(57)【要約】【課題】異物などによって損傷し難い端子部と高い表示品質とを有する液晶装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００は、一対の基板のうち素子基板１０の層間絶縁膜１６上に設けられた複数の画素電極１５と、一対の基板を貼り合わせるシール材４０と、シール材４０が設けられたシール領域Ｅ３よりも外側に設けられた複数の外部接続用端子１０５と、画素領域Ｅの周辺領域Ｅ４とシール領域Ｅ３とに亘る第１ダミー領域Ｅ１において画素電極１５と同層に設けられた第１ダミー電極１５ｄ１と、シール領域Ｅ３と複数の外部接続用端子１０５が設けられた端子領域Ｅ５との間の第２ダミー領域Ｅ２にいて画素電極１５と同層にそれぞれ独立して設けられた複数の第２ダミー電極１５ｄ２と、複数の画素電極１５と第１ダミー電極１５ｄ１と複数の第２ダミー電極１５ｄ２とを覆う絶縁膜１７と、を備えた。【選択図】図６
2013213899.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板のうちの一方の基板の層間絶縁膜上に設けられた複数の画素電極と、
前記一対の基板を貼り合わせるシール材と、
前記一方の基板の前記シール材が設けられたシール領域よりも外側に設けられた複数の外部接続用端子と、
前記複数の画素電極が配置された画素領域の周辺領域と前記シール領域とに亘る第１ダミー領域において前記画素電極と同層に設けられた第１ダミー電極と、
前記シール領域と前記複数の外部接続用端子が設けられた端子領域との間の第２ダミー領域において前記画素電極と同層にそれぞれ独立して設けられた複数の第２ダミー電極と、
前記複数の画素電極と前記第１ダミー電極と前記複数の第２ダミー電極とを覆う絶縁膜と、を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２ダミー領域の前記絶縁膜上にそれぞれ独立して設けられた複数の第３ダミー電極を有し、
前記第３ダミー電極は、前記第２ダミー電極よりも表面硬度が硬い導電材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２ダミー電極と前記第３ダミー電極とは平面視で重なって配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第３ダミー電極のほうが前記第２ダミー電極よりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記一対の基板のうち他方の基板において、前記画素電極に対向して配置された共通電極を有し、
前記第１ダミー電極と前記共通電極とに同じ電位が与えられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１ダミー電極は複数のダミー部を有し、隣り合う前記ダミー部が互いに接続されており、
前記ダミー部および前記第２ダミー電極並びに前記第３ダミー電極の平面的な配置パターンは、前記画素領域における前記画素電極の平面的な配置パターンと同じあることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記外部接続用端子の少なくとも一部は、前記第３ダミー電極を構成する導電材料と同じ導電材料で覆われていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、一対の基板のうちの一方の基板に形成された、画素電極と、画素電極に対応して設けられたスイッチング素子としてのトランジスターと、一対の基板間に電気光学素子としての液晶層が挟持されたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。
上記一方の基板において、トランジスターを含む画素回路と、画素電極との間には層間絶縁膜が形成される。液晶層に面する画素電極上に凹凸が生じていると駆動時に表示ムラが発生するおそれがあるので、画素電極が形成される層間絶縁膜の表面には、平坦化処理が施されることがある。代表的な平坦化処理の方法として、ＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）処理と呼ばれる化学的機械的研磨処理が挙げられる。ＣＭＰ処理前の層間絶縁膜の表面に過度な凹凸があると、ＣＭＰ処理を施しても充分な平坦性が得られないおそれがある。また、画素電極が所定の間隔で複数配置された画素領域の周辺領域における層間絶縁膜の表面の凹凸が画素領域の平坦性に影響することもある。また、ＣＭＰ処理前の層間絶縁膜の表面の凹凸をある程度の範囲に納めた構造とすることで、ＣＭＰ処理の生産性を向上させることができる。
【０００３】
例えば特許文献１には、画素領域の周辺領域の一部である端子パッドの近傍に層間絶縁膜の下層の導電層からなる単層又は複層のダミーパターンが配置された電気光学装置が開示されている。特許文献１によれば、ダミーパターンを配置することで、画素領域と比較して端子パッドの周辺における層間絶縁膜の表面の凹凸が大きくなることを低減できるとしている。
【０００４】
一方で特許文献１のようなダミーパターンを配置することに起因する不具合を提起して、これを改善しようとした事例として例えば特許文献２が挙げられる。特許文献２には、周辺回路領域とシール領域とに画素電極と同一形状のダミー電極を備え、ダミー電極が周辺回路領域の駆動回路部に接続される、異なる電位を有する２つの配線間に跨らないように分割された液晶表示装置が開示されている。これによれば、ダミー電極が設けられた周辺回路領域にシール接着剤が侵入してスペーサー粒子がダミー電極を押し潰しても上記配線との間でショート欠陥の発生を抑制できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−７２８０４号公報
【特許文献２】特開２００８−６４９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献２はダミー電極のシール領域における配置が課題となっている。これに対して、上記特許文献１では、例えばガラスなどからなる一対のマザー基板をスクライブして上記一対の基板を取り出す場合、スクライブに起因して発生するガラスカレット（微小ガラス片）などの異物によって、端子パッドの近傍に設けられたダミーパターンがキズ付けられて断線したり、電気的に短絡（ショート）するおそれがあるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方の基板の層間絶縁膜上に設けられた複数の画素電極と、前記一対の基板を貼り合わせるシール材と、前記一方の基板の前記シール材が設けられたシール領域よりも外側に設けられた複数の外部接続用端子と、前記複数の画素電極が配置された画素領域の周辺領域と前記シール領域とに亘る第１ダミー領域において前記画素電極と同層に設けられた第１ダミー電極と、前記シール領域と前記複数の外部接続用端子が設けられた端子領域との間の第２ダミー領域において前記画素電極と同層にそれぞれ独立して設けられた複数の第２ダミー電極と、前記複数の画素電極と前記第１ダミー電極と前記複数の第２ダミー電極とを覆う絶縁膜と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、画素領域を囲む周辺領域とシール領域とに亘る第１ダミー領域に第１ダミー電極が配置され、さらにシール領域と端子領域との間の第２ダミー領域に複数の第２ダミー電極が配置されている。したがって、これらのダミー電極が無い場合に比べて、絶縁膜の表面の凹凸の水準が画素領域から端子領域に至る領域まで大幅に変化し難い。つまり、絶縁膜に対して平坦化処理を施せば、画素領域から端子領域に至る領域まで平坦な表面を実現できる。また、シール領域と端子領域の間の第２ダミー領域に第２ダミー電極が配置されているので、スクライブ工程で発生した異物などにより、例えば外部接続用端子に繋がる他の配線が損傷することを低減することができる。また、複数の第２ダミー電極はそれぞれ独立して設けられているので、異物が第２ダミー電極に接触したとしても、第２ダミー電極を介して下層の配線同士が短絡することを低減できる。すなわち、画素領域を覆う絶縁膜が平坦であって安定した電気光学特性が得られるとともに、外部接続用端子の周辺が第２ダミー電極によって保護された電気光学装置を提供することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２ダミー領域の前記絶縁膜上にそれぞれ独立して設けられた複数の第３ダミー電極を有し、前記第３ダミー電極は、前記第２ダミー電極よりも表面硬度が硬い導電材料を用いて形成されていることが好ましい。
この構成によれば、第３ダミー電極により、下層に設けられた第２ダミー電極や他の配線の保護機能を高めることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２ダミー電極と前記第３ダミー電極とは平面視で重なって配置されていることが好ましい。
この構成によれば、第３ダミー電極により、下層の第２ダミー電極や他の配線を効率的に保護できる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第３ダミー電極のほうが前記第２ダミー電極よりも大きいことを特徴とする。
この構成によれば、第３ダミー電極により、下層の第２ダミー電極や他の配線をより確実に保護できる。
【００１３】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記一対の基板のうち他方の基板において、前記画素電極に対向して配置された共通電極を有し、前記第１ダミー電極と前記共通電極とに同じ電位が与えられていることを特徴とする。
この構成によれば、第１ダミー電極と共通電極とが同じ電位であるため、第１ダミー電極と共通電極との間に電気光学素子が介在していたとしても、第１ダミー電極と共通電極とが平面的に重なり合った部分を非駆動領域（非表示領域）とすることができる。言い換えれば、当該非駆動領域（非表示領域）を画素領域を囲む見切り部として機能させることができる。
【００１４】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１ダミー電極は複数のダミー部を有し、隣り合う前記ダミー部が互いに接続されており、前記ダミー部および前記第２ダミー電極並びに前記第３ダミー電極の平面的な配置パターンは、前記画素領域における前記画素電極の平面的な配置パターンと同じあることが好ましい。
この構成によれば、各ダミー電極の配置密度が画素電極と同等レベルに均一化されるので、画素電極や各ダミー電極を覆う絶縁膜に平坦化処理を施せば、より平坦な表面を実現できる。
【００１５】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置において、前記外部接続用端子の少なくとも一部は、前記第３ダミー電極を構成する導電材料と同じ導電材料で覆われていることが好ましい。
この構成によれば、複数の外部接続用端子の表面を異物などの接触による損傷から保護することができる。つまり、複数の外部接続用端子と外部回路との接続を確実に行うことが可能な状態とすることができる。
【００１６】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、安定した電気光学特性を有すると共に、異物による電気回路の損傷を低減して高い信頼性を有する電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図３】種々のダミー電極が配置される領域を示す概略平面図。
【図４】種々のダミー電極の配置を示す概略平面図。
【図５】外部接続用端子付近におけるダミー電極の配置を示す概略平面図。
【図６】図４のＡ−Ａ’線に沿った液晶パネルの要部構造を示す概略断面図。
【図７】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す模式図。
【図８】変形例の第３ダミー電極の構成を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１９】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２０】
（第１実施形態）
本実施形態では、電気光学装置として、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２１】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１および図２を参照して概略の構成について説明する。図１は液晶装置の構成を示す概略平面図、図２は図１のＨ−Ｈ’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図である。
【００２２】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ例えば透明な石英基板やガラス基板が用いられている。
【００２３】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁沿って配置されたシール材４０を介して貼り合わされ、その隙間に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２４】
シール材４０の内側に複数の画素Ｐがマトリックス状に配列した画素領域Ｅが設けられている。また、詳しくは後述するが素子基板１０側において画素領域Ｅを囲む領域に種々のダミー電極が配置されている。
【００２５】
図２に示すように、素子基板１０は、液晶層５０側の表面において、画素Ｐごとに形成された光反射性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線（図示省略）と、ＴＦＴ３０や信号配線を覆う層間絶縁膜１６（図６参照）と、画素電極１５を覆う絶縁膜１７と、配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における一対の基板のうち一方の基板としての素子基板１０は、少なくとも基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成されたＴＦＴ３０、信号配線、層間絶縁膜１６（図６参照）、画素電極１５、絶縁膜１７、配向膜１８を含むものである。
【００２６】
本発明における一対の基板のうち他方の基板としての対向基板２０は、少なくとも基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された共通電極２１と、共通電極２１を覆う絶縁膜２２および配向膜２３を含むものである。
【００２７】
基材２０ｓは、シール材４０と平面的に重なる部分の厚みが他の部分に比べて薄くなっている。また、基材２０ｓの外周に至るまで厚みが薄くなっている。共通電極２１、絶縁膜２２、配向膜２３は、それぞれ厚みが薄くなった部分にも形成されている。素子基板１０と対向基板２０とを液晶層５０を挟んで対向配置したときの液晶層５０の厚みをｄとすると、シール材４０には、シール材４０が接する基材２０ｓの厚みを考慮して、液晶層５０の厚みｄよりも大きな径を有するスペーサー（図示省略）が含まれている。このような対向基板２０の断面構造によれば、液晶層５０の厚みｄよりも大きな径を有するスペーサーが含まれたシール材４０を用いて素子基板１０と対向基板２０とを対向配置して接着することができるので、液晶層５０の厚みばらつきを抑えることができる。
【００２８】
共通電極２１は、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜からなり、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６（図１参照）により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００２９】
画素電極１５を覆う絶縁膜１７及び共通電極２１を覆う絶縁膜２２は、例えばＣＶＤ法を用いて形成された酸化シリコン膜が用いられており、その表面はＣＭＰ処理などの平坦化処理が施されている。
【００３０】
配向膜１８，２３は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。本実施形態では、例えば斜方蒸着などの気相成長法によりＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子を略垂直配向させる無機配向膜が用いられている。
【００３１】
図１に戻り、素子基板１０の端子部１０ａに沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間にサンプリング回路１０３が設けられている。また、端子部１０ａに対向する第１の辺部に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間に検査回路１０４が設けられている。更に、第１の辺部と直交し互いに対向する第２及び第３の辺部に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間にそれぞれ走査線駆動回路１０２が設けられている。第１の辺部のシール材４０と検査回路１０４との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線（図示省略）が設けられている。以降、端子部１０ａ及び第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第２及び第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００３２】
ＴＦＴ３０は、Ｘ方向に延在する走査線と、Ｙ方向に延在するデータ線とに電気的に接続されている。走査線は走査線駆動回路１０２の出力端に電気的に接続されている。データ線はサンプリング回路１０３の出力端と検査回路１０４の入力端とに接続されている。
走査線駆動回路１０２の入力端およびサンプリング回路１０３の入力端に繋がる配線は、素子基板１０の端子部１０ａに配列した外部接続用端子１０５に接続されている。複数の外部接続用端子１０５には、ＴＦＴ駆動用ドライバーＩＣ（ＴＦＴＤｒ）１０１が実装された中継基板１０７が接続されている。中継基板１０７は例えばフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）である。
【００３３】
ＴＦＴＤｒ１０１は、クロックなどの制御信号を走査線駆動回路１０２に送出する。走査線駆動回路１０２は該制御信号に基づいて、複数の走査線に走査信号を順次送出する。また、ＴＦＴＤｒ１０１は、画像情報に基づいたビデオ信号と選択信号とをサンプリング回路１０３に送出する。複数のデータ線は、例えばＮ（正の整数）本を単位とした系列に区分されており、サンプリング回路１０３は複数のデータ線に、選択信号に基づいて系列単位でビデオ信号を送出する。走査信号によって選択された画素ＰのＴＦＴ３０を経由して画素電極１５にビデオ信号が与えられて画像が表示される。なお、画素Ｐを駆動する駆動回路の構成は、これに限定されるものではない。
【００３４】
このような液晶装置１００は反射型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側（射出側）に偏光素子や位相差板などの光学補償素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。
【００３５】
次に、本実施形態におけるダミー電極の配置とダミー電極に係る基板構造について、図３〜図６を参照して説明する。図３は種々のダミー電極が配置される領域を示す概略平面図、図４は種々のダミー電極の配置を示す概略平面図、図５は外部接続用端子付近におけるダミー電極の配置を示す概略平面図、図６は図４のＡ−Ａ’線に沿った液晶パネルの要部構造を示す概略断面図である。
【００３６】
本実施形態では、図３に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上において、画素領域Ｅを取り囲む領域を次のように区分している。シール材４０が配置される領域をシール領域Ｅ３と呼ぶ。シール領域Ｅ３と画素領域Ｅとの間の領域を周辺領域Ｅ４と呼ぶ。周辺領域Ｅ４には、前述したように走査線駆動回路１０２、サンプリング回路１０３、検査回路１０４やこれらの周辺回路と複数の外部接続用端子１０５とを繋ぐ配線が設けられている。複数の外部接続用端子１０５が配列した領域を端子領域Ｅ５と呼ぶ。
シール領域Ｅ３と周辺領域Ｅ４とを合わせた領域を本発明の第１ダミー領域Ｅ１と呼ぶ。シール領域Ｅ３と端子領域Ｅ５との間の領域を本発明の第２ダミー領域Ｅ２と呼ぶ。前述した絶縁膜１７はこれらの領域を覆って形成されるものである。したがって、絶縁膜１７にＣＭＰ処理などの平坦化処理を施すにあたり、画素領域Ｅの周囲の第１ダミー領域Ｅ１や第２ダミー領域Ｅ２にそれぞれダミー電極が配置されている。
【００３７】
図４に示すように、画素領域Ｅには、略正方形の画素電極１５がＸ方向とＹ方向とにマトリックス状に配置されている。画素領域Ｅを取り囲む第１ダミー領域Ｅ１には、複数のダミー部１５ｄ０が画素電極１５と同様にマトリックス状に配置されると共に、隣り合うダミー部１５ｄ０が互いに接続された第１ダミー電極１５ｄ１を有している。第１ダミー領域Ｅ１と端子領域Ｅ５との間の第２ダミー領域Ｅ２には、第２ダミー電極１５ｄ２が画素電極１５と同様にマトリックス状にそれぞれ独立して複数配置されている。詳しくは後述するが、ダミー部１５ｄ０および第２ダミー電極１５ｄ２は形状が画素電極１５とほぼ同じである。そして、基材１０ｓ上において画素電極１５と同じ配線層に設けられている。ダミー部１５ｄ０と第２ダミー電極１５ｄ２とが画素電極１５とほぼ同じ配置パターン、言い換えれば配置密度（単位面積当たりの電極面積）で第１ダミー領域Ｅ１と第２ダミー領域Ｅ２とにそれぞれ設けられている。したがって、画素領域Ｅ、第１ダミー領域Ｅ１、第２ダミー領域Ｅ２を覆うように絶縁膜１７を形成してＣＭＰ処理を施すと、各領域においてほぼ平坦な表面状態が得られる。
なお、図４は、画素電極１５に対するダミー部１５ｄ０や第２ダミー電極１５ｄ２の配置を模式的に表したものであって、Ｘ方向およびＹ方向におけるダミー部１５ｄ０や第２ダミー電極１５ｄ２の配置数は３つに限定されるものでない。
【００３８】
また、図５に示すように、第２ダミー領域Ｅ２では、複数の第２ダミー電極１５ｄ２に対してそれぞれ重畳して設けられた複数の第３ダミー電極１５ｄ３が、それぞれ独立してマトリックス状に配置されている。第２ダミー電極１５ｄ２と第３ダミー電極１５ｄ３とは形状がほぼ同じ略正方形である。つまり、第３ダミー電極１５ｄ３も画素電極１５と同じ配置パターンとなっている。
【００３９】
次に、図６を参照して、基材１０ｓ上における各種のダミー電極の配置構造について詳しく説明する。なお、図６では、基材１０ｓに形成されるＴＦＴ３０やＴＦＴ３０に接続される配線等の図示を省略している。
【００４０】
図６に示すように、まず基材１０ｓ上の画素領域Ｅには、画素電極１５ごとに対応した中継層１４が形成される。中継層１４は、各画素Ｐ（図１参照）において、ＴＦＴ３０と画素電極１５とを電気的に接続させるために設けられた導電層である。同様にして第１ダミー領域Ｅ１には、第１ダミー電極１５ｄ１に対応した中継層１４ａが形成される。中継層１４ａは第１ダミー電極１５ｄ１に電位を与えるための配線として機能するものである。そして、第１ダミー領域Ｅ１よりも外側の第２ダミー領域Ｅ２と端子領域Ｅ５とに跨って中継層１４ｂが形成される。中継層１４ｂは、外部接続用端子１０５の一部を構成し、前述したようにビデオ信号や各種の制御信号などを伝達するものであり、外部接続用端子１０５ごとに形成されている（図５参照）。
【００４１】
中継層１４，１４ａ，１４ｂは同じ配線層において形成されたものであり、例えば、Ａｌ（アルミニウム）などの配線材料やその金属化合物、あるいは異なる配線材料の導電層が積層された構造を採用することができる。つまり、Ａｌなどの配線材料を基材１０ｓ上に成膜した後に、これをパターニングして、画素領域Ｅには画素Ｐごとに中継層１４を形成し、第１ダミー領域Ｅ１には中継層１４ａを形成し、第２ダミー領域Ｅ２には中継層１４ｂを形成する。
【００４２】
次に、これらの中継層１４，１４ａ，１４ｂを覆って層間絶縁膜１６が形成される。層間絶縁膜１６は、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて形成可能なＮＳＧ（None−doped Silicate  Glass）膜や、ＢＳＧ（Boron  Silicate  Glass）、ＢＰＳＧ（Boron Phosphorus  Silicate  Glass）膜あるいはこれらを組み合わせたものを用いることができる。そして、層間絶縁膜１６はＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。層間絶縁膜１６の下層には前述した中継層１４，１４ａ，１４ｂが配置されているので、平坦化処理後に画素領域Ｅとその周辺の表面を平坦にすることができる。平坦化処理後の層間絶縁膜１６の厚みは、およそ５００ｎｍ〜１０００ｎｍである。
【００４３】
次に、平坦化処理が施された層間絶縁膜１６に中継層１４と画素電極１５とを電気的に接続させるコンタクトホール１６ａと、中継層１４ａと第１ダミー電極１５ｄ１とを電気的に接続させるコンタクトホール１６ｂとが形成される。コンタクトホール１６ａ，１６ｂを構成する導電材料としてはＷ（タングステン）などを挙げることができる。
なお、層間絶縁膜１６に平坦化処理を施す前にコンタクトホール１６ａ，１６ｂを形成し、その後に平坦化処理を施してもよい。
【００４４】
次に、層間絶縁膜１６を覆って例えばＡｌやＡｌと他の金属との合金などからなる光反射性導電膜を形成する。この光反射性導電膜をパターニングして、画素領域Ｅには画素電極１５が形成され、第１ダミー領域Ｅ１には第１ダミー電極１５ｄ１が形成され、第２ダミー領域Ｅ２には第２ダミー電極１５ｄ２が形成される。つまり、第２ダミー電極１５ｄ２は電気的にフローティング状態である。光反射性導電膜の厚みは、およそ１００ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００４５】
次に、これらの画素電極１５、第１ダミー電極１５ｄ１、第２ダミー電極１５ｄ２を覆って絶縁膜１７を形成する。絶縁膜１７は例えばＮＳＧ膜を用いることができる。そして、絶縁膜１７にＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。平坦化処理後の絶縁膜１７の厚みはおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。言い換えれば、画素電極１５や各ダミー電極に起因して絶縁膜１７の表面に生じた凹凸を平坦な状態にするには、上記光反射性導電膜の厚みの少なくとも２倍以上の厚みで絶縁膜１７を形成した後に平坦化処理することが好ましい。
【００４６】
次に、外部接続用端子１０５に対応する位置に層間絶縁膜１６と絶縁膜１７とを貫通して底部に中継層１４ｂを露出させた溝部（凹部）１０５ａが形成される。
【００４７】
次に、溝部（凹部）１０５ａを含めた絶縁膜１７の表面に例えばＩＴＯなどの透明導電膜を成膜する。透明導電膜の厚みはおよそ１００ｎｍ〜２００ｎｍである。この透明導電膜をパターニングして、第２ダミー電極１５ｄ２と重なる位置に第３ダミー電極１５ｄ３が形成される。また、溝部（凹部）１０５ａにおいて中継層１４ｂと接触した導電層１９が形成される（図５参照）。つまり、外部接続用端子１０５は、端子部１０ａにおいて陥没して形成された溝部１０５ａの底面に露出した中継層１４ｂの一部と、露出した中継層１４ｂの一部と接触すると共に溝部１０５ａを被覆して形成された導電層１９とから構成されている。導電層１９は中継層１４ｂよりも表面硬度が硬い透明導電膜であるため、外部接続用端子１０５において保護層としても機能する。
【００４８】
次に、画素領域Ｅと第１ダミー領域Ｅ１とに少なくとも跨って配向膜１８が形成される。このようにして形成された素子基板１０と対向基板２０とをシール材４０によって貼り合わせ、その隙間に液晶を充填して液晶層５０とする。
【００４９】
端子部１０ａの端子領域Ｅ５に例えば熱硬化型の異方性導電膜（ＡＣＦ）１０９を敷設して、中継基板１０７を熱圧着し、異方性導電膜（ＡＣＦ）を熱硬化させることにより、外部接続用端子１０５と中継基板１０７とを電気的に接続させる。
【００５０】
画素電極１５は、コンタクトホール１６ａと中継層１４とを介してＴＦＴ３０と電気的に接続され、スイッチング制御される。つまり、ＴＦＴ３０によりビデオ信号に応じた駆動電位が画素電極１５に与えられる。これにより、固定電位（ＬＣＣＯＭ）が与えられた共通電極２１との画素電極１５との間に液晶層５０を挟んで電界が生じ、液晶層５０がビデオ信号に応じて駆動される。
【００５１】
また、本実施形態では、画素領域Ｅを囲む第１ダミー領域Ｅ１の第１ダミー電極１５ｄ１に、中継層１４ａとコンタクトホール１６ｂとを経由して共通電極２１に与えられる電位と同じ電位（ＬＣＣＯＭ）が与えられている。これにより、共通電極２１と第１ダミー電極１５ｄ１との間には液晶層５０を挟んで電界が生じない。つまり、画素領域Ｅを囲む第１ダミー領域Ｅ１の周辺領域Ｅ４は、常にノーマリーブラック状態となっている。したがって、周辺領域Ｅ４は、画素領域Ｅを囲む見切り部として機能する。なお、共通電極２１に与えられる電位は固定電位に限定されず、周期的に変動する電位を与えてもよい。
【００５２】
なお、第１ダミー電極１５ｄ１と重なるように、第１ダミー領域Ｅ１に第３ダミー電極１５ｄ３をさらに配置することも考えられる。しかしながら、第３ダミー電極１５ｄ３は電気的にフローティング状態であるため、周辺領域Ｅ４における共通電極２１と第１ダミー電極１５ｄ１との間の電位が変動するおそれがあり、周辺領域Ｅ４が見切り部として機能することに影響を及ぼすことが考えられる。また、ＬＣＣＯＭ電位に変動が生ずるおそれがある。したがって、第３ダミー電極１５ｄ３を第１ダミー領域Ｅ１に配置するのは避けたほうがよい。
【００５３】
本実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）絶縁膜１７の下層には、画素領域Ｅに画素電極１５が配置され、画素電極１５と同じ配線層において画素領域Ｅを囲む第１ダミー領域Ｅ１に第１ダミー電極１５ｄ１が配置され、第１ダミー領域Ｅ１と端子領域Ｅ５との間の第２ダミー領域Ｅ２に第２ダミー電極１５ｄ２が配置されている。したがって、絶縁膜１７の下層に配置パターン（配置密度）がほぼ同じ状態で画素電極１５、第１ダミー電極１５ｄ１、第２ダミー電極１５ｄ２が形成されているので、絶縁膜１７にＣＭＰ処理などの平坦化処理を施せば、画素領域Ｅから第２ダミー領域Ｅ２に亘って平坦な表面が得られる。
（２）さらに、中継基板１０７が接続される端子部１０ａに、第２ダミー電極１５ｄ２を覆う絶縁膜１７を挟んで、第２ダミー電極１５ｄ２と重なる位置にほぼ同じ外形の第３ダミー電極１５ｄ３が形成されている。第３ダミー電極１５ｄ３は、第２ダミー電極１５ｄ２に比べて表面硬度が硬いＩＴＯなどの透明導電膜（金属酸化膜）を用いて形成されているので端子部１０ａの第２ダミー領域Ｅ２を保護することができる。また、外部接続用端子１０５は、端子部１０ａおいて露出した中継層１４ｂの一部と、これに接触して同じく透明導電膜を用いて形成された導電層１９とを有している。つまり、端子部１０ａを露出させるスクライブ工程で異物などが端子部１０ａに接触したとしても、第２ダミー電極１５ｄ２や第３ダミー電極１５ｄ３はそれぞれ電気的に独立して設けられているので、その下層の配線としての中継層１４ｂが異物などにより損傷して、断線や短絡（ショート）が発生することを低減することができる。
（３）画素領域Ｅを囲む第１ダミー領域Ｅ１に配置された第１ダミー電極１５ｄ１には、共通電極２１と同じ固定電位（ＬＣＣＯＭ）が印加されている。したがって、シール領域Ｅ３と画素領域Ｅとの間の周辺領域Ｅ４における液晶層５０は常にノーマリーブラック状態となっている。それゆえに、液晶装置１００（液晶パネル１１０）を後述する投射型表示装置における反射型の液晶ライトバルブとして用いた場合には、周辺領域Ｅ４に入射した光がむやみに反射して、画素領域Ｅにおいて反射した表示光と干渉しないので、高いコントラストの表示を実現することができる。
（４）すなわち、例えばスクライブ工程における異物などにより端子部１０ａが損傷し難く、且つ高い表示品質を有する液晶装置１００（液晶パネル１１０）を提供することができる。
【００５４】
（第２実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図７を参照して説明する。図７は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す模式図である。
【００５５】
図７に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変調素子としての反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００５６】
偏光照明装置１１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００５７】
偏光照明装置１１００から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光（Ｒ）を反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを反射する。
反射した赤色光（Ｒ）は反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１２５０に入射する。一方、反射した緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とは反射ミラー１１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイクロイックミラー１１１５は緑色光（Ｇ）を反射し、青色光（Ｂ）を透過する。反射した緑色光（Ｇ）は液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光（Ｂ）は液晶ライトバルブ１２７０に入射する。
【００５８】
液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板１２５３とを備えている。
液晶ライトバルブ１２５０は、ワイヤーグリッド偏光板１２５３によって反射した赤色光（Ｒ）がクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射するように配置されている。また、ワイヤーグリッド偏光板１２５３の偏光度を補う補助偏光板１２５４が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光（Ｒ）の入射側に配置され、もう１つの補助偏光板１２５５が赤色光（Ｒ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板１２５４，１２５５を省略することも可能である。
このような反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。
【００５９】
液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板１２５３，１２６３，１２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００６０】
本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０として上記第１実施形態における反射型の液晶装置１００が適用されている。
【００６１】
このような投射型表示装置１０００によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に用いているので、明るい画像を投射可能であると共に、電気回路における高い信頼性品質を有する反射型の投射型表示装置１０００を提供できる。
【００６２】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置および該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００６３】
（変形例１）第２ダミー領域Ｅ２における第３ダミー電極１５ｄ３の配置は、これに限定されない。図８は変形例の第３ダミー電極の構成を示す概略断面図である。例えば、図８に示すように、第２ダミー電極１５ｄ２に対して絶縁膜１７を挟んで変形例の第３ダミー電極１５ｄ４を配置する。第３ダミー電極１５ｄ４は、絶縁膜１７上において独立して形成され、且つ平面視では第２ダミー電極１５ｄ２よりも一回り大きい。これにより、上記第１実施形態よりも第３ダミー電極１５ｄ４間の隙間が小さくなるため、第２ダミー電極１５ｄ２およびその下層に位置する配線をより確実に保護することができる。
【００６４】
（変形例２）第２ダミー電極１５ｄ２および第１ダミー電極１５ｄ１のダミー部１５ｄ０の外形およびその大きさは画素電極１５とほぼ同じであることに限定されない。絶縁膜１７に平坦化処理を施したときに、画素領域Ｅとその周辺まで平坦な表面が得られればよく、その点で、絶縁膜１７の下層におけるダミー電極の配置密度が画素電極１５の配置密度とほぼ同じならば外形や大きさが異なっていてもよい。とりわけ、端子部１０ａの第２ダミー領域Ｅ２に設けられる第２ダミー電極１５ｄ２や第３ダミー電極１５ｄ３の配置ピッチは、外部接続用端子１０５のＸ方向における配置ピッチよりも小さいことが異物によって短絡を発生し難くする点で好ましい。
【００６５】
（変形例３）上記第１実施形態では、絶縁膜１７上にＩＴＯなどの透明導電膜（金属酸化膜）からなる、第３ダミー電極１５ｄ３や露出した中継層１４ｂを覆う導電膜１９を設けたが、これに限定されない。第３ダミー電極１５ｄ３と導電層１９とのうちいずれか一方あるいは両方を設けない構成としてもよい。
【００６６】
（変形例４）上記第１実施形態では、溝部１０５ａを外部接続用端子１０５ごとに形成したが、これに限定されず、例えば図３に示すように端子領域Ｅ５に亘って溝部を形成してもよい。これによれば、Ｘ方向に配列する外部接続用端子１０５間に層間絶縁膜１６と絶縁膜１７の段差を生じさせずにＡＣＦ１０９を介して中継基板１０７と接続させることができる。
【００６７】
（変形例５）本発明を適用可能な電気光学装置は、反射型の液晶装置１００に限定されない。画素電極１５および共通電極２１をＩＴＯなどの透明導電膜を用いて構成した透過型の液晶装置に適用して、少なくとも画素電極１５を覆って絶縁膜１７を成膜する場合には、上記実施形態と同様な効果（１）〜（４）を奏する。また、液晶装置に限定されず、画素電極１５と共通電極２１との間に電気光学素子として、例えば有機発光層を備えた有機エレクトロルミネセンス装置（有機ＥＬ装置）や、電気泳動粒子を含む電気泳動層を備えた電気泳動表示装置にも適用することができる。
【００６８】
（変形例６）上記第１実施形態の液晶装置１００を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００６９】
１０…一対の基板のうちの一方の基板としての素子基板、１５…画素電極、１５ｄ０…ダミー部、１５ｄ１…第１ダミー電極、１５ｄ２…第２ダミー電極、１５ｄ３，１５ｄ４…第３ダミー電極、１６…層間絶縁膜、１７…絶縁膜、２０…一対の基板のうち他方の基板としての対向基板、２１…共通電極、４０…シール材、５０…液晶層、１００…電気光学装置としての液晶装置、Ｅ…画素領域、Ｅ１…第１ダミー領域、Ｅ２…第２ダミー領域、Ｅ３…シール領域、Ｅ４…周辺領域、Ｅ５…端子領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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