(57)【要約】【課題】簡易な製造によって、優れた磁気特性を備える磁性材料を提供する。【解決手段】サマリウム−鉄−窒素系磁石粉末およびネオジム−鉄−ホウ素系磁石粉末を含有する磁石粉末と、希土類元素、鉄およびホウ素を含有し、希土類元素の原子割合が、２２〜４４原子％の範囲であり、ホウ素の原子割合が、６〜２８原子％の範囲であるアモルファス金属とを混合するとともに、アモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）より３０℃低い温度以上、または、アモルファス金属が金属ガラスの場合はガラス遷移温度（Ｔｇ）より１５℃低い温度以上の温度に加熱することにより磁性材料を製造する。この磁性材料によれば、簡易な製造によって、高い磁気特性を確保することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁石粉末とアモルファス金属とを原料とする磁性材料であって、
前記磁石粉末が、サマリウム−鉄−窒素系磁石粉末と、ネオジム−鉄−ホウ素系磁石粉末とを含有し、
前記アモルファス金属が、希土類元素、鉄およびホウ素を含有し、
前記アモルファス金属において、前記希土類元素の原子割合が、２２〜４４原子％の範囲であり、前記ホウ素の原子割合が、６〜２８原子％の範囲であり、
前記磁石粉末と前記アモルファス金属とを混合するとともに、
前記アモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）より３０℃低い温度以上、または、アモルファス金属が金属ガラスである場合には、そのガラス遷移温度（Ｔｇ）より１５℃低い温度以上の温度に加熱することにより得られることを特徴とする、磁性材料。
【請求項２】
前記ネオジム−鉄−ホウ素系磁石粉末が、ＨＤＤＲ法により得られたネオジム−鉄−ホウ素系磁石粉末であることを特徴とする、請求項１に記載の磁性材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高い磁気特性を有する磁石として、例えば、窒素系磁石（例えば、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系の組成を有する磁石など）が提案されている。しかし、窒素系磁石はポテンシャルが高く、優れた磁気特性を有するが、熱的に不安定であるため、焼結すると窒素系磁石の成分の分解により、磁気特性が低下する場合がある。
【０００３】
そのため、例えば、窒素系磁石、具体的には、Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎ３に、金属ガラス、具体的には、Ｎｄ１０Ｆｅ１０Ａｌ１０を混合し、その混合物を放電プラズマ焼結機で加熱および加圧することにより得られる磁性材料が、提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
このような磁性材料では、窒素系磁石の分解などが抑制されるとともに、その磁石粉末の隙間（空隙）に金属ガラスが充填されるので、簡易な製造により、優れた磁気特性を確保することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２３６０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかるに、近年では、磁性材料における各種磁気特性のさらなる向上が要求されている。
【０００７】
本発明の目的は、簡易な製造によって、優れた磁気特性を備える磁性材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の磁性材料は、磁石粉末とアモルファス金属とを原料とする磁性材料であって、前記磁石粉末が、サマリウム−鉄−窒素系磁石粉末と、ネオジム−鉄−ホウ素系磁石粉末とを含有し、前記アモルファス金属が、希土類元素、鉄およびホウ素を含有し、前記アモルファス金属において、前記希土類元素の原子割合が、２２〜４４原子％の範囲であり、前記ホウ素の原子割合が、６〜２８原子％の範囲であり、前記磁石粉末と前記アモルファス金属とを混合するとともに、前記アモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）より３０℃低い温度以上、または、アモルファス金属が金属ガラスである場合には、そのガラス遷移温度（Ｔｇ）より１５℃低い温度以上の温度に加熱することにより得られることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の磁性材料では、前記ネオジム−鉄−ホウ素系磁石粉末が、ＨＤＤＲ法により得られたネオジム−鉄−ホウ素系磁石粉末であることが好適である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の磁性材料によれば、簡易な製造によって、高い磁気特性を確保することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の磁性材料は、磁石粉末とアモルファス金属とを原料としている。
【００１２】
磁石粉末は、サマリウム−鉄−窒素系磁石粉末と、ネオジム−鉄−ホウ素系磁石粉末とを含有している。
【００１３】
サマリウム−鉄−窒素系（以下、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系と示す場合がある。）磁石粉末は、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系の組成を有する磁石（以下、ＳｍＦｅＮと称する場合がある。）の粉末であって、例えば、公知の方法により得られたＳｍＦｅＮを粉砕することにより、製造することができる。
【００１４】
より具体的には、例えば、まず、サマリウム酸化物および鉄粉から、還元拡散法によってＳｍＦｅ合金の粉末を製造し、次いで、得られたＳｍＦｅ合金の粉末を、例えば、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガス、Ｎ２およびＨ２混合ガスなどの雰囲気中において、例えば、６００℃以下の温度で加熱することにより、ＳｍＦｅＮを製造する。
【００１５】
その後、得られたＳｍＦｅＮを、例えば、ジェットミル、ボールミルなどの公知の粉砕装置で微粉砕する。これにより、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末を得ることができる。
【００１６】
また、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末は、ＳｍＦｅＮを粉砕することなく製造することもできる。この方法では、例えば、まず、ＳｍおよびＦｅを酸に溶解し、ＳｍイオンおよびＦｅイオンを得た後、その溶解液に、例えば、ＳｍイオンおよびＦｅイオンと反応して不溶性の塩を形成する陰イオン（例えば、水酸化物イオン、炭酸イオンなど）などを添加し、塩の沈殿物を得る。
【００１７】
その後、得られた沈殿物を焼成し、金属酸化物を製造した後、その金属酸化物を還元処理する。これにより、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末を得ることができる。
【００１８】
なお、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末は、上記の方法に限定されず、他の公知の方法により製造することができる。
【００１９】
このようなＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末として、より具体的には、Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎ３（キュリー点：４７４℃）などが挙げられる。
【００２０】
また、このようなＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末としては、一般に市販されているものを用いることができ、例えば、Ｚ１６（Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石（Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎ３）、分解温度６００℃、体積平均粒子径３μｍ、日亜化学工業社製）などを用いることができる。
【００２１】
なお、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末の分解温度は、例えば、６００℃以上である。さらには、このような窒化物磁石は、加熱により、例えば、５００℃から徐々に分解し、ＳｍＮ、Ｆｅなどを生じる。
【００２２】
また、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末の体積平均粒子径は、例えば、１〜２０μｍ、好ましくは、２〜４μｍである。
【００２３】
Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末の体積平均粒子径が上記範囲であれば、保磁力が良好となる。
【００２４】
これらＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末は、単独使用または２種類以上併用することができる。
【００２５】
ネオジム−鉄−ホウ素系（以下、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系と示す場合がある。）磁石粉末は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系ナノコンポジット磁石（Ｆｅ／Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系の組織を有するナノコンポジット磁石）とは異なる磁石粉末であり、具体的には、ネオジム、鉄およびホウ素を含有するとともに、Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ相を主相とする磁石粉末である。
【００２６】
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末としては、特に制限されず、種々の組成比の磁石粉末を用いることができる。
【００２７】
また、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末においては、それら各元素が、部分的に他の元素に置換されていてもよい。
【００２８】
具体的には、例えば、Ｎｄの一部が、例えば、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｐｒ（プラセオジム）、Ｙ（イットリウム）、Ｓｍ（サマリウム）などにより置換されることができ、また、Ｆｅの一部が、例えば、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）などにより置換されることができる。さらには、それら各元素が、例えば、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｍｎ（マンガン）、Ｔｉ（チタン）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｖ（バナジウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（錫）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、Ｐｂ（鉛）などにより置換されることができる。
【００２９】
なお、元素の置換割合は、特に制限されず、目的および用途に応じて、適宜設定される。
【００３０】
そして、このようなＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末は、特に制限されず、公知の方法により得ることができる。
【００３１】
具体的には、例えば、急冷凝固法によりＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金を製造した後、熱間静水圧成形法（ＨＩＰ法）により塊状に成形し、次いで、得られた塊状物を公知の方法により塑性加工し、その後、粉砕することにより、例えば、結晶粒径が１μｍ以下の微細結晶を有するＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系の磁気異方性磁石粉末を得ることができる。
【００３２】
また、例えば、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金を、７５０〜９５０℃に加熱しつつ水素を吸蔵させて、順組織変態を生じさせる高温水素処理工程の後に、吸蔵した水素を放出させて、逆組織変態を生じさせる脱水素化工程を施す方法（Ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｉｏｎ  Ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ法。以下、ＨＤＤＲ法。）により、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系の磁気異方性磁石粉末を得ることができる。
【００３３】
また、磁気異方性磁石粉末の体積平均粒子径は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜３００μｍである。
【００３４】
磁気異方性磁石粉末の体積平均粒子径が上記範囲であれば、磁石粉末の充填率の向上を図ることができ、優れた残留磁束密度を確保することができる。
【００３５】
これらＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末は、単独使用または２種類以上併用することができる。
【００３６】
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末として、好ましくは、ＨＤＤＲ法により得られたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末が挙げられる。
【００３７】
ＨＤＤＲ法により得られたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末を用いれば、保磁力や残留磁束密度などの向上を図ることができる。
【００３８】
また、このようなＨＤＤＲ法により得られたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末としては、一般に市販されているものを用いることができ、例えば、ＭＦＰ−１９（ＨＤＤＲ法により得られたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁気異方性磁石粉末、愛知製鋼社製）などを用いることができる。
【００３９】
磁石粉末において、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末と、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末との配合割合は、それらの総量１００質量部に対して、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末が、例えば、３〜８０質量部、好ましくは、５〜５０質量部であり、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末が、例えば、２０〜９７質量部、好ましくは、５０〜９５質量部である。
【００４０】
本発明において、アモルファス金属は、希土類元素、Ｆｅ（鉄）およびＢ（ホウ素）を含有する。
【００４１】
このようなアモルファス金属において、希土類元素は、その焼成において、結晶磁気異方性を生じさせ、その磁気特性（例えば、保磁力など）を向上させるために含有される。
【００４２】
希土類元素としては、例えば、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｌａ（ランタン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｐｒ（プラセオジム）、Ｎｄ（ネオジム）、Ｐｍ（プロメチウム）、Ｓｍ（サマリウム）、Ｅｕ（ユーロピウム）などの軽希土類元素、例えば、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｍ（ツリウム）、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｌｕ（ルテチウム）などの重希土類元素などが挙げられる。
【００４３】
これら希土類元素は、単独使用または２種類以上併用することができる。
【００４４】
なお、このようなアモルファス金属は、必ずしも重希土類元素を含まなくとも、十分大きな保磁力を発現することができる。
【００４５】
希土類元素として、好ましくは、軽希土類元素、より好ましくは、Ｎｄ（ネオジム）、Ｙ（イットリウム）、さらに好ましくは、Ｎｄ（ネオジム）が挙げられる。
【００４６】
希土類元素としてＮｄ（ネオジム）を用いれば、アモルファス金属を用いて得られる磁性材料の保磁力、残留磁化を向上することができる。
【００４７】
また、希土類元素として、好ましくは、Ｎｄ（ネオジム）とＹ（イットリウム）との併用が挙げられる。
【００４８】
希土類元素が、Ｎｄ（ネオジム）およびＹ（イットリウム）を含有していれば、アモルファス金属を用いて得られる磁性材料の保磁力、残留磁化を向上することができる。
【００４９】
希土類元素がＮｄ（ネオジム）およびＹ（イットリウム）を含有する場合には、それらの含有割合は、Ｎｄ（ネオジム）およびＹ（イットリウム）の総量に対して、Ｎｄ（ネオジム）が、６５〜９５原子％であり、Ｙ（イットリウム）が、５〜３５原子％である。
【００５０】
また、アモルファス金属において、希土類元素の原子割合（併用される場合には、それらの総量）は、２２〜４４原子％、好ましくは、２３〜４０原子％、より好ましくは、２４〜３７原子％の範囲である。
【００５１】
希土類元素の原子割合が上記下限未満である場合には、アモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）が高くなる場合があるため、後述するように、磁石粉末およびアモルファス金属を熱処理して磁性材料を製造する場合において、熱処理のエネルギーコストが増加し、さらに、作業性および生産性が低下するという不具合がある。
【００５２】
また、希土類元素の原子割合が上記下限未満である場合には、磁性材料の保磁力が低下するという不具合がある。
【００５３】
一方、希土類元素の原子割合が上記上限を超過する場合には、磁性材料の残留磁化が低下するという不具合がある。
【００５４】
また、希土類元素の原子割合が上記上限を超過すると、コスト面に劣り、また、酸化しやすくなるため、生産性および安全性にも劣るという不具合がある。
【００５５】
これに対し、希土類元素の原子割合が上記範囲であれば、アモルファス金属を用いて得られる磁性材料の残留磁化および保磁力を向上することができ、さらには、アモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）を低く抑えることができるため、後述するように、高温で熱処理することなく、低コスト、かつ、作業性および生産性よく磁性材料を製造することができる。
【００５６】
アモルファス金属において、Ｆｅ（鉄）は、磁性に寄与する元素であって、磁性材料の磁気特性（例えば、残留磁束密度など）を向上させるために含有される。
【００５７】
アモルファス金属において、Ｆｅ（鉄）の原子割合は、例えば、１５〜６５原子％、好ましくは、２０〜６０原子％、より好ましくは、２５〜５５原子％の範囲である。
【００５８】
Ｆｅ（鉄）の原子割合が上記下限未満である場合には、後述する熱処理（結晶化）後の磁性材料の残留磁束密度が低下する場合がある。
【００５９】
また、Ｆｅ（鉄）の原子割合が上記上限を超過する場合には、後述する熱処理（結晶化）後の磁性材料の保磁力が低下する場合がある。
【００６０】
アモルファス金属において、Ｂ（ホウ素）は、非晶質相を形成し、アモルファス合金とするために含有される。
【００６１】
アモルファス金属において、Ｂ（ホウ素）の原子割合は、６〜２８原子％、好ましくは、１２〜２８原子％、より好ましくは、１５〜２５原子％の範囲である。
【００６２】
Ｂ（ホウ素）の原子割合が上記下限未満である場合には、後述する急冷時において、結晶相が生成する場合があり、アモルファス金属を原料として、放電プラズマ焼結法やホットプレス法等を用いて成形体を製造する場合において、成形性および加工性が低下する場合がある。
【００６３】
また、Ｂ（ホウ素）の原子割合が上記上限を超過する場合には後述する熱処理（結晶化）後の磁性材料の残留磁束密度が低下する場合がある。
【００６４】
また、アモルファス金属は、好ましくは、Ｃｏ（コバルト）を含有している。
【００６５】
アモルファス金属において、Ｃｏ（コバルト）は、アモルファス金属を用いて得られる磁性材料の磁気特性を向上させ、また、酸化を防止することにより取扱性の向上を図るために含有される。
【００６６】
さらに、アモルファス金属が後述するように金属ガラスである場合には、Ｃｏ（コバルト）は、その金属ガラスを、後述する軟化状態（ガラス遷移状態）において安定化させ、その成形性を向上するために含有される。
【００６７】
アモルファス金属において、Ｃｏ（コバルト）の原子割合は、例えば、１〜５０原子％、好ましくは、２〜４５原子％、より好ましくは、４〜４０原子％の範囲である。
【００６８】
Ｃｏ（コバルト）の原子割合が上記下限未満である場合には、取扱性、成形性および加工性が低下する場合がある。
【００６９】
とりわけ、アモルファス金属が後述するように金属ガラスである場合において、その過冷却領域（ガラス遷移温度以上、かつ、結晶化温度未満の領域。ΔＴｘ（＝Ｔｘ−Ｔｇ））を十分に確保することができず、成形性および加工性が低下する場合がある。
【００７０】
また、Ｃｏ（コバルト）の原子割合が上記上限を超過する場合には、アモルファス金属を用いて得られる磁性材料の残留磁束密度が低下する場合がある。
【００７１】
また、Ｃｏ（コバルト）の原子割合として、好ましくは、Ｆｅ（鉄）に対するＣｏ（コバルト）の原子比が、１．５以下、好ましくは、１．４４以下、より好ましくは０．６以下であることが挙げられる。
【００７２】
Ｆｅ（鉄）に対するＣｏ（コバルト）の原子比が、１．５以下であれば取扱性を向上でき、さらに、０．６以下であれば熱処理により大きな保磁力を発現できる。一方、１．５を超過すると、コスト面に劣るという不具合がある。
【００７３】
また、アモルファス金属は、添加元素として、さらに、その他の元素、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｖ（バナジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）Ａｇ（銀）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）などの遷移元素、例えば、Ｃ（炭素）、Ｐ（リン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｃａ（カルシウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｐｂ（鉛）、Ｚｎ（亜鉛）などの典型元素など、種々の元素を含むことができる。
【００７４】
これら添加元素は、単独使用または２種類以上併用することができる。
【００７５】
添加元素として、好ましくは、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｓｉ（ケイ素）、Ａｌ（アルミニウム）が挙げられる。
【００７６】
添加元素として、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｓｉ（ケイ素）およびＡｌ（アルミニウム）からなる群から選択される少なくとも１種を含有すれば、磁性材料の残留磁束密度、保磁力などを向上させることができる。
【００７７】
このようなアモルファス金属において、添加元素の原子割合は、例えば、１〜１５原子％、好ましくは、１〜１０原子％。より好ましくは、１〜５原子％である。
【００７８】
また、添加元素として、より好ましくは、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）が挙げられる。
【００７９】
アモルファス金属が、添加元素として、Ａｌ（アルミニウム）および／またはＣｕ（銅）を含有すれば、後述するアモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）を低く抑えることができるため、後述するように、高温で熱処理することなく、すなわち、低コスト、かつ、作業性および生産性よく磁性材料を製造することができる。
【００８０】
また、アモルファス金属が、後述する金属ガラスである場合に、その金属ガラスの軟化開始温度（ガラス遷移温度（Ｔｇ））を低く抑えることができるため、成形性をより向上することができる。
【００８１】
アモルファス金属がＡｌ（アルミニウム）および／またはＣｕ（銅）を含有する場合において、Ａｌ（アルミニウム）およびＣｕ（銅）の原子割合（併用される場合にはそれらの総量）は、例えば、１５原子％未満であり、好ましくは、５原子％未満、より好ましくは、３．５原子％以下、さらに好ましくは、３原子％以下である。
【００８２】
Ａｌ（アルミニウム）の原子割合が５原子％以上である場合には、アモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）が高くなり、磁性材料の製造におけるコストを増加させる場合や、作業性および生産性を低下させる場合がある。
【００８３】
また、アモルファス金属が、添加元素としてＣｕ（銅）を含有すれば金属ガラスとすることができ、広い過冷却領域を得ることができる。
【００８４】
そして、このようなアモルファス金属において、希土類元素およびＦｅ（鉄）（さらに必要により含有されるＣｏ（コバルト））の原子割合の総量は、例えば、６５〜９４原子％、好ましくは、７０〜９０原子％、より好ましくは、７２〜８５原子％である。
【００８５】
希土類元素およびＦｅ（鉄）（さらに必要により含有されるＣｏ（コバルト））の原子割合の総量が上記範囲であれば、アモルファス金属の成形性および加工性を向上することができ、さらには、後述する熱処理（結晶化）後の磁性材料の残留磁束密度および保磁力を良好とすることができる。
【００８６】
また、アモルファス金属において、希土類元素およびＦｅ（鉄）（さらに必要により含有されるＣｏ（コバルト））を除く元素（必須成分としてＢ（ホウ素）を含み、任意成分として添加元素（例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｓｉ（ケイ素）、Ａｌ（アルミニウム）などを含む。）の原子割合の総量は、例えば、６原子％以上、好ましくは、１０〜３０原子％、より好ましくは、１５〜２８原子％、とりわけ好ましくは、１５〜２５原子％の範囲である。
【００８７】
希土類元素、Ｆｅ（鉄）およびＣｏ（コバルト）を除く元素の原子割合の総量が上記範囲であれば、アモルファス金属の成形性および加工性を向上することができ、さらには、後述する熱処理（結晶化）後の磁性材料の残留磁束密度および保磁力を良好とすることができる。
【００８８】
そして、このようなアモルファス金属は、特に制限されず、公知の方法により製造することができる。
【００８９】
より具体的には、例えば、まず、原料成分として、上記各元素の単体の粉末、塊状物など（必要により、一部合金化していてもよい）を用意し、それらを、上記原子割合となるように混合する。
【００９０】
次いで、得られた原料成分の混合物を、例えば、不活性ガス（例えば、窒素ガス、アルゴンガスなど）雰囲気において溶解させる。
【００９１】
原料成分の溶解方法としては、上記各元素を溶解できる方法であれば特に制限されないが、例えば、アーク溶解などが挙げられる。
【００９２】
次いで、例えば、放冷し、上記各元素を上記原子割合で含有する塊状合金（鋳塊、インゴット）を得る。その後、得られた塊状合金を公知の方法により粉砕し、合金粒状物（粒子径：０．５〜２０ｍｍ）を得る。
【００９３】
その後、この方法では、得られた合金粒状物を溶解させ、合金溶湯を得る。
【００９４】
合金粒状物の溶解方法としては、上記合金粒状物を溶解できる方法であれば特に制限されないが、例えば、高周波誘導加熱などが挙げられる。
【００９５】
次いで、この方法では、得られた合金溶湯を、公知の方法、例えば、単ロール法、ガスアトマイズ法などにより急冷し、アモルファス金属を得る。
【００９６】
単ロール法では、例えば、回転する冷却ロールの外周表面上に合金溶湯を流下し、その合金溶湯と冷却ロールとを所定時間接触させることにより、合金溶湯を急冷する。
【００９７】
合金溶湯の急冷速度（冷却速度）は、例えば、１０−２〜１０３℃／ｓである。
【００９８】
また、合金溶湯の急冷速度（冷却速度）は、例えば、冷却ロールの回転速度を調節することなどにより制御される。このような場合において、冷却ロールの回転速度は、例えば、１〜６０ｍ／ｓ、好ましくは、２０〜５０ｍ／ｓ、より好ましくは、３０〜４０ｍ／ｓである。
【００９９】
このように合金溶湯を急冷することにより、冷却ロールの外周表面上において、例えば、帯状（薄膜状、厚膜状を含む）のアモルファス金属を得ることができる。
【０１００】
得られるアモルファス金属の厚みは、例えば、１〜５００μｍ、好ましくは、５〜３００μｍ、より好ましくは、１０〜１００μｍである。
【０１０１】
また、ガスアトマイズ法では、上記の合金溶湯に、例えば、高圧の噴射ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガスなど）を噴き付け、合金溶湯を急冷するとともに微粉化する。
【０１０２】
このように合金溶湯を急冷することにより、粉末状のアモルファス金属を得ることができる。
【０１０３】
得られるアモルファス金属の体積平均粒子径は、例えば、１〜２００μｍ、好ましくは、５〜５０μｍである。
【０１０４】
なお、合金溶湯の急冷方法としては、上記の単ロール法、ガスアトマイズ法に限定されず、公知の方法を採用することができる。好ましくは、単ロール法が採用される。
【０１０５】
また、アモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）（結晶化を開始する温度）は、例えば、６００℃以下、好ましくは、５５０℃以下、より好ましくは、５００℃以下である。
【０１０６】
アモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）は、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）によって測定することができ、本発明においては、４０℃／ｍｉｎの昇温速度で測定された値であると定義される。
【０１０７】
なお、結晶化温度（Ｔｘ）が複数確認される場合には、それら結晶化温度（Ｔｘ）のうち最も低い結晶化温度（Ｔｘ）を、アモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）とする。
【０１０８】
また、このようにして得られるアモルファス金属は、金属ガラスを含んでいる。
【０１０９】
金属ガラスは、結晶化温度（Ｔｘ）未満のガラス遷移温度（Ｔｇ）を有するアモルファス合金であり、高い成形性を有している。
【０１１０】
そして、このようにして得られるアモルファス金属が、金属ガラスである場合には、その軟化開始温度（ガラス遷移温度（Ｔｇ））は、例えば、６００℃以下、好ましくは、５００℃以下、より好ましくは、４５０℃以下である。
【０１１１】
また、アモルファス金属は、金属ガラスでなくとも、加熱により軟化する場合があり、そのような場合における軟化開始温度は、例えば、６００℃以下、好ましくは、５００℃以下、より好ましくは、４５０℃以下である。
【０１１２】
アモルファス金属（金属ガラスを含む。）の軟化開始温度は、例えば、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）、または、放電プラズマ焼結機のプレス変位測定などにより、求めることができる。
【０１１３】
これらアモルファス金属は、単独使用または２種類以上併用することができる。
【０１１４】
本発明において、磁性材料を製造するには、まず、磁石粉末（Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末およびＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末を含む）と、アモルファス金属とを混合する。
【０１１５】
なお、この方法では、例えば、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末およびアモルファス金属を予め混合しておき、その混合物とＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末とを混合することができ、また、例えば、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末と、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末と、アモルファス金属とを一度に混合することもできる。
【０１１６】
Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末およびアモルファス金属の配合割合は、それらの総量１００質量部に対して、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末が、例えば、３〜８０質量部、好ましくは、５〜４５質量部であり、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末が、例えば、２０〜９７質量部、好ましくは、４０〜８５質量部であり、アモルファス金属が、例えば、１〜４０質量部、好ましくは、５〜２０質量部である。
【０１１７】
また、磁石粉末（Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末およびＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末の総量）とアモルファス金属との配合割合は、それらの総量１００質量部に対して、磁石粉末が、例えば、６０〜９９質量部、好ましくは、８０〜９５質量部であり、アモルファス金属が、例えば、１〜４０質量部、好ましくは、５〜２０質量部である。
【０１１８】
混合は、磁石粉末とアモルファス金属とを十分に混合できれば、特に制限されず、例えば、ボールミルなどの公知の混合装置を用いることができる。
【０１１９】
この方法では、乾式法、湿式法のいずれも採用することができる。例えば、乾式法では、磁石粉末とアモルファス金属とを、不活性ガス（例えば、窒素ガス、アルゴンガスなど）雰囲気下において、混合する。また、湿式法では、磁石粉末とアモルファス金属とを、溶媒（例えば、シクロヘキサン、アセトン、エタノールなど）中において、混合する。
【０１２０】
混合条件としては、特に制限されないが、ボールミル（容量０．３Ｌ）を使用する場合には、回転数が、例えば、１００〜３００ｒｐｍ、好ましくは、１５０〜２５０ｒｐｍであって、混合時間が、例えば、５〜６０分間、好ましくは、５〜４５分間である。
【０１２１】
次いで、この方法では、磁石粉末とアモルファス金属との混合物を、例えば、加圧しながら、アモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）より３０℃低い温度以上に加熱する。
【０１２２】
また、アモルファス金属が金属ガラスである場合には、磁石粉末とアモルファス金属との混合物を、例えば、加圧しながら、ガラス遷移温度（Ｔｇ）より１５℃低い温度以上の温度に加熱することもできる。
【０１２３】
より具体的には、この方法では、例えば、ホットプレス装置、放電プラズマ焼結機などを用いて、磁石粉末とアモルファス金属との混合物を、例えば、２０〜１５００ＭＰａ、好ましくは、２００〜１０００ＭＰａの圧力条件下において、アモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）より３０℃低い温度以上、または、アモルファス金属が金属ガラスである場合にはそのガラス遷移温度（Ｔｇ）より１５℃低い温度以上、好ましくは、アモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）以上、具体的には、例えば、４００〜６００℃、好ましくは、４１０〜５５０℃に加熱する。
【０１２４】
このような加圧加熱成形により、アモルファス金属が変形を生じ、これにより、高密度な磁性材料を得ることができる。さらに、アモルファス金属が硬磁性相となるため、磁石粉末、および、アモルファス金属から生成した硬磁性相を含む磁性材料を、得ることができる。
【０１２５】
加熱は、特に制限されないが、例えば、常温から一定の昇温速度で加熱することができ、そのような場合には、昇温速度は、例えば、１０〜２００℃／分、好ましくは、２０〜１００℃／分である。
【０１２６】
また、磁性材料の製造においては、必要により、イメージ炉などを用いて、上記の加圧加熱成形の後、磁石粉末と、アモルファス金属またはアモルファス金属から生成した硬磁性相との成形体を、高温条件下において所定時間保持することもできる。
【０１２７】
そのような場合には、上記の加圧加熱成形の後、例えば、４００〜６００℃、好ましくは、４１０〜５５０℃において、例えば、１〜１２０分間、好ましくは、１０〜６０分間保持する。
【０１２８】
これにより、アモルファス金属の結晶化熱処理工程を、バッジ式で行えるため、磁性材料の生産性を向上することができる。
【０１２９】
また、磁性材料の製造においては、加圧加熱成形の昇温後に、必要により、加圧加熱状態で保持することもできる。
【０１３０】
さらに、磁性材料の製造においては、例えば、上記の加圧加熱成形、および、その後の熱処理を磁場中で行うことができる。
【０１３１】
また、上記の加圧加熱成形の前処理として、磁石粉末とアモルファス金属との混合物を、磁場中で加圧（磁場プレス処理）することもできる。
【０１３２】
とりわけ、磁石粉末として、磁気異方性磁石粉末が用いられる場合には、好ましくは、磁石粉末とアモルファス金属との混合物を磁場プレス処理する。
【０１３３】
磁場中で加圧すると、磁石粉末を所定方向に配向することができるため、得られる磁性材料の磁気特性を、より一層向上することができる。
【０１３４】
磁場プレス処理における条件としては、例えば、印加磁場が、１０ｋＯｅ以上、好ましくは、２０ｋＯｅ以上であり、圧力条件が、例えば、３０〜２０００ＭＰａ、好ましくは、１００〜１０００ＭＰａである。
【０１３５】
そして、このようにして得られる磁性材料では、磁石粉末が焼成されることにより生じる材料劣化、より具体的には、結晶の粗大化などが抑制されるとともに、磁石粉末の隙間（空隙）に、磁気特性に優れるアモルファス金属から生成した硬磁性相が充填されている。
【０１３６】
そのため、このような磁性材料によれば、簡易な製造によって、高い磁気特性を確保することができる。
【０１３７】
また、このような磁性材料では、アモルファス金属における希土類元素の原子割合が２２〜４４原子％の範囲であるため、結晶化温度（Ｔｘ）が低く抑えられており、高温で熱処理することなく、すなわち、低コスト、かつ、作業性および生産性よく磁性材料を製造することができる。さらに、アモルファス金属から生成する硬磁性相の磁気特性が高いため、磁気特性の高い磁性材料を製造することができる。
【０１３８】
つまり、アモルファス金属として、上記組成を除くアモルファス金属（例えば、Ｎｄ６０Ｆｅ３０Ａｌ１０など）を用いることも検討されるが、このようなアモルファス金属は、磁気特性が十分ではなく、そのため、得られる磁性材料の磁気特性に劣る場合がある。
【０１３９】
一方、本発明の磁性材料は、上記のアモルファス金属と磁石粉末とを混合するとともに、上記の温度に加熱することにより得られるため、優れた磁気特性を備えることができる。
【０１４０】
また、磁石粉末としてネオジム−鉄−ホウ素系磁石粉末に代えて、ネオジム−鉄−ホウ素系ナノコンポジット磁石粉末を用いることも検討されるが、ネオジム−鉄−ホウ素系ナノコンポジット磁石粉末とサマリウム−鉄−窒素系磁石粉末とを混合すると、磁気特性、とりわけ、保磁力や最大エネルギー積などが低下する。
【０１４１】
一方、本発明の磁性材料では、磁石粉末としてサマリウム−鉄−窒素系磁石粉末と、ネオジム−鉄−ホウ素系磁石粉末（ネオジム−鉄−ホウ素系ナノコンポジット磁石粉末とは異なるネオジム−鉄−ホウ素系磁石粉末）とが用いられるため、簡易な製造によって、高い磁気特性を確保することができる。
【実施例】
【０１４２】
次に、本発明を実施例および比較例に基づいて説明するが、本発明は下記の実施例によって限定されるものではない。
【０１４３】
製造例１（Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末の製造）
Ｎｄ（ネオジム）、Ｆｅ（鉄）およびＢ（ホウ素）の単体粉末または塊状物を、表１に示す配合割合で処方し、アーク溶解炉により、−４ｋＰａ（−３０Ｔｏｒｒ）、Ａｒ（アルゴン）雰囲気下で溶解させ、表１に示す組成比の合金（インゴット）を作製した。
【０１４４】
次いで、得られたインゴットを、Ａｒ（アルゴン）雰囲気下で１１００℃において６時間熱処理し、その後、粉砕することにより、ネオジム−鉄−ホウ素系磁石粉末（体積平均粒子径：約２０μｍ）を得た。
【０１４５】
製造例２（Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系ナノコンポジット磁石粉末の製造）
Ｎｄ（ネオジム）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｂ（ホウ素）の単体粉末または塊状物を、表１に示す配合割合で処方し、アーク溶解炉により、−４ｋＰａ（−３０Ｔｏｒｒ）、Ａｒ（アルゴン）雰囲気下で溶解させ、表１に示す組成比の合金（インゴット）を作製した。
【０１４６】
次いで、得られたインゴットを粉砕し、合金粒状物（粒子径：０．５〜１０ｍｍ）を得た。
【０１４７】
その後、得られた合金粒状物を高周波誘導加熱にて溶解し、合金溶湯とした後、得られた合金溶湯を、Ａｒ雰囲気下において、単ロール装置にて回転速度４０ｍ／ｓの冷却ロールの外周表面上に流下し、急冷した。これにより、急冷凝固合金を得た。
【０１４８】
その後、得られた急冷凝固合金を、イメージ炉にて、１０−４Ｐａ、６４０℃において、１０分間熱処理（結晶化処理）した後、乳鉢にて粉砕することにより、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系ナノコンポジット磁石（体積平均粒子径：約１００μｍ）の粉末を得た。
【０１４９】
【表１】
2013179196.tif 000002
【０１５０】
製造例３（アモルファス金属の製造）
Ｎｄ（ネオジム）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）およびＢ（ホウ素）の単体粉末または塊状物を、表２に示す配合割合で処方し、アーク溶解炉により、−４ｋＰａ（−３０Ｔｏｒｒ）、Ａｒ（アルゴン）雰囲気下で溶解させ、表２に示す組成比の合金（インゴット）を作製した。
【０１５１】
次いで、得られたインゴットを粉砕し、合金粒状物（粒子径：０．５〜１０ｍｍ）を得た。
【０１５２】
その後、得られた合金粒状物を高周波誘導加熱にて溶解し、合金溶湯とした後、得られた合金溶湯を、Ａｒ雰囲気下において、単ロール装置にて回転速度４０ｍ／ｓの冷却ロールの外周表面上に流下し、急冷した。これにより、アモルファス金属を得た。
【０１５３】
その後、得られたアモルファス金属を乳鉢により粉砕し、体積平均粒子径２０μｍの粉末を得た。
【０１５４】
製造例４（アモルファス金属の製造）の製造
ガスアトマイズ法（噴射ガス：Ａｒ）によりＮｄ６０Ｆｅ３０Ａｌ１０を製造した後、ボールミル（伊藤製作所製  ＬＰ−１）により微粉砕した。これにより、体積平均粒子径１μｍの、Ｎｄ６０Ｆｅ３０Ａｌ１０の粉末を得た。
［評価］
ＤＳＣ（示差走査熱量測定：ＳＩＩ社製、ＤＳＣ６３００）を用いて、各製造例において得られたアモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）、および、アモルファス金属が金属ガラスである場合には、そのガラス遷移温度（Ｔｇ）を測定した。
【０１５５】
具体的には、アモルファス金属試料１０ｍｇをアルミナパンに投入し、Ａｒ雰囲気中、昇温速度４０℃／ｍｉｎで測定した。
【０１５６】
なお、結晶化反応（Ｔｘ）が複数確認された場合には、その温度の低い方を結晶化温度（Ｔｘ）として測定した。
【０１５７】
また、結晶化温度（Ｔｘ）、および、ガラス遷移温度（Ｔｇ）が確認される場合には、過冷却領域ΔＴｘ（＝Ｔｘ−Ｔｇ）を算出した。
【０１５８】
その結果を表２に示す。
【０１５９】
【表２】
2013179196.tif 000003
【０１６０】
実施例１〜１１および比較例１〜１１
ＭＦＰ−１９（商品名、ＨＤＤＲ法により得られたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁気異方性磁石粉末、愛知製鋼社製）、製造例１で得られたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末、または、製造例２で得られたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系ナノコンポジット磁石粉末と、Ｚ１６（商品名、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石（Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎ３）、分解温度６００℃、体積平均粒子径３μｍ、日亜化学工業社製）と、製造例３で得られたアモルファス金属、または、製造例４で得られたアモルファス金属とを、表３に示す割合で、乳鉢中において混合することにより、磁石粉末とアモルファス金属との混合粉末を得た。
【０１６１】
その後、混合粉末０．３ｇを採取して、超硬製金型（成形サイズ：５ｍｍ×５ｍｍ）に充填し、放電プラズマ焼結機（ＳＰＳシンテックス社製ＳＰＳ−５１５Ｓ）によって、真空中で表３に示す圧力で、表３に示す温度まで、昇温速度４０℃／ｍｉｎで加熱（昇温）し、表３に示す時間、保持した。これにより、磁性材料を得た。
【０１６２】
なお、比較例１〜８では、アモルファス金属を配合することなく、磁性材料を得た。
【０１６３】
また、比較例９および１０では、アモルファス金属として、製造例４で得られたアモルファス金属を用いた。
【０１６４】
また、比較例１１では、製造例２で得られたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系ナノコンポジット磁石粉末を用いた。
【０１６５】
評価
各実施例および各比較例により得られた各磁性材料について、ＶＳＭ（玉川製作所製）にて減磁曲線を測定し、それらの磁気特性を評価した。その結果を表３に併せて示す。
【０１６６】
【表３】
2013179196.tif 000004
【０１６７】
なお、表中において、Ｂｒ（残留磁束密度）、ｂＨｃ（Ｂ保磁力）、ｉＨｃ（Ｉ保磁力）、（ＢＨ）ｍａｘ（最大エネルギー積）は、いずれもその値が高いほど磁気特性が良好であることを示す。
（考察）
Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁石粉末およびＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末と、上記の特定組成のアモルファス金属（製造例３）とを原料として得られる各実施例の磁性材料は、アモルファス金属を配合することなく得られた比較例１〜８、１１の磁性材料や、上記の特定組成ではないアモルファス金属（製造例４）を用いて得られた比較例９および１０の磁性材料、さらには、磁石粉末としてＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系ナノコンポジット磁石粉末（製造例２）を用いた比較例１１の磁性材料に比べ、比較的高い水準で各種磁気特性を確保することができた。