(57)【要約】【課題】高密度実装が可能で、高温動作した場合にも、信頼性の高い回路基板および電力用半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】放熱板１の一方の面に形成された第１の絶縁層２上に、第１の回路パターン（８Ａ、５Ａ、３、５Ｂ、８Ｂ）を、溶射により形成する工程（ｃ，ｅ，ｇ）と、第１の回路パターンの一部３を横断するように、第２の絶縁層６を溶射により形成する工程（ｆ）と、第２の絶縁層６を介して第１の回路パターンと交差するように、第２の回路パターン７を溶射により形成する工程（ｇ）と、を含み、絶縁層６を形成する工程（ｆ）では、絶縁層６のうち、第１の回路パターン３と第２の回路パターン７に挟まれる部分の厚み（ｔ６）が３００μｍ以下になるように調整されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱板の一方の面に形成された第１の絶縁層上に、第１の回路パターンを溶射により形成する工程と、
前記第１の回路パターンの一部を横断するように、第２の絶縁層を溶射により形成する工程と、
前記第２の絶縁層を介して前記第１の回路パターンと交差するように、第２の回路パターンを溶射により形成する工程と、を含み、
前記第２の絶縁層を形成する工程では、前記第２の絶縁層のうち、前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンに挟まれる部分の厚みが３００μｍ以下になるように調整されていることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法によって製造したことを特徴とする回路基板。
【請求項３】
前記放熱板の他方の面に、前記放熱板を構成する材料の線膨張係数よりも前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層の線膨張係数に近い線膨張係数を有する材料で構成された低熱膨張層が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記低熱膨張層の前記放熱板とは逆側の面に、前記低熱膨張層よりも前記放熱板を構成する材料の線膨張係数に近い高熱膨張層が設けられていることを特徴とする請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の回路基板と、
前記第１の回路パターンと電気接続された第１の電極と、前記第２の回路パターンと電気接続された第２の電極とを有する電力用半導体素子と、
を備えたことを特徴とする電力用半導体装置。
【請求項６】
前記電力用半導体素子がワイドバンドギャップ半導体材料で形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電力用半導体装置。
【請求項７】
前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料、ガリウムヒ素、およびダイヤモンドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項６に記載の電力用半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高温動作する電力用半導体素子を搭載する回路基板の製造方法、およびその方法で製造した回路基板と、回路基板を用いた電力用半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インバーターなどの電力用半導体装置に使用されるスイッチング素子（ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ等）や整流素子などの電力用半導体素子では、電力損失を低減する必要があり、近年、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウムのようなワイドバンドギャップ半導体を用いた電力用半導体素子が開発されている。ワイドギャップ半導体素子の場合、素子自身の耐熱性が高く、大電流による高温動作が可能であるが、その特性を発揮するためには、電力用半導体素子を実装する回路基板についても耐熱性を高める必要がある。
【０００３】
しかし、従来の回路基板は、放熱用金属板にセラミックス等の絶縁層、回路パターン用の導体材料をろう付し、ろう付けした導体材料をエッチング等によって回路パターン化するようにしていたため、ろう付時のヒートショックによる基板破損、接合力不足による回路面のはがれ等の問題があった。そこで、例えば、特許文献１に記載されているような、絶縁層、回路パターンとなる導体層を溶射によって形成する方法を適用することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−２８３４９９号公報（段落００１７〜００１８、図１、図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、溶射により形成された回路基板は、回路パターンが単層のものであり、高密度実装が可能な多層基板については記載されていない。そこで、本発明者が、特許文献に記載の溶射法で基板を形成したところ、回路パターンが単層の際には生じなかったにもかかわらず、多層基板を形成した際には、絶縁層に亀裂が生じ、信頼性が低下する場合があることが分かった。
【０００６】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、高密度実装が可能で、高温動作した場合にも、信頼性の高い回路基板および電力用半導体装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明にかかる回路基板の製造方法は、放熱板の一方の面に形成された第１の絶縁層上に、第１の回路パターンを溶射により形成する工程と、前記第１の回路パターンの一部を横断するように、第２の絶縁層を溶射により形成する工程と、前記第２の絶縁層を介して前記第１の回路パターンと交差するように、第２の回路パターンを溶射により形成する工程と、を含み、前記第２の絶縁層を形成する工程では、前記第２の絶縁層のうち、前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンに挟まれる部分の厚みが３００μｍ以下になるように調整されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、溶射で形成された回路パターン間に挟まれる絶縁層の厚みが所定以下になるように回路基板を製造したので、高密度実装が可能で、高温動作した場合にも、信頼性の高い回路基板および電力用半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる回路基板の構成を説明するための外観と断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる回路基板の製造方法を説明するための工程ごとの断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２にかかる回路基板の構成を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３にかかる回路基板の構成を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施の形態４にかかる電力用半導体装置の構成を説明するための部分平面図および部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１にかかる回路基板およびその製造方法について、図に基づいて説明する。図１は回路基板の構成を説明するためのもので、図１（ａ）は回路基板の外観を示す斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線による切断面を示す断面図である。図２は回路基板の製造方法を説明するためのもので、図２（ａ）〜図２（ｇ）は、放熱板に溶射によって絶縁層や回路パターンを形成して回路基板を製造する際の各工程における外観を示す斜視図である。
【００１１】
はじめに、本発明の実施の形態１にかかる回路基板１０の構成について、図１を用いて簡単に説明する。
回路基板１０は、アルミニウム（Ａｌ）の放熱板１と、放熱板１の回路面となる一方の面（ｘｙ方向）を覆うアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、チタニア（ＴｉＯ２）等の絶縁物からなる第１の絶縁層である絶縁層２と、絶縁層２上に形成され、一方向（ｙ）に延在し、かつ両端部（導体層８Ａ、８Ｂ）が表面に露出している第１の回路パターンである導体層（８Ａ、５Ａ、３、５Ｂ、８Ｂ）と、第１の回路パターンを横切るように第１の回路パターンの中間部分（図では導体層３の一部）を覆う第２の絶縁層である絶縁層６と、放熱板１の面（ｘｙ）の延在方向において、絶縁層６を介して第１の回路パターンと交差する方向（ｘ）に延在する第２の回路パターンである導体層７とを備えており、第１の回路パターンの露出部分となる導体層８Ａ、８Ｂは、第２の回路パターン（導体層７）を挟んで離れた位置で露出することになる。そして、回路面として形成された各層（絶縁層２〜導体層８Ａ、８Ｂ）は、後述するように溶射により形成されており、少なくとも絶縁層６の第１の回路パターン（導体層３部分）と第２の回路パターン（導体層７）に挟まれた部分の厚み（ｚ方向）が３００μｍ以下に調整されているものである。
【００１２】
つぎに、上記回路基板１０の具体的な製造方法について、図２を用いて説明する。なお、図中、その工程により加工または形成される部材および対象部材のみに符号を付している。まずアルミ放熱板１の一方の面を回路面とし、ダストチャンバー内にてショットブラストし、表面の異物、酸化スケール等を除去する（工程ａ）。次に放熱板１の回路面を覆うように、アルミナ、チタニア等の絶縁物からなる絶縁層２をガスプラズマ溶射等により形成する（工程ｂ）。膜厚は要求される耐電圧によって変わるが残留応力による破壊を防止するため３００μｍ以下とする事が望ましい。また、絶縁物の粒径は絶縁性能に影響するが１０〜５０μｍが望ましい。さらには必要に応じて耐電圧性能を高めるため含浸処理を行ってもかまわない。この段階でいわゆる絶縁膜付放熱板が形成される
【００１３】
つぎに、マスクパターンを使用して所定形状の導体層３を溶射にて形成する（工程ｃ）。例えば、アルミを導体材料として使用する場合にはアルミワイヤをガスフレーム溶射にて絶縁層２の表面に形成する。１２００Ａ程度の容量の場合、アルミ導体層の膜厚は０．２ｍｍ、幅は３０ｍｍ程度となるが、断面積が同等であれば、この膜厚と幅の組合せに限らない。次に、前工程にて溶射した導体層３の部分を図示しないマスクによりマスクして、導体層３と連なった面が平坦になるように、絶縁層４を溶射にて形成する（工程ｄ）。なお、工程ｄおよび次の工程ｅの図では、絶縁層４中での導体層３部分の形態を示すために透過させた状態で表現している。次に基板厚み方向の回路（導通）を得るため、工程ｃにて形成した導体層３と接触するように、マスクパターンを使用してｙ方向の両端それぞれに導体層５Ａ、５Ｂを溶射により形成する（工程ｅ）。原理的に導体層３と導体層５Ａまたは５Ｂとの接触部の長さ（ｙ方向）は導体層の膜厚以上あれば問題ないが、信頼性確保のため膜厚の２〜１０倍程度設けることが望ましい。
【００１４】
そして導体層５Ａと５Ｂの部分を図示しないマスクによりマスクして、導体層５Ａと５Ｂと連なった面が平坦になるように、マスクパターンと溶射にて絶縁層６を形成する（工程ｆ）。これにより、工程ｃおよび工程ｅでｚ方向に連なるとともに、ｙ方向に延在することとなった導体のパターン（回路パターン）と次工程以降にて形成する回路パターンとの間に介在する絶縁層が形成される。最後に絶縁層６上に、工程ｃおよび工程ｅでｙ方向に延在することとなった回路パターンに対して、回路面（ｘｙ面）の延在方向において交差し、第２の回路パターンとなる導体層７、ｙ方向に延在する回路パターンと連なり、露出面が第２の回路パターン（導体層７）と同じ高さに位置する第１の回路パターンを形成するための導体層８Ａ、８Ｂをマスクパターンと溶射にて形成する（工程ｇ）。これにより、放熱板１の面の延在方向において交差し、互いに絶縁された２つの回路パターンを有する回路が形成された、いわゆる多層基板と称される回路基板１０が得られる。
【００１５】
なお、上記各工程の内、工程ｆにおいては、絶縁層６のうち、少なくとも第１の回路パターン（図では、導体層３部分）と第２の回路パターン（導体層７）との間に挟まれる部分の厚みｔ６が３００μｍ以下になるように調整されている。これにより、溶射により形成された導体層３と７に挟まれ、粒子同士が機械的にかみ合って、大きくなるはずの絶縁層６に働く残留応力が軽減され、回路基板１０の信頼性が向上する。なお、当然のことながら、各絶縁層２，４，６は一体となり、例えば、３層分の厚みならば９００μｍになる部分も生じることになるが、これらの部分は一方（上部）が開放されているか、あるいは、一方が、溶射により形成された面ではない面（放熱板１）と接しているので、問題はない。
【００１６】
ここで、例えば、１２００Ａの容量を持つ電力用半導体素子を回路パターンが単層の回路基板に実装した場合、従来のワイヤボンディングによる接続では、１つのジャンパー部につきφ１ｍｍのアルミ線では２０本、両端を接合するため４０箇所の接合プロセスが発生する。また、交差部の箇所数だけ上記接合プロセスを実施する必要がある。しかし、本発明の実施の形態により製造された回路基板１０は、回路交差部を後工程にて接続する作業がなく加工費を低減することができる。また、交差箇所が増えても溶射により同時に回路形成ができるため、交差部が増えても加工費が増大することがない。さらには、使用中に接続点が外れることもないため回路基板１０自体の信頼性を向上することができる。
【００１７】
以上のように、本実施の形態１にかかる回路基板１０の製造方法によれば、放熱板１の一方の面に形成された第１の絶縁層である絶縁層２上に、第１の回路パターン（８Ａ、５Ａ、３、５Ｂ、８Ｂ）を、溶射により形成する工程（ｃ，ｅ，ｇ）と、第１の回路パターンの一部（導体層３の一部）を横断するように、第２の絶縁層である絶縁層６を溶射により形成する工程（ｆ）と、第２の絶縁層である絶縁層６を介して第１の回路パターンと交差するように、第２の回路パターンである導体層７を溶射により形成する工程（ｇ）と、を含み、絶縁層６を形成する工程（ｆ）では、絶縁層６のうち、第１の回路パターン（図では導体層３）と第２の回路パターン（導体層７）に挟まれる部分の厚みｔ６が３００μｍ以下になるように調整されているので、高密度実装が可能で、高温動作した場合にも、信頼性の高い回路基板および電力用半導体装置を容易に得ることができる。
【００１８】
また、上記製造方法によって製造した回路基板１０によれば、交差する回路パターンを有していながら、交差部分で導体層３，７に挟まれる絶縁層６への残留応力が軽減されるので、高密度実装が可能で、高温動作した場合にも、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることができる。
【００１９】
実施の形態２．
本実施の形態２にかかる回路基板では、実施の形態１にかかる回路基板に対して、放熱板の回路が形成された面（回路面）の反対側の面（放熱面）側に、熱収縮による変形を防止するための低熱膨張層を設けたことである。他の構成および製造方法については、実施の形態１と同様である。
【００２０】
図３は本発明の実施の形態２にかかる回路基板の構成を説明するためもので、実施の形態１の説明で用いた図１（ａ）のＢ−Ｂ線による切断面に相当する断面図である。図において、回路面側の絶縁層２から導体層８Ａ、８Ｂまでの構成および形成方法については、実施の形態１と同様であるため説明を省略する。本実施の形態２では、放熱板１の回路面側に回路を形成した後、放熱板１の裏面（放熱面側）に、放熱板１を構成する金属よりも絶縁層２，４，６の線膨張係数に近い線膨張係数を有する材料を溶射して、低熱膨張層１２を形成することで、回路基板１０が得られる。
【００２１】
なお、低熱膨張層１２の形成については、溶射に限ることはなく、例えば、放熱板１を構成する金属よりも絶縁層２，４，６の線膨張係数に近い線膨張係数を有する板材をろう付することで形成してもよい。また、低熱膨張層１２の形成を放熱板１への回路形成（絶縁層２〜導体層７）の前に行うようにしてもよい。なお、本実施の形態、および次の実施の形態３では、低熱膨張層１２等は放熱板１とは別部材であるとして記載しているが、放熱板１と低熱膨張層１２をあわせてひとつの放熱板と捉えてもよい。
【００２２】
回路基板においては、大規模化して回路の面積が増大したり、より多層化した場合に、回路を形成した段階で、線膨張係数の差から回路基板にそりが発生し、他の部品との取付精度などで問題となる場合がある。しかし、本実施の形態２にかかる回路基板１０においては、放熱板１の放熱面側に低熱膨張層１２を設けることにより、逆向きに変形する力を生じさせ、回路基板１０全体の変形を抑制することができる。また、抑制の効果については低熱膨張層１２の厚みで制御することができるため、局所的に変形を抑えたい場合でも、その部分のみ厚みを変更することで変形を調整して抑制できる。
【００２３】
以上のように、本実施の形態２にかかる回路基板１０によれば、放熱板１の回路が形成される面とは逆側の面（放熱面）に、放熱板１を構成する材料（例えばＡｌなどの金属）の線膨張係数よりも回路基板を構成する絶縁層（３，４，６）の線膨張係数に近い線膨張係数を有する材料で構成された低熱膨張層１２が設けられているようにしたので、温度変化が生じても放熱面側と回路面側が同様に膨張・収縮するので、回路基板１０全体の変形が抑制され、信頼性が向上する。
【００２４】
実施の形態３．
本実施の形態３にかかる回路基板では、実施の形態２にかかる回路基板に対して、低熱膨張層の上に、さらに放熱板と同等の線膨張係数を有する高熱膨張層を重ねるように設けたものである。つまり、放熱板と低熱膨張層と高熱膨張層とをひとつの放熱板とみなせば、金属と金属の間に低熱膨張層を挿入した３層構造で放熱板を構成したものである。他の構成および製造方法については、実施の形態１あるいは２で説明したものと同様である。
【００２５】
図４は本発明の実施の形態３にかかる回路基板の構成を説明するためもので、実施の形態１の説明で用いた図１（ａ）のＢ−Ｂ線による切断面に相当する断面図である。図において、回路面側の絶縁層２から導体層８Ａ、８Ｂまでの構成および形成方法については、実施の形態１と同様であるため説明を省略する。本実施の形態３では、放熱板１に回路を形成した後、放熱板１の裏面（放熱面側）に、放熱板１を構成する材料（Ａｌ）よりも絶縁層２，４，６の線膨張係数に近い線膨張係数を有する材料を溶射して、低熱膨張層１２を形成する。そして、低熱膨張層１２の上に、放熱板１を構成する金属と同等の線膨張係数を有する、つまり、絶縁層２，４，６より、放熱板１を構成する金属の線膨張係数に近い線膨張係数を有する材料で高熱膨張層１１を溶射によって形成することで、回路基板１０が得られる。
【００２６】
なお、本実施の形態３においても、低熱膨張層１２、および高熱膨張層１１は必ずしも溶射で形成する必要はない。例えば、低熱膨張層１２は、実施の形態２で説明したように、板材をろう付することで形成してもよく、高熱膨張層１１も放熱板１と同様の板材をろう付けすることで形成してもよい。また、放熱面側の各層１２、１１の形成を放熱板１に回路を形成（絶縁層２〜導体層７）する前に行うようにしてもよい。
【００２７】
回路基板においては、大規模化して回路の面積が増大したり、より多層化した場合に、回路を形成した段階で、線膨張係数の差から回路基板にそりが発生し、他の部品との取付精度などで問題となった場合がある。しかし、本実施の形態３にかかる回路基板１０においては、放熱板１の放熱面側中に低熱膨張層１２を設けることにより、逆向きに変形する力を生じさせ、回路基板１０全体の変形を抑制することができる。また、抑制の効果については低熱膨張層１２の厚み、および放熱板１、高熱膨張層１１の厚みを調整することで制御できるため、局所的に変形を抑えたい場合でも、その部分のみの厚みを調整することで変形を抑制できる。また、熱特性を一定にするため放熱板１、低熱膨張層１２、高熱膨張層１１の合計厚みを一定にしたい場合でも、放熱板１と高熱膨張層１１の厚みバランスを変えることで変形を抑制できる。
【００２８】
以上のように、本実施の形態３にかかる回路基板１０によれば、放熱板１の回路面とは逆側の面（放熱面）に、放熱板１を構成する材料（例えばＡｌなどの金属）の線膨張係数よりも回路基板を構成する絶縁層（３，４，６）の線膨張係数に近い線膨張係数を有する材料で構成された低熱膨張層１２が設けられ、さらに、低熱膨張層１２の放熱板１とは逆側の面に、低熱膨張層１２よりも放熱板１を構成する材料の線膨張係数に近い高熱膨張層１１が設けられているようにしたので、温度変化が生じても放熱面側と回路面側が同様に膨張・収縮するので、回路基板１０全体の変形が抑制され、信頼性が向上する。
【００２９】
実施の形態４．
本実施の形態４では、上記各実施の形態にかかる回路基板に電力用半導体素子を実装して電力用半導体装置を製造した。図５は本実施の形態にかかる電力用半導体装置を説明するためのもので、図５（ａ）は電力用半導体装置の部分平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）におけるｂ−ｂ線による部分断面図である。
【００３０】
図において、縦型の電力用半導体素子２０は、裏面電極が回路基板１０の回路パターンの内の第１の回路パターンを構成する導体層８Ｂ上に接合されている。第１の回路パターンは、回路面上で露出する導体層８Ｂと導体層８Ａが、図５（ｂ）に示すように、回路基板１０の内部で導通している。つまり、裏面電極は導体層８Ａに接合されたワイヤ９によって外部との配線経路が形成されている。
【００３１】
そして、第２の回路パターンである導体層７は、第１の回路パターンの延在方向である導体層８Ａと導体層８Ｂを結ぶ線を交差するようにｘ方向に延在する。なお、図５（ａ）では記載を省略（カット）されているが、第２の回路パターン（導体層７）は、導体層８Ｂの外側を反時計回りを回るようにパターンニングされており、その部分と電力用半導体素子２０の表面電極とがワイヤ９によって電気接続されている。したがって、電力用半導体素子２０の表面電極は、第２の回路パターン（導体層７）のｘ方向端部部分に接合したワイヤ９によって外部との配線経路が形成されている。
【００３２】
図示しないが、その他の電力用半導体素子や回路部材が回路基板１０の回路パターンに電気接続され、電力回路が形成された電力用半導体装置１００が完成する。なお、上述した電力用半導体素子も制御用半導体素子も原理的には同じ半導体素子である。しかし、電力用半導体素子の場合、主電流、つまり、大電流を流すために、必要とされる回路基板の仕様（電極の導電性や放熱性）が異なる。そのために、背景技術で説明したような課題が生じる。そこで、本実施の形態では、半導体素子には、少なくとも主電力を制御する電力用半導体素子を用いることとする。
【００３３】
以上のように、本実施の形態４にかかる電力用半導体装置１００によれば、各実施の形態１〜３で示した回路基板１０と、第１の回路パターン（導体層８Ｂ、５Ｂ、３、５Ａ、８Ｂ）と電気接続された第１の電極である裏面電極と、第２の回路パターン（導体層７）と電気接続された第２の電極である表面電極とを有する電力用半導体素子２０と、を備えるように構成したので、高密度実装により小型化が可能で、高温動作した場合にも、信頼性の高い電力用半導体装置１００を得ることができる。
【００３４】
電力用半導体素子２０として、たとえば、ワイドバンドギャップ半導体材料である厚さ５００μｍの炭化珪素を基板とするものを使用している。電力用半導体素子２０としては、整流素子として機能するダイオードやスイッチング素子として機能するＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等が適用できる。半導体材料や素子構造はこれに限定されることはなく、必要に応じて適宜調整すればよい。ただし、後述するように、上述した回路基板１０の特性を活かして、電力用半導体装置としての効果を発揮する好適な選択としては、大電流を扱い、高温動作するワイドバンドギャップ半導体をあげることができる。
【００３５】
なお、ワイドバンドギャップ半導体素子材料として、炭化珪素以外に窒化ガリウム（ＧａＮ）系材料、ガリウムヒ素、またはダイヤモンドといった材料を用いてもよい。
【００３６】
また、上記各実施の形態においては、整流素子（ダイオード）やスイッチング素子（トランジスタ）として機能する電力用半導体素子２０には、炭化ケイ素によって形成されたいわゆるワイドバンドギャップ半導体素子の例を示したが、これに限られることはなく、ケイ素（Ｓｉ）で形成されたものであってもよい。しかし、上述したようにケイ素よりもバンドギャップが大きい、いわゆるワイドギャップ半導体を形成できる炭化ケイ素や、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドを用いた時の方が、動作温度域が高いので、本発明による効果をより一層発揮することができる。
【符号の説明】
【００３７】
１：放熱板、
２：絶縁層（第１の絶縁層）
６：絶縁層（第２の絶縁層）、
３，５Ａ，５Ｂ，８Ａ，８Ｂ：導体層（あわせて、第１の回路パターン）、
７：導体層（第２の回路パターン）、
１０：回路基板、
１１：高熱膨張層、
１２：低熱膨張層、
２０：電力用半導体素子、
１００：電力用半導体装置。
【図１】
2013254803.tif 000003
【図２】
2013254803.tif 000004
【図３】
2013254803.tif 000005
【図４】
2013254803.tif 000006
【図５】
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