(57)【要約】【課題】長寿命な有機ＥＬ装置を提供すること。【解決手段】有機ＥＬ装置１１の画素７１は、第一サブピクセルを有すると共に、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｇとを含む。第一要素領域４１Ｂには第一発光層６３Ｂが形成され、第二要素領域４１Ｇには第二発光層６３Ｇが形成される。第一サブピクセルは、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｇとに跨って形成された第一第一電極を有し、第一の色を透過する第一カラーフィルターが、第一サブピクセルに平面視にて重なる様に、配置されている。第一要素領域における第一の色の表示に、第二要素領域における第一の色の表示を加えられるので、第一発光層６３Ｂの発光輝度を低くする事ができ、従って、第一発光層６３Ｂの寿命が伸ばされる。これにより、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置１１を容易に製造する事ができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素を備え、
前記画素は、第一サブピクセルを有すると共に、第一要素領域と第二要素領域とを含み、
前記第一要素領域には第一の色を主に発光する第一発光層が形成され、前記第二要素領域には第二の色を主に発光する第二発光層が形成され、
前記第一サブピクセルは、前記第一要素領域と前記第二要素領域とに跨って形成された第一第一電極を有し、
前記第一の色を主に透過する第一カラーフィルターが、前記第一サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記画素は、更に第二サブピクセルを有し、
前記第二サブピクセルは、前記第二要素領域に形成された第二第一電極を有し、
前記第二の色を主に透過する第二カラーフィルターが、前記第二サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記画素は、更に第二サブピクセルを有すると共に、第三要素領域を含み、
前記第三要素領域には第三の色を主に発光する第三発光層が形成され、
前記第二サブピクセルは、前記第二要素領域と前記第三要素領域とに跨って形成された第二第一電極を有し、
前記第二の色を主に透過する第二カラーフィルターが、前記第二サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記画素は、更に第三サブピクセルを有し、
前記第三サブピクセルは、前記第三要素領域に形成された第三第一電極を有し、
前記第三の色を主に透過する第三カラーフィルターが、前記第三サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記第一要素領域の面積と前記第二要素領域の面積とがほぼ等しい事を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記第一要素領域の面積と前記第二要素領域の面積と前記第三要素領域の面積とがほぼ等しい事を特徴とする請求項３又は４に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記第一要素領域にて前記第一発光層が前記第一第一電極と電気的に接触している平面積と、前記第二要素領域にて前記第二発光層が前記第一第一電極及び前記第二第一電極と電気的に接触している平面積と、がほぼ等しい事を特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記第一要素領域にて前記第一発光層が前記第一第一電極と電気的に接触している平面積と、前記第二要素領域にて前記第二発光層が前記第一第一電極及び前記第二第一電極と電気的に接触している平面積と、前記第三要素領域にて前記第三発光層が前記第二第一電極及び前記第三第一電極と電気的に接触している平面積と、がほぼ等しい事を特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記第一第一電極が前記第一発光層及び前記第二発光層と電気的に接触している総平面積と、前記第二第一電極が前記第二発光層及び前記第三発光層と電気的に接触している総平面積と、前記第三第一電極が前記第三発光層と電気的に接触している総平面積と、の比が、概ね１５：１０：５である事を特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
前記第一の色が青である事を特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えた事を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）装置は、陽極と陰極との間に発光機能層を挟持した構造をなしている。発光機能層としては、例えば、陽極側から順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層された構成が挙げられる。そして、陽極と陰極との間に電圧を印加する事によって、正孔輸送層から正孔が、電子輸送層から電子が発光層に注入され、これらが再結合する事で発光が行われる。
【０００３】
こうした有機ＥＬ装置では、カラー表示を実現する為に、赤の発光層（赤発光層）と緑の発光層（緑発光層）と青の発光層（青発光層）とを、マスク蒸着法やインクジェット法などを用いて、サブピクセル毎に形成し分けている。即ち、赤サブピクセルと緑サブピクセルと青サブピクセルとで一つの画素を構成し、こうした画素を複数個行列状に配列してカラー表示する有機ＥＬ装置としていた。昨今では、赤発光層と緑発光層との寿命は１０万時間程度と、概ね実用レベルに達している。一方、青発光層は実用レベルに到達したとは言い難い状況にあり、実際に青発光層の寿命は５千時間程度に限られている。
【０００４】
そこで、従来は、特許文献１及び２に記載されている様に、赤発光層と緑発光層との発光面積に比べて、青発光層の発光面積を広くしていた。これは、発光面積を広くすると、発光輝度を低くする事ができ、発光輝度が低くなると、発光層の寿命が伸びるからである。これにより青発光層の寿命を伸ばして、有機ＥＬ装置に必要とされる製品寿命を満たしていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１０３５１９号公報
【特許文献２】特開２０１０−１１８２７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の有機ＥＬ装置では、効率的な製造が困難であるという課題と、優れた表示画質をもたらす高解像度化が困難であるという課題とがあった。各色の発光層をサブピクセル毎に作り分けるには、パターニング性が高く、大面積化が容易であり、しかも材料の使用効率が高い塗布法を採用するのが有利である。塗布法としては、インクジェット法が広く採用されている。具体的に、インクジェット法では、正孔注入層や発光材料などを含むインク組成物をインクジェットヘッドから所定のサブピクセルに吐出し、吐出されたインク組成物を乾燥する事で発光機能層を形成している。ところが、色毎のサブピクセルに依り面積が異なると、サブピクセルに応じてインク組成物の吐出量が異なる事になる。この為に乾燥条件などの工程条件を総ての色に対して最適とする事ができなかった。例えば、発光面積が広くそれに応じて吐出量も多い青発光層に合わせて乾燥条件を定めると、発光面積が狭く吐出量も少ない赤発光層では乾燥させ過ぎ（熱劣化を招く）との状況となっていた。又、高解像度化を進める際にも、小面積のサブピクセル（例えば、赤サブピクセルや緑サブピクセル）が小さいので、インク組成物を正確に塗布する事が困難となり、事実上、高解像度化を進められなかった。換言すると、従来は、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を高効率な製造工程で実現する事が困難であるという課題が有った。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。尚、以下の形態又は適用例において、「上」とは、基板から見て発光素子が配置された方向を示し、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、を表すものとする。
【０００８】
（適用例１）  本適用例に係わる有機ＥＬ装置は、画素を備え、画素は、第一サブピクセルを有すると共に、第一要素領域と第二要素領域とを含み、第一要素領域には第一の色を主に発光する第一発光層が形成され、第二要素領域には第二の色を主に発光する第二発光層が形成され、第一サブピクセルは、第一要素領域と第二要素領域とに跨って形成された第一第一電極を有し、第一の色を主に透過する第一カラーフィルターが、第一サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする。
この構成によれば、第一要素領域における第一の色の表示に、第二要素領域における第一の色の表示を加える事ができる。これにより、第一発光層での発光輝度を低くする事ができ、従って、第一発光層の寿命が伸ばされる。カラー表示を実現する複数の色の中で、寿命の短い色を第一発光層で発光させる事により、第一発光層の寿命を伸ばして、有機ＥＬ装置の製品寿命を長くする事ができる。
【０００９】
（適用例２）  上記適用例１に係わる有機ＥＬ装置において、画素は、更に第二サブピクセルを有し、第二サブピクセルは、第二要素領域に形成された第二第一電極を有し、第二の色を主に透過する第二カラーフィルターが、第二サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事が好ましい。
この構成によれば、第一要素領域と第二要素領域との第一第一電極に相当する箇所で第一の色を表示させる事に加え、第二要素領域の第二第一電極に相当する箇所で第二の色を表示させる事ができる。従って、複数の色を表示する有機ＥＬ装置を実現できる。
【００１０】
（適用例３）  上記適用例１に係わる有機ＥＬ装置において、画素は、更に第二サブピクセルを有すると共に、第三要素領域を含み、第三要素領域には第三の色を主に発光する第三発光層が形成され、第二サブピクセルは、第二要素領域と第三要素領域とに跨って形成された第二第一電極を有し、第二の色を主に透過する第二カラーフィルターが、第二サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事が好ましい。
この構成によれば、第一要素領域と第二要素領域との第一第一電極に相当する箇所で第一の色を表示させる事に加え、第二要素領域と第三要素領域との第二第一電極に相当する箇所で第二の色を表示させる事ができる。従って、複数の色を表示する有機ＥＬ装置を実現できる。更に、第二要素領域における第二の色の表示に、第三要素領域における第二の色の表示を加える事ができる。これにより、第二発光層での発光輝度を低くする事ができ、第二発光層の寿命を伸ばす事ができる。
【００１１】
（適用例４）  上記適用例３に係わる有機ＥＬ装置において、画素は、更に第三サブピクセルを有し、第三サブピクセルは、第三要素領域に形成された第三第一電極を有し、第三の色を主に透過する第三カラーフィルターが、第三サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事が好ましい。
この構成によれば、第三要素領域の第三第一電極に相当する箇所で第三の色を表示させる事ができる。従って、三原色を用いてカラー表示する有機ＥＬ装置を実現できる。
【００１２】
（適用例５）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、第一要素領域の面積と第二要素領域の面積とがほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一発光層や第二発光層といった発光機能層を製造効率に優れる塗布法にて形成しても、第一要素領域と第二要素領域との面積が等しいので、工程条件を両方に対して最適とする事ができる。又、一方のサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
【００１３】
（適用例６）  上記適用例３又は４に係わる有機ＥＬ装置において、第一要素領域の面積と第二要素領域の面積と第三要素領域の面積とがほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一発光層や第二発光層、第三発光層といった発光機能層を製造効率に優れる塗布法にて形成しても、第一要素領域と第二要素領域と第三要素領域との面積が等しいので、工程条件を三つの要素領域に対して最適とする事ができる。又、一つのサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
【００１４】
（適用例７）  上記適用例２に係わる有機ＥＬ装置において、第一要素領域にて第一発光層が第一第一電極と電気的に接触している平面積と、第二要素領域にて第二発光層が第一第一電極及び第二第一電極と電気的に接触している平面積と、がほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一発光層や第二発光層といった発光機能層を製造効率に優れる塗布法にて形成しても、第一要素領域と第二要素領域との面積が等しいので、工程条件を両方に対して最適とする事ができる。又、一方のサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
【００１５】
（適用例８）  上記適用例４に係わる有機ＥＬ装置において、第一要素領域にて第一発光層が第一第一電極と電気的に接触している平面積と、第二要素領域にて第二発光層が第一第一電極及び第二第一電極と電気的に接触している平面積と、第三要素領域にて第三発光層が第二第一電極及び第三第一電極と電気的に接触している平面積と、がほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一発光層や第二発光層、第三発光層といった発光機能層を製造効率に優れる塗布法にて形成しても、第一要素領域と第二要素領域と第三要素領域との面積が等しいので、工程条件を三つの要素領域に対して最適とする事ができる。又、一つのサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
【００１６】
（適用例９）  上記適用例４に係わる有機ＥＬ装置において、第一第一電極が第一発光層及び第二発光層と電気的に接触している総平面積と、第二第一電極が第二発光層及び第三発光層と電気的に接触している総平面積と、第三第一電極が第三発光層と電気的に接触している総平面積と、の比が、概ね１５：１０：５である事が好ましい。
高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
【００１７】
（適用例１０）  上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、第一の色が青である事が好ましい。
この構成によれば、寿命が実用レベルに達している赤と緑のサブピクセルに対して、短寿命の青のサブピクセルを大きくする事で、青発光層の寿命を伸ばし、有機ＥＬ装置の製品寿命を伸ばす事ができる。従って、高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
【００１８】
（適用例１１）  本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に係わる有機ＥＬ装置を備えた事を特徴とする。
この構成によれば、高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を備えた電子機器を高効率な製造工程で実現する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】画素の構成を説明する模式斜視図。
【図３】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図４】画素の構造を説明する模式図。
【図５】発光素子から発せられた光の強度スペクトルを示す図。
【図６】カラーフィルターＣＦの光透過率スペクトルを示す図。
【図７】第三サブピクセル（赤サブピクセル）の赤表示を示す図。
【図８】第二サブピクセル（緑サブピクセル）の緑表示を示す図。
【図９】第一サブピクセル（青サブピクセル）の青表示を示す図。
【図１０】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１１】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１２】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１３】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１４】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１５】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１６】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１７】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１８】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図１９】有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図２０】有機ＥＬ装置を備えるテレビを模式的に示す概略斜視図。
【図２１】変形例２に係わる有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【図２２】変形例２に係わる有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００２１】
（実施形態１）
「有機ＥＬ装置の構成」
まず、有機ＥＬ装置１１の構成を、図１と図２と図３とを参照して説明する。図１は本実施形態に係わる有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図１に示す様に、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、が縦横に配線されている。更に、複数の第一電源線１４が信号線１３に並行して配線され、複数の第二電源線１７が走査線１２に並行して配線されている。本実施形態では、第一電源線１４に正電源電位Ｖｄｄが供給され、第二電源線１７に負電源電位Ｖｓｓが供給される。信号線１３は信号線駆動回路１５に接続されて、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。走査線１２と信号線１３とにより区画された一つの行列要素の領域が要素領域４１（第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｇ、第三要素領域４１Ｒ）となる。即ち、要素領域４１が実表示領域３２ａで行列状に配列されている。
【００２２】
一つの画素７１は少なくとも第一サブピクセルと第二サブピクセルとを含み、各サブピクセル４２は異なった色を表示する。通常は、三個以上のサブピクセル４２から一つの画素７１が構成される。本実施形態では、一つの画素７１は、第一サブピクセルと第二サブピクセルと第三サブピクセルとからなる。一例として、第一サブピクセルは青色の表示をする青サブピクセル４２Ｂであり、第二サブピクセルは緑色の表示をする緑サブピクセル４２Ｇであり、第三サブピクセルは赤色の表示をする赤サブピクセル４２Ｒである。
【００２３】
更に、一つの画素７１は少なくとも第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｇとを含み、各要素領域４１に設けられた発光素子２７は要素領域４１毎に異なった色の光を発光する。通常は、三個以上の要素領域４１から一つの画素７１が構成され、一つの画素７１内でサブピクセルの数と要素領域４１の数とは同じである。本実施形態では、一つの画素７１は、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｇと第三要素領域４１Ｒとからなる。第一要素領域４１Ｂは第一の色を主に発光する第一発光素子（青色を主に発光する青発光素子２７Ｂ、図４参照）を有しており、第一発光素子（青発光素子２７Ｂ）は第一発光層（青発光層６３Ｂ）を含んでいる。又、第二要素領域４１Ｇは第二の色を主に発光する第二発光素子（緑色を主に発光する緑発光素子２７Ｇ、図４参照）を有しており、第二発光素子（緑発光素子２７Ｇ）は第二発光層（緑発光層６３Ｇ）を含んでいる。更に、第三要素領域４１Ｒは第三の色を主に発光する第三発光素子（赤色を主に発光する赤発光素子２７Ｒ、図４参照）を有しており、第三発光素子（赤発光素子２７Ｒ）は第三発光層（赤発光層６３Ｒ）を含んでいる。第一サブピクセルは第一要素領域４１Ｂの一部（本実施形態では第一要素領域４１Ｂの全部）と第二要素領域４１Ｇの一部とに跨って形成され、第二サブピクセルは第二要素領域４１Ｇの一部と第三要素領域４１Ｒの一部とに跨って形成され、第三サブピクセルは第三要素領域４１Ｒの一部に形成される。以降、第一サブピクセルと第二サブピクセルと第三サブピクセルとを特に区別する必要がない場合（赤サブピクセル４２Ｒと、緑サブピクセル４２Ｇと、青サブピクセル４２Ｂと、を特に区別する必要がない場合）、単にサブピクセル４２と称する。同様に、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｇと第三要素領域４１Ｒとを特に区別する必要がない場合、単に要素領域４１と称する。発光素子２７や発光層６３なども同様である。
【００２４】
各要素領域４１には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給される選択トランジスター２１と、この選択トランジスター２１を介して信号線１３から供給される画像信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動トランジスター２３とが設けられている。更に、各要素領域４１には、駆動トランジスター２３を介して第一電源線１４に電気的に接続したときに、第一電源線１４（正電源電位Ｖｄｄ）から駆動電流が供給される第一電極（本実施形態では陽極２４）と、第二電源線１７（負電源電位Ｖｓｓ）に接続する第二電極（本実施形態では陰極２５）と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された発光機能層２６とが設けられている。これら陽極２４と陰極２５と発光機能層２６とで発光素子２７が構成される。第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）に形成されている第一電極は第一第一電極（第一陽極２４Ｂ）であり、第二サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）に形成されている第一電極は第二第一電極（第二陽極２４Ｇ）であり、第三サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）に形成されている第一電極は第三第一電極（第三陽極２４Ｒ）である。
【００２５】
第一第一電極（第一陽極２４Ｂ）は第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｇとに跨って形成される。その結果、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）は、第一要素領域４１Ｂに第一発光素子（青発光素子２７Ｂ）を有し、更に隣の第二要素領域４１Ｇに第二発光素子（緑発光素子２７Ｇ）を有している事になる。第二第一電極（第二陽極２４Ｇ）は第二要素領域４１Ｇと第三要素領域４１Ｒとに跨って形成される。その結果、第二サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）は、第二要素領域４１Ｇに第二発光素子（緑発光素子２７Ｇ）を有し、更に隣の第三要素領域４１Ｒに第三発光素子（赤発光素子２７Ｒ）を有している事になる。第三第一電極（第三陽極２４Ｒ）は第三要素領域４１Ｒに形成される。その結果、第三サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）は、第三要素領域４１Ｒに第三発光素子（赤発光素子２７Ｒ）を有している事になる。
【００２６】
要するに、有機ＥＬ装置１１は、実表示領域３２ａを備え、実表示領域３２ａには複数の画素７１が行列状に設けられ、各画素７１は第一サブピクセルと第二サブピクセルと第三サブピクセルとを含み、各サブピクセル４２は単数又は複数の発光素子２７を有している。こうした構成を取ると、走査線１２が駆動されて選択トランジスター２１がオン状態になると、その時の信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、駆動トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動トランジスター２３のチャネルを介して、第一電源線１４から陽極２４に電流が供給され、更に、発光機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。発光機能層２６は、ここを通う電流量に応じた輝度で発光する。尚、本実施形態では、選択トランジスター２１はＮ型の薄膜トランジスターで構成され、駆動トランジスター２３はＰ型の薄膜トランジスターで構成される。
【００２７】
図２は、画素の構造を説明する模式斜視図である。有機ＥＬ装置１１はカラーフィルター基板ＣＦ−Ｓｕｂ（図４（ｂ）参照）を備え、カラーフィルター基板ＣＦ−Ｓｕｂには各サブピクセル４２に応じたカラーフィルターＣＦが配置されている。即ち、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）に平面視にて重なる様に、第一の色（青）を主に透過する第一カラーフィルター（青カラーフィルターＣＦ−Ｂ）が配置されている。同様に、第二サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）に平面視にて重なる様に、第二の色（緑）を主に透過する第二カラーフィルター（緑カラーフィルターＣＦ−Ｇ）が配置されている。更に、第三サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）に平面視にて重なる様に、第三の色（赤）を主に透過する第三カラーフィルター（赤カラーフィルターＣＦ−Ｒ）が配置されている。
【００２８】
前述の如く、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）に形成される第一第一電極（第一陽極２４Ｂ）は第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｇとに跨って形成される。その結果、第一第一電極（第一陽極２４Ｂ）に第一電源線１４から電流が供給されると、第一要素領域４１Ｂでは第一発光層（青発光層６３Ｂ）が第一の色を主に発光し、第二要素領域４１Ｇでは第二発光層（緑発光層６３Ｇ）が第二の色を主に発光する。こうして発せられた第一の色（青）を主とする光と第二の色（緑）を主とする光は、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）に配置された第一カラーフィルター（青カラーフィルターＣＦ−Ｂ）を通過し、第一の色（青）を主として表示する事になる（青表示Ｂ）。
【００２９】
同様に、第二サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）に形成される第二第一電極（第二陽極２４Ｇ）は第二要素領域４１Ｇと第三要素領域４１Ｒとに跨って形成される。その結果、第二第一電極（第二陽極２４Ｇ）に第一電源線１４から電流が供給されると、第二要素領域４１Ｇでは第二発光層（緑発光層６３Ｇ）が第二の色を主に発光し、第三要素領域４１Ｒでは第三発光層（赤発光層６３Ｒ）が第三の色を主に発光する。こうして発せられた第二の色（緑）を主とする光と第三の色（赤）を主とする光は、第二サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）に配置された第二カラーフィルター（緑カラーフィルターＣＦ−Ｇ）を通過し、第二の色（緑）を主として表示する事になる（緑表示Ｇ）。
【００３０】
第三サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）に形成される第三第一電極（第三陽極２４Ｒ）は第三要素領域４１Ｒに形成される。その結果、第三第一電極（第三陽極２４Ｒ）に第一電源線１４から電流が供給されると、第三要素領域４１Ｒで第三発光層（赤発光層６３Ｒ）が第三の色を主に発光する。こうして発せられた第三の色（赤）を主とする光は、第三サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）に配置された第三カラーフィルター（赤カラーフィルターＣＦ−Ｒ）を通過し、第三の色（赤）を主として表示する事になる（赤表示Ｒ）。
【００３１】
これらの関係を表１に纏める。
【００３２】
【表１】
2013197000.tif 000003
【００３３】
図３は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置１１の構成を、図３を参照しながら説明する。図３に示す様に、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる素子基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３４】
実表示領域３２ａ内には、上述の如く、画素７１が行列状に配列されている。一方、ダミー領域３２ｂには、主として各サブピクセル４２を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿う様に走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿う様に信号線駆動回路１５が配置されている。素子基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００３５】
「画素構造」
図４は、画素の構造を説明する模式図で、（ａ）は平面図で、（ｂ）はＸ−Ｘ’における断面図である。更に、（ｂ）には、Ｙ−Ｙ’におけるカラーフィルター基板の断面図も描いてある。以下、画素７１の構造について、図４を参照しながら説明する。尚、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００３６】
図４に示す様に、有機ＥＬ装置１１は、サブピクセル４２毎に独立に発光が制御され、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４３Ｌと、回路素子層４３Ｌ上に形成された発光素子層４４と、を有する。走査線１２と信号線１３とで定められる行列要素が要素領域４１（第一要素領域４１Ｂ、第二要素領域４１Ｇ、第三要素領域４１Ｒ）であり、第一要素領域４１Ｂの面積と第二要素領域４１Ｇの面積と第三要素領域４１Ｒの面積とはほぼ等しい。ほぼ等しいとは設計上意図的に異ならしてあるのではなく、誤差範囲で一致するとの意味である。素子基板３１としては、例えば、透光性を有するガラス基板が用いられる。発光素子層４４にて発せられた光は素子基板３１側に取り出され、素子基板３１の下側に配置されたカラーフィルターＣＦ（ＣＦ−Ｒ、ＣＦ−Ｇ、ＣＦ−Ｂ）を通過して、各色の表示（赤表示Ｒ、緑表示Ｇ、青表示Ｂ）を行う事になる。従って、有機ＥＬ装置１１は、所謂、ボトムエミッション構造をなしている。カラーフィルター基板ＣＦ−Ｓｕｂで、カラーフィルターＣＦ（ＣＦ−Ｒ、ＣＦ−Ｇ、ＣＦ−Ｂ）間には遮光膜が格子状に形成され、格子状の遮光膜はブラックマトリックスＢＭとなっている。
【００３７】
回路素子層４３Ｌには、素子基板３１の上に不図示のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜が形成され、下地保護膜上に選択トランジスター２１や保持容量２２、駆動トランジスター２３などからなる薄膜回路が形成されている。薄膜回路が形成されている領域は薄膜回路領域４３（第一薄膜回路領域４３Ｂ、第二薄膜回路領域４３Ｇ、第三薄膜回路領域４３Ｒ）であり、図４（ａ）に示す様に、サブピクセル毎にそれぞれ形成される。後述する第一電極（第一第一電極、第二第一電極、第三第一電極）の平面形状以外は、薄膜回路は各薄膜回路領域４３で同じ構成を取る。選択トランジスター２１や駆動トランジスター２３といった薄膜トランジスターでは、下地保護膜上に不図示のポリシリコン膜からなる島状の半導体膜が形成され、半導体膜にはソース領域及びドレイン領域が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となっている。
【００３８】
更に、回路素子層４３Ｌには、下地保護膜及び半導体膜を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜（不図示）が形成されている。ゲート絶縁膜上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなる第一金属配線層が形成され、第一金属配線層にて図４（ａ）に示す走査線１２や第二電源線１７、薄膜トランジスターのゲート電極（不図示）など、が形成される。ゲート電極は、半導体膜のチャネル領域に対応する位置に設けられる。
【００３９】
ゲート絶縁膜及び第一金属配線層の上には、透明な第一層間絶縁膜（不図示）が形成されている。第一層間絶縁膜は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）などから構成される。第一層間絶縁膜の上には、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、などからなる第二金属配線層が形成され、第二金属配線層にて信号線１３や第一電源線１４などが形成される。第一層間絶縁膜及び第二金属配線層の上には、透明な第二層間絶縁膜５５が形成されている。第二層間絶縁膜５５は、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などから構成される。
【００４０】
選択トランジスター２１のソース領域は、ゲート絶縁膜及び第一層間絶縁膜を貫通して設けられた第一コンタクトホール（不図示）を介して、第一層間絶縁膜上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。駆動トランジスター２３のソース領域は、第一コンタクトホールを介して、第一層間絶縁膜上に形成された第一電源線１４と電気的に接続されている。一方、駆動トランジスター２３のドレイン領域は、ゲート絶縁膜と第一層間絶縁膜と第二層間絶縁膜５５を貫通して設けられた第二コンタクトホール（不図示）を介して、第二層間絶縁膜５５の上に形成された陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）と電気的に接続されている。この第二コンタクトホールは、陽極２４と薄膜回路領域４３とが平面視にて重なり合う領域に形成されている。
【００４１】
第一電極（陽極２４）は、透明導電膜からなり、好適例としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の薄膜が利用される。陽極２４の平面形状は、サブピクセル４２の平面形状にほぼ合わせられる。従って第一陽極２４Ｂの平面視での形状は、図４（ａ）に示す様に、第一要素領域４１Ｂに後に設けられる開口部５９１の全域と第二要素領域４１Ｇに後に設けられる開口部５９１の一部域とを内包する様に形成される。本実施形態では、第一陽極２４Ｂは第一要素領域４１Ｂの開口部５９１の全域と第二要素領域４１Ｇの開口部５９１の約半分の領域とを内包する様に形成される。第二陽極２４Ｇの平面視での形状は、第二要素領域４１Ｇに後に設けられる開口部５９１の一部域と第三要素領域４１Ｒに後に設けられる開口部５９１の一部域とを内包する様に形成される。本実施形態では、第二陽極２４Ｇは第二要素領域４１Ｇの開口部５９１の約半分の領域と第三要素領域４１Ｒの開口部５９１の約半分の領域とを内包する様に形成される。第三陽極２４Ｒの平面視での形状は、第三要素領域４１Ｒに後に設けられる開口部５９１の一部域を内包する様に形成される。本実施形態では、第三陽極２４Ｒは第三要素領域４１Ｒの開口部５９１の約半分の領域を内包する様に形成される。
【００４２】
各要素領域４１においては、第一隔壁５８と第二隔壁５９とからなる二層隔壁が平面視で略格子状に設けられており、二層隔壁で囲まれた内側の領域が開口部５９１となっている。二層隔壁は各要素領域４１を均等に区画し、それ故に、開口部５９１の面積は第一要素領域４１Ｂにおいても第二要素領域４１Ｇにおいても第三要素領域４１Ｒにおいてもほぼ同じである。開口部５９１には第一発光層（青発光層６３Ｂ）と第二発光層（緑発光層６３Ｇ）と第三発光層（赤発光層６３Ｒ）とがそれぞれ形成されている。
【００４３】
第一隔壁５８は、絶縁性材料にて形成され、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等の無機材料が用いられる。第一隔壁５８は、隣り合う陽極２４間の絶縁性を確保すると共に、発光領域の形状（発光部５８Ｉ、具体的には陽極２４と発光機能層２６とが電気的に接する領域の形状）を所望の形状（例えば、角丸四角形）にする為に、陽極２４の周縁部上などに乗り上げる様に形成されている。つまり、陽極２４と第一隔壁５８とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっており、第一隔壁５８は、サブピクセル４２の内で発光部５８Ｉを除いた領域と、サブピクセル４２間と、に形成されている。第一要素領域４１Ｂにおいては、第一陽極２４Ｂに発光部５８Ｉが形成される様に第一隔壁５８が形成される。第二要素領域４１Ｇにおいては、第一陽極２４Ｂと第二陽極２４Ｇとに発光部５８Ｉが形成される様に第一隔壁５８が形成される。第三要素領域４１Ｒにおいては、第二陽極２４Ｇと第三陽極２４Ｒとに発光部５８Ｉが形成される様に第一隔壁５８が形成される。発光部５８Ｉの面積は第一要素領域４１Ｂにおいても第二要素領域４１Ｇにおいても第三要素領域４１Ｒにおいてもほぼ同じとなる様に第一隔壁５８が形成される。
【００４４】
更に、第一隔壁５８は、第一要素領域４１Ｂにて第一発光層が第一第一電極と電気的に接触している平面積（第一要素領域４１Ｂにおける発光部５８Ｉの面積）と、第二要素領域４１Ｇにて第二発光層が第一第一電極及び第二第一電極と電気的に接触している平面積（第二要素領域４１Ｇにおける発光部５８Ｉの面積）と、第三要素領域４１Ｒにて第三発光層が第二第一電極及び第三第一電極と電気的に接触している平面積（第三要素領域４１Ｒにおける発光部５８Ｉの面積）と、がほぼ等しくなる様に形成される。これは、発光機能層２６の一部の層を製造効率に優れる塗布法にて形成するが、その際に塗布条件を三つの領域に対して最適とする為である。又、一つのサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる様にする為でもある。
【００４５】
第一電極と第一隔壁５８とを上述の様に形成した結果、第一第一電極が第一発光層及び第二発光層と電気的に接触している総平面積（第一サブピクセルにおける発光部の総面積）と、第二第一電極が第二発光層及び第三発光層と電気的に接触している総平面積（第二サブピクセルにおける発光部の総面積）と、第三第一電極が第三発光層と電気的に接触している総平面積（第三サブピクセルにおける発光部の総面積）と、の比は、概ね１５：１０：５となっている。
【００４６】
第一隔壁５８に平面視で重なり、その上に形成される第二隔壁５９は、例えば、断面が傾斜面を有する台形状であり、発光素子２７を平面視で囲むように形成されている。即ち、第二隔壁５９にて囲まれた領域が発光素子２７の開口部５９１となり、発光機能層２６をなす各種薄膜が形成される。第二隔壁５９は、各要素領域４１における開口部５９１の形状や面積が等しくなる様に形成される。第二隔壁５９の材料としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂の様に耐熱性に優れ、且つ耐溶剤性が高い有機材料が用いられる。
【００４７】
陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）上に設けられる各種薄膜は、発光素子２７（２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂ）毎に異なっている。具体的には、第三サブピクセルに属する赤発光素子２７Ｒは、第二隔壁５９によって囲まれた第三陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒ、正孔輸送層６２Ｒ、第三発光層（赤発光層６３Ｒ）が、塗布法（インクジェット法）によって順に形成されている。又、第二サブピクセルに属する緑発光素子２７Ｇは、第二隔壁５９によって囲まれた第二陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｇ、第二発光層（緑発光層６３Ｇ）が、インクジェット法によって順に形成されている。赤発光層６３Ｒと緑発光層６３Ｇとの上には、中間層となる正孔ブロッキング層６４が蒸着法により積層されている。正孔ブロッキング層６４の上には第三発光層（青発光層６３Ｂ）が形成されている。
【００４８】
第一サブピクセルに属する青発光素子２７Ｂは、第二隔壁５９によって囲まれた第一陽極２４Ｂ上に、正孔注入層６１Ｂ、正孔輸送層６２Ｂがインクジェット法によって順に形成されている。更に正孔輸送層６２Ｂ上には、第二隔壁５９上を含めた表示領域の全面に中間層となる正孔ブロッキング層６４が蒸着法により積層されている。正孔ブロッキング層６４上には第一発光層（青発光層６３Ｂ）が蒸着法により積層されている。
【００４９】
青発光層６３Ｂの上には電子輸送層６５が蒸着法により積層されており、更に、電子輸送層６５上には、陰極２５が素子基板３１上の全面に成膜されている。陰極２５上は、例えば、缶封止方式を用いて封止が施されている（図示せず）。具体的には、凹型のガラスや金属製の対向基板の中に乾燥剤が入れられ、エポキシ等の接着剤を介して陰極２５側に貼り付けられている。陽極２４と陰極２５との間に挟持されているのが発光機能層２６であるので、第二サブピクセルと第三サブピクセルとの発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｒ又は６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｒ又は６２Ｇ、第二発光層（緑発光層６３Ｇ）又は第三発光層（赤発光層６３Ｒ）、正孔ブロッキング層６４、青発光層６３Ｂ、電子輸送層６５、の各層を含んでなる。一方、第一サブピクセルの発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｂ、正孔輸送層６２Ｂ、正孔ブロッキング層６４、第一発光層（青発光層６３Ｂ）、電子輸送層６５、の各層を含んでなる。尚、発光機能層２６は上述の構成に限られず、例えば、中間層である正孔ブロッキング層６４を省略する事も可能である。
【００５０】
正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６１は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３、４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成する事ができる。
【００５１】
塗布法により形成される正孔輸送層６２（６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂ）の構成材料としては、例えば、下記化学式１に示すＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ材料を用いる事ができる。
【００５２】
【化１】
2013197000.tif 000004
【００５３】
発光層６３（６３Ｒ、６３Ｇ、６３Ｂ）は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。発光層６３の構成材料とし、塗布法にて形成する赤発光層６３Ｒであれば、例えば、下記化学式２に示す材料（Ｐｏｌｙ［｛９、９−ｄｉｈｅｘｙｌ−２、７−ｂｉｓ（１−ｃｙａｎｏｖｉｎｙｌｅｎｅ）ｆｌｕｏｒｅｎｙｌｅｎｅ｝−ａｌｔ−ｃｏ−｛２、５−ｂｉｓ（Ｎ、Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ｝］、ＡＤＳ−１１１ＲＥ）を用いる事ができる。同じく塗布法にて形成する緑発光層６３Ｇであれば、例えば、下記化学式３に示す材料（Ｐｏｌｙ［｛９、９−ｄｉｏｃｔｙｌ−２、７−ｂｉｓ（２−ｃｙａｎｏｖｉｎｙｌｅｎｅ−ｆｌｕｏｒｅｎｙｌｅｎｅ｝−ａｌｔ−ｃｏ−｛２−ｍｅｔｈｏｘｙ−５−（２−ｅｔｈｙｌ  ｈｅｘｙｌｏｘｙ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ｝］、ＡＤＳ−１０９ＧＥ）を用いる事ができる。又、蒸着法で形成する青発光層６３Ｂであれば、例えば、下記化学式４に示すホスト材料（２−［９、９−ｄｉ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−ｆｌｕｏｒｅｎ−２−ｙｉ］−９、９−ｄｉ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｆｌｕｏｒｅｎ、ＢＤＡＦ）及び下記化学式５に示すゲスト材料（１、４−ｂｉｓ［２−（３−Ｎ−ｅｔｈｙｌｃａｒｂａｚｏｒｙｌ）ｖｉｎｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ、ＢＣｚＶＢ）を用いる事ができる。
【００５４】
【化２】
2013197000.tif 000005
【００５５】
【化３】
2013197000.tif 000006
【００５６】
【化４】
2013197000.tif 000007
【００５７】
【化５】
2013197000.tif 000008
【００５８】
正孔ブロッキング層６４は赤発光層６３Ｒ及び緑発光層６３Ｇ内に正孔を留める機能を有する層である。正孔ブロッキング層６４の構成材料としては、例えば、下記化学式６に示されるＢａｌｑを用いる事ができる。
【００５９】
【化６】
2013197000.tif 000009
【００６０】
電子輸送層６５は、陰極２５から発光層６３（６３Ｒ、６３Ｇ、６３Ｂ）への電子注入を高める機能を有する層である。電子輸送層６５の構成材料としては、例えば、下記化学式７に示されるＡｌｑ３を用いる事ができる。
【００６１】
【化７】
2013197000.tif 000010
【００６２】
陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体とする事ができる。
【００６３】
「表示原理」
次に図５乃至図９を参照して、有機ＥＬ装置１１の表示原理を説明する。図５は発光素子から発せられた光の強度スペクトルである。第一発光素子（青発光素子２７Ｂ）は第一の色（青）を主に発光し、そのスペクトルはＥＭ−Ｂにて描かれている。第一発光素子（青発光素子２７Ｂ）からの光は、凡そ４８５ｎｍの波長で強度が最大となり、４２０ｎｍから５６０ｎｍの波長範囲にある。第二発光素子（緑発光素子２７Ｇ）は第二の色（緑）を主に発光し、そのスペクトルはＥＭ−Ｇにて描かれている。第二発光素子（緑発光素子２７Ｇ）からの光は、凡そ５５０ｎｍの波長で強度が最大となり、４８０ｎｍから６２０ｎｍの波長範囲にある。第三発光素子（赤発光素子２７Ｒ）は第三の色（赤）を主に発光し、そのスペクトルはＥＭ−Ｒにて描かれている。第三発光素子（赤発光素子２７Ｒ）からの光は、凡そ６５０ｎｍの波長で強度が最大となり、５８０ｎｍから７２０ｎｍの波長範囲にある。
【００６４】
図６はカラーフィルターの光透過率スペクトルである。第一カラーフィルター（青カラーフィルターＣＦ−Ｂ）は第一の色（青）を主に透過し、その透過率は、凡そ４５０ｎｍの波長で最大となり、４００ｎｍから５６０ｎｍ程度の波長範囲の光を透過させる。第二カラーフィルター（緑カラーフィルターＣＦ−Ｇ）は第二の色（緑）を主に透過し、その透過率は、凡そ５３０ｎｍの波長で最大となり、４７０ｎｍから６１０ｎｍ程度の波長範囲の光を透過させる。第三カラーフィルター（赤カラーフィルターＣＦ−Ｒ）は第三の色（緑）を主に透過し、その透過率は、凡そ６３０ｎｍの波長で最大となり、凡そ５８０ｎｍ以上の波長範囲の光を透過させる。
【００６５】
図５の発光スペクトルと図６の透過率スペクトルとの積が有機ＥＬ装置の表示色となる。図７は、こうして得られた、第三サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）の赤表示Ｒを示している。赤表示Ｒは第三発光素子からの発光ＥＭ−Ｒと第三カラーフィルターＣＦ−Ｒの透過率との積である。美しい赤表示Ｒが実現している。
【００６６】
図８は、第二サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）の緑表示Ｇを示している。緑表示Ｇは、第二発光素子からの発光ＥＭ−Ｇと第二カラーフィルターＣＦ−Ｇの透過率との積（ＥＭ−Ｇ×ＣＦ−Ｇ）に、第三発光素子からの発光ＥＭ−Ｒと第二カラーフィルターＣＦ−Ｇの透過率との積（ＥＭ−Ｒ×ＣＦ−Ｇ）を加えたである。美しい緑表示Ｇが実現している。
【００６７】
図９は、第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）の青表示Ｂを示している。青表示Ｂは、第一発光素子からの発光ＥＭ−Ｂと第一カラーフィルターＣＦ−Ｂの透過率の積（ＥＭ−Ｂ×ＣＦ−Ｂ）に、第二発光素子からの発光ＥＭ−Ｇと第一カラーフィルターＣＦ−Ｂの透過率の積（ＥＭ−Ｇ×ＣＦ−Ｂ）を加えたである。美しい青表示Ｇが実現していると共に青表示Ｇの強度が高くなっている。
【００６８】
「有機ＥＬ装置の製造方法」
図１０乃至図１９は、有機ＥＬ装置の製造工程を示す模式図である。尚、図１０から図１７及び図１９で、（ａ）は平面図で、（ｂ）はＸ−Ｘ’における断面図である。又、図１８（ａ）は素子基板の平面図で、（ｂ）はカラーフィルター基板の平面図である。以下、図１０から図１９を参照して、有機ＥＬ装置１１の製造方法を説明する。尚、各種配線や電極、トランジスター等を形成する製造工程については、公知の工程を採用する事ができるので、ここではそれらの説明を省略又は簡略し、これ以降の工程について詳しく説明する。又、図面についても同様に、省略又は簡略する。更に、説明を分かり易くする為に、図１０乃至図１９の（ａ）の平面図では、薄膜回路領域４３や第一金属配線層、第二金属配線層、を省略してある。
【００６９】
まず、図１０に示す様に、素子基板３１上に、公知の成膜技術やフォトリソグラフィー技術を用いて回路素子層４３Ｌ（詳細は、図３参照）を形成し、サブピクセル４２となる領域それぞれに第一電極を形成する。本実施形態では、第一電極は回路素子層４３Ｌに形成されたＩＴＯからなる陽極２４（２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ）である。有機ＥＬ装置１１での画素７１の数は１９２０×１０８０であるので、サブピクセル４２の総数は１９２０×１０８０×３＝６２２万８００となる。続いて、各要素領域４１となる領域の中央部付近に陽極２４が露出する様に第一隔壁５８を形成する。第一隔壁５８は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で堆積した後に、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、各要素領域４１の中央部付近からシリコン酸化膜を除去して形成する。
【００７０】
続いて、図１１に示す様に、第一隔壁５８の上に第二隔壁５９を形成する。詳しくは、まず、第二隔壁５９の材料を含む溶液を第一隔壁５８上及び陽極２４上に塗布する。第二隔壁５９の材料は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗布された溶液を乾燥させて樹脂層を形成する。その後、この樹脂層をパターニング加工して第二隔壁５９を形成すると共に、各要素領域４１に開口部５９１を形成する。
【００７１】
次工程で発光機能層２６をインクジェット法などの塗布方式を用いてパターニングするので、第二隔壁５９の表面は撥液性を有している事が望ましく、陽極２４の表面は親液性を有している事が望ましい。そこで、素子基板３１をアルコールで洗浄し、純水にてリンスした後、素子基板３１に酸素プラズマを照射して陽極２４の表面を親液性とする。次いで、素子基板３１に四フッ化炭素（ＣＦ4）のプラズマを照射して第二隔壁５９の表面を撥液性とする。第二隔壁５９の表層に撥液性を持たせる方式としては、この他に、フッ素等の撥液成分を予め混入させた樹脂（例えばアクリル樹脂）の塗工液を塗布し、この塗工液の乾燥時に撥液成分を樹脂表層に拡散集積させる方法もある。
【００７２】
続いて、図１２に示す様に、開口部５９１に正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）を例えば５０ｎｍの膜厚で形成する。これは、正孔注入層６１の材料を含んだ機能液（インク）を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、大気下で焼成する事で形成する。正孔注入層６１の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いる事ができる。各要素領域４１で開口部５９１の面積が同じである為に、正孔注入層６１の材料を含んだ機能液の吐出量が同一になり、従って、総ての要素領域４１に対して最適な焼成条件を適用できる。
【００７３】
次に、図１３に示す様に、各開口部５９１の正孔注入層６１（６１Ｒ、６１Ｇ、６１Ｂ）上に、正孔輸送層６２（６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂ）を、それぞれ例えば１５ｎｍの膜厚で形成する。これは、正孔輸送層６２の材料を含んだ機能液（インク）を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、低酸素下で焼成する事で形成する。正孔輸送層６２の機能液としては、例えば、化学式１にて上述されるＴＦＢをシクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）に溶解させた物を用いる事ができる。各要素領域４１で開口部５９１の面積が同じである為に、正孔輸送層６２の材料を含んだ機能液の吐出量が同一になり、従って、総ての要素領域４１に対して最適な焼成条件を適用できる。
【００７４】
次に、図１４に示す様に、第三要素領域４１Ｒの開口部５９１に第三発光層（赤発光層６３Ｒ）を、第二要素領域４１Ｇの開口部５９１に第二発光層（緑発光層６３Ｇ）を、塗布法により形成する。即ち、第三要素領域４１Ｒの開口部５９１に形成された正孔輸送層６２Ｒの上に赤発光層６３Ｒを７０ｎｍの膜厚で形成し、第二要素領域４１Ｇの開口部５９１に形成された正孔輸送層６２Ｇの上に緑発光層６３Ｇを６０ｎｍの膜厚で形成する。具体的には、発光材料を含んだ機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、低酸素下で焼成させる。発光材料を含んだ機能液としては、例えば、上述の化学式２や化学式３にて表される発光材料を溶媒に溶解した物を用いる事ができる。溶媒としては、シクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）などが挙げられる。本実施形態では、ＣＨＢに１．０ｗｔ％の濃度で化学式２や化学式３の発光材料が溶解された機能液を、インクジェット法にて第二要素領域４１Ｇ又は第三要素領域４１Ｒの開口部５９１に、それぞれ１０ピコリットル／ショットで２０ショット吐出して充填し、その後、素子基板３１を減圧乾燥機に設置し、５Ｐａ以下の真空度で３０分間に渡り乾燥処理した。
【００７５】
次に、図１５に示す様に、第三要素領域４１Ｒの第三発光層（赤発光層６３Ｒ）の上と、第二要素領域４１Ｇの第二発光層（緑発光層６３Ｇ）の上と、第一要素領域４１Ｂの正孔輸送層６２Ｂの上と、第二隔壁５９の上とに、正孔ブロッキング層６４を例えば３ｎｍの膜厚で蒸着法により形成する。正孔ブロッキング層６４としては、上述の化学式６に示されるＢａｌｑを用いる事ができる。尚、本実施形態では、有機ＥＬ装置１１が蒸着法で形成された正孔ブロッキング層６４を有するので、正孔ブロッキング層６４と第一発光層（青発光層６３Ｂ）とをこの順序で蒸着するが、正孔ブロッキング層６４は省く事も可能である。
【００７６】
次に、図１６に示す様に、第二要素領域４１Ｇと第三要素領域４１Ｒの正孔ブロッキング層６４の上と、第一要素領域４１Ｂの正孔ブロッキング層６４の上と、各要素領域４１の開口部５９１を隔てる第二隔壁５９の正孔ブロッキング層６４の上とに、第一発光層となる青発光層６３Ｂを、例えば１０ｎｍの膜厚で、蒸着法により形成する。青発光層６３Ｂとしてはホスト材料（上述の化学式４に示されるＢＤＡＦ）とゲスト材料（上述の化学式５に示されるＢＣｚＶＢ）を例えば体積比１０：１で共蒸着法により形成する事ができる。素子基板３１のほぼ全面に成膜される青発光層６３Ｂの厚みは５ｎｍから５０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。５ｎｍ未満の厚みでは発光が困難だが、５ｎｍ以上の厚みがあれば、実用的な明るさの発光が可能になる。又、５０ｎｍ以下の厚みであれば、発光させる為の電圧を或る程度低く保つ事が可能になる。
【００７７】
次に、図１７に示す様に、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｇと第三要素領域４１Ｒの青発光層６３Ｂの上と、第二隔壁５９の上とに、跨って、電子輸送層６５と第二電極とを形成する。本実施形態では第二電極は陰極２５である。要するに、全ての要素領域４１に電子輸送層６５を例えば２０ｎｍの膜厚で蒸着法により形成し、更に、電子輸送層６５上に陰極２５を蒸着法により形成する。電子輸送層６５としては、例えば、上述の化学式７に示すＡｌｑ３を用いる事ができる。陰極２５は、例えば、１ｎｍ厚のフッ化リチウム膜と１５０ｎｍ厚のアルミニウム膜とを、この順に積層して形成される。その後、例えば、缶封止方式を用いて陰極２５上を封止する（不図示）。
【００７８】
次に素子基板３１に合わせてカラーフィルター基板ＣＦが配置される。図１８に示す様に、第一要素領域４１Ｂには第一カラーフィルター（青カラーフィルターＣＦ−Ｂ）が平面視で重なる様に配置される。第二要素領域４１Ｇをその長辺を二分する様に分けた一方の領域にも第一カラーフィルター（青カラーフィルターＣＦ−Ｂ）が平面視で重なる様に配置される。第二要素領域４１Ｇで第一カラーフィルター（青カラーフィルターＣＦ−Ｂ）が配置された箇所には第一第一電極（第一陽極２４Ｂ）が形成されている。第二要素領域４１Ｇをその長辺を二分する様に分けた他方の領域には第二カラーフィルター（緑カラーフィルターＣＦ−Ｇ）が平面視で重なる様に配置される。第二要素領域４１Ｇで第二カラーフィルター（緑カラーフィルターＣＦ−Ｂ）が配置された箇所には第二第一電極（第二陽極２４Ｇ）が形成されている。第三要素領域４１Ｒをその長辺を二分する様に分けた一方の領域にも第二カラーフィルター（緑カラーフィルターＣＦ−Ｇ）が平面視で重なる様に配置される。第三要素領域４１Ｒで第二カラーフィルター（緑カラーフィルターＣＦ−Ｇ）が配置された箇所には第二第一電極（第二陽極２４Ｇ）が形成されている。第三要素領域４１Ｒをその長辺を二分する様に分けた他方の領域には第三カラーフィルター（赤カラーフィルターＣＦ−Ｒ）が平面視で重なる様に配置される。第三要素領域４１Ｒで第三カラーフィルター（赤カラーフィルターＣＦ−Ｇ）が配置された箇所には第三第一電極（第三陽極２４Ｒ）が形成されている。こうすると、図１９に示す様に、有機ＥＬ装置１１は完成する。即ち、第一要素領域４１Ｂは第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）の一部となって、青表示Ｂをする。又、第二要素領域４１Ｇの一方の半分（Ｙ−Ｙ’を含む方）も第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）の一部となって、青表示Ｂをする。第二要素領域４１Ｇの他方の半分（Ｘ−Ｘ’を含む方）は第二サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）の一部となって、緑表示Ｇをする。又、第三要素領域４１Ｒの一方の半分（Ｙ−Ｙ’を含む方）も第二サブピクセル（緑サブピクセル４２Ｇ）の一部となって、緑表示Ｇをする。第三要素領域４１Ｒの他方の半分（Ｘ−Ｘ’を含む方）は第三サブピクセル（赤サブピクセル４２Ｒ）となって、赤表示Ｒをする。
【００７９】
「寿命向上」
本実施形態に係わる有機ＥＬ装置の寿命向上の効果を、表２を参照して説明する。表２では、色座標（０．３１、０．３３）となる白色を２００ｃｄ／ｍ2の輝度で表示させた際の寿命を示している。表２（ａ）が比較例に相当し、表２（ｂ）が本実施形態に係わる有機ＥＬ装置１１に相当する。例えば、表２（ｂ）に示す様に、本実施形態に係わる有機ＥＬ装置１１での緑表示は色座標が（０．３４４、０．６２１）となるので、白色２００ｃｄ／ｍ2表示に必要となる表示輝度は１１８９ｃｄ／ｍ2となる。カラーフィルターの実質的な透過率（ＥＭ−Ｒの発光スペクトルとＥＭ−Ｇの発光スペクトルとそれらの面積比とを鑑みた緑の透過率）が０．４８であるので、緑発光素子２７Ｇは２５０３ｃｄ／ｍ2の発光輝度で発光する必要があり、その際の寿命が４万０２８４時間となる。
【００８０】
【表２】
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【００８１】
本実施形態に係わる有機ＥＬ装置１１では、各サブピクセル４２における表示部の面積比率は赤表示：緑表示：青表示＝５：１０：１５である。この様に第一サブピクセル（青サブピクセル４２Ｂ）の面積が広いので、青発光素子２７Ｂの発光輝度は４５０ｃｄ／ｍ2と低く抑える事ができ、その結果、青発光素子２７Ｂの寿命は１万０１１９時間へと伸びる。
【００８２】
これに対して、表２（ａ）は要素領域４１とサブピクセルとが一致している比較例であり、発光部の面積は青表示も緑表示も赤表示も同一で面積比率は赤表示：緑表示：青表示＝１０：１０：１０である。この場合、青発光素子の寿命が５０００時間と短く、製品寿命はこの時間に制限されている。比較例に対して、本実施形態に係わる有機ＥＬ装置１１の製品寿命は２．０２倍となっている。
【００８３】
「電子機器」
次に、前述した有機ＥＬ装置１１を適用した電子機器について、図２０を参照して説明する。図２０は、本発明に係る有機ＥＬ装置を備える電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図である。以下、テレビの構成を、図２０を参照しながら説明する。
【００８４】
図２０に示す様に、テレビ１０１は、表示部１０２と、枠部１０３と、脚部１０４と、リモコン１０５とを有する。表示部１０２には、上述の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置１１が実装されている。枠部１０３は、表示部１０２をガイドするために用いられる。脚部１０４は、表示部１０２及び枠部１０３を一定の高さで固定するために用いられる。リモコン１０５は、例えば、テレビ１０１の電源をＯＮ／ＯＦＦしたり、チャンネルを変えたりするために用いられる。
【００８５】
尚、電子機器は、上記した有機ＥＬ装置１１を備えておればテレビ１０１に限定されず、他にも例えば、ディスプレイ、携帯電話機、コンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーション装置、オーディオ機器等にも適用する事ができる。
【００８６】
以上述べた様に、本実施形態に係わる有機ＥＬ装置１１に依れば、以下の効果を得る事ができる。
第一要素領域４１Ｂにおける第一の色の表示に、第二要素領域４１Ｇにおける第一の色の表示を加える事ができる。これにより、第一発光層での発光輝度を低くする事ができ、従って、第一発光層の寿命が伸ばされる。カラー表示を実現する複数の色の中で、寿命の短い色を第一発光層で発光させる事により、第一発光層の寿命を伸ばして、有機ＥＬ装置の製品寿命を長くする事ができる。更に、第一発光層や第二発光層、正孔注入層といった発光機能層を製造効率に優れる塗布法にて形成しても、第一要素領域４１Ｂと第二要素領域４１Ｇと第三要素領域４１Ｒとの面積が等しいので、工程条件を三つの要素領域に対して最適とする事ができる。又、一つのサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機ＥＬ装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
【００８７】
尚、本実施形態では、青サブピクセル４２Ｂが第一サブピクセルであり、緑サブピクセル４２Ｇが第二サブピクセルであったが、第一サブピクセルと第二サブピクセルとに対する組み合わせはこれに限られない。例えば、一つの画素７１を４個のサブピクセルで構成し、赤サブピクセルと緑サブピクセルと黄色サブピクセルのいずれかを第二サブピクセル又は第三サブピクセルとし、青サブピクセルを第一サブピクセルとしても良い。或いは、例えば、赤サブピクセルと緑サブピクセルとのいずれかを第三サブピクセルとし、青サブピクセルを第二サブピクセルとし、白色サブピクセルを第一サブピクセルとしても良い。
【００８８】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良を加えることが可能である。以下に変形例を述べる。
【００８９】
（変形例１）
「トップエミッション構造の形態」
実施形態１では、一例としてボトムエミッション構造の有機ＥＬ装置１１が説明されたが、本発明はトップエミッション構造の有機ＥＬ装置１１にも適用可能である。即ち、有機ＥＬ装置１１を発光層６３から発せられた光を上側に（素子基板３１の反対側に）取り出す構造としても良い。これに伴い、実施形態１では第一電極が陽極２４で第二電極が陰極２５で有ったが、本変形例では第一電極が陰極２５となり、第二電極が陽極２４とされる。又、カラーフィルター基板ＣＦ−Ｓｕｂは素子基板３１の上側に配置される。
【００９０】
具体的には、まず、第一電極としての陰極２５を形成した後、陰極２５の上に電子輸送層６５を形成する。陰極２５と電子輸送層６５とは要素領域４１毎に独立に形成される。次いで、第二要素領域４１Ｇに第二発光層を、第三要素領域４１Ｒに第三発光層を、塗布法で形成する。次に素子基板３１の全面に第一発光層と正孔輸送層６２、正孔注入層６１とをこの順序にて蒸着法により形成し、最後に第二電極としての陽極２４を形成する。陽極２４は透明導電膜で形成する。これにより、発光素子層４４にて発光した光は素子基板３１の上側に取り出され、有機ＥＬ装置１１は、所謂、トップエミッション構造となる。第一電極の形状やカラーフィルターの配置などは実施形態１と同じである。
【００９１】
（変形例２）
「第一電極やカラーフィルターの形状が異なる形態」
第一電極やカラーフィルターの形状は、実施形態１に捕らわれず、自由に変更する事ができる。図２１と図２２とは本変形例に係わる第一電極とカラーフィルターとを説明した図で、（ａ）は素子基板の平面図で、（ｂ）はカラーフィルター基板の平面図である。図１８に示す実施形態１では、第二要素領域４１Ｇの長辺に対して二分して、その一方を第一サブピクセルとし、他方を第二サブピクセルとしていた。又、図１８に示す実施形態１では、第三要素領域４１Ｒの長辺に対して二分して、その一方を第二サブピクセルとし、他方を第三サブピクセルとしていた。
【００９２】
これに対して、本変形例では、図２１に示す様に、第二要素領域４１Ｇの短辺に対して二分して、その一方（図２１で右側）を第一サブピクセルとし、他方（図２１で左側）を第二サブピクセルとしている。又、図２１に示す様に、第三要素領域４１Ｒの短辺に対して二分して、その一方（図２１で右側）を第二サブピクセルとし、他方（図２１で左側）を第三サブピクセルとしている。更には、図２２に示す様に、第二要素領域４１Ｇを斜めに二分して、その一方（図２１で右下側）を第一サブピクセルとし、他方（図２１で左上側）を第二サブピクセルとしてもよい。又、図２２に示す様に、第三要素領域４１Ｒを斜めに二分して、その一方（図２１で右下側）を第二サブピクセルとし、他方（図２１で左上側）を第三サブピクセルとしてもよい。この様に要素領域４１とサブピクセル４２とは実施形態１や本変形例で示した例に捕らわれず、様々な形状にする事ができる。
【符号の説明】
【００９３】
１１…有機ＥＬ装置、２１…選択トランジスター、２３…駆動トランジスター、２４…陽極、２４Ｂ…第一陽極、２４Ｇ…第二陽極、２４Ｒ…第三陽極、２５…陰極、２６…発光機能層、２７…発光素子、２７Ｂ…青発光素子、２７Ｇ…緑発光素子、２７Ｒ…赤発光素子、３１…素子基板、３２ａ…実表示領域、４１…要素領域、４１Ｂ…第一要素領域、４１Ｇ…第二要素領域、４１Ｒ…第三要素領域、４２…サブピクセル、４２Ｂ…青サブピクセル、４２Ｇ…緑サブピクセル、４２Ｒ…赤サブピクセル、４４…発光素子層、５８…第一隔壁、５９…第二隔壁、６１…正孔注入層、６２…正孔輸送層、６３…発光層、６３Ｂ…青発光層、６３Ｇ…緑発光層、６３Ｒ…赤発光層、６４…正孔ブロッキング層、６５…電子輸送層、７１…画素、５９１…開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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