(57)【要約】【課題】プリント基板等から加わる熱が、圧電振動片に伝わるタイミングと、集積回路素子内の温度センサに伝わるタイミングとの差をできるだけ小さくしたＴＣＸＯを提供する。【解決手段】  度補償型圧電発振器（１００）は、一対の励振電極（３２）と、励振電極からそれぞれ引き出された一対の引出電極（３３）とが形成された圧電振動素子（３０）と、温度を感知する温度センサ、圧電振動素子の温度による周波数変化を補償する温度補償回路、および圧電振動素子と協働して電圧制御型発振器を形成する電圧制御型発振回路を有する集積回路素子（４０）と、圧電振動素子及び集積回路素子を収容し、実装端子を有するパッケージ（ＰＫ）と、実装端子が形成された反対側でパッケージの開口部を封止する蓋体（２０）と、を備える。そして、実装端子から集積回路素子までの距離と実装端子から引出電極までの距離とが等しいことを特徴としている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の励振電極と、前記励振電極からそれぞれ引き出された一対の引出電極とが形成された圧電振動素子と、
温度を感知する温度センサ、前記圧電振動素子の温度による周波数変化を補償する温度補償回路、および前記圧電振動素子と協働して電圧制御型発振器を形成する電圧制御型発振回路を有する集積回路素子と、
前記圧電振動素子及び集積回路素子を収容し、実装端子を有するパッケージと、
前記実装端子が形成された反対側で前記パッケージの開口部を封止する蓋体と、を備え、
前記実装端子から前記集積回路素子までの距離と前記実装端子から前記引出電極までの距離とが等しい温度補償型圧電発振器。
【請求項２】
前記パッケージは、前記圧電振動素子及び集積回路素子を同一キャビティ内に収納する請求項１に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項３】
前記パッケージは、前記圧電振動素子及び集積回路素子を別々のキャビティ内に収納する請求項１に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項４】
前記パッケージは、前記圧電振動素子が配置されている第１面と前記集積回路素子が配置されている第２面とを有しており、前記集積回路素子はアンダーフィルで充填される請求項３に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項５】
前記圧電振動素子は、両主面を有する長方形状の圧電片であり、
前記励振電極は前記両主面にそれぞれ長方形状に形成され、
前記引出電極は、所定の幅で前記励振電極の長辺の中央から前記圧電片の長辺の中央まで引き出されている請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項６】
前記引出電極の前記長辺方向の幅は前記圧電振動素子の半分以上であり、
前記パッケージは、前記圧電振動素子を載置する台座を有し、
前記台座の長辺方向の長さは、前記引出電極の前記長辺方向の幅と同等である請求項５に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項７】
前記圧電振動素子が、基部と、該基部から伸び前記励振電極を有する一対の振動腕と、前記基部から前記振動腕の両外側から前記振動腕に平行に伸び前記引出電極を有する支持腕とを有し、
前記支持腕は前記基部の端から前記振動腕の端までの長さの半分の位置まで伸びている請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の温度補償型圧電発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として移動体通信機器等に用いられる温度補償型圧電発振器に関する。特に、圧電振動片と集積回路素子との温度差を改善した温度補償型圧電発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電振動片の周波数温度特性を補償した温度補償型圧電発振器（ＴＣＸＯ）は、周波数安定度を必要とする携帯電話等に広く用いられている。ＴＣＸＯは、可変容量素子等を用いて温度変化に応じて発振回路の負荷容量を可変させるようにした圧電発振器である。ＴＣＸＯは、温度センサで温度変動を計測する。そして、ＴＣＸＯは、温度変動による圧電振動片の周波数変化に対して、発振回路の負荷容量を制御し、圧電振動片の周波数変化を相殺して補償する。近年では、圧電発振器の小型化の要求に伴い、温度センサ及び可変容量を含めて発振回路は１チップＩＣ化されている。
【０００３】
特許文献１に開示される温度補償型発振器は、起動又は温度変化から所定の周波数変化量で安定するまでの時間を短縮している。特許文献１の温度補償型発振器は、圧電振動片と、圧電振動片の温度補償を行う集積回路素子と、圧電振動片及び集積回路素子を収容するパッケージと、パッケージを封止する蓋体と、を備えている。パッケージは、長方形環状の枠部が基板部の両主面に一体で形成されたＨ型構造をしており、圧電振動片用の接続パッドが一方の凹部（上側）の底面に設けられている。また、集積回路素子を搭載用の接続パッドが他方の凹部（下側）の底面に設けられている。接続パッドは、パッケージに設けられた内部配線により、外部接続端子に接続している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２５２８１２公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
温度補償型発振器に加わる熱は、一般に、温度補償型発振器の周辺の外気よりも、温度補償型発振器が実装されたプリント基板等からの方が大きい。プリント基板等に発生する熱源（例えばパワートランジスタ）は、温度補償型発振器に対してどこに配置されるかが一定ではない。このため、プリント基板等から加わる熱が、圧電振動片に伝わるタイミングと集積回路素子内の温度センサに伝わるタイミングとが異なることが多い。これでは、圧電振動片の実際の温度変化と温度センサの計測する温度とに差異が生じてしまう。このため、圧電振動片の周波数変化が十分に補償できないことがある。
【０００６】
そこで、本発明は、プリント基板等から加わる熱が、圧電振動片に伝わるタイミングと、集積回路素子内の温度センサに伝わるタイミングとの差をできるだけ小さくする温度補償型発振器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の観点の温度補償型圧電発振器は、一対の励振電極と、前記励振電極からそれぞれ引き出された一対の引出電極とが形成された圧電振動素子と、温度を感知する温度センサ、圧電振動素子の温度による周波数変化を補償する温度補償回路、および圧電振動素子と協働して電圧制御型発振器を形成する電圧制御型発振回路を有する集積回路素子と、圧電振動素子及び集積回路素子を収容し、実装端子を有するパッケージと、実装端子が形成された反対側でパッケージの開口部を封止する蓋体と、を備える。そして、実装端子から集積回路素子までの距離と実装端子から引出電極までの距離とが等しい。
【０００８】
第２の観点の温度補償型圧電発振器は、第１の観点において、パッケージが、圧電振動素子及び集積回路素子を同一キャビティ内に収納する。
第３の観点の温度補償型圧電発振器は、第１の観点において、パッケージが、圧電振動素子及び集積回路素子を別々のキャビティ内に収納する。
【０００９】
第４の観点の温度補償型圧電発振器は、第３の観点において、パッケージが、圧電振動素子が配置されている第１面と集積回路素子が配置されている第２面とを有しており、集積回路素子は、アンダーフィルで充填される。
【００１０】
第５の観点の温度補償型圧電発振器は、第１の観点から第４の観点において、圧電振動素子が、両主面を有する長方形状の圧電片であり、励振電極は、両主面にそれぞれ長方形状に形成され、引出電極が所定の幅で励振電極の長辺の中央から圧電片の長辺の中央まで引き出されていることを特徴としている。
【００１１】
第６の観点の温度補償型圧電発振器は、第５の観点に記載の温度補償型圧電発振器において、引出電極の長辺方向の幅が圧電振動素子の半分以上であり、パッケージが圧電振動素子を載置する台座を有し、台座の長辺方向の長さは、引出電極の長辺方向の幅と同等である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の温度補償型発振器によれば、熱源部品がプリント基板のどの位置にあっても、熱源部品から発生する熱が圧電振動片に伝わるタイミングと、集積回路素子内の温度センサに伝わるタイミングとを近づけることができる。このため、本発明の温度補償型発振器は、周波数ドリフトが生じにくくなる。したがって、プリント基板の熱源部品の位置にかかわらず、正確な温度補償が可能となる温度補償型発振器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一実施形態に係るＴＣＸＯ１００の構造を示す概略断面図である。
【図２】ＴＣＸＯ１００の回路構成を示すブロック図である。
【図３】ＡＴカット振動片３０の構成及びＨ型パッケージＰＫＨを示した斜視図である。
【図４】プリント基板における熱源部品ＨＰとＴＣＸＯ１００との配置を上から見た平面図である。
【図５】（ａ）は、熱源部品ＨＰからＴＣＸＯ１００への熱伝達の様子を模式的に図示した図である。  （ｂ）は、熱源部品ＨＰからＴＣＸＯ１１０への熱伝達の様子を模式的に図示した図である。
【図６】ＴＣＸＯ２００の断面図である。
【図７】ＴＣＸＯ２００における第１パッケージＰＫ１及び第２パッケージＰＫ２の分解斜視図である。
【図８】ＴＣＸＯ３００の分解斜視図である。
【図９】ＴＣＸＯ１２０の音叉型水晶振動片５０の構成及びＨ型パッケージＰＫＨを示した斜視図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、各実施形態において、同一の構成要素には、同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１５】
（第１実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に係るＴＣＸＯ１００の構造を示す概略断面図、図２は、ＴＣＸＯ１００の回路構成を示すブロック図である。なお、図１は、説明し易いように集積回路素子４０の周囲に形成される保護樹脂（アンダーフィル）を図示していない。
【００１６】
ＴＣＸＯ１００は、周波数温度特性が良好なＡＴカットの圧電振動片（以下は、ＡＴカット振動片３０と称する。）と、集積回路素子４０とを備えている。さらに、ＴＣＸＯ１００は、ＡＴカット振動片３０及び集積回路素子４０を収容するＨ型パッケージＰＫＨと、該Ｈ型パッケージＰＫＨの一方の開口部を封止する蓋体２０と、を備えている。
【００１７】
蓋体２０は、後述するＨ型パッケージＰＫＨに形成された第１キャビティ１４を塞ぐために長方形状に形成されている。
【００１８】
ＡＴカット振動片３０は、水晶材を母材として形成されている。ＡＴカット振動片３０は、主面（ＹＺ面）が水晶材の結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。このため、ＡＴカット振動片３０の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。同様に、ＴＣＸＯ１００の長手方向をＸ軸方向、高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。
【００１９】
Ｈ型パッケージＰＫＨは、複数枚のセラミックシートが積層されて形成されている。Ｈ型パッケージＰＫＨは、Ｈ型パッケージＰＫＨの一方の主面に凹部があり第１キャビティ１４が形成されており、他方の主面にも凹部があり第２キャビティ１５が形成されている。そのためＨ型パッケージＰＫＨの断面がＨ形状である。第１キャビティ１４の底面には、ＡＴカット振動片３０を接続する第１接続端子１１が形成されている。第２キャビティ１５の底面には、集積回路素子４０を接続する第２接続端子１２が形成されている。また、第１接続端子１１と第２接続端子１２との間を導通する内部配線１７が形成されている。
【００２０】
また、Ｈ型パッケージＰＫＨの天井面には、封止用の蓋体２０が接合材１８で接合される。接合する際には、第１キャビティ１４と蓋体２０とでＡＴカット振動片３０を気密封止される。なお、気密封止する際は、第１キャビティ１４内部を真空にするか、内部に不活性ガスを封入して封止する。
【００２１】
第２キャビティ１５側の実装面には、実装端子１９が形成されている。実装端子１９は、内部配線１７で第１接続端子１１と第２接続端子１２とに接続される。
【００２２】
集積回路素子４０は、Ｈ型パッケージＰＫＨの第２接続端子１２に金バンプ１３等を用いて接続端子４５に接続される。つまり、集積回路素子４０は、Ｈ型パッケージＰＫＨにフリップチップボンディングされる。集積回路素子４０が接続された後、第２キャビティ１５は保護樹脂（アンダーフィル）で封止される。また、ＡＴカット振動片３０が第１接続端子１１に導電性接着剤１６を介して接続固定される。
【００２３】
プリント基板ＰＬ（図５を参照。）上にＴＣＸＯ１００を実装する際には、実装端子１９は、プリント基板に形成されたパッド（又はランド）ＰＤに半田ＳＤを介して固定される。
【００２４】
集積回路素子４０は、例えば、図２に示されたように、温度センサ４１と、温度補償回路４２と、発振回路４３と、記憶素子４４とから構成されている。集積回路素子４０は、電源電圧及びＡＴカット振動片３０を接続することで、所定の周波数を出力する。
【００２５】
集積回路素子４０は、温度を検出する温度センサ４１及び発振回路の負荷容量を制御する温度補償回路４２を内蔵する。ＡＴカット振動片３０は、温度変化によって周波数が変化する。
温度補償回路４２は、その温度センサ４１で検知した温度変動に基づいて、予測されるＡＴカット振動片３０の周波数変化を打ち消すように負荷容量を制御する。そして集積回路素子４０は、温度によるＡＴカット振動片３０の周波数の変化を補償する。発振回路４３はＡＴカット振動片３０を発振させる回路である。また、記憶素子４４はプログラム可能な素子であり、温度補償回路４２を制御している。
【００２６】
図３は、ＡＴカット振動片３０の構成及びＨ型パッケージＰＫＨを示した斜視図である。ＡＴカット振動片３０は、外形形状が長方形で形成されている。このＡＴカット振動片３０は、温度と周波数変化量との関係が三次関数となる周波数特性を有している。ＡＴカット振動片３０はＸ軸方向に長さＬ１を有し、Ｚ’軸方向に幅Ｗ１を有している。また、ＡＴカット振動片３０は、板状に形成された両主面に一対の励振電極３２ａ、３２ｂを対向して配置している。一対の励振電極３２ａ、３２ｂは、Ｘ軸方向に長さＬ２を有し、Ｚ’軸方向に幅Ｗ２を有している。
【００２７】
この一対の励振電極３２ａ、３２ｂのＸ軸方向から引出電極３３ａ、３３ｂが引き出されている。引出電極３３ａ、３３ｂはＸ軸方向に長さＬ３で幅広に底面まで形成されている。つまり、引出電極３３ａは、ＡＴカット振動片３０の底面（−Ｙ’側）まで折り返して伸び、同面に長さＬ３で形成され、引出電極３３ｂは、底面に長さＬ３で形成されている。
【００２８】
ＡＴカット振動片３０の底面の引出電極３３ａ、３３ｂは、第１キャビティ１４の底面の第１接続端子１１と導電性接着剤１６（図１を参照。）を介して接着固定される。つまり、ＡＴカット振動片３０は、そのＺ’軸側の長辺の中央で且つその底面側で固定される。
【００２９】
数式０１で示されるように、長さＬ３は、長さＬ１の半分以上の長さで形成される。これにより、引出電極３３ａ、３３ｂの抵抗は、小さくなり、ＣＩ（クリスタルインピーダンス）値が低減する。
【００３０】
図４は、プリント基板ＰＬに熱源部品ＨＰとＴＣＸＯ１００とが実装された例である。図４に示されるようにＴＣＸＯ１００を中心として、熱源部品ＨＰを距離Ｔで配置する場合を想定する。また、熱源部品ＨＰの配置は、ＴＣＸＯ１００の左側（−Ｘ軸側）の位置ＨＰＡ、ＴＣＸＯ１００の上側（＋Ｚ’軸側）の位置ＨＰＢ、ＴＣＸＯ１００の下側（−Ｚ’軸側）の位置ＨＰＣ、及びＴＣＸＯ１００の右側（＋Ｘ軸側）の位置ＨＰＤとする。
【００３１】
ＴＣＸＯ１００は、電気機器等のプリント基板ＰＬに実装される。プリント基板ＰＬには、ＣＰＵやパワートランジスター等が搭載されている。これら熱源部品ＨＰは、電源投入直後から発熱する。また、熱源部品ＨＰは、そのプリント基板ＰＬ自体を加熱し、また、熱源部品ＨＰと接続されたプリント基板配線ＰＡを介して熱を伝える。このプリント基板ＰＬに実装されたＴＣＸＯ１００は、自身の集積回路素子４０の発熱に加え、熱源部品ＨＰからの熱の影響も受ける。
【００３２】
図５は、熱源部品ＨＰの熱伝達の様子を模式的に図示した図である。なお、熱の移動の様子は、矢印で示し、図５の熱源部品ＨＰは、位置ＨＰＤに配置された場合を図示している。図５（ａ）は、第１実施形態のＴＣＸＯ１００を示す。図５（ｂ）は、比較のために、接続端子の位置が異なるＴＣＸＯ１１０を示している。ＴＣＸＯ１１０は、ＡＴカット振動片３０’を搭載している。ＡＴカット振動片３０’は、ＡＴカット振動片３０と異なり、その引出電極３３’を−Ｘ側の端部に有している。このため、Ｈ型パッケージＰＫＨに形成された第１接続端子１１’は、第１キャビティ１４内の−Ｘ側に形成されている。
【００３３】
ＴＣＸＯ１００の周囲に配置された熱源部品ＨＰからの熱は、プリント基板ＰＬに引き回された熱伝導のよいプリント基板配線ＰＡを経由してＴＣＸＯ１００に到達する。ＴＣＸＯ１００に到達した熱は、実装端子１９及び内部配線１７を経由してＡＴカット振動片３０及び集積回路素子４０に到達する。また、熱源部品ＨＰからの熱は、セラミック製のＨ型パッケージＰＫＨを経由して、ＡＴカット振動片３０及び集積回路素子４０に到達する。
【００３４】
図５（ａ）に示されるように、図４の位置ＨＰＤに配置した熱源部品ＨＰの熱は、熱源部品ＨＰが位置に近い実装端子１９から入り、内部配線１７を伝い集積回路素子４０及びＡＴカット振動片３０へと伝わる。この集積回路素子４０及びＡＴカット振動片３０へ熱の伝達距離はほぼ等しい。このため、集積回路素子４０の温度センサ４１で検知する温度とＡＴカット振動片３０の温度とがほぼ等しくなる。したがってＴＣＸＯ１００は、温度変化を補正して安定した周波数を出力することが可能となる。
【００３５】
このＴＣＸＯ１００は、熱源部品ＨＰが位置ＨＰＤに配置された場合だけでなく、位置ＨＰＡ〜ＨＰＣにおいても熱伝達距離がＡＴカット振動片３０と集積回路素子４０とでほぼ等しい。このため、図４に示された熱源部品ＨＰがいずれの位置に配置されても、周波数ドリフトが発生しづらい。
【００３６】
一方、図５（ｂ）に示されるように、ＴＣＸＯ１１０は、第１接続端子１１’の位置が−Ｘ軸側にあり、ＡＴカット振動片３０’の引出電極３３’も−Ｘ軸側にある。このため、熱源部品ＨＰが位置ＨＰＤに配置されると、集積回路素子４０とＡＴカット振動片３０との熱の伝達距離が異なり、ＡＴカット振動片３０の温度が集積回路素子４０の温度よりもゆっくり上がる。このため、集積回路素子４０の温度センサ４１で検知する温度とＡＴカット振動片３０の温度とに温度差が発生する。つまり、ＴＣＸＯ１１０は、温度変化を正しく補正することができず周波数ドリフトが生じる。
【００３７】
図示しないが、ＴＣＸＯ１１０は、熱源部品ＨＰが位置ＨＰＡ（図４を参照。）に配置された場合も、ＡＴカット振動片３０と集積回路素子４０との熱の伝導距離が異なり、ＡＴカット振動片３０の温度が集積回路素子４０の温度よりも早く上がる。集積回路素子４０の温度センサ４１で検知する温度とＡＴカット振動片３０の温度とに温度差が発生する。熱源部品ＨＰが位置ＨＰＢ又はＨＰＣに配置された場合は、積回路素子４０の温度センサ４１で検知する温度とＡＴカット振動片３０の温度とに温度差があまり発生しない。
【００３８】
以上説明したように、ＴＣＸＯ１１０は、ＴＣＸＯ１１０に対する熱源部品ＨＰの設置位置で周波数ドリフトの発生状況が異なる。一方、第１実施形態のＴＣＸＯ１００は、ＴＣＸＯ１１０に対して熱源部品ＨＰの設置位置がどの方向であっても、周波数ドリフトは発生しにくい。
【００３９】
（第２実施形態）
第２実施形態では、二部屋型のＴＣＸＯ２００について説明する。図６は、ＴＣＸＯ２００の断面図である。また、第２実施形態のＴＣＸＯ２００は、圧電振動片としてＡＴカット振動片３０を使用する。
【００４０】
図示されるように、ＴＣＸＯ２００は、ＡＴカット振動片３０を収容する第１パッケージＰＫ１と、集積回路素子４０を収容する第２パッケージＰＫ２、第１パッケージＰＫ１の開口部を封止する不図示の蓋体２０と、を備えている。つまり、ＴＣＸＯ２００は、二部屋のパッケージで構成されている。
【００４１】
第１パッケージＰＫ１及び第２パッケージＰＫ２は、複数枚のセラミックシートが積層されて形成されている。
【００４２】
第１パッケージＰＫ１には、第１キャビティ１４が形成されており、第２パッケージＰＫ２には、第２キャビティ１５が形成されている。第１キャビティ１４の底面には、ＡＴカット振動片３０を接続する第１接続端子１１が形成される。第２キャビティ１５の底面には、集積回路素子４０を接続する第２接続端子１２が形成されている。また、第１接続端子１１と第２接続端子１２とは、内部配線１７（図７を参照。）で接続されている。第１パッケージＰＫ１と第２パッケージＰＫ２とは、第２パッケージＰＫ２に集積回路素子４０が搭載された後、接合される。
【００４３】
ＴＣＸＯ２００は、第１パッケージＰＫ１の第１接続端子１１にＡＴカット振動片３０が導電性接着剤１６を介して接続固定され、蓋体２０にて気密封止される。また、ＴＣＸＯ２００は、第２パッケージＰＫ２の第２接続端子１２に集積回路素子４０を、金バンプ１３等を用いてフリップチップボンディングされる。
【００４４】
図７は、ＴＣＸＯ２００における第１パッケージＰＫ１及び第２パッケージＰＫ２の分解斜視図である。なお、図７では、説明し易いよう第１パッケージＰＫ１及び第２パッケージＰＫ２の外縁部を切り欠いて図示している。
【００４５】
例えば、集積回路素子４０の第２接続端子１２は、６個の第２接続端子１２ａないし第２接続端子１２ｆが形成され、第２接続端子１２ａ〜１２ｆのそれぞれに内部配線１７ａ〜１７ｆが接続されている。四隅に形成した内部配線１７ａ、内部配線１７ｃ、内部配線１７ｄ、及び内部配線１７ｆは、第２パッケージＰＫ２の底面に形成した実装端子１９（図６を参照。）にそれぞれ接続されている。第２パッケージＰＫ２のＸ軸方向の中央近辺に形成された内部配線１７ｂ及び内部配線１７ｅは、壁面にも形成され第２パッケージＰＫ２の天井部まで引き伸ばされている。
【００４６】
第１パッケージＰＫ１の第１接続端子１１は、内部配線１７で第１パッケージＰＫ１の底面にまで引き伸ばされている。
【００４７】
第１パッケージＰＫ１の内部配線１７と第２パッケージＰＫ２の天井部に形成された内部配線１７ｂ及び内部配線１７ｅとは、第１パッケージＰＫ１と第２パッケージＰＫ２との接合の際に接続され通電が確保される。
【００４８】
このＴＣＸＯ２００は、熱源部品ＨＰが位置ＨＰＡ〜ＨＰＤに配置された場合においても熱伝達距離がＡＴカット振動片３０と集積回路素子４０とでほぼ等しい。このため、図４に示された熱源部品ＨＰがいずれの位置に配置されても、ＴＣＸＯ２００は、周波数ドリフトが発生しづらい。
【００４９】
（第３実施形態）
本実施形態では、一部屋型のＴＣＸＯ３００について説明する。図８は、ＴＣＸＯ３００の分解斜視図である。なお、図８では、蓋体２０を省いて図示している。また、ＴＣＸＯ３００は、圧電振動片としてＡＴカット振動片３０を使用している。
【００５０】
図示されるように、ＴＣＸＯ３００は、ＡＴカット振動片３０と、集積回路素子４０との両方を収容するパッケージ本体ＰＫ３と、パッケージ本体ＰＫ３の開口部を封止する不図示の蓋体２０と、を備えている。つまり、ＴＣＸＯ３００は、一部屋のパッケージ（一部屋型）で構成されている。パッケージ本体ＰＫ３は、複数枚のセラミックシートが積層されて形成されている。
【００５１】
パッケージ本体ＰＫ３は、第１キャビティ１４を有しており、第１キャビティ１４のＸ軸方向の中央付近の両端に台座３５が形成されている。台座３５は、集積回路素子４０の厚みより高い高さで形成され、引出電極３３のＸ軸方向の長さＬ３より長い長さで形成されている。また、台座３５の天井面には、ＡＴカット振動片３０を接続する第１接続端子１１が形成される。
【００５２】
第１キャビティ１４の底面には、集積回路素子４０を接続する図示しない第２接続端子１２が形成され、第２接続端子１２から引き伸ばされる内部配線１７が形成されている。例えば、集積回路素子４０の端子が６個の場合には、６箇所の第２接続端子１２が形成され、それに伴い６個の内部配線１７ａ〜１７ｆが形成される。
【００５３】
四隅に形成した内部配線１７ａ、内部配線１７ｃ、内部配線１７ｄ、及び内部配線１７ｆは、パッケージ本体ＰＫ３の底面に形成した実装端子１９にそれぞれ接続されている。
第１キャビティ１４のＸ軸方向の中央近辺に形成された内部配線１７ｂ、及び内部配線１７ｅは、第１キャビティ１４の台座３５の壁面にも形成され、台座３５の天井面に形成した第１接続端子１１まで引き伸ばされている。
【００５４】
ＴＣＸＯ３００は、第１キャビティ１４の底面に形成した第２接続端子１２に集積回路素子４０が金バンプ１３等を用いて接続固定され、第１キャビティ１４の台座３５に形成した第１接続端子１１にＡＴカット振動片３０が導電性接着剤１６を介して接続固定され、不図示の蓋体２０にて気密封止される。
【００５５】
このＴＣＸＯ３００は、熱源部品ＨＰが位置ＨＰＡ〜ＨＰＤに配置された場合においても熱伝達距離がＡＴカット振動片３０と集積回路素子４０とでほぼ等しい。このため、図４に示された熱源部品ＨＰがいずれの位置に配置されても、ＴＣＸＯ３００は、周波数ドリフトが発生しづらい。
【００５６】
（変形例）
第１実施形態〜第３実施形態では、圧電振動片にＡＴカット振動片３０を搭載したＴＣＸＯを説明したが、本変形例では、圧電振動片に音叉型水晶振動片５０を搭載したＴＣＸＯ１２０について説明する。
【００５７】
図９は、ＴＣＸＯ１２０の音叉型水晶振動片５０の構成及びＨ型パッケージＰＫＨを示した斜視図である。なお、図９の座標系は、ＡＴカット振動片３０と異なる座標系で示し、振動腕５５が伸びる方向をＹ軸方向とし、それと直交する方向をＸ軸とし、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に垂直な高さ方向をＺ軸方向とする。
【００５８】
音叉型水晶振動片５０は、−Ｙ側に形成されＺ軸方向から見てほぼ長方形状の基部５４と、基部５４の一辺から＋Ｙ軸方向に沿って伸びた一対の振動腕５５とを備えている。一対の振動腕５５の断面は、ほぼ長方形状であり、表面、裏面及び両側面には、励振電極５２ａ、５２ｂが形成されている。一対の振動腕５５の表面および裏面には、Ｙ軸方向に伸びる溝部５７が形成されていてもよい。その溝部５７に励振電極が形成されると、振動腕５５に発生する電界が大きくなりＣＩ値の上昇が抑えられる。さらに、振動腕５５の＋Ｙ側の先端には、錘部５８がそれぞれ形成されてもよい。錘部５８は、音叉型水晶振動片５０の一対の振動腕５５が振動しやすくなるための錘であり、且つ周波数調整のために設けられている。音叉型水晶振動片５０は、たとえば３２．７６８ｋＨｚで振動する振動片で、極めて小型の振動片となっている。
【００５９】
音叉型水晶振動片５０は、基部５４から一対の振動腕５５のＸ軸方向の外側でＹ軸方向に音叉型水晶振動片５０のほぼ中央部まで伸びた一対の支持腕５６ａ、５６ｂを有している。支持腕５６ａ、５６ｂは、Ｙ軸方向に幅広に形成されている。ここで、一対の支持腕５６ａ、５６ｂは、一対の振動腕５５の振動が音叉型水晶振動片５０の外部へ漏れる振動漏れを小さくする効果、及び衝撃の影響を受けづらくさせる効果を有する。なお、基部５４、振動腕５５及び支持腕５６ａ、５６ｂは、同じ厚さで形成され、ウェットエッチングにより同時に形成される。
【００６０】
また、音叉型水晶振動片５０は、振動腕５５の両面に形成された励振電極５２ａ、５２ｂから支持腕５６ａ、５６ｂの側面（ＹＺ面）までそれぞれ伸び、Ｙ軸方向の長さＬ５で引出電極５３ａ、５３ｂが形成されている。引出電極５３ａ、５３ｂは、裏面にも同様に形成されている。
【００６１】
音叉型水晶振動片５０の底面の引出電極５３ａ、５３ｂは、第１キャビティ１４の底面の第１接続端子１１と導電性接着剤１６を介して接着固定される。音叉型水晶振動片５０は、Ｘ軸側の両端で固定される。
【００６２】
第１接続端子１１と接続する引出電極５３ａ、５３ｂのＹ軸方向の長さＬ５は、音叉型水晶振動片５０のＹ軸方向の長さを長さＬ４とすると下記の数式０２で表した関係となる。
Ｌ５≧Ｌ４／２    …  （数式０２）
【００６３】
数式０２で示されるように、長さＬ５は、長さＬ４の半分以上の長さで形成されている。これにより、引出電極５３ａ、５３ｂの抵抗は、小さくなりＣＩ値が低減する。
【符号の説明】
【００６４】
ＨＰ  …  熱源部品
Ｌ  …  長さ、Ｗ  …  幅
ＰＫ１  …  第１パッケージ、ＰＫ２  …  第２パッケージ
ＰＫ３  …  パッケージ本体、ＰＫＨ  …  Ｈ型パッケージ
ＰＬ    …  プリント基板、  ＰＡ  …  プリント基板配線
Ｔ      …  距離
１１    …  第１接続端子、  １２    …  第２接続端子
１３    …  金バンプ
１４    …  第１キャビティ、１５    …  第２キャビティ
１６    …  導電性接着剤
１７    …  内部配線、      １８    …  接合材
１９    …  実装端子、      ２０    …  蓋体
３０    …  ＡＴカット振動片
３２    …  励振電極、      ３３    …  引出電極
３５    …  台座
４０    …  集積回路素子、  ４１    …  温度センサ
４２    …  温度補償回路、  ４３    …  発振回路
４４    …  記憶素子、      ４５    …  接続端子
５０    …  音叉型水晶振動片
５２    …  励振電極、      ５３    …  引出電極
５４    …  基部
５５    …  振動腕、  ５６    …  支持腕
５７    …  溝部、    ５８    …  錘部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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