(57)【要約】【課題】対象物を位置決めする際に、対象物が損傷することを抑制可能な溶接装置を得る。【解決手段】溶接装置２００は、載置面１０Ｓに載置した第１対象物７０をＹ方向に沿って搬送する溶接ステージ１０と、溶接ステージ１０上の第１対象物７０に対してその側方から当接する位置決めブロック２０とを備える。第１対象物７０が挟み込まれないように第１対象物７０に位置決めブロック２０が当接することによって、第１対象物７０の平面角とＸ方向における位置とがそれぞれ調整される。Ｙ方向に所定の距離だけ溶接ステージ１０が移動することによって、Ｙ方向における第１対象物７０の位置が調整される。【選択図】図１７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パラレルギャップ方式を使用して第１対象物と第２対象物とを互いに溶接する溶接装置であって、
第１方向に移動可能に構成され、載置面に載置した前記第１対象物を前記第１方向に沿って搬送する溶接ステージと、
前記溶接ステージ上の前記第１対象物に対して、前記第１対象物の側方から当接可能に構成された位置決めブロックと、を備え、
前記溶接ステージ上の前記第１対象物が挟み込まれないように前記第１対象物に前記位置決めブロックが当接することによって、前記第１対象物の平面角と前記第１方向に対して交差する第２方向における前記第１対象物の位置とがそれぞれ調整され、
前記第１方向に所定の距離だけ前記溶接ステージが移動することによって、前記第１方向における前記第１対象物の位置が調整され、
前記第１方向の位置および前記第２方向の位置、ならびに平面角が調整された前記第１対象物上に前記第２対象物が配置された状態で前記第１対象物と前記第２対象物との間に溶接電流が供給されることによって、前記第１対象物と前記第２対象物とは互いに溶接される、
溶接装置。
【請求項２】
前記第１対象物の位置を画像認識する撮像カメラをさらに備え、
前記所定の距離は、前記撮像カメラが画像認識した前記第１方向における前記第１対象物の位置に基づいて決定される、
請求項１に記載の溶接装置。
【請求項３】
前記第１方向に沿って搬送される前記第１対象物の位置を検知する測位センサーをさらに備え、
前記所定の距離は、前記第１方向に沿って搬送される前記第１対象物の位置が前記測位センサーによって検知されることにより決定される、
請求項１に記載の溶接装置。
【請求項４】
前記第１方向に沿って搬送される前記第１対象物の搬送経路上に配置された深針をさらに備え、
前記所定の距離は、前記第１方向に沿って搬送される前記第１対象物が前記深針に接触することによって決定される、
請求項１に記載の溶接装置。
【請求項５】
前記溶接ステージは、前記第１対象物を前記載置面上に吸着させ、
前記位置決めブロックは、前記第２対象物をその表面上に吸着させる、
請求項１から４のいずれかに記載の記載の溶接装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶接装置に関し、特に、パラレルギャップ方式を使用する溶接装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００２−３４３９９４号公報（特許文献１）および特開昭６２−０４９６３９号公報（特許文献２）に開示されているように、半田付け、ワイヤーボンディング、または溶接等によって、コネクタ等の対象物を、半導体素子（太陽電池セル）等の他の対象物に接合する技術が知られている。
【０００３】
人工衛星に搭載された太陽電池セル同士を接続する場合、または、ＧａＡｓを代表とするＩＩＩ−Ｖ族化合物太陽電池セルにバイパスダイオードチップ等の半導体素子を接続する場合には、軽量性の観点および宇宙環境下における接続部の信頼性の観点から、５〜１００μｍ程度の厚さを有する金属箔状のコネクタが用いられる。一般的に、この金属箔状のコネクタは、溶接により太陽電池セル等に接続される。
【０００４】
特開２００８−０７３７２８号公報（特許文献３）には、パラレルギャップ方式を使用する溶接装置が開示されている。パラレルギャップ方式を使用する溶接は、はんだを用いる溶接に比べて接続部における信頼性が高い。
【０００５】
たとえば、はんだを用いて互いに接合された対象物が、宇宙環境下に置かれたとする。宇宙環境は、低温時と高温時との温度差が大きい。この温度差が原因となって、はんだ自体に亀裂が入り、接合不良が生じるおそれがある。
【０００６】
はんだの材料は、半導体素子またはコネクタなどの接合の対象物の材料とは異なる。したがって、はんだの熱膨張係数も、半導体素子またはコネクタなどの接合の対象物の熱膨張係数とは異なる。低温と高温とからなる温度サイクルが繰り返されるうちに、はんだと対象物との熱膨張の差が原因となって、はんだと半導体素子との間に乖離が生じたり、はんだとコネクタとの間に乖離が生じたりするおそれがある。
【０００７】
パラレルギャップ方式を使用して対象物同士を接合する場合、はんだを用いて対象物同士を接合する場合とは異なり、半導体素子の電極とコネクタとが直接接触するように接合される。たとえば、人工衛星に搭載される太陽電池セルのＡｇ電極に、Ａｇを材料とするコネクタが溶接されたとする。Ａｇ電極とＡｇを材料とするコネクタとは同種の材料であり、これらの間に熱膨張係数の差はない。低温と高温とからなる温度サイクルが繰り返された場合であっても、Ａｇ電極とコネクタとの間に乖離が生じるおそれはない。
【０００８】
はんだを用いて対象物同士を接合する場合、はんだという接合材料が接合の対象物に付加される。接合の対象物の重量は、付加されたはんだの分だけ増加する。人工衛星に搭載される太陽電池セルにとって、軽量性の確保は打ち上げコストを低減するための重要な要素である。この点においても、パラレルギャップ方式の溶接による接続は、はんだを用いる接続に比べて優れている。
【０００９】
したがって対象物同士を接合する場合、パラレルギャップ方式を使用する溶接（以下、パラレルギャップ溶接という場合がある）によれば、はんだを用いる溶接に比べて、軽量性と接続部における信頼性とを確保することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−３４３９９４号公報
【特許文献２】特開昭６２−０４９６３９号公報
【特許文献３】特開２００８−０７３７２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特開２００２−３４３９９４号公報（特許文献１）に開示されている装置は、パラレルギャップ溶接の対象物を載置するための吸着固定台を備えている。その吸着固定台には、対象物を位置決めするための位置決めピンが設けられている。位置決めブロック等を用いて対象物の端面を位置決めピンに押し当てることによって、その対象物は位置決めされている。
【００１２】
対象物が位置決めピンに押し当てられるようにして位置決めされる場合、対象物が位置決めブロックと位置決めピンとの間に挟みこまれることによって、対象物に亀裂などの損傷が発生することがある。本発明は、対象物を位置決めする際に、対象物が損傷することを抑制可能な溶接装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に基づく溶接装置は、パラレルギャップ方式を使用して第１対象物と第２対象物とを互いに溶接する溶接装置であって、第１方向に移動可能に構成され、載置面に載置した上記第１対象物を上記第１方向に沿って搬送する溶接ステージと、上記溶接ステージ上の上記第１対象物に対して、上記第１対象物の側方から当接可能に構成された位置決めブロックと、を備え、上記溶接ステージ上の上記第１対象物が挟み込まれないように上記第１対象物に上記位置決めブロックが当接することによって、上記第１対象物の平面角と上記第１方向に対して交差する第２方向における上記第１対象物の位置とがそれぞれ調整され、上記第１方向に所定の距離だけ上記溶接ステージが移動することによって、上記第１方向における上記第１対象物の位置が調整され、上記第１方向の位置および上記第２方向の位置、ならびに平面角が調整された上記第１対象物上に上記第２対象物が配置された状態で上記第１対象物と上記第２対象物との間に溶接電流が供給されることによって、上記第１対象物と上記第２対象物とは互いに溶接される。
【００１４】
好ましくは、上記第１対象物の位置を画像認識する撮像カメラをさらに備え、上記所定の距離は、上記撮像カメラが画像認識した上記第１方向における上記第１対象物の位置に基づいて決定される。
【００１５】
好ましくは、上記第１方向に沿って搬送される上記第１対象物の位置を検知する測位センサーをさらに備え、上記所定の距離は、上記第１方向に沿って搬送される上記第１対象物の位置が上記測位センサーによって検知されることにより決定される。
【００１６】
好ましくは、上記第１方向に沿って搬送される上記第１対象物の搬送経路上に配置された深針をさらに備え、上記所定の距離は、上記第１方向に沿って搬送される上記第１対象物が上記深針に接触することによって決定される。
【００１７】
好ましくは、上記溶接ステージは、上記第１対象物を上記載置面上に吸着させ、上記位置決めブロックは、上記第２対象物をその表面上に吸着させる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、対象物を位置決めする際に、対象物が損傷することを抑制可能な溶接装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】参考技術における溶接装置を示す断面図である。
【図２】参考技術における溶接装置を用いた溶接方法の第１工程を示す断面図である。
【図３】参考技術における溶接装置を用いた溶接方法の第２工程を示す断面図である。
【図４】参考技術における溶接装置を用いた溶接方法の第３工程を示す断面図である。
【図５】参考技術における溶接装置を用いた溶接方法の第４工程を示す断面図である。
【図６】参考技術における溶接装置を用いた溶接方法の第５工程を示す断面図である。
【図７】参考技術における溶接装置を用いた溶接方法の第６工程を示す断面図である。
【図８】参考技術における溶接装置を用いた溶接方法の第７工程を示す断面図である。
【図９】参考技術における溶接装置の溶接ステージ上に載置された半導体素子を位置決めする第１工程を示す平面図である。
【図１０】参考技術における溶接装置の溶接ステージ上に載置された半導体素子を位置決めする第２工程を示す平面図である。
【図１１】参考技術における溶接装置の溶接ステージ上に載置された半導体素子を位置決めする第３工程を示す平面図である。
【図１２】参考技術における溶接装置の溶接ステージ上に載置された半導体素子を位置決めする第４工程を示す平面図である。
【図１３】参考技術における溶接装置の溶接ステージ上に載置された他の半導体素子を位置決めする第１工程を示す平面図である。
【図１４】参考技術における溶接装置の溶接ステージ上に載置された他の半導体素子を位置決めする第２工程を示す平面図である。
【図１５】参考技術における溶接装置の溶接ステージ上に載置された他の半導体素子を位置決めする第３工程を示す平面図である。
【図１６】実施の形態１における溶接装置の全体構成を示す平面図である。
【図１７】実施の形態１における溶接装置に用いられる溶接ステージおよび位置決めブロックを示す平面図である。
【図１８】図１７中のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿った矢視断面図である。
【図１９】実施の形態１における溶接装置の溶接ステージ上に載置された半導体素子を位置決めする第１工程を示す平面図である。
【図２０】図１９中のＸＸ−ＸＸ線に沿った矢視断面図である。
【図２１】実施の形態１における溶接装置の溶接ステージ上に載置された半導体素子を位置決めする第２工程を示す平面図である。
【図２２】実施の形態１における溶接装置の溶接ステージ上に載置された半導体素子を位置決めする他の第２工程を示す平面図である。
【図２３】実施の形態２における溶接装置の溶接ステージ上に載置された半導体素子を位置決めする工程を示す平面図である。
【図２４】実施の形態２における溶接装置の溶接ステージ上に載置された半導体素子を位置決めする他の工程を示す平面図である。
【図２５】実施の形態２における溶接装置の溶接ステージ上に載置された他の半導体素子を位置決めする工程を示す平面図である。
【図２６】実施の形態２における溶接装置の溶接ステージ上に載置された他の半導体素子を位置決めする他の工程を示す平面図である。
【図２７】実施の形態３における溶接装置の溶接ステージ上に載置された半導体素子を位置決めする工程を示す平面図である。
【図２８】実施の形態３における溶接装置の溶接ステージ上に載置された他の半導体素子を位置決めする工程を示す平面図である。
【図２９】実施の形態３における溶接装置の溶接ステージ上に載置された他の半導体素子を位置決めする工程を示す平面図である。
【図３０】実施の形態３における溶接装置の溶接ステージ上に載置された他の半導体素子を位置決めする他の工程を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
［参考技術］
本発明に基づいた各実施の形態について説明する前に、以下、本発明に関する参考技術について説明する。参考技術の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
【００２１】
（溶接装置１００を用いたパラレルギャップ溶接）
図１を参照して、参考技術における溶接装置１００について説明する。図１は、溶接装置１００を示す断面図である。溶接装置１００は、溶接ステージ１０および位置決めブロック２０を備える。溶接装置１００は、パラレルギャップ方式を使用して、半導体素子３０（図２参照）とコネクタ４０（図３参照）とを互いに溶接する。半導体素子３０は、たとえば太陽電池セルである。
【００２２】
溶接ステージ１０は、水平な載置面１０Ｓを含む。位置決めブロック２０も、水平な表面２０Ｓを含む。載置面１０Ｓおよび表面２０Ｓは、互いに平行な位置関係にある。載置面１０Ｓに比べて、表面２０Ｓの方が重力方向の上方に位置している。より具体的には、表面２０Ｓは、半導体素子３０（図２参照）の厚さ分だけ載置面１０Ｓの上方に位置している。
【００２３】
図２に示すように、半導体素子３０とコネクタ４０（図３参照）とを互いに溶接する場合、溶接ステージ１０の載置面１０Ｓ上の所定の位置に半導体素子３０が載置される。半導体素子３０は、吸引手段（図示せず）によって、溶接ステージ１０の載置面１０Ｓに吸着されている。位置決めブロック２０の表面２０Ｓは、溶接ステージ１０の載置面１０Ｓ上に載置された半導体素子３０の表面３０Ｓと面一になるように、その高さが調整されている。
【００２４】
図３に示すように、半導体素子３０の表面３０Ｓ上に、コネクタ４０が載置される。コネクタ４０の一端側（溶接後に自由端を形成する側）は、半導体素子３０の表面３０Ｓ外に位置しており、位置決めブロック２０の表面２０Ｓに接触している。コネクタ４０の一端側は、吸引手段（図示せず）によって、位置決めブロック２０の表面に吸着されている。
【００２５】
図４に示すように、溶接用電極５０が準備される。溶接用電極５０は、電極５２および電極５４を含む。電極５２および電極５４は、互いに略同一の形状を有する。電極５２および電極５４は、互いに絶縁され、溶接ヘッド（図示せず）にそれぞれ取り付けられている。
【００２６】
電極５２および電極５４は、互いに平行な位置関係にあり、一定の隙間を空けて互いに対向している。電極５２および電極５４は、半導体素子３０およびコネクタ４０同士が溶接される部分の上方に配置され、昇降機構（図示せず）によって昇降可能に構成される。
【００２７】
図５に示すように、溶接用電極５０が下降移動することによって、コネクタ４０は、半導体素子３０上に設けられた電極端子（図示せず）に対して押し付けられる。溶接用電極５０によって、コネクタ４０とこの電極端子とは相互に密着している。電極５２および電極５４を通して、コネクタ４０と電極端子との間に溶接電流が供給される。
【００２８】
図６に示すように、溶接電流の供給によって、半導体素子３０の電極端子およびコネクタ４０の間（溶接痕８０が形成される部分）に抵抗熱が発生する。抵抗熱の発生によって、半導体素子３０の電極端子とコネクタ４０とが互いに溶接され、溶接痕８０が形成される。
【００２９】
図７に示すように、溶接痕８０が形成された後、溶接用電極５０は上昇移動する。溶接用電極５０は、コネクタ４０から離間する。図８に示すように、半導体素子３０は、その電極端子にコネクタ４０が接合された状態で、溶接装置１００（図７参照）から回収される。
【００３０】
（半導体素子３０の位置決め）
図２を参照して上述したように、半導体素子３０は、コネクタ４０と重ね合わせられる前に、溶接ステージ１０の載置面１０Ｓ上の所定の位置に載置される。
【００３１】
図９は、溶接装置１００（図２参照）の溶接ステージ１０（図２参照）上に載置された半導体素子３０を位置決めする第１工程を示す平面図である。図９に示すように、半導体素子３０を位置決めする際には、位置決めブロック２０、位置決めブロック２２、および、位置決めピン６１〜６４が用いられる。
【００３２】
位置決めブロック２０は、押し当て部２０Ｔを有する。位置決めブロック２０は、位置決めピン６３および位置決めピン６４が並んでいる方向（Ｙ方向）と押し当て部２０Ｔとが互いに平行な位置関係となるように配置されている。位置決めブロック２２は、押し当て部２２Ｔを有する。位置決めブロック２２は、位置決めピン６１および位置決めピン６２が並んでいる方向（Ｘ方向）と押し当て部２２Ｔとが互いに平行な位置関係となるように配置されている。
【００３３】
半導体素子３０は、端面３１〜３４からなる四角形の形状を有している。半導体素子３０を位置決めする際には、まず、位置決めブロック２０が半導体素子３０に向かって移動する。
【００３４】
図１０に示すように、位置決めブロック２０が矢印ＡＲ１方向に移動することによって、位置決めブロック２０の押し当て部２０Ｔは半導体素子３０の端面３２に当接する。位置決めブロック２０は、半導体素子３０を位置決めピン６３，６４に向かって移動させる。半導体素子３０が矢印ＡＲ２方向に移動することによって、半導体素子３０の端面３４は位置決めピン６３，６４に押し当てられる。次に、位置決めブロック２２が半導体素子３０に向かって移動する。
【００３５】
図１１に示すように、位置決めブロック２２が矢印ＡＲ３方向に移動することによって、位置決めブロック２２の押し当て部２２Ｔは、半導体素子３０の端面３３に当接する。位置決めブロック２２は、半導体素子３０を位置決めピン６１，６２に向かって移動させる。半導体素子３０が矢印ＡＲ４方向に移動することによって、半導体素子３０の端面３１は位置決めピン６１，６２に押し当てられる。
【００３６】
図１２を参照して、半導体素子３０は、溶接ステージ１０（図２参照）の載置面１０Ｓ（図２参照）上において、平面角（位相）が定められ、Ｘ方向およびＹ方向の所定の位置に配置されることとなる。半導体素子３０の位置決めが完了した後、位置決めブロック２０は矢印ＡＲ５方向に後退し、位置決めブロック２２は矢印ＡＲ６方向に後退する。
【００３７】
上述のとおり、半導体素子３０は、たとえば太陽電池セルであり、端面３１〜３４からなる四角形の形状を有している。溶接装置１００は、パラレルギャップ方式を使用して、三角形状を有する他の半導体素子７０（図１３参照）とコネクタ４０（図３参照）とを互いに溶接することもできる。半導体素子７０は、たとえばバイパスダイオードチップである。半導体素子７０も、溶接ステージ１０（図２参照）の載置面１０Ｓ（図２参照）上の所定の位置に載置される。
【００３８】
図１３は、溶接装置１００（図２参照）の溶接ステージ１０（図２参照）上に載置された半導体素子７０を位置決めする第１工程を示す平面図である。図１３に示すように、半導体素子７０を位置決めする際には、位置決めブロック２０、および、位置決めピン６５，６６が用いられる。
【００３９】
位置決めブロック２０は、位置決めピン６５および位置決めピン６６が並んでいる方向（Ｙ方向）と押し当て部２０Ｔとが互いに平行な位置関係となるように配置されている。半導体素子７０は、端面７１〜７３からなる三角形の形状を有している。半導体素子７０を位置決めする際には、位置決めブロック２０が半導体素子７０に向かって移動する。
【００４０】
図１４に示すように、位置決めブロック２０が矢印ＡＲ７方向に移動することによって、位置決めブロック２０の押し当て部２０Ｔは半導体素子７０の端面７２に当接する。位置決めブロック２０は、半導体素子７０を位置決めピン６５，６６に向かって移動させる。半導体素子７０が矢印ＡＲ８方向に移動することによって、半導体素子７０の端面７１は位置決めピン６５に押し当てられ、半導体素子７０の端面７３は位置決めピン６６に押し当てられる。
【００４１】
図１５を参照して、半導体素子７０は、溶接ステージ１０（図２参照）の載置面１０Ｓ（図２参照）上において、平面角（位相）が定められ、Ｘ方向およびＹ方向の所定の位置に配置されることとなる。半導体素子７０の位置決めが完了した後、位置決めブロック２０は矢印ＡＲ９方向に後退する。
【００４２】
溶接装置１００（図１など参照）においては、半導体素子３０，７０などが位置決めされる際に、半導体素子３０，７０が位置決めブロックおよび位置決めピンによって挟み込まれている。一般的に、人工衛星に搭載される太陽電池セルの厚さ、または、その太陽電池セルの接続に用いられるバイパスダイオードチップの厚さは、軽量性を確保するため、１５０μｍ以下である。このような薄い厚さを有する半導体素子は、挟み込まれた場合、損傷しやすい。
【００４３】
参考技術の溶接装置１００のように、位置決めブロックおよび位置決めピンを用いて半導体素子が挟み込まれるようにして位置決めされる場合、半導体素子に亀裂などの損傷が発生することがある。半導体素子に損傷が発生した場合、歩留まりが低下し、自動生産処理が妨げられることとなる。
【００４４】
［実施の形態］
本発明に基づいた各実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。各実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。各実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
【００４５】
［実施の形態１］
図１６を参照して、本実施の形態における溶接装置２００について説明する。図１６は、溶接装置２００の全体構成を示す平面図である。溶接装置２００は、パラレルギャップ方式を使用して、半導体素子７０（第１対象物）とコネクタ４０（第２対象物）とを互いに溶接する。半導体素子７０は、たとえば化合物セルに接続されるバイパスダイオードチップである。コネクタ４０は、たとえばインターコネクタである。
【００４６】
図１６に示すように、溶接装置２００は、素子載置領域Ｒ１、素子収納領域Ｒ２、コネクタ収納領域Ｒ３、重ね合わせ領域Ｒ４、溶接領域Ｒ５、および、完成品回収領域Ｒ６を備える。
【００４７】
素子載置領域Ｒ１内には、溶接ステージ１０、位置決めブロック２０、および、撮像カメラ９０が設けられる。溶接ステージ１０は、素子載置領域Ｒ１から、重ね合わせ領域Ｒ４および溶接領域Ｒ５に向かってＹ方向（第１方向）に往復移動可能に構成される。位置決めブロック２０は、溶接ステージ１０に向かってＸ方向（第２方向）に向かって往復移動可能に構成される。Ｙ方向は、Ｘ方向に対して交差している。本実施の形態においては、Ｙ方向は、Ｘ方向に対して直角に交差している。
【００４８】
素子収納領域Ｒ２内には、収納トレー（図示せず）が配置される。この収納トレーの中には、複数の半導体素子７０が収納されている。素子収納領域Ｒ２内には、所定の形状に加工されたテープが配置されていてもよい。この場合、複数の半導体素子７０は、このテープ上に整列して設けられる。素子収納領域Ｒ２内の半導体素子７０は、ロボットアーム（図示せず）によって、素子収納領域Ｒ２から素子載置領域Ｒ１に搬送されることができる。
【００４９】
コネクタ収納領域Ｒ３内にも、収納トレー（図示せず）が配置される。この収納トレーの中には、複数のコネクタ４０が収納される。コネクタ収納領域Ｒ３内のコネクタ４０は、ロボットアーム（図示せず）によって、コネクタ収納領域Ｒ３から重ね合わせ領域Ｒ４に搬送されることができる。
【００５０】
詳細は後述されるが、素子載置領域Ｒ１から重ね合わせ領域Ｒ４に配置された半導体素子７０の上に、コネクタ４０が重ねられる。溶接領域Ｒ５内には、溶接用電極５０が設けられる。重ね合わせ領域Ｒ４において互いに重ね合わせられた半導体素子７０およびコネクタ４０は、溶接領域Ｒ５に搬送された後、溶接用電極５０によって互いに接合される。完成品回収領域Ｒ６は、溶接領域Ｒ５においてコネクタ４０が接合された半導体素子７０を回収するための領域である。
【００５１】
図１７は、溶接装置２００に用いられる溶接ステージ１０および位置決めブロック２０を示す平面図である。図１８は、図１７中のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿った矢視断面図である。図１７および図１８に示すように、コネクタ４０（図１６参照）と接合される半導体素子７０は、端面７１〜７３からなる三角形の形状を有している。
【００５２】
溶接ステージ１０は、水平な載置面１０Ｓを含む。位置決めブロック２０は、水平な表面２０Ｓおよび平坦な当接部２０Ｕを含む。載置面１０Ｓおよび表面２０Ｓは、互いに平行な位置関係にある。表面２０Ｓおよび当接部２０Ｕは、互いに垂直な位置関係にある。
【００５３】
載置面１０Ｓに比べて、表面２０Ｓの方が重力方向の上方に位置している。より具体的には、表面２０Ｓは、半導体素子７０の厚さ分だけ載置面１０Ｓの上方に位置している。表面２０Ｓは、溶接ステージ１０の載置面１０Ｓ上に載置された半導体素子７０の表面と面一になるように、その高さが調整されている。
【００５４】
半導体素子７０とコネクタ４０（図１６参照）とを互いに溶接する場合、ロボットアーム（図示せず）を用いて半導体素子７０が搬送される。半導体素子７０は、素子載置領域Ｒ１に配置された溶接ステージ１０の載置面１０Ｓ上に載置される。
【００５５】
本実施の形態においては、半導体素子７０の一部（端面７２）が載置面１０Ｓから外方（位置決めブロック２０側）にはみ出るように、半導体素子７０は載置面１０Ｓ上に載置される。端面７２のうち、端面７１寄りの部分は、端面７３寄りの部分に比べてやや大きく外方にはみ出ている。
【００５６】
載置面１０Ｓ上に載置された半導体素子７０は、吸引手段（図示せず）によって、載置面１０Ｓに吸着されているとよい。載置面１０Ｓ上に載置された半導体素子７０の位置ずれは、吸着によって防止または抑制される。
【００５７】
図１９は、溶接装置２００の溶接ステージ１０上に載置された半導体素子７０を位置決めする第１工程を示す平面図である。図２０は、図１９中のＸＸ−ＸＸ線に沿った矢視断面図である。
【００５８】
図１９および図２０に示すように、半導体素子７０を位置決めする際には、位置決めブロック２０が半導体素子７０に向かって移動する。位置決めブロック２０が矢印ＡＲ１１方向に移動することによって、位置決めブロック２０の当接部２０Ｕは半導体素子７０の側方から半導体素子７０の端面７２に当接する。位置決めブロック２０は、半導体素子３０を同方向に向かって移動させる。
【００５９】
上述のとおり、位置決めブロック２０が半導体素子７０に当接する前は、半導体素子７０の一部（端面７２）が載置面１０Ｓから外方（位置決めブロック２０側）にはみ出るように、半導体素子７０は載置面１０Ｓ上に載置されている。
【００６０】
当接部２０Ｕとの当接によって、半導体素子７０の端面７２のうち、端面７１寄りの部分は矢印ＡＲ１２方向に移動する。半導体素子７０の端面７２のうち、端面７３寄りの部分は矢印ＡＲ１３方向に移動する。端面７１寄りの部分の移動量の方が、端面７３寄りの部分の移動量に比べて大きく、半導体素子７０はわずかに平面方向に回転する。位置決めブロック２０は、当接部２０Ｕが溶接ステージ１０に当接したときに停止する。
【００６１】
半導体素子７０は、位置決めブロック２０の停止に合わせて停止する。半導体素子７０は、溶接ステージ１０の載置面１０Ｓ上において平面角（位相）が定められ、Ｘ方向の所定の位置に配置されることとなる。半導体素子７０は、半導体素子７０は位置決めブロック２０の当接のみによって位置決めされる。半導体素子７０が位置決めされるとき、半導体素子７０は挟み込まれることはない。
【００６２】
半導体素子７０が載置面１０Ｓ上に吸着されている場合、半導体素子７０は、位置決めブロック２０の当接部２０Ｕに沿って高い精度で位置決めされることが可能となる。
【００６３】
半導体素子７０が停止した時点では、半導体素子７０のＸ方向および平面角方向の位置調整が完了しているが、Ｙ方向の位置調整は完了していない。この状態で、ロボットアーム等に取り付けられた撮像カメラ９０（図１６参照）は、Ｘ方向および平面角方向（回転方向）の位置調整が完了した後の半導体素子７０のＹ方向における位置を画像認識により算出する。
【００６４】
図２１は、溶接ステージ１０の載置面１０Ｓ上に載置された半導体素子７０を位置決めする第２工程を示す平面図である。撮像カメラ９０（図１６参照）によって算出された半導体素子７０の位置Ｐ１が、所定の基準値に対して許容範囲内である場合、溶接ステージ１０は、撮像カメラ９０が算出した値に基づいてＹ方向に距離Ｙ１だけ移動する。
【００６５】
半導体素子７０は、矢印ＡＲ１４方向に沿って搬送され、素子載置領域Ｒ１内の位置Ｐ１から重ね合わせ領域Ｒ４内の位置Ｐ２に移動する。距離Ｙ１だけ溶接ステージ１０が移動することによって、Ｙ方向における半導体素子７０の位置が調整される。半導体素子７０が載置面１０Ｓ上に吸着されている場合、半導体素子７０が移動する際に半導体素子７０が位置ずれすることは、抑制または防止されることが可能となる。
【００６６】
図２２を参照して、撮像カメラ９０（図１６参照）によって算出された半導体素子７０の位置Ｐ３が、所定の基準値に対して許容範囲外の場合もある。半導体素子７０の位置Ｐ３は、位置Ｐ１からＹ方向に距離Ｙ３だけずれている。この場合、溶接ステージ１０は、撮像カメラ９０が算出した値に基づいて、Ｙ方向に距離Ｙ２だけ移動する。距離Ｙ２は、距離Ｙ１から距離Ｙ３を差し引いた値である。
【００６７】
半導体素子７０は、矢印ＡＲ１５方向に沿って搬送され、素子載置領域Ｒ１内の位置Ｐ３から重ね合わせ領域Ｒ４内の位置Ｐ２に移動する。撮像カメラ９０（図１６参照）によって算出された半導体素子７０の位置Ｐ３が所定の基準値に対して許容範囲外の場合であっても、溶接ステージ１０の移動量に補正が加えられ、その補正後の移動量（距離Ｙ２）に基づいて溶接ステージ１０が移動することによって、Ｙ方向における半導体素子７０の位置は、重ね合わせ領域Ｒ４内において適切に調整されることができる。
【００６８】
以上の各工程によって、半導体素子７０は、重ね合わせ領域Ｒ４内において、Ｘ方向およびＹ方向の所定の位置に配置され、平面角方向の調整も完了されたこととなる。その後、コネクタ収納領域Ｒ３（図１６参照）内のコネクタ４０（図１６参照）は、ロボットアーム（図示せず）によって、コネクタ収納領域Ｒ３から重ね合わせ領域Ｒ４に搬送される。コネクタ４０は、半導体素子７０および位置決めブロック２０の表面２０Ｓの上に重ねられる。
【００６９】
半導体素子７０Ｓ上に載置されたコネクタ４０は、吸引手段（図示せず）によって、位置決めブロック２０の表面２０Ｓに吸着されているとよい。位置決めブロック２０の表面２０Ｓ上に載置された半導体素子７０の位置ずれは、吸着によって防止または抑制される。
【００７０】
重ね合わせ領域Ｒ４において互いに重ね合わせられた半導体素子７０およびコネクタ４０は、溶接領域Ｒ５（図１６参照）に搬送された後、溶接用電極５０（図１６参照）によって互いに接合される。溶接用電極５０によって、コネクタ４０と半導体素子７０の電極端子との間に溶接電流が供給される。パラレルギャップ溶接により、コネクタ４０と半導体素子７０の電極端子は互いに溶接される。
【００７１】
溶接領域Ｒ５（図１６参照）においてコネクタ４０（図１６参照）が接合された半導体素子７０は、ロボットアーム（図示せず）によって完成品回収領域Ｒ６に搬送され、回収される。以上のようにして、電極端子にコネクタ４０が接合された半導体素子７０が得られる。
【００７２】
（作用・効果）
上述のとおり、半導体素子７０が、太陽電池セルに用いられるバイパスダイオードチップを構成する場合、その厚さはたとえば１５０μｍ以下に設定される。このような薄い厚さを有する半導体素子７０は、挟み込まれた場合、損傷しやすい。
【００７３】
本実施の形態の溶接装置２００においては、半導体素子７０のＸ方向およびＹ方向の位置、ならびにその平面角は、位置決めブロック２０が半導体素子７０にその側方から当接すること、および、溶接ステージ１０がＹ方向に所定の距離だけ移動することによってのみ調整される。半導体素子７０が位置決めされるとき、半導体素子７０は挟み込まれることはない。
【００７４】
したがって、溶接装置２００によれば、上述の参考技術における溶接装置１００（図１等参照）とは異なり、パラレルギャップ溶接を実施するにあたって半導体素子７０が挟み込まれることはなく、半導体素子７０が損傷することは効果的に抑制されることが可能となっている。
【００７５】
［実施の形態２］
図２３を参照して、本実施の形態における溶接装置３００について説明する。図２３は、溶接装置３００の溶接ステージ１０上に載置された半導体素子７０を位置決めする工程を示す平面図である。上述の実施の形態１の溶接装置２００では、撮像カメラ９０（図１６参照）が用いられる。図２３に示すように、本実施の形態の溶接装置３００では、測位センサー９２が用いられる。測位センサー９２は、重ね合わせ領域Ｒ４内に配置される。
【００７６】
半導体素子７０のＸ方向および平面角方向の位置調整は、上述の実施の形態１と同様に、位置決めブロック２０の当接のみによって行なわれる。半導体素子７０が位置決めされるとき、半導体素子７０は挟み込まれることはない。
【００７７】
半導体素子７０のＸ方向および平面角方向の位置調整が完了した後、溶接ステージ１０は、Ｙ方向に向かって移動する。半導体素子７０は、矢印ＡＲ１４方向に沿って搬送される。溶接装置３００においては、半導体素子７０が距離Ｙ１だけ移動した時点で、半導体素子７０の頂点部と測位センサー９２との間の距離が寸法Ｈ１となる。
【００７８】
半導体素子７０の頂点部までの距離が寸法Ｈ１となったことを測位センサー９２が検知した時点で、測位センサー９２から信号が出力される。溶接ステージ１０の移動は、この信号に基づいて停止するように制御される。半導体素子７０は、重ね合わせ領域Ｒ４内の所定の位置に移動したこととなる。これにより、Ｙ方向における半導体素子７０の位置が調整される。
【００７９】
図２４を参照して、素子載置領域Ｒ１内における半導体素子７０のＹ方向における位置が、図２３に示される位置からずれている場合もある。この場合も、溶接ステージ１０は、Ｙ方向に向かって移動する。半導体素子７０は、矢印ＡＲ１５方向に沿って搬送される。半導体素子７０が距離Ｙ２だけ移動した時点で、半導体素子７０の頂点部と測位センサー９２との間の距離が寸法Ｈ１となる。
【００８０】
半導体素子７０の頂点部までの距離が寸法Ｈ１となったことを測位センサー９２が検知した時点で、測位センサー９２から信号が出力される。溶接ステージ１０の移動は、この信号に基づいて停止するように制御される。半導体素子７０は、重ね合わせ領域Ｒ４内の所定の位置に移動したこととなる。これにより、Ｙ方向における半導体素子７０の位置が調整される。素子載置領域Ｒ１内における半導体素子７０のＹ方向における位置が、図２３に示される位置からずれている場合であっても、Ｙ方向における半導体素子７０の位置は、重ね合わせ領域Ｒ４内において適切に調整されることができる。
【００８１】
以上の各工程によって、半導体素子７０は、重ね合わせ領域Ｒ４内において、Ｘ方向およびＹ方向の所定の位置に配置され、平面角方向の調整も完了されたこととなる。その後、コネクタ収納領域Ｒ３（図１６参照）内のコネクタ４０（図１６参照）は、ロボットアーム（図示せず）によって、コネクタ収納領域Ｒ３から重ね合わせ領域Ｒ４に搬送される。コネクタ４０は、半導体素子７０および位置決めブロック２０の表面２０Ｓの上に重ねられる。
【００８２】
重ね合わせ領域Ｒ４において互いに重ね合わせられた半導体素子７０およびコネクタ４０は、溶接領域Ｒ５（図１６参照）に搬送された後、溶接用電極５０（図１６参照）によって互いに接合される。溶接用電極５０によって、コネクタ４０と半導体素子７０の電極端子との間に溶接電流が供給される。パラレルギャップ溶接により、コネクタ４０と半導体素子７０の電極端子は互いに溶接される。
【００８３】
溶接領域Ｒ５（図１６参照）においてコネクタ４０（図１６参照）が接合された半導体素子７０は、ロボットアーム（図示せず）によって完成品回収領域Ｒ６に搬送され、回収される。以上のようにして、電極端子にコネクタ４０が接合された半導体素子７０が得られる。
【００８４】
（作用・効果）
上述のとおり、半導体素子７０が、太陽電池セルに用いられるバイパスダイオードチップを構成する場合、その厚さはたとえば１５０μｍ以下に設定される。このような薄い厚さを有する半導体素子７０は、挟み込まれた場合、損傷しやすい。
【００８５】
本実施の形態の溶接装置３００においても、半導体素子７０のＸ方向およびＹ方向の位置、ならびにその平面角は、位置決めブロック２０が半導体素子７０にその側方から当接すること、および、溶接ステージ１０がＹ方向に所定の距離だけ移動することによってのみ調整される。半導体素子７０が位置決めされるとき、半導体素子７０は挟み込まれることはない。
【００８６】
したがって、溶接装置３００によれば、上述の参考技術における溶接装置１００（図１等参照）とは異なり、パラレルギャップ溶接を実施するにあたって半導体素子７０が挟み込まれることはなく、半導体素子７０が損傷することは効果的に抑制されることが可能となっている。
【００８７】
図２５を参照して、溶接装置３００によれば、半導体素子３０とコネクタ４０（図１６参照）とを互いに溶接することもできる。半導体素子３０は、たとえば太陽電池セルであり、四角形の形状を有している。
【００８８】
半導体素子３０のＸ方向および平面角方向の位置調整は、上述の実施の形態１と同様に、位置決めブロック２０の当接のみによって行なわれる。半導体素子３０が位置決めされるとき、半導体素子３０は挟み込まれることはない。
【００８９】
半導体素子３０のＸ方向および平面角方向の位置調整が完了した後、溶接ステージ１０は、Ｙ方向に向かって移動する。半導体素子３０は、矢印ＡＲ１４方向に沿って搬送される。溶接装置３００においては、半導体素子３０が距離Ｙ１だけ移動した時点で、Ｘ方向における半導体素子３０と測位センサー９２との間の距離が寸法Ｈ１となる。
【００９０】
半導体素子３０までの距離が寸法Ｈ１となったことを測位センサー９２が検知した時点で、測位センサー９２から信号が出力される。溶接ステージ１０の移動は、この信号に基づいて停止するように制御される。半導体素子３０は、重ね合わせ領域Ｒ４内の所定の位置に移動したこととなる。これにより、Ｙ方向における半導体素子３０の位置が調整される。
【００９１】
図２６を参照して、素子載置領域Ｒ１内における半導体素子３０のＹ方向における位置が、図２５に示される位置からずれている場合もある。この場合も、溶接ステージ１０は、Ｙ方向に向かって移動する。半導体素子３０は、矢印ＡＲ１５方向に沿って搬送される。半導体素子３０が距離Ｙ２だけ移動した時点で、半導体素子７０と測位センサー９２との間の距離が寸法Ｈ１となる。
【００９２】
半導体素子３０の頂点部までの距離が寸法Ｈ１となったことを測位センサー９２が検知した時点で、測位センサー９２から信号が出力される。溶接ステージ１０の移動は、この信号に基づいて停止するように制御される。半導体素子３０は、重ね合わせ領域Ｒ４内の所定の位置に移動したこととなる。これにより、Ｙ方向における半導体素子３０の位置が調整される。素子載置領域Ｒ１内における半導体素子３０のＹ方向における位置が、図２５に示される位置からずれている場合であっても、Ｙ方向における半導体素子３０の位置は、重ね合わせ領域Ｒ４内において適切に調整されることができる。
【００９３】
以上の各工程によって、半導体素子３０は、重ね合わせ領域Ｒ４内において、Ｘ方向およびＹ方向の所定の位置に配置され、平面角方向の調整も完了されたこととなる。その後、コネクタ収納領域Ｒ３（図１６参照）内のコネクタ４０（図１６参照）は、ロボットアーム（図示せず）によって、コネクタ収納領域Ｒ３から重ね合わせ領域Ｒ４に搬送される。コネクタ４０は、半導体素子３０および位置決めブロック２０の表面２０Ｓの上に重ねられる。
【００９４】
重ね合わせ領域Ｒ４において互いに重ね合わせられた半導体素子３０およびコネクタ４０は、溶接領域Ｒ５（図１６参照）に搬送された後、溶接用電極５０（図１６参照）によって互いに接合される。溶接用電極５０によって、コネクタ４０と半導体素子３０の電極端子との間に溶接電流が供給される。パラレルギャップ溶接により、コネクタ４０と半導体素子３０の電極端子は互いに溶接される。
【００９５】
溶接領域Ｒ５（図１６参照）においてコネクタ４０（図１６参照）が接合された半導体素子３０は、ロボットアーム（図示せず）によって完成品回収領域Ｒ６に搬送され、回収される。以上のようにして、電極端子にコネクタ４０が接合された半導体素子３０が得られる。
【００９６】
上述のとおり、半導体素子３０が、太陽電池セルを構成する場合、その厚さはたとえば１５０μｍ以下に設定される。このような薄い厚さを有する半導体素子３０も、挟み込まれた場合、損傷しやすい。
【００９７】
半導体素子３０のＸ方向およびＹ方向の位置、ならびにその平面角は、位置決めブロック２０が半導体素子３０にその側方から当接すること、および、溶接ステージ１０がＹ方向に所定の距離だけ移動することによってのみ調整される。半導体素子３０が位置決めされるとき、半導体素子３０は挟み込まれることはない。
【００９８】
したがって、溶接装置３００によれば、上述の参考技術における溶接装置１００（図１等参照）とは異なり、パラレルギャップ溶接を実施するにあたって半導体素子３０が挟み込まれることはなく、半導体素子３０が損傷することは効果的に抑制されることが可能となっている。
【００９９】
［実施の形態３］
図２７を参照して、本実施の形態における溶接装置４００について説明する。図２７は、溶接装置４００の溶接ステージ１０上に載置された半導体素子７０を位置決めする工程を示す平面図である。上述の実施の形態１の溶接装置２００では、撮像カメラ９０（図１６参照）が用いられる。上述の実施の形態２の溶接装置３００では、測位センサー９２（図２３参照）が用いられる。図２７に示すように、本実施の形態の溶接装置４００では、深針９４が用いられる。深針９４は、Ｙ方向に沿って搬送される半導体素子７０の搬送経路上に配置される。
【０１００】
半導体素子７０のＸ方向および平面角方向の位置調整は、上述の実施の形態１と同様に、位置決めブロック２０の当接のみによって行なわれる。半導体素子７０が位置決めされるとき、半導体素子７０は挟み込まれることはない。
【０１０１】
半導体素子７０のＸ方向および平面角方向の位置調整が完了した後、溶接ステージ１０は、Ｙ方向に向かって移動する。半導体素子７０は、矢印ＡＲ１４方向に沿って搬送される。溶接装置４００においては、半導体素子７０が距離Ｙ１だけ移動した時点で、半導体素子７０は深針９４に接触する。
【０１０２】
半導体素子７０が深針９４に接触した時点で、深針９４から信号が出力される。溶接ステージ１０の移動は、この信号に基づいて停止するように制御される。半導体素子７０は、重ね合わせ領域Ｒ４内の所定の位置に移動したこととなる。これにより、Ｙ方向における半導体素子７０の位置が調整される。
【０１０３】
図２８を参照して、素子載置領域Ｒ１内における半導体素子７０のＹ方向における位置が、図２７に示される位置からずれている場合もある。この場合も、溶接ステージ１０は、Ｙ方向に向かって移動する。半導体素子７０は、矢印ＡＲ１５方向に沿って搬送される。半導体素子７０が距離Ｙ２だけ移動した時点で、半導体素子７０は深針９４に接触する。
【０１０４】
半導体素子７０が深針９４に接触した時点で、深針９４から信号が出力される。溶接ステージ１０の移動は、この信号に基づいて停止するように制御される。半導体素子７０は、重ね合わせ領域Ｒ４内の所定の位置に移動したこととなる。これにより、Ｙ方向における半導体素子７０の位置が調整される。素子載置領域Ｒ１内における半導体素子７０のＹ方向における位置が、図２７に示される位置からずれている場合であっても、Ｙ方向における半導体素子７０の位置は、重ね合わせ領域Ｒ４内において適切に調整されることができる。
【０１０５】
以上の各工程によって、半導体素子７０は、重ね合わせ領域Ｒ４内において、Ｘ方向およびＹ方向の所定の位置に配置され、平面角方向の調整も完了されたこととなる。その後、深針９４は次工程のために上空へ退避して、コネクタ収納領域Ｒ３（図１６参照）内のコネクタ４０（図１６参照）は、ロボットアーム（図示せず）によって、コネクタ収納領域Ｒ３から重ね合わせ領域Ｒ４に搬送される。コネクタ４０は、半導体素子７０および位置決めブロック２０の表面２０Ｓの上に重ねられる。
【０１０６】
重ね合わせ領域Ｒ４において互いに重ね合わせられた半導体素子７０およびコネクタ４０は、溶接領域Ｒ５（図１６参照）に搬送された後、溶接用電極５０（図１６参照）によって互いに接合される。溶接用電極５０によって、コネクタ４０と半導体素子７０の電極端子との間に溶接電流が供給される。パラレルギャップ溶接により、コネクタ４０と半導体素子７０の電極端子は互いに溶接される。
【０１０７】
溶接領域Ｒ５（図１６参照）においてコネクタ４０（図１６参照）が接合された半導体素子７０は、ロボットアーム（図示せず）によって完成品回収領域Ｒ６に搬送され、回収される。以上のようにして、電極端子にコネクタ４０が接合された半導体素子７０が得られる。
【０１０８】
（作用・効果）
上述のとおり、半導体素子７０が、太陽電池セルに用いられるバイパスダイオードチップを構成する場合、その厚さはたとえば１５０μｍ以下に設定される。このような薄い厚さを有する半導体素子７０は、挟み込まれた場合、損傷しやすい。
【０１０９】
本実施の形態の溶接装置４００においても、半導体素子７０のＸ方向およびＹ方向の位置、ならびにその平面角は、位置決めブロック２０が半導体素子７０にその側方から当接すること、および、溶接ステージ１０がＹ方向に所定の距離だけ移動して半導体素子７０が深針９４に接触することによってのみ調整される。半導体素子７０が位置決めされるとき、半導体素子７０は挟み込まれることはない。
【０１１０】
したがって、溶接装置４００によれば、上述の参考技術における溶接装置１００（図１等参照）とは異なり、パラレルギャップ溶接を実施するにあたって半導体素子７０が挟み込まれることはなく、半導体素子７０が損傷することは効果的に抑制されることが可能となっている。
【０１１１】
図２９を参照して、溶接装置４００によれば、半導体素子３０とコネクタ４０（図１６参照）とを互いに溶接することもできる。半導体素子３０は、たとえば太陽電池セルであり、四角形の形状を有している。
【０１１２】
半導体素子３０のＸ方向および平面角方向の位置調整は、上述の実施の形態１と同様に、位置決めブロック２０の当接のみによって行なわれる。半導体素子３０が位置決めされるとき、半導体素子３０は挟み込まれることはない。
【０１１３】
半導体素子３０のＸ方向および平面角方向の位置調整が完了した後、溶接ステージ１０は、Ｙ方向に向かって移動する。半導体素子３０は、矢印ＡＲ１４方向に沿って搬送される。溶接装置４００においては、半導体素子７０が距離Ｙ１だけ移動した時点で、半導体素子７０は深針９４に接触する。
【０１１４】
半導体素子７０が深針９４に接触した時点で、深針９４から信号が出力される。溶接ステージ１０の移動は、この信号に基づいて停止するように制御される。半導体素子３０は、重ね合わせ領域Ｒ４内の所定の位置に移動したこととなる。これにより、Ｙ方向における半導体素子３０の位置が調整される。
【０１１５】
図３０を参照して、素子載置領域Ｒ１内における半導体素子３０のＹ方向における位置が、図２９に示される位置からずれている場合もある。この場合も、溶接ステージ１０は、Ｙ方向に向かって移動する。半導体素子３０は、矢印ＡＲ１５方向に沿って搬送される。半導体素子３０が距離Ｙ２だけ移動した時点で、半導体素子７０は深針９４に接触する。
【０１１６】
半導体素子７０が深針９４に接触した時点で、深針９４から信号が出力される。溶接ステージ１０の移動は、この信号に基づいて停止するように制御される。半導体素子３０は、重ね合わせ領域Ｒ４内の所定の位置に移動したこととなる。これにより、Ｙ方向における半導体素子３０の位置が調整される。素子載置領域Ｒ１内における半導体素子３０のＹ方向における位置が、図２９に示される位置からずれている場合であっても、Ｙ方向における半導体素子３０の位置は、重ね合わせ領域Ｒ４内において適切に調整されることができる。
【０１１７】
以上の各工程によって、半導体素子３０は、重ね合わせ領域Ｒ４内において、Ｘ方向およびＹ方向の所定の位置に配置され、平面角方向の調整も完了されたこととなる。その後、深針９４は次工程のために上空へ退避して、コネクタ収納領域Ｒ３（図１６参照）内のコネクタ４０（図１６参照）は、ロボットアーム（図示せず）によって、コネクタ収納領域Ｒ３から重ね合わせ領域Ｒ４に搬送される。コネクタ４０は、半導体素子３０および位置決めブロック２０の表面２０Ｓの上に重ねられる。
【０１１８】
重ね合わせ領域Ｒ４において互いに重ね合わせられた半導体素子３０およびコネクタ４０は、溶接領域Ｒ５（図１６参照）に搬送された後、溶接用電極５０（図１６参照）によって互いに接合される。溶接用電極５０によって、コネクタ４０と半導体素子３０の電極端子との間に溶接電流が供給される。パラレルギャップ溶接により、コネクタ４０と半導体素子３０の電極端子は互いに溶接される。
【０１１９】
溶接領域Ｒ５（図１６参照）においてコネクタ４０（図１６参照）が接合された半導体素子３０は、ロボットアーム（図示せず）によって完成品回収領域Ｒ６に搬送され、回収される。以上のようにして、電極端子にコネクタ４０が接合された半導体素子３０が得られる。
【０１２０】
上述のとおり、半導体素子３０が、太陽電池セルを構成する場合、その厚さはたとえば１５０μｍ以下に設定される。このような薄い厚さを有する半導体素子３０も、挟み込まれた場合、損傷しやすい。
【０１２１】
半導体素子３０のＸ方向およびＹ方向の位置、ならびにその平面角は、位置決めブロック２０が半導体素子３０にその側方から当接すること、および、溶接ステージ１０がＹ方向に所定の距離して半導体素子３０が深針９４に接触することによってのみ調整される。半導体素子３０が位置決めされるとき、半導体素子３０は挟み込まれることはない。
【０１２２】
したがって、溶接装置４００によれば、上述の参考技術における溶接装置１００（図１等参照）とは異なり、パラレルギャップ溶接を実施するにあたって半導体素子３０が挟み込まれることはなく、半導体素子３０が損傷することは効果的に抑制されることが可能となっている。
【０１２３】
以上、本発明に基づいた各実施の形態について説明したが、今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１２４】
１０  溶接ステージ、１０Ｓ  載置面、２０，２２  位置決めブロック、２０Ｓ，３０Ｓ  表面、２０Ｔ，２２Ｔ  押し当て部、２０Ｕ  当接部、３０，７０，７０Ｓ  半導体素子、３１，３２，３３，３４，７１，７２，７３  端面、４０  コネクタ、５０  溶接用電極、５２，５４  電極、６１，６２，６３，６４，６５，６６  位置決めピン、８０  溶接痕、９０  撮像カメラ、９２  測位センサー、９４  深針、１００，２００，３００，４００  溶接装置、Ｈ１  寸法、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３  位置、Ｒ１  素子載置領域、Ｒ２  素子収納領域、Ｒ３  コネクタ収納領域、Ｒ４  重ね合わせ領域、Ｒ５  溶接領域、Ｒ６  完成品回収領域、Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３  距離。
【図１】
2013184196.tif 000003
【図２】
2013184196.tif 000004
【図３】
2013184196.tif 000005
【図４】
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【図５】
2013184196.tif 000007
【図６】
2013184196.tif 000008
【図７】
2013184196.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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