(57)【要約】【目的】インテグレータレンズによって形成される複数の集光点に起因した光学素子の劣化を回避可能な検査装置を提供することを目的とする。【構成】パターン検査装置１００は、レーザ光を発生する光源１０３と、レーザ光を入射し、入射されたレーザ光を分割して光源群を形成するインテグレータレンズ２０６と、インテグレータレンズの入射面の手前に配置され、インテグレータレンズに入射するレーザ光を散乱させる散乱板２０４と、インテグレータレンズを通過したレーザ光を照明光として用いて、複数の図形パターンが形成された被検査試料におけるパターンの欠陥を検査する検査部１５０と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を発生するレーザ光源と、
前記レーザ光を入射し、入射されたレーザ光を分割して光源群を形成するインテグレータレンズと、
前記インテグレータレンズの入射面の手前に配置され、前記インテグレータレンズに入射するレーザ光を散乱させる散乱板と、
前記インテグレータレンズを通過したレーザ光を照明光として用いて、複数の図形パターンが形成された被検査試料におけるパターンの欠陥を検査する検査部と、
を備えたことを特徴とするパターン検査装置。
【請求項２】
前記散乱板の表面は、曲面若しくは曲面と平面の組み合わせにより形成されることを特徴とする請求項１記載のパターン検査装置。
【請求項３】
前記散乱板は、前記インテグレータレンズと接触させて配置されることを特徴とする請求項１又は２記載のパターン検査装置。
【請求項４】
前記レーザ光は、前記散乱板表面の中心を含む領域を通過することを特徴とする請求項１又は２記載のパターン検査装置。
【請求項５】
レーザ光源からレーザ光を発生する工程と、
レーザ光を分割して光源群を形成するインテグレータレンズの入射面の手前に配置された散乱板を通過させることによって、前記インテグレータレンズに入射するレーザ光を散乱させる工程と、
散乱させられたレーザ光を前記インテグレータレンズに入射させ、入射されたレーザ光を分割して光源群を形成する工程と、
前記インテグレータレンズを通過したレーザ光を照明光として用いて、複数の図形パターンが形成された被検査試料におけるパターンの欠陥を検査する工程と、
を備えたことを特徴とするパターン検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン検査装置及びパターン検査方法に関する。例えば、照明光を照射してパターン像の光学画像を取得してパターンを検査する検査装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）の高集積化及び大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅はますます狭くなってきている。これらの半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン（マスク或いはレチクルともいう。以下、マスクと総称する）を用いて、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。よって、かかる微細な回路パターンをウェハに転写するためのマスクの製造には、微細な回路パターンを描画することができる電子ビームを用いたパターン描画装置を用いる。かかるパターン描画装置を用いてウェハに直接パターン回路を描画することもある。或いは、電子ビーム以外にもレーザビームを用いて描画するレーザビーム描画装置の開発が試みられている。
【０００３】
そして、多大な製造コストのかかるＬＳＩの製造にとって、歩留まりの向上は欠かせない。しかし、１ギガビット級のＤＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）に代表されるように、ＬＳＩを構成するパターンは、サブミクロンからナノメータのオーダーになろうとしている。歩留まりを低下させる大きな要因の一つとして、半導体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術で露光、転写する際に使用されるマスクのパターン欠陥があげられる。近年、半導体ウェハ上に形成されるＬＳＩパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっている。そのため、ＬＳＩ製造に使用される転写用マスクの欠陥を検査するパターン検査装置の高精度化が必要とされている。
【０００４】
一方、マルチメディア化の進展に伴い、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：液晶ディスプレイ）は、５００ｍｍ×６００ｍｍ、またはこれ以上への液晶基板サイズの大型化と、液晶基板上に形成されるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）等のパターンの微細化が進んでいる。従って、極めて小さいパターン欠陥を広範囲に検査することが要求されるようになってきている。このため、このような大面積ＬＣＤのパターン及び大面積ＬＣＤを製作する時に用いられるフォトマスクの欠陥を短時間で、効率的に検査するパターン検査装置の開発も急務となってきている。
【０００５】
検査手法としては、拡大光学系を用いてリソグラフィマスク等の試料上に形成されているパターンを所定の倍率で撮像した光学画像と、設計データ、あるいは試料上の同一パターンを撮像した光学画像と比較することにより検査を行う方法が知られている。例えば、パターン検査方法として、同一マスク上の異なる場所の同一パターンを撮像した光学画像データ同士を比較する「ｄｉｅ  ｔｏ  ｄｉｅ（ダイ−ダイ）検査」や、パターン設計されたＣＡＤデータをマスクにパターンを描画する時に描画装置が入力するための装置入力フォーマットに変換した描画データ（設計パターンデータ）を検査装置に入力して、これをベースに設計画像データ（参照画像）を生成して、それとパターンを撮像した測定データとなる光学画像とを比較する「ｄｉｅ  ｔｏ  ｄａｔａｂａｓｅ（ダイ−データベース）検査」がある。かかる検査装置における検査方法では、試料はステージ上に載置され、ステージが動くことによって光束が試料上を走査し、検査が行われる。試料には、光源及び照明光学系によって光束が照射される。試料を透過あるいは反射した光は光学系を介して、センサ上に結像される。センサで撮像された画像は測定データとして比較回路へ送られる。比較回路では、画像同士の位置合わせの後、測定データと参照データとを適切なアルゴリズムに従って比較し、一致しない場合には、パターン欠陥有りと判定する。
【０００６】
かかるパターン検査を行うために、レーザ光が用いられる。光源から発生したレーザ光については、インテグレータレンズを用いて分割して、その後、コンデンサレンズ等の光学系によって試料面上に重ね合わせて照明することが行われる。しかしながら、かかる構成では、インテグレータレンズによって形成される複数の集光点は照度が大きいため、集光点付近に配置される光学素子を劣化させてしまうといった問題があった。
【０００７】
パターン検査装置ではないが、インテグレータレンズを用いてレーザ光を分割する照明光学系が搭載された試料の高さを検出する装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−０５３１２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、インテグレータレンズによって形成される複数の集光点は照度が大きいため、集光点付近に配置される光学素子を劣化させてしまうといった問題があった。かかる問題を解決できる十分な手法が確立されていなかった。
【００１０】
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、インテグレータレンズによって形成される複数の集光点に起因した光学素子の劣化（損傷）を回避可能な検査装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様のパターン検査装置は、
レーザ光を発生するレーザ光源と、
レーザ光を入射し、入射されたレーザ光を分割して光源群を形成するインテグレータレンズと、
インテグレータレンズの入射面の手前に配置され、インテグレータレンズに入射するレーザ光を散乱させる散乱板と、
インテグレータレンズを通過したレーザ光を照明光として用いて、複数の図形パターンが形成された被検査試料におけるパターンの欠陥を検査する検査部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
かかる構成により、インテグレータレンズによって形成される複数の集光点の照度を低くできる。
【００１３】
散乱板の表面は、曲面若しくは曲面と平面の組み合わせにより形成されると好適である。
【００１４】
また、散乱板は、インテグレータレンズと接触させて配置されるように構成すると好適である。
【００１５】
また、レーザ光は、散乱板表面の中心を含む領域を通過するように構成すると好適である。
【００１６】
本発明の一態様のパターン検査方法は、
レーザ光源からレーザ光を発生する工程と、
レーザ光を分割して光源群を形成するインテグレータレンズの入射面の手前に配置された散乱板を通過させることによって、インテグレータレンズに入射するレーザ光を散乱させる工程と、
散乱させられたレーザ光をインテグレータレンズに入射させ、入射されたレーザ光を分割して光源群を形成する工程と、
インテグレータレンズを通過したレーザ光を照明光として用いて、複数の図形パターンが形成された被検査試料におけるパターンの欠陥を検査する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、インテグレータレンズによって形成される複数の集光点の各照度を低くできる。よって、集光点付近に光学素子を配置した場合でも光学素子の劣化を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施の形態１におけるパターン検査装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における照明光学系の構成の一例を示す構成図である。
【図３】実施の形態１における散乱板の構成の一例を示す図である。
【図４】実施の形態１における集光点位置における光源群の形状の一例を示す図である。
【図５】実施の形態１における散乱板表面の構成の一例を示す図である。
【図６】実施の形態１における散乱板表面の構成の他の一例を示す図である。
【図７】実施の形態１における散乱板の配置位置の変形例を示す図である。
【図８】実施の形態１における散乱板通過後の光のサイズとインテグレータレンズに入射される光のサイズとの一例を示す概念図である。
【図９】実施の形態１における光学画像の取得手順を説明するための概念図である。
【図１０】別の光学画像取得手法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１におけるパターン検査装置の構成を示す概念図である。図１において、試料、例えばマスクの欠陥を検査する検査装置１００は、光源１０３、照明光学系１７０、検査部１５０と制御系回路１６０を備えている。検査部１５０は、ＸＹθテーブル１０２、拡大光学系１０４、フォトダイオードアレイ１０５（センサの一例）、センサ回路１０６、ストライプパターンメモリ１２３、レーザ測長システム１２２、及びオートローダ１３０を備えている。制御系回路１６０では、コンピュータとなる制御計算機１１０が、バス１２０を介して、位置回路１０７、比較回路１０８、参照回路１１２、オートローダ制御回路１１３、テーブル制御回路１１４、磁気ディスク装置１０９、磁気テープ装置１１５、フレシキブルディスク装置（ＦＤ）１１６、ＣＲＴ１１７、パターンモニタ１１８、及びプリンタ１１９に接続されている。また、センサ回路１０６は、ストライプパターンメモリ１２３に接続され、ストライプパターンメモリ１２３は、比較回路１０８に接続されている。また、ＸＹθテーブル１０２は、Ｘ軸モータ、Ｙ軸モータ、θ軸モータにより駆動される。ＸＹθテーブル１０２は、ステージの一例となる。ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成部分について記載している。検査装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
【００２０】
検査装置１００では、光源１０３、ＸＹθテーブル１０２、照明光学系１７０、拡大光学系１０４、フォトダイオードアレイ１０５、及びセンサ回路１０６により高倍率の検査光学系が構成されている。また、ＸＹθテーブル１０２は、制御計算機１１０の制御の下にテーブル制御回路１１４により駆動される。Ｘ方向、Ｙ方向、θ方向に駆動する３軸（Ｘ−Ｙ−θ）モータの様な駆動系によって移動可能となっている。これらの、Ｘモータ、Ｙモータ、θモータは、例えばステップモータを用いることができる。そして、ＸＹθテーブル１０２の移動位置はレーザ測長システム１２２により測定され、位置回路１０７に供給される。また、ＸＹθテーブル１０２上のフォトマスク１０１はオートローダ制御回路１１３により駆動されるオートローダ１３０から自動的に搬送され、検査終了後に自動的に排出されるものとなっている。
【００２１】
複数の図形パターンが形成された被検査試料となるフォトマスク１０１は、ＸＹθ各軸のモータによって水平方向及び回転方向に移動可能に設けられたＸＹθテーブル１０２上に載置される。そして、フォトマスク１０１に形成されたパターンには、適切な光源１０３によって紫外域以下の波長の光（検査光）が照明光学系１７０を介して照射される。フォトマスク１０１を透過した光は拡大光学系１０４を介して、フォトダイオードアレイ１０５に光学像として結像し、入射する。フォトダイオードアレイ１０５として、例えば、ＴＤＩ（タイム・ディレイ・インテグレーション）センサ等を用いると好適である。
【００２２】
図２は、実施の形態１における照明光学系の構成の一例を示す構成図である。図２において、照明光学系１７０は、ビームエキスパンダ（エキスパンダレンズ）２０２、散乱板２０４、インテグレータレンズ（分割レンズ）２０６、レンズ群２１０、及び光学素子２１８を有している。レンズ群２１０は、複数のレンズ２１２，２１４，２１６を有している。ここでは、３つのレンズ２１２，２１４，２１６で構成された例を示しているが、これに限るものではなく、その他の光学素子を介して検査部１５０へと照明光を伝達しても構わない。散乱板２０４は、インテグレータレンズ２０６の入射面の手前に配置される。
【００２３】
レーザ光源となる光源１０３は、レーザ光１０を発生する。光源２０１から発せられたレーザ光１０はビームエキスパンダ２０２で拡大される。そして、ビームエキスパンダ２０２を通過したレーザ光１０は、散乱板２０４によって、インテグレータレンズ２０６に入射するレーザ光１０を散乱させる。レーザ光１０は、散乱板２９４表面の中心を含む領域を通過する。散乱板２９４表面の中心を含む領域を通過させることで散乱板２９４表面を有効に活用できる。
【００２４】
インテグレータレンズ２０６では、散乱させられたレーザ光１０を入射し、入射されたレーザ光１０を分割して光源群を形成する。そして、インテグレータレンズ２０６で形成された光源群から広がった光は、レンズ群２１０を介して、検査部１５０内の試料となるフォトマスト１０１面上に重ね合される。インテグレータレンズ２０６によって形成された光源群は、レンズ群２１０に入射する前にＡ面で集光する。そして、レンズ群２１０の対物レンズ間のＡ面の共役面であるＣ面で集光する。Ｂは例えばフォトマスク１０１面との共役面となる。光学素子２１８は、Ｃ面付近に配置される。
【００２５】
図３は、実施の形態１における散乱板の構成の一例を示す図である。図３において、散乱板２０４は、入射面或いは出射面が、凹凸に形成される。そのため、散乱板２０４は、通過するレーザ光１０を出射の際、散乱させることができる。
【００２６】
図４は、実施の形態１におけるＡ面およびＣ面における光源群の形状の一例を示す図である。散乱板２０４が配置されない状態で、インテグレータレンズ２０６にレーザ光１０を入射させると、図４（ａ）に示すように、点光源群を形成する。そのため、かかる各点に光が集光しているため、各点光源の照度が大きくなりすぎてしまう。そのため、レンズ２１２，２１４等によって光源群を結像させると、かかる集光点位置付近に配置された光学素子２１８に照度が大きくなりすぎた光が照射されてしまう。そのため、光学素子２１８が劣化してしまう。これに対して、実施の形態１では、インテグレータレンズ２０６の手前に散乱板２０４を配置するため、インテグレータレンズ２０６に入射するレーザ光１０を散乱させることができる。そのため、インテグレータレンズ２０６を通過することで形成される光源群は、図４（ｂ）に示すように、点ではなく面にできる。言い換えれば、ぼけさせることができる。その結果、点から面に照度を分散させることができ、１点にかかる照度を低くできる。その結果、レンズ２１２とレンズ２１４によって光源群を結像させても、かかる集光点位置付近に配置された光学素子２１８に照射される光の照度を低減できる。よって、光学素子２１８の劣化（損傷）を抑制或いは低減できる。光学素子２１８としては、例えば、偏光素子、回折素子、或いは絞り等が好適である。例えば、微分干渉光学系ではウォラストンプリズムが用いられる。
【００２７】
また、散乱板２０４がインテグレータレンズ２０６の入射面の手前に配置されることで、散乱板２０４によって生じた照度ムラはインテグレータレンズで分割されてマスク面で重ねあわされることにより平均化され、フォトマスク１０１面の光量ムラに直接影響しなくすることができる。
【００２８】
図５は、実施の形態１における散乱板表面の構成の一例を示す図である。図５では、散乱板２０４の表面が曲面により形成される構成を示している。かかる構成により入射した光を散乱させることができる。但し、散乱板表面の構成はこれに限るものではない。
【００２９】
図６は、実施の形態１における散乱板表面の構成の他の一例を示す図である。図６では、散乱板２０４の表面が曲面と平面の組み合わせにより形成される構成を示している。かかる構成でも入射した光を散乱させることができる。
【００３０】
図７は、実施の形態１における散乱板の配置位置の変形例を示す図である。図２においては、散乱板２０４は、インテグレータレンズ２０６の入射面付近に配置され、インテグレータレンズ２０６とは接触せずに隙間を設けて配置された例を示したが、これに限るものではない。図７に示すように、散乱板２０４は、インテグレータレンズ２０６と接触させて配置されるように構成しても好適である。これにより、散乱板２０４によって散乱させられた光がインテグレータレンズ２０６に入射せずに周囲に漏れてしまうことを抑制できる。
【００３１】
図８は、実施の形態１における散乱板通過後の光のサイズとインテグレータレンズに入射される光のサイズとの一例を示す概念図である。実施の形態１では、散乱板２０４通過後の光１２の断面の面積Ｓ２が、インテグレータレンズ２０６に入射される光１４の断面の面積Ｓ１のたとえば１１０％以内に抑えることが望ましい。これにより、散乱板２０４を通過させることによる光量低下を１０％以下に抑制できる。よって、散乱板２０４とインテグレータレンズ２０６との間の位置関係は、かかる点から適宜調整されると好適である。
【００３２】
以上のように実施の形態１によれば、インテグレータレンズ２０６によって形成される複数の集光点の各照度を低くできる。よって、集光点付近に光学素子を配置した場合でも光学素子の劣化を回避できる。
【００３３】
図９は、実施の形態１における光学画像の取得手順を説明するための概念図である。被検査領域は、図９に示すように、例えばＹ方向に向かって、スキャン幅Ｗの短冊状の複数の検査ストライプ（小領域、およびストライプ領域の一例）に仮想的に分割される。そして、その分割された各検査ストライプが連続的に走査されるようにＸＹθテーブル１０２の動作が制御される。ＸＹθテーブル１０２の移動によってフォトダイオードアレイ１０５が相対的にＸ方向に連続移動しながら光学画像が取得される。フォトダイオードアレイ１０５では、図９に示されるようなスキャン幅Ｗの光学画像を連続的に撮像する。言い換えれば、センサの一例となるフォトダイオードアレイ１０５は、ＸＹθテーブル１０２（ステージ）と相対移動しながら、検査光を用いてフォトマスク１０１に形成された複数の図形パターンの光学画像を撮像する。実施の形態１では、１つの検査ストライプにおける光学画像を撮像した後、スキャン幅ＷずつＹ方向にずれた位置で今度は逆方向に移動しながら同様にスキャン幅Ｗの光学画像を連続的に撮像する。すなわち、往路と復路で逆方向に向かうフォワード（ＦＷＤ）−バックフォワード（ＢＷＤ）の方向で撮像を繰り返す。
【００３４】
ここで、撮像の方向は、フォワード（ＦＷＤ）−バックフォワード（ＢＷＤ）の繰り返しに限るものではない。各検査ストライプ２０について一方の方向から撮像してもよい。例えば、ＦＷＤ−ＦＷＤの繰り返しでもよい。或いは、ＢＷＤ−ＢＷＤの繰り返しでもよい。
【００３５】
フォトダイオードアレイ１０５上に結像されたパターンの像は、フォトダイオードアレイ１０５の各受光素子によって光電変換され、更にセンサ回路１０６によってＡ／Ｄ（アナログ・デジタル）変換される。そして、検査ストライプ毎にストライプパターンメモリ１２３に画素データが格納される。その後、画素データは、位置回路１０７から出力されたＸＹθテーブル１０２上におけるフォトマスク１０１の位置を示すデータと共に比較回路１０８に送られる。測定データは例えば８ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさの階調（光量）を表現している。
【００３６】
一方、参照画像作成工程として、参照回路１１２は、磁気ディスク装置１０９から制御計算機１１０を通して、各検査ストライプについて順に設計データを読み出す。そして、読み出されたフォトマスク１０１の設計データを２値ないしは多値のイメージデータに変換して、参照データ（参照画像）を作成する。参照データは例えば８ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさの階調（光量）を表現している。そして、参照データは比較回路１０８に送られる。
【００３７】
そして、比較工程として、比較回路１０８（検査部）は、検査ストライプ毎にストライプパターンメモリ１２３から測定データ（光学画像）を入力する。他方、参照回路１１２から参照データ（参照画像）を入力する。
【００３８】
そして、測定データと参照データとの位置合わせを行なう。そして、測定データの各画素データと参照データの参照画素データとを所定のアルゴリズムに従って画素毎に比較し、欠陥の有無を判定する。例えば、測定データと参照データとにおける画素値の差が閾値内かどうかで判定する。そして、比較された結果は出力される。比較された結果は、例えば、磁気ディスク装置１０９、磁気テープ装置１１５、ＦＤ１１６、ＣＲＴ１１７、パターンモニタ１１８、或いはプリンタ１１９に出力される。或いは、外部に出力されても構わない。
【００３９】
以上のようにして、検査部１５０は、インテグレータレンズ２０６を通過したレーザ光を照明光として用いて、複数の図形パターンが形成されたフォトマスク１０１（被検査試料）におけるパターンの欠陥を検査する。
【００４０】
図１０は、別の光学画像取得手法を説明するための図である。図１の構成では、スキャン幅Ｗの画素数（例えば２０４８画素）を同時に入射するフォトダイオードアレイ１０５を用いているが、これに限るものではなく、図１０に示すように、ＸＹθテーブル１０２をＸ方向に定速度で送りながら、レーザ干渉計で一定ピッチの移動を検出した毎にＹ方向に図示していないレーザスキャン光学装置でレーザビームをＹ方向に走査し、透過光を検出して所定の大きさのエリア毎に二次元画像を取得する手法を用いても構わない。
【００４１】
以上の説明において、「〜回路」或いは「〜工程」と記載したものは、電子回路等のハードウェアで構成することができる。或いは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の記録媒体に記録される。例えば、演算制御部を構成するテーブル制御回路１１４、参照回路１１２、参照回路１４２、比較回路１０８等は、電気的回路で構成されていても良いし、制御計算機１１０によって処理することのできるソフトウェアとして実現してもよい。また電気的回路とソフトウェアの組み合わせで実現しても良い。
【００４２】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、実施の形態では、照明光学系１７０として、透過光を用いた透過照明光学系を示したが、これに限るものではない。例えば、反射光を用いた反射照明光学系であってもよい。或いは、透過照明光学系と反射照明光学系とを組み合わせて、透過光と反射光を同時に用いてもよい。また、実施の形態では、測定データと設計データから作成した参照画像とを比較するダイ−データベース検査を行っているが、これに限るものではない。同じパターンが形成されたフォトマスクを用いて、測定データ同士を比較するダイ−ダイ検査を行ってもよい。
【００４３】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、検査装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００４４】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのパターン検査装置及びパターン検査方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４５】
１０  レーザ光
１２，１４  光
１００  検査装置
１０１  フォトマスク
１０２  ＸＹθテーブル
１０３  光源
１０４  拡大光学系
１０５  フォトダイオードアレイ
１０６  センサ回路
１０７  位置回路
１０８  比較回路
１０９  磁気ディスク装置
１１０  制御計算機
１１２  参照回路
１１３  オートローダ制御回路
１１４  テーブル制御回路
１１５  磁気テープ装置
１１６  ＦＤ
１１７  ＣＲＴ
１１８  パターンモニタ
１１９  プリンタ
１２０  バス
１２２  レーザ測長システム
１２３  ストライプパターンメモリ
１３０  オートローダ
１４２  設定回路
１５０  検査部
１６０  制御系回路
１７０  照明光学系
２０２  ビームエキスパンダ
２０４  散乱板
２０６  インテグレータレンズ
２１９  レンズ群
２１２，２１４，２１６  レンズ
２１８  光学素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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