(57)【要約】【課題】製造工程数を増加させることなく、絶縁体層が基板から剥離することを抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。【解決手段】非磁性体層２１は、磁性体部１６ｂの主面上に積層され、かつ、ガラスを含有している。非磁性体層１９ａ〜１９ｄは、非磁性体層２１上に積層されている。非磁性体層２１が経た焼成工程の回数は、非磁性体層１９ａ〜１９ｄが経た焼成工程の回数よりも多い。焼成工程を経た回数が等しい非磁性体層１９ａ〜１９ｄが２以上存在する。【選択図】図２
2013254811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面上に積層され、かつ、ガラスを含有している第１の絶縁体層と、
前記第１の絶縁体層上に積層されている複数の第２の絶縁体層と、
を備えており、
前記第１の絶縁体層が経た焼成工程の回数は、前記複数の第２の絶縁体層が経た焼成工程の回数よりも多く、
焼成工程を経た回数が等しい前記第２の絶縁体層が２以上存在すること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１の絶縁体層の厚みは、前記第２の絶縁体層の厚みよりも小さいこと、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第１の絶縁体層の厚みは、前記基板の主面の表面粗さＲａの２倍以上であること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１の絶縁体層は、部分結晶化ガラスからなること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記複数の第２の絶縁体層は、ガラスを含有していること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
前記第２の絶縁体層と共に積層され、回路素子を構成している導体層を、
更に備え、
前記導体層を構成している導体成分は、前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層に拡散しており、
前記第１の絶縁体層における前記導体成分の濃度は、前記第２の絶縁体層における該導体成分の濃度よりも低いこと、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
基板の主面上にガラスを含有している未焼成の第１の絶縁体層を形成する第１の工程と、
未焼成の前記第１の絶縁体層を焼成する第２の工程と、
前記第１の絶縁体層上に未焼成の複数の第２の絶縁体層を形成する第３の工程と、
未焼成の前記複数の第２の絶縁体層を焼成する第４の工程と、
を備えていること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程では、焼成後の前記第１の絶縁体層の厚みが、焼成後の前記第２の絶縁体層の厚みよりも小さくなるように、未焼成の該第１の絶縁体層を形成すること、
を特徴とする請求項７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記第１の工程では、焼成後の前記第１の絶縁体層の厚みが、前記基板の主面の表面粗さＲａの２倍以上となるように、未焼成の該第１の絶縁体層を形成すること、
を特徴とする請求項７又は請求項８のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の絶縁体層は、部分結晶化ガラスからなること、
を特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の第２の絶縁体層は、ガラスを含有していること、
を特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、基板上に絶縁体層が積層されて構成された電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の多層回路部品が知られている。図７は、特許文献１に記載の多層回路部品５００の断面構造図である。
【０００３】
多層回路部品５００は、基板５０２、複数層のガラス層５０４及び複数層の導体層５０６を備えている。基板５０２は、酸化アルミニウムからなる基板である。複数層のガラス層５０４は、基板５０２上に積層され、ガラスペーストが焼成されて形成されている。複数層の導体層５０６は、複数層のガラス層５０４と共に積層されており、回路素子を構成している。
【０００４】
以上のように構成された多層回路部品５００では、以下に説明するように、ガラス層５０４が基板５０２から剥離することが抑制される。より詳細には、ガラス層５０４は、焼成時に基板５０２よりも大きく収縮する。この際、ガラス層５０４が基板５０２から剥離しようとする力が発生する。特に、複数のガラス層５０４が一括して焼成されると、複数のガラス層５０４が同時に収縮するので、ガラス層５０４が基板５０２から剥離しようとする力が大きくなる。
【０００５】
そこで、特許文献１に記載の多層回路部品５００では、複数のガラス層５０４は、１層ずつ焼成されている。これにより、各焼成工程において収縮するガラス層５０４が１層となるので、ガラス層５０４が基板５０２から剥離しようとする力が小さくなる。その結果、ガラス層５０４が基板５０２から剥離することが抑制される。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の多層回路部品５００は、ガラス層５０４を１層ずつ焼成する必要があるので、多層回路部品５００の製造工程数が多くなってしまうという問題を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３１５９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、製造工程数を増加させることなく、絶縁体層が基板から剥離することを抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一形態に係る電子部品は、基板と、前記基板の主面上に積層され、かつ、ガラスを含有している第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に積層されている複数の第２の絶縁体層と、を備えており、前記第１の絶縁体層が経た焼成工程の回数は、前記複数の第２の絶縁体層が経た焼成工程の回数よりも多く、焼成工程を経た回数が等しい前記第２の絶縁体層が２以上存在すること、を特徴とする。
【００１０】
前記電子部品の製造方法は、基板の主面上にガラスを含有している未焼成の第１の絶縁体層を形成する第１の工程と、未焼成の前記第１の絶縁体層を焼成する第２の工程と、前記第１の絶縁体層上に未焼成の複数の第２の絶縁体層を形成する第３の工程と、未焼成の前記複数の第２の絶縁体層を焼成する第４の工程と、を備えていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、製造工程数を増加させることなく、絶縁体層が基板から剥離することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】電子部品の外観斜視図である。
【図２】電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図３】電子部品の製造時の工程断面図である。
【図４】電子部品の製造時の工程断面図である。
【図５】電子部品の製造時の工程断面図である。
【図６】電子部品をＳＥＭにより観察した写真である。
【図７】特許文献１に記載の多層回路部品の断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１４】
（電子部品の構成）
まず、電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、電子部品１０の外観斜視図である。図２は、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。以下では、積層体１２の積層方向をｚ軸方向と定義する。積層体１２をｚ軸方向から平面視したときの積層体１２の２辺が延在している方向をｘ軸方向及びｙ軸方向と定義する。ｘ軸方向、ｙ軸方向及びｚ軸方向は互いに直交している。
【００１５】
電子部品１０は、コモンモードチョークコイルを内蔵するチップ型電子部品であり、図１ないし図２に示すように、積層体１２、外部電極１４（１４ａ〜１４ｄ）、コイル２０ａ，２０ｂ、引き出し導体２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂ及びビアホール導体ｖ１，ｖ２を備えている。
【００１６】
積層体１２は、図１に示すように、直方体状をなしており、磁性体部１６ａ，１６ｂ及び非磁性体部１８を含んでいる。磁性体部１６ａ，１６ｂは、フェライト等の磁性体材料により構成されており、直方体状をなしている。磁性体部１６ｂは、本発明の基板に相当する。
【００１７】
また、非磁性体部１８は、図２に示すように、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ及び非磁性体層２１がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されている。非磁性体層２１は、本発明の第１の絶縁体層に相当する。非磁性体層１９ａ〜１９ｄは、本発明の第２の絶縁体層に相当する。
【００１８】
非磁性体層１９ａ〜１９ｄは、矩形状をなしており、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｋ2Ｏ等の硼珪酸ガラスからなる非磁性材料により構成されている。非磁性体層１９ａ〜１９ｄは、非磁性体層２１上に積層されている。また、非磁性体層１９ａ〜１９ｄには、焼成工程を経た回数が等しい非磁性体層１９ａ〜１９ｄが２以上存在している。本実施形態では、後述するように、非磁性体層１９ａ〜１９ｄが経た焼成工程の回数は等しく、１回である。すなわち、非磁性体層１９ａ〜１９ｄが同時に焼成されている。非磁性体層１９ａ〜１９ｄの厚みは、例えば、１０μｍである。以下では、非磁性体層１９ａ〜１９ｄのｚ軸方向の正方向側の面を表面と称し、非磁性体層１９ａ〜１９ｄのｚ軸方向の負方向側の面を裏面と称す。
【００１９】
非磁性体層２１は、矩形状をなしており、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＢａＯ等の部分結晶化ガラスからなる非磁性材料により構成されている。部分結晶化ガラスとは、焼成時に液相中に結晶層が析出するもので、一旦焼結すると繰り返し焼成を行っても粘度が高い状態を維持する特徴をもつガラスである。非磁性体層２１は、磁性体部１６ｂのｚ軸方向の正方向側の主面上に積層されている。後述するように、非磁性体層２１が経た焼成工程の回数は、非磁性体層１９ａ〜１９ｄが経た焼成工程の回数よりも多い。すなわち、非磁性体層２１は、非磁性体層１９ａ〜１９ｄよりも先に焼成されている。本実施形態では、非磁性体層２１が経た焼成工程の回数は、非磁性体層２１の焼成工程及び非磁性体層１９ａ〜１９ｄの焼成工程の２回である。
【００２０】
また、非磁性体層２１の厚みは、磁性体部１６ｂのｚ軸方向の正方向側の主面の表面粗さＲａの２倍以上であり、非磁性体層１９ａ〜１９ｄの厚みよりも小さいことが好ましい。本実施形態では、磁性体部１６ｂの表面粗さＲａが１μｍであるので、非磁性体層２１の厚みは、例えば、４μｍである。以下では、非磁性体層２１のｚ軸方向の正方向側の面を表面と称し、非磁性体層２１のｚ軸方向の負方向側の面を裏面と称す。
【００２１】
コイル２０ａ，２０ｂは、図２に示すように、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１と共に積層され、かつ、互いに電磁気結合することによりコモンモードチョークコイルを構成している。より詳細には、コイル２０ａは、非磁性体層１９ｃの表面に設けられている線状導体からなり、時計回り方向に旋回しながら中心に近づく渦巻き形状をなしている。コイル２０ｂは、コイル２０ａが設けられている非磁性体層１９ｃよりもｚ軸方向の負方向側に位置している非磁性体層１９ｄの表面に設けられている線状導体からなり、時計回り方向に旋回しながら中心に近づく渦巻き形状をなしている。コイル２０ａ，２０ｂは、非磁性体層１９ｃを介してｚ軸方向に対向することによって磁気的結合している。本実施形態では、コイル２０ａ，２０ｂは、同じ形状を有していると共に、ｚ軸方向から平面視したときに、全体において一致した状態で重なっている。
【００２２】
引き出し導体２２ａは、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１と共に積層され、コイル２０ａの外側の端部から積層体１２の側面まで引き出されている。より詳細には、引き出し導体２２ａは、引き出し部３０ａ及び接続部３２ａを含んでいる。引き出し部３０ａは、非磁性体層１９ｃの表面において、コイル２０ａの外側の端部から非磁性体層１９ｃのｘ軸方向の負方向側の辺近傍まで直線的に延在していると共に、ｙ軸方向の負方向側に向かって折れ曲がっている。接続部３２ａは、非磁性体層１９ｃの表面において、引き出し部３０ａの端部に接続され、非磁性体層１９ｃのｘ軸方向の負方向側の辺に引き出されている。これにより、接続部３２ａは、積層体１２のｘ軸方向の負方向側の側面から、ｙ軸方向に延在する線状に露出している。
【００２３】
引き出し導体２２ｂは、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１と共に積層され、コイル２０ｂの外側の端部から積層体１２の側面まで引き出されている。より詳細には、引き出し導体２２ｂは、引き出し部３０ｂ及び接続部３２ｂを含んでいる。引き出し部３０ｂは、非磁性体層１９ｄの表面において、コイル２０ｂの外側の端部から非磁性体層１９ｄのｘ軸方向の負方向側の辺近傍まで直線的に延在していると共に、ｙ軸方向の正方向側に向かって折れ曲がっている。接続部３２ｂは、非磁性体層１９ｄの表面において、引き出し部３０ｂの端部に接続され、非磁性体層１９ｄのｘ軸方向の負方向側の辺に引き出されている。これにより、接続部３２ｂは、積層体１２のｘ軸方向の負方向側の側面から、ｙ軸方向に延在する線状に露出している。
【００２４】
引き出し導体２４ａは、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１と共に積層され、より詳細には、非磁性体層１９ｂの表面に設けられている。そして、引き出し導体２４ａは、ｚ軸方向から平面視したときにコイル２０ａの内側の端部と重なる位置から積層体１２の側面まで引き出されている。より詳細には、引き出し導体２４ａは、接続部３３ａ，引き出し部３４ａ及び接続部３６ａを含んでいる。接続部３３ａは、非磁性体層１９ｂの表面において、ｚ軸方向から平面視したときにコイル２０ａの内側の端部と重なっている。引き出し部３４ａは、非磁性体層１９ｂの表面において、接続部３３ａから非磁性体層１９ｂのｘ軸方向の正方向側の辺近傍まで直線的に延在していると共に、ｙ軸方向の負方向側に向かって折れ曲がっている。接続部３６ａは、非磁性体層１９ｂの表面において、引き出し部３４ａの端部に接続され、非磁性体層１９ｂのｘ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。これにより、接続部３６ａは、積層体１２のｘ軸方向の正方向側の側面から、ｙ軸方向に延在する線状に露出している。
【００２５】
引き出し導体２４ｂは、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１と共に積層され、より詳細には、非磁性体層２１の表面に設けられている。そして、引き出し導体２４ｂは、ｚ軸方向から平面視したときにコイル２０ｂの内側の端部と重なる位置から積層体１２の側面まで引き出されている。より詳細には、引き出し導体２４ｂは、接続部３３ｂ、引き出し部３４ｂ及び接続部３６ｂを含んでいる。接続部３３ｂは、非磁性体層２１の表面において、ｚ軸方向から平面視したときにコイル２０ｂの内側の端部と重なっている。引き出し部３４ｂは、非磁性体層２１の表面において、接続部３３ｂから非磁性体層２１のｘ軸方向の正方向側の辺近傍まで直線的に延在していると共に、ｙ軸方向の正方向側に向かって折れ曲がっている。接続部３６ｂは、非磁性体層２１の表面において、引き出し部３４ｂの端部に接続され、非磁性体層２１のｘ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。これにより、接続部３６ｂは、積層体１２のｘ軸方向の正方向側の側面から、ｙ軸方向に延在する線状に露出している。
【００２６】
コイル２０ａ，２０ｂ及び引き出し導体２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂは、本発明の回路素子を構成している導体層に相当する。
【００２７】
ビアホール導体ｖ１は、非磁性体層１９ｂをｚ軸方向に貫通しており、コイル２０ａの内側の端部と引き出し導体２４ａの接続部３３ａとを接続している。ビアホール導体ｖ２は、非磁性体層１９ｄをｚ軸方向に貫通しており、コイル２０ｂの内側の端部と引き出し導体２４ｂの接続部３３ｂとを接続している。
【００２８】
外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、積層体１２のｘ軸方向の負方向側の側面に設けられており、引き出し導体２２ａ，２２ｂ（より詳細には、接続部３２ａ，３２ｂ）に接続されている。より詳細には、外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、積層体１２のｘ軸方向の負方向側の側面において、ｚ軸方向に延在するように設けられている。外部電極１４ａは、外部電極１４ｂよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。そして、外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、接続部３２ａ，３２ｂを覆っている。
【００２９】
外部電極１４ｃ，１４ｄはそれぞれ、積層体１２のｘ軸方向の正方向側の側面に設けられており、引き出し導体２４ａ，２４ｂ（より詳細には、接続部３６ａ，３６ｂ）に接続されている。より詳細には、外部電極１４ｃ，１４ｄはそれぞれ、積層体１２のｘ軸方向の正方向側の側面において、ｚ軸方向に延在するように設けられている。外部電極１４ｃは、外部電極１４ｄよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。そして、外部電極１４ｃ，１４ｄはそれぞれ、接続部３６ａ，３６ｂを覆っている。
【００３０】
以上のように構成された電子部品１０では、コイル２０ａ，２０ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに重なっている。これにより、コイル２０ａが発生した磁束がコイル２０ｂを通過するようになり、コイル２０ｂが発生した磁束がコイル２０ａを通過するようになる。したがって、コイル２０ａとコイル２０ｂとが磁気結合するようになり、コイル２０ａとコイル２０ｂとがコモンモードチョークコイルを構成するようになる。そして、外部電極１４ａ，１４ｂが入力端子として用いられ、外部電極１４ｃ，１４ｄが出力端子として用いられる。すなわち、差動伝送信号が、外部電極１４ａ，１４ｂから入力し、外部電極１４ｃ，１４ｄから出力する。そして、差動伝送信号にコモンモードノイズが含まれている場合には、コイル２０ａ，２０ｂは、コモンモードノイズにより、同じ方向に磁束を発生する。そのため、磁束同士が強め合うようになり、コモンモードに対するインピーダンスが発生する。その結果、コモンモードノイズは、熱に変換されて、コイル２０ａ，２０ｂを通過することが妨げられる。
【００３１】
（電子部品の製造方法）
以上のように構成された電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら以下に説明する。図３ないし図５は、電子部品１０の製造時の工程断面図である。なお、以下では、図３ないし図５に示すように一つの電子部品１０の製造方法について説明するが、実際には、複数の積層体１２がつながったマザー積層体を作製し、マザー積層体をカットして、積層体１２を得る。
【００３２】
まず、磁性体部１６ｂを準備する。具体的には、フェライトなどからなる焼結体の磁性体基板を準備する。
【００３３】
次に、図３（ａ）に示すように、磁性体部１６ｂのｚ軸方向の正方向側の主面上に未焼成の非磁性体層２１を形成する。具体的には、ガラス粉末（ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＢａＯ）、ワニス及び溶剤を混合した非磁性体ペーストを磁性体部１６ｂのｚ軸方向の正方向側の主面の全面にスクリーン印刷により塗布し、溶剤を乾燥させる。この際、焼成後の非磁性体層２１の厚みが、磁性体部１６ｂのｚ軸方向の正方向側の主面の表面粗さＲａの２倍以上であって、焼成後の非磁性体層１９ａ〜１９ｄの厚みよりも小さくなるように、未焼成の非磁性体層２１を形成する。
【００３４】
次に、未焼成の非磁性体層２１を８４０℃で１０分間にわたって焼成する。これにより、焼成された非磁性体層２１が形成される。
【００３５】
次に、図３（ｂ）に示すように、非磁性体層２１上に引き出し導体２４ｂを形成する。具体的には、Ａｇ又はＣｕ等の導電性粉末、感光性ワニス及び溶剤を混合した感光性導電性ペーストを非磁性体層２１の全面にスクリーン印刷法により塗布する。次に、フォトマスクを介して導電性ペースト層に対して露光を行った後に、アルカリ現像液によって現像する。
【００３６】
次に、図３（ｃ）に示すように、ビアホール導体ｖ２が形成されるべき位置にビアホールが形成された未焼成の非磁性体層１９ｄを非磁性体層２１上に形成する。具体的には、ガラス粉末（ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ｋ2Ｏ）、感光性ワニス及び溶剤を混合した感光性非磁性体ペーストを非磁性体層２１の全面にスクリーン印刷により塗布し、溶剤を乾燥させる。次に、フォトマスクを介して非磁性体ペースト層に対して露光を行った後に、アルカリ現像液によって現像する。
【００３７】
次に、図３（ｄ）に示すように、非磁性体層１９ｄのビアホールにビアホール導体ｖ２を形成するとともに、非磁性体層１９ｄ上にコイル２０ｂを形成する。コイル２０ｂの形成工程は、引き出し導体２４ｂの形成工程と同じであるので説明を省略する。また、ビアホール導体ｖ２は、コイル２０ｂの形成の際に、導電性ペーストがビアホールに充填されることにより形成される。
【００３８】
次に、図４（ａ）に示すように、非磁性体層１９ｄ上に未焼成の非磁性体層１９ｃを形成する。具体的には、ガラス粉末（ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ｋ2Ｏ）、ワニス及び溶剤を混合した非磁性体ペーストを非磁性体層２１の全面にスクリーン印刷により塗布し、溶剤を乾燥させる。
【００３９】
次に、図４（ｂ）に示すように、非磁性体層１９ｃ上にコイル２０ａを形成する。コイル２０ａの形成工程は、コイル２０ｂの形成工程と同じであるので説明を省略する。
【００４０】
次に、図４（ｃ）に示すように、ビアホール導体ｖ１が形成されるべき位置にビアホールが形成された未焼成の非磁性体層１９ｂを非磁性体層１９ｃ上に形成する。非磁性体層１９ｂの形成工程は、非磁性体層１９ｄの形成工程と同じであるので説明を省略する。
【００４１】
次に、図４（ｄ）に示すように、非磁性体層１９ｂのビアホールにビアホール導体ｖ１を形成するとともに、非磁性体層１９ｂ上に引き出し導体２４ａを形成する。ビアホール導体ｖ１及び引き出し導体２４ａの形成工程は、ビアホール導体ｖ２及びコイル２０ｂの形成工程と同じであるので説明を省略する。
【００４２】
次に、図５（ａ）に示すように、非磁性体層１９ｂ上に未焼成の非磁性体層１９ａを形成する。非磁性体層１９ａの形成工程は、非磁性体層１９ｃの形成工程と同じであるので説明を省略する。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に示すように、非磁性体層１９ａ上に磁性体部１６ａを形成する。具体的には、粉末状の磁性体材料であるフェライト粉末とワニス等の有機成分とを混合した磁性体ペーストをダイコーターにより塗布することで磁性体部１６ａを形成する。なお、磁性体部１６ａは、スクリーン印刷法を用いて作製されてもよい。これにより、複数の積層体１２が繋がったマザー積層体が完成する。ただし、図５（ｂ）では、非磁性体層２１以外の非磁性体層１９ａ〜１９ｄは焼成されていない。
【００４４】
次に、マザー積層体を９００℃で１５０分間にわたって焼成する。これにより、非磁性体層１９ａ〜１９ｄが一括して焼成される。
【００４５】
次に、ダイサー等により、マザー積層体を個別の積層体１２にカットする。
【００４６】
次に、Ａｇ又はＣｕを主成分とする導電性ペーストを積層体１２に塗布することにより、外部電極１４となるべき銀又は銅からなる電極を形成する。銀又は銅からなる電極には乾燥及び焼き付けを施す。
【００４７】
次に、銀又は銅からなる電極上にＮｉ／Ｓｎのめっきを施す。これにより、外部電極１４が形成される。以上の工程により、電子部品１０が完成する。
【００４８】
（効果）
以上のように構成された電子部品１０及びその製造方法によれば、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１が磁性体部１６ｂから剥離することを抑制できる。より詳細には、非磁性体層２１が経た焼成工程の回数は、非磁性体層１９ａ〜１９ｄが経た焼成工程の回数よりも多い。これは、非磁性体層１９ａ〜１９ｄを形成する前に、非磁性体層２１を焼成することを意味している。これにより、磁性体部１６ｂ上において非磁性体層２１のみが収縮するようになり、非磁性体層２１が磁性体部１６ｂから剥離しようとする力が小さくなる。よって、非磁性体層２１が磁性体部１６ｂから剥離することが抑制される。
【００４９】
更に、非磁性体層２１は、ガラスを含有している。そのため、非磁性体層１９ａ〜１９ｄの焼成の際に、液相焼結によって、非磁性体層２１のガラス成分の少なくとも一部分が溶融する。これにより、非磁性体層２１のガラス成分が非磁性体層１９ｄの表面の凹凸に入り込んで非磁性体層１９ｄと非磁性体層２１とが密着する。その結果、非磁性体層１９ｄが非磁性体層２１から剥離することが抑制される。
【００５０】
以上のように、電子部品１０及びその製造方法によれば、非磁性体層２１が磁性体部１６ｂから剥離することが抑制され、非磁性体層１９ｄが非磁性体層２１から剥離することが抑制される。これにより、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１が磁性体部１６ｂから剥離することが抑制される。
【００５１】
ここで、電子部品１０において、非磁性体層１９ａ〜１９ｄが形成される前に、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１が焼成されたことを確認する方法について図面を参照しながら説明する。図６は、電子部品１０をＳＥＭにより観察した写真である。
【００５２】
図６において、白い部分は、導体成分（銀）の濃度が高いことを意味している。図６によれば、コイル２０ａ，２０ｂ及び引き出し導体２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂを構成している導体成分は、焼成工程において、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１に拡散している。ただし、コイル２０ａ，２０ｂ及び引き出し導体２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂの形成時には非磁性体層２１は焼成されている。そのため、導体成分は、非磁性体層２１よりも非磁性体層１９ａ〜１９ｄに対して拡散しやすい。その結果、図６に示すように、非磁性体層２１における導体成分の濃度は、非磁性体層１９ａ〜１９ｄにおける導体成分の濃度よりも低くなっている。以上より、電子部品１０において、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１における導体成分の濃度を測定することによって、非磁性体層１９ａ〜１９ｄが形成される前に、非磁性体層２１が焼成されたことを確認できる。
【００５３】
また、電子部品１０及びその製造方法によれば、非磁性体層１９ａ〜１９ｄは、ガラスを含有している。これにより、非磁性体層１９ｄは、非磁性体層２１に対してより強固に密着するようになる。その結果、電子部品１０及びその製造方法によれば、非磁性体層１９ｄが非磁性体層２１から剥離することがより効果的に抑制される。
【００５４】
また、電子部品１０及びその製造方法によれば、非磁性体層２１の厚みは、非磁性体層１９ａ〜１９ｄの厚みよりも小さいので、非磁性体層２１が磁性体部１６ｂから剥離しようとする力が小さい。その結果、非磁性体層２１が磁性体部１６ｂから剥離することがより効果的に抑制される。
【００５５】
また、電子部品１０及びその製造方法によれば、特許文献１に記載の多層回路部品５００に比べて、製造工程数が少なくて済む。より詳細には、特許文献１に記載の多層回路部品５００は、ガラス層５０４を１層ずつ焼成する必要があるので、多層回路部品５００の製造工程数が多くなってしまうという問題を有する。
【００５６】
そこで、電子部品１０及びその製造方法では、焼成工程を経た回数が等しい非磁性体層１９ａ〜１９ｄが２以上存在する。本実施形態では、非磁性体層１９ａ〜１９ｄが経た焼成工程の回数は１回である。すなわち、非磁性体層１９ａ〜１９ｄを同時に焼成している。その結果、電子部品１０及びその製造方法によれば、特許文献１に記載の多層回路部品５００に比べて、焼成工程の回数が少ないので、製造工程数が少なくて済む。
【００５７】
また、電子部品１０及びその製造方法によれば、焼成工程の回数が少ないので、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１間、及び、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１内に内部応力が発生することが抑制される。その結果、電子部品１０において、デラミネーション及びクラックが発生することが抑制される。
【００５８】
また、電子部品１０及びその製造方法によれば、焼成工程の回数が少ないので、コイル２０ａ，２０ｂ及び引き出し導体２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂが焼成工程において非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１に拡散することが抑制される。その結果、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１の絶縁性が低下することが抑制される。
【００５９】
また、電子部品１０及びその製造方法によれば、非磁性体層２１は、焼結後は化学的に安定する部分結晶化ガラスの焼結体からなっている。これにより、磁性体部１６ｂと非磁性体層１９ａ〜１９ｄとの間の反応が抑制される。よって、磁性体部１６ａ、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ、コイル２０ａ，２０ｂ及び引き出し導体２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂをより高温で焼成することが可能となる。その結果、磁性体部１６ａが十分に焼成されるようになり、磁性体部１６ａの透磁率が高くなる。また、非磁性体層１９ａ〜１９ｄが十分に焼成されるようになり、非磁性体層１９ａ〜１９ｄの絶縁性が向上する。また、コイル２０ａ，２０ｂ及び引き出し導体２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂが十分に焼成されるようになり、コイル２０ａ，２０ｂ及び引き出し導体２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂの低抵抗化が図られる。
【００６０】
また、電子部品１０及びその製造方法では、非磁性体層２１の厚みは、磁性体部１６ｂのｚ軸方向の正方向側の主面の表面粗さＲａの２倍以上である。これにより、磁性体部１６ｂのｚ軸方向の正方向側の主面に対して満遍なく非磁性体層２１を形成することが可能となる。
【００６１】
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品１０及びその製造方法では、非磁性体層２１は、非晶質ガラスからなっていてもよい。また、非磁性体層２１は、部分結晶化ガラス又は非晶質ガラスに対してセラミックが混合されたガラスセラミックからなっていてもよい。ここでのガラスセラミックからなる非磁性体層２１は、ガラス粉末、未焼成のセラミック粉末、バインダ及び溶剤を混合して得られた非磁性体ペーストが塗布及び焼成されることにより作製される。
【００６２】
また、電子部品１０及びその製造方法では、非磁性体層１９ａ〜１９ｄは、部分結晶化ガラスからなってもよいし、非晶質ガラスからなってもよい。更に、非磁性体層１９ａ〜１９ｄは、前記ガラスセラミックからなってもよいし、ガラスを含有しないチタン酸バリウム等のセラミックからなってもよい。
【００６３】
また、電子部品１０及びその製造方法では、非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１には、セラミックフィラーが分散されていてもよい。セラミックフィラーが分散された非磁性体層１９ａ〜１９ｄ，２１とは、ガラス粉末、焼成されたセラミックフィラー、バインダ及び溶剤を混合して得られた非磁性体ペーストが塗布及び焼成されることにより作製される。
【００６４】
また、電子部品１０及びその製造方法では、非磁性体層１９ａ〜１９ｄは、一括して焼成されているが、複数回に分けて焼成されてもよい。ただし、非磁性体層１９ａ〜１９ｄの焼成工程の回数は、非磁性体層１９ａ〜１９ｄの層数（４層）よりも少ない必要がある。これにより、複数の非磁性体層１９ａ〜１９ｄが同時に焼成されるようになる。すなわち、焼成工程を経た回数が等しい非磁性体層１９ａ〜１９ｄが２以上存在するようになる。よって、焼成工程の回数が少なくて済むようになる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
以上のように、本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、製造工程数を増加させることなく、絶縁体層が基板から剥離することを抑制できる点において優れている。
【符号の説明】
【００６６】
１０  電子部品
１２  積層体
１４ａ〜１４ｄ  外部電極
１６ａ，１６ｂ  磁性体部
１８  非磁性体部
１９ａ〜１９ｄ，２１  非磁性体層
２０ａ，２０ｂ  コイル
２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂ  引き出し導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図６】
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