(57)【要約】【課題】回路基板の反射率を向上させるなかで回路基板１２の材料選択幅を広くしながら、回路基板上に配置する反射部材を薄くし、且つＬＥＤ装置全体を製造しやすくする。【解決手段】反射部材は、回路基板１２上に配置され、金属層を備える反射シート１５である。反射シート１５は、ＬＥＤダイ１６と回路基板１２の実装電極１３ａ，１４ａとの導電接続部が開口しており、回路基板１２上面に貼り付けられている。反射シート１５で回路基板１２の上部を覆っているので基材１２ａは反射特性に配慮する必要がなくなり材料選択幅が広がる。同時に金属層は極めて薄くてよいので反射シート１５も薄くなる。【選択図】図２
2013041906.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に電極を有する回路基板と、前記回路基板上面に実装した半導体発光素子とを備える半導体発光装置において、
前記回路基板上面に反射部材が配置され、
前記反射部材が金属層を備える反射シートであり、
前記半導体発光素子と前記回路基板の電極との導電接続部に開口部を有し、
前記回路基板上面に貼り付けられている
ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記反射シートが粘着層と耐熱性フィルムと前記金属層との積層物であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記粘着層の上部に無機保護膜を備えていていることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記半導体発光素子がフリップチップ実装されていていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記半導体発光素子がワイヤボンディングされていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記半導体発光素子が前記反射シート上にダイボンディングされていることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
上面に電極を有する回路基板と、前記回路基板上面に実装した半導体発光素子とを備える半導体発光装置の製造方法において、
前記回路基板上に配置する反射部材として金属層を備えた反射シートを準備する準備工程と、
前記反射シートに対し前記半導体発光素子と前記回路基板の電極との導電接続部となる領域に開口部を形成する開口部形成工程と、
前記反射シートを前記回路基板に貼り付ける貼り付け工程と、
を備えることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記開口部形成工程において前記開口部をプレスで形成したことを特徴とする請求項７に記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体発光素子を実装した回路基板上面に反射部材を備えた半導体発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハーから切り出した半導体発光素子（以下とくに断らない限りＬＥＤダイと呼ぶ）を実装用の回路基板に配置した半導体発光装置（以下とくに断らない限りＬＥＤ装置と呼ぶ）が知られている。ＬＥＤダイは半導体層に含まれる発光層で発光し、その光は様々な方向に向う。そこで回路基板に向う光を回路基板上面で反射させ、発光効率を向上させることが多い。
【０００３】
回路基板上面で反射させる方式として、回路基板にアルミナや白色樹脂のような反射率の高い板材を使う方法、回路基板上の電極をＡｇなど反射率の高い金属とする方法、回路基板に反射率の高い部材（以後反射部材とよぶ）を追加的に配置する方法があり、これらの組み合わせも広く実施されている。
【０００４】
例えば特許文献１の図１及び図２には、樹脂基板２（回路基板）の上面に白色反射膜６（反射部材）を備えた面実装型ＬＥＤランプ１（ＬＥＤ装置）が示されている。面実装型ＬＥＤランプ１は、樹脂基板２においてパターン２ａ（電極）を有し、ＬＥＤチップ３（ＬＥＤダイ）をマウント（実装）する側に白色反射膜６を設けるものである。この白色反射膜６は、ＬＥＤチップ３をマウントする部分、及びワイヤ４を取り付ける部分を除き、後にケース５が設けられる部分に対応して樹脂基板２の表面側に設けられる。また白色反射膜６は、塗料のスクリーン印刷やホトレジスト剤の塗布並びにホトリソ法によるパターニングなどで形成する。
【０００５】
この他、回路基板上面ではないが特許文献２には光透過性の基板２（回路基板）の周囲及び底面に反射膜６（反射部材）を備えた半導体発光装置１が示されている。この半導体発光装置１は、さらに光透過性を有する配線パターン３（電極）と、配線パターン３に接続する半導体発光素子４（ＬＥＤダイ）と、この半導体発光素子４の周囲を封止する樹脂部５と、半導体発光素子４の周囲を包囲するランプハウス７を備えている。反射膜６は、ポリエステル系樹脂を用いた多層膜構造により可視光領域において高い反射率を有するＥＳＲ（Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｓｐｅｃｕｌａｒ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）などの反射フィルムが使用できる。この反射フィルムは基板２の底面の全面及び周囲面に接着剤で貼着する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２３１８３号公報 （図１、図２）
【特許文献２】特開２００７−４２８３５号公報 （図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に示されるように回路基板上面に追加的に白色反射膜６等の反射部材を形成すると、回路基板材料自体の表面反射特性を考慮する必要がなくなり、材料選択幅が広がる。しかしながら白色反射膜６等の反射部材は、透明バインダーに反射性微粒子を分散させたものであるため、反射率を高くしようとすると厚さが数１０μｍ程度必要になる。このように反射部材が厚くなるとクラックや基板からの剥がれを生じたり、反りの発生原因になったりする。すなわち回路基板上の反射部材を薄くすることが課題となる。
【０００８】
特許文献２のように回路基板の裏面に反射膜を貼り付ける方法は、薄い反射膜を採用できる場合がある。しかしながら回路基板や電極を光透過性にせざるを得ず、回路基板や電極における材料の選択幅が制限されるため実用的でない。
【０００９】
また回路基板上の電極の反射率を高くするため電極にＡｇメッキしようとすると、ＬＥＤダイを実装した後、硫化防止のため電極をＳｉＯ２等の無機膜で覆う工程を追加する必要がある。また、Ａｇ電極を採用する方法は、スパッタ装置等を導入しなければならず、設備及び工程において製造上の負荷が大きくなっているという課題もある。
【００１０】
そこで本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、回路基板の反射率向上を目指すなかで回路基板の材料選択幅を広くしながら、反射部材が薄く且つ製造しやすい半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の半導体発光装置は、上面に電極を有する回路基板と、前記回路基板上面に実装した半導体発光素子とを備える半導体発光装置において、
前記回路基板上面に反射部材が配置され、
前記反射部材が金属層を備える反射シートであり、
前記半導体発光素子と前記回路基板の電極との導電接続部に開口部を有し、
前記回路基板上面に貼り付けられている
ことを特徴とする。
【００１２】
本発明の半導体発光装置は、反射部材として反射シートを用いている。反射シートは回路基板上に貼り付けられ、金属層を有するため反射率が高い。この反射シートが回路基板を覆っているため、回路基板材料は反射特性に配慮する必要がなくなり材料選択幅が広がる。反射シートに含まれる金属層は数１００ｎｍあれば高い反射率になるため、反射部材として機能する反射シートを薄くできる。反射シートは半導体発光素子と回路基板の電極との導電接続部が開口しており、この開口部を通じて半導体発光素子と回路基板の電極とが電気的な接続をとる。また反射シートを回路基板に貼り付けるだけのことが、反射部材を回路基板上に配置したこととなるので製造が容易である。
【００１３】
前記反射シートが粘着層と耐熱性フィルムと前記金属層との積層物であっても良い。
【００１４】
前記粘着層の上部に無機保護膜を備えていても良い。
【００１５】
前記半導体発光素子がフリップチップ実装されていても良い。
【００１６】
前記半導体発光素子がワイヤボンディングされていても良い。
【００１７】
前記半導体発光素子が前記反射シート上にダイボンディングされていても良い。
【００１８】
本発明の半導体発光装置の製造方法は、上面に電極を有する回路基板と、前記回路基板上面に実装した半導体発光素子とを備える半導体発光装置の製造方法において、
前記回路基板上に配置する反射部材として金属層を備えた反射シートを準備する準備工程と、
前記反射シートに対し前記半導体発光素子と前記回路基板の電極との導電接続部となる領域に開口部を形成する開口部形成工程と、
前記反射シートを前記回路基板に貼り付ける貼り付け工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１９】
本発明の半導体発光装置の製造方法は、数１００ｎｍの厚さで高い反射率を達成できる金属層を備えた反射シートを準備し、この反射シートに開口部を形成してから回路基板上に貼り付けている。反射シートが開口部を除き回路基板表面を広く覆うので、回路基板材料の反射特性に配慮する必要がなくなり、回路基板材料の選択幅が広がる。また反射機能の主体となる金属層が極めて薄いため反射部材である反射シートを薄くできる。反射シートは半導体発光素子の実装前に予め開口部を形成しておくので、反射シートを回路基板に貼ることを除いて半導体発光装置の実装前後に特別な処理がないため製造が容易である。
【００２０】
前記開口部形成工程において前記開口部をプレスで形成しても良い。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように本発明の半導体発光装置及びその製造方法は、回路基板の反射率向上を目指すなかで回路基板の材料選択幅を広くしながら、反射部材を薄くでき且つ製造が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ装置の外観を示す図。
【図２】図１に示すＬＥＤ装置の断面図。
【図３】図２に示す反射シートの断面図。
【図４】図２に示すＬＥＤダイの底面図。
【図５】図１に示すＬＥＤ装置において被覆材を剥がした状態の平面図。
【図６】図１に示すＬＥＤ装置の製造工程の説明図。
【図７】図１に示すＬＥＤ装置の製造工程の説明図。
【図８】本発明の第２実施形態における反射シートの断面図。
【図９】本発明の第３実施形態におけるＬＥＤ装置の断面図。
【図１０】図９に示すＬＥＤ装置において被覆材を剥がした状態の平面図。
【図１１】本発明の第４実施形態におけるＬＥＤ装置の断面図。
【図１２】図１１に示すＬＥＤ装置において被覆材を剥がした状態の平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付図１〜１２を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。
（第１実施形態）
【００２４】
添付図１〜７を参照して本発明の第１実施形態を詳細に説明する。まず図１によりＬＥＤ装置１０の外観を説明する。図１は本発明の実施形態におけるＬＥＤ装置１０の外観を示す図であり、（ａ）が上面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が底面図である。ＬＥＤ装置１０を上面から眺めると、長方形の被覆層１１だけが見える（ａ）。ＬＥＤ装置１０を正面から眺めると、被覆層１１の下に回路基板１２があり、回路基板１２に含まれる基材１２ａと、基材１２ａの下部に接続電極１３，１４が見える（ｂ）。ＬＥＤ装置１０を下から眺めると、基材１２ａに囲まれた接続電極１３，１４が見える（ｃ）。なおＬＥＤ装置１０の底面は、例えば１．６ｍｍ×０．８ｍｍになる。
【００２５】
次に図２によりＬＥＤ装置１０の内部構造を説明する。図２は図１（ａ）のＡＡ線に沿ったＬＥＤ装置１０の断面図である。なお図１（ａ）においてＡＡ線は、後述するｐ側バンプと接続するスルーホール並びにｎ側バンプと接続するスルーホールを横断するようにしたため屈曲している。図２において、回路基板１２には接続電極１３，１４とともに実
装電極１３ａ，１４ａが形成されており、接続電極１３，１４と実装電極１３ａ，１４ａがスルーホール１３ｂ、１４ｂを介して接続している。回路基板１２の上面、すなわち基材１２ａ及び実装電極１３ａ，１４ａの上面の一部に反射シート１５が貼り付いている。また実装電極１３ａ，１４ａにはＬＥＤダイ１６がフリップチップ実装されている。被覆材１１は、回路基板１２の上部において、ＬＥＤダイ１６、反射シート１５、並びに反射シート１５から露出する実装電極１３ａ，１４ａ及び基材１２ａを覆っている。
【００２６】
ＬＥＤダイ１６は、ｐ側バンプ１６ａ上にｐ型半導体層１６ｂ、ｎ型半導体層１６ｄ、サファイア基板１６ｃが積層している。ｐ側バンプ１６ａはｐ型半導体層１６ｂと実装電極１３ａを接続する。ｎ側バンプ１６ｅは、ｎ型半導体層１６ｄがｐ型半導体層１６ｂから露出している領域に形成され、ｎ型半導体層１６ｄと実装電極１４ａを接続している。サファイア基板１６ｃは、厚さが８０〜１２０μｍ程度でＬＥＤダイ１６の平面的な外形を決める。ｎ型半導体層１６ｄは、ｎ型ＧａｎＮ層と格子定数を調整するバッファ層からなり厚さが５μｍ程度である。ｐ型半導体層１６ｂは複数の金属からなる金属層とｐ型ＧａＮの積層体であり、厚さが１μｍ程度である。この金属層は反射層を含み、図示していない発光層から下向きに出射する光線を上側に向ける。なお発光層は、ｎ型半導体層１６ｄとｐ型半導体層１６ｂの境界部にあり、厚さが１００ｎｍ程度で青色光を出射する。ｐ側バンプ１６ａ及びｎ側バンプ１６ｅは銅又は金メッキで形成されたメッキバンプであり、厚さが１０〜３０μｍで、実装電極１３ａ，１４ａとは金錫共晶により接続している。なおＬＥＤダイ１６の平面サイズは、例えば０．３３ｍｍ×０．３３ｍｍとなる。
【００２７】
被覆層１１は蛍光体を含有するシリコーン樹脂であり、ＬＥＤダイ１６から出射してくる青色光の一部を被覆層１１中の蛍光体が波長変換する。この波長変換した光と青色光の残りが混色してＬＥＤ装置１０の発光色を白色化する。基材１２ａは、窒化アルミ等のセラミック材料、表面を絶縁処理した金属、樹脂などから熱伝導性や反射特性、コストなどを考慮して選択する。本実施形態の場合、ＬＥＤダイ１６のｐ型半導体層１６ｂに内在する反射層並びにＬＥＤダイ１６の実装部以外の回路基板１２上面を覆う反射シート１５があるので、基材１２ａの反射特性を無視できる。このため反射特性は劣るが熱伝統性が良好な窒化アルミを使うことができる。
【００２８】
次に図３により反射シート１５について説明する。図３は反射シート１５の断面図である。反射シート１５は、粘着層１５ａ上に、耐熱フィルム１５ｂ、金属層１５ｃ、無機保護膜１５ｄが積層している。粘着層１５ａは、厚さが６〜１２μｍで、変成アクリル系やポリイミド系の接着材で半田リフローに耐えられるものから選ぶ。耐熱フィルム１５ｂは、厚さが６〜１２μｍで、耐熱性を考慮しポリイミド等を使う。金属層１５ｃは、厚さが１μｍ以下で、Ａｇ又はＡｌが好ましく、高い反射率を必要とする場合はＡｇを選ぶ。無機保護膜１５ｄは、厚さが数１０ｎｍ〜２００ｎｍであり、ＳｉＯ２等を使用する。反射シート１５は総厚が１２〜２５μｍ程度であるため、バインダー中に反射性微粒子を混在させ３０〜５０μｍ程度の厚さを必要とする白色インクや白色レジストより薄い。また反射シート１５において反射機能を担う金属層の厚さが１μｍ以下であることなど、反射シート１５に含まれる各層は、それぞれが薄いためクラックが入りにくく反りの原因にもなりにくい。なお反射層１５ｃがＡｇのとき硫化による黒色化があるため無機保護膜１５ｄが略必須であるが、反射層１５ｃがＡｌであれば被覆層１１があるので無機保護膜１５ｄを省略できることがある。
【００２９】
次に図４と図５により反射シート１５の平面形状について説明する。まず図４によりＬＥＤダイ１６の電極面を説明する。図４は、ＬＥＤダイ１６の底面図である。サファイア基板１６ｃ（図２参照）と同一外形のｎ型半導体層１６ｄの内側にｐ型半導体層１６ｂがある。さらにｐ型半導体層１６ｂの内側にはｐ側バンプ１６ａがある。ｎ型半導体層の角部であってｐ型半導体層１６ｂから露出した領域にｎ側バンプ１６ｅがある。
【００３０】
次に図５により反射シート１５の平面形状を説明する。図５はＬＥＤ装置１０において被覆材１１を剥がした状態の平面図である。反射シート１５は、ＬＥＤダイ１６の実装部に開口部を有し、回路基板１２の上部において開口部を除いた領域に存在する。ＬＥＤダイ１６の外形から反射シート１５の開口部の辺までは概ね１００μｍ程度離れている。この隙間から、実装電極１３ａ，１４ａ及び基材１２ａが見える。なお図中、反射シート１５に隠れた実装電極１３ａ，１４ａの外形を点線で示した。
【００３１】
次に図６と図７によりＬＥＤ装置１０の製造方法を説明する。図６及び図７はＬＥＤ装置１０の製造工程の説明図である。まず（ａ）で示す準備工程において、開口部のない反射シート１５ｅを準備する。なお上段は反射シート１５ｅの断面図、下段は反射シート１５ｅの平面図である。反射シート１５ｅには図示していないセパレータが貼り付けてある。セパレータは厚さが１００μｍ程度でＰＥＴ等からなり、反射シート１５ｅを補強し扱いやすくしている。
【００３２】
次に（ｂ）で示す開口部形成工程において、反射シート１５ｅに対しＬＥＤダイ１６との接続部となる領域に開口部１５ｆを形成する。なお上段は複数の開口１５ｆを備えた反射シート１５ｇの断面図、下段は反射シート１５ｇの平面図である。開口部は前述のセパレータごとプレスで形成する。この他、レーザや刃による切断で開口部を形成しても良い。
【００３３】
このとき（ｃ）に示すように集合基板１２ｂを準備する。（ｃ）において上段が集合基板１２ｂの断面図、下段が集合基板１２ｂの平面図である。集合基板１２ｂとは、多数の回路基板１２が連結して配列した基板をいい、集合基板１２ｂにＬＥＤダイ１６等を実装して最後にＬＥＤ装置１０に個片化するものである。この集合基板１２ｂには複数の実装電極１３ａ，１４ａ、スルーホール１３ｂ，１４ｂ及び接続電極１３，１４が形成されている。なお実際の集合基板１２ｂには回路基板１２の占める領域が数百から数万個あるが、本図においては説明のため集合基板１２ｂに「回路基板１２」６個分の領域があるものとして描いている。
【００３４】
次に（ｄ）で示す貼り付け工程において、反射シート１５ｇを前述のセパレータごと集合基板１２ｂに貼り付ける。なお（ｄ）では断面図のみ示す（以下同様）。本工程では集合基板１２ｂにより反射シート１５ｇが支持されるのでセパレータが不要となり、セパレータを反射シート１５ｇから取り外す。このとき開口部１５ｆがＬＥＤ装置１０の実装部と一致するようにする。
【００３５】
次に（ｅ）で示すように、集合基板１２ｂにＬＥＤダイ１６をフリップチップ実装する。続いて（ｆ）で示すように被覆層１１を形成する。被覆層１１は、蛍光体を含有するシリコーン樹脂を集合基板１２ｂに塗布し、このシリコーン樹脂を加熱し硬化させることにより形成する。最後に（ｇ）で示すように集合基板１２ｂを切断し、個片化したＬＥＤ装置１０を得る。なお（ａ）〜（ｄ）に示した工程でセパレータを使った方法で説明したが、反射シートを固定する適切な冶具を使うことでセパレータを省ける。
（第２実施形態）
【００３６】
図３に示した第１実施形態における反射シート１５は、耐熱性フィルム１５ｂの上側に金属層を備えていた。しかしながら耐熱性フィルムが透明であれば、耐熱性フィルムと金属層の上下関係は前記に限定されない。そこで金属層上に耐熱フィルムが積層した例として、図８により本発明の第２実施形態で使用する反射シート２５を説明する。なお本実施形態におけるＬＥＤ装置は、反射シート１５が反射シート２５に置き換わることを除き図１、図２で示したＬＥＤ装置１０と同じ構造になるので図示していない。
【００３７】
図８は第２実施形態における反射シート２５の断面図である。反射シート２５において、粘着層２５ａ上に金属層２５ｂと耐熱性フィルム２５ｃが積層している。粘着層２５ａ及び耐熱性フィルム２５ｃは、図３で示した第１実施形態の反射シート２５における粘着シート１５ａ及び耐熱フィルム１５ｂと材料及び厚さが同じである。金属層２５ｂはＡｇからなり厚さが１μｍ以下である。本実施形態の反射シート２５は粘着層２５ａと耐熱性フィルム２５ｃで金属層２５ｂを硫化から保護しているので、第１実施形態で使った反射シートに対し無機保護膜１５ｄを省略できる。なおＡｇからなる金属層２５ｂの保護および絶縁性確保をより強力にするため、粘着層２５ａと金属層２５ｂの間に無機絶縁膜を追加しても良い。
（第３実施形態）
【００３８】
第１実施形態ではＬＥＤダイ１６を回路基板１２にフリップチップ実装していた。しかしながら本発明のＬＥＤ装置は、ＬＥＤダイを実装する領域以外の回路基板上面を反射シートで覆うものであるから、ＬＥＤダイの実装形態がフリップチップ実装に限定されるわけではなく、例えば良く知られたワイヤボンディングも適用できる。そこで図９と図１０により本発明の第３実施形態としてワイヤボンディングを用いたＬＥＤ装置３０を説明する。なおＬＥＤ装置３０の外形は図１で示したＬＥＤ装置１０と略等しいので外形図を省略した。
【００３９】
まず図９によりＬＥＤ装置３０の内部構造を説明する。図９はワイヤ３８，３９を含むようにして描いたＬＥＤ装置３０の断面図である。回路基板３２には接続電極３３，３４とともに実装電極３３ａ，３４ａが形成されており、それぞれ接続電極３３，３４と実装電極３３ａ，３４ａがスルーホール３３ｂ、３４ｂを介して接続している。回路基板３２の上面の一部、すなわち基材３２ａ及び実装電極３３ａの上面の一部（図１０参照）に反射シート３５が貼り付いている。ＬＥＤダイ３６は実装電極３３ａ上に接着材３７によりダイボンディングしている。また実装電極３３ａ，３４ａはＬＥＤダイ３６のｐ型半導体層３６ｂ，ｎ型半導体層３６ｄとワイヤ３８，３９によって電気的に接続している。
【００４０】
図１に示したＬＥＤ装置１０の断面と図９に示したＬＥＤ装置３０の断面は、図９においてＬＥＤダイ３６をワイヤボンディングしていること以外に、実装電極３３ａ，３４ａの形状が異なっていること、及び反射シート３５の内側のエッジがワイヤ３８，３９を避けるように図の左右に後退していることが異なっている。また図示していないが実装電極３３ａ，３４ａとワイヤ３８，３９との接続部はＡｕまたはＡｇ層が形成されている。なお被覆材３１は、回路基板３２の上部において、ＬＥＤ装置１０と同様にＬＥＤダイ３６、反射シート３５、実装電極３３ａ，３４ａ及び基材３２ａを覆っている。
【００４１】
ＬＥＤダイ３６は、サファイア基板３６ｃ上にｎ型半導体層３６ｄ、ｐ型半導体層３６ｂが積層している。ＬＥＤダイ３６は、図２に示したＬＥＤダイ１６を裏返したものと略等しい。しかしながらｐ側及びｎ側バンプが無い代わりにワイヤ３８，３９の接続部にＡｕ層を形成していたり、反射層がサファイア基板３６ｃの下面あったりすることなど異なった点がある。なお被覆層３１及び基材３２ａの材料は図１に示した被覆層１１及び基材１２ａと同じものである。反射シート３５についても図１に示した反射シート１５又は図８に示した反射シート２５と開口部の形状が異なるだけで、その他の事項は一致する。
【００４２】
次に図１０により反射シート３５の平面形状について説明する。図１０はＬＥＤ装置３０において被覆材３１を剥がした状態の平面図である。反射シート３５は、ワイヤ３８，３９を接続する領域並びにＬＥＤダイ３６の実装部となる領域に開口部を有し、これらの領域を除いた領域に存在する。ＬＥＤダイ３６の実装部となる領域においてＬＥＤダイ３６の外形から反射シート３５の開口部の辺までは概ね１００μｍ程度離れているため、こ
の隙間から実装電極３３ａの一部及び基材３２ａが見える。なお図中、反射シート３５に隠れた実装電極３３ａの外形を点線で示した。
【００４３】
ＬＥＤ装置３０の製造方法は、図６，７で示したＬＥＤ装置１０の製造方法と略同等である。図６（ｂ）で形成する反射シート１５ｇの開口形状を異ならせること、図６（ｃ）で準備する集合基板１２ｂの電極形状を異ならせることと共に、図７（ｅ）において実装方法をワイヤボンディングとすることにより本実施形態のＬＥＤ装置３０が製造できる。（第４実施形態）
【００４４】
第３実施形態では、反射シート３５に対し、ＬＥＤダイ３６と回路基板３２の実装電極３３，３４とを導電接続する領域、並びにＬＥＤダイ３６を回路基板３２にダイボンディングする領域に開口部を設けていた。しかしながらＬＥＤダイがサファイア基板など絶縁基板を有するとき、ダイボンディングする領域では回路基板の電極とＬＥＤダイの電気的接続をとるわけではないので反射シートの開口はなくても良い。そこで図１１と図１２により本発明の第４実施形態としてワイヤボンディングを用いたＬＥＤ装置４０を説明する。なおＬＥＤ装置４０の外形は図１で示したＬＥＤ装置１０と略等しいので外形図を省略した。
【００４５】
まず図１１によりＬＥＤ装置４０の内部構造を説明する。図１１はワイヤ４８，４９を含むようにして描いたＬＥＤ装置４０の断面図である。回路基板４２には接続電極４３，４４とともに実装電極４３ａ，４４ａが形成されており、それぞれ接続電極４３，４４と実装電極４３ａ，４４ａがスルーホール４３ｂ、４４ｂを介して接続している。回路基板４２の上面の一部、すなわち基材４２ａの上面の一部に反射シート４５が貼り付いている。ＬＥＤダイ４６は回路基板４２の基材４２ａ上に貼り付けられた反射シート４５上に接着材４７によりダイボンディングしている。また実装電極４３ａ，４４ａはＬＥＤダイ４６のｐ型半導体層４６ｂ，ｎ型半導体層４６ｄとワイヤ４８，４９によって電気的に接続している。
【００４６】
図９に示したＬＥＤ装置３０の断面と図１１に示したＬＥＤ装置４０の断面は、図１１において接続電極の形状が異なっていること、及び反射シート４５がＬＥＤダイ４６の下部にも存在していることが異なっている。また図示していないが第３実施形態と同様に実装電極４３ａ，４４ａとワイヤ４８，４９との接続部はＡｕまたはＡｇ層が形成されている。なお被覆材４１も、回路基板４２の上部において、ＬＥＤ装置３０と同様にＬＥＤダイ４６、反射シート４５、実装電極４３ａ，４４ａ及び基材４２ａを覆っている。
【００４７】
ＬＥＤダイ４６は、サファイア基板４６ｃ上にｎ型半導体層４６ｄ、ｐ型半導体層４６ｂが積層している。ＬＥＤダイ４６は、図９に示したＬＥＤ装置３０に含まれるＬＥＤダイ３６と略同等であるが、サファイア基板４６ｃの下面に反射層がない。これは、サファイア基板４６ｃの下面に反射シート４６があるので、サファイア基板４６ｃを通って回路基板４２側に向う光線を反射シート４６で反射できるからである。なお被覆層４１及び基材４２ａの材料は図１に示した被覆層１１及び基材１２ａと同じものである。反射シート４５についても図１に示した反射シート１５又は図８に示した反射シート２５と開口部の形状が異なるだけで、その他の事項は一致する。
【００４８】
次に図１２により反射シート４５の平面形状について説明する。図１２はＬＥＤ装置４０において被覆材４１を剥がした状態の平面図である。反射シート４５は、ワイヤ４８，４９によりＬＥＤダイ４６（図１１参照）が実装電極４３ａ，４４ａと接続をとる領域に開口部を有し、これらの領域を除いた領域に存在する。また開口部からは実装電極４３ａ，４４ａ及び基材４２ａが見える。
【００４９】
ＬＥＤ装置４０の製造方法は、図６，７で示したＬＥＤ装置１０の製造方法と略同等である。図６（ｂ）で形成する反射シート１５ｇの開口形状を異ならせること、図６（ｃ）で準備する集合基板１２ｂの電極形状を異ならせることと共に、図７（ｅ）において実装方法をワイヤボンディングとすることにより本実施形態のＬＥＤ装置４０が製造できる。
【符号の説明】
【００５０】
１０，３０，４０…ＬＥＤ装置（半導体発光装置）、
１１，３１，４１…被覆層、
１２，３２，４２…回路基板、
１２ａ，３２ａ，４２ａ…基材、
１２ｂ…集合基板、
１３，１４，３３，３４，４３，４４…接続電極、
１３ａ，１４ａ，３３ａ，３４ａ，４３ａ，４４ａ…実装電極、
１３ｂ，１４ｂ，３３ｂ，３４ｂ，４３ｂ，４４ｂ…スルーホール、
１５，１５ｅ、１５ｇ，２５，３５，４５…反射シート、
１５ａ，２５ａ…粘着層、
１５ｂ，２５ｃ…耐熱フィルム、
１５ｃ，２５ｂ…金属層、
１５ｄ…無機保護膜、
１５ｆ…開口部、
１６，３６，４６…ＬＥＤダイ（半導体発光素子）、
１６ａ…ｐ側バンプ、
１６ｂ，３６ｂ、４６ｂ…ｐ型半導体層、
１６ｃ，３６ｃ，４６ｃ…サファイア基板、
１６ｄ，３６ｄ、４６ｄ…ｎ型半導体層、
１６ｅ…ｎ側バンプ、
３７，４７…接着材、
３８，３９，４８，４９…ワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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