(57)【要約】【課題】耐電圧特性が向上しかつ信頼性に優れた大容量の積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供する。【解決手段】誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を介して対向配置される複数の内部電極と、上記複数の内部電極と電気的に連結された外部電極とを含み、上記内部電極の厚さをｔｅと規定すると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍを満たし、上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、上記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレインの中央部での長さ方向の長さをＴｃ、上記グレインの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さをＴ１と規定すると、０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たす積層セラミック電子部品及びその製造方法。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を介して対向配置される複数の内部電極と、
前記複数の内部電極と電気的に連結された外部電極と、を含み、
前記内部電極の厚さをｔｅと規定すると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍを満たし、前記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、前記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレインの中央部での長さ方向の長さをＴｃ、前記グレインの中央部から前記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さをＴ１と規定すると、０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たす積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記内部電極の厚さｔｅは、前記複数の内部電極の平均厚さである請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記誘電体層の平均厚さをｔｄと規定すると、ｔｄ≦０．６μｍを満たす請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記内部電極は導電性金属及びセラミックを含み、前記導電性金属粉末の平均粒径をＤｎ、前記セラミック粉末の平均粒径をＤｓとすると、Ｄｓ／Ｄｎ≦１／６を満たす請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記内部電極に含まれたセラミックは、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）である請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、前記誘電体１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数は２から７である請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を介して対向配置される複数の内部電極と、
前記複数の内部電極と電気的に連結された外部電極と、を含み、
前記誘電体層の厚さをｔｄと規定すると、ｔｄ≦０．６μｍを満たし、前記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、前記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレインの中央部での長さ方向の長さをＴｃ、前記グレインの中央部から前記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さをＴ１と規定すると、０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たす積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記内部電極の厚さをｔｅと規定すると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍを満たす請求項７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記内部電極の厚さｔｅは、前記複数の内部電極の平均厚さである請求項８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記誘電体層の厚さｔｄは、複数の誘電体層の平均厚さである請求項７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
前記内部電極は導電性金属及びセラミックを含み、前記導電性金属粉末の平均粒径をＤｎ、前記セラミック粉末の平均粒径をＤｓとすると、Ｄｓ／Ｄｎ≦１／６を満たす請求項７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１２】
前記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、前記誘電体１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数は２から７である請求項７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１３】
誘電体層を含むセラミックグリーンシートを設ける段階と、
導電性金属粉末及びセラミック粉末を含む内部電極用導電性ペーストを利用して前記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する段階と、
前記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層して焼結し、内部に前記誘電体層を介して対向配置される複数の内部電極を含むセラミック本体を形成する段階と、を含み、前記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、前記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレインの中央部での長さ方向の長さをＴｃ、前記グレインの中央部から前記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さをＴ１と規定すると、０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たす積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記導電性金属粉末の平均粒径をＤｎ、前記セラミック粉末の平均粒径をＤｓとすると、Ｄｓ／Ｄｎ≦１／６を満たす請求項１３に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１５】
前記内部電極の厚さをｔｅと規定すると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍを満たす請求項１３に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１６】
前記内部電極の厚さｔｅは、前記複数の内部電極の平均厚さである請求項１５に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１７】
前記誘電体層の厚さをｔｄと規定すると、ｔｄ≦０．６μｍを満たす請求項１３に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１８】
前記誘電体層の厚さｔｄは、複数の誘電体層の平均厚さである請求項１７に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１９】
前記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、前記誘電体１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数は２から７である請求項１３に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２０】
前記内部電極用導電性ペーストに含まれたセラミック粉末は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）である請求項１３に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐電圧特性を向上させただけでなく、信頼性に優れた大容量の積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近では、電子製品の小型化の傾向により、積層セラミック電子部品も小型化及び大容量化が求められている。
【０００３】
これにより、誘電体と内部電極の薄膜化、多層化が多様な方法で試されており、最近では、誘電体層は薄くて積層数が増加する積層セラミック電子部品が製造されている。
【０００４】
このような大容量化を具現するために誘電体層の厚さと内部電極の厚さが薄くなるほど、内部電極の厚さが不均一となり、内部電極の厚さが保持されて連結されず、部分的に切れて連結性が低下する。
【０００５】
上記のように内部電極が部分的に切れる場合、上記切れ部の形状は尖ったり、不均一に突出したりすることがあり、上記切れ部の尖った部分、または突出した部分に電界が集中し、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が低下するという問題が発生した。
【０００６】
上記問題点により絶縁特性が低下して積層セラミック電子部品の信頼性が低下するという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】日本公開特許公報２００２−３４３６６９
【特許文献２】韓国公開特許公報２００７−００１５４４５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、耐電圧特性を向上させただけでなく、信頼性に優れた大容量の積層セラミック電子部品を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態は、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を介して対向配置される複数の内部電極と、上記複数の内部電極と電気的に連結された外部電極とを含み、上記内部電極の厚さをｔｅと規定すると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍを満たし、上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、上記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレインの中央部での長さ方向の長さをＴｃ、上記グレインの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さをＴ１と規定すると、０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たす積層セラミック電子部品を提供する。
【００１０】
上記内部電極の厚さｔｅは、上記複数の内部電極の平均厚さであってよい。
【００１１】
上記誘電体層の平均厚さをｔｄと規定すると、ｔｄ≦０．６μｍを満たすことができる。
【００１２】
上記内部電極は導電性金属及びセラミックを含み、上記導電性金属粉末の平均粒径をＤｎ、上記セラミック粉末の平均粒径をＤｓとすると、Ｄｓ／Ｄｎ≦１／６を満たすことができる。
【００１３】
上記内部電極に含まれたセラミックは、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）であってよい。
【００１４】
上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、上記誘電体１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数は２から７であってよい。
【００１５】
本発明の他の実施形態は、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を介して対向配置される複数の内部電極と、上記複数の内部電極と電気的に連結された外部電極とを含み、上記誘電体層の厚さをｔｄと規定すると、ｔｄ≦０．６μｍを満たし、上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、上記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレインの中央部での長さ方向の長さをＴｃ、上記グレインの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さをＴ１と規定すると、０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たす積層セラミック電子部品を提供する。
【００１６】
上記内部電極の厚さをｔｅと規定すると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍを満たすことができる。
【００１７】
上記内部電極の厚さｔｅは、上記複数の内部電極の平均厚さであってよい。
【００１８】
上記誘電体層の厚さｔｄは、複数の誘電体層の平均厚さであってよい。
【００１９】
上記内部電極は導電性金属及びセラミックを含み、上記導電性金属粉末の平均粒径をＤｎ、上記セラミック粉末の平均粒径をＤｓとすると、Ｄｓ／Ｄｎ≦１／６を満たすことができる。
【００２０】
上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、上記誘電体１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数は２から７であってよい。
【００２１】
本発明の他の実施形態は、誘電体層を含むセラミックグリーンシートを設ける段階と、導電性金属粉末及びセラミック粉末を含む内部電極用導電性ペーストを利用して上記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する段階と、上記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層して焼結し、内部に上記誘電体層を介して対向配置される複数の内部電極を含むセラミック本体を形成する段階とを含み、上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、上記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレインの中央部での長さ方向の長さをＴｃ、上記グレインの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さをＴ１と規定すると、０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たす積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。
【００２２】
上記導電性金属粉末の平均粒径をＤｎ、上記セラミック粉末の平均粒径をＤｓとすると、Ｄｓ／Ｄｎ≦１／６を満たすことができる。
【００２３】
上記内部電極の厚さをｔｅと規定すると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍを満たすことができる。
【００２４】
上記内部電極の厚さｔｅは、上記複数の内部電極の平均厚さであってよい。
【００２５】
上記誘電体層の厚さをｔｄと規定すると、ｔｄ≦０．６μｍを満たすことができる。
【００２６】
上記誘電体層の厚さｔｄは、複数の誘電体層の平均厚さであってよい。
【００２７】
上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、上記誘電体１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数は２から７であってよい。
【００２８】
上記内部電極用導電性ペーストに含まれたセラミック粉末は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）であってよい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によると、内部電極の切れ部の形状を丸くすることで、耐電圧特性を向上させるだけでなく、信頼性に優れた大容量積層セラミック電子部品を具現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ’断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの断面を概略的に示す一部拡大図である。
【図４】図３のＡ領域を概略的に示す拡大図である。
【図５】本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張されることがあり、図面上に同じ符号で示される要素は同じ要素である。
【００３２】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００３３】
図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図であり、図２は図１のＢ−Ｂ’断面図であり、図３は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの断面を概略的に示す一部拡大図であり、図４は図３のＡ領域を概略的に示す拡大図である。
【００３４】
図１から図４を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層１を含むセラミック本体１０と、上記セラミック本体１０内で上記誘電体層１を介して対向配置される複数の内部電極２１、２２と、上記複数の内部電極２１、２２と電気的に連結された外部電極３１、３２とを含み、上記セラミック本体１０の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、上記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレイン２１ａの中央部での長さ方向の長さをＴｃ、上記グレイン２１ａの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さをＴ１と規定すると、０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たす。
【００３５】
上記内部電極の厚さをｔｅと規定すると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍを満たすことができ、上記内部電極の厚さｔｅは上記複数の内部電極２１、２２の平均厚さであってよい。
【００３６】
以下では、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を、積層セラミックキャパシタで説明するが、これに制限されない。
【００３７】
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタにおいて、「長さ方向」は図１の「Ｌ」方向、「幅方向」は「Ｗ」方向、「厚さ方向」は「Ｔ」方向と定義する。ここで、「厚さ方向」とは、誘電体層を積み上げる方向、即ち、「積層方向」と同一概念で使用してよい。
【００３８】
本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り、特に制限されず、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末であってよい。
【００３９】
上記誘電体層１を形成する材料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などのパウダーに本発明の目的に合わせて多様なセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤などを添加してよい。
【００４０】
上記誘電体層１の形成に用いられるセラミック粉末の平均粒径は、特に制限されず、本発明の目的を達成するために調節されてよい。例えば、４００ｎｍ以下に調節されてよい。
【００４１】
上記複数の内部電極２１、２２を形成する材料は、特に制限されず、例えば、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）の１つ以上の物質からなる導電性ペーストを用いてよい。
【００４２】
また、上記複数の内部電極２１、２２はセラミックを含んでよく、上記セラミックは特に制限されないが、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）であってよい。
【００４３】
静電容量を形成するために外部電極３１、３２が上記セラミック本体１０の外側に形成され、上記複数の内部電極２１、２２と電気的に連結されてよい。
【００４４】
上記外部電極３１、３２は内部電極と同じ材質の導電性物質で形成されてよく、これに制限されないが、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）などで形成されてよい。
【００４５】
上記外部電極３１、３２は、上記金属粉末にガラスフリットを添加して用意した導電性ペーストを塗布してから焼成することで、形成してよい。
【００４６】
図２及び図３を参照すると、上記内部電極２１、２２の厚さをｔｅと規定すると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍを満たすことができる。上記内部電極２１、２２の厚さｔｅは上記複数の内部電極２１、２２の平均厚さであってよい。
【００４７】
本発明の一実施形態における上記複数の内部電極２１、２２の平均厚さは、図２のようにセラミック本体１０の長さ方向の断面のイメージを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンして測定してよい。
【００４８】
例えば、図２のようにセラミック本体１０の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンしたイメージから抽出した任意の内部電極に対し、長さ方向に等間隔の３０個の地点でその厚さを測定して平均値を計算することができる。上記内部電極の厚さｔｅは、上記のように計算された内部電極の厚さの平均値と定義してよい。
【００４９】
上記等間隔の３０個の地点は、内部電極２１、２２が重畳する領域を意味する容量形成部で測定されてよい。
【００５０】
また、１０個以上の内部電極に拡張して複数の内部電極の平均値を測定すると、上記複数の内部電極２１、２２の平均厚さをさらに一般化することができる。
【００５１】
一般的に、内部電極が薄くなるほど、内部電極の厚さが不均一となり、内部電極が厚さを保持して連結されずに部分的に切れて、連結性が低下する虞がある。
【００５２】
内部電極が部分的に切れる場合、上記切れ部の形状は尖ったり、不均一に突出したりすることがあり、これにより上記切れ部の尖った部分、または突出した部分に電界が集中し、ショート（ｓｈｏｒｔ）不良の発生及び絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が低下する虞がある。
【００５３】
特に、上記複数の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅが０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍの場合、ショート（ｓｈｏｒｔ）不良の発生及び絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）の低下という問題が頻繁に発生する。
【００５４】
しかし、後述するように本発明の一実施形態によると、上記複数の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅが０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍの場合でも、上記内部電極２１、２２の切れ部の形状を調節して耐電圧特性を向上させるだけでなく、信頼性に優れた大容量積層セラミック電子部品を具現することができる。
【００５５】
上記複数の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅが０．１μｍ未満では、ショート（ｓｈｏｒｔ）不良及び絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）の低下が起こりやすい。
【００５６】
一方、上記複数の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅが０．５μｍを超えると、上記複数の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅが厚いため、ショート（ｓｈｏｒｔ）不良及び絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）の低下の問題が発生しない。
【００５７】
図４を参照すると、上記セラミック本体１０の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、上記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレイン２１ａの中央部での長さ方向の長さをＴｃ、上記グレイン２１ａの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さをＴ１と規定すると、０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たすことができる。
【００５８】
上記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレイン２１ａの中央部での長さ方向の長さＴｃと、上記グレイン２１ａの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さＴ１は、図２のようにセラミック本体１０の長さ方向の断面のイメージを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンして測定してよい。
【００５９】
例えば、図２のようにセラミック本体１０の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンしたイメージから抽出した任意の内部電極に対して、上記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレインの各地点毎の長さ方向の長さを測定する。
【００６０】
上記内部電極の切れ部は、各内部電極の長さ方向の断面において、１つの内部電極の連結が切れた部分を意味することができる。従って、１つの内部電極の両端部の切れ部は、内部電極の塗布領域の最後の地点であり、ここでは含まない。
【００６１】
具体的には、上記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレイン２１ａは、上記内部電極の切れ部を形成している１つの内部電極のグレインを意味することができる。
【００６２】
また、上記内部電極のグレイン２１ａの中央部での長さ方向の長さＴｃは、上記内部電極のグレイン２１ａを上記内部電極の厚さ方向からみて、中央部地点でのグレイン２１ａの長さ方向の長さを意味することができる。
【００６３】
また、上記内部電極のグレイン２１ａの中央部での長さ方向の長さＴｃは、上記内部電極のグレイン２１ａの切れ部側の端部までの長さを意味することができる。
【００６４】
一方、上記グレイン２１ａの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点は、上記中央部地点で上記内部電極の厚さ方向に仮想の垂直線を引いたとき、上部または下部の２５％地点を意味することができる。
【００６５】
また、上記グレイン２１ａの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さＴ１は、上記内部電極のグレイン２１ａの切れ部側の端部までの長さを意味することができる。
【００６６】
本発明の一実施形態によると、上記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレイン２１ａの中央部での長さ方向の長さＴｃと上記グレイン２１ａの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さＴ１の比が０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たすことができる。
【００６７】
上記のようにＴｃとＴ１の比が０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たすと、上記内部電極の切れ部の形状を丸く調節することができ、内部電極の切れ部の形状による電界集中現象を減少させることができる。
【００６８】
これにより、耐電圧特性を向上させるだけでなく、信頼性に優れた大容量積層セラミック電子部品を具現することができる。
【００６９】
上記ＴｃとＴ１の比（Ｔ１／Ｔｃ）が０．７未満であるか、１．３を超えると、上記内部電極の切れ部の形状が尖って形成され、電界集中によるショート不良の発生及び耐電圧特性低下の問題が起こる虞がある。
【００７０】
本発明の一実施形態によると、上記ＴｃとＴ１の比が０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たすように調節するために、上記内部電極は導電性金属及びセラミックを含んでよく、上記導電性金属粉末の平均粒径をＤｎ、上記セラミック粉末の平均粒径をＤｓとすると、Ｄｓ／Ｄｎ≦１／６を満たすことができる。
【００７１】
即ち、上記導電性金属粉末の平均粒径Ｄｎと上記セラミック粉末の平均粒径Ｄｓの比がＤｓ／Ｄｎ≦１／６を満たすように調節することで、上記内部電極の切れ部の形状を丸く調節することができる。
【００７２】
具体的には、Ｄｓ／Ｄｎ≦１／６を満たすと、上記セラミック粉末の平均粒径は上記導電性金属粉末の平均粒径より小さくなる。この場合、上記導電性金属粉末の表面に存在する微粒のセラミック粉末により上記内部電極の切れ部の形状を丸くすることができる。
【００７３】
上記導電性金属粉末の平均粒径Ｄｎと上記セラミック粉末の平均粒径Ｄｓの比（Ｄｓ／Ｄｎ）が１／６を超えると、セラミック粉末の平均粒径が大きくなり、上記内部電極の切れ部の形状を丸くすることができない。
【００７４】
そのため、上記内部電極の切れ部に尖った部分が生じたり、突出した部分が生じたりして、上記部分への電界集中によるショート不良及び耐電圧特性低下の問題が発生する虞がある。
【００７５】
また、上記誘電体層の厚さをｔｄと規定すると、ｔｄ≦０．６μｍを満たすことができる。上記誘電体層の厚さｔｄは上記誘電体層の平均厚さを意味することができる。
【００７６】
本発明の一実施形態における上記誘電体層１の平均厚さは、内部電極２１、２２の間に配置される誘電体層１の平均厚さを意味することができる。
【００７７】
上記誘電体層１の平均厚さは、図２のようにセラミック本体１０の長さ方向の断面のイメージを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンして測定してよい。
【００７８】
例えば、図２のようにセラミック本体１０の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンしたイメージから抽出した任意の誘電体層に対して、長さ方向に等間隔の３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定してよい。
【００７９】
上記等間隔の３０個の地点は、内部電極２１、２２が重畳する領域を意味する容量形成部で測定されてよい。
【００８０】
また、１０個以上の誘電体層に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。
【００８１】
一般的には、上記誘電体層の平均厚さｔｄがｔｄ≦０．６μｍのように薄い場合、内部電極が部分的に切れて上記切れ部の形状が尖ったり、不均一に突出したりすると、上記切れ部の尖った部分、または突出した部分に電界が集中し、ショート不良及び耐電圧特性の低下が発生する虞がある。
【００８２】
しかし、本発明の一実施形態によると、上記誘電体層の平均厚さｔｄがｔｄ≦０．６μｍを満たす場合でも、上記内部電極の切れ部の形状を丸く調節することで、ショート不良発生を防ぎ、耐電圧特性を向上させることができる。
【００８３】
一方、上記誘電体層の平均厚さｔｄが０．６μｍを超えると、誘電体層の平均厚さが厚くて上記ショート不良及び耐電圧特性低下の問題は発生しない。
【００８４】
上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、上記誘電体１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数は、２から７であってよいが、これに制限されない。
【００８５】
上記誘電体１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数は、任意の誘電体層１層で厚さ方向の仮想の垂直線上に分布する誘電体グレイン数と定義することができる。
【００８６】
本発明の一実施形態によると、上記誘電体１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数が、２から７分布する薄膜の誘電体層の場合でも、上記内部電極の切れ部の形状を丸く調節することで、ショート不良の発生を防ぎ、耐電圧特性を向上させることができる。
【００８７】
上記誘電体１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数は、上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面での中央部の誘電体層１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数であってよい。
【００８８】
また、１０個以上の誘電体層に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。
【００８９】
上記誘電体１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数が２つ未満では、誘電体グレイン数が少なすぎて、ショート不良及び耐電圧特性低下の問題が発生することがある。
【００９０】
一方、上記誘電体１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数が７を超えると、誘電体グレイン数が多すぎて、ショート不良及び耐電圧特性低下の問題が発生しないことがある。
【００９１】
図５は、本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造工程図である。
【００９２】
図５を参照すると、本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、誘電体層を含むセラミックグリーンシートを設ける段階と、導電性金属粉末及びセラミック粉末を含む内部電極用導電性ペーストを利用して上記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する段階と、上記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層して焼結し、内部に上記誘電体層を介して対向配置される複数の内部電極を含むセラミック本体を形成する段階とを含み、上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、上記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレインの中央部での長さ方向の長さをＴｃ、上記グレインの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さをＴ１と規定すると、０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たすことができる。
【００９３】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、まず、誘電体を含むセラミックグリーンシートを用意する。
【００９４】
上記セラミックグリーンシートはセラミック粉末、バインダー、溶剤を混合してスラリーを製造し、上記スラリーをドクターブレード法で数μｍ厚さのシート（ｓｈｅｅｔ）状に作製してよい。
【００９５】
次いで、導電性金属粉末及びセラミック粉末を含む内部電極用導電性ペーストを利用して上記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成してよい。
【００９６】
次に、上記内部電極パターンが形成されたグリーンシートを積層して焼結し、内部に上記誘電体層を介して対向配置される複数の内部電極を含むセラミック本体を形成してよい。
【００９７】
上記複数の内部電極の平均厚さをｔｅと規定すると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍを満たし、上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、上記内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレインの中央部での長さ方向の長さをＴｃ、上記グレインの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さをＴ１と規定すると、０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たすことができる。
【００９８】
上記誘電体層の平均厚さをｔｄと規定すると、ｔｄ≦０．６μｍを満たすことができる。
【００９９】
上記内部電極は導電性金属及びセラミックを含み、上記導電性金属粉末の平均粒径をＤｎ、上記セラミック粉末の平均粒径をＤｓとすると、Ｄｓ／Ｄｎ≦１／６を満たすことができる。
【０１００】
上記セラミック本体の幅Ｗ方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ−Ｔ）の断面において、上記誘電体１層当たりの厚さ方向の誘電体グレイン数が３から７であってよい。
【０１０１】
上記導電性金属は銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）から１つ以上であってよい。
【０１０２】
また、上記セラミックはチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）であってよい。
【０１０３】
その他上述した本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の特徴と同一部分に対してはその説明を省略する。
【０１０４】
以下では、実施例を挙げて本発明をより詳しく説明するが、本発明はこれに制限されない。
【０１０５】
本実施例は、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍの平均厚さを有する内部電極２１、２２を適用した積層セラミックキャパシタに対し、導電性金属粉末の平均粒径Ｄｎとセラミック粉末の平均粒径Ｄｓの比、及び内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレイン２１ａの中央部での長さ方向の長さＴｃと上記グレイン２１ａの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さＴ１の比による耐電圧特性の向上有無を試すために行われた。
【０１０６】
本実施例による積層セラミックキャパシタは下記のような段階で作製された。
【０１０７】
まず、平均粒径が０．１μｍのチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などのパウダーを含んで形成されたスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥して製造された複数個のセラミックグリーンシートを用意し、これを用いて誘電体層１を形成する。
【０１０８】
次に、導電性金属粉末及びセラミック粉末を含む内部電極用導電性ペーストを用意した。
【０１０９】
上記セラミックグリーンシート上に上記内部電極用導電性ペーストをスクリーン印刷工法で塗布して内部電極を形成した後、１９０から２５０層を積層して積層体を製作した。
【０１１０】
その後、圧着、切断して０６０３規格のチップを作り、上記チップをＨ２０．１％以下の還元雰囲気の温度１０５０〜１２００℃で焼成した。
【０１１１】
次に、外部電極の形成及びめっきなどの工程を経て積層セラミックキャパシタを作製した。
【０１１２】
上記積層セラミックキャパシタの試料の断面を観察したところ、内部電極の平均厚さは０．１０〜０．６５μｍ水準で、誘電体層の平均厚さは０．１０〜０．８０μｍで具現された。
【０１１３】
下表１は、内部電極の平均厚さ、内部電極用導電性ペーストに含まれた導電性金属粉末の平均粒径Ｄｎとセラミック粉末の平均粒径Ｄｓの比、及び内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレイン２１ａの中央部での長さ方向の長さＴｃと上記グレイン２１ａの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さＴ１の比による絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）を比較したものである。
【０１１４】
【表１】
2013229546.tif 000003
【０１１５】
上記［表１］における絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）は、１．０Ｖ／ｓｅｃの速度でＤＣ電圧を印加しながら評価したもので、絶縁破壊電圧６０Ｖを基準として絶縁破壊が起きずに良好な場合をＯ、絶縁破壊が起きて不良な場合をＸと示した。
【０１１６】
上記［表１］を参照すると、試料２、３、６、７、９、１０及び１３から１６は、内部電極の平均厚さｔｅが０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍの範囲を満たし、内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレイン２１ａの中央部での長さ方向の長さＴｃと上記グレイン２１ａの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さＴ１の比が０．７≦Ｔ１／Ｔｃ≦１．３を満たす場合で、絶縁破壊が起きず良好であることが分かる。
【０１１７】
この場合、内部電極用導電性ペーストに含まれた導電性金属粉末の平均粒径Ｄｎとセラミック粉末の平均粒径Ｄｓの比（Ｄｓ／Ｄｎ）が１／６以下を満たすことが分かる。
【０１１８】
一方、試料１、４、５、８、１１及び１２は、Ｔ１／Ｔｃ値が０．７未満であるか、１．３を超える場合で、絶縁破壊が起きて耐電圧特性に問題があることが分かる。
【０１１９】
また、試料１７から２０は、内部電極の平均厚さが０．５μｍを超える場合で、導電性金属粉末の平均粒径Ｄｎとセラミック粉末の平均粒径Ｄｓの比、及び内部電極の切れ部と最も隣接する１つの内部電極のグレイン２１ａの中央部での長さ方向の長さＴｃと上記グレイン２１ａの中央部から上記内部電極の厚さ方向の上部または下部の２５％地点での長さ方向の長さＴ１の比が本発明の数値範囲を満たすか否かに関わらず耐電圧特性に問題がないことが分かる。
【０１２０】
本発明は上述した実施形態及び添付の図面により限定されるものではなく、添付の請求の範囲により限定される。従って、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者により多様な形態の置換、変形及び変更が可能で、これも本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【０１２１】
１  誘電体層
１０  セラミック本体
２１、２２  内部電極
２１ａ  内部電極のグレイン
３１、３２  外部電極
Ｔｄ  誘電体層の平均厚さ
Ｔｅ  内部電極の平均厚さ
【図１】
2013229546.tif 000004
【図２】
2013229546.tif 000005
【図３】
2013229546.tif 000006
【図４】
2013229546.tif 000007
【図５】
2013229546.tif 000008