(57)【要約】【課題】ボンディング面と接続部材との密着性を高くするとともにボンディング面と樹脂封止のための樹脂との密着性を高くし、従来の半導体装置よりも高い信頼性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ１１０と、半導体チップ１１０を搭載するための第１リードフレーム１２０と、ボンディング面１３２を有する第２リードフレーム１３０，１４０とを備え、第２リードフレーム１３０，１４０におけるボンディング面１３２，１４２は、接続部材１５０を介して半導体チップ１１０と電気的に接続され、半導体チップ１１０、第１リードフレーム１２０及び第２リードフレーム１３０，１４０が樹脂封止により一体化された半導体装置であって、ボンディング面１３２，１４２は、第１の粗化処理が施された第１の粗化面であり、めっきを介することなく接続部材１５０と接続されていることを特徴とする半導体装置。【選択図】図１
2013105849.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するためのダイパッドを有する第１リードフレームと、
ボンディング面を有し、前記第１リードフレームとは離間して配置された第２リードフレームとを備え、
前記第２リードフレームにおける前記ボンディング面は、接続部材を介して前記半導体チップと電気的に接続され、
前記半導体チップ、前記第１リードフレーム及び前記第２リードフレームが樹脂封止により一体化された半導体装置であって、
前記ボンディング面は、第１の粗化処理が施された第１の粗化面であり、めっきを介することなく前記接続部材と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記ダイパッドにおける前記半導体チップを搭載する側の面は、第２の粗化処理が施された第２の粗化面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記第１の粗化面の平均粗さは、前記第２の粗化面の平均粗さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記接続部材は、ボンディングワイヤーであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記ボンディング面と前記ボンディングワイヤーとは、超音波振動を加えながら熱圧着された構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１の粗化処理は、エッチングによる粗化処理であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１の粗化処理は、研磨剤を用いた粗化処理であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１の粗化処理は、銅及び酸化銅からなる粒子を前記ボンディング面に電着させる粗化処理であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２は、従来の半導体装置９００を説明するために示す図である。
【０００３】
従来、半導体チップ９１０と、半導体チップ９１０を搭載するためのダイパッド９２２を有する第１リードフレーム９２０と、ボンディング面９３２を有し第１リードフレーム９２０とは離間して配置された第２リードフレーム９３０とを備え、第２リードフレーム９３０におけるボンディング面９３２は、接続部材９５０を介して半導体チップ９１０と電気的に接続され、半導体チップ９１０、第１リードフレーム９２０及び第２リードフレーム９３０が樹脂封止により一体化された半導体装置９００が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
従来の半導体装置９００は、第１リードフレーム９２０における半導体チップ９１０を搭載する側の面とは反対側の面（第１リードフレーム９２０の裏面という。）及び第２リードフレーム９３０におけるボンディング面９３２とは反対側の面（ボンディング面９３２の裏面という。）のそれぞれに、樹脂封止のための樹脂との密着性を高くするための粗化処理が施されている。また、ボンディング面９３２には粗化処理が施されておらず、めっきが施されている。なお、従来の半導体装置９００においては、接続部材としてボンディングワイヤーを用いている。
【０００５】
従来の半導体装置９００によれば、第１リードフレーム９２０の裏面及びボンディング面９３２の裏面にはそれぞれ粗化処理が施されているため、第１リードフレーム９２０の裏面と樹脂封止のための樹脂との密着性及びボンディング面９３２の裏面と樹脂封止のための樹脂との密着性をそれぞれ高くすることが可能となり、高信頼性の半導体装置９００を提供することが可能となる。
【０００６】
また、従来の半導体装置９００によれば、ボンディング面９３２にはめっきが施されているため、ボンディング面９３２と接続部材９５０との密着性を高くすることが可能となり、この観点においても高信頼性の半導体装置９００を提供することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平５−３１４４１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、本発明の発明者らの研究によれば、従来の半導体装置９００においては、ボンディング面９３２に施されためっきの表面が平滑に過ぎるため、ボンディング面９３２と樹脂封止のための樹脂との密着性を高くするうえでめっきが障害となり、高信頼性の半導体装置を提供することが困難な場合があるという問題があることが明らかになった。
【０００９】
そこで、本発明は、上記した問題を解決するためになされたもので、ボンディング面と接続部材との密着性を高くするとともにボンディング面と樹脂封止のための樹脂との密着性を高くすることにより、高信頼性の半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
［１］本発明の半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップを搭載するためのダイパッドを有する第１リードフレームと、ボンディング面を有し、前記第１リードフレームとは離間して配置された第２リードフレームとを備え、前記第２リードフレームにおける前記ボンディング面は、接続部材を介して前記半導体チップと電気的に接続され、前記半導体チップ、前記第１リードフレーム及び前記第２リードフレームが樹脂封止により一体化された半導体装置であって、前記ボンディング面は、第１の粗化処理が施された第１の粗化面であり、めっきを介することなく前記接続部材と接続されていることを特徴とする。
【００１１】
［２］本発明の半導体装置においては、前記ダイパッドにおける前記半導体チップを搭載する側の面は、第２の粗化処理が施された第２の粗化面であることが好ましい。
【００１２】
［３］本発明の半導体装置においては、前記第１の粗化面の平均粗さは、前記第２の粗化面の平均粗さよりも小さいことが好ましい。
【００１３】
［４］本発明の半導体装置においては、前記接続部材は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。
【００１４】
［５］本発明の半導体装置においては、前記ボンディング面と前記ボンディングワイヤーとは、超音波振動を加えながら熱圧着された構造を有することが好ましい。
【００１５】
［６］本発明の半導体装置においては、前記第１の粗化処理は、エッチングによる粗化処理であることが好ましい。
【００１６】
［７］本発明の半導体装置においては、前記第１の粗化処理は、研磨剤を用いた粗化処理であることが好ましい。
【００１７】
［８］本発明の半導体装置においては、前記第１の粗化処理は、銅及び酸化銅からなる粒子を前記ボンディング面に電着させる粗化処理であることが好ましい。
【００１８】
なお、本発明において「第１の粗化処理」はボンディング面と接続部材との密着性を高くするための粗化処理のことをいい、「第１の粗化面」は第１の粗化処理が施された粗化面のことをいう。また、「第２の粗化処理」はダイパッド面と樹脂封止のための樹脂との密着性を高くするための粗化処理のことをいい、「第２の粗化面」は第２の粗化処理が施された面のことをいう。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の半導体装置によれば、ボンディング面は、第１の粗化処理が施された第１の粗化面であるため、ボンディング面と接合部材との密着性をアンカー効果により高くすることが可能となり、高信頼性の半導体装置を提供することが可能となる。
【００２０】
また、本発明の半導体装置によれば、ボンディング面は、めっきを介することなく接続部材と接続されているため、ボンディング面と樹脂封止のための樹脂との密着性を高くするうえでめっきが障害となることがない。このため、高信頼性の半導体装置を提供することが可能となる。
【００２１】
また、本発明の半導体装置によれば、ボンディング面は、めっきを介することなく接続部材と接続されているため、めっきを施すための時間と手間と設備とが必要なくなり、高生産性の半導体装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施形態に係る半導体装置１００を説明するために示す図である。
【図２】従来の半導体装置９００を説明するために示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の半導体装置について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。
【００２４】
［実施形態］
１．実施形態に係る半導体装置１００の構成
まず、実施形態に係る半導体装置１００の構成を説明する。
図１は、実施形態に係る半導体装置１００を説明するために示す図である。図１（ａ）は実施形態に係る半導体装置１００の平面図であり、図１（ｂ）は実施形態に係る半導体装置１００の側断面図である。
【００２５】
実施形態に係る半導体装置１００は、半導体チップ１１０と、第１リードフレーム１２０と、第２リードフレーム１３０，１４０とを備え、第２リードフレーム１３０，１４０におけるボンディング面１３２，１４２は、接続部材１５０，１５０を介して半導体チップ１１０と電気的に接続され、半導体チップ１１０、第１リードフレーム１２０及び第２リードフレーム１３０，１４０が樹脂封止により一体化されている。実施形態に係る半導体装置１００におけるボンディング面１３２，１４２は、第１の粗化処理が施された第１の粗化面であり、めっきを介することなく接続部材１５０，１５０と接続されている。
【００２６】
半導体チップ１１０は、所望の半導体素子を用いる。実施形態においては、第１リードフレーム１２０と接する側の面に１つの電極端子を有し、第１リードフレーム１２０と接する側の面とは反対側の面に２つの電極端子を有するＭＯＳＦＥＴの半導体素子を用いる。
【００２７】
第１リードフレーム１２０は、半導体チップ１１０を搭載するためのダイパッド１２２と、ダイパッド１２２から外部に向けて延在するアウターリード１２４とを有する。ダイパッド１２２における半導体チップ１１０を搭載する側の面（以下、ダイパッド面１２６という。）においては半田１２８によって半導体チップ１１０と接続されている。アウターリード１２４は、実施形態に係る半導体装置１００を基板などに接続する端子となる。第１リードフレーム１２０の素材としては、例えば銅を用いることができる。
【００２８】
ダイパッド面１２６は、ダイパッド面１２６と樹脂封止のための樹脂との密着性を良好な状態にするための第２の粗化処理が施された第２の粗化面である。実施形態においては、第２の粗化処理として、エッチングによる粗化処理が施されている。
【００２９】
エッチングによる粗化処理は、ダイパッド面１２６の表面を塩酸や硫酸などの酸で溶かし、表面を粗化する処理である。ダイパッド面１２６に酸を付着させる方法としては、スプレーで吹きかける方法、スピナーに取り付けて酸を滴下する方法、容器に満たした酸にダイパッド面１２６の表面を浸す方法等が挙げられる。
【００３０】
第２リードフレーム１３０、１４０は、接続部材１５０，１５０と電気的に接続するためのボンディング面１３２，１４２と、ボンディング面１３２、１４２からそれぞれ外部に向けて延在するアウターリード１３４、１４４とを有する。
【００３１】
ボンディング面１３２，１４２は、接続部材１５０，１５０との密着性を高くするための第１の粗化処理が施された第１の粗化面である。第１の粗化面の平均粗さは、第２の粗化面の平均粗さよりも小さい。実施形態においては、第１の粗化処理として、エッチングによる粗化処理が施されている。なお、ボンディング面１３２，１４２には、めっきが施されていない。
【００３２】
エッチングによる粗化処理は、ボンディング面１３２，１４２の表面を塩酸や硫酸などの酸で溶かし、表面を粗化する処理である。ボンディング面１３２，１４２に酸を付着させる方法としては、スプレーで吹きかける方法、スピナーに取り付けて酸を滴下する方法、容器に満たした酸にボンディング面１３２，１４２の表面を浸す方法等が挙げられる。
【００３３】
接続部材１５０は、アルミニウム、金などからなるボンディングワイヤーである。実施形態においてはアルミニウム製のボンディングワイヤーを用いる。ボンディング面１３２，１４２とボンディングワイヤーとは、超音波振動を加えながら熱圧着された構造を有する。
【００３４】
２．実施形態に係る半導体装置１００の効果
以下、実施形態に係る半導体装置１００の効果を記載する。
【００３５】
実施形態に係る半導体装置１００によれば、ボンディング面１３２，１４２は、第１の粗化処理が施された第１の粗化面であるため、ボンディング面１３２，１４２と接続部材１５０との密着性をアンカー効果により高くすることが可能となり、高信頼性の半導体装置を提供することが可能となる。
【００３６】
また、実施形態に係る半導体装置１００によれば、ボンディング面１３２，１４２はめっきを介することなく接続部材１５０と接続されているため、ボンディング面１３２，１４２と樹脂封止のための樹脂との密着性を高くするうえでめっきが障害となることがない。このため、高信頼性の半導体装置を提供することが可能となる。
【００３７】
また、実施形態に係る半導体装置１００によれば、ボンディング面１３２，１４２はめっきを介することなく接続部材１５０と接続されているため、めっきを施すための時間と手間と設備とが必要なくなり、高生産性の半導体装置を提供することが可能となる。
【００３８】
また、実施形態に係る半導体装置１００によれば、ダイパッド面１２６は、第２の粗化処理が施された第２の粗化面であるため、アンカー効果によりダイパッド面１２６と樹脂封止のための樹脂との密着性を向上させることができ、高信頼性の半導体装置を提供することが可能となる。
【００３９】
また、実施形態に係る半導体装置１００によれば、第１の粗化面の平均粗さは、第２の粗化面の平均粗さよりも小さいため、ワイヤーボンディングの際に、動摩擦係数の関係から活性化された金属面（ボンディング面１３２，１４２）と接続部材１５０，１５０との金属結合が容易になる。このため、ボンディング面１３２，１４２と接続部材１５０，１５０との間に微少な隙間が生じることを防ぐことが可能となり、ボンディング面１３２，１４２と接続部材１５０，１５０との密着性が低下することを防ぐことが可能となる。その結果、高信頼性の半導体装置を提供することが可能となる。
【００４０】
また、実施形態に係る半導体装置１００によれば、接続部材１５０がボンディングワイヤーであるため、容易にボンディング面１３２，１４２と半導体チップ１１０とを電気的に接続することが可能となる。
【００４１】
また、実施形態に係る半導体装置１００によれば、ボンディング面１３２，１４２とボンディングワイヤーとは超音波振動を加えながら熱圧着された構造を有するため、ボンディング面１３２，１４２の表面に生成されている酸化被膜は超音波振動により破壊されている。その結果、ボンディング面１３２，１４２とボンディングワイヤーとの間に酸化被膜が介在することに起因して密着性が低下することを防ぐことが可能となる。その結果、高信頼性の半導体装置を提供することが可能となる。
【００４２】
また、実施形態に係る半導体装置１００によれば、第１の粗化処理はエッチングによる粗化処理であるため、ボンディング面１３２，１４２を容易に粗化することが可能となり、所望の平均粗さを有する粗化面とすることが可能となる。
【００４３】
また、実施形態に係る半導体装置１００によれば、第２の粗化処理はエッチングによる粗化処理であるため、ダイパッド面１２６を容易に粗化することが可能となり、所望の平均粗さを有する粗化面とすることが可能となる。
【００４４】
以上、本発明の半導体装置を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
【００４５】
（１）上記した実施形態においては、第１の粗化処理としてエッチングによる粗化処理を施したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第１の粗化処理として研磨剤を用いた粗化処理を施してもよく、第１の粗化処理として銅及び酸化銅からなる粒子をボンディング面１３２，１４２に電着させる粗化処理を施してもよい。
【００４６】
研磨剤を用いた粗化処理は、圧縮空気に研磨剤（例えば、アルミナ粒子）を混ぜてボンディング面１３２，１４２に吹きつけて、こすることにより粗化する処理である。このように第１の粗化処理として研磨剤を用いた粗化処理を施した場合であっても、ボンディング面１３２，１４２と接続部材１５０，１５０との密着性を高めることが可能となり、高信頼性を有する半導体装置とすることが可能となる。
【００４７】
銅及び酸化銅からなる粒子をボンディング面１３２，１４２に電着させる粗化処理は、銅イオンを含む電解質溶液中にボンディング面１３２，１４２を浸し、ボンディング面１３２，１４２の表面に銅及び酸化銅からなる粒子を電着させることにより粗化する処理である。このように第１の粗化処理として銅及び酸化銅からなる粒子をボンディング面１３２，１４２に電着させる粗化処理を施した場合であっても、ボンディング面１３２，１４２と接続部材１５０，１５０との密着性を高めることが可能となり、高信頼性を有する半導体装置とすることが可能となる。
【００４８】
（２）上記した実施形態においては、第２の粗化処理としてエッチングによる粗化処理を施したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第２の粗化処理として研磨剤を用いる粗化処理を施してもよく、第２の粗化処理として銅及び酸化銅からなる粒子をダイパッド面１２６に電着させる粗化処理を施してもよい。
【００４９】
（３）上記した実施形態においては、第１リードフレーム１２０の裏面及びボンディング面１３２，１４２の裏面にそれぞれ樹脂封止のための樹脂との密着性を向上させるための粗化処理を施してもよい。
【００５０】
（４）上記した実施形態においては、半導体チップ１１０としてＭＯＳＦＥＴを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ＭＯＳＦＥＴ以外のトランジスタ、ダイオード、サイリスタ、トライアックなど適宜の半導体素子を用いることができる。
【００５１】
（５）上記した実施形態においては、第１リードフレーム１２０と接する側の面とは反対側の面に２つの電極端子が設けられた半導体素子を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。第１リードフレーム１２０と接する側の面とは反対側の面に１つ又は３つ以上の電極端子を有する半導体素子を用いることもできる。この場合、当該電極端子の数に応じた本数の第２リードフレームを用いるが、それぞれのボンディング面にそれぞれ第１の粗化処理を施して第１の粗化面とした第２リードフレームを用いることができる。
【００５２】
（６）上記した実施形態においては、ダイパッド面１２６全体に第２の粗化処理を施したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ダイパッド面１２６における半導体チップが搭載されない領域にだけ第２の粗化処理を施してもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１００，９００…半導体装置、１１０，９１０…半導体チップ、１２０，９２０…第１リードフレーム、１２２、９２２…ダイパッド、１２４…アウターリード、１２６…ダイパッド面、１２８…半田、１３０，１４０，９３０…第２リードフレーム、１３２，１４２，９３２…ボンディング面、１５０…接続部材
【図２】
2013105849.tif 000003
【図１】
2013105849.tif 000004