(57)【要約】【課題】マスクブランクスを安価に提供することが可能な方法を提供する。【解決手段】実施形態に係るマスクブランクスのシミュレーション情報の提供方法は、基板上に形成され露光光を反射するマルチレイヤミラーと、マルチレイヤミラー上に形成され露光光を吸収する光吸収層とを備え、マスクブランクスの位相欠陥に基づく欠陥情報を取得する工程Ｓ１３と、欠陥情報を用いて、少なくとも１以上のリソグラフィシミュレーション条件でリソグラフィシミュレーションを行う工程Ｓ１４と、リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果を顧客に提供するために、リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果及び少なくとも１以上のリソグラフィシミュレーション条件をマスクブランクスの識別情報とともに記憶する工程Ｓ１５とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され露光光を反射するマルチレイヤミラーと、前記マルチレイヤミラー上に形成され前記露光光を吸収する光吸収層とを備えたマスクブランクスのシミュレーション情報の提供方法であって、
前記マスクブランクスの位相欠陥に基づく欠陥情報を取得する工程と、
前記欠陥情報を用いて、少なくとも１以上のリソグラフィシミュレーション条件でリソグラフィシミュレーションを行う工程と、
前記リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果を顧客に提供するために、前記リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果及び前記少なくとも１以上のリソグラフィシミュレーション条件を前記マスクブランクスの識別情報とともに記憶する工程と、
を備え、
前記リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果は、前記位相欠陥の影響を定量化することで得られた値を含み、
前記欠陥情報は、前記位相欠陥の位置情報及び前記位相欠陥の形状情報を含み、
前記リソグラフィシミュレーション条件は、前記マスクブランクスを用いて作製したマスクでパターンを転写する際の露光条件と、前記マスクブランクスに形成されるパターンに関する条件とを含み、
前記リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果及び前記少なくとも１以上のリソグラフィシミュレーション条件を前記マスクブランクスの識別情報とともに記憶する際に、前記欠陥情報をさらに記憶する
ことを特徴とするマスクブランクスのシミュレーション情報の提供方法。
【請求項２】
基板上に形成され露光光を反射するマルチレイヤミラーと、前記マルチレイヤミラー上に形成され前記露光光を吸収する光吸収層とを備えたマスクブランクスのシミュレーション情報の提供方法であって、
前記マスクブランクスの位相欠陥に基づく欠陥情報を取得する工程と、
前記欠陥情報を用いて、少なくとも１以上のリソグラフィシミュレーション条件でリソグラフィシミュレーションを行う工程と、
前記リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果を顧客に提供するために、前記リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果及び前記少なくとも１以上のリソグラフィシミュレーション条件を前記マスクブランクスの識別情報とともに記憶する工程と、
を備えたことを特徴とするマスクブランクスのシミュレーション情報の提供方法。
【請求項３】
前記リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果は、前記位相欠陥の影響を定量化することで得られた値を含む
ことを特徴とする請求項２に記載された方法。
【請求項４】
前記欠陥情報は、前記位相欠陥の位置情報及び前記位相欠陥の形状情報を含む
ことを特徴とする請求項２に記載された方法。
【請求項５】
前記位相欠陥の形状情報は、前記位相欠陥のサイズ、高さ、深さ及びスロープの少なくとも１つに関する情報を含む
ことを特徴とする請求項４に記載された方法。
【請求項６】
前記リソグラフィシミュレーション条件は、前記マスクブランクスを用いて作製したマスクでパターンを転写する際の露光条件を含む
ことを特徴とする請求項２に記載された方法。
【請求項７】
前記露光条件は、露光量、露光光の照明形状、露光光のフォーカス位置、露光光の入射角度及び露光光のフレア量の少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項６に記載された方法。
【請求項８】
前記リソグラフィシミュレーション条件は、前記マスクブランクスに形成されるパターンに関する条件を含む
ことを特徴とする請求項２に記載された方法。
【請求項９】
前記パターンに関する条件には、パターンサイズ、パターンの種類及びパターン位置の少なくとも１つが含まれる
ことを特徴とする請求項８に記載された方法。
【請求項１０】
前記リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果及び前記少なくとも１以上のリソグラフィシミュレーション条件を前記マスクブランクスの識別情報とともに記憶する際に、前記欠陥情報をさらに記憶する
ことを特徴とする請求項２に記載された方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、マスクブランクスのシミュレーション情報の提供方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化に対して、ＥＵＶ（extreme ultraviolet）光を用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィに用いられるフォトマスクは反射型のフォトマスクであり、ＥＵＶリソグラフィ用のマスクブランクスは、基板上に形成された薄膜を積層させたマルチレイヤミラー（反射層）と、マルチレイヤミラー上に形成された光吸収層とを有している。
【０００３】
ＥＵＶリソグラフィ用のマスクブランクスでは、基板表面に微小な欠陥が存在すると、その欠陥がマルチレイヤミラーに反映され、マルチレイヤミラーの表面に凹部或いは凸部が形成される。マルチレイヤミラーの表面に凹部或いは凸部が存在すると、マルチレイヤミラーの表面でＥＵＶ光が反射する際に位相差が生じる。反射光に位相差があると、光量の強度変化が生じ、パターンの転写特性に悪影響を及ぼす。このように、マルチレイヤミラーの表面で光が反射する際に位相差を生じさせるような欠陥は、一般に位相欠陥と呼ばれている。
【０００４】
上述したように、位相欠陥はパターンの転写特性に悪影響を及ぼすため、理想的には位相欠陥のないマスクブランクスを用いることが好ましい。しかしながら、ＥＵＶリソグラフィ用のマスクブランクスの製造工程は長く複雑であるため、位相欠陥のないマスクブランクスだけを選別しようとすると、歩留まりが非常に低くなり、マスクブランクスの価格が非常に高くなってしまう。
【０００５】
したがって、マスクブランクスを安価に提供することが可能な方法が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−６２６３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
マスクブランクスを安価に提供することが可能な方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態に係るマスクブランクスのシミュレーション情報の提供方法は、基板上に形成され露光光を反射するマルチレイヤミラーと、前記マルチレイヤミラー上に形成され前記露光光を吸収する光吸収層とを備えたマスクブランクスのシミュレーション情報の提供方法であって、前記マスクブランクスの位相欠陥に基づく欠陥情報を取得する工程と、前記欠陥情報を用いて、少なくとも１以上のリソグラフィシミュレーション条件でリソグラフィシミュレーションを行う工程と、前記リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果を顧客に提供するために、前記リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果及び前記少なくとも１以上のリソグラフィシミュレーション条件を前記マスクブランクスの識別情報とともに記憶する工程と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態の方法を示したフローチャートである。
【図２】実施形態の方法を実施するためのシステム構成を模式的に示したブロック図である。
【図３】マスクブランクスの構成を模式的に示した図である。
【図４】マスクブランクスの位相欠陥を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態を図面を参照して説明する。
【００１１】
図１は、本実施形態の方法を示したフローチャートである。図２は、本実施形態の方法を実施するためのシステム構成を模式的に示したブロック図である。
【００１２】
ステップＳ１１では、顧客からマスクブランクスの注文を受ける。このマスクブランクスは、ＥＵＶリソグラフィ用の反射型フォトマスクに用いるマスクブランクスである。顧客からの注文は、図２に示した通信回線１１を介して受け取ってもよい。この場合には、通信回線１１からの注文情報は、入出力部（インターフェース等）１２を介して処理／制御部（コンピュータ等）１３に入力される。
【００１３】
ステップＳ１２では、マスクブランクスの製造を行う。すなわち、処理／制御部１３からの指示に基づき、製造部門１４でマスクブランクスの製造が行われる。図３は、製造されたマスクブランクスの構成を模式的に示した図である。マスクブランクスは、基板２１上に形成され露光光を反射するマルチレイヤミラー（反射層）２２と、マルチレイヤミラー２２上に形成され露光光を吸収する光吸収層２３とを備えている。マルチレイヤミラーは薄膜を数十層積層した構造であるが、図面では単純化して示している。
【００１４】
ステップＳ１３では、製造されたマスクブランクスの欠陥情報を欠陥情報取得部１５によって取得する。特に、マスクブランクスの位相欠陥に基づく欠陥情報を取得する。具体的には、検査装置によってマスクブランクスを検査して位相欠陥を抽出し、抽出された位相欠陥の欠陥情報を取得する。
【００１５】
図４は、マスクブランクスの位相欠陥を模式的に示した図である。例えば、基板２１の表面に欠陥３１が存在すると、欠陥３１がマルチレイヤミラー２２及び光吸収層２３に反映され、位相欠陥３２が生成される。なお、図では、凸状の位相欠陥を示したが、凹状の位相欠陥が生じる場合もある。
【００１６】
欠陥情報には、位相欠陥の位置情報及び位相欠陥の形状情報が含まれる。具体的には、マスクブランクス上の位相欠陥位置の座標が、位相欠陥の位置情報として取得される。位相欠陥の形状情報には、図４に示されるように、位相欠陥のサイズ、高さ、深さ及びスロープの少なくとも１つに関する情報が含まれる。位相欠陥のサイズは、マスクブランクスの平面方向における欠陥のサイズであり、例えば位相欠陥の縦方向の長さ及び横方向の長さで表される。位相欠陥の高さは、マスクブランクスの水平面（水平な表面）からの高さで表される。位相欠陥の深さは、マスクブランクスの水平面から位相欠陥の原因となる欠陥までの深さで表される。図では、基板２１の表面に位相欠陥の原因となる欠陥２１が存在する場合を示しているが、マルチレイヤミラー２２のマルチレイヤ構造の途中に欠陥（欠陥Ａとする）が存在する場合には、位相欠陥の深さは欠陥Ａまでの深さで表される。位相欠陥のスロープは、例えば位相欠陥の側面の傾斜角度で表される。
【００１７】
ステップＳ１４では、シミュレーション部１６で、上述した欠陥情報を用いて、少なくとも１以上のリソグラフィシミュレーション条件でリソグラフィシミュレーションを行う。通常は、２以上のリソグラフィシミュレーション条件でリソグラフィシミュレーションを行うことが好ましい。リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果には、後述する例に示されるように、位相欠陥の影響を定量化することで得られた値（光量変化値、寸法変動値等）が含まれる。リソグラフィシミュレーションは、例えば、一般的なパターン（ラインアンドスペースパターン、ホールパターン等）を用いて行う。或いは、顧客から提供されたパターンを用いてリソグラフィシミュレーションを行うようにしてもよい。
【００１８】
リソグラフィシミュレーション条件には、マスクブランクスを用いて作製したマスクでパターンを転写する際の露光条件と、マスクブランクスに形成されるパターンに関する条件とが含まれる。
【００１９】
まず、露光条件を変化させてリソグラフィシミュレーションを行う場合について説明する。露光条件には、露光量、露光光の照明形状、露光光のフォーカス位置、露光光の入射角度及び露光光のフレア量の少なくとも１つが含まれる。以下、露光光の照明形状を変えて、リソグラフィシミュレーションを行う場合について説明する。
【００２０】
ＥＵＶリソグラフィ用のマスクブランクスに存在する位相欠陥がパターン転写時（露光時）に悪影響を及ぼすか否かは、露光条件に大きく依存する。特に、照明形状が異なると、転写特性に大きな違いが生じる場合がある。例えば、通常照明を用いたときには半導体ウェハに転写される位相欠陥が、ダイポール照明等の斜入射照明（off axis illumination）を用いたときには転写されない場合がある。そこで、複数の照明形状それぞれについてリソグラフィシミュレーションを行う。例えば、通常照明、輪帯照明及びダイポール照明それぞれについてリソグラフィシミュレーションを行い、位相欠陥に起因した光量変化を算出する。その結果、例えば、光量変化が通常照明では１０％、輪帯照明では８％、ダイポール照明では３％、といったシミュレーション結果が得られる。マスクブランクスに存在する全ての位相欠陥について、このような光量変化のシミュレーションを行う。その結果、複数の照明形状に対する複数のシミュレーション結果が得られる。
【００２１】
次に、マスクブランクスに形成されるパターンに関する条件を変化させてリソグラフィシミュレーションを行う場合について説明する。パターンに関する条件には、パターンサイズ（パターンの最小線幅等）、パターンの種類（ラインアンドスペースパターン、ホールパターン等）及びパターン位置（マスクブランクス上のパターンの位置等）の少なくとも１つが含まれる。
【００２２】
第１の例として、パターンサイズ及びパターンの種類の少なくとも一方を変化させてリソグラフィシミュレーションを行う場合について説明する。
【００２３】
ＥＵＶリソグラフィ用のマスクブランクスに存在する位相欠陥がパターン転写時（露光時）に悪影響を及ぼすか否かは、パターンサイズやパターンの種類に大きく依存する。例えば、４０ｎｍの線幅を有するパターンを転写する場合と、３０ｎｍの線幅を有するパターンを転写する場合とでは、位相欠陥の影響が異なる。すなわち、パターンサイズが異なると、ウェア上でのパターンのコントラストが異なり、位相欠陥の転写特性も異なる。また、ラインアンドスペースパターンのようなライン系パターンを転写する場合と、コンタクトホールパターンのようなホール系パターンを転写する場合とでは、位相欠陥の影響が異なる。そこで、パターンサイズ及び／又はパターンの種類が異なる複数のパターンそれぞれについてリソグラフィシミュレーションを行う。そして、位相欠陥に起因した寸法変動を算出する。マスクブランクスに存在する全ての位相欠陥について、このようなシミュレーションを行う。その結果、複数のパターンに対する複数のシミュレーション結果が得られる。
【００２４】
第２の例として、パターン位置を変化させてリソグラフィシミュレーションを行う場合について説明する。
【００２５】
ＥＵＶリソグラフィ用のマスクブランクスに存在する位相欠陥がパターン転写時（露光時）に悪影響を及ぼすか否かは、パターン位置と欠陥位置との相対的な関係に大きく依存する。例えば、ラインアンドスペースパターンを例に説明すると、スペース部のエッジに欠陥が存在する場合と、スペース部の中央に欠陥が存在する場合とでは、位相欠陥の影響が異なる。そこで、欠陥位置に対する複数のパターン位置それぞれについてリソグラフィシミュレーションを行う。そして、位相欠陥に起因した寸法変動を算出する。マスクブランクスに存在する全ての位相欠陥について、このようなシミュレーションを行う。その結果、複数のパターン位置に対する複数のシミュレーション結果が得られる。
【００２６】
Ｓ１５のステップでは、リソグラフィシミュレーションのシミュレーション条件及びシミュレーション結果をマスクブランクスの識別情報とともに記憶する。すなわち、シミュレーション条件及びシミュレーション結果は、マスクブランクスの識別情報（識別番号等）とともに、処理／制御部１３を介して記憶部１７に記憶される。具体的には、製造された各マスクブランクスについて、マスクブランクスの識別情報、シミュレーション条件及びシミュレーション結果（光量変化や寸法変動等）が記憶部１７に記憶される。なお、シミュレーション結果等を記憶部１７に記憶する際に、マスクブランクスの欠陥情報（位相欠陥の位置情報、位相欠陥の形状情報）をさらに記憶するようにしてもよい。
【００２７】
Ｓ１６のステップでは、記憶部１７に記憶された情報（マスクブランクスの識別情報、シミュレーション結果、シミュレーション条件、マスクブランクスの欠陥情報等）を出力する。出力された情報は顧客に提供される。このとき、記憶部１７に記憶された情報を、入出力部１２を介して通信回線１１に送出するようにしてもよい。この場合、顧客は、通信回線１１を介して提供された情報を受け取る。また、記憶部１７に記憶された情報を磁気記録媒体や光学記録媒体等の記録媒体に記録し、この記録媒体を顧客に提供するようにしてもよい。
【００２８】
顧客は、提供された情報から、マスクブランクスの購入判断を行うことができる。すなわち、顧客は、製造すべきフォトマスクの仕様（パターンサイズ、パターンの種類、パターン位置等）や露光条件（露光量、露光光の照明形状、露光光のフォーカス位置、露光光の入射角度、露光光のフレア量等）に応じて、当該フォトマスクの製造に適用可能なマスクブランクスであるか否かを判断することが可能である。
【００２９】
例えば、あるマスクブランクスのシミュレーション結果において、通常照明では光量変化が１０％、ダイポール照明では光量変化が３％であったとする。この場合、製造すべきフォトマスクの許容可能な光量変化が８％であり、使用する照明形状が通常照明あるとすると、当該マスクブランクスは使用できないと判断される。一方、製造すべきフォトマスクの許容可能な光量変化が４％であり、使用する照明形状がダイポール照明であるとすると、当該マスクブランクスを使用することが可能であると判断される。
【００３０】
また、あるマスクブランクスのシミュレーション結果において、４０ｎｍの線幅を有するパターンについては位相欠陥による寸法変動が許容範囲内であり、３０ｎｍの線幅を有するパターンについては位相欠陥による寸法変動が許容範囲外であるとする。この場合、製造すべきフォトマスクの最小線幅が４０ｎｍであれば、当該マスクブランクスを使用することが可能であると判断される。また、あるマスクブランクスのシミュレーション結果において、ラインアンドスペースパターンについては位相欠陥による寸法変動が許容範囲内であり、ホールパターンについては位相欠陥による寸法変動が許容範囲外であるとする。この場合、製造すべきフォトマスクがラインアンドスペースパターンであれば、当該マスクブランクスを使用することが可能であると判断される。
【００３１】
また、製造すべきフォトマスクのパターンレイアウトにおいて、光吸収層のパターン部分の下に位相欠陥が位置しているというシミュレーション結果が得られたとする。光吸収層で形成されるパターンの下に位相欠陥が位置している場合には、位相欠陥がパターン寸法に影響を及ぼさないため、当該マスクブランクスを使用することが可能であると判断される。
【００３２】
このようにして、顧客は使用可能なマスクブランクスを選定することができる。そして、顧客は選定したマスクブランクスをマスクブランクスメーカーに発注する。このとき、通信回線を介して発注を行ってもよい。マスクブランクスメーカーは顧客からの注文を受け取り、注文されたマスクブランクスを顧客に提供する。
【００３３】
なお、リソグラフィシミュレーションを行うためには、一般に複数のパラメータ（露光条件に関するパラメータ、パターンに関するパラメータ）が必要である。そのため、全てのパラメータそれぞれについて条件を変えてシミュレーションを行うと、シミュレーション数が多くなってしまう。一方、顧客は、マスクブランクスを発注するときには、露光条件に関するパラメータ（（露光量、照明形状、フォーカス位置等）やパターンに関するパラメータ（パターンサイズ、パターンの種類、パターン位置等）のいくつかをすでに決めている場合が多い。そこで、顧客からマスクブランクスの注文を受ける際に、すでに決められているパラメータに関する情報も併せて知らせてもらうようにする。そして、その他のパラメータについて条件を変えてシミュレーションを行うようにしてもよい。このようにすることで、シミュレーション数を減少させることが可能である。
【００３４】
以上のように、本実施形態では、マスクブランクスの位相欠陥に基づく欠陥情報を用いてリソグラフィシミュレーションを行い、リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果を顧客に提供するために、リソグラフィシミュレーションのシミュレーション条件及びシミュレーション結果をマスクブランクスの識別情報とともに記憶する。したがって、顧客は記憶されたシミュレーション結果（提供されたシミュレーション結果）から、マスクブランクスの購入判断を行うことができる。すなわち、顧客は、シミュレーションの行われた各マスクブランクスについて、製造すべきフォトマスクの仕様や露光条件をシミュレーション条件及びシミュレーション結果と照らし合わせ、各マスクブランクスが製造すべきフォトマスクに適用可能か否かを判断することができる。
【００３５】
従来は、マスクブランクスメーカーが独自の判断でマスクブランクスの良否を判断していた。そのため、フォトマスクの仕様や露光条件によっては使用可能なマスクブランクスであっても、所定の条件を満たさないマスクブランクスは廃棄されていた。このように、マスクブランクスメーカーが独自の判断で、所定の条件を満たすマスクブランクスだけを選別していたため、マスクブランクスの歩留まりが非常に低くなり、マスクブランクスの価格が高くなる大きな要因となっていた。
【００３６】
本実施形態では、リソグラフィシミュレーションのシミュレーション結果を顧客に提供することにより、従来は廃棄されていたマスクブランクスであっても、顧客は顧客自身の判断で購入の適否を判断することが可能である。そのため、マスクブランクスの歩留まりが結果的に高くなり、マスクブランクスを安価に提供することが可能となる。
【００３７】
また、シミュレーション結果には、位相欠陥の影響を定量化することで得られた値（例えば、光量変化値や寸法変動値）が含まれる。そのため、顧客は、マスクブランクスの購入の適否を的確に判断することが可能である。
【００３８】
なお、上述した実施形態では、顧客からマスクブランクスの注文を受け、その顧客に対してのみシミュレーション情報を提供するようにしていたが、以下のような変更例の方法も可能である。
【００３９】
変更例では、不特定多数の顧客を対象にして、上述した方法と同様の方法を行う。基本的なフローチャート及びシステム構成は、図１及び図２に示したものと同様である。
【００４０】
本変更例では、図１のステップＳ１２からＳ１６が行われる。すなわち、顧客から注文を受けずに、マスクブランクスの製造及びリソグラフィシミュレーション等を行う。そして、Ｓ１６のステップにおいて、記憶部１７に記憶された情報（マスクブランクスの識別情報、シミュレーション結果、シミュレーション条件、マスクブランクスの欠陥情報等）を顧客に提供するために、記憶部１７に記憶された情報を、入出力部１２を介して通信回線１１に送出する。
【００４１】
顧客は、通信回線１１を介して受信した情報から、マスクブランクスの購入判断を行うことができる。このようにして、顧客は使用可能なマスクブランクスを選定することができる。そして、顧客は選定したマスクブランクスを、通信回線１１を介してマスクブランクスメーカーに発注する。マスクブランクスメーカーは、通信回線１１から送られてくる注文情報を、入出力部１２を介して受信し、注文されたマスクブランクスを顧客に提供する。
【００４２】
本変更例においても、上述した実施形態と同様の効果を得ることが可能である。また、本変更例では、不特定多数の顧客に対してシミュレーション情報を提供するため、より多くのマスクブランクスを廃棄せずに救済することが可能となる。その結果、マスクブランクスの歩留まりをより高めることができ、マスクブランクスをより安価に提供することが可能となる。
【００４３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４４】
１１…通信回線      １２…入出力部      １３…処理／制御部
１４…製造部門      １５…欠陥情報取得部
１６…シミュレーション部      １７…記憶部
２１…基板      ２２…マルチレイヤミラー      ２３…光吸収層
３１…欠陥      ３２…位相欠陥
【図１】
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【図２】
2013251441.tif 000004
【図３】
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【図４】
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