(57)【要約】      （修正有）【課題】耐熱性及び電極膜の結晶性に優れ、電気機械変換素子に応用した場合に、安定した駆動特性を得ることが可能な電極基板を提供する。【解決手段】電極基板１０は基板１１、熱酸化膜１２を含む下地層上に、密着層となる非晶質のアルミナ膜１３、その上に酸化チタン膜１４及び下部金属膜１５を順次積層する。アルミナ膜１３と基板層１１との間には、酸化アルミニウム以外の酸化物及び／又は窒化化合物、特にシリコン基板より熱膨張率が大きい酸化物及び／又は窒化化合物、から成る絶縁膜を配置することが好ましい。これにより、アルミナ膜１３及びその上に形成される膜に基板１１から受けている引張り応力を低減できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を含む下地層上に、アルミナ膜、酸化チタン膜及び金属膜を順次積層した、電極基板。
【請求項２】
前記基板は、シリコン、ガラス、石英、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム及び窒化アルミニウムの群から選択される材料を含む、請求項１に記載の電極基板。
【請求項３】
前記基板は、銅、アルミニウム、鉄、ニッケル、クロム及びステンレスの群から選択される材料を含む、請求項１に記載の電極基板。
【請求項４】
前記金属膜は、白金、イリジウム、ロジウム又はこれらの合金を含む、融点が１０００℃以上の材料である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電極基板。
【請求項５】
前記酸化チタン膜は、ルチル相及び／又はアナタース相を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電極基板。
【請求項６】
前記アルミナ膜は非晶質である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電極基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電極基板上に、複合酸化物膜及び上部電極を順次積層した、前記複合酸化物膜の電気機械変換能によって発生する変位を利用して物体を駆動させる、電気機械変換素子。
【請求項８】
前記複合酸化物膜は、非鉛系複合酸化物である、請求項７に記載の電気機械変換素子。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の電気機械変換素子を含む、液滴吐出ヘッド。
【請求項１０】
請求項９に記載の液滴吐出ヘッドを含む液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極基板、電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像形成装置として使用される液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドは、電気機械変換膜を積層した電気機械変換素子を具備している。電気機械変換膜の材料としては、主に、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が使用されているが、作業の安全性や環境上の観点から、非鉛系複合酸化物材料の研究が広く行われている。
【０００３】
非鉛系複合酸化物材料としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）が知られている。例えば、非特許文献１には、非鉛系複合酸化物材料としてＢａＴｉＯ３を備え、化学的溶液析出（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；  ＣＳＤ）により形成したγ−アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）密着層及び白金（Ｐｔ）電極を有する電気機械変換素子が開示されている。非特許文献１のＰｔ電極は、ヒロックボイドなどの膜欠陥が発生しにくく、優れた耐熱性を有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、非特許文献１において、アルミナの熱膨張率は、Ｐｔの熱膨張率と１０％程度異なる。そのため、熱膨張率に起因した大きな熱応力が発生し、電気機械変換素子に応用した場合に、デバイス均一性に問題が生じることがある。また、アルミナ上に形成されたＰｔ膜の結晶品質が優れないことに起因して、安定した駆動特性を得られないことがある。
【０００５】
そこで、本発明は、耐熱性及び電極膜の結晶性に優れ、電気機械変換素子に応用した場合に、安定した駆動特性を得ることが可能な電極基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
基板を含む下地層上に、アルミナ膜、酸化チタン膜及び金属膜を順次積層した、電極基板が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
耐熱性及び電極膜の結晶性に優れ、電気機械変換素子に応用した場合に、安定した駆動特性を得ることが可能な電極基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施形態に係る電極基板の構造の例を説明するための概略断面図である。
【図２】図２は、本実施形態に係る電極基板の効果を説明するための図であって、Ｘ線回折ωスキャン半値幅（ＦＷＨＭ）値の一例である。
【図３】図３は、本実施形態に係る電極基板の構造の他の例を説明するための概略断面図である。
【図４】図４は、本実施形態に係る電極基板の構造の更に他の例を説明するための概略断面図である。
【図５】図５は、本実施形態に係る電気機械変換素子の構造の例を説明するための概略断面図である。
【図６】図６は、本実施形態に係る電気機械変換素子の構造の他の例を説明するための概略断面図である。
【図７】図７は、本実施形態に係る液滴吐出ヘッドの構造の例を説明するための概略断面図である。
【図８】図８は、本実施形態に係る液滴吐出装置を例示する概略斜視図である。
【図９】図９は、本実施形態に係る液滴吐出装置を例示する概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を用いて本発明について詳しく説明する。
【００１０】
［第１の実施形態］
図１に、本実施形態に係る電極基板の構造の例を説明するための概略断面図を示す。図１（ａ）は、本実施形態に係る電極基板の概略断面図の例であり、図１（ｂ）は、比較例に係る電極基板の概略断面図の例である。
【００１１】
図１（ａ）に示すように、本実施形態に係る電極基板１０は、下地層として、例えば、シリコン（Ｓｉ）（００１）基板１１に、熱酸化処理などにより、約６００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ２）熱酸化膜１２を形成したものなどを使用することができる。
【００１２】
基板としては、特に限定されないが、前述したシリコン以外にも、例えば、ガラス、石英、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などを使用することができる。また、銅、アルミニウム、鉄、ニッケル及びクロムの群から選択される金属又はステンレスを使用することができる。ステンレス基板を使用する場合は、前述した元素の１種類以上を含むことが好ましい。
【００１３】
形成されたＳｉＯ２熱酸化膜１２上に、ＡＬＤ（原子層堆積）法、ＣＶＤ（化学気相成長）法、ＣＳＤ（化学溶液堆積）法、スパッタ法、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法、などの方法により、例えば、約５０ｎｍのアルミナ膜１３を成膜する。本実施形態では、一例として、ＡＬＤ法でアルミナを成膜した。ＡＬＤ法又はＣＶＤ法でアルミナ膜１３を成膜する場合のプリカーサは、特に限定されず、公知のプリカーサを使用することができる。なお、通常、ＡＬＤ法で成膜されるアルミナ膜１３は、非晶質（アモルファス）膜である。
【００１４】
アルミナ膜と基板層との間には、酸化アルミニウム以外の酸化物及び／又は窒化化合物、特にシリコン基板より熱膨張率が大きい酸化物及び／又は窒化化合物、から成る絶縁膜を配置することが好ましい。これにより、アルミナ膜及びその上に形成される膜に基板から受けている引張り応力を低減できる。
【００１５】
その後、成膜されたアルミナ膜上に、酸化チタン（ＴｉＯｘ；ｘは０より大きく、２以下である）膜１４を成膜する。ＴｉＯｘ膜１４を成膜する方法としては、特に限定されないが、例えば、高周波（ＲＦ）スパッタ法により、Ｔｉ膜を例えば１０ｎｍ形成し、これを酸化処理することにより、ＴｉＯｘ膜を成膜することができる。本実施形態で成膜したＴｉＯｘ膜は、ルチル相を主相とするＴｉＯ２膜であった。ＴｉＯｘ膜の熱膨張率係数は約９．０×１０−６／Ｋであり、Ｐｔの熱膨張率係数（約８．８×１０−６／Ｋ）とほぼ同程度である。
【００１６】
その後、ＲＦスパッタ法により、例えば３００℃〜６００℃の温度領域で、例えば２００ｎｍの下部電極膜１５を形成する。下部電極膜１５としては、金属であれば特に限定されないが、通常、１０００℃以上の融点を有する金属又は該金属の合金などを使用する。好ましくは、Ｐｔ、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）及びこれらの合金を含む、融点が１０００℃以上の材料である。本実施の形態では、一例として、白金を使用した。
【００１７】
図２に、本実施形態に係る電極基板の効果を説明するための図であって、Ｐｔ膜のＸ線回折ωスキャン半値幅（ＦＷＨＭ）値の一例を示す。一例として、上述した実施形態の電極基板のＰｔ膜の半値幅値は、１．７９°であった。
【００１８】
本実施形態で得られた電極基板は、大気雰囲気下で１０００℃、１時間の熱処理を施したが、Ｐｔ膜が基板から剥離することがなく、耐熱性に優れることがわかった。
【００１９】
図１（ｂ）に、比較例となる電極基板の概略断面図の例を示す。本比較例では、Ｓｉ基板上にＴｉＯｘ膜を形成しない以外は、本発明の実施形態に係る電極基板と同様の構成である。
【００２０】
図２には、比較例の電極基板のＰｔ膜のＸ線回折ωスキャン半値幅（ＦＷＨＭ）値を参考として示している。比較例に係る電極基板のＰｔ膜の半値幅値は、８．９８°と、本実施形態と比して、大きかった。
【００２１】
上述のように、本実施形態に係る電極基板は、非晶質のアルミナ膜を使用する場合においても、電極層の結晶性に優れ、耐熱性に優れる。したがって、本実施形態に係る電極基板を電気機械変換素子に応用した場合においても、安定した駆動特性を得ることができる。
【００２２】
［第２の実施形態］
図３に、本実施形態に係る電極基板の構造の他の例を説明するための概略断面図を示す。本実施形態に係る電極基板１０は、下地層としてステンレススチール（ＳＵＳ）板１６を使用する。
【００２３】
ＳＵＳ板の上に、ＡＤ（エアロゾルデポジション）法により、α‐Ａｌ２Ｏ３膜を有する結晶性のアルミナ膜１３を成膜した。
【００２４】
その後、スパッタ法により、アナタース相を主相とする結晶性のＴｉＯｘ膜を成膜した。さらに、スパッタ法により、成膜したＴｉＯｘ膜上に、Ｐｔ−Ｒｈ合金膜を形成することにより、電極基板を作製した。
【００２５】
なお、本実施形態では、下地層として、ＳＵＳ板を使用したが、本発明はこの点において限定されず、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）又はクロム（Ｃｒ）などの金属板を使用することができる。
【００２６】
本実施形態の電極基板は、従来の電極基板と比べ、コストが低く、後述する電気機械変換素子に応用した場合においても、優れた駆動特性を有する。
【００２７】
［第３の実施形態］
図４に、本実施形態に係る電極基板の構造の更に他の例を説明するための概略断面図を示す。本実施形態に係る電極基板１０は、下地層として、例えば、Ｓｉ（００１）基板１１に、熱酸化処理などにより、約６００ｎｍのＳｉＯ２熱酸化膜１２を形成したものなどを使用する。
【００２８】
熱酸化膜１２上に、低圧化学気相成長（ＬＰ−ＣＶＤ）法により、例えば２００ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜１７及びＳｉＯ２膜１８を順次成膜する。
【００２９】
その後、ＲＦスパッタ法により、例えば５０ｎｍのアルミナ膜１３及びＴｉＯｘ膜１４及び例えば２００ｎｍのＰｔ膜を成膜する。
【００３０】
本実施形態の電極基板は、耐熱性に優れ、Ｐｔの結晶性に優れる。また、後述する電気機械変換素子に応用した場合においても、高温で結晶性に優れた電気機械変換素子を作製できる。
【００３１】
［第４の実施形態］
図５に、本実施形態に係る電気機械変換素子の構造の例を説明するための概略断面図を示す。図５に示した電気機械変換素子の例は、第３の実施形態で説明した電極基板上に、ＣＳＤ法により電気機械変換膜及び上部電極膜を堆積したものである。
【００３２】
本実施形態では、電気機械変換膜として非鉛系複合酸化物であるＢＳＴ（Ｂａ（ＳｎｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３）膜１９を堆積した。ここで、ＣＳＤ法によるＢＳＴ膜の堆積方法について、簡単に説明する。
【００３３】
ＣＳＤ法によりＢＳＴ膜を堆積する実施形態における、前駆体溶液を作製するための、出発原料、共通溶媒及び安定材などの例を表１に示す。
【００３４】
【表１】
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グリコールモノメチルエーテル（ＥＧＭＭＥ）に所定量のＢａ（ＯＥｔ）２、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）４及びＳｎ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）４を溶解させた。このとき、溶解温度は、溶媒を所定の時間還流することで、約１００〜１２４℃の範囲内とした。溶解液には、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）を添加することにより、前駆体溶液を作製した。
【００３５】
ＭＥＡの添加量は、出発原料のアルコキシド基の２〜８倍当量とすることが好ましい。また、Ｂａ（ＯＥｔ）２の溶解性を高めるため、メタノールなどの溶液を加えても良い。なお、合成した溶液の複合酸化物固形分濃度は、０．１〜０．５モル／リットルとする。
【００３６】
第３の実施形態の下部電極膜の上に、前駆体溶液をスピンコート法で成膜（回転数  ２５００ｒｐｍ、３０秒）し、その後、１２０℃、１分の乾燥の後、熱分解処理を行う。熱分解処理の温度、時間は、前駆体溶液から作製した乾燥ゲルの示唆熱熱重量同時測定（ＴＧ／ＤＴＡ測定）の結果から、当業者が適宜選択することができる。本実施形態では、４００℃、１０分の熱分解処理を行った。
【００３７】
その後、得られた膜の結晶化熱処理を行う。前述した熱分解処理後の膜は、アモルファス状であり、電歪特性を出現させるためには、通常、７００℃以上の熱処理を施す。本実施形態では、１０００℃、１時間の熱処理を施すことにより、結晶化膜を得た。
【００３８】
なお、上述の方法で堆積した結晶化膜の膜厚は５０ｎｍであった。電気機械変換素子を液滴吐出ヘッドとして使用する場合、発生力が振動板を変形させ、その変形量がインクを収容するインク室からインクを吐出する必要がある。この観点から、通常、０．５μｍ〜２μｍ前後の膜厚とすることが好ましい。そのため、上述した処理を所望の膜厚となるまで、繰り返し処理を行う。本実施形態では、上述した処理を１０回繰り返すことにより、約０．５μｍの電気機械変換膜を成膜した。
【００３９】
その後、得られたＢＳＴ電気機械変換膜の上に、ＲＦスパッタ法により、例えば１００ｎｍのＰｔ上部電極膜２０を成膜し、本実施形態の電気機械変換素子を得た。本実施形態の電気機械変換素子は、信頼性が高い、非鉛系の電気機械変換素子である。
【００４０】
［第５の実施形態］
図６に、本実施形態に係る電気機械変換素子の構造の他の例を説明するための概略断面図を示す。図６に示した電気機械変換素子の例は、第１の実施形態で説明した電極基板上に、電気機械変換膜並びに上部電極膜（及び下部電極の一部）を堆積したものである。
【００４１】
第１の実施形態で説明した電極基板上に、ＲＦスパッタ法でストロンチウムルテニウムオキサイド（ＳｒＲｕＯ３；ＳＲＯ）膜２１を成膜した。このＳＲＯ膜２１は、第１の実施形態の電極基板のＰｔ膜と合わせて、本実施形態の電気機械変換素子の下部電極膜となる。
【００４２】
次に、成膜したＳＲＯ膜上に、ＣＳＤ法により、電気機械変変換膜としてＰＺＴ膜２２を成膜した。
【００４３】
ＰＺＴ膜の成膜のための前駆体溶液を調製するための出発原料としては、酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムを使用した。なお、酢酸鉛三水和物は、メトキシエタノールに溶解後、脱水した。
【００４４】
前駆体溶液の調製は、化学量論組成に対して、鉛量を１０モル％過剰に調製した。これは、後述する熱処理中の鉛抜けによる、結晶性低下を防ぐためである。
【００４５】
イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進行させた。この溶解液に、酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液を混合することにより、ＰＺＴ前駆体溶液を調製した。なお、ＰＺＴ濃度は０．１モル／リットルとした。
【００４６】
得られたＰＺＴ前駆体溶液を、スピン装置によりＳＲＯ膜上に塗布した。一度の成膜で得る膜厚は１００ｎｍ前後とすることが好ましい。なお、前駆体濃度は、成膜面積と前駆体塗布量との関係から、当業者が適宜選択することができる。塗布したＰＺＴ前駆体溶液は、第１の加熱（溶媒乾燥）として３００℃で処理した後、５００℃で仮焼成を行う。なお、本実施形態で得られた１度の成膜でのＰＺＴ膜厚は１１０ｎｍであった。
【００４７】
上述した処理を所望の膜厚となるまで、繰り返し処理を行い、７３０℃で結晶化熱処理を行った。本実施形態では、この複数の結晶化処理を繰り返し、一例として１０００ｎｍ（１μｍ）の膜厚の電気機械変換膜を得た。
【００４８】
その後、上部電極として、一例として２００ｎｍのＳＲＯ膜２３と１００ｎｍのＰｔ膜２４をスパッタリングで成膜し、本実施形態の電気機械変換素子を得た。本実施形態の電気機械変換素子は、リーク電流が小さく、疲労耐性に優れる。
【００４９】
［第６の実施形態（液滴吐出ヘッド）］
本実施形態に係る電気機械変換素子は、液滴吐出ヘッドに応用することができる。図７に、本実施形態に係る液滴吐出ヘッドの構造の例を説明するための概略断面図を示す。なお、図７（ｂ）は、図７（ａ）の液滴吐出ヘッドを複数個配置した図である。
【００５０】
本実施形態に係る液滴吐出ヘッド３０は、液滴を吐出するノズル３１と、このノズルが連通する圧力室３２（インク流路、加圧液室、加圧室、吐出室、液室等とも称される）と、加圧室内のインクを加圧する電気機械変換素子３３と、インク流路の壁面を形成する振動板３４と、を備えている。電機機械変換素子３３は、通常、下部電極３７、電気機械変換膜（圧電薄膜）３８及び上部電極３９より形成される。
【００５１】
圧力室３２は、ノズル３１が連通し、ノズル板３５（図７中下面）と、振動板３４（図７中上面）と、圧力室板３６（図７中側面）と、から区画される。そして、振動板３４を介して、圧力室３２内の液滴を加圧するための、本実施形態に係る電気機械変換素子３３が設けられる。
【００５２】
なお、前述した第１の実施形態、第２の実施形態及び第３の実施形態における、電極基板とは、本実施形態においては、圧力室、振動板及び下部電極の一部に対応する。
【００５３】
圧力室３２は、Ｓｉ基板の一部を、後述するように裏面からエッチング除去することなどによって形成される。
【００５４】
ノズル３１は、ノズル板３５の一部に、例えば直線状に２列に並べて形成することができる。ノズル板３５は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）電鋳などによって形成したものなどを使用することができる。
【００５５】
図７に示した電気機械変換素子は、第４の実施形態又は第５の実施形態で示したデバイス構造を、ドライエッチングなどによってパターニングすることで、個別のインクジェット用アクチュエータとすることができる。
【００５６】
圧力室３２を形成するためのエッチング方法について、簡単に説明する。液滴吐出ヘッドの圧力室を作製する場合、通常、エッチングを利用してシリコン単結晶基板を加工する。エッチング方法としては、通常、異方性エッチングを使用する。異方性エッチングとは、結晶構造の面方位間でのエッチング速度の違いを利用するものである。例えば、水酸化カリウム（ＫＯＨ）などのアルカリ溶液にシリコン単結晶基板を浸漬させた場合、（１００）面に比して（１１１）面は、エッチング速度が約１／４００程度である。当業者は、所望の形状にパターニングするために、エッチング条件（エッチング溶液の種類、濃度、エッチング温度）などを適宜選択することができる。
【００５７】
その後、所定のノズル孔を有するノズル板を接合することで、本実施形態の液滴吐出ヘッドを作製することができる。
【００５８】
［第７の実施形態（液滴吐出装置）］
第６の実施形態に係る液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置の一例について、図を参照して説明する。図８に、本実施形態に係る液滴吐出装置を例示する概略斜視図を示し、図９に、本実施形態に係る液滴吐出装置を例示する概略側面図を示す。
【００５９】
液滴吐出装置８１は、主に、装置本体の内部に主走査方向に移動可能なキャリッジ９３と、キャリッジ９３に搭載した本発明を実施した液滴吐出ヘッドからなる記録ヘッド９４と、記録ヘッド９４へインクを供給するインクカートリッジ９５とで構成される印字機構部８２等を有している。液滴吐出装置８１の下方部には前方側から多数枚の用紙８３を積載可能な給紙カセット（或いは給紙トレイでもよい。）８４を抜き差し自在に装着することができ、また、用紙８３を手差しで給紙するための手差しトレイ８５を開倒することができ、給紙カセット８４或いは手差しトレイ８５から給送される用紙８３を取り込み、印字機構部８２によって所要の画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ８６に排紙する。
【００６０】
印字機構部８２は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド９１と従ガイドロッド９２とでキャリッジ９３を主走査方向に摺動自在に保持し、このキャリッジ９３にはイエロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、ブラック（Ｂｋ）の各色のインク滴を吐出する本発明に係るインクジェットヘッドからなる記録ヘッド９４を、複数のインク吐出口（ノズル）を主走査方向と交差する方向に配列し、インク滴吐出方向を下方に向けて装着している。またキャリッジ９３には記録ヘッド９４に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ９５を交換可能に装着している。
【００６１】
インクカートリッジ９５は上方に大気と連通する図示しない大気口、下方にはインクジェットヘッドへインクを供給する図示しない供給口を、内部にはインクが充填された図示しない多孔質体を有しており、該多孔質体の毛管力によりインクジェットヘッドへ供給されるインクをわずかな負圧に維持している。また、記録ヘッドとしてここでは各色のヘッド９４を用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する１個のヘッドでもよい。
【００６２】
キャリッジ９３は後方側（用紙搬送方向下流側）を主ガイドロッド９１に摺動自在に嵌装し、前方側（用紙搬送方向上流側）を従ガイドロッド９２に摺動自在に載置している。そして、このキャリッジ９３を主走査方向に移動走査するため、主走査モータ９７で回転駆動される駆動プーリ９８と従動プーリ９９との間にタイミングベルト１００を張装している。タイミングベルト１００はキャリッジ９３に固定しており、主走査モーター９７の正逆回転によりキャリッジ９３が往復駆動される。
【００６３】
一方、給紙カセット８４にセットした用紙８３を記録ヘッド９４の下方側に搬送するために、給紙カセット８４から用紙８３を分離給装する給紙ローラ１０１及びフリクションパッド１０２と、用紙８３を案内するガイド部材１０３と、給紙された用紙８３を反転させて搬送する搬送ローラ１０４と、この搬送ローラ１０４の周面に押し付けられる搬送コロ１０５及び搬送ローラ１０４からの用紙８３の送り出し角度を規定する先端コロ１０６とを設けている。搬送ローラ１０４は副走査モータ１０７によってギヤ列を介して回転駆動される。
【００６４】
そして、キャリッジ９３の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラ１０４から送り出された用紙８３を記録ヘッド９４の下方側で案内する用紙ガイド部材である印写受け部材１０９を設けている。この印写受け部材１０９の用紙搬送方向下流側には、用紙８３を排紙方向へ送り出すために回転駆動される搬送コロ１１１、拍車１１２を設け、さらに用紙８３を排紙トレイ８６に送り出す排紙ローラ１１３及び拍車１１４と、排紙経路を形成するガイド部材１１５，１１６とを配設している。
【００６５】
記録時には、キャリッジ９３を移動させながら画像信号に応じて記録ヘッド９４を駆動することにより、停止している用紙８３にインクを吐出して１行分を記録し、用紙８３を所定量搬送後次の行の記録を行う。記録終了信号または、用紙８３の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ用紙８３を排紙する。
【００６６】
キャリッジ９３の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、ヘッド９４の吐出不良を回復するための回復装置１１７を配置している。回復装置１１７はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段を有している。キャリッジ９３は印字待機中にはこの回復装置１１７側に移動されてキャッピング手段でヘッド９４をキャッピングされ、吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。また、記録途中などに記録と関係しないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出性能を維持する。
【００６７】
吐出不良が発生した場合等には、キャッピング手段でヘッド９４の吐出口（ノズル）を密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともに気泡等を吸い出し、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復される。
また、吸引されたインクは、本体下部に設置された図示しない廃インク溜に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。
【００６８】
本実施形態に係る液滴吐出装置は、振動板駆動不良による液滴吐出不良が少なく、安定した液滴吐出特性が得られる。
【符号の説明】
【００６９】
１０    電極基板
１１    下地層
１２    熱酸化膜
１３    アルミナ膜
１４    酸化チタン膜
３１    ノズル
３２    加圧室
３３    電気機械変換素子
３４  振動板
３５  ノズル板
３６    圧力室板
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００７０】
【非特許文献１】"Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｓｔａｂｉｌｉｔｙ  ｏｆ  ｐｌａｔｉｎｉｚｅｄ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ  ｕｓｉｎｇ  ａｎ  ｕｎｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ  ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ  ｂｙ  ＣＳＤ  ｆｏｒ  ｈｉｇｈ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ"，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ａ：  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ＆  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，８７，７０５（２００７）．
【図１】
2013219235.tif 000004
【図２】
2013219235.tif 000005
【図３】
2013219235.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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