(57)【要約】【課題】生産性を低下させることなく、ウェーハに対して良好な保護膜を形成すること。【解決手段】チャックテーブル（３）に保持されたウェーハ（Ｗ）に対してアブレーション加工を施すレーザー加工ユニット（５）と、スピンコート法によってウェーハ（Ｗ）の加工面に保護膜（８５）を形成する保護膜被覆装置（６）とを備え、保護膜被覆装置（８）は液状樹脂（Ｒ）を貯留する収容タンク（６１）と収容タンク（６１）の下流側でバッファとして液状樹脂（Ｒ）を貯留する貯留容器（６２）とを有し、貯留容器（６２）に液状樹脂（Ｒ）内の気泡を補足する気泡除去フィルタ（７８）を設けた。【選択図】図３
2013254817.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハを保持するチャックテーブルと、前記チャックテーブルに保持されたウェーハにレーザー光を照射するレーザー光照射手段と、前記ウェーハの加工面を保護膜で被覆する保護膜被覆装置とを少なくとも備えたレーザー加工装置であって、
前記保護膜被覆装置は、ウェーハを保持する保持テーブルと、前記保持テーブルに保持されたウェーハの加工面に液状樹脂を滴下する液状樹脂ノズルと、前記液状樹脂ノズルに連通する液状樹脂供給手段とから構成され、
前記液状樹脂供給手段は、液状樹脂を収容する少なくとも１個の収容タンクと、前記収容タンクに収容された液状樹脂を貯留する貯留容器と、前記収容タンクから前記貯留容器へ液状樹脂を送出する第一の送出ポンプと、前記貯留容器から前記液状樹脂ノズルへ液状樹脂を送出する第二の送出ポンプと、前記第一の送出ポンプ及び前記第二の送出ポンプを制御する制御部と、から構成され、
前記貯留容器内には、液状樹脂の流れ方向に対し略垂直方向に前記貯留容器の側面及び底面に跨って配設され且つ平板状に形成され、液状樹脂中の気泡を捕捉するための網目状の気泡捕捉部を有する気泡除去フィルタが設けられており、
前記貯留容器の送出口と前記液状樹脂ノズルとを連結する配管内は気泡が除去された液状樹脂で満たされていること、を特徴とするレーザー加工装置。
【請求項２】
前記収容タンクに収容された液状樹脂が所定液量を下回ったことを検出する収容タンク残量センサ、を備え、
前記制御部は、前記収容タンク残量センサからの検出信号が入力されたときには報知手段に所定液量を下回ったことを報知させること、を特徴とする請求項１記載のレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの加工面を保護膜で被覆する保護膜被覆装置を備えたレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハの表面に格子状に分割予定ライン（ストリート）が形成され、分割予定ラインによって区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路が形成される。ウェーハは、格子状の分割予定ラインに沿って切削されることにより、個々のデバイスチップに分割される。このようにして分割されたデバイスチップは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用される。ウェーハを分割予定ラインに沿って分割する方法としては、チッピングの低減等の理由により、レーザー加工によって分割する方法も採用されている。
【０００３】
ところで、レーザー加工においては、レーザー光の熱エネルギーによってデブリが飛散してウェーハの表面に付着し、デバイスチップの品質を低下させるという問題が起こっていた。そこで、レーザー加工前にウェーハの表面を保護膜で被覆するレーザー加工装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１のレーザー加工装置では、供給ノズルからスピンナテーブル上のウェーハに液状樹脂が供給され、いわゆるスピンコート法によってウェーハ表面に保護膜が形成される。その後、保護膜を通じてレーザー光が照射されることで、ウェーハの表面に直にデブリが付着することが防止されている。
【０００４】
また、この種のレーザー加工装置として、液状樹脂が貯留された複数のタンクを設け、複数のタンクの中から液状樹脂の供給元を選択的に切り替えるものが提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２のレーザー加工装置では、複数のタンクが供給ノズルに選択的に接続されており、いずれかのタンクの液状樹脂の液量が所定量よりも下回ると、他のタンクが供給ノズルに接続される。このため、液状樹脂の供給を停止させることなく、液量が低下したタンクに対して液状樹脂を補充したり、タンク自体を交換したりすることが可能になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３２２１６８号公報
【特許文献２】特開２００８−１２６３０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、タンクから供給ノズルへの液送中に液状樹脂内に気泡が混入すると、気泡を含んだ液状樹脂がウェーハの表面に供給される。この状態でウェーハの表面に保護膜が形成されると、保護膜に残留した気泡によって穴が空いてしまう場合があった。気泡による穴が分割予定ライン上に形成された場合には、後工程のレーザー加工時において穴を通じてウェーハの表面に直にデブリが付着して、デバイスチップの品質を悪化させてしまう可能性があった。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、生産性を低下させることなく、ウェーハに対して良好な保護膜を形成することができるレーザー加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のレーザー加工装置は、ウェーハを保持するチャックテーブルと、前記チャックテーブルに保持されたウェーハにレーザー光を照射するレーザー光照射手段と、前記ウェーハの加工面を保護膜で被覆する保護膜被覆装置とを少なくとも備えたレーザー加工装置であって、前記保護膜被覆装置は、ウェーハを保持する保持テーブルと、前記保持テーブルに保持されたウェーハの加工面に液状樹脂を滴下する液状樹脂ノズルと、前記液状樹脂ノズルに連通する液状樹脂供給手段とから構成され、前記液状樹脂供給手段は、液状樹脂を収容する少なくとも１個の収容タンクと、前記収容タンクに収容された液状樹脂を貯留する貯留容器と、前記収容タンクから前記貯留容器へ液状樹脂を送出する第一の送出ポンプと、前記貯留容器から前記液状樹脂ノズルへ液状樹脂を送出する第二の送出ポンプと、前記第一の送出ポンプ及び前記第二の送出ポンプを制御する制御部と、から構成され、前記貯留容器内には、液状樹脂の流れ方向に対し略垂直方向に前記貯留容器の側面及び底面に跨って配設され且つ平板状に形成され、液状樹脂中の気泡を捕捉するための網目状の気泡捕捉部を有する気泡除去フィルタが設けられており、前記貯留容器の送出口と前記液状樹脂ノズルとを連結する配管内は気泡が除去された液状樹脂で満たされていること、を特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、収容タンクから貯留容器に液状樹脂が補充されることで、貯留容器をバッファタンクとして機能させることができる。よって、収容タンクの液状樹脂の残量が少なくなって収容タンクの交換作業等が発生する場合であっても、保護膜被覆装置を停止することなく、貯留容器内の液状樹脂によってウェーハに保護膜を形成できる。また、貯留容器内に設けた気泡除去フィルタによって、貯留容器から液状樹脂ノズルに気泡が除去された液状樹脂が送出される。このため、貯留容器と液状樹脂ノズルとを連結する配管内は気泡が除去された液状樹脂で満たされるため、気泡が混入した液状樹脂が液状樹脂ノズルからウェーハに対して滴下されることがない。よって、保護膜内に気泡が残留することがなく、ウェーハの表面を良好な保護膜で被覆することができる。
【００１０】
また、本発明の上記レーザー加工装置は、前記収容タンクに収容された液状樹脂が所定液量を下回ったことを検出する収容タンク残量センサ、を備え、前記制御部は、前記収容タンク残量センサからの検出信号が入力されたときには報知手段に所定液量を下回ったことを報知させる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、貯留容器を設けることで生産性を低下させることなくウェーハの加工面に保護膜を形成すると共に、気泡除去フィルタによって気泡が除去された液状樹脂が液状ノズルに供給されることでウェーハの加工面を良好な保護膜で被覆できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施の形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る保護膜被覆装置の斜視図である。
【図３】本実施の形態に掛る液状樹脂供給部の配管構成及び制御構成の模式図である。
【図４】本実施の形態に掛る保護膜被覆装置による保護膜形成の流れの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付の図面を参照して、本実施の形態に係るレーザー加工装置について説明する。図１は、本実施の形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。なお、図１においては、レーザー加工装置において、ウェーハの加工面を保護膜で被覆する保護膜被覆装置を省略して記載している。また、本実施の形態に係るレーザー加工装置は、図１に示す構成に限定されない。レーザー加工装置は、保護膜被覆装置を備えていれば、どのように構成されてもよい。
【００１４】
図１に示すように、レーザー加工装置１は、レーザー光を照射するレーザー加工ユニット５（レーザー光照射手段）とウェーハＷを保持したチャックテーブル３とを相対移動させて、ウェーハＷを加工するように構成されている。ウェーハＷは、略円板状に形成されており、表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域に区画され、この区画された各領域に各種デバイスが形成されている。ウェーハＷの表面（加工面）には、レーザー加工時のデブリの付着を抑制するための保護膜８５が形成されている。
【００１５】
ウェーハＷは、表面を上向きにして、リングフレーム８６に張られたダイシングシート８７に貼着されている。なお、本実施の形態においては、ウェーハＷとしてシリコンウェーハ、ガリウムヒソ等の半導体ウェーハを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではない。半導体ウェーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Die  Attach  Film）等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイア（Al2O3）系の無機材料基板、各種電気部品やミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料をウェーハＷとしてもよい。
【００１６】
レーザー加工装置１は、直方体状の基台２を有している。基台２の上面には、チャックテーブル３をＸ軸方向に加工送りすると共に、Ｙ軸方向に割出送りするチャックテーブル移動機構４が設けられている。チャックテーブル移動機構４の後方には、立壁部１１が立設されている。立壁部１１の前面からはアーム部１２が突出しており、アーム部１２にはチャックテーブル３に対向するようにレーザー加工ユニット５が支持されている。
【００１７】
チャックテーブル移動機構４は、基台２上面に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール１５と、一対のガイドレール１５にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル１６とを有している。また、チャックテーブル移動機構４は、Ｘ軸テーブル１６上面に配置されたＹ軸方向に平行な一対のガイドレール１７と、一対のガイドレール１７にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸テーブル１８とを有している。
【００１８】
Ｙ軸テーブル１８の上部には、チャックテーブル３が設けられている。なお、Ｘ軸テーブル１６、Ｙ軸テーブル１８の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ２１、２２が螺合されている。そして、ボールネジ２１、２２の一端部に連結された駆動モータ２３、２４が回転駆動されることで、チャックテーブル３がガイドレール１５、１７に沿ってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動される。
【００１９】
チャックテーブル３は、円板状に形成されており、θテーブル２５を介してＹ軸テーブル１８の上面に回転可能に設けられている。チャックテーブル３の上面には、多孔質材料で吸着チャックが形成されている。チャックテーブル３の周囲には、一対の支持アームを介して４つのクランプ部２６が設けられている。４つのクランプ部２６がエアアクチュエータにより駆動されることで、ウェーハＷの周囲のリングフレーム８６が四方から挟持固定される。
【００２０】
レーザー加工ユニット５は、アーム部１２の先端に設けられた加工ヘッド３１を有している。アーム部１２及び加工ヘッド３１内には、レーザー加工ユニット５の光学系が設けられている。加工ヘッド３１は、不図示の発振器から発振されたレーザー光を集光レンズによって集光し、チャックテーブル３上に保持されたウェーハＷをレーザー加工する。レーザー光は、ウェーハＷに対して吸収性を有する波長であり、光学系においてウェーハＷの表面（加工面）に集光するように調整される。
【００２１】
この場合、ウェーハＷの表面は、後述する保護膜被覆装置６（図２参照）において形成された保護膜８５で被覆されている。加工ヘッド３１からのレーザー光が保護膜８５を通じてウェーハＷの表面に照射されることで、ウェーハＷの表面にアブレーションが生じて部分的にエッチングされる。このとき、ウェーハＷの表面には保護膜８５が形成されているため、アブレーションによって飛散したデブリが保護膜８５に付着し、ウェーハＷの表面に直に付着することがない。
【００２２】
そして、チャックテーブル移動機構４によってチャックテーブル３が加工ヘッド３１に対して相対的に移動されることにより、ウェーハＷの分割予定ラインに沿ってレーザー加工（アブレーション加工）される。ここで、アブレーションとは、レーザー光の照射強度が所定の加工閾値以上になると、固体表面で電子、熱的、光科学的及び力学的エネルギーに変換され、その結果、中性原子、分子、正負のイオン、ラジカル、クラスタ、電子、光が爆発的に放出され、固体表面がエッチングされる現象をいう。
【００２３】
図２を参照して、ウェーハの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置について説明する。図２は、本実施の形態に係る保護膜被覆装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係る保護膜被覆装置は、図２に示すスピンコート式の装置に限定されない。保護膜被覆装置は、ウェーハの表面に液状樹脂を供給して保護膜を形成する構成であれば、どのような構成でもよい。
【００２４】
図２に示すように、保護膜被覆装置６は、保持テーブル４１上のウェーハＷに対して液状樹脂Ｒを供給して、保持テーブル４１の回転に伴う遠心力によってウェーハＷの表面全域に液状樹脂Ｒを塗布するように構成されている。保護膜被覆装置６は、円筒状の周壁部３５と底壁部３６とからなる有底筒状のケーシング３７を有している。ケーシング３７は、底壁部３６の下面から延びる複数（本実施の形態では３本）の脚部３８によって設置面３９上に支持されている。ケーシング３７内には、保持テーブル４１が収容されており、保持テーブル４１の周囲には液状樹脂ノズル４２、洗浄水ノズル４３、エアノズル４４が設けられている。
【００２５】
保持テーブル４１は、ウェーハＷのリングフレーム８６よりも大径に形成されており、上面に多孔質材料で吸着チャックが形成されている。吸着チャックは保持テーブル４１内の図示しない配管を通じて吸引源に接続されており、吸着チャック上に生じる負圧によってウェーハＷを吸引保持する。保持テーブル４１の下面中央には、電動モータ４５の駆動軸４６の上端部が固定されている。駆動軸４６は、ケーシング３７の下方に位置する電動モータ４５から上方に延在し、底壁部３６に貫通形成された中心開口を通って保持テーブル４１に接続される。
【００２６】
電動モータ４５の外周面には、複数（本実施の形態では３つ）のエアシリンダ４８が取り付けられている。電動モータ４５は、各エアシリンダ４８から設置面３９に突き当てられたピストンロッド４７によって支持されており、ピストンロッド４７の伸縮によって昇降駆動される。このように、保持テーブル４１は、電動モータ４５によってケーシング３７内で高速回転され、複数のエアシリンダ４８によってウェーハＷを取り込む上昇位置と加工が行われる下降位置との間で昇降駆動される。
【００２７】
液状樹脂ノズル４２は、保持テーブル４１の上方で水平に延在する水平部５１と、水平部５１の基端から下方に延びる垂直部５２とで略Ｌ字状に形成されている。水平部５１の先端部分は下方に屈曲して形成されており、屈曲した先端部分から液状樹脂Ｒが保持テーブル４１上のウェーハＷに滴下される。また、液状樹脂ノズル４２は、保持テーブル４１の上方で旋回可能なようにケーシング３７に支持されている。この液状樹脂ノズル４２には、後述する液状樹脂供給部８（液状樹脂供給手段）から液状樹脂Ｒが供給される。
【００２８】
保護膜被覆装置６では、液状樹脂ノズル４２からウェーハＷの表面中央に液状樹脂Ｒが滴下されると、保持テーブル４１が高速回転することで液状樹脂Ｒに遠心力が作用する。この遠心力によってウェーハＷの表面全域に液状樹脂Ｒが広げられ保護膜８５が形成される（図４Ｃ参照）。保護膜８５が形成されたウェーハＷは、チャックテーブル３に載せ替えられてレーザー加工が実施される。レーザー加工時には、上記したようにウェーハＷの表面が保護膜８５で被覆されるため、デブリが直にウェーハＷの表面に付着することがない。
【００２９】
なお、液状樹脂Ｒとしては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）やポリエチレングリコール（ＰＥＧ）等の水溶性樹脂がウェーハＷに滴下される。なお、液状樹脂Ｒには、レーザー波長の光を吸収する吸収剤を添加することが好ましい。これにより、レーザー加工時にウェーハＷの加工と共に保護膜８５も同時に除去されるため、ウェーハＷの熱分解物の蒸気等によって保護膜８５がウェーハＷの表面から剥離することが防止される。
【００３０】
また、保護膜被覆装置６は、加工前のウェーハＷに保護膜８５を形成するだけでなく、加工済みのウェーハＷから保護膜８５を除去する洗浄装置としても機能する。ケーシング３７内には、液状樹脂ノズル４２と同様に、洗浄水ノズル４３及びエアノズル４４が旋回可能に設けられている。洗浄水ノズル４３及びエアノズル４４は、それぞれ保持テーブル４１の上方で水平に延在する水平部５３、５５と、水平部５３、５５の基端から下方に延びる垂直部５４（エアノズル４４の垂直部は不図示）とで略Ｌ字状に形成されている。洗浄水ノズル４３及びエアノズル４４の先端部分は、それぞれ下方に屈曲しており、屈曲した先端部分から洗浄水及び乾燥エアがウェーハＷに吹き付けられる。
【００３１】
保護膜被覆装置６の洗浄時には、加工済みのウェーハＷが保持テーブル４１に保持され、洗浄水ノズル４３から洗浄水を噴射させながら保持テーブル４１が高速回転される。ウェーハＷの表面に洗浄水が吹き付けられることで、加工済みのウェーハＷからデブリが付着した保護膜８５が洗い流される。洗浄時の廃液は、ケーシング３７に接続されたドレインホース５８を介して排出される。その後、回転中のウェーハＷに対してエアノズル４４から乾燥エアが吹き付けられることでウェーハＷが乾燥される。
【００３２】
図３を参照して、液状樹脂供給部の流路構成及び制御構成について説明する。図３は、本実施の形態に掛る液状樹脂供給部の配管構成及び制御構成の模式図である。なお、本実施の形態に掛る液状樹脂供給部は、図３に示す構成に限定されない。液状樹脂供給部は、収容タンクから液状樹脂ノズルに送出される液状樹脂が、バッファタンクとして機能する貯留容器に一時的に貯留される構成であれば、どのような構成でもよい。
【００３３】
図３に示すように、液状樹脂供給部８は、メインタンクとして液状樹脂Ｒを収容する収容タンク６１と、収容タンク６１の下流においてバッファタンクとして液状樹脂Ｒを貯留する貯留容器６２とを備えている。収容タンク６１は第一の配管６３を通じて貯留容器６２に接続されており、貯留容器６２は第二の配管６４を通じて液状樹脂ノズル４２に接続されている。第一の配管６３の途中部分には、収容タンク６１から貯留容器６２に液状樹脂Ｒを送出する第一の送出ポンプ６５が設けられている。第二の配管６４の途中部分には、貯留容器６２から液状樹脂ノズル４２に液状樹脂Ｒを送出する第二の送出ポンプ６６が設けられている。また、液状樹脂供給部８は、制御部９によって統括制御されている。
【００３４】
収容タンク６１は、箱状に形成されており、タンク内の液状樹脂Ｒを送出する第一の送出管６７が設けられている。第一の送出管６７は、一端が収容タンク６１の底面６８付近に位置付けられており、他端が第一の配管６３に接続されている。また、収容タンク６１には、タンク内を大気に連通する不図示の大気連通部が設けられている。収容タンク６１内には、第一の送出管６７の一端（下端）よりも僅かに高い位置に収容タンク残量センサ６９が設けられている。収容タンク残量センサ６９は、制御部９に接続されており、タンク内の液状樹脂Ｒが所定液量を下回ったことを検出して制御部９に通知する。
【００３５】
貯留容器６２は、上面を大気に開放した箱状に形成されており、容器内に液状樹脂Ｒを導入する導入管７１と、容器内の液状樹脂Ｒを送出する第二の送出管７２とが設けられている。なお、第二の送出管７２は、貯留容器６２における送出口として機能する。導入管７１は、一端が紙面右側の側面７３から容器内に突出しており、他端が第一の配管６３に接続されている。第二の送出管７２は、紙面左側の側面７４側において、一端が貯留容器６２の底面７５付近に位置付けられており、他端が第二の配管６４に接続されている。また、貯留容器６２の上方側には、第一の検出センサ７６が設けられている。貯留容器６２の下方側には、第二の送出管７２の一端（下端）よりも僅かに高い位置に第二の検出センサ７７が設けられている。
【００３６】
第一の検出センサ７６は、制御部９に接続されており、容器内の液状樹脂Ｒの上限液面位置Ｐ１を検出して制御部９に通知する。第二の検出センサ７７は、制御部９に接続されており、容器内の液状樹脂Ｒの下限液面位置Ｐ２を検出して制御部９に通知する。貯留容器６２内には、平板状に形成された複数（本実施の形態では３つ）の気泡除去フィルタ７８が貯留容器６２の紙面手前側の側面、紙面奥側の側面及び底面７５に跨って配設されている。複数の気泡除去フィルタ７８は、貯留容器６２の側面７３から側面７４に向かって流れる液状樹脂の流れ方向に対して、略垂直方向に起こされた起立姿勢で並列に配置されている。
【００３７】
各気泡除去フィルタ７８は、液状樹脂Ｒ内の気泡を補足するための網目状の気泡補足部７９を有している。貯留容器６２内において、側面７３から側面７４に向かって液状樹脂が流れる際に、液状樹脂Ｒが気泡補足部７９を通過することで液状樹脂Ｒ内の気泡が取り除かれる。なお、気泡補足部７９は、液状樹脂Ｒ内の気泡を補足可能であればよく、平面状に形成されてもよいし、プリーツ状に形成されてもよい。また、気泡補足部７９は、液状樹脂Ｒの濃度、送出速度、送出量に応じて網目の大きさや枚数が設定される。例えば、送出量が大きい場合には網目が大きく設定される。
【００３８】
また本実施の形態では、各気泡除去フィルタ７８は、液状樹脂Ｒの流れ方向に対して略垂直方向に設けられたが、略垂直方向とは完全な垂直方向に限らず、取付精度の誤差に応じて幅を持たせた意味である。すなわち、液状樹脂Ｒの流れ方向に対して略垂直方向とは、液状樹脂Ｒの流れ方向に対して実質的に垂直と見なせる程度を含んでいる。また１つの気泡除去フィルタ７８に一枚の気泡補足部７９を設けてもよいし、液状樹脂Ｒの濃度等に応じて複数枚の気泡補足部７９を設けてもよい。
【００３９】
第一、第二の送出ポンプ６５、６６は、それぞれ制御部９に接続されており、制御部９の制御によって駆動される。制御部９によって第一の送出ポンプ６５が駆動されると、第一の送出管６７により収容タンク６１の底面６８付近から液状樹脂Ｒが汲み上げられ、第一の配管６３を通じて貯留容器６２に向けて液状樹脂Ｒが送出される。制御部９によって第二の送出ポンプ６６が駆動されると、第二の送出管７２により貯留容器６２の底面７５付近から液状樹脂Ｒが汲み上げられ、第二の配管６４を通じて液状樹脂ノズル４２に向けて液状樹脂Ｒが送出される。
【００４０】
制御部９は、第一、第二の送出ポンプ６５、６６の駆動タイミングを制御すると共に、収容タンク６１内の液状樹脂Ｒの残量を監視している。また、制御部９には、収容タンク６１内への液状樹脂Ｒの補充を促すための報知部８１（報知手段）が接続されている。なお、制御部９は、各種処理を実行するプロセッサや、メモリ等により構成されている。メモリは、用途に応じてＲＯＭ(Read  Only  Memory)、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。またメモリには、第一、第二の送出ポンプ６５、６６、報知部８１等の動作を制御する制御プログラム等が記憶されている。
【００４１】
制御部９は、第一の検出センサ７６から入力された検出信号に応じて第一の送出ポンプ６５を駆動し、第二の検出センサ７７から入力された検出信号に応じて第一の送出ポンプ６５を停止する。よって、貯留容器６２内の液状樹脂Ｒの液面が下限液面位置Ｐ２まで下がると、収容タンク６１から貯留容器６２内に液状樹脂Ｒの液面が上限液面位置Ｐ１になるまで液状樹脂Ｒが補充される。このようにして、貯留容器６２内には一定量以上の液状樹脂Ｒが確保される。また、下限液面位置Ｐ２が第二の送出管７２の一端（下端）よりも高い位置にあるため、第二の送出管７２の一端が常に液中に浸漬され、第二の送出管７２内にエアが入りこむことがない。
【００４２】
制御部９は、液状樹脂ノズル４２からウェーハＷに滴下される液状樹脂Ｒの塗布量に応じて、液状樹脂Ｒを送り出すように第二の送出ポンプ６６を駆動制御する。第二の送出ポンプ６６の駆動によって、貯留容器６２内には側面７３から側面７４に向かう液状樹脂Ｒの流れが生じ、液状樹脂Ｒが複数の気泡除去フィルタ７８を通ることで、液中の気泡が気泡補足部７９で補足される。このため、第二の送出管７２には、気泡が除去された液状樹脂Ｒが吸入される。よって、貯留容器６２の下流側、すなわち、第二の送出管７２内、第二の配管６４内、液状樹脂ノズル４２内は常に気泡が除去された液状樹脂Ｒで満たされている。
【００４３】
制御部９は、収容タンク残量センサ６９から入力された検出信号に応じて、報知部８１に収容タンク６１内の液状樹脂Ｒの残量が所定液量を下回ったことを報知させる。なお、報知部８１は、音声報知、発光報知、表示報知の少なくとも１つにより報知する。報知部８１の報知によって、作業者に対して収容タンク６１の交換作業や液状樹脂の補充作業が促される。このとき、貯留容器６２が収容タンク６１のバッファタンクとして機能するため、収容タンク６１の交換作業中であっても保護膜被覆装置６を停止させることなく、生産性を向上させることが可能になっている。
【００４４】
次に、図４を参照して、保護膜被覆装置による保護膜形成の流れについて説明する。図４は、本実施の形態に掛る保護膜被覆装置による保護膜形成の流れの説明図である。なお、図４においては、説明の便宜上、保護膜被覆装置を簡略化して記載している。
【００４５】
図４Ａに示すように、保持テーブル４１上にウェーハＷが載置されると、吸着チャックによってウェーハＷが保持され、保持テーブル４１がケーシング３７内の下降位置に移動する。そして、液状樹脂ノズル４２が旋回して、ノズルの先端部分がウェーハＷの中央に位置付けられる。次に、図４Ｂに示すように、制御部９によって第二の送出ポンプ６６が駆動され、液状樹脂ノズル４２からウェーハＷに対して液状樹脂Ｒが滴下されて、ウェーハＷの表面中央に液溜まりＲ１が形成される。
【００４６】
このとき、貯留容器６２内の液状樹脂Ｒは、複数の気泡除去フィルタ７８を通って液状樹脂ノズル４２に供給されている。液状樹脂ノズル４２内及び第二の配管６４内は、気泡が除去された液状樹脂Ｒで満たされているので、気泡が混入した液状樹脂Ｒが液状樹脂ノズル４２からウェーハＷ上に滴下されることがない。液状樹脂ノズル４２からウェーハＷに対して所定量の液状樹脂Ｒが滴下されると、制御部９によって第二の送出ポンプ６６が停止される。そして、液状樹脂ノズル４２が旋回して、ノズルの先端部分がウェーハＷの上方から外される。
【００４７】
次に、図４Ｃに示すように、ウェーハＷを保持した保持テーブル４１が高速回転する。これにより、ウェーハＷの上面中央の液状樹脂Ｒの液溜まりＲ１に遠心力が作用して、液状樹脂ＲがウェーハＷの上面全域を覆うように広げられる。この液状樹脂Ｒが固化することで、ウェーハＷの上面に保護膜８５が形成される。液状樹脂Ｒ内の気泡が取り除かれているため、保護膜８５内に残留した気泡によって穴が空くことがなく、ウェーハＷの上面に良好な保護膜８５が形成される。
【００４８】
ウェーハＷの表面に保護膜８５が形成されると、保持テーブル４１がケーシング３７内を上昇位置に移動する。そして、保持テーブル４１からチャックテーブル３（図１参照）にウェーハＷが載せ替えられて、後段のレーザー加工が実施される。レーザー加工済みのウェーハＷは、再び保護膜被覆装置６に搬入されてデブリが付着した保護膜８５が洗い流される。
【００４９】
以上のように、本実施の形態に係るレーザー加工装置１によれば、収容タンク６１から貯留容器６２に液状樹脂Ｒが補充されることで、貯留容器６２をバッファタンクとして機能させることができる。よって、収容タンク６１の液状樹脂Ｒの残量が少なくなって収容タンク６１の交換作業等が発生する場合であっても、保護膜被覆装置６を停止することなく、貯留容器６２内の液状樹脂ＲによってウェーハＷに保護膜８５を形成できる。また、貯留容器６２内に設けた気泡除去フィルタ７８によって、貯留容器６２から液状樹脂ノズル４２に気泡が除去された液状樹脂Ｒが送出される。このため、貯留容器６２と液状樹脂ノズル４２とを連結する第二の配管６４内は気泡が除去された液状樹脂Ｒで満たされるため、気泡が混入した液状樹脂Ｒが液状樹脂ノズル４２からウェーハＷに対して滴下されることがない。よって、保護膜８５内に気泡が残留することがなく、ウェーハＷの表面を良好な保護膜８５で被覆することができる。
【００５０】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００５１】
例えば、上記実施の形態において、貯留容器６２内に第一、第二の検出センサ７６、７７を設けて、第一、第二の検出センサ７６、７７の検出に応じて収容タンク６１から貯留容器６２に液状樹脂Ｒが補充される構成としたが、この構成に限定されない。収容タンク６１から貯留容器６２に対して定期的に液状樹脂Ｒを補充するようにすれば、貯留容器６２に第一、第二の検出センサ７６、７７を設けない構成としてもよい。また、収容タンク６１から貯留容器６２への液状樹脂Ｒの補充タイミングは適宜変更可能である。
【００５２】
また、上記実施の形態において、液状樹脂供給部８は、収容タンク６１及び貯留容器６２をそれぞれ１つ有する構成としたが、この構成に限定されない。液状樹脂供給部８は、複数の収容タンク６１及び複数の貯留容器６２を有する構成としてもよい。
【００５３】
また、上記実施の形態において、貯留容器６２の側面７３に導入管７１を設け、側面７４に第二の送出管７２を設ける構成としたが、この構成に限定されない。導入管７１及び第二の送出管７２は、導入管７１から導入された液状樹脂Ｒが気泡除去フィルタ７８を通じて第二の送出管７２から送出されるように設けられていれば、どの位置に設けられていてもよい。
【００５４】
また、上記実施の形態において、貯留容器６２において、気泡除去フィルタ７８と導入管７１との間に、隙間を設けた隔壁を設けて液状樹脂Ｒから大きめの気泡を除去するように構成してもよい。この場合、気泡除去フィルタ７８の上流側で大きめの気泡を除去できればよく、例えば、目の粗いフィルタ等によって大きめの気泡を除去してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
以上説明したように、本発明は、生産性を低下させることなく、ウェーハに対して良好な保護膜を形成することができるという効果を有し、特に、分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を施すレーザー加工装置に有用である。
【符号の説明】
【００５６】
１  レーザー加工装置
３  チャックテーブル
５  レーザー加工ユニット（レーザー光照射手段）
６  保護膜被覆装置
８  液状樹脂供給部（液状樹脂供給部）
９  制御部
４１  保持テーブル
４２  液状樹脂ノズル
６１  収容タンク
６２  貯留容器
６３  第一の配管
６４  第二の配管（配管）
６５  第一の送出ポンプ
６６  第二の送出ポンプ
６９  収容タンク残量センサ
７６  第一の検出センサ
７７  第二の検出センサ
７８  気泡除去フィルタ
７９  気泡補足部
８１  報知部
８５  保護膜
Ｗ  ウェーハ
Ｒ  液状樹脂
Ｐ１  上限液面位置
Ｐ２  下限液面位置
【図１】
2013254817.tif 000003
【図２】
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【図３】
2013254817.tif 000005
【図４】
2013254817.tif 000006