(57)【要約】【課題】配線部材に起因する浮遊インダクタンスをさらに抑えることができる半導体モジュール及び半導体装置を提供する。【解決手段】ＩＧＢＴ１００のコレクタ端子ＣとＩＧＢＴ１０１のエミッタ端子Ｅは対向して配置されている。バスバー１０２、１０５の一端側の端部はＩＧＢＴ１００、１０１の間に対向して配置されている。バスバー１０２はＩＧＢＴ１００のコレクタ端子Ｃに、バスバー１０５はＩＧＢＴ１０１のエミッタ端子Ｅに接続されている。ＩＧＢＴモジュール１１、１２も同一構成であり、これらは列状に配置されている。正極バスバー１３及び負極バスバー１４はＩＧＢＴ１００、１１０、１２０の上面とＩＧＢＴ１０１、１１１、１２１の下面の間に対向して配置されている。正極バスバー１３はバスバー１０２、１１２、１２２の他端側の端部に、負極バスバー１４はバスバー１０５、１１５、１２５の他端側の端部に接続されている。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に形成され、電流が流入する第１端子（Ｃ）と、前記一面と背向する他面に形成され、電流が流出する第２端子（Ｅ）とを備え、異なる位置に配置される一対の半導体素子（１００、１０１）と、
一方の半導体素子（１００）の前記第１端子を配線する第１配線部材（１０２）と、
他方の半導体素子（１０１）の前記第２端子を配線する第２配線部材（１０５）と、
を備えた半導体モジュールにおいて、
前記一対の半導体素子は、前記一方の半導体素子の前記第１端子が前記他方の半導体素子側を向くとともに、前記他方の半導体素子の前記第２端子が前記一方の半導体素子側を向くように配置され、
前記第１配線部材及び前記第２配線部材は、前記一方の半導体素子の前記他面と同一の平面と、前記他方の半導体素子の前記一面と同一の平面の間に、互いに対向して配置されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記一対の半導体素子は、前記一方の半導体素子の前記第１端子と前記他方の半導体素子の前記第２端子が互いに対向して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記一方の半導体素子の前記第２端子を配線する第３配線部材（１０３）と、
前記他方の半導体素子の前記第１端子を配線する第４配線部材（１０４）と、
を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記第３配線部材と前記第４配線部材は、共通接続されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記第１配線部材及び前記第２配線部材の反半導体素子側の端部と、前記第３配線部材及び前記第４配線部材の反半導体素子側の端部は、互いに１８０度異なる方向に突出していることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記半導体素子は、スイッチング素子であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
複数個の請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体モジュール（１０〜１２）と、
前記第１配線部材を共通接続する第５配線部材（１３）と、
前記第２配線部材を共通接続する第６配線部材（１４）と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記第５配線部材及び前記第６配線部材は、前記一方の半導体素子の前記他面と同一の平面と、前記他方の半導体素子の前記一面と同一の平面の間に、互いに対向して配置されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第５配線部材（２３）は、前記第１配線部材（２０２，２１２，２２２）と一体的に構成され、
前記第６配線部材（２４）は、前記第２配線部材（２０５，２１５，２２５）と一体的に構成されていることを特徴とする請求項７及び８に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の半導体素子からなる半導体モジュール、及び、その半導体モジュールを複数備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の半導体素子からなる半導体モジュールを複数備えた半導体装置として、例えば特許文献１に開示されている積層型半導体装置がある。
【０００３】
この積層型半導体装置は、直流電圧を３相交流電圧に変換するインバータ装置である。積層型半導体装置は、３つのパワートランジスタモジュールと、Ｐ相バスバーと、Ｎ相バスバーとを備えている。
【０００４】
パワートランジスタモジュールは、一対のパワートランジスタと、バスバーとを備えている。パワートランジスタは板状のスイッチング素子である。パワートランジスタの上面には、電流が流入するドレイン電極が形成されている。また、下面には、電流が流出するソース電極が形成されている。一対のパワートランジスタは上下方向に積層されている。
【０００５】
バスバーは、上側のパワートランジスタのソース電極と下側のパワートランジスタのドレイン電極を接続するとともに、出力相端子を形成する金属からなる板状の部材である。バスバーは、一対のパワートランジスタの間に配置され、上側のパワートランジスタの下面に形成されたソース電極と下側のパワートランジスタの上面に形成されたドレイン電極にそれぞれ接続されている。
【０００６】
３つのパワートランジスタモジュールは、積層方向と直交する方向に所定の絶縁距離を隔てて列状に配置されている。
【０００７】
Ｐ相バスバーは、列状に配置された３つのパワートランジスタモジュールにおいて、上側のパワートランジスタのドレイン電極を共通接続し、バッテリの正極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。Ｐ相バスバーは、列状に配置された３つのパワートランジスタモジュールの上側に配置され、上側のパワートランジスタの上面に形成されたドレイン電極にそれぞれ接続されている。
【０００８】
Ｎ相バスバーは、列状に配置された３つのパワートランジスタモジュールにおいて、下側のパワートランジスタのソース電極を共通接続し、バッテリの負極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。Ｎ相バスバーは、列状に配置された３つのパワートランジスタモジュールの下側に配置され、Ｐ相バスバーと上下方向に対向した状態で、下側のパワートランジスタの下面に形成されたソース電極にそれぞれ接続されている。
【０００９】
パワートランジスタが所定のタイミングでスイッチングすると、バッテリの直流電圧が３相交流電圧に変換される。このとき、バッテリの正極端子から流出した電流が、Ｐ相バスバー、及び、上側のいずれかのパワートランジスタを経由して流れる。そして、異なるパワートランジスタモジュールの下側のパワートランジスタ、及び、Ｎ相バスバーを経由してバッテリの負極端子に流入する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−１４００６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、パワートランジスタモジュールや積層型半導体装置は、Ｐ相バスバーやＮ相バスバーに起因する浮遊インダクタンスを有している。しかし、上下方向に対向して配置されたＰ相バスバーとＮ相バスバーに流れる電流は、大きさが等しく逆向きである。そのため、Ｐ相バスバーに流れる電流によって発生する磁束と、Ｎ相バスバーに流れる電流によって発生する磁束が互いに打消し合い、浮遊インダクタンスを抑えることができる。
【００１２】
ところが、Ｐ相バスバーとＮ相バスバーの間には一対のパワートランジスタモジュールが配置されており、Ｐ相バスバーとＮ相バスバーの距離をこれ以上小さくすることができない。そのため、互いの磁束を充分に打消し合うことができず、浮遊インダクタンスをこれ以上抑えることができないという問題があった。
【００１３】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、配線部材に起因する浮遊インダクタンスをさらに抑えることができる半導体モジュール及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
第１の発明は、一面に形成され、電流が流入する第１端子と、一面と背向する他面に形成され、電流が流出する第２端子とを備え、異なる位置に配置される一対の半導体素子と、一方の半導体素子の第１端子を配線する第１配線部材と、他方の半導体素子の第２端子を配線する第２配線部材と、を備えた半導体モジュールにおいて、一対の半導体素子は、一方の半導体素子の第１端子が他方の半導体素子側を向くとともに、他方の半導体素子の第２端子が一方の半導体素子側を向くように配置され、第１配線部材及び第２配線部材は、一方の半導体素子の他面と同一の平面と、他方の半導体素子の一面と同一の平面の間に、互いに対向して配置されていることを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、半導体素子に流入する電流が流れる第１配線部材と、半導体素子から流出する電流が流れる第２配線部材の距離を従来に比べ小さくすることができる。そのため、第１配線部材に流れる電流によって発生する磁束と、第２配線部材に流れる電流によって発生する磁束が充分に打消し合う。従って、配線部材に起因する浮遊インダクタンスを従来に比べさらに抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態におけるインバータ装置の回路図である。
【図２】第１実施形態におけるＩＧＢＴモジュールの正面図である。
【図３】第１実施形態におけるＩＧＢＴモジュールの左側面図である。
【図４】第１実施形態におけるＩＧＢＴモジュールの右側面図である。
【図５】第１実施形態におけるＩＧＢＴモジュールの上面図である。
【図６】第１実施形態におけるＩＧＢＴモジュールの下面図である。
【図７】第１実施形態におけるインバータ装置の正面図である。
【図８】第１実施形態におけるインバータ装置の上面図である。
【図９】第１実施形態におけるインバータ装置の下面図である。
【図１０】第１実施形態の変形形態におけるＩＧＢＴモジュールの正面図である。
【図１１】第１実施形態の変形形態におけるＩＧＢＴモジュールの左側面である。
【図１２】第１実施形態の変形形態におけるＩＧＢＴモジュールの上面図である。
【図１３】第２実施形態におけるインバータ装置の正面図である。
【図１４】第２実施形態におけるインバータ装置の上面図である。
【図１５】第２実施形態におけるインバータ装置の下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
次に、実施形態を挙げ、本発明をより詳しく説明する。
【００１８】
（第１実施形態）
まず、図１〜図９を参照して第１実施形態のインバータ装置の構成について説明する。なお、図２〜図９では、ＩＧＢＴのゲート端子の記載を省略している。また、図中における前後方向、左右方向及び上下方向は、方向を区別するための便宜的に記載したものである。
【００１９】
図１に示すインバータ装置１（半導体装置）は、バッテリＢ１の直流電圧を３相交流電圧に変換してモータＭ１に供給する周知の装置である。インバータ装置１は、ＩＧＢＴモジュール１０〜１２（複数個の半導体モジュール）と、正極バスバー１３（第５配線部材）と、負極バスバー１４（第６配線部材）とを備えている。
【００２０】
ＩＧＢＴモジュール１０は、ＩＧＢＴ１００、１０１（一対の半導体素子）と、バスバー１０２〜１０５とを備えている。
【００２１】
図２〜図４に示すように、ＩＧＢＴ１００（一方の半導体素子）及びＩＧＢＴ１０１（他方の半導体素子）は、板状のスイッチング素子である。ＩＧＢＴ１００、１０１の下面（一面）には、電流が流入するコレクタ端子Ｃ（第１端子）が形成されている。また、下面と背向する上面（他面）には、電流が流出するエミッタ端子Ｅ（第２端子）が形成されている。ＩＧＢＴ１００、１０１は、上下方向の異なる位置に、ＩＧＢＴ１００のコレクタ端子ＣがＩＧＢＴ１０１側を向くとともに、ＩＧＢＴ１０１のエミッタ端子ＥがＩＧＢＴ１００側を向くように配置されている。具体的には、ＩＧＢＴ１００のコレクタ端子ＣとＩＧＢＴ１０１のエミッタ端子Ｅが、上下方向に所定の絶縁距離を隔てて互いに対向して配置されている。
【００２２】
図１〜図４に示すように、バスバー１０２（第１配線部材）は、ＩＧＢＴ１００のコレクタ端子ＣをバッテリＢ１の正極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。バスバー１０２は、ＩＧＢＴ１００の上面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１の下面と同一の平面の間に配置されている。具体的には、ＩＧＢＴ１００の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１の上面と同一の平面の間に配置されている。バスバー１０２の一端側の端部は、ＩＧＢＴ１００の下側からコレクタ端子Ｃに接続されている。また、図３〜図６に示すように、他端側（反半導体素子側）の端部は前方に突出している。
【００２３】
図１〜図４に示すように、バスバー１０３（第３配線部材）は、ＩＧＢＴ１００のエミッタ端子Ｅを、バスバー１０４を介してＩＧＢＴ１０１のコレクタ端子Ｃに配線するとともに、モータＭ１のＵ相端子ＴＵに配線するための金属からなる板状の部材である。バスバー１０３の一端側の端部は、ＩＧＢＴ１００の上側からエミッタ端子Ｅに接続されている。また、図３〜図５に示すように、他端側（反半導体素子側）の端部は後方に突出している。
【００２４】
図１〜図４に示すように、バスバー１０４（第４配線部材）は、ＩＧＢＴ１０１のコレクタ端子Ｃを、バスバー１０３を介してＩＧＢＴ１００のエミッタ端子Ｅに配線するとともに、モータのＵ相端子ＴＵに配線するための金属からなる板状の部材である。バスバー１０４の一端側の端部は、ＩＧＢＴ１０１の下側からコレクタ端子Ｃに接続されている。また、図３、図４及び図６に示すように、他端側（反半導体素子側）の端部は後方に突出している。
【００２５】
図１〜図４に示すように、バスバー１０５（第２配線部材）は、ＩＧＢＴ１０１のエミッタ端子ＥをバッテリＢ１の負極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。バスバー１０５は、ＩＧＢＴ１００の上面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１の下面と同一の平面の間に配置されている。具体的には、ＩＧＢＴ１００の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１の上面と同一の平面の間であって、バスバー１０２の下側に配置されている。より具体的には、バスバー１０５の一端側の端部が、バスバー１０２の一端側の端部と上下方向に所定の絶縁距離を隔てて互いに対向して配置されている。バスバー１０５の一端の端部は、ＩＧＢＴ１０１の上側からエミッタ端子Ｅに接続されている。また、図３〜図６に示すように、他端側（反半導体素子側）の端部は、バスバー１０２の他端側の端部と上下方向に対向することなく前方に突出している。
【００２６】
バスバー１０２、１０５の他端側の端部と、バスバー１０３、１０４の他端側の端部は、互いに１８０度異なる方向に突出している。
【００２７】
ＩＧＢＴモジュール１１は、ＩＧＢＴ１１０、１１１と、バスバー１１２〜１１５とを備えている。ＩＧＢＴ１１０、１１１は、ＩＧＢＴ１００、１０１と同一構成である。バスバー１１２〜１１５は、バスバー１０２〜１０５と同一構成である。
【００２８】
ＩＧＢＴモジュール１２は、ＩＧＢＴ１２０、１２１と、バスバー１２２〜１２５とを備えている。ＩＧＢＴ１２０、１２１は、ＩＧＢＴ１００、１０１と同一構成である。バスバー１２２〜１２５は、バスバー１０２〜１０５と同一構成である。
【００２９】
ＩＧＢＴモジュール１０〜１２は、図７〜図９に示すように、バスバー１０３、１１３、１２３を上側に、バスバー１０４、１１４、１２４を下側にするととともに、バスバー１０２、１０５、１１２、１１５、１２２、１２５の他端側の端部を前方に、バスバー１０３、１０４、１１３、１１４、１２３、１２４の他端側の端部を後方にそれぞれ突出させた状態で、左右方向に所定の絶縁距離を隔てて列状に配置されている。
【００３０】
正極バスバー１３は、バスバー１０２、１１２、１２２を共通接続し、バッテリＢ１の正極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。正極バスバー１３は、バスバー接続部１３０と、バッテリ接続部１３１とを備えている。バスバー接続部１３０は、バスバー１０２、１１２、１２２を共通接続するための部位である。バッテリ接続部１３１は、バスバー接続部１３０をバッテリＢ１の正極端子に配線するための部位である。正極バスバー１３は、バッテリ接続部１３１を前方に突出させた状態で、ＩＧＢＴ１００、１１０、１２０の上面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１、１１１、１２１の下面と同一の平面の間に配置されている。バスバー接続部１３０は、上側から、バスバー１０２、１１２、１２２の他端側の端部にそれぞれ接続されている。
【００３１】
負極バスバー１４は、バスバー１０５、１１５、１２５を共通接続し、バッテリＢ１の負極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。負極バスバー１４は、バスバー接続部１４０と、バッテリ接続部１４１とを備えている。バスバー接続部１４０は、バスバー１０５、１１５、１２５を共通接続するための部位である。バッテリ接続部１４１は、バスバー接続部１４０をバッテリＢ１の負極端子に配線するための部位である。負極バスバー１４は、バッテリ接続部１４１を前方に突出させた状態で、ＩＧＢＴ１００、１１０、１２０の上面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１、１１１、１２１の下面と同一の平面の間であって、正極バスバー１３の下側に配置されている。具体的には、バスバー接続部１４０が、バスバー接続部１３０と上下方向に所定の絶縁距離を隔てて互いに対向して配置されている。バスバー接続１４０は、下側から、バスバー１０５、１１５、１２５の他端側の端部にそれぞれ接続されている。
【００３２】
バスバー１０３、１０４、バスバー１１３、１１４及びバスバー１２３、１２４は、別のバスバー（図略）によってそれぞれ接続され、モータＭ１のＵ相端子ＴＵ、Ｖ相端子ＴＶ及びＷ相端子ＴＷにそれぞれ接続される。
【００３３】
次に、効果について説明する。ＩＧＢＴ１００、１０１、１１０、１１１、１２０、１２１が所定のタイミングでスイッチングすると、バッテリＢ１の直流電圧が３相交流電圧に変換され、モータＭ１に供給される。このとき、バッテリＢ１の正極端子から流出した電流が、正極バスバー１３、上側のいずれかのバスバー及びＩＧＢＴを経由して流れる。そして、異なるＩＧＢＴモジュールの下側のＩＧＢＴ及びバスバー、並びに、負極バスバー１４を経由してバッテリＢ１の負極端子に流入する。
【００３４】
第１実施形態によれば、ＩＧＢＴ１００、１０１は、ＩＧＢＴ１００の下面に形成されたコレクタ端子ＣがＩＧＢＴ１０１側を向くとともに、ＩＧＢＴ１０１の上面に形成されたエミッタ端子ＥがＩＧＢＴ１００側を向くように配置されている。バスバー１０２は、ＩＧＢＴ１００の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１の上面と同一の平面の間に配置されている。そして、一端側の端部がＩＧＢＴ１００のコレクタ端子Ｃに接続されている。バスバー１０５は、ＩＧＢＴ１００の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１の上面と同一の平面の間であって、バスバー１０２の下側に、バスバー１０５の一端側の端部が、バスバー１０２の一端側の端部と上下方向に互いに対向して配置されている。そして、一端側の端部がＩＧＢＴ１０５のエミッタ端子Ｅに接続されている。そのため、ＩＧＢＴ１００に流入する電流が流れるバスバー１０２と、ＩＧＢＴ１０１から流出する電流が流れるバスバー１０５の距離を従来に比べ小さくすることができる。従って、バスバー１０２に流れる電流によって発生する磁束と、バスバー１０５に流れる電流によって発生する磁束が充分に打消し合う。他のＩＧＢＴモジュール１１、１２においても同様である。
【００３５】
また、正極バスバー１３は、ＩＧＢＴ１００、１１０、１２０の上面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１、１１１、１２１の下面と同一の平面の間に配置されている。そして、バスバー接続部１３０が、バスバー１０２、１１２、１２２の他端側の端部にそれぞれ接続されている。負極バスバー１４は、ＩＧＢＴ１００、１１０、１２０の上面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１、１１１、１２１の下面と同一の平面の間であって、正極バスバー１３の下側に、バスバー接続部１４０が、バスバー接続部１３０と上下方向に互いに対向して配置されている。そして、バスバー接続部１４０がバスバー１０５、１１５、１２５の他端側の端部にそれぞれ接続されている。そのため、上側のＩＧＢＴに流入する電流が流れる正極バスバー１３と、下側のＩＧＢＴから流出する電流が流れる負極バスバー１４の距離を従来に比べ小さくすることができる。従って、正極バスバー１３に流れる電流によって発生する磁束と、負極バスバー１４に流れる電流によって発生する磁束も充分に打消し合う。その結果、バスバー１０２、１０５、１１２，１１５、１２２、１２５、正極バスバー１３及び負極バスバー１４に起因する浮遊インダクタンスを従来に比べさらに抑えることができる。
【００３６】
また、第１実施形態によれば、ＩＧＢＴ１００、１０１は、ＩＧＢＴ１００の下面に形成されたコレクタ端子Ｃと、ＩＧＢＴ１０１の上面に形成されたエミッタ端子Ｅが、上下方向に互いに対向して配置されている。そのため、バスバー１０２の一端側の端部とバスバー１０５の一端側の端部を上下方向に確実に対向させることができる。
【００３７】
さらに、第１実施形態によれば、ＩＧＢＴ１００のエミッタ端子Ｅを配線するバスバー１０３と、ＩＧＢＴ１０１のコレクタ端子Ｃを配線するバスバー１０４が、それぞれ別々に設けられている。そのため、これらの端子の配線の自由度を向上させることができる。
【００３８】
加えて、第１実施形態によれば、バッテリＢ１に接続されるバスバー１０２、１０５の他端側の端部とモータＭ１に接続されるバスバー１０３、１０４の他端側の端部が、互いに１８０度異なる方向に突出している。そのため、交差することなく効率よく配線することができる。
【００３９】
なお、第１実施形態では、ＩＧＢＴ１００のコレクタ端子ＣとＩＧＢＴ１０１のエミッタ端子Ｅが上下方向に互いに対向して配置されている例を挙げているが、これに限られるものではない。ＩＧＢＴ１０１のエミッタ端子Ｅが、ＩＧＢＴ１００のコレクタ端子Ｃの下側でなく、例えば左右方向又は前後方向のずれた位置に配置されていてもよい。バスバー１０２、１０５が、ＩＧＢＴ１００の上面と同一の平面とＩＧＢＴ１０１の下面と同一の平面の間に、互いに対向して配置されていればよい。
【００４０】
また、第１実施形態では、バスバー１０３、１０４の他端側の端部がそれぞれ後方に突出し、別のバスバーによって接続される例を挙げているが、これに限られるものではない。図１０〜図１２に示すように、バスバー１０３、１０４の他端側の端部が共通接続され、一体的に後方に突出するようにしてもよい。これにより、別のバスバーでバスバー１０３、１０４を接続する必要がなくなる。そのため、インバータ装置１の組付け作業の効率を向上させることができる。
【００４１】
さらに、第１実施形態では、ＩＧＢＴ１００、１０１が上下方向に所定の絶縁距離を隔てて配置されているが、板状の絶縁部材を介在させることによって構成してもよい。また、所定の絶縁距離を隔てた状態で、絶縁性を有する樹脂等で一体的にモールドして構成してもよい。
【００４２】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態のインバータ装置について説明する。第２実施形態のインバータ装置は、第１実施形態のインバータ装置が、バスバーとは別に正極バスバー及び負極バスバーを有するのに対して、正極バスバー及び負極バスバーをバスバーと一体的に構成するようにしたものである。第２実施形態のインバータ装置は、バスバー、正極バスバー及び負極バスバーの構成を除いて第１実施形態のインバータ装置と同一構成である。
【００４３】
図１３〜図１５を参照して第２実施形態のインバータ装置の構成について説明する。なお、図１３〜図１５では、ＩＧＢＴのゲート端子の記載を省略している。また、図中における前後方向、左右方向及び上下方向は、方向を区別するための便宜的に記載したものである。
【００４４】
図１３〜図１５に示すように、インバータ装置２（半導体装置）は、ＩＧＢＴモジュール２０〜２２（半導体モジュール）と、正極バスバー２３（第５配線部材）と、負極バスバー２４（第６配線部材）とを備えている。
【００４５】
ＩＧＢＴモジュール２０は、ＩＧＢＴ２００、２０１（一対の半導体素子）と、バスバー２０２〜２０５とを備えている。
【００４６】
ＩＧＢＴ２００（一方の半導体素子）及びＩＧＢＴ２０１（他方の半導体素子）は、第１実施形態のＩＧＢＴ１００、１０１と同一構成である。
【００４７】
バスバー２０２（第１配線部材）は、ＩＧＢＴ２００のコレクタ端子Ｃをバッテリの正極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。バスバー２０２は、ＩＧＢＴ２００の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ２０１の上面と同一の平面の間に配置されている。そして、ＩＧＢＴ２００の下側からコレクタ端子Ｃに接続されている。しかし、第１実施形態のバスバー１０２のように、端部が前方に突出していることはない。
【００４８】
バスバー２０３（第３配線部材）及びバスバー２０４（第４配線部材）は、第１実施形態のバスバー１０３、１０４と同一構成である。
【００４９】
バスバー２０５（第２配線部材）は、ＩＧＢＴ２０１のエミッタ端子Ｅをバッテリの負極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。バスバー２０５は、ＩＧＢＴ２００の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ２０１の上面と同一の平面の間であって、バスバー２０２の下側に、バスバー２０２と上下方向に所定の絶縁距離を隔てて互いに対向して配置されている。そして、ＩＧＢＴ２０１の上側からエミッタ端子Ｅに接続されている。しかし、第１実施形態のバスバー１０５のように、端部が前方に突出していることはない。
【００５０】
ＩＧＢＴモジュール２１は、ＩＧＢＴ２１０、２１１と、バスバー２１２〜２１５とを備えている。ＩＧＢＴ２１０、２１１は、ＩＧＢＴ２００、２０１と同一構成である。バスバー２１２〜２１５は、バスバー２０２〜２０５と同一構成である。
【００５１】
ＩＧＢＴモジュール２２は、ＩＧＢＴ２２０、２２１と、バスバー２２２〜２２５とを備えている。ＩＧＢＴ２２０、２２１は、ＩＧＢＴ２００、２０１と同一構成である。バスバー２２２〜２２５は、バスバー２０２〜２０５と同一構成である。
【００５２】
ＩＧＢＴモジュール２０〜２２は、バスバー２０３、２１３、２２３を上側に、バスバー２０４、２１４、２２４を下側にするととともに、バスバー２０３、２０４、２１３、２１４、２２３、２２４の他端側の端部を後方にそれぞれ突出させた状態で、左右方向に所定の絶縁距離を隔てて列状に配置されている。
【００５３】
正極バスバー２３は、バスバー２０２、２１２、２２２を共通接続し、バッテリの正極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。正極バスバー２３は、バスバー接続部材２３０ａ、２３０ｂと、バッテリ接続部材２３１ａとを備えている。
【００５４】
バスバー接続部材２３０ａは、バスバー２０２、２１２を接続するための部材である。バスバー接続部材２３０ｂは、バスバー２１２、２２２を接続するための部材である。バッテリ接続部材２３１ａは、バスバー接続部材２３０ｂをバッテリの正極端子に配線するための部材である。
【００５５】
バスバー接続部材２３０ａ、２３０ｂ及びバッテリ接続部材２３１ａは、ＩＧＢＴ２００、２１０、２２０の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ２０１、２１１、２２１の上面と同一の平面の間に配置されている。バスバー接続部材２３０ａの左側の端部はバスバー２０２の右側の端部に、右側の端部はバスバー２１２の左側の端部にそれぞれ接続されている。バスバー接続部材２３１ｂの左側の端部はバスバー２１２の右側の端部に、右側の端部はバスバー２２２の左側の端部にそれぞれ接続されている。バッテリ接続部材２３１ａは、バスバー接続部材２３０ｂの前側の端部に接続されている。正極バスバー２３は、バスバー２０２、２１２、２２２と一体的に構成されている。
【００５６】
負極バスバー２４は、バスバー２０５、２１５、２２５を共通接続し、バッテリの負極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。負極バスバー２４は、バスバー接続部材２４０ａ、２４０ｂと、バッテリ接続部材２４１ａとを備えている。
【００５７】
バスバー接続部材２４０ａは、バスバー２０５、２１５を接続するための部材である。バスバー接続部材２４０ｂは、バスバー２１５、２２５を接続するための部材である。バッテリ接続部材２４１ａは、バスバー接続部２４０ａをバッテリの負極端子に配線するための部位である。
【００５８】
バスバー接続部材２４０ａ、２４０ｂ及びバッテリ接続部材２４１ａは、ＩＧＢＴ２００、２１０、２２０の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ２０１、２１１、２２１の上面と同一の平面の間に配置されている。具体的には、バスバー接続部材２４０ａ、２４０ｂが、バスバー接続部材２３０ａ、２３０ｂと上下方向に所定の絶縁距離を隔てて互いに対向して配置されている。バスバー接続部材２４０ａの左側の端部はバスバー２０５の右側の端部に、右側の端部はバスバー２１５の左側の端部にそれぞれ接続されている。バスバー接続部材２４１ｂの左側の端部はバスバー２１５の右側の端部に、右側の端部はバスバー２２５の左側の端部にそれぞれ接続されている。バッテリ接続部材２４１ａは、バスバー接続部材２４０ａの前側の端部に接続されている。負極バスバー２４は、バスバー２０５、２１５、２２５と一体的に構成されている。
【００５９】
次に、効果について説明する。第２実施形態によれば、正極バスバー２３が、バスバー２０２、２１２、２２２と一体的に構成されている。また、負極バスバー２４が、バスバー２０５、２１５、２２５と一体的に構成されている。そのため、部品点数を削減することができる。その結果、インバータ装置２を小型化することができる。また、組付け作業の工数を削減することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１・・・インバータ装置（半導体装置）、１０・・・ＩＧＢＴモジュール（半導体モジュール）、１００、１０１・・・ＩＧＢＴ（一対の半導体素子）、１０２・・・バスバー（第１配線部材）、１０５・・・バスバー（第２配線部材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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