(57)【要約】【課題】発光層への水分等の侵入を抑制できる発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】発光領域２０と、発光領域２０とＸ軸方向に隣接する配線領域３０とをそれぞれ含む複数の素子領域１０が、Ｘ軸方向とＹ軸方向とにそれぞれ配列された基板Ｗに作製される。Ｙ軸方向に延在しＸ軸方向に配列された複数のバー４２と、複数のバー４２間に形成された複数の開口部４３とを有するマスク４０が、バー４２が配線領域３０を被覆し、開口部４３から発光領域２０が露出するように、基板Ｗ上に配置される。マスク４０を介して、基板Ｗ上に無機膜８と有機膜９とが交互に成膜される。基板Ｗが、素子領域１０毎に分離される。このように製造された発光素子１は、無機膜８と有機膜９からなる保護膜Ｐを有し、保護膜Ｐによって発光層５への水分等の侵入が抑制される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域と、前記発光領域と第１の軸方向に隣接する配線領域とをそれぞれ含む複数の素子領域が、前記第１の軸方向と前記第１の軸方向に直交する第２の軸方向とにそれぞれ配列された基板を作製し、
前記第２の軸方向に延在し前記第１の軸方向に配列された直線的な複数の遮蔽部と、前記複数の遮蔽部間に形成された複数の開口部とを有するマスクを、前記複数の遮蔽部が前記複数の素子領域各々の前記配線領域を被覆し、前記複数の開口部から前記複数の素子領域各々の前記発光領域が露出するように、前記基板に対向して配置し、
前記マスクを介して、前記基板上に異種材料の積層構造を有する保護膜を成膜し、
前記基板を、前記素子領域毎に分離する
発光素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発光素子の製造方法であって、
前記保護膜の成膜工程は、無機膜と有機膜とを交互に成膜することを含む
発光素子の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の発光素子の製造方法であって、
前記無機膜は、シリコン化合物からなる
発光素子の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発光素子の製造方法であって、
前記シリコン化合物は、シリコン窒化物，シリコン酸窒化物，シリコン酸化物の少なくとも一つを含む
発光素子の製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載の発光素子の製造方法であって、
前記有機膜は、アクリル樹脂またはポリウレア樹脂からなる
発光素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発光素子の製造方法であって、
前記アクリル樹脂は、紫外線硬化性を有する
発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子等の発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた有機ＥＬディスプレイの開発が進められ、一部の分野では既に実用化されている。有機ＥＬ素子は、主として、基板上に発光層と電極等とが積層された構造を有する。発光層を形成する有機化合物は、一般に、水分あるいは酸素により極めて劣化しやすい性質を有する。このことから、個々の素子領域に対応するように形成された複数の矩形の開口を有するマスクを用いて、発光層への水分等の侵入を抑制する保護膜を形成する方法が知られている。
【０００３】
しかしながら、上記マスクは、素子の形成領域がマスクの開口によって決められるため、１枚の基板から効率よく素子を形成することができない。さらに、成膜時の高温条件下における熱変形等によって開口が変形しやすいことから、所望の保護膜の形成が困難になるとともに、高い頻度でマスク全体を交換する必要が生じる。
【０００４】
そこで、特許文献１には、一端が枠体に固定され、そこから一方向のみに延在するテープ状のシャドーマスクを有するマスク装置について開示されている。このマスク装置は、テープ状のシャドーマスク間が開口となるため、広い開口面積を有する。このため、１枚の基板から効率よく素子を形成することができるとともに、熱変形等による歪みの影響も受けにくい。さらに、シャドーマスクの枠体に固定された一端とは異なる他端に張力を印加することによって、熱伸び等による開口の変形を抑制することができ、緩まず基板の表面と密着することができる。このことから、均一な成膜が可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１６８６５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１には、発光層を水分等から保護するための保護膜の具体的な構造及びその形成方法については記載されていない。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、熱変形等による歪みの影響を受けにくいマスクを用いて、発光層への水分等の侵入を抑制できる発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る発光素子の製造方法は、発光領域と、上記発光領域と第１の軸方向に隣接する配線領域とをそれぞれ含む複数の素子領域が、上記第１の軸方向と上記第１の軸方向に直交する第２の軸方向とにそれぞれ配列された基板を作製する工程を含む。
上記第２の軸方向に延在し上記第１の軸方向に配列された直線的な複数の遮蔽部と、上記複数の遮蔽部間に形成された複数の開口部とを有するマスクが、上記複数の遮蔽部が上記複数の素子領域各々の上記配線領域を被覆し、上記複数の開口部から上記複数の素子領域各々の上記発光領域が露出するように、上記基板に対向して配置される。
上記マスクを介して、上記基板上に異種材料の積層構造を有する保護膜が成膜される。
上記基板が、上記素子領域毎に分離される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る発光素子の構成の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板の構造を示す概略上面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るマスクの構造を示す概略上面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る基板上にマスクが配置された態様を示す概略上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る発光素子の製造方法は、発光領域と、上記発光領域と第１の軸方向に隣接する配線領域とをそれぞれ含む複数の素子領域が、上記第１の軸方向と上記第１の軸方向に直交する第２の軸方向とにそれぞれ配列された基板を作製する工程を含む。
上記第２の軸方向に延在し上記第１の軸方向に配列された直線的な複数の遮蔽部と、上記複数の遮蔽部間に形成された複数の開口部とを有するマスクが、上記複数の遮蔽部が上記複数の素子領域各々の上記配線領域を被覆し、上記複数の開口部から上記複数の素子領域各々の上記発光領域が露出するように、上記基板に対向して配置される。
上記マスクを介して、上記基板上に異種材料の積層構造を有する保護膜が成膜される。
上記基板が、上記素子領域毎に分離される。
【００１１】
上記マスクは、第２の軸方向に沿って形成された大きな開口部を有するため、熱変形等による歪みが少ない。このようなマスクを介して異種材料の積層構造を有する保護膜を形成することで、各層の成膜領域の位置及び形状がほぼ一定に保持された積層構造を形成することが可能となる。このことから、上記保護膜は、発光領域への水分等の侵入を抑制する機能を十分に発揮することができる。したがって、上記製造方法によって、不具合が少なく、寿命が長い発光素子を製造することが可能となる。
【００１２】
上記保護膜の成膜工程は、無機膜と有機膜とを交互に成膜することを含んでもよい。
このような保護膜によって、発光層への水分等の侵入をより抑制することが可能となる。
【００１３】
上記無機膜は、例えばシリコン化合物で形成されてもよく、さらに具体的には、シリコン窒化物，シリコン酸窒化物，シリコン酸化物の少なくとも一つを含んでもよい。
このような材料からなる無機膜は、透湿性が非常に低いため、より効果的に発光素子を水分から保護し、劣化を抑制することができる。
【００１４】
上記有機膜は、アクリル樹脂またはポリウレア樹脂から形成されてもよい。さらに具体的には、上記アクリル樹脂は、紫外線硬化性を有してもよい。
このような材料からなる有機膜は、無機膜と積層させることによって透湿性が非常に低い積層構造を構成し、より効果的に発光素子を水分から保護し、劣化を抑制することができる。
【００１５】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００１６】
［発光素子の構成］
図１は、発光素子の構成の一例を示す概略断面図である。図示する発光素子１は、基板２と、下部電極層３と、正孔注入層４と、発光層５と、電子注入層６と、上部電極層７と、複数の無機膜８と、有機膜９とを有する。発光素子１は、全体として、厚みが約５μｍの積層構造を有する。なお、図においてＸ軸方向は「第１の軸方向」に対応し、Ｙ軸方向は「第２の軸方向」に対応し、本実施形態においてＸ軸方向及びＹ軸方向は水平方向を示す。Ｚ軸方向はＸ軸方向とＹ軸方向とに垂直な方向を示し、本実施形態において鉛直方向を示す。
【００１７】
基板２は、例えばガラス基板、プラスチック基板等で構成される。下部電極層３は、陽極として、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明電極からなる。上部電極層７は、陰極として、例えばアルミニウム等からなる。正孔注入層４は、正孔輸送層を含み、下部電極層３から発光層５へ正孔を注入する。電子注入層６は、電子輸送層を含み、上部電極層７から発光層５へ電子を注入する。発光層５は、所望の色に発光する有機発光材料で形成され、注入された正孔及び電子の再結合により発光する。
【００１８】
発光素子１は、内部に複数の発光層５を含有することが可能である。複数の発光層は、ストライプ状に形成されてもよいし、グリッド状に形成されてもよい。複数の発光層は、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３種類の発光層を含んでいてもよく、これによりディスプレイ用途の発光素子を構成することが可能である。
【００１９】
発光層５の形状は特に制限されず、例えばＹ軸方向に沿って延びるように構成することも可能である。下部電極層３は、発光層５に正孔を注入することができるよう、発光層５に対応して形成される。上部電極層７は、電子注入層６を介して発光層５に電子を注入することができるように、一部が発光層５上に配置される。上部電極層７は、本実施形態において、Ｘ軸方向に沿って延びる電極からなる。また、必要に応じて複数の上部電極層７を設けてもよく、その場合はＹ軸方向に周期的に配置することも可能である。
【００２０】
上部電極層７上には、さらに、無機膜８と、有機膜９とが交互に積層された３層構造からなる保護膜Ｐが形成されている。発光層５は、水分、酸素等により劣化しやすい性質を有するが、保護膜Ｐを積層することによって、発光層５への水分、酸素等の侵入が抑制される。
【００２１】
保護膜ＰのＸ軸方向の幅は、上部電極層７等のＸ軸方向の幅よりも狭く形成される。これは、上部電極層７上の一部を保護膜Ｐに被覆されないように構成することによって、例えば上部電極層７と図示しない回路等との接続を容易にするためである。なお、基板２から上部電極層７までの積層構造において、保護膜Ｐが被覆されない領域は、後述する配線領域３０に対応し、保護膜Ｐが被覆される領域は、後述する発光領域２０に対応する。
【００２２】
無機膜８は、本実施形態において、窒化ケイ素（ＳｉＮx）で形成される。ＳｉＮxは、水分を透過させにくい特性を有する。ここで、ＳｉＮxで形成された無機膜８について、水蒸気の透過量を示すパラメータである透湿度を測定すると、例えば１０−３〜１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ程度である。なお、無機膜８の材料はＳｉＮxに限られず、例えば他のシリコン窒化物や，シリコン酸窒化物，シリコン酸化物等のシリコン化合物等を採用することができる。
【００２３】
有機膜９は、本実施形態において、例えば紫外線硬化性を有するアクリル樹脂で形成される。なお、材料はアクリル樹脂に限られず、ポリウレア樹脂等を採用することも可能である。
【００２４】
以上のように本実施形態の保護膜Ｐは、ＳｉＮx等からなる無機膜８と、アクリル樹脂等からなる有機膜９との積層膜で構成される。このことによって、保護膜Ｐの透湿度は、無機膜８のみの透湿度よりも大幅に減少する。具体的には、本実施形態による保護膜Ｐによって、透湿度は１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙとなり、無機膜８のみの場合と比較すると１００分の１〜１０００分の１程度の値になる。すなわち、無機膜８と有機膜９との積層膜である保護膜Ｐを用いることで、発光層５への水分等の侵入を抑制することが可能となる。また有機膜９は、平坦化層としての機能をも有し、これにより無機膜８のカバレッジ性を高め、透湿度の低下に寄与する。
【００２５】
保護膜Ｐは、本実施形態の構造に限られない。例えば、ＳｉＮxとシリコン酸窒化物等との積層構造、ＳｉＮxとシリコン酸化物等との積層構造や、アクリル樹脂とポリウレア樹脂との積層構造等でも可能である。また、無機膜８及び有機膜９の層数を増加し、保護膜Ｐを５層以上の積層膜とすることも可能である。さらに、最上層が無機膜８でなく、有機膜９とする構成でも可能である。
【００２６】
なお後述するように、保護膜Ｐの成膜後に基板２は、所定の素子サイズに切断されることで発光素子１が作製される。したがって保護膜Ｐの切断面は、図１に示すように無機膜８と有機膜９との端面が揃った形態を有することになるが、このような形態であっても保護膜Ｐの水蒸気バリア性が劣化しないことが本発明者らの実験により確認されている。
【００２７】
次に、以上のような構成の発光素子１の製造方法について説明する。
【００２８】
［発光素子の製造方法］
発光素子１の製造方法は、以下の４工程を有する。すなわち、（１）基板の作製工程、（２）マスクの配置工程、（３）無機膜および有機膜の成膜工程、（４）分離工程、を有する。これらを順に説明する。
【００２９】
（基板の作製工程）
基板の作製工程では、基板２上に、下部電極層３と、正孔注入層４と、発光層５と、電子注入層６と、上部電極層７とを形成する。これによって、複数の素子領域を含む構造体である「基板」が作製される。なお、以下の説明において、基板２上に上部電極層７まで形成され、複数の素子領域を含む構造体を、以下基板Ｗとする。
【００３０】
基板Ｗの作製工程としては、まず、基板２を図示しないチャンバ等に搬送し、基板２上に下部電極層３を形成する。下部電極層３は、例えばスパッタ法、蒸着法等により成膜することができ、成膜後、所定形状にパターン加工される。次に、下部電極層３上に、例えば蒸着法等により正孔注入層４を形成する。発光層５は、正孔注入層４上に、例えば蒸着法等により成膜することができ、成膜後、所定形状にパターン加工される。電子注入層６は、発光層５上に、例えば蒸着法等により成膜することができる。さらに、上部電極層７は、例えばスパッタ法、蒸着法等により成膜することができ、成膜後、所定形状にパターン加工される。上記各層の形成は、同一のチャンバ内で行うことも可能であるし、別のチャンバ内で行うことも可能である。
【００３１】
以上のように、複数の素子領域を含む積層構造を有する基板Ｗを作製する。以下、基板Ｗの構造について説明する。
【００３２】
図２は、基板Ｗの構造を示す概略上面図である。基板Ｗは、本実施形態において、全体としてＺ軸方向と直交するＸＹ平面を含む矩形状の板状構造を有し、例えば一辺が７３０ｍｍ〜９２０ｍｍである。基板Ｗは、Ｘ軸方向とＹ軸方向とにそれぞれ配列され、スクライブラインＬによって区画される複数の素子領域１０が形成されている。本実施形態では、図２に示すように、スクライブラインＬはＸ軸方向及びＹ軸方向に直線的に素子領域１０を区画し、各素子領域１０はほぼ同一の構成及び大きさを有する。
【００３３】
各素子領域１０は、発光領域２０と配線領域３０とを有する。発光領域２０と配線領域３０とはＸ軸方向に隣接して形成され、全体としてＸ軸方向に交互に周期的に配列される。また、発光領域２０及び配線領域３０は、それぞれ各素子領域１０を横切るようにＹ軸方向に沿って連続的に延びる。
【００３４】
各々の素子領域１０は、後述するように後の分離工程においてスクライブラインＬで分離され、発光素子１の一部となる。また、基板Ｗ上に形成される素子領域１０の数は図示の例に限られない。
【００３５】
発光領域２０には、発光層５が含まれる。また、上部電極層７は、発光領域２０と配線領域３０とを含む各素子領域１０を横切るようにＸ軸方向に沿って連続的に形成される。
【００３６】
次に、以上のような構造の基板Ｗは図示しないチャンバ内に搬送され、基板Ｗ上にマスクが配置される。
【００３７】
（マスクの配置工程）
マスクは、典型的には、図示しないチャンバ内部に設置されたマスク載置装置等に、基板Ｗの搬送前から配置されている。マスク載置装置は、基板Ｗが配置されるステージの上部に設置されており、基板Ｗがステージ上に搬送されると、マスク載置装置によってマスクと基板Ｗとの位置合わせが行われ、以下のようにマスクが基板Ｗ上に配置される。なお、マスクの配置工程およびその後の成膜工程に用いられるチャンバは、基板Ｗの作製に用いたチャンバと別のチャンバでも、同じチャンバでも特に制限されない。
【００３８】
図３は、本実施形態に係るマスクの概略上面図であり、図４は、基板Ｗ上に当該マスクが配置された態様を示す概略上面図である。マスク４０は、枠体４１と、複数のバー（遮蔽部）４２と、複数のバー４２間に形成された開口部４３とを有する。枠体４１は、矩形環状に形成され、Ｘ軸方向に対向する２辺と、Ｙ軸方向に対向する２辺とを有する。このうち、Ｙ軸方向に対向する２辺を、それぞれ第１の辺部４１１と、第２の辺部４１２とする。
【００３９】
複数のバー４２は、Ｙ軸方向に延在し、Ｘ軸方向に配列されている。本実施形態において、各バー４２の両端は、第１の辺部４１１及び第２の辺部４１２上に配置された複数の固定部材４４によって固定される。また、各バー４２間の間隔、すなわち開口部４３の幅は、本実施形態において約３ｍｍとすることができる。バー４２の厚みは、例えば０．０５〜２．０ｍｍに形成される。
【００４０】
枠体４１は、図４のように基板Ｗの周縁に配置される。複数のバー４２は、それぞれ上述のように固定部材４４によって固定されて配線領域３０を被覆し、各バー４２間の開口部４３は、発光領域２０を露出させる。本実施形態では図４のように、配線領域３０のＸ軸方向の幅をバー４２とほぼ同じ幅としており、Ｙ軸方向に延びるスクライブラインＬはバー４２と重複して存在する。なお、配線領域３０のＸ軸方向の幅がバー４２の幅以下で、配線領域３０の全面がバー４２によって被覆されればこれに限られない。
【００４１】
マスク４０の枠体４１及びバー４２は、本実施形態において、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）によって形成されているが、材料は特に制限されない。例えば、他の材料として金属または耐熱性樹脂等を用いることができる。
【００４２】
本実施形態のマスク４０は、個々の発光領域２０に対応して形成された複数の矩形の開口を有するマスクと比較して、高温下における開口部４３の形状変化を抑制することができる。なお必要に応じて、マスク４０をバー４２の延在方向であるＹ軸方向に引っ張る張力付加機構を備えてもよい。このことによって、開口部４３の形状変化をさらに抑制することが可能となる。
【００４３】
マスク４０に対する基板Ｗの位置合わせ方法については、特に限られない。例えば、ＣＣＤカメラ等によってステージに配置されたアライメントマークを観察しながら行うことも可能である。また、ステージに配置され、基板Ｗの位置を規定するピン構造等を用いて機械的に行うことも可能である。
【００４４】
次に、以上のように配置されたマスク４０を介して、基板Ｗの成膜を行う。
【００４５】
（保護膜の成膜工程例）
基板Ｗの成膜工程では、マスク４０を介して、開口部４３から露出した発光領域２０上に、無機膜８と有機膜９とを交互に成膜する。まず、上部電極層７上に、無機膜８が形成される。無機膜８は、例えばＣＶＤ法により成膜される。なお、無機膜８の成膜に用いるマスク４０と有機膜９の成膜に用いるマスク４０とは、それぞれ同一のマスクでもよいし別のマスクでもよい。
【００４６】
次に、無機膜８上に、有機膜９が形成される。有機膜９は、紫外線硬化性を有するアクリル樹脂で形成される。有機膜９の形成方法は特に限定されない。例えば、スピンコート法や吹き付け法等で無機膜８上にアクリル樹脂を塗布し、塗布されたアクリル樹脂への紫外線照射によって当該樹脂を硬化させることで、有機膜９が形成される。
【００４７】
続いて、有機膜９上に、再び無機膜８がＣＶＤ法、スパッタ法等により形成される。これにより、基板Ｗの発光領域２０上に、無機膜８と有機膜９とが交互に積層された３層構造の保護膜Ｐが形成される。有機膜９は、平坦化層としての機能を有し、これにより無機膜８のカバレッジ性を高めることが可能となる。
【００４８】
なお、無機膜８と有機膜９とが別個のチャンバ内で成膜される際は、それぞれのチャンバ内に配置されたマスク載置装置等に、同一の形状のマスク４０を配置することで、保護膜Ｐを形成することができる。
【００４９】
最後に、保護膜Ｐが積層された基板Ｗを、複数の素子領域１０に分離し、発光素子１を作製する。
【００５０】
（分離工程例）
成膜工程を行ったチャンバから基板Ｗを取り出し、スクライブラインＬに沿ってＸ軸方向及びＹ軸方向に素子領域１０を分離する。分離の方法としては、ダイシングソー、レーザを用いた加工技術、ドライエッチング等が挙げられるが、これに限られない。この工程によって、発光素子１が製造される。
【００５１】
以上のような構成の発光素子１は、端面の揃った無機膜８と有機膜９とからなる保護膜Ｐを有する。これは、マスク４０がＹ軸方向に沿って延びる広い開口部４３を有することによって、熱変形等による開口部４３の歪みが少ないため、無機膜８と有機膜９との成膜領域の形状をほぼ一定に保持することができるためである。このような保護膜Ｐによって、発光層５への水分、酸素等の侵入を抑制することができ、不具合が少なく、寿命が長い発光素子１を製造することが可能となる。
【００５２】
一方、個々の素子領域に対応する複数の矩形の開口を有するマスクでは、熱変形等による開口の歪みが生じやすく、所望の領域に成膜することができなかった。特に、基板が大型化した際は１枚の基板に含まれる素子領域の数も多くなるため、上記マスクでは開口部が多く必要となる。また、大型化による熱変形の影響をより受けやすくなる。このため、上記マスクでは基板の大型化に対応することができなかった。さらに、上記マスクに開口の歪みが生じた場合や、ＣＶＤプロセスを実施した後のクリーニングガスとして用いられる ＮＦ３ガスによってマスクに腐食が生じた場合は、マスク全体を交換しなければならず、費用の負担も大きかった。
【００５３】
本実施形態に係るマスク４０を用いた場合は、開口部４３が複数の素子領域１０に対応し、かつ熱変形等による開口部４３の歪みが少ないため、基板の大型化にも十分対応することが可能である。また、枠体４１とバー４２とが別部材で構成されているため、必要なバー４２のみ交換することができ、費用の負担を抑えることができる。
【００５４】
また、マスク４０は、広い開口部４３を有するため、個々の素子領域１０を基板Ｗ上に効率よく配置することができる。このため、複数の矩形の開口を有するマスクと比較して、１枚の基板Ｗから多くの発光素子１を分離することが可能となり、各々の発光素子１を低コストに作製することが可能となる。
【００５５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００５６】
以上の実施形態では、平坦な基板２上に発光層５等を積層したが、これに限られない。例えば、基板２上に複数の凹部を形成し、その凹部に発光層５等が形成される構造とすることもできる。また、基板２には、必要に応じて図示しない駆動回路等を形成することも可能である。
【００５７】
また、以上の実施形態において説明した発光素子１は、保護膜Ｐの上にさらにガラス層、透明フィルム等を形成することができる。この構造によって、発光素子１を、例えばタッチパネル等に使用される表示装置として用いることができる。
【符号の説明】
【００５８】
１・・・発光素子
３・・・下部電極層
５・・・発光層
７・・・上部電極層
８・・・無機膜
９・・・有機膜
１０・・・素子領域
２０・・・発光領域
３０・・・配線領域
４０・・・マスク
４２・・・バー（遮蔽部）
４３・・・開口部
Ｗ・・・基板
Ｐ・・・保護膜
Ｌ・・・スクライブライン
【図１】
2013073880.tif 000003
【図２】
2013073880.tif 000004
【図３】
2013073880.tif 000005
【図４】
2013073880.tif 000006