(57)【要約】【課題】絶縁性および拡散反射率のいずれにも優れる発光素子を作製することができる絶縁反射基板の提供。【解決手段】アルミニウム層と前記アルミニウム層の表面に設けられる酸化アルミニウム層とを有する絶縁反射基板であって、  前記酸化アルミニウム層の厚さが８０〜３００μｍであり、  前記酸化アルミニウム層がその表面に開口部が存在する大ピットを有し、  前記大ピットの平均開口径が１μｍ超３０μｍ以下であり、  前記大ピットの平均深さが８０μｍ以上かつ前記酸化アルミニウム層の厚さ未満であり、  前記大ピットの平均ピット間距離が１０μｍ以上かつ前記酸化アルミニウム層の厚さ未満であり、  前記酸化アルミニウム層の表面の面積に対する前記大ピットの前記開口部の合計面積の割合が１０〜４０％であり、  前記大ピットが前記大ピットの内部表面に開口部が存在する小ピットを有し、  前記小ピットの平均開口径が５〜１０００ｎｍである絶縁反射基板。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム層と前記アルミニウム層の表面に設けられる酸化アルミニウム層とを有する絶縁反射基板であって、
前記酸化アルミニウム層の厚さが、８０μｍ以上３００μｍ以下であり、
前記酸化アルミニウム層が、その表面に開口部が存在する大ピットを有し、
前記大ピットの平均開口径が、１μｍ超３０μｍ以下であり、
前記大ピットの平均深さが、８０μｍ以上かつ前記酸化アルミニウム層の厚さ未満であり、
前記大ピットの平均ピット間距離が、１０μｍ以上かつ前記酸化アルミニウム層の厚さ未満であり、
前記酸化アルミニウム層の表面の面積に対する前記大ピットの前記開口部の合計面積の割合が、１０％以上４０％以下であり、
前記大ピットが、前記大ピットの内部表面に開口部が存在する小ピットを有し、
前記小ピットの平均開口径が、５〜１０００ｎｍである絶縁反射基板。
【請求項２】
前記酸化アルミニウム層の厚みと前記アルミニウム層の厚みとの比率（酸化アルミニウム層／アルミニウム層）が、０．６〜５．０である請求項１に記載の絶縁反射基板。
【請求項３】
ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板である請求項１または２に記載の絶縁反射基板。
【請求項４】
アルミニウム基板の表面の深さ方向の一部に陽極酸化処理を施すことによって、アルミニウム層と前記アルミニウム層の表面に設けられる酸化アルミニウム層とを有する絶縁反射基板を得る絶縁反射基板の製造方法であって、
前記アルミニウム層が、前記陽極酸化処理が施されなかった前記アルミニウム基板の残部であり、
前記酸化アルミニウム層が、前記陽極酸化処理により前記アルミニウム基板から形成された陽極酸化皮膜であり、
前記アルミニウム基板の厚さが、８０μｍ以上であり、
前記アルミニウム基板が、その表面に開口部が存在する大ピットを有し、
前記大ピットの平均開口径が、１μｍ超３０μｍ以下であり、
前記大ピットの平均深さが、８０μｍ以上かつ前記アルミニウム基板の厚さ未満であり、
前記大ピットの平均ピット間距離が、１０μｍ以上かつ前記アルミニウム基板の厚さ未満であり、
前記アルミニウム基板の表面の面積に対する前記大ピットの前記開口部の合計面積の割合が、１０％以上である絶縁反射基板の製造方法。
【請求項５】
前記アルミニウム基板の厚みに対する前記アルミニウム層および前記酸化アルミニウム層の合計の厚みの割合が、９０〜１００％である請求項４に記載の絶縁反射基板の製造方法。
【請求項６】
前記大ピットが、アルミニウム基板に対して塩酸電解を施すことにより形成される請求項４または５に記載の絶縁反射基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁反射基板と、前記絶縁反射基板の前記絶縁層側の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。
【請求項８】
請求項７に記載の配線基板と、前記配線基板の前記金属配線層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、前記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に用いられる絶縁反射基板に関するものであり、詳しくは発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という。）に用いることができる絶縁反射基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ＬＥＤは、蛍光灯と比較して、電力使用量が１／１００、寿命が４０倍（４００００時間）と言われている。このような省電力かつ長寿命という特徴が、環境重視の流れの中でＬＥＤが採用される重要な要素となっている。
特に白色ＬＥＤは、演色性に優れ、蛍光灯に比べて電源回路が簡便であるというメリットもあることから、照明用光源としての期待が高まっている。
近年、照明用光源として要求される発光効率の高い白色ＬＥＤ（３０〜１５０Ｌｍ／Ｗ）も続々と登場し、実用時における光の利用効率の点では、蛍光灯（２０〜１１０Ｌｍ／Ｗ）を逆転している。
これにより、蛍光灯に代わり白色ＬＥＤの実用化の流れが一気に高まり、液晶表示装置のバックライトや照明用光源として白色ＬＥＤが採用されるケースも増えつつある。
【０００３】
このような白色ＬＥＤに使用できる基板として、特許文献１には、「少なくとも、絶縁層と、該絶縁層と接して設けられる金属層とを有する光反射基板において、３２０ｎｍ超〜７００ｎｍ波長光の全反射率が５０％以上であって、且つ、３００ｎｍ〜３２０ｎｍ波長光の全反射率が６０％以上であることを特徴とする、光反射基板。」が記載されている（［請求項１］［請求項１２］）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１５０８１０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、特許文献１に記載された光反射基板について検討を行った結果、十分な絶縁性および反射率を有しているものの、アルミニウム基板の表面形状によってはＬＥＤの拡散反射率が低減する場合があり、蛍光灯として代用し難い場合があることが分かった。
【０００６】
そこで、本発明は、絶縁性および拡散反射率のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁反射基板およびその製造方法ならびに絶縁反射基板を用いた配線基板および発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、絶縁層として特定の大ピットおよび小ピットを有する酸化アルミニウム層を用いることにより、優れた絶縁性と拡散反射率を両立できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（８）を提供する。
【０００８】
（１）アルミニウム層と上記アルミニウム層の表面に設けられる酸化アルミニウム層とを有する絶縁反射基板であって、
上記酸化アルミニウム層の厚さが、８０μｍ以上３００μｍ以下であり、
上記酸化アルミニウム層が、その表面に開口部が存在する大ピットを有し、
上記大ピットの平均開口径が、１μｍ超３０μｍ以下であり、
上記大ピットの平均深さが、８０μｍ以上かつ上記酸化アルミニウム層の厚さ未満であり、
上記大ピットの平均ピット間距離が、１０μｍ以上かつ上記酸化アルミニウム層の厚さ未満であり、
上記酸化アルミニウム層の表面の面積に対する上記大ピットの上記開口部の合計面積の割合が、１０％以上４０％以下であり、
上記大ピットが、上記大ピットの内部表面に開口部が存在する小ピットを有し、
上記小ピットの平均開口径が、５〜１０００ｎｍである絶縁反射基板。
【０００９】
（２）上記酸化アルミニウム層の厚みと上記アルミニウム層の厚みとの比率（酸化アルミニウム層／アルミニウム層）が、０．６〜５．０である上記（１）に記載の絶縁反射基板。
【００１０】
（３）ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板である上記（１）または（２）に記載の絶縁反射基板。
【００１１】
（４）アルミニウム基板の表面の深さ方向の一部に陽極酸化処理を施すことによって、アルミニウム層と上記アルミニウム層の表面に設けられる酸化アルミニウム層とを有する絶縁反射基板を得る絶縁反射基板の製造方法であって、
上記アルミニウム層が、上記陽極酸化処理が施されなかった上記アルミニウム基板の残部であり、
上記酸化アルミニウム層が、上記陽極酸化処理により上記アルミニウム基板から形成された陽極酸化皮膜であり、
上記アルミニウム基板の厚さが、８０μｍ以上であり、
上記アルミニウム基板が、その表面に開口部が存在する大ピットを有し、
上記大ピットの平均開口径が、１μｍ超３０μｍ以下であり、
上記大ピットの平均深さが、８０μｍ以上かつ上記アルミニウム基板の厚さ未満であり、
上記大ピットの平均ピット間距離が、１０μｍ以上かつ上記アルミニウム基板の厚さ未満であり、
上記アルミニウム基板の表面の面積に対する上記大ピットの上記開口部の合計面積の割合が、１０％以上である絶縁反射基板の製造方法。
【００１２】
（５）上記アルミニウム基板の厚みに対する上記アルミニウム層および上記酸化アルミニウム層の合計の厚みの割合が、９０〜１００％である上記（４）に記載の絶縁反射基板の製造方法。
【００１３】
（６）上記大ピットが、アルミニウム基板に対して塩酸電解を施すことにより形成される上記（４）または（５）に記載の絶縁反射基板の製造方法。
【００１４】
（７）上記（１）〜（３）のいずれかに記載の絶縁反射基板と、上記絶縁反射基板の上記絶縁層側の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。
【００１５】
（８）上記（７）に記載の配線基板と、上記配線基板の上記金属配線層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。
【発明の効果】
【００１６】
以下に説明するように、本発明によれば、絶縁性および拡散反射率のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁反射基板およびその製造方法ならびに絶縁反射基板を用いた配線基板および発光素子を提供することができる。
そのため、本発明の発光素子は、蛍光灯の代用として好適に用いることができるため有用である。
また、本発明の絶縁反射基板の製造方法は、膜厚が１００μｍ程度の酸化アルミニウム層（陽極酸化皮膜）を３〜４時間程度で形成することができるため、極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の絶縁反射基板の好適な実施態様の一例を示す模式的な部分断面図である。
【図２】図２は、大ピットの平均ピット間距離（Ｌ）を算出するための模式図である。
【図３】図３は、アルミニウム基板の好適な実施態様の一例を示す模式的な部分断面図である。
【図４】図４は、本発明の絶縁反射基板の作製における陽極酸化処理に用いられる陽極酸化処理装置の概略図である。
【図５】図５は、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式的な断面図である。
【図６】図６は、比較例３の絶縁反射基板の作製における電気化学的粗面化処理に用いられる交番波形電流波形図を示すグラフである。
【図７】図７は、比較例３の絶縁反射基板の作製における交流を用いた電気化学的粗面化処理におけるラジアル型セルを示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
［絶縁反射基板］
以下に、本発明の絶縁反射基板について詳細に説明する。
本発明の絶縁反射基板は、アルミニウム層と上記アルミニウム層の表面に設けられる酸化アルミニウム層とを有する絶縁反射基板であって、上記酸化アルミニウム層の厚さが８０μｍ以上３００μｍ以下であり、上記酸化アルミニウム層がその表面に開口部が存在する大ピットを有し、上記大ピットの平均開口径が１μｍ超３０μｍ以下であり、上記大ピットの平均深さが８０μｍ以上かつ上記酸化アルミニウム層の厚さ未満であり、上記大ピットの平均ピット間距離が１０μｍ以上かつ上記酸化アルミニウム層の厚さ未満であり、上記酸化アルミニウム層の表面の面積に対する上記大ピットの上記開口部の合計面積の割合が１０％以上４０％以下であり、上記大ピットが上記大ピットの内部表面に開口部が存在する小ピットを有し、上記小ピットの平均開口径が５〜１０００ｎｍである絶縁反射基板である。
次に、本発明の絶縁反射基板の全体の構成について、図１を用いて説明する。
【００１９】
図１は、本発明の絶縁反射基板の好適な実施態様の一例を示す模式的な部分断面図である。
図１に示すように、本発明の絶縁反射基板１は、アルミニウム層２と、アルミニウム層２の表面に設けられる酸化アルミニウム層３とを有するものである。
また、図１に示すように、酸化アルミニウム層３は、所定の平均開口径等を満たす大ピット４を有し、酸化アルミニウム層３の表面および大ピット４の内部表面に開口部が存在する所定の平均開口径を満たす小ピット５を有するものである。
以下に、アルミニウム層および酸化アルミニウム層のそれぞれについて、材料、寸法等について詳述する。
【００２０】
〔アルミニウム層〕
本発明の絶縁反射基板に用いられるアルミニウム層は、アルミニウムを主成分とする金属層であれば特に限定されないが、後述する酸化アルミニウム層の形成欠陥を防ぐ観点から、アルミニウム基板の表面の深さ方向の一部に陽極酸化処理を施して酸化アルミニウム層を形成する際のアルミニウム基板の残部であるのが好ましい。
【００２１】
本発明の絶縁反射基板においては、上記アルミニウム層の厚みは特に限定されないが、０．１〜２．０ｍｍであるのが好ましく、０．２〜１．０ｍｍであるのがより好ましい。
また、後述する酸化アルミニウム層の厚みと上記アルミニウム層の厚みとの比率（酸化アルミニウム層／アルミニウム層）は、本発明の絶縁反射基板を用いた配線基板の耐電圧（絶縁性）が良好となる理由から０．６〜５．０であるのが好ましく、絶縁性および熱伝導率（放熱性）のバランスが良好となる理由から１．０〜２．０であるのがより好ましい。
【００２２】
〔酸化アルミニウム層〕
本発明の絶縁反射基板に用いられる酸化アルミニウム層は、酸化アルミニウムを主成分とする絶縁層であれば特に限定されないが、上述したように、その形成欠陥を防ぐ観点から、上記アルミニウム基板の表面の深さ方向の一部に陽極酸化処理を施して形成される陽極酸化皮膜であるのが好ましい。
【００２３】
本発明の絶縁反射基板においては、上記酸化アルミニウム層の厚さは、８０μｍ以上３００μｍ以下であり、１００〜３００μｍであるのが好ましく、１００〜２００μｍであるのがより好ましい。
上記酸化アルミニウム層の厚さが上記範囲であると、本発明の絶縁反射基板を用いた配線基板の絶縁性が良好となり、また、後述する本発明の絶縁反射基板の製造方法の効果、すなわち、３〜４時間程度の短時間で形成できるという効果が顕在化するため好ましい。
【００２４】
＜大ピット＞
上記酸化アルミニウム層は、その表面に開口部が存在する大ピットを有する（図１の符号４参照）。
ここで、上記大ピットの平均開口径は、本発明の絶縁反射基板を用いた発光素子の放熱性と反射率のバランスの観点から、１μｍ超３０μｍ以下であり、２〜２０μｍであるのが好ましい。
また、上記大ピットの平均深さは、８０μｍ以上かつ上記酸化アルミニウム層の厚さ未満であり、１５０μｍ以下であるのが好ましい。
また、上記大ピットの平均ピット間距離は、１０μｍ以上かつ上記酸化アルミニウム層の厚さ未満であり、３０μｍ以下であるのが好ましい。
また、上記酸化アルミニウム層の表面の面積に対する上記大ピットの上記開口部の合計面積の割合（以下、「開口面積率」ともいう。）は、本発明の絶縁反射基板を用いた発光素子の放熱性と反射率のバランスの観点から、１０％以上４０％以下であり、１０％以上３０％以下であるのが好ましい。なお、上記酸化アルミニウム層の表面の面積には、上記大ピットの開口部の面積も含むものとする。
【００２５】
ここで、大ピットの平均開口径、平均深さ、平均ピット間距離および開口面積率の測定は、いずれも電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて観察することができる。なお、後述する本発明の絶縁反射基板の製造方法における、アルミニウム基板に存在する大ピットについても同様である。
具体的には、日立製作所社製のＳ−９００のＦＥ−ＳＥＭを用いて、以下に示す方法および条件で観察することができる。
【００２６】
（大ピットの平均開口径）
上記酸化アルミニウム層の表面をＦＥ−ＳＥＭで撮影した画像の表示領域内において、肉眼で判別できる大ピットが１個または２個含まれるように表示倍率を調整し、その倍率でＦＥ−ＳＥＭ画像をデジタルデータとして取り込み、観察した。
取り込んだ画像において、大ピットと判断できる凹部について、Ｘ、Ｙ方向で孔縁部を特定し、各方向での開口径を算出し、Ｘ、Ｙ方向の平均値を大ピットの開口径とした。
上記と同様にして大ピットの開口径を２０個測定し、算術平均することで大ピットの平均開口径を算出した。
【００２７】
（大ピットの平均深さ）
絶縁反射基板を包埋樹脂中に包埋し、研磨することで断面を露出させた。
この断面をＦＥ−ＳＥＭで撮影した画像の表示領域内において判別しうる大ピットが少なくとも２０個含まれるように表示倍率を調整し、その倍率でＦＥ−ＳＥＭ画像をデジタルデータとして取り込み、観察した。
取り込んだ画像において、各大ピットの開口部（酸化アルミニウム層の表面）からの深さを測定し、算術平均することで大ピットの平均深さを算出した。
【００２８】
（大ピットの平均ピット間距離）
上記酸化アルミニウム層の表面をＦＥ−ＳＥＭで撮影した画像の表示領域内において判別しうる大ピットが少なくとも２０個含まれるように表示倍率を調整し、その倍率でＦＥ−ＳＥＭ画像をデジタルデータとして取り込み、観察した。
次いで、下記式に示すように、撮影した画像領域の面積と測定した大ピットの個数から算術的に大ピット間ピッチ（Ｌ＋Ｄａ）を求め、そこから大ピットの平均開口径（Ｄａ）を差し引くことで大ピットの平均ピット間距離（Ｌ）を求めた。
大ピットの平均ピット間距離（Ｌ）＝｛Ｓａ／（Ｎｐ×０．８６６）｝0.5−Ｄａ
（式中、Ｓａは「画像領域の面積」を表し，Ｎｐは「画像領域の大ピットの個数」を表し、Ｄａは「大ピットの平均開口径」を表す。）
なお、上記式は、具体的には、以下にように導き出している。
すなわち、大ピットが細密充填していると仮定すると、図２に示すように、特定の三角形には、網掛け（ハッチ）部分を合わせて１／２個の大ピットが含まれることになる。
また、特定の三角形の面積Ｓｔは、下記式で表される。
Ｓｔ＝１／２ × （Ｌ＋Ｄａ） × ｛√３ × （Ｌ＋Ｄａ）／２｝
＝√３／４×（Ｌ＋Ｄａ）2
そのため、画像領域（面積：Ｓａ）中に存在する大ピットの個数（Ｎｐ）は、下記式で表される。
Ｎｐ＝Ｓａ／（Ｓｔ×２）＝Ｓａ／［｛√３／４ × （Ｌ＋Ｄａ）2｝ × ２］
＝Ｓａ × ２／√３ × （Ｌ＋Ｄａ）-2
そして、上記式を以下のように変形していくことにより、大ピットの平均ピット間距離（Ｌ）を導き出すことができる。
（Ｌ＋Ｄａ）2＝Ｓａ × ２／√３ ／ Ｎｐ
Ｌ＋Ｄａ＝{Ｓａ × ２／√３ ／ Ｎｐ}0.5
Ｌ＝｛Ｓａ × ２ ／√３ ／ Ｎｐ｝0.5 − Ｄａ
＝｛Ｓａ ／ （√３／２ × Ｎｐ）｝0.5 − Ｄａ
＝｛Ｓａ ／ （０．８６６ × Ｎｐ）｝0.5 − Ｄａ
【００２９】
（開口面積率）
開口面積率は、大ピットの平均ピット間距離を求めた画像を用い、下記式を用いて算出した。
（開口面積率）＝（Ｎｐ×１／４×Ｄａ2×π）／Ｓａ×１００（％）
（式中、Ｎｐは「画像領域の大ピットの個数」を表し、Ｄａは「大ピット平均開口径」を表し、Ｓａは「画像領域の面積」を表す。）
【００３０】
＜小ピット＞
上記大ピットは、上記大ピットの内部表面に開口部が存在する小ピットを有する（図１の符号５参照）。
ここで、上記小ピットの平均開口径は、５〜１０００ｎｍであり、１０〜１００ｎｍであるのが好ましく、２０〜５０ｎｍであるのがより好ましい。
このような平均開口径の小ピットを上記大ピットの内部表面に有することにより、本発明の絶縁反射基板を用いた発光素子の拡散反射率が良好となる。これは、基板平面に対して垂直方向に形成される孔の数が極めて少なくなり、入射光が散乱しやすくなるためであると考えられる。
なお、本発明の絶縁反射基板においては、上記小ピットは、図１に示すように、大ピット４の内部表面だけでなく、酸化アルミニウム層３の表面に有していてもよい。
【００３１】
（小ピットの平均開口径）
ここで、小ピットの平均開口径は、大ピットと同様、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて観察することができる。
具体的には、上記酸化アルミニウム層の表面をＦＥ−ＳＥＭで撮影した画像の表示領域内において、肉眼で判別できる小ピットが１個または２個含まれるように表示倍率を調整し、その倍率でＦＥ−ＳＥＭ画像をデジタルデータとして取り込み、画像を観察した。
画像において、小ピットと判断できる凹部について、Ｘ、Ｙ方向で孔縁部を特定し、各方向での開口径を算出し、Ｘ、Ｙ方向の平均値を大ピットの開口径とした。
上記と同様にして大ピットの開口径を５０個測定し、算術平均することで小ピットの平均開口径を算出した。
【００３２】
［絶縁反射基板の製造方法］
以下に、本発明の絶縁反射基板の製造方法（以下、単に「本発明の製造方法」という。）について詳細に説明する。
本発明の製造方法は、アルミニウム基板の表面の深さ方向の一部に陽極酸化処理を施すことによって、アルミニウム層と上記アルミニウム層の表面に設けられる酸化アルミニウム層とを有する絶縁反射基板を得る絶縁反射基板の製造方法であって、上記アルミニウム層が上記陽極酸化処理が施されなかった上記アルミニウム基板の残部であり、上記酸化アルミニウム層が上記陽極酸化処理により上記アルミニウム基板から形成された陽極酸化皮膜であり、上記アルミニウム基板の厚さが８０μｍ以上であり、上記アルミニウム基板がその表面に開口部が存在する大ピットを有し、上記大ピットの平均開口径が、１μｍ超３０μｍ以下であり、上記大ピットの平均深さが８０μｍ以上かつ上記アルミニウム基板の厚さ未満であり、上記大ピットの平均ピット間距離が１０μｍ以上かつ上記アルミニウム基板の厚さ未満であり、上記アルミニウム基板の表面の面積に対する上記大ピットの上記開口部の合計面積の割合が１０％以上である絶縁反射基板の製造方法である。
以下に、アルミニウム基板および陽極酸化処理条件等について詳述する。
【００３３】
〔アルミニウム基板〕
本発明の製造方法に用いられるアルミニウム基板（出発原料）は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等を用いることもできる。
また、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、１０質量％以下であるのが好ましい。
このようなアルミニウム基板は、組成や調製方法（例えば、鋳造方法等）等については特に限定されず、特許文献１の［００３１］〜［００５１］段落に記載された組成、調製方法等を適宜採用することができる。
【００３４】
図３は、アルミニウム基板の好適な実施態様の一例を示す模式的な部分断面図である。
図３に示すように、アルミニウム基板２０は、その表面に開口部が存在する大ピット２４を有する。
【００３５】
本発明の製造方法においては、上記アルミニウム基板の厚さは特に限定されないが、上述した本発明の絶縁反射基板における酸化アルミニウム層およびアルミニウム層の厚さとの関係から、少なくとも８０μｍ以上であり、０．１〜２ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１５〜１．５ｍｍであるのがより好ましく、０．２〜１．０ｍｍであるのが更に好ましい。
【００３６】
＜大ピット＞
上記アルミニウム基板は、その表面に開口部が存在する大ピットを有する（図３の符号２４参照）。
ここで、上記大ピットの平均開口径は、後述する陽極酸化処理に用いる電解液がピットの内部まで浸透し、上記大ピットの内部表面に小ピットを形成する観点から、１μｍ超３０μｍ以下であり、２〜２０μｍであるのが好ましい。
また、上記大ピットの平均深さは、８０μｍ以上かつ上記アルミニウム基板の厚さ未満であり、１５０μｍ以下であるのが好ましい。
また、上記大ピットの平均ピット間距離は、後述する陽極酸化処理により形成される酸化アルミニウム層の形成欠陥、すなわち、上記大ピット間にアルミニウム基板（アルミニウム）が残存してしまうことを防ぐ観点から、１０μｍ以上かつ上記アルミニウム基板の厚さ未満であり、３０μｍ以下であるのが好ましい。
また、上記アルミニウム基板の表面の面積に対する上記大ピットの上記開口部の合計面積の割合（以下、「開口面積率」ともいう。）は、１０％以上であり、１０％以上４０％以下でのあるのが好ましく、１０％以上３０％以下であるのがより好ましい。なお、上記アルミニウム基板の表面の面積には、上記大ピットの開口部の面積も含むものとする。
【００３７】
＜大ピットの形成方法＞
本発明の製造方法においては、上記大ピットの形成方法は特に限定されないが、例えば、アルミニウム基板に対して直流電流を用いた塩酸電解を施すことにより形成することができる。
【００３８】
（アニール処理）
上記塩酸電解の前処理として、アルミニウム基板にアニール処理を施して結晶化させるのが好ましい。
ここで、上記アニール処理は特に限定されないが、アルミニウム基板を１２０〜６００℃の温度で焼成する処理が好適に例示される。
また、上記アニール処理の処理時間は、焼成温度によって異なるため特に限定されないが、５分〜５０時間程度が好ましい。
【００３９】
（塩酸電解）
上記塩酸電解の処理条件は特に限定されないが、電解液における塩酸の濃度は、０．２〜３０ｇ／Ｌであるのが好ましい。
また、電解液の液温は、５〜５０℃であるのが好ましい。
更に、電流密度は、０．０５〜２０Ａ／ｄｍ2であるのが好ましい。
【００４０】
〔陽極酸化処理（酸化アルミニウム層および小ピットの形成方法）〕
本発明の製造方法においては、上記アルミニウム基板の表面の深さ方向の一部に陽極酸化処理を施すことによって、アルミニウム層とその表面に設けられる酸化アルミニウム層とを有する絶縁反射基板を得ることができる。
ここで、深さ方向の一部とは、深さ方向の全部に陽極酸化処理を施す態様を除く意味であり、陽極酸化処理が施されない部分（アルミニウム基板の残部）は、上述した本発明の絶縁反射基板におけるアルミニウム層を構成するものである。
【００４１】
本発明の製造方法においては、上記陽極酸化処理は、例えば、平版印刷版用支持体の製造等で行われている従来公知の方法で施すことができる。
具体的には、陽極酸化処理に用いられる電解液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等や、水酸化ナトリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属／アルカリ土類金属の水酸化物等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第２、第３の成分が添加されていても構わない。ここでいう第２、第３の成分としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属のイオン；アンモニウムイオン等の陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、これらは０〜１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。
【００４２】
また、本発明の製造方法においては、上記陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１〜８０質量％、液温５〜７０℃、電流密度０．５〜６０Ａ／ｄｍ2、電圧１〜６００Ｖ、電解時間１５秒〜２０時間であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量（酸化アルミニウム層の厚さ）となるように調整される。
【００４３】
更に、本発明の製造方法においては、上記陽極酸化処理は、特開昭５４−８１１３３号、特開昭５７−４７８９４号、特開昭５７−５１２８９号、特開昭５７−５１２９０号、特開昭５７−５４３００号、特開昭５７−１３６５９６号、特開昭５８−１０７４９８号、特開昭６０−２００２５６号、特開昭６２−１３６５９６号、特開昭６３−１７６４９４号、特開平４−１７６８９７号、特開平４−２８０９９７号、特開平６−２０７２９９号、特開平５−２４３７７号、特開平５−３２０８３号、特開平５−１２５５９７号、特開平５−１９５２９１号の各公報等に記載されている方法を使用することもできる。
【００４４】
特に、特開昭５４−１２８５３号公報および特開昭４８−４５３０３号公報に記載されているように、電解液として硫酸溶液を用いるのが好ましい。電解液中の硫酸濃度は、１０〜３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、また、アルミニウムイオン濃度は、１〜２５ｇ／Ｌであるのが好ましく、２〜１０ｇ／Ｌであるのがより好ましい。このような電解液は、例えば、硫酸濃度が５０〜２００ｇ／Ｌである希硫酸に硫酸アルミニウム等を添加することにより調製することができる。
【００４５】
本発明においては、上記陽極酸化処理において、硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、上記アルミニウム基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよい。
上記アルミニウム基板に直流を印加する場合、電流密度は１〜６０Ａ／ｄｍ2であるのが好ましく、５〜４０Ａ／ｄｍ2であるのがより好ましい。
【００４６】
また、本発明の製造方法においては、上記陽極酸化処理を連続的に施す場合には、上記アルミニウム基板の一部に電流が集中していわゆる「焼け」が生じないように、陽極酸化処理の開始当初は、５〜１０Ａ／ｄｍ2の低電流密度で電流を流し、陽極酸化処理が進行するにつれ、３０〜５０Ａ／ｄｍ2またはそれ以上に電流密度を増加させるのが好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、上記アルミニウム基板に、電解液を介して給電する液給電方式により行うのが好ましい。
【００４７】
更に、本発明の製造方法においては、上記陽極酸化処理に用いられる電解装置としては、特開昭４８−２６６３８号、特開昭４７−１８７３９号、特公昭５８−２４５１７号の各公報等に記載されているものを用いることができる。中でも、図４に示す装置が好適に用いられる。
図４は、アルミニウム基板の表面を陽極酸化処理する装置の一例を示す概略図である。陽極酸化処理装置４１０において、アルミニウム基板４１６は、図４中矢印で示すように搬送される。電解液４１８が貯溜された給電槽４１２にてアルミニウム基板４１６は給電電極４２０によって（＋）に荷電される。そして、アルミニウム基板４１６は、給電槽４１２においてローラ４２２によって上方に搬送され、ニップローラ４２４によって下方に方向変換された後、電解液４２６が貯溜された電解処理槽４１４に向けて搬送され、ローラ４２８によって水平方向に方向転換される。ついで、アルミニウム基板４１６は、電解電極４３０によって（−）に荷電されることにより、その表面に陽極酸化皮膜が形成され、電解処理槽４１４を出たアルミニウム基板４１６は後工程に搬送される。上記陽極酸化処理装置４１０において、ローラ４２２、ニップローラ４２４およびローラ４２８によって方向転換手段が構成され、アルミニウム基板４１６は、給電槽４１２と電解処理槽４１４との槽間部において、上記ローラ４２２、４２４および４２８により、山型および逆Ｕ字型に搬送される。給電電極４２０と電解電極４３０とは、直流電源４３４に接続されている。
【００４８】
また、図４の陽極酸化処理装置４１０の特徴は、給電槽４１２と電解処理槽４１４とを１枚の槽壁４３２で仕切り、アルミニウム基板４１６を槽間部において山型および逆Ｕ字型に搬送したことにある。これによって、槽間部におけるアルミニウム基板４１６の長さを最短にすることができる。よって、陽極酸化処理装置４１０の全体長を短くできるので、設備費を低減することができる。また、アルミニウム基板４１６を山型および逆Ｕ字型に搬送することによって、各槽４１２および４１４の槽壁４３２にアルミニウム基板４１６を通過させるための開口部を形成する必要がなくなる。よって、各槽４１２および４１４内の液面高さを必要レベルに維持するのに要する送液量を抑えることができるので、稼働費を低減することができる。
【００４９】
本発明の製造方法においては、上記陽極酸化処理は、ある１つの処理条件で単独処理されてもよいが、陽極酸化皮膜の、場所による形状、あるいは深さ方向における形状、等のように形状を制御したい場合には、２つ以上の条件の異なる陽極酸化処理を順次組み合わせて処理してもよい。
【００５０】
また、本発明の製造方法においては、上記陽極酸化処理は、形成される陽極酸化皮膜（絶縁性）を有する本発明の発光素子の全反射率が向上する理由から、例えば、特許第３，７１４，５０７号、特開２００２−２８５３８２号公報、特開２００６−１２４８２７号公報、特開２００７−２３１３３９号公報、特開２００７−２３１４０５公報、特開２００７−２３１３４０号公報、特開２００７−２３８９８８号公報等に記載されている方法により、ハニカム状に配列した小ピットを形成する陽極酸化処理が好ましい。
これらの処理は、各特許および公報の処理条件にて記載されている処理が好ましい。
【００５１】
このような陽極酸化処理を上記アルミニウム基板の表面の深さ方向の一部に施すことにより、アルミニウム層とその表面に設けられる酸化アルミニウム層とを有する絶縁反射基板を製造することができる。
ここで、上述したように、上記アルミニウム層は、上記陽極酸化処理が施されなかった上記アルミニウム基板の残部であり、上記酸化アルミニウム層は、上記陽極酸化処理により上記アルミニウム基板から形成された陽極酸化皮膜である。
また、上記陽極酸化処理を施すことにより、上記アルミニウム基板が有する上記大ピットは上述した本発明の絶縁反射基板における酸化アルミニウム層が有する大ピットを構成し、更に、上記大ピットの内部表面には上述した本発明の絶縁反射基板における酸化アルミニウム層（大ピット）が有する小ピットが形成されることになる。
【００５２】
本発明の製造方法においては、上記アルミニウム基板の厚みに対する上記アルミニウム層および上記酸化アルミニウム層の合計の厚みの割合（以下、「保持率」ともいう。）を９０〜１００％とすることができる。
これは、大ピットを有していないアルミニウム基板を用いた場合、膜厚が１００μｍ程度の酸化アルミニウム層を形成するためには、長時間（１０００分程度以上）の処理を要するが、このように長時間の陽極酸化処理を施すと、初期段階で形成した陽極酸化皮膜が溶解してしまう等の理由により、アルミニウム層と酸化アルミニウム層との全体の厚みを保持することができないことがあるため、極めて優れた効果であるといえる。
【００５３】
〔封孔処理〕
本発明の絶縁反射基板の製造方法においては、上記酸化アルミニウム層（陽極酸化皮膜）が多孔質の場合、本発明の発光素子の放熱性の観点から、皮膜中に存在する小ピットを封じる封孔処理を行ってもよい。
封孔処理は、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。例えば、特公昭５６−１２５１８号公報、特開平４−４１９４号公報、特開平５−２０２４９６号公報、特開平５−１７９４８２号公報等に記載されている装置および方法で封孔処理を行ってもよい。
【００５４】
〔水洗処理〕
また、本発明の絶縁反射基板の製造方法においては、上述した各処理の工程終了後には水洗を行うのが好ましい。水洗には、純水、井水、水道水等を用いることができる。処理液の次工程への持ち込みを防ぐためにニップ装置を用いてもよい。
【００５５】
〔その他の処理〕
更に、本発明の絶縁反射基板の製造方法においては、必要に応じて絶縁反射基板の表面に種々の処理を施すことができる。
例えば、本発明の発光素子の白色性（散乱性）を高めるために、酸化チタン等の白色性絶縁性材料からなる無機絶縁層、白色レジスト等の有機絶縁層を設けてもよい。
また、上記白色以外にも、例えば電着処理により、酸化アルミニウムよりなる絶縁層に所望の色を着色することができる。具体的には、「陽極酸化」金属表面技術協会編．金属表面技術講座Ｂ（１９６９  ＰＰ．１９５〜２０７）、「新アルマイト理論」カロス出版（１９９７  ＰＰ．９５〜９６）等に記載されているような有色染色性のイオン種、具体的には、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ａｕイオン、Ｐｂイオン、Ａｇイオン、Ｓｅイオン、Ｓｎイオン、Ｎｉイオン、Ｃｕイオン、Ｂｉイオン、Ｍｏイオン、Ｓｂイオン、Ｃｄイオン、Ａｓイオン等を電解液に混入して、電解処理することにより、着色を施すことができる。
【００５６】
また、同様に酸化アルミニウム層よりなる絶縁層に、更に絶縁性および高反射性を高めるため、例えば、特開平６−３５１７４号公報の段落［００１６]〜［００３５]に記載されているような、ゾルゲル法による層を設けることもできる。
ここで、ゾルゲル法とは、一般に金属アルコキシドからなるゾルを加水分解・重縮合反応により、流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物層（セラミック層）を形成する方法である。
また、上記金属アルコキシドは、特に限定されないが、厚さが均一性の良い層を形成させる観点から、Ａｌ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｃａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｆｅ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｇａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｇｅ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｈｆ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｉｎ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｋ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｌａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｌｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｍｇ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｍｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｎａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｎｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｎ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｒ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｔａ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｔｉ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｖ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｗ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｙ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｚｎ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｚｒ（Ｏ−Ｒ）ｎ等が挙げられる（文章中Ｒは、置換基を有してもよい、鎖状、分枝状、および、環状の、炭化水素基、ｎは任意の自然数を示す。）。
中でも、絶縁層との反応性に優れ、ゾルゲル層形成性に優れた、Ｓｉ（Ｏ−Ｒ）ｎ系がより好ましい。
【００５７】
本発明においては、ゾルゲル層を形成する方法は特に限定されないが、層の厚さを制御する観点から、ゾル液を塗布して加熱する方法が好ましい。
また、ゾル液の濃度としては、０．１〜９０質量％が好ましく、１〜８０質量％がより好ましく、５〜７０質量％が特に好ましい。
また、本発明においてゾルゲル層を形成する際には、その厚さは、高反射率、絶縁性の観点から、０．０１μｍ〜２０μｍが好ましく、０．０５μｍ〜１５μｍがより好ましく、０．１μｍ〜１０μｍが特に好ましい。なお、層を厚くするために、繰り返し重ねて塗布してもよい。
【００５８】
［配線基板］
以下に、本発明の配線基板について詳細に説明する。
本発明の配線基板は、上述した本発明の絶縁反射基板と、上記絶縁反射基板の上記酸化アルミニウム層側の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板である。
【００５９】
上記金属配線層の材料は、電気を通す素材であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられ、これらを１種単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。
これらのうち、電気抵抗が低い理由からＣｕを用いるのが好ましい。なお、Ｃｕによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Ａｕ層やＮｉ／Ａｕ層を設けていてもよい。
【００６０】
本発明の配線基板においては、上記金属配線層の厚さは、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜５００μｍがより好ましく、５〜２５０μｍが特に好ましい。
【００６１】
また、本発明の配線基板においては、上記金属配線層は、配線密着性に優れる理由から、本発明の絶縁反射基板における上記酸化アルミニウム層の上記大ピットの上部に設けられるのが好ましい。
【００６２】
本発明においては、上記金属配線層の形成方法は特に限定されず、必要に応じてマスク層を設けた後に、例えば、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理；スパッタリング処理；蒸着処理；等を施す方法が挙げられる。
【００６３】
［白色系ＬＥＤ発光素子］
以下に、本発明の発光素子について詳細に説明する。
本発明の発光素子は、上述した本発明の配線基板と、上記配線基板の上記金属配線層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子である。
なお、上述した本発明の配線基板は、使用される発光素子の形状やＬＥＤの種類等に限定はなく、種々の用途に用いることができる。
次に、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の構成について、図５を用いて説明する。
【００６４】
図５は、本発明の発光素子の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。なお、図５においては、スケールの都合上、小ピット（図１の符号５参照）の表示を省略している。
ここで、図５に示す発光素子１０は、青色ＬＥＤ８がＹＡＧ系の蛍光粒子１１を混入した透明樹脂１２でモールドされており、ＹＡＧ系の蛍光粒子１１によって励起された光と青色ＬＥＤ８の残光とにより、白色系光が発光されるものであり、青色ＬＥＤ８が、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層６を有する本発明の配線基板７にワイヤボンディングされている。
【００６５】
ここで、図５に示す青色ＬＥＤは、基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。
半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。
【００６６】
また、図５に示す透明樹脂の材質は熱硬化性樹脂が好ましい。
上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種が好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
また、透明樹脂は、青色ＬＥＤを保護するため硬質のものが好ましい。
また、透明樹脂は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。
また、透明樹脂は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも１種を混合することもできる。
【００６７】
更に、図５に示す蛍光粒子は、青色ＬＥＤからの光を吸収し異なる波長の光に変換するものであればよい。
蛍光粒子としては、具体的には、例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、βサイアロン系蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体；Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系元素で主に付活される有機錯体；等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６８】
一方、本発明の配線基板は、紫外〜青色ＬＥＤとそれを吸収し可視光領域で蛍光を発する蛍光発光体とを用いた蛍光体混色型白色系ＬＥＤ発光素子の配線基板として用いることもできる。
これらの蛍光発光体が青色ＬＥＤからの青色光を吸収して蛍光（黄色系蛍光）を生じ、この蛍光と青色ＬＥＤの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。
上述した方式は、青色ＬＥＤ光源チップと黄色蛍光体１種とを組み合わせたいわゆる「擬似白色発光型」であるが、このほかにも、例えば紫外〜近紫外ＬＥＤ光源チップと赤色／緑色／青色蛍光体等を数種組み合わせた「紫外〜近紫外光源型」、及び、赤色／緑色／青色３光源で白色発光させる「ＲＧＢ光源型」、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットの発光素子の基板に本発明の配線基板を用いることができる。
【００６９】
本発明の配線基板にＬＥＤ素子を実装する方法は加熱による実装を伴うが、半田リフローを含めての熱圧着、およびフリップチップによる実装方法では、均一かつ確実な実装を施す観点から、最高到達温度は２２０〜３５０℃が好ましく、２４０〜３２０℃がより好ましく、２６０〜３００℃が特に好ましい。
これらの最高到達温度を維持する時間としては、上記観点から２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。
また、金属基板と陽極酸化皮膜との熱膨張率差に起因して陽極酸化皮膜内に発生するクラックを抑制する観点から、上記最高到達温度に到達する前に、所望の一定温度で５秒〜１０分、より好ましくは１０秒〜５分、特に好ましくは２０秒〜３分の熱処理を施す方法をとることもできる。所望の一定温度としては、８０〜２００℃であることが好ましく、１００〜１８０℃がより好ましく、１２０〜１６０℃が特に好ましい。
【００７０】
また、ワイヤボンディングでの実装時の温度としては、確実な実装を施す観点から、８０〜３００℃が好ましく、９０〜２５０℃がより好ましく、１００〜２００℃が特に好ましい。加熱時間としては、２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。
【実施例】
【００７１】
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
（実施例１）
＜アルミニウム基板の作製＞
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ鋳造法で作成した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃、保持時間なしで行った後、２５０℃以上で冷間圧延を行い、厚さ０．２４ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
このアルミニウム基板を幅１０３０ｍｍに裁断し、３００℃で１時間加熱した後、以下に示す各処理を施した。
【００７２】
＜大ピットの形成処理＞
上記アルミニウム基板に対して、直流電圧を用いて電気化学的な粗面化処理を施し、上記アルミニウム基板の表面に大ピットを形成させた。
具体的には、塩酸４．５ｇ／Ｌ水溶液、液温６０℃の電解液を用い、対極にカーボン電極を用い、電流密度が定電流処理３．８Ａ／ｄｍ2となる条件で１０分間処理した。
その後、スプレーによる水洗を行った。
【００７３】
＜小ピットの形成処理（陽極酸化処理）＞
大ピットを形成したアルミニウム基板に対して、７０ｇ／Ｌの硫酸電解液を用い、２０℃、１５Ｖの電圧条件にて定電圧陽極酸化処理を施し、上記大ピットが形成されている深さまでのアルミニウムを全て陽極酸化皮膜に変化させることにより、陽極酸化皮膜の表面（大ピットの内部表面を含む）に小ピットを有する絶縁反射基板を作製した。
ここで、陽極酸化皮膜に全て変化するまでの判断は、陽極酸化処理時の電流密度から判断し、具体的には電解直後の電流密度が徐々に低下し、一定値となったところが、上記全変化点と判断した。なお、上記変化点に到達した所要（処理）時間は下記第１表の通りであった。
【００７４】
＜形状解析＞
作製した絶縁反射基板の形状（酸化アルミニウム層の厚み、アルミニウム層の厚み、大ピットの形状、小ピットの形状）を表面および破断面方向からＦＥ−ＳＥＭ（Ｓ−９００、日立製作所社製）を用いて、大ピットは５００〜１００倍の倍率により、小ピットは１万〜１０万倍の倍率により観察した。その結果を下記第１表に示す。
また、各層の厚みの比率（酸化アルミニウム層／アルミニウム層）、ならびに、保持率〔（酸化アルミニウム層の厚み＋アルミニウム層の厚み）／アルミニウム基板の厚み〕を算出した。その結果を下記第１表に示す。
なお、下記第１表（その２）中、大ピットの開口面積率とは、酸化アルミニウム層の表面の面積に対する大ピットの開口部の合計面積の割合をいう。
【００７５】
（実施例２）
大ピットの形成処理において、電解液の液温を３０℃とした以外は、実施例１と同様の処理を施し、絶縁反射基板を作製した。
【００７６】
（実施例３）
大ピットの形成処理において、処理時間を２０分とした以外は、実施例１と同様の処理を施し、絶縁反射基板を作製した。
【００７７】
（実施例４）
小ピットの形成処理において、陽極酸化処理の電圧を２５Ｖとし、処理温度を１５℃とした以外は、実施例１と同様の処理を施し、絶縁反射基板を作製した。
【００７８】
（実施例５）
大ピットの形成処理後、小ピットの形成処理前に、アルミニウム基板を６０℃の苛性ソーダ（１％水溶液）に浸漬し、１０ｇ／ｍ2溶解させるアルカリエッチング処理を施した以外は、実施例１と同様の処理を施し、絶縁反射基板を作製した。
【００７９】
（比較例１）
大ピットの形成処理を施さなかった以外は、実施例１と同様の処理を施し、絶縁反射基板を作製した。
【００８０】
（比較例２）
大ピットの形成処理を施さず、実施例１で形成させた陽極酸化皮膜の膜厚（１２０μｍ）と同じ膜厚になるまで小ピットの形成処理を施した以外は、実施例１と同様の処理を施し、絶縁反射基板を作製した。
【００８１】
（比較例３）
大ピットの形成処理を以下に示す条件で施した以外は、実施例１と同様の処理を施し、絶縁反射基板を作製した。
具体的には、上記アルミニウム基板に対して、６０Ｈｚの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、塩酸７．５ｇ／Ｌ水溶液（アルミニウムイオンを５ｇ／Ｌ含む。）、温度３５℃であった。交流電源波形は図６に示した波形であり、電流値がゼロからピークに達するまでの時間ＴＰが０．８ｍｓｅｃ、ｄｕｔｙ比１：１、台形の矩形波交流を用いて、カーボン電極を対極として電気化学的粗面化処理を行った。補助アノードにはフェライトを用いた。電解槽は図７に示すものを使用した。電流密度は電流のピーク値で２５Ａ／ｄｍ2、電気量はアルミニウム板が陽極時の電気量の総和で３００Ｃ／ｄｍ2であった。その後、スプレーによる水洗を行った。
【００８２】
（比較例４）
小ピットの形成処理を以下に示す条件で施した以外は、実施例１と同様の処理を施し、絶縁反射基板を作製した。
具体的には、ホウ酸アンモニウム水溶液(１０％)を電解液とし、浴温度を９０℃に設定した状態で目的とするアルミニウム基板を陽極として陽極酸化処理を施した。
また、電解の際には浴を撹拌しながら、電圧が１００Ｖに達するまで、定電硫密度（１ｍＡ／ｃｍ2）で処理し、１００Ｖに達した後は、１００Ｖを維持する定電圧処理に切り替え、３０分間処理を行った。
【００８３】
＜耐電圧（絶縁性）＞
作製した絶縁反射基板について、ＪＩＳ Ｃ２１１０規格の方法に従い、絶縁破壊電圧（ｋＶ）を計測した。結果を第１表に示す。
【００８４】
＜熱伝導率（放熱性）＞
得られた絶縁基板について、アルバック理工社製ＴＣ−９０００／レーザーフラッシュ型熱拡散率測定装置を用い、ｔ１／２法に従い熱伝導率を計測した。結果を第１表に示す。
熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ程度以上あれば、放熱性に優れていると評価できる。
【００８５】
＜反射率＞
作製した絶縁反射基板について、Ｘ−ｒｉｔｅ社製ＳＰ−６４型積分球光度計を用いて、４００〜７００ｎｍの全反射率（ＳＰＩＮモードの全平均）および拡散反射率（ＳＰＥＸモードの全平均）を測定した。結果を第１表に示す。
【００８６】
【表１】
2013033956.tif 000002
【００８７】
【表２】
2013033956.tif 000003
【００８８】
【表３】
2013033956.tif 000004
【００８９】
第１表に示す結果から、酸化アルミニウム層が大ピットを有さない絶縁反射基板は、酸化アルミニウム層の厚みが薄い場合は耐電圧が低く、絶縁性に劣り、拡散反射率も低くなることが分かった（比較例１）。また、酸化アルミニウム層の厚みが実施例と同程度であっても、放熱性が劣り、拡散反射率が低くなることが分かった（比較例２）。一方、酸化アルミニウム層が大ピットを有する場合であっても、大ピットの平均開口径が大きく、平均深さが浅い場合には反射率（特に、拡散反射率）が低くなることが分かり（比較例３）、同様に、小ピットを有さない場合にも反射率（特に、拡散反射率）が低くなることが分かった（比較例４）。
これに対し、酸化アルミニウム層に所定の大ピットおよび小ピットを有する絶縁反射基板は、耐電圧が高く、いずれも絶縁性が良好であり、また、反射率（特に、拡散反射率）が高く、この基板を用いた発光素子はいずれも蛍光灯の代用として有用であることが分かった（実施例１〜５）。
また、実施例１〜５のうち、酸化アルミニウム層の厚みとアルミニウム層の厚みとの比率（酸化アルミニウム層／アルミニウム層）が０．６〜５．０の範囲にある実施例１〜４が、絶縁性に優れることが分かった。
特に、実施例１と比較例２との対比から、実施例１は拡散反射率に優れるだけでなく、同じ膜厚の酸化アルミニウム層を形成させる場合においては、予め大ピットを設けたアルミニウム基板を使うことにより、陽極酸化処理の所要時間が大幅に短縮されることが分かった。
【符号の説明】
【００９０】
１  絶縁反射基板
２  アルミニウム層
３  酸化アルミニウム層
４  大ピット
５  小ピット
６  金属配線層
７  配線基板
８  青色ＬＥＤ
９  ワイヤ
１０  発光素子
１１  蛍光粒子
１２  透明樹脂
２０  アルミニウム基板
２４  大ピット
３１  アルミニウム箔
３２  ラジアルドラムローラ
３３ａ、３３ｂ  主極
３４  電解処理液
３５  電解液供給口
３６  スリット
３７  電解液通路
３８  補助陽極
３９ａ、１９ｂ  サイリスタ
４０  交流電源
４１  主電解槽
４２  補助陽極槽
４１０  陽極酸化処理装置
４１２  給電槽
４１４  電解処理槽
４１６  アルミニウム基板
４１８、４２６  電解液
４２０  給電電極
４２２、４２８  ローラ
４２４  ニップローラ
４３０  電解電極
４３２  槽壁
４３４  直流電源
【図１】
2013033956.tif 000005
【図２】
2013033956.tif 000006
【図３】
2013033956.tif 000007
【図４】
2013033956.tif 000008
【図５】
2013033956.tif 000009
【図６】
2013033956.tif 000010
【図７】
2013033956.tif 000011