(57)【要約】      （修正有）【課題】連続スパッタ時においても、ノジュールの発生や異常放電を抑制することができるとともに、クリアランス部分に対向した基板上に形成される膜の特性が他の部分の膜の特性と差異がない、すなわち膜特性の均一性の高い膜が得られるスパッタリングターゲット、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】複数の分割ターゲット２をバッキングプレート４上に配列し、該バッキングプレート４に接合して構成されるスパッタリングターゲットであって、配列した分割ターゲット２間のクリアランス部に、有機材料のテープ、シート又は有機材料の管若しくは棒状体から選択された１の物質を被覆又は充填したことを特徴とするスパッタリングターゲット。【選択図】図１
2013185160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の分割ターゲットをバッキングプレート上に配列し、該バッキングプレートに接合して構成されるスパッタリングターゲットであって、配列した分割ターゲット間のクリアランス部に、有機材料のテープ、シート又は有機材料の管若しくは棒状体から選択された１の物質を被覆又は充填したことを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記有機材料が、２００°Ｃ以上の耐熱性を有する有機物であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
前記有機材料が、ポリイミド樹脂又はフッ素樹脂であることを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
分割ターゲット間のクリアランスが０．１〜０．８ｍｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
被覆層又は充填物質の層の厚みが０．０４〜０．７ｍｍで、ロウ材厚みは被覆層又は充填物質の層の厚みより大きく、かつ、１．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
分割ターゲットの材料が酸化物半導体膜形成用の材料であり、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ、ＺｎＯ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ中から選択されたいずれか１以上の物質であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング法により、酸化物半導体膜等の薄膜を作製する際に使用されるスパッタリングターゲット、特に、複数枚のターゲット材からなり、分割部を有するスパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
酸化物半導体膜形成用の薄膜は、液晶ディスプレイ、タッチパネル、ＥＬディスプレイ等を中心とする表示デバイスの半導体膜層として用いられている。
これまで、大面積に対する半導体膜はアモルファスシリコンやポリシリコンが主流であり、主にＣＶＤ（化学蒸着法）成膜で形成されてきた。アモルファスシリコンは大面積への成膜が有利ではあるが、材料の特性上、現行より高精細なパネルを作製するためには移動度が不足するため、より高移動度の材料が求められてきた。
【０００３】
一方アモルファスシリコンを成膜後アニーリングする事により得られるポリシリコン膜は移動度が非常に高いが、アニーリング時の結晶化不均一性に課題があり、大面積で均一な特性が得られない。近年、酸化物半導体はスパッタリング法で安定して成膜出来る高移動度材料として注目が高まっている。
【０００４】
しかし、大型酸化物半導体膜を作製するための新規設備投資や反り等の原因による歩留まり低下のため、非常に困難である。そこで、現在、大型の酸化物半導体膜形成用ターゲットは小型タイルを、複数個接合した多分割ターゲットが用いられている。
【０００５】
前述の様な多分割ターゲットを用いてスパッタリングを行うと、分割部近傍で膜特性が変化し、最終的なパネルの状態となって点灯を行った際に、輝度むらが生じる問題が発生している。これはクリアランス部分（間隔）からバッキングプレート材料から酸化物半導体材料とは別の材料がスパッタリングされ、これが不純物として膜中に取り込まれることで半導体特性の変化をもたらしていると考えられる。
【０００６】
これら不純物はあまりに微量であり、通常の分析では検出されず、同手法で作製されている透明導電膜などでは無視できる程度であった。しかし、半導体膜では微量の不純物でも電気特性が大きく変化するため、対策が必要となる。
これに対して、分割部の対策としての従来技術では、クリアランス部分にインジウムや各種合金を全部埋め込むという方法があるが、本手法はスパッタ時のノジュール発生や異常放電の抑制が目的であり、膜中への不純物混入、膜特性の均一化が目的ではない。
【０００７】
例えば、特許文献１では、クリアランス部分にターゲット本体のインジウムと錫との原子数比に等しいインジウム-錫合金を充填する方法が開示されている。しかしながら、融点の低い合金をクリアランス部に流し込む必要があるため、ターゲットの生産性に問題があった。
また、インジウム-錫合金をクリアランス部全部に注入するために、その上部に形成される膜の電気的特性が、他の部分に形成される膜の電気的特性と異なってしまうという問題があった。
【０００８】
また、特許文献２では、クリアランス部分にインジウムを、特許文献３では、接合材よりも高融点を有する合金を充填する方法が開示されている。
しかしながら、これらの方法でも、インジウム等をクリアランス部全部に注入するために、その上部に形成される膜の電気的特性が、他の部分に形成される膜の電気的特性と異なってしまうという問題があった。
【０００９】
特許文献４では、クリアランス部分に金属酸化物焼結体と構成元素が同一ではあるが、別組成の材料を充填する方法が開示されている。しかしながら、酸素の量が少ない場合は、通常の合金と殆ど変わらない特性を有するので、その上部に形成される膜の電気的特性が、他の部分に形成される膜の電気的特性と異なってしまうという問題があり、また、逆に、酸素の量が多い場合は、ＩＴＯの特性と殆ど変わらないので、低温でクリアランス部分に溶解して流し込みということはできないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平０１−２３０７６８号公報
【特許文献２】特開平０８−１４４０５２号公報
【特許文献３】特開２０００−１４４４００号公報
【特許文献４】特開２０１０−１０６３３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、分割ターゲットの連続スパッタ時においても、クリアランス部分に対向した基板上に形成される膜の特性が他の部分の膜の特性と差異がない、すなわち膜特性の均一性の高い膜が得られる酸化物半導体膜形成用のスパッタリングターゲット、特にＦＰＤ用のスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、酸化物半導体膜形成用のスパッタリングターゲットは複数の分割ターゲットから構成され、この分割ターゲットは小型タイルの組合わせによって構成される。
この小型タイルのクリアランス部を工夫して、分割ターゲットを配列して大型のターゲットを作製し、各小型タイル分割部のクリアランス部に起因する膜特性バラツキを低減することができるスパッタリングターゲット、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲットを提供することができるとの知見を得た。
【００１３】
このような知見に基づき、本発明は、
１）複数の分割ターゲット（俗称：小型タイル）をバッキングプレート上に配列し、該バッキングプレートに接合して構成されるスパッタリングターゲットであって、配列した分割ターゲット間のクリアランス部底部（露出したバッキングプレート材上）に、有機材料のテープ、シート又は有機材料の管若しくは棒状体から選択された１の物質を被覆又は充填したことを特徴とするスパッタリングターゲット、を提供する。
【００１４】
また、本発明は、
２）前記有機材料が、２００°Ｃ以上の耐熱性を有することを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
【００１５】
また、本発明は、
３）前記有機材料が、ポリイミド樹脂又はフッ素樹脂であることを特徴とする上記１）又は２）記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
【００１６】
また、本発明は、
４）分割ターゲット間のクリアランスが０．１〜０．８ｍｍであることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
【００１７】
また、本発明は、
５）被覆層又は充填物質の層の厚みが０．０４〜０．７ｍｍで、ロウ材厚みは被覆層又は充填物質の層の厚みより大きく、かつ、１．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【００１８】
また、本発明は、
６）小型タイルの材料が酸化物半導体膜形成用の材料であり、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ、ＺｎＯ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏの中から選択されたいずれか１以上の物質からなる酸化物であることを特徴とする上記１）〜５）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
このように調整した本発明のスパッタリングターゲットは、クリアランス部分に対向した基板上に形成される膜の特性が、他の部分の膜の特性と差異がない、すなわち膜特性の均一性の高い膜が得られるスパッタリングターゲット、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲットを提供することができ、パネル製品の歩留まりを向上させ、製品の品質を高めることができるという大きな利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の代表的なスパッタリングターゲットの断面説明図である。
【図２】一定の間隔（クリアランス）をもって配列した、従来型ターゲットの説明図である。
【図３】実施例１と比較例２の分割ターゲットのクリアランス部の断面説明図である。
【図４】比較例３の分割ターゲットのクリアランス部の断面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明のスパッタリングターゲットは、複数の分割ターゲットをバッキングプレート上に配列し、該バッキングプレートに接合して構成されるスパッタリングターゲットであり、配列した分割ターゲット間のクリアランス部に、有機材料のテープ、シート又は有機材料の管若しくは棒状体から選択された１の物質を被覆又は充填した構造のスパッタリングターゲットを基本とする。
【００２２】
すなわち、バッキングプレート上に配列した複数の分割ターゲットは、それぞれの側面が密着しているのではなく、一定の間隔（クリアランス）を有する。この概念図を図２に示す。一方、本発明の代表的なスパッタリングターゲットを説明する断面図を図１に示す。
【００２３】
この分割ターゲットの各部材は、次のような方法で製造することができる。この具体例を、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）ターゲットを用いて説明する。このＩＧＺＯは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素（Ｏ）を構成元素として、インジウムとガリウムの含有量に対するインジウムの原子数比［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇａ］）が２０％〜９０％、インジウムとガリウムの合計量に対する亜鉛の原子数比［Ｚｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇａ］＋［Ｚｎ］）が１５％〜４０％である焼結体である。
【００２４】
この配合比は、酸化物半導体膜形成用の特性を維持できる範囲で、任意に調整可能である。以下、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ、ＺｎＯ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏからなる酸化物半導体膜形成用の材料でも同様である。
次に、秤量した原料粉の湿式媒体攪拌ミル等による混合粉砕を行い、流動性の向上のための造粒を行うが、造粒時のスラリーに、成形体強度の増加を目的としてＰＶＡ等のバインダーを加えても良い。
【００２５】
次に、プレス成形を行った後、酸素雰囲気又は大気雰囲気で常圧焼結して、ＩＧＺＯ焼結体を得る。得られたＩＧＺＯ焼結体を、機械的に加工して、分割ＩＧＺＯターゲットの各部材とする。この際、角には面取り加工をし、表面粗さを小さくする加工をすることがより好ましい。分割ＩＧＺＯターゲットの個数は、例えばＦＰＤに適合させるために、大型ＩＧＺＯターゲットの寸法に応じて定めることができる。
【００２６】
このようなＩＧＺＯターゲットは、平面的に見て、一般に矩形なので、これに対応させて長方形の分割ＩＧＺＯターゲットを複数個配列して作製することができる。しかしながら、分割ＩＧＺＯターゲットが長方形に限定されないことは、当然であり、他の形状、例えば正方形、円筒型、三角形、扇型、あるいはこれらを適宜組み合わせて作製することもできる。本願発明は、これらを包含する。
【００２７】
分割ターゲット各部材間のクリアランス（間隔）の調整が必要であり、このクリアランスは０．１〜０．８ｍｍとするのが良い。バッキングプレート上に接合した各分割ターゲットについては、上記の通り一定のクリアランスが必要であり、このクリアランスが０．１ｍｍ未満であると、多分割ターゲットの各部材をバッキングプレートに貼り付けた後の、接合層（ロウ材を用いたボンディング層）の冷却時の熱収縮による隣接ターゲット部材間の衝突による破損を防止することが難しくなるためである。
【００２８】
また、逆に０．８ｍｍより広いと、側面の電気的特性がターゲット部材とやや異なるため、クリアランス（間隔）の開け過ぎにより、スパッタリング時の膜の面内均一が劣ってしまうからである。
また、ターゲットのスパッタリング時及び冷却時には、多少の熱膨張と収縮が繰り返されるが、分割ターゲットのクリアランスは、それを適度に調整する機能を持つので、ターゲットの亀裂や割れを防止できる効果もある。
【００２９】
その後、バッキングプレート上に配列し、インジウムロウ材等を用いて、分割ターゲットをバッキングプレートに接合するのであるが、この接合する前（直前）に、配列した分割ターゲット間のクリアランス部に、バッキングプレートがスパッタされないように、図１に示すように、有機材料のテープ、シート又は有機材料の管若しくは棒状体から選択された１の物質を被覆又は充填する。
【００３０】
シート、管若しくは棒状材はＩｎ等のロウ材上に浮かべながら、ピースをセットする作業と合わせてクリアランス部に設置する。また、テープは粘着部を利用して、そのままクリアランス部底部（バッキングプレート露出部）が位置する部分に貼り付けて設置する。ライニング(コーティング)は、通常テフロン（登録商標）材をスプレーガンで対象領域に吹き付け、温度をかけてテフロン（登録商標）を硬化させ密着させて、所定箇所に設置する。
【００３１】
この有機材料はボンディングおよび、スパッタリング時の熱影響により劣化しないように２００°Ｃ以上の耐熱性を有することが望ましい。ポリイミド樹脂又はフッ素樹脂が好適な材料と言える。被覆層又は充填物質の層の厚みが０．０４〜０．７ｍｍとするのが望ましい。
【００３２】
ボンディング直後では分割ターゲットのクリアランス部底部には、被覆又は充填した有機材料のテープ、シート又は有機材料の管若しくは棒状体からからなる物質が存在するが、この表面には、さらに接合層（ロウ材を用いたボンディング層）が存在する。
本願発明は、有機材料のテープ、シート又は有機材料の管若しくは棒状体により、バッキングプレートのスパッタを抑制することを意図するものであるから、この有機材料の上にロウ材が存在していては、意味がない。したがって、有機材料のテープ、シート又は有機材料の管若しくは棒状体上のロウ材を、機械的に除去するか又は化学的に溶解除去する。通常、ロウ材を掻き出すことで、容易に除去できる。この時有機材料のテープ、シート又は有機材料の管若しくは棒状体の傷付け、または剥離させないように注意する必要がある。
【００３３】
また、本発明は、分割ターゲットの材料として、酸化物半導体膜形成用の材料が好適な材料であり、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ、ＺｎＯ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ中から選択されたいずれか１以上の物質からなる酸化物とすることができる。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
【００３５】
（実施例１）
原料として、酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末及び酸化錫粉末の混合粉末を、ビーズミルによる湿式媒体攪拌ミルで混合粉砕後、プレス用金型に入れて、７００Ｋｇ／ｃｍ２ の圧力で成形し、ＩＧＺＯ成形体を作製した。
次に、このＩＧＺＯ成形体を、酸素雰囲気中で、昇温速度５°Ｃ／ｍｉｎで室温から１５００°Ｃまで昇温後、１５００°Ｃで２０時間温度を保持し、その後、炉冷することで焼結した。
【００３６】
このようにして得られた焼結体の表面を、平面研削盤で４００番ダイヤモンド砥石を使用して厚み５ｍｍまで研削し、さらに側辺をダイヤモンドカッターで２００ｍｍ×４６０ｍｍ×５ｍｍｔのサイズに切断して、ＩＧＺＯターゲット部材とした。またクリアランス部にあたる端部はテフロン（登録商標）棒を挿入するため、図３に示すようにＣ３加工を施した。この様な加工体を５枚の分割ターゲットとした。
【００３７】
次に、無酸素銅製のバッキングプレート上に、前記５枚の分割ターゲットを載せ、クリアランスを０．４ｍｍとし、このクリアランス部に、図３に示すように、直径２ｍｍのテフロン（登録商標）棒を挿入した。
このように組立てた分割ターゲット−バッキングプレートを２００°Ｃに設定したホットプレート上に設置し、インジウムをロウ材として使用し、その厚みが約０．７ｍｍとなるように接着した。
【００３８】
５枚のＩＧＺＯ焼結体を０．４ｍｍのクリアランスを設けて接合面同士を相対させて設置し接合した。その後、ターゲットバッキングプレート接合体を、室温まで放置冷却した。この後、テフロン（登録商標）棒上に存在するロウ材を除去（掻き出し）し、スパッタリング時に、基板に向かうクリアランス部底部の面にテフロン（登録商標）棒が露出する（向い合う）ようにした。
【００３９】
このターゲットをマグネトロンスパッタ装置に取り付け、投入パワーはＤＣ電源で２．３Ｗ／ｃｍ２、ガス圧は０．６Ｐａ、スパッタガスは酸素（O２）を２０％、残りをアルゴン（Ａｒ）で膜厚が３０ｎｍとなるよう行った。
成膜後のＩＧＺＯ膜はＮ２雰囲気中で３００℃、３０ｍｉｎのアニーリングを行い、膜質の安定化を図った。
【００４０】
この実施例１のアニーリング後の移動度μ（６点のホール移動度平均値、ホール移動度のばらつき）、キャリア濃度Ｎ（６点のキャリア濃度、平均値キャリア濃度のばらつき）の結果を、表１に示す。
なお、測定は東陽テクニカＲｅｓｉｔｅｓｔ ８４００を使用して実施した。また、クリアランス、クリアランスへのインジウム等の付着状態も合わせて表１に示す。
【００４１】
【表１】
2013185160.tif 000003
【００４２】
上記表１、図３に示すように、実施例１の分割ターゲットの、クリアランスは０．４ｍｍで、該クリアランス部にテフロン（登録商標）棒を挿入した場合、平均移動度１１．２ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき１．８％、キャリア濃度５．６×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき３．２％という結果が得られた。
半導体材料の場合、移動度およびキャリア濃度により基板上の膜の特性を評価することができ、このように移動度およびキャリア濃度の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。
【００４３】
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を作製し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８×９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、輝度ムラは生じず、各画素が問題なく表示された。
【００４４】
（実施例２）
分割ターゲットの材料としてＩＧＺＯを用い、２８２．５ｍｍ×２３０ｍｍ×５ｍｍｔのサイズに切断して、ＩＧＺＯターゲット部材とした。この様な加工体を６枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。
無酸素銅のバッキングプレート上には、予め分割対応部に０．１ｍｍ厚さのカプトンテープを貼り付けおいた。分割ターゲットのクリアランスは０．４  ｍｍとし、図１に示すようにセットした。ロウ材厚みは０．５ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。
【００４５】
スパッタリングを実施し、ターゲットの評価は、実施例１と同様に行った。平均移動度１３．４ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき１．６％、キャリア濃度４．０×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき４．３％という結果が得られた。半導体材料の場合、移動度およびキャリア濃度により基板上の膜の特性を評価することができ、このように移動度およびキャリア濃度の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を作製し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８×９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、輝度ムラは生じず、各画素が問題なく表示された。
【００４６】
（実施例３）
分割ターゲットの材料としてＩＧＺＯを用い、２８２．５ｍｍ×２３０ｍｍ×５ｍｍｔのサイズに切断して、ＩＧＺＯターゲット部材とした。この様な加工体を６枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。分割ターゲットのクリアランスは０．４ｍｍとし、クリアランス部に０．２ｍｍ厚のテフロン（登録商標）シートを設置した。ロウ材厚みは０．５ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様であるが、テフロン（登録商標）棒の代わりにテフロン（登録商標）シートを挿入した。
【００４７】
スパッタリングを実施し、ターゲットの評価は、実施例１と同様に行った。平均移動度１３．１ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき２．８％、キャリア濃度７．２×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき２．８％という結果が得られた。
半導体材料の場合、移動度およびキャリア濃度により基板上の膜の特性を評価することができ、このように移動度およびキャリア濃度の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を作製し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８ｘ９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、輝度ムラは生じず、各画素が問題なく表示された。
【００４８】
（実施例４）
分割ターゲットの材料としてＩＧＺＯを用い、１２７ｍｍ×２３３．６ｍｍ×６ｍｍｔのサイズに切断して、ＩＧＺＯターゲット部材とした。この様な加工体を５枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。無酸素銅のバッキングプレート上には、予め分割対応部に０．７ｍｍ厚さのテフロン（登録商標）テープを貼り付けおいた。分割ターゲットのクリアランスは０．４ｍｍとし、図１に示すようにセットした。ロウ材厚みは１．０ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。
【００４９】
スパッタリングを実施し、ターゲットの評価は、実施例１と同様に行った。平均移動度１０．６ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき１．１％、キャリア濃度６．１ｘ１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき２．６％という結果が得られた。
半導体材料の場合、移動度およびキャリア濃度により基板上の膜の特性を評価することができ、このように移動度およびキャリア濃度の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を作製し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８ｘ９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、輝度ムラは生じず、各画素が問題なく表示された。
【００５０】
（実施例５）
分割ターゲットの材料としてＩＴＺＯを用い、２８２．５ｍｍ×２３０ｍｍｔのサイズに切断して、ＩＴＺＯターゲット部材とした。この様な加工体を６枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。無酸素銅のバッキングプレート上には、予め分割対応部に０．１ｍｍ厚さのカプトンテープを貼り付けおいた。分割ターゲットのクリアランスは０．３ｍｍとし、図１に示すようにセットした。ロウ材厚みは０．５ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。
【００５１】
スパッタリングを実施し、ターゲットの評価は、実施例１と同様に行った。平均移動度２５．２ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき２．８％、キャリア濃度８．３ｘ１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき３．３％という結果が得られた。
半導体材料の場合、移動度およびキャリア濃度により基板上の膜の特性を評価することができ、このように移動度およびキャリア濃度の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を作製し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８×９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、輝度ムラは生じず、各画素が問題なく表示された。
【００５２】
（実施例６）
分割ターゲットの材料としてＩＴＺＯを用い、２８２．５ｍｍ×２３０ｍｍ×５ｍｍｔのサイズに切断して、ＩＴＺＯターゲット部材とした。この様な加工体を６枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。分割ターゲットのクリアランスは０．２ｍｍとし、クリアランス部に０．５ｍｍ厚のテフロン（登録商標）シートを設置した。ロウ材厚みは０．７ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。
【００５３】
スパッタリングを実施し、ターゲットの評価は、実施例１と同様に行った。平均移動度２７．８ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき２．９％、キャリア濃度７．２ｘ１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき２．５％という結果が得られた。
半導体材料の場合、移動度およびキャリア濃度により基板上の膜の特性を評価することができ、このように移動度およびキャリア濃度の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を作製し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８ｘ９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、輝度ムラは生じず、各画素が問題なく表示された。
【００５４】
（実施例７）
分割ターゲットの材料としてＡＺＴＯを用い、１２７ｍｍ×２５４ｍｍ×６．３５ｍｍｔのサイズに切断して、ＡＺＴＯターゲット部材とした。この様な加工体を２枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。分割ターゲットのクリアランスは０．３ｍｍとし、クリアランス部に０．２ｍｍ厚のテフロン（登録商標）シートを設置した。ロウ材厚みは０．５ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。
【００５５】
スパッタリングを実施し、ターゲットの評価は、実施例１と同様に行った。平均移動度９．８ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき２．６％、キャリア濃度３．８×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき３．０％という結果が得られた。
半導体材料の場合、移動度およびキャリア濃度により基板上の膜の特性を評価することができ、このように移動度およびキャリア濃度の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を作製し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８ｘ９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、輝度ムラは生じず、各画素が問題なく表示された。
【００５６】
（実施例８）
分割ターゲットの材料としてＺｎＯを用い、１２７ｍｍ×２５４ｍｍ×６．３５ｍｍｔのサイズに切断して、ＺｎＯターゲット部材とした。この様な加工体を２枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。分割ターゲットのクリアランスは０．７ｍｍとし、クリアランス部に０．５ｍｍ厚のテフロンシートを設置した。ロウ材厚みは０．７ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。
【００５７】
スパッタリングを実施し、ターゲットの評価は、実施例１と同様に行った。平均移動度１３．６ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき２．４％、キャリア濃度２．７×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき２．３％という結果が得られた。半導体材料の場合、移動度およびキャリア濃度により基板上の膜の特性を評価することができ、このように移動度およびキャリア濃度の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を作製し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８×９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、輝度ムラは生じず、各画素が問題なく表示された。
【００５８】
（実施例９）
分割ターゲットの材料としてＩＧＺＯを用い、φ１３５ｉｄ×φ１５３ｏｄ×１９４．９ｍｍＬのサイズに切断して、円筒形状のＩＧＺＯターゲット部材とした。この様な加工体を７個の分割ターゲットとした。バッキングプレート（チューブ）には、チタンを使用した。チタンチューブ上には、予め分割対応部に０．１ｍｍ厚さのカプトンテープを貼り付けおいた。分割ターゲットのクリアランスは０．５ｍｍ、ロウ材厚みは１．０ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。
【００５９】
スパッタリングを実施し、ターゲットの評価は、実施例１と同様に行った。平均移動度８．８ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき０．８％、キャリア濃度５．４×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき１．９％という結果が得られた。
半導体材料の場合、移動度およびキャリア濃度により基板上の膜の特性を評価することができ、このように移動度およびキャリア濃度の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を作製し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８×９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、輝度ムラは生じず、各画素が問題なく表示された。
【００６０】
（実施例１０）
分割ターゲットの材料としてＩＴＺＯを用い、φ１３５ｉｄ×φ１５３ｏｄ×１９４．９ｍｍＬのサイズに切断して、円筒形状のＩＴＺＯターゲット部材とした。この様な加工体を７個の分割ターゲットとした。バッキングプレート（チューブ）には、チタンを使用した。チタンチューブ上には、予め分割対応部に０．４ｍｍ厚さのカプトンテープを貼り付けおいた。分割ターゲットのクリアランスは０．３ｍｍ、ロウ材厚みは１．０ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。
【００６１】
スパッタリングを実施し、ターゲットの評価は、実施例１と同様に行った。平均移動度２６．８ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき０．６％、キャリア濃度７．６×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき２．１％という結果が得られた。
半導体材料の場合、移動度およびキャリア濃度により基板上の膜の特性を評価することができ、このように移動度およびキャリア濃度の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を作製し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８ｘ９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、輝度ムラは生じず、各画素が問題なく表示された。
【００６２】
（実施例１１）
分割ターゲットの材料としてＩＧＺＯを用い、１２７ｍｍ×２５４ｍｍ×６．３５ｍｍｔのサイズに切断して、ＩＧＺＯターゲット部材とした。この様な加工体を２枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。無酸素銅のバッキングプレート上には、予め分割対応部に０．０４ｍｍ厚さのテフロン（登録商標）ライニング(コーティング)を施した。そこに分割ターゲットのクリアランスは０．３ｍｍとし、クリアランスがテフロン（登録商標）ライニング上に位置するように行った。ロウ材厚みは０．１ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。
【００６３】
スパッタリングを実施し、ターゲットの評価は、実施例１と同様に行った。平均移動度１０．３ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき１．５％、キャリア濃度６．２×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき２．５％という結果が得られた。
半導体材料の場合、移動度およびキャリア濃度により基板上の膜の特性を評価することができ、このように移動度およびキャリア濃度の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を作製し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８ｘ９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、輝度ムラは生じず、各画素が問題なく表示された。
【００６４】
（実施例１２）
分割ターゲットの材料としてＩＧＯを用い、２８２．５ｍｍ×２３０ｍｍ×５ｍｍｔのサイズに切断して、ＩＧＯターゲット部材とした。この様な加工体を６枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。無酸素銅のバッキングプレート上には、予め分割対応部に０．２ｍｍ厚さのテフロン（登録商標）シートを設置した。
そこに分割ターゲットのクリアランスを０．４ｍｍとし、クリアランスがテフロン（登録商標）シート上に位置するように行った。ロウ材厚みは０．７ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。
【００６５】
スパッタリングを実施し、ターゲットの評価は、実施例１と同様に行った。マイクロアークの発生回数は２０２回、平均移動度２２．５ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき２．１％、キャリア濃度８．５×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき３．７％という結果が得られた。
半導体材料の場合、移動度およびキャリア濃度により基板上の膜の特性を評価することができ、このように移動度およびキャリア濃度の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を作製し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８×９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、輝度ムラは生じず、各画素が問題なく表示された。
【００６６】
（比較例１）
分割ターゲットの材料としてＩＧＺＯを用い、２１０ｍｍ×３５５ｍｍ×６ｍｍｔのサイズに切断して、ＩＧＺＯターゲット部材とした。この様な加工体を６枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。分割ターゲットのクリアランスは０．４ｍｍとし、クリアランス部には充填又は貼り付け材等は一切設置しなかった。ロウ材厚みは０．７ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。構造的には、図２に示すようになる。
スパッタリングを実施し、ターゲットの評価は、実施例１と同様に行った。平均移動度８．２ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき６．３％、キャリア濃度４．８×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき７．６％という結果が得られた。
【００６７】
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を使用し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８×９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、クリアランス対向部で画素が点灯されず、パネルにはスジ状の色むらが表示された。
【００６８】
（比較例２）
分割ターゲットの材料としてＩＧＺＯを用い、２００ｍｍ×４６０ｍｍ×５ｍｍｔのサイズに切断して、ＩＧＺＯターゲット部材とした。この様な加工体を５枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。分割ターゲットのクリアランスは０．４ｍｍとし、クリアランス部にはφ２ｍｍのＴｉ棒を挿入した。ロウ材厚みは０．７ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。構造的には、図３に示すようになる。
【００６９】
スパッタリングを実施し、ターゲットの評価は、実施例１と同様に行った。平均移動度１０．５ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき７．２％、キャリア濃度４．９×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき８．０％という結果が得られた。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を使用し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８ｘ９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、クリアランス対向部で画素が点灯されず、パネルにはスジ状の色むらが表示された。
【００７０】
（比較例３）
分割ターゲットの材料としてＩＧＺＯを用い、２１０ｍｍ×３５５ｍｍ×６ｍｍｔのサイズに切断して、ＩＧＺＯターゲット部材とした。この様な加工体を６枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。分割ターゲットのクリアランスは０．４ｍｍとし、クリアランス部にはロウ材であるＩｎを残存させた。ロウ材厚みは０．７ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。構造的には、図４に示すようになる。
【００７１】
平均移動度１０．８ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき６．１％、キャリア濃度５．７×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき８．５％という結果が得られた。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を使用し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８ｘ９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、クリアランス対向部で画素が点灯されず、パネルにはスジ状の色むらが表示された。
【００７２】
（比較例４）
分割ターゲットの材料としてＩＴＺＯを用い、１２７ｍｍ×２５４ｍｍ×６．３５ｍｍｔのサイズに切断して、ＩＴＺＯターゲット部材とした。この様な加工体を２枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。分割ターゲットのクリアランスは０．３ｍｍとし、クリアランス部には一切他の物質を存在させなかった。ロウ材厚みは０．５ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。構造的には、図２に示すようになる。
【００７３】
平均移動度２４．９ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき５．８％、キャリア濃度７．７×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき８．４％という結果が得られた。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を使用し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８ｘ９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、クリアランス対向部で画素が点灯されず、パネルにはスジ状の色むらが表示された。
【００７４】
（比較例５）
分割ターゲットの材料としてＡＺＴＯを用い、１２７ｍｍ×２５４ｍｍ×６．３５ｍｍｔのサイズに切断して、ＡＺＴＯターゲット部材とした。この様な加工体を２枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。分割ターゲットのクリアランスは０．４ｍｍとし、クリアランス部には一切他の物質を存在させなかった。ロウ材厚みは０．５ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。構造的には、図２に示すようになる。
【００７５】
マイクロアークの発生回数は１９８回、平均移動度８．９ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき７．４％、キャリア濃度４．４×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき７．９％という結果が得られた。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を使用し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８ｘ９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、クリアランス対向部で画素が点灯されず、パネルにはスジ状の色むらが表示された。
【００７６】
（比較例６）
分割ターゲットの材料としてＺｎＯを用い、１２７ｍｍ×２５４ｍｍ×６．３５ｍｍｔのサイズに切断して、ＺｎＯターゲット部材とした。この様な加工体を２枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。分割ターゲットのクリアランスは０．４ｍｍとし、クリアランス部には一切他の物質を存在させなかった。ロウ材厚みは０．５ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。構造的には、図２に示すようになる。
【００７７】
平均移動度１２．３ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき１２．８％、キャリア濃度４．３×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき１０．６％という結果が得られた。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を使用し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８×９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、クリアランス対向部で画素が点灯されず、パネルにはスジ状の色むらが表示された。
【００７８】
（比較例７）
分割ターゲットの材料としてＩＧＯを用い、１２７ｍｍ×２５４ｍｍ×６．３５ｍｍｔのサイズに切断して、ＩＧＯターゲット部材とした。この様な加工体を２枚の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、無酸素銅を使用した。
分割ターゲットのクリアランスは０．４ｍｍとし、クリアランス部には一切他の物質を存在させなかった。ロウ材厚みは０．５ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。構造的には、図２に示すようになる。
【００７９】
平均移動度２１．３ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき６．４％、キャリア濃度８．２×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき７．２％という結果が得られた。
本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を使用し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８ｘ９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、クリアランス対向部で画素が点灯されず、パネルにはスジ状の色むらが表示された。
【００８０】
（比較例８）
分割ターゲットの材料としてＩＧＺＯを用い、φ１３５ｉｄ×φ１５３ｏｄ×１９４．９ｍｍＬのサイズに切断して、円筒形状のＩＧＺＯターゲット部材とした。この様な加工体を７個の分割ターゲットとした。バッキングプレートには、チタンを使用した。分割ターゲットのクリアランスは０．４ｍｍとし、クリアランス部には一切他の物質を存在させなかった。他の製造条件は、実施例１と同様である。構造的には、図２に示すようになる。ロウ材厚みは１．０ｍｍとし、他の製造条件は、実施例１と同様である。
【００８１】
平均移動度１２．０ｃｍ２／Ｖｓ、移動度のばらつき５．８％、キャリア濃度７．１×１０１７・ｃｍ３、キャリア濃度のばらつき８．１％という結果が得られた。本材料を使用して膜厚３０ｎｍのＴＦＴ素子を作製し、クリアランス部も含むようにＴＦＴ素子を使用し、３インチの対角で有機ＥＬパネル（解像度１２８ｘ９６）を作製した。この有機ＥＬパネルを点灯したところ、クリアランス対向部で画素が点灯されず、パネルにはスジ状の色むらが表示された。
【００８２】
上記の実施例、比較例から明らかなように、複数の分割ターゲットをバッキングプレート上に配列し、該バッキングプレートに接合して構成されるスパッタリングターゲットとし、配列したＩＴＯ分割ターゲット間のクリアランス部底部に有機材料のテープ、シート又は有機材料の管若しくは棒状体から選択された１の物質を被覆又は充填する構造とすることは極めて重要である。
これによって、クリアランス部分に対向した基板上に形成される膜の特性が他の部分の膜の特性と差異がない、すなわち膜特性の均一性の高い膜が得ることができる。またバッキングプレート(チューブ)からの金属不純物混入も防ぐ事ができ、膜特性が安定する。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明のスパッタリングターゲットは、分割ターゲットのスパッタ時において、クリアランス部分に対向した基板上に形成される膜の特性が他の部分の膜の特性と差異がない、すなわち膜特性の均一性の高い膜が得られるスパッタリングターゲットを提供することができ、成膜の歩留まりを向上させ、製品の品質を高めることができるという大きな利点を有し、分割ターゲット部に起因する不純物混入抑制による不良率を低減することができる大型のスパッタリングターゲットを提供することができるので、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲットとして有用である。
【図１】
2013185160.tif 000004
【図２】
2013185160.tif 000005
【図３】
2013185160.tif 000006
【図４】
2013185160.tif 000007