(57)【要約】【課題】パターン付きウェハの検査では、ウェハ内のいわゆるダイ（Ｄｉｅ）と呼ばれる単位で画像（検査画像）を得て、検査画像と参照画像との差分を得て、差分に対して閾値処理を行うことで行われる。ここで、パターン付きウェハ検査装置では、検査できる領域は多ければ多いほど良い。検査できる領域が増えればより正確に半導体製造工程の歩留まりを管理できるからである。しかし、従来技術では、ダイ内の走査方向に沿って複数のパターンが形成されている場合に、不完全エリアの存在を考慮してより多くのダイの検査を行う点については配慮がなされていなかった。【解決手段】本発明は、例えば、ダイ等ある領域内に複数の領域が形成されている場合において、検査を行うか否かを任意に設定することを特徴とする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンの形成された基板を検査する検査装置において、
前記基板上に線状の照明領域を形成する照明光学系を有し、前記基板上には所定の領域内に前記照明領域と交差する方向に沿って複数の種類のパターンが形成されており、かつ前記照明領域と交差する方向に前記所定の領域が連続的に形成されており、
さらに、前記連続的に形成された所定の領域の画像毎に検査を行う領域、及び検査を行わない領域を認識し、前記基板の検査を行う処理部を有することを特徴とする検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検査装置において、
前記基板からの光を検出する結像光学系を有し、前記結像光学系は、複数の画素が配列されたセンサを有し、
前記処理部は、前記画素が配列された方向について前記検査を行う領域、及び前記検査を行わない領域を認識することを特徴とする検査装置。
【請求項３】
請求項２に記載の検査装置において、
前記処理部は、前記画素が配列された方向については、タップ毎に前記検査を行う領域、及び前記検査を行わない領域を認識することを特徴とする検査装置。
【請求項４】
請求項２に記載の検査装置において、
前記処理部は、前記画素が配列された方向については、前記画素毎に検査を行う領域、及び前記検査を行わない領域を認識することを特徴とする検査装置。
【請求項５】
請求項１に記載の検査装置において、
前記所定の領域とはダイであり、
前記検査を行う領域は前記パターンが完全に形成されている領域であり、
前記検査を行わない領域は前記パターンの一部が欠けて形成された領域であり、
前記処理部は、検査を行うパターンの種類に応じて、検査に使用する画像を変更することを特徴とする検査装置。
【請求項６】
請求項５に記載の検査装置において、
前記処理部は、前記検査に使用する画像と前記検査に使用する画像と隣接する画像との差分を得て、前記差分に対して閾値処理を行うことを特徴とする検査装置。
【請求項７】
請求項６に記載の検査装置において、
前記検査に使用する画像は、異なるダイに形成された同じ種類のパターンの画像であり、
前記処理部は、前記同じ種類のパターンの画像同士の位置合わせを行い、前記差分を得ることを特徴とする検査装置。
【請求項８】
請求項６に記載の検査装置において、
前記検査に使用する画像は、異なるダイに形成された同じ種類のパターンの画像であり、
前記処理部は、前記同じ種類のパターンの画像の標準偏差を得て、
前記標準偏差を前記閾値処理のための閾値として使用することを特徴とする検査装置。
【請求項９】
請求項６に記載の検査装置において、
前記基板からの光を検出する第１の結像光学系と、
前記第１の結像光学系とは異なる位置に配置された第２の結像光学系と、を有し、
前記処理部は、
前記第１の結像光学系で得られた画像に対して第１の閾値を使用した第１の閾値処理を行い、前記第２の結像光学系で得られた画像に対して第２の閾値を使用した第２の閾値処理を行い、
さらに、前記照明領域の前記基板上での位置に応じて、前記第１の閾値、及び前記第２の閾値の少なくとも１つを変更することを特徴とする検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板上の欠陥を検査する検査装置に関する。特に、本発明は回路パターンの形成された半導体ウェハ上の欠陥を検査する検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程では、ウェハ表面の異物、傷等の欠陥は、配線パターンの短絡等の不良原因になり、キャパシタの絶縁不良やゲート酸化膜などの破壊の原因にもなる。同様に、回路パターンの形成されたウェハ上の欠陥も半導体素子の電気特性に影響を与える。よって、半導体製造工程において欠陥を検出し、半導体製造工程へフィードバックすることは重要である。
【０００３】
このような欠陥を検出するのが所謂検査装置である。検査装置の一例としては、光を基板へ照射し、その散乱光を検出することで基板上の欠陥を検出する光学式検査装置が挙げられる。この光学式検査装置は、鏡面ウェハを検査する表面検査装置と、回路パターンが形成されたウェハを検査するパターン付きウェハ検査装置とに大別される。パターン付きウェハ検査装置では、形成すべき回路パターンがウェハの端部と重複してしまい、形成されるべきパターンが一部欠けたパターンを有する領域が存在する場合もある（このような領域は不完全エリアと称される場合もある。）。光学式検査装置、及び不完全エリアを考慮した検査の従来技術としては、特許文献１乃至６が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７７３３４７３号明細書
【特許文献２】米国特許出願公報第２００４／０１２６００４号明細書
【特許文献３】米国特許第４６４４１７２号明細書
【特許文献４】特開平７−３２１１６４号公報
【特許文献５】特開平０４−０９３０４２号公報
【特許文献６】米国特許第７７３３４７４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
パターン付きウェハ検査装置では、ウェハをある方向（走査方向と称する）、及び走査方向と直交する方向（送り方向と称する）に移動させることで、ウェハ全面の検査を行う場合がある。そして、検査はウェハ内のいわゆるダイ（Ｄｉｅ）と呼ばれる単位で画像（検査画像）を得て、検査画像と参照画像との差分を得て、差分に対して閾値処理を行うことで行われる。ここで、パターン付きウェハ検査装置では、検査できる領域は多ければ多いほど良い。検査できる領域が増えればより正確に半導体製造工程の歩留まりを管理できるからである。しかし、従来技術では、ダイ内の走査方向に沿って複数のパターンが形成されている場合に、不完全エリアの存在を考慮してより多くのダイの検査を行う点については配慮がなされていなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、例えば、ダイ等ある領域内に複数の領域が形成されている場合において、検査を行うか否かを任意に設定することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、より多くの領域を検査することが可能となる。特に、本発明では、ダイ内の走査方向に沿って複数のパターンが形成されている場合でも、不完全エリアの存在を考慮してより多くのダイの検査を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施例１の検査装置を説明する図。
【図２】顕微鏡８０３で得られた被検査対象２００の画像を説明する図。
【図３】作業者により設定された条件にしたがって行われる制御装置の動作を説明する図。
【図４】位置ずれ補正を説明する図。
【図５】閾値の作成を説明する図。
【図６】実施例２を説明する図。
【図７】実施例２を説明する図（続き）。
【図８】実施例３を説明する図。
【図９】被検査対象２００の端部を説明する図。
【図１０】実施例４を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１は、本実施例の検査装置を説明する図である。本実施例の検査装置はパターン付きウェハ検査装置であり、被検査対象２００に対して斜方から照明光３０１を照明する。照明光３０１は照明系３００から照明される。照明系３００には、シリンドリカルレンズ、シリンドリカルミラー等が含まれ、照明光３０１によって被検査対象２００状に線状の照明領域が形成される場合もある。照明光３０１によって形成された照明領域からの散乱光は、上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１によって検出、結像される。
【００１１】
次に、上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１について詳細に説明する。上方検出系８００は、被検査対象２００の法線２０４の方向に沿って配置される。上方検出系８００は対物レンズ８０５、結像レンズ８０９、センサ８０２（１次元ラインセンサ、２次元センサ等）を有する。斜方検出系１００、１０１は被検査対象２００に対して斜めに配置される。対物レンズ８０５、結像レンズ８０９、センサ８０２（１次元ラインセンサ、２次元センサ等）を有する点は上方検出系と同様である。なお、上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１のうち少なくとも１つは被検査対象２００上に形成された回路パターンからの不所望な回折光を遮光するために、その空間周波数面（フーリエ面と呼ばれることもある）にいわゆる空間フィルタを有する場合もある。本実施例の検査装置では、１つの照明領域に対して、３つの暗視野像が得られることになる。
【００１２】
上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１から得られた暗視野像は演算処理系７０１に送られる。演算処理系７０１では、検査画像と参照画像との差分を得て（差分処理と表現することもできる）、差分に対して閾値処理を行うことで、被検査対象２００上の欠陥を検出する。欠陥検出は、この比較結果をいわゆる特徴量を用いて統合処理することで行われることもある。また演算処理系７０１では、送られてきた上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１から得られた暗視野像同士を統合処理することもある。
【００１３】
さらに別条件（例えば、別光学条件）で得られた暗視野像同士を統合処理することもある。
【００１４】
欠陥検出の結果は表示装置７０２に送られ、被検査対象の座標と対応付けてマップとして表示される。
【００１５】
被検査対象２００はステージ４００上に搭載されている。ステージ４００は、制御装置７０３からの信号に基づいて、主にＸＹ方向に移動する。この移動がスキャン動作となり、被検査対象２００全面の欠陥検出が行われる。なお、本実施例ではＸ方向が走査方向であり、ｙ方向が送り方向であると表現することもできる。
【００１６】
なお、欠陥検査装置では、いわゆるレビュー用の顕微鏡８０３（明視野光学系と称することもできる）、線状照明の形状を確認するための基準チップ２０５を有する場合もある。
【００１７】
次に、本実施例の欠陥検出について説明する。図２は、顕微鏡８０３で得られた被検査対象２００の画像（設計データであっても良い）である。本実施例の被検査対象２００上には、ダイ２００１が形成されており、ダイ２００１のＸ走査方向（線状照明と交差する方向と表現することもできる）には、異なる種類のパターンＡ、Ｂ、Ｃが形成されているとする。
【００１８】
まず、作業者は、表示装置に表示された被検査対象２００の画像から検査しない領域、検査を行う領域を選択する。この選択の仕方は作業者によって任意に変更可能であるが、本実施例では、作業者は、ウェハの端部２００４（この端部２００４に、いわゆるベベル部分が含まれるか否かは作業者が任意に設定可能である）をまたいでしまい、その一部が欠けてパターンが完全に形成されていない領域（不完全領域、図２中の網掛け部分）を検査しない領域（非検査エリア）として設定し、パターンが完全に形成されている領域（有効エリア）を検査を行う領域（検査エリア）として設定する。
【００１９】
作業者によって、設定された非検査エリア、検査エリアの座標は、演算処理系７０１内のメモリに記憶される。なお、非検査エリア、検査エリアの座標は、被検査対象２００上の座標系（マトリックス座標系２００２と称呼することもできる）、ダイ内座標系２００３に大別される。ダイ２００１の被検査対象２００上での位置は、被検査対象２００上に座標を割り当てたマトリックス座標系２００２によって得ることができる。また、非検査エリア、検査エリアのダイ２００１での座標は、ダイ２００１上に座標を割り当てたダイ内座標系２００３によって得ることできる。被検査対象２００上での非検査エリア、検査エリアの位置は、マトリックス座標系２００２、ダイ内座標系２００３を使用すれば得られる。なお、ダイ２００１はＸ走査方向に複数の種類のダイを配置したショットである場合もある。
【００２０】
次に、作業者により設定された条件にしたがって行われる演算処理系７０１の動作について図３を用いて説明する。この動作は後述する２つの方法のうちいずれか１つを採用することができる。
【００２１】
１つ目は、図３の領域３００１で示すように、着目する検査エリアに応じて撮像するダイを変更する場合である。例えば、有効エリアＡを検査する場合は、検査装置はダイ２、ダイ３、ダイ４の画像（実線３００２で示す部分）を得て、隣接するダイ同士で差分処理、閾値処理を行う。この場合、隣接するダイの画像のうち片方が参照画像ということになる。有効エリアＢを検査する場合は、検査装置はダイ１、ダイ２、ダイ３、ダイ４の画像（実線３００３で示す部分）を得て、隣接するダイ同士で差分処理、閾値処理を行う。有効エリアＣを検査する場合は、検査装置は、ダイ２、ダイ３、ダイ４の画像（実線３００４で示す部分）を得て、隣接するダイ同士で差分処理、閾値処理を行う。
【００２２】
なお、有効エリアＡ、Ｂ、Ｃ、すべてを検査したいのであれば、本実施例の検査装置は、ダイ１の画像、ダイ２の画像、ダイ３の画像、ダイ４の画像、すべてを取得する。そして、有効エリアＡの検査についてはダイ２、ダイ３、ダイ４の画像を使用し、有効エリアＢの検査についてはダイ１、ダイ２、ダイ３、ダイ４の画像を使用し、有効エリアＣの検査についてはダイ２、ダイ３、ダイ４の画像を使用する。
【００２３】
２つ目の方法は、図３の領域３００５に示すように、着目した検査エリア単位で画像を得る方法である。例えば、有効エリアＡを検査したいのであれば、検査装置はダイ２の有効エリアＡ、ダイ３の有効エリアＡ、ダイ４の有効エリアＡの画像（実線３００６で示す部分）を得て、得た有効エリア同士で差分処理、閾値処理を行う。有効エリアＢを検査したいのであれば、検査装置はダイ１の有効エリアＢ、ダイ２の有効エリアＢ、ダイ３の有効エリアＢ、ダイ４の有効エリアＢの画像（実線３００７で示す部分）を得て、得た有効エリア同士で差分処理、閾値処理を行う。有効エリアＣを検査したいのであれば、検査装置はダイ１の有効エリアＣ、ダイ２の有効エリアＣ、ダイ３の有効エリアＣの画像（実線３００６で示す部分）を得て、得た有効エリア同士で差分処理、閾値処理を行う。上述した動作は、上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１ごとに行われる。このような欠陥検出動作は、Ｘ走査方向に異なるパターンが形成されている場合に特に有効である。
【００２４】
なお、有効エリアＡ、Ｂ、Ｃ、すべてを検査したいのであれば、本実施例の検査装置は、ダイ１−４すべての有効エリアＡ、Ｂ、Ｃの画像を得る。そして、有効エリアＡの検査についてはダイ２の有効エリアＡ、ダイ３の有効エリアＡ、ダイ４の有効エリアＡの画像を使用し、有効エリアＢの検査についてはダイ１の有効エリアＢ、ダイ２の有効エリアＢ、ダイ３の有効エリアＢ、ダイ４の有効エリアＢの画像を使用し、有効エリアＣの検査についてはダイ１の有効エリアＣ、ダイ２の有効エリアＣ、ダイ３の有効エリアＣの画像を使用する。
【００２５】
なお、この着目した検査エリア単位で画像を得る方法については、得た画像を、差分処理を行う際の画像同士の位置ずれの補正や閾値処理のための閾値の作成に使用しても良い。例えば、差分処理を行う際の画像同士の位置ずれの補正は図４のように表現される。今、有効エリアＡに着目して、上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１の少なくとも１つは、ダイ２の有効エリアＡ、ダイ３の有効エリアＡ、ダイ４の有効エリアＡの画像を得たとする。ダイ３の有効エリアＡの画像は、ダイ２の有効エリアＡの画像に対してΔｘ１、Δｙ１だけずれて得られたとする。また、ダイ４の有効エリアＡの画像は、ダイ２の有効エリアＡの画像に対してΔｘ２、Δｙ２だけずれて得られたとする。この場合、本実施例では、ダイ３の有効エリアＡの画像を−Δｘ１、−Δｙ１分移動させる。また、ダイ４の有効エリアＡの画像を−Δｘ２、−Δｙ２分移動させる。このような位置ずれ補正後の、ダイ２の有効エリアの画像、ダイ３の有効エリアＡの画像、及びダイ４の有効エリアＡの画像はＸ方向、Ｙ方向について等間隔に配列されることになるので差分処理をより正確に行えることになる。閾値処理は、この位置ずれ補正の後に行われることになる。
【００２６】
なお、この位置ずれ補正は、有効エリアＢを検査するのであれば、ダイ１の有効エリアＢ、ダイ２の有効エリアＢ、ダイ３の有効エリアＢ、ダイ４の有効エリアＢの画像について行われる。また、この位置ずれ補正は、有効エリアＣを検査するのであれば、ダイ１の有効エリアＣ、ダイ２の有効エリアＣ、ダイ３の有効エリアＣの画像について行われる。さらに、この位置ずれ補正は、上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１毎に行われるし、その補正量は、上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１毎に異なる場合もある。
【００２７】
次に、閾値処理のための閾値の作成について図５を用いて説明する。今、有効エリアＡに着目して、上方検出系８００（斜方検出系１００、１０１の少なくとも１つでも良い）は、ダイ２の有効エリアＡ、ダイ３の有効エリアＡ、ダイ４の有効エリアＡの画像を得たとする。演算処理系７０１はダイ２の有効エリアＡの画像内の画素の輝度、ダイ３の有効エリアＡの画像内の画素の輝度、ダイ４の有効エリアＡの画像内の画素の輝度についてΣを得て、さらに標準偏差を得る。この標準偏差が上方検出系８００で得られた有効エリアＡを検査するための閾値ＴＡとなる。この閾値の作成は、有効エリアＢを検査するのであれば、演算処理系７０１はダイ１の有効エリアＢ、ダイ２の有効エリアＢ、ダイ３の有効エリアＢ、ダイ４の有効エリアＢの画像内に画素の輝度について標準偏差を得て、有効エリアＢを検査するための閾値ＴＢを得る。また、この閾値の作成は、有効エリアＣを検査するのであれば、制御装置１は、ダイ１の有効エリアＣ、ダイ２の有効エリアＣ、ダイ３の有効エリアＣの画像内の画素の輝度について標準偏差を得て、有効エリアＣを検査するための閾値ＴＣを作成することになる。このように作成された閾値は同じ種類のパターンが形成された画像を用いて作成されるので、より欠陥検出に好適な閾値となる。
【００２８】
さらに、このような閾値の作成は斜方検出系１００、１０１で得られた画像について行われる場合もある。つまり、ダイやショットといったある領域内に形成されたパターンの種類の数をｐ個として、検出光学系の数をｑ個とするなら、得られる閾値の種類はｐとｑとの積ということになる。
【実施例２】
【００２９】
次に実施例２について説明する。実施例１では、異なる種類のパターン単位で、非検査エリア、検査エリアを設定したが、本実施例では、任意の部分を非検査エリア、検査エリアとして設定する実施例である。本実施例では、実施例１と異なる部分について説明する。
【００３０】
作業者は、まず「被検査対象２００のエッジからある距離（図６の矢印４００５）までは非検査エリアである」と設定する。
【００３１】
演算処理系７０１は、この設定に基づき図６のダイ４００１の画像とダイ４００２の画像とを重ね合わせる。そして、被検査対象２００の左側エッジ４００３と右エッジ４００４との交点が重ね合わせた画像との関係でどの位置にあるか認識する。
【００３２】
そして、交点が重ね合わせた画像の下にある場合、演算処理系７０１はこの設定に基づいて図６のダイ４００１についてエリアａ、及びダイ４００２についてエリアｃを設定する。さらに、ダイ４００１とダイ４００２とを重ね合わせた場合に、エリアａ以外の領域ｂ１とエリアｃ以外の領域ｂ２とが重複した部分をエリアｂとして認識する。つまり、エリアａが実施例１のＡとなり、ｂ１とｂ２とが重複した部分エリアｂが実施例１のＢとなり、エリアｃが実施例１のＣということになる。なお、図６のダイ４００１のエリアａとダイ４００２のエリアｃが非検査エリアとなる。
【００３３】
交点が重ね合わせた画像内、または画像より上にある場合、演算処理系７０１は図７に示すようにダイ５００１についてａ１、ｂ１を、ダイ５００２についてｂ２、ｃ１を設定する。次に、演算処理系７０１は、ダイ５００１の画像と、ダイ５００２の画像とを重ね合わせる。そして、ａ１とｃ１とが重複した部分を認識する。この場合、ｂ２が実施例１のＡとなり、ａ１とｃ１とが重複した部分が実施例１のＢとなり、ｂ１が実施例１のＣということになる。なお、図７のダイ５００１のエリアａ、ｂとダイ５００２のエリアｂ、ｃが非検査エリアとなる。この後の差分処理、閾値処理については実施例１と同様である。本実施例では、Ｘ走査方向について任意の領域設定を可能とするものである。
【実施例３】
【００３４】
次に実施例３について説明する。実施例２は、Ｘ走査方向について任意の領域設定を可能とするものであったが、本実施例ではＹ走査方向についても任意の領域設定を可能とするものである。なお、Ｙ走査方向は、センサ８０２中の画素が配列されている方向と一致しているので、本実施例は、例えば、画素が配列された方向について前記検査を行う領域、前記検査を行わない領域を認識すると表現することもできる。本実施例では、実施例１、及び２と異なる部分について説明する。
【００３５】
図８は本実施例を説明する図である。被検査対象２００上Ｘ走査方向での検査領域の設定は、実施例１、２と同様である。本実施例では、被検査対象２００上のＹ走査方向について、例えば、図８に示すように、ダイ６００１、ダイ６００２についてａ１−ａ４、ｂ１−ｂ４、ｃ１−ｃ４のように複数の検査領域を設定する。Ｙ走査方向の検査領域の設定については、センサ８０２のいわゆるＴＡＰ（タップ）毎、画素毎に設定する場合が考えられる。さらに、図１の検査装置では、上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１から得られる暗視野像は、それぞれ像が全く異なる場合もある、よって、Ｘ走査方向、Ｙ走査方向のうちいずれか１つの検査領域の設定は、上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１毎に異なるようにしても良い。
【００３６】
欠陥検出については、実施例１に開示される着目する検査エリアに応じて撮像するダイを変更する方法、着目した検査エリア単位で画像を得る方法を任意に採用すれば良い。なお、本実施例であれば着目する検査エリアはＹ走査方向においても任意に選択可能となる。
【００３７】
実施例３に開示される本実施例では、実質的に被検査対象２００の端部に沿ってより多くの領域を検査することが可能になる。
【実施例４】
【００３８】
次に実施例４について説明する。不完全領域は被検査対象２００の端部に存在する。図９は被検査対象２００の端部の断面を詳細に説明する図である。被検査対象２００の端部は、より詳細には、平坦部７００１、平坦部７００１に対して傾斜しているベベル部７００２、最外周部であるアペックス部７００３によって構成される場合がある。検査を行うに当たり、特に照明光３０１によってベベル部７００２やアペックス部７００３に照明領域が形成されるとある特定の方向に強い指向性を持つ光が発生する場合もある。そこで、本実施例は、この強い指向性を持つ光を検出する検出光学系が得た画像を検査するための閾値を、他の検出光学系が得た画像を検査するための閾値よりも大きくする。これは、他の表現としては、照明領域の被検査対象２００上での位置に応じて、検査のための閾値を変更すると表現することもできる。
【００３９】
より具体的に、本実施例を説明する。図１０は本実施例を説明する図である。図１０（ａ）は本実施例の検査装置を説明する図である。図１０（ａ）での各構成の動作については実施例１と同様である。本実施例の検査装置では、上方検出系８００が得た画像を検査するための閾値をＴ１とし、斜方検出系１００が得た画像を検査するための閾値をＴ２とし、斜方検出系１０１が得た画像を検査するための閾値をＴ３とする。図１０（ｂ）はステージ４００上に搭載された被検査対象２００を説明する図である。被検査対象２００は、ステージ４００が動くＸ方向に対して被検査物の中心９９９とノッチ１０００とを結ぶ線１００６が直交するよう配置されている。被検査対象２００上には照明光３０１によって実質的に線状の照明領域１００１が形成される。ステージ４００が被検査対象２００を照明領域１００１に対して移動させることにより、照明領域は相対的に被検査対象２００上を矢印１００２、１００３、１００４、１００５の順に移動することになる。この際、本実施例では、線１００６よりも右側ではＴ２をＴ１、Ｔ３よりも高くする。また、線１００６の左側ではＴ３をＴ１、Ｔ２よりも高くする。このように設定することで、ある特定の方向に強い指向性を持つ光が発生した場合でも、より正確な欠陥検出を行うことが可能となる。なお、どの方向に上述した強い指向性を持つ光が発生するか、どの検出光学系がその光を検出するかは、ベベル部７００２、アペックス部７００３の状態、照明光３０１の入射角、方位角、検出光学系の位置によって変わってくる。よって、いずれの閾値をどのように変更するかは上述した説明に限定されるものではなく、上述した被検査対象２００側の状態、照明条件、検出光学系の位置等に応じて閾値を変更すれば良い。
【００４０】
なお、ある特定の方向に強い指向性を持つ光の影響を低減するアプローチとしては、他のアプローチもある。実施例１の検査装置では、回路パターンからの不所望な回折光を遮光するために、上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１それぞれの空間周波数面（フーリエ面と呼ばれることもある）にいわゆる空間フィルタを備える場合もある。本実施例では、上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１それぞれに追加の空間フィルタを配置し、この追加の空間フィルタの遮光パターンをこの強い指向性を持つ光の空間周波数面でのパターンに一致させる。このようなアプローチでも、ある特定の方向に強い指向性を持つ光の影響を低減することが可能となる。
【００４１】
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明は実施例に限定されない。上述した実施例は、暗視野像を得る検査装置について説明したが、本発明は明視野像を得る検査装置に適用しても良い。
【００４２】
また、検出光学系の数も実施例に限定されない。例えば、上方検出系８００、斜方検出系１００、１０１のうち少なくとも１つを採用することも本明細書の範囲内である。
【００４３】
また、検出光学系の数は本実施例に開示される数よりさらに増やしても良い。
【符号の説明】
【００４４】
１００、１０１  斜方検出系
２００  被検査対象
３００  照明系
３０１  照明光
４００  ステージ
７０１  演算処理系
７０２  表示装置
７０３  制御装置
８０２  センサ
８０５  対物レンズ
８０９  結像レンズ
２００１  ダイ
２００２  マトリックス座標系
２００３  ダイ内座標系
２００４  端部
７００１  平坦部
７００２  ベベル部
７００３  アペックス部
【図１】
2013238501.tif 000003
【図２】
2013238501.tif 000004
【図３】
2013238501.tif 000005
【図４】
2013238501.tif 000006
【図５】
2013238501.tif 000007
【図６】
2013238501.tif 000008
【図７】
2013238501.tif 000009
【図８】
2013238501.tif 000010
【図９】
2013238501.tif 000011
【図１０】
2013238501.tif 000012