(57)【要約】      （修正有）【課題】前サイクルの作像履歴が次サイクルに残りにくい電子写真感光体の提供。【解決手段】導電性支持体２と、導電性支持体２上に設けられた下引き層４と電荷発生層５と電荷輸送層６と、をこの順に有し、下引き層４が、金属酸化物粒子と、特定構造の水酸基を有するアントラキノン構造を含む反応性アクセプター物質と、バインダー樹脂と、を少なくとも含み、電荷発生層５が、電荷発生材料としてヒドロキシガリウムフタロシアニンを含み、電荷輸送層６を除いたときの電荷発生層５表面における波長７８０ｎｍの入射光の反射率が、１７％以上である電子写真感光体。【選択図】図１
2013200417.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体と、前記導電性支持体上に設けられた下引き層と電荷発生層と電荷輸送層と、をこの順に有し、
前記下引き層が、金属酸化物粒子と、下記一般式（１）に示すアントラキノン構造を含む反応性アクセプター物質と、バインダー樹脂と、を少なくとも含み、
前記電荷発生層が、電荷発生材料としてヒドロキシガリウムフタロシアニンを含み、
前記電荷輸送層を除いたときの前記電荷発生層表面における波長７８０ｎｍの入射光の反射率が、１７％以上である電子写真感光体。
【化１】
2013200417.tif 000016
（一般式（１）に示すアントラキノン構造は、＊の位置で他の構造と結合して反応性アクセプター物質をなす。
一般式（１）において、ｎ１は１以上７以下の整数を表す。）
【請求項２】
前記電荷輸送層が、電荷輸送能を有する下記一般式（２）に示すブタジエン構造を有する化合物と、下記一般式（３）で表される繰り返し単位及び下記一般式（４）で表される繰り返し単位を含むポリカーボネート共重合体と、を含む請求項１に記載の電子写真感光体。
【化２】
2013200417.tif 000017
（一般式（２）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及び、Ｒ６は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ハロゲン原子、又は、置換若しくは無置換のアリ−ル基を示す。ｍ１及びｎ２は０又は１を示す。）
【化３】
2013200417.tif 000018
（一般式（３）及び一般式（４）中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、及び、Ｒ１０は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。Ｘは、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、直鎖若しくは分岐アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。）
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段、前記電子写真感光体に形成された静電潜像を現像剤により現像してトナー像を形成する現像手段、及び前記電子写真感光体の表面に残存したトナーを除去するトナー除去手段からなる群より選ばれる少なくとも１つと、
を備えるプロセスカートリッジ。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段と、
帯電された前記電子写真感光体の表面を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
前記静電潜像を現像剤により現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を被転写媒体に転写する転写手段と、
を有する画像形成装置。
【請求項５】
前記帯電手段が、接触型帯電手段である請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記接触型帯電手段による帯電電位が絶対値で６５０Ｖ以上である請求項５に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び、画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式の画像形成は、高速且つ高印字品質という利点を有するため、複写機及びレーザービームプリンター等の分野において広く利用されている。複写機やレーザービームプリンタ等の画像形成装置においては、一般にカールソン法が用いられており、コロナ帯電器や導電性ローラー等による帯電及び露光装置により電子写真感光体上に形成された静電潜像を現像工程で現像した後、転写工程で記録紙等の記録媒体に転写し、次に定着工程で熱と圧力で記録紙等の記録媒体に定着して画像を形成している。
【０００３】
該電子写真装置に用いられる電子写真感光体（以下、単に「感光体」と称することがある）としては、無機光導電材料を用いた感光体に比べ、安価で製造性及び廃棄性の点で優れた利点を有する有機光導電材料を用いた電子写真感光体が主流を占める様になってきている。中でも、露光により電荷を発生する電荷発生層と電荷を輸送する電荷輸送層とを積層させた機能分離型の有機感光体は、電子写真特性の点で優れており、種々の提案が成され、実用化されている。近年は技術進展に伴い、より一層の高速化、高画質化、長寿命化が図られている。
【０００４】
下引き層においては、通電履歴によるバルク劣化や導電性基材との界面の劣化にともなう残留電位発生を抑えるため、下引き層にアクセプターを含有する構成がよく知られている。またアクセプターを増量することで、さらに長期に渡って残留電位発生を抑えることができる。
【０００５】
例えば、干渉縞の抑制を目的として、下引き層が９．８ＭＰａ圧粉体の電気抵抗が１乃至１０４Ω・ｃｍである黒色の無機化合物と、ｎ型性の金属化合物粒子を含有し前記下引き層の、７８０ｎｍにおける透過率および拡散反射率が、ともに１５%以下であることを特徴とする電子写真感光体が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、濃度制御を精度よく行うことを目的として、導電性支持体上に少なくともバインダー樹脂と白色顔料とからなる下引き層と電荷発生層と電荷輸送層を順次積層してなる電子写真用感光体において、感光体表面に入射角５°での８００ｎｍ乃至９００ｎｍの波長領域の単波長を持つ濃度像形成光に対して電子写真感光体の正反射率が５％以上１０％以下であり、下引き層の膜厚が１．０μｍ以上５．０μｍ以下の電子写真用感光体を用いたことを特徴とする電子写真感光体が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−６２５２１号公報
【特許文献２】特開２００６−１９５０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前サイクルの作像履歴が次サイクルに残りにくい電子写真感光体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を達成するための具体的手段は以下の通りである。
即ち、請求項１に係る発明は、
導電性支持体と、前記導電性支持体上に設けられた下引き層と電荷発生層と電荷輸送層と、をこの順に有し、
前記下引き層が、金属酸化物粒子と、下記一般式（１）に示すアントラキノン構造を含む反応性アクセプター物質と、バインダー樹脂と、を少なくとも含み、
前記電荷発生層が、電荷発生材料としてヒドロキシガリウムフタロシアニンを含み、
前記電荷輸送層を除いたときの前記電荷発生層表面における波長７８０ｎｍの入射光の反射率が、１７％以上である電子写真感光体である。
【００１０】
【化１】
2013200417.tif 000003
【００１１】
一般式（１）に示すアントラキノン構造は、＊の位置で他の構造と結合して反応性アクセプター物質をなす。
一般式（１）において、ｎ１は１以上７以下の整数を表す。
【００１２】
請求項２に係る発明は、
前記電荷輸送層が、電荷輸送能を有する下記一般式（２）に示すブタジエン構造を有する化合物と、下記一般式（３）で表される繰り返し単位及び下記一般式（４）で表される繰り返し単位を含むポリカーボネート共重合体と、を含む請求項１に記載の電子写真感光体である。
【００１３】
【化２】
2013200417.tif 000004
【００１４】
一般式（２）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及び、Ｒ６は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ハロゲン原子、又は、置換若しくは無置換のアリ−ル基を示す。ｍ１及びｎ２は０又は１を示す。
【００１５】
【化３】
2013200417.tif 000005
【００１６】
一般式（３）及び一般式（４）中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、及び、Ｒ１０は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。Ｘは、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、直鎖若しくは分岐アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。
【００１７】
請求項３に係る発明は、
請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段、前記電子写真感光体に形成された静電潜像を現像剤により現像してトナー像を形成する現像手段、及び前記電子写真感光体の表面に残存したトナーを除去するトナー除去手段からなる群より選ばれる少なくとも１つと、
を備えるプロセスカートリッジである。
【００１８】
請求項４に係る発明は、
請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段と、
帯電された前記電子写真感光体の表面を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
前記静電潜像を現像剤により現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を被転写媒体に転写する転写手段と、
を有する画像形成装置である。
【００１９】
請求項５に係る発明は、
前記帯電手段が、接触型帯電手段である請求項４に記載の画像形成装置である。
【００２０】
請求項６に係る発明は、
前記接触型帯電手段による帯電電位が絶対値で６５０Ｖ以上である請求項５に記載の画像形成装置である。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１に係る発明によれば、下引き層が特定の反応性アクセプター物質を含有しないか、電荷発生材料としてヒドロキシガリウムフタロシアニンを含まないか、又は、電荷発生層表面における波長７８０ｎｍの入射光の反射率が１７％未満である場合に比較して、前サイクルの作像履歴が次サイクルに残りにくい電子写真感光体が提供される。
【００２２】
請求項２に係る発明によれば、電荷輸送層が特定のブタジエン構造を有する化合物、又は、特定のポリカーボネート共重合体を含有しない場合に比較して、感度が向上すると共に長寿命化が図られる。
【００２３】
請求項３に係る発明によれば、下引き層が特定の反応性アクセプター物質を含有しないか、電荷発生材料としてヒドロキシガリウムフタロシアニンを含まないか、又は、電荷発生層表面における波長７８０ｎｍの入射光の反射率が１７％未満である場合に比較して、前サイクルの作像履歴が次サイクルに残りにくい電子写真感光体の取り扱いを容易にし、種々の構成の画像形成装置への適応性が高められる。
【００２４】
請求項４に係る発明によれば、下引き層が特定の反応性アクセプター物質を含有しないか、電荷発生材料としてヒドロキシガリウムフタロシアニンを含まないか、又は、電荷発生層表面における波長７８０ｎｍの入射光の反射率が１７％未満である場合に比較して、前サイクルの作像履歴が次サイクルに残りにくい電子写真感光体を用いた画像形成装置が提供される。
【００２５】
請求項５に係る発明によれば、帯電手段として接触型帯電手段を用いた場合であっても、前サイクルの作像履歴が次サイクルに残りにくい。
【００２６】
請求項６に係る発明によれば、接触型帯電手段による帯電電位を絶対値で６５０Ｖ以上にした場合であっても、前サイクルの作像履歴が次サイクルに残りにくい。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施形態の電子写真感光体の一部の断面を示す概略図である。
【図２】第１実施形態の画像形成装置の基本構成を示す概略図である。
【図３】第２実施形態の画像形成装置の基本構成を示す概略図である。
【図４】プロセスカートリッジの一例の基本構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び、画像形成装置の実施形態について詳細に説明する。
【００２９】
＜電子写真感光体＞
本実施形態の電子写真感光体は、導電性支持体と、前記導電性支持体上に設けられた下引き層と電荷発生層と電荷輸送層と、をこの順に有し、前記下引き層が、金属酸化物粒子と、下記一般式（１）に示すアントラキノン構造を含む反応性アクセプター物質と、バインダー樹脂と、を少なくとも含み、前記電荷発生層が、電荷発生材料としてヒドロキシガリウムフタロシアニンを含み、前記電荷輸送層を除いたときの前記電荷発生層表面における波長７８０ｎｍの入射光の反射率が、１７％以上である感光体である。
【００３０】
【化４】
2013200417.tif 000006
【００３１】
一般式（１）に示すアントラキノン構造は、＊の位置で他の構造と結合して反応性アクセプター物質をなす。
一般式（１）において、ｎ１は１以上７以下の整数を表す。
【００３２】
上述のように、通電履歴によるバルク劣化や導電性基材との界面の劣化にともなう残留電位発生を抑えるため、下引き層にアクセプター物質を含有する構成がよく知られている。しかし、下引き層のアクセプター物質を増量することで長寿命化を図る場合、下引き層と電荷発生層界面のエネルギー障壁が小さくなり、界面に蓄積したキャリアが電荷発生層、電荷輸送層を通過し最表面に到達しやすくなってしまうことがある。すなわち、下引き層と電荷発生層との界面に蓄積したキャリアが内部電場を歪め、局所的に高電場となり、次サイクルの帯電時にホールブロッキング性が低下する。これが、帯電部の電位低下をもたらし、前サイクルの作像履歴部が次サイクルで画像濃度低下するという、所謂ゴーストが発生することがある。特に、高生産性を目的として、露光と次帯電、および除電と次帯電の通過時間を短くした高速機においては、移動度の小さい蓄積キャリアの開放が困難であるため、画質上顕著に顕在化してしまうことがある。
【００３３】
本実施形態の電子写真感光体は、前サイクルの作像履歴が次サイクルに残りにくい。その結果、ゴーストの発生が抑制される。電子写真感光体が本実施形態の構成とされることで作像履歴が次サイクルに残りにくくなる理由は明確ではないが、以下のように推察される。
下引き層に本実施形態の構成を用いることで、下引き層と電荷発生層界面のエネルギー障壁が大きくなり、界面に蓄積したキャリアにより内部電場が歪んだとしても、ホールブロッキング性が充分に維持できるためであると推察される。
【００３４】
本実施形態の電子写真感光体は、導電性支持体と、前記導電性支持体上に設けられた下引き層と電荷発生層と電荷輸送層と、をこの順に有し、必要に応じて中間層等を有していてもよい。以下に、図面に基づいて本実施形態の電子写真感光体を説明する。
【００３５】
図１は本実施形態の電子写真感光体の一部の断面を概略的に示している。図１に示した電子写真感光体１は電荷発生層５と電荷輸送層６とが別個に設けられた機能分離型の感光層３を備えるもので、導電性支持体２上に下引き層４、電荷発生層５、電荷輸送層６がこの順序で積層された構造を有している。
なお本実施形態において、絶縁性とは、体積抵抗率で１０１２Ωｃｍ以上の範囲を意味する。一方、導電性とは、体積抵抗率で１０１０Ωｃｍ以下の範囲を意味する。
以下、電子写真感光体１の各要素について説明する。
【００３６】
−導電性支持体−
導電性支持体２としては、従来から使用されているものであれば、如何なるものを使用してもよい。例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属類、及びアルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼、金、バナジウム、酸化錫、酸化インジウム、ＩＴＯ等の薄膜を設けたプラスチックフィルム等、導電性付与剤を塗布又は含浸させた紙、プラスチックフィルム等が挙げられる。
導電性支持体２の形状はドラム状に限られず、シート状、プレート状としてもよい。
【００３７】
導電性支持体２として金属パイプを用いる場合、表面は素管のままであってもよいし、予め鏡面切削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、サンドブラスト、ウエットホーニングなどの処理が行われていてもよい。
【００３８】
−下引き層−
下引き層４は、導電性支持体２の表面における光反射の防止、導電性支持体２から感光層３への不要なキャリアの流入の防止などの目的で設けられる。
下引き層４は、金属酸化物粒子と、下記一般式（１）に示すアントラキノン構造を含む反応性アクセプター物質（以下、特定のアクセプター物質と称することがある）と、バインダー樹脂と、を少なくとも含む。
本実施形態において、反応性アクセプター物質とは、下引き層４に含有される金属酸化物粒子の表面と化学反応する材料、あるいは金属酸化物粒子の表面に吸着する材料を指し、金属酸化物粒子の表面に選択的に存在することの出来る材料を指す。
【００３９】
【化５】
2013200417.tif 000007
【００４０】
一般式（１）に示すアントラキノン構造は、＊の位置で他の構造と結合して反応性アクセプター物質をなす。他の構造には、複数の原子から構成される構造以外にも、水素原子等の一個の原子の場合も含まれる。
一般式（１）において、ｎ１は１以上７以下の整数を表し、１以上４以下が好ましい。
【００４１】
以下に、一般式（１）に示すアントラキノン構造を含む反応性アクセプター物質の具体例を示すが、本実施形態は、下記具体例に限定されるものではない。
【００４２】
【化６】
2013200417.tif 000008
【００４３】
【化７】
2013200417.tif 000009
【００４４】
本実施形態においては、特定のアクセプター物質と共にその他のアクセプター物質を併用してもよい。その他のアクセプター物質としては、キノン系、クマリン系、フタロシアニン系、トリフェニルメタン系、アントシアニン系、フラボン系、フラーレン系、ルテニウム錯体、キサンテン系、ベンゾキサジン系、ポルフィリン系の材料が挙げられる。
その他のアクセプター物質を併用する際の、全アクセプター物質に占める特定のアクセプター物質の割合は、５０質量％以上が好ましく、７５質量％以上がさらに好ましい。
【００４５】
反応性アクセプター物質の添加量は、化学反応あるいは吸着する相手である金属酸化物粒子の表面積、各材料の電子輸送能力、金属酸化物粒子の含有量を考慮して決められるが、通常は下引き層中の全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下の範囲で用いられる。より望ましくは０．５質量％以上５質量％以下の範囲で用いられる。反応性アクセプター物質の添加量が０．１質量％未満であるとアクセプター物質の効果が発現し難い可能性がある。逆に１０質量％を越えると金属酸化物粒子同士の凝集を引き起こしやすくなり、金属酸化物粒子が下引き層内で分布が不均一になりやすく、良好な導電路を形成しにくくなる。そのため、残留電位を上昇させるだけでなく、黒点の発生、ハーフトーン濃度の不均一が発生する可能性がある。
【００４６】
本実施形態において、金属酸化物粒子としては、望ましくは粒径が１００ｎｍ以下、特に１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の導電粉が望ましく用いられる。ここでいう粒径とは、平均１次粒径を意味する。金属酸化物粒子の平均１次粒径は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察し、測定される値である。
金属酸化物粒子の粒径が１０ｎｍ未満の場合、金属酸化物粒子の表面積が大きくなり、分散液の均一性が低下する可能性がある。一方、金属酸化物粒子の粒径が１００ｎｍを越える場合、２次粒子、あるいはそれ以上の高次粒子は１μｍ程度の粒径になると予想され、下引き層内で金属酸化物粒子の存在する部分と存在しない部分、いわゆる海島構造となりやすく、ハーフトーン濃度の不均一など画質欠陥が発生する可能性がある。
【００４７】
下引き層２は、電子写真プロセス速度に対応した周波数で適切なインピーダンスを得ることが必要であり、そのため金属酸化物粒子としては１０４Ω・ｃｍ以上１０１０Ω・ｃｍ以下程度の粉体抵抗とすることが望ましい。中でも上記抵抗値を有する酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛等の金属酸化物粒子を用いるのが望ましく、酸化亜鉛を用いることがさらに望ましい。金属酸化物粒子の抵抗値が１０４Ω・ｃｍよりも低いと、インピーダンスの粒子添加量依存性の傾きが大きすぎて、インピーダンスの制御が難しくなる可能性がある。一方、金属酸化物粒子の抵抗値が１０１０Ω・ｃｍよりも高いと残留電位上昇を引き起こす場合がある。
【００４８】
金属酸化物粒子は、必要に応じて分散性等の諸特性の改善のため少なくとも１種のカップリング剤で被覆されていることが望ましい。カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、及びアルミネート系カップリング剤から選ばれる少なくとも１種であることが望ましい。
具体的なカップリング剤の例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート等のアルミネート系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、ビス（ジオクチルピロホフェート）、イソプロピルトリ（Ｎ―アミノエチルーアミノエチル）チタネート等のチタネート系カップリング剤等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらのカップリング剤は２種以上を混合して使用してもよい。
【００４９】
これらの金属酸化物粒子は、上記カップリング剤で表面処理後、必要に応じて抵抗値の環境依存性等の改善のために熱処理を行ってもよい。熱処理温度は１５０℃以上３００℃以下、処理時間は３０分以上５時間以下が望ましい。
【００５０】
下引き層２における金属酸化物粒子の含有量は、電気特性維持の観点から、３０量％以上６０質量％以下が望ましく、３５質量％以上５５質量％以下がより望ましい。
【００５１】
金属酸化物粒子を分散させる方法としては公知の分散方法が用いられる。例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカーなどが挙げられる。
【００５２】
本実施形態に用いられるバインダー樹脂としては、ポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物などが用いられる。
【００５３】
金属酸化物粒子を予備混合あるいは予備分散したものを、バインダー樹脂に分散させて下引き層形成用塗布液が得られる。
下引き層形成用塗布液を得るために用いる溶剤としては前述したバインダー樹脂を溶解する公知の有機溶剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系の溶剤が用いられる。これらの溶剤は単独あるいは２種類以上混合して用いてもよい。
【００５４】
露光装置にレーザー等のコヒーレント光を用いた場合、モアレ像を防止する必要がある。そのためには下引き層の表面粗さを、使用する露光用レーザー波長λの１／４ｎ（ｎは上層の屈折率）以上１／２λ以下に調整する。下引き層中に樹脂ボールを添加して表面粗さを調整してもよい。樹脂ボールとしてはシリコーン樹脂、架橋型ＰＭＭＡ樹脂等が用いられる。
【００５５】
下引き層の塗布方法としては浸漬塗布法、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法など公知の塗布方法が用いられる。
【００５６】
下引き層の厚みは、外来異物によるリーク防止の観点から、１５μｍ以上が望ましく、１５μｍ以上３０μｍ以下であることがより望ましく、２０μｍ以上２５μｍ以下が更に望ましい。
【００５７】
下引き層は、ビッカース強度が３５以上５０以下であることが望ましい。
【００５８】
下引き層と感光層との間には、電気特性向上、画質向上、画質維持性向上、感光層接着性向上などのために必要に応じて中間層を設けてもよい。
中間層を構成する材料としては、ポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物のほかに、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、シリコン原子などを含有する有機金属化合物などがある。
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いてもよい。中でも、ジルコニウムもしくはシリコンを含有する有機金属化合物は、残留電位が低く、環境による電位変化が少なく、繰り返し使用による電位の変化が少ないなど性能上優れている。
【００５９】
ケイ素化合物としては、例えばビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシシラン）、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシランなどである。特に望ましく用いられるケイ素化合物は、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシシラン）、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤が挙げられる。
【００６０】
有機ジルコニウム化合物の例として、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシドなどが挙げられる。
【００６１】
有機チタン化合物の例としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレートなどが挙げられる。
【００６２】
有機アルミニウム化合物の例としてはアルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）などが挙げられる。
【００６３】
また、中間層を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【００６４】
中間層は上層の濡れ性改善の他に、電気的なブロキング層の役割も果たすが、膜厚が大きすぎる場合には電気的な障壁が強くなりすぎて減感や繰り返しによる電位の上昇を引き起こす可能性がある。したがって、中間層を形成する場合には、０．１μｍ以上３μｍ以下の膜厚範囲に設定されることが望ましい。
【００６５】
−電荷発生層−
電荷発生層５は、電荷発生材料としてヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む。電荷発生層５は、電荷発生材料であるヒドロキシガリウムフタロシアニンを真空蒸着して形成するか、電荷発生材料を、有機溶剤、バインダー樹脂、添加剤等とともに分散して塗布することにより形成される。
本実施形態において、電荷発生材料としては、高速化、高画質化を目的とした電荷発生効率の高さの観点からヒドロキシガリウムフタロシアニンが用いられる。
【００６６】
ヒドロキシガリウムフタロシアニンとしては、特に、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．５゜、９．９゜、１２．５゜、１６．３゜、１８．６゜、２５．１゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が挙げられる。
【００６７】
本実施形態においては、ヒドロキシガリウムフタロシアニン以外のその他の電荷発生材料をヒドロキシガリウムフタロシアニンと併用してもよい。その他の電荷発生材料としては、無金属フタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ジクロロスズフタロシアニン、チタニルフタロシアニン等のフタロシアニン顔料が挙げられる。フタロシアニン顔料としては、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．４゜、１６．６゜、２５．５゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．７゜、９．３゜、１６．９゜、１７．５゜、２２．４゜及び２８．８゜に強い回折ピークを有する無金属フタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも９．６゜、２４．１゜及び２７．２゜に強い回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．６゜、１８．３゜、２３．２゜、２４．２゜、２７．３゜に強い回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶が挙げられる。また、キノン顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビスベンゾイミダゾール顔料、アントロン顔料、キナクリドン顔料等を用いてもよい。これらその他の電荷発生材料は、単独又は２種以上を混合して用いてもよい。
【００６８】
その他の電荷発生材料を併用する場合、電荷発生材料の合計量に占めるヒドロキシガリウムフタロシアニンの割合は、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がさらに好ましい。
【００６９】
本実施形態に用いる電荷発生材料は、例えば、公知の方法で製造される顔料結晶を、自動乳鉢、遊星ミル、振動ミル、ＣＦミル、ローラーミル、サンドミル、ニーダー等で機械的に乾式粉砕するか、乾式粉砕後、溶剤と共にボールミル、乳鉢、サンドミル、ニーダー等を用いて湿式粉砕処理を行うことによって製造される。上記の処理において使用される溶剤は、芳香族類（トルエン、クロロベンゼン等）、アミド類（ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等）、脂肪族アルコール類（メタノール、エタノール、ブタノール等）、脂肪族多価アルコール類（エチレングリコール、グリセリン、ポリエチレングリコール等）、芳香族アルコール類（ベンジルアルコール、フェネチルアルコール等）、エステル類（酢酸エステル、酢酸ブチル等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン等）、ジメチルスルホキシド、エーテル類（ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等）、さらには数種の混合系、水とこれら有機溶剤の混合系があげられる。
溶剤は、顔料結晶１００部に対して、１部以上２００部以下、望ましくは１０部以上１００部以下の範囲（質量比）で用いる。
処理温度は、０℃以上溶剤の沸点以下、望ましくは１０℃以上６０℃以下の範囲で行う。
【００７０】
また、粉砕の際に食塩、ぼう硝等の磨砕助剤が用いられる。磨砕助剤は顔料に対し０．５倍以上２０倍以下、望ましくは１倍以上１０倍以下用いればよい。
また、公知の方法で製造される顔料結晶を、アシッドペースティングあるいはアシッドペースティングと前述したような乾式粉砕あるいは湿式粉砕を組み合わせることにより、結晶制御されてもよい。アシッドペースティングに用いる酸としては、硫酸が望ましく、濃度７０％以上１００％以下、望ましくは９５％以上１００％以下のものが使用され、溶解温度は、−２０℃以上１００℃以下、望ましくは０℃以上６０℃以下の範囲に設定される。濃硫酸の量は、顔料結晶の質量に対して、１倍以上１００倍以下、望ましくは３倍以上５０倍以下の範囲に設定される。析出させる溶剤としては、水あるいは、水と有機溶剤の混合溶剤が用いられる。析出させる温度については特に制限はないが、発熱を防ぐために、氷等で冷却することが望ましい。
【００７１】
電荷発生層に用いるバインダー樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択される。ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシランなどの有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
望ましいバインダー樹脂としては、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのバインダー樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いてもよい。これらの中で特にポリビニルアセタール樹脂が望ましく用いられる。
【００７２】
また、電荷発生材料とバインダー樹脂との配合比（質量比）は、１０：１乃至１：１０の範囲が望ましい。塗布液を調整するための溶媒としては公知の有機溶剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系等から選択してもよい。例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が用いられる。
分散に用いる溶剤は単独あるいは２種以上混合して用いてもよい。混合する際、使用される溶剤としては、混合溶剤としてバインダー樹脂を溶かす溶剤であれば、いかなるものでも使用してもよい。
【００７３】
分散方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカーなどの方法が用いられる。
分散の際、粒子を０．５μｍ以下、望ましくは０．３μｍ以下、さらに望ましくは０．１５μｍ以下の粒子サイズにすることが有効である。
【００７４】
電荷発生層形成用塗布液には電気特性向上、画質向上などのために種々の添加剤を添加してもよい。添加物としては、クロラニル、ブロモアニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールや２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）１，３，４オキサジアゾールなどのオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物などの電子輸送性物質、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が用いられる。
【００７５】
シランカップリング剤の例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどである。
【００７６】
ジルコニウムキレート化合物の例として、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシドなどが挙げられる。
【００７７】
チタニウムキレート化合物の例としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレートなどが挙げられる。
【００７８】
アルミニウムキレート化合物の例としてはアルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）などが挙げられる。
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いられる。
【００７９】
電荷発生層を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
電荷発生層の厚みは、望ましくは０．０１μｍ以上５μｍ以下、より望ましくは０．０５μｍ以上２．０μｍ以下の範囲に設定される。
【００８０】
−電荷輸送層−
電荷輸送層６は、電荷輸送材料がバインダー樹脂中に分散して形成される。
本実施形態で用いられる電荷輸送材料としては、例えば、２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体、１，３，５−トリフェニル−ピラゾリン、１−［ピリジル−（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等のピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン、トリ（ｐ−メチルフェニル）アミニル−４−アミン、ジベンジルアニリン等の芳香族第３級アミノ化合物、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン等の芳香族第３級ジアミノ化合物、３−（４′−ジメチルアミノフェニル）−５，６−ジ−（４′−メトキシフェニル）−１，２，４−トリアジン等の１，２，４−トリアジン誘導体、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体、２−フェニル−４−スチリル−キナゾリン等のキナゾリン誘導体、６−ヒドロキシ−２，３−ジ（ｐ−メトキシフェニル）ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体、ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン誘導体、エナミン誘導体、Ｎ−エチルカルバゾール等のカルバゾール誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体などの正孔輸送物質、クロラニル、ブロアントラキノン等のキノン系化合物、テトラアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物等の電子輸送物質、および上記した化合物からなる基を主鎖または側鎖に有する重合体などが挙げられる。
【００８１】
本実施形態では、電荷輸送材料として下記一般式（２）に示すブタジエン構造を有する化合物を用いることが高速化、高画質化を目的とした電荷輸送能向上の観点から好ましい。
【００８２】
【化８】
2013200417.tif 000010
【００８３】
一般式（２）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及び、Ｒ６は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ハロゲン原子、又は、置換若しくは無置換のアリ−ル基を示す。ｍ１及びｎ２は０又は１を示す。
アルキル基としては炭素数１以上２０以下のアルキル基が好ましく、アルコキシル基としては炭素数１以上２０以下のアルコキシル基が好ましい。アリール基を置換する置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシル基、アルキル基、アリール基が挙げられる。
【００８４】
一般式（２）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及び、Ｒ６としては、上記の中でも、水素原子、アルキル基、又は、アルコキシル基が好ましく、水素原子、炭素数１以上３以下のアルキル基、又は炭素数１以上３以下のアルコキシル基が好ましい。また、一般式（２）中のｍ１は１が好ましく、ｎ２は１が好ましい。
【００８５】
一般式（２）に示すブタジエン構造を有する化合物の好ましい具体例である例示化合物２−１から２−２０を以下に示すが、本実施形態は、これら化合物に限定されるものではない。
【００８６】
【化９】
2013200417.tif 000011
【００８７】
電荷輸送層６に用いられるバインダー樹脂としては公知の樹脂を使用してもよいが、電気絶縁性のフィルムとして形成される樹脂が望ましい。例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレンーブタジエン共重合体、塩化ビニリデンーアクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノールーホルムアルデヒド樹脂、スチレンーアルキッド樹脂、ポリーＮ―カルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルフォルマール、ポリスルホン、カゼイン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、フェノール樹脂、ポリアミド、カルボキシーメチルセルロース、塩化ビニリデン系ポリマーワックス、ポリウレタン等があげられるが、これらに限定されるものではない。
これらのバインダー樹脂は、単独又は２種類以上混合して用いられる。
【００８８】
電荷輸送層６に用いられるバインダー樹脂として好ましくは、下記一般式（３）で表される繰り返し単位及び下記一般式（４）で表される繰り返し単位を含むポリカーボネート共重合体が挙げられる。
【００８９】
【化１０】
2013200417.tif 000012
【００９０】
一般式（３）及び一般式（４）中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、及び、Ｒ１０は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。Ｘは、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、直鎖若しくは分岐アルキレン基（好ましくは炭素数１以上１２以下）、又は、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３以上１２以下）を表す。
Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、及び、Ｒ１０としては、水素原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基が好ましく、水素原子、メチル基、フェニル基がさらに好ましい。
【００９１】
ポリカーボネート樹脂が上記一般式（３）で表される繰り返し単位と上記一般式（４）で表される繰り返し単位とを含むポリカーボネート共重合体である場合、ポリカーボネート共重合体中における上記一般式（３）で表される繰り返し単位の含有量としては、例えば５モル％以上９５モル％以下が挙げられ、５モル％以上５０モル％以下であってもよく、１５モル％以上２５モル％以下であってもよい。
【００９２】
上記ポリカーボネート共重合体は、例えば、４，４′−ジヒドロキシビフェニル化合物等の原料を用い、ホスゲン等の炭酸エステル形成性化合物との重縮合又はビスアリールカーボネートとのエステル交換反応等の方法によって合成する。
【００９３】
上記ポリカーボネート共重合体の粘度平均分子量としては、例えば、２００００以上１０００００以下が挙げられ、３００００以上８００００以下であってもよく、４００００以上７００００以下であってもよい。
【００９４】
電荷輸送層６は、フッ素粒子を含んでもよい。
フッ素粒子としては、例えばフッ素樹脂の粒子が挙げられ、フッ素樹脂としては、例えば、４フッ化エチレン樹脂、３フッ化塩化エチレン樹脂、６フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、２フッ化２塩化エチレン樹脂およびそれらの共重合体等が挙げられる。これらの中でも特に、４フッ化エチレン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂が好ましい。
【００９５】
フッ素粒子の一次粒径としては、例えば０．０５μｍ以上１μｍ以下の範囲が挙げられ、０．１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲であってもよい。
電荷輸送層６中におけるフッ素粒子の含有量としては、例えば２質量％以上１５質量％以下の範囲が挙げられる。
【００９６】
上記電荷輸送層形成用の塗布液中にフッ素粒子を分散させるための分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー、ナノマイザー等のメディアレス分散機を利用する方法が挙げられる。さらに、高圧ホモジナイザーとして、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
【００９７】
また、塗布液中におけるフッ素粒子の分散安定剤として、例えば、フッ素系界面活性剤や、フッ素系グラフトポリマーを用いてもよい。フッ素系グラフトポリマーとしては、例えば、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、スチレン化合物等からなるマクロモノマー及びパーフルオロアルキルエチルメタクリレートよりグラフト重合された樹脂等が挙げられる。
上記フッ素系界面活性剤やフッ素系グラフトポリマーの添加量としては、例えば、フッ素粒子の質量に対して１％以上５％以下の質量が挙げられる。
【００９８】
電荷輸送層６の厚みは５μｍ以上５０μｍ以下、望ましくは１０μｍ以上３５μｍ以下が適当である。
電荷輸送層を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。塗布に用いる溶剤としては、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤を単独あるいは２種以上混合して用いられる。
【００９９】
さらに、本実施形態の電子写真感光体には、画像形成装置中で発生するオゾンや酸化性ガス、あるいは光・熱による感光体の劣化を防止する目的で、感光層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤などの添加剤を添加してもよい。
たとえば、酸化防止剤としてはヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物などが挙げられる。
【０１００】
酸化防止剤の具体的な化合物例として、フェノール系酸化防止剤では２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、スチレン化フェノール、ｎ−オクタデシル−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）−プロピオネート、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２−ｔ−ブチル−６−（３’−ｔ−ブチル−５’−メチル−２’−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、４，４’−ブチリデン−ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチル−フェノール）、４，４’−チオ−ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，３，５−トリス（４−ｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２，６−ジメチルベンジル）イソシアヌレート、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシ−フェニル）プロピオネート］−メタン、３，９−ビス［２−［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］−１，１−ジメチルエチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカンなどが挙げられる。ヒンダードアミン系化合物ではビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］−４−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ［４，５］ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、コハク酸ジメチル−１−（２−ヒドロキシエチル）−４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン重縮合物、ポリ［｛６−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）イミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイミル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，３，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝］、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロン酸ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）エチレンジアミン−２，４−ビス［Ｎ−ブチル−Ｎ−（１，２，２，６，６，−ペンタメチル−４ピペリジル）アミノ］−６−クロロ−１，３，５−トリアジン縮合物などが挙げられる。有機イオウ系酸化防止剤としてジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−（β−ラウリル−チオプロピオネート）、ジトリデシル−３，３’−チオジプロピオネート、２−メルカプトベンズイミダゾールなどが挙げられる。有機燐系酸化防止剤としてトリスノニルフェニルフォスフィート、トリフェニルフォスフィート、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−フォスフィートなどが挙げられる。
有機硫黄系および有機燐系酸化防止剤は２次酸化防止剤と言われ、フェノール系あるいはアミン系などの１次酸化防止剤と併用することにより相乗効果が得られる。
【０１０１】
光安定剤としては、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ジチオカルバメート系、テトラメチルピペリジン系などの誘導体が挙げられる。
ベンゾフェノン系光安定剤として２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノンなどが挙げられる。ベンゾトリアゾール系光安定剤として２−（−２’−ヒドロキシ−５’メチルフェニル−）−ベンゾトリアゾール、２−［２’−ヒドロキシ−３’−（３’’，４’’，５’’，６’’−テトラ−ヒドロフタルイミド−メチル）−５’−メチルフェニル］−ベンゾトリアゾール、２−（−２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル−５’−メチルフェニル−）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル−５’−メチルフェニル−）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ｔ−ブチルフェニル−）−ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−オクチルフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−アミルフェニル−）−ベンゾトリアゾールなどが挙げられる。その他の化合物として２，４，ジ−ｔ−ブチルフェニル−３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシベンゾエート、ニッケルジブチル−ジチオカルバメートなどがある。
【０１０２】
また、感度の向上、残留電位の低減、繰り返し使用時の疲労低減等を目的として少なくとも１種の電子受容性物質を本実施形態の電子写真感光体に含有せしめてもよい。本実施形態の感光体に使用される電子受容性物質としては、例えば無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、フタル酸などが挙げられる。これらのうち、フルオレノン系、キノン系や、Ｃｌ、ＣＮ、ＮＯ２等の電子吸引性置換基を有するベンゼン誘導体が特によい。
【０１０３】
また、塗布液には、塗膜の平滑性向上のためのレベリング剤としてシリコーンオイルを添加してもよい。
【０１０４】
本実施形態の電子写真感光体は、必要に応じて電荷輸送層６上に保護層を設けてもよい。この保護層は、帯電時の電荷輸送層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する為に用いられる。この保護層は、公知の保護層が用いられる。
【０１０５】
保護層の厚みは１μｍ以上２０μｍ以下、望ましくは２μｍ以上１０μｍ以下が適当である。
保護層を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
塗布に用いる溶剤としては、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤を単独あるいは２種以上混合して用いてよいが、下層を溶解しにくい溶剤を用いることが望ましい。
【０１０６】
本実施形態の電子写真感光体においては、電荷輸送層６を除いたときの電荷発生層５表面における波長７８０ｎｍの入射光の反射率が１７％以上とされる。当該反射率が１７％未満であると、前サイクル画像履歴が次の画像形成サイクルにて画質上観察される問題を生ずることがある。当該反射率は２０％以上が好ましい。
反射率測定試料の調製方法としては、導電性支持体上に下引き層と電荷発生層と電荷輸送層とをこの順に積層して本実施形態の電子写真感光体を得た後に、電子写真感光体をトルエンなどの有機溶剤に浸漬し電荷輸送層を溶解することにより除去する方法が挙げられる。また、導電性支持体上に下引き層と電荷発生層とをこの順に積層した状態の試料を測定対象としてもよい。
【０１０７】
本実施形態において、電荷発生層５表面における波長７８０ｎｍの入射光の反射率は、例えば、下引き層形成用塗布液の粘度、塗布速度、及び、乾燥条件、並びに、電荷発生層形成用塗布液の粘度、及び、塗布速度を調整することで予め定められた値に設定される。
下引き層形成用塗布液の粘度としては、塗布温度において１００ｍＰａ・ｓ以上３００ｍＰａ・ｓ以下が望ましく、１５０ｍＰａ・ｓ以上２５０ｍＰａ・ｓ以下がさらに望ましい。下引き層形成用塗布液を浸漬塗布法により塗布する際の塗布速度としては、１００ｍｍ／ｍｉｎ以上３００ｍｍ／ｍｉｎ以下が望ましく、１５０ｍｍ／ｍｉｎ以上２５０ｍｍ／ｍｉｎ以下がさらに望ましい。下引き層形成用塗布液を塗布した後の乾燥条件としては、乾燥温度が１５０℃以上２００℃以下が好ましく、１７０℃以上１９０℃以下がさらに好ましい。乾燥時間としては、１５分以上５０分以下が好ましく、２０分以上４０分以下がさらに好ましい。
電荷発生層形成用塗布液の粘度としては、塗布温度において１．２ｍＰａ・ｓ以上２．５ｍＰａ・ｓ以下が望ましく、１．４ｍＰａ・ｓ以上２．０ｍＰａ・ｓ以下がさらに望ましい。電荷発生層形成用塗布液を浸漬塗布法により塗布する際の塗布速度としては、３０ｍｍ／ｍｉｎ以上２００ｍｍ／ｍｉｎ以下が望ましく、４０ｍｍ／ｍｉｎ以上１２０ｍｍ／ｍｉｎ以下がさらに望ましい。
【０１０８】
次に、本実施形態の電子写真感光体を備えた本実施形態の画像形成装置及びプロセスカートリッジについて説明する。
【０１０９】
＜画像形成装置＞
−第１実施形態−
図２は、第１実施形態の画像形成装置の基本構成を概略的に示している。図２に示す画像形成装置２００は、本実施形態の電子写真感光体１と、電源２０９に接続され、電子写真感光体１を帯電させる接触帯電方式の帯電装置２０８と、帯電装置２０８により帯電された電子写真感光体１を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成装置（露光装置）２１０と、露光装置２１０により形成された静電潜像をトナーを含む現像剤により現像してトナー像を形成する現像装置２１１と、電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像を被転写媒体５００に転写する転写装置２１２と、転写後、電子写真感光体１の表面に残留するトナーを除去するトナー除去装置２１３と、電子写真感光体１の残留電位を除去する除電器２１４と被転写媒体５００に転写されたトナー像を定着する定着装置２１５とを備える。なお、例えば、除電器２１４は必ずしも設けられている必要はないが、電子写真感光体が繰り返し使用される場合に、電子写真感光体の残留電位が次のサイクルに持ち込まれる現象が防止されるので、画像品質がより高められる。
また、本実施形態の電子写真感光体を用いることにより、例えば、電子写真感光体１が露光装置２１０を通過したのち帯電装置２０８を通過する間隔が２４０ｍｓｅｃ以下、また、電子写真感光体１が除電器２１４を通過したのち帯電装置２０８を通過する間隔が３５ｍｓｅｃ以下のようにサイクル間隔が短い場合であっても、前サイクルの作像履歴が次サイクルに残りにくい。
【０１１０】
帯電装置２０８は接触型帯電手段である帯電ロールを有しており、電子写真感光体１を帯電させる際には帯電ロールに電圧が印加される。電圧の範囲としては、直流電圧は要求される感光体帯電電位に応じて絶対値で６５０Ｖ以上が望ましく、７００Ｖ以上がさらに望ましい。また、電圧の範囲としては、１５００Ｖ以下が望ましい。
接触型帯電手段は、帯電時に接触直前の微小ギャップによる放電、接触部での電荷交換、接触部通過後の微小ギャップによる放電という工程を持つため、感光体の内部電場を歪ませやすいという理由から前サイクルの作像履歴が次サイクルに残りやすい。しかし、本実施形態の電子写真感光体を用いることで、作業履歴が次サイクルに残りにくくなる。
また、接触型帯電手段は非接触型の帯電手段に比較して帯電電位を上げにくく、仮に帯電電位を絶対値で６５０Ｖ以上と高帯電とした場合に、均一に電子写真感光体の表面を帯電させることが難しく作業履歴が次サイクルに残りやすいときがある。しかし、本実施形態の電子写真感光体を用いることで、接触型帯電手段による帯電電位が絶対値で６５０Ｖ以上と高帯電の場合であっても作業履歴が次サイクルに残りにくくなる。
【０１１１】
また、電子写真感光体１を帯電させる際に交流電圧を重畳する場合は、ピーク間電圧が４００Ｖ以上１８００Ｖ以下、望ましくは８００Ｖ以上１６００Ｖ以下、さらに望ましくは１２００Ｖ以上１６００Ｖ以下が望ましい。交流電圧の周波数は５０Ｈｚ以上２００００Ｈｚ以下、望ましくは１００Ｈｚ以上５０００Ｈｚ以下である。
【０１１２】
帯電ロールとしては、芯材の外周面に弾性層、抵抗層、保護層等を設けたものが好適に用いられる。帯電ロールは、感光体１に接触させることにより特に駆動手段を有しなくとも感光体１の回転に伴って回転し、帯電手段として機能するが、帯電ロールに駆動手段を取り付け、感光体１とは異なる周速度で回転させて帯電させてもよい。なお、印加電圧は直流電圧、直流電圧に交流電圧を重畳したもののいずれでもよい。
【０１１３】
露光装置２１０としては、電子写真感光体表面を、半導体レーザ、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、液晶シャッター等の光源により所望の像様に露光する光学系装置等が用いられる。
【０１１４】
現像装置２１１としては、一成分系、二成分系等の正規又は反転現像剤を用いた公知の現像装置等が用いられる。現像装置２１１に使用されるトナーの形状については、特に制限はなく、不定形、球形あるいは他の特定形状のものを使用してもよい。
【０１１５】
転写装置２１２としては、ローラー状の接触型帯電部材の他、ベルト、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、あるいはコロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等、が挙げられる。
【０１１６】
トナー除去装置２１３は、転写工程後の電子写真感光体１の表面に付着する残存トナーを除去するためのもので、これにより清浄面化された電子写真感光体１は上記の画像形成プロセスに繰り返し供される。トナー除去装置２１３としては、異物除去部材（クリーニングブレード）の他、クリーニングブラシ、クリーニングロール等が用いられるが、これらの中でもクリーニングブレードを用いることが望ましい。また、クリーニングブレードの材質としてはウレタンゴム、ネオプレンゴム、シリコーンゴム等が挙げられる。
【０１１７】
−第２実施形態−
図３は第２実施形態の画像形成装置の基本構成を概略的に示している。図３に示す画像形成装置２２０は中間転写方式の画像形成装置であり、ハウジング４００内において４つの電子写真感光体１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄが中間転写ベルト４０９に沿って相互に並列に配置されている。例えば、感光体１ａがイエロー、感光体１ｂがマゼンタ、感光体１ｃがシアン、感光体１ｄがブラックの色からなる画像をそれぞれ形成する。
【０１１８】
ここで、画像形成装置２２０に搭載されている電子写真感光体１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄは、それぞれ本実施形態の電子写真感光体である。
電子写真感光体１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄはそれぞれ一方向（紙面上は反時計回り）に回転し、その回転方向に沿って帯電ロール４０２ａ，４０２ｂ，４０２ｃ，４０２ｄ、現像装置４０４ａ，４０４ｂ，４０４ｃ，４０４ｄ、１次転写ロール４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃ，４１０ｄ、クリーニングブレード４１５ａ，４１５ｂ，４１５ｃ，４１５ｄが配置されている。現像装置４０４ａ，４０４ｂ，４０４ｃ，４０４ｄはそれぞれトナーカートリッジ４０５ａ，４０５ｂ，４０５ｃ，４０５ｄに収容されたブラック、イエロー、マゼンタ、シアンの４色のトナーを供給し、また、１次転写ロール４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃ，４１０ｄはそれぞれ中間転写ベルト４０９を介して電子写真感光体１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄに接している。
【０１１９】
さらに、ハウジング４００内にはレーザ光源（露光装置）４０３が配置されており、レーザ光源４０３から出射されたレーザ光を帯電後の電子写真感光体１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの表面に照射する。これにより、電子写真感光体１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの回転工程において帯電、露光、現像、１次転写、クリーニング（トナー等の異物除去）の各工程が順次行われ、各色のトナー像が中間転写ベルト４０９上に重ねて転写される。中間転写ベルト４０９は駆動ロール４０６、背面ロール４０８及び支持ロール４０７によって張力をもって支持されており、これらのロールの回転によりたわみを生じることなく回転する。また、２次転写ロール４１３は、中間転写ベルト４０９を介して背面ロール４０８と接するように配置されている。背面ロール４０８と２次転写ロール４１３との間を通った中間転写ベルト４０９は、例えば駆動ロール４０６の近傍に配置されたクリーニングブレード４１６により清浄面化された後、次の画像形成プロセスに繰り返し供される。
【０１２０】
また、ハウジング４００内には被転写媒体を収容する容器４１１が設けられており、容器４１１内の紙などの被転写媒体５００が移送ロール４１２により中間転写ベルト４０９と２次転写ロール４１３との間、さらには相互に接する２個の定着ロール４１４の間に順次移送された後、ハウジング４００の外部に排出される。
【０１２１】
なお、上述の説明においては中間転写体として中間転写ベルト４０９を使用する場合について説明したが、中間転写体は、上記中間転写ベルト４０９のようにベルト状であってもよいし、ドラム状であってもよい。ベルト状とする場合、中間転写体の基材を構成する樹脂材料としては、公知の樹脂が用いられる。例えば、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリアルキレンテレフタレート（ＰＡＴ）、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）／ＰＣ、ＥＴＦＥ／ＰＡＴ、ＰＣ／ＰＡＴのブレンド材料、ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド等の樹脂材料及びこれらを主原料としてなる樹脂材料が挙げられる。さらに、樹脂材料と弾性材料をブレンドして用いてもよい。
【０１２２】
また、上記実施形態にかかる被転写媒体とは、電子写真感光体上に形成されたトナー像を転写する媒体であれば特に制限はない。例えば、図２に示した第１実施形態のように電子写真感光体１から直接、紙等の被転写媒体に転写する場合は、紙等が被転写媒体である。また、図３に示した第２実施形態のように中間転写体を用いる場合には、中間転写体が被転写媒体である。
【０１２３】
上記のように本実施形態の電子写真感光体１を備えた画像形成装置２００，２２０であれば、前サイクルの作像履歴が次サイクルに残りにくい。
【０１２４】
＜プロセスカートリッジ＞
図４は、本実施形態の電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジの一例の基本構成を概略的に示している。このプロセスカートリッジ３００は、電子写真感光体１と共に、帯電装置２０８、現像装置２１１、トナー除去装置２１３、露光のための開口部２１８、及び、除電露光のための開口部２１７を、取り付けレール２１６を用いて組み合わせて一体化したものである。
そして、このプロセスカートリッジ３００は、転写装置２１２と、定着装置２１５と、図示しない他の構成部分とからなる画像形成装置本体に対して着脱自在としたものであり、画像形成装置本体とともに画像形成装置を構成する。
【０１２５】
上記のように本実施形態の電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジ３００であれば、前サイクルの作像履歴が次サイクルに残りにくい。
【実施例】
【０１２６】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１２７】
［実施例１］
酸化亜鉛（平均粒子径：７０ｎｍ、テイカ社製、比表面積値：１５ｍ２／ｇ）１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ６０３（信越化学社製）０．７５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛粒子を得た。
【０１２８】
前記表面処理を施した酸化亜鉛粒子６０質量部と、上記特定の反応性アクセプター物質の具体例１−６を１．２質量部と、硬化剤としてブロック化イソシアネート（スミジュール３１７３、住友バイエルンウレタン社製）１３．５質量部と、ブチラール樹脂（ＢＭ−１、積水化学社製）１５質量部とを、メチルエチルケトン８５質量部に溶解した溶液３８質量部と、メチルエチルケトン２５質量部とを混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間の分散を行い、分散液を得た。得られた分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５質量部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、ＧＥ東芝シリコーン社製）４．０質量部とを添加し、下引き層形成用塗布液を得た。下引き層形成用塗布液の塗布温度（２４℃）における粘度は２３５ｍＰａ・ｓであった。
この塗布液を、浸漬塗布法にて塗布速度２２０ｍｍ／ｍｉｎで直径３０ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１８０℃、４０分の乾燥硬化を行い厚さ２５μｍの下引き層を得た。
【０１２９】
次に、電荷発生材料として、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．５゜、９．９゜、１２．５゜、１６．３゜、１８．６゜、２５．１゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１５質量部、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニオンカーバイト社製）１０質量部およびｎ−ブチルアルコール３００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散して電荷発生層形成用塗布液を得た。電荷発生層形成用塗布液の塗布温度（２４℃）における粘度は１．８ｍＰａ・ｓであった。この塗布液を前記下引き層上に浸漬塗布法にて塗布速度６５ｍｍ／ｍｉｎで浸漬塗布し、１５０℃で１０分間乾燥して電荷発生層を得た。
【０１３０】
次に、４フッ化エチレン樹脂粒子８質量部（平均粒径：０．２μｍ）と、フッ化アルキル基含有メタクリルコポリマー（重量平均分子量３００００）０．０１質量部とを、テトラヒドロフラン４質量部、トルエン１質量部とともに２０℃の液温に保ち、４８時間攪拌混合し、４フッ化エチレン樹脂粒子懸濁液Ａを得た。
次に、電荷輸送物質として下記構造式１を示す化合物（一般式（２）において、ｎ２＝１、ｍ１＝１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６が全てＨのもの、トリス［４−（４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエニル）フェニル］アミン）を４質量部、バインダー樹脂として、下記構造式２および下記構造式３の繰り返し単位からなるポリカーボネート共重合体（粘度平均分子量４００００）６質量部、酸化防止剤として２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール０．１質量部を混合して、テトラヒドロフラン２４質量部及びトルエン１１質量部を混合溶解して、混合溶解液Ｂを得た。
このＢ液に前記Ａ液を加えて攪拌混合した後、微細な流路を持つ貫通式チャンバーを装着した高圧ホモジナイザー（吉田機械興行株式会社製）を用いて、５００ｋｇｆ／ｃｍ２まで昇圧しての分散処理を６回繰り返した液に、フッ素変性シリコーンオイル（商品名：ＦＬ−１００  信越シリコーン社製）を５ｐｐｍ添加し、十分に撹拌して電荷輸送層形成用塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に２４μｍの厚さで塗布して１３５℃で２５分間乾燥して電荷輸送層を形成し、目的の電子写真感光体を得た。このようにして得た電子写真感光体を感光体１とした。
【０１３１】
【化１１】
2013200417.tif 000013
【０１３２】
【化１２】
2013200417.tif 000014
【０１３３】
＜評価＞
感光体１を用いて、下記評価を実施した。
【０１３４】
−ゴースト−
ゴーストは、ＤｏｃｕＰｒｉｎｔ５０５（富士ゼロックス社製）の改造機（図２に示す構成を有する画像形成装置）に感光体１を組みこんで、２８℃８５ＲＨ％の雰囲気下で幅２ｍｍの画像密度１００％チャートを２０００枚連続プリントし、その直後に画像密度３０％の全面ハーフトーン画像をプリントし、当該プリント上の濃度変化を目視することで評価した。評価基準は以下のとおりである。得られた結果を表１に示す。
なお、ＤｏｃｕＰｒｉｎｔ５０５の帯電手段は接触型帯電手段であり、帯電電位を−６５０Ｖに調整した。
【０１３５】
○  ：濃度変化なし。
○−：かすかに濃度変化を認識できるが実用上問題のないレベル。
△  ：わずかな濃度変化があり実用上問題のあるレベル。
×  ：顕著な濃度変化があり実用上問題のあるレベル。
【０１３６】
−残留電位−
残留電位（Ｖ）は、ＤｏｃｕＰｒｉｎｔ５０５（富士ゼロックス）の改造機に感光体１を組みこんで、２８℃８５ＲＨ％の雰囲気下で画像密度５％のランダムチャートを５００００枚連続プリントし、その直後に帯電装置２０８と露光装置２１０の中間に表面電位プローブを設置し、表面電位計トレック３３４（トレック社製）を用いて測定することで評価した。得られた結果を表１に示す。
【０１３７】
−反射率−
反射率（％）は、電荷発生層まで形成したドラムをハロゲンランプにより光照射し、反射した光の波長７８０ｎｍの光強度を分光光度計（大塚電子社製  ＭＰＣＤ−３０００）により、ドラム周方向２４点、軸方向１０点測定した平均値を用いて評価した。得られた結果を表１に示す。
【０１３８】
［実施例２］
実施例１において、特定の反応性アクセプター物質の具体例１−６を３．３質量部用いた以外は実施例１と同様にして感光体２を作成し、実施例１と同様にして評価した。
得られた結果を表１に示す。
【０１３９】
［実施例３］
実施例１において、下引き層の乾燥温度を１８５℃とし、電荷発生層の塗布速度を５５ｍｍ／ｍｉｎとした以外は実施例１と同様にして感光体３を作製し、実施例１と同様にして評価した。
得られた結果を表１に示す。
【０１４０】
［実施例４］
電荷輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン４質量部を用いた以外は実施例１と同様にして感光体４を作製し、実施例１と同様にして評価した。
得られた結果を表１に示す。
【０１４１】
［実施例５］
帯電ロール端部に絶縁性の樹脂カラーを装着し、感光体と帯電ロール間のギャップを５０μｍに調整し非接触帯電を行った以外は実施例１と同様の構成としたものを実施例５とし、実施例１と同様にして評価した。
得られた結果を表１に示す。
【０１４２】
［実施例６］
帯電電位を−６３０Ｖに調整した以外は実施例１と同様にして評価した。
得られた結果を表１に示す。
【０１４３】
［比較例１］
実施例１において、下引き層の乾燥温度を１９５℃とし、電荷発生層の塗布速度を１４０ｍｍ／ｍｉｎとした以外は実施例１と同様にして感光体Ｃ１を作製し、実施例１と同様にして評価した。
得られた結果を表１に示す。
【０１４４】
［比較例２］
実施例１において、下引き層の乾燥温度を１９２.５℃とし、電荷発生層の塗布速度を８０ｍｍ／ｍｉｎとした以外は実施例１と同様にして感光体Ｃ２を作製し、実施例１と同様にして評価した。
得られた結果を表１に示す。
【０１４５】
［比較例３］
酸化亜鉛（平均粒子径：７０ｎｍ、テイカ社製、比表面積値：１５ｍ２／ｇ）１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ６０３（信越化学社製）０．７５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛粒子を得た。
前記表面処理を施した酸化亜鉛粒子６０質量部と、硬化剤としてブロック化イソシアネート（スミジュール３１７３、住友バイエルンウレタン社製）１３．５質量部と、ブチラール樹脂（ＢＭ−１、積水化学社製）１５質量部とを、メチルエチルケトン８５質量部に溶解した溶液３８質量部と、メチルエチルケトン２５質量部とを混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間の分散を行い、分散液を得た。得られた分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５質量部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、ＧＥ東芝シリコーン社製）４．０質量部とを添加し、下引き層形成用塗布液を得た。塗布液を得たのち、大気下で塗布液を静置して溶剤を揮発させ、下引き層形成用塗布液の塗布温度（２４℃）における粘度を２３５ｍＰａ・ｓとした以外は実施例１と同様にして感光体Ｃ３を作製し、実施例１と同様に評価した。
得られた結果を表１に示す。
【０１４６】
［比較例４］
下引き層に、反応性アクセプター物質としてトリスビピリジンルテニウム錯体（アルドリッチ社製）０．５質量部を用いた以外は実施例１と同様にして感光体Ｃ４を作製し、実施例１と同様に評価した。
得られた結果を表１に示す。
【０１４７】
［比較例５］
電荷発生材料として、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．４゜、１６．６゜、２５．５゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶１５質量部を用いた以外は実施例１と同様にして感光体Ｃ５を作製し、実施例１と同様にして評価した。
得られた結果を表１に示す。
【０１４８】
表１には、露光から帯電装置による一次帯電までの経過時間、除電から帯電装置による一次帯電までの経過時間、及び、帯電電位についても併せて記載する
【０１４９】
【表１】
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【符号の説明】
【０１５０】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ 電子写真感光体、２ 導電性支持体、３ 感光層、４下引き層、５ 電荷発生層、６電荷輸送層、２００ 画像形成装置、２０８ 帯電装置、２１０ 露光装置、２１１ 現像装置、２１２ 転写装置、２１３ トナー除去装置、２１４ 除電器、２１５定着装置、２２０ 画像形成装置、３００ プロセスカートリッジ、４０４ａ，４０４ｂ，４０４ｃ，４０４ｄ 現像装置、５００ 被転写媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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