(57)【要約】【課題】生産性の低下を抑制できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板に対して所定の処理を施す。基板の大きさに応じた所定の保持領域ＫＡ１〜ＫＡ３で基板を保持する保持テーブル７１と、保持テーブルを加熱する加熱装置Ｈと、保持テーブルにおける保持領域の縁部に設けられ、基板の変形に追従して当接し保持テーブルの熱を伝熱する伝熱装置ＤＮと、を備える。【選択図】図２
2013254882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、
前記基板の大きさに応じた所定の保持領域で前記基板を保持する保持テーブルと、
前記保持テーブルを加熱する加熱装置と、
前記保持テーブルにおける前記保持領域の縁部に設けられ、前記基板の変形に追従して当接し前記保持テーブルの熱を伝熱する伝熱装置と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記伝熱装置は、前記保持テーブル上に設けられた伝熱部と、前記伝熱部が前記基板に当接していないときに該伝熱部を保持位置から突出させ、前記伝熱部が前記基板に当接しているときに該伝熱部を前記基板の自重で前記保持位置に後退させる大きさの付勢力で前記伝熱部を付勢する付勢部材とを備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記保持テーブルに前記保持領域に臨んで形成された開口部に、前記基板を吸着する吸着装置が設けられ、
前記伝熱部は、前記開口部の少なくとも一部を閉塞して設けられることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記保持テーブルは、前記基板の大きさに応じて前記保持領域を複数備え、
前記伝熱装置は、前記複数の保持領域のうち、前記所定の処理が施される基板に対応する前記保持領域に選択的に配置されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記伝熱装置は、前記保持テーブルに着脱自在に設けられることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、紫外線照射によって硬化する紫外線硬化型インクを用いて記録媒体に画像またはパターンを形成する液滴吐出装置が注目されている。紫外線硬化型インクは、紫外線を照射するまでは硬化が非常に遅く、紫外線を照射すると急速に硬化するという、印刷インクとして好ましい特性を有する。また、硬化にあたって溶剤を揮発させることがないので、環境負荷が小さいという利点もある。
【０００３】
さらに、紫外線硬化型インクは、ビヒクルの組成により種々の記録媒体に高い付着性を発揮する。また、硬化した後は化学的に安定で、接着性、耐薬剤性、耐候性、耐摩擦性等が高く、屋外環境にも耐える等、優れた特性を有する。このため、紙、樹脂フィルム、金属箔等の薄いシート状の記録媒体の他、記録媒体のレーベル面、テキスタイル製品等、ある程度立体的な表面形状を有するものに対しても画像を形成できる。
【０００４】
上記の紫外線硬化型インクを液滴吐出方式で、基板上のＩＣに製造番号や製造会社等の属性情報を印刷する技術が開示されている（例えば、特許文献１）。上記の基板に対して印刷処理を実施する際には、液滴吐出装置、前処理装置等、印刷に関連する各種の処理装置に基板が順次搬送され、例えば吸着パッドを用いて保持されて処理が行われる。液滴吐出処理を実施する際には、インクの滲み対策やインクの基材への密着性を向上させることを目的として予めＵＶ照射処理が実施されているが、このとき処理時間の短縮するために、基材を加熱して活性化させる加熱処理も併行して行われれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−０８０６８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
加熱された基板は、表面に配された樹脂材等の収縮歪の影響により、端部が上方に反る傾向がある。また、元々、基板に反りが生じていなくても、加熱テーブルに載置した際に、テーブルとの接触面と非接触面との温度差で上反りが生じる傾向がある。
この場合、加熱テーブルと基板の反り部との間に空気層が生じるため、加熱時間が長くなり生産性が低下するという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、生産性の低下を抑制できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の基板処理装置は、基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、前記基板の大きさに応じた所定の保持領域で前記基板を保持する保持テーブルと、前記保持テーブルを加熱する加熱装置と、前記保持テーブルにおける前記保持領域の縁部に設けられ、前記基板の変形に追従して当接し前記保持テーブルの熱を伝熱する伝熱装置と、を備えることを特徴とするものである。
【０００９】
従って、本発明の基板処理装置では、基板が反って変形した場合でも、伝熱装置が基板の変形に追従して当接し保持テーブルの熱を伝熱するため、基板の加熱時間が長くなり生産性が低下することを抑制できる。
【００１０】
上記構成における前記伝熱装置としては、前記保持テーブル上に設けられた伝熱部材と、前記伝熱部材が前記基板に当接していないときに該伝熱部材を保持位置から突出させ、前記伝熱部材が前記基板に当接しているときに該伝熱部材を前記基板の自重で前記保持位置に後退させる大きさの付勢力で前記伝熱部材を付勢する付勢部材とを備える構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、付勢部材に付勢された伝熱部材が基板に当接するまで突出するため、基板の変形量が基板の箇所、あるいは処理を施す基板毎に異なっていても、伝熱部材を介して確実に保持テーブルの熱を伝熱することができる。
【００１１】
また、上記構成においては、前記保持テーブルに前記保持領域に臨んで形成された開口部に、前記基板を吸着する吸着装置が設けられ、前記伝熱部材は、前記開口部の少なくとも一部を閉塞して設けられる構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、開口部と対向し保持領域に保持された場合でも保持テーブルと当接せずに伝熱がなされない基板の対向領域の少なくとも一部についても、伝熱部材が当接して保持テーブルの熱を伝熱することができる。
【００１２】
また、上記構成においては、前記保持テーブルが、前記基板の大きさに応じて前記保持領域を複数備え、前記伝熱装置は、前記複数の保持領域のうち、前記所定の処理が施される基板に対応する前記保持領域に選択的に配置される構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、大きさが異なる基板に処理を施す場合でも、各大きさの基板の縁部に当接して保持テーブルの熱を伝熱することができる。
【００１３】
また、上記構成における前記伝熱装置としては、前記保持テーブルに着脱自在に設けられる構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、大きさが異なる基板に処理を施す場合でも、基板の大きさに対応した位置に迅速に伝熱装置を装着することが可能となり、生産効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】基板処理装置１００の概略構成を示す正面図。
【図２】ステージ７０の平面図。
【図３】吸着装置、伝熱装置の要部詳細図。
【図４】半導体基板１の時間と温度との関係を示す図。
【図５】（ａ）は半導体基板を示す模式平面図、（ｂ）は液滴吐出装置を示す模式平面図。
【図６】搬送部の構成を示す図。
【図７】印刷装置７を用いた印刷方法のフローチャート図。
【図８】搬送部により半導体基板が搬送される図。
【図９】伝熱装置の他の形態を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の基板処理装置の実施の形態を、図１ないし図９を参照して説明する。
なお、以下の実施の実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせている。
【００１６】
図１は、基板処理装置１００の概略構成を示す正面図であり、図２はステージ７０の平面図である。
ここでは、基板２の表面側に半導体装置３が実装された半導体基板１に対して、加熱しながら半導体装置３の表面を改質する基板処理装置１００に本発明を適用する場合について説明する。
【００１７】
基板処理装置１００は、照射装置６１とステージ７０とを備えている。照射装置６１としては、例えば、活性光線を発光する低圧水銀ランプ、水素バーナー、エキシマレーザー、プラズマ放電部、コロナ放電部等を例示できる。水銀ランプを用いる場合、半導体基板１に紫外線を照射することにより、半導体基板１の表面の撥液性を改質することができる。水素バーナーを用いる場合、半導体基板１の酸化した表面を一部還元することで表面を粗面化することができ、エキシマレーザーを用いる場合、半導体基板１の表面を一部溶融固化することで粗面化することができ、プラズマ放電或いはコロナ放電を用いる場合、半導体基板１の表面を機械的に削ることで粗面化することができる。本実施形態では、例えば、水銀ランプを採用している。
【００１８】
ステージ７０は、半導体基板１を裏面側から支持する保持テーブル７１と、保持テーブル７１が載置されるベース部７２と、加熱装置Ｈと、吸着装置ＶＣと、伝熱装置ＤＮとを備えている。保持テーブル７１は、複数種で設定される半導体基板１の大きさに応じて複数（ここでは３種類）の保持領域ＫＡ１〜ＫＡ３を有している。
【００１９】
なお、以下の説明では、保持領域ＫＡ１〜ＫＡ３（保持テーブル７１）の長さ方向（紙面左右方向）をＸ方向とし、保持領域ＫＡ１〜ＫＡ３（保持テーブル７１）の幅方向（図２中、紙面上下方向）をＹ方向とし、これらＸ、Ｙ方向と直交する方向をＺ方向として説明する。
【００２０】
図２に示すように、保持領域ＫＡ１〜ＫＡ３は、半導体基板１の外形輪郭と略同一の大きさで矩形状に設定されており、−Ｙ側端縁及び−Ｘ側の端縁を共通した境界としている。また、保持領域ＫＡ１〜ＫＡ３の−Ｙ側の端縁は、保持テーブル７１の−Ｙ側の端縁と一致している。
【００２１】
加熱装置Ｈは、保持テーブル７１を介して半導体基板１を加熱するものであって、例えば、保持テーブル７１にＸ方向に沿って埋設されたヒータから構成される。
【００２２】
吸着装置ＶＣは、吸着部８０、負圧吸引源８１、吸引路８２、８３を主体に構成されている。吸着部８０は、例えばゴムパッドで形成され、図２に示すように、各保持領域ＫＡ１〜ＫＡ３の縁部近傍を含めた複数箇所に配置されている。吸着部８０は、図３に示すように、ベース部７２にＺ方向に沿って突設され、保持テーブル７１に厚さ方向に貫通して形成された孔部７１ａを挿通するように配置されている。吸着部８０の先端部は、保持テーブル７１の表面７１ｂよりも微少量（例えば、１ｍｍ程度）突出した位置で半導体基板１を吸着保持する。
【００２３】
図２に戻り、吸引路８２は、保持領域ＫＡ３の＋Ｙ側の端縁に沿って配された４つの吸着部８０に負圧吸引源からの負圧が供給されるものであり、経路中途には開閉弁８２Ａが介装されている。同様に、吸引路８３は、吸引路８２で負圧が供給される吸着部８０以外の吸着部８０に対して、Ｙ方向に沿った列毎に負圧吸引源からの負圧が供給されるものであり、各列毎に開閉弁８３Ａ〜８３Ｅが介装されている。なお、図示はしていないが吸引路８２、８３は、ベース部７２の内部にも設けられている。
上記開閉弁８２Ａ及び８３Ａ〜８３Ｅを開閉することにより、各開閉弁８２Ａ、８３Ａ〜８３Ｅに対応する吸着部８０の半導体基板１に対する吸着・吸着解除が切り換えられる。
【００２４】
伝熱装置ＤＮは、伝熱部９０、移動部９１、付勢部材９２を備えている。伝熱部９０は、熱伝導率が大きい材料（例えば、アルミニウム等）により、外径が孔部７１ａよりも大きく、内径が吸着部８０の外径よりも大きいリング状に形成されている。
【００２５】
移動部９１は、伝熱部９０と同様に熱伝導率が大きい材料で形成されており、吸着部８０の外径よりも大きい孔部９１ｃを有している。移動部９１は、＋Ｚ側の端部で伝熱部９０が固定され孔部７１ａにＺ方向に移動自在に嵌合する軸部９１ａと、軸部９１ａの−Ｚ側設けられ軸部９１ａよりも大径の鍔部９１ｂとから構成される。鍔部９１ｂは、保持テーブル７１の裏面側から孔部７１ａと同軸で所定の深さをもって形成された段部７１ｃに係合する。また、軸部９１ａは、鍔部９１ｂが段部７１ｃに係合したときに、伝熱部９０が保持テーブル７１の表面７１ｂよりも所定量（例えば、１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度）突出する長さに形成されている。移動部９１と伝熱部９０とは、例えば、鍔部９１ｂ側から締結部材（図示せず）１により着脱自在に締結固定される。
【００２６】
付勢部材９２は、移動部９１の鍔部９１ｂとベース部７２との間に配置された、例えばコイルバネで形成されており、これら鍔部９１ｂとベース部７２とが離間する方向（Ｚ方向）に付勢するものである。付勢部材９２の付勢力は、移動部９１及び伝熱部９０の自重に抗して鍔部９１ｂを段部７１ｃに係合させ、伝熱部９０が半導体基板１に当接して半導体基板１の重さが加わったときに、移動部９１及び伝熱部９０を後退させる大きさに設定されている。
【００２７】
本実施形態では、これら伝熱装置ＤＮは、上述した複数の孔部７１ａのうち、改質処理を行う対象の半導体基板１の大きさに応じて選択的に配置される。また、伝熱装置ＤＮのうち、−Ｙ側の端縁に沿って配される伝熱装置ＤＮについては、伝熱部９０が保持テーブル７１の−Ｙ側端縁の位置で切り欠かれている。そのため、当該伝熱部９０が固定される移動部９１については、回り止めピン等の回り止め装置が設けられている。また、保持テーブル７１には、Ｙ方向に延在し、−Ｙ側の側方に向けて開口する複数の溝部７１ｅがＸ方向の所定位置に間隔をあけて設けられている。
【００２８】
次に、上記の基板処理装置１００の作用について説明する。
ここでは、保持領域ＫＡ２で保持する大きさの半導体基板１を処理するものとして、図２に示すように、保持領域ＫＡ２の縁部に沿って４つの伝熱装置ＤＮが設けられる場合について説明する。
【００２９】
まず、ステージ７０に半導体基板１を載置する前に、半導体基板１の吸着に関与しない吸着部８０に対する負圧供給を停止するために、開閉弁８２Ａ及び開閉弁８３Ｅを閉じておく。
【００３０】
そして、半導体基板１が搬送装置等により搬送されると、図３に示すように、吸着部８０によって、半導体基板１の裏面が吸着されて保持される。このとき、保持テーブル７１は加熱装置Ｈにより加熱されており、半導体基板１は保持テーブルを介して加熱された状態で、照射装置６１から紫外線等の活性光線が照射されて改質処理が行われる。また、伝熱部９０においては、付勢部材９２の付勢力で半導体基板１の裏面に当接するが、半導体基板１の自重により、保持テーブル７１の表面７１ｂに接する後退位置で半導体基板１に当接する。
【００３１】
加熱された半導体基板１は、表面に配された樹脂材等の収縮歪の影響や、全体的に露出状態の表面側と、保持テーブル７１を介して加熱される裏面側とで温度差が生じることから、図３に示すように、特に端部において上反りが生じやすくなる。
【００３２】
半導体基板１に上反りの変形が生じた場合、付勢部材９２の付勢力で移動部９１を介して伝熱部９０がこの変形に追従して＋Ｚ方向に移動して、半導体基板１への当接を維持する。従って、半導体基板１に対しては、移動部９１及び伝熱部９０を介して保持テーブル７１の熱が継続して伝熱されることになる。この場合、半導体基板１がＸＹ平面に対して傾いた場合でも、伝熱部９０が追従して傾斜しやすいように、孔部７１ａと軸部９１ａの外周面との間の隙間量は、移動部９１が円滑に移動可能な範囲で大きくすることが好ましい。
【００３３】
図４に、時間と半導体基板１の温度との関係を、伝熱装置ＤＮを用いた場合と、用いない場合の双方について示す。
図４中、グラフＡは保持テーブル７１の温度、グラフＢは伝熱装置ＤＮを用いた場合の温度、グラフＣは伝熱装置ＤＮを用いない場合の温度を、それぞれ時間経過で示されている。また、図４では、半導体基板１の加熱目標温度をＴ１とし、半導体基板１を保持テーブル７１に保持させたときの時間をｔ１としている。
【００３４】
図４に示されるように、伝熱装置ＤＮを用いた場合に半導体基板１が目標温度Ｔ１に到達した時間ｔ２は、伝熱装置ＤＮを用いない場合に半導体基板１が目標温度Ｔ１に到達した時間ｔ３よりも大幅に早く、伝熱装置ＤＮを用いた場合に加熱開始から目標温度到達までに要した時間Ｗ１は、伝熱装置ＤＮを用いない場合に要した時間Ｗ２の約１／４であった。
【００３５】
このように、本実施形態では、伝熱装置ＤＮの伝熱部９０が半導体基板１の変形に追従して当接するため、半導体基板１が変形しても継続的な伝熱が可能となり、加熱時間が長くなって生産性が低下することを抑制できる。特に本実施形態では、付勢部材９２の付勢力で伝熱部９０を半導体基板１の変形に追従させているため、簡単な構成で生産性低下の抑制を実現できる。さらに、本実施形態では、吸着部８０が配される孔部７１ａの一部を伝熱部９０が閉塞しているため、半導体基板１において孔部７１ａと対向し、当接による伝熱が行われなかった領域についても伝熱部９０を介して当接による加熱が可能となり、生産性の向上を図ることができる。
【００３６】
なお、上記半導体基板１と大きさが異なる半導体基板１を用いる場合には、当該半導体基板１の大きさに応じて開閉弁８２Ａ及び開閉弁８３Ａ〜８３Ｅの開閉を調整するとともに、例えば、保持テーブル７１と、ベース部７２とを分離し、半導体基板１（保持領域ＫＡ１〜ＫＡ３）の縁部に位置する孔部７１ａに選択的に伝熱装置ＤＮを装着すればよい。
【００３７】
（印刷装置）
続いて、上記の基板処理装置１００を備えた印刷装置について、図５乃至図８を参照して説明する。本実施形態では、上記半導体基板１上の半導体装置３に製造番号や製造会社等の属性情報を印刷する印刷装置について説明する。
【００３８】
まず、印刷装置を用いて描画（印刷）する対象の一例である半導体基板について説明する。図５（ａ）は半導体基板を示す模式平面図である。図５（ａ）に示すように、基材としての半導体基板１は基板２を備えている。基板２は耐熱性があり半導体装置３を実装可能であれば良く、基板２にはガラスエポキシ基板、紙フェノール基板、紙エポキシ基板等を用いることができる。基板２上には半導体装置３が実装されている。そして、半導体装置３上には会社名マーク４、機種コード５、製造番号６等のマーク（印刷パターン、所定パターン）が描画されている。これらのマークが後述する印刷装置によって描画される。
【００３９】
図５（ｂ）は印刷装置を示す模式平面図である。
図５（ｂ）に示すように、印刷装置７は主に供給部８、前処理部９、塗布部（印刷部）１０、冷却部１１、収納部１２、搬送部１３、後処理部１４及び制御部（図示せず）から構成されている。
【００４０】
供給部８は、複数の半導体基板１が収納された収納容器を備えている。そして、供給部８は中継場所８ａを備え、収納容器から中継場所８ａへ半導体基板１を供給する。中継場所８ａには、Ｘ方向に延びる一対のレール８ｂが、収納容器から送り出される半導体基板１の高さと略同一の高さに設けられている。
【００４１】
前処理部９は、上記の実施形態で説明した基板処理装置１００が適用されており、半導体装置３の表面を加熱しながら改質する機能を有する。前処理部９により半導体装置３は吐出された液滴の広がり具合及び印刷するマークの密着性が調整される。前処理部９は第１中継場所９ａ及び第２中継場所９ｂを備え、処理前の半導体基板１を第１中継場所９ａまたは第２中継場所９ｂから取り込んで表面の改質を行う。その後、前処理部９は処理後の半導体基板１を第１中継場所９ａまたは第２中継場所９ｂに移動して、半導体基板１を待機させる。第１中継場所９ａ及び第２中継場所９ｂを合わせて中継場所９ｃとする。そして、前処理部９の内部で前処理が行われる場所を処理場所９ｄとする。
【００４２】
冷却部１１は、塗布部１０の中継場所に配置されており、前処理部９で加熱及び表面改質が行われた半導体基板１を冷却する機能を有している。冷却部１１は、それぞれが半導体基板１を保持して冷却する処理場所１１ａ、１１ｂを有している。処理場所１１ａ、１１ｂは、適宜、処理場所１１ｃと総称するものとする。
【００４３】
塗布部１０は、半導体装置３に液滴を吐出してマークを描画（印刷）するとともに、描画されたマークを固化または硬化する機能を有する。塗布部１０は中継場所としての冷却部１１から描画前の半導体基板１を移動させて描画処理及び硬化処理を行う。その後、塗布部１０は描画後の半導体基板１を冷却部１１に移動させて、半導体基板１を待機させる。
【００４４】
後処理部１４は、塗布部１０で描画処理が施された後、冷却部１１に載置された半導体基板１に対して後処理として再加熱処理を行うものである。後処理部１４は、第１中継場所１４ａ及び第２中継場所１４ｂを備えている。第１中継場所１４ａ及び第２中継場所１４ｂを合わせて中継場所１４ｃとする。
【００４５】
収納部１２は、半導体基板１を複数収納可能な収納容器を備えている。そして、収納部１２は中継場所１２ａを備え、中継場所１２ａから収納容器へ半導体基板１を収納する。中継場所１２ａには、Ｘ方向に延びる一対のレール１２ｂが、半導体基板１を収容する収納容器と略同一の高さに設けられている。操作者は半導体基板１が収納された収納容器を印刷装置７から搬出する。
【００４６】
印刷装置７の中央の場所には、搬送部１３が配置されている。搬送部１３は腕部１３ｂを備えたスカラー型ロボットが用いられている。そして、腕部１３ｂの先端には半導体基板１を裏面（下面）から支持しつつ、側縁を片持ちで把持する把持部１３ａが設置されている。中継場所８ａ，９ｃ，１１、１４ｃ、１２ａは把持部１３ａの移動範囲内に位置している。従って、把持部１３ａは中継場所８ａ，９ｃ，１１、１４ｃ、１２ａ間で半導体基板１を移動することができる。
【００４７】
搬送部１３は、装置内の天部に設けられた支持体８３を備えており、支持体８３の内部にはモーター、角度検出器、減速機等から構成される回転機構が設置されている。そして、モーターの出力軸は減速機と接続され、減速機の出力軸は支持体８３の下側に配置された第１腕部８４と接続されている。また、モーターの出力軸と連結して角度検出器が設置され、角度検出器がモーターの出力軸の回転角度を検出する。これにより、回転機構は第１腕部８４の回転角度を検出して、所望の角度まで回転させることができる。
【００４８】
第１腕部８４上において支持体８３と反対側の端には回転機構８５が設置されている。回転機構８５はモーター、角度検出器、減速機等により構成され、支持体８３の内部に設置された回転機構と同様の機能を備えている。そして、回転機構８５の出力軸は第２腕部８６と接続されている。これにより、回転機構８５は第２腕部８６の回転角度を検出して、所望の角度まで回転させることができる。
【００４９】
第２腕部８６上において回転機構８５と反対側の端には昇降装置８７が配置されている。昇降装置８７は直動機構を備え、直動機構を駆動することにより伸縮することができる。この直動機構は、例えば、供給部８の昇降装置１６と同様の機構を用いることができる。
【００５０】
図６（ａ）は、腕部１３ｂの−Ｚ側に把持部１３ａが設けられた正面図、図６（ｂ）は平面図（ただし、腕部１３ｂは図示せず）、図６（ｃ）は左側面図である。
なお、把持部１３ａは、腕部１３ｂに対してθＺ方向（Ｚ軸回りの回転方向）に回転移動可能に設けられ、ＸＹ平面における位置が変動するため、以下の説明では便宜上、ＸＹ平面と平行な一方向をｘ方向、ＸＹ平面と平行でｘ方向と直交する方向をｙ方向として説明する（Ｚ方向は共通）。
【００５１】
把持部１３ａは、腕部１３ｂに対してθＺ方向には回転可能、且つ半導体基板１の把持の際に固定状態で用いられる固定部１００と、固定部１００に対してＺ方向に移動自在に設けられた移動部１１０とを備えている。
【００５２】
固定部１００は、Ｚ軸部材１０１、懸架部材１０２、連結部材１０３、連結板１０４、挟持板１０５、フォーク部１０６を主体として構成されている。Ｚ軸部材１０１は、Ｚ方向に延在し腕部１３ｂにＺ軸回りに回転可能に設けられている。懸架部材１０２は、ｘ方向に延在する板状に形成されており、ｘ方向の中央部においてＺ軸部材１０１の下端に固定されている。連結板１０４は、懸架部材１０２と平行に互いに隙間をあけて配置され、当該懸架部材１０４とｘ方向両端側で連結部材１０３によって連結されている。挟持板１０５は、ｘ方向に延在する板状に形成されており、図６（ｃ）に示すように、＋Ｚ側の表面における＋ｙ側の端縁で連結板１０４の下端に固定されている。そして、挟持板１０５における＋Ｚ側の表面のうち、−ｙ側の端縁側が半導体基板１を挟持する際の挟持面１０５ａとなっている。
【００５３】
フォーク部１０６は、挟持面１０５ａで挟持された半導体基板１の下面（−Ｚ側の面）を下方から支持するものであって、挟持板１０５の−ｙ側の側面からｙ方向に延出させ、且つｘ方向に間隔をあけて複数（ここでは４本）設けられている。フォーク部１０６の配置間隔及び本数は、半導体基板１の長さが機種等に応じて変動した場合でも、少なくとも長さ方向で１箇所、好ましくは２箇所以上で支持可能に設定される。
本実施形態では、上述した保持テーブル７１に形成された溝部７１ｅのピッチに対応して４つ設けられている。
【００５４】
移動部１１０は、昇降部１１１、把持板１１２を主体として構成されている。昇降部１１１は、エアシリンダ機構等で構成されており、Ｚ軸部材１０１に沿って昇降する。把持板１１２は、昇降部１１１と一体的に昇降可能に設けられており、連結部材１０３、１０３間のｘ方向の隙間長よりも短く、懸架部材１０２と連結板１０４との間の隙間よりも小さな幅を有し、これら連結部材１０３、１０３間の隙間及び懸架部材１０２と連結板１０４との間の隙間にＺ方向に移動可能に挿入された挿入部１１２ａと、挿入部１１２ａよりも下方に位置し、懸架部材１０２よりも下方で挟持板１０５とほぼ同じ長さでｘ方向に延在する挟持板１１２ｂとが一体的に形成されてなるものである。
【００５５】
上記挿入部１１２ａ及び挟持板１１２ｂとからなる把持板１１２は、昇降部１１１の昇降に応じて一体的にＺ方向に移動する。把持板１１２が下降した際には、挟持板１１５との間で半導体基板１の一端縁を挟持して把持可能であり、把持板１１２が上昇した際には、挟持板１１５から離間することで半導体基板１に対する把持が解除される。
【００５６】
そして、回転機構８５等を駆動して把持部１３ａを所定の位置に移動させることにより、把持部１３ａで把持する半導体基板１を所定の処理部に搬送することができる。
【００５７】
制御部は、印刷装置７の全体の動作を制御する装置であり、印刷装置７の各部の動作状況を管理する。そして、搬送部１３に半導体基板１を移動する指示信号を出力する。これにより、半導体基板１は各部を順次通過して描画されるようになっている。
【００５８】
上述した印刷装置７を用いた印刷方法は、図７のフローチャートに示されるように、半導体基板１を収納容器１８から搬入する搬入工程Ｓ１、搬入された半導体基板１の表面に対して前処理を施す前処理工程Ｓ２、前処理工程Ｓ２で温度上昇した半導体基板１を冷却する冷却工程Ｓ３、冷却された半導体基板１に対して各種マークを描画印刷する印刷工程Ｓ４、各種マークが印刷された半導体基板１に対して後処理を施す後処理工程Ｓ５、後処理が施された半導体基板１を収納容器１８に収納する収納工程Ｓ６を主体に構成される。
【００５９】
前処理工程で上述した基板処理装置１００のステージ７０に半導体基板１を搬送する際には、図８に示すように、支持板１０５と挟持板１１２との間で半導体基板１の端縁を挟持し、フォーク部１０６で半導体基板１を下方から支持した状態で−Ｙ側から、フォーク部１０６を保持テーブル７１の溝部７１ｅに挿入しつつ移動させる。半導体基板１を吸着部８０に受け渡すと、支持板１０５と挟持板１１２との挟持を解除した後で搬送部１３を−Ｙ方向に移動させればよい。
【００６０】
このように、本実施形態の印刷装置７は、上述した基板処理装置１００を備えているため、前処理部９における改質処理において加熱時間が長くなって生産性が低下することを抑制できる。
なお、印刷装置７における前処理部９の他に、半導体基板１に対する伝熱が行われる、塗布部（印刷部）１０、冷却部１１、後処理部１４にも上述した基板処理装置１００を用いることが可能である。
【００６１】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００６２】
例えば、上記実施形態では、吸着部８０が設けられる孔部７１ａに伝熱装置ＤＮを装着する構成としたが、これに限定されるものではなく、伝熱装置ＤＮ専用の孔部を設けて装着する構成であってもよい。
【００６３】
また、上記実施形態では、伝熱装置ＤＮを装着する際、あるいは別の位置に装着する際には、保持テーブル７１とベース部７２とを分離する手順を例示したが、これに限られず、例えば、図９に示すように、移動部９１が軸部９１ａのみで構成され、所定の付勢力で、例えば、Ｘ方向に進退する球部９５ｕを有するボールプランジャー９５を軸部９１ａに設ける構成であってもよい。この場合、伝熱部９０の最も突出する位置で球部９５ｕが段部７１ｃに係止する位置にボールプランジャー９５を設け、また付勢部材９２の付勢力よりも大きな力で球部９５ｕが段部７１ｃに係止することにより、伝熱部９０及び移動部９１の保持テーブル７１からの離脱を阻止しつつ、球部９５ｕにおける付勢力に抗して伝熱部９０及び移動部９１を孔部７１ａに対して引き抜き及び押し込みを行うことで、保持テーブル７１の表面７１ｂ側から容易に伝熱装置ＤＮを着脱して、交換や装着位置変更を行うことができる。
【符号の説明】
【００６４】
１…半導体基板（基板）、  ７１…保持テーブル、  ９０…伝熱部、  ９２…付勢部材、  ＤＮ…伝熱装置、  Ｈ…加熱装置、  ＫＡ１〜ＫＡ３…保持領域、  ＶＣ…吸着装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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