(57)【要約】      （修正有）【課題】メッキ膜の膜厚均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法及びその製造方法において用いられる遮蔽板を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１及び第２領域を有する半導体ウエハー１００を用意する工程と、第１及び第２領域に第１導電層を形成する工程と、電気的接続部を有する治具に第１導電層を電気的接続部に接触させた状態で半導体ウエハーを搭載する工程と、半導体ウエハーの第１導電層側の面を陽極板と正対させ且つ開口部を有する遮蔽板９０ａを半導体ウエハーと陽極板との間に介在させて半導体ウエハーを搭載した治具をメッキ液中に浸漬する工程と、第１導電層上に第２導電層を形成する工程とを有し、遮蔽板９０ａは開口部内に延びる凸部を備え、凸部は半導体ウエハーにおいて電気的接続部が第１導電層と接触した部分及びこれに続く半導体ウエハーの中心側に張り出した部分と対向している。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１の領域及び前記第１の領域を囲む第２の領域に集積回路が形成された半導体ウエハーを用意する工程と、
前記第１の領域及び前記第２の領域に形成された前記集積回路の上に第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層に電流を供給する電極及び前記電極の電気的接続部に接続され前記電極に電流を供給する配線を有する治具に対し、前記第２の領域に形成した前記第１の導電層を前記電気的接続部に接触させた状態で、前記半導体ウエハーを設置する工程と、
前記治具に対し設置された前記半導体ウエハーの前記第１の導電層側の面を、電圧が印加された陽極板と正対させ、且つ電流を通過させる開口部を有する電流の遮蔽板を前記半導体ウエハーと前記陽極板との間に介在させて、前記半導体ウエハーを設置した前記治具をメッキ液中に浸漬する工程と、
前記治具をメッキ液中に浸漬する工程後、前記電極に前記電流を供給して前記第１の導電層の上に第２の導電層を形成する工程と、を有し、
前記遮蔽板は、前記開口部内に延びる凸部を備え、前記凸部は、前記電気的接続部が前記第１の導電層と接触した部分及びこれに続く前記半導体ウエハーの中心側に張り出した部分と対向していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体ウエハーに形成された第１の導電層に電流を供給する電極及び前記電極の電気的接続部に接続され前記電極に電流を供給する配線を有し、且つ前記電気的接続部を前記第１の導電層と接触させた状態で前記半導体ウエハーを設置した治具と、電圧が印加された陽極板と、を用いて前記第１の導電層の上に第２の導電層を電解メッキで形成する際に、前記半導体ウエハーの前記第１の導電層側の面と前記陽極板との間に介在させる遮蔽板であって、
前記遮蔽板は、電流を通過させる開口部と前記開口部内に延びる凸部とを備え、前記凸部は、前記電気的接続部が前記第１の導電層と接触した部分及びこれに続く前記半導体ウエハーの中心側に張り出した部分と対向していることを特徴とする遮蔽板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び遮蔽板に関する。
【背景技術】
【０００２】
供給部であるリング状電極を有し、その電極とメッキ液とを遮断するためのシーリング部材を有した半導体ウエハー用のメッキ治具が知られている（特許文献１）。このメッキ治具には外部端子が設けられており、その外部端子から供給された電流はメッキ治具内に埋め込まれた配線を経由してリング状電極に給電される。
例えば、ＷＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する半導体装置の製造工程で、上記のメッキ治具を用いて半導体ウエハーに電解メッキ処理を行う場合、メッキ治具のリング状電極と半導体ウエハーの上に形成された導電層とを接触させて給電を行うことが必要である（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２８７６４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述のリング状電極には配線を経由して電流が給電されるため、このリング状電極と配線との接続部（以下、「電気的接続部」ともいう。）に電界が集中しやすくなる。この結果、電気的接続部周辺ではメッキの成長が促進される場合がある。このため、メッキ膜厚が部分的に厚くなってしまい、メッキ膜厚の均一性を担保することが難しいという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、電解メッキ工程において、メッキ膜の膜厚均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法及びその製造方法において用いられる遮蔽板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための本発明の一態様は、少なくとも第１の領域及び前記第１の領域を囲む第２の領域に集積回路が形成された半導体ウエハーを用意する工程と、前記第１の領域及び前記第２の領域に形成された前記集積回路の上に第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層に電流を供給する電極及び前記電極の電気的接続部に接続され前記電極に電流を供給する配線を有する治具に対し、前記第２の領域に形成した前記第１の導電層を前記電気的接続部に接触させた状態で、前記半導体ウエハーを設置する工程と、前記治具に対し設置された前記半導体ウエハーの前記第１の導電層側の面を、電圧が印加された陽極板と正対させ、且つ電流を通過させる開口部を有する電流の遮蔽板を前記半導体ウエハーと前記陽極板との間に介在させて、前記半導体ウエハーを設置した前記治具をメッキ液中に浸漬する工程と、前記治具をメッキ液中に浸漬する工程後、前記電極に前記電流を供給して前記第１の導電層の上に第２の導電層を形成する工程と、を有し、前記遮蔽板は、前記開口部内に延びる凸部を備え、前記凸部は、前記電気的接続部が前記第１の導電層と接触した部分及びこれに続く前記半導体ウエハーの中心側に張り出した部分と対向していることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【０００７】
上記態様の半導体装置の製造方法であれば、電解メッキ処理をする際に、電気的接続部周辺（つまり、電気的接続部が第１の導電層と接触した部分及びこれに続く半導体ウエハーの中心側に張り出した部分）は遮蔽板の凸部で遮蔽されるので、電気的接続部周辺での電流分布が疎になり、電界の集中を防ぐことができる。よって、半導体ウエハーの上にメッキ膜を均一の膜厚で形成することができる。
【０００８】
なお、「陽極板」とは、後述する実施形態における「アノード電極１１５」を指すものである。また、「電気的接続部が第１の導電層と接触した部分及びこれに続く半導体ウエハーの中心側に張り出した部分」とは、後述する実施形態における「領域４３」を指すものである。また、「治具」とは、後述する実施形態における「マスク治具７０」を指すものである。
【０００９】
また、本発明の別の態様は、半導体ウエハーに形成された第１の導電層に電流を供給する電極及び前記電極の電気的接続部に接続され前記電極に電流を供給する配線を有し、且つ前記電気的接続部を前記第１の導電層と接触させた状態で前記半導体ウエハーを設置した治具と、電圧が印加された陽極板と、を用いて前記第１の導電層の上に第２の導電層を電解メッキで形成する際に、前記半導体ウエハーの前記第１の導電層側の面と前記陽極板との間に介在させる遮蔽板であって、前記遮蔽板は、電流を通過させる開口部と前記開口部内に延びる凸部とを備え、前記凸部は、前記電気的接続部が前記第１の導電層と接触した部分及びこれに続く前記半導体ウエハーの中心側に張り出した部分と対向していることを特徴とする遮蔽板である。
【００１０】
上記態様の遮蔽板であれば、電解メッキ処理をする際に、電気的接続部周辺を遮蔽板の凸部で遮蔽することができるので、電気的接続部周辺での電流分布が疎になり、電界の集中を防ぐことができる。よって、半導体ウエハーの上にメッキ膜を均一の膜厚で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体ウエハーを模式的に示す図。
【図２】本発明の実施形態に係るメッキ治具を模式的に示す図。
【図３】本発明の実施形態に係るメッキ治具を模式的に示す図。
【図４】本発明の実施形態に係る遮蔽板を模式的に示す図。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す図。
【図６】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す図。
【図７】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す図。
【図８】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す図。
【図９】本発明の実施形態に係る遮蔽板の変形例を模式的に示す図。
【図１０】本発明の実施形態に係る半導体装置の変形例を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態に係る半導体ウエハー、メッキ治具、遮蔽板、陽極板、及びその遮蔽板を用いた半導体装置の製造方法について、順次説明する。
（１）半導体ウエハー
図１（ａ）は半導体ウエハー１０の正面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。半導体ウエハー１０は、シリコンウエハーからなる半導体基板であり、半導体ウエハー１０の平面形状は、図１（ａ）に示すように、一部が切り欠かれた円形である。なお、半導体ウエハー１０は、例えば、複数に分割されてなる分割基板であってもよい（図示せず）。
【００１３】
半導体ウエハー１０は、図１（ａ）に示すように、有効チップ領域である第１の領域２０（図１（ａ）の灰色で示された領域）と、第１の領域２０を囲む第２の領域３０（図１（ａ）の白色で示された領域）と、を有している。
第１の領域２０は、有効チップ領域であって、製品となる半導体チップを含む領域である。また、図１（ｂ）に示すように、第１の領域２０は半導体ウエハー１０の中央部に形成されており、第１の領域２０には複数の集積回路５が形成されている。図１（ａ）に示すように、切断ラインＬは隣り合った半導体チップとなる部分の境界線を示すものである。この切断ラインＬによって区画された１つの個別チップ領域１１は、切断されて半導体チップとなる領域である。それぞれの個別チップ領域１１には、一つの集積回路５及び図示されない保護膜（いわゆるパッシベーション膜）、集積回路５に接続される電極等の構造体が形成されている。
【００１４】
第２の領域３０は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１の領域２０を囲む領域である。ここで、第２の領域３０は製品とならない半導体チップを含む領域である。図１（ａ）に示すように、第２の領域３０においても、複数の個別チップ領域１１が形成される。
なお、半導体ウエハー１０の第１の領域２０及び第２の領域３０の配置は、半導体装置のデザインの際に適宜決定される設計事項である。
【００１５】
（２）メッキ治具
本実施形態に係るメッキ治具は、大別すると図２に示されるマスク治具７０と、図３に示される裏蓋治具８０とにより構成されている。図２（ａ）はマスク治具７０の正面図であり、図２（ｂ）はマスク治具７０の断面図である。また、図３（ａ）は裏蓋治具８０の正面図であり、図３（ｂ）は裏蓋治具８０の断面図である。
図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、マスク治具７０は、例えば四角形の板状部材からなり、基板７１の中央部から外れた位置に開口部７１ａが形成されている。開口部７１ａの周辺部には、環状形状を有した弾性部材７２が開口部７１ａに沿って配置されている。弾性部材７２は、弾性を有する材料からなる部材であれば特に限定されず、例えばシリコンゴムであってもよい。弾性部材７２は、リング状の給電用端子である電極７３（以下、「リング状電極７３」ともいう。）と基板７１との間に配置された弾性層７２ａと、弾性層７２ａから突出し、リング状の形状を有するシーリング部７２ｂとを有している。シーリング部７２ｂは、液体のシーリング機能を有していればよく、シールゴムやＯリングであってもよい。シーリング部７２ｂの周囲であって、弾性層７２ａの上には、リング状電極７３が配置されている。リング状電極７３は、図２（ａ）に示すように、環状形状を有していてもよいし、不連続に複数配置されていてもよい（図示せず）。リング状電極７３は、マスク治具７０に配置された外部接続端子７４と配線７５とを介して電気的に接続されている。図２（ａ）に示すように、リング状電極７３に配線７５が接続する部分を電気的接続部７３ａとする。リング状電極７３を囲むように、開口部７１ａと同心円の壁面７６がリング状電極７３と離間して形成されている。さらに、開口部７１ａの外周と離間した位置には、複数のネジ孔７７が形成されている。ネジ孔７７は、後述される裏蓋治具８０をネジによって固定する際に用いる。
【００１６】
なお、図２（ａ）には、一対の電気的接続部７３ａを有するマスク治具７０が記載されているが、電気的接続部７３ａは一対に限定されるものではない。例えば、二対の電気的接続部７３ａを有するマスク治具であってもよい。
また、電気的接続部７３ａが配置される位置も、対向する位置に限定されるものではない。例えば、対向しない位置に２つの電気的接続部７３ａを配置してもよい。
【００１７】
図３（ａ）に示すように、裏蓋治具８０は、大別すると蓋体８１と複数（本実施形態では２本）の固定フレーム８２とにより構成されている。蓋体８１は円板状の部材からなり、その大きさは上述の半導体ウエハー１０の直径よりも大きな直径を有している。また、図３（ｂ）に示すように、蓋体８１の固定フレーム８２が形成された反対の面の全てには、シールゴム８４が配置されている。
【００１８】
（３）遮蔽板及び陽極板
図４は、本実施形態に係る遮蔽板９０ａの正面図である。図４に示すように、遮蔽板９０ａは、円板状の部材からなり、中心部に開口部９１を備えた本体９２と、この本体９２の内側から開口部９１内に突出して一体に形成された凸部９３とからなる。本体９２は内径Ｘを有し、凸部９３の先端９３ａは曲率半径Ｙ／２の円弧をなし、開口部９１の中心９４は前記円弧の中心と同一である。凸部９３は、開口部９１の中心９４を介して対向する位置に一対設けられている。なお、円９３ｂは、半径がＹ／２の円である。
【００１９】
ここで、凸部９３の数については特に制限を受けないが、後述するように、半導体ウエハー１０を電解メッキ処理する際、凸部９３はマスク治具７０に配置された電気的接続部７３ａ周辺（つまり、接触部分４２及びこれに続く半導体ウエハー１０の中心側に張り出した部分）を覆うようにして配置されるものである。このため、凸部９３の数は、電気的接続部７３ａの数と同数以上であることが望ましい。つまり、図４には一対の凸部９３が示されているが、これは遮蔽板９０ａとともに用いられるマスク治具７０に配置された電気的接続部７３ａが一対となっているからである。例えば、二対の電気的接続部７３ａを有するマスク治具を用いて電解メッキ処理する場合には、そのマスク治具とともに用いられる遮蔽板９０ｂには二対の凸部９３が配置されていることが望ましい（図９を参照）。
【００２０】
また、凸部９３の配置位置は、電解メッキ処理する際に電気的接続部７３ａ周辺を覆うことができる位置であれば、特に制限を受けない。
また、凸部９３の形状は、電解メッキ処理する際に電気的接続部７３ａ周辺を覆うことができる形状であれば、特に制限を受けない。
陽極板（以下、「アノード電極」ともいう。）１１５（図７を参照）は、例えば四角形の白金（Ｐｔ）メッキされたチタン（Ｔｉ）板である。
【００２１】
（４）半導体装置の製造方法
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、上述の半導体ウエハー１０、メッキ治具（つまり、マスク治具７０と裏蓋治具８０）、遮蔽板９０ａ、及び陽極板１１５を用いる。
まず、上述の半導体ウエハー１０を用意する。次に、図５（ａ）に示すように、半導体ウエハー１０の第１の領域２０及び第２の領域３０に第１の導電層４０を形成する。第１の導電層４０の成膜方法には、公知の成膜方法を用いることができる。例えば、第１の導電層４０はスパッタリング法等を用いて形成される。第１の導電層４０は、導電性の膜であればよく、例えば、銅（Ｃｕ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちいずれか１つ又は複数を積層することで、形成される。なお、この第１の導電層４０は半導体ウエハー１０の全面に形成されていてもよいし、所定の形状にパターニングされていてもよい（図示せず）。
【００２２】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１の導電層４０の上にレジスト層５０を形成する。このレジスト層５０は、第１の領域２０及び第２の領域３０を覆うように形成される。
次に図５（ｃ）に示すように、レジスト層５０をパターニングする。レジスト層５０をパターニングする方法は特に限定されず、例えば、露光処理及び現像処理によってエッチングされ、パターニングされる。ここで、図５（ｃ）は、第１の導電層４０の上に形成されたレジスト層５０が所望の形状にパターニングされ、第１の領域２０に第１レジスト層５３が形成された様子を示している。
【００２３】
図６（ａ）及び（ｂ）は、上述のパターニング工程を経た半導体ウエハー１０をマスク治具７０に装着する工程を模式的に説明する図である。図６（ａ）に示すように、半導体ウエハー１０の第１の導電層４０及び第１レジスト層５３が形成された面をマスク治具７０側に向けて位置合わせをし、半導体ウエハー１０をマスク治具７０に装着する。位置合わせでは、リング状電極７３が第２の領域３０に形成された第１の導電層４０と接するように配置する。これにより、リング状電極７３は半導体ウエハー１０に対して給電を行うことができる。ここで、リング状電極７３の電気的接続部７３ａと第２の領域３０に形成された第１の導電層４０とが接する部分を接触部分４２とする。また、この接触部分４２及びこれに続く半導体ウエハー１０の中心側に張り出した部分を領域４３とする（図６（ａ）を参照）。
【００２４】
半導体ウエハー１０をマスク治具７０に装着した後、図６（ｂ）に示すように、半導体ウエハー１０を裏蓋治具８０で固定する。この際、例えば、ネジ（図示せず）を用いて固定してもよいし、マスク治具７０本体に予め取り付けられたフック（図示せず）を用いて固定してもよい。例えば、上記ネジを用いる場合には、上記ネジを裏蓋治具８０の貫通孔８３に貫通させ、マスク治具７０のネジ孔７７にねじ込むことによって裏蓋治具８０をマスク治具７０に固定してもよい。なお、裏蓋治具８０をマスク治具７０に固定する方法については、特に限定されるものではない。
【００２５】
半導体ウエハー１０をマスク治具７０に裏蓋治具８０で固定する際には、マスク治具７０に半導体ウエハー１０を押し当てるように押圧する。これにより、第２の領域３０の第１の導電層４０は、押圧されてリング状電極７３と確実に接触する。例えば、ネジ孔７７を所定のトルクで締め付けることによって、所定の押圧力を加えることができる。ここで、過剰な押圧力は、マスク治具７０の弾性部材７２や、裏蓋治具８０のシールドゴム８４によって吸収される。
【００２６】
以上の工程により、第１の導電層４０とリング状電極７３とが確実に接触して、半導体ウエハー１０はマスク治具７０と裏蓋治具８０とに装着される。ここで、マスク治具７０と裏蓋治具８０とに装着された半導体ウエハー１０を半導体ウエハー１００とする。
次に、半導体ウエハー１００をメッキ液中に浸漬し、電解メッキ処理を行う。この電解メッキ処理では、図７（ａ）及び（ｂ）に示すメッキ装置１１０を用いる。図７（ａ）はメッキ装置１１０を上から見た図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ′線断面図である。図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、メッキ装置１１０は、メッキ液１１１と、メッキ槽１１２と、電源１１３と、カソード電極１１４と、アノード電極１１５と、遮蔽板９０ａと、遮蔽板ホルダー９５と、メッキ液噴出口１１６、撹拌棒１１７と、オバーフロー槽１１８とを含んでいる。メッキ液１１１は、カソード電極１１４と遮蔽板９０ａとの間であってメッキ槽１１２の底部に配置されたメッキ液噴出口１１６から噴出しオバーフロー槽１１８へと流れ込むように、メッキ槽１１２内を循環している。撹拌棒１１７は、半導体ウエハー１００と遮蔽板９０ａとの間に設置され、半導体ウエハー１００に対して平行に動くことができる。このため、メッキ液１１１を撹拌することができる。また、遮蔽板９０ａには、開口部９１を覆うようにしてメッキ液１１１の流れをコントロールする拡散板等を取り付けてもよい（図示せず）。
【００２７】
半導体ウエハー１００をメッキ液中に浸漬する際には、半導体ウエハー１０の第１の導電層４０が形成された面をアノード電極１１５と正対させて配置する。また、半導体ウエハー１００とアノード電極１１５との間に遮蔽板９０ａを配置する。遮蔽板９０ａを配置する際には、領域４３の少なくとも一部を遮蔽板９０ａの凸部９３で覆うようにして配置する。
【００２８】
その後、マスク治具７０の外部接続端子７４とカソード電極１１４とを電気的に接続し、電源１１３から、カソード電極１１４、外部接続端子７４及びリング状電極７３を介して、リング状電極７３と接触している第１の導電層４０に給電し、電解メッキ処理を行う。
電解メッキ処理により、図８（ａ）に示すように、第１の導電層４０の上のレジスト層５０が除去された部分（つまり、第１レジスト層５３で覆われていない部分）に第２の導電層１２０が形成される。例えば、メッキ液１１１に銅イオンを含むメッキ液（例えば、硫酸銅五水和物溶液）を用いた場合には、第２の導電層１２０として銅メッキが形成される。また、銅イオン以外の金属イオンを含むメッキ液を用いることで、銅以外の金属をメッキすることができる。第２の電導層１２０は、導電性の膜であれば特に限定されない。第２の電導層１２０は、例えば、銅（Ｃｕ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちいずれか１つ又は複数を積層することで形成されてもよい。
【００２９】
また、図８（ｂ）に示すように、第２の電導層１２０を形成した後、第１レジスト層５３を除去してもよい。
なお、本実施形態では、アノード電極１１５にＰｔメッキされたＴｉ板を用いる場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、溶解性アノード電極を用いることもできる。また、遮蔽板ホルダー９５は遮蔽板９０ａを保持するためのものであり、遮蔽板９０ａを安定的に保持することができれば、形状・材料は限定されない。
【００３０】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法及びこの製造方法に用いられる遮蔽板によれば、電気的接続部７３周辺（つまり、電気的接続部７３が第１の導電層４０と接触した部分４２及びこれに続く半導体ウエハー１０の中心側に張り出した部分）を遮蔽板９０ａに備わる凸部９３で電解メッキする際に流れる電流を遮蔽することができる。このため、電気的接続部７３ａ周辺での電流分布が疎になり、電界の集中を防ぐことができる。よって、半導体ウエハー１０の上にメッキ膜を均一の膜厚で形成することができる。
【００３１】
（変形例）
以下、本実施形態に係る半導体装置の変形例を説明する。図１０は、いわゆる「カップ式」と呼ばれるメッキ装置２１０の断面図である。メッキ装置２１０と上述のメッキ装置１１０とは、概ねその構造は同じである。しかしながら、メッキ装置２１０では、陽極板２１５の中央部に開口部２１５ａを有しており、その開口部２１５ａから半導体ウエハー１００に向かってメッキ液１１１が噴出し、メッキ装置２１０の両側から排出されている点が異なっている。なお、図中の矢印はメッキ液１１１の流れを示している。
【００３２】
メッキ装置２１０を用いた電解メッキ処理においても、メッキ装置１１０を用いた電解メッキ処理の場合と同様に、遮蔽板９０ａを保持した遮蔽板ホルダー９５が半導体ウエハー１００と陽極板２１５との間に配置されている。また、遮蔽板９０ａの開口部９１に備わる凸部９３は、電気的接続部７３周辺を覆うようにして配置されている（図示せず）。このため、メッキ装置２１０を用いて電解メッキ処理した場合であっても、電気的接続部７３周辺を遮蔽板９０ａに備わる凸部９３で電解メッキする際に流れる電流を遮蔽することができる。よって、電気的接続部７３ａ周辺での電流分布が疎になり、電界の集中を防ぐことができる。ゆえに、半導体ウエハー１０の上にメッキ膜を均一の膜厚で形成することができる。
【００３３】
なお、メッキ装置２１０を用いて電解メッキ処理する場合の工程は、上述のメッキ装置１１０を用いて電解メッキ処理する場合と同様である。
【符号の説明】
【００３４】
５  集積回路、１０  半導体ウエハー、１１  個別チップ領域、２０  第１の領域、３０  第２の領域、４０  第１の導電層、４２  接触部分、４３  領域、５０  レジスト層、５３  第１レジスト層、７０  マスク治具、７１  基板、７１ａ  開口部、７２  弾性部材、７２ａ  弾性層、７２ｂ  シーリング部、７３  リング状電極、７３ａ  電気的接続部、７４  外部接続端子、７５  配線、７６  壁部、７７  ネジ孔、８０  裏蓋治具、８１  蓋体、８２  固定フレーム、８３  貫通孔、８４  シールゴム、９０ａ  遮蔽板、９０ｂ  遮蔽板、９１  開口部、９２  本体、９３  凸部、９３ａ  凸部の先端、９３ｂ  半径Ｙ／２の円、９４  開口部の中心、９５  遮蔽板ホルダー、１００  半導体ウエハー、１１０  メッキ装置、１１１  メッキ液、１１２  メッキ槽、１１３  電源、１１４  カソード電極、１１５  アノード電極、１１６  メッキ液噴出口、１１７  撹拌棒、１１８  オーバーフロー槽、１２０  第２の導電層、２１０  メッキ装置、２１５  アノード電極、２１５ａ  開口部、Ｌ  切断ライン、Ｘ  開口部の内径、Ｙ  凸部の先端部間の距離
【図１】
2013166999.tif 000003
【図２】
2013166999.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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