(57)【要約】      （修正有）【課題】太陽電池の電流電圧特性をより容易に測定することができるようにする。【解決手段】太陽電池の受光領域を遮光し、前記太陽電池の受光領域が遮光された状態で、前記太陽電池の電流電圧特性を測定する。例えば、複数のセルが直列に接続される色素増感型の太陽電池モジュール１０１の受光領域をセル毎に遮光し、全部のセルが遮光された状態と、一部のセルが開放され、かつ、その他のセルが遮光された状態とのそれぞれにおいて、その太陽電池モジュールの電流電圧特性を測定する。その両状態の電流電圧特性から、開放されたセルの電流電圧特性を算出する。太陽電池の電流電圧特性を測定する装置に適用することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池の受光領域を遮光し、
前記太陽電池の受光領域が遮光された状態で、前記太陽電池の電流電圧特性を測定する
測定方法。
【請求項２】
前記受光領域の全てが遮光された状態で前記電流電圧特性を測定し、さらに、前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態で前記電流電圧特性を測定する
請求項１に記載の測定方法。
【請求項３】
測定された、前記受光領域の全てが遮光された状態の前記電流電圧特性と、前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態の前記電流電圧特性とを用いて、前記一部の受光領域の電流電圧特性を算出する
請求項２に記載の測定方法。
【請求項４】
前記受光領域の開放する位置を決定し、
決定された位置の前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態で、前記電流電圧特性を測定し、
決定された位置の前記一部の受光領域の電流電圧特性を算出する
請求項３に記載の測定方法。
【請求項５】
前記受光領域の開放する位置を変更しながら、前記電流電圧特性の測定と、前記一部の受光領域の電流電圧特性の算出とを繰り返すことにより、前記受光領域の全ての電流電圧特性を算出する
請求項４に記載の測定方法。
【請求項６】
前記太陽電池は、複数のセルが直列に接続されるモジュールであり、
開放される前記受光領域の位置を、前記セルを単位として決定し、
決定された一部のセルが開放され、かつ、その他のセルが遮光された状態で、前記電流電圧特性を測定し、
決定された一部のセルの電流電圧特性を算出する
請求項３に記載の測定方法。
【請求項７】
開放するセルを変更しながら、前記電流電圧特性の測定と、前記セルの電流電圧特性の算出とを繰り返すことにより、全てのセルの電流電圧特性を算出する
請求項６に記載の測定方法。
【請求項８】
さらに、前記受光領域の全てが開放された状態で前記電流電圧特性を測定する
請求項２に記載の測定方法。
【請求項９】
開放された前記一部の受光領域に、太陽光のスペクトラムを再現した擬似太陽光を照射し、
前記受光領域の一部が開放されて前記擬似太陽光が照射され、かつ、その他の部分が遮光された状態で前記電流電圧特性を測定する
請求項２に記載の測定方法。
【請求項１０】
前記太陽電池は、色素増感型太陽電池である
請求項１に記載の測定方法。
【請求項１１】
太陽電池の受光領域を遮光する遮光部と、
前記太陽電池の受光領域が遮光された状態で、前記太陽電池の電流電圧特性を測定する測定部と
を備える測定装置。
【請求項１２】
前記測定部は、前記遮光部により前記受光領域の全てが遮光された状態で前記電流電圧特性を測定し、さらに、前記遮光部により前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態で前記電流電圧特性を測定する
請求項１１に記載の測定装置。
【請求項１３】
前記測定部により測定された、前記遮光部により前記受光領域の全てが遮光された状態の前記電流電圧特性と、前記遮光部により前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態の前記電流電圧特性とを用いて、前記一部の受光領域の電流電圧特性を算出する演算部をさらに備える
請求項１１に記載の測定装置。
【請求項１４】
前記遮光部は、前記照明部および前記太陽電池を内部の空間に配置する暗室と、前記暗室内において、前記照明部からの光を前記太陽電池に照射するか否かを制御する照射制御部とを有する
請求項１１に記載の測定装置。
【請求項１５】
開放された前記一部の受光領域に光を照射する照明部をさらに備える
請求項１１に記載の測定装置。
【請求項１６】
前記光は、太陽光のスペクトラムを再現した擬似太陽光である
請求項１５に記載の測定装置。
【請求項１７】
前記遮光部は、前記太陽電池に対して移動可能であり、前記受光領域の全ての位置を開放可能であり、
前記照明部は、前記遮光部とともに前記太陽電池に対して移動可能であり、前記遮光部が開放した前記受光領域の全ての位置に前記光を照射可能である
請求項１５に記載の測定装置。
【請求項１８】
前記測定部により測定された前記太陽電池の電流電圧特性を記憶する記憶部をさらに備える
請求項１１に記載の測定装置。
【請求項１９】
前記太陽電池は、複数のセルが直列に接続されるモジュールであり、
前記遮光部は、一部のセルを開放し、その他のセルを遮光する
請求項１１に記載の測定装置。
【請求項２０】
前記太陽電池は、色素増感型太陽電池である
請求項１１に記載の測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、測定方法および装置に関し、特に、太陽電池の電流電圧特性をより容易に測定することができるようにした測定方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、クリーンエネルギー源として太陽電池の導入が図られている。太陽電池モジュール（太陽電池パネル）は、太陽電池セル（個々の太陽電池）を直列接続した構造になっている。
【０００３】
このような太陽電池モジュールに対して、光電変換効率評価（電流電圧（I-V）特性評価）が行われる。シリコン結晶系の太陽電池については、従来、太陽電池モジュールを構成するセルの特性を非破壊で評価する方法が考えられていた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許４１３９８９０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、例えば色素増感型太陽電池のように、シリコン結晶系の太陽電池と電気応答性や電流電圧特性が異なる太陽電池の場合、引用文献１に記載の手法で評価を行うことが困難であった。
【０００６】
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、太陽電池の電流電圧特性をより容易に測定することにより、太陽電池の光電変換効率評価をより容易に行うことができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一側面は、太陽電池の受光領域を遮光し、前記太陽電池の受光領域が遮光された状態で、前記太陽電池の電流電圧特性を測定する測定方法である。
【０００８】
前記受光領域の全てが遮光された状態で前記電流電圧特性を測定し、さらに、前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態で前記電流電圧特性を測定することができる。
【０００９】
測定された、前記受光領域の全てが遮光された状態の前記電流電圧特性と、前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態の前記電流電圧特性とを用いて、前記一部の受光領域の電流電圧特性を算出することができる。
【００１０】
前記受光領域の開放する位置を決定し、決定された位置の前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態で、前記電流電圧特性を測定し、決定された位置の前記一部の受光領域の電流電圧特性を算出することができる。
【００１１】
前記受光領域の開放する位置を変更しながら、前記電流電圧特性の測定と、前記一部の受光領域の電流電圧特性の算出とを繰り返すことにより、前記受光領域の全ての電流電圧特性を算出することができる。
【００１２】
前記太陽電池は、複数のセルが直列に接続されるモジュールであり、開放される前記受光領域の位置を、前記セルを単位として決定し、決定された一部のセルが開放され、かつ、その他のセルが遮光された状態で、前記電流電圧特性を測定し、決定された一部のセルの電流電圧特性を算出することができる。
【００１３】
開放するセルを変更しながら、前記電流電圧特性の測定と、前記セルの電流電圧特性の算出とを繰り返すことにより、全てのセルの電流電圧特性を算出することができる。
【００１４】
さらに、前記受光領域の全てが開放された状態で前記電流電圧特性を測定することができる。
【００１５】
開放された前記一部の受光領域に、太陽光のスペクトラムを再現した擬似太陽光を照射し、前記受光領域の一部が開放されて前記擬似太陽光が照射され、かつ、その他の部分が遮光された状態で前記電流電圧特性を測定することができる。
【００１６】
前記太陽電池は、色素増感型太陽電池であるようにすることができる。
【００１７】
本発明の一側面は、太陽電池の受光領域を遮光する遮光部と、前記太陽電池の受光領域が遮光された状態で、前記太陽電池の電流電圧特性を測定する測定部とを備える測定装置である。
【００１８】
前記測定部は、前記遮光部により前記受光領域の全てが遮光された状態で前記電流電圧特性を測定し、さらに、前記遮光部により前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態で前記電流電圧特性を測定することができる。
【００１９】
前記測定部により測定された、前記遮光部により前記受光領域の全てが遮光された状態の前記電流電圧特性と、前記遮光部により前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態の前記電流電圧特性とを用いて、前記一部の受光領域の電流電圧特性を算出する演算部をさらに備えることができる。
【００２０】
前記遮光部は、前記照明部および前記太陽電池を内部の空間に配置する暗室と、前記暗室内において、前記照明部からの光を前記太陽電池に照射するか否かを制御する照射制御部とを有することができる。
【００２１】
開放された前記一部の受光領域に光を照射する照明部をさらに備えることができる。
【００２２】
前記光は、太陽光のスペクトラムを再現した擬似太陽光であるようにすることができる。
【００２３】
前記遮光部は、前記太陽電池に対して移動可能であり、前記受光領域の全ての位置を開放可能であり、前記照明部は、前記遮光部とともに前記太陽電池に対して移動可能であり、前記遮光部が開放した前記受光領域の全ての位置に前記光を照射可能であるようにすることができる。
【００２４】
前記測定部により測定された前記太陽電池の電流電圧特性を記憶する記憶部をさらに備えることができる。
【００２５】
前記太陽電池は、複数のセルが直列に接続されるモジュールであり、前記遮光部は、一部のセルを開放し、その他のセルを遮光することができる。
【００２６】
前記太陽電池は、色素増感型太陽電池であるようにすることができる。
【００２７】
本開示の一側面においては、太陽電池の受光領域が遮光され、太陽電池の受光領域が遮光された状態で、太陽電池の電流電圧特性が測定される。
【発明の効果】
【００２８】
本開示によれば、太陽電池の電流電圧特性を測定することができる。特に、太陽電池の電流電圧特性をより容易に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】特性評価装置の主な構成例を示すブロック図である。
【図２】太陽電池モジュールの主な構成例を示す図である。
【図３】測定時の遮光の様子の例を説明する図である。
【図４】測定時の遮光の様子の他の例を説明する図である。
【図５】評価処理の流れの例を説明するフローチャートである。
【図６】光電変換効率評価の様子の例を説明する図である。
【図７】光電変換効率評価の様子の例を説明する図である。
【図８】光電変換効率評価の様子の例を説明する図である。
【図９】光電変換効率評価の様子の例を説明する図である。
【図１０】光電変換効率評価の様子の例を説明する図である。
【図１１】光電変換効率評価の様子の例を説明する図である。
【図１２】光電変換効率評価の様子の例を説明する図である。
【図１３】光電変換効率評価の様子の例を説明する図である。
【図１４】測定時の遮光の様子のさらに他の例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本開示を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
１．第１の実施の形態（特性評価装置）
【００３１】
＜１．第１の実施の形態＞
［太陽電池モジュールの特性評価］
従来、太陽電池セル（個々の太陽電池）が直列接続された太陽電池モジュール（太陽電池パネル）に対して光電変換効率評価が行われる。例えば、初期不良を検出し、出荷物に対する品質保証を行うために、出荷前検査として、このような光電変換効率評価が行われる。また、経年変化の点検や、故障個所の特定および修理等のために、設置後検査として、このような光電変換効率評価が行われる。
【００３２】
このような光電変換効率評価は、太陽電池に対して、太陽光のスペクトラムを再現した擬似太陽光を照射した状態で電圧掃印し電流計測を行うことにより得られる電流電圧特性を用いて行われる。
【００３３】
シリコン結晶系の太陽電池の場合、一部のセルが遮光されると出力が極端に低下するので、太陽電池モジュールの全てのセルに、太陽光とスペクトラムが近似する擬似太陽光を照射することが可能な大型疑似太陽光照明機器と、電圧掃印・電流計測機器とを用いて電流電圧特性の測定が行われる。
【００３４】
シリコン結晶系の太陽電池は電気応答性が速い。したがって、シリコン結晶系の太陽電池モジュールの光電変換効率評価においては、パルス照射型大面積疑似太陽光照明機器を用いて、高速に電圧掃印し電流計測を行うことできる。
【００３５】
しかしながら、例えば、色素増感型太陽電池のように電気応答性が遅い太陽電池の場合、このようなパルス照射型大面積疑似太陽光照明機器を用いた電流電圧特性の計測は困難であり、定常照射型の疑似太陽光照明機器が必要となる。
【００３６】
しかしながら、モジュール全体に擬似太陽光を照射することができるほど大型の定常照射型の疑似太陽光照明機器は市販されておらず、新たに開発する必要がある。そのため、光電変換効率評価のコストが増大する恐れがあった。
【００３７】
また、大型の疑似太陽光照明機器で擬似太陽光を定常照射した場合、それにより太陽電池モジュールの温度が上昇する恐れがあり、温度特性による変化により、電流電圧特性を正しく測定することが困難であった。
【００３８】
なお、発熱量の少ないLEDを光源とする方法も考えられるが、その場合、太陽光のスペクトラムを正確に再現することができず、実際の使用環境に近い条件下での電流電圧特性を正確に測定することが困難であった。
【００３９】
上述したように太陽電池モジュールの光電変換効率評価は品質保証やメンテナンスにおいて重要である。そのため、従来、色素増感型太陽電池のような、シリコン結晶型の太陽電池と電気特性が異なる太陽電池モジュールのより適切な電流電圧特性の測定を、より容易に実現する方法が求められていた。
【００４０】
ところで、例えば色素増感型太陽電池は、遮光による出力電圧の低下が、その遮光された部分の出力電圧（面積）に略比例する。そこで以下においては、このような特性を利用して、小型の定常照射型疑似太陽光照明機器を用いて、より容易に実現可能な、太陽電池モジュールの電流電圧特性の測定方法について説明する。
【００４１】
［特性評価装置］
図１に示される特性評価装置１００は、色素増感型太陽電池（DSSC（Dye Sensitized Solar Cell））モジュール１０１の電流電圧特性を測定し、その測定結果を用いて、DSSCモジュール１０１の光電変換効率を評価する装置である。
【００４２】
DSSCモジュール１０１は、平面状若しくは曲面状に配置されたN個の色素増感型太陽電池のセルが直列に接続されている。図２に示される例の場合、DSSCモジュール１０１は、９個のDSSCセル（DSSCセル１５１−１乃至DSSCセル１５１−９）よりなる。このDSSCセル１５１−１乃至DSSCセル１５１−９は互いに直列に接続され、その両端は特性評価装置１００に接続される。つまり、DSSCモジュール１０１の全てのDSSCセルが特性評価装置１００に直列に接続される。
【００４３】
色素増感型の太陽電池であるDSSCモジュール１０１は、シリコン結晶系の太陽電池の評価に用いられるパルス照射型大面積疑似太陽光照明機器を用いて光電変換効率評価を行うことができないほど、その電気応答性が遅い。また、色素増感型の太陽電池であるDSSCモジュール１０１は、シリコン結晶系の太陽電池の場合と異なり、遮光による出力電圧の低下が、その遮光された部分の出力電圧に略比例する。例えば、一部のDSSCセルが遮光されると、DSSCモジュール１０１の出力電流は維持されるが、DSSCモジュール１０１の出力電圧は、その遮光されたセルの出力電圧分だけ低減する。
【００４４】
以下において、各DSSCセルを互いに区別して説明する必要が無い場合、単にDSSCセル１５１と称する。DSSCセル１５１の数（N）は任意である。また、各DSSCセル１５１の大きさや形状も任意であり、全て同一であっても良いし、他と異なる物が存在してもよい。さらに、各DSSCセル１５１の配置（位置）は任意であり、図２に示されるように行列状であっても良いし、それ以外であってもよい。DSSCセル１５１は、平面状に配置されても良いし、曲面状に配置されても良い。
【００４５】
図１に示されるように、特性評価装置１００は、制御ユニット１１１、照明部１１２、遮光部１１３、測定部１１４、記憶部１１５、演算部１１６、および出力部１１７を有する。
【００４６】
制御ユニット１１１は、特性評価装置１００の各部を制御し、DSSCモジュール１０１の光電変換効率評価に関する処理を行わせる。
【００４７】
照明部１１２は、制御ユニット１１１の制御部１２１に制御され、太陽光と略同様のスペクトラムを有する擬似太陽光をDSSCモジュール１０１に対して照射する光源である。照明部１１２は、少なくとも１つのDSSCセル１５１全体に対して均等な擬似太陽光を照射することができる。照明部１１２の光源としての大きさは、それ以上であれば任意であるが、市販されている大きさ、若しくは、安価に開発可能な大きさが望ましい。また、照明部１１２が擬似太陽光を定常的に照射してもDSSCモジュール１０１の温度が極力変化しない程度の大きさが望ましい。
【００４８】
なお、照明部１１２は、DSSCモジュール１０１に対する相対位置を変更することができる（移動可能とされている）。照明部１１２は、DSSCモジュール１０１に対する相対位置を変えることにより、DSSCモジュール１０１の全てのDSSCセル１５１に対して、均一な擬似太陽光を照射することができる。
【００４９】
照明部１１２から出射された擬似太陽光は、遮光部１１３を介してDSSCモジュール１０１に照射される。
【００５０】
遮光部１１３は、制御部１２１に制御され、DSSCモジュール１０１の各DSSCセル１５１を遮光したり、遮光しなかったり（開放したり）する。遮光部１１３は、この遮光を所定の単位（例えばDSSCセル１５１）毎に行うことができる。
【００５１】
例えば、遮光部１１３は、DSSCモジュール１０１の全てのDSSCセル１５１に光が入射しないように遮光する。また、例えば、遮光部１１３は、一部の（ｎ（１≦ｎ＜N）個の）DSSCセル１５１に対してのみ照明部１１２からの擬似太陽光が照射されるように、その一部のDSSCセル１５１を開放し、その他のDSSCセル１５１を遮光する。なお、遮光部１１３は、照明部１１２からの擬似太陽光に対してのみDSSCセル１５１を開放する。
【００５２】
つまり、遮光部１１３により遮光されたDSSCセル１５１には一切の光が入射せず、遮光部１１３により開放されたDSSCセル１５１には、照明部から出射された擬似太陽光のみが照射される。換言するに、照明部１１２から出射された擬似太陽光は、遮光部１１３により開放されているDSSCセル１５１にのみ照射される。
【００５３】
この擬似太陽光が照射されるDSSCセル１５１の数（ｎ）は、照明部１１２の光源としての大きさと、遮光部１１３が同時に開放することができる面積に依存する。例えば、照明部１１２がP個のセルに対して均等に擬似太陽光を照射可能であるとすると、遮光部１１３は、同時に開放するセルの数を１個乃至P個の範囲で選択することができる。
【００５４】
図３に遮光の様子の例を示す。
【００５５】
図３の例の場合、遮光部１１３は、DSSCモジュール１０１の光入射面全体を覆うような構造を有する。図３Ａの例の場合、遮光部１１３は、全てのDSSCセル１５１を遮光している。また、図３Ｂの例の場合、遮光部１１３は、DSSCセル１５１−３を開放し、それ以外のセルを全て遮光している。図３Ｂに示されるように、遮光部１１３は、DSSCセル１５１を開放する際、照明部１１２からの擬似太陽光のみがその開放されたDSSCセル１５１に照射されるようにし、それ以外の光は遮光するような構成を有する。図３Ｂにおいては、DSSCセル１５１−３を開放する例が示されているが、他のDSSCセル１５１を開放する場合も同様である。
【００５６】
なお、遮光部１１３の構成は、図３の例に限らない。例えば、図４に示される例のように、遮光部１１３が、暗室１１３Ａと照射制御部１１３Ｂとにより構成されるようにしてもよい。
【００５７】
暗室１１３Ａは、照明部１１２、照射制御部１１３Ｂ、およびDSSCモジュール１０１を全て囲み、照明部１１２からの擬似太陽光以外の光を全て遮光する。すなわち、照明部１１２、照射制御部１１３Ｂ、およびDSSCモジュール１０１が、外部からの光が遮光された暗室１１３Ａ内の空間に配置される。
【００５８】
照明部１１２は、この暗室１１３Ａ内部で発光して擬似太陽光を照射し、照射制御部１１３Ｂは、その暗室１１３Ａ内部において、擬似太陽光を各DSSCセル１５１に対して照射させるか否かを制御する。照射制御部１１３Ｂは、照明部１１２からの擬似太陽光が、開放していない他のDSSCセル１５１に照射しないようにする構造（開放したDSSCセル１５１のみに擬似太陽光が照射されるようにする構造）を有する。
【００５９】
この場合も、照明部１１２は、図３の例の場合と同様に、DSSCモジュール１０１に対して移動することができる。これに対して、照明制御部１１３Ｂは、照明部１１２の位置に関わらず、照明部１１２に対して所定の位置にあるDSSCセル１５１に、均一な擬似太陽光が照射されるようにすることができる構造を有する。例えば、照明制御部１１３Ｂは、照明部１１２の移動に合わせて、照明部１１２と同様に移動することができるようにしてもよい。また、照明部１１２の移動に合わせて、開放する位置を変更することができるようにしてもよい。
【００６０】
つまり、図４の例の場合も、照明部１１２および照明制御部１１３Ｂは、図３の場合と同様に、照明部１１２の移動により、DSSCモジュール１０１の全てのDSSCセル１５１に対して、均一な擬似太陽光が照射されるようにすることができる。
【００６１】
なお、図４Ａの例の場合、図３Ａの場合と同様に、全てのDSSCセル１５１が遮光されている。また、図４Ｂの例の場合、図３Ｂの場合と同様に、DSSCセル１５１−３が開放され、それ以外のセルが全て遮光されている。図４Ｂにおいては、DSSCセル１５１−３を開放する例が示されているが、他のDSSCセル１５１を開放する場合も同様である。
【００６２】
なお、遮光部１１３は、制御部１２１の制御に従って、各DSSCセル１５１を遮光するか開放するかを切り替えるようにしてもよいが、これに限らず、例えば、ユーザが手動で各DSSCセル１５１を遮光するか開放するかを切り替えるようにしてもよい。また、遮光部１１３が変形することにより、各DSSCセル１５１の開放・遮光を切り替えるようにしてもよいが、各DSSCセル１５１の開放・遮光のパターンが異なる遮光部１１３を置き換えることにより、各DSSCセル１５１の開放・遮光を切り替えるようにしてもよい。
【００６３】
図１に戻り、測定部１１４は、制御部１２１に制御され、DSSCモジュール１０１の電流電圧（I-V）特性を測定する。測定は、遮光部１１３が全てのセルを遮光した状態（全セル遮光状態）と、遮光部１１３が一部のセルを開放した状態（ｎセル照射状態）において行われる。ｎセル照射状態は、必要に応じて、開放するセルを変えて複数回行われる。
【００６４】
図３の例の場合、電流電圧特性の測定は、図３Ａに示されるように全てのDSSCセル１５１が遮光部１１３により遮光された状態において必ず行われる。つまり、全てのDSSCセル１５１が遮光されることにより、入射光の影響を受けない状態のDSSCモジュール１０１の電流電圧特性（基準となる電流電圧特性）が測定される。
【００６５】
また、電流電圧特性の測定は、図３Ｂに示されるように一部のDSSCセル１５１が遮光部１１３により開放された状態において、１回以上行われる。例えば、図３Ｂの例においては、DSSCセル１５１−３が開放されているが、同様に、DSSCセル１５１−１乃至DSSCセル１５１−９が１つずつ開放され、各状態において、電流電圧特性の測定が行われる。ここで測定される電流電圧特性は、全てのセルが遮光された場合の、基準となる電流電圧特性からの変化量である。
【００６６】
測定部１１４は、制御部１２１に制御され、各状態において、例えば所定の範囲で電圧を掃引し、電流を計測することにより、電流電圧特性を得る。測定部１１４は、測定結果を記憶部１１５に供給し、記憶させる。
【００６７】
記憶部１１５は、例えば、フラッシュメモリやハードディスク等に代表される任意の記憶媒体を有し、制御部１２１に制御され、測定部１１４から供給される測定結果を記憶する。また、記憶部１１５は、制御部１２１に制御されて、所定のタイミングにおいて、若しくは、演算部１１６や制御部１２１からの要求に従って、記憶している測定結果を、演算部１１６に供給する。
【００６８】
演算部１１６は、制御部１２１に制御され、記憶部１１５から読み出した測定結果を用いて所定の演算を行う等して、DSSCモジュール１０１の光電変換効率の評価を行う。演算部１１６は、制御部１２１に制御され、その演算結果等を評価結果として記憶部１１５に供給し、記憶させる。
【００６９】
記憶部１１５は、制御部１２１に制御され、演算部１１６から供給される情報（評価結果）を記憶する。また、記憶部１１５は、制御部１２１に制御され、所定のタイミングにおいて、若しくは、出力部１１７や制御部１２１からの要求に従って、記憶している評価結果を、出力部１１７に供給する。
【００７０】
出力部１１７は、制御部１２１に制御され、記憶部１１５から読み出した評価結果を、例えば画像としてモニタ等に表示したり、音声としてスピーカより出力したり、出力データとして、外部端子から他の装置に伝送したりする。
【００７１】
このように、特性評価装置１００は、遮光部１１３によってDSSCモジュール１０１の全てのDSSCセル１５１を遮光し、その状態で、測定部１１４により電流電圧特性を測定することができる。また、特性評価装置１００は、遮光部１１３によって、DSSCモジュール１０１の一部のDSSCセル１５１に対して照明部１１２からの擬似太陽光を照射し、その状態で、測定部１１４により電流電圧特性を測定することができる。
【００７２】
したがって、特性評価装置１００は、全てのセルが遮光された状態と、所望のセルにのみ擬似太陽光を照射させた状態とで電流電圧特性を測定することができる。したがって、特性評価装置１００は、DSSCモジュール１０１の任意のセルの電流電圧特性をより容易に測定することができる。
【００７３】
図１に示されるように、制御ユニット１１１は、制御部１２１、入力部１３１、出力部１３２、記憶部１３３、通信部１３４、およびドライブ１３５を有する。
【００７４】
制御部１２１は、CPU（Central Processing Unit）、ROM（Read Only Memory）、およびRAM（Random Access Memory）等を有し、照明部１１２乃至出力部１１７等の各部の動作を制御する。制御部１２１のCPUは、ROMに記憶されているプログラム、または記憶部１３３からRAMにロードされたプログラムに従って各種の処理を実行する。RAMにはまた、CPUが各種の処理を実行する上において必要なデータなども適宜記憶される。
【００７５】
制御部１２１には、キーボード、マウス、タッチパネルなどよりなる入力部１３１が接続されている。制御部１２１にはまた、CRT（Cathode Ray Tube）ディスプレイやLCD（Liquid Crystal Display）等のディスプレイ、並びにスピーカなどよりなる出力部１３２も接続されている。制御部１２１にはさらに、フラッシュメモリ等SSD（Solid State Drive）やハードディスクなどよりなる記憶部１３３も接続されている。制御部１２１にはまた、有線LAN（Local Area Network）や無線LANのインタフェースやモデムなどよりなる通信部１３４も接続されている。通信部１３４は、インターネットを含むネットワークを介しての通信処理を行う。
【００７６】
制御部１２１にはさらに、必要に応じてドライブ１３５が接続され、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、或いは半導体メモリなどのリムーバブルメディア１４１がそのドライブ１３５に適宜装着される。そして、そのドライブ１３５を介してリムーバブルメディア１４１から読み出されたコンピュータプログラムが、必要に応じて記憶部１３３にインストールされる。
【００７７】
［評価処理の流れ］
次に、図１の特性評価装置１００により実行される評価処理の流れの例を、図５のフローチャートを参照して説明する。
【００７８】
評価処理が開始されると、ステップＳ１０１において、制御部１２１は、遮光部１１３を制御し、全セルを遮光させる。遮光部１１３は、その制御に従って、DSSCモジュール１０１の全てのDSSCセル１５１を遮光する。
【００７９】
ステップＳ１０２において、制御部１２１は、測定部１１４を制御し、この全セル遮光状態において、基準となる電流電圧特性を測定させる。測定部１１４は、その制御に従って、DSSCモジュール１０１に対して、所定の範囲で電圧を掃引し、電流を計測する。
【００８０】
ステップＳ１０３において、制御部１２１は、記憶部１１５を制御し、ステップＳ１０２の処理により測定された、全セルを遮光した状態の電流電圧特性（基準となる電流電圧特性）を記憶させる。記憶部１１５は、その制御に従って、測定部１１４により測定された電流値を電圧に対応付け、基準となる電流電圧特性として記憶する。
【００８１】
ステップＳ１０４において、制御部１２１は、例えばユーザ指示等、所定の条件や要求等に従って、DSSCモジュール１０１の一部のDSSCセル１５１を、電流電圧特性の測定対象（測定対象セル）に決定する。
【００８２】
電流電圧特性の測定対象セルが決定されると、制御部１２１は、ステップＳ１０５において、照明部１１２および遮光部１１３を制御し、ステップＳ１０４において決定された測定対象セルに対してのみ、擬似太陽光を照射させる。照明部１１２は、その制御に従って位置を決定し、擬似太陽光を照射する。遮光部１１３は、その制御に従って、ステップＳ１０４において決定された測定対象セルのみを開放し、それ以外を遮光する。このようにすることにより、測定対象セルにのみ、均一な擬似太陽光が照射される。
【００８３】
ステップＳ１０６において、制御部１２１は、測定部１１４を制御し、このｎセル照射状態において、測定対象セルの電流電圧特性を測定させる。測定部１１４は、その制御に従って、DSSCモジュール１０１に対して、所定の範囲で電圧を掃引し、電流を計測する。これにより、測定対象セルの電流電圧特性（基準に対する変化分）が測定される。
【００８４】
ステップＳ１０７において、制御部１２１は、記憶部１１５を制御し、ステップＳ１０６の処理により測定された、所望のDSSCセル１５１の電流電圧特性を記憶させる。記憶部１１５は、その制御に従って、測定部１１４により測定された電流値を電圧に対応付け、所望のDSSCセル１５１の電流電圧特性として記憶する。
【００８５】
ステップＳ１０８において、制御部１２１は、例えばユーザ指示等、所定の条件や要求等に従って、予定していた全てのセルについて電流電圧特性の測定を行ったか否かを判定する。未測定のセルが存在すると判定した場合、制御部１２１は、処理をステップＳ１０４に戻し、それ以降の処理を繰り返す。
【００８６】
また、ステップＳ１０８において、予定した全てのセルについて電流電圧特性の測定を行ったと判定した場合、制御部１２１は、処理をステップＳ１０９に進める。
【００８７】
ステップＳ１０９において、制御部１２１は、演算部１１６を制御し、例えばユーザ指示等、所定の条件や要求等に従って、所望のセルの電流電圧特性を算出させる。演算部１１６は、その制御に従って、ステップＳ１０３やステップＳ１０７において記憶された測定結果を用いて、所望のセルの電流電圧特性を算出する。
【００８８】
例えば、演算部１１６は、ステップＳ１０３において記憶された全セル遮光状態の電流電圧特性（基準となる電流電圧特性）と、１セルずつ計測され、ステップＳ１０７において記憶された各DSSCセル１５１の電流電圧特性とを用いて、DSSCモジュール１０１全体の電流電圧特性を算出する。
【００８９】
ステップＳ１１０において、制御部１２１は、演算部１１６を制御し、ステップＳ１０９において算出された電流電圧特性を評価させる。演算部１１６は、その制御に従って、ステップＳ１０９において算出された電流電圧特性を所定の方法で評価する。この評価方法は任意である。
【００９０】
制御部１２１は、必要に応じてこの評価結果を記憶部１１５に記憶させ、出力部１１７に出力させる。
【００９１】
ステップＳ１１０の処理を終了すると、制御部１２１は、評価処理を終了する。
【００９２】
このように評価処理を行うことにより、特性評価装置１００は、太陽電池モジュールの電流電圧特性をより容易に測定することができ、太陽電池モジュールの光電変換効率の評価をより容易に行うことができる。
【００９３】
［特性評価方法］
光電変換効率の評価方法について、より具体的な例を説明する。
【００９４】
まず、上述したように、特性評価装置１００の測定部１１４は、全セル遮光状態で電流電圧特性を測定し、さらに、DSSCセル１５１を１つ開放した状態の電流電圧特性を、DSSCモジュール１０１の全てのDSSCセル１５１について、測定する。
【００９５】
図６に示されるグラフの曲線２０１は、DSSCモジュール１０１の全てのDSSCセル１５１を遮光した場合の逆バイアスI-V特性を示す。また、図６に示されるグラフの曲線２０２は、任意の１セルのみに均一な擬似太陽光を照射した場合の逆バイアスI-V特性を示す。
【００９６】
曲線２０１に示される、DSSCモジュール１０１の全てのDSSCセル１５１を遮光した場合の逆バイアスI-V特性は、例えば図３Ａや図４Ａに示されるように遮光した状態で測定を行うことにより得られる。
【００９７】
曲線２０２に示される、DSSCモジュール１０１の任意の１セルのみに均一な擬似太陽光を照射した場合の逆バイアスI-V特性は、例えば図３Ｂや図４Ｂに示されるように遮光した状態で測定を行うことにより得られる。
【００９８】
演算部１１６は、このような逆バイアスI-V特性に対して、図７に示されるように、DSSCモジュール１０１の全てのDSSCセル１５１を遮光した場合の逆バイアスI-V特性（曲線２０１）の接線２１１と、Ｘ軸（電圧軸（Ｉ＝０））との交点の電圧であるVBASEを算出する。この接線２１１は、曲線２０１の、この電圧VBASEよりも低い電圧範囲における、傾きが略一定の部分と略同じ傾きを持つ直線である。
【００９９】
また、演算部１１６は、任意の１セルのみに均一な擬似太陽光を照射した場合の逆バイアスI-V特性（曲線２０２）の接線２１２と、Ｘ軸（電圧軸（Ｉ＝０））との交点の電圧であるVENDを算出する。この接線２１２は、曲線２０２の、この電圧VENDよりも低い電圧範囲における、接線２１１と略同じ傾きを持つ部分と略同じ傾きを持つ直線である。
【０１００】
さらに、演算部１１６は、接線２１１と、任意の１セルのみに均一な擬似太陽光を照射した場合の逆バイアスI-V特性（曲線２０２）の接線２１３との交点の電圧であるVTOPを算出する。この接線２１３は、曲線２０２の、接線２１１と略同じ傾きを持つ部分よりも低い電圧範囲における、略水平な部分（電流値の変化が見られない部分）と同じ傾きを持つ直線である。
【０１０１】
次に、演算部１１６は、図８に示されるように、DSSCモジュール１０１の全てのDSSCセル１５１を遮光した場合の逆バイアスI-V特性（曲線２０１）の接線２１１から、任意の電流I0乃至Imに対する電圧値となるV[BASE]0乃至V[BASE]mを算出する。
【０１０２】
次に、演算部１１６は、図９に示されるように、任意の１セルのみに均一な擬似太陽光を照射した場合の逆バイアスI-V特性（曲線２０２）の、VTOPからVENDまでの電圧範囲のI-V特性（曲線２０２Ａ）を抽出する。
【０１０３】
そして、演算部１１６は、図１０に示されるように、任意の１セルのみに均一な擬似太陽光を照射した場合の逆バイアスI-V特性（曲線２０２）の、VTOPからVENDまでの電圧範囲のI-V特性（曲線２０２Ａ）から、任意の電流I0乃至Imに対する電圧値となるV[x]0乃至V[x]mを算出する。
【０１０４】
演算部１１６は、全ての測定対象セル（n個）について、１セルのみに均一な擬似太陽光を照射した場合の逆バイアスI-V特性を求め、それぞれについて、上述したのと同様の方法で、任意の電流I0乃至Imに対する電圧値となるV[x]0乃至V[x]mを算出する。つまり、演算部１１６は、ｎ組の、任意の電流I0乃至Imに対する電圧値となるV[1〜n]0乃至V[1〜n]mを算出する。
【０１０５】
以上のように算出した、電圧V[BASE]1乃至V[BASE]mと、電圧V[1〜n]1乃至V[1〜n]mを用い、所望のセルにおける任意の電流I0乃至Imに対する出力電圧を算出する。例えば、電流電圧特性を測定したｎ個のセル全体の出力電圧は、以下の式のように、各セルの出力電圧を加算することにより算出することができる。
【０１０６】
I0    ：  V[BASE]0  ＋V[1]0  ＋V[2]0  ＋・・・＋V[n-2]0  ＋V[n-1]0  ＋V[n]0
I1    ：  V[BASE]1  ＋V[1]1  ＋V[2]1  ＋・・・＋V[n-2]1  ＋V[n-1]1  ＋V[n]1
I2    ：  V[BASE]2  ＋V[1]2  ＋V[2]2  ＋・・・＋V[n-2]2  ＋V[n-1]2  ＋V[n]2
・・・
Im-2   ：  V[BASE]m-2＋V[1]m-2＋V[2]m-2＋・・・＋V[n-2]m-2＋V[n-1]m-2＋V[n]m-2
Im-1   ：  V[BASE]m-1＋V[1]m-1＋V[2]m-1＋・・・＋V[n-2]m-1＋V[n-1]m-1＋V[n]m-1
Im    ：  V[BASE]m  ＋V[1]m  ＋V[2]m  ＋・・・＋V[n-2]m  ＋V[n-1]m  ＋V[n]m
【０１０７】
つまり、図１１に示されるように、各測定対象セルについての、１セルのみに均一な擬似太陽光を照射した場合の逆バイアスI-V特性（曲線２０２）の、VTOPからVENDまでの電圧範囲のI-V特性（曲線２０２Ａ−１乃至曲線２０２Ａ−ｎ）の総和が、全測定対象セルのI-V特性を示す曲線となる。
【０１０８】
例えば、DSSCモジュール１０１の全てのセルを測定対象とする（ｎ＝N）ことにより、演算部１１６は、以上のような演算により、DSSCモジュール１０１全体のI-V特性を算出することができる。また、ｎ＝N−１とすれば、演算部１１６は、DSSCモジュール１０１のDSSCセル１５１の内、いずれか１つを遮光した場合の、DSSCモジュール１０１全体のI-V特性を算出することができる。同様に、演算部１１６は、ｎの値に応じて、任意の数のDSSCセル１５１を遮光した場合のDSSCモジュール１０１全体のI-V特性を算出することができる。
【０１０９】
なお、図６に示されるように、各状態のI-V特性は、電流値が負となる範囲まで測定可能である。したがって、図１２に示される例のように、発電領域以外のI-V特性も求めることができる。
【０１１０】
図１２の例は、直列に接続された８個のDSSCセル１５１よりなるDSSCモジュールの、全てのセルを開放した場合のI-V特性、並びに、１個乃至８個のセルを遮光した各場合のI-V特性を示している。実際には、図１２に示されるように、DSSCモジュールは、電圧や電流が負の領域においても、発電領域と同様の遮光特性を有している。
【０１１１】
したがって、演算部１１６は、このようなデータから電流値および電圧値が正の部分を抽出することによっても、例えば図１３に示されるような発電領域のI-V特性のデータを得ることができる。
【０１１２】
演算部１１６は、制御部１２１の制御に従って、このようなデータを出力部１１７に供給し、図１３に示されるようなグラフ画像をモニタに表示させたり、データを他の装置に伝送させたりする。もちろん、演算部１１６が、このようなデータに対してさらに所定の演算を行い、例えば故障箇所（不具合箇所）の特定等、新たな評価を行うようにしてもよい。
【０１１３】
以上のように、特性評価装置１００は、全セル遮光状態とｎセル照射状態においてI-V特性を測定することにより、特殊な光源を用意したり、温度や照射光のスペクトラム特性等を考慮した補正を行う必要無く、より容易に、より正確かつより多様な評価を行うことができる。
【０１１４】
［減光］
以上においては、遮光する範囲の制御をセルを単位として行うように説明したが、これに限らず、任意の単位で行うようにしてもよい。
【０１１５】
例えば、色素増感型の太陽電池の場合、セルの一部を遮光すると、そのセルの出力電圧が、遮光された部分の出力電圧に応じて低下する。したがって、例えば、全てのセルが互いに同一の大きさおよび形状を有し、互いに同一かつ均一な電流電圧特性を有する場合、色素増感型の太陽電池モジュールの出力電圧は、遮光されたセルの数に関わらず、遮光された面積に比例する。つまり、このような太陽電池においては、遮光は、任意の大きさの部分領域毎に行うことができる。
【０１１６】
例えば、図１４に示されるDSSCモジュール３０１を測定対象とするとする。図１４に示されるように、DSSCモジュール３０１は、８個のDSSCセル３５１（DSSCセル３５１−１乃至DSSCセル３５１−８）が直列に接続され、その両端が測定部１１４に接続されている。
【０１１７】
このようなDSSCモジュール３０１に対して、遮光部１１３が、斜線部３６１に示されるように、各セルの一部を遮光する（各セルを減光する）と、演算部１１６は、例えば、図１２や図１３のグラフに示される「減光セル」の曲線のようなI-V特性を得ることができる。
【０１１８】
したがって、例えば、遮光部１１３が、この遮光する面積の制御単位をより細かくすることにより、演算部１１６は、DSSCモジュールのより詳細な評価を行うことができる。
【０１１９】
以上においては、遮光部１１３が、照明部１１２からの擬似太陽光を遮光するか否かを制御するように説明したが、これだけでなく、遮光部１１３が、フィルタ等を用いて、DSSCモジュール１０１の各セルに照射される擬似太陽光の光量を制御することができるようにしてもよい。
【０１２０】
また、以上においては、色素増感型の太陽電池を測定対象とするように説明したが、測定対象は、色素増感型の太陽電池に限らず、同様の特性を有する太陽電池であればどのような太陽電池であっても良い。
【０１２１】
さらに、以上においては、照明部１１２が擬似太陽光を照射するように説明したが、これに限らず、照明部１１２は、任意のスペクトラムの光を照射することができるようにしてもよい。ただし、評価（検査）として要求される仕様に応じたスペクトラムの光とするのが望ましい。
【０１２２】
上述した一連の処理は、ハードウエアにより実行させることもできるし、ソフトウェアにより実行させることもできる。上述した一連の処理をソフトウェアにより実行させる場合には、そのソフトウェアを構成するプログラムが、ネットワークや記録媒体からインストールされる。
【０１２３】
この記録媒体は、例えば、装置本体とは別に、ユーザにプログラムを配信するために配布される、プログラムが記録されているリムーバブルメディア１４１（図１）により構成される。このリムーバブルメディア１４１には、磁気ディスク（フレキシブルディスクを含む）や光ディスク（CD-ROMやDVDを含む）が含まれる。さらに、光磁気ディスク（MD（Mini Disc）を含む）や半導体メモリ等も含まれる。また、上述した記録媒体は、このようなリムーバブルメディア１４１だけでなく、装置本体に予め組み込まれた状態でユーザに配信される、プログラムが記録されている制御部１２１（図１）のROMや、記憶部１３３（図１）に含まれるハードディスクなどにより構成されるようにしてもよい。
【０１２４】
なお、コンピュータが実行するプログラムは、本明細書で説明する順序に沿って時系列に処理が行われるプログラムであっても良いし、並列に、あるいは呼び出しが行われたとき等の必要なタイミングで処理が行われるプログラムであっても良い。
【０１２５】
また、本明細書において、記録媒体に記録されるプログラムを記述するステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理をも含むものである。
【０１２６】
また、本明細書において、システムとは、複数のデバイス（装置）により構成される装置全体を表すものである。
【０１２７】
また、以上において、１つの装置（または処理部）として説明した構成が、複数の装置（または処理部）として構成されるようにしてもよい。逆に、以上において複数の装置（または処理部）として説明した構成が、まとめて１つの装置（または処理部）として構成されるようにしてもよい。また、各装置（または各処理部）の構成に上述した以外の構成が付加されるようにしてももちろんよい。さらに、システム全体としての構成や動作が実質的に同じであれば、ある装置（または処理部）の構成の一部が他の装置（または他の処理部）の構成に含まれるようにしてもよい。つまり、本開示の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【０１２８】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）  太陽電池の受光領域を遮光し、
前記太陽電池の受光領域が遮光された状態で、前記太陽電池の電流電圧特性を測定する
測定方法。
（２）  前記受光領域の全てが遮光された状態で前記電流電圧特性を測定し、さらに、前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態で前記電流電圧特性を測定する
前記（１）に記載の測定方法。
（３）  測定された、前記受光領域の全てが遮光された状態の前記電流電圧特性と、前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態の前記電流電圧特性とを用いて、前記一部の受光領域の電流電圧特性を算出する
前記（２）に記載の測定方法。
（４）  前記受光領域の開放する位置を決定し、
決定された位置の前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態で、前記電流電圧特性を測定し、
決定された位置の前記一部の受光領域の電流電圧特性を算出する
前記（３）に記載の測定方法。
（５）  前記受光領域の開放する位置を変更しながら、前記電流電圧特性の測定と、前記一部の受光領域の電流電圧特性の算出とを繰り返すことにより、前記受光領域の全ての電流電圧特性を算出する
前記（４）に記載の測定方法。
（６）  前記太陽電池は、複数のセルが直列に接続されるモジュールであり、
開放される前記受光領域の位置を、前記セルを単位として決定し、
決定された一部のセルが開放され、かつ、その他のセルが遮光された状態で、前記電流電圧特性を測定し、
決定された一部のセルの電流電圧特性を算出する
前記（３）乃至（５）のいずれかに記載の測定方法。
（７）  開放するセルを変更しながら、前記電流電圧特性の測定と、前記セルの電流電圧特性の算出とを繰り返すことにより、全てのセルの電流電圧特性を算出する
前記（６）に記載の測定方法。
（８）  さらに、前記受光領域の全てが開放された状態で前記電流電圧特性を測定する
前記（２）乃至（７）のいずれかに記載の測定方法。
（９）  開放された前記一部の受光領域に、太陽光のスペクトラムを再現した擬似太陽光を照射し、
前記受光領域の一部が開放されて前記擬似太陽光が照射され、かつ、その他の部分が遮光された状態で前記電流電圧特性を測定する
前記（２）乃至（８）のいずれかに記載の測定方法。
（１０）  前記太陽電池は、色素増感型太陽電池である
前記（１）乃至（９）のいずれかに記載の測定方法。
（１１）  太陽電池の受光領域を遮光する遮光部と、
前記太陽電池の受光領域が遮光された状態で、前記太陽電池の電流電圧特性を測定する測定部と
を備える測定装置。
（１２）  前記測定部は、前記遮光部により前記受光領域の全てが遮光された状態で前記電流電圧特性を測定し、さらに、前記遮光部により前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態で前記電流電圧特性を測定する
前記（１１）に記載の測定装置。
（１３）  前記測定部により測定された、前記遮光部により前記受光領域の全てが遮光された状態の前記電流電圧特性と、前記遮光部により前記受光領域の一部が開放され、かつ、その他の部分が遮光された状態の前記電流電圧特性とを用いて、前記一部の受光領域の電流電圧特性を算出する演算部をさらに備える
前記（１１）または（１２）に記載の測定装置。
（１４）  前記遮光部は、前記照明部および前記太陽電池を内部の空間に配置する暗室と、前記暗室内において、前記照明部からの光を前記太陽電池に照射するか否かを制御する照射制御部とを有する
前記（１１）乃至（１３）のいずれかに記載の測定装置。
（１５）  開放された前記一部の受光領域に光を照射する照明部をさらに備える
前記（１１）に記載の測定装置。
（１６）  前記光は、太陽光のスペクトラムを再現した擬似太陽光である
前記（１５）に記載の測定装置。
（１７）  前記遮光部は、前記太陽電池に対して移動可能であり、前記受光領域の全ての位置を開放可能であり、
前記照明部は、前記遮光部とともに前記太陽電池に対して移動可能であり、前記遮光部が開放した前記受光領域の全ての位置に前記光を照射可能である
前記（１５）または（１６）に記載の測定装置。
（１８）  前記測定部により測定された前記太陽電池の電流電圧特性を記憶する記憶部をさらに備える
前記（１１）乃至（１７）のいずれかに記載の測定装置。
（１９）  前記太陽電池は、複数のセルが直列に接続されるモジュールであり、
前記遮光部は、一部のセルを開放し、その他のセルを遮光する
前記（１１）乃至（１８）のいずれかに記載の測定装置。
（２０）  前記太陽電池は、色素増感型太陽電池である
前記（１１）乃至（１９）のいずれかに記載の測定装置。
【符号の説明】
【０１２９】
１００  特性評価装置，  １０１  DSSCモジュール，  １１１  制御ユニット，  １１２  照明部，  １１３  遮光部，  １１４  測定部，  １１５  記憶部，  １１６  演算部，  １１７  出力部，  １２１  制御部，  １３１  入力部，  １３２  出力部，  １３３  記憶部，  １３４  通信部，  １３５  ドライブ，  １４１  リムーバブルメディア
【図１】
2013089935.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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