(57)【要約】【課題】Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜での膜応力による基板の変形を緩和できるＥＵＶマスクブランクまたはＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法の提供。【解決手段】基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法により形成され、前記吸収体層の形成後、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法により形成され、
形成後の前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
【請求項２】
基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上に該反射層の保護層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法により形成され、
前記保護層の形成後、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
【請求項３】
前記保護層は、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法により形成される、請求項２に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
【請求項４】
前記保護層を形成する雰囲気中の水素濃度が１〜５０ｖｏｌ％である、請求項３に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
【請求項５】
前記保護層が、Ｒｕ層またはＲｕ化合物層である、請求項２〜４のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
【請求項６】
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する雰囲気中の水素濃度が１〜５０ｖｏｌ％である、請求項１〜５のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
【請求項７】
前記加熱処理を大気雰囲気下で実施する、請求項１〜６のいずれかに記載のＥＵＶ用反射層付基板の製造方法。
【請求項８】
前記加熱処理を酸素分圧が２０ｐａ以下の条件下で実施する、請求項１〜６のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
【請求項９】
基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法により形成され、
前記吸収体層の形成後、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１０】
基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層を形成し、前記吸収体層上にマスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法により形成され、
前記低反射層の形成後、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１１】
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜上に該多層反射膜の保護層を形成し、該保護層上に前記吸収体層を形成する、請求項９または１０に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１２】
前記保護層は、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法により形成される、請求項１１に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１３】
前記保護層を形成する雰囲気中の水素濃度が１〜５０ｖｏｌ％である、請求項１２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１４】
前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層である、請求項１１〜１３のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１５】
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する雰囲気中の水素濃度が１〜５０ｖｏｌ％である、請求項９〜１４のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１６】
前記加熱処理を大気雰囲気下で実施する、請求項９〜１５のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜８のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法により製造される、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜における平均水素含有率が０．１〜５０ａｔ％のＥＵＶＬ用反射層付基板。
【請求項１８】
請求項９〜１６のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法により製造される、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜における平均水素含有率が０．１〜５０ａｔ％のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
【請求項１９】
請求項１６に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法によって得られる、吸収体層上または低反射層上に膜厚０．５〜３ｎｍの表面酸化膜を有するＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）の製造方法に関する。また、本発明は、該ＥＵＶマスクブランクの製造に使用される反射層付基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体産業において、シリコン基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍ以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指し、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
【０００３】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用できない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。
【０００４】
マスクブランクは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶマスクブランクの場合、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、低屈折率膜と高屈折率膜とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。多層反射膜としては、低屈折率膜としてのモリブデン（Ｍｏ）層と、高屈折率膜としてのケイ素（Ｓｉ）層と、を交互に積層させたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が通常使用される。
吸収体層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
【０００５】
ＥＵＶマスクブランクの反射層として、多層反射膜を用いる場合、ＥＵＶ光照射時の光線反射率を高めるために、多層反射膜の各層の膜密度を高くする必要があり、多層反射膜は必然的に高い膜応力（圧縮応力）を有する。
このような高い膜応力が基板に加わることによって、基板が変形するおそれがある。ＥＵＶマスクブランク用の基板には通常低膨張ガラス製の基板が使用されるので、膜応力が加わることによって生じる基板の変形は軽微であるため、従来問題とならなかった。
しかしながら、パターンの微細化の要請によって、従来問題視されなかった基板の微少な変形（膜応力が加わることによって生じる基板の変形）が問題となってきた。たとえば、ＥＵＶマスクブランクの基板に特定の大きさ以上の変形が存在する場合、具体的には、ＥＵＶマスクブランクの製造に通常使用される１５２ｍｍ角の基板の場合、基板の反り量が０．６μｍを超えると、該ＥＵＶマスクブランクをパターニングする際にパターンの位置精度が低下するおそれがある。また、このような大きさの反りが発生すると、該ＥＵＶマスクブランクから作製した反射型マスクを用いてパターン転写する際に、パターン位置ずれやパターン欠陥が発生するおそれがある。
【０００６】
特許文献１，２には、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、加熱処理の実施により、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の反射特性を損なうことなしに、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の膜応力を緩和できることが記載されている。特許文献２には、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の膜応力が、通常、３５０〜４５０ＭＰａの圧縮応力であること、この圧縮応力がＥＵＶＬでのパターン転写時に、パターン位置ずれを生じさせる大きさであること、加熱処理によりこの圧縮応力を１００ＭＰａ以下まで緩和できることが記載されている。
特許文献１では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、約１００℃〜約４００℃で約３０秒間〜約１２時間加熱処理を実施することが記載されている。
特許文献２では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、約１００℃〜約４００℃で約３時間〜約１２時間加熱処理を実施することが記載されている。
【０００７】
特許文献１，２に記載の方法では、加熱処理により、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層界面のミキシングが進行する。そして、ミキシングの進行により、多層反射膜を構成する各層が収縮して、膜応力が緩和されると考えられる。
しかしながら、多層反射膜でのミキシングが進行しすぎると、多層反射膜の各層が大きく収縮し、ＥＵＶ光照射時の反射特性（例えば、反射光のピーク波長）が変化するおそれがある。
このため、加熱処理のみでは膜応力を十分緩和できず、特許文献３に記載の方法のように、応力緩和層の形成が必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６，３０９，７０５号明細書
【特許文献２】国際公開第９９／４２４１４号
【特許文献３】米国特許第６，０１１，６４６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜での膜応力による基板の変形を緩和できるＥＵＶマスクブランクの製造方法の提供を目的とする。
また、本発明は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜での膜応力による基板の変形を緩和できるＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記した目的を達成するため、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法により形成され、
形成後の前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法を提供する。
【００１１】
また、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上に該反射層の保護層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法により形成され、
前記保護層の形成後、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法を提供する。
ここで、前記保護層は、Ｒｕ層またはＲｕ化合物層が好ましい。
また、前記保護層は、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法により形成することが好ましい。
【００１２】
また、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法により形成され、
前記吸収体層の形成後、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【００１３】
また、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層を形成し、前記吸収体層上にマスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法により形成され、
前記低反射層の形成後、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【００１４】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜上に該多層反射膜の保護層を形成し、該保護層上に前記吸収体層を形成することが好ましい。
該保護層は、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層が好ましい。
また、前記保護層は、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法により形成することが好ましい。
【００１５】
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法、および、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する雰囲気中の水素濃度が、１〜５０ｖｏｌ％が好ましい。
また、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法、および、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、前記保護層を不活性ガスと水素を含む雰囲気中でスパッタリング法により形成する場合、該雰囲気中の水素濃度が、１〜５０ｖｏｌ％が好ましい。
【００１６】
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法において、前記加熱処理を大気雰囲気下で実施してもよい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法において、前記加熱処理を酸素分圧が２０Ｐａ以下の条件下で実施することが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、前記加熱処理を大気雰囲気下で実施することが好ましい。
【００１７】
また、本発明は、ＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法により製造される、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜における平均水素含有率が０．１〜５０ａｔ％のＥＵＶＬ用反射層付基板を提供する。
【００１８】
また、本発明は、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法により製造される、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜における平均水素含有率が０．１〜５０ａｔ％のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを提供する。
【００１９】
また、本発明は、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法により製造される、吸収体層上または低反射層上に膜厚０．５〜３ｎｍの表面酸化膜を有するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを提供する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成するＭｏ膜およびＳｉ膜が水素を含有することにより、加熱処理実施時において、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層界面でのミキシングによる膜厚方向の収縮に加えて、膜構造に対して等方的な収縮がより促進される。この結果、基板の変形に寄与する膜面内方向の成分の収縮もより大きくなると考えられる。
一方、ＥＵＶ光照射時の反射特性（例えば、反射光のピーク波長）の変化は、膜厚方向の収縮によって生ずるものであり、膜面内方向の収縮による影響は無視できる。したがって、ＥＵＶ光照射時の反射特性（例えば、反射光のピーク波長）の変化を抑制しつつ、膜応力をより緩和し、膜応力による基板の変形をより緩和できると考えられる。
【００２１】
また、本発明では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成するＭｏ膜およびＳｉ膜が、水素を含有することにより、加熱処理時の多層反射膜表面の酸化が抑制される。その結果、加熱処理による膜応力を緩和する作用、および、膜応力の緩和により基板の変形を緩和する作用が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの実施形態を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの別の実施形態を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明を説明する。
図１は、本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「本発明のＥＵＶマスクブランク」という。）の１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すマスクブランク１は、基板１１上にＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４とがこの順に形成されている。反射層１２と吸収体層１４との間には、吸収体層１４へのパターン形成時に反射層１２を保護するための保護層１３が形成されている。
なお、本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、図１に示す構成中、基板１１、反射層１２、および、吸収体層１４のみが必須であり、保護層１３は任意の構成要素である。
以下、マスクブランク１の個々の構成要素について説明する。
【００２４】
基板１１は、ＥＵＶマスクブランク用の基板としての特性を満たすことが要求される。
そのため、基板１１は、低熱膨張係数（０±１．０×１０-7／℃が好ましく、より好ましくは０±０．３×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０-7／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板１１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板も使用できる。また、基板１１上に応力補正膜のような膜を形成してもよい。
基板１１は、０．１５ｎｍ  ｒｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
基板１１の大きさや厚さなどはマスクの設計値等により適宜決定される。後で示す実施例では、外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
基板１１の反射層１２が形成される側の表面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅は、６０ｎｍ以下が好ましい。
【００２５】
ＥＵＶマスクブランクの反射層１２に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率である。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層１２表面に入射角度６度で照射した際の、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。また、反射層１２の上に保護層１３を設けた場合であっても、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。
【００２６】
ＥＵＶマスクブランクの反射層としては、ＥＵＶ波長域において高反射率を達成できることから、低屈折率膜と高屈折率膜とを交互に複数回積層させた多層反射膜が広く用いられている。本発明のＥＵＶマスクブランクでは、低屈折率膜としてのＭｏ膜と、高屈折率膜としてのＳｉ膜とを交互に複数回積層させたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を用いる。ここで、Ｍｏ膜とＳｉ膜を比較した場合、Ｓｉ膜のほうが大気雰囲気室温下において酸化に対して安定であることから、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層は、多層反射膜表面の酸化を防止するためＳｉ膜とする。
Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合に、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射層１２とするには、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ膜と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ膜とを繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させればよい。
【００２７】
本発明のＥＵＶマスクブランクでは、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層（Ｍｏ膜、Ｓｉ膜）が水素を含有する。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層（Ｍｏ膜、Ｓｉ膜）が水素を含有することにより、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の膜応力の緩和、および、膜応力の緩和による基板の変形の緩和という、加熱処理による作用が向上する。
なお、水素の含有により、加熱処理による作用が向上する理由については後述する。
【００２８】
本発明のＥＵＶマスクブランクは、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜における平均水素含有率は、０．１〜５０ａｔ％が好ましい。
Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜における平均水素含有率が０．１ａｔ％未満の場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の膜応力の緩和、および、膜応力の緩和による基板の変形の緩和という、加熱処理による作用が不十分となるおそれがある。
一方、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜における平均水素含有率が５０ａｔ％超の場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層（Ｍｏ膜、Ｓｉ膜）の密度が過度に低下して、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の強度が低下する、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面が酸化されやすくなる、等の問題が生じるおそれがある。
また、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜における平均水素含有率が５０ａｔ％超の場合、スパッタリングによるＭｏ／Ｓｉ多層反射膜形成時の成膜速度が低下し、実用的ではなくなるおそれがある。
Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜における平均水素含有率は、０．２〜１０ａｔ％がより好ましく、０．３〜５ａｔ％がさらに好ましい。
なお、本明細書においてａｔ％は原子比率（原子百分率）を示す。
【００２９】
Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜における平均水素含有率は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の組成をＸ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）、二次イオン質量分析装置（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて測定して求められる。
【００３０】
Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層（Ｍｏ膜、Ｓｉ膜）は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いて所望の厚さになるように成膜する。
ここで、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層（Ｍｏ膜、Ｓｉ膜）に水素を含有させるには、水素含有雰囲気でスパッタリング法による成膜を実施すればよい。具体的には、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法による成膜を実施すればよい。
イオンビームスパッタリング法を用いて、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層（Ｍｏ膜、Ｓｉ膜）を成膜する場合は、以下の条件で成膜を実施すればよい。
Ｍｏ膜の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度１〜５０ｖｏｌ％、好ましくは１〜３０ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度５０〜９９ｖｏｌ％、好ましくは７０〜９９ｖｏｌ％、ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）
イオン加速電圧：３００〜１５００Ｖ
成膜速度：１．８〜１８．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２．３ｎｍ
Ｓｉ膜の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度１〜５０ｖｏｌ％、好ましくは１〜３０ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度５０〜９９ｖｏｌ％、好ましくは７０〜９９ｖｏｌ％、ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）
イオン加速電圧：３００〜１５００Ｖ
成膜速度：１．８〜１８．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：４．５ｎｍ
これを１周期として、Ｍｏ膜およびＳｉ膜を３０〜６０周期積層させることにより、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が形成される。なお、上述したように、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層は、多層反射膜表面の酸化を防止するためＳｉ膜が好ましい。
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。また、複数種類の不活性ガスを使用する場合、不活性ガスの合計濃度を上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
【００３１】
保護層１３は、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスにより吸収体層１５にパターン形成する際に、反射層１２がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう反射層１２を保護する目的で設けられる任意の構成要素である。但し、反射層１２の保護という観点からは、反射層１２上に保護層１３を形成することが好ましい。
また、ＥＵＶマスクブランク全体の膜応力は、主として反射層１２の膜応力による影響が支配的である。そのため、反射層１２上に保護層１３を形成する場合、保護層１３の膜応力の影響は反射層１２に比べると小さいが、反射層１２と同様に、保護層１３についても水素を含有させて、ＥＵＶマスクブランク全体の膜応力をより緩和させてもよい。
なお、保護層１３に水素を含有させるには、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層（Ｍｏ膜、Ｓｉ膜）の場合と同様に、水素含有雰囲気でスパッタリング法による成膜を実施すればよい。
すなわち、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で、スパッタリング法による成膜を実施すればよい。
【００３２】
保護層１３の材質としては、吸収体層１４のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収体層１４よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。
また、保護層１３は、保護層１３を形成した後であっても反射層１２でのＥＵＶ光線反射率を損なうことがないように、保護層１３自体もＥＵＶ光線反射率が高い物質を選択することが好ましい。
この条件を満たす物質としては、たとえばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ及びこれらの窒化物、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ＣｒＮおよびＳｉＯ2が好ましく、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）が特に好ましい。
保護層１３として、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物を形成する場合、保護層１３中のＲｕの含有率は、５０ａｔ％以上が好ましく、７０ａｔ％以上がより好ましく、９０ａｔ％以上がさらに好ましく、特に９５ａｔ％以上が好ましい。
【００３３】
反射層１２上に保護層１３を形成する場合、保護層１３表面の表面粗さは、０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下が好ましい。保護層１３表面の表面粗さが大きいと、該保護層１３上に形成される吸収体層１４の表面粗さが大きくなり、該吸収体層１４に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収体層１４表面は平滑であることが要求される。
保護層１３表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下であれば、該保護層１３上に形成される吸収体層１４表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。保護層１３表面の表面粗さは、０．４ｎｍ  ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ  ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
【００３４】
反射層１２上に保護層１３を形成する場合、保護層１３の厚さは、ＥＵＶ光線反射率を高め、かつ耐エッチング特性を得られるという理由から、１〜１０ｎｍが好ましい。保護層１３の厚さは、１〜５ｎｍがより好ましく、２〜４ｎｍがさらに好ましい。
【００３５】
反射層１２上に保護層１３を形成する場合、保護層１３は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を利用できる。
ここで、イオンビームスパッタリング法を用いて、保護層１３としてＲｕ層を形成する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガス雰囲気中で放電させればよい。具体的には、以下の条件でイオンビームスパッタリングを実施すればよい。
スパッタリングガス：Ａｒ（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）
イオン加速電圧：３００〜１５００Ｖ
成膜速度：１．８〜１８．０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合も上記のガス圧とする。
また、保護層１３としてのＲｕ層に水素を含有させる場合は、スパッタリングガスを以下の条件とすればよい。
スパッタリングガス：ＡｒとＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度１〜５０ｖｏｌ％、好ましくは１〜３０ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度５０〜９９ｖｏｌ％、好ましくは７０〜９９ｖｏｌ％、ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。また、複数種類の不活性ガスを使用する場合、不活性ガスの合計濃度を上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。また、保護層１３としてＲｕ層以外の材質、例えば、上記で例示した元素または化合物を含む材料の層を用いる場合においても、上記のようにＨ2ガスを含まない雰囲気中の条件、または、Ｈ2ガスを含む雰囲気中の条件、で実施できる。
【００３６】
なお、本発明のＥＵＶマスクブランクの吸収体層を形成する前の状態、すなわち、図１に示すマスクブランク１の吸収体層１４を除いた構造が本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板である。本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板は、ＥＵＶマスクブランクの前駆体をなすものである。なお、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板は、ＥＵＶマスクブランクの前駆体に限らず、全般的にＥＵＶ光を反射する機能を有する光学基板を含めて考えてもよい。
【００３７】
次に、吸収体層１４に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収体層１４表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率は、２．０％以下が好ましく、１．０％以下がより好ましい。
上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料での構成が好ましく、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で形成されていることが好ましい。
さらに、後述する理由により、吸収体層１４は、結晶状態がアモルファスであることが好ましい。吸収体層１４は、Ｔａおよび窒素（Ｎ）を含有する層（ＴａＮ層）であることが、結晶状態がアモルファスの膜を形成しやすい点で好ましい。
【００３８】
吸収体層１４として、ＴａＮ層を形成する場合、ＴａおよびＮの合計含有率は、６０ａｔ％以上が好ましく、８０ａｔ％以上がより好ましく、９５ａｔ％以上がさらに好ましい。
吸収体層１４として、ＴａＮ層を形成する場合、下記の比率（原子比率：ａｔ％と略す。）を満たすことが好ましい。
Ｔａの含有率  好ましくは１０〜９５ａｔ％、より好ましくは６０〜９０ａｔ％
Ｎの含有率  好ましくは５〜５０ａｔ％、より好ましくは１０〜４０ａｔ％
ＴａとＮとの原子組成比（Ｔａ：Ｎ）  ８：１〜１：５
【００３９】
吸収体層１４表面は、上述のとおり、その表面粗さが大きいと、吸収体層１４に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収体層１４表面は平滑であることが要求される。
吸収体層１４としてＴａＮ層を形成した場合、その結晶状態はアモルファスであり、表面の平滑性に優れている。具体的には、吸収体層１４としてＴａＮ層を形成した場合、吸収体層１４表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下になる。
吸収体層１４表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下であれば、吸収体層１４表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収体層１４表面の表面粗さは０．４ｎｍ  ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ  ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
【００４０】
吸収体層１４としてＴａＮ層を形成した場合、エッチングガスとして塩素系ガスを用いてドライエッチングを実施した際のエッチング速度が速く、保護層１３（具体的には、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層）とのエッチング選択比が１０以上を示す。
ここで、反射層１２上に保護層１３を形成しない場合は、反射層１２（具体的には、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ膜）とのエッチング選択比が１０以上を示す。
本明細書において、エッチング選択比は、下記式を用いて計算できる。
エッチング選択比
＝（吸収体層１４のエッチング速度）／（保護層１３（または反射層１２）のエッチング速度）
エッチング選択比は、１０以上が好ましく、１１以上がより好ましく、１２以上がさらに好ましい。
【００４１】
吸収体層１４の膜厚は、５ｎｍ以上が好ましく、２０ｎｍ以上がより好ましく、３０ｎｍ以上がさらに好ましく、５０ｎｍ以上が特に好ましい。
一方、吸収体層１４の膜厚が大きすぎると、該吸収体層１４に形成するパターンの精度が低下するおそれがあるため、１００ｎｍ以下が好ましく、９０ｎｍ以下がより好ましく、８０ｎｍ以下がさらに好ましい。
【００４２】
吸収体層１４は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法など、周知の成膜方法を使用できる。
吸収体層１４としてＴａＮ層を形成する場合、マグネトロンスパッタリング法を用いる場合には、Ｔａターゲットを使用し、Ａｒで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でターゲットを放電させることによって、ＴａＮ層を形成できる。
【００４３】
上記例示した方法で吸収体層１４としてのＴａＮ層を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧０．５×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは０．５×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは０．５×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
【００４４】
なお、本発明のＥＵＶマスクブランクは、図１に示した構成（すなわち、基板１１、反射層１２、保護層１３および吸収体層１４）以外の構成要素を有していてもよい。
図２は、本発明のＥＵＶマスクブランクの別の実施形態を示す概略断面図である。
図２に示すＥＵＶマスクブランク１´では、吸収体層１４上にマスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層１５が形成されている。
【００４５】
本発明のＥＵＶマスクブランクからＥＵＶマスクを作製する際、吸収体層にパターンを形成した後、このパターンが設計どおりに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍの光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収体層１４がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収体層１４表面と、の反射率の差によって検査される。ここで、前者は保護層１３表面であり、反射層１２上に保護層１３が形成しない場合は反射層１２表面（具体的には、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ膜表面）である。
したがって、２５７ｎｍ程度の検査光の波長に対する保護層１３表面（または反射層１２表面）と吸収体層１４表面との反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査ができない場合がある。
【００４６】
上記した構成の吸収体層１４は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低く、ＥＵＶマスクブランクの吸収体層として優れた特性を有しているが、検査光の波長についてみた場合、光線反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長での吸収体層１４表面の反射率と反射層１２表面（または保護層１３表面）の反射率との差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られないおそれがある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスク検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えない場合がある。
図２に示すＥＵＶマスクブランク１´のように、吸収体層１４上に低反射層１５を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる。別の言い方をすると、検査光の波長での光線反射率が極めて低くなる。このような目的で形成する低反射層１５は、検査光の波長領域（２５７ｎｍ近傍）の光線を照射した際の、該検査光の波長の最大光線反射率は、１５％以下が好ましく、１０％以下がより好ましく、５％以下がさらに好ましい。
低反射層１５における検査光の波長の光線反射率が１５％以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、保護層１３表面（または反射層１２表面）における検査光の波長の反射光と、低反射層１５表面における検査光の波長の反射光と、のコントラストが、４０％以上となる。
【００４７】
本明細書において、コントラストは下記式を用いて求められる。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
ここで、検査光の波長におけるＲ2は保護層１３表面（または反射層１２表面）での反射率であり、Ｒ1は低反射層１５表面での反射率である。なお、上記Ｒ1およびＲ2は、図２に示すＥＵＶマスクブランク１´の吸収体層１４および低反射層１５にパターンを形成した状態で測定する。上記Ｒ2は、パターン形成によって吸収体層１４および低反射層１５が除去され、外部に露出した保護層１３表面（または反射層１２表面）で測定した値であり、Ｒ1はパターン形成によって除去されずに残った低反射層１５表面で測定した値である。
本発明において、上記式で表されるコントラストは、４５％以上がより好ましく、６０％以上がさらに好ましく、７０％以上が特に好ましい。
【００４８】
低反射層１５は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収体層１４よりも低い材料で構成され、その結晶状態はアモルファスが好ましい。
このような低反射層１５の具体例としては、Ｔａ、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を以下に述べる原子比率で含有するもの（低反射層（ＴａＯＮ））が挙げられる。
Ｔａの含有率  ２０〜８０ａｔ％、好ましくは、２０〜７０ａｔ％、より好ましくは２０〜６０ａｔ％
ＯおよびＮの合計含有率  ２０〜８０ａｔ％、好ましくは３０〜８０ａｔ％、より好ましくは４０〜８０ａｔ％
ＯとＮとの組成（Ｏ：Ｎ）  ２０：１〜１：２０、好ましくは１８：１〜１：１８、より好ましくは１５：１〜１：１５
【００４９】
低反射層（ＴａＯＮ）は、上記の構成により、その結晶状態はアモルファスであり、その表面が平滑性に優れている。具体的には、低反射層（ＴａＯＮ）表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下である。
上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化を防止するため、吸収体層１４表面は平滑であることが要求される。低反射層１５は、吸収体層１４上に形成されるため、同様の理由から、その表面は平滑であることが要求される。
低反射層１５表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下であれば、低反射層１５表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。低反射層１５表面の表面粗さは０．４ｎｍ  ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ  ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
【００５０】
吸収体層１４上に低反射層１５を形成する場合、吸収体層１４と低反射層１５との合計厚さは、２０〜１３０ｎｍが好ましい。また、低反射層１５の厚さが吸収体層１４の厚さよりも大きいと、吸収体層１４でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層１５の厚さは吸収体層１４の厚さよりも小さいことが好ましい。このため、低反射層１５の厚さは５〜３０ｎｍが好ましく、１０〜２０ｎｍがより好ましい。
【００５１】
上記の構成の低反射層（ＴａＯＮ）は、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した酸素（Ｏ2）および窒素（Ｎ2）雰囲気中で、Ｔａターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法により形成できる。または、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でＴａターゲットを放電させてＴａおよびＮを含有する膜を形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、形成された膜を酸化することにより、上記の構成の低反射層（ＴａＯＮ）としてもよい。
【００５２】
上記した方法で低反射層（ＴａＯＮ）を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
スパッタリングガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜８０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜７５ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜７０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％。Ａｒガス濃度５〜９０ｖｏｌ％、好ましくは１０〜８８ｖｏｌ％、より好ましくは２０〜８０ｖｏｌ％、ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜５０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．２〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．２〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。また、複数種類の不活性ガスを使用する場合、不活性ガスの合計濃度を上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
【００５３】
図２に示すＥＵＶマスクブランク１´のように、吸収体層１４上に低反射層１５を形成する構成が好ましいのは、パターンの検査光の波長とＥＵＶ光の波長とが異なるからである。したがって、パターンの検査光としてＥＵＶ光（１３．５ｎｍ付近）を使用する場合、吸収体層１４上に低反射層１５を形成する必要はないと考えられる。検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。また、検査光の波長が１９３ｎｍである場合、吸収体層１４上に低反射層１５を形成する必要はない場合がある。さらに、検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収体層１４上に低反射層１５を形成する必要はないと考えられる。
【００５４】
また、本発明のＥＵＶマスクブランクは、反射層１２、保護層１３、吸収体層１４、低反射層１５以外に、ＥＵＶマスクブランクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載のように、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側に施される導電性コーティングが挙げられる。ここで、基板の裏面とは、図１の基板１１において、反射層１２が形成されている側とは反対側の面を指す。このような目的で基板の裏面に施す導電性コーティングは、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。導電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択できる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載の導電性（高誘電率）のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなるコーティングを適用できる。導電性コーティングの厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍである。
導電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成できる。
【００５５】
本発明では、上記の手順でＥＵＶマスクブランクを作製した後、ＥＵＶマスクブランクのＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の温度が、１２０〜１６０℃の範囲となるように制御して加熱処理するとよい。なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の温度は、ＥＵＶマスクブランクの表面の温度を計測することで確認できる。
ここで、図１に示すＥＵＶマスクブランク１の場合は、吸収体層１４の形成後、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理するとよい。
また、図２に示すＥＵＶマスクブランク１´の場合は、低反射層１５の形成後、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理するとよいが、これに限らない。即ち、吸収体層１４の形成後に、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理し、その後、低反射層１５を形成してもよい。
【００５６】
また、ＥＵＶマスクブランクの前駆体をなす、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の場合は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後に、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理するとよい。
さらに、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜上に保護層を形成するＥＵＶＬ用反射層付基板の場合は、該保護層の形成後に、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を１２０〜１６０℃の温度で加熱処理するとよい。なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の温度は、ＥＵＶＬ用反射層付基板の表面の温度を計測することで確認できる。
【００５７】
本発明では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成するＭｏ膜およびＳｉ膜が水素を含有することにより、加熱処理実施時において、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層界面でのミキシングによる膜厚方向の収縮に加えて、膜構造に対して等方的な収縮がより促進される。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成するＭｏ膜およびＳｉ膜が水素を含有する場合に、膜構造に対して等方的な収縮がより促進されるのは、以下の理由によると考えられる。
【００５８】
Ｍｏ膜が水素を含有すると、Ｍｏの結合中に水素との結合によるダングリングボンド（Ｍｏ−Ｈ）を生じる。Ｓｉ膜についても同様であり、Ｓｉの結合中に水素との結合によるダングリングボンド（Ｓｉ−Ｈ）を生じる。この結果、膜の構造が粗になり低密度化すると考えられる。
また、水素の含有により、膜中の結合に乱れが生じる結果、結晶状態が微結晶またはアモルファスの膜となることにより、膜が低密度化すると考えられる。Ｓｉ膜の場合は、水素を含有しない場合でも、結晶状態が微結晶またはアモルファスの膜となる傾向があるため、水素含有による影響は小さいと考えられるが、Ｍｏ膜の場合は、水素を含有しない場合、結晶性の膜になる傾向があるため、水素含有による影響は大きいと考えられる。
これらの作用により、膜が低密度化する結果、膜の構造が粗になることによって、膜構造に対して等方的な収縮がより促進されると考えられる。
【００５９】
このため、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜のうち、Ｍｏ膜のみが水素を含有することによっても、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の膜構造に対する等方的な収縮効果は期待できる。但し、Ｍｏ膜およびＳｉ膜が水素を含有することによって、よりその効果が期待でき、その結果、膜応力による基板の変形をより緩和できることから好ましい。
つまり、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクまたは反射層付基板の製造方法において、Ｍｏ膜の成膜のみを水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で実施して、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成し、その後に加熱処理することによっても、この効果を得ることはできる。但し、Ｍｏ膜およびＳｉ膜の成膜時に水素を含む雰囲気中でＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成し、その後に加熱処理することによって、よりこの効果を得ることはできることから好ましい。
また、以下の理由からも、Ｍｏ膜およびＳｉ膜の成膜時に水素を含む雰囲気中でＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成し、その後に加熱処理することが好ましい。
Ｍｏ膜の成膜のみを水素（Ｈ2）を含む雰囲気中で実施する場合、Ｍｏ膜の成膜時には、水素を含有するスパッタリングガスを使用し、Ｓｉ膜の成膜前には雰囲気中から水素を除去する必要がある。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成では、この手順を３０〜６０回実施する必要があり、プロセス的に煩雑になる場合がある。
なお、以降は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成するＭｏ膜およびＳｉ膜が水素を含有する場合について説明したものである。
【００６０】
膜厚方向の収縮は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層界面で主に起こるのに対して、膜面内方向の収縮は、構造緩和による等方的収縮の膜面内方向成分として各層の全域で起こる。
したがって、膜厚方向の収縮のみによる場合よりも、基板の変形に寄与する膜面内方向の成分の収縮がより大きくなると考えられる。
一方、ＥＵＶ光照射時の反射特性（例えば、反射光のピーク波長）の変化は、主としてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層の膜厚の変化によって生じるため、膜面内方向の収縮による影響は無視できる。
したがって、ＥＵＶ光照射時の反射特性（例えば、反射光のピーク波長）の変化を抑制しつつ、膜応力をより緩和し、膜応力による基板の変形をより緩和できると考えられる。
【００６１】
また、加熱処理の実施時、大気に面した膜表面から拡散した酸素が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ膜中のＳｉ原子と結合すると、該Ｓｉ膜の構造が膨張することにより、該Ｓｉ膜の膜応力（圧縮応力）が増加すると考えられる。これにより、加熱処理による膜応力を緩和する作用が阻害されるおそれがある。
本発明では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ膜に酸素が拡散してきた場合でも、Ｓｉ膜に含まれる水素が、酸素と反応してＨ2Ｏを生成することで、Ｓｉ膜の酸化が抑制されると考えられる。これにより、加熱処理による膜応力を緩和する作用が向上すると考えられる。
【００６２】
ここで、加熱処理温度が１２０℃よりも低いと、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の膜応力を緩和し、基板の変形を緩和する作用が不十分になる。
一方、加熱処理温度が１６０℃よりも高いと、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜でのミキシングが進行しすぎて、多層反射膜の各層が膜厚方向に大きく収縮して、ＥＵＶ光照射時の反射特性（例えば、反射光のピーク波長）が変化するおそれがある。加熱処理の温度は、１３０℃〜１５０℃がより好ましく、１３６℃〜１４４℃がさらに好ましい。
また、加熱時間は５〜６０分の範囲が好ましく、１０〜３０分の範囲がより好ましい。加熱処理の時間が５分よりも短いと、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜での構造緩和とミキシングにより膜応力を緩和する、加熱処理の作用が不十分になるおそれがある。一方、加熱処理の時間が６０分より長いと、ミキシングが進行しすぎて多層反射膜の各層が大きく収縮し、ＥＵＶ光照射時の反射特性の変化、具体的には、反射光の反射率が低下するとともに反射光のピーク波長が著しく低下するおそれがある。
【００６３】
ここで、加熱処理を実施する対象が、本発明のＥＵＶマスクブランク１，１´のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜１２の場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２上に形成された吸収体層１４（吸収体層１４上に低反射層１５が形成されている場合は、吸収体層１４および低反射層１５）が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２の最上層をなすＳｉ膜の酸化を抑制するためのバリア層として機能するため、真空中や大気雰囲気下で加熱処理を実施できる。このうち、大気雰囲気下で実施する場合、真空中での加熱処理で生じる熱履歴による欠点の発生とＥＵＶマスクブランクへの付着を抑制でき、また大気圧下で窒素ガスなど大気以外のガスを扱う際の窒息に対する安全対策をせずに容易に扱える等の理由から好ましい。
【００６４】
また、吸収体層を形成後に大気中で加熱処理を実施すると、吸収体層表面に一定の厚さ以上の表面酸化膜が形成され、吸収体層をその酸化による光学特性の変化および圧縮応力の増加から保護する効果が得られるので好ましい。例えば、吸収体層としてＴａＮを用いる場合、本発明の加熱処理により、表面にＴａＯＮ層が形成され、これが表面酸化膜の下層にあるＴａＮを更なる酸化から保護する膜として機能する。本発明の方法により形成される表面酸化膜は、０．５〜３ｎｍの厚さが好ましく、１．５〜２．５ｎｍの厚さがより好ましい。厚さが０．５ｎｍより薄いと、吸収体層表面が十分に保護されず、洗浄に対する耐久性が低下するおそれがある。例えば、吸収体層形成後、加熱処理をせずに大気中に常温で放置した場合でも、極薄の表面酸化膜は形成されるが、その膜厚はせいぜい０．２ｎｍであり、吸収体層の耐久性を向上できない。一方、厚さが３ｎｍよりも厚いと、ＥＵＶ照射光に対する最大光線反射率が大きくなり、１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光をマスクパターンの検査光とする場合において、そのコントラストが低下するおそれがある。
なお、上記のように吸収体層表面に一定厚の表面酸化膜を形成する方法としては、大気雰囲気下の加熱処理に限らない。例えば、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した酸素（Ｏ2）および窒素（Ｎ2）雰囲気中で加熱処理をしたり、酸素プラズマ中にさらした雰囲気中で加熱処理をしたりしてもよい。また、この方法で表面酸化膜を形成する場合であっても、その膜厚は、０．５〜３ｎｍが好ましく、１．５〜２．５ｎｍがより好ましい。
なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２の最上層をなすＳｉ膜の酸化を抑制するためのバリア層として機能という点では、吸収体層１４は上記構成の吸収体層（ＴａＮ）が好ましく、低反射層１５は上記構成の低反射層（ＴａＯＮ）が好ましい。
【００６５】
一方、加熱処理を実施する対象が、本発明の反射層付基板のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜１２の場合（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２上に保護層１３が形成されている場合を含む）、大気雰囲気下で加熱処理を実施してもよいが、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層をなすＳｉ膜の酸化を防止するため、酸素分圧が２０ｐａ以下の条件で加熱処理を実施するとよい。また、酸素分圧は１０Ｐａ以下がより好ましく、５Ｐａ以下がさらに好ましい。このような、酸素分圧が２０Ｐａ以下を満足する１つの条件として、窒素（Ｎ2）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）等の不活性ガス雰囲気下で加熱処理を実施することが好ましい。さらに、酸素分圧が２０Ｐａ以下を満足するもう１つの条件として、真空下で加熱処理を実施してもよい。また、保護膜１３を形成した後に大気雰囲気下で加熱処理をする場合、保護層１３をＲｕ層とすると、加熱処理によって、Ｒｕ層上に、膜厚が１ｎｍ程度のＲｕ酸化層が形成される。
【００６６】
また、図２に示すＥＵＶマスクブランク１´の場合、低反射層１５の形成後に上述した加熱処理を実施してもよい。吸収体層１４上に低反射層１５を形成した後に、加熱処理を実施する場合でも、図１に示すマスクブランク１における加熱処理と同様の雰囲気下、即ち、大気雰囲気下等、種々の条件における加熱処理方法により、低反射層１５上の表面酸化膜を形成するとよい。そして、この場合においても、低反射層１５上に形成される表面酸化膜の膜厚は、０．５〜３ｎｍが好ましく、１．５〜２．５ｎｍがより好ましい。厚さが０．５ｎｍより薄いと、吸収体層表面が十分に保護されず洗浄に対する耐久性が低下するおそれがある。一方、厚さが３ｎｍよりも厚いと、マスクパターンの検査光に対する最大光線反射率が大きくなり、そのコントラストが低下するおそれがある。例えば、低反射層１５がＴａＯＮから構成される場合、低反射層形成後の加熱処理により形成される表面酸化膜は、酸素リッチのＴａＯＮ、つまり、低反射層として構成されるＴａＯＮに対して、酸素（Ｏ）の組成が多い構成であり、この場合の低反射層ＴａＯＮとは異なる構成の層として認識できる。具体的に、ＴａＯＮ上の表面酸化膜については、酸素の組成で識別が可能であって、低反射層となるＴａＯＮ層に対して酸素が５ａｔ％以上の原子組成比となる層を表面酸化膜として特定できる。
【実施例】
【００６７】
以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。
実施例１
本実施例では、ＥＵＶＬ用反射層付基板を作製した。このＥＵＶＬ用反射層付基板は、図１に示すマスクブランク１の吸収体層１４を除いた構造である。
成膜用の基板１１として、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系のガラス基板（外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ）を使用する。このガラス基板の熱膨張率は０．２×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2である。このガラス基板を研磨により、ｒｍｓが０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
【００６８】
基板１１の裏面側には、マグネトロンスパッタリング法を用いて厚さ１００ｎｍのＣｒ膜を成膜することによって、シート抵抗１００Ω／□の導電性コーティング（図示していない）を施した。
平板形状をした通常の静電チャックに、上記の手順で形成されるＣｒ膜を用いて基板１１（外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角、厚さ６．３ｍｍ）を固定して、該基板１１の表面上にイオンビームスパッタ法を用いてＭｏ膜およびＳｉ膜を交互に成膜することを５０周期繰り返すことにより、合計膜厚３４０ｎｍ（（２．３ｎｍ＋４．５ｎｍ）×５０）のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層１２）を形成した。なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層はＳｉ膜である。
【００６９】
Ｍｏ膜およびＳｉ膜の成膜条件は以下の通りである。
Ｍｏ膜の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度３ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度９７ｖｏｌ％、ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：３．８４ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２．３ｎｍ
Ｓｉ膜の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタリングガス：ＡｒとＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度３ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度９７ｖｏｌ％、ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：４．６２ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：４．５ｎｍ
【００７０】
次に、保護層１３であるＲｕ層を、イオンビームスパッタ法を用いて形成した。
保護層１３の形成条件は以下の通りである。
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタガス：ＡｒとＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度３ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度９７ｖｏｌ％、ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：３．１２ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２．５ｎｍ
【００７１】
保護層１３の形成後、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ  ＥＬＥＭＥＲ−ＰＨＩ社製）、二次イオン質量分析装置（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（神戸製鋼社製）を用いて測定し、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜における平均水素含有率を求めた。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜における平均水素含有率は３ａｔ％であった。
【００７２】
また、保護層１３の形成後、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２の結晶状態を、Ｘ線回折装置（Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｍｅｔｅｒ）（ＲＩＧＡＫＵ社製）で確認した。得られる回折ピークにはシャープなピークが見られないことから、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２を構成するＭｏ膜およびＳｉ膜の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であることを確認した。
【００７３】
次に、保護層１３形成後の反射層付基板を、大気雰囲気下、１４０±４℃の範囲内で２０分間加熱処理した。
【００７４】
そして、加熱処理の実施前後に、ＥＵＶＬ用反射層付基板の表面および裏面の平坦度を測定した。ここで、ＥＵＶＬ用反射層付基板の表面とは保護層１３の表面を指す。一方、ＥＵＶＬ用反射層付基板の裏面とは、基板１１の裏面側に形成されたＣｒ膜の表面を指す。平坦度の測定には、フィゾー型レーザ干渉式平坦度測定機（Ｆｕｊｉｎｏｎ社製Ｇ３１０Ｓ）を用いた。
【００７５】
また、加熱処理の実施前後に、保護層１３表面にＥＵＶ光（波長１３．５７ｎｍ）を照射し、保護層１３の面内１７点でのＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製）を用いて測定し、ＥＵＶ反射率の平均値を求めた。なお、波長１３．５７ｎｍのＥＵＶ光は、保護層１３表面に入射角度６度で照射して測定した。
【００７６】
実施例２
本実施例では、図１に示すＥＵＶマスクブランク１を作製する。
本実施例におけるＥＵＶマスクブランク１のうち、基板１１は実施例１と同じものを用い、さらに、基板１１裏面側の導電性コーティングとなるＣｒ層、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層１２）、保護層１３となるＲｕ層は、実施例１と同じ条件下で形成する。
【００７７】
次に、保護層１３上に、吸収体層１４としてＴａＮ層を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成する。
ＴａＮ層を成膜条件は以下のとおりである。
ＴａＮ層の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：８６ｖｏｌ％、Ｎ2：１４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：１５０Ｗ
成膜速度：７．２ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：６０ｎｍ
【００７８】
吸収体層１４の形成後のＥＵＶマスクブランクを、大気雰囲気下、１４０±４℃の範囲内に制御して２０分間加熱処理する。なお、温度はＥＵＶマスクブランク表面の温度であり、加熱時間は、ＥＵＶマスクブランク表面の温度を１４０±４℃の範囲内に保持する時間である。
また、吸収体層１４となるＴａＮ上に形成された表面酸化膜、即ち、ＴａＯＮについてＲｉｇａｋｕ社製の高機能薄膜Ｘ線反射率膜厚測定装置を用いて、Ｘ線反射率測定法によりその膜厚を計測すると、２ｎｍ程度となる。
【００７９】
そして、加熱処理の実施前後に、ＥＵＶマスクブランクの表面および裏面の平坦度を測定する。ここで、ＥＵＶマスクブランクの表面とは吸収体層１４の表面を指す。一方、ＥＵＶマスクブランクの裏面とは、基板１１の裏面側に形成されたＣｒ膜の表面を指す。平坦度の測定には、フィゾー型レーザ干渉式平坦度測定機（Ｆｕｊｉｎｏｎ社製、商品名：Ｇ３１０Ｓ）を用いると、後述する、実施例１の平坦度の差分と同程度の値が得られる。
【００８０】
実施例３
本実施例では、図２に示すＥＵＶマスクブランク１´を作製する。
本実施例におけるＥＵＶマスクブランク１´のうち、基板１１は実施例１と同じものを用い、さらに、基板１１裏面側の導電性コーティングとなるＣｒ層、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層１２）、保護層１３となるＲｕ層は、実施例１と同じ条件下で形成し、吸収体層１４となるＴａＮは、実施例２と同じ条件下で形成する。
【００８１】
次に、吸収体層１４上に、低反射層１５としてＴａＯＮ層を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成する。
ＴａＯＮ層の成膜条件は以下のとおりである。
ＴａＯＮ層の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＯ2およびＮ2の混合ガス（Ａｒ：４９ｖｏｌ％、Ｏ2：３７ｖｏｌ％、Ｎ2：１４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：２５０Ｗ
成膜速度：２．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：８ｎｍ
【００８２】
低反射層１５の形成後のＥＵＶマスクブランクを、大気雰囲気下、１４０±４℃の範囲内に制御して２０分間加熱処理する。なお、温度はＥＵＶマスクブランク表面の温度であり、加熱時間は、ＥＵＶマスクブランク表面の温度を１４０±４℃の範囲内に保持する時間である。
【００８３】
そして、加熱処理の実施前後に、ＥＵＶマスクブランクの表面および裏面の平坦度を測定すると、加熱前後の平坦度の差分は、後述する計測値と同程度となる。
また、低反射層１５となるＴａＯＮ上に形成された表面酸化膜についてＲｉｇａｋｕ社製の高機能薄膜Ｘ線反射率膜厚測定装置を用いて、Ｘ線反射率測定法によりその膜厚を計測すると、約２ｎｍとなる。
【００８４】
比較例１
Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成するＭｏ膜およびＳｉ膜の成膜条件を下記条件とした以外は、実施例１と同様の手順を実施した。
Ｍｏ膜の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：３．８４ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２．３ｎｍ
Ｓｉ膜の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：４．６２ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：４．５ｎｍ
実施例１と同様の手順で保護層１３まで形成した後、窒素雰囲気下、１４０±４℃の範囲内で２０分間加熱処理した。
そして、加熱処理実施前後に、実施例１と同様の手順で、平坦度測定およびＥＵＶ反射率測定を実施した。
【００８５】
加熱処理実施前後での平坦度の差分を以下に示す。
実施例１
表面  ０．５５μｍ
裏面  ０．６６μｍ
比較例１
表面  ０．１８μｍ
裏面  ０．２２μｍ
加熱処理実施前後での平坦度の差分は、膜応力によって生じた基板１１の反りが加熱処理によってどの程度緩和されたかを示している。両者の比較から明らかなように、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が水素を含有する実施例１では、加熱処理による基板の反りを緩和する効果が向上した。
【００８６】
加熱処理実施前後でのＥＵＶ反射率（平均値）の変化を以下に示す。
【表１】
2013122952.tif 000002
少なくとも、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が水素を含有する実施例１では、加熱処理によるＥＵＶ反射率の低下は認められなかった。
【符号の説明】
【００８７】
１，１´：ＥＵＶマスクブランク
１１：基板
１２：反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）
１３：保護層
１４：吸収体層
１５：低反射層
【図１】
2013122952.tif 000003
【図２】
2013122952.tif 000004