(57)【要約】【課題】複数の種類のＲＩを効率よく製造できる放射性同位元素製造装置を提供すること。【解決手段】荷電粒子線が通過する荷電粒子線通路２００中に、荷電粒子線のエネルギーを減衰させる減衰部１０を設ける。また、この減衰部１０において、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を変更可能とする。そして、減衰部１０において、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を所望のＲＩの種類に合わせて変更することにより、ターゲットＬに照射する荷電粒子線のエネルギーをＲＩの種類毎に適した値に調節する。【選択図】図２
2013238515.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットに荷電粒子線を照射することにより放射性同位元素を製造する放射性同位元素製造装置であって、
前記ターゲットを収容するためのターゲット収容部と、
前記ターゲット収容部に向かう前記荷電粒子線を通過させる荷電粒子線通路と、
前記荷電粒子線通路中に配置され、前記荷電粒子線が透過する際に当該荷電粒子線のエネルギーを減衰させる減衰部と、を備え、
前記減衰部は、前記荷電粒子線の前記エネルギーの減衰量を変更可能とされている、
放射性同位元素製造装置。
【請求項２】
前記減衰部は、所定の中心軸線を中心に回動可能とされており、前記荷電粒子線を透過させる位置を回動により変えることで、前記荷電粒子線の前記エネルギーの減衰量を変更可能とされている、
請求項１に記載の放射性同位元素製造装置。
【請求項３】
前記減衰部は、前記荷電粒子線を透過させて減衰させる減衰材と、前記減衰材を支持するための筒状の支持部材と、を有しており、
前記支持部材は、前記荷電粒子線の照射軸と直交する軸線を中心に回動可能とされており、
前記支持部材の側壁には、前記軸線を介して対向し前記支持部材の回動により前記荷電粒子線を通過させる位置に配置可能な一対の貫通孔が複数組設けられており、
前記減衰材は、前記一対の貫通孔の一方を塞ぐように、前記支持部材に取り付けられている、
請求項２に記載の放射性同位元素製造装置。
【請求項４】
前記荷電粒子線通路中に配置され、前記荷電粒子線を出射する加速器側の空間を真空に保つためのフォイルを備え、
前記荷電粒子線通路において、前記ターゲット収容部側には、前記フォイルを冷却するための気体が供給される空間が形成されており、
前記減衰部は、前記空間内に配置されている、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射性同位元素製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射性同位元素製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポジトロン断層撮影（ＰＥＴ；Positron Emission Tomography）では、放射性同位元素（ＲＩ）で標識された検査用薬剤が使用される。このＲＩを製造するための放射性同位元素製造装置に関するものとして、例えば、特許文献１には、放射性同位元素製造のためのターゲット装置が記載されている。このターゲット装置では、一端が有底とされた円筒状の金属部材の空洞にターゲット（被照射物）を収容し、金属部材の他端をハーバーフォイルにより封止する。そして、ハーバーフォイルを介して放射線（例えば、陽子線や重陽子線等の粒子線）をターゲットに照射することにより、ＲＩを製造している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００７−５２３３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＰＥＴに使用するＲＩには複数の種類があり、患者や用途等に合わせて適宜選択される。従って、ＲＩの製造においては、複数の種類のＲＩを効率よく製造できる技術の開発が望まれている。
【０００５】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、複数の種類のＲＩを効率よく製造できる放射性同位元素製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
ここで、複数の種類のＲＩを製造するには、例えばＲＩの原料となるターゲットの材質を変更する場合がある。この際、収集できるＲＩの量は、ターゲットに照射される荷電粒子線のエネルギーや電流値等により変化し、効率よくＲＩを製造できる荷電粒子線のエネルギーの最適値は、ターゲットの材質によって異なる。そこで、本発明者は、複数の種類のＲＩを効率よく製造すべく、ターゲットに照射する荷電粒子線のエネルギーを所望のＲＩの種類に合わせて変えるという着想を得るに至った。
【０００７】
このような着想に基づく本発明に係る放射性同位元素製造装置は、ターゲットに荷電粒子線を照射することにより放射性同位元素を製造する放射性同位元素製造装置であって、ターゲットを収容するためのターゲット収容部と、ターゲット収容部に向かう荷電粒子線を通過させる荷電粒子線通路と、荷電粒子線通路中に配置され、荷電粒子線が透過する際に当該荷電粒子線のエネルギーを減衰させる減衰部と、を備え、減衰部は、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を変更可能とされている。
【０００８】
本発明に係る放射性同位元素製造装置では、荷電粒子線が通過する荷電粒子線通路中に、荷電粒子線のエネルギーを減衰させる減衰部が設けられている。また、この減衰部は、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を変更可能とされている。このため、減衰部において、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を所望のＲＩの種類に合わせて変更することにより、ターゲットに照射する荷電粒子線のエネルギーをＲＩの種類毎に適した値に調節することが可能となる。従って、複数の種類のＲＩを効率よく製造できる。
【０００９】
ここで、減衰部は、所定の中心軸線を中心に回動可能とされており、荷電粒子線を透過させる位置を回動により変えることで、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を変更可能とされていてもよい。この場合、減衰部が占める範囲を装置内において中心軸線から所定の距離以内に抑えることが可能となり、装置の小型化を図ることができる。
【００１０】
また、減衰部は、荷電粒子線を透過させて減衰させる減衰材と、減衰材を支持するための筒状の支持部材と、を有しており、支持部材は、荷電粒子線の照射軸と直交する軸線を中心に回動可能とされており、支持部材の側壁には、軸線を介して対向し支持部材の回動により荷電粒子線を通過させる位置に配置可能な一対の貫通孔が複数組設けられており、減衰材は、一対の貫通孔の一方を塞ぐように、支持部材に取り付けられていてもよい。この場合、荷電粒子線は、他方の貫通孔から支持部材内を通過し、一方の貫通孔に取り付けられた減衰材を透過して支持部材の外へ出てターゲット収容部へと向かう。または、荷電粒子線は、一方の貫通孔に取り付けられた減衰材を透過すると共に支持部材内を通過し、他方の貫通孔から支持部材の外へ出てターゲット収容部へと向かう。そして、支持部材を回動させることにより、荷電粒子線を通過させる位置に他の組の貫通孔を配置することで、当該他の組の一方の貫通孔に取り付けられた減衰材を透過させることができ、荷電粒子線のエネルギーの減衰量が変更可能とされている。ここで、荷電粒子線を減衰させるための減衰材は、所定期間以上の運転によって放射化が進行する。放射化が進行すると、運転停止後（荷電粒子線の照射停止後）であっても、減衰材から中性子線やガンマ線が放射される。これに対し、本発明に係る放射性同位元素製造装置では、筒状の支持部材の側壁に減衰材が取り付けられるため、少なくとも支持部材の内側の空間に放射された中性子線やガンマ線の一部を当該空間を取り囲む側壁で遮蔽できる。従って、放射化された減衰材からの中性子線やガンマ線が他の部品等に放射されることを抑制できる。
【００１１】
また、荷電粒子線通路中に配置され、荷電粒子線を出射する加速器側の空間を真空に保つためのフォイルを備え、荷電粒子線通路において、ターゲット収容部側には、フォイルを冷却するための気体が供給される空間が形成されており、減衰部は、空間内に配置されていてもよい。この場合、荷電粒子線の透過による減衰部の温度上昇を冷却気体により好適に抑制できる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数の種類のＲＩを効率よく製造できる放射性同位元素製造装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る放射性同位元素製造装置をサイクロトロンと共に示す概略図である。
【図２】図１中の放射性同位元素製造装置を示す断面図である。
【図３】図２中の減衰部を示す斜視図である。
【図４】図３の減衰部の側面図である。
【図５】図４中のV-V矢視図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る減衰部を示す斜視図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る減衰部を示す斜視図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る減衰部を示す斜視図である。
【図９】本発明の第５実施形態に係る減衰部を示す側面図である。
【図１０】本発明の第６実施形態に係る減衰部を示す側面図である。
【図１１】本発明の第７実施形態に係る減衰部を示す側面図である。
【図１２】本発明の第８実施形態に係る減衰部を示す斜視図である。
【図１３】図１２の減衰部を示す平面図である。
【図１４】図１２中のXIV-XIV矢視図である。
【図１５】本発明の第９実施形態に係る減衰部を示す斜視図である。
【図１６】図１５の減衰部を示す平面図である。
【図１７】図１５中のXVII-XVII矢視図である。
【図１８】本発明の第１０実施形態に係る減衰部を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の放射性同位元素製造装置に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、同一又は相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
図１は、本発明の第１実施形態に係る放射性同位元素製造装置をサイクロトロンと共に示す概略図である。図１に示すように、放射性同位元素製造装置（以下、ＲＩ製造装置という）１は、ターゲット（被照射物）に荷電粒子線（陽子線（Ｈ＋））を照射することにより、放射性同位元素（ＲＩ）を製造するためのものである。ＲＩ製造装置１で製造されるＲＩは、例えば放射性同位元素標識化合物（ＲＩ化合物）である放射性薬剤（放射性医薬品を含む）の製造に用いられる。病院等のＰＥＴ検査に使用されるＲＩ化合物としては、１８Ｆ−ＦＬＴ（フルオロチミジン）、１８Ｆ−ＦＭＩＳＯ（フルオロソニダゾール）、１１Ｃ−ラクロプライド等がある。
【００１６】
ＲＩ製造装置１は、ここでは、サイクロトロン（加速器）２の側面に複数（ここでは２つ）取り付けられている。サイクロトロン２は、不図示のイオン源（サイクロトロン２に接続され、又は、サイクロトロン２内に設けられる）にて生成され当該サイクロトロン２に供給された荷電粒子（水素の陽イオン）を加速することにより、荷電粒子線を出射する。サイクロトロン２は、当該サイクロトロン２内で加速された荷電粒子がサイクロトロン２内の部品に衝突することに伴い発生する中性子線やガンマ線を遮蔽するための自己シールド３により覆われている。サイクロトロン２の側面には、サイクロトロン２の内部を真空環境にするための真空ポンプ４，４が取り付けられている。また、サイクロトロン２の側面には、サイクロトロン２から出射された荷電粒子がＲＩ製造装置１内の部品に衝突することで発生する中性子線やガンマ線を遮蔽するためのターゲットシールド５，５がＲＩ製造装置１を覆うように取り付けられている。
【００１７】
次に、ＲＩ製造装置１について詳細に説明する。図２は、図１中の放射性同位元素製造装置を示す断面図である。図２に示すように、ＲＩ製造装置１は、荷電粒子線通路２００、ターゲット収容部３００及び減衰部１０を備えている。
【００１８】
荷電粒子線通路２００は、サイクロトロン２から出射されてターゲット収容部３００に向かう荷電粒子線を通過させるための孔である。荷電粒子線通路２００は、ここでは、取付部材２０１、第１ボディ部材２０２及び第２ボディ部材２０３に形成された貫通孔により構成されている。
【００１９】
取付部材２０１は、略円筒状の部材であり、円筒の軸線方向の一方側（図２において左側）がサイクロトロン２の側面に設けられた凹部に嵌入されて取り付けられている。取付部材２０１の内周面は、荷電粒子線通路２００の一部を形成する第１通路部２０１ａとされている。取付部材２０１において、円筒の軸線方向の他方側の端面には、第１ボディ部材２０２が嵌入される凹部２０１ｂが設けられている。また、取付部材２０１には、凹部２０１ｂを介して径方向に貫通する一対の貫通孔２０１ｃ、２０１ｄが設けられている。
【００２０】
第１ボディ部材２０２は、略円筒状の部材であり、円筒の軸線方向の一方側が取付部材２０１の凹部２０１ｂに嵌入されて取り付けられている。なお、第１ボディ部材２０２において、円筒の軸線方向の他方側端部には、径方向外向き（円筒の軸線から離れる向き）の鍔部が設けられており、この鍔部は取付部材２０１の他方側の端面と当接されている。第１ボディ部材２０２の内周面は、荷電粒子線通路２００の一部を形成する第２通路部２０２ａとされている。第１通路部２０１ａと第２通路部２０２ａとの間には、膜状のフォイルＦ１が配置されている。
【００２１】
フォイルＦ１は、サイクロトロン２側（荷電粒子線の上流側）の空間である第１通路部２０１ａを真空に保つための部材であり、取付部材２０１と第１ボディ部材２０２とにより挟まれて固定されている。フォイルＦ１と取付部材２０１との間にはＯリングが介されており、これにより、第１通路部２０１ａと第２通路部２０２ａとの間を気体が通過できないようにされている。フォイルＦ１を形成する材料としては、例えば、ＡｌやＴｉ等が挙げられる。ファイルＦ１は、荷電粒子線が透過できる程度の厚さとされている。
【００２２】
第１ボディ部材２０２において、円筒の軸線方向の他方側の端面には、第２ボディ部材２０３が嵌入される凹部２０２ｂが設けられている。また、第１ボディ部材２０２には、第２通路部２０２ａを介して径方向に貫通する一対の貫通孔２０２ｃ、２０２ｄが設けられている。
【００２３】
貫通孔２０２ｃは取付部材２０１の貫通孔２０１ｃと接続され、これら貫通孔２０１ｃ及び貫通孔２０２ｃを介して、フォイルＦ１や後述するフォイルＦ２を冷却するためのＨｅガス（気体）が第２通路部２０２ａ及び後述する第３通路部２０３ａに導入される。このように、第２通路部２０２ａ及び第３通路部２０３ａは、Ｈｅガスが供給される空間である冷却空間とされている。また、貫通孔２０１ｃ及び貫通孔２０２ｃの内部には、Ｈｅガスを噴射するための配管Ｐが通されている。配管Ｐは、荷電粒子線の照射軸Ｂ上において、ターゲット収容部３００側に位置する減衰材（後述）に向けてＨｅガスを噴射すべく、ターゲット収容部３００側に向けて屈曲されている。貫通孔２０２ｄは取付部材２０１の貫通孔２０１ｄと接続され、これら貫通孔２０１ｄ及び貫通孔２０２ｄを介して、第２通路部２０２ａ及び第３通路部２０３ａに供給されたＨｅガスが外部に導出される。
【００２４】
第２ボディ部材２０３は、略円環状の部材であり、円環の軸線方向の一方側が第１ボディ部材２０２の凹部２０２ｂに嵌入されて取り付けられている。第２ボディ部材２０３の内周面は、荷電粒子線通路２００の一部を形成する第３通路部２０３ａとされている。第３通路部２０３ａは、第２通路部２０２ａと連通されている。第２ボディ部材２０３において、円環の軸線方向の他方側の端面には、後述する第３ボディ部材が嵌入される凹部２０３ｂが設けられている。
【００２５】
ターゲット収容部３００は、ＲＩの前駆体となるターゲットを収容するための部分であり、ここでは液体状のターゲット水Ｌを収容する収容空間Ｓを形成している。液体状のターゲット水Ｌとしては、例えば１８Ｏ、Ｈ２１８Ｏ、Ｈ２１６Ｏ等を使用することができる。ターゲット収容部３００は、ここでは、第３ボディ部材３０１及びフォイルＦ２により形成されている。
【００２６】
第３ボディ部材３０１は、略円筒状の部材である。第３ボディ部材３０１の円筒の軸線方向の一方側の端面には突出部が設けられており、この突出部は第２ボディ部材２０３の凹部２０３ｂに嵌入されて取り付けられている。第３ボディ部材３０１の内周面には、薄肉の球殻状を呈した殻状部３０１ａが形成されており、この殻状部３０１ａによって、収容空間Ｓが形成されている。
【００２７】
なお、第３ボディ部材３０１には、ターゲット収容部３００にＨｅガスを供給するための貫通孔３０１ｂや、ターゲット収容部３００に対してターゲット水Ｌを出し入れするための貫通孔３０１ｃ等が形成されている。また、第３ボディ部材３０１の内側には、円筒の軸線方向の他方側から、椀状部材３０２や第４ボディ部材３０３等が嵌入されており、これらの部材により、荷電粒子線の照射により温度が上昇するターゲット水Ｌを冷却する冷却水を循環させるための冷却流路Ｃが形成されている。
【００２８】
フォイルＦ２は、収容空間Ｓを塞ぐための膜状の部材であり、第２ボディ部材２０３と第３ボディ部材３０１とにより挟まれて固定されている。フォイルＦ２と第３ボディ部材３０１との間にはＯリングが介されており、これにより、収容空間Ｓに収容されたターゲット水Ｌが荷電粒子線通路２００に漏れないようにされている。フォイルＦ２を形成する材料としては、例えば、ＡｌやＴｉ等が挙げられる。ファイルＦ２は、荷電粒子線が透過できる程度の厚さとされている。
【００２９】
減衰部１０は、荷電粒子線通路２００中に配置されており、荷電粒子線が透過する際に荷電粒子線のエネルギーを減衰（低下）させるためのものである。減衰部１０は、透過する荷電粒子線のエネルギーの減衰量を変更可能とされている。また、本実施形態では、減衰部１０は、荷電粒子線の照射軸Ｂに直交する軸線Ａを中心に回動可能とされており、荷電粒子線を透過させる位置を回動により変えることで、当該荷電粒子線のエネルギーの減衰量を変更可能とされている。このような減衰部１０の具体的な構成について、図３〜５を参照して説明する。図３は、図２中の減衰部を示す斜視図、図４は図３の減衰部の側面図、図５は図４中のV-V矢視図である。図３〜５に示すように減衰部１０は、本実施形態では、複数（ここでは３つ）の減衰材１１ａ〜１１ｃ及びマニホルド（支持部材）１２を有している。
【００３０】
マニホルド１２は、減衰材１１ａ〜１１ｃを支持するための部材であり、ここでは八角筒状を呈している。なお、マニホルド１２は、八角筒状以外の他の多角筒状や、円筒状等であってもよい。マニホルド１２は、その回転中心となる軸線Ａが荷電粒子線の照射軸Ｂと直交しており、軸線Ａを中心に回動可能とされている。より具体的には、図２に示すように、マニホルド１２の下端部には、径方向内側に延びる複数の棒状の継手部材１４が取り付けられている。複数の継手部材１４は、軸線Ａ方向に延びるシャフト１３に連結されている。シャフト１３は、貫通孔２０１ｄ及び貫通孔２０２ｄの内部を延在し、モータ等の駆動源Ｍに連結されている。そして、シャフト１３は駆動源Ｍにより軸線Ａを中心に回動可能とされており、これにより、マニホルド１２も軸線Ａを中心に回動可能とされている。このように、マニホルド１２が装置１内に占める範囲は、軸線Ａからマニホルド１２において最も外側に位置する部分の半径Ｒ１以内に収められている（図５参照）。
【００３１】
マニホルド１２において、八角筒を構成する各面の略中央部には、それぞれ貫通孔１２ａが設けられている。すなわち、マニホルド１２の側壁には、軸線Ａを介して対向する一対の貫通孔１２ａ，１２ａが複数組（ここでは４組）設けられている。そして、本実施形態では、マニホルド１２の軸線Ａと荷電粒子線の照射軸Ｂとが直交しているため、対向する一対の貫通孔１２ａ，１２ａは、マニホルド１２の回動により、荷電粒子線を通過させる位置に配置可能とされている。マニホルド１２を形成する材料としては、例えば、ＡｌやＳＵＳ（ステンレス）等を使用することができる。
【００３２】
減衰材１１ａ〜１１ｃは、荷電粒子線を透過させ、この際に、荷電粒子線のエネルギーを減衰（低下）させるための板状の部材である。減衰材１１ａ〜１１ｃは、対向する一対の貫通孔１２ａ，１２ａのうち、一方の貫通孔１２ａを塞ぐように、それぞれマニホルド１２の側壁に対して内側から取り付けられている。なお、減衰材１１ａ〜１１ｃは、マニホルド１２の側壁に対して外側から取り付けられていてもよい。また、減衰材１１ａ〜１１ｃは、貫通孔１２ａに対して溝を設け、この溝に嵌め込まれて取り付けられていてもよい。
【００３３】
減衰材１１ａ〜１１ｃは、それぞれ厚さが異なっている。具体的には、減衰材１１ａは、最も厚くされており、減衰材１１ａを透過した後の荷電粒子線のエネルギーは、例えば１１ＭｅＶとなるようにされている。減衰材１１ｂは、減衰材１１ａよりも薄くされており、減衰材１１ｂを透過した後の荷電粒子線のエネルギーは、例えば１４ＭｅＶとなるようにされている。減衰材１１ｃは、減衰材１１ａ，１１ｂよりも薄くされており、減衰材１１ｃを透過した後の荷電粒子線のエネルギーは、例えば２０ＭｅＶとなるようにされている。従って、本実施形態に係るＲＩ製造装置１では、荷電粒子線を透過させる位置をマニホルド１２の回動により変えることで、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を３段階に変更可能とされている。なお、本実施形態において、減衰材１１ａ〜１１ｃにより塞がれていない残りの対向する一対の貫通孔１２ａ，１２ａのうち、一方の貫通孔１２ａを他の減衰材により塞ぐことで、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を４段階に変更可能としてもよい。
【００３４】
減衰材１１ａ〜１１ｃを形成する材料としては、例えば、Ａｌ、Ｐｂ、Ａｇ、グラファイト等を使用することができる。なお、本実施形態では、上述のように、減衰材１１ａ〜１１ｃの厚さを互いに異なるものとすることにより荷電粒子線のエネルギーの減衰量を変更可能としているが、減衰材１１ａ〜１１ｃを形成する材料を互いに異なるものとすることにより荷電粒子線のエネルギーの減衰量を変更可能としてもよい。また、減衰材１１ａ〜１１ｃの厚さ及び材料の双方を調整することにより荷電粒子線のエネルギーの減衰量を変更可能としてもよい。
【００３５】
次に、ＲＩ製造装置１を用いてＲＩを製造する方法（ＲＩ製造装置１の動作）について説明する。
【００３６】
まず、製造したい所望のＲＩの種類に合わせて、減衰材１１ａ〜１１ｃの中から、使用する減衰材を選択する。具体的には、例えば、所望のＲＩを製造するために使用するターゲット水Ｌの性状に合わせて、減衰材１１ａ〜１１ｃの中から、最も効率よく所望のＲＩを製造できるエネルギーまで荷電粒子線を減衰できる減衰材を選択する。ここでは、例えば、減衰材１１ｃを選択する。なお、ＲＩの種類毎に適した荷電粒子線のエネルギーの値は、例えば実験等により予め把握できる。そして、マニホルド１２を回動させることにより、荷電粒子線の照射軸Ｂ上においてターゲット収容部３００側に、選択した減衰材１１ｃを配置する。
【００３７】
次に、冷却流路Ｃに冷却水を循環させると共に、冷却空間である第２通路部２０２ａ及び第３通路部２０３ａにＨｅガスを供給する。また、配管Ｐにより、減衰材１１ｃに対してＨｅガスを噴射する。
【００３８】
次に、貫通孔３０１ｃを介してターゲット水Ｌをターゲット収容部３００の収容空間Ｓに供給する。また、貫通孔３０１ｂを通して、収容空間Ｓに高圧でＨｅガスを供給する。このように加圧することにより、ターゲット水Ｌの沸騰による気泡の発生が抑制される。
【００３９】
この状態で、サイクロトロン２から荷電粒子線をターゲット収容部３００に向けて照射する。サイクロトロン２から出射された荷電粒子線は、照射軸Ｂに沿って、第１通路部２０１ａ、第２通路部２０２ａ及び第３通路部２０３ａをこの順番で通過し、ターゲット水Ｌに照射される。この際、荷電粒子線は、フォイルＦ１、減衰材１１ｃ及びフォイルＦ２を透過する。減衰材１１ｃを透過する際、荷電粒子線は所望のエネルギーまで減衰されるため、所望のＲＩが効率よく製造される。
【００４０】
また、荷電粒子線の透過によりフォイルＦ１、減衰材１１ｃ及びフォイルＦ２の温度が上昇するが、貫通孔２０１ｃ及び貫通孔２０２ｃを介して供給されたＨｅガスや、配管Ｐから噴射されたＨｅガスにより、フォイルＦ１、減衰材１１ｃ及びフォイルＦ２が冷却される。特に、減衰材１１ｃは、配管ＰからＨｅガスが直接噴射されるため、好適に冷却される。製造された放射性同位元素を含むターゲット水Ｌは、貫通孔３０１ｃを逆流させて図示しないフィルタを通して回収される。
【００４１】
以上、本実施形態に係るＲＩ製造装置１では、荷電粒子線が通過する荷電粒子線通路２００中に、荷電粒子線のエネルギーを減衰させる減衰部１０が設けられており、この減衰部１０は荷電粒子線のエネルギーの減衰量を変更可能とされている。このため、減衰部１０において、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を所望のＲＩの種類に合わせて変更することにより、ターゲット水Ｌに照射する荷電粒子線のエネルギーをＲＩの種類毎に適した値に調節することが可能となる。従って、複数の種類のＲＩを効率よく製造できる。
【００４２】
また、ＲＩ製造装置１では、減衰部１０は、軸線Ａを中心に回動可能とされており、荷電粒子線を透過させる位置を回動により変えることで、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を変更可能とされているため、減衰部１０が占める範囲をＲＩ製造装置１内において軸線Ａから半径Ｒ１以内に抑えることが可能となり、装置の小型化を図ることができる。なお、後述する減衰部５０，６０等（図９，１０参照）では、荷電粒子線を透過させる位置を直線方向の変位（ストローク）により変えており、装置内において減衰部が占める範囲は、減衰材自体の大きさ及びストローク分の範囲となる。
【００４３】
また、ＲＩ製造装置１では、減衰部１０は、荷電粒子線を透過させて減衰させる減衰材１１ａ〜１１ｃと、減衰材１１ａ〜１１ｃを支持するための八角筒状のマニホルド１２と、を有しており、マニホルド１２は、荷電粒子線の照射軸Ｂと直交する方向に延びる軸線Ａを中心に回動可能とされており、マニホルド１２の側壁には、軸線Ａを介して対向しマニホルド１２の回動により荷電粒子線を通過させる位置に配置可能な一対の貫通孔１２ａ，１２ａが複数組設けられており、減衰材１１ａ〜１１ｃは、対向する一対の貫通孔１２ａ，１２ａの一方を塞ぐように、マニホルド１２の内側に取り付けられている。このため、所定期間以上の運転により減衰材１１ａ〜１１ｃの放射化が進行した場合でも、減衰材１１ａ〜１１ｃを取り囲むマニホルド１２の側壁により、減衰材１１ａ〜１１ｃから放射される中性子線やガンマ線の一部を好適に遮蔽できる（図５参照）。これにより、マニホルド１２の周囲の部品の中性子線やガンマ線による劣化を抑制できる。
【００４４】
なお、上述のように、減衰材１１ａ〜１１ｃが、マニホルド１２の側壁に対して外側から取り付けられている場合や、貫通孔１２ａに設けられた溝に嵌め込まれている場合であっても、少なくとも減衰材１１ａ〜１１ｃからマニホルド１２の内側の空間に放射された荷電粒子線については、その一部を当該空間を取り囲む側壁で遮蔽できる。従って、減衰材１１ａ〜１１ｃからの荷電粒子線が他の部品等に放射されることを抑制できる。
【００４５】
また、ＲＩ製造装置１は、荷電粒子線通路２００中に配置され、荷電粒子線を出射するサイクロトロン２側の空間である第１通路部２０１ａを真空に保つためのフォイルＦ１を備え、荷電粒子線通路２００において、ターゲット収容部３００側には、フォイルＦ１やフォイルＦ２を冷却するためのＨｅガスが供給される冷却空間である第２通路部２０２ａ及び第３通路部２０３ａが形成されており、減衰部１０は、冷却空間内に配置されているため、荷電粒子線の透過による減衰部１０の温度上昇をＨｅガスにより好適に抑制できる。
【００４６】
また、ＲＩ製造装置１は、減衰部１０において荷電粒子線が透過する部分である減衰材に対し、冷却気体であるＨｅガスを直接噴射するための冷却気体噴射部としての配管Ｐを備えているため、荷電粒子線の透過による減衰部１０の温度上昇をＨｅガスにより一層好適に抑制できる。
【００４７】
また、ＲＩ製造装置１では、荷電粒子線の照射軸Ｂが固定され、減衰部１０が回動により変位されることによって、減衰部１０における荷電粒子線の透過部が変えられるため、装置内において、荷電粒子線が減衰材を透過する位置が一定となる。よって、１系統の配管Ｐのみで荷電粒子線の透過部を冷却できる。従って、装置のコストダウンや省スペース化を図ることができる。なお、ＲＩ製造装置１では、フォイルや減衰材等の同じ箇所に荷電粒子線を照射し続けると高熱になることもあるため、これを抑制すべく照射軸Ｂの位置（図２においてＹ方向及びＺ方向における位置）をずらして荷電粒子線を走査する場合もあるが、この場合であっても、照射軸Ｂの位置は所定の範囲内に収められる（以下、同様）。このため、この場合であっても、１系統の配管Ｐのみで荷電粒子線の透過部を冷却できる。
【００４８】
なお、上記実施形態においては、選択された減衰材１１ｃは、荷電粒子線の照射軸Ｂ上においてターゲット収容部３００側に配置されているが、荷電粒子線の照射軸Ｂ上においてサイクロトロン２側に配置されてもよい。要は、荷電粒子線通路２００を通過する荷電粒子線が、選択された減衰材１１ｃを透過できるように、減衰材１１ｃが配置されればよい。減衰材１１ｃが荷電粒子線の照射軸Ｂ上においてサイクロトロン２側に配置される場合、配管Ｐの先端部は、減衰材１１ｃに向けてＨｅガスを噴射すべく、サイクロトロン２側に向けて屈曲されていることが好ましい。
【００４９】
ここで、上述のようなＲＩ製造装置１においては、減衰部について種々の実施形態が考えられる。
【００５０】
図６は、本発明の第２実施形態に係る減衰部を示す斜視図である。図６に示すように、減衰部２０が第１実施形態に係る減衰部１０（図３参照）と主に異なる点は、第１実施形態のマニホルド１２に対して、八角筒を形成する面のうち、減衰材１１ａ〜１１ｃが取り付けられていない隣接する３面が設けられていないマニホルド２２を有する点である。このような減衰部２０を減衰部１０に代えて備えるＲＩ製造装置１についても、減衰部１０を備えるＲＩ製造装置１と略同様な効果を奏する。
【００５１】
図７は、本発明の第３実施形態に係る減衰部を示す斜視図である。図７に示すように、減衰部３０は、減衰材３１ａ〜３１ｄ及びマニホルド３２を有している。
【００５２】
マニホルド３２は、円板状の部材であり、その軸線Ｄが荷電粒子線の照射軸Ｂに対して略平行になるように配置されている。なお、マニホルド３２は、円板状以外の板状であってもよい。マニホルド３２の径方向略中央部には、軸線Ｄに沿ってシャフト３３が貫通されている。シャフト３３は、不図示のモータ等の動力源に連結されている。シャフト３３は動力源により軸線Ｄを中心に回動可能とされており、これにより、マニホルド３２も軸線Ｄを中心に回動可能とされている。
【００５３】
マニホルド３２には、円周方向において略９０°間隔で、径方向の略中央部に４箇所の貫通孔３２ａが設けられている。各貫通孔３２ａは、マニホルド３２の回動により、荷電粒子線を通過させる位置に配置可能とされている。なお、貫通孔３２ａ及び減衰材は、９０°以外の間隔で設けられていてもよく、４つより多くても少なくてもよい。
【００５４】
減衰材３１ａ〜３１ｄは、荷電粒子線を透過させる際に荷電粒子線のエネルギーを減衰させるための板状の部材であり、貫通孔３２ａを塞ぐようにマニホルド３２に取り付けられている。なお、減衰材が取り付けられていない貫通孔３２ａがあってもよい。減衰材３１ａ〜３１ｄはそれぞれ厚さが異なっており、これにより、減衰材３１ａ〜３１ｄにおける荷電粒子線のエネルギーの減衰量が互いに異なるものとされている。従って、減衰部３０では、荷電粒子線を透過させる位置をマニホルド３２の回動により変えることで、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を４段階に変更可能とされている。減衰材３１ａ〜３１ｄを形成する材料としては、第１実施形態に係る減衰材１１ａ〜１１ｃと同様なものを使用することができる。また、減衰部３０では、第１実施形態に係る減衰部１０と同様に、材料の調整や、厚さ及び材料の双方の調整により荷電粒子線のエネルギーの減衰量を変更可能としてもよい。
【００５５】
このような減衰部３０を減衰部１０に代えて備えるＲＩ製造装置１についても、減衰部１０を備えるＲＩ製造装置１と略同様な効果を奏する。特に、荷電粒子線の照射軸Ｂに対して略垂直な軸線Ａを中心に回動可能なマニホルド１２を有する第1実施形態に係る減衰部１０と異なり、減衰部３０では、照射軸Ｂに対して略平行な軸線Ｄを中心に回動可能なマニホルド３２を有する構成とされているが、このような構成でも、減衰部３０が占める範囲をＲＩ製造装置１内において軸線Ｄから半径Ｒ２以内に抑えることが可能となり、装置の小型化を図ることができる。また、このような構成でも、荷電粒子線の照射軸Ｂが固定され、減衰部３０が軸線Ｄを中心とした回動により変位されることによって、減衰部３０における荷電粒子線の透過部が変えられるため、装置内において、荷電粒子線が減衰材を透過する位置が一定となる。よって、１系統の配管Ｐのみで荷電粒子線の透過部を冷却でき、装置のコストダウンや省スペース化を図ることができる。
【００５６】
図８は、本発明の第４実施形態に係る減衰部を示す斜視図である。図８に示すように、減衰部４０が第３実施形態に係る減衰部３０（図７参照）と主に異なる点は、円板状のマニホルド３２に代えて半円板状のマニホルド４２を有する点、及び、３枚の減衰材３１ａ〜３１ｃを有する点である。
【００５７】
より具体的には、マニホルド４２では、円周方向において略６０°間隔で径方向の略中央部に３か所の貫通孔４２ａが設けられており、この貫通孔４２ａを塞ぐように減衰材３１ａ〜３１ｃが取り付けられている。すなわち、減衰部４０では、荷電粒子線を透過させる位置をマニホルド４２の回動により変えることで、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を３段階に変更可能とされている。このような減衰部４０を備えるＲＩ製造装置１についても、第３実施形態に係る減衰部３０を備えるＲＩ製造装置１と略同様な効果を奏する。
【００５８】
図９は、本発明の第５実施形態に係る減衰部を示す斜視図である。図９に示すように、減衰部５０は、第１減衰材５１及び第２減衰材５２を有している。
【００５９】
第１減衰材５１及び第２減衰材５２は、略同様な直角三角柱状を呈した部材である。第１減衰材５１及び第２減衰材５２は、対応する隣辺５１ｂ及び隣辺５２ｂが平行となると共に、対応する隣辺５１ｃ及び隣辺５２ｃが平行となるように、斜辺５１ａを含む側面と斜辺５２ａを含む側面とが離間して配置されている。また、第１減衰材５１及び第２減衰材５２は、第１減衰材５１の隣辺５１ｃを含む側面がサイクロトロン２側（図２参照）に配置されると共に、荷電粒子線が隣辺５１ｃを含む側面に略垂直に入射するように配置されている。
【００６０】
第１減衰材５１及び第２減衰材５２は、それぞれ不図示の駆動源に連結されており、荷電粒子線の照射軸Ｂと直交する直線方向に変位可能とされている。これにより、第１減衰材５１及び第２減衰材５２は、隣辺５１ｃと隣辺５２ｃとの間隔が変わらないように直線方向に変位可能とされている。第１減衰材５１及び第２減衰材５２を形成する材料としては、第１実施形態に係る減衰材１１ａ〜１１ｃと同様なものを使用することができる。
【００６１】
このような減衰部５０では、効率よく所望のＲＩを製造できるエネルギーまで荷電粒子線を減衰できるように、第１減衰材５１及び第２減衰材５２を荷電粒子線の照射軸Ｂと直交する直線方向に変位させ、荷電粒子線が透過する部分の厚さ（照射軸Ｂ上における第１減衰材５１の厚さｄ０及び第２減衰材５２の厚さｄ１の合計の厚さ）を所望の値に調節する。これにより、減衰部５０では、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を連続的に変更可能とされている。
【００６２】
このような減衰部５０を減衰部１０に代えて備えるＲＩ製造装置１についても、減衰部１０を備えるＲＩ製造装置１と略同様な効果を奏する。特に、マニホルド１２の回動により荷電粒子線の透過部が変えられる第1実施形態に係る減衰部１０と異なり、減衰部５０では、第１減衰材５１及び第２減衰材５２の直線方向の変位により荷電粒子線の透過部が変えられる構成とされているが、このような構成でも、荷電粒子線の照射軸Ｂが固定され、装置内において、荷電粒子線が減衰材を透過する位置が一定となる。よって、１系統の配管Ｐのみで荷電粒子線の透過部を冷却でき、装置のコストダウンや省スペース化を図ることができる。
【００６３】
また、減衰部５０では、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を連続的に変更可能であるため、微調整が可能となる。
【００６４】
また、減衰部５０では、第１減衰材５１及び第２減衰材５２の双方を変位させることにより照射軸Ｂ上における第１減衰材５１の厚さｄ０及び第２減衰材５２の厚さｄ１の合計の厚さを調節することが可能であるため、第１減衰材５１及び第２減衰材５２の変位量（ストローク）を小さくすることができる。従って、装置の小型化を図ることが可能となる。
【００６５】
図１０は、本発明の第６実施形態に係る減衰部を示す斜視図である。図６に示すように、減衰部６０が第５実施形態に係る減衰部５０（図９参照）と主に異なる点は、第１減衰材５１のみを有している点である。
【００６６】
より具体的には、第１減衰材５１は、隣辺５１ｃを含む側面が荷電粒子線の照射軸Ｂと垂直となると共に、斜辺５１ａを含む側面に荷電粒子線が入射するように斜辺５１ａがサイクロトロン２側に配置されている。このような減衰部６０では、効率よく所望のＲＩを製造できるエネルギーまで荷電粒子線を減衰できるように、第１減衰材５１を変位させ、荷電粒子線が透過する部分の厚さｄ２を所望の値に調節する。これにより、減衰部６０では、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を連続的に変更可能とされている。
【００６７】
このような減衰部６０を備えるＲＩ製造装置１についても、第５実施形態に係る減衰部５０を備えるＲＩ製造装置１と略同様な効果を奏する。特に、第１減衰材５１及び第２減衰材５２を有する減衰部５０と異なり、減衰部６０は、主な構成要素として第１減衰材５１のみを有する構成とされているので、装置を簡略化できる。
【００６８】
図１１は、本発明の第７実施形態に係る減衰部を示す側面図である。図１１に示すように、減衰部７０は、減衰材７１を有している。
【００６９】
減衰材７１は、階段状の部分を有する部材である。より具体的には、減衰材７１は、長方形の一の角部を欠くことにより階段状の部分を設けた断面を延在させた部材である。減衰材７１は、階段状の部分を構成する面のうち、互いに平行な面として、第１面７１ａ、第２面７１ｂ及び第３面７１ｃを備えている。第１面７１ａ〜第３面７１ｃは、サイクロトロン２側に配置されると共に、荷電粒子線の照射軸Ｂと略垂直になるように配置されている。各面からターゲット収容部３００側の面７１ｄまでの距離（厚さ）は、第１面７１ａ、第２面７１ｂ、第３面７１ｃの順番で大きくなっている。減衰材７１は、不図示の駆動源と連結されており、これにより、荷電粒子線が入射する位置を第１面７１ａ、第２面７１ｂ及び第３面７１ｃのいずれかに変更できるように、荷電粒子線の照射軸Ｂと直交する直線方向に変位可能とされている。減衰材７１を形成する材料としては、第１実施形態に係る減衰材１１ａ〜１１ｃと同様なものを使用することができる。
【００７０】
このような減衰部７０では、第１面７１ａ、第２面７１ｂ及び第３面７１ｃの中から、効率よく所望のＲＩを製造できるエネルギーまで荷電粒子線を減衰できる厚さの面を選択し、選択した面に荷電粒子線が入射するように減衰材７１を変位させる。これにより、減衰部７０では、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を３段階に変更可能とされている。
【００７１】
このような減衰部７０を減衰部１０に代えて備えるＲＩ製造装置１についても、減衰部１０を備えるＲＩ製造装置１と略同様な効果を奏する。特に、減衰部７０では、マニホルド１２の回動により荷電粒子線の透過部が変えられる第1実施形態に係る減衰部１０と異なり、減衰材７１の直線方向の変位により荷電粒子線の透過部が変えられる構成とされているが、このような構成でも、荷電粒子線の照射軸Ｂが固定され、装置内において、荷電粒子線が減衰材を透過する位置が一定となる。よって、１系統の配管Ｐのみで荷電粒子線の透過部を冷却でき、装置のコストダウンや省スペース化を図ることができる。
【００７２】
また、減衰部７０は、主な構成要素として減衰材７１のみを有する構成とされているので、装置を簡略化できる。
【００７３】
図１２は本発明の第８実施形態に係る減衰部を示す斜視図、図１３は図１２の減衰部を示す平面図、図１４は図１３中のXIV-XIV矢視図である。図１２〜１４に示すように、減衰部８０は、減衰材８１を有している。
【００７４】
減衰材８１は、略円柱状の部材であり、その軸線Ｄが荷電粒子線の照射軸Ｂに対して略平行になるように配置されている。減衰材８１のサイクロトロン２側の端面には、ターゲット収容部３００側の端面８１ｅからの距離（厚さ）が変わるように、円周方向に沿って複数の段部が設けられている。換言すると、減衰材８１のサイクロトロン２側の端面には、軸線Ｄを中心軸とする螺旋階段状の段部が設けられている。より具体的には、減衰材８１は、端面８１ｅからの距離が異なる４つの面を有しており、各面は照射軸Ｂに対して略垂直に設けられている。これらの面は、第１面８１ａ、第２面８１ｂ、第３面８１ｃ及び第４面８１ｄとされており、円周方向においてそれぞれ略９０°ずつの範囲を占めている。なお、第１面８１ａ、第２面８１ｂ、第３面８１ｃ及び第４面８１ｄが占める範囲は、９０°ずつでなくてもよい。また、端面８１ｅからの距離が異なる面は、４つより多くても少なくてもよい。各面から端面８１ｅまでの距離（厚さ）は、第１面８１ａ、第２面８１ｂ、第３面８１ｃ、第４面８１ｄの順番で小さくなっている。減衰材８１を形成する材料としては、第１実施形態に係る減衰材１１ａ〜１１ｃと同様なものを使用することができる。
【００７５】
減衰材８１の径方向略中央部には、軸線Ｄに沿ってシャフト８２が貫通されている。シャフト８２は、不図示のモータ等の動力源に連結されている。シャフト８２は動力源により軸線Ｄを中心に回動可能とされており、これにより、減衰材８１も軸線Ｄを中心に回動可能とされている。
【００７６】
このような減衰部８０では、第１面８１ａ〜第４面８１ｄの中から、効率よく所望のＲＩを製造できるエネルギーまで荷電粒子線を減衰できる厚さの面を選択し、選択した面に荷電粒子線が入射するように減衰材８１を回動させる。これにより、減衰部８０では、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を４段階に変更可能とされている。
【００７７】
このような減衰部８０を減衰部１０に代えて備えるＲＩ製造装置１についても、減衰部１０を備えるＲＩ製造装置１と略同様な効果を奏する。特に、荷電粒子線の照射軸Ｂに対して略垂直な軸線Ａを中心に回動可能なマニホルド１２を有する第1実施形態に係る減衰部１０と異なり、減衰部８０では、照射軸Ｂに対して略平行な軸線Ｄを中心に回動可能な減衰材８１を有する構成とされているが、このような構成でも、減衰部８０が占める範囲をＲＩ製造装置１内において軸線Ｄから半径Ｒ３以内に抑えることが可能となり（図１３参照）、装置の小型化を図ることができる。また、このような構成でも、荷電粒子線の照射軸Ｂが固定され、減衰材８１が軸線Ｄを中心とした回動により変位されることによって、減衰材８１における荷電粒子線の透過部が変えられるため、１系統の配管Ｐのみで荷電粒子線の透過部を冷却でき、装置のコストダウンや省スペース化を図ることができる。
【００７８】
また、減衰部８０は、主な構成要素として減衰材８１のみを有する構成とされているので、装置を簡略化できる。
【００７９】
図１５は本発明の第９実施形態に係る減衰部を示す斜視図、図１６は図１５の減衰部を示す平面図、図１７は図１５中のXVII-XVII矢視図である。図１５〜１７に示すように、減衰部９０は、減衰材９１を有している。
【００８０】
減衰材９１は、略円柱状の部材であり、その軸線Ｄが荷電粒子線の照射軸Ｂに対して略平行になるように配置されている。減衰材９１のサイクロトロン２側の端面には、ターゲット収容部３００側の端面９１ｂからの距離（厚さ）が円周方向に沿って変わるように、傾斜面９１ａが設けられている。換言すると、減衰材９１のサイクロトロン２側の端面には、軸線Ｄを中心軸とする螺旋状の傾斜面９１ａが設けられている。減衰材９１を形成する材料としては、第１実施形態に係る減衰材１１ａ〜１１ｃと同様なものを使用することができる。
【００８１】
減衰材９１の径方向略中央部には、軸線Ｄに沿ってシャフト９２が貫通されている。シャフト９２は、不図示のモータ等の動力源に連結されている。シャフト９２は動力源により軸線Ｄを中心に回動可能とされており、これにより、減衰材９１も軸線Ｄを中心に回動可能とされている。
【００８２】
このような減衰部９０では、効率よく所望のＲＩを製造できるエネルギーまで荷電粒子線を減衰できるように、減衰材９１の回動により、荷電粒子線が透過する部分の厚さｄ３（図１７参照）を所望の値に調節する。これにより、減衰部９０では、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を連続的に変更可能とされている。
【００８３】
このような減衰部９０を減衰部１０に代えて備えるＲＩ製造装置１についても、減衰部１０を備えるＲＩ製造装置１と略同様な効果を奏する。特に、荷電粒子線の照射軸Ｂに対して略垂直な軸線Ａを中心に回動可能なマニホルド１２を有する第1実施形態に係る減衰部１０と異なり、減衰部９０では、照射軸Ｂに対して略平行な軸線Ｄを中心に回動可能な減衰材９１を有する構成とされているが、このような構成でも、減衰部９０が占める範囲をＲＩ製造装置１内において軸線Ｄから半径Ｒ４以内に抑えることが可能となり（図１６参照）、装置の小型化を図ることができる。また、このような構成でも、荷電粒子線の照射軸Ｂが固定され、減衰材９１が軸線Ｄを中心とした回動により変位されることによって、減衰材９１における荷電粒子線の透過部が変えられるため、１系統の配管Ｐのみで荷電粒子線の透過部を冷却でき、装置のコストダウンや省スペース化を図ることができる。
【００８４】
また、減衰部９０では、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を連続的に変更可能であるため、微調整が可能となる。さらに、減衰部９０は、主な構成要素として減衰材９１のみを有する構成とされているので、装置を簡略化できる。
【００８５】
図１８は、本発明の第１０実施形態に係る減衰部を示す斜視図である。図１８に示すように、減衰部１００は、複数（ここでは５つ）の減衰材１０１を備えている。
【００８６】
減衰材１０１は、平板状の部材であり、その一方側の面が荷電粒子線の照射軸Ｂに対して略垂直になるように配置されている。複数の減衰材１０１は、当接して配置されている。
【００８７】
各減衰材１０１は、それぞれ第１通路部２０２ａ中に配置されており、不図示の駆動源に連結されて直線方向に変位可能とされている。これにより、減衰部１００では、荷電粒子線が通過する減衰材１０１の枚数を０〜５枚に調節可能とされている。減衰材１０１を形成する材料としては、第１実施形態に係る減衰材１１ａ〜１１ｃと同様なものを使用することができる。
【００８８】
このような減衰部１００では、効率よく所望のＲＩを製造できるエネルギーまで荷電粒子線を減衰できるように、荷電粒子線が通過する減衰材１０１の枚数を０〜５枚の間で調節する。これにより、減衰部５０では、荷電粒子線のエネルギーの減衰量を６段階に変更可能とされている。
【００８９】
このような減衰部１００を減衰部１０に代えて備えるＲＩ製造装置１についても、減衰部１０を備えるＲＩ製造装置１と略同様な効果を奏する。特に、減衰部１００では、マニホルド１２の回動により荷電粒子線の透過部が変えられる第1実施形態に係る減衰部１０と異なり、減衰材１０１の直線方向の変位により荷電粒子線が通過する減衰材１０１の枚数が変えられる構成とされているが、このような構成でも、荷電粒子線の照射軸Ｂが固定され、１系統の配管Ｐのみで荷電粒子線の透過部を冷却でき、装置のコストダウンや省スペース化を図ることができる。
【００９０】
以上、本発明の放射性同位元素製造装置に係る実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、上記実施形態では、ターゲットとして、液体状のターゲット水Ｌが使用されているが、固体状のターゲットが使用されてもよい。固体状のターゲットとしては、例えば６４Ｎ、８９Ｙ等を使用することができる。
【符号の説明】
【００９１】
１…ＲＩ製造装置（放射性同位元素製造装置）、２…サイクロトロン（加速器）、６…荷電粒子線通路、７…ターゲット収容部、１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０，１００…減衰部、１１ａ〜１１ｃ…減衰材、１２…マニホルド（支持部材）、１２ａ…貫通孔、Ａ…中心軸線、Ｂ…照射軸、Ｃ…中心軸線、Ｆ１…フォイル。
【図１】
2013238515.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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