(57)【要約】【課題】反射層と発光素子との干渉を抑制しつつ、発光素子の小型化に対応することができる配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】配線基板１は、放熱板１０と、放熱板１０上に形成された絶縁層２０と、絶縁層２０の第１主面２０Ａ上に形成された反射層３０と、反射層３０に形成された凹部３１の底面３１Ａ上に形成された配線パターン４０と、配線パターン４０の第１主面４０Ａを被覆するように形成され、発光素子が接合されるパッド５０Ｐを有する金属層５０とを有する。反射層３０は、配線パターン４０の側面及び金属層５０の側面を被覆するように形成され、且つ該反射層３０の表面である第１主面３０Ａがパッド５０Ｐと面一になるように形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱板と、
前記放熱板上に絶縁部材を介して形成された複数の配線パターンと、
前記各配線パターンの第１主面を被覆するように形成され、発光素子が接合されるパッドを有する金属層と、
前記配線パターンの側面及び前記金属層の側面を被覆するように形成された反射層と、を有し、
前記各配線パターンの第２主面が前記絶縁部材に接触され、
前記反射層の表面が前記パッドと面一になるように形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁部材は、前記放熱板上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された前記反射層とからなり、
前記反射層は、前記配線パターンの前記第２主面を被覆するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁部材は、前記放熱板上に形成された絶縁層であり、
前記絶縁層は、熱伝導率の高い材料からなり、
前記配線パターンは、該配線パターンの前記第２主面が前記絶縁層に接触するように、前記絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁部材は、前記反射層であり、
前記反射層は、前記放熱板上に形成され、前記配線パターンの前記第２主面を被覆するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
放熱板と、
前記放熱板上に絶縁部材を介して形成された複数の配線パターンと、
前記各配線パターンの第１主面を被覆するように形成され、発光素子が接合されるパッドを有する金属層と、
前記配線パターンの側面及び前記金属層の側面を被覆するように形成された反射層と、
前記パッド上に接合された前記発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂と、を有し、
前記各配線パターンの第２主面が前記絶縁部材に接触され、
前記反射層の表面が前記パッドと面一になるように形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
支持基板の第１主面上に、発光素子と接合されるパッドを有する金属層を形成し、前記金属層上に配線パターンを積層する工程と、
前記配線パターンから露出された前記支持基板の第１主面上に、前記金属層の側面全面、前記配線パターンの側面全面、及び、前記配線パターンの前記金属層と接する第１主面とは反対側の第２主面の全面を被覆する反射層を形成する工程と、
前記支持基板を除去する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記反射層の前記支持基板と接する第１主面とは反対側の第２主面側から前記反射層を薄化して、前記配線パターンの第２主面を露出させる工程を有することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記反射層の第２主面上に、熱伝導率の高い材料からなる絶縁層と放熱板とを順に積層する、又は前記反射層の第２主面上に前記放熱板を積層する工程を有することを特徴とする請求項６又は７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記反射層を形成する工程は、
前記支持基板の第１主面上に、放熱板に半硬化状態の絶縁樹脂が接着された構造体を、前記絶縁樹脂が前記支持基板の第１主面に対向するように配置する工程と、
前記支持基板の第１主面に前記構造体をラミネートする工程と、
前記絶縁樹脂を硬化して前記反射層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記支持基板は、キャリア層の一面側に剥離層を介して金属箔が積層されたキャリア付き金属箔であり、
前記金属箔の表面が前記支持基板の第１主面であることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子が基板に実装されてなる発光装置には、様々な形状のものが提案されている。この種の発光装置としては、金属製の基板に形成された絶縁層上に配線層を形成し、その配線層上に発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）などの発光素子を実装した構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０９２０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、上記発光装置の用途は、照明装置や表示装置などに拡大している。このような用途では、複数の発光素子を高密度に実装することが望まれている。このような要求に応えるべく、発光ダイオードの小型化が進んでいる。さらに、この小型化に伴って、例えば上記配線層上に発光素子をフリップチップ実装する際のバンプの微細化が進み、発光素子と配線層との間隔が狭小化されている。その一方で、近年の発光装置では、発光素子で発光した光を効率良く使用するために素子実装表面に反射率の高い反射層が形成される。しかしながら、このような反射層が形成されると、その反射層と上記小型化された発光素子とが干渉（接触）しやすくなるという問題がある。このため、反射層と発光素子との干渉を抑制しつつ、小型化された発光素子を安定して実装可能な発光装置の開発が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、放熱板と、前記放熱板上に絶縁部材を介して形成された複数の配線パターンと、前記各配線パターンの第１主面を被覆するように形成され、発光素子が接合されるパッドを有する金属層と、前記配線パターンの側面及び前記金属層の側面を被覆するように形成された反射層と、を有し、前記各配線パターンの第２主面が前記絶縁部材に接触され、前記反射層の表面が前記パッドと面一になるように形成されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、反射層と発光素子との干渉を抑制しつつ、発光素子の小型化に対応することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は、一実施形態の配線基板を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す配線基板のＡ−Ａ概略断面図。
【図２】（ａ）は、一実施形態の発光装置を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す発光装置のＢ−Ｂ概略断面図。
【図３】一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略平面図。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｄ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。なお、（ａ）、（ｂ）、（ｄ）は、（ｃ）のＣ−Ｃ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図５】（ａ）、（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。なお、（ａ）、（ｃ）は、（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｄ）は、図５（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の発光装置の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線位置における発光装置の断面構造を示している。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｄ）は、図５（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｃ）は、図５（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図５（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｄ）は、図５（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｃ）は、図５（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図１３】（ａ）、（ｂ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図５（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図５（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図１５】（ａ）〜（ｄ）は、変形例の配線基板及び発光装置の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｄ）は、図５（ｂ）のＤ−Ｄ線位置における配線基板及び発光装置の断面構造を示している。
【図１６】（ａ）、（ｂ）は、変形例の金属層を示す概略平面図。
【図１７】変形例の金属層を示す概略平面図。
【図１８】発光装置の適用例を示す概略断面図。
【図１９】（ａ）、（ｂ）は、発光装置の実装例を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを省略している。
【０００９】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図７に従って説明する。
（配線基板の構造）
図１（ｂ）に示すように、配線基板１は、放熱板１０と、放熱板１０の上面を覆う絶縁層２０と、絶縁層２０上に形成された反射層３０と、反射層３０に埋設された配線パターン４０と、配線パターン４０上に形成された金属層５０とを有している。この配線基板１は、例えば発光装置に適用される配線基板である。
【００１０】
放熱板１０は、例えば平面視して略矩形状の薄板である。放熱板１０の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などの熱伝導性に優れた金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む合金を用いることができる。また、放熱板１０の材料としては、例えば窒化アルミニウムやアルミナ等の熱伝導性に優れたセラミック材を用いることもできる。放熱板１０の厚さは、例えば０．５〜１．０ｍｍ程度とすることができる。
【００１１】
絶縁層２０は、放熱板１０の上面全面を覆うように形成されている。絶縁層２０の材料としては、例えば熱伝導率の高い（例えば、１〜１０Ｗ／ｍＫ程度）絶縁性樹脂を用いることができる。具体的には、絶縁層２０の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。絶縁層２０の厚さは、例えば５０〜８０μｍ程度とすることができる。この絶縁層２０は、放熱板１０と配線パターン４０とを絶縁する機能と、放熱板１０と反射層３０とを接着する機能とを有する。なお、絶縁層２０の絶縁性が高い場合には、放熱性の観点から、絶縁層２０を薄く形成することが好ましい。
【００１２】
反射層３０は、絶縁層２０の第１主面２０Ａ全面を覆うように形成されている。反射層３０は、高い反射率を有する。具体的には、反射層３０は、波長が４５０ｎｍ〜７００ｎｍの間で５０％以上（好適には８０％以上）の反射率を有する。このような反射層３０は、白色レジスト層とも呼ばれる。この反射層３０の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることができる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂やオルガノポリシロキサン系樹脂に白色の酸化チタン（ＴｉＯ２）や硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）からなるフィラーや顔料を含有した樹脂材を用いることができる。このような反射層３０（白色レジスト層）により配線基板１の最表面を覆うことにより、配線パターン４０の保護に加えて、当該配線基板１に実装される発光素子からの光の反射率を高め、発光素子の光量ロスを低減させることができる。なお、反射層３０の厚さは、例えば２０〜１３０μｍ程度とすることができる。
【００１３】
また、反射層３０の第１主面３０Ａ（図１（ｂ）では、上面）には、所要の箇所（図１（ｂ）では、５つ）に凹部３１が形成されている。この凹部３１は、反射層３０の第１主面３０Ａから反射層３０の厚さ方向の中途位置まで形成されている、つまり凹部３１の底面３１Ａが反射層３０の厚さ方向の中途に位置するように形成されている。図１（ａ）に示すように、凹部３１の平面形状は、平面視帯状又は平面視長方形状に形成されている。そして、これら複数の凹部３１が平行に隣接して形成されている。
【００１４】
図１（ｂ）に示すように、各凹部３１の底面３１Ａ上には、配線パターン４０が形成されている。これら複数の配線パターン４０は、平行に隣接して配置されている。これら各配線パターン４０の側面は、上記凹部３１の側壁を構成する反射層３０によって覆われている。換言すると、隣接する配線パターン４０は、凹部３１の側壁を構成する反射層３０によって電気的に分離されている。このように配線パターン４０は、反射層３０内に埋め込まれるように形成されている。また、各配線パターン４０の平面形状は、図示は省略するが、凹部３１の平面形状と同様に、平面視帯状又は平面視長方形状に形成されている。なお、配線パターン４０の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。配線パターン４０の厚さは、例えば３０〜１００μｍ程度とすることができる。また、各配線パターン４０間の幅は、例えば０．１〜０．３ｍｍ程度とすることができる。
【００１５】
金属層５０は、各配線パターン４０の第１主面４０Ａ（図１（ｂ）では、上面）全面を覆うように上記凹部３１内に形成されている。具体的には、図１（ａ）に示すように、平面視帯状（平面視長方形状）の複数（図１（ａ）では、５つ）の金属層５０が平行に隣接して形成されている。そして、隣接する金属層５０は、凹部３１の側壁を構成する反射層３０によって電気的に分離されている。図１（ｂ）に示すように、各金属層５０は、その第１主面５０Ａ（図１（ｂ）では、上面）が反射層３０の第１主面３０Ａと面一になるように形成されている。このため、金属層５０は、その第１主面５０Ａ全面が反射層３０から露出されている。また、図１（ａ）に示すように、反射層３０から露出された金属層５０は、発光素子６０（図２参照）が実装される実装領域ＣＡとなる領域を多数有し、電極端子として機能する一対の端子領域ＴＡを有する。ここで、実装領域ＣＡは、金属層５０上にマトリクス状（図１（ａ）では、４×４）に配列されている。この実装領域ＣＡでは、上記凹部３１の側壁を構成する反射層３０によって分離され、且つその反射層３０を挟んで形成された一対の金属層５０が外部に露出されている。これら一対の金属層５０は、発光素子６０（図２参照）が接合されるパッド５０Ｐとしてそれぞれ機能する。また、上記一対の端子領域ＴＡは、実装領域ＣＡよりも外側の金属層５０上に配置されている。具体的には、一対の端子領域ＴＡは、５つの金属層５０のうち最も外側に配置された２つの金属層５０上であって、それら金属層５０に配置された実装領域ＣＡよりも外側に配置されている。
【００１６】
上記金属層５０の例としては、銀（Ａｇ）層や、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。また、金属層５０の例としては、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ／Ａｕ（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）なども挙げることができる。なお、金属層５０が例えばＮｉ／Ａｕ層である場合には、Ｎｉ層の厚さを１〜１０μｍ程度とすることができ、Ａｕ層の厚さを０．０５〜２μｍ程度とすることができる。
【００１７】
（発光装置の構造）
次に、発光装置２の構造について説明する。
図２（ｂ）に示すように、発光装置２は、上記配線基板１と、その配線基板１に実装された複数（図２（ａ）では１６個）の発光素子６０と、発光素子６０等を封止する封止樹脂６５とを有している。
【００１８】
各発光素子６０は、配線基板１の各実装領域ＣＡに形成された一対のパッド５０Ｐ上に実装されている。具体的には、各発光素子６０は、上記一対のパッド５０Ｐ間に形成された反射層３０、つまり凹部３１の側壁を構成する反射層３０を跨るように、その反射層３０の両側に形成された２つのパッド５０Ｐ上にフリップチップ実装されている。より具体的には、発光素子６０の一方の面（図２（ｂ）では、下面）に形成された一方のバンプ６１が上記２つのパッド５０Ｐのうちの一方のパッド５０Ｐにフリップチップ接合され、他方のバンプ６１が他方のパッド５０Ｐにフリップチップ接合されている。これにより、各発光素子６０の各バンプ６１は、パッド５０Ｐ（金属層５０）を介して配線パターン４０と電気的に接続されている。また、図２（ａ）に示すように、発光素子６０は、配線基板１上にマトリクス状（図２（ａ）では、４×４）に配列されている。このため、発光装置２では、一対の端子領域ＴＡ間に４個の発光素子６０が直列に接続されるとともに、それら直列に接続された発光素子６０群が４つ並列に接続されることになる。そして、これら発光素子６０は、外部の電源（図示略）から端子領域ＴＡに形成された金属層５０や配線パターン４０を介して給電されて発光する。なお、発光素子６０の平面形状は例えば矩形状に形成されており、そのサイズは例えば０．３〜０．５ｍｍ２程度である。また、バンプ６１の高さは、例えば３０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００１９】
上記発光素子６０としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。バンプ６１としては、例えば金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【００２０】
図２（ｂ）に示すように、封止樹脂６５は、発光素子６０及びバンプ６１等を封止するように配線基板１の上面に設けられている。この封止樹脂６５の材料としては、例えばシリコーン樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。このような蛍光体を含有させた樹脂材を発光素子６０上に形成することにより、発光素子６０の発光と蛍光体の発光の混色を用いることが可能となり、発光装置２の発光色を様々に制御することができる。
【００２１】
（作用）
本実施形態の配線基板１では、発光素子６０が実装される実装面側の最表層に形成された反射層３０の第１主面３０Ａ（最表面）が、パッド５０Ｐとして機能する金属層５０の第１主面５０Ａ（最表面）と面一になるように形成されている。すなわち、反射層３０の表面がパッド５０Ｐと面一になるように形成されている。これにより、反射層３０がパッド５０Ｐ表面よりも上方に突出しないため、その反射層３０と発光素子６０との干渉（接触）が好適に抑制される。
【００２２】
（配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１の製造方法について図３〜図６に従って説明する。
まず、配線基板１を製造するためには、図３及び図４（ａ）に示すように、多数個取り用の支持基板７０を用意する。支持基板７０は、配線基板１が形成される領域である配線基板形成領域Ｃ１がマトリクス状（図３では、３×３）に形成された区画を複数（図３では、３つ）有している。この支持基板７０としては、例えば金属板や金属箔を用いることができ、本実施形態では、例えば銅板を用いる。この支持基板７０の厚さは、例えば０．３〜１．０ｍｍである。本製造方法では、配線基板形成領域Ｃ１に配線基板１となる部材が作製され、支持基板７０が除去された後に、切断線Ｄ１に対応する位置に沿ってダイシングブレード等によって切断されて配線基板１に対応する構造体が個片化される。なお、以下に示す図４〜図６においては、説明の便宜上、一つの配線基板形成領域Ｃ１の構造を示している。
【００２３】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、支持基板７０の第１主面７０Ａ（図中の上面）に、開口部７１Ｘを有するレジスト層７１を形成し、支持基板７０の第２主面７０Ｂ（図中の下面）全面を覆うレジスト層７２を形成する。ここで、支持基板７０の第１主面７０Ａは平坦に形成されている。上記開口部７１Ｘは、配線パターン４０及び金属層５０（図１参照）の形成領域に対応する部分の支持基板７０の第１主面７０Ａを露出するように形成される。すなわち、図４（ｃ）に示すように、レジスト層７１には、平面視帯状（平面視長方形状）の複数（図４（ｃ）では、５つ）の開口部７１Ｘが平行に隣接して形成される。図４（ｂ）に示すように、レジスト層７１は、比較的厚く（例えば０．０５〜０．１５ｍｍ程度）形成される。このレジスト層７１は、複数層のレジスト層を重ねることにより厚く形成するようにしてもよい。一方、レジスト層７２の厚さは、次工程で支持基板７０の第２主面７０Ｂにめっきが施されないようにその第２主面７０Ｂ全面を被覆することのできる厚さがあれば十分であり、例えば０．０２〜０．０５ｍｍ程度とすることができる。なお、レジスト層７１，７２の材料としては、耐めっき性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層７１，７２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、支持基板７０の両面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、支持基板７０の第１主面７０Ａにラミネートされたドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層７１，７２を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層７１，７２を形成することができる。
【００２４】
続いて、図４（ｄ）に示す工程では、上記レジスト層７１，７２をめっきマスクとして、支持基板７０の第１主面７０Ａに、支持基板７０をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層７１の開口部７１Ｘから露出された支持基板７０の第１主面７０Ａに電解めっき法を施すことにより、開口部７１Ｘ内に金属層５０と配線パターン４０とを順に積層する。例えば金属層５０がＡｕ層、Ｎｉ層をこの順番で順次積層した構造であり、配線パターン４０がＣｕ層である場合には、まず、支持基板７０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、支持基板７０の第１主面７０Ａ上にＡｕ層、Ｎｉ層を順に積層して金属層５０を形成する。次いで、支持基板７０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、金属層５０上にＣｕ層を形成して配線パターン４０を形成する。
【００２５】
次に、図５（ａ）に示す工程では、図４（ｄ）に示したレジスト層７１，７２を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。このとき、図５（ｂ）に示すように、支持基板７０の上面には、平面視帯状（平面視長方形状）の複数の配線パターン４０が露出される。
【００２６】
次いで、図５（ｃ）に示す工程では、支持基板７０の第１主面７０Ａ上に、金属層５０及び配線パターン４０を覆うように反射層３０を形成する。この反射層３０は、金属層５０の側面全面、配線パターン４０の側面全面及び配線パターン４０の第２主面４０Ｂ（図５（ｃ）では、上面）全面を覆うように形成される。換言すると、本工程では、金属層５０及び配線パターン４０を収容する凹部３１を有する反射層３０が形成される。また、このとき、支持基板７０の第１主面７０Ａと接する反射層３０の第１主面３０Ａ及び上記金属層５０の第１主面５０Ａは、支持基板７０の第１主面７０Ａ（平坦面）に沿った形状に形成される。すなわち、反射層３０の第１主面３０Ａ及び上記金属層５０の第１主面５０Ａには、支持基板７０の第１主面７０Ａの形状が転写される。このため、反射層３０の第１主面３０Ａ及び上記金属層５０の第１主面５０Ａは平坦に形成され、それら第１主面３０Ａと第１主面５０Ａとが面一になるように形成される。
【００２７】
このような反射層３０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。このとき、上述したように配線パターン４０の第２主面４０Ｂ全面を覆うように反射層３０が形成されるため、支持基板７０の第１主面７０Ａ全面に対して樹脂ペーストを吐出させることができる。したがって、スクリーン印刷法で問題となる位置ずれや滲み等を考慮することなく、支持基板７０の第１主面７０Ａ上に反射層３０を形成することができる。これにより、各配線パターン４０間及び各金属層５０間の間隔が狭くなった場合であっても、それら各配線パターン４０間及び各金属層５０間に反射層３０を容易に形成することができる。
【００２８】
続いて、図５（ｃ）に示す工程では、反射層３０を１５０℃程度の温度雰囲気でキュア（熱硬化処理）を行うことにより硬化させる。
次に、図６（ａ）に示す工程では、仮基板として用いた支持基板７０（図５（ｃ）参照）を除去する。例えば支持基板７０として銅板を用いる場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより、支持基板７０の除去を行うことができる。この際、反射層３０が樹脂材からなり、反射層３０から露出する金属層５０の最表層がＡｕ層等であるため、銅板である支持基板７０のみを選択的にエッチングすることができる。このように支持基板７０が除去されると、面一に形成された金属層５０の第１主面５０Ａ及び反射層３０の第１主面３０Ａが露出される。このとき、実装領域ＣＡに形成された金属層５０がパッド５０Ｐとして露出され、端子領域ＴＡに形成された金属層５０が電極端子として露出される。
【００２９】
次に、図６（ｂ）示す工程では、多数個取り基板（以下、単に「基板」ともいう。）１０Ａに絶縁層２０となるシート状の絶縁層２１が接着された構造体２２を用意する。基板１０Ａは、図示は省略するが、上記支持基板７０と同様に多数の配線基板形成領域Ｃ１を有している。この基板１０Ａは、図６（ａ）に示した構造体に積層された後に、切断線Ｄ１に沿ってダイシングブレード等によって切断され、図１に示した放熱板１０となる。このため、基板１０Ａの材料としては、放熱板１０と同様に、例えば銅、アルミニウムや鉄などの熱伝導性に優れた金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む合金を用いることができる。また、絶縁層２１の材料としては、例えば熱硬化性を有するエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材が用いられる。絶縁層２１は、Ｂ−ステージ状態（半硬化状態）のものが用いられる。絶縁層２１の厚さは、例えば５０〜８０μｍ程度とすることができる。
【００３０】
また、図６（ｂ）に示す工程では、図６（ａ）に示した構造体の上面側に上記構造体２２を配置する。このとき、構造体２２は、絶縁層２１が反射層３０の第２主面３０Ｂ（図６（ｂ）では、上面）と対向するように絶縁層２１を下側に向けた状態で配置される。そして、反射層３０の第２主面３０Ｂにシート状の構造体２２を熱圧着によりラミネートする。これにより、反射層３０の第２主面３０Ｂ上に絶縁層２１及び基板１０Ａが積層される。その後、絶縁層２１を１５０℃程度の温度雰囲気でキュアを行うことにより硬化させて、絶縁層２０を形成する。この絶縁層２１の硬化に伴って、絶縁層２０と反射層３０が接着されるとともに、絶縁層２０と基板１０Ａとが接着される。これにより、絶縁層２０及び反射層３０を介して配線パターン４０と基板１０Ａとが接着される。
【００３１】
次に、図６（ｃ）に示す工程では、同図に示す構造体を切断線Ｄ１に沿って切断する。これにより、図６（ｄ）に示すように本実施形態の配線基板１が個片化され、複数の配線基板１が製造される。なお、図６（ｄ）において、同図に示す構造体は図６（ｃ）とは上下反転して描かれている。
【００３２】
（発光装置の製造方法）
次に、発光装置２の製造方法を図７に従って説明する。
図７（ａ）に示す工程では、上記配線基板１の各実装領域ＣＡ内に形成されたパッド５０Ｐ上に発光素子６０を実装する。具体的には、隣り合うパッド５０Ｐの各々の上面に、発光素子６０のバンプ６１をフリップチップ接合する。例えばバンプ６１が金バンプである場合には、そのバンプ６１を金属層５０上に超音波接合することにより固定する。
【００３３】
次に、図７（ｂ）に示す工程では、配線基板１上に実装された複数の発光素子６０及びバンプ６１を封止する封止樹脂６５を形成する。例えば封止樹脂６５として熱硬化性を有する樹脂を用いる場合には、図７（ａ）に示した構造体を金型内に収容し、金型内に圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化した樹脂を導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることで、封止樹脂６５を形成する。なお、封止樹脂６５は、液状の樹脂のポッティングにより形成することもできる。以上の製造工程により、図２に示した発光装置２が製造される。
【００３４】
（効果）
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）発光素子６０が実装される実装面側の最表層に形成された反射層３０の第１主面３０Ａ（最表面）を、パッド５０Ｐとして機能する金属層５０の第１主面５０Ａ（最表面）と面一になるように形成した。これにより、反射層３０がパッド５０Ｐ表面よりも上方に突出しないため、その反射層３０と上記パッド５０Ｐにフリップチップ接合される発光素子６０との干渉（接触）が好適に抑制される。このため、発光素子６０のバンプ６１が微細化し、発光素子６０とパッド５０Ｐ間の隙間が狭くなった場合であっても、反射層３０と発光素子６０との干渉を好適に抑制することができる。したがって、微細化されたバンプ６１による発光素子６０の実装が可能となり、発光素子６０の小型化に対応することができる。
【００３５】
別の見方をすると、配線基板１では、発光素子６０が実装される実装面（反射層３０の第１主面３０Ａ及び金属層５０の第１主面５０Ａ）が平坦に形成される。このため、例えば発光素子６０のバンプ６１の高さが同じであれば、配線基板１とその配線基板１に実装された発光素子６０との間隔が略一定になる。このように配線基板１と発光素子６０との間隔が安定すると、その間隔を狭くしても反射層３０と発光素子６０との干渉を抑制することができる。このため、微細化されたバンプ６１が形成された発光素子６０を安定して実装することができる。
【００３６】
（２）また、実装領域ＣＡの周辺領域と併せて、発光素子６０の直下にも反射層３０が形成されている。このため、発光素子６０の直下に反射層３０を形成しない場合と比べて、発光素子６０からの光の反射率を高めることができる。したがって、発光素子６０の光量ロスを好適に低減させることができる。
【００３７】
（３）平坦面である支持基板７０の第１主面７０Ａ上に、金属層５０及び配線パターン４０を形成し、さらにそれら金属層５０及び配線パターン４０を被覆するように反射層３０を形成した後に、支持基板７０を除去するようにした。これにより、支持基板７０の第１主面７０Ａと接する反射層３０の第１主面３０Ａ及び金属層５０の第１主面５０Ａが第１主面７０Ａ（平坦面）に沿った形状に形成される。このため、反射層３０の第１主面３０Ａ及び上記金属層５０の第１主面５０Ａを容易に平坦に形成することができ、それら第１主面３０Ａと第１主面５０Ａとを面一に容易に形成することができる。
【００３８】
ところで、放熱板１０上に絶縁層２０、配線パターン４０及び金属層５０を順に積層し、配線パターン４０の側面全面及び金属層５０の側面全面を確実に被覆するように反射層３０を形成する場合には、金属層５０の第１主面５０Ａと反射層３０の第１主面３０Ａとを面一に形成することは困難である。詳述すると、まず、反射層３０はその特性から熱硬化性の絶縁性樹脂であることが多く、スクリーン印刷法により形成されることが多い。しかしながら、スクリーン印刷法は、フォトリソグラフィ法などと比べて位置合わせ精度が低く、滲みが発生しやすい。このため、配線パターン４０及び金属層５０の保護のために、配線パターン４０の側面全面及び金属層５０の側面全面を確実に被覆するためには、位置ずれや滲み等を考慮して、金属層５０の一部を被覆するように反射層３０を形成する必要がある。さらに、スクリーン印刷法はフォトリソグラフィ法などと比べて厚さ精度も低いため、上述のように金属層５０上に反射層３０が形成されると、その反射層３０の厚さにばらつきが生じる。これにより、反射層３０と発光素子６０との干渉が発生しやすくなってしまう。
【００３９】
これに対し、本実施形態の製造方法によれば、配線パターン４０の側面全面及び金属層５０の側面全面を被覆するように反射層３０を形成しつつも、その反射層３０の第１主面３０Ａと金属層５０の第１主面５０Ａとを容易に面一に形成することができる。また、上記製造方法によれば、金属層５０の第１主面５０Ａ上への反射層３０の滲みが発生しないため、金属層５０及び配線パターン４０を所望のパターンに高精度に形成することができる。さらに、上述のように金属層５０の第１主面５０Ａの一部を被覆するように反射層３０を形成する必要がないため、金属層５０及び配線パターン４０の設計の自由度を向上させることができる。
【００４０】
（４）支持基板７０上に形成された配線パターン４０の第２主面４０Ｂ全面を覆うように反射層３０を形成するようにした。これにより、支持基板７０の第１主面７０Ａ全面に対して樹脂ペーストを吐出させることができる。このため、スクリーン印刷法で反射層３０を形成する場合であっても、そのスクリーン印刷法で問題となる位置ずれや滲み等を考慮することなく、支持基板７０の第１主面７０Ａ上に反射層３０を形成することができる。したがって、各配線パターン４０間及び各金属層５０間の間隔が狭くなった場合であっても、それら各配線パターン４０間及び各金属層５０間に反射層３０を容易に形成することができる。
【００４１】
（５）支持基板７０の第１主面７０Ａ上に電解めっき法により金属層５０及び配線パターン４０を形成した後に、それら配線パターン４０及び金属層５０を覆う反射層３０を形成するようにした。この場合には、電解めっき法により金属層５０及び配線パターン４０を形成する際には、反射層３０が形成されていないため、その反射層３０の存在に起因してめっき液が劣化することを未然に防止することができる。これにより、めっき液の液寿命を延ばすことができ、そのめっき液を継続的に使用することができる。この結果、コスト削減に貢献することができる。
【００４２】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記実施形態では、配線パターン４０の第２主面４０Ｂの全面を反射層３０で被覆するようにした。これに限らず、配線パターン４０の第２主面４０Ｂを反射層３０から露出させ、その第２主面４０Ｂ全面を絶縁層２０に接触させるようにしてもよい。このような構造の配線基板を製造する方法の一例を以下に説明する。
【００４３】
詳述すると、図８（ａ）に示すように、先の図４及び図５に示した工程と同様に、支持基板７０の第１主面７０Ａ上に、金属層５０の側面全面、配線パターン４０の側面全面及び配線パターン４０の第２主面４０Ｂ全面を被覆する反射層３０を形成する。次に、図８（ｂ）に示す工程では、反射層３０の第２主面３０Ｂ側を研磨又は研削する。具体的には、配線パターン４０の第２主面４０Ｂを被覆するように形成された反射層３０を研磨又は研削して除去することにより、配線パターン４０の第２主面４０Ｂを反射層３０から露出させる。すなわち、本工程では、配線パターン４０の第２主面４０Ｂが露出されるまで反射層３０の第２主面３０Ｂ側を研磨又は研削する。なお、上記研磨としては、例えばバフ研磨などを用いることができる。但し、バフ研磨は、加工する材料の展性によって加工レートが異なる。具体的には、バフ研磨では、相対的に脆性の大きい材料（例えば、硬化した樹脂）は加工レートが大きく、相対的に脆性の小さい材料（例えば、金属）は加工レートが小さくなる。そして、配線パターン４０の第２主面４０Ｂが確実に露出されるまで反射層３０の第２主面３０Ｂ側をバフ研磨すると、上述のような加工レートの違いに起因して、図８（ｂ）に示すように、配線パターン４０の第２主面４０Ｂが山なりに盛り上がるようにして反射層３０から露出される。
【００４４】
続いて、仮基板として用いた支持基板７０をウェットエッチング等により除去した後、図８（ｃ）に示すように、その除去後の構造体の上面側に、基板１０Ａに絶縁層２１が接着された構造体２２を配置する。そして、反射層３０の第２主面３０Ｂ及び配線パターン４０の第２主面４０Ｂにシート状の構造体２２を熱圧着によりラミネートする。このときの熱圧着により、図８（ｄ）に示すように、絶縁層２１中に反射層３０から露出された配線パターン４０が圧入される。これにより、反射層３０の第２主面３０Ｂ全面及び配線パターン４０の第２主面４０Ｂ全面が絶縁層２１によって被覆される。その後、絶縁層２１を１５０℃程度の温度雰囲気でキュアを行うことにより、絶縁層２０を形成する。
【００４５】
このような構造によれば、配線パターン４０が高い熱伝導率を有する材料からなる絶縁層２０に直接接触される。このため、発光素子６０で生じた熱を配線パターン４０から絶縁層２０に効率良く伝導させることができ、ひいては発光素子６０で生じた熱を放熱板１０に効率良く伝導させることができる。したがって、発光装置２における放熱性能を向上させることができる。この結果、発光素子６０の温度上昇を抑制することができるため、発光素子６０の発光効率の低下を好適に抑制することができる。
【００４６】
さらに、上述のようにバフ研磨により、配線パターン４０の第２主面４０Ｂを反射層３０から露出させると、配線パターン４０の第２主面４０Ｂが山なり状に形成される。このため、配線パターン４０の第２主面４０Ｂが平坦面の場合に比べて、その配線パターン４０と絶縁層２０との接触面積を増大させることができる。これにより、配線パターン４０から絶縁層２０への熱伝導量を増大させることができ、発光素子６０で生じた熱を放熱板１０に効率良く伝導させることができる。したがって、発光装置２における放熱性能をより向上させることができる。
【００４７】
なお、上記研磨・研削としては、バフ研磨に限らず、例えばブラスト処理やタングステン・カーバイトやダイヤモンドのような研削用の刃（工具）を利用して研削を行うバイト研削などを用いることもできる。
【００４８】
・上記実施形態では、製造過程で使用される仮基板として銅板からなる支持基板７０を用いるようにした。これに限らず、例えば図９（ａ）に示されるように、支持基板７０の代わりに、キャリア層８１の一面側に図示しない離型剤（剥離層）を介して極薄の金属箔８２が積層されたキャリア付き金属箔を支持基板８０として用いるようにしてもよい。金属箔８２としては、銅箔を用いることができる。この金属箔８２の厚さは、例えば１〜５μｍ程度とすることができる。キャリア層８１の材料としては、例えば銅又は銅合金を用いることができる。このキャリア層８１の厚さは、上記金属箔８２よりも厚く、例えば３０〜５０μｍ程度とすることができる。このキャリア層８１は、製造過程における構造体の機械的強度を確保するための支持部材として機能するとともに、ハンドリングの困難な金属箔８２を搬送するための部材としても機能する。これらキャリア層８１と金属箔８２との間に介在される離型剤としては、例えばシリコーン系離型剤やフッ素系離型剤を用いることができる。このような支持基板８０を除去する場合には、まず、キャリア層８１を機械的に剥離し、図９（ｂ）に示すように、金属箔８２の第１主面８２Ａ上に金属層５０、配線パターン４０及びそれらを被覆する反射層３０を形成した構造体を得る。次いで、金属箔８２をウェットエッチング等により除去し、図９（ｃ）に示すように、図９（ａ）に示した構造体から支持基板８０を除去する。このような支持基板８０を用いると、その支持基板８０の大部分（キャリア層８１）を機械的に剥離することができるため、ウェットエッチング等の化学的除去に要する時間を短縮することができる。ひいては、支持基板８０全体を除去するための時間を短縮することができ、コスト削減に貢献することができる。
【００４９】
・あるいは、例えば図１０（ａ）に示されるように、支持基板７０の代わりに、キャリア層８１の一面側に図示しない離型剤（剥離層）を介して極薄の金属箔８２が積層され、キャリア層８１の他面側にコア基板８３が積層された構造体を支持基板８０Ａとして用いるようにしてもよい。コア基板８３の材料としては、例えばガラスエポキシ樹脂などを用いることができる。コア基板８３の厚さは、例えば０．５〜２．０ｍｍ程度とすることができる。このような支持基板８０Ａを除去する場合には、まず、コア基板８３とキャリア層８１とを機械的に剥離し、図１０（ｂ）に示すように、金属箔８２の第１主面８２Ａ上に金属層５０、配線パターン４０及びそれらを被覆する反射層３０を形成した構造体を得る。次いで、金属箔８２をウェットエッチング等により除去し、図１０（ａ）に示した構造体から支持基板８０Ａを除去する。このような支持基板８０Ａを用いると、その支持基板８０Ａの大部分（キャリア層８１及びコア基板８３）を機械的に剥離することができるため、支持基板８０全体を除去するための時間を短縮することができる。さらに、コア基板８３によって製造工程における構造体の機械的強度を向上させることができる。
【００５０】
・上記実施形態では、支持基板７０の第１主面７０Ａ上に、金属層５０及び配線パターン４０を被覆する反射層３０を形成した後に、支持基板７０を除去するようにした。これに限らず、支持基板７０の第１主面７０Ａ上に配線基板１に相当する構造体を形成した後に、支持基板７０を除去するようにしてもよい。例えば上記反射層３０が比較的厚い（例えば、５０μｍ以上）場合には、支持基板７０を除去した後の構造体（図６（ａ）に示した構造体）の機械的強度を十分に確保することができるため、構造体２２（図６（ｂ）参照）の積層を容易に行うことができる。しかし、上記反射層３０が比較的薄い（例えば、２０〜４０μｍ程度）場合には、支持基板７０を除去した後の構造体の機械的強度が不十分になり、構造体２２の積層を安定して行うことができなくなる。そこで、図１１に示すように、支持基板７０の第１主面７０Ａ上に金属層５０、配線パターン４０及びそれらを被覆する反射層３０を形成した後に、支持基板７０を除去せずに、構造体２２を積層するようにしてもよい。
【００５１】
詳述すると、図１１（ａ）に示す工程では、図５（ｃ）に示した構造体の上面側に、基板１０Ａ及び絶縁層２１からなる構造体２２を配置する。そして、反射層３０の第２主面３０Ｂにシート状の構造体２２を熱圧着によりラミネートし、キュアを行う。これにより、反射層３０の第２主面３０Ｂ上に絶縁層２０及び基板１０Ａが積層される。続いて、図１１（ｃ）に示す工程では、基板１０Ａの第１主面１０Ｂ（図１１（ｃ）では、上面）全面を被覆するレジスト層８５を形成する。レジスト層８５の厚さは、次工程のエッチング工程で基板１０Ａの第１主面１０Ｂがエッチングされないようにその第１主面１０Ｂ全面を被覆することのできる厚さがあれば十分であり、例えば０．０２〜０．０５ｍｍ程度とすることができる。なお、レジスト層８５の材料としては、耐エッチング性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層８５の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。次いで、図１１（ｄ）に示す工程では、図６（ａ）に示した工程と同様に、仮基板として用いた支持基板７０（図１１（ｃ）参照）を除去する。その後、レジスト層８５を例えばアルカリ性の剥離液により除去することで、基板１０Ａの各配線基板形成領域Ｃ１に配線基板１に相当する構造体が形成される。
【００５２】
なお、上記変形例では、支持基板７０の除去前にレジスト層８５を形成するようにしたが、そのレジスト層８５の形成を省略してもよい。例えば支持基板７０の代わりに上記支持基板８０，８０Ａを用いる場合には、ウェットエッチング等で化学的に除去される金属箔８２の厚さが極薄（１〜５μｍ程度）であるため、この場合にレジスト層８５の形成を省略しても、放熱板１０は全体の厚さの数％程度しか除去されない。このため、このような場合にはレジスト層８５の形成を省略することができる。
【００５３】
・上記実施形態では、支持基板７０の第１主面７０Ａ上に開口部７１Ｘを有するレジスト層７１を形成し、その開口部７１Ｘから露出された第１主面７０Ａ上に金属層５０及び配線パターン４０を形成した後に、それら金属層５０及び配線パターン４０を被覆する反射層３０を形成するようにした。これに限らず、例えば支持基板７０の第１主面７０Ａ上に、上記開口部７１Ｘと同様の形状の開口部を有する反射層を形成し、その反射層の開口部から露出された第１主面７０Ａ上に金属層５０及び配線パターン４０を形成するようにしてもよい。なお、この場合の反射層の材料としては、耐めっき性がある材料であることが必要である。
【００５４】
・上記実施形態における絶縁層２０を省略するようにしてもよい。この場合、例えば以下のような製造方法によって配線基板を製造することができる。詳述すると、図１２（ａ）に示すように、支持基板７０の第１主面７０Ａ上に金属層５０及び配線パターン４０が形成された構造体の上面側に、基板１０Ａにシート状の反射層３２が接着された構造体３２Ａを配置する。このとき、構造体３２Ａは、反射層３２が配線パターン４０及び支持基板７０と対向するように反射層３２を下側に向けた状態で配置される。反射層３２の材料としては、例えば高い反射率を有し、熱硬化性を有する白色の絶縁性樹脂を用いることができる。さらに、反射層３２の材料としては、放熱性の観点から、熱伝導率の高い絶縁性樹脂であることが好ましい。なお、上記白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂に白色の酸化チタンや硫酸バリウムからなるフィラーや顔料を含有した樹脂材を用いることができる。また、反射層３２は、Ｂ−ステージ状態のものが使用される。この反射層３２の厚さは、例えば金属層５０及び配線パターン４０を被覆可能な厚さ、例えば２０〜１３０μｍ程度とすることができる。
【００５５】
そして、支持基板７０の第１主面７０Ａにシート状の構造体３２Ａを熱圧着によりラミネートする。このときの熱圧着により、図１２（ｂ）に示すように、反射層３２中に配線パターン４０及び金属層５０が圧入される。これにより、支持基板７０の第１主面７０Ａ、配線パターン４０の側面全面、金属層５０の側面全面及び配線パターン４０の第２主面４０Ｂ全面が反射層３２によって被覆される。その後、反射層３２を１５０℃程度の温度雰囲気でキュアを行うことにより硬化させて、反射層３３を形成する。なお、本工程により、反射層３３の第１主面３３Ａに配線パターン４０及び金属層５０を収容する凹部３４が形成され、その凹部３４の底面３４Ａ上に配線パターン４０が形成される。
【００５６】
このような製造方法によれば、反射層３２中に配線パターン４０及び金属層５０を圧入させるようにして、それら配線パターン４０及び金属層５０を被覆する反射層３３が形成される。このため、この製造方法によれば、各配線パターン４０間及び各金属層５０間の間隔が狭くなった場合であっても、それら各配線パターン４０間及び各金属層５０間に反射層３３を容易に形成することができる。なお、上記反射層３２を真空雰囲気中でラミネートすることにより、反射層３２中へのボイドの巻き込みを抑制することができる。
【００５７】
その後、支持基板７０をエッチングにより除去し、基板１０Ａ等を切断線Ｄ１に沿って切断して個片化することにより、図１２（ｃ）に示すような配線基板１Ａを得ることができる。この配線基板１Ａでは、発光素子６０の実装面側の最表層に形成される反射層３３の第１主面３３Ａ（最表面）が金属層５０の第１主面５０Ａ（最表面）と面一になるように形成されている。また、配線基板１Ａでは、絶縁層２０が省略され、反射層３３が放熱板１０と配線パターン４０とを接着させる機能及び放熱板１０と配線パターン４０とを絶縁させる機能を有している。さらに、配線基板１Ａでは、絶縁層２０が省略されるため、配線パターン４０と放熱板１０との間に介在される樹脂層の厚さを薄くすることができ、放熱性能を向上させることができる。
【００５８】
・また、例えば図１３（ａ）に示すように、支持基板７０の第１主面７０Ａ上に形成された金属層５０及び配線パターン４０を被覆するように反射層３３を形成し、その反射層３３上に基板１０Ａを積層するようにしてもよい。この場合であっても、図１３（ｂ）に示すように、金属層５０の側面全面、配線パターン４０の側面全面及び配線パターン４０の第２主面４０Ｂ全面を覆うように反射層３３が形成される。また、発光素子６０の実装面側の最表層に形成される反射層３３の第１主面３３Ａ（最表面）が金属層５０の第１主面５０Ａ（最表面）と面一になるように形成される。すなわち、このような製造方法であっても、図１２（ｃ）に示した配線基板１Ａと同様の構造を有する配線基板を製造することができる。なお、この場合の反射層３３は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法やロールコート法によって形成することができる。
【００５９】
・また、例えば図１４に示すように、支持基板７０の第１主面７０Ａ上に金属層５０及び配線パターン４０を被覆する反射層３０を形成した構造体に、基板１０Ａに反射層３０と同じ材料からなるシート状の反射層３２を接着した構造体３２Ａを積層するようにしてもよい。詳述すると、図１４（ａ）に示すように、反射層３０の第２主面３０Ｂにシート状の構造体３２Ａを熱圧着によりラミネートする。これにより、反射層３０の第２主面３０Ｂ上に反射層３２及び基板１０Ａが積層される。その後、反射層３２を１５０℃程度の温度雰囲気でキュアを行うことにより硬化させて、反射層３３を形成する。このような構造及び製造方法であっても、上記第１実施形態の（１）〜（５）と同様の効果を奏することができる。
【００６０】
・上記実施形態では、絶縁層２０となる絶縁層２１の材料としてシート状の絶縁樹脂を用いるようにしたが、絶縁層２１の材料として液状やペースト状の絶縁樹脂を用いるようにしてもよい。また、図１２及び図１４を使用して説明した変形例では、反射層３３となる反射層３２の材料としてシート状の絶縁樹脂を用いるようにしたが、反射層３２の材料として液状やペースト状の絶縁樹脂を用いるようにしてもよい。
【００６１】
・上記実施形態では、配線基板１を個片化した後に、その配線基板１のパッド５０Ｐ上に発光素子６０を実装するようにした。これに限らず、図１５に示すように、配線基板１の個片化の前にパッド５０Ｐ上に発光素子６０を実装し、その後、切断線Ｄ１に沿って切断して個々の発光装置２を得るようにしてもよい。詳述すると、図１５（ａ）に示すように反射層３０の第２主面３０Ｂ上に絶縁層２０及び基板１０Ａを積層した後に切断線Ｄ１で切断せずに、図１５（ｂ）に示すように、パッド５０Ｐ上に発光素子６０を実装する。なお、図１５（ｂ）において、同図に示す構造体は図１５（ａ）とは上下反転して描かれている。次に、図１５（ｃ）に示すように発光素子６０を封止樹脂６５で封止した後に、切断線Ｄ１に沿って切断して、図１５（ｄ）に示すように個々の発光装置２を得るようにしてもよい。なお、上記封止樹脂６５は、一括モールディング方式により配線基板形成領域Ｃ１がマトリクス状（図３では、３×３）に形成された区画毎に形成するようにしてもよいし、個別モールディング方式により各配線基板形成領域Ｃ１毎に形成するようにしてもよい。
【００６２】
・上記実施形態では、反射層３０をスクリーン印刷法により形成するようにした。これに限らず、例えば反射層３０をロールコート法により形成するようにしてもよい。また、注射器（ディスペンサ）によって液状樹脂を塗布することにより反射層３０を形成するようにしてもよい。
【００６３】
・上記実施形態における発光素子６０は、各実装領域ＣＡに形成された２つのパッド５０Ｐのうちの一方のパッド５０Ｐに１つのバンプ６１をフリップチップ接合し、他方のパッド５０Ｐに別の１つのバンプ６１をフリップチップ接合するようにした。これに限らず、例えば一方のパッド５０Ｐに複数のバンプ６１をフリップチップ接合し、他方のパッド５０Ｐに複数のバンプ６１をフリップチップ接合するようにしてもよい。
【００６４】
ところで、１つのパッド５０Ｐに対して１つのバンプ６１が接合される場合には、各パッド５０Ｐ上での接続箇所が１箇所になるため、配線基板１上に実装された発光素子６０に傾きが生じるおそれがある。これに対し、上記変形例の構造では、１つのパッド５０Ｐに対して複数のバンプ６１が接合されるため、各パッド５０Ｐ上の接続箇所が複数箇所になる。これにより、配線基板１上に発光素子６０を安定して実装することができる。
【００６５】
・上記実施形態では、配線基板１上に実装された複数の発光素子６０をまとめて封止樹脂６５で封止するようにした。これに限らず、各実装領域ＣＡに実装された発光素子６０を個別に封止樹脂で封止するようにしてもよい。
【００６６】
・上記実施形態における実装領域ＣＡ及び端子領域ＴＡの形状は、円状に限らず、例えば矩形状や五角形状などの多角形状、半円状、楕円状や半楕円状であってもよい。
・上記実施形態では、多数個取りの製造方法に具体化したが、単数個取り（一個取り）の製造方法に具体化してもよい。すなわち、多数個取り用の支持基板７０及び基板１０Ａの代わりに、１個の配線基板１となるサイズの基材（支持基板や放熱板）を用いて、配線基板１及び発光装置２の製造を行うようにしてもよい。
【００６７】
・上記実施形態における配線基板１及び発光装置２の平面形状は、矩形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形状であってもよく、円形状であってもよい。
・上記実施形態における配線基板１に搭載される発光素子６０の個数や配置は、特に限定されない。
【００６８】
・上記実施形態における配線パターン４０及び金属層５０の形状は、特に限定されない。例えば図１６（ａ）に示されるようなパターンの金属層に変更してもよい。すなわち、平面視略矩形状の複数の金属層５５を平面視略Ｗ字状に配置するようにしてもよい。この場合には、図中の左右方向に隣接する金属層５５間には、図中の上下方向に延在された溝状の開口部５５Ｘが形成されている。また、図中の上下方向に隣接する金属層５５間には、図中の左右方向に延在された帯状の開口部５５Ｙが形成されている。これら開口部５５Ｘ，５５Ｙによって、複数の金属層５５は互いに分離されている。これら金属層５５は、マトリクス状（ここでは、４×４）に配列された実装領域ＣＡを有している。また、金属層５５は、電極端子として機能する一対の端子領域ＴＡを有する。これら一対の端子領域ＴＡは、略Ｗ字状に配置された複数の金属層５５のうちＷ字の始点と終点に位置する金属層５５上に形成されている。このような金属層５５及び端子領域ＴＡを有する配線基板に発光素子６０を実装した場合には、一方の端子領域ＴＡから他方の端子領域ＴＡまでの間に複数（ここでは、１６個）の発光素子が直列に接続されることになる。
【００６９】
・あるいは、図１６（ｂ）に示されるような金属層に変更してもよい。すなわち、平面視略帯状の金属層５６を配置し、その金属層５６に平行に隣接して配置された平面視略矩形状の複数の金属層５７をマトリクス状（ここでは、６×２）に配置するようにしてもよい。すなわち、金属層５６は、隣接する２列の金属層５７に対して共通に設けられている。この場合には、図中の左右方向に隣接する金属層５６，５７間及び各金属層５７間には、図中の上下方向に延在された溝状の開口部５７Ｘが形成されている。また、図中の上下方向に隣接する金属層５７間には、図中の左右方向に延在された帯状の開口部５７Ｙが形成されている。これら開口部５７Ｘ，５７Ｙによって、金属層５６，５７間、及び金属層５７同士は互いに分離されている。これら金属層５６，５７は、マトリクス状（ここでは、６×６）に配列された実装領域ＣＡを有している。また、金属層５７は、電極端子として機能する一対の端子領域ＴＡを有している。これら一対の端子領域ＴＡは、金属層５６から最も離れた２つの金属層５７に形成されている。このような金属層５６，５７及び端子領域ＴＡを有する配線基板に発光素子６０を実装した場合には、金属層５６と一方の端子領域ＴＡとの間にマトリクス状（ここでは、６×３）に配列される発光素子が並列及び直列に接続される。また、金属層５６と他方の端子領域ＴＡとの間にマトリクス状に配列される発光素子が並列及び直列に接続される。さらに、それら並列及び直列に接続された発光素子群が直列に接続されることになる。
【００７０】
・あるいは、図１７に示されるような金属層に変更してもよい。すなわち、平面視略櫛状の一対の金属層５８を形成するようにしてもよい。詳述すると、金属層５８は、平面視長方形状に形成されて端子領域ＴＡを有する電極部５８Ａと該電極部５８Ａから内側に向かって延在される櫛歯状の複数（図１７では２つ）の延在部５８Ｂとを有している。これら一対の金属層５８は、互いの延在部５８Ｂが交互に入り組むように配置されている。この場合には、各金属層５８間には、平面視略己字状の開口部５８Ｘが形成されている。そして、この開口部５８Ｘによって、一対の金属層５８は互いに分離されている。これら金属層５８は、マトリクス状（ここでは、３×２）に配列された実装領域ＣＡを有している。このような金属層５８及び端子領域ＴＡを有する配線基板に発光素子６０を実装した場合には、各発光素子６０は、各実装領域ＣＡにおいて、上記開口部５８Ｘを跨るように、その開口部５８Ｘの両側に形成された延在部５８Ｂ（金属層５８）上にフリップチップ実装される。これにより、一方の端子領域ＴＡから他方の端子領域ＴＡまでの間に複数の発光素子６０が直列及び並列に接続されることになる。
【００７１】
（発光装置の適用例）
図１８は、上記実施形態の発光装置２を照明装置３に適用した場合の断面構造を示している。
【００７２】
照明装置３は、発光装置２と、発光装置２が実装された実装基板１００と、実装基板１００が装着された装置本体１２０とを有している。また、照明装置３は、装置本体１２０に装着されて発光装置２を覆うカバー部材１３０と、装置本体１２０を保持するホルダ１４０と、ホルダ１４０に取着されて発光素子６０を点灯させる点灯回路１５０とを有している。
【００７３】
装置本体１２０は、外観視略円錐台状に形成されている。この装置本体１２０は、実装基板１００及びカバー部材１３０が装着される大径の端面１２０Ａと、小径の端面１２０Ｂとを有している。装置本体１２０は、例えば熱伝導性に優れたアルミニウムなどにより形成されている。装置本体１２０の端面１２０Ａには、実装基板１００が周知の装着手段（ここでは、ねじ）により装着されている。また、装置本体１２０には、端面１２０Ａと端面１２０Ｂとの間を貫通する貫通孔１２０Ｘが形成されている。貫通孔１２０Ｘには、実装基板１００を介して発光装置２の発光素子６０と電気的に接続される配線１６０が配設されている。この配線１６０は、端面１２０Ａ側から貫通孔１２０Ｘを介して端面１２０Ｂ側へ導出されている。
【００７４】
装置本体１２０の端面１２０Ａには、外観視略半球のドーム状に形成されたカバー部材１３０がシリコーン樹脂等の接着剤によってカバー部材１３０の内部が気密状態となるように固着されている。なお、カバー部材１３０は、例えば硬質ガラスにより形成されている。
【００７５】
ホルダ１４０は、例えばポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂やポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）樹脂により形成されている。ホルダ１４０は、装置本体１２０の端面１２０Ｂに周知の装着手段（接着剤やねじ等）により装着されている。このホルダ１４０には、図示しない口金が取着される。ホルダ１４０及び口金の内部には、点灯回路１５０が格納されている。点灯回路１５０は、例えば回路部品を実装した回路基板（図示略）がホルダ１４０に取着されてなる。この点灯回路１５０は、口金から供給される交流電圧を直流電圧に変換し、その直流電圧を上記配線１６０を介して発光素子６０に供給することで、発光素子６０を発光させる回路である。
【００７６】
次に、発光装置２を実装基板１００に実装した具体例を説明する。
（発光装置の実装例１）
図１９（ａ）は、発光装置２を実装基板１００Ａに実装した場合の断面構造を示している。
【００７７】
実装基板１００Ａは、金属板１０１と、金属板１０１の上面に形成された絶縁層１０２と、絶縁層１０２の上面に形成された配線パターン１０３とを有している。金属板１０１の材料としては、例えばアルミニウム、銅などの熱伝導性に優れた金属を用いることができる。絶縁層１０２の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。配線パターン１０３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００７８】
絶縁層１０２には、金属板１０１の一部を発光装置２の搭載領域として露出する開口部１０２Ｘが形成されている。そして、この搭載領域、つまり開口部１０２Ｘから露出された金属板１０１上に発光装置２が搭載されている。具体的には、発光装置２は、その下面に形成された放熱板１０が上記金属板１０１上に熱伝導部材１０４により熱的に接合されている。なお、熱伝導部材１０４としては、例えばインジウム（Ｉｎ）、シリコーン（又は炭化水素）グリース、金属フィラー、グラファイトなどの高熱伝導性物質を樹脂バインダでシート状に成形したものを用いることができる。
【００７９】
また、実装基板１００Ａに搭載された発光装置２の端子領域ＴＡの金属層５０は、ばね状の接続端子１０５（ここでは、リードピン）を介して実装基板１００Ａの配線パターン１０３と電気的に接続されている。
【００８０】
このような構造によれば、発光装置２の放熱板１０が実装基板１００Ａの金属板１０１上に接合されるため、発光装置２から発生した熱を金属板１０１に放熱することができる。
【００８１】
（発光装置の実装例２）
図１９（ｂ）は、発光装置２を実装基板１００Ｂに実装した場合の断面構造を示している。
【００８２】
実装基板１００Ｂは、金属板１１１と、金属板１１１の上面に形成された絶縁層１１２と、絶縁層１１２の上面に形成された配線パターン１１３とを有している。金属板１１１の材料としては、例えばアルミニウム、銅などの熱伝導性に優れた金属を用いることができる。絶縁層１１２の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。配線パターン１１３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００８３】
発光装置２は、配線パターン１１３上に搭載されている。具体的には、発光装置２は、その下面に形成された放熱板１０が配線パターン１１３上に熱伝導部材１１４により熱的に接合されている。なお、熱伝導部材１１４としては、例えばインジウム、シリコーン（又は炭化水素）グリース、金属フィラー、グラファイトなどの高熱伝導性物質を樹脂バインダでシート状に成形したものを用いることができる。
【００８４】
また、実装基板１００Ｂに搭載された発光装置２の端子領域ＴＡの金属層５０は、ボンディングワイヤ１１５を介して実装基板１００Ｂの配線パターン１１３と電気的に接続されている。
【００８５】
このような構造によれば、発光装置２の放熱板１０が熱伝導部材１１４を介して配線パターン１１３に熱的に接合されているため、発光装置２から発生した熱を放熱板１０から配線パターン１１３及び絶縁層１１２を通じて金属板１１１に放熱することができる。なお、上記配線パターン１１３のうち放熱板１０と熱的に接合された配線パターン１１３は、放熱用の配線層として機能する。また、本実装例では、絶縁層１１２に金属板１１１を露出させるための開口部を設けていないが、絶縁層１１２が薄い場合には、発光装置２から発生した熱を絶縁層１１２を通じて金属板１１１に放熱することができる。
【符号の説明】
【００８６】
１，１Ａ  配線基板
２  発光装置
１０  放熱板
１０Ａ  基板
２０  絶縁層（絶縁部材）
３０，３３  反射層（絶縁部材）
３０Ａ  第１主面
３０Ｂ  第２主面
３２  反射層（絶縁樹脂）
３２Ａ  構造体
４０  配線パターン
４０Ａ  第１主面
４０Ｂ  第２主面
５０，５５，５６，５７，５８  金属層
５０Ａ  第１主面
５０Ｂ  第２主面
５０Ｐ  パッド
６０  発光素子
６５  封止樹脂
７０，８０，８０Ａ  支持基板
７１  レジスト層
７１Ｘ  開口部
８１  キャリア層
８２  金属箔
８３  コア基板
【図１】
2013153068.tif 000003
【図２】
2013153068.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2013153068.tif 000017
【図１６】
2013153068.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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