の固定の仕方としては、接着固定、ネジ止め固定あるいはクランプなどが好ましい。
【００２０】
図４に示すように、検査用プローブ３１は、絶縁性材料からなる基板３２と、この基板３２の縁部から外に延在して並列に配置された複数の接触子３３とを有しており、接触子３３は、その先端部が接点３５とされている。この接触子３３は、導電性材料からなり、その基端側が基板３２上に配置されている。また、基板３２には、接触子３３と繋がって導通する配線パターン３４が形成されている。
【００２１】
それぞれの検査用プローブ３１の配線パターン３４は、接触子３３の延出方向に沿う垂直部３４ａと、接触子３３の延出方向に対して直交方向に沿う水平部３４ｂとを有している。各垂直部３４ａは、狭ピッチとされている接触子３３と略同一ピッチに配置されており、水平部３４ｂは、接触子３３のピッチよりも大きなピッチに拡大されて配置されている。このように、接触子３３と繋げられているために狭ピッチとされた垂直部３４ａに対して配線５１が接続される水平部３４ｂのピッチを変換して拡大することで、配線５１を容易に接続することができる。
【００２２】
この検査用プローブ３１は、基板３２上にフォトリソグラフィー等の微小電気機械システム技術であるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて配線パターン３４と微細な接点３５となる接触子３３とを一括形成したものである。
【００２３】
図５に示すように、検査用プローブ３１は、基板３２が被検査体ブロック１３に保持される被検査体２１に対して垂直に配置されており、接触子３３は、基板３２の下縁から被検査体２１側へ延在されている。
【００２４】
また、それぞれの検査用プローブ３１は、接触子３３の先端近傍部分が基板３２側へ屈曲されている。これにより、接触子３３は、屈曲部３６を境に、基板３２に沿って延在する基端側部３３ａと、屈曲部３６から所定角度に傾斜されて延在する先端側部３３ｂとを有している。
【００２５】
この接触子３３の先端近傍部分を屈曲させるには、例えば、プレス加工などの機械的な曲げ加工を施すことが好ましく、このような機械的な曲げ加工によれば、低コストで様々な角度に接触子３３を屈曲させることができる。
【００２６】
上記の検査用プローブ３１が固定された固定ブロック２４のプローブ取付部３０には、各検査用プローブ３１同士の間における接触子３３の配列の間に、被検査体ブロック１３側へ突出するストッパー５０が形成されている。このストッパー５０は、各検査用プローブ３１の接触子３３よりも僅かに被検査体ブロック１３側へ突出されている。
【００２７】
検査用プローブ３１は、配線パターン３４の水平部３４ｂの端部に、半田付け等によって配線５１が導通接続されている。これらの配線５１は、プローブブロック１２の上面を通して後方側へ導かれ、配線コネクタ５２に接続されている。この配線コネクタ５２は、検査装置に設けられた相手方のコネクタ（図示省略）に接続され、検査用プローブ３１からの信号が検査装置へ導かれる。
【００２８】
プローブブロック１２には、固定ブロック２４の上方へ張り出す支持部６０を有しており、この支持部６０の下面に、固定ブロック２４の上端部が当接されている。
【００２９】
また、プローブブロック１２は、位置決め孔６１を有しており、これらの位置決め孔６１に、ベース板１５に形成された位置決めピン６２が挿し込まれてベース板１５に位置決めされる。また、プローブブロック１２は、ボルト挿通孔６３を有しており、これらのボルト挿通孔６３へ挿し込んだボルト６４をベース板１５のネジ孔６５へねじ込むことにより、ベース板１５に固定される。
また、ベース板１５には、切欠き部６７が形成されており、この切欠き部６７に、プローブブロック１２の支持ブロック部２３及び固定ブロック２４が配置されている。
【００３０】
次に、上記構成の検査用治具１１で、高密度配線基板、段付き配線基板、電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの被検査体２１を検査する場合について説明する。
被検査体ブロック１３に被検査体２１を保持させた状態で、被検査体ブロック１３を上昇させ、プローブブロック１２に被検査体ブロック１３を近接させる。
すると、図６（ａ）に示すように、被検査体２１の電極２２に対して検査用プローブ３１の接触子３３の接点３５が接触する。
【００３１】
この状態から、さらにプローブブロック１２に被検査体ブロック１３を近接させると、図６（ｂ）に示すように、被検査体２１の電極２２に接触子３３の接点３５が押し付けられる。これにより、接触子３３は、被検査体２１の電極２２に押し付けられることにより先端側部３３ｂが弾性変形し、この接触子３３の弾性力によって接点３５が被検査体２１の電極２２に押圧され、電極２２と接触子３３とが導通接触される。
【００３２】
また、プローブブロック１２の固定ブロック２４に形成されたストッパー５０の下端が、被検査体２１に当接し、この時点で被検査体２１の電極２２への接触子３３の押圧が規制される。
【００３３】
したがって、この状態からプローブブロック１２に被検査体ブロック１３がさらに近接されても、被検査体２１に固定ブロック２４のストッパー５０が当接されて被検査体２１の電極２２への接触子３３の押圧が規制されて接触子３３の変位が停止されるので、接触子３３への過負荷を防止することができる。これにより、接触子３３への過負荷の防止による接触子３３の負担を低減させることができる。
【００３４】
そして、上記のようにプローブブロック１２と被検査体ブロック１３とを近接させて検査用プローブ３１の接触子３３の接点３５を被検査体２１の電極２２に接触させた状態で、被検査体２１の検査を良好に行うことができる。
【００３５】
このように、上記実施形態に係る検査用治具によれば、被検査体２１の電極２２に接触される導電性を有する複数の接触子３３がＭＥＭＳ技術によって基板３２に形成された検査用プローブ３１を備えるので、被検査体２１が微細化及び高集積化された電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどであっても良好に対応して確実に検査することができる。また、ＭＥＭＳ技術で作製された耐久性の高い検査用プローブ３１を用いることで、繰り返し使用しても不具合の発生を抑えることができ、長寿命化を図ることができる。
【００３６】
また、接触子３３を屈曲させたので、被検査体２１の電極２２へ接点３５が接触した際に接触子３３が良好に弾性変形することとなる。これにより、被検査体２１の電極２２に対して接触子３３を安定した接触性を確保しつつ接触させることができ、電極２２に接触痕を残すような不具合をなくし、電極２２の損傷を極力防ぐことができる。したがって、検査工程後における被検査体２１の歩留まりを向上させることができ、被検査体２１の製造コストを削減することができる。
【００３７】
しかも、被検査体２１に対して垂直方向から近接して検査を行うことができるので、高価な位置決め装置を用いずに、検査用プローブ３１の接触子３３と被検査体２１の電極２２との位置決めの容易化を図ることができ、位置決めにかかる作業工数を大幅（約１／１０程度）に低減させることができる。また、被検査体２１に対して垂直方向から近接して検査を行うので、電極２２が被検査体２１の表面よりも内側に凹んだ箇所に配置されているような段付き形状であっても、接触子３３の接点３５を電極２２へ接触させて容易に検査することができる。
【００３８】
次に、次に、本発明に係る検査用治具の他の形態例（変形例）について説明する。
図７及び図８に示すように、この検査用治具１１Ａは、スライド機構７０が設けられている。
このスライド機構７０は、プローブブロック１２の上部に固定された支持部７１を有している。この支持部７１は、その上端部に、前方へ張り出す支持片７２を有しており、この支持片７２には、その下面に可動部７３が固定されている。この可動部７３は、軸方向へ伸縮可能とされている。また、この可動部７３の下端部には、可動ブロック７４が固定されており、この可動ブロック７４に、検査用プローブ３１が装着された固定ブロック２４が一体的に設けられている。可動部７３には、その内部にスプリング（図示省略）が収容されており、このスプリングによって可動ブロック７４が下方側へ付勢されている。
【００３９】
上記構成の検査用治具１１Ａで電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの被検査体２１を検査する場合も、被検査体ブロック１３に被検査体２１を保持させた状態で、被検査体ブロック１３を上昇させ、プローブブロック１２に被検査体ブロック１３を近接させる。
すると、図６（ａ）に示すように、被検査体２１の電極２２に対して検査用プローブ３１の接触子３３の接点３５が接触する。
【００４０】
この状態から、さらにプローブブロック１２に被検査体ブロック１３を近接させると、図６（ｂ）に示すように、被検査体２１の電極２２に接触子３３の接点３５が押し付けられる。これにより、接触子３３は、被検査体２１の電極２２に押し付けられることにより先端側部３３ｂが弾性変形し、この接触子３３の弾性力によって接点３５が被検査体２１の電極２２に押圧され、電極２２と接触子３３とが導通接触される。
【００４１】
また、プローブブロック１２の固定ブロック２４に形成されたストッパー５０の下端が、被検査体２１に当接し、この時点で被検査体２１への検査用プローブ３１の接触子３３の押圧が規制される。
この状態からプローブブロック１２に被検査体ブロック１３がさらに近接されると、スライド機構７０のスプリングが収容された可動部７３が収縮する。これにより、可動ブロック７４が上方へスライドして、固定ブロック２４の検査用プローブ３１が被検査体２１とともに上方へ移動する。
【００４２】
したがって、ストッパー５０の下端が被検査体２１に当接して被検査体２１への検査用プローブ３１の接触子３３の押圧が規制され、プローブブロック１２と被検査体２１との近接方向の荷重が所定量となった時点からプローブブロック１２に被検査体ブロック１３がさらに近接されても、被検査体ブロック１３の移動が可動部７３で吸収されることとなる。これにより、プローブブロック１２と被検査体２１との近接方向の荷重が一定に維持され、接触子３３への過負荷を確実に防止することができる。したがって、接触子３３への過負荷の防止による接触子３３の負担をさらに良好に低減させることができ、また、被検査体２１への負荷によるダメージも抑えることができる。
【００４３】
なお、スライド機構７０としては、例えば、固定ブロック２４に作用する荷重を検出し、その検出結果に基づいて電磁的に収縮する可動部７３を備えるものでも良い。
また、上記実施形態では、プローブブロック１２に対して下方側から被検査体ブロック１３を近接させて検査する場合を例示して説明したが、被検査体ブロック１３に対してプローブブロック１２を近接させ検査しても良い。
【００４４】
次に、上記の検査用治具１１，１１Ａに設けられた検査用プローブ３１を製造する方法について説明する。
検査用プローブ３１を製造するには、まず、図９（ａ）に示すように、印刷法、スピンコーティング法等によって所望の厚さ（例えば、０．１ミクロン〜５．０ミクロン）になるように基板３２上にフォトレジスト４３を塗布する。その後、溶媒分除去のためにプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。ポストベークが必要な場合は、適正な条件で実施する。
【００４５】
図９（ｂ）に示すように、基板３２上に金属膜からなる犠牲層４４を所望の材質と厚さで形成する。例えば、ＴｉとＣｕからなる犠牲層３４を、Ｔｉ／Ｃｕ＝（１００Å〜５００Å）／（１００Å〜５０００Å）でスパッタリング法により加工する。
次に、図９（ｃ）に示すように、不要なフォトレジスト４３と犠牲層４４を、例えば、リフトオフ法によって除去する。
【００４６】
図９（ｄ）に示すように、基板３２上に、メッキ給電層となる所望の材料のシード層４５を所望の厚さが得られるように形成する。例えば、ＴｉとＮｉ合金からなるシード層４５を、Ｔｉ／Ｎｉ合金＝（１００Å〜２０００Å）／（５００Å〜５０００Å）でスパッタリング法により形成する。
【００４７】
印刷法、スピンコーティング法等によって、接触子３３及び配線パターン３４を形成するためのフォトレジスト４６を所望の厚さ（例えば、１０ミクロン〜５０ミクロン）になるように塗布し、その後、溶媒分除去のためプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。フォトレジスト４６として化学増幅型のレジストを用いる場合、反応促進のため、露光後に加熱処理（Post Exposure Bake）を適正条件で実施した後に現像処理を行う。
【００４８】
図９（ｅ）に示すように、メッキ処理を施すことにより配線層４８を形成する。配線層４８は、例えば、Ｎｉ合金（ＮｉＣｏ，ＮｉＭｎ，ＮｉＦｅ，ＮｉＰｄ等）から形成し、所望のばね性能が確保できる厚さに形成する。
配線層４８の形成後、図９（ｆ）に示すように、フォトレジスト４６の除去及びシード層４５の除去を行う。
ここで、基板３２が最終の所望厚より厚い寸法である場合、基板３２の裏面に研削加工や研磨加工を施し、基板３２の厚さを所望の厚さまで薄化加工する。
【００４９】
次に、図９（ｇ）に示すように、ダイシング加工によって個片外形カットを行って個々の検査用プローブ３１とし、基板３２の裏面に溝４７を形成する。このとき、基板３２を加熱発泡タイプの接着シートでガラス基板に貼り付ける。加工完了後ガラス基板から剥離するときは、接着シートを加熱発泡させて個片化させたチップをテープから取り出す。
【００５０】
その後、図９（ｈ）に示すように、選択エッチングによって犠牲層４４を除去する。この選択エッチングでは、例えば、銅（Ｃｕ）除去用液に一定時間浸漬して銅（Ｃｕ）成分を除去した後、チタニウム（Ｔｉ）除去のためアンモニウム過水に浸漬してチタニウム（Ｔｉ）成分を除去する。
その後、図９（ｉ）に示すように、基板３２を溝４７の箇所で切断し、犠牲層４４を除去した部分における基板３２を除去する。
最後に、接触子３３の先端近傍部分にプレス加工などの機械的な曲げ加工を施すことにより、接触子３３を基板３２側へ屈曲させる。
【００５１】
上記のように、ＭＥＭＳ技術を用いた製造プロセスを行うことにより、接触子３３が形成された検査用プローブ３１を短いリードタイムで製造することができ、検査用プローブ３１の製造コストを大幅に低減させることができる。
【符号の説明】
【００５２】
１１，１１Ａ：検査用治具、１２：プローブブロック、１３：被検査体ブロック、２１：被検査体、２２：電極、３１：検査用プローブ、３２：基板、３３：接触子、３５：接点、５０：ストッパー、７０：スライド機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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