(57)【要約】【課題】ＬＥＤパッケージの生産収率低下を抑え、コストを低減し、且つ発光効率の低減を抑えることのできる発光素子搭載用基板、及びその発光素子搭載用基板を用いて形成されるＬＥＤパッケージを提供する。【解決手段】本発明の一態様において、貫通孔９ａ、９ｂを有する板状の絶縁性の基材２と、基材２の一方の面上に接着層３を介して形成された、金属膜４ａ、４ｂと、貫通孔９ａ、９ｂにそれぞれ埋め込まれ、金属膜４ａ、４ｂにそれぞれ接続される、埋込金属５ａ、５ｂと、基材２の前記一方の面上に形成された樹脂封止用ダム６と、を有し、基材２及び接着層３の少なくともいずれか一方の弾性率が、金属膜４ａ、４ｂの弾性率よりも小さく、貫通孔９ａ、９ｂは、樹脂封止用ダム６の露出した内側側面の底辺に囲まれた素子搭載領域Ｒの内側に位置する、発光素子搭載用基板１を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の貫通孔及び第２の貫通孔を有する板状の絶縁性の基材と、
前記基材の一方の面上に接着層を介して形成された、第１の金属膜及び第２の金属膜と、
前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔にそれぞれ埋め込まれ、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜にそれぞれ接続される、第１の埋込金属及び第２の埋込金属と、
前記基材の前記一方の面上に形成された樹脂封止用ダムと、
を有し、
前記基材及び前記接着層の少なくともいずれか一方の弾性率が、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜の弾性率よりも小さく、
前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔は、前記樹脂封止用ダムの露出した内側側面の底辺に囲まれた素子搭載領域の内側に位置する、
発光素子搭載用基板。
【請求項２】
前記第１の埋込金属及び前記第２の埋込金属は、前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔の底から１／２以上の高さまで埋め込まれる、
請求項１に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項３】
前記樹脂封止用ダムは、前記基材の前記一方の面上にのみ形成される、
請求項１又は２に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項４】
前記基材は、半径５０ｍｍでも曲げてもクラックが発生しない可とう性を有する、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項５】
前記第１の金属膜、前記第２の金属膜、前記第１の埋込金属、及び前記第２の埋込金属は、３５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項６】
前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜の第１の埋込金属及び第２の埋込金属の反対側の面には、分光反射率計による硫酸バリウムの白色を基準とした測定において、波長４５０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲の全域で初期全反射率が８０％以上の材料からなる反射層が設けられる、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項７】
前記基材は、０．５ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下の弾性率を有し、２６０℃、３０秒間の加熱に耐えられる耐熱性を有する、ポリイミド、ポリアミドイミド、エポキシ、及びアラミドのうちの少なくとも１つの樹脂を含む材料からなる、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項８】
基材２の厚さは、１２．５μｍ以上１２５μｍ以下である、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項９】
前記素子搭載領域は、搭載する発光素子の面積よりも大きく、前記素子搭載領域内に露出した前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜の表面には、銅めっきが施されている、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項１０】
前記素子搭載領域内に露出した前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜の表面に、金、銀、パラジウム、ニッケル、すずのいずれかの金属を用いためっきが施されている、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項１１】
請求項１〜１０のうちのいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板と、
前記発光素子搭載用基板上に搭載されたＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップを封止する封止樹脂と、
を有するＬＥＤパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子搭載用基板、及びＬＥＤパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、省エネルギーの観点から発光素子としてＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップを用いた表示装置や照明装置が注目されるようになり、世界的なレベルでＬＥＤチップとそれに関する製品や技術の開発競争が起きている。その一例として、単位明るさ当たりの価格（円／ｌｍ）が単位として周知されているほどである。
【０００３】
そのような中、金属板を加工したリードフレームにモールド工法などで樹脂部材を成形した樹脂部材付リードフレーム基板を用いたＬＥＤパッケージが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。リードフレーム基板は、安価かつ放熱性に優れ、ＬＥＤパッケージ用基板の主力として一般に用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１５６７０４号公報
【特許文献２】特開２００５−１１６８４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、リードフレーム基板は、樹脂成形をする際に、リードフレームと樹脂の境界部分に樹脂のバリが発生するため、この樹脂バリを除去する必要がある。樹脂バリの除去は、ブラスト処理などで行なう必要があるが、このような処理は樹脂表面を荒くして反射率を低下させ、ＬＥＤパッケージの発光効率の低減の要因となる。また、樹脂バリを除去するために、製造工程が増加するという問題もある。さらに、樹脂バリはリードフレームの両面に発生するため、両面のバリを除去する必要がある。
【０００６】
また、樹脂部材付リードフレーム基板を用いてＬＥＤパッケージを製造する場合、ＬＥＤチップ実装の最終プロセスにおいて、基板のダイシングによりパッケージの個片化を行うが、このときに厚さ０．１〜０．３ｍｍのフレームを切断しなければならず、ダイシングに時間が掛かり、また、ダイシング幅を０．２ｍｍ程度確保する必要があるという欠点がある。
【０００７】
また、リードフレームを使用した基板においては、配線ピッチを狭くする事が困難であるため、フリップチップ型のＬＥＤチップを実装する事が極めて難しく、耐熱性に優れた高価なセラミック基板をＬＥＤチップの基板として採用しなければならない。
【０００８】
以上の問題は、ＬＥＤパッケージの生産収率の低下や、コスト低減の隘路、更には発光効率向上の阻害要因となっている。
【０００９】
したがって、本発明の目的の一つは、ＬＥＤパッケージの生産収率低下を抑え、コストを低減し、且つ発光効率の低減を抑えることのできる発光素子搭載用基板、及びその発光素子搭載用基板を用いて形成されるＬＥＤパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明の一態様によれば、上記目的を達成するため、第１の貫通孔及び第２の貫通孔を有する板状の絶縁性の基材と、前記基材の一方の面上に接着層を介して形成された、第１の金属膜及び第２の金属膜と、前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔にそれぞれ埋め込まれ、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜にそれぞれ接続される、第１の埋込金属及び第２の埋込金属と、前記基材の前記一方の面上に形成された樹脂封止用ダムと、を有し、前記基材及び前記接着層の少なくともいずれか一方の弾性率が、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜の弾性率よりも小さく、前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔は、前記樹脂封止用ダムの露出した内側側面の底辺に囲まれた素子搭載領域の内側に位置する、発光素子搭載用基板が提供される。
【００１１】
（２）上記発光素子搭載用基板において、前記第１の埋込金属及び前記第２の埋込金属は、前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔の底から１／２以上の高さまで埋め込まれることが好ましい。
【００１２】
（３）上記発光素子搭載用基板において、前記樹脂封止用ダムは、前記基材の前記一方の面上にのみ形成されることが好ましい。
【００１３】
（４）上記発光素子搭載用基板において、前記基材は、半径５０ｍｍでも曲げてもクラックが発生しない可とう性を有することが好ましい。
【００１４】
（５）上記発光素子搭載用基板において、前記第１の金属膜、前記第２の金属膜、前記第１の埋込金属、及び前記第２の埋込金属は、３５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することが好ましい。
【００１５】
（６）上記発光素子搭載用基板において、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜の第１の埋込金属及び第２の埋込金属の反対側の面には、分光反射率計による硫酸バリウムの白色を基準とした測定において、波長４５０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲の全域で初期全反射率が８０％以上の材料からなる反射層が設けられてもよい。
【００１６】
（７）上記発光素子搭載用基板において、前記基材は、０．５ＧＰａ〜１０ＧＰａの弾性率を有し、２６０℃、３０秒間の加熱に耐えられる耐熱性を有する、ポリイミド、ポリアミドイミド、エポキシ、及びアラミドのうちの少なくとも１つの樹脂を含む材料からなることが好ましい。
【００１７】
（８）上記発光素子搭載用基板において、基材２の厚さは、１２．５μｍ以上１２５μｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
（９）上記発光素子搭載用基板において、前記素子搭載領域は、搭載する発光素子の面積よりも大きく、前記素子搭載領域内に露出した前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜の表面には、銅めっきが施されていてもよい。
【００１９】
（１０）上記発光素子搭載用基板において、前記素子搭載領域内に露出した前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜の表面に、金、銀、パラジウム、ニッケル、すずのいずれかの金属を用いためっきが施されていてもよい。
【００２０】
（１１）また、本発明の他の態様によれば、請求項１〜１０のうちのいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板と、前記発光素子搭載用基板上に搭載されたＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップを封止する封止樹脂と、を有するＬＥＤパッケージが提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の一態様によれば、ＬＥＤパッケージの生産収率低下を抑え、コストを低減し、且つ発光効率の低減を抑えることのできる発光素子搭載用基板、及びその発光素子搭載用基板を用いて形成されるＬＥＤパッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１（ａ）は、第１の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの垂直断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の一部を拡大した垂直断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｅ）は、第１の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの製造工程の一例を表す断面図である。
【図３】図３（ｆ）〜（ｊ）は、第１の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの製造工程の一例を表す断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施の形態に係る樹脂封止用ダムをモールド成形する工程を表す断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、比較例に係る樹脂封止用ダムをリードフレームにモールド成形する工程を表す断面図である。
【図６】図６は、第２の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの垂直断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
〔第１の実施の形態〕
（ＬＥＤパッケージの構造）
図１（ａ）は、第１の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの垂直断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の一部を拡大した垂直断面図である。ＬＥＤパッケージ１０は、発光素子搭載用基板１と、発光素子搭載用基板１上に搭載されたＬＥＤチップ１１と、ＬＥＤチップ１１を封止する封止樹脂７と、を含む。
【００２４】
発光素子搭載用基板１は、貫通孔９ａ、９ｂを有する板状の絶縁性の基材２と、基材２の一方の面（図１の上側の面）上に接着層３を介して形成された、金属膜４ａ、４ｂと、貫通孔９ａ、９ｂにそれぞれ埋め込まれ、金属膜４ａ、４ｂにそれぞれ接続される、埋込金属５ａ、５ｂと、基材２の上記の一方の面（図１の上側の面）上に形成された樹脂封止用ダム６を含む。
【００２５】
基材２は、優れた絶縁性と可とう性、例えば半径５０ｍｍでも曲げてもクラックが発生しない可とう性、を有することが好ましい。また、基材２は、リフロー半田付けの際に加えられる熱、例えば２６０℃、３０秒間の加熱、に耐えられる耐熱性を有する。基材２として、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、エポキシ、アラミドなどの樹脂単体からなるフィルムを用いることが出来る。基材２の厚さは、例えば、１２．５μｍ以上１２５μｍ以下である。
【００２６】
基材２の貫通孔９ａ、９ｂ（埋込金属５ａ、５ｂ）は、樹脂封止用ダム６の露出した内側側面（封止樹脂７の形成後は封止樹脂７に接する面）の底辺に囲まれた領域である素子搭載領域Ｒの内側に位置する。この特徴は、樹脂封止用ダム６をモールド成形する際の金属膜４ａ、４ｂの変形を抑え、金型との密着性を保持することを助ける。このため、樹脂材料の流れ出しが抑制され、樹脂封止用ダム６におけるバリの発生が抑えられる。そのため、バリを除去するための工程を省くことができる。
【００２７】
図１（ｂ）に示される点線Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ素子搭載領域Ｒの縁、貫通孔９ａの樹脂封止用ダム６側の縁（金属膜４ａの樹脂封止用ダム６側の縁）の位置、及び貫通孔９ｂの樹脂封止用ダム６側の縁（金属膜４ｂの樹脂封止用ダム６側の縁）の位置を表す。点線Ｂ、Ｃは、点線Ａと同じ位置か、点線Ａよりも発光素子搭載用基板１の中心側に位置する。
【００２８】
接着層３は、金属膜４ａ、４ｂと基材２を接着するための層であり、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系等の接着剤からなる。この接着剤は、熱硬化型接着剤でも、熱可塑型接着剤でもよい。
【００２９】
発光素子搭載用基板１において、基材２及び接着層３の少なくともいずれか一方の弾性率が、金属膜４ａ、４ｂの弾性率よりも小さい。例えば、金属膜４ａ、４ｂが１０ＧＰａを超える弾性率を有する銅箔である場合は、基材２及び接着層３の少なくともいずれか一方は、０．５〜１０ＧＰａの弾性率を有する材料から形成される。この特徴も、樹脂封止用ダム６をモールド成形する際の金属膜４ａ、４ｂの変形を抑え、金型との密着性を保持することを助ける。
【００３０】
金属膜４ａ、４ｂの厚さは、３０μｍ以上であることが好ましい。また、金属膜４ａ、４ｂは、３５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有するのが好ましい。金属膜４ａ、４ｂの材料として、例えば、銅（純銅）又は銅合金を用いることが出来る。純銅を用いることにより、熱伝導率３９６Ｗ／ｍＫの金属膜４ａ、４ｂを形成することができる。例えば、金属膜４ａ、４ｂは、１０ＧＰａを超える弾性率を有する銅箔であることが好ましい。この銅箔は、例えば、電解銅箔、又は圧延銅箔である。
【００３１】
金属膜４ａ、４ｂの表面（埋込金属５ａ、５ｂの反対側の面）には、ＬＥＤチップ１１から発せられる光を反射する反射層が設けられてもよい。この反射層の材料としては、例えば、分光反射率計による硫酸バリウムの白色を基準（１００％）とした測定において、波長４５０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲の初期全反射率が８０％以上の材料が用いられる。
【００３２】
素子搭載領域Ｒは、ＬＥＤチップ１１の放熱性、及び電気導通を高めるために、ＬＥＤチップ１１の面積よりも大きく、この素子搭載領域Ｒ内に露出した金属膜４ａ、４ｂの表面には、放熱性の銅めっきが施されていることが好ましい。
【００３３】
また、ＬＥＤチップ１１と金属膜４ａ、４ｂとの低抵抗の接合や、実装性の向上のため、素子搭載領域Ｒ内に露出した金属膜４ａ、４ｂの表面に、金、銀、パラジウム、ニッケル、すずのいずれかの金属を用いためっきを施してもよい。さらに、銀、パラジウム、ニッケル、すずのいずれかの金属を用いためっきを施した場合は、金属膜４ａ、４ｂの反射率を高めることもできる。
【００３４】
埋込金属５ａ、５ｂは、放熱性を高めるため、金属膜４ａ、４ｂの面積の５０％以上の面積を有することが好ましい。また、埋込金属５ａ、５ｂは、放熱性を高めるため、ＬＥＤチップ１１の設置領域よりも大きい面積を有することが好ましい。ここで、「設置領域」とは、ＬＥＤチップ１１の設置を予定している領域をいい、通常は矩形状の領域であり、ＬＥＤチップ１１の数が１つのときは、ＬＥＤチップ１１の面積とほぼ等しく、ＬＥＤチップ１１の数が複数のときは、複数のＬＥＤチップ１１を囲んだ１つの領域、又は個々のＬＥＤチップ１１に対応した複数の領域をいう。「設置領域」は、金属膜４ａ、４ｂに跨って存在する場合や、金属膜４ａ、４ｂのうち一方の上に存在する場合等がある。また、埋込金属５ａ、５ｂは、放熱性を高めるため、貫通孔９ａ、９ｂの底から１／２以上の高さまで埋め込まれることが好ましい。例えば、樹脂封止用ダム６と基材２の接合にＳｎ系の半田が用いられた場合、ＬＥＤパッケージ１０の放熱性が低下するが、このような場合であっても、熱伝導率の高い埋込金属５ａ、５ｂを厚くして体積を大きくすることにより、放熱性を高め、ＬＥＤチップ１１の熱を効率よく逃がすことができる。
【００３５】
埋込金属５ａ、５ｂは、金属膜４ａ、４ｂと同様に、３５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することが好ましい。埋込金属５ａ、５ｂの材料としては、例えば、銅（純銅）又は銅合金を用いることができる。純銅を用いることにより、熱伝導率３９６Ｗ／ｍＫの埋込金属５ａ、５ｂを形成することができる。
【００３６】
樹脂封止用ダム６は、ＬＥＤチップ１１を封止する封止樹脂７を所定の位置に留めるための部材である。樹脂封止用ダム６の材料として、エポキシ樹脂やシリコーン系樹脂等の樹脂を用いることができる。また、反射率を高めるために白色の材料を用いてもよいし、部材の劣化変色による反射率変動を最小限に抑制させるために黒色の材料を用いてもよい。
【００３７】
また、樹脂封止用ダム６は、射出モールド成形またはトランスファーモールドにより、基材２のＬＥＤチップ１１搭載面側にのみ形成される。このため、樹脂封止用ダム６をモールド成形する際に、基材２のＬＥＤチップ１１搭載面と反対側の面（図１の下側の面）に樹脂が流れ出し、樹脂バリが発生することを抑制できる。
【００３８】
なお、配線基板をリードフレームで製作する場合は、樹脂封止用ダムをモールド成形する際に、樹脂がリードフレームのＬＥＤチップ搭載面と反対側の面にも成形されるため、基板の両面に樹脂バリが発生する。特に、リードフレームの端子部周辺のフラッシュバリの抑制は難易度が高く、樹脂封止用ダムの形成後にデフラッシュと呼ばれるバリ取り工程が必要になる。
【００３９】
ＬＥＤチップ１１はフェースアップ型のＬＥＤチップであり、例えば、図示しない上部の電極がワイヤー８を介して発光素子搭載用基板１の金属膜４ａに接続され、図示しない底部の電極が金属膜４ｂに接続される。また、ＬＥＤチップ１１の２つの電極がワイヤーを介して金属膜４ａ、４ｂにそれぞれ接続されてもよい。ＬＥＤチップ１１は、例えば、０．３〜１．０ｍｍ角程度のサイズを有する。
【００４０】
封止樹脂７は、ＬＥＤチップ１１を封止する光透過性を有する部材である。封止樹脂７の材料として、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂を用いることができる。封止樹脂７は、ＬＥＤチップ１１から発せられる光の波長領域を変化させるための蛍光体を含んでもよい。
【００４１】
（ＬＥＤパッケージの製造工程）
図２（ａ）〜（ｅ）、図３（ｆ）〜（ｊ）は、第１の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの製造工程の一例を表す断面図である。
【００４２】
まず、図２（ａ）に示されるように、表面に接着層３を有する基材２を用意する。
【００４３】
次に、図２（ｂ）に示されるように、基材２をパターニングし、貫通孔９ａ、９ｂを形成する。
【００４４】
次に、図２（ｃ）に示されるように、金属膜４を基材２上に接着層３を介して貼り付ける。
【００４５】
次に、図２（ｄ）に示されるように、貫通孔９ａ、９ｂに埋込金属５ａ、５ｂをそれぞれ埋め込む。ここで、埋込金属５ａ、５ｂを貫通孔９ａ、９ｂの底から１／２以上の高さまで埋め込むことが好ましい。
【００４６】
次に、図２（ｅ）に示されるように、金属膜４をパターニングし、金属膜４ａ、４ｂを形成する。
【００４７】
次に、図３（ｆ）に示されるように、樹脂封止用ダム６をモールド成形する。この工程の詳細については、後述する。
【００４８】
次に、図３（ｇ）に示されるように、金属膜４ｂ上にＬＥＤチップ１１を形成する。このとき、ＬＥＤチップ１１の底部の電極を金属膜４ｂに接続させる。
【００４９】
次に、図３（ｈ）に示されるように、ＬＥＤチップ１１の上部の電極と金属膜４ａをワイヤー８で接続する。
【００５０】
次に、図３（ｉ）に示されるように、封止樹脂７によりＬＥＤチップ１１を封止する。
【００５１】
次に、図３（ｊ）に示されるように、ダイシングによりパッケージの個片化を行い、ＬＥＤパッケージ１０を得る。
【００５２】
図４（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施の形態に係る樹脂封止用ダム６をモールド成形する工程を表す断面図である。
【００５３】
まず、図４（ａ）に示されるように、金属膜４ａ、４ｂ、及び埋込金属５ａ、５ｂが形成された基材２をモールド金型１２ａ、１２ｂにより上下から挟む。
【００５４】
次に、図４（ｂ）に示されるように、モールド金型１２ａ、１２ｂ内に樹脂材料を流し込み、樹脂封止用ダム６を形成する。
【００５５】
次に、図４（ｃ）に示されるように、モールド金型１２ａ、１２ｂから基材２を外す。図中の点線は、後の工程のダイシングによる切断箇所を示している。
【００５６】
本実施の形態においては、基材２及び接着層３の少なくともいずれか一方の弾性率が、金属膜４ａ、４ｂの弾性率よりも小さい。また、貫通孔９ａ、９ｂ（埋込金属５ａ、５ｂ）が、素子搭載領域Ｒの内側に位置する。これにより、基材２をモールド金型１２ａ、１２ｂで挟んで樹脂封止用ダム６をモールド成形する際の金属膜４ａ、４ｂの変形が抑えられ、金型との密着性が保持される。このため、樹脂材料の流れ出しが抑制され、樹脂封止用ダム６における樹脂バリの発生が抑えられる。
【００５７】
また、本実施の形態においては、樹脂封止用ダム６は、基材２のＬＥＤチップ１１搭載面側（図４の上側の面）にのみ形成される。このため、樹脂封止用ダム６をモールド成形する際に、基材２のＬＥＤチップ１１搭載面と反対側の面（図４の下側の面）に樹脂が流れ出し、樹脂バリが発生することを抑制できる。
【００５８】
図５（ａ）〜（ｃ）は、比較例に係る樹脂封止用ダムをリードフレームにモールド成形する工程を表す断面図である。
【００５９】
まず、図５（ａ）に示されるように、リードフレーム３０をモールド金型３２ａ、３２ｂにより上下から挟む。
【００６０】
次に、図５（ｂ）に示されるように、モールド金型３２ａ、３２ｂ内に樹脂材料を流し込み、樹脂封止用ダム３１を形成する。
【００６１】
次に、図５（ｃ）に示されるように、モールド金型３２ａ、３２ｂからリードフレーム３０を外す。図中の点線は、後の工程のダイシングによる切断箇所を示している。
【００６２】
比較例においては、リードフレーム３０のＬＥＤチップ搭載面と反対側の面（図５の下側の面）に樹脂が流れ込み、樹脂封止用ダム３１の一部が形成される。このため、リードフレーム３０のＬＥＤチップ搭載面と反対側の面にも樹脂バリが発生し、樹脂バリを除去するための工程が多く必要になる。また、ＬＥＤパッケージの個片化のために、強度が高く、厚みのあるリードフレーム３０をダイシングする必要があるため、ダイシングに時間が掛かり、また、ダイシング幅を０．２ｍｍ程度確保する必要があるという欠点がある。
【００６３】
〔第２の実施の形態〕
第２の実施の形態は、ＬＥＤパッケージがフリップチップ型のＬＥＤチップを搭載する点において、第１の実施の形態と異なる。
【００６４】
図６は、第２の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの垂直断面図である。ＬＥＤパッケージ２０は、第1の実施の形態と同様の発光素子搭載用基板１と、発光素子搭載用基板１上に搭載されたＬＥＤチップ２１と、ＬＥＤチップ２１を封止する封止樹脂７と、を含む。
【００６５】
ＬＥＤチップ２１は、フリップチップ型のＬＥＤチップであり、例えば、図示しないアルミニウム等からなる底部の一対の電極が、金等からなるバンプ２２を介して底面発光素子搭載用基板１の金属膜４ａ、４ｂに接続される。
【００６６】
（実施の形態の効果）
本実施の形態によれば、発光素子搭載用基板にリードフレームを用いないため、樹脂封止用ダムの形成に伴う樹脂バリの発生がない、又はほとんどない。このため、樹脂バリの除去のための工程数の増加、及びブラスト処理等の処理による樹脂封止用ダムの表面の反射率低下を抑えることができる。
【００６７】
また、本実施の形態によれば、樹脂封止用ダムが基材の一方の面にのみ形成されるため、樹脂バリが発生する場合も、基材の一方の面にのみ発生する。このため、樹脂バリの除去が必要な場合であっても、少ない工程で除去することができる。
【００６８】
また、本実施の形態によれば、発光素子搭載用基板にリードフレームを用いないため、ＬＥＤパッケージを個片化する際のダイシング速度を向上し、かつダイシングの幅を狭くすることができる。
【００６９】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
【００７０】
また、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【符号の説明】
【００７１】
１  発光素子搭載用基板
２  基材
３  接着層
４ａ、４ｂ  金属膜
５ａ、５ｂ  埋込金属
６  樹脂封止用ダム
７  封止樹脂
９ａ、９ｂ  貫通孔
１０、２０  ＬＥＤパッケージ
１１、２１  ＬＥＤチップ
Ｒ  素子搭載領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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