(57)【要約】【課題】構成を複雑化せずに簡易な処理で有機ＥＬデバイスを効率よく発光させることが可能な照明表示装置を提供する。【解決手段】互いに接続された有機ＥＬ発光素子と抵抗スイッチを有する有機ＥＬデバイスと、抵抗スイッチに所定の設定電圧波形を供給して抵抗スイッチを高抵抗状態又は低抵抗状態の何れかに選択的に切替設定する第１電圧供給手段と、抵抗状態の設定後、複数段階の発光電圧のうち何れかを供給し、この発光電圧と抵抗状態に応じた輝度で有機ＥＬ発光素子を発光させる第２電圧供給手段と、発光量データに基づき第１電圧供給手段が供給する設定電圧波形を定める印加電圧制御手段とを備え、一の発光量データに係る発光量を複数の発光期間に時分割して発光し、複数の発光期間では、複数段階の発光電圧の何れかの供給と抵抗状態の設定とを組み合わせて行うことで合計の発光量を調節する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ発光素子と、当該有機ＥＬ発光素子に接続され、所定の基準電圧が印加されることで抵抗状態が変化する抵抗スイッチとを有する有機ＥＬデバイスと、
前記抵抗スイッチに対して所定の設定電圧波形を供給することで、当該抵抗スイッチを高抵抗状態、又は、低抵抗状態の何れか一つに選択的に切り替えて設定する第１電圧供給手段と、
前記抵抗スイッチの抵抗状態が設定された後に、前記有機ＥＬデバイスに対して予め設定された複数段階の発光電圧のうち何れかを供給して、当該発光電圧及び前記抵抗状態に応じた輝度で前記有機ＥＬ発光素子を発光させる第２電圧供給手段と、
前記第２電圧供給手段が供給する前記発光電圧を設定すると共に、前記有機ＥＬデバイスの発光量データに基づいて前記第１電圧供給手段が供給する前記設定電圧波形を決定する印加電圧制御手段と、
を備え、
前記印加電圧制御手段は、
一の発光量データに係る発光量を複数の発光期間に時分割して発光させ、当該複数の発光期間では、前記複数段階の発光電圧が各々少なくとも一回出現する所定の順番で当該発光電圧の何れかを供給させ、前記複数の発光期間のそれぞれに対し、前記高抵抗状態又は前記低抵抗状態の設定を組み合わせて行わせることで合計の発光量を調節する
ことを特徴とする照明表示装置。
【請求項２】
前記有機ＥＬ発光素子は、一端が第１制御線に接続され、
前記抵抗スイッチは、前記有機ＥＬ発光素子と第２制御線との間に接続され、
前記有機ＥＬ発光素子及び前記抵抗スイッチの間のノードには、第３制御線が接続され、
前記第１電圧供給手段は、
前記第１制御線をハイインピーダンス状態としながら前記第２制御線及び前記第３制御線に所定の設定電圧波形を供給して前記抵抗スイッチの抵抗状態を設定し、
前記第２電圧供給手段は、
前記第３制御線をハイインピーダンス状態としながら前記第１制御線及び前記第２制御線の間に所定の発光電圧を供給し、前記抵抗スイッチの抵抗状態及び前記所定の発光電圧に対応する発光量を前記有機ＥＬ発光素子から出力させる
ことを特徴とする請求項１記載の照明表示装置。
【請求項３】
前記第３制御線は、キャパシターを介して前記ノードと接続されていることを特徴とする請求項２記載の照明表示装置。
【請求項４】
前記抵抗スイッチは、前記基準電圧として所定の極性で第１基準電圧以上の大きさの電圧が印加されることで高抵抗状態に変化し、また、前記所定の極性とは反対の極性であって大きさが第２基準電圧以上の電圧が印加されることで低抵抗状態に変化し、
前記印加電圧制御手段は、前記高抵抗状態では前記有機ＥＬ発光素子が非点灯となる電圧範囲内で前記第２電圧供給手段に前記発光電圧を供給させる
ことを特徴とする請求項２又は３記載の照明表示装置。
【請求項５】
前記抵抗スイッチは、前記有機ＥＬ発光素子を点灯させる際に印加される正電圧と同極性の電圧が印加されることで、低抵抗状態から高抵抗状態に変化する向きに設定配置される
ことを特徴とする請求項２〜４の何れか一項に記載の照明表示装置。
【請求項６】
前記第１電圧供給手段は、前記設定電圧波形として、前記抵抗スイッチを一度低抵抗状態とする電圧波形を出力した後に、低抵抗状態を維持する電圧波形、又は、高抵抗状態へ変更する電圧波形を選択的に供給する
ことを特徴とする請求項２〜４の何れか一項に記載の照明表示装置。
【請求項７】
前記第１電圧供給手段は、前記設定電圧波形として、前記第３制御線に振幅が前記第２基準電圧以上の正のパルス状電圧と、振幅が前記第１基準電圧以上の負のパルス状電圧とを続けて出力すると共に、前記抵抗スイッチを高抵抗状態に設定する場合には、前記第２制御線に対して接地電圧を継続して供給し、前記抵抗スイッチを低抵抗状態に設定する場合には、前記正のパルス状電圧の出力期間には前記第２制御線に対して接地電圧を供給した後、前記負のパルス状電圧の出力期間には当該第２制御線をハイインピーダンス状態とする
ことを特徴とする請求項５記載の照明表示装置。
【請求項８】
前記第１制御線及び前記第３制御線は、平行に配置された複数の前記第２制御線に対して交差するように、各々同数の複数本ずつ交互に配置され、
前記有機ＥＬデバイスは、前記第１制御線と前記第２制御線との交点に各々対応して二次元マトリクス状に複数個配置され、
前記印加電圧制御手段は、前記第１電圧供給手段に複数の前記抵抗スイッチの抵抗状態を全て設定させた後に、前記複数の有機ＥＬデバイスを一括して発光させる
ことを特徴とする請求項２〜７の何れか一項に記載の照明表示装置。
【請求項９】
前記第１電圧供給手段は、
前記低抵抗状態への設定動作を全ての前記抵抗スイッチに対して一括して行い、前記高抵抗状態への設定動作を、複数の前記第１制御線又は複数の前記第３制御線の何れか一本に接続された前記抵抗スイッチ毎に順番に行う
ことを特徴とする請求項８記載の照明表示装置。
【請求項１０】
前記複数の発光期間の各々は、同一の長さに設定されていることを特徴とする請求項１〜９の何れか一項に記載の照明表示装置。
【請求項１１】
前記有機ＥＬ発光素子は、基板上に設けられた前記抵抗スイッチの上部に電極層を挟んで積層され、前記有機ＥＬ発光素子から発せられた光は、当該有機ＥＬ発光素子上に設けられた透明電極層を透過して出射される
ことを特徴とする請求項１〜１０の何れか一項に記載の照明表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescent）デバイスを用いた照明表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
以前から、有機ＥＬデバイスの一つとして有機発光ダイオード（Organic Light-Emitting Diode：ＯＬＥＤ）が知られている。この有機発光ダイオードは、電流値に略比例して発光量が変化する発光素子であり、ディスプレイ装置や（例えば、特許文献１〜３）、照明装置に利用されている。このような有機発光ダイオードを用いたディスプレイ装置では、複数のＯＬＥＤが、例えば、二次元マトリクス状に配置されている。そして、所望の表示対象画像の各画素データ（即ち、各画素の発光量を示す発光量データ）に基づき、これら複数のＯＬＥＤに対して各々独立に点灯状態及び消灯状態の駆動制御がなされることにより、当該画像を表示させることができる。
【０００３】
ディスプレイ装置に用いられる有機ＥＬデバイスは、一度に非常に大きな輝度の発光を行うことで劣化が加速され、ディスプレイ装置の寿命を縮めてしまう。従来、有機ＥＬデバイスを用いたディスプレイ装置では、このような問題に対応可能な技術の一例として、一度の発光量を一定の量に設定し、所定時間内により長い時間点灯させることで同等の発光量を得るように制御する技術が開発されている。
【０００４】
このような技術を用いたディスプレイ装置では、例えば、上記所定時間内における各有機ＥＬデバイスの点灯時間を増減させることで点灯時間に比例した光量を出力させることで、画像の多階調表示を行わせることが可能である。このような点灯時間の制御では、所定時間が更に細かい複数の単位時間で分割され、この単位時間毎に各々点灯状態、又は、消灯状態が制御される時分割駆動が行われる。
【０００５】
また、本願発明と関連する技術として、特許文献４には、上記の時分割駆動において、単位時間で複数に分割された区間毎に流す電流値を複数の異なる値にそれぞれ設定し、これらの区間のうち、実際にＯＬＥＤに電流を流す区間を適切に組み合わせることで光量を調節する技術が記載されている。
【０００６】
一方、このようなディスプレイ装置における有機ＥＬデバイスの発光制御方式としては、一度に一列（一走査線上）の有機ＥＬダイオードを選択的に発光制御する動作を、各走査線で順番に実行していくパッシブマトリクス方式による表示方法と、全ての有機ＥＬダイオードの発光制御データを書き込み設定した後に一斉に発光駆動動作させるアクティブマトリクス方式による表示方法のいずれかが用いられる。一般的に、アクティブマトリクス方式による表示方法の方が各有機ＥＬデバイスを点灯可能な時間を長くすることが出来る。このアクティブマトリクス方式による発光制御の例としては、ゲート線に供給された制御電圧に基づき、発光有無の情報を伝える信号線との接続の可否を制御するスイッチ用ＴＦＴ（薄膜トランジスター）、スイッチ用ＴＦＴがオン状態（導通状態）の間に信号線から供給された発光情報を示す電圧に係る電荷を蓄積するキャパシター、及び、当該キャパシターに記憶された電荷に基づき、バイアス線の電圧を有機ＥＬデバイスに供給するか否かを設定することで当該有機ＥＬデバイスの点灯、消灯状態を設定する駆動用ＴＦＴを用いて行うものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３４０１３５６号公報
【特許文献２】特許第３５０１１４８号公報
【特許文献３】特許第３９５６３４７号公報
【特許文献４】特開平１０−２３２６４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来のアクティブマトリクス方式により表示制御を行う照明表示装置では、上記のように、少なくとも２個のＴＦＴと１個のキャパシターとが必要になることで製造工程が煩雑になってコストが上昇したり、歩留まりが低下したりするという課題があった。
【０００９】
この発明の目的は、より簡易な構成で有機ＥＬデバイスを効率よく発光させることが可能な照明表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記目的を達成するため、
有機ＥＬ発光素子と、当該有機ＥＬ発光素子に接続され、所定の基準電圧が印加されることで抵抗状態が変化する抵抗スイッチとを有する有機ＥＬデバイスと、
前記抵抗スイッチに対して所定の設定電圧波形を供給することで、当該抵抗スイッチを高抵抗状態、又は、低抵抗状態の何れか一つに選択的に切り替えて設定する第１電圧供給手段と、
前記抵抗スイッチの抵抗状態が設定された後に、前記有機ＥＬデバイスに対して予め設定された複数段階の発光電圧のうち何れかを供給して、当該発光電圧及び前記抵抗状態に応じた輝度で前記有機ＥＬ発光素子を発光させる第２電圧供給手段と、
前記第２電圧供給手段が供給する前記発光電圧を設定すると共に、前記有機ＥＬデバイスの発光量データに基づいて前記第１電圧供給手段が供給する前記設定電圧波形を決定する印加電圧制御手段と、
を備え、
前記印加電圧制御手段は、
一の発光量データに係る発光量を複数の発光期間に時分割して発光させ、当該複数の発光期間では、前記複数段階の発光電圧が各々少なくとも一回出現する所定の順番で当該発光電圧の何れかを供給させ、前記複数の発光期間のそれぞれに対し、前記高抵抗状態又は前記低抵抗状態の設定を組み合わせて行わせることで合計の発光量を調節する
ことを特徴とする照明表示装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に従うと、照明表示装置において、簡易な構成で有機ＥＬデバイスを効率よく発光させることが出来るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態の照明表示装置の内部回路構成を示す図である。
【図２】表示装置のパネル部の拡大図である。
【図３】図２のＩＩ−ＩＩ線での断面図である。
【図４】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線での断面図である。
【図５】発光制御に係る電圧印加の方法を説明する図である。
【図６】有機ＥＬデバイスへの電圧の印加パターンを説明する図である。
【図７】有機ＥＬデバイスへの電圧の印加パターンを説明する図である。
【図８】変形例１の照明表示装置の一行分の内部回路構成を示す図である。
【図９】有機ＥＬデバイスへの電圧の印加パターンの変形例２を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１４】
図１は、本実施形態に係る照明表示装置１の内部回路の概略構成を示す図である。
この照明表示装置１は、複数の有機ＥＬデバイスを用いて各種情報を表示するディスプレイ装置である。
照明表示装置１は、表示照明パネル部（以下、パネル部と記す）２と、陰極線ドライバー３と、陽極線ドライバー４と、信号線ドライバー５と、制御部６（印加電圧制御手段）とを備えている。
【００１５】
陰極線ドライバー３には、複数（ここでは、ｎ本）の陰極線２４（陰極バイアス線、第１制御線）が接続され、この陰極線ドライバー３は、制御部６から入力された制御信号により、これら複数の陰極線２４に対して選択的に、又は、一括して所定の電圧を供給したり、ハイインピーダンス状態（フローティング）にしたりする。複数の陰極線２４は、列方向にほぼ等間隔で配置されて各々行方向（Ｘ方向）に平行に延在している。
信号線ドライバー５には、複数（ｎ本）の信号線２６（第３制御線）が接続され、この信号線ドライバー５は、制御部６から入力された制御信号により、これらの複数の信号線２６に対して選択的に、又は、一括して所定の電圧を供給したり、ハイインピーダンス状態にしたりする。複数の信号線２６は、列方向にほぼ等間隔で配置されて、それぞれ、複数の陰極線２４のうち対応する一本と平行に延在している。
一方、陽極線ドライバー４には、複数（３ｍ本）の陽極線２５（陽極バイアス線、第２制御線）が接続され、この陽極線ドライバー４は、制御部６から入力された制御信号により、これらの複数の陽極線２５に対して選択的に、又は、一括して所定の電圧を供給したり、ハイインピーダンス状態にしたりする。複数の陽極線２５は、行方向にほぼ等間隔で配置されて、各々列方向（Ｙ方向）に延在している。
陽極線ドライバー４と信号線ドライバー５とにより第１電圧供給手段が構成され、陰極線ドライバー３と陽極線ドライバー４とにより第２電圧供給手段が構成される。
【００１６】
パネル部２には、複数の有機ＥＬデバイス２０がＸＹ面内で二次元マトリクス状に配列されている。各有機ＥＬデバイス２０は、各々、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、又は、青色（Ｂ）の何れかの色を発光し、これら３色をそれぞれ発光する３個の有機ＥＬデバイス２０が並列に配置されて、３個１組で１つの画素を構成している。有機ＥＬデバイス２０は、各々、複数の陰極線２４のうちの一本、複数の陽極線２５のうちの一本、及び、複数の信号線２６のうちの一本と接続され、接続された陰極線２４、陽極線２５、及び、信号線２６の組み合わせにより有機ＥＬデバイス２０が各々特定される。即ち、有機ＥＬデバイス２０は、陽極線２５と信号線２６との交点の数（ｎ×３ｍ）と等しい数設けられている。
【００１７】
各有機ＥＬデバイス２０は、発光素子２１と、抵抗スイッチ２２と、キャパシター２３とを有する。本実施形態の発光素子２１は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ、有機ＥＬ発光素子）であり、当該発光素子２１を流れる電流の大きさ（電荷注入量）に略比例して輝度が変化する。発光素子２１であるＯＬＥＤのカソードは、陰極線２４に接続されている。抵抗スイッチ２２は、後に詳述するように、所定の基準電圧が印加されることによって高抵抗状態と低抵抗状態との間で状態変化するものである。抵抗スイッチ２２の一端は、ＯＬＥＤのアノードに接続され、他端は、陽極線２５に接続されている。また、キャパシター２３の一端は、ＯＬＥＤのアノードと抵抗スイッチ２２の間のノードに接続され、他端は、信号線２６に接続されている。この有機ＥＬデバイス２０の具体的な構造については、後に詳述する。
【００１８】
制御部６は、ＣＰＵ６１及びメモリー６２を有する。制御部６は、陰極線ドライバー３、陽極線ドライバー４、及び、信号線ドライバー５と接続されており、ＣＰＵ６１は、同期信号により各ドライバー間の同期をとりながら、入力される画像信号（画像情報）に基づく動作制御信号を出力して、陰極線ドライバー３、陽極線ドライバー４、及び、信号線ドライバー５を動作させる。具体的には、ＣＰＵ６１は、後述するように、抵抗スイッチ２２の抵抗値を設定する書き込み動作を行わせる制御や、発光素子２１の発光を制御する発光制御等を行う。
【００１９】
メモリー６２には、ＲＡＭ（Random Access Memory）などの揮発性メモリー領域と、不揮発性メモリー領域とが含まれる。揮発性メモリー領域は、例えば、ＤＲＡＭであり、入力される画像信号を一時的に記憶、保持する。ＣＰＵ６１は、後述するように、揮発性メモリー領域に記憶された１フレーム分の画像信号から所定数のサブフレームの信号を生成する。また、不揮発性メモリー領域は、例えば、ＲＯＭやフラッシュメモリーであり、この不揮発性メモリー領域には、画像信号に含まれる各画素データ、即ち、各画素におけるＲＧＢ各色の発光量を示すデータ（発光量データ）からサブフレーム毎の点灯又は消灯の各状態に換算する際に用いられる換算テーブルが記憶されている。
【００２０】
続いて、有機ＥＬデバイス２０の具体的な構造について説明する。
図２は、パネル部２の一部分を拡大した図である。図３は、図２のII−II線での断面のうち、１つの有機ＥＬデバイス２０の断面を示す断面図であり、また、図４は、図２のIII−III線での断面図である。
【００２１】
図２及び図３に示すように、有機ＥＬデバイス２０は、パネル部２の基板２７上に積層された絶縁層８１を有している。絶縁層８１上には、アルミニウムなどの金属線からなる陽極線２５が列方向（Ｙ方向）に延在するように配設されている。
【００２２】
基板２７及び陽極線２５上には、第一電極８２、抵抗スイッチ本体部８３、及び、第二電極８４が順番に積層されている。これら第一電極８２、抵抗スイッチ本体部８３、及び、第二電極８４により、抵抗スイッチ２２が構成されている。
【００２３】
第一電極８２は、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）で形成されている。また、図２に示されているように、第一電極８２は、陽極線２５に接続される部分の近傍に切欠部８２ａを有する形状及び配置となっている。このような切欠部８２ａを設けることにより、製造工程において第一電極８２と第二電極８４との相対位置が設計位置からずれた場合であっても、図３に示すように、抵抗スイッチ本体部８３を介した第一電極８２と第二電極８４との接合面積の変化を最小限に抑えることができるので、当該接合面積の変化により抵抗スイッチ２２の抵抗値に生じる設計値からのずれを抑制することができる。また、第一電極８２の各エッジ部分は、テーパー状に形成されていることが好ましい。第一電極８２がこのような形状で形成されることで、第一電極８２の上部に積層される抵抗スイッチ本体部８３における第一電極８２のエッジに対応する部分に段切れを生じさせてしまい、電流が流れにくくなる状況が生じることを防ぐことが出来る。
【００２４】
抵抗スイッチ本体部８３は、厚さが数ｎｍ〜数十ｎｍ（例えば２０ｎｍ）程度の薄膜状に形成され、第一電極８２を覆うように積層されている。この抵抗スイッチ本体部８３は、所定の基準電圧が印加されることにより高抵抗状態と低抵抗状態との間で変化する性質を備えた抵抗変化物質で構成される。このような抵抗変化物質としては、公知の種々の材料が利用可能であり、例えば、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｌａ、Ｓｉ、Ｙ等の遷移金属の酸化物や、酸素欠陥を有するものが用いられる。また、抵抗変化物質として、これらの金属酸化物と、含有する酸素（Ｏ）等の比率が異なる金属酸化物とが混合されたものや、これら複数の金属酸化物が二層に分かれて形成されたものを利用することも可能である。ここでは、抵抗スイッチ本体部８３は、チタン酸化物（ＴｉＯｘ）で構成されている。
【００２５】
第二電極８４は、抵抗スイッチ２２の一方の電極として機能するとともに、後述するように、発光素子２１のアノード端としても機能する。従って、第二電極８４は、発光素子２１と同等の面積を有している。この第二電極８４は、窒化チタン（ＴｉＮ）や白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）等の酸素に不活性な材料で形成されることで、抵抗スイッチ２２内で遊離した酸素原子（Ｏ）が発光素子２１に入り込むことを阻止するバリアとしても機能する。
【００２６】
本実施形態の照明表示装置１における抵抗スイッチ２２には、バイポーラー型の抵抗変化特性を備えたものが用いられる。このバイポーラー型の抵抗スイッチ２２は、低抵抗状態から高抵抗状態に変化させる場合の印加電圧と、高抵抗状態から低抵抗状態に変化させる場合の印加電圧との極性が正負反対であるという特性を備えている。例えば、このバイポーラー型の抵抗スイッチ２２にセット電圧Ｖｓｔ以下の電圧（Ｖｓｔ＜０、大きさが第２基準電圧）が印加されることで、抵抗スイッチ本体部８３が高抵抗状態から低抵抗状態に変化して抵抗スイッチ２２がオンとなり、リセット電圧Ｖｒｓ以上の電圧（Ｖｒｓ＞０、第１基準電圧）が印加されることで、抵抗スイッチ本体部８３が低抵抗状態から高抵抗状態に変化して抵抗スイッチ２２がオフとなる。そして、この抵抗スイッチ２２では、一旦抵抗状態が変化すると、次に抵抗状態が変更されるまでの間、印加される電圧に拘わらず当該抵抗状態が維持される。
【００２７】
本実施形態の照明表示装置１における抵抗スイッチ２２では、高抵抗状態の場合の抵抗値は、発光素子２１の発光の際に陰極線ドライバー３及び陽極線ドライバー４により印加される電圧に対して十分大きく、このときに抵抗スイッチ２２を流れる電流値は、発光素子２１から発光させることの可能な電流閾値を下回る。従って、高抵抗状態では、発光素子２１は、消灯状態となる。一方、この抵抗スイッチ２２では、低抵抗状態の場合の抵抗値は、発光素子２１の発光の際にこの発光素子２１にかかる電圧よりも小さい。発光素子２１を大きく劣化させない範囲で印加される電圧範囲では、陰極線ドライバー３及び陽極線ドライバー４により抵抗スイッチ２２及び発光素子２１の全体にかかる電圧がリセット電圧Ｖｒｓを超える場合であっても、通常、抵抗スイッチ２２にかかる電圧がリセット電圧Ｖｒｓを超えない。
【００２８】
また、図２及び図４に示すように、抵抗スイッチ本体部８３から離間した位置であって第二電極８４に覆われた位置には、金属線からなる信号線２６が、基板２７と絶縁層８１との間で行方向（Ｘ方向）に延在するように配設されている。即ち、信号線２６の一部は、絶縁層８１を介して第二電極８４と対向する位置に配置されており、この対向部分における信号線２６、絶縁層８１、及び、第二電極８４によりキャパシター２３が構成されている。そして、信号線２６と、第一電極８２に接続された陽極線２５とにより、直列に接続されたキャパシター２３及び抵抗スイッチ２２に電圧が印加される。
【００２９】
第二電極８４の上方には、図２及び図３に示すように、発光素子本体部８５及び第三電極８６が順番に積層されている。これら第二電極８４、発光素子本体部８５、及び、第三電極８６により発光素子２１が構成されている。このように、第二電極８４は、発光素子２１及び抵抗スイッチ２２の共通電極として用いられ、発光素子２１及び抵抗スイッチ２２は、第一電極８２に接続された陽極線２５と、第三電極８６に接続された陰極線２４との間に直列に接続される。
【００３０】
本実施形態の照明表示装置１に用いられる発光素子２１（ＯＬＥＤ）の本体部分である発光素子本体部８５は、第二電極８４の側から順に、正孔注入層（Hole Injection Layer：ＨＩＬ）、正孔輸送層（Hole Transport Layer：ＨＴＬ）、発光層（Emitting Layer：ＥＭＬ）、電子輸送層（Electron Transport Layer：ＥＴＬ）、及び、電子注入層（Electron Injection Layer：ＥＩＬ）の各層が蒸着等の方法により積層されて形成されている。即ち、ＨＩＬに接続された第二電極８４がアノード（陽極）となり、また、ＥＩＬに接続された第三電極８６がカソード（陰極）となる。そして、この発光素子２１に適宜な正電圧が印加されて電流が流れることで、当該電流量に略比例した光量でＥＭＬが発光する。
【００３１】
第三電極８６は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極である。発光素子本体部８５のＥＭＬで発せられた光は、第三電極８６を透過して外部に出射される。即ち、この発光素子２１は、トップエミッションの構造となっている。
【００３２】
発光素子本体部８５及び第三電極８６の上方には、スパッタリング等の方法により、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）等からなる絶縁層８７が形成され、当該絶縁層８７により抵抗スイッチ２２や発光素子２１等が被覆されている。また、絶縁層８７のうち、第三電極８６の上方に位置する部分に、コンタクトホールＨが形成されている。
【００３３】
絶縁層８７の上方には、アルミニウムなどの金属線からなる陰極線２４がコンタクトホールＨを通りつつ行方向（Ｘ方向）に延在するように配設されている。この陰極線２４は、コンタクトホールＨで第三電極８６に接続される。なお、図２、図３では、陰極線２４が抵抗スイッチ本体部８３の直上に形成されたコンタクトホールＨで第三電極８６と接続されている状態を示したが、陰極線２４の配線位置やコンタクトホールＨの形成位置は、これに限定されるものではない。
【００３４】
［表示照明装置の動作］
続いて、本実施形態の照明表示装置１の動作について説明する。
図５は、照明表示装置１における各有機ＥＬデバイス２０の点灯動作を説明するタイミングチャートである。
【００３５】
本実施形態の照明表示装置１では、１個の有機ＥＬデバイス２０における１回の表示（１フレーム）を更に複数のサブフレームに分割し、各サブフレームの点灯状態と消灯状態とを組み合わせることで１フレームの表示における輝度、即ち、発光量の調節を行う。ここでは、図５（ａ）に示すように、１つのフレームＦ１がｐ個のサブフレームＳ１〜Ｓｐに分割されて各々点灯制御される。各サブフレームにおいて、それぞれ斜線でハッチされた区間Ｗ１〜Ｗｐは、各サブフレームにおける点灯状態または消灯状態に係る設定を各抵抗スイッチ２２に対して行う書き込み区間である。また、区間Ｌ１〜Ｌｐは、それぞれ区間Ｗ１〜Ｗｐで点灯設定が書き込まれた有機ＥＬデバイス２０を点灯させる区間である。
【００３６】
図５（ｂ）、（ｃ）に示すように、書き込み期間Ｗ１〜Ｗｐには、陰極線２４がハイインピーダンス状態にされ、陽極線２５と信号線２６との間にかかる電圧が制御されることで、発光素子２１に電流を流さずに抵抗スイッチ２２に所望の電圧が印加され、抵抗スイッチ２２の抵抗状態が設定される。一方、点灯区間には、信号線２６がハイインピーダンス状態にされ、また、陰極線２４が接地状態にされる。そして、各陽極線２５への供給電圧を一括制御することで、抵抗スイッチ２２の抵抗状態に基づいて陽極線２５から各発光素子２１を経て陰極線２４へと流れる電流量が制御される。
【００３７】
ここで、本実施形態の照明表示装置１では、点灯区間における陽極線２５への供給電圧（発光電圧）は、サブフレームごとに異なる値に設定される。この供給電圧の値の組み合わせは、任意に設定可能であり、例えば、輝度（発光量）の最低基準レベルを１として、輝度がそれぞれ１、２、４、８、…、２ｎ−１となる電圧に設定することが出来る。これらの組み合わせによれば、１フレーム内の発光量をｎ個のサブフレームで非点灯を含めて２ｎ段階の任意の値とすることが可能となる。また、全てのサブフレームでこの供給電圧の値が互いに異なる必要は無く、例えば、輝度が１、２、４、８、８、８のような組み合わせとしても良い。この組み合わせによれば、最高の輝度を８に抑えたまま６つのサブフレームで非点灯を含めて３２段階の任意の発光量を設定することが可能となる。また、陽極線２５へのこれらの供給電圧の供給順序は、任意に設定可能であり、時分割駆動において従来知られている種々の効果的な配列順を用いることが出来る。
【００３８】
なお、発光素子２１において、ＯＬＥＤの輝度は電流量に略比例し、ＯＬＥＤ及び抵抗スイッチ２２の抵抗値は電圧値によって変化するので、輝度（発光量）は電圧値に比例しない。従って、この照明表示装置１では、各輝度に対応して供給される電圧値を予めメモリー６２などにテーブルデータとして記憶させておく、又は、陽極線ドライバー４によりハードウェア構成として保持される、などにより適切な値に調節される。
【００３９】
図６及び図７は、書き込み区間における各部の電圧変化パターンと抵抗スイッチの抵抗状態変化とを示す図である。
【００４０】
図６には、書き込み区間の開始時に抵抗スイッチ２２が高抵抗状態であった場合の変化パターンを示す。図６（ａ）は、抵抗スイッチ２２を高抵抗状態に設定する場合のパターンである。先ず、陽極線２５を接地状態に保ち、次いで、信号線２６への供給電圧Ｖｓを−Ｖｓｔ以上の値に変化させる（区間（ｇ））。発光素子２１、抵抗スイッチ２２、及び、キャパシター２３の間のノードにおける電圧をＶｎとし、初期状態ではＶｎ＝０とすると、このとき、抵抗スイッチ２２にかかる電圧Ｖｓｗは、Ｖｓｗ＝−Ｖｓ＜Ｖｓｔとなって、抵抗スイッチ２２の抵抗状態が高抵抗状態から低抵抗状態に切り替わる。そして、抵抗スイッチ２２が低抵抗状態になると、陽極線２５からキャパシター２３に速やかに電流が流れてノード電圧Ｖｎが接地電圧に近づく。その後、信号線２６への供給電圧を接地電圧レベルへ漸減させていく（区間（ｈ））。このときの信号線２６への供給電圧の変化は、抵抗スイッチ２２にリセット電圧Ｖｒｓ以上の電圧がかからないような波形であれば、図６（ａ）に示したパターンに限られない。即ち、キャパシター２３の容量と低抵抗状態の抵抗値とによって定まるキャパシター２３から陽極線２５への放電速度に対して十分に遅い変化パターンであれば、例えば、信号線２６への供給電圧Ｖｓを指数関数的に低下させても良い。或いは、各々の変化がＶｒｓ未満の複数のステップに分割して信号線２６への供給電圧Ｖｓを低下させても良い。
【００４１】
信号線２６への供給電圧が接地電圧レベルに戻ると、次に、信号線２６への供給電圧Ｖｓを速やかに−Ｖｒｓ以下の値に変化させる（区間（ｊ））。この供給電圧の変化によって抵抗スイッチ２２への印加電圧Ｖｓｗがリセット電圧Ｖｒｓより大きくなり、抵抗スイッチ２２の抵抗状態が低抵抗状態から高抵抗状態に変化する。ここで、このときの信号線２６への供給電圧Ｖｓの変化が緩やかだと、キャパシター２３と陽極線２５との間で電流が流れて十分な電圧が抵抗スイッチ２２に印加されなくなるので、キャパシター２３の容量と低抵抗状態の抵抗値の積（ＣＲ回路の時定数）に対して十分速い時間内で供給電圧を変化させる必要がある。最後に、信号線２６への供給電圧Ｖｓを−Ｖｒｓから接地電圧レベルへ戻す（区間（ｋ））。この間、電流は、高抵抗状態の抵抗スイッチ２２を殆ど流れないので、ノード電圧Ｖｎは、信号線２６への供給電圧Ｖｓに従って変化し、ほぼ接地電圧レベルに戻る。なお、このときの電圧Ｖｓの変化は、図６（ａ）に示したパターンに限られない。より素早く接地電圧に戻しても良いし、直線変化以外の他の変化パターンで接地電圧に戻すこととしても良い。
【００４２】
図６（ｂ）は、抵抗スイッチを低抵抗状態に設定する場合のパターンである。この場合の信号線２６への供給電圧の変化パターンは、抵抗スイッチを高抵抗状態に設定する場合の変化パターンと同一である。一方、信号線２６への供給電圧Ｖｓを−Ｖｓｔ以上の値から接地電圧レベルに戻した後、−Ｖｒｓ以下の値へ変化させる前に、陽極線２５を接地状態からハイインピーダンス状態に変更する（区間（ｉ））。この変更により、区間（ｊ）、（ｋ）において抵抗スイッチ２２を電流が流れなくなるので、信号線２６への供給電圧Ｖｓを−Ｖｒｓ以下に低下させても抵抗スイッチ２２への印加電圧Ｖｓｗはゼロのままとなり、抵抗スイッチ２２が低抵抗状態に保たれる。そして、このまま信号線２６への供給電圧Ｖｓを−Ｖｒｓ以下の値から接地状態に戻すことで、低抵抗状態の設定が完了する。
このように、陽極線２５の状態変化パターンと、信号線２６の電圧変化パターンとを組み合わせて設定電圧波形が定められる。
【００４３】
図７には、書き込み区間の開始時に抵抗スイッチ２２が低抵抗状態であった場合の変化パターンを示す。
【００４４】
書き込み区間の間に信号線２６に供給される電圧の変化パターン及び陽極線２５の状態変化パターンは、抵抗スイッチ２２の初期状態によらず、図６に示したものと同一である。この図７に示したパターンでは、書き込み区間で低抵抗状態から高抵抗状態に設定が変更される場合の例を示しているが、抵抗スイッチ２２に印加される電圧Ｖｓｗの変化パターンも、図６（ａ）に示したものと同一である。そして、区間（ｇ）の先頭で抵抗スイッチ２２にセット電圧Ｖｓｔ以下の電圧が印加された際に、抵抗スイッチ２２の抵抗状態が低抵抗のまま変化しない点のみが図６（ａ）に示したものと異なる。即ち、抵抗スイッチ２２への抵抗状態の設定に係る制御動作は、抵抗スイッチ２２の初期状態によらず同一である。
【００４５】
また、図６、図７では、信号線２６への供給電圧Ｖｓを接地電圧から−Ｖｓｔ以上に変化させる際、速やかに変化させているが、この変化パターンに限られない。図６に示したように、抵抗スイッチ２２が高抵抗状態の場合には、信号線２６への供給電圧Ｖｓの変化が緩やかであっても抵抗スイッチ２２への印加電圧がこの供給電圧Ｖｓの変化に従うので、抵抗スイッチ２２にセット電圧Ｖｓｔ以下の電圧が印加される。これに対し、図７に示したように、抵抗スイッチ２２が低抵抗状態の場合には、信号線２６への供給電圧Ｖｓの変化が緩やかであると、抵抗スイッチ２２に電流が流れてセット電圧Ｖｓｔ以下の電圧が印加されなくなるが、抵抗スイッチ２２は書き込み区間の当初から低抵抗状態であるので、問題は生じない。
【００４６】
上記のように、各有機ＥＬデバイス２０は、一の陽極線２５、一の陰極線２４、及び、当該陰極線２４と対応する一の信号線２６の組み合わせにより一意に定まる。そこで、書き込み区間では、一の信号線２６を選択して上記の電圧制御を行い、各陽極線２５の状態をそれぞれ画素データに基づいて制御することで、当該一の信号線２６に対応する一行の有機ＥＬデバイス２０の点灯・消灯状態が設定される。この設定をｙ１行からｙｎ行までｎ本の信号線２６の全てに対して順番に行うことで、全ての有機ＥＬデバイス２０の点灯・消灯状態が設定される。通常の時間分解能（例えば、６０Ｈｚ、即ち、約１７ｍｓ）、上記示したようなサブフレーム分割数（例えば、ｎ＝１０回）及び、走査線数（例えば、６４本）では、設定の書き込みを行うために必要な時間（例えば、１回、１本当たり３μｓ程度）は、一サブフレーム辺りの点灯区間の長さに比べて十分短く設定することができる（１０％以下）ので、このような点灯制御によりパッシブマトリクス方式と比較して点灯時間率を高くすることができる。
【００４７】
或いは、書き込み区間の前半において行われる抵抗スイッチ２２の低抵抗化設定は、全ての有機ＥＬデバイス２０に対して行われるので、全ての陽極線２５を接地状態に保ちながら全ての信号線２６の電圧Ｖｓを−Ｖｓｔ以下に変化させることで、一括して低抵抗化させることとしても良い。そして、その後、一本ずつ信号線２６を選択して後半の高抵抗化設定の書き込みのみを各々選択的に行うことが可能である。
【００４８】
［変形例１］
次に、本実施形態の照明表示装置１の変形例１について説明する。
図８は、本実施形態の変形例１の照明表示装置１における有機ＥＬデバイス２０一行分に対応する構成を説明する図である。
この変形例１では、各信号線２６において、信号線ドライバー５からの出力部分にスイッチング素子２６１を介して付加抵抗２６２を含んだバイパス回路が設けられている。この付加抵抗２６２の抵抗値は、抵抗スイッチ２２が高抵抗状態のときの抵抗値より十分小さく、且つ、抵抗スイッチ２２が低抵抗状態のときに、陽極線２５と信号線ドライバー５との間にリセット電圧Ｖｒｓ以上の電圧が印加されても抵抗スイッチ２２にかかる分圧がＶｒｓを超えない値に設定される。そして、書き込み区間の前半における抵抗スイッチ２２の低抵抗化設定の際、信号線２６をこの付加抵抗２６２を含むバイパス回路に切り替えることで、抵抗スイッチ２２が高抵抗状態の時には、抵抗スイッチ２２に電圧「−Ｖｓ」のほぼ全てが印加されるのに対し、抵抗スイッチ２２が低抵抗状態の時には、分圧が主に付加抵抗２６２にかかることになる。
従って、図６における区間（ｈ）のように波形を適切に制御しなくても、供給電圧Ｖｓの立ち上がり時に低抵抗化設定が行われて、立下りのときには抵抗状態の変更が起こらない。一方、図６の区間（ｉ）以降では、スイッチング素子２６１を切り替えて、付加抵抗２６２を介さない回路に接続される。この場合には、上記実施の形態と同様に、区間（ｊ）において、負の供給電圧Ｖｓの立ち上がりと共に抵抗スイッチ２２が高抵抗化され、立下りの期間に抵抗の変化は起きない。
即ち、例えば、図６における区間（ｇ）、（ｈ）、（ｊ）、（ｋ）の波形をそれぞれ単純な矩形波とすることで、印加電圧の制御を単純化することが出来る。
【００４９】
［変形例２］
次に、照明表示装置１の変形例２について説明する。
この変形例２の照明表示装置１の構成は、上記実施形態の照明表示装置１の構成と同一であり、説明を省略する。
図９は、この変形例２における書き込み区間における各部の電圧変化パターンと抵抗スイッチの抵抗状態変化とを示す図である。図９（ａ）は、高抵抗状態の抵抗スイッチ２２に高抵抗状態を再設定する場合のパターン、図９（ｂ）は、高抵抗状態の抵抗スイッチ２２に低抵抗状態を設定する場合のパターン、図９（ｃ）は、低抵抗状態の抵抗スイッチ２２に高抵抗状態を設定する場合のパターンを示す。なお、最下段の電圧Ｖｑは、キャパシター２３に蓄えられた電荷により当該キャパシター２３の両端子間にかかる電圧である。
【００５０】
図６、図７に示した例では、抵抗スイッチ２２へのセット電圧Ｖｓｔ及びリセット電圧Ｖｒｓの設定が別個の信号線２６への供給電圧波形によって行われたが、この変形例２では、１つの電圧波形により抵抗状態が設定される。
【００５１】
図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、この変形例２では、陽極線２５及び信号線２６のいずれもがハイインピーダンス状態から接地状態に変化したタイミングにおいて、後述するようにキャパシター２３に電荷が蓄えられており、抵抗スイッチ２２への印加電圧Ｖｓｗがリセット電圧Ｖｒｓ以上の電圧値Ｖｓ１となる。従って、図９（ｃ）に示すように、初期状態が低抵抗状態であっても、最初に高抵抗状態に初期化される。
【００５２】
次に、信号線２６への供給電圧Ｖｓが電圧値Ｖｓ１の２倍である電圧Ｖｓ２に設定されることで（区間（ｇ））、抵抗スイッチ２２にセット電圧Ｖｓｔ以下の電圧「−Ｖｓ１」が印加され、抵抗スイッチ２２が低抵抗状態になる。これにより抵抗スイッチ２２に電流が流れ、キャパシター２３に電圧「−Ｖｓ２」がかかることになる。続いて、信号線２６への供給電圧ＶｓをＶｓ１まで徐々に低下させていく（区間（ｈ１））。この間、抵抗スイッチ２２に電流が流れることで抵抗スイッチ２２にかかる微小な電圧が維持されると共に、キャパシター２３にかかる電圧が電圧値「−Ｖｓ１」まで徐々に上昇する。
【００５３】
それから、図９（ａ）、（ｃ）に示すように、高抵抗状態に設定する場合には、陽極線２５を接地状態に保ったまま信号線２６への供給電圧Ｖｓを速やかに接地電圧レベルまで低下させることで抵抗スイッチ２２に電圧Ｖｓ１を印加し、抵抗スイッチ２２を高抵抗状態に変化させる（区間（ｈ２、ｈ３））。これにより抵抗スイッチ２２に電流が流れなくなるので、キャパシター２３にかかる電圧は、電圧値「−Ｖｓ１」で維持される。
【００５４】
一方、図９（ｂ）に示すように、低抵抗状態に設定する場合には、陽極線２５をハイインピーダンス状態に移行させた後（区間（ｈ２））、信号線２６への供給電圧Ｖｓを接地電圧レベルまで低下させる（区間（ｈ３））。この場合には、抵抗スイッチ２２に電流が流れないので、抵抗スイッチ２２に電流は流れず、また、キャパシター２３にかかる電圧も、電圧値「−Ｖｓ１」に維持される。
【００５５】
以上のように抵抗状態の設定を行うと、書き込み区間の終了時点では、キャパシター２３に抵抗値「−Ｖｓ１」が印加された状態で信号線２６がハイインピーダンス状態となり、点灯区間の間には、キャパシター２３に電流が流れずに次回の書き込み区間の開始時までこの抵抗値が維持される。
なお、実際には、点灯区間の間に漏洩電流などによりキャパシター２３にかかる電圧値は徐々に減少する。しかしながら、次回の書き込み区間では、区間（ｇ）で抵抗スイッチ２２にセット電圧Ｖｓｔ以下の電圧が印加されて低抵抗状態に変化すると共に、区間（ｈ１）で電荷がキャパシター２３に蓄電されてキャパシター２３の印加電圧が−Ｖｓ２となることで、同様に抵抗状態を設定することができる。
【００５６】
以上のように、本実施形態の照明表示装置１は、発光素子２１（ＯＬＥＤ）と、この発光素子２１に接続され、所定の基準電圧が印加されることで抵抗状態が変化する抵抗スイッチ２２とを有する有機ＥＬデバイス２０と、抵抗スイッチ２２に対して所定の設定電圧波形を供給することで、この抵抗スイッチ２２を高抵抗状態、又は、低抵抗状態の何れかに設定する陽極線ドライバー４及び信号線ドライバー５と、抵抗スイッチ２２の抵抗状態が設定された後に、有機ＥＬデバイス２０に対して予め設定された複数段階の発光電圧のうち何れかを供給して、その発光電圧及び設定された抵抗状態に応じた輝度で発光素子２１を発光させる陽極線ドライバー４及び陰極線ドライバー３と、発光電圧を設定すると共に、有機ＥＬデバイス２０の発光量データに基づいて設定電圧波形を決定する制御部６と、を備え、制御部６は、一の発光量データに係る発光量を複数のサブフレームＳ１〜Ｓｐに時分割して発光させ、これらのサブフレームＳ１〜Ｓｐでは、複数段階の発光電圧が各々少なくとも一回出現する所定の順番でその発光電圧の何れかを供給させ、また、各サブフレームＳ１〜Ｓｐの書き込み期間Ｗ１〜Ｗｐにおいてそれぞれ高抵抗状態又は低抵抗状態の設定を行い、これらの発光電圧と抵抗状態との組み合わせで得られる発光量の合計を調節することで、発光量データに対応する発光量を得る構成である。このように、時分割駆動において複数の輝度の期間を組み合わせることにより、単なる時分割駆動と比較して短時間でより細かく多彩な発光量を得ることができる。
【００５７】
そして、抵抗スイッチ２２を発光素子２１と接続し、この抵抗スイッチの抵抗状態を切り替えてこのような多階調輝度による時分割駆動を行う構成とすることで、従来のアクティブマトリクス方式の点灯制御で必要とするＴＦＴの数を減らし、容易な構造とすることが出来る。
【００５８】
また、抵抗スイッチ２２の応答速度の速さなどにより、書込み時間を短くすることが出来るので、点灯時間率を長くすることが出来、従って、有機ＥＬデバイス２０を効率的に点灯させることが出来る。
【００５９】
また、具体的には、書き込み制御時には、発光素子２１を含まない陽極線２５及び信号線２６の間で電圧制御が行われ、発光時には、抵抗スイッチ２２と発光素子２１とをいずれも含む陽極線２５及び陰極線２４の間で電圧制御が行われるので、容易に抵抗スイッチ２２の抵抗状態を設定することが出来る。
【００６０】
また、抵抗スイッチ２２と信号線２６との間に制御容量としてキャパシター２３を設けることで、抵抗スイッチ２２の書き込み設定時に流れる電流を適宜な範囲に調節することが出来る。
【００６１】
また、抵抗スイッチ２２にリセット電圧Ｖｒｓが印加されて高抵抗状態になった場合、陽極線２５と陰極線２４との間における発光電圧の印加により発光素子２１が発光しない範囲に高抵抗状態の抵抗値及び発光電圧が設定されるので、各発光素子２１の点灯状態又は非点灯状態を容易に設定することが出来る。
【００６２】
また、抵抗スイッチ２２に対するリセット電圧Ｖｒｓの極性と、発光素子２１の店頭の際に抵抗スイッチ２２に印加される電圧の極性とが同一となる向きで抵抗スイッチ２２が設定配置されることで、発光時に抵抗スイッチ２２が低抵抗状態の場合には、主に発光素子２１に分圧がかかることで抵抗スイッチ２２が高抵抗化する心配が不要となるので、多階調輝度に対応する複数の発光電圧の設定に際し、セット電圧Ｖｓｔ及びリセット電圧Ｖｒｓを気にせずに発光電圧の上限を設定することが出来る。
【００６３】
また、抵抗スイッチ２２へ抵抗状態の書込み設定を行う際に、同一の印加電圧波形により一度全ての抵抗スイッチ２２を低抵抗化させた後に、低抵抗状態の維持か、又は、高抵抗状態への変更を行うかについて、陽極線２５の状態のみを変化させることで設定するので、特に複数の抵抗スイッチ２２の書込み処理を同時に行う際に容易に行うことが出来る。
【００６４】
また、抵抗状態を設定する際に印加される設定電圧波形は、抵抗スイッチ２２の抵抗値及びキャパシター２３の容量に基づいて立ち上がり時間や立下り時間が最適に設定されるので、複雑な波形を用いずに容易に抵抗状態の設定が可能となる。
【００６５】
また、陽極線２５に対し、陰極線２４及び信号線２６が交差するように配置し、陽極線２５と陰極線２４の交点に対応して各々有機ＥＬデバイス２０を二次元マトリクス状に配置するので、多くの有機ＥＬデバイス２０により解像度の高い照明表示を効率よくパネル部２に配置、発光制御することが出来る。
【００６６】
また、このように多数の有機ＥＬデバイス２０が二次元マトリクス状に配置されることで、抵抗状態の設定書込み時において、低抵抗化の動作を一括して行うことが可能となり、更に効率的且つ短時間での設定書込みが可能となる。
【００６７】
また、各サブフレームの期間を均一とすることで、発光制御を容易にクロック信号に基づいて周期的に行うことができる。
【００６８】
また、発光素子２１の本体部分（発光素子本体部８５）が基板２７上に設けられた抵抗スイッチ２２の上部に電極層（第二電極８４）を挟んで積層され、発光素子本体部８５から発せられた光は、この発光素子本体部８５上に設けられた透明電極層である第三電極８６を透過して出射される構造なので、従来と比較してより簡便な方法で各有機ＥＬデバイス２０、即ち、本発明に係る照明表示装置１を製造することが出来る。
【００６９】
なお、本発明は、上記実施の形態に限られるものではなく、様々な変更が可能である。
例えば、また、上記実施の形態では、発光素子２１と抵抗スイッチ２２の間のノードと、信号線２６との間にキャパシター２３を設ける構成について説明したが、発光素子２１に電流を流さずに抵抗スイッチ２２に対して電圧を印加することが可能な構成であれば他の形態でもよく、例えば、キャパシター２３の代わりに抵抗が設けられていてもよい。
【００７０】
また、上記実施の形態では、抵抗スイッチ２２が高抵抗状態の場合には、発光素子２１が消灯するように供給電圧が設定されたが、例えば、完全消灯時には別途主電源が遮断されて、発光量の大小のみが調節できればよい発光装置などの場合には、高抵抗状態にも僅かに発光されるような供給電圧の設定であっても良い。
【００７１】
また、前記実施の形態では、各サブフレームにおける発光期間の長さを一定としたが、異なる発光期間の長さが混在しても良い。例えば、発光量が８のサブフレームが２つあり、これらの発光期間が１：２とすることで、発光電圧の上限を変化させずに最高の発光量を１６とすることが可能である。
【００７２】
また、上記実施の形態では、抵抗スイッチ２２を高抵抗状態に変化させる電圧極性と、発光素子２１を発光させる電圧極性が等しくなるように配置させたが、反対向きになるように配置しても良い。但し、この場合には、発光素子２１を発光させる際に有機ＥＬデバイス２０に印加される電圧が高抵抗状態の抵抗スイッチ２２のセット電圧を超えない範囲とする必要がある。
【００７３】
また、抵抗スイッチ２２への抵抗状態の設定電圧波形は、上述の波形に限られない。抵抗状態の設定が可能な限り、任意の電圧波形を供給することが出来る。
【００７４】
また、上記実施の形態では、陽極線２５が陰極線２４及び信号線２６と直交するように配設したが、このパターンに限られない。交差角度が９０度ではないパターンでもよく、また、他の構成要素との配置上のデザインに基づき、途中で陽極線２５、陰極線２４、又は、信号線２６が途中で折れ曲がった形状であってもよい。また、二次元的に多数の有機ＥＬデバイス２０が配置されている必要はなく、一次元配置された有機ＥＬデバイス２０や１個のみの有機ＥＬデバイス２０に係る発光制御についても同様に行うことが可能である。
【００７５】
また、上記実施の形態では、トップエミッションの構造で有機ＥＬデバイス２０が形成された例について説明したが、透明基板上に抵抗スイッチ２２と発光素子２１との順番が入れ替わって形成されたボトムエミッションの構造で形成されたものであってもよい。
【００７６】
また、上記実施の形態では、ＲＧＢ出力によるカラーディスプレイ装置を例に挙げて説明したが、単色や他の色のディスプレイ装置に用いても良いし、他のＯＬＥＤを用いた照明装置に用いても良い。
その他、上記で説明した具体的な構造、数値などの細部は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００７７】
１     照明表示装置
２     パネル部
３     陰極線ドライバー
４     陽極線ドライバー
５     信号線ドライバー
６     制御部
２０   有機ＥＬデバイス
２１   発光素子
２２   抵抗スイッチ
２３   キャパシター
２４   陰極線
２５   陽極線
２６   信号線
２７   基板
６１   ＣＰＵ
６２   メモリー
８１   絶縁層
８２   第一電極
８２ａ 切欠部
８３   抵抗スイッチ本体部
８４   第二電極
８５   発光素子本体部
８６   第三電極
８７   絶縁層
２６１ スイッチング素子
２６２ 付加抵抗
Ｈ     コンタクトホール
Ｖｒｓ リセット電圧
Ｖｓｔ セット電圧
【図１】
2013190711.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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