(57)【要約】【課題】メイン基板１上に第１の半導体部品１１が実装され、第１の半導体部品１１を含むメイン基板１上に、下面側において第１の半導体部品１１に対応する部分にキャビティ（凹部）２２を有するキャビティ基板２１が実装されたものにおいて、キャビティ２２内にアンダーフィル材２６を完全に充填することができるようにする。【解決手段】キャビティ２２の一側部は開口部２３となっている。そして、開口部２３側からアンダーフィル材２６をキャビティ２２内に充填する。この場合、キャビティ２２内の空気は、すべて、キャビティ基板２１に設けられた空気逃げ用貫通孔２４を介して外部に逃げてしまう。これにより、キャビティ２２内にアンダーフィル材２６が完全に充填することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メイン基板と、前記メイン基板上に実装された第１の電子部品と、前記第１の電子部品を含む前記メイン基板上に実装され、前記第１の電子部品を収容し、且つ、一部が側方に開口されたキャビティを有するキャビティ基板と、前記キャビティ基板上に実装された第２の電子部品と、前記第１の電子部品と前記メイン基板との間および前記キャビティ基板と前記第１の電子部品を含む前記メイン基板との間に少なくとも設けられたアンダーフィル材とを備え、前記アンダーフィル材が形成されるとき、前記キャビティ内の空気を外部に逃がすための空気逃げ部を有することを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記空気逃げ部は、前記キャビティの開口とは前記第１の電子部品を挟んで反対側における前記キャビティに対応する部分における前記キャビティ基板に設けられた空気逃げ用貫通孔からなることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記空気逃げ部は、前記キャビティの開口とは前記第１の電子部品を挟んで反対側における前記キャビティに対応する部分における前記メイン基板に設けられた空気逃げ用貫通孔からなることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記空気逃げ部は、前記キャビティの開口とは前記第１の電子部品を挟んで反対側における前記キャビティに対応する部分における前記キャビティ基板下に半田バンプが設けられていない部分からなる空気逃げ用通路からなることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項５】
請求項４に記載の発明において、前記空気逃げ部は、さらに、前記空気逃げ用通路に対応する部分における前記キャビティ基板の下面側に設けられた空気逃げ用溝を含むことを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の発明において、前記アンダーフィル材は、前記キャビティ基板の周囲に気泡を含まないでフィレット状に形成されていることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項７】
メイン基板上に第１の電子部品を実装し、前記第１の電子部品を含む前記メイン基板上に、前記第１の電子部品を収容し、且つ、一部が側方に開口されたキャビティを有するキャビティ基板を実装し、前記第１の電子部品と前記メイン基板との間および前記キャビティ基板と前記第１の電子部品を含む前記メイン基板との間に少なくともアンダーフィル材を充填する電子部品の実装方法において、前記アンダーフィル材を充填するとき、前記キャビティ内の空気を空気逃げ部を介して外部に逃がすことを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記キャビティの開口の外側における前記メイン基板上にアンダーフィル材を塗布し、次いで前記キャビティの開口の両側における前記キャビティ基板の２辺の外側における前記メイン基板上にアンダーフィル材をそれぞれ塗布することを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記キャビティの開口の外側における前記メイン基板上にアンダーフィル材を塗布して、１０秒以上経過した後に、前記キャビティの開口の両側における前記キャビティ基板の２辺の外側における前記メイン基板上にアンダーフィル材をそれぞれ塗布することを特徴とする電子部品の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は電子部品の実装構造およびその実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品の実装構造には、高さ方向への高密度実装を図るために、メイン基板上に第１の電子部品を半田バンプを介して実装し、第１の電子部品を含むメイン基板上に、下面側中央部において第１の電子部品に対応する部分に第１の電子部品を収容するためのキャビティ（凹部）を有するキャビティ基板を半田バンプを介して実装し、キャビティ基板上に第２の電子部品を実装したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、上記のような電子部品の実装構造において、第１の電子部品とメイン基板との間およびキャビティ基板とメイン基板との間にアンダーフィル材（補強用樹脂）を充填することがある。このような場合において、メイン基板上に第１の電子部品を半田バンプを介して実装するとともに、第１の電子部品を含むメイン基板上にキャビティ基板を半田バンプを介して実装し、この後に、キャビティ基板の周囲にアンダーフィル材を供給すると、キャビティ基板とメイン基板との間にアンダーフィル材を充填することができても、それよりも内側にアンダーフィル材を供給することができず、ひいては第１の電子部品とメイン基板との間にアンダーフィル材を充填することができない。
【０００４】
一方、メイン基板上に第１の電子部品を半田バンプを介して実装した後に、第１の電子部品の周囲にアンダーフィル材を供給すると、第１の電子部品とメイン基板との間にアンダーフィル材を充填することができる。しかしながら、このようにした場合には、メイン基板上に第１の電子部品を半田バンプを介して実装する工程と、第１の電子部品を含むメイン基板上にキャビティ基板を半田バンプを介して実装する工程とが別々となるため、工程数が多くなってしまう。
【０００５】
そこで、キャビティ基板のキャビティの一側部を開口し、メイン基板上に第１の電子部品を半田バンプを介して実装するとともに、第１の電子部品を含むメイン基板上にキャビティ基板を半田バンプを介して実装し、この後に、キャビティ基板のキャビティの開口側にアンダーフィル材を供給し、第１の電子部品とメイン基板との間にアンダーフィル材を充填するようにしたものがある（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２０６２３０号公報
【特許文献２】特開２０１１−１５５１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献２に記載の電子部品の実装構造において、キャビティ基板のキャビティ内にアンダーフィル材を完全に充填することにより、半田バンプによる接続信頼性を向上させることが考えられる。しかしながら、キャビティ基板のキャビティの開口側から供給されたアンダーフィル材によりキャビティ内の空気がキャビティの開口側とは第１の電子部品を挟んで反対側の奥部に押し込まれ、この押し込まれた空気の行き場がなくなり、ひいてはキャビティ内にアンダーフィル材を完全に充填することができず、半田バンプによる接続信頼性を向上させることができないという問題がある。
【０００８】
また、キャビティ基板のキャビティの開口側からアンダーフィル材を供給した後に、キャビティ基板のキャビティの奥部の外側からアンダーフィル材を供給すると、この供給されたアンダーフィル材によりキャビティの奥側に押し込まれた空気がキャビティの開口側に向かって押し出されるが、この押し出された空気が抜けきれずに、キャビティの開口側のアンダーフィル材中に大きな気泡として残存し、この残存する気泡の近傍における第１の電子部品の半田バンプが破損する原因となってしまうという問題がある。
【０００９】
そこで、この発明は、キャビティ基板のキャビティ内にアンダーフィル材を完全に充填することができる電子部品の実装構造およびその実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係る電子部品の実装構造は、メイン基板と、前記メイン基板上に実装された第１の電子部品と、前記第１の電子部品を含む前記メイン基板上に実装され、前記第１の電子部品を収容し、且つ、一部が側方に開口されたキャビティを有するキャビティ基板と、前記キャビティ基板上に実装された第２の電子部品と、前記第１の電子部品と前記メイン基板との間および前記キャビティ基板と前記第１の電子部品を含む前記メイン基板との間に少なくとも設けられたアンダーフィル材とを備え、前記アンダーフィル材が形成されるとき、前記キャビティ内の空気を外部に逃がすための空気逃げ部を有することを特徴とするものである。
この発明に係る電子部品の実装方法は、メイン基板上に第１の電子部品を実装し、前記第１の電子部品を含む前記メイン基板上に、前記第１の電子部品を収容し、且つ、一部が側方に開口されたキャビティを有するキャビティ基板を実装し、前記第１の電子部品と前記メイン基板との間および前記キャビティ基板と前記第１の電子部品を含む前記メイン基板との間に少なくともアンダーフィル材を充填する電子部品の実装方法において、前記アンダーフィル材を充填するとき、前記キャビティ内の空気を空気逃げ部を介して外部に逃がすことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、キャビティ基板のキャビティ内にアンダーフィル材を完全に充填することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】この発明の第１実施形態としての電子部品の実装構造の要部の平面図。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図。
【図３】図１および図２に示すキャビティ基板の平面図。
【図４】実装方法の一例においてアンダーフィル材の塗布方法を説明するために示す平面図。
【図５】この発明の第２実施形態としての電子部品の実装構造の図２同様の断面図。
【図６】この発明の第３実施形態としての電子部品の実装構造の図２同様の断面図。
【図７】図６に示すキャビティ基板の平面図。
【図８】この発明の第４実施形態としての電子部品の実装構造の図６同様の断面図。
【図９】図８に示すキャビティ基板の平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての電子部品の実装構造の要部の平面図を示し、図２は図１のII−II線に沿う断面図を示す。この電子部品の実装構造では、簡単に説明すると、プリント配線板からなるメイン基板１上に第１の半導体部品（第１の電子部品）１１が実装され、第１の半導体部品１１を含むメイン基板１上にキャビティ基板２１が実装され、キャビティ基板２１上に第２の半導体部品（第２の電子部品）３１および複数のチップ部品（第２の電子部品）４１が実装されている。
【００１４】
まず、メイン基板１について説明する。メイン基板１はガラス布基材エポキシ系樹脂等からなる平面方形状の絶縁基板２を備えている。絶縁基板２の上面には銅等からなる複数の配線（図示せず）が設けられている。この場合、少なくとも一部の配線の先端部はランドとなっている。
【００１５】
次に、第１の半導体部品１１について説明する。第１の半導体部品１１はＢＧＡ（ball grid array）、ＣＳＰ（chip size package）、ＷＬＣＳＰ（wafer level chip size
package）、ベアチップ等からなり、平面正方形状の半導体部品本体１２の下面に複数の半田バンプ１３がマトリクス状に設けられた構造となっている。そして、第１の半導体部品１１は、その半田バンプ１３がメイン基板１の所定の配線のランドに接合されていることにより、メイン基板１上に実装されている。
【００１６】
次に、キャビティ基板２１について説明する。キャビティ基板２１は樹脂基板、セラミック基板、シリコン基板等が複数枚積層されることにより形成された平面方形状の多層プリント配線板からなり、その下面側には平面方形状のキャビティ（凹部）２２が設けられている。この場合、キャビティ２２の図１および図２における左側はすべて開口され、開口部２３となっている。キャビティ２２の平面サイズは第１の半導体部品１１の平面サイズよりも大きくなっている。キャビティ基板２１において、キャビティ２２の開口部２３とは反対側の奥部（図１および図２において右側）の所定の箇所に対応する部分には、空気逃げ用貫通孔２４がキャビティ２２と連通するように設けられている。
【００１７】
キャビティ２２を除くキャビティ基板２１の下面には銅等からなる複数の下層配線（図示せず）が設けられ、キャビティ２２の上面には銅等からなる複数の上層配線（図示せず）が設けられている。この場合、下層配線と上層配線とは、キャビティ基板２１の内部に設けられた内部配線（図示せず）を介して接続されている。下層配線のランド下には半田バンプ２５が設けられている。ここで、図３はキャビティ基板２１の平面図を示す。この図３に示すように、半田バンプ２５は、キャビティ２２を除くキャビティ基板２１の下面にマトリクス状に設けられている。
【００１８】
そして、キャビティ基板２１は、その半田バンプ２５がメイン基板１の所定の配線のランドに接合されていることにより、第１の半導体部品１１を含むメイン基板１上に実装されている。この状態では、第１の半導体部品１１はキャビティ２２内に収容されている。また、空気逃げ用貫通孔２４は、キャビティ２２内に収容された第１の半導体部品１１よりも奥部側（図１および図２において右側）に配置されている。
【００１９】
そして、第１の半導体部品１１とメイン基板１との間およびキャビティ基板２１と第１の半導体部品１１を含むメイン基板１との間にはアンダーフィル材２６が設けられている。すなわち、キャビティ２２内にはアンダーフィル材２６が完全に充填されている。また、アンダーフィル材２６は、キャビティ基板２１の周側面およびその周囲におけるメイン基板１の上面にフィレット状に設けられている。
【００２０】
次に、第２の半導体部品３１について説明する。第２の半導体部品３１は、第１の半導体部品１１と同様に、ＢＧＡ、ＣＳＰ、ＷＬＣＳＰ、ベアチップ等からなり、平面正方形状の半導体部品本体３２の下面に複数の半田バンプ３３がマトリクス状に設けられた構造となっている。そして、第２の半導体部品３１は、その半田バンプ３３がキャビティ基板２１の所定の上層配線のランドに接合されていることにより、キャビティ基板２１上に実装されている。なお、第２の半導体部品３１は、ＱＦＰ（quad flat package）、ＳＯＰ（small outline package）、ＴＳＯＰ（thin small outline package）等であってもよい。
【００２１】
次に、チップ部品４１について説明する。チップ部品４１はコンデンサ、抵抗、コイル等からなっている。そして、チップ部品４１は、その両電極が半田バンプ４２を介してキャビティ基板２１の所定の上層配線のランドに接合されていることにより、キャビティ基板２１上に実装されている。
【００２２】
次に、実装方法の一例について、具体的な一例と併せて説明する。第１の半導体部品１１はＷＬＣＳＰからなり、その平面サイズは６×６ｍｍであり、その厚さは０．３ｍｍであり、その半田バンプ１３のピッチは０．４ｍｍである。キャビティ基板２１の平面サイズは１０×１０ｍｍであり、その厚さは０．６５ｍｍであり、その半田バンプ２５のピッチは０．４ｍｍである。キャビティ２２の平面サイズは８×７ｍｍであり、その深さは０．４ｍｍである。空気逃げ用貫通孔２４はドリル等で形成され、その直径は０．５ｍｍである。
【００２３】
さて、まず、メイン基板１の配線のランド上に鉛フリー半田ペーストを印刷により塗布する。次に、メイン基板１上に、半田バンプ１３を有する第１の半導体部品１１を位置決めしてただ単に載置する。次に、第１の半導体部品１１を含むメイン基板１上に、半田バンプ２５を有するキャビティ基板２１を位置決めしてただ単に載置する。この場合、キャビティ基板２１上に第２の半導体部品３１およびチップ部品４１を予め実装しておいてもよい。
【００２４】
次に、リフロー炉を用いてリフローを行うことにより、半田バンプ１３、２５を溶融させた後凝固させ、メイン基板１上に第１の半導体部品１１を半田バンプ１３を介して実装し、且つ、第１の半導体部品１１を含むメイン基板１上にキャビティ基板２１を半田バンプ２５を介して実装する。この場合、第１の半導体部品１１およびキャビティ基板２１を実装するためのリフロー工程は１回であるので、リフロー工程数が増加しないようにすることができる。
【００２５】
次に、図４において、矢印Ａで示すように、キャビティ２２の開口部２３に沿ってアンダーフィル材塗布用のディスペンサ（図示せず）を移動させることにより、開口部２３の外側におけるメイン基板１上にアンダーフィル材２６を塗布する。すると、毛細管現象により、塗布されたアンダーフィル材２６が第１の半導体部品１１とメイン基板１との間を含むキャビティ２２内に浸透する。この場合、アンダーフィル材２６の塗布量は、キャビティ２２内に十分に充填することができる量とし、例えば１０ｍｇとする。
【００２６】
ところで、塗布されたアンダーフィル材２６が第１の半導体部品１１とメイン基板１との間を含むキャビティ２２内に浸透するとき、この浸透するアンダーフィル材２６によってキャビティ２２内の空気がキャビティ２２の開口部２３とは第１の半導体部品１１を挟んで反対側の奥部側に押し込まれるが、この押し込まれた空気は空気逃げ用貫通孔２４を介して外部に逃げてしまう。
【００２７】
次に、図４において、矢印Ｂおよび矢印Ｃでそれぞれ示すように、キャビティ２２の開口部２３の両側におけるキャビティ基板２１の２辺に沿ってディスペンサをそれぞれ移動させることにより、キャビティ基板２１の当該２辺の外側におけるメイン基板１上にアンダーフィル材２６をそれぞれ例えば６ｍｇずつ塗布する。すると、毛細管現象により、塗布されたアンダーフィル材２６がキャビティ基板２１の当該２辺とメイン基板１との間にそれぞれ浸透する。
【００２８】
かくして、第１の半導体部品１１とメイン基板１との間およびキャビティ基板２１と第１の半導体部品１１を含むメイン基板１との間にアンダーフィル材２６が浸透し、且つ、キャビティ基板２１の周側面およびその周囲におけるメイン基板１の上面にアンダーフィル材２６がフィレット状に形成される。
【００２９】
この場合、キャビティ２２内の空気はすべて空気逃げ用貫通孔２４を介して外部に逃げてしまうため、第１の半導体部品１１とメイン基板１との間およびキャビティ基板２１と第１の半導体部品１１を含むメイン基板１との間にアンダーフィル材２６が完全に充填され、且つ、キャビティ基板２１の周側面およびその周囲におけるメイン基板１の上面にフィレット状に形成されたアンダーフィル材２６中に気泡が残存することはない。したがって、半田バンプ１３、２５による接続信頼性を大幅に向上させることができる。
【００３０】
ここで、キャビティ２２の開口部２３の外側におけるメイン基板１上にアンダーフィル材２６を塗布して、１０秒以上、例えば１５秒経過した後に、キャビティ基板２１の当該２辺の外側におけるメイン基板１上にアンダーフィル材２６をそれぞれ塗布するようにする方が望ましい。これは、キャビティ２２の開口部２３の外側におけるメイン基板１上に塗布されたアンダーフィル材２６がキャビティ２２内に浸透する時間を稼ぐことにより、キャビティ２２内へのアンダーフィル材２６の充填性を高めるためである。
【００３１】
また、キャビティ２２の開口部２３とは第１の半導体部品１１を挟んで反対側におけるキャビティ基板２１の１辺の外側におけるメイン基板１上にはアンダーフィル材２６は塗布しない。これは、キャビティ２２の奥部に押し込まれた空気が開口部２３側に向かって逆流するのを確実に防止するためである。
【００３２】
（第２実施形態）
図５はこの発明の第２実施形態としての電子部品の実装構造の図２同様の断面図を示す。この電子部品の実装構造において、図２に示す電子部品の実装構造と異なる点は、キャビティ基板２１に空気逃げ用貫通孔２４を設けずに、メイン基板１に空気逃げ用貫通孔２４を設けた点である。したがって、この場合には、キャビティ２２内の奥部に押し込まれた空気はメイン基板１に設けられた空気逃げ用貫通孔２４を介して外部に逃げることになる。
【００３３】
（第３実施形態）
図６はこの発明の第３実施形態としての電子部品の実装構造の図２同様の断面図を示し、図７は図６に示すキャビティ基板２１の平面図を示す。この電子部品の実装構造において、図２に示す電子部品の実装構造と異なる点は、キャビティ基板２１に空気逃げ用貫通孔２４を設けず、キャビティ基板２１下に設けられた半田バンプ２５のうち、キャビティ２２の開口部２３とは第１の半導体部品１１を挟んで反対側における所定の１列（または２列以上）の半田バンプを設けずに、この半田バンプを設けない部分によって空気逃げ用通路５１を形成した点である。
【００３４】
ここで、半田バンプ２５の高さが比較的低く、且つ、そのピッチが０．５ｍｍ未満である場合には、キャビティ２２の奥部に押し込まれた空気が半田バンプ２５やフラックス残さに阻害されて外部にほとんど排出されない。これに対し、この実施形態では、ピッチ０．４ｍｍの半田バンプが１列設けられていないので、幅０．６ｍｍの空気逃げ用通路５１が形成され、キャビティ２２内の奥部に押し込まれた空気はこの空気逃げ用通路５１を介して外部に逃げることができる。
【００３５】
（第４実施形態）
図８はこの発明の第４実施形態としての電子部品の実装構造の図６同様の断面図を示し、図９は図８に示すキャビティ基板２１の平面図を示す。この電子部品の実装構造において、図６および図７に示す電子部品の実装構造と異なる点は、半田バンプが設けられていない部分からなる空気逃げ用通路５１に対応する部分におけるキャビティ基板２１の下面側に空気逃げ用溝５２を設けた点である。
【００３６】
このようにした場合には、キャビティ２２内の奥部に押し込まれた空気を空気逃げ用通路５１のほかに空気逃げ用溝５１をも介して外部に逃がすことができるので、上記第３実施形態の場合よりもさらに大きな空気の逃げ道を確保することができ、ひいてはキャビティ２２内へのアンダーフィル材２６の充填性をより一層高めることができる。なお、空気逃げ用溝５１の幅は、一例として、半田バンプ２５のピッチと同じで０．４ｍｍである。
【００３７】
（その他の実施形態）
例えば、図２では、メイン基板１上に第１の半導体部品１１を半田バンプ１３を介して実装しているが、これに限定されるものではない。例えば、メイン基板１上に、コンデンサ、抵抗、コイル等からなるチップ部品を半田バンプを介して実装するようにしてもよい。また、例えば、図１では、キャビティ２２の左側をすべて開口しているが、これに限らず、例えば、第１の半導体部品１１に対応する部分のみを開口するようにしてもよい。
【００３８】
以下、この発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００３９】
（付記１）
付記１の発明は、メイン基板と、前記メイン基板上に実装された第１の電子部品と、前記第１の電子部品を含む前記メイン基板上に実装され、前記第１の電子部品を収容し、且つ、一部が側方に開口されたキャビティを有するキャビティ基板と、前記キャビティ基板上に実装された第２の電子部品と、前記第１の電子部品と前記メイン基板との間および前記キャビティ基板と前記第１の電子部品を含む前記メイン基板との間に少なくとも設けられたアンダーフィル材とを備え、前記アンダーフィル材が形成されるとき、前記キャビティ内の空気を外部に逃がすための空気逃げ部を有することを特徴とする電子部品の実装構造である。
【００４０】
（付記２）
付記２の発明は、付記１に記載の発明において、前記空気逃げ部は、前記キャビティの開口とは前記第１の電子部品を挟んで反対側における前記キャビティに対応する部分における前記キャビティ基板に設けられた空気逃げ用貫通孔からなることを特徴とする電子部品の実装構造である。
【００４１】
（付記３）
付記３の発明は、付記１に記載の発明において、前記空気逃げ部は、前記キャビティの開口とは前記第１の電子部品を挟んで反対側における前記キャビティに対応する部分における前記メイン基板に設けられた空気逃げ用貫通孔からなることを特徴とする電子部品の実装構造である。
【００４２】
（付記４）
付記４の発明は、付記１に記載の発明において、前記空気逃げ部は、前記キャビティの開口とは前記第１の電子部品を挟んで反対側における前記キャビティに対応する部分における前記キャビティ基板下に半田バンプが設けられていない部分からなる空気逃げ用通路からなることを特徴とする電子部品の実装構造である。
【００４３】
（付記５）
付記５の発明は、付記４に記載の発明において、前記空気逃げ部は、さらに、前記空気逃げ用通路に対応する部分における前記キャビティ基板の下面側に設けられた空気逃げ用溝を含むことを特徴とする電子部品の実装構造である。
【００４４】
（付記６）
付記６の発明は、付記１〜５のいずれかに記載の発明において、前記アンダーフィル材は、前記キャビティ基板の周囲に気泡を含まないでフィレット状に形成されていることを特徴とする電子部品の実装構造である。
【００４５】
（付記７）
付記７の発明は、メイン基板上に第１の電子部品を実装し、前記第１の電子部品を含む前記メイン基板上に、前記第１の電子部品を収容し、且つ、一部が側方に開口されたキャビティを有するキャビティ基板を実装し、前記第１の電子部品と前記メイン基板との間および前記キャビティ基板と前記第１の電子部品を含む前記メイン基板との間に少なくともアンダーフィル材を充填する電子部品の実装方法において、前記アンダーフィル材を充填するとき、前記キャビティ内の空気を空気逃げ部を介して外部に逃がすことを特徴とする電子部品の実装方法である。
【００４６】
（付記８）
付記８の発明は、付記７に記載の発明において、前記キャビティの開口の外側における前記メイン基板上にアンダーフィル材を塗布し、次いで前記キャビティの開口の両側における前記キャビティ基板の２辺の外側における前記メイン基板上にアンダーフィル材をそれぞれ塗布することを特徴とする電子部品の実装方法である。
【００４７】
（付記９）
付記９の発明は、付記８に記載の発明において、前記キャビティの開口の外側における前記メイン基板上にアンダーフィル材を塗布して、１０秒以上経過した後に、前記キャビティの開口の両側における前記キャビティ基板の２辺の外側における前記メイン基板上にアンダーフィル材をそれぞれ塗布することを特徴とする電子部品の実装方法である。
【符号の説明】
【００４８】
１  メイン基板
１１  第１の半導体部品
１３  半田バンプ
２１  キャビティ基板
２２  キャビティ
２３  開口部
２４  空気逃げ用貫通孔
２５  半田バンプ
２６  アンダーフィル材
３１  第２の半導体部品
３３  半田バンプ
４１  チップ部品
４２  半田バンプ
【図１】
2013062274.tif 000003
【図２】
2013062274.tif 000004
【図３】
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【図４】
2013062274.tif 000006
【図５】
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【図６】
2013062274.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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