(57)【要約】【課題】  プリント配線板の第１の面に実装される第１の電子部品にて発生する熱がプリント配線板の第２の面に実装される第２の電子部品に影響を与えることがないような放熱構造を実現する。【解決手段】  プリント配線板の前記第１の面の表層となる第１の層には、第１の信号端子が接続される第１のランドと、グランド端子が接続される第２のランドと、放熱部材が接触する第１の放熱パッドが形成され、プリント配線板の第１の層より内層となる第２の層には、第２のランドおよび放熱パッドと接続される第１のグランド配線部が形成され、プリント配線板の第２の面の表層となる第３の層には、第２の信号端子が接続される第３のランドが形成され、第２の層と第３の層との間には複数の絶縁層が形成される。【選択図】  図５
2013254869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の信号端子およびグランド端子が形成される第１の電子部品と、
第２の信号端子が形成される第２の電子部品と、
第１の面に前記第１の電子部品が実装され、前記第１の面の裏面となる第２の面に前記第２の電子部品が実装されるプリント配線板と、
前記プリント配線板に接触する放熱部材とを有し、
前記プリント配線板の前記第１の面の表層となる第１の層には、前記第１の信号端子が接続される第１のランドと、前記グランド端子が接続される第２のランドと、前記放熱部材が接触する第１の放熱パッドが形成され、
前記プリント配線板の前記第１の層より内層となる第２の層には、前記第２のランドおよび前記放熱パッドと接続される第１のグランド配線部が形成され、
前記プリント配線板の前記第２の面の表層となる第３の層には、前記第２の信号端子が接続される第３のランドが形成され、
前記第２の層と前記第３の層との間には複数の絶縁層が形成されることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記プリント配線板はビルドアップ配線板であり、
前記第２のランドと前記第１のグランド配線部との接続および前記第１の放熱パッドと前記第１のグランド配線部との接続は、前記プリント配線板を貫通しないブラインドビアによって接続されることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記プリント配線板の前記第１の面に実装される第３の電子部品を有し、
前記プリント配線板の前記第２の層には、前記第３の電子部品のグランド端子と接続される第２のグランド配線部が形成され、
前記第２のグランド配線部は、前記グランド端子から前記第１のグランド配線部に伝えられる熱が前記第２のグランド配線部に伝達されないように、形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記プリント配線板の前記第２の層には、前記第１のグランド配線部と前記第２のグランド配線部とを電気的に接続する接続部が形成されることを特徴とする請求項３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記プリント配線板の前記第３の層には、前記第１のグランド配線部と接続される第２の放熱パッドが形成され、
前記放熱部材は、前記第１の放熱パッドおよび前記第２の放熱パッドに接触することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に関するものであり、特に電子機器の放熱構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラ等の電子機器は、高性能化、多機能化が望まれる中で、光電変換素子の高画素化、画像処理の高速化、多機能化が進んでいる。これによって、その機能を受け持つ電子部品の消費電力が増大し、その結果、電子部品からの発熱が増大している。したがって、電子機器には電子部品の温度上昇を抑える冷却構造が求められている。
【０００３】
電子部品の温度上昇および外装筐体の局所的な温度上昇を抑える冷却構造として、発熱部品の表面に熱拡散シートを押し当てるとともに、外装筐体の低温面に熱拡散シートで熱を輸送することが知られている。（特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２２９２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、電子部品の発熱源は内部の半導体チップであるため、半導体チップで発生した熱は、合成樹脂で覆われた電子部品の表面よりも、導電材料で形成される接続端子に伝わりやすい。したがって、半導体チップで発生した熱を電子部品の表面を介して放熱したとしても、電子部品の接続端子は電子部品の表面以上に高温となり、その熱は電子部品が実装されるプリント配線板に伝えられる。
【０００６】
デジタルカメラ等の電子機器では、プリント配線板の両面に電子部品が実装されているので、プリント配線板に伝えられた熱は、プリント配線板の裏面に実装される電子部品にまで影響を与えるおそれがある。
【０００７】
本発明の目的は、このような課題に鑑みて、プリント配線板の第１の面に実装される第１の電子部品にて発生する熱がプリント配線板の第２の面に実装される第２の電子部品に影響を与えることを低減させた放熱構造を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、第１の信号端子およびグランド端子が形成される第１の電子部品と、第２の信号端子が形成される第２の電子部品と、第１の面に前記第１の電子部品が実装され、前記第１の面の裏面となる第２の面に前記第２の電子部品が実装されるプリント配線板と、前記プリント配線板に接触する放熱部材とを有し、前記プリント配線板の前記第１の面の表層となる第１の層には、前記第１の信号端子が接続される第１のランドと、前記グランド端子が接続される第２のランドと、前記放熱部材が接触する第１の放熱パッドが形成され、前記プリント配線板の前記第１の層より内層となる第２の層には、前記第２のランドおよび前記放熱パッドと接続される第１のグランド配線部が形成され、前記プリント配線板の前記第２の面の表層となる第３の層には、前記第２の信号端子が接続される第３のランドが形成され、前記第２の層と前記第３の層との間には複数の絶縁層が形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、プリント配線板の第１の面に実装される第１の電子部品にて発生する熱がプリント配線板の第２の面に実装される第２の電子部品に影響を与えることがないような放熱構造を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態であるカメラ本体１の外観を被写体側から見た斜視図である。
【図２】カメラ本体１の内部の概略構成を示す分解斜視図である。
【図３】撮像ユニット４００の構成を示す分解斜視図である。
【図４】撮像素子３３が実装された撮像基板１０１を撮影者側から見た斜視図である。
【図５】撮像基板１０１および駆動回路素子１１１の構造を説明する部分断面模式図である。
【図６】撮像基板１０１の導体層Ｌ１（第１の層）を説明する図である。
【図７】撮像基板１０１の導体層Ｌ６（第３の層）を説明する図である。
【図８】撮像基板１０１の導体層Ｌ１の要部を拡大した図である。
【図９】撮像基板１０１の導体層Ｌ２の要部を拡大した図である。
【図１０】撮像基板２０１および駆動回路素子１１１の構造を説明する部分断面模式図である。
【図１１】撮像基板２０１の導体層Ｌ６（第３の層）を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明を実施した電子機器の一例として、本発明をデジタル一眼レフカメラに適用した例を説明する。
【００１２】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施形態であるカメラ本体１の外観を被写体側から見た斜視図である。
【００１３】
図１に図示するように、カメラ本体１は、不図示の撮影レンズユニットが着脱されるマウント部２を備える。マウント部２には、カメラ本体１と撮影レンズユニットとの間で制御信号や状態信号、データ信号等の各種信号の通信を可能にするマウント接点２１が設けられている。マウント部２の横（カメラ本体１の長手方向において、図１では右側）にはレンズロック解除ボタン４が配置されている。レンズロック解除ボタン４を押し込んだ状態で撮影レンズユニット２００ａを光軸回りに回転させると、撮影レンズユニット２００ａをカメラ本体１から取り外すことができる。
【００１４】
カメラ本体１の内部には、撮影レンズ２００を通過した撮影光束が導かれるミラーボックス５が設けられている。ミラーボックス５の内部には、メインミラー６と、サブミラーが配置されている。メインミラー６は、ハーフミラーで構成されており、撮影レンズユニット２００ａを透過した撮影光束の一部が、メインミラー６で反射されて、ペンタダハミラーへ導かれる。一方、メインミラー６を透過した撮影光束は、サブミラーにて反射され、焦点検出センサユニットへ導かれる。
【００１５】
メインミラー６は、撮影レンズユニットを通過した撮影光束をペンタダハミラー２２へ導くために撮影光軸に対して所定の角度に保持される状態と、撮影光束を撮像素子１３１へ導くために撮影光束から退避した位置に保持される状態に駆動される。サブミラーも同様に、撮影光束を焦点検出センサユニットへ導くために撮影光軸に対して所定の角度に保持される状態と、撮像素子３３の方向へ導くために撮影光束から退避した位置に保持される状態に駆動される。
【００１６】
カメラ本体１の長手方向の一端（図１のカメラ本体１の左側端部近傍）には、グリップ部１ａが設けられている。グリップ部１ａは、撮影時に撮影者がカメラを安定して握り易いように前方に突出した形状となっている。なお、第１の実施の形態では、撮影者が右手でカメラ本体１を保持することを前提としてグリップ部１ａを形成している。
【００１７】
グリップ部１ａの近傍には、撮影動作の開始を指示するレリーズボタン７と、撮影モードに応じてシャッタスピードや絞り値を設定するためのメイン操作ダイヤル８と、ＬＣＤ表示パネル９と、動作モード設定ボタン１０とが配置されている。
【００１８】
カメラ本体１の上部中央付近には、カメラ本体１に対してポップアップするストロボユニット１１と、外部ストロボ等のアクセサリが着脱されるアクセサリーシュー１２が設けられており、アクセサリーシュー１２内には、カメラ本体１に対する電気的接点１３が配置されている。また、カメラ本体１の長手方向においてグリップ部１ａとは反対側（図１では右寄り）のカメラ本体１上部には、撮影モード設定ダイヤル１４が配されている。
【００１９】
カメラ本体１の長手方向においてグリップ部１ａとは反対側の側面には、開閉可能な外部端子蓋１５が設けられている。外部端子蓋１５の内側には、外部インタフェースとしてのビデオ信号出力用ジャック１６およびＵＳＢ出力用コネクタ１７が設けられている。
【００２０】
図２は、カメラ本体１の内部の概略構成を示す分解斜視図であり、撮像ユニット４００の周辺に配置される各種部品の保持構造を示している。カメラ本体１の骨格となる本体シャーシ３００の被写体側には、被写体側から順に、マウント部２、ミラーボックス５、シャッタユニット３２が配設されている。また、本体シャーシ３００の撮影者側には、撮像ユニット４００が配設されている。
【００２１】
第１の実施の形態では、本体シャーシ３００は、金属板をプレス加工にて成形した部材である。本体シャーシ３００の電位は接地電位（グランド電位）となっている。撮像ユニット４００は、マウント部２から撮像素子３３の撮像面までが所定距離となり、かつ、マウント部２と撮像素子３３とが平行となるように調整された上で、ミラーボックス５に固定される。なお、撮像ユニット４００は、ミラーボックス５に取り付けられる必要はなく、例えば、本体シャーシ３００に取り付けられる構成であってもよい。
【００２２】
図３は、撮像ユニット４００の構成を示す分解斜視図である。撮像ユニット４００では、電磁波シールド板４８０、撮像素子３３、撮像素子保持部材４７０、ＬＰＦ保持部材４６０、圧電素子４４０とフレキシブルプリント基板４５０、ＬＰＦ４１０、遮光マスク４２０及び付勢部材４３０が、撮影者側から被写体側へ上記の順で配置されている。
【００２３】
撮像素子３３は、入射した撮影光束を電気信号に変換する光電変換素子である。第１の実施の形態では、撮像素子３３としてＣＭＯＳセンサを用いており、撮像素子３３は撮像基板１０１の被写体側に実装されている。第１の実施の形態では、撮像基板１０１はプリント配線板に対応する。
【００２４】
電磁波シールド板４８０は、撮像基板１０１の撮影者側を覆う。電磁波シールド板４８０は、例えば、めっき鋼板をプレス加工することで形成される。
【００２５】
撮像素子保持部材４７０は、板状の金属材料で形成され、矩形の開口部を有している。撮像素子３３は、撮像素子保持部材４７０の開口部に撮像素子３３のＣＭＯＳセンサが露出するように、撮像素子保持部材４７０に固定される。撮像素子保持部材４７０の開口部周辺には、撮像素子保持部材４７０をミラーボックス５に固定するためのねじ逃げ穴部４７０ａが３箇所に形成されている。
【００２６】
ＬＰＦ保持部材４６０は、合成樹脂製材料で形成され、付勢部材４３０とＬＰＦ４１０とを合わせて保持し、撮像素子保持部材４７０に固定される。撮像素子３３の被写体側に配置されるＬＰＦ４１０は、水晶からなる１枚の複屈折板であり、略矩形の形状を有する。ＬＰＦ４１０の表面には、導電性を持たせるための導電コーティングが施されており、反射防止膜等の光学的薄膜が形成されている。
【００２７】
圧電素子４４０はＬＰＦ４１０の撮影有効領域の外側に接着されている。フレキシブルプリント基板４５０は、圧電素子４４０に接着されており、圧電素子４４０に対して電圧を印加する。
【００２８】
遮光マスク４２０は、カメラの内部に配置され、反射した光が撮像素子３３に入射するのを防ぐためのものである。付勢部材４３０は、導電性を有し、ＬＰＦ４１０および遮光マスク４２０を撮影者側に付勢し、ＬＰＦ保持部材４６０に係止される。
【００２９】
図４は、撮像素子３３が実装された撮像基板１０１を撮影者側から見た斜視図である。図４に図示するように、撮像基板１０１の被写体側の面には撮像素子３３がはんだ付けされ、撮像基板１０１の撮影者側の面には、撮像素子３３を駆動する駆動回路素子１１１とコンデンサ等の電子部品１２１がはんだ付けされている。すなわち、撮像基板１０１の第１の面には、駆動回路素子１１１が実装され、撮像基板１０１の第２の面には、撮像素子３３が実装されている。駆動回路素子１１１は、撮像素子３３から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。第１の実施の形態では、駆動回路素子１１１が第１の電子部品に対応し、撮像素子３３が第２の電子部品に対応し、電子部品１２１が第３の電子部品に対応する。
【００３０】
また、図４に図示するように、放熱部材としての放熱プレート１５１が撮像基板１０１の撮影者側の面に接触するように、取り付けられている。放熱プレート１５１は本体シャーシ３００に接続されている。本体シャーシ３００は、比較的大きな熱容量を有し、カメラ本体１の内部で放熱部材として機能する。
【００３１】
図５は、第１の実施の形態における撮像基板１０１および駆動回路素子１１１の構造を説明する部分断面模式図である。図５に図示される駆動回路素子１１１は、撮像基板１０１にはんだ付けされる前の状態である。
【００３２】
図５に図示するように、駆動回路素子１１１は、Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙと呼ばれるパッケージで構成されている。駆動回路素子１１１は半導体チップ１１２を有し、半導体チップ１１２は、ボンディングワイヤー１１３によって、インターポーザー１１４の上面パッド１１４ａに接続されている。インターポーザー１１４は、実質的には高精細な多層プリント配線板である。インターポーザー１１４の下面パッド１１４ｂには、はんだ部１１５が形成されている。
【００３３】
駆動回路素子１１１の外周に近い位置に配置される下面パッド１１４ｂが、駆動回路素子１１１の信号端子１１４ｂ１として機能し、駆動回路素子１１１の内周に近い位置に配置される下面パッド１１４ｂが、駆動回路素子１１１のグランド端子１１４ｂ２として機能する。第１の実施の形態では、信号端子１１４ｂ１が第１の信号端子に対応し、グランド端子１１４ｂ２がグランド端子に対応する。
【００３４】
駆動回路素子１１１の表面は合成樹脂部１１６によって覆われる。したがって、合成樹脂部１１６は半導体チップ１１２やボンディングワイヤー１１３を覆うとともに、駆動回路素子１１１の外形形状を形成している。
【００３５】
図５では、模式的に駆動回路素子１１１に６×６のはんだ部１１５が形成されているように描いているが、図４に示す駆動回路素子１１１には、１１×１１のはんだ部１１５が形成されている。
【００３６】
駆動回路素子１１１は、動作によって半導体チップ１１２が発熱する。この熱は駆動回路素子１１１の誤動作などの問題を引き起こす。半導体チップ１１２の熱は、熱抵抗の少ない経路を伝わっていくので、ボンディングワイヤー１１３からインターポーザー１１４内の配線を経てはんだ部１１５に伝わる。
【００３７】
合成樹脂部１１６は比較的熱抵抗が大きいため、半導体チップ１１２の熱は伝わりにくい。したがって、駆動回路素子１１１の放熱経路は、合成樹脂部１１６の天面に形成するよりも、はんだ部１１５に形成する方が効果的である。駆動回路素子１１１は、より確実に接地電位（グランド電位）に接続させるために、グランド端子１１４ｂ２までの導体抵抗が低くなるように設計されている。したがって、グランド端子１１４ｂ２までの熱抵抗も低くなり、グランド端子１１４ｂ２は半導体チップ１１２の熱が最も伝わりやすくなっている。また、半導体チップ１１２は通常は発熱電気部品１１１の中央に配置されるため、半導体チップ１１２から直接、インターポーザー１１４に伝わる熱も、まずインターポーザー１１４の中央付近に伝わる。これらのことから、駆動回路素子１１１のグランド端子１１４ｂ２に放熱経路を形成するのが最も効果的である。
【００３８】
図５に図示するように、撮像基板１０１には、Ｌ１からＬ６までの６つの導体層と、各導体層間を絶縁するｉ１からｉ５までの５つの絶縁層とが形成されている。第１の実施の形態では、撮像基板１０１の撮影者側の面の表層となる導体層Ｌ１が第１の層に対応し、撮像基板１０１の導体層Ｌ２が第２の層に対応し、撮像基板１０１の被写体側の面の表層となる導体層Ｌ６が第３の層に対応する。
【００３９】
導体層Ｌ３と導体層Ｌ４および絶縁層ｉ３からなる２層構造の撮像基板をコア１０２とし、コア１０２の表面に第１のビルドアップ層として導体層Ｌ１および導体層Ｌ２を積層している。コア１０２の裏面に第２のビルドアップ層として導体層Ｌ５および導体層Ｌ６を積層している。これによって、撮像基板１０１は、２−２−２構成の６層ビルドアップ配線板として形成されている。
【００４０】
撮像基板１０１の導体層Ｌ１には、  信号用ランドＬ１ａに接続される信号配線Ｌ１ｐが形成され、信号配線Ｌ１ｐの保護と絶縁のためにレジスト１０５が塗布される。レジスト１０５には、所定の位置にレジスト開口部１０５ａが形成されている。レジスト開口部１０５ａが形成されることで、導体層Ｌ１には、駆動回路素子１１１の信号端子１１４ｂ１が接続される信号用ランドＬ１ａが形成される。同様に、レジスト開口部１０５ａが形成されることで、導体層Ｌ１には、駆動回路素子１１１のグランド端子１１４ｂ２が接続されるグランド用ランドＬ１ｂが形成される。第１の実施の形態では、信号用ランドＬ１ａが第１のランドに対応し、グランド用ランドＬ１ｂが第２のランドに対応する。
【００４１】
また、レジスト開口部１０５ａが形成されることで、導体層Ｌ１には、放熱プレート１５１が接触する第１の放熱パッドＬ１ｃが形成される。導体層Ｌ１には、電気部品１２１のグランド端子１２１ａが接続されるグランド用ランドＬ１ｄが形成される。
【００４２】
導体層Ｌ１より内層となる導体層Ｌ２には、第１のグランド配線部Ｌ２ａおよび第２のグランド配線部Ｌ２ｂが形成されている。第１のグランド配線部Ｌ２ａを放熱経路として機能させる。一方、第２のグランド配線部Ｌ２ｂは放熱経路として機能させないようにするため、第１のグランド配線部Ｌ２ａと第２のグランド配線部Ｌ２ｂとは熱的に分離して形成されている。
【００４３】
撮像基板１０１の導体層Ｌ６には、保護と絶縁のためにレジスト１０５が塗布される。レジスト１０５には、所定の位置にレジスト開口部１０５ａが形成されている。レジスト開口部１０５ａが形成されることで、導体層Ｌ６には、撮像素子３３の信号端子３３ａが接続される信号用ランドＬ６ａが形成される。導体層Ｌ６には、撮像素子３３のグランド端子３３ｂが接続されるグランド用ランドＬ６ｂが形成される。第１の実施の形態では、撮像素子３３が第２の電子部品に対応し、撮像素子３３の信号端子３３ａおよびグランド端子３３ｂが第２の信号端子に対応し、信号用ランドＬ６ａおよびグランド用ランドＬ６ｂが第３のランドに対応する。
【００４４】
導体層Ｌ１から導体層Ｌ６の電気的接続について説明する。
【００４５】
導体層Ｌ１および導体層Ｌ２は、導体層Ｌ１側からのレーザー加工による非貫通穴加工後に施される銅めっきにより接続される。導体層Ｌ２および導体層Ｌ３も同様に、導体層Ｌ２側からのレーザー加工による非貫通穴加工後に施される銅めっきにより接続される。
【００４６】
これらの接続箇所は非貫通穴となっているため、ブラインドビア１０４と呼ばれる。ブラインドビア１０４の穴径は０．１０〜０．１５ｍｍ程度である。
【００４７】
導体層Ｌ３および導体層Ｌ４は、ＮＣ加工による貫通穴加工後に施される銅めっきにより互いに接続される。この接続箇所は、ビルドアップ層が積層されると外部からは観察できない箇所となるため、インナービア１０３と呼ばれる。インナービア１０３の穴径は０．２０〜０．３０ｍｍ程度である。
【００４８】
導体層Ｌ４および導体層Ｌ５も導体層Ｌ１およびＬ２と同様に、ブラインドビア１０４で接続される。導体層Ｌ５およびＬ６も同様に、ブラインドビア１０４で接続される。
【００４９】
導体層Ｌ１に形成されるグランド用ランドＬ１ｂおよび第１の放熱パッドＬ１ｃは、ブラインドビア１０４によって導体層Ｌ２に形成される第１のグランド配線部Ｌ２ａに接続される。したがって、撮像基板１０１には、グランド用ランドＬ１ｂ、第１のグランド配線部Ｌ２ａおよび第１の放熱パッドＬ１ｃによって放熱経路が形成される。
【００５０】
半導体チップ１１２で発生する熱は、グランド端子１１４ｂ２からはんだ部１１５を経てグランド用ランドＬ１ｂに伝達される。第１のグランド用ランドＬ１ｂに伝達される熱は、ブラインドビア１０４を介して導体層Ｌ２の第１のグランド配線部Ｌ２ａに伝達され、ブラインドビア１０４を介して第１の放熱パッドＬ１ｃに伝達される。第１の放熱パッドＬ１ｃには、高熱伝導率材料で形成された放熱プレート１５１が接触し、放熱プレート１５１は放熱部材として機能する本体シャーシ３００に接続されている。すなわち、撮像基板１０１にて、駆動回路素子１１１の熱は、第１のグランド用ランドＬ１ｂから第１のグランド配線部Ｌ２ａを経由して第１の放熱パッドＬ１ｃに伝えられる。
【００５１】
撮像基板１０１の導体層Ｌ１には、コンデンサ等の電気部品１２１がはんだ付けされる。コンデンサ等の電気部品１２１の中には熱の影響を受けやすい部品が含まれることがあり、熱が伝えられることは好ましくない。導体層Ｌ１に形成されるグランド用ランドＬ１ｄには、電気部品１２１のグランド端子が接続される。グランド用ランドＬ１ｄは、ブラインドビア１０４によって導体層Ｌ２に形成される第２のグランド配線部Ｌ２ｂに接続される。第２のグランド配線部Ｌ２ｂと第１のグランド配線部Ｌ２ａとは、絶縁層ｉ１によって熱的に分離されている。絶縁層ｉ１は比較的熱抵抗が大きいので、第１のグランド配線部Ｌ２ａに伝えられる駆動回路素子１１１の熱は、第２のグランド配線部Ｌ２ｂに伝わりにくくなる。
【００５２】
撮像センサ３３は、撮像素子３３の信号端子３３ａが信号用ランドＬ６ａにはんだ付けされ、撮像素子３３のグランド端子３３ｂがグランド用ランドＬ６ｂにはんだ付けされることで、撮像基板１０１の導体層Ｌ６に実装されている。撮像センサ３３は熱の影響を受けやすい部品であり、周囲から熱を受けることを極力避けねばならない。
【００５３】
導体層Ｌ６に形成されるグランド用ランドＬ６ｂは、ブラインドビア１０４によって導体層Ｌ５に形成される第５のグランド配線部Ｌ５ａおよび導体層Ｌ４に形成される第４のグランド配線部Ｌ４ａに接続される。図５に図示するように、導体層Ｌ４に形成される第４のグランド配線部Ｌ４ａは、インナービア１０３によって導体層Ｌ３に形成される第３のグランド配線部Ｌ３ａに接続され、さらにブラインドビア１０４によって導体層Ｌ２に形成される第２のグランド配線部Ｌ２ｂおよび導体層Ｌ１に形成されるグランド用ランドＬ１ｄに接続される。第２のグランド配線部Ｌ２ｂと第１のグランド配線部Ｌ２ａとは、絶縁層ｉ１によって熱的に分離されており、第３のグランド配線部Ｌ３ａと第１のグランド配線部Ｌ２ａとは、絶縁層ｉ２によって熱的に分離されている。絶縁層ｉ１〜絶縁層ｉ５はいずれも比較的熱抵抗が大きいので、第１のグランド配線部Ｌ２ａに伝えられる駆動回路素子１１１の熱は撮像センサ３３に伝わりにくくなる。すなわち、導体層Ｌ２（第２の層）と導体層Ｌ６（第３の層）との間には複数の絶縁層が形成されることで、駆動回路素子１１１の熱は撮像センサ３３に伝わりにくくなる。
【００５４】
図６は、撮像基板１０１の導体層Ｌ１（第１の層）を説明する図である。図７は、撮像基板１０１の導体層Ｌ６（第３の層）を説明する図である。
【００５５】
図６に図示するように、第１の放熱パッドＬ１ｃは、撮像基板１０１の一辺から突出した領域に形成されている。したがって、放熱プレート１５１は、図４に図示するように、第１の放熱パッドＬ１ｃに接触するだけでなく、撮像基板１０１の一辺から突出した領域の３つの側面を保持することができる。これによって、撮像素子３３の位置調整を行っても、放熱プレート１５１は撮像基板１０１の変位に追従し、放熱プレート１５１が第１の放熱パッドＬ１ｃからずれてしまうことがない。
【００５６】
図８は、撮像基板１０１の導体層Ｌ１の要部を拡大した図である。図８に図示するように、駆動回路素子１１１のはんだ部１１５がはんだ付けされる信号用ランドＬ１ａおよびグランド用ランドＬ１ｂは、１１×１１個だけ形成されている。図中の点線は駆動回路素子１１１が実装される領域を示している。グランド用ランドＬ１ｂは、駆動回路素子１１１が実装される領域の中心部に配置されている。信号用ランドＬ１ａは、駆動回路素子１１１が実装される領域の外周部に配置されている。
【００５７】
また、図８に図示するように、レジスト開口部１０５ａに第１の放熱パッドＬ１ｃが形成される。第１の放熱パッドＬ１ｃは、ブラインドビア１０４によって導体層Ｌ２に形成される第１のグランド配線部Ｌ２ａと接続されている。
【００５８】
図９は、撮像基板１０１の導体層Ｌ２に形成される第１のグランド配線部Ｌ２ａを拡大した図である。図９に図示するように、第１のグランド配線部Ｌ２ａと第２のグランド配線部Ｌ２ｂとは、接続部Ｌ２ｓでのみ電気的に接続されている。したがって、第１のグランド配線部Ｌ２ａと第２のグランド配線部Ｌ２ｂとは、同じグランド電位となる。しかし、接続部Ｌ２ｓの幅は、非常に小さい（第１の実施の形態では、接続部Ｌ２ｓの幅をブラインドビア１０４の直径に設定している）。したがって、第１のグランド配線部Ｌ２ａに伝えられる熱が第２のグランド配線部Ｌ２ｂに伝わりにくくなっている。
【００５９】
第１の実施の形態では、グランド用ランドＬ１ｂと第１のグランド配線部Ｌ２ａとがブラインドビア１０４によって接続されるので、グランド用ランドＬ１ｂの熱容量が大きくなる。第１のグランド配線部Ｌ２ａに伝えられた熱は、多数のブラインドビア１０４を介して第１の放熱パッドＬ１ｃに伝達される。さらに、第１の放熱パッドＬ１ｃから放熱プレート１５１、放熱プレート１５１から本体シャーシ３００に伝達される。これによって、駆動回路素子１１１の熱を効率よく放熱することができる。
【００６０】
また、導体層Ｌ２に形成される第１のグランド配線部Ｌ２ａと、導体層Ｌ６に形成される信号用ランドＬ６ａまたはグランド用ランドＬ６ｂとの間は、複数の絶縁層によって熱的に分離されているので、第１のグランド配線部Ｌ２ａに伝えられる駆動回路素子１１１の熱が撮像センサ３３に伝わりにくくなる。
【００６１】
同様に、導体層Ｌ２に形成される第１のグランド配線部Ｌ２ａと第２のグランド配線部Ｌ２ｂとの間も、絶縁層によって熱的に分離されているので、第１のグランド配線部Ｌ２ａに伝えられる駆動回路素子１１１の熱が電気部品１２１に伝わりにくくなる。
【００６２】
（第２の実施の形態）
図１０は、第２の実施の形態における撮像基板１０１および駆動回路素子１１１の構造を説明する部分断面模式図である。図１０に図示される駆動回路素子１１１は、撮像基板１０１にはんだ付けされる前の状態である。図５に図示した第１の実施の形態と同様である部分については、図５と同じ符号を付けて、説明を省略する。
【００６３】
第１の実施の形態におけるブラインドビア１０４は、必要最小限の銅めっき厚に設定している。したがって、図５に図示するように、外観上、ブラインドビア１０４は小さな窪みとなっている。第２の実施形態では、ブラインドビア２０４の銅めっき厚を厚くすることで、非貫通穴が銅で埋められている。
【００６４】
はんだの熱伝導率は約５０Ｗ／ｍＫ、銅の熱伝導率は約４００Ｗ／ｍＫであるので、第２の実施の形態では、グランド端子１１４ｂ２に伝えられる駆動回路素子１１１の熱は、より効率よくグランド用ランドＬ１ｂに伝達される。
【００６５】
第１の実施の形態では、撮像基板１０１の導体層Ｌ１にのみに第１の放熱パッドＬ１ｃを形成した。これに対して、第２の実施の形態では、撮像基板１０１の導体層Ｌ６にも第２の放熱パッドＬ６ｃを形成している。そして、導体層Ｌ３に第３の放熱パッドＬ３ｂ、導体層Ｌ４に第４の放熱パッドＬ４ｂ、導体層Ｌ５に第５の放熱パッドＬ５ｂをそれぞれ形成している。
【００６６】
第１のグランド配線部Ｌ２ａと第３の放熱パッドＬ３ｂとは、ブラインドビア２０４で接続されている。第３の放熱パッドＬ３ｂと第４の放熱パッドＬ４ｂとは、インナービア１０３で接続されている。第４の放熱パッドＬ４ｂと第５の放熱パッドＬ５ｂとは、ブラインドビア２０４で接続されている。第５の放熱パッドＬ５ｂと第２の放熱パッドＬ６ｃとは、ブラインドビア２０４で接続されている。
【００６７】
これによって、第１の放熱パッドＬ１ｃが形成される撮像基板１０１の一辺から突出した領域では、すべての導体層に放熱パッドが形成され、それらの放熱パッドがインナービア１０３またはブラインドビア２０４で接続される。したがって、撮像基板１０１から突出した領域が小さくても大きな熱容量を得ることが可能となる。
【００６８】
放熱プレート１６１は、第１の放熱パッドＬ１ｃと第２の放熱パッドＬ６ｃとを挟み込むように、撮像基板１０１に取り付けられる。放熱プレート１６１は本体シャーシ３００に接続されている。本体シャーシ３００は、比較的大きな熱容量を有し、カメラ本体１の内部で放熱部材として機能する。
【００６９】
第１の実施の形態と同様に、導体層Ｌ２に形成される第２のグランド配線部Ｌ２ｂと第１のグランド配線部Ｌ２ａとは、絶縁層ｉ１によって熱的に分離されている。第２の実施の形態では、導体層Ｌ３に形成される第３のグランド配線部Ｌ３ａと第３の放熱パッドＬ３ｂとは、絶縁層ｉ２によって熱的に分離されている。導体層Ｌ４に形成される第４のグランド配線部Ｌ４ａと第４の放熱パッドＬ４ｂとは、絶縁層ｉ４によって熱的に分離されている。導体層Ｌ５に形成される第５のグランド配線部Ｌ５ａと第５の放熱パッドＬ５ｂとは、絶縁層ｉ５によって熱的に分離されている。導体層Ｌ６に形成される信号用ランドＬ６および第３のグランド用ランドＬ６ｂと第２の放熱パッドＬ６ｃとは、レジスト１０５によって熱的に分離されている。
【００７０】
図１１は、撮像基板２０１の導体層Ｌ６（第３の層）を説明する図である。図１１に図示するように、撮像基板２０１の導体層Ｌ６には、第２の放熱パッドＬ６ｃが形成されている。第２の放熱パッドＬ６ｃは多数のブラインドビア２０４を介して導体層Ｌ５に形成される第１のグランド配線部Ｌ５ｂに形成される。
【００７１】
第２の実施の形態によると、第１の実施の形態の作用効果に加えて、第１の放熱パッドＬ１ｃおよび第２の放熱パッドＬ６ｃで放熱プレート１６１と接続されるので、駆動回路素子１１１の熱をより効率よく放熱プレート１６１に伝えることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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