(57)【要約】【課題】高周波特性を損なうことなく、ガリウム砒素基板に形成されるチップ面積を削減することができる電力増幅器モジュールを得ることを目的とする。【解決手段】基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７がガリウム砒素基板９上に形成されているように構成する。これにより、高周波特性を損なうことなく、ガリウム砒素基板９に形成されるチップ面積を削減することができる。【選択図】図１
2013219724.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数段の増幅器から構成されており、入力信号を増幅して出力する増幅部と、
基準電圧を生成する基準電圧回路と、
印加される制御電圧にしたがって起動を指示する制御信号を出力する制御回路と、
上記制御回路から制御信号が出力されている場合、上記基準電圧回路により生成された基準電圧を用いて、駆動用の定電圧を生成するレギュレータ回路と、
上記制御回路から制御信号が出力されている場合、上記レギュレータ回路により生成された定電圧を用いて、上記増幅部を構成している増幅器にバイアスをかけるバイアス回路とを備え、
上記基準電圧回路、上記制御回路及び上記レギュレータ回路がシリコン基板上に形成され、上記増幅部及び上記バイアス回路がガリウム砒素基板上に形成されていることを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項２】
複数段の増幅器から構成されており、入力信号を増幅して出力する増幅部と、
基準電圧を生成する基準電圧回路と、
印加される制御電圧にしたがって起動を指示する制御信号を出力する制御回路と、
上記制御回路から制御信号が出力されている場合、上記基準電圧回路により生成された基準電圧を用いて、駆動用の定電圧を生成するレギュレータ回路と、
上記制御回路から制御信号が出力されている場合、上記レギュレータ回路により生成された定電圧を用いて、上記増幅部を構成している増幅器にバイアスをかけるバイアス回路とを備え、
上記基準電圧回路、上記制御回路、上記レギュレータ回路及び上記バイアス回路がシリコン基板上に形成され、上記増幅部がガリウム砒素基板上に形成されていることを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項３】
増幅部は、複数段のドライバ段増幅器、スイッチ及び最終段増幅器が直列に接続されている増幅経路と、スイッチ及びバイパス増幅器が直列に接続されているバイパス経路とが並列に接続されて構成されており、
制御回路は、上記増幅経路及び上記バイパス経路におけるスイッチを制御することを特徴とする請求項１または請求項２記載の電力増幅器モジュール。
【請求項４】
増幅部は、複数段のドライバ段増幅器、スイッチ及び最終段増幅器が直列に接続されている増幅経路と、スイッチ及びバイパス増幅器が直列に接続されているバイパス経路とを備え、上記バイパス経路が上記増幅経路におけるスイッチ及び最終段増幅器の直列回路と並列に接続されて構成されており、
制御回路は、上記増幅経路及び上記バイパス経路におけるスイッチを制御することを特徴とする請求項１または請求項２記載の電力増幅器モジュール。
【請求項５】
増幅部は、複数段のドライバ段増幅器、スイッチ及び最終段増幅器が直列に接続されている増幅経路と、複数段のドライバ段増幅器、スイッチ及び最終段増幅器が直列に接続されているバイパス経路とが並列に接続されて構成されており、
制御回路は、上記増幅経路及び上記バイパス経路におけるスイッチを制御することを特徴とする請求項１または請求項２記載の電力増幅器モジュール。
【請求項６】
増幅部は、複数段のドライバ段増幅器、スイッチ及び最終段増幅器が直列に接続されている増幅経路と、バイパス増幅器及びスイッチが直列に接続されている第１のバイパス経路と、スイッチからなる第２のバイパス経路とを備え、上記第１のバイパス経路が上記増幅経路におけるドライバ段増幅器と並列に接続されて、上記第２のバイパス経路が上記増幅経路におけるスイッチ及び最終段増幅器の直列回路と並列に接続されて構成されており、
制御回路は、上記増幅経路及び上記第１及び第２のバイパス経路におけるスイッチを制御することを特徴とする請求項１または請求項２記載の電力増幅器モジュール。
【請求項７】
複数の増幅部が実装されていることを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれか１項記載の電力増幅器モジュール。
【請求項８】
温度を検知する温度検知回路がガリウム砒素基板上に形成されており、
バイアス回路は、上記温度検知回路により検知された温度に応じて、増幅器にかけるバイアスを調整することを特徴とする請求項１から請求項７のうちのいずれか１項記載の電力増幅器モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＲＦ信号を増幅する多段増幅器を実装している電力増幅器モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１５は以下の非特許文献１に開示されている電力増幅器モジュールを示す構成図である。
図１５において、増幅部１０１は１〜Ｎ段の増幅器から構成されており、ＲＦ入力端子１０２から入力されたＲＦ信号を増幅し、増幅後のＲＦ信号をＲＦ出力端子１０３に出力する。
基準電圧回路１０４はイネーブル電圧が印加されると、基準電圧を生成する回路である。
レギュレータ回路１０５は基準電圧回路１０４により生成された基準電圧を用いて、駆動用の定電圧を生成する回路である。
【０００３】
制御回路１０６は所定の閾値より高い制御電圧が印加されると、起動を指示する制御信号を出力する回路である。
バイアス回路１０７は制御回路１０６から制御信号が出力されている場合、レギュレータ回路１０５により生成された定電圧を用いて、増幅部１０１を構成している１〜Ｎ段の増幅器にバイアスをかける回路である。
【０００４】
この電力増幅器モジュールでは、基準電圧回路１０４とレギュレータ回路１０５がシリコン基板１０８上に形成され、増幅部１０１、制御回路１０６及びバイアス回路１０７が、高周波特性に優れる化合物半導体であるガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板１０９上に形成されている。
なお、増幅部１０１は、電力増幅器モジュールの高周波特性を維持するために、ガリウム砒素基板１０９上に形成されている。また、増幅部１０１と、制御回路１０６及びバイアス回路１０７とが異なる基板に形成されると、双方の基板の温度などが相違してしまうために、適正なバイアスを１〜Ｎ段の増幅器にかけられなくなることがあることを考慮して、同一のガリウム砒素基板１０９上に形成されるのが一般的である。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】G.Hau  et al., “A 3x3mm2 Embedded-Wafer-Level Packaged WCDMA GaAs HBT Power Amplifier Module with Integrated Si DC Power Management IC,” IEEE RFIC Symposium Dig.,pp.409-412,June 2008
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の電力増幅器モジュールは以上のように構成されているので、増幅部１０１、制御回路１０６及びバイアス回路１０７が同一のガリウム砒素基板１０９上に形成され、チップ単価が高いガリウム砒素基板１０９に形成されるチップ面積が大きくなる。このため、
製造コストが高価になるなどの課題があった。
【０００７】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、高周波特性を損なうことなく、ガリウム砒素基板に形成されるチップ面積を削減することができる電力増幅器モジュールを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係る電力増幅器モジュールは、複数段の増幅器から構成されており、入力信号を増幅して出力する増幅部と、基準電圧を生成する基準電圧回路と、印加される制御電圧にしたがって起動を指示する制御信号を出力する制御回路と、制御回路から制御信号が出力されている場合、基準電圧回路により生成された基準電圧を用いて、駆動用の定電圧を生成するレギュレータ回路と、制御回路から制御信号が出力されている場合、レギュレータ回路により生成された定電圧を用いて、増幅部を構成している増幅器にバイアスをかけるバイアス回路とを備え、基準電圧回路、制御回路及びレギュレータ回路がシリコン基板上に形成され、増幅部及びバイアス回路がガリウム砒素基板上に形成されているようにしたものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、基準電圧回路、制御回路及びレギュレータ回路がシリコン基板上に形成され、増幅部及びバイアス回路がガリウム砒素基板上に形成されているように構成したので、高周波特性を損なうことなく、ガリウム砒素基板に形成されるチップ面積を削減することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の実施の形態１による電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図２】この発明の実施の形態２による電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図３】この発明の実施の形態２による他の電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図４】この発明の実施の形態２による他の電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図５】この発明の実施の形態３による電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図６】この発明の実施の形態４による電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図７】この発明の実施の形態５による電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図８】この発明の実施の形態６による電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図９】この発明の実施の形態７による電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図１０】この発明の実施の形態８による電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図１１】この発明の実施の形態９による電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図１２】この発明の実施の形態１０による電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図１３】この発明の実施の形態１１による電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図１４】この発明の実施の形態１２による電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【図１５】非特許文献１に開示されている電力増幅器モジュールを示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による電力増幅器モジュールを示す構成図である。
図１において、増幅部１は１〜Ｎ段の増幅器１ａから構成されており、ＲＦ入力端子２から入力されたＲＦ信号を増幅し、増幅後のＲＦ信号をＲＦ出力端子３に出力する処理を実施する。
なお、増幅部１は図示していない入力整合回路、段間整合回路及び出力整合回路を実装している場合がある。また、入力整合回路、段間整合回路及び出力整合回路の一部もしくは全部を実装していない場合もある。
【００１２】
基準電圧回路４はイネーブル電圧が印加されると、基準電圧を生成する回路である。
制御回路５は印加される制御電圧にしたがって起動を指示する制御信号を出力する回路である。即ち、制御回路５は、例えば、所定の閾値より高い制御電圧が印加されると、起動を指示する制御信号を出力する回路である。
レギュレータ回路６は制御回路５から制御信号が出力されている場合、基準電圧回路４により生成された基準電圧を用いて、駆動用の定電圧を生成する回路である。
バイアス回路７は制御回路５から制御信号が出力されている場合、レギュレータ回路６により生成された定電圧を用いて、増幅部１を構成している１〜Ｎ段の増幅器１ａにバイアスをかける回路である。
【００１３】
図１の電力増幅器モジュールでは、基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７が、高周波特性に優れる化合物半導体であるガリウム砒素基板９上に形成されている。
なお、増幅部１は、電力増幅器モジュールの高周波特性を維持するために、ガリウム砒素基板９上に形成されている。
増幅部１とバイアス回路７が異なる基板に形成されると、双方の基板の温度などが相違してしまうために、適正なバイアスを１〜Ｎ段の増幅器１ａにかけられなくなることがあることを考慮して、同一のガリウム砒素基板９上に形成しているが、制御回路５は増幅部１と異なる基板上に形成されても、レギュレータ回路６及びバイアス回路７の起動を制御する上で、大きな支障がないため、増幅部１が形成されているガリウム砒素基板９と異なるシリコン基板８上に形成している。
【００１４】
次に動作について説明する。
基準電圧回路４は、イネーブル電圧が印加されると、基準電圧を生成して、その基準電圧をレギュレータ回路６に印加する。
制御回路５は、所定の閾値より高い制御電圧が印加されると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力する。
【００１５】
レギュレータ回路６は、制御回路５から制御信号が出力されている場合、基準電圧回路４により生成された基準電圧を用いて、駆動用の定電圧を生成し、その定電圧をバイアス回路７に印加する。
バイアス回路７は、制御回路５から制御信号が出力されている場合、レギュレータ回路６により生成された定電圧を用いて、増幅部１を構成している１〜Ｎ段の増幅器１ａにバイアスをかける。
【００１６】
ここで、増幅部１を構成している１〜Ｎ段の増幅器１ａであるトランジスタのコレクタ（または、ドレイン）にはＶｃｃ電圧が印加されており、Ｖｃｃ電圧が印加されることで、トランジスタのコレクタ（または、ドレイン）の電圧・電流が設定されている。
また、１〜Ｎ段の増幅器１ａであるトランジスタのベース（または、ゲート）には、バイアス回路７によりバイアス電圧が印加されており、そのバイアス電圧が印加されることで、トランジスタのベース（または、ゲート）の電圧・電流が設定されている。
このように、トランジスタのコレクタ（または、ドレイン）及びベース（または、ゲート）の電圧・電流が設定されることで、増幅部１が駆動する。これにより、ＲＦ入力端子２から入力されたＲＦ信号が増幅部１で増幅され、増幅後のＲＦ信号がＲＦ出力端子３から出力される。
なお、電力増幅器モジュールには電源電圧が印加されており、その電源電圧が電力増幅器モジュールの各構成要素に供給されている。
【００１７】
以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７がガリウム砒素基板９上に形成されているように構成したので、高周波特性を損なうことなく、非特許文献１に開示されている電力増幅器モジュールと比べて、ガリウム砒素基板９に形成されるチップ面積を削減することができる効果を奏する。
【００１８】
実施の形態２．
図２はこの発明の実施の形態２による電力増幅器モジュールを示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
上記実施の形態１では、基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７がガリウム砒素基板９上に形成されているものを示したが、図２に示すように、基準電圧回路４、制御回路５、レギュレータ回路６及びバイアス回路７がシリコン基板８上に形成され、増幅部１がガリウム砒素基板９上に形成されているようにしてもよい。
【００１９】
この場合、上記実施の形態１よりも更にガリウム砒素基板９に形成されるチップ面積を削減することができる。
ただし、増幅部１とバイアス回路７が異なる基板に形成されており、双方の基板の温度などが相違してしまうために、適正なバイアスを１〜Ｎ段の増幅器１ａにかけられなくなることがある。
双方の基板の温度などが相違する可能性が極めて低い状況下で使用される場合には、図２の電力増幅器モジュールを利用することが可能であるが、双方の基板の温度などが相違する可能性が高い状況下で使用される場合には、図３に示すように、温度を検知する温度検知回路１０をガリウム砒素基板９上に形成するようにすればよい。
【００２０】
温度検知回路１０がガリウム砒素基板９上に形成されている場合、レギュレータ回路６は、基準電圧回路４により生成された基準電圧を用いて、駆動用の定電圧を生成する際、温度検知回路１０により検知された温度が上昇していれば、駆動用の定電圧の電圧値を小さくし、温度検知回路１０により検知された温度が低下していれば、駆動用の定電圧の電圧値を大きくする。
【００２１】
バイアス回路７は、レギュレータ回路６により生成された定電圧を用いて、増幅部１を構成している１〜Ｎ段の増幅器１ａに与えるバイアス電圧を生成するが、温度検知回路１０により検知された温度が上昇していれば、電圧値が小さい定電圧を受けるため、１〜Ｎ段の増幅器１ａに与えるバイアス電圧も小さくなる。
また、温度検知回路１０により検知された温度が低下していれば、電圧値が大きい定電圧を受けるため、１〜Ｎ段の増幅器１ａに与えるバイアス電圧も大きくなる。
これにより、温度検知回路１０により検知された温度に応じて、１〜Ｎ段の増幅器１ａにかけるバイアスが調整されるため、バイアス回路７とガリウム砒素基板９の温度が相違する可能性が高い状況下で使用される場合でも、電力増幅器モジュールを利用することができる。
【００２２】
ここでは、図２の電力増幅器モジュールに対して温度検知回路１０を実装している例を示したが、図４に示すように、図１の電力増幅器モジュールに対して温度検知回路１０を実装するようにしてもよい。
【００２３】
実施の形態３．
図５はこの発明の実施の形態３による電力増幅器モジュールを示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
図５の電力増幅器モジュールは、図１の電力増幅器モジュールと比べて、増幅部１の内部構成が相違している。
図５の例では、温度検知回路１０の記載を省略しているが、図４と同様に、温度検知回路１０が実装されていてもよい。
【００２４】
増幅部１は増幅経路１１とバイパス経路１５とが並列に接続されて構成されており、増幅経路１１は１〜Ｎ段のドライバ段増幅器１２、経路切替用スイッチ１３及び最終段増幅器１４の直列回路であり、バイパス経路１５は経路切替用スイッチ１６、バイパス増幅器１７及び経路切替用スイッチ１８の直列回路である。
なお、増幅部１は、図示していない入力整合回路、段間整合回路及び出力整合回路を実装している場合がある。また、入力整合回路、段間整合回路及び出力整合回路の一部もしくは全部を実装していない場合もある。
【００２５】
制御回路５は増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３及びバイパス経路１５の経路切替用スイッチ１６，１８を制御する。
即ち、制御回路５は、ＲＦ出力端子３から高い電力のＲＦ信号を出力させる場合、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオンに制御して、バイパス経路１５の経路切替用スイッチ１６，１８をオフに制御し、ＲＦ出力端子３から低い電力のＲＦ信号を出力させる場合、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオフに制御して、バイパス経路１５の経路切替用スイッチ１６，１８をオンに制御する。
【００２６】
次に動作について説明する。
増幅部１及び制御回路５以外の処理内容は上記実施の形態１と同様であるため、主に増幅部１及び制御回路５の処理内容を説明する。
【００２７】
制御回路５は、例えば、閾値Ｔｈ１と閾値Ｔｈ２が設定されており（Ｔｈ１＞Ｔｈ２＞０）、ＲＦ出力端子３から高い電力のＲＦ信号を出力させるために、閾値Ｔｈ１より高い制御電圧が印加されると、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオンに制御して、バイパス経路１５の経路切替用スイッチ１６，１８をオフに制御する。これにより、ＲＦ入力端子２とＲＦ出力端子３の間で、増幅経路１１が導通状態になる。
【００２８】
制御回路５は、経路切替用スイッチ１３，１６，１８の制御が完了すると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力する。
これにより、増幅経路１１を構成しているドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４にバイアスがかけられる。
即ち、バイアス回路７によって、トランジスタであるドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４のベース（または、ゲート）にバイアス電圧が印加されることで、トランジスタのベース（または、ゲート）の電圧・電流が設定される。
また、トランジスタであるドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４のコレクタ（または、ドレイン）にはＶｃｃ電圧が印加されており、Ｖｃｃ電圧が印加されることで、トランジスタのコレクタ（または、ドレイン）の電圧・電流が設定されている。
なお、経路切替用スイッチ１３，１６，１８の制御が完了してから、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力している理由は、回路内に不要なループ経路が発生することなく、安定な動作を可能にするためである。
【００２９】
ＲＦ入力端子２から入力されたＲＦ信号は、増幅経路１１を構成しているドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４で増幅され、増幅後のＲＦ信号（高出力電力のＲＦ信号）がＲＦ出力端子３に出力される。
【００３０】
制御回路５は、ＲＦ出力端子３から低い電力のＲＦ信号を出力させるために、閾値Ｔｈ２より高く、閾値Ｔｈ１より低い制御電圧が印加されると、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオフに制御して、バイパス経路１５の経路切替用スイッチ１６，１８をオンに制御する。これにより、ＲＦ入力端子２とＲＦ出力端子３の間で、バイパス経路１５が導通状態になる。
【００３１】
制御回路５は、経路切替用スイッチ１３，１６，１８の制御が完了すると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力する。
これにより、バイパス経路１５を構成しているバイパス増幅器１７にバイアスがかけられる。
即ち、バイアス回路７によって、トランジスタであるバイパス増幅器１７のベース（または、ゲート）にバイアス電圧が印加されることで、トランジスタのベース（または、ゲート）の電圧・電流が設定される。
また、トランジスタであるバイパス増幅器１７のコレクタ（または、ドレイン）にはＶｃｃ電圧が印加されており、Ｖｃｃ電圧が印加されることで、トランジスタのコレクタ（または、ドレイン）の電圧・電流が設定されている。
なお、経路切替用スイッチ１３，１６，１８の制御が完了してから、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力している理由は、回路内に不要なループ経路が発生することなく、安定な動作を可能にするためである。
【００３２】
ＲＦ入力端子２から入力されたＲＦ信号は、バイパス経路１５を構成しているバイパス増幅器１７で増幅され、増幅後のＲＦ信号（低出力電力のＲＦ信号）がＲＦ出力端子３に出力される。
【００３３】
なお、制御回路５は、閾値Ｔｈ２より低い制御電圧が印加されると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力しない。
【００３４】
この実施の形態３の場合も、上記実施の形態１と同様に、基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７がガリウム砒素基板９上に形成されているように構成したので、高周波特性を損なうことなく、非特許文献１に開示されている電力増幅器モジュールと比べて、ガリウム砒素基板９に形成されるチップ面積を削減することができる効果を奏する。
【００３５】
実施の形態４．
図６はこの発明の実施の形態４による電力増幅器モジュールを示す構成図であり、図において、図２及び図５と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
上記実施の形態３では、基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７がガリウム砒素基板９上に形成されているものを示したが、図６に示すように、基準電圧回路４、制御回路５、レギュレータ回路６及びバイアス回路７がシリコン基板８上に形成され、増幅部１がガリウム砒素基板９上に形成されているようにしてもよい。
図６の例では、温度検知回路１０の記載を省略しているが、図３と同様に、温度検知回路１０が実装されていてもよい。
基本的な動作は上記実施の形態２，３と同様であるため詳細な説明を省略するが、この場合も、高周波特性を損なうことなく、非特許文献１に開示されている電力増幅器モジュールと比べて、ガリウム砒素基板９に形成されるチップ面積を削減することができる効果を奏する。
【００３６】
実施の形態５．
図７はこの発明の実施の形態５による電力増幅器モジュールを示す構成図であり、図において、図１及び図５と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
図７の電力増幅器モジュールは、図１の電力増幅器モジュールと比べて、増幅部１の内部構成が相違している。
図７の例では、温度検知回路１０の記載を省略しているが、図４と同様に、温度検知回路１０が実装されていてもよい。
【００３７】
増幅部１は増幅経路１１とバイパス経路１９を備え、増幅経路１１における経路切替用スイッチ１３及び最終段増幅器１４の直列回路と、バイパス経路１９とが並列に接続されて構成されており、バイパス経路１９は経路切替用スイッチ２０、バイパス増幅器２１及び経路切替用スイッチ２２の直列回路である。
ただし、最終段増幅器１４のサイズが、バイパス増幅器２１のサイズより大きいサイズで構成されている。
なお、増幅部１は、図示していない入力整合回路、段間整合回路及び出力整合回路を実装している場合がある。また、入力整合回路、段間整合回路及び出力整合回路の一部もしくは全部を実装していない場合もある。
【００３８】
制御回路５は増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３及びバイパス経路１９の経路切替用スイッチ２０，２２を制御する。
即ち、制御回路５は、ＲＦ出力端子３から高い電力のＲＦ信号を出力させる場合、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオンに制御して、バイパス経路１９の経路切替用スイッチ２０，２２をオフに制御し、ＲＦ出力端子３から低い電力のＲＦ信号を出力させる場合、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオフに制御して、バイパス経路１９の経路切替用スイッチ２０，２２をオンに制御する。
【００３９】
次に動作について説明する。
増幅部１及び制御回路５以外の処理内容は上記実施の形態１と同様であるため、主に増幅部１及び制御回路５の処理内容を説明する。
【００４０】
制御回路５は、例えば、閾値Ｔｈ１と閾値Ｔｈ２が設定されており（Ｔｈ１＞Ｔｈ２＞０）、ＲＦ出力端子３から高い電力のＲＦ信号を出力させるために、閾値Ｔｈ１より高い制御電圧が印加されると、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオンに制御して、バイパス経路１９の経路切替用スイッチ２０，２２をオフに制御する。これにより、ＲＦ入力端子２とＲＦ出力端子３の間で、増幅経路１１が導通状態になる。
【００４１】
制御回路５は、経路切替用スイッチ１３，２０，２２の制御が完了すると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力する。
これにより、増幅経路１１を構成しているドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４にバイアスがかけられる。
即ち、バイアス回路７によって、トランジスタであるドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４のベース（または、ゲート）にバイアス電圧が印加されることで、トランジスタのベース（または、ゲート）の電圧・電流が設定される。
また、トランジスタであるドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４のコレクタ（または、ドレイン）にはＶｃｃ電圧が印加されており、Ｖｃｃ電圧が印加されることで、トランジスタのコレクタ（または、ドレイン）の電圧・電流が設定されている。
なお、経路切替用スイッチ１３，２０，２２の制御が完了してから、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力している理由は、回路内に不要なループ経路が発生することなく、安定な動作を可能にするためである。
【００４２】
ＲＦ入力端子２から入力されたＲＦ信号は、増幅経路１１を構成しているドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４で増幅され、増幅後のＲＦ信号（高出力電力のＲＦ信号）がＲＦ出力端子３に出力される。
【００４３】
制御回路５は、ＲＦ出力端子３から低い電力のＲＦ信号を出力させるために、閾値Ｔｈ２より高く、閾値Ｔｈ１より低い制御電圧が印加されると、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオフに制御して、バイパス経路１９の経路切替用スイッチ２０，２２をオンに制御する。これにより、ＲＦ入力端子２とＲＦ出力端子３の間で、ドライバ段増幅器１２及びバイパス経路１９が導通状態になる。
【００４４】
制御回路５は、経路切替用スイッチ１３，２０，２２の制御が完了すると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力する。
これにより、ドライバ段増幅器１２及びバイパス増幅器２１にバイアスがかけられる。
即ち、バイアス回路７によって、トランジスタであるドライバ段増幅器１２及びバイパス増幅器２１のベース（または、ゲート）にバイアス電圧が印加されることで、トランジスタのベース（または、ゲート）の電圧・電流が設定される。
また、トランジスタであるドライバ段増幅器１２及びバイパス増幅器２１のコレクタ（または、ドレイン）にはＶｃｃ電圧が印加されており、Ｖｃｃ電圧が印加されることで、トランジスタのコレクタ（または、ドレイン）の電圧・電流が設定されている。
なお、経路切替用スイッチ１３，２０，２２の制御が完了してから、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力している理由は、回路内に不要なループ経路が発生することなく、安定な動作を可能にするためである。
【００４５】
ＲＦ入力端子２から入力されたＲＦ信号は、ドライバ段増幅器１２及びバイパス増幅器２１で増幅され、増幅後のＲＦ信号（低出力電力のＲＦ信号）がＲＦ出力端子３に出力される。
【００４６】
なお、制御回路５は、閾値Ｔｈ２より低い制御電圧が印加されると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力しない。
【００４７】
この実施の形態５の場合も、上記実施の形態１と同様に、基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７がガリウム砒素基板９上に形成されているように構成したので、高周波特性を損なうことなく、非特許文献１に開示されている電力増幅器モジュールと比べて、ガリウム砒素基板９に形成されるチップ面積を削減することができる効果を奏する。
【００４８】
実施の形態６．
図８はこの発明の実施の形態６による電力増幅器モジュールを示す構成図であり、図において、図２及び図７と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
上記実施の形態５では、基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７がガリウム砒素基板９上に形成されているものを示したが、図８に示すように、基準電圧回路４、制御回路５、レギュレータ回路６及びバイアス回路７がシリコン基板８上に形成され、増幅部１がガリウム砒素基板９上に形成されているようにしてもよい。
図８の例では、温度検知回路１０の記載を省略しているが、図３と同様に、温度検知回路１０が実装されていてもよい。
基本的な動作は上記実施の形態２，５と同様であるため詳細な説明を省略するが、この場合も、高周波特性を損なうことなく、非特許文献１に開示されている電力増幅器モジュールと比べて、ガリウム砒素基板９に形成されるチップ面積を削減することができる効果を奏する。
【００４９】
実施の形態７．
図９はこの発明の実施の形態７による電力増幅器モジュールを示す構成図であり、図において、図１及び図５と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
図９の電力増幅器モジュールは、図１の電力増幅器モジュールと比べて、増幅部１の内部構成が相違している。
図９の例では、温度検知回路１０の記載を省略しているが、図４と同様に、温度検知回路１０が実装されていてもよい。
【００５０】
増幅部１は増幅経路１１とバイパス経路２３とが並列に接続されて構成されており、増幅経路１１は１〜Ｎ段のドライバ段増幅器１２、経路切替用スイッチ１３及び最終段増幅器１４の直列回路であり、バイパス経路２３は経路切替用スイッチ２４、バイパスドライバ段増幅器２５、経路切替用スイッチ２６及びバイパス最終段増幅器２７の直列回路である。
ただし、最終段増幅器１４のサイズが、バイパス最終段増幅器２７のサイズより大きいサイズで構成されている。
なお、増幅部１は、図示していない入力整合回路、段間整合回路及び出力整合回路を実装している場合がある。また、入力整合回路、段間整合回路及び出力整合回路の一部もしくは全部を実装していない場合もある。
【００５１】
制御回路５は増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３及びバイパス経路２３の経路切替用スイッチ２４，２６を制御する。
即ち、制御回路５は、ＲＦ出力端子３から高い電力のＲＦ信号を出力させる場合、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオンに制御して、バイパス経路２３の経路切替用スイッチ２４，２６をオフに制御し、ＲＦ出力端子３から低い電力のＲＦ信号を出力させる場合、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオフに制御して、バイパス経路２３の経路切替用スイッチ２４，２６をオンに制御する。
【００５２】
次に動作について説明する。
増幅部１及び制御回路５以外の処理内容は上記実施の形態１と同様であるため、主に増幅部１及び制御回路５の処理内容を説明する。
【００５３】
制御回路５は、例えば、閾値Ｔｈ１と閾値Ｔｈ２が設定されており（Ｔｈ１＞Ｔｈ２＞０）、ＲＦ出力端子３から高い電力のＲＦ信号を出力させるために、閾値Ｔｈ１より高い制御電圧が印加されると、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオンに制御して、バイパス経路２３の経路切替用スイッチ２４，２６をオフに制御する。これにより、ＲＦ入力端子２とＲＦ出力端子３の間で、増幅経路１１が導通状態になる。
【００５４】
制御回路５は、経路切替用スイッチ１３，２４，２６の制御が完了すると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力する。
これにより、増幅経路１１を構成しているドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４にバイアスがかけられる。
即ち、バイアス回路７によって、トランジスタであるドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４のベース（または、ゲート）にバイアス電圧が印加されることで、トランジスタのベース（または、ゲート）の電圧・電流が設定される。
また、トランジスタであるドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４のコレクタ（または、ドレイン）にはＶｃｃ電圧が印加されており、Ｖｃｃ電圧が印加されることで、トランジスタのコレクタ（または、ドレイン）の電圧・電流が設定されている。
なお、経路切替用スイッチ１３，２４，２６の制御が完了してから、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力している理由は、回路内に不要なループ経路が発生することなく、安定な動作を可能にするためである。
【００５５】
ＲＦ入力端子２から入力されたＲＦ信号は、増幅経路１１を構成しているドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４で増幅され、増幅後のＲＦ信号（高出力電力のＲＦ信号）がＲＦ出力端子３に出力される。
【００５６】
制御回路５は、ＲＦ出力端子３から低い電力のＲＦ信号を出力させるために、閾値Ｔｈ２より高く、閾値Ｔｈ１より低い制御電圧が印加されると、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオフに制御して、バイパス経路２３の経路切替用スイッチ２４，２６をオンに制御する。これにより、ＲＦ入力端子２とＲＦ出力端子３の間で、バイパス経路２３が導通状態になる。
【００５７】
制御回路５は、経路切替用スイッチ１３，２４，２６の制御が完了すると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力する。
これにより、バイパス経路２３を構成しているバイパスドライバ段増幅器２５及びバイパス最終段増幅器２７にバイアスがかけられる。
即ち、バイアス回路７によって、トランジスタであるバイパスドライバ段増幅器２５及びバイパス最終段増幅器２７のベース（または、ゲート）にバイアス電圧が印加されることで、トランジスタのベース（または、ゲート）の電圧・電流が設定される。
また、トランジスタであるバイパスドライバ段増幅器２５及びバイパス最終段増幅器２７のコレクタ（または、ドレイン）にはＶｃｃ電圧が印加されており、Ｖｃｃ電圧が印加されることで、トランジスタのコレクタ（または、ドレイン）の電圧・電流が設定されている。
なお、経路切替用スイッチ１３，２４，２６の制御が完了してから、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力している理由は、回路内に不要なループ経路が発生することなく、安定な動作を可能にするためである。
【００５８】
ＲＦ入力端子２から入力されたＲＦ信号は、バイパス経路２３を構成しているバイパスドライバ段増幅器２５及びバイパス最終段増幅器２７で増幅され、増幅後のＲＦ信号（低出力電力のＲＦ信号）がＲＦ出力端子３に出力される。
【００５９】
なお、制御回路５は、閾値Ｔｈ２より低い制御電圧が印加されると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力しない。
【００６０】
この実施の形態７の場合も、上記実施の形態１と同様に、基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７がガリウム砒素基板９上に形成されているように構成したので、高周波特性を損なうことなく、非特許文献１に開示されている電力増幅器モジュールと比べて、ガリウム砒素基板９に形成されるチップ面積を削減することができる効果を奏する。
【００６１】
実施の形態８．
図１０はこの発明の実施の形態８による電力増幅器モジュールを示す構成図であり、図において、図２及び図９と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
上記実施の形態７では、基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７がガリウム砒素基板９上に形成されているものを示したが、図１０に示すように、基準電圧回路４、制御回路５、レギュレータ回路６及びバイアス回路７がシリコン基板８上に形成され、増幅部１がガリウム砒素基板９上に形成されているようにしてもよい。
図１０の例では、温度検知回路１０の記載を省略しているが、図３と同様に、温度検知回路１０が実装されていてもよい。
基本的な動作は上記実施の形態２，７と同様であるため詳細な説明を省略するが、この場合も、高周波特性を損なうことなく、非特許文献１に開示されている電力増幅器モジュールと比べて、ガリウム砒素基板９に形成されるチップ面積を削減することができる効果を奏する。
【００６２】
実施の形態９．
図１１はこの発明の実施の形態９による電力増幅器モジュールを示す構成図であり、図において、図１及び図５と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
図１１の電力増幅器モジュールは、図１の電力増幅器モジュールと比べて、増幅部１の内部構成が相違している。
図１１の例では、温度検知回路１０の記載を省略しているが、図４と同様に、温度検知回路１０が実装されていてもよい。
【００６３】
増幅部１は増幅経路１１と、バイパス経路２８（第１のバイパス回路）と、バイパス経路３１（第２のバイパス回路）とを備え、増幅経路１１におけるドライバ段増幅器１２とバイパス経路２８が並列に接続され、増幅経路１１における経路切替用スイッチ１３及び最終段増幅器１４の直列回路とバイパス経路３１とが並列に接続されて構成されている。
バイパス経路２８はバイパス増幅器２９及び経路切替用スイッチ３０の直列回路であり、バイパス経路３１は経路切替用スイッチ３２からなる。
なお、増幅部１は、図示していない入力整合回路、段間整合回路及び出力整合回路を実装している場合がある。また、入力整合回路、段間整合回路及び出力整合回路の一部もしくは全部を実装していない場合もある。
【００６４】
制御回路５は増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３、バイパス経路２８の経路切替用スイッチ３０及びバイパス経路３１の経路切替用スイッチ３２を制御する。
即ち、制御回路５は、ＲＦ出力端子３から高い電力のＲＦ信号を出力させる場合、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオンに制御して、バイパス経路２８，３１の経路切替用スイッチ３０，３２をオフに制御し、ＲＦ出力端子３から低い電力のＲＦ信号を出力させる場合、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオフに制御して、バイパス経路２８，３１の経路切替用スイッチ３０，３２をオンに制御する。
【００６５】
次に動作について説明する。
増幅部１及び制御回路５以外の処理内容は上記実施の形態１と同様であるため、主に増幅部１及び制御回路５の処理内容を説明する。
【００６６】
制御回路５は、例えば、閾値Ｔｈ１と閾値Ｔｈ２と閾値Ｔｈ３が設定されており（Ｔｈ１＞Ｔｈ２＞Ｔｈ３＞０）、ＲＦ出力端子３から高い電力のＲＦ信号を出力させるために、閾値Ｔｈ１より高い制御電圧が印加されると、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオンに制御して、バイパス経路２８，３１の経路切替用スイッチ３０，３２をオフに制御する。これにより、ＲＦ入力端子２とＲＦ出力端子３の間で、増幅経路１１が導通状態になる。
【００６７】
制御回路５は、経路切替用スイッチ１３，３０，３２の制御が完了すると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力する。
これにより、増幅経路１１を構成しているドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４にバイアスがかけられる。
即ち、バイアス回路７によって、トランジスタであるドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４のベース（または、ゲート）にバイアス電圧が印加されることで、トランジスタのベース（または、ゲート）の電圧・電流が設定される。
また、トランジスタであるドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４のコレクタ（または、ドレイン）にはＶｃｃ電圧が印加されており、Ｖｃｃ電圧が印加されることで、トランジスタのコレクタ（または、ドレイン）の電圧・電流が設定されている。
なお、経路切替用スイッチ１３，３０，３２の制御が完了してから、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力している理由は、回路内に不要なループ経路が発生することなく、安定な動作を可能にするためである。
【００６８】
ＲＦ入力端子２から入力されたＲＦ信号は、増幅経路１１を構成しているドライバ段増幅器１２及び最終段増幅器１４で増幅され、増幅後のＲＦ信号（高出力電力のＲＦ信号）がＲＦ出力端子３に出力される。
【００６９】
制御回路５は、ＲＦ出力端子３から中程度の電力のＲＦ信号を出力させるために、閾値Ｔｈ２より高く、閾値Ｔｈ１より低い制御電圧が印加されると、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３及びバイパス経路２８の経路切替用スイッチ３０をオフに制御して、バイパス経路３１の経路切替用スイッチ３２をオンに制御する。これにより、ＲＦ入力端子２とＲＦ出力端子３の間で、ドライバ段増幅器１２及びバイパス経路３１が導通状態になる。
【００７０】
制御回路５は、経路切替用スイッチ１３，３０，３２の制御が完了すると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力する。
これにより、増幅経路１１を構成しているドライバ段増幅器１２にバイアスがかけられる。
即ち、バイアス回路７によって、トランジスタであるドライバ段増幅器１２のベース（または、ゲート）にバイアス電圧が印加されることで、トランジスタのベース（または、ゲート）の電圧・電流が設定される。
また、トランジスタであるドライバ段増幅器１２のコレクタ（または、ドレイン）にはＶｃｃ電圧が印加されており、Ｖｃｃ電圧が印加されることで、トランジスタのコレクタ（または、ドレイン）の電圧・電流が設定されている。
なお、経路切替用スイッチ１３，３０，３２の制御が完了してから、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力している理由は、回路内に不要なループ経路が発生することなく、安定な動作を可能にするためである。
【００７１】
ＲＦ入力端子２から入力されたＲＦ信号は、増幅経路１１を構成しているドライバ段増幅器１２で増幅され、増幅後のＲＦ信号（中出力電力のＲＦ信号）がＲＦ出力端子３に出力される。
【００７２】
制御回路５は、ＲＦ出力端子３から低い電力のＲＦ信号を出力させるために、閾値Ｔｈ３より高く、閾値Ｔｈ２より低い制御電圧が印加されると、増幅経路１１の経路切替用スイッチ１３をオフに制御して、バイパス経路２８，３１の経路切替用スイッチ３０，３２をオンに制御する。これにより、ＲＦ入力端子２とＲＦ出力端子３の間で、バイパス経路２８，３１が導通状態になる。
【００７３】
制御回路５は、経路切替用スイッチ１３，３０，３２の制御が完了すると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力する。
これにより、バイパス経路２８を構成しているバイパス段増幅器２９にバイアスがかけられる。
即ち、バイアス回路７によって、トランジスタであるバイパス段増幅器２９のベース（または、ゲート）にバイアス電圧が印加されることで、トランジスタのベース（または、ゲート）の電圧・電流が設定される。
また、トランジスタであるバイパス段増幅器２９のコレクタ（または、ドレイン）にはＶｃｃ電圧が印加されており、Ｖｃｃ電圧が印加されることで、トランジスタのコレクタ（または、ドレイン）の電圧・電流が設定されている。
なお、経路切替用スイッチ１３，３０，３２の制御が完了してから、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力している理由は、回路内に不要なループ経路が発生することなく、安定な動作を可能にするためである。
【００７４】
ＲＦ入力端子２から入力されたＲＦ信号は、バイパス経路２８を構成しているバイパス増幅器２９で増幅され、増幅後のＲＦ信号（低出力電力のＲＦ信号）がＲＦ出力端子３に出力される。
【００７５】
なお、制御回路５は、閾値Ｔｈ３より低い制御電圧が印加されると、起動を指示する制御信号をレギュレータ回路６及びバイアス回路７に出力しない。
【００７６】
この実施の形態９の場合も、上記実施の形態１と同様に、基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７がガリウム砒素基板９上に形成されているように構成したので、高周波特性を損なうことなく、非特許文献１に開示されている電力増幅器モジュールと比べて、ガリウム砒素基板９に形成されるチップ面積を削減することができる効果を奏する。
【００７７】
実施の形態１０．
図１２はこの発明の実施の形態１０による電力増幅器モジュールを示す構成図であり、図において、図２及び図１１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
上記実施の形態９では、基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７がガリウム砒素基板９上に形成されているものを示したが、図１２に示すように、基準電圧回路４、制御回路５、レギュレータ回路６及びバイアス回路７がシリコン基板８上に形成され、増幅部１がガリウム砒素基板９上に形成されているようにしてもよい。
図１２の例では、温度検知回路１０の記載を省略しているが、図３と同様に、温度検知回路１０が実装されていてもよい。
基本的な動作は上記実施の形態２，９と同様であるため詳細な説明を省略するが、この場合も、高周波特性を損なうことなく、非特許文献１に開示されている電力増幅器モジュールと比べて、ガリウム砒素基板９に形成されるチップ面積を削減することができる効果を奏する。
【００７８】
実施の形態１１．
図１３はこの発明の実施の形態１１による電力増幅器モジュールを示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
上記実施の形態１〜１０では、増幅部１が１つだけ実装されているものを示したが、図１３に示すように、複数の増幅部１が実装されていてもよい。
例えば、複数の増幅部１を構成している増幅器１ａのサイズが異なる場合、各増幅部１におけるＲＦ信号の増幅率が異なるものとなる。
【００７９】
制御回路５、複数の増幅部１が実装されている場合、印加される制御電圧に応じて、いずれかの増幅部１を動作させる制御信号を出力する。
基本的には、いずれか１つの増幅部１を動作させるが、２以上の増幅部１を動作させるようにしてもよい。
【００８０】
この実施の形態１１の場合も、上記実施の形態１と同様に、基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７がガリウム砒素基板９上に形成されているように構成したので、高周波特性を損なうことなく、非特許文献１に開示されている電力増幅器モジュールと比べて、ガリウム砒素基板９に形成されるチップ面積を削減することができる効果を奏する。
【００８１】
実施の形態１２．
図１４はこの発明の実施の形態１２による電力増幅器モジュールを示す構成図であり、図において、図２及び図１３と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
上記実施の形態１１では、基準電圧回路４、制御回路５及びレギュレータ回路６がシリコン基板８上に形成され、増幅部１及びバイアス回路７がガリウム砒素基板９上に形成されているものを示したが、図１４に示すように、基準電圧回路４、制御回路５、レギュレータ回路６及びバイアス回路７がシリコン基板８上に形成され、増幅部１がガリウム砒素基板９上に形成されているようにしてもよい。
図１４の例では、温度検知回路１０の記載を省略しているが、図３と同様に、温度検知回路１０が実装されていてもよい。
基本的な動作は上記実施の形態２，１１と同様であるため詳細な説明を省略するが、この場合も、高周波特性を損なうことなく、非特許文献１に開示されている電力増幅器モジュールと比べて、ガリウム砒素基板９に形成されるチップ面積を削減することができる効果を奏する。
【００８２】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１  増幅部、１ａ  １〜Ｎ段の増幅器、２  ＲＦ入力端子、３  ＲＦ出力端子、４  基準電圧回路、５  制御回路、６  レギュレータ回路、７  バイアス回路、８  シリコン基板、９  ガリウム砒素基板、１０  温度検知回路、１１  増幅経路、１２  ドライバ段増幅器、１３  経路切替用スイッチ、１４  最終段増幅器、１５  バイパス経路、１６，１８  経路切替用スイッチ、１７  バイパス増幅器、１９  バイパス経路、２０，２２  経路切替用スイッチ、２１  バイパス増幅器、２３  バイパス経路、２４，２６  経路切替用スイッチ、２５  バイパスドライバ段増幅器、２７  バイパス最終段増幅器、２８  バイパス経路（第１のバイパス回路）、２９  バイパス増幅器、３０  経路切替用スイッチ、３１  バイパス経路（第２のバイパス回路）、３２  経路切替用スイッチ、１０１  増幅部、１０２  ＲＦ入力端子、１０３  ＲＦ出力端子、１０４  基準電圧回路、１０５  レギュレータ回路、１０６  制御回路、１０７  バイアス回路、１０８  シリコン基板、１０９  ガリウム砒素基板。
【図１】
2013219724.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2013219724.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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