(57)【要約】【課題】少なくとも２種類のテストモードを含む動作モードの切り替えが可逆である二次電池の保護用半導体装置を提供する。【解決手段】二次電池２１の電圧値又は電流値を検出するセル状態検出回路１１と、一つの制御用入力端子４０から印加される電圧とスレッショルド電圧ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３とを比較して複数の動作モード信号Ｍｏｄｅ１〜４のいずれかを生成する入力判定回路１０と、セル状態検出回路１１と接続され、その検出信号を受けるとともに、入力判定回路１０とも接続され、複数の動作モード信号Ｍｏｄｅ１〜４のいずれかも受けて、制御信号を生成する制御信号生成回路１２と、制御信号生成回路１２の制御信号を受けて制御される保護制御部１４とを備えた構成とされている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池の過充電、過放電又は過電流を検出して、これら過充電、過放電又は過電流から前記二次電池を保護する二次電池の保護用半導体装置であって、
前記二次電池の正電源端子と負電源端子とに接続され、前記二次電池の電圧値又は電流値を検出するセル状態検出回路と、
一つの制御用入力端子と接続され、当該制御用入力端子から印加される電圧とスレッショルド電圧とを比較して少なくとも２種類のテストモード信号と通常保護モード信号とを含む複数の動作モード信号を生成する入力判定回路と、
前記セル状態検出回路と接続され、その検出信号を受けるとともに、前記入力判定回路とも接続され、前記複数の動作モード信号も受けて、制御信号を生成する制御信号生成回路と、
前記制御信号生成回路の前記制御信号を受けて制御される保護制御部とを備えていることを特徴とする二次電池の保護用半導体装置。
【請求項２】
前記入力判定回路は、前記複数の動作モード信号は４つ以上であることを特徴とする請求項１に記載の二次電池の保護用半導体装置。
【請求項３】
前記入力判定回路は、前記複数の動作モード信号の電圧間の前記スレッショルド電圧を生成するスレッショルド電圧生成用回路と、前記スレッショルド電圧から前記複数の動作モード信号を生成する動作モード信号生成用論理回路とから成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の二次電池の保護用半導体装置。
【請求項４】
前記スレッショルド電圧生成用回路は、複数のＭＯＳトランジスタを用いて成ることを特徴とする請求項３に記載の二次電池の保護用半導体装置。
【請求項５】
前記スレッショルド電圧生成用回路は、複数の抵抗も用いており、これらの抵抗比を利用して前記スレッショルド電圧を前記動作モード信号生成用論理回路中に論理的に作ることを特徴とする請求項４に記載の二次電池の保護用半導体装置。
【請求項６】
前記スレッショルド電圧生成用回路は、複数のコンパレータを用いて成ることを特徴とする請求項３に記載の二次電池の保護用半導体装置。
【請求項７】
前記スレッショルド電圧生成用回路は、複数の抵抗も用いており、これらの抵抗比を利用して前記スレッショルド電圧を前記動作モード信号生成用論理回路中に論理的に作ることを特徴とする請求項６に記載の二次電池の保護用半導体装置。
【請求項８】
充電制御出力端子及び放電制御出力端子を備え、複数個の二次電池の保護用半導体装置における隣り合う前記充電制御出力端子又は前記放電制御出力端子と前記制御用入力端子とをそれぞれ接続した際に、前記テストモード信号又は前記通常保護モード信号を前記入力判定回路で生成するカスケード伝送を可能としていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の二次電池の保護用半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の二次電池の保護用半導体装置を備えていることを特徴とする二次電池パック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二次電池の保護用半導体装置、及びこの保護用半導体装置を備えた二次電池パックに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、携帯電子機器などでは、取扱いやすい二次電池パックが広く用いられている。
【０００３】
こうした二次電池パックでは、１個乃至複数個の二次電池が１つのパッケージ内に格納されている。
【０００４】
この二次電池には、リチウムイオン電池などの高容量のものが用いられているため、その内部には保持されるエネルギー量が極めて大きいので、過充電、過放電又は過電流に至った場合には、発熱し、ときには発火する危険性もある。
【０００５】
こうしたことから、二次電池パック内には、過充電、過放電又は過電流から二次電池を保護する二次電池の保護用半導体装置も一緒に内蔵されている。
【０００６】
例えば、特許文献１には、二次電池の保護用半導体装置のテスト専用の端子を１つのみにして、低コストで実施することができる技術が開示されている。
【０００７】
ここで、このような二次電池は、内部インピーダンスが高いため、充放電時の電圧は見かけ上変わって見えるので、効率よく使用するためには、検出遅延時間を設ける必要がある。
【０００８】
また、ノイズによる誤解除を防止するため、解除遅延時間も設ける必要がある。
【０００９】
そこで、特許文献１のような従来の二次電池の保護用半導体装置では、工場で大量生産の際に生産性を向上させるためにテストモード信号の検出遅延時間を極力短くするテストモードと、二次測定や客先などでより正確な評価を行うために若干テストモード信号の検出遅延時間を長くするテストモードの２種類のテストモードを有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１のような従来の二次電池の保護用半導体装置では、モードを切り替える際、内部に設けられたヒューズが切断されるため、両テストモード間の切り替えは、不可逆である。
【００１１】
そのため、例えば、二次電池の保護用半導体装置の簡易なメンテナンスなどを行うのにヒューズを切断する前のテストモードによってテストを行おうとしても、わざわざ新しいヒューズに交換しなければならない。
【００１２】
そこで、本発明は、少なくとも２種類のテストモードを含む動作モードの切り替えが可逆である二次電池の保護用半導体装置、及びこの保護用半導体装置を備えた二次電池パックを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明の二次電池の保護用半導体装置は、二次電池の過充電、過放電又は過電流を検出して、これら過充電、過放電又は過電流から前記二次電池を保護する二次電池の保護用半導体装置であって、前記二次電池の正電源端子と負電源端子とに接続され、前記二次電池の電圧値又は電流値を検出するセル状態検出回路と、一つの制御用入力端子と接続され、当該制御用入力端子から印加される電圧とスレッショルド電圧とを比較して少なくとも２種類のテストモード信号と通常保護モード信号とを含む複数の動作モード信号を生成する入力判定回路と、前記セル状態検出回路と接続され、その検出信号を受けるとともに、前記入力判定回路とも接続され、前記複数の動作モード信号も受けて、制御信号を生成する制御信号生成回路と、前記制御信号生成回路の前記制御信号を受けて制御される保護制御部とを備えていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の二次電池パックは、本発明の二次電池の保護用半導体装置を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
このような本発明の二次電池の保護用半導体装置は、二次電池の過充電、過放電又は過電流を検出して、これら過充電、過放電又は過電流から前記二次電池を保護する二次電池の保護用半導体装置である。
【００１６】
そして、二次電池の正電源端子と負電源端子とに接続され、二次電池の電圧値又は電流値を検出するセル状態検出回路と、一つの制御用入力端子と接続され、制御用入力端子から印加される電圧とスレッショルド電圧とを比較して少なくとも２種類のテストモード信号と通常保護モード信号とを含む複数の動作モード信号を生成する入力判定回路と、セル状態検出回路と接続され、その検出信号を受けるとともに、入力判定回路とも接続され、複数の動作モード信号も受けて、制御信号を生成する制御信号生成回路と、制御信号生成回路の制御信号を受けて制御される保護制御部とを備えた構成とされている。
【００１７】
こうした構成なので、少なくとも２種類のテストモードを含む動作モードの切り替えが可逆である。
【００１８】
よって、二次電池の保護用半導体装置の簡易なメンテナンスなどを容易に行うことができる。
【００１９】
このような本発明の二次電池パックは、本発明の二次電池の保護用半導体装置を備えた構成とされている。
【００２０】
こうした構成なので、上記した本発明の二次電池の保護用半導体装置の効果を奏する二次電池パックとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施例１の二次電池パックの概略構成を示すブロック図である。
【図２】実施例１の二次電池の保護用半導体装置における入力判定回路の詳細を示す回路図である。
【図３】実施例１の入力判定回路における制御用入力端子に印加される電圧と動作モード信号との関係を示す説明図である。
【図４】実施例１の動作モード信号の割り当てのパターンを例示した表である。
【図５】カスケード伝送モードを行うための概略構成を示すブロック図である。
【図６】実施例２の二次電池の保護用半導体装置における入力判定回路の詳細を示す回路図である。
【図７】実施例２の入力判定回路における制御用入力端子に印加される電圧と動作モード信号との関係を示す説明図である。
【図８】実施例３の二次電池の保護用半導体装置における入力判定回路の詳細を示す回路図である。
【図９】実施例４の二次電池の保護用半導体装置における入力判定回路の詳細を示す回路図である。
【図１０】二次電池の正電源端子を上限値とした場合の入力判定回路における制御用入力端子に印加される電圧と動作モード信号との関係を示す説明図である。
【図１１】７つのスレッショルド電圧を設けた場合の入力判定回路における制御用入力端子に印加される電圧と動作モード信号との関係を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための形態を、図面に示す実施例１〜４に基づいて説明する。
【実施例１】
【００２３】
先ず、実施例１の構成について説明する。
【００２４】
図１は、実施例１の二次電池パック２０の概略構成を示している。
【００２５】
まず、この二次電池パック２０は、二次電池の保護用半導体装置１と、二次電池２１とから主に構成されている。
【００２６】
ここで、二次電池パック２０のプラス端子２２とマイナス端子２３とには、負荷装置３０が接続されている。
【００２７】
この負荷装置３０は、二次電池パック２０を充電するときは、充電器であり、二次電池パック２０から放電するときは、携帯電子機器などである。
【００２８】
次に、二次電池の保護用半導体装置１について説明する。
【００２９】
この二次電池の保護用半導体装置１は、二次電池２１の正電源端子（ＶＤＤ）２１ａと負電源端子（ＶＳＳ）２１ｂとに接続されるセル状態検出回路１１と、一つの制御用入力端子４０と接続された入力判定回路１０と、セル状態検出回路１１及び入力判定回路１０と接続される制御信号生成回路１２と、制御信号生成回路１２と充電制御出力端子４１及び放電制御出力端子４２を有する出力回路１３を介して接続される保護制御部１４とから主に構成されている。
【００３０】
ここで、このセル状態検出回路１１は、二次電池２１の電圧値や電流値を検出して管理するものであり、異常値を検出した際に、制御信号生成回路１２を構成する動作判定用論理回路１２１にその異常値検出信号を送る。
【００３１】
また、この入力判定回路１０は、制御用入力端子（ＩＮＰＵＴ）４０から印加される電圧とスレッショルド電圧とを比較してテストモード信号と通常保護モード信号を含む動作モード信号を生成するものであり、その詳細については後述する。
【００３２】
また、この制御信号生成回路１２は、動作判定用論理回路１２１と、カウンター回路１２２と、オシレータ回路１２３とから成る。
【００３３】
ここで、カウンター回路１２２及びオシレータ回路１２３は、遅延時間生成用の回路として働き、動作判定用論理回路１２１は、セル状態検出回路１１から受けた異常値検出信号を受けた際に、入力判定回路１０からの動作モード信号も受けて、制御信号を生成する。
【００３４】
また、この出力回路１３は、動作判定用論理回路１２１で生成された制御信号を受けた際に、充電制御出力端子（ＣＯＵＴ）４１又は放電制御出力端子（ＤＯＵＴ）４２からその制御信号を出力する。
【００３５】
さらに、この保護制御部１４は、スイッチング回路などから構成されており、出力回路１３からの制御信号を受けて制御される。例えば、負荷装置３０が充電器であり、二次電池２１が過充電になっているときは、スイッチＯＦＦにしてそれ以上の充電を禁止する。或いは、負荷装置３０が携帯電子機器などであり、二次電池２１が過放電しているときは、スイッチＯＦＦにしてそれ以上の放電を禁止する。
【００３６】
次に、入力判定回路１０の詳細について説明する。
【００３７】
図２は、入力判定回路１０のより詳細な構成を示している。
【００３８】
この入力判定回路１０は、スレッショルド電圧生成用回路１０１と、動作モード信号生成用論理回路１０２とから構成されている。
【００３９】
このスレッショルド電圧生成用回路１０１は、複数のＭＯＳトランジスタＭＮ１，ＭＮ２，ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３，ＭＰ４を用いて成る。
【００４０】
より具体的には、Ｎ型デプレッショントランジスタＭＮ１とＮ型エンハンストランジスタＭＮ２によってスレッショルド電圧ＴＨ１を、Ｐ型エンハンストランジスタＭＰ１とＰ型デプレッショントランジスタＭＰ２によってスレッショルド電圧ＴＨ２を、Ｐ型デプレッショントランジスタＭＰ３，ＭＰ４によってスレッショルド電圧ＴＨ３を動作モード信号生成用論理回路１０２中に論理的に作っている。
【００４１】
なお、スレッショルド電圧生成用回路１０１のＮ型デプレッショントランジスタＭＮ１、Ｐ型デプレッショントランジスタＭＰ２，ＭＰ４は定電流源や抵抗に置き換えても、同様に実施できる。
【００４２】
そして、図３は、制御用入力端子（ＩＮＰＵＴ）４０に印加される電圧と動作モード信号との関係を示しており、この動作モード信号生成用論理回路１０２は、スレッショルド電圧生成用回路１０１の出力信号ＭＤ１，ＭＤ２，ＭＤ３から入力電圧がどの範囲にあるか判定し、動作モード信号Ｍｏｄｅ１〜４のいずれかを生成して出力する。
【００４３】
なお、図３に示したように、制御用入力端子（ＩＮＰＵＴ）４０に印加される電圧は、二次電池２１の正電源端子（ＶＤＤ）２１ａの電圧と負電源端子（ＶＳＳ）２１ｂの電圧を含んでおり、極力余計な素子などを追加しないで済むように動作モード信号Ｍｏｄｅ１〜４には適切なモードが割り当てられる。
【００４４】
ここで、図４では、動作モード信号Ｍｏｄｅ１〜４の割り当て例を３パターン示している。
【００４５】
まず、パターン１では、動作モード信号Ｍｏｄｅ１に充電又は放電禁止モードを、動作モード信号Ｍｏｄｅ２にテストモード１（カウンタースルー方式）を、動作モード信号Ｍｏｄｅ３に通常保護モード（オートリリース型）を、動作モード信号Ｍｏｄｅ４にテストモード２（オシレータ高速化方式）をそれぞれ割り当てている。
【００４６】
ここで、テストモード１（カウンタースルー方式）とは、図１から分かるように、オシレータ回路１２３を介さずにカウンター回路１２２からテストモード信号である動作モード信号Ｍｏｄｅ２が入力されるので、二次測定や客先などでより正確な評価を行うために若干テストモード信号の検出遅延時間が長いテストモードのことをいう。
【００４７】
また、テストモード２（オシレータ高速化方式）とは、図１から分かるように、オシレータ回路１２３及びカウンター回路１２２を介してテストモード信号である動作モード信号Ｍｏｄｅ４が入力されるので、工場で大量生産する際に生産性を向上させるために検出遅延時間が極力短いテストモードのことをいう。
【００４８】
また、充電又は放電禁止モードとは、充電又は放電若しくはその両方を強制的に禁止するモードのことをいう。
【００４９】
さらに、通常保護モード（オートリリース型）とは、負荷装置３０が充電器であり、高電圧検出をした場合を例にとって説明すると、二次電池２１の電圧が高電圧検出電圧を超えると高電圧検出状態となり充電を禁止し、高電圧復帰電圧を下回ると、高電圧検出状態から復帰し充電可能となるモードのことをいう。
【００５０】
次に、パターン２では、動作モード信号Ｍｏｄｅ１に通常保護モード（ラッチ型）を、動作モード信号Ｍｏｄｅ２にテストモード１（カウンタースルー方式）を、動作モード信号Ｍｏｄｅ３に通常保護モード（オートリリース型）を、動作モード信号Ｍｏｄｅ４にテストモード２（オシレータ高速化方式）をそれぞれ割り当てている。
【００５１】
ここで、通常保護モード（ラッチ型）とは、負荷装置３０が充電器であり、高電圧検出をした場合を例にとって説明すると、二次電池２１の電圧が高電圧検出電圧を超えると高電圧検出状態となり充電を禁止するが、高電圧復帰電圧を下回るだけでは高電圧検出状態から復帰せず、負荷を接続するなどの復帰処理をしなければ充電可能とはならないモードのことをいう。
【００５２】
次に、パターン３では、動作モード信号Ｍｏｄｅ１にテストモード２（オシレータ高速化方式）を、動作モード信号Ｍｏｄｅ２にテストモード１（カウンタースルー方式）を、動作モード信号Ｍｏｄｅ３に通常保護モード（オートリリース型）を、動作モード信号Ｍｏｄｅ４にカスケード伝送モードをそれぞれ割り当てている。
【００５３】
ここで、カスケード伝送モードとは、図５に示したように複数個の二次電池２１を直列に組んだときに、それぞれに二次電池の保護用半導体装置１を設け、隣り合う二次電池の保護用半導体装置１，１の充電制御出力端子（Ｃｏｕｔ）４１と制御用入力端子（ＩＮＰＵＴ）４０とを接続するようにし、一度に複数個の二次電池２１の保護又はテストを行えるようにするモードのことをいう。
【００５４】
すなわち、テストモード１（カウンタースルー方式）、テストモード２（オシレータ高速化方式）、通常保護モード（オートリリース型）又は通常保護モード（ラッチ型）の動作モード信号Ｍｏｄｅ４を入力判定回路１０で生成するカスケード伝送を可能としている。
【００５５】
但し、この場合、二次電池の保護用半導体装置１の出力が同じになるように、図１に示した出力回路１３の出力信号は反転させて出力するようにする。
【００５６】
なお、このカスケード伝送モードは、充電制御出力端子（Ｃｏｕｔ）に代えて、放電制御出力端子（Ｄｏｕｔ）４２を用いて実施してもよい。
【００５７】
次に、実施例１の作用効果について説明する。
【００５８】
このような実施例１の二次電池の保護用半導体装置１は、二次電池の過充電、過放電又は過電流を検出して、これら過充電、過放電又は過電流から前記二次電池を保護する二次電池の保護用半導体装置である。
【００５９】
そして、二次電池２１の正電源端子（ＶＤＤ）２１ａと負電源端子（ＶＳＳ）２１ｂとに接続され、二次電池２１の電圧値又は電流値を検出するセル状態検出回路１１と、一つの制御用入力端子（ＩＮＰＵＴ）４０と接続され、制御用入力端子（ＩＮＰＵＴ）４０から印加される電圧とスレッショルド電圧ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３とを比較して２種類のテストモード信号と通常保護モード信号とを含む複数の動作モード信号Ｍｏｄｅ１〜４のいずれかを生成する入力判定回路１０と、セル状態検出回路１１と接続され、その検出信号を受けるとともに、入力判定回路１０とも接続され、複数の動作モード信号Ｍｏｄｅ１〜４のいずれかも受けて、制御信号を生成する制御信号生成回路１２と、制御信号生成回路１２の制御信号を受けて制御される保護制御部１４とを備えた構成とされている。
【００６０】
但し、テストモード１，２の際は、セル状態検出回路１１からの検出信号は０でもよい。
【００６１】
こうした構成なので、２種類のテストモード１，２を含む動作モードの切り替えが可逆である。
【００６２】
よって、二次電池の保護用半導体装置１の簡易なメンテナンスなどを容易に行うことができる。
【００６３】
ここで、入力判定回路１０は、複数の動作モード信号Ｍｏｄｅ１〜４は４つである。
【００６４】
このため、適用対象となる携帯電子機器に必要な動作モード信号を追加して設けることができる。
【００６５】
また、入力判定回路１０は、複数の動作モード信号Ｍｏｄｅ１〜４の電圧間のスレッショルド電圧ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３を生成するスレッショルド電圧生成用回路１０１と、スレッショルド電圧ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３から複数の動作モード信号Ｍｏｄｅ１〜４を生成する動作モード信号生成用論理回路１０２とから成る。
【００６６】
このため、入力判定回路１０を簡易な構成で実施することができる。
【００６７】
さらに、スレッショルド電圧生成用回路１０１は、複数のＭＯＳトランジスタＭＮ１，ＭＮ２，ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３，ＭＰ４を用いて成る。
【００６８】
このため、スレッショルド電圧生成用回路１０１を簡易な構成で実施することができる。
【００６９】
また、充電制御出力端子（Ｃｏｕｔ）４１及び放電制御出力端子（Ｄｏｕｔ）４２を備え、複数個の二次電池の保護用半導体装置１，・・・における隣り合う充電制御出力端子（Ｃｏｕｔ）４１又は放電制御出力端子（Ｄｏｕｔ）４２と制御用入力端子（ＩＮＰＵＴ）４０とをそれぞれ接続した際に、テストモード１（カウンタースルー方式）、テストモード２（オシレータ高速化方式）、通常保護モード（オートリリース型）又は通常保護モード（ラッチ型）の動作モード信号Ｍｏｄｅ４を入力判定回路１０で生成するカスケード伝送を可能としている。
【００７０】
このため、特に、このカスケード伝送において、テストモード２（オシレータ高速化方式）を行えるように設定したときには、一度に複数個の二次電池の保護用半導体装置１，・・・の品質管理が短時間で行えるので、工場で大量生産する際に生産性をさらに向上させることができる。
【００７１】
このような実施例１の二次電池パック２０は、上記した実施例１の二次電池の保護用半導体装置１を備えた構成とされている。
【００７２】
こうした構成なので、上記した実施例１の二次電池の保護用半導体装置１の作用効果を奏する二次電池パックとすることができる。
【実施例２】
【００７３】
次に、実施例２について説明する。
【００７４】
なお、実施例１で説明した内容と同一乃至均等な部分の説明については同一符号を付して説明する。
【００７５】
図６は、実施例２の二次電池の保護用半導体装置１における入力判定回路１０のより詳細な構成を示している。
【００７６】
この入力判定回路１０も、スレッショルド電圧生成用回路１０１と、動作モード信号生成用論理回路１０２とから構成されている。
【００７７】
但し、このスレッショルド電圧生成用回路１０１は、より多くのＭＯＳトランジスタＭＮ１，ＭＮ２，ＭＮ３，ＭＮ４，ＭＮ５，ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３，ＭＰ４を用いて成る。
【００７８】
より具体的には、Ｎ型デプレッショントランジスタＭＮ１とＮ型エンハンストランジスタＭＮ２によってスレッショルド電圧ＴＨ１を、Ｎ型デプレッショントランジスタＭＮ３とＮ型エンハンストランジスタＭＮ４とＮ型エンハンストランジスタＭＮ５によってスレッショルド電圧ＴＨ２を、Ｐ型エンハンストランジスタＭＰ１とＰ型デプレッショントランジスタＭＰ２によってスレッショルド電圧ＴＨ３を、Ｐ型デプレッショントランジスタＭＰ３，ＭＰ４によってスレッショルド電圧ＴＨ４を動作モード信号生成用論理回路１０２中に論理的に作っている。
【００７９】
そして、図７は、制御用入力端子（ＩＮＰＵＴ）４０に印加される電圧と動作モード信号との関係を示しており、この動作モード信号生成用論理回路１０２は、スレッショルド電圧生成用回路１０１の出力信号ＭＤ１，ＭＤ２，ＭＤ３，ＭＤ４から入力電圧がどの範囲にあるか判定し、動作モード信号Ｍｏｄｅ１〜５のいずれかを生成して出力する。
【００８０】
すなわち、スレッショルド電圧ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３，ＴＨ４が１つ多い分、１つ多い動作モード信号Ｍｏｄｅ１〜５を生成することができる。
【００８１】
なお、他の構成及び作用効果については、実施例１と略同様であるので説明を省略する。
【実施例３】
【００８２】
次に、実施例３について説明する。
【００８３】
なお、実施例１で説明した内容と同一乃至均等な部分の説明については同一符号を付して説明する。
【００８４】
図８は、実施例３の二次電池の保護用半導体装置１における入力判定回路１０のより詳細な構成を示している。
【００８５】
この入力判定回路１０も、スレッショルド電圧生成用回路１０１と、動作モード信号生成用論理回路１０２とから構成されている。
【００８６】
但し、このスレッショルド電圧生成用回路１０１は、複数のＭＯＳトランジスタＭＮ１，ＭＮ２，ＭＮ３，ＭＮ４，ＭＮ５，ＭＮ６に加え、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を用いて成る。
【００８７】
より具体的には、Ｎ型デプレッショントランジスタＭＮ１とＮ型エンハンストランジスタＭＮ２によってスレッショルド電圧ＴＨ１を、Ｎ型デプレッショントランジスタＭＮ３とＮ型エンハンストランジスタＭＮ４によってスレッショルド電圧ＴＨ２を、Ｎ型デプレッショントランジスタＭ５とＮ型エンハンストランジスタＭＮ６によってスレッショルド電圧ＴＨ３を動作モード信号生成用論理回路１０２中に論理的に作っている。
【００８８】
そして、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の抵抗比によってスレッショルド電圧ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３が決定される。
【００８９】
すなわち、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の抵抗比を利用することにより、動作モード信号生成用論理回路１０２中の複雑な処理を必要とせずに、容易にスレッショルド電圧ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３を生成することができる。
【００９０】
なお、他の構成及び作用効果については、実施例１と略同様であるので説明を省略する。
【実施例４】
【００９１】
次に、実施例４について説明する。
【００９２】
なお、実施例１で説明した内容と同一乃至均等な部分の説明については同一符号を付して説明する。
【００９３】
図９は、実施例４の二次電池の保護用半導体装置１における入力判定回路１０のより詳細な構成を示している。
【００９４】
この入力判定回路１０も、スレッショルド電圧生成用回路１０１と、動作モード信号生成用論理回路１０２とから構成されている。
【００９５】
但し、このスレッショルド電圧生成用回路１０１は、複数のコンパレータＣｏｍｐ１，Ｃｏｍｐ２，Ｃｏｍｐ３を用いて成る。
【００９６】
より具体的には、コンパレータＣｏｍｐ１，Ｃｏｍｐ２，Ｃｏｍｐ３の他に、参照電源Ｖｒｅｆと、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４とが用いられており、これらの抵抗比を利用してスレッショルド電圧ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３を動作モード信号生成用論理回路１０２中に論理的に作っている。
【００９７】
よって、スレッショルド電圧生成用回路１０１は、複数のコンパレータＣｏｍｐ１，Ｃｏｍｐ２，Ｃｏｍｐ３を用いて成るため、簡易な構成で実施することができる。
【００９８】
また、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の抵抗比を利用することにより、動作モード信号生成用論理回路１０２中の複雑な処理を必要とせずに、容易にスレッショルド電圧ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３を生成することができる。
【００９９】
なお、他の構成及び作用効果については、実施例１と略同様であるので説明を省略する。
【０１００】
以上、図面を参照して、本発明を実施するための形態を実施例１〜４に基づいて詳述してきたが、具体的な構成は、これら実施例１〜４に限らず、本発明の要旨を逸脱しない程度の設計的変更は、本発明に含まれる。
【０１０１】
例えば、上記した実施例１〜４では、本発明を理解しやすいように、１つの二次電池パック２０につき二次電池２１を１個のみ用いて実施したが、これに限定されず、二次電池２１を複数個用いて実施してもよい。
【０１０２】
また、上記した実施例１〜４では、制御用入力端子（ＩＮＰＵＴ）４０への印加電圧の下限値を、二次電池２１の負電源端子（ＶＳＳ）２１ｂとして実施したが、これに限定されず、例えば、制御用入力端子（ＩＮＰＵＴ）４０を正電源端子（ＶＤＤ）２１ａ側に設ける場合などには、図１０に示したように、スレッショルド電圧ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３の数は同じだが、二次電池２１の正電源端子（ＶＤＤ）２１ａを上限値として実施してもよい。
【０１０３】
さらに、上記した実施例１，２，４では、入力判定回路１０に３つのスレッショルド電圧ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３を設けて実施し、上記した実施例３では、入力判定回路１０に４つのスレッショルド電圧ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３，ＴＨ４を設けて実施したが、これに限定されない。
【０１０４】
例えば、２つのスレッショルド電圧にして、２つのテストモードと１つの通常保護モードの合計３つの動作モードとなるように実施してもよい。
【０１０５】
或いは、図１１に示したように、７つのスレッショルド電圧ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３，ＴＨ４，ＴＨ５，ＴＨ６，ＴＨ７にして、例えば、３つのテストモードと５つの動作モードの合計８つの動作モードとなるように実施してもよい。
【０１０６】
すなわち、適用する携帯電子機器などの機能により適合するように、動作モードの数を設定して実施することができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１      保護用半導体装置
１０    入力判定回路
１０１  スレッショルド電圧生成用回路
１０２  動作モード信号生成用論理回路
１１    セル状態検出回路
１２    制御信号生成回路
１２１  動作判定用論理回路
１２２  カウンター回路
１２３  オシレータ回路
１３    出力回路
１４    保護制御部
２０    二次電池パック
２１    二次電池
２１ａ  正電源端子（ＶＤＤ）
２１ｂ  負電源端子（ＶＳＳ）
２２    プラス端子
２３    マイナス端子
３０    負荷装置
４０    制御用入力端子（ＩＮＰＵＴ）
４１    充電制御出力端子（Ｃｏｕｔ）
４２    放電制御出力端子（Ｄｏｕｔ）
ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３，ＴＨ４  スレッショルド電圧
Ｍｏｄｅ１〜５  動作モード信号
ＭＮ１〜ＭＮ６  ＭＯＳトランジスタ
ＭＰ１〜ＭＰ４  ＭＯＳトランジスタ
Ｃｏｍｐ１，Ｃｏｍｐ２，Ｃｏｍｐ３ コンパレータ
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４  抵抗
Ｖｒｅｆ  参照電源
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１０８】
【特許文献１】特許第３９２６７１８号公報
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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