(57)【要約】【課題】生産性の低下を抑制するとともに良好な特性が得られる信頼性の高いものを製造できる電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を提供する。【解決手段】本発明の電気光学装置の製造方法は、一対の基板１，２の内面側に配置された一対の電極４，５間にて隔壁部材６が区画する画素領域Ｇに電気光学層３が配置された電気光学装置の製造方法において、一方の電極４上に配置した隔壁形成材料に対して型部材を押圧して画素領域を区画する隔壁６ａ及び隔壁６ａに接続される底部６ｂを有する隔壁部材６を形成する工程と、一方の電極４と反対側から隔壁部材６に不純物を注入する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板の内面側に配置された一対の電極間にて隔壁部材が区画する画素領域に電気光学層が配置された電気光学装置の製造方法において、
一方の前記電極上に配置した隔壁形成材料に対して型部材を押圧して前記画素領域を区画する隔壁及び該隔壁に接続される底部を有する前記隔壁部材を形成する工程と、
前記一方の電極と反対側から前記隔壁部材に不純物を注入する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記電気光学層として電気泳動層を用いることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記不純物を注入する工程においては、前記隔壁に対応する位置にマスクを配置することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記不純物を注入する工程においては、前記隔壁部材の前記底部の抵抗率が１×１０１１Ωｃｍ以下となるように前記不純物を注入することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
一対の基板の内面側に配置された一対の電極間にて隔壁部材が区画する画素領域に電気光学層が配置された電気光学装置において、
前記隔壁部材は、前記画素領域を区画する隔壁部と、該隔壁部の下部に接続される底部とを有し、
前記隔壁部及び前記底部は、各々の不純物濃度が異なることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
前記隔壁部の上部は該隔壁における他の部分に比べて不純物濃度が高く、且つ前記上部及び前記底部は、各々の不純物濃度が同等であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記電気光学層が電気泳動層であることを特徴とする請求項５又は６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記隔壁部材は、前記底部の抵抗率が１×１０１１Ωｃｍ以下に設定されていることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気泳動表示装置としては、一対の基板の内面側に形成された電極間に、分散媒と電気泳動粒子とを含む電気泳動層を配置したものが知られている。この電気泳動装置は、前記電極間に印加する電圧の振幅や極性、波形、印加時間、周波数等を制御することにより、所望の情報を表示することができる。
【０００３】
このような電気泳動表示装置の製造方法としては、下記特許文献１に示すものが知られている。下記特許文献１に示される第１の製造方法は、電気泳動層を配置するための隔壁部材をエンボス加工により形成するようにしている。また、下記特許文献１に示される第２の製造方法は、露光、現像工程を用いることで上記隔壁部材を形成するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００３−５２６８１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に示される第１の製造方法では、エンボス加工によって隔壁部材の底面に生じた残渣により大きな電圧降下が生じ、電気光学層に十分な電圧が印可できず、製品の信頼性を低下させるおそれがある。
【０００６】
上記特許文献１に示される第２の製造方法では、露光、現像工程が必要となるため、製造装置のコストが上昇するといった問題がある。また、基材を動かした状態で露光、現像することは技術的に確立されていないことや、現像液を乾燥させた後でなければ基材を巻き取ることができないことなどのため、第２の製造方法はロールトゥロールに対応させることが難しく、生産性が低下するといった問題がある。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、生産性の低下を抑制するとともに良好な特性が得られる信頼性の高いものを製造できる電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決すべく、本発明の電気光学装置の製造方法は、一対の基板の内面側に配置された一対の電極間にて隔壁部材が区画する画素領域に電気光学層が配置された電気光学装置の製造方法において、一方の前記電極上に配置した隔壁形成材料に対して型部材を押圧して前記画素領域を区画する隔壁及び該隔壁に接続される底部を有する前記隔壁部材を形成する工程と、前記一方の電極と反対側から前記隔壁部材に不純物を注入する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明の電気光学装置によれば、不純物が注入されることで隔壁に比べて抵抗率の低い底部を有する隔壁部材が形成されるので、該隔壁部材が区画する画素領域に配置された電気光学層に対して十分な電圧を印加することができる。隔壁は底部に比べて抵抗率が高いため、隣接する画素領域において電流がリークするのを防止することができる。また、露光、現像工程に代えて型部材を押圧するだけで隔壁部材を形成できるので、本発明に係る製造工程によればロールトゥロールに容易に対応させることができる。
したがって、生産性の低下を抑制するとともに良好な特性が得られる信頼性の高い電気光学装置を製造することができる。
【００１０】
前記電気光学層として電気泳動層を用いる製造方法としてもよい。
この構成によれば、各画素領域に配置される電気泳動層に対して良好に電圧を印加できるとともに、画素領域間でのリーク電流の発生を防止した信頼性の高い電気泳動装置を提供できる。
【００１１】
前記不純物を注入する工程においては、前記隔壁に対応する位置にマスクを配置する製造方法としてもよい。
この構成によれば、隔壁に対する不純物注入を回避し、底部のみに選択的に不純物を注入することができる。
【００１２】
前記不純物を注入する工程においては、前記隔壁部材の前記底部の抵抗率が１×１０１１Ωｃｍ以下となるように前記不純物を注入する製造方法としてもよい。
この構成によれば、底部の抵抗率が１×１０１１Ωｃｍ以下とされるため、上述したように電気光学層に対して十分な電圧を印加することができる。
【００１３】
本発明の電気光学装置は、一対の基板の内面側に配置された一対の電極間にて隔壁部材が区画する画素領域に電気光学層が配置された電気光学装置において、前記隔壁部材は、前記画素領域を区画する隔壁部と、該隔壁部の下部に接続される底部とを有し、前記隔壁部及び前記底部は、各々の不純物濃度が異なることを特徴とする。
【００１４】
本発明の電気光学装置によれば、隔壁及び底部の不純物濃度が異なるため、例えば隔壁に対して底部の抵抗率を相対的に低下させる構成を実現できる。よって、隔壁部材が区画する画素領域に配置された電気光学層に対して十分な電圧を印加することができる。また、隔壁は底部に比べて抵抗率が高いため、隣接する画素領域において電流がリークするのを防止することができる。
したがって、良好な特性を備えた信頼性の高い電気光学装置を提供できる。
【００１５】
前記隔壁部の上部は該隔壁部における他の部分に比べて不純物濃度が高く、且つ前記上部及び前記底部は、各々の不純物濃度が同等である構成としてもよい。
この構成は、隔壁の上部側から不純物を底部に注入することで実現可能である。よって、底部の不純物濃度を低くする構成を簡便に構成することができるので、生産性が高く低コスト化が図られたものとなる。
【００１６】
前記電気光学層が電気泳動層である構成としてもよい。
この構成によれば、各画素領域に配置される電気泳動層に対して良好に電圧を印加できるとともに、画素領域間でのリーク電流の発生を防止した信頼性の高い電気泳動装置を提供できる。
【００１７】
前記隔壁部材は、前記底部の抵抗率が１×１０１１Ωｃｍ以下に設定されている構成としてもよい。
この構成によれば、底部の抵抗率が１×１０１１Ωｃｍ以下とされるため、上述したように電気光学層に対して十分な電圧を印加することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態に係る電気泳動表示装置の概略構成を示す断面図。
【図２】電気泳動層にかかる電圧をシミュレーションした結果を示す図。
【図３】電気泳動表示装置の製造工程を説明するための図。
【図４】図３に続く電気泳動表示装置の製造工程を説明するための図。
【図５】原子量と底部にイオン注入した時の飛程及びその分散を計算した値との関係を示したグラフ。
【図６】変形例に係る製造工程を示す図。
【図７】変形例に係る製造方法により得られた電気泳動表示装置の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせている。
【００２０】
図１は本実施形態に係る電気泳動表示装置の概略構成を示す断面図である。図１に示すように電気泳動表示装置１００は、素子基板１と、対向基板２と、該素子基板１及び対向基板２間に配置される電気泳動層３と、を備えている。電気泳動層３は、素子基板１の内面側に設けられた画素電極（第１電極）４と、対向基板２の内面側に設けられた共通電極（第２電極）５との間に配置されている。
【００２１】
素子基板１の電気泳動層３側には複数の画素電極４が配列形成されている。画素電極４は、基材１Ａ上に形成された絶縁膜７上に形成されている。
【００２２】
基材１Ａは、ガラスやプラスチック等からなる基板であり、画像表示面とは反対側に配置されるため透明なものでなくてもよい。画素電極４は、Ｃｕ箔上にニッケルめっきと金めっきとをこの順で積層したものや、Ａｌ、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などにより形成された電極である。図示は省略しているが、画素電極４と素子基板１との間には、走査線、データ線、及び選択トランジスタなどが形成されている。
【００２３】
対向基板２は、ガラスやプラスチック等からなる基板であり、画像表示側に配置されるため透明基板とされる。対向基板２の電気泳動層３側には複数の画素電極４と対向する平面形状の上記共通電極５が形成されている。共通電極５は、ＭｇＡｇ、ＩＴＯ、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）などから形成された透明電極である。
【００２４】
素子基板１には、画素電極４を覆うように隔壁部材６が形成されている。隔壁部材６は、各画素電極４に対応して設けられる画素Ｇを区画するものである。隔壁部材６は、隣り合う画素Ｇを区画する隔壁部６ａと、該隔壁部６ａ間を接続する底部６ｂとを含む。
【００２５】
隔壁部材６の材料としては、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂が用いられる。隔壁部材６は、画素電極４を覆うように上記樹脂層を形成した後、該樹脂層に後述のようにエンボス加工を施すことで形成される。
【００２６】
エンボス加工では、画素Ｇの大きさに対応した凹凸形状を有する雄型を樹脂層に押圧することで隔壁部材６における上記隔壁部６ａ及び底部（境界層）６ｂを形成する。すなわち、底部（境界層）６ｂは、エンボス加工時における残渣から構成されたものとなる。ここで、エンボス加工時の残渣とは、雄型が樹脂層に押圧された時に素子基板１との間に残る樹脂部分を意味する。
【００２７】
電気泳動層３は、分散媒３０中に分散された複数の電気泳動粒子３１から構成される。電気泳動粒子３１は、例えば白色粒子３１ａ及び黒色粒子３１ｂを含む。
【００２８】
分散媒３０としては、水、アルコール系溶媒（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブなど）、エステル類（酢酸エチル、酢酸ブチルなど）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど）、脂肪族炭化水素（ぺンタン、ヘキサン、オクタンなど）、脂環式炭化水素（シクロへキサン、メチルシクロへキサンなど）、芳香族炭化水素（ベンゼン、トルエン、長鎖アルキル基を有するベンゼン類（キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼンなど））、ハロゲン化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなど）、カルボン酸塩などを例示することができ、その他の油類であってもよい。これらの物質は単独又は混合物として用いることができ、さらに界面活性剤などを配合してもよい。
【００２９】
白色粒子３１ａは、例えば、二酸化チタン、亜鉛華、三酸化アンチモン等の白色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば負に帯電されて用いられる。黒色粒子３１ｂは、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック等の黒色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば正に帯電されて用いられる。これらの顔料には、必要に応じ、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンドなどの粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤などを添加することができる。
【００３０】
また、白色粒子３１ａ及び黒色粒子３１ｂに代えて、例えば赤色、緑色、青色などの顔料を用いてもよい。この構成によれば、赤色、緑色、青色などを表示することでカラー表示を行うことができる電気泳動表示装置１００を提供できる。
【００３１】
電気泳動表示装置１００は、白表示を行う場合、共通電極５を相対的に高電位、画素電極４を相対的に低電位に保持する。これにより、負に帯電した白色粒子３１ａが共通電極５に引き寄せられる一方、正に帯電した黒色粒子３１ｂが画素電極４に引き寄せられる。その結果、表示面側となる対向基板２側からこの画素Ｇを見ると、白色が認識されることなり、電気泳動表示装置１００は白色表示を行うことができる。
【００３２】
また、電気泳動表示装置１００は、黒表示の場合、共通電極５を相対的に低電位、画素電極４を相対的に高電位に保持する。これにより、正に帯電した黒色粒子３１ｂが共通電極５に引き寄せられる一方、負に帯電した白色粒子３１ａが画素電極４に引き寄せられる。その結果、表示面側となる対向基板２側からこの画素Ｇを見ると黒色が認識されることとなり、電気泳動表示装置１００は黒色表示を行うことができる。
【００３３】
このような構成に基づき、電気泳動表示装置１００は、各画素Ｇにおいて画素電極４及び共通電極５間で所定の電圧を印加することで電気泳動層３中の電気泳動粒子３１（白色粒子３１ａ及び黒色粒子３１ｂ）を対向基板２側に移動させることで画素Ｇごとに白黒表示をし、全体として所望の画像を表示できるようになっている。
【００３４】
ところで、本実施形態に係る隔壁部材６は、一般的な大きさの画素Ｇを構成するため、隔壁部６ａの高さが３０〜４０μｍ程度に設定されている。隔壁部材６は、後述のエンボス加工によって形成されるため、エンボス加工時の残渣に相当する底部６ｂの厚さは最低でも１μｍ以上となる。そのため、底部６ｂによって電気泳動層３に対して十分な電圧が印加できず、電気泳動層３中の電気泳動粒子３１を良好に移動させることができず、所望の表示特性が得られないおそれがある。
【００３５】
隔壁部材６を構成する例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂等の典型的な樹脂材料の抵抗率（ρ）は１０１５Ωｃｍ程度である。ここで、画素Ｇにおいて画素電極４及び共通電極５間に例えば１２Ｖの電圧を印加した場合、電気泳動層３にかかる電圧をシミュレーションした結果を図２に示す。なお、底部６ｂ（隔壁部材６）の比誘電率を３．５、膜厚を１μｍとした。
【００３６】
図２のグラフからは、底部６ｂの抵抗率を変えていくと、電気泳動層３に十分な電圧を印加できるためには該底部６ｂの抵抗率は１×１０１０Ωｃｍ以下程度であることが確認できる。
【００３７】
ところで、このような低抵抗の材料で隔壁部材６を形成すると、隔壁部６ａ自体も低抵抗となってしまう。すると、隔壁部６ａが電流のリークパスとなり、消費電力が増大してしまう。例えば、１×１０１０Ωの材料を用いて厚さ１０μｍ、画素ピッチ１００μｍで隔壁部６ａを形成した場合、１画素辺りのリーク電流は該隔壁部６ａを通る成分だけで１×１０−１１Ａ程度となってしまう。この値は、典型的な画素トランジスタのオフリーク電流よりも大きいため、画素電極４への書き込みや電気泳動層３（電気泳動粒子３１）の制御が大変困難となってしまう。また、大きな電流が流れることによる、消費電力の増大や、それに伴う電極の劣化等といった問題が生じるおそれがあった。
【００３８】
これに対し、本実施形態に係る電気泳動表示装置１００は、隔壁部６ａ及び底部６ｂの不純物濃度が異なる隔壁部材６を備えたものとしている。具体的には、図１に示すように隔壁部材６は、隔壁部６ａの上部に他の部分に比べて不純物濃度が低い高濃度不純物層６０が形成されている。隔壁部材６は、底部６ｂが上記高濃度不純物層６０と同じ不純物濃度に設定されており、底部６ｂにも高濃度不純物層６１が形成されている。高濃度不純物層６１は、抵抗率が１×１０１１Ωｃｍ以下、より好ましくは１×１０１０Ωｃｍ以下に設定されている。
【００３９】
なお、隔壁部材６および電気泳動層３は、次式「電気泳動層３の抵抗率×該電気泳動層３の厚み（隔壁部６ａの深さ）＞２×底部６ｂの抵抗率×底部６ｂの厚み」の関係を満たすようにする必要がある。ここで、図２の計算では、電気泳動層３の抵抗率１．２５×１０１０Ωｃｍ、厚み４０ｕｍとしている。そのため、上記式の左辺は５×１０７Ωｃｍ２である。一方、上記式の右辺は底部６ｂの厚みを１μｍとすると、抵抗率が１×１０１１Ωｃｍであれば、１．０×１０７Ωｃｍ２となり、上式を満たす。
【００４０】
また、隔壁部材６は、上記高濃度不純物層６０以外の部分において、抵抗率が１×１０１２Ωｃｍ以上の高抵抗に設定されている。これにより、隣接する画素Ｇ間でのリーク電流、および、画素電極と対向電極の間のリーク電流が抑制されたものとなっている。
【００４１】
本実施形態に係る電気泳動表示装置１００によれば、高濃度不純物層６１が形成された底部６ｂは、全体として低抵抗とされているので、該底部６ｂ上に配置される電気泳動層３に対して十分な電圧を印加することができる。また、上述のように隔壁部６ａは隣接する画素Ｇ間でのリーク電流の発生を抑制するので、良好な表示特性を得ることができる。
【００４２】
次に、本実施形態に係る電気泳動表示装置１００の製造方法について説明する。図３、４は、電気泳動表示装置１００の製造工程を説明するための図である。また、図５は原子量と、底部６ｂにイオン注入した時の飛程及びその分散を計算した値との関係を示したグラフである。なお、図５ではイオン注入時のエネルギーを１００ｋｅＶ、２００ｋｅＶ、３００ｋｅＶとした。
【００４３】
まず、図３（ａ）に示すように従来公知の方法により複数の画素電極４を形成した素子基板１上に隔壁部材６を形成するための隔壁部形成材料７０を配置する。隔壁部形成材料７０としては、エンボス加工後で１×１０１２Ωｃｍ以上の高抵抗を有するアクリル樹脂やエポキシ樹脂等が用いられる。本実施形態ではアクリル樹脂を用いた。隔壁部形成材料７０の配置方法としては、例えばディスペンサーやインクジェットヘッドによる塗布等を例示することができる。
【００４４】
続いて、図３（ｂ）に示すようにエンボス加工用の型部材７１を押圧する。型部材７１は、画素Ｇの大きさに対応した凹凸形状を有する。型部材７１は隔壁部形成材料７０に押圧されることで、図３（ｃ）に示すように該隔壁部形成材料７０に隔壁部６ａ及び底部６ｂを転写し、隔壁部材６を形成することができる。
【００４５】
続いて、図４（ａ）に示すように隔壁部６ａにおける底部６ｂと反対側、すなわち隔壁部６ａの上部側から隔壁部材６に不純物を注入する。具体的に本実施形態では、隔壁部材６に対してイオン注入法或いはイオンドーピング法を用いる。
【００４６】
注入するイオン種は、水素、ホウ素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、フルオロカーボン等の希ガスまたは非金属のイオン、金、銀、同、白金、ニッケル、アルミニウム等の金属イオン等、いずれを用いてもよい。これらの中でも、１μｍ以上の厚みの底部６ｂに効率よく不純物を注入するためには、水素、ヘリウム、ホウ素などの軽元素を用いるのがより好ましい。
【００４７】
図５からは１μｍ以上の厚さの底部６ｂに対して効率よく低い電圧で注入するには軽元素が望ましいことが確認できる。例えば、底部６ｂが２μｍのときはＨｅを２００ｋｅＶ以下のエネルギーで注入することにより底部６ｂに低抵抗化された高濃度不純物層６１を形成することができる。
【００４８】
底部６ｂにＨｅが注入された際、図４（ｂ）に示すように隔壁部６ａの上部にも厚さが２μｍ程度の高濃度不純物層６０が形成される。したがって、底部６ｂに形成された高濃度不純物層６１と、隔壁部６ａの上部に形成された高濃度不純物層６０とは同一工程で形成されたものとなる。なお、上記イオン注入は、高濃度不純物層６０、６１における抵抗率が１×１０１１Ωｃｍ以下、より好ましくは１×１０１０Ωｃｍ以下に設定されるようなエネルギーで行われる。
【００４９】
続いて、図４（ｃ）に示すように、隔壁部材６の隔壁部６ａが区画する画素Ｇ内に電気泳動層３を構成する分散媒３０及び電気泳動粒子３１を従来公知の手法である例えばディスペンサーやインクジェットヘッド等を用いて配置する。
【００５０】
続いて、図４（ｄ）に示すように、従来公知の手法により形成した対向基板２を不図示の接着層を介して電気泳動層３が各画素Ｇに配置された素子基板１に貼り合せた後、シールする。以上により、本実施形態に係る電気泳動表示装置１００を製造することができる。
【００５１】
このように製造された本実施形態によれば、不純物が注入されることで抵抗率の低い底部６ｂを有する隔壁部材６が形成されるので、該底部６ｂの上部であって隔壁部材６が区画する画素Ｇに配置された電気泳動層３に対して十分な電圧を印加することができる。
【００５２】
また、隔壁部材６は、上述のようにアクリル樹脂等の高抵抗な材料から構成されるので、隔壁部６ａは高濃度不純物層６０が形成されていない部分については底部６ｂよりも抵抗率が高いものとなっている。高濃度不純物層６０は、隔壁部６ａの上部のみに２μｍ程度の厚さで形成されていることから、隔壁部６ａは隣接する画素Ｇにおいて電流がリークする恐れはなく、かつ、画素電極と共通電極の間でも電流がリークすることはない。
【００５３】
具体的に本実施形態に係る電気泳動表示装置１００は、電気泳動層３に対し、印可電圧の１／３以上の電圧がかかり、電気泳動粒子３１が十分に泳動するため、高コントラストな表示を示し、かつ、隔壁部６ａの抵抗が１００μｍ角の１画素Ｇあたり１×１０１４Ωと画素トランジスタのオフ抵抗よりも十分に高く、リーク電流の少ない電気泳動表示装置となる。
【００５４】
また、本実施形態によれば、露光、現像工程に代えて型部材を押圧するエンボス加工によって隔壁部材６を形成できるので、現像後の乾燥工程等が不要となることで素子基板１の製造工程をロールトゥロールに容易に対応させることができる。
【００５５】
以上、発明の一実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能である。上記実施形態では、底部６ｂに不純物を注入する際、隔壁部材６の全面に対してイオン注入を行う場合を例に挙げたが、図６に示すように隔壁部材６の隔壁部６ａに対応する位置にマスクＭを配置するようにしてもよい。
【００５６】
このようにして形成された電気泳動表示装置２００によれば、図７に示されるようにマスクＭに覆われた隔壁部６ａについては不純物が注入されることなく、マスクＭに覆われていない底部６ｂのみに選択的に不純物を注入することができる。よって、底部６ｂのみを低抵抗化することで隔壁部６ａの全体を高抵抗化させることができ、リーク電流の発生のリスクをより低減させることができる。
【００５７】
また、上記実施形態では底部６ｂに不純物を注入する方法としてイオン注入を例示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、隔壁部材６の隔壁部６ａが区画する画素Ｇ内に不純物を含有した液体材料を注入し、熱等で拡散させることで底部６ｂのみ選択的に低抵抗化する方法を採用することもできる。
【００５８】
また、上記実施形態では各画素Ｇに電気泳動層３として分散媒３０中に電気泳動粒子３１を分散させたものを配置したが、各画素Ｇに分散媒３０及び複数の電気泳動粒子３１を封入した球状体からなるマイクロカプセルを配置した構成であってもよい。
【００５９】
また、上記実施形態では、電気光学層として電気泳動層を採用した電気泳動表示装置を本発明の電気光学装置の一例としたが、本発明はこれに限定されることはない。本発明に係る電気光学装置は、電気光学層が設けられた各画素領域に電圧を印加した際、各画素領域において光の反射状態を変化させる電気光学効果を生じさせるものを意味する。具体的に本発明は、電気光学層として液晶層、エレクトロクロミック素子、或いは電子粉流体層を配置することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１…素子基板、２…対向基板、３…電気泳動層、４…画素電極、５…共通電極、６…隔壁部材、６ａ…隔壁部、６ｂ…底部、Ｇ…画素（画素領域）、Ｍ…マスク、６０，６１…高濃度不純物層、７１…型部材、１００，２００…電気泳動表示装置
【図１】
2013213925.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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