(57)【要約】【課題】本発明は、樹脂絶縁層と、この樹脂絶縁層上に形成される配線層との密着性を担保し、さらに、樹脂絶縁層の熱変色を防止してアライメントマークの読み取り精度を向上できる配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る配線基板は、樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層上に形成された配線層とを備える配線基板の製造方法であって、表面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で６００ｎｍ未満である樹脂絶縁層上に第１の金属層を形成する工程と、第１の金属層上にレジスト層を形成する工程と、レジスト層に所定のパターンの開口を形成する工程と、開口から露出する第１の金属層上に第２の金属層を形成する工程と、レジスト層を剥離する工程と、樹脂絶縁層を加熱して硬化させる工程と、レジスト層の剥離により露出する第１の金属層を除去して、第１の金属層と第２の金属層とで構成される配線層を形成する工程と、をこの順に有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層上に形成された配線層とを備える配線基板の製造方法であって、
表面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で６００ｎｍ未満である前記樹脂絶縁層上に第１の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に所定のパターンの開口を形成する工程と、
前記開口から露出する前記第１の金属層上に第２の金属層を形成する工程と、
前記レジスト層を剥離する工程と、
前記樹脂絶縁層を加熱して硬化させる工程と、
前記レジスト層の剥離により露出する前記第１の金属層を除去して、前記第１の金属層と第２の金属層とで構成される前記配線層を形成する工程と、
をこの順に有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂絶縁層の表面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で４００ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
半硬化の状態の前記樹脂絶縁層上に前記第１の金属層を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１の金属層は、前記樹脂絶縁層表面にパラジウムを付着させた後、無電解銅めっきで形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１の金属層を除去した後、表面に露出する前記パラジウムを除去するシアン洗浄を行うことを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層上に形成された配線層とを備える配線基板であって、
表面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で６００ｎｍ未満である前記樹脂絶縁層と、
を少なくとも有し、
前記配線層は、位置合わせ用の金属層をさらに有し、
前記樹脂絶縁層と前記位置合わせ用の金属層とが識別可能であることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層上に形成された配線層とを備える配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の製造には、種々の手法が提案されているが、微細な回路を精度よく形成することが可能なセミアディティブ法が用いられることが多い。このセミアディティブ法では、通常、以下の方法で樹脂絶縁層上に配線層を形成している。
【０００３】
初めに、樹脂絶縁層上に、パラジウム（Ｐｄ）を塗布し、無電解銅めっきにより、樹脂絶縁層上に無電解銅めっき層を形成する。次に、無電解銅めっき層上に所定の開口パターンを有するレジスト層を形成し、このレジスト層の開口から露出する無電解銅めっき層上に電解銅めっきにより、電解銅めっき層を形成する。
【０００４】
そして、レジスト層を剥離し、ウェットエッチング（ソフトエッチング）により、レジスト層の剥離により露出する無電解銅めっき層を除去する。また、無電解銅めっき層を除去した後は、パラジウム（Ｐｄ）を除去するためにシアン洗浄を行い、無電解銅めっき層及び電解銅めっき層により構成される配線層と、樹脂絶縁層との密着性を高めるために樹脂絶縁層を熱硬化させている（例えば、特許文献１、２参照）。なお、洗浄後に樹脂絶縁層を熱硬化させている理由は、ウェットエッチング後における樹脂絶縁層の凹凸の隙間に残渣として残っている銅（Ｃｕ）やパラジウム（Ｐａ）が熱処理により樹脂絶縁層表面に固着してしまうのを防止するためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４２１５８７２号公報
【特許文献２】特許第３７６６３４９号公報
【特許文献３】特許第３７６０３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年では、デザインルールの微細化により、配線幅が狭くなっている。このため、樹脂絶縁層表面の凹凸に起因する配線の電気抵抗（インピーダンス）の上昇が無視できなくなっており、樹脂絶縁層として表面粗さ（粗度）の低い絶縁性樹脂を用いることが提案されている。しかしながら、樹脂絶縁層表面の粗度が低くなると、樹脂絶縁層表面に存在する凹凸も小さくなるため、凹凸によるアンカー効果も小さくなる。また、上述したように、デザインルールの微細化により配線幅が狭くなっており、樹脂絶縁層と配線との接触面積が狭くなっている。このため、樹脂絶縁層と、この樹脂絶縁層上に形成される配線層との密着性が弱くなっている。
【０００７】
ところが、特許文献１，２に記載される配線基板の製造方法では、アニールにより樹脂絶縁層と配線層との密着性を高める前にウェットエッチングやシアン洗浄を行っている。このため、配線層の配線がウェットエッチング工程やシアン洗浄工程で剥がれてしまう不具合が生じ易くなっている。さらに、樹脂絶縁層を熱硬化する際の熱変色により、配線層と同一層に形成された位置合わせ用の金属層（以下、アライメントマークと記載）と、樹脂絶縁層との色調が略同じとなり、アライメントマークの読み取り不具合が発生し易いという問題が生じている。
【０００８】
本発明は、上記の事情に対処してなされたものであり、樹脂絶縁層と、この樹脂絶縁層上に形成される配線層との密着性を担保し、さらに、樹脂絶縁層の熱変色を防止してアライメントマークの読み取り精度を向上できる配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明は、
樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層上に形成された配線層とを備える配線基板の製造方法であって、表面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で６００ｎｍ未満である前記樹脂絶縁層上に第１の金属層を形成する工程と、前記第１の金属層上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に所定のパターンの開口を形成する工程と、前記開口から露出する前記第１の金属層上に第２の金属層を形成する工程と、前記レジスト層を剥離する工程と、前記樹脂絶縁層を加熱して硬化させる工程と、前記レジスト層の剥離により露出する前記第１の金属層を除去して、前記第１の金属層と第２の金属層とで構成される前記配線層を形成する工程と、をこの順に有することを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、レジスト層を剥離した後、樹脂絶縁層を加熱して硬化させ、樹脂絶縁層と、この樹脂絶縁層上に形成された配線層との密着性を向上させたうえで、第１の金属層を除去（ウェットエッチング）しているので、樹脂絶縁層の表面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で６００ｎｍ未満であったとしても、配線層の配線がウェットエッチング工程で剥がれてしまう不具合を効果的に防止することができる。また、樹脂絶縁層を熱硬化させる際に第１の金属層も加熱されて密度が高くなる。このため、その後の金属層を除去する工程において第１の金属層がエッチングされにくくなる。この結果、第１の金属層と第２の金属層とで構成される配線層の下部が過剰にエッチングされるアンダーカットが生じにくくなる。このため、配線層の配線がウェットエッチング工程で剥がれてしまう不具合をより効果的に防止することができる。さらに、樹脂絶縁層上に第１の金属層が存在する状態で樹脂絶縁層を熱硬化させているので、樹脂絶縁層の熱変色を抑制して、アライメントマークの読み取り不具合の発生を効果的に抑制することができる。
【００１１】
なお、本発明の一態様においては、前記樹脂絶縁層の表面粗さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で４００ｎｍ未満とすることができる。
【００１２】
また、本発明の他の態様においては、半硬化の状態の前記樹脂絶縁層上に前記第１の金属層を形成することができる。
【００１３】
また、本発明の他の態様においては、前記第１の金属層は、前記樹脂絶縁層表面にパラジウムを付着させた後、無電解銅めっきで形成することができる。
【００１４】
さらに、本発明の他の態様においては、前記第１の金属層を除去した後、表面に露出する前記パラジウムを除去するシアン洗浄を行うことができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、樹脂絶縁層と、この樹脂絶縁層上に形成される配線層との密着性を担保し、さらに、樹脂絶縁層の熱変色を防止してアライメントマークの読み取り精度を向上できる配線基板の製造方法及び配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態に係る配線基板の平面図（表面図）。
【図２】実施形態に係る配線基板の平面図（裏面図）。
【図３】実施形態に係る配線基板の一部断面図。
【図４】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図５】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図６】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図７】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図８】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図９】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１０】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１１】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１２】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１３】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１４】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１５】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１６】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１７】実施例に係る配線基板のアライメントマークの画像。
【図１８】比較例に係る配線基板のアライメントマークの画像。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、実施形態に係る配線基板はあくまでも例示であって、配線層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも１層有する配線基板であれば特に限定されるものではない。なお、以下の説明では、半導体チップが接続される側を表面側とし、マザーボードやソケット等（以下、マザーボード等と称する）が接続される側を裏面側として説明する。
【００１８】
（実施形態）
図１は、実施形態に係る配線基板１００の表面側の平面図である。図２は、実施形態に係る配線基板１００の裏面側の平面図である。図３は、図１及び図２の線分Ｉ−Ｉにおける一部断面図である。以下、図１乃至図３を参照して、配線基板１００の構成について説明する。
【００１９】
（配線基板１００の構成）
図１乃至図２に示す配線基板１００は、コア基板２と、半導体チップ（不図示）との接続端子である金属端子パッド１０と、コア基板２の表面側に積層されるビルドアップ層Ｌ１（表面側）と、ビルドアップ層Ｌ１に積層され金属端子パッド１０の一部を露出する開口８ａが形成されたソルダーレジスト層８と、開口８ａから露出した金属端子パッド１０表面に形成された金属めっき層１０ａと、マザーボード等（不図示）との接続端子である金属端子パッド１７と、コア基板２の裏面側に積層されるビルドアップ層Ｌ２（裏面側）と、ビルドアップ層Ｌ２に積層され、金属端子パッド１７の一部を露出する開口１８ａが形成されたソルダーレジスト層１８と、開口１８ａから露出した金属端子パッド１７表面に形成された金属めっき層１７ａとを備える。
【００２０】
コア基板２は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状の樹脂製基板である。コア基板２の表面及び裏面には、コア配線層Ｍ１，Ｍ１１がそれぞれ形成されている。また、コア基板２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア配線層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。さらに、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００２１】
（表面側の構成）
コア配線層Ｍ１の上層には、熱硬化性樹脂組成物６を熱硬化させて構成された第１のビア層（樹脂絶縁層）Ｖ１が形成されている。さらに、その表面には金属配線７ａ及び位置合わせ用の金属層ＡＭ（以下、アライメントマークＡＭと記載）を有する第１の配線層Ｍ２が無電解銅めっき及び電解銅めっきにより形成されている。なお、コア配線層Ｍ１と第１の配線層Ｍ２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第１の配線層Ｍ２の上層には、熱硬化性樹脂組成物６を用いた第２のビア層（樹脂絶縁層）Ｖ２が形成されている。
【００２２】
第２のビア層Ｖ２上には、金属端子パッド１０及びアライメントマークＡＭを有する第２の配線層Ｍ３が無電解銅めっき及び電解銅めっきにより形成されている。第１の配線層Ｍ２と第２の配線層Ｍ３とは、ビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｓの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４Ｉとを有する。
【００２３】
なお、上記第１，第２のビア層Ｖ１，Ｖ２となる熱硬化性樹脂組成物６の表面凹凸に起因する配線の電気抵抗（インピーダンス）の上昇を抑制するため、熱硬化性樹脂組成物６の表面粗さは、中心線平均粗さ（Ｒａ）で６００ｎｍ未満であることが好ましく、４００ｎｍ未満であることがより好ましい。このような熱硬化性樹脂組成物の材料として、例えば、ＧＸ１３，ＧＺ４１（製品名：味の素ファインテクノ株式会社）を用いることができる。
【００２４】
以上のように、コア基板２の第１の主面ＭＰ１上には、コア配線層Ｍ１、第１のビア層Ｖ１、第１の配線層Ｍ２、第２のビア層Ｖ２及び第２の配線層Ｍ３が順次に積層された第１のビルドアップ層Ｌ１が形成されている。また、第１の主表面ＣＰ１上には複数の金属端子パッド１０が形成されている。金属端子パッド１０は、はんだバンプを介して半導体素子をフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）であり、半導体素子搭載領域に形成されている。
【００２５】
さらに、第１の主表面ＣＰ１上には開口８ａを有するソルダーレジスト層８が形成されており、開口８ａに露出した金属端子パッド１０上には、無電解めっきによって形成した金属めっき層１０ａが形成されている。半導体チップを配線基板１００に実装する際には、半導体チップの接続端子にコートされた半田をリフローすることで半導体チップの接続端子と金属めっき層１０ａとが電気的に接続される。
【００２６】
なお、金属めっき層１０ａは、例えば、Ｎｉ層、Ｓｎ層、Ａｇ層、Ｐｄ層、Ａｕ層等の金属層から選択される単一又は複数の層で構成される。また、金属めっき層１０ａの代わりに、半田をコートしてもよい。さらに、金属めっき層１０ａの代わりに、防錆用のＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理を施してもよい。
【００２７】
（裏面側の構成）
コア配線層Ｍ１１の上層には、熱硬化性樹脂組成物６にて構成された第１のビア層（樹脂絶縁層）Ｖ１１が形成されている。さらに、その表面にはそれぞれ金属配線７ｂ及びアライメントマークＡＭを有する第１の配線層Ｍ１２が無電解銅めっき及び電解銅めっきにより形成されている。なお、コア配線層Ｍ１１と第１の配線層Ｍ１２とは、ビア３４により層間接続がなされている。同様に、第１の配線層Ｍ１２の上層には、熱硬化性樹脂組成物６を用いた第２のビア層（樹脂絶縁層）Ｖ１２が形成されている。
【００２８】
第２のビア層Ｖ１２上には、金属端子パッド１７及びアライメントマークＡＭを有する第２の配線層Ｍ１３が形成されている。第１の配線層Ｍ１２及び第２の配線層Ｍ１３は、ビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｓの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４Ｉとを有している。
【００２９】
なお、上記第１，第２のビア層Ｖ１１，Ｖ１２となる熱硬化性樹脂組成物６の表面凹凸に起因する配線の電気抵抗（インピーダンス）の上昇を抑制するため、熱硬化性樹脂組成物６の表面粗さは、中心線平均粗さ（Ｒａ）で６００ｎｍ未満であることが好ましく、４００ｎｍ未満であることがより好ましい。このような熱硬化性樹脂組成物の材料として、例えば、ＧＸ１３，ＧＺ４１（製品名：味の素ファインテクノ株式会社）を用いることができる。
【００３０】
以上のように、コア基板２の第２の主面ＭＰ２上においては、コア配線層Ｍ１１、第１のビア層Ｖ１１、第１の配線層Ｍ１２、第２のビア層Ｖ１２及び第２の配線層Ｍ１３が順次に積層された第２のビルドアップ層Ｌ２が形成されている。また、第２の主表面ＣＰ２上には、複数の金属端子パッド１７が形成されている。
【００３１】
金属端子パッド１７は、配線基板１００をマザーボード接続するための裏面ランド（ＬＧＡパッド）として利用されるものであって、配線基板１００の略中心部を除く外周領域に形成され、前記略中央部を囲むようにして矩形状に配列されている。
【００３２】
第２の主表面ＣＰ２上には、開口１８ａを有するソルダーレジスト層１８が形成されており、開口１８ａに露出した金属端子パッド１７上には金属めっき層１７ａが形成されている。但し、金属めっき層１７ａを形成することなく、金属端子パッド１７が直接開口１８ａに対して露出するようにしてもよい。
【００３３】
なお、金属めっき層１７ａは、例えば、Ｎｉ層、Ｓｎ層、Ａｇ層、Ｐｄ層、Ａｕ層等の金属層から選択される単一又は複数の層で構成される。また、金属めっき層１７ａの代わりに、半田をコートしてもよい。さらに、金属めっき層１７ａの代わりに、防錆用のＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理を施してもよい。
【００３４】
（配線基板の製造方法）
図４〜図１６は、実施形態に係る配線基板１００の製造工程を示す図である。以下、図４〜図１６を参照して、配線基板１００の製造方法について説明する。
【００３５】
（コア基板工程：図４〜図５）
板状の樹脂製基板の表面及び裏面に銅箔が貼付された銅張積層板を準備する。また、銅張積層板に対してドリルを用いて孔あけ加工を行い、スルーホール１２となる貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく（図４参照）。なお、スルーホール１２形成工程の後、加工部分のスミアを除去するデスミア処理を行うことが望ましい。
【００３６】
次に、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでスルーホール１２内壁にスルーホール導体３０を形成し、銅張積層板の両面に銅めっき層を形成する。その後、スルーホール導体３０内をエポキシ樹脂等の樹脂穴埋め材３１で充填し、さらに、銅張積層板の両面の銅箔上に形成された銅めっきを所望の形状にエッチングして銅張積層板の表面及び裏面にコア配線層Ｍ１，Ｍ１１をそれぞれ形成し、コア基板２を得る（図５参照）。なお、コア配線層Ｍ１，Ｍ１１の表面は、銅表面粗化剤（例えば、メックエッチンボンドＣＺ：メック社製）により粗化しておくことが好ましい。
【００３７】
（ビルドアップ工程：図６〜図１４）
コア基板２の表面及び裏面に、第１のビア層Ｖ１，Ｖ１１となるエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂組成物６をそれぞれ重ね合わせて配置する（図６参照）。この熱硬化性樹脂組成物６の表面粗さは、上述したように、好ましくは、中心線平均粗さ（Ｒａ）で６００ｎｍ未満、より好ましくは、４００ｎｍ未満である。
【００３８】
次に、従来周知のレーザー加工装置を用いてレーザー照射を行い、第１のビア層Ｖ１，Ｖ１１にビアホール３４ｈをそれぞれ形成する（図７参照）。
【００３９】
続いて、熱硬化性樹脂組成物６表面にパラジウム（Ｐｄ）を付着させた後、無電解銅めっきを行い、ビアホール３４ｈの内壁を含む熱硬化性樹脂組成物６上に無電解銅めっき層Ｃ１を形成する（図８参照）。
【００４０】
次に、プリント配線板用感光性フィルムＤＦ（以下、ドライフィルムＤＦ（レジスト層）と記載する）を熱硬化性樹脂組成物６上に形成された無電解銅めっき層Ｃ１上にラミネートして、露光・現像を行い、ドライフィルムＤＦに所定のパターンの開口Ａを形成する（図９参照）。
【００４１】
その後、このドライフィルムＤＦをマスクとして、電解銅めっきを行い、ドライフィルムＤＦの開口Ａから露出した無電解銅めっき層Ｃ１上に電解銅めっき層Ｃ２を形成し、無電解銅めっき層Ｃ１及び電解銅めっき層Ｃ２からなる第１の配線層Ｍ２，Ｍ１２を形成する。また、この際に、ビア導体３４ｓ、ビアパッド３４ｐ及びビアランド３４Ｉからなるビア３４も形成される（図１０参照）。
【００４２】
次に、ドライフィルムＤＦを剥離した後、熱硬化性樹脂組成物６を（例えば２１０℃で）加熱し、熱硬化性樹脂組成物６を熱硬化させる。この熱硬化の際に、熱硬化性樹脂組成物６と、熱硬化性樹脂組成物６表面に形成した無電解銅めっき層Ｃ１及び電解銅めっき層Ｃ２からなる配線層Ｍ２，Ｍ１２との密着性が向上する。また、熱硬化性樹脂組成物６を熱硬化させる際に無電解銅めっき層Ｃ１も加熱されて密度が高くなる。（図１１参照）。
【００４３】
次に、ドライフィルムＤＦ下に存在していた無電解銅めっき層Ｃ１をウェットエッチング（ソフトエッチング）により除去した後、熱硬化により第１のビア層Ｖ１，Ｖ１１となった熱硬化性樹脂組成物６表面に残留するパラジウム（Ｐｄ）を除去するために、シアン化ナトリウム水溶液等のシアン系溶液を用いて洗浄するシアン洗浄を行う（図１２参照）。なお、シアン洗浄後は、配線層Ｍ２，Ｍ１２の表面を銅表面粗化剤（例えば、メックエッチンボンドＣＺ：メック社製）により粗化しておくことが好ましい。なお、上記図８〜図１２では、説明のために、無電解銅めっき層Ｃ１と電解銅めっき層Ｃ２とを分けて図示しているが、以下の図１３からは、無電解銅めっき層Ｃ１と電解銅めっき層Ｃ２とを分けずに一体として図示する。
【００４４】
次に、配線層Ｍ２，Ｍ１２上に、第２のビア層Ｖ２，Ｖ１２となるエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂組成物６をそれぞれ重ね合わせて配置する。次に、従来周知のレーザー加工装置を用いてレーザー照射を行い、第２のビア層Ｖ２，Ｖ１２にビアホール３４ｈをそれぞれ形成する（図１３参照）。
【００４５】
続いて、配線層Ｍ２，Ｍ１２を形成した時と同様にして、ビアホール３４ｈが形成された第２のビア層Ｖ２，Ｖ１２に、配線層Ｍ３，Ｍ１３をそれぞれ形成する（図１４参照）。
【００４６】
（ソルダーレジスト層工程：図１５）
配線層Ｍ３，Ｍ１３の表面に、それぞれフィルム状のソルダーレジスト層８，１８をプレスして積層する。積層したフィルム状のソルダーレジストを露光・現像して、ソルダーレジスト層８，１８に開口８ａ及び１８ａを形成する（図１５参照）。
【００４７】
（めっき工程：図１６）
次いで、無電解めっきによって開口８ａ及び１８ａに露出した金属端子パッド１０及び１７上に、例えば金属めっき層としてのニッケル／金積層膜１０ａ及び１７ａを形成する。
【００４８】
以上のように、実施形態に係る配線基板１００は、予め、熱硬化により、熱硬化性樹脂組成物６と、熱硬化性樹脂組成物６表面に形成した第１の配線層Ｍ２，Ｍ１２、第２の配線層Ｍ３，Ｍ１３との密着性を向上させた状態で、ウェットエッチング工程及びシアン洗浄を行っている。このため、配線層の配線がウェットエッチング工程やシアン洗浄工程で剥がれてしまう不具合を効果的に抑制することができる。
【００４９】
また、熱硬化性樹脂組成物６を熱硬化させる際に無電解銅めっき層Ｃ１も加熱される。このため無電解銅めっき層Ｃ１の密度が高くなるため、その後のウェットエッチング工程において無電解銅めっき層Ｃ１がエッチングされにくくなる。この結果、無電解銅めっき層Ｃ１と電解銅めっき層Ｃ２とで構成される配線層Ｍ２，Ｍ１２にアンダーカットが生じにくくなる。このため、配線層の配線がウェットエッチング工程で剥がれてしまう不具合をより効果的に防止することができる。
【００５０】
また、熱硬化性樹脂組成物６として、表面粗さが、中心線平均粗さ（Ｒａ）で６００ｎｍ未満、より好ましくは４００ｎｍ未満のものを用いているので、熱硬化性樹脂組成物６表面の凹凸が小さい。このため、熱硬化性樹脂組成物６の凹凸の隙間に、銅（Ｃｕ）やパラジウム（Ｐｄ）が残渣として残りにくい。その結果、熱硬化性樹脂組成物６を熱硬化させた後に洗浄を行っても、銅（Ｃｕ）やパラジウム（Ｐａ）が熱処理により熱硬化性樹脂組成物６表面に固着してしまうのを効果的に抑制することができる。
【００５１】
さらに、表面に無電解銅めっき層Ｃ１が残っている状態で、熱硬化性樹脂組成物６を熱硬化させている。このため、熱硬化性樹脂組成物６を熱硬化する際の熱変色を抑制することができる。その結果、配線層Ｍ２，Ｍ３，Ｍ１２，Ｍ１３に形成されたアライメントマークＡＭと、熱硬化後の熱硬化性樹脂組成物６との色調が略同じとなることに起因するアライメントマークＡＭの読み取り不具合を効果的に抑制することができる。
【００５２】
なお、アライメントマークＡＭの識別は、ＣＣＤカメラによりアライメントマークＡＭの画像を取得することにより行われる。アライメントマークＡＭの画像を取得する方法には、反射型と透過型の２種類があり、本実施形態では、反射型と透過型のどちらを用いてアライメントマークＡＭの画像を取得してもよい。アライメントマークの画像を取得した後は、アライメントマークＡＭのエッジを検出し、この検出したエッジの形状を、予めデータベースに登録されているアライメントマークと照合することにより、アライメントマークＡＭの識別が行われる。
【００５３】
反射型によりアライメントマークＡＭを識別する場合、アライメントマークＡＭが形成された配線基板の表面側（アライメントマークＡＭが形成されている側）にＣＣＤカメラと光源とを設置する。その後、配線基板の表面側から配線基板に向けて光を照射し、配線基板からの反射光をＣＣＤカメラで受光してアライメントマークＡＭの画像を取得する。その後、取得した画像に基づいてアライメントマークＡＭを識別する。
【００５４】
一方、透過型によりアライメントマークＡＭを識別する場合、アライメントマークＡＭが形成された配線基板の表面側（アライメントマークＡＭが形成されている側）にＣＣＤカメラを配置し、該配線基板の裏面側（アライメントマークＡＭが形成されていない側）に光源を設置する。その後、配線基板の裏面側から配線基板に向けて光を照射し、配線基板からの透過光をＣＣＤカメラで受光してアライメントマークＡＭの画像を取得する。その後、取得した画像に基づいてアライメントマークＡＭを識別する。
【００５５】
このアライメントマークＡＭの識別には、例えば、ＣＣＤカメラ（ソニー製、ＸＣ−ＥＳ５０）と光量を調整するためのコントローラ（ＳＨＩＭＡＴＥＣ製、Ｓ４ＣＨ）とを使用することができる。より具体的には、反射型によりアライメントマークＡＭを識別する場合には、コントローラで光量ボリュームを１３段階中７に設定した赤外光を光源として使用することができ、透過型によりアライメントマークＡＭを識別する場合には、コントローラにて光量ボリュームを１３段階中３に設定した青色光を光源として使用することができる。なお、ＣＣＤカメラとしてカラーＣＣＤカメラを使用する場合には、取得した画像を二値化した後、アライメントマークＡＭのエッジを検出することが好ましい。
【実施例】
【００５６】
以下に、本発明の実施例について記載する。
【００５７】
（実施例１）
発明者らは、本発明の配線基板の製造方法で作成した配線基板（実施例１）と従来の製造方法により作成した配線基板（比較例１）のそれぞれについて、配線の剥がれがあるかどうかを調べた。
【００５８】
実施例１では、以下の手順で樹脂絶縁層上に配線層を形成した。なお、実施例１では、配線層の配線幅が１８μｍの配線基板Ａと、配線幅が３１μｍの配線基板Ｂとを作成した。
１．樹脂絶縁層上に、パラジウム（Ｐｄ）を塗布する。
２．無電解銅めっきにより、樹脂絶縁層上に無電解銅めっき層を形成する。
３．無電解銅めっき層上に所定の開口パターンを有するレジスト層を形成する。
４．レジスト層の開口から露出する無電解銅めっき層上に電解銅めっきにより、電解銅めっき層を形成する。
５．レジスト層を剥離する。
６．樹脂絶縁層をアニールして熱硬化させる。
７．ウェットエッチングにより、レジスト層の剥離により露出する無電解銅めっき層を除去する。
８．樹脂絶縁層表面のパラジウム（Ｐｄ）を除去するためにシアン洗浄を行う。
【００５９】
（比較例１）
比較例１では、以下の手順で樹脂絶縁層上に配線層を形成した。なお、比較例１では、配線層の配線幅が１８μｍの配線基板Ｃと、配線幅が３１μｍの配線基板Ｄとを作成した。
１．樹脂絶縁層上に、パラジウム（Ｐｄ）を塗布する。
２．無電解銅めっきにより、樹脂絶縁層上に無電解銅めっき層を形成する。
３．無電解銅めっき層上に所定の開口パターンを有するレジスト層を形成する。
４．レジスト層の開口から露出する無電解銅めっき層上に電解銅めっきにより、電解銅めっき層を形成する。
５．レジスト層を剥離する。
６．ウェットエッチングにより、レジスト層の剥離により露出する無電解銅めっき層を除去する。
７．樹脂絶縁層表面のパラジウム（Ｐｄ）を除去するためにシアン洗浄を行う。
８．樹脂絶縁層をアニールして熱硬化させる。
【００６０】
（結果）
次に、発明者らは、上記のようにして作成した配線基板Ａ〜Ｄについて、配線剥がれ（配線浮きを含む）が生じているかどうかを確認した。その結果を以下の表１に示す。
【表１】
2013219326.tif 000003
【００６１】
表１に示すように、先に樹脂絶縁層を熱硬化させて、樹脂絶縁層と配線層との密着性を向上させてから、ウェットエッチング工程及びシアン洗浄を行っている実施例１に係る配線基板Ａ，Ｂには、配線剥がれが生じていない。一方、ウェットエッチング工程及びシアン洗浄を行った後、樹脂絶縁層を熱硬化させた比較例１に係る配線基板Ｃ，Ｄには、配線剥がれが生じていることがわかる。この結果から、先に樹脂絶縁層を熱硬化させて、樹脂絶縁層と配線層との密着性を向上させてから、ウェットエッチング工程及びシアン洗浄を行うことが配線剥がれを防ぐうえで非常に有効であることが確認された。
【００６２】
（実施例２）
次に、発明者らは、本発明の配線基板の製造方法で作成した配線基板（実施例２）と従来の製造方法により作成した配線基板（比較例２）のそれぞれについて、樹脂絶縁層上に形成された配線層と同一層に位置合わせ用の金属層（以下、アライメントマークと記載）を形成し、その画像を取得した。なお、比較例２及び比較例２に係る配線基板の製造方法は、それぞれ比較例１及び比較例１に係る配線基板の製造方法と同じであるため重複した説明を省略する。
【００６３】
図１７は、実施例２に係る配線基板の樹脂絶縁層上に形成したアライメントマークの写真である。図１８は、比較例２に係る配線基板の樹脂絶縁層上に形成したアライメントマークの写真である。
【００６４】
図１７及び図１８に示すように、実施例２に係る配線基板では、樹脂絶縁層表面に無電解銅めっき層が残っている状態で樹脂絶縁層を熱硬化させているので、樹脂絶縁層が熱硬化する際の熱変色を抑制することができている。このため、樹脂絶縁層表面と、樹脂絶縁層上に形成したアライメントマークとの色調が異なっており、コントラストが非常に高いことがわかる。
【００６５】
一方、比較例１に係る配線基板では、樹脂絶縁層表面に無電解銅めっき層が残っていない状態で樹脂絶縁層を熱硬化させているので、樹脂絶縁層が熱硬化する際に熱変色が生じている。このため、樹脂絶縁層表面と、樹脂絶縁層上に形成したアライメントマークとの色調が略同じとなっており、コントラストが非常に低いことがわかる。
【００６６】
この結果から、樹脂絶縁層表面に無電解銅めっき層が残っている状態で樹脂絶縁層を熱硬化させた後、ウェットエッチング工程及びシアン洗浄を行うことが、アライメントマークのコントラストを高くし、アライメントマークの読み取り不具合の抑制に有効であることが確認された。
【００６７】
以上、本発明を、具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、配線基板１００は、表面側及び裏面側にそれぞれビルドアップ層Ｌ１，Ｌ２を備えるが、ビルドアップ層を表面側又は裏面側の一方にだけ備えるようにしてもよく、コア基板２を備えずにビルドアップ層のみで構成してもよい。また、ビルドアップ層の配線層及び樹脂絶縁層の積層数は、任意である。
【符号の説明】
【００６８】
２…コア基板、６…熱硬化性樹脂組成物、７ａ，７ｂ…金属配線、８，１８…ソルダーレジスト層、１０…金属端子パッド、１２…スルーホール、１７…金属端子パッド、１８…ソルダーレジスト層、３１…樹脂製穴埋め材、３０…スルーホール導体、３４…ビア、１００…配線基板、ＡＭ…アライメントマーク、Ｃ１…無電解銅めっき層、Ｃ２…電解銅めっき層、ＣＰ１，ＣＰ２…主表面、ＤＦ…ドライフィルム（レジスト層）、Ｌ１，Ｌ２…ビルドアップ層、Ｍ１，Ｍ１１…コア配線層、Ｍ２，Ｍ３，Ｍ１２，Ｍ１３…配線層、ＭＰ１，ＭＰ２…主面、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ１１，Ｖ１２…ビア層（樹脂絶縁層）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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