(57)【要約】【課題】本発明の目的は、半導体素子への塗布硬化後の薄膜が良好な耐熱性を有し、ＳｉＣ半導体と封止材間の応力緩和と密着性に優れる熱硬化性樹脂組成物含有コーティング材料を提供することである。【解決手段】少なくとも（Ａ）一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）フェノール化合物１〜５００重量部を含有し、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して（Ｃ）エポキシ樹脂０〜２０重量部を含有し、さらに（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計量１００重量部に対して（Ｄ）有機溶媒１５０〜９００重量部を含有する熱硬化性樹脂含有半導体コーティング材料。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも（Ａ）一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）フェノール化合物１〜５００重量部を含有し、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して（Ｃ）エポキシ樹脂０〜２０重量部を含有し、さらに（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計量１００重量部に対して（Ｄ）有機溶媒１５０〜９００重量部を含有する熱硬化性樹脂含有半導体コーティング材料。
【請求項２】
前記（Ａ）成分が下記一般式（１）：
【化１】
2013224341.tif 000007
（ｎは０以上１０以下の整数を表す。）
で表されるシアン酸エステル化合物であることを特徴とする請求項１に記載の熱硬化性樹脂含有半導体コーティング材料。
【請求項３】
前記（Ｂ）成分が下記一般式（２）：
【化２】
2013224341.tif 000008
（ｍは０以上１０以下の整数を表し、Ｒ1は水素原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、アリール基、アリル基、ビニル基から選ばれる１価の基を表す。）
で表されるフェノール化合物であることを特徴とする請求項１〜２に記載の熱硬化性樹脂含有半導体コーティング材料。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか一項に記載の熱硬化性樹脂含有半導体コーティング材料を塗布した被膜を有する半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用コーティング材料及びそれをコーティングした被膜を有する半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の封止材料は熱硬化性樹脂が用いられ、安価かつ大量生産容易である点でエポキシ樹脂が広く使用されている。一方で更なる展開が見込まれている電気自動車や送電システムのインバータやコンバータ等で使用されるパワー半導体においては、現在半導体素子にシリコンが使用されているが、電力損失が大幅に低減できる、耐電圧が高い、及び高温駆動が可能な点でＳｉＣ（炭化ケイ素）やＧａＮ（窒化ガリウム）を使用する動きがあり、これらの材料に対応した封止材料が求められる。
【０００３】
シリコン半導体はシリコンの耐熱温度である１５０℃以下で使用される一方、ＳｉＣ半導体は２００℃を超える温度でも動作するため、封止材料を含め高温に耐える周辺材料が必要となる。通常のエポキシ樹脂では耐熱性が不十分であるため、エポキシ樹脂を超える耐熱性の熱硬化性樹脂組成物として、エポキシ樹脂にシアン酸エステルをブレンドした封止材が検討されているが、未だ耐熱性が十分とは言えない（特許文献１および２）。また従来の半導体搭載装置には半導体の発熱、周囲温度の変化により、材料間の線膨張係数（ＣＴＥ）の差により熱ひずみが生じ、封止材との界面に応力が発生し剥がれが生じ、性能が低下するという課題があった(特許文献３及び４)。基板に実装された半導体チップデバイスにも同様の問題があり、これらの応力緩和層として半導体チップとエポキシ樹脂に代表される封止材との間に同様の目的としてエポキシ樹脂と反応性を有する置換基（フェノール骨格）を有するポリイミド樹脂によりコーティングされた薄膜が用いられているが、ポリイミドの耐熱性を犠牲にしているためＳｉＣを用いた２００℃を超える半導体チップでは適用が困難であるという問題がある（特許文献５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１７２４７３号公報
【特許文献２】特開２００３−２８６４４９号公報
【特許文献３】特開２００８−２０８３６７号公報
【特許文献４】特開２００７−２１１２０４号公報
【特許文献５】特開２００４−３３５８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、半導体素子への塗布硬化後の薄膜が良好な耐熱性を有し、ＳｉＣ半導体と封止材間の応力緩和と密着性に優れる熱硬化性樹脂組成物含有コーティング材料を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
ＳｉＣ半導体に封止材として有機系耐熱性樹脂を用いる場合、従来のＳｉ半導体に適用されていた封止材として広く用いられていたエポキシ樹脂を超える耐熱性と共にＳｉＣ半導体との強固な接着性を両立することが要求される。しかし、本発明者らが鋭意検討を重ねたところ、ＳｉＣ半導体のように２００℃を超える高温にて駆動する素子は、その温度にて耐熱性を有する封止材を使用したとしてもＳｉＣ半導体との線膨張係数(ＣＴＥ)の差により、動作中に接着界面にひずみが生じＳｉＣ半導体封止材が剥離してしまう問題があることを見出した。本発明者らが上記課題に鑑み鋭意検討した結果、封止材と半導体素子の界面に熱硬化性樹脂組成物及び有機溶剤を含有する半導体コーティング材料を塗布、硬化させることで作成できるシアネート樹脂系硬化薄膜を形成することにより、上記課題を解決できることを見出し本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は、
１）少なくとも（Ａ）一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）フェノール化合物１〜５００重量部を含有し、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して（Ｃ）エポキシ樹脂０〜２０重量部を含有し、さらに（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計量１００重量部に対して（Ｄ）有機溶媒１５０〜９００重量部を含有する熱硬化性樹脂含有半導体コーティング材料に関する。
【０００８】
２）前記（Ａ）成分が下記一般式（１）：
【０００９】
【化１】
2013224341.tif 000002
【００１０】
（ｎは０以上１０以下の整数を表す。）
で表されるシアン酸エステル化合物であることを特徴とする請求項１に記載の熱硬化性樹脂含有半導体コーティング材料に関する。
【００１１】
３）前記（Ｂ）成分が下記一般式（２）：
【００１２】
【化２】
2013224341.tif 000003
【００１３】
（ｍは０以上１０以下の整数を表し、Ｒ1は水素原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、アリール基、アリル基、ビニル基から選ばれる１価の基を表す。）
で表されるフェノール化合物であることを特徴とする請求項１〜２に記載の熱硬化性樹脂含有半導体コーティング材料に関する。
【００１４】
４）１）〜３）いずれか一項に記載の熱硬化性樹脂含有半導体コーティング材料を塗布した被膜を有する半導体素子に関する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の熱硬化性樹脂組成物及び有機溶剤を含有する半導体コーティング材料により作成できるシアネート樹脂系硬化薄膜は、ＳｉＣ半導体の動作温度に耐える耐熱性とＳｉＣ半導体との強固な接着性を両立し、更にこれらを被覆したＳｉＣ半導体は高温時のＣＴＥの差による封止材との接着界面における応力が緩和され、結果的に封止材とも強固な接着性を発現することが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の一実施形態について説明すると以下の通りであるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１７】
本発明の熱硬化性樹脂含有半導体コーティング材料は、
少なくとも（Ａ）一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）フェノール化合物１〜５００重量部を含有し、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して（Ｃ）エポキシ樹脂０〜２０重量部を含有し、さらに（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計量１００重量部に対して（Ｄ）有機溶媒１５０〜９００重量部を含有することを特徴とする。
【００１８】
以下各成分について説明する。
（Ａ）一分子中に少なくとも２個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物
前記シアン酸エステル化合物を選定することで、硬化物に２００℃を超える高い耐熱性を付与することが可能となる。前記シアン酸エステル化合物は、公知の方法により一分子中に平均して２個以上のフェノール水酸基を有する化合物とシアン酸塩素との反応により合成することができ、容易に入手可能である。前記シアン酸エステル化合物は単独で用いても良く、２種以上混合して使用しても良い。
【００１９】
前記一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有する化合物中の、シアナト基の数の平均値は、２．５個以上がより好ましく、３個以上がさらに好ましい。
【００２０】
前記一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有する化合物は、耐熱性の点で芳香族基を有するものが好ましい。芳香族基を有するシアン酸エステル化合物は特に限定されないが、上記一般式（１）や、下記一般式（３）等を挙げることができる。
【００２１】
【化３】
2013224341.tif 000004
【００２２】
（式中、Ｒ2は水素原子またはメチル基、Ｒ3は水素原子または炭素数１〜５の炭化水素基を表す。）。
【００２３】
特に液状のため取り扱いがしやすく、硬化物に十分な耐熱性を付与できる点で、一般式（１）で表されるシアン酸エステル化合物を少なくとも１種以上含有することが好ましい。一般式（１）のｎは、０以上１０以下であることが好ましく、０以上５以下であることがより好ましい。ｎが１０を超える場合、１００℃以下で溶融せず樹脂組成物の流動性が低下する。ｎの値が異なるシアン酸エステル化合物を２種以上混合して使用しても良く、ｎの値に分布を持つシアン酸エステル化合物を使用しても良い。
【００２４】
（Ｂ）フェノール化合物
フェノール化合物を選定することで、溶融時の樹脂粘度を低下させるとともに、耐熱性が高くかつ金属との接着性に優れた硬化物を得ることができる。フェノール化合物は単独で用いても良く、２種以上混合して使用しても良い。
【００２５】
前記フェノール化合物中の、フェノール性水酸基の数の平均値は、１．６個以上が好ましく、２個以上がさらに好ましく、３個以上が特に好ましい。
【００２６】
前記フェノール化合物は、耐熱性の点で芳香族基を有するものが好ましい。芳香族基を有するフェノール化合物は特に限定されないが、上記一般式（２）や、下記一般式（４）等を挙げることができる。
【００２７】
【化４】
2013224341.tif 000005
【００２８】
（ｐ、ｒはそれぞれ０以上１０以下の整数を表し、Ｒ4は水素原子または炭素数１〜５の炭化水素基を表す。）。
【００２９】
特に樹脂組成物の流動性の点から一般式（２）で表されるフェノール化合物が好ましい。前記一般式（２）のｍは溶融流動性の点で０以上１０以下であることが好ましい。ｍが１０を超える場合、１００℃以下で溶融せず樹脂組成物の流動性が低下する。ｍの値が異なるフェノール化合物を２種以上混合して使用しても良く、ｍの値に分布を持つフェノール化合物を使用しても良い。
【００３０】
前記一般式（２）のＲ1は水素原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基またはアリール基であることが好ましく、特に水素原子であることが好ましい。炭素数１０を超える基を用いると、脂肪族基の場合十分な耐熱性が付与できず、アリール基の場合溶融時の流動性が低下する。
【００３１】
（Ｂ）成分の配合量は特に限定されないが、（Ａ）成分１００重量部に対し、１〜５００重量部となるように配合することが好ましく、１〜２００重量部とすることがより好ましく、１〜１００重量部とすることがさらに好ましい。
【００３２】
（Ｃ）エポキシ樹脂
本発明の熱硬化性樹脂組成物は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計量１００重量部にたいして、（Ｃ）エポキシ樹脂０〜２０重量部を含有するものである。（Ｃ）エポキシ樹脂の含有量は、０〜１０重量部であることが好ましく、０〜５重量部であることがより好ましい。なお（Ｃ）エポキシ樹脂量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計量１００重量部にたいして、０．０１〜２０重量部であってもよく、０．１〜１０重量部であってもよく、０．１〜５重量部であってもよい。一般に、熱硬化性樹脂組成物中にエポキシ樹脂を含有させることで、金属との接着性を向上させることができる。しかしエポキシ樹脂を用いると樹脂硬化物の耐熱性が不十分となる傾向があるので、エポキシ樹脂は大量に用いるべきではない。
【００３３】
本発明の（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を用いた場合、エポキシ樹脂の使用量を抑えることができる。本発明の熱硬化性樹脂組成物では、例えば（Ｃ）エポキシ樹脂を用いない場合（すなわち０重量部の場合）でも、（Ｃ）エポキシ樹脂を配合した硬化物と同等の金属との接着性を有し、かつ高い耐熱性を有する樹脂硬化物を得ることができる。本発明では、（Ｃ）成分となるエポキシ樹脂の含有量が２０重量部を超えると、硬化薄膜の耐熱性が十分とならない傾向になる。
【００３４】
本発明の（Ｃ）エポキシ樹脂としては、公知の容易に入手可能なエポキシ樹脂を使用することができるが、耐熱性の点から芳香族基を有するエポキシ樹脂を使用することが好ましい。エポキシ樹脂は単独で又は２種以上組み合わせ使用することができる。
【００３５】
（Ｄ）有機溶媒
有機溶媒を選定し用いることで、熱硬化性樹脂組成物含有コーティング材を簡便に作成することが出来る。前記（Ａ）〜（Ｃ）成分を溶解する溶媒であれば特に限定されないが、例えばＮ−メチルピロリドンのような窒素系有機溶媒やＭＥＫ，ＭＩＢＫなどのケトン系有機溶媒を用いると室温で容易に溶解することが可能であり、低沸点で容易に乾燥が可能なケトン系溶媒を使用するのが特に好ましい。配合量は特に限定されないが、（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計量１００重量部に対して１５０〜９００重量部であることが好ましく、２５０〜４００重量部であることがより好ましい。１５０部より少ない場合はコーティング材の粘度が高すぎて製膜が困難になり、９００重量部より多いとコーティング材の固形分濃度が低すぎて製膜後の膜厚が極端に薄くなり目標の膜厚が得られなくなる問題がある。
【００３６】
（Ｅ）その他の成分
上記（Ａ）〜（Ｄ）以外の成分のほかに、必要に応じて（Ａ）成分以外のシアン酸エステル化合物、（Ｂ）成分以外のフェノール、触媒及び／または硬化剤、酸化防止剤、着色剤、離型剤、難燃剤、シランカップリング剤等を添加することができる。
【００３７】
（Ａ）成分以外のシアン酸エステル化合物としては、特に限定されないが、耐熱性の点で芳香族基を有するものが好ましい。上記シアン酸エステル化合物は単独で用いても良く、２種以上混合して使用しても良い。
【００３８】
（Ｂ）成分以外のフェノール化合物としては、特に限定されないが、耐熱性の点で芳香族基を有するものが好ましい。上記フェノール化合物は単独で用いても良く、２種以上混合して使用しても良い。
【００３９】
上記触媒及び／または硬化剤としては、ベンゾイルパーオキシド、ジクミルパーオキシド等の有機過酸化物系ラジカル重合開始剤、ルイス酸、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩等のカチオン重合開始剤、ルイス塩基、ルイス酸アミン錯体等のアニオン重合開始剤、有機ホスフィン化合物などがあげられ、これら硬化触媒を選定し用いることで、硬化速度を速めることが出来る。硬化触媒としては特に限定されないが、例えばテトラキス（４−メチルフェニルボレート）のような４級ホスホニウムボレートが適用できる。活性種であるホスホニウムカチオンおよびボレートアニオンが互いにイオン対を形成して保護されているために常温では触媒活性が抑制されるが、硬化時の高温条件下ではイオン対がアニオンとカチオンに乖離して急激に触媒活性を発現し低温での反応促進が可能である。触媒の配合量は特に限定されないが、反応性と有機溶剤への溶解性の観点から、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して０．１〜１０重量部であることが好ましく、３〜６重量部であることがより好ましい。
【００４０】
上記触媒及び／または硬化剤は単独で又は２種以上組み合わせ使用することができる。上記酸化防止剤としては、特に限定されないが、ヒンダードフェノール等のフェノール類、ホスファイト類、チオエーテル類等を挙げることができる。上記酸化防止剤は単独で又は２種以上組み合わせ使用することができる。
【００４１】
上記着色剤としては、特に限定されないが、カーボンブラック等のカーボン系材料、二酸化チタン等の金属酸化物等を挙げることができる。上記着色剤は単独で又は２種以上組み合わせ使用することができる。
【００４２】
上記離型剤としては、特に限定されないが、脂肪族パラフィン、脂肪族エステル、天然ワックス、合成ワックス等を挙げることができる。上記離型剤は単独で又は２種以上組み合わせ使用することができる。
【００４３】
上記難燃剤としては、特に限定されないが、リン酸エステル系化合物等のリン系化合物、ホスファゼン系化合物等を挙げることができる。上記難燃剤は単独で又は２種以上組み合わせ使用することができる。
【００４４】
上記シランカップリング剤としては、特に限定されないが、ビニルシラン、アミノシラン等のシラン系化合物等を挙げることができる。上記シランカップリング剤は単独で又は２種以上組み合わせ使用することができる。
【００４５】
各成分の混合温度としては樹脂の硬化が起こらない温度であれば特に限定されず、１００℃以下であることが好ましい。
【００４６】
本発明のもう一つの形態は、上記熱硬化性樹脂組成物含有半導体コーティング材料を用いた半導体素子に関する。本発明の熱硬化性樹脂組成物含有半導体コーティング材料は、塗布工程及び加熱乾燥工程により簡便にＳｉＣ半導体との高接着性を有する耐熱性被膜を作成できるので、特に２００℃を超える高温にて動作するＳｉＣ半導体向けコーティング材料に好適である。
【００４７】
ＳｉＣ基板上への塗布工程の手法は特に限定されないが、既存の方法として例えばスピンコート、ディップコート、バーコート法などの手法を用いることが出来る。続く被膜の硬化工程においては有機溶剤を極力含まないことが望ましいため、スピンコート法を用いることが好ましい。有機溶剤が多量に残存している場合、硬化反応が十分に進行しない恐れがあるため好ましくない。
【００４８】
塗布工程にて作成した被膜の硬化方法としては、特に限定されないが、公知の熱硬化性樹脂の硬化方法にて実施することができる。硬化温度としては１２０℃以上で行うことが好ましく、２２０℃を超える温度で１〜４時間以上硬化させる工程を含むことがより好ましい。２２０℃を超える温度で１〜４時間以上硬化させる工程を含むことにより、架橋反応がより進行し、高い耐熱性を有する硬化被膜を得ることができる。
【００４９】
本発明による手法にて作成される熱硬化性含有半導体コーティング材及び被膜は耐熱性とＳｉＣ半導体と封止材間の応力緩和性に優れ、封止材との密着性にも優れるためにＳＩＣ半導体素子用コーティング被膜として使用することが可能となる。
【実施例】
【００５０】
以下に実施例、比較例を用いて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５１】
＜薄膜作成法＞
各種成分（Ａ）〜（Ｄ）を混合、溶解したコーティング材を用い、スピンコーター（Ｏｐｔｉｃｏａｔ  ＭＳ−Ａ１００:株式会社ミカサ製）を用いてコロナ処理（１２ｋＶ）を実施したＳｉＣ基板（９ｍｍ角）上にwet膜を製膜した後にオーブンに投入し所定の条件にて乾燥を行い硬化被膜付ＳｉＣ基板を得た。
【００５２】
＜膜厚測定法＞
触針式表面形状測定装置（Ｄｅｋｔａｋ−１５０：株式会社アルバック製）を用いて、前記薄膜作成法により作成した基材の膜厚を測定した。直線距離にて５ｍｍの膜厚を連続して測定し、平均値を膜厚として算出した。
【００５３】
＜接着性評価法＞
樹脂の接着性の初期評価としてＣｕ板を用いた引張せん断試験を実施し、長期評価としてヒートサイクル試験を実施した。
【００５４】
１．引張せん断試験
各種樹脂硬化物の２３℃におけるＣｕ板（１００×２５×１．６ｍｍ）との重ね合わせ剪断接着強さを、ＪＩＳ  Ｋ６８５０準拠の条件でオートグラフ（島津製作所製、オートグラフＡＧ−１０ＴＢ）を用いて測定した。破断力を剪断面積で割った値である重ね合わせ剪断強さの値が１０ＭＰａ以上のものを接着性合格とした。
【００５５】
２．ヒートサイクル試験
上記薄膜作成法により作成した硬化被膜付ＳｉＣ基板にフェノール硬化型エポキシ樹脂（ＥＭＥ６３００、住友ベークライト株式会社製）をバーコート法にて塗布し、２００℃で５分間、その後２５０℃で６０分間乾燥することにより被膜を作成した。冷熱衝撃試験装置（エスペック製）を用いて、−５０℃〜２５０℃、１０００サイクルの条件にてヒートサイクル試験を行った。試験後の基材を高精度超音波探傷映像化装置（μ―ＳＤＳ：株式会社日本クラウトクレーマー製）にて検査を行い、封止樹脂層またはコーティング層にボイドが観察されなかったものを接着性良好（○）と判断し、コーティング層もしくは封止樹脂層にボイドが観察されたものを接着性不良（×）と判断した。
【００５６】
（実施例１）
（Ａ）シアン酸エステル化合物
(a)ＰＴ−１５（ロンザ社製の一般式（１）の構造を有するシアン酸エステル化合物の製品名、ｎの平均値２．３）  ６６．９重量部
(b)ＰＴ−３０（ロンザ社製の一般式（１）の構造を有するシアン酸エステル化合物の製品名、ｎの平均値３．７）  ２６．９重量部
（Ｂ）フェノール化合物
ＭＥＨ−８０００Ｈ（明和化成株式会社製の一般式（２）の構造を有するフェノール化合物の製品名、ｍの平均値２．９）  ５．２重量部
（Ｄ）有機溶剤
ＭＩＢＫ（和光純薬製）  ４００重量部
（Ｅ）その他成分
触媒としてＴＰＰ−ＭＫ（テトラキス（４−メチルフェニルボレート）：北興化学株式会社製の製品名）１．０重量部
上記（Ａ）〜（Ｅ）成分を配合し、塗膜作成法に従い２８０℃×１．５ｈの硬化条件にて薄膜を作成し、膜厚は7μｍであった。引張せん断試験は１１ＭＰａであり合格であり、ヒートサイクル試験における接着性評価においてボイドは観測されず、密着性良好（○）であった。
【００５７】
（実施例２）
（Ａ）シアン酸エステル化合物
(a)ＰＴ−１５（ロンザ社製の一般式（１）の構造を有するシアン酸エステル化合物の製品名、ｎの平均値２．３）  ６６．９重量部
(b)ＰＴ−３０（ロンザ社製の一般式（１）の構造を有するシアン酸エステル化合物の製品名、ｎの平均値３．７）  ２６．９重量部
（Ｂ）フェノール化合物
ＭＥＨ−８０００Ｈ（明和化成株式会社製の一般式（２）の構造を有するフェノール化合物の製品名、ｎの平均値２．９）  ５．２重量部
（Ｄ）有機溶剤
ＭＩＢＫ（和光純薬製）  ４００重量部
（Ｅ）その他成分
触媒としてＴＰＰ−ＭＫ（テトラキス（４−メチルフェニルボレート）：北興化学株式会社製の製品名）１．０重量部
上記（Ａ）〜（Ｅ）成分を配合し、塗膜作成法に従い２４０℃×１．５ｈの硬化条件にてコーティング薄膜を作成し、膜厚は7μｍであった。引張せん断試験は１０ＭＰａであり合格であり、ヒートサイクル試験における接着性評価においてボイドは観測されず、密着性良好（○）であった。
【００５８】
（実施例３）
（Ａ）シアン酸エステル化合物
(a)ＰＴ−１５（ロンザ社製の一般式（１）の構造を有するシアン酸エステル化合物の製品名、ｎの平均値２．３）  ６６．９重量部
(b)ＰＴ−３０（ロンザ社製の一般式（１）の構造を有するシアン酸エステル化合物の製品名、ｎの平均値３．７）  ２６．９重量部
（Ｂ）フェノール化合物
ＭＥＨ−８０００Ｈ（明和化成株式会社製の一般式（２）の構造を有するフェノール化合物の製品名、ｎの平均値２．９）  ５．２重量部
硬化触媒としてＴＰＰ−ＭＫ（テトラキス（４−メチルフェニルボレート）：北興化学株式会社製の製品名）１．０重量部
（Ｄ）有機溶剤
ＭＩＢＫ（和光純薬製）  ４００重量部
（Ｅ）その他成分
触媒としてのＴＰＰ−ＭＫ（テトラキス（４−メチルフェニルボレート）：北興化学株式会社製の製品名）１．０重量部
上記（Ａ）〜（Ｅ）成分を配合し、塗膜作成法に従い２２０℃×３ｈの硬化条件にて薄膜を作成し、膜厚は7μｍであった。引張せん断試験は１０ＭＰａであり合格であり、ヒートサイクル試験における接着性評価においてボイドは観測されず、密着性良好（○）であった。
【００５９】
（比較例１）
（Ａ）シアン酸エステル化合物
(a)ＰＴ−１５（ロンザ社製の一般式（１）の構造を有するシアン酸エステル化合物の製品名、ｎの平均値２．３）  ２４．１重量部
(b)ＰＴ−３０（ロンザ社製の一般式（１）の構造を有するシアン酸エステル化合物の製品名、ｎの平均値３．７）  ９．７重量部
（Ｂ）フェノール化合物
ＭＥＨ−８０００Ｈ（明和化成株式会社製の一般式（２）の構造を有するフェノール化合物の製品名、ｎの平均値２．９）  ５．２重量部
（Ｃ）エポキシ樹脂
ＨＰ−４０３２（ＤＩＣ株式会社製）  ６０重量部
（Ｄ）有機溶剤
ＭＩＢＫ（和光純薬製）  ４００重量部
（Ｅ）その他成分
触媒としてＴＰＰ−ＭＫ（テトラキス（４−メチルフェニルボレート）：北興化学株式会社製の製品名）１．０重量部
引張せん断試験は１０ＭＰａであり合格であったが、ヒートサイクル試験における接着性評価において多数のボイドが観測され、密着性不良（×）であった。
以上の実施例及び比較例の結果を表1に示す。
【００６０】
【表１】
2013224341.tif 000006