(57)【要約】【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、液体（ＬＱ）を介して露光光で基板（Ｐ）を露光する露光装置である。露光光が射出される射出面（１３ａ）を有する光学部材（１３）と、光学部材と基板との間に前記液体を供給する供給口（３３）と、供給された液体を回収する回収口（３４）とを含む液浸部材３と、射出面に対向して所定面内を移動可能なステージ（２Ｐ）と、所定面内を移動するステージ上に残る液体が所定量以下となるように液体の一部を除去する除去部材２０と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
前記光学部材と前記基板との間に前記液体を供給する供給口と、供給された前記液体を回収する回収口とを含む液浸部材と、
前記射出面に対向して所定面内を移動可能なステージと、
前記所定面内を移動する前記ステージ上に残る液体が所定量以下となるように前記液体の一部を除去する除去部材と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記除去部材の下端部は、前記回収口と同じ高さまたは前記回収口よりも下方に配置されている
請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記ステージは、物体を保持して前記所定面内を移動可能であり、
前記除去部材は、前記物体上の液体を除去する
請求項１または２記載の露光装置。
【請求項４】
前記除去部材は、前記物体上に残る液体の高さを所定値以下に制限する
請求項３記載露光装置。
【請求項５】
前記所定値は、前記所定面の直交方向における前記除去部材と前記物体との間隔以下である
請求項４記載の露光装置。
【請求項６】
前記所定値は、前記ステージが保持する前記物体に対向可能な第２の物体と前記物体との、前記所定面の直交方向の間隔以下である
請求項４または５記載の露光装置。
【請求項７】
前記除去部材は、第１の除去部材を含み、
前記第１の除去部材は、前記ステージに保持された基板の露光が終了してから該基板が前記ステージから搬出されるまでの間に、前記ステージ上に残る前記液体を除去する
請求項１から６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項８】
前記除去部材は、第１の除去部材を含み、
前記第１の除去部材は、前記ステージに基板が保持されてから該基板の露光が開始されるまでの間に、前記ステージ上に残る前記液体を除去する
請求項１から７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項９】
前記第１の除去部材は、多孔部材を含む
請求項６又は７記載の露光装置。
【請求項１０】
前記多孔部材において、前記ステージが保持する物体の表面と対向可能な第１面は、平面を含む
請求項９記載の露光装置。
【請求項１１】
前記多孔部材を保持する保持部材を備え、
前記多孔部材において前記ステージが保持する物体の表面と対向可能な第１面の側方を向く第２面の少なくとも一部は、前記保持部材と該物体との間に配置される
請求項９または１０記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第２面は、前記保持部材に近づくにつれて前記第１面の外側に向うように傾斜した斜面を含む
請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記除去部材は、前記回収口の周囲の少なくとも一部に配置され、前記ステージ上の前記液体を除去可能な第２の除去部材を含む
請求項１から１２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１４】
前記除去部材は、第１の除去部材を含み、
前記第２の除去部材は、前記射出面の周囲を環状に囲むように設けられ、
前記第１の除去部材は、前記射出面に対して前記第２の除去部材の外側に配置されている
請求項１３記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第２の除去部材は、前記液浸部材に設けられている
請求項１３または１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記第１の除去部材の少なくとも一部は、前記所定面の法線方向に関して前記第２の除去部材よりも前記ステージに接近するように設けられている。
請求項１３から１５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１７】
前記ステージが保持する物体上に形成された液浸空間からの液体の分離に応じて前記ステージの移動条件を調整する制御装置を備える
請求項１から１６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１８】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
前記射出面に対向して、物体を保持し、所定面内を移動可能なステージと、
前記光学部材と前記ステージとの間に液浸空間を形成する液浸部材と、
前記液浸空間から分離して前記物体に付着した液体を除去可能な除去部材と、
前記液浸空間からの前記液体の分離に基づいて前記ステージの移動条件を調整する制御装置と、を備える露光装置。
【請求項１９】
前記液浸空間から分離した液体の量が閾値未満である第１状態における前記ステージの移動条件は、前記液体の量が閾値以上である第２状態における前記ステージの移動条件と異なる
請求項１７または１８記載の露光装置。
【請求項２０】
前記制御装置は、前記第２状態における前記ステージの速度が前記第１状態における前記ステージの速度よりも小さくなるように、前記ステージの移動条件を調整する
請求項１９記載の露光装置。
【請求項２１】
前記制御装置は、前記ステージと前記除去部材の少なくとも一部との相対移動の経路が前記第２状態において前記第１状態よりも長くなるように、前記ステージの移動条件を調整する
請求項１９または２０記載の露光装置。
【請求項２２】
前記制御装置は、前記液浸空間からの液体の分離が前記第１状態よりも前記第２状態において抑制されるように、前記ステージの移動条件を調整する
請求項１９から２１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２３】
前記液浸空間から分離した液体を検出する検出装置を備え、
前記制御装置は、前記検出装置の検出結果に基づいて、前記ステージの移動条件を調整する
請求項１７から２２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２４】
前記検出装置は、前記除去部材によって除去された液体を検出するセンサーを含む
請求項２３記載の露光装置。
【請求項２５】
前記センサーは、前記除去部材の温度に基づいて、前記除去部材によって除去された液体を検出する
請求項２４記載の露光装置。
【請求項２６】
前記ステージは、基板を保持する第１保持部を含み、
前記ステージが保持する物体は、前記第１保持部の周囲の少なくとも一部に配置される
請求項１から２５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２７】
前記ステージが保持する物体と、該物体に対向可能な第２の物体の一方または双方は、前記ステージの位置を計測するための計測部材を含む
請求項１から２６のいずれか移行記載の露光装置。
【請求項２８】
前記除去部材の少なくとも一部は、前記第２の物体と同じ支持部材に支持されている
請求項２７記載の露光装置。
【請求項２９】
前記除去部材の変形が前記支持部材へ伝達することを抑制する構造を備える
請求項２８記載の露光装置。
【請求項３０】
前記計測部材を用いて前記ステージの位置を計測する計測装置を含み、
前記除去部材は、前記計測装置の計測処理が開始される前に、前記物体に付着した前記液体を除去する
請求項２７から２９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３１】
前記計測部材を用いて前記ステージの位置を計測する計測装置を含み、
前記計測装置の計測結果に基づいて、前記前記液体で満たされた液浸空間からの液体の分離が検出される
請求項２７から３０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３２】
前記ステージが保持する物体は、前記露光光を計測するための計測部材を含む
請求項１から３１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３３】
前記ステージが保持する物体は、前記ステージ上のアライメントマークを含む
請求項１から３２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３４】
前記ステージが保持する物体は、露光される基板を含む
請求項１から３３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３５】
前記ステージが保持する物体は、ダミー基板を含む
請求項１から３４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３６】
前記除去部材の少なくとも一部は、該除去部材を支持する支持部材に対して移動可能である
請求項１から３５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３７】
請求項１から３６のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項３８】
液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板を保持して所定面内を移動するステージとの間に液浸空間を形成することと、
前記ステージが保持する物体に前記液浸空間から分離して付着した液体を除去することと、
前記液浸空間からの液体の分離に基づいて前記ステージの移動条件を調整することと、を含む露光方法。
【請求項３９】
請求項３８記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項４０】
コンピュータに、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板を保持して所定面内を移動するステージとの間に液浸空間を形成することと、
前記ステージが保持する物体に前記液浸空間から分離して付着した液体を除去することと、
前記液浸空間からの液体の分離に基づいて前記ステージの移動条件を調整することと、を実行させるプログラム。
【請求項４１】
請求項４０記載のプログラムを記録し、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、および記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置は、基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、その基板ステージの位置計測を実行しながら、基板を露光光で露光する。下記特許文献には、スケール部材を用いて基板ステージの位置計測を実行する技術の一例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０２２７３０９号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
露光装置において、液浸空間から液体が分離して例えばスケール部材等の物体に付着すると、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置および露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法、プログラム、および記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、光学部材と基板との間に液体を供給する供給口と、供給された液体を回収する回収口とを含む液浸部材と、射出面に対向して所定面内を移動可能なステージと、所定面内を移動するステージ上に残る液体が所定量以下となるように液体の一部を除去する除去部材と、を備える露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、射出面に対向して、物体を保持し、所定面内を移動可能なステージと、光学部材とステージとの間に液浸空間を形成する液浸部材と、液浸空間から分離して物体に付着した液体を除去可能な除去部材と、液浸空間からの液体の分離に基づいてステージの移動条件を調整する制御装置と、を備える露光装置が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、第１の態様又は第２態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板を保持して所定面内を移動するステージとの間に液浸空間を形成することと、ステージが保持する物体に液浸空間から分離して付着した液体を除去することと、液浸空間からの液体の分離に基づいてステージの移動条件を調整することと、を含む露光方法が提供される。
【００１０】
本発明の第５の態様に従えば、第４の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第６の態様に従えば、コンピュータに、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板を保持して所定面内を移動するステージとの間に液浸空間を形成することと、ステージが保持する物体に液浸空間から分離して付着した液体を除去することと、液浸空間からの液体の分離に基づいてステージの移動条件を調整することと、を実行させるプログラムが提供される。
【００１２】
本発明の第７の態様に従えば、第６の態様のプログラムを記録し、コンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る基板ステージおよび計測ステージを示す図である。
【図３】第１実施形態に係る除去システムを示す図である。
【図４】第１実施形態に係る液浸部材および除去装置を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る除去装置を示す図である。
【図６】第１実施形態に係る除去装置を示す図である。
【図７】第１実施形態に係る液体除去方法を示す図である。
【図８】第１実施形態に係る露光方法を示すフローチャートである。
【図９】第１実施形態に係るステージの動作例を示す図である。
【図１０】第１実施形態に係るステージの動作例を示す図である。
【図１１】第１実施形態に係るステージの動作例を示す図である。
【図１２】第１実施形態に係るステージの動作例を示す図である。
【図１３】第２実施形態に係る除去装置の一例を示す図である。
【図１４】第２実施形態に係る除去装置を示す図である。
【図１５】第３実施形態に係る除去装置を示す図である。
【図１６】第３実施形態に係る除去部材の一例を示す図である。
【図１７】第３実施形態に係る除去部材の一例を示す図である。
【図１８】第４実施形態に係る除去装置を示す図である。
【図１９】スケール部材の一例を示す図である。
【図２０】ステージの一例を示す図である。
【図２１】デバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、そのＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、およびθＺ方向とする。
【００１６】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図２は、本実施形態に係る基板ステージ２Ｐおよび計測ステージ２Ｃの一例を示す平面図である。
【００１７】
本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１８】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、および欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板ステージ２Ｐと計測ステージ２Ｃとを備えた露光装置である。
【００１９】
図１および図２において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２Ｐと、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測器（計測部材）を搭載して移動可能な計測ステージ２Ｃと、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する液浸部材３と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４と、制御装置４に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置５とを備えている。記憶装置５は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置５には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
【００２０】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、基板ステージ２Ｐが有するスケール部材Ｔを用いてその基板ステージ２Ｐの位置を計測するエンコーダシステム６を備えている。
【００２１】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、基板Ｐの表面の位置を検出する第１検出システム７と、基板Ｐの位置を検出する第２検出システム８と、マスクステージ１、基板ステージ２Ｐ、および計測ステージ２Ｃの位置を計測する干渉計システム９とを備えている。
【００２２】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、基板ステージ２Ｐ上に残る液体を除去する除去システム１０を備える。除去システム１０は、除去システム１０と対向する位置に配置可能な物体（例えば計測ステージ２Ｃ）上に残る液体を除去することができる。本実施形態において、除去システム１０は、複数の除去装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃを有する。
【００２３】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、基板Ｐを搬送する搬送システム１１を備えている。搬送システム１１は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入する処理、および基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出する処理を実行可能である。
【００２４】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。
【００２５】
基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。
【００２６】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）およびＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、およびＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００２７】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材１２のガイド面１２Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１２ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。マスクステージ１は、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。平面モータは、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材１２に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システムの作動により、ガイド面１２Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、およびθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、マスクステージ１を移動させる駆動システムは、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システムが、リニアモータを含んでもよい。
【００２８】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系および拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２９】
投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬが射出される射出面１３ａを有する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１３が、射出面１３ａを有する。投影領域ＰＲは、射出面１３ａから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１３ａは、前述した物体と対向可能なように−Ｚ方向を向いており、ＸＹ平面と平行である。なお、射出面１３ａは、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。終端光学素子１３の光軸は、Ｚ軸と平行である。本実施形態において、射出面１３ａから射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。
【００３０】
基板ステージ２Ｐは、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１４のガイド面１４Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１４ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。計測ステージ２Ｃは、計測器（計測部材）を搭載した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１４のガイド面１４Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２Ｐおよび計測ステージ２Ｃは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。平面モータは、基板ステージ２Ｐおよび計測ステージ２Ｃのそれぞれに配置された可動子と、ベース部材１４に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、基板ステージ２Ｐおよび計測ステージ２Ｃのそれぞれは、駆動システムの作動により、ガイド面１４Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、およびθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、基板ステージ２Ｐおよび計測ステージ２Ｃを移動させる駆動システムは、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システムが、リニアモータを含んでもよい。
【００３１】
干渉計システム９は、マスクステージ１に配置された計測ミラーを用いてそのマスクステージ１の位置を計測するレーザ干渉計ユニット９Ａと、基板ステージ２Ｐに配置された計測ミラーおよび計測ステージ２Ｃに配置された計測ミラーを用いてその基板ステージ２Ｐおよび計測ステージ２Ｃの位置を計測するレーザ干渉計ユニット９Ｂとを有する。レーザ干渉計ユニット９Ａ、９Ｂの計測結果は、制御装置４に出力される。
【００３２】
図２に示すように、基板ステージ２Ｐは、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部１５を有する。本実施形態の基板ステージ２Ｐは、米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、および米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、カバー部材ＣＰ（格子を有しない部材）をリリース可能に保持するカバー部材保持部を有する。
【００３３】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部１５の周囲の少なくとも一部に配置されたカバー部材ＣＰを有する。カバー部材ＣＰは、例えば射出面１３ａが対向可能な面に配置され、基板Ｐが保持される位置を規定する。カバー部材ＣＰは、例えばプレート状の部材である。基板ステージ２Ｐが移動することによって、カバー部材ＣＰも移動する。例えば基板ステージ２Ｐがガイド面１４Ｇに沿ってＸＹ平面内を移動するとき、カバー部材ＣＰも移動する。
【００３４】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部１５の周囲の少なくとも一部に配置され、カバー部材ＣＰをリリース可能に保持する第２保持部１６を有する。本実施形態において、カバー部材ＣＰは、開口ＴＨを有する。基板Ｐは、開口ＴＨの内側に配置される。本実施形態において、カバー部材ＣＰは、基板Ｐの周囲に配置される。
【００３５】
本実施形態において、基板Ｐの表面（上面）は、実質的に平坦である。カバー部材ＣＰの表面（上面）は、実質的に平坦である。本実施形態において、第１保持部１５は、基板Ｐの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、基板Ｐの裏面（下面）を保持する。第２保持部１６は、カバー部材ＣＰの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、カバー部材ＣＰの裏面（下面）を保持する。本実施形態において、第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面（上面）と、第２保持部１６に保持されたカバー部材ＣＰの表面（上面）とは、実質的に同一平面内に配置される（面一である）。
【００３６】
また、本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部１５の周囲の少なくとも一部に配置されたスケール部材Ｔを有する。スケール部材Ｔは、例えば、カバー部材ＣＰの周囲の少なくとも一部の、射出面１３ａが対向可能な面と平行な面に配置される。本実施形態において、スケール部材Ｔは、プレート状の部材である。基板ステージ２Ｐが移動することによって、スケール部材Ｔも移動する。例えば基板ステージ２Ｐがガイド面１４Ｇに沿ってＸＹ平面内を移動するとき、スケール部材Ｔも移動する。
【００３７】
本実施形態において、第２保持部１６は、スケール部材Ｔを保持する。第２保持部１６に保持されるスケール部材Ｔは、第２保持部１６に保持されるカバー部材ＣＰの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、スケール部材Ｔは、カバー部材ＣＰの周囲に配置される。
【００３８】
本実施形態において、スケール部材Ｔの表面（上面）は、実質的に平坦である。本実施形態において、第２保持部１６は、スケール部材Ｔの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、スケール部材Ｔの裏面（下面）を保持する。本実施形態において、第２保持部１６に保持されたカバー部材ＣＰの表面（上面）と、第２保持部１６に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）とは、実質的に同一平面内に配置される（面一である）。
【００３９】
なお、第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面（上面）と第２保持部１６に保持されたカバー部材ＣＰの表面（上面）とが同一平面内に配置されてなくてもよいし、基板Ｐの表面の少なくとも一部およびカバー部材ＣＰの表面の少なくとも一部の一方又は両方がＸＹ平面と非平行でもよい。カバー部材ＣＰの表面（上面）の少なくとも一部は、平坦でなくてもよく、例えば曲面を含んでもよい。
【００４０】
なお、第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面（上面）と第２保持部１６に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）とが同一平面内に配置されてなくてもよいし、基板Ｐの表面の少なくとも一部およびスケール部材Ｔの表面の少なくとも一部の一方又は両方は、ＸＹ平面と非平行でもよい。スケール部材Ｔの表面（上面）の少なくとも一部は、平坦でなくてもよく、例えば曲面を含んでもよい。
【００４１】
また、スケール部材Ｔは、第２保持部１６からカバー部材ＣＰと独立してリリース可能であってもよいし、カバー部材ＣＰと一体化されており、第２保持部１６からカバー部材ＣＰと独立してリリース不能であってもよいし、本実施形態においては、スケール部材Ｔは、基板ステージ２Ｐからリリース可能であるが、リリース可能でなくてもよい。その場合、第２保持部１６は省略可能である。
【００４２】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐ（第２保持部１６）に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）を適宜、上面１７、と称する。上面１７は、第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面の周囲に配置される。スケール部材Ｔの上面１７は、射出面１３ａと対向可能である。
【００４３】
本実施形態において、スケール部材Ｔは、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測するためのＹスケール２６、２７と、Ｘ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測するためのＸスケール２８、２９とを含む。Ｙスケール２６は、開口ＴＨ（第１保持部１５の中心）に対して−Ｘ側に配置される。Ｙスケール２７は、開口ＴＨに対して＋Ｘ側に配置される。Ｘスケール２８は、開口ＴＨに対して−Ｙ側に配置される。Ｘスケール２９は、開口ＴＨに対して＋Ｙ側に配置される。
【００４４】
Ｙスケール２６、２７のそれぞれは、Ｘ軸方向に長く、Ｙ軸方向に所定ピッチで配置された複数の格子（格子線）を含む。すなわち、Ｙスケール２６、２７は、Ｙ軸方向を周期方向とする一次元格子を含む。Ｘスケール２８、２９のそれぞれは、Ｙ軸方向に長く、Ｘ軸方向に所定ピッチで配置された複数の格子（格子線）を含む。すなわち、Ｘスケール２８、２９は、Ｘ軸方向を周期方向とする一次元格子を含む。
【００４５】
本実施形態において、格子は、回折格子である。すなわち、本実施形態において、Ｙスケール２６、２７は、Ｙ軸方向を周期方向とする回折格子を有する。Ｘスケール２８、２９は、Ｘ軸方向を周期方向とする回折格子を有する。また、本実施形態においては、Ｙスケール２６、２７は、Ｙ軸方向を周期方向とする反射型格子（反射回折格子）が形成された反射型スケールである。Ｘスケール２８、２９は、Ｘ軸方向を周期方向とする反射型格子（反射回折格子）が形成された反射型スケールである。
【００４６】
本実施形態において、搬送システム１１は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入（ロード）する第１搬送部材１１Ａと、基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出（アンロード）する第２搬送部材１１Ｂとを有する。第１搬送部材１１Ａは、例えば露光前の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部１５に搬入する。第２搬送部材１１Ｂは、例えば露光後の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部１５から搬出する。
【００４７】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、少なくとも一部が射出面１３ａと対向する位置ＥＰと、射出面１３ａと対向しない位置ＬＰと、射出面１３ａと対向しない位置ＵＬＰとの間を移動可能である。
【００４８】
本実施形態においては、位置ＥＰに配置された物体に、射出面１３ａから射出された露光光ＥＬが照射可能である。本実施形態においては、位置ＬＰにおいて、露光前の基板Ｐを第１保持部１５に搬入する処理が実行される。位置ＵＬＰにおいて、第１保持部１５から露光後の基板Ｐを搬出する処理が実行される。また、位置ＬＰと位置ＵＬＰとの間の位置ＩＤＬにおいて、例えばアライメント処理が行われる。
【００４９】
以下の説明において、位置ＥＰを適宜、露光位置ＥＰと称する。また、位置ＬＰを適宜、第１基板交換位置ＬＰと称する。また、位置ＵＬＰを適宜、第２基板交換位置ＵＬＰと称する。また、位置ＩＤＬを適宜、アイドル位置ＩＤＬ位置と称する。
【００５０】
本実施形態において、第１基板交換位置ＬＰおよび第２基板交換位置ＵＬＰは、露光位置ＥＰに対して＋Ｙ側の位置である。本実施形態において、第１基板交換位置ＬＰは、第２基板交換位置ＵＬＰに対して−Ｘ側の位置である。位置ＩＤＬは、例えば、第１基板交換位置ＬＰと第２基板交換位置ＵＬＰとを結ぶ線上であって、露光位置ＥＰから＋Ｙ方向に直線的に移動した位置である。
【００５１】
第１保持部１５に基板Ｐを搬入するとき、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを第１基板交換位置ＬＰに移動する。制御装置４は、第１搬送部材１１Ａを用いて、第１基板交換位置ＬＰに配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部１５に、基板Ｐを搬入する。
【００５２】
第１保持部１５から基板Ｐを搬出するとき、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＵＬＰに移動する。制御装置４は、第２搬送部材１１Ｂを用いて、第２基板交換位置ＵＬＰに配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部１５から、基板Ｐを搬出する。
【００５３】
図３は、エンコーダシステム６、第１検出システム７、第２検出システム８、および除去システム１０の一例を示す平面図である。
【００５４】
第１検出システム７は、例えば米国特許第５４４８３３２号明細書等に開示されているような、所謂、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムを含む。第１検出システム７は、検出光を射出する照射装置７Ａと、検出光を受光可能な受光装置７Ｂとを有する。第１検出システム７は、照射装置７Ａから射出される検出光を検出領域ＡＦに照射して、その検出領域ＡＦに配置された物体の表面（被検面）の位置を検出する。物体の表面に照射された照射装置７Ａからの検出光は、その物体の表面で反射する。物体の表面で反射した検出光の少なくとも一部は、受光装置７Ｂに受光される。第１検出システム７は、受光装置７Ｂの受光結果に基づいて、例えばＺ軸、θＸ、およびθＹ方向に関する物体の表面の位置を検出する。
【００５５】
本実施形態において、第１検出システム７の検出領域ＡＦは、第１、第２基板交換位置ＬＰ、ＵＬＰと露光位置ＥＰとの間に配置される。第１検出システム７は、第１、第２基板交換位置ＬＰ、ＵＬＰと露光位置ＥＰとの間において、物体の表面の位置を検出する。換言すれば、第１検出システム７は、第１、第２基板交換位置ＬＰ、ＵＬＰと露光位置ＥＰとの間に配置される物体の表面の位置を検出する。
【００５６】
本実施形態においては、第１検出システム７は、例えば第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面の位置、およびスケール部材Ｔの上面１７の位置を検出可能である。なお、第１検出システム７が、計測ステージ２Ｃの表面（上面）の位置を検出してもよい。
【００５７】
第２検出システム８は、例えば米国特許５４９３４０３号明細書に開示されているような、基板Ｐの感光膜を感光させないブロードバンドな検出光を対象マークに照射し、その対象マークで反射した検出光により受光面に結像された対象マークの像と指標の像とをＣＣＤ等の撮像素子を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することで対象マークの位置を計測するＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメント装置を含む。本実施形態において、第２検出システム８は、複数のアライメント装置８Ａ〜８Ｅを含む。本実施形態において、複数のアライメント装置８Ａ〜８Ｅは、Ｘ軸方向に配置される。
【００５８】
アライメント装置８Ａは、検出光を検出領域ＡＬＡに照射して、その検出領域ＡＬＡに配置された対象マークの位置を検出する。対象マークに照射された検出光は、その対象マークで反射する。対象マークで反射した検出光に基づく対象マークの像は、撮像素子で撮像される。アライメント装置８Ａは、撮像素子の撮像結果に基づいて、例えば例えばＺ軸、θＸ、およびθＹ方向に関する対象マークの位置を検出する。同様に、アライメント装置８Ｂ〜８Ｅのそれぞれは、検出領域ＡＬＢ〜ＡＬＥに検出光を照射して、検出領域ＡＬＢ〜ＡＬＢのそれぞれに配置された対象マークの位置を検出する。
【００５９】
本実施形態において、第２検出システム８の検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、Ｘ軸方向に配置される。また、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、第１、第２基板交換位置ＬＰ、ＵＬＰと露光位置ＥＰとの間に配置される。第２検出システム８は、第１、第２基板交換位置ＬＰ、ＵＬＰと露光位置ＥＰとの間において、対象マークの位置を検出する。換言すれば、第２検出システム８は、第１、第２基板交換位置ＬＰ、ＵＬＰと露光位置ＥＰとの間に配置される対象マークの位置を検出する。
【００６０】
また、本実施形態において、第２検出システム８は、第１検出システム７よりも＋Ｙ側に配置される。本実施形態において、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、検出領域ＡＦよりも＋Ｙ側に配置される。換言すれば、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、第１、第２基板交換位置ＬＰ、ＵＬＰと検出領域ＡＦとの間に配置される。
【００６１】
本実施形態においては、第２検出システム８は、例えば第１保持部１５に保持された基板Ｐのアライメントマークの位置を検出可能である。制御装置４は、このようなアライメント処理を、第２検出システム８に実行させる。なお、第２検出システム８が、例えば計測ステージ２Ｃに配置されたマークの位置を検出してもよい。
【００６２】
エンコーダシステム６は、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、計測光を射出する照射装置および計測光を受光する受光装置を有し、スケール部材Ｔが有する格子（スケール、格子線）に照射装置からの計測光を照射し、その格子を介した計測光を受光装置で受光して、その格子の位置を計測するエンコーダヘッド６０を有する。
【００６３】
本実施形態において、エンコーダシステム６は、エンコーダヘッド６０を複数有する。
エンコーダシステム６は、Ｘ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド６０を含み、終端光学素子１３（液浸部材３）の−Ｘ側に配置されるリニアエンコーダ６Ａと、Ｙ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド６０を含み、終端光学素子１３（液浸部材３）の−Ｙ側に配置されるリニアエンコーダ６Ｂと、Ｘ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド６０を含み、終端光学素子１３（液浸部材３）の＋Ｘ側に配置されるリニアエンコーダ６Ｃと、Ｙ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド６０を含み、終端光学素子１３（液浸部材３）の＋Ｙ側に配置されるリニアエンコーダ６Ｄとを有する。
【００６４】
本実施形態において、リニアエンコーダ６Ａ、６Ｃは、Ｙスケール２６、２７を用いて、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測する。リニアエンコーダ６Ｂ、６Ｄは、Ｘスケール２８、２９を用いて、Ｘ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測する。
【００６５】
リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｄ（エンコーダヘッド６０）は、スケール部材Ｔの上面１７が対向可能な位置に配置される。スケール部材Ｔは、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｄのエンコーダヘッド６０と対向する位置に移動可能である。エンコーダヘッド６０は、照射装置から射出される計測光を計測領域に照射して、その計測領域に配置されたスケール部材Ｔの格子を検出する。スケール部材Ｔに照射された照射装置からの計測光の少なくとも一部は、そのスケール部材Ｔで反射する。スケール部材Ｔで反射した計測光の少なくとも一部は、受光装置に受光される。エンコーダシステム６は、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｄのそれぞれが有する複数のエンコーダヘッド６０の受光装置の受光結果に基づいて、例えばＸ軸、Ｙ軸、およびθＺ方向に関するスケール部材Ｔ（基板ステージ２Ｐ）の位置を計測する。
【００６６】
本実施形態において、リニアエンコーダ６Ｄの少なくとも一部は、第１、第２基板交換位置ＬＰ、ＵＬＰと露光位置ＥＰとの間に配置される。リニアエンコーダ６Ｄは、第１、第２基板交換位置ＬＰ、ＵＬＰと露光位置ＥＰとの間において、基板ステージ２Ｐの位置を計測する。換言すれば、リニアエンコーダ６Ｄは、第１、第２基板交換位置ＬＰ、ＵＬＰと露光位置ＥＰとの間に配置されるスケール部材（基板ステージ２Ｐ）の位置を計測する。
【００６７】
本実施形態において、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｃは、検出領域ＡＦよりも−Ｙ側に配置される。すなわち、本実施形態において、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｃは、検出領域ＡＦおよび検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥよりも、第１、第２基板交換位置ＬＰ、ＵＬＰから離れている。
【００６８】
除去システム１０は、複数の除去装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃを有する。本実施形態において、除去装置１０Ａ〜１０Ｃの少なくとも一部は、露光位置ＥＰと第１、第２基板交換位置ＬＰ、ＵＬＰとの間に配置される。
【００６９】
除去装置１０Ａは、リニアエンコーダ６Ｄに対して＋Ｘ側に配置されている。除去装置１０Ｂは、リニアエンコーダ６Ｄに対して−Ｘ側に配置されている。除去装置１０Ａと除去装置１０Ｂとは、Ｘ軸方向に配置されている。除去装置１０Ｃは、除去装置１０Ａ、１０Ｂよりも＋Ｙ側に配置されている。換言すれば、除去装置１０Ｃは、除去装置１０Ａ、１０Ｂよりも、第１、第２基板交換位置ＬＰ、ＵＬＰに近い位置に配置されている。本実施形態においては、Ｘ軸方向に関して、除去装置１０Ｃは、除去装置１０Ａと除去装置１０Ｂとの間に配置されている。
【００７０】
除去装置１０Ａ〜１０Ｃのそれぞれは、ＸＹ平面内を移動するスケール部材Ｔの上面１７が対向可能な位置に配置され、スケール部材Ｔの上面１７に残る液体を除去可能な除去部材２０を有する。除去部材２０の少なくとも一部は、露光位置ＥＰと第１基板交換位置ＬＰとの間に配置される。除去部材２０の少なくとも一部は、露光位置ＥＰと第２基板交換位置ＵＬＰとの間に配置される。
【００７１】
本実施形態においては、除去システム１０が有する複数の除去部材２０のうち、少なくとも２つの除去部材２０が、スケール部材Ｔの上面１７と同時に対向するように配置される。図３に示すように、本実施形態においては、基板ステージ２ＰがＸＹ平面内において所定位置に配置されたとき、除去装置１０Ａの除去部材２０と除去装置１０Ｂの除去部材２０と除去装置１０Ｃの除去部材２０とは、スケール部材Ｔの上面１７と同時に対向可能である。
【００７２】
また、図３に示す例では、除去装置１０Ａの除去部材２０が第１保持部１５の中心（開口ＴＨ）に対して＋Ｘ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向し、除去装置１０Ｂの除去部材２０が第１保持部１５の中心に対して−Ｘ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向する。
【００７３】
また、図３に示す例では、除去装置１０Ａの除去部材２０が第１保持部１５の中心（開口ＴＨ）に対して−Ｙ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向し、除去装置１０Ｂの除去部材２０が第１保持部１５の中心に対して−Ｙ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向し、除去装置１０Ｃの除去部材２０が第１保持部１５の中心に対して＋Ｙ側のスケール部材Ｔの上面１７の一部の領域と対向する。
【００７４】
なお、上述の所定位置は、例えば基板ステージ２Ｐ（基板Ｐ）の少なくとも一部が検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥの少なくとも一部に配置される位置を含む。なお、上述の所定位置が、例えば基板ステージ２Ｐ（基板Ｐ）の少なくとも一部が検出領域ＡＦに配置される位置を含んでもよい。なお、上述の所定位置が、例えば露光位置ＥＰと第１基板交換位置ＬＰとの間の位置を含んでもよいし、露光位置ＥＰと第２基板交換位置ＵＬＰとの間の位置を含んでもよい。なお、上述の所定位置が、例えば露光位置ＥＰを含んでもよい。
【００７５】
図４は、本実施形態に係る液浸部材３、リニアエンコーダ６Ｄ、及び除去装置１０Ｃの一例を示す側断面図である。液浸部材３は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。本実施形態において、液浸部材３は、投影光学系ＰＬの終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３は、環状の部材である。液浸部材３の一部は、終端光学素子１３の周囲に配置され、液浸部材３の一部は、射出面１３ａから射出される露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。
【００７６】
液浸空間ＬＳは、射出面１３ａから射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面１３ａから射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。射出面１３ａは、露光光ＥＬの進行方向（−Ｚ方向）を向く。本実施形態において、射出面１３ａは、ＸＹ平面とほぼ平行な平面である。なお、射出面１３ａがＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
【００７７】
液浸部材３は、少なくとも一部が−Ｚ方向を向く下面３０を有する。本実施形態において、射出面１３ａおよび下面３０は、射出面１３ａから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ、露光位置ＥＰ）に配置される物体との間で液体ＬＱを保持することができる。液浸空間ＬＳは、射出面１３ａおよび下面３０の少なくとも一部と投影領域ＰＲに配置される物体との間に保持された液体ＬＱによって形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１３ａと、露光位置ＥＰに配置される物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。液浸部材３は、終端光学素子１３と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように物体との間で液体ＬＱを保持可能である。
【００７８】
本実施形態において、露光位置ＥＰに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１３の射出面１３ａ側）で露光位置ＥＰに対して移動可能な物体を含む。その物体は、終端光学素子１３および液浸部材３に対して移動可能である。その物体は、射出面１３ａおよび下面３０の少なくとも一方と対向可能な上面（表面）を有する。物体の上面は、射出面１３ａとの間に液浸空間ＬＳを形成可能である。本実施形態において、物体の上面は、射出面１３ａおよび下面３０の少なくとも一部との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。一方側の射出面１３ａおよび下面３０と、他方側の物体の上面（表面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１３と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。
【００７９】
本実施形態において、その物体は、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）、基板ステージ２Ｐに保持された基板Ｐ、および計測ステージ２Ｃの少なくとも一つを含む。例えば、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）の上面１７、および基板ステージ２Ｐに保持されている基板Ｐの表面（上面）は、−Ｚ方向を向く終端光学素子１３の射出面１３ａ、およびＺ方向を向く液浸部材３の下面３０と対向可能である。もちろん、露光位置ＥＰに配置可能な物体は、基板ステージ２Ｐ（カバー部材ＣＰ、スケール部材Ｔ）、基板ステージ２Ｐに保持された基板Ｐ、基板ステージ２Ｐ上のアライメントマーク、基板ステージ２Ｐ上の各種計測部材、および計測ステージ２Ｃの少なくとも一つに限られない。これら物体の少なくとも１つは、除去装置１０Ａ〜１０Ｃの少なくとも一部と対向可能である。
【００８０】
本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。基板Ｐの露光時において、液浸部材３は、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材３の下面３０と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。
【００８１】
なお、図４は、露光位置ＥＰ（終端光学素子１３および液浸部材３と対向する位置）に基板Ｐ、カバー部材ＣＰ、およびスケール部材Ｔが配置されている状態を示す。図４において、液浸空間ＬＳは、終端光学素子１３および液浸部材３と、基板Ｐ、カバー部材ＣＰ、およびスケール部材Ｔとの間の少なくとも一部に形成されている。
【００８２】
図４に示すように、液浸部材３は、少なくとも一部が終端光学素子１３と基板Ｐ（物体）との間に配置されるプレート部３１と、少なくとも一部が終端光学素子１３の周囲に配置される本体部３２とを含む。プレート部３１は、射出面１３ａと対向する位置に孔（開口）３Ｋを有する。射出面１３ａから射出された露光光ＥＬは、孔３Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。
【００８３】
また、液浸部材３は、液体ＬＱを供給可能な供給口３３と、液体ＬＱを回収可能な回収口３４とを有する。供給口３３は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを供給する。
回収口３４は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを回収する。
【００８４】
供給口３３は、射出面１３ａから射出される露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように配置されている。本実施形態において、供給口３３は、プレート部３１の上面と射出面１３ａとの間の空間に液体ＬＱを供給する。供給口３３から供給された液体ＬＱは、プレート部３１の上面と射出面１３ａとの間の空間を流れた後、孔３Ｋを介して、基板Ｐ（物体）上に供給される。
【００８５】
供給口３３は、流路３３Ｒを介して、液体供給装置と接続されている。液体供給装置は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路３３Ｒは、液浸部材３の内部に形成された供給流路、およびその供給流路と液体供給装置とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置から送出された液体ＬＱは、流路３３Ｒを介して供給口３３に供給される。少なくとも基板Ｐの露光において、供給口３３は、液体ＬＱを供給する。
【００８６】
回収口３４は、液浸部材３の下面３０と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口３４は、露光光ＥＬが通過する孔３Ｋの下端の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、回収口３４は、プレート部３１の下面の周囲の少なくとも一部に配置される。回収口３４は、物体の表面と対向する液浸部材３の所定位置に配置されている。少なくとも基板Ｐの露光において、回収口３４に基板Ｐが対向する。基板Ｐの露光において、回収口３４は、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する。
【００８７】
本実施形態において、本体部３２は、基板Ｐ（物体）に面する開口３Ｐを有する。開口３Ｐは、プレート部３１の下面の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３は、開口３Ｐに配置された多孔部材３６を有する。本実施形態において、多孔部材３６は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材である。なお、開口３Ｐに、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。
【００８８】
本実施形態において、多孔部材３６は、基板Ｐ（物体）が対向可能な下面と、下面の反対方向を向く上面と、上面と下面とを結ぶ複数の孔とを有する。多孔部材３６の下面は、プレート部３１の下面の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３の下面３０の少なくとも一部は、プレート部３１の下面および多孔部材３６の下面を含む。
【００８９】
本実施形態において、回収口３４は、多孔部材３６の孔を含む。本実施形態において、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱは、多孔部材３６の孔（回収口３４）を介して回収される。
なお、多孔部材３６が配置されなくてもよい。
【００９０】
回収口３４は、流路３４Ｒを介して、液体回収装置と接続される。液体回収装置は、回収口３４を真空システムに接続可能であり、回収口３４を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路３４Ｒは、液浸部材３の内部に形成された回収流路、およびその回収流路と液体回収装置とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口３４から回収された液体ＬＱは、流路３４Ｒを介して、液体回収装置に回収される。
【００９１】
本実施形態において、制御装置４は、供給口３３からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口３４からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１３および液浸部材３と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。
【００９２】
なお、液浸部材３として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。
【００９３】
本実施形態において、除去装置１０Ｃは、基板ステージ２Ｐと対向可能な位置に配置された除去部材２０と、除去部材２０を保持する保持部材２１とを備える。本実施形態において、リニアエンコーダ６Ｄのエンコーダヘッド６０は、エンコーダベース６１に支持されており、除去部材２０は、保持部材２１を介してエンコーダベース６１に支持されている。
【００９４】
除去部材２０は、除去部材２０に対向可能な物体上の残留液体を、所定量以下となるように除去する。除去部材２０に対向可能な物体は、例えば基板ステージ２Ｐと計測ステージ２Ｃの一方又は双方の移動により、除去部材２０と対向可能な各種の物体を含む。ここでは、スケール部材Ｔ上に残る液体を除去する例について説明する。
【００９５】
本実施形態において、除去部材２０は、スケール部材Ｔと対向可能な位置に配置された多孔部材を含む。多孔部材２０（除去部材）は、その表面に接触した液体を、毛細管現象によって吸引する。
【００９６】
本実施形態において、多孔部材２０は、複数の気孔を含むプレート状の部材である。多孔部材２０は、スケール部材Ｔと対向可能な面（以下、下面２０ａという）を有し、下面２０ａからスケール部材Ｔ上の液体ＬＱを除去する。下面２０ａは、多孔部材２０の平均気孔径以下の凹凸を無視すると、実質的に平面である。下面２０ａは、例えば、スケール部材Ｔの上面とほぼ平行になるように、配置される。
【００９７】
本実施形態において、多孔部材２０の下端部（下面２０ａ）の少なくとも一部は、液浸部材３の回収口３４と同じ高さまたは回収口３４よりも下方に配置されている。例えば、回収口３４（多孔部材３６）の下端の位置Ｚ１（スケール部材Ｔの上面からの高さ）は、スケール部材Ｔと対向可能なエンコーダヘッド６０の下端の位置Ｚ２（スケール部材Ｔの上面からの高さ）と同じまたは下方に設定される。また、多孔部材２０の下面２０ａにおける下端の位置Ｚ３（スケール部材Ｔの上面からの高さ）は、エンコーダヘッド６０の下端の位置Ｚ２と同じまたは下方に設定される。
【００９８】
本実施形態において、多孔部材２０は、下面２０ａの側方を向く側面２０ｂを有し、下面２０ａから液体を除去することができる。側面２０ｂの少なくとも一部は、下面２０ａが対向可能な物体（例えば、スケール部材Ｔ）と保持部材２１と間に配置される。本実施形態において、側面２０ｂは、保持部材２１に近づくにつれて下面２０ａの外側に向うように傾斜した斜面を含む。
【００９９】
図５及び図６は、本実施形態に係る除去装置１０Ｃを分解して示す斜視図であり、図５は下面２０ａ側から除去装置１０Ｃを見た図、図６は下面２０ａの反対側から除去装置１０Ｃを見た図に相当する。
【０１００】
本実施形態において、保持部材２１は、多孔部材２０を向く下面２１ａが平面を含み、下面２１ａで多孔部材２０を保持する。保持部材２１の下面２１ａは、例えば接着、ネジ止め、溶融等により、多孔部材２０と接合される。本実施形態において、多孔部材２０は、保持部材２１と着脱不能であるが、着脱可能であってもよい。
【０１０１】
保持部材２１の下面２１ａは、多孔部材２０の下面２０ａとの間に段差を有する。保持部材２１２の下面２１ａは、枠状部２１ｂと、枠状部２１ｂの内側に配置される島状部２１ｃとを有する。枠状部２１ｂの内側において島状部２１ｃの間は、流路２２となっている。
【０１０２】
図６に示すように、本実施形態の除去装置１０Ｃは、保持部材２１とエンコーダベース６１とを接続する接続部材２３と、保持部材２１の温度を計測する温度センサー２４と、吸引口２５とを備える。
【０１０３】
本実施形態において、接続部材２３は、その一端側が保持部材２１に固定され、他端側がエンコーダベース６１に着脱可能である。図６には、２つの接続部材２３が図示されているが、接続部材２３の数は、１つでもよいし、３つ以上でもよい。接続部材２３は、いわゆるフレクシャー構造２３ａを含み、保持部材２１の変形がエンコーダベース６１に伝わることを抑制する。そのため、多孔部材２０が温度変化により変形した場合に、この変形が保持部材２１を介してエンコーダベース６１に伝わることが抑制される。本実施形態において、２つの接続部材２３の一方は、保持部材２１の１方向の歪を緩和するフレクシャー構造２３ａを有し、他方は保持部材２１の他方向の歪を緩和するフレクシャー構造２３ａを有する。なお、接続部材２３は、保持部材２１の振動がエンコーダベース６１に伝わることを抑制するように、設けられていてもよい。
【０１０４】
本実施形態において、温度センサー２４は、保持部材２１を介して多孔部材２０の温度を計測できる。多孔部材２０の温度は、例えば、吸引（除去）した液体の気化、吸引した液体と多孔部材２０との温度の違い等によって、変化することがありえる。温度センサー２４は、多孔部材２０の温度変化を検出することによって、多孔部材２０が除去した液体の量を検出できる。本実施形態において、制御装置４は、温度センサー２４の計測の結果を取得し、この計測の結果に基づいて露光装置ＥＸの各部を制御できる。
【０１０５】
本実施形態において、吸引口２５は、図５に示した保持部材２１の流路２２に通じている。除去装置１０Ｃは、例えば吸引口２５を吸引装置（減圧装置）に接続することによって、吸引口２５、流路２２、及び多孔部材２０の気孔を介して、液体ＬＱを除去できる。本実施形態において、除去装置１０Ｃは、上述のような吸引装置によらずに、多孔部材２０の吸引力によって液体を除去する。
【０１０６】
次に、本実施形態の液体除去方法について説明する。図７は、本実施形態に係る液体除去方法を示す図である。図７（Ａ）に示すように、例えば基板ステージ２Ｐの上面のうち液浸空間ＬＳが配置可能な領域（スケール部材Ｔ）には、液浸空間ＬＳ（図４参照）から分離した液滴Ｄｒ（液体ＬＱ）が残留することがある。ここでは、液滴Ｄｒの上端の位置（スケール部材Ｔの上面１７からの高さ）をＨ１とする。多孔部材２０の下面２０ａと対向可能な領域に残る液滴Ｄｒは、図７（Ｂ）に示すように、基板ステージ２Ｐの移動によって多孔部材２０まで運ばれる。
【０１０７】
図７（Ｂ）に示すように、液滴Ｄｒの高さＨ１が多孔部材２０の下端の位置Ｚ３（スケール部材Ｔの上面１７からの高さ）よりも高い場合に、液滴Ｄｒは、多孔部材２０の側面２０ｂに接触し、その一部が多孔部材２０の側面２０ｂから吸引される。液滴Ｄｒは、側面２０ｂが傾斜面を含んでいるので、下面２０ａの下方に潜りやすい。多孔部材２０は、例えば側面２０ｂを液体ＬＱに対して親液性にしておくことで、液滴Ｄｒを引き寄せることもできる。また、保持部材２１の下面と多孔部材２０の下面２０ａとの間に段差があるので、液滴Ｄｒが保持部材２１に付着しにくくすることができる。
【０１０８】
図７（Ｃ）に示すように、液滴Ｄｒは、基板ステージ２Ｐの移動によって、多孔部材２０の下面２０ａとスケール部材Ｔとの間に配置される。液滴Ｄｒは、多孔部材２０の下面２０ａと接触することによって、その少なくとも一部が下面２０ａから吸引されてスケール部材Ｔ上から除去される。多孔部材２０は、液滴Ｄｒに対して十分に大きい下面２０ａを有しているので、液滴Ｄｒとの接触面積が確保され、液滴Ｄｒの少なくとも一部を効率的に吸引できる。
【０１０９】
図７（Ｄ）に示すように、液滴Ｄｒは、その一部が多孔部材２０に吸引されることによって、多孔部材２０の下方を通過した後の高さが所定値以下になる。換言すると、多孔部材２０は、基板ステージ２Ｐが保持する物体上に残る液体（液滴）の高さを所定値以下に制限する。所定値は、例えば、基板ステージ２Ｐの移動面（ＸＹ面）の直交方向（Ｚ方向）における多孔部材２０の下面２０ａとスケール部材Ｔの上面１７との間隔（Ｚ３）以下である。
【０１１０】
また、所定値は、基板ステージ２Ｐが保持する第１の物体（例えばスケール部材Ｔ）が対向可能な物体のうち、例えば液体ＬＱの付着を抑制したい第２の物体の下端の位置（第１の物体の上面からの高さ）以下に設定される。例えば、エンコーダヘッド６０に液体が付着すると、計測精度が低下し、結果として露光不良が発生する可能性がある。そのため、所定値は、例えばエンコーダヘッド６０の下端とスケール部材Ｔの上面との間隔（エンコーダヘッド６０の下端の位置Ｚ２）以下に設定される。このようにすれば、多孔部材２０の下方を通った液滴Ｄｒの高さがエンコーダヘッド６０の下端よりも低くなり、エンコーダヘッド６０に液体が付着することが抑制される。
【０１１１】
なお、液滴Ｄｒは、その高さが多孔部材２０の下面２０ａよりも低い場合でも、多孔部材２０側に吸着すること等によって、多孔部材２０と接触することがありえる。この場合には、液滴Ｄｒの高さは、多孔部材２０の下面２０ａの高さ未満の所定値以下に制限されることになる。換言すると、多孔部材２０の下面２０ａの高さは、所定値よりも高くてもよい。
【０１１２】
また、多孔部材２０は、例えば吸引装置等の吸引力等によって、スケール部材Ｔ上に液体が残留しないように液体を除去してもよい。また、多孔部材２０は、液滴Ｄｒの高さ（液体の量）が所定値未満（所定量未満）である場合に、この液滴Ｄｒを吸引しなくてもよい。
【０１１３】
本実施形態において、除去装置１０Ａ、１０Ｂは、除去装置１０Ｃと同様の構成であるので、その説明を省略する。なお、除去装置１０Ａ〜１０Ｃのそれぞれが、除去部材２０（多孔部材２０）を１つずつ有してもよいし、複数有してもよい。
【０１１４】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。図８は、本実施形態に係る露光方法を示すフローチャートである。図９から図１２は、本実施形態に係るステージの動作例を示す図である以下の説明において、除去システム１０を用いて液体を除去する処理（液体除去処理）を適宜、クリーニング処理、と称する。
【０１１５】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、第１の基板Ｐに対する露光処理を開始する（ステップ２５０）。図４に示すように、終端光学素子１３および液浸部材３と、第１保持部１５に保持された基板Ｐおよび第２保持部１６に保持されたスケール部材Ｔの少なくとも一方との間に、液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置４は、基板Ｐの露光処理を開始する。なお、基板Ｐの露光処理が開始される前の所定のタイミングにおいて、例えば露光光ＥＬの計測等、所定の計測処理が実行されてもよい。
【０１１６】
基板Ｐの露光処理を実行するとき、制御装置４は、終端光学素子１３および液浸部材３と基板Ｐとを対向させ、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。制御装置４は、照明系ＩＬから露光光ＥＬを射出し、マスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭからの露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬおよび液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。これにより、基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して射出面１３ａからの露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。
【０１１７】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。
【０１１８】
本実施形態においては、基板Ｐに露光対象領域であるショット領域がマトリクス状に複数配置される。例えば基板Ｐの第１ショット領域を露光するために、制御装置４は、基板Ｐ（第１ショット領域）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して第１ショット領域に露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１ショット領域に投影され、その第１ショット領域が射出面１３ａから射出された露光光ＥＬで露光される。
【０１１９】
第１ショット領域の露光が終了した後、制御装置４は、次の第２ショット領域の露光を開始するために、液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ＰをＸＹ平面内における所定方向（例えばＸ軸方向、あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向等）に移動し、第２ショット領域を露光開始位置に移動する。その後、制御装置４は、第２ショット領域の露光を開始する。
【０１２０】
制御装置４は、投影領域ＰＲに対してショット領域をＹ軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光が終了した後、次のショット領域を露光開始位置に移動するための動作とを繰り返しながら、基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
【０１２１】
このように、本実施形態においては、制御装置４は、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
【０１２２】
基板Ｐの露光の少なくとも一部において、基板ステージ２Ｐの位置は、エンコーダシステム６によって計測される。制御装置４は、エンコーダシステム６の計測結果に基づいて、基板ステージ２Ｐの位置を制御する。また、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、基板ステージ２Ｐは、終端光学素子１３および液浸部材３と第１保持部１５に保持される基板Ｐおよび第２保持部１６に保持されるスケール部材Ｔの少なくとも一方に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された状態で、ＸＹ平面内を移動する。基板Ｐの露光の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、スケール部材Ｔに接触する。
【０１２３】
図９に示すように、基板Ｐの露光処理が終了（ステップ２５１）した後、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＵＬＰへ移動する（ステップ２５２）。すなわち、制御装置４は、第１保持部１５から露光後の基板Ｐを搬出するために、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動して、第２基板交換位置ＵＬＰに配置する動作を開始する。本実施形態において、制御装置４は、露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＵＬＰまでの基板ステージ２Ｐの移動経路が最短になるように、基板ステージ２Ｐを移動させる。
【０１２４】
なお、本実施形態において、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから離れるとき、露光位置ＥＰには計測ステージ２Ｃが配置され、終端光学素子１３および液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に液浸空間ＬＳが形成される。基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから離れるとき、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、制御装置４は、基板ステージ２Ｐの上面１７と計測ステージ２Ｃの上面１７とを接近又は接触させた状態で、終端光学素子１３および液浸部材３と基板ステージ２Ｐおよび計測ステージ２Ｃの少なくとも一方とを対向させつつ、終端光学素子１３および液浸部材３に対して、基板ステージ２Ｐおよび計測ステージ２ＣをＸＹ平面内において移動させる。これにより、液体ＬＱの漏出が抑制されつつ、液浸空間ＬＳが終端光学素子１３および液浸部材３と基板ステージ２Ｐとの間に形成される状態から、終端光学素子１３および液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に形成される状態へ変化する。また、制御装置４は、液浸空間ＬＳが、終端光学素子１３および液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に形成される状態から、終端光学素子１３および液浸部材３と基板ステージ２Ｐとの間に形成される状態へ変化させることもできる。
【０１２５】
以下の説明において、基板ステージ２Ｐの上面１７と計測ステージ２Ｃの上面とを接近又は接触させた状態で、終端光学素子１３および液浸部材３に対して、基板ステージ２Ｐと計測ステージ２ＣとをＸＹ平面内において同期移動させる動作を適宜、スクラム移動動作、と称する。本実施形態においては、スクラム移動動作において、例えば図３に示すように、基板ステージ２Ｐの上面１７の−Ｙ側の辺と、計測ステージ２Ｃの上面の＋Ｙ側の辺とが接近又は接触する。
【０１２６】
本実施形態において、除去システム１０は、露光後の基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＵＬＰへ移動する際に、基板ステージ２Ｐ上に残る液体を除去する。すなわち、制御装置４は、露光後の基板Ｐを第１保持部１５から搬出する前に、基板ステージ２Ｐ上に残る液体を除去する処理（第１クリーニング処理）を実行する。
【０１２７】
図９に示すように、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＵＬＰへ移動する際に、基板ステージ２Ｐ上の一部の領域Ａ１は、除去装置１０Ａの多孔部材２０の下方を通過（多孔部材２０の下面２０ａと対向）する。制御装置４は、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、上面１７が対向可能な位置に配置されている除去装置１０Ａの多孔部材２０で、基板ステージ２Ｐ上の領域Ａ１に残る液体を除去する。
【０１２８】
本実施形態において、領域Ａ１は、基板Ｐの上面の一部、スケール部材Ｔの上面１７の一部、及びカバー部材ＣＰの上面の一部を含む。第１クリーニング処理によって、例えばスケール部材Ｔ上に残る液体は、図７を参照して説明したように多孔部材２０に吸引され、スケール部材Ｔ上に残る液体の量（高さ）は、所定量（所定値の高さ）以下に制限される。
【０１２９】
第１クリーニング処理が終了した後、第２基板交換位置ＵＬＰに配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部１５から、第２搬送部材１１Ｂによって、露光後の基板Ｐが搬出される（ステップ２５３）。
【０１３０】
制御装置４は、露光後の基板Ｐを第１保持部１５から搬出する処理が終了した後、基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＵＬＰから第１基板交換位置ＬＰへ移動する（ステップ２５４）。すなわち、制御装置４は、露光前の第２の基板Ｐを第１保持部１５に搬入するために、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動して、第１基板交換位置ＬＰに配置する。
【０１３１】
本実施形態においては、除去システム１０は、基板Ｐを保持していない基板ステージ２Ｐが第２基板交換位置ＵＬＰから第１基板交換位置ＬＰへ移動する際に、基板ステージ２Ｐ上の領域Ａ２〜Ａ４に残る液体を除去する。すなわち、制御装置４は、露光前の第２の基板Ｐを第１保持部１５へ搬入する前に、基板ステージ２Ｐ上に残る液体を除去する処理（第２クリーニング処理）を実行する。
【０１３２】
図１０に示すように、基板ステージ２Ｐが第２基板交換位置ＵＬＰから第１基板交換位置ＬＰへ移動する際に、基板ステージ２Ｐ上の一部の領域Ａ２は、除去装置１０Ａの多孔部材２０と対向し、領域Ａ３は、除去装置１０Ｂの多孔部材２０と対向し、領域Ａ４は、除去装置１０Ｃの多孔部材２０と対向する。
【０１３３】
本実施形態において、領域Ａ２と領域Ａ３は、スケール部材Ｔの上面のうち基板ステージ２Ｐの−Ｙ側の端部に配置されている部分と、この部分に隣接するカバー部材ＣＰの上面とを含む。領域Ａ３は、領域Ａ２の一部と重複している。また、領域Ａ４は、スケール部材Ｔの上面１７のうち基板ステージ２Ｐの＋Ｙ側の端部に配置されている部分と、この部分に隣接するカバー部材ＣＰの上面とを含む。
【０１３４】
制御装置４は、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、領域Ａ２に残る液体を除去装置１０Ｃの多孔部材２０で除去し、領域Ａ３に残る液体を除去装置１０Ｂの多孔部材２０で除去し、また領域Ａ３に残る液体を除去装置１０Ｃの多孔部材２０で除去する。これにより、領域Ａ２から領域Ａ４に残る液体の量（高さ）は、所定量（所定値の高さ）以下に制限される。
【０１３５】
第２クリーニング処理が終了した後、制御装置４は、露光前の基板Ｐを第１保持部１５に搬入する処理を実行し（ステップ２５５）、続いて基板ステージ２Ｐを第１基板交換位置ＬＰからアイドル位置ＩＤＬへ移動する（ステップ２５６）。
【０１３６】
本実施形態において、除去システム１０は、露光前の基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐが第１基板交換位置ＬＰからアイドル位置ＩＤＬへ移動する際に、基板ステージ２Ｐ上に残る液体を除去する。すなわち、制御装置４は、露光前の第２の基板Ｐを第１保持部１５へ搬入した後、この基板Ｐを露光する前に、基板ステージ２Ｐ上に残る液体を除去する処理（第３クリーニング処理）を実行する。
【０１３７】
図１１に示すように、基板ステージ２Ｐが第２基板交換位置ＵＬＰから第１基板交換位置ＬＰへ移動する際に、基板ステージ２Ｐ上の一部の領域Ａ５は、除去装置１０Ｂの多孔部材２０と対向し、領域Ａ６は、除去装置１０Ｃの多孔部材２０と対向する。本実施形態において、領域Ａ５は、スケール部材Ｔの上面１７のうち基板ステージ２Ｐの−Ｙ側の端部に配置されている部分と、この部分に隣接するカバー部材ＣＰの上面とを含む。本実施形態において、領域Ａ５は、図１０に示した領域Ａ３、領域Ａ４のそれぞれと重複している。また、領域Ａ６は、スケール部材Ｔの上面のうち基板ステージ２Ｐの＋Ｙ側の端部に配置されている部分と、この部分に隣接するカバー部材ＣＰの上面とを含む。本実施形態において領域Ａ６は、図１０に示した領域Ａ２、Ａ３と重複する。
【０１３８】
制御装置４は、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、領域Ａ５に残る液体を除去装置１０Ａの多孔部材２０で除去し、領域Ａ６に残る液体を除去装置１０Ｃの多孔部材２０で除去する。これにより、領域Ａ５、領域Ａ６に残る液体の量（高さ）は、所定量（所定値の高さ）以下に制限される。
【０１３９】
本実施形態において、制御装置４は、例えば基板ステージ２Ｐがアイドル位置ＩＤＬに配置された後、露光位置ＥＰに到達する前に、第１、第２検出システム７、８を用いる検出処理を実行する（ステップ２５７）。すなわち、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているように、露光前の基板Ｐが第１保持部１５に保持された後、その基板Ｐの露光が開始される前に、第２検出システム８が基板Ｐのアライメントマークを検出し、第１検出システム７が基板Ｐの表面の位置を検出する。第２検出システム８が基板Ｐのアライメントマークを検出することによって、ＸＹ平面内における基板Ｐの複数のショット領域のそれぞれの位置が検出される。
【０１４０】
また、制御装置４は、アライメント処理が終了した後、露光前の基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐを、露光位置ＥＰへ移動する（ステップ２５８）。
【０１４１】
本実施形態において、除去システム１０は、露光前の基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐがアイドル位置ＩＤＬから露光位置ＥＰへ移動する際に、基板ステージ２Ｐ上に残る液体を除去する。すなわち、制御装置４は、露光前の第２の基板Ｐを第１保持部１５へ搬入した後、この基板Ｐを露光する前に、基板ステージ２Ｐ上に残る液体を除去する処理（第４クリーニング処理）を実行する。
【０１４２】
図１２に示すように、基板ステージ２Ｐがアイドル位置ＩＤＬから露光位置ＥＰへ移動する際に、基板ステージ２Ｐ上の一部の領域Ａ７は、除去装置１０Ａの多孔部材２０と対向し、領域Ａ８は、除去装置１０Ｃの多孔部材２０と対向する。本実施形態において、領域Ａ７は、スケール部材Ｔの上面１７のうち基板ステージ２Ｐの＋Ｘ側の端部に配置されている部分と、この部分に隣接するカバー部材ＣＰの上面とを含む。本実施形態において、領域Ａ８は、スケール部材Ｔの上面のうち基板ステージ２Ｐの−Ｘ側の端部に配置されている部分と、この部分に隣接するカバー部材ＣＰの上面とを含む。
【０１４３】
制御装置４は、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、領域Ａ７に残る液体を除去装置１０Ａの多孔部材２０で除去し、領域Ａ８に残る液体を除去装置１０Ｂの多孔部材２０で除去する。これにより、領域Ａ７、領域Ａ８に残る液体の量（高さ）は、所定量（所定値の高さ）以下に制限される。
【０１４４】
第１〜第４クリーニング処理が終了した後、スケール部材Ｔの上面１７の少なくとも一部の領域は、エンコーダヘッド６０と対向する位置に配置される。換言すれば、除去システム１０は、エンコーダシステム６のエンコーダヘッド６０による計測処理が開始される前に、そのスケール部材Ｔの表面の液体を除去する。これにより、エンコーダシステム６は、スケール部材Ｔの格子を精度良く計測できる。
【０１４５】
そして、スクラム移動動作が実行され、基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰに配置された後、その基板ステージ２Ｐの第１保持部１５に保持されている基板Ｐの露光が開始される。制御装置４は、露光位置ＥＰに配置された第２の基板Ｐに対する露光処理を開始する（ステップ２５９）。また、制御装置４は、第２の基板Ｐに対する露光処理が終了した後に、ステップ２５１〜ステップ２５９と同様の処理を行うことによって、第２の基板Ｐを搬出し、次の基板Ｐに対する露光処理を行う。このように、制御装置４は、上述の処理を繰り返して、複数の基板Ｐを順次露光する。
【０１４６】
本実施形態において、制御装置４は、基板ステージ２Ｐが保持する物体上に形成された液浸空間ＬＳからの液体ＬＱの分離に応じて基板ステージ２Ｐの移動条件を調整する。本実施形態において、基板ステージ２Ｐの移動条件は、基板ステージ２Ｐの移動軌跡、基板ステージ２Ｐの移動距離、基板ステージ２Ｐの移動速度、及び基板ステージ２Ｐの移動加速度の少なくとも１つを含む。
【０１４７】
本実施形態において、制御装置４は、液浸空間ＬＳから分離した液体ＬＱを検出した検出結果に基づいて、基板ステージ２Ｐの移動条件を調整する。
【０１４８】
本実施形態において、図６を用いて説明したように、除去装置１０Ｃの温度センサー２４は、除去部材２０の温度に基づいて、除去部材２０によって除去された液体ＬＱを検出できる。制御装置４は、温度センサー２４の検出結果に基づいて、液浸空間ＬＳから分離して基板ステージ２Ｐ上に残る液体ＬＱの量を判定する。
【０１４９】
本実施形態において、制御装置４は、温度センサー２４が検出した温度低下が閾値よりも大きい場合、除去部材２０によって除去された液体ＬＱの量が閾値よりも多い、すなわち、基板ステージ２Ｐ上に残留する液体ＬＱの量が閾値よりも多いと判定する。以下の説明において、基板ステージ２Ｐ上または計測ステージ２Ｃ上に残る液体を、適宜、残留液体という。
【０１５０】
また、制御装置４は、除去装置１０Ａ〜１０Ｃの温度センサー２４の検出結果に基づき、基板ステージ２Ｐ上の領域のうち残留液体の量が相対的に多い領域を検出することもできる。例えば、図９〜図１２を用いて示したように、基板ステージ２Ｐ上の領域のうち各除去部材２０の下方を通る領域は、基板ステージ２Ｐの移動軌跡に応じて定まる。そのため、図１２において、除去装置１０Ａの温度センサー２４の検出した温度低下が、除去装置１０Ｂの温度センサー２４の検出した温度低下よりも顕著である場合、制御装置４は、領域Ａ７において領域Ａ８よりも残留液体の量が多いと判定する。
【０１５１】
本実施形態において、制御装置４は、上述のような検出結果に基づき、液浸空間ＬＳから分離して基板ステージ２Ｐ上に残る液体ＬＱの量に応じて、基板ステージ２Ｐの移動条件を変化させる。
【０１５２】
本実施形態において、制御装置４は、液浸空間ＬＳから分離した液体ＬＱの量が閾値未満である第１状態における基板ステージ２Ｐの移動条件を、液体の量が閾値以上である第２状態における基板ステージ２Ｐの移動条件と異ならせる。例えば、制御装置４は、第１状態において、除去システム１０により除去する液体の量が第２状態よりも多くなるように、移動条件を調整する。
【０１５３】
除去システム１０により除去する液体の量は、例えば、基板ステージ２Ｐと除去部材２０との相対速度が小さくなるほど、多くなる。そのため、制御装置４は、基板ステージ２Ｐ上に残る液体の量が閾値以上である（第２状態である）と判定した場合には、基板ステージ２Ｐの移動軌跡の少なくとも一部において、基板ステージ２Ｐの移動速度が第１状態よりも小さくなるように、移動条件を調整する。
【０１５４】
なお、制御装置４は、基板ステージ２Ｐの移動軌跡のいずれの部分において移動速度を低下させるかについて、例えば、基板ステージ２Ｐ上で液体が残留している領域に応じて、定めてもよい。例えば、制御装置４は、図１１に示した領域Ａ５において閾値以上の量の液体が残留していると判定した場合に、第１基板交換位置ＬＰからアイドル位置ＩＤＬまでの移動軌跡において基板ステージ２Ｐの移動速度を低下させてもよい。この場合に、制御装置４は、他の移動軌跡において移動速度を低下させてもよいし、低下させなくてもよい。
【０１５５】
また、除去システム１０により除去する液体の量は、例えば、液体が残留している領域が除去部材２０の下方を移動する移動距離の積算値が大きくなるほど、多くなる。そのため、制御装置４は、基板ステージ２Ｐ上に残る液体の量が閾値以上である（第２状態である）と判定した場合には、基板ステージ上の少なくとも一部において上記の積算値が第２状態よりも大きくなるように、移動条件を調整する。
【０１５６】
例えば、制御装置４は、図１２に示した領域Ａ７、領域Ａ８に閾値以上の量の液体が
残留していると判定した場合に、除去部材２０の下方を領域Ａ７と領域Ａ８の少なくとも一部が通る移動経路として、図９に示したような最短の移動軌跡よりも長い移動軌跡に設定することができる。この場合に、制御装置４は、例えば、露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＵＬＰまでの移動経路を、露光位置ＥＰからアイドル位置ＩＤＬまでの移動経路（図１２と反対の移動経路）、及びアイドル位置ＩＤＬから第２基板交換位置ＵＬＰまでの移動経路（図１１と対称的な移動経路）に変更できる。
【０１５７】
なお、制御装置４は、基板ステージ２Ｐ上のいずれの領域において上記の移動距離の積算値を増加させるかについて、例えば、基板ステージ２Ｐ上で液体が残留している領域に応じて、定めてもよい。例えば、制御装置４は、図１２に示した領域Ａ７において閾値以上の量の液体が残留していると判定した場合に、領域Ａ７における移動距離の積算値を増加させてもよい。この場合に、制御装置４は、他の領域において移動距離の積算値を増加させてもよいし、増加させなくてもよい。
【０１５８】
以上説明したように、除去システム１０は、基板ステージ２Ｐの例えばスケール部材Ｔ上に残る液体を除去する。そのため、エンコーダシステム６は、スケール部材Ｔを用いて、基板ステージ２Ｐの位置計測を精度よく実行できる。したがって、露光不良の発生、および不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１５９】
本実施形態においては、除去部材２０の少なくとも一部は、終端光学素子１３および液浸部材３と離れた位置に配置されており、除去システム１０は、露光位置ＥＰとは異なる位置（射出面１３ａと対向しない位置）に配置されたスケール部材Ｔの上面１７の液体を除去する処理を実行可能である。換言すれば、除去システム１０は、露光位置ＥＰとは異なる位置で、スケール部材Ｔのクリーニング処理を実行可能である。また、除去システム１０は、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）の上面１７と終端光学素子１３および液浸部材３との間に液浸空間ＬＳが形成されていない状態で、スケール部材Ｔの上面１７に残る液体を除去する。したがって、上面１７の液体は、良好に除去される。
【０１６０】
また、本実施形態においては、露光直後に第１クリーニング処理が実行されるため、例えば露光中にスケール部材Ｔに液体が付着しても、その液体を直ちに除去することができる。また、本実施形態においては、露光直前に第２から第４クリーニング処理が実行されるため、エンコーダシステム６は、基板Ｐの露光において、スケール部材Ｔを精度良く計測できる。
【０１６１】
なお、本実施形態において、除去部材２０に対向可能な物体としてスケール部材Ｔを例として、スケール部材Ｔ上に残る液体を除去することを説明したが、このような物体は、スケール部材Ｔに限られない。除去部材２０に対向可能な物体は、基板ステージ２Ｐが保持する基板Ｐ、基板ステージ２Ｐが保持するカバー部材ＣＰ、基板ステージ２Ｐが保持する計測部材、基板ステージ２Ｐが保持するアライメントマーク、基板ステージ２Ｐが保持するダミー基板、および計測ステージ２Ｃが保持する部材の少なくとも１つを含む。基板ステージ２Ｐが保持する計測部材は、基板ステージ２Ｐの位置を計測するためのスケール部材Ｔ、基板ステージ２Ｐの位置を計測するためのセンサー、および露光光ＥＬを計測するためのセンサーの少なくとも１つを含む。また、ダミー基板は、製造するデバイスの一部にならない基板であり、例えばクリーニング用に用いられる基板、検査に用いられる基板等である。これらの物体のうち液体を除去する対象の物体については、除去部材２０の下方を対象の物体が通過するように、除去部材２０の位置とステージ（基板ステージ２Ｐ、計測ステージ２Ｃ）の移動条件の一方または双方を調整しておけばよい。
【０１６２】
なお、本実施形態において、第２検出システム８は、撮像素子を含み、基板ステージ２Ｐと対向可能である。第２検出システム８は、基板ステージ２Ｐ上に残る液体を検出可能である。制御装置４は、第２検出システム８で基板ステージ２Ｐ上に残る液体を検出し、その検出結果に基づいて、残留液体が存在する基板ステージ２Ｐ上の一部の領域が除去部材２０と対向する位置に配置されるように、基板ステージ２Ｐを移動させてもよい。
【０１６３】
なお、本実施形態において、第１検出システム７は、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムを含み、基板ステージ２Ｐ上に検出光を照射することによって、基板ステージ２Ｐ上に残る液体を検出可能である。制御装置４は、第１検出システム７で基板ステージ２Ｐ上に残る液体を検出し、その検出結果に基づいて、残留液体が存在する基板ステージ２Ｐ上の一部の領域が除去部材２０と対向する位置に配置されるように、基板ステージ２Ｐを移動させてもよい。
【０１６４】
なお、第１、第２検出システム７、８とは異なる、基板ステージ２Ｐ上に残る液体を検出可能な検出装置を設け、制御装置４は、検出装置の検出結果に基づいて、基板ステージ２Ｐ上に残る液体を除去するために、基板ステージ２Ｐを移動させてもよい。
【０１６５】
なお、本実施形態において、除去システム１０により除去する液体の量を増加させる液体除去方法として、基板ステージ２Ｐの移動速度を低下させる第１方法と、基板ステージ２Ｐの移動距離の積算値を増加させる第２方法とを説明したが、液体除去方法は、第１方法と第２方法の一方のみを含んでいてもよいし、双方を含んでいていてもよい。
【０１６６】
なお、本実施形態において、除去システム１０により除去する液体の量を増加させることで残留液体の量を減らすようにしたが、液浸空間ＬＳから分離する液体の量を減らすことによっても、残留液体の量を減らすことができる。そのため、制御装置４は、例えば露光処理中に液浸空間ＬＳから分離する液体の量が減るように、露光処理中の少なくとも一部において基板ステージ２Ｐの移動条件を調整してもよい。
【０１６７】
なお、本実施形態において、残留液体が第２状態において第１状態よりも減るように基板ステージ２Ｐの移動条件を調整する例を説明した。ここで、残留液体の量が第１閾値未満であって第２閾値以上である状態を第１状態、残留液体の量が第２閾値未満である第３状態とする。制御装置４は、第３状態において第１状態よりも基板ステージ２Ｐの移動速度を増加させるように、移動条件を調整してもよい。また、制御装置４は、第３状態において第１状態よりも移動経路を短縮するように、移動条件を調整してもよい。
【０１６８】
なお、本実施形態において、制御装置４は、残留液体を検出した結果に基づいて、基板ステージ２Ｐの移動条件を調整しているが、例えば液体の残留を推定した推定結果に基づいて、基板ステージ２Ｐの移動条件を調整してもよい。制御装置４は、残留液体の推定結果に基づいて、例えば、所定の枚数の基板Ｐに露光処理を行うたびに、残留液体を減らす処理を実行してもよい。また、制御装置４は、残留液体の推定結果に基づいて、例えば、基板ステージ２Ｐ上の領域のうち液体が残留しやすい領域を加味して、残留液体を減らす処理を実行してもよい。残留液体の推定結果は、例えば実験やシミュレーション等で予め求めておくことができる。
【０１６９】
なお、除去部材２０は、基板Ｐを露光する際に形成される液浸空間ＬＳの液体ＬＱとは別の液体を除去してもよく、例えばクリーニング用の液体を除去してもよい。また、除去部材２０は、クリーニング用の液体によりクリーニングした後に、リンスするための液体（例えば、純水）を除去してもよい。
【０１７０】
＜第２実施形態＞
第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１７１】
図１３は、本実施形態に係る液浸部材３および除去装置１０Ｃを下面から見た平面図である。図１４は、本実施形態に係る液浸部材および除去装置を示す側断面図である。
【０１７２】
本実施形態の露光装置ＥＸは、液浸部材３の回収口３４の周囲の少なくとも一部に配置された除去部材４０を備える。除去部材４０は、例えば、基板ステージ２Ｐと対向可能であり、基板ステージ２Ｐ上に残る液体を除去する。
【０１７３】
除去部材４０は、終端光学素子１３の射出面１３ａ（液浸部材３の孔３Ｋ）の周囲の少なくとも一部に設けられている。除去部材４０は、露光光ＥＬに対する放射方向に関して、回収口３４の外側に設けられており、上記の実施形態で説明した除去部材２０の内側に設けられている。換言すると、露光光ＥＬの光路Ｋの放射方向に関して除去部材４０の外側に、リニアエンコーダ６Ｄが配置され、上記の実施形態で説明した除去部材２０は、光路Ｋの放射方向に関してリニアエンコーダ６Ｄ（エンコーダヘッド６０）の外側に配置される。
【０１７４】
本実施形態において、除去部材４０は、終端光学素子１３の射出面１３ａを環状に囲むように設けられている。本実施形態において、除去部材４０は、液浸部材３に設けられている。除去部材４０は、射出面１３ａの周囲に離散的に設けられていてもよいし、液浸部材３とは別の部材に設けられていてもよい。
【０１７５】
本実施形態において、除去部材４０は、例えば焼結法等で形成されるポーラス部材等の多孔部材を含む。除去部材４０は、基板Ｐ等の物体が対向可能な下面を有する。本実施形態において、Ｚ軸方向に関して、除去部材４０の下面の位置（高さ）と、リニアエンコーダ６Ｄの下面の位置（高さ）とは、ほぼ等しい。換言すれば、除去部材４０の下面と基板Ｐ（物体）の上面との距離と、リニアエンコーダ６Ｄの下面と基板Ｐ（物体）の上面との距離とは、実質的に等しい。なお、除去部材４０の下面が、リニアエンコーダ６Ｄの下面よりも低い位置に配置されてもよいし、高い位置に配置されてもよい。
【０１７６】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、除去部材４０が除去した液体を検出するセンサー４１を備える。センサー４１は、例えば温度センサーであり、上記の実施形態で説明したように除去部材４０の温度変化を検出することにより除去部材４０が除去した液体の量を検出できる。センサー４１の検出結果は、制御装置４に出力され、例えば基板ステージ２Ｐの移動条件の調整に用いられる。すなわち、制御装置４は、センサー４１の検出結果に基づいて、基板ステージ２Ｐ上に残る液体の量を減らすように、基板ステージ２Ｐの移動条件を調整できる。
【０１７７】
センサー４１は、例えば、除去部材４０の周方向の複数の位置に設けられる。制御装置４は、複数のセンサー４１の検出結果に基づいて、例えば、光路Ｋの周囲の空間のうち液体の残留が相対的に顕著である空間を検出し、このような空間から液体を除去するように基板ステージ２Ｐの移動条件を調整することもできる。なお、センサー４１の数は、１つでもよいし、複数でもよい。
【０１７８】
ところで、露光処理中において、液浸部材３と基板Ｐとの間の空間ＳＰの外側に、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの少なくとも一部が流出する可能性がある。本実施形態においては、その空間ＳＰの外側に流出した液体ＬＱは、除去部材４０で除去される。除去部材４０は、除去部材４０の下面に接触した液体ＬＱを除去（回収）可能である。また、除去部材４０は、空間ＳＰの外側に流出した液体ＬＱ（滴）と接触することにより、その空間ＳＰの外側に流出した液体ＬＱ（滴）の大きさ（体積、質量等）を小さくすることができる。
【０１７９】
除去部材４０が設けられていることにより、空間ＳＰの液体ＬＱが、リニアエンコーダ６Ｄと基板Ｐとの間の空間ＨＰに浸入することが抑制される。また、空間ＳＰの液体ＬＱが、リニアエンコーダ６Ｄと基板Ｐとの間の空間ＨＰに浸入したとしても、その空間ＨＰに浸入する液体ＬＱ（滴）の大きさは小さい。したがって、リニアエンコーダ６Ｄの下面と基板Ｐ（物体）の上面との間に液体ＬＱが捕捉される現象（留まる現象）が発生することを抑制することができる。
【０１８０】
なお、リニアエンコーダ６Ｄ等の第１の部材の下面と基板Ｐ等の第２の部材の上面との間に液体ＬＱが捕捉される現象は、ブリッジ現象とも呼ばれる。本実施形態においては、除去部材４０が設けられているため、リニアエンコーダ６Ｄと基板Ｐとの間においてブリッジ現象が生じることが抑制される。したがって、リニアエンコーダ６Ｄの熱変形を抑制でき、エンコーダシステム６の計測精度の低下を抑制できる。
【０１８１】
なお、本実施形態において、除去部材２０および除去部材４０を備える構成を説明したが、露光装置ＥＸは、除去部材２０および除去部材４０の一方を備えていなくてもよい。
【０１８２】
＜第３実施形態＞
第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１８３】
図１５は、本実施形態に係る除去装置を示す図である。図１６は、本実施形態に係る除去部材を下面側から見た平面図である。図１７は、第３実施形態に係る他の除去部材を下面側から見た平面図である。
【０１８４】
本実施形態の除去装置１０Ｃは、基板ステージ２Ｐが保持する物体と対向可能な除去部材４２を備える。ここでは、基板ステージ２Ｐが保持する物体がスケール部材Ｔである例を説明するが、このような物体は、上記の実施形態で説明したような各種の物体の少なくとも１つであってもよい。
【０１８５】
本実施形態において、除去部材４２は、スケール部材Ｔの上面１７が対向可能な下面４４を有する。下面４４の下端の位置Ｚ３（スケール部材Ｔからの高さ）は、例えば、液浸部材３の回収口３４の下端の位置Ｚ１よりも下方に配置される。また、下面４４の下端の位置Ｚ３は、例えば、リニアエンコーダ６Ｄ（エンコーダヘッド６０）の下端の位置Ｚ２よりも下方に配置される。
【０１８６】
本実施形態において、除去部材４２は、スケール部材Ｔ上に残る液体を吸引する吸引口４３を有する。吸引口４３は、例えば、除去部材４２の下面に複数配置される。複数の吸引口４３は、除去部材４２の内部の流路を介して、吸引装置４５と接続される。除去装置１０Ｃは、吸引装置４５が吸引口４３を介してスケール部材Ｔ上を吸引することによって、スケール部材Ｔ上に残る液体を除去する。
【０１８７】
本実施形態において、除去装置１０Ｃは、エンコーダヘッド６０と別の部材に支持されている。これにより、除去部材４２の振動等がエンコーダヘッド６０に伝わることが抑制されている。なお、除去部材４２は、図４に示したようなエンコーダベース６１等に支持されていてもよい。また、除去部材４２は、エンコーダヘッド６０と同じまたは異なる支持部材に支持されており、この支持部材に除去部材４２の歪と振動の一方または双方の伝播が抑制されるように設けられていてもよい。
【０１８８】
図１６に示すように、本実施形態において、吸引口４３は、長手方向と短手方向とを有するスリット状である。図１６に示す例において、複数の吸引口４３は第１方向に延びるスリット４３ａと、第２方向に延びるスリット４３ｂとを含む。ここでは、第１方向と第２方向は、互いに直交する方向である。
【０１８９】
このようなスリット状の吸引口４３は、吸引口のエッジに液滴が引っ掛ること等によって液滴を捕捉し、液滴を捕捉している間に液滴の液体を吸引することができる。そのため、複数の吸引口４３の長手方向および短手方向は、例えば、基板ステージ２Ｐの移動方向に応じて設定される。ここで、基板ステージ２Ｐの移動軌跡のうち第１方向の移動が相対的に多いとする。この場合に、第１方向に交差（直交）する方向（第２方向）を長手方向とするスリットを設けておくと、液体を効率よく除去できる。
【０１９０】
なお、スリット状の吸引口４３の長手方向及び短手方向は、基板ステージ２Ｐの移動方向が複数であって、基板ステージ２Ｐの移動方向に応じた複数の方向に設定されていてもよい。また、複数の吸引口４３において、長手方向が揃っていてもよい。
【０１９１】
図１７に示す例において、除去部材４２の複数の吸引口４３は、第１方向に延びるスリット４３ａと、第２方向に延びるスリット４３ｂと、第３方向に延びるスリット４３ｃとを含む。ここでは、第３方向は、第１方向と第２方向のいずれとも交差する方向である。ところで、図９を参照して説明したように、基板ステージ２Ｐは、Ｘ方向とＹ方向のいずれとも交差する交差方向に直線的に移動することもありえる。本例の除去部材は、このような交差方向に応じて第３方向を設定することによって、残留液体を効率よく除去できる。
【０１９２】
以上説明したように、除去システム１０（除去装置１０Ｃ）は、基板ステージ２Ｐの例えばスケール部材Ｔ上に残る液体を除去する。そのため、エンコーダシステム６は、スケール部材Ｔを用いて、基板ステージ２Ｐの位置計測を精度よく実行できる。したがって、露光不良の発生、および不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１９３】
＜第４実施形態＞
第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１９４】
図１８は、本実施形態に係る除去装置１０Ｃを示す図である。本実施形態の除去装置１０Ｃは、除去部材２０を支持する支持部材４６に対して除去部材２０を移動する駆動部４７を備える。
【０１９５】
駆動部４７は、例えばＶＣＭ、圧電素子、電動モータ等のようなアクチュエータを含む。本実施形態において、駆動部４７は、支持部材４６に取り付けられており、上記の実施形態で説明した接続部材２３を介して、除去部材２０および保持部材２１を移動させる。支持部材４６は、例えば図４に示したエンコーダベース６１のようにエンコーダヘッド６０の支持部材であってもよいし、エンコーダヘッド６０の支持部材と別の部材であってもよい。また、駆動部４７は、保持部材２１に設けられており、保持部材２１に対して除去部材２０を移動可能でもよい。
【０１９６】
本実施形態において、駆動部４７は、基板ステージ２Ｐが保持する物体に対して除去部材２０が接近又は離れる方向（Ｚ方向）に移動可能である。このような除去装置１０Ｃは、駆動部４７が除去部材２０を移動させると、例えばスケール部材Ｔから除去部材２０の下面２０ａまでの高さを調整することができる。これにより、除去装置１０Ｃは、スケール部材Ｔ上に残る液体の高さを調整することができ、例えば残留液体の量を増やしたり減らしたりすることができる。
【０１９７】
本実施形態において、駆動部４７は、基板ステージ２Ｐが保持する物体に対して除去部材２０が接近又は離れる方向（Ｚ方向）の直交方向（基板ステージ２Ｐの移動面に平行な方向）に移動可能である。このような除去装置１０Ｃは、駆動部４７が除去部材２０を移動させると、例えば除去部材２０の下方を通るスケール部材Ｔ上の領域を変化させることができる。これにより、除去装置１０Ｃは、スケール部材Ｔ上の領域のうち液体を除去する対象の領域を変化させることができ、例えばスケール部材Ｔ上の領域のうち液体の残留が相対的に多い領域から重点的に液体を除去すること等ができる。
【０１９８】
本実施形態において、制御装置４は、駆動部４７を制御することによって、除去部材２０の位置を制御する。制御装置４は、基板ステージ２Ｐを移動しながら除去部材２０を支持部材４６に対して移動させることができる。例えば、図８に示した露光方法において、制御装置４は、第１の基板Ｐに対する処理中に検出した残留液体の情報に基づいて、除去部材２０の位置を調整し、第２の基板Ｐに対する露光処理の前に残留液体を効率よく除去することができる。
【０１９９】
本実施形態において、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを移動させないで、除去部材２０を支持部材４６に対して移動させることもできる。例えば、露光装置ＥＸのメンテナンス時等において、制御装置４は、オペレータの指令等に応じて、除去部材２０の位置を調整することができる。この場合に、残留液体の発生を示すシミュレーション結果などに基づいて、残留液体が発生しやすい領域に応じた位置に除去部材２０を配置しておくこと等ができる。
【０２００】
なお、上述の実施形態においては、スケール部材Ｔの格子が、一次元格子であることとしたが、例えば図１９に示すスケール部材Ｔ２の格子のように、二次元格子でもよい。図１９に示す例では、第１保持部１５の中心に対して＋Ｘ側のスケール部材Ｔ２の上面の一部の領域、およびＸ側のスケール部材Ｔ２の上面の一部の領域に、二次元格子が配置される。
【０２０１】
なお、上述したように、制御装置４は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。
また、制御装置４は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置５は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置５には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
【０２０２】
なお、制御装置４に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。
【０２０３】
記憶装置５に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）４が読み取り可能である。記憶装置５には、制御装置４に、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸの制御を実行させるプログラムが記録されている。
【０２０４】
記憶装置５に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、露光光ＥＬが射出される射出面１３ａを有する終端光学素子１３と、基板Ｐを保持して所定面内を移動する基板ステージ２Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成することと、基板ステージ２Ｐが保持する物体に液浸空間ＬＳから分離して付着した液体ＬＱを除去することと、液浸空間ＬＳからの液体ＬＱの分離に基づいて基板ステージの移動条件を調整することと、を実行させてもよい。
【０２０５】
記憶装置５に記憶されているプログラムが制御装置４に読み込まれることにより、基板ステージ２Ｐ、計測ステージ２Ｃ、液浸部材３、および除去システム１０等、露光装置ＥＸの各種の装置が協働して、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板Ｐの液浸露光等、各種の処理を実行する。
【０２０６】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１３の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１３の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。
【０２０７】
なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０２０８】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０２０９】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０２１０】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０２１１】
また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０２１２】
また、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６３４１００７号、米国特許第６２０８４０７号、および米国特許第６２６２７９６号等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、図２０に示すように、露光装置ＥＸが２つの基板ステージ２Ｐａ、２Ｐｂを備えている場合、射出面１３ａと対向するように配置可能（液浸空間ＬＳを形成可能）な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージに保持された物体、他方の基板ステージ、およびその他方の基板ステージに保持された物体の少なくとも一つを含む。また、第２の基板ステージ２Ｐｂは、第１の基板ステージ２Ｐａの周囲に、第１の基板ステージ２Ｐａと間隙を介して、又は実質的に間隙を有さないで配置されていてもよい。この場合に、液浸空間ＬＳは、第１の基板ステージ２Ｐａ上と第２の基板ステージ２Ｐｂ上とにわたって移動してもよい。なお、２つの基板ステージ２Ｐａ、２Ｐｂの一方又は双方に、図２０に示すように部材１５４が配置されていてもよい。部材１５４は、例えば計測部材と計測器の一方又は双方であってもよい。基板ステージに配置される部材１５４の数は、１つでもよいし、２つ以上でもよい。また、基板ステージ２Ｐａ上に配置される部材１５４は、基板ステージ２Ｐｂ上に配置される部材１５４と同じでもよいし、異なっていてもよい。
【０２１３】
なお、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。
【０２１４】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０２１５】
なお、上述の各実施形態においては、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いて各ステージの位置を計測することとしたが、ステージがエンコーダヘッドを保持しており、このエンコーダヘッドに対向可能な位置にスケールが配置されていてもよい。また、エンコーダシステムがなくてもよい。
【０２１６】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０２１７】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置および露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。
【０２１８】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０２１９】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０２２０】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、および露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。異物除処理（クリーニング処理）は、例えば基板処理ステップ２０４において実行される。
【０２２１】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態および変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報および米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０２２２】
２Ｃ  計測ステージ、２Ｐ  基板ステージ、３  液浸部材、４  制御装置、Ｐ  基板、１０  除去システム、２０  除去部材（多孔部材）、２３  接続部材、２４  温度センサー、ＥＸ  露光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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