(57)【要約】  【課題】  対向空間の密閉性を向上できる電子部品を提供する。  【解決手段】  電子部品１は、第１の実装領域２３および第２の実装領域２４を有する回路基板２と、回路基板２の第１の実装領域２３上に対向空間を介して実装された第１の電子素子３と、回路基板２の第２の実装領域２４上に実装された第２の電子素子４と、第１の電子素子３を覆い、かつ、第１の電子素子３の周囲および第２の実装領域の周囲において回路基板２の上面に接着している封止シート５と、封止シート５および第２の電子素子４を覆っている封止材６とを有する。【選択図】  図２
2013251323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の実装領域および第２の実装領域を有する回路基板と、
該回路基板の前記第１の実装領域上に対向空間を介して実装された第１の電子素子と、
前記回路基板の前記第２の実装領域上に実装された第２の電子素子と、
前記第１の電子素子を覆い、かつ、前記第１の電子素子の周囲および前記第２の実装領域の周囲において前記回路基板の上面に接着している封止シートと、
該封止シートおよび前記第２の電子素子を覆っている封止材と、
を有することを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記封止シートは導電性を有していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記封止シートは、前記回路基板に設けられた接地電位の配線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記封止材を覆う導電層を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記導電層は、前記回路基板に設けられた接地電位の配線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子、圧電薄膜共振
器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）等の電子素子を含む電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＳＡＷチップとＲＦ送受信ＬＳＩやチップ部品等の電子素子を１つの回路基板上に表面実装した電子部品がある。この電子部品の１つの形態として、ＳＡＷチップのＳＡＷ素子と回路基板との間に対向空間を設けるためにＳＡＷチップを封止シートで覆って周辺部を回路基板上に接着し、その上に封止樹脂を供給して封止シートで覆われたＳＡＷチップおよびその他の電子素子を封止したものが知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１３５７７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の電子部品においては、樹脂シートはＳＡＷチップのみを覆い、回路基板との接着面積が小さいために樹脂シートと回路基板との接着強度が弱いものであった。そのため、ＳＡＷチップを樹脂とで覆った後に液状の封止樹脂をその上から供給した際に、封止樹脂がＳＡＷチップと回路基板との間の対向空間内に侵入しやすく、侵入した封止樹脂によって励振電極の振動が阻害されるおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様に係る電子部品は、第１の実装領域および第２の実装領域を有する回路基板と、回路基板の第１の実装領域上に対向空間を介して実装された第１の電子素子と、回路基板の第２の実装領域上に実装された第２の電子素子と、第１の電子素子を覆い、かつ、第１の電子素子の周囲および第２の実装領域の周囲において回路基板の上面に接着している封止シートと、封止シートおよび第２の電子素子を覆っている封止材とを有する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一態様に係る電子部品によれば、封止シートがＳＡＷチップ等の第１の電子素子近傍の周囲だけでなく、さらにその周囲の回路基板の上面にも接着していることから、封止シートと回路基板との接着力が大きいものとなり、第１の電子素子と回路基板との間の対向空間が良好に形成されたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態に係る電子部品の外観を示す斜視図であり、（ｂ）は封止材を取り除いた状態を示す斜視図であり、（ｃ）はさらに封止シートを取り除いた状態を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は図１に示された電子部品の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａにおける断面図である。
【図３】（ａ）は図２（ｂ）のＡ部の拡大図であり、（ｂ）は（ａ）の他の例を示す拡大図である。
【図４】図２に示された電子部品の変形例であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａにおける断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、図５（ｃ）の続きを示す、図２に示された電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、図５（ｃ）の続きを示す、図４に示された電子部品の製造方法を説明する断面図である。
【図８】（ａ）は第２の実施形態の電子部品の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａにおける断面図である。
【図９】図８に示された電子部品の変形例であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａにおける断面図である。
【図１０】図８に示された電子部品の他の変形例であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａにおける断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態に係る電子部品について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品１の外観を示す上面側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、電子部品１の封止材６を取り除いた状態を示す斜視図であり、図（ｃ）はさらに封止シート５を取り除いた状態を示す斜視図である。
【０００９】
なお、電子部品１は、いずれの方向が上方もしくは下方とされてもよいものであるが、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として、上面もしくは下面の語を用いるものとする。
【００１０】
電子部品１は、例えば、概ね直方体状に形成されており、その下面には、複数の外部端子（不図示）が適宜な形状および適宜な数で露出している。電子部品１の大きさは適宜な大きさとされてよいが、例えば、１辺の長さが３ｍｍ〜６ｍｍで厚みが０．５ｍｍ〜１．２ｍｍである。
【００１１】
電子部品１は、不図示の実装基板に対して下面を対向させて配置され、実装基板に設けられたパッドと複数の外部端子とがはんだ等を介して接合されることにより実装基板に実装される。そして、電子部品１は、例えば、複数の外部端子のいずれかを介して信号が入力され、入力された信号に所定の処理を施して複数の外部端子のいずれかから出力する。
【００１２】
なお、複数の外部端子の数、位置および役割は、電子部品１内部の構成等に応じて適宜に設定されてよい。
【００１３】
図２（ａ）は図１に示された電子部品の平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａにおける断面図である。
【００１４】
電子部品１は、図２に示すように、大きくは５つの部材を含んでいる。すなわち、電子部品１は、回路基板２と、当該回路基板２の第１の実装領域２３上に実装された第１の電子素子３と、回路基板２の第２の実装領域２４上に実装された第２の電子素子４と、第１の電子素子３を覆い、かつ、第１の電子素子３の周囲および第２の実装領域２４の周囲において回路基板２の上面に接着している封止シート５と、封止シート５および第２の電子素子４を覆っている封止材６とを有している。
【００１５】
第１の電子素子３は、その下面（機能面）と対向する回路基板２の上面との間に対向空
間Ｓを設けるとともにこれらの電気的接続を行うために、例えば、はんだバンプ３ａを介して接合されている。後述する製造工程において封止材６となる液状材料が回路基板２と第１の電子素子３との間に流れ込むことを抑制するため、封止シート５で覆われている。
【００１６】
第２の電子素子４は、第１の電子素子３が実装された第１の実装領域２３とは異なる第２の実装領域２４に、第１の電子素子３と同様にはんだバンプ４ａを介して接合されている。第２の電子素子４は、回路基板２との間に対向空間Ｓを設けなくてもよいものであり、封止シート５で覆われていない。
【００１７】
回路基板２は、例えば、リジッド式のプリント配線板によって構成されており、絶縁基板と、絶縁基板の上面に形成された上面配線と、絶縁基板の内部に上面に平行に形成された内部配線と、絶縁基板の下面に形成された既述の外部端子と、絶縁基板の全部または一部を上下方向に貫通して、上面配線、内部配線および外部端子を互いに電気的に接続する貫通導体とを含む配線を有している（不図示）。なお、回路基板２は、内部配線が設けられないものであってもよい。このような配線は、既述したような信号の入出力用の配線や接地電位の配線がある。
【００１８】
絶縁基板は、例えば、樹脂、セラミックおよび／またはアモルファス状態の無機材料を含んでおり、概ね薄型の直方体状に形成されている。絶縁基板は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。
【００１９】
上面配線は、はんだバンプ３ａ，４ａが接合される基板パッドを含んでいる。上面配線、内部配線および貫通導体は、インダクタ、コンデンサもしくは適宜な処理を実行する回路を含んでいてもよい。これら配線は、例えば、Ｃｕ等の金属により構成されている。基板パッドおよび外部端子においては、はんだバンプ３ａ，４ａあるいは実装基板との接続に用いられるはんだとの接合性向上のために、Ｎｉ，Ａｕ等のめっきが施されていてもよい。
【００２０】
第１の電子素子３は、ＳＡＷ素子であり、圧電基板と、圧電基板の下面に設けられた素子導電層とを有している（不図示）。なお、ＳＡＷ素子（第１の電子素子３）は、この他、圧電基板の上面を覆う電極および／または保護層等の適宜な部材を有していてよい。
【００２１】
圧電基板は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。圧電基板は、例えば、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。
【００２２】
素子導電層は、ＳＡＷを励起するための励振電極と、はんだバンプ３ａが接合される素子パッドとを有している。素子導電層は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属により構成されている。素子パッドにおいては、はんだバンプ３ａとの接合性向上のために、Ｎｉ，Ａｕ等のめっきが施されていてもよい。
【００２３】
励振電極は、いわゆるＩＤＴ（InterDigital transducer）であり、一対の櫛歯電極を
含んでいる。各櫛歯電極は、バスバーと、バスバーから延びる複数の電極指とを有しており、一対の櫛歯電極は、互いに噛み合うように（複数の電極指が互いに交差するように）配置されている。励振電極は、例えば、ＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ共振器および／またはデュプレクサを構成している。
【００２４】
一対の櫛歯電極の一方に信号が入力されると、当該信号はＳＡＷに変換されて下面を電極指に直交する方向（ｘまたはｙ方向）に伝搬し、再度信号に変換されて一対の櫛歯電極
の他方から出力される。その過程において、信号はフィルタリング等がなされる。
【００２５】
素子パッドは、下面に形成された不図示の配線を介して励振電極に接続されている。一対の櫛歯電極の一方は、複数の素子パッドのいずれかを介して信号が入力され、一対の櫛歯電極の他方は、複数の素子パッドのいずれかを介して信号を出力する。
【００２６】
はんだバンプ３ａは、素子パッドと基板パッドとの間に介在して、これらパッドを接合している。はんだバンプを構成するはんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を含むはんだであってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。なお、はんだバンプ３ａに代えて、導電性樹脂からなるバンプが設けられてもよい。
【００２７】
回路基板２とＳＡＷ素子（第１の電子素子３）との間にはんだバンプ３ａが介在していることにより、絶縁基板の上面と、圧電基板の下面との間には間隙（対向空間Ｓ）が形成されている。これにより、下面におけるＳＡＷの伝搬が容易化されている。なお、はんだバンプ３ａの厚みは、例えば、３０μｍ程度である。
【００２８】
第２の電子素子４は、必ずしも回路基板２との間に対向空間Ｓを設けなくてもよい点で第１の電子素子３とは異なるものである。例えば、電子部品１が携帯電話等の無線通信機器に用いられる送受信モジュールであって、第１の電子素子３がＳＡＷフィルタである場合には、第２の電子素子４はＲＦ送受信ＬＳＩである。これ以外には、例えば、パワーアンプ、アンテナスイッチ等が挙げられ、第１の電子素子３と組み合わせて特定の機能を有する電子部品１を構成するものであればよい。これ例外にも、チップコンデンサやチップ抵抗器等の受動部品も含まれ、また、複数個の第２の電子素子４が実装されていてもよい。
【００２９】
第２の電子素子４は、本実施形態では、第１の電子素子３と同様にはんだバンプ４ａを介して回路基板２上にフェイスダウン実装されているが、ワイヤーボンディングにより実装されていてもよい。この場合には、回路基板２の上面の基板パッドは、第２の電子素子４を例えば導電性接着剤で接合して固定するための固定パッドと、固定パッドの周囲に設けられ、第２の電子素子４の素子パッドとボンディングワイヤで電気的に接続される接続パッドを含む。そして、回路基板２の上面における固定パッドと接続パッドとを含む領域が、第２の実装領域２４となる。
【００３０】
第２の電子素子４がフェイスダウン実装される場合は、第２の電子素子４と回路基板２の上面との間にも間隙ができるが、この間隙にはアンダーフィル材を充填するのが好ましい。アンダーフィル材は、封止シート５と第２の電子素子４とを覆っている封止材６と同じものであってもよいし、別のものでもよい。アンダーフィル材として封止材６と同じものを用いる場合は、後述する製造工程において、第２の電子素子４と回路基板２の上面との間の間隙に、封止材６となる液状材料を流し込むことにより、封止材６とアンダーフィル材とを同時に形成することができる。
【００３１】
封止シート５は、厚さが概ね一定のシート（層）状の部材である。封止シート５は、ＳＡＷ素子（第１の電子素子３）を覆い、また、ＳＡＷ素子（第１の電子素子３）の周囲において回路基板２に接着している。従って、対向空間Ｓは、封止シート５によって封止されている。より具体的には、封止シート５は、ＳＡＷ素子（第１の電子素子３）から垂れた外周部がＳＡＷ素子（第１の電子素子３）の外方へ広がるように曲がっており、ＳＡＷ素子（第１の電子素子３）を覆う側の面（シート下面）が回路基板２の上面に接着している。なお、封止シート５は、ＳＡＷ素子（第１の電子素子３）の上面および側面に対しても接着していることが好ましい。
【００３２】
封止シート５は、例えば、ポニフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等の樹脂フィルムに粘着剤が塗布されて構成されており、その厚さは例えば１〜数μｍである。
【００３３】
第２の電子素子４が実装された第２の実装領域２４を取り囲むように、第２の実装領域２４に対応した貫通孔５ａを有する封止シート５が配置され、回路基板２の上面に接着されている。また、封止シート５の外周縁部は、回路基板２の上面の外周縁部と一致している。すなわち、封止シート５は第１の電子素子３が実装された第１の実装領域２３および第２の電子素子４が実装された第２の実装領域２４以外の広い領域において、回路基板２の上面に接着されている。
【００３４】
このような構成により、封止シート５と回路基板２との接着力が大きいものとなり、第１の電子素子３と回路基板２との間の対向空間Ｓが良好に形成されたものとなっている。これにより、封止材６によって励振電極の振動が阻害されることなくＳＡＷ素子（第１の電子素子３）が確実に動作する電子部品となっている。また、例えば電子部品１の動作中等に発生する、封止材６と回路基板２との間の熱応力が封止シート５の側面（端面）に作用し難いので、封止シート５が剥がれ難く、対向空間Ｓの気密信頼性が向上したものとなる。
【００３５】
第１の電子素子３の周囲における、封止シート５と回路基板２の上面との接着領域の幅、すなわち、第１の電子素子３の外辺から、回路基板２の外辺までの距離あるいは第２の実装領域２４までの距離は、電子部品１の小型化のためにはできるだけ小さいのが好ましいが、封止シート５と回路基板２の上面との接着力を高めるためには可能な限り大きくするのがよく、３０μｍ以上であると対向空間Ｓの密閉性の維持が容易となるので好ましい。
【００３６】
封止シート５は導電性を有しているのが好ましい。第１の電子素子３を覆い、第２の電子素子４を取り囲むように配置されている封止シート５が導電性であると、外部から電子部品１に侵入してくる電磁波等のノイズに対するシールド層として機能することとなり、第１の電子素子３および第２の電子素子４が安定して動作する電子部品１となる。
【００３７】
このとき、導電性を有する封止シート５が回路基板２に設けられた接地電位の配線に電気的に接続されていると、シールド層としての機能がより高められるので好ましい。封止シート５が接着される、回路基板２の上面の第１の実装領域２３および第２の実装領域２４以外に設けられた上面配線のうちの少なくとも１つを接地電位の配線とすればよい。封止シート５の接着剤が絶縁性の場合は、接地電位の配線の上には接着剤を設けないようにすることで、導電性の封止シート５と接地電位の配線が電気的に接続される。接着剤に導電性のものを用いれば、封止シート５の全面に接着剤を塗布することができる。封止シート５および接着剤が導電性であっても、第１の実装領域２３および第２の実装領域２４以外に接地電位ではない上面配線が形成されていなければ、封止シート５および接着剤によって短絡することがない。第１の実装領域２３および第２の実装領域２４以外に接地電位ではない上面配線が形成されている場合は、異方性導電樹脂を接着剤として用いると、封止シート５の全面に接着剤を塗布することができ、接地電位の上面配線の位置を考慮する必要がなく、接着剤付きの封止シート５の作製が容易となるので好ましい。
【００３８】
導電性を有する封止シート５は、既述した樹脂フィルムの表面に、例えば、鉄、銅、銀、ニッケル、アルミニウム、あるいはこれらの合金等の導電性の膜を形成したものが挙げられる。導電性の膜は、めっき法や蒸着法等の薄膜形成方法によって形成することができる。あるいは、既述した樹脂フィルム中に、例えば上述の金属やカーボン等の導電性粒子を分散させたものでもよい。
【００３９】
図３（ａ）は図２（ｂ）のＡ部の拡大図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の他の例を示す拡大図である。
【００４０】
封止シート５は、既述したように、図１（ｂ）や図２に示すような第２の実装領域２４に対応した貫通孔５ａを有しており、第２の実装領域２４を取り囲むようになっている。この貫通孔５ａが、第２の電子素子４の外形よりも一回り大きく、第２の電子素子４より外側に位置するものであると、第２の電子素子４と回路基板２の上面との間にアンダーフィル材や封止材６となる液状樹脂を流し込みやすいので好ましい。例えば、平面視で第２の電子素子４の外辺から５０μｍ以上外側に貫通孔５ａの内壁が位置するようにすると、フィラーを含有する液状樹脂を流し込むことができる。
【００４１】
第２の電子素子４と回路基板２の上面との間に液状樹脂を流し込みやすくするために、図３（ｂ）に示す例のように、貫通孔５ａが下（回路基板２側）から上（封止材６側）に向けて広がるように、貫通孔５ａの内壁面を傾斜させてもよい。
【００４２】
封止シート５が導電性を有するものである場合には、封止シート５の貫通孔５ａは、第２の電子素子４の外形よりも一回り小さく、平面視で第２の電子素子４の外辺より内側に貫通孔５ａの内壁が位置すると、第２の電子素子４に対するシールド性がより向上するのでより好ましい。
【００４３】
このとき、少なくとも第２の電子素子４の外辺より内側に位置する封止シート５の厚みを薄くしておく（貫通孔５ａの周縁部の厚みを薄くしておく）と、厚みの薄い部分は変形しやすいので、貫通孔５ａを実装された第２の電子素子４に位置合わせして封止シート５の貫通孔５ａの周囲を押さえることで、貫通孔５ａの内壁を容易に第２の電子素子４の外辺より内側に配置することができる。また、厚みの薄い部分は、平面視で第２の電子素子４の外側から内側にかけて、また、厚み方向では回路基板２側に設けると、第２の電子素子４と回路基板２の上面との間に液状樹脂を流し込みやすくなるので好ましい。例えば、図３（ｂ）に示す例のように、貫通孔５ａが下（回路基板２側）から上（封止材６側）に向けて広がるように、第２の電子素子４の外側から内側にかけて貫通孔５ａの内壁面を傾斜させるとよい。この傾斜面は、平面でなくてもよい。
【００４４】
封止シート５に周縁部の厚みの薄い貫通孔５ａを形成するには、封止シート５を金型で打ち抜くとともに、型を押し当てることで形成することができる。傾斜した内壁面の形成は、打ち抜き金型の雄型と雌型とのクリアランスを大きめに調整することによって、雌型側の開口が小さい貫通孔５ａを形成することでも可能である。
【００４５】
封止材６は、封止シート５を覆っている。好ましくは、封止材６は、封止シート５に接着している。封止材６によって第２の電子素子４が封止され、薄い封止シート５による対向空間Ｓの封止性がより強固なものとなっている。
【００４６】
封止材６の外形は、例えば、概ね直方体状になるように形成されている。その平面視における形状および大きさは、例えば、回路基板２の平面形状と同様であり、封止材６の側面は回路基板２の側面と面一になっている。封止材６のＳＡＷ素子（第１の電子素子３）上の厚みは、ＳＡＷ素子（第１の電子素子３）の保護の観点等の種々の観点から適宜な大きさとされてよい。
【００４７】
封止材６は、例えば、樹脂を含んで構成されている。当該樹脂は、好ましくは熱硬化性樹脂であり、熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂もしくはフェノール樹脂である。樹脂には、当該樹脂よりも熱膨張係数が低い材料により形成された絶縁性粒子からなるフィ
ラーが混入されていてもよい。絶縁性粒子の材料は、例えば、シリカ、アルミナ、フェノール、ポリエチレン、グラスファイバー、グラファイトフィラーである。なお、封止材６は、樹脂以外の材料、例えば、アモルファス状態の無機材料によって構成されていてもよい。
【００４８】
対向空間Ｓは、封止材６によって密閉されている。対向空間Ｓ内は、真空となっていてもよいし、空気等の気体が封入されていてもよい。気体が封入されている場合、その圧力は、対向空間Ｓ内の温度が大気の温度と同等のときに、大気圧よりも高くてもよいし、同等でもよいし、大気圧よりも低くてもよい。
【００４９】
図４は、図２に示された電子部品１の変形例であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａにおける断面図である。図２に示された電子部品１との違いは、回路基板２の外縁部に切欠き２ａ（段差部）が形成されていて、封止材６が切欠き２ａに入り込んで回路基板２に接着している点である。封止材６は封止シート５の縁部を覆っており、封止シート５の縁部は電子部品１の外部へ露出していない。別の観点では、電子部品１の側面に露出する部材間の界面は、回路基板２と封止材６との界面一つのみである。
【００５０】
このような構成にすると、封止シート５の縁部の回路基板２への接着が封止材６によってより強固なものとなる。封止材６は切欠き２ａに入り込んでいるので、回路基板２と封止材６との接着面積が増加し、かつ、封止材６は回路基板２に食い込む形状となる。その結果、封止材６と回路基板２との接着強度が向上し、電子部品１は、外部から水分が浸入し難くなる。電子部品１の動作中等に発生する、封止部材（封止シート５および封止材６）と回路基板２との間の熱応力によって、この界面を起点として封止部材が回路基板２から剥がれる可能性が低減される。また、剥離が生じたとしても、回路基板２と封止部材との界面が、縁部において屈曲したものとなるので、電子部品１の側面から対向空間Ｓへの水分の浸入経路が長くなっており、かつ、当該浸入経路は途中で曲がっていることから、この界面を通って外部から水分等が浸入し難くなる。よって、対向空間Ｓの気密信頼性がより向上したものとなる。
【００５１】
このときの回路基板２の外縁部には、上面側に切欠き２ａが形成されている。切欠き２ａは、例えば、断面形状が概ね矩形であり、回路基板２の全周にわたって形成されている。切欠き２ａの深さ（ｚ方向）および幅（図４ではｘ方向）は、適宜に設定されてよく、例えば、深さは５０μｍ〜１００μｍであり、幅は５０μｍ〜１００μｍである。
【００５２】
回路基板２において、切欠き２ａにおける表面粗さは、回路基板２の上面における表面粗さよりも粗くなっている。例えば、切欠き２ａの表面の算術平均粗さは１５μｍ〜２５μｍ程度であり、回路基板２の上面の算術平均粗さは０．５〜１．０μｍ程度である。そして、封止材６は、その切欠き２ａの凹凸に密着している（溝に入り込んでいる。）。
【００５３】
図５（ａ）〜図６（ｂ）は、電子部品１の製造方法を説明する、図２に対応する断面図である。ただし、これらの図では、複数の電子部品１に対応する断面を示している。
【００５４】
まず、図５（ａ）に示すように、複数の回路基板２が含まれる母基板２１が用意される。各回路基板２は上面に第１の実装領域２３および第２の実装領域２４を有している。なお、図５（ａ）では、回路基板２同士の境界部２１ａを点線で示しており、点線の位置は、回路基板２の側面となる位置である。母基板２１は複数の回路基板２が境界部２１ａを挟んで連結されたものである。図５（ａ）ではｘ方向のみに複数の回路基板２が連結されて並んでいるように見えるが、ｙ方向にも複数の回路基板２が並んで連結されており、いわゆる多数個取り基板の形態である。また、回路基板２の並びの最も外側に位置する回路基板２のさらに外側、母基板２１の最外周領域にはダミー領域を設け、回路基板２の配線
（上面配線や外部端子）に電解めっきによってめっき皮膜を形成する場合は、境界部２１ａおよびダミー領域にめっき用配線を設ける。母基板２１は、一般的なプリント配線板と同様に作製されてよい。例えば、母基板２１は、導電ペーストが配置されたセラミックグリーンシートが焼成されたり、または、絶縁基板に対してアディティブ法もしくはサブトラクティブ法によって配線が形成されたりすることによって作製されてよい。
【００５５】
母基板２１が用意されると、図５（ｂ）に示すように、複数のＳＡＷ素子（第１の電子素子３）および複数の第２の電子素子４が複数の回路基板２がそれぞれフェイスダウン実装されるように、母基板２１に実装される。具体的には、例えば、スクリーン印刷等によってはんだバンプ３ａ，４ａが母基板２１に形成され、次に、複数のＳＡＷ素子（第１の電子素子３）および複数の第２の電子素子４が母基板２１に載置され、その後、これらはリフロー炉等によって加熱される。なお、ＳＡＷ素子（第１の電子素子３）は、例えば、分割されることによって圧電基板となる母基板を対象に素子導電層を形成し、その後、ダイシングすることによって作製される。また、第２の電子素子４はフェイスダウン実装でなくてもよく、例えばワイヤーボンディングにより実装されていてもよい。この場合には、回路基板２の上面の固定パッドに第２の電子素子４を例えば導電性接着剤で接合して固定し、固定パッドの周囲に設けられた接続パッドと第２の電子素子４の素子パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する。そして、回路基板２の上面における固定パッドと接続パッドとを含む領域が、第２の実装領域となる。
【００５６】
次に、図５（ｃ）に示すように、複数の封止シート５を含む封止シート５１が複数のＳＡＷ素子（第１の電子素子３）に被せられる。また、封止シート５１は複数の第２の実装領域２４に対応する複数の貫通孔５ａを有している。第２の実装領域２４に対応するとは、貫通孔５ａの位置、形状および大きさが第２の実装領域２４の位置、形状および大きさに対応しているということである。なお、封止シート５１は、例えば、適宜に加熱されつつ、封止シート５１と母基板２１との間の真空引きがなされることにより、ＳＡＷ素子（第１の電子素子３）、母基板２１の上面の第２の実装領域２４以外の領域に密着し、粘着する。
【００５７】
このとき、封止シート５１の大きさは母基板２１の大きさと同程度のものを用いるのが好ましい。これにより、複数の回路基板２の第１の実装領域２３および第２の実装領域２４以外の上面に封止シート５１を一括で配置して接着することができる。従来の技術のように、ＳＡＷ素子（第１の電子素子３）のみを封止シート５で覆う構造の場合は、複数のＳＡＷ素子（第１の電子素子３）のそれぞれに対応する複数の封止シート５を準備して、それぞれ位置合わせして配置しなければならなかった。これに対して、ＳＡＷ素子（第１の電子素子３）のそれぞれに対する複封止シート５の位置合わせが容易（不要）になり、また、複数のＳＡＷ素子（第１の電子素子３）に対する封止シート５の配置を一括で行なうことができるので、封止シートの５位置ずれによる封止性の低下が抑えられるとともに生産効率も高められる。
【００５８】
また、封止シート５１が複数の第２の実装領域２４に対応する複数の貫通孔５ａを有しており、第２の電子素子４を覆わないようにしている。これにより、第１の電子素子３の周囲において封止シート５１と回路基板２の上面とが密着しやすくなる。従来技術として封止シート５１で第１の電子素子３だけでなく第２の電子素子４も覆う場合がある。その場合は、回路基板２に実装される第１の電子素子３とその周囲の第２の電子素子４との間隔が小さいと、これらの間では封止シート５１が回路基板２の上面に密着し難くなる。そのため第１の電子素子３の周囲において封止シート５１を回路基板２に強固に接着することができず、対向空間Ｓを確保することが難しくなる可能性がある。また、第１の電子素子３の周囲において封止シート５１と回路基板２の上面とが密着しないと、対向空間Ｓと周囲の第２の電子素子４の周囲の空間とが連通してしまうので、対向空間Ｓに異物等が侵
入してしまう可能性がある。すなわち、封止シート５１に貫通孔５ａを設けておくことで、第１の電子素子３と回路基板２との間に封止された対向空間Ｓを確保しながら、電子素子の実装密度が高い電子部品１を得ることができ、より小型の電子部品１とすることができる。
【００５９】
封止シート５１が配置されると、図６（ａ）に示すように、封止材６となる液状の樹脂６１が供給される。液状の樹脂６１は、封止シート５（５１）および第２の電子素子４を覆うとともに、第２の電子素子４と母基板２１の上面との間の間隙に流入する。そして、加熱されることによって液状の樹脂６１は硬化し、封止材６が基板２１（回路基板２）の上面に接着する。液状の樹脂６１の供給は、ディスペンサによる塗布や印刷による塗布で行なえばよく、印刷による供給は液状の樹脂６１（封止材６）の厚みの調整が容易で、母基板２１を用いるような塗布面積が大きい場合には生産効率も高いので好ましい。
【００６０】
アンダーフィル材に封止材６とは異なる材料を用いる場合は、封止材６となる液状の樹脂６１を供給する工程の前に、第２の電子素子４と母基板２１の上面との間の間隙にアンダーフィル材を注入して硬化すればよい。封止シート５１を接着する工程の前にアンダーフィル材を供給することも可能である。封止シート５１を接着する工程の後にアンダーフィル材を供給する方が、封止シート５１の貫通孔の内壁面でアンダーフィル材の拡がりを抑えることできるのでより好ましい。アンダーフィル材の硬化は封止材６となる液状の樹脂６１の硬化と同時に行なってもよい。
【００６１】
液状の樹脂６１が硬化すると、図６（ｂ）に示すように、封止材６、封止シート５および母基板２１を境界（回路基板２とダミー領域との境界も含む。）に沿って共にカットして、複数の電子部品１を個片化する。カットは、例えば、ダイシングブレード８１によって行われる。これによって、封止材６および封止シート５の側面と回路基板２の側面とは面一になる。ダイシングブレード８１の厚さは、境界部２１ａの幅に等しいと、２つの回路基板２の間のカットが１度で行なえるので効率がよく、好ましい。
【００６２】
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、図５（ｃ）の続きを示す、図４に対応する電子部品１の製造方法を説明する断面図である。
【００６３】
図５（ｃ）に示すように封止シート５１が配置されると、図７（ａ）に示すように、複数の回路基板２の境界（回路基板２とダミー領域との境界も含む。）に沿った溝状の凹部２１ｂを形成する。凹部２１ｂの形成は、例えば、ダイシングブレード８２によるハーフカットダイシングによって行われる。ダイシングブレード８２の厚みは、隣接する回路基板２の切欠き２ａの側面間の距離（切欠き２ａの底面の幅の２倍の長さに境界部２１ａの幅を加えた長さ）に等しく、且つ、隣接するＳＡＷ素子（第１の電子素子３）と第２の電子素子４との間の隙間よりも小さく設定されている。そして、この凹部２１ｂの形成に伴って、封止シート５１は回路基板２の外縁部上および境界部２１ａ上の部分が除去される。
【００６４】
このとき、母基板２１において、凹部２１ｂの表面（凹部２１ｂの底面および側面）は、上面よりも粗くなる。例えば、凹部２１ｂの表面には、砥粒によって削られることによって形成された、ダイシングブレード８２の外周部の接線方向に沿う直線状（凹部２１ｂの側面においては厳密には弧状）の複数の溝が形成される。
【００６５】
凹部２１ｂが形成されると、図７（ｂ）に示すように、液状の樹脂６１は、封止シート５（５１）を覆うとともに、凹部２１ｂ内に流入する。また、液状の樹脂６１は、凹部２１ｂの表面に形成された複数の溝にも入り込む。
【００６６】
液状の樹脂６１が硬化すると、図７（ｃ）に示すように、封止材６および母基板２１を境界に沿って共にカットして、複数の電子部品１を個片化する。カットは、例えば、ダイシングブレード８３によって行われる。ダイシングブレード８３の厚さは、凹部２１ｂを形成したダイシングブレード８２の厚さ、つまり凹部２１ｂの幅よりも小さく、ダイシングブレード８３は、凹部２１ｂの底面中央部をカットする。これによって、切欠き２ａおよび封止材６の切欠き２ａに入り込んだ部分が形成され、また、封止材６の側面と回路基板２の側面とは面一になる。ダイシングブレード８３の厚さは、境界部２１ａの幅に等しいと、２つの回路基板２の間のカットが１度で行なえるので効率がよく、好ましい。
【００６７】
このように、図１および図２に示すような本実施形態の電子部品１は、複数の回路基板２が含まれる母基板２１を準備する第１工程（図５（ａ））と、複数のＳＡＷ素子（第１の電子素子３）を複数の回路基板２の第１の実装領域２３にそれぞれフェイスダウン実装されるように、複数の第２の電子素子４を複数の回路基板２の第２の実装領域２４に実装されるように、母基板２１に実装する第２工程（図５（ｂ））と、複数のＳＡＷ素子（第１の電子素子３）を覆い、各ＳＡＷ素子の周囲の第２の実装領域２４以外の領域において母基板２１の上面に接着するように、封止シート５（５１）を配置する第３工程（図５（ｃ））と、封止シート５（５１）および第２の電子素子４を覆う封止材６（となる液状の樹脂６１）を供給する第４工程（図６（ａ））と、境界に沿って、封止材６、封止シート５および母基板２１をカットして、複数の個片を形成する第５工程（図６（ｂ））と、を含む。
【００６８】
図４に示す例のような構成の電子部品１は、上記第３の工程の後に、母基板２１の上面の境界に跨る部分に凹部２１ｂを設け、これに伴って封止シート５１の境界に跨る部分を除去する第４の工程（図７（ａ））と、封止シート５１を覆い、封止シート５１が除去された領域で、回路基板２と接着するように樹脂６１（封止材６）を配置する第５工程（図７（ｂ））と、凹部２１ｂの底面中央部をカットする第６工程（図７（ｃ））と、を含む製造方法によって実現される。
【００６９】
なお、以上の第１の実施形態において、ＳＡＷ素子（第１の電子素子３）は本発明の電子素子の一例であり、封止材６および樹脂６１は本発明の封止材の一例である。
（第２の実施形態）
図８は第２の実施形態に係る電子部品１を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａにおける断面図である。
【００７０】
電子部品１は、封止材５の上面を覆う導電層７が設けられている点のみが図２に示す第１の実施形態の電子部品１と相違する。このような構成によって、外部から電子部品１に侵入してくる電磁波等のノイズに対するシールド層として機能することとなり、第１の電子素子３および第２の電子素子４が安定して動作する電子部品１となる。第１の実施形態の電子部品１における封止シート５が導電性である場合に対しては、第２の電子素子４のシールド性が特に向上される。
【００７１】
導電層７は、エポキシ樹脂等に例えば、鉄、銅、銀、ニッケル、アルミニウム、あるいはこれらの合金等の金属、もしくはカーボン等の導電性粒子を分散させたものである。
【００７２】
導電層７は、回路基板２に設けられた接地電位の配線に電気的に接続されていることが好ましい。導電性を有する封止シート５の場合と同様に、接地電位の配線に接続されることで、シールド性がさらに向上する。
【００７３】
図９に示す第２の実施形態の他の例においては、第１の電子素子３の上方に位置する封止材６に貫通孔を設けて、導電層７が導電性を有する封止シート５に接するようにしてい
る。導電性を有する封止シート５は、回路基板２に形成された接地電位の配線に電気的に接続されており、導電層７は、封止シート５を介して回路基板２の上面に設けられた接地電位の配線に電気的に接続されている。封止材６に設ける貫通孔は他の位置でもよいが、封止材６の第１の電子素子３の上方に位置する部分が最も厚みが薄いので、導電層７と封止シート５との接続が容易である。封止シート５が導電性を有さない場合は、封止材６および封止シート５を貫通して回路基板２の上面の接地電位の配線に達する貫通孔を設け、貫通孔内に導電性の材料を配置して導電層７と配線とを電気的に接続すればよい。
【００７４】
図１０に示す第２の実施形態の他の例においては、図４に示した第１の実施形態の回路基板２に設けた切欠き２ａと同様のものを回路基板２に設けて、導電層７を封止材６の上面から側面および切欠き２ａ内にかけて設けている。図８に示す構造に対して、シールド層として機能する導電層７が封止材６の側面にもう設けられているので、シールド性がさらに向上する。
【００７５】
封止シート５が導電性を有するとともに回路基板２の上面に設けられた接地電位の配線に電気的に接続されている場合であれば、切欠き２ａの上で導電性を有する封止シート５の端面に導電層７が接するようにすることで、導電層７を接地電位の配線に電気的に接続することができる。あるいは、切欠き２ａの側面または底面に接地電位の配線を露出させておき、接地電位の配線に導電層７を直接接続してもよい。このような構造の電子部品１は、シールド性がさらに向上する。
【００７６】
図８に示す第２の実施形態に係る電子部品１の製造方法は、第１の実施形態において、図６（ｂ）に示す封止材６、封止シート５および母基板２１をカットする工程の前に封止材６（６１）の上に導電層７を形成する工程を追加すればよい。例えば、未硬化（液状）の熱硬化性の導電性樹脂を封止材６の上に印刷法で塗布して、加熱することで硬化させればよい。そして、次の封止材６、封止シート５および母基板２１をカットする工程において、導電層７も同時にカットすることで、図８に示すような電子部品１が作製される。
【００７７】
図９に示す第２の実施形態に係る電子部品１の製造方法は、図６（ａ）に示す封止シート５（５１）および第２の電子素子４を覆う封止材６（となる液状の樹脂６１）を供給する第４工程において、第１の電子素子３の上方以外に封止材（となる液状の樹脂６１）を塗布すればよい。印刷による塗布の場合は、第１の電子素子３の位置にマスクを有する版を用いればよい。このようにすることで第１の電子素子３の上方に位置する封止材６に貫通孔を設けることができる。この貫通孔の内部（に露出した封止シート５の上面）および封止材６の上に、未硬化（液状）の熱硬化性の導電性樹脂を塗布し、加熱して硬化させることで、導電性を有する封止シート５に接する導電層７が形成される。封止材６を硬化させた後に貫通孔を形成する場合と比較して、工程数が少なく、容易である。
【００７８】
図１０に示す第２の実施形態に係る電子部品１の製造方法は、図６（ａ）に示す封止シート５（５１）および第２の電子素子４を覆う封止材６を供給する第４工程の後に、複数の回路基板２の境界（回路基板２とダミー領域との境界も含む。）に沿った溝状の凹部を形成する工程を有する。凹部の形成は、例えば、ダイシングブレードによるハーフカットダイシングによって行われる。ダイシングブレードの厚みは、境界部２１ａの幅より大きく、隣接する回路基板２の切欠き２ａの側面間の距離（切欠き２ａの底面の幅の２倍の長さに境界部２１ａの幅を加えた長さ）の幅に等しい。このとき、凹部内の側面には、封止材６と回路基板２との間に封止シート５の側面が露出する。また、回路基板２の内部において、回路基板２の外周縁部まで延設された接地電位の配線を有する母基板２１を準備して、ハーフカットダイシングして形成した凹部の内面にこの配線を露出させるようにすれば、切欠き２ａの側面または底面に接地電位の配線が露出したものとなる。
【００７９】
その後、封止材６の上面からこの凹部の内部にかけて、未硬化（液状）の熱硬化性の導電性樹脂を塗布し、加熱して硬化させる。このとき、硬化した導電性樹脂（導電層７）と、凹部の側面に露出した導電性の封止シート５の側面（端面）、あるいは回路基板２の内部に設けられた接地電位の配線が凹部の側面または底面に露出した部分とが接して電気的に接続される。
【００８０】
そして、硬化した導電性樹脂、封止材６および母基板２１を境界に沿って共にカットして、複数の電子部品１を個片化する。カットは、例えば、ダイシングブレードによって行われる。ダイシングブレードの厚さは、凹部を形成したダイシングブレードの厚さ、つまり凹部の幅よりも小さく、ダイシングブレードは、凹部の底面中央部をカットする。これによって、切欠き２ａおよび封止材６の上面から側面および切欠き２ａ内にかけて設けられた導電層７を有する電子部品１となる。導電層７の側面と回路基板２の側面とは面一になる。ダイシングブレードの厚さは、境界部２１ａの幅に等しいと、２つの回路基板２の間のカットが１度で行なえるので効率がよく、好ましい。
【００８１】
本発明は、以上の実施形態および変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００８２】
第１の電子素子は、ＳＡＷ素子に限定されない。第１の電子素子は、弾性波を利用しないもの、例えばＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子であってもよいし、圧電薄膜共振器等のＳＡＷ以外の弾性波を利用するものであってもよい。
【００８３】
第１の電子素子において、対向空間内に位置する配線や機能体（励振電極）は、これらの酸化防止等に寄与する絶縁性の保護層に覆われていてもよい。なお、保護層は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、またはシリコンにより形成されている。
【００８４】
回路基板に切欠きが設けられる場合において、当該切欠きは、回路基板の外縁部全体にわたって形成されるものに限定されない。例えば、切欠きは、平面形状が矩形の回路基板において、その１〜３辺に設けられてもよいし、１辺のうちの一部にのみ設けられてもよいし、１辺の複数位置に設けられてもよい。
【００８５】
封止シートは、粘着剤によって回路基板に密着されるものに限定されない。例えば、封止シートは、封止材となる液状の樹脂よりも粘度が高い樹脂（熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等）によって構成され、第１の電子素子および回路基板に被せられた後に硬化されることによって、それ自体が回路基板に密着してもよい。なお、当該硬化は、封止材となる液状の樹脂の硬化の前であってもよいし、同時であってもよい。
【００８６】
封止シートとしては、導電性を有する封止シートの樹脂フィルム中に分散させた導電性粒子に替えて、または導電性粒子に加えてフェライト粒子を分散させたものを用いてもよい。フェライト粒子が電波吸収体として機能するため、同様にシールド層として機能するものとなる。このとき、導電性粒子の量を減らして導電性のないものにすると、回路基板の上面に形成された上面配線を考慮することなく、回路基板に接着できる。
【００８７】
導電層に関しても、導電層の導電性粒子に替えて、または導電性粒子に加えてフェライト粒子を分散させたものを用いてもよい。フェライト粒子が電波吸収体として機能するため、同様にシールド層として機能する電波吸収層となる。
【符号の説明】
【００８８】
１：電子部品
２：回路基板
３：第１の電子素子
４：第２の電子素子
５：封止シート
６：封止材
７：導電層
２３：第１の実装領域
２４：第２の実装領域
【図１】
2013251323.tif 000003
【図２】
2013251323.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2013251323.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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