(57)【要約】【課題】焦電型検出素子の焦電体での焦電効果を高めて、検出精度を向上できる焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】焦電型検出器２００Ａは、第１電極２３４と、第２電極２３６と、それら電極間に配置された焦電体２３２とから成り、温度に基づいて分極量が変化するキャパシター２３０を含む焦電型検出素子２２０Ａを有する。焦電型検出素子２２０Ａを搭載する支持部材２１０は、第１面２１１Ａと、第１面に対向する第２面２１１Ｂとを含み、第２面２１１Ｂが空洞部１０２に臨んで配置され、第１面２１１Ａが第１電極２３４と接する。ポスト１０４は、支持部材２１０の第２面２１１Ｂの一部を支持する。キャパシター２３０が電磁波を吸収する電磁波吸収体を含み、電磁波の入射経路にて電磁波吸収体よりも上流側に配置される配線層２２４Ａ、第２プラグ２２８が、電磁波を透過する電磁波透過性構造にて形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、第２電極と、前記第１，第２電極間に配置された焦電体とを含み、前記焦電体の温度に基づいて分極量が変化するキャパシターを含む焦電型検出素子と、
第１面と、前記第１面に対向する第２面とを含み、前記第２面が空洞部に臨んで配置され、前記第１面が前記第１電極と接して前記焦電型検出素子を搭載する支持部材と、
前記支持部材の前記第２面の一部を支持する支持部と、を有し、
前記焦電型検出素子はテラヘルツ帯の電磁波を吸収する電磁波吸収体を含み、
電磁波の入射経路にて前記電磁波吸収体よりも上流側に位置する導電性の部位は前記電磁波を透過する電磁波透過性構造を有することを特徴とする焦電型検出器。
【請求項２】
請求項１に記載の焦電型検出器において、
前記焦電型検出素子の前記第２電極側から前記電磁波が入射され、
前記第２電極が前記電磁波吸収体を含み、
前記第２電極に接続される配線層をさらに有し、
前記配線層が前記電磁波透過性構造を有することを特徴とする焦電型検出器。
【請求項３】
請求項１に記載の焦電型検出器において、
前記焦電型検出素子の前記第２電極側から前記電磁波が入射され、
前記焦電体が前記電磁波吸収体を含み、
前記第２電極に接続される配線層をさらに有し、
前記第２電極及び前記配線層が、前記電磁波透過性構造を有することを特徴とする焦電型検出器。
【請求項４】
請求項１に記載の焦電型検出器において、
前記支持部は、前記空洞部を規定し前記第２面と対向する底面に電磁波を反射して前記第１電極側に射出する反射膜を有し、
前記キャパシターを覆って前記電磁波吸収体が設置され、
前記第１電極が前記電磁波透過性構造にて形成されていることを特徴とする焦電型検出器。
【請求項５】
請求項３に記載の焦電型検出器において、
前記支持部は、前記空洞部を規定し前記第２面と対向する底面に電磁波を反射して前記第１電極側に射出する反射膜を有し、
前記焦電体が前記電磁波吸収体を含み、
前記第１電極が、前記電磁波透過性構造にて形成されていることを特徴とする焦電型検出器。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の焦電型検出器が二軸方向に沿って二次元配置されることを特徴とする焦電型検出装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の焦電型検出器を有することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項６に記載の焦電型検出装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁波を検出する検出装置として、焦電型またはボロメーター型の赤外線検出装置が知られている。赤外線検出装置は、受光した赤外線の光量（温度）によって焦電体材料の自発分極量が変化すること（焦電効果またはパイロ電子効果）を利用して焦電体の両端に分極による電荷を生じさせるか（焦電型）、または温度によって抵抗値を変化させて（ボロメーター型）、赤外線を検出している。焦電型検出装置は、ボロメーター型検出装置と比較して、製造工程が複雑である反面、検出感度が優れるという利点がある。
【０００３】
焦電型検出装置のセルは、上部電極と下部電極とに接続された焦電体を含むキャパシターを有し、電極や焦電体の材料に関して、各種の提案がなされている（特許文献１）。
【０００４】
また、上部電極と下部電極とに接続された強誘電体を含むキャパシターは強誘電体メモリーに用いられており、強誘電体メモリーに適した電極や強誘電体の材料に関しても、各種の提案がなされている（特許文献２，３）。ボロメーター型赤外線検出器として、特許文献４には赤外線を吸収する構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２３２８９６号公報
【特許文献２】特開２００９−７１２４２号公報
【特許文献３】特開２００９−１２９９７２号公報
【特許文献４】特開２０００−１４６６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
焦電型でもボロメーター型でも、赤外線やテラヘルツ波といった電磁波を検出する検出装置では入射された電磁波を効率よく吸収して得た熱を検出素子に効率よく伝達することが、測定精度の向上につながる。ボロメーター型赤外線検出装置を開示した特許文献４の図２１及び図２２では、ボロメーター薄膜を含む検出部の裏面側にて空洞部を介して反射膜が配置され、検出部と反射膜との距離をλ／４（λは入射波長）として光学的共振構造としている。また、特許文献４の図１等では、検出部よりも赤外線入射側に平板状の赤外線吸収部を設け、検出部と赤外線吸収部とを接合柱にて連結している。
【０００７】
特許文献４の技術を焦電型検出器に応用すると、焦電型検出素子は２つの電極間に焦電材料を挟んだキャパシター構造を有するので、キャパシターの裏側の反射膜に赤外線はほとんど到達せず、むしろキャパシター中の電極で反射されてしまう。
【０００８】
また、検出部と電磁波吸収部とを接合柱にて連結すると、垂直に起立する接合柱は電磁波の吸収にほとんど寄与せず、しかも電磁波吸収部と検出部との間の唯一の伝熱経路である接合柱の横断面積が小さいために伝熱性も劣り、伝熱損失が生ずる。
【０００９】
本発明の幾つかの態様では、焦電型検出素子の焦電体での焦電効果を高めて、検出精度を向上できる焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１１】
［適用例１］本適用例に係る焦電型検出器は、第１電極と、第２電極と、前記第１，第２電極間に配置された焦電体とを含み、前記焦電体の温度に基づいて分極量が変化するキャパシターを含む焦電型検出素子と、第１面と、前記第１面に対向する第２面とを含み、前記第２面が空洞部に臨んで配置され、前記第１面が前記第１電極と接して前記焦電型検出素子を搭載する支持部材と、前記支持部材の前記第２面の一部を支持する支持部と、を有し、前記焦電型検出素子はテラヘルツ帯の電磁波を吸収する電磁波吸収体を含み、電磁波の入射経路にて前記電磁波吸収体よりも上流側に位置する導電性の部位は前記電磁波を透過する電磁波透過性構造を有することを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、焦電型検出素子は温度に基づいて分極量が変化するキャパシターを含んでいる。そして、電磁波吸収体が電磁波を吸収して温度上昇する。これにより、キャパシターの温度が上昇することにより焦電型検出素子は電磁波を検出する。そして、第１電極と第２電極との間の電圧を検出することにより、電磁波が照射された量を検出することができる。そして、焦電型検出素子が搭載された支持部材を支持部が支持することにより熱が放熱することを防止している。
【００１３】
さらに、電磁波入射方向にて電磁波吸収体よりも上流側に配置された部位を電磁波透過性としている。これにより、電磁波吸収体への電磁波入射効率を高めることができる。しかも、導電性の部位はキャパシターの焦電体への伝熱効率が高くできるので、キャパシターの自発分極量が熱によって変化し、自発分極による電荷を検出することで電磁波を検出する時の検出効率を高めることができる。
【００１４】
［適用例２］上記適用例に記載の焦電型検出器では、前記焦電型検出素子の前記第２電極側から前記電磁波が入射され、前記第２電極が前記電磁波吸収体を含み、前記第２電極に接続される配線層をさらに有し、前記配線層が前記電磁波透過性構造を有することを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、焦電型検出素子の第２電極側から電磁波が入射され、第２電極が電磁波吸収体を含んでいる。第２電極の上流側に位置し第２電極と接続する配線層が電磁波透過性構造を有している。従って、電磁波は配線層を通過しやすくなっている。従って、キャパシターの焦電体に接する第２電極が電磁波吸収体となり、電磁波吸収体に効率よく電磁波を導くことができる。その結果、焦電体への伝熱効率をさらに高めることができる。
【００１６】
［適用例３］上記適用例に記載の焦電型検出器では、前記焦電型検出素子の前記第２電極側から前記電磁波が入射され、前記焦電体が前記電磁波吸収体を含み、前記第２電極に接続される配線層をさらに有し、前記第２電極及び前記配線層が、前記電磁波透過性構造を有することを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、キャパシターの焦電体が電磁波吸収体となっている。そして、焦電体の上流に位置する第２電極及び配線層が電磁波透過性構造を有している。従って、電磁波吸収体に効率よく電磁波を導くことができる為、焦電体への伝熱効率をさらに高めることができる。
【００１８】
［適用例４］上記適用例に記載の焦電型検出器では、前記支持部は、前記空洞部を規定し前記第２面と対向する底面に電磁波を反射して前記第１電極側に射出する反射膜を有し、前記キャパシターを覆って前記電磁波吸収体が設置され、前記第１電極が前記電磁波透過性構造にて形成されていることを特徴とする。
【００１９】
本適用例によれば、キャパシターを覆って電磁波吸収体が設置されている。従って、キャパシターを覆う広い範囲に電磁波吸収体を配置して電磁波吸収面積が拡大されることができる。さらに、第１電極側から電磁波吸収体に射出する反射膜を有している。従って、電磁波吸収体及び第１電極を透過した電磁波を、反射膜により反射して再度電磁波吸収体に導くことができる。
【００２０】
［適用例５］上記適用例に記載の焦電型検出器では、前記支持部は、前記空洞部を規定し前記第２面と対向する底面に電磁波を反射して前記第１電極側に射出する反射膜を有し、前記焦電体が前記電磁波吸収体を含み、前記第１電極が、前記電磁波透過性構造にて形成されていることを特徴とする。
【００２１】
本適用例によれば、焦電体が前記電磁波吸収体を含んでいる。従って、焦電体に照射される電磁波が熱に変換されるので、効率よく伝熱することができる。さらに、第１電極側から電磁波吸収体に射出する反射膜を有している。従って、電磁波吸収体及び第１電極を透過した電磁波を、反射膜により反射して再度電磁波吸収体に導くことができる。
【００２２】
［適用例６］本適用例に係る焦電型検出装置は、上記に記載の焦電型検出器が二軸方向に沿って二次元配置されることを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、焦電型検出装置には、上述した焦電型検出器が二軸方向に沿って二次元配置して構成されている。この焦電型検出器は上記の焦電型検出器である為、感度の高い焦電型検出器となっている。従って、焦電型検出装置は、各セルの焦電型検出器にて検出感度が高められるので、明瞭な電磁波（温度）分布画像を提供できる。
【００２４】
［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の焦電型検出器を有することを特徴とする。
【００２５】
本適用例によれば、電子機器は、上述した焦電型検出器または焦電型検出装置を有している。上述した焦電型検出器は電磁波を感度良く検出する焦電型検出器である。従って、電子機器は、電磁波を感度良く検出する焦電型検出器を備えた電子機器とすることができる。
【００２６】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の焦電型検出装置を有することを特徴とする。
【００２７】
本適用例によれば、電子機器は、上述した焦電型検出装置を有している。上述した焦電型検出装置は明瞭な電磁波（温度）分布画像を提供できる装置である。従って、焦電型検出装置は明瞭な電磁波（温度）分布画像を提供できる装置を備えた電子機器とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る焦電型検出装置の１セル分の焦電型検出器の概略断面図及び概略平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る焦電型検出装置の概略平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る電磁波透過性構造を示す概略斜視図である。
【図４】本発明の第１実施形態での電磁波の入射経路を示す概略断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態の比較例での電磁波の入射経路を示す概略断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態での電磁波透過性構造と電磁波吸収体との関係の一例を示す模式図である。
【図７】本発明の第１実施形態での電磁波透過性構造と電磁波吸収体との関係の他の例を示す模式図である。
【図８】本発明の第１実施形態での電磁波透過性構造と電磁波吸収体との関係のさらに他の例を示す模式図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る検出器の製造途中の工程を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態での電磁波の入射経路を示す模式側断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態での電磁波の入射経路を示す模式側断面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態での焦電型検出器または焦電型検出装置を含む電子機器のブロック図である。
【図１３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第４実施形態での焦電型検出器を二次元配置した焦電型検出装置の構成例を示す図である。
【図１４】本発明の第４実施形態での電子機器の例であるテラヘルツカメラを示す概略斜視図である。
【図１５】本発明の第４実施形態でのテラヘルツカメラの構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。尚、以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の総てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
【００３０】
１．第１実施形態
本実施形態では、焦電型検出装置の特徴的な例について図１〜図９に従って説明する。
１．１．焦電型検出装置
図１は、焦電型検出装置の１セル分の焦電型検出器の概略断面図及び概略平面図である。図２は、焦電型検出装置の概略平面図である。図１に示すように、焦電型検出器２００Ａは支持部材２１０を備え、支持部材２１０に焦電型検出素子２２０Ａが搭載されている。そして、図２に示すように、焦電型検出装置１は基部１００を備え、基部１００には二軸方向例えば直交二軸方向に各セルが配列されている。そして、各セルには焦電型検出器２００Ａが設置されている。
【００３１】
尚、１セル分のみの焦電型検出器にて焦電型検出装置が構成されても良い。基部１００（基部は固定部ともいう）から複数の支持部としてのポスト１０４が立設されている。２本のポスト１０４（ポストは支持部ともいう）に支持された１セル分の焦電型検出器２００Ａが、直交する二方向に配列されている。１セル分の焦電型検出器２００Ａが占める領域は図中の破線で区画される領域を示し、例えば、一辺が数十μｍの矩形である。
【００３２】
焦電型検出器２００Ａは、２本のポスト１０４に連結された支持部材２１０（支持部材はメンブレンともいう）と、焦電型検出素子２２０Ａと、を含んでいる。１セル分の焦電型検出素子２２０Ａが占める領域は、例えば一辺の長さが１０μｍ程度の矩形である。
【００３３】
１セル分の焦電型検出器２００Ａは、２本のポスト１０４と接続される以外は非接触となっている。焦電型検出器２００Ａの下方には空洞部１０２（図１参照）が形成されている。平面視で焦電型検出器２００Ａの周囲には、空洞部１０２に連通する開口部１０２Ａが配置されている。これにより、１セル分の焦電型検出器２００Ａは、基部１００や他のセルの焦電型検出器２００Ａから熱的に分離されている。
【００３４】
支持部材２１０は、焦電型検出素子２２０Ａを搭載して支持する搭載部２１０Ａと、搭載部２１０Ａに連結された２本のアーム２１０Ｂとを有し、２本のアーム２１０Ｂの自由端部がポスト１０４に連結されている。２本のアーム２１０Ｂは、図２では簡略化して図示されているが、焦電型検出素子２２０Ａを熱分離するために、細幅でかつ冗長に延在形成することができる。
【００３５】
図中、上部電極に接続される配線層より上方の部材が省略されている。焦電型検出素子２２０Ａには第１電極配線層２２２（下部電極）及び配線層としての第２電極配線層２２４（上部電極）が接続されている。第２電極配線層２２４は、第２電極２３６（上部電極）上に形成される配線層２２４Ａと、それに接続される配線層２２４Ｂとを含む。第１電極配線層２２２、第２電極配線層２２４の各々は搭載部２１０Ａからアーム２１０Ｂに沿って延在して設置され、ポスト１０４を介して基部１００に設置された回路に接続される。第１電極配線層２２２及び第２電極配線層２２４も、焦電型検出素子２２０Ａを熱分離するために、細幅でかつ冗長に延在させて形成することができる。
【００３６】
１．２．焦電型検出器
図１は、図２に示す焦電型検出器２００Ａの断面と平面とを示している。図９は、検出器の製造途中の工程を示す概略断面図である。図１に示すように、基部１００と支持部材２１０との間は空洞部１０２が形成されている。尚、図９に示すように、製造工程途中の焦電型検出器２００Ａでは、空洞部１０２が犠牲層１５０により埋め込まれている。犠牲層１５０は、支持部材２１０及び焦電型検出素子２２０Ａの形成工程前から形成工程後まで存在しており、焦電型検出素子２２０Ａの形成工程後に、等方性エッチングにより除去されるものである。
【００３７】
図１に戻って、基部１００は、例えば、シリコン基板１１０と、シリコン基板１１０上の絶縁膜（例えばＳｉＯ2）にて形成されるスペーサー層１２０とを含んでいる。支持部であるポスト１０４は、スペーサー層１２０をエッチングすることで形成され、例えば、ＳｉＯ2にて形成されている。図２に示すようにポスト１０４には第１電極配線層２２２及び第２電極配線層２２４に接続してプラグ１０６が配置されている。このプラグ１０６は、シリコン基板１１０に設けられる行選択回路（行ドライバー）か、または列線を介して検出器からのデータを読み出す読み出し回路に接続される。図１に戻って、空洞部１０２は、スペーサー層１２０を等方性エッチングすることで、ポスト１０４と同時に形成される。図２に示す開口部１０２Ａは、支持部材２１０をパターンエッチングすることで形成される。また、図９に示すように、開口部１０２Ａからエッチャントを供給して犠牲層１５０を等方性エッチングする。図１に戻って、この等方性エッチングを行うときにエッチングされないように設置されたエッチングストップ層１３０，１４０が空洞部１０２の露出面に残存している。
【００３８】
支持部材２１０の第１面２１１Ａ上に搭載された焦電型検出素子２２０Ａはキャパシター２３０を備えている。キャパシター２３０は、焦電体２３２と、焦電体２３２の下面に接続される第１電極２３４と、焦電体２３２の上面に接続される第２電極２３６とを備えている。第１電極２３４は下部電極であり、第２電極２３６は上部電極である。第１電極２３４は、例えば、複数層で形成される支持部材２１０の第１層部材（例えば絶縁層であるＳｉＯ2）との密着性を高める密着層を含むことができる。支持部材２１０の第２面２１１Ｂは空洞部１０２に面している。
【００３９】
キャパシター２３０は、第１還元ガスバリア層２４０に覆われている。第１還元ガスバリア層２４０は、キャパシター２３０の形成後の工程で還元ガスがキャパシター２３０に侵入することを抑制する。還元ガスは水素、水蒸気、ＯＨ基、メチル基等のガスである。キャパシター２３０の焦電体２３２は酸化物であり、酸化物が還元されると酸素欠損を生じて、焦電効果が損なわれるからである。焦電体２３２には、例えば、ＰＺＴ等が用いられる。
【００４０】
第１還元ガスバリア層２４０は、キャパシター２３０に接する第１バリア層と、第１バリア層に積層される第２バリア層とを含むことができる。第１バリア層は、例えば酸化アルミニウムＡｌ2Ｏ3をスパッタ法により成膜して形成することができる。スパッタ法では還元ガスが用いられないので、キャパシター２３０が還元されることはない。第２バリア層は、例えば酸化アルミニウムＡｌ2Ｏ3を例えば原子層化学気相成長（ＡＬＣＶＤ:Atomic Layer Chemical Vapor Deposition）法により成膜して形成すことができる。通常のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法は還元ガスを用いるが、第１バリア層によりキャパシター２３０は還元ガスから隔離される。
【００４１】
ここで、第１還元ガスバリア層２４０のトータル膜厚は５０〜７０ｎｍ、例えば６０ｎｍとする。このとき、ＣＶＤ法で形成される第１バリア層の膜厚は原子層化学気相成長（ＡＬＣＶＤ）法により形成される第２バリア層よりも厚く、薄くても３５〜６５ｎｍ例えば４０ｎｍとなる。これに対して、原子層化学気相成長（ＡＬＣＶＤ）法により形成される第２バリア層の膜厚は薄くでき、例えば酸化アルミニウムＡｌ2Ｏ3を５〜３０ｎｍ例えば２０ｎｍで成膜して形成される。原子層化学気相成長（ＡＬＣＶＤ）法は、スパッタ法等と比較して、優れた埋め込み特性を有するため、微細化に対応することが可能となり、第１，第２バリア層にて還元ガスバリア性を高めることができる。また、スパッタ法で成膜される第１バリア層は第２バリア層に比べて緻密ではないが、それが効を奏して伝熱率を下げる要因となるので、キャパシター２３０からの熱の散逸を防止できる。
【００４２】
第１還元ガスバリア層２４０上には層間絶縁膜２５０が形成されている。一般に、層間絶縁膜２５０の原料ガスであるＴＥＯＳが化学反応する際には、水素ガスや水蒸気等の還元ガスが発生する。キャパシター２３０の周囲に設けた第１還元ガスバリア層２４０は、層間絶縁膜２５０の形成中に発生する還元ガスからキャパシター２３０を保護するものである。尚、第１還元ガスバリア層２４０及び層間絶縁膜２５０は、キャパシター２３０を保護する保護膜と呼ぶことができる。あるいは、層間絶縁膜２５０がキャパシター２３０を保護する保護膜として機能する場合には、保護膜である層間絶縁膜２５０とキャパシター２３０との間に第１還元ガスバリア層２４０を介在配置することができる。
【００４３】
層間絶縁膜２５０上に第１電極配線層２２２（下部電極）と第２電極配線層２２４（上部電極）とが配置される。層間絶縁膜２５０には予め電極配線形成前に第１コンタクトホール２５２及び第２コンタクトホール２５４が形成されている。その際、第１還元ガスバリア層２４０にも同様に第１コンタクトホール２５２及び第２コンタクトホール２５４が形成される。第１コンタクトホール２５２に埋め込まれた第１プラグ２２６により、第１電極２３４（下部電極）と第１電極配線層２２２とが導通される。同様に第２コンタクトホール２５４に埋め込まれた第２プラグ２２８により、第２電極２３６（上部電極）と第２電極配線層２２４とが導通される。
【００４４】
ここで、層間絶縁膜２５０が存在しないと、第１電極配線層２２２（下部電極）と第２電極配線層２２４（上部電極）をパターンエッチングする際に、その下層の第１還元ガスバリア層２４０の第２バリア層がエッチングされて、バリア性が低下してしまう。層間絶縁膜２５０は、第１還元ガスバリア層２４０のバリア性を担保する上で必要となっている。
【００４５】
層間絶縁膜２５０は水素含有率が低いことが好ましい。そこで、層間絶縁膜２５０はアニーリングにより脱ガス処理される。
【００４６】
尚、キャパシター２３０の天面の第１還元ガスバリア層２４０は、層間絶縁膜２５０の形成時には第２コンタクトホール２５４がなく閉じているので、層間絶縁膜２５０の形成中の還元ガスがキャパシター２３０に侵入することはない。しかし、第１還元ガスバリア層２４０に第２コンタクトホール２５４が形成された後は、バリア性が劣化する。これを防止する一例として、第２プラグ２２８はバリアメタル層を含むことができる。バリアメタル層は、チタンＴｉのように拡散性の高いものは好ましくなく、拡散性が少なくかつ還元ガスバリア性の高いチタン・アルミ・ナイトライドＴｉＡｌＮを採用するのが好ましい。
【００４７】
層間絶縁膜２５０、第１電極配線層２２２及び第２電極配線層２２４を覆って、第２還元ガスバリア層２８０を設けることができる。第２還元ガスバリア層２８０は、図９に示す犠牲層１５０を等方性エッチングする時のエッチングストップ膜として機能する。かつ、第２還元ガスバリア層２８０は、エッチングする時のエッチャントである例えばフッ素等に起因する還元ガスから焦電型検出素子２２０Ａを保護する機能を有する。第２還元ガスバリア層２８０は、例えば、酸化アルミニウムＡｌ2Ｏ3を原子層化学気相成長（ＡＬＣＶＤ）法により膜厚２０〜５０ｎｍで成膜されて形成される。
【００４８】
１．３．電磁波吸収体と電磁波透過性構造
本実施形態では、焦電型検出素子２２０Ａのキャパシター２３０が電磁波吸収体を含んでいる。電磁波吸収体は、例えば、金属薄膜で構成される。さらに、電磁波の入射経路にて電磁波吸収体よりも上流側に配置される導電性の部位を、電磁波を透過する電磁波透過性構造にて形成している。
【００４９】
図３は、電磁波透過性構造を示す概略斜視図である。図３に示すように、ここでは、電磁波透過性構造には金属薄膜５に複数の孔５１が形成された金属メッシュフィルター２が用いられている。このような金属メッシュフィルター２は、三角格子状に孔が周期的に配列されており、孔の周期ｓ及び孔径ｄに応じて所定の波長の電磁波を透過させるバンドパスフィルターとして機能する。
【００５０】
電磁波透過性構造は、下記式１を満足するよう形成されていることが好ましい。
０．２５≦ｄ／ｓ＜１・・・（１）
ｄ／ｓが０．２５よりも小さいと、テラヘルツ帯の電磁波が金属薄膜５を透過することができない場合がある。また、ｄ／ｓが１以上であると、隣り合う２つの孔同士が接触または連通してしまう。従って、ｄ／ｓは、０．２５以上、１未満であることがより好ましい。ｄ／ｓは、０．２５以上、０．５以下であることがさらに好ましい。
【００５１】
キャパシター２３０に配置した電磁波吸収体に入射される電磁波を妨げる上流側の導電部材を電磁波透過性構造とし、電磁波吸収体への電磁波入射効率を高めている。しかも、電磁波吸収体はキャパシター２３０内に配置されるので、キャパシター２３０中の焦電体２３２への伝熱効率が高まる。こうして、キャパシター２３０の自発分極量が熱によって変化し、自発分極による電荷を検出することで電磁波を検出する時の検出効率を高めることができる。
【００５２】
図４は、電磁波の入射経路を示す概略断面図である。図４に示すように、焦電型検出素子２２０Ａの第２電極２３６側から入射経路Ａに沿って電磁波が入射される。そして、第２電極２３６が電磁波吸収体を含んでいる。この場合、第２電極２３６よりも入射経路Ａの上流側に配置される配線層が電磁波透過性構造にて形成される。具体的には第２プラグ２２８及び第２電極配線層２２４が電磁波透過性構造にて形成される。
【００５３】
第２プラグ２２８及び第２電極配線層２２４は一般には金属で形成されるが、金属は絶縁膜である第２還元ガスバリア層２８０よりも電磁波に対する反射率が高い。よって、配線層を金属材料とすると電磁波吸収体である第２電極２３６へ向う電磁波の多くを反射してしまう。一方、本実施形態では第２プラグ２２８及び第２電極配線層２２４が電磁波透過性構造にて形成されている。従って、電磁波吸収体である第２電極２３６への電磁波入射量を多く確保できる。
【００５４】
図５は、比較例での電磁波の入射経路を示す概略断面図である。図５に示すように、一般に、第２プラグ２２８が第２電極配線層２２４と第２電極２３６との電気的コンタクトのみに用いられるときには、第２コンタクトホール２５４は比較的小径に形成される。本実施形態は図５に示す構造にも適用できるが、図４のように比較的広い面積の第２プラグ２２８及びその第２プラグ２２８を覆う比較的広い面積の配線層２２４Ａを形成する場合にも適用できる。第２プラグ２２８及び第２電極配線層２２４が電磁波透過性構造にて形成されている為、電磁波の通過を妨げることを抑制することができる。
【００５５】
ここで、電磁波吸収体である第２電極２３６と、電磁波透過性構造である第２プラグ２２８及び第２電極配線層２２４とは、それぞれ特性の異なるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成することができる。ＩＴＯは透明電極の代表例である。一般に、物質の透明性（光の透過性）を阻害するのは吸収と反射であるから、透明性を向上するためには吸収と反射を減少させる必要がある。逆に透明性を劣化させて、光吸収性を向上させることができる。
【００５６】
図６は、電磁波透過性構造と電磁波吸収体との関係の一例を示す模式図である。図６に示すように、電磁波吸収体である第２電極２３６は、電磁波に対する透明性を劣化させて、電磁波吸収性を向上させた第１のＩＴＯにて形成している。電磁波透過性構造である第２プラグ２２８及び第２電極配線層２２４は、透明性を向上するためには吸収と反射を減少させた第２のＩＴＯにて形成している。第２のＩＴＯにより形成される配線層２２４Ａや第２プラグ２２８のための膜は、電磁波透過性構造として利用することができる。
【００５７】
例えば酸素雰囲気でＩＴＯ膜を反応性蒸着させる時のＲＦ（Radio Frequency）パワー、圧力、Ｏ2ガスの成膜パラメーターを選定することで、ＩＴＯ膜の透過率を調整することができる。事実、キャリア密度の異なる２種類のＩＴＯ膜は、透過スペクトル強度が異なることが知られている。よって、電磁波吸収体である第２電極２３６と、電磁波透過性構造である第２プラグ２２８及び第２電極配線層２２４とは、それぞれ特性の異なるＩＴＯ膜にて形成することができる。
【００５８】
１．４．電磁波吸収体及び電磁波透過性構造の二層構造
図７は、電磁波透過性構造と電磁波吸収体との関係の他の例を示す模式図である。図７に示すように、電磁波吸収体である第２電極２３６と、電磁波透過性構造である配線層２２４Ａとが、それぞれ二層構造となっている。第２電極２３６は、下層の第１層部材２３６−１と上層の第２層部材２３６−２にて形成されている。配線層２２４Ａは、下層の第１層部材２２４Ａ−１と上層の第２層部材２２４Ａ−２にて形成されている。
【００５９】
第２電極２３６の第２層部材２３６−２は上述した第１のＩＴＯにより例えば膜厚１００ｎｍにて形成でき、配線層２２４Ａの第２層部材２２４Ａ−２は上述した第２のＩＴＯにより例えば膜厚１００ｎｍにて形成できる。
【００６０】
一方、第２電極２３６の第１層部材２３６−１と、配線層２２４Ａの第１層部材２２４Ａ−１とは、Ｍｏ（モリブデン）系合金にて形成することができる。Ｍｏ系合金として、Ｍｏシリサイド、Ｍｏナイトライド（窒化膜）、Ｍｏオキサイド（酸化膜）を挙げることができる。Ｍｏ系合金は、ＩＴＯだけでは足りない場合の導電性を増強することができる。配線層２２４Ａの第１層部材２２４Ａ−１は、透明性を考慮してＭｏ系合金を例えば膜厚５０ｎｍにて形成でき、第２電極２３６の第１層部材２３６−１は、透明性が求められないことからＭｏ系合金を例えば膜厚１００ｎｍにてより厚膜に形成できる。
【００６１】
本実施形態では、Ｍｏ系合金で形成された第１層部材２３６−１，２２４Ａ−１が、電磁波反射膜としても機能している。電磁波透過性構造である配線層２２４Ａ及び第２プラグ２２８を透過した電磁波であって、第２電極２３６で吸収されなかった電磁波は、第２電極２３６の第１層部材２３６−１（Ｍｏ系合金）にて反射される。反射された電磁波は、さらに第２電極配線層２２４の第１層部材２２４Ａ−１（Ｍｏ系合金）にてさらに反射されて、第２電極２３６に繰り返し入射される。こうして、電磁波吸収体を含む第２電極２３６での電磁波吸収効率が高められる。尚、この意味では、第２電極２３６の第１層部材２３６−１は電磁波透過性が求められないためにＭｏ系合金でなくても良く、導電性があってかつ反射機能があれば、例えば金属にて形成しても良い。
【００６２】
図８は、電磁波透過性構造と電磁波吸収体との関係のさらに他の例を示す模式図である。図８に示すように、第１実施形態の変形例として、焦電体２３２が電磁波吸収体を含んでも良い。そして、第２電極２３６と、この第２電極２３６に積層される第２プラグ２２８及び配線層２２４Ａが、電磁波透過性構造にて形成されてもよい。この配置のとき、電磁波の入射経路にて電磁波吸収体である焦電体２３２よりも上流側に配置される導電性の部位である第２電極２３６、配線層２２４Ａ及び第２プラグ２２８が、電磁波を透過する電磁波透過性構造となっている。従って、電磁波は第２電極２３６、配線層２２４Ａ及び第２プラグ２２８を通過して、焦電体２３２に吸収され易くすることができる。
【００６３】
２．第２実施形態
図１０は、電磁波の入射経路を示す模式側断面図であり、本発明の第２実施形態に係る焦電型検出器２００Ｂの断面を示している。尚、図１０に示すように、第１実施形態と実質的な同一機能を有する部材については、第１実施形態に示す部材と同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。ただし、図１０では、図５及び図７に示す構造は採用されていない。本実施形態が第１実施形態と異なる点は、基部１００に電磁波を反射する反射面を備えている点にある。
【００６４】
図１０に示すように、焦電型検出素子２２０Ｂは、層間絶縁膜２５０、第１電極配線層２２２、第２電極配線層２２４を覆って電磁波吸収体２９０が積層されている。電磁波吸収体２９０は、例えば、ＳｉＮまたはＳｉＯ2等にて形成することができる。第２還元ガスバリア層２８０は、電磁波吸収体２９０を覆って配置されている。
【００６５】
第２実施形態に係る焦電型検出素子２２０Ｂでは、第２電極２３６は電磁波吸収体でなく、ＰｔやＩｒ等の電極材料にて形成される。第２電極配線層２２４や第２プラグ２２８も、一般の配線材料である金属にて形成することができる。つまり、電磁波吸収体２９０と焦電体２３２との間の部材は、伝熱機能を有すれば良い。
【００６６】
本実施形態での電磁波透過性構造は、第１電極２３４に採用される。さらに、空洞部１０２を規定する基部１００の少なくとも凹部底面には、反射膜３００が形成されている。この反射膜３００は電磁波を反射できる材料にて形成され、例えばＴｉやＴｉＮにて形成される。
【００６７】
本実施形態では、キャパシター２３０の直上の入射経路Ａに沿って入射される電磁波は、電磁波吸収体２９０にて吸収される。電磁波吸収体２９０が電磁波を吸収することで得た熱は、配線層２２４Ａ、第２プラグ２２８及び第２電極２３６からなる固体熱伝導路を経由して焦電体２３２に伝熱される。それにより、キャパシター２３０の自発分極量が熱によって変化し、自発分極による電荷を検出することで電磁波を検出できる。
【００６８】
本実施形態では、入射経路Ａ以外の電磁波も検出している。つまり、第１電極２３４は第２電極２３６よりも広い面積を有するので、第２電極２３６に向う電磁波以外は、図１０の入射経路Ｂに沿って入射される。その際、電磁波吸収体２９０を透過した電磁波は、ＩＴＯにて形成された第１電極２３４をも透過し、空洞部１０２に至る。空洞部１０２の底面には反射膜３００が配置されているので、入射経路Ｂの電磁波の一部は反射膜３００で入射経路Ｃに向けて反射される。
【００６９】
この入射経路Ｃにおいて、電磁波吸収体２９０よりも上流側に、電磁波透過性構造で形成された第１電極２３４が配置されている。従って、入射経路Ｃに沿った電磁波は、再び電磁波吸収体２９０にて吸収される機会が付与される。
【００７０】
このように、キャパシター２３０を覆う電磁波吸収体２９０は、１セル内の広い範囲に配置されて電磁波を吸収できる。さらに加えて、空洞部１０２まで透過した電磁波を再度電磁波吸収体２９０に導くことができるので、検出できる電磁波量を増大させて、検出精度を向上させることができる。
【００７１】
ここで、入射電磁波の波長λとし、電磁波吸収体２９０から反射膜３００までの距離Ｌを、Ｌ＝（２ｍ＋１）λ／４（ｍ＝０，１，２，…）に設定することができる。こうすると、電磁波吸収体２９０で吸収されなかった電磁波は、反射膜３００を下部反射膜とし、電磁波吸収体２９０の界面を上部反射膜とする光学的共振構造にて共振される。それにより、電磁波吸収体２９０での電磁波吸収効率を高めることができる。
【００７２】
この構造によれば、焦電型検出素子２２０Ｂを通過した電磁波も反射膜３００にて反射させて電磁波吸収体２９０を照射させることができる。その結果、効率良く電磁波を吸収させることができる。
【００７３】
３．第３実施形態
図１１は、電磁波の入射経路を示す模式側断面図であり、本実施形態に係る焦電型検出器２００Ｃの断面図である。尚、第１実施形態と実質的な同一機能を有する部材については、第１実施形態に示す部材と同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。本実施形態が第１実施形態と異なる点は、基部１００に電磁波を反射する反射面を備えている点と、焦電体２３２が電磁波吸収体となっている点にある。
【００７４】
本実施形態では、焦電体２３２が電磁波吸収体となっている。そして、本実施形態でも第１実施形態にて説明した図８に示す構造が採用される。つまり、図１１に示すように、入射方向Ａに対して、電磁波吸収体である焦電体２３２よりも上流側に配置される導電性の部位である第２電極２３６、配線層２２４Ａ及び第２プラグ２２８を、電磁波を透過する電磁波透過性構造にて形成している。こうすると、入射方向Ａの電磁波は焦電体２３２に直接入射され吸収される為、効率良く焦電効果を奏することができる。
【００７５】
本実施形態では、焦電体２３２にて吸収されなかった電磁波は、矢印Ｂ方向に沿って空洞部１０２に進行する。第１電極２３４は第２実施形態と同様に電磁波透過性構造にて形成され、電磁波は第１電極２３４を通過するようになっている。
【００７６】
さらに、本実施形態では、第２実施形態と同様に、空洞部１０２の底面には反射膜３００が配置されている。これにより、入射経路Ｂの電磁波の一部は反射膜３００で入射経路Ｃに向けて反射される。
【００７７】
この入射経路Ｃにおいて、電磁波吸収体である焦電体２３２よりも上流側に、電磁波透過性構造で形成された第２電極２３６が配置されている。従って、入射経路Ｃに沿った電磁波は、第２電極２３６を通過して再び電磁波吸収体である焦電体２３２にて吸収される機会が付与される。
【００７８】
従って、焦電型検出素子２２０Ｃを照射する電磁波は配線層２２４Ａ、第２プラグ２２８、第２電極２３６、を通過して直接焦電体２３２を照射する。そして、焦電体２３２を通過した電磁波は反射膜３００にて反射して直接焦電体２３２を照射する。このとき、第１電極２３４は電磁波透過性構造となっているので、反射した電磁波は効率良く焦電体２３２を照射させることができる。
【００７９】
４．第４実施形態
図１２は電子機器のブロック図であり、本実施形態の焦電型検出器または焦電型検出装置を含む電子機器の構成例を示す。この電子機器３９０は、光学系４００、センサーデバイス（焦電型検出装置）４１０、画像処理部４２０、処理部４３０、記憶部４４０、操作部４５０、表示部４６０を含む。尚本実施形態の電子機器は図１２の構成に限定されず、その構成要素の一部（例えば光学系、操作部、表示部等）を省略したり、他の構成要素を追加する等の種々の変形実施が可能である。
【００８０】
光学系４００は、例えば１または複数のレンズや、これらのレンズを駆動する駆動部等を含む。そしてセンサーデバイス４１０への物体像の結像等を行う。また必要であればフォーカス調整等も行う。
【００８１】
センサーデバイス４１０は、上述した本実施形態の焦電型検出器２００Ａ（２００Ｂ，２００Ｃ）を二次元配列させて構成され、複数の行線（ワード線、走査線）と複数の列線（データ線）が設けられる。センサーデバイス４１０は、二次元配列された検出器に加えて、行選択回路（行ドライバー）と、列線を介して検出器からのデータを読み出す読み出し回路と、Ａ／Ｄ変換部等を含むことができる。二次元配列された各検出器からのデータを順次読み出すことで、物体像の撮像処理を行うことができる。
【００８２】
画像処理部４２０は、センサーデバイス４１０からのデジタルの画像データ（画素データ）に基づいて、画像補正処理等の各種の画像処理を行う。
【００８３】
処理部４３０は、電子機器の全体の制御を行ったり、電子機器内の各ブロックの制御を行う。この処理部４３０は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）等により実現される。記憶部４４０は、各種の情報を記憶するものであり、例えば処理部４３０や画像処理部４２０のワーク領域として機能する。操作部４５０は、ユーザーが電子機器を操作するためのインターフェイスとなるものであり、例えば各種ボタンやＧＵＩ（Graphical User Interface）画面等により実現される。表示部４６０は、例えばセンサーデバイス４１０により取得された画像やＧＵＩ画面等を表示するものであり、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の各種のディスプレイにより実現される。
【００８４】
このように、１セル分の焦電型検出器を電磁波センサー等のセンサーとして用いる他、１セル分の焦電型検出器を二軸方向例えば直交二軸方向に二次元配置することでセンサーデバイス４１０を構成することができ、こうすると電磁波（熱）分布画像を提供することができる。このセンサーデバイス４１０を用いて、サーモグラフィー、車載用ナイトビジョンあるいは監視カメラ等の電子機器を構成することができる。
【００８５】
もちろん、１セル分または複数セルの焦電型検出器をセンサーとして用いることで物体の物理情報の解析（測定）、物体内部の非破壊検査や物質の同定を行う解析機器（測定機器）、火や発熱を検知するセキュリティー機器、工場等に設けられるＦＡ（Factory Automation）機器等の各種の電子機器を構成することもできる。
【００８６】
図１３（ａ）、図１３（ｂ）は焦電型検出器を二次元配置した焦電型検出装置の構成例を示す図であり、図１２のセンサーデバイス４１０の構成例を示している。図１３（ａ）に示すように、センサーデバイス４１０は、センサーアレイ５００と、行選択回路（行ドライバー）５１０と、読み出し回路５２０を含む。またＡ／Ｄ変換部５３０、制御回路５５０を含むことができる。このセンサーデバイスを用いることで、例えばナイトビジョン機器等に用いられる赤外線カメラや物質の分析等に用いられるテラヘルツカメラ等を実現できる。
【００８７】
センサーアレイ５００には、例えば、図２に示すように二軸方向に複数のセンサーセルが配列（配置）される。また複数の行線（ワード線、走査線）と複数の列線（データ線）が設けられる。尚行線及び列線の一方の本数が１本であってもよい。例えば、行線が１本である場合には、図１３（ａ）において行線に沿った方向（横方向）に複数のセンサーセルが配列される。一方、列線が１本である場合には、列線に沿った方向（縦方向）に複数のセンサーセルが配列される。
【００８８】
図１３（ｂ）に示すように、センサーアレイ５００の各センサーセルは、各行線と各列線の交差位置に対応する場所に配置（形成）される。そして、センサーセルは、行線ＷＬ１と列線ＤＬ１の交差位置に対応する場所に配置されている。他のセンサーセルも同様である。
【００８９】
行選択回路５１０は、１または複数の行線に接続される。そして各行線の選択動作を行う。例えば図１３（ｂ）のようなＱＶＧＡ（３２０×２４０画素）のセンサーアレイ５００（焦点面アレイ）を例にとれば、行線ＷＬ０、ＷＬ１、ＷＬ２・・・・ＷＬ２３９を順次選択（走査）する動作を行う。即ちこれらの行線を選択する信号（ワード選択信号）をセンサーアレイ５００に出力する。
【００９０】
読み出し回路５２０は、１または複数の列線に接続される。そして各列線の読み出し動作を行う。ＱＶＧＡのセンサーアレイ５００を例にとれば、列線ＤＬ０、ＤＬ１、ＤＬ２・・・・ＤＬ３１９からの検出信号（検出電流、検出電荷）を読み出す動作を行う。
【００９１】
Ａ／Ｄ変換部５３０は、読み出し回路５２０において取得された検出電圧（測定電圧、到達電圧）をデジタルデータにＡ／Ｄ変換する処理を行う。そしてＡ／Ｄ変換後のデジタルデータＤＯＵＴを出力する。具体的には、Ａ／Ｄ変換部５３０には、複数の列線の各列線に対応して各Ａ／Ｄ変換器が設けられる。そして、各Ａ／Ｄ変換器は、対応する列線において読み出し回路５２０により取得された検出電圧のＡ／Ｄ変換処理を行う。尚、複数の列線に対応して１つのＡ／Ｄ変換器を設け、この１つのＡ／Ｄ変換器を用いて、複数の列線の検出電圧を時分割にＡ／Ｄ変換してもよい。
【００９２】
制御回路５５０（タイミング生成回路）は、各種の制御信号を生成して、行選択回路５１０、読み出し回路５２０、Ａ／Ｄ変換部５３０に出力する。例えば充電や放電（リセット）の制御信号を生成して出力する。或いは、各回路のタイミングを制御する信号を生成して出力する。
【００９３】
図１４はテラヘルツカメラを示す概略斜視図であり、電子機器の構成例を示す図である。電子機器としてのテラヘルツカメラは、例えばテラヘルツ帯の電磁波の分布画像を提供する。テラヘルツカメラ９３０は筐体９４０を備える。筐体９４０の正面にはスリット９５０が形成されレンズ９６０が装着される。スリット９５０からテラヘルツ帯の電磁波が対象物に向かって照射される。こうした電磁波にはテラヘルツ波といった電波及び赤外線といった光が含まれる。ここでは、テラヘルツ帯には１００ＧＨｚ〜３０ＴＨｚの周波数帯が含まれる。レンズ９６０には対象物から反射してくるテラヘルツ帯の電磁波が取り込まれる。
【００９４】
図１５はテラヘルツカメラの構成例を示すブロック図である。図１５に示すように、テラヘルツカメラ９３０の構成をさらに詳しく説明すると、テラヘルツカメラ９３０は電磁波源である照射源１０１０を備える。照射源１０１０には駆動回路１０２０が接続される。駆動回路１０２０は照射源１０１０に所望の駆動信号を供給する。照射源１０１０は駆動信号の受領に応じてテラヘルツ帯の電磁波を放射する。照射源１０１０には例えばレーザー光源が用いられる。
【００９５】
レンズ９６０は光学系１０３０を構成する。光学系１０３０はレンズ９６０のほかに光学部品を備えてもよい。レンズ９６０の光軸１０４０上には焦電型検出器であるセンサーデバイス１０００が配置される。光学系１０３０は焦電型検出器のマトリクス上に像を結像する。センサーデバイス１０００にはアナログデジタル変換回路１０５０が接続される。アナログデジタル変換回路１０５０にはセンサーデバイス１０００から焦電型検出器の出力が順番に時系列で供給される。アナログデジタル変換回路１０５０は出力のアナログ信号をデジタル信号に変換する。
【００９６】
アナログデジタル変換回路１０５０には処理回路である演算処理回路１０６０が接続される。演算処理回路１０６０にはアナログデジタル変換回路１０５０からデジタルの画像データが供給される。演算処理回路１０６０は画像データを処理し表示画面の画素ごとに画素データを生成する。演算処理回路１０６０には描画処理回路１０７０が接続される。描画処理回路１０７０は画素データに基づき描画データを生成する。描画処理回路１０７０には表示装置１０８０が接続される。表示装置１０８０には例えば液晶ディスプレイといったフラットパネルディスプレイが用いられる。表示装置１０８０は描画データに基づき画面上に画像を表示する。描画データは記憶装置１０９０に格納される。紙やプラスチック、繊維その他の物体に対する透過性、及び、物質固有の吸収スペクトルに基づきテラヘルツカメラ９３０は検査装置として利用される。
【００９７】
その他、テラヘルツカメラ９３０は物質の定性分析や定量分析に利用される。こうした利用にあたって例えばレンズ９６０の光軸１０４０上には特定周波数のフィルターが配置される。フィルターは特定波長以外の電磁波を遮断する。したがって、特定波長の電磁波のみが焦電型検出器に到達する。これによって特定の物質の有無や量は検出される。
【００９８】
以上、いくつかの実施形態について説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるものである。従って、このような変形例は総て本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書または図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書または図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。
【００９９】
本発明は、種々の熱型検出器に広く適用することができる。例えば、本発明は熱電対型素子（サーモパイル）、焦電型素子、ボロメーター等に適用することができる。検出する光の波長は問わない。
【符号の説明】
【０１００】
１…焦電型検出装置、１０２…空洞部、１０４…支持部としてのポスト、２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ…焦電型検出器、２１０…支持部材、２１１Ａ…第１面、２１１Ｂ…第２面、２２４…配線層としての第２電極配線層、２３０…キャパシター、２３２…焦電体、２３４…第１電極、２３６…第２電極、３００…反射膜、３９０…電子機器、４１０…焦電型検出装置としてのセンサーデバイス、９３０…電子機器としてのテラヘルツカメラ。
【図１】
2013160708.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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