(57)【要約】【課題】半導体チップを組み込んだモジュールに実際に流れる電流と同等程度の大電流を半導体チップ単体に流す通電検査を行うことが可能となる検査方法及び検査装置を提供するすることを目的とする。【解決手段】半導体チップ１０の検査方法及び検査装置においては、上電極２０及び下電極２２により半導体チップ１０を加圧して該半導体チップ１０の反りを矯正した状態で、上電極２０から半導体チップ１０を介して下電極２２に大電流を流す。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップに電極を押し当てて該半導体チップの反りを矯正する第１の工程と、
前記第１の工程により前記半導体チップの反りが矯正された状態で、前記電極を介して前記半導体チップに電流を流す第２の工程と、
を有することを特徴とする半導体チップの検査方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体チップの検査方法において、
前記第１の工程において、前記半導体チップに前記電極を押し当てるときの荷重は５ＭＰａ以上である
ことを特徴とする半導体チップの検査方法。
【請求項３】
半導体チップに押し当てて該半導体チップの反りを矯正する反り矯正板と、
前記反り矯正板を介して前記半導体チップを押圧する押圧装置と、
を有し、
前記反り矯正板は、前記半導体チップの反りが矯正された状態で、前記半導体チップに電流を流すための電極である
ことを特徴とする半導体チップの検査装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体チップの検査装置において、
前記半導体チップは、ＩＧＢＴ又はダイオードであり、
前記反り矯正板は、前記ＩＧＢＴのエミッタ側又は前記ダイオードのアノード側に当接する第１の矯正板と、前記ＩＧＢＴのコレクタ側又は前記ダイオードのカソード側に当接する第２の矯正板とであり、
前記第２の矯正板の表面の摩擦係数は、前記第１の矯正板の表面の摩擦係数よりも小さい
ことを特徴とする半導体チップの検査装置。
【請求項５】
請求項３又は４記載の半導体チップの検査装置において、
前記押圧装置が前記反り矯正板を介して前記半導体チップを押圧するときの荷重は５ＭＰａ以上である
ことを特徴とする半導体チップの検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップに電流を流して該半導体チップを検査するための検査方法及び検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体チップをパッケージに封入してモジュール化する前に、該半導体チップに電極等を接続し、該電極を介して半導体チップに電流を流す通電検査が行われている。これは、モジュール化後の通電検査で半導体チップの欠陥が判明した場合には、モジュール全体が欠陥品（仕損品）となるので、半導体チップ単体の段階で通電検査を行うことにより、欠陥のある半導体チップを排除できるようにするためである。
【０００３】
この場合、多数のプローブを半導体チップに押し当てて電流を流すことにより通電検査が行われる。しかしながら、半導体チップは、比較的小さなサイズ（例えば、１ｃｍ角程度のサイズ）であると共に、プローブは、半導体チップに点接触で押し当たるため、プローブと半導体チップとの接触面積が小さい。
【０００４】
また、通電検査では、モジュールの使用時に該モジュールに実際に流れる電流（数百Ａ）と同等程度の大電流を半導体チップに流すことが望ましいが、前述のように、プローブは、点接触で半導体チップに押し当たるため、半導体チップに大電流を流すことはできない。
【０００５】
このような問題に対して、特許文献１には、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）のＲＢＳＯＡ（逆バイアス安全動作領域）耐量とアバランシェ耐量との間に相関関係があることに着目し、ＩＧＢＴに対するアバランシェ耐量試験を行うことによりアバランシェ耐量データを取得し、該アバランシェ耐量データ、及び、ＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量との相関データに基づいて、アバランシェ耐量及びＲＢＳＯＡ耐量の合否判断を行うことが開示されている。すなわち、特許文献１の技術では、ＩＧＢＴに大電流を流すＲＢＳＯＡ耐量試験を行わず、アバランシェ耐量データ、及び、ＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量との相関関係を利用して、アバランシェ耐量及びＲＢＳＯＡ耐量の合否判断を行うようにしている。
【０００６】
また、特許文献２には、半導体チップに微小な反りが発生している場合に、電極が半導体チップによって押圧されると、電極を背後で支持している弾性体の作用により、電極と半導体チップとが密着して電気的な接触状態に至ることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４５７７５０６号公報
【特許文献２】特許第３５００８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の技術は、ＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量とが相関関係にあることを前提としているため、この前提が崩れると、ＩＧＢＴに対する通電検査を行うことができない。
【０００９】
また、一般に、反りのある一方の物体に応力がかかって反りが矯正されると、一方の物体と他方の物体との真実接触面積が拡大することが知られている。しかしながら、特許文献２の技術では、電極が弾性体に支持されているため、該電極に高い応力をかけることが困難となる。この結果、電極と半導体チップとの真実接触面積を拡大することができず、該半導体チップに大電流を流すことが困難となる。
【００１０】
本発明は、このような課題を考慮してなされたものであり、半導体チップを組み込んだモジュールに実際に流れる電流と同等程度の大電流を半導体チップ単体に流す通電検査を行うことが可能となる検査方法及び検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体チップの検査方法は、半導体チップに電極を押し当てて該半導体チップの反りを矯正する第１の工程と、前記第１の工程により前記半導体チップの反りが矯正された状態で、前記電極を介して前記半導体チップに電流を流す第２の工程とを有することを特徴としている。
【００１２】
また、本発明に係る半導体チップの検査装置は、半導体チップに押し当てて該半導体チップの反りを矯正する反り矯正板と、前記反り矯正板を介して前記半導体チップを押圧する押圧装置とを有し、前記反り矯正板は、前記半導体チップの反りが矯正された状態で、前記半導体チップに電流を流すための電極であることを特徴としている。
【００１３】
これらの発明によれば、半導体チップに電極を押し当てて該半導体チップの反りを矯正した後に、前記電極を介して前記半導体チップに電流を流す。これにより、前記電極と前記半導体チップとの真実接触面積が拡大した状態で、該半導体チップを組み込んだモジュールに実際に流れる電流と同等程度の大電流を半導体チップ単体に流して通電検査を行うことが可能となる。
【００１４】
この場合、前記半導体チップに前記電極を押し当てるときの荷重を５ＭＰａ以上とすれば、前記半導体チップの反りを確実に矯正することができる。
【００１５】
また、本発明の通電検査の対象となる半導体チップとしては、例えば、ＩＧＢＴ又はダイオードがある。
【００１６】
この場合、前記反り矯正板は、前記ＩＧＢＴのエミッタ側又は前記ダイオードのアノード側に当接する第１の矯正板と、前記ＩＧＢＴのコレクタ側又は前記ダイオードのカソード側に当接する第２の矯正板とであり、前記第２の矯正板の表面の摩擦係数を、前記第１の矯正板の表面の摩擦係数よりも小さくすることが望ましい。
【００１７】
前記ＩＧＢＴ又は前記ダイオードにおいて、前記エミッタ側又は前記アノード側には、ＰＮ接合での電界集中を緩和するためのカードリングが形成されている。そのため、半導体の一面に形成されるエミッタ電極又はアノード電極の面積は、前記半導体の他面に形成されるコレクタ電極又はカソード電極の面積よりも小さくなり、前記半導体チップは、非対称の電極構造となる。この結果、前記ＩＧＢＴ又は前記ダイオードは、全体的に、前記コレクタ側又は前記カソード側が凹（前記エミッタ側又は前記アノード側が凸）となるように反る。
【００１８】
従って、前記第２の矯正板の摩擦係数を、前記第１の矯正板の摩擦係数よりも小さくすることにより、前記コレクタ側又は前記カソード側の角部が前記第２の矯正板に引っ掛かって、反りを矯正する前に欠けることを回避することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、半導体チップに電極を押し当てて該半導体チップの反りを矯正した後に、前記電極を介して前記半導体チップに電流を流す。これにより、前記電極と前記半導体チップとの真実接触面積が拡大した状態で、該半導体チップを組み込んだモジュールに実際に流れる電流と同等程度の大電流を半導体チップ単体に流して通電検査を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】半導体チップの断面図である。
【図２】図２Ａは、上電極と下電極との間に半導体チップを配置した状態を示す断面図であり、図２Ｂは、上電極及び下電極を用いて半導体チップを加圧した状態を示す断面図であり、図２Ｃは、反りが矯正された半導体チップに大電流を流した状態を示す断面図である。
【図３】上電極及び下電極から半導体チップへの加圧力と、上電極と下電極との間の電気抵抗値との関係を示すグラフである。
【図４】上電極及び下電極を組み込んだ本実施形態に係る検査装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明に係る半導体チップの検査方法及び検査装置の好適な実施形態を、添付の図面を参照しながら、以下詳細に説明する。
【００２２】
図１は、本実施形態の検査方法及び検査装置２８（図４参照）における通電検査の対象となる半導体チップ１０の断面図である。
【００２３】
半導体チップ１０は、Ｓｉ等の半導体１２と、半導体１２の上面に形成された第１電極１４と、半導体１２の底面に形成された第２電極１６とを有する、例えば、１ｃｍ角〜１．５ｃｍ角の半導体チップである。
【００２４】
第１電極１４は、半導体１２の上面の中央部分を覆うように形成されたＡｌ電極層、あるいは、半導体１２に対してＡｌ層及びＮｉ層が順に積層された電極層である。また、半導体１２の上面側における第１電極１４の外側には、半導体１２内のＰＮ接合での電界集中を緩和するためのガードリング１８が形成されている。一方、第２電極１６は、半導体１２の底面全体を覆うように形成されたＡｌ電極層、あるいは、半導体１２に対してＡｌ層及びＮｉ層が順に積層された電極層である。従って、第１電極１４の面積は、第２電極１６の面積よりも小さく、この結果、半導体チップ１０は、半導体１２に対して第１電極１４及び第２電極１６が非対称な電極構造となっている。
【００２５】
上述のような半導体チップ１０としては、例えば、ＩＧＢＴ又はダイオードがある。すなわち、半導体チップ１０がＩＧＢＴの場合、第１電極１４がエミッタ電極になると共に、第２電極１６がコレクタ電極になる。なお、図１には、ゲート電極は、図示されていない。一方、半導体チップ１０がダイオードの場合、第１電極１４がアノード電極になると共に、第２電極１６がカソード電極になる。
【００２６】
図２Ａ〜図２Ｃは、本実施形態に係る検査方法の工程を概略的に図示したものである。
【００２７】
この検査方法は、半導体チップ１０をモジュールに搭載する前に該半導体チップ１０に対して行われる通電検査であり、前記モジュールに実際に流れる電流（数百Ａ）と同等程度の大電流を半導体チップ１０に流すことにより通電検査が行われる。
【００２８】
前述のように、半導体チップ１０は、半導体１２に対して第１電極１４及び第２電極１６が非対称な電極構造となっているため、実際には、図２Ａに示すように、全体的に、第２電極１６側が凹（第１電極１４側が凸）となるように反っている。なお、図２Ａでは、説明の容易化のために、半導体チップ１０の反りを誇張して図示している。
【００２９】
そこで、本実施形態に係る検査方法では、下記の工程により半導体チップ１０の通電検査を行う。
【００３０】
先ず、図２Ａに示すように、半導体チップ１０と同等又はそれよりも大きな平面積を有し、且つ、金属ブロックのプローブ電極である上電極２０（反り矯正板、第１の矯正板）及び下電極２２（反り矯正板、第２の矯正板）間に半導体チップ１０を配置する。
【００３１】
次に、図２Ｂに示すように、第１電極１４に対して上方から上電極２０を押し当てると共に、第２電極１６に対して下方から下電極２２を押し当てることにより、半導体チップ１０を加圧狭持し、半導体チップ１０の反りを矯正する（第１の工程）。この場合、図３に示すように、５ＭＰａ以上の加圧力で半導体チップ１０を加圧狭持すれば、上電極２０と下電極２２との間の電気抵抗値（上電極２０から第１電極１４、半導体１２及び第２電極１６を介して下電極２２に至るまでの電気抵抗値）を十分に低くすることができる。
【００３２】
すなわち、５ＭＰａ以上の加圧力を半導体チップ１０に付加すれば、第１電極１４及び第２電極１６に起因した半導体チップ１０の収縮力及び膨張力に打ち勝って、反りのある半導体チップ１０を平坦に矯正させることができる。これにより、上電極２０と第１電極１４との真実接触面積、及び、下電極２２と第２電極１６との間の真実接触面積を共に拡大させることができる。この結果、上電極２０と第１電極１４との電気的な接触状態や、下電極２２と第２電極１６との電気的な接触状態が良好になり、上電極２０と下電極２２との間の電気抵抗値が、概ね、第１電極１４と第２電極１６との間の半導体１２の電気抵抗値になる。
【００３３】
次に、図２Ｃに示すように、図示しない電源を上電極２０及び下電極２２に接続した後に、半導体チップ１０が搭載されるモジュールに実際に流れる電流と同等程度の大電流（数百Ａ）を、上電極２０から下電極２２への方向に流して通電検査を実行する（第２の工程）。この場合、半導体チップ１０の反りが矯正されて、上電極２０と第１電極１４との真実接触面積や、下電極２２と第２電極１６との間の真実接触面積が拡大しているため、大電流を流す通電検査を容易に行うことができる。
【００３４】
ここで、図２Ａ〜図２Ｃの検査方法の実施に好適な上電極２０及び下電極２２の構成及び材質について説明する。
【００３５】
図２Ａに示すように、半導体チップ１０は、全体的に、第２電極１６側が凹（第１電極１４側が凸）となるように反っているため、第２電極１６側の角部（端部）が下電極２２に引っ掛かって、図２Ｂでの反りの矯正前に前記端部が欠けてしまうおそれがある。
【００３６】
そこで、本実施形態では、上電極２０における第１電極１４側の表面の摩擦係数をμａ、下電極２２における第２電極１６側の表面の摩擦係数をμｂとしたときに、μａ＞μｂであることが好ましい。すなわち、上電極２０における第１電極１４側の表面と、下電極２２における第２電極１６側の表面とに対して、ラップ仕上げ等をそれぞれ施すことにより、上電極２０における第１電極１４側の表面粗さＲａと、下電極２２における第２電極１６側の表面粗さＲｂとを、Ｒａ＞Ｒｂとすることで、μａ＞μｂの関係にすればよい。これにより、半導体チップ１０の第２電極１６側の端部が下電極２２に引っ掛かって欠けることを回避することができる。
【００３７】
また、上電極２０の硬度をＨａ、下電極２２の硬度をＨｂ、第１電極１４及び第２電極１６の硬度をＨｃとすれば、Ｈｃ≦Ｈｂ≦Ｈａであることが好ましい。これにより、半導体チップ１０が下電極２２に沈み込むことなく、該半導体チップ１０に５ＭＰａ以上の加圧力を付加することができる。この結果、半導体チップ１０の第２電極１６側の端部の欠けを防止し、半導体チップ１０に大電流を容易に流すことが可能となる。
【００３８】
このような硬度Ｈａ、Ｈｂ、Ｈｃの関係を実現するために、上電極２０及び下電極２２は、下記の材質からなることが好ましい。すなわち、上電極２０は、Ａｌ又はＡｌ及びＮｉの第１電極１４よりも高硬度の導電材料、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｇ−Ｗ合金、Ａｇ−Ｗ−Ｃ合金、又は、Ｎｉメッキが施されたＣｕからなることが好ましい。下電極２２は、Ａｌ又はＡｌ及びＮｉの第２電極１６よりも高硬度の導電材料、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ａｇ−Ｗ合金、又は、Ｃｒ−Ｃｕ合金からなることが好ましい。
【００３９】
図４は、上述の上電極２０及び下電極２２を組み込んだ本実施形態に係る検査装置２８の断面図である。
【００４０】
検査装置２８は、押圧装置３０を含み構成され、上型ダイとしての上電極２０と、下型ダイとしての下電極２２との間に半導体チップ１０を配置し、押圧装置３０の駆動作用下に下電極２２に対して上電極２０を下降させ、半導体チップ１０を押圧することにより該半導体チップ１０の反りを矯正し、反りが矯正された半導体チップ１０に対して通電検査を行うものである。
【００４１】
検査装置２８は、概ね、垂直軸Ｃを中心とした左右対称の構造となっている。
【００４２】
すなわち、ベースプレート３２上にキャリア３４が垂直軸Ｃと略同軸に載置され、該キャリア３４の内方に保持部材３６及び支持部材３８からなる下電極２２の収容部が設けられる。収容部に収容された下電極２２の中心部には、上方に向かう第１膨出部４０が形成され、第１膨出部４０の中心部には上方に向かう第２膨出部４２が形成されている。この場合、第２膨出部４２は、半導体チップ１０を載置可能な程度の平面積を有する。
【００４３】
第１膨出部４０には、断面Ｈ字状のガイドリング４４が嵌合し、ガイドリング４４の中心部は、第２膨出部４２と嵌合する孔部４６が垂直軸Ｃと略同軸に設けられている。この結果、第２膨出部４２の上面と、孔部４６とによって形成される空間内に半導体チップ１０が収容される。なお、ガイドリング４４の上電極２０側の内側は、凹部４８として構成されている。
【００４４】
一方、下電極２２等の上方にはプレート５０が設けられ、該プレート５０には、孔部５１が垂直軸Ｃと略同軸に設けられている。孔部５１には垂直軸Ｃに沿ってピストン５２が昇降可能に貫通している。ピストン５２の先端部には凹部５４が形成されると共に、該凹部５４に連通する孔部５６が垂直軸Ｃと直交するように設けられている。該孔部５６には、ピン５８が挿通する。
【００４５】
上電極２０は、ジョイント６０と連結され、該ジョイント６０の基端部６２にはピン５８の先端部を受容する凹部６４が形成されている。この場合、基端部６２は、凹部５４に挿入可能な大きさであるため、該基端部６２が凹部５４に挿入された状態で凹部６４にピン５８の先端部が挿入されると、半導体チップ１０、下電極２２及びガイドリング４４の上方で、上電極２０及びジョイント６０がピン５８を介してピストン５２の先端部に装着されることになる。
【００４６】
また、ジョイント６０の基端部６２の上側には凹部６６が形成され、該凹部６６には、支持部材６８を介してロードセル７０が配設されている。ロードセル７０の上面は球面部７２となっており、ピストン５２と接触可能である。
【００４７】
なお、上電極２０のガイドリング４４側の中心部には、ガイドリング４４の凹部４８と嵌合可能な第３膨出部７４が形成され、該第３膨出部７４のガイドリング４４側の中心部には、ガイドリング４４の孔部４６と嵌合可能な第４膨出部７６が形成されている。
【００４８】
このように構成される検査装置２８において、半導体チップ１０を第２膨出部４２上に載置して、第２膨出部４２の上面と孔部４６とによって形成される空間内に半導体チップ１０が収容された状態で、ピストン５２を下降させると、上電極２０の第３膨出部７４がガイドリング４４の凹部４８に嵌合する。すなわち、ガイドリング４４の凹部４８側の壁面は、第３膨出部７４の案内部として機能する。
【００４９】
凹部４８側の壁面の案内作用下にピストン５２をさらに下降させると、第４膨出部７６がガイドリング４４の孔部４６に嵌合する。この場合も、ガイドリング４４の孔部４６側の壁面は、第４膨出部７６の案内部として機能する。
【００５０】
そして、ピストン５２をさらに下降させると、第４膨出部７６が半導体チップ１０に押し当たる。この場合、ピストン５２とジョイント６０との間にロードセル７０が配設され、該ロードセル７０の球面部７２がピストン５２に接触しているため、ピストン５２は、ロードセル７０及びジョイント６０を介して上電極２０に押圧力を伝達する。この結果、上電極２０の第４膨出部７６と、下電極２２の第２膨出部４２とによって、半導体チップ１０を上下方向から加圧することができる。
【００５１】
また、ロードセル７０は、ピストン５２から受ける押圧力を、上電極２０及び下電極２２から半導体チップ１０に付加される加圧力に応じた力として検出することができる。従って、検査装置２８は、ロードセル７０で検出される押圧力が、図３に示す５ＭＰａ以上の加圧力に応じた押圧力となるまで、ピストン５２を下降させればよい。
【００５２】
そして、５ＭＰａ以上の加圧力の付加によって半導体チップ１０の反りが矯正された状態で、検査装置２８は、図示しない電源より上電極２０から下電極２２への方向に大電流を流して半導体チップ１０に対する通電検査を行う。
【００５３】
通電検査後、検査装置２８は、ピストン５２を上昇させることにより、半導体チップ１０を加圧状態から解放する。これにより、検査装置２８から半導体チップ１０を取り出すことができる。
【００５４】
なお、検査装置２８は、理想的には、上電極２０及び下電極２２等が垂直軸Ｃと同軸に配置されていることが望ましいが、構成部品の精度や摩耗等によって、上電極２０及び下電極２２の相対位置がずれる場合がある。具体的には、ピストン５２と共に上下動するジョイント６０と該ピストン５２との間のクリアランス、すなわち、ピン５８を介してピストン５２に連結されるジョイント６０の基端部６２とピストン５２との間のクリアランスに起因して、上電極２０及びジョイント６０が揺動し、上電極２０と下電極２２との相対的な位置ずれが発生する。
【００５５】
そこで、この検査装置２８では、半導体チップ１０に対する加圧動作の際に、上電極２０及び下電極２２間の相対位置を自己調整するためのセルフアラインメント機能を備えている。
【００５６】
具体的には、ロードセル７０におけるピストン５２との接触箇所を球面部７２として形成することにより、垂直軸Ｃに対して上電極２０及びジョイント６０が揺動する場合でも、揺動によるがたつきを球面部７２で吸収すると共に、ピストン５２の押圧力を確実に上電極２０及びジョイント６０に伝達するようにしている。
【００５７】
また、ピストン５２の下降によって上電極２０の第３膨出部７４がガイドリング４４と接触した場合には、該ガイドリング４４の案内作用によって、第３膨出部７４を凹部４８内に誘導（垂直軸Ｃに略同軸となるように誘導）することができる。この結果、下電極２２及びガイドリング４４の上方で上電極２０及びジョイント６０が揺動していても、ガイドリング４４の案内作用によって上電極２０の位置ずれを調整し、第２膨出部４２及び第４膨出部７６による半導体チップ１０の加圧を確実に行うことができる。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態に係る検査方法及び検査装置２８によれば、半導体チップ１０に上電極２０及び下電極２２を押し当てて該半導体チップ１０の反りを矯正した後に、上電極２０及び下電極２２を介して半導体チップ１０に電流を流す。これにより、上電極２０及び下電極２２と半導体チップ１０との真実接触面積が拡大した状態で、該半導体チップ１０を組み込んだモジュールに実際に流れる電流と同等程度の大電流を半導体チップ１０単体に流して通電検査を行うことが可能となる。
【００５９】
また、半導体チップ１０に上電極２０及び下電極２２を押し当てるときの加圧力（荷重）を５ＭＰａ以上とすれば、半導体チップ１０の反りを確実に矯正することができる。
【００６０】
さらに、下電極２２の摩擦係数μｂを、上電極２０の摩擦係数μａよりも小さくすることにより（μａ＞μｂ）、半導体チップ１０の第２電極１６側の端部が下電極２２に引っ掛かって、反りを矯正する前に欠けることを回避することができる。
【００６１】
本発明は、上記した実施形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることは勿論である。
【符号の説明】
【００６２】
１０…半導体チップ                      １２…半導体
１４…第１電極                          １６…第２電極
１８…ガードリング                      ２０…上電極
２２…下電極                            ２８…検査装置
３０…押圧装置                          ４０…第１膨出部
４２…第２膨出部                        ４４…ガイドリング
４６、５１、５６…孔部                  ４８、５４、６４、６６…凹部
５２…ピストン                          ６０…ジョイント
７０…ロードセル                        ７２…球面部
７４…第３膨出部                        ７６…第４膨出部
【図１】
2013160542.tif 000003
【図２】
2013160542.tif 000004
【図３】
2013160542.tif 000005
【図４】
2013160542.tif 000006