(57)【要約】【課題】干渉縞を見えにくくし、視認性の高い表示装置を実現することを目的とする。【解決手段】表示装置は、複数の画素がマトリクス状に配列された画素アレイ部を備え、  各画素の発光状態に対して、所定量の発光ばらつきを付加する。  発光ばらつきを付加した場合の上記画素アレイ部の発光状態の周期が上記所定量の発光ばらつきを付加する前の上記画素アレイ部の発光状態による周期より小さくなっている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に配列された画素アレイ部を備え、
各画素の発光状態に対して、所定量の発光ばらつきを付加し、該付加した場合の上記画素アレイ部の発光状態の周期が上記所定量の発光ばらつきを付加する前の上記画素アレイ部の発光状態による周期より小さい表示装置。
【請求項２】
上記発光ばらつきの付加は駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流を調整することによりなされている請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
上記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流の調整はチャネル幅を変えることによりされている請求項２に記載の表示装置。  
【請求項４】
上記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流の調整は駆動トランジスタの製造プロセスでのエキシマレーザの照射エネルギーの調整によりなされている請求項２に記載の表示装置。  
【請求項５】
上記発光ばらつきの付加は画素幅を調整することによりなされる請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
上記発光ばらつきの付加はカラーフィルタの透過率を調整することによりなされる請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
上記発光ばらつきの付加は信号線電圧を調整することによりなされる請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
複数の画素がマトリクス状に配列された画素アレイ部を備える表示装置の製造方法であって、
各画素の発光状態に対して、所定量の発光ばらつきを付加し、該付加した場合の上記画素アレイ部の発光状態の周期が上記所定量の発光ばらつきを付加する前の上記画素アレイ部の発光状態による周期より小さくなるステップを有する製造方法。
【請求項９】
表示装置を有し、
上記表示装置は、
画素がマトリクス状に複数配列された画素アレイ部を備え、
各画素の発光状態に対して、所定量の発光ばらつきを付加し、該付加した場合の上記画  素アレイ部の発光状態の周期が上記所定量の発光ばらつきを付加する前の上記画素アレイ部の発光状態による周期より小さい電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、画面上に表れる干渉縞の発生を防止する表示装置、表示方法、及び電子機器に関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
【特許文献１】特開２００４−３３３７２３号公報
【背景技術】
【０００３】
近年、有機ＥＬ表示装置などのフラットディスプレイが幅広く使用されている。
有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子は、自己発色により視認性が高いこと、液晶表示装置と異なり全固体ディスプレイであるため耐衝撃性に優れていること、応答速度が速いこと、温度変化による影響が少ないこと、および、視野角が大きいことなどの利点を有しており、表示装置における発光素子としての利用が注目されている。
【０００４】
有機ＥＬディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子（一般には薄膜トランジスタ：ＴＦＴ（Thin Film Transistor））によって制御するものである。  
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記フラットディスプレイにおいては、各画素の発光状態のばらつきにより干渉縞（発光ムラ）が観察される。この干渉縞は、画像がぼやけ、視認性が悪くなる要因である。
特許文献１には、フラットディスプレイの干渉縞を抑制するために複数の画素の重心位置が非周期になるようにする構成が開示されている。
本開示は、干渉縞を見えにくくし、さらに視認性の高い表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の表示装置は、複数の画素がマトリクス状に配列された画素アレイ部を備え、  各画素の発光状態に対して、所定量の発光ばらつきを付加する。
該付加した場合の上記画素アレイ部の発光状態の周期が上記所定量の発光ばらつきを付加する前の上記画素アレイ部の発光状態による周期より小さくなっている。
また本開示の電子機器は、このような表示装置を備える。
【０００７】
本開示の表示装置の製造方法は、複数の画素がマトリクス状に配列された画素アレイ部を備える表示装置の製造方法であって、各画素の発光状態に対して、所定量の発光ばらつきを付加し、該付加した場合の上記画素アレイ部の発光状態の周期が上記所定量の発光ばらつきを付加する前の上記画素アレイ部の発光状態による周期より小さくなるステップを有する。
【０００８】
このような本開示の技術では、各画素の発光状態の周期が小さくなっているので干渉縞が認識しにくくなる。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、干渉縞を見えにくくし、さらに視認性の高い表示装置を実現できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態の表示装置の構成の説明図である。
【図２】実施の形態の画素回路の回路図である。
【図３】画素回路動作の説明図である。
【図４】干渉縞と駆動トランジスタの駆動電流の揺らぎの周期との相関を表す説明図である。
【図５】空間周波数とコントラストの関係を表す図である。
【図６】空間周波数特性を元にした画像の見え方を表す図である。
【図７】エキシマレーザによる駆動トランジスタの特性変更の方法を表す説明図である。
【図８】駆動トランジスタのチャンネル幅を変更する方法を表す説明図である。
【図９】駆動トランジスタの構造図である。
【図１０】画素幅の変更を表す説明図である。
【図１１】カラーフィルタの透過率の変更を表す図である。
【図１２】水平セレクタからの信号電圧を変更する方法を表す図である。
【図１３】実施の形態の適用例の電子機器の説明図である。
【図１４】実施の形態の適用例の電子機器の説明図である。
【図１５】実施の形態の適用例の電子機器の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施の形態を次の順序で説明する。
＜１．有機ＥＬ表示装置の概略＞
＜２．干渉縞の発生について＞
＜３．人間の目のＭＴＦについて＞
＜４．実施の形態＞
＜４−１．エキシマレーザによる駆動トランジスタの特性変更＞
＜４−２．駆動トランジスタのチャンネル幅の変更＞
＜４−３．画素幅の変更＞
＜４−４．カラーフィルタの透過率の変更＞
＜４−５．水平セレクタからの信号電圧の変更＞
＜５．その他電子機器への適用例、変形例＞
【００１２】
＜１．有機ＥＬ表示装置の概略＞
表示装置の実施の形態として、有機ＥＬ表示装置の例でその概要を図１により説明する。図１は有機ＥＬ表示装置の構成を示すものである。
図1に示すように、この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子を発光素子とし、アクティブマトリクス方式で発光駆動を行う画素回路１０を含むものである。
図示のように、有機ＥＬ表示装置は、多数の画素回路１０が列方向と行方向（ｍ行×ｎ列）にマトリクス状に配列された画素アレイ２０を有する。なお、画素回路１０のそれぞれは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれかの発光画素となり、各色の画素回路１０が所定規則で配列されてカラー表示装置が構成される。
【００１３】
各画素回路１０を発光駆動するための構成として、水平セレクタ１１、ドライブスキャナ１２、ライトスキャナ１３を備える。
また水平セレクタ１１により選択され、表示データとしての輝度信号の信号値（階調値）に応じた電圧を画素回路１０に供給する信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・ＤＴＬ（ｎ）が、画素アレイ上で列方向に配されている。信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・ＤＴＬ（ｎ）は、画素アレイ２０においてマトリクス配置された画素回路１０の列数分（ｎ列）だけ配される。
【００１４】
また画素アレイ２０上において、行方向に書込制御線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・ＷＳＬ（ｍ）、電源制御線ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・ＤＳＬ（ｍ）が配されている。これらの書込制御線ＷＳＬ及び電源制御線ＤＳＬは、それぞれ、画素アレイ２０においてマトリクス配置された画素回路１０の行数分（ｍ行）だけ配される。
【００１５】
書込制御線ＷＳＬ（ＷＳＬ１〜ＷＳＬ（ｍ））はライトスキャナ１３により駆動される。
ライトスキャナ１３は、設定された所定のタイミングで、行状に配設された各書込制御線ＷＳＬ１〜ＷＳＬ（ｍ）に順次、走査パルスＷＳ（ＷＳ１，ＷＳ２・・・ＷＳ（ｍ））を供給して、画素回路１０を行単位で線順次走査する。
【００１６】
電源制御線ＤＳＬ（ＤＳＬ１〜ＤＳＬ（ｍ））はドライブスキャナ１２により駆動される。ドライブスキャナ１２は、ライトスキャナ１３による線順次走査に合わせて、行状に配設された各電源制御線ＤＳＬ１〜ＤＳＬ（ｍ）に電源パルスＤＳ（ＤＳ１，ＤＳ２・・・ＤＳ（ｍ））を供給する。電源パルスＤＳ（ＤＳ１，ＤＳ２・・・ＤＳ（ｍ））は駆動電圧Ｖｃｃと、初期電圧Ｖｉｎｉと、発光休止電圧Ｖｍの３値に切り替わるパルス電圧とされる。
なおドライブスキャナ１２，ライトスキャナ１３は、クロックｃｋ及びスタートパルスｓｐに基づいて、電源パルスＤＳ、走査パルスＷＳのタイミングを設定する。
【００１７】
水平セレクタ１１は、ライトスキャナ１３による線順次走査に合わせて、列方向に配された信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・に対して、画素回路１０に対する入力信号としての信号線電圧を供給する。本実施の形態では、水平セレクタ１１は、各信号線に対し信号線電圧として、閾値補正に用いる基準電圧Ｖｏｆｓと、映像データによる階調に応じた電圧である映像信号電圧Ｖｓｉｇとを時分割で供給する。  
【００１８】
図２に実施の形態の画素回路１０の構成例を示している。この画素回路１０が、図１の構成における画素回路１０のようにマトリクス配置される。
なお、図２では簡略化のため、信号線ＤＴＬと、書込制御線ＷＳＬ及び電源制御線ＤＳＬが交差する部分に配される１つの画素回路１０のみを示している。
【００１９】
この画素回路１０は、発光素子である有機ＥＬ素子１と、保持容量Ｃｓと、サンプリングトランジスタＴｓと、駆動トランジスタＴｄを有して構成される。なお容量Ｃｏｌｅｄは有機ＥＬ素子１の寄生容量である。
サンプリングトランジスタＴｓ、駆動トランジスタＴｄは、ｎチャネルの薄膜トランジスタ）で構成されている。
【００２０】
保持容量Ｃｓは、一方の端子が駆動トランジスタＴｄのソース（ノードＮＤ２）に接続され、他方の端子が同じく駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）に接続されている。
駆動トランジスタＴｄのドレインは当該画素回路１０の行に対応する電源制御線ＤＳＬに接続されている。電源制御線ＤＳＬと駆動トランジスタＴｄの接続点をノードＮＤ３とする。
画素回路１０の発光素子は例えばダイオード構造の有機ＥＬ素子１とされ、アノードとカソードを備えている。有機ＥＬ素子１のアノードは駆動トランジスタＴｄのソースに接続され、カソードは所定の配線（カソード電圧Ｖｃａｔ）に接続されている。
【００２１】
サンプリングトランジスタＴｓは、そのソース・ドレインが信号線ＤＴＬと駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）の間で直列接続されている。
従って、サンプリングトランジスタＴｓが導通したときに、駆動トランジスタＴｄのゲートに信号線ＤＴＬの信号線電圧（映像信号電圧Ｖｓｉｇ／基準電圧Ｖｏｆｓ）が入力される構成となっている。
このサンプリングトランジスタＴｓのゲートは、当該画素回路１０の行に対応する書込制御線ＷＳＬに接続されている。
【００２２】
有機ＥＬ素子１の発光駆動は、基本的には次のようになる。
信号線ＤＴＬに映像信号電圧Ｖｓｉｇが印加されたタイミングで、サンプリングトランジスタＴｓが、書込制御線ＷＳＬを介してライトスキャナ１３から与えられる走査パルスＷＳによって導通される。これにより信号線ＤＴＬからの映像信号電圧Ｖｓｉｇが保持容量Ｃｓに書き込まれる。
【００２３】
駆動トランジスタＴｄは、ドライブスキャナ１２によって駆動電圧Ｖｃｃが与えられている電源制御線ＤＳＬからの電流供給により電流Ｉｄｓを有機ＥＬ素子１に流し、有機ＥＬ素子１を発光させる。
このとき電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた値（保持容量Ｃｓに保持された電圧に応じた値）となり、有機ＥＬ素子１はその電流値に応じた輝度で発光する。
つまりこの画素回路１０の場合、保持容量Ｃｓに信号線ＤＴＬからの映像信号電圧Ｖｓｉｇを書き込むことによって、駆動トランジスタＴｄのゲート印加電圧を変化させ、これにより有機ＥＬ素子１に流れる電流値をコントロールして発光の階調を得る。
【００２４】
駆動トランジスタＴｄは、常に飽和領域で動作するように設計されているので、駆動トランジスタＴｄは次の式１に示した値を持つ定電流源となる。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ・（Ｗ／Ｌ）・Ｃｏｘ・（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2・・・（式１）
但し、Ｉｄｓは飽和領域で動作するトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流、μは移動度、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘはゲート容量、Ｖｔｈは駆動トランジスタＴｄの閾値電圧を表している。
この式１から明らかな様に、飽和領域ではドレイン電流Ｉｄｓはゲート・ソース間電圧Ｖｇｓによって制御される。駆動トランジスタＴｄは、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定に保持される為、定電流源として動作し、有機ＥＬ素子１を一定の輝度で発光させることができる。
【００２５】
このように基本的には、各フレーム期間において、画素回路１０に映像信号電圧（階調値）Ｖｓｉｇが保持容量Ｃｓに書き込まれる動作が行われ、これにより表示すべき階調に応じて駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが決まる。
そして駆動トランジスタＴｄは飽和領域で動作することで有機ＥＬ素子１に対して定電流源として機能し、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流を有機ＥＬ素子１に流すことで、各フレーム期間に有機ＥＬ素子１では映像信号の階調値に応じた輝度の発光が行われる。
【００２６】
ここで、本開示の理解のため、基本的な画素回路１０の動作について説明する。これは、各画素回路１０の駆動トランジスタＴｄの閾値、移動度のばらつきによるユニフォミティ劣化を補償するための閾値補正動作、移動度補正動作を含む回路動作である。
【００２７】
なお画素回路動作においては、閾値補正動作、移動度補正動作自体は、従来より行われているが、この必要性について簡単に説明しておく。
例えばポリシリコンＴＦＴ等を用いた画素回路では、駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈや、駆動トランジスタＴｄのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度μが経時的に変化することがある。また製造プロセスのバラツキによって閾値電圧Ｖｔｈや移動度μのトランジスタ特性が画素毎に異なったりする。
駆動トランジスタＴｄの閾値電圧や移動度が画素毎に異なると、画素毎に駆動トランジスタＴｄに流れる電流値にばらつきが生じる。このため仮に全画素回路１０に同一の映像信号値（映像信号電圧Ｖｓｉｇ）を与えたとしても、有機ＥＬ素子１の発光輝度に画素毎のバラツキが生じ、その結果、画面のユニフォミティ（一様性）が損なわれる。
このことから、画素回路動作においては、閾値電圧Ｖｔｈや移動度μの変動に対する補正機能を持たせるようにしている。
【００２８】
図３に画素回路１０の発光サイクル（各フレーム期間）の動作のタイミングチャートを示す。
図３では、水平セレクタ１１が信号線ＤＴＬに与える信号線電圧を示している。この動作例の場合、水平セレクタ１１は信号線電圧として、１水平期間（１Ｈ）に、単一の所定の電圧値としての閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓと、映像信号電圧Ｖｓｉｇとしてのパルス電圧を信号線ＤＴＬに与える。
また図３には、書込制御線ＷＳＬを介してライトスキャナ１３によってサンプリングトランジスタＴｓのゲートに与えられる走査パルスＷＳを示している。ｎチャネルのサンプリングトランジスタＴｓは、走査パルスＷＳがＨレベルとされることで導通され、走査パルスＷＳがＬレベルとされることで非導通となる。
また図３には、電源制御線ＤＳＬを介してドライブスキャナ１２から供給される電源パルスＤＳを示している。電源パルスＤＳとしては駆動電圧Ｖｃｃ又は初期電圧Ｖｉｎｉが与えられる。
また図３には、図２に示したノードＮＤ１、ＮＤ２の電圧として、駆動トランジスタＴｄのゲート電圧Ｖｇとソース電圧Ｖｓの変化を示している。
【００２９】
図３のタイミングチャートにおける時点ｔｓは、発光素子である有機ＥＬ素子１が発光駆動される１サイクル、例えば画像表示の１フレーム期間の開始タイミングとなる。
この時点ｔｓに至る前は、前フレームの発光が行われている。
即ち、有機ＥＬ素子１の発光状態は、電源パルスＤＳが駆動電圧Ｖｃｃであり、サンプリングトランジスタＴｓがオフした状態である。この時、駆動トランジスタＴｄは飽和領域で動作するように設定されているため、有機ＥＬ素子１に流れる電流Ｉｄｓは駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じて、上述した式１に示される値となる。  
【００３０】
時点ｔｓで今回のフレームの発光のための動作が開始される。
時点ｔｓから次の時点ｔｓまでが、例えば１フレーム期間として、画素回路１０で１サイクルの発光動作が行われる期間となる。
この１サイクルの期間は、非発光期間と発光期間に大別される。この図３では、期間ＬＴ１，ＬＴ２，ＬＴ３が非発光期間であり、期間ＬＴ４が発光期間となる。
【００３１】
期間ＬＴ１として、消光及び閾値補正のための準備が行われる。
まず電源パルスＤＳ＝初期電圧Ｖｉｎｉとされる。
このとき、初期電圧Ｖｉｎｉが有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和よりも小さい、つまりＶｉｎｉ ≦Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔであることで、有機ＥＬ素子１は消光し、非発光期間が開始される。このとき電源制御線ＤＳＬが駆動トランジスタＴｄのソースとなる。また有機ＥＬ素子１のアノード（ノードＮＤ２）は初期電圧Ｖｉｎｉに充電される。
また駆動トランジスタＴｄのゲート電圧（ノードＮＤ１）は、ソース電圧の低下に応じて低下する。
【００３２】
一定期間後、閾値補正のための準備が行われる
即ち、信号線ＤＴＬの電圧が閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓである時に、走査パルスＷＳがＨレベルとされ、サンプリングトランジスタＴｓがオンとされる。このため駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）は閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなる。
駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ＝Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉとなる。  このＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉが駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくないと閾値補正動作を行うことができないために、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉ＞Ｖｔｈとなるように、初期電圧Ｖｉｎｉ、基準電圧Ｖｏｆｓが設定されている。
即ち閾値補正の準備として、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が、その閾値電圧Ｖｔｈよりも十分広げられることになる。
【００３３】
続いて期間ＬＴ２として閾値補正（Ｖｔｈ補正）が行われる。
即ち、信号線電圧が閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなっている間、ライトスキャナ１３は走査パルスＷＳのＨレベルを維持する。そしてドライブスキャナ１２が電源パルスＤＳを駆動電圧Ｖｃｃとする。
この場合、有機ＥＬ素子１のアノード（ノードＮＤ２）が駆動トランジスタＴｄのソースとなり電流が流れる。このため、駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）は閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓに固定されたまま、ソースノード（ノードＮＤ２）が上昇する。
有機ＥＬ素子１のアノード電圧（ノードＮＤ２の電圧）が、Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ（有機ＥＬ素子１の閾値電圧）以下である限り、駆動トランジスタＴｄの電流は保持容量Ｃｓと寄生容量Ｃｏｌｅｄ及び補助容量Ｃｓｕｂを充電するために使われる。有機ＥＬ素子１のアノード電圧がＶｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ以下である限りとは、有機ＥＬ素子１のリーク電流が駆動トランジスタＴｄに流れる電流よりもかなり小さいという意味である。
このためノードＮＤ２の電圧（駆動トランジスタＴｄのソース電圧）は、時間と共に上昇してゆく。
【００３４】
この閾値補正は、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧を閾値電圧Ｖｔｈとする動作である。従って駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈとなるまで、駆動トランジスタＴｄのソース電圧が上昇される。
一定時間経過すると、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈとなる。
なお、この例では閾値補正動作を１回行うものとしているが、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈとなる時間を確保するため、閾値補正動作が分割して複数回行われることもある。
【００３５】
期間ＬＴ２の終了時点で、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈとなった時、ソース電圧（ノードＮＤ２：有機ＥＬ素子１のアノード電圧）＝Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ≦Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌとなっている。（Ｖｃａｔはカソード電圧、Ｖｔｈｅｌは有機ＥＬ素子１の閾値電圧）このとき、ライトスキャナ１３は走査パルスＷＳをＬレベルとし、サンプリングトランジスタＴｓがオフとなって閾値補正動作が完了する。
【００３６】
その後、信号線電圧が映像信号電圧Ｖｓｉｇとなっている期間ＬＴ３に、ライトスキャナ１３が走査パルスＷＳをＨレベルとし、映像信号電圧Ｖｓｉｇの書込及び移動度補正が行われる。即ち駆動トランジスタＴｄのゲートに映像信号電圧Ｖｓｉｇが入力される。
【００３７】
駆動トランジスタＴｄのゲート電圧は映像信号電圧Ｖｓｉｇの電圧となるが、電源制御線ＤＳＬが駆動電圧Ｖｃｃとなっていることで電流が流れ、ソース電圧は時間とともに上昇してゆく。
このとき、駆動トランジスタＴｄのソース電圧が有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和を越えなければ、駆動トランジスタＴｄの電流は保持容量Ｃｓと寄生容量Ｃｏｌｅｄ及び補助容量Ｃｓｕｂを充電するのに使用される。つまり有機ＥＬ素子１のリーク電流が駆動トランジスタＴｄに流れる電流よりもかなり小さければという条件である。
そしてこのときは、駆動トランジスタＴｄの閾値補正動作は完了しているため、駆動トランジスタＴｄが流す電流は移動度μを反映したものとなる。
具体的にいうと、移動度が大きいものはこの時の電流量が大きく、ソースの上昇も早い。逆に移動度が小さいものは電流量が小さく、ソースの上昇は遅くなる。
これによって、走査パルスＷＳがＨレベルとなる期間ＬＴ４として、サンプリングトランジスタＴｓがオンしてから、駆動トランジスタＴｄのソース電圧Ｖｓは上昇し、サンプリングトランジスタＴｓがオフしたときには、ソース電圧Ｖｓは移動度μを反映した電圧となる。駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは移動度を反映して小さくなり、一定時間経過後に完全に移動度を補正する電圧となる。
【００３８】
このように映像信号電圧Ｖｓｉｇ書込及び移動度補正を行った後、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓを確定させ、ブートストラップ、発光状態へと移行する。
即ち走査パルスＷＳをＬレベルとしてサンプリングトランジスタＴｓをオフして書き込みが終了し、有機ＥＬ素子１を発光させる。
この場合、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流Ｉｄｓが流れ、ノードＮＤ２の電圧は、有機ＥＬ素子１にその電流が流れる電圧まで上昇し、有機ＥＬ素子１は発光する。このときサンプリングトランジスタＴｓがオフであり、ノードＮＤ２の電圧の上昇と同時に駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）も同様に上昇するため、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは一定に保たれたままである。(ブートストラップ動作)
このように期間ＬＴ４としての発光期間が開始されることとなる。そして次のフレームの開始時点ｔｓまで有機ＥＬ素子１の発光が継続される。
【００３９】
このように画素回路１０は１フレーム期間における１サイクルの発光駆動動作として、閾値補正動作及び移動度補正動作を含んで、有機ＥＬ素子１の発光のための動作が行われる。
閾値補正動作によって各画素回路１０での駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈのバラツキや、経時変動による閾値電圧Ｖｔｈ変動などに関わらず、信号電圧Ｖｓｉｇに応じた電流を有機ＥＬ素子１に与えることができる。つまり製造上或いは経時変化による閾値電圧Ｖｔｈのバラツキをキャンセルして、画面上に輝度ムラ等を発生させずに高画質を維持できる。
また、駆動トランジスタＴｄの移動度によってもドレイン電流は変動するため、画素回路１０毎の駆動トランジスタＴｄの移動度のバラツキにより画質が低下するが、移動度補正により、駆動トランジスタＴｄの移動度の大小に応じてソース電圧Ｖｓが得られる。結果として各画素回路１０の駆動トランジスタＴｄの移動度のバラツキを吸収するようなゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに調整されるため、移動度のバラツキによる画質低下も解消される。
【００４０】
なお、図３では図示及び説明の簡略化のため、閾値補正を１回で行う例を述べたが、上述のように複数回分割して閾値補正を行うこともある。その場合、図３の期間ＬＴ３として示す映像信号電圧Ｖｓｉｇの書込を行う前に、信号線ＤＴＬの電圧が基準電圧Ｖｏｆｓのときに、走査パルスＷＳをオンとする動作を複数回行うこととなる。
１サイクルの画素回路動作内で閾値補正動作を分割して複数回行うのは、表示装置の高速化（高周波数化）の要請による。
高フレームレート化が進むことで、画素回路の動作時間が相対的に短くなっていくため、連続的な閾値補正期間（信号線電圧＝基準電圧Ｖｏｆｓの期間）を確保することが難しくなる。その場合、時分割的に閾値補正動作を行うことで閾値補正期間として必要な期間を確保して、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧を閾値電圧Ｖｔｈに収束させるようにする。  
【００４１】
上記が有機ＥＬ表示装置の構成および画像表示をするときの動作の概要である。式１のＩｄｓの値により画質が大きな影響をうけることがわかる。また、かかる有機ＥＬ表示装置においては干渉縞が観察される。
【００４２】
＜２．干渉縞の発生について＞
干渉縞がどんな原因で視認されるか図４により説明する。ここでいう干渉縞は、発光ばらつき（発光むら）に起因して画面上に表れる縞模様のことをいう。図４は干渉縞を視認できる場合と視認できない場合を表すものである。図４Ａは干渉縞の視認できない場合を示し、図４Ｂは干渉縞の視認できる場合を示している。
【００４３】
図４Ａ上図に示すように、画面上に干渉縞を視認できない。図４Ａ下図はこの場合の条件を示している。ここで、Ｖｇｓ、ＩｄｓおよびＶｄｓはそれぞれ駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧、ドレイン・ソース間電流およびドレイン・ソース間電圧である。Ｖｄｓは１０Ｖ固定としている。この状態でＶｇｓの値を右端のように０．６〜３．０と変化させ、表示画面上の９点について電流比（Ｉｄｓ）の値の変化を示したものである。この電流比（グラフの縦軸）は１００%を中心に正規化したものである。この場合、グラフ中の矢印の付いた曲線が示すように全体として波長の周期が小さなものとなっている。このとき、図４Ａ上図のように画面上に干渉縞を視認することはできない。なお、この９点の位置は波括弧の部分に相当する。
【００４４】
一方、図４Ｂ上図に示すように、画面上に干渉縞を視認できる。この場合、図４Ｂの下図のグラフ中の矢印の付いた曲線が示すように波長の周期が複数画素にわたる大きなものとなっている。このとき、図４Ｂ上図のように画面上に干渉縞が視認される。
以上のことより、Ｉｄｓの値が画素に対して小さな波長で周期的に変動する場合には干渉縞が表れにくいことがわかる。
【００４５】
＜３．人間の目のＭＴＦについて＞
人間の目のＭＴＦ（Modulation Transfer Function）について図５により説明する。ＭＴＦとは、空間周波数とコントラスト（明暗比）の関係を表すもので、空間周波数特性といわれる。人間の目についてこの関係をみることにより、空間周波数と人間の目の識別能力に一定の関係があることが示される。
図５は人間の目の空間周波数特性である。ここで、横軸を空間周波数（ｃ／ｄｅｇ）とし、縦軸をコントラスト（％）としている。目盛りは対数目盛である。
【００４６】
空間周波数とはここでは縞の細かさのことで、単位長（視覚１度）あたりの縞の本数とされる。したがって、縞の間隔を ｗ度とすると、周波数 ｕ＝１／ｗ（cycles/degree、c/deg）となる。
コントラストとは白黒の明暗対比のことで、振幅／平均輝度で表わす。振幅＝（最大輝度−最小輝度）／２、平均輝度＝（最大輝度＋最小輝度）／２となることから、コントラスト％＝（最大輝度−最小輝度）／（最大輝度＋最小輝度）×１００％と定義される。
【００４７】
図５に示すように、人間の目の空間周波数特性として、低周波数域と高周波数域でコントラストが低下した特性を示している。要するに粗い縞模様や細かい縞模様は見えにくく、約５ｃ／ｄｅｇ付近が最も見えやすい特性となっている。この曲線の下側の領域は、人間の目には縞模様（干渉縞）が認識できない。上側の領域は、人間の目で認識できることを表している。
したがって、空間周波数とコントラスト％の値を調整し、図５の特性曲線の下側の領域になるようにすれば、縞模様を見えにくくすることができると考えられる。
【００４８】
＜４．実施の形態＞
表示装置の画面上に表れる干渉縞を見えにくくするための手法について図６により説明する。図６Ａ〜図６Ｄは画素の発光（輝度）の変化と画面上の干渉縞の表示状態を表すものであり、画素の発光状態を所定の周期で変化させたときの画面の干渉縞の表れ方の実験結果である。
図６Ａは発光にばらつきのない場合を表している。図６Ａに示すように、干渉縞は認識できない。いわゆる理想状態である。実際には画素毎の輝度にばらつきが必ず存在するためこれを実現するのは難しいとされる。
【００４９】
図６Ｂは、発光ばらつきはあるが、その周期が小さい場合を表している。図６Ｂに示すように干渉縞は見えず、人は認識できない。
これに対し、図６Ｃおよび図６Ｄは発光状態が少し大きな周期のばらつきのある場合を示すものである。これらの発光状態が通常の状態である。すなわち、普通に製造して完成した表示装置の発光ばらつきの状態である。この場合、干渉縞がはっきりと認識できる。
【００５０】
図６Ａのように画素毎の発光（輝度）にばらつきがない状態が理想的であり、この状態が実現できれば最も望ましい。しかし、実際には画素毎の輝度にばらつきが存在するためこれを実現するのは難しい。一方、今回行った実験から図６Ｃ若しくは図６Ｄでは干渉縞が認識できるが、輝度周期を短くした図６Ｂの表示状態では、干渉縞が認識されない。これは、輝度の周期が人の目の解像度を超えたためと考えられる。したがって、この状態を実現できれば干渉縞を消す（見えなくする）ことができると考えられる。このこと（図６Ｂの状態で干渉縞が見えなくなること）は、上述の人間の目の空間周波数特性（ＭＴＦ）からも裏付けられることである。  
【００５１】
図６Ｅは各画素毎の発光量の大きさ、および補正後の発光量の大きさを模式的に示すものである。図に示すように理想的な状態では発光ばらつきは±０%であり、発光のばらつきは存在しない。この状態が図６Ａの状態に対応する。
これに対して、現実のデバイスにおいては発光ばらつきが発光量に対して、図に示すように隣接した９つの画素間に存在する。ここでは例として最大±１０%程度存在する場合を示している。この状態が図６Ｃ、図６Ｄの状態に対応する。そこで、この現実の発光状態のものに発光ばらつきの付加（補正）を行い、輝度周期を短くし（空間周波数を高くする）、図６Ｂの状態にすることができれば、干渉縞を見えなくすることができると考えられる。 
【００５２】
そのために元の発光ばらつき（例：±１０%）よりも大きいオフセット（例：±１５%）を隣接した画素に対して交互にかけることで、最終的に図６Ｅの下図に示すように元の周期よりも小さい周期の発光ばらつき（凹凸）を作ることができる。これにより、図６Ｂの状態にすることができる。この場合、図６Ａの状態から±２５%の発光ばらつきとなる。このように隣接する画素に発光状態の周期的な高低差を作り、元の周期より小さい周期の発光ばらつきを作り図６Ｂの状態を実現することで、干渉縞を見えなくすることができると考えられる。
ところで、発光ばらつきによる干渉縞をなくするための一般的な方法として、上述の式１におけるＩｄｓ（ドレイン−ソース間電流）の値のばらつきを小さくし（これにより発光ばらつきが小さくなる）、図６Ａの状態に近づけることが行われている。
しかし、ここでの方法は元の発光ばらつきを補正することにより、全体の発光ばらつきを大きくしながら、発光ばらつきの周期を短くする（空間周波数を高くする）ことにより図６Ｂの状態にし、干渉縞を見えなくしようとするものである。  
【００５３】
発光状態のばらつきに補正を加える具体的な方法として種々の方法が考えられる。発光量は、本質的には上述の式１におけるＩｄｓ（ドレイン−ソース間電流）の大きさで決まる。このためＩｄｓを人為的に変化させることにより実現できる。
また、発光状態を間接的に調整することもできる。例えば、画素幅を変更すること等により実現できる。以下に各種の制御、調整の方法について説明する。
【００５４】
＜４−１．エキシマレーザによる駆動トランジスタの特性変更＞
上述したように駆動トランジスタＴｄ（ＴＦＴ）のＩｄｓを変えれば発光状態のばらつきを変えることができる。ここでは、エキシマレーザアニールによるＴＦＴの特性を変更してＩｄｓを変更する方法について図７により説明する。
【００５５】
ＴＦＴの製造プロセスにおいて、ガラス基盤上に成膜されたアモルファス(非結晶)シリコン膜にエキシマレーザを照射し（これをレーザアニールと呼ぶ）、ポリシリコンに改質することが行われる。このポリシリコンに改質する事により、特性の優れたＴＦＴを形成することができる。
このエキシマレーザの照射エネルギーの大きさによりＴＦＴの移動度μを調整できる。移動度μが調整できれば、式１からＩｄｓを調整できることになる。
【００５６】
図７に示すように、アモルファスシリコンをポリシリコンに改質するためのレーザアニールのエネルギーを、表示装置内の同一ライン上のＴＦＴ毎に変化させる。
これにより、元のＩｄｓのばらつき（例えば、±１０%）に対し人工的に所定のばらつき、例えば±１５%のばらつきを付加することができ、同時に元のＩｄｓの変化の周期より小さい周期のばらつきとすることが可能である。これにより、干渉縞を見えにくくすることができる。
【００５７】
＜４−２．駆動トランジスタのチャンネル幅の変更＞
式１より駆動トランジスタＴｄ（ＴＦＴ）のチャンネル幅Ｗを変更すればＩｄｓは変化する。したがって、ＴＦＴのチャンネル幅Ｗを変えれば、発光状態を変更できる。
そこで、ＴＦＴのチャンネル幅Ｗの変更について図８，図９により説明する。図８は、ＴＦＴのチャンネル幅Ｗを変更する場合の概念図を表すものである。図９は、ＴＦＴの構造図を示すものである。
【００５８】
図８に示すように、表示装置内の同一ライン上のＴＦＴ毎にチャンネル幅Ｗを変化させる。このＷの変更により、Ｉｄｓが変化する。このチャンネル幅はＴＦＴの設計値とされているので、元の設計値に対して、所定値を加算することにより調整できる。これにより、元のＩｄｓのばらつき（例えば、±１０%）に対し人工的に所定のばらつき、例えば±１５%のばらつきを付加することが可能である。同時に元のＩｄｓの変化の周期より小さい周期のばらつきとすることが可能である。これにより、干渉縞を見えにくくすることができる。
チャンネル長Ｌを変化させても良い。ただし、Ｉｄｓはチャンネル長Ｌに逆比例するので、この場合所定値を減算することによりチャンネル幅Ｗの調整と同一の効果となる。
【００５９】
図９により、ＴＦＴの構造を簡単に説明する。図９下図がＴＦＴの断面図である。図９上図がその上面図である。基板上の左右にドレイン領域１、ソース領域４が形成され、その中間にゲート電極２が配置されている。チャンネル幅Ｗは、ドレイン領域１の縦方向の幅をいう。チャンネル長はゲート電極２の横方向の長さをいう。ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）３は、ホットキャリア効果を軽減するもので、ドレイン領域１とソース領域４とを低不純物濃度領域と高不純物領域の２種類の不純物領域で構成し、ホットキャリアの発生を抑える。
【００６０】
＜４−３．画素幅の変更＞
画素幅の変更により画素の発光状態を変更できる。画素幅の変更について図１０により説明する。
図１０に示すように、ＢＭ（ブラックマトリクス）の幅を可変することにより各画素の発光状態のばらつきを調整する。表示装置内の同一ライン上の画素毎にＢＭの幅を調整する。この幅は設計値とされているので、元の設計値に対して、所定値を加算することにより調整できる。この方法は、Ｉｄｓを調整して発光量を変えてやるというのではなく、すでに所定の輝度で発光しているものに対しＢＭの幅を調整し間接的に制御するものである。
【００６１】
これにより、元の発光のばらつき（例えば、±１０%）に対し人工的に所定のばらつき、例えば±１５%のばらつきを付加することが可能である。同時に元の発光状態の変化の周期より小さい周期のばらつきとすることが可能である。これにより、干渉縞を見えにくくすることができる。図１０において、広挟の広は輝度を上げることを意味し、広挟の挟は輝度を下げることを意味する。
【００６２】
＜４−４．カラーフィルタの透過率の変更＞
カラーフィルタの透過率を変更しても発光のばらつきを調整できる。カラーフィルタの透過率の変更を図１１により説明する。図１１に示すように表示装置内の同一ライン上の画素毎に配置されたカラーフィルタの透過率を調整する。この値は設計値とされているので、元の設計値に対して、所定値を加算することにより調整できる。
【００６３】
これにより、元の発光のばらつき（例えば、±１０%）に対し人工的に所定のばらつき、例えば±１５%のばらつきを付加することが可能である。同時に元の発光状態の変化の周期より小さい周期のばらつきとすることが可能である。これにより、干渉縞を見えにくくすることができる。図１１において、透過率を大きくすることは輝度を上げることを意味し、透過率を小さくすることは輝度を下げることを意味する。
【００６４】
＜４−５．水平セレクタからの信号電圧の変更＞
駆動トランジスタＴｄ（ＴＦＴ）の信号線ＤＴＬの電圧を変更することにより発光状態を変更できる。信号線ＤＴＬの電圧の変更について図１２により説明する。図１２Ａは信号線ＤＴＬの電圧に所定の電圧を付加する場合を示すものである。図１２Ｂは、すでに表示装置に供給された信号線ＤＴＬの電圧に対して所定の電圧を付加する場合を示すものである。
【００６５】
まず図１２Ａから説明する。
図１２Ａに示すように、水平セレクタ１１の各出力電圧、すなわち信号線ＤＴＬの電圧に対して所定電圧を付加すればよい。これにより元の発光のばらつき（例えば、±１０%）に対し人工的に所定のばらつき、例えば±１５%のばらつきを付加することが可能である。同時に元の発光状態の変化の周期より小さい周期のばらつきとすることが可能である。これにより、干渉縞を見えにくくすることができる。この付加するばらつきの値は元の発光ばらつきに基づいて定められる。
また、ばらつきを付加する具体的方法として次の方法が考えられる。
（ａ）信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ３、ＤＴＬ５、・・・・、ＤＴＬｎ−１に対して＋のばらつき、信号線ＤＴＬ２、ＤＴＬ４、ＤＴＬ６、・・・・、ＤＴＬｎに対して−のばらつきを付加する。
（ｂ）信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ３、ＤＴＬ５、・・・・、ＤＴＬｎ−１に対して＋のばらつき、信号線ＤＴＬ２、ＤＴＬ４、ＤＴＬ６、・・・・、ＤＴＬｎに対して０のばらつきを付加する。
（ｃ）信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ３、ＤＴＬ５、・・・・、ＤＴＬｎ−１に対して０のばらつき、信号線ＤＴＬ２、ＤＴＬ４、ＤＴＬ６、・・・・、ＤＴＬｎに対して＋のばらつきを付加する。
さらに、上記の各方法に対しフレーム信号毎に信号線ＤＴＬを交互に変えてばらつきを付加してもよい。すなわち（ａ）の例でいえば、最初のフレームでは、上記の方法でばらつきを付加し、次のフレームでは、信号線ＤＴＬ２、ＤＴＬ４、ＤＴＬ６、・・・・、ＤＴＬｎに対して＋のばらつき、信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ３、ＤＴＬ５、・・・・、ＤＴＬｎ−１に対して−のばらつきを付加する。これをフレーム毎に交互に繰り返すものである。
（ｂ）、（ｃ）も同じ方法が考えられる。
【００６６】
次に図１２Ｂについて説明する。
図１２Ｂに示すように、水平セレクタ１１の信号線ＤＴＬ１、３・・に増幅器Ａ１を経由してコンデンサＣ１を接続する。これにより、すでに表示装置に供給された信号線ＤＴＬ１、３・・の電圧にオフセットを与えることができる。したがって、コンデンサＣ１が接続されている信号線ＤＴＬ１，３・・の電圧は高くなり、コンデンサＣ１の接続がない信号線ＤＴＬ２、４・・の電圧は低くなる。これにより元の発光のばらつき（例えば、±１０%）に対し人工的に所定のばらつき、例えば±１５%のばらつきを付加することが可能である。同時に元の発光状態の変化の周期より小さい周期のばらつきとすることが可能である。これにより、干渉縞を見えにくくすることができる。この付加するばらつきの値は元の発光ばらつきに基づいて定められ、±１５%に限るものではない。また、接続信号線ＤＴＬ２、４・・のほうにコンデンサＣ１を接続し、信号線ＤＴＬ１、３・・は、切り離しスイッチを接続する構成にしてもよい。
【００６７】
図１２Ｂにおいて、Ａ２を経由して切り離しスイッチＳＷ１が入っているのは信号線ＤＴＬをフローティングにするものである。水平セレクタ１１のなかでフローティングになる構成になっていれば、この切り離しスイッチＳＷ１は必要ない。
【００６８】
水平セレクタ１１による信号線ＤＴＬの電圧の変更は、駆動トランジスタＴｄの製造プロセスや設計の変更が必要ないため評価が比較的容易であり、且つ確実な輝度調整の効果（Ｉｄｓ変更の効果）を得られることが予想される。この理由から、表示装置の輝度の周期性による干渉縞を抑制するのは、水平セレクタ１１の信号線ＤＴＬの電圧の設定変更が好適である。
【００６９】
＜５．その他電子機器への適用例、変形例＞
以上、実施の形態を説明してきたが、上述した表示装置の構成は一例であり、また画素の構成も一例である。本開示の技術は、各種表示装置に用いられる装置構成において適用できるものである。
また本開示は表示装置にかかわらず各種表示装置に広く適用できる。
【００７０】
次に図１３〜図１５を参照して、実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００７１】
（適用例１）
図１３Ａは、実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１およびフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１０等を有しており、この映像表示画面部５１０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７２】
（適用例２）
図１３Ｂは、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５３１、文字等の入力操作のためのキーボード５３２および画像を表示する表示部５３３等を有しており、その表示部５３３は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７３】
（適用例３）
図１３Ｃは、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部５４１、この本体部５４１の前方側面に設けられた被写体撮像用のレンズ５４２、撮像時のスタート／ストップスイッチ５４３および表示部５４４等を有しており、その表示部５４４は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７４】
（適用例４）
図１４Ａ、図１４Ｂは、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。図１４Ａは正面側、図１４Ｂは背面側の外観を示している。このデジタルカメラは、例えば、タッチパネル付きの表示部５２０、撮像レンズ５２１、フラッシュ用の発光部５２３、シャッターボタン５２４等を有しており、その表示部５２０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７５】
（適用例５）
図１５は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。図１５Ａは筐体を開いた状態の操作面及び表示面、図１５Ｂは筐体を閉じた状態の上面側、図１５Ｃは筐体を閉じた状態の底面側をそれぞれ示している。図１５Ｄ、図１５Ｅは筐体を閉じた状態の上面側からと底面側からの斜視図である。
この携帯電話機は、例えば、上側筐体５５０と下側筐体５５１とを連結部（ヒンジ部）５５６で連結したものであり、ディスプレイ５５２、サブディスプレイ５５３、キー操作部５５４、カメラ５５５等を有している。ディスプレイ５５２またはサブディスプレイ５５３は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７６】
なお本技術は以下のような構成も採ることができる。
（１）複数の画素がマトリクス状に配列された画素アレイ部を備え、
各画素の発光状態に対して、所定量の発光ばらつきを付加し、該付加した場合の上記画素アレイ部の発光状態の周期が上記所定量の発光ばらつきを付加する前の上記画素アレイ部の発光状態による周期より小さい表示装置。
（２）上記発光ばらつきの付加は駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流を調整することによりなされている上記（１）に記載の表示装置。
（３）上記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流の調整はチャネル幅を変えることによりされている上記（２）に記載の表示装置。  
（４）上記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流の調整は駆動トランジスタの製造プロセスでのエキシマレーザの照射エネルギーの調整によりなされている上記（２）または（３）に記載の表示装置。  
（５）上記発光ばらつきの付加は画素幅を調整することによりなされる上記（１）に記載の表示装置。
（６）上記発光ばらつきの付加はカラーフィルタの透過率を調整することによりなされる上記（１）または（５）に記載の表示装置。
【符号の説明】
【００７７】
１  有機ＥＬ素子、１０  画素回路、１１  水平セレクタ、１２  ドライブスキャナ、１３  ライトスキャナ、２０  画素アレイ部、Ｃｓ  保持容量、Ｔｓ  サンプリングトランジスタ、Ｔｄ  駆動トランジスタ、５１０  映像表示画面部、５１１  フロントパネル、５１２  フィルターガラス、５２０  表示部、５２１  撮像レンズ、５２３  発光部、５２４  シャッターボタン、５３１  本体、５３２  キーボード、５３３  表示部、５４１  本体部、５４２  レンズ、５４３  スタート／ストップスイッチ、５４４  表示部、５５０  上側筐体、５５１  下側筐体、５５２  ディスプレイ、５５３  サブディスプレイ、５５４  キー操作部、５５５  カメラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図８】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１１】
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