(57)【要約】【課題】トランジスタや駆動用制御回路のスイッチングノイズに起因して、過電流検出回路が誤動作することを抑制することが可能なスイッチング回路を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係るスイッチング回路１は、トランジスタ１１と、トランジスタ１１に接続されて、当該トランジスタ１１に流れる電流を受ける検出抵抗１２と、検出抵抗１２の両端電圧から、トランジスタ１１に流れる電流が過電流であるか否かを検出する過電流検出回路１３と、トランジスタ１１のスイッチング制御を行う制御回路であって、トランジスタ１１に流れる電流が過電流であることを過電流検出回路１３によって検出した場合に、スイッチング制御を制限する当該制御回路１５と、過電流検出回路１３と制御回路１５との間に挿入され、過電流検出回路１３からの信号をレベルシフトして制御回路１５へ伝達するレベルシフト回路１４とを備え、過電流検出回路１３のグランド電位は制御回路１５のグランド電位と異なる。【選択図】図１
2013219885.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
前記トランジスタに接続されて、当該トランジスタに流れる電流又は当該電流に関連した電流を受ける検出抵抗と、
前記検出抵抗の両端電圧から、前記トランジスタに流れる電流が過電流であるか否かを検出する過電流検出回路と、
前記トランジスタのスイッチング制御を行う制御回路であって、前記トランジスタに流れる電流が過電流であることを前記過電流検出回路によって検出した場合に、前記スイッチング制御を制限する当該制御回路と、
前記過電流検出回路と前記制御回路との間に挿入され、前記過電流検出回路からの信号をレベルシフトして前記制御回路へ伝達するレベルシフト回路と、
を備え、
前記過電流検出回路のグランド電位は、前記制御回路のグランド電位と異なる、
スイッチング回路。
【請求項２】
高電位と低電位との間に第１及び第２のトランジスタが順に直列に接続されたハーフブリッジ型のスイッチング回路であって、
前記第１のトランジスタに接続されて、当該第１のトランジスタに流れる電流又は当該電流に関連した電流を受ける第１の検出抵抗と、
前記第１の検出抵抗の両端電圧から、前記第１のトランジスタに流れる電流が過電流であるか否かを検出する第１の過電流検出回路と、
前記第１のトランジスタのスイッチング制御を行う第１の制御回路であって、前記第１のトランジスタに流れる電流が過電流であることを前記過電流検出回路によって検出した場合に、前記スイッチング制御を制限する当該第１の制御回路と、
前記第２のトランジスタに接続されて、当該第２のトランジスタに流れる電流又は当該電流に関連した電流を受ける第２の検出抵抗と、
前記第２の検出抵抗の両端電圧から、前記第２のトランジスタに流れる電流が過電流であるか否かを検出する第２の過電流検出回路と、
前記第２のトランジスタのスイッチング制御を行う第２の制御回路であって、前記第２のトランジスタに流れる電流が過電流であることを前記過電流検出回路によって検出した場合に、前記スイッチング制御を制限する当該第２の制御回路と、
前記第１の過電流検出回路と前記第１の制御回路との間に挿入され、前記第１の過電流検出回路からの信号をレベルシフトして前記第１の制御回路へ伝達するレベルシフト回路と、
を備え、
前記第１の過電流検出回路のグランド電位は、前記第１の制御回路のグランド電位と異なる、
スイッチング回路。
【請求項３】
前記第１のトランジスタのソース又はエミッタ端子が、前記第２のトランジスタのドレイン又はコレクタ端子に接続されており、
前記第１の検出抵抗は、前記第１のトランジスタのドレイン又はコレクタ端子と前記高電位との間に挿入されている、
請求項２に記載のスイッチング回路。
【請求項４】
前記第１の制御回路のグランド電位は、前記第１のトランジスタのソース又はエミッタ端子の電位であり、
前記第１の過電流検出回路のグランド電位は、前記高電位である、
請求項３に記載のスイッチング回路。
【請求項５】
前記レベルシフト回路はフォトカプラである、請求項１〜４の何れか１項に記載のスイッチング回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスタのスイッチング制御を行うスイッチング回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタをスイッチング制御するスイッチング回路において、トランジスタが異常動作状態（例えば、過電流、過電圧、高温度等）となるときに、このトランジスタの保護を行うことが考案されている。特許文献１には、この種のスイッチング回路が開示されている。
【０００３】
具体的には、特許文献１には、直列に接続された２つのトランジスタ１２ａ，１２ｂと、これらのトランジスタ１２ａ，１２ｂのスイッチング制御をそれぞれ行う増幅回路２１ａ，１４ａとを備え、これらのトランジスタ１２ａ，１２ｂを交互にスイッチング制御するハーフブリッジ型のスイッチング回路（インバータ）が開示されている。
【０００４】
そして、このスイッチング回路は、上アーム側のトランジスタ１２ａの電流センス端子とエミッタ端子間に接続された検出抵抗２１ｂと、検出抵抗２１ｂの両端電圧が所定の値を超えたときに動作して出力する比較器２１ｃと、比較器２１ｃが動作したときから所定の期間動作して出力するタイマー回路２１ｄと、タイマー回路２１ｄが動作中に増幅回路２１ａの出力をオフ状態にするゲートオフ回路２１ｅとを備え、上アーム側のトランジスタ１２ａに過電流が流れたときに、このトランジスタ１２ａをオフ状態とすることが開示されている。
【０００５】
同様に、このスイッチング回路は、下アーム側のトランジスタ１２ｂの電流センス端子とエミッタ端子間に接続された検出抵抗１４ｂと、検出抵抗１４ｂの両端電圧が所定の値を超えたときに動作して出力する比較器１４ｃと、比較器１４ｃが動作したときに増幅回路１４ａの出力をオフ状態にするゲートオフ回路１４ｄとを備え、下アーム側のトランジスタ１２ｂに過電流が流れたときに、このトランジスタ１２ｂをオフ状態とすることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平成１１−２３４８９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、比較器２１ｃ、タイマー回路２１ｄ及びゲートオフ回路２１ｅからなる過電流保護回路（本発明の過電流検出回路に相当）のグランドと、増幅回路（本発明の制御回路に相当）２１ａのグランドとが共通であると、増幅回路２１ａのスイッチングノイズが、共通グランドを経由して過電流保護回路２１ｃ〜２１ｅに侵入してしまう。
【０００８】
また、過電流保護回路２１ｃ〜２１ｅ−過電流保護回路２１ｃ〜２１ｅ及び増幅回路２１ａの共通グランド−トランジスタ１２ａのエミッタ端子−検出抵抗２１ｂ−過電流保護回路２１ｃ〜２１ｅの閉ループが形成され、この閉ループにトランジスタ１２ａのスイッチングノイズで誘導されるループ電流が流れる。このループ電流により、トランジスタ１２ａのスイッチングノイズが過電流保護回路２１ｃ〜２１ｅに侵入してしまう。
【０００９】
これらのトランジスタ１２ａ及び増幅回路２１ａのスイッチングノイズにより、過電流保護回路２１ｃ〜２１ｅが誤動作する虞がある。
【００１０】
同様に、比較器１４ｃ及びゲートオフ回路１４ｄからなる過電流保護回路（本発明の過電流検出回路に相当）のグランドと、増幅回路（本発明の制御回路に相当）１４ａのグランドとが共通であると、増幅回路１４ａのスイッチングノイズが、共通グランドを経由して過電流保護回路１４ｃ〜１４ｄに侵入してしまう。
【００１１】
また、過電流保護回路１４ｃ〜１４ｄ−過電流保護回路１４ｃ〜１４ｄ及び増幅回路１４ａの共通グランド−トランジスタ１２ｂのエミッタ端子−検出抵抗１４ｂ−過電流保護回路１４ｃ〜１４ｄの閉ループが形成され、この閉ループにトランジスタ１２ｂのスイッチングノイズで誘導されるループ電流が流れる。このループ電流により、トランジスタ１２ｂのスイッチングノイズが過電流保護回路１４ｃ〜１４ｄに侵入してしまう。
【００１２】
これらのトランジスタ１２ｂ及び増幅回路１４ａのスイッチングノイズにより、過電流保護回路１４ｃ〜１４ｄが誤動作する虞がある。
【００１３】
そこで、本発明は、トランジスタや駆動用制御回路のスイッチングノイズに起因して、過電流検出回路が誤動作することを抑制することが可能なスイッチング回路を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明のスイッチング回路は、トランジスタと、トランジスタに接続されて、当該トランジスタに流れる電流又は当該電流に関連した電流を受ける検出抵抗と、検出抵抗の両端電圧から、トランジスタに流れる電流が過電流であるか否かを検出する過電流検出回路と、トランジスタのスイッチング制御を行う制御回路であって、トランジスタに流れる電流が過電流であることを過電流検出回路によって検出した場合に、スイッチング制御を制限する当該制御回路と、過電流検出回路と制御回路との間に挿入され、過電流検出回路からの信号をレベルシフトして制御回路へ伝達するレベルシフト回路とを備え、過電流検出回路のグランド電位は、制御回路のグランド電位と異なる。
【００１５】
このスイッチング回路によれば、過電流検出回路と制御回路との間にレベルシフト回路が挿入されており、過電流検出回路のグランド電位が制御回路のグランド電位と異なるので、制御回路におけるトランジスタ駆動のためのスイッチングノイズが、グランドを経由して過電流検出回路に侵入することを防止することができる。
【００１６】
また、過電流検出回路のグランドと制御回路のグランドとを介して、過電流検出回路、制御回路、トランジスタ、及び、検出抵抗において閉ループが形成されることを防止することができ、トランジスタのスイッチングノイズで誘導されるループ電流が発生することを防止することができる。その結果、トランジスタのスイッチングノイズが過電流検出回路に侵入することを防止することができる。
【００１７】
したがって、トランジスタ及び駆動用制御回路のスイッチングノイズに起因して、過電流検出回路が誤動作することを抑制することができる。
【００１８】
また、本発明のスイッチング回路は、高電位と低電位との間に第１及び第２のトランジスタが順に直列に接続されたハーフブリッジ型のスイッチング回路であって、第１のトランジスタに接続されて、当該第１のトランジスタに流れる電流又は当該電流に関連した電流を受ける第１の検出抵抗と、第１の検出抵抗の両端電圧から、第１のトランジスタに流れる電流が過電流であるか否かを検出する第１の過電流検出回路と、第１のトランジスタのスイッチング制御を行う第１の制御回路であって、第１のトランジスタに流れる電流が過電流であることを過電流検出回路によって検出した場合に、スイッチング制御を制限する当該第１の制御回路と、第２のトランジスタに接続されて、当該第２のトランジスタに流れる電流又は当該電流に関連した電流を受ける第２の検出抵抗と、第２の検出抵抗の両端電圧から、第２のトランジスタに流れる電流が過電流であるか否かを検出する第２の過電流検出回路と、第２のトランジスタのスイッチング制御を行う第２の制御回路であって、第２のトランジスタに流れる電流が過電流であることを過電流検出回路によって検出した場合に、スイッチング制御を制限する当該第２の制御回路と、第１の過電流検出回路と第１の制御回路との間に挿入され、第１の過電流検出回路からの信号をレベルシフトして第１の制御回路へ伝達するレベルシフト回路とを備え、第１の過電流検出回路のグランド電位は、第１の制御回路のグランド電位と異なる。
【００１９】
このハーフブリッジ型のスイッチング回路によれば、上アーム側において、第１の過電流検出回路と第１の制御回路との間にレベルシフト回路が挿入されており、第１の過電流検出回路のグランド電位が第１の制御回路のグランド電位と異なるので、第１の制御回路における第１のトランジスタ駆動のためのスイッチングノイズが、グランドを経由して第１の過電流検出回路に侵入することを防止することができる。
【００２０】
また、第１の過電流検出回路のグランドと第１の制御回路のグランドとを介して、第１の過電流検出回路、第１の制御回路、第１のトランジスタ、及び、第１の検出抵抗において閉ループが形成されることを防止することができ、第１のトランジスタのスイッチングノイズで誘導されるループ電流が発生することを防止することができる。その結果、第１のトランジスタのスイッチングノイズが第１の過電流検出回路に侵入することを防止することができる。
【００２１】
したがって、第１のトランジスタ及び第１の駆動用制御回路のスイッチングノイズに起因して、第１の過電流検出回路が誤動作することを抑制することができる。
【００２２】
ところで、特許文献１に記載のハーフブリッジ型のスイッチング回路では、トランジスタ１２ａ，１２ｂのスイッチングに起因してこれらの間のコモンモード電圧が変動し、このコモンモード電圧変動が上アーム側の検出抵抗２１ｂを介して過電流保護回路２１ｃ〜２１ｅに侵入してしまう。このコモンモード電圧変動により、特に上アーム側の過電流保護回路２１ｃ〜２１ｅが誤動作する虞がある。
【００２３】
そこで、上記した本発明のスイッチング回路では、第１のトランジスタのソース又はエミッタ端子は、第２のトランジスタのドレイン又はコレクタ端子に接続されており、第１の検出抵抗は、第１のトランジスタのドレイン又はコレクタ端子と高電位との間に挿入されていることが好ましい。
【００２４】
この構成によれば、上アーム側の第１の検出抵抗は、第１のトランジスタのドレイン又はコレクタ端子と高電位との間に挿入されているので、第１のトランジスタのソース又はエミッタ端子側のコモンモード電圧変動が第１の過電流検出回路に侵入することを防止することができる。したがって、コモンモード電圧変動に起因して、上アーム側の第１の過電流検出回路が誤動作することを抑制することができる。
【００２５】
また、上記した本発明のスイッチング回路では、第１の制御回路のグランド電位は、第１のトランジスタのソース又はエミッタ端子の電位であり、第１の過電流検出回路のグランド電位は、高電位であることが好ましい。
【００２６】
この構成によれば、上アーム側の第１の過電流検出回路のグランド電位が安定電位であるので、上アーム側の第１の過電流検出回路が誤動作することをより抑制することができる。
【００２７】
また、上記した本発明のスイッチング回路では、レベルシフト回路はフォトカプラであることが好ましい。
【００２８】
この構成によれば、レベルシフト回路によって、制御回路と過電流検出回路とを電気的に絶縁することができるので、制御回路におけるトランジスタ駆動のためのスイッチングノイズが過電流検出回路に侵入することをより防止することができる。また、過電流検出回路のグランドと制御回路のグランドとを介して、過電流検出回路、制御回路、トランジスタ、及び、検出抵抗において閉ループが形成されることをより防止することができ、トランジスタのスイッチングノイズが過電流検出回路に侵入することをより防止することができる。したがって、トランジスタ及び駆動用制御回路のスイッチングノイズに起因して、過電流検出回路が誤動作することをより抑制することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、トランジスタのスイッチング制御を行うスイッチング回路において、トランジスタや駆動用制御回路のスイッチングノイズに起因して、トランジスタの保護のための過電流検出回路が誤動作することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施形態に係るスイッチング回路を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００３２】
図１は、本発明の実施形態に係るスイッチング回路を示す回路図である。図１に示すスイッチング回路１は、高電位Ｖｄｄと低電位Ｖｓｓとの間に第１及び第２のトランジスタ１１，２１が順に直列に接続されたハーフブリッジ型のスイッチング回路（インバータ）である。
【００３３】
このスイッチング回路１は、上アーム側の第１のトランジスタ１１のスイッチング制御のために、第１の検出抵抗１２と、第１の過電流検出回路１３と、第１のレベルシフト回路１４と、第１の制御回路１５とを備えている。また、スイッチング回路１は、下アーム側の第２のトランジスタ２１のスイッチング制御のために、第２の検出抵抗２２と、第２の過電流検出回路２３と、第２のレベルシフト回路２４と、第２の制御回路２５とを備えている。
【００３４】
例えば、第１及び第２のトランジスタ１１，２１は、Ｎチャネル型のＦＥＴ（Field EffectTransistor）である。第１のトランジスタ１１のソース端子と第２のトランジスタ２１のドレイン端子とが接続されており、第１及び第２のトランジスタ１１，２１は高電位Ｖｄｄと低電位Ｖｓｓとの間に直列に接続されている。第１及び第２のトランジスタ１１，２１には、それぞれ、ダイオード１６，２６が並列に接続されている。具体的には、ダイオード１６のアノードが第１のトランジスタ１１のソース端子に接続されており、カソードが高電位Ｖｄｄに接続されている。また、ダイオード２６のアノードが低電位Ｖｓｓに接続されており、カソードが第２のトランジスタ２１のドレイン端子に接続されている。なお、第１のトランジスタ１１のソース端子と第２のトランジスタ２１のドレイン端子との接続ノードに負荷３０が接続されることとなる。
【００３５】
第１のトランジスタ１１のドレイン端子と高電位Ｖｄｄとの間には、第１の検出抵抗１２が挿入されている。このように、第１の検出抵抗１２は、第１のトランジスタ１１に直列に接続されているので、第１の検出抵抗１２の両端には、第１のトランジスタ１１に流れる電流に応じた電圧が発生する。
【００３６】
第１の過電流検出回路１３は、第１の検出抵抗１２の両端電圧から、第１のトランジスタ１１に流れる電流が過電流であるか否かを検出する。第１の過電流検出回路１３は、第１の比較器１３ａと第１の判定回路１３ｂとを備える。第１の比較器１３ａは、第１の検出抵抗１２の両端電圧が所定の値を超えたときに、出力信号のレベルを変更する。そして、第１の判定回路１３ｂは、第１の比較器１３ａからの信号レベルが変更されたときに、第１のトランジスタ１１に流れる電流が過電流であると判定する。第１の比較器１３ａ及び第１の判定回路１３ｂのグランド電位、すなわち、第１の過電流検出回路１３のグランド電位は、高電位Ｖｄｄである。
【００３７】
第１のレベルシフト回路１４は、第１の過電流検出回路１３からの信号をレベルシフトして第１の制御回路１５へ伝達する。具体的には、第１のレベルシフト回路１４は、第１の過電流検出回路１３のグランド電位を基準とする信号レベルを、第１の制御回路１５のグランド電位を基準とする信号レベルにシフトする。第１のレベルシフト回路１４には、例えばフォトカプラが適用可能である。
【００３８】
第１の制御回路１５は、第１のトランジスタ１１のスイッチング制御、及び、過電流保護を行う。第１の制御回路１５は、第１の駆動回路１５ａと第１の保護回路１５ｂとを備える。第１の駆動回路１５ａは、ＰＷＭ信号に応じて、第１のトランジスタ１１のスイッチング制御を行う。そして、第１の過電流検出回路１３によって、第１のトランジスタ１１が過電流状態であると判定された場合には、第１の保護回路１５ｂは、第１の駆動回路１５ａにスイッチング制御を制限させる。例えば、第１の保護回路１５ｂは、第１の駆動回路１５ａにスイッチング制御を停止させる。第１の駆動回路１５ａ及び第１の保護回路１５ｂのグランド電位、すなわち、第１の制御回路１５のグランド電位は、第１のトランジスタ１１のソース端子の電位である。すなわち、第１の制御回路１５のグランド電位と第１の過電流検出回路１３のグランド電位とが異なっている。
【００３９】
次に、第２のトランジスタ２１のソース端子と低電位Ｖｓｓとの間には、第２の検出抵抗２２が挿入されている。このように、第２の検出抵抗２２は、第２のトランジスタ２１に直列に接続されているので、第２の検出抵抗２２の両端には、第２のトランジスタ２１に流れる電流に応じた電圧が発生する。
【００４０】
第２の過電流検出回路２３は、第２の検出抵抗２２の両端電圧から、第２のトランジスタ２１に流れる電流が過電流であるか否かを検出する。第２の過電流検出回路２３は、第２の比較器２３ａと第２の判定回路２３ｂとを備える。第２の比較器２３ａは、第２の検出抵抗２２の両端電圧が所定の値を超えたときに、出力信号のレベルを変更する。そして、第２の判定回路２３ｂは、第２の比較器２３ａからの信号レベルが変更されたときに、第２のトランジスタ２１に流れる電流が過電流であると判定する。第２の比較器２３ａ及び第２の判定回路２３ｂのグランド電位、すなわち、第２の過電流検出回路２３のグランド電位は、低電位Ｖｓｓである。
【００４１】
第２のレベルシフト回路２４は、第２の過電流検出回路２３からの信号をレベルシフトして第２の制御回路２５へ伝達する。具体的には、第２のレベルシフト回路２４は、第２の過電流検出回路２３のグランド電位を基準とする信号レベルを、第２の制御回路２５のグランド電位を基準とする信号レベルにシフトする。第２のレベルシフト回路２４には、例えばフォトカプラが適用可能である。
【００４２】
第２の制御回路２５は、第２のトランジスタ２１のスイッチング制御、及び、過電流保護を行う。第２の制御回路２５は、第２の駆動回路２５ａと第２の保護回路２５ｂとを備える。第２の駆動回路２５ａは、ＰＷＭ信号に応じて、第２のトランジスタ２１のスイッチング制御を行う。そして、第２の過電流検出回路２３によって、第２のトランジスタ２１が過電流状態であると判定された場合には、第２の保護回路２５ｂは、第２の駆動回路２５ａにスイッチング制御を制限させる。例えば、第２の保護回路２５ｂは、第２の駆動回路２５ａにスイッチング制御を停止させる。第２の駆動回路２５ａ及び第２の保護回路２５ｂのグランド電位、すなわち、第２の制御回路２５のグランド電位は、第２のトランジスタ２１のソース端子の電位である。すなわち、第２の制御回路２５のグランド電位と第２の過電流検出回路２３のグランド電位とが異なっている。
【００４３】
このハーフブリッジ型のスイッチング回路１によれば、上アーム側において、第１の過電流検出回路１３と第１の制御回路１５との間に第１のレベルシフト回路１４が挿入されており、第１の過電流検出回路１３のグランド電位が第１の制御回路１５のグランド電位と異なるので、第１の制御回路１５における第１の駆動回路１５ａのスイッチングノイズが、グランドを経由して第１の過電流検出回路１３に侵入することを防止することができる。
【００４４】
また、第１の過電流検出回路１３のグランドと第１の制御回路１５のグランドとを介して、第１の過電流検出回路１３、第１の制御回路１５、第１のトランジスタ１１、及び、第１の検出抵抗１２において閉ループが形成されることを防止することができ、第１のトランジスタ１１のスイッチングノイズで誘導されるループ電流が発生することを防止することができる。その結果、第１のトランジスタ１１のスイッチングノイズが第１の過電流検出回路１３に侵入することを防止することができる。
【００４５】
したがって、第１のトランジスタ１１のスイッチングノイズ、及び、第１の制御回路１５における第１の駆動回路１５ａのスイッチングノイズに起因して、第１の過電流検出回路１３が誤動作することを抑制することができる。
【００４６】
また、このハーフブリッジ型のスイッチング回路１によれば、第１のレベルシフト回路１４によって、第１の制御回路１５と第１の過電流検出回路１３とを電気的に絶縁することができるので、第１の制御回路１５における第１の駆動回路１５ａのスイッチングノイズが第１の過電流検出回路１３に侵入することをより防止することができる。また、第１の過電流検出回路１３のグランドと第１の制御回路１５のグランドとを介して、第１の過電流検出回路１３、第１の制御回路１５、第１のトランジスタ１１、及び、第１の検出抵抗１２において閉ループが形成されることをより防止することができ、第１のトランジスタ１１のスイッチングノイズが第１の過電流検出回路１３に侵入することをより防止することができる。したがって、第１のトランジスタ１１のスイッチングノイズ、及び、第１の制御回路１５における第１の駆動回路１５ａのスイッチングノイズに起因して、第１の過電流検出回路１３が誤動作することをより抑制することができる。
【００４７】
同様に、このハーフブリッジ型のスイッチング回路１によれば、下アーム側において、第２の過電流検出回路２３と第２の制御回路２５との間に第２のレベルシフト回路２４が挿入されており、第２の過電流検出回路２３のグランド電位が第２の制御回路２５のグランド電位と異なるので、第２の制御回路２５における第２の駆動回路２５ａのスイッチングノイズが、グランドを経由して第２の過電流検出回路２３に侵入することを防止することができる。
【００４８】
また、第２の過電流検出回路２３のグランドと第２の制御回路２５のグランドとを介して、第２の過電流検出回路２３、第２の制御回路２５、第２のトランジスタ２１、及び、第２の検出抵抗２２において閉ループが形成されることを防止することができ、第２のトランジスタ２１のスイッチングノイズで誘導されるループ電流が発生することを防止することができる。その結果、第２のトランジスタ２１のスイッチングノイズが第２の過電流検出回路２３に侵入することを防止することができる。
【００４９】
したがって、第２のトランジスタ２１のスイッチングノイズ、及び、第２の制御回路２５における第２の駆動回路２５ａのスイッチングノイズに起因して、第２の過電流検出回路２３が誤動作することを抑制することができる。
【００５０】
また、このハーフブリッジ型のスイッチング回路１によれば、第２のレベルシフト回路２４によって、第２の制御回路２５と第２の過電流検出回路２３とを電気的に絶縁することができるので、第２の制御回路２５における第２の駆動回路２５ａのスイッチングノイズが第２の過電流検出回路２３に侵入することをより防止することができる。また、第２の過電流検出回路２３のグランドと第２の制御回路２５のグランドとを介して、第２の過電流検出回路２３、第２の制御回路２５、第２のトランジスタ２１、及び、第２の検出抵抗２２において閉ループが形成されることをより防止することができ、第２のトランジスタ２１のスイッチングノイズが第２の過電流検出回路２３に侵入することをより防止することができる。したがって、第２のトランジスタ２１のスイッチングノイズ、及び、第２の制御回路２５における第２の駆動回路２５ａのスイッチングノイズに起因して、第２の過電流検出回路２３が誤動作することをより抑制することができる。
【００５１】
更に、このハーフブリッジ型のスイッチング回路１によれば、上アーム側の第１の検出抵抗１２は、第１のトランジスタ１１のドレイン端子と高電位Ｖｄｄとの間に挿入されているので、第１のトランジスタ１１，２１のスイッチングに起因するこれらの間のコモンモード電圧変動が、検出抵抗１２を介して第１の過電流検出回路１３に侵入することを防止することができる。したがって、コモンモード電圧変動に起因して、上アーム側の第１の過電流検出回路１３が誤動作することを抑制することができる。
【００５２】
更に、このハーフブリッジ型のスイッチング回路１によれば、上アーム側の第１の過電流検出回路１３のグランド電位が安定電位Ｖｄｄであるので、上アーム側の第１の過電流検出回路１３が誤動作することをより抑制することができる。
【００５３】
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、本実施形態では、上アーム側及び下アーム側の両方が、レベルシフト回路１４，２４をそれぞれ備え、制御回路１５，２５のグランド電位と過電流検出回路１３，２３のグランド電位とをそれぞれ異ならせた形態を例示したが、少なくとも上アーム側のみが、レベルシフト回路１４をそれぞれ備え、制御回路１５のグランド電位と過電流検出回路１３のグランド電位とをそれぞれ異ならせた形態であってもよい。
【００５４】
また、本実施形態では、第１及び第２のレベルシフト回路１４，２４として絶縁型のフォトカプラを例示したが、第１及び第２のレベルシフト回路には、様々なタイプのレベルシフト回路が適用可能である。
【００５５】
また、本実施形態では、第１及び第２のトランジスタ１１，２１としてＮチャネル型ＦＥＴを例示したが、第１及び第２のトランジスタ１１，２１には、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やバイポーラトランジスタ等、様々なタイプのトランジスタが適用可能である。なお、ＩＧＢＴが適用される場合、第１及び第２の検出抵抗１２，２２は、第１及び第２のトランジスタ１１，２１の電流センス端子にそれぞれ接続されてもよい。この場合、第１及び第２の検出抵抗１２，２２には、第１及び第２のトランジスタ１１，２１に流れる電流に関連した電流が流れることとなる。
【符号の説明】
【００５６】
１…スイッチング回路、１１…第１のトランジスタ、１２…第１の検出抵抗、１３…第１の過電流検出回路、１３ａ…第１の比較器、１３ｂ…第１の判定回路、１４…第１のレベルシフト回路、１５…第１の制御回路、１５ａ…第１の駆動回路、１５ｂ…第１の保護回路、１６，２６…ダイオード、２１…第２のトランジスタ、２２…第２の検出抵抗、２３…第２の過電流検出回路、２３ａ…第２の比較器、２３ｂ…第２の判定回路、２４…第２のレベルシフト回路、２５…第２の制御回路、２５ａ…第２の駆動回路、２５ｂ…第２の保護回路、３０…負荷、Ｖｄｄ…高電位、Ｖｓｓ…低電位。
【図１】
2013219885.tif 000003