(57)【要約】【課題】  基板上のスクライブ加工を安定良く高品質に行うことができるレーザパターニング装置およびパターニング方法を提供する。集積型薄膜太陽電池の電極等のパターニングに用いる。【解決手段】  基板１を載せる基板固定ステージと、加工用レーザビームを照射するレーザ加工用光学系４が設けられた光学ヘッド５と、基板固定ステージと光学ヘッド５とを相対的に移動させてレーザ加工用光学系４から照射されるレーザビームで基板１の薄膜をスクライブ加工方向である一方向に分断加工する光学ヘッド相対移動機構とを備える。光学ヘッド５は、スクライブ加工方向と同一方向に並んで配置され個別にレーザビームＳ１，Ｓ２を照射する複数のレーザ加工用光学系４を有する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に成膜された薄膜を短冊状に、レーザ光を用いて分断加工するレーザパターニング装置において、
前記基板を載せる基板固定ステージと、加工用レーザビームを照射するレーザ加工用光学系が設けられた光学ヘッドと、前記基板固定ステージと光学ヘッドとを相対的に移動させて前記レーザ加工用光学系から照射されるレーザビームで前記基板の薄膜をスクライブ加工方向である一方向に分断加工する光学ヘッド相対移動機構とを備え、
前記光学ヘッドは、前記スクライブ加工方向と同一方向に並んで配置され個別にレーザビームを照射する複数のレーザ加工用光学系を有することを特徴とするレーザパターニング装置。
【請求項２】
請求項１において、前記スクライブ加工方向と同一方向に並ぶ複数のレーザ加工用光学系からなるレーザ加工用光学系組は、前記スクライブ加工方向と直交する方向に並べて複数設けられるレーザパターニング装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記スクライブ加工方向と同一方向に並ぶ複数のレーザ加工用光学系からなるレーザ加工用光学系組における各レーザ加工用光学系は、これらのレーザ加工用光学系が出力するレーザビームのパワー、発振周波数、および波長のいずれか一つ、または任意の２つの組み合わせ、または３つを個別に設定可能であるレーザパターニング装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項において、前記薄膜を成膜した基板が太陽電池パネルであるレーザパターニング装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のレーザパターニング装置を用い、同一箇所に複数のレーザビームを照射することにより、基板上に成膜された薄膜を短冊状に分断加工することを特徴とするレーザパターニング方法。
【請求項６】
請求項２に記載のレーザパターニング装置を用い、同一箇所に複数のレーザビームを照射し、かつ基板上の複数箇所を同時に加工することにより、基板上に成膜された薄膜を短冊状に分断加工することを特徴とするレーザパターニング方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、同一箇所に照射される複数のレーザビームは、それらのパワー、波長、発振周波数のうち、いずれか１つ、または任意の２つの組み合わせ、または３つが互いに異なるレーザパターニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板上に成膜された薄膜を、レーザを用いてパターニングするパターニング装置およびパターニング方法に関し、特に、透光性を有する基板を用いた集積型薄膜太陽電池の電極等をパターニングするのに好適なレーザパターニング装置およびレーザパターニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に複数のユニットセルを集積した集積型太陽電池を製作する場合、この基板上に積層した薄膜を各ユニットセルに対応づけて短冊状に分割する必要があり、この薄膜を分割するための溝（以下、スクライブと記す）を形成するためのパターニングが行なわれる。このパターニングの方法として、レーザ光を照射して薄膜の一部を溶発させることによりスクライブを形成するレーザパターニング方法があり、この方法を用いた特許文献１に示したようなレーザパターニング装置（レーザ加工装置）が知られている。
【０００３】
特許文献１のレーザ加工装置では、スクライビング性能の向上を図るため、レーザビームの基本的なパワー分布であるガウシンアン分布（レーザスポットの中央のパワーが強くなる分布）を、光ファイバを用いることでフラット化し、レーザ照射した面内で均一に加工ができるようにしている。これは、光ファイバが、レーザ光をコア内で伝播する過程で、その光強度分布をビーム径方向でフラット化させるような特性を持っていることを利用している。また、レーザ光学系の光路に視野絞りを入れ、レーザビーム形状を矩形にすることで、図１１に示したように、レーザ光の重なり部分をできるだけ少なくして加工できるようにしている。レーザ光の重なり部分は、レーザ光が２度照射されることになるため、加工変動が発生し易い。この面積を小さくする工夫として上記対策を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６２−２４４５９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、スクライブラインの場所によって、レーザ光が１回照射された部分と２回照射された部分が発生することは避けられない。１回照射で確実にスクライブが可能で、なおかつ、レーザ光が重なって照射されてしまう２回照射部分のダメージを軽減可能とする、最適なレーザパワーの設定範囲は非常に狭いものとなる。このため、僅かなレーザパワーの変動や、基板上の成膜状態の変化が、スクライブ性能に影響するという課題がある。
【０００６】
具体例を挙げて説明すると、太陽電池のレーザパターニング（スクライビング）では、同一基板上に１００本以上のスクライブ加工を行い、例えば図１０に示すように、太陽電池薄膜を短冊状に分割し、各短冊（セル）を電気的に直列に接続することで、必要な発電電圧を確保している。通常では、図９に示すように、レーザ発振機６７で発生させたレーザビームを、スクライブ加工方向と直交した垂直方向に複数分岐（同図では５分岐）させて、複数のスクライブ加工ラインを同時に加工することで、加工時間の短縮を図っている。複数ビームで加工する方法としては、このほか、ビーム毎にレーザ発振機を搭載する方式もある。しかし、スクライブ加工方向には１レーザビームしかなく、前述したように加工条件の設定範囲が狭く、レーザパワーの変動や、基板上の成膜状態の変化により、スクライブ加工状態に影響を受け易い。
【０００７】
この発明の目的は、基板上のスクライブ加工を安定良く高品質に行うことができるレーザパターニング装置およびパターニング方法を提供することである。
この発明の他の目的は、スクライブ加工の安定化により、太陽電池パネルの発電効率の向上に寄与できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明のレーザパターニング装置は、基板上に成膜された薄膜を短冊状に、レーザ光を用いて分断加工するレーザパターニング装置において、
前記基板を載せる基板固定ステージと、加工用レーザビームを照射するレーザ加工用光学系が設けられた光学ヘッドと、前記基板固定ステージと光学ヘッドとを相対的に移動させて前記レーザ加工用光学系から照射されるレーザビームで前記基板の薄膜をスクライブ加工方向である一方向に分断加工する光学ヘッド相対移動機構とを備え、
前記光学ヘッドは、前記スクライブ加工方向と同一方向に並んで配置され個別にレーザビームを照射する複数のレーザ加工用光学系を有することを特徴とする。
【０００９】
この構成によると、１本のスクライブ加工ラインに対して複数のレーザ加工用光学系からの各レーザビームが照射されることになる。このため、１本のスクライブ加工ラインにおける同一箇所に複数のレーザビームを照射して、基板上に成膜された薄膜をスクライブ加工することになり、レーザパワーの変動や、成膜状態の変化による加工への影響が少なく、安定した高品質なスクライブ加工が可能となる。
【００１０】
この発明において、前記スクライブ加工方向と同一方向に並ぶ複数のレーザ加工用光学系からなるレーザ加工用光学系組は、前記スクライブ加工方向と直交する方向に並べて複数設けられていても良い。
このように構成した場合、複数のスクライブ加工を同時にかつ安定して行うことができ、加工効率を向上させることができる。
【００１１】
この発明において、前記スクライブ加工方向と同一方向に並ぶ複数のレーザ加工用光学系からなるレーザ加工用光学系組における各レーザ加工用光学系は、これらのレーザ加工用光学系が出力するレーザビームのパワー、発振周波数、および波長のいずれか一つ、または任意の２つの組み合わせ、または３つを個別に設定可能であっても良い。
例えば、前記レーザ加工用光学系組における各レーザ加工用光学系は、パワーを個別に設定できるもの、発振周波数を個別に設定できるもの、または波長を個別に設定できるものであっても良い。また、これら各レーザ加工用光学系は、パワーと発振周波数とを個別に設定できるもの、バワーと波長を個別に設定できるもの、または発振周波数と波長を個別に設定できるものであっても良い。さらに、パワー、発振周波数、および波長の全てを個別に設定できるものであっても良い。
【００１２】
レーザ加工用光学系組の各レーザ加工用光学系から照射されるレーザビームにつき、パワー、発振周波数、および波長のいずれかが個別に変更できるものである場合、スクライブ加工の加工条件設定範囲が広くなり、より最適な条件で、安定したスクライブ加工が可能となる。
パワーと発振周波数とを個別に設定できるもの、バワーと波長を個別に設定できるもの、または発振周波数と波長を個別に設定できるもの、またはパワー、発振周波数、および波長の全てを個別に設定できるものである場合は、スクライブ加工の加工条件設定範囲がより一層広くなり、より最適な条件で、安定したスクライブ加工が可能となる。
【００１３】
この発明のレーザパターニング方法は、この発明の上記したいずれかのレーザパターニング装置を用い、同一箇所に複数のレーザビームを照射することにより、基板上に成膜された薄膜を短冊状に分断加工することを特徴とする。この方法によると、この発明のレーザパターニング装置について前述したと同様に、レーザパワーの変動や、成膜状態の変化による加工への影響が少なく、安定した高品質なスクライブ加工が可能となる。
【００１４】
この発明の他のレーザパターニング方法は、この発明の上記したいずれかのレーザパターニング装置を用い、同一箇所に複数のレーザビームを照射し、かつ基板上の複数箇所を同時に加工することにより、基板上に成膜された薄膜を短冊状に分断加工することを特徴とする。
この加工方法によると、この発明のレーザパターニング装置について前述したと同様に、複数のスクライブ加工を同時にかつ安定して行うことができ、加工効率を向上させることができる。
【００１５】
これらの方法発明において、同一箇所に照射される複数のレーザビームは、それらのパワー、波長、発振周波数のうち、いずれか１つ、または任意の２つの組み合わせ、または３つが互いに異なっていて良い。
この方法の場合、スクライブ加工の加工条件設定範囲がより広くなり、より最適な条件で、安定したスクライブ加工が可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
この発明のレーザパターニング装置は、基板上に成膜された薄膜を短冊状に、レーザ光を用いて分断加工するレーザパターニング装置において、前記基板を載せる基板固定ステージと、加工用レーザビームを照射するレーザ加工用光学系が設けられた光学ヘッドと、前記基板固定ステージと光学ヘッドとを相対的に移動させて前記レーザ加工用光学系から照射されるレーザビームで前記基板の薄膜をスクライブ加工方向である一方向に分断加工する光学ヘッド相対移動機構とを備え、前記光学ヘッドは、前記スクライブ加工方向と同一方向に並んで配置され個別にレーザビームを照射する複数のレーザ加工用光学系を有するものとしたため、基板上のスクライブ加工を安定良く高品質に行うことができる。
【００１７】
この発明のレーザパターニング方法は、この発明のレーザパターニング装置を用い、同一箇所に複数のレーザビームを照射することにより、基板上に成膜された薄膜を短冊状に分断加工するものとしたため、この発明のレーザパターニング装置につき述べたと同様に、基板上のスクライブ加工を安定良く高品質に行うことができる。
【００１８】
この発明の他のレーザパターニング方法は、この発明の前述したレーザパターニング装置を用い、同一箇所に複数のレーザビームを照射し、かつ基板上の複数箇所を同時に加工することにより、基板上に成膜された薄膜を短冊状に分断加工するものとしたため、この発明のレーザパターニング装置につき述べたと同様に、複数のスクライブ加工を同時にかつ安定して行うことができ、加工効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（Ａ）はこの発明の一実施形態に係るレーザパターニング装置の概念構成を基板搬入時の状態で示す説明図、（Ｂ）は同装置本体の加工時の状態を示す斜視図である。
【図２】同レーザパターニング装置における光学ヘッドの一構成例を示す斜視図である。
【図３】同レーザパターニング装置における光学ヘッドの他の構成例を示す斜視図である。
【図４】同レーザパターニング装置における光学ヘッドのさらに他の構成例を示す斜視図である。
【図５】同レーザパターニング装置における光学ヘッドのさらに他の構成例を示す斜視図である。
【図６】同レーザパターニング装置における光学ヘッドのさらに他の構成例を示す斜視図である。
【図７】同レーザパターニング装置における光学ヘッドのさらに他の構成例を示す斜視図である。
【図８】（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ、同レーザパターニング装置本体の他の例につき、基板搬入時状態および加工時の状態を示す斜視図である。
【図９】従来のレザーパターニング装置における光学ヘッドの概略構成を示す斜視図である。
【図１０】太陽電池パネルの部分拡大断面図である。
【図１１】レーザ照射ピッチとスクライブ加工ラインの関係を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
この発明の一実施形態を図１ないし図８と共に説明する。このレーザパターニング装置は、基板１上に成膜された薄膜を短冊状に、レーザ光を用いてスクライブを加工することで分断加工する装置であって、機械部分であるパターニング装置本体２と、このパターニング装置本体２を制御する加工制御装置３０とで構成される。
【００２１】
基板１は、例えば透光性を有する太陽電池となる素材である。具体例を示すと、図１０に示すように、基板１上に、表面電極１ａ、光電変換層１ｂ、および裏面電極１ｃとなる複数層の薄膜が積層して形成されている。これらの薄膜がスクライブａの形成により分断加工されて、個別のセル同士が直列接続されることで、集積型薄膜太陽電池とされる。同図において、Ｐ１〜Ｐ３の位置にスクライブａが加工される。
【００２２】
図１に示すパターニング装置本体２は一例であり、これに限定されるものではない。このパターニング装置本体２は、基板１を載せる基板固定ステージ３と、レーザ加工用光学系組４Ａが複数並べて設けられた光学ヘッド５と、前記基板固定ステージ３と光学ヘッド５とを相対的に前記基板１の加工面上の直交２軸方向（Ｘ，Ｙ方向）に移動させる光学ヘッド相対移動機構６とを有する。各レーザ加工用光学系４にはオートフォーカス機構（図示せず）が設けられ、したがってオートフォーカス機構はレーザ加工用光学系４と同数だけ設けられる。
【００２３】
この例では、基板固定ステージ３が前後方向（Ｙ軸方向）に移動可能なＹ軸ステージとなり、基台８のレール９上に基板固定ステージ３が前後方向（Ｙ軸方向）に移動自在に設置されている。基板固定ステージ３は、搬入された基板１を固定する機構（図示せず）を有しており、Ｙ軸の進退駆動機構（図示せず）により前後方向に進退駆動される。
レール９による基板固定ステージ移動経路の前部には、その左右両側に、基板固定ステージ３に対して基板１の搬入および搬出をそれぞれ行うローラコンベヤ等からなる基板搬入装置１０および基板搬出装置１１が設置されている。
【００２４】
基台８上の基板固定ステージ３が通過する経路の後部には、この通過経路に跨がって門形の支持フレーム１２が設置され、この支持フレーム１２上のレール１３に沿って、基板固定ステージ３の進退方向と直交する方向である左右方向（Ｘ軸方向）に進退自在にＸ軸ステージ１４が設置されている。Ｘ軸ステージ１４は、支持フレーム１２に設置されたＸ軸の進退駆動機構１５により進退させられる。
Ｘ軸ステージ１４には、光学ヘッド５を搭載したＺ軸ステージ１６が、前記Ｘ軸およびＹ軸に垂直な方向である鉛直方向に移動自在に設置され、Ｘ軸ステージ１４に設置されたＺ軸の進退駆動機構（図示せず）により進退させられる。前記Ｘ軸の進退駆動機構１５、並びにＹ軸の進退駆動機構およびＺ軸の進退駆動機構は、それぞれ、サーボモータおよび送りねじ機構等からなる。
【００２５】
なお、パターニング装置本体２は、図１の例では基板固定ステージ３を基台８に対して前後方向（Ｙ軸方向）に移動させるようにしたが、例えば図８に示すように、基板固定ステージ３を基台８に対して位置固定としても良い。その場合、前記門形の支持フレーム１２Ａが、基台８上のレール９Ａ上で前後移動自在なＹ軸ステージとなり、Ｙ軸の進退駆動機構（図示せず）により進退させられる。図８の例におけるその他の構成は、図１の例と同様である。
【００２６】
図１において、光学ヘッド５の各レーザ加工用光学系組４Ａは、図２に示すように、それぞれ加工用レーザビームを照射するレーザ加工用光学系４が複数並べて設けられており、その並び方向は、加工するスクライブの方向（以下、スクライブ加工方向と記す）である前後方向（Ｙ軸方向）とされる。同図では、スクライブ加工方向に２つのレーザ加工用光学系４が並べて設けられ、１本のスクライブ加工ラインＬａに対して２つのレーザ加工用光学系４からの各レーザビームＳ１，Ｓ２が照射されるように構成される。これら２つのレーザ加工用光学系４からなるレーザ加工用光学系組４Ａでは、各レーザ加工用光学系４から照射されるレーザビームＳ１，Ｓ２の波長、発振周波数、パワーのいずれかが個別に変更可能とされている。なお、図２では、レーザビームＳ１，Ｓ２の波長、発振周波数、パワーが全て異なる例を示している。パワーと発振周波数、またはバワーと波長、または発振周波数と波長を個別に設定できるものであっても良い。
【００２７】
前記２つのレーザ加工用光学系４からなるレーザ加工用光学系組４Ａは、スクライブ加工ラインＬａの並び方向、つまりスクライブ加工方向と直交する左右方向（Ｘ軸方向）に並べて複数設けられ、同時に複数本のスクライブの加工が可能とされている。レーザビームを発生させるレーザ発振機１７は、個々のレーザ加工用光学系４毎に設けても良く、１台のレーザ発振機１７で発生させたレーザビームを複数本に分割して各レーザ加工用光学系４に分配しても良い。図２の例では、２つのレーザ発振機１７で発生させた２本のレーザビームを、各レーザ加工用光学系４に対応して設けた複数のミラー４８で分割して、Ｘ軸方向に並ぶ各レーザ加工用光学系４に導くようにしている。すなわち、複数のミラー４８はビームスプリッタ４７を構成する。この場合、各レーザ加工用光学系４は、前記ミラー４８や対物レンズ等の加工用レンズ４９などで構成される。
【００２８】
図１において、加工制御装置３０は、レーザパターニング装置本体２の全体を制御する手段であって、数値制御装置としての機能と、プログラマブルコントローラとしての機能を有する。加工制御装置３０は、パーソナルコンピュータ等のコンピュータと、このコンピュータに実行される加工プログラムとにより構成されている。加工制御装置３０は、移動制御手段３３およびレーザ出力制御手段３４を有する。
【００２９】
移動制御手段３３は、前記加工プログラムの指令に従って、光学ヘッド相対移動機構６の各軸の駆動機構の駆動源に出力を行い、光学ヘッド５を基板１に対して相対移動させる経路および速度を制御する手段である。レーザ出力制御手段３４は、レーザ発振機１７のオンオフ制御を行う手段である。
【００３０】
上記構成のレーザパターニング装置によると、スクライブ加工方向に複数（ここでは２つ）のレーザ加工用光学系４が並べて設けられ、１本のスクライブ加工ラインＬａに対して２つのレーザ加工用光学系４からの各レーザビームＳ１，Ｓ２が照射されるように構成されている。このため、１本のスクライブ加工ラインＬａにおける同一箇所に複数（ここでは２つ）のレーザビームＳ１，Ｓ２を照射することで、基板１上に成膜された薄膜をスクライブ加工することになり、レーザパワーの変動や、成膜状態の変化による加工への影響が少なく、安定した高品質なスクライブ加工が可能となる。
また、太陽電池パネルの基板のスクライブ加工に用いた場合、スクライブ加工の安定化により、太陽電池パネルの発電効率の向上に寄与できる。
【００３１】
また、これら２つのレーザ加工用光学系４からなるレーザ加工用光学系組４Ａでは、各レーザ加工用光学系４から照射されるレーザビームＳ１，Ｓ２の波長、発振周波数、パワーが個別に変更可能とされているので、スクライブ加工の加工条件設定範囲が広くなり、より最適な条件で、安定したスクライブ加工が可能となる。例えば、レーザビームＳ１，Ｓ２の波長、発振周波数、パワーを、表１に示すような設定で加工が可能となる。
【００３２】
【表１】
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【００３３】
すなわち、具体例を挙げれば、
（１）パワーの弱いレーザビームＳ１で、薄膜を少し剥離加工した後、もう１つのレー        ザビームＳ２で完全に分離加工を行う。
（２）レーザビームの重なりが発生しない発振周波数のレーザビームＳ１で分断加工し        た後、レーザパワーが弱く、発振周波数が高いもうひとつのレーザビームＳ２で        、薄膜の残り部分の加工を行う。
（３）ＹＡＧの第二高調波（５３２ｎｍ）のレーザビームＳ１で分断加工した後、ＹＡ        Ｇの基本波（１０６４ｎｍ）のレーザビームＳ２で、薄膜の残りの部分の加工を        行う。
などの加工が可能となり、加工条件設定の範囲が広がり、最適で安定したスクライブ加工が可能となる。
【００３４】
また、この実施形態では、スクライブ加工方向と同一方向に並ぶ複数のレーザ加工用光学系４からなるレーザ加工用光学系組４Ａを、スクライブ加工方向と直交する方向（Ｘ軸方向）に並べて複数設けているので、複数のスクライブ加工を同時にかつ安定して行うことができ、加工効率も向上させることができる。
【００３５】
図３は、光学ヘッド５におけるレーザ加工用光学系４の他の配置構成例を示す。この構成例では、スクライブ加工方向と同一方向に３つのレーザ加工用光学系４を並べてレーザ加工用光学系組４Ｂを構成している。レーザ発振機１７は、スクライブ加工方向に並ぶ３つのレーザ加工用光学系４に対応させて３つ設けられる。その他の構成は図２の構成例の場合と同様である。
このように、スクライブ加工方向と同一方向に３つのレーザ加工用光学系４を並べてレーザ加工用光学系組４Ｂを構成した場合、２つのレーザ加工用光学系４を並べた図２の構成例の場合よりも、さらに加工条件の幅を広げることができる。
【００３６】
図４の構成例では、１つのレーザ発振機１７から発生させたレーザビームを、ビームスプリッタ５０で分割することにより、レーザ加工用光学系組４Ａを構成する２つのレーザ加工用光学系４のレーザビームＳ１，Ｓ２を得るようにしている。これにより、１つのレーザ発振機１７から発生させた１つのレーザビームで、スクライブ加工方向に複数のレーザビームを配置することが可能となる。この場合も、２つのレーザビームＳ１，Ｓ２を用いることで、スクライブ加工を２回に分けて行うことが可能であり、その分、加工条件の設定範囲が広くなる。
【００３７】
図５はさらに他の構成例を示す。この構成例では、図４の構成例において、レーザ加工用光学系組４Ａを構成する前後に並ぶ２つのレーザ加工用光学系４のうち、一方のレーザ加工用光学系４の経路の途中に、レーザパワーを調整するアッテネータ５１を介在させている。その他の構成は、図４の構成例の場合と同様である。
【００３８】
この構成例によると、レーザ加工用光学系組４Ａを構成する前後に並ぶ２つのレーザ加工用光学系４から照射される両レーザビームＳ１，Ｓ２のレーザパワー比率をアッテネータ５１で調整することが可能となり、加工条件の設定範囲を図４の構成例の場合よりも広くすることができる。図５では、スクライブ加工方向の前方に配置されるレーザ加工用光学系４にアッテネータ５１を組み込んだが、スクライブ加工方向の後方に配置されるレーザ加工用光学系４にアッテネータ５１を組み込んでも良い。
【００３９】
図６はさらに他の構成例を示す。この構成例では、図４の構成例において、レーザ加工用光学系組４Ａを構成する前後に並ぶ２つのレーザ加工用光学系４のうち、一方のレーザ加工用光学系４（ここでは前方のレーザ加工用光学系４）の経路の途中に、波長変換ユニット５２を介在させている。その他の構成は、図４の構成例の場合と同様である。
【００４０】
この構成例によると、レーザ加工用光学系組４Ａを構成する前後に並ぶ２つのレーザ加工用光学系４から照射される両レーザビームＳ１，Ｓ２のうち、一方のレーザビームＳ２の波長を他方のレーザビームＳ１の波長と異ならせて加工を行うことが可能となり、加工条件の設定範囲を図４の構成例の場合よりも広くすることができる。図６では、スクライブ加工方向の前方に配置されるレーザ加工用光学系４に波長変換ユニット５２を組み込んだが、スクライブ加工方向の後方に配置されるレーザ加工用光学系４に波長変換ユニット５２を組み込んでも良い。
【００４１】
図７はさらに他の構成例を示す。この構成例では、図６の構成例において、レーザ加工用光学系組４Ａを構成する前後に並ぶ２つのレーザ加工用光学系４のうち、一方のレーザ加工用光学系４（ここでは前方のレーザ加工用光学系４）の経路の途中に、波長変換ユニット５２を介在させると共に、他方のレーザ加工用光学系４（ここでは後方のレーザ加工用光学系４）の経路の途中に、レーザパワーを調整するアッテネータ５１を介在させている。その他の構成は、図６の構成例の場合と同様である。
【００４２】
この構成例によると、レーザ加工用光学系組４Ａを構成する前後に並ぶ２つのレーザ加工用光学系４から照射される両レーザビームＳ１，Ｓ２の波長とパワーを互いに異ならせて加工を行うことが可能となり、加工条件の設定範囲を図６の構成例の場合よりもさらに広くすることができる。図７では、スクライブ加工方向の前方に配置されるレーザ加工用光学系４に波長変換ユニット５２を組み込み、後方に配置されるレーザ加工用光学系４にアッテネータ５１を組み込んだが、後方に配置されるレーザ加工用光学系４に波長変換ユニット５２を、前方に配置されるレーザ加工用光学系４にアッテネータ５１を組み込んでも良い。
【符号の説明】
【００４３】
１…基板
２…レーザパターニング装置本体
３…基板固定ステージ
４…レーザ加工用光学系
４Ａ，４Ｂ…レーザ加工用光学系組
５…光学ヘッド
６…光学ヘッド相対移動機構
４７，５０…ビームスプリッタ
４８…ミラー
４９…加工用レンズ
５１…アッテネータ
５２…波長変換ユニット
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…レーザビーム
ａ…スクライブ
Ｌａ…スクライブ加工ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2013184207.tif 000008
【図６】
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【図７】
2013184207.tif 000010
【図８】
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【図９】
2013184207.tif 000012
【図１０】
2013184207.tif 000013
【図１１】
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