(57)【要約】【課題】素子の実装姿勢の制御が可能な素子モジュールを提供する。【解決手段】実施形態によれば、素子モジュールは、実装面と実装面に設けられた複数のパッドとを有する実装基板と、第１の方向に配列された複数の電極面を有し、電極面を実装面に向けて実装基板上に実装された素子と、パッドと電極面との間に設けられた導電性の接合材とを備えている。パッドは、第１の方向に対して直交する第２の方向の幅である第１幅部と、第１幅部及び電極面よりも第２の方向の幅が大きい第２幅部とを有する。電極面における第１の方向の一端部は第１幅部の上で接合材を介してパッドに接合され、電極面における第１の方向の他端部は第２幅部の上で接合材を介してパッドに接合されている。【選択図】図１
2013251493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面と、前記実装面に設けられた複数のパッドとを有する実装基板と、
第１の方向に配列された複数の電極面を有し、前記電極面を前記実装面に向けて前記実装基板上に実装された素子と、
前記パッドと前記電極面との間に設けられた導電性の接合材と、
を備え、
前記パッドは、前記第１の方向に対して直交する第２の方向の幅である第１幅部と、前記第１幅部及び前記電極面よりも前記第２の方向の幅が大きい第２幅部とを有し、
前記電極面における前記第１の方向の一端部は前記第１幅部の上で前記接合材を介して前記パッドに接合され、前記電極面における前記第１の方向の他端部は前記第２幅部の上で前記接合材を介して前記パッドに接合されている素子モジュール。
【請求項２】
前記複数のパッドは、線対称に前記第１の方向に並ぶ一対のパッドを含む請求項１記載の素子モジュール。
【請求項３】
前記第１幅部の前記第２の方向の中心位置と、前記第２幅部の前記第２の方向の中心位置とが前記第２の方向にずれている請求項１記載の素子モジュール。
【請求項４】
前記電極面が、前記パッドの表面に対して傾いている請求項３記載の素子モジュール。
【請求項５】
前記接合材の表面は曲率を有し、
前記第２幅部上の前記接合材の表面の曲率は、前記第１幅部上の前記接合材の表面の曲率よりも小さい請求項１〜４のいずれか１つに記載の素子モジュール。
【請求項６】
実装面と、ともに前記実装面に設けられた第１のパッドと第２のパッドとを有する実装基板と、
第１の方向に配列された第１の電極面及び第２の電極面を有し、前記第１の電極面及び前記第２の電極面を前記実装面に向けて前記実装基板上に実装された素子と、
前記第１の電極面と前記第１のパッドとの間、および前記第２の電極面と前記第２のパッドとの間に設けられた導電性の接合材と、
を備え、
前記第１の電極面は、前記接合材を介して前記第１のパッドに接合され、
前記第２の電極面は、前記接合材を介して、前記第１のパッド及び前記第２の電極面よりも、前記第１の方向に対して直交する第２の方向の幅が大きい前記第２のパッドに接合されている素子モジュール。
【請求項７】
前記素子は、
第１の面と、その反対側の第２の面と、発光層とを有する半導体層と、
前記発光層を含む領域における前記第２の面に設けられたｐ側電極と、
前記発光層を含まない領域における前記第２の面に設けられたｎ側電極と、
前記第ｐ側電極及び前記ｎ側電極を覆う第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられたｐ側配線部であって、前記第１の絶縁膜を貫通する第１のビアを通じて前記ｐ側電極と電気的に接続され、且つ前記接合材に接合されたｐ側配線部と、
前記第１の絶縁膜上に設けられたｎ側配線部であって、前記第１の絶縁膜を貫通する第２のビアを通じて前記ｎ側電極と電気的に接続され、且つ前記接合材に接合されたｎ側配線部と、
を有する請求項１〜６のいずれか１つに記載の素子モジュール。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜は、前記半導体層の前記第１の面から続く側面を覆っている請求項７記載の素子モジュール。
【請求項９】
前記素子は、前記ｐ側配線部と前記ｎ側配線部との間に設けられた第２の絶縁膜をさらに有する請求項７または８に記載の素子モジュール。
【請求項１０】
前記第２の絶縁膜は、前記ｐ側配線部の周囲及び前記ｎ側配線部の周囲を連続して覆っている請求項９記載の素子モジュール。
【請求項１１】
前記ｐ側配線部は、
前記第１の絶縁膜上に設けられたｐ側配線層と、
前記ｐ側配線層上に設けられ、前記ｐ側配線層よりも厚いｐ側金属ピラーと、
を有し、
前記ｎ側配線部は、
前記第１の絶縁膜上に設けられたｎ側配線層と、
前記ｎ側配線層上に設けられ、前記ｎ側配線層よりも厚いｎ側金属ピラーと、
を有する請求項７〜１０のいずれか１つに記載の素子モジュール。
【請求項１２】
前記素子は、前記第１の面上に設けられた蛍光体層をさらに有する請求項７〜１１のいずれか１つに記載の素子モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、素子モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）などのチップを、リフロー法により、はんだを介して実装基板に実装する表面実装技術が知られている。この表面実装技術においては、リフロー時のチップの傾きが問題になる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／０１４８１９８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、素子の実装姿勢の制御が可能な素子モジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、素子モジュールは、実装面と、前記実装面に設けられた複数のパッドとを有する実装基板と、第１の方向に配列された複数の電極面を有し、前記電極面を前記実装面に向けて前記実装基板上に実装された素子と、前記パッドと前記電極面との間に設けられた導電性の接合材と、を備えている。前記パッドは、前記第１の方向に対して直交する第２の方向の幅である第１幅部と、前記第１幅部及び前記電極面よりも前記第２の方向の幅が大きい第２幅部とを有する。前記電極面における前記第１の方向の一端部は前記第１幅部の上で前記接合材を介して前記パッドに接合され、前記電極面における前記第１の方向の他端部は前記第２幅部の上で前記接合材を介して前記パッドに接合されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態の素子モジュールの模式図。
【図２】第２実施形態の素子モジュールの模式図。
【図３】第３実施形態の素子モジュールの模式図。
【図４】第４実施形態の素子モジュールの模式図。
【図５】第５実施形態の素子の模式断面図。
【図６】（ａ）は、第５実施形態の素子の変形例の模式断面図であり、（ｂ）は、第７実施形態の素子の模式断面図。
【図７】第６実施形態の素子の模式図。
【図８】（ａ）は、第５実施形態の素子が実装された素子モジュールの模式断面図であり、（ｂ）は、第６実施形態の素子が実装された素子モジュールの模式断面図である。
【図９】第５実施形態の素子の製造方法を示す模式図。
【図１０】第５実施形態の素子の製造方法を示す模式図。
【図１１】第５実施形態の素子の製造方法を示す模式図。
【図１２】第５実施形態の素子の製造方法を示す模式図。
【図１３】第５実施形態の素子の製造方法を示す模式図。
【図１４】第５実施形態の素子の製造方法を示す模式図。
【図１５】第５実施形態の素子の製造方法を示す模式図。
【図１６】第５実施形態の素子の製造方法を示す模式図。
【図１７】第５実施形態の素子の製造方法を示す模式図。
【図１８】第５実施形態の素子の製造方法を示す模式図。
【図１９】第５実施形態の素子の製造方法を示す模式図。
【図２０】第５実施形態の素子の製造方法を示す模式図。
【図２１】比較例の素子モジュールの模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態の素子モジュール５０ａの模式上面図である。  
図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’拡大断面図である。  
図１（ｃ）は、図１（ａ）におけるＢ−Ｂ’拡大断面図である。
【０００９】
素子モジュール５０ａは、実装基板７０と、実装基板７０上に実装された素子１とを備えている。
【００１０】
実装基板７０は、例えば樹脂基板あるいはセラミック基板をベースとする基板と、その基板の一方の面である実装面７１に設けられた複数のパッド７２、７３と、実装面７１に設けられ、パッド７２、７３と接続された配線パターン（図示せず）とを有する。
【００１１】
あるいは、実装基板７０のベース基板として、放熱性に優れた金属板を用いてもよく、その場合、金属板上に絶縁膜が設けられ、その絶縁膜上にパッド７２、７３及び配線パターンが形成される。
【００１２】
実装対象の素子１は、チップ状の電子素子や光学素子である。例えば、素子１は、抵抗素子、キャパシタ素子、ダイオード素子、発光素子、受光素子などである。
【００１３】
素子１の外形は例えば直方体形状に形成され、素子１は矩形状の上面６５を有する。その上面６５の反対側の下面に一対の電極面６１、６２が形成されている。電極面６１、６２は、素子１の下面で露出している。
【００１４】
素子１の上面を見た図１（ａ）の上面図において、素子１の（上面６５の）長手方向をＸ方向（第１の方向）とし、そのＸ方向に対して直交する方向をＹ方向（第２の方向）とする。また、図１（ｂ）及び（ｃ）の断面図において、Ｘ方向及びＹ方向に対して直交し、実装基板７０の実装面７１に対して垂直な方向をＺ方向（第３の方向）とする。
【００１５】
一対の電極面６１、６２は、Ｘ方向に並んで配列されている。一対の電極面６１、６２は、同じ矩形状もしくは正方形状で、且つ同じ面積で形成されている。一対の電極面６１、６２は、素子１の長手方向の２等分線に対して線対称に形成されている。素子１は、電極面６１、６２を実装面７１に向けて実装基板７０上に実装されている。
【００１６】
実装基板７０上に実装された素子１は１つに限らず、複数の素子１が実装基板７０上に実装されていてもよい。
【００１７】
実装基板７０の実装面７１には、素子１の一対の電極面６１、６２に対応して、一対のパッド７２、７３が形成されている。複数の素子１が実装基板７０に実装されている場合には、複数対のパッド７２、７３が実装面７１に形成されている。各パッド７２、７３の平面形状は、図１（ａ）に示すように台形状に形成されている。
【００１８】
パッド７２は、Ｙ方向の幅が異なる部分である第１幅部７２ａ及び第２幅部７２ｂを有する。第１幅部７２ａは、パッド７２の台形状の平面形状における上底及びその近傍を含む部分である。第２幅部７２ｂは、パッド７２の台形状の平面形状において、第１幅部７２ａよりも下底側に形成された部分である。
【００１９】
同様に、他方のパッド７３も、Ｙ方向の幅が異なる部分である第１幅部７３ａ及び第２幅部７３ｂを有する。第１幅部７３ａは、パッド７３の台形状の平面形状における上底及びその近傍を含む部分である。第２幅部７３ｂは、パッド７３の台形状の平面形状において、第１幅部７３ａよりも下底側に形成された部分である。
【００２０】
パッド７２の第１幅部７２ａのＹ方向の幅は、電極面６１のＹ方向の幅と同じ、あるいは電極面６１のＹ方向の幅よりもわずかに大きい。第２幅部７２ｂのＹ方向の幅は、第１幅部７２ａのＹ方向の幅よりも大きい。また、第２幅部７２ｂのＹ方向の幅は、電極面６１のＹ方向の幅よりも大きい。
【００２１】
パッド７３の第１幅部７３ａのＹ方向の幅は、電極面６２のＹ方向の幅と同じ、あるいは電極面６２のＹ方向の幅よりもわずかに大きい。第２幅部７３ｂのＹ方向の幅は、第１幅部７３ａのＹ方向の幅よりも大きい。また、第２幅部７３ｂのＹ方向の幅は、電極面６２のＹ方向の幅よりも大きい。
【００２２】
パッド７２の台形状の平面形状における上底と下底間の距離に相当するパッド７２のＸ方向長さは、電極面６１のＸ方向長さよりも大きい。パッド７３の台形状の平面形状における上底と下底間の距離に相当するパッド７３のＸ方向長さは、電極面６２のＸ方向長さよりも大きい。
【００２３】
一対のパッド７２、７３は、台形状の平面形状における互いの上底を向き合わせて、Ｘ方向に線対称に並んでいる。
【００２４】
電極面６１、６２およびパッド７２、７３は、金属材料からなる。電極面６１は、導電性の接合材を介してパッド７２に対して接合され、パッド７２と電気的に接続されている。電極面６２も、導電性の接合材を介してパッド７３に対して接合され、パッド７３と電気的に接続されている。
【００２５】
接合材は、リフロー工程時の加熱により溶融可能な、例えばはんだ８３である。なお、図１（ａ）では、はんだ８３の図示を省略している。また、図１（ａ）に対応する後述する図２（ａ）、図３（ａ）および図４（ａ）でもはんだ８３の図示を省略している。
【００２６】
電極面６１におけるＸ方向の一端部６１ａは、パッド７２の第１幅部７２ａの上ではんだ８３を介してパッド７２に接合されている。電極面６１におけるＸ方向の他端部６１ｂは、パッド７２の第２幅部７２ｂの上ではんだ８３を介してパッド７２に接合されている。
【００２７】
電極面６２におけるＸ方向の一端部６２ａは、パッド７３の第１幅部７３ａの上ではんだ８３を介してパッド７３に接合されている。電極面６２におけるＸ方向の他端部６２ｂは、パッド７３の第２幅部７３ｂの上ではんだ８３を介してパッド７３に接合されている。
【００２８】
素子１を搭載する前に、はんだ８３は例えばペースト状に実装基板７０の実装面７１に形成される。そして、そのはんだ８３の上に素子１を搭載し、熱を加えてはんだ８３を溶融させる（リフローする）。溶融したはんだ８３の表面は表面張力により丸みを帯び、その後、はんだ８３は、冷却（自然冷却も含む）され硬化する。したがって、はんだ８３の表面は曲率を有する。
【００２９】
はんだ供給量を同じとして比較した場合、狭い領域よりも広い領域にぬれ広がったはんだの方が、表面の曲率が小さくなり、表面の傾斜がゆるくなる。パッド７２、７３のＹ方向の幅は、Ｘ方向に均一ではなく連続的に変化しており、第１幅部７２ａ、７３ａよりもＹ方向の幅が大きな第２幅部７２ｂ、７３ｂの上のはんだ８３表面の方が、第１幅部７２ａ、７３ａの上のはんだ８３表面よりも、Ｙ方向の傾斜がゆるくなる。
【００３０】
すなわち、図１（ｃ）に示すパッド７２の第２幅部７２ｂ上のはんだ８３の表面の曲率は、図１（ｂ）に示すパッド７２の第１幅部７２ａ上のはんだ８３の表面の曲率よりも小さい。曲率半径で表現すると、第２幅部７２ｂ上のはんだ８３の表面の曲率半径は、第１幅部７２ａ上のはんだ８３の表面の曲率半径よりも大きい。
【００３１】
ここでの、はんだ表面の曲率（曲率半径）は、Ｙ方向に沿った断面図でのはんだ表面の曲率（曲率半径）を表す。以降の説明においても、はんだ表面の曲率（曲率半径）は、Ｙ方向に沿った断面図でのはんだ表面の曲率（曲率半径）を表す。
【００３２】
図１（ｂ）及び（ｃ）は、一方のパッド７２上のＹ方向に沿った断面を表すが、他方のパッド７３上のＹ方向に沿った断面についても、第１幅部７３ａ上の断面は図１（ｂ）と同じであり、第２幅部７３ｂ上の断面は図１（ｃ）と同じである。
【００３３】
したがって、パッド７３の第２幅部７３ｂ上のはんだ８３の表面の曲率は、パッド７３の第１幅部７３ａ上のはんだ８３の表面の曲率よりも小さい。曲率半径で表現すると、第２幅部７３ｂ上のはんだ８３の表面の曲率半径は、第１幅部７３ａ上のはんだ８３の表面の曲率半径よりも大きい。
【００３４】
ここで、図２１（ａ）は、比較例の素子モジュールの模式断面図である。  
比較例の素子モジュールにおけるパッド８１の平面形状は正方形または矩形状に形成され、図２１（ａ）において横方向及び紙面を貫く方向でパッド８１の幅は変化していない。
【００３５】
リフロー時、はんだ８３は表面張力により表面積を最小にする形状になり、素子１がはんだ８３表面のどこに搭載されようとも、はんだ８３の表面積は変動せず、はんだ８３の表面に傾斜面が形成される。その傾斜面に素子１が接合されてしまうと、図２１（ａ）に示すように、素子１の上面がパッド８１の表面に対して傾いてしまう。特に素子１が発光素子や受光素子などの光学素子である場合には、光軸が傾いてしまうことになり、光学特性に影響する。
【００３６】
また、図２１（ｂ）に示すように、はんだ８３の量を減らすと表面の曲率が小さくなり、素子１がはんだ８３表面の端側にずれて搭載されても、素子１の傾きを小さくすることが可能である。しかし、はんだ量を減らすと接合信頼性の低下が懸念される。
【００３７】
これに対して実施形態によれば、第２幅部７２ｂ、７３ｂ上のはんだ８３表面の曲率は、第１幅部７２ａ、７３ａ上のはんだ８３表面の曲率よりも小さいため、電極面６１、６２の他端部６１ｂ、６２ｂ側を、平坦面に近い、あるいは傾斜のゆるやかなはんだ８３表面上に搭載することができる。
【００３８】
電極面６１、６２の一端部６１ａ、６２ａ側の姿勢も、電極面６１、６２の他端部６１ｂ、６２ｂ側の姿勢に拘束されて、電極面６１、６２の一端部６１ａ、６２ａ側の傾きも規制され、素子１全体の傾きが規制される。
【００３９】
すなわち、実施形態によれば、接合信頼性に十分なはんだ８３の量を確保しつつ、電極面６１、６２の他端部６１ｂ、６２ｂ側で、はんだ８３の表面に傾斜のゆるやかな面を生じさせて素子１の傾きを抑えることができる。
【００４０】
なおかつ、電極面６１、６２のＹ方向の幅と同じかわずかに大きいＹ方向幅の第１幅部７２ａ、７３ａによって、電極面６１、６２の一端部６１ａ、６２ａ側のＹ方向移動が規制される。すなわち、電極面６１、６２の一端部６１ａ、６２ａ側で、はんだ８３がＹ方向にぬれ広がる領域が制限され、素子１のＹ方向移動が規制される。図１（ｂ）において横方向の素子１の移動が規制されるため、素子１がはんだ８３表面の傾きの大きい部分にずれて傾くことを規制できる。
【００４１】
素子１のＸ方向の移動は、一対のパッド７２、７３が所定間隔でＸ方向に並んでいることで規制される。すなわち、電極面６１はパッド７２の第１幅部７２ａ側のエッジよりも図１（ａ）において左方に移動することが規制され、電極面６２はパッド７３の第１幅部７３ａ側のエッジよりも図１（ａ）において右方に移動することが規制される。結果として、素子１のＸ方向の移動が規制される。
【００４２】
また、一対のパッド７２、７３は、同じ形状且つ同じ面積で形成され、一対のパッド７２、７３間の中心線（Ｙ方向に延びる線）に対して線対称にＸ方向に並んでいる。したがって、それぞれのパッド７２、７３に対するはんだ８３の供給量を同じにすれば、それぞれのパッド７２、７３に対してはんだ８３が同じようにぬれ広がり、それぞれのパッド７２、７３上のはんだ８３の（ピーク）高さを揃えることができる。これは、素子１のＸ方向（長手方向）の傾きを抑制する。
【００４３】
（第２実施形態）
図２（ａ）は、第２実施形態の素子モジュール５０ｂの模式上面図である。  
図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＣ−Ｃ’拡大断面図である。  
図２（ｃ）は、図２（ａ）におけるＤ−Ｄ’拡大断面図である。
【００４４】
第２実施形態の素子モジュール５０ｂも、実装基板７０と、実装基板７０上に実装された素子１とを備えている。素子１の構成は、第１実施形態と同じである。
【００４５】
実装基板７０の実装面７１には、素子１の一対の電極面６１、６２に対応して、一対のパッド７４、７５がＸ方向に並んで形成されている。
【００４６】
各パッド７４、７５の平面形状は、図２（ａ）に示すように矩形状に形成されている。ただし、一方のパッド７４の長手方向はＸ方向であり、他方のパッド７５の長手方向はＹ方向である。
【００４７】
パッド７４のＹ方向の幅は、電極面６１のＹ方向の幅と同じ、あるいは電極面６１のＹ方向の幅よりもわずかに大きい。パッド７４のＸ方向の幅は、電極面６１のＸ方向の幅よりも大きい。
【００４８】
パッド７５のＹ方向の幅は、パッド７４のＹ方向の幅よりも大きく、且つ電極面６２のＹ方向の幅よりも大きい。パッド７５のＸ方向の幅は、電極面６２のＸ方向の幅よりも大きい。
【００４９】
パッド７４、７５は、金属材料からなる。電極面６１は、導電性の接合材である例えばはんだ８３を介してパッド７４に対して接合され、パッド７４と電気的に接続されている。電極面６２も、はんだ８３を介してパッド７５に対して接合され、パッド７５と電気的に接続されている。
【００５０】
パッド７４よりもＹ方向の幅が大きなパッド７５上では、パッド７４上よりもＹ方向に広くはんだ８３がぬれ広がる。
【００５１】
したがって、図２（ｃ）に示すパッド７５上のはんだ８３の表面の曲率は、図２（ｂ）に示すパッド７４上のはんだ８３の表面の曲率よりも小さい。曲率半径で表現すると、パッド７５上のはんだ８３の表面の曲率半径は、パッド７４上のはんだ８３の表面の曲率半径よりも大きい。
【００５２】
第２実施形態によれば、パッド７５上のはんだ８３表面の曲率は、パッド７４上のはんだ８３表面の曲率よりも小さいため、図２（ｃ）に示すように、電極面６２を、平坦面に近い、あるいは傾斜のゆるやかなはんだ８３表面上に搭載することができる。この一方の電極面６２側の姿勢に拘束されて、他方の電極面６１側の傾きも規制され、素子１全体の傾きが規制される。
【００５３】
すなわち、実施形態によれば、接合信頼性に十分なはんだ８３の量を確保しつつ、電極面６２側で、はんだ８３の表面に傾斜のゆるやかな面を生じさせて素子１の傾きを抑えることができる。
【００５４】
なおかつ、電極面６１のＹ方向の幅と同じかわずかに大きいＹ方向幅のパッド７４によって、電極面６１側での素子１のＹ方向移動が規制される。すなわち、電極面６１側で、はんだ８３がＹ方向にぬれ広がる領域が制限され、素子１のＹ方向移動が規制される。図２（ｂ）において横方向の素子１の移動が規制されるため、素子１がはんだ８３表面の傾きの大きい部分にずれて傾くことを規制できる。
【００５５】
素子１のＸ方向の移動は、一対のパッド７４、７５が所定間隔でＸ方向に並んでいることで規制される。すなわち、電極面６１はパッド７４におけるパッド７５側のエッジよりも図２（ａ）において左方に移動することが規制され、電極面６２はパッド７５におけるパッド７４側のエッジよりも図２（ａ）において右方に移動することが規制される。結果として、素子１のＸ方向の移動が規制される。
【００５６】
（第３実施形態）
図３（ａ）は、第３実施形態の素子モジュール５０ｃの模式上面図である。  
図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＥ−Ｅ’拡大断面図である。  
図３（ｃ）は、図３（ａ）におけるＦ−Ｆ’拡大断面図である。
【００５７】
第３実施形態の素子モジュール５０ｃも、実装基板７０と、実装基板７０上に実装された素子１とを備えている。素子１の構成は、第１実施形態と同じである。
【００５８】
実装基板７０の実装面７１には、素子１の一対の電極面６１、６２に対応して、一対のパッド７６、７７が形成されている。各パッド７６、７７の平面形状は、図３（ａ）に示すように、台形状に形成されている。
【００５９】
パッド７６は、Ｙ方向の幅が異なる部分である第１幅部７６ａ及び第２幅部７６ｂを有する。第１幅部７６ａは、パッド７６の台形状の平面形状における上底及びその近傍を含む部分である。第２幅部７６ｂは、パッド７６の台形状の平面形状において、第１幅部７６ａよりも下底側に形成された部分である。
【００６０】
同様に、他方のパッド７７も、Ｙ方向の幅が異なる部分である第１幅部７７ａ及び第２幅部７７ｂを有する。第１幅部７７ａは、パッド７７の台形状の平面形状における上底及びその近傍を含む部分である。第２幅部７７ｂは、パッド７７の台形状の平面形状において、第１幅部７７ａよりも下底側に形成された部分である。
【００６１】
パッド７６の第１幅部７６ａのＹ方向の幅は、電極面６１のＹ方向の幅と同じ、あるいは電極面６１のＹ方向の幅よりもわずかに大きい。第２幅部７６ｂのＹ方向の幅は、第１幅部７６ａのＹ方向の幅よりも大きい。また、第２幅部７６ｂのＹ方向の幅は、電極面６１のＹ方向の幅よりも大きい。
【００６２】
パッド７７の第１幅部７７ａのＹ方向の幅は、電極面６２のＹ方向の幅と同じ、あるいは電極面６２のＹ方向の幅よりもわずかに大きい。第２幅部７７ｂのＹ方向の幅は、第１幅部７７ａのＹ方向の幅よりも大きい。また、第２幅部７７ｂのＹ方向の幅は、電極面６２のＹ方向の幅よりも大きい。
【００６３】
パッド７６の台形状の平面形状における上底と下底間の距離に相当するパッド７６のＸ方向長さは、電極面６１のＸ方向長さよりも大きい。パッド７７の台形状の平面形状における上底と下底間の距離に相当するパッド７７のＸ方向長さは、電極面６２のＸ方向長さよりも大きい。
【００６４】
一対のパッド７６、７７は、台形状の平面形状における互いの上底を向き合わせて、Ｘ方向に線対称に並んでいる。
【００６５】
パッド７６における第１幅部７６ａのＹ方向の中心位置Ｃ１（図３（ａ）〜（ｃ）において１点鎖線で表す）と、第２幅部７６ｂのＹ方向の中心位置Ｃ２（図３（ａ）及び（ｃ）において２点鎖線で表す）とは、Ｙ方向にずれている。
【００６６】
同様に、パッド７７における第１幅部７７ａのＹ方向の中心位置Ｃ１と、第２幅部７７ｂのＹ方向の中心位置Ｃ２とは、Ｙ方向にずれている。
【００６７】
パッド７６、７７は、金属材料からなる。電極面６１は、はんだ８３を介してパッド７６に対して接合され、パッド７６と電気的に接続されている。電極面６２も、はんだ８３を介してパッド７７に対して接合され、パッド７７と電気的に接続されている。
【００６８】
電極面６１におけるＸ方向の一端部６１ａは、パッド７６の第１幅部７６ａの上ではんだ８３を介してパッド７６に接合されている。電極面６１におけるＸ方向の他端部６１ｂは、パッド７６の第２幅部７６ｂの上ではんだ８３を介してパッド７６に接合されている。
【００６９】
電極面６２におけるＸ方向の一端部６２ａは、パッド７７の第１幅部７７ａの上ではんだ８３を介してパッド７７に接合されている。電極面６２におけるＸ方向の他端部６２ｂは、パッド７７の第２幅部７７ｂの上ではんだ８３を介してパッド７７に接合されている。
【００７０】
パッド７６、７７のＹ方向の幅は、Ｘ方向に均一ではなく連続的に変化しており、第１幅部７６ａ、７７ａよりもＹ方向の幅が大きな第２幅部７６ｂ、７７ｂの上のはんだ８３表面の方が、第１幅部７６ａ、７７ａの上のはんだ８３表面よりも、Ｙ方向の傾斜がゆるくなる。
【００７１】
すなわち、図３（ｃ）に示すパッド７６の第２幅部７６ｂ上のはんだ８３の表面の曲率は、図３（ｂ）に示すパッド７６の第１幅部７６ａ上のはんだ８３の表面の曲率よりも小さい。曲率半径で表現すると、第２幅部７６ｂ上のはんだ８３の表面の曲率半径は、第１幅部７６ａ上のはんだ８３の表面の曲率半径よりも大きい。
【００７２】
図３（ｂ）及び（ｃ）は、一方のパッド７６上のＹ方向に沿った断面を表すが、他方のパッド７７上のＹ方向に沿った断面についても、第１幅部７７ａ上の断面は図３（ｂ）と同じであり、第２幅部７７ｂ上の断面は図３（ｃ）と同じである。
【００７３】
したがって、パッド７７の第２幅部７７ｂ上のはんだ８３の表面の曲率は、パッド７７の第１幅部７７ａ上のはんだ８３の表面の曲率よりも小さい。曲率半径で表現すると、第２幅部７７ｂ上のはんだ８３の表面の曲率半径は、第１幅部７７ａ上のはんだ８３の表面の曲率半径よりも大きい。
【００７４】
第３実施形態によれば、電極面６１、６２のＹ方向幅と同じかわずかに大きいＹ方向幅の第１幅部７６ａ、７７ａによって、電極面６１、６２の一端部６１ａ、６２ａ側のＹ方向移動が規制される。すなわち、電極面６１、６２の一端部６１ａ、６２ａ側で、はんだ８３がＹ方向にぬれ広がる領域が制限され、素子１のＹ方向移動が規制される。
【００７５】
そのように、素子１のＹ方向位置が第１幅部７６ａ、７７ａによって規制された状態において、素子１のＹ方向の中心位置が、第２幅部７６ｂ、７７ｂのＹ方向の中心位置Ｃ２に対してずれている。
【００７６】
パッド７６の第２幅部７６ｂ上のＹ方向に沿った断面図である図３（ｃ）に示すように、素子１は、第２幅部７６ｂのＹ方向の中心位置Ｃ２から、図３（ｃ）において左側へと位置がずれている。
【００７７】
はんだ８３のＹ方向に沿った断面において、その表面は、リフロー時の表面張力により、第２幅部７６ｂのＹ方向の中心位置Ｃ２付近でピーク高さを有する曲面形状に形成される。したがって、素子１が第２幅部７６ｂのＹ方向の中心位置Ｃ２からずれると、素子１は、はんだ８３の頂部よりも端側の傾斜した面上にずれて位置する。
【００７８】
さらに、電極面６１の一端部６１ａ側は、前述したように、第１幅部７６ａによってＹ方向の移動が規制されているため、電極面６１の他端部６１ｂ側においても、図３（ｃ）の状態で素子１のＹ方向（横方向）移動が規制される。このため、素子１の傾いた姿勢が保持される。
【００７９】
他方のパッド７７についても同様に、素子１がパッド７７の第２幅部７７ｂのＹ方向の中心位置Ｃ２からずれると、素子１は、はんだ８３の頂部よりも端側の傾斜した面上にずれて位置する。さらに、電極面６２の一端部６２ａ側は第１幅部７７ａによってＹ方向の移動が規制されているため、電極面６２の他端部６２ｂ側においても、素子１のＹ方向移動も規制され、素子１の傾いた姿勢が保持される。
【００８０】
はんだ８３の量や、第２幅部７６ｂ、７７ｂのＹ方向の幅により、素子１の実装面７１に対する傾斜角を制御することが可能である。したがって、第３実施形態によれば、素子１の（上面６５の）傾斜角度が任意に制御された素子モジュール５０ｃを提供することが可能となる。素子１が、例えば光学素子の場合には、実装面７１に対する光軸の角度を制御することが可能となる。
【００８１】
素子１のＸ方向の移動は、一対のパッド７６、７７が所定間隔でＸ方向に並んでいることで規制される。すなわち、電極面６１はパッド７６の第１幅部７６ａ側のエッジよりも図３（ａ）において左方に移動することが規制され、電極面６２はパッド７７の第１幅部７７ａ側のエッジよりも図３（ａ）において右方に移動することが規制される。結果として、素子１のＸ方向の移動が規制される。
【００８２】
また、一対のパッド７６、７７は、同じ形状且つ同じ面積で形成され、一対のパッド７６、７７間の中心線（Ｙ方向に延びる線）に対して線対称にＸ方向に並んでいる。したがって、それぞれのパッド７６、７７に対するはんだ８３の供給量を同じにすれば、それぞれのパッド７６、７７に対してはんだ８３が同じようにぬれ広がり、それぞれのパッド７６、７７上のはんだ８３の（ピーク）高さを揃えることができる。これは、素子１のＸ方向（長手方向）の傾きを抑制する。
【００８３】
（第４実施形態）
図４（ａ）は、第４実施形態の素子モジュール５０ｄの模式上面図である。  
図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＧ−Ｇ’拡大断面図である。  
図４（ｃ）は、図４（ａ）におけるＨ−Ｈ’拡大断面図である。
【００８４】
第４実施形態の素子モジュール５０ｄも、実装基板７０と、実装基板７０上に実装された素子１とを備えている。素子１の構成は、第１実施形態と同じである。
【００８５】
実装基板７０の実装面７１には、素子１の一対の電極面６１、６２に対応して、一対のパッド７８、７９が形成されている。各パッド７８、７９の平面形状は、図４（ａ）に示すように台形状に形成されている。
【００８６】
パッド７８は、Ｙ方向の幅が異なる部分である第１幅部７８ａ及び第２幅部７８ｂを有する。第１幅部７８ａは、パッド７８の台形状の平面形状における上底及びその近傍を含む部分である。第２幅部７８ｂは、パッド７８の台形状の平面形状において、第１幅部７８ａよりも下底側に形成された部分である。
【００８７】
同様に、他方のパッド７９も、Ｙ方向の幅が異なる部分である第１幅部７９ａ及び第２幅部７９ｂを有する。第１幅部７９ａは、パッド７９の台形状の平面形状における上底及びその近傍を含む部分である。第２幅部７９ｂは、パッド７９の台形状の平面形状において、第１幅部７９ａよりも下底側に形成された部分である。
【００８８】
パッド７８の第１幅部７８ａのＹ方向の幅は、電極面６１のＹ方向の幅と同じ、あるいは電極面６１のＹ方向の幅よりもわずかに大きい。第２幅部７８ｂのＹ方向の幅は、第１幅部７８ａのＹ方向の幅よりも大きい。また、第２幅部７８ｂのＹ方向の幅は、電極面６１のＹ方向の幅よりも大きい。
【００８９】
パッド７９の第１幅部７９ａのＹ方向の幅は、電極面６２のＹ方向の幅と同じ、あるいは電極面６２のＹ方向の幅よりもわずかに大きい。第２幅部７９ｂのＹ方向の幅は、第１幅部７９ａのＹ方向の幅よりも大きい。また、第２幅部７９ｂのＹ方向の幅は、電極面６２のＹ方向の幅よりも大きい。
【００９０】
パッド７８の台形状の平面形状における上底と下底間の距離に相当するパッド７８のＸ方向長さは、電極面６１のＸ方向長さよりも大きい。パッド７９の台形状の平面形状における上底と下底間の距離に相当するパッド７９のＸ方向長さは、電極面６２のＸ方向長さよりも大きい。
【００９１】
一対のパッド７８、７９は、図１（ａ）に示した第１実施形態のパッド７２、７３とは異なり、台形状の平面形状における互いの下底を向き合わせて、Ｘ方向に線対称に並んでいる。
【００９２】
パッド７８、７９は、金属材料からなる。電極面６１は、はんだ８３を介してパッド７８に対して接合され、パッド７８と電気的に接続されている。電極面６２も、はんだ８３を介してパッド７９に対して接合され、パッド７９と電気的に接続されている。
【００９３】
電極面６１におけるＸ方向の一端部６１ａは、パッド７８の第２幅部７８ｂの上ではんだ８３を介してパッド７８に接合されている。電極面６１におけるＸ方向の他端部６１ｂは、パッド７８の第１幅部７８ａの上ではんだ８３を介してパッド７８に接合されている。
【００９４】
電極面６２におけるＸ方向の一端部６２ａは、パッド７９の第２幅部７９ｂの上ではんだ８３を介してパッド７９に接合されている。電極面６２におけるＸ方向の他端部６２ｂは、パッド７９の第１幅部７９ａの上ではんだ８３を介してパッド７９に接合されている。
【００９５】
パッド７８、７９のＹ方向の幅は、Ｘ方向に均一ではなく連続的に変化しており、第１幅部７８ａ、７９ａよりもＹ方向幅が大きな第２幅部７８ｂ、７９ｂの上のはんだ８３表面の方が、第１幅部７８ａ、７９ａの上のはんだ８３表面よりも、Ｙ方向の傾斜がゆるくなる。
【００９６】
すなわち、図４（ｃ）に示すパッド７８の第２幅部７８ｂ上のはんだ８３の表面の曲率は、図４（ｂ）に示すパッド７８の第１幅部７８ａ上のはんだ８３の表面の曲率よりも小さい。曲率半径で表現すると、第２幅部７８ｂ上のはんだ８３の表面の曲率半径は、第１幅部７８ａ上のはんだ８３の表面の曲率半径よりも大きい。
【００９７】
図４（ｂ）及び（ｃ）は、一方のパッド７８上のＹ方向に沿った断面を表すが、他方のパッド７９上のＹ方向に沿った断面についても、第１幅部７９ａ上の断面は図４（ｂ）と同じであり、第２幅部７９ｂ上の断面は図４（ｃ）と同じである。
【００９８】
したがって、パッド７９の第２幅部７９ｂ上のはんだ８３の表面の曲率は、パッド７９の第１幅部７９ａ上のはんだ８３の表面の曲率よりも小さい。曲率半径で表現すると、第２幅部７９ｂ上のはんだ８３の表面の曲率半径は、第１幅部７９ａ上のはんだ８３の表面の曲率半径よりも大きい。
【００９９】
第４実施形態によれば、第２幅部７８ｂ、７９ｂ上のはんだ８３表面の曲率は、第１幅部７８ａ、７９ａ上のはんだ８３表面の曲率よりも小さいため、電極面６１、６２の一端部６１ａ、６２ａ側を、平坦面に近い、あるいは傾斜のゆるやかなはんだ８３表面上に搭載することができる。電極面６１、６２の他端部６１ｂ、６２ｂ側の姿勢も、電極面６１、６２の一端部６１ａ、６２ａ側の姿勢に拘束され、電極面６１、６２の他端部６１ｂ、６２ｂ側の傾きが規制され、素子１全体の傾きが規制される。
【０１００】
すなわち、第４実施形態によれば、接合信頼性に十分なはんだ８３の量を確保しつつ、電極面６１、６２の一端部６１ａ、６２ａ側で、はんだ８３の表面に傾斜のゆるやかな面を生じさせて素子１の傾きを抑えることができる。
【０１０１】
なおかつ、電極面６１、６２のＹ方向幅と同じかわずかに大きいＹ方向幅の第１幅部７８ａ、７９ａによって、電極面６１、６２の他端部６１ｂ、６２ｂ側のＹ方向移動が規制される。すなわち、電極面６１、６２の他端部６１ｂ、６２ｂ側で、はんだ８３がＹ方向にぬれ広がる領域が制限され、素子１のＹ方向移動が規制される。図４（ｂ）において横方向の素子１の移動が規制されるため、素子１がはんだ８３表面の傾きの大きい部分にずれて傾くことを規制できる。
【０１０２】
素子１のＸ方向の移動は、一対のパッド７８、７９が所定間隔でＸ方向に並んでいることで規制される。すなわち、電極面６１はパッド７８の第１幅部７８ａ側のエッジよりも図４（ａ）において右方に移動することが規制され、電極面６２はパッド７９の第１幅部７９ａ側のエッジよりも図４（ａ）において左方に移動することが規制される。結果として、素子１のＸ方向の移動が規制される。
【０１０３】
また、一対のパッド７８、７９は、同じ形状且つ同じ面積で形成され、一対のパッド７８、７９間の中心線（Ｙ方向に延びる線）に対して線対称にＸ方向に並んでいる。したがって、それぞれのパッド７８、７９に対するはんだ８３の供給量を同じにすれば、それぞれのパッド７８、７９に対してはんだ８３が同じようにぬれ広がり、それぞれのパッド７８、７９上のはんだ８３の（ピーク）高さを揃えることができる。これは、素子１のＸ方向（長手方向）の傾きを抑制する。
【０１０４】
以下、実装対象の素子として半導体発光素子を例示した実施形態について説明する。
【０１０５】
（第５実施形態）
図５は、第５実施形態の素子としての半導体発光素子１ａの模式断面図である。
【０１０６】
半導体発光素子１ａは、発光層１３を含む半導体層１５を有する。また、半導体層１５は、第１の面１５ａと、その反対側の第２の面を有する。第２の面側に電極及び配線部が設けられ、電極及び配線部の設けられていない第１の面１５ａから主として光が外部に放射される。
【０１０７】
半導体層１５は、第１の半導体層１１と第２の半導体層１２を有する。第１の半導体層１１及び第２の半導体層１２は、例えば窒化ガリウムを含む。第１の半導体層１１は、例えば、下地バッファ層、ｎ型ＧａＮ層などを含む。第２の半導体層１２は、ｐ型ＧａＮ層、発光層（活性層）１３などを含む。発光層１３は、青、紫、青紫、紫外光などを発光する材料を用いることができる。
【０１０８】
半導体層１５の第２の面は凹凸形状に加工され、凸部は発光層１３を含む。その凸部の表面である第２の半導体層１２の表面には、ｐ側電極１６が設けられている。すなわち、ｐ側電極１６は、発光層１３を有する領域における第２の面に設けられている。
【０１０９】
半導体層１５の第２の面において凸部の横には、発光層１３を含まない領域が設けられ、その領域の第１の半導体層１１の表面に、ｎ側電極１７が設けられている。すなわち、ｎ側電極１７は、発光層１３を含まない領域における第２の面に設けられている。
【０１１０】
半導体層１５の第２の面を見た図１２（ｂ）に示すように、発光層１３を含む領域に設けられたｐ側電極１６の方が、発光層１３を含まない領域に設けられたｎ側電極１７よりも面積が広い。これにより、広い発光領域が得られる。なお、図１２（ｂ）に示すｐ側電極１６及びｎ側電極１７のレイアウトは一例であって、これに限らない。
【０１１１】
半導体層１５の第２の面側には、第１の絶縁膜（以下、単に絶縁膜と言う）１８が設けられている。絶縁膜１８は、半導体層１５、ｐ側電極１６及びｎ側電極１７を覆っている。また、絶縁膜１８は、発光層１３及び第２の半導体層１２の側面を覆って保護している。
【０１１２】
なお、絶縁膜１８と半導体層１５との間に別の絶縁膜（例えばシリコン酸化膜）が設けられることもある。絶縁膜１８は、例えば、微細開口のパターニング性に優れたポリイミド等の樹脂である。あるいは、絶縁膜１８としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機膜を用いてもよい。
【０１１３】
絶縁膜１８は、半導体層１５の第１の面１５ａ上には設けられていない。絶縁膜１８は、半導体層１５における第１の面１５ａから続く側面１５ｃを覆って保護している。
【０１１４】
絶縁膜１８における、半導体層１５の第２の面とは反対側の面上に、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２とが互いに離間して設けられている。
【０１１５】
絶縁膜１８にはｐ側電極１６に達する複数の第１の開口１８ａが形成され、その第１の開口１８ａ内に設けられた第１のビア２１ａを介して、ｐ側配線層２１はｐ側電極１６と電気的に接続されている。
【０１１６】
また、絶縁膜１８にはｎ側電極１７に達する第１の開口１８ｂが形成され、その第１の開口１８ｂ内に設けられた第２のビア２２ａを介して、ｎ側配線層２２はｎ側電極１７と電気的に接続されている。
【０１１７】
ｐ側配線層２１においてｐ側電極１６に対する反対側の面には、ｐ側金属ピラー２３が設けられている。ｐ側配線層２１、ｐ側金属ピラー２３、および後述するシード層として使われる金属膜１９は、本実施形態におけるｐ側配線部を構成する。
【０１１８】
ｎ側配線層２２においてｎ側電極１７に対する反対側の面には、ｎ側金属ピラー２４が設けられている。ｎ側配線層２２、ｎ側金属ピラー２４、および後述するシード層として使われる金属膜１９は、本実施形態におけるｎ側配線部を構成する。
【０１１９】
絶縁膜１８には、第２の絶縁膜として例えば樹脂層２５が積層されている。樹脂層２５は、ｐ側配線部の周囲及びｎ側配線部の周囲を覆っている。また、樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間に充填されている。
【０１２０】
ｐ側金属ピラー２３の側面およびｎ側金属ピラー２４の側面は、樹脂層２５で覆われている。ｐ側金属ピラー２３におけるｐ側配線層２１に対する反対側の面は、樹脂層２５から露出し、ｐ側電極面２３ａとして機能する。ｎ側金属ピラー２４におけるｎ側配線層２２に対する反対側の面は、樹脂層２５から露出し、ｎ側電極面２４ａとして機能する。
【０１２１】
ｐ側電極面２３ａ及びｎ側電極面２４ａのそれぞれは、図８（ａ）に示すように、実装基板７０に形成されたパッド７２、７３に、はんだ８３を介して接合される。
【０１２２】
樹脂層２５における同じ面（図５における下面）で露出するｐ側電極面２３ａとｎ側電極面２４ａとの間の距離は、絶縁膜１８上でのｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間の距離よりも大きい。ｐ側電極面２３ａとｎ側電極面２４ａとは、実装基板７０への実装時にはんだ８３によって相互に短絡しない距離を隔てて離れている。
【０１２３】
ｐ側配線層２１は、プロセス上の限界まで、ｎ側配線層２２に近づけることができ、ｐ側配線層２１の面積を広くできる。この結果、ｐ側配線層２１とｐ側電極１６との接触面積の拡大を図れ、電流分布及び放熱性を向上できる。
【０１２４】
ｐ側配線層２１が複数の第１のビア２１ａを通じてｐ側電極１６と接する面積は、ｎ側配線層２２が第２のビア２２ｂを通じてｎ側電極１７と接する面積よりも大きい。よって、発光層１３への電流分布が向上し、且つ発光層１３の熱の放熱性が向上できる。
【０１２５】
絶縁膜１８上に広がるｎ側配線層２２の面積は、ｎ側配線層２２がｎ側電極１７と接する面積よりも大きい。
【０１２６】
第５実施形態によれば、ｎ側電極１７よりも広い領域にわたって形成された発光層１３によって高い光出力を得ることができる。なおかつ、発光層１３を含む領域よりも狭い領域に設けられたｎ側電極１７が、より面積の大きなｎ側配線層２２として電極面２４ａ側に引き出されている。
【０１２７】
第１の半導体層１１は、ｎ側電極１７、金属膜１９およびｎ側配線層２２を介して、ｎ側電極面２４ａを有するｎ側金属ピラー２４と電気的に接続されている。発光層１３を含む第２の半導体層１２は、ｐ側電極１６、金属膜１９およびｐ側配線層２１を介して、ｐ側電極面２３ａを有するｐ側金属ピラー２３と電気的に接続されている。
【０１２８】
ｐ側金属ピラー２３はｐ側配線層２１よりも厚く、ｎ側金属ピラー２４はｎ側配線層２２よりも厚い。ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５のそれぞれの厚さは、半導体層１５よりも厚い。なお、ここでの「厚さ」は、図５において上下方向の厚さを表す。
【０１２９】
また、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４のそれぞれの厚さは、半導体層１５、ｐ側電極１６、ｎ側電極１７および絶縁膜１８を含む積層体の厚さよりも厚い。なお、各金属ピラー２３、２４のアスペクト比（平面サイズに対する厚みの比）は１以上であることに限らず、その比は１よりも小さくてもよい。すなわち、金属ピラー２３、２４は、その平面サイズよりも厚さが小さくてもよい。
【０１３０】
第５実施形態によれば、半導体層１５を形成するために使用した後述する基板１０が除去されても、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５を含む支持体によって、半導体層１５を安定して支持し、半導体発光素子１ａの機械的強度を高めることができる。
【０１３１】
ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材料との優れた密着性が得られる。
【０１３２】
樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を補強する。樹脂層２５は、実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂層２５として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。
【０１３３】
また、ｐ側電極面２３ａ及びｎ側電極面２４ａを介して、半導体発光素子１ａを実装基板７０に実装した状態において、はんだ８３を介して半導体層１５に加わる応力を、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４が吸収することで緩和することができる。
【０１３４】
ｐ側配線層２１及びｐ側金属ピラー２３を含むｐ側配線部は、相互に分断された複数の第１のビア２１ａを介して、ｐ側電極１６に接続されている。このため、ｐ側配線部による高い応力緩和効果が得られる。
【０１３５】
あるいは、図６（ａ）に示すように、１つの大きな第１の開口１８ａ内に設けられ、ビア２１ａよりも平面サイズの大きなビア２１ｃを介して、ｐ側配線層２１をｐ側電極１６に接続させてもよく、この場合、いずれも金属であるｐ側電極１６、ｐ側配線層２１及びｐ側金属ピラー２３を通じた、発光層１３の放熱性の向上を図れる。
【０１３６】
後述するように、半導体層１５を形成するときに使った基板１０は第１の面１５ａ上から除去される。このため、半導体発光素子１ａを低背化できる。
【０１３７】
半導体層１５の第１の面１５ａには、微小な凹凸が形成されている。第１の面１５ａに対して、例えばアルカリ系溶液を使ったウェットエッチング（フロスト処理）を行い、凹凸が形成される。発光層１３の発光光の主たる取り出し面である第１の面１５ａに凹凸を設けることで、様々な角度で第１の面１５ａに入射する光を全反射させることなく第１の面１５ａの外側に取り出すことが可能となる。
【０１３８】
第１の面１５ａ上には、蛍光体層３０が設けられている。蛍光体層３０は、透明媒体としての透明樹脂３１と、透明樹脂３１中に分散された複数の粒子状の蛍光体３２とを有する。
【０１３９】
透明樹脂３１は、発光層１３の発光光（励起光）及び蛍光体３２の蛍光に対する透過性を有し、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フェニル樹脂などを用いることができる。
【０１４０】
蛍光体３２は、発光層１３の励起光を吸収し波長変換光を発光可能である。このため、半導体発光素子１ａは、発光層１３の励起光と、蛍光体３２の波長変換光との混合光を出射可能である。
【０１４１】
例えば、蛍光体３２が黄色光を発光する黄色蛍光体とすると、ＧａＮ系材料である発光層１３の青色光と、蛍光体３２における波長変換光である黄色光との混合色として、白色または電球色などを得ることができる。なお、蛍光体層３０は、複数種の蛍光体（例えば、赤色光を発光する赤色蛍光体と、緑色光を発光する緑色蛍光体）を含む構成であってもよい。
【０１４２】
図８（ａ）は、第５実施形態の半導体発光素子１ａが実装基板７０上に実装された発光素子モジュールの模式断面図である。
【０１４３】
実装基板７０の実装面７１には、例えば前述した第１実施形態のパッド７２、７３が形成され、ｐ側電極面２３ａははんだ８３を介してパッド７２に接合され、ｎ側電極面２４ａははんだ８３を介してパッド７３に接合されている。
【０１４４】
実装面７１を下にした姿勢で、半導体発光素子１ａの第１の面１５ａは実装面７１の上方を向き、実装面７１の上方に主に光は放射される。すなわち、半導体発光素子１ａの光軸が、実装面７１に対して垂直となっている。
【０１４５】
この発光素子モジュールにおいても、Ｙ方向の幅が異なる第１幅部及び第２幅部を有するパッド７２、７３によって、前述した第１実施形態と同様、半導体発光素子１ａの（光軸の）傾きを抑えて実装することが可能となる。したがって、所望の光学特性を有する発光素子モジュールを提供できる。
【０１４６】
なお、半導体発光素子１ａは、第２実施形態のパッド７４、７５、あるいは第４実施形態のパッド７８、７９に実装されてもよい。この場合でも、半導体発光素子１ａの光軸の傾きを抑制することができる。
【０１４７】
あるいは、第３実施形態のように、半導体発光素子１ａをパッド７６、７７に実装してもよい。この場合、半導体発光素子１ａの光軸を実装面７１に対して任意の角度で傾けて、半導体発光素子１ａを実装することが可能となる。
【０１４８】
次に、図９（ａ）〜図２０（ｂ）を参照して、第５実施形態の半導体発光素子１ａの製造方法について説明する。図９（ａ）〜図２０（ｂ）は、ウェーハ状態における一部の領域を表す。
【０１４９】
図９（ａ）は、基板１０の主面（図９（ａ）における下面）に、第１の半導体層１１及び第２の半導体層１２を形成した積層体を示す。図９（ｂ）は、図９（ａ）における下面図に対応する。
【０１５０】
基板１０の主面上に第１の半導体層１１が形成され、その上に発光層１３を含む第２の半導体層１２が形成される。窒化ガリウムを含む第１の半導体層１１及び第２の半導体層１２は、例えばサファイア基板上にＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法で結晶成長させることができる。あるいは、基板１０としてはシリコン基板を用いることもできる。
【０１５１】
第１の半導体層１１における基板１０に接する面が、半導体層１５の第１の面１５ａであり、第２の半導体層１２の表面が半導体層１５の第２の面１５ｂである。
【０１５２】
次に、図示しないレジストを用いた例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法で、図１０（ａ）及びその下面図である図１０（ｂ）に示すように、半導体層１５を貫通して基板１０に達する溝８０を形成する。溝８０は、ウェーハ状態の基板１０上で例えば格子状に形成され、半導体層１５を基板１０上で複数のチップに分離する。
【０１５３】
なお、半導体層１５を複数に分離する工程は、後述する第２の半導体層１２の選択的除去後、あるいは電極の形成後に行ってもよい。
【０１５４】
次に、図示しないレジストを用いた例えばＲＩＥ法で、図１１（ａ）及びその下面図である図１１（ｂ）に示すように、第２の半導体層１２の一部を除去して、第１の半導体層１１の一部を露出させる。第１の半導体層１１が露出された領域は、発光層１３を含まない。
【０１５５】
次に、図１２（ａ）及びその下面図である図１２（ｂ）に示すように、半導体層１５の第２の面にｐ側電極１６とｎ側電極１７を形成する。ｐ側電極１６は、第２の半導体層１２の表面に形成される。ｎ側電極１７は、第１の半導体層１１の露出面に形成される。
【０１５６】
ｐ側電極１６及びｎ側電極１７は、例えば、スパッタ法、蒸着法等で形成される。ｐ側電極１６とｎ側電極１７は、どちらを先に形成してもよいし、同じ材料で同時に形成してもよい。
【０１５７】
ｐ側電極１６は、発光層１３の励起光に対して反射性を有する、例えば、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等を含む。また、ｐ側電極１６の硫化、酸化防止のため、金属保護膜（バリアメタル）を含む構成であってもよい。
【０１５８】
また、ｐ側電極１６とｎ側電極１７との間や、発光層１３の端面（側面）にパッシベーション膜として、例えばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜をＣＶＤ（chemical vapor deposition）法で形成してもよい。また、各電極と半導体層とのオーミックコンタクトをとるための活性化アニールなどは必要に応じて実施される。
【０１５９】
次に、基板１０の主面上の露出している部分すべてを図１３（ａ）に示す絶縁膜１８で覆った後、例えばウェットエッチングにより絶縁膜１８をパターニングし、絶縁膜１８に選択的に第１の開口１８ａと第２の開口１８ｂを形成する。第１の開口１８ａは複数形成され、各々の第１の開口１８ａはｐ側電極１６に達する。第２の開口１８ｂはｎ側電極１７に達する。
【０１６０】
絶縁膜１８としては、例えば、感光性ポリイミド、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutene）などの有機材料を用いることができる。この場合、レジストを使わずに、絶縁膜１８に対して直接露光及び現像が可能である。
【０１６１】
あるいは、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜などの無機膜を絶縁膜１８として使用してもよい。絶縁膜１８が無機膜の場合、絶縁膜１８上に形成したレジストをパターニングした後のエッチングによって第１の開口１８ａ及び第２の開口１８ｂが形成される。
【０１６２】
次に、絶縁膜１８の表面、第１の開口１８ａの内壁（側壁及び底部）、および第２の開口１８ｂの内壁（側壁及び底部）に、図１３（ｂ）に示すように、金属膜１９を形成する。金属膜１９は、後述するメッキのシードメタルとして使われる。
【０１６３】
金属膜１９は、例えばスパッタ法で形成される。金属膜１９は、例えば、絶縁膜１８側から順に積層されたチタン（Ｔｉ）と銅（Ｃｕ）との積層膜を含む。あるいは、チタン膜の代わりにアルミニウム膜を使ってもかまわない。
【０１６４】
次に、図１３（ｃ）に示すように、金属膜１９上に選択的にレジスト９１を形成し、金属膜１９を電流経路としたＣｕ電解メッキを行う。
【０１６５】
これにより、図１４（ａ）及びその下面図である図１４（ｂ）に示すように、金属膜１９上に、選択的にｐ側配線層２１とｎ側配線層２２が形成される。ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２はメッキ法により同時に形成される例えば銅材料からなる。
【０１６６】
ｐ側配線層２１は、第１の開口１８ａ内にも形成され、金属膜１９を介してｐ側電極１６と電気的に接続される。ｎ側配線層２２は、第２の開口１８ｂ内にも形成され、金属膜１９を介してｎ側電極１７と電気的に接続される。
【０１６７】
ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２のメッキに使ったレジスト９１は、溶剤もしくは酸素プラズマを使って、除去される。
【０１６８】
次に、図１５（ａ）及びその下面図である図１５（ｂ）に示すように、金属ピラー形成用のレジスト９２を形成する。レジスト９２は、前述のレジスト９１よりも厚い。なお、前の工程でレジスト９１は除去せずに残し、そのレジスト９１にレジスト９２を重ねて形成してもよい。レジスト９２には、第１の開口９２ａと第２の開口９２ｂが形成されている。
【０１６９】
そして、レジスト９２をマスクに用いて、金属膜１９を電流経路としたＣｕ電解メッキを行う。これにより、図１６（ａ）及びその下面図である図１６（ｂ）に示すように、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４が形成される。
【０１７０】
ｐ側金属ピラー２３は、レジスト９２に形成された第１の開口９２ａ内であって、ｐ側配線層２１の表面上に形成される。ｎ側金属ピラー２４は、レジスト９２に形成された第２の開口９２ｂ内であって、ｎ側配線層２２の表面上に形成される。ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４は、メッキ法により同時に形成される例えば銅材料からなる。
【０１７１】
レジスト９２は、図１７（ａ）に示すように、例えば溶剤もしくは酸素プラズマを用いて除去される。この後、金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２をマスクにして、金属膜１９の露出している部分をウェットエッチングにより除去する。これにより、図１７（ｂ）に示すように、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との金属膜１９を介した電気的接続が分断される。
【０１７２】
次に、図１８（ａ）に示すように、絶縁膜１８に対して樹脂層２５を積層する。樹脂層２５は、ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を覆う。
【０１７３】
樹脂層２５は、絶縁性を有する。また、樹脂層２５に、例えばカーボンブラックを含有させて、発光層１３の発光光に対して遮光性を与えてもよい。
【０１７４】
次に、図１８（ｂ）に示すように、基板１０を除去する。基板１０がサファイア基板の場合、例えばレーザーリフトオフ法によって基板１０を除去することができる。具体的には、基板１０の裏面側から第１の半導体層１１に向けてレーザ光が照射される。レーザ光は、基板１０に対して透過性を有し、第１の半導体層１１に対しては吸収領域となる波長を有する。
【０１７５】
レーザ光が基板１０と第１の半導体層１１との界面に到達すると、その界面付近の第１の半導体層１１はレーザ光のエネルギーを吸収して分解する。第１の半導体層１１はガリウム（Ｇａ）と窒素ガスに分解する。この分解反応により、基板１０と第１の半導体層１１との間に微小な隙間が形成され、基板１０と第１の半導体層１１とが分離する。
【０１７６】
レーザ光の照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板１０を除去する。
【０１７７】
基板１０がシリコン基板の場合には、エッチングによって基板１０を除去することができる。
【０１７８】
基板１０の主面上に形成された前述した積層体は、半導体層１５よりも厚いｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５によって補強されているため、基板１０がなくなっても、ウェーハ状態を保つことが可能である。
【０１７９】
また、樹脂層２５も、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を構成する金属も、半導体層１５に比べて柔軟な材料である。そのような柔軟な支持体に半導体層１５は支持されている。そのため、基板１０上に半導体層１５をエピタキシャル成長させる際に生じた大きな内部応力が、基板１０の剥離時に一気に開放されても、半導体層１５が破壊されるのを回避できる。
【０１８０】
基板１０が除去された半導体層１５の第１の面１５ａは洗浄される。例えば、希フッ酸等で、第１の面１５ａに付着したガリウム（Ｇａ）を除去する。
【０１８１】
その後、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等で、第１の面１５ａをウェットエッチングする。これにより、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いによって、図１９（ａ）に示すように、第１の面１５ａに凹凸が形成される。あるいは、レジストでパターニングした後にエッチングを行って、第１の面１５ａに凹凸を形成してもよい。第１の面１５ａに凹凸が形成されることで、光取り出し効率を向上できる。
【０１８２】
次に、図１９（ｂ）に示すように、第１の面１５ａ上に蛍光体層３０を形成する。蛍光体層３０は、隣り合う半導体層１５間の絶縁膜１８上にも形成される。
【０１８３】
蛍光体３２が分散された液状の透明樹脂３１を、例えば、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法によって第１の面１５ａ上に供給した後、熱硬化させる。
【０１８４】
次に、樹脂層２５の表面（図１９（ｂ）における下面）を研削し、図２０（ａ）及びその下面図である図２０（ｂ）に示すように、ｐ側電極面２３ａ及びｎ側電極面２４ａを露出させる。
【０１８５】
その後、前述した溝８０の位置で、蛍光体層３０、絶縁膜１８および樹脂層２５を切断し、複数の半導体発光素子１ａに個片化する。例えば、ダイシングブレードを用いて切断する。あるいは、レーザ照射によって、切断してもよい。
【０１８６】
ダイシング時、基板１０はすでに除去されている。さらに、溝８０には、半導体層１５は存在しないため、ダイシング時に半導体層１５が受けるダメージを回避することができる。また、個片化後の追加工程なしで、半導体層１５の端部（側面）が絶縁膜１８で覆われて保護された構造が得られる。
【０１８７】
なお、個片化された半導体発光素子１ａは、ひとつの半導体層１５を含むシングルチップ構造でも、複数の半導体層１５を含むマルチチップ構造であってもよい。
【０１８８】
ダイシングされる前までの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線及びパッケージングが済んでいる。このため、生産性を高めることができ、その結果として価格低減が容易となる。
【０１８９】
第１の面１５ａ上には、図７（ａ）〜（ｃ）半導体発光素子１ｂのように、レンズ３６が設けられていてもよい。レンズ３６は凹形状に限らず、凸形状であってもよい。
【０１９０】
（第６実施形態）
図７（ａ）は、第６実施形態の半導体発光素子１ｂの模式斜視図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図７（ｃ）は、図７（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【０１９１】
図７（ａ）及び（ｃ）に示すように、ｐ側金属ピラー２３の一部の側面は、半導体層１５の第１の面１５ａ及び第２の面と異なる面方位の第３の面２５ｂで、樹脂層２５から露出している。その露出面は、実装基板７０に実装するためのｐ側電極面２３ｂとして機能する。
【０１９２】
第３の面２５ｂは、半導体層１５の第１の面１５ａ及び第２の面に対して略垂直な面である。樹脂層２５は、例えば矩形状の４つの側面を有し、そのうちのひとつの側面が第３の面２５ｂとなっている。
【０１９３】
その同じ第３の面２５ｂで、ｎ側金属ピラー２４の一部の側面が樹脂層２５から露出している。その露出面は、実装基板７０に実装するためのｎ側電極面２４ｂとして機能する。
【０１９４】
また、図７（ａ）に示すように、ｐ側配線層２１の一部の側面２１ｂも、第３の面２５ｂで樹脂層２５から露出し、ｐ側電極面として機能する。同様に、ｎ側配線層２２の一部の側面２２ｂも、第３の面２５ｂで樹脂層２５から露出し、ｎ側電極面として機能する。
【０１９５】
ｐ側金属ピラー２３において、第３の面２５ｂで露出しているｐ側電極面２３ｂ以外の部分は、樹脂層２５で覆われている。また、ｎ側金属ピラー２４において、第３の面２５ｂで露出しているｎ側電極面２４ｂ以外の部分は、樹脂層２５で覆われている。
【０１９６】
また、ｐ側配線層２１において、第３の面２５ｂで露出している側面２１ｂ以外の部分は、樹脂層２５で覆われている。さらに、ｎ側配線層２２において、第３の面２５ｂで露出している側面２２ｂ以外の部分は、樹脂層２５で覆われている。
【０１９７】
図８（ｂ）は、第６実施形態の半導体発光素子１ｂを実装基板７０に実装した発光素子モジュールの模式断面図である。
【０１９８】
半導体発光素子１ｂは、第３の面２５ｂを実装基板７０の実装面７１に向けた姿勢で実装されている。第３の面２５ｂで露出しているｐ側電極面２３ｂ及びｎ側電極面２４ｂは、それぞれ、実装面７１に形成されたパッド７２、７３に対してはんだ８３を介して接合されている。
【０１９９】
ｐ側電極面２３ｂ及びｎ側電極面２４ｂは、第２実施形態のパッド７４、７５、第３実施形態のパッド７６、７７、あるいは第４実施形態のパッド７８、７９に接合された構成であってもよい。
【０２００】
半導体発光素子１ｂを上にし、実装面７１を下にした姿勢で、第１の面１５ａは横方向を向く。すなわち、半導体発光素子１ｂの光軸が、実装面７１に対して平行となり、横方向に光が放射される。すなわち、半導体発光素子１ｂは、いわゆるサイドビュータイプの発光素子である。
【０２０１】
このサイドビュータイプの半導体発光素子１ｂを、前述した第１、第２あるいは第４実施形態のパッドに実装すると、光軸を実装面に対して平行にすることができる。
【０２０２】
あるいは、半導体発光素子１ｂを、第３実施形態のパッドに実装すると、図８（ｂ）に示すＹＺ面において光軸が実装面７１に対して斜め上方または斜め下方に傾いた発光素子モジュールを提供することができる。
【０２０３】
（第７実施形態）
図６（ｂ）は、第７実施形態の半導体発光素子１ｃの模式断面図である。
【０２０４】
第７実施形態の半導体発光素子１ｃでは、ｐ側電極１６の表面及び側面に、ｐ側電極１６を覆うｐ側パッド５１が設けられている。ｐ側電極１６は、半導体層１５に含まれるガリウム（Ｇａ）と合金を形成可能な、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）およびロジウム（Ｒｈ）のうちの少なくとも１つを含む。ｐ側パッド５１は、ｐ側電極１６よりも発光層１３の発光光に対する反射率が高く、主成分として例えば銀（Ａｇ）を含む。また、ｐ側パッド５１は、ｐ側電極１６を酸化や腐食から保護する。
【０２０５】
また、ｎ側電極１７の表面及び側面に、ｎ側電極１７を覆うｎ側パッド５２が設けられている。ｎ側電極１７は、半導体層１５に含まれるガリウム（Ｇａ）と合金を形成可能な、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）およびロジウム（Ｒｈ）のうちの少なくとも１つを含む。ｎ側パッド５２は、ｎ側電極１７よりも発光層１３の発光光に対する反射率が高く、主成分として例えば銀（Ａｇ）を含む。また、ｎ側パッド５２は、ｎ側電極１７を酸化や腐食から保護する。
【０２０６】
半導体層１５の第２の面におけるｐ側電極１６の周囲およびｎ側電極１７の周囲には、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの絶縁膜５３が設けられている。絶縁膜５３は、ｐ側電極１６とｎ側電極１７との間、およびｐ側パッド５１とｎ側パッド５２との間に設けられている。
【０２０７】
絶縁膜５３上、ｐ側パッド５１上およびｎ側パッド５２上には、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの絶縁膜５４が設けられている。また、絶縁膜５４は、半導体層１５の側面１５ｃにも設けられ、側面１５ｃを覆っている。
【０２０８】
絶縁膜５４上には、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２が設けられている。絶縁膜５４には複数の第１の開口５４ａが形成され、その第１の開口５４ａ内に設けられた第１のビア２１ａを介して、ｐ側配線層２１はｐ側パッド５１に接続されている。
【０２０９】
絶縁膜５４には第２の開口５４ｂが形成され、その第２の開口５４ｂ内に設けられた第２のビア２２ａを介して、ｎ側配線層２２はｎ側パッド５２に接続されている。
【０２１０】
この構造においても、ｐ側配線層２１は、図に示すように複数のビア２１ａを介してｐ側パッド５１に接続されてもよいし、あるいは、ビア２１ａよりも平面サイズの大きな１つのビアを介してｐ側パッド５１に接続されてもよい。
【０２１１】
ｐ側配線層２１上には、ｐ側配線層２１よりも厚いｐ側金属ピラー２３が設けられている。ｎ側配線層２２上には、ｎ側配線層２２よりも厚いｎ側金属ピラー２４が設けられている。
【０２１２】
絶縁膜５４に対して樹脂層２５が積層されている。樹脂層２５は、ｐ側配線層２１及びｐ側金属ピラー２３を含むｐ側配線部と、ｎ側配線層２２及びｎ側金属ピラー２４を含むｎ側配線部を覆っている。
【０２１３】
ただし、ｐ側金属ピラー２３におけるｐ側配線層２１に対する反対側の面（図において下面）は樹脂層２５から露出され、ｐ側電極面２３ａとして機能する。同様に、ｎ側金属ピラー２４におけるｎ側配線層２２に対する反対側の面（図において下面）は樹脂層２５から露出され、ｎ側電極面２４ａとして機能する。
【０２１４】
あるいは、ｐ側金属ピラー２３の側面と、ｎ側金属ピラー２４の側面を露出させて、サイドビュータイプの半導体発光素子とすることもできる。
【０２１５】
樹脂層２５は、基板１０上で半導体層１５を複数に分離する前述した溝８０内に、絶縁膜５４を介して充填される。したがって、半導体層１５の側面１５ｃは、無機膜である絶縁膜５４と、樹脂層２５とで覆われて保護されている。
【０２１６】
この半導体発光素子１ｃも、Ｙ方向の幅が異なる第１幅部及び第２幅部を有するパッド、あるいはＹ方向の幅が異なる一対のパッドに実装することで、前述した実施形態と同様、半導体発光素子１ｃの（光軸の）傾きを抑えて実装することが可能となる。
【０２１７】
あるいは、第３実施形態のように、半導体発光素子１ｃをパッド７６、７７に実装してもよい。この場合、半導体発光素子１ｃの光軸を実装面７１に対して任意の角度で傾けて、半導体発光素子１ｃを実装することが可能となる。
【０２１８】
上記実施形態の半導体発光素子において、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を設けずに、ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２を電極面として機能させて、実装基板のパッドに対して接合させてもよい。
【０２１９】
また、ｐ側配線層２１とｐ側金属ピラー２３とは別体であることに限らず、ｐ側配線層２１とｐ側金属ピラー２３とを同じ工程で一体に設けてｐ側配線部を構成してもよい。同様に、ｎ側配線層２２とｎ側金属ピラー２４とは別体であることに限らず、ｎ側配線層２２とｎ側金属ピラー２４とを同じ工程で一体に設けてｎ側配線部を構成してもよい。
【０２２０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０２２１】
１…素子、１ａ〜１ｃ…半導体発光素子、１０…基板、１３…発光層、１５…半導体層、１５ａ…第１の面、１６…ｐ側電極、１７…ｎ側電極、２１…ｐ側配線層、２２…ｎ側配線層、２３…ｐ側金属ピラー、２３ａ…ｐ側電極面、２４…ｎ側金属ピラー、２４ａ…ｎ側電極面、２５…樹脂層、３０…蛍光体層、５０ａ〜５０ｄ…素子モジュール、６１，６２…電極面、７０…実装基板、７１…実装面、７２〜７９…パッド、７２ａ，７３ａ，７６ａ，７７ａ，７８ａ，７９ａ…第１幅部、７２ｂ，７３ｂ，７６ｂ，７７ｂ，７８ｂ，７９ｂ…第２幅部、８３…はんだ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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