(57)【要約】【課題】ダイシングテープにダメージを与えることなく基板を保持する。【解決手段】基板保持装置１００は、その片面にダイシングテープ２が貼り付けられ、他方の面が液体により処理される基板１を、複数保持するための保持容器１０１と、保持容器１０１内から保持容器１０１外への気体の流れを生じさせる気流発生手段とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
その片面に粘着テープが貼り付けられ、他方の面が液体により処理される基板を、複数保持するための保持容器と、
上記保持容器内から上記保持容器外への気体の流れを生じさせる気流発生手段と、
を備えていることを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
上記気流発生手段は、上記保持容器内の気体を吸引して、上記保持容器外に排気する排気部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
上記保持容器は、上記基板を、液体により処理される面が、隣接する他の基板における粘着テープが貼り付けられている面に対向するように積層すると共に、隣接する上記基板同士が接触しないように保持するようになっており、
上記排気部は、少なくとも一組の隣接する上記基板間の空隙に向かって開口している開口部を備え、当該開口部を介して上記保持容器内の気体を吸引することを特徴とする請求項２に記載の基板保持装置。
【請求項４】
上記開口部は、複数組の隣接する上記基板間の全ての空隙に向かって開口していることを特徴とする請求項３に記載の基板保持装置。
【請求項５】
上記排気部は、上記保持容器内に保持される上記基板の面に沿った方向に配列した複数の上記開口部を備えていることを特徴とする請求項３又は４に記載の基板保持装置。
【請求項６】
上記排気部は、上記開口部における流量が５ｍ３／分以上、２００ｍ３／分以下になるように、上記保持容器内の気体を吸引することを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項７】
上記排気部は、上記保持容器内の気体の流れが実質的に均一になるように、上記保持容器内の気体を吸引することを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項８】
上記気流発生手段は、上記保持容器内に気体を送り込む気体送入部を備え、
上記保持容器には、上記保持容器内の気体を上記保持容器外に排気する排気口が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板保持装置を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板保持装置及びこれを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置において処理中又は処理後の基板を保持する保持装置として、特許文献１〜３に記載された保持装置が知られている。特許文献１に記載の保持装置には、保持容器内でのパーティクルの付着を防ぐための気流発生機構が設けられている。また、特許文献２に記載の保持装置には、パーティクルの付着を防ぐために、収容容器内に不活性ガスを供給するガス供給手段が設けられている。さらに、特許文献３に記載の保持装置には、格納室内の温度及び湿度を調節するための送風器及び排気ファンが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３２８６９号公報（２００６年２月２日公開）
【特許文献２】特開２００５−３４０３３０号公報（２００５年１２月８日公開）
【特許文献３】特開２００９−４６１９８号公報（２００９年３月５日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、ＩＣカード、携帯電話などの電子機器の薄型化、小型化、軽量化などが要求されている。これらの要求を満たすためには、組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップを使用しなければならない。このため、半導体チップの基となる半導体ウェハの厚さ（膜厚）は現状では１２５μｍ〜１５０μｍであるが、次世代のチップ用には２５μｍ〜５０μｍにしなければならないといわれている。したがって、上記膜厚の半導体ウェハを得るためには、半導体ウェハの薄板化工程が必要不可欠である。
【０００５】
半導体ウェハの薄板化工程は次のように行なう。まず、半導体ウェハの回路形成面を覆うように、半導体ウェハを保護するためのサポートプレートを、両面に接着層を有するテープまたは接着剤を介して貼り付ける。次に、これを反転して、半導体ウェハの裏面をクラインダーによって研削して薄板化する。続いて、薄板化した半導体ウェハの裏面に、ダイシングフレームに保持されているダイシングテープを貼り付ける。さらに、この状態で半導体ウェハの回路形成面を覆うサポートプレートを剥離した後、ダイシング装置によって各チップに分割する。
【０００６】
上記のように薄板化工程を行った場合、サポートプレートを剥離した後、半導体ウェハの回路形成面に、接着剤等が残存してしまう。このため、付着している接着剤等を洗浄液で洗浄して除去する。そして、洗浄後の半導体ウェハは、ダイシング等のその後の処理に供されるまで、カセット等の収容容器内に保持される。
【０００７】
このとき、洗浄後の半導体ウェハ上が、残存する接着剤及び洗浄液により汚染されていると、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分により、他の半導体ウェハに貼り付けられたダイシングテープがダメージを受けてしまう。特に、複数の半導体ウェハを、それぞれ、隣接する半導体ウェハのダイシングテープ側に対向するように積層した場合、半導体ウェハ上の接着剤及び洗浄液から揮発した成分、具体的には有機溶剤等が、ダイシングテープにダメージを与え、ダイシングテープが剥離したり、変質したりするという問題がある。
【０００８】
この問題により、汚染された半導体ウェハのみならず、隣接して保持した他の半導体ウェハに貼り付けられたダイシングテープまでダメージを受けてしまうので、製造効率の重大な低下に繋がってしまう。特許文献１〜３に記載の保持装置では、このようなダイシングテープのダメージについて考慮されていないため、接着剤成分及び洗浄液成分によるダイシングテープへのダメージを防ぐことができない。したがって、ダイシングテープにダメージを与えることなく、半導体ウェハを保持することが可能な保持装置が望まれている。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に貼り付けられたダイシングテープのような粘着テープにダメージを与えることなく、基板を保持することが可能な基板保持装置、及び当該基板保持装置を備えた基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明に係る基板保持装置は、その片面に粘着テープが貼り付けられ、他方の面が液体により処理される基板を、複数保持するための保持容器と、上記保持容器内から上記保持容器外への気体の流れを生じさせる気流発生手段とを備えていることを特徴としている。
【００１１】
また、本発明に係る基板処理装置は、上記基板保持装置を備えたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る基板保持装置は、その片面に粘着テープが貼り付けられ、他方の面が液体により処理される基板を、複数保持するための保持容器と、上記保持容器内から上記保持容器外への気体の流れを生じさせる気流発生手段とを備えているので、基板に貼り付けられた粘着テープにダメージを与えることなく基板を保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板保持装置の概略を示す模式図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す模式図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
〔基板保持装置〕
（第１実施形態）
本発明の一実施形態に係る基板保持装置について、図１を参照して以下に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板保持装置の概略を示す模式図である。図１に示すように、基板保持装置１００は、保持容器１０１及び気流発生手段を備えている。気流発生手段は、保持容器１０１内の気体を吸引して、保持容器１０１外に排気する排気部１０３を備えている。保持容器１０１内には、基板１、ダイシングテープ（粘着テープ）２及びダイシングフレーム３を含む積層体１０を支持する支持部１０２が設けられていてもよい。
【００１５】
積層体１０において、基板１の片面には、その外縁部分が基板１の外縁部分よりも外側にはみ出すように形成されたダイシングテープ２が貼り付けられている。ダイシングテープ２の外縁部分には、ダイシングフレーム３が取り付けられていてもよい。基板１は、例えば、薄化された半導体ウェハである。半導体ウェハの膜厚は、１０〜１５０μｍであることが好ましい。
【００１６】
ダイシングテープ２は、基板１を保持するものである。ダイシングテープ２は、少なくとも基板１に接する部分のみが粘着性を有していればよい。ダイシングテープ２としては、例えば、ベースフィルムがＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）やポリオレフィン、ポリプロピレン等の樹脂フィルムを用いることができる。ダイシングフレーム３は、ダイシングテープ２の弛みを防止するものである。
【００１７】
保持容器１０１内は、複数の積層体１０を保持するために、支持部１０２により複数のスロットに分割されて積層体１０を収容するための溝が形成されており、各スロットに１つの積層体１０を収容するようになっていてもよい。保持容器１０１は積層体１０の収容時及び取り出し時に少なくとも１面が開放可能な直方体であってもよく、この開放面から積層体１０を保持容器１０１内に収容してもよい。支持部１０２は、例えば、保持容器１０１の開放面に交差する２つの内壁のそれぞれにおいて、互いに対向する位置に設けられており、一方の内壁から他方の内壁に向かって突出する板状体であってもよい。
【００１８】
ここで、保持容器１０１内に保持される基板１は、ダイシングテープ２が貼り付けられた面に背向する面が液体により処理される。すなわち、基板１のダイシングテープ２が貼着された面に背向する面には、基板１の薄板化工程及びその後の搬送時等において、基板１を支持するサポートプレート（図示せず）が貼り付けられている。サポートプレートは、基板の薄板化処理後に剥離するが、サポートプレートを剥離した基板表面には、サポートプレートを貼り付けるために使用した接着剤が残存することがある。
【００１９】
残存する接着剤は洗浄液を用いて洗浄して除去するが、洗浄後の基板表面に接着剤が残存し、さらに洗浄液により濡れた状態となる場合がある。この場合、接着剤及び洗浄液により表面が汚染された基板を保持容器内に収容すると、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分によって、保持容器内に収容された他の基板１のダイシングタテープがダメージを受けてしまう。このように、汚染された基板１のみならず、隣接して収容した他の基板１のダイシングタテープまでがダメージを受けて製品価値が失われてしまうので、製造効率の重大な低下に繋がってしまう。
【００２０】
基板保持装置１００は、保持容器１０１内の気体を吸引して、保持容器１０１外に排気することによって、保持容器１０１内から保持容器１０１外への気体の流れを生じさせる排気部１０３を備えている。したがって、基板１表面が接着剤及び洗浄液により汚染されていたとしても、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分は、排気部１０３が生じさせた気体の流れにのって保持容器１０１外に排気され、他の基板１のダイシングテープにダメージを与えるのを防ぐことができる。
【００２１】
排気部１０３は、図１に示すように、保持容器１０１の側壁の上部、中央部、及び下部の３箇所に設けられていてもよいし、いずれか１箇所であってもよい。また、排気部１０３は、保持容器１０１の上壁又は下壁に設けられていてもよいし、対向する側壁の両方に設けられていてもよい。さらに、排気部１０３は、保持容器１０１の上壁又は下壁において、基板１の外周部に対応する位置全体から気体を排気するようになっていてもよい。すなわち、排気部１０３は、保持容器１０１内の気体を保持容器１０１外に十分に排気できれば、その設置位置、設置数等の設置態様は限定されない。
【００２２】
ここで、排気部１０３の設置位置の例を図３〜８に示す。図３〜８は、本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。図３に示す基板保持装置１００ａのように、保持容器１０１の側面の下部左側に、排気部１０３ａが１つ設けられていてもよい。また、図４に示す基板保持装置１００ｂのように、保持容器１０１の側面の下部右側に、排気部１０３ｂが１つ設けられていてもよい。さらに、図５に示す基板保持装置１００ｃのように、保持容器１０１の上面に、排気部１０３ｃが２つ設けられていてもよい。
【００２３】
また、図６に示す基板保持装置１００ｄのように、保持容器１０１の対向する２つの側面の中央部に、排気部１０３ｄがそれぞれ１つ設けられていてもよい。さらに、図７に示す基板保持装置１００ｅのように、保持容器１０１の上壁において、積層体１０の外周部に対向する位置全体に向けて開口するように、排気部１０３ｅが設けられていてもよい。また、図８に示す基板保持装置１００ｆのように、複数組の隣接する積層体１０間の全てに対して開口するように設けられた排気部１０３ｆが、積層体１０の面に沿った方向に３つ配列して設けられていてもよい。
【００２４】
排気部１０３は、保持容器１０１の外壁に設けられた排気口に接続された排気ダクトを備えていてもよい。当該排気ダクトをポンプ等の吸引手段（図示せず）に連結し、保持容器１０１内の気体を吸引させることによって、保持容器１０１内の気体を保持容器１０１外に排気してもよい。
【００２５】
保持容器１０１は、図１に示すように、基板１を、液体により処理される面が、隣接する他の基板１におけるダイシングテープ２が貼り付けられている面に対向するように積層すると共に、隣接する基板１・１同士が接触しないように保持するようになっていてもよい。このように、保持容器１０１内に複数の基板１を積層して保持すると、表面が汚染された基板１から揮発した接着剤成分及び洗浄液成分によって、ダイシングテープ２が膨潤してダメージを受け、基板１から剥離してしまう。
【００２６】
そこで、排気部１０３は、少なくとも一組の隣接する基板１・１間の空隙に向かって開口している開口部（図示せず）を備え、当該開口部を介して保持容器１０１内の気体を吸引することが好ましい。これにより、隣接する基板１・１間の気体をより効率よく排気することができる。すなわち、各積層体１０が収容されるスロット間において、保持容器１０１内から保持容器１０１外への気体の流れを生じさせることができるので、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分が、隣接する基板１に貼り付けられたダイシングテープ２にダメージを与えるのを防ぐことができる。
【００２７】
排気部１０３は、少なくとも一組の隣接する基板１・１間の空隙に向かって開口する開口部を備えていればよいが、例えば、保持容器１０１の上部、中央部及び下部のそれぞれにおいて、隣接する基板１・１間の空隙に向かって開口する開口部を備えていてもよく、開口部の数及び設置位置は限定されない。排気部１０３は、保持容器１０１内に保持される基板１の面に交差する方向に複数の開口部を備えていることが好ましい。そして、排気部１０３は、保持容器１０１内に保持される複数組の隣接する基板１・１間の全ての空隙に向かって開口している開口部を備えていることがより好ましい。
【００２８】
排気部１０３は、複数組の基板１・１間のそれぞれに対応する位置に開口部が設けられるように、複数の開口部を備えていてもよいし、複数組の隣接する基板１・１間の全てに対して開口した１つの開口部を備えていてもよい。すなわち、排気部１０３は、複数組の隣接する基板１・１間の全てにおいて、保持容器１０１内から保持容器１０１外への気流が発生するように、開口部を備えていることが好ましい。
【００２９】
排気部１０３は、保持容器１０１内に保持される基板１の面に沿った方向に配列した複数の開口部を備えていることが好ましい。このように、基板１の面に沿った方向に複数の開口部が設けられていることによって、隣接する基板１・１間の気体をより効率よく排気することができる。
【００３０】
排気部１０３は、開口部における流量が５ｍ３／分以上、２００ｍ３／分以下になるように、保持容器１０１内の気体を吸引し、排気することが好ましい。
【００３１】
また、排気部１０３は、保持容器１０１内の気体の流れが実質的に均一になるように、保持容器１０１内の気体を吸引し、排気することが好ましい。例えば、排気部１０３が、上述した流量で開口部から気体を吸引して排気すれば、保持容器１０１内の気体の流れを実質的に均一にすることができる。ここで、「実質的に均一」とは、保持容器１０１内全体の気体の流れが均一である場合のみならず、保持容器１０１内の特に基板１が保持されている箇所の気体の流れが均一である場合も含む。
【００３２】
（第２実施形態）
本発明の他の実施形態に係る基板保持装置について、図２を参照して以下に説明する。図２は、本発明の他の実施形態に係る基板保持装置の概略を示す模式図である。図２に示すように、基板保持装置２００は、保持容器２０１、気体送入部２０４、及び排気口を備えている。排気口は、排気部２０３に連結されていてもよい。保持容器２０１内には、基板１、ダイシングテープ２及びダイシングフレーム３を含む積層体１０を支持する支持部２０２が設けられていてもよい。
【００３３】
保持容器２０１内は、複数の積層体１０を保持するために、支持部２０２により複数のスロットに分割されて積層体１０を収容するための溝が形成されており、各スロットに１つの積層体１０を収容するようになっていてもよい。保持容器２０１は積層体１０の収容時及び取り出し時に少なくとも１面が開放可能な直方体であってもよく、この開放面から積層体１０を保持容器２０１内に収容してもよい。支持部２０２は、例えば、保持容器２０１の開放面に交差する２つの内壁のそれぞれにおいて、互いに対向する位置に設けられており、一方の内壁から他方の内壁に向かって突出する板状体であってもよい。
【００３４】
基板保持装置２００は、保持容器２０１内に気体を送り込む気体送入部２０４と、保持容器２０１内の気体を保持容器２０１外に排気する排気口とを備えているので、保持容器２０１内から保持容器２０１外への気体の流れをより効率よく生じさせることができる。したがって、基板１表面が接着剤及び洗浄液により汚染されていたとしても、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分は、気体送入部２０４が生じさせた気体の流れにのって、排気部２０３に連結された排気口を介して保持容器２０１外に排気され、他の基板１のダイシングテープにダメージを与えるのを防ぐことができる。
【００３５】
気体送入部２０４から送入される気体は特に限定されないが、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガス、及び窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスが挙げられる。
【００３６】
気体送入部２０４は、図２に示すように、保持容器２０１の側壁の中央部に設けられ、その対向する側壁に設けられた排気口に排気部２０３が連結されていてもよいし、保持容器２０１の側壁の上部、中央部、及び下部の３箇所に設けられていてもよい。また、気体送入部２０４と排気部２０３とは、対向する側壁において向かい合うように設けられていてもよいし、基板１の面に交差する方向にその位置がずれていてもよい。すなわち、気体送入部２０４及び排気部２０３は、保持容器２０１内の気体を保持容器２０１外に十分に排気できれば、その設置位置、設置数等の設置態様は限定されない。
【００３７】
気体送入部２０４は、保持容器２０１の外壁に設けられた送入口に接続された送入ダクトを備えていてもよい。そして、当該送入ダクトを送風手段（図示せず）に連結し、保持容器２０１内に気体を送入してもよい。
【００３８】
また、排気部２０３は、保持容器２０１の外壁に設けられた排気口に接続された排気ダクトを備えていてもよい。当該排気ダクトをポンプ等の吸引手段（図示せず）に連結し、保持容器２０１内の気体を吸引させることによって、保持容器２０１内の気体を保持容器２０１外に排気してもよい。
【００３９】
保持容器２０１は、図１に示すように、基板１を、液体により処理される面が、隣接する他の基板１におけるダイシングテープ２が貼り付けられている面に対向するように積層すると共に、隣接する基板１・１同士が接触しないように保持するようになっていてもよい。
【００４０】
そして、気体送入部２０４は、少なくとも一組の隣接する基板１・１間の空隙に向かって開口している開口部（図示せず）を備え、当該開口部を介して保持容器２０１内に気体を送入することが好ましい。これにより、各積層体１０が収容されるスロット間において、保持容器２０１内から保持容器２０１外への気体の流れを生じさせることができるので、揮発した接着剤成分及び洗浄液成分が、隣接する基板１に貼り付けられたダイシングテープ２にダメージを与えるのを防ぐことができる。
【００４１】
気体送入部２０４は、少なくとも一組の隣接する基板１・１間の空隙に向かって開口する開口部を備えていればよいが、例えば、保持容器２０１の上部、中央部及び下部のそれぞれにおいて、隣接する基板１・１間の空隙に向かって開口する開口部を備えていてもよく、開口部の数及び設置位置は限定されない。気体送入部２０４は、保持容器２０１内に保持される基板１の面に交差する方向に複数の開口部を備えていることが好ましい。そして、気体送入部２０４は、保持容器２０１内に保持される複数組の隣接する基板１・１間の全ての空隙に向かって開口している開口部を備えていることがより好ましい。
【００４２】
気体送入部２０４は、複数組の基板１・１間のそれぞれに対応する位置に開口部が設けられるように、複数の開口部を備えていてもよいし、複数組の隣接する基板１・１間の全てに対して開口した１つの開口部を備えていてもよい。すなわち、気体送入部２０４は、複数組の隣接する基板１・１間の全てにおいて、保持容器２０１内から保持容器２０１外への気流が発生するように、開口部を備えていることが好ましい。
【００４３】
気体送入部２０４は、保持容器２０１内に保持される基板１の面に沿った方向に配列した複数の開口部を備えていることが好ましい。このように、基板１の面に沿った方向に複数の開口部が設けられていることによって、隣接する基板１・１間に排気部２０３に向かう気体の流れをより効率よく生じさせることができる。
【００４４】
気体送入部２０４は、開口部における流量が５ｍ３／分以上、２００ｍ３／分以下になるように、保持容器２０１内に気体を送り込むことが好ましい。
【００４５】
また、気体送入部２０４は、保持容器２０１内の気体の流れが実質的に均一になるように、保持容器２０１内に気体を送り込むことが好ましい。例えば、気体送入部２０４が、上述した流量で開口部から気体を送り込めば、保持容器２０１内の気体の流れを実質的に均一にすることができる。ここで、「実質的に均一」とは、保持容器２０１内全体の気体の流れが均一である場合のみならず、保持容器２０１内の特に基板１が保持されている箇所の気体の流れが均一である場合も含む。
【００４６】
〔基板処理装置〕
本発明に係る基板処理装置は、本発明に係る基板保持装置を備えたことを特徴としている。すなわち、上述した基板保持装置１００及び基板保持装置２００は、本発明に係る基板処理装置が備える保持装置の一実施形態であるため、本発明に係る基板処理装置の説明は、保持装置１００及び基板保持装置２００の説明に準じる。
【００４７】
なお、保持装置１００又は基板保持装置２００に基板１を保持する工程を包含する基板処理方法も、本発明の範疇に含まれる。
【実施例】
【００４８】
保持容器における排気部の形成位置が、ダイシングテープが受けるダメージに及ぼす影響を調べた。
【００４９】
まず、薄化処理した１２インチシリコンウェハ（厚さ５０μｍ）の片面に、ダイシングフレームを有するダイシングテープを貼り付け、積層体を作成した。ウェハのダイシングテープが貼り付けられた面に背向する面を、有機溶剤成分を含む接着剤を用いてコーティングし、７０μｍの接着剤層を形成した（コーティングした接着剤をベークせずに用いることで、ウェハが有機溶剤等で汚染した状態を再現した（汚染積層体））。また、比較対照として、基板を接着剤によりコーティングしていない積層体（正常積層体）を作成した。
【００５０】
基板保持装置として、複数の支持部により基板保持装置内を分割し、１３段のスロットが形成された基板保持装置を用いた。ロボットアームにより積層体が収容される面を開口し、作成した積層体を収容した。
【００５１】
汚染積層体を収容した上段のスロットに、汚染積層体のウェハ側の面と正常積層体のダイシングテープ側の面とが対向するように、正常積層体を収容し、１組の積層体とした。このような積層体の組を、基板保持装置の上部、中央部及び下部にそれぞれ収容した。
【００５２】
実施例として、図３に示すように、保持容器側面の下部左側に１つの排気部１０３ａを設けた基板保持装置１００ａ（実施例１）、図４に示すように、保持容器側面の下部右側に１つの排気部１０３ｂを設けた基板保持装置１００ｂ（実施例２）、図５に示すように、保持容器上面に２つの排気部１０３ｃを設けた基板保持装置１００ｃ（実施例３）、図６に示すように、保持容器の対向する２つの側面の中央部にそれぞれ１つの排気部１０３ｄを設けた基板保持装置１００ｄ（実施例４）、図７に示すように、保持容器の上壁において、積層体の外周部に対向する位置全体に向けた開口部を有する排気部１０３ｅを設けた基板保持装置１００ｅ（実施例５）、図８に示すように、複数組の隣接する積層体間の全てに対して開口した開口部を有する排気部１０３ｆを、積層体の面に沿った方向に３つ配列して設けた基板保持装置１００ｆ（実施例６）をそれぞれ用いた。比較例として、排気部を備えていない基板保持装置を用いた。
【００５３】
実施例１〜６の各基板保持装置１００ａ〜１００ｆにおいて、各積層体を収容するために開口した開放面は、図３〜８の各図中（ｂ）に示すように開口したままで、以下の処理を行った。また、比較例の基板保持装置においても、同様に開放面は開口したままにした。
【００５４】
実施例１〜６の各基板保持装置に設けられた排気部において、排気ダクトは直径約５０ｍｍであり、当該排気ダクトをさらに直径約１００ｍｍのダクトに連結し、２ｍ３／ｍｉｎで基板保持装置内の気体を吸引排気した。実施例１〜６及び比較例の基板保持装置内に、各組の積層体を収容した状態で５時間放置し、正常積層体のダイシングテープが受けるダメージを目視により確認した。
【００５５】
その結果、実施例１〜６の全てにおいて、保持容器内における収容位置に関わらず、正常積層体のダイシングテープはほとんどダメージを受けなかった、一方、比較例においては、全ての収容位置において、正常積層体のダイシングテープ全面が膨潤し、ウェハから剥離していた。
【００５６】
実施例１〜５においては、排気部からより遠い位置に収容された正常積層体のダイシングテープにおいて、他の位置に収容された正常積層体のダイシングテープと比較してわずかにダイシングテープの膨潤が見られた。また、膨潤が見られたダイシングテープにおいて、排気部の設置位置側の部分が、他の位置よりもわずかに多く膨潤していた。
【００５７】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、例えば、薄板化ウェハの保持等に利用することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１      基板
２      ダイシングテープ
３      ダイシングフレーム
１０    積層体
１００  基板保持装置
１０１  保持容器
１０３  排気部
２００  基板保持装置
２０１  保持容器
２０３  排気部
２０４  気体送入部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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