(57)【要約】【課題】高い発光効率を実現することが可能な発光素子を提供する。また、低駆動電圧化が可能な発光素子を提供する。【解決手段】ホスト材料と正孔輸送材料に、カルバゾール骨格を有する異なる物質を用い、且つ、正孔輸送材料は最高被占軌道（ＨＯＭＯ）及び最低空軌道（ＬＵＭＯ）が共にカルバゾール骨格に分布する物質であり、ホスト材料は、ＨＯＭＯがカルバゾール骨格、ＬＵＭＯがカルバゾール骨格以外の骨格にそれぞれ分布する物質である発光素子を提供する。【選択図】図１
2013033958.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極と、
前記陽極及び陰極間に挟まれたＥＬ層を有する発光素子において、
前記ＥＬ層は少なくとも発光中心物質と前記発光中心物質を分散するホスト材料を含む発光層と、前記発光層の前記陽極側に接して設けられた正孔輸送材料を含む正孔輸送層とを有し、
前記正孔輸送材料はカルバゾール骨格を有する第１のカルバゾール誘導体であり、
前記ホスト材料はカルバゾール骨格とカルバゾール骨格以外の骨格を有する第２のカルバゾール誘導体であり、
前記第１のカルバゾール誘導体は、最高被占軌道及び最低空軌道が共にカルバゾール骨格に分布する物質であり、
前記第２のカルバゾール誘導体は、最高被占軌道がカルバゾール骨格に分布し、最低空軌道がカルバゾール骨格に分布しない物質であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、前記第１のカルバゾール誘導体は、フェニルカルバゾール誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記カルバゾール骨格以外の骨格が電子輸送性を有する骨格であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第２のカルバゾール誘導体は、芳香族炭化水素基を有するカルバゾール誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第２のカルバゾール誘導体はヘテロ芳香族基を有するカルバゾール誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記第１のカルバゾール誘導体が９，９′‐（１，３‐フェニレン）ビス（９Ｈ‐カルバゾール）（略称：ｍＣＰ）であり、前記第２のカルバゾール誘導体が９，９′‐（３′，５′‐ジフェニル‐１，１′‐ビフェニル‐３，５‐ジイル）ビス（９Ｈ‐カルバゾール）（略称：ｍＴＰｍＣＰ）であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記発光中心物質から放出される光は青色の蛍光であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記発光中心物質から放出される光は青緑よりも短波長のりん光であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の発光素子を光源として備えた発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の発光素子を表示部に備えた表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の発光素子を光源とする照明装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の発光素子を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の電極間に有機化合物を含む発光層を有する発光素子およびそれを用いた発光装置、表示装置、照明装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、一対の電極間に有機化合物を含む発光層（以下ＥＬ層とも称する）を有する発光素子（エレクトロルミネッセンス素子：ＥＬ素子ともいう）の開発が盛んに行われており、その用途は、表示装置や照明装置、電子機器の光源などの多くの分野に及んでいる。この理由としては、ＥＬ素子が、入力に対して高速に応答することが可能であること、薄型軽量に作製できること、面での発光が可能であること等、多くの有利な特徴を備えることが挙げられる。
【０００３】
また、ＥＬ素子は電力の光への変換効率が高く、省エネルギー性能でも高いポテンシャルを秘めている点でも注目されている。また、基板の選択によっては可撓性を有する表示装置や照明装置、物理的な破壊に強い耐衝撃性を有する表示装置や照明装置、非常に軽量な表示装置や照明装置を提供できる点も特徴的である。
【０００４】
エネルギー問題がますます深刻化する昨今、これら表示装置、照明装置などの低消費電力化はさらに重要性を増しつつある課題である。特許文献１では、特定のホスト材料を用いた発光層とともに特定の材料からなる正孔輸送層を設けることで、発光効率の良好な発光素子を得ることができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−０１０３６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
発光効率の高い有機発光素子を得る方法の一つとして、りん光を発する発光物質を発光中心物質（ゲスト）として利用することが挙げられる。
【０００７】
しかし、りん光が放出されるエネルギー準位である三重項準位は、蛍光を放出する一重項準位よりもエネルギー的に低い位置にある。このため、蛍光発光素子とりん光発光素子で同じ波長の光を得るためには、りん光発光素子ではより広いエネルギーギャップを有するホスト材料、キャリア輸送材料が必要となるが、そのような材料の開発は他の材料の開発と比較して遅れているのが現状である。
【０００８】
また、上述のような広いエネルギーギャップを有する材料を用意できたとしても、各層に用いられる材料の組み合わせによっては、りん光発光物質本来の発光効率を発揮できない場合や、駆動電圧が上昇してしまう場合がある。
【０００９】
そこで本発明では、高い発光効率の発光素子を提供することを課題とする。また、低い駆動電圧の発光素子を提供することを課題とする。また、消費電力の小さい発光素子、発光装置、表示装置、照明装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【００１０】
本発明では、上記課題の少なくとも１を達成すればよい。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を鑑み、本発明者らは、ホスト材料と正孔輸送材料に、各々カルバゾール骨格を有する異なる物質を用い、且つ、正孔輸送材料は最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）及び最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）が共にカルバゾール骨格に分布する物質であり、ホスト材料は、ＨＯＭＯがカルバゾール骨格、ＬＵＭＯがカルバゾール骨格以外の骨格にそれぞれ分布する物質である発光素子が、上記課題を達成することができることを見出した。なお本明細書中において、「ＨＯＭＯがある骨格に分布する」とは、ＨＯＭＯが他の骨格上と比較して該骨格上に大きく広がっているということを意味する。同様に、「ＬＵＭＯがある骨格に分布する」とは、ＬＵＭＯが他の骨格上と比較して該骨格上に大きく広がっているということを意味する。
【００１２】
すなわち、本発明の一態様は、以下の構成を有する発光素子である。陽極と陰極と、陽極及び陰極間に挟まれたＥＬ層を有する発光素子において、ＥＬ層は少なくとも発光中心物質と発光中心物質を分散するホスト材料を含む発光層と、発光層の陽極側に接して設けられた正孔輸送材料を含む正孔輸送層とを有し、正孔輸送材料はカルバゾール骨格とカルバゾール骨格以外の骨格からなる第１のカルバゾール誘導体であり、ホスト材料はカルバゾール骨格とカルバゾール骨格以外の骨格からなる第２のカルバゾール誘導体であり、第１のカルバゾール誘導体は、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯが共にカルバゾール骨格に分布する物質であり、第２のカルバゾール誘導体は、ＨＯＭＯがカルバゾール骨格に分布し、且つＬＵＭＯがカルバゾール骨格以外の骨格に分布している物質であることを特徴とする発光素子である。
【００１３】
また、本発明の他の構成は上記構成において、第１のカルバゾール誘導体は、Ｎ−フェニルカルバゾール誘導体であることを特徴とする発光素子である。
【００１４】
また、本発明の他の構成は、上記構成において、第２のカルバゾール誘導体のカルバゾール骨格以外の骨格が電子輸送性の骨格を有することを特徴とする発光素子である。
【００１５】
また、本発明の他の構成は、上記構成において、第２のカルバゾール誘導体は、アリール基を有するカルバゾール誘導体であることを特徴とする発光素子である。
【００１６】
また、本発明の他の構成は、上記構成において、第２のカルバゾール誘導体はヘテロアリール基を有するカルバゾール誘導体であることを特徴とする発光素子である。
【００１７】
また、本発明の他の態様は、上記構成において、第１のカルバゾール誘導体が９，９′‐（１，３‐フェニレン）ビス（９Ｈ‐カルバゾール）（略称：ｍＣＰ）であり、第２のカルバゾール誘導体が９，９′‐（３′，５′‐ジフェニル‐１，１′‐ビフェニル‐３，５‐ジイル）ビス（９Ｈ‐カルバゾール）（略称：ｍＴＰｍＣＰ）であることを特徴とする発光素子である。
【００１８】
また、本発明の他の構成は、上記構成において、発光中心物質から放出される光は青色の蛍光であることを特徴とする発光素子である。
【００１９】
また、本発明の他の構成は、上記構成において、発光中心物質発光物質から放出される光は青緑よりも短波長のりん光であることを特徴とする発光素子である。
【００２０】
また、本発明の他の構成は、上述の発光素子を光源として備えた発光装置である。
【００２１】
また、本発明の他の構成は、上述の発光素子を表示部に備えた表示装置である。
【００２２】
また、本発明の他の構成は、上述の発光素子を光源とする照明装置である。
【００２３】
また、本発明の他の構成は、上述の発光素子を備えた電子機器である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の発光素子は、高い発光効率を実現することが可能な発光素子である。また、低駆動電圧化が可能な発光素子である。また、本発明では、消費電力の小さい発光素子、発光装置、表示装置、照明装置及び電子機器を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】発光素子の概念図。
【図２】アクティブマトリクス型発光装置の概念図。
【図３】パッシブマトリクス型発光装置の概念図。
【図４】電子機器を表す図。
【図５】電子機器を表す図。
【図６】照明装置を表す図。
【図７】照明装置を表す図。
【図８】車載表示装置及び照明装置を表す図。
【図９】照明装置を表す図。
【図１０】発光素子１乃至発光素子４の電流密度−輝度特性を表すグラフ。
【図１１】発光素子１乃至発光素子４の電圧−輝度特性を表すグラフ。
【図１２】発光素子１乃至発光素子４の輝度−電流効率特性を表すグラフ。
【図１３】発光素子１乃至発光素子４の電圧−電流特性を表すグラフ。
【図１４】発光素子１乃至発光素子４の輝度−パワー効率特性を表すグラフ。
【図１５】発光素子１乃至発光素子４の輝度−外部量子効率特性を表すグラフ。
【図１６】発光素子１乃至発光素子４の発光スペクトルを表す図。
【図１７】ｍＣＰのＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの分布位置を説明する図。
【図１８】ｍＴＰｍＣＰのＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの分布位置を説明する図。
【図１９】発光素子５乃至発光素子８の電流密度−輝度特性を表すグラフ。
【図２０】発光素子５乃至発光素子８の電圧−輝度特性を表すグラフ。
【図２１】発光素子５乃至発光素子８の輝度−電流効率特性を表すグラフ。
【図２２】発光素子５乃至発光素子８の電圧−電流特性を表すグラフ。
【図２３】発光素子５乃至発光素子８の輝度−パワー効率特性を表すグラフ。
【図２４】発光素子５乃至発光素子８の輝度−外部量子効率特性を表すグラフ。
【図２５】発光素子５乃至発光素子８の発光スペクトルを表す図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２７】
なお、説明に用いる図はわかりやすさを優先し、各要素における拡大、縮小率は一定ではない。そのため、図における各要素の厚さ、長さ、大きさの比率がそのまま本発明の一態様である発光装置の厚さ、長さ、大きさの比率を表すわけではないことに留意されたい。また、数値が同一であり、アルファベットの符号のみが異なる符合については、同一のグループとして扱う場合があり、上述のような符号に関して数値のみ示された場合は、アルファベットの異なる符号をすべて含めたグループを指すものとする。
【００２８】
（実施の形態１）
図１（Ａ）、（Ｂ）は本発明の一態様である発光素子の断面図の模式図である。本実施の形態で説明する発光素子は、陽極として機能する電極（以下陽極と称する）と陰極として機能する電極（以下陰極と称する）からなる一対の電極（第１の電極１０１、第２の電極１０２）に挟まれたＥＬ層１０３を有している。ＥＬ層１０３は機能分離された複数層からなり、本実施の形態の発光素子は、少なくとも電流が流れることによって発光を呈する発光層１１３と当該発光層の陽極側に接して設けられた正孔輸送層１１２とを含む。
【００２９】
正孔輸送層１１２は、カルバゾール骨格を含む第１のカルバゾール誘導体である正孔輸送材料を含む層である。なお、第１のカルバゾール誘導体は、そのＨＯＭＯとＬＵＭＯが共にカルバゾール骨格に分布する物質であるとする。このようなカルバゾール誘導体としては、Ｎ−フェニルカルバゾール誘導体を好適に用いることができる。
【００３０】
発光層１１３は、所望の発光を得るための発光中心物質と、発光中心物質を分散するためのホスト材料とを少なくとも含んでいる。そして、ホスト材料は、カルバゾール骨格を含む第２のカルバゾール誘導体からなっている。第２のカルバゾール誘導体は、カルバゾール骨格の他に、他の骨格をさらに有する物質であり、そのＨＯＭＯがカルバゾール骨格に分布し、ＬＵＭＯがカルバゾール骨格に分布せず、カルバゾール骨格以外の骨格に分布する物質であるとする。
【００３１】
以上のような構成を有する本実施の形態における発光素子は、正孔輸送層１１２の正孔輸送材料のＨＯＭＯと発光層１１３のホスト材料のＨＯＭＯが、共にカルバゾール骨格にあることから、いずれもホールがカルバゾール骨格に注入される。従って、ＨＯＭＯ準位はカルバゾール骨格で実質的に決まるため、ＨＯＭＯ準位を発光層１１３と正孔輸送層１１２とでそろえることが容易に可能となる。このため、正孔輸送層１１２から発光層１１３への正孔の注入がスムーズになり、駆動電圧の小さい発光素子を得ることが容易となる。
【００３２】
一方で、本実施の形態における発光素子は、正孔輸送層１１２の正孔輸送材料のＬＵＭＯはカルバゾール骨格に、発光層１１３のホスト材料のＬＵＭＯはカルバゾール以外の骨格にある。このため、電子が注入される骨格が異なる。カルバゾール骨格には電子が注入されにくいことから、正孔輸送材料のＬＵＭＯ準位はホスト材料のＬＵＭＯ準位より浅い（絶対値が小さい）。これにより、発光層１１３から正孔輸送層１１２への電子の突き抜けを防ぐことができ、再結合確率を増大させることができることから、発光効率の高い発光素子を得ることができる。
【００３３】
また、カルバゾール骨格のバンドギャップは非常に大きいことから、第１のカルバゾール誘導体は大きなバンドギャップ、ひいては高いＴ１準位を有することとなる。また、カルバゾール骨格のＨＯＭＯ準位が深い（絶対値が大きい）ことから、第２のカルバゾール誘導体も比較的バンドギャップの大きい物質となる。そのため、本実施の形態における発光素子の構成は、青色の蛍光や緑色〜青色のりん光を利用する発光素子に好適に適用することが可能である。
【００３４】
また、第２のカルバゾール誘導体における、カルバゾール骨格以外の骨格は、電子輸送性を有する骨格を含むことが好ましい。これは、電子輸送性を有する骨格を有することによって、発光層１１３に電子を流しやすくなり、駆動電圧の低減を図ることができるからである。また、発光層１１３における電子輸送層側での発光領域の偏りを防ぎ、濃度消光やＴ−Ｔアニヒレイションの発生を抑制することができ、発光効率の低下を小さくすることが可能となる。また、当該骨格によって電子輸送性が大きくなったとしても、正孔輸送材料のＬＵＭＯがホスト材料のＬＵＭＯより浅いことから、正孔輸送層１１２への電子の突き抜けを防ぐことができ、発光効率の低下を抑制することができる。なお、この場合、第２のカルバゾール誘導体のＬＵＭＯは当該電子輸送性を有する骨格にあってもよいが、カルバゾール骨格以外の骨格がさらにその他の骨格を有するならば、当該骨格にＬＵＭＯが分布していても良い。
【００３５】
電子輸送性を有する骨格としては、例えば芳香族炭化水素基やπ電子不足系へテロ芳香族基などが挙げられる。これらの中では、芳香族炭化水素基の方が好ましい。
【００３６】
芳香族炭化水素基としては、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレニル基などを用いることが、第２のカルバゾール誘導体のバンドギャップや三重項エネルギー準位をより高く保つことが可能であるため好ましい構成である。
【００３７】
また、ヘテロ芳香族基としては、ピラゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、フェナントロリニル基などを用いることが、第２のカルバゾール誘導体のバンドギャップや三重項エネルギー準位をより高く保つことが可能であるため好ましい構成である。
【００３８】
第１のカルバゾール誘導体として好適に用いることが可能なカルバゾール誘導体の例を以下の構造式（１００）乃至（１０７）に具体的に例示する。なお、第１のカルバゾール誘導体に適用可能なカルバゾール誘導体はこれらに限られることはない。
【００３９】
【化１】
2013033958.tif 000003
【００４０】
また、第２のカルバゾール誘導体として好適に用いることが可能なカルバゾール誘導体の具体例を以下の構造式（２００）乃至（２２０）に具体的に例示する。なお、第２のカルバゾール誘導体に適用可能なカルバゾール誘導体はこれらに限られることはない。
【００４１】
【化２】
2013033958.tif 000004
【００４２】
【化３】
2013033958.tif 000005
【００４３】
【化４】
2013033958.tif 000006
【００４４】
【化５】
2013033958.tif 000007
【００４５】
以下からは発光素子の構成について説明する。
【００４６】
図１（Ａ）における第１の電極１０１と第２の電極１０２はそれぞれ陽極と陰極である。これら電極のうち、少なくとも一方の電極は透光性を有する材料で形成されている。これらの電極の間には、ＥＬ層１０３が挟まれており、これらの電極間に電圧を印加し、ＥＬ層１０３に電流を流すことによってＥＬ層１０３に形成された発光層１１３から発光を得ることができる。ＥＬ層１０３は上述したように、少なくとも発光中心物質をホスト材料に分散した構成を有する発光層１１３と、発光層１１３の陽極側に接して形成された正孔輸送層１１２を有している。
【００４７】
陽極を形成する物質としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。また、グラフェンも用いることができる。
【００４８】
陰極を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、リチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等の元素周期表の第１族または第２族に属する元素、及びこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）やユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、陰極と電子輸送層１１４との間に、電子注入層１１５を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を陰極として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。
【００４９】
ＥＬ層１０３の積層構造については、上述した構成以外は特に限定されず、キャリア輸送性の高い物質を含むキャリア輸送層、キャリア注入性の高い物質を含むキャリア注入層、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質を含む層等を適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、図１（Ａ）のように正孔注入層１１１、電子輸送層１１４、電子注入層１１５等を正孔輸送層１１２と発光層１１３に適宜組み合わせて構成することができる。もちろんその他の機能を有する層が含まれていても良いし、一層で複数の機能を担う層があっても良い。本実施の形態では、第１の電極１０１の上から、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５の順に各機能層が積層した構成を有するＥＬ層１０３について説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。
【００５０】
正孔注入層１１１は、陽極に接して設けられ、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層１１１を形成することができる。
【００５１】
また、正孔注入層１１１として、正孔輸送性の高い物質に当該正孔輸送性の高い物質に対してアクセプター性を示す物質を含有させた複合材料を用いることもできる。なお、前記複合材料を陽極に接して形成することにより、仕事関数に依らず陽極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、陽極を構成する材料として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料も用いることができる。アクセプター性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることもできる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【００５２】
複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）など、種々の化合物を用いることができる。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
【００５３】
例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
【００５４】
複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
【００５５】
また、複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、他に、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
【００５６】
また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【００５７】
複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
【００５８】
また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもできる。
【００５９】
なお、このような複合材料からなる層は、その膜厚が厚くても薄くても駆動電圧の変化がほとんど無いことから、発光層１１３から発する光の取り出し効率や指向性などを制御するための光学設計を行う際に非常に好適に用いることができる。
【００６０】
正孔輸送層１１２は、カルバゾール骨格を含む第１のカルバゾール誘導体である正孔輸送材料を含む層である。なお、第１のカルバゾール誘導体は、そのＨＯＭＯとＬＵＭＯが共にカルバゾール骨格に分布する物質であるとする。
【００６１】
上記第１のカルバゾール誘導体としては、上述の構造式（１００）乃至（１０７）で表される物質を用いることができる。
【００６２】
発光層１１３は、発光物質を含む層である。発光層１１３は上述したように、ホスト材料中に発光中心物質を分散するいわゆるホスト−ゲスト型の発光層である。
【００６３】
用いられる発光中心物質に制限は無く、公知の蛍光又は燐光を発する材料を用いることができる。蛍光発光性材料としては、例えばＮ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、等の他、発光波長が４５０ｎｍ以上の４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。燐光発光性材料としては、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、の他、発光波長が４７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にある、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、発光波長が５００ｎｍ（緑色発光）以上のトリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニ���）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等が挙げられる。以上のような材料又は他の公知の材料の中から、各々のＥＬ素子における発光色を考慮し選択すれば良い。
【００６４】
ホスト材料は、カルバゾール骨格を含む第２のカルバゾール誘導体からなっている。第２のカルバゾール誘導体は、カルバゾール骨格の他に、他の骨格（第２の骨格）をさらに有する物質であり、そのＨＯＭＯがカルバゾール骨格に分布し、ＬＵＭＯがカルバゾール骨格以外の骨格に分布する物質であるとする。
【００６５】
第２のカルバゾール誘導体として用いることが可能な物質としては、上記構造式（２００）乃至（２２０）で表されるカルバゾール誘導体を用いることができる。構造式（２００）で表わされるｍＴＰｍＣＰは、後述するように、ＨＯＭＯがカルバゾール骨格に分布している。また、上記第２の骨格としてｍ−テルフェニル骨格を有し、且つ、そのＬＵＭＯがｍ−テルフェニル骨格に分布している物質である。
【００６６】
電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層１１４として用いても構わない。
【００６７】
また、電子輸送層１１４は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【００６８】
また、電子輸送層１１４と発光層１１３との間に電子の移動を制御する層を設けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であって、電子の移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層１１３を電子が再結合せずに突き抜けてしまうことにより発生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。
【００６９】
電子注入層１１５としては、リチウム、カルシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はこれらの化合物を用いることができる。または、電子輸送性を有する物質からなる層中に当該電子輸送性を有する物質に対して電子供与性を示す物質（代表的にはアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物）を含有させた材料（ドナー準位を有する材料）、例えばＡｌｑ中にＭｇを含有させた材料等を電子注入層１１５として用いることができる。なお、電子注入層１１５として、ドナー準位を有する材料を用いた構成は、陰極からの電子注入が効率良く行われるため、より好ましい構成である。
【００７０】
なお、上述のＥＬ層１０３は、図１（Ｂ）のように第１の電極５０１と第２の電極５０２との間に発光ユニットが複数積層されている構造であっても良い。この場合、積層された第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２との間には、電荷発生層５１３を設けることが好ましい。電荷発生層５１３は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層５１３は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。
【００７１】
このような構成を有するＥＬ素子は、発光ユニット間におけるエネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つＥＬ素子とすることが容易である。また、一方の発光ユニットで燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。
【００７２】
図１（Ｂ）においては、二つの発光ユニット（第１の発光ユニット５１１及び第２の発光ユニット５１２）が積層されている構成を例示したが、３層以上の発光ユニットを積層することも可能である。この際も各発光ユニットの間には電荷発生層が設けられていることが好ましい。
【００７３】
各発光ユニットは、図１（Ａ）におけるＥＬ層１０３と同様の構成をそれぞれ有しており、発光層と正孔輸送層の他、電子輸送層、電子注入層、正孔注入層、バイポーラ層など、図１（Ａ）の説明の際にＥＬ層の構成として説明した各機能層を適宜組み合わせて構成すればよい。なお、これら機能層は、本実施の形態における発光素子の場合は発光層及び正孔輸送層以外は必須ではなく、また、上述以外の他の機能層を備えていても良い。これらの層の詳しい説明は上述したとおりであるので繰り返しとなる説明を省略する。図１（Ａ）におけるＥＬ層１０３の説明を参照されたい。
【００７４】
ＥＬ層１０３の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。
【００７５】
電極についても、ゾル−ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法を用いて形成しても良い。
【００７６】
以上のような構成を有する発光素子は、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層１１３において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層１１３に発光領域が形成されるような構成となっている。
【００７７】
発光は、第１の電極１０１または第２の電極１０２のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０１または第２の電極１０２のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極で成る。第１の電極１０１のみが透光性を有する電極である場合、発光は第１の電極１０１を通って基板側から取り出される。また、第２の電極１０２のみが透光性を有する電極である場合、発光は第２の電極１０２を通って基板と逆側から取り出される。第１の電極１０１および第２の電極１０２がいずれも透光性を有する電極である場合、発光は第１の電極１０１および第２の電極１０２を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。
【００７８】
なお、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。しかし、発光領域と電極やキャリア注入層に用いられる金属とが近接することによって生じる消光が抑制されるように、第１の電極１０１および第２の電極１０２から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。
【００７９】
また、直接発光層に接する電子輸送層１１４は、発光層１１３で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、そのエネルギーギャップが発光層１１３に含まれるホスト材料、及び発光中心物質のエネルギーギャップより大きいことが好ましい。なお、本実施の形態における発光素子においては、正孔輸送層１１２を構成する正孔輸送材料は必然的にホスト材料よりも大きいエネルギーギャップを有するため、発光層１１３から正孔輸送層１１２へのエネルギー移動は抑制されており、発光効率の低下抑制に寄与している。
【００８０】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に記載の発光素子を用いた発光装置について説明する。
【００８１】
本実施の形態では、実施の形態１に記載の発光素子を用いて作製された発光装置の一例について図２を用いて説明する。なお、図２（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）をＡ−ＢおよびＣ−Ｄで切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部（ソース線駆動回路）６０１、画素部６０２、駆動回路部（ゲート線駆動回路）６０３を含んでいる。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。
【００８２】
なお、引き回し配線６０８はソース線駆動回路６０１及びゲート線駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられたモジュールをも含むものとする。
【００８３】
次に、断面構造について図２（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部（６０１、６０３）及び画素部６０２が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。
【００８４】
なお、ソース線駆動回路６０１はｎチャネル型ＴＦＴ６２３とｐチャネル型ＴＦＴ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
【００８５】
また、画素部６０２はスイッチング用ＴＦＴ６１１と、電流制御用ＴＦＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【００８６】
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
【００８７】
第１の電極６１３上には、有機化合物を含む層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極６１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【００８８】
また、有機化合物を含む層６１６は実施の形態１で説明したＥＬ層であり、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。また、有機化合物を含む層６１６を構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い。
【００８９】
さらに、有機化合物を含む層６１６上に形成され、陰極として機能する第２の電極６１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化合物、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等）を用いることが好ましい。なお、有機化合物を含む層６１６で生じた光が第２の電極６１７を透過させる場合には、第２の電極６１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
【００９０】
なお、第１の電極６１３、有機化合物を含む層６１６、第２の電極６１７でもって、発光素子６１８が形成されている。当該発光素子６１８は実施の形態１に記載の構成を有する発光素子である。なお、画素部は複数の発光素子が形成されてなっているが、本実施の形態における発光装置では、実施の形態１で説明した構成を有する発光素子と、それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれていても良い。
【００９１】
さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されており、例えば不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填される場合もある。本実施の形態では、空間６０７には不活性気体が充填されており、さらに乾燥剤６２５が設置されている。
【００９２】
なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【００９３】
以上のようにして、実施の形態１に記載の発光素子を用いて作製された発光装置を得ることができる。
【００９４】
本実施の形態における発光装置は、実施の形態１に記載の発光素子を用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実施の形態１で示した発光素子は発光効率が良好な発光素子であることから消費電力の低減された発光装置とすることができる。また、駆動電圧の小さい発光素子を得ることができることから、駆動電圧の小さい発光装置を得ることができる。また、信頼性の良好な発光素子をえることができることから、信頼性の高い発光装置をえることができる。
【００９５】
ここまでは、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、以下からはパッシブマトリクス型の発光装置について説明する。図３には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図３（Ａ）は、発光装置を示す斜視図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）をＸ−Ｙで切断した断面図である。図３において、基板９５１上には、電極９５２と電極９５６との間には、実施の形態１で説明したＥＬ層である有機化合物を含む層９５５が設けられている。電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、クロストーク等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、低駆動電圧で動作する実施の形態１に記載の発光素子を有することによって、低消費電力で駆動させることができる。
【００９６】
以上、説明した発光装置は、マトリクス状に配置された多数の微小な発光素子をそれぞれ制御することが可能であるため、画像の表現を行う表示装置として好適に利用できる発光装置である。
【００９７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１に示す発光素子をその一部に含む電子機器について説明する。実施の形態１に記載の発光素子は発光効率が高く、消費電力が低減された発光素子である。その結果、本実施の形態に記載の電子機器は、消費電力が低減された電子機器とすることが可能である。
【００９８】
上記発光素子を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。
【００９９】
図４（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、表示部７１０３は、実施の形態１で説明した発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、駆動電圧が小さいので、当該発光素子で構成される表示部７１０３を有するテレビ装置は消費電力の低減されたテレビ装置とすることができる。
【０１００】
テレビジョン装置の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
【０１０１】
なお、テレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１０２】
図４（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、このコンピュータは、実施の形態１で説明した発光素子をマトリクス状に配列して表示部７２０３に用いることにより作製される。当該発光素子は発光効率が高く、駆動電圧が小さいため、当該発光素子で構成される表示部７２０３を有するコンピュータは消費電力の低減されたコンピュータとすることができる。
【０１０３】
図４（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成されており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には、実施の形態１で説明した発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図４（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部７３０５の両方、または一方に実施の形態１で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図４（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図４（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。上述のような表示部７３０４を有する携帯型遊技機は、表示部７３０４に用いられている発光素子が、良好な発光効率を有することから、消費電力の低減された携帯型遊技機とすることができる。
【０１０４】
図４（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機は、実施の形態１で説明した発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部７４０２を有している。当該発光素子は発光効率のが高く、駆動電圧が小さいため、当該発光素子で構成される表示部７４０２を有する携帯電話機は消費電力の低減された携帯電話機とすることができる。
【０１０５】
図４（Ｄ）に示す携帯電話機は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０１０６】
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１０７】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０１０８】
また、携帯電話機内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１０９】
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０１１０】
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサでタッチ操作による入力を検知し、タッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０１１１】
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０１１２】
なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態１又は実施の形態２に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１１３】
以上の様に実施の形態１に記載の発光素子を備えた発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態１に記載の発光素子を用いることにより、消費電力の低減された電子機器を得ることができる。
【０１１４】
また、実施の形態１に記載の発光素子は、照明装置に用いることもできる。実施の形態１に記載の発光素子を照明装置に用いる一態様を、図５を用いて説明する。なお、照明装置とは、実施の形態１に記載の発光素子を光の照射手段として有し、且つ少なくとも当該発光素子へ電流を供給する入出力端子部を有するものとする。また、当該発光素子は、封止手段によって、外部雰囲気（特に水）より遮断されていることが好ましい。
【０１１５】
図５は、実施の形態１に記載の発光素子をバックライトに適用した液晶表示装置の一例である。図５に示した液晶表示装置は、筐体９０１、液晶層９０２、バックライト９０３、筐体９０４を有し、液晶層９０２は、ドライバＩＣ９０５と接続されている。また、バックライト９０３には、実施の形態１に記載の発光素子が用いられおり、端子９０６により、電流が供給されている。
【０１１６】
実施の形態１に記載の発光素子を液晶表示装置のバックライトに適用したことにより、消費電力の低減されたバックライトが得られる。また、実施の形態１に記載の発光素子を用いることで、面発光の照明装置が作製でき、また大面積化も可能である。これにより、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、実施の形態１に記載の発光素子を適用したバックライトは従来と比較し厚みを小さくできるため、表示装置の薄型化も可能となる。
【０１１７】
図６は、実施の形態１に記載の発光素子を、照明装置である電気スタンドに用いた例である。図６に示す電気スタンドは、筐体２００１と、光源２００２を有し、光源２００２として実施の形態１に記載の発光素子が用いられている。
【０１１８】
図７は、実施の形態１に記載の発光素子を、室内の照明装置３００１に適用した例である。実施の形態１に記載の発光素子は消費電力の低減された発光素子であるため、消費電力の低減された照明装置とすることができる。また、実施の形態１に記載の発光素子は、大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、実施の形態１に記載の発光素子は厚みが小さいため、薄型化した照明装置を作製することが可能となる。
【０１１９】
実施の形態１に記載の発光素子は、自動車のフロントガラスやダッシュボードにも搭載することができる。図８に実施の形態１に記載の発光素子を自動車のフロントガラスやダッシュボードに用いる一態様を示す。領域５０００乃至領域５００５は実施の形態１に記載の発光素子を用いて設けられた表示である。
【０１２０】
領域５０００と領域５００１は自動車のフロントガラスに設けられた実施の形態１に記載の発光素子を搭載した発光装置である。実施の形態１に記載の発光素子は、第１の電極と第２の電極を透光性を有する電極で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の発光装置とすることができる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを発光装置に設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。
【０１２１】
領域５００２はピラー部分に設けられた実施の形態１に記載の発光素子を搭載した発光装置である。領域５００２には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた領域５００３は車体によって遮られた視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
【０１２２】
領域５００４や領域５００５はナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更することができる。なお、これら情報は領域５０００乃至領域５００３にも設けることができる。また、領域５０００乃至領域５００５は照明として用いることも可能である。
【０１２３】
実施の形態１に記載の発光素子は駆動電圧の小さい発光素子である。また、消費電力の小さい発光素子である。このことから、領域５０００乃至領域５００５のような大きな画面を数多く設けても、バッテリーに負荷をかけることが少なく、快適に使用することができることから実施の形態１に記載の発光素子を用いた発光装置は、車載用の発光装置として好適に用いることができる。
【０１２４】
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態１に記載の発光素子を照明装置として用いる例を図９を参照しながら説明する。図９（Ｂ）は照明装置の上面図、図９（Ａ）は図９（Ｂ）におけるｅ−ｆ断面図である。
【０１２５】
本実施の形態における照明装置は、支持体である透光性を有する基板４００上に、第１の電極４０１が形成されている。第１の電極４０１は実施の形態１における第１の電極１０１に相当する。第１の電極４０１側から発光を取り出す場合、第１の電極４０１は透光性を有する材料により形成する。
【０１２６】
第２の電極４０４に電圧を供給するためのパッド４１２が基板４００上に形成される。
【０１２７】
第１の電極４０１上にはＥＬ層４０３が形成されている。ＥＬ層４０３は実施の形態１におけるＥＬ層１０３の構成、又は発光ユニット５１１、５１２及び電荷発生層５１３を合わせた構成などに相当する。なお、これらの構成については当該記載を参照されたい。
【０１２８】
ＥＬ層４０３を覆って第２の電極４０４を形成する。第２の電極４０４は実施の形態１における第２の電極１０２に相当する。発光を第１の電極４０１側から取り出す場合、第２の電極４０４は反射率の高い材料によって形成される。第２の電極４０４はパッド４１２と接続することによって、電圧が供給される。
【０１２９】
以上、第１の電極４０１、ＥＬ層４０３、及び第２の電極４０４を有する発光素子を本実施の形態で示す照明装置は有している。当該発光素子は発光効率の高い発光素子であるため、本実施の形態における照明装置は消費電力の小さい照明装置とすることができる。
【０１３０】
以上の構成を有する発光素子を、シール材４０５、４０６を用いて封止基板４０７を固着し、封止することによって照明装置が完成する。シール材４０５、４０６はどちらか一方でもかまわない。また、内側のシール材４０６（図９（Ｂ）では図示せず）には乾燥剤を混ぜることもでき、これにより、水分を吸着することができ、信頼性の向上につながる。
【０１３１】
また、パッド４１２と第１の電極４０１の一部をシール材４０５、４０６の外に伸張して設けることによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーターなどを搭載したＩＣチップ４２０などを設けても良い。
【０１３２】
以上、本実施の形態に記載の照明装置は、実施の形態１に記載の発光素子を含むことから、消費電力の小さい照明装置とすることができる。
【実施例１】
【０１３３】
９，９′‐（１，３‐フェニレン）ビス（９Ｈ‐カルバゾール）（略称：ｍＣＰ）及び９，９′‐（３′，５′‐ジフェニル‐１，１′‐ビフェニル‐３，５‐ジイル）ビス（９Ｈ‐カルバゾール）（略称：ｍＴＰｍＣＰ）のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの分布を量子化学計算により求めた。結果を図１７、図１８に示す。
【０１３４】
計算では、分子の構造最適化を実施後、最安定構造におけるＨＯＭＯとＬＵＭＯを解析した。
【０１３５】
構造最適化計算には、Ｇａｕｓｓ基底を用いた密度汎関数法（ＤＦＴ）を用いた。ＤＦＴでは、交換相関相互作用を電子密度で表現された一電子ポテンシャルの汎関数（関数の関数の意）で近似しているため、計算は高速である。ここでは、混合汎関数であるＢ３ＬＹＰを用いて、交換と相関エネルギーに係る各パラメータの重みを規定した。また、基底関数として、６−３１１Ｇ（それぞれの原子価軌道に三つの短縮関数を用いたｔｒｉｐｌｅ  ｓｐｌｉｔ  ｖａｌｅｎｃｅ基底系の基底関数）を全ての原子に適用した。上述の基底関数により、例えば、水素原子であれば、１ｓ〜３ｓの軌道が考慮され、また、窒素原子であれば、１ｓ〜４ｓ、２ｐ〜４ｐの軌道が考慮される。さらに、計算精度向上のため、分極基底系として、水素原子にはｐ関数を、水素原子以外にはｄ関数を加え、ｐ軌道やｄ軌道も考慮した計算とした。
【０１３６】
量子化学計算プログラムとしては、Ｇａｕｓｓｉａｎ  ０９を使用した。計算は、ハイパフォーマンスコンピュータ（ＳＧＩ社製、Ａｌｔｉｘ４７００）を用いて行った。
【０１３７】
図１７（Ａ）（Ｂ）にはｍＣＰの構造最適化計算により得られた最安定構造におけるＨＯＭＯとＬＵＭＯを、Ｇａｕｓｓ  Ｖｉｅｗ５．０．８により可視化した図を示した。また、図１８（Ａ）（Ｂ）には同様に、ｍＴＰｍＣＰの構造最適化計算により得られた最安定構造におけるＨＯＭＯとＬＵＭＯを、Ｇａｕｓｓ  Ｖｉｅｗ５．０．８により可視化した図を示した。なお、図１７、図１８共に（Ａ）がＬＵＭＯ、（Ｂ）がＨＯＭＯの分布位置を表している。
【０１３８】
図１７より、正孔輸送層における正孔輸送材料であるｍＣＰはＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ共にカルバゾール骨格に主に分布する材料であることがわかった。また、図１８からｍＴＰｍＣＰのＨＯＭＯはカルバゾール骨格に、ＬＵＭＯはｍ−テルフェニル骨格に分布する材料であることがわかった。
【０１３９】
以上の結果より、ｍＣＰを正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料として用い、且つｍＴＰｍＣＰを発光層に含まれるホスト材料として用いた、実施の形態１の実施例である発光素子１を作製し、評価を行った。なお、比較として発光素子２乃至発光素子４も同時に作製して評価を行った。
【０１４０】
また本実施例では、青色のりん光を発する発光中心物質を用いた発光素子を作製した。本実施例で用いた有機化合物の分子構造を以下に示す。
【０１４１】
【化６】
2013033958.tif 000008
【０１４２】
≪発光素子１乃至発光素子４の作製≫
まず、第１の電極１０１として１１０ｎｍの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）が成膜されたガラス基板を用意した。ＩＴＳＯ表面は、２ｍｍ角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度放冷した。
【０１４３】
次に、第１の電極１０１が形成された面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０１４４】
真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、上記構造式（ｉ）で表されるＣＢＰと酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＣＢＰ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着することにより、正孔注入層１１１を形成した。膜厚は８０ｎｍとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。
【０１４５】
続いて、発光素子１及び発光素子２では上記構造式（ｉｉ）で表されるｍＣＰを２０ｎｍ蒸着することにより、発光素子３及び発光素子４では上記構造式（ｉｖ）で表されるｍＴＰｍＣＰを２０ｎｍ蒸着することによりそれぞれ正孔輸送層１１２を形成した。
【０１４６】
さらに、正孔輸送層１１２上に、発光素子１及び発光素子４ではｍＴＰｍＣＰと上記構造式（ｉｉｉ）で表されるトリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］とをｍＴＰｍＣＰ：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］＝１：０．０８（重量比）となるように３０ｎｍ蒸着した後、上記構造式（ｖ）で表される２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）と［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］とをｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］＝１：０．０８（重量比）となるように１０ｎｍ蒸着して積層することにより、発光層１１３を形成した。
【０１４７】
発光素子２及び発光素子３ではｍＣＰと［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］とをｍＣＰ：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］＝１：０．０８（重量比）となるように３０ｎｍ蒸着した後、ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩと［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］とをｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］＝１：０．０８（重量比）となるように１０ｎｍ蒸着して積層することにより、発光層１１３を形成した。
【０１４８】
次に、上記構造式（ｖｉ）で表されるバソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を１５ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層１１４を形成した。
【０１４９】
さらに電子輸送層１１４上にフッ化リチウムを１ｎｍとなるように蒸着することによって電子注入層１１５を形成した。最後に、陰極として機能する第２の電極１０２としてアルミニウムを２００ｎｍ成膜し、発光素子１乃至発光素子４を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
【０１５０】
完成させた発光素子は、発光素子１が実施の形態１の構成を有する実施例の発光素子であり、発光素子２乃至発光素子４が比較例として作製した発光素子である。以下にそれぞれの発光素子の素子構成をまとめた表を示す。
【０１５１】
【表１】
2013033958.tif 000009
【０１５２】
≪発光素子１乃至発光素子４の動作特性≫
以上により得られた発光素子１乃至発光素子４を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０１５３】
発光素子１乃至発光素子４の電流密度−輝度特性を図１０、電圧−輝度特性を図１１、輝度−電流効率特性を図１２に、電圧−電流特性を図１３、輝度−パワー効率特性を図１４に、輝度−外部量子効率特性を図１５に示す。図１０では縦軸が輝度（ｃｄ／ｍ２）、横軸が電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を示す。図１１では縦軸が輝度（ｃｄ／ｍ２）、横軸が電圧（Ｖ）を示す。図１２では縦軸が電流効率（ｃｄ／Ａ）、横軸が輝度（ｃｄ／ｍ２）を示す。図１３では縦軸が電流（ｍＡ）、横軸が電圧（Ｖ）を示す。図１４では縦軸がパワー効率（ｌｍ／Ｗ）、横軸が輝度（ｃｄ／ｍ２）を示す。図１５では縦軸が外部量子効率（％）、横軸が輝度（ｃｄ／ｍ２）を示す。
【０１５４】
図１２、図１４、図１５から、実施例である発光素子１は発光素子２乃至発光素子４と比較しても非常に高い輝度−電流効率特性、輝度−パワー効率特性及び輝度−外部量子効率特性を示し、発光効率が高い発光素子であることがわかった。また、図１１、図１３から、発光素子１は、高い電圧−輝度特性、電圧−電流特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。
【０１５５】
また、作製した発光素子１乃至発光素子４に０．１ｍＡの電流を流したときの規格化された発光スペクトルを図１６に示す。図１６より、これらの発光スペクトルはほぼかさなっており、発光素子１乃至発光素子４は、いずれも発光中心物質である［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］起因の青色の発光を呈することがわかった。なお、図中、一本だけ太線で示されている実線が実施例である発光素子１のスペクトルを表している。
【０１５６】
発光素子１乃至発光素子４の１０００ｃｄ／ｍ２付近における主要な特性をまとめた表を以下に示す。
【０１５７】
【表２】
2013033958.tif 000010
【０１５８】
このように実施の形態１に記載の発光素子である発光素子１は、発光効率の高い発光素子であることがわかった。また、発光素子１は、駆動電圧の小さい発光素子であることがわかった。ここで発光素子１と発光素子２を比較すると、正孔輸送材料（ｍＣＰ）と発光層のホスト（ｍＴＰｍＣＰ）を互いに入れ替えたに過ぎない。また、これらの材料は互いに非常に類似した構造を有している。すなわち、発光素子１と発光素子２の構造は極めて類似していると言える。しかしながら上述したように、発光素子１と発光素子２ではその特性に大きな差が存在している。従って、構造が互いに類似している材料を用いているものの、ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布が異なる点を利用してＥＬ素子を構築することで素子の特性を飛躍的に向上させることができることは、本発明の特筆に値する点と言える。
【実施例２】
【０１５９】
本実施例では、ｍＣＰを正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料として用い、且つ３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）を発光層に含まれるホスト材料として用い、青色のりん光を発する発光中心物質を用いた発光素子を作製した。なお、ｍＣＰはＨＯＭＯとＬＵＭＯが共にカルバゾール骨格に分布する物質であり、３５ＤＣｚＰＰｙはＨＯＭＯがカルバゾール骨格に、ＬＵＭＯがカルバゾール骨格に分布せず、他の骨格に分布する物質である。本実施例で用いた有機化合物の分子構造を以下に示す。
【０１６０】
【化７】
2013033958.tif 000011
【０１６１】
≪発光素子５乃至発光素子８の作製≫
まず、第１の電極１０１として１１０ｎｍの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）が成膜されたガラス基板を用意した。ＩＴＳＯ表面は、２ｍｍ角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度放冷した。
【０１６２】
次に、第１の電極１０１が形成された面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０１６３】
真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、上記構造式（ｉ）で表されるＣＢＰと酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＣＢＰ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着することにより、正孔注入層１１１を形成した。膜厚は８０ｎｍとした。
【０１６４】
続いて、発光素子５及び発光素子６では上記構造式（ｉｉ）で表されるｍＣＰを２０ｎｍ蒸着することにより、発光素子７及び発光素子８では上記構造式（ｖｉｉ）で表される３５ＤＣｚＰＰｙを２０ｎｍ蒸着することによりそれぞれ正孔輸送層１１２を形成した。
【０１６５】
さらに、正孔輸送層１１２上に、発光素子５及び発光素子８では３５ＤＣｚＰＰｙと上記構造式（ｉｉｉ）で表される［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］とを３５ＤＣｚＰＰｙ：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］＝１：０．０８（重量比）となるように３０ｎｍ蒸着した後、上記構造式（ｖ）で表されるｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩと［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］とをｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］＝１：０．０８（重量比）となるように１０ｎｍ蒸着して積層することにより、発光層１１３を形成した。
【０１６６】
発光素子６及び発光素子７ではｍＣＰと［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］とをｍＣＰ：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］＝１：０．０８（重量比）となるように３０ｎｍ蒸着した後、ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩと［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］とをｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］＝１：０．０８（重量比）となるように１０ｎｍ蒸着して積層することにより、発光層１１３を形成した。
【０１６７】
次に、上記構造式（ｖｉ）で表されるＢＰｈｅｎを１５ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層１１４を形成した。
【０１６８】
さらに電子輸送層１１４上にフッ化リチウムを１ｎｍとなるように蒸着することによって電子注入層１１５を形成した。最後に、陰極として機能する第２の電極１０２としてアルミニウムを２００ｎｍ成膜し、発光素子５乃至発光素子８を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
【０１６９】
完成させた発光素子は、発光素子５が実施の形態１の構成を有する実施例の発光素子であり、発光素子６乃至発光素子８が比較例として作製した発光素子である。以下にそれぞれの発光素子の素子構成をまとめた表を示す。
【０１７０】
【表３】
2013033958.tif 000012
【０１７１】
≪発光素子５乃至発光素子８の動作特性≫
以上により得られた発光素子５乃至発光素子８を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０１７２】
発光素子５乃至発光素子８の電流密度−輝度特性を図１９、電圧−輝度特性を図２０、輝度−電流効率特性を図２１に、電圧−電流特性を図２２、輝度−パワー効率特性を図２３に、輝度−外部量子効率特性を図２４に示す。各軸の定義は図１０から図１５と同じである。
【０１７３】
図２１、図２３、図２４から、実施例である発光素子５は発光素子６乃至発光素子８と比較しても非常に良好な輝度−電流効率特性、輝度−パワー効率特性及び輝度−外部量子効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。また、図２０、図２２から、発光素子５は、良好な電圧−輝度特性、電圧−電流特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。
【０１７４】
また、作製した発光素子５乃至発光素子８に０．１ｍＡの電流を流したときの規格化された発光スペクトルを図２５に示す。図２５より、これらの発光スペクトルはほぼかさなっており、発光素子５乃至発光素子８は、いずれも発光中心物質である［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］起因の青色の発光を呈することがわかった。なお、図中、一本だけ太線で示されている実線が実施例である発光素子５のスペクトルを表している。
【０１７５】
発光素子５乃至発光素子８の１０００ｃｄ／ｍ２付近における主要な特性をまとめた表を以下に示す。
【０１７６】
【表４】
2013033958.tif 000013
【０１７７】
このように実施の形態１に記載の発光素子である発光素子５は、発光効率の良好な発光素子であることがわかった。また、発光素子５は、消費電力の小さい発光素子であることがわかった。
【０１７８】
（参考例１）
実施例で用いた材料であるトリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］を合成する例を示す。
【０１７９】
［ステップ１：Ｎ−（１−エトキシエチリデン）ベンズアミドの合成］
まず、アセトイミド酸エチル塩酸塩１５．５ｇ、トルエン１５０ｍＬ、トリエチルアミン（Ｅｔ３Ｎ）３１．９ｇを５００ｍＬ三ツ口フラスコに入れ、室温で１０分間撹拌した。この混合物にベンゾイルクロリド１７．７ｇのトルエン３０ｍＬ溶液を５０ｍＬ滴下ロートより滴下し、室温で２４時間撹拌した。反応後、反応混合物を吸引ろ過し、固体をトルエンで洗浄した。得られたろ液を、濃縮してＮ−（１−エトキシエチリデン）ベンズアミドを得た（赤色油状物、収率８２％）。ステップ１の合成スキームを以下に示す。
【０１８０】
【化８】
2013033958.tif 000014
【０１８１】
［ステップ２：３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール（略称：ＨＭｐｔｚ１−ｍｐ）の合成］
次に、ｏ−トリルヒドラジン塩酸塩８．６８ｇ、四塩化炭素１００ｍＬ、トリエチルアミン（Ｅｔ３Ｎ）３５ｍＬを３００ｍＬナスフラスコに入れ、室温で１時間撹拌した。反応後、この混合物に上記ステップ１で得られたＮ−（１−エトキシエチリデン）ベンズアミド８．７２ｇを加えて室温で２４時間撹拌した。反応後、反応混合物に水を加え、水層をクロロホルムで抽出した。この有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。得られた混合物を自然濾過し、ろ液を濃縮して油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。展開溶媒にはジクロロメタンを用いた。得られたフラクションを濃縮して、ＨＭｐｔｚ１−ｍｐを得た（橙色油状物、収率８４％）。ステップ２の合成スキームを以下に示す。
【０１８２】
【化９】
2013033958.tif 000015
【０１８３】
［ステップ３；［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］の合成］
次に、上記ステップ２で得られた配位子ＨＭｐｔｚ１−ｍｐ２．７１ｇ、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）１．０６ｇを、三方コックを付けた反応容器に入れた。この反応容器をアルゴン置換し、２５０℃にて４８時間加熱し、反応させた。この反応混合物をジクロロメタンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。展開溶媒には、まず、ジクロロメタン用い、次いでジクロロメタン：酢酸エチル＝１０：１（ｖ／ｖ）の混合溶媒を用いた。得られたフラクションを濃縮して固体を得た。この固体を酢酸エチルで洗浄し、次いで、ジクロロメタンと酢酸エチルの混合溶媒にて再結晶し、有機金属錯体［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］を得た（黄色粉末、収率３５％）。ステップ３の合成スキームを以下に示す。
【０１８４】
【化１０】
2013033958.tif 000016
【０１８５】
上記ステップ３で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法（１Ｈ  ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。この結果から、［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］が得られたことがわかった。
【０１８６】
得られた物質の１Ｈ  ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ  ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：１．９４−２．２１（ｍ，１８Ｈ），６．４７−６．７６（ｍ，１２Ｈ），７．２９−７．５２（ｍ，１２Ｈ）
【０１８７】
（参考例２）
実施例で用いた材料であるｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩを合成する例を示す。
【０１８８】
［ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩの合成］
２−（３−ブロモフェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール１．２ｇ（３．３ｍｍｏｌ）と、ジベンゾチオフェン−４−ボロン酸０．８ｇ（３．３ｍｍｏｌ）と、トリ（オルト−トリル）ホスフィン５０ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）を５０ｍＬの三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に２．０ｍｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液３．３ｍＬと、トルエン１２ｍＬと、エタノール４ｍＬを加え、減圧下で攪拌することにより脱気した。この混合物に酢酸パラジウム（ＩＩ）７．４ｍｇ（３３μｍｏｌ）を加え、窒素気流下、８０℃で６時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物の水層をトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して油状物を得た。この油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーは、トルエンを展開溶媒に用いて行った。得られたフラクションを濃縮して油状物を得た。この油状物を高速液体クロマトグラフィーにより精製した。高速液体クロマトグラフィーはクロロホルムを展開溶媒に用いて行った。得られたフラクションを濃縮して油状物を得た。この油状物をトルエンとヘキサンの混合溶媒で希釈して固体を析出させたところ、目的物である淡黄色粉末を収量０．８ｇ、収率５１％で得た。合成スキームを下記式に示す。
【０１８９】
【化１１】
2013033958.tif 000017
【０１９０】
得られた淡黄色粉末０．８ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力３．０Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、淡黄色粉末を２１５℃で加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を収量０．６ｇ、収率８２％で得た。
【０１９１】
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）であることを確認した。
【０１９２】
得られた化合物の１Ｈ  ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．２３−７．６０（ｍ，１３Ｈ）、７．７１−７．８２（ｍ，３Ｈ）、７．９０−７．９２（ｍ，２Ｈ）、８．１０−８．１７（ｍ，２Ｈ）
【符号の説明】
【０１９３】
１０１    第１の電極
１０２    第２の電極
１０３    ＥＬ層
１１１    正孔注入層
１１２    正孔輸送層
１１３    発光層
１１４    電子輸送層
１１５    電子注入層
４００    基板
４０１    第１の電極
４０２    補助電極
４０３    ＥＬ層
４０４    第２の電極
４０５    シール材
４０６    シール材
４０７    封止基板
４１２    パッド
４２０    ＩＣチップ
５０１    第１の電極
５０２    第２の電極
５１１    第１の発光ユニット
５１２    第２の発光ユニット
５１３    電荷発生層
６０１    駆動回路部（ソース線駆動回路）
６０２    画素部
６０３    駆動回路部（ゲート線駆動回路）
６０４    封止基板
６０５    シール材
６０７    空間
６０８    配線
６０９    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
６１０    素子基板
６１１    スイッチング用ＴＦＴ
６１２    電流制御用ＴＦＴ
６１３    第１の電極
６１４    絶縁物
６１６    有機化合物を含む層
６１７    第２の電極
６１８    発光素子
６２３    ｎチャネル型ＴＦＴ
６２４    ｐチャネル型ＴＦＴ
９０１    筐体
９０２    液晶層
９０３    バックライト
９０４    筐体
９０５    ドライバＩＣ
９０６    端子
９５１    基板
９５２    電極
９５３    絶縁層
９５４    隔壁層
９５５    有機化合物を含む層
９５６    電極
２００１    筐体
２００２    光源
３００１    照明装置
５０００    領域
５００１    領域
５００２    領域
５００３    領域
５００５    領域
７１０１    筐体
７１０３    表示部
７１０５    スタンド
７１０７    表示部
７１０９    操作キー
７１１０    リモコン操作機
７２０１    本体
７２０２    筐体
７２０３    表示部
７２０４    キーボード
７２０５    外部接続ポート
７２０６    ポインティングデバイス
７３０１    筐体
７３０２    筐体
７３０３    連結部
７３０４    表示部
７３０５    表示部
７３０６    スピーカ部
７３０７    記録媒体挿入部
７３０８    ＬＥＤランプ
７３０９    操作キー
７３１０    接続端子
７３１１    センサ
７３１２    マイクロフォン
７４０１    筐体
７４０２    表示部
７４０３    操作ボタン
７４０４    外部接続ポート
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
【図１】
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【図２】
2013033958.tif 000019
【図３】
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【図４】
2013033958.tif 000021
【図５】
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【図６】
2013033958.tif 000023
【図７】
2013033958.tif 000024
【図８】
2013033958.tif 000025
【図９】
2013033958.tif 000026
【図１０】
2013033958.tif 000027
【図１１】
2013033958.tif 000028
【図１２】
2013033958.tif 000029
【図１３】
2013033958.tif 000030
【図１４】
2013033958.tif 000031
【図１５】
2013033958.tif 000032
【図１６】
2013033958.tif 000033
【図１９】
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【図２０】
2013033958.tif 000035
【図２１】
2013033958.tif 000036
【図２２】
2013033958.tif 000037
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図１７】
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【図１８】
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