(57)【要約】【課題】マイクロコントローラのフラッシュメモリに記憶されたプログラムにより電子機器本体を制御する電子機器において、製造コストの低下を図りかつ固有情報の書き換えを速やかに行う。【解決手段】フラッシュメモリ５内の固有情報領域７に外部コンピュータ４から固有情報群を事前に書き込んでおく。固有情報群は例えばシンセサイザ回路部２に使用される標準のパラメータ群及び周波数シンセサイザ１の仮番号である。マイクロコントローラ３のＲＡＭ８には、固有情報領域７と同容量の読み出し領域８１が割り当てられ、電源投入時に固有情報領域７から読み出し領域８１に固有情報群が読み出される。外部コンピュータ４からの指示により当該固有情報群の一部を書き換え、その後固有情報領域７内の固有情報群を一括消去した後、読み出し領域８１内の固有情報群を一括して固有情報領域７に書き込む。【選択図】図４
2013101564.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器本体と、
この電子機器本体を制御するためのプログラムが記憶されたフラッシュメモリを備えた制御装置と、
前記フラッシュメモリの固有情報領域に記憶された、前記被制御機器に固有な固有情報群と、
前記フラッシュメモリの前記固有情報領域に記憶されている全ての固有情報群が読み出される揮発性メモリと、
前記フラッシュメモリのプログラム領域に記憶され、外部のコンピュータからの指示に応じて、前記揮発性メモリに読み出されている前記固有情報群の一部または全部の固有情報を書き換えるための書き換え用のプログラムと、
前記揮発性メモリにおける前記固有情報群の固有情報が書き換えられた後に、外部のコンピュータからの指示により、フラッシュメモリの固有情報領域に記憶されている全ての固有情報群を消去し、次いで前記揮発性メモリに記憶されている全ての固有情報群を、固有情報群が消去されたフラッシュメモリの前記固有情報領域に書き込み、こうしてフラッシュメモリ内の固有情報群の更新を行う、前記フラッシュメモリのプログラム領域に記憶された更新用のプログラムと、を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
制御装置の電源を起動することにより、前記フラッシュメモリの前記固有情報領域内の全ての固有情報群が揮発性メモリに書き込まれるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の電子機器。
【請求項３】
請求項１に記載された電子機器を用いて、電子機器に固有な固有情報を管理する方法であって、
外部のコンピュータから、電子機器本体を制御するためのプログラムと書き換え用のプログラムと更新用のプログラムとを含むプログラムをフラッシュメモリのプログラム領域に書き込むと共にフラッシュメモリの固有情報領域に固有情報群を書き込む工程と、
フラッシュメモリの前記固有情報領域内の全ての固有情報群を揮発性メモリに読み出す工程と、
前記揮発性メモリに読み出された固有情報群の一部または全部の固有情報を、外部のコンピュータからの指示に基づいて前記書き換え用のプログラムにより書き換える工程と、
次に外部のコンピュータからの指示により前記フラッシュメモリ内の更新用のプログラムを起動し、前記フラッシュメモリの固有情報領域内の全ての固有情報群を消去し、次いで前記揮発性メモリに記憶されている全ての固有情報群を、固有情報群が消去されたフラッシュメモリの前記固有情報領域内に書き込み、こうしてフラッシュメモリ内の固有情報群の更新を行う工程と、を含むことを特徴とする固有情報の管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、制御装置内のフラッシュメモリに記憶されたプログラムにより電子機器本体を制御する電子機器において、電子機器の固有情報を管理するための技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディジタル処理を用いた周波数シンセサイザは、電圧制御発振器を含むアナログ回路とＰＬＬループの一部においてディジタル処理を行うディジタル処理部とからなる回路部分と、この回路部分を制御する制御装置をなすマイクロコントローラと、を備えている。マイクロコントローラの役割としては、運転初期の周波数の立ち上げ時における周波数引き込みを制御すること、ディジタル／アナログ変換器の最大出力値をはじめ種々のパラメータを設定すること、などが挙げられる。
【０００３】
周波数シンセサイザのメーカーでは、標準のパラメータをマイクロコントローラに設定して装置の試運転（動作確認）を行い、個々の製品毎にパラメータを最適な値に調整して出荷するようにしている。こうしたパラメータを含む装置固有の固有情報は、マイクロコントローラに接続した外部の不揮発性メモリ、例えばＥＥＰＲＯＭなどに外部のホストコンピュータを用いて書き込み、マイクロコントローラは前記外部の不揮発性メモリからパラメータを内部のワークメモリに読み出して制御動作を行っていた。そして装置の調整を終了して最終製品として出荷するときには、外部の不揮発性メモリに調整後のパラメータや装置固有の製品番号が書き込まれる。
【０００４】
一方マイクロコントローラとしては、プログラムをフラッシュメモリに格納したものが知られているが、フラッシュメモリに前記固有情報を書き込むことは以下の問題がある。フラッシュメモリはデータの塊であるブロック単位で消去、書き込みが行われるため、パラメータ群の一部のパラメータのみを書き換えることはできず、パラメータ群を一括して消去する必要がある。そしてホストコンピュータ側から、マイクロコントローラのメーカー側で設定されたデータ量例えば１２８バイト単位でフラッシュメモリ内にパラメータを送信し、各送信ごとにサムチェックを行わなければならない。従って周波数シンセサイザのように例えば１０００以上ものパラメータが必要な場合には、データの送信回数が膨大になり、このような作業を個々の製品ごとに行うと出荷に長い時間がかかってしまい、生産効率が低下する。またこのような送信を行うために、ホストコンピュータ側では専用のプログラムを開発しなければならない。
【０００５】
そこで上述のように外部の不揮発性メモリにパラメータ群を記憶するようにしているが、外部の不揮発性メモリを用いることにより製品コストの上昇の要因の一つになっている。  
特許文献１には、制御装置内のフラッシュＲＯＭに固有情報を格納し、外部の書き換え装置から固有情報を書き換えることが記載されているが、この場合には既述のようにパラメータの量が多い場合には、データの送信回数が多くなり、作業効率が悪いという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−２５９９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、制御装置内のフラッシュメモリに記憶されたプログラムにより電子機器本体を制御する電子機器において、製造コストの低下を図りかつ固有情報の書き換えを速やかに行うことができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、  電子機器本体と、
この電子機器本体を制御するためのプログラムが記憶されたフラッシュメモリを備えた制御装置と、
前記フラッシュメモリの固有情報領域に記憶された、前記被制御機器に固有な固有情報群と、
前記フラッシュメモリの前記固有情報領域に記憶されている全ての固有情報群が読み出される揮発性メモリと、
前記フラッシュメモリのプログラム領域に記憶され、外部のコンピュータからの指示に応じて、前記揮発性メモリに読み出されている前記固有情報群の一部または全部の固有情報を書き換えるための書き換え用のプログラムと、
前記揮発性メモリにおける前記固有情報群の固有情報が書き換えられた後に、外部のコンピュータからの指示により、フラッシュメモリの固有情報領域に記憶されている全ての固有情報群を消去し、次いで前記揮発性メモリに記憶されている全ての固有情報群を、固有情報群が消去されたフラッシュメモリの前記固有情報領域に書き込み、こうしてフラッシュメモリ内の固有情報群の更新を行う、前記フラッシュメモリのプログラム領域に記憶された更新用のプログラムと、を備えたことを特徴とする。  
本発明では、制御装置の電源を起動することにより、前記フラッシュメモリの前記固有情報領域内の全ての固有情報群がＲＡＭに書き込まれるように構成する例を挙げることができる。
【０００９】
他の発明は本発明の電子機器を用いて、電子機器に固有な固有情報を管理する方法であって、
外部のコンピュータから、電子機器本体を制御するためのプログラムと書き換え用のプログラムと更新用のプログラムとを含むプログラムをフラッシュメモリのプログラム領域に書き込むと共にフラッシュメモリの固有情報領域に固有情報群を書き込む工程と、
フラッシュメモリの前記固有情報領域内の全ての固有情報群を揮発性メモリに読み出す工程と、
前記揮発性メモリに読み出された固有情報群の一部または全部の固有情報を、外部のコンピュータからの指示に基づいて前記書き換え用のプログラムにより書き換える工程と、
次に外部のコンピュータからの指示により前記フラッシュメモリ内の更新用のプログラムを起動し、前記フラッシュメモリの固有情報領域内の全ての固有情報群を消去し、次いで前記揮発性メモリに記憶されている全ての固有情報群を、固有情報群が消去されたフラッシュメモリの前記固有情報領域内に書き込み、こうしてフラッシュメモリ内の固有情報群の更新を行う工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、フラッシュメモリの固有情報領域に固有情報群を書き込み、全ての固有情報群をフラッシュメモリから揮発性メモリに読み出した上でその一部あるいは全部の固有情報を、外部のコンピュータからの指示に基づいて書き換えると共に、フラッシュメモリの全ての固有情報群を消去し、次いで前記揮発性メモリから書き換え後の全ての固有情報群を前記フラッシュメモリの前記固有情報領域内に書き込み、こうしてフラッシュメモリ内の固有情報群を更新するようにしている。従って、固有情報群のメモリとしてフラッシュメモリを利用しているが、固有情報群を書き換える作業を短時間で行うことができる。また外部の不揮発性メモリを用いていないので、製造コストの低下に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態を示すブロック図である。
【図２】フラッシュメモリのメモリ領域とＲＡＭのメモリ領域とを対応付けて示す説明図である。
【図３】上述の実施形態で用いられるフラッシュメモリの内部を模式的に示す構成図である。
【図４】上述の実施形態の動作を示すフローチャートである。
【図５】上述の実施形態の動作を視覚的に説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の電子機器を周波数シンセサイザに適用した実施の形態について説明する。図１において１は電子機器をなす周波数シンセサイザであり、この周波数シンセサイザ１は電子機器本体であるシンセサイザ回路部２と、このシンセサイザ回路部２を制御する制御装置であるマイクロコントローラ３と、環境雰囲気の温度を検出する温度検出部である温度センサ９３を備えている。シンセサイザ回路部２はマイクロコントローラ３側から見ると被制御機器ということができる。図１は周波数シンセサイザ１の調整を行うために、マイクロコントローラ３に外部のパーソナルコンピュータ（外部コンピュータ）４を接続した状態を示している。
【００１３】
シンセサイザ回路部２は、図示していないが、電圧制御発振器、電圧制御発振器の出力をアナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）変換するＡ／Ｄ変換器、Ａ／Ｄ変換して得られたディジタル信号を処理するディジタル処理回路部、この処理部で処理された信号をＤ／Ａ変換して前記電圧制御発振器の制御電圧として出力するＤ／Ａ変換器などを備えた構成を一例として挙げることができる。具体例としては本件出願人が既に出願した特開２００７−２９５５３７号を挙げることができる。  
マイクロコントローラ３は、フラッシュメモリ５、揮発性メモリであるワークメモリとして機能するＲＡＭ（Random  Access  Memory）８、ＣＰＵ９１及びバス９２を備えている。このフラッシュメモリ５には、シンセサイザ回路部２を制御するためのプログラムを記憶するプログラム領域６と周波数シンセサイザ１に固有の固有情報（固有情報群）を記憶する固有情報領域７とを備えている。
【００１４】
フラッシュメモリ５の仕様について述べておくと、例えば図２に示すように予めマイクロコントローラのメーカにより消去ブロック単位が決められている。この例では各々３２ｋバイトである３個のブロックと、１個の２８ｋバイトのブロックと、各々１ｋバイトである４個のブロックと、が消去ブロック単位として決められている。フラッシュメモリ５内の各ブロックについて、一旦書き込まれているデータを外部から書き換える場合には、背景技術の項目においても述べたように、例えば１２８バイトのデータ群ごとでしか書き換えることができない。この制限は、フラッシュメモリ５に対するデータのアクセスに関与するレジスタなどのハード構成により決まってくる。
【００１５】
この実施形態では、フラッシュメモリ５の４個の１ｋバイトのブロックのうちの１個のブロックを固有情報領域７として割り当てている。図示の便宜上、図２では当該ブロックに斜線を記載している。固有情報領域７に相当するブロック以外のブロックはプログラム領域６に相当する。  
固有情報としては、ディジタル処理における演算式の係数、ディジタル／アナログ変換器の最大出力値などのパラメータがあり、実際には例えば１０００程度あるいはそれ以上のパラメータが存在する。パラメータ以外の固有情報としては、周波数シンセサイザ１の製品番号を挙げることができる。
【００１６】
プログラムの説明の前にＲＡＭ８について述べておくと、ＲＡＭ８に例えば４ｋバイトの領域が含まれているとすると、そのうちの１ｋバイトを固有情報群を記憶するための専用の領域（斜線部分）として割り当てる。この専用の領域を便宜上、読み出し領域８１と呼ぶことにする。読み出し領域８１を１ｋバイトの領域とした理由は、フラッシュメモリ５の固有情報領域７の記憶容量と整合させるためである。  
プログラム領域６に記憶されるプログラムは、シンセサイザ回路部２を制御するための制御用のプログラム６１と、固有情報群の一部の固有情報を書き換えるための書き換え用のプログラム６２と、フラッシュメモリ５内の固有情報群を更新するための更新用のプログラム６３とを備えている。制御用のプログラム６１としては、運転初期の周波数の立ち上げ時における周波数引き込みを制御するためのプログラム、電圧制御発振器への帰還信号である積分電圧を検出してＰＬＬのロックが外れているか否かを判断するプログラム、温度検出部９３の温度検出値に基づいてシンセサイザ回路部２の信号レベルの大きさを調整するプログラムなどを挙げることができる。書き換え用のプログラム６２及び更新用のプログラム６３については後述のフローの説明において明らかにする。  
次にメーカー側にて行われる、周波数シンセサイザを出荷する前の調整作業を例にとって図４を参照しながら上述実施の形態の作用を説明する。先ず電子機器である周波数シンセサイザ１を図１に示すように外部コンピュータ４に接続し、外部コンピュータ４からマイクロコントローラ３のフラッシュメモリ５内にプログラム６１〜６３と固有情報群とを書き込む（ステップＳ１）。図５（ａ）はこの状態を模式的に示している。この書き込みを行なう前のフラッシュメモリ５はデータが記憶されていない空の状態である。固有情報群にはパラメータ及び周波数シンセサイザ１の製品番号が含まれ、パラメータの値はメーカーが事前に決めた標準の値である。また製品番号は、仮の番号が割り当てられる。
【００１７】
次いで周波数シンセサイザ１の電源を再投入すると、図２に示すようにフラッシュメモリ２の固有情報領域７である１Ｋバイトの容量の領域に書き込まれている全てのデータつまり固有情報群が、フラッシュメモリ５内の制御用のプログラム６１により、ＲＡＭ８の同容量（１ｋバイト）の読み出し領域８１に読み出される（ステップＳ２及びＳ３）。その後周波数シンセサイザ１の動作確認のための試運転が行われ（ステップＳ４）、このとき電子機器本体に相当するシンセサイザ回路部２は、ＲＡＭ８の読み出し領域８１内の固有情報群を構成するパラメータの値を用いて動作する（図５（ｂ））。
【００１８】
周波数シンセサイザ１の試運転の結果に基づいてパラメータの値を標準値に対して補正する場合には、パラメータの値を書き換える。また試運転の結果、不良品と判定されたものは製品から除外され、良品と判定された製品について例えば連続の製品番号が付される。パラメータの値の書き換え及び製品番号の割り当ては、固有情報群の一部の更新作業であり、次のようにして行われる。固有情報群の一部であるパラメータ群の一部及び製品番号について、外部コンピュータ４により書き換えの指示、書き換えの対象となる固有情報及び当該固有情報の書き換えるべき値（新しいデータ）を周波数シンセサイザ１のマイクロコントローラ３に送信する（ステップＳ５）。
【００１９】
ＲＡＭ８の読み出し領域８１には既述のように固有情報群の全てがフラッシュメモリ５から読み出されており、フラッシュメモリ５内の書き換え用のプログラム６２が前記書き換えの指示に基づいて起動し、図５（ｃ）に示すように前記ＲＡＭ８における固有情報群のうち対応する固有情報が新しい値に書き換えられる（ステップＳ６）。この例では補正対象となったパラメータが補正後の値に書き換えられ（変更され）、製品番号が仮の番号から当該製品に割り当てられた実際の番号に書き換えられる。
【００２０】
しかる後、外部コンピュータ４からフラッシュメモリ５内の固有情報群の更新指示をマイクロコントローラ３に送信する。これによりフラッシュメモリ５内の更新用のプログラム６３が起動する（ステップＳ７）。続いて外部コンピュータ４からフラッシュメモリ５内の固有情報領域７に対する消去コマンドをマイクロコントローラ３に送信すると（ステップＳ８）、更新用のプログラム６３が当該固有情報領域７内のデータ（固有情報群）を一括して消去する（ステップＳ９）。更に外部コンピュータ４からフラッシュメモリ５内の固有情報領域７に対する書き込みコマンドをマイクロコントローラ３に送信すると（ステップＳ１０）、更新用のプログラム６３が、図５（ｄ）に示すようにＲＡＭ８の読み出し領域８１に読み出されているデータ（固有情報群）を一括してフラッシュメモリ５内の固有情報領域７に書き込み（ステップＳ１１）、これにより当該固有情報領域７内の固有情報群が更新されることになる。
【００２１】
上述実施の形態によれば、フラッシュメモリ５の固有情報領域７に固有情報群を書き込み、全ての固有情報群をフラッシュメモリ５からＲＡＭ８に読み出した上でその一部を書き換え、その後フラッシュメモリ５の全ての固有情報群の消去と、書き換え後の全ての固有情報群のフラッシュメモリ５への書き込みとを行うことにより、フラッシュメモリ５内の固有情報群を更新するようにしている。従って、固有情報群のメモリとしてフラッシュメモリ５を利用しているが、固有情報群の一部を書き換える作業を短時間で行うことができる。また外部の不揮発性メモリを用いていないので、製造コストの低下に寄与する。
【００２２】
ここでフラッシュメモリ５に対して固有情報群の一部を書き換えようとすると、既述のようにマイクロコントローラのメーカー側の仕様に基づいて決められるデータ群づつ例えば１２８バイトづつ、外部コンピュータ４からマイクロコントローラ３側にデータを送信しかつ各送信ごとにサムチェックを行わなければならないことから、固有情報群が多い場合には、本発明の手法による固有情報の書き換えは格段に高速で行うことができる。
【００２３】
上述の実施形態では、ＲＡＭ８の読み出し領域８１に読み出された固有情報群の一部を書き換えるようにしているが、全部を書き換えるようにしてもよい。更にまたフラッシュメモリ５に割り当てられた固有情報領域７は１ブロックに限らず複数ブロックであってもよい。そして、フラッシュメモリ５の固有情報領域７については複数ブロックが割当てられ、ＲＡＭ８の読み出し領域８１については、記憶容量が１Ｋである１個の読み出し領域８１が割当てられている構成であってもよい。
【００２４】
この場合には、次のようにして固有情報群の書き換えを行うことができる。フラッシュメモリ５における固有情報領域７である一のブロック（記憶容量は例えば１Ｋである）からＲＡＭ８の読み出し領域８１に固有情報群を読み出し、その後当該固有情報群の例えば一部の書き換えを行った後、書き換え後の固有情報群をフラッシュメモリ５の前記一のブロックに書き込む。  
次いでフラッシュメモリ５における固有情報領域７である他のブロックについても、ＲＡＭ８の前記読み出し領域８１を用いて同様にして固有情報群の書き換えを行う。フラッシュメモリ５内の複数のブロックの各ブロックについての固有情報群のＲＡＭ８への読み出し、消去、ＲＡＭ８からの書き込みは、外部コンピュータ４からブロック番号を指示することにより、ブロック毎に行うことができる。
【００２５】
マイクロコントローラ３側の更新プログラム６３は、外部コンピュータ４から起動した後、外部コンピュータ４から消去、書き込みの指示を受けずにフラッシュメモリ５内の固有情報群を一括して消去し、次いでＲＡＭ８からフラッシュメモリ５に固有情報群を一括して書き込むように構成されていてもよい。  
またフラッシュメモリ５に既に記憶されている固有情報群をＲＡＭ８に読み出すタイミングは電源投入時に限らず、外部コンピュータ４からの指示があったときでもよい。揮発性メモリとしてはＲＡＭに限らずレジスタであってもよい。  
固有情報群の更新作業は、製品の出荷時に限られるものではなく、メンテナンス時であってもよいし、電子機器を使用するユーザ側がパラメータを調整する場合に適用しても良い。  
なお電子機器としては周波数シンセサイザに限られず、例えば信号発生器などであってもよい。
【符号の説明】
【００２６】
１              周波数シンセサイザ
２              シンセサイザ回路部
３              マイクロコントローラ
４              外部コンピュータ
５              フラッシュメモリ
６              プログラム領域
７              固有情報領域
８              ＲＡＭ
８１            読み出し領域
【図１】
2013101564.tif 000003
【図２】
2013101564.tif 000004
【図３】
2013101564.tif 000005
【図４】
2013101564.tif 000006
【図５】
2013101564.tif 000007