(57)【要約】【課題】  放射線の照射の開始を高い即時性で且つ高い精度で検知可能な放射線撮像装置を提供する。【解決手段】  変換素子Ｓとスイッチ素子Ｔとを含む画素１１０が行列状に複数配置された画素アレイ１０１と、電圧を変換素子Ｓに供給するバイアス配線Ｖｓと、バイアス配線に電圧を供給する電源部１０７と、画素アレイ１０１への放射線の照射の開始を検知する検知部と、を含む放射線撮像装置であって、検知部が、複数のバイアス配線Ｖｓのうち少なくとも２つのバイアス配線を流れる電流を演算して比較した比較結果に基づいて画素アレイ１０１への放射線の照射の開始を検知する検知回路１０８ｂを含む。【選択図】  図１
2013219408.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が、放射線を電荷に変換する変換素子と、前記電荷に基づく電気信号を転送するスイッチ素子と、を含む複数の画素が行列状に配置された画素アレイと、
前記変換素子が放射線を電荷に変換するための電圧を前記変換素子に供給するバイアス配線と、
前記バイアス配線に前記電圧を供給する電源部と、
前記画素アレイへの放射線の照射の開始を検知する検知部と、
を含む放射線撮像装置であって、
前記画素アレイは、前記複数の画素が複数の画素群に分割されており、
前記バイアス配線は、前記複数の画素群に一対一で対応するように複数設けられており、
前記検知部は、複数の前記バイアス配線のうち少なくとも２つの前記バイアス配線を流れる少なくとも２つの電流を演算して比較した比較結果に基づいて前記画素アレイへの放射線の照射の開始を検知する検知回路を含むことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記スイッチ素子を導通状態とする導通電圧と前記スイッチ素子を非導通状態とする非導通電圧とを有する信号を前記スイッチ素子に供給する駆動配線と、
前記駆動配線に前記信号を供給する駆動回路と、
前記電気信号に基づく画像信号を読み出す読出回路と、
前記駆動回路及び前記読出回路を制御する制御部と、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記検知回路は、前記少なくとも２つの電流の値を演算する演算回路と、前記演算回路の出力と閾値とを比較して比較結果を出力する比較回路と、を有することを特徴とする請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記検知部は、前記少なくとも２つの電流を検出する電流検出回路を更に含み、
前記電流検出回路は、複数の前記バイアス配線に一対一で対応するように設けられた複数の電流検出機構を含むことを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記演算回路は、前記演算回路の出力に含まれる前記導通電圧と前記非導通電圧の電位差に応じた成分が前記閾値未満となるように、前記複数の電流検出機構のうちの少なくとも２つの電流検出機構からの信号のうちの少なくとも一方を増幅して差分処理することを特徴とする請求項４に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
複数の前記バイアス配線の間に設けられたスイッチを更に含み、
前記制御部は、前記比較回路からの比較結果に基づいて前記スイッチの導通状態と非導通状態の制御を行うことを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
各々が前記読出回路を備えた複数のフレキシブルプリント配線板と、複数の前記バイアス配線の間に設けられた抵抗と、を更に含み、
複数の前記バイアス配線の各々は、前記複数のフレキシブルプリント配線板のうちの対応するフレキシブルプリント配線板を介して、前記複数の画素群のうちの対応する画素群内の複数の前記変換素子に共通に接続されており、
前記抵抗の抵抗値は、前記バイアス配線のうち前記画素アレイと前記フレキシブルプリント配線板との間の部分の抵抗値以上であることを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記画素は、前記スイッチ素子とは別に前記電圧とは異なる第２電圧を前記第１電極に供給する第２スイッチ素子を更に含み、
前記電源部は、前記第２電圧を前記第２スイッチ素子に供給することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記画素は、前記スイッチ素子と前記変換素子の間で前記電荷を増幅した前記電気信号を前記スイッチ素子に出力する増幅素子を更に含み、
前記電源部は、前記増幅素子が動作するための動作電圧を前記増幅素子に供給することを特徴とする請求項８に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線を出射する放射線発生装置と、
を含む放射線撮像システム。
【請求項１１】
各々が、放射線を電荷に変換する変換素子と、前記電荷に基づく電気信号を転送するスイッチ素子と、を含む複数の画素が行列状に配置された画素アレイと、前記変換素子が放射線を電荷に変換するための電圧を前記変換素子に供給するバイアス配線と、前記バイアス配線に前記電圧を供給する電源部と、を含み、前記画素アレイが前記複数の画素が複数の画素群に分割されており、前記バイアス配線が前記複数の画素群に一対一で対応するように複数設けられた放射線撮像装置の制御方法であって、
複数の前記バイアス配線のうち少なくとも２つの前記バイアス配線を流れる少なくとも２つの電流を演算して比較した比較結果に基づいて前記画素アレイへの放射線の照射を検知し、
検知された放射線の照射に応じて前記駆動回路の動作を制御することを特徴とする放射線撮像装置の制御方法。
【請求項１２】
前記少なくとも２つの電流の値を演算した出力と予め設定された閾値とを比較することにより前記画素アレイへの放射線の照射を検知することを特徴とする請求項１１に記載の放射線撮像装置の制御方法。
【請求項１３】
前記前記少なくとも２つの電流の値を演算した出力と予め設定された複数の閾値から選択された閾値とを比較することにより前記画素への放射線の照射を検知することを特徴とする請求項１２に記載の放射線撮像装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療用の診断や工業用の非破壊検査に用いて好適な放射線撮像装置及びシステムに関する。特に、放射線発生装置からの放射線の照射の開始や終了といった放射線の照射の有無を検知することが可能な放射線撮像装置及び放射線撮像システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
平面型の検出器（以下ＦＰＤと略す）を用いた放射線撮像装置は、放射線発生装置による放射線の照射と同期して撮像動作を行う。この同期の手法として、特許文献１にあるように、以下の手法が用いられ得る。スイッチ素子の導通と非導通とを切り替えながら、変換素子にバイアスを供給するバイアス配線に流れる電流を検出して、放射線発生装置からの放射線の照射を検知する。そして、その検知の結果に応じて、放射線撮像装置の動作が制御される。
このような同期の手法では、特許文献２にあるように、バイアスを供給する配線に流れる電流に、スイッチ素子の導通と非導通とを切り替える際に発生するノイズが影響を及ぼし、検知の精度の低下を招くという問題が起こり得る。特許文献２では、このノイズの影響を低減するために、以下の提案がなされている。第１の提案は、電流を検知する手段とバイアス配線との間にフィルタ回路を設けるものである。第２の提案は、電流を検知する手段の出力端子にサンプルホールド回路を設け、スイッチ素子の導通と非導通とを切り替えるタイミングでサンプルホールドを中断する処理を行うものである。第３の提案は、予め取得して記憶手段に記憶されたノイズの波形を、ノイズの影響を受けた電流から差分する処理を行うものである。第４の提案は、スイッチ素子を非導通状態にするための非導通電圧をある行のスイッチ素子に供給するタイミングと、スイッチ素子を導通状態にするための導通電圧を別の行のスイッチ素子に供給するタイミングと、を揃えて、ノイズを相殺しようとするものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００２−５４３６８４号公報
【特許文献２】特開２０１０−２６８１７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、より高い即時性で且つ高い精度で放射線の照射の有無の検知をするためには、特許文献２の提案では、不十分であった。第１の提案では、スイッチ素子のタイミングにあわせてフィルタ回路の帯域制限を設定するため、遅延が大きくなり、検知の即時性に問題がある。第２の提案では、サンプルホールドの中断中に放射線の照射の開始がされた場合に、サンプルホールドの再開まで検知できず、検知の即時性に問題がある。第３及び第４の提案では、画素アレイ内で配線の抵抗や容量、スイッチ素子の特性や能力にばらつきがあるため、画素アレイ内でノイズの波形にばらつきが生じ、ノイズの影響を十分に低減することが困難となり、検知の精度に問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の放射線撮像装置は、各々が、放射線を電荷に変換する変換素子と、前記電荷に基づく電気信号を出力するスイッチ素子と、を含む複数の画素が行列状に配置された画素アレイと、前記変換素子が放射線を電荷に変換するための電圧を前記変換素子に供給するバイアス配線と、前記バイアス配線に前記電圧を供給する電源部と、前記画素アレイへの放射線の照射の開始を検知する検知部と、を含む放射線撮像装置であって、前記画素アレイは、前記複数の画素が複数の画素群に分割されており、前記バイアス配線は、前記複数の画素群に一対一で対応するように複数設けられており、前記検知部は、複数の前記バイアス配線のうち少なくとも２つの前記バイアス配線を流れる電流を演算して比較した比較結果に基づいて前記画素アレイへの放射線の照射の開始を検知する検知回路を含むことを特徴とする。
【０００６】
また、本発明の放射線撮像装置の制御方法は、各々が、放射線を電荷に変換する変換素子と、前記電荷に基づく電気信号を転送するスイッチ素子と、を含む複数の画素が行列状に配置された画素アレイと、前記変換素子が放射線を電荷に変換するための電圧を前記変換素子に供給するバイアス配線と、前記バイアス配線に前記電圧を供給する電源部と、を含み、前記画素アレイが前記複数の画素が複数の画素群に分割されており、前記バイアス配線が前記複数の画素群に一対一で対応するように複数設けられた放射線撮像装置の制御方法であって、複数の前記バイアス配線のうち少なくとも２つの前記バイアス配線を流れる電流を演算して比較した比較結果に基づいて前記画素アレイへの放射線の照射を検知し、検知された放射線の照射に応じて前記駆動回路の動作を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明により、放射線の照射の有無を高い即時性で且つ高い精度で検知可能な放射線撮像装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】放射線撮像装置及びシステムの模式図、及び、第１の実施形態に係る放射線撮像装置の１画素あたりの模式的等価回路図である。
【図２】第１の実施形態に係る放射線撮像装置の模式的等価回路図である。
【図３】検出回路及び検知回路の模式的等価回路図である。
【図４】第１の実施形態に係る放射線撮像装置のタイミングチャートである。
【図５】放射線撮像装置のタイミングチャートである。
【図６】第１の実施形態に係る他の放射線撮像装置の模式的等価回路図である。
【図７】第１の実施形態に係る他の放射線撮像装置の模式的等価回路図である。
【図８】第１の実施形態に係る他の放射線撮像装置の模式的等価回路図である。
【図９】第２の実施形態に係る放射線撮像装置の模式図である。
【図１０】第２の実施形態に係る放射線撮像装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本発明において放射線は、放射線崩壊によって放出される粒子（光子を含む）の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギーを有するビーム、例えばＸ線や粒子線、宇宙線なども、含まれるものとする。
【００１０】
（第１の実施形態）
まず、図１（ｂ）を用いて本発明の概念を説明する。図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る、画素を行列状に複数備えた画素アレイ内の１画素の模式的等価回路である。ここで、画素アレイは、複数の画素が行列状に配列された基板の、複数の画素が配置された領域と、複数の画素の間の領域と、を含む領域である。図１（ｂ）に示す１つの画素１１０は、２つの電極の間に半導体層を有して放射線を電荷に変換する変換素子Ｓと、その電荷に応じた電気信号を転送するスイッチ素子Ｔと、を含む。変換素子Ｓとしては、光電変換素子と、放射線を光電変換素子が感知可能な波長帯域の光に変換する波長変換体と、を備えた間接型の変換素子や、放射線を直接電荷に変換する直接型の変換素子が好適に用いられる。なお、本実施形態では、光電変換素子の一種であるフォトダイオードとして、ガラス基板等の絶縁性基板上に配置されアモルファスシリコンを主材料とするＰＩＮ型フォトダイオードを用いる。ここで、変換素子は容量を有しており、変換素子の容量をＣｓと示す。スイッチ素子Ｔとしては、制御端子と２つの主端子を有するトランジスタが好適に用いられ、本実施形態では薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられる。変換素子Ｓの１方の電極（第１電極）はスイッチ素子Ｔの２つの主端子の１方に電気的に接続され、他方の電極（第２電極）はバイアス配線Ｖｓを介してバイアス電圧を供給するバイアス電源ＶＶｓと電気的に接続される。変換素子Ｓの第１電極の電位に応じた電気信号を転送するスイッチ素子Ｔは、その制御端子が駆動配線Ｇに接続され、スイッチ素子Ｔを導通状態にする導通電圧と非導通状態にする非導通電圧とを含む駆動信号が駆動配線Ｇを介して駆動回路１０２から供給される。本実施形態では、スイッチ素子Ｔの一方の主端子は、変換素子Ｓの第１電極に接続されており、他方の主端子は信号配線Ｓｉｇに接続されている。制御端子に導通電圧が供給されてスイッチ素子Ｔが導通状態になっている間に、スイッチ素子Ｔは、変換素子Ｓで発生した電荷に応じて変動する第１電極の電位に応じた電気信号を信号配線Ｓｉｇに転送する。ここで、スイッチ素子Ｔは、制御端子と一方の主端子の間に容量を有しており、その容量をＣｇｄと示す。また、スイッチ素子Ｔは、制御端子と他方の主端子の間に容量を有しており、その容量をＣｇｓと示す。更にスイッチ素子Ｔは、２つの主端子の間にも容量を有しており、その容量をＣｄｓと示す。信号配線Ｓｉｇは後述する読出回路１０３に供給される基準電圧を供給する基準電圧配線Ｖｒｅｆ１を介して基準電源ＶＶｒｅｆ１と接続される。駆動配線Ｇは、駆動回路１０２に設けられたスイッチＳＷを介して、導通電圧を供給する導通電圧配線Ｖｏｎを介して導通電源ＶＶｏｎと、非導通電圧を供給する非導通電圧配線Ｖｏｆｆを介して非導通電源ＶＶｏｆｆと、に選択的に接続される。
【００１１】
次に、変換素子Ｓに放射線が照射した際に流れる電流について説明する。まず、スイッチ素子Ｔが非導通状態で変換素子Ｓに放射線が照射した場合について説明する。発生した電子−正孔対と、変換素子Ｓの容量Ｃｓとスイッチ素子Ｓの各容量（Ｃｇｓ、Ｃｇｄ、Ｃｄｓ）と、に応じて各配線に電流が流れる。発生した電子に応じて変換素子Ｓの第１電極の電位は下がる。それにより、駆動配線Ｇには、第１電極の電位の低下分と、変換素子Ｓから駆動配線Ｇまでの容量分割比とに応じて、非導通電源ＶＶｏｆｆから画素１１０に向かって駆動配線電流Ｉ＿Ｖｇとして非導通電源電流Ｉ＿Ｖｏｆｆが流れる。また、信号配線Ｓｉｇには、第１電極の電位の低下分と、変換素子Ｓから信号配線Ｓｉｇまでの容量分割比とに応じて、基準電源ＶＶｒｅｆ１から画素１１０に向かって信号配線電流Ｉ＿Ｖｒｅｆ１が流れる。そして、変換素子Ｓの容量Ｃｓの電位差を維持するように、バイアス配線Ｖｓには、画素に向かって流れる駆動配線電流Ｉ＿Ｖｇと信号配線電流Ｉ＿Ｖｒｅｆ１の和と同等のバイアス配線電流Ｉ＿Ｖｓが、画素１１０からバイアス電源ＶＶｓに向かって流れる。次に、スイッチ素子Ｔが導通状態で変換素子Ｓに放射線が照射した場合について説明する。バイアス配線Ｖｓには、発生した正孔に応じて、画素１１０からバイアス電源ＶＶｓに向かって、バイアス配線電流Ｉ＿Ｖｓが流れる。また、信号配線Ｓｉｇには、バイアス配線電流Ｉ＿Ｖｓを変換素子Ｓの容量Ｃｓとスイッチ素子Ｓのオン抵抗値Ｒｏｎとの積で除算した値の信号配線電流Ｉ＿Ｖｒｅｆ１が、基準電源ＶＶｒｅｆ１から画素１１０に向かって流れる。このように、バイアス配線Ｖｓには、変換素子Ｓに放射線が照射した場合に照射された放射線に応じたバイアス配線電流Ｉ＿Ｖｓが流れる。
【００１２】
次に、スイッチ素子Ｔの導通と非導通とを切り替える際に流れる電流について説明する。まず、スイッチ素子Ｔを非導通状態から導通状態に切り替える際に流れる電流について説明する。駆動配線Ｇには、非導通電圧と導通電圧との電位変動分を埋めるように、導通電源ＶＶｏｎから画素１１０に向かって駆動配線電流Ｉ＿Ｖｇとして導通電源電流Ｉ＿Ｖｏｎが流れる。バイアス配線Ｖｓは変換素子Ｓの容量Ｃｓ及びスイッチ素子Ｔの制御端子と一方の主端子の間の容量Ｃｇｄを介して容量結合している。そのため、バイアス配線Ｖｓには、駆動配線Ｇの電位変動量と駆動配線Ｇからバイアス配線Ｖｓまでの容量分割比に応じて、画素１１０からバイアス電源ＶＶｓに向かって、バイアス配線電流Ｉ＿Ｖｓが流れる。次に、スイッチ素子Ｔを導通状態から非導通状態に切り替える際に流れる電流について説明する。導通電圧と非導通電圧との電位変動分を解消するように、画素１１０から非導通電源ＶＶｏｆｆに向かって駆動配線電流Ｉ＿Ｖｇとして導通電源電流Ｉ＿Ｖｏｆｆが流れる。バイアス配線Ｖｓには、駆動配線Ｇの電位変動量と駆動配線Ｇからバイアス配線Ｖｓまでの容量分割比に応じて、バイアス電源ＶＶｓから画素１１０に向かって、バイアス配線電流Ｉ＿Ｖｓが流れる。このように、スイッチ素子Ｔの導通と非導通とを切り替える際に、バイアス配線Ｖｓには、放射線の照射とは関係なく、導通電圧と非導通電圧の電位差に応じたバイアス配線電流Ｉ＿Ｖｓが流れる。この電流がノイズとして影響を及ぼし、放射線の照射の検知の精度の低下を招く。そこで本願発明者は、誠意検討の結果、以下のことを見出した。
【００１３】
被検体を透過して照射される放射線は、被検体があるため画素アレイに均一に照射されない場合が多い。そのため、画素アレイに配置される複数の画素１０１を複数の画素群に分割すると、画素群毎に照射される放射線の強度が異なることが多くなる。例えば、複数の画素群のうち、骨や臓器などの放射線吸収の高い部位を透過した放射線が照射される画素群は、出力する電気信号が極めて低く、殆ど暗時出力信号と同程度の電気信号を出力する。一方、複数の画素群のうち、放射線が被検体を透過せずに照射される別の画素群は、出力する電気信号が極めて高く、殆ど変換素子が変換できる最大の電気信号を出力する。つまり、複数の画素群毎に一対一で対応するように複数のバイアス配線を設けると、あるバイアス配線に流れるバイアス配線電流は最大感度の電気信号に応じ、別のバイアス配線に流れるバイアス配線電流は暗時出力信号と同程度の電気信号に応じたものとなる。ただし、このバイアス配線電流は、バイアス配線に結合する容量にも依存したものである。
【００１４】
一方、駆動配線Ｇを介して各画素のスイッチ素子Ｔに供給される導通電圧と非導通電圧の電位差は、画素群毎に多少のばらつきはあるが、そのばらつきは画素群毎に照射される放射線の強度に比べれば無視できる程度に小さい。つまり、複数の画素群毎に一対一で対応するようにバイアス配線を複数設けると、あるバイアス配線に流れる導通電圧と非導通電圧の電位差に応じたバイアス配線電流は、バイアス配線に結合する容量にのみ依存したものとなる。
【００１５】
そこで、複数のバイアス配線のうち少なくとも２つのバイアス配線を流れる少なくとも２つのバイアス配線電流を検出し、検出された少なくとも２つのバイアス配線電流に基づいて画素アレイへの放射線の照射の開始を検知する。２つのバイアス配線電流に含まれる導通電圧と非導通電圧の電位差に応じた成分を抑制するように２つのバイアス配線電流を演算処理したとしても、その演算処理では２つのバイアス配線電流に含まれる照射される放射線の強度に応じた成分は大きく異なる。そのため、放射線の強度に応じた成分は十分な量が残存する。つまり、少なくとも２つのバイアス配線電流に基づいて画素アレイへの放射線の照射の開始を検知することにより、導通電圧と非導通電圧の電位差に基づく電流に起因するノイズの影響を抑制する。それにより、バイアス配線電流に基づく放射線の照射の開始や終了といった放射線の照射の有無を精度よく検出できる。
【００１６】
なお、本発明では、少なくとも２つのバイアス配線電流を用いて演算を行い、その演算結果に基づいて放射線の照射の有無の検出を行うことが望ましい。その演算としては、演算結果に含まれる導通電圧と非導通電圧の電位差に応じた成分が、予め定められた閾値未満となるように、少なくとも２つのバイアス配線電流のうちの少なくとも一方に所望の係数を掛けた後に減算処理を行う。それにより、導通電圧と非導通電圧の電位差に基づく電流に起因するノイズの影響を抑制し、バイアス配線電流に基づく放射線の照射を精度よく検出できる。ここで、予め定められた閾値や所望の係数は、放射線撮像装置の製造時や工場出荷時や設置後に行われるキャリブレーション時に、適宜設定され得る。
【００１７】
次に、図１（ａ）を用いて本発明の放射線撮像システム及び放射線撮像装置について説明する。放射線撮像装置１００は、画素１１０を行列状に複数備えた画素アレイ１０１と、画素アレイ１０１を駆動する駆動回路１０２と、駆動された画素アレイ１０１からの電気信号に基づく画像信号を読み出す読出回路１０３を含む信号処理部１０６と、を有する。信号処理部１０６は、読出回路１０３と、Ａ／Ｄ変換器１０４と、デジタル信号処理部１０５とを有する。本実施形態では、説明の簡便化のために、画素アレイ１０１は８行×８列の画素１１０を有する形態としている。画素アレイ１０１は、駆動回路１０２からの駆動信号１１１に応じて駆動され、画素アレイ１０１から電気信号１１２が並列に出力される。画素アレイ１０１から出力された電気信号１１２は、読出回路１０３によって読み出される。読出回路１０３からの電気信号１１３は、Ａ／Ｄ変換器１０４によってアナログ信号からデジタル信号１１４に変換される。Ａ／Ｄ変換器１０４からのデジタル信号は、デジタル信号処理部１０５によって、デジタルマルチプレックス処理やオフセット補正等の簡易なデジタル信号処理が行われ、デジタル画像信号が出力される。そして、放射線撮像装置１００は、電源部１０７と、各構成要素に夫々制御信号を供給して動作を制御する制御部１０８と、を含む。電源部１０７は、読出回路１０３に対して基準電圧配線Ｖｒｅｆ１を介して基準電圧を与える第１基準電源ＶＶｒｅｆ１と基準電圧配線Ｖｒｅｆ２を介して基準電圧を与える第２基準電源ＶＶｒｅｆ２とを含む。また、電源部１０７は、Ａ／Ｄ変換器１０４に対して基準電圧配線Ｖｒｅｆ３を介して基準電圧を供給する第３基準電源ＶＶｒｅｆ３を含む。また、電源部１０７は、駆動回路１０２に対して、導通電圧配線Ｖｏｎを介して導通電圧を供給するための導通電源ＶＶｏｎと、非導通電圧配線Ｖｏｆｆを介して非導通電圧を供給するための非導通電源ＶＶｏｆｆを含む。電源部１０７は、バイアス電圧を供給するバイアス電源ＶＶｓを更に含む。制御部１０８は、駆動回路１０２、読出回路１０３、及び、電源部１０７を制御する。ここで、電源部１０７は、画素アレイ１０１に配置された複数の配線を流れる電流を検出する電流検出回路１２０を含む。本実施形態の電流検出回路１２０は、第１バイアス配線Ｖｓ１を流れる電流、第２バイアス配線Ｖｓ２を流れる電流、及び、第３バイアス配線Ｖｓ３を流れる電流、のうちの少なくとも２つの電流を検出する。そのため、本実施形態の電流検出回路１２０は複数のバイアス配線を流れる電流のうちの少なくとも２つの電流を検出可能な構成となっている。ここで、画素アレイ１０１は、複数の画素１１０が複数の画素群に分割されて配置されており、複数のバイアス配線である第１バイアス配線Ｖｓ１〜第３バイアス配線Ｖｓ３は複数の画素群に一対一で対応するように設けられている。また、制御部１０８は、電流検出回路１２０で検出された電流の値に基づいて画素アレイ１０１への放射線の照射の有無を検知する検知回路１０８ａと、検知回路１０８ａの検知結果に基づいて駆動回路１０２の制御を行う制御回路１０８ｂと、を含む。本発明の検知部は、電流検出回路１２０と制御回路１０８ｂを���み、画素アレイ１０１への放射線の照射の有無を検知するものである。検知部に関しては後で詳細に説明する。
【００１８】
放射線制御装置１３１は、曝射ボタン１３２からの制御信号を受けて、放射線発生装置１３０が放射線１３３を出射する動作の制御を行う。制御卓１５０は、制御コンピュータ１４０に被検体の情報や撮像条件の入力を行い制御コンピュータ１４０に伝送する。表示装置１６３は、放射線撮像装置１００から画像データを受信した制御コンピュータ１４０で画像処理された画像データを表示する。
【００１９】
次に、図２（ａ）及び図２（ｂ）を用いて、本実施形態に係る放射線撮像装置を説明する。図２（ａ）は、本実施形態に係る放射線撮像装置の模式的等価回路図であり、図２（ｂ）は、読出回路１０３の模式的等価回路図である。なお、図１（ａ）及び図１（ｂ）を用いて説明した構成と同じものは同じ番号を付与してあり、詳細な説明は割愛する。なお、本実施形態では、説明の簡便化のために８行×８列の画素アレイを用いて説明しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、人体の胸部を撮影するための放射線撮像装置であれば、画素アレイは約４３ｃｍ×３５ｃｍが必要とされ、１画素のサイズを１６０μｍ×１６０μｍとすると２６８８行×２１００列の画素アレイが必要となる。
【００２０】
図２（ａ）に示すように、本実施形態では、画素アレイ１０１に配置された複数の画素１１０は３つの画素群に分割される。第１画素群は、第１バイアス配線Ｖｓ１が第２電極に接続される変換素子を有する複数の画素を有し、第２画素群は、第２バイアス配線Ｖｓ２が第２電極に接続される変換素子を有する複数の画素を有する。また、第３画素群は、第３バイアス配線Ｖｓ３が第２電極に接続される変換素子を有する複数の画素を有する。
【００２１】
行方向の複数の画素のスイッチ素子、例えばＴ１１〜Ｔ１８は、それらの制御端子が１行目の駆動配線Ｇ１に共通に電気的に接続されており、駆動回路１０２から駆動信号が、駆動配線を介して行単位で与えられる。列方向の複数の画素のスイッチ素子、例えばＴ１１〜Ｔ８１は、それらの他方の主端子が１列目の信号配線Ｓｉｇ１に電気的に接続されており、導通状態になっている間に、変換素子の電荷に応じた電気信号を、信号配線を介して読出回路１０３に転送する。列方向に複数配列された信号配線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ８は、画素アレイ１０１の複数の画素から出力された電気信号を並列に読出回路部１０３に伝送する。
【００２２】
読出回路１０３は、画素アレイ１０１から並列に出力された電気信号を増幅する増幅回路部２０２と、増幅回路部２０２からの電気信号をサンプルしホールドするためのサンプルホールド回路部２０３と、を有する。増幅回路部２０２は、読み出された電気信号を増幅して出力する演算増幅器Ａと、積分容量群Ｃｆと、積分容量をリセットするリセットスイッチＲＣと、を有する増幅回路を、各信号配線に対応して有する。演算増幅器Ａの反転入力端子には出力された電気信号が入力され、出力端子から増幅された電気信号が出力される。ここで、演算増幅器Ａの正転入力端子には基準電源配線Ｖｒｅｆ１が接続される。増幅回路部２０２には、放射線の照射の開始を検知するまで信号配線Ｓｉｇに基準電源配線Ｖｒｅｆ１を接続するための信号配線リセットスイッチＳＲｅｓを備える。放射線の照射の開始を検知するまでは、演算増幅器２０２を動作させると消費電力が大きくなるため、演算増幅器２０２はその動作が停止される。そして、信号配線Ｓｉｇの電圧を基準電圧に固定するとともに、信号配線Ｓｉｇに流れる電流を検出（モニタ）するために、信号配線リセットスイッチＳＲｅｓは基準電源配線Ｖｒｅｆ１と信号配線Ｓｉｇを接続する。サンプルホールド回路部２０３は、サンプリングスイッチＳＨとサンプリング容量Ｃｈとによって構成されるサンプルホールド回路を、各増幅回路に対応して４系統有している。これは２行分の電気信号に対応して、増幅回路で発生するオフセットを抑制する相関二重サンプリング（ＣＤＳ）処理を行うためである。読出回路１０３は、サンプルホールド回路部２０３から並列に読み出された電気信号を、それぞれ順次出力して直列信号の画像信号として出力するマルチプレクサ２０４を有する。更に、読出回路１０３は、画像信号をインピーダンス変換して出力する出力バッファ回路ＳＦと、出力バッファ回路ＳＦの入力をリセットする入力リセットスイッチＳＲと、可変増幅器２０５と、を有する。ここで、マルチプレクサ２０４には、各信号配線に対応してスイッチＭＳ１〜ＭＳ８とＭＮ１〜ＭＮ８スイッチを夫々備えており、各スイッチを順次選択することにより、並列信号を直列信号に変換する動作が行われる。可変増幅器２０５には、ＣＤＳ処理のための差動増幅器として全差動増幅器が好適に用いられる。直列信号に変換された信号は、Ａ／Ｄ変換器１０４に入力され、Ａ／Ｄ変換器１０４でデジタルデータに変換され、デジタルデータがデジタル信号処理部１０５に送られる。ここで、制御回路１０８ｂは、増幅回路部２０２のリセットスイッチＲＣに御信号１１６ａを供給し、信号配線リセットスイッチＳＲｅｓに制御信号１１６ｂを供給する。また、制御回路１０８ｂは、サンプルホールド回路部２０３に、偶奇選択信号１１６ｏｅ、信号サンプル制御信号１１６ｓ、オフセットサンプル制御信号１１６ｎを供給する。更に、制御回路１０８ｂは、マルチプレクサ２０４に制御信号１１６ｃを供給し、入力リセットスイッチＳＲに制御信号１１６ｄを供給する。
【００２３】
次に、図３を用いて、本実施形態に係る電流検出回路１２０と検知回路１０８ａの例を説明する。
【００２４】
本発明の電流検出回路１２０は、複数のバイアス配線電流検出機構を備える。本実施形態では、電流検出回路１２０は、第１バイアス配線電流検出機構１２１ａ、第２バイアス配線電流検出機構１２１ｂ、第３バイアス配線電流検出機構１２１ｃを含む。バイアス配線電流検出機構１２１ａは、第１バイアス配線電流Ｉ＿Ｖｓ１を検出して第１バイアス配線電流信号１１９ｂを出力するためのものである。第２バイアス配線電流検出機構１２１ｂは、第２バイアス配線電流Ｉ＿Ｖｓ２を検出して第２バイアス配線電流信号１１９ｃを出力するためのものである。第３バイアス配線電流検出機構１２１ｃは、第３バイアス配線電流Ｉ＿Ｖｓ３を検出して導通電源電流信号１１９ｄを出力するためのものである。本実施形態では、上記３種類の信号が、本実施形態の検知回路１０８ａに出力される。各電流検出機構は、電流電圧変換回路１２２を含む。本実施形態では、電流電圧変換回路１２２は、トランスインピーダンスアンプＴＡとフィードバック抵抗Ｒｆとを有する。トランスインピーダンスアンプＴＡの非反転入力端子にはバイアス電源ＶＶｓが接続され、反転入力端子には各バイアス配線のいずれかが接続され、出力端子と反転入力端子の間にフィードバック抵抗ＲｆがトランスインピーダンスアンプＴＡと並列に接続される。また、本実施形態の各電流検出機構は、電流電圧変換回路１２２の出力電圧を増幅する電圧増幅回路１２３を含む。本実施形態では、電圧増幅回路１２３は、計装アンプＩＡとゲイン設定抵抗Ｒｇとを有する。更に、本実施形態の各電流検出機構は、ノイズの低減のための帯域制限回路１２４と、アナログでデジタル変換を行いデジタルの各電流信号を出力するためのＡＤ変換器１２５とを含む。このような構成により、電流検出機構１２１は、各バイアス配線に流れる電流を、電圧に変換して増幅して帯域制限してアナログデジタル変換した電流信号を出力することにより、各バイアス配線に流れる電流を検出する。
【００２５】
検知回路１０８ａは、電流検出回路１２０からの信号を演算する演算回路１２６と、演算回路１２６の出力（演算結果）と閾値Ｖｔｈとを比較して比較結果１１９ａを出力する比較回路１２７と、を含む。本実施形態の演算回路１２６は、第１バイアス配線電流信号１１９ｂ、第２バイアス配線電流信号１１９ｃ、第３バイアス配線電流信号１１９ｄの３種類の信号を演算処理するものである。本実施形態の比較回路１２７は、演算回路１２６の出力（演算結果）と予め設定された閾値Ｖｔｈと比較する比較器ＣＭＰを含むものである。実施形態では、閾値Ｖｔｈとして予め設定された一つの固定の電圧値を用いている。ただし、複数の異なる閾値を準備し、その複数の閾値が複数の電流検出機構１２１に１対１で対応していることが好ましい。比較回路１２７を、選択された電流検出機構１２１に対応した閾値を複数の閾値の中から選択する構成とすることは、検知精度の観点でより好ましい。複数の電流検出機構１２１毎の特性バラつきや、複数のバイアス配線毎の特性バラつきなどがある場合には、好適な閾値を適用することができるためである。図３に示す演算回路１２６は、各バイアス配線電流信号を所望の増幅率（係数）で増幅する可変増幅器ＶＧＡと、各々増幅された各バイアス配線電流信号のうちの２つのバイアス配線電流信号を差分処理する差分器ＳＵＢと、を含む。具体的には、第１バイアス配線電流信号１１９ｂを増幅する可変増幅器ＶＧＡと、第２バイアス配線電流信号１１９ｃを増幅する可変増幅器ＶＧＡと、第３バイアス配線電流信号１１９ｄを増幅する可変増幅器ＶＧＡと、を含む。更に、増幅された第１バイアス配線電流信号１１９ｂと第２バイアス配線電流信号１１９ｃとを差分処理する差分器ＳＵＢ１と、増幅された第２バイアス配線電流信号１１９ｃと第３バイアス配線電流信号１１９ｄとを差分処理する差分器ＳＵＢ２と、を含む。導通電源電流信号１１９ｄと非導通電源電流信号１１９ｅとを加算する第１加算器ＡＤＤ１を含む。また、図３に示す比較回路１２７は、演算回路１２６の演算結果である差分器ＳＵＢ１の出力と予め設定された閾値Ｖｔｈと比較する比較器ＣＭＰと、差分器ＳＵＢ２の出力と予め設定された閾値Ｖｔｈと比較する比較器ＣＭＰと、を含む。なお、検知精度を向上させるためには、比較回路１２７は、２つの比較器ＣＭＰからの比較結果のＡＮＤに基づいて検知信号を出力するためのＡＮＤ回路を有してもよい。また、検出速度を向上させたい場合にはＡＮＤ回路の代わりにＯＲ回路を用いてもよい。検知回路１０８ａの検知結果である比較結果１１９ａが制御回路１０８ｂに供給され、制御回路１０８ｂは、比較結果１１９ａに基づいて駆動回路１０２の制御を行う。なお、上述した電流検出回路１２０と検知回路１０８ａでは、いずれも検出した電流を電圧に変換した信号を用いたものを説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。本発明の電流検出回路１２０と検知回路１０８ａは、検出した電流をそのまま用いた形態のものであってもよい。つまり、電流検出回路１２０はバイアス配線に流れる電流を何らかの信号で出力することによって検出できればよい。
【００２６】
次に、図２（ａ）、図３、図４（ａ）、及び、図４（ｂ）を用いて、本実施形態における放射線の曝射の検知とそれに基づく制御を説明する。なお、図４（ａ）は、放射線撮像装置全体のタイミングチャートであり、図４（ｂ）は、電流検出回路１２０及び検知回路１０８ａの出力を示すものである。
【００２７】
まず、放射線画像撮影動作において、制御部１０８は、電源部１０７及び電流検出回路１２０に制御信号１１７を与える。それにより、電源部１０７及び電流検出回路１２０は、画素アレイ１０１にバイアス電圧を、駆動回路１０２に導通電圧及び非導通電圧を、読出回路１０３に対して各基準電圧を、それぞれ供給する。また、制御部１０８は、駆動回路１０２に制御信号１１８を供給し、駆動回路１０２は、各駆動配線Ｇ１〜Ｇ８に順次に導通電圧を供給するように、駆動信号を出力する。それにより、スイッチ素子Ｔが行単位で順次に全て導通状態となる初期化動作Ｋ１が行われ、初期化動作Ｋ１は放射線の曝射の開始が検知されるまで複数回行われる。その際、制御部１０８は、読出回路１０３の信号配線リセットスイッチＳＲｅｓに制御信号１１６ｂを供給して、信号配線リセットスイッチを導通状態とする。それにより、電源部１０７の第１基準電源ＶＶｒｅｆ１と信号配線Ｓｉｇとが導通状態となる。電流検出回路１２０は、初期化動作Ｋ１を含む準備動作の間に、第１バイアス配線電流Ｉ＿Ｖｓ１、第２バイアス配線電流Ｉ＿Ｖｓ２、及び、第３バイアス配線電流Ｉ＿Ｖｓ３を検出する。そして電流検出回路１２０は、検知回路１０８ａに第１バイアス配線電流信号１１９ｂ、第２バイアス配線電流信号１１９ｃ、及び、第３バイアス配線電流信号１１９ｄを出力する。演算回路１２６が、第１バイアス配線電流信号１１９ｂ、第２バイアス配線電流信号１１９ｃ、及び、第３バイアス配線電流信号１１９ｄに対して上述の演算処理を行う。そして、比較回路１２７が、演算回路１２６の各出力と各閾値とを比較して、比較結果１１９ａ及び１１９ａ’を制御回路１０８ｂに出力する。演算回路１２６の出力が閾値Ｖｔｈを超えると、電流検出回路１２０及び検知回路１０８ａによって放射線の照射が開始された旨の比較結果１１９ａ及び１１９ｂの少なくとも一方が出力される。それにより、制御回路１０８ｂは駆動回路１０２に制御信号１１８を供給し、駆動回路１０２による駆動配線Ｇへの導通電圧の供給を停止する。図４（ａ）では、初期化動作Ｋ２において駆動回路１０２から駆動配線Ｇ４に導通電圧が供給されている際に放射線の照射の開始が検知され、駆動回路１０２による駆動配線Ｇ５〜Ｇ８への導通電圧の供給が行われず、全てのスイッチ素子Ｔが非導通状態で維持される。これにより、初期化動作Ｋ２が途中の行で終了するように、画素アレイ１０１の動作が検知された放射線の照射の開始に応じて制御され、放射線撮像装置１００の動作は、準備動作から蓄積動作Ｗに遷移する。
【００２８】
次に、検出回路１２０及び検知回路１０８ａによって、蓄積動作Ｗの演算回路１２６の出力が所望の閾値を下回ることによって放射線の照射の終了が検知されると、制御回路１０８ｂは駆動回路１０２に制御信号１１８を供給する。それにより、駆動回路１０２は、各駆動配線Ｇ１〜Ｇ８に順次に導通電圧を供給するように、駆動信号を出力し、スイッチ素子Ｔが行単位で順次に全て導通状態となる。それにより、放射線撮像装置１００は、照射された放射線に応じた電気信号を画素アレイ１０１から読出回路１０３に出力する画像出力動作Ｘを行う。以上により、放射線撮像装置１００は、準備動作と、蓄積動作Ｗと、画像出力動作Ｘと、を含む放射線画像撮像動作を行う。ここで、初期化動作Ｋ１の動作期間は、画像出力動作Ｘの動作期間より短いことが好ましい。
【００２９】
次に、放射線撮像装置１００は、暗画像撮像動作を行う。暗画像撮像動作は、放射線画像撮像動作と同様に、１回以上の初期化動作Ｋ１と初期化動作Ｋ２とを含む準備動作と、蓄積動作Ｗと、暗画像出力動作Ｆと、を含む。ここで、暗画像撮像動作における蓄積動作Ｗでは放射線は照射されない。また、暗画像出力動作Ｆは変換素子Ｓで発生するダーク電流に起因する暗時出力に基づく電気信号を画素アレイ１０１から読出回路１０３に出力するもので、放射線撮像装置１００の動作自体は画像出力動作Ｘと同じである。
【００３０】
なお、放射線画像撮像動作が複数回行われる場合にあっては、後の放射線撮像動作においてなされる本発明の電流検出による放射線の照射の開始の検知は、先の放射線画像撮像動作においてなされた放射線の照射の影響である残像による影響を受ける場合がある。ここで、残像とは、複数回行われる放射線画像撮像動作のうちの先の放射線画像撮像動作においてなされた放射線の照射に基づく電荷が、後の放射線画像撮像動作に影響をおよぼすものである。残像の原因としては、欠陥準位に捕獲された電荷や、変換素子から出力しきれず変換素子に残留した電荷が、主に挙げられる。放射線が照射された変換素子にこのような電荷が残留していた場合、後の放射線画像撮像動作において検出される電流にノイズとして混入し、検出精度を低下させる恐れがある。
【００３１】
そこで、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、先の放射線画像撮像動作と後の放射線画像撮像動作の間に、残像を抑制するための動作を行うことが望ましい。図５（ａ）に示すものでは、先の放射線撮像動作の後の暗画像撮像動作の後に、次の動作を行う。変換素子の２つの電圧の間の電位差（以下に、変換素子に与えられる電圧、と示す）を０Ｖにする。これによって、変換素子に残留した、先の放射線画像撮像動作においてなされた放射線の照射に基づく電荷が低減される。この動作を第１残像抑制動作Ｓと示す。このスリープ動作Ｓを行った後に、後の放射線画像撮像動作を行う。また、図５（ｂ）に示すものは、先の放射線撮像動作の後の暗画像撮像動作の後に、次の動作を行う。変換素子に与えられる電圧を、放射線撮像動作で変換素子に与えられる第１電圧と異なる第２電圧を与えた後に、第１及び第２電圧と異なり、且つ、第１電圧との差分の絶対値が第１電圧と第２電圧との差分の絶対値よりも小さくなる第３電圧を変換素子に与える。これによって、変換素子に残留した、先の放射線画像撮像動作においてなされた放射線の照射に基づく電荷が低減される。加えて、図５（ａ）で示すスリープ動作に比べて、残像を抑制するための動作によって発生し得る暗電流も抑制できる。この動作を第２残像抑制動作ＱＳと示す。この第２残像抑制動作ＱＳを行った後に、後の放射線画像撮像動作を行う。また、図５（ｂ）に示すものは、先の放射線撮像動作の後の暗画像撮像動作の後に、放射線撮像装置１００内に設けられた光源（不図示）からの光を画素アレイ１０１に照射する動作を行う。これによって、変換素子に残留した、先の放射線画像撮像動作においてなされた放射線の照射に基づく電荷が低減される。この動作を第３残像抑制動作ＬＲと示す。この第３残像抑制動作ＬＲを行った後に、後の放射線画像撮像動作を行う。なお、以上で説明した残像を抑制するための各動作において、先に説明した初期化動作Ｋ１と同様の動作を行うことは、更に好ましい。これらの動作により、後の放射線画像撮像動作においても精度よく放射線の照射の開始の検知を行うことが可能となる。
【００３２】
また、図１（ｂ）及び図２（ａ）では、１画素の構成として、変換素子Ｓとスイッチ素子Ｔとを有するものを用いて説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。例えば、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、図１（ｂ）及び図２（ａ）に示す１画素の構成に加えて、画素１１０が、増幅素子ＳＴとリセット素子ＲＴとを更に含むものであってもよい。図６（ａ）及び図６（ｂ）では、増幅素子ＳＴとして、制御端子（ゲート電極）と２つの主端子とを有するトランジスタを用いている。そのトランジスタの制御端子が変換素子Ｓの一方の電極に接続され、一方の主端子がスイッチ素子Ｔに接続され、他方の主端子が動作電源配線Ｖｓｓを介して動作電圧を供給する動作電源ＶＶｓｓに接続される。また、信号配線Ｓｉｇにはスイッチ６０２を介して定電流源６０１が接続されており、増幅素子ＳＴとソースフォロア回路を構成する。また、リセット素子ＲＴとして、制御端子（ゲート電極）と２つの主端子とを有するトランジスタを用いており、一方の主端子がリセット配線Ｖｒを介してリセット電源ＶＶｒに接続され、他方の主端子が増幅素子ＳＴの制御電極に接続されている。このリセット素子ＲＴが本発明の第２スイッチ素子に相当し、リセット電源ＶＶｒの電圧が本発明の第２電圧に相当する。リセット素子ＲＴの制御電極は、リセット用駆動配線Ｇｒを介して、駆動配線Ｇと同様に駆動回路１０２に接続される。リセット用駆動配線Ｇｒは、駆動回路１０２に設けられたスイッチＳＷｒを介して、導通電圧配線Ｖｏｎを介して導通電源ＶＶｏｎと、非導通電圧配線Ｖｏｆｆを介して非導通電源ＶＶｏｆｆと、に選択的に接続される。また、演算増幅器Ａの反転入力端子と信号配線リセットスイッチＳＲｅｓの間に、クランプ容量が設けられている。また、例えば、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、図１（ｂ）及び図２（ａ）に示す１画素の構成に加えて、画素１１０が、リセット素子ＲＴを更に含むものであってもよい。リセット素子ＲＴとして、制御端子（ゲート電極）と２つの主端子とを有するトランジスタを用いており、一方の主端子がリセット配線Ｖｒを介してリセット電源ＶＶｒに接続され、他方の主端子が増幅素子ＳＴの制御電極に接続されている。このリセット素子ＲＴが本発明の第２スイッチ素子に相当し、リセット電源ＶＶｒの電圧が本発明の第２電圧に相当する。リセット素子ＲＴの制御電極は、リセット用駆動配線Ｇｒを介して、リセット用駆動回路１０２Ｒに接続される。リセット用駆動配線Ｇｒは、リセット用駆動回路１０２Ｒに設けられたスイッチＳＷｒを介して、導通電圧配線Ｖｏｎを介して導通電源ＶＶｏｎと、非導通電圧配線Ｖｏｆｆを介して非導通電源ＶＶｏｆｆと、に選択的に接続される。また、図７（ａ）及び図７（ｂ）では、変換素子Ｓは、ＭＩＳ型光電変換素子を含む。
【００３３】
また、図２（ａ）では、各バイアス配線は、少なくとも列方向の複数の画素の変換素子に接続される構成を示したが、本発明はそれに限定されるものではない。図８に示すように、各バイアス配線が、少なくとも行方向の複数の画素の変換素子に接続される構成であってもよい。また、それらを組み合わせて、各バイアス配線を画素群内で格子状に配置してもよい。更に、図２（ａ）の構成を列方向で２つに分割したり、図８の構成を行方向に２つに分割したりしてもよい。
【００３４】
また、例えば第１画素群のように、画素アレイ１０１の行方向の端に位置する画素１１０を含む画素群に、画素アレイ１０１の中央に位置する画素１１０を含む画素群の変換素子よりも感度の低い変換素子を設けることは望ましい。放射線に対して感度の低い変換素子の例としては、変換素子の放射線入射側に放射線を遮蔽する放射線遮蔽部材を有するものや、間接型の変換素子にあっては波長変換体と光電変換素子との間に光を遮蔽する遮光部材を有するものが挙げられる。
【００３５】
（第２の実施形態）
次に、図９（ａ）、図９（ｂ）、及び、図１０を用いて、本発明の第２の実施形態に係る放射線撮像装置について説明する。なお、第１の実施形態で説明した構成と同じものは同じ番号を付与してあり、詳細な説明は割愛する。
【００３６】
本実施形態では、画素アレイ１０１内の複数の画素１１０は複数の画素群に分割されており、複数の画素群に対応して複数のバイアス配線が設けられている。図９（ａ）及び図９（ｂ）に示す例では、画素アレイ１０１内の複数の画素１１０は５つの画素群に分割されており、１つの画素群に１対１で対応して５つのバイアス配線が設けられている。第１画素群には第１バイアス配線Ｖｓ１が、第２画素群には第２バイアス配線Ｖｓ２が、第３画素群には第３バイアス配線Ｖｓ３が、第４画素群には第４バイアス配線Ｖｓ４が、第５画素群には第５バイアス配線Ｖｓ５が、それぞれ対応して配置されている。図１０に示す例では、画素アレイ１０１内の複数の画素１１０は６つの画素群に分割されており、２つの画素群に１つのバイアス配線が対応しており、３つのバイアス配線が設けられている。第１画素群及び第２画素群には第１バイアス配線Ｖｓ１が、第３画素群及び第４画素群には第２バイアス配線Ｖｓ２が、第５画素群及び第６画素群には第３バイアス配線Ｖｓ３が、それぞれ対応して配置されている。
【００３７】
また、本実施形態では、複数の画素群に対応して複数の読出回路１０３が設けられている。図９（ａ）及び図９（ｂ）に示す例では、各画素群に１対１で対応して５つの読出回路１０３が準備されている。図１０に示す例では、各画素群に１対１で対応して６つの読出回路１０３が準備されている。
【００３８】
そして、本実施形態では、各読出回路１０３は、それぞれフレキシブルプリント配線板ＦＰＣ上に備えられている。プリント回路基板ＰＣＢ上には、電流検出回路１２０を構成する複数のバイアス配線電流検出機構１２１と、バイアス電源ＶＶｓと、デジタル信号処理部１０５（不図示）と、を有している。そして、各バイアス配線電流検出機構は、制御部１０８と接続されている。図９（ａ）及び図９（ｂ）に示す例では、各バイアス配線に１対１で対応して、５つのバイアス配線電流検出機構１２１がプリント回路基板ＰＣＢ上に準備されている。図１０に示す例では、各バイアス配線に１対１で対応して、３つのバイアス配線電流検出機構１２１がプリント回路基板ＰＣＢ上に準備されている。
【００３９】
各フレキシブルプリント配線板ＦＰＣの一端は、画素アレイ１０１が備えられるガラス基板などの絶縁性基板に設けられた接続部に実装され、各読出回路１０３は対応する信号配線Ｓｉｇと接続される。各フレキシブルプリント配線板ＦＰＣの他端は、プリント回路基板ＰＣＢ上の配線部に実装され、読出回路１０３はデジタル信号処理部１０５と接続される。各バイアス配線は、対応するバイアス配線電流検出機構１２１を介してバイアス電源ＶＶｓに接続されており、また、対応するフレキシブルプリント配線板ＦＰＣを介して対応する画素群内の変換素子Ｓの第２電極に共通に接続される。
【００４０】
このような構成とすることにより、例えば４３ｃｍ×３５ｃｍ以上の大面積の画素アレイ１０１に対しても、バイアス配線Ｖｓ及びバイアス配線電流検出機構１２１を各画素群に適宜対応して設けることが可能となる。また、画素アレイ１０１の全ての変換素子に対して共通のバイアス配線を設ける形態に比べて、バイアス配線の抵抗や寄生容量を小さくすることができるため、バイアス配線のインピーダンスを小さくすることができる。
【００４１】
ただし、放射線の照射の開始を検知するためのバイアス配線電流の検知は、先に説明した初期化動作Ｋ１及び初期化動作Ｋ２においてのみ行われればよい。また、蓄積動作Ｗや画像出力動作Ｘ、及び、暗画像出力動作Ｆにおいて、バイアス配線毎に電位が異なることに起因する画像アーチファクトが発生する恐れがある。そのため、図９（ａ）に示すように、各バイアス配線の間に短絡用スイッチ７０１を設け、初期化動作Ｋ１及び初期化動作Ｋ２を除く動作の間に、短絡用スイッチ７０１を導通状態としておくことが好ましい。短絡用スイッチ７０１の導通状態と非導通状態の制御は、制御部１０８によって行われ、より好ましくは比較回路からの比較結果に基づいて行われ得る。また、図９（ｂ）及び図１０に示すように、各バイアス配線の間を所望の抵抗値を有する抵抗７０２で接続することも有効である。抵抗７０２の抵抗値がバイアス配線のうち画素アレイ１０１とフレキシブルプリント配線板ＦＰＣとの間の部分の抵抗値以上であれば、バイアス配線電流検出機構１２１はバイアス配線電流を十分に検知することができる。また、画素アレイ１０１の読出回路１０３が接続される側の辺と反対側の辺において、各バイアス配線の間を抵抗７０２で接続することはより好ましい。
【００４２】
なお、本発明の各実施形態は、例えば制御部１０８に含まれるコンピュータや制御コンピュータ１４０がプログラムを実行することによって実現することもできる。また、プログラムをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムを記録したＣＤ−ＲＯＭ等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体又はかかるプログラムを伝送するインターネット等の伝送媒体も本発明の実施形態として適用することができる。また、上記のプログラムも本発明の実施形態として適用することができる。上記のプログラム、記録媒体、伝送媒体及びプログラムプロダクトは、本発明の範疇に含まれる。また、第１〜第２の実施形態から容易に想像可能な組み合わせによる発明も本発明の範疇に含まれる。
【符号の説明】
【００４３】
１００  放射線撮像装置
１０１  画素アレイ
１０２  駆動回路
１０３  読出回路
１０４  Ａ／Ｄ変換器
１０５  デジタル信号処理部
１０６  信号処理部
１０７  電源部
１０８  制御部
１０８ａ  検知回路
１０８ｂ  制御回路
１１０  画素
１２０  電流検出回路
Ｓ  変換素子
Ｔ  スイッチ素子
Ｇ  制御配線
Ｓｉｇ  信号配線
Ｖｓ１，Ｖｓ２，Ｖｓ３  バイアス配線
【図１】
2013219408.tif 000003
【図２】
2013219408.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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