(57)【要約】【課題】基板に対する均一な成膜が可能なスパッタリング装置を提供すること。【解決手段】凸レンズ１０を回転させる回転装置４と、第１材料放出面５０と、互いに極性の異なる第１マグネット対５１と、を有する第１ターゲット５と、第２材料放出面６０と、互いに極性の異なる第２マグネット対６１と、を有する第２ターゲット６と、を備えたスパッタリング装置１において、第１ターゲット５は、第１材料放出面５０が回転軸４１と平行に配置され、第２ターゲット６は、第２材料放出面６０が回転軸４１と平行に配置され、第１中間地点５４での第１法線５５が凸レンズ１０の頂部１０ａに対して底部１０ｂとは反対側を通過するように第１マグネット対５１が第１ターゲット５に配置されると共に、第２中間地点６４での第２法線６５が凸レンズ１０の頂部１０ａと底部１０ｂとの間を通過するように第２マグネット対６１が第２ターゲット６に配置された。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被成膜レンズの厚さ方向を回転軸として被成膜レンズの底部を保持した状態で回転させる回転装置と、
被成膜レンズを成膜する成膜材料を放出する第１材料放出面と、前記第１材料放出面の裏側に配設された互いに極性の異なる第１マグネット対と、を有する第１ターゲットと、
前記成膜材料を放出する第２材料放出面と、前記第２材料放出面の裏側に配設された互いに極性の異なる第２マグネット対と、を有する第２ターゲットと、を備えたスパッタリング装置において、
前記第１ターゲットは、前記第１材料放出面が前記回転軸と平行になるように、かつ被成膜レンズの底部から頂部が前記第１材料放出面の法線の間に入るように配置され、
前記第２ターゲットは、前記第２材料放出面が前記回転軸と平行になるように、かつ被成膜レンズの底部から頂部が前記第２材料放出面の法線の間に入るように配置され、
被成膜レンズを回転させつつ前記第１ターゲットと前記第２ターゲットとをスパッタして被成膜レンズを成膜する成膜時に、前記第１マグネット対が、マグネット同士の中間位置である第１中間地点での第１法線が被成膜レンズの頂部に対して底部とは反対側を通過するように前記第１材料放出面の裏側に配置されると共に、前記第２マグネット対が、マグネット同士の中間位置である第２中間地点での第２法線が被成膜レンズの頂部と底部との間を通過するように前記第２材料放出面の裏側に配置された、
ことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
前記第１ターゲットに電力を供給する第１電源部と、前記第２ターゲットに電力を供給する第２電源部と、を備え、
前記第１電源部による印加電力と前記第２電源部による印加電力とを制御して、前記第１ターゲットと前記第２ターゲットとによる被成膜レンズの成膜速度を調整する、
ことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スチルカメラ、ビデオカメラ、双眼鏡、望遠鏡、顕微鏡などの光学機器に搭載されるレンズ等の光学部品に光学薄膜を蒸着するスパッタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、レンズ等の光学部品（以下、「基板」という）に形成される光学薄膜は、真空蒸着やスパッタリング装置などの成膜装置で蒸着され、基板表面に蒸着される膜厚と膜厚分布とが、その特性上、重要な要素となっている。そのため、昨今においては、成膜速度が安定し、材料源であるターゲットからの位置調整により、所望の膜厚及び膜厚分布を容易に得ることが可能なスパッタリング装置が広く利用されている。
【０００３】
ところで、スパッタリング装置には、成膜材料を放出するターゲットの位置調整に加えて、部分的に膜厚を補正するための補正板をターゲットと基板との間に挿入することで、基板表面の薄膜分布の均一化を向上させたものが知られている。しかしながら、補正板を用いたスパッタリング装置は、補正板の形状や配置の変更、補正板を出し入れさせる移動機構等に基づく成膜プロセスが複雑になるという問題があった。また、ターゲットを基板の正面に配置すると、ターゲットから放出されるスパッタ粒子が基板に衝突したときの衝撃が大きくなり、基板にダメージを生じさせるおそれがあった。
【０００４】
これに対しては、主ターゲットと主ターゲットよりも小さな補助ターゲットとを基板に対して斜めに配置して基板を成膜させることで、補助板を用いることなく基板表面の薄膜分布の均一化を向上させたスパッタリング装置が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３０２９１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のスパッタリング装置は、平面形状の基板に対する成膜の均一化を図ったものである。そのため、例えば、主ターゲットと補助ターゲットとの材料放出面からの法線と平面形状の基板表面とのなす角度が装置構成上の配置等によって一定の角度に決定された場合においては、基板表面の内周部分と外周部分の膜厚をそろえることが可能になる。
【０００７】
しかし、曲率を有するレンズ等（以下、「被成膜レンズ」という）を成膜する場合においては、ターゲットの材料放出面上の法線と被成膜レンズ表面とのなす角度が広い範囲を持つため、被成膜レンズ表面の成膜速度のバラつきが大きくなる。そのため、被成膜レンズを自転させつつ成膜した場合においても、被成膜レンズ表面の膜厚を均一にすることが困難となるという問題があった。また、ターゲットを斜めに配置した場合、被成膜レンズの曲率によっては、被成膜レンズの表面とターゲットの法線との交点での接線と、ターゲットの法線と、のなす角度が９０度になり、正面配置と同様に、被成膜レンズにダメージを生じさせるおそれがあった。
【０００８】
そこで、本発明は、被成膜レンズに対する均一な成膜が可能なスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、被成膜レンズの厚さ方向を回転軸として被成膜レンズの底部を保持した状態で回転させる回転装置と、被成膜レンズを成膜する成膜材料を放出する第１材料放出面と、前記第１材料放出面の裏側に配設された互いに極性の異なる第１マグネット対と、を有する第１ターゲットと、前記成膜材料を放出する第２材料放出面と、前記第２材料放出面の裏側に配設された互いに極性の異なる第２マグネット対と、を有する第２ターゲットと、を備えたスパッタリング装置において、前記第１ターゲットは、前記第１材料放出面が前記回転軸と平行になるように、かつ被成膜レンズの底部から頂部が前記第１材料放出面の法線の間に入るように配置され、前記第２ターゲットは、前記第２材料放出面が前記回転軸と平行になるように、かつ被成膜レンズの底部から頂部が前記第２材料放出面の法線の間に入るように配置され、被成膜レンズを回転させつつ前記第１ターゲットと前記第２ターゲットとをスパッタして被成膜レンズを成膜する成膜時に、前記第１マグネット対が、マグネット同士の中間位置である第１中間地点での第１法線が被成膜レンズの頂部に対して底部とは反対側を通過するように前記第１材料放出面の裏側に配置されると共に、前記第２マグネット対が、マグネット同士の中間位置である第２中間地点での第２法線が被成膜レンズの頂部と底部との間を通過するように前記第２材料放出面の裏側に配置されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、被成膜レンズの両側に第１ターゲットと第２ターゲットとを配置して、第１ターゲットで被成膜レンズの中心寄りを成膜し、第２ターゲットで被成膜レンズの周辺寄りを成膜することで、被成膜レンズの表面を均一に成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係るスパッタリング装置の全体構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本実施形態に係るスパッタリング装置の第１マグネット対と第２マグネット対の凸レンズに対する位置関係を示す図である。
【図３】本発明の実施例に係るエロージョンパターンを示す図である。
【図４】本発明の実施例１における成膜による膜厚分布を示す図である。
【図５】本発明の実施例２における成膜による膜厚分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態に係るスパッタリング装置について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係るスパッタリング装置は、材料源としてのターゲットの裏面にマグネット対を配設して材料放出面に磁界を発生させることで成膜速度を向上させたマグネトロンスパッタリング装置（以下、単に「スパッタリング装置」という）である。以下においては、被成膜レンズとして、曲率を有する凸レンズを用いて説明する。また、本実施形態においては、複数の凸レンズを同時に成膜可能に構成されたスパッタリング装置を用いて説明する。
【００１３】
まず、本発明の実施形態に係るスパッタリング装置１の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態に係るスパッタリング装置１の全体構造を模式的に示す断面図である。
【００１４】
図１に示すように、スパッタリング装置１は、チャンバ２と、スパッタガス等を供給するガス供給装置３と、凸レンズ１０を保持した状態で回転させる複数の回転装置４・・・と、成膜材料を放出する第１ターゲット５と、を備えている。また、スパッタリング装置１は、成膜材料を放出する第２ターゲット６と、第１ターゲット５に電力を供給（印加）する第１電源部７と、第２ターゲット６に電力を供給（印加）する第２電源部８と、を備えている。なお、図１においては、チャンバ２の中心Ｔに対して、回転装置４と対称に配置された回転装置は、省略している。
【００１５】
チャンバ２は、真空室２０と、真空室２０に接続された排気装置２１と、を備えており、真空室２０内に充填されたスパッタガス等のプロセスガスを排気装置２１から排気させることで、真空室２０内を所定の圧力に調節する。ガス供給装置３は、真空室２０に接続されており、真空室２０内にスパッタガス等を供給する。このとき、スパッタガス等を供給しながら真空室２０内の圧力も調整可能となる。本実施形態においては、スパッタガスとしてのＡｒガスと、反応性ガスとしてのＯ２と、を供給可能となっており、Ａｒバルブ３２とＯ２バルブ３３とを調節して、装置本体３１から真空室２０内にＡｒガスとＯ２とを供給する。
【００１６】
複数の回転装置４のそれぞれは、凸レンズ１０の底部１０ｂを固定するレンズホルダ４０と、凸レンズ１０の厚さ方向と平行となるようにレンズホルダ４０に接続された回転軸４１と、回転軸４１を回転させる不図示の駆動部と、を備えている。レンズホルダ４０は、真空室２０内に配置されており、駆動部の駆動により回転軸４１が回転することで、凸レンズ１０の１０ｂを保持した状態で回転する。
【００１７】
第１ターゲット５は、真空室２０内で、複数の回転装置４のそれぞれの回転軸４１と直交する一方側、即ち、複数のレンズホルダ４０のそれぞれに固定された複数の凸レンズ１０のそれぞれの厚さ方向と直交する一方側に配置されている。
【００１８】
また、第１ターゲット５は、凸レンズ１０に成膜材料を放出する第１材料放出面５０と、第１材料放出面５０の裏面に配設される複数の第１マグネット対５１・・・と、を備えている。第１材料放出面５０は、複数のレンズホルダ４０のそれぞれに固定された複数の凸レンズ１０のそれぞれの頂部１０ａから底部１０ｂまでが第１材料放出面５０上の法線の間に入る（複数の凸レンズ１０の一方側の側面に対向配置される）ように形成されている。
【００１９】
複数の第１マグネット対５１は、複数の回転装置４と同数設けられており、複数の回転装置４に保持された凸レンズ１０に対して、後述する対応した位置にそれぞれ配置されている。複数の第１マグネット対５１のそれぞれは、極性方向が逆向きに配置される内周側マグネット５１ａと外周側マグネット５１ｂとから構成されており、第１ターゲット５の裏面に配設されたマグネットプレート５２に保持されている。内周側マグネット５１ａと外周側マグネット５１ｂとにより、外周側マグネット５１ｂから第１材料放出面５０の近傍を経由して内周側マグネット５１ａに向かう略円弧状の磁力線５３が形成される。また、内周側マグネット５１ａと外周側マグネット５１ｂとは、マグネット同士の中間位置である第１中間地点５４での第１法線５５が、凸レンズ１０の頂部１０ａに対して底部１０ｂと反対側を通過するように配設されている。なお、第１マグネット対５１の凸レンズ１０に対する位置関係については、後に詳述する。
【００２０】
第２ターゲット６は、真空室２０内で、複数の回転装置４のそれぞれの回転軸４１と直交する他方側、即ち、複数のレンズホルダ４０のそれぞれに固定された複数の凸レンズ１０のそれぞれの厚さ方向と直交する他方側で、第１ターゲット５と対向配置されている。つまり、第１ターゲット５と第２ターゲット６とは、回転装置４の回転軸４１を中心に、対称かつ対向して配置されている。
【００２１】
また、第２ターゲット６は、凸レンズ１０に成膜材料を放出する第２材料放出面６０と、第２材料放出面６０の裏面に配設される複数の第２マグネット対６１・・・と、を備えている。第２材料放出面６０は、複数のレンズホルダ４０のそれぞれに固定された複数の凸レンズ１０のそれぞれの頂部１０ａから底部１０ｂまでが第２材料放出面６０上の法線の間に入る（複数の凸レンズ１０の他方側の側面に対向配置される）ように形成されている。
【００２２】
複数の第２マグネット対６１は、複数の回転装置４と同数設けられており、複数の回転装置４の保持された複数の凸レンズ１０に対して、後述する対応した位置にそれぞれ配置されている。また、複数の第２マグネット対６１のそれぞれは、極性方向が逆向きに配置される内周側マグネット６１ａと外周側マグネット６１ｂとから構成されており、第２ターゲット６の裏面に配設されたマグネットプレート６２に保持されている。内周側マグネット６１ａと外周側マグネット６１ｂとにより、外周側マグネット６１ｂから第２材料放出面６０の近傍を経由して内周側マグネット６１ａに向かう略円弧状の磁力線６３が形成される。また、内周側マグネット６１ａと外周側マグネット６１ｂとは、マグネット同士の中間位置である第１中間地点６４での第２法線６５が、凸レンズ１０の頂部１０ａと底部１０ｂとの間を通過するように配設されている。なお、第２マグネット対６１の凸レンズ１０に対する位置関係については、後に詳述する。
【００２３】
第１電源部７は、第１ターゲット５に接続されており、第１ターゲット５に放電のための電力を供給（印加）する。第１電源部７が第１ターゲット５に電力供給してスパッタすると、内周側マグネット５１ａと外周側マグネット５１ｂとの第１中間地点５４での第１材料放出面５０上で磁力が最も強くなり、ここから粒子が最も放出されることで、エロージョン５６が形成される。
【００２４】
第２電源部８は、第２ターゲット６に接続されており、第２ターゲット６に放電のための電力を供給（印加）する。第２電源部８が第２ターゲット６に電力供給してスパッタすると、内周側マグネット６１ａと外周側マグネット６１ｂとの第２中間地点６４での第２材料放出面６０上で磁力が最も強くなり、ここから粒子が最も放出されることで、エロージョン６６が形成される。
【００２５】
なお、第１電源部７と第２電源部８とは、独立に印加電力を調整可能になっており、独立に調整することで、第１ターゲット５と第２ターゲット６とによる成膜速度が制御可能になっている。
【００２６】
次に、本実施形態に係る第１ターゲット５の複数の第１マグネット対５１のそれぞれと、第２ターゲット６の複数の第２マグネット対６１のそれぞれの凸レンズ１０に対する位置関係について、図２を参照しながら具体的に説明する。図２は、本実施形態に係るスパッタリング装置１の第１マグネット対５１と第２マグネット対６１の凸レンズ１０に対する位置関係を示す図である。
【００２７】
図２に示すように、第１ターゲット５と、第１ターゲット５と対向配置された第２ターゲット６と、のそれぞれの中心をチャンバ２の中心Ｔとする。回転軸４１と平行な方向における中心Ｔから内周側マグネット５１ａ、外周側マグネット５１ｂまでの距離をＬ３、Ｌ４とすると、中心Ｔから第１中間地点５４までの距離（エロージョン半径）Ｌ１は、Ｌ１＝Ｌ３＋（Ｌ４−Ｌ３）／２、と規定できる。同様に、回転軸４１と平行な方向における中心Ｔから内周側マグネット６１ａ、外周側マグネット６１ｂまでの距離をＬ５、Ｌ６とすると、中心Ｔから第２中間地点６４までの距離（エロージョン半径）Ｌ２は、Ｌ２＝Ｌ５＋（Ｌ６−Ｌ５）／２、と規定できる。
【００２８】
ここで、中心Ｔから凸レンズ１０の底部１０ｂまでの距離をＬｂ、中心Ｔから凸レンズ１０の頂部１０ａまでの距離をＬａとする。すると、本実施形態に係るスパッタリング装置１は、複数の第１マグネット対５１と複数の第２マグネット対６１とが、Ｌ１＜Ｌａ＜Ｌ２＜Ｌｂ、を満たすように配置されている。
【００２９】
更に、第１マグネット対５１及び第２マグネット対６１は、以下を満たすように配置されている。第１中間地点５４における第１材料放出面５０上の第１法線５５と、第１中間地点５４と凸レンズ１０の頂部１０ａとを結ぶ線５７と、のなす角度をθ１とすると、０度＜θ１＜９０度、を満たすように複数の第１マグネット対５１のそれぞれが配置されている。同様に、第２中間地点６４での第２材料放出面６０上の第２法線６５と、第２中間地点６４と凸レンズ１０の底部１０ｂとを結ぶ線６７と、のなす角度をθ２とすると、０度＜θ２＜９０度、を満たすように複数の第２マグネット対６１のそれぞれが配置されている。
【００３０】
θ１とθ２とは、鋭角になるように０に近い値が好ましいが、０としてしまうと、第１中間地点５４及び第２中間地点６４における材料放出面上から放出される材料が凸レンズ１０に対して垂直に入射することでダメージを生じさせるおそれがあり好ましくない。本実施形態においては、θ１は、０度＜θ１＜１５度が好ましく、θ２は、０度＜θ２＜１２度が好ましい。
【００３１】
次に、本実施形態に係るスパッタリング装置１による凸レンズ１０への光学薄膜の蒸着処理について説明する。まず、成膜時に上述のＬ１＜Ｌａ及び０度＜θ１＜９０度を満たすように複数の第１マグネット対５１が配置された第１ターゲット５をチャンバ２内に設置する。同様に、上述のＬｂ＜Ｌ２及び０度＜θ２＜９０度を満たすように複数の第２マグネット対６１が配置された第２ターゲット６をチャンバ２内に設置する。第１ターゲット５と第２ターゲット６とをチャンバ２内に設置すると、次に、凸レンズ１０をレンズホルダ４０に固定する。
【００３２】
凸レンズ１０を固定すると、チャンバ２の真空室２０内が所定の圧力になるまで排気装置２１で排気した後、Ａｒバルブ３２及びＯ２バルブ３３を調整しながら、真空室２０内の圧力が所定圧力となるように、所定量のＡｒガスとＯ２ガスとを注入する。スパッタガスを注入すると、次に、回転装置４を所定時間回転させつつ、第１電源部７と第２電源部８とで第１ターゲット５と第２ターゲット６とに所定の電力を供給して、第１ターゲット５と第２ターゲット６とをスパッタする。これにより、凸レンズ１０が成膜される。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態に係るスパッタリング装置１は、第１ターゲット５と第２ターゲット６とを、凸レンズ１０を回転させる回転軸４１と平行に配置する。そして、第１ターゲット５で凸レンズ１０の頂部の近傍（中心寄り）が成膜されるように第１マグネット対５１を配置し、第２ターゲット６で凸レンズ１０の底部側の周域（周辺寄り）が成膜されるように第２マグネット対６１を配置する。具体的には、第１中間地点５４での第１法線５５が凸レンズ１０の頂部１０ａに対して底部１０ｂとは反対側を通過するように、第１マグネット対５１を第１材料放出面５０の裏側に配置する。同様に、第２中間地点６４での第２法線６５が凸レンズ１０の頂部１０ａと底部１０ｂとの間を通過するように、第２マグネット対６１を第２材料放出面６０の裏側に配置する。これにより、凸レンズ１０を均一に成膜することができる。
【００３４】
例えば、第１中間地点５４における第１材料放出面５０上の第１法線５５と、第１中間地点５４と凸レンズ１０の頂部１０ａとを結ぶ線５７と、のなす角度θ１が鋭角（０度＜θ１＜９０度）となるように第１マグネット対５１を配置する。同様に、第２中間地点６４における第２材料放出面６０上の第２法線６５と、第２中間地点６４と凸レンズ１０の底部１０ｂとを結ぶ線６７と、のなす角度θ２が鋭角（０度＜θ２＜９０度）となるように第２マグネット対６１を配置する。これにより、凸レンズ１０にダメージを生じさせることなく、均一に成膜することができる。
【００３５】
また、第１電源部７と第２電源部８との印加電力を独立に調整することで、第１ターゲット５と第２ターゲット６とによる成膜速度が調節可能になり、凸レンズ１０への成膜の更なる均一化が可能になる。
【００３６】
次に、本発明のスパッタリング装置の実施例１及び実施例２について、図１に加え、図３から図５を参照しながら説明する。図３は、本発明の実施例に係るエロージョンパターンを示す図である。図４は、本発明の実施例１における成膜による膜厚分布を示す図である。図５は、本発明の実施例２における成膜による膜厚分布を示す図である。
【００３７】
＜実施例１＞
図１に示すスパッタリング装置１を用いて、ＳｉＯ２（シリコン材料）の成膜を行った。真空室２０内に第１ターゲット５及び第２ターゲット６として、直径１６４ｍｍの円形のシリコンターゲットを設置した。第１ターゲット５と第２ターゲット６とのターゲット中心間の距離を２６６ｍｍとした。また、第１ターゲット５のエロージョン５６と第２ターゲット６のエロージョン６６までのエロージョン半径（Ｌ１，Ｌ２）が異なる径となるように第１マグネット対５１と第２マグネット対６１とを配置した。
【００３８】
ここで、図３に第１ターゲット５及び第２ターゲット６のエロージョンパターンを示す。図３は、第１ターゲット５及び第２ターゲット６の半径位置に対する各ターゲットの消耗の相対値を示したものであり、最も消耗する半径位置の消耗量を１としたときの相対値を示している。
【００３９】
中心Ｔから内周側マグネット５１ａまでの距離Ｌ３をＬ３＝７ｍｍ、中心Ｔから外周側マグネット５１ｂまでの距離Ｌ４をＬ４＝２３ｍｍ、中心Ｔから第１中間地点５４までの距離Ｌ１をＬ１＝１５ｍｍ、とした。同様に、中心Ｔから内周側マグネット６１ａまでの距離Ｌ５をＬ５＝４２ｍｍ、中心Ｔから外周側マグネット６１ｂまでの距離Ｌ６をＬ６＝５８ｍｍ、中心Ｔから第２中間地点６４までの距離Ｌ２をＬ２＝５０ｍｍ、とした。また、中心Ｔから凸レンズ１０の頂部１０ａまでの距離ＬａをＬａ＝４５ｍｍ、中心Ｔから凸レンズ１０の底部１０ｂまでの距離ＬｂをＬｂ＝６７ｍｍとした。
【００４０】
このときの第１中間地点５４における第１材料放出面５０上の第１法線５５と、第１中間地点５４と凸レンズ１０の頂部１０ａとを結ぶ線５７と、のなす角度θ１は、θ１＝１２．７度であった。また、第２中間地点６４における第２材料放出面６０上の第２法線６５と、第２中間地点６４と凸レンズ１０の底部１０ｂとを結ぶ線６７と、のなす角度θ２は、θ２＝９．８度であった。
【００４１】
被成膜レンズとして、直径６８．４ｍｍ、曲率半径４１．９ｍｍ、材質ＬＡＨ６０のガラス製の凸レンズ１０を設置した。その後、排気装置２１により、真空室２０内を１０−４Ｐａまで排気し、Ａｒバルブ３２とＯ２バルブ３３とにより、Ａｒ：５０ｓｃｃｍ、Ｏ２：１６ｓｃｃｍとなるように、ＡｒガスとＯ２とを真空室２０内に調整して流し、ガス圧を０．１６Ｐａとした。第１電源部７により、第１ターゲットに２．３ＫＷの電力を印加すると共に、第２電源部８により、第２のターゲットに１．０ＫＷの電力を印加し、回転装置４の回転軸４１の自転回転数を３０ｒｐｍとして成膜を１０分間行った。
【００４２】
成膜終了後に凸レンズ１０に成膜されたレンズ表面の膜厚分布をレンズ中心から周辺にわたり測定した。測定した膜厚の相対値を図４に示す。また、第１ターゲット５のみ、及び第２ターゲット６のみを使用した場合の膜厚分布もあわせて図４に示した。
【００４３】
図４に示すように、実施例１の第１ターゲット５と第２ターゲット６との両方を同時にスパッタした際の膜厚分布は、凸レンズ１０の中心から周辺の膜厚が±１．９％の範囲内となり、均一な膜厚分布となった。一方、第１ターゲット５のみによる成膜の膜厚分布は、凸レンズ１０の中心寄りが厚めとなった。また、第２ターゲット６のみによる成膜の膜厚分布は、凸レンズ１０の周辺寄りが厚めとなった。これにより、このような異なる２つの分布特性を持つターゲットを組み合わせることにより、中心から周辺まで膜厚分布が均一（良好）な薄膜を曲率のある基板に形成することが可能となった。
【００４４】
＜実施例２＞
実施例１と同様のスパッタリング装置１を用いて、直径５７．５ｍｍ、曲率半径６５.８ｍｍ、材質ＬＡＨ５５のガラス製の凸レンズ１０を設置して、ＳｉＯ２（シリコン材料）の成膜を行った。
【００４５】
中心Ｔから内周側マグネット５１ａまでの距離Ｌ３をＬ３＝７ｍｍ、中心Ｔから外周側マグネット５１ｂまでの距離Ｌ４をＬ４＝２３ｍｍ、中心Ｔから第１中間地点５４までの距離Ｌ１をＬ１＝１５ｍｍ、とした。同様に、中心Ｔから内周側マグネット６１ａまでの距離Ｌ５をＬ５＝４２ｍｍ、中心Ｔから外周側マグネット６１ｂまでの距離Ｌ６をＬ６＝５８ｍｍ、中心Ｔから第２中間地点６４までの距離Ｌ２をＬ２＝５０ｍｍ、とした。また、中心Ｔから凸レンズ１０の頂部１０ａまでの距離ＬａをＬａ＝４５．４ｍｍ、中心Ｔから凸レンズ１０の底部１０ｂまでの距離ＬｂをＬｂ＝５２ｍｍとした。
【００４６】
このときの第１中間地点５４における第１材料放出面５０上の第１法線５５と、第１中間地点５４と凸レンズ１０の頂部１０ａとを結ぶ線５７と、のなす角度θ１は、θ１＝１２．９度であった。また、第２中間地点６４における第２材料放出面６０上の第２法線６５と、第２中間地点６４と凸レンズ１０の底部１０ｂとを結ぶ線６７と、のなす角度θ２は、θ２＝１．１度であった。
【００４７】
凸レンズ１０を設置した後、排気装置２１で真空室２０内を１０−４Ｐａまで排気し、Ａｒバルブ３２とＯ２バルブ３３とにより、Ａｒ：５０ｓｃｃｍ、Ｏ２：１６ｓｃｃｍとなるようにＡｒとＯ２とを真空室２０内に調整して流し、ガス圧を０．１６Ｐａとした。第１電源部７により、第１ターゲットに１．０ＫＷの電力を印加すると共に、第２電源部８により、第２のターゲットに１．０ＫＷの電力を印加し、回転装置４の回転軸４１の自転回転数を３０ｒｐｍとして成膜を１０分間行った。
【００４８】
成膜終了後に凸レンズ１０に成膜されたレンズ表面の膜厚分布をレンズ中心から周辺にわたり測定した。測定した膜厚の相対値を図５に示す。また、第１ターゲット５のみ、及び第２ターゲット６のみを使用した場合の膜厚分布もあわせて図５に示した。
【００４９】
図５に示すように、実施例２の第１ターゲット５と第２ターゲット６との両方を同時にスパッタした際の膜厚分布は、凸レンズ１０の中心から周辺の膜厚が±０．５９％の範囲内となり、均一な膜厚分布となった。一方、第１ターゲット５のみによる成膜の膜厚分布は、凸レンズ１０の中心寄りが厚めとなった。また、第２ターゲット６のみによる成膜の膜厚分布は、凸レンズ１０の周辺寄りが厚めとなった。
【００５０】
このように、成膜する基板の形状が異なっても第１ターゲット５及び第２ターゲット６への印加電力を独立して変えることにより、２つのターゲットの膜厚分布のバランスを調整することが可能になり、曲面を有する多品種の基板への均一成膜が可能になる。
【００５１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、本発明の実施形態に記載されたものに限定されない。
【００５２】
例えば、本実施形態においては、複数の凸レンズ１０を成膜可能なスパッタリング装置１を用いて説明したが、本発明においてはこれに限定されない。本発明に係るスパッタリング装置は、例えば、第１ターゲットと第２ターゲットとで１つの凸レンズを成膜する構成であってもよい。
【００５３】
また、１つの凸レンズを成膜する場合、第１ターゲットと第２ターゲットとは、回転装置の回転軸に対して平行であれば、それぞれが互いに対向配置されていなくてもよい。つまり、本実施形態においては、第１ターゲットと第２ターゲットとを対向配置したが、本発明においてはこれに限定されない。第１ターゲットと第２ターゲットとは、回転軸に対して平行であれば、互いに対向配置されていなくてもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１    スパッタリング装置
４    回転装置
５    第１ターゲット
６    第２ターゲット
７    第１電源部
８    第２電源部
１０    凸レンズ（被成膜レンズ）
１０ａ    頂部
１０ｂ    底部
４１    回転軸
５０    第１材料放出面
５１    第１マグネット対
５４    第１中間地点
５５    第１法線
６０    第１材料放出面
６１    第２マグネット対
６４    第２中間地点
６５    第２法線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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