(57)【要約】      （修正有）【課題】ＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備及びＩＣの金属シールド膜層を提供する。【解決手段】ベース３１は、チャンバー３１１を有している。ワーク支持具３２は、チャンバー３１１に内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのＩＣを取付ける。各中周波マグネトロンターゲット３３及び各多重アークイオンターゲット３４は、それぞれチャンバー３１１に内設され、中周波マグネトロンターゲット３３及び多重アークイオンターゲット３４が、金属材料をＩＣ上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ＩＣの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備であって、
チャンバーを有するベースと、
前記チャンバーに内設され、複数の回転軸と回転自在に接続されているワーク支持具と、
前記チャンバーに内設されている複数の中周波マグネトロンターゲット及び複数の多重アークイオンターゲットと、を備え、
各前記回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、前記ジグでは、少なくとも一つのＩＣを取付けるように提供され、
前記複数の中周波マグネトロンターゲット及び前記複数の多重アークイオンターゲットが、金属材料を前記ＩＣ上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ＩＣの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成されることを特徴とする、ＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備。
【請求項２】
前記チャンバーに内設され、前記チャンバー内の空気を引いて真空引きするための真空引き装置をさらに備えることを特徴とする、請求項１記載のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備。
【請求項３】
前記チャンバーに内設され、前記チャンバー内の温度を上げるための加熱装置をさらに備えることを特徴とする、請求項１記載のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備。
【請求項４】
前記チャンバーに内設され、ＩＣに対してイオン洗浄を行うためのバイアス装置をさらに備えることを特徴とする、請求項１記載のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備。
【請求項５】
前記複数の中周波マグネトロンターゲットと前記複数の多重アークイオンターゲットが、さらに化合物を少なくとも一つの金属シールド膜層上にスパッターリングを行うように用いられることによって、絶縁層が形成されることを特徴とする、請求項１記載のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備。
【請求項６】
前記金属材料は、チタニウム、ニッケル、銅またはステンレス鋼のいずれかを含有することを特徴とする、請求項５記載のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備。
【請求項７】
前記複数の多重アークイオンターゲットまたは前記複数の中周波マグネトロンターゲットが、チタニウムまたはニッケルを前記ＩＣの前記表面にスパッターリングを行うことによって、第１金属シールド膜層が形成され、続いて前記複数の中周波マグネトロンターゲットまたは前記複数の多重アークイオンターゲットにより、銅を前記第１金属シールド膜層上にスパッターリングを行うことによって、第２金属シールド膜層が形成され、そして前記複数の多重アークイオンターゲットまたは前記複数の中周波マグネトロンターゲットにより、ステンレス鋼またはニッケルを前記第２金属シールド膜層上にスパッターリングを行うことによって、第３金属シールド膜層が形成され、最後に前記複数の中周波マグネトロンターゲットと前記複数の多重アークイオンターゲットにより、酸化物、窒化物、炭化物またはそれらの組合せのいずれかを含有する前記化合物を前記第３金属シールド膜層にスパッターリングを行うことによって、前記絶縁層が形成されることを特徴とする、請求項６記載のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備。
【請求項８】
前記ワーク支持具は、中空状の円形盤であることを特徴とする、請求項１記載のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備。
【請求項９】
前記ワーク支持具は、複数の接続端を有し、前記複数の接続端はそれぞれ等間隔に隔てて、前記ワーク支持具の一表面に設けられ、各前記接続端は、それぞれ各回転軸と接続するように用いられることを特徴とする、請求項８記載のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備。
【請求項１０】
前記ワーク支持具は、多軸自転・公転式の構造であり、前記ワーク支持具と前記接続端の転動につれて、回転軸が連動して公転または自転するようにさせることを特徴とする、請求項９記載のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備。
【請求項１１】
前記複数の中周波マグネトロンターゲットは、前記ワーク支持具の外側と内側に位置しており、前記複数の多重アークイオンターゲットは、前記ワーク支持具の外側に位置していることを特徴とする、請求項８記載のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備。
【請求項１２】
前記複数の中周波マグネトロンターゲットの一部は、前記ワーク支持具の一端側に位置しており、前記複数の中周波マグネトロンターゲットの他の一部は、前記ワーク支持具の相対的な他端側に位置していることを特徴とする、請求項１１記載のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備。
【請求項１３】
各前記中周波マグネトロンターゲット及び各前記多重アークイオンターゲットは、それぞれ開閉自在なゲートを有し、前記開閉自在なゲートは、メッキ作業前の当該中周波マグネトロンターゲットまたは当該多重アークイオンターゲットを保護するように用いられ、メッキ作業中の前記複数の中周波マグネトロンターゲットまたは前記複数の多重アークイオンターゲットから飛び出した前記金属材料がメッキ作業前の当該中周波マグネトロンターゲットまたは当該多重アークイオンターゲットにスパッターリングしてしまうのを防止するようにさせることを特徴とする、請求項１記載のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれか１項に記載のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備を利用することにより、ＩＣの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層を作製してなることを特徴とする、ＩＣの金属シールド膜層。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備及びＩＣの金属シールド膜層に関し、特に物理蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＰＶＤ）プロセスを利用可能で、ＩＣの表面に電磁遮蔽効果を与えるＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備及びＩＣの金属シールド膜層に関する。
【背景技術】
【０００２】
科学技術の進歩に従い、電子製品がますます小型化されてきているが、小型化とは裏腹にその機能が強化されてきている。そのため、電子製品の内部に組み込まれる集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ，以下、ＩＣと示すこともある。）の複雑度と密度とが高度化となってきており、その内部の導線と電源部などの部分や電気回路板上に取り付けられている高い稼働周波数の電子素子のいずれも外部に向けて電磁波を放出しているため、他の素子との電磁干渉（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ，ＥＭＩ）が生じやすくなってしまい、電気回路の正常な働きが妨げられることになる。よって、電磁干渉による電気回路への影響を克服することは、すでに重要な課題である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
一般的に言えば、従来の電気回路板において、電気回路板に電磁干渉の影響を受けないように保護するために、金属ハウジングで電気回路板の一部を覆うようにすることがよくある。図１に示すように、金属ハウジング１１により、電気回路板１のＩＣチップ１２を覆うようにすることによって、電磁干渉の問題が解決される。しかし、金属ハウジング１１は、独立した作製プロセスが必要のほか、追加的な人手により電気回路板１上に取り付けなければならず、コストが非常に高くなるという問題がある。このほか、金属ハウジング１１は、はんだ付け或いは他の方法で、電気回路板１上に固定しているため、電気回路板１のサイズが増大する。また、ＩＣチップ１２がメンテナンスや交換作業などが必要となった場合には、金属ハウジング１１の取外しと取付けが必要となり、非常に不便で、かつ電気回路板１の損害を容易に引き起こす恐れがある。さらに、熱を如何にして放散するかも大きな課題の一つである。
【０００４】
次に、図２に示されているもう一つよくあるＩＣシールド層を参照する。この方式は、複数のＩＣチップ２２を備えた電気回路板２上に、シールド層２１が形成されている。このような方式は、電気回路板２の製造プロセスに、シールド層２１の製造プロセスを加える必要があり、従来の生産プロセスを変更することとなり、使用上不便である。しかも、このような方式では、ＩＣチップ上のシールド層の形成は一回のみ行われ、それぞれＩＣチップ単体に切り離されて使用されるので、ＩＣチップ単体に直接にシールド層を形成することができないから、柔軟性もそれなりの制限がある。したがって、本発明で解決しようとする問題点は、公知技術においてＩＣ金属ハウジングが重く、コストが高く、放熱性が悪いなどの点にあり、並びに複数のＩＣチップ上にシールド層を形成した場合の作業性の不便及び柔軟性が欠けている点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記公知技術の問題点に鑑み、公知技術のように金属ハウジングをＩＣの電磁遮蔽として利用するときに、プロセス上では新たな機械の使用による作製及び組み立てをする必要があることから、作製の時間とコストが増加する問題点を解決するためのＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備及びＩＣの金属シールド膜層を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明の目的に基づき、ベースと、ワーク支持具と、複数の中周波マグネトロンターゲットと、複数の多重アークイオンターゲットと、を備えるＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備を提案する。ベースは、チャンバーを有する。ワーク支持具は、チャンバーに内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのＩＣを取付けるように提供される。各中周波マグネトロンターゲット及び各多重アークイオンターゲットは、それぞれチャンバーに内設され、中周波マグネトロンターゲット及び多重アークイオンターゲットが、金属材料をＩＣ上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ＩＣの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。
【０００７】
本発明のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備には、チャンバーに内設され、チャンバー内の空気を引いて真空引きするための真空引き装置をさらに備えることが好ましい。
【０００８】
本発明のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備には、チャンバーに内設され、チャンバー内の温度を上げるための加熱装置をさらに備えることが好ましい。
【０００９】
本発明のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備には、ＩＣに対してイオン洗浄を行うためのバイアス装置をさらに備えることが好ましい。
【００１０】
中周波マグネトロンターゲット及び多重アークイオンターゲットが、さらに化合物を少なくとも一つの金属シールド膜層上にスパッターリングを行うように用いられることによって、絶縁層が形成されることが好ましい。
【００１１】
金属材料は、チタニウム、ニッケル、銅またはステンレス鋼のいずれかを含有することが好ましい。
【００１２】
多重アークイオンターゲットまたは中周波マグネトロンターゲットが、チタニウムまたはニッケルをＩＣの表面にスパッターリングを行うことによって、第１金属シールド膜層が形成され、続いて中周波マグネトロンターゲットまたは多重アークイオンターゲットにより、銅を第１金属シールド膜層上にスパッターリングを行うことによって、第２金属シールド膜層が形成され、そして多重アークイオンターゲットまたは中周波マグネトロンターゲットにより、ステンレス鋼またはニッケルを第２金属シールド膜層上にスパッターリングを行うことによって、第３金属シールド膜層が形成され、最後に中周波マグネトロンターゲット及び多重アークイオンターゲットにより、酸化物、窒化物、炭化物またはそれらの組合せのいずれかを含有する化合物を第３金属シールド膜層にスパッターリングを行うことによって、絶縁層が形成されることが好ましい。
【００１３】
ワーク支持具は、中空状の円形盤であることが好ましい。
【００１４】
ワーク支持具は、複数の接続端を有し、これらの接続端はそれぞれ等間隔に隔てて、ワーク支持具の一表面に設けられ、各接続端は、それぞれ回転軸と接続するように用いられることが好ましい。
【００１５】
ワーク支持具は、多軸自転・公転式の構造であり、ワーク支持具及び接続端の転動につれて、回転軸が連動して公転または自転するようにさせることが好ましい。
【００１６】
中周波マグネトロンターゲットは、ワーク支持具の外側と内側に位置しており、多重アークイオンターゲットは、ワーク支持具の外側に位置していることが好ましい。
【００１７】
中周波マグネトロンターゲットの一部は、ワーク支持具の一端側に位置しており、中周波マグネトロンターゲットの他の一部は、ワーク支持具の相対的な他端側に位置していることが好ましい。
【００１８】
各中周波マグネトロンターゲット及び各多重アークイオンターゲットは、それぞれ開閉自在なゲートを有し、これらのような開閉自在なゲートは、メッキ作業前の当該中周波マグネトロンターゲットまたは当該多重アークイオンターゲットを保護するように用いられ、メッキ作業中の中周波マグネトロンターゲットまたは多重アークイオンターゲットから飛び出した金属材料がメッキ作業前の当該中周波マグネトロンターゲットまたは当該多重アークイオンターゲットにスパッターリングしてしまうのを防止するようにさせることが好ましい。
【００１９】
本発明の目的に基づき、上記したＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備を利用することにより、ＩＣの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層を作製してなるように構成されたＩＣの金属シールド膜層が提案される。
【発明の効果】
【００２０】
上記のとおり、本発明のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備及びＩＣの金属シールド膜層は、以下の一つまたは複数の長所を有する。
【００２１】
イ、本発明のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備によれば、ＰＶＤプロセスを利用して、一つまたは複数の金属材料層をＩＣの一表面にスパッターリングして積層することによって、金属シールド膜層が形成されることで、ＩＣに電磁遮蔽効果を持たせることができて、金属ハウジングによる遮蔽やマスク作業などを行う必要がなくなるため、余分な組立て作業を行う必要がなく、しかもメッキ方式による金属遮蔽マスクの形成について、ＩＣと金属蓋プレートとの寸法対応問題への配慮が不要になり、コストを効果的に低減することもできる。
【００２２】
ロ、本発明のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備によれば、ＩＣのメッキ作業において、すべての生産プロセスは、一つのチャンバー内で完成することができるので、他の装置に移動する必要がない。さらに、この設備において、設計されたワーク支持具は多軸自転・公転式の構造であり、ワーク支持具には複数のＩＣを載置することができるし、ワーク支持具の内外側の複数箇所にも複数の中周波マグネトロンターゲット及び多重アークイオンターゲットが設けられ、これにより、ＩＣメッキ作業の速度がアップして、生産プロセスに掛かる時間を縮減することができる。
【００２３】
ハ、本発明のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備によれば、金属シールド膜層をＩＣ上にスパッターリングして完成した後、さらに中周波マグネトロンターゲット及び多重アークイオンターゲットを利用し、酸化物、窒化物、炭化物またはこれらの組合せのいずれかの化合物を最後に形成した金属シールド膜層上にスパッターリングを行うことによって、絶縁層が形成される。この絶縁層は、はんだ付けする際に、はんだが金属シールド膜層との導通を形成し、金属シールド膜層と回路との接触による短絡を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】公知技術におけるＩＣの電磁遮蔽方式を示す概略図である。
【図２】他の公知技術におけるＩＣの電磁遮蔽方式を示す概略図である。
【図３】本発明に係るＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備の一実施例を示す概略図である。
【図４】本発明に係る回転軸の一実施例を示す概略図である。
【図５】本発明に係るＩＣの金属シールド膜層の一実施例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明をより完全に理解するために、本発明の技術的特徴、内容と長所および達成できる効果については、添付図面を参照して、実施例の表現形式で以下のように詳細に説明される。しかし、図示された図面は、単に例示または明細書内容を補助することを目的としたものであって、本発明の実施後の原寸に比例したものや精確に配置したものにはなんら限定されない。よって、図示された図面は、添付図面の比例と配置関係で解釈されてはならず、本発明を実際に実施する権利範囲に制限することを意図したものではないことについて先に説明しておきたい。
【実施例】
【００２６】
図３に示されている本発明のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備の一実施例の概略図を参照する。この図において、ＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備は、ベース３１と、ワーク支持具３２と、複数の中周波マグネトロンターゲット３３と、複数の多重アークイオンターゲット３４と、複数の加熱管３５と、一つのバイアス装置及び駆動装置３６と、真空引き装置（図示しない）と、を備えるように構成される。なお、ここでの複数の加熱管３５とは、本発明の加熱装置を意味する。ベース３１は、チャンバー３１１を有し、ワーク支持具３２と、複数の中周波マグネトロンターゲット３３と、複数の多重アークイオンターゲット３４と、複数の加熱管３５と、一つのバイアス装置及び駆動装置３６と、真空引き装置とは、それぞれチャンバー３１１に内設されている。ワーク支持具３２は、複数の接続端３２１を有し、各接続端３２１は、それぞれ等間隔に隔てて、ワーク支持具３２の一表面に設けられ、ワーク支持具３２の外形は、中空状の円形盤であっても良いが、例えば、矩形の外形に形成しても良い。ここでは、好適な実施形態の一例を挙げて説明したが、ワーク支持具３２の外形は、上述したものに何ら限定されるものではない。ワーク支持具３２の各接続端３２１は、それぞれ各回転軸４と回転自在に接続され、それぞれの回転軸４は、少なくとも一つのジグ４１を有し、ジグ４１では、複数の集積回路（ＩＣ）５を取り付けるように提供することが可能で、回転軸４の概略図は、図４に示すように、ジグ４１は、単体の集積回路５を取り付けることもできるため、メッキ作業を行った後のカッティングなどの加工作業は不要である。
【００２７】
以上のように、真空引き装置は、例えばチャンバー３１１内の空気を引いて真空引きするように用いられる。メッキ作業をサポートするために、各加熱管３５は、チャンバー３１１内の作業温度を上げることができるように用いられ、加熱管３５の加熱温度は、約１５０℃〜３００℃に設定していて、かつ温度制御システムを採用して、温度制御を行い、温度制御の精度は、１℃〜５℃である。バイアス装置及び駆動装置３６は、それぞれ各集積回路５に対してイオン洗浄を行ったりワーク支持具３２を回転駆動したりするように用いられる。バイアス装置は、単極直流パルスバイアス電源が採用されており、直流電流またはパルス電圧は、調節可能に設計され、直流電流は、約２０ボルト〜２００ボルトに設定し、パルス電圧では、１００ボルト〜１０００ボルトの間に設定しても良い。ワーク支持具３２は、多軸自転・公転式の構造であり、接続端３２１との転動につれて、回転軸４が連動して公転または自転するようにさせることができる。多軸自転・公転式の構造は、インバータにより、回転速度の調節が行なわれ、その回転速度は１〜６０ＲＰＭである。
【００２８】
中周波マグネトロンターゲット３３と多重アークイオンターゲット３４は、金属材料と化合物を集積回路５にスパッターリングするように用いられ、その金属材料としては、例えば、チタニウム、ニッケル、銅、ステンレス鋼などが挙げられ、また、その化合物としては、酸化物、窒化物、炭化物またはこれらの組合せが挙げられる。中周波マグネトロンターゲット３３は、円柱状または平面のマグネトロンターゲットと円柱状または平面状の金属ターゲット材との組合せであり、また、円柱状のマグネトロンターゲットとしては、定方向回転スパッターリング構造が採用されており、その回転速度は、約１〜４０ＲＰＭである。中周波マグネトロンターゲット３３のターゲットの電源としては、中周波数マグネトロン電源が採用されている。多重アークイオンターゲット３４としては、直流式多重アーク電源が採用されており、その電源の電流は、約１００アンペア〜２５０アンペアである。各中周波マグネトロンターゲット３３及び多重アークイオンターゲット３４は、それぞれ開閉自在なゲート（図示しない）が設けられ、これらの開閉自在なゲートは、メッキ作業中の中周波マグネトロンターゲット３３または多重アークイオンターゲット３４から飛び出した金属材料がメッキ作業前の中周波マグネトロンターゲット３３または多重アークイオンターゲット３４にスパッターリングしてしまうのを防止するように保護される。
【００２９】
各中周波マグネトロンターゲット３３は、主にワーク支持具３２の内側と外側に設置されており、また、中周波マグネトロンターゲット３３の一部を、ワーク支持具３２の一端側に設け、他の一部は、ワーク支持具３２の他端側に設けることができる。複数の多重アークイオンターゲット３４は、ワーク支持具３２の外側に設けることができる。図３に示されているワーク支持具３２と、複数の中周波マグネトロンターゲット３３と、複数の多重アークイオンターゲット３４と、複数の加熱管３５と、一つのバイアス装置及び駆動装置３６と、真空引き装置と、をチャンバー３１１に内設している位置や数量などは、単に一実施例に過ぎず、上述したものに何ら限定されるものではない。各上述した設定パラメータ、電流値、回転速度、金属材料や設計構造などは、単に一実施例に過ぎず、上述したものに何ら限定されるものではない。
【００３０】
以上のように、ＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備を利用して、集積回路５にメッキ作業を行う場合は、まず、真空引き装置により、チャンバー３１１内の空気を引いて真空引きした後、続いて、物理プロセスで集積回路５に対して表面の活性化するための洗浄処理を行い、さらに、メッキ作業が容易に行われるように、加熱管３５とバイアス装置を用いて、それぞれチャンバー３１１内の作業温度を上げると共に、イオン洗浄を行う。続いて、多重アークイオンターゲット３４または中周波マグネトロンターゲット３３により、第１金属シールド膜層を形成するように、チタニウムまたはニッケルを集積回路５の表面にスパッターリングさせる。この実施例において、チタニウムまたはニッケルを集積回路５上にスパッターリングするため、第１金属シールド膜層は、チタニウムまたはニッケルの金属シールド膜層５１として形成される。続いて、中周波マグネトロンターゲット３３または多重アークイオンターゲット３４により、銅の金属シールド膜層５２（第２金属シールド膜層）を形成するように、銅をチタニウムまたはニッケルの金属シールド膜層５１上にスパッターリングする。多重アークイオンターゲット３４または中周波マグネトロンターゲット３３により、ステンレス鋼またはニッケルの金属シールド膜層５３（第３金属シールド膜層）を形成するように、ステンレス鋼またはニッケルを銅の金属シールド膜層５２上にスパッターリングする。最後に、図５に示されているような絶縁層５４を形成するように、酸化物、窒化物、炭化物またはこれらの組合せの化合物をステンレス鋼またはニッケル金属シールド膜層５３上にスパッターリングする。
【００３１】
上記プロセスにおいて、一部の中周波マグネトロンターゲット３３と多重アークイオンターゲット３４を利用して、メッキ作業を実施するか、または全部の中周波マグネトロンターゲット３３と多重アークイオンターゲット３４を起動状態とし、メッキ作業を実施することができる。ワーク支持具３２により、回転軸４が連動して公転または自転するようにすることができるため、一部の中周波マグネトロンターゲット３３または多重アークイオンターゲット３４を利用して、第１金属シールド膜層のメッキ作業を実施して、他の一部で第２金属シールド膜層のメッキ作業を実施した後、さらに他の一部で第３金属シールド膜層のメッキ作業を実施することによって、メッキ作業の速度を加速化できるのみならず、金属材料を集積回路の一表面へ均一にスパッターリングすることもできる。当然ながら、一部の中周波マグネトロンターゲット３３または多重アークイオンターゲット３４のみを利用して、第１金属シールド膜層、第２金属シールド膜層、第３金属シールド膜層及び絶縁層５４のメッキ作業を完成することも可能である。上述したターゲット材のスパッターリング方式や各設備の稼働順番などは、単に一実施例に過ぎず、上述したものに何ら限定されるものではない。
【００３２】
以上説明したように、従来の金属蓋プレートを利用して電磁波を遮蔽するといった従来技術に代えて、本発明に係るＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備によれば、スパッターリング方式で、集積回路（ＩＣ）を保護するための電磁遮蔽効果を有するメッキ膜が形成されるように、金属材料を集積回路（ＩＣ）の一表面上にスパッターリングするように構成される。さらに、本発明を適用すれば、金属材料を単体の集積回路（ＩＣ）上にスパッターリングすることができることによって、集積回路（ＩＣ）のメッキ作業を行った後のカッティングなどの加工作業を省くことができる。本発明のＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備で提案された各設備の配置方式を適用すれば、メッキ作業の速度を加速化できるのみならず、金属材料を集積回路（ＩＣ）の一表面へ均一にスパッターリングすることもでき、コストを効果的に低減し、プロセス全体に掛かる時間も大幅に縮減することができる。さらに、金属材料を集積回路（ＩＣ）にスパッターリングしてから、化合物をシールド膜層にスパッターリングすることによって、シールド膜層と回路との接触による短絡を防止することができる。
【符号の説明】
【００３３】
１、２          電気回路板
１１            金属ハウジング
１２、２２      ＩＣチップ
２１            シールド層
３１            ベース
３１１          チャンバー
３２            ワーク支持具
３２１          接続端
３３            中周波マグネトロンターゲット
３４            多重アークイオンターゲット
３５            加熱管
３６            バイアス装置及び駆動装置
４              回転軸
４１            ジグ
５              集積回路
５１            チタニウムまたはニッケルの金属シールド膜層
５２            銅の金属シールド膜層
５３            ステンレス鋼またはニッケルの金属シールド膜層
５４            絶縁層
【図１】
2013112897.tif 000003
【図２】
2013112897.tif 000004
【図３】
2013112897.tif 000005
【図４】
2013112897.tif 000006
【図５】
2013112897.tif 000007