(57)【要約】【課題】能動層の特性を一層向上させ得る構成、構造を有する電子デバイスを提供する。【解決手段】電子デバイスは、電極構造１１，１４、絶縁層１２及び能動層１３を備えており、能動層１３は有機半導体材料、好ましくはＰＸＸ系化合物から成り、能動層１３と接する絶縁層１２Ｂは、環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成る。【選択図】  図１
2013219172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極構造、絶縁層及び能動層を備えた電子デバイスであって、
能動層は、有機半導体材料から成り、
能動層と接する絶縁層は、環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成る電子デバイス。
【請求項２】
絶縁層は、第１絶縁層と第２絶縁層が積層されて成り、
第２絶縁層が、環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成る請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
電子デバイスは、３端子型の半導体装置から構成されており、
電極構造は、ゲート電極、及び、ソース／ドレイン電極から構成され、
能動層は、チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を構成し、
絶縁層は、ゲート絶縁層を構成する請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
ゲート電極、ゲート絶縁層及びチャネル形成領域が、下から、この順に積層されており、
ソース／ドレイン電極は、チャネル形成領域延在部の上に形成されている請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
（Ａ）基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う第１絶縁層を形成した後、
（Ｂ）第１絶縁層上に有機絶縁材料から成る第２絶縁層を形成し、次いで、
（Ｃ）第２絶縁層上に、有機半導体材料を溶剤に溶解した有機材料溶液層を形成した後、乾燥することで、有機半導体材料層を形成する、
各工程を少なくとも備えた電子デバイスの製造方法であって、
有機絶縁材料は環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成り、
第２絶縁層上に有機材料溶液層を形成したとき、有機材料溶液層に含まれる溶剤によって第２絶縁層の表面が溶解されることにより、第２絶縁層と有機材料溶液層との界面において有機絶縁材料と有機半導体材料とは混じり合い、
有機材料溶液層を乾燥したとき、第２絶縁層と有機半導体材料層とは分離する電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
（Ａ）基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う第１絶縁層を形成した後、
（Ｂ）第１絶縁層上に、有機絶縁材料及び有機半導体材料を溶剤に溶解した有機材料溶液層を形成し、次いで、有機材料溶液層を乾燥することで、有機絶縁材料から成る第２絶縁層、及び、有機半導体材料から成る有機半導体材料層の積層構造体を得る、
各工程を少なくとも備えた電子デバイスの製造方法であって、
有機絶縁材料は環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成り、
有機材料溶液層を乾燥したとき、第２絶縁層と有機半導体材料層とは分離する電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
有機半導体材料層を形成した後、有機半導体材料層上に第１電極及び第２電極を形成する工程を更に備えている請求項５又は請求項６に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
画像表示部、及び、画像表示部における画像の表示を制御する制御部を備えており、
制御部は、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイスを備えている画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子デバイス及びその製造方法並びに画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、多くの電子機器に用いられている薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor，ＴＦＴ）を含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は、例えば、シリコン半導体基板あるいはシリコン半導体材料層といった基材に形成されたチャネル形成領域及びソース／ドレイン電極、基材の表面に形成されたＳｉＯ2から成るゲート絶縁層、並びに、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域に対向して設けられたゲート電極から構成されている。尚、このような構成のＦＥＴを、便宜上、トップゲート型ＦＥＴと呼ぶ。あるいは又、基体上に形成されたゲート電極、ゲート電極上を含む基体上に形成されたＳｉＯ2から成るゲート絶縁層、並びに、ゲート絶縁層上に形成されたチャネル形成領域及びソース／ドレイン電極から構成されている。尚、このような構成のＦＥＴを、便宜上、ボトムゲート型ＦＥＴと呼ぶ。そして、これらの構造を有する電界効果トランジスタの作製には、非常に高価な半導体製造装置が使用されており、製造コストの低減が強く要望されている。
【０００３】
そうした中、最近、有機半導体材料から成る能動層を備えた電子デバイスの開発が精力的に行われており、その中でも、有機トランジスタ等の有機エレクトロニクスデバイス（以下、単に、有機デバイスと略称する場合がある）が注目を浴びている。これらの有機デバイスの最終的な目標として、低コスト、軽量、可撓性、高性能を挙げることができる。有機半導体材料は、シリコンを中心とする無機材料と比較して、
（１）低温で、簡易なプロセスにて、大面積の有機デバイスを低コストで製造することができる。
（２）可撓性を有する有機デバイスを製造することが可能である。
（３）有機半導体材料を構成する分子を所望の形態に修飾することで、有機デバイスの性能や物性を制御することができる。
といった種々の利点を有している。
【０００４】
有機半導体材料から成る能動層は、屡々、絶縁材料層上に形成される。そして、この場合、通常、先ず、絶縁材料層を形成し、その後、絶縁材料層上に有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで能動層を形成する。有機半導体材料溶液の塗布には、屡々、スピンコーティング法が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００７−５３８３８１
【特許文献２】特表２００８−５３５２１８
【特許文献３】特開２００９−１７７１３６
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】T. Ohe et.al., App. Phys. Lett. 93, 053303, 2008
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、有機トランジスタの特性向上のために、絶縁材料層と能動層との間にポリスチレン系樹脂を主成分とする表面改質層を形成する技術が、例えば、特表２００７−５３８３８１や特表２００８−５３５２１８から周知である。また、このような層構造の形成方法として絶縁材料層を構成する材料と有機半導体材料を同時に溶剤中に溶解し、係る溶液を塗布し、乾燥中に自発的な相分離を発現させ、絶縁材料層と能動層の２層構造を形成する技術が、例えば、特開２００９−１７７１３６や T. Ohe et. al., App. Phys. Lett. 93, 053303, 2008 から周知である。しかしながら、これらに示されているポリスチレン系樹脂はガラス転移温度Ｔgが１００゜Ｃ程度と低く、電子デバイスの熱的信頼性を低下させる要因となるし、機械的性質（形状安定性）も悪い。また、これらに示されている電子デバイスはボトムコンタクト型の構造をとっており、信頼性に乏しいため、実用化が難しい。
【０００８】
従って、本開示の第１の目的は、能動層の特性を一層向上させ得る構成、構造を有する電子デバイス、及び、係る電子デバイスを備えた画像表示装置を提供することにある。また、本開示の第２の目的は、第１の目的に加え、有機絶縁材料層と有機半導体材料層の積層構造を有し、有機絶縁材料層と有機半導体材料層との界面が高い平滑性を有し、これらの層が、高い膜厚精度を有し、しかも、確実に相分離した状態にある電子デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の第１の目的を達成するための本開示の電子デバイスは、電極構造、絶縁層及び能動層を備えた電子デバイスであって、
能動層は、有機半導体材料から成り、
能動層と接する絶縁層は、環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成る。
【００１０】
上記の第２の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る電子デバイスの製造方法は、
（Ａ）基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う第１絶縁層を形成した後、
（Ｂ）第１絶縁層上に有機絶縁材料から成る第２絶縁層を形成し、次いで、
（Ｃ）第２絶縁層上に、有機半導体材料を溶剤に溶解した有機材料溶液層を形成した後、乾燥することで、有機半導体材料層を形成する、
各工程を少なくとも備えた電子デバイスの製造方法であって、
有機絶縁材料は環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成り、
第２絶縁層上に有機材料溶液層を形成したとき、有機材料溶液層に含まれる溶剤によって第２絶縁層の表面が溶解されることにより、第２絶縁層と有機材料溶液層との界面において有機絶縁材料と有機半導体材料とは混じり合い、
有機材料溶液層を乾燥したとき、第２絶縁層と有機半導体材料層とは分離する。
【００１１】
上記の第２の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る電子デバイスの製造方法は、
（Ａ）基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う第１絶縁層を形成した後、
（Ｂ）第１絶縁層上に、有機絶縁材料及び有機半導体材料を溶剤に溶解した有機材料溶液層を形成し、次いで、有機材料溶液層を乾燥することで、有機絶縁材料から成る第２絶縁層、及び、有機半導体材料から成る有機半導体材料層の積層構造体を得る、
各工程を少なくとも備えた電子デバイスの製造方法であって、
有機絶縁材料は環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成り、
有機材料溶液層を乾燥したとき、第２絶縁層と有機半導体材料層とは分離する。
【００１２】
上記の第１の目的を達成するための本開示の画像表示装置は、画像表示部、及び、画像表示部における画像の表示を制御する制御部を備えており、
制御部は、本開示の電子デバイスを備えている。
【発明の効果】
【００１３】
本開示の電子デバイス、その製造方法、本開示の画像表示装置にあっては、有機半導体材料から成る能動層と接して、環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成る絶縁層が形成されている。環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーは、従来の技術で表面改質層に用いられるポリスチレン系樹脂よりも高いガラス転移温度Ｔgを有する。従って、電子デバイスの製造工程における熱プロセスによって問題が生じ難く、電子デバイスに高い熱的信頼性を与えることができるし、機械的性質（形状安定性）も良い。しかも、電子デバイスの特性向上を図ることができるが、これは、能動層と絶縁層との界面に環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーが存在するが故に、界面におけるキャリアのトラップ密度が低減するためと推定される。
【００１４】
また、本開示の第１の態様に係る電子デバイスの製造方法にあっては、第２絶縁層（有機絶縁材料層）上に有機材料溶液層を形成したとき、有機材料溶液層に含まれる溶剤によって第２絶縁層の表面が溶解されることにより、第２絶縁層と有機材料溶液層との界面において有機絶縁材料と有機半導体材料とは混じり合い、界面から離れた領域にあっては有機絶縁材料と有機半導体材料とは混じり合うことが無く、有機材料溶液層を乾燥したとき、第２絶縁層と有機半導体材料層とは分離する。本開示の第２の態様に係る電子デバイスの製造方法にあっては、有機材料溶液層を乾燥したとき、第２絶縁層と有機半導体材料層とは分離する。従って、第２絶縁層と有機半導体材料層との界面は高い平滑性を有し、且つ、これらの層は、高い膜厚精度を有し、しかも、確実に相分離した状態にあるし、有機半導体材料層が形成される前に第２絶縁層が汚染されることもない。それ故、特性バラツキの少ない、優れた性能を有する電子デバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１の（Ａ）〜（Ｅ）は、実施例１の３端子型の電子デバイス（ボトムゲート・トップコンタクト型の半導体装置）の製造方法（本開示の第１の態様に係る電子デバイスの製造方法）を説明するための、基体等の模式的な一部端面図である。
【図２】図２の（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例２の３端子型の電子デバイス（ボトムゲート・トップコンタクト型の半導体装置）の製造方法（本開示の第２の態様に係る電子デバイスの製造方法）を説明するための、基体等の模式的な一部端面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の電子デバイス及びその製造方法、本開示の画像表示装置、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の電子デバイス、画像表示装置、及び、本開示の第１の態様に係る電子デバイスの製造方法）
３．実施例２（本開示の第２の態様に係る電子デバイスの製造方法）、その他
【００１７】
［本開示の電子デバイス及びその製造方法、本開示の画像表示装置、全般に関する説明］
本開示の第１の態様〜第２の態様に係る電子デバイスの製造方法にあっては、有機半導体材料層を形成した後、有機半導体材料層上に第１電極及び第２電極を形成する工程を更に備えている形態とすることができる。
【００１８】
また、本開示の電子デバイス、あるいは、本開示の画像表示装置における電子デバイスにおいて、
絶縁層は、第１絶縁層と第２絶縁層が積層されて成り、
第２絶縁層が、環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成る構成とすることが、電子デバイスの特性向上といった観点から好ましい。
【００１９】
このように、電子デバイスが３端子型の半導体装置から構成されている場合、
電極構造は、ゲート電極、及び、ソース／ドレイン電極から構成され、
能動層は、チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を構成し、
絶縁層は、ゲート絶縁層を構成する。尚、ゲート電極が制御電極に相当し、ソース／ドレイン電極が第１電極及び第２電極に相当する。そして、この場合、
ゲート電極、ゲート絶縁層及びチャネル形成領域が、下から、この順に積層されており、
ソース／ドレイン電極は、チャネル形成領域延在部の上に形成されている形態とすることができる。即ち、ボトムゲート・トップコンタクト型の半導体装置とすることができる。
【００２０】
より具体的には、電子デバイスをボトムゲート・トップコンタクト型のＴＦＴとする場合、
制御電極によって、基体上あるいは基体に形成されたゲート電極が構成され、
絶縁層によって、ゲート電極及び基体上に形成されたゲート絶縁層が構成され、
能動層によって、ゲート絶縁層上に形成されたチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部が構成され、
第１電極及び第２電極によって、チャネル形成領域延在部上に形成された一対のソース／ドレイン電極が構成される。ここで、電極構造は、制御電極（ゲート電極）、及び、第１電極及び第２電極（一対のソース／ドレイン電極）から構成される。
【００２１】
本開示の第１の態様に係る電子デバイスの製造方法、あるいは又、後述する電子デバイスにおける好ましい形態において、第２絶縁層上に有機材料溶液層を形成したときの第２絶縁層が溶剤に溶解する速度は、０ｎｍ／分を超え、５０ｎｍ／分以下である構成とすることが望ましい。
【００２２】
本開示の電子デバイス、あるいは、本開示の画像表示装置における電子デバイスにあっては、
絶縁層と能動層との界面において、有機絶縁材料と有機半導体材料とは混じり合っておらず、絶縁層と能動層とは分離している構成とすることが望ましく、この場合、
第２絶縁層（絶縁層あるいは有機絶縁材料層を構成する層）上に、有機半導体材料（能動層あるいは有機半導体材料層を構成する材料）を溶剤に溶解した有機材料溶液層を形成することで、有機材料溶液層に含まれる溶剤によって第２絶縁層の表面が溶解されることにより、第２絶縁層と有機材料溶液層との界面において有機絶縁材料と有機半導体材料とは混じり合い、
有機材料溶液層を乾燥したとき、第２絶縁層と有機半導体材料層とは分離する形態とすることが好ましく、あるいは又、この場合、
有機絶縁材料及び有機半導体材料を溶解した有機材料溶液層を形成し、次いで、有機材料溶液層を乾燥することで、第２絶縁層（絶縁層あるいは有機絶縁材料層を構成する層）と有機半導体材料層（能動層を構成する層）とは分離する形態とすることが好ましい。
【００２３】
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の電子デバイス、本開示の画像表示装置における電子デバイス、あるいは、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る電子デバイスの製造方法（以下、これらを総称して、単に、『本開示』と呼ぶ場合がある）において、有機材料溶液層に含まれる溶剤によって第２絶縁層の表面が溶解される場合、第２絶縁層が溶解される深さは、限定するものではないが、第２絶縁層の表面から１×１０-9ｍ乃至１×１０-8ｍであることが好ましい。
【００２４】
本開示において、有機半導体材料として、例えば、ポリピロール及びその置換体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリイソチアナフテン等のイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレン等のチェニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等のポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポリアニリン及びその誘導体、ポリアセチレン類、ポリジアセチレン類、ポリアズレン類、ポリピレン類、ポリカルバゾール類、ポリセレノフェン類、ポリフラン類、ポリ（ｐ−フェニレン）類、ポリインドール類、ポリピリダジン類、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド等のポリマー及び多環縮合体等を挙げることができる。あるいは又、これらのポリマーと同じ繰返し単位を有するオリゴマー類を挙げることもできる。また、ナフタセン、ペンタセン［２，３，６，７−ジベンゾアントラセン］及びその誘導体、アントラジチオフェン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン等のアセン類及びアセン類の炭素の一部をＮ、Ｓ、Ｏ等の原子、カルボニル基等の官能基で置換した誘導体（ペリキサンテノキサンテン及びその誘導体を含むジオキサアンタントレン系化合物、トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−６，１５−キノン等）、及び、これらの水素を他の官能基で置換した誘導体を挙げることができる。更には、銅フタロシアニンで代表される金属フタロシアニン類、テトラチアペンタレン及びその誘導体、ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−トリフルオロメチルベンジル）ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチルナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン２，３，６，７テトラカルボン酸ジイミド等のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類、アントラセン２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミド等のアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類等の縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン類及びこれらの誘導体、ＳＷＮＴ等のカーボンナノチューブ、メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類等の色素とこれらの誘導体等を挙げることもできる。あるいは又、有機半導体材料として、ポリチオフェンにヘキシル基を導入したポリ−３−ヘキシルチオフェン［Ｐ３ＨＴ］、ポリアントラセン、トリフェニレン、ポリテルロフェン、ポリナフタレン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］、キナクリドンを挙げることができる。あるいは又、有機半導体材料として、縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系誘導体、フェニルビニリデン系の共役系オリゴマー、及び、チオフェン系の共役系オリゴマーから成る群から選択された化合物を挙げることができる。具体的には、例えば、アセン系分子（ペンタセン、テトラセン等）といった縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系分子、共役系オリゴマー（フェニルビニリデン系やチオフェン系）を挙げることができる。あるいは又、有機半導体材料として、例えば、ポルフィリン、４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’−ジイソシアノビフェニル、４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、２，５−ビス（５’−チオアセトキシル−２’−チオフェニル）チオフェン、４，４’−ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）及びその誘導体、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、デンドリマー、１，４−ジ（４−チオフェニルエチニル）−２−エチルベンゼン、２，２”−ジヒドロキシ−１，１’：４’，１”−テルフェニル、４，４’−ビフェニルジエタナール、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−ビフェニルジイソシアネート、１，４−ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル−４，４’−ジカルボキシレート、ベンゾ［１，２−ｃ；３，４−ｃ’；５，６−ｃ”］トリス［１，２］ジチオール−１，４，７−トリチオン、α−セキシチオフェン、テトラチアテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−チオフェン−β−エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ−アルキルピロール）ポリ（３−アルキルピロール）、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）を例示することができる。
【００２５】
また、絶縁層（第２絶縁層、有機絶縁材料層、有機絶縁材料）を構成する環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーとして、具体的には、ＴＯＰＡＳ（Topas Advanced Polymers GmbH 社製、登録商標）、ＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ株式会社製、登録商標）、ＺＥＯＮＯＲ（日本ゼオン株式会社製、登録商標）を挙げることができる。尚、これらの材料のガラス転移温度Ｔgを以下に例示する。
【００２６】
ＴＯＰＡＳ  ：約１６５゜Ｃ
ＡＲＴＯＮ  ：約１６５゜Ｃ
ＺＥＯＮＯＲ：約１６３゜Ｃ
【００２７】
有機材料溶液層に含まれる溶剤は、有機絶縁材料あるいは有機半導体材料を、適切に、所望の濃度に溶解し得る溶剤から、適宜、選択すればよい。
【００２８】
尚、本開示において、より好ましい有機半導体材料として、ペリキサンテノキサンテン系化合物（ＰＸＸ系化合物）を挙げることができる。また、より好ましい溶剤として、トルエン、キシレン等の芳香族系有機溶剤、シクロペンタノン等のケトン系溶剤、ＰＧＭＥＡ等のエーテル系溶剤を挙げることができる。
【００２９】
本開示における第１絶縁層は、単層であってもよいし、多層であってもよい。第１絶縁層を構成する材料として、酸化ケイ素系材料、窒化ケイ素（ＳｉＮY）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）や酸化チタン、ＨｆＯ2等の金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料だけでなく、熱硬化型樹脂、例えば、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、シンナメート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリパラキシリレン樹脂を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。ここで、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯX）、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯ2系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。尚、第１絶縁層の形成方法として、後述する塗布法、後述する物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）以外にも、リフト・オフ法、ゾル−ゲル法、電着法、及び、シャドウマスク法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。第１絶縁層上に有機絶縁材料から成る第２絶縁層を形成する際、あるいは又、第１絶縁層上に有機材料溶液層を形成する際、第１絶縁層の表面が溶解されることの無い材料から第１絶縁層を構成することが好ましい。
【００３０】
本開示の第１の態様あるいは本開示の第２の態様に係る電子デバイスの製造方法における有機材料溶液層の形成方法として、塗布法を挙げることができる。ここで、塗布法として、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、反転オフセット印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷、フレキソ印刷、マイクロコンタクト法といった各種印刷法；スピンコート法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、キャスティング法、キャピラリーコーター法、バーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法；スプレー法；ディスペンサーを用いる方法：スタンプ法といった、液状材料を塗布する方法を挙げることができる。第２絶縁層や有機半導体材料層は、必要に応じて、例えば、ウェットエッチング法やドライエッチング法、レーザアブレーション法等の周知の方法に基づきパターニングしてもよい。そして、この場合、パターニングされた第２絶縁層や有機半導体材料層をパッシベーション膜で被覆することが好ましい。
【００３１】
本開示の第１の態様に係る電子デバイスの製造方法における第２絶縁層の形成方法として、上述した塗布法以外にも、第２絶縁層を構成する材料に依存するが、抵抗加熱蒸着法やスパッタリング法、真空蒸着法を含む後述する各種のＰＶＤ法、各種のＣＶＤ法を挙げることができる。
【００３２】
本開示において、基体は、酸化ケイ素系材料（例えば、ＳｉＯXやスピンオンガラス（ＳＯＧ））；窒化ケイ素（ＳｉＮY）；酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）やＨｆＯ2等の金属酸化物高誘電絶縁膜から構成することができる。基体をこれらの材料から構成する場合、基体を、以下に挙げる材料から適宜選択された支持部材上に（あるいは支持部材の上方に）形成すればよい。即ち、支持部材として、あるいは又、上述した基体以外の基体として、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチルエーテルケトン、ポリオレフィンに例示される有機ポリマーから構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板を挙げることができ、あるいは又、雲母を挙げることができる。このような可撓性を有する有機ポリマー、高分子材料から構成された基体を使用すれば、例えば曲面形状を有するディスプレイ装置や電子機器への電子デバイスの組込みあるいは一体化が可能となる。あるいは又、基体として、各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス鋼、アルミニウム、ニッケル等の各種合金や各種金属から成る金属基板、金属箔、紙を挙げることができる。電気絶縁性の支持部材としては、以上に説明した材料から適切な材料を選択すればよい。支持部材として、その他、導電性基板（金やアルミニウム等の金属から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板、ステンレス鋼基板等）を挙げることができる。また、電子デバイスの構成、構造によっては、電子デバイスが支持部材上に設けられているが、この支持部材も上述した材料から構成することができる。これらの基体の上に、密着性や平坦性を改善するためのバッファー層やガスバリア性を向上させるためのバリア膜等の機能性膜を形成してもよい。
【００３３】
制御電極、第１電極及び第２電極を構成する材料として、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ルテニウム（Ｒｈ）、ルビジウム（Ｒｂ）等の金属、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子、不純物を含有したポリシリコン等の導電性物質を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。更には、制御電極、第１電極及び第２電極を構成する材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］やＴＴＦ−ＴＣＮＱ、ポリアニリンといった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。制御電極、第１電極及び第２電極を構成する材料は、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【００３４】
制御電極、第１電極及び第２電極の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、上述した各種の塗布法、各種のＰＶＤ法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）、アーク放電法、ＭＯＣＶＤ法を含む各種のＣＶＤ法、リフト・オフ法、シャドウマスク法、及び、電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。尚、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着、ルツボを加熱する方法等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、（ｄ）ＤＣ（direct current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。制御電極、第１電極及び第２電極をエッチング方法に基づき形成する場合、ドライエッチング法やウェットエッチング法を採用すればよく、ドライエッチング法として、例えば、イオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を挙げることができる。また、制御電極、第１電極及び第２電極を、レーザアブレーション法、マスク蒸着法、レーザ転写法等に基づき形成することもできる。
【００３５】
本開示の電子デバイスを組み込む装置の一例として、限定するものではないが、画像表示装置を例示することができる。ここで、画像表示装置として、所謂デスクトップ型のパーソナルコンピュータ、ノートブック型のパーソナルコンピュータ、モバイル型のパーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（パーソナル・デジタル・アシスト）、携帯電話、ゲーム機、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、コピー機、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、電卓、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰ等における各種画像表示装置（例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置、電気泳動表示装置、冷陰極電界放出表示装置等）を挙げることができる。また、各種照明装置を挙げることもできる。
【００３６】
本開示の電子デバイスを、ディスプレイ装置や各種の電子機器に適用、使用する場合、支持部材に多数の電子デバイスを集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイスを切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。また、電子デバイスを樹脂にて封止してもよい。
【実施例１】
【００３７】
実施例１は、本開示の電子デバイス、具体的には、３端子型の電子デバイス（ボトムゲート・トップコンタクト型の半導体装置）及び画像表示装置に関し、また、実施例１は、本開示の第１の態様に係る電子デバイスの製造方法、画像表示装置の製造方法に関する。
【００３８】
実施例１あるいは後述する実施例２の電子デバイスは、電極構造、絶縁層及び能動層を備えており、能動層は有機半導体材料から成り、能動層と接する絶縁層は環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成る。
【００３９】
尚、以下においては、「制御電極」の代わりに「ゲート電極」という用語を用いて説明を行い、「能動層」、「有機半導体材料層」の代わりに「チャネル形成領域及び／又はチャネル形成領域延在部」という用語を用いて説明を行い、「第１電極及び第２電極」の代わりに「ソース／ドレイン電極」という用語を用いて説明を行い、「絶縁層」、「第２絶縁層」、「有機絶縁材料層」の代わりに「第２ゲート絶縁層」という用語を用いて説明を行い、「第１絶縁層」の代わりに「第１ゲート絶縁層」という用語を用いて説明を行う場合がある。
【００４０】
ここで、実施例１あるいは後述する実施例２の電子デバイスは、３端子型の半導体装置から構成されている。そして、電極構造は、ゲート電極１１、及び、ソース／ドレイン電極１４から構成されており、能動層１３は、チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂを構成し、絶縁層は、第２ゲート絶縁層１２Ｂを構成する。尚、ゲート電極１１が制御電極に相当し、ソース／ドレイン電極１４が第１電極及び第２電極に相当する。
【００４１】
そして、実施例１の電子デバイスにあっては、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２及びチャネル形成領域１３Ａが、下から（基体側から）、この順に積層されており、ソース／ドレイン電極１４はチャネル形成領域延在部１３Ｂ上に形成されており、ボトムゲート・トップコンタクト型の半導体装置を構成する。
【００４２】
より具体的には、実施例１の電子デバイスにあっては、
制御電極によって、基体１０上に形成されたゲート電極１１が構成され、
絶縁層によって、ゲート電極及び基体上に形成されたゲート絶縁層（より具体的には、第２ゲート絶縁層）１２Ｂが構成され、
能動層１３によって、ゲート絶縁層１２上に形成されたチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂが構成され、
第１電極及び第２電極によって、チャネル形成領域延在部１３Ｂ上に形成された一対のソース／ドレイン電極１４が構成される。尚、ゲート絶縁層（絶縁層）は、ゲート電極側から第１ゲート絶縁層（第１絶縁層）１２Ａ及び第２ゲート絶縁層（第２絶縁層）１２Ｂの積層構造を有する。
【００４３】
実施例１において、能動層１３（有機半導体材料層、チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ）を構成する有機半導体材料は、具体的には、ペリキサンテノキサンテン（ＰＸＸ，6,12-dioxaanthanthrene）の誘導体、より具体的には、エチルフェニル−ＰＸＸから成り、溶剤としてトルエンを使用する。また、絶縁層（有機絶縁材料層、第２絶縁層、第２ゲート絶縁層）１２Ｂを構成する有機絶縁材料である環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーは、具体的には、ＴＯＰＡＳから成り、溶剤としてキシレンを使用する。尚、有機半導体材料を溶剤に溶解した溶液を『有機半導体材料溶液』と呼ぶ場合があるし、有機絶縁材料を溶剤に溶解した溶液を『絶縁材料溶液』と呼ぶ場合がある。以下においても同様である。
【００４４】
以下、基体等の模式的な一部端面図である図１の（Ａ）〜（Ｅ）を参照して、実施例１の３端子型の電子デバイス（ボトムゲート・トップコンタクト型の半導体装置）の製造方法を説明する。
【００４５】
先ず、表面にＳｉＯ2から成る絶縁膜１０Ｂが形成されたガラス基板１０Ａから成る基体１０上に、ゲート電極１１、及び、ゲート電極１１を覆う第１ゲート絶縁層１２Ａを形成する。
【００４６】
［工程−１００］
具体的には、ガラス基板１０Ａの表面に形成されたＳｉＯ2から成る絶縁膜１０Ｂ上に、ゲート電極１１を形成すべき部分が除去されたレジスト層（図示せず）を、リソグラフィ技術に基づき形成する。その後、密着層としてのチタン（Ｔｉ）層（図示せず）、及び、ゲート電極１１としての金（Ａｕ）層を、順次、真空蒸着法にて全面に成膜し、その後、レジスト層を除去する。こうして、所謂リフト・オフ法に基づき、ゲート電極１１を得ることができる。尚、ガラス基板１０Ａの表面に形成されたＳｉＯ2から成る絶縁膜１０Ｂ上に、印刷法に基づきゲート電極１１を形成することもできる。
【００４７】
［工程−１１０］
次いで、基体１０及びゲート電極１１の上に、ＳｉＯ2から成る第１ゲート絶縁層１２Ａをスパッタリング法に基づき形成する。こうして、図１の（Ａ）に示す構造を得ることができる。
【００４８】
［工程−１２０］
その後、第１ゲート絶縁層１２Ａ上に、有機絶縁材料から成る第２ゲート絶縁層１２Ｂを形成する。具体的には、第１ゲート絶縁層１２上に、絶縁材料溶液をスリットコーター法に基づき成膜し、１４０゜Ｃにて乾燥することで、厚さ２０ｎｍの第２ゲート絶縁層１２Ｂを形成することができる。こうして、図１の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。
【００４９】
［工程−１３０］
次いで、第２ゲート絶縁層１２Ｂ上に、有機半導体材料溶液１１３をスリットコーター法により成膜し、１４０゜Ｃにて乾燥することで、チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂを形成することができる。こうして、図１の（Ｄ）に示す構造を得ることができる。ここで、第２ゲート絶縁層１２Ｂ上に有機半導体材料溶液１１３を成膜したとき、有機材料溶液層に含まれる溶剤によって第２絶縁層１２Ｂの表面が溶解されることにより、第２絶縁層１２Ｂと有機材料溶液層との界面において有機絶縁材料と有機半導体材料とが混じり合い（図１の（Ｃ）においては、参照番号１１３’で示す）、有機材料溶液層を乾燥したとき、第２ゲート絶縁層１２Ｂとチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂとは分離する(図１の（Ｄ）参照）。
【００５０】
［工程−１４０］
その後、チャネル形成領域延在部１３Ｂ上に、ソース／ドレイン電極１４を形成する。具体的には、厚さ１００ｎｍの金（Ａｕ）層から成るソース／ドレイン電極１４を、真空蒸着法に基づき形成する（図１の（Ｅ）参照）。ソース／ドレイン電極１４の成膜を行う際、チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂの一部をハードマスクで覆うことによって、ソース／ドレイン電極１４をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。尚、印刷法に基づきソース／ドレイン電極１４を形成することもできる。
【００５１】
［工程−１５０］
例えば、画像表示装置の製造にあっては、この工程に引き続き、こうして得られた、画像表示装置の制御部（画素駆動回路）を構成する電子デバイスであるＴＦＴの上あるいは上方に、画像表示部（具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子あるいは電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子等から成る画像表示部）を、周知の方法に基づき形成することで、画像表示装置を製造することができる。ここで、こうして得られた、画像表示装置の制御部（画素駆動回路）を構成する電子デバイスと、画像表示部における電極（例えば、画素電極）とを、例えば、コンタクトホールや配線といった接続部で接続すればよい。以下に説明する実施例２においても、電子デバイスの製造の完了後、同様の工程を経ることで画像表示装置を得ることができる。
【００５２】
あるいは又、全面にパッシベーション膜（図示せず）を形成する。こうして、ボトムゲート・トップコンタクト型の半導体装置（ＦＥＴ、具体的には、ＴＦＴ）を得ることができる。あるいは又、チャネル形成領域延在部１３Ｂ及び第２ゲート絶縁層１２Ｂをパターニングした後、全面にパッシベーション膜（図示せず）を形成してもよく、これによって、能動層１３及び第２ゲート絶縁層１２Ｂの密着性の向上を図ることができる。
【００５３】
実施例１あるいは後述する実施例２の電子デバイスにあっては、有機半導体材料から成る能動層と接して、環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成る絶縁層が形成されているので、電子デバイスの製造工程における熱プロセスによって問題が生じることがなく、電子デバイスに高い熱的信頼性を与えることができ、しかも、機械的性質（形状安定性）も良い。更には、電子デバイスの特性向上を図ることができる。
【００５４】
場合によっては、第１ゲート絶縁層１２Ａの形成を省略し、基体１０及びゲート電極１１の上に、第２ゲート絶縁層１２Ｂを形成することもできる。
【実施例２】
【００５５】
実施例２は、本開示の第２の態様に係る電子デバイスの製造方法に関する。実施例２の電子デバイスの模式的な一部端面図を図２の（Ｄ）に示すが、実施例２の電子デバイスの基本的な構成、構造は、実施例１において説明した電子デバイスの構成、構造と同じである。
【００５６】
実施例２において、絶縁層（有機絶縁材料層、第２絶縁層、第２ゲート絶縁層）１２Ｂを構成する有機絶縁材料である環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーは、具体的には、ＴＯＰＡＳから成り、能動層１３（有機半導体材料層、チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ）を構成する有機半導体材料は、具体的には、エチルフェニル−ＰＸＸから成り、溶剤としてキシレンを使用する。
【００５７】
以下、基体等の模式的な一部端面図である図２の（Ａ）〜（Ｄ）を参照して、実施例２の電子デバイスの製造方法を説明する。
【００５８】
［工程−２００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、基体１０上に、制御電極（ゲート電極１１）を形成する。
【００５９】
［工程−２１０］
次いで、基体１０及び制御電極を覆う第１絶縁層を形成する。具体的には、基体１０及びゲート電極１１の上に、架橋剤を含むポリビニルフェノール（ＰＶＰ）溶液をスリットコーター法に基づき塗布した後、１５０゜Ｃに加熱することで、ポリビニルフェノールから成る第１ゲート絶縁層１２Ａを得る。こうして、図２の（Ａ）に示す構造を得ることができる。
【００６０】
［工程−２２０］
その後、第１ゲート絶縁層１２Ａ上に、有機絶縁材料と有機半導体材料を溶剤に溶解した有機材料溶液層２１３を形成する。具体的には、第１ゲート絶縁層１２上に、有機材料溶液層２１３をスリットコーター法に基づき成膜し、１４０゜Ｃにて乾燥することで、厚さ２０ｎｍの第２絶縁層（第２ゲート絶縁層）１２Ｂ及び能動層１３（有機半導体材料層、チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂ）を得ることができる。
【００６１】
ここで、第１ゲート絶縁層１２Ａ上に有機材料溶液層２１３を形成し（図２の（Ｂ）参照）、次いで、有機材料溶液層２１３を乾燥したとき、第２ゲート絶縁層１２Ｂとチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂとは分離する（図２の（Ｃ）参照）。即ち、有機材料溶液層２１３を乾燥したとき、第２ゲート絶縁層１２Ｂとチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂとは、自発的に、自然に相分離する。その結果、第２ゲート絶縁層１２Ｂとチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂとの界面において、有機絶縁材料と有機半導体材料とは混じり合っておらず、第２ゲート絶縁層１２Ｂとチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂとが分離した状態を得ることができる。
【００６２】
［工程−２３０］
その後、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程を実行し（図２の（Ｄ）参照）、次いで、実施例１の［工程−１５０］と同様の工程を実行することで、ボトムゲート・トップコンタクト型の半導体装置（ＦＥＴ、具体的には、ＴＦＴ）、画像表示装置を得ることができる。
【００６３】
実施例２にあっては、有機材料溶液層２１３を乾燥したとき、第２ゲート絶縁層１２Ｂとチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂとは分離する。その結果、第２ゲート絶縁層１２Ｂとチャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂとの界面において高い平滑性を得ることができるし、これらの層にあっては、高い膜厚精度、確実なる相分離を得ることができる。また、チャネル形成領域１３Ａ及びチャネル形成領域延在部１３Ｂが形成される前に第２ゲート絶縁層１２Ｂが汚染されることもない。そして、以上の結果として、特性バラツキの少ない、優れた性能を有する電子デバイスを製造することができる。
【００６４】
以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した電子デバイス、画像表示装置の構成、構造、電子デバイスの製造方法の形成条件、製造条件等は、例示であり、適宜、変更することができる。本開示によって得られた電子デバイスを、例えば、ディスプレイ装置や各種の電子機器に適用、使用する場合、基体や支持体、支持部材に多数の電子デバイスを集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイスを切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。
【００６５】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［１］《電子デバイス》
電極構造、絶縁層及び能動層を備えた電子デバイスであって、
能動層は、有機半導体材料から成り、
能動層と接する絶縁層は、環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成る電子デバイス。
［２］絶縁層は、第１絶縁層と第２絶縁層が積層されて成り、
第２絶縁層が、環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成る［１］に記載の電子デバイス。
［３］電子デバイスは、３端子型の半導体装置から構成されており、
電極構造は、ゲート電極、及び、ソース／ドレイン電極から構成され、
能動層は、チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を構成し、
絶縁層は、ゲート絶縁層を構成する［１］に記載の電子デバイス。
［４］ゲート電極、ゲート絶縁層及びチャネル形成領域が、下から、この順に積層されており、
ソース／ドレイン電極は、チャネル形成領域延在部の上に形成されている［３］に記載の電子デバイス。
［５］《電子デバイスの製造方法：第１の態様》
（Ａ）基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う第１絶縁層を形成した後、
（Ｂ）第１絶縁層上に有機絶縁材料から成る第２絶縁層を形成し、次いで、
（Ｃ）第２絶縁層上に、有機半導体材料を溶剤に溶解した有機材料溶液層を形成した後、乾燥することで、有機半導体材料層を形成する、
各工程を少なくとも備えた電子デバイスの製造方法であって、
有機絶縁材料は環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成り、
第２絶縁層上に有機材料溶液層を形成したとき、有機材料溶液層に含まれる溶剤によって第２絶縁層の表面が溶解されることにより、第２絶縁層と有機材料溶液層との界面において有機絶縁材料と有機半導体材料とは混じり合い、
有機材料溶液層を乾燥したとき、第２絶縁層と有機半導体材料層とは分離する電子デバイスの製造方法。
［６］《電子デバイスの製造方法：第２の態様》
（Ａ）基体上に、制御電極、及び、制御電極を覆う第１絶縁層を形成した後、
（Ｂ）第１絶縁層上に、有機絶縁材料及び有機半導体材料を溶剤に溶解した有機材料溶液層を形成し、次いで、有機材料溶液層を乾燥することで、有機絶縁材料から成る第２絶縁層、及び、有機半導体材料から成る有機半導体材料層の積層構造体を得る、
各工程を少なくとも備えた電子デバイスの製造方法であって、
有機絶縁材料は環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーから成り、
有機材料溶液層を乾燥したとき、第２絶縁層と有機半導体材料層とは分離する電子デバイスの製造方法。
［７］有機半導体材料層を形成した後、有機半導体材料層上に第１電極及び第２電極を形成する工程を更に備えている［５］又は［６］に記載の電子デバイスの製造方法。
［８］《画像表示装置》
画像表示部、及び、画像表示部における画像の表示を制御する制御部を備えており、
制御部は、［１］乃至［４］のいずれか１項に記載の電子デバイスを備えている画像表示装置。
【符号の説明】
【００６６】
１０・・・基体、１０Ａ・・・ガラス基板、１０Ｂ・・・絶縁膜、１１・・・ゲート電極、１２・・・ゲート絶縁層、１２Ａ・・・第１ゲート絶縁層（第１絶縁層）、１２Ｂ・・・第２ゲート絶縁層（第２絶縁層）、１３・・・能動層、１３Ａ・・・チャネル形成領域（能動層）、１３Ｂ・・・チャネル形成領域延在部（能動層）、１４・・・ソース／ドレイン電極、１１３・・・有機半導体材料溶液、１１３’・・・有機絶縁材料と有機半導体材料とが混じり合った層、２１３・・・有機材料溶液層
【図１】
2013219172.tif 000003
【図２】
2013219172.tif 000004