(57)【要約】【課題】表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】複数の画素に亘って形成された共通電極と、絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記第１配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理された第２配向膜を備えた第２基板と、前記第１基板の前記第１配向膜と前記第２基板の前記第２配向膜との間に保持され、前記共通電極と前記画素電極との間に電位差が形成されていない状態で前記第１配向膜及び前記第２配向膜の配向処理方向に初期配向する液晶分子を含む液晶層と、前記液晶分子の初期配向方向と平行な方位からずれた第１吸収軸を有する第１偏光板と、前記液晶分子の初期配向方向と直交する方位の第２吸収軸を有する第２偏光板と、を備えた液晶表示装置。【選択図】図３
2013134334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第１配向膜と、を備えた第１基板と、
前記第１配向膜と対向するとともに前記第１配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理された第２配向膜を備えた第２基板と、
前記第１基板の前記第１配向膜と前記第２基板の前記第２配向膜との間に保持され、前記画素電極と前記共通電極との間に電界が形成されていない状態で前記第１配向膜及び前記第２配向膜の配向処理方向に初期配向する液晶分子を含む液晶層と、
前記第１基板の外面に配置され、前記液晶分子の初期配向方向と平行な方位からずれた第１吸収軸を有する第１偏光板と、
前記第２基板の外面に配置され、前記液晶分子の初期配向方向と直交する方位の第２吸収軸を有する第２偏光板と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１吸収軸は、前記液晶分子の初期配向方向に対して１°〜２°ずれたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１吸収軸は、前記液晶分子の初期配向方向に対して反時計回りに１°〜２°ずれたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのＯＡ機器やテレビなどの表示装置として各種分野で利用されている。近年では、液晶表示装置は、携帯電話などの携帯端末機器や、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置としても利用されている。
【０００３】
近年では、Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ（ＦＦＳ）モードやＩｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ（ＩＰＳ）モードの液晶表示パネルが実用化されている。このようなＦＦＳモードやＩＰＳモードの液晶表示パネルは、画素電極及び共通電極を備えたアレイ基板と、対向基板との間に液晶層を保持した構成であり、液晶層の液晶分子を基板と平行な面内で回転させることでスイッチングを実現するものである。このような表示モードは、広視野角であるなどの利点を有している。
【０００４】
このようなＦＦＳモードやＩＰＳモードの構成においては、液晶表示パネルにある一定の時間にわたって同一パターンを表示した後に、このパターンを消去してもそれまでに表示していたパターンが完全に消えずに残ってしまう現象（いわゆる焼き付き）を改善することが要望されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−４０４３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本実施形態の目的は、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態によれば、
各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記第１配向膜と対向するとともに前記第１配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理された第２配向膜を備えた第２基板と、前記第１基板の前記第１配向膜と前記第２基板の前記第２配向膜との間に保持され、前記共通電極と前記画素電極との間に電位差が形成されていない状態で前記第１配向膜及び前記第２配向膜の配向処理方向に初期配向する液晶分子を含む液晶層と、前記第１基板の外面に配置され、前記液晶分子の初期配向方向と平行な方位からずれた第１吸収軸を有する第１偏光板と、前記第２基板の外面に配置され、前記液晶分子の初期配向方向と直交する方位の第２吸収軸を有する第２偏光板と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルの構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示したアレイ基板における画素の構造を対向基板の側から見た概略平面図である。
【図３】図３は、図１に示した液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す図である。
【図４】図４は、Ｘ−Ｙ平面内における第１吸収軸及び第２吸収軸と、液晶分子の初期配向方向との関係を説明するための図である。
【図５】図５は、第１の実験の測定結果を示す図である。
【図６】図６は、第２の実験の測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルＬＰＮの構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【００１１】
すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの透過型の液晶表示パネルＬＰＮを備えている。液晶表示パネルＬＰＮは、第１基板であるアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された第２基板である対向基板ＣＴと、これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えている。このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備えている。このアクティブエリアＡＣＴは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。
【００１２】
アレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、第１方向Ｘに沿ってそれぞれ延出したｎ本のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）及びｎ本の容量線Ｃ（Ｃ１〜Ｃｎ）、第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙに沿ってそれぞれ延出したｍ本のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、各画素ＰＸにおいてゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ、各画素ＰＸにおいてスイッチング素子ＳＷに各々電気的に接続された画素電極ＰＥ、画素電極ＰＥと向かい合う共通電極ＣＥなどを備えている。
【００１３】
共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って共通に形成されている。画素電極ＰＥは、各画素ＰＸにおいて島状に形成されている。
【００１４】
各ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ゲートドライバＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ソースドライバＳＤに接続されている。各容量線Ｃは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、補助容量電圧が供給される電圧印加部ＶＣＳと電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、コモン電圧が供給される給電部ＶＳと電気的に接続されている。ゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤは、例えばその少なくとも一部がアレイ基板ＡＲに形成され、駆動ＩＣチップ２と接続されている。図示した例では、液晶表示パネルＬＰＮを駆動するのに必要な信号源としての駆動ＩＣチップ２は、液晶表示パネルＬＰＮのアクティブエリアＡＣＴの外側において、アレイ基板ＡＲに実装されている。
【００１５】
また、図示した例の液晶表示パネルＬＰＮは、ＦＦＳモードあるいはＩＰＳモードに適用可能な構成であり、アレイ基板ＡＲに画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥを備えている。このような構成の液晶表示パネルＬＰＮでは、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの間に形成される横電界（例えば、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界）を主に利用して液晶層ＬＱを構成する液晶分子をスイッチングする。
【００１６】
図２は、図１に示したアレイ基板ＡＲにおける画素ＰＸの構造を対向基板ＣＴの側から見た概略平面図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部のみを図示しており、スイッチング素子などの図示を省略している。
【００１７】
ゲート配線Ｇは、第１方向Ｘに沿ってそれぞれ延出している。このようなゲート配線Ｇは、第２方向Ｙに沿って第１ピッチで配置されている。ソース配線Ｓは、第２方向Ｙに沿ってそれぞれ延出している。このようなソース配線Ｓは、第１方向Ｘに沿って第１ピッチよりも小さい第２ピッチで配置されている。ゲート配線Ｇとソース配線Ｓとで規定された画素ＰＸは、第１方向Ｘに沿った長さが第２方向Ｙに沿った長さよりも短い縦長の長方形状である。つまり、画素ＰＸの第２方向Ｙに沿った長さはゲート配線間の第１ピッチに相当し、画素ＰＸの第１方向Ｘに沿った長さはソース配線間の第２ピッチに相当する。
【００１８】
共通電極ＣＥは、第１方向Ｘに沿って延在している。すなわち、共通電極ＣＥは、各画素ＰＸに配置されるとともにソース配線Ｓの上方を跨いで、第１方向Ｘに隣接する複数の画素ＰＸに亘って共通に形成されている。
【００１９】
各画素ＰＸの画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥの上方に配置されている。各画素電極ＰＥは、各画素ＰＸにおいて長方形状の画素形状に対応した島状に形成されている。図示した例では、画素電極ＰＥは、第１方向Ｘに沿った短辺及び第２方向Ｙに沿った長辺を有する概略長方形状に形成されている。このような各画素電極ＰＥには、共通電極ＣＥと向かい合う複数のスリットＰＳＬが形成されている。図示した例では、スリットＰＳＬのそれぞれは、第２方向Ｙに沿って延出しており、第２方向Ｙと平行な長軸を有している。
【００２０】
図３は、図１に示した液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す図である。
【００２１】
すなわち、アレイ基板ＡＲは、ガラス基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。このアレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０の内面（すなわち対向基板ＣＴに対向する側）１０Ａにスイッチング素子ＳＷ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥなどを備えている。
【００２２】
ここに示したスイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。このスイッチング素子ＳＷは、ポリシリコンやアモルファスシリコンによって形成された半導体層を備えている。なお、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。このようなスイッチング素子ＳＷは、第１絶縁膜１１によって覆われている。
【００２３】
共通電極ＣＥは、第１絶縁膜１１の上に形成されている。このような共通電極ＣＥは、透明な導電材料、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などによって形成されている。この共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、この第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。
【００２４】
画素電極ＰＥは、第２絶縁膜１２の上に形成され、共通電極ＣＥと向かい合っている。この画素電極ＰＥは、第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールを介してスイッチング素子ＳＷに接続されている。また、この画素電極ＰＥは、第２絶縁膜１２を介して共通電極ＣＥと向かい合うスリットＰＳＬを有している。このような画素電極ＰＥは、透明な導電材料、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどによって形成されている。この画素電極ＰＥは、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。また、この第１配向膜ＡＬ１は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。このような第１配向膜ＡＬ１は、水平配向性を示す材料（例えば、ポリイミド）によって形成され、アレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱに接する面に配置されている。
【００２５】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス基板などの光透過性を有する第２絶縁基板３０を用いて形成されている。この対向基板ＣＴは、第２絶縁基板３０の内面（すなわちアレイ基板ＡＲに対向する側）３０Ａに、各画素ＰＸを区画するブラックマトリクス３１、カラーフィルタ３２、オーバーコート層３３などを備えている。
【００２６】
ブラックマトリクス３１は、第２絶縁基板３０の内面３０Ａにおいて、アレイ基板ＡＲに設けられたゲート配線Ｇやソース配線Ｓ、さらにはスイッチング素子ＳＷなどの配線部に対向するように形成されている。
【００２７】
カラーフィルタ３２は、第２絶縁基板３０の内面３０Ａに形成され、ブラックマトリクス３１の上にも延在している。このカラーフィルタ３２は、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。互いに異なる色のカラーフィルタ３２間の境界は、ブラックマトリクス３１上に位置している。
【００２８】
オーバーコート層３３は、カラーフィルタ３２を覆っている。このオーバーコート層３３は、ブラックマトリクス３１やカラーフィルタ３２の表面の凹凸を平坦化する。このようなオーバーコート層３３は、透明な樹脂材料によって形成されている。このオーバーコート層３３は、第２配向膜ＡＬ２によって覆われている。この第２配向膜ＡＬ２は、水平配向性を示す材料（例えば、ポリイミド）によって形成され、対向基板ＣＴの液晶層ＬＱに接する面に配置されている。
【００２９】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴの間には、一方の基板に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップが形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、セルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層ＬＱは、これらのアレイ基板ＡＲの第１配向膜ＡＬ１と対向基板ＣＴの第２配向膜ＡＬ２との間に形成されたセルギャップに封入された液晶分子ＬＭを含む液晶組成物によって構成されている。
【００３０】
このような構成の液晶表示パネルＬＰＮに対して、その背面側には、バックライトＢＬが配置されている。バックライトＢＬとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。
【００３１】
アレイ基板ＡＲの外面、すなわち第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１偏光板ＰＬ１が配置されている。また、対向基板ＣＴの外面、すなわち第２絶縁基板３０の外面３０Ｂには、第２偏光板ＰＬ２が配置されている。なお、第１絶縁基板１０と第１偏光板ＰＬ１との間や、第２絶縁基板３０と第２偏光板ＰＬ２との間には、位相差板など他の光学素子が配置されても良い。
【００３２】
第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、図２に示したように、基板主面（あるいは、Ｘ−Ｙ平面）と平行な面内において、互いに平行な方位に配向処理（例えば、ラビング処理や光配向処理）されている。第１配向膜ＡＬ１は、スリットＰＳＬの長軸（図２に示した例では第２方向Ｙ）に対して４５°以下の鋭角に交差する方向に沿って配向処理されている。第１配向膜ＡＬ１の配向処理方向Ｒ１は、例えば、スリットＰＳＬが延出した第２方向Ｙに対して５°〜１５°の角度をもって交差する方向である。また、第２配向膜ＡＬ２は、第１配向膜ＡＬ１の配向処理方向Ｒ１と平行な方向に沿って配向処理されている。第１配向膜ＡＬ１の配向処理方向Ｒ１と第２配向膜ＡＬ２の配向処理方向Ｒ２とは互いに逆向きである。
【００３３】
ここで、本実施形態における第１偏光板ＰＬ１の第１吸収軸及び第２偏光板ＰＬ２の第２吸収軸と、液晶分子ＬＭの初期配向方向との関係について説明する。
【００３４】
図４は、Ｘ−Ｙ平面内における第１吸収軸Ａ１及び第２吸収軸Ａ２と、液晶分子ＬＭの初期配向方向ＩＬＭとの関係を説明するための図である。
【００３５】
液晶分子ＬＭの初期配向方向ＩＬＭとは、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていない状態での液晶分子ＬＭのＸ−Ｙ平面内での配向方向に相当し、第１配向膜ＡＬ１の配向処理方向Ｒ１及び第２配向膜ＡＬ２の配向処理方向Ｒ２と平行な方向である。
【００３６】
第１偏光板ＰＬ１の第１吸収軸Ａ１は、初期配向方向ＩＬＭと平行な方位からずれた方位に設定されている。つまり、第１吸収軸Ａ１の方位は、配向処理方向Ｒ１及び配向処理方向Ｒ２に対して非平行である。ここで、第１吸収軸Ａ１が初期配向方向ＩＬＭに対してずれる方向は、時計回り（図中の右回り）と、反時計回り（図中の左回り）とがあり得る。初期配向方向ＩＬＭに対する第１吸収軸Ａ１のずれ角度については後に詳述する。
【００３７】
一方、第２偏光板ＰＬ２の第２吸収軸Ａ２は、初期配向方向ＩＬＭと直交する方位に設定されている。つまり、第２吸収軸Ａ２の方位は、配向処理方向Ｒ１及び配向処理方向Ｒ２に対して直交している。
【００３８】
このため、第１偏光板ＰＬ１の第１吸収軸Ａ１と第２偏光板ＰＬ２の第２吸収軸Ａ２とはクロスニコルの位置関係からずれている。つまり、Ｘ−Ｙ平面内において、第１吸収軸Ａ１と第２吸収軸Ａ２とのなす角度は、厳密な９０°ではなく、９０°に近い鋭角となる。
【００３９】
以下に、上記構成の液晶表示装置における動作について説明する。
【００４０】
画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差を形成するような電圧が印加されていないＯＦＦ時においては、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態であり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていない。このため、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭは、図２に実線で示したように、Ｘ−Ｙ平面内において、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の配向処理方向（Ｒ１及びＲ２）に初期配向する。
【００４１】
ＯＦＦ時には、バックライトＢＬからのバックライト光の一部は、第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶表示パネルＬＰＮに入射した光は、第１偏光板ＰＬ１の第１吸収軸Ａ１と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、ＯＦＦ時の液晶表示パネルＬＰＮを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルＬＰＮを透過した直線偏光のほとんどが、第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。
【００４２】
一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差を形成するような電圧が印加されたＯＮ時においては、液晶層ＬＱに電圧が印加された状態であり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間にフリンジ電界が形成される。このため、液晶分子ＬＭは、図２に破線で示したように、Ｘ−Ｙ平面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。ポジ型の液晶材料においては、液晶分子ＬＭは、電界と略平行な方向（つまり、スリットＰＳＬの長軸と略直交する方向）に配向する。
【００４３】
このようなＯＮ時には、第１偏光板ＰＬ１の第１吸収軸Ａ１と直交する直線偏光は、液晶表示パネルＬＰＮに入射し、その偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態に応じて変化する。このため、ＯＮ時においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２偏光板ＰＬ２を透過する（白表示）。
【００４４】
次に、本実施形態における第１吸収軸Ａ１の初期配向方向ＩＬＭに対する最適なずれ角度について検討する。本実施形態では、いわゆる焼き付き現象を改善すべく、アレイ基板ＡＲ側の第１偏光板ＰＬ１を本来配置すべき位置から意図的にずらして配置するものである。つまり、本来、第１偏光板ＰＬ１は、その第１吸収軸Ａ１が液晶分子ＬＭの初期配向方向ＩＬＭと平行な方位に設定されるように配置されるべきところ、本実施形態においては、第１吸収軸Ａ１が初期配向方向ＩＬＭからずれた方位に設定されるように配置している。
【００４５】
ここでは、焼き付き現象を再現するため、初期に黒表示を行った際の黒輝度を測定した後、白表示を一定時間行い、再び黒表示を行った際の黒輝度を測定する第１の実験を行った。焼き付き現象が発生した場合には、白表示後に測定した黒輝度は、初期に測定した黒輝度よりも高くなる。焼き付き現象が発生しなかった場合には、白表示後に測定した黒輝度は、初期に測定した黒輝度と同等以下となる。
【００４６】
図５は、第１の実験の測定結果を示す図である。
【００４７】
図中の横軸において、「−２°」は第１吸収軸Ａ１が初期配向方向ＩＬＭに対して時計回りに２°ずれた場合に相当し、「−１°」は第１吸収軸Ａ１が初期配向方向ＩＬＭに対して時計回りに１°ずれた場合に相当し、「０°」は第１吸収軸Ａ１が初期配向方向ＩＬＭと平行である場合に相当し、「１°」は第１吸収軸Ａ１が初期配向方向ＩＬＭに対して反時計回りに１°ずれた場合に相当し、「２°」は第１吸収軸Ａ１が初期配向方向ＩＬＭに対して反時計回りに２°ずれた場合に相当する。
【００４８】
図中の縦軸は輝度上昇比であり、初期に黒表示を行った際に測定した黒輝度Ｂ０に対して、白表示を６０分間行った後に再び黒表示を行った際に測定した黒輝度Ｂ１の比率（Ｂ１／Ｂ０）に相当する。なお、輝度の測定には、ミノルタ社製のＣＡ２１０を使用し、白表示では液晶層ＬＱに印加する駆動電圧を５Ｖとし、黒表示では液晶層ＬＱに印加する駆動電圧を０．０１Ｖとし、いずれも暗室で光度５００ｃｄのバックライトＢＬをアレイ基板ＡＲ側から照射して、対向基板ＣＴ側で輝度を測定した。
【００４９】
なお、いずれの場合においても、第２偏光板ＰＬ２は、その第２吸収軸Ａ２が初期配向方向ＩＬＭに対して直交するように配置されている。
【００５０】
図示した測定結果によれば、第１吸収軸Ａ１を初期配向方向ＩＬＭに対して時計回りにずらした場合（「−２°」の場合、及び、「−１°」の場合）には、輝度上昇比が大きくなる、つまり、焼き付きが顕著に現れる傾向を呈することが確認された。図示しないが、第１吸収軸Ａ１のずれ角度が時計回りにさらに大きくなると、輝度上昇比がさらに大きくなることも確認された。
【００５１】
一方、第１吸収軸Ａ１を初期配向方向ＩＬＭに対して反時計回りにずらした場合（「２°」の場合、及び、「１°」の場合）には、輝度上昇比が小さくなる、つまり、焼き付きが改善される傾向を呈することが確認された。また、図示しないが、第１吸収軸Ａ１のずれ角度が反時計回りにさらに大きくなると、輝度上昇比はさらに小さくなることも確認された。すなわち、第１吸収軸Ａ１を初期配向方向ＩＬＭに対して反時計回りにずらすことにより、バックライトＢＬから入射した光のうち、液晶層ＬＱを通過して対向基板ＣＴ側に出射される光量が抑えられ、これにより、大幅に焼き付きを低減することが可能となる。
【００５２】
但し、第１吸収軸Ａ１のずれ角度が大きくなると、第１吸収軸Ａ１が初期配向方向ＩＬＭと平行である場合（つまり、第１偏光板ＰＬ１と第２偏光板ＰＬ２とがクロスニコルの位置関係にある場合）と比較して、黒表示の際の黒輝度が上昇する傾向がある。このため、第１吸収軸Ａ１のずれ角度が大きくなると、コントラスト比の低下を招くことになる。したがって、焼き付きを改善しつつ、コントラスト比の低下を抑制するためには、第１吸収軸Ａ１は液晶分子ＬＭの初期配向方向ＩＬＭに対して反時計回りにずらし、しかも、ずれ角度が１°〜２°の範囲であることが望ましい。
【００５３】
なお、上記の本実施形態の構成においては、第１吸収軸Ａ１が液晶分子ＬＭの初期配向方向ＩＬＭに対して反時計回りにずれた場合に焼き付きを低減できる傾向が確認されたが、第１配向膜ＡＬ１や第２配向膜ＡＬ２を形成する材料等、本実施形態で適用した構成と異なる条件においては、第１吸収軸Ａ１が初期配向方向ＩＬＭに対して時計回りにずれた場合に焼き付きを低減できる場合もあり得る。
【００５４】
次に、焼き付き現象を再現するため、周期的に黒表示と白表示を切り替え、黒表示を行った際の黒輝度を測定する第２の実験を行った。
【００５５】
図６は、第２の実験の測定結果を示す図である。
【００５６】
図中の横軸は測定時間（分）であり、縦軸は黒輝度（ｃｄ）である。この第２の実験では、最初の１０分間では１分間隔で黒輝度を測定し、その後の２０分間では、白輝度を表示した後に黒輝度を測定する作業を２分間隔で実施した。その後の１０分間では、１分間隔で黒輝度を測定した。なお、黒輝度の測定条件は第１の実験と同一である。また、この第２の実験は、第１の実験と同様に、第１吸収軸Ａ１のずれ角度が「−２°」の場合、「−１°」の場合、「０°」の場合、「１°」の場合、「２°」の場合についてそれぞれ行った。
【００５７】
図示した測定結果によれば、第１の実験結果と同様に、第１吸収軸Ａ１を初期配向方向ＩＬＭに対して時計回りにずらした場合（「−２°」の場合、及び、「−１°」の場合）には、２分間隔で黒輝度を測定している２０分間においてその前後の時間よりも黒輝度が上昇する傾向が確認されたが、第１吸収軸Ａ１を初期配向方向ＩＬＭに対して反時計回りにずらした場合（「２°」の場合、及び、「１°」の場合）には、２分間隔で黒輝度を測定している２０分間においてその前後の時間よりも黒輝度が低下する傾向が確認された。つまり、この第２の実験においても、第１吸収軸Ａ１を初期配向方向ＩＬＭに対して反時計回りにずらした場合には、焼き付き現象が改善される傾向が確認された。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することができる。
【００５９】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００６０】
例えば、上記の実施形態においては、画素電極ＰＥのスリットＰＳＬは第２方向Ｙに平行な長軸を有するように形成したが、第１方向Ｘに平行な長軸を有するように形成しても良いし、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに交差する方向に平行な長軸を有するように形成しても良いし、くの字形に屈曲した形状に形成しても良い。
【符号の説明】
【００６１】
ＬＰＮ…液晶表示パネル  ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板
ＰＥ…画素電極  ＰＳＬ…スリット
ＣＥ…共通電極
ＬＱ…液晶層  ＬＭ…液晶分子
ＰＬ１…第１偏光板  Ａ１…第１吸収軸
ＰＬ２…第２偏光板  Ａ２…第２吸収軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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