(57)【要約】【課題】端子配置の変更や小型化に対して、新たなパッドレイアウトのＳＡＷ共振子を準備することなく、ＳＡＷ共振子の共有ができるＳＡＷ発振器を提供する。【解決手段】ＳＡＷ発振器１００は、櫛形交差指電極１１と反射器１２と配線パターン１３とを有するＳＡＷ共振子１０と、ＳＡＷ共振子１０を駆動する発振回路を有するＩＣ素子２０と、ＳＡＷ共振子１０とＩＣ素子２０とを電気的に接続する配線ワイヤー６０と、を備え、ＳＡＷ共振子１０を平面視したときに、少なくとも、配線ワイヤー６０と配線パターン１３とが重なる領域Ｂの配線パターン１３の表面に絶縁層１３ｉが設けられている。【選択図】図１
2013187666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
櫛形交差指電極と反射器と配線パターンとを有するＳＡＷ共振子と、
前記ＳＡＷ共振子を駆動する発振回路を有するＩＣ素子と、
前記ＳＡＷ共振子と前記ＩＣ素子とを電気的に接続する配線ワイヤーと、を備え、
前記ＳＡＷ共振子を平面視したときに、少なくとも、前記配線ワイヤーと前記配線パターンとが重なる領域の前記配線パターンの表面に絶縁層が設けられていることを特徴とするＳＡＷ発振器。
【請求項２】
前記絶縁層は、ＳｉＯ2、または陽極酸化膜、または樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷ発振器。
【請求項３】
前記ＳＡＷ共振子を平面視したときに、前記ＳＡＷ共振子と前記ＩＣ素子とは、少なくとも一部が重なるように配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＳＡＷ発振器。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のＳＡＷ発振器を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項５】
略長方形の圧電基板と、
前記圧電基板に設けられた櫛形交差指電極と、
前記圧電基板に設けられ、前記圧電基板の長辺方向において、前記櫛形交差指電極の両側に配置された反射器と、
前記圧電基板に設けられた、外部の回路と電気的に接続するためのパッド電極と、
前記圧電基板に設けられ、前記櫛形交差指電極と前記パッド電極とを電気的に接続する配線パターンと、を備え、
前記配線パターンの表面には絶縁層が設けられていることを特徴とするＳＡＷ共振子。
【請求項６】
前記パッド電極は、前記圧電基板における短辺方向中央部に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のＳＡＷ共振子。
【請求項７】
圧電基板に金属薄膜を被着させ、配線パターン領域および櫛形交差指電極を含む電極領域を形成する工程と、
レジスト材料を塗布し、少なくとも前記電極領域に前記レジスト材料が残るようにレジストパターンを形成する工程と、
露出する前記配線パターン領域の金属薄膜表面を陽極酸化処理により酸化させる工程と、を有することを特徴とするＳＡＷ共振子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷ発振器、ＳＡＷ共振子、ＳＡＷ共振子の製造方法、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）デバイスは、携帯電話などの通信機器やネットワーク機器を中心に様々な分野で活用されている。その中で、特に、通信機器の高性能化、小型化、省電力化に伴い、ＳＡＷデバイスを用いた発振器やフィルターなどの電子機器に対しては、優れた周波数特性やより一層の小型化に対するニーズが高い。例えば、特許文献１に記載されているように、ＳＡＷデバイスを用いた発振器の小型化、高信頼性化を目的として、ＩＣ（Integrated Circuit）素子とＳＡＷデバイスとを同一のパッケージ内に構成するための技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平２−２９０３０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のパッケージでは、さらに小型化、薄型化しようとした場合に、端子の配置が固定されてしまう、あるいは、端子配置の変更が難しくなってしまうという問題があった。具体的には、ＳＡＷデバイスとＩＣ素子とを電気的に接続する配線ワイヤーが、ＳＡＷデバイスに形成された電極や配線パターン、反射器に触れて短絡することを防止するために、ＳＡＷデバイスおよびＩＣ素子のボンディングパッドの位置を相互に対向する領域に配置する構造としていたため、ＳＡＷデバイスおよびＩＣ素子の配置を自由に変更できないという問題であった。つまり、パッケージの端子配置を変更する場合には、必要に応じ、それに合わせてＳＡＷデバイスやＩＣ素子の配置を変えなければならない場合があり、さらには、ボンディングパッドの位置を変更しなければならない場合があった。その結果、小型化、薄型化のニーズや、端子配置変更のニーズなどに対応する都度、専用のＳＡＷデバイスを用意するなど、新たな開発納期やコストを要するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例または形態として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかるＳＡＷ発振器は、櫛形交差指電極と反射器と配線パターンとを有するＳＡＷ共振子と、前記ＳＡＷ共振子を駆動する発振回路を有するＩＣ素子と、前記ＳＡＷ共振子と前記ＩＣ素子とを電気的に接続する配線ワイヤーと、を備え、前記ＳＡＷ共振子を平面視したときに、少なくとも、前記配線ワイヤーと前記配線パターンとが重なる領域の前記配線パターンの表面に絶縁層が設けられていることを特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、ＳＡＷ共振子を平面視したときに、少なくとも、ＳＡＷ共振子が有する配線パターンと配線ワイヤーとが重なる領域において、配線パターンの表面に絶縁層が設けられているため、配線ワイヤーと配線パターンとが短絡することが防止される。つまり、従来は、配線ワイヤーと配線パターンとの短絡を避けるために、交差しないレイアウトにせざるを得ない場合があったが、配線パターンの表面に絶縁層を設けることで、ＳＡＷ共振子とＩＣ素子の配置構成をよりフレキシブルにすることができる。また、もともと交差するレイアウト構成が必要であった場合には、短絡を避けるための製造条件の維持（例えば配線ワイヤーのループ高さの確保）や品質管理を徹底する必要があったが、その必要も無くなり、工程を簡略化させることができる。その結果、品質がより安定した、またコストがより低減されたＳＡＷ発振器を提供することができる。
なお、平面視とは、ＳＡＷ共振子を構成する基板平面の垂直方向からＳＡＷ共振子を見た場合をいう。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかるＳＡＷ発振器において、前記絶縁層は、ＳｉＯ2、または陽極酸化膜、または樹脂からなることを特徴とする。
【０００９】
本適用例のように、絶縁層は、ＳｉＯ2、または陽極酸化膜、または樹脂からなる層で構成することが好ましい。ＳｉＯ2の場合は、例えば、スパッタ法や、ＣＶＤ法によって成膜を行うことで絶縁層を形成することができる。陽極酸化膜の場合は、配線パターンの表面を陽極酸化することにより絶縁層を形成することができる。樹脂の場合は、配線パターンの表面に樹脂を塗布することで絶縁層を形成することができる。これらにより絶縁層を構成することで、上述した効果が得られる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかるＳＡＷ発振器において、前記ＳＡＷ共振子を平面視したときに、前記ＳＡＷ共振子と前記ＩＣ素子とは、少なくとも一部が重なるように配置されていることを特徴とする。
【００１１】
本適用例のように、ＳＡＷ共振子とＩＣ素子とは、平面視したときに少なくとも一部が重なるように配置されていることが好ましい。重ねて配置することにより、ＳＡＷ発振器をより小型化することが可能となり、ＳＡＷ発振器の実装面積をより小さくすることができる。ＳＡＷ共振子とＩＣ素子とを重ねて配置するような場合には、配線ワイヤーのループ高さを低く抑える必要があったり、あるいは、ＳＡＷ共振子の表面に配線ワイヤーが近づく構成となったりする場合があるが、ＳＡＷ共振子が有する配線パターンの表面に絶縁層が形成されているため、配線ワイヤーと配線パターンとが短絡することが防止される。
【００１２】
［適用例４］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例に記載のＳＡＷ発振器を備えたことを特徴とする。
【００１３】
上記のＳＡＷ発振器を備えることにより、品質がより安定した、またコストがより低減された電子機器を提供することができる。
【００１４】
［適用例５］本適用例にかかるＳＡＷ共振子は、略長方形の圧電基板と、前記圧電基板に設けられた櫛形交差指電極と、前記圧電基板に設けられ、前記圧電基板の長辺方向において、前記櫛形交差指電極の両側に配置された反射器と、前記圧電基板に設けられた、外部の回路と電気的に接続するためのパッド電極と、前記圧電基板に設けられ、前記櫛形交差指電極と前記パッド電極とを電気的に接続する配線パターンと、を備え、前記配線パターンの表面には絶縁層が設けられていることを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、ＳＡＷ共振子が有する配線パターンの表面に絶縁層が設けられているため、ＳＡＷ共振子と外部の回路とを電気的に接続する配線ワイヤーが、配線パターンと交差するように配置されるような構成であっても、配線ワイヤーと配線パターンとが短絡することが防止される。つまり、従来は、配線ワイヤーと配線パターンとの短絡を避けるために、交差しないレイアウトを選択せざるを得ない場合があったが、配線パターンの表面に絶縁層を設けることで、配線ワイヤーと配線パターンとが交差するレイアウトも可能となり、配置構成をよりフレキシブルにすることができる。また、例えば、本適用例のＳＡＷ共振子を備えるＳＡＷ発振器などのパッケージデバイスにおいて、その端子配置が変更されるような場合であっても、配線ワイヤーと配線パターンとの交差を避けるための新たなボンディングレイアウトに対応したＳＡＷ共振子を開発する必要が無くなる。つまり、ＳＡＷ共振子の共用化を図ることが可能となり、新たな開発納期やコストを要することのないパッケージデバイスを提供することができる。
【００１６】
［適用例６］上記適用例にかかるＳＡＷ共振子において、前記パッド電極は、前記圧電基板における短辺方向中央部に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
本適用例のＳＡＷ共振子によれば、パッド電極は、圧電基板の短辺方向中央部に形成されるため、配線ワイヤーが接続される方向が変わることによる配線ワイヤーの長さの変化を低減することができ、その結果、特性の変動を少なくすることができる。具体的には、ＳＡＷ共振子を様々なレイアウトのパッケージデバイスに共用する場合に、短辺方向の一方の方向に配線ワイヤーを張る場合と他方の方向に張る場合とで、パッド電極の位置による配線ワイヤーの長さの違いが発生しないため、インダクタンスの変化を抑えることができる。つまり、特性変動を抑えた中で、ＳＡＷ共振子の共用化を図ることが可能となり、より互換性の高いＳＡＷ共振子を提供することができる。
【００１８】
［適用例７］本適用例にかかるＳＡＷ共振子の製造方法は、圧電基板に金属薄膜を被着させ、配線パターン領域および櫛形交差指電極を含む電極領域を形成する工程と、レジスト材料を塗布し、少なくとも前記電極領域に前記レジスト材料が残るようにレジストパターンを形成する工程と、露出する前記配線パターン領域の金属薄膜表面を陽極酸化処理により酸化させる工程と、を有することを特徴とする。
【００１９】
本適用例によれば、選択的に配線パターン領域を陽極酸化することができ、簡便にＳＡＷ共振子が有する配線パターンの表面に絶縁層を形成することができる。その結果、ＳＡＷ共振子と外部の回路とを電気的に接続する配線ワイヤーが、配線パターンと交差するように配置される構成で使用される場合であっても、配線ワイヤーと配線パターンとが短絡することが防止される。つまり、従来は、配線ワイヤーと配線パターンとの短絡を避けるために、交差しないレイアウトを選択せざるを得ない場合があったが、配線パターンの表面に絶縁層を設けることで、配置構成をよりフレキシブルにすることができる。また、例えば、本適用例のＳＡＷ共振子を備えるパッケージデバイスの端子配置が変更されるような場合であっても、新たなボンディングレイアウトに対応したＳＡＷ共振子を開発する必要が無くなり、ＳＡＷ共振子の共用化を図ることが可能となる。つまり、本適用例にかかる製造方法によれば、異なるレイアウトのパッケージデバイスに共有できることにより、新たな開発納期やコストを要することのないＳＡＷ共振子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ）実施形態１にかかるＳＡＷ発振器の平面図、（ｂ）側断面図、（ｃ）回路概略図。
【図２】（ａ）端子配置が異なるＳＡＷ発振器示す平面図、（ｂ）配線ワイヤーと配線パターンとが重ならない構成のＳＡＷ発振器を示す平面図、（ｃ）ＳＡＷ共振子を共有化したＳＡＷ発振器を示す平面図。
【図３】（ａ）実施形態２にかかるＳＡＷ共振子の平面図、（ｂ），（ｃ）実施形態２にかかるＳＡＷ共振子を用いたＳＡＷ発振器の平面図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）ＳＡＷ共振子の製造方法を説明する工程図。
【図５】陽極酸化処理を行うための装置の構成を示す概略図。
【図６】（ａ）実施形態３にかかるＳＡＷ発振器の平面図、（ｂ）側断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。以下は、本発明の一実施形態であって、本発明を限定するものではない。なお、以下の各図においては、説明を分かりやすくするため、実際とは異なる尺度で記載している場合がある。
【００２２】
（実施形態１）
まず、実施形態１にかかるＳＡＷ発振器について説明する。
図１（ａ）は、実施形態１にかかるＳＡＷ発振器１００の平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ―Ａ断面図、（ｃ）は、ＳＡＷ発振器１００の回路の概略図である。
ＳＡＷ発振器１００は、ＳＡＷ共振子１０、ＩＣ素子２０などから構成されたＳＡＷ発振器であり、パッケージ３０に実装されている。
【００２３】
ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板９の主面に形成された一対の櫛形交差指電極１１、２つの反射器１２、配線パターン１３、パッド電極１４、などから構成されている。
圧電基板９は、略長方形の基板であり、その材料としては、水晶、ランガサイト、ＬＢＯ（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）、サファイア、ダイヤモンドなどが挙げられる。
反射器１２は、圧電基板９の長手方向（長辺方向）における櫛形交差指電極１１の両側に配置されている。
配線パターン１３（１３ａ，１３ｂ）は、櫛形交差指電極１１とパッド電極１４とを接続する一対の導電パターンであり、圧電基板９の主面に、圧電基板９の長手方向に沿って櫛形交差指電極１１および反射器１２を挟むように形成されている。
【００２４】
パッド電極１４（１４ａ，１４ｂ）は、ＳＡＷ共振子１０とＩＣ素子２０とを電気的に接続するための一対の接続パッドであり、圧電基板９の端部主面において、圧電基板９の長手方向の一方の辺（一方の長辺側）に並ぶように形成されている。また、図１（ａ）に示すように、一方のパッド電極１４ａは、一方の配線パターン１３ａの終端部に位置し、他方のパッド電極１４ｂは、他方の配線パターン１３ｂの終端部付近において、圧電基板９の長手方向の他方の辺（他方の長辺側）から一方の長辺側に向かい圧電基板９の短手方向（短辺方向）に沿って屈曲して延設された配線パターン１３ｂの終端部に位置している。
【００２５】
ＩＣ素子２０は、ＳＡＷ共振子１０を駆動する発振回路や波形成形回路などを備えたＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）‐ＩＣであり、ＳＡＷ発振器１００の出力を形成する。なお、ＩＣ素子２０は、ＣＭＯＳ‐ＩＣに限定するものではない。
【００２６】
パッケージ３０は、ベース基板３１、回路基板３２、フレーム４０、蓋５０などが順に積層され、内部にＳＡＷ共振子１０やＩＣ素子２０を配置する空間を有する扁平な略直方体形状の表面実装型パッケージとして構成されている。
【００２７】
ベース基板３１は、セラミックなどからなる略長方形の絶縁性基板であり、電源端子ＰＳ、グランド端子ＧＮＤおよび外部の回路と電気的に接続するための端子（Ｏ１、Ｏ２、ＯＥ）などの外部端子を備えている。
【００２８】
回路基板３２は、ベース基板３１と略同じ大きさの回路基板であり、ＳＡＷ共振子１０やＩＣ素子２０がベース基板３１に配置されるエリアを形成する開放部３２ｋ（基板に設けられた穴）を備えており、ＳＡＷ共振子１０やＩＣ素子２０と共に、ベース基板３１に接着されている。また、回路基板３２は、後述する配線ワイヤー６０を介してＳＡＷ共振子１０とＩＣ素子２０とを、またパッケージ３０の複数の外部端子とＩＣ素子２０とを電気的に接続する複数の導電パターン３２ｐを有している。
なお、以降の説明において、ベース基板３１に対して回路基板３２が積層される方向を上方向とする。
【００２９】
ＳＡＷ共振子１０は、その長手方向を、パッケージ３０の長手方向と略同じ向きにし、主面を上面として、ベース基板３１の上面に支持板３３を介して接着されることで固定されている。支持板３３は、パッド電極１４が形成されているＳＡＷ共振子１０の長手方向の一方の端部を固定している。つまり、ＳＡＷ共振子１０は、支持板３３によってベース基板３１に片持ち状態で固定されている。
【００３０】
ＩＣ素子２０は、ＳＡＷ共振子１０の向きに対して、他方の配線パターン１３ｂが延在する側（ＳＡＷ共振子１０の他方の長辺側）に配置されている。つまり、ＳＡＷ共振子１０とＩＣ素子２０の位置関係において、ＩＣ素子２０は、ＳＡＷ共振子１０のパッド電極１４ａ，１４ｂが並ぶ側（ＳＡＷ共振子１０の一方の長辺側）とは反対側に位置している。
【００３１】
回路基板３２の上面には、ＳＡＷ共振子１０およびＩＣ素子２０が配置される空間を形成するフレーム４０と蓋５０が接着され、パッケージ３０の内部が気密に封止される。
【００３２】
次に、電気的な接続およびその接続にかかる配線部材の配置について説明する。
ＩＣ素子２０に形成されたボンディングパッド２１と導電パターン３２ｐと、並びに、ＳＡＷ共振子１０のパッド電極１４と導電パターン３２ｐとは、金線またはアルミニウム線などの配線ワイヤー６０で電気的に接続される。また、導電パターン３２ｐによるパッケージ３０の複数の外部端子との接続を含めて、ＳＡＷ発振器１００として図１（ｃ）に示す回路が構成されている。
【００３３】
また、図１（ａ）に示すように、パッド電極１４と導電パターン３２ｐとを接続する配線ワイヤー６０は、ＳＡＷ共振子１０の一方の長辺側から、他方の長辺側を越えて他方の長辺側に位置する導電パターン３２ｐに接続されている。これは、ＩＣ素子２０が、ＳＡＷ共振子１０の他方の長辺側に位置しているためであり、具体的には、パッド電極１４ａと導電パターン３２ｐａとを接続する配線ワイヤー６０ａと、パッド電極１４ｂと導電パターン３２ｐｂとを接続する配線ワイヤー６０ｂは、共にＳＡＷ共振子１０の他方の長辺側に形成された配線パターン１３ｂと交差するように配置されている。
【００３４】
このような配置構成においては、配線ワイヤー６０ａと配線パターン１３ｂとの短絡が危惧される。例えば、特にワイヤーボンディングがループ高さを充分に確保しにくいアルミニウム線によるウェッジボンディングの場合や、パッド電極１４の高さに対して導電パターン３２ｐの高さが低くなる場合には、配線ワイヤー６０ａと配線パターン１３ｂとの間隔が狭くなることにより、図１（ａ）のＢ部に示す位置での短絡の可能性が大きくなる。Ｂ部とは、ＳＡＷ共振子１０を平面視したときに、配線ワイヤー６０と配線パターン１３とが重なる領域を意味している。なお、平面視とは、ＳＡＷ共振子１０が構成される基板平面の垂直方向からＳＡＷ共振子１０を見た場合をいう。
【００３５】
そのため、本実施形態では、Ｂ部を含むＢ部周辺の配線パターン１３ｂの表面に絶縁層１３ｉを形成し、配線ワイヤー６０aと配線パターン１３ｂとが接触した場合においても電気的に短絡しないようにしている。Ｂ部周辺とは、ＳＡＷ共振子１０の一方の端部の内、下面が支持板３３により固定されている範囲を越えない範囲である。
【００３６】
絶縁層１３ｉの形成は、好適例として、後述する陽極酸化法により、配線パターン１３ｂの表面を陽極酸化し陽極酸化膜を形成することにより行なっている。なお、絶縁層１３ｉは、陽極酸化膜に限定するものではなく、例えば、ＳｉＯ2により形成しても良い。ＳｉＯ2の場合は、例えば、スパッタ法や、ＣＶＤ法によって配線パターン１３ｂの表面上に成膜を行うことで絶縁層１３ｉを形成することができる。また、絶縁層１３ｉは、樹脂により形成しても良い。樹脂の場合は、例えば、配線パターン１３ｂの表面に樹脂を塗布することで絶縁層１３ｉを形成することができる。
【００３７】
次に、Ｂ部を含むＢ部周辺の配線パターン１３ｂの表面に形成する絶縁層１３ｉも含め、配線部材をこのような配置構成とした理由について以下に説明する。
【００３８】
図２（ａ）は、ＳＡＷ発振器１００とは端子配置が異なる場合の一例としてのＳＡＷ発振器１０１を示す平面図である。ＳＡＷ発振器１０１の端子配置は、ＳＡＷ発振器１００の端子配置を鏡像で捉えた場合の端子配置になっている。
ＳＡＷ発振器１０１は、ＳＡＷ共振子１０ａ、ＩＣ素子２０ａなどから構成されたＳＡＷ発振器であり、パッケージ３０ａに実装されている。
【００３９】
ＳＡＷ共振子１０ａは、配線パターン１３ｂの表面に絶縁層１３ｉを形成していない点を除き、ＳＡＷ共振子１０と同様である。
【００４０】
ＩＣ素子２０ａは、ＩＣ素子２０のボンディングパッド２１の配置に対し、鏡像関係となる位置に配置されている点を除き、ＩＣ素子２０と同様である。
【００４１】
パッケージ３０ａは、回路基板３２ａを除き、パッケージ３０と同様の構成である。
回路基板３２ａは、回路基板３２が備える導電パターン３２ｐの形状や配置に対し、鏡像関係となるように配置されている点を除き、回路基板３２と同様である。
【００４２】
配線ワイヤー６０の接続レイアウトは、ＳＡＷ発振器１００における接続レイアウトに対し、鏡像関係となるようにレイアウトされている点を除き、ＳＡＷ発振器１００と同様である。但し、ＳＡＷ共振子１０ａと導電パターン３２ｐとを接続する配線ワイヤー６０（６０ａ，６０ｂ）の長さは、パッド電極１４の位置関係から、ＳＡＷ発振器１０１の場合には、ＳＡＷ発振器１００に比較して若干短くなる。
【００４３】
このような構成のＳＡＷ発振器１０１には、ＳＡＷ発振器１００のようにＳＡＷ共振子１０ａを平面視したときに、配線ワイヤー６０と配線パターン１３とが重なるＢ部のような領域が無い。従って、配線パターン１３の表面に絶縁層１３ｉを形成する必要はない。
【００４４】
図２（ｂ）は、ＳＡＷ発振器１００と同様の端子配置のＳＡＷ発振器１０２を示す平面図である。ＳＡＷ発振器１０２は、ＳＡＷ共振子１０ａのパッド電極１４の配置に対して鏡像の配置となるＳＡＷ共振子１０ｂを用いており、ＳＡＷ発振器１０１のように、配線ワイヤー６０と配線パターン１３とが重ならないように構成されている。ＳＡＷ発振器１０２は、ＳＡＷ共振子１０ｂを用いている点を除き、ＳＡＷ発振器１００と同様である。
【００４５】
このように、ＳＡＷ発振器１００と同様の端子配置になるＳＡＷ発振器１０２においても、ＳＡＷ発振器１０１のように、配線ワイヤー６０と配線パターン１３とが重なるＢ部のような領域が無いように構成することはできる。しかし、そのためには、図２（ｂ）に示すように、ＳＡＷ共振子１０ｂのパッド電極１４の位置も含めて、全ての配線部材の配置を鏡像関係にある配置とする必要がある、あるいは、そうすることがレイアウト的に好ましい。つまり、ＳＡＷ発振器の端子配置に合わせて専用のＳＡＷ共振子を用意する必要がある。これは、端子配置を除き同じ構成、同じ仕様のＳＡＷ発振器であるにも拘らず、新規にＳＡＷ共振子を準備しなければならないことを意味し、コスト、時間などに大きな無駄が発生する。
【００４６】
図２（ｃ）は、ＳＡＷ共振子を共有化したＳＡＷ発振器１０３を示す平面図である。具体的には、新規にＳＡＷ共振子１０ｂを準備することなく、ＳＡＷ共振子１０ａをそのまま用いて、ＳＡＷ発振器１０１の端子配置を鏡像で捉えた場合の端子配置に変更した場合のＳＡＷ発振器（１０３）を示す平面図である。これは、ＳＡＷ発振器１００と同じ配置構成であり、従って、配線ワイヤー６０ａと配線パターン１３ｂとの短絡が危惧される。
【００４７】
つまり、実施形態１にかかるＳＡＷ発振器１００は、ＳＡＷ共振子１０の共用を実現した実施形態であり、配線ワイヤーによって異なる方向への接続を可能とするべく、Ｂ部を含むＢ部周辺の配線パターン１３ｂの表面に形成する絶縁層１３ｉも含め、配線部材が上述したような配置構成とされている。
【００４８】
以上述べたように、本実施形態によるＳＡＷ発振器よれば、以下の効果を得ることができる。
ＳＡＷ共振子１０が有する配線パターン１３と配線ワイヤー６０とが重なる領域において、配線パターン１３の表面に絶縁層１３ｉが形成されているため、配線ワイヤー６０と配線パターン１３とが電気的に短絡することが防止される。つまり、従来は、配線ワイヤー６０と配線パターン１３との短絡を避けるために、交差しないレイアウトにせざるを得ない場合があったが、配線パターン１３の表面に絶縁層１３ｉを設けることで、ＳＡＷ共振子１０とＩＣ素子２０の配置構成をよりフレキシブルにすることができる。また、もともと交差するレイアウト構成が必要であった場合には、短絡を避けるための製造条件の維持（例えば配線ワイヤーのループ高さの確保）や品質管理を徹底する必要があったが、その必要も無くなり、工程を簡略化させることができる。その結果、品質がより安定した、またコストがより低減されたＳＡＷ発振器を提供することができる。
【００４９】
（実施形態２）
次に、実施形態２にかかるＳＡＷ共振子について説明する。なお、説明にあたり、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
図３（ａ）は、実施形態２にかかるＳＡＷ共振子１０ｃの平面図である。
実施形態１におけるＳＡＷ共振子１０では、パッド電極１４が、圧電基板９の一方の長辺側に並ぶように形成されていたが、本実施形態のＳＡＷ共振子１０ｃでは、パッド電極１４が、圧電基板９の短辺方向中央部に形成されていることを特徴としている。
【００５０】
ＳＡＷ共振子１０ｃは、圧電基板９の主面に形成された櫛形交差指電極１１、２つの反射器１２、配線パターン１３ｘ（１３ｘａ，１３ｘｂ）、パッド電極１４（１４ａ，１４ｂ）などから構成されている。ＳＡＷ共振子１０ｃは、パッド電極１４の位置が異なり、それに合わせて配線パターン１３の引き回しパターンが異なった配線パターン１３ｘとなる点、および、絶縁層１３ｉを配線パターン１３ｘａ，１３ｘｂの両方に形成している点を除き、ＳＡＷ共振子１０と同様である。
【００５１】
パッド電極１４ａ，１４ｂは、ＳＡＷ共振子１０ｃと外部の回路とを電気的に接続するための一対の接続パッドであり、圧電基板９の端部において、圧電基板９の短辺方向中央部の主面に形成されている。具体的には、図３（ａ）に示すように、圧電基板９の短辺の長さ２ｄに対して、パッド電極１４ａ，１４ｂの重心の位置が、長辺の位置から略ｄの位置になるように配置されている。
【００５２】
配線パターン１３ｘａ，１３ｘｂは、一対の櫛形交差指電極１１とパッド電極１４ａ，１４ｂとを接続する一対の導電パターンであり、圧電基板９の主面に、圧電基板９の長手方向に沿って櫛形交差指電極１１および反射器１２を挟むように延在し形成されている。また、図３（ａ）に示すように、配線パターン１３ｘａ，１３ｘｂは、その終端部付近において、それぞれが延在する圧電基板９の長辺側から、圧電基板９の短辺方向中央部に位置するパッド電極１４ａ，１４ｂに向かって屈曲して延設されている。
【００５３】
また、終端部付近の配線パターン１３ｘａ，１３ｘｂの表面に、絶縁層１３ｉを形成している。
なお、配線パターン１３ｘａ，１３ｘｂの終端部付近とは、配線パターン１３ｘａと配線パターン１３ｘｂとが圧電基板９長辺方向に沿って櫛形交差指電極１１および反射器１２を挟んでいる終端の部分からパッド電極１４ａ，１４ｂまでの配線パターン部分をいう。
【００５４】
図３（ｂ），（ｃ）は、ＳＡＷ共振子１０ｃを用いたＳＡＷ発振器２００，２０１の平面図である。
ＳＡＷ発振器２００は、ＳＡＷ発振器１００のＳＡＷ共振子１０に替わりＳＡＷ共振子１０ｃを用いている以外は、ＳＡＷ発振器１００と同様である。
ＳＡＷ発振器２０１は、ＳＡＷ発振器１０１のＳＡＷ共振子１０に替わりＳＡＷ共振子１０ｃを用いている以外は、ＳＡＷ発振器１００と同様である。
【００５５】
ＳＡＷ発振器２００は、図３（ｂ）のＢ部に示す位置において、配線ワイヤー６０ａと配線パターン１３ｘｂとが交差しているため、接触による短絡が危惧されるが、配線パターン１３ｘｂには絶縁層１３ｉが形成されているため、かかる短絡が回避される。
同様に、ＳＡＷ発振器２０１は、図３（ｃ）のＢ部に示す位置において、配線ワイヤー６０ｂと配線パターン１３ｘａとが交差しているため、接触による短絡が危惧されるが、配線パターン１３ｘａには絶縁層１３ｉが形成されているため、かかる短絡が回避される。
【００５６】
また、パッド電極１４は、圧電基板９の短辺方向中央部に形成されるため、このような構成において、ＳＡＷ発振器２００とＳＡＷ発振器２０１とで配線ワイヤー６０ａおよび配線ワイヤー６０ｂの長さは変わらない。
【００５７】
以上述べたように、本実施形態によるＳＡＷ共振子１０ｃによれば、以下の効果を得ることが出来る。
ＳＡＷ共振子１０ｃが有する配線パターン１３ｘの表面に絶縁層１３ｉが形成されているため、ＳＡＷ共振子１０ｃと外部の回路とを電気的に接続する配線ワイヤー６０が、配線パターン１３ｘと交差するように配置されるような構成であっても、配線ワイヤー６０と配線パターン１３ｘとが短絡することが防止される。つまり、従来は、配線ワイヤー６０と配線パターン１３ｘとの短絡を避けるために、交差しないレイアウトを選択せざるを得ない場合があったが、配線パターン１３ｘの表面に絶縁層１３ｉを設けることで、配線ワイヤー６０と配線パターン１３ｘとが交差するレイアウトも可能となり、配置構成をよりフレキシブルにすることができる。また、例えば、ＳＡＷ共振子１０ｃを備えるＳＡＷ発振器などのパッケージデバイスの端子配置が変更されるような場合であっても、新たなボンディングレイアウトに対応したＳＡＷ共振子を開発する必要が無くなり、ＳＡＷ共振子１０ｃの共用化を図ることが可能となる。つまり、新たな開発納期やコストを要することのないパッケージデバイスを提供することができる。
【００５８】
また、パッド電極１４は、圧電基板９の短辺方向中央部に形成されるため、配線ワイヤー６０が接続される方向が変わることによる配線ワイヤー６０の長さの変化を低減することができ、その結果、特性の変動を少なくすることができる。具体的には、ＳＡＷ共振子１０ｃを様々なレイアウトのパッケージデバイスに共用する場合に、短辺方向の一方の方向に配線ワイヤー６０を張る場合と他方の方向に張る場合とで、パッド電極１４の位置による配線ワイヤー６０の長さの違いが発生しないため、インダクタンスの変化を抑えることができる。つまり、特性変動を抑えた互換性の高いＳＡＷ共振子の共用化を図ることが可能となり、より互換性の高いＳＡＷ共振子を提供することができる。
【００５９】
（ＳＡＷ共振子の製造方法）
次に、本実施形態におけるＳＡＷ共振子の製造方法についてその一例を説明する。なお、説明にあたり、上述した実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
図４（ａ）〜（ｄ）は、ＳＡＷ共振子１０ｃの製造方法を説明する工程図である。ＳＡＷ共振子の製造は、圧電体ウェハー（以後ウェハー８０）を加工して行なうが、図４（ａ）〜（ｄ）では、分かりやすくするために、ＳＡＷ共振子の状態で示している。
また、図５は、陽極酸化処理を行うための装置の構成を示す概略図である。
【００６０】
まず、ウェハー８０（圧電基板９）の主面に、例えばアルミニウムなどの金属薄膜を蒸着などの方法により被着させる。次にこの金属薄膜をパターニングすることにより、図４（ａ）に示すように、電極領域としての櫛形交差指電極１１および２つの反射器１２と、配線パターン領域としての配線パターン１３ｘなどを形成する。
また、このとき、配線パターン１３ｘには、ウェハー８０の一方の端部に設けられた共通のターミナル８１（図５）に接続する接続線８２を形成しておく。
【００６１】
次に、レジスト９０を塗布し、少なくとも櫛形交差指電極１１および２つの反射器１２が含まれる領域および、パッド電極１４を形成する領域にレジスト９０が残るようにレジストパターンを形成する。図４（ｂ）に示す例では、終端部付近を除く配線パターン１３ｘまで覆われるようにレジストパターンが形成されており、絶縁層１３ｉが形成される部分の配線パターン１３ｘおよびその周辺の圧電基板９が露出している。
【００６２】
次に、露出する配線パターン１３ｘの表面を陽極酸化処理により酸化させる（図５）。
陽極酸化液９１を入れた電解槽９２の中に、ウェハー８０を浸漬し、ターミナル８１に直流電源９３の陽極（＋）を接続する。また、陽極酸化液９１に浸漬した陰極電極板９４に直流電源９３の陰極（−）を接続する。直流電源９３から所定の電圧を印加すると、露出した部分の配線パターン１３ｘが酸化され、図４（ｃ）に示すように絶縁層１３ｉが形成される。
【００６３】
なお、陽極酸化液９１には好適例として燐酸二水素アンモニウムなどの水溶液を使用するが、クエン酸塩やアジピン酸塩などの中性近傍の塩の水溶液を用いることができる。また、多孔性ではなく無孔性の酸化膜が形成されるように、陽極酸化液９１の温度は室温程度であることが望ましい。
【００６４】
次に、洗浄、レジストパターン除去、ダイシングなどを行い、図４（ｄ）に示すようなＳＡＷ共振子片を得る。
【００６５】
本実施形態にかかる製造方法によれば、選択的に配線パターン領域を陽極酸化することにより、簡便にＳＡＷ共振子１０ｃが有する配線パターン１３ｘの表面に絶縁層１３ｉを形成することができる。その結果、ＳＡＷ共振子１０ｃと外部の回路とを電気的に接続する配線ワイヤー６０が、配線パターン１３ｘと交差するように配置される構成で使用される場合であっても、配線ワイヤー６０と配線パターン１３ｘとが短絡することが防止される。つまり、従来は、配線ワイヤー６０と配線パターン１３ｘとの短絡を避けるために、交差しないレイアウトを選択せざるを得ない場合があったが、配線パターン１３ｘの表面に絶縁層１３ｉを設けることで、配置構成をよりフレキシブルにすることができる。また、例えば、ＳＡＷ共振子１０ｃを備えるパッケージデバイスの端子配置が変更されるような場合であっても、新たなボンディングレイアウトに対応したＳＡＷ共振子を開発する必要が無くなり、ＳＡＷ共振子の共用化を図ることが可能となる。つまり、本実施形態にかかる製造方法によれば、異なるレイアウトのパッケージデバイスに共有できることにより、新たな開発納期やコストを要することのないＳＡＷ共振子を提供することができる。
【００６６】
（実施形態３）
次に、実施形態３にかかるＳＡＷ発振器について説明する。なお、説明にあたり、上述した実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
図６（ａ）は、実施形態３にかかるＳＡＷ発振器３００の平面図、（ｂ）は側断面図である。ＳＡＷ発振器３００は、ＳＡＷ共振子を平面視したときに、ＳＡＷ共振子とＩＣ素子とは、少なくとも一部が重なるように配置されていることを特徴としている。
【００６７】
ＳＡＷ発振器３００は、ＳＡＷ共振子１０ｃ、ＩＣ素子２０などから構成されたＳＡＷ発振器であり、パッケージ３０ａに実装されている。
パッケージ３０ａは、ベース基板３１ａ、回路基板３２ａ、フレーム４０ａ、蓋５０ａなどが順に積層され、内部にＳＡＷ共振子１０ｃやＩＣ素子２０を配置する空間を有する扁平な略直方体形状の表面実装型パッケージとして構成されている。
【００６８】
ベース基板３１ａ、フレーム４０ａ、蓋５０ａは、短辺方向のレイアウトおよびサイズがベース基板３１、フレーム４０、蓋５０に対してシュリンクされている以外は、ベース基板３１、フレーム４０、蓋５０と同様である。
【００６９】
回路基板３２ａは、ベース基板３１ａと略同じ大きさの回路基板であり、ＩＣ素子２０がベース基板３１に配置されるエリアを形成する開放部３２ａｋを備えており、ＩＣ素子２０と共に、ベース基板３１に接着されている。また、回路基板３２ａは、配線ワイヤー６０を介してＳＡＷ共振子１０とＩＣ素子２０とを、またパッケージ３０ａの複数の外部端子とＩＣ素子２０とを電気的に接続する複数の導電パターン３２ａｐを有している。
【００７０】
ＳＡＷ共振子１０ｃは、その長手方向を、パッケージ３０ａの長手方向と略同じ向きにし、主面を上面として、回路基板３２ａの上面に支持板３３ａを介して接着されることで固定されている。支持板３３ａは、パッド電極１４が形成されているＳＡＷ共振子１０ｃの長手方向の一方の端部を固定している。つまり、ＳＡＷ共振子１０ｃは、支持板３３ａによって回路基板３２ａに片持ち状態で固定されている。
【００７１】
ＩＣ素子２０は、片持ち状態で浮いているＳＡＷ共振子１０ｃの下部の空間の開放部３２ａｋに配置されている。つまり、ＳＡＷ共振子１０ｃを平面視したときに、ＳＡＷ共振子１０ｃとＩＣ素子２０の少なくとも一部が重なるように配置されている。
【００７２】
ＩＣ素子２０に形成されたボンディングパッド２１と導電パターン３２ｐａと、およびＳＡＷ共振子１０のパッド電極１４と導電パターン３２ａｐとは、配線ワイヤー６０で電気的に接続される。また、導電パターン３２ａｐによるパッケージ３０ａの複数の外部端子との接続を含めて、ＳＡＷ発振器１００と同様に、図１（ｃ）に示す回路が構成されている。
【００７３】
支持板３３ａの高さ（厚み）は、ＩＣ素子２０と回路基板３２ａとを接続する配線ワイヤー６０のループが、ＳＡＷ共振子１０ｃに接触しない程度の充分な寸法となっている。その結果、ＳＡＷ共振子１０ｃのパッド電極１４と導電パターン３２ａｐとの高低差が大きくなり、それぞれを接続する配線ワイヤー６０は、図６（ａ）に示すＢ部において、配線パターン１３ｘとより接触しやすくなる。しかし、配線パターン１３ｘの表面に形成された絶縁層１３ｉにより、電気的に短絡することがない。
【００７４】
以上述べたように、本実施形態によるＳＡＷ発振器によれば、上述した実施形態の効果に加えて、以下の効果を得ることが出来る。
【００７５】
ＳＡＷ共振子１０ｃとＩＣ素子２０とは、平面視したときに一部が重なるように配置されているため、ＳＡＷ発振器をより小型化することが可能となり、ＳＡＷ発振器１００に比較してＳＡＷ発振器３００の実装面積をより小さくすることができる。ＳＡＷ共振子１０ｃとＩＣ素子２０とを重ねて配置するような場合には、配線ワイヤー６０のループ高さを低く抑える必要があったり、あるいは、ＳＡＷ共振子１０ｃの表面に配線ワイヤー６０が近づく構成となったりする場合があるが、ＳＡＷ共振子１０ｃが有する配線パターン１３ｘの表面に絶縁層１３ｉが形成されているため、配線ワイヤー６０と配線パターン１３ｘとが電気的に短絡することが防止される。従って、小型に伴い、接続する配線ワイヤー６０のループ形状を厳しく管理する必要も無く、安定した品質で構成することができる。
【００７６】
（実施形態４）
次に、実施形態４としての電子機器について説明する。
実施形態１で説明したＳＡＷ発振器１００や実施形態２で説明したＳＡＷ共振子１０ｃを用いたＳＡＷ発振器２００，２０１、実施形態３で説明したＳＡＷ発振器３００などのいずれかを備える電子機器としては、例えば、ネットワーク機器が挙げられる。具体的には、データーセンターなどに設置するネットワークサーバーのＬＡＮ（Local Area Network）インターフェイス機器にＳＡＷ発振器１００，２００，２０１，３００などのいずれかを備えている。
【００７７】
上記のＳＡＷ発振器を備えることにより、品質がより安定した、またコストがより低減された電子機器を提供することができる。また、ネットワークサーバーのＬＡＮインターフェイスなどの場合には、ＳＡＷ発振器をプリント基板などに多数実装して使用する場合が多いため、より小型のＳＡＷ発振器を用いることの効果が大きく、ＬＡＮインターフェイス機器をよりコンパクトに構成することができる。
【符号の説明】
【００７８】
９…圧電基板、１０…ＳＡＷ共振子、１１…櫛形交差指電極、１２…反射器、１３…配線パターン、１３ｉ…絶縁層、１４…パッド電極、２０…ＩＣ素子、２１…ボンディングパッド、３０…パッケージ、３１…ベース基板、３２…回路基板、３２ｋ…開放部、３２ｐ…導電パターン、３３…支持板、４０…フレーム、５０…蓋、６０…配線ワイヤー、８０…ウェハー、８１…ターミナル、８２…接続線、９０…レジスト、９１…陽極酸化液、９２…電解槽、９３…直流電源、９４…陰極電極板、１００…ＳＡＷ発振器。
【図１】
2013187666.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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