(57)【要約】【課題】  誘導結合型のプラズマ処理装置において、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてプラズマ電位を低く抑え、かつ当該アンテナによってその長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができるようにする。【解決手段】  このプラズマ処理装置は、平面形状がまっすぐなアンテナ３０を、上下方向Ｚに互いに接近して配置されていて高周波電流ＩR が互いに逆向きに流される往復導体３１、３２によって構成している。往復導体３１、３２間の上下方向の間隔Ｄを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて変化させている。図示の接続よりも、上側導体３２の一端部に整合回路４４を介して高周波電源４２を接続し、下側導体３１の一端部を接地する方がより好ましい。【選択図】  図１
2013134836.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面形状が実質的にまっすぐなアンテナに高周波電流を流すことによって真空容器内に誘導電界を発生させてプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置であって、
前記アンテナを、前記基板の表面に立てた垂線を伸縮させる方向に互いに接近して配置されていて前記高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、
かつ前記往復導体間の前記垂線を伸縮させる方向の間隔を、前記アンテナの長手方向において変化させており、
前記往復導体は、前記プラズマ側の下側導体および前記プラズマとは反対側の上側導体を有していて、両導体の同じ側の一方端部が互いに電気的に接続されており、
前記上側導体の他方端部に整合回路を介して高周波電源を接続し、
かつ前記下側導体の他方端部を直接またはコンデンサを介して接地している、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
平面形状が実質的にまっすぐなアンテナに高周波電流を流すことによって真空容器内に誘導電界を発生させてプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置であって、
前記アンテナを、前記基板の表面に立てた垂線を伸縮させる方向に互いに接近して配置されていて前記高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、
かつ前記往復導体間の前記垂線を伸縮させる方向の間隔を、前記アンテナの長手方向において変化させており、
前記往復導体は、前記プラズマ側の下側導体および前記プラズマとは反対側の上側導体を有していて、両導体の同じ側の一方端部が互いに電気的に接続されており、
かつ前記往復導体間の前記間隔を、前記アンテナの長手方向における中央部に対して左右非対称にしている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
平面形状が実質的にまっすぐなアンテナに高周波電流を流すことによって真空容器内に誘導電界を発生させてプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置であって、
前記アンテナを、前記基板の表面に立てた垂線を伸縮させる方向に互いに接近して配置されていて前記高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、
かつ前記往復導体間の前記垂線を伸縮させる方向の間隔を、前記アンテナの長手方向において変化させており、
前記往復導体は、前記プラズマ側の下側導体および前記プラズマとは反対側にあって当該下側導体とは別の構造体の上側導体を有していて、両導体の同じ側の一方端部が互いに電気的に接続されており、
かつ前記上側導体は、前記垂線を伸縮させる方向に位置変更可能である、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記上側導体は前記アンテナの長手方向において複数の導体に分割されており、かつ当該各導体は前記垂線を伸縮させる方向にそれぞれ位置変更可能である請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
平面形状が実質的にまっすぐなアンテナに高周波電流を流すことによって真空容器内に誘導電界を発生させてプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置であって、
前記アンテナを、前記基板の表面に立てた垂線を伸縮させる方向に互いに接近して配置されていて前記高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、
かつ前記往復導体間の前記垂線を伸縮させる方向の間隔を、前記アンテナの長手方向において変化させており、
前記往復導体は、前記プラズマ側の下側導体および前記プラズマとは反対側にあって当該下側導体とは別の構造体の上側導体を有していて、両導体の同じ側の一方端部が互いに電気的に接続されており、
かつ前記上側導体の全部または一部を可撓性導体で構成している、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記可撓性導体を前記下側導体に向けて押さえる１以上の押さえ部材を更に備えている請求項５記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記往復導体間の前記垂線を伸縮させる方向の間隔を、前記アンテナの長手方向における中央部の間隔よりも両端部の間隔を大きくしている請求項１から６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記アンテナを複数備えていてこれらは互いに並列に配置されており、
当該複数のアンテナに、共通の高周波電源から高周波電力を並列に供給するように構成している請求項１から７のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマを用いて基板に、例えばプラズマＣＶＤ法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等の処理を施すプラズマ処理装置に関し、より具体的には、アンテナに高周波電流を流すことによって発生する誘導電界によってプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本出願は、特許第４８４４６９７号（プラズマ処理装置）の更なる改良の発明に関するものである。
【０００３】
高周波を用いてプラズマを生成するプラズマ処理装置に属するものとして、容量結合型プラズマ（略称ＣＣＰ）を生成する容量結合型のプラズマ処理装置と、誘導結合型プラズマ（略称ＩＣＰ）を生成する誘導結合型のプラズマ処理装置とがある。
【０００４】
容量結合型のプラズマ処理装置は、簡単に言えば、２枚の平行電極間に高周波電圧を印加して、両電極間に発生する高周波電界を用いてプラズマを生成するものである。
【０００５】
この容量結合型のプラズマ処理装置においては、プラズマに高い電圧が印加されてプラズマ電位が高くなり、プラズマ中の荷電粒子（例えばイオン）が高いエネルギーで基板に入射衝突するので、基板上に形成する膜に与えるダメージが大きくなり、膜質が低下する等の課題がある。
【０００６】
一方、誘導結合型のプラズマ処理装置は、簡単に言えば、アンテナに高周波電流を流すことによって発生する誘導電界によってプラズマを生成するものであり、基本的に、容量結合型に比べてプラズマ電位を低くすることができる等の利点がある。
【０００７】
このような誘導結合型のプラズマ処理装置の一例として、特許文献１には、平板状のアンテナを真空容器の開口部に絶縁枠を介して取り付け、当該アンテナの一端と他端間に高周波電源から高周波電力を供給して高周波電流を流し、それによって発生する誘導電界によってプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施すプラズマ処理装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ  ２００９／１４２０１６号パンフレット（段落００２４−００２６、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
誘導結合型のプラズマ処理装置においても、大型の基板に対応する等のためにアンテナを長くすると、当該アンテナのインピーダンス（特にインダクタンス）が大きくなり、それによってアンテナの両端間に大きな電位差が発生する。
【００１０】
このアンテナの電位は、プラズマとの間の静電容量を介してプラズマ電位に反映されるので、アンテナの電位が高いとプラズマ電位も高くなる。その結果、プラズマ中の荷電粒子（例えばイオン）が高いエネルギーで基板に入射衝突するので、基板上に形成する膜に与えるダメージが大きくなり、膜質が低下する等の課題が生じる。
【００１１】
そこでこの発明は、誘導結合型の装置であって、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてプラズマ電位を低く抑えることができ、しかも当該アンテナによってその長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができるプラズマ処理装置を提供することを主たる目的としている。更に、プラズマ電位をより低く抑えることができるようにすること等を他の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明に係るプラズマ処理装置の一つは、平面形状が実質的にまっすぐなアンテナに高周波電流を流すことによって真空容器内に誘導電界を発生させてプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置であって、前記アンテナを、前記基板の表面に立てた垂線を伸縮させる方向に互いに接近して配置されていて前記高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、かつ前記往復導体間の前記垂線を伸縮させる方向の間隔を、前記アンテナの長手方向において変化させており、前記往復導体は、前記プラズマ側の下側導体および前記プラズマとは反対側の上側導体を有していて、両導体の同じ側の一方端部が互いに電気的に接続されており、前記上側導体の他方端部に整合回路を介して高周波電源を接続し、かつ前記下側導体の他方端部を直接またはコンデンサを介して接地している、ことを特徴としている。
【００１３】
以下においては、表現を簡略化するために、基板の表面に立てた垂線を伸縮させる方向を上下方向と呼び、当該垂線に交差する方向を左右方向と呼ぶ。従って、上下方向は必ずしも垂直方向とは限らない。
【００１４】
このプラズマ処理装置においては、アンテナを、上下方向に互いに接近して配置されていて高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成しているので、往復導体間の相互インダクタンスのぶん、アンテナの実効インダクタンスが小さくなる。従って、アンテナの電位を低く抑えて、プラズマ電位を低く抑えることができる。
【００１５】
しかも、往復導体間の上下方向の間隔をアンテナの長手方向において変化させることによって、往復導体間の相互インダクタンスをアンテナの長手方向において変化させることができるので、アンテナからプラズマに供給する電磁エネルギーを、アンテナの長手方向において変化させることができる。従って、このアンテナによって、その長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができる。
【００１６】
また、アンテナを構成する往復導体は、プラズマ側の下側導体およびプラズマとは反対側の上側導体を有していて、両導体の同じ側の一方端部が互いに電気的に接続されており、かつ上側導体の他方端部に整合回路を介して高周波電源を接続し、下側導体の他方端部を直接またはコンデンサを介して接地しているので、下側導体の電位の方が上側導体の電位よりも低くなる。この下側導体はプラズマ側に位置していて、当該下側導体の電位の方が上側導体の電位よりもプラズマ電位に強く反映されるので、当該下側導体の電位が上記のように低くなることによって、プラズマ電位をより低く抑えることができる。
【００１７】
アンテナを構成する往復導体間の前記間隔を、アンテナの長手方向における中央部に対して左右非対称にしていても良い。
【００１８】
前記上側導体と下側導体とを互いに別の構造体とし、かつ上側導体を上下方向に位置変更可能なものとしても良い。
【００１９】
前記上側導体と下側導体とを別の構造体とし、かつ上側導体の全部または一部を可撓性導体で構成しても良い。
【００２０】
往復導体間の上下方向の間隔を、アンテナの長手方向における中央部の間隔よりも両端部の間隔を大きくしておいても良い。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１に記載の発明によれば次の効果を奏する。
【００２２】
（ａ）アンテナを、上下方向に互いに接近して配置されていて高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成しているので、往復導体間の相互インダクタンスのぶん、アンテナの実効インダクタンスが小さくなる。従って、アンテナの電位を低く抑えて、プラズマ電位を低く抑えることができる。その結果、プラズマから基板に入射する荷電粒子のエネルギーを小さく抑えることができる。それによって例えば、基板上に形成する膜に与えるダメージを小さく抑えて、膜質向上を図ることができる。また、アンテナを長くする場合でも、上記理由によって、アンテナの電位を低く抑えてプラズマ電位を低く抑えることができるので、アンテナを長くして基板の大型化に対応することが容易になる。
【００２３】
（ｂ）往復導体間の上下方向の間隔をアンテナの長手方向において変化させることによって、往復導体間の相互インダクタンスをアンテナの長手方向において変化させることができるので、アンテナからプラズマに供給する電磁エネルギーを、アンテナの長手方向において変化させることができる。従って、このアンテナによって、その長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができる。その結果、アンテナの長手方向における基板の処理状態を制御することができる。例えば、アンテナの長手方向における膜厚分布を制御することができる。
【００２４】
（ｃ）アンテナを、上下方向に互いに接近して配置されていて高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、かつ当該往復導体間の上下方向の間隔をアンテナの長手方向において変化させているので、左右方向に互いに接近して配置された往復導体間の左右方向の間隔を変化させる場合に比べて、往復導体間の間隔変化によるアンテナ下方近傍の磁束密度の制御性が良い。従って、往復導体間の間隔を変化させることによる、アンテナからプラズマに供給する電磁エネルギーの制御性、ひいてはプラズマ密度分布の制御性が良い。
【００２５】
（ｄ）上側導体の他方端部に整合回路を介して高周波電源を接続し、下側導体の他方端部を直接またはコンデンサを介して接地しているので、下側導体の電位の方が上側導体の電位よりも低くなる。この下側導体はプラズマ側に位置していて、当該下側導体の電位の方が上側導体の電位よりもプラズマ電位に強く反映されるので、当該下側導体の電位が上記のように低くなることによって、プラズマ電位をより低く抑えることができる。その結果、プラズマ電位を低く抑えることによる上記（ａ）の効果（即ち、プラズマから基板に入射する荷電粒子のエネルギーを低く抑えることができる、アンテナを長くする場合でもプラズマ電位を低く抑えることができる、等の効果）をより高めることができる。
【００２６】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１記載の発明の上記（ａ）〜（ｃ）の効果と同様の効果に加えて次の効果を奏する。
【００２７】
（ｅ）アンテナの下側導体に着目すると、当該下側導体はインピーダンスを有しているために、その長手方向において傾斜した電位分布を有する。従って厳密に見れば、アンテナを構成する往復導体間の間隔がアンテナの長手方向における中央部に対して左右対称の場合は、当該電位分布に対応してプラズマ密度分布もアンテナの長手方向において不均一な分布になる。その結果、例えば基板上に膜を形成する場合、当該プラズマ密度分布に対応して基板上の膜厚分布もアンテナの長手方向において不均一な分布になる。これに対して、アンテナを構成する往復導体間の前記間隔を、アンテナの長手方向における中央部に対して左右非対称にすることによって、導体間隔の大きい領域ではプラズマ密度を相対的に大きくし、導体間隔の小さい領域ではプラズマ密度を相対的に小さくすることができるので、上記下側導体の電位分布に起因するプラズマ密度分布の不均一性を補正して、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。その結果、アンテナの長手方向における基板処理の均一性を高めることができる。例えば基板上に膜を形成する場合、アンテナの長手方向における膜厚分布の均一性を高めることができる。
【００２８】
請求項３に記載の発明によれば、請求項１記載の発明の上記（ａ）〜（ｃ）の効果と同様の効果に加えて次の効果を奏する。
【００２９】
（ｆ）アンテナを構成する上側導体と下側導体とは互いに別の構造体であり、かつ上側導体は上下方向に位置変更可能であるので、往復導体間の上下方向の間隔の調整が容易になる。例えば、装置の組立後に当該間隔を調整することもできる。その結果、アンテナの磁界分布を調整することが可能になり、ひいてはプラズマ密度分布を調整することが可能になるので、プラズマ密度分布の均一化により対応しやすくなる。
【００３０】
請求項４に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、アンテナを構成する上側導体はアンテナの長手方向において複数の導体に分割されており、かつ当該各導体は上下方向にそれぞれ位置変更可能であるので、往復導体間の間隔を、分割された各部分の導体においてそれぞれ調整することができる。その結果、アンテナの磁界分布ひいてはプラズマ密度分布をより詳細に調整することが可能になるので、プラズマ密度分布の均一化により一層対応しやすくなる。
【００３１】
請求項５に記載の発明によれば、請求項１記載の発明の上記（ａ）〜（ｃ）の効果と同様の効果に加えて次の効果を奏する。
【００３２】
（ｇ）アンテナを構成する上側導体と下側導体とは互いに別の構造体であり、かつ上側導体の全部または一部を可撓性導体で構成していて当該可撓性導体を撓ませることができるので、上側導体の形状変更の自由度が大きい。従って、往復導体間の間隔調整が容易かつ当該調整の自由度が大きいので、アンテナの磁界分布を調整することが容易になり、ひいてはプラズマ密度分布を調整することが容易になる。その結果、プラズマ密度分布の均一化により対応しやすくなる。
【００３３】
請求項６に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、アンテナの上側導体を構成する可撓性導体を下側導体に向けて押さえる１以上の押さえ部材を更に備えているので、可撓性導体を撓ませてその形状を変更することが容易になり、形状変更の自由度も大きくなり、かつ可撓性導体の形状の安定性も高くなる。
【００３４】
請求項７に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布は、通常は、中央部よりも両端部のプラズマ密度が小さい山型の分布になる。これに対して、この発明のように、往復導体間の上下方向の間隔を、アンテナの長手方向における中央部の間隔よりも両端部の間隔を大きくすることによって、アンテナの長手方向において、中央部よりも両端部の相互インダクタンスを小さくすることができるので、アンテナの中央部よりも両端部の実効インダクタンスが相対的に大きくなる。その結果、アンテナからプラズマに供給する電磁エネルギーを、山型とは反対に、アンテナの長手方向における中央部付近よりも両端部付近において相対的に大きくすることができるので、上記山型のプラズマ密度分布を補正して、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。その結果、アンテナの長手方向における基板処理の均一性を高めることができる。例えば、アンテナの長手方向における膜厚分布の均一性を高めることができる。
【００３５】
請求項８に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、互いに並列に配置され、かつ並列に高周波電力が供給される複数の前記アンテナを備えているので、より大面積のプラズマを生成することができる。しかも、前記作用によって、各アンテナの電位を低く抑えることができると共に、各アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】この発明に係るプラズマ処理装置の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１中のアンテナを示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図、（Ｃ）はＣ−Ｃ断面図である。
【図３】上下方向に配置された板状の往復導体の断面形状の他の例を示す図である。
【図４】公知の単純な平面アンテナを用いた場合のその長手方向におけるプラズマ密度分布の概略例を示す図である。
【図５】互いに接近している往復導体のインピーダンス等を説明するための図である。
【図６】上下方向に配置された往復導体間の上下方向の間隔を、アンテナの長手方向において変化させているアンテナの一例を示す概略側面図である。
【図７】上下方向に配置された板状の往復導体間の上下方向の間隔を変化させて、アンテナの中央下方近傍での磁束密度の変化をシミュレーションしたときに用いたモデルを示す図である。
【図８】上下方向に配置された往復導体間の上下方向の間隔を、アンテナの長手方向において変化させているアンテナの他の例を示す概略側面図である。
【図９】上下方向に配置された往復導体間の上下方向の間隔を、アンテナの長手方向において変化させているアンテナの更に他の例を示す概略側面図である。
【図１０】上下方向に配置された棒状の往復導体の断面形状の一例を示す図である。
【図１１】一方の導体が板状、他方の導体が棒状の往復導体の断面形状の一例を示す図である。
【図１２】一方の導体が板状、他方の導体が棒状の往復導体の断面形状の他の例を示す図である。
【図１３】左右方向に配置された板状の往復導体間の左右方向の間隔を変化させて、アンテナの中央下方近傍での磁束密度の変化をシミュレーションしたときに用いたモデルを示す図である。
【図１４】上下方向に配置された棒状の往復導体間の上下方向の間隔を変化させて、アンテナの中央下方近傍での磁束密度の変化をシミュレーションしたときに用いたモデルを示す図である。
【図１５】左右方向に配置された棒状の往復導体間の左右方向の間隔を変化させて、アンテナの中央下方近傍での磁束密度の変化をシミュレーションしたときに用いたモデルを示す図である。
【図１６】図７に示したモデルの場合（実施例）と図１３に示したモデルの場合（比較例）の、間隔変化に対する磁束密度変化の一例を示すグラフである。
【図１７】図１４に示したモデルの場合（実施例）と図１５に示したモデルの場合（比較例）の、間隔変化に対する磁束密度変化の一例を示すグラフである。
【図１８】複数のアンテナを並列配置した例を示す概略平面図である。
【図１９】この発明に係るプラズマ処理装置の他の実施形態を示す概略側面図である。
【図２０】アンテナを構成する下側導体に整合回路を介して高周波電源を接続し、上側導体を接地している例（Ａ）およびその場合のアンテナの電位分布の概略例（Ｂ）を示す図である。
【図２１】アンテナを構成する上側導体に整合回路を介して高周波電源を接続し、下側導体を接地している例（Ａ）およびその場合のアンテナの電位分布の概略例（Ｂ）を示す図である。
【図２２】図２１の例に、その場合の基板上での膜厚分布の概略例（Ｃ）を付加して示す図である。
【図２３】アンテナを構成する往復導体間の間隔を、アンテナの長手方向において中央部に対して左右非対称にしている場合の一例を示す図であり、（Ａ）は当該構成を示し、（Ｂ）は当該構成による基板上での膜厚分布の概略例を示し、（Ｃ）は当該（Ｂ）の膜厚分布と図２２（Ｃ）の膜厚分布とを合成した膜厚分布の概略例を示す。
【図２４】図２０の例に、その場合の基板上での膜厚分布の概略例（Ｃ）を付加して示す図である。
【図２５】アンテナを構成する往復導体間の間隔を、アンテナの長手方向において中央部に対して左右非対称にしている場合の他の例を示す図であり、（Ａ）は当該構成を示し、（Ｂ）は当該構成による基板上での膜厚分布の概略例を示し、（Ｃ）は当該（Ｂ）の膜厚分布と図２４（Ｃ）の膜厚分布とを合成した膜厚分布の概略例を示す。
【図２６】アンテナを構成する上側導体を、上下方向に位置変更可能にしている場合の一例を示す図である。
【図２７】アンテナを構成する上側導体を、上下方向に位置変更可能にしている場合の他の例を示す図である。
【図２８】アンテナを構成する上側導体を、上下方向に位置変更可能にしている場合の更に他の例を示す図である。
【図２９】図２６〜図２８等に示す位置調整部周りのより具体的な構造の一例を示す図である。
【図３０】アンテナを構成する上側導体をアンテナの長手方向において複数の導体に分割し、かつ当該各導体を上下方向にそれぞれ位置変更可能にしている場合の一例を示す図である。
【図３１】図３０に示す上側導体を構成する各導体を、アンテナの長手方向における中央部に対して左右非対称に位置させた場合の一例を示す図である。
【図３２】アンテナを構成する上側導体を可撓性導体で構成している場合の一例を示す図である。
【図３３】図３２に示す上側導体を、アンテナの長手方向における中央部に対して左右非対称に変形させた場合の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
この発明に係るプラズマ処理装置の一実施形態を図１に示し、そのアンテナ３０を抜き出して図２に示す。アンテナ３０等の向きを表すために、一点で互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を図中に記載している。Ｚ方向は基板２の表面に立てた垂線３を伸縮させる方向であり、Ｙ方向は当該垂線３に交差する（例えば直交する）方向であり、これらは、前述したように表現を簡略化するために、それぞれ、上下方向Ｚ、左右方向Ｙと呼ぶことにする。Ｘ方向は、垂線３に交差する（例えば直交する）方向であり、かつアンテナ３０の長手方向である。例えば、Ｘ方向およびＹ方向は水平方向であるが、これに限られるものではない。以上のことは、他の図においても同様である。
【００３８】
この装置は、平面形状が実質的にまっすぐなアンテナ３０に高周波電源４２から高周波電流ＩR を流すことによって真空容器４内に誘導電界を発生させて当該誘導電界によってプラズマ５０を生成し、このプラズマ５０を用いて基板２に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置である。
【００３９】
「実質的にまっすぐ」というのは、文字どおりまっすぐな状態だけでなく、まっすぐに近い状態（ほぼまっすぐな状態）をも含む意味である。
【００４０】
基板２は、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板、太陽電池等の半導体デバイス用の基板等であるが、これに限られるものではない。
【００４１】
基板２の平面形状は、例えば円形、四角形等であり、特定の形状に限定されない。
【００４２】
基板２に施す処理は、例えば、プラズマＣＶＤ法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等である。
【００４３】
このプラズマ処理装置は、プラズマＣＶＤ法によって膜形成を行う場合はプラズマＣＶＤ装置、エッチングを行う場合はプラズマエッチング装置、アッシングを行う場合はプラズマアッシング装置、スパッタリングを行う場合はプラズマスパッタリング装置とも呼ばれる。
【００４４】
このプラズマ処理装置は、例えば金属製の真空容器４を備えており、その内部は真空排気装置８によって真空排気される。
【００４５】
真空容器４内には、ガス導入管２２を通してガス２４が導入される。ガス２４は、基板２に施す処理内容に応じたものにすれば良い。例えば、プラズマＣＶＤ法によって基板２に膜形成を行う場合は、ガス２４は、原料ガスまたはそれを希釈ガス（例えばＨ2 ）で希釈したガスである。より具体例を挙げると、原料ガスがＳiＨ4 の場合はＳi 膜を、ＳiＨ4 ＋ＮＨ3 の場合はＳiＮ膜を、ＳiＨ4 ＋Ｏ2 の場合はＳiＯ2 膜を、それぞれ基板２の表面に形成することができる。
【００４６】
真空容器４内には、基板２を保持するホルダ１０が設けられている。この例では、ホルダ１０は軸１６に支持されている。軸１６が真空容器４を貫通する部分には、電気絶縁機能および真空シール機能を有する軸受部１８が設けられている。この例のように、ホルダ１０にバイアス電源２０から軸１６を経由して負のバイアス電圧を印加するようにしても良い。バイアス電圧は負のパルス状電圧でも良い。このようなバイアス電圧によって、例えば、プラズマ５０中の正イオンが基板２に入射するときのエネルギーを制御して、基板２の表面に形成される膜の結晶化度を制御することができる。
【００４７】
真空容器４の天井面６の開口部７に、絶縁枠３８を介在させて、アンテナ３０が設けられている。これらの要素の間には、真空シール用のパッキン４０がそれぞれ設けられている。このアンテナ３０は、上下方向Ｚに互いに接近して配置されている往復導体３１、３２によって構成されている。アンテナ３０（より具体的にはそれを構成している往復導体３１、３２）は、この例では、その平面形状が面状をしている。より具体的には、当該平面形状はこの実施形態では長方形であるが、これに限られるものではない。このアンテナ３０については、後で詳述する。
【００４８】
アンテナ３０の材質は、例えば、銅（より具体的には無酸素銅）、アルミニウム等であるが、これに限られるものではない。
【００４９】
アンテナ３０には、より具体的にはその往復導体３１、３２には、高周波電源４２から整合回路４４を経由して、高周波電力が供給され、それによってアンテナ３０に高周波電流ＩR が流される。即ち、アンテナ３０を構成する往復導体３１、３２には、互いに逆向きの高周波電流（往復電流）ＩR が流される（高周波だから、この高周波電流ＩR の向きは時間によって反転する。以下同様）。この高周波電流ＩR によって、アンテナ３０の周囲に高周波磁界が発生し、それによって高周波電流ＩR と逆方向に誘導電界が発生する。この誘導電界によって、真空容器４内において、電子が加速されてアンテナ３０の近傍のガス２４を電離させてアンテナ３０の近傍にプラズマ５０が発生する。このプラズマ５０は基板２の近傍まで拡散し、このプラズマ５０によって基板２に前述した処理を施すことができる。
【００５０】
高周波電源４２は出力端４２ａおよび接地端４２ｂを有しており、出力端４２ａは整合回路４４を介して導体３１の一端部に接続されている。接地端４２ｂは接地されている。導体３２の一端部も接地されている。
【００５１】
高周波電源４２から出力する高周波電力の周波数は、例えば、一般的な１３．５６ＭＨｚであるが、これに限られるものではない。
【００５２】
整合回路４４は、ラインに直列のコンデンサ６４および並列のコンデンサ６５を有している。両コンデンサ６４、６５はこの例では容量可変である。
【００５３】
上記アンテナ３０について詳述する。図５に示すような、互いに接近している平行な往復導体６１、６２の総合インピーダンスＺT は、差動接続として電気理論の書籍等にも記載されているように、次式で表される。ここで、Ｒ1 、Ｌ1 は、それぞれ、一方の導体６１の抵抗、自己インダクタンス、Ｒ2 、Ｌ2 は、それぞれ、他方の導体６２の抵抗、自己インダクタンス、Ｍは両導体６１、６２間の相互インダクタンスである。
【００５４】
［数１］
ＺT ＝（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）＋ｊ（Ｌ1 ＋Ｌ2 −２Ｍ）
【００５５】
ここで、説明を簡略化するために、Ｒ1 ＝Ｒ2 ＝Ｒ、Ｌ1 ＝Ｌ2 ＝Ｌとすると、総合インピーダンスＺT は数２で表され、その内のインダクタンスＬT は数３で表される。このインダクタンスＬT のように、自己インダクタンスと相互インダクタンスとを合成したものを、この明細書では実効インダクタンスと呼ぶことにする。
【００５６】
［数２］
ＺT ＝２Ｒ＋ｊ２（Ｌ−Ｍ）
【００５７】
［数３］
ＬT ＝２（Ｌ−Ｍ）
【００５８】
上記式からも分るように、往復導体６１、６２間の相互インダクタンスＭが大きくなると、総合インピーダンスＺT および実効インダクタンスＬT は小さくなる。この往復導体６１、６２に高周波電源４２から高周波電流ＩR を流すことによって発生する電磁エネルギーＧは次式で表されるので、相互インダクタンスＭが大きくなると、この電磁エネルギーＧは小さくなり、外部に作用する磁気的な効果が減少する。プラズマ生成の場合は、プラズマへ供給できる電磁エネルギーが減少し、プラズマ密度が下がる。逆の場合は逆になる。
【００５９】
［数４］
Ｇ＝（１／２）ＬTＩR2 
＝（Ｌ−Ｍ）ＩR2 
【００６０】
往復導体６１、６２の長手方向において相互インダクタンスＭが一様でない場合、即ち相互インダクタンスＭを変化させている（換言すれば、変化を付けている）場合は、各領域について見れば、当該領域の相互インダクタンスＭに応じて、上記実効インダクタンスおよび電磁エネルギーが決まる。
【００６１】
この発明を構成しているアンテナ３０は、上記原理を応用したものである。例えば、図６に示す例のように、アンテナ３０を、上下方向Ｚに互いに接近して配置されている往復導体３１、３２によって構成し、かつ往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて２段階に変化させている場合、小さい間隔Ｄ2 の領域Ａ2 の相互インダクタンスＭ2 よりも、大きい間隔Ｄ1 の領域Ａ1 の相互インダクタンスＭ1 の方が小さくなる（即ちＭ1 ＜Ｍ2 ）。従って、上記数３を参照すれば分るように、領域Ａ2 よりも領域Ａ1 の実効インダクタンスが大きくなり、上記数４を参照した説明からも分るように、アンテナ３０（より具体的にはその導体３１）から距離Ｈ1 だけ離れた空間の磁束密度は、領域Ａ2 における磁束密度Ｂ2 よりも、領域Ａ1 における磁束密度Ｂ1 の方が大きくなる（即ちＢ1 ＞Ｂ2 ）。従って、領域Ａ2 のプラズマ密度よりも、領域Ａ1 のプラズマ密度を大きくすることができる。
【００６２】
なお、この図６や後述する他の例では、説明を簡略化するために整合回路４４を省略しているが、通常は、図１に示す例と同様に、高周波電源４２とアンテナ３０との間には整合回路４４が設けられる。
【００６３】
上下方向Ｚに配置された板状の往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄを変化させて、アンテナ３０の中央下方近傍での磁束密度の変化をシミュレーションした結果を説明する。このシミュレーションに用いたモデルを図７に示す。両導体３１、３２の厚さＴを３ｍｍ、左右方向Ｙの幅Ｗを７０ｍｍとし、Ｘ方向の長さを十分に長いものとして、一定の（ピーク値が１００Ａの）高周波電流ＩR を流したときの、導体３１の左右方向Ｙにおける中央下方に距離Ｈ1 （５ｍｍで固定）離れた点Ｐにおける磁束密度Ｂを、間隔Ｄを変化させて測定した。その結果を表１に示す。
【００６４】
【表１】
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【００６５】
表１中の磁束密度Ｂ0 は、導体３２がなくて導体３１だけの公知の平面アンテナの場合の点Ｐにおける磁束密度である。その場合の磁束密度Ｂ0 と、往復導体３１、３２の場合の磁束密度との比Ｂ／Ｂ0 およびその２乗比（Ｂ／Ｂ0 ）2 を表１中に示す。２乗比（Ｂ／Ｂ0 ）2 に着目しているのは、プラズマに対する電磁エネルギー供給は、渦電流損のように、近似的には磁束密度Ｂの２乗に比例するからである。この表から分るように、間隔Ｄを変化させることによって、磁束密度Ｂおよび２乗比（Ｂ／Ｂ0 ）2 を大きく変化させることができる。例えば、間隔Ｄが１ｍｍのときと５０ｍｍのときとでは、２乗比（Ｂ／Ｂ0 ）2 に約６０倍の差を付けることができる。
【００６６】
図８は、上下方向Ｚに互いに接近して配置されている往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおける中央部の領域Ａ2 の間隔Ｄ2 よりも両端部の領域Ａ1 、Ａ3 の間隔Ｄ1 、Ｄ3 （この例ではＤ1 ＝Ｄ3 ）を段階的（階段状）に大きくした例である。この場合は、各領域Ａ1 〜Ａ3 の相互インダクタンスＭ1 〜Ｍ3 はＭ1 ＝Ｍ3 ＜Ｍ2 となり、領域Ａ2 よりも領域Ａ1 、Ａ3 の実効インダクタンスが大きくなる。磁束密度Ｂ1 〜Ｂ3 はＢ1 ＝Ｂ3 ＞Ｂ2 となる。その結果、アンテナ３０からプラズマに供給する電磁エネルギーを、中央部の領域Ａ2 よりも両端部の領域Ａ1 、Ａ3 において相対的に大きくすることができる。
【００６７】
図１、図２に示すアンテナ３０は、図８に示すアンテナ３０に相当し、それをより具体化した例である。この図１、図２に示すアンテナ３０について詳述すると、アンテナ３０は、上下方向Ｚに間隔Ｄをあけて互いに接近して配置されている往復導体３１、３２を有している。両導体３１、３２は板状であり、その平面形状は前述したように長方形である。下側（プラズマ５０側）の導体３１の下面は真空容器４内の真空雰囲気中に位置しており、上側の導体３２は大気中に位置している。両導体３１、３２の一端部は電気的に開いていて、そこにこの例では絶縁物３６が設けられている。他端部は接続部３３で互いに電気的に接続されている。両導体３１、３２の一端部間に、高周波電源４２から整合回路４４を経由して高周波電力が供給される。
【００６８】
両導体３１、３２は、この例では板状（具体的には、導体３１は平板状、導体３２は折り曲げられた板状）である。この場合、例えば、図１、図２（Ｃ）に示す例のように下側の導体３１の厚さを大きくしても良いし、図３に示す例のように両導体３１、３２の厚さを互いに同程度にしても良い。
【００６９】
上側の導体３２は、階段状に折り曲げられており、これによって、アンテナ３０の長手方向Ｘにおける中央部の領域の間隔Ｄ2 よりも両端部の領域の間隔Ｄ1 、Ｄ3 （この例ではＤ1 ＝Ｄ3 ）を段階的に大きくしている。このようにして、上述した説明からも分るように、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて、中央部よりも両端部の相互インダクタンスＭを段階的に小さくしている。即ち、この例ではＭ1 ＝Ｍ3 ＜Ｍ2 にしている。これによって、図８の場合と同様に、アンテナ３０からプラズマ５０に供給する電磁エネルギーを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおける中央部よりも両端部において相対的に大きくすることができる。
【００７０】
アンテナ３０の上記間隔Ｄおよび相互インダクタンスＭは、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて、図１、図８等に示す例のように段階的に変化させても良いし、連続的に変化させても良い。後述する他の例においても同様である。上記間隔Ｄ等を段階的に変化させても、プラズマには拡散作用があるので、プラズマ密度を滑らかに変化させることができる。例えば、図１、図２に示す上側の導体３２を、中央部が窪んだなだらかな谷状にして、アンテナ３０の上記間隔Ｄおよび相互インダクタンスＭを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて連続的に変化させても良い。
【００７１】
図１、図２、図８に示すアンテナ３０の代わりに、図６に示した構造のアンテナ３０を設けても良い。更には、図９等に示す他の構造のアンテナ３０を設けても良い。
【００７２】
図９に示す例は、図１、図８に示す例を変形したものである。即ち、図１、図８に示す例のようにアンテナ３０の端部から高周波電力を供給（端部給電）する代わりに、図９に示す例のようにアンテナ３０の中央部から高周波電力を供給（中央給電）するようにしても良い。これと同様に、他の例のアンテナ３０においても、中央給電にしても良い。
【００７３】
アンテナ３０を構成する往復導体３１、３２は、例えば、前述した例のように板状でも良いし、図１０に示す例のように棒状でも良いし、板状と棒状とを組み合わせたもの等でも良い。例えば、図１１に示す例のように、下側の導体３１が板状、上側の導体３２が棒状でも良い。その場合、図１２に示す例のように、上側の棒状の導体３２を、互いに電気的に並列な複数本（図１２では２本）にしても良い。これらの場合も、往復導体３１、３２は、長手方向Ｘの端部において接続部（図１中の接続部３３参照）で互いに電気的に接続されている。
【００７４】
各導体３１、３２の断面形状は、図示例のものに限られるものではなく、円形、楕円形、四角形等が採り得る。また、各導体３１、３２を中空にして、そこに冷却水等の冷媒を流して、各導体３１、３２を強制的に冷却する構造を採用しても良い。
【００７５】
この発明に係るプラズマ処理装置においては、アンテナ３０を、上下方向Ｚに互いに接近して配置されていて高周波電流ＩR が互いに逆向きに流される往復導体３１、３２によって構成しているので、上記数３を参照すれば分るように、往復導体３１、３２間の相互インダクタンスのぶん、アンテナ３０の実効インダクタンスが小さくなる。高周波領域においては、アンテナ３０のインピーダンスは殆どがインダクタンスであるので、実効インダクタンスが小さくなることによって、アンテナ３０に発生する電位差を小さく抑えて、アンテナ３０の電位を低く抑え、プラズマ５０の電位を低く抑えることができる。
【００７６】
その結果、プラズマ５０から基板２に入射する荷電粒子（例えばイオン）のエネルギーを小さく抑えることができる。それによって例えば、プラズマ５０によって基板２上に膜を形成する場合、当該膜に与えるダメージを小さく抑えて、膜質向上を図ることができる。また、アンテナ３０を長くする場合でも、上記理由によって、アンテナ３０の電位を低く抑えてプラズマ電位を低く抑えることができるので、アンテナ３０を長くして基板２の大型化に対応することが容易になる。
【００７７】
しかも、往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄをアンテナの長手方向Ｘにおいて変化させることによって、往復導体３１、３２間の相互インダクタンスＭを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて変化させることができるので、アンテナ３０からプラズマ５０に供給する電磁エネルギーを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて変化させることができる。従って、このアンテナ３０によって、その長手方向Ｘにおけるプラズマ密度分布を制御することができる。その結果、アンテナ３０の長手方向Ｘにおける基板の処理状態を制御することができる。例えば、プラズマ５０によって基板２上に膜を形成する場合、アンテナ３０の長手方向Ｘにおける膜厚分布を制御することができる。
【００７８】
更に、アンテナ３０を、上下方向Ｚに互いに接近して配置されていて高周波電流ＩR が互いに逆向きに流される往復導体３１、３２によって構成し、かつ当該往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄをアンテナ３０の長手方向Ｘにおいて変化させているので、左右方向に互いに接近して配置された往復導体間の左右方向Ｙの間隔を変化させる場合に比べて、往復導体３１、３２間の間隔Ｄの変化によるアンテナ３０の下方近傍の磁束密度の制御性が良い。従って、往復導体３１、３２間の間隔Ｄを変化させることによる、アンテナ３０からプラズマ５０に供給する電磁エネルギーの制御性、ひいてはプラズマ密度分布の制御性が良い。これを、シミュレーション結果に基づいて以下に説明する。
【００７９】
シミュレーションでは、アンテナ３０を構成する往復導体３１、３２の間隔Ｄを変化させたときの、アンテナ３０の左右方向Ｙにおける中央下方の点Ｐ（図７、図１３〜図１５参照）での磁束密度Ｂの変化を計算した。
【００８０】
まず、この発明の一実施形態を成すものとして、先に図７に示したように、アンテナ３０を構成する板状の往復導体３１、３２が上下方向Ｚに互いに接近して配置されている場合で、その往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄを変化させたときの上記点Ｐにおける磁束密度Ｂの変化を図１６中に実施例として示す。このときの計算条件は、先に図７の説明箇所で説明したものと同じであり、この実施例は表１中の磁束密度Ｂと同じである。
【００８１】
また、上記に対する比較例として、図１３に示すように、アンテナ３０を構成する板状の往復導体３１、３２が左右方向Ｙに互いに接近して配置されている場合で、その往復導体３１、３２間の左右方向Ｙの間隔Ｄを変化させたときの上記点Ｐにおける磁束密度Ｂの変化を図１６中に比較例として示す。このときの計算条件は、両導体３１、３２の厚さＴを７０ｍｍ、左右方向Ｙの幅Ｗを３ｍｍとし、その他の距離Ｈ1 、高周波電流ＩR の大きさ等は図７の場合と同じにした。
【００８２】
図１６から分るように、間隔Ｄを変化させたとき、比較例の場合は、磁束密度Ｂの変化がすぐに飽和してしまうのに対して、実施例の場合は、磁束密度Ｂがなだらかに比例に近い状態で変化しており、その変化幅も大きい。従って、比較例に比べて、実施例の方が磁束密度Ｂの制御性が良い。即ち、間隔Ｄを変化させることによって、磁束密度Ｂを制御し、それによってアンテナ３０からプラズマに供給する電磁エネルギーを制御し、ひいてはプラズマ密度分布を制御する、という制御を行いやすい。
【００８３】
次に、この発明の一実施形態を成すものとして、図１４に示すように、アンテナ３０を構成する棒状の往復導体３１、３２が上下方向Ｚに互いに接近して配置されている場合で、その往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄを変化させたときの上記点Ｐにおける磁束密度Ｂの変化を図１７中に実施例として示す。このときの計算条件は、両導体３１、３２の直径ｄを６ｍｍとし、その他の距離Ｈ1 、高周波電流ＩR の大きさ等は図７の場合と同じにした。
【００８４】
また、上記に対する比較例として、図１５に示すように、アンテナ３０を構成する棒状の往復導体３１、３２が左右方向Ｙに互いに接近して配置されている場合で、その往復導体３１、３２間の左右方向Ｙの間隔Ｄを変化させたときの上記点Ｐにおける磁束密度Ｂの変化を図１７中に比較例として示す。このときの計算条件は、両導体３１、３２の配置を上記のように変更した以外は、図１４の場合と同じにした。
【００８５】
図１７から分るように、間隔Ｄを変化させたとき、比較例の場合は、磁束密度Ｂが一旦上がった後に下がるという複雑な変化をしているのに対して、実施例の場合は、磁束密度Ｂがなだらかに比例に近い状態で変化している。従って、この場合も、比較例に比べて、実施例の方が磁束密度Ｂの制御性が良い。即ち、間隔Ｄを変化させることによって、磁束密度Ｂを制御し、それによってアンテナ３０からプラズマに供給する電磁エネルギーを制御し、ひいてはプラズマ密度分布を制御する、という制御を行いやすい。
【００８６】
ところで、通常は、即ち公知の単純な平面アンテナを用いた場合は、その長手方向Ｘにおけるプラズマ密度分布は、例えば図４に示すように、中央部のプラズマ密度よりも両端部のプラズマ密度が小さい山型の分布になる。その理由を簡単に説明すると、中央部には左右両側からプラズマが拡散して来るのに対して、両端部は片側からしかプラズマが拡散して来ないからである。
【００８７】
これに対して、図１、図２、図８等に示した例のように、往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおける中央部の間隔よりも両端部の間隔を大きくすることによって、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて、中央部よりも両端部の相互インダクタンスを小さくすることができるので、前述したように、アンテナ３０の中央部よりも両端部の実効インダクタンスが相対的に大きくなる。その結果、アンテナ３０からプラズマ５０に供給する電磁エネルギーを、山型とは反対に、アンテナ３０の長手方向Ｘにおける中央部付近よりも両端部付近において相対的に大きくして、中央部付近よりも両端部付近においてより強力にプラズマ５０を生成することができるので、上記山型のプラズマ密度分布を補正して、アンテナ３０の長手方向Ｘにおけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。その結果、アンテナ３０の長手方向における基板処理の均一性を高めることができる。例えば、プラズマ５０によって基板２上に膜を形成する場合、アンテナ３０の長手方向Ｘにおける膜厚分布の均一性を高めることができる。
【００８８】
なお、図１に示す実施形態のように、アンテナ３０の真空容器４内側の面をプラズマ５０から遮蔽する遮蔽板４６を備えていても良い。遮蔽板４６は絶縁物から成る。遮蔽板４６は、真空容器４の天井面６の開口部７の入口部付近に直接取り付けても良いし、この実施形態のように枠状の支持板４８を用いて取り付けても良い。図１に示す例以外のアンテナ３０を用いる場合も、このような遮蔽板４６を備えていても良い。
【００８９】
遮蔽板４６の材質は、例えば、石英、アルミナ、炭化ケイ素、シリコン等である。水素系プラズマで還元されて遮蔽板４６から酸素が放出されると困る場合は、シリコン、炭化ケイ素等の非酸化物系の材質を用いれば良い。例えばシリコン板を用いるのが簡単で良い。
【００９０】
遮蔽板４６を設けておくと、アンテナ３０等の表面がプラズマ５０中の荷電粒子（主としてイオン）によってスパッタされてプラズマ５０および基板２に対して金属汚染（メタルコンタミネーション）が生じること等の不都合発生を防止することができる。
【００９１】
遮蔽板４６を設けていても、遮蔽板は絶縁物から成りアンテナ３０の電位がプラズマ５０に及ぶことを防止することはできないので、前述したようにアンテナ３０の実効インダクタンスを小さくして、アンテナ３０の電位を低く抑えることは有効である。
【００９２】
図１８に示す例のように、前記構成のアンテナ３０を、複数、互いにＹ方向に並列に配置し、各アンテナ３０に、共通の高周波電源４２から高周波電力を並列に供給するようにしても良い。更に図示例のように、各アンテナ３０にそれぞれ直列に接続された可変インピーダンス５２を介して、当該複数のアンテナ３０に、共通の高周波電源４２から高周波電力を並列に供給するようにしても良い。
【００９３】
各アンテナ３０は、図１、図２、図６、図８、図９等を参照して上述したいずれの構成でも良い。後述する各例のアンテナ３０でも良い。
【００９４】
可変インピーダンス５２は、図１８に示すような可変インダクタンスでも良いし、可変コンデンサ（可変キャパシタンス）でも良いし、両者を混在させても良い。可変インダクタンスを挿入することによって、給電回路のインピーダンスを増大させることができるので、高周波電流が流れ過ぎるアンテナ３０の電流を抑えることができる。可変コンデンサを挿入することによって、誘導性リアクタンスが大きい場合に容量性リアクタンスを増大させて、給電回路のインピーダンスを低下させることができるので、高周波電流が流れにくいアンテナ３０の電流を増加させることができる。
【００９５】
図１８に示す例の場合は、互いに並列に配置され、かつ並列に高周波電力が供給される複数のアンテナ３０を備えているので、より大面積のプラズマを生成することができる。しかも、前記作用によって、各アンテナ３０の電位を低く抑えることができると共に、各アンテナ３０の長手方向Ｘにおけるプラズマ密度分布を制御することができる。
【００９６】
更に、各アンテナ３０に可変インピーダンス５２を介在させていて、当該可変インピーダンス５２によって複数のアンテナ３０に流れる高周波電流のバランスを調整することができるので、複数のアンテナ３０の並列方向Ｙにおけるプラズマ密度分布をも制御することができる。その結果、プラズマの電位を低く抑えることができ、しかもより大面積でかつプラズマ密度分布の均一性の良いプラズマを生成することが可能になる。
【００９７】
上記例は、いずれも、真空容器４内において基板２を移動させずに固定しておいて処理を施す場合の例であるが、図１９に示す例のように、真空容器（図示省略）内において基板２を、基板搬送装置５４によって、矢印Ｆ（またはその逆方向）に示すように、アンテナ３０の長手方向Ｘと交差（例えば直交）する方向に、即ちＹ方向に沿う方向に搬送しながら、基板２に処理を施すようにしても良い。そのようにすると、プラズマ５０のＸ方向における均一性はアンテナ３０の上記構成によって高めることができ、かつ基板搬送によってプラズマ５０のＹ方向における均一性はあまり問題にならなくなるので、大面積の基板２に均一性良く処理を施すことが可能になる。また、複数枚の基板２を連続的に処理することも可能になる。この場合のアンテナ３０は、図１、図２、図６、図８、図９等を参照して上述したいずれの構成でも良い。後述する各例のアンテナ３０でも良い。また、この基板２を搬送する思想と、図１８に示した複数のアンテナ３０を並列配置する思想とを併用しても良い。
【００９８】
次に、この発明の更に他の実施例を説明する。上述した例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下においては上述した例との相違点を主体に説明する。
【００９９】
以下においては、アンテナ３０の往復導体３１、３２を構成する二つの導体３１、３２を互いに区別しやすくするために、プラズマ５０（図１参照。以下同様）側（簡単に言えば下側）の導体３１を下側導体３１と呼び、プラズマ５０とは反対側（簡単に言えば上側）の導体３２を上側導体３２と呼ぶ場合がある。
【０１００】
図２０に示す例は、図１、図２に示したアンテナ３０、高周波電源４２および整合回路４４を簡略化したものに相当する。但し、下側導体３１は、この例では平板状の導体であり、図３に示す導体３１に相当する。後述する他の例においても同様である。
【０１０１】
この例では、下側導体３１の接続部３３とは反対側の端部３１ａに整合回路４４を介して高周波電源４２を接続し、上側導体３２の接続部３３とは反対側の端部３２ａを接地（この例では直接接地）している。即ち、下側導体３１の端部３１ａを高周波電力の供給端とし、上側導体３２の端部３２ａを終端点としている。
【０１０２】
アンテナ３０（より具体的にはそれを構成する導体３１、３２および接続部３３。以下同様）はインピーダンスを有しているので、それに高周波電流ＩR を流すと電位差が発生する。その場合、整合回路４４は通常は図１に示した例のように直列コンデンサ６４を有している等の理由によって、整合回路４４側（即ち高周波電源４２側）の端部（図２０の例では端部３１ａ）の電位が一番高くなる。
【０１０３】
この場合のアンテナ３０の電位分布の概略例を図２０（Ｂ）に示す。上記理由によって、下側導体３１の電位の方が上側導体３２の電位よりも高くなる。下側導体３１はプラズマ５０側に位置していて、当該下側導体３１の電位の方が上側導体３２の電位よりもプラズマ電位に強く反映されるので、下側導体３１の電位が上記のように高くなると、プラズマ電位も高くなる。プラズマ電位が高くなると、前述したように、プラズマ５０から基板２に入射する荷電粒子のエネルギーも高くなり、基板２上に形成する膜に与えるダメージも大きくなる。図２０に示す例は、このような点になお改善の余地がある。
【０１０４】
上記を改善したのが図２１に示す例である。この例では、上側導体３２の端部３２ａに整合回路４４を介して高周波電源４２を接続し、下側導体３１の端部３１ａを接地（この例では直接接地）している。即ち、上側導体３２の端部３２ａを高周波電力の供給端とし、下側導体３１の端部３１ａを終端点としている。
【０１０５】
この場合のアンテナ３０の電位分布の概略例を図２１（Ｂ）に示す。上記理由によって、下側導体３１の電位の方が上側導体３２の電位よりも低くなる。下側導体３１はプラズマ５０側に位置していて、当該下側導体３１の電位の方が上側導体３２の電位よりもプラズマ電位に強く反映されるので、下側導体３１の電位が上記のように低くなると、プラズマ電位も低くなる。即ち、図２１の例の方が、図２０の例に比べて、プラズマ電位をより低く抑えることができる。
【０１０６】
その結果、プラズマ電位を低く抑えることによる前述した効果、即ちプラズマ５０から基板２に入射する荷電粒子のエネルギーを低く抑えることができる、アンテナ３０を長くする場合でもプラズマ電位を低く抑えることができる、等の効果をより高めることができる。
【０１０７】
なお、上側導体３２の端部３２ａや下側導体３１の端部３１ａを接地するのに当たっては、上記例のように直接接地する代りに、コンデンサ（直列コンデンサ）を介して接地しても良い。他の例においても同様である。コンデンサを介して接地する場合は、簡単に言えば、当該コンデンサの両端の電位差分だけアンテナ３０の電位が上がるけれども、その場合でも、図２１に示す例の方が図２０に示す例に比べてプラズマ電位を低く抑えることができるので、上述した効果を奏することができる。
【０１０８】
図２０、図２１のいずれの例においても、アンテナ３０の下側導体３１に着目すると、当該下側導体３１はインピーダンスを有しているために、その長手方向Ｘにおいて傾斜した電位分布を有する。従って厳密に見れば、アンテナ３０を構成する往復導体３１、３２間の間隔Ｄが図２０、図２１に示す例のようにアンテナ３０の長手方向Ｘにおける中央部に対して左右対称の場合は、当該電位分布に対応してプラズマ密度分布もアンテナ３０の長手方向Ｘにおいて不均一な分布になる。これは、プラズマ５０側の下側導体３１は、上側導体３２に比べてプラズマ５０との間の静電的な結合が遥かに大きいので、下側導体３１の電位が高くなると、容量結合型によるプラズマ生成作用が本来の誘導結合型によるプラズマ生成作用に重畳されるようになり、電位の高い方の端部付近のプラズマ密度が他端部付近のプラズマ密度よりも高くなるからである。
【０１０９】
例えば、図２１に示す例の場合は、同図（Ｂ）に示すように、下側導体３１は、端部３１ａから接続部３３に向かって上がるように（簡単に言えば右上がりに。以下同様）傾斜した電位分布を有するので、プラズマ密度分布も右上がりに傾斜した分布になる。
【０１１０】
その結果、例えば基板２上に膜を形成する場合、当該プラズマ密度分布に対応して基板２上の膜厚分布もアンテナ３０の長手方向Ｘにおいて不均一な分布になる。より具体的には、図２２（Ｃ）に示す例のように、基板２上の膜厚分布はアンテナ３０の長手方向Ｘにおいて右上がりに傾斜した分布になる。なお、図２２（Ａ）、（Ｂ）は、図２１（Ａ）、（Ｂ）と同じ図である。
【０１１１】
このような課題は次の手段によって解決することができる。即ち、アンテナ３０を構成する往復導体３１、３２間の間隔Ｄを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおける中央部に対して左右非対称にすることによって、先に数３、数４等を用いて説明した理由によって、導体間隔Ｄの大きい領域ではプラズマ密度を相対的に大きくし、導体間隔Ｄの小さい領域ではプラズマ密度を相対的に小さくすることができるので、上記下側導体３１の電位分布に起因するプラズマ密度分布の不均一性を補正して、アンテナ３０の長手方向Ｘにおけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。
【０１１２】
例えば、図２１、図２２に示した給電方法を採用している場合は、図２３に示す例のように、上側導体３２を、下側導体３１に対して、接続部３３から端部３２ａに向かって上がるように（簡単に言えば左上がりに。以下同様）傾けて配置しておけば良い。このとき、アンテナ３０の往復導体３１、３２間の間隔Ｄは、端部３２ａ側の間隔Ｄ1 の方が接続部３２側の間隔Ｄ3 よりも大きくなる（即ちＤ1 ＞Ｄ3 ）。
【０１１３】
従って、この間隔Ｄの差によるプラズマ密度分布は左上がりの分布になり、基板２上の膜厚分布も例えば図２３（Ｂ）に示すように左上がりの分布になる。このようなプラズマ密度分布または膜厚分布と、図２２を参照して説明した右上がりのプラズマ密度分布または膜厚分布とが互いに重畳（合成）されるので、上述したように、下側導体３１の電位分布に起因するプラズマ密度分布の不均一性を補正して、アンテナ３０の長手方向Ｘにおけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。その結果、アンテナ３０の長手方向Ｘにおける基板処理の均一性を高めることができる。例えば基板２上に膜を形成する場合、図２３（Ｃ）に示す例のように、アンテナ３０の長手方向Ｘにおける膜厚分布の均一性を高めることができる。
【０１１４】
図２４は、図２０に示した給電方法を採用している場合の基板２上の膜厚分布の概略例（Ｃ）を追加した図であり、この場合は上記理由によって図２２の場合とは逆に傾斜した分布、即ちアンテナ３０の長手方向Ｘにおいて左上がりに傾斜した膜厚分布になる。
【０１１５】
従って、図２０、図２４に示した給電方法を採用している場合は、図２５に示す例のように、上側導体３２を、下側導体３１に対して、端部３２ａから接続部３３に向かって上がるように（即ち右上がりに）傾けて配置しておけば良い。このとき、アンテナ３０の往復導体３１、３２間の間隔Ｄは、接続部３３側の間隔Ｄ3 の方が端部３２ａ側の間隔Ｄ1 よりも大きくなる（即ちＤ3 ＞Ｄ1 ）。
【０１１６】
従って、この間隔Ｄの差によるプラズマ密度分布は右上がりの分布になり、基板２上の膜厚分布も例えば図２５（Ｂ）に示すように右上がりの分布になる。このようなプラズマ密度分布または膜厚分布と、図２４を参照して説明した左上がりのプラズマ密度分布または膜厚分布とが互いに重畳（合成）されるので、上述したように、下側導体３１の電位分布に起因するプラズマ密度分布の不均一性を補正して、アンテナ３０の長手方向Ｘにおけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。その結果、アンテナ３０の長手方向Ｘにおける基板処理の均一性を高めることができる。例えば基板２上に膜を形成する場合、図２５（Ｃ）に示す例のように、アンテナ３０の長手方向Ｘにおける膜厚分布の均一性を高めることができる。
【０１１７】
アンテナ３０を構成する上側導体３２と下側導体３１とを互いに別の構造体とし、かつ上側導体３２を上下方向Ｚに位置変更可能なものにしても良い。この場合も勿論、両導体３１、３２の同じ側の一方端部は互いに電気的に接続されているものとする。この場合の例を以下に幾つか説明する。
【０１１８】
図２６に示す例は、アンテナ３０を構成する上側導体３２と下側導体３１とを互いに別の構造体とし、かつ上側導体３２を矢印Ｊで示すように上下方向Ｚに位置変更（位置調整）可能なものにしている。両導体３１、３２は、上記構成以外は、図２１等に示した例とほぼ同様の構造をしている。アンテナ３０への給電方法は、この例では図２１に示した例と同様である。
【０１１９】
両導体３１、３２の同じ側の端部３１ｂ、３２ｂは、接続部３３によって、更にこの例では位置調整部７０を介して、互いに電気的に接続されている。
【０１２０】
位置調整部７０は、上側導体３２の上下方向Ｚの位置調整を可能にすると共に、上側導体３２の端部３２ｂと接続部３３とを互いに電気的に接続するものである。上側導体３２の位置固定は固定部材７２によって行われる。
【０１２１】
位置調整部７０周りのより具体的な構造の一例を図２９に示す。
【０１２２】
固定部材７２は、この例ではボルト７３およびナット７４で構成されている。両者は、図示例では２個ずつであるが、これに限られるものではない。
【０１２３】
下側導体３１の端部３１ｂを延長した延長部３１ｃを設けて、それを上向きに折り曲げて、上記接続部３３を形成している。この接続部３３（換言すれば延長部３１ｃ。以下同様）は、上記ボルト７３を通す穴７６を有している。
【０１２４】
上側導体３２の端部３２ｂを延長した延長部３２ｃを設けて、それを上向きに折り曲げて、接続部３３に対してほぼ平行に近接させている。この延長部３２ｃは、接続部３３に近接した状態で上下方向Ｚに移動（スライド）可能である。延長部３２ｃは、上記各ボルト７３を通す長穴（上下方向Ｚに長い穴）７８を有している。長穴７８であれば、上側導体３２の上下方向Ｚの位置を連続的に（無段階に）調整することができるのでより好ましいけれども、長穴７８の代りに複数の穴を上下方向Ｚに設けても良い。
【０１２５】
固定部材７２を緩めておいて、上側導体３２を上下方向Ｚに移動させることによって、上側導体３２の上下方向Ｚの位置を変更（調整）することができる。上側導体３２を所望の位置にしておいて固定部材７２を締めることによって、上側導体３２の位置を固定することができる。かつ上側導体３２の端部３２ｂと接続部３３とを電気的に接続することができる。また、上記構造によって上側導体３２は着脱可能であるので、即ち固定部材７２を取り外すことによって上側導体３２を着脱することができるので、上側導体３２を交換することもできる。
【０１２６】
なお、上記のような位置調整部７０を設ける代りに、接続部３３を、上側導体３２の上下方向Ｚの移動を許容する可撓性の導体にしても良く、そのようにしても上側導体３２の上下方向Ｚの位置調整は可能である。但し位置調整部７０を設ける方が、上側導体３２の位置調整は容易になる。
【０１２７】
図２６に示す例では、上記のように、アンテナ３０を構成する上側導体３２と下側導体３１とは互いに別の構造体であり、かつ上側導体３２は上下方向Ｚに位置変更可能であるので、往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄの調整が容易になる。例えば、装置の組立後に当該間隔Ｄを調整することもできる。その結果、アンテナ３０の磁界分布を調整することが可能になり、ひいてはプラズマ密度分布を調整することが可能になるので、プラズマ密度分布の均一化により対応しやすくなる。
【０１２８】
また、上述したように上側導体３２は着脱可能であるので、上側導体３２を、同一の構造のもの、または別の構造のものと交換することもできる。
【０１２９】
図２６に示す上側導体３２の代りに、下側導体３１とは別の構造体であり、かつ上下方向Ｚに位置変更可能な他の構造の上側導体３２を設けても良い。例えば図２７、図２８に示す例の上側導体３２を設けても良い。位置調整部７０および固定部材７２は上述したとおりである。
【０１３０】
図２７に示す例の上側導体３２は、中央部が窪んだなだらかな谷状の形状をしている。この場合は、図１、図８の説明の所で説明したように、アンテナ３０の上記間隔Ｄおよび相互インダクタンスＭを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて連続的に変化させることができる。
【０１３１】
図２８に示す例の上側導体３２は、図２３に示す例の上側導体３２と同様に左上がりに傾斜しているものである。これの代りに、図２５に示す例の上側導体３２と同様に右上がりに傾斜しているものとしても良い。
【０１３２】
上側導体３２を、例えば図２６に示した上側導体３２を、図３０に示す例のように、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて複数の（図示例では三つの）導体３２１〜３２３に分割し、かつ各導体３２１〜３２３を、矢印Ｊ1 〜Ｊ3 で示すように、上下方向Ｚにそれぞれ位置変更可能にしても良い。
【０１３３】
右端側の、即ち接続部３３側の位置調整部７０および固定部材７２は、図２９を参照して説明したものと同じである。中間の位置調整部７０ａ、７０ｂおよび固定部材７２ａ、７２ｂも、上記位置調整部７０および固定部材７２とそれぞれほぼ同様の構造をしており、それらとほぼ同様の機能を有している。即ち、位置調整部７０ａ、７０ｂは、各導体３３２１〜３２３の上下方向Ｚの位置調整をそれぞれ可能にすると共に、隣接する各導体３２１〜３２３を互いに電気的に接続するものである。各導体３２１〜３２３の位置固定は固定部材７２ａ、７２ｂ、７２によって行われる。
【０１３４】
この図３０に示す例では、上記のように、上側導体３１をアンテナ３０の長手方向Ｘにおいて複数の導体３２１〜３２３に分割しており、かつ当該各導体３２１〜３２３は上下方向Ｚにそれぞれ位置変更可能であるので、往復導体３１、３２間の間隔Ｄを、分割された各部分の導体３２１〜３２３においてそれぞれ調整することができる。その結果、図２６等に示した例の場合よりもアンテナの磁界分布ひいてはプラズマ密度分布をより詳細に調整することが可能になるので、プラズマ密度分布の均一化により一層対応しやすくなる。
【０１３５】
図３１は、図３０の例において往復導体３１、３２間の間隔Ｄを、分割された各部分の導体３２１〜３２３においてそれぞれ調整した結果の一例を示す。この例のように、往復導体３１、３２間の間隔Ｄをアンテナ３０の長手方向Ｘにおける中央部に対して左右非対称にすることもできる。より具体的にはこの例では、図２３に示した例と同様の給電方法を採用しているので、図２３に示した例と同様に、左側（即ち端部３２ａ側）の導体３２１の間隔Ｄ1 を右側（即ち接続部３３側）の導体３２３の間隔Ｄ3 よりも大きくしている（即ちＤ1 ＞Ｄ3 ）。中央部の導体３２２の間隔Ｄ2 との関係を加えると、この例ではＤ1 ＞Ｄ3 ＞Ｄ2 にしている。上記のようにすることによる効果は、図２３の説明の所で説明した効果と同様である。
【０１３６】
図２５に示した例と同様の給電方法を採用している場合は、当該例の場合と同様の理由から、Ｄ3 ＞Ｄ1 にすれば良い。これに間隔Ｄ2 との関係を加えると、例えばＤ3 ＞Ｄ1 ＞Ｄ2 にすれば良い。
【０１３７】
上側導体３２を複数に分割して各導体を上下方向Ｚに位置変更可能にする場合、上側導体３２の形状は、図３１、３２に示した例以外のものでも良い。例えば、図２７、図２８（またはこれとは逆の右上がりに傾斜）に示した例のようなものでも良い。
【０１３８】
図３２に示す例のように、アンテナ３０を構成する上側導体３２と下側導体３１とを互いに別の構造体とし、かつ上側導体３２の全部または一部を可撓性導体で構成しても良い。この図３２の例では上側導体３２の全部を可撓性導体で構成している。
【０１３９】
可撓性導体は、例えば、薄い金属板や、可撓性絶縁基板上に導体膜（または導体箔）を形成したもの等である。
【０１４０】
図２６等に示した例の場合と同様に、上側導体３２の一方端部３２ｂは接続部３３によって、更にこの例では位置調整部７０ｃを介して、下側導体３１の一方端部３１ｂに電気的に接続されている。上側導体３２の他方端部３２ａの位置は固定されており、整合回路４４を介して高周波電源４２に接続されている。
【０１４１】
位置調整部７０ｃは、上側導体３２の右端側の上下方向Ｚの位置調整を可能にすると共に、上側導体３２の端部３２ｂと接続部３３とを互いに電気的に接続するものである。上側導体３２の右端側の上下位置を変える（調整する）ことによって上側導体３２の撓み具合を調整することができる。上側導体３２の位置固定は固定部材７２ｃによって行われる。この位置調整部７０ｃおよび固定部材７２ｃは、例えば、図２９に示した位置調整部７０および固定部材７２とそれぞれほぼ同様の構造をしている。
【０１４２】
この図３２に示す例では、上記のように、アンテナ３０を構成する上側導体３２と下側導体３１とを互いに別の構造体とし、かつ上側導体３２を可撓性導体で構成していて当該可撓性導体を撓ませることができるので、上側導体３２の形状変更の自由度が大きい。従って、往復導体３１、３２間の間隔Ｄの調整が容易かつ当該調整の自由度が大きいので、アンテナ３０の磁界分布を調整することが容易になり、ひいてはプラズマ密度分布を調整することが容易になる。その結果、プラズマ密度分布の均一化により対応しやすくなる。
【０１４３】
上側導体３２の一部を可撓性導体で構成しても良い。例えば、撓ませる必要のある部分（例えば上側導体３２の両端部付近）を可撓性導体で構成し、撓ませる必要のない部分（例えば上側導体３２の中央部付近）を剛性の導体で構成しても良い。このようにしても、上側導体３２の全体を剛性の導体で構成している場合に比べれば、上側導体３２の形状変更の自由度は大きいので、往復導体３１、３２間の間隔Ｄの調整が容易でありかつ当該調整の自由度も大きい。
【０１４４】
上側導体３２を構成する可撓性導体がある程度の剛性を有していれば、それ自体で形状維持は可能であるけれども、図３２に示す例のように、上側導体３２を構成する可撓性導体を下側導体３１に向けて押さえる１以上の押さえ部材８０を備えていても良い。押さえ部材８０の数や位置は、可撓性導体を撓ませる形状や位置等に応じて決めれば良い。押さえ部材８０は、上側導体３２に近接して配置されるので、電気絶縁性の材料から成るものが好ましい。
【０１４５】
上記のような押さえ部材８０を備えていると、上側導体３２を構成する可撓性導体を撓ませてその形状を変更することが容易になり、形状変更の自由度も大きくなり、かつ可撓性導体の形状の安定性も高くなる。
【０１４６】
例えば、図３３に示す例のように、可撓性導体を有する上側導体３２をアンテナ３０の長手方向Ｘにおける中央部に対して左右非対称に撓ませて、往復導体３１、３２間の間隔Ｄをアンテナ３０の長手方向Ｘにおける中央部に対して左右非対称にすることもできる。より具体的にはこの例では、図２３に示した例と同様の給電方法を採用しているので、上側導体３２を左上がりに傾けて、左側（即ち端部３２ａ側）の間隔Ｄ1 を右側（即ち接続部３３側）の間隔Ｄ3 よりも大きくしている（即ちＤ1 ＞Ｄ3 ）。図３３中の破線は、傾ける前の（即ち図３２と同様の）上側導体３２を示す。上記のように左右非対称にすることによる効果は、図２３の説明の所で説明した効果と同様である。これに間隔Ｄ2 との関係を加えると、この例ではＤ1 ＞Ｄ3 ＞Ｄ2 にしている。
【０１４７】
図２５に示した例と同様の給電方法を採用している場合は、当該例の場合と同様の理由から、Ｄ3 ＞Ｄ1 にすれば良い。これに間隔Ｄ2 との関係を加えると、例えばＤ3 ＞Ｄ1 ＞Ｄ2 にすれば良い。
【０１４８】
なお、上記いずれの例のアンテナ３０の場合も、上側導体３２は大気中に位置させておくのが好ましい。図１に示した例も、前述したように、上側導体３２は大気中に位置させている。
【０１４９】
上側導体３２を大気中に位置させておくと、真空容器４内が真空状態であっても真空容器４内を大気圧状態に戻すことなく、上側導体３２の位置調整や、上側導体３２を別形状のものに変更すること等が可能になるので、前述したプラズマ密度分布の調整が容易になる。調整に要する時間も短縮することができる。
【０１５０】
また、大気中は減圧雰囲気中に比べて空間の熱伝導が大きいので、上側導体３２を大気中に位置させておくと、上側導体３２の冷却効果を良くすることができる。また、ファンからの送風によって上側導体３２を強制冷却することも可能である。従って、上側導体３２の冷却効率を高めることができる。
【符号の説明】
【０１５１】
２  基板
４  真空容器
２４  ガス
３０  アンテナ
３１、３２  往復導体
３１  下側導体
３２  上側導体
４２  高周波電源
４４  整合回路
５０  プラズマ
【図１】
2013134836.tif 000004
【図２】
2013134836.tif 000005
【図３】
2013134836.tif 000006
【図４】
2013134836.tif 000007
【図５】
2013134836.tif 000008
【図６】
2013134836.tif 000009
【図７】
2013134836.tif 000010
【図８】
2013134836.tif 000011
【図９】
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【図１０】
2013134836.tif 000013
【図１１】
2013134836.tif 000014
【図１２】
2013134836.tif 000015
【図１３】
2013134836.tif 000016
【図１４】
2013134836.tif 000017
【図１５】
2013134836.tif 000018
【図１６】
2013134836.tif 000019
【図１７】
2013134836.tif 000020
【図１８】
2013134836.tif 000021
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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