(57)【要約】【課題】画素間においての混色を防止することが可能で、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像装置を提供することを目的とする。【解決手段】固体撮像装置１-1は、半導体層３０と、半導体層３０の内部に半導体層３０の表面に対して２次元的に配列されたｎ＋型（第1導電型）の電荷蓄積領域３１とを備えている。さらに半導体層３０の内部には、半導体層３０の表面から電荷蓄積領域３１までの深さにわたってｐ＋型（第２導電型）の界面領域３７が設けられている。特に、電荷蓄積領域３１を囲む位置には、界面領域３７に対してｐ型不純物が追加で導入されたｐ++型の高濃度領域３９が電荷移動防止領域として設けられている。【選択図】図２
2013062434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
前記半導体層の内部に当該半導体層の表面に対して２次元的に配列された第1導電型の電荷蓄積領域と、
前記半導体層の界面から前記電荷蓄積領域までの深さにわたって当該半導体層の内部に設けられた第２導電型の界面領域と、
前記電荷蓄積領域を囲む位置において、前記界面領域に対して不純物が追加で導入された電荷移動防止領域とを備えた
固体撮像装置。
【請求項２】
前記電荷移動防止領域は、前記界面領域よりも第２導電型の不純物濃度が高い高濃度領域を有する
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記電荷蓄積領域間には、第２導電型の素子分離領域が設けられ、
前記高濃度領域における第２導電型の不純物濃度は、前記素子分離領域と同程度以上である
請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記電荷移動防止領域は、真性フェルミ準位に対する準位差が０．２５ｅＶ以下となる再結合不純物が導入された再結合領域を有する
請求項1記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記電荷移動防止領域は、前記界面領域よりも第２導電型の不純物濃度が高い高濃度領域と、当該高濃度領域の内側に真性フェルミ準位に対する準位差が０．２５ｅＶ以下となる再結合不純物を含有する再結合領域とを有する
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記電荷移動防止領域は、真性フェルミ準位に対する準位差が０．２５ｅＶ以下となる再結合不純物を含有し、
前記再結合不純物の一部は前記高濃度領域内において析出している
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記電荷移動防止領域は、真性フェルミ準位に対する準位差が０．２５ｅＶ以下となる再結合不純物として、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、および金（Ａｕ）の少なくとも一つを含有している
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記電荷蓄積領域間には、第２導電型の素子分離領域が設けられ、
前記電荷移動防止領域は、前記素子分離領域と平面視的に一致して設けられた
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記電荷移動防止領域は、少なくとも前記半導体層の表面から前記電荷蓄積領域までの深さを有する
請求項1記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記界面領域および前記電荷移動防止領域は、前記半導体層における受光面側の界面から設けられている
請求項1記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記半導体層における前記受光面と逆側の面には、配線層が設けられている
請求項１０記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
半導体層内の中間層に、当該半導体層の表面に対して２次元的に第1導電型の電荷蓄積領域を配列形成することと、
前記半導体層の界面から前記電荷蓄積領域の形成部までの深さにわたって第２導電型の界面領域を形成することと、
前記電荷蓄積領域を覆うマスク上から前記界面領域に対して不純物を追加で導入することにより、当該電荷蓄積領域を囲む位置に電荷移動防止領域を形成することとを含む
固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
半導体層と、
前記半導体層の内部に当該半導体層の表面に対して２次元的に配列された第1導電型の電荷蓄積領域と、
前記半導体層の界面から前記電荷蓄積領域までの深さにわたって当該半導体層の内部に設けられた第２導電型の界面領域と、
前記電荷蓄積領域を囲む位置において、前記界面領域に対して不純物が追加で導入された電荷移動防止領域と、
前記電荷蓄積領域に入射光を導く光学系とを備えた
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器に関し、特には画素間における混色を防止可能な固体撮像装置、その製造方法、およびこの固体撮像装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板に複数の画素が２次元的に配列された固体撮像装置においては、画素間における混色が撮像特性を劣化させる要因となっている。混色が発生する要因のひとつには、半導体基板内における各電荷蓄積領域の周囲で光電変換された電荷が、最近接画素の電荷蓄積領域に行かず、隣接する画素の電荷蓄積領域に移動する現象がある。
【０００３】
このような現象を防止するために、フォトダイオードの間に素子分離領域用の結晶溶融層を設け、フォトダイオード間をキャリアが移動するのを結晶溶融層によって阻止する構成が提案されている（下記特許文献１参照）。
【０００４】
また別の構成として、第1導電型の電荷蓄積領域よりも裏面側に、第２導電型の半導体領域の一部を介して電荷蓄積領域に対向する電荷混入防止領域（クロストーク防止領域）を設けた構成が提案されている。この電荷混入防止領域は、半導体領域よりも不純物濃度が高い第２導電型であって、第1導電型の電荷蓄積領域に蓄積される電荷に対してポテンシャル障壁となる。このため、クロストーク防止領域よりも下方で発生した電荷は、拡散によって隣接画素に到達しても、クロストーク防止領域に阻まれるので隣接画素の電荷蓄積領域には殆ど混入しないとされている（下記特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１９４６５号公報
【特許文献２】特開２００６−１９４８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら結晶溶融層を設ける構成では、キャリア移動の抑止力が弱い。また、電荷蓄積領域に対向させてクロストーク防止領域を設けた構成では、電荷蓄積領域とクロストーク防止領域との間の深さ領域において、隣接する画素間で発生したキャリア移動に対する抑止力が弱い。したがって、画素間においての混色を十分に防止することができない。
【０００７】
そこで本技術は、画素間においての混色を防止することが可能で、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像装置を提供すること、およびこのような固体撮像装置の製造方法、さらにはこのような固体撮像装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的を達成するための本技術の固体撮像装置は、半導体層と、半導体層の内部に当該半導体層の表面に対して２次元的に配列された第1導電型の電荷蓄積領域とを備えている。さらに半導体層の内部には、半導体層の界面から電荷蓄積領域までの深さにわたって第２導電型の界面領域が設けられている。特に、電荷蓄積領域を囲む位置には、界面領域に対して不純物が追加で導入された電荷移動防止領域が設けられている。
【０００９】
このような構成の固体撮像装置は、界面領域に対して不純物が追加で導入された電荷移動防止領域が、電荷蓄積領域を囲む位置に設けられた構成である。このため、電荷蓄積領域よりも表面側の界面領域や電荷移動防止領域で発生した電荷は、電荷移動防止領域を越えて半導体層の面内方向に移動することが防止され、最近接の電荷蓄積領域に蓄積される。
【００１０】
また本技術は、このような構成の固体撮像装置の製造方法、およびこの固体撮像装置を用いた電子機器でもある。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように本技術によれば、半導体層の界面側に電荷蓄積領域を囲む電荷移動防止領域を設けた構成としたことにより、半導体層内において電荷蓄積領域よりも界面側で発生した電荷を、最近接の電荷蓄積領域に蓄積させることが可能である。この結果、固体撮像装置における混色を防止でき、撮像特性の向上を図ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本技術の固体撮像装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態の固体撮像装置の構成を示す要部平面図および要部断面図である。
【図３】第１実施形態の固体撮像装置の製造手順を示す断面工程図（その１）である。
【図４】第１実施形態の固体撮像装置の製造手順を示す断面工程図（その２）である。
【図５】第１実施形態の固体撮像装置の製造手順を示す断面工程図（その３）である。
【図６】第２実施形態の固体撮像装置の構成を示す要部平面図および要部断面図である。
【図７】第２実施形態の固体撮像装置に用いる再結合不純物の物性を説明するグラフである。
【図８】再結合不純物の濃度と少数キャリアの再結合寿命との関係を示すグラフである。
【図９】第２実施形態の固体撮像装置の製造手順の特徴部を示す断面工程図である。
【図１０】第３実施形態の固体撮像装置の構成を示す要部平面図および要部断面図である。
【図１１】第４実施形態の固体撮像装置の構成を示す要部平面図および要部断面図である。
【図１２】本技術を適用した固体撮像素子を有する第５実施形態の電子機器の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本技術の実施の形態を、図面に基づいて次に示す順に説明する。
１．実施形態の固体撮像装置の概略構成例
２．第１実施形態（電荷移動防止領域として高濃度領域を設けた構成例）
３．第２実施形態（電荷移動防止領域として高濃度領域内に再結合領域を設けた構成例）
４．第３実施形態（再結合不純物の一部が析出した構成例）
５．第４実施形態（電荷移動防止領域として再結合領域を設けた構成例）
６．第５実施形態（固体撮像素子を用いた電子機器の例）
尚、各実施形態および変形例において共通の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
≪１．実施形態の固体撮像装置の概略構成例≫
図１に、本技術の固体撮像装置の一例として、ＭＯＳ型の固体撮像装置を用いた固体撮像装置の概略構成を示す。
【００１５】
この図に示す固体撮像装置１は、支持基板２の一面上に光電変換領域を含む複数の画素３が２次元的に配列された画素領域４を有している。画素領域４に配列された各画素３には、光電変換領域と、フローティングディフュージョンと、読出ゲートと、その他の複数のトランジスタ（いわゆるＭＯＳトランジスタ）および容量素子等で構成された画素回路とが設けられている。尚、複数の画素３で画素回路の一部を共有している場合もある。
【００１６】
以上のような画素領域４の周辺部分には、垂直駆動回路５、カラム信号処理回路６、水平駆動回路７、およびシステム制御回路８などの周辺回路が設けられている。
【００１７】
垂直駆動回路５は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動線９を選択し、選択された画素駆動線９に画素３を駆動するためのパルスを供給し、画素領域４に配列された画素３を行単位で駆動する。すなわち、垂直駆動回路５は、画素領域４に配列された各画素を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、画素駆動線９に対して垂直に配線された垂直駆動線１０を通して、各画素３において受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号をカラム信号処理回路６に供給する。
【００１８】
カラム信号処理回路６は、画素の例えば列ごとに配置されており、１行分の画素３から出力される信号を画素列ごとにノイズ除去などの信号処理を行う。すなわちカラム信号処理回路６は、画素固有の固定パターンノイズを除去するための相関二重サンプリング（ＣＤＳ：Correlated Double sampling）や、信号増幅、アナログ／デジタル変換（ＡＤ：Analog/Digital Conversion）等の信号処理を行う。
【００１９】
水平駆動回路７は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路６の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路６の各々から画素信号を出力させる。
【００２０】
システム制御回路８は、入力クロックと、動作モードなどを指令するデータを受け取り、また固体撮像装置１の内部情報などのデータを出力する。すなわち、システム制御回路８では、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路５、カラム信号処理回路６、および水平駆動回路７などの動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、これらの信号を垂直駆動回路５、カラム信号処理回路６、および水平駆動回路７等に入力する。
【００２１】
以上のような各周辺回路５〜８と、画素領域４に設けられた画素回路とで、各画素を駆動する駆動回路が構成されている。尚、周辺回路５〜８は、画素領域４に積層される位置に配置されていても良い。
【００２２】
≪２．第１実施形態≫
＜固体撮像装置１-1の構成＞
（電荷移動防止領域として高濃度領域を設けた構成例）
図２は、第１実施形態の固体撮像装置１-1の構成を示す図であり、図２Ａは固体撮像装置における半導体層部分を受光面側から平面視的に見た場合についての４画素分の要部平面図であり、図２Ｂは図２ＡのＡ−Ａ断面に相当する要部断面図である。以下、これらの図面に基づいて第１実施形態の固体撮像装置１-1の構成を説明する。尚、以降の各実施形態の説明においては、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型として説明を行うが、これらは逆であっても良い。
【００２３】
図２に示すように、第１実施形態の固体撮像装置１-1は、支持基板２上に、配線層２０、半導体層３０、および光学層５０がこの順に積層され、半導体層３０において配線層２０とは反対側の面を受光面３０ａとする裏面照射型の固体撮像装置１-1である。この固体撮像装置１-1においては、半導体層３０内に設けた不純物領域が特徴的である。以下、半導体層３０、半導体層３０内に設けられた複数の不純物領域３１〜３９、配線層２０、光学層５０の順に各層の構成を説明する。
【００２４】
［半導体層３０］
半導体層３０は、例えばｎ型の単結晶または多結晶シリコンで構成されている。このような半導体層３０の内部には、以降に説明するｐ型またはｎ型の不純物領域３１〜３９が、それぞれの不純物濃度を有して規則的に配置されている。尚、ここで示す不純物濃度とは、例えばｎ型の不純物濃度であれば、ｎ型の不純物の含有濃度そのものではなく、実質的なｎ型の濃度、すなわちキャリア濃度であることとする。したがって、ｎ型の不純物の含有濃度が高い領域であっても、その領域においてのｐ型の不純物の含有濃度が高ければ、実質的なｎ型濃度、すなわちキャリア濃度は低くなる。これは各実施形態においても同様であり、ｐ型についても同様であることとする。
【００２５】
［電荷蓄積領域３１］
電荷蓄積領域３１は、半導体層３０の内部において各画素３に対応して半導体層３０の受光面３０ａに対して２次元的に配列された不純物領域である。これらの電荷蓄積領域３１は、半導体層３０よりもｎ型不純物濃度が濃いｎ＋型の不純物領域であって、半導体層３０内で光電変換された電荷を蓄積するための領域である。
【００２６】
［チャネル領域３３］
チャネル領域３３は、半導体層３０の内部において各電荷蓄積領域３１に隣接する位置に配置された不純物領域である。これらのチャネル領域３３は、ｐ型の不純物領域であって、例えば２行２列で配列された４つの電荷蓄積領域３１の中央側で、半導体層３０において受光面３０ａとは逆の面３０ｂに沿って設けられている。
【００２７】
［素子分離領域３５］
素子分離領域３５は、半導体層３０の内部において電荷蓄積領域３１間に設けられた不純物領域である。この素子分離領域３５は、チャネル領域３３よりもｐ型不純物濃度が濃いｐ＋型の不純物領域である。ただし、電荷蓄積領域３１に隣接してチャネル領域３３が設けられている部分においては、電荷蓄積領域３１間にチャネル領域３３を介して素子分離領域３５が配置される。
【００２８】
［フローティングディフュージョンＦＤ］
フローティングディフュージョンＦＤは、半導体層３０の内部においてチャネル領域３３で挟まれた位置に配置された不純物領域である。フローティングディフュージョンＦＤはｎ＋型の不純物領域であって、２行２列で配列された４つの電荷蓄積領域３１の中央側で、受光面３０ａとは逆の面３０ｂに沿って半導体層３０内に設けられている。またフローティングディフュージョンＦＤは、２行２列で配列された４つの電荷蓄積領域３１の中央で連続した領域として形成され、周囲に配置された４つの電荷蓄積領域３１で共通に用いられる。
【００２９】
［界面領域３７］
界面領域３７は、半導体層３０の内部において電荷蓄積領域３１と受光面３０ａとの間に設けられた不純物領域である。この界面領域３７は、ｐ＋型の不純物領域であって、受光面３０ａにおける界面準位を抑制するための領域であり、電荷蓄積領域３１から受光面３０ａにわたって設けられる。
【００３０】
このようなｐ＋型の界面領域３７は、例えばｐ型の不純物濃度が１０18個／ｃｍ３以下である。
【００３１】
［高濃度領域３９］
高濃度領域３９は、本第１実施形態に特徴的な電荷移動防止領域であって、平面視的に電荷蓄積領域３１を囲む位置において、界面領域３７に対してｐ型の不純物濃度が高いｐ++型の領域となる。例えば、このようなｐ++型の高濃度領域３９は、ｐ型の不純物濃度が１０18個／ｃｍ３以上である。
【００３２】
また高濃度領域３９は、界面領域３７の深さと同程度、もしくはそれ以上の深さで設けられている。つまり、受光面３０ａから電荷蓄積領域３１の配置深さと同程度、もしくはそれ以上に設けられていることになり、高濃度領域３９は、受光面３０ａ側の面に設けられた領域となる。
【００３３】
このような高濃度領域３９は、受光面３０ａ側から見た平面視形状が素子分離領域３５と一致していて良い。また高濃度領域３９のｐ型不純物濃度は、素子分離領域３５のｐ型不純物濃度に対して、これと同程度かそれ以上であって良い。したがって、高濃度領域３９のポテンシャルは、この高濃度領域３９に接して配置されたｐ＋型の界面領域３７、ｐ＋型の素子分離領域３５、ｎ＋型の電荷蓄積領域３１のポテンシャル以上であり、どの領域よりも高くて良い。
【００３４】
［正孔蓄積領域４１］
正孔蓄積領域４１は、半導体層３０の内部において電荷蓄積領域３１と半導体層３０の面３０ｂとの間に設けられた不純物領域である。この正孔蓄積領域４１は、ｐ＋型の不純物領域であって、半導体層３０の面３０ｂにおける界面準位起因の暗電流を抑制するための界面領域の１つであり、半導体層３０の面３０ｂにおいて電荷蓄積領域３１の大部分を覆う状態で設けられている。ここでは、電荷蓄積領域３１がチャネル領域３３と接合する付近を除いて、電荷蓄積領域３１を覆う状態で正孔蓄積領域４１が設けられていることとする。
【００３５】
［配線層２０］
配線層２０は、半導体層３０の受光面３０ａとは逆側の面３０ｂ上に設けられた層である。この配線層２０は、半導体層３０の面３０ｂ上に転送ゲート２３ｇおよびゲート電極２３を備えている。このうち転送ゲート２３ｇは、半導体層３０に設けたチャネル領域３３上に設けられている。またその他のゲート電極２３は、アンプトランジスタ、リセットトランジスタ、および選択トランジスタのゲート電極であって、フローティングディフュージョンＦＤを共有する４つの画素３の外側に配置されている。これらの転送ゲート２３ｇおよびゲート電極２３は、層間絶縁膜２５で覆われ、この層間絶縁膜２５中に配線２７が多層で設けられており、その一部が転送ゲート２３ｇ、ゲート電極２３、およびフローティングディフュージョンＦＤに接続されている。
【００３６】
［光学層５０］
光学層５０は、半導体層３０の受光面３０ａを覆う反射防止膜５１を備えている。反射防止膜５１上には、遮光膜５３が設けられている。遮光膜５３は、電荷蓄積領域３１の上部を露出する開口形状にパターニングされている。反射防止膜５１および遮光膜５３上には、遮光膜５３による段差を埋め込む平坦化絶縁膜５５、各色カラーフィルタを画素３毎に配置したカラーフィルタ層５７、およびオンチップレンズ５９がこの順に積層されている。
【００３７】
＜固体撮像装置１-1の製造方法＞
図３〜図５は、第1実施形態の固体撮像装置１-1の製造方法を説明するための断面工程図である。以下、これらの図面に基づいて固体撮像装置１-1の製造方法を説明する。
【００３８】
［図３Ａ］
先ず図３Ａに示すように、シリコン基板６１上に酸化膜６３を介して半導体層３０を設けたＳＯＩ（silicon on insulator）基板を用意する。酸化膜６３は、例えば酸化シリコンからなり、半導体層３０はｎ型シリコンからなる。この半導体層３０は、酸化膜６３側に向かう面が受光面３０ａとなる。また受光面３０ａの逆側の面が面３０ｂとなる。
【００３９】
［図３Ｂ］
次に図３Ｂに示すように、半導体層３０の面３０ｂ側の層に、ｐ型のウェル３０１を形成する。このウェル３０１は、半導体層３０の全面に形成して良い。また半導体層３０の受光面３０ａ側の層に、ｐ＋型の界面領域３７を形成する。この界面領域３７は、半導体層３０において画素３が配置される撮像領域に対応して形成する。
【００４０】
以上のようなウェル３０１および界面領域３７は、ホウ素のようなｐ型不純物のイオン注入と、その後のアニール処理によって形成する。一例として、界面領域３７の形成であれば、膜厚４μｍの半導体層３０に対して、ホウ素イオン（Ｂ＋）を、注入エネルギー３ＭｅＶ、濃度５×１０12個／ｃｍ２でイオン注入し、その後１０００℃の温度でアニール処理を行う。
【００４１】
［図３Ｃ］
次に図３Ｃに示すように、半導体層３０の各画素３部分にｎ＋型の電荷蓄積領域３１を形成し、これに接合するチャネル領域３３を形成すると共に、これらの電荷蓄積領域３１間にｐ＋型の素子分離領域３５を形成する。
【００４２】
電荷蓄積領域３１を形成する際には、画素３の中央部分を開口するレジストパターンをマスクに用い、注入エネルギーを調整した複数回のイオン注入を行う。これにより、画素３の中央にｎ型不純物として例えばリン（Ｐ）を導入した電荷蓄積領域３１を、面３０ｂから界面領域３７にまで達する深さで形成する。
【００４３】
チャネル領域３３を形成する際には、電荷蓄積領域３１の一部にｐ型不純物をイオン注入によって導入し、電荷蓄積領域３１の端部における面３０ｂ側の一部をｐ型に反転させたチャネル領域３３を形成する。
【００４４】
素子分離領域３５を形成する際には、画素３の中央部分を覆うレジストパターンをマスクに用い、注入エネルギーを調整した複数回のイオン注入を行う。これにより、電荷蓄積領域３１およびチャネル領域３３に接してこれらを囲む形状で、ｐ型不純物として例えばホウ素（Ｂ）を導入した素子分離領域３５を、面３０ｂから界面領域３７にまで達する深さで形成する。
【００４５】
以上のイオン注入はどの順番に行っても良く、イオン注入の後には１０００℃の温度でアニール処理を行うことにより、導入した不純物の活性化を行う。
【００４６】
［図４Ａ］
次に図４Ａに示すように、半導体層３０の面３０ｂ上に、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜２１を成膜し、この上部に転送ゲート２３ｇおよびゲート電極２３をパターン形成する。このうち転送ゲート２３ｇは、チャネル領域３３の上部に形成する。また、ゲート電極２３は、２行２列で配列された４つの電荷蓄積領域３１を有する４つの画素３の外側に形成される。これらの転送ゲート２３ｇおよびゲート電極２３の形成は、ポリシリコン膜の成膜と、レジストパターンを用いたポリシリコン膜のパターンエッチングとによって行う。このパターンエッチングにおいて、ゲート絶縁膜２１がエッチングされても良い。
【００４７】
また転送ゲート２３ｇおよびゲート電極２３の側壁には、絶縁性のサイドウォールｓを形成する。サイドウォールｓの形成は、例えばＬＰ−ＴＥＯＳ膜を２０ｎｍの膜厚で成膜し、その後ＬＰ−ＳｉＮ膜を１００ｎｍの膜厚で成膜した後、ＣＦ４系ガスにて全面ドライエッチングを行う。尚、ＬＰ−ＴＥＯＳ膜は、ＴＥＯＳ（tetraethoxy silane）ガスを用いたＬＰ−ＣＶＤ（low pressure-chemical vapor deposition）法で成膜された酸化シリコン膜である。またＬＰ−ＳｉＮ膜は、ＬＰ−ＣＶＤによって成膜された窒化シリコン膜である。
【００４８】
［図４Ｂ］
次に図４Ｂに示すように、電荷蓄積領域３１の面３０ｂ側に、ｐ＋型の正孔蓄積領域４１を形成する。また転送ゲート２３ｇ間における素子分離領域３５の表面層に、ｎ＋型のフローティングディフュージョンＦＤを形成する。
【００４９】
正孔蓄積領域４１を形成する際には、転送ゲート２３ｇ、サイドウォールｓ、およびここでの図示を省略したレジストパターンをマスクに用いたイオン注入を行なう。これにより、電荷蓄積領域３１の表面層に、ｐ型不純物として例えばホウ素（Ｂ）を導入する。またフローティングディフュージョンＦＤを形成する際には、転送ゲート２３ｇ、サイドウォールｓ、およびここでの図示を省略したレジストパターンをマスクに用いたイオン注入を行う。これにより、素子分離領域３５の表面層にｎ型不純物としてヒ素（Ａｓ）を導入する。
【００５０】
以上のイオン注入はどちらを先に行っても良く、イオン注入の後には１１００℃の温度で高速アニール処理を行うことにより、導入した不純物の活性化を行う。尚、フローティングディフュージョンＦＤを形成する工程では、ゲート電極２３の両脇にｎ＋型のソース／ドレイン（図示省略）を同時に形成する。
【００５１】
以上の後には、ここでの図示を省略したサリサイドブロック膜を形成する。
【００５２】
［図４Ｃ］
次に図４Ｃに示すように、転送ゲート２３ｇおよびゲート電極２３を覆う状態で、半導体層３０の面３０ｂ上に層間絶縁膜２５および配線２７を成膜する。この際、層間絶縁膜２５の成膜と、層間絶縁膜２５への接続孔の形成、さらには配線２７の形成を繰り返すことにより、転送ゲート２３ｇ、ゲート電極２３、およびフローティングディフュージョンＦＤにそれぞれ接続された多層構造の配線２７を形成する。最上層の配線２７を形成した後には、これを覆う層間絶縁膜２５を成膜して配線層２０を得る。
【００５３】
［図５Ａ］
次に図５Ａに示すように、配線層２０の層間絶縁膜２５上に支持基板２を貼り合せる。この際、層間絶縁膜２５上に、ここでの図示を省略した平坦化層を成膜し、次にこの上部に密着層を形成し、この密着層上に接着剤を介して支持基板２を貼り合わせる。
【００５４】
その後、半導体層３０の受光面３０ａ側のシリコン基板６１および酸化膜６３を除去し、半導体層３０の受光面３０ａを露出させる。尚、半導体層３０の受光面３０ａを露出させた後で、界面領域３７のｐ型不純物濃度を高めるための追加のイオン注入や、素子分離領域３５の受光面３０ａ側の部分を形成するためのイオン注入を行っても良い。また、界面領域３７は、ここでのイオン注入のみで形成しても良い。
【００５５】
尚、各イオン注入後には、アニール処理を行うことにより導入した不純物の活性化を行うことは同様である。ただし、受光面３０ａ側からのイオン注入後のアニール処理は、配線２７の融解を避けて行う必要があるため、極短時間、かつシリコン基板への吸収が大きい波長の電磁波で行う必要がある。このようなアニール処理の一例として主たる波長が１．１μｍ以下のスペクトラムをもつフラッシュランプやレーザーアニールを用いてのアニール処理が挙げられる。
【００５６】
［図５Ｂ］
その後、図５Ｂに示すように、半導体層３０の受光面３０ａ側の表面層に、電荷移動防止領域として高濃度領域３９を形成する。
【００５７】
ここでは、先ず、半導体層３０上に電荷蓄積領域３１上を覆うレジストパターン３０３を形成する。次に、このレジストパターン３０３をマスクに用いたイオン注入を行い、電荷蓄積領域３１を囲むように、ｐ＋型の界面領域３７および必要に応じて素子分離領域３５に対して追加でｐ型不純物（例えばホウ素Ｂ）を導入する。
【００５８】
次いでレジストパターン３０３を剥離し、その後、半導体層３０に導入した不純物を活性化するためのアニール処理を行う。ここでのアニール処理も、上述したと同様に配線２７の融解を避けて行う。
【００５９】
これにより、ｐ型の界面領域３７に、ｐ型不純物を追加で導入することにより、界面領域３７よりもｐ型不純物濃度が高いｐ++型の高濃度領域３９を形成する。また素子分離領域３５に対しても、ｐ型不純物が追加で導入された場合であれば、高濃度領域３９は素子分離領域３５よりもｐ型不純物濃度の高い領域となる。
【００６０】
尚、以上のようにして形成される高濃度領域３９は、素子分離領域３５と平面視的に一致した位置に形成される。このため、ここでの工程においては、素子分離領域３５の一部を形成するための追加のイオン注入を行っても良い。
【００６１】
［図２］
以上の後には図２Ｂに示したように、必要に応じて半導体層３０の受光面３０ａ上に反射防止膜５１を成膜し、この上部に遮光膜５３を形成する。この遮光膜５３は、電荷蓄積領域３１上に開口部を有する形状に形成される。その後、遮光膜５３を埋め込む状態で、平坦化絶縁膜５５を形成し、この上部にカラーフィルタ層５７およびオンチップレンズ５９を形成し、固体撮像装置１-1を完成させる。
【００６２】
＜第１実施形態の効果＞
以上説明した構成の固体撮像装置１-1は、半導体層３０における受光面３０ａ側の表面層に、ｐ＋型の界面領域３７と、このｐ＋型の界面領域３７にｐ型不純物を追加したｐ++型の高濃度領域３９からなる電荷移動防止領域とが設けられている。このような構成では、半導体層３０における受光面３０ａ側の表面層のポテンシャルは、界面領域３７に対して高濃度領域３９で高くなる。
【００６３】
このため、半導体層３０における受光面３０ａ側の表面層で発生した電荷（電子）は、高濃度領域３９を越えて半導体層３０の表面層で移動することが防止される。ここで、高濃度領域３９は、電荷蓄積領域３１を平面視的に囲む位置に設けられている。したがって、半導体層３０における受光面３０ａ側の表面層で発生した電荷（電子）は、電荷の発生位置に最近接した電荷蓄積領域３１に蓄積される。この結果、半導体層３０の表面層で発生した電荷が、隣接画素の電荷蓄積領域３１に蓄積されることによる混色を防止でき、撮像特性の向上を図ることが可能である。また本実施形態に特有の高濃度領域３９は、半導体層30に対して歪発生させることなく、機械的強度損失を引き起こすことも無い。
【００６４】
≪３．第２実施形態≫
＜固体撮像装置１-2の構成＞
（電荷移動防止領域として高濃度領域内に再結合領域を設けた構成例）
図６は、第２実施形態の固体撮像装置１-2の構成を示す図であり、図６Ａは固体撮像装置における半導体層部分を受光面側から平面視的に見た場合についての４画素分の要部平面図であり、図６Ｂは図６ＡのＡ−Ａ断面に相当する要部断面図である。
【００６５】
これらの図に示す第２実施形態の固体撮像装置１-2が、第１実施形態の固体撮像装置と異なるところは、高濃度領域３９内に再結合不純物を含有する再結合領域４３を設けたところにあり、他の構成は同様であることとする。このため、第1実施形態と同様の構成要素についての重複する説明は省略する。
【００６６】
すなわち再結合領域４３は、高濃度領域３９内における受光面３０ａ側の表面層に設けられた領域であり、高濃度領域３９と共に電荷移動防止領域を構成する。この再結合領域４３は、高濃度領域３９に対して再結合不純物を追加で導入した領域であって、受光面３０ａ以外においては周囲を高濃度領域３９で囲まれた状態となっている。
【００６７】
ここで再結合領域４３に導入する再結合不純物は、半導体層３０内で発生した電荷を再結合する際の再結合中心となる物質であり、特に真性フェルミ準位に対する準位差が０．２５eＶ以下となる物質が用いられる。
【００６８】
図７には、真性フェルミ準位（Ｅｉ）と、再結合中心となる物質のエネルギー準位（Ｅｔ）との準位差｜Ｅｔ−Ｅｉ｜と、発生した電荷（少数キャリア）の再結合寿命τｒとの関係を示す（Ｓ．Ｍ．ジィー「半導体デバイス」、産業図書株式会社、ｐ５１参照）、ただし横軸の単位は室温におけるｋＴを０．０２５９ｅＶとして真性フェルミ準位との準位差｜Ｅｔ−Ｅｉ｜[ｅＶ]に換算した）。図７に示すように、準位差｜Ｅｔ−Ｅｉ｜が±０．２５ｅＶ以下の物質は、準位差｜Ｅｔ−Ｅｉ｜が±０．２５ｅＶを越える物質と比較すると、電荷の再結合寿命τｒが極めて短いことがわかる。尚、図７は、シリコン中におけるｐ型不純物濃度が１０15個／ｃｍ３の場合であり、ｐ型不純物の濃度が高いほど、再結合寿命τｒが極めて短いエネルギー範囲をさらに広くすることもできる。
【００６９】
このような準位差｜Ｅｔ−Ｅｉ｜≦０．２５ｅＶとなる再結合不純物としては、パラジウム（Ｐｄ）、ナトリウム（Ｎａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、金（Ａｕ）、コバルト（Ｃｏ）、バナジウム（Ｖ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、水銀（Ｈｇ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、銅（Ｃｕ）、カリウム（Ｋ）、タングステン（Ｗ）、鉛（Ｐｂ）、酸素（Ｏ）、鉄（Ｆｅ）、セレン（Ｓｅ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、セシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）、硫黄（Ｓ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、プラチナ（Ｐｔ）が例示される（タウア・ニン、「最新ＶＬＳＩの基礎」、丸善株式会社、ｐ３９参照）。この中でも特にコバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、金（Ａｕ）が好ましく用いられる。
【００７０】
尚、再結合領域４３に導入する再結合不純物として金属元素を用いる場合、再結合不純物と共に、半導体層３０内における再結合不純物の拡散を防止するためのゲッタリングを目的とした炭素、シリコン、ゲルマニウム等を導入しても良い（例えば特開2010-114409参照）。
【００７１】
また上述した電荷（少数キャリア）の再結合寿命τｒは、半導体層３０中の再結合不純物の濃度によって変化する。図８には、単結晶シリコンに再結合不純物として金（Ａｕ）を導入した場合における、再結合不純物の濃度と少数キャリアの再結合寿命τｒとの関係を示す。（Ｓ．Ｍ．ジィー「半導体デバイス」、産業図書株式会社ｐ５３参照）、再結合寿命τｐ（ｎ−Ｓｉ）は、ｎ型の単結晶シリコン中における少数キャリア（正孔）の再結合寿命である。再結合寿命τｎ（ｐ−Ｓｉ）は、ｐ型の単結晶シリコン中のける少数キャリア（電子）の再結合寿命である。
【００７２】
図８に示すように、半導体層（単結晶シリコン）中における再結合不純物（Ａｕ）の濃度を高くするほど、再結合寿命を短くできることがわかる。そこでここでは、発生した電荷の拡散長を、画素サイズよりも十分に小さくしたいため、再結合不純物の濃度を有る程度の大きさにすることが好ましい。例えば、再結合不純物として金（Ａｕ）を用いた場合、図８を参照して再結合領域４３に対して再結合不純物（Ａｕ）を１０18個／ｃｍ３の濃度で導入すれば、再結合寿命τｐ＝０．１ナノ秒（１０-10ｓ）程度になる。これにより、電荷の拡散長をｎｍオーダーとすることが可能である。
【００７３】
尚、図７で示した準位差｜Ｅｔ−Ｅｉ｜と再結合寿命τｒとの関係は、再結合不純物の濃度によって縦軸の値がシフトするだけであり、グラフの形状が変わることがない。このため、準位差｜Ｅｔ−Ｅｉ｜が０．２５ｅＶ以下の物質は、他の物質よりも電荷の再結合寿命が極めて短いことは、物質（再結合不純物）の濃度に依存することはない。
【００７４】
＜固体撮像装置１-2の製造方法＞
図９は、第２実施形態の固体撮像装置１-2の製造方法の特徴部を説明するための断面工程図であり、第1実施形態の固体撮像装置の製造方法に対して追加となる部分を抜粋して示した図である。以下、この図面に基づいて固体撮像装置１-2の製造方法を説明する。
【００７５】
先ず、第1実施形態において図３〜図５を用いて説明したと同様の手順を行う。これにより、図９Ａに示すように、半導体層３０内の受光面３０ａ側の層に、ｐ＋型の界面領域３７およびｐ++型の高濃度領域３９を形成するまでを行う。
【００７６】
その後図９Ｂに示すように、高濃度領域３９の表面層に再結合領域４３を形成する。
【００７７】
ここでは、先ず、半導体層３０上に、電荷蓄積領域３１と高濃度領域３９の周縁上とを覆うレジストパターン３０５を形成する。次に、このレジストパターン３０５をマスクに用いたイオン注入またはプラズマドーピングにより、高濃度領域３９の中央に再結合不純物を導入する。一例としては、イオン注入により、再結合不純物として亜鉛（Ｚｎ）を５０ｋｅＶで１０14個／ｃｍ２の濃度で導入する。この際、高濃度領域３９よりも再結合領域４３が浅くなるように注入エネルギーを調整する。
【００７８】
尚、再結合不純物として金属元素を用いる場合には、再結合不純物と共に、半導体層３０内における再結合不純物の拡散を防止するためのゲッタリングを目的とした炭素、シリコン、ゲルマニウム等を、高濃度領域３９の表面層に一緒に導入してもよい。
【００７９】
次いでレジストパターン３０５を剥離し、その後、半導体層３０に導入した不純物を活性化するためのアニール処理を、配線２７の溶融を避けて行う。尚、ここでのアニール処理は、高濃度領域３９に導入したｐ型不純物の活性化および再結合領域４３に導入した再結合不純物の活性化を同時に行うための処理であっても良い。しかしながら、ｐ型不純物および再結合不純物の活性化は、それぞれのイオン注入の後に、それぞれに適する装置および温度で個別に行っても良い。
【００８０】
これにより、ｐ++型の高濃度領域３９の中央に、高濃度領域３９よりも浅い再結合領域４３を形成する。
【００８１】
以上の後には、図６に示したように、第１実施形態と同様の光学層５０を半導体層３０の受光面３０ａ上に形成し、固体撮像装置１-2を完成させる。
【００８２】
＜第２実施形態の効果＞
以上のようにして得られた固体撮像装置１-2は、第１実施形態と同様の高濃度領域３９を備えている。このため、第１実施形態と同様に、半導体層３０における受光面３０ａ側の表面層で発生した電荷（電子）は、高濃度領域３９を越えて半導体層３０の表面層で移動することが防止され、混色を防止して撮像特性の向上を図ることが可能である。
【００８３】
さらに本第２実施形態の固体撮像装置１-2は、高濃度領域３９の表面層に再結合不純物を追加で導入した再結合領域４３を設けた構成である。これにより、上述した効果に加えて、半導体層３０における受光面３０ａ側の表面層のうち、特に電荷蓄積領域３１間で発生した電荷を、再結合領域４３において極短時間に再結合させ、その移動を防止することが可能である。これによっても、画素間での電荷の移動による混色を防止することが可能になる。
【００８４】
また本第２実施形態の構成は、再結合領域４３を、高濃度領域３９の内側に設けた構成としたことにより、再結合領域４３に導入した再結合不純物（コバルト、亜鉛、金など）が、暗電流や白点の原因となることを防止できる構成である。
【００８５】
≪４．第３実施形態≫
＜固体撮像装置１-3の構成＞
（再結合不純物の一部が析出した構成例）
図１０は、第３実施形態の固体撮像装置１-3の構成を示す図であり、図１０Ａは固体撮像装置における半導体層部分を受光面側から平面視的に見た場合についての４画素分の要部平面図であり、図１０Ｂは図１０ＡのＡ−Ａ断面に相当する要部断面図である。
【００８６】
これらの図に示す第３実施形態の固体撮像装置１-3は、第２実施形態の固体撮像装置の変形例であり、再結合領域４３に含有された再結合不純物の一部を析出させたところのみが第２実施形態とは異なり、他の構成は第２実施形態同様であることとする。
【００８７】
すなわちｐ++型の高濃度領域３９における受光面３０ａ側の表面層に設けられた再結合領域４３内には、内部に導入した再結合不純物の一部が析出している。再結合領域４３内における析出物Ｒは、再結合領域４３内に導入した再結合不純物の一部であって、再結合領域４３内には再結合寿命が十分に短く保たれる充分な濃度で再結合不純物が析出することなく含有されていることとする。
【００８８】
この場合、再結合領域４３に導入する再結合不純物としては、第２実施形態で例示した物質の中から、半導体層３０内において析出可能な物質を選択して用いる。このような再結合不純物としては、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、金（Ａｕ）が例示される。また再結合不純物としては、析出可能な物質と共に、他の物質を合わせて複数種類用いても良い。
【００８９】
＜固体撮像装置１-3の製造方法＞
このような第３実施形態の固体撮像装置１-3の製造は、第２実施形態において図９Ｂを用いて説明した再結合領域４３の形成工程におけるイオン注入後のアニール処理を、再結合不純物が析出する温度で行えば良い。このようなアニール処理は、配線２７の溶融を避けて行う。
【００９０】
＜第３実施形態の効果＞
以上のようにして得られた固体撮像装置１-3は、第２実施形態の効果に加えて、再結合不純物を析出させた析出物Ｒを遮光材となる効果を得ることができる。このため、半導体層３０内においての光の透過による混色を抑制する効果も見込まれる。
【００９１】
≪５．第４実施形態≫
＜固体撮像装置１-4の構成＞
（電荷移動防止領域として再結合領域を設けた構成例）
図１１は、第４実施形態の固体撮像装置１-4の構成を示す図であり、図１１Ａは固体撮像装置における半導体層部分を受光面側から平面視的に見た場合についての４画素分の要部平面図であり、図１１Ｂは図１１ＡのＡ−Ａ断面に相当する要部断面図である。
【００９２】
これらの図に示す第４実施形態の固体撮像装置１-4が、第１実施形態の固体撮像装置と異なるところは、ｐ++型の高濃度領域３９に換えて再結合不純物を含有する再結合領域４３’を、電荷移動防止領域として設けたところにあり、他の構成は同様であることとする。このため、第1実施形態と同様の構成要素についての重複する説明は省略する。
【００９３】
すなわち、再結合領域４３’は、本第４実施形態に特徴的な電荷移動防止領域であって、平面視的に電荷蓄積領域３１を囲む位置において、界面領域３７に対して再結合不純物を追加した不純物領域である。したがって、この再結合領域４３’は、再結合不純物と共にｐ型不純物も含んでいる。
【００９４】
また高濃度領域４３’は、界面領域３７の深さと同程度、もしくはそれ以上の深さで設けられている。つまり、受光面３０ａから電荷蓄積領域３１の配置深さと同程度、もしくはそれ以上に設けられていることになり、再結合領域４３’は、受光面３０ａ側の面に設けられた領域となる。
【００９５】
このような再結合領域４３’を受光面３０ａ側から見た平面視形状は、素子分離領域３５と一致していて良い。
【００９６】
このような再結合領域４３’に含有させる再結合不純物は、第２実施形態の再結合領域と同様であって、半導体層３０内で発生した電荷を再結合する際の再結合中心となる物質であり、特に真性フェルミ準位に対する準位差が０．２５ｅＶ以下の物質を用いる。また、再結合領域４３’に含有させる再結合不純物の濃度は、発生した電荷の拡散長を画素サイズよりも十分に小さくしたいため、再結合不純物の濃度を有る程度の大きさにすることが好ましく、例えば１０18個／ｃｍ３の濃度で導入されていることとする。これにより、再結合寿命τ＝０．１ナノ秒程度になり、電荷の拡散長がｎｍオーダーとなる。
【００９７】
また例えば再結合不純物として金属元素を用いる場合であれば、再結合不純物と共に、半導体層３０内における再結合不純物の拡散を防止するためのゲッタリングを目的とした炭素、シリコン、ゲルマニウム等を導入しても良い。
【００９８】
＜固体撮像装置１-4の製造方法＞
このような第４実施形態の固体撮像装置１-4の製造は、第１実施形態において図５Ｂを用いて説明した高濃度領域３９の形成に換えて、再結合領域４３’の形成を行えば良い。
【００９９】
再結合領域４３'の形成は、先ず半導体層３０上に電荷蓄積領域３１上を覆うレジストパターン３０３を形成した後、このレジストパターン３０３をマスクに用いたイオン注入により、ｐ＋型の界面領域３７および必要に応じて素子分離領域３５に対して、再結合不純物を導入する。一例としては、再結合不純物として亜鉛（Ｚｎ）を５０ｋｅＶで１０14個／ｃｍ２の濃度で導入する。
【０１００】
次いでレジストパターン３０３を剥離し、その後、半導体層３０に導入した不純物を活性化するためのアニール処理を行う。ここでのアニール処理も、上述したと同様に配線２７の融解を避けて行う。
【０１０１】
以上により、半導体層３０における受光面３０ａ側の表面層に、平面視的に電荷蓄積領域３１を囲む再結合領域４３’を形成する。このようにして形成される再結合領域４３’は、素子分離領域３５と平面視的に一致した位置に形成される。
【０１０２】
以上の後には、図１１に示したように、第１実施形態と同様の光学層５０を半導体層３０の受光面３０ａ上に形成し、固体撮像装置１-4を完成させる。
【０１０３】
＜第４実施形態の効果＞
以上のようにして得られた固体撮像装置１-4は、半導体層３０における受光面３０ａ側の表面層に、ｐ＋型の界面領域３７に対して再結合不純物を追加で導入した再結合領域４３’が設けられている。これにより、半導体層３０における受光面３０ａ側の表面層で発生した電荷（電子）は、再結合領域４３’においては、再結合不純物が再結合中心となって極短時間に再結合するため、半導体層３０の表面層で移動することを防止できる。
【０１０４】
ここで、再結合領域４３’は、電荷蓄積領域３１を平面視的に囲む位置に設けられている。したがって、半導体層３０における受光面３０ａ側の表面層で発生した電荷（電子）は、再結合領域４３'をまたいで移動することはなく、電荷の発生位置に最近接の電荷蓄積領域３１に蓄積される。この結果、半導体層３０の表面層で発生した電荷が、隣接画素の電荷蓄積領域３１に蓄積されることによる混色を防止でき、撮像特性の向上を図ることが可能である。
【０１０５】
尚、以上説明した第４実施形態は、第３実施形態と組み合わせ、再結合領域４３’に導入した再結合不純物の一部を析出させても良い。この場合、再結合領域４３’内においての再結合不純物の析出量は、再結合領域４３’内に導入した再結合不純物Ｒの一部であって、再結合領域４３’内には再結合寿命が十分に短く保たれる充分な濃度で再結合不純物が析出することなく含有されていることとする。これにより、再結合領域４３’内において再結合不純物を析出させた析出物Ｒが遮光材となり、半導体層３０内においての光の透過による混色を抑制する効果も見込まれる。
【０１０６】
また本第４実施形態においては、電荷移動防止領域としての再結合領域４３’を、素子分離領域３５と平面視的に一致した位置に設けた構成を説明した。しかしながら本第４実施形態の再結合領域４３’は、素子分離領域３５の中央で素子分離領域３５よりも狭い幅で形成されても良い。これにより、再結合領域４３’に導入した再結合不純物（コバルト、亜鉛、金など）が、暗電流や白点の原因となることを防止できる。
【０１０７】
≪６．第５実施形態≫
（固体撮像素子を用いた電子機器の例）
上述の実施形態で説明した本技術に係る固体撮像装置は、例えばデジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステム、さらには撮像機能を有する携帯電話、あるいは撮像機能を備えた他の機器などの電子機器用の固体撮像装置に設けることができる。
【０１０８】
図１２は、本技術に係る電子機器の一例として、固体撮像素子を用いたカメラの構成図を示す。本実施形態例に係るカメラは、静止画像又は動画撮影可能なビデオカメラを例としたものである。このカメラ９１は、固体撮像装置１と、固体撮像装置１の受光センサ部に入射光を導く光学系９３と、シャッタ装置９４と、固体撮像装置１を駆動する駆動回路９５と、固体撮像装置１の出力信号を処理する信号処理回路９６とを有する。
【０１０９】
固体撮像装置１は、上述した第１実施形態〜第４実施形態で説明した構成の固体撮像装置である。光学系（光学レンズ）９３は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１の撮像面上に結像させる。この撮像面には、複数の画素が配列され、この画素を構成する固体撮像素子の光電変換領域に対して、光学系９３からの入射光が導かれる。これにより、固体撮像装置１の光電変換領域内に、一定期間信号電荷が蓄積される。このような光学系９３は、複数の光学レンズから構成された光学レンズ系としても良い。シャッタ装置９４は、固体撮像装置１への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路９５は、固体撮像装置１及びシャッタ装置９４に駆動信号を供給し、供給した駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置１の信号処理回路９６への信号出力動作の制御、およびシャッタ装置９４のシャッタ動作を制御する。すなわち、駆動回路９５は、駆動信号（タイミング信号）の供給により、固体撮像装置１から信号処理回路９６への信号転送動作を行う。信号処理回路９６は、固体撮像装置１から転送された信号に対して、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいは、モニタに出力される。
【０１１０】
以上説明した本実施形態に係る電子機器によれば、上述した各実施形態で説明した撮像特性の良好な固体撮像装置を備えたことにより、撮像機能を有する電子機器における高精彩な撮像を達成することが可能になる。
【０１１１】
尚、本技術は以下のような構成も取ることができる。
【０１１２】
（１）
半導体層と、
前記半導体層の内部に当該半導体層の表面に対して２次元的に配列された第1導電型の電荷蓄積領域と、
前記半導体層の界面から前記電荷蓄積領域までの深さにわたって当該半導体層の内部に設けられた第２導電型の界面領域と、
前記電荷蓄積領域を囲む位置において、前記界面領域に対して不純物が追加で導入された電荷移動防止領域とを備えた
固体撮像装置。
【０１１３】
（２）
前記電荷移動防止領域は、前記界面領域よりも第２導電型の不純物濃度が高い高濃度領域を有する
（１）記載の固体撮像装置。
【０１１４】
（３）
前記電荷蓄積領域間には、第２導電型の素子分離領域が設けられ、
前記高濃度領域における第２導電型の不純物濃度は、前記素子分離領域と同程度以上である
（２）記載の固体撮像装置。
【０１１５】
（４）
前記電荷移動防止領域は、真性フェルミ準位に対する準位差が０．２５ｅＶ以下となる再結合不純物が導入された再結合領域を有する
（１）〜（３）の何れかに記載の固体撮像装置。
【０１１６】
（５）
前記電荷移動防止領域は、前記界面領域よりも第２導電型の不純物濃度が高い高濃度領域と、当該高濃度領域の内側に真性フェルミ準位に対する準位差が０．２５ｅＶ以下となる再結合不純物を含有する再結合領域とを有する
（１）〜（４）の何れかに記載の固体撮像装置。
【０１１７】
（６）
前記電荷移動防止領域は、真性フェルミ準位に対する準位差が０．２５ｅＶ以下となる再結合不純物を含有し、
前記再結合不純物の一部は前記高濃度領域内において析出している
（１）〜（５）の何れかに記載の固体撮像装置。
【０１１８】
（７）
前記電荷移動防止領域は、真性フェルミ準位に対する準位差が０．２５以下の再結合不純物として、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、および金（Ａｕ）の少なくとも一つを含有している
（１）〜（６）の何れかに記載の固体撮像装置。
【０１１９】
（８）
前記電荷蓄積領域間には、第２導電型の素子分離領域が設けられ、
前記電荷移動防止領域は、前記素子分離領域と平面視的に一致して設けられた
（１）〜（７）の何れかに記載の固体撮像装置。
【０１２０】
（９）
前記電荷移動防止領域は、少なくとも前記半導体層の界面から前記電荷蓄積領域までの深さを有する
（１）〜（８）の何れかに記載の固体撮像装置。
【０１２１】
（１０）
前記界面領域および前記電荷移動防止領域は、前記半導体層における受光面側の界面から設けられている
（１）〜（９）の何れかに記載の固体撮像装置。
【０１２２】
（１１）
前記半導体層における前記受光面と逆側の面には、配線層が設けられている
（１０）記載の固体撮像装置。
【０１２３】
（１２）
半導体層内の中間層に、当該半導体層の界面に対して２次元的に第1導電型の電荷蓄積領域を配列形成することと、
前記半導体層の表面から前記電荷蓄積領域の形成部までの深さにわたって第２導電型の界面領域を形成することと、
前記電荷蓄積領域を覆うマスク上から前記界面領域に対して不純物を追加で導入することにより、当該電荷蓄積領域を囲む位置に電荷移動防止領域を形成することとを含む
固体撮像装置の製造方法。
【０１２４】
（１３）
半導体層と、
前記半導体層の内部に当該半導体層の界面に対して２次元的に配列された第1導電型の電荷蓄積領域と、
前記半導体層の表面から前記電荷蓄積領域までの深さにわたって当該半導体層の内部に設けられた第２導電型の界面領域と、
前記電荷蓄積領域を囲む位置において、前記界面領域に対して不純物が追加で導入された電荷移動防止領域と、
前記電荷蓄積領域に入射光を導く光学系とを備えた
電子機器。
【符号の説明】
【０１２５】
１-1，１-2，１-3，１-4…固体撮像装置、３０…半導体層、３０ａ…受光面、３１…電荷蓄積領域、３５…素子分離領域、３７…界面領域、３９…高濃度領域（電荷移動防止領域）、４３…再結合領域、４３’…再結合領域（電荷移動防止領域）、９１…電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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