(57)【要約】【課題】種結晶の接着状態の、精度の高い検査方法を提供する。【解決手段】種結晶１１と、種結晶１１を接着している接着層３０と、接着層３０によって種結晶１１が接着されている支持部４１とを有する被検査物ＩＳが準備される。種結晶１１および支持部４１のいずれかを透過して接着層３０に至るように、被検査物ＩＳの被検査面ＳＳへ超音波ＵＬが照射される。被検査面ＳＳにおける、超音波の反射波ＲＦの減衰定数の分布が算出される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
種結晶の接着状態の検査方法であって、
前記種結晶と、前記種結晶を接着している接着層と、前記接着層によって前記種結晶が接着されている支持部とを有する被検査物を準備する工程と、
前記種結晶および前記支持部のいずれかを透過して前記接着層に至るように、前記被検査物の被検査面へ超音波を照射する工程と、
前記被検査面における、前記超音波の反射波の減衰定数の分布を算出する工程とを備える、種結晶の接着状態の検査方法。
【請求項２】
前記被検査面において、前記減衰定数が所定の閾値の範囲内となる部分の割合を算出する工程をさらに備える、請求項１に記載の種結晶の接着状態の検査方法。
【請求項３】
前記種結晶は炭化珪素から作られている、請求項１または２に記載の種結晶の接着状態の検査方法。
【請求項４】
前記接着層は、Ｃ系またはＳｉＣ系接着剤を用いて作られた層を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の種結晶の接着状態の検査方法。
【請求項５】
前記超音波の周波数は１０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の種結晶の接着状態の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は種結晶の接着状態の検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開２００８−１１０９１３号公報によれば、単結晶の成長において、種結晶と種結晶支持部とを接着させる際の接着不良が原因で発生するマクロ欠陥を抑制することを目的とした方法が開示されている。この方法によれば、まず、接着剤を介して種結晶と種結晶支持部とが当接され、この状態で一回目の熱処理により接着剤が乾燥・硬化させられる。二回目の熱処理により接着剤が炭化させられる。そして、種結晶を通して接着剤の炭化層を観察して得られる反射光の明暗に基づいて固定状態の良否が判別される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１１０９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
種結晶を接着している接着層の不良として最も重大なのはボイドの存在である。よって種結晶の接着状態の検査においては、ボイドを精度よく検知することが求められる。しかしながら上記公報の技術のように種結晶の接着状態が反射光の明暗に基づいて判別される場合、反射光の明暗がボイド以外の要因に大きく左右されることから、ボイドの検知の精度が十分に高くなかった。よって種結晶の接着状態を精度よく検査することができなかった。
【０００５】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、種結晶の接着状態の、精度の高い検査方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の種結晶の接着状態の検査方法は、種結晶の接着状態の検査方法であって、次の工程を有する。種結晶と、種結晶を接着している接着層と、接着層によって種結晶が接着されている支持部とを有する被検査物が準備される。種結晶および支持部のいずれかを透過して接着層に至るように、被検査物の被検査面へ超音波が照射される。被検査面における、超音波の反射波の減衰定数の分布が算出される。
【０００７】
この検査方法によれば、超音波の反射波の減衰定数が接着層中のボイドに起因して減少することを検知することにより、ボイドの存在を精度よく把握することができる。よって種結晶の接着状態を精度よく検査することができる。
【０００８】
好ましくは上記の検査方法において、被検査面において、減衰定数が所定の閾値の範囲内となる部分の割合が算出される。これにより、検査結果を定量化することができる。
【０００９】
好ましくは種結晶は炭化珪素から作られている。炭化珪素から作られた種結晶は接着層中のボイドの影響を特に受けやすいことから、本発明の検査方法が特に適している。
【００１０】
好ましくは接着層は、Ｃ系またはＳｉＣ系接着剤を用いて作られた層を含む。これらの接着剤を用いた場合にはボイドが特に発生しやすい。よってボイドを精度よく把握することができる本発明の検査方法により、高い精度での検査が可能である。
【００１１】
好ましくは超音波の周波数は１０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下である。周波数が低過ぎると、被検査物の被検査面から侵入した超音波が反対面にまで到達する割合が高くなり、この反対面からの反射波の影響に起因して、検査精度が低下する。よって周波数は１０ＭＨｚ以上であることが好ましい。周波数が高過ぎると、被検査物中での超音波の減衰が大きくなり過ぎることで、接着層からの反射波の強度が過度に小さくなってしまう。このため検査精度が低下する。よって周波数は１００ＭＨｚ以下が好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
上述したように本発明によれば、種結晶の接着状態を精度よく検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施の形態における種結晶の接着状態の検査方法の第１工程を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態における種結晶の接着状態の検査方法の第２工程を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態における種結晶の接着状態の検査方法の第３工程を概略的に示す断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態における単結晶の製造方法の第４工程において、接着層のボイドが検知されていない状態を示す断面図である。
【図５】図４の工程において検出される反射波の強度の時間変化を示すグラフ図である。
【図６】本発明の一実施の形態における単結晶の製造方法の第４工程において、接着層のボイドが検知されている状態を示す断面図である。
【図７】図６の工程において検出される反射波の強度の時間変化を示すグラフ図である。
【図８】本発明の一実施の形態における種結晶の接着状態の検査方法の第５工程の一例を示すグラフ図である。
【図９】本発明の一実施の形態における種結晶の接着状態の検査方法の第６工程の一例を示す平面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態における種結晶の接着状態の検査方法を用いて検査された種結晶を用いた単結晶の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお結晶学的な記載に関して、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示している。また、負の指数については、”−”（バー）を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
【００１５】
（被検査物の準備）
はじめに、本実施の形態における検査方法によって検査される被検査物ＩＳ（図３）を準備する方法について説明する。被検査物ＩＳは、詳しくは後述するが、種結晶１１と、種結晶１１を接着している接着層３０と、接着層３０によって種結晶１１が接着されている支持部４１とを有するものである。
【００１６】
図１を参照して、種結晶１１が準備される。種結晶１１は、その上に単結晶が成長することになる面である表面（図中、下面）と、支持部４１（図１において図示せず）に取り付けられることになる面である裏面（図中、上面）とを有する。種結晶１１は、単結晶構造を有する炭化珪素（ＳｉＣ）からなる。種結晶１１の厚さ（図中、縦方向の寸法）は、たとえば０．５ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。また種結晶１１の平面形状は、直径１００ｍｍの円を包含していることが好ましい。また種結晶の面方位の｛０００１｝面からのオフ角度（傾き）、すなわち（０００１）面または（０００−１）面からのオフ角度は、１５°以下が好ましく、５°以下がより好ましい。
【００１７】
好ましくは、種結晶１１の裏面の表面粗さをより大きくする加工が行われる。この加工は、十分に大きな粒径を有する砥粒を用いて裏面を研磨することによって行われ得る。砥粒の粒度分布は、好ましくは１６μｍ以上の成分を有する。砥粒の平均粒径は、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下であり、さらに好ましくは１２〜２５μｍである。
【００１８】
より好ましくは、上記の砥粒はダイヤモンドから作られている。また好ましくは、上記の砥粒はスラリー中に分散されて用いられる。よって上記の研磨は、たとえば、ダイヤモンドスラリーを用いて行われ得る。
【００１９】
なお種結晶１１の裏面の表面粗さをより大きくする工程を行う代わりに、最初から十分に大きな表面粗さを有する裏面を形成し、この裏面を研磨することなく用いてもよい。具体的には、ワイヤソーによるスライスによって形成された種結晶１１の裏面を、研磨することなく用いてもよい。すなわち裏面として、スライスによって形成されかつその後に研磨されていない面であるアズスライス面を用いてもよい。好ましくはワイヤソーによるスライスにおいて、上述した砥粒が用いられる。
【００２０】
次に種結晶１１の裏面上に、炭素を含有する被覆膜２１、言い換えれば、炭素原子を含む被覆膜２１が形成される。好ましくは、被覆膜２１の表面粗さは、被覆膜２１が形成される種結晶１１の裏面の表面粗さに比して小さくされる。
【００２１】
好ましくは、この形成は液体材料の塗布によって行われ、より好ましくは、この液体材料は微粒子のような固体物を含有しない。これにより薄い被覆膜２１を容易かつ均一に形成することができる。
【００２２】
被覆膜２１は、本実施の形態においては有機膜である。この有機膜は、好ましくは有機樹脂から形成される。有機樹脂としては、たとえば、アクリル樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂などの各種樹脂を用いることができ、また光の作用で架橋または分解される感光性樹脂として組成されたものを用いることもできる。この感光性樹脂としては、半導体装置の製造用に用いられているポジ型またはネガ型フォトレジストを用いることができ、これらについてはスピンコート法による塗布技術が確立されているので、被覆膜２１の厚さを容易に制御することができる。スピンコート法は、たとえば、以下のように行われる。
【００２３】
まず種結晶１１がホルダーに吸着される。このホルダーが所定の回転速度で回転することで、種結晶１１が回転させられる。回転している種結晶１１上にフォトレジストが滴下された後、所定時間回転が継続されることで、薄く均一にフォトレジストが塗布される。種結晶１１全面に渡る均一性を確保するためには、たとえば、回転速度は１０００〜１００００回転／分、時間は１０〜１００秒、塗布厚は０．１μｍ以上とされる。
【００２４】
次に塗布されたフォトレジストが乾燥されることで固化される。乾燥温度および時間は、フォトレジストの材料および塗布厚によって適宜選択され得る。好ましくは、乾燥温度は１００℃以上４００℃以下であり、乾燥時間は５分以上６０分以下である。たとえば乾燥温度が１２０℃の場合、揮発に要する時間は、たとえば、厚さ５μｍで１５分間、厚さ２μｍで８分間、厚さ１μｍで３分間である。
【００２５】
なお、上記の塗布および乾燥からなる工程を１回行えば被覆膜２１を形成することができるが、この工程が繰り返されることで、より厚い被覆膜２１が形成されてもよい。繰り返しの回数が多すぎるとこの工程に必要以上に時間を要してしまう点で好ましくなく、通常、２〜３回程度の繰り返しに留めることが好ましい。
【００２６】
図２を参照して、種結晶１１が取り付けられることになる取付面を有する支持部４１が準備される。この取付面は、好ましくは炭素からなる面を含み、より好ましくは黒鉛からなる面を含む。このために、支持部４１は黒鉛によって形成され得る。好ましくは取付面の平坦性を向上させるために取付面が研磨される。
【００２７】
次に支持部４１および被覆膜２１の少なくともいずれかの上に接着剤２２が塗布される。接着剤２２の塗布量は、好ましくは、１０ｍｇ／ｃｍ2以上１００ｍｇ／ｃｍ2以下である。 また接着剤の厚さは、好ましくは１００μｍ以下であり、より好ましくは５０μｍ以下である。
【００２８】
接着剤２２として、本実施の形態においてはＣ（炭素）系接着剤が用いられる。Ｃ系接着剤とは、硬化後の組成が主にＣとなるものである。Ｃ系接着剤は、加熱されることによって難黒鉛化炭素となる樹脂と、溶媒とを含んでもよい。またこの接着剤にはさらにフィラーが添加されていてもよい。また炭水化物が添加されていてもよい。また界面活性剤および安定剤などが添加されていてもよい。
【００２９】
加熱されることによって難黒鉛化炭素となる樹脂としては、たとえば、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、またはフルフリルアルコール樹脂がある。ここで難黒鉛化炭素とは、不活性ガス中で加熱された場合に黒鉛構造が発達することが抑制さるような不規則な構造を有する炭素である。
【００３０】
溶媒としては、上記の樹脂および炭水化物を溶解・分散させることができるものが適宜選択される。またこの溶媒は、単一の種類の液体からなるものに限られず、複数の種類の液体の混合液であってもよい。たとえば、炭水化物を溶解させるアルコールと、樹脂を溶解させるセロソルブアセテートとを含む溶媒が用いられてもよい。
【００３１】
フィラーとしては、黒鉛微粒子、ダイヤモンド微粒子、またはこれら微粒子の混合物を用いることができる。黒鉛またはダイヤモンドの微粒子の量は、炭素原子のモル数を基準として、樹脂の量よりも少なくされることが好ましい。微粒子の粒径は、たとえば０．１〜１０μｍである。
【００３２】
炭水化物としては、糖類またはその誘導体を用いることができる。この糖類は、グルコースのような単糖類であっても、セルロースのような多糖類であってもよい。
【００３３】
次に接着剤２２を挟んで被覆膜２１と支持部４１とが互いに接触させられる。好ましくはこの接触は、５０℃以上１２０℃以下の温度で、また０．０１Ｐａ以上１ＭＰａ以下の圧力で両者が互いを押し付け合うように行われる。また接着剤２２が種結晶１１および支持部４１に挟まれた領域からはみ出さないにようにされると、後述する、種結晶１１を用いた単結晶の成長工程において、接着剤２２による悪影響を抑制することができる。なお上記接触後、接着剤２２のプリベークが行われてもよい。プリベークの温度は、好ましくは１５０℃以上である。
【００３４】
さらに図３を参照して、被覆膜２１および接着剤２２（図２）が加熱される。この加熱によって炭化されることで被覆膜２１は炭素膜３１となる。すなわち種結晶１１上に炭素膜３１が設けられる。またこの加熱によって、炭素膜３１および支持部４１の間において接着剤２２が硬化されることで固定層３２となる。接着剤２２を硬化するための加熱の温度は、好ましくは１０００℃以上であり、より好ましくは２０００℃以上である。またこの加熱は、不活性ガス中で行われることが好ましい。
【００３５】
以上により、種結晶１１の裏面が、炭素膜３１および固定層３２を有する接着層３０によって、支持部４１に固定される。すなわち、種結晶１１と、種結晶１１を接着している接着層３０と、接着層３０によって種結晶１１が接着されている支持部４１とを有する被検査物ＩＳが準備される。理想的には接着層３０はボイドを有しないことが望ましいが、実際には、ある程度のボイドＶＤ（図３）が形成されることが多い。
【００３６】
（接着剤の変形例）
上記におけるＣ系接着剤の代わりに他の種類の接着剤が用いられてもよく、たとえばＳｉＣ系接着剤が用いられてもよい。ＳｉＣ系接着剤とは、硬化後の主な組成がＳｉＣとなるものである。ＳｉＣ系接着剤としては、たとえば、ポリカルボシランまたはその誘導体を含有する流動体が用いられ得る。接着剤の溶剤としては、たとえばキシレンが用いられ得る。なお流動体は溶液に限定されず、たとえばゲル、ゾル、またはスラリーであってもよい。ここでポリカルボシランの「誘導体」とは、ポリカルボシランの原子および官能基の少なくともいずれかが置換された構造を有する高分子をいう。このような置換は、たとえば、ポリカルボシランの製造過程において意図せずして混入した不純物に起因して生じ得る。
【００３７】
硬化のための熱処理に用いられる雰囲気は、酸化反応を防ぐために低い酸素分圧を有することが好ましく、たとえば不活性雰囲気または真空雰囲気である。雰囲気圧力は、大気圧またはそれ以下が好ましい。熱処理の温度は、好ましくは８００℃以上であり、たとえば１０００℃程度である。接着剤中に含まれる水素をより十分に除去することが望まれる場合は、熱処理温度は１３００℃以上が好ましい。接着剤のより十分な結晶化が望まれる場合は、熱処理温度は１６００℃以上が好ましい。また熱処理温度は、炭化珪素の昇華を抑えるために、２０００℃以下とされ、好ましくは１８００℃以下とされる。熱処理時間は、たとえば３０分程度である。
【００３８】
（被検査物の検査）
次に、上記のように準備された被検査物ＩＳ（図３）における種結晶１１の接着状態の検査方法について説明する。
【００３９】
図４を参照して、ヘッドＨＤを有する超音波顕微鏡が準備される。ヘッドＨＤは、超音波ＵＬの照射と、超音波ＵＬの反射波ＲＦの検出とを行うものである。好ましくは超音波ＵＬの周波数は１０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下である。超音波顕微鏡の分解能は、たとえば１μｍ程度である。
【００４０】
次に、被検査面ＳＳとしての種結晶１１の表面がヘッドＨＤと対向するように配置される。好ましくは被検査面ＳＳとヘッドＨＤとの間は液体によって満たされる。この液体は、たとえば水である。
【００４１】
次に、超音波顕微鏡による観察が行われる。すなわち、種結晶１１を透過して接着層３０に至るように被検査物ＩＳの被検査面ＳＳへ超音波ＵＬが照射され、また超音波ＵＬの反射波ＲＦが検出される。この超音波ＵＬの照射および反射波ＲＦの検出は、被検査面ＳＳの面内の異なる位置ごとに繰り返される。ｘｙ−面に平行な被検査面ＳＳの面内の異なる位置を測定するためには、たとえば、ヘッドＨＤの位置がｘ方向（図４の矢印ｘの方向）およびｙ方向に移動されればよい。ヘッドＨＤを移動させる代わりに、被検査物ＩＳが移動されてもよい。
【００４２】
上記観察においては、被検査面ＳＳ上の各観察位置に対して、まず超音波ＵＬのパルスが入射される。検査位置における接着層３０にボイドＶＤがない場合、反射波ＲＦは、主に被検査面ＳＳからの反射波ＲＦａである。ただし超音波ＵＬの周波数が低いほど、被検査面ＳＳの反対面からの反射波ＲＦｂも含まれる。
【００４３】
超音波ＵＬが透過する経路中にボイドＶＤがない場合、図５に示すように、ヘッドＨＤからの超音波ＵＬのパルスが消失すると、図５に示すように、反射波ＲＦの強度Ｉは時間ｔの経過とともに速やかに減衰する。これに対して、図６に示すように、超音波ＵＬが透過する経路中にボイドＶＤがある場合、ヘッドＨＤからの超音波ＵＬのパルスが消失後、図７に示すように、反射波ＲＦの強度Ｉはより緩やかに減衰する。この理由は、ボイドＶＤからの反射波ＲＦｍ（図６）がボイドＶＤにおける多重散乱に起因して減衰しにくいことによる。
【００４４】
被検査面ＳＳ上の各観察位置に対して、反射波ＲＦの減衰定数が求められる。ここで反射波ＲＦの減衰定数とは、超音波ＵＬのパルスの消失後に生じる反射波ＲＦの減衰特性を表すパラメータである。本実施の形態においては、減衰定数として、対数減衰率δが用いられる。対数減衰率δとは、図５または図７のような減衰自由振動波形の隣り合う振幅の比の自然対数をとったものをいう。たとえば、図７に示すようにｎ番目の振幅ａnと、ｎ＋１番目の振幅ａn+1と、ｎ＋ｍ番目の振幅ａn+mとが検出された場合に、対数減衰率δは、
δ＝（１／ｍ）・ｌｎ（ａn／ａn+m）
で定義される。
【００４５】
図８に示すように、被検査面ＳＳの観察位置がスキャンされることによって、被検査面ＳＳにおける、超音波ＵＬの反射波ＲＦの対数減衰率δの分布が算出される。次に、被検査面ＳＳのうち、対数減衰率δが所定の閾値ＴＨの範囲内となる部分が不良領域ＦＬと認識され、対数減衰率δが所定の閾値ＴＨの範囲外となる部分が好適領域ＰＳと認識される。これにより、図９に示すように、被検査面ＳＳにおいて、不良領域ＦＬと好適領域ＰＳとの分布が作成される。次に、被検査面ＳＳにおける不良領域ＦＬの割合（不良割合）が算出される。すなわち、被検査面ＳＳにおいて、対数減衰率δが所定の閾値ＴＨの範囲内となる部分の割合が算出される。
【００４６】
所定の値以下の不良割合を有する被検査物ＩＳが規格を満たすものと判定され、所定の値を超える不良割合を有する被検査物ＩＳが規格を満たさないものと判定される。たとえば不良割合が２０％未満のものが規格を満たすものと判定される。
【００４７】
（単結晶の作製）
上述した、規格を満たすものと判定された被検査物ＩＳ（図３）が準備される。
【００４８】
図１０を参照して、坩堝４２内に、原料５１が収められる。炭化珪素の単結晶が成長させられる場合、たとえば、炭化珪素粉末が黒鉛製坩堝に収められる。次に坩堝４２の内部へ種結晶１１が面するように、支持部４１が取り付けられる。なお図１０に示すように、支持部４１が坩堝４２の蓋として機能してもよい。
【００４９】
次に、種結晶１１上に単結晶５２が成長させられる。炭化珪素の種結晶１１を用いて炭化珪素の単結晶５２が製造される場合、この形成方法として昇華再結晶法を用いることができる。すなわち、図中矢印で示すように原料５１を昇華させることで種結晶１１上に昇華物を堆積させることで、単結晶５２を成長させることができる。この昇華再結晶法における温度は、たとえば、２１００℃以上２５００℃以下とされる。またこの昇華再結晶法における圧力は、好ましくは１．３ｋＰａ以上大気圧以下とされ、より好ましくは、成長速度を高めるために１３ｋＰａ以下とされる。
【００５０】
（作用効果）
本実施の形態によれば、超音波ＵＬの反射波ＲＦの対数減衰率δが接着層３０中のボイドＶＤ（図４）に起因して減少することを検知することにより（図８）、ボイドＶＤの存在を精度よく把握することができる。よって種結晶１１の接着状態を精度よく検査することができる。
【００５１】
また被検査面ＳＳにおいて、対数減衰率δが所定の閾値ＴＨの範囲内となる部分の割合が算出される（図９）。これにより、検査結果を定量化することができる。
【００５２】
また種結晶１１は炭化珪素から作られている。炭化珪素から作られた種結晶１１は接着層３０中のボイドＶＤの影響を特に受けやすいことから、本検査方法が特に適している。
【００５３】
好ましくは接着層３０は、Ｃ系またはＳｉＣ系接着剤を用いて作られた層を含む。これらの接着剤を用いた場合にはボイドＶＤが特に発生しやすい。よってボイドＶＤを精度よく把握することができる本検査方法により、高い精度での検査が可能である。
【００５４】
また好ましくは超音波ＵＬの周波数は１０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下とされる。周波数が低過ぎると、被検査物ＩＳの被検査面ＳＳから侵入した超音波ＵＬが反対面にまで到達する割合が高くなり、この反対面からの反射波ＲＦｂの影響に起因して、検査精度が低下する。よって周波数は１０ＭＨｚ以上であることが好ましい。周波数が高過ぎると、被検査物ＩＳ中での超音波の減衰が大きくなり過ぎることで、接着層３０からの反射波ＲＦｍの強度が過度に小さくなってしまう。このため検査精度が低下する。よって周波数は１００ＭＨｚ以下が好ましい。
【００５５】
（付記）
なお上記実施の形態においては種結晶１１を透過して接着層３０に至るように、被検査物ＩＳの被検査面ＳＳへ超音波ＵＬが照射されるが（図４）、その代わりに、支持部４１を透過して接着層３０に至るように、被検査物ＩＳの被検査面へ超音波ＵＬが照射されてもよい。
【００５６】
また種結晶１１としてＳｉＣから形成されたものを例示したが、他の材料から形成されたものが用いられてもよい。この材料としては、たとえば、ＧａＮ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＡｌＮ、またはＢＮを用いることができる。
【００５７】
また上記実施の形態においては接着剤２２が硬化される際に被覆膜２１が炭化されるが（図２）、接着剤２２が形成される前に被覆膜２１が炭化されてもよい。また被覆膜２１の形成が省略されてもよい。この場合、炭素膜３１（図３）が形成されないので、固定層３２は炭素膜３１ではなく種結晶１１に接する。
【００５８】
また単結晶５２（図１０）を用いて基板が製造されてもよい。このような基板は、たとえば、単結晶５２をスライスすることによって得られる。
【００５９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６０】
１１  種結晶、２１  被覆膜、２２  接着剤、３０  接着層、３１  炭素膜、３２  固定層、４１  支持部、４２  坩堝、５１  原料、５２  単結晶、ＦＬ  不良領域、ＨＤ  ヘッド、ＩＳ  被検査物、ＰＳ  好適領域、ＲＦ  反射波、ＳＳ  被検査面、ＵＬ  超音波、ＶＤ  ボイド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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