(57)【要約】【課題】本発明は、Ｘ線センサーの解像度を良くすることを目的とするものである。【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、一面側がＸ線入射面、他面側をスイッチング回路部面とし、Ｘ線入射面側には、帯状に分割した薄膜状電極１７を有する光電変換膜１４と、前記薄膜状電極１７から電流値を読み取る電流値読み取り部２４と、この光電変換膜１４のスイッチング回路部面側には、前記薄膜状電極１７にほぼ直交した複数の帯状に設けたスイッチング回路用電極２１と、これら複数のスイッチング回路用電極２１に接続され、それぞれのスイッチング回路用電極２１の電気的状態をグランド状態とフローティング状態に切り替えるためのスイッチング回路部２５と、このスイッチング回路部２５を制御しながら、前記電流値読み取り部を制御するセンサー制御部１１とを備えた。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面側がＸ線入射面、他面側をスイッチング回路面とし、Ｘ線入射面側には、帯状に分割した薄膜状電極を有する光電変換膜と、前記薄膜状電極から電流値を読み取る電流値読み取り部と、この光電変換膜のスイッチング回路面側には、前記薄膜状電極にほぼ直交した複数の帯状に設けたスイッチング回路用電極と、これら複数のスイッチング回路用電極に接続され、それぞれのスイッチング回路用電極の電気的状態をグランド状態とフローティング状態に切り替えるためのスイッチング回路部と、このスイッチング回路部を制御しながら、前記電流値読み取り部を制御するセンサー制御部とを備えたＸ線センサー。
【請求項２】
前記スイッチング回路部は、前記センサー制御部からの制御信号によって開閉されるアナログスイッチより構成した請求項１に記載のＸ線センサー。
【請求項３】
前記アナログスイッチは、耐圧１０Ｖ以上とした請求項２に記載のＸ線センサー。
【請求項４】
前記アナログスイッチは、スイッチング周波数１００ｋＨｚ以上とした請求項２または３に記載のＸ線センサー。
【請求項５】
前記アナログスイッチは、オフリーク電流 ２００ｎＡ以下とした請求項２から４のいずれか一つに記載のＸ線センサー。
【請求項６】
前記光電変換膜は、Ｘ線入射面側より、Ｘ線透過性基板と、このＸ線透過性基板のＸ線入射面の裏面側に順次設けた薄膜状電極、正孔注入阻止層、光変換膜層、電子注入阻止層、スイッチング回路用電極、より構成した請求項１から５のいずれか一つに記載のＸ線センサー。
【請求項７】
Ｘ線源と、このＸ線源に所定間隔おいて対向配置したＸ線センサーとを備え、前記Ｘ線センサーとして、請求項１から６のいずれか一つに記載のＸ線センサーを用いたＸ線診断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線センサーと、このＸ線センサーを用いたＸ線診断装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の放射線（例えばＸ線、以下Ｘ線） のセンサーの構成は、一面側がＸ線入射面、他面側を電子ビーム入射面とし、Ｘ線入射面側には薄膜状電極を有する光電変換膜と、この光電変換膜の電子ビーム入射面側に対向して設けられ、電子ビームを光電変換膜に照射する電子源と、電子ビームを効率よく光電変換膜に引き出すための微小な開口を多数有するメッシュ電極とを備えたものとなっていた。
【０００３】
前記光電変換膜のＸ線入射面側よりＸ線が入射すると、薄膜状電極の近傍の膜内に、入射Ｘ線量に応じた電子・正孔が生成される。このうち正孔は薄膜状電極を介して光電変換膜に印加された電界によって加速され、新たな電子／正孔対を生成する衝突イオン化を繰り返すことでアバランシェ増倍される。これによって、光変換膜層の電子源側には、入射Ｘ線の強度に応じて生成、増倍された正孔の２次パターンが形成される。
【０００４】
これら光変換膜層の正孔に対して、電子源から電子ビームが放射され、光変換膜層を画素ごとに走査していく。このときに、正孔と電子ビームの電子が結合したときに流れる電流を、薄膜状電極を介して取り出すことで、Ｘ線の強度に応じた映像情報を得ることができる（例えば下記特許文献１、非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５８９２１２１号明細書
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】「アバランシェ増倍ａ−Ｓｅ光導電膜を用いた高感度ＨＡＲＰ撮像管」(テレビ誌、谷岡ら、Ｖｏｌ．４４、Ｎｏ．８、ｐ１０７４−１０８３、１９９０)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記従来のＸ線センサーの課題は、Ｘ線画像の解像度が低いことであった。
【０００８】
前述したように、従来のＸ線センサーの構成においては、Ｘ線の強度に応じた映像情報を取り出す場合には、電子源は、光変換膜層を画素ごとに走査していき、そのときに流れる電流を、薄膜状電極を介して取り出すことで、Ｘ線の強度に応じた映像情報を得ていた。
【０００９】
この場合には、電子源から出射され、メッシュ電極から引き出されたビーム形状により画素形状が決まるが、電子源各画素から出射されるビーム形状にはばらつきがある。電子源とメッシュ電極間の距離を小さくすることで、ビーム形状のばらつきの程度は低減できるが、メッシュ電極に高電圧を印加するため、放電を避けるにはある程度の空間距離が必要となり、ビーム形状のばらつきの影響は避けられない。さらに、メッシュ電極から引き出された、隣接画素間のビーム干渉によって、解像度が劣化するのであった。
【００１０】
そこで本発明は、Ｘ線センサーの解像度を良くすることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
そしてこの目的を達成するために本発明のＸ線センサーは、一面側がＸ線入射面、他面側をスイッチング回路面とし、Ｘ線入射面側には、帯状に分割した薄膜状電極を有する光電変換膜と、前記薄膜状電極から電流値を読み取る電流値読み取り部と、この光電変換膜のスイッチング回路面側には、前記薄膜状電極にほぼ直交した複数の帯状に設けたスイッチング回路用電極と、これら複数のスイッチング回路用電極に接続され、それぞれのスイッチング回路用電極の電気的状態をグランド状態とフローティング状態に切り替えるためのスイッチング回路部と、このスイッチング回路部を制御しながら、前記電流値読み取り部を制御するセンサー制御部とを備えた構成としたものであり、これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように、本発明のＸ線センサーは、一面側がＸ線入射面、他面側をスイッチング回路部面とし、Ｘ線入射面側には、帯状に分割した薄膜状電極を有する光電変換膜と、前記薄膜状電極から電流値を読み取る電流値読み取り部と、この光電変換膜のスイッチング回路部面側には、前記薄膜状電極にほぼ直交した複数の帯状に設けたスイッチング回路用電極と、これら複数のスイッチング回路用電極に接続され、それぞれのスイッチング回路用電極の電気的状態をグランド状態とフローティング状態に切り替えるためのスイッチング回路部と、このスイッチング回路部を制御しながら、前記電流値読み取り部を制御するセンサー制御部とを備えた構成としたので、Ｘ線センサーの解像度を良くすることができる。
【００１３】
すなわち、光電変換膜のスイッチング回路部面側には、光電変換膜のＸ線入射面側の薄膜状電極にほぼ直交した複数の帯状に設けたスイッチング回路用電極を設け、これらのスイッチング回路用電極にスイッチング回路部を接続してスイッチング回路用電極の電気的状態をグランド状態とフローティング状態に切り替え可能な構成にしたので、各画素のサイズが直行する対向電極により定義出来るため、全ての画素サイズが同じ大きさとなり、かつ、隣接画素間の干渉もなくなるので、Ｘ線センサーの解像度を上げることができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態にかかるＸ線診断装置の構成図
【図２】本発明の実施の形態にかかるＸ線診断装置のブロック図
【図３】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの外観を示す斜視図
【図４】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの断面図
【図５】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの主要部の断面図
【図６】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの制御ブロック図
【図７】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの主要部の断面図
【図８】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの主要部の断面図
【図９】本発明の実施の形態にかかるＸ線センサーの外観を示す斜視図
【図１０】本発明の実施の形態にかかるＸ線診断装置のコントローラのフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（実施の形態１）
以下、本発明にかかるＸ線センサー、およびそのＸ線センサーを用いたＸ線診断装置の実施の一形態について、添付図面を交えて説明する。なお添付図面は、理解を容易にするために模式的な図を示している。
【００１６】
まず、この実施の形態にかかるＸ線診断装置の全体構成について、図１および図２を用いて説明する。
【００１７】
図１は本発明の実施の形態にかかるＸ線診断装置の構成図である。図１に示すように、Ｘ線診断装置は、Ｘ線源１と、Ｘ線源１から所定の間隔をおいて対向配置されるＸ線センサー２とを備え、Ｘ線源１から放射したＸ線を撮像対象者３に照射し、その撮像対象者３を透過したＸ線をＸ線センサー２に入射させることにより、撮像対象者３の内部の状態を可視化するものである。
【００１８】
具体的には、側面視したときの形状が略半円状のアーム４の一端にＸ線源１が設けられ、アーム４の他端にＸ線センサー２が設けられている。このようにしてＸ線源１とＸ線センサー２が所定の間隔をおいて対向配置されている。したがってアーム４によって、ベッド５に横たわった撮像対象者３を挟んでＸ線源１とＸ線センサー２とを対向配置させることができるので、Ｘ線源１から照射されて撮像対象者３を透過したＸ線を、Ｘ線センサー２で検出することができる。
【００１９】
アーム４は、装置本体６に回動自在に取り付けられている。装置本体６は、アーム４を回動させる駆動装置（図示せず）を内蔵している。このようにすることで、撮像対象者３の内部の状態を様々な角度から可視化することが可能となる。
【００２０】
図２は本発明の実施の形態にかかるＸ線診断装置のブロック図である。
【００２１】
図２に示すように、Ｘ線源１はＸ線制御部７に接続されており、Ｘ線制御部７はコントローラ８に接続されている。コントローラ８は、Ｘ線診断装置全体の動作を統括的に制御するものである。Ｘ線制御部７は、コントローラ８からの指令信号に従って、Ｘ線源１によるＸ線の照射動作やＸ線の照射量を制御する。
【００２２】
Ｘ線センサー２は画像処理部９に接続されている。画像処理部９は、Ｘ線センサー２から取り出された電気信号（光電変換信号）を検出して画像処理する。画像処理部９により処理された信号はコントローラ８に送信される。コントローラ８は、Ｘ線センサー２が検出したＸ線の光量（強度）に基づく画像、すなわち撮像対象者３の内部の状態を表示する画像をモニタ１０に映し出す。
【００２３】
またＸ線センサー２は、センサー制御部１１にも接続されている。このセンサー制御部１１もコントローラ８に接続されている。センサー制御部１１は、コントローラ８からの指令信号に従って、後述するスイッチング回路部を制御する。
【００２４】
装置本体６に内蔵されているアーム４を回動させる駆動装置（図示せず）は移動制御部１２に接続されており、移動制御部１２はコントローラ８に接続されている。移動制御部１２は、コントローラ８からの指令信号に従って、アーム４の回動動作を制御する。
【００２５】
コントローラ８には、さらに入力部１３が接続されている。コントローラ８は、入力部１３から入力された指令に従って、Ｘ線診断装置全体の動作を統括的に制御する。
【００２６】
続いて、この実施の形態にかかるＸ線センサー２について、図３ないし図６を用いて説明する。図３は本発明の実施の形態にかかるＸ線センサー２の外観を示す斜視図であり、図４は本発明の実施の形態にかかるＸ線センサー２の断面図であり、図５は本発明の実施の形態にかかるＸ線センサー２の光電変換膜であるターゲット部１４の断面図であり、図６は本発明の実施の形態にかかるＸ線センサー２の制御ブロック図である。
【００２７】
以下、Ｘ線センサー２の光電変換膜については、ターゲット部と称して説明を行う。
【００２８】
図３および図４に示すように、Ｘ線センサー２は、平面視したときの形状が矩形状の取り付け基板１５を備える。また図４に示すように、取り付け基板１５の主面上には、ターゲット部１４が配置されている。
【００２９】
図５にターゲット部１４の構成図を示す。ターゲット部１４は、Ｘ線入射面となったＸ線透過性基板１６と、このＸ線透過性基板１６の内部、もしくはＸ線入射面の裏面側に順次設けた薄膜状電極１７、正孔注入阻止層１８、電荷増倍機能を持つ光導電性の光変換膜層１９、電子注入阻止層２０、スイッチング回路用電極２１とにより構成されている。
【００３０】
ターゲット部１４のＸ線入射面から放射線（例えばＸ線）２２が入射する。
【００３１】
ターゲット部１４の光変換膜層１９は、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）を主成分として構成されている。また、薄膜状電極１７と、ＣｅＯ２（酸化セリウム）より形成された正孔注入阻止層１８と、光変換膜層１９との接合により、外部からの正孔注入が阻止され、また、Ｓｂ２Ｓ３（三硫化アンチモン）やＳｉ３Ｎ４(窒化ケイ素)より形成された電子注入阻止層２０と、光変換膜層１９との接合により、外部からの電子注入が阻止される構造となっている。
【００３２】
次に図６を用いて、Ｘ線センサー２の動作について説明する。
【００３３】
まず、ターゲット部１４の薄膜状電極１７は、１０ｋＶ程度の電源２３を介して電流値読み取り部２４に接続される。電流値読み取り部２４は、画像処理部９から制御される。
【００３４】
また、ターゲット部１４のスイッチング回路用電極２１は、スイッチング回路部２５に接続される。
【００３５】
この状態において、ターゲット部１４のＸ線入射面側（図６の上方）よりＸ線２２が入射すると、ターゲット部１４の光変換膜層１９には、入射Ｘ線の強度に応じて生成、増倍された正孔の２次パターンが形成される。
【００３６】
次に、この正孔の２次パターンを電流値として読み取るために、スイッチング回路用電極２１に接続された、スイッチング回路部２５により、各電極の電気的状態をグラウンド状態とフローティング状態を切り換えることにより、ラインごとに走査する。
【００３７】
ここで、図６を用いて、スイッチング回路用電極２１、および、薄膜状電極１７の構成について説明する。
【００３８】
まず、スイッチング回路用電極２１は、アルミニウム等の導電性の金属で形成されたものであり、図６の手前から奥行き方向に、２１ａ、２１ｂ、・・・２１ｅのように、所定間隔をおいて配置された帯状に設けられている。また、Ｘ線入射面側の薄膜状電極１７は、１７ａ、１７ｂ、１７ｃのようにスイッチング回路用電極２１にほぼ直交した、複数の帯状に分割（所定間隔をおいて配置）した構成となっている。
【００３９】
このような構成において、スイッチング回路部２５は、スイッチング回路用電極２１に接続され、いずれか一つの電極を選択し、選択した電極の電気的状態をグランド状態とし、他の電極の電気的状態をフローティング状態とし、グランド状態の電極を走査する。
【００４０】
スイッチング回路部２５は、主としてアナログスイッチより構成される。一般的な医療用途として、フレームレートとして毎秒３０フレーム、センサーサイズとして４３０ｍｍ×４３０ｍｍ、画素を２５０ｕｍピッチと想定する。蓄積される電荷量から、アナログスイッチの耐圧として１０Ｖ以上が要求される。動画取得する際、スイッチング周波数は１００ｋＨｚ以上が要求される。動画取得する際、フレーム間でリークによって減少する電荷量を、蓄積された電荷量の１％以下とするためには、オフリーク電流値は２００ｎＡ以下が要求される。
【００４１】
図６においては、まずセンサー制御部１１よりスイッチング回路部２５が制御され、スイッチング回路用電極２１ｅを選択し、２１ｅの電気的状態をフローティング状態からグランド状態に切り換える。このスイッチング回路用電極２１ｅ上方近傍の膜内に生成された正孔と、スイッチング回路用電極２１ｅより供給される電子が結合したときに流れる電流を、薄膜状電極１７より読み出している。より具体的には、薄膜状電極１７ａより読み取った電流値は、スイッチング回路用電極２１ｅと薄膜状電極１７ａが直交する画素２６ａの入射Ｘ線の強度に相当する電流値となり、薄膜状電極１７ｂより読み取った電流値は、スイッチング回路用電極２１ｅと薄膜状電極１７ｂが直交する画素２６ｂの入射Ｘ線の強度に相当する電流値となり、薄膜状電極１７ｃより読み取った電流値は、スイッチング回路用電極２１ｅと薄膜状電極１７ｃが直交する画素２６ｃの入射Ｘ線の強度に相当する電流値となる。
【００４２】
それぞれの薄膜状電極１７ａ、１７ｂ、１７ｃには、電流値読み取り部２４が設けられた構成となっており、センサー制御部１１は、スイッチング回路用電極２１をスイッチング回路用電極２１ａ、スイッチング回路用電極２１ｂの順に、走査ラインごとに選択して電気的状態をグランド状態にするよう制御するとともに、選択された走査ラインに対応して、薄膜状電極１７に設けた電流値読み取り部２４から読み取ることにより、画素の入射Ｘ線の強度を読み取ることが可能となる。
【００４３】
さらに詳細な説明をするために、図７、図８を用いて説明する。
【００４４】
図７、図８にターゲット部１４の断面構造の模式図を示す。
【００４５】
図７は、図６を正面より見た断面構造の模式図であり、図８は、図６を左側面より見た断面構造の模式図である。
【００４６】
図７に示すように、ターゲット部１４は、Ｘ線入射面となったＸ線透過性基板１６と、このＸ線透過性基板１６のＸ線入射面の内部、又は裏面側に設けた薄膜状電極１７と、その裏面側に順次設けたＣｅＯ２（酸化セリウム）より形成された正孔注入阻止層１８、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）で形成され、電荷増倍機能を持つ光導電性の光変換膜層１９と、Ｓｂ２Ｓ３（三硫化アンチモン）やＳｉ３Ｎ４(窒化ケイ素)より形成された電子注入阻止層２０と、アルミニウム等の金属で形成されたスイッチング回路用電極２１と、より構成されている。
【００４７】
スイッチング回路用電極２１は、アルミニウム等の導電性の金属で形成されたものであり、走査ラインに対応した位置（図７の手前から奥行き方向）に、２１ａ、２１ｂ、・・・２１ｆのように所定間隔離した帯状に設けられている。それぞれの電極間隔の長さＡは、ほぼ１００ｕｍ程度である。
【００４８】
また、図８に示すように、Ｘ線入射面側の薄膜状電極１７は、１７ａ、１７ｂ、１７ｃのようにスイッチング回路用電極２１にほぼ直交した複数の帯状に分割した構成となっており、この薄膜状電極の間隔Ｂは、ほぼ１００ｕｍ程度である。
【００４９】
このような構成において、ターゲット部１４とスイッチング回路部２５の構成による動作について説明する。
【００５０】
ターゲット部１４のＸ線２２のＸ線入射面となったＸ線透過性基板１６側よりＸ線が入射すると、薄膜状電極１７の近傍の光変換膜層１９の膜内に、入射Ｘ線量に応じた電子・正孔が生成される。このうち正孔は薄膜状電極１７を介して光変換膜層１９に印加された電界によって加速され、新たな電子／正孔対を生成する衝突イオン化を繰り返すことでアバランシェ増倍される。
【００５１】
これによって、光変換膜層１９のスイッチング回路用電極２１側には、入射Ｘ線の強度に応じて生成、増倍された正孔の２次パターンが形成される。
【００５２】
これら光変換膜層１９の正孔に対して、スイッチング回路部２５がスイッチング回路用電極２１の電気的状態を切り換えることにより、光変換膜層１９をラインごとに走査していく。
【００５３】
図７においては、まず、スイッチング回路用電極２１ａに対応したラインに対して、スイッチング回路部２５が、２１ａの電気的状態をグランド状態に切り換える。
【００５４】
図８においては、スイッチング回路部２５によりスイッチング回路用電極２１ａの電気的状態がグランド状態となり、２１ａに注入された電子は光変換膜層１９の下面に形成された正孔の２次パターンと結合し、その上方に位置する薄膜状電極１７ａ〜１７ｆに対して、Ｘ線の強度に応じた電流が流れることになる。この電流を薄膜状電極１７ａ〜１７ｆからそれぞれ取り出すことで、スイッチング回路用電極２１ａに対応したラインに対する画素の入射Ｘ線強度を測定することができる。
【００５５】
この走査をスイッチング回路用電極２１ａからスイッチング回路用電極２１ｆまで繰り返すことで、スイッチング回路用電極２１と薄膜状電極１７によりマトリクス状に位置づけられる画素の入射Ｘ線強度を測定することができ、それを１枚の画像とするとＸ線画像となるのである。
【００５６】
さらに、図１０を用いてコントローラ８の制御をフローチャート式に説明する。まずＳ１でコントローラ８は、Ｘ線源１に対してＸ線２２の照射の指示を行い、照射後、Ｓ２でセンサー制御部１１を制御し、スイッチング回路部２５により、スキャン位置のスイッチング回路用電極２１の電気的状態をフローティング状態からグランド状態に切り換える。Ｓ３で、コントローラは、画像処理部９を制御し、全ての薄膜状電極１７から電流値読み取り部２４が読み取った電流値を画像処理し、Ｓ４で、コントローラ８は、画像情報をスキャン位置に応じた記録部の領域に格納する。次にスキャン位置に対して、Ｓ２からＳ４を繰り返し、全てのスイッチング回路用電極２１をスキャンすることで、１枚のＸ線画像を取得する。
【００５７】
このように、ターゲット部１４は、Ｘ線入射面側の薄膜状電極１７を設け、次に、スイッチング回路用電極２１は、薄膜状電極１７にほぼ直行した導電性の複数の帯状電極から構成し、それぞれの電極の電気的状態を、フローティング状態とグランド状態とに切り換えることにより、スイッチング回路用電極２１と薄膜状電極１７が直行した位置に対応した、複数の画素に対応したＸ線感度を同時に読み取ることが可能となり、その結果、全ての画素の形状とサイズが、スイッチング回路用電極２１と薄膜状電極１７から一意的に決まり、それぞれの電極のサイズとピッチを微細化することにより、Ｘ線イメージングの解像度を向上させることができる。
【００５８】
また、スイッチング回路部２５は導電性の帯状のスイッチング回路用電極２１の電気的状態を切り換えることにより、薄膜状電極１７から電流を読み出すことができるので、ターゲット部１４をライン走査で読み出すことができので、高速で高解像度なイメージングが可能となる。
【００５９】
また、本実施形態における光変換膜層１９は、感度層により構成されているが、さらには、Ｘ線入射面より順に、緩和層、正孔トラップ層、感度層より構成しても良い。
【００６０】
正孔トラップ層は、Ｘ線や可視光などの照射によって発生した正孔をトラップする層であり、緩和層と正孔トラップ層が設けられているのは、正孔注入阻止層などにキズや膜厚ムラが発生している場合でも、それによる白キズの発生を抑えることができるようにするためである。
【００６１】
なお、光変換膜層１９の電荷増倍機能は、感度層によるものであり、光変換膜層１９の構成要素としては、感度層のみで構成しても良い。
【００６２】
なお、光変換膜層１９について、正孔注入阻止層１８と電子注入阻止層２０がなく、電荷増幅機能のない構成でも良い。
【００６３】
ここで、薄膜状電極１７には酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）や酸化スズ、Ｓｉ等半導体基板などが使用され、半導体基板の場合、電極はイオンドープ法によって生成される。また、正孔注入阻止層１８には酸化セリウム（ＣｅＯ２）が、緩和層には非晶質セレン（ａ−Ｓｅ）が、正孔トラップ層には非晶質セレン（ａ−Ｓｅ）とフッ化リチウム（ＬｉＦ）が、感度層には非晶質セレン（ａ−Ｓｅ）が、電子注入阻止層２０には硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ３）やＳｉ３Ｎ４(窒化ケイ素)がそれぞれ使用される。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
以上のように、本発明のＸ線センサーは、一面側がＸ線入射面、他面側をスイッチング回路部面とし、Ｘ線入射面側には、帯状に分割した薄膜状電極を有する光電変換膜と、前記薄膜状電極から電流値を読み取る電流値読み取り部と、この光電変換膜のスイッチング回路部面側には、前記薄膜状電極にほぼ直交した複数の帯状に設けたスイッチング回路用電極と、これら複数のスイッチング回路用電極に接続され、それぞれのスイッチング回路用電極の電気的状態をグランド状態とフローティング状態に切り替えるためのスイッチング回路部と、このスイッチング回路部を制御しながら、前記電流値読み取り部を制御するセンサー制御部とを備えた構成としたので、Ｘ線センサーの解像度を良くすることができる。
【００６５】
すなわち、光電変換膜のスイッチング回路部面側には、光電変換膜のＸ線入射面側の薄膜状電極にほぼ直交した複数の帯状に設けたスイッチング回路用電極を設け、これらのスイッチング回路用電極にスイッチング回路部を接続してスイッチング回路用電極の電気的状態をグランド状態とフローティング状態に切り替え可能な構成にしたので、各画素のサイズが直行する対向電極により定義出来るため、全ての画素サイズが同じ大きさとなり、かつ、隣接画素間の干渉もなくなるので、Ｘ線センサーの解像度を上げることができるのである。
【００６６】
したがって、Ｘ線センサーやＸ線診断装置への適用が大いに期待されるものである。
【符号の説明】
【００６７】
１  Ｘ線源
２  Ｘ線センサー
３  撮像対象者
４  アーム
５  ベッド
６  装置本体
７  Ｘ線制御部
８  コントローラ
９  画像処理部
１０  モニタ
１１  センサー制御部
１２  移動制御部
１３  入力部
１４  ターゲット部（光電変換膜）
１５  取り付け基板
１６  Ｘ線透過性基板
１７  薄膜状電極
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ  薄膜状電極
１８  正孔注入阻止層
１９  光変換膜層
２０  電子注入阻止層 
２１  スイッチング回路用電極
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆ  スイッチング回路用電極
２２  Ｘ線
２３  電源
２４  電流値読み取り部
２５  スイッチング回路部
２６  画素
２６ａ、２６ｂ、２６ｃ  画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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