(57)【要約】【課題】シリコン光導波路と石英系光導波路とを、偏波依存損失が低い状態でスポットサイズを変換して接続できるようにする。【解決手段】スポットサイズ変換器１５３は、第１光導波領域１５４で第１コア１２１の上面に形成され、第２光導波領域１５５にかけて漸次幅が細くなるテーパ形状に形成されたシリコンよりなる第３コア１２３を備える。第１光導波領域１５４におけるシリコンコアが、下部クラッド層１０１からみて、下層（第１コア１２１）は一定の幅で導波方向に延在し、上層（第３コア１２３）は、第２光導波領域１５５に向けて幅が漸次狭くなっている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部クラッド層の上に形成されたシリコンコアより構成されたシリコン光導波路と、酸化シリコンよりなる石英系コアより構成された石英系光導波路とを接続するスポットサイズ変換器であって、
前記シリコンコアに連続して形成されて、導波方向に同一の幅とされたシリコンよりなる第１コアより構成された第１光導波領域と、
前記第１コアに連続して先端に行くほど漸次幅が細くなるテーパー形状に形成されたシリコンよりなる第２コアより構成された第２光導波領域と、
前記第１光導波領域で前記第１コアの上面に形成され、前記第２光導波領域にかけて漸次幅が細くなるテーパ形状に形成されたシリコンよりなる第３コアと
を備え、
前記第２コアは、前記石英系コアに覆われていることを特徴とすることを特徴とするスポットサイズ変換器。
【請求項２】
請求項１記載のスポットサイズ変換器において、
前記第１コアおよび前記第３コアは、一方の側面が同じ平面上に形成されていることを特徴とするスポットサイズ変換器。
【請求項３】
下部クラッド層の上に形成されたシリコンコアより構成されたシリコン光導波路と、酸化シリコンよりなる石英系コアより構成された石英系光導波路とを接続するスポットサイズ変換器の製造方法であって、
導波方向に同一の幅とされたシリコンよりなる第１コアおよび前記第１コアに連続して先端に行くほど漸次幅が細くなるテーパー形状に形成されたシリコンよりなる第２コアを形成する第１工程と、
前記第２コアの形成領域にかけて漸次幅が細くなるテーパ形状に形成されたシリコンよりなる第３コアを前記第１コアの上面に形成する第２工程と、
前記第２コアの先端側に接続される石英系光導波路のコアとなる酸化シリコンよりなる石英系コアを、前記シリコン光導波路側の端部が前記第２コアを覆う状態に形成する第３工程と
を少なくとも備え、
前記第１コア，前記第３コアよりなる第１光導波領域、および前記第２コアよりなる第２光導波領域からスポットサイズ変換器を形成することを特徴とするスポットサイズ変換器の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載のスポットサイズ変換器の製造方法において、
前記第１コアの導波方向に対して９０度未満の角度の境界線を境に前記シリコン光導波路の側の前記第１コアを覆うマスクパターンを用いた選択的なエッチングにより前記第３コアを形成し、
前記第１コアおよび前記第３コアを、一方の側面が同じ平面上となる状態に形成することを特徴とするスポットサイズ変換器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンコアよりなる光導波路と石英系コアよりなる光導波路とを接続するスポットサイズ変換器およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信網では、石英系光導波路を用いた光導波路デバイスが広く用いられているが、更なる高機能化を目指し、近年では、石英系光導波路の一部にシリコン細線コアによるシリコン光導波路を導入することが検討されている。この場合、石英系光導波路とシリコン光導波路とを低損失で接続するために、スポットサイズ変換器（ＳＳＣ）が必要となる。
【０００３】
このスポットサイズ変換器の構成について簡単に説明する。スポットサイズ変換器は、図６の斜視図に示すように、下部クラッド層６０１の上に、シリコン導波路を構成するシリコンコア６０２に連続して形成されて先端に行くほど漸次幅が狭くなるテーパー形状のシリコンコア６０３を備える。シリコンコア６０３は、この先端側に接続される石英系光導波路のコアとなる酸化シリコンよりなる石英系コア６０４の端部に覆われ、シリコンコア６０３の部分でスポットサイズを変換する光導波路を構成している。また、シリコンコア６０２は、石英系コア６０４と一体に形成された上部クラッド層６０５に覆われて、シリコン導波路を構成している。
【０００４】
例えば、石英系光導波路を伝搬する光は、テーパー状のシリコンコア６０３の部分で徐々にモードフィールド径が小さくなり、シリコンコア６０２より構成されるシリコン導波路へ、低損失で光接続がされる。
【０００５】
例えば、シリコンコア６０２は、断面の形状が幅＝４００ｎｍ，高さ＝２００ｎｍ程度に形成されている場合を考える。この場合、シリコンコア６０３は、導波方向の長さが３００μｍ程度であり、先端部は、高さｈは２００ｎｍの状態で、幅ｗが８０ｎｍ程度にまで細くなっていればよい。このような平面視テーパ形状としたシリコンコア６０３によるスポットサイズ変換器の変換損失は、波長１．５５μｍのＴＥ偏波に対して０．００４ｄＢ、ＴＭ偏波に対して０．１２３ｄＢであり、低損失に石英系光導波路とシリコン細線光導波路を接続できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１２２７５０号公報
【特許文献２】特開２０１０−２８６６０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、光通信網を構成するデバイスは、入力偏波状態に依存せず動作することが求められるため、スポットサイズ変換器においては、偏波依存損失（ＰＤＬ）を低減することが重要である（特許文献１参照）。しかしながら、上述したスポットサイズ変換器では、テーパー形状のシリコンコアの先端部の高さが高い場合、偏波依存損失が生じるという問題があった。
【０００８】
例えば、スポットサイズ変換器を構成するシリコンコアのテーパー先端が、幅６０ｎｍおよび高さ３００ｎｍの場合を考える。このスポットサイズ変換器により、石英系光導波路からシリコン光導波路へとモードフィールドを変換する際の損失をシミュレーションによって計算すると、波長１５５０ｎｍのＴＥ偏波で０．０１ｄＢ、ＴＭ偏波で０．８３ｄＢとなる。この場合、０．８２ｄＢの偏波依存損失が生じ、大きな問題となる。
【０００９】
特にＴＭ偏波での損失が大きいが、この大部分は、石英系光導波路とテーパー先端との結合部において生じることが確認されている。この原因は、シリコンコアが高いことによってテーパ先端でのＴＭ光のシリコンコア内への閉じ込めが強く、石英系光導波路とのモードミスマッチが大きいことに起因する。
【００１０】
対策として、テーパー先端をより低くすることが挙げられる。しかし、特許文献２のように、シリコン細線をコアとする光導波路デバイスにおいて所望の機能を実現するためにシリコンコアを低くできない場合には、シリコン光導波路とスポットサイズ変換器との間で、コアの高さ変換が必要となる。しかしながら、よく知られているように、シリコンコアの高さを徐々に低くするなどの高さ変換は容易ではない。このように、従来では、シリコン光導波路と石英系光導波路とを、偏波依存損失が低い状態でスポットサイズを変換して接続することが容易ではないという問題があった。
【００１１】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、シリコン光導波路と石英系光導波路とを、偏波依存損失が低い状態でスポットサイズを変換して接続できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係るスポットサイズ変換器は、下部クラッド層の上に形成されたシリコンコアより構成されたシリコン光導波路と、酸化シリコンよりなる石英系コアより構成された石英系光導波路とを接続するスポットサイズ変換器であって、シリコンコアに連続して形成されて、導波方向に同一の幅とされたシリコンよりなる第１コアより構成された第１光導波領域と、第１コアに連続して先端に行くほど漸次幅が細くなるテーパー形状に形成されたシリコンよりなる第２コアより構成された第２光導波領域と、第１光導波領域で第１コアの上面に形成され、第２光導波領域にかけて漸次幅が細くなるテーパ形状に形成されたシリコンよりなる第３コアとを備え、第２コアは、石英系コアに覆われている。なお、第１コアおよび第３コアは、一方の側面が同じ平面上に形成されているとよい。
【００１３】
また、本発明に係るスポットサイズ変換器の製造方法は、下部クラッド層の上に形成されたシリコンコアより構成されたシリコン光導波路と、酸化シリコンよりなる石英系コアより構成された石英系光導波路とを接続するスポットサイズ変換器の製造方法であって、導波方向に同一の幅とされたシリコンよりなる第１コアおよび第１コアに連続して先端に行くほど漸次幅が細くなるテーパー形状に形成されたシリコンよりなる第２コアを形成する第１工程と、第２コアの形成領域にかけて漸次幅が細くなるテーパ形状に形成されたシリコンよりなる第３コアを第１コアの上面に形成する第２工程と、第２コアの先端側に接続される石英系光導波路のコアとなる酸化シリコンよりなる石英系コアを、シリコン光導波路側の端部が第２コアを覆う状態に形成する第３工程とを少なくとも備え、第１コア，第３コアよりなる第１光導波領域、および第２コアよりなる第２光導波領域からスポットサイズ変換器を形成する。
【００１４】
上記スポットサイズ変換器の製造方法において、第１コアの導波方向に対して９０度未満の角度の境界線を境にシリコン光導波路の側の第１コアを覆うマスクパターンを用いた選択的なエッチングにより第３コアを形成し、第１コアおよび第３コアを、一方の側面が同じ平面上となる状態に形成するとよい。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したことにより、本発明によれば、シリコン光導波路と石英系光導波路とを、偏波依存損失が低い状態でスポットサイズを変換して接続できるようになるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の構成を示す平面図（ａ），断面図（ｂ），（ｃ）である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の構成を示す斜視図である。
【図３】図３は、第１光導波領域１５４におけるＴＭ偏波の変換損失の、第３コア１２３の導波方向長さ依存性を示す特性図である。
【図４】図４は、第１光導波領域１５４における偏波依存損失の、第３コア１２３の導波方向長さ依存性を示す特性図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。
【図５Ｆ】図５Ｆは、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。
【図５Ｇ】図５Ｇは、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。
【図５Ｈ】図５Ｈは、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。
【図６】図６は、スポットサイズ変換器の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図１，２を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の構成を示す平面図（ａ），断面図（ｂ），（ｃ）である。また、図２は、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の構成を示す斜視図である。下部クラッド層１０１の上に形成された導波路シリコンコア１０２より構成されたシリコン光導波路１５１と、酸化シリコンよりなる石英系コア１０３より構成された石英系光導波路１５２とが、このスポットサイズ変換器１５３により接続される。下部クラッド層１０１は、例えば、屈折率１．４４４のＳｉＯ2から構成すればよい。また、石英系コア１０３は、例えば、断面３×３μｍの矩形であり、例えば、屈折率１．５０５のＳｉＯxから構成すればよい。
【００１８】
スポットサイズ変換器１５３は、まず、導波路シリコンコア１０２に連続して形成されて、導波方向に同一の幅とされたシリコンよりなる第１コア１２１より構成された第１光導波領域１５４を備える。また、第１コア１２１に連続して先端に行くほど漸次幅が細くなるテーパー形状に形成されたシリコンよりなる第２コア１２２より構成された第２光導波領域１５５を備える。第２コア１２２の先端より先の領域が、石英系光導波路１５２となる。ここで、第１コア１２１と第２コア１２２とは、下部クラッド層１０１からみて、同じ高さに形成されている。これらの構成は、図６を用いて説明した従来のスポットサイズ変換器と同様である。
【００１９】
本実施の形態では、スポットサイズ変換器１５３が、第１光導波領域１５４で第１コア１２１の上面に形成され、第２光導波領域１５５にかけて漸次幅が細くなるテーパ形状に形成されたシリコンよりなる第３コア１２３を備えるところに特徴がある。例えば、第１コア１２１および第３コア１２３は、一体に形成されている。
【００２０】
本実施の形態では、第１光導波領域１５４におけるシリコンコアが、下部クラッド層１０１からみて、下層（第１コア１２１）は一定の幅で導波方向に延在し、上層（第３コア１２３）は、第２光導波領域１５５に向けて幅が漸次狭くなっている。ここで、第１コア１２１と第３コア１２３とを積層した状態の高さは、下部クラッド層１０１からみて、導波路シリコンコア１０２の高さと同じ状態とされている。
【００２１】
なお、第２コア１２２は、石英系コア１０３に覆われている。石英系コア１０３のシリコン光導波路１５１側の端部が、第２コア１２２を覆っている。また、第１光導波領域１５４およびシリコン光導波路１５１においては、石英系コア１０３に連続した状態で、酸化シリコンからなる上部クラッド層１０４が形成されている。なお、石英系コア１０３は、石英系コア１０３より低い屈折率の材料によるクラッド層（不図示）に覆われている。このクラッド層は、例えば、屈折率１．４６７のＳｉＯ2から構成すればよく、また、空気の層であってもよい。このクラッド層は、スポットサイズ変換器１５３およびシリコン光導波路１５１の領域を含めて全域に形成されていてもよく、上部クラッド層１０４とあわせて上側のクラッド層とすることができる。
【００２２】
例えば、第２コア１２２は、高さ２００ｎｍ程度であり、先端部は幅８０ｎｍであり、この幅が徐々に大きくなり、第１コア１２１との接続部では、幅が４００ｎｍとなればよい。また、第３コア１２３は、高さ１００ｎｍ程度であればよい。従って、第１光導波領域１５４の第３コア１２３が形成されている領域では、第１コア１２１とあわせて、高さ３００ｎｍとなっており、シリコン光導波路１５１との接続部では、高さ３００ｎｍの導波路シリコンコア１０２と接続する。なお、この場合、第１コア１２１および導波路シリコンコア１０２は、ともに幅４００ｎｍとなる。
【００２３】
上述した各寸法および形状とした実施の形態におけるスポットサイズ変換器の、石英系光導波路１５２から第２光導波領域１５５を経て第１光導波領域１５４にかけての変換損失は、図６を用いた説明と同様のシミュレーションによって計算すると、ＴＥ偏波に対して０．００４ｄＢであり、ＴＭ偏波に対して０．１２３ｄＢである。また、第２光導波領域１５５から第１光導波領域１５４を経てシリコン光導波路１５１にかけての変換損失は、ＴＥ偏波に対して０．０７ｄＢ、ＴＭ偏波に対して０．２２ｄＢである。なお、上述したシミュレーションでは、第３コア１２３の先細りの先端部の幅を８０ｎｍ，高さ１００ｎｍとし、第３コア１２３の導波路方向の長さは３００μｍとして計算している。
【００２４】
各寸法および形状とした実施の形態におけるスポットサイズ変換器によれば、石英系光導波路１５２からシリコン光導波路１５１にかけての変換損失は、ＴＥ偏波に対して０．０７４ｄＢ、ＴＭ偏波に対して０．３４３ｄＢと小さく、偏波依存損失は０．３ｄＢ未満と十分に小さくすることが可能である。
【００２５】
ところで、第１光導波領域１５４における変換効率は、第３コア１２３の先細りの先端部の幅および、第３コア１２３の導波方向の長さに依存する。言い換えると、第３コア１２３の導波方向に対して角度を有する斜めの側面と、導波方向（光伝搬方向）との角度に依存する。これは、図１の（ａ）に示した構成例では、紙面下側の第３コア１２３の一方の側面と導波方向との角度である。なお、図１および図２に示した構成例では、第３コア１２３の他方の側面は、第１コア１２１の側面と同一であり、導波方向と同一の状態となっている。
【００２６】
以下、第３コア１２３の導波方向の長さと、第１光導波領域１５４におけるＴＭ偏波の変換損失との関係について、図３を用いて説明し、第１光導波領域１５４における偏波依存損失との関係について、図４を用いて説明する。図３は、第１光導波領域１５４におけるＴＭ偏波の変換損失の、第３コア１２３の導波方向長さ依存性を示す特性図である。また、図４は、第１光導波領域１５４における偏波依存損失の、第３コア１２３の導波方向長さ依存性を示す特性図である。なお、図３，図４において、（ａ）は、第３コア１２３の先細りの先端部の幅が４０ｎｍ、（ｂ）は、第３コア１２３の先細りの先端部の幅が６０ｎｍ、（ｃ）は、第３コア１２３の先細りの先端部の幅が８０ｎｍ、（ｄ）は、第３コア１２３の先細りの先端部の幅が１００ｎｍ、（ｅ）は、第３コア１２３の先細りの先端部の幅が１２０ｎｍである。
【００２７】
図３および図４に示すように、第３コア１２３の長さを５０μｍ以上とすれば、ＴＭ偏波の変換損失および偏波依存損失が小さくできることが分かる。特に、第３コア１２３の先端部の幅を８０ｎｍ未満とした条件では、第３コア１２３の長さを５０μｍ以上とすることで、ＴＭ偏波の変換損失が０．３ｄＢ未満と小さく、偏波依存損失が０．２ｄＢ未満と小さいスポットサイズ変換器１５３が得られることがわかる。
【００２８】
次に、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の製造方法について、図５Ａ〜図５Ｈを用いて説明する。図５Ａ〜図５Ｈは、本発明の実施の形態におけるスポットサイズ変換器の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図５Ａ〜図５Ｄ，図５Ｆ、図５Ｇは、断面図である。図５Ｅ，図５Ｈは、平面図である。
【００２９】
まず、図５Ａに示すように、シリコンからなる基板部５０１，埋め込み絶縁層５０２，および表面シリコン層５０３を備えるＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を用意する。表面シリコン層５０３は、例えば、層厚３００ｎｍであればよい。埋め込み絶縁層５０２が下部クラッド層となる。また、後述するように、表面シリコン層５０３をパターニングすることで、シリコンコアの部分が形成できる。
【００３０】
次いで、表面シリコン層５０３の上に、ＳｉＯ2からなる無機層５０４を形成する。例えば、よく知られたＣＶＤ法によりＳｉＯ2を堆積することで、無機層５０４が形成できる。次いで、無機層５０４の上に、レジストパターン５０５を形成する。例えば、よく用いられているフォトレジスト材料を無機層５０４の上に塗布してレジスト膜を形成し、公知のフォトリソグラフィー技術によりパターニングすることで、レジストパターン５０５を形成すればよい。
【００３１】
次に、レジストパターン５０５をマスクとして無機層５０４を選択的にエッチング除去することで、図５Ｂに示すように、ハードマスクパターン５０６を形成する。
【００３２】
次に、酸素ガスを用いたアッシング処理などによりレジストパターン５０５を除去した後、ハードマスクパターン５０６をマスクとして表面シリコン層５０３を選択的にエッチング除去することで、図５Ｃに示すように、シリコンコア５０７を形成する。このシリコンコア５０７の形成では、スポットサイズ変換器におけるシリコンコア、およびシリコン光導波路におけるシリコンコアなども同時に形成する。例えば、この時点で、先端に行くほど漸次幅が細くなるテーパー形状に形成された第２コアも形成されている。
【００３３】
次に、図５Ｄおよび図５Ｅに示すように、第３コアを形成する部分およびシリコン光導波路となる部分を覆うレジストパターン５０９を形成する。レジストパターン５０９は、被覆領域と露出領域との境界線が、シリコンコア５０７を斜めに横切る状態に形成する。言い換えると、シリコンコア（第１コア）５０７の導波方向に対して９０度未満の角度の境界線を境に、シリコン光導波路の側のシリコンコア５０７を覆うレジストパターン（マスクパターン）５０９を形成する。レジストパターン５０９の露出領域には、先端に行くほど漸次幅が細くなるテーパー形状に形成された第２コア５０８が存在する。
【００３４】
ここで、シリコンコア５０７の上を横切る境界線の部分が、導波方向に対して斜めとなる第３コアの側面を形成することになる。なお、レジストパターン５０９の導波方向に垂直な幅は、シリコンコア５０７の幅より十分に広く形成する。このパターニングでは、レジストパターン５０９の位置合わせに高い精度が必要がなく、位置合わせ精度の高い高価な装置を用いる必要がない。例えば、シリコンコアの幅を４００ｎｍとし、第３コアの導波方向の長さを３００μｍとする場合、レジストパターン５０９の幅は、５μｍ程度とすればよい。この寸法の幅とすれば、シリコンコアの導波方向の中心軸に対し、レジストパターン５０９の幅方向の位置が１μｍずれても、後述する第３コアの位置が、導波方向に０．７μｍずれる程度である。従って、レジストパターン５０９を形成するための露光装置においては、フォトマスクなどの位置合わせ精度が±１μｍでよいことになる。
【００３５】
次に、レジストパターン５０９をマスクとしてハードマスクパターン５０６を選択的にエッチング除去することで、図５Ｆに示すように、第３コア形成用マスクパターン５１０を形成する。このエッチングでは、レジストパターン５０９の露出領域における埋め込み絶縁層５０２もエッチングされる。
【００３６】
次に、第３コア形成用マスクパターン５１０をマスクとして厚さ方向に部分的にシリコンコア５０７を選択的にエッチング除去することで、図５Ｇに示すように、第１コア５１１および第３コア５１２を形成する。例えば、ＥＣＲプラズマによるドライエッチングにより、シリコンコア５０７を厚さ１００ｎｍ程度エッチングする。これにより、高さ２００ｎｍの第１コア５１１および高さ１００ｎｍの第３コア５１２が形成できる。なお、第２コア５０８も同時にエッチングされ、高さが２００ｎｍとなる。
【００３７】
ところで、境界線が斜めのレジストパターン５０９により形成した第３コア形成用マスクパターン５１０を用いたパターニングでは、第３コア５１２の先端部の幅は、理想的には０となる。しかしながら、実際の製造プロセスにおいては、例えば、マスクパターンの下側において、側方からもある程度エッチングされるため、先端部の幅を０にすることは容易ではない。言い換えると、先端部は、ある程度の幅を持って形成されることになる。
【００３８】
以上のように第３コア５１２を形成した後、屈折率１．５０５のＳｉＯxを堆積して各コアを覆うように酸化シリコン膜を形成し、形成した酸化シリコン膜を公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングし、第２コア５０８の部分を覆って石英系光導波路の領域に延在する石英系コアを形成し、また、第１光導波領域からシリコン光導波路の領域を覆う上部クラッド層を形成する。また、石英系光導波路の上部クラッドとなる屈折率１．４６７のＳｉＯ2を堆積する。これらのことにより、シリコン光導波路と石英系光導波路とが、スポットサイズ変換器により接続された状態となる。
【００３９】
以上に説明したように、本発明によれば、導波方向に同一の幅とされたシリコンよりなる第１コアと、この第１コアの上面に形成されて第２光導波領域にかけて漸次幅が細くなるテーパ形状に形成されたシリコンよりなる第３コアとを用いるようにしたので、シリコン光導波路と石英系光導波路とを、偏波依存損失が低い状態でスポットサイズを変換して接続できるようになる。
【００４０】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、第３コアは、一方の側面が、第１コアの一方の側面と同じ平面上に形成されている必要はない。平面視で、底辺が導波方向に垂直な２等辺三角形もしくは等脚台形のように、先細りの形状となっていてもよい。ただし、上述したように、第３コアの側面を、第１コアの一方の側面と同じ平面とすることで、製造が容易となる。
【符号の説明】
【００４１】
１０１…下部クラッド層、１０２…導波路シリコンコア、１０３…石英系コア、１０４…上部クラッド層、１２１…第１コア、１２２…第２コア、１２３…第３コア、１５１…シリコン光導波路、１５２…石英系光導波路、１５３…スポットサイズ変換器、１５４…第１光導波領域、１５５…第２光導波領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
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【図６】
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