(57)【要約】【課題】半導体装置の生産効率の低下を抑制しつつ、設備イベントの発生後にＡＰＣシステムで算出する補正値の精度を向上させることができる半導体装置製造システム及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置製造システムに、半導体ウエハーのロット毎の処理で用いる補正値を求めるＡＰＣシステムを備える。ＡＰＣシステムは、予め設定されたアルゴリズムにしたがって算出された第１補正値、並びに設備イベントが発生した前後の半導体製造装置の状態値の差に起因して発生する処理誤差を補正するための調整値を含む第２補正値を求め、該求めた第２補正値を設備イベント発生後に処理するロット用の補正値として半導体製造装置へ通知する。【選択図】図１
2013251365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め設定された処理条件及び外部から通知される補正値にしたがって半導体ウエハーの所望のレイヤの作成に必要な処理を実行する半導体製造装置と、
前記半導体製造装置で処理された前記レイヤの品質を測定する測定装置と、
予め設定されたアルゴリズムにしたがって算出された第１補正値、並びに設備イベントが発生した前後の前記半導体製造装置の状態値の差に起因して発生する処理誤差を補正するための調整値を含む第２補正値を求め、該求めた第２補正値を前記設備イベント発生後に処理するロット用の補正値として前記半導体製造装置へ通知するアドバンストプロセスコントロールシステムと、
を有する半導体装置製造システム。
【請求項２】
前記アドバンストプロセスコントロールシステムは、
前記半導体製造装置が処理する前記半導体ウエハーのロット毎の前記処理条件及び前記補正値を含む処理値、修理やメンテナンスを含む前記設備イベントが発生した前後の前記半導体製造装置の機械的パラメータである状態値、並びに前記測定装置で測定された前記半導体製造装置で処理された前記半導体ウエハーの品質の測定値をそれぞれ取得して保存し、前記処理値及び前記測定値に基づき前記第１補正値を算出する請求項１記載の半導体装置製造システム。
【請求項３】
前記第１補正値をＦ１とし、前記第２補正値をＦ２とし、前記設備イベントが発生する前の前記状態値をＸとし、前記設備イベントが発生した後の前記状態値をＸ’とし、予め設定した補正係数をｋとしたとき、
前記アドバンストプロセスコントロールシステムは、
前記第２補正値Ｆ２を
Ｆ２＝Ｆ１＋ｋ×（Ｘ’−Ｘ）
で求める請求項１または２記載の半導体装置製造システム。
【請求項４】
前記半導体製造装置は、露光装置であり、
前記測定装置は、前記レイヤの目合せずれ量を測定するメズレ測定装置であり、
前記アドバンストプロセスコントロールシステムは、前記目合せずれ量を補正するための補正値を前記露光装置に通知する請求項１から３のいずれか１項記載の半導体装置製造システム。
【請求項５】
前記状態値に、
前記半導体ウエハーが設置されるウエハーステージの並進成分、倍率成分及び回転成分、並びに前記半導体ウエハー上に所望のパターンを形成するためのレチクルが設置されるレチクルステージの並進成分、倍率成分及び回転成分の少なくとも１つを含み、
前記アドバンストプロセスコントロールシステムは、前記並進成分、倍率成分または回転成分毎に前記第２補正値を算出する請求項４記載の半導体装置製造システム。
【請求項６】
予め設定された処理条件及び外部から通知される補正値にしたがって半導体ウエハーの所望のレイヤの作成に必要な処理を実行する半導体製造装置と、
前記半導体製造装置で処理された前記レイヤの品質を測定する測定装置と、
前記半導体ウエハーのロット毎の処理で用いる前記補正値を求めるアドバンストプロセスコントロールシステムと、
を備えた半導体装置製造システムにおける半導体装置の製造方法であって、
前記アドバンストプロセスコントロールシステムが、
予め設定されたアルゴリズムにしたがって算出された第１補正値、並びに設備イベントが発生した前後の前記半導体製造装置の状態値の差に起因して発生する処理誤差を補正するための調整値を含む第２補正値を求め、該求めた第２補正値を前記設備イベント発生後に処理するロット用の補正値として前記半導体製造装置へ通知する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記アドバンストプロセスコントロールシステムが、
前記半導体製造装置が処理する前記半導体ウエハーのロット毎の前記処理条件及び前記補正値を含む処理値、修理やメンテナンスを含む前記設備イベントが発生した前後の前記半導体製造装置の機械的パラメータである状態値、並びに前記測定装置で測定された前記半導体製造装置で処理された前記半導体ウエハーの品質の測定値をそれぞれ取得して保存し、前記処理値及び前記測定値に基づき前記第１補正値を算出する請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１補正値をＦ１とし、前記第２補正値をＦ２とし、前記設備イベントが発生する前の前記状態値をＸとし、前記設備イベントが発生した後の前記状態値をＸ’とし、予め設定した補正係数をｋとしたとき、
前記アドバンストプロセスコントロールシステムが、
前記第２補正値Ｆ２を
Ｆ２＝Ｆ１＋ｋ×（Ｘ’−Ｘ）
で求める請求項６または７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体製造装置が、露光装置であり、
前記測定装置が、前記レイヤの目合せずれ量を測定するメズレ測定装置であり、
前記アドバンストプロセスコントロールシステムが、前記目合せずれ量を補正するための補正値を前記露光装置に通知する請求項６から８のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記状態値に、
前記半導体ウエハーが設置されるウエハーステージの並進成分、倍率成分及び回転成分、並びに前記半導体ウエハー上に所望のパターンを形成するためのレチクルが設置されるレチクルステージの並進成分、倍率成分及び回転成分の少なくとも１つを含み、
前記アドバンストプロセスコントロールシステムが、前記並進成分、倍率成分または回転成分毎に前記第２補正値を算出する請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＡＰＣ（Advanced Process Control：アドバンストプロセスコントロール）システムを用いる半導体装置製造システム及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体量産工場等において稼働している半導体製造装置は、長時間の運転によりその調整値が変化したり、消耗部品が劣化したりするため、加工（以下、「処理」と称す）対象である半導体ウエハー（以下、単に「ウエハー」と称す）に対する処理条件が少しずつ変わっていく傾向がある。そこで、半導体装置の製造工程には、半導体製造装置の状態が変化しても半導体装置の仕上がり精度を維持できるように、処理後のウエハーを検査し、該検査結果にしたがって半導体製造装置による処理条件を補正するＡＰＣシステムが導入されている。
【０００３】
ＡＰＣシステムは、通常、過去に処理したロットの情報（例えば、処理値や検査結果）に基づき、予め設定された数学的プロセスモデルから得られるアルゴリズムにしたがって次のロットの補正値を算出する。なお、処理値とは、予め設定された処理条件とＡＰＣシステムで算出された上記補正値とを含む半導体製造装置がウエハーに対する処理で実際に用いた値である。
【０００４】
一般に、半導体装置は、周知のフォトリソグラフィー工程、エッチング工程、成膜工程等により所望のパターンや形状に加工された複数のレイヤが半導体基板上に積載された構造である。例えば、フォトリソグラフィー工程では、処理対象であるレイヤのマスクパターンが、露光装置を用いて半導体基板上に塗布されたレジスト膜に転写される。このとき、該レイヤの処理で用いるレチクル（またはフォトマスク）は下層のレイヤに形成されたパターンに対して位置合わせ（目合せ）される。なお、本明細書で「レイヤ」と称した場合、例えばマスクパターンが転写されたレジスト膜等、所望のパターンや形状が完成する前の積載物も含むものとする。
【０００５】
上記補正値は、例えば処理対象のレイヤに対応するレチクル（またはフォトマスク）やウエハーの位置を補正するためのオフセット量であり、該オフセット量には、Ｘ方向及びＹ方向におけるウエハーのシフト量に対応する並進成分、ウエハーの伸縮量に対応する倍率成分、ウエハーの回転成分、レチクル（またはフォトマスク）のシフト量に対応する並進成分、レチクル（またはフォトマスク）の伸縮量に対応する倍率成分、レチクル（またはフォトマスク）の回転成分等が含まれる。また、上記補正値には、例えば予め設定された露光量や露光時間に対する微調整量が含まれる。
【０００６】
フォトリソグラフィー工程における目合せずれの補正方法は、例えば特許文献１でも提案されている。特許文献１には、露光装置の機械番号やレチクルに対応する、過去に処理した各ロットの目合せずれ量をその成分（上記レチクルやウエハーの並進成分、倍率成分、回転成分等）毎に統計処理し、該統計処理後の目合せずれ量に基づいて次のロットの補正値を上記成分毎に求めることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−６９９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
半導体製造装置は、常に正常な状態で稼働できるように、故障発生時に修理するだけでなく、所定の期間あるいは所定数のロットの処理毎に、消耗部品の交換や整備等のメンテナンスが必要になる。
【０００９】
一方、ＡＰＣシステムは、上述したように過去に処理したロットの情報に基づいて次のロットの補正値を算出する。ここで、半導体製造装置で修理やメンテナンス等を含む設備イベントが発生し、設備イベントの前後で半導体製造装置の状態（機械的なパラメータ等）が大きく変化した場合、ＡＰＣシステムは、設備イベントの発生前に処理したロットの情報からだけでは、設備イベントの直後に処理するロットの補正値を正確に予測・算出することができなくなる。そのため、設備イベント後に処理するロットにおいて、予め設定された規格値（管理値）から外れるウエハーが作成され、手直し処理（Rework）が高い頻度で発生する可能性がある。
【００１０】
このような問題を回避するため、例えば設備イベントが発生した場合は、予め設定した数（例えば、１枚）のウエハーを先行して処理し（先行処理またはパイロット処理と呼ばれる）、該先行処理したウエハーの検査結果に基づき、設備イベント後に処理するロットの補正値を求める方法が考えられる。しかしながら、それではＡＰＣシステムの調整に時間を要するため、半導体装置の生産効率が低下してしまう。
【００１１】
上記特許文献１では、設備イベント等に起因するずれ量を異常点として除外して統計処理を行っており、設備イベントの直後に処理するロットの補正値を予測・算出する方法については何も示していない。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の半導体装置製造システムは、予め設定された処理条件及び外部から通知される補正値にしたがって半導体ウエハーの所望のレイヤの作成に必要な処理を実行する半導体製造装置と、
前記半導体製造装置で処理された前記レイヤの品質を測定する測定装置と、
予め設定されたアルゴリズムにしたがって算出された第１補正値、並びに設備イベントが発生した前後の前記半導体製造装置の状態値の差に起因して発生する処理誤差を補正するための調整値を含む第２補正値を求め、該求めた第２補正値を前記設備イベント発生後に処理するロット用の補正値として前記半導体製造装置へ通知するアドバンストプロセスコントロールシステムと、
を有する。
【００１３】
一方、本発明の半導体装置の製造方法は、予め設定された処理条件及び外部から通知される補正値にしたがって半導体ウエハーの所望のレイヤの作成に必要な処理を実行する半導体製造装置と、
前記半導体製造装置で処理された前記レイヤの品質を測定する測定装置と、
前記半導体ウエハーのロット毎の処理で用いる前記補正値を求めるアドバンストプロセスコントロールシステムと、
を備えた半導体装置製造システムにおける半導体装置の製造方法であって、
前記アドバンストプロセスコントロールシステムが、
予め設定されたアルゴリズムにしたがって算出された第１補正値、並びに設備イベントが発生した前後の前記半導体製造装置の状態値の差に起因して発生する処理誤差を補正するための調整値を含む第２補正値を求め、該求めた第２補正値を前記設備イベント発生後に処理するロット用の補正値として前記半導体製造装置へ通知する方法である。
【００１４】
上記のような半導体装置製造システム及び半導体装置の製造方法では、アドバンストプロセスコントロールシステムが半導体製造装置の設備イベントの発生前後の状態値の差（機械的なパラメータの変動）を考慮して、設備イベントの発生後に処理するロット用の補正値を求める。そのため、設備イベントの発生後にアドバンストプロセスコントロールシステムで算出する補正値の精度が向上する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体装置の生産効率の低下を抑制しつつ、設備イベントの発生後にＡＰＣ（アドバンストプロセスコントロール）システムで算出する補正値の精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】半導体装置製造システムの一構成例を示すブロック図である。
【図２】図１に示した半導体製造装置の一例である、露光装置の構成例を示す模式図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の効果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
次に本発明について図面を用いて説明する。
【００１８】
図１は、半導体装置製造システムの一構成例を示すブロック図である。図２は、図１に示した半導体製造装置の一例である、露光装置の構成例を示す模式図である。
【００１９】
図１に示すように、半導体装置製造システムは、予め設定された処理条件及び外部から通知される補正値にしたがって所望のレイヤの作成に必要な処理を実行する半導体製造装置１０１と、半導体製造装置１０１で処理されたレイヤの品質を測定する測定装置１０２と、ロット毎のウエハーに対する処理で用いる補正値を求めるＡＰＣシステム１００とを有する。図１に示すＡＰＣシステム１００、半導体製造装置１０１及び測定装置１０２は、ＬＡＮ（Local Area network）等の周知の通信ネットワークを介して接続され、互いに情報の送受信が可能な構成である。なお、図１では、設備イベントの発生前後で半導体製造装置１０１とＡＰＣシステム１００間で送受信する情報の差異を示すために２つの半導体製造装置１０１を記載しているが、図１に示す２つの半導体製造装置１０１は実際には同一の装置である。
【００２０】
以下では、半導体製造装置１０１として露光装置を例示し、測定装置１０２としてウエハー上に形成されたレイヤ間の目合せずれを測定するメズレ計測装置を例示し、ＡＰＣシステム１００が該目合せずれを補正するための補正値を求める例で説明するが、本発明は半導体装置の各製造工程で使用するその他の半導体製造装置や測定装置、並びに該半導体製造装置による処理の補正値をＡＰＣシステムで求める場合にも適用可能である。
【００２１】
半導体製造装置１０１は、半導体装置の任意の製造工程で用いられる周知の製造装置であり、例えばフォトリソグラフィー工程で用いられる露光装置１０がある。
【００２２】
露光装置１０は、例えば図２に示すように、ウエハー４が設置されるウエハーステージ１１と、レチクル１が設置されるレチクルステージ１２と、ウエハー４とレチクル１の相対位置を計測する位置計測光学系１３と、レチクル１を透過した露光光をウエハー４上に縮小投影する投影レンズ１４と、ウエハーステージ１１及びレチクルステージ１２を駆動制御するステージ制御部１５とを有する。
【００２３】
ウエハー４に対する露光時、予めレジスト膜が塗布されたウエハー４がウエハーステージ１１上に載置される。露光装置１０は、例えば１回の露光領域となるショット領域がウエハー４の所定領域へ位置するように、あるいはショット領域毎に設けられた位置合わせ用のマークに基づき、ステージ制御部１５によりウエハーステージ１１を、Ｘ方向、Ｙ方向、高さ（Ｚ）方向、回転方向等に移動させ、所定の位置で停止させる。また、露光装置１０は、位置計測光学系１３の測定結果に基づき、ウエハー４とレチクル１の相対位置が所定の関係となるように、ステージ制御部１５によりレチクルステージ１２を、Ｘ方向、Ｙ方向、高さ（Ｚ）方向、回転方向等に移動させ、所定の位置で停止させる。このとき、露光装置１０は、ＡＰＣシステム１００から通知される補正値を用いてウエハーステージ１１やレチクルステージ１２の位置を補正する。
【００２４】
ウエハーステージ１１及びレチクルステージ１２が所定の位置で停止すると、不図示の光源から出射され、レチクル（またはフォトマスク）を透過した露光光が投影レンズ１４により縮小されてウエハー４上に投影され、レチクル１のパターンがウエハー４上のレジスト膜に転写される。以上の処理を繰り返すことでウエハー４上のレジスト膜には複数のショット領域毎にレチクル１のパターンが転写される。露光後のウエハー４は、現像されて余分なレジスト膜が除去される。
【００２５】
測定装置１０２は、半導体製造装置１０１で作成されたレイヤの品質を測定する装置であり、例えばウエハー４上に形成されるレイヤ間の目合せずれ量を測定し、その測定結果をＡＰＣシステム１００に通知するメズレ計測装置がある。
【００２６】
ウエハー４は、半導体製造装置１０１によって所定のロット単位で処理（加工）され、測定装置１０２により処理後の目合せずれ量が測定される。半導体製造装置１０１の処理値や測定装置１０２の検査結果である測定値はＡＰＣシステム１００で保存され、ＡＰＣシステム１００は、これら処理値や補正値に基づき、所定の数学的プロセスモデルにしたがって次に処理するロットの補正値を算出する。
【００２７】
ＡＰＣシステム１００は、例えばプログラムにしたがって処理を実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）、該ＣＰＵの処理で必要なデータを一時的に保持するメモリ、上記プログラムあるいは半導体製造装置１０１の処理条件や補正値、測定装置１０２による測定値、後述する半導体製造装置１０１の状態値やその差の値等の情報が格納される記憶装置を備えた情報処理装置（コンピュータ）で実現できる。
【００２８】
本実施形態の半導体装置製造システムでは、ＡＰＣシステム１００が、半導体製造装置１０１によるロット毎の処理値、並びに測定装置１０２の測定値をそれぞれ取得すると共に、該半導体製造装置１０１のロット毎の状態を示す状態値（機械的なパラメータ）も取得する。処理値や状態値は、半導体製造装置１０１から各ロットの処理開始前や処理終了後に送信してもよく、ＡＰＣシステム１００からの要求にしたがって半導体製造装置１０１に送信させてもよい。測定値は、測定装置１０２からウエハー毎に送信してもよく、ロット毎に送信してもよい。また、測定値は、ＡＰＣシステム１００からの要求にしたがって測定装置１０２に送信させてもよい。
【００２９】
半導体製造装置１０１の処理値には、処理対象のレイヤの形成に必要な、予め設定された処理条件と、ＡＰＣシステム１００から通知されるロット毎の補正値とを含む、半導体製造装置１０１がウエハー４に対する処理で実際に用いた値である。
【００３０】
半導体製造装置１０１の状態値は、半導体製造装置１０１の機械的なパラメータであり、例えばウエハーステージ１１やレチクルステージ１２のパラメータがある。ウエハーステージ１１のパラメータには、Ｘ方向及びＹ方向におけるウエハーステージ１１のシフト量に対応する並進成分、ウエハーステージ１１の伸縮量に対応する倍率成分、ウエハーステージ１１の回転成分等が含まれる。また、レチクルステージ１２のパラメータには、Ｘ方向及びＹ方向におけるレチクルステージ１２のシフト量に対応する並進成分、レチクルステージ１２の伸縮量に対応する倍率成分、レチクルステージ１２の回転成分等が含まれる。状態値は、例えばウエハーステージ１１やレチクルステージ１２等に予め設けられた基準マークの位置や基準マークどうしの距離等を測定することで取得すればよい。半導体製造装置１０１の状態値は、半導体製造装置１０１自身で測定してもよく、他の測定装置を用いて測定してもよい。半導体製造装置１０１で設備イベントが発生した場合、該半導体製造装置１０１の状態値は、例えば該設備イベントの作業で用いる校正用の基準ウエハーの位置等を測定することで取得することも可能である。
【００３１】
このような構成において、例えばフォトリソグラフィー工程において任意のレイヤ（α）を処理する場合、第ｎのロットでは、半導体製造装置１０１に対して予め設定された処理条件とＡＰＣシステム１００から指示された補正値Ｆ０とを用いて各ウエハー４が処理される。また、その際に半導体製造装置１０１から通知される処理値ａがＡＰＣシステム１００で保存される。
【００３２】
第ｎのロットにおいて、半導体製造装置１０１の処理が終了すると、測定装置１０２によりレイヤ（α）の目合せずれ量が測定され、測定装置１０２から通知される該測定値（検査値）ｂがＡＰＣシステム１００で保存される。
【００３３】
ここで、第ｎのロットの処理後に、半導体製造装置１０１で設備イベントが発生した場合、上述したように背景技術のＡＰＣシステム１００は、第ｎのロットまでの情報に基づき、第ｎ＋１のロットの補正値Ｆ１（＝ｆ（ａ，ｂ））を算出する。そのため、第ｎ＋１のロットでは、正確な補正値が予測・算出されずに、予め設定された規格値（管理値）から外れるウエハー４が作成され、手直し処理（Rework）が高い頻度で発生する可能性がある。
【００３４】
本実施形態では、ＡＰＣシステム１００により、第ｎのロットの処理後または設備イベントの発生前に半導体製造装置１０１から通知される該半導体製造装置１０１の状態値Ｘも併せて保存する。さらに、本実施形態では、ＡＰＣシステム１００により、設備イベントの終了後に半導体製造装置１０１から通知される該半導体製造装置１０１の状態値Ｘ’も保存する。
【００３５】
ＡＰＣシステム１００は、設備イベント前後の状態値Ｘ、Ｘ’を比較し、Ｘ＝Ｘ’である場合は、状態値ＸをＸ’で上書きする。
【００３６】
一方、Ｘ≠Ｘ’である場合、ＡＰＣシステム１００は（Ｘ’−Ｘ）を算出して保存する。上述したように、状態値Ｘ、Ｘ’は、ＡＰＣシステム１００及び半導体製造装置１０１によって自動で収集・保存されることが望ましい。
【００３７】
なお、ＡＰＣシステム１００は、各ロットに対する処理の終了毎に状態値を保存し、設備イベントの発生有無に関係なく、常に状態値の差を算出して保存しておいてもよい。
【００３８】
設備イベント終了後に第ｎ＋１のロットを処理する場合、本実施形態のＡＰＣシステム１００は、背景技術と同様の数学的プロセスモデルにしたがって補正値Ｆ１（第１補正値）を算出すると共に、該第１補正値Ｆ１と、設備イベント前後の半導体製造装置１０１の状態値の差（Ｘ’−Ｘ）に起因して発生する処理誤差を補正するための調整値とを含む補正値Ｆ２（第２補正値）を算出する。本実施形態のＡＰＣシステム１００は、この補正値Ｆ２（第２補正値）を設備イベント発生後に処理する第ｎ＋１ロット用の補正値として半導体製造装置１０１へ通知する。
【００３９】
補正値Ｆ２は、例えば以下の式で求める。
【００４０】
Ｆ２＝Ｆ１＋ｋ×（Ｘ’−Ｘ）＝ｆ（ａ，ｂ）＋ｋ×（Ｘ’−Ｘ）
ここで、ｋは、半導体製造装置１０１の状態値の差（Ｘ’−Ｘ）に対応する、補正値の誤差を求めるための補正係数である。右辺のｋ×（Ｘ’−Ｘ）が、上記調整値に相当する。ｋの値には、例えば状態値の差（Ｘ’−Ｘ）に対する目合せずれ量を予め測定しておき、その関係から求められる目合せずれ量に対する状態値の差（Ｘ’−Ｘ）の寄与率を用いればよい。
【００４１】
図３は、本発明の半導体装置の製造方法の効果を示すグラフである。
【００４２】
図３に示す項目ＳｔａｇｅＰａｒａ（ウエハーステージ１１のパラメータ）は、補正対象となる半導体製造装置１０１の状態値の一例を示しており、日々微小変動しているものとする。図３は、補正対象となる１つの状態値ＳｔａｇｅＰａｒａを例にして、背景技術及び本発明で得られるロット毎の補正値、測定値及び状態値をそれぞれ示している。
【００４３】
Ｆ１（ｎ）は、背景技術のＡＰＣシステムにより第ｎのロットに対応して算出される補正値であり、それに対応する測定値がＭｅａｓ１（ｎ）である。ここでは、単純化のため、Ｆ１（ｎ）＝ａ（ｎ），Ｍｅａｓ１＝ｂ（ｎ）とする。同様に、Ｆ１（ｎ＋１）は、背景技術のＡＰＣシステムにより第ｎ＋１のロットに対応して算出される補正値であり、それに対応する測定値がＭｅａｓ１（ｎ＋１）である。
【００４４】
また、Ｆ２（ｎ）は、本実施形態のＡＰＣシステム１００により第ｎのロットに対応して算出される補正値であり、それに対応する測定値がＭｅａｓ２（ｎ）である。同様に、Ｆ２（ｎ＋１）は、本実施形態のＡＰＣシステム１００により第ｎ＋１のロットに対応して算出される補正値であり、それに対応する測定値がＭｅａｓ２（ｎ＋１）である。
【００４５】
ここでは、第１のロットから第ｎのロットまでは設備イベントが発生せず、第ｎのロットの処理後に設備イベントが発生したと仮定する。
【００４６】
第１のロットから第ｎのロットにおいては、補正対象となる半導体製造装置１０１の状態値ＳｔａｇｅＰａｒａの微小変動に起因する目合せずれ量が、検査結果である測定値“Ｍｅａｓ１”に含まれる。そのため、ロット毎の補正値及び測定値を観測していれば、次に処理するロットの補正値をある程度の精度で予測できる。
【００４７】
ここで、ＳｔａｇｅＰａｒａ（ｎ）をＸとし、第ｎ＋１のロットの処理時のＳｔａｇｅＰａｒａ（ｎ＋１）をＸ’とすると、設備イベントの発生前に処理したロットの情報しか持たない背景技術のＡＰＣシステムでは、ＳｔａｇｅＰａｒａの変動（Ｘ’−Ｘ）を考慮することができない。そのため、第ｎ＋１のロットの測定値には、ＳｔａｇｅＰａｒａの変動量（Ｘ’−Ｘ）に起因して発生する処理誤差（目合せずれ量）が加算され、測定値Ｍｅａｓ１（ｎ＋１）は、本来“０”であるべき規格値から大きく外れてしまう。
【００４８】
一方、本発明では、ロット毎のＳｔａｇｅＰａｒａＸ、Ｘ’を保存し、第ｎ＋１のロットの補正値Ｆ２（ｎ＋１）を以下の式で算出する。
【００４９】
Ｘ≠Ｘ’の場合
Ｆ１（ｎ＋１）＝ｆ（ａ（ｎ），ｂ（ｎ））
Ｆ２（ｎ＋１）＝Ｆ１（ｎ＋１）＋ｋ×（Ｘ’−Ｘ）
＝ｆ（ａ（ｎ），ｂ（ｎ））＋ｋ×（Ｘ’−Ｘ）
この補正値Ｆ２（ｎ＋１）には、Ｓｔａｇｅｐａｒａの変動量（Ｘ’−Ｘ）に起因して発生する処理誤差（目合せずれ量）を補正するための調整量が含まれているため、図３に示すように第ｎ＋１のロットの測定値Ｍｅａｓ２（ｎ＋１）は規格値から大きく外れることがない。
【００５０】
本発明によれば、ＡＰＣシステム１００が、半導体製造装置１０１の設備イベントの発生前後の状態値の差（機械的なパラメータの変動）を考慮して、設備イベントの発生後に処理するロット用の補正値を求めるため、設備イベントの発生後にＡＰＣシステム１００で算出する補正値の精度が向上する。そのため、例えばレイヤ間のパターンの目合せずれ量を「０」に近づけることができる。
【００５１】
また、本発明では、設備イベント直後に処理するロットにおいて、先行処理（パイロット処理）が不要になるため、ＡＰＣシステム１００の調整に要する時間が短縮され、半導体装置の生産効率の低下を抑制できる。
【符号の説明】
【００５２】
１    レチクル
４    ウエハー
１０    露光装置
１１    ウエハーステージ
１２    レチクルステージ
１３    位置計測光学系
１４    投影レンズ
１５    ステージ制御部
１００    ＡＰＣシステム
１０１    半導体製造装置
１０２    測定装置
【図１】
2013251365.tif 000003
【図２】
2013251365.tif 000004
【図３】
2013251365.tif 000005