(57)【要約】【課題】塗布法による薄膜の形成に適し、エレクトロニクス用材料として好適な架橋型重合体を提供する。【解決手段】下記式（Ａ)及び（Ｂ）で表される構造単位を含有する重合体。2013087216.tif 000283［式（Ａ）中、Ｐは式（Ｐ）で表される化合物に由来する基である。Ｌ１は連結基を表す。式（Ｂ）中、Ｑは式（Ｑ）で表される化合物に由来する基である。Ｌ２は連結基を表す。式（Ｂ）において、ｃ個のＱ及びｄ個のＬ２のうち、少なくとも１つは、架橋性基を有する。］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ａ)及び（Ｂ）で表される構造単位を含有する重合体。
【化６４】
2013087216.tif 000271
［式（Ａ）中、Ｐは下記式（Ｐ）で表される化合物に由来する基である。
【化６５】
2013087216.tif 000272
（式中、Ａ１はそれぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ２である。
Ｘ１は、単結合、Ｏ、Ｓ、ＣＲ２Ｒ３又はＮＲ２である。
Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基又はアリールシリル基である。）
ａは２〜５の整数であり、（Ｐ）ａは、上記（Ｐ）基がａ個連続して結合していることを表す。ａ個のＰはそれぞれ独立であり、また、Ｐ同士の結合位置は限定されない。
Ｌ１は連結基を表す。
ｂは、０〜５の整数であり、（Ｌ１）ｂは、ｂが２以上である場合、Ｌ１がｂ個連続して結合したことを表す。この場合、ｂ個のＬ１はそれぞれ独立であり、また、Ｌ１同士が結合する位置は限定されない。
式（Ａ）において、ＰとＬ１の結合位置は限定されない。
式（Ｂ）中、Ｑは下記式（Ｑ）で表される化合物に由来する基である。
【化６６】
2013087216.tif 000273
（式中、Ａ２はそれぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ６である。
Ｘ２は、単結合、Ｏ、Ｓ、ＣＲ６Ｒ７又はＮＲ６である。
Ｒ５〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、アリールシリル基、又は架橋性基である。）
ｃは２〜５の整数であり、（Ｑ）ｃは、上記（Ｑ）基がｃ個連続して結合していることを表す。ｃ個のＱはそれぞれ独立であり、また、Ｑ同士の結合位置は限定されない。
Ｌ２はそれぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換のアリールアミン残基、アリールシリレン基、又は架橋性基である。
ｄは、０〜５の整数であり、（Ｌ１）ｄは、ｄが２以上である場合、Ｌ２がｄ個連続して結合していることを表す。この場合、ｄ個のＬ２はそれぞれ独立であり、また、Ｌ２同士が結合する位置は限定されない。
式（Ｂ）において、ＱとＬ２の結合位置は限定されない。
式（Ｂ）において、ｃ個のＱ及びｄ個のＬ２のうち、少なくとも１つは、架橋性基を有する。］
【請求項２】
前記Ｐ又はＱが、置換又は無置換のカルバゾールの残基である請求項１に記載の重合体。
【請求項３】
ａ個連続した置換もしくは無置換のカルバゾール残基において隣接するカルバゾール残基同士の結合位置、又は、ｃ個連続した置換もしくは無置換のカルバゾール残基において隣接するカルバゾール残基同士の結合位置が、それぞれ、３位−３’位、３位−２’位、及び、２位−２’位から選ばれた一種である請求項２に記載の重合体。
【請求項４】
下記の構造１及び構造２の少なくとも一方を有する、請求項２又は３に記載の重合体。
構造１：前記（Ｐ）ａ中の１つの置換又は無置換のカルバゾール残基と、Ｌ１との結合位置が、該カルバゾール残基の９位、３位又は２位である。
構造２：前記（Ｑ）ｃ中の１つの置換又は無置換のカルバゾール残基と、Ｌ２との結合位置が、該カルバゾール残基の９位、３位又は２位である。
【請求項５】
下記の構造３及び構造４の少なくとも一方を有する、請求項２〜４のいずれかに記載の重合体。
構造３：前記（Ｐ）ａ中の１つの置換又は無置換のカルバゾール残基と、Ｌ２との結合位置が、該カルバゾール残基の９位、３位又は２位である。
構造４：前記（Ｑ）ｃ中の１つの置換又は無置換のカルバゾール残基と、Ｌ１との結合位置が、該カルバゾール残基の９位、３位又は２位である。
【請求項６】
前記ａ又はｃが、それぞれ２又は３である請求項１〜５のいずれかに記載の重合体。
【請求項７】
下記式（１）〜（７）のいずれかで表される請求項１〜６のいずれかに記載の重合体。
【化６７】
2013087216.tif 000274
【化６８】
2013087216.tif 000275
（各式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｌ１及びＬ２は、前記式（Ａ）及び（Ｂ）のＲ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｌ１及びＬ２と同様である。
ｍ及びｎはそれぞれ、重合体に占める各構造単位の含有率（モル比）を表し、ｍは０．０１〜０．９９、ｎは０．０１〜０．９９であり、ｍ＋ｎ＝１である。
ｌは、０又は１である。）
【請求項８】
下記式（８）〜（２５）のいずれかで表される請求項７に記載の重合体。
【化６９】
2013087216.tif 000276
【化７０】
2013087216.tif 000277
【化７１】
2013087216.tif 000278
【化７２】
2013087216.tif 000279
（各式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｌ１及びＬ２は、前記式（Ａ）及び（Ｂ）のＲ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｌ１及びＬ２と同様である。
ｍ及びｎはそれぞれ、重合体に占める各構造単位の含有率（モル比）を表し、ｍは０．０１〜０．９９、ｎは０．０１〜０．９９であり、ｍ＋ｎ＝１である。）
【請求項９】
前記式（１）〜（２５）で表される各重合体の、Ｒ５の少なくとも１つ又はＲ６の少なくとも１つが架橋性基であり、Ｌ２は架橋性基ではない、請求項７又は８の重合体。
【請求項１０】
前記架橋性基が、下記式（３１）〜（４２）で示される基から選択される基である請求項１〜９のいずれかに記載の重合体。
【化７３】
2013087216.tif 000280
【請求項１１】
前記式（１）〜（２１）で表される各重合体のＬ２の少なくとも１つが架橋性基であり、Ｒ５及びＲ６が架橋性基ではない請求項７又は８の重合体。
【請求項１２】
前記架橋性基であるＬ２が、下記式（４３）〜（４６）で示される基から選択される基である請求項１１に記載の重合体。
【化７４】
2013087216.tif 000281
（式（４５）及び（４６）において、ｏは、１〜１０の整数である。）
【請求項１３】
前記式（１）〜（２５）で表される各重合体の、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５及びＲ６の少なくとも１つが、下記式（５１）〜（５５）で表される基から選択される基である請求項８〜１２のいずれかに記載の重合体。
【化７５】
2013087216.tif 000282
（式中、Ｒ１１〜Ｒ２３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜４０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。
ａ、ｃ、ｄ、ｆ、ｇ、及びｉは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。
ｂ、ｅ、ｈ及びｊは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。
Ｔ１〜Ｔ５はそれぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環基又は環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基である。）
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の重合体及び溶媒を含む塗布液。
【請求項１５】
前記溶媒の少なくとも１種が有機溶媒である請求項１４に記載の塗布液。
【請求項１６】
請求項１４又は１５に記載の塗布液を用いて湿式成膜する電子素子の製造方法。
【請求項１７】
前記電子素子が、電界発光素子、光電変換素子又はトランジスタである請求項１６に記載の電子素子の製造方法。
【請求項１８】
前記電子素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項１６又は１７に記載の電子素子の製造方法。
【請求項１９】
陽極と陰極と、前記陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層を有し、
前記有機薄膜層の少なくとも１層が請求項１〜１３のいずれかに記載の重合体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
前記有機薄膜層の少なくとも1層が正孔注入層又は正孔輸送層である請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２１】
前記正孔注入層又は正孔輸送層が発光層と接している請求項２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２２】
前記発光層が湿式成膜法により成膜された請求項１９〜２１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、架橋型重合体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、自発光型で視野角依存性がなく、面発光、薄型化が可能であることから、テレビや携帯電話等のディスプレイや、照明等への応用が検討されている。
有機ＥＬ素子は、有機化合物の薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有している。薄膜の形成方法としては、蒸着法と塗布法とに大別される。蒸着法は、主に低分子化合物を用い、真空中で基板上に薄膜を形成する手法であり、製品化が先行している。一方、塗布法は、インクジェットや印刷等、溶液を用いて基板上に薄膜を形成する手法であり、材料の利用効率が高く、大面積化、高精細化に向いており、今後の大画面有機ＥＬディスプレイには不可欠とされる手法である。
【０００３】
低分子材料を用いた真空蒸着法は、材料の利用効率が極端に低く、また、大型化すればシャドーマスクのたわみが大きくなることから、大型基板への蒸着が難しく、その結果、大型の有機ＥＬ基板を用いた表示装置の作製が困難という問題がある。また、製造コストも高くなる。
【０００４】
一方、高分子系材料は、有機溶剤に溶かし込んだその溶液を、塗布することにより、均一な膜を形成することが可能であり、これを利用して、インクジェット法や印刷法に代表される塗布法を用いることができる。そのため、材料の利用効率を１００％近くまで高めることができる。また、小型基板から大型基板まで、さまざまな形状の基板に容易に対応できるため、素子の製造コストを大幅に削減することができる。
しかしながら、一般的に塗布法は積層型の素子には適さず、素子の高性能化が容易ではないという問題点がある。
【０００５】
塗布法が積層型に適さない理由としては、層を重ねる際に、先に形成してあった膜を溶かしてしまうことが挙げられる。具体的に、塗布積層型の有機発光素子において、正孔注入層及び正孔輸送層は、発光層を成膜する際に用いられる溶剤に対して不溶でなければならない。
そのため、現状では、塗布法による有機ＥＬ素子の多くは、正孔注入層をポリチオフェン：ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の水分散液を用いて製膜し、発光層をトルエン等の芳香族系有機溶媒を用いて製膜を行うという２層構造のものに限られている。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層はトルエンに溶解しないため、かかる２層構造を作製することが可能だからである。
従って、例えば、正孔注入層上に、正孔輸送層を形成し、さらに発光層を形成する場合には適用できなかった。
【０００６】
正孔注入層には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳに代表されるように、水溶性、又は、アルコールに溶解する材料が用いられる場合が多い。そのため、正孔輸送材料は、正孔注入層上にトルエン、キシレン、ジオキサン、シクロヘキサノン等の水系又はアルコール系以外の有機溶剤を用いて成膜し、積層される。
ここで、正孔輸送材料として、熱又は光架橋型の重合体を用いることが提案されている（特許文献１参照）。しかしながら、光架橋型の材料は、光によって劣化し、正孔輸送性、発光効率、素子寿命が低下するという問題があり、一方、熱架橋型の材料では、熱架橋後、シュリンクしたり、ピンホールが生じることがあるという問題がある。
また、熱架橋後、シュリンクしない場合でも、発光層の積層に用いる成膜用溶剤に溶解することがあるという問題がある（特許文献２−４参照）。
【０００７】
また、低分子化合物に重合可能な置換基を結合させた材料を用い、それを塗布後、重合させることにより、他層の塗布用溶媒への溶解度を下げ、多層構造を形成するという技術がある（例えば、特許文献５参照）。しかしながら、低分子化合物は、それ自体結晶化しやすい傾向があるため、良質な薄膜を形成しにくいという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−２５７１９６号公報
【特許文献２】特開２００８−６３３２７号公報
【特許文献３】特開２００９−２８３５０９号公報
【特許文献４】特開２０１１−８２０５２号公報
【特許文献５】特開２００６−２７９００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、塗布法による薄膜の形成に適し、エレクトロニクス用材料として好適な架橋型重合体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、鋭意検討した結果、カルバゾール又はカルバゾールに類似する化合物に由来する構造単位（後述するＰ及びＱ基）を有する架橋型重合体が、安定的かつ容易に良質な薄膜を形成でき、また、熱などによる架橋反応によって溶解度が変化することにより、この材料がエレクトロニクス用材料として有用であることを見出し、本発明を完成させた。
【００１１】
本発明によれば、以下の重合体等が提供される。
１．下記式（Ａ)及び（Ｂ）で表される構造単位を含有する重合体。
【化１】
2013087216.tif 000002
［式（Ａ）中、Ｐは下記式（Ｐ）で表される化合物に由来する基である。
【化２】
2013087216.tif 000003
（式中、Ａ１はそれぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ２である。
Ｘ１は、単結合、Ｏ、Ｓ、ＣＲ２Ｒ３又はＮＲ２である。
Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基又はアリールシリル基である。）
ａは２〜５の整数であり、（Ｐ）ａは、上記（Ｐ）基がａ個連続して結合していることを表す。ａ個のＰはそれぞれ独立であり、また、Ｐ同士の結合位置は限定されない。
Ｌ１は連結基を表す。
ｂは、０〜５の整数であり、（Ｌ１）ｂは、ｂが２以上である場合、Ｌ１がｂ個連続して結合したことを表す。この場合、ｂ個のＬ１はそれぞれ独立であり、また、Ｌ１同士が結合する位置は限定されない。
式（Ａ）において、ＰとＬ１の結合位置は限定されない。
式（Ｂ）中、Ｑは下記式（Ｑ）で表される化合物に由来する基である。
【化３】
2013087216.tif 000004
（式中、Ａ２はそれぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ６である。
Ｘ２は、単結合、Ｏ、Ｓ、ＣＲ６Ｒ７又はＮＲ６である。
Ｒ５〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、アリールシリル基、又は架橋性基である。）
ｃは２〜５の整数であり、（Ｑ）ｃは、上記（Ｑ）基がｃ個連続して結合していることを表す。ｃ個のＱはそれぞれ独立であり、また、Ｑ同士の結合位置は限定されない。
Ｌ２はそれぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換のアリールアミン残基、アリールシリレン基、又は架橋性基である。
ｄは、０〜５の整数であり、（Ｌ１）ｄは、ｄが２以上である場合、Ｌ２がｄ個連続して結合していることを表す。この場合、ｄ個のＬ２はそれぞれ独立であり、また、Ｌ２同士が結合する位置は限定されない。
式（Ｂ）において、ＱとＬ２の結合位置は限定されない。
式（Ｂ）において、ｃ個のＱ及びｄ個のＬ２のうち、少なくとも１つは、架橋性基を有する。］
２．前記Ｐ又はＱが、置換又は無置換のカルバゾールの残基である１に記載の重合体。
３．ａ個連続した置換もしくは無置換のカルバゾール残基において隣接するカルバゾール残基同士の結合位置、又は、ｃ個連続した置換もしくは無置換のカルバゾール残基において隣接するカルバゾール残基同士の結合位置が、それぞれ、３位−３’位、３位−２’位、及び、２位−２’位から選ばれた一種である２に記載の重合体。
４．下記の構造１及び構造２の少なくとも一方を有する、２又は３に記載の重合体。
構造１：前記（Ｐ）ａ中の１つの置換又は無置換のカルバゾール残基と、Ｌ１との結合位置が、該カルバゾール残基の９位、３位又は２位である。
構造２：前記（Ｑ）ｃ中の１つの置換又は無置換のカルバゾール残基と、Ｌ２との結合位置が、該カルバゾール残基の９位、３位又は２位である。
５．下記の構造３及び構造４の少なくとも一方を有する、２〜４のいずれかに記載の重合体。
構造３：前記（Ｐ）ａ中の１つの置換又は無置換のカルバゾール残基と、Ｌ２との結合位置が、該カルバゾール残基の９位、３位又は２位である。
構造４：前記（Ｑ）ｃ中の１つの置換又は無置換のカルバゾール残基と、Ｌ１との結合位置が、該カルバゾール残基の９位、３位又は２位である。
６．前記ａ又はｃが、それぞれ２又は３である１〜５のいずれかに記載の重合体。
７．下記式（１）〜（７）のいずれかで表される１〜６のいずれかに記載の重合体。
【化４】
2013087216.tif 000005
【化５】
2013087216.tif 000006
（各式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｌ１及びＬ２は、前記式（Ａ）及び（Ｂ）のＲ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｌ１及びＬ２と同様である。
ｍ及びｎはそれぞれ、重合体に占める各構造単位の含有率（モル比）を表し、ｍは０．０１〜０．９９、ｎは０．０１〜０．９９であり、ｍ＋ｎ＝１である。
ｌは、０又は１である。）
８．下記式（８）〜（２５）のいずれかで表される７に記載の重合体。
【化６】
2013087216.tif 000007
【化７】
2013087216.tif 000008
【化８】
2013087216.tif 000009
【化９】
2013087216.tif 000010
（各式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｌ１及びＬ２は、前記式（Ａ）及び（Ｂ）のＲ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｌ１及びＬ２と同様である。
ｍ及びｎはそれぞれ、重合体に占める各構造単位の含有率（モル比）を表し、ｍは０．０１〜０．９９、ｎは０．０１〜０．９９であり、ｍ＋ｎ＝１である。）
９．前記式（１）〜（２５）で表される各重合体の、Ｒ５の少なくとも１つ又はＲ６の少なくとも１つが架橋性基であり、Ｌ２は架橋性基ではない、７又は８の重合体。
１０．前記架橋性基が、下記式（３１）〜（４２）で示される基から選択される基である１〜９のいずれかに記載の重合体。
【化１０】
2013087216.tif 000011
１１．前記式（１）〜（２１）で表される各重合体のＬ２の少なくとも１つが架橋性基であり、Ｒ５及びＲ６が架橋性基ではない７又は８の重合体。
１２．前記架橋性基であるＬ２が、下記式（４３）〜（４６）で示される基から選択される基である１１に記載の重合体。
【化１１】
2013087216.tif 000012
（式（４５）及び（４６）において、ｏは、１〜１０の整数である。）
１３．前記式（１）〜（２５）で表される各重合体の、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５及びＲ６の少なくとも１つが、下記式（５１）〜（５５）で表される基から選択される基である８〜１２のいずれかに記載の重合体。
【化１２】
2013087216.tif 000013
（式中、Ｒ１１〜Ｒ２３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜４０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。
ａ、ｃ、ｄ、ｆ、ｇ、及びｉは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。
ｂ、ｅ、ｈ及びｊは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。
Ｔ１〜Ｔ５はそれぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環基又は環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基である。）
１４．上記１〜１３のいずれかに記載の重合体及び溶媒を含む塗布液。
１５．前記溶媒の少なくとも１種が有機溶媒である１４に記載の塗布液。
１６．上記１４又は１５に記載の塗布液を用いて湿式成膜する電子素子の製造方法。
１７．前記電子素子が、電界発光素子、光電変換素子又はトランジスタである１６に記載の電子素子の製造方法。
１８．前記電子素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子である１６又は１７に記載の電子素子の製造方法。
１９．陽極と陰極と、前記陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層を有し、
前記有機薄膜層の少なくとも１層が１〜１３のいずれかに記載の重合体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
２０．前記有機薄膜層の少なくとも１層が正孔注入層又は正孔輸送層である１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
２１．前記正孔注入層又は正孔輸送層が発光層と接している２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
２２．前記発光層が湿式成膜法により成膜された１９〜２１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、塗布法による薄膜の形成に適し、エレクトロニクス用材料として好適な架橋型重合体を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の重合体は、下記式（Ａ)及び（Ｂ）で表される構造単位を含有することを特徴とする。
【化１３】
2013087216.tif 000014
【００１４】
式（Ａ）及び（Ｂ）において、Ｐ及びＱはカルバゾール又はカルバゾールに類似する化合物由来の基であり、Ｌ１及びＬ２は連結基である。上記式（Ａ）の構造単位は架橋性基を有さず、上記式（Ｂ）の構造単位は、架橋性基を１以上有する。本発明の重合体は、式（Ａ)及び（Ｂ）で表される構造単位を有することにより、成膜後に架橋して得られる膜の表面平坦性が高くなる。また、塗布に用いる有機溶剤への耐性が高くなる。
【００１５】
上記式（Ａ）において、Ｐは下記式（Ｐ）で表される化合物に由来する基である。
【化１４】
2013087216.tif 000015
【００１６】
式（Ｐ）中、Ａ１はそれぞれ窒素原子又はＣＲ２である。
Ｘ１は、単結合、Ｏ、Ｓ、ＣＲ２Ｒ３又はＮＲ２である。
Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基又は置換もしくは無置換のアリールアミノ基である。
式（Ｐ）中のＲ１〜Ｒ３の少なくとも１つは、ＰやＬ１等である他の基と結合する単結合である。
【００１７】
ａは２〜５の整数であり、２又は３が好ましい。（Ｐ）ａは、上記（Ｐ）基がａ個連続して結合していることを表す。ａ個のＰはそれぞれ独立であり、また、Ｐ同士の結合位置は限定されない。
Ｌ１は連結基を表わす。Ｌ１は、好ましくは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換のアリールアミン残基、又はアリールシリレン基である。また、これらの基を２以上連結した基である。この場合、各基は同一でも異なっていてもよい。
【００１８】
ｂは、０〜５の整数であり、（Ｌ１）ｂは、ｂが２以上である場合、Ｌ１がｂ個連続して結合したことを表す。この場合、ｂ個のＬ１はそれぞれ独立であり、また、Ｌ１同士が結合する位置は限定されない。
式（Ａ）において、ＰとＬ１の結合位置は限定されない。
【００１９】
式（Ｂ）中、Ｑは下記式（Ｑ）で表される化合物に由来する基である。
【化１５】
2013087216.tif 000016
【００２０】
式中、Ａ２はそれぞれ窒素原子又はＣＲ６である。
Ｘ２は、単結合、Ｏ、Ｓ、ＣＲ６Ｒ７又はＮＲ６である。
Ｒ５〜Ｒ７は、それぞれ独立に、上述したＲ１〜Ｒ３と同様な基又は架橋性基である。
【００２１】
ｃは２〜５の整数であり、２又は３が好ましい。（Ｑ）ｃは、上記（Ｑ）基がｃ個連続して結合していることを表す。ｃ個のＱはそれぞれ独立であり、また、Ｑ同士の結合位置は限定されない。
Ｌ２はそれぞれ独立に、上述したＬ１と同様な基又は架橋性基である。
ｄは、０〜５の整数であり、（Ｌ２）ｄは、ｄが２以上である場合、Ｌ２がｄ個連続して結合したことを表す。この場合、ｄ個のＬ２はそれぞれ独立であり、また、Ｌ２同士が結合する位置は限定されない。
式（Ｂ）において、ＱとＬ２の結合位置は限定されない。
式（Ｂ）において、ｃ個のＱ及びｄ個のＬ２のうち、少なくとも１つは、架橋性基を有する。
【００２２】
本発明の重合体は、上述した構造単位（Ａ）及び（Ｂ）を有していればよく、本発明の効果を阻害しない範囲において、他の構造単位、例えば、α−オレフィンに由来する構造単位を有していてもよい。
好ましくは、構造単位（Ａ）及び（Ｂ）が交互に結合している重合体である。構造単位（Ａ）及び（Ｂ）が交互に結合している例（ＡＢ）を以下に示す。下記例は−ＡＢＡＢ−に相当する。
【化１６】
2013087216.tif 000017
【００２３】
本発明では、上記Ｐ又はＱ基が、置換又は無置換のカルバゾール残基であることが好ましい。
また、ａ個連続した置換又は無置換のカルバゾール残基において、隣接するカルバゾール残基同士の結合位置、又はｃ個連続した置換又は無置換のカルバゾール残基において、隣接するカルバゾール残基同士の結合位置は、それぞれ、３位−３’位、３位−２’位、又は、２位−２’位から選ばれた一つである場合が好ましい。例として、２つのＰの結合形態を以下に示す。
【００２４】
【化１７】
2013087216.tif 000018
【００２５】
また、下記の構造１及び構造２の少なくとも一方を有することが好ましい。
構造１：（Ｐ）ａ中の１つの置換又は無置換のカルバゾール残基と、Ｌ１との結合位置が、該カルバゾール残基の９位、３位又は２位である。
構造２：（Ｑ）ｃ中の１つの置換又は無置換のカルバゾール残基と、Ｌ２との結合位置が、該カルバゾール残基の９位、３位又は２位である。
さらに、下記の構造３及び構造４の少なくとも一方を有することが好ましい。
構造３：前記（Ｐ）ａ中の１つの置換又は無置換のカルバゾール残基と、Ｌ２との結合位置が、該カルバゾール残基の９位、３位又は２位である。
構造４：前記（Ｑ）ｃ中の１つの置換又は無置換のカルバゾール残基と、Ｌ１との結合位置が、該カルバゾール残基の９位、３位又は２位である。
上記の例として、カルバゾール残基とＬ１との結合位置を以下に示す。
【００２６】
【化１８】
2013087216.tif 000019
【００２７】
また、上記Ｒ１〜Ｒ３の少なくとも１つ、及びＲ５〜Ｒ７の少なくとも１つが、下記式（５１）〜（５５）で表される基から選択される基であることが好ましい。
【化１９】
2013087216.tif 000020
【００２８】
式中、Ｒ１１〜Ｒ２３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜４０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。
ａ、ｃ、ｄ、ｆ、ｇ、及びｉは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。
ｂ、ｅ、ｈ及びｊは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。
【００２９】
Ｒ１７は、好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基である。
Ｔ１〜Ｔ５はそれぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環基、又は環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基である。
【００３０】
以下、上述した式の各基の例について説明する。
尚、本願の「水素原子」は、重水素原子及び三重水素原子も含む。また、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味し、「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、及び芳香環を含む）を構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。
【００３１】
置換又は無置換の炭素数１〜２０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デカニル基、ｎ−ウンデカニル基、ｎ−ドデカニル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、が挙げられる。
【００３２】
また、Ｌ１及びＬ２のアルキレン基（アルカン残基）としては、上述のアルキル基に対応する残基が挙げられる。
【００３３】
置換又は無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、４−フルオロシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられ、好ましくはシクロペンチル基、シクロヘキシル基である。
【００３４】
また、Ｌ１及びＬ２のシクロアルキレン基（シクロアルカン残基）としては、上述のシクロアルキル基に対応する残基が挙げられる。
【００３５】
置換又は無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜３０）のアリール基（１価の芳香族炭化水素基）としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、ビフェニル−２−イル基、ビフェニル−３−イル基、ビフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニル−４−イル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、フルオレン−１−イル基、フルオレン−２−イル基、フルオレン−３−イル基、フルオレン−４−イル基等が挙げられる。
【００３６】
中でも、好ましくはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、ビフェニル−２−イル基、ビフェニル−３−イル基、ビフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、フルオレン−２−イル基、フルオレン−３−イル基であり、より好ましくはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、フルオレン−２−イル基、フルオレン−３−イル基である。
【００３７】
芳香族炭化水素環基の二価以上の基としては、上述したアリール基から水素原子を除くことにより導かれる基が挙げられる。
【００３８】
置換又は無置換の環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基（１価の芳香族複素環基）としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル−１−インドリル基、４−ｔ−ブチル−１−インドリル基、２−ｔ−ブチル−３−インドリル基、４−ｔ−ブチル−３−インドリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−ベンゾチオフェニル基、３−チオフェニル基、４−チオフェニル基、５−チオフェニル基、６−チオフェニル基、７−チオフェニル基、１−イソチオフェニル基、３−イソチオフェニル基、４−イソチオフェニル基、５−イソチオフェニル基、６−イソチオフェニル基、７−イソチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基等が挙げられる。
【００３９】
好ましくは、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、２−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基である。
【００４０】
芳香族複素環基の二価以上の基としては、上述したヘテロアリール基から水素原子を除くことにより導かれる基が挙げられる。
【００４１】
置換アミノ基としては、置換もしくは無置換のモノもしくはジアルキルアミノ基、又は置換もしくは無置換のモノもしくはジアリールアミノ基が挙げられる。
アルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基としては、アルキル部分が上述したアルキル基であるものが挙げられる。
アリールアミノ基としては、ジアリールアミノ基及びアルキルアリールアミノ基が挙げられる。窒素原子に結合するアルキル基及びアリール基の例としては上述のアリール基及びアルキル基が挙げられる。
また、Ｌ１及びＬ２のアリールアミン残基としては、トリアリールアミン残基及びアルキルアリールアミン残基が挙げられる。窒素原子に結合するアルキル基及びアリール基の例としては上述のアリール基及びアルキル基が挙げられる。
【００４２】
置換シリル基としては、アルキル及び／又はアリールで置換されたシリル基が挙げられる。ケイ素原子に結合するアルキル基及びアリール基の例としては上述のアリール基及びアルキル基が挙げられる。尚、シリル基に置換しているアルキル基は、同一でも異なっていてもよい。同様に、シリル基に置換しているアリール基は、同一でも異なっていてもよい。
具体的に、トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリブチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、トリペンチルシリル基、トリヘプチルシリル基、トリヘキシルシリル基等が挙げられる。好ましくはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基である。
アリールシリル基としては、アルキルアリールシリル基やトリアリールシリル基が挙げられる。トリアリールシリル基としては、トリフェニルシリル基、トリナフチルシリル基等が挙げられる。好ましくはトリフェニルシリル基である。アルキルアリールシリル基としては、ジメチルフェニルシリル基、ジエチルフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、エチルジフェニルシリル基等が挙げられる。好ましくはジフェニルメチルシリル基、エチルジフェニルシリル基である。
【００４３】
炭素数１〜２０のアルコキシ基は、−ＯＹと表され、Ｙの例として上記のアルキル基の例が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基である。
【００４４】
環形成炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基は、−ＯＹと表され、Ｙの例として上記のシクロアルキル基の例が挙げられる。シクロアルコキシ基は、例えばシクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基である。
【００４５】
環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基は、−ＯＹと表され、Ｙの例として上記の芳香族炭化水素環の例が挙げられる。アリールオキシ基は、例えばフェノキシ基である。
【００４６】
炭素数７〜４０のアラルキル基は、−Ｙ−Ｚと表され、Ｙの例として上記のアルキル基の例に対応するアルキレンの例が挙げられ、Ｚの例として上記のアリール基の例が挙げられる。アラルキル基のアリール部分は、炭素数が６〜３０が好ましい。アルキル部分は炭素数１〜１０が好ましく、特に好ましくは１〜６である。例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、２−フェニルプロパン−２−イル基である。
【００４７】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
【００４８】
上記各基の置換基としては、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数６〜２４のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜２４のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数６〜２４のアリール基、環形成原子数５〜２４のヘテロアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基である。具体的には、上記のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、アルキルアリールシリル基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基が挙げられる。さらに、これらの基が同様の置換基を有していてもよい。
アルケニル基としては、上述したアルキル基の分子内に不飽和結合を有する置換基が挙げられる。
【００４９】
本発明において架橋性基は、公知の不飽和二重結合やエポキシ基、オキタセン等の熱、光、酸、電子線等により「架橋性能を有する部分」を有する基を意味する。架橋性基としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。
【化２０】
2013087216.tif 000021
【００５０】
上記各式において、ｎは０〜１０の整数を表す。
ＲＸは、水素原子、アルキル基又はハロゲンを表す。アルキル基としては、炭素数１〜２０のものが挙げられ、特に、好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基である。
ＲＹは、水素原子、アルキル基、アミノ基、アリール基、ハロゲン原子、アミド基又はカルボニル基を表す。アルキル基としては、炭素数１〜２０のものが挙げられ、特に、好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基である。
【００５１】
具体的には、下記式（３１）〜（４２）で示される基から選択される基が好ましい。
【化２１】
2013087216.tif 000022
【００５２】
尚、架橋性基は上記Ｌ１及びＬ２で例示した連結基に上記の架橋性基を結合した基も含む。なかでも、下記式（４３）〜（４６）で示される基から選択される基が好ましい。
【化２２】
2013087216.tif 000023
（式（４５）及び（４６）において、ｏは、１〜１０の整数である。）
【００５３】
本発明の重合体は、下記式（１）〜（７）で表されるものが好ましい。なかでも、下記式（８）〜（２５）で表されるものが好ましい。尚、下記式においては、構造単位ＡとＢの結合状態、及び重合体に占める含有率を表記するために、便宜上、ブロック共重合体のように記載されているが、ブロック共重合体のみを示すものではない。本発明の重合体はブロック共重合体に限定されず、ランダム共重合体（例えば、―ＡＢＢＡＢＢＢＡＡＡＢＡ―等）等も含む。
【００５４】
【化２３】
2013087216.tif 000024
【化２４】
2013087216.tif 000025
【化２５】
2013087216.tif 000026
【化２６】
2013087216.tif 000027
【化２７】
2013087216.tif 000028
【００５５】
上記の各式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｌ１及びＬ２は、上記式（Ａ）及び（Ｂ）のＲ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｌ１及びＬ２と同様である。
ｍ及びｎはそれぞれ、重合体に占める各構造単位の含有率（モル比）を表し、ｍは０．０１〜０．９９、ｎは０．０１〜０．９９であり、ｍ＋ｎ＝１である。
ｌは、０又は１である。
【００５６】
本発明では、上記式（１）〜（２５）で表される各重合体のＲ５の少なくとも１つ又はＲ６の少なくとも１つが架橋性基である重合体がより好ましい。この場合、Ｌ２は架橋性基であってもよいが、すべてのＬ２が架橋性基でなくともよい。
また、上記式（１）〜（２１）で表される各重合体のＬ２の少なくとも１つが架橋性基である重合体であることが好ましい。この場合、Ｒ５及びＲ６は架橋性基であってもよいが、すべてのＲ５及びＲ６が架橋性基でなくともよい。
【００５７】
また、式（１）〜（２５）で表される各重合体の、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５及びＲ６の少なくとも１つが、上述した式（５１）〜（５５）で表される基から選択される基であることが好ましい。
【００５８】
本発明の重合体の分子量は特に制限はなく、２量体以上のオリゴマーから超高分子体まで含まれる。
重合体は数平均分子量（Ｍｎ）で、好ましくは１０３〜１０８、より好ましくは５×１０３〜１０６である。また、重量平均分子量（Ｍｗ）で、好ましくは１０３〜１０８、より好ましくは５×１０３〜１０６である。また、Ｍｗ／Ｍｎで表される分子量分布は、特に制限はないが、１０以下が好ましく、３以下がさらに好ましい。
【００５９】
重合体の分子量が大きすぎると、ゲル化により素子作製において均質な製膜ができなくなる。一方、分子量が小さすぎると溶解性の制御が困難になる場合がある。
尚、数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）を用い、標準ポリスチレンで検量して求めることができる。
【００６０】
本発明の重合体は、構造単位Ａ及びＢのＰ、Ｑ、Ｌ１及びＬ２の各基に対応する重合性単量体を重合することにより得られる。
重合方法は特に限定されないが、上記各基に対応するジハライド誘導体と、ジボロン酸誘導体又はボロン酸エステル類誘導体をパラジウム触媒でカップリングさせる鈴木重合法が望ましい。ジハライド誘導体のハロゲンは、Ｃｌよりも、Ｂｒ又はＩがより好ましい。ジハライド誘導体のカップリング相手は、ボロン酸よりもボロン酸エステル類誘導体がより好ましい。特に、ボロン酸エステル類誘導体、ジピナコールエステル誘導体、ジ−１，３−プロパンジオール誘導体が好ましい。
【００６１】
本発明の重合体において、構造単位Ａと構造単位Ｂのモル比は、それぞれ、０．０１〜０．９９であることが好ましい。この範囲にて、重合体に要求される熱硬化性が得られるように調整すればよい。熱架橋性基を有する構造単位Ｂの含有率が高くなると、重合体の架橋性も高くなる。
さらに好ましくは、構造単位Ａのモル比が０．８５〜０．９９であり、特に好ましくは、０．９５〜０．９９である。
【００６２】
以下、本発明の重合体の具体例［化合物（１−１）〜（１９６−１８）］を示す。但し、本発明の重合体は、これらに限定されるものではない。
尚、以下の各表において、Ｈは水素原子であり、Ｈ−１〜Ｈ−１８、Ｈ−２９及びＨ−３０は以下の基を表す。ｍ及びｎはそれぞれ、重合体に占める各構造単位の含有率（モル比）を表し、ｍは０．０１〜０．９９、ｎは０．０１〜０．９９であり、ｍ＋ｎ＝１である。
また、上記式（１）〜（２５）と同様に、下記式においては構造単位ＡとＢの結合状態、及び重合体に占める含有率を表記するために、便宜上、ブロック共重合体のように記載されているが、ブロック共重合体のみを示すものではない。
【００６３】
【化２８】
2013087216.tif 000029
【００６４】
【表１】
2013087216.tif 000030
【００６５】
【表２】
2013087216.tif 000031
【００６６】
【表３】
2013087216.tif 000032
【００６７】
【表４】
2013087216.tif 000033
【００６８】
【表５】
2013087216.tif 000034
【００６９】
【表６】
2013087216.tif 000035
【００７０】
【表７】
2013087216.tif 000036
【００７１】
【表８】
2013087216.tif 000037
【００７２】
【表９】
2013087216.tif 000038
【００７３】
【表１０】
2013087216.tif 000039
【００７４】
【表１１−１】
2013087216.tif 000040
【００７５】
【表１１−２】
2013087216.tif 000041
【００７６】
【表１２−１】
2013087216.tif 000042
【００７７】
【表１２−２】
2013087216.tif 000043
【００７８】
【表１３−１】
2013087216.tif 000044
【００７９】
【表１３−２】
2013087216.tif 000045
【００８０】
【表１４−１】
2013087216.tif 000046
【００８１】
【表１４−２】
2013087216.tif 000047
【００８２】
【表１５】
2013087216.tif 000048
【００８３】
【表１６】
2013087216.tif 000049
【００８４】
【表１７】
2013087216.tif 000050
【００８５】
【表１８】
2013087216.tif 000051
【００８６】
【表１９】
2013087216.tif 000052
【００８７】
【表２０】
2013087216.tif 000053
【００８８】
【表２１】
2013087216.tif 000054
【００８９】
【表２２】
2013087216.tif 000055
【００９０】
【表２３】
2013087216.tif 000056
【００９１】
【表２４】
2013087216.tif 000057
【００９２】
【表２５】
2013087216.tif 000058
【００９３】
【表２６】
2013087216.tif 000059
【００９４】
【表２７】
2013087216.tif 000060
【００９５】
【表２８】
2013087216.tif 000061
【００９６】
【表２９】
2013087216.tif 000062
【００９７】
【表３０】
2013087216.tif 000063
【００９８】
【表３１】
2013087216.tif 000064
【００９９】
【表３２】
2013087216.tif 000065
【０１００】
【表３３】
2013087216.tif 000066
【０１０１】
【表３４】
2013087216.tif 000067
【０１０２】
【表３５】
2013087216.tif 000068
【０１０３】
【表３６】
2013087216.tif 000069
【０１０４】
【表３７】
2013087216.tif 000070
【０１０５】
【表３８】
2013087216.tif 000071
【０１０６】
【表３９】
2013087216.tif 000072
【０１０７】
【表４０】
2013087216.tif 000073
【０１０８】
【表４１】
2013087216.tif 000074
【０１０９】
【表４２】
2013087216.tif 000075
【０１１０】
【表４３】
2013087216.tif 000076
【０１１１】
【表４４】
2013087216.tif 000077
【０１１２】
【表４５】
2013087216.tif 000078
【０１１３】
【表４６】
2013087216.tif 000079
【０１１４】
【表４７】
2013087216.tif 000080
【０１１５】
【表４８】
2013087216.tif 000081
【０１１６】
【表４９】
2013087216.tif 000082
【０１１７】
【表５０】
2013087216.tif 000083
【０１１８】
【表５１】
2013087216.tif 000084
【０１１９】
【表５２】
2013087216.tif 000085
【０１２０】
【表５３】
2013087216.tif 000086
【０１２１】
【表５４】
2013087216.tif 000087
【０１２２】
【表５５】
2013087216.tif 000088
【０１２３】
【表５６】
2013087216.tif 000089
【０１２４】
【表５７】
2013087216.tif 000090
【０１２５】
【表５８】
2013087216.tif 000091
【０１２６】
【表５９】
2013087216.tif 000092
【０１２７】
【表６０】
2013087216.tif 000093
【０１２８】
【表６１】
2013087216.tif 000094
【０１２９】
【表６２】
2013087216.tif 000095
【０１３０】
【表６３】
2013087216.tif 000096
【０１３１】
【表６４】
2013087216.tif 000097
【０１３２】
【表６５】
2013087216.tif 000098
【０１３３】
【表６６】
2013087216.tif 000099
【０１３４】
【表６７】
2013087216.tif 000100
【０１３５】
【表６８】
2013087216.tif 000101
【０１３６】
【表６９】
2013087216.tif 000102
【０１３７】
【表７０】
2013087216.tif 000103
【０１３８】
【表７１】
2013087216.tif 000104
【０１３９】
【表７２】
2013087216.tif 000105
【０１４０】
【表７３】
2013087216.tif 000106
【０１４１】
【表７４】
2013087216.tif 000107
【０１４２】
【表７５】
2013087216.tif 000108
【０１４３】
【表７６】
2013087216.tif 000109
【０１４４】
【表７７】
2013087216.tif 000110
【０１４５】
【表７８】
2013087216.tif 000111
【０１４６】
【表７９】
2013087216.tif 000112
【０１４７】
【表８０】
2013087216.tif 000113
【０１４８】
【表８１】
2013087216.tif 000114
【０１４９】
【表８２】
2013087216.tif 000115
【０１５０】
【表８３】
2013087216.tif 000116
【０１５１】
【表８４】
2013087216.tif 000117
【０１５２】
【表８５】
2013087216.tif 000118
【０１５３】
【表８６】
2013087216.tif 000119
【０１５４】
【表８７】
2013087216.tif 000120
【０１５５】
【表８８】
2013087216.tif 000121
【０１５６】
【表８９】
2013087216.tif 000122
【０１５７】
【表９０】
2013087216.tif 000123
【０１５８】
【表９１】
2013087216.tif 000124
【０１５９】
【表９２】
2013087216.tif 000125
【０１６０】
【表９３】
2013087216.tif 000126
【０１６１】
【表９４】
2013087216.tif 000127
【０１６２】
【表９５】
2013087216.tif 000128
【０１６３】
【表９６】
2013087216.tif 000129
【０１６４】
【表９７】
2013087216.tif 000130
【０１６５】
【表９８】
2013087216.tif 000131
【０１６６】
【表９９】
2013087216.tif 000132
【０１６７】
【表１００】
2013087216.tif 000133
【０１６８】
【表１０１】
2013087216.tif 000134
【０１６９】
【表１０２】
2013087216.tif 000135
【０１７０】
【表１０３】
2013087216.tif 000136
【０１７１】
【表１０４】
2013087216.tif 000137
【０１７２】
【表１０５】
2013087216.tif 000138
【０１７３】
【表１０６】
2013087216.tif 000139
【０１７４】
【表１０７】
2013087216.tif 000140
【０１７５】
【表１０８】
2013087216.tif 000141
【０１７６】
【表１０９−１】
2013087216.tif 000142
【０１７７】
【表１０９−２】
2013087216.tif 000143
【０１７８】
【表１１０−１】
2013087216.tif 000144
【０１７９】
【表１１０−２】
2013087216.tif 000145
【０１８０】
【表１１１−１】
2013087216.tif 000146
【０１８１】
【表１１１−２】
2013087216.tif 000147
【０１８２】
【表１１２−１】
2013087216.tif 000148
【０１８３】
【表１１２−２】
2013087216.tif 000149
【０１８４】
【表１１３】
2013087216.tif 000150
【０１８５】
【表１１４】
2013087216.tif 000151
【０１８６】
【表１１５】
2013087216.tif 000152
【０１８７】
【表１１６】
2013087216.tif 000153
【０１８８】
【表１１７】
2013087216.tif 000154
【０１８９】
【表１１８】
2013087216.tif 000155
【０１９０】
【表１１９】
2013087216.tif 000156
【０１９１】
【表１２０】
2013087216.tif 000157
【０１９２】
【表１２１】
2013087216.tif 000158
【０１９３】
【表１２２】
2013087216.tif 000159
【０１９４】
【表１２３】
2013087216.tif 000160
【０１９５】
【表１２４】
2013087216.tif 000161
【０１９６】
【表１２５】
2013087216.tif 000162
【０１９７】
【表１２６】
2013087216.tif 000163
【０１９８】
【表１２７】
2013087216.tif 000164
【０１９９】
【表１２８】
2013087216.tif 000165
【０２００】
【表１２９】
2013087216.tif 000166
【０２０１】
【表１３０】
2013087216.tif 000167
【０２０２】
【表１３１】
2013087216.tif 000168
【０２０３】
【表１３２】
2013087216.tif 000169
【０２０４】
【表１３３】
2013087216.tif 000170
【０２０５】
【表１３４】
2013087216.tif 000171
【０２０６】
【表１３５】
2013087216.tif 000172
【０２０７】
【表１３６】
2013087216.tif 000173
【０２０８】
【表１３７】
2013087216.tif 000174
【０２０９】
【表１３８】
2013087216.tif 000175
【０２１０】
【表１３９】
2013087216.tif 000176
【０２１１】
【表１４０】
2013087216.tif 000177
【０２１２】
【表１４１】
2013087216.tif 000178
【０２１３】
【表１４２】
2013087216.tif 000179
【０２１４】
【表１４３】
2013087216.tif 000180
【０２１５】
【表１４４】
2013087216.tif 000181
【０２１６】
【表１４５】
2013087216.tif 000182
【０２１７】
【表１４６】
2013087216.tif 000183
【０２１８】
【表１４７】
2013087216.tif 000184
【０２１９】
【表１４８】
2013087216.tif 000185
【０２２０】
【表１４９】
2013087216.tif 000186
【０２２１】
【表１５０】
2013087216.tif 000187
【０２２２】
【表１５１】
2013087216.tif 000188
【０２２３】
【表１５２】
2013087216.tif 000189
【０２２４】
【表１５３】
2013087216.tif 000190
【０２２５】
【表１５４】
2013087216.tif 000191
【０２２６】
【表１５５】
2013087216.tif 000192
【０２２７】
【表１５６】
2013087216.tif 000193
【０２２８】
【表１５７】
2013087216.tif 000194
【０２２９】
【表１５８】
2013087216.tif 000195
【０２３０】
【表１５９】
2013087216.tif 000196
【０２３１】
【表１６０】
2013087216.tif 000197
【０２３２】
【表１６１】
2013087216.tif 000198
【０２３３】
【表１６２】
2013087216.tif 000199
【０２３４】
【表１６３】
2013087216.tif 000200
【０２３５】
【表１６４】
2013087216.tif 000201
【０２３６】
【表１６５】
2013087216.tif 000202
【０２３７】
【表１６６】
2013087216.tif 000203
【０２３８】
【表１６７】
2013087216.tif 000204
【０２３９】
【表１６８】
2013087216.tif 000205
【０２４０】
【表１６９】
2013087216.tif 000206
【０２４１】
【表１７０】
2013087216.tif 000207
【０２４２】
【表１７１】
2013087216.tif 000208
【０２４３】
【表１７２】
2013087216.tif 000209
【０２４４】
【表１７３】
2013087216.tif 000210
【０２４５】
【表１７４】
2013087216.tif 000211
【０２４６】
【表１７５】
2013087216.tif 000212
【０２４７】
【表１７６】
2013087216.tif 000213
【０２４８】
【表１７７】
2013087216.tif 000214
【０２４９】
【表１７８】
2013087216.tif 000215
【０２５０】
【表１７９】
2013087216.tif 000216
【０２５１】
【表１８０】
2013087216.tif 000217
【０２５２】
【表１８１】
2013087216.tif 000218
【０２５３】
【表１８２】
2013087216.tif 000219
【０２５４】
【表１８３】
2013087216.tif 000220
【０２５５】
【表１８４】
2013087216.tif 000221
【０２５６】
【表１８５】
2013087216.tif 000222
【０２５７】
【表１８６】
2013087216.tif 000223
【０２５８】
【表１８７】
2013087216.tif 000224
【０２５９】
【表１８８】
2013087216.tif 000225
【０２６０】
【表１８９】
2013087216.tif 000226
【０２６１】
【表１９０】
2013087216.tif 000227
【０２６２】
【表１９１】
2013087216.tif 000228
【０２６３】
【表１９２】
2013087216.tif 000229
【０２６４】
【表１９３】
2013087216.tif 000230
【０２６５】
【表１９４】
2013087216.tif 000231
【０２６６】
【表１９５】
2013087216.tif 000232
【０２６７】
【表１９６】
2013087216.tif 000233
【０２６８】
本発明の重合体は、塗布法によって薄膜を形成できる。塗布法としては、湿式成膜法が好適に用いられる。具体的に、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及び、それらとオフセット印刷法を組み合わせた印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー塗布スピンコート法、バーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スリットコート法、ロールコート法、キャップコート法、グラビアロールコート法、メニスカスコート法等が適用できる。特に微細なパターニングを要する場合、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及び、それらとオフセット印刷法を組み合わせた印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー塗布等が好ましい。また、転写前駆基板へ本重合体を前記の乾式または湿式成膜法により成膜した後、レーザー光や熱プレスなどで対象とする電極を有する配線基板上へ転写する方法を用いることもできる。これらの方法による成膜は当業者に周知の条件により行うことができ、その詳細は省略する。
【０２６９】
塗布法に使用する塗布液は、本発明の重合体と溶媒を含む。塗布液中の重合体は、溶媒に溶解していても、分散していてもよい。
溶媒は好ましくは有機溶媒であり、当該有機溶媒としては、例えばクロロホルム、クロロベンゼン、クロロトルエン、クロロキシレン、クロロアニソール、ジクロロメタン、ジクロロベンゼン、ジクロロトルエン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロベンゼン、トリクロロメチルベンゼン、ブロモベンゼン、ジブロモベンゼン、ブロモアニソール等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、オキサゾール、メチルベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、フラン、フラザン、ベンゾフラン、ジヒドロベンゾフラン等のエーテル系溶媒、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、トリメトキシベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ジイソプロピルベンゼン、ジブチルベンゼン、アミルベンゼン、ジヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ドデシルベンゼン、ベンゾニトリル、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、トルイル酸エチルエステル、トルエン、エチルトルエン、メトキシトルエン、ジメトキシトルエン、トリメトキシトルエン、イソプロピルトルエン、キシレン、ブチルキシレン、イソプロピルキシレン、アニソール、エチルアニソール、ジメチルアニソール、トリメチルアニソール、プロピルアニソール、イソプロピルアニソール、ブチルアニソール、メチルエチルアニソール、アネトールアニシルアルコール、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、ジフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、ベンジルメチルエーテル、ベンジルエチルエーテル、メチレンジオキシベンゼン、メチルナフタレン、テトラヒドロナフタレン、アニリン、メチルアニリン、エチルアニリン、ブチルアニリン、ビフェニル、メチルビフェニル、イソプロピルビフェニル等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロへキサン、メチルシクロへキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−へキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、テトラデカン、デカリン、イソプロピルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロへキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−へキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロへキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
【０２７０】
これらのうち、溶解性、成膜の均一性、粘度特性等の観点から、少なくともトルエン、キシレン、エチルベンゼン、アミルベンゼン、アニソール、４−メトキシトルエン、２−メトキシトルエン、１，２−ジメトキシベンゼン、メシチレン、テトラヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼン、２，３−ジヒドロベンゾフラン、シクロへキサノン、メチルシクロヘキサノンのいずれか一種以上を含むことが好ましい。
【０２７１】
また、本成膜用の溶液には、必要に応じて粘度の調整剤、表面張力の調整剤、架橋反応の開始剤、架橋反応の触媒を添加することもできる。なお、粘度の調整剤、表面張力の調整剤、架橋反応の開始剤、架橋反応の触媒は、膜中に残留しても素子特性に影響を与えないものを選択するか、成膜工程で膜中から除去できるものが望ましい。
本発明においては、溶媒中に重合体が少なくとも一種類以上含まれ、重合体が分散又は溶解され、分散体又は溶液となっているものが好ましい。
【０２７２】
成膜後、真空や加熱により乾燥し、溶媒を除去することにより、重合体の薄膜が形成できる。この薄膜を、光照射や加熱（例えば、２５０℃程度）し、重合体を架橋させるにより、得られる膜を完全に不溶化することができる。
【０２７３】
尚、薄膜形成時には、リン系酸化防止剤等、有機ＥＬ素子の性能に影響しない酸化防止剤や重合開始剤等の反応開始剤を配合してもよい。また、用途に合わせて、他の化合物（例えば、後述するアクセプター材料）等を配合してもよい。
【０２７４】
重合体を架橋（重合）して硬化する方法は、特に限定されないが、例えば、ラジカル重合法、イオン重合法、リビング重合法、ラジカルリビング重合法、配位重合等が挙げられる。
ラジカル重合法の開始剤としては、例えばアゾ化合物、過酸化物が挙げられ、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アゾビスイソブチル酸ジエステル誘導体、過酸化ジベンゾイル（ＢＰＯ）が好ましい。
カチオン重合の開始剤としては、各種強酸（ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等）、ルイス酸が好ましい。
また、光照射及び／又は熱処理にて、重合することも可能である。
【０２７５】
本発明の重合体は、塗布法によって薄膜が形成でき、得られる膜は正孔輸送性を有する。従って、エレクトロニクス用材料として有用である。例えば、エレクトロルミネッセンス素子、光電変換素子又はトランジスタ等の電子素子に使用できる。
特に、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、なかでも陽極と発光層間である正孔輸送領域で使用する材料（正孔輸送層、正孔注入層等）として好適である。
【０２７６】
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む１以上の有機薄膜層が挟持されている。そして、有機薄膜層の少なくとも１層が、本発明の重合体を含有する。
本発明では、陽極と発光層間に有機薄膜層を有し、この層が、本発明の重合体を含む有機薄膜層であることが好ましい。正孔輸送領域に形成される層としては、正孔輸送層や正孔注入層等が挙げられる。
また、正孔注入層又は正孔輸送層が発光層と接していることが好ましい。この場合、正孔注入層又は正孔輸送層に続いて、発光層を湿式成膜法により成膜することができる。
【０２７７】
本発明では、上記重合体が正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも１層の主成分として含有されていることがより好ましい。具体的には、正孔輸送層又は正孔注入層においては、本発明の重合体の含有量は、好ましくは５１〜１００重量％である。
【０２７８】
さらに、正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも１層が、アクセプター材料を含有することが好ましい。特に、陽極に接する層が含有することが好ましい。アクセプター材料を含有させることにより、正孔注入・輸送層中の正孔密度を増加したり、正孔移動度が高まるので、得られる有機ＥＬ素子の駆動電圧を低下させたり、キャリアバランスが向上して長寿命化する。
【０２７９】
アクセプター材料は、好ましくは電子吸引性の置換基又は電子欠乏環を有する有機化合物である。
電子吸引性の置換基として、例えば、ハロゲン、ＣＮ−、カルボニル基、アリールホウ素基等が挙げられる。
【０２８０】
電子欠乏環として、例えば、２−ピリジル、３−ピリジル、４−ピリジル、２−キノリル、３−キノリル、４−キノリル、２−イミダゾール、４−イミダゾール、３−ピラゾール、４−ピラゾール、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、３−（１，２，４−Ｎ）−トリアゾリル、５−（１，２，４−Ｎ）−トリアゾリル、５−テトラゾリル、４−（１−Ｏ，３−Ｎ）−オキサゾール、５−（１−Ｏ，３−Ｎ）−オキサゾール、４−（１−Ｓ，３−Ｎ）−チアゾール、５−（１−Ｓ，３−Ｎ）−チアゾール、２−ベンゾキサゾール、２−ベンゾチアゾール、４−（１，２，３−Ｎ）−ベンゾトリアゾール、及びベンズイミダゾールからなる群から選択される化合物等が挙げられるが、必ずしもこれらに限定されるわけではない。
【０２８１】
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、下記（１）〜（１３）等の構造を挙げることができる。
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
【０２８２】
これらの中で通常（８）の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。
【０２８３】
本発明の有機ＥＬ素子において、本発明の重合体を含有する有機薄膜層以外の構成部材は、公知のものを使用できる。例えば、発光層はスチリルアミン化合物、アリールアミン化合物又はフルオランテン系化合物を含有することが好ましい。
【０２８４】
本発明の重合体を含有する有機薄膜層以外の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やコーティング法、印刷法等の湿式成膜法等の湿式成膜法等の公知の方法を適用することができる。
各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
【０２８５】
本発明の重合体の不溶化後に、さらに、上層に積層する場合も上記と同様に乾式成膜法、湿式成膜法のいずれを用いることもできるが、特に湿式成膜法を好適に用いることができる。この上層を積層する手段としては、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及び、それらとオフセット印刷法を組み合わせた印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー塗布スピンコート法、バーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スリットコート法、ロールコート法、キャップコート法、グラビアロールコート法、メニスカスコート法等が適用できる。
【０２８６】
各種材料及び層形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入・輸送層、及び必要に応じて電子注入・輸送層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機ＥＬ素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
【実施例】
【０２８７】
実施例１
下記の重合体Ｐ−１を合成した。
【化２９】
2013087216.tif 000234
【０２８８】
（１）単量体Ｍ−１の合成
【化３０】
2013087216.tif 000235
【０２８９】
（ａ）中間体Ｍ−１−１の合成
窒素雰囲気下、冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、カルバゾール１０．０ｇ（５９．８ｍｍｏｌ）に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１００ｍＬを入れ、氷水浴にて０℃まで冷却した。冷却後、Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）１０．６ｇ（５９．８ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１００ｍＬに溶かした溶液をゆっくり滴下した。滴下終了後、氷水浴を外し、室温に戻し、８時間撹拌した。
【０２９０】
反応液を水に落として固体を析出させ、ろ取により析出物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、得られた固体を減圧乾燥したところ、１２．２ｇ（収率８３％）の白色固体を得た。
【０２９１】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとフィールドディソープションマススペクトル（以下、ＦＤ−ＭＳ）分析により、得られた白色粉末を中間体Ｍ−１−１と同定した。
【０２９２】
（ｂ）中間体Ｍ−１−２の合成
窒素雰囲気下、冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中Ｍ−１−１  ６．０ｇ（２４．３ｍｍｏｌ）、ヨードベンゼン５．４ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ１．４ｇ（７．２９ｍｍｏｌ）、トランス−シクロヘキサンジアミン（trans-cyclohexanediamine）０．８ｇ（７．２９ｍｍｏｌ）、りん酸カリウム１０．３ｇ（４８．６ｍｍｏｌ）にジオキサン１２０ｍＬを加え、８時間還流させながら加熱した。
【０２９３】
反応終了後、減圧除去にて溶媒を取り除いた。その後、ジクロロメタン１００ｍＬ、水１００ｍＬを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン：ヘキサン＝１：１０）で精製した。得られた固体を減圧乾燥したところ、６．７ｇ（収率８５％）の白色固体を得た。
【０２９４】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、得られた白色粉末を中間体Ｍ−１−２と同定した。
【０２９５】
（ｃ）中間体Ｍ−１−３の合成
窒素雰囲気下、冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、Ｍ−１−２  ４．０ｇ（１２．５ｍｍｏｌ）、ほう酸トリイソプロピル２．８ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６０ｍＬを加えて撹拌し、メタノール／ドライアイス  バスにて−７８℃まで冷却した。冷却後、ｎ−ブチルリチウム（１．６１Ｍ）３８ｍＬ（６０．９ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、滴下後１時間冷却したまま撹拌した。次に室温まで戻し、７時間撹拌した。反応終了後、メタノール１０ｍＬを滴下し、さらに１Ｎ  ＨＣｌ水溶液３０ｍＬを滴下した。塩化メチレン、水を加え、目的物を抽出し、有機層を取り出した。この有機層へＭｇＳＯ４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、カラムクロマトグラフィーにより単離し、白色固体２．１ｇ（収率６０％）を得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、得られた白色粉末を中間体Ｍ−１−３と同定した。
【０２９６】
（ｄ）中間体Ｍ−１−４の合成
窒素雰囲気下、冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、Ｍ−１−１  ４ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、Ｍ−１−３  ３．７ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４０．２ｇ（０．２ｍｏｌ）、炭酸ナトリウム２．１ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、ジメチルエーテル（ＤＭＥ）４０ｍＬ、水２０ｍＬを加えた後、還流し、８時間加熱攪拌した。反応終了後、減圧除去にて溶媒を取り除いた。その後、ジクロロメタン１００ｍＬ、水１００ｍＬを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製した。得られた固体を減圧乾燥したところ、３．０ｇ（収率７４％）の白色固体を得た。
【０２９７】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、得られた白色粉末を中間体Ｍ−１−４と同定した。
【０２９８】
（ｅ）中間体Ｍ−１−５の合成
窒素雰囲気下、Ｍ−１−４  ２．５ｇ（６．１ｍｍｏｌ）、４−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフラン  ２．０ｇ（６．１ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ  ０．４ｇ（１．８ｍｍｏｌ）、トランス−シクロヘキサンジアミン（trans-cyclohexanediamine）、りん酸カリウム２．６ｇ（１２．２ｍｍｏｌ）にジオキサン３０ｍＬを加え、８時間還流させながら加熱した。
【０２９９】
反応終了後、減圧除去にて溶媒を取り除いた。その後、ジクロロメタン１００ｍＬ、水１００ｍＬを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製した。得られた固体を減圧乾燥したところ、２．８ｇ（収率７０％）の白色固体を得た。
【０３００】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、得られた白色粉末を中間体Ｍ−１−５と同定した。
【０３０１】
（ｆ）Ｍ−１の合成
窒素雰囲気下、Ｍ−１−５  ２．５ｇ（３．８ｍｍｏｌ）に、ＤＭＦ  ４０ｍＬを入れ、氷水浴にて０℃まで冷却した。
【０３０２】
冷却後、Ｎ−ブロモスクシンイミド１．４ｇ（８．０ｍｍｏｌ）をＤＭＦ４０ｍＬに溶かした溶液をゆっくり滴下した。滴下終了後、氷水浴を外し、室温に戻し、８時間撹拌した。反応液を水に落として固体を析出させ、吸引ろ過により回収した。
【０３０３】
得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し、得られた固体を減圧乾燥したところ、２．５ｇ（収率８０％）の白色固体を得た。
【０３０４】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、得られた白色粉末をＭ−１と同定した。
【０３０５】
（２）単量体Ｍ−２の合成
【化３１】
2013087216.tif 000236
【０３０６】
（ａ）中間体Ｍ−２−１の合成
中間体Ｍ−１−４と４−ブロモ―１，２−ジヒドロシクロブタベンゼンを使用して、中間体Ｍ−１−２の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量５．６ｇ（収率８６％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−２−１と同定した。
【０３０７】
（ｂ）Ｍ−２の合成
中間体Ｍ−２−１を使用して、中間体Ｍ−１の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量４．４ｇ（収率７８％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−２と同定した。
【０３０８】
（３）重合体Ｐ−１の合成
【化３２】
2013087216.tif 000237
【０３０９】
窒素雰囲気下、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン４．１ｇ（６．２ｍｍｏｌ）、Ｍ−１  ５．０ｇ（６．２ｍｍｏｌ）、Ｍ−２  ０．２ｇ（０．３ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム［Ｐｄ（ＯＡｃ）２］  ０．０１ｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン［Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３］  ０．０６ｇ（０．２ｍｍｏｌ）、りん酸カリウム６．６ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、にジオキサン５０ｍＬ、トルエン１２ｍＬ、水１１ｍＬを加え、１６時間還流させながら加熱した。
【０３１０】
反応終了後、減圧除去にて溶媒を取り除いた。トルエン１５０ｍＬ、水１００ｍＬを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ４を除去した。溶媒を減圧下にて濃縮し、この濃縮液をシリカゲルに通してろ過した。回収した溶液を減圧下にて濃縮し、メタノールへ滴下し、固体を析出させた。固体は、ろ取し、減圧乾燥した。
【０３１１】
窒素雰囲気下、この粗生成物と、ブロモベンゼン０．３ｇ（１．９ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）２０．０３ｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３０．０１ｇ（０．０５ｍｍｏｌ）、りん酸カリウム２．０ｇ（９．５ｍｍｏｌ）、トルエン５０ｍＬを加え、８時間還流させながら加熱した。次にフェニルボロン酸を０．２ｇ（１．９ｍｍｏｌ）加え、さらに８時間加熱した。
【０３１２】
反応終了後、水１００ｍＬを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ４を除去した。回収したろ液をシリカゲルに通してろ過した。回収した溶液を濃縮し、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で８時間撹拌した。冷却後、有機層を、水で洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。
【０３１３】
この沈殿物をトルエンに溶解させ、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、重合体Ｐ−１を５．３ｇ得た。
Ｐ−１のポリスチレン換算数平均分子量は７．８×１０３であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．４×１０４であった。
【０３１４】
尚、本願において分子量及び分子量分布は、下記の条件で測定した。
試料１０ｍｇをＴＨＦ１０ｍｌに溶解させた溶液を１００μｌ注入して行った。流速は毎分１ｍｌとし、カラム温度を４０℃に設定した。サイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）装置は、東ソー製ＨＬＣ−８２２０を用いた。検出器は示差屈折（ＲＩ）検出器又は紫外可視（ＵＶ）検出器を用いた。カラムは、東ソー製ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨ−ＸＬ  ２本及びＴＳＫｇｅｌ  Ｇ２０００−ＸＬ  １本使用し、標準試料のポリスチレンには、東ソー製ＴＳＫ標準ポリスチレンを使用した。
【０３１５】
実施例２
下記重合体Ｐ−２を合成した。
【化３３】
2013087216.tif 000238
【０３１６】
（１）単量体Ｍ−３の合成
【化３４】
2013087216.tif 000239
【０３１７】
（ａ）中間体Ｍ−３−１の合成
ＮＢＳをＮ−ヨードスクシンイミド（ＮＩＳ）に変えた他は、中間体Ｍ−１−１の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量５．６ｇ（収率７９％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−３−１と同定した。
【０３１８】
（ｂ）中間体Ｍ−３−２の合成
中間体Ｍ−３−１を使用した他は、中間体Ｍ−１−１の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量３．７ｇ（収率８２％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−３−２と同定した。
【０３１９】
（ｃ）中間体Ｍ−３−３の合成
中間体Ｍ−３−２と中間体Ｍ−１−３を使用して、中間体Ｍ−１−４の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量５．２ｇ（収率７６％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−３−３と同定した。
【０３２０】
（ｄ）Ｍ−３の合成
中間体Ｍ−３−３と１−ブロモ−４−ヨードベンゼンを使用し、中間体Ｍ−１−２の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量４．９ｇ（収率６６％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−３と同定した。
【０３２１】
（２）単量体Ｍ−４の合成
【化３５】
2013087216.tif 000240
【０３２２】
（ａ）中間体Ｍ−４−１の合成
カルバゾールとブロモシクロブタベンゼンを使用して、中間体Ｍ−１−２の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量７．９ｇ（収率９０％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−４−１と同定した。
【０３２３】
（ｂ）中間体Ｍ−４−２の合成
中間体Ｍ−４−１を使用し、中間体Ｍ−１−１の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量６．８ｇ（収率７７％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−４−２と同定した。
【０３２４】
（ｃ）中間体Ｍ−４−３の合成
中間体Ｍ−４−２を使用し、中間体Ｍ−１−３の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量５．５ｇ（収率７５％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−４−３と同定した。
【０３２５】
（ｄ）中間体Ｍ−４−４の合成
中間体Ｍ−３−２と中間体Ｍ−４−３を使用し、中間体Ｍ−１−４の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量６．１ｇ（収率６０％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−４−４と同定した。
【０３２６】
（ｅ）Ｍ−４の合成
中間体Ｍ−４−４と１−ブロモ−４−ヨードベンゼンを使用し、中間体Ｍ−１−２の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量５．３ｇ（収率７７％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−４と同定した。
【０３２７】
（３）重合体Ｐ−２の合成
【化３６】
2013087216.tif 000241
【０３２８】
２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン、Ｍ−３及びＭ−４を用いて、Ｐ−１と同様の方法にて合成した。目的物を収量５．２ｇで得た。Ｐ−２のポリスチレン換算数平均分子量は１．２×１０４であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は３．５×１０４であった。
【０３２９】
実施例３
下記重合体Ｐ−３を合成した。
【化３７】
2013087216.tif 000242
【０３３０】
（１）単量体Ｍ−５の合成
【化３８】
2013087216.tif 000243
【０３３１】
（ａ）中間体Ｍ−５−１の合成
窒素気流下、４−ブロモ―１，２−ジヒドロシクロブタベンゼンを１８．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）に脱水ＴＨＦ３００ｍＬを加え、−７８℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．５８Ｍ）を１３０ｍＬ滴下した。１時間撹拌した後、１，６−ジヨードヘキサン１６．５ｍＬをゆっくり滴下してから１時間かけて室温まで昇温させ、さらに２時間反応させた。１０％希塩酸溶液を加えて攪拌し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィーで精製し、減圧乾燥したところ、１２．６ｇ（収率３７％）の無色液体を得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−５−１と同定した。
【０３３２】
（ｂ）Ｍ−５の合成
窒素気流下、２，７−ジブロモフルオレンを１２．５ｇ（３８．６ｍｍｏｌ）に脱水ＴＨＦ１２０ｍＬを加え、−７８℃に冷却し、ＬＤＡヘキサン／ＴＨＦ溶液（１．１１Ｍ）を７７ｍＬ滴下した。１時間撹拌した後、脱水ＴＨＦ６０ｍＬに溶かしたＭ−５−１  ２１．７ｇをゆっくり滴下し、１時間かけて室温まで昇温させ、さらに２時間反応させた。
【０３３３】
１０％希塩酸溶液を加えて撹拌し、塩化メチレンを加え、目的物を抽出し、有機層を取り出した。この有機層へＭｇＳＯ４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、カラムクロマトグラフィーにより単離し、白色固体１２．２ｇ（収率４５％）を得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、得られた白色粉末をＭ−５と同定した。
【０３３４】
（２）単量体Ｍ−６の合成
【化３９】
2013087216.tif 000244
【０３３５】
（ａ）中間体Ｍ−６−１の合成
２−ブロモ−ジベンゾフランを使用して、中間体Ｍ−１−３の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量６．１ｇ（収率６３％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−６−１と同定した。
【０３３６】
（ｂ）中間体Ｍ−６−２の合成
窒素気流下、９−Ｈ−カルバゾール１０ｇ（５９．８ｍｍｏｌ）を入れ、７５ｍｌのクロロホルムに溶解させた後、氷水浴にて０℃まで冷却した。次にゆっくりとＦｅＣｌ３  ３８．８ｇ（２３９．２ｍｍｏｌ）を６０ｍｌ程度のクロロホルムに分散して得た溶液を滴下した。滴下後、室温に戻し、２４時間撹拌した。反応液を多量のメタノールに滴下し、固体を析出させた。固体は、ろ取して回収した。その後、多量のメタノールと水で繰り返し洗浄し、ろ取して固体７．８ｇ（収率８２％）を得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、得られた白色粉末をＭ−６−２と同定した。
【０３３７】
（ｃ）中間体Ｍ−６−３の合成
中間体Ｍ−６−２を使用して、中間体Ｍ−２の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量４．１ｇ（収率５６％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−６−３と同定した。
【０３３８】
（ｄ）Ｍ−６の合成
中間体Ｍ−６−１と中間体Ｍ−６−３を使用して、中間体Ｍ−１−４の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量３．４ｇ（収率４８％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−６と同定した。
【０３３９】
（３）重合体Ｐ−３の合成
【化４０】
2013087216.tif 000245
【０３４０】
窒素雰囲気下、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン５．８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、Ｍ−５  ０．４ｇ（０．５ｍｍｏｌ）、Ｍ−６  ７．０ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）［Ｐｄ２（ｄｂａ）３］  ０．２ｇ（０．２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３  ０．０６ｇ（０．３ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム３．０ｇ（３１．５ｍｍｏｌ）にキシレン４０ｍＬを加え、２０時間還流させながら加熱した。
【０３４１】
反応終了後、減圧除去にて溶媒を取り除いた。水１００ｍＬを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ４を除去した。溶媒を減圧下にて濃縮し、この濃縮液をシリカゲルに通してろ過した。回収した溶液を減圧下にて濃縮し、メタノールへ滴下し、固体を析出させた。固体は、吸引ろ過により回収し、減圧乾燥した。
【０３４２】
窒素雰囲気下、この粗生成物とブロモベンゼン０．５ｇ（３．２ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）２  ０．０４ｇ（０．２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３  ０．０６ｇ（０．３ｍｍｏｌ）、りん酸カリウム１．１ｇ（５．２ｍｍｏｌ）にトルエン４０ｍＬを加え、８時間還流させながら加熱した。次にフェニルボロン酸を０．４ｇ（３．２ｍｍｏｌ）加え、さらに８時間加熱した。
【０３４３】
反応終了後、水１００ｍＬを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ４を除去した。回収したろ液をシリカゲルに通してろ過した。回収した溶液を濃縮し、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。冷却後、有機層を、水で洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。
【０３４４】
この沈殿物をトルエンに溶解させ、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、重合体Ｐ−３を７．３ｇ得た。Ｐ−３のポリスチレン換算数平均分子量は０．９×１０４であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．８×１０４であった。
【０３４５】
実施例４
下記重合体Ｐ−４を合成した。
【化４１】
2013087216.tif 000246
【０３４６】
（１）単量体Ｍ−７の合成
【化４２】
2013087216.tif 000247
【０３４７】
（ａ）中間体Ｍ−７−１の合成
９−フェニルカルバゾールを使用して、Ｍ−２の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量２．９ｇ（収率７３％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−７−１と同定した。
【０３４８】
（ｂ）中間体Ｍ−７−２の合成
カルバゾールと２−ブロモ−ジベンゾフランを使用して、中間体Ｍ−１−２の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量４．０ｇ（収率６８％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−７−２と同定した。
【０３４９】
（ｃ）中間体Ｍ−７−３の合成
中間体Ｍ−７−２を使用して、中間体Ｍ−１−１の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量３．２ｇ（収率５９％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−７−３と同定した。
【０３５０】
（ｄ）中間体Ｍ−７−４の合成
中間体Ｍ−７−３を使用して、中間体Ｍ−１−３の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量５．４ｇ（収率６６％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−７−４と同定した。
【０３５１】
（ｅ）中間体Ｍ−７−５の合成
中間体Ｍ−７−４と中間体Ｍ−７−１を使用して、中間体Ｍ−１−４の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量２．７ｇ（収率６１％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−７−５と同定した。
【０３５２】
（ｆ）Ｍ−７の合成
中間体Ｍ−７−５を使用して、モノマーＭ−２の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量３．９ｇ（収率５６％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−７と同定した。
【０３５３】
（２）単量体Ｍ−８の合成
【化４３】
2013087216.tif 000248
【０３５４】
（ａ）中間体Ｍ−８−１の合成
中間体Ｍ−４−１を使用して、モノマーＭ−２の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量５．３ｇ（収率８５％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−８−１と同定した。
【０３５５】
（ｂ）中間体Ｍ−８−２の合成
中間体Ｍ−８−１と中間体Ｍ−７−４を使用して、中間体Ｍ−１−４の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量３．８ｇ（収率５８％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−８−２と同定した。
【０３５６】
（ｃ）Ｍ−８の合成
中間体Ｍ−８−２を使用して、Ｍ−２の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量４．２ｇ（収率６０％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−８と同定した。
【０３５７】
（３）重合体Ｐ−４の合成
【化４４】
2013087216.tif 000249
【０３５８】
２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン、Ｍ−７、Ｍ−８を用いて、Ｐ−１と同様の方法にて合成した。目的物を収量３．３ｇで得た。重合体Ｐ−４のポリスチレン換算数平均分子量は１．８×１０４であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は４．０×１０４であった。
【０３５９】
実施例５
下記重合体Ｐ−５を合成した。
【化４５】
2013087216.tif 000250
【０３６０】
（１）単量体Ｍ−９の合成
【化４６】
2013087216.tif 000251
【０３６１】
（ａ）中間体Ｍ−９−１の合成
カルバゾールと３−ブロモ−ジベンゾフランを使用して、中間体Ｍ−１−２の合成と同様の方法で合成した中間体Ｍ−９−０を使用して、中間体Ｍ−２の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量４．６ｇ（収率８７％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−９−１と同定した。
【０３６２】
（ｂ）中間体Ｍ−９−２の合成
中間体Ｍ−９−１を使用して、中間体Ｍ−１−３の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量１．９ｇ（収率４３％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−９−２と同定した。
【０３６３】
（ｃ）Ｍ−９の合成
中間体Ｍ−９−２を使用して、中間体Ｍ−１−４の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量３．５ｇ（収率５６％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−９と同定した。
【０３６４】
（２）重合体Ｐ−５の合成
【化４７】
2013087216.tif 000252
【０３６５】
２，７−ジブロモ−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン、Ｍ−５、Ｍ−９を用いて、Ｐ−３と同様の方法にて合成した。目的物を収量６．２ｇで得た。重合体Ｐ−５のポリスチレン換算数平均分子量は１．９×１０４であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は３．８×１０４であった。
【０３６６】
実施例６
下記重合体Ｐ−６を合成した。
【化４８】
2013087216.tif 000253
【０３６７】
（１）単量体Ｍ−１０の合成
【化４９】
2013087216.tif 000254
【０３６８】
（ａ）中間体Ｍ−１０−１の合成
中間体Ｍ−６−２を使用して、中間体Ｍ−１−１の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量３．５ｇ（収率６６％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１０−１と同定した。
【０３６９】
（ｂ）Ｍ−１０の合成
中間体Ｍ−１０−１と中間体Ｍ−７−４を使用して、中間体Ｍ−１−４の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量４．９ｇ（収率７２％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１０と同定した。
【０３７０】
（２）単量体Ｍ−１１の合成
【化５０】
2013087216.tif 000255
【０３７１】
（ａ）中間体Ｍ−１１−１の合成
中間体Ｍ−４−１を使用して、中間体Ｍ−１−１の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量３．９ｇ（収率７０％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１１−１と同定した。
【０３７２】
（ｂ）中間体Ｍ−１１−２の合成
中間体Ｍ−１１−１を使用して、中間体Ｍ−１−３の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量４．４ｇ（収率５２％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１１−１と同定した。
【０３７３】
（ｃ）Ｍ−１１の合成
中間体Ｍ−１０−１と中間体Ｍ−１１−２を使用して、中間体Ｍ−１−４の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量２．３ｇ（収率６７％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１１と同定した。
【０３７４】
（３）重合体Ｐ−６の合成
【化５１】
2013087216.tif 000256
【０３７５】
２，７−ジブロモ−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン、Ｍ−１０、Ｍ−１１を用いて、Ｐ−３と同様の方法にて合成した。目的物を収量４．６ｇで得た。重合体Ｐ−６のポリスチレン換算数平均分子量は１．５×１０４であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は３．３×１０４であった。
【０３７６】
実施例７
下記重合体Ｐ−７を合成した。
【化５２】
2013087216.tif 000257
【０３７７】
（１）単量体Ｍ−１２の合成
【化５３】
2013087216.tif 000258
【０３７８】
（ａ）中間体Ｍ−１２−１の合成
中間体Ｍ−７−３と中間体Ｍ−７−４を使用して、中間体Ｍ−１−４の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量３．６ｇ（収率８２％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１２−１と同定した。
【０３７９】
（ｂ）中間体Ｍ−１２−２の合成
中間体Ｍ−１２−１を使用して、中間体Ｍ−１−１の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量３．５ｇ（収率６６％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１２−２と同定した。
【０３８０】
（ｃ）中間体Ｍ−１２−３の合成
中間体Ｍ−１２−２を使用して、中間体Ｍ−１−３の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量４．１ｇ（収率６２％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１２−３と同定した。
【０３８１】
（ｄ）中間体Ｍ−１２−４の合成
中間体Ｍ−１２−３と中間体Ｍ−３−２を使用して、中間体Ｍ−１−４の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量１．８ｇ（収率７６％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１２−４と同定した。
【０３８２】
（ｅ）Ｍ−１２の合成
中間体Ｍ−１２−４と１−ブロモ−４−ヨードベンゼンを使用して、中間体Ｍ−１−２の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量２．７ｇ（収率７０％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１２と同定した。
【０３８３】
（２）単量体Ｍ−１３の合成
【化５４】
2013087216.tif 000259
【０３８４】
窒素気流下、Ｍ−５  ３．７ｇ（５．３ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボロン４．１ｇ（３１．８ｍｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン−パラジウム（ＩＩ）ジクロリド−ジクロロメタン錯体［ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ２Ｃｌ２］０．５ｇ（０．６ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム３．１ｇ（３１．８ｍｍｏｌ）、脱水ＤＭＳＯを入れて、８０℃にて２８時間還流反応した。冷却後、水２５ｍＬを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製した。得られた固体を減圧乾燥したところ、２．７ｇ（収率６４％）の白色固体を得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１３と同定した。
【０３８５】
（３）重合体Ｐ−７の合成
【化５５】
2013087216.tif 000260
【０３８６】
２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン、Ｍ−１２、Ｍ−１３を用いて、Ｐ−１と同様の方法にて合成した。目的物を収量５．５ｇで得た。重合体Ｐ−７のポリスチレン換算数平均分子量は１．０×１０４であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．５×１０４であった。
【０３８７】
実施例８
下記スキームにより重合体Ｐ−８を合成した。
【化５６】
2013087216.tif 000261
【０３８８】
２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン、Ｍ−１、Ｍ−１３を用いて、Ｐ−１と同様の方法にて合成した。目的物を収量５．２ｇで得た。重合体Ｐ−８のポリスチレン換算数平均分子量は３．８×１０４であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．６×１０４であった。
【０３８９】
比較例１
下記スキームにより重合体Ｐ−９を合成した。
【化５７】
2013087216.tif 000262
【０３９０】
（１）単量体Ｍ−１４の合成
（ａ）中間体Ｍ−１４−１の合成
窒素雰囲気下、冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中ジフェニルアミン６．０ｇ（３５．４ｍｍｏｌ）、ブロモベンゾシクロブテン６．５ｇ（３５．４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）２０．２ｇ（０．９ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３  ０．３ｇ（１．４ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム６．８ｇ（７０．８ｍｍｏｌ）にトルエン１００ｍＬを加え、８時間還流させながら加熱した。
反応終了後、減圧除去にて溶媒を取り除いた。その後、ジクロロメタン１００ｍＬ、水１００ｍＬを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製した。得られた固体を減圧乾燥したところ、７．２ｇ（収率８８％）の白色固体を得た。
【０３９１】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、得られた白色粉末を中間体Ｍ−１４−１と同定した。
【０３９２】
（ｂ）Ｍ−１４の合成
中間体Ｍ−１４−１を使用して、中間体Ｍ−１−１の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量４．８ｇ（収率６８％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１４と同定した。
【０３９３】
（２）Ｐ−９の合成
２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン、ジ（４−ブロモフェニル）フェニルアミン、Ｍ−１４を用いて、Ｐ−１と同様の方法にて合成した。目的物を収量５．６ｇで得た。重合体Ｐ−９のポリスチレン換算数平均分子量は７．８×１０３であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．４×１０４であった。
【０３９４】
比較例２
下記重合体Ｐ−１０を合成した。
【化５８】
2013087216.tif 000263
【０３９５】
（１）単量体Ｍ−１６の合成
【化５９】
2013087216.tif 000264
【０３９６】
窒素雰囲気下、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン１０．０ｇ（１８．２ｍｍｏｌ）、アニリン１．７ｇ（１８．２ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３０．６ｇ（０．６ｍｍｏｌ）、（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ｒａｃ−ＢＩＮＡＰ）１．７ｇ（０．８ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム５．０ｇ（７２．８ｍｍｏｌ）、にトルエン５００ｍＬを加え、１６時間還流させながら加熱した。
【０３９７】
反応終了後、減圧除去にて溶媒を取り除いた。水１００ｍＬを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製した。得られた固体を減圧乾燥したところ、６．８ｇ（収率６５％）の白色固体を得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、得られた白色粉末を中間体Ｍ−１６と同定した。
【０３９８】
（２）単量体Ｍ−１７の合成
【化６０】
2013087216.tif 000265
【０３９９】
（２）単量体Ｍ−１７の合成
（ａ）中間体Ｍ−１７−１の合成
上記化合物を使用して中間体Ｍ−１−４の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量７．８ｇ（収率６８％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１７−１と同定した。
【０４００】
（ｂ）Ｍ−１７の合成
中間体Ｍ−１７−１を使用して、Ｍ−１６の合成と同様の方法で合成した。目的物を収量５．８ｇ（収率６３％）で得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルとＦＤ−ＭＳ分析により、Ｍ−１７と同定した。
【０４０１】
（３）重合体Ｐ−１０の合成
【化６１】
2013087216.tif 000266
【０４０２】
４、４’−ジブロモビフェニル、Ｍ−１６、Ｍ−１７を用いて、Ｐ−３と同様の方法にて合成した。目的物を収量４．５ｇで得た。重合体Ｐ−１０のポリスチレン換算数平均分子量は１．３×１０４であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は３．６×１０４であった。
【０４０３】
実施例９（有機ＥＬ素子作製と評価）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極付きガラス基板に、スピンコート法で正孔注入層に用いるポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の混合物を１０ｎｍの膜厚で成膜して、正孔注入層を形成した（ＰＳＳはアクセプター）。
次いで、実施例１で得られた重合体Ｐ−１のキシレン溶液（１．０重量％）を、スピンコート法で２５ｎｍの膜厚で成膜した。次に、これを減圧下１２０℃で１時間乾燥し、正孔輸送層を形成した。
さらに、膜厚４０ｎｍの下記化合物ＥＭ１を蒸着し成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１を、ＥＭ１とＤ１の重量比が９５：５になるように蒸着し、発光層を形成した。
この膜上に下記Ａｌｑを蒸着により、膜厚１０ｎｍに成膜した。この層は、電子注入層として機能する。
この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し、窒素中でガラス封止して、有機ＥＬ素子を作製した。
【化６２】
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【０４０４】
作製した有機ＥＬ素子に電流を流して発光効率及び寿命を評価した。結果を表１９７に示す。
【０４０５】
実施例１０
発光層の材料として、スチリル基を有するアミン化合物Ｄ１の代わりに下記アリールアミン化合物Ｄ２を用いた他は実施例９と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１９７に示す。
【化６３】
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（Ｍｅはメチル基である。）
【０４０６】
比較例３
正孔輸送材料としてＰ−１の代わりに比較例１で得られたＰ−９を用いた他は、実施例９と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した結果を表１９７に示す。
【０４０７】
比較例４
正孔輸送材料としてＰ−１の代わりに比較例２で得られたＰ−１０を用いた他は実施例９と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１９７に示す。
【０４０８】
【表１９７】
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【０４０９】
実施例９〜１０及び比較例３〜４の結果から、本発明のビスカルバゾールポリマーを用いた有機ＥＬ素子は、芳香族アミン誘導体である比較化合物を用いた有機ＥＬ素子と比べて、発光効率、寿命で優れていることが分かる。
【０４１０】
実施例１１（有機ＥＬ素子作製と評価）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極付きガラス基板に、スピンコート法で正孔注入層に用いるポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の混合物を１０ｎｍの膜厚で成膜して、正孔注入層を形成した（ＰＳＳはアクセプター）。
次いで、実施例１で得られた重合体Ｐ−１のキシレン溶液（１．０重量％）を、スピンコート法で２５ｎｍの膜厚で成膜し、２３０℃で３０分間乾燥及び熱硬化し、正孔輸送層を形成した。
次に、上記化合物ＥＭ１（ホスト）と上記スチリル基を有するアミン化合物Ｄ１（ドーパント）が固形分重量比９５：５で混合しているキシレン溶液（１．０重量％）を、スピンコート法で４０ｎｍの膜厚で成膜し、１５０℃で３０分間乾燥させ、発光層を形成した。
この膜上にＡｌｑを蒸着により、膜厚１０ｎｍに成膜した。この層は、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し、窒素中でガラス封止して、有機ＥＬ素子を作製した。
作製した有機ＥＬ素子に電流を流して性能を評価した。結果を表１９８に示す。
【０４１１】
実施例１２
正孔輸送材料としてＰ−１の代わりに実施例２で得られた重合体Ｐ−２を用いた他は、実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１９８に示す。
【０４１２】
実施例１３
正孔輸送材料としてＰ−１の代わりに実施例３で得られた重合体Ｐ−３を用いた他は、実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１９８に示す。
【０４１３】
実施例１４
正孔輸送材料としてＰ−１の代わりに実施例４で得られた重合体Ｐ−４を用いた他は、実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１９８に示す。
【０４１４】
実施例１５
正孔輸送材料としてＰ−１の代わりに実施例５で得られた重合体Ｐ−５を用いた他は、実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１９８に示す。
【０４１５】
実施例１６
正孔輸送材料としてＰ−１の代わりに実施例６で得られた重合体Ｐ−６を用いた他は、実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１９８に示す。
【０４１６】
実施例１７
正孔輸送材料としてＰ−１の代わりに実施例７で得られた重合体Ｐ−７を用いた他は、実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１９８に示す。
【０４１７】
実施例１８
正孔輸送材料としてＰ−１の代わりに実施例８で得られた重合体Ｐ−８を用いた他は、実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１９８に示す。
【０４１８】
実施例１９
発光層の材料として、スチリル基を有するアミン化合物Ｄ１の代わりにアリールアミン化合物Ｄ２を用いた他は実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１９８に示す。
【０４１９】
比較例５
正孔輸送材料としてＰ−１の代わりに比較例１で得られたＰ−９を用いた他は、実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１９８に示す。
【０４２０】
比較例６
正孔輸送材料としてＰ−１の代わりに比較例２で得られたＰ−１０を用いた他は実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１９８に示す。
【０４２１】
【表１９８】
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【０４２２】
実施例１１〜１９及び比較例５、６の結果から、本発明のビスカルバゾールポリマーを用いた有機ＥＬ素子は、芳香族アミン誘導体である比較化合物を用いた有機ＥＬ素子と比べて、発光効率、寿命で優れていることが分かる。
また、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を湿式成膜で形成しても、優れた性能が得られることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【０４２３】
本発明の重合体は、エレクトロニクス用材料として有用である。特に、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、なかでも陽極と発光層間である正孔輸送領域で使用する材料として好適である。