(57)【要約】      （修正有）【課題】異なる組成のスパッタリングターゲットを使用して、インラインで積層し、短時間の加熱処理で結晶性を有することができ、低抵抗の透明導電膜を有した透明導電性積層体及びその製造方法を提供する。【解決手段】透明導電膜はＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が１重量％以上４重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第一透明導電膜３ａと、同じくＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が４重量％超え、１０重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第二透明導電膜３ｂで形成され、前記第一及び第二透明導電膜の膜厚がそれぞれ１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、両者の透明導電膜の合計厚みが２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、真空中で加熱温度が１２０℃以上２００℃以下であり、加熱時間が１分以上、３０分以下の条件で加熱処理することで前記第一及び第二透明導電膜のいずれも結晶化することを特徴とする。【選択図】図１
2013073851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材の少なくとも一方の面に透明導電膜を形成した透明導電性積層体であり、透明導電膜はＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が１重量％以上４重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第一透明導電膜と、同じくＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が４重量％超え、１０重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第二透明導電膜で形成され、前記第一透明導電膜及び前記第二透明導電膜の膜厚がそれぞれ１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、両者の透明導電膜の合計厚みが２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下である関係を有し、真空中で加熱温度が１２０℃以上２００℃以下であり、加熱時間が１分以上３０分以下の加熱条件において加熱処理することで前記第一透明導電膜と前記第二透明導電膜のいずれも結晶化することを特徴とする透明導電性積層体。
【請求項２】
前記透明基材と前記第一透明導電膜の間に、金属又は無機化合物を有することを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体。
【請求項３】
前記透明基材の一方の面又は両方の面に、前記透明基材と接するハードコート層を設け、前記ハードコート層の膜厚が１μｍ以上、８μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の透明導電性積層体。
【請求項４】
前記第一透明導電膜と前記第二透明導電膜がロールトゥロール方式で前記透明基材を搬送しながら、スパッタリング法を用いて真空中で連続的に形成され、成膜雰囲気ガスにはＡｒ、Ｏ２が用いられ、Ｏ２の体積割合が０．１から５％であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項５】
前記加熱処理がロールトゥロール方式により行われることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電性積層体およびその透明導電性積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイ画面を指で触れ、またはペンで押圧するだけで入力できるようにした透明なタッチパネルが普及している。この種のタッチパネルの電極として使用される透明導電性基材は基本的にガラスもしくは高分子フィルムに導電膜を積層した構造である。近年では、可撓性、加工性に優れ、軽量である等の利点を備えることから特にポリエチレンテレフタレートをはじめとする高分子フィルムを使用した透明導電性フィルムが使用されている。
【０００３】
また、タッチパネルの方式には静電容量方式や光学式等の多様な方式が存在する。その中でも、透明導電フィルムが使用されるタッチパネルにあっては、上下の電極が接触することでタッチ位置を特定する抵抗膜式や静電容量の変化を感知する静電容量方式がある。この種のタッチパネルでは、携帯用端末装置及び携帯ゲーム機等のディスプレイ前面に使用されるために、ディスプレイの表示を損なわない透過・反射特性が必要となる。
【０００４】
特に、透明導電性フィルムは、スマートフォンやスレートＰＣに搭載されるタッチパネルでの市場が伸びており、この場合、主に静電容量方式が採用されている。また、静電容量方式に使用される透明導電性フィルムでは、導電膜をパターニングする必要があるため、導電膜の有無が目立たないような工夫が必要であり、また、抵抗膜式と比較して低抵抗であることが要求されている。
【０００５】
現在、導電膜には、導電性が良好で、しかも可視光波長域での透光性が良好であることから主にＩＴＯ膜が使用されている。低抵抗の導電膜を得るためにＩＴＯ膜自体の膜厚を厚くすることで対応可能であるが、膜厚が厚くなる分透過率が低下するといった光学特性上の問題もあり、一定の膜厚以下で抵抗値と光学特性の両立を図るためにはＩＴＯ膜が結晶化していることが必要であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２４４７７１号公報
【特許文献２】特開２００８−７１５３１号公報
【特許文献３】特開２００４−１４９８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１〜３等の方法では、ＳｎＯ２含有量の異なる透明導電膜を積層して結晶化させているが、結晶化のために長時間の加熱を行わなければならなかった。
【０００８】
本発明は、かかる従来技術の課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、Ｓｎの含有量の異なる透明導電膜を積層し、成膜雰囲気ガスのＯ２濃度が低くても結晶化し易く、真空中で短時間の加熱で結晶性を得られる低抵抗な透明導電性積層体およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、透明基材の少なくとも一方の面に透明導電膜を形成した透明導電性積層体であり、透明導電膜はＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が１重量％以上４重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第一透明導電膜と、同じくＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が４重量％超え、１０重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第二透明導電膜で形成され、前記第一透明導電膜及び前記第二透明導電膜の膜厚がそれぞれ１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、両者の透明導電膜の合計厚みが２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下である関係を有し、真空中で加熱温度が１２０℃以上２００℃以下であり、加熱時間が１分以上３０分以下の加熱条件において加熱処理することで前記第一透明導電膜と前記第二透明導電膜のいずれも結晶化することを特徴とする。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の透明導電性積層体において、前記透明基材と前記第一透明導電膜の間に、金属又は無機化合物を有することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の透明導電性積層体において、前記透明基材の一方の面又は両方の面に、前記透明基材と接するハードコート層を設け、前記ハードコート層の膜厚が１μｍ以上８μｍ以下であることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明は、前記第一透明導電膜と前記第二透明導電膜がロールトゥロール方式で前記透明基材を搬送しながら、スパッタリング法を用いて真空中で連続的に形成され、成膜雰囲気ガスにはＡｒ、Ｏ２が用いられ、Ｏ２の体積割合が０．１以上５％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の透明導電性積層体を製造する方法である。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明は、前記加熱処理がロールトゥロール方式により行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の透明導電性積層体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、異なる組成のスパッタリングターゲットを使用して、透明導電膜をインラインで積層し、短時間の加熱処理で透明導電膜が結晶性を有することができ、静電容量式タッチパネルに適した低抵抗の透明導電膜を有した透明導電性積層体の製造を行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る透明導電性積層体の断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係る透明導電性積層体の断面図である。
【図３】本発明の更に他の実施形態に係る透明導電性積層体の断面図である。
【図４】透明導電性積層体の加熱処理装置の概略的説明図である。
【図５】実施例１及び２で得られた透明導電性積層体の分析結果を示す図。
【図６】実施例１及び２で得られた透明導電性積層体の加熱後の分析結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態を、図面を用いながら説明する。本発明は、以下に記載する実施の形態に限定されうるものではなく、当業者の知識に基づいて設計の変更などの変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれる。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態の透明導電性積層体の断面図である。図１において、１は、透明導電性積層体を示している。この透明導電性積層体１は、透明基材２の一方の面に第一透明導電膜３ａを設け、この第一透明導電膜３ａの上に第二透明導電膜３ｂを設けてなる積層構造のものである。
【００１８】
図２は、本発明の他の実施形態の透明導電性積層体の断面図である。この透明導電性積層体は、図１に示した透明導電性積層体１の透明基材２の一方の面と、この面に設けられた第一透明導電膜３ａとの間に密着層４を設けた構成になっている。
【００１９】
図３（ａ）（ｂ）は、本発明の更に他の実施形態の透明導電性積層体を示す断面図である。これらは、図１に示した透明導電性積層体１の透明基材２の一方の面に設けられた第一透明導電膜３ａあるいは図２に示した密着層４と、透明基材２との間にハードコート層５を設けた構成となっている。また、図２（ｂ）のように、透明基材２の第一透明導電膜３ａや密着層４を設けていない面にもハードコート層５を設けるようにしてもよい。
【００２０】
図４は、本発明に係る透明導電性積層体を加熱処理する加熱処理装置７の構成を概略的に示す説明図である。この加熱処理装置７はロールトゥロール方式で透明導電性積層体１を搬送するようになっており、この透明導電性積層体１が搬送される経路の途中箇所にはヒーター６を設置し、このヒーター６により搬送される透明導電性積層体１を任意の温度で加熱処理が行えるようになっている。また、装置内の圧力は図示しない真空ポンプにより大気圧から０．１Ｐａまで調整が行えるようになっている。
【００２１】
本発明で用いる透明基材２は、樹脂からなるプラスチックフィルムが用いられる。このプラスチックフィルムとしては、成膜工程および後工程において十分な強度があり、表面の平滑性が良好であれば、特に限定されるものではないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリアリレートフィルム、環状ポリオレフィンフィルム、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。その厚さは部材の薄型化と基材の可撓性とを考慮し、１０μｍ以上２００μｍ以下程度のものを用いる。
【００２２】
透明基材２に含有される材料としては、周知の種々の添加剤や安定剤、例えば帯電防止剤、可塑剤、滑剤、易接着剤などを使用するようにしてもよい。また、各層との密着性を改善するため、前処理としてコロナ処理、低温プラズマ処理、イオンボンバード処理、薬品処理などを施してもよい。
【００２３】
本発明でのハードコート層５は、透明導電性積層体１に機械的強度を持たせるために設けたものである。ハードコート層５として用いられる、例えば樹脂としては、特に限定しないが、透明性と適度な硬度と機械的強度を持つ樹脂が好ましい。具体的には３次元架橋の期待できる３官能以上のアクリレートを主成分とするモノマー又は架橋性オリゴマーのような光硬化性樹脂が好ましい。
【００２４】
上記３官能以上のアクリレートモノマーとしては、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ポリエステルアクリレートなどが好ましい。特に好ましいのは、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレートおよびポリエステルアクリレートである。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用しても構わない。また、これら３官能以上のアクリレートの他にエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリオールアクリレートなどのいわゆるアクリル系樹脂を併用することが可能である。
【００２５】
上記架橋性オリゴマーとしては、ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどのアクリルオリゴマーが好ましい。具体的にはポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、ポリウレタンのジアクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレートなどがある。
【００２６】
上記ハードコート層５は、その他に粒子、光重合開始剤などの添加剤を含有するものでもよい。
【００２７】
添加する粒子としては、有機又は無機の粒子が挙げられるが、透明性を考慮すれば、有機粒子を用いることが好ましい。有機粒子としては、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂及びフッ素樹脂などからなる粒子が挙げられる。
【００２８】
上記粒子の平均粒径としては、ハードコート層５の厚みによって異なるが、ヘイズ等の外観上の理由により、下限として２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、上限としては３０μｍ以下、好ましくは１５μｍ以下のものを使用する。また、粒子の含有量も同様の理由で、樹脂に対し、０．５重量％以上５重量％以下であることが好ましい。
【００２９】
また、ハードコート層５に光重合開始剤を添加する場合、ラジカル発生型の光重合開始剤として、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルメチルケタールなどのベンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン、２、２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、などのアセトフェノン類、メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−アミルアントラキノンなどのアントラキノン類、チオキサントン、２、４−ジエチルチオキサントン、２、４−ジイソプロピルチオキサントンなどのチオキサントン類、アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタールなどのケタール類、ベンゾフェノン、４、４−ビスメチルアミノベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類及びアゾ化合物などがある。これらは単独または２種以上の混合物として使用でき、さらにはトリエタノールアミン、メチルジエタノールアミンなどの第３級アミン、２−ジメチルアミノエチル安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸エチルなどの安息香酸誘導体などの光開始助剤などと組み合わせて使用することができる。
【００３０】
上記光重合開始剤の添加量は、主成分の樹脂に対して、０．１重量％以上５重量％以下であり、好ましくは０．５重量％以上３重量％以下である。下限値未満では、樹脂層の硬化が不十分となり好ましくない。また、上限値を超える場合は、樹脂層の黄変を生じたり、耐候性が低下したりするため好ましくない。光硬化型樹脂を硬化させるのに用いる光は、紫外線、電子線、あるいはガンマ線などであり、電子線あるいはガンマ線の場合、必ずしも光重合開始剤や光開始助剤を含有する必要はない。これらの線源としては、高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプや加速電子などが使用できる。
【００３１】
また、ハードコート層５の厚みは、特に限定されないが、０．５μｍ以上１５μｍ以下の範囲が好ましい。また、透明基材２と屈折率が同じかもしくは近似していることがより好ましく、１．４５以上１．７５以下程度が好ましい。
【００３２】
ハードコート層５の形成方法は、主成分である樹脂等を溶剤に溶解させ、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーターなどの公知の塗布方法で形成する。
【００３３】
溶剤については、上記の主成分の樹脂等を溶解するものであれば、特に限定しない。具体的には、溶剤として、エタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、などが挙げられる。これらの溶剤は１種を単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００３４】
密着層４を形成する材料としては、金属またはその酸化物、硫化物、フッ化物等の無機化合物を用いることができる。実用上は酸化珪素、酸化アルミニウムなどが特に好適に用いられる。
【００３５】
第一透明導電膜３ａ及び第二透明導電膜３ｂは、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、それらの混合酸化物、さらには、その他必要に応じて、Ａｌ、Ｚｒ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｗ等の添加物を含有させることができる。目的・用途により種々の材料が使用でき、特に限定されるものではない。現在のところ、最も信頼性が高く、多くの実績のある材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。
【００３６】
密着層４および第一透明導電膜３ａ及び第二透明導電膜３ｂの製造方法としては、大面積に均一な膜質の薄膜を形成するために、プロセスが安定し、薄膜が緻密化するスパッタリング法が用いられ、不活性ガスと酸素との混合ガスを成膜雰囲気ガスとして用い、透明基材２上に積層される。
【００３７】
第一透明導電膜及び第二透明導電膜を形成するために用いられる成膜雰囲気ガスの酸素の体積割合は、０．１％以上５％以下であることが好ましい。特に、基材からの還元性ガス成分の影響を受けやすい第一透明導電膜を十分結晶化させるためには多くの酸素を供給することが好ましく、酸素の体積割合は１．５％以上５％以下であることがより好ましい。酸素の体積割合が０．１％未満であると加熱後に抵抗値が急増してしまうことと、透過率の低下を引き起こす。５％を超えると、加熱後に抵抗値が急増してしまい、要求する抵抗値の透明導電性積層体を得られない。
【００３８】
もっとも、一般的な透明導電膜である酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を第一透明導電膜３ａ及び第二透明導電膜３ｂとして用いる場合、酸化インジウムにドープされる酸化スズの含有比はデバイスに求められる仕様に応じて、任意の割合を選択する。透明導電膜を結晶化させるために用いるスパッタリングターゲット材料は、第一透明導電膜には酸化スズの含有比が１重量％以上４重量％以下であることが好ましい。第二透明導電膜には酸化スズの含有比が４重量％超え、１０重量％以下であることが好ましい。本発明の場合においては、結晶性の制御及び抵抗値を考慮すると、第二透明導電膜は５重量％以上７重量％以下が特に好ましい。
【００３９】
第一透明導電膜３ａと第二透明導電膜３ｂの膜厚に関しては共に１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、両者の透明導電膜の合計厚みが２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下である関係を有する必要がある。このような厚さ関係を有したときに、真空中での短時間加熱処理による結晶化が可能であり、静電容量方式に適した１５０Ω/□以下の抵抗値で、高透過率の透明導電膜を形成することができる。
【００４０】
第一透明導電膜、第二透明導電膜の膜厚が１０ｎｍ未満になると連続膜にならず、結晶化しなくなり、また、３０ｎｍを超えると透過率の低下やＩＴＯ特有の黄色味が目立ち、パターニング跡が目立ちやすくなる。第一透明導電膜と第二透明導電膜の合計厚みが２０ｎｍ未満であると抵抗値が高くなり、４０ｎｍを超えると透過率の低下をきたす。
【００４１】
本発明の実施の形態に係る透明導電性積層体１は、タッチパネルであれば、結晶性、抵抗値を考慮すると静電容量方式のタッチパネルに好適に用いることができるが、その限りではなく、例えば、可撓性を要求される抵抗膜式タッチパネルやフレキシブルディスプレイ用の電極等として用いることも出来る。
【００４２】
透明導電層の加熱処理としてはロールトゥロール方式で搬送され、搬送スピードを０．１から２０ｍ/ｍｉｎの範囲で調整し、加熱処理時間を調整できることが好ましく、透明導電性積層体が搬送される経路中に透明導電性積層体の表面温度が２５℃から２００℃の範囲で調整が可能な熱源を有することが好ましい。熱源については圧力が大気圧から０．１Ｐａの範囲で使用できれば種類は限定されず、一例として、ＩＲヒーターが挙げられる。これにより透明導電層の特性によって加熱温度及び加熱時間を任意に選択し、透明導電層の結晶化を行うことが出来る。
【実施例】
【００４３】
次に、実施例及び比較例について説明する。
【００４４】
＜実施例１＞
透明基材として厚さ１２５μｍの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、両面にハードコート層を塗布した。透明基材１の一方の面に密着層、第一透明導電膜、第二透明導電膜を順にマグネトロンスパッタリング法によりインラインで成膜を行い、第一透明導電膜と第二透明導電膜の膜厚をそれぞれ１５ｎｍとして透明導電性積層体を作製した。第一透明導電膜の成膜には成膜雰囲気ガスの酸素の体積割合を３．０%、第二透明導電膜の成膜雰囲気ガスの酸素の体積割合を１．０%とした。第一透明導電膜にはＳｎの含有割合が３重量％のＩＴＯ、第二透明導電膜にはＳｎの含有割合が５重量％のＩＴＯ、密着層には酸化珪素を使用した。次に作製した透明導電性積層体を加熱処理装置に設置し、装置内圧力を０．５Ｐａ、ヒーター温度を１４０℃、加熱時間を３分とし、ロールトゥロールで加熱処理を行った。
【００４５】
＜実施例２＞
第一透明導電膜の成膜には成膜雰囲気ガスの酸素の体積割合を１．５%、第二透明導電膜の成膜雰囲気ガスの酸素の体積割合を０．５%としたこと以外は実施例１と同様な構成、成膜条件で透明導電性積層体を作製した。次に作製した透明導電性積層体を加熱処理装置に設置し、装置内圧力を０．５Ｐａ、ヒーター温度を１４０℃、加熱時間を３分とし、ロールトゥロールで加熱処理を行った。
【００４６】
＜比較例１＞
第二透明導電膜にＳｎの含有割合が３重量％のＩＴＯを使用していること以外は実施例１と同様な構成、成膜条件で透明導電性積層体を作製した。作製した透明導電性積層体を加熱処理装置に設置し、装置内圧力を０．５Ｐａ、ヒーター温度を１４０℃、加熱時間を３分とし、ロールトゥロールで加熱処理を行った。
【００４７】
＜比較例２＞
第一透明導電膜の膜厚を５ｎｍ、第二透明導電膜を２５ｎｍとしたこと以外は実施例１と同様な構成、成膜条件で透明導電性積層体を作製した。作製した透明導電性積層体を加熱処理装置に設置し、装置内圧力を０．５Ｐａ、ヒーター温度を１４０℃、加熱時間を３分とし、ロールトゥロールで加熱処理を行った。
【００４８】
得られた透明導電性積層体を下記評価方法にて評価した。
【００４９】
［評価方法１］
透明導電膜の結晶性：加熱処理装置により加熱処理する前、加熱処理後の透明導電性積層体の透明導電層部分についてＸ線回折装置（リガク社製）を用いて分析し、結晶化を確認した。
【００５０】
透明導電膜の抵抗値：三菱化学アナリテック社製の表面抵抗測定装置Ｌｏｒｅｓｔａ ＧＰを用いて抵抗値を４端子法で測定した。
【００５１】
実施例１及び２で得られた透明導電性積層体はＸ線回折装置での分析結果より、図５に示すように、加熱処理前では、酸化インジウムのピークが見られないが、加熱処理後は、実施例１、２両者の透明導電性積層体とも（２２２）面のピークが観測され結晶化されていることが確認された。また、図６で示す結果から示されるように、加熱後の抵抗値も１３０Ω/□前後の値が得られている。比較例1、２では（２２２）面のピーク自体は観測されるが抵抗値が１７０Ω/□前後の値に留まっている。これにより、異なる組成のスパッタリングターゲットを使用して、酸素の体積割合が低くても、短時間の加熱処理で透明導電膜が結晶性を有することができ、静電容量式タッチパネルに適した低抵抗の透明導電膜を有した透明導電性積層体の製造を行うことが出来る。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、電子機器のディスプレイ上に入力デバイスとして取り付けられる透明なタッチパネルや、フレキシブルディスプレイの電極などに用いられる。
【符号の説明】
【００５３】
１  …透明導電性積層体
２  …透明基材
３ａ…第一透明導電膜
３ｂ…第二透明導電膜
４  …密着層
５  …ハードコート層
６  …ヒーター
７  …加熱処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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