(57)【要約】【課題】層間接続部における電気抵抗が低減され、大電流用途に適用可能とする。【解決手段】絶縁性フィルム１０と、絶縁性フィルム１０の両面にそれぞれ形成された第１金属層２１及び第２金属層４２と、絶縁性フィルム１０及び第１金属層２１を貫通するビアホール３０と、ビアホール３０内に形成され、第１金属層２１と第２金属層４２とを電気的に接続する層間接続部５０ｖと、を有し、第１金属層２１の厚さは０．０８ｍｍ以上であり、ビアホール３０の直径は０．１ｍｍ以上であり、層間接続部５０ｖは、ビアホール３０内を満たすようビアホール３０内に充填されるメッキ部５０からなる。【選択図】図１
2013062451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルムの両面にそれぞれ形成された第１金属層及び第２金属層と、
前記絶縁性フィルム及び前記第１金属層を貫通するビアホールと、
前記ビアホール内に形成され、前記第１金属層と前記第２金属層とを電気的に接続する層間接続部と、を有し、
前記第１金属層の厚さは０．０８ｍｍ以上であり、
前記ビアホールの直径は０．１ｍｍ以上であり、
前記層間接続部は、
前記ビアホール内を満たすよう前記ビアホール内に充填されるメッキ部からなる
ことを特徴とするフレキシブル配線基板。
【請求項２】
前記絶縁性フィルムの厚さＴｆと、前記第１金属層の厚さＴｍと、前記ビアホールの直径Ｄとが、（Ｔｆ＋Ｔｍ）／Ｄ＜０．７５の関係を満たすように構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル配線基板。
【請求項３】
前記メッキ部は、
前記メッキ部の上面に生じる窪みの深さが前記ビアホールの深さの１０％以下の略平坦な上面となるよう充填されている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブル配線基板。
【請求項４】
前記メッキ部は、２層以上のメッキ層からなる
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のフレキシブル配線基板。
【請求項５】
絶縁性フィルムの第１主面上に厚さが０．０８ｍｍ以上の第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、前記絶縁性フィルムの第２主面上に第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、前記絶縁性フィルム及び前記第１金属層を貫通させる貫通工程と、を有し、前記絶縁性フィルム及び前記第１金属層を貫通して前記第２金属層が露出する、直径が０．１ｍｍ以上のビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記ビアホール内に、前記第１金属層と前記第２金属層とを電気的に接続する層間接続部を形成する層間接続部形成工程と、を有し、
前記層間接続部形成工程では、
前記第２金属層に電流を印加して電気メッキを行い、前記ビアホール内に第１メッキ層を形成する第１メッキ層形成工程と、
前記第１金属層と前記第２金属層とに電流を印加して電気メッキを行い、前記第１メッキ層の上と前記第１金属層の上とに第２メッキ層を形成する第２メッキ層形成工程と、を実施して、前記第１メッキ層と、前記第２メッキ層の前記第１メッキ層上に形成された部分とで、前記ビアホール内を満たすよう前記ビアホール内に充填されるメッキ部を構成し、前記メッキ部からなる前記層間接続部を形成する
ことを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁性フィルムの厚さＴｆと、前記第１金属層の厚さＴｍと、前記ビアホールの直径Ｄとを、（Ｔｆ＋Ｔｍ）／Ｄ＜０．７５の関係を満たすように設定する
ことを特徴とする請求項５に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２メッキ層形成工程の前に、
前記第１メッキ層の上と、前記ビアホールの壁面と、前記第１金属層の上とに、導電化処理を施す導電化処理工程を有する
ことを特徴とする請求項５又は６に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性フィルムの両面に形成された第１金属層と第２金属層とを電気的に接続する層間接続部を有するフレキシブル配線基板およびフレキシブル配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ等が実装される配線基板には、可撓性を有する絶縁性フィルムに銅箔等により配線パターンを形成した、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式やＴＣＰ（Tape Carrier Package）方式等のフレキシブル配線基板（以降、これらを代表してＴＡＢテープと記す）がある。現在、ＴＡＢテープはＩＣパッケージ等の一部用途で活用され、量産されている。
【０００３】
上述のＴＡＢテープにおいては、ポリイミドテープ等の絶縁性フィルムをベース材として、片面に配線パターンを形成した１層ＴＡＢテープが一般的であるが、パーソナルコンピュータ等に搭載される半導体チップの高周波化が進んでおり、これに伴って伝送速度の速い回路の必要性が高まってきている。係るニーズに対応すべく、絶縁性フィルムの両面に配線パターンを形成した２層ＴＡＢテープが実用化されている。層間の電気的な接続には、例えば絶縁性フィルムを貫通するビアホールに対し、ビアホールの壁面に沿ってメッキを施した層間接続部が用いられる。例えば特許文献１には、ブラインドビアホールの内壁面及びブラインド層（ブラインドビアホールを塞ぐ配線層）のブラインド面に形成された電気銅（Ｃｕ）メッキ層を有する両面配線ＴＡＢ用テープが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１０２９３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年では、大電流用途に適合するＴＡＢテープの開発が進み、配線パターン等の厚みを従来のＴＡＢテープよりも厚くし、配線パターンを構成する導電体の断面積を大きくすることで、大電流を所望の箇所に供給あるいは伝送している。
【０００６】
しかしながら、上述のような層間接続部を大電流用途のＴＡＢテープに適用した場合、ビアホールの壁面に沿って設けられ、例えば厚さが０．０１ｍｍ〜０．０２ｍｍ程度の薄いメッキ層に大電流が流れて電気抵抗が増大してしまう。
【０００７】
本発明の目的は、層間接続部における電気抵抗が低減され、大電流用途に適用可能なフレキシブル配線基板およびフレキシブル配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムの両面にそれぞれ形成された第１金属層及び第２金属層と、前記絶縁性フィルム及び前記第１金属層を貫通するビアホールと、前記ビアホール内に形成され、前記第１金属層と前記第２金属層とを電気的に接続する層間接続部と、を有し、前記第１金属層の厚さは０．０８ｍｍ以上であり、前記ビアホールの直径は０．１ｍｍ以上であり、前記層間接続部は、前記ビアホール内を満たすよう前記ビアホール内に充填されるメッキ部からなるフレキシブル配線基板が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、前記絶縁性フィルムの厚さＴｆと、前記第１金属層の厚さＴｍと、前記ビアホールの直径Ｄとが、（Ｔｆ＋Ｔｍ）／Ｄ＜０．７５の関係を満たすように構成されている第１の態様に記載のフレキシブル配線基板が提供される。
【００１０】
本発明の第３の態様によれば、前記メッキ部は、前記メッキ部の上面に生じる窪みの深さが前記ビアホールの深さの１０％以下の略平坦な上面となるよう充填されている第１又は第２の態様に記載のフレキシブル配線基板が提供される。
【００１１】
本発明の第４の態様によれば、前記メッキ部は、２層以上のメッキ層からなる第１〜第３の態様のいずれかに記載のフレキシブル配線基板が提供される。
【００１２】
本発明の第５の態様によれば、絶縁性フィルムの第１主面上に厚さが０．０８ｍｍ以上の第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、前記絶縁性フィルムの第２主面上に第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、前記絶縁性フィルム及び前記第１金属層を貫通させる貫通工程と、を有し、前記絶縁性フィルム及び前記第１金属層を貫通して前記第２金属層が露出する、直径が０．１ｍｍ以上のビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記ビアホール内に、前記第１金属層と前記第２金属層とを電気的に接続する層間接続部を形成する層間接続部形成工程と、を有し、前記層間接続部形成工程では、前記第２金属層に電流を印加して電気メッキを行い、前記ビアホール内に第１メッキ層を形成する第１メッキ層形成工程と、前記第１金属層と前記第２金属層とに電流を印加して電気メッキを行い、前記第１メッキ層の上と前記第１金属層の上とに第２メッキ層を形成する第２メッキ層形成工程と、を実施して、前記第１メッキ層と、前記第２メッキ層の前記第１メッキ層上に形成された部分とで、前記ビアホール内を満たすよう前記ビアホール内に充填されるメッキ部を構成し、前記メッキ部からなる前記層間接続部を形成するフレキシブル配線基板の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の第６の態様によれば、前記絶縁性フィルムの厚さＴｆと、前記第１金属層の厚さＴｍと、前記ビアホールの直径Ｄとを、（Ｔｆ＋Ｔｍ）／Ｄ＜０．７５の関係を満たすように設定する第５の態様に記載のフレキシブル配線基板の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明の第７の態様によれば、前記第２メッキ層形成工程の前に、前記第１メッキ層の上と、前記ビアホールの壁面と、前記第１金属層の上とに、導電化処理を施す導電化処理工程を有する第５又は第６の態様に記載のフレキシブル配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、層間接続部における電気抵抗が低減され、大電流用途に適用可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板の一部を示す図であって、主に層間接続部を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板の製造方法の各工程を、図１の断面図と同方向側の断面図で示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板及びフレキシブル配線基板の製造方法について説明する。
【００１８】
（１）フレキシブル配線基板の構造
まずは、本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板の構造について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係るフレキシブル配線基板の一部を示す図であって、主に層間接続部５０ｖを示す断面図である。
【００１９】
図１に示すように、フレキシブル配線基板としてのＴＡＢテープは、例えば絶縁性フィルム１０と、絶縁性フィルム１０の両面にそれぞれ形成された第１金属層２１及び第２金属層４２と、を有している。また、ＴＡＢテープは、絶縁性フィルム１０及び第１金属層２１を貫通するビアホール３０と、ビアホール３０内に形成され、第１金属層２１と第２金属層４２とを電気的に接続する層間接続部５０ｖと、を有している。
【００２０】
絶縁性フィルム１０は、可撓性を有する樹脂、例えば厚さが０．１ｍｍ以下のポリイミド（ＰＩ）等からなる。絶縁性フィルム１０の第１主面１０ａ上には、第１金属層２１が形成されている。第１金属層２１は、例えば厚さが０．０８ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の銅箔等からなる。また、第１金属層２１は、係る銅箔等がパターニングされた第１配線パターン２１ｐを一部に有している。また、第１配線パターン２１ｐ上には、第１配線パターン２１ｐと重なる位置に、後述する第２メッキ層５２を構成する銅メッキ等がパターニングされたメッキパターン５２ｐを有している。絶縁性フィルム１０の第２主面１０ｂ上には、第２金属層４２が形成されている。第２金属層４２は、例えば厚さが０．０１２ｍｍ程度の銅箔等からなる。また、第２金属層４２は、係る銅箔等がパターニングされた第２配線パターン４２ｐを一部に有している。
【００２１】
このように、第１金属層２１は、大電流用途に適用可能なように、第２金属層４２に比して比較的厚く形成されている。また、第１配線パターン２１ｐとメッキパターン５２ｐとで、大電流を流す配線として機能させることで、ＴＡＢテープに大電流を流す際、配線部分の電気抵抗をいっそう低減することができる。また、第１金属層２１を構成する銅箔等の一部を加工して第１配線パターン２１ｐを形成する際の加工性を考慮して、上記のように、第１金属層２１を所定の厚さ以下とすることが好ましい。
【００２２】
絶縁性フィルム１０及び第１金属層２１を貫通するビアホール３０は、例えば直径が０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ以下に形成されている。ビアホール３０内に形成される層間接続部５０ｖは、ビアホール３０内を満たすようビアホール３０内に充填されるメッキ部５０からなる。
【００２３】
メッキ部５０は、２層以上のメッキ層からなる。すなわち、ビアホール３０内には、例えば銅メッキ等からなる第１メッキ層５１が形成されている。第１メッキ層５１は、ビアホール３０内の第１金属層２１には到達しない高さに形成されている。第１メッキ層５１の上と第１金属層２１の上とには、例えば銅メッキ等からなる第２メッキ層５２が形成されている。第１メッキ層５１と、第２メッキ層５２のビアホール３０内を満たす部分、すなわち、第１メッキ層５１上に形成された部分とで、メッキ部５０が構成される。上述のように、第２メッキ層５２は、第１配線パターン２１ｐと重なる位置にメッキパターン５２ｐを有している。
【００２４】
このように、ビアホール３０の直径を所定値以上とし、ビアホール３０内を満たすようにメッキ部５０が充填された構成とすることで、層間接続部５０ｖにおける電気抵抗を低減することができ、大電流用途に適用可能となる。また、層間接続部５０ｖを構成する銅メッキ等の導電体の質量が増加するため、電気的接合信頼性が向上する。また、第１メッキ層５１及び第２メッキ層５２を充填する際の生産性を考慮して、上記のように、ビアホール３０の直径を所定値以下とすることが好ましい。
【００２５】
また、メッキ部５０は、略平坦な上面を有する。すなわち、メッキ部５０は、メッキ部５０の上面、つまり、ビアホール３０内の略中央に位置する第２メッキ層５２の上面に生じる窪み５２ｄの深さが、例えばビアホール３０の深さの１０％以下の平坦な上面となるよう充填されている。
【００２６】
このような、略平坦な上面を有するメッキ部５０は、例えば絶縁性フィルム１０の厚さＴｆと、第１金属層２１の厚さＴｍと、ビアホール３０の直径Ｄとが、（Ｔｆ＋Ｔｍ）／Ｄ＜０．７５の関係を満たすように構成されることで得られる。その具体的な手法については後述する。上記各数値の具体例を挙げると、絶縁性フィルム１０の厚さＴｆを０．０５ｍｍ、第１金属層２１の厚さＴｍを０．１ｍｍ、前記ビアホールの直径Ｄを０．２ｍｍなどとすることができる。
【００２７】
このように、メッキ部５０の上面が略平坦に構成されることで、例えば層間接続部５０ｖの上に形成される種々の構造と、層間接続部５０ｖの接合性を向上させることができる。層間接続部５０ｖ上の構造としては、例えばハンダボールが搭載されるボールパッド等がある。
【００２８】
上述の従来例のように、薄いメッキ層が形成されるのみで層間接続部が充填されていないＴＡＢテープにおいては、層間接続部の上にボールパッド等を形成することが困難であった。また、仮にボールパッドを形成したとしても、ボールパッドがビアホール内へと撓み、ハンダボールやハンダボールと接合する半導体チップのパッド等と、良好な接合を得ることが困難であった。
【００２９】
しかしながら、本実施形態においては、ビアホール３０内が充填され、さらにメッキ部５０が略平坦な上面を有しているので、層間接続部５０ｖの直上の位置であってもボールパッド形成位置に含めることができ、配線設計上の自由度を向上させることができる。
【００３０】
（２）フレキシブル配線基板の製造方法
次に、本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板としてのＴＡＢテープの製造方法について、図２を用いて説明する。図２は、本実施形態に係るＴＡＢテープの製造方法の各工程を、図１のＡ−Ａ断面と同方向側の断面図で示す工程図である。
【００３１】
（ビアホール形成工程）
まずは、以下のように、第１金属層形成工程と、第２金属層形成工程と、貫通工程とを有するビアホール形成工程を行って、絶縁性フィルム１０及び第１金属層２１を貫通して第２金属層４２が露出する、直径が例えば０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ以下のビアホール３０を形成する。
【００３２】
（第１金属層形成工程）
図２（ａ）に示すように、絶縁性フィルム１０の第１主面１０ａ上に、例えば厚さが０．０８ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の第１金属層２１を形成する。すなわち、例えば厚さが０．０８ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の第１金属層２１となる銅箔等を、図示しない接着材により絶縁フィルム１０の第１主面１０ａ上に貼着する。
【００３３】
（貫通工程）
次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁性フィルム１０及び第１金属層２１を、例えばプレス加工等により貫通させる。
【００３４】
（第２金属層形成工程）
さらに、図２（ｃ）に示すように、絶縁性フィルム１０の第２主面１０ｂ上に第２金属層４２を形成する。すなわち、例えば第２金属層４２となる銅箔等を、図示しない接着材により絶縁フィルム１０の第２主面１０ｂ上に貼着する。
【００３５】
これにより、絶縁性フィルム１０及び第１金属層２１を貫通して第２金属層４２が露出する、直径が例えば０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ以下のビアホール３０が形成される。
【００３６】
（層間接続部形成工程）
続いて、以下のように、第１メッキ層形成工程と、導電化処理工程と、第２メッキ層形成工程とを有する層間接続部形成工程を行って、ビアホール３０内に、第１金属層２１と第２金属層４２とを電気的に接続する層間接続部５０ｖを形成する。
【００３７】
（第１メッキ層形成工程）
図２（ｄ）に示すように、第２金属層４２に電流を印加して電気メッキを行い、ビアホール３０内に第１メッキ層５１を形成する。係る電気メッキは、例えば銅メッキ液を用いた電気銅メッキ等とすることができる。電流を印加した第２金属層４２を電極として、ビアホール３０内に露出した第２金属層４２の上面から第１メッキ層５１が成長していく。このように、電気銅メッキ等を所定時間継続することで、ビアホール３０内の第１金属層２１には到達させずに、銅メッキ等からなる第１メッキ層５１を形成する。
【００３８】
このとき、絶縁性フィルム１０を厚くする場合は、ビアホール３０のアスペクト比（ビアホール３０の深さ／ビアホールの直径の比）が高くなりすぎないよう、ビアホール３０の直径を大きくする。具体的には、絶縁性フィルム１０の厚さＴｆと、第１金属層２１の厚さＴｍと、ビアホール３０の直径Ｄとを、例えば（Ｔｆ＋Ｔｍ）／Ｄ＜０．７５の関係を満たすように設定しておくことが好ましい。各数値をこのように設定しておくことで、ビアホール３０内に銅メッキ液等が抱き込まれてしまい、ビアホール３０の内部で第１メッキ層５１の成長速度が低下してしまうことを抑制することができる。
【００３９】
また、ビアホール３０の直径を大きくした場合は、印加する電流を増大させ、電気メッキの時間を長くする。これは、後述する第２メッキ層形成工程においても同様である。これにより、ビアホール３０内を満たすようにメッキ部５０を充填することができる。
【００４０】
（導電化処理工程）
次に、図２（ｅ）に示すように、ビアホール３０内に形成された第１メッキ層５１の上と、ビアホール３０の壁面と、第１金属層２１の上とに、導電化処理を施す。具体的には、例えば無電解銅メッキ等により、ビアホール３０内及びビアホール３０近傍の露出面、すなわち、第１メッキ層５１の上と、ビアホール３０の壁面と、第１金属層２１の上とに、導電被膜Ｍを形成する。
【００４１】
（第２メッキ層形成工程）
次に、図２（ｆ）に示すように、第１金属層２１と第２金属層４２とに電流を印加して電気メッキを行い、第１メッキ層５１の上と第１金属層２１の上とに第２メッキ層５２を形成する。係る電気メッキは、例えば銅メッキ液を用いた電気銅メッキ等とすることができる。電気銅メッキ等を所定時間、継続することで、銅メッキ等からなる第２メッキ層５２を形成することができる。電気銅メッキ等は、少なくともビアホール３０内が、第２メッキ層５２により、第１金属層２１の上面の高さに満たされるまで継続することとする。
【００４２】
このように、第２メッキ層形成工程では、第２金属層４２のみならず、第１金属層２１にも電流を印加して第２メッキ層５２を形成することで、電気的に接続のなかった第１金属層２１と第２金属層４２とが第１メッキ層５１及び第２メッキ層５２を介して接続され
る。また、第２メッキ層形成工程に先駆けて、導電化処理工程を行って導電被膜Ｍを形成している。これにより、第１金属層２１及び第２金属層４２から印加された電流が導電被膜Ｍに伝わり、第１メッキ層５１の上と、ビアホール３０の壁面と、第１金属層２１の上と、の３方向から、成長方向や成長速度の偏りを抑えつつ、ビアホール３０内を満たすように第２メッキ層５２を成長させることができる。
【００４３】
但し、このとき、ビアホール３０内の略中央に窪み５２ｄが生じ得る。電気銅メッキ等は、この第２メッキ層５２の窪み５２ｄの深さが、例えばビアホールの深さの１０％以下となるまで継続することが好ましい。
【００４４】
以上のように、第１メッキ層５１と、第２メッキ層５２の第１メッキ層５１上に形成された部分とで、ビアホール３０内を満たすようビアホール３０内に充填されるメッキ部５０を構成し、メッキ部５０からなる層間接続部５０ｖを形成することができる。
【００４５】
（配線パターン形成工程）
この後、図２（ｇ）に示すように、配線パターン２１ｐ，４２ｐを形成する。すなわち、第２メッキ層５２の上に図示しないレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクに第２メッキ層５２及び第１金属層２１をエッチングする。これにより、メッキパターン５２ｐと共に第１配線パターン２１ｐが形成される。一方、第２金属層４２の上に図示しないレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクに第２金属層４２をエッチングする。これにより、第２配線パターン４２ｐが形成される。
【００４６】
以上により、本実施形態に係るフレキシブル配線基板が製造される。
【００４７】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００４８】
例えば、上述の実施形態においては、第２メッキ層５２を銅メッキ等からなるとしたが、ニッケル（Ｎｉ）メッキ等であってもよい。
【００４９】
また、上述の実施形態においては、第１メッキ層５１と、第２メッキ層５２の第１メッキ層５１上に形成された部分とでメッキ部５０が構成されるとしたが、メッキ部５０は３層以上の複数のメッキ層から構成されていてもよい。
【００５０】
また、上述の実施形態においては、ビアホール形成工程を、第１金属層形成工程、貫通工程、第２金属層形成工程の順に行うこととしたが、工程順はこれに限られない。例えば、上述の実施形態と同様、第１金属層形成工程及び第２金属層形成工程を行って（順不同）、第１金属層及び第２金属層を有する絶縁性フィルムを形成した後、レーザ加工等により第２金属層を残して絶縁性フィルム及び第１金属層を貫通させる貫通工程を行って、ビアホールを形成してもよい。なお、銅箔等が既に片面或いは両面に貼着された絶縁性フィルムを出発材料とすることも可能である。この場合、例えば巴川製紙所製のＴＡＢ用接着テープ等を用いることができる。
【００５１】
また、上述の実施形態においては、第１金属層２１及び第２金属層４２は接着材を介して絶縁性フィルム１０に貼着することとしたが、接着材を用いずに熱圧着により銅箔を貼り合せたり、スパッタリングやメッキ等を用いて銅などの導電材を直接的に絶縁性フィルムに成膜したりしてもよい。
【００５２】
また、上述の実施形態においては、導電化処理工程は、無電解銅メッキにより行うこと
としたが、スパッタリングや蒸着等によって導電被膜を形成してもよく、パラジウム（Ｐｄ）系触媒等によって導電化処理を施してもよい。或いは、第２メッキ層形成工程にて、第１金属層２１にも電流を印加することとしたので、導電化処理工程を省略することも可能である。
【００５３】
また、上述の実施形態においては、絶縁性フィルム１０はポリイミド（ＰＩ）等から構成されるとしたが、これに限られず、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、アラミド、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂により構成されていてもかまわない。
【符号の説明】
【００５４】
１０    絶縁性フィルム
１０ａ  第１主面
１０ｂ  第２主面
２１    第１金属層
３０    ビアホール
４２    第２金属層
５０    メッキ部
５０ｖ  層間接続部
５１    第１メッキ層
５２    第２メッキ層
【図１】
2013062451.tif 000003
【図２】
2013062451.tif 000004