(57)【要約】【課題】リンス不良による撥水性レジスト残渣の発生を防止して、パターン不良が起こらないようにする。歩留まりを向上させる。【解決手段】撥水性レジストを設けた基板を回転させながら、基板の中心から端部に向かって界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することで、基板のリンス処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法。ウェハチャックを回転させることが可能な回転手段と、リンス液吐出ノズルと、リンス液吐出ノズルに界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することが可能な供給手段と、リンス液吐出ノズルを基板中心の上方から基板端部の上方に向かって移動させることが可能な移動手段と、を有することを特徴とするリンス装置。【選択図】図３
2013219302.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撥水性レジストを設けた基板を回転させながら、前記基板の中心から端部に向かって界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することで、前記基板のリンス処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記界面活性剤は、アミンオキシド系界面活性剤であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記リンス液中の前記界面活性剤の濃度は、１００質量ｐｐｍ以上３質量％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板の中心から端部に向かって前記リンス液の供給位置が移動するにつれて、前記基板の回転数を断続的に減少させることを特徴とする請求項１〜３の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板の中心から端部に向かって前記リンス液の供給位置が移動するにつれて、前記基板の回転数を連続的に一定の割合で減少させることを特徴とする請求項１〜３の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板の回転数を１５０〜２００ｒｐｍ／ｍｉｎの割合で減少させることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
（１）円形基板の中心からその半径方向の第１の位置まで、第１の速度で前記円形基板上のリンス液の供給位置を移動させながら、リンス液を供給する工程と、
（２）前記第１の位置で第１の時間の間、前記リンス液を供給する工程と、
（３）第２の時間の間、前記円形基板上へのリンス液の供給を停止する工程と、
を有し、
前記工程（１）〜（３）の間、前記基板を第１の回転数で回転させることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
（４）円形基板の中心からその半径方向の第２の位置まで、第２の速度で前記円形基板上のリンス液の供給位置を移動させながら、リンス液を供給する工程と、
（５）前記第２の位置で第３の時間の間、前記リンス液を供給する工程と、
（６）第４の時間の間、前記円形基板上へのリンス液の供給を停止する工程と、
を有し、
前記工程（４）の開始時から工程（４）の途中まで、前記円形基板を第２の回転数で回転させ、
残りの工程（４）、工程（５）および工程（６）は、前記円形基板を第２の回転数よりも小さい第３の回転数で回転させることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
（７）円形基板の中心からその半径方向の第３の位置まで、第３の速度で前記円形基板上のリンス液の供給位置を移動させながら、リンス液を供給する工程と、
（８）前記第３の位置で第５の時間の間、前記リンス液を供給する工程と、
（９）第６の時間の間、前記円形基板上へのリンス液の供給を停止する工程と、
を有し、
前記工程（７）〜（９）の間、前記円形基板の回転数を第４の回転数から第１の割合で減少させることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板上に前記撥水性レジストを形成する工程と、
前記撥水性レジストに現像処理を行う工程と、
請求項１〜９の何れか1項に記載のリンス処理を行う工程によって前記基板のリンス処理を行うことにより、前記撥水性レジストのパターンを形成する工程と、
前記撥水性レジストのパターンをマスクに用いて、前記基板のエッチングを行う工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
基板の保持が可能なウェハチャックを有し、前記ウェハチャックを回転させることが可能な回転手段と、
リンス液吐出ノズルと、
前記リンス液吐出ノズルに、界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することが可能な供給手段と、
前記リンス液吐出ノズルを、基板中心の上方から基板端部の上方に向かって移動させることが可能な移動手段と、
を有することを特徴とするリンス装置。
【請求項１２】
前記界面活性剤は、アミンオキシド系界面活性剤であることを特徴とする請求項１１に記載のリンス装置。
【請求項１３】
前記リンス液中の前記界面活性剤の濃度は、１００質量ｐｐｍ以上３質量％以下であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載のリンス装置。
【請求項１４】
前記回転手段は、前記基板の回転数を断続的に減少させることが可能であることを特徴とする請求項１１〜１３の何れか1項に記載のリンス装置。
【請求項１５】
前記回転手段は、前記基板の回転数を連続的に一定の割合で減少させることが可能であることを特徴とする請求項１１〜１３の何れか1項に記載のリンス装置。
【請求項１６】
前記回転手段は、前記基板の回転数を１５０〜２００ｒｐｍ／ｍｉｎの割合で減少させることが可能であることを特徴とする請求項１５に記載のリンス装置。
【請求項１７】
前記リンス装置は更に制御手段を有し、
前記制御手段は、下記工程（１）〜（３）の制御が可能であり、
（１）前記ウェハチャックの中心上方からその半径方向の第１の位置まで、第１の速度で前記リンス液吐出ノズルを移動させながら、リンス液吐出ノズルからリンス液を供給する工程、
（２）前記第１の位置で第１の時間の間、前記リンス液吐出ノズルから前記リンス液を供給する工程、
（３）第２の時間の間、前記リンス液吐出ノズルからのリンス液の供給を停止する工程、
前記制御手段は、
前記工程（１）〜（３）の間、前記ウェハチャックを第１の回転数で回転させるように制御が可能であることを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載のリンス装置。
【請求項１８】
前記リンス装置は更に制御手段を有し、
前記制御手段は、下記工程（４）〜（６）の制御が可能であり、
（４）前記ウェハチャックの中心上方からその半径方向の第２の位置まで、第２の速度で前記リンス液吐出ノズルを移動させながら、リンス液吐出ノズルからリンス液を供給する工程、
（５）前記第２の位置で第３の時間の間、前記リンス液吐出ノズルから前記リンス液を供給する工程、
（６）第４の時間の間、前記リンス液吐出ノズルからのリンス液の供給を停止する工程、
前記制御手段は、
前記工程（４）の開始時から工程（４）の途中まで、前記ウェハチャックを第２の回転数で回転させ、
残りの工程（４）、工程（５）および工程（６）は、前記ウェハチャックを第２の回転数よりも小さい第３の回転数で回転させるように制御が可能であることを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載のリンス装置。
【請求項１９】
前記リンス装置は更に制御手段を有し、
前記制御手段は、下記工程（７）〜（９）の制御が可能であり、
（７）前記ウェハチャックの中心上方からその半径方向の第３の位置まで、第３の速度で前記リンス液吐出ノズルを移動させながら、リンス液吐出ノズルからリンス液を供給する工程、
（８）前記第３の位置で第５の時間の間、前記リンス液吐出ノズルから前記リンス液を供給する工程、
（９）第６の時間の間、前記リンス液吐出ノズルからのリンス液の供給を停止する工程、
前記制御手段は、
前記工程（７）〜（９）の間、前記ウェハチャックの回転数を第４の回転数から第１の割合で減少させるように制御が可能であることを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載のリンス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及びリンス装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置の製造工程において、リソグラフィー工程を利用したドライエッチングが行われている。微細化の進展に伴い、このリソグラフィー工程では、レジストと投影レンズの間を純水で満たす液浸露光機を使用した露光工程が使用されている。この露光工程ではレジスト上に純水を保持するため、露光後に純水の除去を行えるように、レジスト表面が高い撥水性を持つことが要求されている。そこで、従来はレジスト表面の撥水性を確保するため、トップコート材と呼ばれる、現像液に可溶性のレジスト上層塗布材が用いられてきた。しかし、近年は、プロセス簡素化のため、トップコート材無しでも撥水性を確保できるようにレジスト表面に撥水性を持たせた、撥水性レジストが用いられるようになってきている。
【０００３】
図１は、液浸露光工程を利用したドライエッチング工程を表すフローチャートである。まず、塗布工程（図１のＳ１）では、基板上に、撥水性レジストの溶液を塗布する（図１のＳ１１）。次に、プリベークにより、撥水性レジストの溶液中の溶媒を気化させて除去する（図１のＳ１２）。次に、液浸露光工程（Ｓ２）により露光を行う（図１のＳ２１）。続いて、プリベークにより、液浸露光工程で基板上に残留した液体を除去する（図１のＳ２２）。
【０００４】
次に、現像工程（図１のＳ３）では、ポストベークにより、撥水性レジストの露光部分に熱酸反応を起こす（図１のＳ３１）。続いて、現像処理では、純水を主成分とする現像液に基板を浸して、撥水性レジストの露光部分を現像液に溶解させる（図１のＳ３２）。次に、リンス処理により、現像液中に溶解した撥水性レジスト成分を除去する（図１のＳ３３）。これにより、撥水性レジストからなるマスクが完成する。
【０００５】
次に、ドライエッチング工程（図１のＳ４）では、撥水性レジストのマスクを用いて、被加工材料をドライエッチングする（図１のＳ４１）。ドライエッチングの完了後に、レジスト剥離工程（図１のＳ５）では、アッシングにより残留した撥水性レジストを除去する（図１のＳ５１）。
【０００６】
上記のリンス処理では、図２Ａのようなリンス装置２０が使用されている。この処理ではまず、制御手段１０の命令により、移動手段７がリンス液吐出ノズル４を基板３の中心直上に移動させる。次に、制御手段１０の命令により回転機構６が１００ｒｐｍの回転数で、ウェハチャック５を回転させる。ウェハチャック５は基板３を保持しており、ウェハチャック５の回転に伴い基板３も回転する。制御手段１０の命令により、リンス液供給系８が、リンス液タンク９からリンス液１ａをリンス液吐出ノズル４へ移送する。リンス液吐出ノズル４から基板３上へ供給されたリンス液１ａは、拡散力と遠心力により基板３の表面に広がり、基板３の表面をリンス処理する。これにより、露光現像処理により現像液に溶解した撥水性レジストを除去する。
【０００７】
特許文献１（特開２００９−７１０２８号公報）及び特許文献２（特開２０１１−１３５００２号公報）には、リンス液供給手段を含む基板処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−１３５００２号公報
【特許文献２】特開２０１１−１３５００２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図２Ａのようなリンス装置を使用して基板３のリンス処理を行うと、基板３の端部付近では、角速度が大きくなるため、撥水性レジスト２が水を弾く力が強くなる。また、図２Ｂに示すように、リンス液１ａは比較的、大きな表面張力を有するため、基板３上を十分に流動せずに、基板３上にリンス液１ａが不均一に分布することとなっていた。この結果、基板３にはリンス液１ａで被覆された領域３ａと、リンス液１ａで被覆されない領域３ｂが発生していた。領域３ｂでは、リンス不良が起きるため、現像液中に溶解していた撥水性レジスト成分の残渣が発生し、パターン不良を引き起こしていた。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一実施形態は、
撥水性レジストを設けた基板を回転させながら、前記基板の中心から端部に向かって界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することで、前記基板のリンス処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
他の実施形態は、
基板の保持が可能なウェハチャックを有し、前記ウェハチャックを回転させることが可能な回転手段と、
リンス液吐出ノズルと、
前記リンス液吐出ノズルに、界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することが可能な供給手段と、
前記リンス液吐出ノズルを、基板中心の上方から基板端部の上方に向かって移動させることが可能な移動手段と、
を有することを特徴とするリンス装置に関する。
【発明の効果】
【００１１】
リンス不良による撥水性レジスト残渣の発生を防止して、パターン不良が起こらないようにする。この結果、歩留まりを向上させる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ドライエッチングにおいて行われる工程を表すフローチャートである。
【図２】従来のリンス装置を表す図である。
【図３】本発明のリンス装置の一例を表す図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の一工程を表す図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の一工程を表す図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法の一工程を表す図である。
【図７】実施例１のリンス工程を表す図である。
【図８】実施例２のリンス工程を表す図である。
【図９】実施例３のリンス工程を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法の一例では、撥水性レジストを有する基板を回転させながら、基板の中心から端部に向かって、界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給する。これにより基板のリンス処理を行う。この製造方法では、基板の端部およびその近傍にも直接、リンス液が供給されるため、角速度が大きく水を弾く力が大きい基板の端部付近にも効果的にリンス液を供給することができる。この結果、基板の表面上に均一にリンス液を被覆することができる。また、リンス液は界面活性剤を含有する水を含むため、界面活性剤中の疎水性部分が現像液中に溶解した撥水性レジスト成分と結合し、親水性部分がリンス液中の水と結合することにより、撥水性レジストの撥水性を低減して現像液中に溶解したレジスト成分をリンス液中に溶解させることができる。更に、界面活性剤によってリンス液の表面張力が小さくなり、高い流動性を有して基板上に均一にリンス液が分布できるようになる。この結果、基板のリンス処理が効果的に行われ、リンス不良による撥水性レジスト残渣の発生を防止し、パターン不良の発生を防止して歩留まりを向上させることができる。
【００１４】
基板上のリンス液の供給位置は、一定の速度で移動しても良いし、途中で移動速度が変化しても良いし、途中で停止しても良い。基板上のリンス液の供給位置が基板の端部近傍に存在するときに一定時間、停止することが好ましい。基板の端部近傍ではリンス液を弾く力が強くなるが、リンス液の供給位置を基板の端部近傍で停止させてリンス液を供給することにより、基板の端部近傍に、より大量のリンス液を供給して、基板をリンス液で均一に被覆することができるようになる。
【００１５】
基板の回転数は一定としても良いし、途中で変化させても良い。基板の回転数を途中で変化させる場合は、連続的に基板の回転数を変化させても良いし、断続的に変化させても良い。好ましくは、リンス液の供給位置が基板の端部近傍にあるときは、基板の中心近傍にあるときよりも基板の回転数を小さくするのが良い。これにより、基板の端部付近における角速度の増加を抑制して、基板がリンス液を弾く力が強くなるのを抑制することができる。
【００１６】
また、リンス液の供給量は一定としても良いし、一定の時間の間、リンス液の供給を止めても良い。また、リンス液の供給量は連続的に、または断続的に変化させても良い。
【００１７】
図３は、上記のリンス工程を実施するためのリンス装置の一例を示す図である。図３のリンス装置２０は、回転機構６とウェハチャック５を有する回転手段を備える。ウェハチャック５は基板３を水平に保持することができるようになっている。回転機構６はウェハチャック５を回転させることができるようになっており、ウェハチャック５の回転に伴いウェハチャック５に水平に保持された基板３も、回転軸が垂直な状態でウェハチャック５と同じ回転数で回転する。基板３上には、リンス液吐出ノズル４が配置されている。リンス液吐出ノズル４は、供給手段に接続されている。供給手段は、リンス液供給系８とリンス液タンク９を備え、リンス液タンク９に貯留されたリンス液１ｂはリンス液供給系８を介してリンス液吐出ノズル４に供給されるようになっている。リンス液タンク９には、界面活性剤を含有する水を含むリンス液１ｂが貯留されている。
【００１８】
リンス液吐出ノズル４は移動手段７に固定されている。移動手段７は、基板３の半径以上のストロークを持ち、その一端でリンス液吐出ノズル４が基板３の中心の直上に位置し、反対の端でリンス液吐出ノズル４が基板３の端部の外側に位置する。この移動手段７がストロークの範囲内で動くことにより、リンス液吐出ノズル４は基板３の直上から基板３の端部まで移動可能となっている。
【００１９】
制御手段１０は、下記（ａ）〜（ｃ）の制御を行えるようになっている。
（ａ）移動手段７によるリンス液吐出ノズル４の移動・停止、リンス液吐出ノズル４の移動速度
（ｂ）供給手段によるリンス液吐出ノズル４からのリンス液１ｂの供給・停止、リンス液１ｂの供給量
（ｃ）回転手段による基板３の回転・停止、基板３の回転数。
【００２０】
例えば、制御手段１０により、リンス液吐出ノズル４の移動速度は、−３５０〜３５０ｍｍ／ｓｅｃの範囲で制御される。リンス液吐出ノズル４からのリンス液１ｂの供給量は０および１〜３０００ｍＬ／ｍｉｎの範囲で制御される。また、基板３の回転数は、０および１〜２５００ｒｐｍの範囲で制御される。
【００２１】
図３のリンス装置２０は、移動手段７により、リンス液吐出ノズル４が基板３の端部およびその近傍の上方に移動して、基板３の端部およびその近傍にも直接、リンス液１ｂを供給できるようになっている。このため、角速度が大きく水を弾く力が大きい基板３の端部付近にも効果的にリンス液１ｂを供給することができる。この結果、図３Ｂに示すように、撥水性レジスト２を設けた基板３の表面上に均一にリンス液１ｂを被覆して、リンス液１ｂで被覆された領域３ａとすることができる。また、リンス液１ｂは界面活性剤を含有する水を含むため、界面活性剤中の疎水性部分が現像液中に溶解した撥水性レジスト成分と結合し、親水性部分がリンス液１ｂ中の水と結合することにより、撥水性レジストの撥水性を低減して現像液中に溶解したレジスト成分をリンス液中に溶解させることができる。更に、界面活性剤によってリンス液１ｂの表面張力が小さくなり、高い流動性を有して基板３上に均一にリンス液１ｂが分布できるようになる。この結果、基板３のリンス処理が効果的に行われ、リンス不良による撥水性レジスト残渣の発生を防止し、パターン不良の発生を防止して歩留まりを向上させることができる。
【００２２】
リンス液中に使用する界面活性剤は、アミンオキシド系界面活性剤であることが好ましい。また、リンス液中の界面活性剤の濃度は、１００質量ｐｐｍ以上３質量％以下であることが好ましい。これにより、基板上へのリンス液の分散特性を向上させて、基板のリンス効果をより向上させることができる。
【００２３】
基板の中心から端部に向かってリンス液の供給位置が移動するにつれて、基板の回転数を断続的に減少させるか、または連続的に一定の割合で減少させることが好ましい。基板の中心から端部に向かうにつれて角速度は段々と大きくなるため、上記のように基板の回転数を小さくすることによって角速度の増加によるリンス液の弾きを抑制することができる。基板の回転数を連続的に一定の割合で減少させる場合、基板の回転数を１５０〜２００ｒｐｍ／ｍｉｎの割合で減少させることが好ましい。
【００２４】
図４〜６は、本発明のリンス処理工程を利用して、ドライエッチングにより絶縁膜内にコンタクト孔を形成する半導体装置の製造方法を説明する図である。
まず、図４Ａに示すように、半導体基板２上にＣＶＤ法で形成した酸化シリコン膜や塗布系絶縁膜（ＳＯＤ膜）等の絶縁膜１１を形成する。なお、半導体基板２の表面には図示しない拡散層や配線層が形成されている。次に、絶縁膜１１上に、撥水性レジスト３を塗布した後、プリベークを施すことで、撥水性レジスト３を焼き締める（図１のＳ１）。
【００２５】
図４Ｂに示すように、絶縁膜１１を設けた半導体基板２を液浸露光機（図示していない）にセットし、レクチル１２を介して、撥水性レジスト３にＡｒＦ光１３を照射することで、コンタクト孔のパターンを撥水性レジスト３に露光する。露光直後に、撥水性レジスト３においてＡｒＦ光１３が露光された部分３ｄには潜像が生じ、その他の部分３ｃは変化しない。続いて、プリベークにより、半導体基板２上に残留した液体を除去する（図１のＳ２）。
【００２６】
図５Ａに示すように、ポストベーク処理を行う（図１のＳ３１）。この際、露光部分３ｄは熱酸反応により３ｅに変化する。次に、撥水性レジスト３を現像液１４中に浸漬させて現像処理を行う（図１のＳ３２）。この際、撥水性レジスト３の露光部分３ｅは現像液に溶解するが、未露光部分３ｃは現像液に溶解しない。
【００２７】
図５Ｂに示すように、図３のリンス装置を用い、界面活性剤を含有する水を含むリンス液を用いてリンス処理を行い、現像液中の撥水性レジスト成分を除去する（図１のＳ３３）。このリンス処理は、現像液１４が蒸発して、現像液１４中に溶解した露光部分３ｅの撥水性レジストが析出してパターン不良を起こすことを防止する目的で行う。この際、リンス液として界面活性剤を含有する純水を使用するため、現像液中に溶解した撥水性レジストの撥水性を減少させて、撥水性レジストをリンス液中に溶解しやすくすることができる。また、図３のリンス装置を用いて上記のようにリンス処理を行うことにより、リンス不良によるレジスト残渣の発生を防止して、パターン不良が起こらないようにすることができる。
【００２８】
図６Ａに示すように、リンス処理後の撥水性レジスト３をマスクに用いて、半導体基板２に到達するまで絶縁膜１１をドライエッチングする（図１のＳ４）。
【００２９】
図６Ｂに示すように、レジスト除去装置（アッシング装置または酸剥離装置）により、撥水性レジスト３を除去する（図１のＳ５）。
【実施例】
【００３０】
以下に、図３のリンス装置を使用したリンス工程に関する実施例１〜３を例に挙げて、本発明に係る半導体装置の製造方法を説明する。なお、これらの実施例は、本発明のより一層の深い理解のために示される具体例であって、本発明は、これらの具体例に何ら限定されるものではない。
【００３１】
（実施例１）
本実施例におけるリンス処理のシーケンス（リンス液吐出ノズル４の位置、基板３の回転数、リンス液１ｂの供給量の経時変化）を図７に示す。以下、図７を参照して、本実施例の工程を説明する。
【００３２】
まず、円形基板３の中心からその半径方向のＡの位置（第１の位置）まで、１０ｍｍ／ｓ（第１の速度）で、リンス液吐出ノズル４を移動させながら、基板３上に２４０ｍｌ／ｍｉｎの供給量で、界面活性剤を含有する純水からなるリンス液１ｂを供給する（工程（１））。この間、基板３を１００ｒｐｍ（第１の回転数）で回転させる。
【００３３】
リンス液吐出ノズル４を、Ａの位置でリンス処理に十分な時間（第１の時間）、停止させる。この間、基板３を１００ｒｐｍ（第１の回転数）で回転させながら、リンス液吐出ノズル４から基板３上に、工程（１）と同じ２４０ｍｌ／ｍｉｎの供給量でリンス液１ｂを供給する（工程（２））。
【００３４】
基板３を、リンス液を振り切るのに十分な時間（第２の時間）、１００ｒｐｍ（第１の回転数）で回転させるが、リンス液吐出ノズル４からのリンス液１ｂの供給を停止する（工程（３））。また、Ａの位置から基板３端部の上方まで、３５０ｍｍ／ｓでリンス液吐出ノズル４を移動させる。
【００３５】
本実施例では、工程（２）において、リンス液吐出ノズル４が基板３の端部に近い位置Ａで停止して、基板３上にリンス液１ｂを供給する。基板３の端部に近い領域では角速度が大きくなるため、リンス液１ｂが弾き飛ばされやすくなるが、リンス液吐出ノズル４が位置Ａで停止してリンス液１ｂを大量に供給することにより、基板３上にリンス液１ｂを安定して均一に供給することができる。この結果、基板のリンス処理を効果的に行うことができる。また、リンス液１ｂとして界面活性剤を含有する純水を使用するため、現像液中に溶解した撥水性レジストの撥水性を減少させて、リンス液１ｂに溶解させて除去しやすくなる。
【００３６】
（実施例２）
本実施例におけるリンス処理のシーケンスを図８に示す。以下、図８を参照して、本実施例の工程を説明する。
【００３７】
まず、円形基板３の中心からその半径方向のＣの位置（第２の位置）まで、１０ｍｍ／ｓ（第２の速度）で、リンス液吐出ノズル４を移動させながら、基板３上に２４０ｍｌ／ｍｉｎの供給量で、界面活性剤を含有する純水からなるリンス液１ｂを供給する（工程（４））。この間、リンス液吐出ノズル４が移動し始めてから任意の地点（例えば、基板の中心から１００ｍｍ（基板の半径の２／３））に達するまでの間（例えば、１０秒間；Ｂの時間まで）は、基板３を１００ｒｐｍ（第２の回転数）で回転させ、任意の地点（例えば、基板の中心から１００ｍｍ（基板半径の２／３））に到達後（例えば、リンス液吐出ノズル４が移動を開始してから１０秒経過後）に、基板３の回転数を１００ｒｐｍから５０ｒｐｍ（第３の回転数）に減少させる。
【００３８】
リンス液吐出ノズル４を、Ｃの位置でリンス処理に十分な時間（第３の時間）、停止させる。この間、基板３を５０ｒｐｍ（第３の回転数）で回転させながら、工程（４）と同じ流量で、リンス液吐出ノズル４から基板３上にリンス液１ｂを供給する（工程（５））。
【００３９】
基板３をリンス液を振り切るのに十分な時間（第４の時間）、５０ｒｐｍ（第３の回転数）で回転させるが、リンス液吐出ノズル４からのリンス液１ｂの供給を停止する（工程（６））。また、この間に、Ｃの位置から基板３端部の上方まで、リンス液吐出ノズル４を移動させる。
【００４０】
本実施例では、リンス液吐出ノズル４が基板３の端部に近い位置Ｃで移動を停止して、基板３上にリンス液１ｂを供給するため、実施例１と同様の効果を奏する。また、工程（４）の途中から工程（５）に至るまで、基板３の回転数を断続的に減少させる。この工程（４）の途中から工程（５）までの間、リンス液吐出ノズル４は基板３の端部に近い領域の上方に存在するため、角速度が大きくなり、リンス液が弾き飛ばされやすくなる傾向にあるが、上記のように基板の回転数を減少させることで、角速度の増加を抑制することができる。この結果、基板３上に供給されたリンス液の弾き飛ばしを抑制して、リンス処理を効果的に行うことができる。
【００４１】
（実施例３）
本実施例におけるリンス処理のシーケンスを図９に示す。以下、図９を参照して、本実施例の工程を説明する。
【００４２】
まず、円形基板３の中心からその半径方向のＤの位置（第３の位置）まで、１０ｍｍ／ｓ（第３の速度）で、リンス液吐出ノズル４を移動させながら、基板３上に２４０ｍｌ／ｍｉｎの供給量で、界面活性剤を含有する純水からなるリンス液１ｂを供給する（工程（７））。この間、基板３を１００ｒｐｍ（第４の回転数）から一定の割合（第１の割合）で減少させる。
【００４３】
リンス液吐出ノズル４を、Ｄの位置でリンス処理に十分な時間（第５の時間）、停止させる。この間、工程（７）と同じ流量で、リンス液吐出ノズル４から基板３上にリンス液１ｂを供給する。また、引き続き、基板３の回転数を一定の割合（第１の割合）で減少させる（工程（８））。
【００４４】
リンス液を振り切るのに十分な時間（第６の時間）、引き続き、基板３の回転数を一定の割合（第１の割合）で減少させるが、リンス液吐出ノズル４からのリンス液１ｂの供給を停止する（工程（９））。この間に、リンス液吐出ノズル４を基板３の端部の上方に移動させる。
【００４５】
本実施例では、リンス液吐出ノズル４が基板３の端部に近い位置Ｄで移動を停止して、基板３上にリンス液を供給するため、実施例１と同様の効果を奏する。また、工程（７）から工程（８）に至るまで、基板３の回転数を連続的に一定の割合で減少させる。このため、実施例２と同様に角速度の増加を抑制することができる。この結果、基板３上に供給されたリンス液の弾き飛ばしを抑制してリンス処理を効果的に行うことができる。
【符号の説明】
【００４６】
１ａ、１ｂ  リンス液
２  撥水性レジスト
３  基板
３ｃ  撥水性レジストの未露光部分
３ｄ、３ｅ  撥水性レジストの露光部分
４  リンス液吐出ノズル
５  ウェハチャック
６  回転手段
７  リンス液吐出ノズル移動手段
８  リンス液供給系
９  リンス液タンク
１０  制御手段
１１  絶縁膜
１２  レクチル
１３  ＡｒＦ光
１４  現像液
２０  リンス装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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