(57)【要約】【課題】  矩形波の電圧の立ち上がり期間において電源から出力される充電電流、ならびに矩形波の電圧の立ち下がり期間において電源から出力される容量放電電流が、電源の耐電流を超え、電源が破損する恐れがあった。この電源の破損に伴う、生産効率の悪化、修理にともなうコストの増大が生じるという課題があった。【解決手段】  反応容器内に原料ガスを導入する工程と、接地電極に対向する電極に、放電開始電圧以上の電圧に達する第一の矩形波の電圧を電源から与え、プラズマＣＶＤ法によって前記反応容器内に設置した基体の上に堆積膜を成膜する成膜工程を含む電子写真感光体の製造方法であって、前記成膜工程より前に、放電開始電圧未満の第二の矩形波の電圧を、前記電極に与え、前記第二の矩形波の立ち上がり期間における前記電源の出力電流を測定し、その測定値に基づいて、前記第一の矩形波の立ち上がり期間における前記電源の出力電流が、常に前記電源の耐電流未満となるように、前記第一の矩形波の立ち上がり期間の時間を設定する波形設定工程を含む。【選択図】        図１
2013238706.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器内に原料ガスを導入する工程と、接地電極に対向する電極に、放電開始電圧以上の電圧に達する第一の矩形波の電圧を電源から与え、プラズマＣＶＤ法によって前記反応容器内に設置した基体の上に堆積膜を成膜する成膜工程を含む電子写真感光体の製造方法であって、
前記成膜工程より前に、
放電開始電圧未満の第二の矩形波の電圧を、前記電極に与え、
前記第二の矩形波の立ち上がり期間における前記電源の出力電流を測定し、その測定値に基づいて、前記第一の矩形波の立ち上がり期間における前記電源の出力電流が、常に前記電源の耐電流未満となるように、前記第一の矩形波の立ち上がり期間の時間を設定する波形設定工程を含むことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記波形設定工程は前記電極に、原料ガスを流した状態で行う請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記第一の矩形波の立ち上がり期間の時間の設定は、前記電源の電圧印加端子に接続される前記電極に通じる端子と、前記電源のシールド端子に接続される前記接地電極に通じる端子との間の時定数を設定することによって行う請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記波形設定工程において、前記第一の矩形波の立ち上がり期間における前記電源の出力電流が、前記電源の耐電流の８０％未満となるように設定する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」とも表記する。）を用いた電子写真感光体は、円筒状基体の表面に光導電層などの堆積膜を形成することにより製造されている。
堆積膜の形成方法としては、グロー放電により成膜用の原料ガスを分解し、その分解生成物を円筒状基体の表面に被着させる方法、いわゆるプラズマＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が広く採用されている。
【０００３】
近年、電子写真装置の高画質化が強く要求されるようになってきており、これに対応して、電子写真感光体の堆積膜の均一性（堆積膜の膜厚および膜質の均一性）の改善や、堆積膜の特性の向上が強く要求されている。
プラズマＣＶＤ法で形成された膜の膜特性の向上について、従来、接地電極に対し基板表面に正、負いずれかの極性になるように調整した矩形波の電圧を印加して放電させることが検討されている（特許文献１）。
【０００４】
正及び負となる電圧でプラズマが継続的に生成される両極放電では、電圧の正負に応じてイオンが往復運動する。その往復運動の間に他の荷電粒子や中性活性種、原料ガスと二次反応を繰り返すことで生成される粉体状の化合物が堆積膜中に取り込まれるため膜特性を向上するうえで課題となっていた。特許文献１に開示の技術では、イオンが片側への移動しかしないためプラズマ中での二次反応が抑制される。そのため、堆積膜の特性の再現性向上が可能になるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００６／１３４７８１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような正または負の極性のみの矩形波の電圧を印加する技術により堆積膜の特性の向上は達成されつつある。
しかしながら、矩形波の電圧を装置に印加して成膜を行う場合、次の課題があった。すなわち、矩形波の電圧の立ち上がり期間において、装置の電力導入経路全体の容量成分への充電が行われる。また、矩形波の電圧の立ち下がり期間において、装置の電力導入経路全体の容量成分からの容量放電が行われる。
【０００７】
製造ロット間で生じる装置を構成する部材間の寸法や配置位置のバラツキによって装置の電力導入経路全体の容量成分が変化し、場合によっては増大する。例えば基板の設置状態のバラツキによって、基板表面に対向する接地電極と基板表面の距離や、基板内面側に位置するヒータと基板内面との距離等が変化する。
それによって装置の電力導入経路全体の容量成分が変化する場合がある。
【０００８】
このような容量成分のバラツキによって、基準となる製造ロット（以下「リファレンスロット」とも表記する。）において定められた矩形波の電圧の印加に対して出力電流がバラツキをもつ。そのためリファレンスロットにおいて生じていたよりも大きな電流が出力され、それによって電源に損傷を与える可能性があった。
すなわち、矩形波の電圧の立ち上がり期間において電源から出力される充電電流、ならびに矩形波の電圧の立ち下がり期間において電源から出力される容量放電電流が増大する。その結果、矩形波の電圧の立ち上がり期間および立ち下がり期間における最大出力電流が電源の耐電流を超え、電源が破損する恐れがあった。
【０００９】
この電源の破損に伴う生産効率の悪化、および破損した電源の修理に伴うコストの増大が生じるという課題があった。
本発明は、以上のような課題を解決し、電源の損傷の発生を抑えることにより、生産の安定性を向上させた電子写真感光体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
反応容器内に原料ガスを導入する工程と、接地電極に対向する電極に、放電開始電圧以上の電圧に達する第一の矩形波の電圧を電源から与え、プラズマＣＶＤ法によって前記反応容器内に設置した基体の上に堆積膜を成膜する成膜工程を含む電子写真感光体の製造方法であって、前記成膜工程より前に、放電開始電圧未満の第二の矩形波の電圧を、前記電極に与え、前記第二の矩形波の立ち上がり期間における前記電源の出力電流を測定し、その測定値に基づいて、前記第一の矩形波の立ち上がり期間における前記電源の出力電流が、常に前記電源の耐電流未満となるように、前記第一の矩形波の立ち上がり期間の時間を設定する波形設定工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように、本発明によれば、 電源の損傷の発生を抑えることにより、生産の安定性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の製造方法を説明するための電圧の波形の模式図である。
【図２】本発明の製造方法を実施するための製造装置例を説明するための模式図である。
【図３】本発明の製造方法を実施するための製造装置に電圧を印加した場合の電圧と電流の関係の具体例を説明するための模式図である。
【図４】本発明の製造方法を実施するための波形制御部の構成例を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明について図１および図２を参照しつつ説明する。
図１は、接地電極に対向する電極に電源が与える矩形波の電圧の模式図、ならびに、電源が出力する電流の波形の模式図である。
図２は、接地電極２１４に対して円筒状基体２１２に図１で示される矩形波の電圧を印加することによって、円筒状基体２１２の表面に堆積膜を形成する装置の模式図であり、図２（ａ）は縦断面図、図２（ｂ）は横断面図である。
【００１４】
図２において２３０は電源、２３１はパルス制御部、２４０は波形制御部、２４１は電流計、２４２はスペクトルアナライザーである。
図１（ａ）は、接地電極２１４に対向する円筒状基体２１２に、電源２３０から与えられる矩形波の電圧の模式図である。
図１はすべて紙面上向きがマイナス極性の方向である。
【００１５】
図１（ａ）において１０１は立ち上がり期間Δｔｕ、１０２は電圧印加期間、１０３は立ち下がり期間Δｔｄであり、Ｖｍは矩形波の電圧の振幅である。
またＶｍ−が矩形波の電圧振幅の負極性部分、Ｖｍ＋が矩形波の電圧振幅の正極性部分であり、いずれも大きさを示す正の値であって、Ｖｍ＝Ｖｍ＋＋Ｖｍ−の関係にある。
Ｖｔｈ１はプラズマ放電開始電圧であり、Ｖｔｈ2はプラズマ放電維持電圧である。
また、図１（ａ）中のＴｏｎは立ち上がり期間Δｔｕと電圧がＶｍ−となっている時間との和であり、Ｄｕｔｙ（Ｄ）をＤ＝Ｔｏｎ／Ｔと定義する。
【００１６】
次に図１（ｂ）は、図１（ａ）に示される矩形波の電圧が印加される際に電源が出力する電流の波形の模式図である。
図１（ｂ）の１１１は立ち上がり期間１０１において出力される電流の波形部であり、１１３は立ち下がり期間１０３において出力される電流の波形部である。電流の波形部１１１は電流振幅ｉｃｕを持ち、電流の波形部１１３は電流振幅ｉｃｄを持つ。
【００１７】
この電流振幅ｉｃｕは、図２で示される装置の電力導入経路全体の容量Ｃａへの充電電流であり、電流振幅ｉｃｄは装置の電力導入経路全体の容量Ｃａからの容量放電電流の大きさである。
尚、ｉｃｕおよびｉｃｄは大きさを示し、正の値をもつ。
電源２３０から出力され接地電極２１４に対して円筒状基体２１２に印加される矩形波の電圧はパルス制御部２３１によって周波数（ｆ）、Ｄｕｔｙ（Ｄ）、振幅（Ｖｍ）が制御される。
【００１８】
図１（ａ）では矩形波の電圧振幅の負極性部分Ｖｍ−はプラズマ放電開始電圧Ｖｔｈ１以下であるため、接地電極２１４と円筒状基体２１２の間にプラズマは発生しない。
一方、円筒状基体２１２に印加される矩形波の電圧振幅の負極性部分Ｖｍ−において、プラズマ放電開始電圧Ｖｔｈ１より大きい期間がある場合、その期間に接地電極２１４と円筒状基体２１２の間にプラズマが生成される。
このときプラズマ放電電流が接地電極２１４と円筒状基体２１２の間に流れる。
【００１９】
この場合の電圧の波形を図１（ｃ）、電流の波形を図１（ｄ）に示す。
立ち上がり期間１２１において大きさｉｃｕの電流の波形部１３１が生じる。
プラズマ放電開始電圧Ｖｔｈ１を超える点Ａ１より、接地電極２１４と円筒状基体２１２の間に流れるプラズマ放電電流部１３６が加わり、次いで立ち上がり期間１２１の終点Ａ２において電圧はＶｍ−に到達する。
【００２０】
図１（ｄ）におけるｉｄは、Ｖｍに到達したときに流れるプラズマ放電電流の大きさを示し、符号は常に正であるが、プラズマ放電電流の極性は負である。
立ち上がり期間の終点Ａ２以降、電圧印加期間１２２に移行し、電圧はＶｍ−を保つ。
図１（ｃ）の電圧印加期間１２２に対応する図１（ｄ）の電流の波形における期間１３２には、プラズマ放電電流ｉｄのみ残る。
【００２１】
その後、電圧が電圧振幅Ｖｍを保つ印加期間１２２の終点Ａ３を過ぎると、立ち下がり期間１２３に移行し、電圧が下降する。
この電圧の下降に伴って、装置の電力導入経路全体の容量Ｃａからの容量放電電流が振幅ｉｃｄの電流の波形部１３３となって電流の波形に現れる。しかし点Ａ４に至るまでは電圧はプラズマ放電維持電圧Ｖｔｈ２を超えているため、プラズマ放電電流部１３７が重畳される。
【００２２】
プラズマ放電電流が生じている点Ａ１から点Ａ４までの期間において、プラズマ中の中性活性種及びプラスイオンが円筒状基体２１２に到達し堆積膜が形成される（プラズマＣＶＤ法）。
なお、「プラズマが生成される」とは、接地電極２１４と円筒状基体２１２との間に放電が生起し、原料ガスが電離して、荷電粒子（イオンや電子）が生成されることを意味している。
【００２３】
放電開始電圧および放電維持電圧について詳細に述べる。
接地電極と円筒状基体との間の放電は、接地電極と円筒状基体との間にわずかながら存在している電子が電界によって正電位側に運ばれ、その途中でガス分子に衝突してこれを電離させて、電子とイオンを生成するα作用が継続することによって始まる。この電離を生じさせるためには、衝突時の電子のエネルギーが、ガス分子の電離エネルギー以上であることが必要となる。電子がガス分子に衝突する際のエネルギーは、電界が大きくなるほど、すなわち、電極と円筒状基体との間に印加する電圧が大きくなるほど大きくなる。
電極と円筒状基体との間に印加する電圧を徐々に上げていき、電子がガス分子に衝突する際のエネルギーがガス分子の電離エネルギーに達すると、ガス分子の電離によって電極と円筒状基体との間に存在する電子が増加する。この電子の増加によって、衝突によるガス分子の電離が継続して起こることで放電が始まる。この放電が始まる時点の電圧を放電開始電圧という。
【００２４】
また、放電が開始した状態から、電極と円筒状基体との間に印加する電圧を下げていくと、ある電圧よりも小さくなった時点で放電が維持できなくなる。放電が維持できる最低電圧を放電維持電圧という。放電維持電圧は、通常、放電開始電圧よりも低い。放電が生起した状態では、放電が生起していない状態と比べて放電空間内の電子の数が多い。そのため電極と円筒状基体との間の印加電圧が放電開始電圧未満になっても、放電維持電圧以上であれば、ガス分子を電離可能なエネルギーを持った電子が放電維持に必要な数以上存在する。そのため上述のように放電維持電圧は、通常、放電開始電圧よりも低い。
【００２５】
また、γ作用と呼ばれる現象も、放電維持電圧が放電開始電圧よりも低くなる理由の１つとなっている。γ作用とは、ガス分子が電離して生じたイオンが電極や円筒状基体に衝突する際、それらの表面から二次電子が放出される現象である。放電が生起した後は、このγ作用によって生じた電子もガス分子の電離に寄与するので、放電開始電圧よりも低い電圧で放電が維持可能となる。
【００２６】
このように、放電開始電圧および放電維持電圧は、ガス分子の電離電圧および電子がガス分子に衝突するときのエネルギーが支配的な要素となる。ガス分子の電離電圧は、ガス種が決まれば決定される。また、ガス分子に衝突するときの電子のエネルギーは、電界強度および電子がガスに衝突するまでの移動距離の関数となる。言い換えれば、印加電圧、電極間距離および電子がガスに衝突するまでの移動距離の関数となる。また、電子がガスに衝突するまでの移動距離は、ガスの密度の関数、言い換えれば、反応容器内部の圧力の関数となる。
【００２７】
なお、複数のガス種からなる混合ガスを用いる場合、各々のガスの電離電圧とともに、ガスの混合比率も、放電開始電圧および放電維持電圧を決定付ける要素となる。
これら以外に放電開始電圧および放電維持電圧に影響を及ぼすものとしては、電極の表面材質、形状および温度などがあるが、これらは電離電圧、印加電圧、電極間距離および圧力に比べて影響度は小さい。
【００２８】
このように、放電開始電圧および放電維持電圧は、ガス種、ガスの混合比率、電極間距離および圧力によって異なるため、使用するガス条件およびプラズマＣＶＤ装置の構成によって固有の値を持つこととなる。すなわち、使用するプラズマＣＶＤ装置と使用するガス条件が決まれば、放電開始電圧および放電維持電圧は一意に決まる。
【００２９】
図２で示される装置の電力導入経路全体の容量Ｃａに充電する充電電流の大きさｉｃｕは、以下の様に表わされる。
すなわち、矩形波の時刻ｔにおける電圧をＶ（ｔ）としたとき、立ち上がり期間内において、ｉｃｕ（ｔ）＝Ｃａ＊ｄＶ（ｔ）／ｄｔと表される。
また同時に、立ち上がり期間Δｔｕにおいては、図１（ｄ）に示す大きさｉｄのプラズマ放電電流部１３６が重畳される。
【００３０】
そのため、時刻ｔにおけるプラズマ放電電流の大きさをｉｄ（ｔ）とすると、立ち上がり期間Δｔｕ内の時刻ｔにおいて、Ｃａ＊ｄＶ（ｔ）／ｄｔ＋ｉｄ（ｔ）の大きさの電流が電源２３０より出力される。
一方、図１（ｂ）および図１（ｄ）に示すｉＬは、電源２３０の耐電流であり、電流の大きさがｉＬを超えると、電源２３０が破損する可能性が生じる。
そのため、電源２３０の損傷を防ぐためには立ち上がり期間Δｔｕにわたって、Ｃａ＊ｄＶ（ｔ）／ｄｔ＋ｉｄ（ｔ）＜ｉＬである必要がある。今、立ち上がり期間ΔｔｕにおけるＣａ＊ｄＶ（ｔ）／ｄｔ＋ｉｄ（ｔ）の最大値をｉｕｍａｘと定義すると、ｉｕｍａｘ＜ｉＬであることが電源２３０の損傷を防ぐ条件となる。
【００３１】
ｉｃｕは装置の電力導入経路全体の容量Ｃａに依存する。装置の電力導入経路全体の容量Ｃａは、接地電極２１４および円筒状基体２１２の表面積の違いといった装置構成の違いだけでなく、同一構成における複数装置間の形状のズレや、円筒状基体２１２のセッティング状態のズレによっても変化する。
そのため電子写真感光体の製造ロット毎にＣａが変化し、したがってｉｃｕ（＝Ｃａ＊ｄＶ（ｔ）／ｄｔ）が変化するが、場合によっては増大する可能性がある。このときｉｕｍａｘがｉＬを超えて電源を破損する恐れがある。
【００３２】
同様に、立ち下がり期間Δｔｄで発生する電流についても、電源２３０の耐電流ｉＬに対する超過を防ぐ必要がある。尚、容量放電電流の極性は正である一方、プラズマ放電電流の極性は負であるため、容量放電電流の大きさｉｃｄに対してプラズマ放電電流の大きさｉｄは差し引かれる方向に重畳される。
すなわち、時刻ｔにおける電圧をＶ（ｔ）としたとき、容量放電電流の大きさｉｃｄは、矩形波の電圧の立ち下がり期間内において、ｉｃｄ（ｔ）＝Ｃａ＊ｄＶ（ｔ）／ｄｔと表される。従って電源２３０の損傷を防ぐためには立ち下がり期間Δｔｄにわたって、｜Ｃａ＊ｄＶ（ｔ）／ｄｔ−ｉｄ（ｔ）｜＜ｉＬである必要がある。今、立ち下がり期間Δｔｄ内における｜Ｃａ＊ｄＶ（ｔ）／ｄｔ−ｉｄ（ｔ）｜の最大値をｉｄｍａｘと定義すると、ｉｄｍａｘ＜ｉＬであることが電源２３０の損傷を防ぐための条件となる。
【００３３】
立ち下がり期間Δｔｄもまた、電子写真感光体の製造ロット毎のＣａの変化に応じて上述したｉｄｍａｘが変化し、場合によっては増大してｉＬを超え、電源２３０を破損する可能性がある。
ｉｃｕの増大を抑えるためには、電圧Ｖ（ｔ）の時間変化の大きさを、立ち上がり期間Δｔｕ内で小さく抑え続けることによって達成できる。
【００３４】
その方法の一つとして、装置の電力導入経路全体の時定数を増やすことで、立ち上がり期間Δｔｕを長くする方法がある。
このことはｉｃｄについても同様であり、装置の電力導入経路全体の時定数を増やすことで、立ち下がり期間Δｔｄもまた長くなり、それによってｉｃｄを小さく抑え続けることができる。
【００３５】
一方、パルス放電においては、矩形波の電圧がもつ急峻な立ち上がりと短いパルス幅とによって、電子温度を効率的に上昇できることが知られており、原料ガスの分解効率の向上と、それにともなう膜特性の向上に寄与すると考えられる。
つまり、ｉｃｕの増大を抑えるためにΔｔｕを長くしすぎると、矩形波の電圧の立ち上がりの急峻さが失われるため、パルス放電がもつエネルギー効率性が損なわれると考えられる。それによって原料ガスの分解効率が落ち、成膜効率の低下および膜特性の低下が生じ、必要な膜厚の堆積に時間がかかることによる製造コストの増大や、品質の低下が生じる恐れがある。
【００３６】
これを防ぐためにはΔｔｕを長くし過ぎることなく、長くとも３μｓｅｃ以下であることが好ましい。
電子写真感光体の製造開始に際しては、光導電性や欠陥などの膜特性が所望の性能が満たされるとともに、当然、製造時に電源等の装置への損傷が生じない製造状況であることが確認される。
この確認が行われたロットを、以下「リファレンスロット」とも表記する。
【００３７】
また、リファレンスロット製造時において、ΔｔｕおよびΔｔｄを固定して装置に入力するＶｍ＋およびＶｍ−を成膜時の電圧まで徐々に上昇させる。以下、成膜時の電圧振幅の正極性部分を「Ｖｍ成膜＋」、成膜時の電圧振幅の負極性部分を「Ｖｍ成膜−」とも表記する。
このときの、Ｖｍ＋およびＶｍ−に対するｉｕｍａｘおよびｉｄｍａｘの対応関係を記録する。
そしてリファレンスロット製造時における、Ｖｍ＋およびＶｍ−に対するｉｕｍａｘおよびｉｄｍａｘを、以下、リファレンス値と定義する。
【００３８】
上述したように、各々の製造ロットにおいて、リファレンスロットが製造された状況からズレが生じ、例えば、装置の電力導入経路全体の容量Ｃａの変動などが生じる。
以下では、このような装置の電力導入経路全体の容量Ｃａの変動があっても、リファレンス値からの各製造ロットのバラツキを抑える方法を述べる。
すなわち、各製造ロットにおけるＶｍ＋およびＶｍ−に対する最大電流ｉｕｍａｘおよびｉｄｍａｘ（以下「検査値」とも表記する。）をリファレンス値と比較した後、その比較に基づいて電圧の波形の設定をおこなう。
それによって、電源から出力される最大電流ｉｕｍａｘおよびｉｄｍａｘを確実にｉＬ未満に抑えることにより、電源の損傷を防ぐ。
【００３９】
各製造ロットにおいて、ΔｔｕおよびΔｔｄを固定して（このときのΔｔｕをΔｔｕ１とし、ΔｔｄをΔｔｄ１とする。）Ｖｍ−＜Ｖｔｈ１および、Ｖｍ＋＜Ｖｔｈ１の範囲で、Ｖｍ−とＶｍ＋をゼロから徐々に上昇させる。
このとき、Ｖｍ−とＶｍ＋の上昇に従ってｉｕｍａｘおよびｉｄｍａｘも増大する。
このｉｕｍａｘおよびｉｄｍａｘの値を電流計２４１でモニタし、Ｖｍ＋およびＶｍ−に対する、ｉｕｍａｘおよびｉｄｍａｘの値の組を少なくとも１つ以上測定する。
【００４０】
Ｖｍ−とＶｍ＋の上昇は、ｉｕｍａｘ＜ｉＬおよびｉｄｍａｘ＜ｉＬの範囲内で行う。
例えば、ｉｕｍａｘおよびｉｄｍａｘの値のいずれかが、ｉＬの５０％に到達した時点で、Ｖｍ−とＶｍ＋の上昇を止める。
こうして測定されたＶｍ＋およびＶｍ−に対する、ｉｕｍａｘとｉｄｍａｘの値の組（すなわち検査値）と、リファレンスロットにおけるＶｍ＋およびＶｍ−に対する、ｉｕｍａｘとｉｄｍａｘの値の組（すなわちリファレンス値）とを比較する。
この比較によって、成膜時の電圧Ｖｍ＋成膜とＶｍ−成膜を装置に入力した際に生じるｉｕｍａｘおよびｉｄｍａｘを見積もる。以下、この際のｉｕｍａｘをｉｕｍａｘ２とも表記し、ｉｄｍａｘをｉｄｍａｘ２とも表記する。
【００４１】
この比較の例を図３に示す。
図３において、白丸プロットは検査値であり、黒丸プロットはリファレンス値である。
実線３０１および３０３はＶｍ−＜Ｖｔｈ１におけるｉｕｍａｘのＶｍ−に対する依存性を示し、リファレンス値および検査値ともにほぼリニアな関係にある。
破線３０２はＶｍ−＞Ｖｔｈ１におけるリファレンス値のｉｕｍａｘのＶｍ−に対する依存性を示す。
【００４２】
一方、一点鎖線３０４は、Ｖｍ−＞Ｖｔｈ１における検査値のｉｕｍａｘのＶｍ−に対する依存性を示し、実線３０１および３０３と、破線３０２から求めた近似曲線である。
すなわち、実線３０１の傾きをα、実線３０３の傾きをβとしたとき、各Ｖｍにおける破線３０２上のｉｕｍａｘに対し、（β−α）＊Ｖｍ−を加えたプロットから求めた近似曲線である。
【００４３】
図３（ａ）においては、検査値がリファレンス値を下回っており、検査値から予測されるＶｍに対するｉｕｍａｘの一点鎖線３０４から、成膜時の電圧振幅の負極性部分Ｖｍ−成膜を印加してもｉｕｍａｘ２がｉＬを超えることはないと予測される。
【００４４】
一方、図３（ｂ）においては、検査値がリファレンス値を上回っている。
一点鎖線３０６は、Ｖｍ−＞Ｖｔｈ１における検査値の依存性を示し、実線３０１および３０５と、破線３０２から求めた近似曲線である。
すなわち、実線３０１の傾きをα、実線３０５の傾きをδとしたとき、各Ｖｍにおける破線３０２上のｉｕｍａｘに対し、（δ−α）＊Ｖｍ−を加えたプロットから求めた近似曲線である。
この一点鎖線３０６から、成膜時の電圧振幅の負極性部分Ｖｍ−成膜を印加したときｉｕｍａｘ２がｉＬを超えることが予測される。
【００４５】
この場合、成膜時に電源２３０が損傷する恐れがある。それを防ぐため、装置の電力導入経路全体の時定数を増やして、立ち上がり期間Δｔｕ（および立ち下がり期間Δｔｄ）を伸ばすことで、ｉｕｍａｘ２（およびｉｄｍａｘ２）を抑えるように波形を設定する。
このときの電圧の波形の模式図を図１（ｅ）、対応する電流の波形の模式図を図１（ｆ）に示す。
【００４６】
尚、上記の検査値は、真空中で実施しても高い精度でｉｕｍａｘ２およびｉｄｍａｘ２を見積もることができる。しかしより好ましくは、原料ガスを導入した状態で検査値を測定したほうが、成膜時の装置の電力導入経路全体の容量Ｃａが実現した状態であるため、より精度よくｉｕｍａｘ２およびｉｄｍａｘ２を見積もることができる。
こうして成膜時において接地電極２１４に対して円筒状基体２１２に印加する所望のＶｍ−成膜において、ｉＬ未満となるｉｕｍａｘ２を実現するΔｔｕおよび、ｉＬ未満となるｉｄｍａｘ２を実現するΔｔｄが算出される。
それによって電源２３０の破損の恐れなく、成膜を行うことが可能となる。
【００４７】
以上のようにすることで、通常の製造状態において電源２３０破損の恐れはなくなる。
しかし、例えば、成膜中に大きなダストが接地電極２１４と円筒状基体２１２の間に入り込むなど、通常では起こる可能性の非常に小さい突発事態に対しても電源２３０の損傷を回避できることが好ましい。
そのため、Δｔｕは、ｉｕｍａｘ２がｉＬよりも充分小さくなるようにΔｔｕを決定することが好ましく、ｉｕｍａｘ２がｉＬの８０％以下となるように決定することが好ましい。
【００４８】
同様にΔｔｄについても、ｉｄｍａｘ２がｉＬよりも充分小さくなるようにΔｔｄを決定することが好ましく、ｉｄｍａｘ２がｉＬの８０％以下となるように決定することが好ましい。
このようにすることで、より確実に電源２３０の損傷を回避することが可能となる。
尚、図１（ｅ）に示す円筒状基体２１２に印加する電圧の波形は、その電圧の大きさが、放電開始電圧を超える、負極性に印加される区間の波形と、放電開始電圧未満に抑えられる、正極性に印加される区間の波形によって構成される。
【００４９】
更に本発明の実施形態について、図２を参照して詳細に説明する。
本発明で作製する電子写真感光体は、例えば円筒状基体の外周面に、堆積膜を形成したものである。堆積膜は、例えば、下部電荷注入阻止層、光導電層、上部電荷注入阻止層および表面層を順次積層形成したものである。下部電荷注入阻止層は、円筒状基体からの電荷の注入を阻止するためのものであり、例えばａ−Ｓｉ系材料により形成されている。
【００５０】
光導電層は、レーザ光などの光照射によって電荷を発生させるためのものであり、例えばａ−Ｓｉ系材料により形成されている。また、光導電層の厚みは、使用する光導電性材料および所望の電子写真特性により適宜設定すればよく、ａ−Ｓｉ系材料を用いて光導電層を形成する場合には、光導電層の厚みは、例えば５μｍ以上１００μｍ以下、好適には１０μｍ以上６０μｍ以下とされる。
【００５１】
上部電荷注入阻止層は、電子写真プロセス中に帯電した際の表面電荷の注入を阻止するためのものであり、例えばａ−Ｓｉ系材料により形成されている。この上部電荷注入阻止層は、例えばａ−Ｓｉに、硼素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、あるいは酸素（Ｏ）を含有させたものとして形成される。さらに、照射されるレーザ光などの光が吸収されることのないように広い光学バンドギャップを有する必要があり、例えば炭素（Ｃ）を含有させて形成される。その厚みは０．０１μｍ以上１μｍ以下とされている。
【００５２】
表面層は、電子写真感光体の表面を保護するためのものであり、画像形成装置内での摺擦による摩耗に耐え得るように形成される。例えば水素化アモルファス炭化ケイ素（以下、「ａ−ＳｉＣ：Ｈ」とも表記する）や水素化アモルファス窒化ケイ素（以下、「ａ−ＳｉＮ：Ｈ」とも表記する）などのａ−Ｓｉ系材料により形成される。あるいはアモルファスカーボン（以下、「ａ−Ｃ」とも表記する）などにより形成される。この表面層は、電子写真感光体に照射されるレーザ光などの光が吸収されることのないように、照射される光に対して充分広い光学バンドギャップを有している。また、画像形成における静電潜像を保持出来得る抵抗値（一般的には１０１１Ω・ｃｍ以上）を有している。
【００５３】
電子写真感光体は、例えば図２に示した真空処理装置を用いることにより形成される。図２の真空処理装置は、プラズマ処理によって円筒状の基体２１２Ａ、２１２Ｂに堆積膜を形成するための円筒状の反応容器２１１と、円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂを加熱するための加熱用ヒータ２１６を備えている。
また、円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂを保持する基体ホルダ２１３Ａ及び２１３Ｂ、円筒状反応容器２１１内に原料ガスを導入するためのガスブロック２３５を備えている。
【００５４】
ガスブロック２３５には、原料ガス混合装置２２５からガスを導入する導入孔、円筒状反応容器２１１の内部にガスを放出する複数の放出孔が設けられている。さらに導入孔から複数の放出孔へガスを分配する配管が内部に形成されている。
ガスブロック２３５は接地電極２１４から取り外しが可能（脱着可能）な構造となっている。またガスブロック２３５とガス供給系との接続は、継ぎ手部材２３６を介して接続されている。
接地電極２１４は、円筒状反応容器２１１の内壁の一部を構成し、ベースプレート２１９、上蓋２２０は接地される。
【００５５】
ガスブロック２３５の形状に関しては特に制限はないが、接地電極２１４の内面との段差は極力小さい方が好ましい。
また、接地電極２１４の内面と同じ面をなすガスブロックの面（ガス放出孔側の面）は平面でも良いが、接地電極２１４の内面と同じ曲率をもつ曲面とすることが好ましい。
ガスブロックのガス放出孔の直径は０．５ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲であることが好ましい。更に、各放出孔の精度は直径の±２０％以内の精度であることが好ましい。ガス放出孔の精度によっては、電子写真感光体の長手方向（軸方向）の特性ムラのみならず、円筒状基体を回転させながら成膜する場合においても周方向ムラに影響を及ぼす場合もある。
【００５６】
ガスブロック２３５においては、ガス放出孔の近傍の材質に絶縁性セラミックからなる材料を用いることも有効である。
成膜条件によってはガス放出孔の近傍がガスの流れ（突出圧力）の影響でプラズマが集中しやすい状態に成る場合があるため、これを抑制する上で効果的である。
ガスブロック２３５を接地電極２１４から取り外しが可能（脱着可能）な構造としているので、ブロック単体で加工が行なえるので、管状のセラミック部品をガス放出孔の近傍に埋め込む加工も容易に行なえる。
【００５７】
セラミックス材料として具体的には、アルミナ、ジルコニア、ムライト、コージェライト、炭化珪素、チッ化ホウ素、チッ化アルミ等が挙げられる。
これらの中でも、アルミナ、チッ化ホウ素、チッ化アルミは絶縁抵抗にすぐれるため好ましく、コスト、加工性等を鑑みるとアルミナを母体とする材料がより好ましい。
円筒状反応容器２１１は接地電極２１４、ベースプレート２１９、上蓋２２０により減圧可能な空間を形成している。
【００５８】
また、図２の真空処理装置は、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を内包する原料ガス混合装置２２５と原料ガス流入バルブ２２４を備えている。
円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂを保持する基体ホルダ２１３Ａ及び２１３Ｂは回転可能に支持されている。この回転支持機構は、支軸２２２と、支軸２２２と歯車で接続されたモータ２２１とを有している。
【００５９】
基体ホルダ２１３Ａ及び２１３Ｂの内側には接合電極２１７Ａ及び２１７Ｂが接合している。接合電極２１７Ａ及び２１７Ｂは、支軸２２２を介して電源２３０に接続される。
接地電極２１４と円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂ、基体ホルダ２１３Ａ、２１３Ｂは中心軸が一致するように配置されている。
加熱用ヒータ２１６の外面は接地されていて、加熱用ヒータ２１６と円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂとの間に絶縁部材２１５Ａを設けることで、加熱用ヒータ２１６と円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂとは絶縁される。
【００６０】
加熱用ヒータ２１６の内側には、支軸２２２との間に絶縁部材２１５Ｂが設置され、加熱用ヒータ２１６と支軸２２２が絶縁されている。
図２の真空処理装置が備える排気系は、円筒状反応容器２１１の排気口に連通された排気配管２２６と、排気メインバルブ２２７と、例えばロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ等の真空ポンプ２２８とを有している。この排気系により円筒状反応容器２１１に設けられた真空計２２３を見ながら、円筒状反応容器２１１内を所定の圧力に維持する。
【００６１】
電源２３０は、パルス制御部２３１によってその動作が制御されている。パルス制御部２３１は、電源２３０を制御することにより、円筒状基体２１２と基体ホルダ２１３に１０ｋＨｚ〜３００ｋＨｚの矩形波の電圧（図１参照）を供給可能に構成されている。
円筒状基体２１２に対して成膜するための放電空間は、接地された電極２１４および接地されたベースプレート２１９に取り付けた絶縁板２１８Ｂと、接地された上蓋２２０に取り付けた絶縁板２１８Ａによって規定されている。
【００６２】
円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂと接地電極２１４との間の距離、即ち電極間距離Ｄについて説明する。電極間距離Ｄが５ｍｍよりも小さい場合は、円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂ設置時の、接地電極２１４との同軸性のずれなどによって生じる電極間距離のロットごとのばらつきの影響が生じやすく、安定した再現性を得ることが難しくなる。逆に、距離Ｄが大きい場合は、円筒状反応容器２１１が大きくなってしまい単位設置面積当たりの生産性が悪くなる。このようなことから電極間距離Ｄは５ｍｍ以上３００ｍｍ以下程度にすることが好ましい。
以下、図２の装置を用いた電子写真感光体の形成方法の一例について説明する。
【００６３】
（円筒状基体設置工程）
例えば旋盤を用いて表面に鏡面加工を施した円筒状基体２１２Ａ及び２１２Ｂは、基体ホルダ２１３Ａ、２１３Ｂに装着されて、円筒状反応容器２１１内の基体加熱ヒータ２１６を包含するように設置される。
次に、ガス供給装置内の排気を兼ねて、原料ガス流入バルブ２２４を開き、排気メインバルブ２２７を開いて円筒状反応容器２１１及びガスブロック２３５内の排気を開始し、真空計２２３の読みが０．６７Ｐａ以下になることを確認する。
こうして円筒状基体設置工程が完了する。
【００６４】
（波形設定工程）
電源２３０から出力される電流の波形のｉｕｍａｘとｉｄｍａｘの値を電流計２４１によって測定しながら、所定の立ち上がり期間Δｔｕおよび立ち下がり期間Δｔｄを有する矩形波の電圧を、電源２３０から波形制御部２４０を通して出力する。
そして上述したように、電流計２４１でｉｕｍａｘおよびｉｄｍａｘが電源２３０の耐電流ｉＬ未満であることを確認しつつ、電源２３０における制御によって、その出力である電圧の波形の振幅Ｖｍをゼロから徐々に上昇させる。
【００６５】
この電圧の波形の振幅Ｖｍのゼロからの上昇において、図１のように振幅Ｖｍが負極性部分Ｖｍ−と正極性部分Ｖｍ＋とで構成される場合は、まずＶｍ＋をゼロから成膜時の所望の値に上昇させた後に、Ｖｍ−をゼロから成膜時の所望の値に上昇させてもよい。
あるいは、Ｖｍ＋とＶｍ−を同時に同じ上昇レートでゼロから上昇させる。そして、Ｖｍ＋が成膜時の所望の値になった後は、Ｖｍ＋の上昇を止める一方、Ｖｍ−の上昇は継続し、成膜時の所望の値に到達させる方法でもよい。
【００６６】
以上のように電圧の波形の振幅Ｖｍを上昇させ、この上昇中における各段階の電圧の波形の振幅Ｖｍにおける、Ｖｍ−およびＶｍ＋に対する、ｉｕｍａｘおよびｉｄｍａｘの組（検査値）を測定する。
尚、電源２３０の出力電流が、電源２３０の耐電流を超えた場合、超えた状態がある程度続くと、電源２３０が破損する恐れがある。
それを防ぐため電流計２４１による電流測定値が電源２３０の耐電流を超えた場合は、電流計２４１から電源２３０に、出力停止信号を送ることにより、電源２３０の出力を停止させるようになっている。
【００６７】
次に、上昇中の各段階における電圧の波形の振幅Ｖｍに対するｉｕｍａｘおよびｉｄｍａｘの組（検査値）と上述したリファレンス値とを比較し、ｉｕｍａｘ２およびｉｄｍａｘ２がｉＬ未満となるように、装置の電力導入経路全体の時定数を制御する。
また好ましくは、ｉｕｍａｘ２およびｉｄｍａｘ２がｉＬの８０％未満となるように、装置の電力導入経路全体の時定数を制御することで、より確実に電源２３０の出力停止が起きない。
そのためより確実に成膜の停止を防ぐことができ、電子写真感光体の収率を挙げることが可能となる。
【００６８】
装置の電力導入経路全体の時定数は波形制御部２４０内の回路によって制御する。
波形制御部２４０内の回路の一例を図４に示す。
本発明における波形制御部２４０の回路はこれに限るものではなく、例えばＲＣ回路等、装置の電力導入経路全体の時定数を制御しうるものであればよい。
図４において、４０１は回路部、４０２は電源側負極接続端子（電源の電圧印加端子）、４０３は電源側接地極接続端子（電源のシールド端子）であり、４０４は円筒状基体側接続端子（接地電極に対向する電極に通じる端子）、４０５は接地電極側接続端子である。
電圧の波形の立ち上がり期間Δｔｕ及び立ち下がり期間Δｔｄを、回路部４０１内の可変コンデンサ部４０７を調整することにより、制御する。
【００６９】
また、以上のような制御をおこなう場合、回路部４０１を含めた装置の電力導入経路全体における特定のインダクタンスと容量および抵抗によって、共振の影響が電圧の波形に生じる場合がある。
すなわち、可変コンデンサ部４０７の再調整および、回路部４０１の構成の変更等により、装置の電力導入経路全体がもつ共振周波数が変化する。
【００７０】
それによって、リファレンスロット製造時において得られていた矩形波の電圧のスペクトルを構成する基本波と各高調波のいずれかのスペクトル成分が、装置の電力導入経路全体がもつ共振スペクトル成分と干渉する場合がある。
それにより、リファレンスロット製造時において得られていた電圧の波形が崩れてしまうことによって所望の膜特性をもつ電子写真感光体が得られない可能性がある。
【００７１】
このような状況を防ぐため、可変コンデンサ部４０７の再調整および、回路部４０１の構成の変更等の波形制御部２４０の調整の際には、スペクトルアナライザー２４２によって電圧の周波数スペクトルを測定する。
このスペクトル測定によってリファレンスロット製造時において得られていた矩形波の電圧のスペクトルから大きく変化しないことを確認しながら、波形制御部２４０の調整を行う。
【００７２】
以上の波形制御部２４０の調整においては、リファレンスロット製造時において得られていた矩形波の電圧のスペクトルを構成する基本波と各高調波のスペクトル成分の大きさの変化が±１５％以内に収まることが、所望の膜特性を維持するうえで好ましい。
以上の波形設定工程は、前述の円筒状基体設置工程で行う排気の後で実施する。
より好ましくは、後述のガス導入工程の直後に実施することにより、原料ガスを導入した状態で検査値を測定する。それによって成膜時の装置の電力導入経路全体の容量Ｃａが実現した状態であるため、より精度よくｉｕｍａｘ２およびｉｄｍａｘ２を見積もることができる。
【００７３】
（ガス導入工程）
前述した円筒状基体設置工程の後、原料ガス導入バルブ２２４から加熱用の不活性ガス、一例としてアルゴンをガスブロック２３５より円筒状反応容器２１１内に導入する。そして、円筒状反応容器２１１内が所望の圧力になるように加熱用ガスの流量および、排気メインバルブ２２７の開口あるいは真空ポンプ２２８の排気速度を調整する。その後、不図示の温度コントローラーを作動させて円筒状基体２１２Ａ及び２１２Ｂを加熱用ヒータ２１６により加熱し、円筒状基体２１２Ａ及び２１２Ｂの温度を２０℃〜５００℃の所定の温度に制御する。
円筒状基体２１２Ａ及び２１２Ｂが所望の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止める。同時並行的に、成膜用の所定の原料ガス、例えばＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６などの材料ガスを、またＢ２Ｈ６、ＰＨ３などのドーピングガスを原料ガス混合装置２２５によって混合した後に円筒状反応容器２１１内に徐々に導入する。次に、原料ガス混合装置２２５内の不図示のマスフローコントローラーによって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。
その際、円筒状反応容器２１１内が所定の圧力に維持されるよう真空計２２３を見ながら排気メインバルブ２２７の開口あるいは真空ポンプ２２８の排気速度を調整する。
【００７４】
（成膜工程）
以上の手順によって成膜準備を完了した後、円筒状基体２１２Ａ及び２１２Ｂの上に下部電荷注入阻止層、光導電層、上部電荷注入阻止層、表面層の順に積層膜を堆積させる。
まず第一層である下部電荷注入阻止層の形成を行なう。
具体的には、前述した波形設定工程によってｉｕｍａｘ２およびｉｄｍａｘ２がｉＬ未満となるまで伸ばした立ち上がり期間Δｔｕ、及び立ち下がり期間Δｔｄの矩形波の電圧における振幅Ｖｍを、所望の電圧振幅Ｖｍ成膜（ここでＶｍ成膜の負極性部分Ｖｍ−成膜＞Ｖｔｈ１）まで上昇させる。
【００７５】
これにより支軸２２２を通じて電圧を印加して円筒状基体２１２Ａ及び２１２Ｂ、並びに基体ホルダ２１３Ａ及び２１３Ｂの間の空間にグロー放電を生起させる。
この放電のエネルギーによって円筒状反応容器２１１内に導入した各原料ガスが分解され、円筒状基体２１２Ａ及び２１２Ｂの上に所定の膜が形成される。なお、膜形成を行っている間は円筒状基体２１２Ａ及び２１２Ｂをモータ２２１によって所定の速度で回転させても良い。
【００７６】
所望の膜厚の形成が行われた後、電圧の供給を止め、円筒状反応容器２１１への各原料ガスの流入を止めて反応容器内を一旦、高真空に排気する。
各層の成膜工程後には、円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂ表面上や、接地電極２１４の内壁面に、堆積膜が形成されている。また、使用する各原料ガスの流量や圧力は各層で異なる。
【００７７】
したがって、図２で示される装置全体の容量成分は各層の成膜工程前で異なり、矩形波の電圧を印加する際に発生する充電電流および容量放電電流が、電源２３０の耐電流ｉＬに対して変化する。
そのため、第一層である下部電荷注入阻止層の後に続く、光導電層、上部電荷注入阻止層、および表面層の各層の成膜工程の前にも、充電電流および容量放電電流がｉＬを超えないように、前述の波形設定工程を実施する。
こうして波形設定工程と成膜工程を繰り返し行うことによって、電子写真感光体は形成される。
【実施例】
【００７８】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。
（実施例１）
実施例１では、図２で示した複数の円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂの表面上に、下部電荷注入阻止層、光導電層、上部電荷注入阻止層、表面層の順に表１に示す条件で成膜を行った。
また、各層の放電開始電圧、放電維持電圧も表１に示す。
【００７９】
【表１】
2013238706.tif 000003
【００８０】
尚、接地電極２１４の内径は１１０ｍｍ、円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂの外径は８４ｍｍとした。したがって接地電極２１４と円筒状基体２１２の間の距離Ｄは１３ｍｍである。
また、円筒状基体２１２Ａ、２１２Ｂ各々の長さは３８１ｍｍ、基体ホルダ２１３Ａの長さは１２６ｍｍ、基体ホルダ２１３Ｂの長さは１００ｍｍとした。
【００８１】
また電源２３０の耐電流は１Ａであり、出力電流１Ａを超えると破損する恐れがある。そのため電流計２４１が１Ａを超えたことを測定した場合、電流計２４１から電源２３０へ出力停止信号を送って、電源２３０の出力を停止させるようになっている。
また、各層の成膜の際に印加する矩形波の電圧は、図１（ｅ）に示したように、放電させる負極性電圧印加区間と、放電維持電圧未満の正極性電圧印加区間を設けている。
【００８２】
負極性電圧印加区間での印加電圧は、表１に示すように、下部電荷注入阻止層および光導電層で−２０００Ｖ、上部電荷注入阻止層で−１０００Ｖ、表面層で−８００Ｖとした。
一方、正極性電圧印加区間での印加電圧は、表１に示すように、下部電荷注入阻止層および光導電層で２００Ｖ、上部電荷注入阻止層で１００Ｖ、表面層で８０Ｖとした。
各層の成膜工程前に、波形設定工程を行った。
【００８３】
波形設定工程は各層のガス導入工程後、すなわち、各層の原料ガスを所定の圧力で円筒状基体２１２と接地電極２１４の間を満たした状態で実施した。
波形設定工程は、ｉｕｍａｘ２およびｉｄｍａｘ２がｉＬ未満、具体的にはｉＬの９０％となるように実施した。
具体的には、反応容器２１１内に原料ガスを導入した後であって、成膜工程を実施する前に、放電開始電圧（Ｖｔｈ１）未満の電圧（第二の矩形波の電圧）を、円筒状基体（接地電極に対向する電極）に与えた。そして、第二の矩形波の立ち上がり期間における電源の出力電流を測定した。
そして、測定した出力電流と、リファレンス値とを比較した。
なお、リファレンス値において、成膜時に印加する矩形波（放電開始電圧以上の電圧に達する第一の矩形波）の電圧（Ｖｍ−成膜）時の出力電流はｉＬの９０％であった。
そして、測定した出力電流が、第二の矩形波の電圧に対応するリファレンス値の出力電流よりも大きい場合、測定した出力電流がリファレンス値に等しくなるように成膜時に印加する矩形波の立ち上がり期間Δｔｕの時間を設定した。
例えば、測定した出力電流（図３（ｂ）のｉ３０５０１）が、第二の矩形波の電圧（図３（ｂ）のＶｂ）に対応するリファレンス値の出力電流（図３（ｂ）のｉ３０１０１）よりも大きい場合、ｉ３０５０１がｉ３０１０１に等しくなるようにΔｔｕの時間を設定した。
立ち上がり期間Δｔｕの時間の設定は、上述したように波形制御部２４０の可変コンデンサ部４０７を調整し、立ち上がり期間Δｔｕを伸ばすことにより行った。立ち下がり期間Δｔｄの時間の設定も同様に行った。それによってｉｕｍａｘ２およびｉｄｍａｘ２をｉＬの９０％となるように制御した。
【００８４】
その後、表１に従って成膜を行った。以上の一連の工程を１０回繰り返した。
尚、この１０回のいずれも立ち上がり期間Δｔｕが３μｓｅｃを超えることがなかった。
このときの成膜工程における、耐電流ｉＬの９５％到達回数ならびに、電源２３０からの出力電流が耐電流ｉＬを超過して電流計２４１から電源２３０へ出力停止信号が送られることによる電源２３０の出力停止の回数、デポレートを表２に示す。
前述のリファレンスロットにおけるデポレート（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｒａｔｅ）をリファレンスデポレートとする。このリファレンスデポレートは１３．４（Å／ｓｅｃ）であった。
本実施例のデポレートは、リファレンスデポレートに対し、立ち上がり期間Δｔｕを変えることで、大きく変化しないことを確認するために測定した。
【００８５】
【表２】
2013238706.tif 000004
【００８６】
以上のように、立ち上がり期間Δｔｕおよび立ち下がり期間Δｔｄにおける出力電流を、電源２３０の耐電流ｉＬの９０％となるように波形設定工程を実施した。その結果、表２からわかるように、成膜工程における電源２３０からの出力電流が、耐電流ｉＬの９５％に到達することが合計３回あったものの、耐電流ｉＬを超えて電源が停止することは１度もなかった。
またデポレートもリファレンスデポレートに対し大きな変化はなかった。
以上により、本発明の電子写真感光体の製造方法によって、生産の安定性を向上させることができることが明らかになった。
【００８７】
（実施例２）
実施例１の表１に示す条件で成膜を行った。
装置の形態も実施例１と同様とした。
実施例１と同様に、各層の成膜工程前に、波形設定工程を行った。
波形設定工程は各層のガス導入工程後、すなわち、各層の原料ガスを所定の圧力で円筒状基体２１２と接地電極２１４の間を満たした状態で実施した。
波形設定工程は、ｉｕｍａｘ２およびｉｄｍａｘ２がｉＬ未満、具体的にはｉＬの７９％となるように実施した。
【００８８】
その後、表１に従って成膜を行った。以上の一連の工程を１０回繰り返した。
尚、この１０回のいずれも立ち上がり期間Δｔｕが３μｓｅｃを超えることがなかった。
このときの各成膜工程における、耐電流ｉＬの９５％到達回数ならびに、電源２３０からの出力電流が耐電流ｉＬを超過して電流計２４１から電源２３０へ出力停止信号が送られることによる電源２３０の出力停止の回数、デポレートを表３に示す。
【００８９】
【表３】
2013238706.tif 000005
【００９０】
以上のように、立ち上がり期間Δｔｕおよび立ち下がり期間Δｔｄにおける出力電流を、電源２３０の耐電流ｉＬの７９％にする波形設定工程を実施した。その結果、表３からわかるように、電源２３０からの出力電流が耐電流ｉＬを超えて電源が停止することは１度もなかった。さらに、耐電流ｉＬの９５％に到達することも一度もなかった。
またデポレートもリファレンスデポレートに対し大きな変化はなかった。
以上により、実施例２では、実施例１よりも生産の安定性をより向上させることができることが明らかになった。
【００９１】
（比較例１）
実施例１の表１に示す条件で成膜を行った。
装置の形態も実施例１と同様としたが、波形設定工程は実施しなかった。
以上の一連の工程を１０回繰り返した。
このときの各成膜工程における、耐電流ｉＬの９５％到達回数ならびに、電源２３０からの出力電流が耐電流ｉＬを超過して電流計２４１から電源２３０へ出力停止信号が送られることによる電源２３０の出力停止の回数、デポレートを表４に示す。
【００９２】
【表４】
2013238706.tif 000006
【００９３】
以上のように、比較例１では波形設定工程を行わずに、成膜工程を行った。その結果、表４からわかるように、電源２３０からの出力電流が耐電流ｉＬの９５％に到達することが合計２３回も生じた。
それだけでなく、成膜の途中で電流計２４１が１Ａ以上の過電流を検知し、電源２３０に電源出力停止信号が送られることにより、電源の運転が停止され、成膜工程を完遂することができなかったことが一回生じた。
【００９４】
以上により、波形設定工程を行わなかった場合、生産の不安定性が生じる可能性があることが分かった。
以上実施例１、実施例２、および比較例１の結果から、矩形波の電圧の入力による電子写真感光体の製造において、電源の損傷、または電源の損傷を防ぐための電源の運転停止を回避して成膜工程を完遂するためには、次のことが言える。
【００９５】
すなわち、矩形波の電圧の立ち上がり期間Δｔｕおよび立ち下がり期間Δｔｄにおいて発生する電流を、電源２３０の耐電流未満に抑える必要がある。そのためには、立ち上がりおよび立ち下がり期間を長くする必要がある。
ただしその際、パルス放電における電子温度の効率的上昇による原料ガスの分解効率向上を損なわないように、立ち上がりおよび立ち下がり期間はなるべく短めにすることが好ましい。
こうして、電源の損傷および停止なく、したがって、歩留まりを向上させつつ、安定かつ低コストで電子写真感光体を製造することができた。
【符号の説明】
【００９６】
１０１‥‥立ち上がり期間
１０２‥‥電圧印加期間
１０３‥‥立ち下がり期間
１１１‥‥立ち上がり期間において出力される電流の波形部
１１３‥‥立ち下がり期間において出力される電流の波形部
１２１‥‥立ち上がり期間
１２２‥‥電圧印加期間
１２３‥‥立ち下がり期間
１３１‥‥立ち上がり期間において出力される電流の波形部
１３２‥‥図１（ｃ）の電圧印加期間１２２に対応する期間
１３３‥‥立ち下がり期間において出力される電流の波形部
１３６‥‥プラズマ放電電流部
１３７‥‥プラズマ放電電流部
１４１‥‥立ち上がり期間
１４２‥‥電圧印加期間
１４３‥‥立ち下がり期間
１５１‥‥立ち上がり期間において出力される電流の波形部
１５６‥‥プラズマ放電電流部
１５７‥‥プラズマ放電電流部
【図１】
2013238706.tif 000007
【図２】
2013238706.tif 000008
【図３】
2013238706.tif 000009
【図４】
2013238706.tif 000010