(57)【要約】【課題】詳細には超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一側面に開口が形成され、工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記開口を開閉するドアと、前記ドアに設置され、基板が安着される支持部材と、を含む。【選択図】図５
2013033963.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一側面に開口が形成され、工程が遂行される空間を提供するハウジングと、
前記開口を開閉するドアと、
前記ドアに設置され、基板が安着される支持部材と、を含む基板処理装置。
【請求項２】
前記ドアに前記一側面に垂直になる方向へ力を加える加圧部材と、をさらに含み、
前記開口は前記加圧部材によって前記一側面に垂直になる方向へ移動して前記ハウジングを開放又は密閉する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記支持部材は、前記ドアの移動にしたがって前記ハウジングの内部又は外部に位置する請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記加圧部材は、前記ハウジングに結合されるシリンダー及び前記シリンダーに連結され、前記ドアに結合され、前記シリンダーによって前記一側面に垂直になる方向へ移動するロードを含む請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記支持部材は、前記ドアの前記開口と対向する面から前記ドアの移動方向と並べた方向に延長されるプレート形状であり、前記プレートの内部に前記基板が安着されるホールが形成される請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ハウジング内部を加熱する加熱部材と、
前記ハウジングへ超臨界流体を供給する供給ポートと、
前記ハウジングから前記超臨界流体を排気する排気ポートと、をさらに含んで超臨界工程を遂行する請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記供給ポートは、前記ハウジングの上面に形成される上部供給ポート及び前記ハウジングの下面に形成される下部供給ポートを含む請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板を移送する移送チャンバーと、
一側面に開口が形成され、工程が遂行される空間を提供するハウジング、前記開口を開閉するドア、及び前記ドアに設置され、基板が安着される支持部材を含み、前記移送チャンバーの一側面に配置される工程チャンバーと、を含み、
上部から見る時、前記移送チャンバーの一側面と前記ハウジングの一側面とは互に垂直になる基板処理装置。
【請求項９】
前記ドアに前記ハウジングの一側面に垂直になる方向へ力を加える加圧部材と、をさらに含み、
前記ドアは前記加圧部材によって前記ハウジングの一側面に垂直になる方向へ移動して前記ハウジングを開放又は密閉する請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記加圧部材は、前記ハウジングに結合されるシリンダー及び前記シリンダーに連結され、前記ドアに結合され、前記シリンダーによって前記ハウジングの一側面に垂直になる方向へ移動するロードを含む請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記支持部材は、前記ドアの前記開口と対向する面から前記ドアの移動方向と並べた方向に延長されるプレート形状であり、前記プレートの内部に前記基板が安着されるホールが形成される請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記工程チャンバーは、複数であり、
前記複数の工程チャンバーは、前記移送チャンバーの一側面に前記ドアの移動方向に沿って一列に配置される請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記工程チャンバーは、複数であり、
前記複数の工程チャンバーは、鉛直方向に積層されて配置される請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記ハウジングの内部を加熱する加熱部材と、
前記ハウジングへ超臨界流体を供給する供給ポートと、
前記ハウジングから前記超臨界流体を排気する排気ポートと、をさらに含んで超臨界工程を遂行する請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記供給ポートは、前記ハウジングの上面に形成される上部供給ポート及び前記ハウジングの下面に形成される下部供給ポートを含む請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
ドアに設置される支持部材に基板が安着される段階と、
前記ドアがハウジングの開口が形成された一側面に密着されるように移動して前記支持部材を前記ハウジングの内部に位置させ、前記ハウジングを密閉する段階と、
前記ハウジング内部で前記基板に対して工程を遂行する段階と、
前記ドアが前記一側面から離隔されるように移動して前記支持部材を前記ハウジングの外部に位置させ、前記ハウジングを開放する段階と、を含む基板処理方法。
【請求項１７】
前記ドアが前記一側面に密着されるように移動する段階及び離隔されるように移動する段階で、前記ドアは前記ハウジングに連結されたシリンダーに連結され、前記ドアに結合されたロードが前記シリンダーによって前記一側面と垂直になる方向へ移動する請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記工程を遂行する段階で、前記工程が遂行される間に前記ハウジングが密閉されるように加圧部材が前記ハウジングの内部及び外部の圧力差によって発生する力より強い力を前記ドアに加える請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記支持部材は、前記ドアの前記開口と対向する面から垂直になる方向に延長されるプレート形状であり、前記プレートの内部に前記基板が安着されるホールが形成され、
前記工程を遂行する段階で、前記ハウジングの上部に形成された上部供給ポート及び前記ハウジングの下部に形成された下部供給ポートが前記支持部材に安着された基板の上面及び下面に超臨界流体を供給する請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項２０】
前記工程を遂行する段階で、前記下部供給ポートが前記上部供給ポートより先に前記超臨界流体の供給を開始する請求項１９に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置及び基板処理方法に関し、より詳細には、超臨界工程を遂行する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子はフォトリソグラフィー工程（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を含む多様な工程を通じて基板の上に回路パタ−ンを形成して製造される。このような製造過程の中ではパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）、有機汚染物、金属不純物等が発生され、このような異物質は基板に欠陥を誘発して半導体素子の収率に直接的な影響を及ぶ要因として作用する。したがって、半導体製造工程には基板から異物質を除去するための洗浄工程が必須的に伴われる。
【０００３】
一般的に洗浄工程はケミカルで基板の上の異物質を除去し、純水（ＤＩ−ｗａｔｅｒ：ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ）で基板を洗浄した後、表面張力が弱いイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ：ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）のような有機溶剤で純水を置換した後、これを蒸発させて基板を乾燥させる順序に進行される。しかし、このような既存の乾燥方式は回路パターンが微細な半導体素子の場合にその乾燥効率が低いことでなく、乾燥過程の中で比較的弱い有機溶媒の表面張力によっても回路パタ−ンを損傷される崩壊現像（ｐａｔｔｅｒｎ  ｃｏｌｌａｐｓｅ）が頻繁に発生する。
【０００４】
これによって線幅３０ｎｍ以下の半導体素子に対しては超臨界流体を利用して基板を乾燥させる超臨界乾燥工程（ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｒｙｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）がだんだん既存の乾燥工程を代替している。超臨界流体とは、臨界温度と臨界圧力との以上で気体と液体との性質を同時に有する流体として、拡散力と浸透力とが優れ、溶解力が高く、表面張力が概ね無いので、基板の乾燥に非常に有用に使用され得る。
【０００５】
しかし、このような超臨界工程を遂行する工程チャンバーは高圧の超臨界状態を維持するためにそのフットプリント（ｆｏｏｔ  ｐｒｉｎｔ）が増加して基板処理率（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）が低下される問題点を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２００４−００５８２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一課題は超臨界工程を遂行する工程チャンバーの空間効率が向上される基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
本発明の他の課題は高圧環境を耐えられる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
本発明が解決しようとする課題が上述した課題に限定されることではなく、言及されなかった課題は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解できる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は基板処理装置を提供する。
【０００９】
本発明による基板処理装置の一実施形態は、一側面に開口が形成され、工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記開口を開閉するドアと、前記ドアに設置され、基板が安着される支持部材と、を含む。
【００１０】
前記基板処理装置は、前記ドアに前記一側面に垂直になる方向へ力を加える加圧部材と、をさらに含み、前記開口は前記加圧部材によって前記一側面に垂直になる方向へ移動して前記ハウジングを開放又は密閉することができる。
【００１１】
前記支持部材は、前記ドアの移動にしたがって前記ハウジングの内部又は外部に位置することができる。
【００１２】
前記加圧部材は、前記ハウジングに結合されるシリンダー及び前記シリンダーに連結され、前記ドアに結合され、前記シリンダーによって、前記一側面に垂直になる方向へ移動するロードを包含できる。
【００１３】
前記支持部材は、前記ドアの前記開口と対向する面から前記ドアの移動方向と並べた方向に延長されるプレート形状であり、前記プレートの内部に前記基板が安着されるホールが形成され得る。
【００１４】
前記基板処理装置は、前記ハウジング内部を加熱する加熱部材と、前記ハウジングで超臨界流体を供給する供給ポートと、前記ハウジングから前記超臨界流体を排気する排気ポートと、をさらに包含して超臨界工程を遂行できる。
【００１５】
前記供給ポートは、前記ハウジングの上面に形成される上部供給ポート及び前記ハウジングの下面に形成される下部供給ポートを包含できる。
【００１６】
本発明による基板処理装置の他の実施形態は、基板を移送する移送チャンバーと、一側面に開口が形成され、工程が遂行される空間を提供するハウジング、前記開口を開閉するドア、及び前記ドアに設置され、基板が安着される支持部材を含み、前記移送チャンバーの一側面に配置される工程チャンバーと、を含み、上部から見る時、前記移送チャンバーの一側面と前記ハウジングの一側面とは互に垂直になる。
【００１７】
前記基板処理装置は、前記ドアに前記ハウジングの一側面に垂直になる方向へ力を加える加圧部材と、をさらに含み、前記ドアは前記加圧部材によって前記ハウジングの一側面に垂直になる方向へ移動して前記ハウジングを開放又は密閉することができる。
【００１８】
前記加圧部材は、前記ハウジングに結合されるシリンダー及び前記シリンダーに連結され、前記ドアに結合され、前記シリンダーによって前記ハウジングの一側面に垂直になる方向へ移動するロードを包含できる。
【００１９】
前記支持部材は、前記ドアの前記開口と対向する面から前記ドアの移動方向と並べた方向に延長されるプレート形状であり、前記プレートの内部に前記基板が安着されるホールが形成され得る。
【００２０】
前記工程チャンバーは、複数であり、前記複数の工程チャンバーは、前記移送チャンバーの一側面に前記ドアの移動方向に沿って一列に配置され得る。
【００２１】
前記工程チャンバーは、複数であり、前記複数の工程チャンバーは、鉛直方向に積層されて配置され得る。
【００２２】
前記基板処理装置は、前記ハウジング内部を加熱する加熱部材と、前記ハウジングで超臨界流体を供給する供給ポートと、前記ハウジングから前記超臨界流体を排気する排気ポートと、をさらに包含して超臨界工程を遂行できる。
【００２３】
前記供給ポートは、前記ハウジングの上面に形成される上部供給ポート及び前記ハウジングの下面に形成される下部供給ポートを包含できる。
【００２４】
本発明は基板処理方法を提供する。
【００２５】
本発明による基板処理方法の一実施形態は、ドアに設置される支持部材に基板が安着される段階と、前記ドアがハウジングの開口が形成された一側面に密着されるように移動して、前記支持部材を前記ハウジングの内部に位置させ、前記ハウジングを密閉する段階と、前記ハウジング内部で前記基板に対して工程を遂行する段階と、前記ドアが前記一側面から離隔されるように移動して前記支持部材を前記ハウジングの外部に位置させ、前記ハウジングを開放する段階と、を含む。
【００２６】
前記ドアが前記一側面に密着されるように移動する段階及び離隔されるように移動する段階で、前記ドアは前記ハウジングに連結されたシリンダーに連結され、前記ドアに結合されたロードが前記シリンダーによって前記一側面と垂直になる方向へ移動することができる。
【００２７】
前記工程を遂行する段階で、前記工程が遂行される間に前記ハウジングが密閉されるように加圧部材が前記ハウジングの内部及び外部の圧力差によって発生する力より強い力を前記ドアに加え得る。
【００２８】
前記支持部材は、前記ドアの前記開口と対向する面から垂直になる方向に延長されるプレート形状であり、前記プレートの内部に前記基板が安着されるホールが形成され、前記工程を遂行する段階で、前記ハウジングの上部に形成された上部供給ポート及び前記ハウジングの下部に形成された下部供給ポートが前記支持部材に安着された基板の上面及び下面に超臨界流体を供給することができる。
【００２９】
前記工程を遂行する段階で、前記下部供給ポートが前記上部供給ポートより先に前記超臨界流体の供給を開始し得る。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によると、工程チャンバーは、ドアがスライディングされる構造に提供されることによって上下方向に少ない空間を占めるようになる。
【００３１】
本発明によると、工程チャンバーが鉛直方向に積層されて同一なフットプリントでより多い工程チャンバーを配置でき、これによって基板処理率が向上される。
【００３２】
本発明によると、ドアに設置された支持部材がハウジングの内外へ移動して基板のローディングとアンローディングとがハウジングの外部で行われるので、移送ロボット等の基板を搬入する装置がハウジングへ出入する必要が無いし、開口が小さくになり得る。開口の面積が小さい場合には、工程進行の中にハウジングの内外部の圧力差によって発生する力が弱くなるので、比較的弱い力でも工程進行の時、ハウジングを密閉できる。
【００３３】
本発明の効果が上述した効果に限定されることではなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解できる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】二酸化炭素の相変化に関するグラフである。
【図２】基板処理装置の一実施形態の平面図である。
【図３】基板処理装置の一実施形態の断面図である。
【図４】図２の第１工程チャンバーの断面図である。
【図５】図２の第２工程チャンバーの一実施形態の斜視図である。
【図６】図２の第２工程チャンバーの一実施形態の斜視図である。
【図７】図２の第２工程チャンバーの断面図である。
【図８】図２の第２工程チャンバーの変形形態の断面図である。
【図９】図２の第２工程チャンバーが積層されて配置されることを示した図面である。
【図１０】基板処理方法の一実施形態の順序図である。
【図１１】基板処理方法の他の実施形態の順序図である。
【図１２】図１１の基板処理方法の動作図である。
【図１３】図１１の基板処理方法の動作図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
本明細書で使用される用語と添付された図面は本発明を容易に説明するためのものであるので、本発明が用語と図面とによって限定されることではない。
【００３６】
本発明に利用される技術の中で本発明の思想と密接な関連がない公知の技術に関する詳細な説明は省略する。
【００３７】
以下では本発明による基板処理装置１００に関して説明する。
【００３８】
基板処理装置１００は超臨界流体を工程流体として利用して基板Ｓを処理する超臨界工程を遂行できる。
【００３９】
ここで、基板Ｓは半導体素子や平板ディスプレイ（ＦＰＤ：ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）及びその他に薄膜に回路パターンが形成された物の製造に利用される基板を全て含む包括的な概念である。このような基板Ｓの例としては、シリコンウエハーを含む多様なウエハー、ガラス基板、有機基板等がある。
【００４０】
超臨界流体とは、臨界温度と臨界圧力を超過した超臨界状態に到達すれば、形成される気体と液体との性質を同時に有する相（ｐｈａｓｅ）を意味する。超臨界流体は分子密度は液体に近いし、粘性度は気体に近い性質を有し、これによって拡散力、浸透力、溶解力が非常に優れ、化学反応に有利であり、表面張力概ね無いので、微細構造に界面張力を加えない特性を有する。
【００４１】
超臨界工程はこのような超臨界流体の特性を利用して遂行されるが、その代表的な例としては、超臨界乾燥工程と超臨界蝕刻工程とがある。以下では超臨界工程に関して超臨界乾燥工程を基準に説明する。但し、これは説明を容易にするためのことに過ぎないので、基板処理装置１００は超臨界乾燥工程以外の他の超臨界工程を遂行できる。
【００４２】
超臨界乾燥工程は超臨界流体で基板Ｓの回路パターンに残留する有機溶剤を溶解して基板Ｓを乾燥させる方式に遂行され得り、乾燥効率が優れるだけでなく、崩壊現像を防止できる長所がある。超臨界乾燥工程に利用される超臨界流体としては有機溶剤と混和性がある物質を使用することができる。例えば、超臨界二酸化炭素（ｓｃＣＯ２：ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ  ｃａｒｂｏｎ  ｄｉｏｘｉｄｅ）が超臨界流体として使用され得る。
【００４３】
図１は二酸化炭素の相変化に関するグラフである。
【００４４】
二酸化炭素は臨界温度が３１．１℃であり、臨界圧力が７．３８Ｍｐａで比較的に低いので、超臨界状態に変化させやすく、温度と圧力を調節して相変化を制御する容易である価額が低廉な長所がある。また、二酸化炭素は毒性が無いので、人体に無害であり、不燃性、非活性の特性を有し、超臨界二酸化炭素は水やその他の有機溶剤に比べて１０〜１００倍ぐらい拡散係数（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ  ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）が高く、浸透が速く、有機溶剤の置換が速く、表面張力概ねないので、微細な回路パタ−ンを有する基板Ｓの乾燥に利用するのが有利である物性を有する。これだけでなく、二酸化炭素は多様な化学反応の部産物として生成されることを再活用できる同時に超臨界乾燥工程に使用した後、これを気体に転換させて有機溶剤を分離して再使用することができので、環境汚染の側面でも負担が少ない。
【００４５】
以下では本発明による基板処理装置１００の一実施形態に関して説明する。本発明の一実施形態による基板処理装置１００は超臨界乾燥工程を含んで洗浄工程を遂行できる。
【００４６】
図２は基板処理装置１００の一実施形態の平面図であり、図３は基板処理装置１００の一実施形態の断面図である。
【００４７】
図２及び図３を参照すれば、基板処理装置１００はインデックスモジュール１０００及び工程モジュール２０００を含む。
【００４８】
インデックスモジュール１０００は外部から基板Ｓが搬送されて工程モジュール２０００へ基板Ｓを搬送し、工程モジュール２０００は洗浄工程を遂行できる。
【００４９】
インデックスモジュール１０００は設備前方端部モジュール（ＥＦＥＭ：ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  ｆｒｏｎｔ  ｅｎｄ  ｍｏｄｕｌｅ）で、ロードポート１１００及び移送フレーム１２００を含む。
【００５０】
ロードポート１１００には基板Ｓが収容される容器Ｃが置かれる。容器Ｃには前面開放一体形ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎｉｎｇ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ）が使用され得る。容器Ｃはオーバーヘッドトランスファー（ＯＨＴ：ｏｖｅｒｈｅａｄ  ｔｒａｎｓｆｅｒ）によって外部からロードポート１１００へ搬入されるか、或いはロードポート１１００から外部へ搬出され得る。
【００５１】
移送フレーム１２００はロードポート１１００に置かれる容器Ｃと工程モジュール２０００との間に基板Ｓを搬送する。移送フレーム１２００はインデックスロボット１２１０及びインデックスレール１２２０を含む。インデックスロボット１２１０はインデックスレール１２２０の上で移動し、基板Ｓを搬送することができる。
【００５２】
工程モジュール２０００は工程を遂行するモジュールとして、バッファチャンバー２１００、移送チャンバー２２００、第１工程チャンバー３０００、及び第２工程チャンバー４０００を含む。
【００５３】
バッファチャンバー２１００はインデックスモジュール１０００と工程モジュール２０００との間に搬送される基板Ｓが臨時的に留まる空間を提供する。バッファチャンバー２１００には基板Ｓが置かれるバッファスロットが提供され得る。例えば、インデックスロボット１２１０は基板Ｓを容器Ｃから引き出してバッファスロットに置かれ、移送チャンバー２２００の移送ロボット２２１０はバッファスロットに置かれる基板Ｓを引き出してこれを第１工程チャンバー３０００や第２工程チャンバー４０００へ搬送することができる。バッファチャンバー２１００には複数のバッファスロットが提供されて複数の基板Ｓが置かれ得る。
【００５４】
移送チャンバー２２００はその周囲に配置されたバッファチャンバー２１００、第１工程チャンバー３０００、及び第２工程チャンバー４０００の間に基板Ｓを搬送する。移送チャンバー２２００は移送ロボット２２１０及び移送レール２２２０を包含できる。移送ロボット２２１０は移送レール２２２０の上で移動し、基板Ｓを搬送することができる。
【００５５】
第１工程チャンバー３０００と第２工程チャンバー４０００とは洗浄工程を遂行できる。この時、洗浄工程は第１工程チャンバー３０００と第２工程チャンバー４０００とで順次的に遂行できる。例えば、第１工程チャンバー３０００では洗浄工程の中でケミカル工程、リンス工程、及び有機溶剤工程が遂行され、続いて第２工程チャンバー４０００では超臨界乾燥工程が遂行できる。
【００５６】
このような第１工程チャンバー３０００と第２工程チャンバー４０００とは移送チャンバー２２００の側面に配置される。例えば、第１工程チャンバー３０００と第２工程チャンバー４０００とは移送チャンバー２２００を介して互に対向するように配置され得る。
【００５７】
また、工程モジュール２０００には第１工程チャンバー３０００と第２工程チャンバー４０００とが複数に提供され得る。複数の工程チャンバー３０００、４０００は移送チャンバー２２００の側面に一列に配置されるか、又は鉛直方向に積層されて配置されるか、又はこれらの組合によって配置され得る。
【００５８】
勿論、第１工程チャンバー３０００と第２工程チャンバー４０００との配置は上述した例に限定されなく、基板処理装置１００のフットプリントや工程効率等のような多様な要素を考慮して適切に変更できる。
【００５９】
以下では第１工程チャンバー３０００に関して説明する。
【００６０】
図４は図２の第１工程チャンバー３０００の断面図である。
第１工程チャンバー３０００はケミカル工程、リンス工程、及び有機溶剤工程を遂行できる。勿論、第１工程チャンバー３０００はこれらの工程の中で一部の工程のみを選択的に遂行できる。ここで、ケミカル工程は基板Ｓへ洗浄剤を提供して基板Ｓの上の異物質を除去する工程であり、リンス工程は基板へリンス剤を提供して基板Ｓの上に残留する洗浄剤を洗浄する工程であり、有機溶剤工程は基板Ｓへ有機溶剤を提供して基板Ｓの回路パターンの間に残留するリンス剤を表面張力低い有機溶剤で置換する工程である。
【００６１】
図４を参照すれば、第１工程チャンバー３０００は支持部材３１００、ノズル部材３２００、及び回収部材３３００を含む。
【００６２】
支持部材３１００は基板Ｓを支持し、支持された基板Ｓを回転させ得る。支持部材３１００は支持プレート３１１０、支持ピン３１１１、チャッキングピン３１１２、回転軸３１２０、及び回転駆動器３１３０を包含できる。
【００６３】
支持プレート３１１０は基板Ｓと同一又は類似な形状の上面を有し、支持プレート３１１０の上面には支持ピン３１１１とチャッキングピン３１１２とが形成される。支持ピン３１１１は基板Ｓの下面を支持し、チャッキングピン３１１２は基板Ｓの側面を固定することができる。
【００６４】
支持プレート３１１０の下部には回転軸３１２０が連結される。回転軸３１２０は回転駆動器３１３０から回転力が伝達されて支持プレート３１１０を回転させる。これによって、支持プレート３１１０に安着された基板Ｓが回転することができる。この時、チャッキングピン３１１２は基板Ｓが正位置を離脱することを防止することができる。
【００６５】
ノズル部材３２００は基板Ｓへ薬剤を噴射する。ノズル部材３２００はノズル３２１０、ノズルバー３２２０、ノズル軸３２３０、及びノズル軸駆動器３２４０を含む。
【００６６】
ノズル３２１０は支持プレート３１１０に安着された基板Ｓへ薬剤を噴射する。薬剤は洗浄剤、リンス剤又は有機溶剤であり得る。ここで、洗浄剤では過酸化水素Ｈ２Ｏ２溶液や過酸化水素溶液にアンモニアＮＨ４ＯＨ、塩酸ＨＣｌ又は硫酸Ｈ２ＳＯ４を混合した溶液又はブッ酸ＨＦ溶液等が使用され得る。また、リンス剤としては純水が使用され得る。又、有機溶剤としてはイソプロパノールアルコールを含めてエチルグリコール（ｅｔｈｙｌ  ｇｌｙｃｏｌ）、１−プロパノール（ｐｒｏｐａｎｏｌ）、テトラハイドロリックフラン（ｔｅｔｒａ  ｈｙｄｒａｕｌｉｃ  ｆｒａｎｃ）、４−ヒドロキシル（ｈｙｄｒｏｘｙｌ）、４−メチル（ｍｅｔｈｙｌ）、２−ペンタノン（ｐｅｎｔａｎｏｎｅ）、１−ブタノール（ｂｕｔａｎｏｌ）、２−ブタノール、メタノール（ｍｅｔｈａｎｏｌ）、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）、ｎ−プロピルアルコール（ｎ−ｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）、ジメチルエチル（ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）の溶液やガスが使用され得る。
【００６７】
ノズル３２１０はノズルバー３２２０の一端底面に形成される。ノズルバー３２２０はノズル軸３２３０に結合され、ノズル軸３２３０は乗降又は回転できるように提供される。ノズル軸駆動器３２４０はノズル軸３２３０を乗降又は回転させてノズル３２１０の位置を調節することができる。
【００６８】
回収部材３３００は基板Ｓへ供給された薬剤を回収する。ノズル部材３２００によって基板Ｓへ薬剤が供給されれば、支持部材３１００は基板Ｓを回転させて基板Ｓの全領域に薬剤が均一に供給されるようにする。基板Ｓが回転すれば、基板Ｓから薬剤が飛散し、飛散する薬剤は回収部材３３００によって回収され得る。
【００６９】
回収部材３３００は回収筒３３１０、回収ライン３３２０、乗降バー３３３０、及び乗降駆動器３３４０を包含できる。
【００７０】
回収筒３３１０は支持プレート３１１０を囲む環形リング形状に提供される。回収筒３３１０は複数に提供され得る。複数の回収筒３３１０は上部から見る時、順に支持プレート３１１０から遠くなるリング形状に提供され、支持プレート３１１０から遠い距離がにある回収筒３３１０であるほど、その高さが高くなるように提供される。これによって回収筒３３１０の間の空間に基板Ｓから飛散される薬剤が流入される回収口３３１１が形成される。
【００７１】
回収筒３３１０の下面には回収ライン３３２０が形成される。回収ライン３３２０は回収筒３３１０へ回収された薬剤を再生する薬剤再生システム（図示せず）へ供給する。
【００７２】
乗降バー３３３０は回収筒３３１０に連結されて乗降駆動器３３４０から動力が伝達されて回収筒３３１０を上下へ移動させる。乗降バー３３３０は回収筒３３１０が複数である場合、最外殻に配置された回収筒３３１０に連結され得る。乗降駆動器３３４０は乗降バー３３３０を通じて回収筒３３１０を乗降させて複数の回収口３３１１の中で飛散する薬剤が流入される回収口３３１１を調節することができる。
【００７３】
以下では第２工程チャンバー４０００に関して説明する。
【００７４】
第２工程チャンバー４０００は超臨界流体を利用して超臨界乾燥工程を遂行できる。上述したように、第２工程チャンバー４０００で遂行される工程は超臨界乾燥工程以外に他の超臨界工程であることもあり得り、さらに、第２工程チャンバー４０００は超臨界流体の代わりに他の工程流体を利用して工程を遂行することもあり得る。
【００７５】
以下では第２工程チャンバー４０００の一実施形態に関して説明する。
【００７６】
図５及び図６は図２の第２工程チャンバー４０００の一実施形態の斜視図であり、図７は図２の第２工程チャンバー４０００の断面図である。
【００７７】
図５乃至図７を参照すれば、第２工程チャンバー４０００はハウジング４１００、ドア４１５０、加圧部材４２００、支持部材４３００、加熱部材４４００、供給ポート４５００、及び排気ポート４６００を包含できる。
【００７８】
ハウジング４１００は超臨界乾燥工程が遂行される空間を提供する。ハウジング４１００は超臨界乾燥工程が遂行される空間を提供する。ハウジング４１００は臨界圧力以上の高圧を耐えられる材質で提供される。
【００７９】
ハウジング４１００の一側には開口４１１０が形成される。基板Ｓは開口４１１０を通じてハウジング４１００へ搬入されるか、或いはハウジング４１００から搬出され得る。ここで、基板Ｓは第１工程チャンバー３０００で有機溶剤工程を経て有機溶剤が残留する状態にハウジング４１００へ搬入され得る。
【００８０】
開口４１１０が形成されるハウジング４１００の一側面は移送チャンバー２０００の第２工程チャンバー４０００が配置される一側面と、上部から見る時、互に垂直になる面とであり得る。移送チャンバー２２００の移送ロボット２２１０がハウジング４１００の内部へ移動して基板Ｓを搬入する場合には開口４１１０はハウジング４１００の移送チャンバー２２００と対向する面に形成されなければならない。しかし、本発明では移送ロボット２２１０がハウジング４１００の外部に位置する支持部材４３００がハウジング４１００の外部に位置できるので、開口４１１０がハウジング４１００の移送チャンバー２２００と対向する面ではばい移送チャンバー２２００と垂直になる面に形成され得る。
【００８１】
ドア４１５０は開口４１１０を開閉することができる。ドア４１５０はハウジング４１００の開口４１１０が形成された側面と対向するように配置され、その面に垂直になる方向へ移動して開口４１１０を開閉することができる。これによって、ハウジング４１００又は第２工程チャンバー４０００が開放されるか、或いは密閉され得る。
【００８２】
加圧部材４２００はドア４１５０に力を加えられ得る。ドア４１５０は加圧部材４１５０によって移動して開口４１１０から離隔されるか、或いは開口４１１０に密着されるように移動することができる。例えば、加圧部材４２００はハウジング４１００に開口４１１０が形成された面に垂直になる方向にドア４１５０へ力を加え、ドア４１５０はこれに沿って移動するようにする。
【００８３】
また、加圧部材４２００は超臨界乾燥工程の中でドア４１５０に開口４１１０へ向かう方向へ力を加えてハウジング４１００を密閉することができる。超臨界乾燥工程は超臨界状態の高圧で進行されるので、工程が進行されれば、ハウジング４１００の内部と外部との圧力差によってドア４１５０に開口４１１０から遠くなる方向へ力が作用する。ドア４１５０は加圧部材４１００からその反対方向へそれより大きい力が伝達されて超臨界乾燥工程の中でハウジング４１００が開放されないように密閉することができる。
【００８４】
加圧部材４２００はシリンダー４２１０及びロード４２２０を包含できる。シリンダー４２１０はハウジング４１００の両側に設置され得る。ロード４２２０はシリンダー４２１０に連結され、その一端がドア４１５０と結合され得る。例えば、ロード４２２０は一端がシリンダー４２１０へ挿入され、それからハウジング４１００及びドア４１５０を貫通するように延長され得る。ロード４２２０の他端はドア４１５０を貫通した部分より大きい断面積を有するロードヘッド４２２１に形成され、このようなロードヘッド４２２１はドア４１５０の開口４１１０と対向する面の反対面に密着されて結合され得る。
【００８５】
このような構造にしたがって、ロード４２２０はシリンダー４２１０によって開口４１１０が形成された面と垂直になる方向へ移動し、ドア４１５０を水平方向へ移動させ得る。これによって、ドア４１５０は開口４１１０を開閉することができる。また、ドア４１５０は開口４１１０と密着し、ロードヘッド４２２１からハウジング４１００に向かう方向へ力が伝達されて工程の中でハウジング４１００を密閉することができる。
【００８６】
支持部材４３００は基板Ｓを支持する。支持部材４３００は基板Ｓの縁領域を支持することができる。例えば、支持部材４３００にはその内部に基板Ｓと同一又は類似な形状に基板Ｓの面積より小さいホール４３１０が形成されたプレートの形状に提供され得る。基板Ｓは支持部材４３００に安着され、基板Ｓの上面と下面とは支持部材４３００に形成されたホール４３１０を通じて外部へ露出され得る。これによって、第２工程チャンバー４０００で超臨界乾燥工程進行される間に基板Ｓはその全領域が超臨界流体に露出されて乾燥され得る。
【００８７】
支持部材４３００はドア４１５０で開口４１１０と対向する面に設置され得る。ドア４１５０に設置された支持部材４３００はドア４１５０の移動にしたがって開口４１１０を通じてスライディングしてハウジング４１００の内へ搬入されるか、或いはハウジング４１００の外部に位置することができる。この時、支持部材４３００はその一側がドア４１５０の開口４１１０と対向する面に固定され、その面から垂直方向に延長されるプレートの形状に提供され得る。但し、支持部材４３００が設置される位置がドア４１５０のみに限定されることではないので、支持部材４３００はハウジング４１００の内部に設置されることもあり得る。
【００８８】
一方、開口４１１０は支持部材４３００がハウジング４１００へ搬入されるように支持部材４３００の側面形状と同一であるか、或いは僅かに大きい程度の面積を有するように提供され得る。超臨界乾燥工程の間にハウジング４１００の内部は臨界圧力以上の高圧に維持されるので、開口４１１０の面積が広いほど、ドア４１５０がハウジング４１００を密閉するのにさらに強い力が要求されるが、開口４１１０が支持部材４３００の側面の面積程度の大きさに提供されれば、比較的弱い力でもハウジング４１００を密閉することができる。
【００８９】
加熱部材４４００はハウジング４１００の内部を加熱する。加熱部材４４００は第２工程チャンバー４０００の内部へ供給された超臨界流体を臨界温度以上に加熱して超臨界流体相に維持するか、又は液化された場合に再び超臨界流体になるようにする。加熱部材４４００はハウジング４１００の壁の内に埋め込まれて設置され得る。加熱部材４４００は例えば、外部から電源が提供されて熱を発生させるヒーターで提供され得る。
【００９０】
供給ポート４５００は第２工程チャンバー４０００へ超臨界流体を供給する。供給ポート４５００は超臨界流体を供給する供給ライン４５５０に連結され得る。この時、供給ポート４５００には供給ライン４５５０から供給される超臨界流体の流量を調節するバルブが設置され得る。
【００９１】
供給ポート４５００は上部供給ポート４５１０及び下部供給ポート４５２０を包含できる。上部供給ポート４５１０はハウジング４１００の上部壁に形成されて支持部材４３００によって支持される基板Ｓの上面へ超臨界流体を供給する。下部供給ポート４５２０はハウジング４１００の下部壁に形成されて支持部材４３００によって支持される基板Ｓの下面へ超臨界流体を供給する。ここで、基板Ｓはその上面がパターン面であり、下面が非パターン面になるように支持部材４３００に安着され得る。
【００９２】
供給ポート４５００は基板Ｓの中央領域へ超臨界流体を噴射することができる。例えば、上部供給ポート４５１０は支持部材４３００によって支持される基板Ｓの中央から鉛直上方に位置することができる。又、下部供給ポート４５２０は支持部材４３００によって支持される基板Ｓの中央から鉛直下方に位置することができる。これによって、供給ポート４５００から噴射される超臨界流体が基板Ｓの中央領域に到達して縁領域に広がりながら、基板Ｓの全領域に均一に提供され得る。
【００９３】
また、上部供給ポート４５１０と下部供給ポート４５２０とでは先に下部供給ポート４５２０が超臨界流体を供給し、後に上部供給ポート４５１０が超臨界流体を供給することができる。超臨界乾燥工程は初期に第２工程チャンバー４０００の内部が臨界圧力に未達する状態で進行されるので、第２工程チャンバー４０００の内部へ供給される超臨界流体は液化され得る。したがって、超臨界乾燥工程の初期に上部供給ポート４５１０へ超臨界流体が供給される場合には超臨界流体が液化されて重力によって基板Ｓへ落下して基板Ｓを損傷させ得る。上部供給ポート４５１０は下部供給ポート４５２０を通じて第２工程チャンバー４０００へ超臨界流体が供給されて第２工程チャンバー４０００の内部圧力が臨界圧力に到達すれば、超臨界流体の供給を開始して供給される超臨界流体が液化されて基板Ｓへ落下することを防止することができる。
【００９４】
排気ポート４６００は第２工程チャンバー４０００から超臨界流体を排気する。排気ポート４６００は超臨界流体を排気する排気ライン４６５０に連結され得る。この時、排気ポート４６００には排気ライン４６５０へ排気する超臨界流体の流量を調節するバルブが設置され得る。排気ライン４６５０を通じて排気される超臨界流体は大気の中に放出されるか、或いは超臨界流体を再生する超臨界流体再生システム（図示せず）へ供給され得る。
【００９５】
排気ポート４６００はハウジング４１００の下部壁に形成され得る。超臨界乾燥工程の後期には第２工程チャンバー４０００から超臨界流体が排気されてその内部圧力が臨界圧力以下に降圧されて超臨界流体が液化され得る。液化された超臨界流体は重力によってハウジング４１００の下部壁に形成された排気ポート４６００を通じて排出され得る。
【００９６】
一方、上述した第２工程チャンバー４０００でハウジング４１００の内部と外部とは温度が互に異なる。したがって、基板Ｓが支持部材４３００に安着された状態でハウジング４１００の外部から内部へ移動する過程でハウジング４１００の内外部の温度差によって基板Ｓに損傷が発生できる。
【００９７】
図８は図２の第２工程チャンバー４０００の変形形態の断面図である。
【００９８】
図８を参照すれば、第２工程チャンバー４０００は加熱部材４３２０をさらに包含できる。加熱部材４３２０は支持部材４３００に安着された基板Ｓに熱を加え得る。
【００９９】
加熱部材４３２０は支持部材４３００に設置されて基板Ｓに熱を加え得る。例えば、加熱部材４３２０は図８に図示されたように、支持部材４３００の内部に埋め込まれたヒーターで提供され得る。ヒーターは外部の電源を利用して熱を発生させ、発生された熱は支持部材４３００の温度を上昇させ得る。これによって、支持部材４３００に安着された基板Ｓが所定の温度に維持され得る。
【０１００】
又は加熱部材４３２０はドア４１５０に設置されることもあり得る。例えば、加熱部材４３２０はドア４１５０に埋め込まれたヒーターとして提供され得る。ヒーターから発生する熱はドア４１５０を通じてドア４１５０に設置された支持部材４３００へ伝達される。これによって、支持部材４３００に安着された基板Ｓが所定の温度に加熱できる。
【０１０１】
第２工程チャンバー４０００でハウジング４１００の内部は超臨界乾燥工程が進行される間に加熱部材４４００によって加熱されて臨界温度以上の高温状態になる。加熱部材４３２０がドア４１５０が開口４１１０から離隔されてハウジング４１００の外部に位置する支持部材４３００に安着された基板Ｓを加熱して所定の温度に維持させれば、基板Ｓがハウジング４１００の外部から内部へ移動しながら発生する温度差が最小化されて温度差による基板Ｓの損傷を防止できる。
【０１０２】
図９は図２の第２工程チャンバー４０００が積層されて配置されることを示した図面である。
【０１０３】
図９を参照すれば、４つの第２工程チャンバー４０００ａ、４０００ｂ、４０００ｃ、４０００ｄが上下方向に積層されて提供されている。勿論、積層される第２工程チャンバー４０００の数は必要によって加減され得る。第２工程チャンバー４０００ではドア４１５０に支持部材４３００が設置され、ドア４１５０がスライディングして開口４１１０を通じて基板Ｓが支持部材４３００に安着された状態にハウジング４１００の内へ搬入されるので、移送ロボット４１００が基板Ｓを直接保持したままハウジング４１００へ進入する必要が無いので、上下に小さい高さを有するように提供され得る。また、このような構造にしたがって開口４１１０の面積が小さく、超臨界乾燥工程の中に開口４１１０を密閉するために比較的弱い力が必要とするので、ハウジング４１００を密閉するための加圧部材４２００の駆動力が弱くてもよく、加圧部材４２００の大きさも小さくなり得る。結果的に第２工程チャンバー４０００は既存の超臨界工程を遂行する工程チャンバーに比べて全体的に大きさが小さく、特に上下方向にその高さが小さく製作され得るので、多数の第２工程チャンバー４０００を積層して配置するのが容易である。
【０１０４】
以上では本発明による基板処理装置１００が基板Ｓへ超臨界流体を供給して基板を処理することとして説明したが、本発明による基板処理装置１００が必ずこのような超臨界工程を遂行することに限定されることではない。したがって、基板処理装置１００の第２工程チャンバー４０００は供給ポート４５００へ超臨界流体をの代わりに他の工程流体を供給して基板Ｓを処理することもあり得る。このような場合には、工程流体で超臨界流体の代わりに有機溶剤やその他の多様な成分のガス、プラズマガス、不活性ガス等が使用され得る。
【０１０５】
また、基板処理装置１００はその構成要素を制御する制御器をさらに包含できる。例えば、制御器は加熱部材４４００を制御してハウジング４１００の内部温度を調節することができる。他の例えば、制御器はノズル部材２３２０、供給ライン４５５０や排気ライン４６５０に設置されたバルブを制御して薬剤や超臨界流体の流量を調節することができる。又他の例えば、制御器は加圧部材４２００を制御してハウジング４１００を開放するか、或いは密閉することができる。又、他の例えば、制御器は上部供給ポート４１１０と下部供給ポート４１２０との中でいずれか１つが先に超臨界流体の供給を開始した後、第２工程チャンバー４０００の内部圧力が予め設定された圧力に到達すれば、他の１つが超臨界流体の供給を開始するように制御することあり得る。
【０１０６】
このような制御器はハードウェア、ソフトウェア、又はこれらの組合を利用してコンピューター又はこれと類似な装置で具現され得る。
【０１０７】
ハードウェア的に制御器はＡＳＩＣｓ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ）、ＤＳＰｓ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｉｇｎａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ）、ＤＳＰＤｓ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｉｇｎａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅｓ）、ＰＬＤｓ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｌｏｇｉｃ  ｄｅｖｉｃｅｓ）、ＦＰＧＡｓ（ｆｉｅｌｄ  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｇａｔｅ  ａｒｒａｙｓ）、プロセッサー（ｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ）、マイクロコントローラ（ｍｉｃｒｏ−ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒｓ）、マイクロプロセッサー（ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ）やこれらと類似な制御機能を遂行する電気的な装置で具現され得る。
【０１０８】
又、ソフトウェア的に制御器は１つ以上のプログラム言語で作成されたソフトウェアコード又はソフトウェアアプリケーションによって具現され得る。ソフトウェアはハードウェア的に具現された制御部によって実行され得る。尚、ソフトウェアはサーバー等の外部機器から上述したハードウェア的な構成に送信されることによって設置され得る。
【０１０９】
以下では本発明による基板処理方法に関して上述した基板処理装置１００を利用して説明する。但し、これは説明を簡単にするためのものに過ぎないので、基板処理方法は上述した基板処理装置１００の以外にもこれと同一又は類似な他の装置を利用して遂行できる。また、本発明による基板処理方法は、これを遂行するコード又はプログラムの形態にコンピューター読出し可能記録媒体に格納され得る。
【０１１０】
以下では基板処理方法の一実施形態に関して説明する。基板処理方法の一実施形態は洗浄工程の全般に関する。
【０１１１】
図１０は基板処理方法の一実施形態の順序図である。
【０１１２】
基板処理方法の一実施形態は第１工程チャンバー３０００へ基板Ｓを搬入する段階（Ｓ１１０）、ケミカル工程を遂行する段階（Ｓ１２０）、リンス工程を遂行する段階（Ｓ１３０）、有機溶剤工程を遂行する段階（Ｓ１４０）、第２工程チャンバー４０００へ基板Ｓを搬入する段階（Ｓ１５０）、超臨界乾燥工程を遂行する段階（Ｓ１６０）、及びロードポート１１００に置かれる容器Ｃに基板Ｓを収納する段階（Ｓ１７０）を含む。一方、上述した段階は必ず説明された順に実行されなければならないことではなく、後に説明された段階が先に説明された段階の前に遂行されることもできる。これは後述する基板処理方法の他の実施形態でも同様である。以下では各段階に関して説明する。
【０１１３】
第１工程チャンバー３０００へ基板Ｓを搬入する（Ｓ１１０）。先ずオーバーヘッドトランスファー等の搬送装置等が基板Ｓが収納された容器Ｃをロードポート１１００に置く。容器Ｃが置かれれば、インデックスロボット１２１０が容器Ｃから基板Ｓを引き出してこれをバッファスロットに積載する。バッファスロットに積載された基板Ｓは移送ロボット２２１０によって引き出されて第１工程チャンバー３０００へ搬入され、支持プレート３１１０に安着される。
【０１１４】
第１工程チャンバー３０００へ基板Ｓが搬入されれば、ケミカル工程を遂行する（Ｓ１２０）。支持プレート３１１０に基板Ｓが置かれれば、ノズル軸駆動器３２４０によってノズル軸３２３０が移動及び回転してノズル３２１０が基板Ｓの上部に位置する。ノズル３２１０は基板Ｓの上面へ洗浄剤を噴射する。洗浄剤が噴射されれば、基板Ｓから異物質が除去される。この時、回転駆動器３１３０は回転軸３１２０を回転させて基板Ｓを回転させ得る。基板Ｓが回転されれば、洗浄剤が基板Ｓへ均一に供給され、また基板Ｓから飛散される。飛散される洗浄剤は回収筒３３１０へ流入され、回収ライン３３２０を通じて流体再生システム（図示せず）へ送られる。この時、乗降駆動器３３４０は乗降バー３３３０を通じて複数の回収筒３３１０の中でいずれか１つに飛散される洗浄剤が流入されるように回収筒３３１０を乗降させる。
【０１１５】
基板Ｓの上の異物質が十分に除去されれば、リンス工程を遂行する（Ｓ１３０）。ケミカル工程が終了されれば、基板Ｓには異物質が除去され、洗浄剤が残留になる。複数のノズル３２１０の中で洗浄剤を噴射したノズル３２１０は基板Ｓの上部から離脱し、他のノズル３２１０が基板Ｓの上部へ移動して基板Ｓの上面へリンス剤を噴射する。基板Ｓへリンス剤が供給されれば、基板Ｓに残留する洗浄剤が洗浄される。リンス工程の中でも基板Ｓの回転と薬剤との回収がなされ得る。乗降駆動器３３４０は洗浄剤を回収した回収筒３３１０と他の回収筒３３１０とへリンス剤が流入されるように回収筒３３１０の高さを調節する。
【０１１６】
基板Ｓが十分に洗浄されれば、有機溶剤工程を遂行する（Ｓ１４０）。リンス工程が終了されれば、その他のノズル３２１０が基板Ｓの上部へ移動して有機溶剤を噴射する。有機溶剤が供給されれば、基板Ｓ上のリンス剤が有機溶剤で置換される。一方、有機溶剤工程の中では基板Ｓを回転させないか、或いは低速に回転させ得る。基板Ｓの上から有機溶剤が直ちに蒸発すれば、有機溶剤の表面張力によって回路パターンに界面張力が作用して回路パターンが崩壊される可能性があるためである。
【０１１７】
第１工程チャンバー３０００で有機溶剤工程が終了されれば、第２工程チャンバー４０００へ基板Ｓを搬入し（Ｓ１５０）、第２工程チャンバー４０００が超臨界乾燥工程を遂行する（Ｓ１６０）。段階Ｓ１５０と段階Ｓ１６０に対しては後述する基板処理方法の他の実施形態で詳細に説明するようにする。
【０１１８】
超臨界乾燥工程が終了されれば、基板Ｓをロードポート１１００に置かれる容器Ｃに収納する（Ｓ１７０）。第２工程チャンバー４０００が開放されれば、移送ロボット２２１０が基板Ｓを引き出す。基板Ｓはバッファチャンバー２１００へ移動し、インデックスロボット１１１０によってバッファチャンバー２１００から引き出されて容器Ｃに収納され得る。
【０１１９】
以下では基板処理方法の他の実施形態に関して説明する。基板処理方法の他の実施形態は第２工程チャンバー４０００が超臨界乾燥工程を遂行する方法に関する。
【０１２０】
図１１は基板処理方法の他の実施形態の順序図である。
【０１２１】
基板処理方法の他の実施形態は第２工程チャンバー４０００の支持部材４３００に基板Ｓを安着される段階（Ｓ２１０）、ドア４１５０を開口４１１０に密着させる段階（Ｓ２２０）、超臨界流体を供給する段階（Ｓ２３０）、超臨界流体を排気する段階（Ｓ２４０）、ドア４１５０を開口４１１０から離隔させる段階（Ｓ２５０）、及び第２工程チャンバーから基板Ｓを搬出する段階（Ｓ２６０）を含む。以下では各段階に関して説明する。
【０１２２】
図１２乃至図１３は図１１の基板処理方法の動作図である。
【０１２３】
図１２を参照すれば、第２工程チャンバー４０００の支持部材４３００に基板Ｓを安着させる（Ｓ２１０）。ここで、第２工程チャンバー４０００はドア４１５０が開口４１１０から離隔されて支持部材４３００はハウジング４１００の外部に位置する状態である。したがって、移送ロボット２２１０はハウジング４１００の内部へ進入しなく、ハウジング４１００の外部で支持部材４３００に基板Ｓを安着させ得る。ここで、移送ロボット２２１０は第１工程チャンバー３０００から有機溶剤が残留する状態に基板Ｓを引き出してこれを支持部材４３００に安着させ得る。
【０１２４】
ドア４１５０を開口４１１０に密着させる（Ｓ２２０）。基板Ｓが支持部材４３００に安着されれば、加圧部材４３００はドア４１５０を開口４１１０の方向へ移動させて開口４１１０と密着させる。このようにドア４１５０が移動すれば、ドア４１５０に設置された支持部材４３００がハウジング４１００の内部へ移動して基板Ｓがハウジング４１００へ搬入される。また、ドア４１５０と開口４１１０が密着されれば、ハウジング４１００の内部が密閉される。具体的にシリンダー４２１０がロード４２２０をドア４１５０からハウジング４１１０の方向へ移動させ、このような動作によって、ロード４２２０と結合されたドア４１５０が開口４１１０と密着されるように移動する。
【０１２５】
第２工程チャンバー４０００が密閉されれば、超臨界流体を供給する（Ｓ２３０）。供給ポート４５００は超臨界流体をハウジング４１００の内部へ噴射することができる。このような過程でハウジング４１００の内部を超臨界雰囲気に維持するために加熱部材４３００がハウジング４１００の内部を加熱できる。噴射される超臨界流体は基板Ｓへ提供されて基板Ｓに残留する有機溶剤を溶解させて基板Ｓを乾燥させ得る。
【０１２６】
超臨界流体は上部供給ポート４５１０と下部供給ポート４５２０とを通じて供給され得る。この時、支持部材４１００はハウジング４１００の下部壁より上部壁に近いように設置され得る。基板Ｓは上面がパターン面であり、下面が非パターン面である場合、支持部材４１００が上部壁にさらに近いに提供されれば、上部供給ポート４５１０から噴射される超臨界流体が基板Ｓにより良く伝達され得る。これによって、基板Ｓのパターン面の乾燥、即ち回路パターンの間に残留する有機溶剤の乾燥が効果的に遂行できる。
【０１２７】
図１３を参照すれば、先ず下部供給ポート４５２０に超臨界流体を供給した（Ｓ２３１）後に上部供給ポート４５１０に超臨界流体の供給を開始する（Ｓ２４２）。超臨界流体が最初に流入される時にはハウジング４１００内部の圧力が未だ臨界圧力以下である状態であるので、超臨界流体が液化され得る。基板Ｓの上部へ超臨界流体が供給される場合には超臨界流体が液化されて重力によって基板Ｓの上部へ落下でき、これによって基板Ｓに損傷が発生し得る。したがって、先ず下部供給ポート４５２０を通じて超臨界流体を供給し、後に上部供給ポート４５１０を通じて超臨界流体を供給することができる。
【０１２８】
下部供給ポート４５１０を通じて超臨界流体が持続的に流入されれば、ハウジング４１００の内部圧力が臨界圧力以上に上昇し、加熱部材４２００によってハウジング４１００の内部が加熱されれば、ハウジング４１００の内部温度が臨界温度以上に上昇してハウジング４１００の内部に超臨界雰囲気が形成され得る。上部供給ポート４５１０はハウジング４１００内部が超臨界状態になった時に超臨界流体の供給を開始できる。即ち、制御器はハウジング４１００の内部圧力が臨界圧力以上になった時に上部供給ポート４５１０を通じて超臨界流体を供給することができる。
【０１２９】
一方、このように超臨界流体を供給して超臨界乾燥工程が遂行される間に、加圧部材４２００はドア４１５０からハウジング４１００方向へ力を加えてハウジング４１００又は第２工程チャンバー４０００が密閉された状態が維持されるようにすることができる。シリンダー４２１０がドア４１５０からハウジング４１００の方向へ駆動力を発生させれば、ロード４２２０がロードヘッド４２２１を通じてドア４１５０の開口４１１０と対向する面の反対面へ力を加えられ得る。
【０１３０】
ハウジング４１００の内部は超臨界状態に維持されるので、超臨界状態ではハウジング４１００の内部圧力が臨界圧力を超過した高圧状態になる。したがって、ハウジング４１００の外部と内部との圧力の差異によってドア４１５０の開口４１１０と密着された面にドア４１５０をハウジング４１００から離隔させる方向へ力が作用されるようになる。加圧部材４２００はこのようにドア４１５０の開口４１１０と対向する反対面へ圧力差によって発生した力より大きい力を加えて工程の間にハウジング４１００を密閉することができる。
【０１３１】
超臨界流体によって基板Ｓに残留する有機溶剤が溶解されて基板Ｓが十分に乾燥されれば、超臨界流体を排気する（Ｓ２４０）。排気ポート４６００が超臨界流体を第２工程チャンバー４０００から排気する。一方、上述した超臨界流体の供給及び排気は制御器が各供給ライン４５５０及び排気ライン４６５０に設置されたバルブを制御してその流量を調節することによって遂行できる。排気される超臨界流体は排気ライン４６５０を通じて大気の中へ放出されるか、或いは超臨界流体再生システム（図示せず）へ提供され得る。
【０１３２】
排気を通じて第２工程チャンバー４０００の内部圧力が十分に低くなれば、例えば常圧になれば、ドア４１５０を開口４１１０から離隔させる（Ｓ２５０）。具体的にシリンダー４２１０がロード４２２０をハウジング４１００からドア４１５０方向へ移動させれば、それに結合されたドア４１５０が開口４１１０から遠くなる方向へ移動する。
【０１３３】
第２工程チャンバー４０００から基板Ｓを搬出する（Ｓ２８０）。ドア４１５０が開口４１１０から離隔されれば、支持部材４３００がハウジング４１００の外部に位置する。移送ロボット２２１０はハウジング４１００の外部に位置する支持部材４３００からそれに安着された基板Ｓを保持して第２工程チャンバー４０００から基板Ｓを搬出することができる。
【０１３４】
以上で言及された本発明の実施形態は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に本発明に対する理解を助けるために記載されたことであるので、本発明が上述した実施形態によって限定されることではない。
【０１３５】
したがって、本発明は上述した実施形態及びその構成要素を選択的に組合するか、公知の技術を加えて具現でき、さらに本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で修正、置換及び変更が加えて修正形態、変形形態を全て含む。
【０１３６】
また、本発明の保護範囲は下の特許請求の範囲によって解釈されなければならないし、それと均等な範囲内にある発明は全て権利範囲に含まれることとして解釈されなければならない。
【符号の説明】
【０１３７】
１００・・・基板処理装置
１０００・・・インデックスモジュール
１１００・・・ロードポート
１２００・・・移送フレーム
１２１０・・・インデックスロボット
１２２０・・・インデックスレール
２０００・・・工程モジュール
２１００・・・バッファチャンバー
２２００・・・移送チャンバー
２２１０・・・移送ロボット
２２２０・・・移送レール
３０００・・・第１工程チャンバー
３１００・・・支持部材
３１１０・・・支持プレート
３１１１・・・支持ピン
３１１２・・・チャッキングピン
３１２０・・・回転軸
３１３０・・・回転駆動器
３２００・・・ノズル部材
３２１０・・・ノズル
３２２０・・・ノズルバー
３２３０・・・ノズル軸
３２４０・・・ノズル軸駆動器
３３００・・・回収部材
３３１０・・・回収筒
３３１１・・・回収口
３３２０・・・回収ライン
３３３０・・・乗降バー
３３４０・・・乗降駆動器
４０００・・・第２工程チャンバー
４１００・・・ハウジング
４１１０・・・開口
４１５０・・・ドア
４２００・・・加圧部材
４２１０・・・シリンダー
４２２０・・・ロード
４２２１・・・ロードヘッド
４３００・・・支持部材
４３１０・・・ホール
４３２０・・・加熱部材
４４００・・・加熱部材
４５００・・・供給ポート
４５５０・・・供給ライン
４５１０・・・上部供給ポート
４５２０・・・下部供給ポート
４６００・・・排気ポート
４６５０・・・排気ライン
Ｃ・・・容器
Ｓ・・・基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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