(57)【要約】【課題】半導体デバイスの加工において、新たな設備改良、消耗品の導入を行うことなく、半導体デバイスへの切削屑の付着を防いでダイシング可能な粘着テープを提供する。【解決手段】一括封止されたパッケージをダイシングして、個片化し、個々のパッケージに分割する際に、一括封止されたパッケージを固定するために用いられる粘着テープ１であって、基材フィルム３上に紫外線硬化型粘着剤層５を有しており、紫外線照射前の粘着剤層５表面は、純水に対する接触角が１１５°以下であり、且つ、ヨウ化メチレンに対する接触角が６５°以下である。【選択図】図１
2013093519.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムの少なくとも片面に紫外線硬化型粘着剤層が積層されてなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、
紫外線照射前の前記粘着剤層表面は、純水に対する接触角が１１５°以下であり、且つ、ヨウ化メチレンに対する接触角が６５°以下であることを特徴とする半導体デバイス加工用粘着テープ。
【請求項２】
紫外線照射前の前記粘着剤層は、プローブタック試験のピーク値が３００〜４００ｋＰａであることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス加工用粘着テープ。
【請求項３】
前記基材フィルムは、二層以上の複層構造であり、前記粘着剤層と接する第１の基材フィルム層の融点が、前記第１の基材フィルム層の前記粘着層側と反対面に接する第２の基材フィルム層の融点より低いことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体デバイス加工用粘着テープ。
【請求項４】
前記基材フィルムは、低密度ポリエチレン／ポリプロピレンランダムコポリマー／低密度ポリエチレンからなる三層構造であることを特徴とする請求項３記載の半導体デバイス加工用粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス加工用粘着テープに関する。さらに言えば、金属フレーム上に硬化樹脂層が形成され、一括封止されてなる半導体デバイスを、一つ一つに個片化し、分割するに際し、半導体デバイスを支持・固定するのに使用する固定用の粘着テープに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造において、回路パターンの形成された半導体ウエハを、粘着テープに貼着、固定した状態でチップ状にダイシングし、洗浄、乾燥後、ピックアップ工程を経て、半導体チップを得、半導体チップは、マウント工程、ボンディング工程等の後、硬化樹脂による封止によりパッケージ化される。
【０００３】
従来、硬化樹脂による封止に際しては、個々の半導体チップを個別に封止する方法が用いられてきたが、近年、一枚の基板上にボンディングされた複数の半導体チップを硬化樹脂で一括封止したものを更にダイシングして個片化することにより、個々の半導体デバイスを得る方式が盛んに行われている。
【０００４】
一方、携帯電話、携帯型コンピュータ、その他の小型電子機器の普及に伴って、これらに搭載する半導体装置の小型化・薄型化の要求が高まり、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｋａｇｅ）パッケージと並んで、リードフレームを用いた小型パッケージとして、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄ）やＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）パッケージが実用化されている。
【０００５】
このような、ＱＦＮパッケージ等の組み立てにおいても、封止金型の１つのキャビティで、リードフレーム等に搭載、配列された複数の半導体チップを一括して封止し、その後、一括封止部をリードフレームとともにダイシング用のブレードによって切断分離して個片化する、一括封止による組み立て方式が採用されている。
【０００６】
この組立方式では、通常（１）紫外線硬化型の粘着剤を用いたダイシングテープを介して一括封止されたパッケージをリングフレームへ固定、（２）ブレードダイシング、（３）紫外線照射、（４）ピックアップ工程を経て個片化されたパッケージが得られるが、ダイシング工程時に銅等の金属製のリードフレームがブレードにより切断されるため、切削屑として発生する金属粉の除去が課題となっている。
【０００７】
ダイシング時は、切削箇所に水を供給してブレードの冷却や切削屑の除去等を行うが、水を使用して切削屑の除去を行っても、全ての切削屑を取り除くのは難しく、除去できなかった切削屑が半導体デバイスやダイシングテープの粘着剤表面に付着してしまう。半導体デバイス上に付着した切削屑は、半導体デバイス性能を低下させたり、テスト工程においてテスターのピンを汚染したりするという問題がある。また、ダイシングテープ上に付着した切削屑は、紫外線硬化によって粘着剤が軽剥離化された際に粉塵として舞い上がり、半導体デバイスや装置を汚染するという問題がある。
【０００８】
この問題に対し、特許文献１では、特定の構造を持ったポリマーを添加した切削水用添加剤を用いることで、ダイシング時の切削屑の付着防止を図っている。
しかしながら、特許文献１記載の方法では、相応な装置改造が必要となり、また、従来は純水のみを使用していたところに、消耗品として切削水用添加剤が必要となることから、製造コストが上がるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−１３３０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、本発明が解決しようとする課題は、新たな設備改良、消耗品の導入を行うことなく、一括封止されたパッケージをダイシングする際に、切削屑の付着を防止できる半導体デバイス加工用粘着テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、粘着剤層の紫外線照射前における純水およびヨウ化メチレンに対する接触角が特定の範囲の値である粘着テープを用いることにより、半導体デバイスへの切削屑の付着を防止できることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。
すなわち本発明は、
（１）基材フィルムの少なくとも片面に紫外線硬化型粘着剤層が積層されてなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、紫外線照射前の前記粘着剤層表面は、純水に対する接触角が１１５°以下であり、且つ、ヨウ化メチレンに対する接触角が６５°以下であることを特徴とする半導体デバイス加工用粘着テープ、
（２）紫外線照射前の前記粘着剤層は、プローブタック試験のピーク値が３００〜４００ｋＰａであることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス加工用粘着テープ、
（３）前記基材フィルムは、二層以上の複層構造であり、前記粘着剤層と接する第１の基材フィルム層の融点が、前記第１の基材フィルム層の前記粘着層側と反対面に接する第２の基材フィルム層の融点より低いことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体デバイス加工用粘着テープ、
（４）前記基材フィルムは、低密度ポリエチレン／ポリプロピレンランダムコポリマー／低密度ポリエチレンからなる三層構造であることを特徴とする請求項３記載の半導体デバイス加工用粘着テープ、
である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、新たな設備改良、消耗品の導入を行うことなく、一括封止されたＱＦＮ等を個々に分割する際のダイシングにおいて、半導体デバイスへの切削屑の付着を防止することができる半導体デバイス加工用粘着テープを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体デバイス加工用粘着テープを説明する概略断面図。
【図２】（ａ）〜（ｅ）一括封止パッケージの個片化を説明する概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の実施態様を、図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の半導体デバイス加工用粘着テープの一例を示す断面図である。
【００１５】
本発明の粘着テープ１は、基材フィルム３と、その片面上に設けられた紫外線硬化型粘着剤層である粘着剤層５からなる。粘着テープ１は、一括封止された半導体デバイスを個片化する際に、封止樹脂層に対して貼着され、ダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられるものである。
【００１６】
粘着剤層５は、紫外線照射前の粘着剤層５表面の純水に対する接触角が、１１５°以下であり、且つ、ヨウ化メチレンに対する接触角が６５°以下である。本発明において、粘着剤層５表面の純水（またはヨウ化メチレン）に対する接触角とは、粘着剤層５表面と純水（またはヨウ化メチレン）との接触直後の接触角を意味する。この接触角は、温度２３℃、湿度５０％で測定した値である。測定は市販の接触角測定装置を用いて行うことができる。
【００１７】
粘着剤層５の紫外線照射前の粘着剤層５表面の純水に対する接触角は、１１５°以下であるが、好ましくは８０〜１１０°であり、より好ましくは９５〜１０５°である。粘着剤層５表面の紫外線照射前における純水に対する接触角を１１５°以下とし、粘着剤層５の親水性を高めることで、ダイシングの際にダイシングブレードにかき混ぜられることで形成される切削屑である金属と粘着剤の混合物、即ち金属粉と、切削水ならびに洗浄水の親和性が高まり、水によって洗い流されやすくなり、ダイシング時においては金属粉が半導体デバイス表面に付着することが防がれ、洗浄時には半導体デバイス表面に付着した金属粉を除去しやすくなる。
【００１８】
粘着剤層５表面の紫外線照射前におけるヨウ化メチレンに対する接触角は、６５°以下であるが、好ましくは３０〜６０°であり、より好ましくは４５〜５５°である。粘着剤層５の紫外線照射前におけるヨウ化メチレンに対する接触角を６５°以下とすることで、粘着剤層５の金属密着性が低下し、ダイシングの際にダイシングブレードにかき混ぜられることで形成される切削屑である金属と粘着剤との混合物の発生を抑制することができる他、半導体デバイス表面に付着した粘着剤に、ダイシング工程によって粉砕された金属が付着するのを防ぐことができる。
【００１９】
粘着剤層５は、紫外線照射前におけるプローブタックのピーク値が３００〜４００ｋＰａであることが好ましい。紫外線照射前におけるプローブタックのピーク値を３００〜４００ｋＰａとすることで、ダイシング中に半導体デバイスが飛散することを抑制でき、且つ、半導体デバイスが貼着されていない粘着テープ１の粘着剤露出部への切削屑の付着を抑制することができる。プローブタックのピーク値が３００ｋＰａ以下の場合はダイシング工程中に個片化された半導体デバイスを保持できずにチップ飛びを起こしてしまう恐れがあり、４００ｋＰａ以上の場合は半導体デバイスが貼着されていない粘着テープ１の粘着剤露出部への切削屑の付着が増加してしまう恐れがある。
【００２０】
粘着剤層５はダイシング中に半導体デバイスの飛散を抑制するのに十分な粘着性を有するものであればよく、粘着剤層５の紫外線照射前における粘着力は０．０５〜１．０Ｎ／ｍｍであることが好ましい。粘着力が０．０５Ｎ／ｍｍ以下の場合はダイシング工程中に個片化された半導体デバイスを保持できずにチップ飛びを起こしてしまう恐れがあり、一方、１．０Ｎ／ｍｍ以上では剥離の際に粘着剤の糊残りを発生してしまう恐れがある。
【００２１】
粘着剤層５の厚さは８〜３２μｍ、より好ましくは１５〜２５μｍである。粘着剤層５の厚さが薄すぎると半導体デバイスの保持に十分な粘着力を得ることができず、また、粘着剤層５の厚さが厚すぎると、半導体デバイスの切断面の品質悪化、半導体デバイス側面への糊残りといった問題が生じる。
【００２２】
粘着剤層５を構成する粘着剤は、紫外線硬化型粘着剤であり、粘着剤層５表面の紫外線照射前における純水に対する接触角が１１５°以下であり、且つ、ヨウ化メチレンに対する接触角が６５°以下であれば特に制限はなく、従来公知の粘着剤の中から適宜選択して用いることができる。例えば天然ゴムや合成ゴム等を用いたゴム系粘着剤、ポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステルや（メタ）アクリル酸アルキルエステルと他のモノマーとの共重合体等を用いたアクリル系粘着剤、その他ポリウレタン系粘着剤やポリエステル系粘着剤やポリカーボネート系粘着剤などの一般的な粘着剤を用いることができ、これら一般的な粘着剤に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の紫外線硬化樹脂を配合した紫外線硬化型粘着剤の他、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有する炭素−炭素二重結合導入型アクリル系ポリマーを用いる紫外線硬化型粘着剤が例示できる。ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有する炭素−炭素二重結合導入型アクリル系ポリマーを用いた場合は、必ずしも、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の紫外線硬化樹脂を配合する必要はない。
【００２３】
粘着剤層５を構成する粘着剤としては、ポリ（メタ）アクリル酸エステルや（メタ）アクリル酸エステルと他のモノマーとの共重合体等（以後、総称してアクリルポリマーと記す）を用いたアクリル系粘着剤が好ましい。
【００２４】
前記アクリルポリマーの構成成分として、（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル；（メタ）アクリル酸シクロヘキシル等の（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル；（メタ）アクリル酸フェニル等の（メタ）アクリル酸アリールエステルなどが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２５】
前記アクリルポリマーを製造する方法としては、特に制限されないが、架橋剤により重量平均分子量を高めたり、縮合反応または付加反応により紫外線硬化性炭素−炭素二重結合を導入したりするために、水酸基やカルボキシル基、グリシジル基などの官能基を有することが好ましい。
【００２６】
アクリルポリマーへの紫外線硬化性炭素−炭素二重結合の導入は、アクリルポリマーの構成成分と、官能基を有するモノマーを用いて共重合して、官能基を有するアクリルポリマーを調製した後、官能基を有するアクリルポリマー中の官能基と反応し得る官能基と炭素−炭素二重結合とを有する化合物を、官能基を有するアクリルポリマーに、炭素−炭素二重結合の紫外線硬化性（紫外線重合性）を維持した状態で、縮合反応又は付加反応させることにより、調製することができる。
【００２７】
官能基を有するアクリルポリマーは、構成成分の（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつ水酸基、カルボキシル基、グリシジル基などの官能基を有するモノマー（共重合性モノマー）を共重合することによって得ることができる。（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつ水酸基を有するモノマーとしては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリルレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリルレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリルレート、６−ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリルレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつカルボキシル基を有するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸（アクリル酸、メタクリル酸）、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつグリシジル基を有するモノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００２８】
官能基と反応し得る官能基と炭素−炭素二重結合とを有する化合物としては、縮合反応または付加反応の対象となる官能基が水酸基である場合には、２−イソシアナトエチル（メタ）アクリレート、１，１−（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネートなどが挙げられる。縮合反応または付加反応の対象となる官能基がカルボキシル基である場合には、グリシジルメタクリレートやアリルグリシジルエーテル等が挙げられる。縮合反応または付加反応の対象となる官能基がグリシジル基である場合には、（メタ）アクリル酸などの不飽和カルボン酸等が挙げられる。
【００２９】
アクリルポリマーは、半導体デバイス等の被加工物の汚染防止などの観点から、低分子量物の含有量が少ないものが好ましい。この観点から、アクリルポリマーの重量平均分子量としては、１０万以上であることが好ましく、さらには２０万〜２００万であることが好適である。アクリルポリマーの重量平均分子量が、小さすぎると、半導体デバイスなどの被加工物に対する汚染防止性が低下し、大きすぎると粘着剤層５を形成するための粘着剤組成物の粘度が極めて高くなり、粘着テープ１の製造が困難となる。
【００３０】
また、アクリルポリマーは粘着性発現の観点から、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、更に好ましくは、−６５℃〜−２０℃である。ガラス転移点が低すぎると、ポリマーの粘度が低くなり、安定した塗膜形成が困難となり、ガラス転移点が高すぎると、粘着剤が硬くなり、被着体に対する濡れ性が悪化する。
【００３１】
前記アクリルポリマーは単独で用いても良いし、相溶性の許す限り２種以上のアクリルポリマーを混合して用いても良い。
【００３２】
一般的な粘着剤に配合して粘着剤層５に用いる紫外線硬化型樹脂は特に限定されるものではないが、例として、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸オリゴマーおよびイタコン酸オリゴマーのように水酸基あるいはカルボキシル基などの官能基を有するオリゴマーを挙げることができる。
【００３３】
また本発明に用いられる粘着剤中に光重合開始剤を配合することができる。光重合開始剤としては、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフエノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタノール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン、２−ヒドロキシメチルフエニルプロパン等をあげることができる。これらの内の少なくとも１種を粘着剤中に添加することによって、粘着剤層５の硬化反応を効率良く進行させることができ、それによって半導体デバイスの固定粘着力を適度に低下させることができる。
【００３４】
光重合開始剤の添加量は、前記紫外線硬化型樹脂１００質量部に対して０．５〜１０質量部とするのが良い。ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有する炭素―炭素二重結合導入型アクリル系ポリマーを用いた場合は、炭素―炭素二重結合導入型アクリル系ポリマー１００質量部に対して０．５〜１０質量部とするのが良い。
【００３５】
さらに本発明に用いられる粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
【００３６】
粘着剤層５の粘着性は、粘着材料の架橋密度を制御することにより適宜制御可能である。粘着材料の架橋密度の制御は、例えば多官能イソシアネート系化合物やエポキシ系化合物、メラミン系化合物や金属塩系化合物、金属キレート系化合物やアミノ樹脂系化合物や過酸化物などの適宜な架橋剤を介して架橋処理する方式、炭素−炭素二重結合を２個以上有する化合物を混合し、エネルギー線の照射等により架橋処理する方式などの適宜な方式で行うことができる。
【００３７】
粘着剤層５の紫外線照射前の粘着剤層５表面の純水およびヨウ化メチレンに対する接触角は、アクリルポリマーのコモノマー比率を調整する他、添加剤としてアルキレングリコールやポリアルキレングリコール、シリコーン樹脂等を配合することにより調整可能である。
【００３８】
基材フィルム３は、粘着剤層５に紫外線硬化型粘着剤を用いることから光透過性であることが必要となる以外は、従来公知の基材フィルムの中から適宜選択して用いることができる。具体的にはポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、およびポリブテンのようなポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、軟質ポリ塩化ビニル、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料が挙げられる。また、これらの群から選ばれる２種以上が混合されたものもしくは複層化されたものでもよく、粘着剤層５との接着性によって任意に選択することができる。
【００３９】
基材フィルム３は、二層以上の複層構造であることが好ましい。複層構造の場合、粘着剤層５と接する基材フィルム層（第１層）の融点が、基材フィルム層（第１層）の粘着剤層５側と反対面に接する基材フィルム層（第２層）の融点より低いものが好ましく、例えば第１層／第２層の組み合わせとしては、ポリエチレン／ポリプロピレンやエチレン酢酸ビニル共重合体／ポリエチレン、エチレン酢酸ビニル共重合体／ポリプロピレン等がある。特に低密度ポリエチレン／ポリプロピレンランダムコポリマー／低密度ポリエチレンの三層構造からなる基材フィルムが好ましい。基材フィルムを前記のような融点を持つ２層以上の複層構造とすることで、切削時の熱により柔軟化した基材フィルム（第１層）と切削屑である金属と粘着剤との混合物が、切削時においても比較的高い粘性を維持している基材フィルム（第２層）に固着され、外部に排出されにくくなることから、金属粉の発生を抑制することができる。
また基材フィルム３が三層以上で、基材フィルム（第２層）の基材フィルム(第１層)と反対面に接する基材フィルム（第３層）が、基材フィルム（第２層）よりも融点が低い場合は、ダイシングブレードの切込みは基材フィルム（第１層）を貫通し、基材フィルム（第３層）に到達しないことが重要である。
【００４０】
基材フィルム３の厚さは１００μｍ〜２００μｍが好ましく、特に１３０μｍ〜１７０μｍが好ましい。基材フィルムの（第１層）は５μｍ〜５０μｍが好ましく、特に１０〜３０μｍが好ましい。基材フィルム３の（第１層）が５０μｍよりも厚い場合、切削屑である金属と粘着剤との混合物の発生量が多く、基材フィルム（第２層）へ固着しきれずに外部へ排出され、金属粉の発生を抑制に繋がらない恐れがある。一方、基材フィルムの（第１層）が５μｍ未満の場合、基材フィルムの（第１層）（第２層）間の粘性差によるメカニズムが成立し難く、やはり金属粉の発生を抑制に繋がらない恐れがある。また、基材フィルム３が三層以上の場合は、（第２層）／（第３層）の界面から基材フィルムの粘着剤層５側と反対面までの厚さは５μｍ〜５０μｍが好ましく、特に１０〜３０μｍが好ましい。基材フィルム３が三層以上の場合、（第２層）／（第３層）の界面から基材フィルム３の粘着剤層５側と反対面までの厚さが５０μｍ以上である場合、ダイシングブレードの切込みが基材フィルム（第１層）を貫通し、基材フィルム（第３層）に到達しないようにした場合、切込みが浅く、半導体チップの形状に異常を来たす恐れがある。
【００４１】
粘着テープ１は、粘着剤層５を直接基材フィルム３上に塗布して形成する他、セパレータ６上に塗布した粘着剤層５を基材フィルムと貼り合わせることで基材フィルム３に転写することで作製することができる。
【００４２】
粘着テープ１の使用方法の一例について説明する。
図２に示すように、粘着テープ１の粘着剤層５を一括封止パッケージ１１に貼り付け、基材フィルム３を下にしてリングフレーム９でダイシング装置に固定する（図２（ａ））、次に、ダイシングブレード１３により所定のラインに沿って、一括封止パッケージ１１をフルカットして（図２（ｂ））、個片化し（図２（ｃ））、次に基板フィルム３側から紫外線照射１７を行い、粘着剤層５を硬化させて粘着力を低下させ（図２（ｄ））、その後ピックアップチャック１９によりピックアップを行い、個片化されたパッケージ１５を得る（図２（ｅ））。
【００４３】
以上、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、本願で開示した技術的思想の範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【実施例】
【００４４】
次に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４５】
実施例および比較例で使用した粘着剤組成物を、以下に示す。
粘着剤組成物（Ａ）
２−エチルヘキシルアクリレート（７０重量％）、メチルメタクリレート（１０重量％）、２−ヒドロキシエチルアクリレート（２０重量％）の共重合体（ガラス転移点：−５０℃）に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、また、触媒としてジラウリン酸ジブチルスズを加えて反応させることにより得られた、側鎖末端に炭素−炭素二重結合を有するアクリル重合体１００質量部に対して、光重合開始剤として商品名「イルガキュア６５１」（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）：２.５質量部と、ポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」日本ポリウレタン工業社製）：０.２質量部とを加えて、紫外線硬化型アクリル系粘着剤組成物（Ａ）を得た。
【００４６】
粘着剤組成物（Ｂ）
ｎ−ブチルアクリレート（６０重量％）、２−ヒドロキシエチルアクリレート（４０重量％）の共重合体（ガラス転移点：−４０℃）１００質量部に対して、紫外線硬化樹脂としてペンタエリスリトールトリアクリレートおよびイソホロンジイソシアネートを反応させて得た紫外線硬化性オリゴマー：５０質量部と、光重合開始剤として商品名「イルガキュア６５１」（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）：２.５質量部と、ポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」日本ポリウレタン工業社製）：０.２質量部とを加えて、紫外線硬化型アクリル系粘着剤組成物（Ｂ）を得た。
【００４７】
粘着剤組成物（Ｃ）
分子量１０００のポリプロピレングリコールを４．０質量部加えた以外は粘着剤組成（Ｂ）と同様とし、紫外線硬化型アクリル系粘着剤組成物（Ｃ）を得た。
【００４８】
粘着剤組成物（Ｄ）
ポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」日本ポリウレタン工業社製）の添加量を１．０質量部とした以外は粘着剤組成物（Ａ）と同様とし、紫外線硬化型アクリル系粘着剤組成物（Ｄ）を得た。
【００４９】
粘着剤組成物（Ｅ）
２−エチルヘキシルアクリレート（４７重量％）、メチルメタクリレート（３３重量％）、２−ヒドロキシエチルアクリレート（２０重量部）の共重合体（ガラス転移点：−２０℃）１００質量部に対して、紫外線硬化樹脂として２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびイソホロンジイソシアネートを反応させて得た紫外線硬化性オリゴマー５０質量部と、光重合開始剤として商品名「イルガキュア６５１」（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）２.５質量部と、ポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」日本ポリウレタン工業社製）０.２質量部とを加えて、紫外線硬化型アクリル系粘着剤組成物（Ｅ）を得た。
【００５０】
粘着剤組成物（Ｆ）
２−エチルヘキシルアクリレート（９０重量％）、２−ヒドロキシエチルアクリレート（１０重量％）の共重合体（ガラス転移点：−６５℃）に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを、触媒としてジラウリン酸ジブチルスズを加えて反応させることにより得られた、側鎖末端に炭素−炭素二重結合を有するアクリル重合体１００質量部に対して、光重合開始剤として商品名「イルガキュア６５１」（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）２.５質量部と、ポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」日本ポリウレタン工業社製）０.２質量部とを加えて、紫外線硬化型アクリル系粘着剤組成物（Ｆ）を得た。
【００５１】
粘着剤組成物（Ｇ）
分子量１０００のポリプロピレングリコールを４．０質量部加えた以外は粘着剤組成（Ｆ）と同様とし、紫外線硬化型アクリル系粘着剤組成物（Ｇ）を得た。
【００５２】
粘着剤組成物（Ｈ）
シリコーン化合物としてポリエーテル変性シリコーンオイル（商品名「ＳＦ８４２７」（東レ・ダウコーニング社製））０.５質量部を加えた以外は粘着剤組成（Ａ）と同様とし、紫外線硬化型アクリル系粘着剤組成物（Ｈ）を得た。
【００５３】
粘着剤組成物（Ｉ）
ポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」日本ポリウレタン工業社製）の添加量を１．０質量部とした以外は粘着剤組成（Ｆ）と同様とし、紫外線硬化型アクリル系粘着剤組成物（Ｉ）を得た。
【００５４】
実施例および比較例において使用した基材フィルムを以下に示す。
基材フィルム（イ）
ポリプロピレンランダムコポリマー（融点１４３℃）を、押出機を使用して押出加工、片面にコロナ放電処理を施すことにより、厚さ１５０μｍの基材フィルム（イ）を作成した。
【００５５】
基材フィルム（ロ）
エチレン酢酸ビニル共重合体（融点９０℃）を、押出機を使用して押出加工、片面にコロナ放電処理を施すことにより、厚さ１５０μｍの基材フィルム（ロ）を作成した。
【００５６】
基材フィルム（ハ）
エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）（融点９０℃）および低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）（融点１１１℃）を、押出機を使用して共押出加工、ＥＶＡ表面側にコロナ放電処理を施すことにより、２層構造の基材フィルム（ハ）を作成した。各層の厚さは、ＥＶＡの厚さ５０μｍ、ＬＤＰＥの厚さ１００μｍとした。
【００５７】
基材フィルム（ニ）
低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）（融点１１１℃）およびポリプロピレンランダムコポリマー（ＰＰ）（融点１４３℃）を用い、押出機を使用して共押出加工、片面のＬＤＰＥ表面側にコロナ放電処理を施すことにより、ＬＤＰＥ／ＰＰ／ＬＤＰＥの３層構造からなる基材フィルム（ニ）を作成した。各層の厚さは、ＬＤＰＥ／ＰＰ／ＬＤＰＥ＝３０μｍ／９０μｍ／３０μｍとした。
【００５８】
[実施例１]
予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、粘着剤組成物（Ａ）を乾燥後の粘着層の厚みが２０μｍとなるように塗工し、８０℃で１０分間乾燥させた後、基材フィルム（イ）のコロナ処理面と貼り合わせて基材フィルムに粘着剤を転写させることで粘着テープを作製した。
【００５９】
[実施例２]
予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、粘着剤組成物（Ａ）を乾燥後の粘着層の厚みが２０μｍとなるように塗工し、８０℃で１０分間乾燥させた後、基材フィルム（ロ）のコロナ処理面と貼り合わせて基材フィルムに粘着剤を転写させることで粘着テープを作製した。
【００６０】
[実施例３]
予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、粘着剤組成物（Ｂ）を乾燥後の粘着層の厚みが２０μｍとなるように塗工し、８０℃で１０分間乾燥させた後、基材フィルム（イ）のコロナ処理面と貼り合わせて基材フィルムに粘着剤を転写させることで粘着テープを作製した。
【００６１】
[実施例４]
予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、粘着剤組成物（Ｃ）を乾燥後の粘着層の厚みが２０μｍとなるように塗工し、８０℃で１０分間乾燥させた後、基材フィルム（イ）のコロナ処理面と貼り合わせて基材フィルムに粘着剤を転写させることで粘着テープを作製した。
【００６２】
[実施例５]
予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、粘着剤組成物（Ｄ）を乾燥後の粘着層の厚みが２０μｍとなるように塗工し、８０℃で１０分間乾燥させた後、基材フィルム（イ）のコロナ処理面と貼り合わせて基材フィルムに粘着剤を転写させることで粘着テープを作製した。
【００６３】
[実施例６] 
予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、粘着剤組成物（Ｂ）を乾燥後の粘着層の厚みが５μｍとなるように塗工し、８０℃で１０分間乾燥させた後、基材フィルム（イ）のコロナ処理面と貼り合わせて基材フィルムに粘着剤を転写させることで粘着テープを作製した。
【００６４】
[実施例７]
予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、粘着剤組成物（Ｅ）を乾燥後の粘着層の厚みが２０μｍとなるように塗工し、８０℃で１０分間乾燥させた後、基材フィルム（イ）のコロナ処理面と貼り合わせて基材フィルムに粘着剤を転写させることで粘着テープを作製した。
【００６５】
[実施例８]
予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、粘着剤組成物（Ｅ）を乾燥後の粘着層の厚みが２０μｍとなるように塗工し、８０℃で１０分間乾燥させた後、基材フィルム（ハ）のコロナ処理面と貼り合わせて基材フィルムに粘着剤を転写させることで粘着テープを作製した。
【００６６】
[実施例９]
予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、粘着剤組成物（Ｅ）を乾燥後の粘着層の厚みが２０μｍとなるように塗工し、８０℃で１０分間乾燥させた後、基材フィルム（ニ）のコロナ処理面と貼り合わせて基材フィルムに粘着剤を転写させることで粘着テープを作製した。
【００６７】
[比較例１]
粘着剤組成物（Ａ）を粘着剤組成物（Ｆ）とした以外は、実施例１と同様にして、乾燥後の厚さ２０μｍの粘着テープを作製した。
【００６８】
[比較例２]
粘着剤組成物（Ａ）を粘着剤組成物（Ｇ）とした以外は、実施例１と同様にして、乾燥後の厚さ２０μｍの粘着テープを作製した。
【００６９】
[比較例３]
粘着剤組成物（Ａ）を粘着剤組成物（Ｈ）とした以外は、実施例１と同様にして、乾燥後の厚さ２０μｍの粘着テープを作製した。
【００７０】
[比較例４]
粘着剤組成物（Ａ）を粘着剤組成物（Ｉ）とした以外は、実施例１と同様にして、乾燥後の厚さ２０μｍの粘着テープを作製した。
【００７１】
[比較例５]
粘着剤組成物（Ｅ）を粘着剤組成物（Ｆ）とした以外は、実施例８と同様にして、乾燥後の厚さ２０μｍの粘着テープを作製した。
【００７２】
[比較例６]
粘着剤組成物（Ｅ）を粘着剤組成物（Ｆ）とした以外は、実施例９と同様にして、乾燥後の厚さ２０μｍの粘着テープを作製した。
【００７３】
（評価）
実施例１〜９および比較例１〜６で得られた各粘着テープについて、次の要領で、粘着剤層表面の純水、ヨウ化メチレンに対する接触角の測定、プローブタックの測定およびダイシングテープとして使用した際の性能評価を行った。
結果を表１および表２に示す。
【００７４】
＜粘着剤層表面の接触角の測定＞ 
基材フィルムの粘着剤層が設けられていない方の面を、両面テープを用いて表面が平らのガラス板上に固定した。セパレータを剥離した後、純水もしくはヨウ化メチレンを滴下し、接触角θを協和化学株式会社製ＦＡＣＥ接触角計ＣＡ−Ｓ１５０型を用いて測定した。測定温度は２３℃、測定湿度は５０％である。
【００７５】
＜プローブタックの測定＞ 
株式会社レスカのタッキング試験機ＴＡＣ−ＩＩを用いて行った。測定モードは、設定した加圧値までプローブを押し込み、設定した時間が経過するまで加圧値を保持するようにコントロールし続けるＣｏｎｓｔａｎｔ
Ｌｏａｄを用いた。セパレータを剥離した後、粘着テープの粘着剤層を上にし、上側より直径３．０ｍｍのＳＵＳ３０４製のプローブを接触させた。プローブを測定試料に接触させる時のスピードは３０ｍｍ／ｍｉｎであり、接触荷重は１００ｇｆであり、接触時間は１秒である。その後、プローブを６００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がすのに要する力を測定した。プローブ温度は２３℃であり、プレート温度は２３℃とした。
【００７６】
＜ダイシング評価＞
セパレータを剥離した後、粘着テープを、６０×６０ｍｍのＱＦＮ基板パッケージの硬化樹脂面に、粘着剤層を介して貼着すると共に、リングフレームに固定した。次にＱＦＮ基板パッケージを、ダイシング装置（ディスコ社製ＤＡＤ３４０）を用いて、設定した分割予定ラインに沿って３×３ｍｍ角にフルカットし、計３２４個の半導体デバイス（個片化されたパッケージ）を得た。ダイシングの条件は、下記の通りである。
ブレード送り速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
粘着テープへの切り込み量：１００μｍ
ダイシング終了後、チップ保持性およびダイシングテープ露出部への銅粉付着について、下記の方法により評価を行った。
【００７７】
次に、粘着テープの基板フィルム側から、高圧水銀灯を用いて紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ２照射して粘着剤層を硬化させた後、個片化した半導体デバイスをピックアップした。
得られた各半導体デバイスについて、銅粉付着量を下記の要領で評価した。
結果を表１に示す。
【００７８】
＜チップ保持性＞
ダイシング終了後、半導体デバイスと粘着テープの粘着剤との間の密着具合を観察し、部分的でも剥離が発生している半導体デバイスの数をカウントした。剥離の発生した半導体デバイスがないものを、良好な結果であると判断した。
【００７９】
＜粘着剤露出部への銅粉付着＞
ダイシング終了後、ＱＦＮ基板パッケージに隣接する粘着テープの粘着剤露出部５ｃｍ×５ｃｍの領域上に付着した銅粉の数をカウントした。１０個以下を、良好な結果であると判断した。
【００８０】
＜半導体デバイス表面への銅粉付着量＞
得られた半導体デバイスの全数について銅フレーム側の面を顕微鏡観察し、銅粉の付着した半導体デバイスの総数をカウントした。２０個以下を、良好な結果であると判断した。
【００８１】
【表１】
2013093519.tif 000003
【００８２】
【表２】
2013093519.tif 000004
【００８３】
〈結果の評価〉
実施例１〜９は、何れも半導体デバイス表面への銅粉付着量が少なく良好である。
実施例６〜９は、プローブタックのピーク値が３００〜４００ｋＰａであり、ダイシングテープの粘着剤露出部への銅粉付着が特に少なくなっている。
実施例５は、プローブタックのピーク値が３００ｋＰａ以下であり、ダイシング時において、一部の半導体デバイスとダイシングテープ粘着剤の間に部分的な剥離が発生したものの、半導体デバイス表面への銅粉付着量、ダイシングテープの粘着剤露出部への銅粉付着量は少ない結果となっている。
実施例８、９は、基材フィルムとして複層構造で、粘着剤層側の基材フィルム層の融点が、この粘着剤層側の基材フィルム層に接する基材フィルム層の融点より低いものを使用し、半導体デバイス表面への銅粉付着がより少ない結果となった。低密度ポリエチレン／ポリプロピレンランダムコポリマー／低密度ポリエチレンからなる三層構造の基材フィルムを用いた実施例９では、半導体デバイス表面への銅粉付着量が極めて少なかった。
【００８４】
一方、比較例1は、粘着剤層の純水に対する接触角、ヨウ化メチレンに対する接触角共に、本願発明の範囲内でないことから、半導体デバイス表面への銅粉付着量が多い結果となった。
比較例２は、粘着剤層の純水に対する接触角は１１５℃以下であるが、ヨウ化メチレンに対する接触角が６５℃以下でなく本願発明の範囲外であり、半導体デバイス表面への銅粉付着量が多い結果となった。
比較例３は、粘着剤層のヨウ化メチレンに対する接触角は６５℃以下であるが、純水に対する接触角が１１５℃以下でなく本願発明の範囲外であり、半導体デバイス表面への銅粉付着量が多い結果となった。
比較例４は、粘着剤層の純水に対する接触角、ヨウ化メチレンに対する接触角共に、本願発明の範囲内でなく、半導体デバイス表面への銅粉付着量が多い結果となった。比較例１よりタックのピーク値が低く、銅粉付着量はやや低くなったが良好な結果ではなかった。
比較例５は、粘着剤層の純水に対する接触角、ヨウ化メチレンに対する接触角共に、本願発明の範囲内でなく、半導体デバイス表面への銅粉付着量が多い結果となった。基材フィルムが特徴的な２層構造であり、比較例１より銅粉付着量はやや低くなったが良好な結果ではなかった。
比較例６は、粘着剤層の純水に対する接触角、ヨウ化メチレンに対する接触角共に、本願発明の範囲内でなく、半導体デバイス表面への銅粉付着量が多い結果となった。基材フィルムが特徴的な３層構造であり、比較例１より銅粉付着量はやや低くなったが良好な結果ではなかった。
【符号の説明】
【００８５】
１………粘着テープ
３………基材フィルム
５………粘着剤層
６………セパレータ
９………リングフレーム
１１………一括封止パッケージ
１３………ダイシングブレード
１５………個片化されたパッケージ
１７………紫外線照射
１９………ピックアップチャック
【図１】
2013093519.tif 000005
【図２】
2013093519.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムの少なくとも片面に紫外線硬化型粘着剤層が積層されてなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、
紫外線照射前の前記粘着剤層表面は、純水に対する接触角が８２〜１１４°であり、且つ、ヨウ化メチレンに対する接触角が４４〜６４°であり、
紫外線照射前の前記粘着剤層は、プローブタック試験のピーク値が２９４〜５７８ｋＰａであることを特徴とする半導体デバイス加工用粘着テープ。
【請求項２】
紫外線照射前の前記粘着剤層は、プローブタック試験のピーク値が３４２〜３９４ｋＰａであることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス加工用粘着テープ。
【請求項３】
前記基材フィルムは、二層以上の複層構造であり、前記粘着剤層と接する第１の基材フィルム層の融点が、前記第１の基材フィルム層の前記粘着層側と反対面に接する第２の基材フィルム層の融点より低いことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体デバイス加工用粘着テープ。
【請求項４】
前記基材フィルムは、低密度ポリエチレン／ポリプロピレンランダムコポリマー／低密度ポリエチレンからなる三層構造であることを特徴とする請求項３記載の半導体デバイス加工用粘着テープ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、粘着剤層の紫外線照射前における純水およびヨウ化メチレンに対する接触角が特定の範囲の値である粘着テープを用いることにより、半導体デバイスへの切削屑の付着を防止できることを見出した。
本発明はこの知見に基づきなされたものである。
すなわち本発明は、
（１）基材フィルムの少なくとも片面に紫外線硬化型粘着剤層が積層されてなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、紫外線照射前の前記粘着剤層表面は、純水に対する接触角が８２〜１１４°であり、且つ、ヨウ化メチレンに対する接触角が４４〜６４°であり、紫外線照射前の前記粘着剤層は、プローブタック試験のピーク値が２９４〜５７８ｋＰａであることを特徴とする半導体デバイス加工用粘着テープ、
（２）紫外線照射前の前記粘着剤層は、プローブタック試験のピーク値が３４２〜３９４ｋＰａであることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス加工用粘着テープ、
（３）前記基材フィルムは、二層以上の複層構造であり、前記粘着剤層と接する第１の基材フィルム層の融点が、前記第１の基材フィルム層の前記粘着層側と反対面に接する第２の基材フィルム層の融点より低いことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体デバイス加工用粘着テープ、
（４）前記基材フィルムは、低密度ポリエチレン／ポリプロピレンランダムコポリマー／低密度ポリエチレンからなる三層構造であることを特徴とする請求項３記載の半導体デバイス加工用粘着テープ、
である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
一方、比較例1は、粘着剤層の純水に対する接触角、ヨウ化メチレンに対する接触角共に、本願発明の範囲内でないことから、半導体デバイス表面への銅粉付着量が多い結果となった。
比較例２は、粘着剤層の純水に対する接触角は１１５°以下であるが、ヨウ化メチレンに対する接触角が６５°以下でなく本願発明の範囲外であり、半導体デバイス表面への銅粉付着量が多い結果となった。
比較例３は、粘着剤層のヨウ化メチレンに対する接触角は６５°以下であるが、純水に対する接触角が１１５°以下でなく本願発明の範囲外であり、半導体デバイス表面への銅粉付着量が多い結果となった。
比較例４は、粘着剤層の純水に対する接触角、ヨウ化メチレンに対する接触角共に、本願発明の範囲内でなく、半導体デバイス表面への銅粉付着量が多い結果となった。比較例１よりタックのピーク値が低く、銅粉付着量はやや低くなったが良好な結果ではなかった。
比較例５は、粘着剤層の純水に対する接触角、ヨウ化メチレンに対する接触角共に、本願発明の範囲内でなく、半導体デバイス表面への銅粉付着量が多い結果となった。基材フィルムが特徴的な２層構造であり、比較例１より銅粉付着量はやや低くなったが良好な結果ではなかった。
比較例６は、粘着剤層の純水に対する接触角、ヨウ化メチレンに対する接触角共に、本願発明の範囲内でなく、半導体デバイス表面への銅粉付着量が多い結果となった。基材フィルムが特徴的な３層構造であり、比較例１より銅粉付着量はやや低くなったが良好な結果ではなかった。