(57)【要約】【課題】低廉な方法で、音鳴りの発生が防止された回路基板およびイオン発生装置を提供する。【解決手段】回路基板３は、表面を有する基板２０と、主表面上に設けられた略直方体形状のセラミックコンデンサと備え、基板２０は、セラミックコンデンサが実装される実装領域３１を含み、セラミックコンデンサは、セラミックコンデンサの短手方向に対向する第１側面および第２側面と、セラミックコンデンサの長手方向に対向する第３側面および第４側面とを含み、実装領域３１の外周縁部は、第３側面に沿って延びる第３辺部と、第３辺部の第１端から第１側面に沿って延びる第１辺部と、第３辺部の第２端から第２側面に沿って延びる第２辺部とを含む。【選択図】図４
2013254684.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する基板と、
前記主表面上に設けられた略直方体形状のセラミックコンデンサと、
を備え、
前記基板は、前記セラミックコンデンサが実装される実装領域を含み、
前記セラミックコンデンサは、前記セラミックコンデンサの短手方向に対向する第１側面および第２側面と、前記セラミックコンデンサの長手方向に対向する第３側面および第４側面とを含み、
前記実装領域の外周縁部は、前記第３側面に沿って延びる第３辺部と、前記第３辺部の第１端から前記第１側面に沿って延びる第１辺部と、前記第３辺部の第２端から前記第２側面に沿って延びる第２辺部とを含む、回路基板。
【請求項２】
前記第１辺部および前記第２辺部は、前記セラミックコンデンサの長手方向の長さよりも長い、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記基板は、基板本体領域を含み、
前記実装領域は、前記基板本体領域の外周縁部から突出するように形成された、請求項１または請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記基板は、基板本体領域を含み、
前記実装領域は前記基板本体領域に囲まれ、
前記基板には、前記第１側面に沿って延びる第１スリットと、前記第２側面に沿って延びる第２スリットと、前記第３側面に沿って延びると共に、前記第１スリットと前記第２スリットとを接続する第３スリットとが形成された、請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記第３辺部は、前記基板の外周縁部に位置し、
前記第１辺部は、前記基板の外周縁部から延びる第１スリットによって形成され、
前記第２辺部は、前記基板の外周縁部から延びる第２スリットによって形成された、請求項１に記載の回路基板。
【請求項６】
前記第１辺部と前記第３辺部とは、前記基板の外周縁部に位置し、
前記第２辺部は、前記基板の外周縁部から延びる第２スリットによって形成された、請求項１に記載の回路基板。
【請求項７】
前記第２辺部は、前記基板の外周縁部に位置し、
前記基板には、前記基板の外周縁部から前記第３側面に沿って延びる第３スリットと、前記第３スリットに接続され、前記第１側面に沿って延びる第１スリットとが形成され、
前記第３辺部は、前記第３スリットによって形成され、前記第１辺部は、前記第１スリットによって形成された、請求項１に記載の回路基板。
【請求項８】
主表面を有する基板と、
前記主表面上に設けられた略直方体形状のセラミックコンデンサと、
を備え、
前記基板は、前記セラミックコンデンサが実装される実装領域を含み、
前記セラミックコンデンサは、前記セラミックコンデンサの短手方向に対向する第１側面および第２側面と、前記セラミックコンデンサの長手方向に対向する第３側面および第４側面とを含み、
前記実装領域の外周縁部は、前記第１側面に沿って延びる第１辺部と、前記第１辺部に接続され、前記第３側面に沿って延びる第３辺部と、前記第１辺部に接続され、前記第４側面に沿って延びる第４辺部と、前記第２側面に沿って延びると共に前記第３辺部の端部から前記第４辺部に向けて延びる第１延出辺部と、前記第２側面に沿って延びると共に前記第４辺部の端部から前記第３辺部に向けて延びる第２延出辺部とを含む、回路基板。
【請求項９】
主表面を有する基板と、
前記主表面上に設けられた略直方体形状のセラミックコンデンサと、
を備え、
前記基板は、前記セラミックコンデンサが実装される実装領域を含み、
前記セラミックコンデンサは、前記セラミックコンデンサの短手方向に対向する第１側面および第２側面と、前記セラミックコンデンサの長手方向に対向する第３側面および第４側面とを含み、
前記実装領域の外周縁部は、前記第３側面に沿って延びる第３辺部と、前記第４側面に沿って延びる第４辺部と、前記第１側面に沿って延びると共に前記第３辺部の端部から前記第４辺部に向けて延びる第３延出辺部と、前記第２側面に沿って延びると共に前記第３辺部の端部から前記第４辺部に向けて延びる第４延出辺部と、前記第１側面に沿って延びると共に前記第４辺部の端部から前記第３辺部に向けて延び出る第５延出辺部と、前記第２側面に沿って延びると共に前記第４辺部の端部から前記第３辺部に向けて延び出る第６延出辺部とを含む、回路基板。
【請求項１０】
前記基板は、基板本体領域を含み、
前記基板本体領域を覆う樹脂部をさらに備え、
前記セラミックコンデンサおよび前記実装領域は、前記樹脂部から露出する、請求項１から請求項９のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の回路基板を備えた、イオン発生装置。
【請求項１２】
前記回路基板を収容する収容ケースをさらに備え、
前記セラミックコンデンサおよび前記実装領域は、前記収容ケースから間隔をあけて配置された、請求項１１記載のイオン発生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板およびイオン発生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
放電現象を利用した種々のイオン発生装置が実用化されている。一般的に、イオン発生装置はイオンを発生させるためのイオン発生素子と、イオン発生素子に高電圧を供給するための高圧トランスと、高圧トランスを駆動するための高電圧発生回路と、コネクタなどの電源入力部とを備える。
【０００３】
実用化されているイオン発生素子の一例としては、金属線、鋭角部を持った金属板、針形状の金属などを放電電極とし、大地電位の金属板やグリッドなどを誘導電極（対向電極）としたイオン発生素子が挙げられる。また、他の例としては、金属線、鋭角部を持った金属板、針形状の金属などを放電電極とし、誘導電極の代わりに大地を用いて特に誘導電極を配置しないイオン発生素子などを挙げることができる。
【０００４】
これらのイオン発生素子では、空気が絶縁体の役割を果たす。また、これらのイオン発生素子は、放電電極と誘導電極或いは大地との間に高電圧を印加した際に、放電電極の鋭角形状を有する先端で電界集中が生じ、その先端の極近部分の空気が絶縁破壊することで放電現象を得る方式でイオンを発生させる。
【０００５】
このような、高電圧を発生させてイオンを発生させる方式の一例が特許第４４８９０９０号公報（特許文献１）に開示されている。この特許第４４８９０９０号公報には、トリガーコイル（高電圧発生トランス）に与える電荷をコンデンサに蓄え、スイッチングによりトリガコイルの１次コイルに電流を流すことにより２次コイルに高電圧波形を発生させることが開示されている。また、特許第４４８９０９０号公報に記載された従来例として、コンデンサに蓄えた電荷をサイダックのスイッチングによりトランスの１次コイルに電流を流すことにより２次コイルに高電圧波形を発生させることが開示されている。
【０００６】
従来、高電圧発生トランスに電流を蓄えるためのコンデンサとして、フイルムコンデンサや電解コンデンサがよく用いられてきた。この理由は、コンデンサに蓄える電圧が数百Ｖと高電圧であったり、圧電特性を持つセラミックコンデンサを用いると高電圧を発生させる時にコンデンサからトランスに瞬間的に電流の放電をおこなうためセラミックコンデンサが収縮し、基板を振動させ、音鳴りの原因となるためである。セラミックコンデンサは電気的特性も良く、小型、低価格化が容易であるが、圧電現象を伴うので高電圧発生回路のように充放電を繰り返すような回路には不向きとされていた。しかし小型機器の場合、圧電現象を伴わないフイルムコンデンサや電解コンデンサはサイズが大きいため小型化が難しく、音鳴りの工夫をしてセラミックコンデンサを使用している。
【０００７】
このような音鳴りの対策の一例が特開２００８−０１０６２１号公報に開示されている。この実施例ではコンデンサの電極部にコの字型に貫通穴やスリットを入れ、振動を貫通穴で吸収する技術が開示されている。
【０００８】
また、特開２００４−１５３１２１号公報に開示されているように金属板をセラミックコンデンサの電極に取り付け、セラミックコンデンサを基板より浮き上がらせることにより、振動の伝播を減少させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第４４８９０９０号公報
【特許文献２】特開２００８−０１０６２１号公報
【特許文献３】特開２００４−１５３１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
セラミックコンデンサに交流波形を印加しセラミックコンデンサの充放電を行うことにより圧電現象によりセラミックコンデンサが収縮し、音鳴りなどが発生することは既に公知の現象である。特開２００８−０１０６２１号公報にも同様の現象が開示されている。
【００１１】
セラミックコンデンサによる音鳴りの根本原因は、セラミックコンデンサの圧電現象による収縮であるが、これを根本的に解決するにはセラミックコンデンサの材料などを変更し、圧電現象そのものをなくすことであるが、現在では有効な材料が見つかっていない。
【００１２】
また、セラミックコンデンサ単体の圧電現象による収縮は極わずかであり、リード線型セラミックコンデンサではリード線が収縮による振動を吸収してしまうため、ほとんど音鳴りは聞こえない。
【００１３】
音鳴りの主な原因としては、以下の要因が考えられる。１つ目の理由としては、セラミックコンデンサの収縮によりセラミックコンデンサが太くなったり戻ったりするが、表面実装型セラミックコンデンサの場合、太くなった時にセラミックコンデンサのボディと基板が接触し、接触部から基板全体に振動が伝わり音鳴りが発生する。２つ目の理由は、表面実装型セラミックコンデンサの収縮の力により基板に反りが発生し、その反りが振動となって基板全体に伝わり音鳴りが発生する。
【００１４】
特開２００８−０１０６２１号公報に開示されている構造では、セラミックコンデンサを基板に実装するための金属パターン部分に、複数の円形またはスリット上の貫通穴を配置する構造が開示してある。特開２００８−０１０６２１号公報によれば、この貫通穴を設けることにより充放電によるセラミックコンデンサの振動が発生しても貫通穴が変形するため不要な共振音を低減できると開示されている。特許文献２の構造で音鳴りを低減するためには、セラミックコンデンサの収縮長さと同等の長さだけ基板を収縮させる必要があるが、電極部分にのみ貫通穴を開けても貫通穴が無い電極以外の部分の基板は収縮しないため、セラミックコンデンサの収縮長さと同等の長さだけ基板を収縮させることは困難である。
【００１５】
特開２００４−１５３１２１号公報に開示されている構造は、セラミックコンデンサに電極板を取り付けセラミックコンデンサを基板から離すことにより基板への接触を回避し、セラミックコンデンサの収縮を金属板で吸収することにより基板の振動を低減させ、音鳴りを低減させている。しかし、特開２００４−１５３１２１号公報に記載された方法では、金属板を取り付けたため外形が大きくなっており、且つ、金属板と金属板取り付けの工程が増えるため高価格の部品となっている。
【００１６】
また、一般的な音鳴りの対策方法として樹脂を塗布し振動を抑制する方法があるが、大きな基板の場合は効果が認められる場合があるが、小型基板の場合は振動が樹脂を通して基板全体に伝播してしまい逆効果となり、より大きな音鳴りが発生する場合がある。
【００１７】
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、低廉な方法で、音鳴りの発生が防止された回路基板およびイオン発生装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係る回路基板は、主表面を有する基板と、主表面上に設けられた略直方体形状のセラミックコンデンサと備える。上記基板は、セラミックコンデンサが実装される実装領域を含む。上記セラミックコンデンサは、セラミックコンデンサの短手方向に対向する第１側面および第２側面と、セラミックコンデンサの長手方向に対向する第３側面および第４側面とを含む。上記実装領域の外周縁部は、第３側面に沿って延びる第３辺部と、第３辺部の第１端から第１側面に沿って延びる第１辺部と、第３辺部の第２端から第２側面に沿って延びる第２辺部とを含む。
【００１９】
好ましくは、上記第１辺部および第２辺部は、セラミックコンデンサの長手方向の長さよりも長い。
【００２０】
好ましくは、上記基板は、基板本体領域を含み、上記実装部は、基板本体の外周縁部から突出するように形成される。
【００２１】
好ましくは、上記基板は、基板本体領域を含み、実装領域は基板本体領域に囲まれる。上記基板には、第１側面に沿って延びる第１スリットと、第２側面に沿って延びる第２スリットと、第３側面に沿って延びると共に、第１スリットと第２スリットとを接続する第３スリットとが形成される。
【００２２】
好ましくは、上記第３辺部は、基板の外周縁部に位置する。上記第１辺部は、基板の外周縁部から延びる第１スリットによって形成される。上記第２辺部は、基板の外周縁部から延びる第２スリットによって形成される。好ましくは、上記第１辺部と第３辺部とは、基板の外周縁部に位置する。上記第２辺部は、基板の外周縁部から延びる第２スリットによって形成される。
【００２３】
好ましくは、上記第２辺部は、基板の外周縁部に位置する。上記基板には、基板の外周縁部から第３側面に沿って延びる第３スリットと、第３スリットに接続され、第１側面に沿って延びる第１スリットとが形成される。上記第３辺部は、第３スリットによって形成され、第１辺部は、第１スリットによって形成される。
【００２４】
本発明に係る回路基板は、他の局面では、主表面を有する基板と、主表面上に設けられた略直方体形状のセラミックコンデンサとを備える。上記基板は、セラミックコンデンサが実装される実装領域を含む。上記セラミックコンデンサは、セラミックコンデンサの短手方向に対向する第１側面および第２側面と、セラミックコンデンサの長手方向に対向する第３側面および第４側面とを含む。上記実装領域の外周縁部は、第１側面に沿って延びる第１辺部と、第１辺部に接続され、第３側面に沿って延びる第３辺部と、第１辺部に接続され、第４辺部に沿って延びる第４辺部と、第２側面に沿って延びると共に第３辺部の端部から第４辺部に向けて延びる第１延出辺部と、第２側面に沿って延びると共に第４辺部の端部から第３辺部に向けて延びる第２延出辺部とを含む。
【００２５】
本発明に係る回路基板は、他の局面では、主表面を有する基板と、主表面上に設けられた略直方体形状のセラミックコンデンサとを備える。上記基板は、セラミックコンデンサが実装される実装領域を含む。上記セラミックコンデンサは、セラミックコンデンサの短手方向に対向する第１側面および第２側面と、セラミックコンデンサの長手方向に対向する第３側面および第４側面とを含む。上記実装領域の外周縁部は、第３側面に沿って延びる第３辺部と、第４側面に沿って延びる第４辺部と、第１側面に沿って延びると共に第３辺部の端部から第４辺部に向けて延びる第３延出辺部と、第２側面に沿って延びると共に第３辺部の端部から第４辺部に向けて延びる第４延出辺部と、第１側面に沿って延びると共に第４辺部の端部から第３辺部に向けて延び出る第５延出辺部と、第２側面に沿って延びると共に第４辺部の端部から第３辺部に向けて延び出る第６延出辺部とを含む。
【００２６】
好ましくは、上記基板は、基板本体領域を含み、上記基板本体領域を覆う樹脂部をさらに備える。上記セラミックコンデンサおよび実装領域は、樹脂部から露出する。本発明に係るイオン発生装置は、上記回路基板を備える。本発明に係るイオン発生装置は、上記回路基板を収容する収容ケースをさらに備え、上記セラミックコンデンサおよび実装領域は、収容ケースから間隔をあけて配置される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る回路基板およびイオン発生装置によれば、音鳴りの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】イオン発生装置１を示す斜視図である。
【図２】イオン発生装置１を示す平面図である。
【図３】ケース２を示す平面図である。
【図４】回路基板３を示す平面図である。
【図５】イオン発生装置１の回路を示すブロック図である。
【図６】セラミックコンデンサ２５およびその周囲に位置する構成を示す平面図である。
【図７】ＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。
【図８】比較例に係るイオン発生装置１の一部を示す断面図である。
【図９】本実施の形態２に係るイオン発生装置に設けられたセラミックコンデンサ２５およびその周囲の構成を示す平面図である。
【図１０】本実施の形態３に係るイオン発生装置１のセラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂおよびその周囲の構成を示す平面図である。
【図１１】本実施の形態４に係るイオン発生装置の実装部３１およびその周囲の構成を示す平面図である。
【図１２】図１１に示すＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図である。
【図１３】本実施の形態５に係るイオン発生装置の実装部３１およびその周囲の構成を示す平面図である。
【図１４】ＸＩＶ−ＸＩＶ線における断面図である。
【図１５】実施の形態６に係るイオン発生装置１の一部を示す平面図である。
【図１６】実施の形態７に係るイオン発生装置１の一部を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
図１から図１４を用いて、本実施の形態に係るイオン発生装置１およびこのイオン発生装置１に搭載された回路基板３について説明する。なお、イオン発生装置１は、空間にイオンを放出して室内環境を改善する装置である。当該イオン発生装置１は、主として閉空間（家屋内、ビル内の一室、病院の病室や手術室、車内、飛行機内、船内、倉庫内、冷蔵庫の庫内等）で使用される空気調和機、除湿器、加湿器、空気清浄機、冷蔵庫、ファンヒータ、電子レンジ、洗濯乾燥機、掃除機、殺菌装置などに適用することができる。
【００３０】
（実施の形態１）
図１は、イオン発生装置１を示す斜視図であり、図２は、イオン発生装置１を示す平面図である。図１および図２に示すように、イオン発生装置１は、ケース２と、このケース２内に収容されると共に、ケース２の内周面から間隔をあけて配置された回路基板３とを備える。
【００３１】
図３は、ケース２を示す平面図である。図１から図３に示すように、ケース２の上面には、穴部５と、穴部６とが形成されている。ケース２には、ケース２の周面から上面に亘って延びる窓部７が形成されており、ケース２には、この窓部７を閉塞する蓋部８を含む。
【００３２】
図１に示すように、穴部５から負イオン発生電極２１が外部に露出し、穴部６から正イオン発生電極２２が露出している。
【００３３】
図４は、回路基板３を示す平面図である。この図４に示すように、回路基板３は、主表面を有する基板２０と、主表面上に設けられた複数の搭載部品とを含む。
【００３４】
基板２０は、基板本体（基板本体領域）３０と、基板本体３０から離れた周縁部を有する実装部（実装領域）３１と含む。
【００３５】
実装部品としては、基板本体３０上に実装された負イオン発生電極２１と、正イオン発生電極２２と、高圧トランス２３と、スイッチング素子２４と、パルス発生ＩＣ２６と、実装部３１上に実装された複数のセラミックコンデンサ２５とを含む。
【００３６】
図５は、イオン発生装置１の回路を示すブロック図である。この図５に示すように、イオン発生装置１の回路は、入力電源に接続された入力回路１０と、高圧トランス２３を介して入力回路１０に接続された出力回路１１とを含む。
【００３７】
入力回路１０は、入力電源に接続されたパルス発生ＩＣ２６および直流電源回路２７と、直流電源回路２７からのＯＮ／ＯＦＦ制御パルスによって駆動されるスイッチング素子２４と、高圧トランス２３と直流電源回路２７との間に配置されたセラミックコンデンサ２５とを含む。セラミックコンデンサ２５の一方の電極は接地されている。直流電源回路２７およびスイッチング素子２４は、高圧トランス２３の一次入力に接続されている。
【００３８】
出力回路１１は、高圧トランス２３の二次出力に接続された高電圧回路２８と、高電圧回路２８に接続された正イオン発生電極２２および負イオン発生電極２１とを含む。
【００３９】
図６は、セラミックコンデンサ２５およびその周囲に位置する構成を示す平面図であり、図７は、ＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。
【００４０】
図６および図７においては、実装部３１上に２つのセラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂが実装されている。セラミックコンデンサ２５Ａおよびセラミックコンデンサ２５Ｂは、いずれも、同様の構成であり、いずれも直方体形状に形成されている。
【００４１】
セラミックコンデンサ２５Ａとセラミックコンデンサ２５Ｂとは、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの短手方向（幅方向）に間隔をあけて配置されている。
【００４２】
セラミックコンデンサ２５Ａは、図７に示す実装部３１に実装される実装面４６と、実装面４６の外周縁部に接続された周面と、周面に接続された上面とを含む。
【００４３】
図６において、セラミックコンデンサ２５Ａの周面は、セラミックコンデンサ２５Ａの短手方向に配列する長側面４０および長側面４１と、セラミックコンデンサ２５Ａの長手方向に配列する短側面４２および短側面４３とを含む。なお、セラミックコンデンサ２５Ａを平面視すると、長側面４０および長側面４１は、短側面４２および短側面４３よりも長い。短側面４２には電極４４が形成され、短側面４３には、電極４５が形成されている。
【００４４】
セラミックコンデンサ２５Ｂの周面は、セラミックコンデンサ２５Ｂの短手方向に配列する長側面５０および長側面５１と、セラミックコンデンサ２５Ｂの長手方向に配列する短側面５２および短側面５３とを含む。
【００４５】
短側面５２には、電極５４が形成され、短側面５３には電極５５が形成される。電極４４と電極５４とには、配線５８が接続され、短側面４３および短側面５３には、配線５９が接続されている。
【００４６】
実装部３１の外周縁部は、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの周囲を取り囲むように連続して延びる。実装部３１の外周縁部は、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの短側面４２，５２に沿って延びる辺部６０と、辺部６０の一方の端部に接続され、セラミックコンデンサ２５Ｂの長側面５１に沿って延びる辺部６１と、セラミックコンデンサ２５Ａの長側面４０に沿って延びる辺部６２とを含む。
【００４７】
辺部６１および辺部６２の長さは、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの長手方向の長さよりも長い。
【００４８】
このため、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂは、辺部６１の端部３２と、辺部６２の端部３３よりも基板２０の外周縁側に位置している。
【００４９】
辺部６０は、基板２０の外周縁部の一部である。基板２０には、基板２０の外周縁部から長側面５１に沿って延びるスリット６５と、基板２０の外周縁部から長側面４０に沿って延びるスリット６６とが形成されている。スリット６５によって辺部６１が形成されており、スリット６６によって辺部６２が形成されている。
【００５０】
そして、スリット６５（辺部６１）の端部３２と、スリット６６（辺部６２）の端部３３と間で実装部３１は、基板本体３０に接続されている。このため、実装部３１は、基板本体３０に片持ち状態で接続されており、基板２０のうち、スリット６５の端部とスリット６６の端部との間に位置する部分が実装部３１と基板本体３０とを接続する接続部３４となる。なお、自由端である辺部６０と、接続部３４とは、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの長手方向に配列する。
【００５１】
回路基板３は、基板本体３０の上面を覆うように形成された樹脂部７０を含む。実装部３１およびセラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂは、樹脂部７０から露出している。
【００５２】
上記のように構成されたイオン発生装置１において、イオン発生装置１が駆動すると、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂに周期的に高電圧が印加され、蓄電と放電とが繰り返される。
【００５３】
セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂに高電圧が印加されると、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂは方向Ｄ１に収縮する。その後、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂに蓄積された電荷が放電されることで、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂは収縮した状態から元に戻る。なお、セラミックコンデンサ２５Ａ、２５Ｂが収縮する方向は、主に、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの長手方向であり、短手方向よりも長手方向に大きく収縮する。
【００５４】
図７において、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂが収縮すると、実装部３１は、図中の破線で示すように湾曲する。そして、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂが繰り返し収縮することで実装部３１も繰り返し撓み変形して、実装部３１が振動する。
【００５５】
この際、実装部３１と基板本体３０とを接続する接続部３４が、実装部３１の撓み変形の支点（固定点）となる。その結果、基板本体３０に実装部３１の振動が伝播しにくくなっている。
【００５６】
さらに、樹脂部７０は、実装部３１およびセラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂに形成されておらず、実装部３１およびセラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂは、樹脂部７０から露出している。このため、実装部３１およびセラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの振動が樹脂部７０に直接伝播することが抑制されている。このため、樹脂部７０を通して、回路基板３全体に振動が伝播することが抑制される。
【００５７】
図８は、比較例に係るイオン発生装置１の一部を示す断面図である。この図８に示す例においては、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂと、実装部３１の上面とは、樹脂部７０によって覆われている。この図８に示す例において、イオン発生装置が駆動して、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂが繰り返し収縮すると、実装部３１は振動する。この際、樹脂部７０は、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂを覆うと共に、実装部３１の上面上に形成されているため、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの収縮振動と、実装部３１の撓み振動とが樹脂部７０に伝播する。樹脂部７０は、基板２０の全面に形成されているため、樹脂部７０から基板２０の全面に振動が伝播する。
【００５８】
これに対して、上述のように、本実施の形態においては、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂと、実装部３１は樹脂部７０から露出しているため、比較例のように、振動が基板２０前提に伝播することが抑制されている。これにより、音鳴りの発生が抑制される。
【００５９】
なお、樹脂部７０を形成する際には、図１に示す窓部７が形成された周面が上方に向くようにイオン発生装置１を立てる。そして、樹脂を窓部７からケース２内に注入する。この際、辺部６１，６２が埋まらないように樹脂の注入量を調整する。また、負イオン発生電極２１および正イオン発生電極２２に樹脂が塗布されないように、図示しない部材がケース２内に設けられている。
【００６０】
回路基板３は、ケース２内周面から間隔をあけて配置されているため、仮に、回路基板３が振動したとしても、ケース２に振動が伝播することが抑制されている。特に、実装部３１およびセラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂは、ケース２の内表面から間隔をあけて配置されており、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの振動や実装部３１の振動がケース２に伝播することが抑制されている。
【００６１】
なお、実装部３１の外周縁部が３つの辺部から形成された例について説明したが、実装部３１の外周縁部の形状としては、曲線であっても、多角形形状であってもよい。
【００６２】
（実施の形態２）
図９を用いて、本実施の形態２に係るイオン発生装置について説明する。なお、図９に示す構成のうち、図１から図８に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【００６３】
図９は、本実施の形態２に係るイオン発生装置に設けられたセラミックコンデンサ２５およびその周囲の構成を示す平面図である。この図９に示すように、実装部３１は、基板本体３０の外周縁部から突出するように形成されている。換言すれば、実装部３１の外周縁部は、基板２０の外周縁部である。実装部３１の連続する外周縁部は、セラミックコンデンサ２５の周囲を取り囲むように形成されている。
【００６４】
実装部３１の外周縁部は、辺部６０，６１，６２を含み、基板２０のうち、辺部６１の端部３２と、辺部６２の端部３３との間に位置する部分は、基板本体３０と実装部３１とを接続する接続部３４である。このように、本実施の形態２に係るイオン発生装置１においても、実装部３１は、基板本体３０に片持ち状態で接続されている。
【００６５】
そして、自由端である辺部６０と、接続部３４とは、セラミックコンデンサ２５の長手方向に配列している。
【００６６】
このように形成されたイオン発生装置１においても、イオン発生装置１が駆動すると、セラミックコンデンサ２５が方向Ｄ１に収縮する。このため、本実施の形態２においても、実装部３１は、上記実施の形態１と同様に、図７に示されるように撓み変形する。この際、図９に示す接続部３４が撓み変形の固定点として機能するため、実装部３１の振動が基板本体３０に伝達されることを抑制することができる。
【００６７】
また、本実施の形態２に係るイオン発生装置１においても、実装部３１およびセラミックコンデンサ２５は、樹脂部７０から露出しているため、セラミックコンデンサ２５および振動や実装部３１の振動が樹脂部７０を介して基板２０全体に伝播することが抑制されている。また、回路基板３は、ケース２から間隔をあけて配置されているため、ケース２に振動が伝播することが抑制されている。
【００６８】
（実施の形態３）
図１０を用いて、本実施の形態３に係るイオン発生装置１について説明する。なお、図１０に示す構成のうち、図１から図９に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を書略する場合がある。図１０は、本実施の形態３に係るイオン発生装置１のセラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂおよびその周囲の構成を示す平面図である。
【００６９】
この図１０に示すように、実装部３１は、基板本体３０によって囲まれている。換言すれば、基板２０を平面視すると、実装部３１は、基板本体３０内に位置している。
【００７０】
基板２０には、端部３２から端部３３に連続して延び、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの周囲を取り囲むように形成されたスリット６７が形成されている。このスリット６７によって実装部３１の外周縁部が形成され、実装部３１の外周縁部は、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの周囲を取り囲むように形成されている。実装部３１の外周縁部は、辺部６１と、辺部６０と、辺部６２とを含む。辺部６１は、セラミックコンデンサ２５Ｂの長側面５１に沿って延びる。辺部６０は、辺部６１の端部に接続され、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの短側面４２，５２に沿って延びる。辺部６２は、セラミックコンデンサ２５Ａの長側面４０に沿って延びる。
【００７１】
そして、基板２０のうち、端部３２と端部３３との間に位置する接続部３４によって実装部３１と基板本体３０とが接続されている。
【００７２】
このため、この図１０に示す例においても、実装部３１は、基板本体３０に片持ち状態で接続されている。そして、自由端とされた辺部６０と、接続部３４とがセラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの長手方向に配列するように形成されている。
【００７３】
このため、図１０に示す例においても、イオン発生装置１が駆動して、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂが方向Ｄ１に収縮すると、実装部３１は、接続部３４を支点（固定点）として、撓むように変形する。実装部３１と基板本体３０との接続部３４は、実装部３１が振動する際に、固定点となるため、実装部３１の振動が基板本体３０に伝達されることが抑制される。このため、この図１０に示す例においても、イオン発生装置１が駆動したとしても基板２０全体に振動が伝播されることを抑制することができ、音鳴りの発生を抑制することができる。
【００７４】
なお、本実施の形態３においても、実装部３１と、セラミックコンデンサ２５Ａと、２５Ｂとは、樹脂部７０から露出するように形成されている。このため、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの振動および実装部３１の振動が樹脂部７０を通して、基板２０全体に伝播することが抑制されている。また、本実施の形態３においても、基板２０は、ケース２から離れるように設けられている。このため、ケース２にセラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂおよび実装部３１の振動が伝播することが抑制されている。
【００７５】
（実施の形態４）
図１１および図１２を用いて、本実施の形態４に係るイオン発生装置について説明する。なお、図１１および図１２に示す構成のうち、図１から図１０に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【００７６】
図１１は、本実施の形態４に係るイオン発生装置の実装部３１およびその周囲の構成を示す平面図である。この図１１に示す例においても、基板２０を平面視すると、実装部３１は、基板本体３０内に位置している。
【００７７】
実装部３１と基板本体３０との間には、スリット７６が形成されている。スリット７６は、端部３２から端部３３に達するように連続して延びるように形成されており、セラミックコンデンサ２５Ａおよびセラミックコンデンサ２５Ｂの周囲を取り囲むように形成されている。そして、基板２０のうち、端部３２と端部３３との間に位置する部分が実装部３１と基板本体３０とを接続する接続部３４である。
【００７８】
実装部３１の外周縁部は、スリット７６によって形成され、実装部３１の外周縁部も、端部３２から端部３３に連続して延び、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの周囲を取り囲むように形成されている。
【００７９】
実装部３１の外周縁部は、セラミックコンデンサ２５Ａの長側面４０に沿って延びる辺部７１と、辺部７１の一端に接続され、短側面４２，５２に沿って延びる辺部７２と、辺部７１の他端に接続され、短側面４３，５３に沿って延びる辺部７３と、辺部７２の端部に接続され、辺部７３の端部に向けて延びる延出辺部７４と、辺部７３の端部に接続され辺部７２の端部に向けて延びる延出辺部７５とを含む。
【００８０】
ここで、辺部７２と、辺部７３とは、方向Ｄ１に配列しており、辺部７２および辺部７３は、自由端である。
【００８１】
このように形成されたイオン発生装置において、イオン発生装置１が駆動すると、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂが方向Ｄ１に収縮する。図１２は、図１１に示すＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図である。この図１２において、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂが方向Ｄ１に収縮すると、実装部３１の辺部７２および辺部７３が撓み方向Ｄ３に撓む。そして、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの長さが元に戻ると、実装部３１のも元に戻る。このように、実装部３１は振動する。この際、図１１において、実装部３１は、接続部３４を通り方向Ｄ１に垂直な方向に延びる仮想線を中心線として振動する。このため、接続部３４では大きな振動は生じておらず、実装部３１の振動が基板本体３０に伝達されることが抑制されている。このため、本実施の形態４に係るイオン発生装置１においても、イオン発生装置１が駆動したとしても、音鳴りが生じることが抑制されている。
【００８２】
（実施の形態５）
図１３および図１４を用いて、本実施の形態５に係るイオン発生装置１について説明する。なお、図１３および図１４に示す構成のうち、図１から図１２に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【００８３】
図１３に示す例においても、基板本体３０を平面視すると、実装部３１は、基板本体３０内に位置している。基板本体３０と実装部３１との間にはスリット７７と、スリット７８とが形成されている。スリット７７およびスリット７８は、略Ｕ字形状となるように形成されており、互いに開口部が向き合うように配置されている。
【００８４】
スリット７７は、端部３２から端部３５に連続して延びるように形成されており、スリット７８は、端部３３から端部３６に連続して延びるように形成されている。
【００８５】
実装部３１の外周縁部は、スリット７７とスリット７８とによって形成されている。実装部３１の外周縁部は、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの短側面４２，５２に沿って延びる辺部７２と、短側面４３，５３に沿って延びる辺部７３とを含む。実装部３１の外周縁部は、辺部７２の一端から辺部７３の一端に向けて延びる延出辺部７４と、辺部７２の他端から辺部７３の他端に向けて延びる延出辺部８０とを含む。実装部３１の外周縁部は、辺部７３の一端から辺部７２の一端に向けて延びる延出辺部７５と、辺部７３の他端から辺部７２の他端に向けて延びる延出辺部８１とを含む。
【００８６】
なお、延出辺部７４，８０は辺部７２の端部から端部３２，３５に達するように形成され、延出辺部７５，８１は、辺部７３の端部から端部３３，３６に達するように形成されている。
【００８７】
そして、基板２０のうち、端部３２と端部３３との間に位置する部分が接続部３４であり、端部３５と端部３６との間に位置する部分が接続部３７である。接続部３４および接続部３７によって、実装部３１と基板本体３０とが接続されている。なお、接続部３４と接続部３７とは、方向Ｄ１に直交する方向に配列している。
【００８８】
このように形成されたイオン発生装置１において、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂが収縮すると、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂは、方向（セラミックコンデンサの長手方向）Ｄ１に収縮する。
【００８９】
これにより、図１４に示すように、辺部７２および辺部７３は、上方に向けて変位して、実装部３１が撓む。この際、実装部３１は、接続部３４および接続部３７を通る仮想線を中心として、実装部３１が変形する。そして、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂが繰り返し収縮すると、実装部３１が振動する。このように、接続部３４および接続部３７は、実装部３１が振動するときの支点（固定点）となるため、実装部３１が変形したとしても接続部３４および接続部３７の変形量は小さい。
【００９０】
このため、接続部３４，３７から実装部３１の振動が基板本体３０に伝達されることが抑制されている。なお、本実施の形態５においても、実装部３１と、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂは、樹脂部７０から露出しており、樹脂部７０を通じて基板２０全体に振動が伝播することが抑制されている。
【００９１】
（実施の形態６）
図１５を用いて、本実施の形態６に係るイオン発生装置１について説明する。なお、図１５に示す構成のうち、図１から図１４に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【００９２】
図１５は、実施の形態６に係るイオン発生装置１の一部を示す平面図である。この図１５に示す例においては、実装部３１は、基板２０の角部に形成されている。基板本体３０と、実装部３１との間には、スリット６６が形成されている。スリット６６は、基板２０の外周縁部からセラミックコンデンサ２５Ａの長側面４０に沿って延びる。
【００９３】
実装部３１の外周縁部は、辺部６０と、辺部６１と、辺部６２とを含む。辺部６０は、基板２０の外周縁部に位置し、辺部６０も基板２０の外周縁部に位置する。辺部６２は、スリット６６によって形成されている。
【００９４】
辺部６２は、端部３３から基板２０の外周縁部に達するように延び、端部３３は、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの短側面４３，５３よりも辺部６０から離れた位置に位置している。
【００９５】
そして、基板２０のうち、端部３３と、辺部６１側の基板２０の外周縁部との間に位置する部分が、基板本体３０と実装部３１とを接続する接続部３４である。このように、図１５に示す例においても、実装部３１は、基板本体３０に片持ち状態となるように形成されている。
【００９６】
なお、本実施の形態においても、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂは、短側面４２，５２および短側面４３，５３が、辺部６０および接続部３４の配列方向に配列するように配置されている。
【００９７】
このように構成されたイオン発生装置１において、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂに高電圧が印加されると、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂは、方向Ｄ１に収縮する。これにより、辺部６０が図１５の紙面上方に向けて変位するように実装部３１が変形する。
【００９８】
そして、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂに周期的に高電圧が印加されることで、実装部３１が振動する。この際、接続部３４が振動の支点（固定点）となるため、実装部３１の振動が基板本体３０に伝播されることが抑制される。
【００９９】
なお、本実施の形態においても、イオン発生装置１は、樹脂部７０を含み、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂおよび実装部３１は、樹脂部７０から露出するように形成されている。
【０１００】
このため、樹脂部７０に実装部３１およびセラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの振動が伝達されることを抑制することができる。なお、本実施の形態においても、基板２０は、ケースから間隔をあけて設けられており、実装部３１およびセラミックコンデンサ２５Ａ，２５の振動が伝達されることを抑制することができる。
【０１０１】
（実施の形態７）
図１６を用いて、本実施の形態７に係るイオン発生装置１について説明する。なお、図１６に示す構成のうち、上記図１から図１５に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。図１６は、実施の形態７に係るイオン発生装置１の一部を示す平面図である。
【０１０２】
この図１６に示すように、基板２０には、基板本体３０と実装部３１との間に位置する屈曲スリット８２が形成されている。
【０１０３】
屈曲スリット８２は、基板２０の外周縁部からセラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの短側面４２，５２に沿って延びるスリット６８と、スリット６８に接続され、セラミックコンデンサ２５Ａの長側面４０に沿って延びるスリット６９とを含む。
【０１０４】
実装部３１の外周縁部は、辺部６０，６１，６２を含む。辺部６１は基板２０の外周縁部に位置する。辺部６０は、スリット６８によって形成され、辺部６２は、スリット６９によって形成されている。
【０１０５】
基板２０のうち、辺部６２およびスリット６９の端部３３と、辺部６１が位置する基板２０の外周縁部との間に位置する部分が、基板本体３０と実装部３１とを接続する接続部３４である。
【０１０６】
セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂは、短側面４２，５２および短側面４３，５３が辺部６０および接続部３４の配列方向に配列するように配置されている。スリット６９および辺部６２の端部３３は、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂの短側面４３，５３よりも辺部６０から離れた位置に位置している。
【０１０７】
このように形成されたイオン発生装置１においても、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂに高電圧の電圧が周期的に印加されることで、セラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂが方向Ｄ１に収縮したり、元の長さに戻ったりする。
【０１０８】
これに伴い、実装部３１は、辺部６０が上方に変位するように変形することを繰り返し、実装部３１が振動する。この際、接続部３４は、振動の支点（固定点）となり、実装部３１の振動が基板本体３０に伝達されることを抑制することができる。
【０１０９】
さらに、本実施の形態においても、実装部３１およびセラミックコンデンサ２５Ａ，２５Ｂは、樹脂部７０から露出するように形成されており、樹脂部７０を介して実装部３１の振動が基板２０全体に伝播することが抑制されている。なお、本実施の形態においても、基板２０は、ケース２から離れた位置に設けられており、ケース２に実装部３１などの振動が伝達されることが抑制されている。
【０１１０】
以上、本発明に基づいた各実施の形態について説明したが、今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１１１】
１  イオン発生装置、２  ケース、３  回路基板、５，６  穴部、７  窓部、８  蓋部、１０  入力回路、１１  出力回路、２０  基板、２１  負イオン発生電極、２２  正イオン発生電極、２３  高圧トランス、２４  スイッチング素子、２５，２５Ａ，２５Ｂ  セラミックコンデンサ、２７  直流電源回路、２８  高電圧回路、３０  基板本体、３１  実装部、３２，３５，３６  端部、３４，３７  接続部、４０，４１，５０，５１  長側面、４２，４３，５２，５３  短側面、４４，４５，５４，５５  電極、４６  実装面、５８，５９  配線、６０，６１，６２，７１，７２，７３  辺部、６５，６６，６７，７６，７７，７８  スリット、７０  樹脂部、７４，７５，８０，８１  延出辺部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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