(57)【要約】【課題】容量式物理量センサが形成された複数チップの電気特性を、簡素な方法で、同時に、精度良く検査することができるウエハ検査方法及びウエハマップを提供する。【解決手段】行方向に隣り合うチップ（１１ａ，１１ｂ）同士が１８０度回転した回転対称配置となるように、複数のチップ（１１）をウエハ（１０）に設けておく。行方向に隣り合う一対のチップ（１１ａ，１１ｂ）を列方向に少なくとも１列分含んで検査単位とし、該検査単位ごとにプローブカード（６０）を移動させて、検査単位を構成する複数のチップ（１１ａ，１１ｂ）の電気特性を同時に検査する。この検査の際、行方向に隣り合うチップ（１１ａ，１１ｂ）のうちの一方（１１ａ）にプローブカード（６０）がオーバーラップする部分と、他方（１１ｂ）にプローブカード（６０）がオーバーラップする部分とが１８０度回転した回転対称配置となるように、プローブカード（６０）を設けて検査する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップ（１１）がウエハ（１０）に行列状に設けられ、各チップ（１１）に形成された容量式物理量センサの電気特性を、プローブカード（６０）を用いて検査するウエハ検査方法であって、
行方向において隣り合うチップ（１１ａ，１１ｂ）同士が１８０度回転した回転対称配置となるように、複数の前記チップ（１１）を前記ウエハ（１０）に設けておき、
行方向において隣り合う一対の前記チップ（１１ａ，１１ｂ）を、行方向に垂直な列方向に少なくとも１列分含んで検査単位とし、該検査単位ごとに前記プローブカード（６０）を移動させて、各検査単位を構成する複数の前記チップ（１１ａ，１１ｂ）の電気特性を同時に検査し、
複数の前記チップ（１１ａ，１１ｂ）の電気特性を検査する際に、行方向に隣り合う前記チップ（１１ａ，１１ｂ）のうちの一方の前記チップ（１１ａ）に前記プローブカード（６０）がオーバーラップする部分と、他方の前記チップ（１１ｂ）に前記プローブカード（６０）がオーバーラップする部分とが、１８０度回転した回転対称配置となるように、前記プローブカード（６０）を設けて検査することを特徴とするウエハ検査方法。
【請求項２】
前記プローブカード（６０）は、開口部（６２）を有する基板（６１）と、該基板（６１）の開口部周縁に設けられた探針（６４）と、を有することを特徴とする請求項１に記載のウエハ検査方法。
【請求項３】
前記容量式物理量センサは、物理量の変化に応じて容量値が変化するセンシング部（３０）と、外部接続用の複数のパッド部（４０）と、を有し、
前記センシング部（３０）は、行方向において、前記チップ（１１）の一端側に形成されており、
行方向において前記センシング部（３０）が向き合う一対の前記チップ（１１ａ，１１ｂ）について、それぞれの前記センシング部（３０）が前記開口部（６２）内に位置し、且つ、前記基板（６１）及び前記探針（６４）が各センシング部（３０）とオーバーラップしないように、前記プローブカード（６０）を設けて検査することを特徴とする請求項２に記載のウエハ検査方法。
【請求項４】
平面矩形状の前記チップ（１１）において、前記センシング部（３０）は、前記チップ（１１）の行方向一端側に形成され、複数の前記パッド部（４０）は、前記チップ（１１）の行方向他端側に、行方向に垂直な列方向に沿って形成されており、
前記プローブカード（６０）は、平面矩形状の前記開口部（６２）を有し、
前記探針（６４）は、前記開口部周縁のうち、行方向に垂直な周縁辺（６３ａ，６３ｂ）のそれぞれに設けられていることを特徴とする請求項３に記載のウエハ検査方法。
【請求項５】
行方向において前記センシング部（３０）が向き合う一対の前記チップ（１１ａ，１１ｂ）を、列方向において２列分、同時に検査することを特徴とする請求項４に記載のウエハ検査方法。
【請求項６】
平面矩形状の前記チップ（１１）において、前記センシング部（３０）は、前記チップ（１１）の行方向一端側に形成され、複数の前記パッド部（４０）は、前記チップ（１１）の行方向他端側に、行方向に垂直な列方向に沿って形成されており、
前記プローブカード（６０）は、平面矩形状の基板（６１）と、行方向に垂直な側面（６５ａ，６５ｂ）のそれぞれから突出する探針（６４）と、を有し、
行方向において前記センシング部（３０）が向き合う一対の前記チップ（１１ａ，１１ｂ）について、少なくとも前記基板（６１）が各センシング部（３０）とオーバーラップするように、前記プローブカード（６０）を設けて、検査することを特徴とする請求項１に記載のウエハ検査方法。
【請求項７】
行方向において前記センシング部（３０）が向き合う一対の前記チップ（１１ａ，１１ｂ）を、列方向において複数列分、同時に検査することを特徴とする請求項６に記載のウエハ検査方法。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか１項に記載のウエハ検査方法にて検査されるウエハのマップであって、
行方向において隣り合うチップ（１１ａ，１１ｂ）同士が１８０度回転した回転対称配置となるように、複数の前記チップ（１１）が前記ウエハ（１０）に設けられることを特徴とするウエハマップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のチップがウエハに行列状に設けられ、各チップに形成された容量式物理量センサの電気特性を、プローブカードを用いて検査するウエハ検査方法及びウエハマップに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プローブカードを用いた電気特性の検査時間を短縮するために、例えば特許文献１に示されるように、複数チップを同時検査するウエハ検査方法が開示されている。
【０００３】
特許文献１では、細長い固体撮像素子チップの電気特性或いは光学特性を検査するために、固体撮像チップの短辺に沿う方向（以下、行方向と示す）において、短辺寸法の整数倍となる離間距離で、互いに等間隔に隔てて開口部が複数設けられた回路基材と、回路基材の開口部のそれぞれの周縁部に設けられた探針群とを備えるプローブカードを用いて、ウエハを検査するようにしている。
【０００４】
これによれば、開口部の個数に応じた複数の固体撮像素子チップについて、電気特性を同時に検査することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２４３９３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、固体撮像素子チップの電気特性検査が終了すると、１行分、プローブカードとウエハとを相対的に移動させ、次の固体撮像素子チップの電気特性を検査する。このようにして、行方向において順次固体撮像素子チップの電気特性を検査する。このため、殆どのチップにおいて、電気特性の検査前に、プローブカード（回路基材）が固体撮像素子チップの上方に複数回位置する。したがって、プローブカードに付着していた異物が、電気特性検査前や電気特性検査後の固体撮像素子チップに付着しやすい。なお、電気特性の検査後も、プローブカード（回路基材）が固体撮像素子チップの上方に複数回位置する。
【０００７】
したがって、チップに容量式物理量センサが形成される場合、電気特性検査前にチップ表面に異物が付着すると、異物との間に容量（寄生容量）が形成され、電気特性の検査結果に誤差が生じる。すなわち、電気特性を精度良く検査することができない。なお、電気特性検査後に異物が付着した場合、製品として出力に誤差が生じる。
【０００８】
また、特許文献１の図２に示されるように、特許文献１では、開口部の間隔が、チップの短辺寸法の整数倍（例えば４チップ分）となっているため、４回分、行方向に移動させると、次いで行方向に大きくスキップさせなくてはならない。すなわち、同一行のチップを検査する際の移動量が一定（移動パターンが一定）ではなく、検査方法が複雑である。
【０００９】
本発明は上記問題点に鑑み、容量式物理量センサが形成された複数チップの電気特性を、簡素な方法で、同時に、精度良く検査することができるウエハ検査方法及びウエハマップを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために請求項１に記載の発明は、
複数のチップ（１１）がウエハ（１０）に行列状に設けられ、各チップ（１１）に形成された容量式物理量センサの電気特性を、プローブカード（６０）を用いて検査するウエハ検査方法であって、
行方向において隣り合うチップ（１１ａ，１１ｂ）同士が１８０度回転した回転対称配置となるように、複数のチップ（１１）をウエハ（１０）に設けておき、
行方向において隣り合う一対のチップ（１１ａ，１１ｂ）を、行方向に垂直な列方向に少なくとも１列分含んで検査単位とし、該検査単位ごとにプローブカード（６０）を移動させて、各検査単位を構成する複数のチップ（１１ａ，１１ｂ）の電気特性を同時に検査し、
複数のチップ（１１ａ，１１ｂ）の電気特性を検査する際に、行方向に隣り合うチップ（１１ａ，１１ｂ）のうちの一方のチップ（１１ａ）にプローブカード（６０）がオーバーラップする部分と、他方のチップ（１１ｂ）にプローブカード（６０）がオーバーラップする部分とが、１８０度回転した回転対称配置となるように、プローブカード（６０）を設けて検査することを特徴とする。
【００１１】
このように本発明では、プローブカード（６０）により、行方向において隣り合う一対のチップ（１１ａ，１１ｂ）、少なくとも１列分について、電気特性を同時に検査する。したがって、従来のように、数チップ（例えば４チップ分）の間隔をもって設けられた例えば３つの開口部を有するプローブカードにより、数チップ分離れた位置関係にある３つのチップを同時に検査する方法に較べて、電気特性の検査前、及び、電気特性の検査後に、チップ（１１）の上方にプローブカード（６０）が位置する回数を低減(時間を短縮)することができる。これにより、チップ（１１）の表面に異物が付着する可能性を低減し、ひいては、寄生容量が形成されて、電気特性の検査に誤差が生じるなどの不具合が生じるのを抑制することができる。
【００１２】
また、従来は、プローブカードの開口部の間隔が、チップの短辺寸法の整数倍（例えば４チップ分）となっているため、４行分移動させると、次いで行方向に大きくスキップさせる必要があった。これに対し、本発明では、例えば同一行を連続して検査する場合に、行方向において、隣り合う一対のチップ（１１ａ，１１ｂ）を同時に検査するため、同一行のチップを検査する際の移動量を一定（移動パターンを一定）とすることができる。このように、検査方法を簡素化することができる。
【００１３】
なお、行方向において隣り合うチップ（１１ａ，１１ｂ）を、回転対称ではなく、同じ配置とした場合、チップ（１１ａ，１１ｂ）の電気特性を同時に検査しようとすると、チップ（１１ａ）とチップ（１１ｂ）とで、プローブカード（６０）とのオーバーラップが異なってしまう。すなわち、チップ（１１ａ）とプローブカード（６０）との間の寄生容量と、チップ（１１ｂ）とプローブカード（６０）との間の寄生容量とが異なってしまう。このように、チップ（１１ａ，１１ｂ）によってプローブカード（６０）との寄生容量の影響が異なるため、複数チップ（１１ａ，１１ｂ）を同時に精度良く検査することができない。
【００１４】
これに対し、本発明では、行方向において、隣り合うチップ（１１ａ，１１ｂ）で１８０度回転した回転対称配置となるように、ウエハ（１０）にチップ（１１）を設ける。また、複数のチップ（１１ａ，１１ｂ）の電気特性を検査する際に、行方向に隣り合うチップ（１１ａ，１１ｂ）のうちの一方のチップ（１１ａ）にプローブカード（６０）がオーバーラップする部分と、他方のチップ（１１ｂ）にプローブカード（６０）がオーバーラップする部分とが、１８０度回転した回転対称配置となるように、プローブカード（６０）を設けて検査する。したがって、行方向において隣り合う一対のチップ（１１ａ，１１ｂ）について、電気特性を同時に検査する際に、チップ（１１ａ）とプローブカード（６０）との間の寄生容量と、チップ（１１ｂ）とプローブカード（６０）との間の寄生容量とを等しくすることができる。このように、複数チップ（１１ａ，１１ｂ）を同時に精度良く検査することができる。
【００１５】
以上より、本発明によれば、容量式物理量センサが形成された複数チップ（１１ａ，１１ｂ）の電気特性を、簡素な方法で、同時に、精度良く検査することができる。なお、チップ（１１）とは、ウエハ（１０）をダイシングする前のチップ領域を指す。
【００１６】
例えば請求項２に記載のように、
プローブカード（６０）として、開口部（６２）を有する基板（６１）と、該基板（６１）の開口部周縁に設けられた探針（６４）と、を有するものを採用することができる。
【００１７】
具体的には、請求項３に記載のように、
容量式物理量センサは、物理量の変化に応じて容量値が変化するセンシング部（３０）と、外部接続用の複数のパッド部（４０）と、を有し、
センシング部（３０）は、行方向において、チップ（１１）の一端側に形成されており、
行方向においてセンシング部（３０）が向き合う一対のチップ（１１ａ，１１ｂ）について、それぞれのセンシング部（３０）が開口部（６２）内に位置し、且つ、基板（６１）及び探針（６４）が各センシング部（３０）とオーバーラップしないように、プローブカード（６０）を設けて検査すると良い。
【００１８】
これによれば、プローブカード（６０）がチップ（１１ａ，１１ｂ）の各センシング部（３０）とオーバーラップする構成に較べて、センシング部（３０）とプローブカード（６０）との間の寄生容量を低減することができる。これにより、実使用条件により近い状態で、電気特性を検査することができる。
【００１９】
請求項４に記載のように、
平面矩形状のチップ（１１）において、センシング部（３０）は、チップ（１１）の行方向一端側に形成され、複数のパッド部（４０）は、チップ（１１）の行方向他端側に、列方向に沿って形成されており、
プローブカード（６０）は、平面矩形状の開口部（６２）を有し、
探針（６４）は、開口部周縁のうち、行方向に垂直な周縁辺（６３ａ，６３ｂ）のそれぞれに設けられた構成とすることが好ましい。
【００２０】
これによれば、複数のパッド部（４０）が、チップ（１１）の行方向他端側において列方向に沿って形成されるため、たとえば、複数のパッド部（４０）がＬ字状に配置される構成に較べて、複数のパッド部（４０）にボンディングワイヤを連続して接続しやすい。
【００２１】
請求項５に記載のように、
行方向においてセンシング部（３０）が向き合う一対のチップ（１１ａ，１１ｂ）を、列方向において２列分、同時に検査すると良い。
【００２２】
本発明によれば、２つのチップ（１１ａ）と２つのチップ（１１ｂ）について、プローブカード（６０）との寄生容量をほぼ等しくすることができる。このため、４つのチップ（１１ａ，１１ｂ）の電気特性を、簡素な方法で、同時に、精度良く検査することができる。
【００２３】
一方、請求項６に記載のように、
平面矩形状のチップ（１１）において、センシング部（３０）は、チップ（１１）の行方向一端側に形成され、複数のパッド部（４０）は、チップ（１１）の行方向他端側に、列方向に沿って形成されており、
プローブカード（６０）は、平面矩形状の基板（６１）と、行方向に垂直な側面（６５ａ，６５ｂ）のそれぞれから突出する探針（６４）と、を有し、
行方向においてセンシング部（３０）が向き合う一対のチップ（１１ａ，１１ｂ）について、少なくとも基板（６１）が各センシング部（３０）とオーバーラップするように、プローブカード（６０）を設けて、検査しても良い。
【００２４】
これによっても、請求項１に記載の発明で述べたように、容量式物理量センサが形成された複数チップ（１１ａ，１１ｂ）の電気特性を、簡素な方法で、同時に、精度良く検査することができる。なお、プローブカード（６０）がチップ（１１ａ，１１ｂ）の各センシング部（３０）とオーバーラップするため、上記した請求項３に記載の発明に較べて、センシング部（３０）とプローブカード（６０）との間の寄生容量は大きくなる。
【００２５】
請求項７に記載のように、
行方向においてセンシング部（３０）が向き合う一対のチップ（１１ａ，１１ｂ）を、列方向において複数列分、同時に検査すると良い。
【００２６】
本発明によれば、各列におけるチップ（１１ａ，１１ｂ）とプローブカード（６０）との寄生容量を、互いにほぼ等しくすることができる。このため、複数のチップ（１１ａ，１１ｂ）の電気特性を、簡素な方法で、同時に、精度良く検査することができる。なお、本発明によれば、２列に限定されず、３列以上においても、各チップ（１１ａ，１１ｂ）とプローブカード（６０）との寄生容量を、互いにほぼ等しくすることができる。
【００２７】
次に、請求項８に記載の発明は、
請求項１〜７いずれか１項に記載のウエハ検査方法にて検査されるウエハのマップであって、
行方向において隣り合うチップ（１１ａ，１１ｂ）同士が１８０度回転した回転対称配置となるように、複数のチップ（１１）がウエハ（１０）に設けられることを特徴とする。
【００２８】
本発明の作用効果は、請求項１に記載の発明の作用効果と同じであるので、その記載を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第１実施形態に係るウエハの概略構成を示す平面図である。
【図２】ウエハの各チップの概略構成を示す平面図である。
【図３】第２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】２チップ同時検査を説明するための平面図であり、（ａ）は本実施形態のウエハ及び検査方法を用いた場合、（ｂ）は比較例を示す。
【図５】ウエハ検査方法の変形例を示す平面図である。
【図６】ウエハマップ及びウエハ検査方法の変形例を示す平面図である。
【図７】ウエハ検査方法の変形例を示す平面図である。
【図８】第２実施形態に係るウエハ検査方法を示す平面図である。
【図９】各チップに形成される容量式湿度センサの製造方法を示す断面図であり、（ａ）は酸化膜形成、（ｂ）は拡散層形成、（ｃ）はコンタクトホール形成、（ｄ）は金属層形成、（ｅ）は金属層パターニングによる、電極及び配線の形成を示す。
【図１０】図９に続き、各チップに形成される容量式湿度センサの製造方法を示す断面図であり、（ａ）は保護膜形成、（ｂ）はパッド形成、（ｃ）は基板薄厚化、（ｄ）は感湿膜形成を示す。
【図１１】感湿膜形成工程のうち、従来のパターニング工程を示す平面図である。
【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図１３】第３実施形態に係る容量式湿度センサの製造方法を示す平面図であって、感湿膜形成工程のうち、パターニング工程を示す平面図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、各図において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。
【００３１】
（第１実施形態）
図１に示すように、ウエハ１０には、複数のチップ１１が行列状に設けられており、各チップ１１には、容量式物理量センサが形成されている。なお、チップ１１とは、ウエハ１０をダイシングする前のチップ領域（ダイシングによりチップとなる領域）を指す。
【００３２】
また、各チップ１１は、行方向において、隣り合うチップ１１ａ，１１ｂで、１８０度回転した回転対称配置となるように、ウエハ１０に設けられている。このように、本実施形態では、回転対称の関係をなすチップ１１ａ，１１ｂの並び方向を、行方向とする。
【００３３】
そして、各チップ１１には、容量式物理量センサの一例として、容量式湿度センサが形成されている。次に、容量式湿度センサが形成されたチップ１１の構成について説明する。
【００３４】
チップ１１は、所謂センサチップであり、図２及び図３に示すように、ウエハ１０を構成する基板２０に、センシング部３０、及び、外部接続用のパッド４０を備える。本実施形態では、基板２０としてシリコン基板（半導体基板）を採用しており、この基板２０の一面側表層に、図３に示すように全面にわたって不純物の拡散層２１が形成されている。より詳しくは、拡散層２１がｐ導電型の拡散層２１となっている。この拡散層２１上には絶縁膜２２が形成されており、絶縁膜２２の一部位にコンタクトホール２２ａが形成されている。本実施形態では、絶縁膜２２が、基板２０側からシリコン酸化膜、ＢＰＳＧ膜の順に積層されてなる。
【００３５】
センシング部３０及びパッド４０は、この絶縁膜２２上に形成されている。本実施形態では、絶縁膜２２を含む基板２０を基板とみなし、絶縁膜２２における基板２０と反対の面を、基板２０の一面２０ａとする。
【００３６】
センシング部３０は、検出容量素子３１と参照容量素子３２を備える。検出容量素子３１及び参照容量素子３２は、ともに相対湿度の変化に応じてその容量値が変化するように構成されており、容量値の湿度変化に対する傾きが互いに異なる。相対湿度０％での容量値、すなわち初期容量値は、検出容量素子３１のほうが参照容量素子３２よりも大きい。また、容量値の湿度変化に対する傾きは、検出容量素子３１のほうが参照容量素子３２よりも大きくなっている。容量素子３１，３２の初期容量の差は２つの容量値のオフセットであり、容量値の差からオフセット値を引いた値の、湿度変化に対する変化量が、容量式湿度センサの感度である。このため、検出容量素子３１及び参照容量素子３２において、容量値の湿度変化に対する傾きの差を大きくするほど、感度を高めることができる。
【００３７】
検出容量素子３１は、基板２０の一面２０ａにおいて、互いに対向して配置された一対の検出用電極３３ａ，３３ｂを有する。一方、参照容量素子３２は、上記一面２０ａの検出用電極３３ａ，３３ｂとは異なる位置において、互いに対向して配置された一対の参照用電極３４ａ，３４ｂを有する。図１，図４（ａ）では、感湿膜３５の形成領域ではなく、これら電極３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂの形成された領域、換言すれば容量素子３１，３２の形成された領域を、センシング部３０として図示している。
【００３８】
これら検出用電極３３ａ，３３ｂ及び参照用電極３４ａ，３４ｂの形状は特に限定されるものではない。本実施形態では、検出用電極３３ａ，３３ｂとして、検出用電極３３ａと検出用電極３３ｂとが交互に配置されてなる櫛歯形状を採用している。このように櫛歯形状とすると、検出用電極３３ａ，３３ｂの配置面積を小さくしつつ、互いに対向する面積を大きくすることができる。これにより、周囲の湿度変化にともなって変化する検出用電極３３ａ，３３ｂ間の静電容量の変化量が大きくなり、容量式湿度センサの感度が向上する。同様に、参照用電極３４ａ，３４ｂとして、参照用電極３４ａと参照用電極３４ｂとが交互に配置されてなる櫛歯形状を採用している。
【００３９】
なお、図２に示すように、互いに対向する部分の電極長さは、検出用電極（３３ａ，３３ｂ）のほうが参照用電極３４ａ，３４ｂよりも長くなっている。また、櫛歯の本数は、検出用電極３３ａ，３３ｂのほうが参照用電極３４ａ，３４ｂよりも多くなっている。これらにより、対をなす電極同士の対向面積は、検出用電極３３ａ，３３ｂのほうが参照用電極３４ａ，３４ｂよりも大きくなっている。そして、初期容量値は、検出容量素子３１のほうが参照容量素子３２よりも大きくなっている。
【００４０】
このように構成される検出用電極３３ａ，３３ｂと参照用電極３４ａ，３４ｂは、例えば同じ構成材料により、ほぼ同じ幅及びほぼ同じ厚さを有して形成される。具体的には、アルミニウム等の水分により腐食する虞のある配線材料を、蒸着やスパッタリング等の手法によって基板２０の一面２０ａにほぼ均一の厚さで堆積させる。そして、フォトリソグラフィ処理により、ほぼ同じ電極幅を有しつつ櫛歯形状にパターニングすることで形成される。本実施形態では、後述するパッド４０同様、アルミニウムを用いて検出用電極３３ａ，３３ｂ及び参照用電極３４ａ，３４ｂが形成されている。
【００４１】
図３に示すように、検出用電極３３ａ，３３ｂ及び参照用電極３４ａ，３４ｂ上には保護膜３６が形成されており、この保護膜３６を介して感湿膜３５が形成されている。
【００４２】
保護膜３６は、検出用電極３３ａ，３３ｂ及び参照用電極３４ａ，３４ｂが、水分により腐食するのを防ぐためのものである。本実施形態では、保護膜３６として、プラズマＣＶＤ法により形成されるシリコン窒化膜を採用している。この保護膜３６は、検出用電極３３ａ，３３ｂ及び参照用電極３４ａ，３４ｂ上だけでなく、基板２０の一面２０ａにおいて、パッド４０を除く部分に形成されている。
【００４３】
保護膜３６上には、検出用電極３３ａ，３３ｂ及び検出用電極３３ａ，３３ｂ間を覆うように、検出用電極３３ａ，３３ｂの形成領域よりも大きい大きさをもって検出用感湿膜３５ａが形成されている。また、参照用電極３４ａ，３４ｂ及び参照用電極３４ａ，３４ｂ間を覆うように、参照用電極３４ａ，３４ｂの形成領域よりも大きい大きさをもって参照用感湿膜３５ｂが形成されている。これら感湿膜３５ａ，３５ｂは、例えば同一材料によりほぼ同じ厚さを有して構成されている。
【００４４】
本実施形態では、検出用電極３３ａ，３３ｂを覆う検出用感湿膜３５ａと、参照用電極３４ａ，３４ｂを覆う参照用感湿膜３５ｂが、１つの感湿膜３５として一体化されている。また、感湿膜３５の構成材料としてポリイミド系材料を採用しており、スピンコート法や印刷法にて前駆体（ポリアミド）を基板２０の一面２０ａ上に塗布後、加熱硬化（イミド化処理）し、エッチングによるパターニングを経て、形成されている。
【００４５】
このように構成されるセンシング部３０は、図２に示すように、チップ１１の行方向一端側に形成されている。また、チップ１１の行方向他端側には、パッド４０が形成されている。このパッド４０が、特許請求の範囲に記載のパッド部に相当する。センシング部３０において、各容量素子３１，３２を構成する電極３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂは、配線３７により、対応するパッド４０と電気的に接続されている。本実施形態では、配線３７のうち、センシング部３０と行方向反対の端部付近で保護膜３６の開口部から露出された部分をパッド４０としている。
【００４６】
図２に示すように、検出容量素子３１を構成する検出用電極３３ａは、配線３７ａにより、対応するパッド４０ａと電気的に接続されている。検出容量素子３１を構成する検出用電極３３ｂ及び参照容量素子３２を構成する参照用電極３４ｂは、共通の配線３７ｂにより、対応するパッド４０ｂと電気的に接続されている。また、参照容量素子３２を構成する参照用電極３４ａは、配線３７ｃにより、対応するパッド４０ｃと電気的に接続されている。
【００４７】
これら配線３７ａ〜３７ｃは、基板２０の一面２０ａ、すなわち検出用電極３３ａ，３３ｂ及び参照用電極３４ａ，３４ｂと同一平面に形成されている。また、検出用電極３３ａ，３３ｂ及び参照用電極３４ａ，３４ｂと同じアルミニウムを用いて形成されており、これら配線３７ａ〜３７ｃも、保護膜３６により被覆されている。
【００４８】
本実施形態では、さらにパッド４０として、上記拡散層２１に電気的に接続されたパッド４０ｄを有する。このパッド４０ｄには、平面矩形状の基板２０の縁部に沿って形成された配線３７ｄが接続されており、配線３７ｄのうち、図３に示すように保護膜３６の開口部から露出された部分がパッド４０ｄとなっている。配線３７ｄも、基板２０の一面２０ａ、すなわち検出用電極３３ａ，３３ｂ及び参照用電極３４ａ，３４ｂと同一平面に形成されている。また、検出用電極３３ａ，３３ｂ及び参照用電極３４ａ，３４ｂと同じアルミニウムを用いて形成されており、上記した保護膜３６により被覆されている。配線３７ｄは、図３に示すように、絶縁膜２２に形成されたコンタクトホール２２ａを埋めるように形成されており、拡散層２１と電気的に接続されている。このため、パッド４０ｄに定電位（例えばグランド電位）を印加することで、配線３７ｄを通じて拡散層２１を、電磁波に対するシールド層として機能させることができる。
【００４９】
これらパッド４０（４０ａ〜４０ｄ）は、行方向において、センシング部３０と反対の端部に、列方向に沿って形成されている。なお、パッド４０（４０ａ〜４０ｄ）は、ウエハ１０をチップ１１単位にダイシングし、該パッド４０にボンディングワイヤが接続された状態で、図示しない保護ゲルによって被覆される。保護ゲルは、アルミニウムからなるパッド４０が、水分により腐食するのを防ぐためのものであり、フッ素系ゲルなど耐水性を有する材料からなる。この保護ゲルは、パッド４０の周辺に、ディスペンサなどを用いて塗布し、その後硬化することで形成される。
【００５０】
このように構成されるチップ１１に形成された容量式湿度センサの電気特性を、ウエハ１０の状態で、プローブカード６０を用いて検査する。図４（ａ）に示すように、プローブカード６０は、配線などが形成された基板６１と、該基板６１に設けられた探針６４を有しており、探針６４をチップ１１のパッド４０に接触させた状態で、電気特性の検査がなされる。
【００５１】
次に、本実施形態に係るウエハ検査方法及びウエハマップの特徴部分の効果について説明する。
【００５２】
本実施形態では、図４（ａ）に示すように、プローブカード６０により、行方向において隣り合う一対のチップ１１ａ，１１ｂに形成された容量式湿度センサの電気特性を、同時に検査する。このように、行方向に隣り合う一対のチップ１１ａ，１１ｂ、すなわち２つのチップ１１ａ，１１ｂを検査単位とする。したがって、従来のように、数チップ（例えば４チップ分）の間隔をもって設けられた例えば３つの開口部を有するプローブカードにより、数チップ分離れた位置関係にある３つのチップを同時に検査する方法に較べて、電気特性の検査前、及び、電気特性の検査後に、チップ１１の上方にプローブカード６０が位置する回数を低減(時間を短縮)することができる。これにより、チップ１１の表面に異物が付着する可能性を低減し、ひいては、寄生容量が形成されて電気特性の検査に誤差が生じるなどの不具合を抑制することができる。
【００５３】
特に本実施形態では、プローブカード６０を構成する基板６１が開口部６２を有し、探針６４が基板６１の開口部周縁に設けられている。開口部６２は、行方向及び列方向に沿う平面形状が、行方向において隣り合う２つのチップ１１ａ，１１ｂの外形に応じた矩形状をなし、開口面積も、２つのチップ１１ａ，１１ｂの面積の和とほぼ等しくなっている。基板６１も、幅が一定の矩形環状をなしており、その幅は、列方向におけるチップ１１の幅よりも狭くなっている。このため、従来に較べて、電気特性の検査前や検査後に、チップ１１の上方にプローブカード６０が位置する回数を低減(時間を短縮)することができる。さらには、図４（ａ）に示すように、電気特性を同時に検査する２つのチップ１１ａ，１１ｂに対し、行方向において隣接するチップ１１のセンシング部３０にプローブカード６０がオーバーラップしないように、基板６１の幅を設定している。具体的には、基板６１の幅を、行方向において、チップ１１のパッド４０側の端からセンシング部３０までの距離よりも狭くしている。これにより、電気特性の検査前や検査後に、チップ１１のセンシング部３０の上方に、プローブカード６０が位置する回数を低減(時間を短縮)することができる。
【００５４】
また、上記した従来の構成では、プローブカードの開口部の間隔が、チップの短辺寸法の整数倍（例えば４チップ分）となっているため、４行分、移動させると、次いで行方向に大きくスキップ（例えば１１行分スキップ）させる必要があった。これに対し、本実施形態では、例えば同一行を連続して検査する場合に、行方向において、隣り合う一対のチップ１１ａ，１１ｂを同時に検査するため、同一行のチップ１１を検査する際の移動量を一定（移動パターンを一定）とすることができる。このように、検査方法を簡素化することができる。なお、本実施形態では、列方向に、１列分、ウエハ１０とプローブカード６０とを相対的に移動させ、行方向において隣り合う一対のチップ１１ａ，１１ｂを同時に検査することもできる。
【００５５】
なお、行方向において隣り合うチップ１１ａ，１１ｂを、回転対称ではなく、図４（ｂ）に示すように同じ配置とした場合、チップ１１ａ，１１ｂの電気特性を同時に検査しようとすると、一方のチップ１１ａと他方のチップ１１ｂとで、プローブカード６０とのオーバーラップが異なる。図４（ｂ）に示す例において、チップ１１ａでは、基板６１及び探針６４がチップ１１ａの上方、さらにはセンシング部３０の上方に位置している。一方、チップ１１ｂでは、探針６４のみがチップ１１ｂの上方に位置しており、センシング部３０上にはプローブカード６０が位置していない。したがって、チップ１１ａとプローブカード６０との間の寄生容量と、チップ１１ｂとプローブカード６０との間の寄生容量とが異なる。このように、チップ１１ａ，１１ｂによってプローブカード６０との寄生容量の影響が異なるため、複数チップ１１ａ，１１ｂを同時に精度良く検査することができない。
【００５６】
これに対し、本実施形態では、上記したように、行方向において隣り合うチップ１１ａ，１１ｂが１８０度回転した回転対称配置となるように、ウエハ１０にチップ１１を設ける。また、チップ１１ａにプローブカード６０がオーバーラップする部位と、チップ１１ｂにプローブカード６０がオーバーラップする部位とが、図４（ａ）に示すように、１８０度回転した回転対称配置となるように、プローブカード６０を設ける。換言すれば、チップ１１ａ，１１ｂの境界であって列方向におけるチップ１１ａ，１１ｂの幅の中心を回転中心として、プローブカード６０を１８０度回転させたときに、回転前のプローブカード６０と１８０度回転後のプローブカード６０とが一致するように、プローブカード６０を設ける。したがって、行方向において隣り合う一対のチップ１１ａ，１１ｂについて、電気特性を同時に検査する際に、チップ１１ａとプローブカード６０との間の寄生容量と、チップ１１ｂとプローブカード６０との間の寄生容量とを等しくすることができる。これにより、複数チップ１１ａ，１１ｂを同時に精度良く検査することができる。
【００５７】
本実施形態では、各チップ１１ａ，１１ｂの上方に、プローブカード６０の探針６４が位置しており、チップ１１ａ，１１ｂと探針６４のオーバーラップする部位が、１８０度回転した回転対称配置となるように、プローブカード６０を設けている。
【００５８】
以上より、本実施形態によれば、容量式湿度センサが形成された複数チップ１１ａ，１１ｂの電気特性を、簡素な方法で、同時に、精度良く検査することができる。なお、寄生容量は、チップ１１と、該チップ１１の直上に位置するプローブカード６０との間に主として形成されるが、図４(ａ)に示すように、チップ１１よりも行方向又は列方向において外側（周辺）に位置するプローブカード６０との間にも形成される。本実施形態では、このチップ周辺に形成される寄生容量も考慮し、上記したように、チップ１１ａ，１１ｂの境界であって列方向におけるチップ１１ａ，１１ｂの幅の中心を回転中心として、プローブカード６０を１８０度回転させたときに、回転前のプローブカード６０と１８０度回転後のプローブカード６０とが一致するように、プローブカード６０を設けている。このため、容量式湿度センサが形成された複数チップ１１ａ，１１ｂの電気特性を、同時に、より精度良く検査することができる。
【００５９】
また、本実施形態では、図４（ａ）に示すように、行方向においてセンシング部３０が向き合う一対のチップ１１ａ，１１ｂについて、それぞれのセンシング部３０が、開口部６２内に位置し、且つ、基板６１及び探針６４が各センシング部３０とオーバーラップしないように、プローブカード６０を設けて検査する。このため、プローブカード６０がチップ１１ａ，１１ｂのセンシング部３０とオーバーラップする構成に較べて、センシング部３０とプローブカード６０との間の寄生容量を低減することができる。これにより、実使用条件により近い状態で、各チップ１１に形成された容量式湿度センサの電気特性を検査することができる。
【００６０】
また、本実施形態では、平面矩形状のチップ１１において、センシング部３０は、チップ１１の行方向一端側に形成され、複数のパッド４０は、チップ１１の行方向他端側に列方向に沿って形成されている。そして、プローブカード６０は、平面矩形状の開口部６２を有し、探針６４は、開口部周縁のうち、行方向に垂直な周縁辺６３ａ，６３ｂのそれぞれにのみ設けられている。このため、例えば複数のパッド４０がＬ字状に配置される構成に較べて、ダイシング後の状態で、複数のパッド４０にボンディングワイヤを連続して接続しやすい。
【００６１】
（変形例）
本実施形態では、行方向においてセンシング部３０が向き合う一対のチップ１１ａ，１１ｂを１列分、すなわち２つのチップ１１ａ，１１ｂを、同時に検査する例を示した。しかしながら、図５に示すように、行方向においてセンシング部３０が向き合う一対のチップ１１ａ，１１ｂを２列分、すなわち４つのチップ１１ａ，１１ｂを、同時に検査すると良い。これによれば、検査時間を短縮することができる。この場合、隣り合う２列分の一対のチップ１１ａ，１１ｂ（計４つのチップ１１ａ，１１ｂ）が検査単位となる。
【００６２】
図５に示す例では、図４（ａ）同様、プローブカード６０を構成する基板６１が矩形環状をなし、開口部６２が矩形状をなしている。また、開口部６２は、互いに隣接する２行２列の４つのチップ１１ａ，１１ｂの外形に沿った形状を有しており、その開口面積が、４つのチップ１１ａ，１１ｂの面積とほぼ一致している。そして、探針６４は、開口部周縁のうち、行方向に垂直な周縁辺６３ａ，６３ｂのそれぞれにのみ設けられている。このような構成としても、４つのチップ１１ａ，１１ｂについて、プローブカード６０との寄生容量をほぼ等しくすることができる。このため、４つのチップ１１ａ，１１ｂの電気特性を、簡素な方法で、同時に、精度良く検査することができる。
【００６３】
なお、プローブカード６０が矩形環状であるため、同時検査のチップ１１を３列以上とすると、列方向における両端部分（各１行分）と、両端に挟まれた中央部分とで、プローブカード６０とオーバーラップする部位の面積や、チップ周辺に位置するプローブカード６０の長さ（範囲）が異なるものとなりやすい。
【００６４】
本実施形態では、平面矩形状のチップ１１において、センシング部３０がチップ１１の行方向一端側に形成され、複数のパッド４０がチップ１１の行方向他端側で列方向に沿って形成される例を示した。しかしながら、チップ１１におけるセンシング部３０とパッド４０の配置は、本実施形態に示す例に限定されるものではない。行方向において隣り合うチップ１１ａ，１１ｂで、１８０度回転対称の関係を満たせば良い。例えば図６に示すように、複数のパッド４０をＬ字状に配置しても良い。図６では、探針６４が、開口部周縁のうち、行方向に垂直な周縁辺６３ａ，６３ｂのみでなく、行方向に平行（列方向に垂直）な周縁辺６３ｃ，６３ｄにも設けられている。
【００６５】
本実施形態では、開口部６２を有するプローブカード６０により、センシング部３０が向き合うチップ１１ａ，１１ｂについて、電気特性を同時に検査する例を示した。しかしながら、例えば図７に示すように、開口部６２を有するプローブカード６０により、パッド４０が向き合うチップ１１ａ，１１ｂについて、電気特性を同時に検査することもできる。図７に示す例では、パッド４０が向き合うチップ１１ａ，１１ｂが、１８０度回転した回転対称配置となっている。また、各チップ１１とオーバーラップする部位が、パッド４０が向き合うチップ１１ａ，１１ｂで１８０度回転した回転対称配置となるように、プローブカード６０を設けている。具体的には、各チップ１１ａ，１１ｂのセンシング部３０を、基板６１が列方向に沿って横切っており、探針６４は、開口部周縁のうち、行方向に垂直な周縁辺６３ａ，６３ｂのそれぞれにのみ設けられている。これによれば、パッド４０が向き合うチップ１１ａ，１１ｂについても、チップ１１ａとプローブカード６０との間の寄生容量と、チップ１１ｂとプローブカード６０との間の寄生容量とを等しくすることができる。これにより、複数チップ１１ａ，１１ｂを同時に精度良く検査することができる。
【００６６】
（第２実施形態）
本実施形態において、上記実施形態に示したウエハ検査方法及びウエハマップと共通する部分についての説明は割愛する。第１実施形態では、開口部６２を有するプローブカード６０を、開口部６２内にチップ１１のパッド４０が位置するようにウエハ１０に対して配置し、チップ１１に形成された容量式湿度センサの電気特性を検査する例を示した。
【００６７】
これに対し、本実施形態では、基板６１が開口部６２を有さず、探針６４が基板６１から外側に突出する構成のプローブカード６０を用いる点を特徴とする。その一例を図８に示す。
【００６８】
図８では、第１実施形態同様、センシング部３０が、平面矩形状のチップ１１の行方向一端側に形成されている。複数のパッド４０は、チップ１１の行方向他端側で列方向に沿って形成されている。また、行方向において隣り合うチップ１１ａ，１１ｂは、１８０度回転した回転対称配置となっている。すなわち、各列において、センシング部３０が向き合うチップ１１ａ，１１ｂが、１８０度回転した回転対称配置となっている。
【００６９】
プローブカード６０は、平面矩形状の基板６１と、行方向に垂直な側面６５ａ，６５ｂのそれぞれから、行方向において基板６１よりも外側に突出する探針６４と、を有している。基板６１は、行方向に沿う幅が一定の矩形状をなしている。また、基板６１の側面６５ａ，６５ｂから突出する探針６４の突出長さが、全て同じ長さとなっている。
【００７０】
そして、行方向においてセンシング部３０が向き合う一対のチップ１１ａ，１１ｂについて、少なくとも基板６１が各センシング部３０とオーバーラップするようにプローブカード６０を設ける。すなわち、各チップ１１ａ，１１ｂの上方に、プローブカード６０を構成する基板６１と探針６４が位置するように、プローブカード６０を設ける。この際、各チップ１１ａ，１１ｂとオーバーラップする部位が、図８に示すように、行方向において隣り合うチップ１１ａ，１１ｂで１８０度回転した回転対称配置となるように、ウエハ１０に対してプローブカード６０を設ける。そして、この状態で、各チップ１１ａ，１１ｂに形成された容量式湿度センサの電気特性を、同時に検査する。
【００７１】
このようなプローブカード６０を用いても、第１実施形態同様、複数チップ１１ａ，１１ｂの電気特性を、簡素な方法で、同時に、精度良く検査することができる。なお、本実施形態では、上記したように、プローブカード６０がチップ１１ａ，１１ｂの各センシング部３０とオーバーラップするため、第１実施形態の例えば図４（ａ）及び図５に示す構成に較べて、センシング部３０とプローブカード６０との間の寄生容量は大きくなる。
【００７２】
また、図８に示す例では、行方向においてセンシング部３０が向き合う一対のチップ１１ａ，１１ｂを３列分、すなわち６つのチップ１１ａ，１１ｂを、同時に検査する。これによれば、検査時間を短縮することができる。この場合、隣り合う３列分の一対のチップ１１ａ，１１ｂ（計６つのチップ１１ａ，１１ｂ）が検査単位となる。なお、本実施形態によれば、３列に限定されず、１列や２列の検査も可能であり、さらには４列以上を同時に検査することもできる。
【００７３】
（第３実施形態）
本実施形態において、上記実施形態に示したウエハ検査方法及びウエハマップと共通する部分についての説明は割愛する。本実施形態では、ウエハ１０の各チップ１１に容量式湿度センサを形成する際の、製造方法に特徴がある。なお、平面図である図１１及び図１３では、便宜上、マスク７０にハッチングを施している。
【００７４】
先ず、本実施形態に係る容量式湿度センサの製造方法の特徴部分を説明する前に、容量式湿度センサの製造方法の概略と、従来と共通する製造工程の部分について説明する。なお、容量式湿度センサの構成は、第１実施形態（図２及び図３参照）に示したチップ１１の構成と同じである。
【００７５】
先ず、ウエハ１０状態の例えばシリコンからなる基板２０を準備し、図９（ａ）に示すように、熱酸化により一面にシリコン酸化膜２２ｂを形成する。次いで、シリコン酸化膜２２ｂを介して基板２０の一面側表層に不純物をイオン注入し、図９（ｂ）に示すように、基板２０の表層に拡散層２１を形成する。
【００７６】
拡散層２１の形成後、シリコン酸化膜２２ｂ上にＢＰＳＧ膜を形成し、図９（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜２２ｂとともに絶縁膜２２とする。次いで、図９（ｃ）に示すように、絶縁膜２２の所定位置にコンタクトホール２２ａを形成し、その後、図９（ｄ）に示すように、基板２０の一面２０ａ全域にアルミニウムを堆積させて金属層３８を形成する。
【００７７】
この金属層３８を、図９（ｅ）に示すようにパターニングすることで、各電極３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂ、パッド４０（４０ａ〜４０ｄ）を含む配線３７（３７ａ〜３７ｄ）を形成する。このように、センシング部３０を構成する電極３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂを、同一面上に同一材料を用いて同一の工程で形成する。
【００７８】
次いで、図１０（ａ）に示すように、基板２０の一面２０ａ全域に、保護膜３６としてのシリコン窒化膜を形成する。次いで、この保護膜３６をパターニングし、図１０（ｂ）に示すようにパッド４０（４０ａ〜４０ｄ）を露出させる。
【００７９】
パッド４０の形成後、図１０（ｃ）に示すように、基板２０を、一面２０ａと反対の裏面から研削し、所定厚さに薄厚化する。なお、図１０（ｃ）に示す破線部分が、基板２０の研削除去された部分である。
【００８０】
次いで、例えばスピンコート法により基板２０の一面２０ａ上全域に前駆体（ポリアミド）を塗布し、硬化処理して、感湿膜３５を形成する。そして、形成した感湿膜３５を、開口部を有するマスクを用いてエッチングし、図１０（ｄ）に示すように、所定形状にパターニングする。これにより、センシング部３０（検出容量素子３１）の部分に感湿膜３５（検出用感湿膜３５ａ）が残り、パッド４０を含むそれ以外の部分の感湿膜３５が除去された状態となる。
【００８１】
以上により、ウエハ状態の容量式湿度センサを得ることができる。そして、ウエハ１０状態の基板２０をダイシングし、チップ１１の単位とすることで、チップ状態の容量式湿度センサを得ることができる。
【００８２】
従来は、上記した特許文献１に記載のように、行方向において、チップの一端側にセンシング部が形成され、他端側にパッドが形成されており、センシング部とパッドとの位置関係は、全てのチップにおいて共通となっている。すなわち、行方向において隣り合うチップでは、一方のチップのセンシング部と、他方のチップのパッドとが近接している。
【００８３】
したがって、図１１及び図１２に示すように、行方向において隣り合うチップ１１ａ，１１ｂでは、一方のチップ１１ａのセンシング部３０（検出容量素子３１）と、他方のチップ１１ｂのパッド４０（パッド４０ｄ）とが近接状態にある。このため、基板２０の一面２０ａ全域に形成した感湿膜３５（検出用感湿膜３５ａ）をエッチングする際に用いるマスク７０の開口部７１の幅Ｗ１は、図１２に示すように、チップ１１ａ，１１ｂの境界（チップ１１ａのセンシング部３０）から、チップ１１ｂのセンシング部３０（検出容量素子３１）までの距離とほぼ等しいものとなる。
【００８４】
図１２に示すように、チップ１１ａ，１１ｂの境界（チップ１１ａのセンシング部３０）から、チップ１１ｂのパッド４０までの距離Ｌ１は、チップ１１ｂにおけるパッド４０からセンシング部３０までの距離Ｌ２に較べて十分に短く、開口部７１の幅Ｗ１を狭くすると、パッド４０上の感湿膜３５がエッチングされずに残ることも考えられる。この場合、パッド４０にボンディングワイヤを打つことができない。なお、距離Ｌ２を距離Ｌ１に較べて長くするのは、上記したように、ボンディングワイヤの接続後、パッド４０を保護ゲルにて被覆する際に、保護ゲルが流動して感湿膜３５へ付着するのを抑制すべく、距離を稼ぐためである。
【００８５】
一方、開口部７１の幅Ｗ１を広くすると、感湿膜３５は等方的にエッチングされるため、検出用電極３３ａ，３３ｂ上（及び図示しない参照用電極３４ａ，３４ｂ）の感湿膜３５の少なくとも一部が除去されることも考えられる。この場合、少なくとも所望の感度を有することができない。
【００８６】
この課題を解決するために、マスク７０の開口部７１の公差を小さくすることが考えられるが、製造コストが高くなってしまう。また、行方向で隣り合うチップ１１ａ，１１ｂにおいて、チップ１１ａ，１１ｂの境界（チップ１１ａのセンシング部３０）からチップ１１ｂのパッド４０までの距離Ｌ１を拡げることが考えられるが、行方向において、チップ１１の体格が増大することとなり、ウエハ１枚から取れるチップ数が減少してしまう。すなわち、製造コストが高くなってしまう。
【００８７】
これに対し、本実施形態では、上記実施形態同様、行方向において隣り合うチップ１１ａ，１１ｂが、１８０度回転した回転対称配置となるように、各チップ１１に、センシング部３０及びパッド４０などを形成する。このため、隣り合うチップ１１ａ，１１ｂでは、センシング部３０同士、又は、パッド４０同士が近接した状態となる。
【００８８】
また、基板２０の一面２０ａ全域に形成した感湿膜３５をパターニングする際に、図１３及び図１４に示すように、行方向においてパッド４０が向き合う一対のチップ１１ａ，１１ｂについて、それぞれのパッド４０が共通の開口部７１内に位置するようにマスク７０を形成する。このため、マスク７０の開口部７１の幅Ｗ２は、図１４に示すように、一方のチップ１１ａのセンシング部３０（検出容量素子３１）から、他方のチップ１１ｂのセンシング部３０（検出容量素子３１）までの距離とほぼ等しくなり、図１２に示す幅Ｗ１の約２倍の長さとなる。
【００８９】
そして、このマスク７０を用いて感湿膜３５をエッチングし、所定形状にパターニングする。
【００９０】
このように、本実施形態では、行方向において隣り合うチップ１１ａ，１１ｂが、１８０度回転した回転対称配置となるように、各チップ１１にセンシング部３０及びパッド４０を形成する。したがって、感湿膜３５をエッチングして所定形状とするためのマスク７０の開口部７１の行方向の幅Ｗ２を、従来の幅Ｗ１に較べて広くすることができる。これにより、開口部７１の公差を従来に較べて緩和し、製造コストを低減することができる。
【００９１】
また、一方のチップ１１ａ，１１ｂとの境界から、チップ１１ａ，１１ｂのパッド４０までの距離Ｌ１を拡げなくとも、パッド４０に感湿膜３５が残ったり、検出用電極３３ａ，３３ｂ上（及び図示しない参照用電極３４ａ，３４ｂ）の感湿膜３５が除去されるという不具合が生じるのを抑制することができる。これにより、行方向において、チップ１１の体格を抑制し、ひいては、製造コストを低減することができる。
【００９２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００９３】
検出用電極３３ａ，３３ｂと参照用電極３４ａ，３４ｂの本数は上記例に限定されるものではない。対をなす検出用電極３３ａと検出用電極３３ｂとを、それぞれ少なくとも１本有すれば良い。また、センシング部３０として、少なくとも検出用電極３３ａ，３３ｂのみを有すれば良い。
【００９４】
本実施形態では、容量式湿度センサが形成されたチップ１１の基板２０が、拡散層２１、該拡散層２１に電気的に接続される配線３７ｄ及びパッド４０ｄを有する例を示したが、これらを有さない構成としても良い。
【００９５】
本実施形態では、チップ１１に容量式湿度センサが形成される例を示したが、容量式湿度センサとともに、その処理回路をチップ１１に形成しても良い。
【００９６】
本実施形態では、検出用感湿膜３５ａと参照用感湿膜３５ｂが、１つの感湿膜３５として一体化されている例を示したが、分離された構成としても良い。また、参照用感湿膜３５ｂを有さない構成としても良い。
【００９７】
本実施形態では、電極３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂ上に保護膜３６が配置され、この保護膜３６上に感湿膜３５（３５ａ，３５ｂ）が配置される例を示した。しかしながら、保護膜３６を有さず、電極３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂ上に感湿膜３５（３５ａ，３５ｂ）が直接配置された構成としても良い。
【００９８】
センシング部３０とパッド４０との間に、基板２０の一面２０ａから突起するダムを設け、保護ゲルがセンシング部３０側に流動するのを抑制するようにしても良い。
【００９９】
第１実施形態及び第２実施形態では、容量式物理量センサとして、容量式湿度センサの例を示した。しかしながら、物理量に応じて容量値が変化するそれ以外の容量式物理量センサを採用することもできる。例えば、容量式加速度センサ、容量式角速度センサ、容量式圧力センサなどを採用することができる。
【符号の説明】
【０１００】
１０・・・ウエハ
１１・・・チップ
１１ａ，１１ｂ・・・隣り合うチップ
２０・・・基板
２０ａ・・・一面
３０・・・センシング部
３３ａ，３３ｂ・・・検出用電極
３５・・・感湿膜
３５ａ・・・検出用感湿膜
４０，４０ａ〜４０ｄ・・・パッド
６０・・・プローブカード
６１・・・基板
６２・・・開口部
６４・・・探針
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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