(57)【要約】【課題】ダイシング工程における半導体ウェハの剥離防止と、ダイボンディング工程における半導体チップの破損防止とを両立させることが可能な半導体装置製造用テープ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置製造用テープ１は、ダイボンディング用の接着フィルム５が、粘着フィルム６を介してダイシング用の基材フィルム４の一方面４ａに積層された半導体装置製造用テープであって、基材フィルム４の他方面４ｂから接着フィルム５に達するように針状の工具を押し込むことで、接着フィルム５の外縁５ｄに沿って並ぶ複数の針孔７が形成されている。【選択図】図２
2013219309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイボンディング用の接着フィルムが、粘着フィルムを介してダイシング用の基材フィルムの一方面に積層された半導体装置製造用テープであって、
前記基材フィルムの他方面から前記接着フィルムに達するように針状部材を押し込むことで、前記接着フィルムの外縁に沿って並ぶ複数の針孔が形成されていることを特徴とする半導体装置製造用テープ。
【請求項２】
前記複数の針孔のそれぞれは、前記接着フィルムの外縁からの距離が１ｍｍ以上５ｍｍ以下の範囲に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造用テープ。
【請求項３】
前記接着フィルムの外縁に沿って隣り合う前記針孔の間隔が０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置製造用テープ。
【請求項４】
前記接着フィルムの一方面に更にカバーフィルムが積層され、
前記針孔は前記カバーフィルムに達していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体装置製造用テープ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項記載の半導体装置製造用テープを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記接着フィルムの一方面のうち、前記針孔よりも内側の領域に半導体ウェハを設置してダイシングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置製造用テープ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ダイボンディング用の接着フィルムが、ダイシング用の基材フィルムの一方面に積層された半導体装置製造用テープが知られている（例えば、特許文献１参照）。このような半導体装置製造用テープを用いたダイシング工程では、接着フィルム上に半導体ウェハが設置され、基材フィルムによって支持された状態で、半導体ウェハと接着フィルムとが共に個片化される。ダイボンディング工程では、個片化された半導体チップと接着フィルム片とが、基材フィルムから剥がされてピックアップされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１１８３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記半導体装置製造用テープを用いたダイシング工程では、半導体ウェハ及び接着フィルムが基材フィルムから剥離することがないように、接着フィルムと基材フィルムとの間には十分な結合強度が求められる。一方、ダイボンディング工程では、半導体チップを破損させることがないように、接着フィルムと基材フィルムとの間の結合強度が過剰とならないことが求められる。これらの条件を満足するように接着フィルムと基材フィルムとの結合強度を設定することによって、ダイシング工程におけるの半導体ウェハの剥離防止と、ダイボンディング工程における半導体チップの破損防止とを両立させることができる。
【０００５】
しかしながら、近年では、半導体装置の小型化・高性能化に伴い半導体チップが薄肉化され、半導体チップの強度は低下する傾向がある。半導体チップの強度が低い場合、半導体チップの破損を防止できる程度まで上記結合強度を低下させると、ダイシング工程における半導体ウェハの剥離を防止できない可能性がある。このため、ダイシング工程における半導体ウェハの剥離防止と、ダイボンディング工程における半導体チップの破損防止とを両立させるのは困難となっている。
【０００６】
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、ダイシング工程における半導体ウェハの剥離防止と、ダイボンディング工程における半導体チップの破損防止とを両立させることが可能な半導体装置製造用テープ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体装置製造用テープは、ダイボンディング用の接着フィルムが、粘着フィルムを介してダイシング用の基材フィルムの一方面に積層された半導体装置製造用テープであって、基材フィルムの他方面から接着フィルムに達するように針状部材を押し込むことで、接着フィルムの外縁に沿って並ぶ複数の針孔が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
このような半導体装置製造用テープでは、針状部材を押し込む際に作用する力によって、針孔の周囲における基材フィルムと粘着フィルムとの結合強度が高められると共に、針孔の周囲における粘着フィルムと接着フィルムとの結合強度が高められる。これにより、接着フィルムと基材フィルムとの結合強度が高くなるため、粘着フィルムの粘着力を低下させたとしても、ダイシング工程における半導体ウェハの剥離を防止することができる。粘着フィルムの粘着力を低下させると、個片化された接着フィルム片と基材フィルムとの結合強度が低下するため、ダイボンディング工程における半導体チップの破損を防止することができる。従って、ダイシング工程における半導体ウェハの剥離防止と、ダイボンディング工程における半導体チップの破損防止とを両立させることができる。
【０００９】
ここで、針孔は、接着フィルムの外縁からの距離が１ｍｍ以上５ｍｍ以下の範囲に形成されていることが好ましい。この場合、接着フィルムの外縁部における接着フィルムと基材フィルムとの結合強度を更に高めることができる。
【００１０】
また、接着フィルムの外縁に沿って隣り合う針孔の間隔が０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。この場合、接着フィルムの外縁部における接着フィルムと基材フィルムとの結合強度を更に高めることができる。
【００１１】
また、接着フィルムの一方面に更にカバーフィルムが積層され、針孔はカバーフィルムに達していることが好ましい。この場合、接着フィルムの外縁部における接着フィルムと基材フィルムとの結合強度を更に高めることができる。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記半導体装置製造用テープを用いた半導体装置の製造方法であって、接着フィルムの一方面のうち、針孔よりも内側の領域に半導体ウェハを設置してダイシングを行うことを特徴とする。この製造方法では、上記半導体装置製造用テープを用いるため、ダイシング工程における半導体ウェハの剥離防止と、ダイボンディング工程における半導体チップの破損防止とを両立させることができる。また、針孔よりも内側の領域に半導体ウェハを設置するため、接着フィルムのうち針孔が形成されている部分が半導体チップに付与されることを防止することができる。
【００１３】
本発明に係る半導体装置は、上記半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。この半導体装置は、上記製造方法によって製造されるため、ダイシング工程における半導体ウェハの剥離防止と、ダイボンディング工程における半導体チップの破損防止とを両立させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ダイシング工程における半導体ウェハの剥離防止と、ダイボンディング工程における半導体チップの破損防止とを両立させることが可能な半導体装置製造用テープ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る半導体装置製造用テープの平面図である。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図２中の針孔の拡大図である。
【図４】接着フィルム上に半導体ウェハを設置した状態を示す図である。
【図５】図４の半導体ウェハをダイシングしている状態を示す図である。
【図６】図５の半導体チップをピックアップしている状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体装置製造用テープの平面図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図、図３は、図２中の針孔の拡大図である。
【００１７】
図１に示すように、半導体装置製造用テープ１は、帯状のキャリアフィルム２と、キャリアフィルム２の他方面２ｂに配置された複数のフィルム積層体３，３と、を備えている。フィルム積層体３，３は、キャリアフィルム２の長手方向に沿って並んでいる。各フィルム積層体３は、基材フィルム４と接着フィルム５とを有している。各フィルム積層体３において、基材フィルム４と接着フィルム５とは互いに同心の円形を呈し、基材フィルム４の外径は接着フィルム５の外径よりも大きくなっている。
【００１８】
図２に示されるように、各接着フィルム５の一方面５ａは、キャリアフィルム２の他方面２ｂに貼り合わされている。各接着フィルム５の他方面５ｂは、基材フィルム４に粘着フィルム６を介して貼り合わされている。これにより、各基材フィルム４の一方面４ａには、粘着フィルム６を介して接着フィルム５が積層され、各接着フィルム５の一方面５ａには、キャリアフィルム２が積層されている。
【００１９】
各基材フィルム４の一方面４ａのうち、接着フィルム５の外周から張り出した部分は、粘着フィルム６を介してキャリアフィルム２の他方面２ｂに貼り合わされている。これにより、接着フィルム５は、基材フィルム４とキャリアフィルム２との間に封入され、接着フィルム５の全表面が保護されている。
【００２０】
キャリアフィルム２は、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルムであり、接着フィルム５の一方面５ａを保護するカバーフィルムとして機能する。キャリアフィルム２の他方面２ｂには、剥離性を高める表面処理が施されている。
【００２１】
接着フィルム５は、エポキシ樹脂、並びにエポキシ樹脂硬化剤及び硬化促進剤を含有する材料からなる接着剤層である。接着フィルム５の材料は、更に、ベース樹脂及びフィラーを含有していてもよい。
【００２２】
エポキシ樹脂は、２個以上のエポキシ基を有する化合物であることが好ましい。エポキシ樹脂は、硬化性や硬化物特性の点から、フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂であることが好ましい。フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＦ又はハロゲン化ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル及びビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテルが挙げられる。これらの中でも、ノボラック型エポキシ樹脂（クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル及びフェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル等）は、硬化物の架橋密度が高く、フィルム加熱時の接着強度を高くすることができる点で好ましい。これらは単独又は組み合わせで用いることができる。
【００２３】
エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類及び第３級アミンが挙げられる。これらの中でもフェノール系化合物が好ましく、その中でも２個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物が特に好ましい。より具体的には、ナフトールノボラック樹脂及びトリスフェノールノボラック樹脂が好ましい。これらのフェノール系化合物をエポキシ樹脂硬化剤として用いると、パッケージ組み立てのための加熱の際のチップ表面及び装置の汚染や、臭気の原因となるアウトガスの発生を有効に低減できる。
【００２４】
エポキシ樹脂硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類やホスフィン系化合物が挙げられる。これらの中でも、イミダゾールやＴＰＰＫ（テトラフェニルホスフォニウムテトラフェニルボレート）が好ましい。
【００２５】
ベース樹脂は、エポキシ樹脂との相溶性に優れていれば特に限定されないが、例えば、アクリルゴム、ポリイミド等を用いることができる。
【００２６】
フィラーは、他の成分に悪影響を及ぼさなければ特に限定はされないが、無機フィラーであることが好ましい。より具体的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ及びアンチモン酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種の無機材料を含む無機フィラーが好ましい。これらの中でも、熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ及び非晶性シリカが好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の観点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ及び非晶性シリカが特に好ましい。また、耐湿性を向上させる観点からは、アルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム及びアンチモン酸化物が特に好ましい。これらは単独又は組み合わせで用いることができる。
【００２７】
接着フィルム５は、例えば、上述の各構成成分を含有するワニス（混合物）を調合し、これをキャリアフィルム２の他方面２ｂに塗布し、加熱処理することにより形成される。このとき、ガラス転移温度の異なる２種類のワニスを重ねて塗布及び乾燥してフィルムを得てもよい。この場合、ワニスを重ねて塗布する際のワニスの上下は特に制約はない。また、ワニス厚さにも特に制約はないが、高タック用ワニスの塗布量を低タック用ワニスの塗布量より少なくすることが好ましい。例えば、総厚２０μｍの半導体装置用接着フィルムを得る場合、高タック用ワニスの塗布量を１〜８μｍ程度に、低タック用ワニスの塗布量を１９〜１２μｍ程度に設定することが好ましい。これにより、ダイシング工程でバリが発生するときに、バリのタック強度が低下し、ダイシング工程後の半導体チップ同士の融着や、ピックアップミスといったピックアップ性の低下を抑制することができる。
【００２８】
接着フィルム５の厚さは３μｍ以上１５０μｍ以下である。厚さを３μｍ以上とすることにより被着物との良好な密着力を確保ができる。一方、厚さを１５０μｍ以下とすることにより、接着フィルム５によって被着物同士が接着された半導体装置の厚さを薄くすることができる。これらの観点から、接着フィルム５の厚さは、５μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましく、７μｍ以上８０μｍ以下であることが一層好ましい。
【００２９】
基材フィルム４は、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、又はアイオノマー樹脂フィルム等である。基材フィルム４の厚さは、例えば、１５μｍ以上２００μｍ以下である。基材フィルム４の厚さは、４０μｍ以上１５０μｍ以下であることがより好ましく、６０μｍ以上１２０μｍ以下であることが一層好ましい。
【００３０】
粘着フィルム６は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、又はシリコーン系粘着剤等からなる弱粘着性の感圧粘着剤層である。粘着フィルム６の厚さは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下である。粘着フィルム６は、基材フィルム４の一方面４ａ全体を覆うように形成されている。
【００３１】
各フィルム積層体３は、キャリアフィルム２の他方面２ｂに形成された各接着フィルム５と、各基材フィルム４の一方面４ａに形成された粘着フィルム６とを貼り合わせることで形成される。粘着フィルム６と接着フィルム５との剥離強度は、０．６Ｎ／２５ｍｍ以下であり、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることがより好ましく、０．４Ｎ／２５ｍｍ以下であることが一層好ましい。粘着フィルム６と接着フィルム５との剥離強度がこの程度であれば、ダイシング工程で個片化された接着フィルム５の接着フィルム片と粘着フィルム６とを容易に剥離させられる傾向がある。
【００３２】
粘着フィルム６と接着フィルム５との剥離強度は、０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上であり、０．０３Ｎ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、０．０５Ｎ／２５ｍｍ以上であることが一層好ましい。粘着フィルム６と接着フィルム５との剥離強度がこの程度であれば、ダイシング工程における半導体ウェハの剥離の発生が抑制される傾向がある。剥離強度とは、例えば、オリエンテック製「テンシロン引張強度試験機  ＲＴＡ−１００型」又はこれに類似した試験機を用いて、被着物同士を互いに垂直な方向に２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で剥離（９０°剥離）したときの力である。
【００３３】
なお、粘着フィルム６を構成する粘着剤は、エネルギー線照射により硬化する成分を含んでいてもよい。この場合、ダイシング工程の後に粘着フィルム６にエネルギー線を照射することで、粘着フィルム６の粘着力を低下させ、接着フィルム片と粘着フィルム６とを更に容易に剥離させることができる。エネルギー線としては、紫外線、電子線、Ｘ線、β線、γ線等が挙げられる。
【００３４】
ここで、各フィルム積層体３には、接着フィルム５の外縁５ｄに沿って並ぶ複数の針孔７が形成されている（図１参照）。各針孔７は、基材フィルム４の他方面４ｂ側から基材フィルム４を貫通し、接着フィルム５に達するように針状の工具を押し込むことで形成されている。
【００３５】
図３に示されるように、各針孔７の周辺では、針状の工具Ｔを押し込む際に作用する力によって、基材フィルム４が粘着フィルム６内に入り込み、アンカー部４ｃが形成されている。また、粘着フィルム６が接着フィルム５内に入り込み、アンカー部６ｃが形成されている。アンカー部４ｃが形成されることにより、基材フィルム４と粘着フィルム６との結合強度が高められ、アンカー部６ｃが形成されることにより、粘着フィルム６と接着フィルム５との結合強度が高められている。すなわち、各針孔７によって、基材フィルム４と接着フィルム５との結合強度が高められている。
【００３６】
各針孔７は、接着フィルム５も貫通し、キャリアフィルム２に達していることが好ましい。この場合、各針孔７を形成する際に、針状の工具Ｔがキャリアフィルム２に達する深さまで押し込まれるため、アンカー部４ｃ及びアンカー部６ｃがより確実に形成され、基材フィルム４と接着フィルム５との結合強度が更に高められる。
【００３７】
各針孔７は、接着フィルム５の外縁５ｄからの距離が１ｍｍ以上５ｍｍ以下の範囲に形成されている。距離が１ｍｍ以上であると、針孔７の形成によって接着フィルム５の外縁５ｄがちぎれることが防止されるため、基材フィルム４と接着フィルム５との結合強度を確実に高めることができる。距離が５ｍｍ以下であると、接着フィルム５の一方面５ａのうち、複数の針孔７に囲まれた領域を確保し、その領域に半導体ウェハを設置することができる。
【００３８】
隣り合う針孔７の間隔は、０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。隣り合う針孔７の間隔が０．１ｍｍ以上であると、隣り合う針孔７同士が繋がってしまうことが防止されるため、基材フィルム４と接着フィルム５との結合強度を確実に高めることができる。隣り合う針孔７の間隔が５ｍｍ以下であると、針孔７が接着フィルム５の外縁５ｄに沿って密に配置されるため、基材フィルム４と接着フィルム５との結合強度を十分に高めることができる。
【００３９】
続いて、半導体装置製造用テープ１を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
【００４０】
図４は、接着フィルム上に半導体ウェハを設置した状態を示す図である。図５は、半導体ウェハをダイシングしている状態を示す図である。図６は、図５の半導体チップをピックアップしている状態を示す図である。半導体装置の製造には、半導体装置製造用テープ１から剥離したフィルム積層体３を用いる。
【００４１】
まず、図４に示すように、接着フィルム５の一方面５ａのうち、各針孔７よりも内側の領域に半導体ウェハ８の他方面８ｂを張り合わせる。また、基材フィルム４の一方面４ａのうち、接着フィルム５よりも外側の部分に、粘着フィルム６を介して補強用のリングフレーム９の他方面９ｂを貼り付ける。リングフレーム９は、金属製又はプラスチック製の円環状の成形体である。リングフレーム９の内径（直径）は、半導体ウェハ８の外径（直径）よりも大きく、且つ接着フィルム５の外径よりも大きい。リングフレーム９の形状は円環状に限られず、例えば、矩形環状であってもよい。
【００４２】
次に、図５に示すように、回転刃等のブレード１０によって半導体ウェハ８及び接着フィルム５を切断し、半導体チップ８ｐ及び接着フィルム片５ｐの複数の対に個片化する（ダイシング工程）。このとき、接着フィルム５を厚さ方向で完全に切断してもよく（フルカット工法）、接着フィルム５を厚さ方向で完全に切断せず一部を残してもよい（ハーフカット工法）。
【００４３】
ダイシング工程には、市販されているダイサーを使用することができる。ダイサーとしては、例えば、株式会社ディスコ社製のフルオートマチックダイシングソー６０００シリーズやセミオートマチックダイシングソー３０００シリーズ等が挙げられる。ブレード１０としては、例えば、株式会社ディスコ社製のダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ０５シリーズやＮＢＣ−ＺＨシリーズ等が挙げられる。
【００４４】
また、ダイシング工程には、ブレード１０の代わりにレーザを用いることができる。レーザ式のダイサーとしては、例えば、株式会社ディスコ社製のフルオートマチックレーザソー７０００シリーズ等が挙げられる。
【００４５】
次に、図６に示すように、半導体チップ８ｐ及び接着フィルム片５ｐの各対をピックアップし、各半導体装置の支持部材等に接着する（ダイボンディング工程）。以後、ワイヤボンディング工程等を経て各半導体装置を完成させる。
【００４６】
以上説明した半導体装置製造用テープ１では、針孔７を形成することにより、接着フィルム５と基材フィルム４との結合強度が高められているため、粘着フィルム６の粘着力を低下させたとしても、ダイシング工程における半導体ウェハ８の剥離を防止することができる。粘着フィルム６の粘着力を低下させると、個片化された接着フィルム片５ｐと基材フィルム４との結合強度が低下するため、ダイボンディング工程における半導体チップ８ｐの破損を防止することができる。従って、ダイシング工程における半導体ウェハ８の剥離防止と、ダイボンディング工程における半導体チップ８ｐの破損防止とを両立させることができる。
【００４７】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、接着フィルム５及び基材フィルム４の形状は円形に限られず、半導体ウェハ８やリングフレーム９の形状にあわせ適宜変更可能である。
【実施例】
【００４８】
続いて、本発明の実施例について説明する。
[接着フィルム５Ａ，５Ｂの準備]
【００４９】
表１に示す接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を、キャリアフィルム２上に塗布し、乾燥することで、厚さ２５μｍの接着フィルム５Ａ，５Ｂを準備した。キャリアフィルム２には、厚さ５０μｍのポリエステルフィルムを用いた。また、乾燥後の接着フィルム５Ａ，５Ｂを１６０℃に加温し、２．０ＭＰａで１８秒間加圧したときに、接着剤のはみ出し量が１５０〜１０００μｍとなるように、接着フィルム５Ａ，５Ｂの乾燥条件を設定した。具体的には、乾燥温度を１００〜２００℃とし、乾燥時間を１〜５分とした。溶剤には、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系、メチルエチルケトン、メチルエチルイソブチルケトン等のケトン系、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロドリン等の非プロトン系極性溶剤を単独又は組み合わせで用いることができるが、ここではシクロヘキサノンを用いた。
【表１】
2013219309.tif 000003
[粘着フィルム６Ａの準備]
【００５０】
主モノマーとして２−エチルヘキシルアクリレートとメチルメタクリレートを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルメタクリレートとアクリル酸を用い、溶液重合法にてアクリル共重合体を得た。アクリル共重合体の重量平均分子量は４０万、ガラス転移点は−３８℃であった。アクリル共重合体１００重量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤（三菱化学株式会社製）を１５重量部配合した粘着剤溶液を調整した。粘着剤溶液を、シリコーン系離型剤を塗布したニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータ（厚さ３８μm）の上に塗布し、乾燥することで、厚さ２０μｍの粘着フィルム６Ａを準備した。更に基材フィルム４として、ポリオレフィンフィルム（厚さ１００μm）を粘着フィルム６Ａの表面ににラミネートした。この粘着フィルム６Ａ及び基材フィルム４を室温で１週間放置し、十分にエージングを行った。
[粘着フィルム６Ｂの準備]
【００５１】
主モノマーとしてブチルアクリレートとエチルアクリレート、アクリロニトリルを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルアクリレートを用い、溶液重合法にてアクリル共重合体を得た。アクリル共重合体の重量平均分子量は７０万、ガラス転移点は−３０℃であった。アクリル共重合体１００重量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業株式会社製）を２．２重量部配合した粘着剤溶液を調整した。粘着剤溶液を、シリコーン系離型剤を塗布したニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータ（厚さ２５μm）の上に塗布し、乾燥することで、厚さ１０μｍの粘着フィルム６Ａを準備した。更に、基材フィルム４として、ポリオレフィンフィルム（厚さ１００μm）を粘着フィルム６Ｂの表面にラミネートした。この粘着フィルム６Ｂ及び基材フィルム４を室温で１週間放置し十分にエージングを行った。
[実施例及び比較例の準備]
（実施例１）
【００５２】
粘着フィルム６Ａのニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータを剥離し、接着フィルム５Ａと粘着フィルム６Ａとを貼り合わせた。接着フィルム５Ａの外縁５ｄから１ｍｍの部分に１ｍｍ間隔にて針孔７を形成した。
（実施例２）
【００５３】
粘着フィルム６Ａのニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータを剥離し、接着フィルム５Ｂと粘着フィルム６Ａとを貼り合わせた。接着フィルム５Ｂの外縁５ｄから１ｍｍの部分に１ｍｍ間隔にて針孔７を形成した。
（比較例１）
【００５４】
粘着フィルム６Ａのニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータを剥離し、接着フィルム５Ａと粘着フィルム６Ａとを貼り合わせた。針孔７を形成しなかった。
（比較例２）
【００５５】
粘着フィルム６Ａのニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータを剥離し、接着フィルム５Ｂと粘着フィルム６Ａとを貼り合わせた。針孔７を形成しなかった。
（比較例３）
【００５６】
粘着フィルム６Ｂのニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータを剥離し、接着フィルム５Ａと粘着フィルム６Ｂとを貼り合わせた。接着フィルム５Ａの外縁５ｄから１ｍｍの部分に１ｍｍ間隔にて針孔７を形成した。
（比較例４）
【００５７】
粘着フィルム６Ｂのニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータを剥離し、接着フィルム５Ｂと粘着フィルム６Ｂとを貼り合わせた。接着フィルム５Ｂの外縁５ｄから１ｍｍの部分に１ｍｍ間隔にて針孔７を形成した。
（比較例５）
【００５８】
粘着フィルム６Ｂのニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータを剥離し、接着フィルム５Ａと粘着フィルム６Ｂとを貼り合わせた。針孔７を形成しなかった。
（比較例６）
【００５９】
粘着フィルム６Ｂのニ軸延伸ポリエステルフィルムセパレータを剥離し、接着フィルム５Ｂと粘着フィルム６Ｂとを貼り合わせた。針孔７を形成しなかった。
[評価用ウェハの準備]
【００６０】
直径８インチの半導体ウェハ８の一方面８ａに、回路保護層として日立化成デュポンマイクロシステムズ社製「ＨＤ−８８２０」を製膜した。具体的には、半導体ウェハ８の一方面８ａに「ＨＤ−８８２０」含有ワニスを１０ｇ滴下し、８００ｒｐｍで２０秒、続いて２５００ｒｐｍで３０秒回転させ、一方面８ａ全体にワニスを塗布した。次に、半導体ウェハ８を１００℃のホットプレート上で３０秒加熱し、さらに１２５℃のホットプレート上で３０秒加熱した。次に、２５０℃のオーブンで３０分加熱し、３２０℃のオーブンで３０分加熱し、回路保護層付き半導体ウェハ８を得た。回路保護層の厚さは７μｍであった。次に、ドライポリッシュによって半導体ウェハ８の他方面８ｂを研削し、回路保護層を含む半導体ウェハ８の厚さを４０μｍとした。これを評価用ウェハ８Ａとした。
[半導体ウェハの剥離有無の評価]
【００６１】
上記のようにして得られた評価用ウェハ８Ａの他方面８ｂを、実施例１，２及び比較例１〜６のの接着フィルム５Ａ，５Ｂの一方面５ａに貼り合わせ、試験サンプルを得た。各試験サンプルの貼り合わせは、株式会社ＪＣＭ社製ＤＭ−３００−Ｈを用い、６０℃にて行った。
【００６２】
次に、株式会社ディスコ社製のフルオートダイサー「ＤＦＤ−６３６１」を用いて、各試験サンプルの評価用ウェハ８Ａ及び接着フィルム５Ａ，５Ｂを切断した。サンプルの切断では、直径２５０ｍｍの開口を有する円環状のリングフレーム９を用いた。また、ブレード１枚で加工が完了するシングルカット方式を採用し、株式会社ディスコ社製のダイシングブレード「ＮＢＣ−ＺＨ１０４Ｆ−ＳＥ  ２７ＨＤＢＢ」をブレード１０として用いた。ブレード１０の回転数を４５，０００ｒｐｍとし、ブレード１０の送り速度を５０ｍｍ／ｓとした。また、基材フィルム４に深さ２０μｍで切り込むようにブレードハイトを設定した。このようにして、評価用ウェハ８Ａ及び接着フィルム５Ａ，５Ｂを１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体チップ８ｐ及び接着フィルム片５ｐに個片化した。
【００６３】
以上の工程において、接着フィルムのダイシングテープからの剥離有無を調べ、剥離無を良好、剥離有を不良とした。実施例１，２及び比較例３〜６の評価結果は良好、比較例１，２の評価結果は不良であった。
[半導体チップの破損有無の評価]
【００６４】
上記評価結果が良好であった実施例１，２及び比較例３〜６について、ピックアップにおける半導体チップ８ｐの破損の有無を評価した。具体的には、半導体チップ８ｐ及び接着フィルム片５ｐの各対を、ルネサス東日本セミコンダクタ社製「フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０」を使用してピックアップした。ピックアップ用コレットにはマイクロメカニクス社製「ＲＵＢＢＥＲ  ＴＩＰ  １３−０８７Ｅ−３３（サイズ：１０×１０ｍｍ）」、突上げピンにはマイクロメカニクス社製「ＥＪＥＣＴＯＲ  ＮＥＥＤＬＥ  ＳＥＮ２−８３−０５（直径：０．７ｍｍ、先端形状：直径３５０μｍの半円）」を用いた。突上げピンは、ピン中心間隔４．２ｍｍで９本配置した。ピックアップ時のピンの突上げ速度を１０ｍｍ／ｓ、突上げ高さを４００μｍとした。
【００６５】
このようにして２０対を連続でピックアップし、チップ割れやピックアップミスが発生しなかった場合を良好、１チップでもチップ割れやピックアップミスが発生した場合を不良とした。実施例１，２は良好、比較例３〜６は不良であった。
【００６６】
以上の結果から、針孔７を形成することによって接着フィルム５と基材フィルム４との結合強度を高めつつ、粘着フィルム６の粘着力を低下させることによって、ダイシング工程における半導体ウェハの剥離防止と、ダイボンディング工程における半導体チップの破損防止とを両立させられることが確認された。
【符号の説明】
【００６７】
１…半導体装置製造用テープ、２…キャリアフィルム、４…基材フィルム、４ａ…一方面、４ｂ…他方面、５…接着フィルム、５ａ…一方面、５ｄ…外縁、６…粘着フィルム、７…針孔、８…半導体ウェハ。
【図１】
2013219309.tif 000004
【図２】
2013219309.tif 000005
【図３】
2013219309.tif 000006
【図４】
2013219309.tif 000007
【図５】
2013219309.tif 000008
【図６】
2013219309.tif 000009