(57)【要約】【課題】光の偏向角を大きくすることができる光偏向器を提供すること。【解決手段】透過する光を偏向する光導波路と、前記光を前記光導波路に入射する入射手段と、前記光導波路を透過している光を該光導波路から出射する出射手段と、前記出射手段によって出射された光を反射する回折手段とを有し、前記回折手段は、偏向された該光の偏向角に基づいて該光の波長を選択し、選択した前記波長の回折光を前記出射手段及び前記光導波路を介して前記入射手段に照射することによって、該回折手段と該入射手段の間の光路に前記回折光を往復させる、ことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過する光を偏向する光導波路と、
前記光を前記光導波路に入射する入射手段と、
前記光導波路を透過している光を該光導波路から出射する出射手段と、
前記出射手段によって出射された光を反射する回折手段と
を有し、
前記回折手段は、偏向された該光の偏向角に基づいて該光の波長を選択し、選択した前記波長の回折光を前記出射手段及び前記光導波路を介して前記入射手段に照射することによって、該回折手段と該入射手段の間の光路に前記回折光を往復させる、
ことを特徴とする光偏向器。
【請求項２】
前記出射手段は、前記光導波路を透過している光の偏向方向とは異なる方向に、該光を出射するグレーティングを有し、
前記異なる方向とは、前記光導波路から出射する角度が該光導波路を透過している光の波長に対応した角度であることを特徴とする、請求項１に記載の光偏向器。
【請求項３】
前記光導波路は、該光導波路に印加される電界に対応して屈折率を変化させる光偏向素子を含む、ことを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の光偏向器。
【請求項４】
前記光導波路を透過している光が出射される該光導波路の所定の位置に複数の前記出射手段を備える、ことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光偏向器。
【請求項５】
前記光導波路は、前記光を透過する光路に、電気光学効果を有するプリズム形状の分極反転部を備える、ことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光偏向器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光偏向器に関する。
【背景技術】
【０００２】
光（光ビーム）の進行方向を偏向する装置には、ミラー（ポリゴンミラー、ガルバノミラーなど）又は電気光学素子を用いた光偏向器がある。
【０００３】
ミラーを用いた光偏向器では、光の偏向可能な角度（偏向角）は大きいが、光学系（ミラー、レンズなど）を駆動する必要があるため、小型化が難しい場合がある。また、駆動により発生する振動が問題になる場合がある。
【０００４】
一方、電気光学素子を用いた光偏向器では、偏向角は小さいが、電気光学効果（電気光学結晶の屈折率が電界強度に依存して変化する効果）を利用しているため、可動部がなく、高応答性を実現できる。また、小型化も比較的容易である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、光導波路（電気光学素子）に電圧を印加して異なる屈折率となる領域を発生させて光を偏向することを目的に、光導波路に導電性又は半導電性の単結晶基板上に作製されたエピタキシャル（エピタキシャル層）又は配向性の強誘電体薄膜を用いる光偏向素子に関する技術を開示している。
【０００６】
しかしながら、特許文献１の技術では、電気光学素子にエピタキシャル層などを用いるため、光導波路を形成する層構造又は材料が制限される場合があった。また、特許文献１の技術では、エピタキシャル層等を用いるため、低コスト化又は生産性向上が制限される場合があった。
【０００７】
本発明は、光ビームの偏向角を大きくすることができる光偏向器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一の態様によれば、透過する光を偏向する光導波路と、前記光を前記光導波路に入射する入射手段と、前記光導波路を透過している光を該光導波路から出射する出射手段と、前記出射手段によって出射された光を反射する回折手段とを有し、前記回折手段は、偏向された該光の偏向角に基づいて該光の波長を選択し、選択した前記波長の回折光を前記出射手段及び前記光導波路を介して前記入射手段に照射することによって、該回折手段と該入射手段の間の光路に前記回折光を往復させる、ことを特徴とする光偏向器が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の光偏向器によれば、光ビームの偏向角を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る光偏向器の一例を示す概略構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る光偏向器の一例を示す概略側面断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る光偏向器の一例を示す概略平面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る光偏向器の動作の一例を説明する概略斜視図である。
【図５】本発明の実施形態に係る光偏向器の動作の一例を説明する説明図である。図（ａ）は、偏向角θ及び入射角γを説明する概略平面図である。図（ｂ）は、出射角αを説明する概略側面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る光偏向器の偏向方向の一例を説明する説明図である。図（ａ）は、光導波路の偏向角θの一例を説明する説明図である。図（ｂ）は、光導波路の偏向角θ及び出射手段の出射角αの一例を説明する説明図である。
【図７】本発明の実施例１に係る光偏向器において、入射角γ（回折手段）に対応する回折光の波長（共振波長）λの一例を説明する説明図である。
【図８】本発明の実施例１に係る光偏向器において、選択した波長（共振波長）λに対応する出射角α（出射手段）の一例を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
光ビームの進行方向を偏向する光偏向器を用いて、本発明を説明する。本発明は、光偏向器以外でも、プリンタ、スキャナ、車載用レーザレーダ、波長可変レーザ及びメディカル用レーザ、並びに、その他電気光学効果を用いて光の進行方向を変更するものであれば、いずれのものにも用いることができる。
【００１２】
（光偏向器の構成）
図１を用いて、本発明の実施形態に係る光偏向器１００の概略構成を説明する。
【００１３】
図１に示すように、光偏向器１００は、光偏向器１００の動作を制御する制御手段１１と、光ビーム（以下、「入射光」という。）を光導波路（後述）に入射する入射手段１２と、入射手段１２によって入射された入射光を透過する光導波路１３と、光導波路１３を透過している光ビームを光導波路１３から出射する出射手段１４と、出射手段１４から出射された光（以下、「出射光」という。）を反射する回折手段１５と、を有する。また、光偏向器１００は、光導波路１３を支持する基板１６を有する。
【００１４】
光偏向器１００は、本実施形態では、入射手段１２から入射された入射光を光導波路１３（後述するコア層１３ＣＲ）内で偏向する。また、光偏向器１００は、光導波路１３内で偏向された光ビーム（以下、「偏向光」という。）を、出射手段１４を用いて、光導波路１３から出射する。更に、光偏向器１００は、制御手段１１を用いて、光導波路１３（後述する電極層１３ＥＲ）に印加する電界を変化する。このとき、光導波路１３（コア層１３ＣＲ）は、電気光学効果によって、印加された電界強度に対応して屈折率を変化する。このため、光偏向器１００は、光導波路１３内を透過する光ビームを偏向することができる。
【００１５】
なお、電気光学効果とは、電気光学結晶の屈折率が電界強度に依存して変化する効果をいう。
【００１６】
制御手段１１は、光偏向器１００の各構成に動作を指示し、各構成の動作を制御する手段である。制御手段１１は、本実施形態では、光導波路１３（電極層１３ＥＲ）に印加する電圧を制御し、光導波路１３（コア層１３ＣＲ）の屈折率を制御する。
【００１７】
入射手段１２は、入射光（光ビーム）を発し、その入射光を光導波路１３（コア層１３ＣＲ）に入射する手段である。入射手段１２は、本実施形態では、光源及び光学系（例えば図４の光源１２ＬＳ及びレンズ１２ＬＮなど）を有する。入射手段１２は、光源が射出する光（半導体レーザなど）を光学系（レンズ及びミラーなど）により集光し、入射光として、光導波路１３（コア層１３ＣＲ）に入射する。
【００１８】
なお、本実施形態では、入射手段１２は、光源の光導波路１３側の光路を無反射膜で被覆する（無反射コートする）。これにより、入射手段１２は、光源の光導波路１３に対して反対側の端面と回折手段１５（後述）を用いて、発する光の強度を高める（励起する）ことができる。
【００１９】
光導波路１３は、入射手段１２によって入射された入射光の進行方向を偏向し、偏向光を生成するものである。光導波路１３は、本実施形態では、コア層１３ＣＲ及びクラッド層１３ＣＬ（例えば図２の上部クラッド層１３ＣＬｕ及び下部クラッド層１３ＣＬｄ）などを含む。
【００２０】
光導波路１３の構成の詳細は、後述する（光導波路及び出射手段の構成）で説明する。
【００２１】
出射手段１４は、光導波路１３によって偏向された偏向光を、出射光として出射（射出）する手段である。出射手段１４は、格子状パターンによる光の回折によって光の波長に応じて光を出射するグレーティング（回折格子）、又は、薄膜などで形成される光屈折率材料を使用したプリズムカプラなどを用いることができる。出射手段１４は、本実施形態では、光導波路１３によって偏向する方向とは異なる方向に出射光を出射する。
【００２２】
出射手段１４の構成の詳細は、後述する（光導波路及び出射手段の構成）で説明する。
【００２３】
回折手段１５は、出射手段１４から出射された出射光を反射（回折）する手段である。回折手段１５は、格子状パターンによる光の回折を用いて、照射された光の波長に応じて光を反射する回折格子１５ＤＧ（グレーティング）を用いることができる。
【００２４】
回折手段１５は、本実施形態では、光導波路１３から出射された出射光の回折光（１次回折光）を、出射手段１４及び光導波路１３を介して、入射手段１２に照射する。これにより、回折手段１５は、回折手段１５と入射手段１２の間の光路に回折光を往復させることができる。すなわち、本発明の実施形態に係る光偏向器１００は、回折手段１５及び入射手段１２などを用いて共振器（外部共振器）を構成し、その共振器を用いて入射光（偏向光）を共振させることができる。この結果、光偏向器１００は、出射光（回折手段１５の０次光）の強度を高めることができる。
【００２５】
また、回折手段１５は、照射された光（出射光）の入射角γ（例えば図５（ａ））に基づいて、入射手段１２等の方向に反射（回折）する回折光（１次回折光）の波長を選択することができる。これにより、回折手段１５は、上記共振器で共振させる入射光（偏向光）の波長を選択することができる。
【００２６】
ここで、共振器（外部共振器）には、１次回折光を入射手段１２に直接戻すリトロー型と、ミラーなどを経由して１次回折光を入射手段１２に戻すリットマン型とがある。光偏向器１００は、本実施形態では、リトロー型を用いる。なお、本発明に用いる共振器は、リトロー型に限定されるものではない。すなわち、本発明に用いる共振器は、リットマン型を用いてもよい。
【００２７】
回折手段１５等の共振器の動作の詳細は、後述する（光ビームを偏向する動作）で説明する。
【００２８】
基板１６は、光導波路１３を支持するものである。基板１６は、本実施形態では、光導波路１３（コア層１３ｃ）の材質と同じ材質の材料を用いることにより、光偏向器１００の熱膨張による損傷（熱応力）を低減することができる。詳細は後述の（光導波路及び出射手段の構成）で説明する。
【００２９】
（光導波路及び出射手段の構成）
図２及び図３を用いて、本発明の実施形態に係る光偏向器１００の光導波路１３、出射手段１４及び基板１６の構成を説明する。
【００３０】
図２に示すように、光偏向器１００は、基板１６上に光導波路１３を搭載している。また、光偏向器１００は、光導波路１３（後述するコア層１３ＣＲ）の一部の表面に出射手段１４を形成している。以下に、光導波路１３等を具体的に説明する。
【００３１】
光導波路１３は、光ビームを透過する薄膜導波路であるコア層１３ＣＲと、コア層１３ＣＲから漏れた光を反射するクラッド層１３ＣＬ（上部クラッド層１３ＣＬｕ及び下部クラッド層１３ＣＬｄ）と、光導波路１３（コア層１３ＣＲ）に電圧を印加する電極１３ＥＲ（上部電極１３ＥＲｕ及び下部電極１３ＥＲｄ）と、光導波路１３と基板１６とを固定（接着）する接着層１３ＡＤと、を有する。
【００３２】
コア層１３ＣＲは、電気光学素子の強誘電性体を用いる。また、コア層１３ＣＲは、強誘電性体の一部に自発分極の方向（電気光学結晶の分極軸の方向）が反転した領域（後述する分極反転領域）を有する。ここで、コア層１３ＣＲの電気光学素子の材質は、電気光学効果を有する強誘電体のニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、酸化マグネシウム添加ニオブ酸リチウム、ニオブ酸タンタル又はその他電気光学材料を用いることができる。
【００３３】
コア層１３ＣＲは、本実施形態では、自発分極の方向が図中のｚ軸の正方向である正領域１３ＣＲｅｏと、光を偏向させるために自発分極の方向を反転（ｚ軸の負方向に反転）した領域（以下、「分極反転領域」という。）１３ＣＲｐｒと、を有する。分極反転領域１３ＣＲｐｒの形状は、図３に示すように、三角形の断面形状（以下、「プリズム形状」という。）を用いる。また、分極反転領域１３ＣＲｐｒは、入射光の進行方向（図中のｘ軸方向）に、複数、配置することができる。
【００３４】
更に、コア層１３ＣＲは、コア層１３ＣＲ上に下部クラッド層１３ＣＬｄ（後述）及び下部電極層１３ＥＲｄ（後述）を成膜後、コア層１３ＣＲを上下反転（図中のｚ軸方向に反転）し、コア層１３ＣＲの成膜されていない表面を研磨することができる。これにより、コア層１３ＣＲの膜厚を調整することができる。また、研磨後、コア層１３ＣＲは、コア層１３ＣＲの研磨した表面上に上部クラッド層１３ＣＬｕ等を成膜することができる。これにより、コア層１３ＣＲの膜厚を薄くすることができ、光の偏向に要する電力を低減することができる。
【００３５】
図３に示すように、コア層１３ＣＲは、電極層１３ＥＲ（後述）によって印加される電圧に対応して屈折率を変化させる。これにより、コア層１３ＣＲは、入射手段１２によって入射された入射光を偏向角θの偏向光Ｂ１、Ｂ２又はＢ３などに偏向することができる。
【００３６】
このとき、コア層１３ＣＲ内の正領域１３ＣＲｅｏ及び分極反転領域１３ＣＲｐｒの屈折率差Δｎは次式で算出することができる。
【００３７】
（数１）
Δｎ＝−１／２×ｒ×ｎ３×Ｖ／ｄ
ここで、ｒは、電気光学定数（ポッケルス定数）である。ｎは、コア層１３ＣＲの材料の屈折率である。ｄは、コア層１３ＣＲの厚さ（図２のｚ軸方向の厚さ）である。Ｖは、コア層１３ＣＲに印加する電圧の値である。
【００３８】
なお、電圧を印加するコア層の領域を上記の分極反転領域のプリズム形状と同様の形状の領域とすることで、コア層内に電圧が印加された領域と印加されていない領域とを形成し、局所的に屈折率を変化させることができる。その結果、電圧が印加された領域と印加されていない領域との界面（屈折率の異なる界面）を透過する光ビームを屈折させ、光ビームの進行方向を偏向することができる。
【００３９】
クラッド層１３ＣＬは、コア層１３ＣＲから漏れる光を反射する被覆層である。クラッド層１３ＣＬは、本実施形態では、上部クラッド層１３ＣＬｕ及び下部クラッド層１３ＣＬｄを有する。上部クラッド層１３ＣＬｕ及び下部クラッド層１３ＣＬｄは、コア層１３ＣＲを被覆するため、入射光の入射方向と交差する方向側のコア層１３ＣＲの表面（図中のｚ軸方向側の表面）上に形成される。
【００４０】
ここで、上部クラッド層１３ＣＬｕ及び下部クラッド層１３ＣＬｄは、例えば膜厚約１μｍのＴａ２Ｏ５膜またはＳｉＯ２膜を用いることができる。
【００４１】
電極層１３ＥＲは、光導波路１３（コア層１３ＣＲ）に電界を印加するための電極である。電極層１３ＥＲは、上部クラッド層１３ＣＬｕ及び下部クラッド層１３ＣＬｄのコア層１３ＣＲと接する側の表面とは反対側（以下、「外側」という。）の表面上に形成された一対の電極（上部電極層１３ＥＲｕ及び下部電極層１３ＥＲｄ）を有する。
【００４２】
ここで、上部電極層１３ＥＲｕ及び下部電極層１３ＥＲｄは、例えば膜厚約２００ｎｍのＴｉ膜またはＣｒ膜を用いることができる。
【００４３】
出射手段１４は、光導波路１３（コア層１３ＣＲ）を透過して偏向された偏向光を、出射光として出射する。出射手段１４は、本実施形態では、グレーティング１４ＧＲ（回折格子）を用いる。
【００４４】
ここで、グレーティングとは、格子状パターンによる光の回折によって、光の波長に応じて光を偏向するものである。グレーティング１４ＧＲは、光の波長に応じて、光導波路１３によって偏向する方向（図３のθ方向）とは異なる方向（図２のα方向）に出射光を出射することができる。すなわち、本発明の実施形態に係る光偏向器１００は、回折手段１５で回折される１次回折光の波長を変化させることで、その波長に対応して、出射手段１４（グレーティング１４ＧＲ）の出射角を変化させることができる。
【００４５】
具体的には、図２に示すように、出射手段１４（グレーティング１４ＧＲ）は、偏向光（入射光）の波長λに対応して、出射光を出射する方向（以下、「出射角α」という。）を変化することができる。例えば、出射手段１４は、入射光（偏向光）の波長がλ１、λ２及びλ３のとき、出射する方向はＢ１（λ１）、Ｂ２（λ２）及びＢ３（λ３）となる。
【００４６】
ここで、出射角αは、偏向光（入射光）との位相整合により決定される。具体的には、出射角αは、位相整合条件である次式から算出することができる。
【００４７】
（数２）
ｎ（ａ）×ｓｉｎα=Ｎ＋ｑ×λ／Λ
ここで、ｎ（ａ）は、グレーティング１４ＧＲ周辺の屈折率（例えば空気の屈折率）である。Ｎは、コア層１３ＣＲの実効屈折率である。ｑは、回折の次数である。λは、偏向光（入射光）の波長である。Λは、グレーティング１４ＧＲの周期である。
【００４８】
出射手段１４（グレーティング）は、例えば、グレーティングの周期Λが５５０ｎｍのときで、入射光の波長λが７７８ｎｍ及び回折の次数ｑが−１の場合に、出射角αは約４５°となる。
【００４９】
なお、グレーティング１４ＧＲは、本実施形態では、コア層１３ＣＲの表面を凹凸形状に加工して形成される。また、グレーティング１４ＧＲが形成される領域には、上部クラッド層１３ＣＬｕを被覆しない。更に、光導波路１３の偏向光を出射する位置に複数のグレーティングを形成してもよい。
【００５０】
（光ビームを偏向する動作）
図４〜図６を用いて、光偏向器が光ビームの進行方向を偏向する動作を説明する。
【００５１】
図４に示すように、光偏向器１００は、光源１２ＬＳ（入射手段１２）から光ビームを発し、集光レンズ１２ＬＮ等（入射手段１２）を用いてその光ビームを集光し、入射光として光導波路１３（コア層１３ＣＲ）に入射する。このとき、入射光は、透過光として、コア層１３ＣＲ内の正領域１３ＣＲｅｏ及び分極反転領域１３ＣＲｐｒを伝播（透過）する。
【００５２】
ここで、光偏向器１００は、制御手段１１を用いてコア層１３ＣＲの上方及び下方の上部電極層１３ＥＲｕ及び下部電極層１３ＥＲｄ間に電圧を印加することができる。これにより、コア層１３ＣＲは、コア層１３ＣＲの電気光学効果によって、コア層１３ＣＲ内の正領域１３ＣＲｅｏ及び分極反転領域１３ＣＲｐｒの屈折率を変化することができる。このとき、正領域１３ＣＲｅｏと分極反転領域１３ＣＲｐｒとは、屈折率の変化量が異なる。
【００５３】
この結果、コア層１３ＣＲ内の透過光は、コア層１３ＣＲ内の正領域１３ＣＲｅｏ及び分極反転領域１３ＣＲｐｒを透過する際に、正領域１３ＣＲｅｏと分極反転領域１３ＣＲｐｒとの界面（屈折率の異なる界面）で屈折し、図中のＸＹ平面内で偏向する。
【００５４】
その後、光偏向器１００は、出射手段１４を用いて、偏向された偏向光を出射光として出射する。
【００５５】
更に、光偏向器１００は、回折手段１５を用いて、出射手段１４から出射された出射光を反射する。ここで、回折手段１５は、出射手段１４及び光導波路１３を介して、出射光の回折光を入射手段１２に反射する。これにより、光偏向器１００は、回折手段１５と入射手段１２の間の光路に回折光を往復させ、入射手段１２、光導波路１３、出射手段１４及び回折手段１５によって共振器（外部共振器）を構成することができる。
【００５６】
このため、光偏向器１００は、この共振器を用いて入射光（偏向光）を共振させ、入射光（偏向光）の強度を高める（増幅する）ことができる。また、光偏向器１００は、回折手段１５による回折角が波長に依存することを利用して、増幅する偏向光（回折光）の波長を選択することができる。
【００５７】
具体的には、光偏向器１００は、光導波路１３を用いて、入射光を偏向角θ（図５（ａ））で偏向する。次いで、光偏向器１００は、出射手段１４を用いて、偏向光を出射角α（図５（ｂ））で出射する。このとき、光偏向器１００は、入射角γ（図５（ａ））で回折手段１５に出射光を照射する。
【００５８】
更に、光偏向器１００は、回折手段１５を用いて、入射角γに対応する波長の回折光を（１次回折光）を出射光と同じ方向（出射手段１４の方向）に回折（反射）する。このとき、反射された回折光は、出射手段１４及び光導波路１３の光路を経由して、入射手段１２に照射される。このため、光偏向器１００は、回折手段１５が選択した回折光の波長の光を回折手段１５及び入射手段１２等で構成される共振器で増幅（励起）することができる。
【００５９】
すなわち、本発明の実施形態に係る光偏向器１００は、入射光（偏向光）の偏向角θを制御することによって回折する光の波長（共振波長）を選択し、共振器を用いて回折した回折光の波長の光のみを励起し、励起した光を光偏向器１００外に回折手段１５の０次光として出射することができる。
【００６０】
ここで、回折手段１５が１次回折光を入射光と同じ方向に反射（回折）するときの回折光の波長（共振波長）λは、数３を用いて算出することことができる。
（数３）
λ＝２×ｄ×ｓｉｎγ
ｄは、回折格子（回折手段１５）のピッチである。γは、回折手段１５に光を照射したときの光の入射角である。
【００６１】
図６（ａ）に示すように、光偏向器は、光導波路のみを用いて入射光を偏向させた場合には、入射光を偏向できる幅（以下、「解像点数」という。）が図中のＢａ〜Ｂｃとなる。一方、図６（ｂ）に示すように、本発明の実施形態に係る光偏向器１００は、光導波路１３及び出射手段１４を用いて入射光（光ビーム）を偏向させることができるので、その解像点数が図中のＢ１〜Ｂ３となる。すなわち、光偏向器１００は、光導波路１３及び出射手段１４を用いて入射光を偏向させた場合に、光導波路１３に印加する電圧を増加させることなく、その偏向角（解像点数）を増加させることができる。光偏向器１００は、例えば解像点数を約２倍にすることができる。
【００６２】
以上により、本発明の実施形態に係る光偏向器１００は、光導波路１３を用いて光ビームを偏向できると同時に、出射手段１４を用いて光ビームの出射方向を変更することができるので、光を偏向する偏向角を大きくすることができる。また、光偏向器１００は、光導波路１３を用いて光ビームを偏向できると同時に、出射手段１４を用いて光ビームの出射方向を変更することができるので、光を偏向できる幅（解像点数）を増加することができる。すなわち、光偏向器１００は、光導波路１３に印加する電圧を増加することなく、光を偏向する偏向角及び偏向した光の位置の解像点数を大きくすることができる。
【００６３】
また、本発明の実施形態に係る光偏向器１００は、入射手段１２、光導波路１３、出射手段１４及び回折手段１５を用いて、光ビームの強度を高める共振器を形成することができるので、光偏向器１００から出射する光の強度を高めることができる。また、光偏向器１００は、入射手段１２、光導波路１３、出射手段１４及び回折手段１５を用いて、光ビームの強度を高める共振器を形成することができるので、入射手段１２の消費電力を増加させることなく、光偏向器１００から出射する光の強度を高めることができる。すなわち、光偏向器１００は、共振器（外部共振器）を構成することができるので、光偏向器１００の消費電力を低減することができる。また、光偏向器１００は、消費電力を低減することができるので、装置の小型化及び応答性の向上を実現することができる。
【００６４】
更に、本発明の実施形態に係る光偏向器１００は、光導波路１３を用いて光ビームを偏向できると同時に、出射手段１４を用いて光ビームの出射方向を変更することができるので、光導波路１３等の光路長を短縮することができ、光導波路１３の電極層の面積を減少させることができる。その結果、光偏向器１００は、光導波路１３に印加する電圧（静電容量）を減少することができるので、光偏向器１００の消費電力を低減することができる。また、光偏向器１００は、光導波路１３を用いて光ビームを偏向できると同時に、出射手段１４を用いて光ビームの出射方向を変更することができるので、屈折率変化が大きい強誘電体材料を用いることなく、光を偏向する偏向角及び偏向した光の位置の解像点数を大きくすることができる。すなわち、光偏向器１００は、生産性の向上及びコストの低減について、従来技術と比較して有利な効果を有する。
【実施例】
【００６５】
本発明に係る光偏向器を有する実施例を用いて、本発明を説明する。
【００６６】
（実施例１）
本発明の実施例１に係る光偏向器１００Ｅを用いて、本発明を説明する。
【００６７】
（光偏向器の構成）
図１に、本実施例に係る光偏向器１００Ｅの概略構成を示す。本実施例に係る光偏向器１００Ｅの構成は、実施形態に係る光偏向器１００の構成と同様のため、説明を省略する。
【００６８】
（光導波路及び出射手段の構成）
図２及び図３に、本実施例に係る光偏向器１００Ｅの光導波路１３、出射手段１４及び基板１６の構成を示す。本実施例に係る光偏向器１００Ｅの光導波路１３等の構成は、実施形態に係る光偏向器１００の光導波路１３等の構成と基本的に同様のため、異なる部分のみを説明する。
【００６９】
図２に示すように、光偏向器１００Ｅは、本実施例では、光導波路１３のコア層１３ＣＲの膜厚を２０μｍとする。また、光偏向器１００Ｅは、光導波路１３（電極層１３ＥＲ）に±７０Ｖの電圧を印加することによって、光導波路１３のＸＹ平面内で約±２．５°の偏向角θを得ることができる。
【００７０】
また、光偏向器１００Ｅは、本実施例では、出射手段１４のグレーティング１４ＧＲのピッチｄを５５０ｎｍとする。なお、グレーティング１４ＧＲは、コア層１３ＣＲ（ＬｉＮｂＯ３）にレジストパターンをマスクとして用いるドライエッチングによって形成する。具体的には、グレーティング１４ＧＲは、レジストパターンに金属を蒸着し、リフトオフすることにより金属のパターンを形成し、この金属パターンをマスクとしてエッチングする。
【００７１】
更に具体的には、以下の手順によって、グレーティング１４ＧＲを形成することができる。
【００７２】
先ず、薄膜化したＬｉＮｂＯ３（コア層１３ＣＲ）上にフォトレジストを塗布し、電子線描画装置などを用いて、グレーティング１４ＧＲのレジストパターンを形成する。このとき、グレーティング１４ＧＲは、光導波路１３面内で偏向された光の入射方向と垂直になるように、円弧状に形成する。
【００７３】
次に、グレーティング１４ＧＲのパターン凹凸のデューティ比が１：１となるように描画条件を調整する。
【００７４】
次いで、レジストパターンをマスクとして、ＬｉＮｂＯ３層のドライエッチングを行う。ここで、ＬｉＮｂＯ３のエッチング深さを５０ｎｍとし、エッチング後残ったレジストを除去する。これにより、コア層１３ＣＲに所望のグレーティング１４ＧＲを形成することができる。
【００７５】
（光ビームを偏向する動作）
図４〜図８を用いて、本実施例に係る光偏向器１００Ｅが光ビームの進行方向を偏向する動作を説明する。なお、本実施例に係る光偏向器１００Ｅの動作は、実施形態に係る光偏向器１００の動作と基本的に同様のため、異なる部分のみを説明する。
【００７６】
図７に示すように、本実施例に係る光偏向器１００Ｅは、回折手段１５を用いて、光偏向器１００Ｅで共振（増幅）する光の共振波長λを選択することができる。具体的には、回折手段１５は、回折手段１５に照射される光（出射光）の入射角γに基づいて、出射手段１４に照射（反射）する１次回折光の波長（共振波長λ）を選択することができる。回折手段１５は、例えば入射角γが４５°の場合に、波長λ７７８ｎｍの光を、１次回折光として、出射手段１４に回折する。
【００７７】
また、図８に示すように、本実施例に係る光偏向器１００Ｅは、出射手段１４を用いて、出射角αで出射光を出射する。具体的には、出射手段１４は、選択された共振波長λ（図７）に対応する出射角αで、光導波路１３で偏向された偏向光（出射光）を出射する。
【００７８】
ここで、本実施例に係る光偏向器１００Ｅは、光導波路１３に印加する電圧を制御することによって光導波路１３で偏向する光の偏向角θを制御し、回折手段１５に対する入射角γを変化させることができる。光偏向器１００Ｅは、例えば、光ビームを偏向しない場合に入射角γが４５°になるのに対して、光ビームを偏向した場合に入射角γを４２．５〜４７．５°で回折手段１５に照射することができる。
【００７９】
このとき、光偏向器１００Ｅ（回折手段１５）は、入射角γに対応して、出射手段１４に戻る光の波長λを約７４５ｎｍ〜８１０ｎｍに変化することができる。これにより、光偏向器１００Ｅは、共振器（外部共振器）で増幅される１次回折光の波長（共振波長λ）を選択することができる（図７）。
【００８０】
また、光偏向器１００Ｅ（出射手段１４）は、選択した１次回折光の波長（共振波長λ）に対応して、光導波路１３から出射する出射角αを変化することができる。光偏向器１００Ｅは、例えば、出射角αを４３〜５７°に変化することができる（図８）。
【００８１】
すなわち、光偏向器１００Ｅは、入射角γが減少する方向に光ビームを偏向する（偏向角θを制御する）と、選択される共振波長λは短波長側にシフトし、出射手段１４の出射角αは大きくなる。
【００８２】
以上より、本発明の実施例１に係る光偏向器１００Ｅは、実施形態に係る光偏向器１００と同様の効果を得ることができる。
【００８３】
以上により、本発明の好ましい実施形態及び実施例について説明したが、本発明は、上述した実施形態及び実施例に制限されるものではない。また、本発明は、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更することが可能である。
【符号の説明】
【００８４】
１００，１００Ｅ：  光偏向器
１１  ：  制御手段
１２  ：  入射手段
１３  ：  光導波路
１３ＣＲ：  コア層（光偏向素子、電気光学素子）
１３ＣＲｐｒ：分極反転領域（分極反転部）
１４  ：  出射手段
１４ＧＲ：  グレーティング（出射用）
１５    ：  回折手段
１５ＤＧ：  回折格子（共振用グレーティング）
α  ：  透過した光の出射角
θ  ：  透過している光の偏向角
γ  ：  回折格子（回折手段）に対する入射角（１次回折角）
λ  ：  共振波長（選択された波長）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００８５】
【特許文献１】特開平９−５７９７号公報
【図１】
2013190645.tif 000003
【図２】
2013190645.tif 000004
【図３】
2013190645.tif 000005
【図４】
2013190645.tif 000006
【図５】
2013190645.tif 000007
【図６】
2013190645.tif 000008
【図７】
2013190645.tif 000009
【図８】
2013190645.tif 000010