(57)【要約】【課題】同電位配線の配線除去部を除去しつつ、配線除去部によって可動電極と固定電極とが導通してしまうのをより確実に抑制することのできる静電容量式センサを得る。【解決手段】加速度センサ（静電容量式センサ）Ｓは、可動電極４（５）が形成された半導体基板１と、可動電極４（５）と対向して配置される固定電極２０ａ、２０ｂ（２１ａ、２１ｂ）を有するとともに、半導体基板１に陽極接合される絶縁基板２と、半導体基板１と絶縁基板２との間に配線され、可動電極４（５）と固定電極２０ａ、２０ｂ（２１ａ、２１ｂ）とを電気的に接続する同電位配線３０とを備える。そして、一対の基板１、２どうしの陽極接合後に、半導体基板１の絶縁基板２との接合面１ａとは反対面１ｂ側からエッチングして同電位配線３０の電極部（配線除去部）２８，２９を除去する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動電極が形成された半導体基板と、
前記可動電極と対向して配置される固定電極を有するとともに、前記半導体基板に陽極接合される絶縁基板と、
前記半導体基板と前記絶縁基板との間に配線され、前記可動電極と前記固定電極とを電気的に接続する同電位配線と、を備え、
前記一対の基板どうしの陽極接合後に、前記半導体基板の前記絶縁基板との接合面とは反対面側からエッチングして前記同電位配線の配線除去部を除去することを特徴とする静電容量式センサ。
【請求項２】
前記配線除去部の周縁部における前記一対の基板の接合面どうしを接合したことを特徴とする請求項１に記載の静電容量式センサ。
【請求項３】
前記配線除去部をポリシリコンで構成したことを特徴とする請求項１または２に記載の静電容量式センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量式センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、可動電極が形成された半導体基板と、可動電極と対向して配置される固定電極を有するとともに、半導体基板に陽極接合される絶縁基板と、これら半導体基板と絶縁基板との間に配線され、可動電極と固定電極とを電気的に接続する同電位配線とを備えた静電容量式センサが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
半導体基板と絶縁基板の陽極接合時には、これらの基板どうし間に高電圧が印加されるため、予め同電位配線によって可動電極と固定電極とを電気的に接続しておくことで、両電極間の放電を防止することができる。その一方で、同電位配線を施したままでは、所望のセンサ特性が得られないため、陽極接合後には、絶縁基板の半導体基板との接合面とは反対面側からレーザ照射によって同電位配線を切断するようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１９４７７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の静電容量式センサでは、同電位配線をレーザ照射により切断する構成であるため、同電位配線の配線除去部の一部が、基板どうしの接合面間に飛散して残留してしまい、その飛散した一部を介して可動電極と固定電極とが導通してしまう恐れがあった。
【０００６】
そこで、本発明は、同電位配線の配線除去部を除去しつつ、配線除去部によって可動電極と固定電極とが導通してしまうのをより確実に抑制することのできる静電容量式センサを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第１の特徴は、可動電極が形成された半導体基板と、前記可動電極と対向して配置される固定電極を有するとともに、前記半導体基板に陽極接合される絶縁基板と、前記半導体基板と前記絶縁基板との間に配線され、前記可動電極と前記固定電極とを電気的に接続する同電位配線と、を備え、前記基板どうしの陽極接合後に、前記半導体基板の前記絶縁基板との接合面とは反対面側からエッチングして前記同電位配線の配線除去部を除去することを要旨とする。
【０００８】
本発明の第２の特徴は、前記配線除去部の周縁部における前記一対の基板の接合面どうしを接合したことを要旨とする。
【０００９】
本発明の第３の特徴は、前記配線除去部をポリシリコンで構成したことを要旨とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、陽極接合後に半導体基板の反対面側からエッチングして同電位配線の配線除去部を除去するようにしたので、配線除去部の一部が基板どうしの接合面間に飛散して残留すのを防止することができる。そのため、配線除去部を介して可動電極と固定電極とが導通してしまうのをより確実に抑制することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる静電容量式センサを示す分解斜視図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図１に示す静電容量式センサの陽極接合前を示した図であって、（ａ）は図２のＢ部を示した拡大図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【図５】図１に示す静電容量式センサの陽極接合後を示した図であって、（ａ）は図２のＢ部を示した拡大図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる静電容量式センサの陽極接合後を示した図であって、（ａ）は図２のＢ部と同位置の拡大図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１３】
［第１実施形態］
図１〜図５は、本発明の第１実施形態にかかる静電容量式センサを示した図である。なお、以下では、静電容量式センサとして加速度センサを例示する。また、本実施形態を説明するにあたって、半導体基板１の短手方向をＸ方向、半導体基板１の長手方向をＹ方向、半導体基板１の厚さ方向をＺ方向として説明する。
【００１４】
本実施形態の加速度センサ（静電容量式センサ）Ｓは、図１に示すように、半導体素子デバイスを形成した半導体基板１と、この半導体基板１の上面１ａに接合される絶縁基板２と、を備えている。そして、本実施形態では、半導体基板１と絶縁基板２とを陽極接合により接合するようにしている。
【００１５】
半導体基板１は、シリコンＳＯＩ基板により形成されており、２つの矩形枠３ａ、３ｂを有するフレーム３と、矩形枠３ａ、３ｂの側壁に対して隙間をあけた状態で配置された矩形形状の２つの可動電極４、５とを備えている。
【００１６】
可動電極４、５は、それぞれの側面の対向する二辺の略中央が、一対のビーム（ばね部）６ａ、６ｂおよび７ａ、７ｂによって矩形枠３ａ、３ｂの側壁に連結されている。そして、一方の可動電極４がビーム６ａ、６ｂによってフレーム３に対して揺動自在に支持されるとともに、他方の可動電極５がビーム７ａ、７ｂによってフレーム３に対して揺動自在に支持されている。
【００１７】
また、シリコン基板１は、フレーム３および一方の可動電極４に対して所定の間隔をおいて配置された検出電極８ａ、８ｂと、フレーム３および他方の可動電極５に対して所定の間隔をおいて配置された検出電極９ａ、９ｂとを備えている。そして、検出電極８ｂと検出電極９ａとの間には接地電極１０が形成されている。
【００１８】
検出電極８ａ、８ｂは、互いに所定間隔をおいて配置されており、検出電極９ａ、９ｂも互いに所定間隔をおいて配置されている。なお、検出電極８ａ、８ｂおよび検出電極９ａ、９ｂは、それぞれ、後述する固定電極２０ａ、２０ｂおよび固定電極２１ａ、２１ｂと電気的に接続されている。
【００１９】
そして、本実施形態では、検出電極８ａと検出電極８ｂとの間、検出電極９ａと検出電極９ｂとの間に隙間が形成されている。また、検出電極８ａ、８ｂとフレーム３との間、検出電極９ａ、９ｂとフレーム３との間、検出電極８ａ、８ｂと一方の可動電極４との間、および検出電極９ａ、９ｂと他方の可動電極５との間にそれぞれ隙間が形成されている。すなわち、検出電極８ａ、８ｂおよび検出電極９ａ、９ｂは、図３に示すように、フレーム３から独立した電極島として形成されている。そして、それぞれの検出電極８ａ、８ｂおよび検出電極９ａ、９ｂを電極島となるように形成することで、各検出電極を電気的に絶縁することが可能となり、それぞれの検出電極の寄生容量や検出電極間のクロストークを低減できるようにしている。
【００２０】
可動電極４、５は、肉厚に形成されており、錘としての機能も有している。本実施形態では、図３に示すように、一対のビーム６ａ、６ｂを結ぶ直線を境界線とした場合、可動電極４の裏面４ｂにおける境界線の一方側に凹部１１が形成されており、可動電極４の重心が他方側に片寄るようにしている。その一方で、一対のビーム７ａ、７ｂを結ぶ直線を境界線とした場合、可動電極５の裏面における一方の可動電極４に凹部１１が設けられた一方側とは反対となる他方側に凹部が形成されており、可動電極５の重心が一方側に片寄るようにしている。そして、Ｘ方向もしくはＺ方向に加速度が印加されると、そのＸ方向もしくはＺ方向に印加された加速度を検出できるようにしている。
【００２１】
このとき、双方の可動電極４、５は、例えば図３によって一方の可動電極４を例にとって述べるとすると、凹部１１が形成されない側の重心Ｇから表面４ａに下ろした垂線と、その重心Ｇと境界線とを結ぶ直線とでなす角度θが略４５度となるように設定されている。なお、他方の可動電極５にあっても同様であるが、この場合は上述したように重心位置が境界線を挟んで可動電極４の重心Ｇとは反対側に存在することになる。このように重心Ｇを配置すれば、Ｘ方向とＺ方向の検出感度が等価になるため、それぞれの方向の検出感度を略同一とすることができる。
【００２２】
絶縁基板２は、本実施形態ではガラス基板により形成されており、図３に示すように、可動電極４、５の表面４ａに対して所定間隔をあけて対向配置されている。そして、絶縁基板２の一方の可動電極４と対向する位置の下面２ｂには、平面視でビーム６ａとビーム６ｂの中心を結ぶ直線を境界線とした場合に、境界線の一方側および他方側にそれぞれ第１および第２の固定電極としての固定電極２０ａ、２０ｂが設けられている。この固定電極２０ａ、２０ｂは、一方の可動電極４の表面４ａに対して所定の間隔をあけて対向配置されている。
【００２３】
また、絶縁基板２の他方の可動電極５と対向する位置の下面２ｂにも、平面視でビーム７ａとビーム７ｂの中心を結ぶ直線を境界線とした場合に、境界線の一方側および他方側にそれぞれ第１および第２の固定電極としての固定電極２１ａ、２１ｂが設けられている。この場合にあっても固定電極２１ａ、２１ｂは、他方の可動電極５の表面に対して所定間隔をあけて対向配置されている。本実施形態では、固定電極２０ａ、２０ｂおよび２１ａ、２１ｂは、アルミニウムで形成されている。
【００２４】
図２に示すように、固定電極２０ａは、配線２４ｂと電極２７ｂとを介して検出電極８ａと電気的に接続されており、固定電極２０ｂは、配線２４ａと電極２７ａとを介して検出電極８ｂと電気的に接続されている。一方、固定電極２１ａは、配線２４ｄと電極２７ｄとを介して検出電極９ｂと電気的に接続されており、固定電極２１ｂは、配線２４ｃと電極２７ｃとを介して検出電極９ｂと電気的に接続されている。
【００２５】
また、図１に示すように、絶縁基板２の検出電極８ａ、８ｂ、検出電極９ａ、９ｂおよび接地電極１０に対向する位置には、スルーホール２２ａ〜２２ｅが形成されている。そして、このスルーホール２２ａ〜２２ｅを介して、固定電極２０ａ、２０ｂおよび固定電極２１ａ、２１ｂにそれぞれ接続された検出電極８ａ、８ｂおよび検出電極９ａ、９ｂと接地電極１０とが外部に露出、配線される。こうして、検出電極８ａ、８ｂおよび検出電極９ａ、９ｂと接地電極１０の電位を外部に取り出せるようにしている。
【００２６】
このように構成された加速度センサＳは、可動電極４にＸ方向の加速度が印加された場合、可動電極４と固定電極２０ａ、２０ｂ間の静電容量Ｃ１、Ｃ２はそれぞれ以下に示す数式（１）、（２）のようになる。なお数式（１）、（２）中、パラメータＣ０は、可動電極４にＸ方向の加速度が印加されていない状態での可動電極４と固定電極２０ａ、２０ｂ間の静電容量を示す。
【００２７】
Ｃ１＝Ｃ０−ΔＣ  …（１）
Ｃ２＝Ｃ０＋ΔＣ  …（２）
また同様に、可動電極５にＸ方向の加速度が印加された場合、可動電極５と固定電極２１ａ、２１ｂ間の静電容量Ｃ３、Ｃ４はそれぞれ以下に示す数式（３）、（４）のようになる。なお数式（３）、（４）中、パラメータＣ０は、可動電極５にＸ方向の加速度が印加されていない状態での可動電極５と固定電極２１ａ、２１ｂ間の静電容量を示す。
【００２８】
Ｃ３＝Ｃ０−ΔＣ  …（３）
Ｃ４＝Ｃ０＋ΔＣ  …（４）
したがって、貫通電極２２ａ〜２２ｅを介して上記容量Ｃ１〜Ｃ４を検出し、ＡＳＩＣ等を利用して容量Ｃ１と容量Ｃ２の差分値ＣＡ（＝Ｃ１−Ｃ２）と容量Ｃ３と容量Ｃ４の差分値ＣＢ（＝Ｃ３−Ｃ４）を算出する。そして、算出された差分値ＣＡと差分値ＣＢの和（±４ΔＣ）をＸ出力として出力することにより、静電容量の変化から可動電極４、５に加えられたＸ方向の加速度を検出できる。
【００２９】
一方、可動電極４にＺ方向の加速度が印加された場合、可動電極４と固定電極２０ａ、２０ｂ間の静電容量Ｃ１、Ｃ２はそれぞれ以下に示す数式（５）、（６）のようになる。なお数式（５）、（６）中、パラメータＣ０は、可動電極４にＺ方向の加速度が印加されていない状態での可動電極４と固定電極２０ａ、２０ｂ間の静電容量を示す。
【００３０】
Ｃ１＝Ｃ０＋ΔＣ  …（５）
Ｃ２＝Ｃ０−ΔＣ  …（６）
また同様に、可動電極５にＺ方向の加速度が印加された場合、可動電極５と固定電極２１ａ、２１ｂ間の静電容量Ｃ３、Ｃ４はそれぞれ以下に示す数式（７）、（８）のようになる。なお数式（７）、（８）中、パラメータＣ０は、可動電極５にＺ方向の加速度が印加されていない状態での可動電極５と固定電極２１ａ、２１ｂ間の静電容量を示す。
【００３１】
Ｃ３＝Ｃ０−ΔＣ  …（７）
Ｃ４＝Ｃ０＋ΔＣ  …（８）
したがって、貫通電極２２ａ〜２２ｅを介して上記容量Ｃ１〜Ｃ４を検出し、ＡＳＩＣ等を利用して容量Ｃ１と容量Ｃ２の差分値ＣＡ（＝Ｃ１−Ｃ２）と容量Ｃ３と容量Ｃ４の差分値ＣＢ（＝Ｃ３−Ｃ４）を算出する。そして、算出された差分値ＣＡと差分値ＣＢの和（±４ΔＣ）をＺ出力として出力することにより、静電容量値の変化から可動電極４、５に加えられたＺ方向の加速度を検出できる。
【００３２】
なお、上述したように、本実施形態の加速度センサＳは、一方の可動電極４を備えた第１の加速度センサ単体Ｓａと、他方の可動電極５を備えた第２の加速度センサ単体Ｓｂとが同一チップ面内において、それぞれのセンサ単体が相対的に１８０度回転した状態で配置されている。このように、第１の加速度センサ単体Ｓａにおける一方の可動電極４と、第２の加速度センサ単体Ｓｂにおける他方の可動電極５との重心位置が、互いに反対側に位置するように配置することで、Ｘ方向およびＺ方向の加速度を検出できるようにしている。
【００３３】
ところで、上述した加速度センサＳを製造する際には、図３に示したように、まずは半導体基板１の上面１ａ側および下面１ｂ側に、ウエットエッチングやドライエッチングなどによって可動電極４、５が変位するためのギャップ３２ａ、３２ｂを形成する。そして、半導体基板１の裏面１ｂ側を更にエッチングすることで、双方の可動電極４、５および凹部１１を形成する。その後、固定電極２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂおよびスルーホール２２ａ〜２２ｅが形成された絶縁基板２の下面（接合面）２ｂを、半導体基板１の上面（接合面）１ａに陽極接合することとなる。
【００３４】
ここで、本実施形態では、半導体基板１と絶縁基板２の陽極接合時に、可動電極４、５と固定電極２０ａ、２０ｂおよび２１ａ、２１ｂ間の放電を防止する同電位配線３０を設けている。具体的には、図２および図４に示すように、本実施形態の同電位配線３０は、固定電極２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂ側のリード線２５ａ、２５ｂおよび２６ａ、２６ｂと、可動電極４、５側の電極部２８および２９とにより構成されている。
【００３５】
リード線２５ａ、２５ｂは、固定電極２０ｂ、２１ｂと検出電極８ｂ、９ａとをそれぞれ接続する配線２４ａ、２４ｃの途中を分岐させたものである。これらのリード線２５ａ、２５ｂの先端部には、絶縁材料から成る被覆部２７によって被覆された導体の一部を露出させた露出部（図示せぬ）が設けられており、この露出部が半導体基板３の上面１ａから突設された電極部２８と電気的に接続されている。
【００３６】
一方、リード線２６ａ、２６ｂは、固定電極２０ａ、２１ａと検出電極８ａ、９ｂとをそれぞれ接続する配線２４ｂ、２４ｄとは別に、各固定電極２０ａ、２１ａから配線させたものである。これらのリード線２６ａ、２６ｂの先端部にあっても、絶縁材料から成る被覆部２７によって被覆された導体の一部を露出させた露出部（図示せぬ）が設けられており、この露出部が半導体基板３の上面１ａから突設された電極部２９と電気的に接続されている。
【００３７】
このように、本実施形態では、リード線２５ａ、２５ｂと電極部２８とから成る同電位配線３０と、リード線２６ａ、２６ｂと電極部２９とから成る同電位配線３０と、の２つの同電位配線３０，３０を用いている。これにより、一方の可動電極４と他方の可動電極５に対して、固定電極２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂをそれぞれ電気的に接続できるようにしている。
【００３８】
そして、本実施形態では、半導体基板１と絶縁基板２の陽極接合後に、半導体基板１の上面（接合面）１ａとは反対の下面（反対面）１ｂ側からエッチングして同電位配線３０，３０の配線除去部を除去している。具体的には、図５に示すように、本実施形態では半導体基板１の下面１ｂ側からウエットエッチングやドライエッチングなどを行うことで、配線除去部としての電極部２８と、この電極部２８のＺ方向に沿う半導体基板１を一体に除去するようにしている。なお、図５では、リード線２５ａ、２５ｂと接続される一方の電極部２８のみを図示しているが、リード線２６ａ、２６ｂと接続される他方の電極部２９にあっても同様にエッチングされる構成となっている。
【００３９】
このとき、図５（ｂ）に示すように、配線除去部としての電極部２８，２９よりも一回り大きな寸法で、半導体基板１を下面１ｂ側からエッチングしていくのが好適である。こうすれば、半導体基板１に、電極部２８，２９よりも大径な貫通穴２９を形成することができる。
【００４０】
なお、本実施形態では、半導体基板１と配線除去部としての電極部２８，２９のすべてをエッチングにより除去するようにしたが、エッチングは少なくとも半導体基板１を貫通させるように上面１ａ側まで行えばよい。こうすれば、陽極接合時に、電極部２８，２９とリード線２５ａ、２５ｂおよび２６ａ、２６ｂの露出部（図示せぬ）とが固着してしまっても、電極部２８は半導体基板１とは接触せずに宙に浮いた状態となる。そのため、電極部２８，２９を介して可動電極４、５と固定電極２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂとが導通してしまうのを防止することができる。
【００４１】
以上により、本実施形態の加速度センサＳによれば、半導体基板１と絶縁基板２の陽極接合後に、半導体基板１の下面（反対面）１ｂ側からエッチングして同電位配線３０の電極部（配線除去部）２８，２９を除去するようにしている。そのため、電極部（配線除去部）２８，２９の一部が、基板１、２どうしの接合面１ａ、２ｂ間に飛散して残留すのを防止することができる。これにより、飛散した電極部（配線除去部）２８，２９を介して可動電極４、５と固定電極２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂとが導通してしまうのをより確実に抑制することができるようになる。
【００４２】
また、本実施形態によれば、半導体基板１の下面１ｂ側からエッチングするにあたり、電極部（配線除去部）２８，２９よりも大径な貫通穴２９が半導体基板１に形成されるようにしている。そのため、例えばエッチングによって半導体基板１のみしか除去することができなかった場合にも、電極部（配線除去部）２８，２９と半導体基板１とが直接接触するのを防止することができる。これにより、加速度センサＳの安全性をより高めることができる。
【００４３】
さらに、本実施形態によれば、配線除去部を同電位配線３０のうちの半導体基板１側の電極部２８，２９としたので、エッチングによってより簡単に配線除去部を除去しつつ、可動電極４、５と固定電極２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂとが導通するのを抑制できる。なお、本実施形態では、配線除去部を電極部２８，２９としたが、リード線２５ａ、２５ｂおよび２６ａ、２６ｂの一部としてもよい。
【００４４】
［第２実施形態］
図６は、本発明の第２実施形態を示した図であり、上記第１実施形態と同一構成部分に同一符号を付して重複する説明を省略して述べるものとする。
【００４５】
本実施形態の加速度センサＳが上記第１実施形態と主に異なる点は、電極部（配線除去部）２８，２９の周縁部における一対の基板１、２の接合面１ａ、２ｂどうしを接合したことにある。
【００４６】
図６（ｂ）に示すように、本実施形態では、半導体基板１の上面（接合面）１ａには、リード線２５ａ、２５ｂおよび２６ａ、２６ｂが係合される４つの溝３１が設けられている。また、各溝３１の一部に露出するようにして半導体基板１に２つの電極部２８，２９が埋設されている。そして、リード線２５ａ、２５ｂおよび２６ａ、２６ｂを各溝３１に係合させた際に、リード線側の露出部（図示せぬ）と電極部２８，２９とを接触させて配置するとともに、半導体基板１の上面（接合面）１ａと絶縁基板２の下面（接合面）２ｂとを接合している。
【００４７】
また、本実施形態では、配線除去部としての電極部２８，２９をポリシリコンで構成するとともに、フッ素系などのガスや薬液を用いて半導体基板１を裏面１ｂ側からエッチングするようにしている。具体的には、例えばフッ酸などの薬液を用いて裏面１ｂ側からウエットエッチングしたり、フッ素系のガスを用いて裏面１ｂ側からドライエッチングすることで、貫通穴２９を形成している。
【００４８】
このとき、図６（ｂ）に示すように、上記第１実施形態と同様にして配線除去部としての電極部２８，２９よりも一回り大きな貫通穴２９を形成するように、半導体基板１を下面１ｂ側からエッチングするのが好適である。
【００４９】
以上により、本実施形態の加速度センサＳによっても、上記第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００５０】
また、本実施形態によれば、電極部（配線除去部）２８，２９の周縁部における一対の基板１、２の接合面１ａ、２ｂどうしを接合している。そのため、エッチングにより電極部（配線除去部）２８，２９以外の同電位配線（本実施形態では、リード線２５ａ、２５ｂおよび２６ａ、２６ｂ）の一部が断線するのを防止できるという利点がある。
【００５１】
さらに、本実施形態によれば、電極部（配線除去部）２８，２９をポリシリコンで構成したので、半導体基板１と電極部（配線除去部）２８，２９とを同時に除去することができる。すなわち、電極部（配線除去部）２８，２９を例えば金属などで構成して、半導体基板１と電極部（配線除去部）２８，２９とが異なる材質の場合には、エッチングを複数回に分けて行う必要がある。これに対し、本実施形態では、半導体基板１と電極部（配線除去部）２８，２９とを同じ剤（例えばフッ素系などのガスや薬液）を用いて同時に除去することができるようになり、作業性を向上させることができる。
【００５２】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。
【００５３】
例えば、上記実施形態では、Ｘ方向とＹ方向の２方向の加速度を検出する加速度センサを例示したが、錘部の一つをＸＹ平面内で９０度回転させて配置し、Ｙ方向を加えた３方向の加速度を検出する加速度センサとしてもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では、静電容量式センサとして加速度センサを例示したが、これに限ることなく、その他の静電容量式センサにあっても本発明を適用することができる。
【００５５】
また、錘部、その他細部のスペック（形状、大きさ、レイアウト等）も適宜に変更可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１    半導体基板
１ａ  上面（半導体基板の接合面）
１ｂ  下面（半導体基板の接合面とは反対面）
２    絶縁基板
２ｂ  下面（絶縁基板の接合面）
２５ａ，２５ｂ  リード線
２６ａ，２６ｂ  リード線
２８，２９  電極部（配線除去部）
３０  同電位配線
Ｓ    加速度センサ（静電容量式センサ）
【図１】
2013124949.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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