(57)【要約】【課題】環境負荷が小さく、破断が抑制され且つ変位量が大きい圧電アクチュエーター及び該圧電アクチュエーターを具備する液体噴射ヘッドを提供する。【解決手段】第１電極、第１電極上に設けられた圧電体層及び圧電体層上に設けられた第２電極を具備し、圧電体層が、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、第２電極が、膜厚が３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下で、且つ、０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力を有するイリジウム膜からなる圧電アクチュエーターとする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、前記第１電極上に設けられた圧電体層及び前記圧電体層上に設けられた第２電極を具備し、
前記圧電体層が、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、
前記第２電極が、膜厚が３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、且つ、０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力を有するイリジウム膜からなることを特徴とする圧電アクチュエーター。
【請求項２】
液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室と、前記圧力発生室に圧力変化を生じさせる請求項１に記載する圧電アクチュエーターとを具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項３】
請求項２に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項４】
第１電極、前記第１電極上に設けられた圧電体層及び前記圧電体層上に設けられた第２電極を具備する圧電アクチュエーターの製造方法であって、
前記第１電極上に、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層上に、膜厚が３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、且つ、０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力を有するイリジウム膜からなる第２電極を形成する工程を有することを特徴とする圧電アクチュエーターの製造方法。
【請求項５】
ノズル開口に連通する圧力発生室と、前記圧力発生室に圧力変化を生じさせる圧電アクチュエーターとを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、請求項４に記載する圧電アクチュエーターの製造方法により前記圧電アクチュエーターを製造する工程を有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電材料からなる圧電体層及び電極を有する圧電アクチュエーター及びその製造方法、該圧電アクチュエーターを具備しノズル開口から液滴を吐出させる液体噴射ヘッド及びその製造方法、並びに、液体噴射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドの代表例としては、例えば、インク滴を吐出するノズルと連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電アクチュエーターにより変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズルからインク滴として吐出させるインクジェット式記録ヘッドがある。インクジェット式記録ヘッドに用いられる圧電アクチュエーターとしては、電気的機械変換機能を呈する圧電材料、例えば、結晶化した誘電材料からなる圧電体層（圧電体膜）を、２つの電極で挟んで構成されたものがある。
【０００３】
このような圧電アクチュエーターを構成する圧電体層として用いられる圧電材料には高い圧電特性が求められており、圧電材料の代表例として、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が挙げられる（特許文献１等参照）。しかしながら、環境問題の観点から、非鉛又は鉛の含有量を抑えた圧電材料が求められており、例えば、Ｂｉ及びＦｅを含有するＢｉＦｅＯ３系の圧電材料がある（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２２３４０４号公報
【特許文献２】特開２００７−２８７７４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このようなＢｉＦｅＯ３系の複合酸化物からなる圧電体層を有する圧電アクチュエーターとすると、圧力発生室側への撓み量が大きくなることにより、圧電アクチュエーターが破断してしまう場合があるという問題がある。また、チタン酸ジルコン酸鉛と比較すると変位量が十分ではないので、変位量の向上が求められている。なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドだけではなく、勿論、インク以外の液滴を吐出する他の液体噴射ヘッドにおいても同様に存在し、また、液体噴射ヘッド以外に用いられる圧電アクチュエーターにおいても同様に存在する。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑み、環境負荷が小さく、破断が抑制され且つ変位量が大きい圧電アクチュエーター、該圧電アクチュエーターを具備する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置、並びに、圧電アクチュエーターの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する本発明の態様は、第１電極、前記第１電極上に設けられた圧電体層及び前記圧電体層上に設けられた第２電極を具備し、前記圧電体層が、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、前記第２電極が、膜厚が３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、且つ、０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力を有するイリジウム膜からなることを特徴とする圧電アクチュエーターにある。
かかる態様では、圧電体層をＢｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなるものとし、第２電極を膜厚が３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下且つ０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力を有するイリジウム膜からなるものとすることにより、破断が抑制され且つ変位量が大きい圧電アクチュエーターとすることができる。さらに、非鉛又は鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。
【０００８】
本発明の他の態様は、液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室と、前記圧力発生室に圧力変化を生じさせる上記圧電アクチュエーターとを具備することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。これによれば、破断が抑制され且つ変位量が大きい圧電アクチュエーターを具備するため、信頼性及び圧電特性（変位量）に優れた液体噴射ヘッドとすることができる。さらに、非鉛又は鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。
【０００９】
また、本発明の他の態様は、上記液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、環境への負荷を低減し、信頼性及び圧電特性に優れた液体噴射装置を実現することができる。
【００１０】
そして、本発明の他の態様は、第１電極、前記第１電極上に設けられた圧電体層及び前記圧電体層上に設けられた第２電極を具備する圧電アクチュエーターの製造方法であって、前記第１電極上に、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に、膜厚が３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、且つ、０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力を有するイリジウム膜からなる第２電極を形成する工程を有することを特徴とする圧電アクチュエーターの製造方法にある。Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層上に、膜厚が３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下且つ０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力を有するイリジウム膜からなる第２電極を形成することにより、破断が抑制され且つ変位量が大きい圧電アクチュエーターを製造することができる。さらに、非鉛又は鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。
【００１１】
また、本発明の他の態様は、ノズル開口に連通する圧力発生室と、前記圧力発生室に圧力変化を生じさせる圧電アクチュエーターとを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、上記圧電アクチュエーターの製造方法により前記圧電アクチュエーターを製造する工程を有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。これによれば、環境への負荷を低減し、信頼性及び圧電特性（変位量）に優れた液体噴射ヘッドを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの断面図。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図７】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図８】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図９】試験例で用いた駆動波形を示す図。
【図１０】本発明の一実施形態に係る記録装置の概略構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ′線断面図である。図１〜図３に示すように、本実施形態の流路形成基板１０は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜５０が形成されている。
【００１４】
流路形成基板１０には、複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４及び連通路１５を介して連通されている。連通部１３は、後述する保護基板のマニホールド部３１と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路１４を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路が設けられていることになる。
【００１５】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。
【００１６】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、例えば厚さ３０〜５０ｎｍ程度の酸化チタン等からなり、弾性膜５０等の第１電極６０の下地との密着性を向上させるための密着層５６が設けられている。本実施形態においては、密着層５６として酸化チタンを用いたが、密着層５６の材質は第１電極６０とその下地の種類等により異なるが、例えば、ジルコニウム、アルミニウムを含む酸化物や窒化物や、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＣｅＯ２等とすることができる。なお、弾性膜５０上に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が設けられていてもよい。
【００１７】
さらに、この密着層５６上には、第１電極６０と、厚さが３μｍ以下、好ましくは０．３〜１．５μｍの薄膜である圧電体層７０と、第２電極８０とが、積層形成されて、圧力発生室１２に圧力変化を生じさせる圧力発生手段としての圧電アクチュエーター３００を構成している。ここで、圧電アクチュエーター３００は、第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０を含む部分をいう。一般的には、圧電アクチュエーター３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第１電極６０を圧電アクチュエーター３００の共通電極とし、第２電極８０を圧電アクチュエーター３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。なお、上述した例では、弾性膜５０、密着層５６、第１電極６０及び必要に応じて設ける絶縁体膜が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜５０や密着層５６が設けられていなくてもよい。また、圧電アクチュエーター３００自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。
【００１８】
本実施形態においては、圧電体層７０を構成する圧電材料は、ビスマス（Ｂｉ）、鉄（Ｆｅ）、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物である。ペロブスカイト構造、すなわち、ＡＢＯ３型構造のＡサイトは酸素が１２配位しており、また、Ｂサイトは酸素が６配位して８面体（オクタヘドロン）をつくっている。このＡサイトにＢｉ及びＢａが、ＢサイトにＦｅ及びＴｉが位置している。
【００１９】
このようなＢｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物は、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物、または、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体としても表される。なお、Ｘ線回折パターンにおいて、鉄酸ビスマスや、チタン酸バリウムは、単独では検出されないものである。
【００２０】
ここで、鉄酸ビスマスやチタン酸バリウムは、それぞれペロブスカイト構造を有する公知の圧電材料であり、それぞれ種々の組成のものが知られている。例えば、鉄酸ビスマスやチタン酸バリウムとして、ＢｉＦｅＯ３やＢａＴｉＯ３以外に、元素（Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、ＴｉやＯ）が一部欠損する又は過剰であったり、元素の一部が他の元素に置換されたものも知られているが、本発明で鉄酸ビスマス、チタン酸バリウムと表記した場合、基本的な特性が変わらない限り、欠損・過剰により化学量論の組成からずれたものや元素の一部が他の元素に置換されたものも、鉄酸ビスマス、チタン酸バリウムの範囲に含まれるものとする。また、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムとの比も、種々変更することができる。
【００２１】
このようなペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層７０の組成は、例えば、下記一般式（１）で表される混晶として表される。また、この式（１）は、下記一般式（１’）で表すこともできる。ここで、一般式（１）及び一般式（１’）の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成のずれは勿論、元素の一部置換等も許容される。例えば、化学量論比が１とすると、０．８５〜１．２０の範囲内のものは許容される。また、下記のように一般式で表した場合は異なるものであっても、Ａサイトの元素とＢサイトの元素との比が同じものは、同一の複合酸化物とみなせる場合がある。
（１−ｘ)[ＢｉＦｅＯ３]−ｘ[ＢａＴｉＯ３]       （１）
（０＜ｘ＜０．４０）
（Ｂｉ１−ｘＢａｘ）（Ｆｅ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３    （１’）
（０＜ｘ＜０．４０）
【００２２】
また、圧電体層７０を構成する複合酸化物は、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉ以外の元素をさらに含んでいてもよい。他の元素としては、例えば、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｃｒなどが挙げられる。勿論、他の元素を含む複合酸化物である場合も、ペロブスカイト構造を有する必要がある。
【００２３】
圧電体層７０が、Ｍｎ、ＣｏやＣｒを含む場合、Ｍｎ、ＣｏやＣｒはＢサイトに位置した構造の複合酸化物である。例えば、Ｍｎを含む場合、圧電体層７０を構成する複合酸化物は、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体のＦｅの一部がＭｎで置換された構造、又は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物として表され、基本的な特性は鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物と同じであるが、リーク特性が向上することがわかっている。また、ＣｏやＣｒを含む場合も、Ｍｎと同様にリーク特性が向上するものである。なお、Ｘ線回折パターンにおいて、鉄酸ビスマス、チタン酸バリウム、鉄酸マンガン酸ビスマス、鉄酸コバルト酸ビスマス、及び、鉄酸クロム酸ビスマスは、単独では検出されないものである。また、Ｍｎ、ＣｏおよびＣｒを例として説明したが、その他遷移金属元素の２元素を同時に含む場合にも同様にリーク特性が向上することがわかっており、これらも圧電体層７０とすることができ、さらに、特性を向上させるため公知のその他の添加物を含んでもよい。
【００２４】
このようなＢｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉに加えてＭｎ、ＣｏやＣｒも含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層７０は、例えば、下記一般式（２）で表される混晶である。また、この式（２）は、下記一般式（２’）で表すこともできる。なお一般式（２）及び一般式（２’）において、Ｍは、Ｍｎ、ＣｏまたはＣｒである。ここで、一般式（２）及び一般式（２’）の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成ずれは許容される。例えば、化学量論が１であれば、０．８５〜１．２０の範囲内のものは許容される。また、下記のように一般式で表した場合は異なるものであっても、Ａサイトの元素とＢサイトの元素との比が同じものは、同一の複合酸化物とみなせる場合がある。
（１−ｘ)[Ｂｉ（Ｆｅ１−ｙＭｙ）Ｏ３]−ｘ[ＢａＴｉＯ３]       （２）
（０＜ｘ＜０．４０、０．０１＜ｙ＜０．１０）
（Ｂｉ１−ｘＢａｘ）（（Ｆｅ１−ｙＭｙ）１−ｘＴｉｘ）Ｏ３    （２’）
（０＜ｘ＜０．４０、０．０１＜ｙ＜０．１０）
【００２５】
なお、本実施形態の圧電体層７０は、（１１０）面、（１００）面、（１１１）面のいずれに配向していてもよく、特に限定されるものではない。
【００２６】
そして、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドが有する圧電アクチュエーター３００は、第２電極８０が、膜厚が３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下で、且つ、０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力を有するイリジウム膜からなるものである。換言すると、第２電極８０は、膜厚が３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下で、内部応力が０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力となる製造方法によって形成されたイリジウム膜である。
【００２７】
このように、圧電アクチュエーター３００について、圧電体層７０をＢｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなるものとし、この圧電体層７０上の第２電極８０を、膜厚が３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、且つ、０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力を有するものとなるように形成されたイリジウム膜とすることにより、圧電アクチュエーター３００の電圧を印加する前の状態でのたわみ（初期たわみ）が例えば２００ｎｍ以下と小さくなり、圧力発生室側への撓み量が大きくなることにより生じる圧電アクチュエーター３００の破断を抑制できる。さらに、高電圧で駆動した場合や、長期間駆動した場合であっても、圧電アクチュエーター３００のたわみによる破断が抑制され、耐久性に優れた圧電アクチュエーター３００となる。したがって、圧電アクチュエーター３００の破断が抑制された信頼性に優れたインクジェット式記録ヘッドとなる。また、この圧電アクチュエーター３００は、変位量が大きいため、圧電特性に優れたインクジェット式記録ヘッドとなる。
【００２８】
このような圧電アクチュエーター３００の個別電極である各第２電極８０には、インク供給路１４側の端部近傍から引き出され、弾性膜５０上や必要に応じて設ける絶縁体膜上にまで延設される、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が接続されている。
【００２９】
このような圧電アクチュエーター３００が形成された流路形成基板１０上、すなわち、第１電極６０、弾性膜５０や必要に応じて設ける絶縁体膜及びリード電極９０上には、マニホールド１００の少なくとも一部を構成するマニホールド部３１を有する保護基板３０が接着剤３５を介して接合されている。このマニホールド部３１は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるマニホールド１００を構成している。また、流路形成基板１０の連通部１３を圧力発生室１２毎に複数に分割して、マニホールド部３１のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板１０に圧力発生室１２のみを設け、流路形成基板１０と保護基板３０との間に介在する部材（例えば、弾性膜５０、必要に応じて設ける絶縁体膜等）にマニホールド１００と各圧力発生室１２とを連通するインク供給路１４を設けるようにしてもよい。
【００３０】
また、保護基板３０圧電アクチュエーター３００に対向する領域には、圧電アクチュエーター３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電アクチュエーター保持部３２が設けられている。圧電アクチュエーター保持部３２は、圧電アクチュエーター３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。
【００３１】
このような保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００３２】
また、保護基板３０には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられている。そして、各圧電アクチュエーター３００から引き出されたリード電極９０の端部近傍は、貫通孔３３内に露出するように設けられている。
【００３３】
また、保護基板３０上には、並設された圧電アクチュエーター３００を駆動するための駆動回路１２０が固定されている。この駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路１２０とリード電極９０とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線１２１を介して電気的に接続されている。
【００３４】
また、このような保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜４１によってマニホールド部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板４２のマニホールド１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、マニホールド１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００３５】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路１２０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの第１電極６０と第２電極８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、密着層５６、第１電極６０、圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００３６】
次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法の一例について、図４〜図８を参照して説明する。なお、図４〜図８は、圧力発生室の長手方向の断面図である。
【００３７】
まず、図４（ａ）に示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー１１０の表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン（ＳｉＯ２）等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。なお、弾性膜５０上等に、酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜（図示なし）を設ける場合は、例えば、反応性スパッター法や熱酸化等で形成することができる。
【００３８】
次いで、図４（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜）上に、また、絶縁体膜を設けた場合は絶縁体膜上に、酸化チタン等からなる密着層５６を、スパッタリング法や熱酸化等で形成する。
【００３９】
次に、図５（ａ）に示すように、密着層５６の上に、白金、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの積層構造等からなる第１電極６０をスパッタリング法や蒸着法等により全面に形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、第１電極６０上に所定形状のレジスト（図示無し）をマスクとして、密着層５６及び第１電極６０の側面が傾斜するように同時にパターニングする。
【００４０】
次いで、レジストを剥離した後、この第１電極６０上に、圧電体層７０を積層する。圧電体層７０の製造方法は特に限定されないが、例えば、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層（圧電体膜）を得るＭＯＤ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やゾル−ゲル法等の化学溶液法を用いて圧電体層７０を製造できる。その他、レーザーアブレーション法、スパッタリング法、パルス・レーザー・デポジション法（ＰＬＤ法）、ＣＶＤ法、エアロゾル・デポジション法など、気相法、液相法や固相法でも圧電体層７０を製造することができる。
【００４１】
圧電体層７０を化学溶液法で形成する場合の具体的な形成手順例としては、まず、図５（ｃ）に示すように、第１電極６０上に、金属錯体、具体的には、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉを含有する金属錯体を含むＭＯＤ溶液やゾルからなる圧電体膜形成用組成物（前駆体溶液）をスピンコート法などを用いて、塗布して圧電体前駆体膜７１を形成する（塗布工程）。
【００４２】
塗布する前駆体溶液は、焼成によりＢｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉを含む複合酸化物を形成しうる金属錯体を混合し、該混合物を有機溶媒に溶解または分散させたものである。また、Ｍｎ、ＣｏやＣｒを含む複合酸化物からなる圧電体層７０を形成する場合は、さらに、Ｍｎ、ＣｏやＣｒを有する金属錯体を含有する前駆体溶液を用いる。Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉをそれぞれ含む金属錯体や、必要に応じて混合するＭｎ、ＣｏやＣｒを有する金属錯体の混合割合は、各金属が所望のモル比となるように混合すればよい。Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｃｒをそれぞれ含む金属錯体としては、例えば、各金属の、アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Ｂｉを含む金属錯体としては、例えば２−エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Ｆｅを含む金属錯体としては、例えば２−エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄、トリス（アセチルアセトナート）鉄などが挙げられる。Ｂａを含む金属錯体としては、例えばバリウムイソプロポキシド、２−エチルヘキサン酸バリウム、バリウムアセチルアセトナートなどが挙げられる。Ｔｉを含有する金属錯体としては、例えばチタニウムイソプロポキシド、２−エチルヘキサン酸チタン、チタン（ジ−ｉ−プロポキシド）ビス（アセチルアセトナート）などが挙げられる。Ｍｎを含む金属錯体としては、例えば２−エチルヘキサン酸マンガン、酢酸マンガンなどが挙げられる。Ｃｏを含む有機金属化合物としては、例えば２−エチルヘキサン酸コバルト、コバルト（III）アセチルアセトナートなどが挙げられる。Ｃｒを含む有機金属化合物としては、２−エチルヘキサン酸クロムなどが挙げられる。勿論、前駆体溶液に含有させる金属錯体として、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉや、必要に応じて含有させるＭｎ、Ｃｏ、Ｃｒをそれぞれ一種含む金属錯体を用いてもよく、また、これら金属を二種以上含む金属錯体を用いてもよい。また、前駆体溶液の溶媒としては、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、オクタン、デカン、シクロヘキサン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン、酢酸、オクチル酸などが挙げられる。
【００４３】
次いで、この圧電体前駆体膜７１を所定温度（例えば、１５０〜２００℃）に加熱して一定時間乾燥させる（乾燥工程）。次に、乾燥した圧電体前駆体膜７１を所定温度（例えば、３５０〜４５０℃）に加熱して一定時間保持することによって脱脂する（脱脂工程）。ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜７１に含まれる有機成分を、例えば、ＮＯ２、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ等として離脱させることである。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を複数回行ってもよい。
【００４４】
次に、図６（ａ）に示すように、圧電体前駆体膜７１を所定温度、例えば６００〜８５０℃程度に加熱して、一定時間、例えば、１〜１０分間保持することによって結晶化させ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体膜７２を形成する（焼成工程）。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置やホットプレート等が挙げられる。
【００４５】
次いで、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の圧電体膜７２からなる圧電体層７０を形成することで、図６（ｂ）に示すように複数層の圧電体膜７２からなる所定厚さの圧電体層７０を形成する。例えば、塗布溶液の１回あたりの膜厚が０．１μｍ程度の場合には、例えば、１０層の圧電体膜７２からなる圧電体層７０全体の膜厚は約１．１μｍ程度となる。なお、本実施形態では、圧電体膜７２を積層して設けたが、１層のみでもよい。
【００４６】
このように圧電体層７０を形成した後、圧電体層７０上に、イリジウムからなり、膜厚が３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下で、０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力を有する第２電極８０を形成する。第２電極８０を形成する方法は特に限定されないが、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等で形成することができる。
【００４７】
このように第２電極８０を製造する際の成膜条件、具体的には、スパッタリング法であれば、成膜時の圧力、出力のパワー密度、成膜温度、ターゲット（Ｉｒ）と圧電体層７０との距離等の条件や、形成される第２電極８０の厚さ等を調整することにより、この第２電極８０を圧電体層７０上に形成する工程で製造される第２電極８０の内部応力を調整することができる。例えば、成膜条件は、成膜時のＡｒ圧力は０．５０〜１．０Ｐａ、出力のパワー密度は０．３〜２．０ｋＷ／ｍ２、成膜温度は２０〜３００℃、ターゲット（Ｉｒ）と圧電体層７０との距離は１００〜１２０ｍｍ等とすることができる。ここで、これら第２電極８０の各成膜条件や厚さそれぞれによって製造される第２電極８０の内部応力が変化するため、各成膜条件や厚さのバランスを調整する必要がある。いずれにしても、この圧電体層７０上に形成される第２電極８０を、膜厚が３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であり、且つ、０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力を有するものとし、この後の工程を行なうことで、最終的に圧電アクチュエーター３００の破断が抑制され且つ変位量の向上したインクジェット式記録ヘッド等を製造することができる。そして、インクジェット式記録ヘッド等を製造する途中の段階である第２電極８０を製造した段階の第２電極８０の内部応力を求めることによって、最終的に製造されるインクジェット式記録ヘッド等の圧電アクチュエーターの破断しにくさや変位量特性を判断することができるため、歩留りを向上することができる。なお、例えば、イリジウムではなく白金からなる第２電極とした場合は、上記の成膜条件や膜厚等を調整しても、０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力を有するものは形成し難い。
【００４８】
このように第２電極８０を形成した後は、図７（ａ）に示すように、各圧力発生室１２に対向する領域に圧電体層７０及び第２電極８０を同時にパターニングして、第１電極６０と圧電体層７０と第２電極８０を有する圧電アクチュエーター３００を形成する。なお、圧電体層７０と第２電極８０とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト（図示なし）を介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、６００℃〜８００℃の温度域でポストアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層７０と第１電極６０や第２電極８０との良好な界面を形成することができ、且つ、圧電体層７０の結晶性を改善することができる。
【００４９】
次に、図７（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して各圧電アクチュエーター３００毎にパターニングする。
【００５０】
次に、図７（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の圧電アクチュエーター３００側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハー１３０を接着剤３５を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー１１０を所定の厚さに薄くする。
【００５１】
次に、図８（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０上に、マスク膜５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。
【００５２】
そして、図８（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０をマスク膜５２を介してＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、圧電アクチュエーター３００に対応する圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５等を形成する。
【００５３】
その後は、流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用ウェハー１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー１１０の保護基板用ウェハー１３０とは反対側の面のマスク膜５２を除去した後にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハー１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハー１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩとする。
【実施例】
【００５４】
以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５５】
（実施例１）
まず、（１１０）に配向した単結晶シリコン基板の表面に熱酸化により膜厚１１３０ｎｍの二酸化シリコン膜を形成した。次に、二酸化シリコン膜上にＤＣスパッター法により膜厚２０ｎｍのチタン膜を形成し、熱酸化することで酸化チタン膜を形成した。次に、酸化チタン膜上にＤＣスパッター法により膜厚１３０ｎｍの白金膜を形成して第１電極６０とした。
【００５６】
次いで、第１電極６０上に、Ｂｉ、Ｂａ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＴｉを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層７０を形成した。その手法は以下のとおりである。まず、２−エチルヘキサン酸ビスマス、２−エチルヘキサン酸バリウム、２−エチルヘキサン酸鉄、２−エチルヘキサン酸マンガン及び２−エチルヘキサン酸チタンの各ｎ−オクタン溶液を、モル比で、Ｂｉ：Ｂａ：Ｆｅ：Ｍｎ：Ｔｉ＝０．７５：０．２５：０．７１２５：０．０３７５：０．２５となるように混合して、前駆体溶液を調整した。
【００５７】
次いで、この前駆体溶液を、二酸化シリコン膜、酸化チタン膜及び第１電極６０が形成された上記基板上に滴下し、５００ｒｐｍで５秒間回転後、３０００ｒｐｍで基板を２０秒回転させてスピンコート法により圧電体前駆体膜を形成した（塗布工程）。次に、ホットプレート上に基板を載せ、１８０℃で３分間乾燥した（乾燥工程）。次いで、ホットプレート上に基板を載せ、３５０℃で３分間脱脂を行った（脱脂工程）。この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を３回繰り返した後に、酸素雰囲気中で、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置で７５０℃で５分間焼成を行った（焼成工程）。次いで、上記の工程を４回繰り返し、計１２回の塗布により全体で厚さ１０００ｎｍの圧電体層７０を形成した。
【００５８】
その後、圧電体層７０上に、第２電極８０としてＤＣスパッター法により膜厚５０ｎｍのイリジウム膜を形成することで、圧電アクチュエーター３００を形成した。なお、イリジウム膜の成膜条件は、成膜時のＡｒ圧力０．９Ｐａ、出力のパワー密度１．５ｋＷ／ｍ２、成膜温度２０℃、ターゲット（Ｉｒ）と圧電体層７０との距離：１１０ｍｍ、とした。
【００５９】
（実施例２）
イリジウム膜の膜厚を３０ｎｍとした以外は、実施例１と同様の操作を行った。
【００６０】
（比較例１）
第２電極８０として膜厚５０ｎｍのイリジウム膜を形成するかわりに、膜厚５０ｎｍの白金膜を、成膜時のＡｒ圧力０．３Ｐａ、出力のパワー密度０．４ｋＷ／ｍ２、成膜温度３３０℃の成膜条件で形成した以外は、実施例１と同様の操作を行った。
【００６１】
（比較例２）
イリジウム膜の膜厚を７０ｎｍとした以外は、実施例１と同様の操作を行った。
【００６２】
（試験例１）
実施例１〜２及び比較例１〜２について、第２電極８０を形成する前の、酸化シリコン膜、酸化チタン膜、第１電極６０及び圧電体層７０が形成された単結晶シリコン基板の反り量Ｗ１、及び、第２電極８０を形成した後の単結晶シリコン基板の反り量Ｗ２を、ストレス測定機（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した。そして、これらの反り量の差ΔＷから、ｓｔｏｎｅｙの式から導き出した下記式を用いて、各実施例１〜２及び比較例１〜２の圧電アクチュエーター３００における第２電極８０の内部応力σを求めた。結果を表１に示す。また、求めた第２電極８０の内部応力σの方向（引張り応力または圧縮応力）についても、表１に記載する。
内部応力σ＝（４・Ｅｓ・Ｔｓ２・ΔＷ）／［３・Ｉ２・（１−υｓ）・ｔｆ］
Ｅｓ：単結晶シリコン基板のヤング率＝１３０ＧＰａ
Ｔｓ：単結晶シリコン基板の厚さ＝６２５μｍ
ΔＷ：Ｗ１−Ｗ２
Ｉ：スキャン長（反り量を測定した範囲）＝１１０ｎｍ
υｓ：単結晶シリコン基板のポアソン比＝０．２８
ｔｆ：第２電極８０の厚さ（ｎｍ）
【００６３】
なお、ヤング率は、ナノインデンター（ＣＳＩＲＯ製ＵＭＩＳ２０００）を用い、以下の条件で測定した。
球形圧子：直径１μｍ  ＬＡ
・初期接触過重  ：  ０．０３ｍＮ
・最大荷重  ：  ０．５ｍＮ
・Ｌｏａｄ／Ｕｎｌｏａｄ  Ｉｎｃｒｅｍｅｎｔｓ  ：  ２０（Ｌｉｎｅａｒ）
・Ｕｎｌｏａｄｉｎｇ  ｔｏ  ：  ７０％  ｏｆ  ｍａｘ
・Ｅｎａｂｌｅ  ｕｎｌｏａｄ  ｏｎ  ｉｎｃｒｅｍｅｎｔｓ  ：  Ｕｎｌｏａｄ  Ｉｎ
ｃｒｅｍｅｎｔｓ  １
・Ｄｗｅｌｌ  ：  １ｓｅｃ
・Ｉｎｄｅｎｔ  Ｄｅｌａｙ  ：  ３０ｓｅｃ
【００６４】
（試験例２）
実施例１〜２及び比較例１〜２において、単結晶シリコン基板の圧電アクチュエーター３００が設けられた側とは反対側の面から酸化シリコン膜が露出するまで、マスク膜を介してＫＯＨ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、圧電アクチュエーター３００に対応する圧力発生室１２を形成した。なお、圧力発生室１２の幅は５７．５μｍとなるようにした。このように圧力発生室１２を形成することにより、酸化シリコン膜、酸化チタン膜、第１電極６０及び圧電体層７０は圧力発生室１２側が凸になるようにたわんだが、この撓み量（初期たわみ）を、光干渉形状計測器（日本ビーコ株式会社製、Ｗｙｋｏ  ＮＴ９３００ＤＭＥＭＳ）で測定した。なお、この撓み量は、圧力発生室１２を形成していない状態の酸化シリコン膜の位置と、圧力発生室１２を形成した後の酸化シリコン膜の位置との差の最大値とした。結果を表１に示す。
【００６５】
また、上記と同様の操作を行って、各実施例１〜２及び比較例１〜２の圧電アクチュエーター３００について、対応する領域に圧力発生室１２を形成したものをそれぞれ４５個作成したところ、いくつかの圧電アクチュエーター３００は圧力発生室１２を形成した段階で破断した。破断していない圧電アクチュエーターの個数／４５個を、歩留まりとして、表１に示す。なお、圧電アクチュエーター３００の破断は、圧力発生室１２側にたわむことによる破断である。
【００６６】
この結果、表１に示すように、実施例１〜２及び比較例２では、圧電アクチュエーターの破断個数が少なく歩留まりが良好であり、また、初期たわみは小さかった。
【００６７】
【表１】
2013187207.tif 000002
【００６８】
（試験例３）
試験例１と同様の操作を行って、圧力発生室１２を形成した圧電アクチュエーター３００を各実施例１及び比較例１についてそれぞれ１０個準備し、それぞれ、第１電極６０を基準電位（図９において「Ｇｎｄ」と記載する。）として、第２電極８０に図９に示す駆動波形２００を連続して６０億回印加する耐久試験を行なった。この駆動波形２００を印加した時の圧電アクチュエーターの共振周波数（Ｆａ）は２．５ＭＨｚであった。なお、図９に示す駆動波形２００において、基準電位（Ｇｎｄ）より上側が正の電圧であり、基準電位（Ｇｎｄ）よりも下側が負の電圧となる。また、Ｖ１は待機状態で印加される電圧（中間電圧）である。そして、試験例３においては、Ｖ１＝１７．５Ｖ、Ｖ２＝−５Ｖ、Ｖ３＝４５Ｖとした。
【００６９】
この結果、ΔＶ＝５０Ｖという高電圧の駆動波形を６０億回印加した後も、実施例１では圧電アクチュエーターは１個も破断していなかった。一方、比較例１では、３０億回印加した段階で圧電アクチュエーターが２個破断しており、また、６０億回印加した段階では、１０個全ての圧電アクチュエーターが破断していた。なお、圧電アクチュエーター３００の破断は、圧力発生室１２側にたわむことによる破断である。
【００７０】
（試験例４）
試験例１と同様の操作を行って、各実施例１〜２及び比較例１〜２の圧電アクチュエーター３００に対応する圧力発生室１２を形成した。そして、各圧電アクチュエーター３００に、第１電極６０を基準電位として、第２電極８０に図９に示す駆動波形２００を印加した時の変位量を求めた。この駆動波形２００を印加した時の圧電アクチュエーターの共振周波数（Ｆａ）は２．５ＭＨｚであった。変位量は、グラフテック社製のレーザードップラー変位計を用い室温（２５℃）で測定した。なお、試験例４においては、Ｖ１＝１５Ｖ、ΔＶ＝３５で固定し、Ｖ２を０Ｖから−７Ｖまで１Ｖおきに変化させることによりＶ３を３５Ｖから２８Ｖまで変化させて、それぞれ変位量を求めた。結果を表２に示す。
【００７１】
この結果、表２に示すように、どの電圧Ｖ２においても、実施例１〜２の圧電アクチュエーターの変位量は、比較例１〜２よりも顕著に大きかった。
【００７２】
試験例１〜４の結果から、第２電極８０がイリジウムからなり膜厚が３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、０．４ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の圧縮応力を有する本発明の圧電アクチュエーター３００とすることにより、たわみにより生じる圧電アクチュエーターの破断が抑制でき、また、変位量も顕著に向上できることが確認された。
【００７３】
【表２】
2013187207.tif 000003
【００７４】
（試験例５）
実施例１〜２及び比較例１〜２の圧電アクチュエーターについて、Ｂｒｕｋｅｒ  ＡＸＳ社製の「Ｄ８  Ｄｉｓｃｏｖｅｒ」を用い、Ｘ線源にＣｕＫα線を使用し、室温（２５℃）で、圧電体層７０のＸ線回折パターンを求めた。この結果、実施例１〜２及び比較例１〜２の全てにおいて、ペロブスカイト構造に起因するピークと、基板由来のピークが観測され、異相は確認されなかった。
【００７５】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板１０として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、ＳＯＩ基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。
【００７６】
また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図１０は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
【００７７】
図１０に示すインクジェット式記録装置ＩＩにおいて、インクジェット式記録ヘッドＩを有する記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動可能に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。
【００７８】
そして、駆動モーター６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４にはキャリッジ軸５に沿ってプラテン８が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン８に巻き掛けられて搬送されるようになっている。
【００７９】
なお、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００８０】
また、本発明は、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに搭載される圧電アクチュエーターに限られず、超音波モーター、圧電センサー等、他の装置に搭載される圧電アクチュエーターにも適用することができる。
【符号の説明】
【００８１】
Ｉ  インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）、  ＩＩ  インクジェット式記録装置（液体噴射装置）、  １０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  １３  連通部、  １４  インク供給路、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ３１  マニホールド部、  ３２  圧電アクチュエーター保持部、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ６０  第１電極、  ７０  圧電体層、  ８０  第２電極、  ９０  リード電極、  １００  マニホールド、  １２０  駆動回路、  ３００  圧電アクチュエーター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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