(57)【要約】【課題】有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】耐久性及び電気的特性を向上させるように、基板と、基板上に形成される第１電極と、第１電極上に形成され、有機発光層を有する中間層と、中間層上に形成される第２電極と、第２電極上に形成され、第１グルーブを有するように形成される第１無機封止層と、第１無機封止層の第１グルーブに配置され、グルーブ超えないように配置される第１有機封止層と、第１有機封止層上に形成される第２無機封止層と、を有する有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される第１電極と、
前記第１電極上に形成され、有機発光層を有する中間層と、
前記中間層上に形成される第２電極と、
前記第２電極上に形成され、第１グルーブを有するように形成される第１無機封止層と、
前記第１無機封止層の第１グルーブに配置され、前記グルーブを越えないように配置される第１有機封止層と、
前記第１有機封止層上に形成される第２無機封止層と、
を有することを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記中間層は、突出部を有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第２電極は、前記中間層の突出部を覆わないことにより、前記第２電極は前記中間層の突出部と離隔し、前記第１無機封止層は、前記中間層の突出部を覆わないことにより、前記第１無機封止層は前記中間層の突出部と離隔することを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
複数の副画素を有し、
前記中間層は、前記副画素のそれぞれに対応するように複数個備えられ、
前記突出部は、前記中間層の少なくとも一エッジに形成されることを特徴とする請求項２または３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１無機封止層は、前記中間層の突出部に対応する第１無機突出部を有し、
前記第１無機突出部は、前記第１グルーブと前記第１グルーブに隣接するグルーブとの間に配置されることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１有機封止層は、前記第１無機突出部の最上部と離隔して形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１有機封止層は、中間層の突出部と離隔して形成されることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記中間層の突出部の少なくとも一領域は、中間層を覆う前記第２無機封止層と接することを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第１電極上に形成され、少なくとも前記第１電極の上面の所定の領域を覆わないように形成される画素定義膜をさらに有し、
前記中間層の突出部は、前記画素定義膜と対応する領域に形成されたことを特徴とする請求項２〜８のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１無機封止層と前記第２無機封止層とは、少なくとも一領域で互いに接することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記第２無機封止層は、第２グルーブを有し、
前記第２無機封止層の第２グルーブに配置され、前記第２グルーブを越えないように配置される第２有機封止層と、
前記第２有機封止層上に形成される第３無機封止層と、
をさらに有することを特徴とする請求項１〜１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記第２無機封止層は、前記第２グルーブと前記第２グルーブに隣接するグルーブとの間に配置された第２無機突出部を有することを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記第２有機封止層は、前記第２無機突出部の最上部と離隔して形成されることを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記第２有機封止層は、前記中間層の突出部と互いに離隔することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記第２無機封止層と前記第３無機封止層とは、少なくとも一領域で互いに接することを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記第３無機封止層上に形成される少なくとも一つの有機封止層及び少なくとも一つの無機封止層をさらに有することを特徴とする請求項１１〜１５のいずれかに記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記第３無機封止層上に形成される有機封止層のうち最上部の有機封止層の上面は、平坦面で形成されることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
前記第３無機封止層上に形成される無機封止層のうち最上部の無機封止層の上面は、平坦面で形成されることを特徴とする請求項１６または１７に記載の有機発光表示装置。
【請求項１９】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に有機発光層を有する中間層を形成する工程と、
前記中間層上に第２電極を形成する工程と、
前記第２電極上に第１グルーブを有する第１無機封止層を形成する工程と、
前記第１無機封止層の第１グルーブに配置され、前記グルーブを越えないように第１有機封止層を形成する工程と、
前記第１有機封止層上に第２無機封止層を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記中間層は、転写法を利用して形成することを特徴とする請求項１９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法、特に耐久性及び電気的特性を向上させる有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、表示装置は、携帯が可能であり、かつ薄型のフラットパネルディスプレイ装置へ代替が進みつつある。フラットパネルディスプレイ装置のうち有機発光表示装置は、自発光型の表示装置であって、視野角が広く、高コントラスト比であるだけでなく、応答速度が速いという長所を有して、次世代のディスプレイ装置として注目されている。
【０００３】
有機発光表示装置は、中間層、第１電極及び第２電極を有する。中間層は、有機発光層を有し、第１電極及び第２電極に電圧を加えれば、有機発光層で可視光線を発生させる。
【０００４】
この時、有機物を含有する中間層が、外部の異物、湿気または気体などによって汚染されやすい。
【０００５】
また、かかる汚染により中間層が損傷されれば、有機発光表示装置の耐久性及び電気的特性が著しく低下するという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、耐久性及び電気的特性を容易に向上させる有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するために、本発明は、基板と、前記基板上に形成される第１電極と、前記第１電極上に形成され、有機発光層を有する中間層と、前記中間層上に形成される第２電極と、前記第２電極上に形成され、第１グルーブを有するように形成される第１無機封止層と、前記第１無機封止層の第１グルーブに配置され、前記グルーブを越えないように配置される第１有機封止層と、前記第１有機封止層上に形成される第２無機封止層と、を有する有機発光表示装置を提供する。
【０００８】
本発明において、前記中間層は、突出部を有してもよい。
【０００９】
本発明において、前記第２電極は、前記中間層の突出部を覆わないことにより、前記第２電極は前記中間層の突出部と離隔し、前記第１無機封止層は、前記中間層の突出部を覆わないことにより、前記第１無機封止層は前記中間層の突出部と離隔してもよい。
【００１０】
本発明において、複数の副画素を有し、前記中間層は、前記副画素のそれぞれに対応するように複数個備えられ、前記突出部は、前記中間層の少なくとも一エッジに形成されてもよい。
【００１１】
本発明において、前記第１無機封止層は、前記中間層の突出部に対応する第１無機突出部を備え、前記第１無機突出部は、前記第１グルーブと前記第１グルーブに隣接するグルーブとの間に配置されてもよい。
【００１２】
本発明において、前記第１有機封止層は、前記第１無機突出部の最上部と離隔して形成されてもよい。
【００１３】
本発明において、前記第１有機封止層は、中間層の突出部と離隔して形成されてもよい。
【００１４】
本発明において、前記中間層の突出部の少なくとも一領域は、中間層を覆う前記第２無機封止層と接してもよい。
【００１５】
本発明において、前記第１電極上に形成され、少なくとも前記第１電極の上面の所定の領域を覆わないように形成される画素定義膜をさらに備え、前記中間層の突出部は、前記画素定義膜と対応する領域に形成されてもよい。
【００１６】
本発明において、前記第１無機封止層と前記第２無機封止層とは、少なくとも一領域で互いに接してもよい。
【００１７】
本発明において、前記第２無機封止層は、第２グルーブを備え、前記第２無機封止層の第２グルーブに配置され、前記第２グルーブを越えないように配置される第２有機封止層、及び前記第２有機封止層上に形成される第３無機封止層をさらに有してもよい。
【００１８】
本発明において、前記第２無機封止層は、前記第２グルーブと前記第２グルーブに隣接するグルーブとの間に配置された第２無機突出部を有してもよい。
【００１９】
本発明において、前記第２有機封止層は、前記第２無機突出部の最上部と離隔して形成されてもよい。
【００２０】
本発明において、前記第２有機封止層は、前記中間層の突出部と互いに離隔してもよい。
【００２１】
本発明において、前記第２無機封止層と前記第３無機封止層とは、少なくとも一領域で互いに接してもよい。
【００２２】
本発明において、前記第３無機封止層上に形成される少なくとも一つの有機封止層及び少なくとも一つの無機封止層をさらに有してもよい。
【００２３】
本発明において、前記第３無機封止層上に形成される有機封止層のうち最上部の有機封止層の上面は、平坦面で形成されてもよい。
【００２４】
本発明において、前記第３無機封止層上に形成される無機封止層のうち最上部の無機封止層の上面は、平坦面で形成されてもよい。
【００２５】
本発明の他の側面によれば、基板上に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に有機発光層を有する中間層を形成するステップと、前記中間層上に第２電極を形成するステップと、前記第２電極上に第１グルーブを有する第１無機封止層を形成するステップと、前記第１無機封止層の第１グルーブに配置され、前記グルーブを越えないように第１有機封止層を形成するステップと、前記第１有機封止層上に第２無機封止層を形成するステップと、を含む有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【００２６】
本発明において、前記中間層は、転写法を利用して形成してもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、耐久性及び電気的特性を容易に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置を示す概略的な断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を示す概略的な断面図である。
【図３】本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置を示す概略的な断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置を示す概略的な断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に示す断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に示す断面図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に示す断面図である。
【図５Ｄ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に示す断面図である。
【図５Ｅ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、添付された図面に示す本発明による実施形態を参照して、本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
【００３０】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置を示す概略的な断面図である。
【００３１】
図１を参照すれば、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００は、基板１０１、第１電極１１０、中間層１１２、第２電極１１３、第１無機封止層１２１、第１有機封止層１３１及び第２無機封止層１２２を有する。
【００３２】
基板１０１は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質で形成される。基板１０１は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材質で形成してもよい。この時、基板１０１を形成するプラスチック材質は、多様な有機物のうち選択された一つ以上である。
【００３３】
基板１０１上に、バッファ層１０２が形成される。バッファ層１０２は、基板１０１を通じる不純元素の浸透を防止して、基板１０１の上部に平坦な面を提供するものであって、かかる役割を行う多様な物質で形成される。一例として、バッファ層１０２は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、アルミニウムオキサイド、アルミニウムナイトライド、チタンオキサイドまたはチタンナイトライドなどの無機物や、ポリイミド、ポリエステル、ポリアクリル酸エステルなどの有機物を含有し、例示した材料のうち複数の積層体で形成される。また、バッファ層１０２は、必須構成要素ではなく、場合によっては備えられなくてもよい。
【００３４】
バッファ層１０２上に、第１電極１１０が形成される。第１電極１１０は、アノードの機能を有し、第２電極１１３は、カソードの機能を有するが、かかる極性の順序は、互いに逆になってもよい。
【００３５】
第１電極１１０がアノードとして機能する場合、第１電極１１０は、仕事関数の高いＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などを含んでもよい。また、目的及び設計条件によって、第１電極１１０は、Ａｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ，Ｌｉ，ＹｂまたはＣａなどで形成された反射膜をさらに有してもよい。
【００３６】
第１電極１１０上に、絶縁物を利用して画素定義膜１１９が形成され得る。この時、画素定義膜１１９は、第１電極１１０の少なくとも上面の一部を露出するように形成される。
【００３７】
第１電極１１０上に、中間層１１２が形成される。この時、中間層１１２は、画素定義膜１１９を覆うかこれと一致させる。
【００３８】
中間層１１２は、可視光線を発する有機発光層を有する。中間層１１２は、低分子または高分子の有機膜で形成されてもよい。中間層１１２が低分子有機膜で形成される場合、有機発光層に加え、正孔注入層(Hole Injection Layer: HIL)、正孔輸送層(Hole Transport Layer: HTL)、電子輸送層(Electron Transport Layer: ETL)、電子注入層(Electron Injection Layer: EIL)の一つ以上を有してもよい。
【００３９】
正孔注入層は、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、またはスターバースト型アミン類であるＴＣＴＡ，ｍ−ＭＴＤＡＴＡ，ｍ−ＭＴＤＡＰＢなどで形成されてもよい。
【００４０】
正孔輸送層は、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）、またはＮ，Ｎ′−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）などで形成される。
【００４１】
電子注入層は、ＬｉＦ，ＮａＣｌ，ＣｓＦ，Ｌｉ２Ｏ，ＢａＯ，Ｌｉｑなどの物質を利用して形成される。
【００４２】
電子輸送層は、トリス（８−ヒドロキシ−キノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３） を利用して形成される。
【００４３】
有機発光層は、ホスト物質とドーパント物質とを含む。
【００４４】
有機発光層のホスト物質としては、トリス（８−ヒドロキシ−キノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＡＮＤ）、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）、４，４′−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）−４，４′−ジメチルフェニル（ＤＰＶＢｉ）、４，４′−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）−４，４′−ジメチルフェニル（ｐ−ＤＭＤＰＶＢｉ）、ｔｅｒｔ（９，９−ジアリールフルオレン）ｓ（ＴＤＡＦ）、２−（９，９′−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９′−スピロビフルオレン（ＢＳＤＦ）、２，７−ビス（９，９′−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９′−スピロビフルオレン（ＴＳＤＦ）、ビス（９，９−ジアリールフルオレン）ｓ（ＢＤＡＦ）、４，４′−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）−４，４′−ジ−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル（ｐ−ＴＤＰＶＢｉ）、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、１，３，５−トリス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｔＣＰ）、４，４′，４″−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（ＴｃＴａ）、４，４′−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４′−ビス（９−カルバゾリル）−２，２′−ジメチル−ビフェニル（ＣＢＤＰ）、４，４′−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジメチル−フルオレン（ＤＭＦＬ−ＣＢＰ）、４，４′−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）フルオレン（ＦＬ−４ＣＢＰ）、４，４′−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジ−トリル−フルオレン（ＤＰＦＬ−ＣＢＰ）、９，９−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）フルオレン（ＦＬ−２ＣＢＰ）などが使われる。
【００４５】
有機発光層のドーパント物質としては、４，４′−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、９，１０−ジ−（ナフト−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）などが使われる。
【００４６】
中間層１１２は、一つ以上の突出部１１２ｃを有し得る。突出部１１２ｃは、多様な原因により発生し得るが、具体的な例として、中間層１１２を形成する工程中で発生し得る。
【００４７】
特に、突出部１１２ｃは、画素定義膜１１９に対応する領域に形成され得る。すなわち、中間層１１２は、各第１電極１１０に対応するように複数個形成されるが、各中間層１１２の少なくとも一エッジで突出部１１２ｃが形成される。
【００４８】
中間層１１２上に、第２電極１１３が形成される。第２電極１１３がカソードとして機能する場合、第２電極１１３は、Ａｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ，ＬｉまたはＣａの金属で形成され得る。また、第２電極１１３が光透過できるように、ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などを含んでもよい。第２電極１１３は、あらゆる副画素にわたって共通の電圧が印加されるように、共通電極として形成されることが望ましい。
【００４９】
第２電極１１３が中間層１１２を完全に覆わないこともある。具体的な例として、中間層１１２の突出部１１２ｃが第２電極１１３により覆われずに露出される。すなわち、第２電極１１３の厚さまたは第２電極１１３の形成工程の特性によって、中間層１１２、特に、突出部１１２ｃを第２電極１１３が完全に覆うことができない。しかし、これは一例であって、たとえ可能性が低いとしても、突出部１１２ｃが第２電極１１３により完全に覆われることもありうる。
【００５０】
第１無機封止層１２１は、第２電極１１３上に形成される。第１無機封止層１２１は、第１グルーブ１２１ｇ及び第１突出部１２１ｃを有する。具体的に、第１突出部１２１ｃは、第１グルーブ１２１ｇの周辺に配置される。また、第１突出部１２１ｃは、中間層１１２の突出部１１２ｃに対応して形成される。
【００５１】
第１無機封止層１２１が中間層１１２を完全に覆わなくてもよい。例えば、中間層１１２の突出部１１２ｃが第２電極１１３により覆われずに露出され、同様に、第１無機封止層１２１も中間層１１２、特に、中間層１１２の突出部１１２ｃを覆わないこともある。具体的な例として、中間層１１２の突出部１１２ｃに対応する第１無機封止層１２１の突出部１２１ｃが、突出部１１２ｃを完全に覆うことができず、結果として中間層１１２の突出部１１２ｃが露出される。
【００５２】
しかし、これは一例であって、たとえ可能性が低いとしても、中間層１１２の突出部１１２ｃが第１無機封止層１２１により完全に覆われることも可能である。
【００５３】
第１有機封止層１３１は、第１無機封止層１２１上に配置される。具体的には、第１有機封止層１３１は、第１無機封止層１２１の第１グルーブ１２１ｇを外れず、第１グルーブ１２１ｇ内に配置される。また、第１有機封止層１３１は、前記中間層１１２の突出部１１２ｃと離隔する。これによって、第１有機封止層１３１と中間層１１２との接触が遮断される。
【００５４】
そして、第１有機封止層１３１は、前記第１無機封止層１２１の第１無機突出部１２１ｃの最上部と離隔する。
【００５５】
第１有機封止層１３１上に、第２無機封止層１２２が形成される。第２無機封止層１２２は、第１有機封止層１３１及び第１無機封止層１２１を覆う。また、第２無機封止層１２２は、中間層１１２を覆うように形成される。これによって、第２無機封止層１２２は、中間層１１２の突出部１１２ｃと接し得る。
【００５６】
第２無機封止層１２２は、第１無機封止層１２１と少なくとも一領域で接するように形成される。すなわち、第１無機封止層１２１の領域のうち、第１有機封止層１３１が配置されていない領域が第２無機封止層１２２と接する。具体的な例として、第１無機封止層１２１と第２無機封止層１２２とは、画素定義膜１１９に対応する領域で互いに接し得る。これによって、第１無機封止層１２１と第２無機封止層１２２との結合力、及びその間に配置された第１有機封止層１３１と前記第１無機封止層１２１と第２無機封止層１２２との結合力の結合力が向上し得る。
【００５７】
また、第２無機封止層１２２は、第１無機封止層１２１の第１無機突出部１２１ｃに対応する第２無機突出部１２２ｃを有する。
【００５８】
第１無機封止層１２１及び第２無機封止層１２２は、それぞれシリコンオキサイドまたはシリコンナイトライドのような多様な無機物を含有する。
【００５９】
第１有機封止層１３１は、エポキシまたはポリイミドのような多様な有機物を含有する。
【００６０】
本実施形態の有機発光表示装置１００は、第２電極１１３上に、第１無機封止層１２１、第１有機封止層１３１及び第２無機封止層１２２が積層されて、中間層１１２、第１電極１１０及び第２電極１１３を効果的に保護し得る。
【００６１】
この時、中間層１１２に突出部１１２ｃが形成されると、中間層１１２の上部の第２電極１１３及び第１無機封止層１２１が中間層１１２を完全に覆うことができず、中間層１１２の突出部１１２ｃが露出される。次いで、第１有機封止層１３１の形成時に、第１有機封止層１３１が中間層１１２と接すれば、第１有機封止層１３１内の有機物質または不純物質により中間層１１２が汚染され得る。
【００６２】
しかし、本実施形態においては、第１有機封止層１３１が、第１無機封止層１２１の第１グルーブ１２１ｇ内に、第１グルーブ１２１ｇを越えないように配置されることで、第１有機封止層１３１と中間層１１２との接触が完全に遮断されている。これによって、中間層１１２が第１有機封止層１３１内の有機物質及び不純物質により汚染されることを遮断する。
【００６３】
そして、第１有機封止層１３１上に第２無機封止層１２２を形成して、中間層１１２を外部から完全に遮断する。
【００６４】
結果として、中間層１１２が第１有機封止層１３１により汚染されることを防止しつつ、第１電極１１０、中間層１１２及び第２電極１１３を、外部の異物、湿気及び外気などから効果的に遮断して、有機発光表示装置１００の耐久性を向上させ、電気的特性を効果的に維持し得る。
【００６５】
図２は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を示す概略的な断面図である。
【００６６】
図２を参照すれば、本実施形態による有機発光表示装置２００は、基板２０１、第１電極２１０、中間層２１２、第２電極２１３、第１無機封止層２２１、第１有機封止層２３１、第２無機封止層２２２、第２有機封止層２３２及び第３無機封止層２２３を有する。
【００６７】
図２の有機発光表示装置２００は、前述した有機発光表示装置１００と比べて、第２有機封止層２３２及び第３無機封止層２２３が追加された構造である。すなわち、図２の有機発光表示装置２００は、第２有機封止層２３２及び第３無機封止層２２３をさらに有することを除いては、図１の有機発光表示装置１００の構成と類似している。
【００６８】
説明の便宜上、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００６９】
基板２０１、第１電極２１０、中間層２１２、画素定義膜２１９、第２電極２１３、第１無機封止層２２１、第１有機封止層２３１及び第２無機封止層２２２の構成は、前述した実施形態で説明したところと類似しているので、具体的な説明は省略する。
【００７０】
図２を参照すれば、第２無機封止層２２２は、第２グルーブ２２２ｇを有する。第２無機封止層２２２上に、第２有機封止層２３２を形成する。具体的には、第２有機封止層２３２は、第２無機封止層２２２の第２グルーブ２２２ｇを外れず、第２グルーブ２２２ｇ内に配置される。
【００７１】
そして、第２有機封止層２３２は、第２無機封止層２２２の第２無機突出部２２２ｃの最上部と離隔する。
【００７２】
第２有機封止層２３２上に、第３無機封止層２２３が形成され得る。第３無機封止層２２３は、第２有機封止層２３２及び第２無機封止層２２２を覆う。
【００７３】
第３無機封止層２２３は、第２無機封止層２２２と少なくとも一領域で接するように形成される。すなわち、第２無機封止層２２２の領域のうち、第２有機封止層２３２が配置されていない領域が第３無機封止層２２３と接し得る。具体的には、第３無機封止層２２３と第２無機封止層２２２とは、画素定義膜２１９に対応する領域で接し得る。これによって、第２無機封止層２２２と第３無機封止層２２３との結合力、及びその間に配置された第２有機封止層２３２と第２無機封止層２２２と第３無機封止層２２３との結合力が向上する。
【００７４】
本実施形態の有機発光表示装置２００は、第１無機封止層２２１、第１有機封止層２３１、第２無機封止層２２２、第２有機封止層２３２及び第３無機封止層２２３の順次の積層を通じて、中間層１１２、第１電極１１０及び第２電極１１３を効果的に保護し得る。
【００７５】
また、第２無機封止層２２２の形成時に、設計条件によって中間層２１２を完全に覆わないこともある。特に、第２無機封止層２２２が中間層２１２の突出部２１２ｃを完全に覆わないこともある。この時、第２有機封止層２３２を第２無機封止層２２２の第２グルーブ２２２ｇ内に配置して、第２有機封止層２３２と中間層２１２との接触を遮断する。これによって、中間層２１２が第２有機封止層２３２内の有機物質及び不純物質により汚染されることを遮断し得る。
【００７６】
結果として、中間層２１２が第１有機封止層２３１及び第２有機封止層２３２により汚染されることを防止しつつ、第１電極２１０、中間層２１２及び第２電極２１３を、外部の異物、湿気及び外気などから効果的に遮断して、有機発光表示装置２００の耐久性を向上させ、電気的特性を効果的に維持し得る。
【００７７】
図３は、本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置３００を示す概略的な断面図である。
【００７８】
図３を参照すれば、本実施形態による有機発光表示装置３００は、基板３０１、第１電極３１０、中間層３１２、第２電極３１３、第１無機封止層３２１、第１有機封止層３３１、第２無機封止層３２２、第２有機封止層３３２、第３無機封止層３２３、第３有機封止層３３３及び第４無機封止層３２４を有する。
【００７９】
図３の有機発光表示装置３００は、前述した図２の有機発光表示装置２００と比べて、第３有機封止層３３３及び第４無機封止層３２４が追加された構造である。すなわち、図３の有機発光表示装置３００は、第３有機封止層３３３及び第４無機封止層３２４をさらに有することを除いては、図２の有機発光表示装置２００の構成と類似している。
【００８０】
説明の便宜上、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００８１】
基板３０１、第１電極３１０、中間層３１２、画素定義膜３１９、第２電極３１３、第１無機封止層３２１、第１有機封止層３３１、第２無機封止層３２２、第２有機封止層３３２及び第３無機封止層３２３の構成は、前述した実施形態で説明したところと類似しているので、具体的な説明は省略する。
【００８２】
図３を参照すれば、第３無機封止層３２３上に、第３有機封止層３３３を形成してもよい。第３有機封止層３３３は、下部に配置された部材の屈曲が表れないように、上面が平坦に形成されてもよい。このために、第３有機封止層３３３は、適切な厚さを有するように形成する。第３有機封止層３３３の厚さは、第１有機封止層３３１の厚さ及び第２有機封止層３３２の厚さより厚いことが望ましい。
【００８３】
第３有機封止層３３３上に、第４無機封止層３２４が形成される。第４無機封止層３２４は、第３有機封止層３３３を覆う。また、第４無機封止層３２４の上面は、平坦に形成される。
【００８４】
本実施形態の有機発光表示装置３００は、第１無機封止層３２１、第１有機封止層３３１、第２無機封止層３２２、第２有機封止層３３２、第３無機封止層３２３、第３有機封止層３３３及び第４無機封止層３２４を順に積層することにより、中間層３１２、第１電極３１０及び第２電極３１３を効果的に保護してもよい。
【００８５】
そして、第３有機封止層３３３及び第４無機封止層３２４の上面を平坦にして、有機発光表示装置３００とケース部材（図示せず）など別途の部材との結合を容易にすることによって、製品の適用時に有機発光表示装置３００の耐久性及び便宜性が向上する。また、中間層３１２から取り出された可視光線を最終的に平坦面を通過させて、可視光線が均一な特性を有するようにして画質の特性が向上し得る。
【００８６】
また、中間層３１２が第１有機封止層３３１、第２有機封止層３３２及び第３有機封止層３３３により汚染されることを防止しつつ、第１電極３１０、中間層３１２及び第２電極３１３を、外部の異物、湿気及び外気などから効果的に遮断して、有機発光表示装置３００の耐久性を向上させ、電気的特性を効果的に維持し得る。
【００８７】
本実施形態では、三層の有機封止層３３１，３３２，３３３及び四層の無機封止層３２１，３２２，３２３，３２４まで開示したが、本発明は、これに限定されない。すなわち、四層以上の有機封止層と五層以上の無機封止層とを形成してもよく、この場合、最上部の有機封止層の上面を平坦にし、最上部の無機封止層の上面を平坦にしてもよい。
【００８８】
図４は、本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置を示す概略的な断面図である。
【００８９】
図４を参照すれば、本実施形態による有機発光表示装置４００は、基板４０１、薄膜トランジスタ、第１電極４１０、中間層４１２、第２電極４１３、第１無機封止層４２１、第１有機封止層４３１、第２無機封止層４２２、第２有機封止層４３２、第３無機封止層４２３、第３有機封止層４３３及び第４無機封止層４２４を有する。
【００９０】
薄膜トランジスタは、活性層４０３、ゲート電極４０５、ソース電極４０７及びドレイン電極４０８を有する。
【００９１】
説明の便宜上、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００９２】
基板４０１上に、バッファ層４０２が形成される。バッファ層４０２上に、所定のパターンの活性層４０３が形成される。活性層４０３は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンのような無機半導体や有機半導体で形成され、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を有する。
【００９３】
活性層４０３の上部には、ゲート絶縁膜４０４が形成され、ゲート絶縁膜４０４の上部の所定の領域には、ゲート電極４０５が形成される。ゲート絶縁膜４０４は、活性層４０３とゲート電極４０５とを絶縁するためのものであって、有機物またはＳｉＮｘ，ＳｉＯ２のような無機物で形成される。
【００９４】
ゲート電極４０５は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｌ，またはＭｏを含有してよく、Ａｌ：Ｎｄ，Ｍｏ：Ｗ合金のような合金を含んでよく、これらに限定されず、隣接した層との密着性、平坦性、電気抵抗及び加工性などを考慮して、多様な材質で形成される。
【００９５】
ゲート電極４０５の上部には、層間絶縁膜４０６が形成されてもよい。層間絶縁膜４０６及びゲート絶縁膜４０４は、活性層４０３のソース領域及びドレイン領域を露出するように形成され、かかる活性層４０３の露出されたソース領域及びドレイン領域と接するように、ソース電極４０７及びドレイン電極４０８が形成される。
【００９６】
ソース電極４０７及びドレイン電極４０８は、多様な導電物質を利用して形成され、単層構造または複層構造であってもよい。
【００９７】
ソース電極４０７及びドレイン電極４０８の上部に、パッシベーション層４０９が形成されてもよい。パッシベーション層４０９は、ドレイン電極４０８の全体を覆わず、所定の領域を露出するように形成されてよく、露出されたドレイン電極４０８と連結されるように第１電極４１０が形成される。
【００９８】
そして、第１電極４１０上に、画素定義膜４１９、中間層４１２及び第２電極４１３が形成される。また、第１無機封止層４２１、第１有機封止層４３１、第２無機封止層４２２、第２有機封止層４３２、第３無機封止層４２３、第３有機封止層４３３及び第４無機封止層４２４が形成される。
【００９９】
第１無機封止層４２１、第１有機封止層４３１、第２無機封止層４２２、第２有機封止層４３２、第３無機封止層４２３、第３有機封止層４３３及び第４無機封止層４２４の具体的な構成は、前述した実施形態で説明したところと同一であるので、具体的な説明は省略する。
【０１００】
本実施形態の有機発光表示装置４００は、第１無機封止層４２１、第１有機封止層４３１、第２無機封止層４２２、第２有機封止層４３２、第３無機封止層４２３、第３有機封止層４３３及び第４無機封止層４２４の順に積層されることにより、中間層４１２、第１電極４１０及び第２電極４１３を効果的に保護してもよい。
【０１０１】
そして、第３有機封止層４３３及び第４無機封止層４２４の上面を平坦にして、ケース部材（図示せず）など別途の部材との結合を容易にして、製品の適用能力が向上する。また、中間層４１２から取り出された可視光線を最終的に平坦面を通過させて、可視光線が領域別に不均一な特性を有することを防止する。
【０１０２】
また、中間層４１２が第１有機封止層４３１、第２有機封止層４３２及び第３有機封止層４３３により汚染されることを防止しつつ、第１電極４１０、中間層４１２及び第２電極４１３を、外部の異物、湿気及び外気などから効果的に遮断して、有機発光表示装置４００の耐久性を向上させ、電気的特性を効果的に維持できる。
【０１０３】
図５Ａないし図５Ｅは、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次示す断面図である。具体的には、図５Ａないし図５Ｅは、図４の有機発光表示装置４００の製造方法を説明する。
【０１０４】
各図面を順次に参照しつつ、具体的に説明する。
【０１０５】
まず、図５Ａを参照すれば、基板４０１上に、バッファ層４０２が形成されてよく、バッファ層４０２上に、活性層４０３が形成されてよく、活性層４０３の上部に、ゲート絶縁膜４０４が形成されてよく、ゲート絶縁膜４０４の上部の所定の領域には、ゲート電極４０５が形成されてよく、ゲート電極４０５の上部に、層間絶縁膜４０６が形成されてよく、層間絶縁膜４０６上に、ソース電極４０７及びドレイン電極４０８が形成されてよい。ソース電極４０７及びドレイン電極４０８の上部に、パッシベーション層４０９が形成されてよく、パッシベーション層４０９の上部に、ドレイン電極４０８と連結されるように第１電極４１０が形成されてよく、第１電極４１０上に、画素定義膜４１９が形成されてよい。この時、第１電極４１０の上面の少なくとも一領域は、画素定義膜４１９により覆われずに露出される。
【０１０６】
次いで、図５Ｂを参照すれば、中間層４１２を形成する。この時、中間層４１２は、第１電極４１０と接するように形成される。また、中間層４１２は、画素定義膜４１９に対応して形成されてよい。
【０１０７】
中間層４１２は、滑らかに形成されず、突出部４１２ｃを有してよい。すなわち、図５Ｂに示すように、複数の中間層４１２は、各第１電極４１０に対応して形成されるが、各第１電極４１０は、それぞれの副画素に対応する。すなわち、中間層４１２は、複数の副画素それぞれに対応するように複数個備えられる。この時、それぞれの中間層４１２のエッジで少なくとも一つの突出部４１２ｃが形成される。
【０１０８】
特に、中間層４１２を、レーザー熱転写(Laser Induced Thermal Imaging: LITI)のような転写法を利用して形成する場合、かかる突出部４１２ｃが形成される可能性が高い。しかし、本発明の中間層４１２は、転写法だけでなく、蒸着法その他の多様な方法を利用して形成することはいうまでもない。
【０１０９】
次いで、図５Ｃを参照すれば、中間層４１２上に、第２電極４１３が形成される。第２電極４１３は、中間層４１２を完全に覆わず、中間層４１２の突出部４１２ｃが露出される。第２電極４１３の通常的な厚さに比べて突出部４１２ｃのサイズが大きく、突出部４１２ｃは、第２電極４１３により完全に覆われない。
【０１１０】
次いで、図５Ｄを参照すれば、第２電極４１３上に、第１無機封止層４２１、第１有機封止層４３１及び第２無機封止層４２２が形成される。
【０１１１】
第１無機封止層４２１は、第２電極４１３上に形成される。第１無機封止層４２１は、第１グルーブ４２１ｇ及び第１突出部４２１ｃを有する。具体的に、第１突出部４２１ｃは、第１グルーブ４２１ｇの周辺に配置される。また、第１突出部４２１ｃは、中間層４１２の突出部４１２ｃに対応して形成される。
【０１１２】
第１無機封止層４２１が中間層４１２を完全に覆わないこともある。具体的な例として、第２電極４１３により覆わずに露出された中間層４１２の突出部４１２ｃが、第１無機封止層４２１により覆わずに露出される。具体的な例として、第１無機封止層４２１の突出部４２１ｃが中間層４１２の突出部４１２ｃに対応しつつ、突出部４１２ｃを完全に覆うことができず、結果として中間層４１２の突出部４１２ｃが露出される。
【０１１３】
第１有機封止層４３１は、第１無機封止層４２１上に配置される。具体的に、第１有機封止層４３１は、第１無機封止層４２１の第１グルーブ４２１ｇを外れず、第１グルーブ４２１ｇ内に配置される。また、第１有機封止層４３１は、前記中間層４１２の突出部４１２ｃと離隔する。これによって、第１有機封止層４３１と中間層４１２との接触を基本的に遮断する。
【０１１４】
そして、第１有機封止層４３１は、前記第１無機封止層４２１の第１無機突出部４２１ｃの最上部と離隔する。
【０１１５】
第１有機封止層４３１上に、第２無機封止層４２２が形成される。第２無機封止層４２２は、第１有機封止層４３１及び第１無機封止層４２１を覆う。また、第２無機封止層４２２は、中間層４１２を覆うように形成される。これによって、第２無機封止層４２２は、中間層４１２の突出部４１２ｃと接する。
【０１１６】
第２無機封止層４２２は、第１無機封止層４２１と少なくとも一領域で接するように形成される。すなわち、第１無機封止層４２１の領域のうち、第１有機封止層４３１が配置されていない領域が第２無機封止層４２２と接する。
【０１１７】
また、第２無機封止層４２２は、第１無機封止層４２１の第１無機突出部４２１ｃに対応する第２無機突出部４２２ｃを有する。そして、第２無機封止層４２２は、第２グルーブ４２２ｇを有する。
【０１１８】
次いで、図５Ｅを参照すれば、第２有機封止層４３２、第３無機封止層４２３、第３有機封止層４３３及び第４無機封止層４２４を形成する。
【０１１９】
具体的に、第２無機封止層４２２上に、第２有機封止層４３２を形成する。第２有機封止層４３２は、第２無機封止層４２２の第２グルーブ４２２ｇを外れず、第２グルーブ４２２ｇ内に配置される。そして、第２有機封止層４３２は、第２無機封止層４２２の第２無機突出部４２２ｃの最上部と離隔する。
【０１２０】
第２有機封止層４３２上に、第３無機封止層４２３が形成される。第３無機封止層４２３は、第２有機封止層４３２及び第２無機封止層４２２を覆う。
【０１２１】
第３無機封止層４２３は、第２無機封止層４２２と少なくとも一領域で接するように形成される。すなわち、第２無機封止層４２２の領域のうち、第２有機封止層４３２が配置されていない領域が第３無機封止層４２３と接する。
【０１２２】
第３無機封止層４２３上に、第３有機封止層４３３を形成する。第３有機封止層４３３は、下部に配置された部材の屈曲が表れないように、上面が平坦に形成される。このために、第３有機封止層４３３は、第１有機封止層４３１及び第２有機封止層４３２の厚さより厚く形成することが望ましい。
【０１２３】
第３有機封止層４３３上に、第４無機封止層４２４が形成される。第４無機封止層４２４は、第３有機封止層４３３を覆う。また、第４無機封止層４２４の上面は、平坦に形成される。
【０１２４】
本発明は、図面に示す実施形態を参考にして説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
本発明は、例えば、表示装置関連の技術分野に適用可能である。
【符号の説明】
【０１２６】
１００，２００，３００，４００    有機発光表示装置
１０１，２０１，３０１，４０１    基板
１１０，２１０，３１０，４１０    第１電極
１１２，２１２，３１２，４１２    中間層
１１３，２１３，３１３，４１３    第２電極
１２１，２２１，３２１，４２１    第１無機封止層
１２２，２２２，３２２，４２２    第２無機封止層
１３１，２３１，３３１，４３１    第１有機封止層
２３２，３３２，４３２    第２有機封止層
３２３，４２３    第３無機封止層
３３３，４３３    第３有機封止層
３２４，４２４    第４無機封止層
【図１】
2013134989.tif 000003
【図２】
2013134989.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2013134989.tif 000008
【図５Ｃ】
2013134989.tif 000009
【図５Ｄ】
2013134989.tif 000010
【図５Ｅ】
2013134989.tif 000011