(57)【要約】【課題】半極性面を用いたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の作製方法であって、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給する。【解決手段】ブレード５ｇを第１領域ＥＲ１に押し当てて、第１領域ＥＲ１の端面ＥＧ１における半極性主面ＳＦが第２領域ＥＲ２における半極性主面ＳＦから撓み角ＴＨＥＴＡの傾きを成すまで、第１領域ＥＲ１を、保護シートＴＦに含まれ第１領域ＥＲ１に接している部分と共に、支持部材Ｈ２と可動部材Ｈ１との間に押し込んだ状態を維持しつつ、この状態で可動部材Ｈ１を用いて、保護シートＴＦに含まれ第１領域ＥＲ１に接している部分に生じる張力を増加させ、ブレード５ｇが第１領域ＥＲ１に押し当てられる方向と逆向きの作用を第１領域ＥＲ１に生じさせる。例えば、角度ＡＬＰＨＡは７１度〜７９度であり、且つ、撓み角ＴＨＥＴＡは１１度〜１９度にある。【選択図】図２
2013062367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体からなり半極性主面を有する基板と、前記半極性主面の上に形成され活性層を有する半導体領域とを含む基板生産物を用意する工程と、
前記基板生産物の第１の面をスクライブして、前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のａ軸の方向に延在する複数のスクライブマークを形成する工程と、
劈開装置を用いて、レーザバーと他の基板生産物とを前記基板生産物から形成する工程と、
を備え、
前記劈開装置は、前記基板生産物を支持する支持部材と、前記基板生産物が前記支持部材に支持される場合に前記支持部材に面する前記基板生産物の前記第１の面を保護するための伸長可能な保護シートと、前記基板生産物が前記支持部材に支持される場合に前記第１の面の反対側にある前記基板生産物の第２の面から前記基板生産物を前記支持部材の側に押圧するためのブレードと、前記支持部材に対し可動であり前記保護シートの張力を調整するための可動部材と、を有し、
前記保護シートは、基準軸の方向に延在しており、前記基準軸の方向にある両端が前記支持部材に対して固定され、前記基板生産物と前記支持部材との間に設けられ、
前記基板生産物は、前記ａ軸が前記基準軸と交差するように前記保護シートと前記支持部材との上に配置され、第１領域及び第２領域から成り、
前記第１領域及び前記第２領域は、前記ａ軸に交差する方向に順に配置され、
前記第１領域と前記第２領域との境界面は、前記ａ軸に沿って延在し、
前記第１領域は、前記複数のスクライブマークの中で最も端にある一のスクライブマークを含み、
前記レーザバーと前記他の基板生産物とを形成する工程は、
前記第１領域が前記支持部材の縁から突出すると共に前記第２領域が前記支持部材の上に位置するように、前記基板生産物を前記支持部材に保持する工程と、
前記第２の面のうち前記第１領域に含まれる領域に対して前記基板の前記半極性主面の法線軸に沿った法線ベクトルの向きに前記ブレードを押し当てる工程と、
前記ブレードを前記第１領域に押し当てて、前記第１領域の端面における前記半極性主面が前記第２領域における前記半極性主面から撓み角ＴＨＥＴＡの傾きを成すまで、前記第１領域を、前記保護シートに含まれ前記第１領域に接している部分と共に、前記支持部材と前記可動部材との間に押し込んだ状態を維持しつつ、当該状態において、前記可動部材を用いて前記保護シートの前記部分に生じる張力を増加させ、前記ブレードが前記第１領域に押し当てられる方向と逆向きの作用を前記第１領域に生じさせる工程と、を含み、
前記レーザバーは、前記第１の面から前記第２の面にまで延在し、分離により形成される第１の端面及び第２の端面を有し、
前記第１の端面及び前記第２の端面は、当該ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成し、
前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｃ軸の方向を示すｃ軸ベクトルは、前記基板の前記半極性主面の法線ベクトルに対して角度ＡＬＰＨＡの傾斜角を成しており、
前記ブレードが前記第１領域に接する部分は、前記ａ軸に沿って延在し、
前記撓み角ＴＨＥＴＡは、前記ｃ軸と前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｍ軸とによって規定されるｃ−ｍ面内において生じる角度であり、前記基板生産物が前記ｍ軸から前記ｃ軸に向かう方向に撓む場合に正の値となり、前記基板生産物が前記ｃ軸から前記ｍ軸に向かう方向に撓む場合に負の値となり、前記角度ＡＬＰＨＡが７１度以上７９度以下の範囲にある場合に１１度以上１９度以下の範囲であり、角度ＡＬＰＨＡが１０１度以上１０９度以下の範囲にある場合に−１９度以上−１１度以下の範囲であり、
前記第１及び第２の端面は、前記ｃ−ｍ面に交差する、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項２】
前記スクライブマークは、前記ａ軸の方向と前記法線軸とによって規定されるａ−ｎ面に沿って、前記第１の面から前記第２の面の方向に延在する、請求項１に記載されたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項３】
前記基板生産物を用意する工程において、前記基板は当該基板の厚さが５０μｍ以上１００μｍ以下になるように加工が施され、
前記加工はスライス又は研削であり、
前記第２の面は、前記加工により形成された加工面と、前記加工面の上に形成された電極を含む面との何れかである、請求項１又は請求項２に記載されたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項４】
前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、
前記スクライブマークはスクライブ溝を含む、請求項１〜請求項３の何れか一項に記載されたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項５】
前記半極性主面は、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかの半極性面から、前記ｍ面の方向に−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有する、請求項１〜請求項４の何れか一項に記載されたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項６】
前記半極性主面は、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかである、請求項１〜請求項５の何れか一項に記載されたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項７】
前記基板の材料は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの何れかを含む、請求項１〜請求項６の何れか一項に記載されたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項８】
前記第１の端面及び前記第２の端面の各々における前記活性層の端面は、前記ｍ軸に直交するｍ面に対して、前記ｃ−ｍ面において（ＡＬＰＨＡ−５）度以上（ＡＬＰＨＡ＋５）度以下の範囲の角度を成す、請求項１〜請求項７の何れか一項に記載されたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項９】
前記活性層の端面は、前記ｃ−ｍ面と前記法線軸とに直交する基準面において、前記ｃ−ｍ面と前記基準面との交線に直交する面から、−５度以上＋５度以下の範囲のずれ角を有している請求項８に記載されたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子についての技術が記載されている。レーザ共振器となる第１及び第２の割断面は、ｍ−ｎ面に交差する。ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子は、ｍ−ｎ面と半極性面との交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体では、第１の面は第２の面の反対側の面である。第１及び第２の割断面は、第１の面のエッジから第２の面のエッジまで延在する。第１及び第２の割断面は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３１６２２６号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】“Semipolar  (10-1-1)  InGaN/GaN  Laser  Diodes  on  Bulk  GaN  Substrates”、Anurag  TYAGI,  Hong  ZHONG,  Roy  B.CHUNG,  Daniel  F.FEEZELL,  Makoto SAITO,  Kenji  FUJITO1,  James  S.SPECK,  Steven  P.DENBAARS,  and  Shuji  NAKAMURA、Japanese  Journal  of  Applied  Physics、Vol.46、No.19、2007、pp.L444-L445
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のように、半極性面を用いたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子のレーザ導波路が、ｃ面からｍ軸に向けてオフした半極性面に沿って形成されている場合、このレーザ導波路に直交する共振器ミラーの形成は、従来の劈開によって形成されることは困難であり、割断によって形成される。しかしながら、割断によって共振器ミラーを形成する場合、この共振器ミラーが、レーザ素子の共振器ミラーとして十分な機能を有する、すなわち、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給できることが望まれている。そこで、本発明の目的は、上記の事項を鑑みてなされたものであり、半極性面を用いたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の作製方法であって、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給可能な方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体からなり半極性主面を有する基板と、前記半極性主面の上に形成され活性層を有する半導体領域とを含む基板生産物を用意する工程と、前記基板生産物の第１の面をスクライブして、前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のａ軸の方向に延在する複数のスクライブマークを形成する工程と、劈開装置を用いて、レーザバーと他の基板生産物とを前記基板生産物から形成する工程とを備え、前記劈開装置は、前記基板生産物を支持する支持部材と、前記基板生産物が前記支持部材に支持される場合に前記支持部材に面する前記基板生産物の前記第１の面を保護するための伸長可能な保護シートと、前記基板生産物が前記支持部材に支持される場合に前記第１の面の反対側にある前記基板生産物の第２の面から前記基板生産物を前記支持部材の側に押圧するためのブレードと、前記支持部材に対し可動であり前記保護シートの張力を調整するための可動部材と、を有し、前記保護シートは、基準軸の方向に延在しており、前記基準軸の方向にある両端が前記支持部材に対して固定され、前記基板生産物と前記支持部材との間に設けられ、前記基板生産物は、前記ａ軸が前記基準軸と交差するように前記保護シートと前記支持部材との上に配置され、第１領域及び第２領域から成り、前記第１領域及び前記第２領域は、前記ａ軸に交差する方向に順に配置され、前記第１領域と前記第２領域との境界面は、前記ａ軸に沿って延在し、前記第１領域は、前記複数のスクライブマークの中で最も端にある一のスクライブマークを含み、前記レーザバーと前記他の基板生産物とを形成する工程は、前記第１領域が前記支持部材の縁から突出すると共に前記第２領域が前記支持部材の上に位置するように、前記基板生産物を前記支持部材に保持する工程と、前記第２の面のうち前記第１領域に含まれる領域に対して前記基板の前記半極性主面の法線軸に沿った法線ベクトルの向きに前記ブレードを押し当てる工程と、前記ブレードを前記第１領域に押し当てて、前記第１領域の端面における前記半極性主面が前記第２領域における前記半極性主面から撓み角ＴＨＥＴＡの傾きを成すまで、前記第１領域を、前記保護シートに含まれ前記第１領域に接している部分と共に、前記支持部材と前記可動部材との間に押し込んだ状態を維持しつつ、当該状態において、前記可動部材を用いて前記保護シートの前記部分に生じる張力を増加させ、前記ブレードが前記第１領域に押し当てられる方向と逆向きの作用を前記第１領域に生じさせる工程と、を含み、前記レーザバーは、前記第１の面から前記第２の面にまで延在し、分離により形成される第１の端面及び第２の端面を有し、前記第１の端面及び前記第２の端面は、当該ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成し、前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｃ軸の方向を示すｃ軸ベクトルは、前記基板の前記半極性主面の法線ベクトルに対して角度ＡＬＰＨＡの傾斜角を成しており、前記ブレードが前記第１領域に接する部分は、前記ａ軸に沿って延在し、前記撓み角ＴＨＥＴＡは、前記ｃ軸と前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｍ軸とによって規定されるｃ−ｍ面内において生じる角度であり、前記基板生産物が前記ｍ軸から前記ｃ軸に向かう方向に撓む場合に正の値となり、前記基板生産物が前記ｃ軸から前記ｍ軸に向かう方向に撓む場合に負の値となり、前記角度ＡＬＰＨＡが７１度以上７９度以下の範囲にある場合に１１度以上１９度以下の範囲であり、角度ＡＬＰＨＡが１０１度以上１０９度以下の範囲にある場合に−１９度以上−１１度以下の範囲であり、前記角度ＡＬＰＨＡは、７１度以上７９度以下の範囲と、１０１度以上１０９度以下の範囲との何れかの範囲内にあり、前記撓み角ＴＨＥＴＡは、１１度以上１９度以下の範囲内にあり、前記第１及び第２の端面は、前記ｃ軸と前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｍ軸とによって規定されるｃ−ｍ面に交差することを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、ブレードを第１領域に押し当てて、第１領域の端面における半極性主面が第２領域における半極性主面から撓み角ＴＨＥＴＡの傾きを成すまで、第１領域を、保護シートに含まれ第１領域に接している部分と共に、支持部材と可動部材との間に押し込んだ状態を維持しつつ、当該状態において、可動部材を用いて、保護シートに含まれ第１領域に接している部分に生じる張力を増加させ、ブレードが第１領域に押し当てられる方向と逆向きの作用を第１領域に生じさせる。角度ＡＬＰＨＡが７１度以上７９度以下の範囲にあって基板生産物がｍ軸からｃ軸に向かう方向に撓み、撓み角ＴＨＥＴＡが１１度以上１９度以下の範囲にある状態と、角度ＡＬＰＨＡが１０１度以上１０９度以下の範囲にあって基板生産物がｃ軸からｍ軸に向かう方向に撓み、撓み角ＴＨＥＴＡが−１９度以上−１１度以下の範囲にある状態との何れかの状態において、ブレードが第１領域に押し当てられる方向は、基板生産物が撓むことによって、基板生産物の第１領域におけるｃ面に沿った方向になる。この状態において、保護シートの張力を増加させ、ブレードが第１領域に押し当てられる方向と逆向きの作用が第１領域に生じることにより、半極性主面の基板生産物をレーザバーに分離することが、容易となる。そして、この分離によって生じる面は、共振器ミラーとして十分な平坦性及び垂直性を有することができる。よって、発振しきい値電流を低減できる共振器ミラーが安定して供給される。
【０００８】
本発明において、前記スクライブマークは、前記ａ軸の方向と前記法線軸とによって規定されるａ−ｎ面に沿って、前記第１の面から前記第２の面の方向に延びている、ことが好ましい。スクライブマークが、ａ−ｎ面に沿って形成されるので、ブレードによるレーザバーの分離によって生じる面もａ−ｎ面に添って延在する。従って、共振器ミラーとして用いられる面を、ｃ−ｍ面に直交する面として形成できる。
【０００９】
本発明において、前記基板生産物を用意する工程において、前記基板は当該基板の厚さが５０μｍ以上１００μｍ以下になるように加工が施され、前記加工はスライス又は研削であり、前記第２の面は、前記加工により形成された加工面と、前記加工面の上に形成された電極を含む面との何れかである、ことが好ましい。従って、基板の剛性は高い。基板はスライス又は研削によって加工されるので、加工面に十分な平坦性が実現できる。
【００１０】
本発明において、前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、前記スクライブマークはスクライブ溝を含む、ことが好ましい。従って、レーザスクライバが用いられるので、スクライブマークが正確に形成される。スクライブマークがスクライブ溝を含むので、レーザバーの分離が容易となる。
【００１１】
本発明において、前記半極性主面は、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかの半極性面から前記ｍ面の方向に−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有する、ことが好ましい。従って、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかの面から前記ｍ面の方向に−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有する半極性面を有する基板生産物に対し、本発明に係る作製方法が適用できる。
【００１２】
本発明において、前記半極性主面は、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかである、ことが好ましい。従って、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかの半極性面を有する基板生産物に対し、本発明に係る作製方法が適用できる。
【００１３】
本発明において、前記基板の材料は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの何れかを含む、ことが好ましい。このように、窒化物系の半導体が基板に利用される。
【００１４】
本発明において、前記第１の端面及び前記第２の端面の各々における前記活性層の端面は、前記ｍ軸に直交するｍ面に対して、前記ｃ−ｍ面において（ＡＬＰＨＡ−５）度以上（ＡＬＰＨＡ＋５）度以下の範囲の角度を成す、ことが好ましい。従って、第１の端面及び第２の端面に対し、共振器ミラーに必要な平坦性と垂直性とが実現できる。
【００１５】
本発明において、前記活性層の端面は、前記ｃ−ｍ面と前記法線軸とに直交する基準面において、前記ｃ−ｍ面と前記基準面との交線に直交する面から、−５度以上＋５度以下の範囲のずれ角を有している、ことが好ましい。従って、共振器ミラーに必要な平坦性と垂直性とを有する活性層の端面が実現できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、半極性面を用いたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の作製方法において、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態に係るＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法において用いられる基板生産物の割断方法を説明するための図である。
【図２】実施形態に係るＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示すフローチャートである。
【図３】実施形態に係る基板生産物が支持板に支持される態様を示す図である。
【図４】実施形態に係るＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法において用いられる基板生産物の割断方法を、劈開装置と共に説明するための図である。
【図５】実施形態に係るＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の効果を、端面の角度ずれによって説明するための図である。
【図６】実施形態に係るＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法において用いられる基板生産物の割断方法の機能を説明するための図である。
【図７】実施形態に係るＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法によって作製されるＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の構成を示す図である。
【図８】実施形態に係るＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の効果を説明するための図であり、基板生産物の撓み角と割断面の角度ずれとの相関によって説明するための図である。
【図９】実施例に係るＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。実施形態に係る作製方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法である。図２は、実施形態に係るＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の作製方法の主要な工程を示す図である。図１は、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の製造に用いる基板生産物とレーザバーとを示す図である。
【００１９】
（ステップＳｐ１）まず、図１の（Ａ）部に示す基板生産物５を用意する。基板生産物５は、六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のレーザ構造体と、このレーザ構造体に設けられたｐ側の絶縁膜、ｐ側電極及びｎ側電極とを有する。ｐ側とは、基板生産物５の六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のレーザ構造体においてｐ型の半導体領域が設けられている側を意味し、ｎ側とは、基板生産物５の六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のレーザ構造体においてｎ型の半導体領域が設けられている側を意味する。
【００２０】
基板生産物５から、後述の図７に示すＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１が、分離されて形成される。基板生産物５の六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のレーザ構造体は、基板Ｓｕｂ（ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１の支持基体１７に対応）と半導体領域Ｌｙ（ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１の半導体領域１９に対応）とを含むウェハである。
【００２１】
基板Ｓｕｂの材料は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの何れかを含む。基板Ｓｕｂは、六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体の半極性面である半極性主面ＳＦ（ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１の半極性主面１７ａに対応）を有する。
【００２２】
半極性主面ＳＦは、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかの半極性面から、基板Ｓｕｂの六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｍ面の方向に−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有する。半極性主面ＳＦは、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかであることができる。
【００２３】
半導体領域Ｌｙは、基板Ｓｕｂの半極性主面ＳＦの上にエピタキシャル成長によって形成され、半極性主面ＳＦに接している。
【００２４】
基板生産物５は、ｐ側の絶縁膜（ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１の絶縁膜３１に対応）と、ｐ側電極（ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１のｐ側電極１５に対応）と、ｎ側電極（ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１のｎ側電極４１に対応）とを有する。基板生産物５のｐ側の表面５ａ（第１の面であり、ｐ側の絶縁膜の表面）に、ｐ側電極が設けられている。基板Ｓｕｂの表面に、この表面を覆うようにｎ側電極が設けられている。このｎ側電極の表面は、基板生産物５の裏面５ｅ（第２の面）となる。
【００２５】
なお、基板Ｓｕｂは、この基板Ｓｕｂの厚さが５０μｍ以上１００μｍ以下になるように加工が施される。この加工はスライス又は研削である。基板生産物５の裏面５ｅは、この加工により形成された加工面と、この加工面の上に形成されたｎ側電極を含む面との何れかであることができる。
【００２６】
法線軸ＮＸは、半極性主面ＳＦの法線であり、基板生産物５の表面５ａに対しても垂直である。法線ベクトルＮＶは、基板Ｓｕｂの半極性主面ＳＦにおける法線軸ＮＸの方向を向くベクトルであり、法線軸ＮＸに沿って半極性主面ＳＦから半導体領域Ｌｙの側に向いている。法線ベクトルＮＶは、表面５ａと半極性主面ＳＦとに対して垂直である。法線軸ＮＸと法線ベクトルＮＶとは、直交座標系Ｓのｚ軸に平行である。法線ベクトルＮＶは、ｚ方向を向いている。表面５ａと半極性主面ＳＦとは、ｘ−ｙ平面に平行である。
【００２７】
図１の（Ａ）部に、結晶座標系ＣＲが記載されている。基板Ｓｕｂの六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｃ軸方向を示すｃ軸ベクトルＶＣは、半極性主面ＳＦの法線ベクトルＮＶに対して角度ＡＬＰＨＡの傾斜角を成している。角度ＡＬＰＨＡは、７１度以上７９度以下の範囲と、１０１度以上１０９度以下の範囲との何れかの範囲内にある。なお、図１の（Ａ）部に示す角度ＡＬＰＨＡは、一例として、７１度以上７９度以下の範囲内にある。基板Ｓｕｂの六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のａ軸は、ｙ軸を示す方向と逆向きである。基板Ｓｕｂの六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｃ軸と、ｃ軸の方向を示すｃ軸ベクトルＶＣと、基板Ｓｕｂの六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｍ軸と、ｍ軸の方向を示すｍ軸ベクトルＶＭと、法線軸ＮＸと、法線軸ＮＸの方向を示す法線ベクトルＮＶとは、何れも、ｙ軸（ａ軸）に直交しており、ｚ−ｘ面内に含まれることができる。
【００２８】
（ステップＳｐ２）ステップＳｐ１の後に、表面５ａをスクライブする。このスクライブは、レーザスクライバを用いて行われる。スクライブにより、スクライブマーク５ｂが形成される。スクライブマーク５ｂは、ａ軸の方向と法線軸ＮＸとによって規定されるａ−ｎ面に沿って、基板生産物５の表面５ａから基板生産物５の裏面５ｅの方向に延びる。スクライブマーク５ｂは、ａ軸方向に延在しており、表面５ａから半導体領域Ｌｙに到達している。スクライブマーク５ｂは、例えば、基板生産物５の一のエッジに形成されることができる。スクライブマーク５ｂは、スクライブ溝を含む。レーザビームＬＢの照射により、スクライブマーク５ｂが表面５ａに形成される。図１の（Ａ）部の場合、二つのスクライブマーク５ｂが既に形成されており、レーザビームＬＢを用いてスクライブマーク５ｃの形成が進められている。スクライブマーク５ｂの長さは、ａ−ｎ面と表面５ａとの交差線よりも短く、この交差線の一部分にレーザビームＬＢの照射が行われる。
【００２９】
（ステップＳｐ３）ステップＳｐ２の後、基板生産物５を割断し、この割断によって、レーザバー５ｄと、他の基板生産物５１とを作製する。ステップＳｐ３は、ステップＳｐ３−１〜ステップＳｐ３−５を含む。
【００３０】
基板生産物５の割断は、劈開装置を用いて行う。劈開装置は、図１の（Ｂ）部、図３、及び、図４に示すように、支持板Ｈ、ブレード５ｇ、モニタカメラ６ａ、表示装置６ｃ、保護シートＴＦ、粘着テープＵＦ、及び、テープフレームＦＬを備える。モニタカメラ６ａは、レンズ６ｂを有する。図４は、図１の（Ｂ）部のＩ−Ｉ線に沿ってとられた断面の構成を示す。なお、図１の（Ｂ）部は、レーザバー５ｄが分離された状態を示し、図４は、レーザバー５ｄが分離される前の状態を示す。また、図１の（Ｂ）部及び図４には、説明を容易にするため、図３に示す粘着テープＵＦ及びテープフレームＦＬの記載が省略されている。
【００３１】
支持板Ｈは、可動部材Ｈ１と支持部材Ｈ２とを有する。可動部材Ｈ１と支持部材Ｈ２とによって離間部ＨＬが形成されている。可動部材Ｈ１の端面ＥＧ１と支持部材Ｈ２の端面ＥＧ２とが離間部ＨＬを形作る。端面ＥＧ１は端面ＥＧ２に平行である。
【００３２】
支持部材Ｈ２は、（例えば室内に対して）動かないように固定されており、基板生産物５を支持する。可動部材Ｈ１は、支持部材Ｈ２に対して可動であり保護シートＴＦの張力を調整するために用いられる。可動部材Ｈ１が移動することによって、端面ＥＧ１と端面ＥＧ２とが平行に配置された状態で、離間部ＨＬの幅（端面ＥＧ１と端面ＥＧ２との間隔）が変更される。可動部材Ｈ１の表面と支持部材Ｈ２の表面とは、基板生産物５、保護シートＴＦ及び粘着テープＵＦを載置する支持板Ｈの表面を構成する。支持部材Ｈ２に対して可動部材Ｈ１を移動しても、可動部材Ｈ１の表面と支持部材Ｈ２の表面とは、一の平面内（支持板Ｈの表面内）にある。
【００３３】
ブレード５ｇは、離間部ＨＬ上にあり、基板生産物５を置く支持部材Ｈ２の表面に垂直に移動できる。ブレード５ｇは、離間部ＨＬに近づく、又は、離間部ＨＬから離れる、ことができる。
【００３４】
保護シートＴＦは、基板生産物５が支持部材Ｈ２に支持される場合に支持部材Ｈ２に面する基板生産物５の表面５ａを保護するためのシートであり、伸長可能である。保護シートＴＦは、基準軸（具体的には、ｘ軸）方向（ａ−ｎ面に垂直な方向）に延在しており、この基準軸の方向にある両端が（例えば室内及び支持部材Ｈ２に対して）動かないように固定され、基板生産物５と支持部材Ｈ２との間に挟まれて設けられる。保護シートＴＦは、例えば２５μｍ程度の厚みを有する基材ＰＥＴからなるものを利用できる。ブレード５ｇは、支持部材Ｈ２に表面５ａが面するように、支持部材Ｈ２に基板生産物５が支持されている場合に、表面５ａの反対側にある基板生産物５の裏面５ｅから基板生産物５を支持部材Ｈ２の側に押圧する。
【００３５】
図４に示すように、離間部ＨＬを挟んで、ブレード５ｇとモニタカメラ６ａとが設置されている。ブレード５ｇの中心軸の方向を示す軸方向ベクトルＶＸは、モニタカメラ６ａのレンズ６ｂからブレード５ｇのエッジ５ｈに向かう方向と同一である。軸方向ベクトルＶＸは、エッジ５ｈの面から、この面の反対側にあるブレード５ｇの端面５ｉに向かう方向を表すベクトルであり、エッジ５ｈの面と端面５ｉとに直交する。エッジ５ｈは、一の方向（図１、図３及び図４の場合、ｙ軸方向であり、基板生産物５のａ軸の方向）に延びている。エッジ５ｈは、基板生産物５の裏面５ｅに面しており、ブレード５ｇは、裏面５ｅを介して基板生産物５に押し当てられる。
【００３６】
モニタカメラ６ａには、表示装置６ｃが接続されている。表示装置６ｃは、ディスプレイを有し、モニタカメラ６ａがレンズ６ｂを介して取得する画像を、このディスプレイに表示する。ブレード５ｇとモニタカメラ６ａとの位置は、（例えば室内及び支持部材Ｈ２に対して）動かないように固定されており、基板生産物５が支持部材Ｈ２の上に搭載されていない場合（離間部ＨＬの上に基板生産物５が配置されていない場合）には、表示装置６ｃのディスプレイの中心には、離間部ＨＬを介してブレード５ｇのエッジ５ｈが常に表示される。支持板Ｈの操作者は、表示装置６ｃのディスプレイを見ながら、エッジ５ｈが表示されるべきディスプレイ内の表示位置に、表面５ａとスクライブマーク５ｂとの交差部Ｐ１が表示されるように、支持部材Ｈ２の上に搭載されている基板生産物５の配置を調整する。
【００３７】
（ステップＳｐ３−１）まず、基板生産物５の裏面５ｅを粘着テープＵＦに向けて、図３の（Ａ）部に示すように、基板生産物５を粘着テープＵＦに貼り付ける。基板生産物５は、粘着テープＵＦと保護シートＴＦとの間に挟まれる。粘着テープＵＦの縁部は、テープフレームＦＬに固定されている。テープフレームＦＬが、（例えば室内及び支持部材Ｈ２に対して）動かないように固定されると、粘着テープＵＦも、（例えば室内及び支持部材Ｈ２に対して）動かないように固定される。そして、図３の（Ａ）部に示すように、基板生産物５の表面５ａを保護シートＴＦで覆う。
【００３８】
保護シートＴＦの縁部は、粘着テープＵＦに貼り付けられており、更に、テープフレームＦＬに固定されている。テープフレームＦＬが、（例えば室内及び支持部材Ｈ２に対して）動かないように固定されると、粘着テープＵＦと共に、保護シートＴＦも、（例えば室内及び支持部材Ｈ２に対して）動かないように固定される。粘着テープＵＦと保護シートＴＦとは、何れも伸長が可能な材料から成る。このように、基板生産物５は、粘着テープＵＦと保護シートＴＦとの間に配置される。基板生産物５は、粘着テープＵＦと保護シートＴＦとによって挟まれている。基板生産物５は、粘着テープＵＦと保護シートＴＦとに密着している。
【００３９】
（ステップＳｐ３−２）ステップＳｐ３−１の後、図１の（Ｂ）部及び図３の（Ｂ）部に示すように、基板生産物５の表面５ａを支持部材Ｈ２に向け、基板生産物５を、テープフレームＦＬ、粘着テープＵＦ及び保護シートＴＦと共に、支持部材Ｈ２に置く。基板生産物５は、ａ軸が基準軸Ａｂと交差するように保護シートＴＦと支持部材Ｈ２との上に配置される。基準軸Ａｂは、端面ＥＧ１と端面ＥＧ２とに直交している。テープフレームＦＬを、（例えば室内及び支持部材Ｈ２に対して）動かないように固定する。基板生産物５に設けられている複数のスクライブマーク５ｂのうち、最も端に設けられているスクライブマーク５ｂ（以下、特に、スクライブマーク５ｂ１という）のみが離間部ＨＬの上に位置するように、基板生産物５を、支持部材Ｈ２に置く。基板生産物５に設けられている複数のスクライブマーク５ｂのうち、スクライブマーク５ｂ１以外の全てのスクライブマーク５ｂは、支持部材Ｈ２の上に配置される。
【００４０】
基板生産物５は、第１領域ＥＲ１と第２領域ＥＲ２とから成る。第１領域ＥＲ１と第２領域ＥＲ２とは、以下の説明の便宜上、仮想的に設けた領域である。第１領域ＥＲ１と第２領域ＥＲ２とは、ａ軸（ｙ軸）と交差する方向に並んでいる。第１領域ＥＲ１は、第２領域ＥＲ２に接している。第１領域ＥＲ１は、スクライブマーク５ｂ１を含み、基板生産物５に設けられている他のスクライブマーク５ｂを含まない。第２領域ＥＲ２は、基板生産物５に設けられている複数のスクライブマーク５ｂのうち、スクライブマーク５ｂ１以外の全てのスクライブマーク５ｂを含む。第１領域ＥＲ１は、基板生産物５の六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のａ軸方向（ｙ軸方向）に、スクライブマーク５ｂ１と共に延びている。第１領域ＥＲ１と第２領域ＥＲ２との境界面は、ａ軸に沿って延在する。第１領域ＥＲ１と第２領域ＥＲ２との境界面は、スクライブマーク５ｂ１と共にａ軸に対し（更には、ａ−ｎ面に対し）平行であり、ｃ軸とｍ軸とによって規定されるｃ−ｍ面に対し直交する。
【００４１】
支持部材Ｈ２は、第２領域ＥＲ２を支持するが、第１領域ＥＲ１を支持しない。第１領域ＥＲ１の全体は、離間部ＨＬの上に位置する。可動部材Ｈ１は、保護シートＴＦと粘着テープＵＦとを支持するが、基板生産物５を支持しない。可動部材Ｈ１の上には、基板生産物５のどの部分も配置されていない。保護シートＴＦは、可動部材Ｈ１と支持部材Ｈ２とに密着している。
【００４２】
第１領域ＥＲ１が支持部材Ｈ２の縁（端面ＥＧ２）から離間部ＨＬ上に突出すると共に、第２領域ＥＲ２が支持部材Ｈ２の上に位置するように、基板生産物５が支持部材Ｈ２に保持される。第２領域ＥＲ２の全体は、支持部材Ｈ２のみによって支持されると共に、第１領域ＥＲ１の全体は、離間部ＨＬの上に配置される。
【００４３】
なお、基板生産物５から一又は複数のレーザバー５ｄが分離された後には、残余の基板生産物５１が形成されるが、スクライブマーク５ｂ１、第１領域ＥＲ１及び第２領域ＥＲ２に対する上述の規定は、このような残余の基板生産物５１に対しても適用される。
【００４４】
そして、テープフレームＦＬを、（例えば室内及び支持部材Ｈ２に対して）動かないように固定し、保持する。よって、基板生産物５、粘着テープＵＦの縁部、及び、保護シートＴＦの縁部も、（例えば室内及び支持部材Ｈ２に対して）動かないように固定される。なお、可動部材Ｈ１は、上述したように、支持部材Ｈ２に対し可動であり、可動部材Ｈ１の移動によって、離間部ＨＬの幅（端面ＥＧ１と端面ＥＧ２の間隔）が変更される。可動部材Ｈ１は、基板生産物５の表面５ａに沿った方向であって離間部ＨＬの幅を変化させる方向に移動できる。
【００４５】
（ステップＳｐ３−３）ステップＳｐ３−２の後、裏面５ｅに含まれる第１領域ＥＲ１の領域に対し、基板Ｓｕｂの半極性主面ＳＦの法線ベクトルＮＶの向きに、ブレード５ｇを押し当てる。
【００４６】
（ステップＳｐ３−４）ステップＳｐ３−３の後、図４の（Ａ）部に示すように、ブレード５ｇのエッジ５ｈを、裏面５ｅに含まれる第１領域ＥＲ１の領域に押し当て、ブレード５ｇを軸方向ベクトルＶＸと逆向きに移動させ、第１領域ＥＲ１を離間部ＨＬに向けて押し込む。この場合、基板生産物５は、第１領域ＥＲ１と第２領域ＥＲ２との境界において屈曲し、第１領域ＥＲ１はブレード５ｇによって離間部ＨＬに押し込まれる。この状態において、ブレード５ｇの中心を通る面ＳＨと端面ＥＧ１との間の距離Ｌ１は、例えば、２０００μｍ程度であり、面ＳＨと端面ＥＧ２との間の距離Ｌ２は、例えば、３７５μｍ程度である。端面ＥＧ１と端面ＥＧ２との間の距離Ｌ３は、距離Ｌ１と距離Ｌ２との和である。面ＳＨは、端面ＥＧ１と端面ＥＧ２とに平行であり軸方向ベクトルＶＸに沿って延びる。面ＳＨは、基準軸Ａｂに直交する。
【００４７】
第１領域ＥＲ１がブレード５ｇによって離間部ＨＬに押し込まれることによって、支持部材Ｈ２の上の基板生産物５の半極性主面ＳＦは、撓み角ＴＨＥＴＡだけ撓む。撓み角ＴＨＥＴＡは、第２領域ＥＲ２における半極性主面ＳＦを含む平面と、第１領域ＥＲ１の端面における半極性主面ＳＦを含む平面との成す角度である。撓み角ＴＨＥＴＡは、ｃ軸とｍ軸とによって規定されるｃ−ｍ面内において生じる角度であり、基板生産物５がｍ軸からｃ軸に向かう方向に撓む場合に正の値となり、基板生産物５がｃ軸からｍ軸に向かう方向に撓む場合に負の値となる。また、撓み角ＴＨＥＴＡは、軸方向ベクトルＶＸと法線ベクトルＮＶ１との成す角度と同一である。法線ベクトルＮＶ１は、第１領域ＥＲ１の端面における法線ベクトルＮＶに対応するベクトルの逆ベクトルである。第２領域ＥＲ２における法線ベクトルＮＶの方向は、軸方向ベクトルＶＸの方向と同一であるが、図４に示すように、第１領域ＥＲ１が離間部ＨＬに向けて押し込まれている場合、第１領域ＥＲ１における法線ベクトルＮＶ１は、第２領域ＥＲ２における法線ベクトルＮＶの逆ベクトルと軸方向ベクトルＶＸとに対して撓み角ＴＨＥＴＡだけ傾斜している。法線ベクトルＮＶ１と軸方向ベクトルＶＸとによって規定される面は、ｃ−ｍ面とｚ−ｘ面とに平行であり、ａ軸とｙ軸とに直交する。角度ＡＬＰＨＡが７１度以上７９度以下の範囲にあり、基板生産物がｍ軸からｃ軸に向かう方向に撓む場合、撓み角ＴＨＥＴＡは、１１度以上１９度以下の範囲にある。角度ＡＬＰＨＡが１０１度以上１０９度以下の範囲にあり、基板生産物がｃ軸からｍ軸に向かう方向に撓む場合、撓み角ＴＨＥＴＡは、−１９度以上−１１度以下の範囲にある。
【００４８】
撓み角ＴＨＥＴＡが生じた状態において、ブレード５ｇの位置を固定し、図４の（Ｂ）部に示すように、可動部材Ｈ１を支持部材Ｈ２に向けて方向ＤＳ１に移動させる。可動部材Ｈ１を、例えば、距離Ｌ１が５０５μｍ程度になるまで、支持部材Ｈ２の側に移動させる。保護シートＴＦに含まれている離間部ＨＬの上の領域には、張力が方向ＤＳ２に生じ、第１領域ＥＲ１には、この弾性力によって、離間部ＨＬから押し上げる方向ＤＳ３（軸方向ベクトルＶＸの向きであり、第１領域ＥＲ１が離間部ＨＬから離れる方向）の力が作用する。ブレード５ｇが裏面５ｅに押圧する向きは、軸方向ベクトルＶＸと逆向きである。ブレード５ｇの軸方向ベクトルＶＸが第１領域ＥＲ１の法線ベクトルＮＶ１に対し撓み角ＴＨＥＴＡだけ傾いた状態で、第１領域ＥＲ１が、軸方向ベクトルＶＸと逆方向にブレード５ｇによって離間部ＨＬの側に押し込まれると共に、保護シートＴＦによって軸方向ベクトルＶＸの方向（方向ＤＳ３）の力を受けることによって、基板生産物５が割断される。
【００４９】
このように、ブレード５ｇを第１領域ＥＲ１に押し当てて、第１領域ＥＲ１の端面における半極性主面ＳＦが第２領域ＥＲ２における半極性主面ＳＦから撓み角ＴＨＥＴＡの傾きを成すまで、第１領域ＥＲ１を、保護シートＴＦに含まれ第１領域ＥＲ１に接している部分と共に、離間部ＨＬの側に押し込んだ状態を維持しつつ、当該状態において、可動部材Ｈ１を用いて保護シートＴＦの第１領域ＥＲ１に接している部分に生じる張力を増加させ、ブレード５ｇが押し当てられる方向と逆向きの作用を第１領域ＥＲ１に生じさせる。この作用によって、基板生産物５からレーザバー５ｄが割断によって分離される。この分離によって形成されるレーザバー５ｄの端面５ｆ（第１及び第２の端面を示しており、割断面２７及び割断面２９に対応）が、半導体レーザの共振器ミラーとなる。
【００５０】
端面５ｆは、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１のレーザ共振器を提供する。レーザバー５ｄは、割断によって形成された端面５ｆを有する。端面５ｆは、ｃ面、ｍ面及びａ面といった、これまでのへき開面とは異なる。端面５ｆは、スクライブマーク５ｂに沿って形成される。端面５ｆは、ａ−ｎ面に沿って延在する。端面５ｆは、割断前の表面５ａから裏面５ｅにまで延在する。端面５ｆは、ｃ−ｍ面に交差する。このように形成された端面５ｆは、共振器ミラーに必要な十分な垂直性及び平坦性を有する。レーザバー５ｄの半導体領域の活性層の端面（図５に示す端面ＳＥを提供する面）は、基板Ｓｕｂのｍ軸に直交するｍ面に対して、ｃ−ｍ面において（ＡＬＰＨＡ−５）度以上（ＡＬＰＨＡ＋５）度以下の範囲の角度を成す。
【００５１】
レーザバー５ｄの半導体領域の活性層の端面（図５に示す端面ＳＥを提供する面）は、ｃ−ｍ面と法線軸ＮＸとに直交する基準面（図５に示す平面Ｓ２を提供する面）において、この平面とｃ−ｍ面との交線（交差線ＬＩＸに対応）に直交する面（図５に示す面Ｓｉを提供する面）から、−５度以上＋５度以下の範囲の角度ずれＢＥＴＡを有している。図５は、実施形態に係るＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の効果を、端面の角度ずれによって説明するための図である。
【００５２】
（ステップＳｐ４）そして、レーザバー５ｄの端面５ｆに誘電体多層膜を形成してレーザバー生産物を形成し、このレーザバー生産物を個々のＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子（ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１に対応）に分離する。このようにして、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子がレーザバー５ｄから形成される。
【００５３】
次に、撓み角ＴＨＥＴＡについて説明する。図８に、基板生産物５の撓み角ＴＨＥＴＡと、共振器ミラーの角度ずれＢＥＴＡの平均値との間の関係を示す。図８を参照すると、撓み角ＴＨＥＴＡが、およそ１１．３度の時に、共振器ミラーの角度ずれＢＥＴＡが極小値となる。図８に示す測定値は以下の通りである。
撓み角ＴＨＥＴＡ（度）      角度ずれＢＥＴＡの平均値（度）。
９．１                    ０．５３。
１１．３                    ０．０３。
１３．５                    ０．６２。
１５．６                    ０．７５。
１９．８                    ０．８９。
２３．７                    １．９８。
【００５４】
次に、基板生産物５の撓み角ＴＨＥＴＡがおよそ１１．３度の時に、共振器ミラーの角度ずれＢＥＴＡが小さくなる理由を、結晶学的観点から考察する。図６の（Ｂ）部は、基板生産物５にブレード５ｇを押し込む前の状態を示しており、図６の（Ｃ）部は、図４と同様の状態を示しており、基板生産物５にブレード５ｇを押し込んで基板生産物５が撓んだ状態を示している。例えば、基板生産物５の半極性主面ＳＦ（及び、基板生産物５の表面５ａ）が（２０−２１）面の場合に撓み角ＴＨＥＴＡが１５度を成すと、ブレード５ｇの軸方向ベクトルＶＸが第１領域ＥＲ１におけるｃ面に平行となる。撓み角ＴＨＥＴＡが１５度の場合に、可動部材Ｈ１を支持部材Ｈ２の側に移動させて、割断を行えば、ｃ面の劈開がスムーズに進行するので、共振器ミラーの角度ずれＢＥＴＡが低減できる。
【００５５】
ここで、材料力学において用いられる片持ちはりモデルＫ１によって、撓み角ＴＨＥＴＡの評価を行う。図６の（Ａ）部に、片持ちはりモデルＫ１を示す。片持ちはりモデルＫ１は、基板生産物５に対応する。片持ちはりモデルＫ１を用いれば、レーザバー５ｄの形成が開始する時の基板生産物５の撓み角ＴＨＥＴＡを近似的に計算することができる。片持ちはりモデルＫ１は、壁面Ｋ２に対して垂直に突出している。片持ちはりモデルＫ１は、壁面Ｋ２の固定点Ｐ３において、壁面Ｋ２に固定されている。
【００５６】
片持ちはりモデルＫ１の端面Ｐ４寄りの作用点Ｐ２に、作用Ｐ１が加えられると、片持ちはりモデルＫ１の端面Ｐ４は、作用Ｐ１の方向に押され、片持ちはりモデルＫ１が撓む。作用Ｐ１は、壁面Ｋ２に平行であり、固定点Ｐ３における片持ちはりモデルＫ１の表面（図中符号Ｐ５に示す部分）に垂直である。端面Ｐ４は、固定点Ｐ３の反対側に位置する。
【００５７】
片持ちはりモデルＫ１の撓む様子は、基板生産物５がブレード５ｇの押し込みよって撓む様子と類似する。壁面Ｋ２から作用点Ｐ２までの距離（壁面Ｋ２と、壁面Ｋ２に平行であり作用点Ｐ２を含む平面との間隔）をＬ４とし、作用点Ｐ２から、片持ちはりモデルＫ１の端面Ｐ４までの距離（壁面Ｋ２に平行であり作用点Ｐ２を含む平面と、壁面Ｋ２に平行であり端部Ｐ４と交わる平面との間隔）をＬ５とする。固定点Ｐ３における片持ちはりモデルＫ１の表面（図中符号Ｐ５に示す部分）と、端面Ｐ４における片持ちはりモデルＫ１の表面（図中符号Ｐ６に示す部分）との間の角は、撓み角θ１である。すなわち、片持ちはりモデルＫ１は、作用Ｐ１によって、撓み角θ１だけ撓む。
【００５８】
壁面Ｋ２の法線方向からみた固定点Ｐ３と作用点Ｐ２との間隔Ｙ（すなわち、固定点Ｐ３を含み作用Ｐ１と壁面Ｋ２とに垂直な平面と、作用点Ｐ２を含み作用Ｐ１と壁面Ｋ２とに垂直な平面との間隔）は、Ｙ＝２×（距離Ｌ４）×（撓み角θ１）／３と近似される。この近似によれば、撓み角θ１の計算値は、１１．３度となる。Ｌ４の値は、例えば、３７５μｍであり、Ｙの値は、例えば、５０μｍである。また、Ｌ５の値は、例えば、５００μｍである。
【００５９】
片持ちはりモデルＫ１を基板生産物５に対応させる場合、撓み角ＴＨＥＴＡは、撓み角θ１に対応する。この場合、撓み角ＴＨＥＴＡは、片持ちはりモデルＫ１を用いて計算すると、近似的に１１．３度程度になる。
【００６０】
実際の実験誤差と片持ちはりモデルＫ１の近似精度とを考慮すれば、撓み角ＴＨＥＴＡの計算値１１．３度が１５度に十分近い値であると考えられるので、ステップＳｐ３の方法において条件を最適化することによって、高品質の共振器ミラーが形成できることがわかる。実際の実験誤差と片持ちはりモデルＫ１の近似精度とを鑑みたうえ、図８に示す結果において、共振器ミラーの角度ずれＢＥＴＡの平均値が１度以下になる撓み角ＴＨＥＴＡの範囲に注目すれば、本実施形態における撓み角ＴＨＥＴＡは、１１度以上１９度以下の範囲において有効であると考えられる。
【００６１】
以上説明したように、ブレード５ｇを第１領域ＥＲ１に押し当てて、第１領域ＥＲ１の端面ＥＧ１における半極性主面ＳＦが第２領域ＥＲ２における半極性主面ＳＦから撓み角ＴＨＥＴＡの傾きを成すまで、第１領域ＥＲ１を、保護シートＴＦに含まれ第１領域ＥＲ１に接している部分と共に、支持部材Ｈ２と可動部材Ｈ１との間（離間部ＨＬ）に押し込んだ状態を維持しつつ、当該状態において、可動部材Ｈ１を用いて、保護シートＴＦに含まれ第１領域ＥＲ１に接している部分に生じる張力を増加させ、ブレード５ｇが第１領域ＥＲ１に押し当てられる方向と逆向きの作用（軸方向ベクトルＶＸの向き）を第１領域ＥＲ１に生じさせる。角度ＡＬＰＨＡが７１度以上７９度以下の範囲にあって基板生産物５がｍ軸からｃ軸に向かう方向に撓み、撓み角ＴＨＥＴＡが１１度以上１９度以下の範囲にある状態と、角度ＡＬＰＨＡが１０１度以上１０９度以下の範囲にあって基板生産物５がｃ軸からｍ軸に向かう方向に撓み、撓み角ＴＨＥＴＡが−１９度以上−１１度以下の範囲にある状態との何れかの状態において、ブレード５ｇが第１領域ＥＲ１に押し当てられる方向は、基板生産物５が撓むことによって、第１領域ＥＲ１におけるｃ面に沿った方向又はこの方向の近傍になる。この状態において、保護シートＴＦの張力を増加させ、ブレード５ｇが第１領域ＥＲ１に押し当てられる方向と逆向きの作用が第１領域ＥＲ１に生じることにより、半極性主面ＳＦを有する基板生産物５をレーザバー５ｄに分離することが、容易となる。そして、この分離によって生じる面は、共振器ミラーとして十分な平坦性及び垂直性を有することができる。
よって、発振しきい値電流を低減できる共振器ミラーが安定して供給される。
【００６２】
また、スクライブマーク５ｂが、ａ−ｎ面に沿って形成されるので、ブレード５ｇによるレーザバー５ｄの分離によって生じる端面５ｆもａ−ｎ面に添って延在する。従って、共振器ミラーとして用いられる端面５ｆを、ｃ−ｍ面に直交する面として形成できる。スクライブマーク５ｂが表面５ａから裏面５ｅの方向に延びているので、レーザバー５ｄの分離が容易に行える。
【００６３】
また、基板Ｓｕｂの厚さＤＳＵＢが５０μｍ以上１００μｍ以下なので、基板Ｓｕｂの剛性は高い。基板Ｓｕｂはスライス又は研削によって加工されるので、加工面に十分な平坦性が実現できる。
【００６４】
また、スクライブはレーザスクライバを用いて行われるので、スクライブマークが正確に形成される。スクライブマークはスクライブ溝を含むので、レーザバー５ｄの分離が容易となる。
【００６５】
また、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかの面からｍ面の方向に−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有する半極性主面ＳＦを有する基板生産物５に対し、本実施形態に係る作製方法を適用できる。
【００６６】
また、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかの半極性主面ＳＦを有する基板生産物５に対し、本実施形態に係る作製方法を適用できる。
【００６７】
また、基板Ｓｕｂの材料が、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの何れかを含むので、窒化物系の半導体が基板Ｓｕｂに利用される。
【００６８】
また、端面５ｆにおける活性層の端面は、ｍ面に対して、ｃ−ｍ面において（ＡＬＰＨＡ−５）度以上（ＡＬＰＨＡ＋５）度以下の範囲の角度を成す。従って、端面５ｆに対し、共振器ミラーに必要な平坦性と垂直性とが実現できる。
【００６９】
また、基板生産物５の活性層の端面（図５に示す端面ＳＥを提供する面）は、ｃ−ｍ面と法線軸ＮＸとに直交する基準面において、ｃ−ｍ面と基準面との交線に直交する面（図５に示す面Ｓｉを提供する面）から、−５度以上＋５度以下の範囲のずれ角を有している、ことが好ましい。従って、共振器ミラーに必要な平坦性と垂直性とを有する活性層の端面（端面ＳＥを提供する面）が実現できる。
【００７０】
次に、上述のステップＳｐ１〜ステップＳｐ４によって作製されるＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の構成を説明する。図７は、本実施形態に係る作製方法によって作製されるＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１の構造を概略的に示す図面である。ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１は、利得ガイド型の構造を有するが、利得ガイド型の構造に限定されるものではない。
【００７１】
法線軸ＮＸは、レーザ構造体１３のｐ側の面１３ａの法線（支持基体１７の半極性主面１７ａの法線）であり、ｚ軸の方向に向く。ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１の支持基体１７の半極性主面１７ａは、ｘ−ｙ面に平行に延在する。
【００７２】
また、図７には、代表的なｃ面ＳＣが描かれている。支持基体１７の六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｃ軸は、軸ＣＸに対応している。ｃ軸（軸ＣＸ）は、支持基体１７の六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｍ軸の方向に、法線軸ＮＸに対して有限な角度ＡＬＰＨＡで傾斜している。ｃ軸ベクトルＶＣと法線ベクトルＮＶとの間の角度は、角度ＡＬＰＨＡである。ｃ軸ベクトルＶＣは、ｃ軸の方向を示すベクトルである。法線ベクトルＮＶは、法線軸ＮＸに沿ってレーザ構造体１３のｐ側の面１３ａ上に向かうベクトルであり、面１３ａと半極性主面１７ａとに対して垂直である。
【００７３】
角度ＡＬＰＨＡは、７１度以上７９度以下の範囲内と１０１度以上１０９度以下の範囲内との何れかにあることができる。図７に示す角度ＡＬＰＨＡは、７１度以上７９度以下の範囲内にあるが、１０１度以上１０９度以下の範囲内であってもよい。
【００７４】
レーザバー５ｄの端面５ｆに対応する割断面２７及び割断面２９は、ｃ−ｍ面に交差する。ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１のレーザ共振器は、割断面２７及び割断面２９を含み、割断面２７及び割断面２９の一方から他方に、レーザ導波路が延在している。ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１のレーザ共振器の共振器長は、例えば、５００μｍ程度である。
【００７５】
レーザ構造体１３は、面１３ａ及び裏面１３ｂを含み、面１３ａは裏面１３ｂの反対側の面である。割断面２７及び割断面２９は、面１３ａのエッジ１３ｃから裏面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７及び割断面２９は、ｃ面、ｍ面又はａ面といった、これまでのへき開面とは異なる。
【００７６】
ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１によれば、レーザ共振器を構成する割断面２７及び割断面２９がｃ−ｍ面に交差する。これ故に、ｃ−ｍ面と半極性主面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。従って、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１は、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有することになる。
【００７７】
ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１は、レーザ構造体１３、絶縁膜３１、ｎ側電極４１及びｐ側電極１５を備える。レーザ構造体１３は、支持基体１７及び半導体領域１９を含む。支持基体１７は、六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体からなる。支持基体１７は、半極性主面１７ａ及び裏面１７ｂを有する。支持基体１７は、５０μｍ以上１００μｍ以下の厚さＤＳＵＢを有する。支持基体１７の材料は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの何れかを含む。半極性主面１７ａは、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかの半極性面からｍ面方向に−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有する。半極性主面１７ａは、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかであることができる。
【００７８】
半導体領域１９は、支持基体１７の半極性主面１７ａの上に設けられている。半導体領域１９は、半導体層２０、ｎ側クラッド層２１、ｎ側光ガイド層３５ａ、ｎ側光ガイド層３５ｂ、活性層２５、ｐ側光ガイド層３７、ｐ側ブロック層３９、ｐ側光ガイド層３８、クラッド層２３及びコンタクト層３３を含む。
【００７９】
半導体層２０は、支持基体１７の半極性主面１７ａの上に設けられている。半導体層２０は、ｎ型窒化ガリウム系半導体からなり、例えばｎ型ＧａＮ等からなる。
【００８０】
ｎ側クラッド層２１は、半導体層２０の上に設けられている。ｎ側クラッド層２１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体からなり、例えばｎ型ＡｌＧａＮ、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ等からなる。
【００８１】
ｎ側光ガイド層３５ａは、ｎ側クラッド層２１の上に設けられている。ｎ側光ガイド層３５ｂは、ｎ側光ガイド層３５ａの上に設けられている。ｎ側光ガイド層３５ａ及びｎ側光ガイド層３５ｂは、例えばＧａＮ、ＩｎＧａＮ等からなる。
【００８２】
活性層２５は、ｎ側クラッド層２１とクラッド層２３との間に設けられる。活性層２５は、特に、ｎ側光ガイド層３５ｂとｐ側光ガイド層３７との間に設けられている。活性層２５は窒化ガリウム系半導体層を含み、この窒化ガリウム系半導体層は例えば井戸層２５ａである。活性層２５は窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２５ｂを含み、井戸層２５ａ及び障壁層２５ｂは交互に配列されている。井戸層２５ａは、例えばＩｎＧａＮ等からなり、障壁層２５ｂは例えばＧａＮ、ＩｎＧａＮ等からなる。活性層２５は、波長３６０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含むことができる。半極性面の利用により、波長４３０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の光の発生に好適である。
【００８３】
ｐ側光ガイド層３７は、活性層２５の上に設けられている。ｐ側光ガイド層３７は、活性層２５とｐ側ブロック層３９との間に設けられている。ｐ側光ガイド層３７は、アンドープの窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ等からなる。
【００８４】
ｐ側ブロック層３９は、ｐ側光ガイド層３７とｐ側光ガイド層３８との間に設けられる。ｐ側ブロック層３９は、ｐ型窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、ｐ型ＡｌＧａＮ等からなる。
【００８５】
ｐ側光ガイド層３８は、ｐ側ブロック層３９の上に設けられている。ｐ側光ガイド層３８は、ｐ側ブロック層３９とクラッド層２３との間に設けられている。
ｐ側光ガイド層３８は、ｐ型窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、ｐ型ＧａＮ、ｐ型ＩｎＧａＮ等からなる。
【００８６】
クラッド層２３は、ｐ側光ガイド層３８の上に設けられている。クラッド層２３は、ｐ側光ガイド層３８とコンタクト層３３との間に設けられている。クラッド層２３は、ｐ型窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、ｐ型ＡｌＧａＮ、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮ等からなる。
【００８７】
コンタクト層３３は、クラッド層２３の上に設けられている。コンタクト層３３は、ｐ型窒化ガリウム半導体からなり、例えば、ｐ型ＧａＮ等からなる。
【００８８】
半導体層２０、ｎ側クラッド層２１、ｎ側光ガイド層３５ａ、ｎ側光ガイド層３５ｂ、活性層２５、ｐ側光ガイド層３７、ｐ側ブロック層３９、ｐ側光ガイド層３８、クラッド層２３及びコンタクト層３３は、半極性主面１７ａ（レーザ構造体１３のｐ側の面１３ａ）の法線軸ＮＸに沿って順に配列されている。
【００８９】
絶縁膜３１及びｐ側電極１５は、半導体領域１９のｐ側の表面１９ａ（レーザ構造体１３のｐ側の面１３ａ）に設けられている。絶縁膜３１は、半導体領域１９の表面１９ａを覆っており、半導体領域１９は絶縁膜３１と支持基体１７との間に位置する。絶縁膜３１は開口３１ａを有し、開口３１ａは半導体領域１９の表面１９ａとｃ−ｍ面との交差線ＬＩＸの方向に延在し、例えばストライプ形状を成す。ｐ側電極１５は、開口３１ａを介して半導体領域１９の表面１９ａ（コンタクト層３３）に接触を成しており、交差線ＬＩＸの方向に延在する。ｎ側電極４１は、レーザ構造体１３のｎ側の裏面１３ｂ（支持基体１７の裏面１７ｂ）に設けられており、裏面１３ｂ（裏面１７ｂ）を覆っている。
【００９０】
絶縁膜３１は、例えば、ＳｉＯ２の絶縁膜であり、ｎ側電極４１は、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕからなり、ｐ側電極１５は、例えば、Ｎｉ／Ａｕからなる。また、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１は、パッド電極を有する。このパッド電極は、ｐ側電極１５に接続されており、例えば、Ｔｉ／Ａｌからなる。
【００９１】
ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１において、レーザ構造体１３は、ｃ−ｍ面に交差する割断面２７及び割断面２９を含む。ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１のレーザ導波路は、ｎ側クラッド層２１、クラッド層２３及び活性層２５を含み、交差線ＬＩＸの方向に延在する。割断面２７及び割断面２９の各々における活性層２５の端面ＳＥ（図５を参照）は、支持基体１７のｍ軸に直交するｍ面に対し、ｃ−ｍ面において（ＡＬＰＨＡ−５）度以上（ＡＬＰＨＡ＋５）度以下の範囲の角度を成す。活性層２５の端面ＳＥは、図５に示すように、ｃ−ｍ面と法線軸ＮＸとに直交する平面Ｓ２（基板生産物５の基準面によって与えられる面）において、この平面Ｓ２とｃ−ｍ面との交線（交差線ＬＩＸ）に直交する面Ｓｉから、−５度以上＋５度以下の範囲の角度ずれＢＥＴＡを有している。
【００９２】
ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１では、支持基体１７の厚さＤＳＵＢは４００μｍ以下であることが、レーザ共振器のための良質な割断面を得るために良い。特に、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１では、支持基体１７の厚さＤＳＵＢは５０μｍ以上１００μｍ以下であることが良く、この場合、ハンドリングが容易になり、生産歩留まりを向上させることができる。
【００９３】
半極性主面１７ａは、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかであることができる。更に、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかの面から−４度以上＋４度以下の範囲で微傾斜した面も半極性主面１７ａとして良い。これら典型的な半極性主面１７ａにおいて、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性の割断面２７及び割断面２９を提供できる。また、これらの典型的な面方位にわたる角度の範囲において、十分な平坦性及び垂直性を示す端面が得られる。
【００９４】
支持基体１７の積層欠陥密度は、１×１０４ｃｍ−３以下であることができる。積層欠陥密度が１×１０４ｃｍ−３以下であるので、偶発的な事情により割断面の平坦性及び／又は垂直性が乱れる可能性が比較的に低い。また、支持基体１７の材料は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの何れかの窒化ガリウム系半導体を含む。これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、共振器として利用可能な割断面２７及び割断面２９を得ることができる。ＡｌＮ又はＡｌＧａＮ基板を用いるとき、偏光度を大きくでき、また低屈折率により光閉じ込めを強化できる。ＩｎＧａＮ基板を用いるとき、基板と発光層との格子不整合率を小さくでき、結晶品質を向上できる。
【００９５】
（実施例）以下の通り有機金属気相成長法により図９に示すレーザダイオードを作製した。図９に示すレーザダイオードは、図７に示すＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１に対応する。原料にはトリメチルガリウムＴＭＧａ、トリメチルアルミニウムＴＭＡｌ、トリメチルインジウムＴＭＩｎ、アンモニアＮＨ３、シランＳｉＨ４を用いた。基板には、ＨＶＰＥ法で厚く成長した（０００１）ＧａＮインゴットからｍ軸方向に７５度の角度で切り出した（２０−２１）面を主面とするＧａＮ基板（基板Ｓｕｂ及び支持基体１７に対応）を用いた。この基板を反応炉内のサセプタ上に配置した後に、以下の成長手順でエピタキシャル層（半導体領域Ｌｙ及び半導体領域１９に対応）を成長した。
【００９６】
まず、厚さ１０００ｎｍ程度のｎ型ＧａＮ（半導体層２０に対応）を成長した。次に、ｎ型の第１のクラッド層である厚さ１２００ｎｍ程度のｎ型ＩｎＡｌＧａＮ層（ｎ側クラッド層２１に対応）を成長した。引き続き、厚さ２００ｎｍ程度のｎ型ＧａＮ層（ｎ側光ガイド層３５ａに対応）と厚さ６５ｎｍ程度のアンドープＩｎＧａＮ（ｎ側光ガイド層３５ｂに対応）とを成長した後に、１５ｎｍ程度の厚みの複数のＧａＮ層と３ｎｍ程度の厚みの複数のＩｎＧａＮ層とが一層ずつ交互に設けられた３周期ＭＱＷ（活性層２５に対応）を成長した。
【００９７】
続いて、厚さ６５ｎｍ程度のアンドープＩｎＧａＮ（ｐ側光ガイド層３７に対応）と、厚さ２０ｎｍ程度のｐ型ＡｌＧａＮ（ｐ側ブロック層３９に対応）と、厚さ２００ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ（ｐ側光ガイド層３８に対応）とを成長した。次に、ｐ型の第２のクラッド層である厚さ４００ｎｍ程度のｐ型ＩｎＡｌＧａＮ（クラッド層２３に対応）を成長した。最後に、厚さ５０ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ（コンタクト層３３）を成長した。
【００９８】
ＳｉＯ２の絶縁膜（絶縁膜３１に対応）を、この厚さ５０ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ層の上に成膜した後に、フォトリソグラフィを用いて幅１０μｍ程度のストライプ窓をウェットエッチングにより形成した。ストライプ窓を形成した後に、Ｎｉ／Ａｕから成るｐ側電極（ｐ側電極１５に対応）とＴｉ／Ａｌから成るパッド電極とを蒸着した。次いで、ＧａＮ基板（基板Ｓｕｂ及び支持基体１７に対応）の裏面（裏面１７ｂに対応）をダイヤモンドスラリーを用いて研磨し、この裏面をミラー状態とした。このミラー状態の裏面（研磨面）に、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕから成るｎ側電極を、蒸着により形成した。以上のようにして、基板生産物（基板生産物５に対応）を作製した。
【００９９】
共振器ミラーの形成には、レーザスクライバを用いた。波長３５５ｎｍのＹＡＧレーザを用い、レーザの出力は１００ｍＷ、レーザの走査速度は５ｍｍ／ｓとした。スクライブマーク（スクライブマーク５ｂに対応）は４００μｍピッチで形成した。スクライブマークを施した後、実施形態に係る劈開装置を用いて、基板生産物（基板生産物５に対応）を割断し、レーザバー（レーザバー５ｄに対応）を作製した。この割断によって共振器ミラーを形成した。
【０１００】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【０１０１】
１１…ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子、１３…レーザ構造体、１３ａ，ＳＨ，Ｓｉ…面、１３ｂ，１７ｂ…裏面、１３ｃ，１３ｄ…エッジ、１５…ｐ側電極、１７…支持基体、１７ａ，ＳＦ…半極性主面、１９，Ｌｙ…半導体領域、１９ａ…表面、２０…半導体層、２１…ｎ側クラッド層、２３…クラッド層、２５…活性層、２５ａ…井戸層、２５ｂ…障壁層、２７，２９…割断面、３１…絶縁膜、３１ａ…開口、３３…コンタクト層、３５ａ，３５ｂ…ｎ側光ガイド層、３７，３８…ｐ側光ガイド層、３９…ｐ側ブロック層、４１…ｎ側電極、５，５１…基板生産物、５ａ…表面、５ｂ，５ｂ１，５ｃ…スクライブマーク、５ｄ…レーザバー、５ｅ…裏面、５ｆ，５ｉ，ＥＧ１，ＥＧ２，ＳＥ…端面、５ｇ…ブレード、５ｈ…エッジ、６ａ…モニタカメラ、６ｂ…レンズ、６ｃ…表示装置、Ａｂ…基準軸、ＣＲ…結晶座標系、ＣＸ…軸、ＤＳ１，ＤＳ２，ＤＳ３…方向、ＤＳＵＢ…厚さ、ＥＲ１…第１領域、ＥＲ２…第２領域、ＦＬ…テープフレーム、Ｈ…支持板、Ｈ１…可動部材、Ｈ２…支持部材、ＨＬ…離間部、Ｋ１…片持ちはりモデル、Ｋ２…壁面、ＬＢ…レーザビーム、ＬＩＸ…交差線、ＮＶ，ＮＶ１…法線ベクトル、ＮＸ…法線、Ｐ１…作用、Ｐ２…作用点、Ｐ３…固定点、Ｐ４…端部、Ｓ…直交座標系、ＳＣ…ｃ面、Ｓｕｂ…基板、ＴＦ…保護シート、ＵＦ…粘着テープ、ＶＣ…ｃ軸ベクトル、ＶＭ…ｍ軸ベクトル、ＶＸ…軸方向ベクトル。
【図１】
2013062367.tif 000003
【図２】
2013062367.tif 000004
【図３】
2013062367.tif 000005
【図４】
2013062367.tif 000006
【図５】
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【図６】
2013062367.tif 000008
【図７】
2013062367.tif 000009
【図８】
2013062367.tif 000010
【図９】
2013062367.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−３６６０号公報