(57)【要約】      （修正有）【課題】副生成物を除去しつつ、逆拡散を抑制する堆積膜形成装置を提供する。【解決手段】排気配管１２０１の途中に副生成物をトラップするトラップ手段１２００を設置し、トラップ手段１２００が、反応容器１００１からつながる排気配管１２０１ａの投影領域である壁面領域Ａと、反応容器１００１からつながる排気配管の開口部１２０２から壁面領域Ａよりも遠い位置にある壁面領域Ｂを有し、壁面領域Ａよりも壁面領域Ｂに副生成物がトラップされやすくなる構成を有し、壁面領域Ｂに向けてラジカル化したクリーニングガスを供給する手段１３００を有する堆積膜形成装置１０００。【選択図】図１
2013153023.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、減圧可能な反応容器と、前記反応容器に原料ガスを導入する原料ガス導入手段と、前記反応容器内を排気する排気手段と、前記反応容器と前記排気手段を連結する排気配管と、前記排気配管の途中に設けられた副生成物をトラップするトラップ手段を有する堆積膜形成装置であって、
前記トラップ手段が、前記反応容器からつながる排気配管の投影領域である壁面領域Ａと、前記反応容器からつながる排気配管の開口部から壁面領域Ａよりも遠い位置にある壁面領域Ｂを有し、前記壁面領域Ａよりも前記壁面領域Ｂに副生成物がトラップされやすくなる構成を有し、前記壁面領域Ｂに向けてラジカル化したクリーニングガスを供給する手段を有することを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記壁面領域Ａよりも前記壁面領域Ｂに副生成物がトラップされやすくなる構成は、前記壁面領域Ａの位置が前記壁面領域Ｂの位置より高く、前記壁面領域Ａが傾斜していることである請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
前記壁面領域Ａよりも前記壁面領域Ｂに副生成物がトラップされやすくなる構成は、前記壁面領域Ａを加熱するための加熱手段および前記壁面領域Ｂを冷却するための冷却手段のいずれか一方又は双方を有することである請求項１または２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
前記ラジカル化したクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給口が排気下流側を向くように設置されている請求項１乃至３のいずれか一項に記載の堆積膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法等により基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマＣＶＤ法により基体上にアモルファスシリコン（以下、ａ―Ｓｉとも記す）等の機能性堆積膜を形成する技術が知られている。プラズマＣＶＤ法においては、反応容器内に、原料ガスを導入した後、電力を印加して原料ガスのプラズマを生起させ基体上に堆積膜を形成する。このとき、反応容器内に残留する排気ガスは排気配管を通して排気手段によって排気される。
【０００３】
ガスを原料とした堆積膜形成方法では、導入された全ての原料ガスが反応室内において分解消費され、所望の基体上に堆積膜として形成されるわけではない。特に、プラズマＣＶＤ法を用いた製造方法では、堆積膜形成と同時に副生成物が生じ、反応容器内、排気配管内、及び排気手段内に堆積する。例えば原料ガスにシラン（ＳｉＨ４）を用いた場合には副生成物としてポリシランが生じる。なお、排気配管の内部に大量の副生成物が堆積してしまうと、堆積膜形成の途中に排気配管を閉塞させてしまう場合がある。また、油回転ポンプ等の排気手段へ大量の副生成物が溜まると、例えばポンプへの負荷が増大することで排気能力が低下してしまい、メンテナンス増に伴う生産コスト上昇の要因となってしまう。特に、ａ―Ｓｉ電子写真感光体を作製する場合には堆積膜形成が長時間となるため、排気配管内に大量の副生成物が堆積してしまい、堆積膜形成後の排気配管内の副生成物除去処理に多大な時間を費やす必要がある。
【０００４】
そのため、堆積膜形成と同時に生じるポリシランのごとき副生成物の除去に関する提案がいくつかなされている。
特許文献１では排気配管途中にトラップ手段を設けることによって、副生成物をトラップし、除去する技術が開示されている。
また、特許文献２には、堆積膜形成中に排気配管にラジカル化したクリーニングガスを直接流入し、副生成物を分解除去する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−０１６６３５号公報
【特許文献２】特開２０１０−１６３６８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示された技術ではトラップした副生成物を取り除く作業に時間がかかってしまい生産効率が低下してしまうという場合があった。また特許文献２に開示された技術では、堆積膜形成時に排気配管内にクリーニングガスを流入させることによって副生成物を除去しつつ逆拡散を抑制している。しかしながら反応容器内の圧力変動が大きくなるような条件で堆積膜形成を行う場合には、クリーニングガス成分が反応容器内へ逆拡散し、堆積膜特性に影響を与える場合があることが判明した。
【０００７】
特に、クリーニング効率の向上が可能なラジカル化させたクリーニングガスを流入させた場合、ラジカル化していないクリーニングガスに比べて平均自由工程が大きくなる。このため逆拡散の距離が長くなり、反応容器内へ進入しやすくなり、堆積膜特性への影響が発生しやすいという問題があった。
ａ−Ｓｉ電子写真感光体の形成において高品質な堆積膜を得るためには、原料ガス成分以外の不純物成分が膜中に取り込まれないことが非常に重要となる。特にクリーニングガス成分が堆積膜中に不純物として混入した場合、得られた電子写真感光体の電気特性に悪影響を与えてしまう。
【０００８】
そのため、近年の高品質化が求められる中では、ラジカル化させたクリーニングガスの逆拡散による堆積膜特性への影響は無視することはできず、逆拡散の影響をより少なくする技術を確立することが課題となった。
そこで、本発明の目的は、長時間の堆積膜形成を行う際に副生成物が増大しても十分に効率よく除去でき、更にはクリーニングガス成分の逆拡散による堆積膜特性への影響を防止することである。そして、高品質の堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは鋭意検討を行った結果、上記目的を達成するためには排気配管の形状、ラジカル化したクリーニングガスの流入のさせ方が重要であることを見出した。
具体的には排気配管の途中に副生成物をトラップするトラップ手段を設置し、トラップ手段内において、反応容器からつながる排気配管の投影領域を壁面領域Ａとすると、反応容器からつながる配管の開口部から壁面領域Ａより遠い位置にあるトラップ手段内の壁面領域Ｂに副生成物をトラップさせ、そこにラジカル化したクリーニングガスを流入させることが重要であるとわかった。
【００１０】
すなわち、本発明は、
少なくとも、減圧可能な反応容器と、前記反応容器に原料ガスを導入する原料ガス導入手段と、前記反応容器内を排気する排気手段と、前記反応容器と前記排気手段を連結する排気配管と、前記排気配管の途中に設けられた副生成物をトラップするトラップ手段を有する堆積膜形成装置において、前記トラップ手段が、前記反応容器からつながる排気配管の投影領域である壁面領域Ａと、前記反応容器からつながる排気配管の開口部から壁面領域Ａよりも遠い位置にある壁面領域Ｂを有し、前記壁面領域Ａよりも前記壁面領域Ｂに副生成物がトラップされやすくなる構成を有し、前記壁面領域Ｂに向けてラジカル化したクリーニングガスを供給する手段を有することを特徴とする堆積膜形成装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、副生成物を効率的に除去でき、かつラジカル化したクリーニングガスが反応容器内へ逆拡散することを抑制できる堆積膜形成装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】堆積膜形成装置の構成の一例を示す概略断面図
【図２】電子写真感光体の層構成の一例を示す概略断面図
【図３】本発明における副生成物トラップ手段の一例を示す概略断面図
【図４】比較例で用いた副生成物トラップ手段の一例を示す概略断面図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図を用いて本発明の実施形態を詳述する。
図１は、本発明の堆積膜形成装置の一例を示す図である。
図１の堆積膜形成装置は、大別すると、減圧可能な反応容器１００１を有する反応装置１０００、反応容器１００１内を減圧するための排気手段１１００、副生成物をトラップするトラップ手段１２００、及びラジカル化させたクリーニングガスをトラップ手段内に供給するためのクリーニングガス供給手段１３００から構成されている。
【００１４】
反応容器１００１は、上蓋１００２及び底板１００３から絶縁部材１００４によって絶縁された高周波電極１００５で構成されている。反応容器１００１内にはアースに接続された円筒状基体１００６、円筒状基体の加熱用ヒーター１００７、原料ガス導入管１００８（原料ガス導入手段）が設置されている。更に高周波マッチングボックス１００９を介して高周波電源１０１０が接続されている。
【００１５】
円筒状基体１００６は基体ホルダー１０１１上に設置され、更に円筒状基体１００６上部にはキャップホルダー１０１２が設置されている。基体ホルダー１０１１、キャップホルダー１０１２は導電性部材で構成され、導電性材料からなる円筒状基体１００６は、基体ホルダー１０１１を介してアースに接続される。
排気手段１１００は、油回転ポンプ１１０１、メカニカルブースターポンプ１１０２で構成され、反応容器１００１内を減圧に排気する。
【００１６】
（トラップ手段）
本発明のトラップ手段１２００は副生成物をトラップ手段１２００内に粉状に堆積させる役割を担っている。トラップ手段１２００は、反応容器１００１と排気手段１１００とを連結する排気配管１２０１の途中に設置されており、排気ガスが流れる方向に対して断面積を部分的に拡大した領域を有したものである。又、トラップ手段１２００内で排気ガスの流れる方向が変化する構成であることが好ましい。トラップ手段１２００内には反応容器からつながる排気配管１２０１ａの投影領域である壁面領域Ａと、排気配管１２０１ａの開口部１２０２から遠い位置にある壁面領域Ｂが存在する。ここで投影領域とは、排気配管１２０１ａを排気配管１２０１ａの内面に沿ってトラップ手段１２００内に延長した時に、壁面にぶつかる領域を意味する。
【００１７】
本発明で壁面領域Ａより壁面領域Ｂに副生成物がトラップされやすくする構成とは、壁面領域Ａに副生成物が堆積しやすい状況に対して、何らかの作用で副生成物を壁面領域Ｂに移動もしくは選択的に堆積させるための構成を指す。
その構成について図３（ａ）の例を用いて説明する。図３（ａ）では開口部３２０２からトラップ手段内に入った排気ガスは壁面領域Ａにぶつかるため、壁面領域Ａで副生成物が析出し堆積する。このような状況に対して壁面領域Ａより壁面領域Ｂに副生成物を堆積させるために、壁面領域Ａにて析出した副生成物を、外的作用によって壁面領域Ｂに移動させる、もしくは壁面領域Ａにぶつかった排気ガスが副生成物として析出するのを抑制し、選択的に壁面領域Ｂに析出させ、堆積させるような構成となっている。
【００１８】
副生成物を壁面領域Ａから壁面領域Ｂへ移動させる、もしくは選択的に壁面領域Ｂに堆積させるには、例えば重力を利用する方法や熱を利用する方法等があげられる。
図３（ａ）は重力を利用した例である。図３（ａ）では壁面領域Ａは、壁面領域Ｂより高く、傾斜している。トラップ手段内に入った排気ガスは壁面領域Ａにぶつかるので、副生成物は壁面領域Ａに堆積しやすいが、図３（ａ）では壁面領域Ａを傾斜させることで、壁面領域Ａに堆積した副生成物が重力によって下方に移動し、壁面領域Ｂに堆積しやすくなる。このような構成をとることで装置を簡易にすることが可能となる。
【００１９】
図３（ｂ）は熱を利用した例である。図３（ｂ）では加熱手段３２０５を用いて壁面領域Ａを加熱することによって副生成物が壁面領域Ａに付着する確率を低減させ、さらに冷却手段３２０６を用いて壁面領域を冷却させることによって、副生成物が壁面領域Ｂに付着する確率を増加させている。そのため壁面領域Ｂに選択的に副生成物が堆積しやすくなる。このような構成をとることでトラップ手段の形状の自由度をあげることが可能となる。なお、加熱手段３２０５および冷却手段３２０６は、これら双方を用いてもよいし、いずれか一方を用いてもよい。
【００２０】
図１に示すように、ラジカル化したクリーニングガスをトラップ手段１２００内へ導入するための配管のクリーニングガス供給口１２０３は壁面領域Ｂを向いた構造となっている。またトラップ手段１２００の側面には、内部の様子を確認できる窓材１２０４が取り付けてある。
クリーニングガス供給手段１３００はラジカル化したクリーニングガスを流入可能なプラズマ発生手段１３０１を有し、ラジカル化したクリーニングガスをトラップ手段１２００の壁面領域Ｂに向けて流入させ、堆積している副生成物を分解、除去する。
【００２１】
逆拡散を抑制するという観点からトラップ手段１２００にあるクリーニングガス供給口１２０３は排気下流側を向くように設置することが好ましい。トラップ装置内において排気ガスは上流側の開口部１２０２から壁面領域Ａ、壁面領域Ｂ、開口部１２０５の順に流れていく。「クリーニングガス供給口１２０３は排気下流側を向く」とは上述の排気ガスの流れに対して下流側を向くことを意味する。
【００２２】
同様の観点から、開口部１２０２はトラップ手段１２００内に突き出ているほうが好ましい。また同様の観点からトラップ手段１２００から排気手段１１００へつながる配管の開口部１２０５はトラップ手段１２００内に突き出ていない方が好ましい。
開口部１２０５はトラップ手段１２００内の上部壁面に取り付けられていても、横壁面に取り付けられていても構わない。
【００２３】
以上の構成にすることで、副生成物を効率的に除去、かつ逆拡散を抑制できる理由を以下に説明する。一般的に副生成物はトラップ手段内の特定の領域（反応容器１００１からつながる配管の開口部１２０２から近い領域）に堆積しやすい。しかしながら、副生成物が堆積しやすい領域（開口部１２０２から近い領域）にラジカル化したクリーニングガスを流入させて除去すると反応容器１００１からつながる排気配管の開口部１２０２へラジカル化したクリーニングガスが到達する可能性が高い。そのため反応容器１００１内へ逆拡散が生じやすくなってしまう。そのため反応容器１００１からつながる排気配管の開口部１２０２から遠い位置に副生成物を堆積させ、そこにラジカル化したクリーニングガスを流入させれば、開口部１２０２へラジカル化したクリーニングガスの到達確率が減少する。
【００２４】
すなわち、副生成物をトラップ装置内の壁面領域Ａから空間的に離れた壁面領域Ｂに堆積させやすくさせ、領域Ｂにラジカル化したクリーングガスを流入することで逆拡散を抑制しつつ、副生成物の除去が可能となる。
さらにラジカル化したクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給口１２０３が排気下流側を向く構成をとることが好ましい。この場合、ラジカル化したガスが反応容器１００１からつながる配管の開口部１２０２へ到達する確率が減少し、反応容器内への逆拡散をさらに抑制することが可能となる。
【００２５】
次に図１の本発明の装置を用いた堆積膜形成方法手順の一例について説明する。
まず、あらかじめ脱脂洗浄した円筒状基体１００６を反応容器１００１の基体ホルダー１０１１上に設置する。次に、排気手段１１００を運転し、反応容器１００１内を排気する。真空計１０１３の表示を見ながら、反応容器１００１内の圧力が所定の圧力（例えば１Ｐａ以下）になったところで、基体加熱用ヒーター１００７に電力を供給し、円筒状基体１００６を所定の温度（例えば５０〜３５０℃）に加熱する。続いて、原料ガスが所定の流量にてガス供給バルブ１０１７を介してガス導入管１００８より反応容器１００１内に導入される。次に、内圧が安定したところで、高周波電源１０１０を所望の電力に設定してＲＦ高周波電力を高周波マッチングボックス１００９を介して高周波電極１００５に供給し高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器１００１内に導入させた原料ガスが分解され、円筒状基体１００６上に所望の堆積膜が形成される。
【００２６】
堆積膜の形成が終わったところで、高周波電力の印加を停止し、原料ガスの供給を止める。その後メインバルブ１０１５、サブバルブ１０１６を閉じ、反応容器内１００１内に不活性ガスを導入し、大気圧に戻した後、表面に堆積膜が形成された円筒状基体１００６を取り出す。
本発明において、上述した原料ガスを反応容器１００１内に導入すると同時もしくは堆積膜形成中、トラップ手段１２００の壁面領域Ｂへガス供給バルブ１３０２を介してプラズマ発生手段１３０１によりラジカル化したクリーニングガスを導入する。これにより、壁面領域Ｂに堆積する副生成物を除去し、下流の排気配管１２０１内や排気手段１１００内に生成されるポリシラン量が抑制される。更に長時間の成膜においても排気配管内に副生成物が溜まる量が低減し、排気配管の詰まりによる圧力変動や圧力上昇の影響が小さくなる。
【００２７】
本発明で使用するクリーニングガスは、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）、四フッ化炭素（ＣＦ４）、四フッ化炭素（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）の混合ガス、三フッ化窒素（ＮＦ３）、六フッ化二炭素（Ｃ２Ｆ６）等が好ましい。この中で、ポリシランとの反応性が優れ、クリーニング効率が非常に向上するという点で三フッ化塩素がより好ましい。更に、三フッ化塩素は、希釈ガスとの混合ガスを使用すると制御性が上がるという点からより好ましい。使用する希釈ガスは、不活性ガスであればいずれでも良いが、アルゴン、窒素、ヘリウム、のいずれか又はいずれかを含む混合ガスが好ましい。また、希釈ガスとして水素ガスを用いることも本発明では有効である。
【００２８】
本発明におけるクリーニングガスのラジカル化とは、クリーニングガス成分が例えばプラズマ中の電子の衝撃によって分解し、クリーニング対象物質であるポリシランとの化学反応性に優れた活性種を生成することである。また、クリーニングガスをラジカル化する手段としては、グロー放電、光エネルギー、熱エネルギーなどによる分解がある。活性種を生成できればいずれの手段であっても構わないが、ガス分解性能という観点からグロー放電が最適手段として挙げられる。グロー放電を生起させるために、例えば、直流電力、ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）高周波電力、マイクロ波電力などを印加することが好ましい。例えば、円筒状のプラズマ発生容器内に絶縁物を間に介在させた２枚の平行平板電極へＲＦ高周波電力を印加する。その結果、プラズマ発生容器内でグロー放電が生起してプラズマが発生しクリーニングガスが分解されラジカルが生成される。
【００２９】
本発明の堆積膜形成装置を用いた堆積膜形成方法は、特にＳｉ供給用の原料ガスを用いた堆積膜形成に有効であり、特に長時間の堆積膜形成時間が必要な電子写真感光体の製造方法として有効である。
本発明の堆積膜形成装置を用いた堆積膜形成方法は、一例としてａ−Ｓｉ膜の形成に適用することができる。図２は、ａ―Ｓｉ系電子写真感光体の層構成の一例を示すものである。円筒状基体２００１の上に、電荷注入阻止層２００２、光導電層２００３、表面層２００４が順に設けられている。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例および比較例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
（実施例１）
電子写真感光体用の導電性の円筒状基体（以下単に「基体」ともいう。）として、外径φ８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの鏡面加工したアルミニウム製の管材を使用した。
【００３１】
図１に示す堆積膜形成装置を用い、表１の作製条件で、図２に示す層構成の電子写真感光体を作製した。
トラップ手段としては図３（ａ）に示すトラップ手段を用いた。図３（ａ）のトラップ手段は反応容器からつながる排気配管の開口部３２０２から鉛直下方の壁面領域Ａは傾斜しており、ラジカル化したクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給口３２０３は壁面領域Ｂに向けて流入される構造となっている。
【００３２】
クリーニングガスはランドマークテクノロジー（株）製のプラズマ発生装置（商品名：ＬＧ３０００）によってラジカル化した。
ラジカル化したクリーニングガスは堆積膜形成用の原料ガスを反応容器内へ導入した直後にトラップ手段内へ流入させた。クリーニングガスの流入条件を表２に示す。
【００３３】
【表１】
2013153023.tif 000003
【００３４】
【表２】
2013153023.tif 000004
【００３５】
（比較例1）
図４（ａ）に示すトラップ手段を用いた以外は、実施例１と同じ条件で電子写真感光体を作製し、ラジカル化したクリーニングガスの導入を行った。
図４（ａ）のトラップ手段では壁面領域Ａは傾斜しておらず、壁面領域Ａに向けてラジカル化したクリーニングガスが流入される構造となっている。
【００３６】
（比較例２）
図４（ｂ）に示すトラップ手段を用いた以外は、実施例１と同じ条件で電子写真感光体を作製、ラジカル化したクリーニングガスの導入を行った。
図４（ｂ）のトラップ手段では比較例１で用いた図４（ａ）のトラップ手段に対して壁面領域Ｂに向けてラジカル化したクリーニングガスが流入される構造となっている。
【００３７】
（実施例１と比較例１と比較例２の評価）
副生成物が除去されているかを確認するため副生成物の残量評価、そして逆拡散が起きていないかを評価するために、電子写真感光体の不純物測定を行った。
そして不純物による膜特性への影響を見るために、電子写真感光体の光感度測定を行った。それぞれの具体的な評価方法を以下に示す。結果は表３に示す。
【００３８】
（副生成物残量評価）
堆積膜形成が終了した後、トラップ手段に取り付けた窓材１２０４から壁面領域Ａと壁面領域Ｂのそれぞれにおいて副生成物が残っているかを確認した。そして壁面領域Ａおよび壁面領域Ｂ内の２５ｃｍ２において副生成物が存在する面積の割合を求めた。副生成物が堆積している面積の割合によって以下の様にランク分けした。ランクＢ以上で本発明の効果が得られていると考える。
Ａ：副生成物の存在する面積の割合が０％
Ｂ：副生成物の存在する面積の割合が０％より多く３０％未満
Ｃ：副生成物の存在する面積の割合が３０％以上
【００３９】
（不純物測定）
作製した電子写真感光体の堆積膜をＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）分析器（ＣＡＭＥＣＡ社製ＩＭＳ−４Ｆ）により、フッ素含有量を測定した。具体的な測定方法は、電子写真感光体の表面から５μｍの深さ位置に対して、一次イオン種：Ｃｓ＋、二次イオン種：Ｎｅｇａｔｉｖｅ、一次イオンエネルギー：１４．５ｋｅＶ、一次イオン電流量：８ｎＡ、分析領域：直径３０μｍの条件で測定した。評価値は、比較例１における堆積膜中のフッ素含有量を１とした時の相対値である。
相対値が１未満において本発明の効果が得られていると考える。
【００４０】
（感度測定）
作製した電子写真感光体をキヤノン（株）製複写機（商品名：ｉＲ５０６５）の改造機に設置し、現像位置での暗部表面電位が４００（Ｖ）になるように帯電させる。そして、像露光光（発振波長が６５８ｎｍの半導体レーザー）を照射し、現像位置での明部表面電位が５０（Ｖ）になるように光量を調整する。このときの光量値により感度評価を行った。数値が小さいほど感度が良好であり、電子写真感光体特性に優れる。比較例１と比較することによって以下のようにランク分けした。ランクＢ以上で本発明の効果が得られていると考える。
Ａ；比較例１と比較して１０％以上の感度向上
Ｂ；比較例１と比較して５％以上１０％未満の感度向上
Ｃ；比較例１と比較して同等以上５％未満の感度向上
【００４１】
【表３】
2013153023.tif 000005
【００４２】
表３より実施例１は比較例１と比べて、電子写真感光体のフッ素含有量は減少し、光感度の値も良好となり、膜特性が良いことがわかる。つまり壁面領域Ｂにむけてラジカル化したクリーニングガスを流入させることで逆拡散が抑制されていることがわかる。これは壁面領域Ｂが壁面領域Ａよりも開口部３２０２との距離が遠いため、ラジカル化したクリーニングガスが開口部３２０２に到達する確率が減少したからであると考える。実施例１ではラジカル化したクリーニングガスを領域Ｂに向けて流入しているため、領域Ａに向けて流入している比較例１に比べて領域Ａに副生成物が残る結果となった。
また実施例１は比較例２と比べて壁面領域Ａの副生成物の残量は減少していることがわかる。つまり傾斜がある場合には傾斜がない場合よりも効率的に副生成物が除去されることがわかる。これは壁面領域Ａに堆積した副生成物が重力によって下方の壁面領域Ｂに移動したためだと考える。
【００４３】
（実施例２）
図３（ｂ）に示すトラップ手段を用いた以外は、実施例１と同じ条件で電子写真感光体の作製し、ラジカル化したクリーニングガスの導入を行った。
図３（ｂ）のトラップ手段は図３（ａ）のトラップ手段に対して壁面領域Ａは傾斜しておらず、壁面領域Ａを加熱するための加熱装置３２０５、壁面領域Ｂを冷却するための冷却装置３２０６が取り付けられている構造となっている。電子写真感光体作製中に壁面領域Ａを９０℃に加熱、壁面領域Ｂを２０℃に冷却し続けた。
得られた電子写真感光体について実施例１と同様の評価を行った。結果を表４に示す。
【００４４】
【表４】
2013153023.tif 000006
【００４５】
表３、４より実施例２では比較例１と比べて膜特性が良く、逆拡散が抑制されていることがわかる。また領域Ａの副生成物残量は比較例１より多くなった。これは実施例１と同様の理由であることがわかる。
また実施例２と比較例２を比べると加熱装置３２０５、冷却装置３２０６があることによって実施例２では壁面領域Ａの副生成物の残量が減少していることがわかる。これは領域Ａを加熱することによって壁面領域Ａへの副生成物の付着確率が減少し、壁面領域Ｂを冷却することによって壁面領域Ｂへの副生成物の付着確率が高まったためだと考えられる。
【００４６】
（実施例３）
図３（ｃ）のトラップ手段を用いた以外は、実施例１と同じ条件で電子写真感光体の作製、ラジカル化したクリーニングガス導入を行った。
図３（ｃ）のトラップ手段は図３（ａ）のトラップ手段と同様に壁面領域Ａは傾斜しており、さらに壁面領域Ａを加熱するための加熱装置３２０５、壁面領域Ｂを冷却するための冷却装置３２０６が取り付けられている構造となっている。電子写真感光体作製中に壁面領域Ａを９０℃に加熱、壁面領域Ｂを２０℃に冷却し続けた。
得られた電子写真感光体について実施例１と同様の評価を行った。結果を表５に示す。
【００４７】
【表５】
2013153023.tif 000007
【００４８】
表３、表５より、実施例３では比較例１と比べて膜特性が良く、逆拡散が抑制されていることがわかる。これらは実施例１と同様の理由であることがわかる。また壁面領域Ａ、壁面領域Ｂともに副生成物は確認されなかった。これは壁面領域Ａが傾斜し、壁面領域Ａが加熱装置によって加熱され、かつ壁面領域Ｂが冷却装置によって冷却されていることによる相乗効果によって副生成物が効率的に除去されているためだと考える。
【００４９】
（実施例４）
図３（ｄ）、３（ｅ）、３（ｆ）のトラップ手段を用いた以外は、実施例１と同じ条件で電子写真感光体の作製、ラジカル化したクリーニングガス導入を行った。
図３（ｄ）、３（ｅ）、３（ｆ）のトラップ手段は図３（ａ）、３（ｂ）、３（ｃ）のトラップ手段に対してそれぞれクリーニングガスを供給する開口部３２０３が排気下流側を向く構造となっている。
得られた電子写真感光体を実施例１について同様の評価を行った。結果を表６に示す。
【００５０】
【表６】
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【００５１】
表３，４，５、６よりトラップ手段内へクリーニングガスを供給する配管の開口部３２０３が排気下流側を向くことによって、排気下流側を向いていない場合と比べてフッ素含有量が減少し、光感度の値も向上しており膜特性が良くなっていることがわかる。逆拡散がより抑制されていることがわかる。これは開口部３２０３が排気下流側を向くことによって、ラジカル化したクリーニングガスが開口部３２０２へ到達する確率がより下がったためだと考える。
【符号の説明】
【００５２】
１０００  反応装置
１００１  反応容器
１００２  上板  
１００３  底板  
１００４  絶縁部材
１００５  高周波電極
１００６  円筒状基体
１００７  加熱用ヒーター
１００８  原料ガス導入管
１００９  高周波マッチングボックス
１０１０  高周波電源
１０１１  基体ホルダー
１０１２  キャップホルダー
１０１３  真空計
１０１４  リークバルブ
１０１５  メインバルブ
１０１６  サブバルブ
１０１７  ガス供給バルブ
１１００  排気手段
１１０１  油回転ポンプ
１１０２  メカニカルブースターポン
１２００  トラップ手段
１２０１  排気配管
１２０２  反応容器からトラップ手段につながる排気配管の開口部
１２０３  ラジカル化したクリーニングガスを流入させる配管の開口部（クリーニングガス供給口）
１２０４  窓材
１３００  クリーニングガス供給手段
１３０１  プラズマ発生手段
１３０２  ガス供給バルブ
１３０３  ガス供給バルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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