(57)【要約】【課題】  レジスト現像工程とタングステン酸化物エッチング工程を分けることなく、現像処理とエッチング処理を同時に行うことができるレジスト用現像液を提供する。【解決手段】  水酸化テトラメチルアンモニウム、過硫酸塩及び水を含むレジスト用現像液をレジストの現像に用いる。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸化テトラメチルアンモニウム、過硫酸塩及び水を含むことを特徴とするレジスト用現像液。
【請求項２】
過硫酸塩が過硫酸カリウム又は過硫酸アンモニウムであることを特徴とする請求項１に記載のレジスト用現像液。
【請求項３】
レジスト用現像液全体に対し、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．１〜８重量％、過硫酸塩を０．０１〜１重量％含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト用現像液。
【請求項４】
レジスト用現像液のｐＨが９以上１４以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のレジスト用現像液。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のレジスト用現像液を使用することを特徴とするレジストの現像方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレジスト用現像液に関する。さらに詳しくは、レジストを現像すると同時にレジスト下層部のタングステン酸化物をエッチングするための現像液に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイやプリント配線板の製造法として一般的にリソグラフィー法が用いられている。リソグラフィー法によって製造する場合、基板上に酸化膜等を形成した後、その表面にフォトレジスト又はネガレジストを均一に塗布し、これを選択的露光する。次いで、現像処理してレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして下層部の薄膜を選択的にエッチングし、パターンを形成した後、基板上のフォトレジスト又はネガレジストをレジスト剥離液で完全に剥離するという一連の工程が行われる。
【０００３】
従来、このような現像処理には、例えば、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドやコリン等の有機塩基を含有するレジスト用現像液が使用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、タングステン酸化物は、有機ＥＬディスプレイの製造において、正孔注入材料として有用な物質である。このタングステン酸化物層にリソグラフィー法を用いてパターン形成する場合、通常、タングステン酸化物層上のフォトレジストを現像処理した後、タングステン酸化物をエッチングしてパターン形成させる。このようにパターン形成させるには現像工程とエッチング工程が必要であり、複雑化する製造プロセスにおいて簡略化が望まれていた。また、タングステンのエッチング液としては過酸化水素を使用するものが多く知られているが、過酸化水素は酸素を放出して徐々に分解し、エッチングして金属を含有すると更に分解が促進されるため安定剤などを添加する必要があった（例えば、特許文献２参照)。そのため、タングステン酸化物を材料とする有機ＥＬディスプレイの製造において、過酸化水素を用いることなくタングステン酸化物をエッチングする方法や製造プロセスを簡略化することができるレジスト用現像液が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特公平４−５１０２０号公報
【特許文献２】特開２００２−５３９８４公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造プロセスを簡略化することができるレジスト用現像液を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、製造プロセスを簡略化するため、レジスト下層部のタングステン酸化物をエッチングすることができるレジスト用現像液について鋭意検討した結果、水酸化テトラメチルアンモニウム、過硫酸カリウム及び水を含む液が、レジストを現像すると同時にレジスト下層部のタングステン酸化物をエッチングすることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、以下に示すとおりのレジスト用現像液である。
【０００９】
［１］水酸化テトラメチルアンモニウム、過硫酸塩及び水を含むことを特徴とするレジスト用現像液。
【００１０】
［２］過硫酸塩が過硫酸カリウム又は過硫酸アンモニウムであることを特徴とする上記［１］に記載のレジスト用現像液。
【００１１】
［３］レジスト用現像液全体に対し、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．１〜８重量％、過硫酸塩０．０１〜１重量％を含むことを特徴とする上記［１］又は［２］に記載のレジスト用現像液。
【００１２】
［４］レジスト用現像液のｐＨが９以上１４以下であることを特徴とする上記［１］〜［３］のいずれかに記載のレジスト用現像液。
【００１３】
［５］上記［１］〜［４］のいずれかに記載のレジスト用現像液を使用することを特徴とするレジストの現像方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のレジスト用現像液は、有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイの製造において、レジストを現像すると同時にレジスト下層部のタングステン酸化物をエッチングすることができるため、工業的に極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明のレジスト用現像液の必須成分は、水酸化テトラメチルアンモニウム、過硫酸塩及び水である。
【００１６】
本発明のレジスト用現像液における水酸化テトラメチルアンモニウムとしては、特に制限はなく、一般に流通しているものを使用することができる。本発明のレジスト用現像液を、有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイの製造に使用する場合は、金属イオン含有量が少ないものを使用することが好ましい。
【００１７】
本発明の現像液における過硫酸塩としては、例えば過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム等が挙げられ、ｐＨ変動が小さく、性能への影響が小さい過硫酸カリウム又は過硫酸アンモニウムが特に好ましい。過硫酸カリウム及び過硫酸アンモニウムとしては工業的に流通しているものを使用することができる。
【００１８】
本発明のレジスト用現像液において、水酸化テトラメチルアンモニウム及び過硫酸塩は水に溶解して使用される。
【００１９】
発明のレジスト用現像液は、不溶部のレジストへのダメージがなく、レジスト現像性に優れた現像液となることから、ｐＨが９以上１４以下が好ましく、特に好ましくは１０以上１４以下である。
【００２０】
本発明のレジスト用現像液の組成は、レジストの現像性、タングステン酸化物のエッチング性に優れたものとなることから、現像液全体に対し、水酸化テトラメチルアンモニウム０．１〜８重量％、過硫酸塩０．０１〜１重量％が好ましく、特に好ましくは、水酸化テトラメチルアンモニウム０．２〜３重量％、過硫酸塩０．０３重量％〜０．５重量％である。
【００２１】
本発明のレジスト用現像液は、非常に現像性能が高く、低温でも十分使用することができ、現像速度、水の蒸散・蒸発の観点から、使用温度としては、０〜１００℃が好ましい。
【００２２】
本発明の現像液は、バッチ式、枚葉式のいずれも問題なく使用することができ、また、スプレー噴霧による洗浄やその他一般的な方法を使用しても差し支えない。さらに、必要に応じて超音波を併用することができる。被処理物上のフォトレジストを現像した後のリンスとしては、アルコールのような有機溶剤を使用する必要はなく、水でリンスするだけで十分である。
【００２３】
本発明のレジスト現像液は、半導体集積回路、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイに広く使用されているポジ型レジストを現像するのに使用されるが、タングステン酸化物のエッチングに優れているだけではなく、レジストの現像においても、優れた効果を発現する。例えば、露光部と非露光部の溶解選択性が優れている、露光部溶解の時間や温度依存性が少ない、現像不良率を低減できる、微細配線化が可能であるなどの効果が期待できる。
【００２４】
本発明のレジスト用現像液は、有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイの製造工程において、レジストを現像する現像液及びレジスト下層部のタングステン酸化物のエッチング液として使用される。本発明のレジスト用現像液は、現像処理速度及びタングステン酸化物のエッチング速度のバランスに優れるため、不溶部のレジストを溶解したり、タングステン酸化物のサイドエッチングが大きくなることはなく、レジスト現像と下層部のタングステン酸化物のエッチングを同時に行うことができる。
【実施例】
【００２５】
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、表記を簡潔にするため、以下の略記号を使用した。
【００２６】
ＴＭＡＨ：水酸化テトラメチルアンモニウム
ＫＰＳ：過硫酸カリウム
ＡＰＳ：過硫酸アンモニウム
ＷＯ：タングステン酸化物
実施例１〜４、比較例１〜２
膜厚２０ｎｍのタングステン酸化物層の上に、ノボラック系フォトレジスト層を成膜した基板に回路パターンをマスクして露光した。表１に記載の現像液に、２５℃で３０〜１２０秒浸漬した。これを水洗乾燥し、現像性能及びエッチング性能を確認した。
【００２７】
レジスト現像性として、現像できたものは「○」、現像できなかったものは「×」と評価した。下層部のタングステン酸化物（ＷＯ）エッチング性は、エッチングできたものは「○」、エッチングできなかったものは「×」とした。それらの結果を表１にあわせて示す。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
表１から明らかなように、本発明のレジスト用現像液は、レジストを現像すると同時に下層部のタングステン酸化物をエッチングすることができる。
【００３０】
一方、水酸化テトラメチルアンモニウムを用いなかった比較例１では、レジスト現像性が劣り、過硫酸塩を用いなかった比較例２では、ＷＯエッチング性が劣るものであった。