(57)【要約】【課題】製造時の信頼性を向上した半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】チップ基板１と、チップ基板１上に配置された第１端子電極２ａおよび第２端子電極２ｋと、チップ基板１の上面外縁を囲むように配置された反射ケース５と、第１端子電極２ａ上にＡｕＳｎ共晶層を介して配置された半導体発光素子３と、半導体発光素子３と第２端子電極２ｋを接続するボンディングワイヤ４と、反射ケース５で囲まれた内部に配置され、発光蛍光体６１・６２を透光性樹脂中に混合分散した蛍光体層６とを備える半導体発光装置１０およびその製造方法。【選択図】図１
2013062297.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ基板と、
前記チップ基板上に配置された第１端子電極および第２端子電極と、
前記チップ基板の上面外縁を囲むように配置された反射ケースと、
前記第１端子電極上にＡｕＳｎ共晶層を介して配置された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と第２端子電極を接続するボンディングワイヤと、
前記反射ケースで囲まれた内部に配置され、発光蛍光体を透光性樹脂中に混合分散した蛍光体層と
を備えることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記発光蛍光体は、複数種類であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記蛍光体層は、前記反射ケースで囲まれた内部に配置され、前記第１端子電極および前記第２端子電極と、前記ＡｕＳｎ共晶層１０と、前記半導体発光素子と、前記ボンディングワイヤとを封止することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記半導体発光素子は、窒化物系半導体により形成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記半導体発光素子の接合と半田実装部間の熱抵抗は、５５℃／Ｗ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記半導体発光素子の接合と周囲雰囲気間の熱抵抗は、９０℃／Ｗ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
チップ基板上に第１端子電極および第２端子電極を形成する工程と、
前記チップ基板の上面外縁を囲むように反射ケースを形成する工程と、
前記第１端子電極上にＡｕＳｎ共晶層を介して半導体発光素子を接合する工程と、
前記半導体発光素子と第２端子電極との間をボンディングワイヤを用いてボンディング接続する工程と、
前記反射ケースで囲まれた内部に、発光蛍光体を透光性樹脂中に混合分散した蛍光体層を充填する工程と
を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１端子電極上にＡｕＳｎ共晶層を介して半導体発光素子を接合する工程は、
時刻ｔ0から時刻ｔ1の第１の期間内に温度を第１温度まで上昇する工程と、
時刻ｔ1から時刻ｔ2の第２の期間内に温度を前記第１温度以上第２温度以下に保持する工程と、
時刻ｔ2から時刻ｔ3の第３期間内に温度を前記第２温度から室温に降下する工程と
を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１温度は２８０℃以上であることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２温度は３２０℃以下であることを特徴とする請求項８または９に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の期間、前記第２の期間および前記第３の期間は、６０秒であることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１端子電極上にＡｕＳｎ共晶層を介して半導体発光素子を接合する工程は、窒素雰囲気中で実施されることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１端子電極上にＡｕＳｎ共晶層を介して半導体発光素子を接合する工程は、大気圧で実施されることを特徴とする請求項１２に記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置およびその製造方法に関し、特に製造時の信頼性を向上し、放熱特性を向上した半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子を用いた発光装置として、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）をパッケージの凹状のカップ部の内部に収容し、ＬＥＤの発光出力を波長変換するための蛍光物質を含む透光性部材をカップ部内に充填した構成を有するものがある（例えば、特許文献１および特許文献２参照。）。
【０００３】
従来の表面実装型ＬＥＤの製造方法においては、ＬＥＤチップをリードフレームに共晶接合或いは半田接合などの接合方法でダイボンディングする際の高温環境下では、パッケージの非透光性樹脂からなるランプハウスに変形や焦げを生じ易い。
【０００４】
このため、ＬＥＤチップをリードフレームにダイボンディングする際、樹脂ペーストを使用していた。この樹脂ペーストは放熱性が悪い。
【０００５】
一方、リードフレームに半導体発光素子を搭載した後にリードフレームとランプハウスを一体形成することにより、ランプハウスがリードフレームに半導体素子を搭載するときの高温環境下に曝されることがない半導体発光装置の製造方法も開示されている（例えば、特許文献３参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２４４４２１号公報
【特許文献２】特開２０１０−１１４２１８号公報
【特許文献３】特開２００５−２９４７３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、製造時の信頼性を向上し、かつ放熱特性を向上した半導体発光装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、チップ基板と、前記チップ基板上に配置された第１端子電極および第２端子電極と、前記チップ基板の上面外縁を囲むように配置された反射ケースと、前記第１端子電極上にＡｕＳｎ共晶層を介して配置された半導体発光素子と、前記半導体発光素子と第２端子電極を接続するボンディングワイヤと、前記反射ケースで囲まれた内部に配置され、発光蛍光体を透光性樹脂中に混合分散した蛍光体層とを備える半導体発光装置が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば  チップ基板上に第１端子電極および第２端子電極を形成する工程と、前記チップ基板の上面外縁を囲むように反射ケースを形成する工程と、前記第１端子電極上にＡｕＳｎ共晶層を介して半導体発光素子を接合する工程と、前記半導体発光素子と第２端子電極との間をボンディングワイヤを用いてボンディング接続する工程と、
前記反射ケースで囲まれた内部に、発光蛍光体を透光性樹脂中に混合分散した蛍光体層を充填する工程とを有する半導体発光装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、製造時の信頼性を向上し、かつ放熱特性を向上した半導体発光装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態に係る半導体発光装置の模式的断面構造図。
【図２】実施の形態に係る半導体発光装置において、端子電極上にＡｕＳｎ共晶層を介して半導体発光素子を搭載した部分を示す拡大された模式的断面構造図。
【図３】比較例に係る半導体発光装置において、最大順方向電流Ｉmax(ｍＡ)と周囲温度Ｔa(℃)との関係を示す安全動作領域の特性例。
【図４】比較例に係る半導体発光装置において、熱抵抗θj-a(℃／Ｗ)と動作時間Ｔp(ｍｓ)との関係を示す特性例。
【図５】比較例に係る半導体発光装置において、接合温度Ｔj(℃)と動作時間Ｔp(ｍｓ)との関係を示す特性例。
【図６】実施の形態に係る半導体発光装置において、熱抵抗θj-a(℃／Ｗ)と動作時間Ｔp(ｍｓ)との関係を示す特性例。
【図７】実施の形態に係る半導体発光装置において、接合温度Ｔj(℃)と動作時間Ｔp(ｍｓ)との関係を示す特性例。
【図８】実施の形態に係る半導体発光装置（曲線Ｂ）と比較例に係る半導体発光装置（曲線Ａ）において、最大順方向電流Ｉmax(ｍＡ)と周囲温度Ｔa(℃)との関係を示す安全動作領域の比較例。
【図９】実施の形態に係る半導体発光装置において、端子電極上にＡｕＳｎ共晶接合を形成する製造工程における加熱温度と時間との関係を示す模式図。
【図１０】実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法の一工程を示す模式的断面構造図（その１）。
【図１１】実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法の一工程を示す模式的断面構造図（その２）。
【図１２】実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法の一工程を示す模式的断面構造図（その３）。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００１３】
又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１４】
（第１の実施の形態）
実施の形態に係る半導体発光装置２０の模式的断面構造は、図１に示すように表され、実施の形態に係る半導体発光装置２０において、端子電極２ａ上にＡｕＳｎ共晶層１０を介して半導体発光素子３０を搭載した部分を示す拡大された模式的断面構造は、図２に示すように表される。
【００１５】
実施の形態に係る半導体発光装置２０は、図１および図２に示すように、チップ基板１と、チップ基板１上に配置された第１端子電極２ａおよび第２端子電極２ｋと、チップ基板１の上面外縁を囲むように配置された反射ケース５と、第１端子電極２ａ上にＡｕＳｎ共晶層１０を介して配置された半導体発光素子３０と、半導体発光素子３０と第２端子電極２ｋを接続するボンディングワイヤ４と、反射ケース５で囲まれた内部に配置され、発光蛍光体を透光性樹脂中に混合分散した蛍光体層６とを備える。
【００１６】
実施の形態に係る半導体発光装置２０において、蛍光体層６は、反射ケース５で囲まれた内部に配置され、第１端子電極２ａおよび第２端子電極２ｋと、ＡｕＳｎ共晶層１０と、半導体発光素子３０と、ボンディングワイヤ４とを封止している。
【００１７】
（比較例）
比較例に係る半導体発光装置は、図１および図２におけるＡｕＳｎ共晶層１０の代わりに樹脂ペーストを用いて半導体発光装置２０と第１端子電極２ａ間のダイボンディングを実施している。比較例に係る半導体発光装置において、最大順方向電流Ｉmax(ｍＡ)と周囲温度Ｔa(℃)との関係を示す安全動作領域の特性例は、図３に示すように表される。また、熱抵抗Ｒθj-a(℃／Ｗ)と動作時間Ｔp(ｍｓ)との関係を示す特性例は、図４に示すように表され、接合温度Ｔj(℃)と動作時間Ｔp(ｍｓ)との関係を示す特性例は、図５に示すように表される。
【００１８】
熱抵抗Ｒθj-c(℃／Ｗ)は、半導体発光素子３０のｐｎ接合と半田実装部間の熱抵抗で定義され、熱抵抗Ｒθj-a(℃／Ｗ)は、半導体発光素子３０のｐｎ接合と周囲雰囲気間の熱抵抗で定義される。比較例に係る半導体発光装置においては、樹脂ペーストを使用しているため放熱性に乏しく、熱抵抗Ｒθj-c(℃／Ｗ)の値は、約１５０℃／Ｗ以下であり、熱抵抗Ｒθj-a(℃／Ｗ)の値は、約２５０℃／Ｗである。
【００１９】
実施の形態に係る半導体発光装置２０において、熱抵抗Ｒθj-a(℃／Ｗ)と動作時間Ｔp(ｍｓ)との関係を示す特性例は、図６に示すように表され、接合温度Ｔj(℃)と動作時間Ｔp(ｍｓ)との関係を示す特性例は、図７に示すように表される。
【００２０】
実施の形態に係る半導体発光装置２０においては、ＡｕＳｎ共晶層１０を用いて半導体発光装置２０と第１端子電極２ａ間のダイボンディングを実施しているため放熱性が良好であり、熱抵抗Ｒθj-c(℃／Ｗ)の値は、約５５℃／Ｗ以下であり、熱抵抗Ｒθj-a(℃／Ｗ)の値は、約９０℃／Ｗである。
【００２１】
また、実施の形態に係る半導体発光装置（曲線Ｂ）と比較例に係る半導体発光装置（曲線Ａ）において、最大順方向電流Ｉmax(ｍＡ)と周囲温度Ｔa(℃)との関係を示す安全動作領域の比較例は、図８に示すように表される。図８において、比較例に係る半導体発光装置の曲線Ａは、図３の素子面積の２倍の素子に対応している。
【００２２】
実施の形態に係る半導体発光装置２０においては、ＡｕＳｎ共晶層１０を用いて半導体発光装置２０と第１端子電極２ａ間のダイボンディングを実施しているため放熱性が良好であり、安全動作領域も相対的に広く設定可能である。
【００２３】
実施の形態に係る半導体発光装置２０の半導体発光素子３０の基板寸法は、例えば、約３０ｍｍ×１０ｍｍ程度である。また、実施の形態に係る半導体発光装置２０は、通常のＰＬＣＣ（Plastic leaded chip carrier）パッケージであるＰＬＣＣ２、ＰＬＣＣ４などのＬＥＤ用パッケージに実装可能である。例えば、ＰＬＣＣ２パッケージの寸法は、横３．５ｍｍ×幅２．８ｍｍ×高さ１．９ｍｍ程度である。
【００２４】
また、実施の形態に係る半導体発光装置２０において、透光性樹脂は、例えば、シリコーン系樹脂若しくはエポキシ系樹脂で形成可能である。
【００２５】
また、実施の形態に係る半導体発光装置２０において、発光蛍光体は、第１発光蛍光体６１および第２発光蛍光体６２を含む複数種類存在していても良い。
【００２６】
実施の形態に係る半導体発光装置２０において、半導体発光素子３０は、窒化物系半導体により形成された青色ＬＥＤで形成されていても良い。この場合、第１発光蛍光体６１および第２発光蛍光体６２は、共に黄色蛍光体で形成されていても良い。或いは、演色性を確保するために、第１発光蛍光体６１は赤色蛍光体、第２発光蛍光体６２は、緑色蛍光体で形成されていても良い。
【００２７】
ここで、青色ＬＥＤを励起光源とする黄色蛍光体としては、例えば、Ｃｅ添加ＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12:Ｃｅ）蛍光体、Ｅｕ添加α−サイアロン（ＣａＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ）、シリケート蛍光体（（Ｓｒ,Ｂａ,Ｃａ,Ｍｇ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ）などを用いることができる。すなわち、青色発光ＬＥＤの青色光の一部を黄色蛍光体により黄色の発光に変換し、青＋黄の発光により白色発光を得ることができる。
【００２８】
また、青色ＬＥＤを励起光源とする緑色蛍光体としては、例えば、Ｅｕ添加β−サイアロン（Ｓｉ6-zＡｌzＯzＮ8-z：Ｅｕ）蛍光体、Ｃｅ添加ＣＳＳＯ（Ｃａ3Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ）蛍光体などを用いることができる。
【００２９】
また、青色ＬＥＤを励起光源とする赤色蛍光体としては、例えば、Ｅｕ添加ＣａＡｌＳｉＮ3（ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ）蛍光体などを用いることができる。
【００３０】
また、半導体発光素子３は、窒化物系半導体により形成された紫外光ＬＥＤで形成されていても良い。この場合、第１発光蛍光体６１および第２発光蛍光体６２は、共に黄色蛍光体で形成されていても良い。或いは、演色性を確保するために、第１発光蛍光体６１は青色蛍光体、第２発光蛍光体６２は、黄色蛍光体で形成されていても良い。
【００３１】
紫外光ＬＥＤを励起光源とする青色蛍光体としては、紫外光を受けて青色に発光するものであれば良く、例えば、ハロゲン酸塩蛍光体、アルミン酸塩蛍光体、ケイ酸塩蛍光体などが挙げられる。また、付活剤としては、例えば、セリウム、ユウロピウム、マンガン、ガドリニウム、サマリウム、テルビウム、スズ、クロム、アンチモン等の元素を挙げることができる。この中でもユウロピウムが好ましい。付活剤の添加量は、蛍光体に対して０．１〜１０ｍｏｌ％の範囲が好ましい。
【００３２】
紫外光ＬＥＤを励起光源とする黄色蛍光体としては、青色発光を吸収して黄色に発光する蛍光体および紫外線を吸収して黄色に発光する蛍光体のいずれであっても良い。ここで、演色性を確保するために、第１発光蛍光体６１を青色蛍光体、第２発光蛍光体６２を黄色蛍光体で形成する場合には、発光効率を一層高めるためには、紫外線を吸収して黄色に発光する蛍光体が望ましい。青色発光を吸収して黄色に発光する蛍光体としては、例えば、有機蛍光体では、アリルスルホアミド・メラミンホルムアルデヒド共縮合染色物やペリレン系蛍光体等を挙げることができ、無機蛍光体では、アルミン酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩等を挙げることができる。このなかでも長時間使用可能な点から、ペリレン系蛍光体、ＹＡＧ系蛍光体が特に好ましい。また、付活剤としては、例えば、セリウム、ユウロピウム、マンガン、ガドリニウム、サマリウム、テルビウム、スズ、クロム、アンチモン等の元素を挙げることができる。この中でもセリウムが好ましい。付活剤の添加量は、蛍光体に対して０．１〜１０ｍｏｌ％の範囲が好ましい。蛍光体と付活剤との組み合わせとしては、ＹＡＧとセリウムとの組み合わせが好ましい。
【００３３】
また、紫外線を吸収して黄色に発光する蛍光体としては、例えば、（Ｌａ，Ｃｅ）（Ｐ，Ｓｉ）Ｏ4や、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏなどの蛍光体を挙げることができる。また、付活剤としては、例えば、テルビウム、亜鉛などを挙げることができる。
【００３４】
蛍光体層６中の第１発光蛍光体６１・第２発光蛍光体６２の含有量は、半導体発光素子３や蛍光体の種類などから適宜決定すればよいが、一般にその含有量は、各蛍光体とも蛍光体層６に対して１〜２５ｗｔ％の範囲が望ましい。エポキシ系の透光性樹脂の典型的な熱硬化温度は、例えば、約１８０℃程度である。また、発光蛍光体の直径は、例えば、約０．４μｍ程度である。
【００３５】
実施の形態によれば、放熱特性を向上した半導体発光装置を提供することができる。
【００３６】
（製造方法）
実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法において、端子電極上にＡｕＳｎ共晶接合を形成する製造工程における加熱温度と時間との関係は、模式的に図９に示すように表される。また、実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法の一工程を示す模式的断面構造は、図１０〜図１２に示すように表される。
【００３７】
実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法は、図９〜図１３に示すように、チップ基板１上に第１端子電極２ａおよび第２端子電極２ｋを形成する工程と、チップ基板１の上面外縁を囲むように反射ケース５を形成する工程と、第１端子電極２ａ上にＡｕＳｎ共晶層１０を介して半導体発光素子３０を接合する工程と、半導体発光素子３０の表面と第２端子電極２ｋとの間をボンディングワイヤ４を用いてボンディング接続する工程と、反射ケース５で囲まれた内部に、蛍光体層６を充填する工程とを有する。ここで、蛍光体層６は、第１発光蛍光体６１・第２発光蛍光体６２を透光性樹脂中に混合分散して形成されていても良い。
【００３８】
（加熱工程）
第１端子電極２ａ上にＡｕＳｎ共晶層１０を介して半導体発光素子３０を接合する工程は、図９の曲線Ａに示すように、時刻ｔ0から時刻ｔ1の第１の期間内に温度を室温Ｔ3から第１温度Ｔ1まで上昇する工程と、時刻ｔ1から時刻ｔ2の第２の期間内に温度を第１温度Ｔ1以上第２温度Ｔ2以下に保持する工程と、時刻ｔ2から時刻ｔ3の第３期間内に温度を前記第２温度Ｔ2から室温Ｔ3に降下する工程とを有する。或いは、図９の曲線Ｂに示すように、時刻ｔpから時刻ｔ0のプレキュア期間内に温度を室温Ｔ3からプレキュア温度Ｔpまで上昇する工程と、時刻ｔ0から時刻ｔ1の第１の期間内に温度をプレキュア温度Ｔpから第１温度Ｔ1まで上昇する工程と、時刻ｔ1から時刻ｔ2の第２の期間内に温度を第１温度Ｔ1以上第２温度Ｔ2以下に保持する工程と、時刻ｔ2から時刻ｔ3の第３期間内に温度を前記第２温度Ｔ2から室温Ｔ3に降下する工程とを有していても良い。ここで、時刻ｔpから時刻ｔ0のプレキュア期間は、例えば、約６０秒であり、プレキュア温度Ｔpは、例えば、約２００℃である。このように、加熱工程では、室温Ｔ3から昇温するものと、事前に一部昇温（プレキュア）するものとのいずれも実施可能である。尚、図９において、時刻ｔ1から時刻ｔ2の第２の期間、および時刻ｔ2から時刻ｔ3の第３期間では、曲線Ｂと曲線Ａは、重なっているため、実線のみ表示されている。
【００３９】
ここで、第１温度Ｔ1は２８０℃以上であり、第２温度Ｔ2は３２０℃以下である。第１温度Ｔ1は、第１端子電極２ａ上にＡｕＳｎ共晶層１０を介して半導体発光素子３０を接合するのに必要な温度である。第１端子電極２ａは、例えば、Ａｇ／Ｃｕで形成されており、このＡｇ／Ｃｕと半導体発光素子３０のサファイヤ基板との間にＡｕＳｎ半田によって、ＡｕＳｎ共晶層１０を形成して接合を形成する。
【００４０】
尚、反射ケース５は、樹脂で形成されるため、この樹脂層の耐熱性を考慮して、第２温度Ｔ2は３２０℃以下であることが望ましい。
【００４１】
時刻ｔ1から時刻ｔ2の第２の期間内に温度を第１温度Ｔ1以上第２温度Ｔ2以下に保持する工程によって、半導体発光素子３０と第１端子電極２ａ間に良好なＡｕＳｎ共晶層１０を形成するために、第１温度Ｔ1は２８０℃以上であり、第２温度Ｔ2は２９０℃以下であっても良い。
【００４２】
また、第１の期間、第２の期間および第３の期間は、６０秒程度で、半導体発光素子３０と第１端子電極２ａ間に良好なＡｕＳｎ共晶層１０を形成することができることが実験的に確認されている。また、第１の期間、第２の期間および第３の期間は、６０秒程度であることが、樹脂層で形成されるため反射ケース５の耐熱性を確保する上で望ましい。
【００４３】
また、第１端子電極２ａ上にＡｕＳｎ共晶層１０を形成して半導体発光素子３０を接合する工程は、窒素雰囲気中で実施されていても良い。この工程は、大気圧下で、実施可能である。
【００４４】
以下図面を参照しながら、実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法を詳述する。
【００４５】
（ａ）まず、図１０に示すように、チップ基板１上に第１端子電極２ａおよび第２端子電極２ｋを形成後、チップ基板１の上面外縁を囲むように反射ケース５を形成する。
【００４６】
（ｂ）次に、図１１に示すように、第１端子電極２ａ上にＡｕＳｎ共晶層１０を介して半導体発光素子３０を接合する（ダイボンディング工程）。
【００４７】
（ｂ−１）このダイボンディング工程では、まず、図１０の状態で、約１００℃、５分程度オーブン中で加熱して、プレキュア工程を実施する。
【００４８】
（ｂ−２）次に、フラックスと共にＡｕＳｎ半田層上に半導体発光素子３０を配置し、約３００℃で上記の加熱工程を実施して、半導体発光素子３０と第１端子電極２ａ間に良好なＡｕＳｎ共晶層１０を形成する。
【００４９】
（ｂ−３）上記の加熱工程後、フラックスを洗浄した後、乾燥させる。
【００５０】
（ｃ）次に、図１２に示すように、例えば、プラズマ洗浄工程を実施した後、半導体発光素子３０の表面と第２端子電極２ｋとの間をボンディングワイヤ４を用いて接続する。
【００５１】
（ｄ）次に、蛍光体層６の注入前のベーキング工程を実施後、反射ケース５で囲まれた内部に、蛍光体層６を充填する。ここで、蛍光体層６は、第１発光蛍光体６１・第２発光蛍光体６２を透光性樹脂中に混合分散して形成されていても良い。
【００５２】
（ｅ）次に、透光性樹脂を熱硬化するためのキュア工程を実施して、図１に示された半導体発光装置２０が完成する。
【００５３】
実施の形態によれば、加熱工程において、加熱時間および加熱温度を工夫することによって、半導体発光素子３０と第１端子電極２ａ間に良好なＡｕＳｎ共晶層１０を形成することができる。このため、製造時の信頼性を向上することができる。
【００５４】
本発明によれば、製造時の信頼性を向上し、かつ放熱特性を向上した半導体発光装置およびその製造方法を提供することができる。
【００５５】
（その他の実施の形態）
上記のように、実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【００５６】
また、半導体発光素子３０のＬＥＤの構成として、例えば、１パッケージ中に「青色ＬＥＤ＋緑色ＬＥＤ＋赤色ＬＥＤ」を収容して白色ＬＥＤを構成することもできる。このようなマルチチップの例として、「赤外ＬＥＤ＋青色ＬＥＤ」のマルチチップで、青色光励起によって黄色光を発光する蛍光体を組み合わせることもできる。黄色蛍光体は、赤外光による影響を受けないため、小型１パッケージで構成可能であり、占有スペースを小さくすることができ、小さなスペースに実装可能である。
【００５７】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明の半導体発光装置は、一般照明、道路照明、タスク照明、アクセント照明、階段灯、フラッシュライト、誘導灯、交通信号灯、自動車電装用、自動車前照灯、大型液晶バックライトなどＬＥＤ照明装置全般に適用可能である。
【符号の説明】
【００５９】
１…チップ基板
２ａ、２ｋ…端子電極
４…ボンディングワイヤ
５…反射ケース
６…蛍光体層
１０…ＡｕＳｎ共晶層
２０…半導体発光装置
３０…半導体発光素子
６１…第１発光蛍光体
６２…第２発光蛍光体
【図１】
2013062297.tif 000003
【図２】
2013062297.tif 000004
【図３】
2013062297.tif 000005
【図４】
2013062297.tif 000006
【図５】
2013062297.tif 000007
【図６】
2013062297.tif 000008
【図７】
2013062297.tif 000009
【図８】
2013062297.tif 000010
【図９】
2013062297.tif 000011
【図１０】
2013062297.tif 000012
【図１１】
2013062297.tif 000013
【図１２】
2013062297.tif 000014