(57)【要約】【課題】ダイヤフラム形成後において、容易にダイヤフラムの厚さを測定できる半導体圧力センサを提供する。【解決手段】半導体からなるダイヤフラム５０を有し、ダイヤフラム５０に印加される圧力を検出する半導体圧力センサであって、ダイヤフラムの上面から下面にかけて形成された抵抗部と、それぞれ前記抵抗部と電気的に接続され、外部に露出した複数の電極とを備える。【選択図】図１
2013124947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体からなるダイヤフラムを有し、前記ダイヤフラムに印加される圧力を検出する半導体圧力センサであって、
前記ダイヤフラムの上面から下面にかけて形成された抵抗部と、
それぞれ前記抵抗部と電気的に接続され、外部に露出した複数の電極と
を備えることを特徴とする半導体圧力センサ。
【請求項２】
前記ダイヤフラムは、半導体基板を選択的にエッチングすることにより、下方に空隙を有するように形成され、上面に４つのゲージ抵抗が形成され、
前記４つのゲージ抵抗がホイートストンブリッジを構成することを特徴とする請求項１に記載の半導体圧力センサ。
【請求項３】
前記ダイヤフラムの下方に、前記ダイヤフラムとの間に空隙を有するように配置された電極層と、
前記電極層の下方に位置し前記電極層を支持する半導体基板とを更に備え、
前記ダイヤフラム及び前記電極層の静電容量に基づいて圧力を検出することを特徴とする請求項１に記載の半導体圧力センサ。
【請求項４】
前記ダイヤフラムの全域に前記抵抗部が形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体圧力センサ。
【請求項５】
前記半導体基板の下面と接合されることにより、前記空隙を真空に封止する台座を更に備えることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体圧力センサ。
【請求項６】
前記半導体の下面と接合され、貫通孔を有する台座を更に備え、
前記貫通孔により、前記空隙が大気圧とされることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体圧力センサ。
【請求項７】
前記ダイヤフラムの周囲に、検出信号を増幅する集積回路を備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体圧力センサ。
【請求項８】
前記集積回路は、前記抵抗部の抵抗値に基づいて算出された補正係数を用いて補正された検出信号を出力することを特徴とする請求項７に記載の半導体圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイヤフラムに印加される圧力を検出する半導体圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
単結晶シリコン基板の表面に、不純物拡散を施すことにより形成された４つのゲージ抵抗及び配線からホイートストンブリッジを構成し、ゲージ抵抗のピエゾ効果を用いて圧力を検出する半導体圧力センサが知られている。ゲージ抵抗を用いる半導体圧力センサは、ゲージ抵抗が形成された面と反対の面に、エッチングによってダイヤフラム（薄板部）が形成されている。ダイヤフラムが圧力を受けることで変形して、ゲージ抵抗が変形することで、ブリッジ回路の出力信号が変動し、圧力変動を検知する（特許文献１参照）。
【０００３】
このような半導体圧力センサは、大口径ウェハから製作されるため、一枚のウェハから、数千個のチップが製作される。ウェハサイズが大きいため、ダイヤフラムを形成する際のエッチングおよび初期のウェハ厚さのばらつきによって、ダイヤフラム厚さにばらつきを生じてしまう。このダイヤフラム厚さのばらつきは、圧力感度のばらつきとなるため、センサチップの完成精度に大きく影響を及ぼす。このばらつきによる感度は、信号処理回路において補正がなされ、センサチップ間におけるばらつきが無いように調整される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２８８０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、圧力感度のばらつきを調整するためには、光学的手段による厚さの測定や、圧力印加による出力確認を必要とするため、補正係数の算出までには膨大な時間を必要とする。
【０００６】
本発明は、上記問題点を鑑み、ダイヤフラム形成後において、容易にダイヤフラムの厚さを測定できる半導体圧力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、半導体からなるダイヤフラムを有し、前記ダイヤフラムに印加される圧力を検出する半導体圧力センサであって、前記ダイヤフラムの上面から下面にかけて形成された抵抗部と、それぞれ前記抵抗部と電気的に接続され、外部に露出した複数の電極とを備える半導体圧力センサであることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の第１の態様に係る半導体圧力センサにおいては、前記ダイヤフラムは、半導体基板を選択的にエッチングすることにより、下方に空隙を有するように形成され、上面に４つのゲージ抵抗が形成され、前記４つのゲージ抵抗がホイートストンブリッジを構成することができる。
【０００９】
また、本発明の第１の態様に係る半導体圧力センサにおいては、前記ダイヤフラムの下方に、前記ダイヤフラムとの間に空隙を有するように配置された電極層と、前記電極層の下方に位置し前記電極層を支持する半導体基板とを更に備え、前記ダイヤフラム及び前記電極層の静電容量に基づいて圧力を検出することができる。
【００１０】
また、本発明の第１の態様に係る半導体圧力センサにおいては、前記ダイヤフラムの全域に前記抵抗部が形成されることができる。
【００１１】
また、本発明の第１の態様に係る半導体圧力センサにおいては、前記半導体基板の下面と接合されることにより、前記空隙を真空に封止する台座を更に備えることができる。
【００１２】
また、本発明の第１の態様に係る半導体圧力センサにおいては、前記半導体の下面と接合され、貫通孔を有する台座を更に備え、前記貫通孔により、前記空隙が大気圧とされることができる。
【００１３】
また、本発明の第１の態様に係る半導体圧力センサにおいては、前記ダイヤフラムの周囲に、検出信号を増幅する集積回路を備えることができる。
【００１４】
また、本発明の第１の態様に係る半導体圧力センサにおいては、前記集積回路は、前記抵抗部の抵抗値に基づいて算出された補正係数を用いて補正された検出信号を出力することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ダイヤフラム形成後において、容易にダイヤフラムの厚さを測定できる半導体圧力センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの基本的な構成を説明する模式的な上面図である。（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ方向から見た模式的な断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの変形例の基本的な構成を説明する模式的な上面図である。（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ方向から見た模式的な断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの変形例の基本的な構成を説明する模式的な上面図である。（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ方向から見た模式的な断面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの変形例の基本的な構成を説明する模式的な上面図である。（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ方向から見た模式的な断面図である。
【図５】第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの変形例を説明する模式的な断面図である。
【図６】第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの基本的な構成を説明する模式的な上面図である。（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ方向から見た模式的な断面図である。
【図７】第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの変形例の基本的な構成を説明する模式的な上面図である。（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ方向から見た模式的な断面図である。
【図８】第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの変形例の基本的な構成を説明する模式的な上面図である。（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ方向から見た模式的な断面図である。
【図９】第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの変形例の基本的な構成を説明する模式的な上面図である。（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ方向から見た模式的な断面図である。
【図１０】第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの変形例を説明する模式的な断面図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態に係る半導体圧力センサを説明する模式的な上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
次に、図面を参照して、本発明の第１及び第２の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、断面図と平面寸法の関係、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１８】
また、以下に示す実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【００１９】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサは、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体からなるダイヤフラム（薄板部）５０を有し、ダイヤフラム５０に印加される圧力を検出する半導体素子である。ダイヤフラム５０は、シリコン（Ｓｉ）からなり、矩形平板状の半導体基板１０の下面を選択的にエッチングすることにより他所より薄く形成される。
【００２０】
第１の実施の形態に係る半導体圧力センサは、ダイヤフラム５０の上面から下面にかけて形成された抵抗部５と、それぞれ抵抗部５と電気的に接続され、外部に露出した４つの電極３１，３２，３３，３４とを備える。抵抗部５は、ｎ型半導体からなる。抵抗部５と電極３１〜３４とは、それぞれ、半導体基板１０の上面に、高濃度のｐ型不純物が選択的に拡散されることにより形成された拡散配線３０によって電気的に接続されている。
【００２１】
抵抗部５は、電極３１〜３４を介して抵抗値を測定されることにより、厚さを測定される。抵抗部５の上面及び下面は、それぞれダイヤフラム５０の上面及び下面をなしており、抵抗部５の厚さはダイヤフラム５０の厚さと等しい。抵抗部５及び半導体基板１０の上面には、抵抗部５及び半導体基板１０を保護する保護膜６が形成されている。保護膜６は、電極３１〜３４、及び入出力端子の箇所を除いて形成される。
【００２２】
第１の実施の形態に係る半導体圧力センサは、外部に露出した電極３１〜３４が、それぞれプローブに接触され、プローブに接続された処理装置により抵抗部５の抵抗値が測定される。処理装置は、抵抗部５の抵抗値から、抵抗部５及びダイヤフラム５０の厚さを算出し、圧力検出のための補正係数を算出することができる。補正係数は、予め処理装置に記憶された抵抗部の形状、抵抗値に基づいて算出されることができる。
【００２３】
例えば、予め記憶される抵抗部の形状、抵抗値は、エッチングによるダイヤフラム５０の形成完了前のデータとすることができる。処理装置は、ダイヤフラム５０の形成完了後の抵抗部５の抵抗値から、予め記憶される抵抗部の形状、抵抗値に基づいて、圧力検出のための補正係数を算出する。処理装置は、予め記憶される抵抗部のデータとして、他の半導体圧力センサの抵抗部５のデータを用いることにより、ダイヤフラム５０の厚さを相対的に比較することができる。
【００２４】
ダイヤフラム５０は、平面パターンが概略として正方形である。ダイヤフラム５０の上面には、ダイヤフラム５０の４辺のそれぞれ中点近傍に、４つのゲージ抵抗４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄが形成されている。ゲージ抵抗４ａ〜４ｄは、半導体基板１０の上面において形成された拡散配線２０によりそれぞれ接続され、ホイートストンブリッジを構成している。
【００２５】
半導体基板１０は、低濃度のｎ型半導体からなる。４つのゲージ抵抗４ａ〜４ｄは、半導体基板１０の上面に、ｐ型不純物が選択的に拡散されることより形成される。４つのゲージ抵抗４ａ〜４ｄは、ダイヤフラム５０に応力が加わっていない場合、それぞれ互いに等しい抵抗値となっている。拡散配線２０は、半導体基板１０の上面に、高濃度のｐ型不純物が選択的に拡散されることにより形成される。
【００２６】
ゲージ抵抗４ａの一端は電源端子２１に、他端は出力端子２３に接続されている。ゲージ抵抗４ｂの一端は出力端子２３に、他端は接地端子２２に接続されている。ゲージ抵抗４ｃの一端は出力端子２４に、他端は電源端子２１に接続されている。ゲージ抵抗４ｄの一端は接地端子２２に、他端は出力端子２４に接続されている。ゲージ抵抗４ａ〜４ｄ、電源端子２１、接地端子２２、出力端子２３，２４の相互間は、拡散配線２０でなく、金属薄膜等により電気的に接続されるようにしてもよい。
【００２７】
第１の実施の形態に係る圧力センサに圧力が加わると、ダイヤフラム５０が撓み、ゲージ抵抗４ａ〜４ｄがひずむことによりゲージ抵抗４ａ〜４ｄの抵抗値が変化する。よって、電源端子２１、接地端子２２間の入力電圧に対する、出力端子２３，２４間の出力電圧が変化し、出力電圧の変化から圧力が検出される。
【００２８】
第１の実施の形態に係る半導体圧力センサによれば、ダイヤフラム形成後において、容易に、抵抗部の抵抗値を測定することにより、ダイヤフラムの厚さを測定でき、ダイヤフラムの厚さのばらつきを考慮した圧力検出のための補正係数を算出できる。
【００２９】
−変形例−
以下、第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの変形例について説明する。以下の変形例において説明しない構成は、上述の第１の実施の形態と実質的に同様であるので重複する説明を省略する。
【００３０】
第１の実施の形態の第１変形例に係る半導体圧力センサは、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、圧力検出に用いる補正係数算出のための抵抗部が半導体基板１１の全域に形成される。第１の実施の形態の第１変形例に係る半導体圧力センサは、ダイヤフラム５０が、ｎ型不純物がドーピングされた半導体基板１１を選択的にエッチングすることにより形成されているので、ダイヤフラム５０の全域に抵抗部が形成されていることになる。電極３１〜３４は、直接的にダイヤフラム５０と電気的に接続されており拡散配線を必要としない。ダイヤフラム５０は、電極３１〜３４を介して抵抗値を測定されることにより、厚さを測定される。
【００３１】
４つのゲージ抵抗４ａ〜４ｄは、半導体基板１１の上面に高濃度のｎ型不純物が拡散されることにより形成された拡散領域４２ａ〜４２ｄの上部に、それぞれ形成される。４つの拡散領域４２ａ〜４２ｄは、４つのゲージ抵抗４ａ〜４ｄ及び拡散配線２０と、それぞれｐｎ接合をなしている。
【００３２】
第１の実施の形態の第２変形例に係る半導体圧力センサは、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、抵抗部５１がダイヤフラム５０の全域に形成される。半導体基板１０のダイヤフラム５０の全域は、ｐ型不純物がドーピングされることにより、抵抗部５１が形成されている。抵抗部５１と電極３１〜３４とは、それぞれ、拡散配線３０によって電気的に接続されている。
【００３３】
４つのゲージ抵抗４ａ〜４ｄは、半導体基板１０の上面に高濃度のｎ型不純物が拡散されることにより形成された拡散領域４１ａ〜４１ｄの上部に、それぞれ形成される。４つの拡散領域４１ａ〜４１ｄは、４つのゲージ抵抗４ａ〜４ｄ及び拡散配線２０と、それぞれｐｎ接合をなしている。
【００３４】
第１の実施の形態の第３変形例に係る半導体圧力センサは、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体基板１１の下面に接合された台座１５を備えることにより、ダイヤフラム５０の下方の空隙が真空に封止されている。台座１５は、例えばガラス基板からなる。第１の実施の形態の第３変形例に係る半導体圧力センサによれば、絶対真空を参照圧とした絶対圧を検出することができる。第１の実施の形態の第３変形例に係る半導体圧力センサの他の構成は、第１変形例と同様である。
【００３５】
第１の実施の形態の第４変形例に係る半導体圧力センサは、図５に示すように、半導体基板の下面に接合され、貫通孔１５０を有する台座１５１を備える。台座１５１は、例えばガラス基板からなる。台座１５１が貫通孔を有することにより、ダイヤフラム５０の下方の空隙は大気圧となっている。第１の実施の形態の第４変形例に係る半導体圧力センサによれば、センサチップの剛性が高まり、センサチップ全体に印加される応力の影響を低減することができる。
【００３６】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサは、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板１００と、ＳＯＩ基板１００の上面に形成された絶縁膜６１と、絶縁膜６１との間に間隙を有するように配置されたダイヤフラム（薄板部）１２とを備える。第２の実施の形態に係る半導体圧力センサは、静電容量型であり、ダイヤフラム１２に印加される圧力を検出する。
【００３７】
ＳＯＩ基板１００は、上層から順に、ＳＯＩ層（電極層）１０１と、絶縁層１０２と、支持基板（半導体基板）１０３とを備える。ＳＯＩ基板１００は、支持基板１０３及び絶縁層１０２が、平面パターンが円形となるように除去されることにより空隙を有している。ＳＯＩ層１０１は、支持基板１０３及び絶縁層１０２が除去されているパターンである円の円心部において、上面から下面に貫通する貫通孔を有する。
【００３８】
ＳＯＩ層１０１の上面に形成され絶縁膜６１は、上面に、支持基板１０３及び絶縁層１０２が除去されているパターンである円周に沿って、凸部が形成されている。ダイヤフラム１２は、絶縁膜６１の凸部により、平面パターンが円形に、ＳＯＩ層１０１及び絶縁膜６１と所定の間隙を有して配置されている。支持基板１０３は、ダイヤフラム１２、ＳＯＩ層等を支持する。
【００３９】
ダイヤフラム１２は、シリコン（Ｓｉ）からなる。ダイヤフラム１２は、ＳＯＩ層１０１及び絶縁膜６１との間隙を有するパターンである円の中央部に、上面から下面にかけて抵抗部５２が形成されている。抵抗部５２は、ｎ型不純物が拡散されることにより形成される。
【００４０】
第２の実施の形態に係る半導体圧力センサは、それぞれ抵抗部５２と電気的に接続され、外部に露出した４つの電極３１，３２，３３，３４とを備える。電極３１〜３４は、それぞれ、ダイヤフラムの周囲に設けられ、ダイヤフラム１２の上面に、高濃度のｐ型不純物が選択的に拡散されることにより形成された拡散配線３０によって抵抗部５２と電気的に接続されている。
【００４１】
抵抗部５２は、電極３１〜３４を介して抵抗値を測定されることにより、厚さを測定される。抵抗部５２の上面及び下面は、それぞれダイヤフラム１２の上面及び下面をなしており、抵抗部５２の厚さはダイヤフラム１２の厚さと等しい。
【００４２】
第２の実施の形態に係る半導体圧力センサは、外部に露出した電極３１〜３４が、それぞれプローブに接触され、プローブに接続された処理装置により抵抗部５２の抵抗値が測定される。処理装置は、抵抗部５２の抵抗値から、抵抗部５２及びダイヤフラム１２の厚さを算出し、圧力検出のための補正係数を算出することができる。補正係数は、予め処理装置に記憶された抵抗部の形状、抵抗値に基づいて算出されることができる。
【００４３】
処理装置は、ダイヤフラム１２の形成完了後の抵抗部５２の抵抗値から、予め記憶される抵抗部の形状、抵抗値に基づいて、圧力検出のための補正係数を算出する。処理装置は、予め記憶される抵抗部のデータとして、他の半導体圧力センサの抵抗部５２のデータを用いることにより、ダイヤフラム１２の厚さを相対的に比較することができる。
【００４４】
第２の実施の形態に係る半導体圧力センサは、ダイヤフラム１２の周囲に、電極パッド２５，２６を備える。電極パッド２５はダイヤフラム１２と、電極パッド２６はＳＯＩ層１０１と、それぞれ電気的に接続されている。
【００４５】
第２の実施の形態に係る圧力センサに圧力が加わると、ダイヤフラム１２が撓み、ダイヤフラム１２とＳＯＩ層１０１との距離が変化することにより、ダイヤフラム１２及びＳＯＩ層１０１の静電容量が変化する。このように、第２の実施の形態に係る圧力センサは、電極パッド２５，２６を介して、静電容量の変化に基づいて圧力が検出される。
【００４６】
第２の実施の形態に係る半導体圧力センサによれば、ダイヤフラム形成後において、容易に、抵抗部の抵抗値を測定することにより、ダイヤフラムの厚さを測定でき、ダイヤフラムの厚さのばらつきを考慮した圧力検出のための補正係数を算出できる。
【００４７】
−変形例−
以下、第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの変形例について説明する。以下の変形例において説明しない構成は、上述の第２の実施の形態と実質的に同様であるので重複する説明を省略する。
【００４８】
第２の実施の形態の第１変形例に係る半導体圧力センサは、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、抵抗部５３がダイヤフラム１２の全域に形成される。
【００４９】
第２の実施の形態の第２変形例に係る半導体圧力センサは、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、ダイヤフラム１３が、ｎ型不純物がドーピングされたシリコン基板からなるので、ダイヤフラム１３の全域に抵抗部が形成されていることになる。
【００５０】
第２の実施の形態の第３変形例に係る半導体圧力センサは、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、支持基板１０３の下面に接合された台座１６を備えることにより、ダイヤフラム１２の下方の空隙が真空に封止されている。台座１６は、例えばガラス基板からなる。第２の実施の形態の第３変形例に係る半導体圧力センサによれば、絶対真空を参照圧とした絶対圧を検出することができる。第２の実施の形態の第３変形例に係る半導体圧力センサの他の構成は、第１変形例と同様である。
【００５１】
第２の実施の形態の第４変形例に係る半導体圧力センサは、図１０に示すように、支持基板１０３の下面に接合され、貫通孔１６０を有する台座１６１を備える。台座１６１は、例えばガラス基板からなる。台座１６１が貫通孔を有することにより、ダイヤフラム１２の下方の空隙は大気圧となっている。第２の実施の形態の第４変形例に係る半導体圧力センサによれば、センサチップの剛性が高まり、センサチップ全体に印加される応力の影響を低減することができる。
【００５２】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明を第１及び第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００５３】
第１及び第２の実施の形態においては、半導体圧力センサのダイヤフラムの周囲に、半導体圧力センサの検出信号を増幅する集積回路を備えるようにしてもよい。例えば、本発明の他の実施の形態に係る半導体圧力センサにおいては、図１１に示すように、ダイヤフラム５０の周囲に検出信号を増幅する集積回路８を備える。電極７１〜７４は、抵抗部５とそれぞれ電気的に接続される。端子７５〜７９は、半導体圧力センサの入出力に用いられる。集積回路８は、抵抗部５の抵抗値と、所定の抵抗部の形状及び抵抗値とに基づいて算出された補正係数を記憶し、補正係数を用いて補正された検出信号を出力するようにしてもよい。
【００５４】
上記の他、第１及び第２の実施の形態を応用した構成等、本発  明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【００５５】
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ…ゲージ抵抗
５、５１，５２，５３…抵抗部
８…集積回路
１０，１１…半導体基板
１２，１３，５０…ダイヤフラム
１５，１６，１５１，１６１…台座
３１〜３４，７１〜７４…電極
１０１…ＳＯＩ層（電極層）
１０３…支持基板（半導体基板）
１５０，１６０…貫通孔
【図１】
2013124947.tif 000003
【図２】
2013124947.tif 000004
【図３】
2013124947.tif 000005
【図４】
2013124947.tif 000006
【図５】
2013124947.tif 000007
【図６】
2013124947.tif 000008
【図７】
2013124947.tif 000009
【図８】
2013124947.tif 000010
【図９】
2013124947.tif 000011
【図１０】
2013124947.tif 000012
【図１１】
2013124947.tif 000013