(57)【要約】【課題】本発明は、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンション用基板を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、ビア接続用配線層および上記金属支持基板がビア部により電気的に接続され、上記金属支持基板に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部が形成され、上記ビア部が、上記凹部を充填するように形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記絶縁層上にビア接続用配線層が形成され、
前記ビア接続用配線層が、前記絶縁層の開口部に形成されたビア部によって、前記金属支持基板と電気的に接続され、
前記金属支持基板の前記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、前記壁部が平面視上、前記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部が形成され、
前記ビア部が、前記凹部を充填するように形成されていることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記底部が、平面視上、前記絶縁層の開口部に対応する位置に穴部を有し、
前記ビア部が、前記穴部を充填するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記ビア部が、前記ビア接続用配線層の開口部に形成され、
前記ビア接続配線層の開口部に沿って、前記ビア接続配線層の表面に配線めっき部が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記ビア部が、前記ビア接続用配線層の開口部に形成され、
前記ビア接続用配線層の一部を覆うようにカバー層が形成され、
前記ビア部が、前記カバー層よりも突出しないことを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項６】
請求項５に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項７】
請求項６に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項８】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有し、前記絶縁層上にビア接続用配線層が形成され、前記ビア接続用配線層は、前記絶縁層の開口部に形成されたビア部によって、前記金属支持基板と電気的に接続されたサスペンション用基板の製造方法であって、
前記金属支持基板の前記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、前記壁部が平面視上、前記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部を充填するように、前記ビア部を形成するビア部形成工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項９】
前記凹部形成工程において、前記凹部を電解処理により形成することを特徴とする請求項８に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャ）は、通常、金属支持基板（例えばステンレス鋼）、絶縁層（例えばポリイミド樹脂）、配線層（例えば銅）がこの順に積層された基本構造を有する。
【０００３】
金属支持基板は、通常、サスペンション用基板にばね性を付与するものであるが、ばねとしての機能以外に、配線層のグランドとしての機能を付与することが知られている。例えば、特許文献１においては、金属パッド（配線層）および金属薄板（金属支持基板）を、絶縁層を貫通し、金属めっきから構成される導通部分（ビア部）により、電気的に接続した磁気ヘッドサスペンションが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２０２３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
配線層および金属支持基板を電気的に接続するビア部には、サスペンション用基板のばね性に起因する変形応力、および、加熱または冷却による変形（膨張収縮）に起因する熱応力が集中する場合がある。一方、ＨＤＤの高機能化に伴い、サスペンション用基板に必要とされる配線層の数は増加傾向にあり、その結果、ビア部のサイズを小さくすることが求められている。ビア部のサイズを小さくすると、ビア部と金属支持基板との接触面積が小さくなるため、ビア部に応力が集中すると、最悪の場合は、ビア部が金属支持基板から抜けるという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記絶縁層上にビア接続用配線層が形成され、上記ビア接続用配線層が、上記絶縁層の開口部に形成されたビア部によって、上記金属支持基板と電気的に接続され、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部が形成され、上記ビア部が、上記凹部を充填するように形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【０００８】
本発明によれば、金属支持基板に凹部が形成され、その凹部を充填するようにビア部が形成されていることから、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンション用基板とすることができる。すなわち、凹部に充填されたビア部がアンカーとして機能することにより、金属支持基板との密着性が向上する。
【０００９】
上記発明においては、上記底部が、平面視上、上記絶縁層の開口部に対応する位置に穴部を有し、上記ビア部が、上記穴部を充填するように形成されていることが好ましい。穴部に充填されたビア部が、主に水平方向（厚さと直交する方向）のアンカーとして機能し、ビア部および金属支持基板の密着性がさらに向上するからである。
【００１０】
上記発明においては、上記ビア部が、上記ビア接続用配線層の開口部に形成され、上記ビア接続配線層の開口部に沿って、上記ビア接続配線層の表面に配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部を設けることにより、ビア部の底部面積に比べて、ビア接続用配線層の開口部の面積を小さくすることができ、ビア部および金属支持基板の密着性がさらに向上するからである。
【００１１】
上記発明においては、上記ビア部が、上記ビア接続用配線層の開口部に形成され、上記ビア接続用配線層の一部を覆うようにカバー層が形成され、上記ビア部が、上記カバー層よりも突出しないことが好ましい。ビア部がカバー層から突出すると、ビア部の形状制御が困難になり、隣接する配線層等に悪影響を与える可能性があるからである。
【００１２】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１３】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンションとすることができる。
【００１４】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００１５】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、金属支持基板との密着性が高いビア部を有する素子付サスペンションとすることができる。
【００１６】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００１７】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００１８】
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有し、上記絶縁層上にビア接続用配線層が形成され、上記ビア接続用配線層は、上記絶縁層の開口部に形成されたビア部によって、上記金属支持基板と電気的に接続されたサスペンション用基板の製造方法であって、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部を充填するように、上記ビア部を形成するビア部形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００１９】
本発明によれば、金属支持基板に凹部を形成し、その凹部を充填するようにビア部を形成することから、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンション用基板を得ることができる。
【００２０】
上記発明においては、上記凹部形成工程において、上記凹部を電解処理により形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板との密着性が高いという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図２】図１（ａ）における記録再生用素子実装領域を拡大した拡大図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】従来のビア部を説明する概略断面図である。
【図５】本発明におけるビア部を説明する概略断面図である。
【図６】本発明におけるビア部を説明する概略断面図である。
【図７】本発明におけるビア部を説明する模式図である。
【図８】本発明におけるビア部を説明する概略断面図である。
【図９】本発明におけるビア部を説明する概略断面図である。
【図１０】本発明におけるビア部を説明する概略断面図である。
【図１１】本発明におけるビア部を説明する概略断面図である。
【図１２】インターリーブ構造の配線層の一例を示す模式図である。
【図１３】端子部である金属支持基板の一例を示す概略断面図である。
【図１４】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１５】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１６】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図１７】サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１８】アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１９】実施例１で得られたサスペンション用基板のビア部の断面写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２４】
Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記絶縁層上にビア接続用配線層が形成され、上記ビア接続用配線層が、上記絶縁層の開口部に形成されたビア部によって、上記金属支持基板と電気的に接続され、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部が形成され、上記ビア部が、上記凹部を充填するように形成されていることを特徴とするものである。
【００２５】
図１は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、カバー層および絶縁層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する複数の配線層１０３ａ〜１０３ｄとを有するものである。配線層１０３ａおよび配線層１０３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１０３ｃおよび配線層１０３ｄも一対の配線層である。これらの２つの配線層は、一方がライト用（記録用、書込み用）配線層であり、他方がリード用（再生用、読取り用）配線層である。一方、図１（ｂ）に示すように、サスペンション用基板１００は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３上に形成されたカバー層４とを有する。
【００２６】
図２は、図１（ａ）における記録再生用素子実装領域を拡大した拡大図である。図２において、４本の配線層１０３ａ〜１０３ｄは、記録再生用素子実装領域１０１の近傍まで配置され、記録再生用素子（図示せず）と電気的に接続される。一方、図２においては、記録再生用素子のグランドを目的としたグランド用配線層１０３ｅが設けられている。図２では、このグランド用配線層１０３ｅがビア接続用配線層に該当する。図３（ａ）は図２のＡ−Ａ断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の拡大図である。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、本発明のサスペンション用基板は、絶縁層２上にビア接続用配線層３ａが形成され、ビア接続用配線層３ａが絶縁層２の開口部２ａに形成されたビア部５によって金属支持基板１と電気的に接続されている。さらに、本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板１の絶縁層２側の表面に、底部１１ａおよび壁部１１ｂから構成され、かつ、壁部１１ｂが平面視上、絶縁層２の開口部２ａより外側に位置する凹部１１が形成され、ビア部５が、凹部１１を充填するように形成されていることを大きな特徴とする。なお、図３（ｂ）では、凹部１１により絶縁層２の金属支持基板１側に形成された空間Ｓの全てを充填するようにビア部５が形成されているが、本発明においては、空間Ｓにおけるアンカー効果を発現できるようにビア部５が形成されていれば良く、例えば、空間Ｓにおける壁部１１ｂ側にビア部５が形成されていない領域が存在していても良い。このような領域は、例えば、気泡が残留した場合や、異物によってめっき液が十分に浸透しない場合に生じ得る。
【００２７】
本発明によれば、金属支持基板に凹部が形成され、その凹部を充填するようにビア部が形成されていることから、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンション用基板とすることができる。すなわち、凹部に充填されたビア部がアンカーとして機能することにより、金属支持基板との密着性が向上する。従来のビア部は、図４に示すように、金属支持基板１が凹部を有していないため、ビア部５および金属支持基板１の密着性は低く、特にビア部５のサイズが小さくなると、最悪の場合は、ビア部５が金属支持基板から抜けるという問題がある。これに対して、本発明によれば、上記のようにビア部がアンカーとして機能するため、金属支持基板との密着性が向上する。さらに、凹部の壁部が、平面視上、絶縁層の開口部より外側に位置するため、ビア部の底部面積が大きくなる。そのため、ビア部のサイズが小さくなっても、その底部面積は維持できるため、ビア部および金属支持基板の密着性を維持できる。その結果、ビア部および金属支持基板の接続信頼性が高いサスペンション用基板とすることができる。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
【００２８】
１．サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層および配線層を少なくとも有するものである。
【００２９】
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。
【００３０】
本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００３１】
本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、９μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。また、配線層の一部の表面には、配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できるからである。中でも、本発明においては、素子や外部回路基板との接続を行う端子部に配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Ａｕめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき等を挙げることができる。中でも、本発明においては、配線層の表面側から、ＮｉめっきおよびＡｕめっきが形成されていることが好ましい。配線めっき部の厚さは、例えば０．１μｍ〜４μｍの範囲内である。
【００３２】
本発明における配線層としては、例えば、ライト用配線層、リード用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ用配線層、グランド用配線層、ノイズシールド用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層等を挙げることができる。
【００３３】
本発明においては、カバー層が、配線層を覆うように形成されていることが好ましい。カバー層を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できるからである。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。
【００３４】
２．サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板の絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、壁部が平面視上、絶縁層の開口部より外側に位置する凹部が形成されていることを大きな特徴とする。
【００３５】
図５に示すように、絶縁層２の下端部と壁部１１ｂとの長さをＬ１とすると、Ｌ１は、例えば０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましく、３μｍ以上であることがさらに好ましい。Ｌ１が小さすぎると、ビア部に十分なアンカー機能を付与することができないからである。一方、Ｌ１は、例えば１５μｍ以下であることが好ましく、７μｍ以下であることがより好ましい。Ｌ１が大きすぎると、金属支持基板のばね性を阻害する可能性があるからである。また、図５に示すように、底部１１ａの深さ（壁部１１ｂの高さ）をＤ１とすると、Ｄ１は、例えば０．１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましく、３μｍ以上であることがさらに好ましい。Ｄ１が小さすぎると、Ｌ１を大きくすることが困難になる可能性があるからである。一方、Ｄ１は、例えば９μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。Ｄ１が大きすぎると、金属支持基板のばね性を阻害する可能性があるからである。また、Ｌ１／Ｄ１は、特に限定されるものではないが、例えば０．５／３〜５／１１（０．１６〜０．４５）の範囲内であることが好ましく、１／６〜３／８（０．１６〜０．３７５）の範囲内であることがより好ましい。
【００３６】
また、本発明において、凹部の底部の形状は特に限定されるものではないが、例えば、平面状、曲面状等を挙げることができる。平面状の底部としては、例えば図６（ａ）に示す底部を挙げることができる。平面状の底部の形成方法としては、例えば、金属支持基板に対して後述する電解処理を行う方法を挙げることができる。一方、曲面状の底部としては、例えば図６（ｂ）に示す底部を挙げることができる。曲面状の底部の形成方法としては、例えば、金属支持基板に対して後述するウェットエッチングを行う方法を挙げることができる。曲面状の底部と、壁部とは、曲面を構成するように連続的に形成されていても良い。
【００３７】
本発明においては、図７（ａ）に示すように、底部１１ａが、平面視上、絶縁層２の開口部２ａに対応する位置に穴部１１ｃを有し、ビア部５が、穴部１１ｃを充填するように形成されていることが好ましい。穴部に充填されたビア部が、主に水平方向（厚さと直交する方向）のアンカーとして機能し、ビア部および金属支持基板の密着性がさらに向上するからである。なお、図７（ａ）に示される穴部１１ｃを平面視すると、図７（ｂ）に示すように、絶縁層２の開口部２ａの形状（例えば円形状）に対応した形状となる。穴部の深さは特に限定されるものではないが、例えば０．５μｍ〜２μｍの範囲内であることが好ましく、１μｍ〜２μｍの範囲内であることが好ましい。穴部の形成方法としては、例えば、金属支持基板に対して、渦電流が生じる条件で電解処理を行う方法を挙げることができる。なお、電解処理については後述する。
【００３８】
本発明においては、図８に示すように、ビア部５が、ビア接続用配線層３ａの開口部に形成され、ビア接続配線層３ａの開口部に沿って、ビア接続配線層３ａの表面に配線めっき部６が形成されていることが好ましい。配線めっき部６を設けることにより、ビア部５の底部面積に比べて、ビア接続用配線層３ａの開口部の面積を小さくすることができ、ビア部および金属支持基板の密着性がさらに向上するからである。配線めっき部の材料および厚さについては、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００３９】
また、本発明においては、ビア部および金属支持基板の界面に、金属拡散層が形成されていることが好ましい。ビア部および金属支持基板の密着性がさらに向上するからである。例えば、金属支持基板の表面に対して、溶解処理またはエッチングを行うことにより凹部を形成する場合、溶解処理またはエッチングにより、金属支持基板の表面の不動態皮膜が除去される。そのため、凹部の形成後、速やかにビア部を形成すると、ビア部を構成する金属と、金属支持基板を構成する金属とが相互拡散し、拡散層が生じる。このような拡散層の存在は、例えば二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）より確認できる。特に、金属支持基板がステンレス鋼であり、ビア部がＮｉ含有金属である場合に、より密着性が高くなる。
【００４０】
本発明においては、図９（ａ）に示すように、ビア部５がビア接続用配線層３ａの開口部に形成され、ビア接続用配線層３ａの一部を覆うようにカバー層４が形成され、ビア部５がカバー層４よりも突出しないことが好ましい。ビア部５がカバー層４から突出すると、ビア部５の形状制御が困難になり、隣接する配線層等に悪影響を与える可能性があるからである。また、ビア部５がカバー層４から突出すると、実装する素子の平坦性を阻害する場合もある。また、本発明のサスペンション用基板は、図９（ｂ）に示すように、ビア接続用配線層３ａが、開口部に沿って薄肉部３１を有することが好ましい。カバー層から突出しないビア部を形成しやすくなるからである。図９（ｂ）に示すように、ビア接続用配線層３ａの厚さをＴ、薄肉部３１を形成するためにエッチングされた厚さをＴ１とすると、Ｔ１／Ｔの値は、例えば０．３〜０．８の範囲内であり、０．４〜０．７の範囲内であることが好ましく、０．４〜０．６の範囲内であることがさらに好ましい。また、Ｔ１の値は、ビア接続用配線層３ａの厚さによって異なるものであるが、例えば４μｍ〜１０μｍの範囲内、中でも５μｍ〜８μｍの範囲内であることが好ましい。また、図９（ｂ）に示すように、薄肉部３１の幅をＷとすると、Ｗの値は、例えば３μｍ〜３０μｍの範囲内であり、４μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。一方、本発明のサスペンション用基板は、図９（ｃ）示すように、カバー層４が、平面視上、薄肉部３１を覆うように形成されていることが好ましい。カバー層４の突起部分が蓋として機能し、カバー層から突出しないビア部を形成しやすくなるからである。カバー層４の突起部分の幅をＺとすると、Ｚの値は、例えば３μｍ以上であり、中でも４μｍ〜８μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４１】
本発明における絶縁層は、ビア部が貫通する開口部を有する。絶縁層の開口部の形状は、特に限定されるものではなく、円、楕円状、任意の多角形、櫛状、十字状、棒状等を挙げることができる。また、例えば図３（ａ）に示すように、絶縁層２の開口部２ａのサイズは、２０μｍ〜１２０μｍの範囲内であることが好ましく、３０μｍ〜８０μｍの範囲内であることがより好ましい。また、図３（ａ）に示すように、ビア接続用配線層３ａが開口部を有し、その開口部にビア部５が形成されていても良い。ビア接続用配線層の開口部の形状は、特に限定されるものではなく、円、楕円状、任意の多角形、櫛状、十字状、棒状等を挙げることができる。ビア接続用配線層の開口部のサイズとしては、上述した絶縁層の開口部と同様の範囲を挙げることができる。
【００４２】
また、本発明におけるビア部は、ビア接続用配線層と、材料的な連続性を有しないものであっても良く、材料的な連続性を有するものであっても良い。「材料的な連続性を有しない」とは、材料自体が異なること、同じ材料でも結晶サイズが異なること、あるいは境目に他の層（例えばスパッタ膜）があること等をいう。例えば、アディティブ法によりビア部およびビア接続用配線層を同時に形成する場合には、ビア部およびビア接続用配線層の材料および結晶サイズ等は同一になり、両者は材料的に連続した状態となる。一方、ビアの材料およびビア接続用配線層の材料が異なる場合、または、両者の材料が同一（例えば銅）であっても、ビア接続用配線層の開口部に後工程でビア部を形成する場合には、両者の界面に、材料的特性（材料の種類、結晶サイズ等）の違いに起因する不連続性が生じる。なお、「材料的な連続性を有する」とは、材料的特性（材料の種類、結晶サイズ等）が同一であることをいう。
【００４３】
例えば、上述した図３（ａ）に示すビア部５は、ビア接続用配線層３ａと材料的な連続性を有しないビア部である。この場合、ビア部の材料としては、例えばニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）および銅（Ｃｕ）等を挙げることができ、中でもニッケル（Ｎｉ）が好ましい。導電性および耐腐食性に優れ、かつ、安価だからである。特にニッケルを用いて、電解めっき法によりビア部を形成する場合、用いられる電解Ｎｉめっき浴としては、例えばワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。なお、これらのめっき浴には、適宜、添加剤を用いることにより、光沢度や皮膜応力を調整することができる。一方、図１０に示すビア部５は、ビア接続用配線層３ａと材料的な連続性を有するビア部である。このようなビア部は、例えばアディティブ法により形成することができる。
【００４４】
また、本発明におけるビア接続用配線層は、絶縁層上に形成されるものである。本発明において、「絶縁層上に形成される」とは、絶縁層に接するように形成される場合のみならず、絶縁層との間に何らかの層を介して形成される場合をも含む概念である。また、ビア接続用配線層は、上述した配線層（第一配線層）と同一の層である場合のみならず、第一配線層の上に第二絶縁層を介して形成された第二配線層と同一の層であっても良い。図１１においては、金属支持基板１、第一絶縁層２、第一配線層３、第二絶縁層７、第二配線層８、カバー層４がこの順に形成され、第二配線層８と同一の層であるビア接続用配線層８ａが、第一絶縁層３および第二絶縁層７を貫通するビア部５を介して、金属支持基板１と電気的に接続されていても良い。なお、第二絶縁層および第二配線層の材料等については、それぞれ、第一絶縁層および第一配線層に記載した内容と同様である。
【００４５】
また、本発明におけるビア部の用途は、ビア接続用配線層および金属支持基板を電気的に接続するものであれば特に限定されるものではない。本発明におけるビア部は、例えばグランド用途に用いることが好ましい。グランド用途としては、具体的には、素子のグランド（図２参照）、配線層間のノイズを抑制するノイズシールド用配線層のグランド等を挙げることができる。
【００４６】
また、本発明におけるビア部は、インターリーブ構造の配線層（ビア接続用配線層）と、ジャンパー部である金属支持基板とを接続するために用いられることが好ましい。インターリーブ構造の配線層を採用することで、低インピーダンス化を図ることができる。ここで、インターリーブ構造の配線層について図１２を用いて説明する。図１２（ａ）はインターリーブ構造の配線層の一例を示す概略平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）を金属支持基板側から観察した概略平面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１２（ａ）に示すように、ライト用配線層Ｗ１ａは分岐配線層Ｗ１ｂを有し、Ｗ１ａおよびＷ１ｂはそれぞれ絶縁層２を貫通するビア部５を有する。その２つのビア部５は、図１２（ｂ）、（ｃ）に示すように、金属支持基板１の一部であるジャンパー部１ａにより電気的に接続されている。同様に、ライト用配線層Ｗ２ａも分岐配線層Ｗ２ｂを有し、Ｗ２ａおよびＷ２ｂはそれぞれ絶縁層２を貫通するビア部５を有し、その２つのビア部５は、金属支持基板１の一部であるジャンパー部１ａにより電気的に接続されている。なお、図１２（ａ）に示すように、ライト用配線層Ｗ１に属する配線層（Ｗ１ａ、Ｗ１ｂ）と、ライト用配線層Ｗ２に属する配線層（Ｗ２ａ、Ｗ２ｂ）とは、交互に配置されている。
【００４７】
また、本発明におけるビア部は、ビア接続用配線層と、端子部である金属支持基板とを接続するために用いられることが好ましい。金属支持基板の端子部は、配線層の端子部に比べて、機械的強度が高く、変形を抑制できるからである。ここで、端子部である金属支持基板について図１３を用いて説明する。図１３は端子部である金属支持基板を示す概略平面図である。図１３に示すように、ビア接続用配線層３ａはビア部５を介して、端子部１ｂと電気的に接続されている。この端子部１ｂは、素子２１との接続に用いられる。素子としては、例えば、熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子等を挙げることができる。
【００４８】
熱アシスト用素子は、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、ｐｎ型の素子であっても良く、ｐｎｐ型またはｎｐｎ型の素子であっても良い。
【００４９】
アクチュエータ素子は、通常、マイクロアクチュエータ、ミリアクチュエータが該当する。アクチュエータ素子としては、例えばピエゾ素子を挙げることができる。ピエゾ素子としては、例えばＰＺＴからなるものを挙げることができる。ピエゾ素子の伸縮応答を利用することで、サブミクロン単位での位置決めを行うことができる。また、ピエゾ素子には、エネルギー効率が高い、耐荷重が大きい、応答性が速い、摩耗劣化がない、磁場が発生しないという利点がある。また、本発明においては、２極のピエゾ素子を１個用いても良い。１極のピエゾ素子を２個用いても良い。
【００５０】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
【００５１】
図１４は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１４に示されるサスペンション３００は、上述したサスペンション用基板１００と、サスペンション用基板１００の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム２００とを有するものである。
【００５２】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンションとすることができる。
【００５３】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。
【００５４】
Ｃ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。
【００５５】
図１５は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１５に示される素子付サスペンション４００は、上述したサスペンション３００と、サスペンション３００（サスペンション用基板１００の記録再生用素子実装領域１０１）に実装された記録再生用素子３０１とを有するものである。
【００５６】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、金属支持基板との密着性が高いビア部を有する素子付サスペンションとすることができる。
【００５７】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。さらに、本発明の素子付サスペンションは、熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子の少なくとも一方をさらに有することが好ましい。
【００５８】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
【００５９】
図１６は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１６に示されるハードディスクドライブ５００は、上述した素子付サスペンション４００と、素子付サスペンション４００がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク４０１と、ディスク４０１を回転させるスピンドルモータ４０２と、素子付サスペンション４００の素子を移動させるアーム４０３およびボイスコイルモータ４０４と、上記の部材を密閉するケース４０５とを有するものである。
【００６０】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００６１】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｃ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００６２】
Ｅ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有し、上記絶縁層上にビア接続用配線層が形成され、上記ビア接続用配線層は、上記絶縁層の開口部に形成されたビア部によって、上記金属支持基板と電気的に接続されたサスペンション用基板の製造方法であって、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部を充填するように、上記ビア部を形成するビア部形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００６３】
本発明によれば、金属支持基板に凹部を形成し、その凹部を充填するようにビア部を形成することから、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンション用基板を得ることができる。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、サブトラクティブ法による製造方法と、アディティブ法による製造方法とに大別することができる。
【００６４】
１．サブトラクティブ法
まず、サブトラクティブ法による製造方法について説明する。サブトラクティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし、ビア接続用配線層を有する配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部を充填するように、上記ビア部を形成するビア部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。
【００６５】
図１７は、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１７においては、まず、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａおよび導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図１７（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、ビア接続用配線層３ａを有する配線層を形成する（図１７（ｂ））。次に、配線層を覆うようにカバー層４を形成する（図１７（ｃ））。次に、絶縁部材２Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、絶縁層２を形成する（図１７（ｄ））。次に、酸電解処理により、金属支持部材１Ａの絶縁層２側の表面に、凹部１１を形成する（図１７（ｅ））。次に、金属支持部材１Ａからの給電により凹部１１を充填するビア部５を形成し、金属支持部材１Ａの外形加工を行い金属支持基板１を形成する（図１７（ｆ））。これにより、サスペンション用基板を得る。
以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００６６】
（１）積層部材準備工程
積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。
【００６７】
サブトラクティブ法においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより絶縁層が得られ、積層体の導体部材をエッチングすることにより配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。
【００６８】
（２）配線層形成工程
配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、上記導体部材をエッチングし、ビア接続用配線層を有する配線層を形成する工程である。
【００６９】
配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がＣｕである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００７０】
また、サブトラクティブ法においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば、開口部や治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の少なくとも一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。
【００７１】
（３）カバー層形成工程
カバー層形成工程は、上記配線層上にカバー層を形成する工程である。
【００７２】
カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。
【００７３】
（４）絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成する工程である。
【００７４】
絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。
【００７５】
（５）凹部形成工程
凹部形成工程は、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する工程である。
【００７６】
凹部を形成する方法としては、特に限定されるものではないが、金属支持基板を除去することにより凹部を形成することが好ましい。金属支持基板を除去する方法としては、例えば、電解処理およびウェットエッチングを挙げることができる。なお、金属支持基板を除去しない部分は、通常、レジストにより保護する。
【００７７】
上記電解処理（電解研磨）は、電解液を介して直流電流を流し、金属支持基板の表面を溶解させる処理である。また、電解処理を行うことで、図６（ａ）に示すような平面状の底部を有する凹部を形成できる。この理由は、冶具や電極を用いて電気を均一に流すことにより、接液部を均一に処理することができるからである。また、金属支持基板の表面に多少の凹凸が存在する場合においても、その凸部に電流が流れやすいため、凸部がより早く溶出し、結果として平面状の底部を形成することができる。また、電解処理には、研磨された金属支持基板の表面が滑らかになり、異物や汚れが付着しづらくなるという利点がある。これにより、めっき密着をより強固なものとすることができる。
【００７８】
電解処理としては、例えば、酸電解処理およびアルカリ電解処理を挙げることができる。酸電解処理に用いられる電解液としては、例えば、燐酸系浴、過塩素酸系浴等を挙げることができる。また、アルカリ電解処理に用いられる電解液としては、例えば、アルカリ金属塩化物系浴、アルカリ土類金属塩化物系浴等を挙げることができる。また、電解処理における電流値は、特に限定されるものではないが、例えば０．４Ａ〜０．８Ａの範囲内であることが好ましい。また、電解処理の時間は、目的とする凹部の深さに応じて異なるものであるが、例えば１０秒〜１５分の範囲内であることが好ましい。また、特に、本発明においては、穴部が生じるような条件で電解処理を行うことが好ましく、具体的には渦電流が生じる条件で電解処理を行うことが好ましい。
【００７９】
上記ウェットエッチングは、エッチング液を用いて、金属支持基板の表面をエッチングする処理である。また、ウェットエッチングを行うことで、図６（ｂ）に示すような曲面状の底部を有する凹部を形成できる。これは、ウェットエッチングは、等方的に金属支持基板の表面をエッチングするからである。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、ウェットエッチングの条件は、所望の凹部が得られるように、適宜設定することが好ましい。ウェットエッチングの方法としては、例えば、浸漬法、スプレー法等を挙げることができる。
【００８０】
（６）ビア部形成工程
ビア部形成工程は、上記凹部を充填するように、上記ビア部を形成する工程である。上記ビア部は、通常、めっき法により形成する。
【００８１】
ビア部の形成方法としては、所望のめっき部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法を挙げることができる。例えば、Ｎｉめっきから構成されるビア部を形成する場合、用いられる電解Ｎｉめっき浴としては、例えば、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、めっき条件は、特に限定されるものではなく、所望の条件（めっき時間、印加電圧等）を選択すれば良い。
【００８２】
（７）金属支持基板形成工程
金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する工程である。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。
【００８３】
金属支持部材をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００８４】
２．アディティブ法
次に、アディティブ法による製造方法について説明する。アディティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に、開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する凹部形成工程と、上記絶縁層上に、上記凹部を充填するビア接続用配線層を有する配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。
【００８５】
図１８は、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１８においては、まず、金属支持部材１Ａを準備する（図１８（ａ））。次に、金属支持部材１Ａの表面上に、パターン状の絶縁層２を形成する（図１８（ｂ））。次に、酸電解処理により、金属支持部材１Ａの絶縁層２側の表面に、凹部１１を形成する（図１８（ｃ））。次に、絶縁層２側の表面にスパッタリング法によりシード層（図示せず）を全面形成し、全面形成したシード層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分に、ビア接続用配線層３ａを有する配線層を形成する（図１８（ｄ））。この際、ビア部５およびビア接続用配線層３ａを同時に形成する。次に、配線層を覆うようにカバー層４を形成し、金属支持部材１Ａの外形加工を行い金属支持基板１を形成する（図１８（ｅ））。これにより、サスペンション用基板を得る。
以下、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００８６】
（１）金属支持部材準備工程
金属支持部材準備工程は、金属支持部材を準備する工程である。金属支持部材には、例えば市販の金属支持部材を用いることができる。
【００８７】
（２）絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する工程である。
【００８８】
絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の絶縁層を得ることができる。また、絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の絶縁層を得ることができる。
【００８９】
（３）凹部形成工程
凹部形成工程は、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する工程である。凹部形成工程については、上述したサブトラクティブ法による製造方法で記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００９０】
（４）配線層形成工程
配線層形成工程は、上記絶縁層上に、上記凹部を充填するビア接続用配線層を有する配線層を形成する工程である。アディティブ法においては、ビア部の形成および配線層の形成を同時に行う。
【００９１】
配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、配線層の形成前に、スパッタリング法等により絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。
【００９２】
（５）その他の工程
その他の工程については、上述したサブトラクティブ法による製造方法で記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００９３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００９４】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００９５】
［実施例１］
厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４である金属支持部材上に、絶縁部材形成材料として第１の非感光性ポリイミドを用い、厚さ１０μｍの絶縁部材を塗工方法にて形成した。さらに、その絶縁部材上にシード層となるＮｉ−Ｃｒ−Ｃｕをスパッタリングで約３００ｎｍコーティングし、それを導通媒体としＣｕめっきにて厚さ９μｍのＣｕめっき層である導体部材を形成し、積層部材を得た（図１７（ａ））。
【００９６】
次に、ＳＵＳ側で位置精度が重要な治具孔と、Ｃｕめっき層側で目的とする配線層を形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、レジストパターンを得た。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材からビア接続用配線層を有する配線層を形成し、金属支持部材に開口部を形成した（図１７（ｂ））。
【００９７】
次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にエッチングし、その後、硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した（図１７（ｃ））。次に、絶縁部材をエッチングするために、レジスト製版を行い、有機アルカリエッチング液を用いてエッチングし、パターン状の絶縁層を得た（図１７（ｄ））。次に、ビア接続用配線層の表面に、配線めっき部を形成した。次に、凹部を形成するためにレジスト製版を行い、０．５Ａ、３０秒の条件で酸電解処理を行い、金属支持基部材に凹部を形成した（図１７（ｅ））。次に、電解Ｎｉめっきを行い、凹部を充填するビア部を形成した（図１７（ｆ）。なお、電解Ｎｉめっき浴には標準的なスルファミン酸Ｎｉめっき浴を用い、電解浸漬めっき（０．２Ａ、１４分)を行った。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【００９８】
得られたサスペンション用基板のビア部の断面写真を図１９に示す。図１９に示すように、金属支持基板には凹部が形成され、その凹部を充填するようにビア部が形成されることが確認された。また、凹部の底部には、平面視上、絶縁層の開口部に対応する位置に穴部が形成されていることが確認された。なお、凹部の形状を図５におけるＬ１、Ｄ１で示すと、Ｌ１は５．５μｍであり、Ｄ１は１．１μｍであった。また、穴部の深さは２．８μｍであった。さらに、ビア部および金属支持基板の界面に対して、二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）で分析を行ったところ、界面に金属拡散層が形成されていることが確認された。
【００９９】
［実施例２］
厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４である金属支持部材を用意した（図１８（ａ））。金属支持部材に感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い５００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が１６０℃〜１９０℃の範囲になり、最高到達温度の保持時間が０．１分〜６０分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。その後、窒素雰囲気下で加熱を行い、絶縁層を形成した。金属支持部材上に形成された絶縁層の厚さは１０μｍであった（図１８（ｂ））。
【０１００】
次に、凹部を形成するためにレジスト製版を行い、０．５Ａ、３０秒の条件で酸電解処理を行い、金属支持基部材に凹部を形成した（図１８（ｃ））。次に、スパッタリング法により、絶縁層側の表面に、Ｃｒ単層のシード層を３５〜４５ｎｍ形成した。その後、レジスト製版を行い、レジストパターンから露出する表面に、凹部を充填するビア接続用配線層を有する配線層を形成した（図１８（ｄ））。次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にエッチングし、その後、硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した（図１８（ｅ））。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【符号の説明】
【０１０１】
１…金属支持基板、  １ａ…ジャンパー部、  １ｂ…端子部、  ２…絶縁層、  ３…配線層、  ３ａ…ビア接続用配線層、  ４…カバー層、  ５…ビア部、  ６…配線めっき部、  ７…第二絶縁層、  ８…第二配線層、  ８ａ…ビア接続用配線層、  １０１…記録再生用素子実装領域、  １０２…外部回路基板接続領域、  １０３…配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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