(57)【要約】【課題】被処理基板と支持基板を適切に剥離する。【解決手段】剥離装置は、重合ウェハＴの側方から被処理ウェハと支持ウェハの接合面に挿入されて切り込みを入れる、先端が尖った切込機構（刃物）１６１と、重合ウェハＴの側方から被処理ウェハと支持ウェハの接合面に流体を供給する流体供給機構１６２と、を有している。流体供給機構１６２は、流体としての気体を供給するエアノズル１６３を有している。刃物１６１とエアノズル１６３は、支持部材１６８に支持されて一体に形成されている。エアノズル１６３の両側に一対の刃物１６１が設けられ、一対の刃物１６１とエアノズル１６３は重合ウェハＴの外周部側面に沿って配置されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板と支持基板が接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置であって、
重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に挿入されて切り込みを入れる、先端が尖った切込機構と、
重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に流体を供給する流体供給機構と、を有することを特徴とする、剥離装置。
【請求項２】
前記切込機構と前記流体供給機構は、一体に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の剥離装置。
【請求項３】
前記切込機構は刃物を備え、
前記流体供給機構は流体ノズルを備え、
前記流体ノズルの両側に一対の刃物が設けられていることを特徴とする、請求項２に記載の剥離装置。
【請求項４】
前記刃物の先端部の上面は側面視において前記接合面の面方向に延伸し、
前記刃物の先端部の下面は側面視において前記接合面の面方向から傾斜して延伸していることを特徴とする、請求項３に記載の剥離装置。
【請求項５】
前記流体供給機構の流体の供給口を重合基板の厚み方向に移動させる移動機構と、
前記流体供給機構の供給口を重合基板の厚み方向に移動させながら、当該供給口から流体を供給するように前記移動機構を制御する制御部と、を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項６】
前記流体供給機構から供給される流体の供給量を制御する制御部を有し、
前記制御部は、相対的に多い供給量と相対的に少ない供給量で流体を繰り返し供給するように前記流体供給機構を制御することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項７】
少なくとも被処理基板又は支持基板を相対的に回転させる回転機構を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項８】
前記流体供給機構を複数有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項９】
前記流体供給機構の先端は、重合基板の外周に沿って湾曲していることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項１０】
前記流体供給機構から供給される流体は、少なくとも気体又は液体であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項１１】
前記切込機構の先端部に作用する力を測定する測定部と、
前記切込機構を重合基板に当接させて前記測定部において力の測定を行い、当該測定部における測定値が所定値に達した場合に、前記切込機構を重合基板に挿入するように当該切込機構を制御する制御部と、を有することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の剥離装置を備えた剥離システムであって、
前記剥離装置を備えた処理ステーションと、
前記処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする、剥離システム。
【請求項１３】
被処理基板と支持基板が接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に対して、先端が尖った切込機構を挿入して切り込みを入れ、
さらに前記被処理基板と支持基板の接合面の切り込みに対して、流体供給機構から流体を供給して、被処理基板と支持基板を剥離することを特徴とする、剥離方法。
【請求項１４】
前記切込機構と前記流体供給機構は、一体に形成されていることを特徴とする、請求項１３に記載の剥離方法。
【請求項１５】
前記切込機構は刃物を備え、
前記流体供給機構は流体ノズルを備え、
前記流体ノズルの両側に一対の刃物が設けられていることを特徴とする、請求項１４に記載の剥離方法。
【請求項１６】
前記刃物の先端部の上面は側面視において前記接合面の面方向に延伸し、
前記刃物の先端部の下面は側面視において前記接合面の面方向から傾斜して延伸していることを特徴とする、請求項１５に記載の剥離方法。
【請求項１７】
前記流体供給機構の流体の供給口を重合基板の厚み方向に移動させながら、当該供給口から流体を供給することを特徴とする、請求項１３〜１６のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項１８】
前記流体供給機構から供給される流体は、相対的に多い供給量と相対的に少ない供給量で繰り返し供給されることを特徴とする、請求項１３〜１７のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項１９】
少なくとも被処理基板又は支持基板を相対的に回転させながら、前記流体供給機構から気体を供給することを特徴とする、請求項１３〜１８のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項２０】
複数の前記流体供給機構から流体を供給することを特徴とする、請求項１３〜１９のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項２１】
前記流体供給機構の先端は、重合基板の外周に沿って湾曲していることを特徴とする、請求項１３〜２０のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項２２】
前記流体供給機構から供給される流体は、少なくとも気体又は液体であることを特徴とする、請求項１３〜２１のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項２３】
前記切込機構を重合基板に当接させて、測定部において前記切込機構の先端部に作用する力を測定し、
前記測定部における測定値が所定値に達した場合に、前記切込機構を重合基板に挿入することを特徴とする、請求項１３〜２２のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項２４】
請求項１３〜２３のいずかに記載の剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項２５】
請求項２４に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置、当該剥離装置を備えた剥離システム、当該剥離装置を用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。ここで、例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
【０００３】
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１６７７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、発明者らが鋭意検討したところ、特許文献１に記載の剥離装置を用いた場合、単に液体を噴射するだけでは、ウェハと支持基板を剥離することが現実的に困難な場合があることが分かった。
【０００６】
また、液体の噴射のみによりウェハと支持基板を剥離しようとすると、非常に大きい噴射圧で液体を噴射する必要があり、かかる場合、ウェハ又は支持基板が損傷を被るおそれがあった。特に、ウェハは薄型化しているので損傷を受け易い。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板を適切に剥離することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置であって、重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に挿入されて切り込みを入れる、先端が尖った切込機構と、重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に流体を供給する流体供給機構と、を有することを特徴としている。
【０００９】
本発明によれば、重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に対して、先端が尖った切込機構を挿入して切り込みを入れ、さらに被処理基板と支持基板の接合面の切り込みに対して、流体供給機構から流体を供給して、被処理基板と支持基板を剥離することができる。このように切込機構により形成された切り込みに対して流体供給機構から流体を供給するので、例えば流体の供給圧力が小さい場合でも、被処理基板と支持基板の接合面に流体を容易に進入させることができる。したがって本発明によれば、被処理基板と支持基板が損傷を受けることなく、被処理基板と支持基板を適切に剥離することができる。
【００１０】
前記切込機構と前記流体供給機構は、一体に形成されていてもよい。
【００１１】
前記切込機構は刃物を備え、前記流体供給機構は流体ノズルを備え、前記流体ノズルの両側に一対の刃物が設けられていてもよい。
【００１２】
前記刃物の先端部の上面は側面視において前記接合面の面方向に延伸し、前記刃物の先端部の下面は側面視において前記接合面の面方向から傾斜して延伸していてもよい。
【００１３】
前記剥離装置は、前記流体供給機構の流体の供給口を重合基板の厚み方向に移動させる移動機構と、前記流体供給機構の供給口を重合基板の厚み方向に移動させながら、当該供給口から流体を供給するように前記移動機構を制御する制御部と、を有していてもよい。
【００１４】
前記剥離装置は、前記流体供給機構から供給される流体の供給量を制御する制御部を有し、前記制御部は、相対的に多い供給量と相対的に少ない供給量で流体を繰り返し供給するように前記流体供給機構を制御してもよい。
【００１５】
前記剥離装置は、少なくとも被処理基板又は支持基板を相対的に回転させる回転機構を有していてもよい。
【００１６】
前記剥離装置は、前記流体供給機構を複数有していてもよい。
【００１７】
前記流体供給機構の先端は、重合基板の外周に沿って湾曲していてもよい。
【００１８】
前記流体供給機構から供給される流体は、少なくとも気体又は液体であってもよい。
【００１９】
前記剥離装置は、前記切込機構の先端部に作用する力を測定する測定部と、前記切込機構を重合基板に当接させて前記測定部において力の測定を行い、当該測定部における測定値が所定値に達した場合に、前記切込機構を重合基板に挿入するように当該切込機構を制御する制御部と、を有していてもよい。
【００２０】
別な観点による本発明は、前記剥離装置を備えた剥離システムであって、前記剥離装置を備えた処理ステーションと、前記処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴としている。
【００２１】
また別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板が接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に対して、先端が尖った切込機構を挿入して切り込みを入れ、さらに前記被処理基板と支持基板の接合面の切り込みに対して、流体供給機構から流体を供給して、被処理基板と支持基板を剥離することを特徴としている。
【００２２】
前記切込機構と前記流体供給機構は、一体に形成されていてもよい。
【００２３】
前記切込機構は刃物を備え、前記流体供給機構は流体ノズルを備え、前記流体ノズルの両側に一対の刃物が設けられていてもよい。
【００２４】
前記刃物の先端部の上面は側面視において前記接合面の面方向に延伸し、前記刃物の先端部の下面は側面視において前記接合面の面方向から傾斜して延伸していてもよい。
【００２５】
前記流体供給機構の流体の供給口を重合基板の厚み方向に移動させながら、当該供給口から流体を供給してもよい。
【００２６】
前記流体供給機構から供給される流体は、相対的に多い供給量と相対的に少ない供給量で繰り返し供給されてもよい。
【００２７】
少なくとも被処理基板又は支持基板を相対的に回転させながら、前記流体供給機構から気体を供給してもよい。
【００２８】
複数の前記流体供給機構から流体を供給してもよい。
【００２９】
前記流体供給機構の先端は、重合基板の外周に沿って湾曲していてもよい。
【００３０】
前記流体供給機構から供給される流体は、少なくとも気体又は液体であってもよい。
【００３１】
前記切込機構を重合基板に当接させて、測定部において前記切込機構の先端部に作用する力を測定し、前記測定部における測定値が所定値に達した場合に、前記切込機構を重合基板に挿してもよい。
【００３２】
また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００３３】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、被処理基板と支持基板を適切に剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。
【図３】剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図４】剥離機構の構成の概略を示す平面図である。
【図５】刃物の構成の概略を示す側面図である。
【図６】エアノズルの構成の概略を示す側面図である。
【図７】第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図８】第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図９】第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１０】第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。
【図１１】反転装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１２】検査装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１３】検査装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図１４】剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図１５】被処理ウェハと支持ウェハの接合面に刃物によって切り込みを入れる様子を示す平面視における説明図である。
【図１６】被処理ウェハと支持ウェハの接合面に刃物によって切り込みを入れる様子を示す縦断面視における説明図である。
【図１７】被処理ウェハと支持ウェハの接合面にエアノズルから気体を供給する様子を示す平面視における説明図である。
【図１８】被処理ウェハと支持ウェハの接合面にエアノズルから気体を供給する様子を示す縦断面視における説明図である。
【図１９】被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す平面視における説明図である。
【図２０】被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す縦断面視における説明図である。
【図２１】剥離装置の第１の保持部から第２の搬送装置のベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図２２】第２の搬送装置のベルヌーイチャックから第１の洗浄装置のポーラスチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図２３】第３の搬送装置のベルヌーイチャックから反転装置の第２の保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図２４】反転装置の第２の保持部から第１の保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図２５】反転装置の第２の保持部から第１の保持部に被処理ウェハが受け渡された状態を示す説明図である。
【図２６】反転装置の第１の保持部から第３の搬送装置のベルヌーイチャックに被処理ウェハが受け渡された状態を示す説明図である。
【図２７】他の実施の形態におけるエアノズルの動作を示す説明図である。
【図２８】他の実施の形態における剥離機構の配置を示す平面図である。
【図２９】他の実施の形態における剥離機構の構成の概略を示す説明図である。
【図３０】他の実施の形態における剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３１】他の実施の形態においてダイシングフレームが取り付けられた被処理ウェハを保持する第１の保持部の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３２】他の実施の形態における剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図３３】熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３４】熱処理装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図３５】第２の実施の形態における剥離機構の構成の概略を示す平面図である。
【図３６】第２の実施の形態における剥離機構の構成の概略を示す側面図である。
【図３７】第２の実施の形態における剥離機構の動作を説明するフローチャートである。
【図３８】他の実施の形態における刃物の構成の概略を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００３７】
剥離システム１では、図２に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、当該接合面ＳＪと反対側の面を「非接合面ＳＮ」という。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪ上に複数の電子回路等を備えた複数のデバイスが形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ〜１００μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径の円板形状を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
【００３８】
剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
【００３９】
搬入出ステーション２と処理ステーション３は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション２と処理ステーション３との間には、ウェハ搬送領域６が形成されている。インターフェイスステーション５は、処理ステーション３のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置されている。インターフェイスステーション５のＸ方向正方向側（図１中の上方向側）には、後処理ステーション４に受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する検査装置７が配置されている。また、インターフェイスステーション５を挟んで検査装置７の反対側、すなわちインターフェイスステーション５のＸ方向負方向側（図１中の下方向側）には、検査後の被処理ウェハＷの接合面ＷＪ及び非接合面ＷＮの洗浄と、被処理ウェハＷの表裏面の反転を行う検査後洗浄ステーション８が配置されている。
【００４０】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと、欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００４１】
またカセット載置台１０には、重合ウェハＴの水平方向の向きを調節する位置調節装置１２が設けられている。なお位置調節装置１２は、複数の重合ウェハＴを収容してバッファとしても機能している。
【００４２】
ウェハ搬送領域６には、第１の搬送装置２０が配置されている。第１の搬送装置２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１の搬送装置２０は、ウェハ搬送領域６内を移動し、搬入出ステーション２と処理ステーション３との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。
【００４３】
処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、第２の搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように処理ステーション３には、第１の洗浄装置３１、第２の搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。
【００４４】
検査装置７では、剥離装置３０により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無等が検査される。また、検査後洗浄ステーション８では、検査装置７で接着剤Ｇの残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この検査後洗浄ステーション８は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する接合面洗浄装置４０、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを洗浄する非接合面洗浄装置４１、被処理ウェハＷの表裏面を上下反転させる反転装置４２を有している。これら接合面洗浄装置４０、反転装置４２、非接合面洗浄装置４１は、後処理ステーション４側からＹ方向に並べて配置されている。
【００４５】
インターフェイスステーション５には、Ｙ方向に延伸する搬送路５０上を移動自在な第３の搬送装置５１が設けられている。第３の搬送装置５１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、処理ステーション３、後処理ステーション４、検査装置７及び検査後洗浄ステーション８との間で被処理ウェハＷを搬送できる。
【００４６】
なお、後処理ステーション４では、処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上のデバイスの電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。
【００４７】
次に、上述した剥離装置３０の構成について説明する。剥離装置３０は、図３に示すように、内部を密閉可能な処理容器１００を有している。処理容器１００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００４８】
処理容器１００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを上面で吸着保持する第２の保持部１１１とが設けられている。第１の保持部１１０は、第２の保持部１１１の上方に設けられ、第２の保持部１１１と対向するように配置されている。すなわち、処理容器１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。
【００４９】
第１の保持部１１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部１１０は、平板状の本体部１２０を有している。本体部１２０の下面側には、多孔質体であるポーラス１２１が設けられている。ポーラス１２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス１２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。
【００５０】
また、本体部１２０の内部であってポーラス１２１の上方には吸引空間１２２が形成されている。吸引空間１２２は、例えばポーラス１２１を覆うように形成されている。吸引空間１２２には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に連通する吸引管（図示せず）が接続されている。そして、吸引管から吸引空間１２２とポーラス１２１を介して被処理ウェハの非接合面ＷＮが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部１１０に吸着保持される。
【００５１】
第１の保持部１１０の上面には、当該第１の保持部１１０を回転させる回転機構１３０が設けられている。回転機構１３０は、第１の保持部１１０の上面を支持する支持板１３１と、支持板１３１の上面に設けられたシャフト１３２と、支持板１３１とシャフト１３２を介して第１の保持部１１０を回転させるための駆動部１３３とを有している。駆動部１３３は、シャフト１３２を回転させるモータを備え、例えば処理容器１００の天井面に当接して支持されている。
【００５２】
第２の保持部１１１には、例えばスピンチャックが用いられる。第２の保持部１１１は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳを第２の保持部１１１上に吸着保持できる。
【００５３】
第２の保持部１１１の下方には、例えばモータなどを備えた駆動部１４０が設けられている。駆動部１４０には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、第２の保持部１１１は昇降自在になっている。
【００５４】
第２の保持部１１１と駆動部１４０は、支持板１４１に支持されている。支持板１４１の下方には、例えばシリンダなどの昇降駆動源を備えた昇降機構１４２が設けられており、支持板１４１は昇降自在になっている。
【００５５】
処理容器１００の内部であって第１の保持部１１０と第２の保持部１１１の間には、重合ウェハＴから剥離された支持ウェハＳを第２の保持部１１１で保持する際に、当該支持ウェハＳの水平方向の位置を調節するガイド部材１５０を有している。ガイド部材１５０は、支持ウェハＳの外周部側面をガイドするガイド部１５１と、当該ガイド部１５１から上方に延伸し、内側面が下側から上側に向かってテーパ状に拡大しているテーパ部１５２とを有している。またガイド部材１５０は、例えば支持ウェハＳの外周部において３箇所に設けられている。各ガイド部材１５０は、処理容器１００の天井面から鉛直下方に延伸し、且つその下端部において水平方向に屈曲する支持部材１５３に支持されている。
【００５６】
また処理容器１００の内部には、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離機構１６０が設けられている。剥離機構１６０は、支持部材（図示せず）によって支持板１４１に支持されている。そして剥離機構１６０は、昇降機構１４２によって昇降自在に構成されている。なお、剥離機構１６０は処理容器１００又は第１の保持部１１０に支持されていてもよい。かかる場合、剥離機構１６０は、当該剥離機構１６０を昇降させるための昇降機構を内蔵していてもよい。
【００５７】
剥離機構１６０は、図４に示すように、重合ウェハＴの側方から被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面に挿入されて切り込みを入れる切込機構１６１と、重合ウェハＴの側方から被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面に流体、例えば気体を供給する流体供給機構１６２とを有している。
【００５８】
切込機構１６１には、図５に示すようにその先端部１６１ａが尖った刃物が用いられる。なお、以下の説明において、切込機構１６１を刃物１６１という場合がある。
【００５９】
流体供給機構１６２は、図４に示すように流体としての気体を供給する、流体ノズルとしてのエアノズル１６３を有している。エアノズル１６３の先端部は、図６に示すように先鋭化され、さらに当該先端部には気体を供給する供給口１６４が形成されている。エアノズル１６３には、図４に示すように当該エアノズル１６３に気体を供給する供給管１６５が接続されている。供給管１６５は、内部に気体を貯留する気体供給源１６６に連通している。供給管１６５には、気体の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１６７が設けられている。なお、気体としては、例えばドライエアや、窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。
【００６０】
図４に示すように刃物１６１とエアノズル１６３は、支持部材１６８に支持されて一体に形成されている。またエアノズル１６３の両側に、一対の刃物１６１が設けられている。これら一対の刃物１６１とエアノズル１６３は、重合ウェハＴの外周部側面に沿って配置されている。
【００６１】
支持部材１６８は、例えばモータなどを備えた駆動部１７０に支持されている。駆動部１７０上には水平方向（図４中のＸ方向）に延伸するレール１７１が設けられ、支持部材１６８はレール１７１に取り付けられている。かかる構成により、支持部材１６８はレール１７１に沿って移動自在に構成されている。すなわち、刃物１６１とエアノズル１６３は、重合ウェハＴに対して進退自在に構成されている。
【００６２】
次に、上述した第１の洗浄装置３１の構成について説明する。第１の洗浄装置３１は、図７に示すように内部を密閉可能な処理容器１８０を有している。処理容器１８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００６３】
処理容器１８０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるポーラスチャック１９０が設けられている。ポーラスチャック１９０は、平板状の本体部１９１と、本体部１９１の上面側に設けられた多孔質体であるポーラス１９２とを有している。ポーラス１９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス１９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。ポーラス１９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管からポーラス１９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０上に吸着保持できる。
【００６４】
ポーラスチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９３が設けられている。ポーラスチャック１９０は、チャック駆動部１９３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１９３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック１９０は昇降自在になっている。
【００６５】
ポーラスチャック１９０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１９４が設けられている。カップ１９４の下面には、回収した液体を排出する排出管１９５と、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９６が接続されている。
【００６６】
図８に示すようにカップ１９４のＸ方向負方向（図８中の下方向）側には、Ｙ方向（図８中の左右方向）に沿って延伸するレール２００が形成されている。レール２００は、例えばカップ１９４のＹ方向負方向（図８中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図８中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２００には、アーム２０１が取り付けられている。
【００６７】
アーム２０１には、図７及び図８に示すように被処理ウェハＷに洗浄液、例えば接着剤Ｇの溶剤である有機溶剤を供給する洗浄液ノズル２０２が支持されている。アーム２０１は、図８に示すノズル駆動部２０３により、レール２００上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル２０２は、カップ１９４のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２０４からカップ１９４内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２０１は、ノズル駆動部２０３によって昇降自在であり、洗浄液ノズル２０２の高さを調節できる。
【００６８】
洗浄液ノズル２０２には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル２０２には、図７に示すように当該洗浄液ノズル２０２に洗浄液を供給する供給管２１０が接続されている。供給管２１０は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１１に連通している。供給管２１０には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１２が設けられている。また、洗浄液ノズル２０２には、当該洗浄液ノズル２０２に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管２１３が接続されている。供給管２１３は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源２１４に連通している。供給管２１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル２０２内で混合され、当該洗浄液ノズル２０２から被処理ウェハＷに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。
【００６９】
なお、ポーラスチャック１９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、ポーラスチャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック１９０との間で被処理ウェハＷの受け渡しが行われる。
【００７０】
なお、検査後洗浄ステーション８の接合面洗浄装置４０と非接合面洗浄装置４１の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
【００７１】
また、第２の洗浄装置３３の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成とほぼ同様である。第２の洗浄装置３３には、図９に示すように第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に代えて、スピンチャック２２０が設けられる。スピンチャック２２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック２２０上に吸着保持できる。第２の洗浄装置３３のその他の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
【００７２】
なお、第２の洗浄装置３３において、スピンチャック２２０の下方には、被処理ウェハＷの裏面、すなわち非接合面ＷＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと被処理ウェハＷの外周部が洗浄される。
【００７３】
次に、上述した第２の搬送装置３２の構成について説明する。第２の搬送装置３２は、図１０に示すように被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３０を有している。ベルヌーイチャック２３０は、支持アーム２３１に支持されている。支持アーム２３１は、第１の駆動部２３２に支持されている。この第１の駆動部２３２により、支持アーム２３１は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２３２の下方には、第２の駆動部２３３が設けられている。この第２の駆動部２３３により、第１の駆動部２３２は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
【００７４】
なお、第３の搬送装置５１は、上述した第２の搬送装置３２と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、第３の搬送装置５１の第２の駆動部２３３は、図１に示した搬送路５０に取り付けられ、第３の搬送装置５１は搬送路５０上を移動可能になっている。
【００７５】
次に、上述した反転装置４２の構成について説明する。反転装置４２は、図１１に示すように、その内部に複数の機器を収容する処理容器２４０を有している。処理容器２４０の側面には、第３の搬送装置５１により被処理ウェハＷの搬入出を行うための搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口（図示せず）には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００７６】
処理容器２４０の底面には、当該処理容器２４０の内部の雰囲気を排気する排気口２５０が形成されている。排気口２５０には、例えば真空ポンプなどの排気装置２５１に連通する排気管２５２が接続されている。
【００７７】
処理容器２４０の内部には、被処理ウェハＷを下面で保持する第１の保持部２６０と、被処理ウェハＷを上面で保持する第２の保持部２６１とが設けられている。第１の保持部２６０は、第２の保持部２６１の上方に設けられ、第２の保持部２６１と対向するように配置されている。第１の保持部２６０及び第２の保持部２６１は、例えば被処理ウェハＷをほぼ同じ直径を有している。また、第１の保持部２６０及び第２の保持部２６１にはベルヌーイチャックが用いられている。これにより、第１の保持部２６０及び第２の保持部２６１は、被処理ウェハＷの片面の全面をそれぞれ非接触で保持することができる。
【００７８】
第１の保持部２６０の上面には、第１の保持部２６０を支持する支持板２６２が設けられている。なお、本実施の形態の支持板２６２を省略し、第１の保持部２６０は処理容器２４０の天井面に当接して支持されていてもよい。
【００７９】
第２の保持部２６１の下方には、当該第２の保持部２６１を鉛直方向に移動させる移動機構２７０が設けられている。移動機構２７０は、第２の保持部２６１の下面を支持する支持板２７１と、支持板２７１を昇降させて第１の保持部２６０と第２の保持部２６１を鉛直方向に接近、離間させる駆動部２７２を有している。駆動部２７２は、処理容器２４０の底面に設けられた支持体２７３により支持されている。また、支持体２７３の上面には支持板２７１を支持する支持部材２７４が設けられている。支持部材２７４は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、駆動部２７２により支持板２７１を昇降させる際に、自由に伸縮することができる。
【００８０】
次に、上述した検査装置７の構成について説明する。検査装置７は、図１２及び図１３に示すように処理容器２８０を有している。処理容器２８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００８１】
処理容器２８０内には、被処理ウェハＷを保持するポーラスチャック２９０が設けられている。ポーラスチャック２９０は、平板状の本体部２９１と、本体部２９１の上面側に設けられた多孔質体であるポーラス２９２とを有している。ポーラス２９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス２９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。ポーラス２９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管からポーラス２９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック２９０上に吸着保持できる。
【００８２】
ポーラスチャック２９０の下方には、チャック駆動部２９３が設けられている。このチャック駆動部２９３により、ポーラスチャック２９０は回転自在になっている。また、チャック駆動部２９３は、処理容器２８０内の底面に設けられ、Ｙ方向に沿って延伸するレール２９４上に取付けられている。このチャック駆動部２９３により、ポーラスチャック２９０はレール２９４に沿って移動できる。すなわち、ポーラスチャック２９０は、被処理ウェハＷを処理容器２８０の外部との間で搬入出するための受渡位置Ｐ１と、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調節するアライメント位置Ｐ２との間を移動できる。
【００８３】
アライメント位置Ｐ２には、ポーラスチャック２９０に保持された被処理ウェハＷのノッチ部の位置を検出するセンサ２９５が設けられている。センサ２９５によってノッチ部の位置を検出しながら、チャック駆動部２９３によってポーラスチャック２９０を回転させて、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調節することができる。
【００８４】
処理容器２８０のアライメント位置Ｐ２側の側面には、撮像装置３００が設けられている。撮像装置３００には、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられる。処理容器２８０の上部中央付近には、ハーフミラー３０１が設けられている。ハーフミラー３０１は、撮像装置３００と対向する位置に設けられ、鉛直方向から４５度傾斜して設けられている。ハーフミラー３０１の上方には、照度を変更することができる照明装置３０２が設けられ、ハーフミラー３０１と照明装置３０２は、処理容器２８０の上面に固定されている。また、撮像装置３００、ハーフミラー３０１及び照明装置３０２は、ポーラスチャック２９０に保持された被処理ウェハＷの上方にそれぞれ設けられている。そして、照明装置３０２からの照明は、ハーフミラー３０１を通過して下方に向けて照らされる。したがって、この照射領域にある物体の反射光は、ハーフミラー３０１で反射して、撮像装置３００に取り込まれる。すなわち、撮像装置３００は、照射領域にある物体を撮像することができる。そして、撮像した被処理ウェハＷの画像は、後述する制御部３５０に出力され、制御部３５０において被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。
【００８５】
以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部３５０が設けられている。制御部３５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３５０にインストールされたものであってもよい。
【００８６】
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図１４は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
【００８７】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。第１の搬送装置２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、位置調節装置１２に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。そして、位置調節装置１２において、重合ウェハＴのノッチ部の位置を検出しながら当該重合ウェハＴの向きが調節される。その後、第１の搬送装置２０により重合ウェハＴは処理ステーション３の剥離装置３０に搬送される。
【００８８】
剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、第１の保持部１１０に吸着保持される。このとき、剥離機構１６０の刃物１６１とエアノズル１６３が被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面、すなわち接着剤Ｇの高さに位置するように、剥離機構１６０が配置されている。
【００８９】
そして、図１５及び図１６に示すように支持部材１６８を重合ウェハＴ側に移動させて、重合ウェハＴの側方から被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面の接着剤Ｇに刃物１６１を挿入する（図１４の工程Ａ１）。そうすると、接着剤Ｇに切り込みＣが入る。
【００９０】
その後、図１７及び図１８に示すように接着剤Ｇの切り込みＣに対して、エアノズル１６３から気体を供給する（図１４の工程Ａ２）。このエアノズル１６３から供給された気体は、図１７に示すように被処理ウェハＷと支持ウェハＳの間において、ウェハ面内で拡散する。この気体によって、接着剤Ｇが被処理ウェハＷ側と支持ウェハＳ側に分離される。そして所定の時間が経過すると、図１９及び図２０に示すように気体がウェハ面内全面に拡散する。このようにエアノズル１６３から被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面に気体を供給する間、回転機構１３０によって第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷを回転させる。そして、エアノズル１６３からの気体と被処理ウェハＷの回転によって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳが剥離される（図１４の工程Ａ３）。なお、図１７及び図１９中のハッチ部分は、接着剤Ｇ中における気体の拡がりを示している。
【００９１】
このように剥離された被処理ウェハＷは、第１の保持部１１０から第２の搬送装置３２に受け渡される。一方、剥離された支持ウェハＳは、ガイド部材１５０によって水平方向の位置を調節され、第２の保持部１１１に吸着保持される。その後、支持ウェハＳは、第２の保持部１１１から第１の搬送装置２０に受け渡される。
【００９２】
剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３２によって第１の洗浄装置３１に搬送される。ここで、第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。
【００９３】
図２１に示すように第２の搬送装置３２の支持アーム２３１を伸長させて、ベルヌーイチャック２３０を第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、ベルヌーイチャック２３０を上昇させ、第１の保持部１１０における図示しない吸引管からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部１１０からベルヌーイチャック２３０に被処理ウェハＷが受け渡される。その後、ベルヌーイチャック２３０を所定の位置まで下降させる。なお、被処理ウェハＷはベルヌーイチャック２３０によって非接触の状態で保持される。このため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上のデバイスが損傷を被ることなく被処理ウェハＷが保持される。
【００９４】
次に図２２に示すように、第２の搬送装置３２の支持アーム２３１を回動させてベルヌーイチャック２３０を第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック２３０を反転させて被処理ウェハＷを下方に向ける。このとき、ポーラスチャック１９０をカップ１９４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック２３０からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。
【００９５】
このようにポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、ポーラスチャック１９０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム２０１によって待機部２０４の洗浄液ノズル２０２を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック１９０によって被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２０２から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される（図１４の工程Ａ４）。
【００９６】
ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００９７】
正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ４で接合面ＷＪが洗浄された後、非接合面ＷＮが下方を向いた状態で第３の搬送装置５１によって検査装置７に搬送される。なお、この第３の搬送装置５１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。
【００９８】
検査装置７に搬送された被処理ウェハＷは、受渡位置Ｐ１においてポーラスチャック２９０上に保持される。続いて、チャック駆動部２９３によってポーラスチャック２９０をアライメント位置Ｐ２まで移動させる。次に、センサ２９５によって被処理ウェハＷのノッチ部の位置を検出しながら、チャック駆動部２９３によってポーラスチャック２９０を回転させる。そして、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調節して、当該被処理ウェハＷを所定の向きに配置する。
【００９９】
その後、チャック駆動部２９３によってポーラスチャック２９０をアライメント位置Ｐ２から受渡位置Ｐ１に移動させる。そして、被処理ウェハＷがハーフミラー３０１の下を通過する際に、照明装置３０２から被処理ウェハＷに対して照明を照らす。この照明による被処理ウェハＷ上での反射光は撮像装置３００に取り込まれ、撮像装置３００において被処理ウェハＷの接合面ＷＪの画像が撮像される。撮像された被処理ウェハＷの接合面ＷＪの画像は制御部３５０に出力され、制御部３５０において、被処理ウェハＷの接合面ＷＪにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される（図１４の工程Ａ５）。
【０１００】
検査装置７において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１により検査後洗浄ステーション８の接合面洗浄装置４０に搬送され、接合面洗浄装置４０において接合面ＷＪ上の接着剤Ｇが除去される（図１４の工程Ａ６）。なお、この工程Ａ６は、上述した工程Ａ４と同様であるので説明を省略する。また、例えば検査装置７において接着剤Ｇの残渣がないと確認された場合、工程Ａ６を省略してもよい。
【０１０１】
接合面ＷＪが洗浄されると、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１によって反転装置４２に搬送され、反転装置４２により表裏面を反転、すなわち上下方向に反転される（図１４の工程Ａ７）。ここで、反転装置４２による被処理ウェハＷの反転方法について説明する。
【０１０２】
接合面洗浄装置４０で接合面ＷＪが洗浄された被処理ウェハＷは、図２３に示すように、第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２３０により接合面ＷＪを保持された状態で反転装置４２に搬送される。そして、被処理ウェハＷは、反転装置４２の第２の保持部２６１に接合面ＷＪを上方に向けた状態で受け渡され、第２の保持部２６１により被処理ウェハＷの非接合面ＷＮの全面が保持される。
【０１０３】
次いで、第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２３０を第２の保持部２６１の上方から退避させ、その後、駆動部２７２により第２の保持部２６１を上昇、換言すれば、図２４に示すように第１の保持部２６０に接近させる。そして、第１の保持部２６０により被処理ウェハＷの接合面ＷＪを保持すると共に、第２の保持部２６１による被処理ウェハＷの保持を停止して、被処理ウェハＷを第１の保持部２６０に受け渡す。これにより図２５に示すように、被処理ウェハＷが第１の保持部２６０により、非接合面ＷＮを下方に向けた状態で保持される。
【０１０４】
その後、第２の保持部２６１を下降させて第１の保持部２６０と第２の保持部２６１を離隔し、次いで退避していた第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２３０を水平軸回りに回動させる。そして、ベルヌーイチャック２３０が上方を向いた状態で、当該ベルヌーイチャック２３０を第１の保持部２６０の下方に配置する。次いでベルヌーイチャック２３０を上昇させ、それと共に第１の保持部２６０による被処理ウェハＷの保持を停止する。これにより、接合面洗浄装置４０に搬入される際にベルヌーイチャック２３０により接合面ＷＪを保持されていた被処理ウェハＷは、図２６に示すように、ベルヌーイチャック２３０により非接合面ＷＮが保持された状態となる。すなわち、ベルヌーイチャック２３０により保持される被処理ウェハの面の表裏が反転した状態となる。その後、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを保持した状態で、ベルヌーイチャック２３０を反転装置４２から退避させる。
【０１０５】
なお、検査装置７において接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄装置４０に搬送されることなく反転装置４２にて被処理ウェハＷの反転が行われるが、反転の方法については、上述の方法と同様である。
【０１０６】
その後、被処理ウェハＷを保持した状態で第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２３０を水平軸回りに回動させ、被処理ウェハＷを上下方向に反転させる。そして、被処理ウェハＷは、非接合面ＷＮが上方を向いた状態でベルヌーイチャック２３０により再び検査装置７に搬送され、非接合面ＷＮの検査が行われる（図１４の工程Ａ８）。そして、非接合面ＷＮにパーティクルの汚れが確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１によって非接合面洗浄装置４１に搬送され、非接合面洗浄装置４１において非接合面ＷＮが洗浄される（図１４の工程Ａ９）。なお、この工程Ａ９は、上述した工程Ａ４と同様であるので説明を省略する。また、例えば検査装置７において接着剤Ｇの残渣がないと確認された場合、工程Ａ９を省略してもよい。
【０１０７】
次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置５１によって後処理ステーション４に搬送される。なお、検査装置７で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄装置４１に搬送されることなくそのまま後処理ステーション４に搬送される。
【０１０８】
その後、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図１４の工程Ａ１０）。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。
【０１０９】
一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ４で接合面ＷＪが洗浄された後、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１４の工程Ａ１１）。
【０１１０】
被処理ウェハＷに上述した工程Ａ４〜Ａ１１が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面ＳＪ上の接着剤が除去されて、接合面ＳＪが洗浄される（図１４の工程Ａ１２）。なお、工程Ａ１２における支持ウェハＳの洗浄は、上述した工程Ａ４における被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの除去と同様であるので説明を省略する。
【０１１１】
その後、接合面ＳＪが洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１４の工程Ａ１３）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
【０１１２】
以上の実施の形態によれば、重合ウェハＴの側方から被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面、すなわち接着剤Ｇに対して刃物１６１を挿入して切り込みＣを入れ、さらに接着剤Ｇの切り込みＣに対して、エアノズル１６３から気体を供給して、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する。このように刃物１６１により形成された切り込みＣに対してエアノズル１６３から気体を供給するので、例えば気体の供給圧力が小さい場合でも、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面に気体を容易に進入させることができる。したがって本実施の形態によれば、被処理ウェハＷと支持ウェハＳが損傷を受けることなく、当該被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切に剥離することができる。
【０１１３】
また、エアノズル１６３から気体を供給する間、回転機構１３０によって第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷを回転させるので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離をより容易に行うことができる。なお、本実施の形態では被処理ウェハＷを回転させていたが、支持ウェハＳを回転させるようにしてもよい。或いは被処理ウェハＷと支持ウェハＳを両方回転させてもよい。また、エアノズル１６３からの気体の供給のみによって被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切に剥離することができる場合、回転機構１３０を省略できることはいうまでもない。
【０１１４】
また、切込機構１６１と流体供給機構１６２は一体に形成されているので、刃物１６１による切り込みＣの形成と、その後のエアノズル１６３からの気体の供給とを連続して円滑に行うことができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを効率よく剥離することができる。さらに、刃物１６１とエアノズル１６３を移動させるための駆動部１７０を共有できるので、剥離装置３０の構成を簡略化することができ、当該剥離装置３０の製造コストも低廉化することができる。
【０１１５】
また以上の実施の形態の剥離システム１によれば、剥離装置３０において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置３１において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置３３において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム１内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置３０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【０１１６】
また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
【０１１７】
以上の実施の形態の剥離装置３０において、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをさらに効率よく剥離するために、次の方法を用いてもよい。
【０１１８】
例えば図２７に示すように、エアノズル１６３の供給口１６４を重合ウェハＴの厚み方向に移動させてもよい。このように供給口１６４を移動させるため、例えば移動機構としての駆動部１７０によってエアノズル１６３をスイングさせてもよいし、別途の移動機構（図示せず）を設けてエアノズル１６３をスイングさせてもよい。
【０１１９】
かかる場合、制御部３５０によってエアノズル１６３の供給口１６４を重合ウェハＴの厚み方向に移動させながら、当該供給口１６４から重合ウェハＴに対して気体を供給する。この気体によって重合ウェハＴの外周部が振動するため、気体が被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面に進入し易くなる。このため、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをさらに効率よく剥離することができる。
【０１２０】
また、例えば制御部３５０と供給機器群１６７によって、相対的に多い供給量と相対的に少ない供給量でエアノズル１６３から気体を繰り返し供給するように、エアノズル１６３からの気体の供給量を制御してもよい。かかる場合でも、この気体によって重合ウェハＴの外周部が振動するため、気体が被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面に進入し易くなる。このため、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをさらに効率よく剥離することができる。
【０１２１】
また剥離装置３０において、例えば図２８に示すように剥離機構１６０を複数設けてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面に対して、複数のエアノズル１６３から気体を供給することができるので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをさらに効率よく剥離することができる。なお、本実施の形態において、流体供給機構１６２のみを複数設けてもよい。
【０１２２】
以上の実施の形態の剥離装置３０において、図２９に示すように剥離機構１６０の刃物１６１の先端とエアノズル１６３の先端は、平面視において重合ウェハＴの外周部に沿って湾曲していてもよい。かかる場合、刃物１６１の先端と重合ウェハＴとの距離が均一になるので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面に均一な切り込みＣを入れることができる。またエアノズル１６３の供給口１６４と重合ウェハＴとの距離も均一になるので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面に均一な圧力で気体を供給することができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをより適切に剥離することができる。なお、本実施の形態において、エアノズル１６３のみを重合ウェハＴの外周部に沿って湾曲させてもよい。
【０１２３】
以上の実施の形態では、流体供給機構１６２はエアノズル１６３を有し、重合ウェハＴに対して気体を供給していたが、流体供給機構１６２から供給される流体は気体に限定されない。例えば流体供給機構１６２は、液体である純水を供給する流体ノズルとしての純水ノズル（図示せず）を有していてもよい。そして、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面に対して純水ノズルから純水が供給され、当該純水によって被処理ウェハＷと支持ウェハＳが剥離される。かかる場合、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する際、当該被処理ウェハＷと支持ウェハＳの表面を洗浄することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理のスループットを向上させることができる。
【０１２４】
また、例えば流体供給機構１６２は、気体と純水を供給する２流体ノズル（図示せず）を有していてもよい。かかる場合、２流体ノズルからの気体によって被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離すると共に、２流体ノズルからの純水によって被処理ウェハＷと支持ウェハＳの表面を洗浄することができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理のスループットを向上させることができる。
【０１２５】
以上の実施の形態では、切込機構１６１と流体供給機構１６２が一体に形成されていたが、これら切込機構１６１と流体供給機構１６２は個別に設けられていてもよい。
【０１２６】
以上の実施の形態の剥離装置３０において、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１に加熱機構を設けてもよい。図３０に示すように第１の保持部１１０において、本体部１２０の内部であって吸引空間１２２の上方には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構３６０が設けられていている。第２の保持部１１１は、平板状の本体部３６１を有している。本体部３６１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管３６２が設けられている。吸引管３６２は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。また本体部３６１の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構３６３が設けられている。なお加熱機構３６０、３６３には、例えばヒータが用いられる。
【０１２７】
なお、第２の保持部１１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部１１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部１１１の上面から突出可能になっている。また、処理容器１００の底面には、当該処理容器１００の内部の雰囲気を排気するための排気口（図示せず）が形成されている。
【０１２８】
かかる場合、加熱機構３６０、３６３によって、少なくとも被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳを加熱することができる。被処理ウェハＷや支持ウェハＳの加熱は、重合ウェハＴを搬入する際に加熱機構３６０、３６３で行われてもよいし、剥離された被処理ウェハＷや支持ウェハＳを搬出する際にそれぞれ加熱機構３６０、３６３で行われてもよい。そして、この加熱によって、当該被処理ウェハＷと支持ウェハＳに対する所定の処理を行うことができる。また、この加熱は、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離の際に接着剤Ｇを軟化させるために用いることもできる。
【０１２９】
以上の実施の形態の重合ウェハＴには、当該重合ウェハＴの損傷を抑制するため、図３１に示すようにダイシングフレームＦとダイシングテープＰが設けられていてもよい。ダイシングフレームＦは、平面視において略矩形状を有し、且つ内側に重合ウェハＴの外周部に沿った開口部が形成された環状形状を有している。そして重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦの内側の開口部に配置される。またダイシングテープＰは、ダイシングフレームＦの表面ＦＳと被処理ウェハＷの非接合面ＷＮに貼り付けられている。こうして、重合ウェハＴはダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【０１３０】
ダイシングフレームＦとダイシングテープＰが設けられた重合ウェハＴは、第１の保持部１１０に保持される。第１の保持部１１０は、略平板状の本体部１２０を有している。第１の保持部１１０の内部には、ダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸着保持するための３７０が設けられている。吸引管３７０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。本体部１２０の外周部であってダイシングテープＰの外側には、複数の支持部３７１が設けられている。支持部３７１には例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が接続され、支持部３７１はダイシングテープＰの外側においてダイシングフレームＦの表面ＦＳを吸着保持することができる。
【０１３１】
かかる場合、被処理ウェハＷが支持ウェハＳから剥離された後、薄型化された被処理ウェハＷはダイシングフレームＦに保護された状態で、所定の処理や搬送が行われる。したがって、剥離後の被処理ウェハＷの損傷を抑制することができる。
【０１３２】
なお、以上の実施の形態の剥離装置３０では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。
【０１３３】
以上の実施の形態では、第１の洗浄装置３１、第２の洗浄装置３３、接合面洗浄装置４０、非接合面洗浄装置４１の洗浄液ノズル２０２には２流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル２０２の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル２０２として、有機溶剤を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば８０℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。
【０１３４】
また、第１の洗浄装置３１、第２の洗浄装置３３、接合面洗浄装置４０、非接合面洗浄装置４１において、洗浄液ノズル２０２に加えて、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル２０２からの洗浄液によって被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳを洗浄した後、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳ上の洗浄液をＩＰＡに置換する。そうすると、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの接合面ＷＪ、ＳＪがより確実に洗浄される。
【０１３５】
また、検査装置７の構成は上記実施の形態の構成に限定されない。検査装置７は、被処理ウェハＷの画像を撮像して、当該被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無と酸化膜の残渣の有無が検査できれば、種々の構成を取り得る。
【０１３６】
以上の実施の形態の剥離システム１において、剥離装置３０で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。
【０１３７】
以上の実施の形態では、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。
【０１３８】
以上の実施の形態の剥離装置３０では、接着剤Ｇで接合された重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する場合について説明したが、剥離装置３０は他の重合ウェハＴの剥離に用いられてもよい。例えば被処理ウェハＷがＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）ウェハであってもよい。被処理ウェハＷ上には、例えばＳｉＯ２からなる絶縁膜が形成されている。かかる場合、重合ウェハＴの剥離には、図３２に示す剥離システム４００が用いられる。
【０１３９】
剥離システム４００は、例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション４０１と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション４０２と、搬入出ステーション４０１と処理ステーション４０２との間に形成されたウェハ搬送領域４０３とを一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション４０１、ウェハ搬送領域４０３、処理ステーション４０２は、この順でＸ方向（図３２中の上下方向）に並べて配置されている。
【０１４０】
搬入出ステーション４０１には、カセット載置台４１０が設けられている。カセット載置台４１０には、複数、例えば３つのカセット載置板４１１が設けられている。カセット載置板４１１は、Ｙ方向（図３２中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板４１１には、剥離システム４００の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション４０１は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板４１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。
【０１４１】
またカセット載置台４１０には、重合ウェハＴの水平方向の向きを調節する位置調節装置４１２が設けられている。なお位置調節装置４１２は、複数の重合ウェハＴを収容してバッファとしても機能している。
【０１４２】
ウェハ搬送領域４０３には、第１の搬送装置４２０が配置されている。第１の搬送装置４２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１の搬送装置４２０は、ウェハ搬送領域４０３内を移動し、搬入出ステーション４０１と処理ステーション４０２との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。
【０１４３】
処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置４３０を有している。剥離装置４３０のＹ方向正方向側（図３２中の右方向側）には、重合ウェハＴを熱処理する熱処理装置４３１が配置されている。また剥離装置４３０のＹ方向負方向側（図３２中の左方向側）には、被処理ウェハＷを一旦載置するトランジション装置４３２が配置されている。剥離装置４３０とトランジション装置４３２との間には、第２の搬送装置４３３が設けられている。このように処理ステーション４０２には、トランジション装置４３２、第２の搬送装置４３３、剥離装置４３０、熱処理装置４３１が、この順で並べて配置されている。なお、熱処理装置４３１は多段に積層されていてもよい。
【０１４４】
なお剥離装置４３０の構成は、上述した剥離システム１における剥離装置３０の構成と同様であるので説明を省略する。また第２の搬送装置４３３の構成も、上述した第２の搬送装置３２の構成と同様であるので説明を省略する。
【０１４５】
次に、上述した熱処理装置４３１の構成について説明する。熱処理装置４３１は、図３３に示すように内部を密閉可能な処理容器４４０を有している。処理容器４４０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【０１４６】
処理容器４４０の天井面には、当該処理容器４４０の内部に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給するガス供給口４４１が形成されている。ガス供給口４４１には、ガス供給源４４２に連通するガス供給管４４３が接続されている。ガス供給管４４３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群４４４が設けられている。そしてガス供給口４４１から処理容器４４０の内部に不活性ガスを供給することで、処理容器４４０の内部を低酸素雰囲気にすることができ、かかる低酸素雰囲気中で重合ウェハＴを熱処理することができる。
【０１４７】
処理容器４４０の底面には、当該処理容器４４０の内部の雰囲気を吸引する吸気口４４５が形成されている。吸気口４４５には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置４４６に連通する吸気管４４７が接続されている。
【０１４８】
処理容器４４０の内部には、重合ウェハＴを加熱処理する加熱部４５０と、重合ウェハＴを温度調節する温度調節部４５１が設けられている。加熱部４５０と温度調節部４５１はＹ方向に並べて配置されている。
【０１４９】
加熱部４５０は、熱板４６０を収容して熱板４６０の外周部を保持する環状の保持部材４６１と、その保持部材４６１の外周を囲む略筒状のサポートリング４６２を備えている。熱板４６０は、厚みのある略円盤形状を有し、重合ウェハＴを載置して加熱することができる。また、熱板４６０には、例えばヒータ４６３が内蔵されている。熱板４６０の加熱温度は例えば制御部３５０により制御される。また熱板４６０は、例えば重合ウェハＴを５００℃まで加熱処理することができる。
【０１５０】
熱板４６０の下方には、重合ウェハＴを下方から支持し昇降させるための昇降ピン４７０が例えば３本設けられている。昇降ピン４７０は、昇降駆動部４７１により上下動できる。熱板４６０の中央部付近には、当該熱板４６０を厚み方向に貫通する貫通孔４７２が例えば３箇所に形成されている。そして、昇降ピン４７０は貫通孔４７２を挿通し、熱板４６０の上面から突出可能になっている。
【０１５１】
温度調節部４５１は、温度調節板４８０を有している。温度調節板４８０は、図３４に示すように略方形の平板形状を有し、熱板４６０側の端面が円弧状に湾曲している。なお、温度調節板４８０は略形状を有していてもよい。温度調節板４８０には、Ｙ方向に沿った２本のスリット４８１が形成されている。スリット４８１は、温度調節板４８０の熱板４６０側の端面から温度調節板４８０の中央部付近まで形成されている。このスリット４８１により、温度調節板４８０が、加熱部４５０の昇降ピン４７０と干渉するのを防止できる。また、温度調節板４８０には、例えばペルチェ素子などの温度調節部材（図示せず）が内蔵されている。温度調節板４８０の冷却温度は例えば制御部３５０により制御され、温度調節板４８０上に載置された重合ウェハＴが所定の温度に冷却される。なお、温度調節板４８０の外周部には、第１の搬送装置４２０との干渉を回避するための切り欠き（図示せず）が形成されている。
【０１５２】
温度調節板４８０は、図３３に示すように支持アーム４８２に支持されている。支持アーム４８２には、駆動部４８３が取り付けられている。駆動部４８３は、Ｙ方向に延伸するレール４８４に取り付けられている。レール４８４は、温度調節部４５１から加熱部４５０まで延伸している。この駆動部４８３により、温度調節板４８０は、レール４８４に沿って加熱部４５０と温度調節部４５１との間を移動可能になっている。
【０１５３】
次に、以上のように構成された剥離システム４００を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。
【０１５４】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板４１１に載置される。第１の搬送装置４２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、位置調節装置４１２に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。そして、位置調節装置４１２において、重合ウェハＴのノッチ部の位置を検出しながら当該重合ウェハＴの向きが調節される。その後、第１の搬送装置４２０により重合ウェハＴは処理ステーション３の熱処理装置４３１に搬送される。
【０１５５】
熱処理装置４３１に搬入された重合ウェハＴは、第１の搬送装置４２０から温度調節板４８０に受け渡される。その後、駆動部４８３により温度調節板４８０をレール４８４に沿って熱板４６０の上方まで移動させ、重合ウェハＴは予め上昇して待機していた昇降ピン４７０に受け渡される。その後、昇降ピン４７０が下降して、重合ウェハＴが熱板４６０上に載置される。そして、熱板４６０上の重合ウェハＴは、所定の温度、例えば４５０℃に加熱される。
【０１５６】
その後、昇降ピン４７０が上昇すると共に、温度調節板４８０が熱板４６０の上方に移動する。続いて重合ウェハＴが昇降ピン４７０から温度調節板４８０に受け渡され、温度調節板４８０がウェハ搬送領域４０３側に移動する。この温度調節板４８０の移動中に、重合ウェハＴは所定の温度に温度調節される。
【０１５７】
熱処理された重合ウェハＴは、第１の搬送装置４２０により剥離装置４３０に搬送される。そして剥離装置４３０において、重合ウェハＴは被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離される。なお、この剥離装置４３０における重合ウェハＴの剥離は、上記実施の形態における剥離装置３０での工程Ａ１〜Ａ３と同様であるので説明を省略する。
【０１５８】
その後、剥離装置４３０で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置４３３によりトランジション装置４３２に搬送される。このとき、第２の搬送装置４３３によって、被処理ウェハＷの表裏面が反転される。すなわち、トランジション装置４３２において、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが上方を向くように載置される。なお、この第２の搬送装置４３３による被処理ウェハＷの搬送方法は、上記実施の形態における第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送方法と同様であるので説明を省略する。
【０１５９】
その後、被処理ウェハＷは、第１の搬送装置４２０によって搬入出ステーション４０１に搬送される。そして、被処理ウェハＷは、搬入出ステーション４０１から外部に搬出され回収される。
【０１６０】
一方、剥離装置４３０で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置４２０によって搬入出ステーション４０１に搬送される。そして、支持ウェハＳは、搬入出ステーション４０１から外部に搬出され回収される。
【０１６１】
本実施の形態においても、上記実施の形態の剥離装置３０と同様に、剥離装置４３０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳが損傷を受けることなく、当該被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切に剥離することができる。
【０１６２】
また、剥離システム４００での一連のプロセスにおいて、重合ウェハＴの熱処理から被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
【０１６３】
なお、以上の剥離システム４００には、後処理システム（図示せず）が接続されていてもよい。後処理システムは、トランジション装置４３２に接続して配置される。また後処理システムには、被処理ウェハＷに対して種々の処理を行う装置、例えば被処理ウェハＷの洗浄装置等が配置される。かかる場合、一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離後、被処理ウェハＷの後処理を行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
【０１６４】
次に、剥離機構１６０の第２の実施の形態について説明する。なお、前述した実施の形態と同じ部分は、説明を省略する。  
【０１６５】
ここでは、支持ウェハＳとしてＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）ウェハを用いた例で説明する。ＳＯＩウェハである支持ウェハＳの接合面ＳＪには絶縁膜が形成されており、支持ウェハＳと被処理ウェハＷとを予め化学的に接合された重合ウェハＴが、本実施形態の剥離システム１で処理される。この実施の形態における剥離処理の目的は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに分離する際に、接合面ＳＪに形成された絶縁膜を被処理ウェハＷの接合面ＷＪに転写させて、接合面ＷＪ上に絶縁膜を形成することである。  
【０１６６】
図３５は、第２の実施の形態における剥離機構１６０の平面図であり、図３６は、第２の実施の形態における剥離機構１６０の側面図である。図３５及び図３６に示すように、第２の駆動部５００が、レール１７１に取り付けられている。第２の駆動部５００上には水平方向（図３５中のＸ方向）に伸びるレール５０１が設けられる。そして支持部材１６８はレール５０１の上に取り付けられている。第２の駆動部５００は駆動源として空圧機器、例えばエアシリンダを有する。第２の駆動部５００は、駆動部１７０よりも速い速度で支持部材１６８を停止状態からレール５０１に沿って移動させることができる。また剥離機構１６０は、刃物１６１の先端部１６１ａに作用する力を測定するための測定部、例えばロードセル５０２を有する。ロードセル５０２により、重合ウェハＴにおける被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合面（以下、「接合部」という場合がある。）に刃物１６１の先端部１６１ａを押し当てた際の先端部１６１ａに作用する力を測定できる。  
【０１６７】
次に、第２の実施の形態における剥離機構１６０の動作について説明する。まず、第２の駆動部５００を停止した状態で駆動部１７０を動作させ、刃物１６１を第１の速度で移動させる（図３７の工程Ａ１１）。  
【０１６８】
ロードセル５０２にて刃物１６１の先端部１６１ａに作用する力を測定し、この測定値が所定値に達したか否か判定する（図３７の工程Ａ１２）。この測定値が所定値に達したら、刃物１６１の先端部１６１ａが重合ウェハＴの接合部に所定の力で突き当てられた状態になったと判断し、駆動部１７０を停止させる（図３７の工程Ａ１３）。このとき、刃物１６１の先端部１６１ａが、重合ウェハＴの接合部に少し挿入された状態又は突き当てられた状態である。  
【０１６９】
次に、駆動部１７０を停止したまま第２の駆動部５００を動作させ、刃物１６１を停止した状態から第１の速度より速い第２の速度で移動させる（図３７の工程Ａ１４）。第２の速度で移動させることにより、重合ウェハＴの接合部には衝撃が加わり、重合ウェハＴが被処理ウェハＷと支持ウェハＳとに分離される。この際、接合面ＳＪ上の絶縁膜が接合面ＳＪから剥離され、接合面ＷＪに転写（移動）される。このように先端部１６１ａを重合ウェハＴの接合部に突き当てた後に、停止状態から第２の速度で刃物１６１を移動させることにより重合ウェハＴの接合部に衝撃を与え、この衝撃により接合面ＳＪ上の絶縁膜が全面に亘って適切に接合面ＷＪに転写された状態で剥離することが可能となる。また刃物１６１の先端部１６１ａを重合ウェハＴの接合部に突き当てるまでは刃物１６１を低速度の第１の速度で移動させるので、刃物１６１を重合ウェハＴの接合部に精度良く突き当てることができる。そして第２の駆動部５００の駆動源としてエアシリンダ等の空圧機器を用いることにより、刃物１６１は停止状態から一瞬で第２の速度に到達でき、重合ウェハＴの接合部に十分な衝撃を与えることができる。  
【０１７０】
なお、第２の駆動部５００の駆動源は、空圧機器、例えばエアシリンダなどに限定されない。瞬時に停止状態から第２の速度に到達できるものであれば、電気機器、例えばモータなどを用いてもよい。  
【０１７１】
第２の実施の形態の変形例として、工程Ａ１４の代わりに、刃物１６１の先端部１６１ａに衝撃を与えることができる装置の構成や動作でもよい。例えば、刃物１６１に衝撃を与えるための衝撃付与部、例えば図示しないハンマを第２の駆動部５００が有していてもよい。ハンマ（図示せず）は刃物１６１に対して水平方向（Ｘ方向正方向）に衝撃を与えることができるように設けられる。そして刃物１６１の先端部１６１ａを重合ウェハＴの接合部に突き当てた後に、工程Ａ１４の代わりにハンマを動作させて、刃物１６１の先端部１６１ａに衝撃を与える。衝撃を与えることにより、接合面ＳＪ上の絶縁膜が全面に亘って適切に接合面ＷＪに転写した状態で剥離される。なお、衝撃を加えた後は、刃物１６１の移動速度は特に限定されず、所定の速度で移動させるとよい。  
【０１７２】
次に、刃物１６１の他の形状に関して説明する。図５に示した刃物１６１は、先端部１６１ａが線対称形状であった。図３８は、他の実施の形態における刃物５０３の側面図である。刃物５０３の先端部５０３ａは、刃物１６１のように線対称ではなく、水平面５０４と傾斜面５０５とで構成される。すなわち、先端部５０３ａの上面は側面視において重合ウェハＴの接合面の面方向（水平方向）に延伸して水平面５０４を構成し、先端部５０３ａの下面は側面視において重合ウェハＴの接合面の面方向（水平方向）から傾斜して延伸し傾斜面５０５を構成する。剥離装置３０は、重合ウェハＴの上面を保持して剥離処理を行う。そこで刃物１６１を用いると、先端部１６１ａを重合ウェハＴに挿入した際に被処理ウェハＷは上に逃げず、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに対して先端部１６１ａからの上向きの力が加わる。この力により、接合面ＷＪに形成された回路（製品）が破損する虞がある。  
【０１７３】
そこで刃物５０３を用い、剥離装置３０に水平面５０４が上面となるように刃物５０３を取り付けて剥離処理を行う。刃物５０３が重合ウェハＴに挿入された際に、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに対して刃物５０３による上向きの力が刃物１６１よりも低減でき、接合面ＷＪに形成された回路が破損する虞を低減できる。
【０１７４】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１７５】
１    剥離システム
２    搬入出ステーション
３    処理ステーション
２０  第１の搬送装置
３０  剥離装置
１３０  回転機構
１６０  剥離機構
１６１  切込機構（刃物）
１６２  流体供給機構
１６３  エアノズル
１６４  供給口
１７０  駆動部
３５０  制御部
４００  剥離システム
４０１  搬入出ステーション
４０２  処理ステーション
４２０  第１の搬送装置
４３０  剥離装置
５０２  ロードセル
５０３  刃物
５０３ａ  先端部
５０４  水平面
５０５  傾斜面
Ｃ    切り込み
Ｇ    接着剤
Ｓ    支持ウェハ
Ｔ    重合ウェハ
Ｗ    被処理ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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