(57)【要約】【課題】寸法精度良くダイシングすることができるモジュール部品の製造方法、モジュール部品の製造装置及びモジュール部品集合体を提供する。【解決手段】モジュール部品の製造方法は、回路基板の第一の面に複数の電子部品及び樹脂層が配置されたモジュール部品集合体の加工工程Ｓ０１と、前記モジュール部品集合体を加熱する加熱工程Ｓ０２と、前記加熱された前記モジュール部品集合体をダイシングするダイシング工程Ｓ０６とを備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の第一の面に複数の電子部品及び樹脂層が配置されたモジュール部品集合体の加工工程と、
前記モジュール部品集合体を加熱する加熱工程と、
前記加熱された前記モジュール部品集合体をダイシングするダイシング工程とを備えることを特徴とするモジュール部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のモジュール部品の製造方法において、
前記加熱工程は、前記樹脂層を構成する樹脂のガラス転移点以上に、前記樹脂層を加熱することを特徴とするモジュール部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のモジュール部品の製造方法において、
前記樹脂層は、複数の樹脂から構成されることを特徴とするモジュール部品の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のモジュール部品の製造方法において、
前記加熱工程は、前記複数の樹脂のうち少なくとも一の樹脂のガラス転移点以上に、前記樹脂層を加熱することを特徴とするモジュール部品の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のモジュール部品の製造方法に用いるモジュール部品の製造装置であって、
前記ダイシングする前記モジュール部品集合体を載置するダイシングステージを備え、
前記ダイシングステージは、前記モジュール部品集合体を加熱する第一の加熱機構と、前記モジュール部品集合体を該ダイシングステージに固定する第一の固定機構とを有することを特徴とするモジュール部品の製造装置。
【請求項６】
請求項５に記載のモジュール部品の製造装置であって、
前記ダイシングステージに載置する前段階の前記モジュール部品集合体を予め加熱する予備加熱ステージと、
前記ダイシングステージ及び前記予備加熱ステージへ前記モジュール部品集合体を搬送する搬送ユニットとを備え、
前記予備加熱ステージは、前記モジュール部品集合体を加熱する第二の加熱機構と、前記モジュール部品集合体を該予備加熱ステージに固定する第二の固定機構とを有し、
前記搬送ユニットは、前記モジュール部品集合体を該搬送ユニットに固定する第三の固定機構を有することを特徴とするモジュール部品の製造装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のモジュール部品の製造方法に用いるモジュール部品集合体であって、
前記樹脂の前記ガラス転移点が６０度以下であることを特徴とするモジュール部品集合体。
【請求項８】
請求項４に記載のモジュール部品の製造方法に用いるモジュール部品集合体であって、
前記少なくとも一の樹脂の前記ガラス転移点が６０度以下であることを特徴とするモジュール部品集合体。
【請求項９】
請求項４に記載のモジュール部品の製造方法に用いるモジュール部品であって、
前記樹脂層は絶縁性樹脂と導電性樹脂とを備えることを特徴とするモジュール部品集合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モジュール部品の製造方法、モジュール部品の製造装置及びモジュール部品集合体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器や通信機器等の分野では、機器内部に用いられるモジュール電子部品の小型化・薄型化・高密度実装化が求められている。そこで、モジュール部品として、基板上に電子部品を実装し、該電子部品を包含するように樹脂層が被覆されたシールド構造が採用されている。これにより、回路特性の安定化又は誤作動の防止等が図られ、外部からのノイズを遮蔽するとともに、内部から発生するノイズを外部へ漏らさない効果を得ることができる。
【０００３】
ここで、モジュール部品の製造方法として、基板の上に電子部品を実装し、その上に絶縁性樹脂からなる封止樹脂層を積層して、該封止樹脂層に溝を形成するようにハーフカットする。そして、該溝及び封止樹脂層を被覆するように導電性樹脂を積層したものをモジュール単位に切断する方法が採用されている（下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８―２８８６１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述のモジュール部品の製造方法では、基板と絶縁性樹脂との熱膨張率等の違いにより、基板と封止樹脂層とが一体となった段階で反りが生じることが多かった。よって、反りの生じた部材をダイシングステージに載置してハーフカットする場合には、該部材をダイシングステージ上に確実に固定することが困難であり、その結果寸法精度良くダイシングすることが困難であるという問題点があった。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、寸法精度良くダイシングすることができるモジュール部品の製造方法、モジュール部品の製造装置及びモジュール部品集合体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用している。
すなわち、本発明に係るモジュール部品の製造方法は、回路基板の第一の面に複数の電子部品及び樹脂層が配置されたモジュール部品集合体の加工工程と、前記モジュール部品集合体を加熱する加熱工程と、前記加熱された前記モジュール部品集合体をダイシングするダイシング工程とを備えることを特徴とする。
【０００８】
このようなモジュール部品の製造方法では、モジュール部品集合体を加熱することで軟らかくすることができる。よって、この状態のモジュール部品集合体をダイシングステージに則った形状としてダイシングステージに確実に固定することができるため、寸法精度良くダイシングすることができる。
【０００９】
また、本発明に係るモジュール部品の製造方法は、前記加熱工程は、前記樹脂層を構成する樹脂のガラス転移点以上に、前記樹脂層を加熱することを特徴とする。
【００１０】
このようなモジュール部品の製造方法では、モジュール部品集合体を構成する樹脂をガラス転移点以上に加熱することで確実に軟らかくすることができる。よって、この状態のモジュール部品集合体をダイシングステージに則った形状としてより確実にダイシングステージに固定することができるため、より寸法精度良くダイシングすることができる。
【００１１】
また、本発明に係るモジュール部品の製造方法は、前記樹脂層は、複数の樹脂から構成されていてもよい。
【００１２】
このようなモジュール部品の製造方法では、モジュール部品集合体が複数の樹脂から構成されていても、モジュール部品集合体を加熱することで確実に軟らかくすることができるため、確実に寸法精度良くダイシングすることができる。
【００１３】
また、本発明に係るモジュール部品の製造方法は、前記加熱工程は、前記複数の樹脂のうち少なくとも一の樹脂のガラス転移点以上に、前記樹脂層を加熱することを特徴とする。
【００１４】
このようなモジュール部品の製造方法では、複数の樹脂から構成されるモジュール部品集合体の少なくとも一の樹脂をガラス転移点以上に加熱することで軟らかくすることができるため、確実に寸法精度良くダイシングすることができる。
【００１５】
また、本発明に係るモジュール部品の製造装置は、前記ダイシングする前記モジュール部品集合体を載置するダイシングステージを備え、前記ダイシングステージは、前記モジュール部品集合体を加熱する第一の加熱機構と、前記モジュール部品集合体を該ダイシングステージに固定する第一の固定機構とを有することを特徴とする。
【００１６】
このようなモジュール部品の製造装置では、ダイシングステージの第一の加熱機構によりモジュール部品集合体を加熱して軟らかくし、第一の固定機構により該モジュール部品集合体をダイシングステージに固定することができる。よって、モジュール部品集合体は、軟らかくなりダイシングステージに則った状態で固定されるため、寸法精度良くダイシングすることができる。
【００１７】
また、本発明に係るモジュール部品の製造装置は、前記ダイシングステージに載置する前段階の前記モジュール部品集合体を予め加熱する予備加熱ステージと、前記ダイシングステージ及び前記予備加熱ステージへ前記モジュール部品集合体を搬送する搬送ユニットとを備え、前記予備加熱ステージは、前記モジュール部品集合体を加熱する第二の加熱機構と、前記モジュール部品集合体を該予備加熱ステージに固定する第二の固定機構とを有し、前記搬送ユニットは、前記モジュール部品集合体を該搬送ユニットに固定する第三の固定機構を有することを特徴とする。
【００１８】
このようなモジュール部品の製造装置では、予備加熱ステージの第二の加熱機構によりモジュール部品集合体を予め加熱して軟らかくし、第二の固定機構により該モジュール部品集合体を予備加熱ステージに固定することができる。そして、搬送ユニットでは、第三の固定機構により該モジュール部品集合体を搬送ユニットに固定することができる。一方、ダイシングステージでは、先に予備加熱ステージから搬送ユニットで搬送されたモジュール部品集合体をダイシングすることができる。よって、順次モジュール部品集合体を製造することができるため、効率的な製造が可能となる。
【００１９】
また、本発明に係るモジュール部品集合体は、前記樹脂の前記ガラス転移点が６０度以下であることを特徴とする。
【００２０】
このようなモジュール部品集合体では、モジュール部品集合体を構成する樹脂を６０度以下に加熱すれば軟らかくなり、ダイシングすることができる。よって、加熱によるダイシングステージ等の装置への影響をおさえることができる。
【００２１】
また、本発明に係るモジュール部品集合体は、前記少なくとも一の樹脂の前記ガラス転移点が６０度以下であることを特徴とする。
【００２２】
このようなモジュール部品集合体では、モジュール部品集合体を構成する複数の樹脂のうち少なくとも一の樹脂を６０度以下に加熱すれば軟らかくなり、ダイシングすることができる。よって、加熱によるダイシングステージ等の装置への影響をおさえることができる。
【００２３】
また、本発明に係るモジュール部品集合体は、前記樹脂層は絶縁性樹脂と導電性樹脂とを備えることを特徴とする。
【００２４】
このようなモジュール部品集合体では、絶縁性樹脂と導電性樹脂を加熱し軟らかくなった状態でダイシングすることができるため、確実に寸法精度良くダイシングされる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係るモジュール部品の製造方法、モジュール部品の製造装置及びモジュール部品集合体によれば、寸法精度良くダイシングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第一実施形態に係るモジュール部品の製造方法のフローチャートである。
【図２】本発明の第一実施形態に係るモジュール部品の製造方法の（ａ）加工工程、（ｂ）加熱工程、（ｃ）ハーフダイシング工程、（ｄ）冷却工程、（ｅ）導電性樹脂層形成工程、（ｆ）ダイシング工程を示す縦断面図である。
【図３】本発明の第三実施形態に係るモジュール部品の製造方法のフローチャートである。
【図４】本発明の第三実施形態に係るモジュール部品の製造方法の（ａ）導電性樹脂層形成工程、（ｂ）加熱工程、（ｃ）ダイシング工程を示す縦断面図である。
【図５】本発明の第四実施形態に係るモジュール部品の製造装置の（ａ）予備加熱ステージで加熱、（ｂ）搬送ユニットで搬送、（ｃ）ダイシングステージでハーフダイシングする様子を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
（第一実施形態）
以下、本発明の第一実施形態に係るモジュール部品１の製造方法及びモジュール部品集合体２について、図面を参照して説明する。
図１に示すように、本実施形態に係るモジュール部品１の製造方法は、加工工程Ｓ０１と、加熱工程Ｓ０２と、ハーフダイシング工程Ｓ０３と、冷却工程Ｓ０４と、導電性樹脂層形成工程Ｓ０５と、ダイシング工程Ｓ０６とを備える。
【００２８】
まず、図２（ａ）に示すように、加工工程Ｓ０１においては、回路基板１１の第一の面１１１に電子部品２１を実装し、該第一の面１１１及び電子部品２１を覆うように樹脂層３１を配置するモジュール部品集合体２を加工する。
回路基板１１は、例えば図示しない複数の１０ｍｍ四方の回路基板部材が８×７のマトリクス状に配置された集合基板である。
電子部品２１は、例えばＣＳＰや１００５部品等の部品である。
樹脂層３１は、本実施形態では絶縁性樹脂であり、ガラス転移点が６０度以下の絶縁性樹脂が適用される。
ここで、モジュール部品集合体２は、回路基板１１と樹脂層３１を構成する絶縁性樹脂との熱膨張係数の差異により、樹脂層３１側に反りが生じた状態となっている。
【００２９】
図２（ｂ）に示すように、加熱工程Ｓ０２においては、モジュール部品集合体２を、樹脂層３１を構成する絶縁性樹脂のガラス転移点である６０度以上に加熱し、ダイシングステージ６１に固定する。
ダイシングステージ６１は、例えば該表面に図示しない吸引孔が設けられ負圧吸引することにより、モジュール部品集合体２をダイシングステージ６１に吸着固定する。
ここで、モジュール部品集合体２は、６０度以上に加熱されることにより、弾性率が低下し、軟らかい状態になる。よって、ダイシングステージ６１の表面に則った形状、即ち回路基板１１側及び樹脂層３１側ともに平滑な面となって、ダイシングステージ６１に固定された状態が維持される。
【００３０】
図２（ｃ）に示すように、ハーフダイシング工程Ｓ０３においては、モジュール部品集合体２をモジュール部品１単位になるように、樹脂層３１及び回路基板１１にハーフダイシング溝部４１を加工する。また、ハーフダイシング工程Ｓ０３においても、加熱工程Ｓ０２の加熱状態が維持されている。
ここで、ハーフダイシング溝部４１は、樹脂層３１の表面側から回路基板１１の裏面方向に向かって形成された溝である。
また、回路基板１１をハーフダイシングすることで、回路基板１１の各内層に配置されたグランドパターン（不図示）の断面がハーフダイシング溝部４１に露出した状態となる。
なお、ハーフダイシング溝部４１を加工する方法としては、乾式や湿式のダイシング方法を適用することができる。湿式を適用する場合には、加熱温度の低下を防止するために温水を用いてもよい。
【００３１】
図２（ｄ）に示すように、冷却工程Ｓ０４においては、モジュール部品集合体２をダイシングステージ６１から取り外し、常温で自然冷却させる。
ここで、樹脂層３１は、ハーフダイシング工程Ｓ０３でモジュール単位に区切られた状態であるため、加工工程Ｓ０１で生じた反りは低減している。
【００３２】
図２（ｅ）に示すように、導電性樹脂層形成工程Ｓ０５においては、導電性樹脂をハーフダイシング溝４１に充填するとともに、樹脂層３１の表面に積層して導電性樹脂層４６を形成する。
導電性樹脂層４６の形成方法としては、ペースト状の導電性樹脂を真空印刷法やディスペンス法にて供給し、加熱炉等で熱硬化する方法を適用することができる。また、フィルム状に成形された半硬化状の導電性樹脂を真空ラミネート法等により供給し、熱硬化する方法も適用することができる。
【００３３】
図２（ｆ）に示すように、ダイシング工程Ｓ０６においては、回路基板１１の第二の面１１２にはんだバンプ５１を形成し、モジュール部品集合体２の端部に導電性樹脂層４６が露出するようにハーフダイシング溝４１Ｙをダイシングしてモジュール部品１を製造する。
はんだバンプ５１は、メインボード（不図示）へ接続用であり、錫を主成分とするＳｎ３．５Ａｇ０．５Ｃｕである。
はんだバンプ５１の形成方法としては、図示しないがペースト状のはんだ材を印刷法にて任意の位置に供給し、リフロー加熱することで形成することができる。その他に、回路基板１１の任意の位置にフラックスを印刷法又は転写法にて供給し、はんだボールを搭載し、リフロー加熱する方法を採ることもできる。また、必要に応じて、はんだバンプ５１の形成時に付着したフラックスの洗浄を実施してもよい。
【００３４】
このように構成されたモジュール部品１の製造方法では、ガラス転移点以上に加熱されたモジュール部品集合体２は軟らかくなるため、ダイシングステージ６１に固定すると、ダイシングステージ６１の表面に則った平滑な形状になり反りが確実に低減する。よって、この状態で冷却固化したモジュール部品集合体２は、寸法精度良くダイシングすることができる。
また、モジュール部品集合体２を軟らかくするために加熱する温度は６０度以上でよいため、ダイシングステージ６１やダイシングブレード等の装置への加熱による負荷や影響をおさえることができる。
【００３５】
なお、本実施形態では、加熱工程Ｓ０２にて、ガラス転移点以上に加熱しているが、温度のばらつきを考慮して、ガラス転移点よりも確実に高い温度まで加熱してもよい。
あるいは、樹脂層３１の反りを低減できる温度まで加熱することとしてもよい。
【００３６】
また、本実施形態では、ダイシング工程Ｓ０６にて、回路基板１１にはんだバンプ５１を形成した後に、ハーフダイシング溝部４１をダイシングしているが、順番を逆にして、ハーフダイシング溝部４１をダイシングした後に、回路基板１１にはんだバンプ５１を形成するとしてもよい。
さらに、はんだバンプ５１を形成せずに、平面電極パッドを格子状に配列させたＬＧＡのモジュール部品形態としてもよい。
【００３７】
（第一実施形態の変形例）
第一実施形態の変形例として、樹脂層３１が複数の種類の樹脂から構成されるものとしてもよい（不図示）。例えば、樹脂層３１は、回路基板１１の第一の面１１１に積層された第一樹脂層（不図示）と、該第一樹脂層に積層された第二樹脂層（不図示）とを備え、第一樹脂層及び第二樹脂層が電子部品を覆う構成とする。
【００３８】
このように構成されたモジュール部品集合体２では、該モジュール部品集合体２の反りに起因している方の樹脂層をガラス転移点以上に加熱することにより、モジュール部品集合体２を確実に軟らかくすることができ、反りを修正することができる。よって、寸法精度良くダイシングすることができる。
【００３９】
また、第一樹脂層又は第二樹脂層の一方を絶縁性樹脂とし、他方を導電性趣旨層としてもよい。
この場合は、導電性樹脂層形成工程Ｓ０５を省略することができるため、工数が削減され、手間が少なくなる。
【００４０】
また、第一樹脂層として回路基板１１に対する密着性の高い樹脂を選択すれば、第一樹脂層は回路基板１１に確実に接着し、モジュール部品集合体２は安定性を得ることができる。
また、第二樹脂層として外部からの押圧力に抗する力が強い樹脂を選択すれば、モジュール部品集合体２は外力に対して確実に抗する。
【００４１】
なお、上記では樹脂層３１として、二種類の樹脂から構成される例を挙げたが、二種類に限られず三種類以上であってもよい。
この場合は、三種類以上の樹脂のうち、モジュール部品集合体２Ｘの反りに一番大きく起因している樹脂のガラス転移点以上に加熱することが、反りを低減させるとともに寸法精度良くダイシングする上では効果的である。
また、樹脂層３１を構成するそれぞれの樹脂層の特性を効果的に発揮することができる。
【００４２】
（第二実施形態）
以下、本発明の第二実施形態に係るモジュール部品１Ｙの製造方法及びモジュール部品集合体２Ｙについて説明する。
この実施形態において、前述した実施形態で用いた部材と共通の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００４３】
第一実施形態においては、加熱工程Ｓ０２は加工工程Ｓ０１の後に設けられているのに対し、本実施形態では、図３に示すように、加熱工程Ｓ１４は導電性樹脂形成工程Ｓ１３の後に設けられている。
【００４４】
本実施形態では、まず、加工工程Ｓ１１の後に実施したハーフダイシング工程Ｓ１２において、モジュール部品集合体２Ｙにハーフダイシング溝４１Ｙを加工する。そして、図４（ａ）に示すように、導電性樹脂形成工程Ｓ１３において、導電性樹脂をハーフダイシング溝４１Ｙに充填するとともに、樹脂層３１Ｙの表面に積層して導電性樹脂層４６Ｙを形成する。
【００４５】
図４（ｂ）に示すように、加熱工程Ｓ１４においては、モジュール部品集合体２Ｙを導電性樹脂層４６Ｙを構成する導電性樹脂のガラス転移点以上に加熱する。
ここで、導電性樹脂は、ガラス転移点以上に加熱されることにより、弾性率が低下し、軟らかい状態になる。よって、ダイシングステージ６１（不図示）の表面に則った形状、即ち回路基板１１側及び導電性樹脂層４６Ｙ側ともに平滑な面となって、ダイシングステージ６１に固定された状態が維持される。
【００４６】
図４（ｃ）に示すように、ダイシング工程Ｓ１５においては、端部に導電性樹脂層４６Ｙが露出するようにハーフダイシング溝４１Ｙをダイシングしてモジュール部品１Ｙを製造する。
【００４７】
このように構成されたモジュール部品１Ｙの製造方法では、加熱されたモジュール部品集合体２Ｙは、樹脂層３１Ｙ及び導電性樹脂層４６Ｙともに軟らかくなるため、反りが確実に低減する。よって、この状態で、モジュール部品集合体２Ｙを寸法精度良くダイシングすることができる。
また、導電性樹脂として、絶縁性樹脂と同様にガラス転移点が比較的低い６０度の樹脂を使用することで、加熱工程Ｓ１４における加熱温度を低くすることができる。これにより、ダイシングステージ６１やダイシングプレート等を含むダイシング装置への加熱による負荷や影響をおさえることができる。
【００４８】
（第三実施形態）
以下、本発明の第三実施形態に係るモジュール部品の製造装置３について説明する。
この実施形態において、前述した実施形態で用いた部材と共通の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００４９】
図５（ａ）乃至（ｃ）に示すように、本実施形態に係るモジュール部品の製造装置３は、モジュール部品集合体２Ａ、２Ｂを載置するダイシングステージ６１と、モジュール部品集合体２Ａ、２Ｂを予め加熱する予備加熱ステージ７１と、ダイシングステージ６１へモジュール部品集合体２Ａ、２Ｂを搬送する搬送ユニット８１とを備える。
【００５０】
ダイシングステージ６１は、モジュール部品集合体２Ａ、２Ｂを加熱する第一の加熱機構１６１と、モジュール部品集合体２Ａ、２Ｂをダイシングステージ６１に固定する第一の固定機構１６２とを備える。
第一の加熱機構１６１は、モジュール部品集合体２Ａ、２Ｂを絶縁性樹脂のガラス転移点以上に加熱する。
第一の固定機構１６２は、モジュール部品集合体２Ａ、２Ｂをダイシングステージ６１に吸着固定する。
【００５１】
予備加熱ステージ７１は、ダイシングステージ６１に載置する前段階のモジュール部品集合体２Ａ、２Ｂを加熱する第二の加熱機構１７１と、モジュール部品集合体２Ａ、２Ｂを予備加熱ステージ７１に固定する第二の固定機構１７２とを備える。
第二の加熱機構１７１は、モジュール部品集合体２Ａ、２Ｂを予め絶縁性樹脂のガラス転移点以上に加熱する。
第二の固定機構１７２は、モジュール部品集合体２Ａ、２Ｂを予備加熱ステージ７１に吸着固定する。
【００５２】
搬送ユニット８１は、予備加熱ステージ７１から搬送されたモジュール部品集合体２Ａ、２Ｂを加熱する第三の加熱機構１８１と、モジュール部品集合体２Ａ、２Ｂを搬送ユニット８１に固定する第三の固定機構１８２とを備える。
第三の加熱機構１８１は、予備加熱ステージ７１で加熱されたモジュール部品集合体２Ａ、２Ｂを温度低下させることなく搬送できるように加熱する。
第三の固定機構１８２は、モジュール部品集合体２Ａ、２Ｂを搬送ユニット８１に吸着固定するとともに、樹脂層３１Ａ、３１Ｂの上部から押さえ込み、反りを低減させる。
なお、搬送時間が短い場合は、温度低下が少ないため搬送ユニット８１の第三の加熱機構１８１を省略してもよい。
【００５３】
次に、モジュール部品の製造装置３を用いた製造方法について説明する。
図５（ａ）に示すように、ダイシングステージ６１の第一の加熱機構１６１はモジュール部品集合体２Ａを絶縁性樹脂のガラス転移点以上に加熱し、例えばダイシングブレード６２等でハーフダイシングする。
このとき、次のモジュール部品集合体２Ｂは、第二の加熱機構１７１によって絶縁性樹脂のガラス転移点以上に加熱された予備加熱ステージ７１上に、図示しないに搬入ユニットによって任意の位置に搬入される。そして、第三の加熱機構１８１によってガラス転移点以上に加熱された搬送ユニット８１がモジュール部品集合体２Ｂを上部より押さえ込み、この状態で第二の固定機構１８２によってモジュール部品集合体２Ｂは予備加熱ステージ７１上に固定される。その後、搬送ユニット８１は一次退避する。
【００５４】
次に、図５（ｂ）に示すように、ダイシングステージ６１では、ハーフダイシングされたモジュール部品集合体２Ａが搬出される。そして、搬送ユニット８１は、モジュール部品集合体２Ｂを予備加熱ステージ７１からダイシングステージ６１に搬送する。ここで、ダイシングステージ６１の第一の加熱機構１６１はモジュール部品集合体２Ｂを加熱し、第一の固定機構１６２はモジュール部品集合体２Ｂをダイシングステージ６１に吸着固定する。そして、図５（ｃ）に示すように、モジュール部品集合体２Ｂを例えばダイシングブレード６２等でハーフダイシングする。
【００５５】
このようにして、ダイシングステージ６１が先のモジュール部品集合体２Ａを加熱、固定又はハーフダイシングする間に、予備加熱ステージ７１が次のモジュール部品集合体２Ｂを加熱若しくは固定し、又は搬送ユニット８１が次のモジュール部品集合体２Ｂを加熱若しくは固定する。
【００５６】
このように構成されたモジュール部品の製造装置３では、ダイシングステージ６１に搬送された段階で、モジュール部品集合体２Ａ、２Ｂは既に樹脂層３１Ａ、３１Ｂのガラス転移点以上に加熱されている。よって、搬送後に速やかにハーフダイシングすることができるため、加熱時間を短縮できることから生産性を向上させることができるとともに、工期を短縮することができる。
また、ダイシングステージ６１、予備加熱ステージ７１及び搬送ユニット８１に加熱機構１６１、１７１、１８１及び固定機構１６２、１７２、１８２が搭載されているため、確実にガラス転移点以上に加熱した状態を維持することができるととともに、吸着固定することで確実に反りを低減することができる。よって、寸法精度良くハーフダイシングすることができる。
【００５７】
なお、上述した実施の形態において示した組立手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１、1Ｘ、１Ｙ…モジュール部品
２、２Ａ、２Ｂ、２Ｘ、２Ｙ…モジュール部品集合体
３…モジュール部品の製造装置
１１…回転基板
２１…電子部品
３１、３１Ａ、３１Ｘ、３１Ｙ…樹脂層
４１…ハーフダイシング溝部
５１…はんだパンプ
６１…ダイシングステージ
７１…予備加熱ステージ
８１…搬送ユニット
１１１・・・第一の面
【図１】
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【図２】
2013041999.tif 000004
【図３】
2013041999.tif 000005
【図４】
2013041999.tif 000006
【図５】
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