(57)【要約】【課題】  電子線源装置からの電子線を効率よく半導体発光素子の一面に照射することができ、高い光出力を得ることのできる電子線励起型光源装置を提供すること。【解決手段】  電子線源装置と、この電子線源装置から放射された電子線によって励起されることにより紫外光を放射する半導体発光素子とが真空容器の内部に配置されてなる電子線励起型光源装置において、前記半導体発光素子に、前記電子線源装置からの電子線が入射される一面の電荷を取り除くための導電性の除電部材が設けられた構成とされている。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線源装置と、この電子線源装置から放射された電子線によって励起されることにより紫外光を放射する半導体発光素子とが真空容器の内部に配置されてなる電子線励起型光源装置において、
前記半導体発光素子には、前記電子線源装置からの電子線が入射される一面の電荷を取り除くための導電性の除電部材が設けられていることを特徴とする電子線励起型光源装置。
【請求項２】
前記半導体発光素子は、導電性支持体を介して前記真空容器に固定されており、
前記除電部材は、前記導電性支持体に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電子線励起型光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子線源装置からの電子線を半導体発光素子に照射することにより当該半導体発光素子を発光させる電子線励起型光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子線を照射することによって半導体発光素子を発光させる電子線励起型光源装置は、小型で出力の高い紫外線を放射する光源として期待されており、例えば特許文献１には、図６に示すように、内部が高真空に保たれたガラスバルブ７１の内部に設けられた電子銃７５からの電子ビームを、フェースプレート７２の内面に設けられた、両面にＡｌ、Ａｇ等からなる反射層７３ａ、７３ｂが配置された半導体発光素子７４に照射して、当該半導体発光素子７４を励起させることにより紫外レーザ光を出射する電子線励起型光源装置が記載されている。また、特許文献２には、図７に示すように、内部が負圧の状態で密閉された、光透過窓８１を有する真空容器８０内において、半導体発光素子８２の両面に光反射部材８３、８４が配置されてなるレーザ構造体８５が光透過窓８１の内面に配置されると共に、当該真空容器８０の底壁の内面に、半導体発光素子８２に電子線を照射する電子線源８６がレーザ構造体８５に対向するよう配置されてなる紫外レーザ光を放射する電子線励起型光源装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０６−３０３６２５号公報
【特許文献２】特許第３６６７１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
而して、電子線励起型光源装置においては、半導体発光素子として、例えば絶縁基板上に複数の半導体層が結晶成長により積層されて形成されたものが用いられているが、電子線励起型光源装置の高出力化、小型化に伴って、電子線源から放射される電子が、半導体発光素子の一面に照射されたときに、電子の衝突によって、半導体発光素子の一面や当該一面側の周側面に電荷が溜まりチャージアップされることが判明した。その結果、電子線源から放射される電子線の軌道が変化すること、あるいは、電子線源からの電子が半導体発光素子の一面によって反発されることなどの理由により、電子線源からの電子線を効率よく半導体発光素子の一面に入射させることができなくなり、発光効率が低下するという問題が生ずる。
【０００５】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、電子線源装置からの電子線を効率よく半導体発光素子の一面に照射することができ、高い光出力を得ることのできる電子線励起型光源装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電子線励起型光源装置は、電子線源装置と、この電子線源装置から放射された電子線によって励起されることにより紫外光を放射する半導体発光素子とが真空容器の内部に配置されてなる電子線励起型光源装置において、
前記半導体発光素子には、前記電子線源装置からの電子線が入射される一面の電荷を取り除くための導電性の除電部材が設けられていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の電子線励起型光源装置においては、前記半導体発光素子は、導電性支持体を介して前記真空容器に固定されており、
前記除電部材は、前記導電性支持体に電気的に接続された構成とされていることが好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の電子線励起型光源装置によれば、半導体発光素子における電子線源装置からの電子線が照射される一面の電荷を取り除くための除電部材が設けられた構成とされていることにより、半導体発光素子における電子線源装置からの電子線が照射される一面に、電子線源装置からの電子線の照射により電荷が蓄積されることが防止または抑制されるので、電子線源装置からの電子線を効率よく半導体発光素子の一面に照射することができて高い光出力を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の電子線励起型光源装置の一例における構成の概略を示す説明図であり、（Ａ）は側面断面図、（Ｂ）は光透過窓を取り外した状態を示す平面図である。
【図２】図１に示す電子線励起型光源装置における電子線源装置の構成を概略的に示す、図１（Ｂ）におけるＡ−Ａ線拡大断面図である。
【図３】図１に示す電子線励起型光源装置における半導体発光素子の構成の概略を示す説明用断面図である。
【図４】実施例１において作製した比較用の電子線励起型光源装置における半導体発光素子の構成を示す説明用断面図である。
【図５】本発明の電子線励起型光源装置の他の例における構成の概略を示す観念図である。
【図６】従来の電子線励起型光源装置の一例における構成の概略を示す説明用断面図である。
【図７】従来の電子線励起型光源装置の他の例における構成の概略を示す説明用断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の電子線励起型光源装置の一例における構成の概略を示す説明図であり、（Ａ）は側面断面図、（Ｂ）は光透過窓を取り外した状態を示す平面図、図２は、図１に示す電子線励起型光源装置における電子線源装置の構成を概略的に示す、図１（Ｂ）におけるＡ−Ａ線拡大断面図である。なお、図１（Ｂ）においては、便宜上、電子線源装置にハッチングが付してある。
この電子線励起型光源装置は、内部が負圧の状態で密閉された外形が直方体状の真空容器１０を具えており、この真空容器１０は、一方（図１（Ａ）において上方）が開口すると共に底壁中央位置に貫通孔を有する容器基体１１と、この容器基体１１の上方開口を塞ぐよう配置されて当該容器基体１１に気密に封着された光透過窓１５と、容器基体１１の底壁における貫通孔に挿入されて当該容器基体１１に気密に封着された半導体発光素子保持部材１８とによって構成されている。
【００１１】
真空容器１０内には、半導体発光素子２０が、その一面（図１（Ａ）において上面）２０ａが光透過窓１５に離間して対向するよう配置され、この半導体発光素子２０の周辺領域、具体的には、半導体発光素子２０の一面上の領域および対向する他面上の領域以外の当該半導体発光素子２０に近接した領域には、面状の電子線放出部３２を有する電子線源装置３０が、当該半導体発光素子２０を取り囲むよう配置されている。図示の例では、電子線源装置３０は円環状の帯状体として構成されており、当該電子線放出部３２における電子線が放射される表面が半導体発光素子２０の電子線が入射される一面２０ａと同方向を向いた姿勢すなわち真空容器１０の光透過窓１５を向いた姿勢で、半導体発光素子２０を取り囲むよう配置され、この状態で、支持部材３７を介して真空容器１０における容器基体１１の底壁に固定されている。半導体発光素子２０および電子線源装置３０は、真空容器１０の内部から外部に引き出された導電線（図１（Ａ）において二点鎖線で示す。）を介して、真空容器１０の外部に設けられた、加速電圧を印加するための電子加速手段５５に、半導体発光素子２０が正極、電子線源装置３０が負極となるよう電気的に接続されている。
また、半導体発光素子２０は、電子線が入射される一面２０ａと対向する他面２０ｂが半導体発光素子保持部材１８の一面（図１（Ａ）において上面）に設けられた導電性支持体１６を介して半導体発光素子保持部材１８に固定されて配置されている。
【００１２】
そして、半導体発光素子２０に対して電子線源装置３０より外方の位置には、電子線源装置３０から放射された電子線の軌道を半導体発光素子２０における光が放射される一面２０ａに向かって指向させる電界制御用電極５０が配置されている。具体的には、電界制御用電極５０は、電子線源装置３０の外径より大きい内径を有する胴部５１と、この胴部５１に連続して形成された、先端（図１（Ａ）において上端）に向かって小径となるテーパ部５２とよりなる円筒体により構成されている。この電界制御用電極５０は、電子線源装置３０の外周を取り囲むよう配置されており、当該電界制御用電極５０の基端が、真空容器１０における容器基体１１の底壁に固定されている。電子線源装置３０および電界制御用電極５０は、真空容器１０の内部から外部に引き出された導電線（図１（Ａ）において二点鎖線で示す。）を介して、真空容器１０の外部に設けられた電界制御用電源５７に、電子線源装置３０が正極、電界制御用電極５０が負極となるよう電気的に接続されている。
【００１３】
真空容器１０における容器基体１１を構成する材料としては、コバールガラス、石英ガラス等のガラス材料を用いることができる。
また、真空容器１０における光透過窓１５を構成する材料としては、半導体発光素子２０からの光を透過し得るものが用いられ、例えばサファイア、石英ガラスなどを用いることができる。
また、真空容器１０の内部の圧力は、例えば１０−４〜１０−６Ｐａである。
【００１４】
半導体発光素子保持部材１８を構成する材料としては、熱膨張率が、容器基体１１を構成する材料の熱膨張率と近似する値を示す材料が好ましく、例えば容器基体１１の材料にコバールガラスを用いる場合には、例えばコバールメタルなどを用いることができる。
導電性支持体１６を構成する材料としては、銅などの熱伝導性の高い金属を用いることができる。
【００１５】
この例における電子線源装置３０は、図２に示すように、面状の電子線放出部３２を有するカソード電極３１を備えている。カソード電極３１は、カソード基板３１ｂの全周面に電子線放出層３１ａが形成されて構成されている。電子線放出層３１ａは、多数のカーボンナノチューブがカソード基板３１ｂの表面に支持されることによって形成されている。
カーボンナノチューブよりなる電子線放出層３１ａをカソード基板３１ｂに形成する方法としては、特に限定されず公知の方法を用いることができ、例えば表面に金属触媒層が形成されたカソード基板３１ｂを加熱し、ＣＯやアセチレン等のカーボンソースガスを供給することにより、カソード基板３１ｂの表面に形成された金属触媒層上にカーボンを堆積してカーボンナノチューブを形成する熱ＣＶＤ法、アーク放電法等によって形成されたカーボンナノチューブの粉体および有機バインダーが液状媒体中に含有されてなるペーストを調製し、このペーストをスクリーン印刷によってカソード基板３１ｂの表面に塗布して乾燥するスクリーン印刷法などを好適に用いることができる。
このカソード電極３１は、例えばアルミナなどのセラミックスよりなる板状のベース３５の一面上に設けられたベースフレーム３６の一面上に配置されている。
【００１６】
この電子線源装置３０においては、電子線放出部３２における電子線放出面３２ａの面方向外方へ向かう電子線を遮蔽するシールド部材４０がカソード電極３１の側方の位置においてベースフレーム３６の一面上に固定されて設けられている。このシールド部材４０は、カソード電極３１の両側を囲む胴部４１と、この胴部４１の先端に連続するカソード電極３１における電子線放出面３２ａの周縁に沿って当該電子線放出面３２ａの面方向内方に延びるよう形成されたフランジ部４２とにより構成されており、このフランジ部４２の内面とベースフレーム３６の一面とによってカソード電極３１が保持固定されている。
【００１７】
カソード電極３１の上方には、電子線放出部３２から電子線を放出するための網状の電子引き出し電極（グリッド電極）４６が電子線放出部３２と離間して対向するよう配置されている。
この電子引き出し電極４６は、弧状に湾曲する先端部を有するキャップ部材４８における当該先端部４８ａの一面上に固定されている。キャップ部材４８は、その先端部４８ａの内面が、ベース３５の一面上におけるベースフレーム３６の外方位置に固定された板状のベースフレーム３９の一面上の一部において接触されるよう（同電位となるよう）、設けられている。ここに、電子引き出し電極４６とカソード電極３１の各々の電子線放出部３２における電子線放出面３２ａとの間の離間距離（ギャップ）は例えば１００〜１０００μｍである。
【００１８】
以上において、カソード電極３１におけるカソード基板３１ｂ、シールド部材４０、ベースフレーム３６，３９、電子引き出し電極４６およびキャップ部材４８を構成する材料としては、例えば、鉄もしくはニッケルの少なくとも一つを含む合金などを用いることができる。
カソード電極３１および電子引き出し電極４６は、真空容器１０の内部から外部に引き出された導電線（図１（Ａ）において二点鎖線で示す。）を介して、真空容器１０の外部に設けられた、電子線放出用電源５６に電気的に接続されている。
【００１９】
半導体発光素子２０は、図３に示すように、例えばサファイアよりなる基板２１と、この基板２１の一面上に形成された例えばＡｌＮよりなるバッファ層２２と、このバッファ層２２の一面上に形成された、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層２５とにより構成されており、活性層２５が真空容器１０における光透過窓１５に対向した状態で、基板２１が導電性支持体１６に例えば導電性接着剤Ｓで接合されている。
基板２１の厚みは、例えば１０〜１０００μｍであり、バッファ層２２の厚みは、例えば１００〜１０００ｎｍである。
また、半導体発光素子２０における活性層２５と電子線源装置３０との離間距離は、例えば５〜１５ｍｍである。
また、半導体発光素子２０における光が放射される一面２０ａと光透過窓１５の内面との距離は、例えば３〜２５ｍｍである。
【００２０】
活性層２５は、それぞれＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＜１，０＜ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）からなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であり、単一または複数の量子井戸層２６と単一または複数の障壁層２７とが、バッファ層２２上にこの順で交互に積層されて構成されている。
量子井戸層２６の各々の厚みは、例えば０．５〜５０ｎｍである。また、障壁層２７はその禁制帯幅が量子井戸層２６のそれよりも大きくなるように組成を選択され、一例としては、ＡｌＮを用いればよく、各々の厚みは量子井戸層２６の井戸幅より大きく設定され、具体的には、例えば１〜１００ｎｍである。
活性層２５を構成する量子井戸層２６の周期は、量子井戸層２６、障壁層２７および活性層２５全体の厚みや、用いられる電子線の加速電圧などを考慮して適宜設定されるが、通常、１〜１００である。
【００２１】
上記の半導体発光素子２０は、例えばＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）によって形成することができる。具体的には、水素および窒素からなるキャリアガスと、トリメチルアルミニウムおよびアンモニアからなる原料ガスとを用い、サファイアよりなる基板２１の（０００１）面上に気相成長させることにより、所要の厚みを有するＡｌＮからなるバッファ層２２を形成した後、水素ガスおよび窒素ガスからなるキャリアガスと、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリメチルインジウムおよびアンモニアからなる原料ガスとを用い、バッファ層２２上に気相成長させることにより、所要の厚みを有するＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＜１，０＜ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）からなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層２５を形成し、以て、半導体発光素子２０を形成することができる。
【００２２】
上記のバッファ層２２、量子井戸層２６および障壁層２７の各形成工程において、処理温度、処理圧力および各層の成長速度などの条件は、形成すべきバッファ層２２、量子井戸層２６および障壁層２７の組成や厚み等に応じて適宜に設定することができる。
また、ＩｎＡｌＧａＮよりなる量子井戸層２６を形成する場合には、原料ガスとして、上記のものに加えてトリメチルインジウムを用い、処理温度をＡｌＧａＮよりなる量子井戸層２６を形成する場合よりも低く設定すればよい。
また、半導体多層膜の形成方法は、ＭＯＣＶＤ法に限定されるものではなく、例えばＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）なども用いることができる。
【００２３】
而して、本発明の電子線励起型光源装置においては、半導体発光素子２０に、少なくとも電子線源装置３０からの電子線が入射される一面２０ａ上の電荷を取り除くための導電性の除電部材が設けられている。
この実施の形態に係る電子線励起型光源装置においては、除電部材は、例えば、半導体発光素子２０の外周側面および一面２０ａの外周縁部を被覆するよう設けられた導電性膜２８により構成されており、この導電性膜２８は、導電性支持体１６に電気的に接続、あるいは、リード部２８ａを介して電気的に接続されている。
【００２４】
導電性膜２８を形成するための材料としては、例えばＡｇペースト、Ａｌペースト、銀ロウなどを用いることができる。
導電性膜２８の厚みは、例えば１〜１００μｍである。
【００２５】
上記の電子線励起型光源装置においては、電子線源装置３０と電子引き出し電極４６との間に電圧が印加されると、当該電子線源装置３０における電子線放出部３２から電子引き出し電極４６に向かって電子が放出され、この電子は、半導体発光素子２０と電子線源装置３０との間に印加された加速電圧によって、半導体発光素子２０に向かって加速されて電子線が形成されると共に、この電子線の軌道が、加速電圧および、電界制御用電源５７によって電子線源装置３０と電界制御用電極５０との間に印加される電圧によって、半導体発光素子２０における光が放射される一面２０ａに向かって指向され、その結果、当該電子線は、半導体発光素子２０の一面２０ａすなわち活性層２５の表面に入射される。そして、半導体発光素子２０においては、電子線が入射されることによって活性層２５の電子が励起され、これにより、当該半導体発光素子２０における電子線が入射された一面２０ａから紫外線などの光が放射され、真空容器１０における光透過窓１５を介して当該真空容器１０の外部に出射される。
【００２６】
以上において、電子線放出用電源５６によって電子線源装置３０と電子引き出し電極４６との間に印加される電圧は、例えば１〜５ｋＶである。
また、電子加速手段５５によって印加される電子線の加速電圧は、６〜１２ｋＶであることが好ましい。加速電圧が過小である場合には、高い光の出力を得ることが困難となる。一方、加速電圧が過大である場合には、半導体発光素子２０からＸ線が発生しやすくなり、また、電子線のエネルギーにより、半導体発光素子２０がダメージを受けやすくなるため、好ましくない。
また、電界制御用電源５７によって電子線源装置３０と電界制御用電極５０との間に印加される電圧は、例えば−２〜２ｋＶである。
【００２７】
而して、上記の電子線励起型光源装置によれば、半導体発光素子２０の外周側面および電子線源装置３０からの電子線が入射される一面２０ａの外周縁部を被覆するよう設けられた導電性膜２８よりなる除電部材を具えていることにより、電子線源装置３０からの電子線の照射により半導体発光素子２０の一面２０ａに電荷が蓄積されることが防止または抑制されるので、電子線源装置３０から放射される電子線の軌道が変化したり、あるいは、電子線源装置３０からの電子が半導体発光素子２０の一面２０ａによって反発されたりすることを回避することができて電子線源装置３０からの電子線を効率よく半導体発光素子２０の一面２０ａに照射することができ、従って、高い光出力（発光効率）を得ることができる。
【００２８】
さらにまた、半導体発光素子２０における電子線源装置３０からの電子線が入射される一面２０ａから光が放射される構成とされているため、半導体発光素子２０の、電子線が入射される一面２０ａに対向する他面２０ｂから導電性支持体１６を介して当該半導体発光素子２０を冷却することが可能である。従って、半導体発光素子２０を効率よく冷却することができるので、この点においても、半導体発光素子２０の発光効率が低下することがなくて高い出力の光が維持される。
【実施例１】
【００２９】
図１乃至図３に示す構成に従って本発明に係る電子線励起型光源装置を作製した。この電子線励起型光源装置の仕様は次に示す通りである。
〔真空容器（１０）〕
容器基体（１１）：材質；コバールガラス、外形の寸法；４０ｍｍ×４０ｍｍ×２０ｍｍ、肉厚；２ｍｍ、開口；３６ｍｍ×３６ｍｍ、
光透過窓（１５）：材質；サファイア、寸法；４０ｍｍ×４０ｍｍ×２ｍｍ、
〔電子線源装置（３０）〕
電子線放出部（３２）：外径；２４ｍｍ、内径；２０ｍｍ、厚み；０．０２ｍｍ、電子線が放射される面の面積；１３８ｍｍ２、
〔半導体発光素子（２０）〕
基板（２１）：材質；サファイア、厚み；４００μｍ、
バッファ層（２２）：材質；ＧａＮ、厚み；２μｍ、
活性層（２５）：量子井戸層（２６）の材質；ＩｎＧａＮ、量子井戸層（２６）の厚み；３ｎｍ、障壁層（２７）の材質；ＧａＮ、障壁層（２７）の厚み；１８ｎｍ、量子井戸層（２６）の周期；６、
導電性膜（２８）：材質；Ａｇ、厚み５００μｍ、
【００３０】
また、上記において作製した電子線励起型光源装置において、図４に示すように、チャージアップ抑制部材を有さない構成とされていることの他は本発明に係る電子線励起型光源装置におけるものと同一の構成を有する半導体発光素子２０１を具えた比較用の電子線励起型光源装置を作製した。
【００３１】
本発明に係る電子線励起型光源装置および比較用の電子線励起型光源装置を、以下に示す動作条件で作動させたときの光出力および発光効率を測定した。結果を下記表１に示す。表１中、本発明に係る電子線励起型光源装置における光出力の値および発光効率の値は、いずれも、比較用の電子線励起型光源装置における光出力の値および発光効率の値の相対値を示す。
＜動作条件＞
電子線源装置と引き出し電極との間に印加される電圧；２ｋＶ、
電子線の加速電圧：８ｋＶ、
電子線源装置と電界制御用電極との間に印加される電圧：１ｋＶ、
半導体発光素子への入力電力：３２ｍＷ
【００３２】
【表１】
2013033640.tif 000003
【００３３】
以上の結果より、半導体発光素子に除電部材が設けられた本発明に係る電子線励起型光源装置によれば、比較用の電子線励起型光源装置の２０倍の大きさの光出力が得られることが確認された。
【００３４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更を加えることができる。
例えば、除電部材を構成する導電性膜は、半導体発光素子における電子線源装置からの電子線が照射される表面の外周縁部および半導体発光素子の外周側面の全部を必ずしも被覆するよう形成されている必要はなく、半導体発光素子における電子線源装置からの電子線が照射される表面の外周縁部および半導体発光素子の外周側面の少なくとも一部に形成された構成としても効果は望める。
また、除電部材は、半導体発光素子における電子線源装置からの電子線が照射される表面にパターン化されて形成された導電性膜、例えば開口を有する導電性膜により構成されていてもよい。
【００３５】
上記の実施の形態においては、半導体発光素子における電子線が入射される一面から光が放射される構成のものについて説明したが、図５に示すように、電子線源装置３０が電子線放出部３２の表面が半導体発光素子２０の一面と対向する状態で配置され、半導体発光素子２０の一面に電子線源装置３０からの電子線が入射されることにより半導体発光素子２０の他面から放射される光が光透過窓１５を介して出射される構成とされていてもよい。
【００３６】
さらにまた、電子線源装置は、面状の電子線放射部を有するものであれば、その具体的な形状は特に限定されず、また、カーボンナノチューブよりなるものに限定されない。また、電子線源の配置位置は、半導体発光素子の周辺であって、当該半導体発光素子の光出射面に電子線を入射することができる位置であれば、特に限定されない。
【符号の説明】
【００３７】
１０  真空容器
１１  容器基体
１５  光透過窓
１６  導電性支持体
１８  半導体発光素子保持部材
２０，２０１  半導体発光素子
２０ａ  一面
２０ｂ  他面
２１  基板
２２  バッファ層
２５  活性層
２６  量子井戸層
２７  障壁層
２８  導電性膜
２８ａ  リード部
Ｓ  導電性接着剤
３０  電子線源装置
３１  カソード電極
３１ａ  電子線放出層
３１ｂ  カソード基板
３２  電子線放出部
３２ａ  電子線放出面
３５  ベース
３６  ベースフレーム
３７  支持部材
３９  ベースフレーム
４０  シールド部材
４１  胴部
４２  フランジ部
４６  電子引き出し電極
４８  キャップ部材
４８ａ  先端部
５０  電界制御用電極
５１  胴部
５２  テーパ部
５５  電子加速手段
５６  電子放出用電源
５７  電界制御用電源
７１  ガラスバルブ
７２  フェースプレート
７３ａ，７３ｂ  反射層
７４  半導体発光素子
７５  電子銃
８０  真空容器
８１  光透過窓
８２  半導体発光素子
８３，８４  光反射部材
８５  レーザ構造体
８６  電子線源
８７  電子加速手段
【図１】
2013033640.tif 000004
【図２】
2013033640.tif 000005
【図３】
2013033640.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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