(57)【要約】【課題】摺動性に優れためっき品を提供する。【解決手段】導電性金属からなる基材の上にめっき皮膜が形成されためっき品であって、前記基材の上に多孔質めっき層が形成され、前記めっき皮膜の表面に多数の孔を有するとともに該孔に潤滑性粒子がブラスト処理により充填されてなることを特徴とする。このとき、前記多孔質めっき層がＮｉ又はＣｕを主成分とすることが好ましい。前記孔の平均径が、面積荷重平均値で０．２〜２０μｍであることも好ましい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性金属からなる基材の上にめっき皮膜が形成されためっき品であって、
前記基材の上に多孔質めっき層が形成され、
前記めっき皮膜の表面に多数の孔を有するとともに該孔に潤滑性粒子がブラスト処理により充填されてなることを特徴とするめっき品。
【請求項２】
前記多孔質めっき層がＮｉ又はＣｕを主成分とする請求項１に記載のめっき品。
【請求項３】
前記孔の平均径が、面積荷重平均値で０．２〜２０μｍである請求項１又は２に記載のめっき品。
【請求項４】
前記多孔質めっき層の厚さが０．１〜２０μｍである請求項１〜３のいずれかに記載のめっき品。
【請求項５】
前記潤滑性粒子がフッ素樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、メラミンシアヌレート、黒鉛、窒化ホウ素、二硫化モリブデン及び二硫化タングステンからなる群から選択される少なくとも１つである請求項１〜４のいずれかに記載のめっき品。
【請求項６】
前記潤滑性粒子の平均粒径が０．０１〜２０μｍである請求項１〜５のいずれかに記載のめっき品。
【請求項７】
前記基材と前記多孔質めっき層との間に、該多孔質めっき層と同じ金属を主成分とする下地めっき層がさらに形成され、該下地めっき層の厚さが０．１〜２０μｍである請求項１〜６のいずれかに記載のめっき品。
【請求項８】
前記多孔質めっき層上に表面めっき層がさらに形成されてなる請求項１〜７のいずれかに記載のめっき品。
【請求項９】
前記表面めっき層がＡｕ、Ａｇ及びＳｎからなる群から選択される少なくとも１つの金属を主成分とする請求項８に記載のめっき品。
【請求項１０】
前記表面めっき層の厚みが０．００１〜１０μｍである請求項８又は９に記載のめっき品。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載のめっき品の製造方法であって、
表面に多数の孔を有する多孔質めっき層を前記基材の上に形成する多孔質めっき層形成工程と、
前記孔に潤滑性粒子をブラスト処理により充填する充填工程とを備えることを特徴とするめっき品の製造方法。
【請求項１２】
請求項８〜１０のいずれかに記載のめっき品の製造方法であって、
前記多孔質めっき層を前記基材の上に形成する多孔質めっき層形成工程と、
表面に多数の孔を有する表面めっき層を前記多孔質めっき層の上に形成する表面めっき層形成工程と、
前記孔に潤滑性粒子をブラスト処理により充填する充填工程とを備えることを特徴とするめっき品の製造方法。
【請求項１３】
前記基材と前記多孔質めっき層との間に、該多孔質めっき層と同じ金属を主成分とする下地めっき層を形成する下地めっき層形成工程をさらに備える請求項１１又は１２に記載のめっき品の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１０のいずれかに記載のめっき品からなる電気部品であって、
前記孔に潤滑性粒子が充填された前記めっき皮膜が形成された部分が電気的接点であることを特徴とする電気部品。
【請求項１５】
前記電気部品が、接点部と端子部を有するコネクタ用端子又はスイッチ用端子であって、該接点部に前記めっき皮膜が形成されてなる請求項１４に記載の電気部品。
【請求項１６】
前記電気部品が、プリント配線板である請求項１４に記載の電気部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性金属からなる基材の上にめっき皮膜が形成されためっき品に関する。また、本発明はこのようなめっき品の製造方法及び用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、導電性金属からなる基材の上にめっきを施しためっき品は、様々な分野において用いられている。基材上にめっきを施すことにより、接触電気抵抗の低減、耐摩耗性の改善、耐食性の改善など、電気的、機械的、化学的特性を向上させることができる。特にめっき品をコネクタの接点部に使用した場合、摩擦抵抗が高いと相手材との間の摩擦によって摩耗して接点特性の劣化を招くおそれがある。そのため、摺動性の優れためっき品が求められている。
【０００３】
特許文献１には、金属基材と、金属基材の摺動表面に金属基材より軟質で且つ摩擦係数の小さい金属粒子をショットブラストすることにより金属基材の摺動表面の少なくとも８％以上を覆うように機械的に付着形成された付着金属とを有する摺動材料が記載されている。これにより、表面粗さをあまり変えずに摺動部品の要求に応じて表面の摺動特性を改質できる摺動材料を提供することができると記載されている。
【０００４】
特許文献２には、微小な凹部を有する電気接点部材としてのコンタクトが記載されている。特許文献２に記載のコンタクトは、相手側電気接触部材との接続に供される接触部を備えた所定形状のコンタクトにおいて、少なくとも前記接触部を含む一部分又は全体の表面には微小な複数の凹部が形成され、前記複数の凹部には流動性を有する潤滑剤、固体潤滑性微粒子、固体潤滑性微粒子を含む潤滑剤の何れか一つによる潤滑物質が滞留保持されたことを特徴とするものである。ここで、特許文献２において、凹部に潤滑物質を滞留保持させる方法としては、基材の表面に潤滑物質を塗布する方法や、潤滑物質を含む液に基材を浸漬する方法が記載されている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の摺動材料及び特許文献２のコンタクトの摺動特性は未だ十分であるとはいえず、摺動特性のより優れたものが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２８４７０６号公報
【特許文献２】特開２００６−２０２５６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、摺動性に優れためっき品を提供することを目的とするものである。また、そのようなめっき品の製造方法及び用途を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題は、導電性金属からなる基材の上にめっき皮膜が形成されためっき品であって、前記基材の上に多孔質めっき層が形成され、前記めっき皮膜の表面に多数の孔を有するとともに該孔に潤滑性粒子がブラスト処理により充填されてなることを特徴とするめっき品を提供することによって解決される。このとき、前記多孔質めっき層がＮｉ又はＣｕを主成分とすることが好ましい。前記孔の平均径が、面積荷重平均値で０．２〜２０μｍであることも好ましい。前記多孔質めっき層の厚さが０．１〜２０μｍであることも好ましい。
【０００９】
前記潤滑性粒子がフッ素樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、メラミンシアヌレート、黒鉛、窒化ホウ素、二硫化モリブデン及び二硫化タングステンからなる群から選択される少なくとも１つであることが好ましい。このとき、前記潤滑性粒子の平均粒径が０．０１〜２０μｍであることが好ましい。
【００１０】
前記基材と前記多孔質めっき層との間に、該多孔質めっき層と同じ金属を主成分とする下地めっき層がさらに形成され、該下地めっき層の厚さが０．１〜２０μｍであることが好ましい。
【００１１】
前記多孔質めっき層上に表面めっき層がさらに形成されてなることが好ましい。このとき、前記表面めっき層がＡｕ、Ａｇ及びＳｎからなる群から選択される少なくとも１つの金属を主成分とすることが好ましい。前記表面めっき層の厚みが０．００１〜１０μｍであることも好ましい。
【００１２】
上記課題は、上記めっき品の製造方法であって、表面に多数の孔を有する多孔質めっき層を前記基材の上に形成する多孔質めっき層形成工程と、前記孔に潤滑性粒子をブラスト処理により充填する充填工程とを備えることを特徴とするめっき品の製造方法を提供することによっても解決される。
【００１３】
また、上記課題は、上記めっき品の製造方法であって、前記多孔質めっき層を前記基材の上に形成する多孔質めっき層形成工程と、表面に多数の孔を有する表面めっき層を前記多孔質めっき層の上に形成する表面めっき層形成工程と、前記孔に潤滑性粒子をブラスト処理により充填する充填工程とを備えることを特徴とするめっき品の製造方法を提供することによっても解決される。
【００１４】
前記基材と前記多孔質めっき層との間に、該多孔質めっき層と同じ金属を主成分とする下地めっき層を形成する下地めっき層形成工程をさらに備えることが好ましい。
【００１５】
上記課題は、上記めっき品からなる電気部品であって、前記孔に潤滑性粒子が充填された前記めっき皮膜が形成された部分が電気的接点であることを特徴とする電気部品を提供することによっても解決される。このとき、前記電気部品が、接点部と端子部を有するコネクタ用端子又はスイッチ用端子であって、該接点部に前記めっき皮膜が形成されてなることが好ましい。また、前記電気部品が、プリント配線板であることも好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、摺動性に優れためっき品を提供することができる。また、本発明により、そのようなめっき品の製造方法及び用途を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施例１における封孔処理後のめっき皮膜表面の二次電子像である。
【図２】実施例１のめっき品の表面の反射電子像である。
【図３】実施例１のめっき品の摩耗試験の結果である。
【図４】比較例１のめっき品の表面の反射電子像である。
【図５】比較例１のめっき品の摩耗試験の結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明は、導電性金属からなる基材の上にめっき皮膜が形成されためっき品に関する。本発明のめっき品は、基材の上に多孔質めっき層が形成され、めっき皮膜の表面に多数の孔を有するとともに該孔に潤滑性粒子がブラスト処理により充填されてなるものである。このような構成を満足する本発明のめっき品は、表面にのみ潤滑性粒子を付着させたり、塗布や浸漬によって凹部に潤滑性粒子を滞留保持させたりして得られる従来のめっき品に比べて摺動性が格段に向上することが明らかになった。
【００１９】
本発明で用いられる基材は導電性金属からなるものであればよく、その材料は特に限定されない。なかでも、導電性能などの観点から、銅又は銅を主成分とする合金が好適に使用される。ここで、「主成分とする」とは５０重量％以上含有するという意味である。
【００２０】
本発明における多孔質めっき層は特に限定されないが、好適にはＮｉ又はＣｕを主成分とするものである。ここで、「主成分とする」とは５０重量％以上含有するという意味である。多孔質めっき層中のＮｉ又はＣｕの含有量は、接触抵抗の面から、６０重量％以上であることがより好ましく、８０重量％以上であることがさらに好ましい。また、本発明において、「多孔質」とは、めっき層の表面に多数の孔があって表面積が広いことをいう。より具体的には、基材に向かって凹状に窪んだ複数の凹部を有することをいう。
【００２１】
本発明において、多孔質めっき層の厚みが０．１〜２０μｍであることが好ましい。多孔質めっき層の厚みが０．１μｍ未満であると潤滑性粒子が孔に充填され難くなるおそれがある。多孔質めっき層の厚みは、０．２μｍ以上がより好ましく、０．５μｍ以上がさらに好ましい。多孔質めっき層の厚みが２０μｍを超えると製造コストの上昇を招くおそれがある。多孔質めっき層の厚みは、１０μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下がさらに好ましい。ここで、多孔質めっき層の厚みとは、基材上に多孔質めっき層が形成されている場合、当該基材表面から多孔質めっき層の凸部までの厚さのことをいう。
【００２２】
本発明のめっき品においては、基材と多孔質めっき層との間に、該多孔質めっき層と同じ金属を主成分とする下地めっき層がさらに形成されることが好ましい。多孔質めっき層の孔が表面から基材に貫通している場合、下地めっき層が形成されていることで基材の露出を防ぐことが可能になる。また、多孔質めっき層と下地めっき層を同じ金属を主成分とすることで多孔質めっき層と下地めっき層との電位差を無くし、電位差によるガルバニック腐食を防ぐことが可能になる。
【００２３】
下地めっき層の厚みが０．１〜２０μｍであることが好ましい。下地めっき層の厚みが０．１μｍ未満であると基材の露出を防ぐ効果が十分に得られないおそれがある。下地めっき層の厚みは、０．２μｍ以上がより好ましく、０．５μｍ以上がさらに好ましい。厚みが２０μｍを超えると製造コストが高くなる。下地めっき層の厚みは、１０μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下がさらに好ましい。
【００２４】
本発明におけるめっき品においては、多孔質めっき層上に表面めっき層がさらに形成されてなることも好ましい。多孔質めっき層上に表面めっき層を形成することにより、多孔質めっき層の凹凸に沿うように表面めっき層が形成され、表面めっき層にも孔が形成されることになる。このとき、表面めっき層は、Ａｕ、Ａｇ、及びＳｎからなる群から選択される少なくとも１つの金属を主成分とすることが好ましい。ＡｕあるいはＡｇを主成分とする表面めっき層は、接触電気抵抗を低下させるためや、耐食性を向上させるためなどに用いられる。また、Ｓｎを主成分とする表面めっき層は、半田付け性を向上させるためや、耐食性を向上させるためなどに用いられる。
【００２５】
表面めっき層の厚みは０．００１〜１０μｍであることが好ましい。表面めっき層の厚みが０．００１μｍ未満であると、本発明のめっき品を電気的接点に用いた場合に所望の接触抵抗が得られなかったり、半田付け性が劣ったりするおそれがある。Ｓｎを主成分とする表面めっき層の場合には、その厚みは０．２μｍ以上がより好ましく、０．５μｍ以上がさらに好ましい。一方、表面めっき層の厚みが厚いと電気伝導性が向上するが製造コストが高くなる。表面めっき層の厚みは５μｍ以下がより好ましい。ＡｕあるいはＡｇを主成分とする表面めっき層の場合には、貴金属の使用量を低減する観点から、その厚みは０．２μｍ以下がより好ましく、０．１μｍ以下がさらに好ましい。ここで、表面めっき層の厚みとは、Ａｕ、Ａｇ、又はＳｎの付着重量を、比重とめっき面積で割って算出された厚さのことをいう。また、このとき、めっき面積は表面の凹凸を考慮しない。
【００２６】
本発明において、基材上に形成されるめっき皮膜は、上記多孔質めっき層のみから構成される単層のめっき皮膜であっても構わないし、下地めっき層と多孔質めっき層を含む多層めっき皮膜、多孔質めっき層と表面めっき層を含む多層めっき皮膜、下地めっき層と多孔質めっき層と表面めっき層を含む多層めっき皮膜のいずれであっても構わない。このとき、各めっき層が、組成の異なる複数の層から構成されていても構わない。また、めっき皮膜は、本発明の効果を阻害しない範囲でこれら以外のめっき層を含んでいても構わない。
【００２７】
本発明において、基材上に形成されためっき皮膜は、その表面に多数の孔を有するものである。より具体的には、基材に向かって凹状に窪んだ複数の凹部を有するものである。ここで、孔の平均径が、面積荷重平均値で０．２〜２０μｍであることが好ましい。平均径が０．２μｍ未満であると孔に潤滑性粒子が充填されないおそれがある。孔の平均径は０．５μｍ以上がより好ましく、１μｍ以上がさらに好ましい。孔の平均径が２０μｍを超えると本発明のめっき品を電気的接点として用いた場合に接触抵抗値が増大し電気伝導性が低下するおそれがある。孔の平均径は１０μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下がさらに好ましい。ここで、孔の平均径は、めっき品の表面の走査型電子顕微鏡写真（二次電子像）中から複数の孔を選び、それら孔の直径を計測し面積荷重平均することによって得られる。孔が円形でない場合には、円相当径を直径とする。
【００２８】
本発明のめっき品においては、基材の上に形成された孔に潤滑性粒子がブラスト処理により充填されている。ここで用いられる潤滑性粒子は、めっき皮膜の潤滑性を向上させられるものであればよく、特に限定されないが、自己潤滑性を有する粒子が好適に用いられる。自己潤滑性を有する樹脂粒子としては、金属表面に対する自己潤滑性に優れている観点から、結晶性樹脂の粒子が好ましく用いられる。そのような粒子の材料としては、ポリテトラフルオロエチレンに代表されるフッ素樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィドなどが好適なものとして例示される。自己潤滑性を有する有機粒子（樹脂粒子以外）としては、メラミンシアヌレートが好適なものとして例示される。また、自己潤滑性を有する無機粒子としては、黒鉛（天然黒鉛、人造黒鉛、フッ化黒鉛など）、窒化ホウ素、二硫化モリブデン、二硫化タングステンなどが好適なものとして例示される。潤滑性粒子の寸法は特に限定されないが、平均粒径が０．０１〜２０μｍであることが好ましい。平均粒径が０．０１μｍ未満の場合、コストが上昇するとともに、取扱性が悪化するおそれがある。平均粒径は、より好適には０．１μｍ以上であり、さらに好適には０．２μｍ以上である。平均粒径が２０μｍを超えると孔に充填し難くなる場合がある。平均粒径は、より好適には５μｍ以下であり、さらに好適には３μｍ以下である。ここで、平均粒径は、レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置により測定された、体積基準の粒度分布に基づいて決定される累積体積平均メジアン径（ｄ５０）である。また、本発明において「潤滑性粒子が孔に充填されている」とは、孔の全体に潤滑性粒子が充填されている場合のみでなく、孔の一部にのみ潤滑性粒子が充填されている場合も含む。
【００２９】
本発明のめっき品は、導電性金属からなる基材の上に、表面に多数の孔を有するめっき皮膜を形成してから、該孔に対してブラスト処理により潤滑性粒子を充填することによって製造される。めっき皮膜が表面めっき層を有さない場合の好適な製造方法は、表面に多数の孔を有する多孔質めっき層を前記基材の上に形成する多孔質めっき層形成工程と、前記孔に潤滑性粒子をブラスト処理により充填する充填工程とを備える製造方法である。また、めっき皮膜が表面めっき層を有する場合の好適な製造方法は、多孔質めっき層を基材の上に形成する多孔質めっき層形成工程と、表面に多数の孔を有する表面めっき層を多孔質めっき層の上に形成する表面めっき層形成工程と、前記孔に潤滑性粒子をブラスト処理により充填する充填工程とを備える製造方法である。そしていずれの場合にも、基材と多孔質めっき層との間に、多孔質めっき層と同じ金属を主成分とする下地めっき層を形成する下地めっき層形成工程を備えることが好ましい。以下、多孔質めっき層、下地めっき層、表面めっき層の形成方法について、順次説明する。
【００３０】
まず、必要に応じて脱脂処理や水洗された基材に対し、めっき浴中でめっきを施し多孔質めっき層を形成する。このときのめっき方法は特に限定はされず、多孔質めっき層が形成されるのであればよい。例えば、Ｎｉイオン又はＣｕイオンを含有し、かつ疎水性基を有する水溶性の第４級アンモニウム塩が添加されているめっき浴中で電気めっきする方法などが例示される。ここで、疎水性基としては炭素数６以上の炭化水素基が好適である。この場合、第４級アンモニウム塩は、公知のＮｉ電気めっき浴やＣｕ電気めっき浴に添加することができる。第４級アンモニウム塩の好適な添加量は、０．００１〜０．５ｍｏｌ／Ｌである。公知の電気めっき浴としては、例えば、ワット浴、ウッド浴、スルファミン酸Ｎｉ浴、有機酸Ｎｉ浴、シアン化Ｃｕ浴、硫酸Ｃｕ浴、ピロリン酸Ｃｕ浴などを例示することができる。電気めっきする場合には、多孔質めっき層が所望の膜厚となるように電流密度や時間を適宜設定すればよい。
【００３１】
本発明のめっき品の製造方法において、多孔質めっき層形成工程の前に、多孔質めっき層と同じ金属を主成分とする下地めっき層を形成する工程をさらに加えてもよい。下地めっき層を形成する際のめっき浴は特に限定されないが、多孔質めっき層を形成する工程で用いるめっき浴から、第４級アンモニウム塩を除いたものなどが用いられる。また、めっきの条件は、下地めっき層が所望の膜厚となるように電流密度や時間を適宜設定すればよい。
【００３２】
本発明のめっき品の製造方法において、多孔質めっき層形成工程の後に、表面めっき層を形成する工程をさらに加えてもよい。このとき、表面めっき層を形成する際のめっき浴はＡｕイオン、Ａｇイオン、及びＳｎイオンからなる群から選択される少なくとも１つの金属イオンを含有することが好ましい。例えば、公知のＡｕ電気めっき浴やＡｇ電気めっき浴を使用することができる。例えば、Ａｕめっき浴としてはシアン化Ａｕ浴（酸性浴、中性浴、アルカリ性浴）、非シアン浴（亜硫酸浴）、Ａｇめっき浴としては、シアン化Ａｇ浴、Ｓｎめっき浴としては、２価のＳｎ塩を用いる酸性浴、４価のＳｎ酸塩を用いるアルカリ性浴などを例示することができる。無電解めっきによって表面めっき層を形成しても構わないし、無電解めっきと電気めっきとを併用しても構わない。また、めっきの条件は、表面めっき層が所望の膜厚となるように電流密度や時間を適宜設定すればよい。
【００３３】
腐食防止の観点から、本発明のめっき皮膜の表面に、さらに表面処理を施してもよい。表面めっき層がＡｕを主成分とする場合には、封孔処理などが例示され、表面めっき層がＡｇを主成分とする場合には、硫化防止処理などが例示され、表面めっき層がＳｎを主成分とする場合には変色防止処理などが例示される。また、潤滑性向上の観点から、本発明のめっき皮膜の表面に潤滑剤を塗布してもよい。さらに、本発明のめっき皮膜の撥水性を向上させるために、表面に撥水処理を施してもよい。
【００３４】
以上のようにして形成されためっき皮膜の表面にある多数の孔に対して、潤滑性粒子をブラスト処理により充填する。ここで本発明におけるブラスト処理とは、上述した潤滑性粒子の１種又は２種以上を、孔を有するめっき皮膜表面に吹き付ける処理のことをいう。ブラスト処理の方式は特に限定されず、例えば、潤滑性粒子をガスの流れにのせて噴射するガス式、羽根車を回転させたときの遠心力で潤滑性粒子を投射する機械式、液状媒体に潤滑性粒子を混合して噴射する湿式などを挙げることができる。これらの中でも、微細な粒子を噴射しやすいことからガス式が好ましく採用される。ここで用いられるガスは、コスト面からは空気が好適に用いられるが、めっき皮膜や潤滑性粒子の酸化を防止する観点からは不活性ガスが好適に用いられる。ガス式のブラスト処理装置を用いる場合、噴射されるガスの速度が大きいことが好ましく、通常、加圧ガスとともに粒子が噴射される。このとき、加圧ガスの圧力は０．３ＭＰａ以上であることが好ましい。また、粒子の融点以下の温度においてガスを加熱することによって膨張させて、噴射されるガスの速度を音速程度まで上昇させる、いわゆるコールドスプレー法も好ましい。さらにまた、めっき皮膜が形成された基材を減圧したチャンバー内に配置して、その中にガスとともに粒子を噴射する、いわゆるエアロゾルデポジション法も好ましい。本発明において、ブラスト装置は、用途や素材に応じて適宜選択される。
【００３５】
こうして得られた本発明のめっき品の用途は特に限定されない。優れた摺動性を活かして各種の用途に用いることができる。なかでも、孔に潤滑性粒子が充填されためっき皮膜が形成された部分が電気的接点である電気部品が好適な実施態様である。要求される電気特性を維持しながら、摺動性に優れた電気的接点を提供することができる。より具体的には、当該電気部品が、接点部と端子部を有するコネクタ用端子であって該接点部に前記めっき皮膜が形成されてなるものであることが好適な実施態様である。接点部は、他のコネクタ等と接触して電気を流す部分であり、端子部はケーブル等に接続される部分である。本発明のコネクタ用端子は、挿抜を繰り返しても接点特性が劣化しにくい。また、本発明のめっき品からなる電気部品が、プリント配線板であることも好適な実施形態である。
【００３６】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本実施例中での試験方法は以下の方法に従って行った。
【００３７】
（１）表面観察
株式会社日立ハイテクノロジーズ社製の電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）「Ｓ−４８００」を用い、めっき品の表面を撮影し二次電子像及び反射電子像を得た。
【００３８】
（２）摩擦磨耗試験
神鋼造機株式会社製の摩擦摩耗試験機（形式ＳＳＷＴ）を用いて、得られためっき品の表面の摩擦係数を以下の試験条件で測定した。そして、横軸を往復摺動回数、縦軸を摩擦係数とするグラフを得た。得られたグラフより２０サイクル毎の摩擦係数を求めて平均摩擦係数を算出した。
ボール：φ９．８ｍｍ  真鍮（Ｎｉ下地１μｍ、Ａｕ０．４μｍめっき済）
・試験温度：２２℃
・試験荷重：５００ｍＮ
・ストローク：４．００ｍｍ
・周波数：２．００Ｈｚ
【００３９】
実施例１
（電解脱脂処理）
まず、基材として３０ｍｍ×４０ｍｍ×０．３ｍｍの銅板を用意し、当該銅板をカソードとして、ユケン工業株式会社製の電解脱脂剤「パクナＴＨＥ−２１０」を６０ｇ／Ｌで溶解した５０℃の水溶液に浸漬して、陰極電流密度４Ａ／ｄｍ２で６０秒間、脱脂処理を行った。脱脂処理された基材をイオン交換水で３回水洗した後、２ｖｏｌ％の硫酸水溶液に室温にて６０秒間浸漬し酸洗浄した。そして、再度、３回水洗した。
【００４０】
（下地Ｎｉめっき層の形成）
電解脱脂処理された基材を、５０℃に保温したｐＨが４．４の下記の組成の水溶液に浸漬した。そして、空気撹拌を行いながら、陰極電流密度３Ａ／ｄｍ２で１９０秒間、電解Ｎｉめっき処理をして、膜厚１μｍの下地Ｎｉめっき層を形成した。その後、基材をイオン交換水で３回洗浄した。
・スルファミン酸ニッケル［Ni(SO3NH2)2・4H2O］：３９６ｇ／Ｌ
・塩化ニッケル［NiCl2・6H2O］：３０ｇ／Ｌ
・ホウ酸［H3BO3］：３０ｇ／Ｌ
【００４１】
（多孔質Ｎｉめっき層の形成）
下地Ｎｉめっき層が形成された基材を、５０℃に保温したｐＨが４．２の下記の組成の水溶液に浸漬した。そして、空気撹拌を行いながら陰極電流密度３Ａ／ｄｍ２で８０秒間、電解Ｎｉめっき処理をして、下地Ｎｉめっき層上に膜厚１μｍの多孔質Ｎｉめっき層を形成した。その後、基材をイオン交換水で３回洗浄した後、イオン交換水中に浸漬して１分間、超音波洗浄した。
・スルファミン酸ニッケル［Ni(SO3NH2)2・4H2O］：３９６ｇ／Ｌ
・塩化ニッケル［NiCl2・6H2O］：３０ｇ／Ｌ
・ホウ酸［H3BO3］：３０ｇ／Ｌ
・ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド：０．０２ｍｏｌ／Ｌ
【００４２】
（表面Ａｕめっき層の形成）
多孔質Ｎｉめっき層が形成された基材を、６０℃に保温したｐＨが４．２の日本高純度化学株式会社製のＡｕめっき液「ＢＡＲ７」（Ａｕ含有量５ｇ／Ｌ）に浸漬した。そしてマグネティックスターラーで撹拌を行いながら、陰極電流密度３Ａ／ｄｍ２で８秒間、電解Ａｕめっき処理をして、多孔質Ｎｉめっき層上に膜厚０．０５μｍのＡｕめっき層を形成した。その後、基材をイオン交換水で３回洗浄し、６０℃のイオン交換水中に浸漬して６０秒間、超音波洗浄した後に乾燥することにより実施例１のめっき品を得た。
【００４３】
（封孔処理）
さらに、表面めっき層が形成された基材の表面に封孔処理を施した。具体的には、基材を５０℃に保温した株式会社テトラ社製のＡｕめっき封孔処理剤「テトラＮｏ．４」の水溶液（２００ｍＬ／Ｌ）に超音波をかけながら１０秒間浸した。そして、表面に付着した水溶液をエアーナイフで水切りした。
【００４４】
封孔処理後のめっき皮膜表面の二次電子像を図１に示す。図１に示すように、めっき皮膜の表面は多数の孔を有することが確認された。また、図１に示す二次電子像において、無作為に複数の孔を選びそれぞれ面積を求めた。このとき孔が円形でない場合には、円相当径を直径とした。そして面積荷重平均で孔の平均径を求めたところ、平均径は約３．５μｍであった。
【００４５】
（潤滑性粒子充填工程）
不二製作所製ショットブラスト装置「ＤＰＤ−２Ｌ型」を用いて、表面めっき層が形成された基材の表面に潤滑性粒子を吹き付け、実施例１のめっき品を得た。基材に潤滑性粒子を吹き付ける際には、ショットブラスト装置のノズルを基材に対して垂直になるように固定し、基材を自動搬送しながら吹き付つけるようにした。
・潤滑性粒子：株式会社喜多村製のフッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）：ＫＴＬ−５００Ｆ：平均粒子径（ｄ５０）０．３μｍ）
・ノズル径：φ０．６ｍｍ
・エアー圧力：０．６ＭＰａ
・噴射距離：３０ｍｍ
・ディスク回転数：２０ｒｐｍ
・搬送速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
【００４６】
また、図２に実施例１のめっき品の表面の反射電子像を示す。反射電子像は、重い元素がある部分は明るく、軽い元素がある部分は暗い像が得られる。図２に示すように、実施例１のめっき品の表面の孔が黒くなっており、当該孔にフッ素樹脂が充填されていることがわかる。ここで、株式会社堀場製作所製のエネルギー分散型Ｘ線分析装置「ＥＸ−３５０」を用いて、図２の黒い部分について元素分析（面マッピング）を行ったところ、炭素原子とフッ素元素が含まれることがわかった。これらの結果より、実施例１のめっき品の孔にはフッ素樹脂が充填されていることが確認された。
【００４７】
図３に実施例１のめっき品の摩耗試験の結果を示す。図３に示すように、試験初期から摩擦係数は低く、試験終了まで大きな変化は確認されなかった。また、表１に示すように、全サイクルの平均摩擦係数は、０．１０９であった。
【００４８】
実施例２
実施例１の潤滑性粒子充填工程における潤滑粒子をESK CERAMICS社製の窒化ホウ素微粉末（平均粒子径（ｄ５０）０．５μｍ）に代えた以外は実施例１と同じ方法でめっき品を得た。表１に示すように、全サイクルの平均摩擦係数は、０．１８９であった。
【００４９】
比較例１
実施例１における潤滑性粒子の充填工程を行わなかった以外は実施例１と同様の処理をして比較例１のめっき品を得た。
【００５０】
図４に比較例１のめっき品の表面の反射電子像を示す。図４に示すように、比較例１のめっき品の表面には黒い部分はほとんど確認できず、元素分析においてもフッ素元素は確認できなかった。
【００５１】
図５に比較例１のめっき品の摩耗試験の結果を示す。図５に示すように、試験初期の摩擦係数は高くなった。また、表１に示すように、全サイクルの平均摩擦係数は、０．３０１であった。
【００５２】
比較例２
実施例１における封孔処理を以下の条件で行い、かつ潤滑性粒子の充填工程を行わなかった以外は実施例１と同様の処理をして比較例２のめっき品を得た。
【００５３】
（封孔処理）
表面めっき層が形成された基材を５０℃に保温した株式会社テトラ社製のＡｕめっき封孔処理剤「テトラＮｏ．４」の水溶液（２００ｍＬ／Ｌ）に潤滑性粒子として実施例１で用いたものと同じＰＴＦＥ粒子を１Ｌあたり１０ｇ添加し、超音波をかけながら１０秒間浸した。そして、当該水溶液に基材を浸漬し、超音波をかけながら１０秒間浸した。そして、表面に付着した水溶液をエアーで吹き飛ばし比較例２のめっき品を得た。
【００５４】
比較例２のめっき品の表面を観察した結果、潤滑性粒子は孔に充填されておらず、表面に付着していた。また、比較例２のめっき品についても摩耗試験を行った結果、表１に示すように、全サイクルの平均摩擦係数は、０．３０９であった。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
表１の実施例１及び２に示されるように、めっき皮膜の表面に多数の孔を有するとともに該孔に潤滑性粒子がブラスト処理により充填されることで、平均摩擦係数を大幅に低減できる。したがって、潤滑性粒子が充填されていない比較例１のめっき品や、単に浸漬処理することでめっき皮膜表面に潤滑性粒子を付着させた比較例２のめっき品と比べ、本発明の構成を満足するめっき品は、摺動性に優れることがわかった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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