(57)【要約】【課題】優れた導通信頼性及び接続信頼性を発揮することが可能な接続方法、及びこの接続方法によって接続されてなる接続構造体を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁性接フィルム２０は、絶縁性接着剤組成物２１ａにフィラー２１ｂを含有する第１の絶縁性接着剤層２１と、絶縁性接着剤組成物２２ａにフィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層２２とが積層されてなる。ＩＣチップ１０のバンプの高さＨ、第１の絶縁性接着剤層２１の厚さＴｆ、第２の絶縁性接着剤層２２の厚さＴｎにおいて、Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎを満たす。第１の絶縁性接着剤層２１と電子部品の電極が形成された面とが対峙するように配置された絶縁性接着フィルム２０を介して、基板の電極が形成された面とＩＣチップ１０のバンプ１２が形成された面とを接続し、基板の電極とＩＣチップ１０のバンプ１２とを接続する。【選択図】図２
2013122957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の電極が形成された面と、電子部品の電極が形成された面とを絶縁性接着部材を介して接続する接続方法において、
前記絶縁性接着部材は、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層と、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層とが積層されてなり、
前記電子部品の電極の高さＨ、前記第１の絶縁性接着剤層の厚さＴｆ、前記第２の絶縁性接着剤層の厚さＴｎにおいて、
Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎ
を満たし、
前記第１の絶縁性接着剤層と前記電子部品の電極が形成された面とが対峙するように配置された前記絶縁性接着部材を介して、前記基板の電極が形成された面と前記電子部品の電極が形成された面とを接続し、該基板の電極と該電子部品の電極とを接続する接続方法。
【請求項２】
前記絶縁性接着部材は、予め前記電子部品の電極が形成された面に貼付されている請求項１記載の接続方法。
【請求項３】
前記電子部品の電極の高さは、５μｍ〜７０μｍである請求項１又は２記載の接続方法。
【請求項４】
前記第１、第２の絶縁性接着剤層における絶縁性接着剤組成物は、エポキシ樹脂を含有する請求項１乃至３の何れか１項記載の接続方法。
【請求項５】
前記電子部品の電極は、銅ピラーと、該銅ピラーの先端に設けられたバンダキャップとからなるバンプである請求項１乃至４の何れか１項記載の接続方法。
【請求項６】
電子部品の電極が形成された面に絶縁性接着部材が貼付されてなる接着部材付電子部品において、
前記絶縁性接着部材は、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層と、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層とが積層されてなり、前記第１の絶縁性接着剤層が前記電子部品の電極と対峙するように前記電子部品の電極が形成された面に貼付されており、
前記電子部品の電極の高さＨ、前記第１の絶縁性接着剤層の厚さＴｆ、前記第２の絶縁性接着剤層の厚さＴｎにおいて、
Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎ
を満たす接着部材付電子部品。
【請求項７】
前記第２の絶縁性接着剤層の前記第１の絶縁性接着剤層が形成された面とは反対側の面上には、剥離基材が設けられている請求項６記載の接着部材付電子部品。
【請求項８】
電子部品の電極が形成された面に絶縁性接着部材が貼付されてなる接着部材付電子部品の製造方法において、
前記絶縁性接着部材は、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層と、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層とが積層されてなり、
前記電子部品の電極の高さＨ、前記第１の絶縁性接着剤層の厚さＴｆ、前記第２の絶縁性接着剤層の厚さＴｎにおいて、
Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎ
を満たし、
前記第１の絶縁性接着剤層が前記電子部品の電極と対峙するように前記電子部品の電極が形成された面に前記絶縁性接着部材を貼付する接着部材付電子部品の製造方法。
【請求項９】
基板の電極が形成された面と、電子部品の電極が形成された面とを接続するための絶縁性接着部材において、
絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有し、前記電子部品の電極と対峙するように前記電子部品の電極が形成された面に貼付される第１の絶縁性接着剤層と、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層とが積層されてなり、
前記電子部品の電極の高さＨ、前記第１の絶縁性接着剤層の厚さＴｆ、前記第２の絶縁性接着剤層の厚さＴｎにおいて、
Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎ
を満たす絶縁性接着部材。
【請求項１０】
基板の電極が形成された面と、電子部品の電極が形成された面とを絶縁性接着部材を介して接続する接続方法によって接続されてなる接続構造体において、
前記絶縁性接着部材は、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層と、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層とが積層されてなり、
前記電子部品の電極の高さＨ、前記第１の絶縁性接着剤層の厚さＴｆ、前記第２の絶縁性接着剤層の厚さＴｎにおいて、
Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎ
を満たし、
前記第１の絶縁性接着剤層と前記電子部品の電極が形成された面とが対峙するように配置された前記絶縁性接着部材を介して、前記基板の電極が形成された面と前記電子部品の電極が形成された面とを接続し、該基板の電極と該電子部品の電極とを接続する接続方法によって接続されてなる接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２層の絶縁性接着層が積層されてなる絶縁性接着部材を介して基板と電子部品とを接続する接続方法及びこの接続方法によって得られる接続構造体、絶縁性接着部材、及び、絶縁性接着部材付電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体実装においては、ＩＣ（Integrated Circuit）チップの電極（バンプ）が形成されている面と、基板の電極（電極パット）が形成された面とを対峙させ、ＩＣチップのバンプと基板の電極パッドとを電気的に接続するフリップチップ法が行われている。
【０００３】
このフリップチップ法では、電極同士の接続部分を外部から保護し、ＩＣチップと基板との線膨張係数の違いに起因する応力を緩和するために、通常、電極接続後に、アンダーフィル剤と呼ばれる液状の熱硬化性接着剤を半導体チップと基板との間に流し込み硬化させるようにする。
【０００４】
近年、ＩＣチップの微細化が急速に進んでいる。これに伴い、隣接する電極間のピッチや、半導体チップと基板との間のギャップが益々狭くなる傾向にある。このため、毛細管現象を利用してアンダーフィル剤をＩＣチップと基板との間に流し込むと、ボイドが発生したり、アンダーフィル剤の流し込みに長時間を要する等の問題が発生してしまう。
【０００５】
このため、ＮＣＰ（Non Conductive Paste）、ノンアンダーフィル剤等の液状の接着剤、或いはＮＣＦ（Non Conductive Film）等のフィルム状の接着剤を予め基板に塗布又は貼付し、その後、熱加圧ボンダー等による熱加圧で樹脂を硬化させ、ＩＣチップのバンプと基板の電極パッドとを接続する、いわゆる先入れ法が試みられている。
【０００６】
また、ＩＣチップの分割前のウェハにＮＣＰを塗布して半硬化させる方法や、ＮＣＦを貼付した後、ウェハの厚さをバックグラインドにより薄くし、ダイシングによりウェハを個片化してＮＣＦ付ＩＣチップを得て、フリップチップボンダによりＮＣＦ付きＩＣチップを有機基板等に実装する、いわゆる先貼り法が行われている。
【０００７】
例えば、特許文献１には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を用いた先貼り法が開示されている。また、特許文献２には、ＮＣＦをウェハに先貼りする方法が開示されている。また、特許文献３には、ＮＣＦの厚みをバンプの高さの±３０μｍにすることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６１−５０３４４号公報
【特許文献２】特開２００１−２３７２６号公報
【特許文献３】特許第４１９５５４１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
通常、アンダーフィル剤、ＮＣＰ、ＮＣＦ等の接着剤を構成する樹脂には、線膨張係数を下げるために、シリカやアルミナといった球状の無機フィラーが添加されている。接着剤の樹脂にフィラーが添加されていない場合や、フィラーの添加量が少ない場合には、半導体実装後の吸湿リフローや、プレッシャークラッカーテスト、温度サイクルテスト等の信頼性試験において導通抵抗が上昇したり、ＩＣチップや基板から樹脂が剥離する等の問題が生じてしまう。このため、通常、接着剤の樹脂組成物の重量に対し、フィラーは、３０重量％以上添加される。
【００１０】
しかしながら、上述の先入れ法や先貼り法においては、ＩＣチップのバンプと基板の電極パッドとの間にフィラーを含有する樹脂が介在するため、圧着接続時に、フィラーがバンプと電極パッドとの間に噛み込まれてしまう。そのため、バンプと電極パッドとを良好な状態で接続することができず、ＩＣチップと基板との接続構造体においては、導通信頼性が大きく低下してしまう。
【００１１】
特に、近年、Ｓｉ貫通電極（ＴＳＶ：Through Silicon Via）等によってＩＣチップを３次元に積層する場合、バンプにおけるハンダの高さは、従来よりも大幅に低くなっている。そのため、フィラー噛み込みの影響は、以前より顕著になってきている。
【００１２】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、フィラーを含有する絶縁性接着部材を用いて電子部品と基板とを接続する場合において、電子部品の電極と基板の電極との間においてフィラーの噛み込みを防止し、優れた導通信頼性を発揮することが可能な接続方法及びこの接続方法によって接続されてなる接続構造体、絶縁性接着部材、及び、接着部材付電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述の目的を達成するために、本発明の接続方法は、基板の電極が形成された面と、電子部品の電極が形成された面とを絶縁性接着部材を介して接続する接続方法において、絶縁性接着部材は、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層と、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層とが積層されてなり、電子部品の電極の高さＨ、第１の絶縁性接着剤層の厚さＴｆ、第２の絶縁性接着剤層の厚さＴｎにおいて、Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎを満たし、第１の絶縁性接着剤層と電子部品の電極が形成された面とが対峙するように配置された絶縁性接着部材を介して、基板の電極が形成された面と電子部品の電極が形成された面とを接続し、基板の電極と電子部品の電極とを接続することを特徴とする。
【００１４】
また、上述の目的を達成するために、本発明の接着部材付電子部品は、電子部品の電極が形成された面に絶縁性接着部材が貼付されてなる接着部材付電子部品において、絶縁性接着部材は、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層と、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層とが積層されてなり、第１の絶縁性接着剤層が電子部品の電極と対峙するように電子部品の電極が形成された面に貼付されており、電子部品の電極の高さＨ、第１の絶縁性接着剤層の厚さＴｆ、第２の絶縁性接着剤層の厚さＴｎにおいて、Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎを満たすことを特徴とする。
【００１５】
また、上述の目的を達成するために、本発明の接着部材付電子部品の製造方法は、電子部品の電極が形成された面に絶縁性接着部材が貼付されてなる接着部材付電子部品の製造方法において、絶縁性接着部材は、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層と、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層とが積層されてなり、電子部品の電極の高さＨ、第１の絶縁性接着剤層の厚さＴｆ、第２の絶縁性接着剤層の厚さＴｎにおいて、Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎを満たし、第１の絶縁性接着剤層が電子部品の電極と対峙するように電子部品の電極が形成された面に絶縁性接着部材を貼付することを特徴とする。
【００１６】
また、上述の目的を達成するために、本発明の絶縁性接着部材は、基板の電極が形成された面と、電子部品の電極が形成された面とを接続するための絶縁性接着部材において、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有し、電子部品の電極と対峙するように電子部品の電極が形成された面に貼付される第１の絶縁性接着剤層と、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層とが積層されてなり、電子部品の電極の高さＨ、第１の絶縁性接着剤層の厚さＴｆ、第２の絶縁性接着剤層の厚さＴｎにおいて、Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎを満たすことを特徴とする。
【００１７】
また、上述の目的を達成するために、本発明の接続構造体は、基板の電極が形成された面と、電子部品の電極が形成された面とを絶縁性接着部材を介して接続する接続方法によって接続されてなる接続構造体において、絶縁性接着部材は、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層と、絶縁性接着剤組成物にフィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層とが積層されてなり、電子部品の電極の高さＨ、第１の絶縁性接着剤層の厚さＴｆ、第２の絶縁性接着剤層の厚さＴｎにおいて、Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎを満たし、第１の絶縁性接着剤層と前記電子部品の電極が形成された面とが対峙するように配置された絶縁性接着部材を介して、基板の電極が形成された面と電子部品の電極が形成された面とを接続し、基板の電極と電子部品の電極とを接続する接続方法によって接続されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、２層構造の絶縁性接着部材において、第１、第２の絶縁性接着剤層の厚さは、電子部品の電極の高さＨ、フィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層の厚さＴｆ、フィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層の厚さＴｎにおいて、Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎを満たす。そして、第１の絶縁性接着剤層が電子部品の電極と対峙するように配置された絶縁性接着部材を介して電子部品と基板とを接続させる。
【００１９】
このように、電子部品の電極が形成された面に対峙する第１の絶縁性接着剤層の厚さと絶縁性接着フィルム全体の厚さとが電子部品の電極の高さとの関係において制御されている。これにより、電子部品の電極と、基板の電極との間においては、フィラーが噛み込まれることがない。そして、この電極間において、第２の絶縁性接着剤層を構成するフィラーを含有しない絶縁性接着剤組成物が容易に排除されるため、電極同士が完全に接続される。これにより、接続構造体において優れた導通信頼性を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】フィルム付ＩＣチップの一例の外観を示す斜視図である。
【図２】フィルム付ＩＣチップの断面図である。
【図３】フィルム付ＩＣチップをプリント配線基板の電極形成面に配置した状態を部分的に示す部分断面図である。
【図４】仮の構成としてのフィルム付ＩＣチップをプリント配線基板の電極形成面に配置した状態を部分的に示す部分断面図である。
【図５】仮の構成としてのフィルム付ＩＣチップをプリント配線基板の電極形成面に配置した状態を部分的に示す部分断面図である。
【図６】ＩＣチップを製造するためのウェハの一例を概略的に示す断面図である。
【図７】分割装置の一例であるダイシング装置の例を示す図である。
【図８】ウェハの表面の画像を撮像する段階における概略断面図である。
【図９】本実施の形態における接続方法を説明するための図である。
【図１０】本実施の形態における接続方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態（以下、「本実施の形態」という。）について、図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１  接続方法の概要
２  フィルム付ＩＣチップ
３  フィルム付ＩＣチップの製造方法
４  ＩＣチップとプリント配線基板との接続方法
５  実施例
【００２２】
［１  接続方法の概要］
本実施の形態における接続方法は、基板の電極が形成された面と、電子部品の電極が形成された面とを絶縁性接着部材を介して接続するものである。この絶縁性接着部材は、フィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層と、フィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層とが積層され、第２の絶縁性接着剤層上に剥離基材が設けられている。
【００２３】
ここで、電子部品の電極をＨ、第１の絶縁性接着剤層の厚さをＴｆ、第２の絶縁性接着剤層の厚さをＴｎとすると、Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎ    （式１）を満たす。
【００２４】
電子部品の電極形成面と、第１の絶縁性接着剤層とが対峙するように絶縁性接着部材が電子部品の電極形成面に貼付されている。そして、熱加圧により、絶縁性接着部材を貼付した電子部品（接着部材付電子部品）を基板の電極形成面に接続する。
【００２５】
このように、電子部品の電極形成面に対峙する第１の絶縁性接着剤層の厚さと絶縁性接着部材全体の厚さとが電子部品の電極の高さとの関係において（式１）のように制御されている。すなわち、電子部品の電極の先端は、フィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層内にある。これにより、熱加圧により、接着部材付電子部品を基板に接続する際には、電子部品の電極と、基板の電極との間においてフィラーが噛み込まれることがない。そして、この電極間において、第２の絶縁性接着剤層を構成するフィラーを含有しない絶縁性接着剤組成物が容易に排除されるため、電極同士が完全に接続される。これにより、接続構造体において優れた導通信頼性を発揮することができる。
【００２６】
［２  フィルム付ＩＣチップ］
以下、電子部品の一例であるＩＣチップの電極形成面に、絶縁性接着部材の一例である絶縁性接着フィルムが貼付されてなるフィルム付ＩＣチップについて説明する。
【００２７】
図１は、ＩＣチップ１０に絶縁性接着フィルム２０が貼付されてなるフィルム付ＩＣチップ１の外観を示す斜視図である。また、図２は、フィルム付ＩＣチップ１の断面図である。ＩＣチップ１０の一方の面（例えば機能面）には、バンプ１２が形成されている。そして、ＩＣチップ１０のバンプ１２が形成された面（バンプ形成面１１）には、絶縁性接着フィルム２０が貼付されている。絶縁性接着フィルム２０は、フィラー２１ｂを含有する第１の絶縁性接着剤層２１と、フィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層２２とが積層され、第２の絶縁性接着剤層２２上には剥離基材２３が設けられている。絶縁性接着フィルム２０は、バンプ形成面１１と第１の絶縁性接着剤層２１とが対峙するようにＩＣチップ１０のバンプ形成面１１に貼付されている。
【００２８】
絶縁性接着フィルム２０において、第１の絶縁性接着剤層２１は、絶縁性接着剤組成物２１ａにフィラー２１ｂを含有してなる。第２の絶縁性接着剤層２２は、フィラーを含有しない絶縁性接着剤組成物２２ａのみからなる。
【００２９】
バンプ１２は、銅（Ｃｕ）ピラー１２ａと、銅ピラー１２ａの先端に設けられた半球状のハンダキャップ１２ｂとからなる。なお、バンプ１２の構成は、これに限定されず、例えば銅ピラーのみからなるバンプ（銅ピラーバンプ）、Ａｕメッキバンプ、Ａｕスタンドバンプ、ハンダバンプ等であってもよい。
【００３０】
バンプ１２の高さは、５μｍ〜１００μｍで使用可能であり、５μｍ〜７０μｍが好ましく、３０μｍ〜７０μｍがより好ましい。
【００３１】
フィルム付チップ１において、バンプ１２の高さをＨ、第１の絶縁性接着剤層２１の厚さをＴｆ、第２の絶縁性接着剤層２２の厚さをＴｎとすると、Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎ    （式１）を満たす。
【００３２】
図３は、フィルム付ＩＣチップ１を基板の一例であるプリント配線基板６０の電極パット６１が形成された面（電極形成面６０ａ）に配置した状態を部分的に示す部分断面図である。プリント配線基板６０は、銅箔が貼着されたガラスエポキシ樹脂積層板からなるものである。
【００３３】
フィラー２１ｂを含有する第１の絶縁性接着剤層２１の厚さＴｆは、バンプ１２の厚さＨとの関係において、Ｈ／２＜Ｔｆを満たすように設定されている。これにより、フィラー２１ｂが十分な量で存在することから、フィラー２１ｂによる線膨張係数の低下、熱伝導率の安定化等の効果を十分に得ることができ、接続信頼性の向上を図ることができる。
【００３４】
また、第１の絶縁性接着剤層２１の厚さＴｆ、絶縁性接着フィルム２０の厚さＴｆ＋Ｔｎは、バンプの厚さＨとの関係において、Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎを満たすように設定されている。すなわち、バンプ１２の銅（Ｃｕ）ピラー１２ａを含む本体部分は、フィラー２１ｂを含有する第１の絶縁性接着剤層２１内に配置されている。これとともに、プリント配線基板６０の電極パッド６１と接続されるハンダキャップ１２ｂの先端は、フィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層２２内に配置される。
【００３５】
これにより、熱加圧により、バンプ１２と電極パッド６１との間において、第２の絶縁性接着剤層２２を構成するフィラーを含有しない絶縁性接着剤組成物２２ａが容易に排除される。そのような第２の絶縁性接着剤層２２内において、バンプ１２の先端が配置され、その状態でバンプ１２と電極パッド６１とが対峙されている。これにより、フィルム付ＩＣチップ１をプリント配線基板６０と接続しても、バンプ１２と電極パッド６１との間においてフィラーが噛み込まれることがない。これにより、バンプ１２と電極パッド６１とが完全に接続されることから、ＩＣチップ１０とプリント配線基板６０との接続構造体において、優れた導通信頼性を発揮することができる。
【００３６】
また、絶縁性接着フィルム２０の厚さがバンプ１２の高さ以上に設定されていることから、フィルム付ＩＣチップ１０をプリント配線基板６０に接続する際には、絶縁性接着剤フィルム２０の絶縁性接着剤組成物２１ａ，２２ａを十分な量で充填することができる。これにより、得られる接続構造体においては、絶縁性接着フィルム２０の絶縁性接着剤組成物２１ａ，２２ａがプリント配線基板６０の電極形成面６０ａに密着されるため、ボイドの発生が防止される。その結果、機械的な接続信頼性が良好となる。
【００３７】
仮に（式１）において、Ｔｆ≦Ｈ／２であると、フィラー２１ｂによる効果が十分に発揮されず、得られた接続構造体において、機械的な接続信頼性が悪化してしまう。
【００３８】
また、仮に（式１）において、Ｈ≦Ｔｆであると、フィルム付ＩＣチップ１をプリント配線基板６０に接続する際には、フィラー２１ｂがバンプ１２と電極パット６１との間に噛み込まれ、バンプ１２と電極パッド６１とを良好な状態で接続することができない。これにより、ＩＣチップ１０とプリント配線基板６０との接続構造体において、導通抵抗値が上昇し、導通信頼性が低下してしまう（図４参照）。
【００３９】
また、仮に（式１）において、Ｔｆ＋Ｔｎ＜Ｈであると、フィルム付ＩＣチップ１をプリント配線基板６０に接続する際には、接着剤樹脂の充填量が不十分となり、第２の接着剤層２２とプリント配線基板６０の電極形成面６０ａとの間においてボイドを発生させる。その結果、ＩＣチップ１０とプリント配線基板６０との接続構造体において、機械的な接続信頼性が悪化してしまう（図５参照）。
【００４０】
このように、Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎ    （式１）の関係を満たすことにより、フィラー２１ｂによる機械的な接続信頼性の向上を図ることができる。また、バンプ１２とプリント配線基板６０上の電極との間において、フィラー２１ｂの噛み込みを防止して導通信頼性を得ることができる。
【００４１】
無機フィラーとしては、例えば炭素、二酸化珪素の他、アルミナ、シリカ、マグネシア、又はフェライト等の金属酸化微粒子、例えばタルク、マイカ、カオリン、ゼオライト等の珪酸塩類、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、又はフラーレン等の微粒子等が挙げられる。また、無機フィラーとしては、ガラスマイクロビーズ、炭素繊維、チョーク、例えば石英、アスベスト、長石、雲母等が挙げられる。
【００４２】
有機フィラーとしては、例えばエポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、又はテフロン（登録商標）樹脂等が挙げられる。中でも、炭素、二酸化珪素が好ましい。
【００４３】
なお、フィラーを構成する材料は、単独で使用しても、又は２種以上混合して使用してもよい。
【００４４】
第１の絶縁性接着剤層２１の絶縁性接着剤組成物２１ａ、第２の絶縁性接着剤層２２の絶縁性接着剤組成物２２ａは、何れも、膜形成樹脂、熱硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する通常のバインダ（接着剤）である。
【００４５】
膜形成樹脂としては、平均分子量が１００００〜８００００程度の樹脂が好ましい。膜形成樹脂としては、エポキシ樹脂、変形エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂等の各種の樹脂が挙げられる。中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が特に好ましい。
【００４６】
熱硬化性樹脂としては、常温で流動性を有していれば特に限定されず、例えば、市販のエポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
【００４７】
エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独でも、２種以上の組み合わせであってもよい。
【００４８】
アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じてアクリル化合物、液状アクリレート等を適宜選択することができる。例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、２−ヒドロキシ−１，３−ジアクリロキシプロパン、２，２−ビス[４−（アクリロキシメトキシ）フェニル]プロパン、２，２−ビス[４−（アクリロキシエトキシ）フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート等を挙げることができる。なお、アクリレートをメタクリレートにしたものを用いることもできる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４９】
潜在性硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、加熱硬化型、ＵＶ硬化型等の各種硬化剤が挙げられる。潜在性硬化剤は、通常では反応せず、熱、光、加圧等の用途に応じて選択される各種のトリガにより活性化し、反応を開始する。熱活性型潜在性硬化剤の活性化方法には、加熱による解離反応などで活性種（カチオンやアニオン）を生成する方法、室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法、モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤を高温で溶出して硬化反応を開始する方法、マイクロカプセルによる溶出・硬化方法等が存在する。熱活性型潜在性硬化剤としては、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミン塩、ジシアンジアミド等や、これらの変性物があり、これらは単独でも、２種以上の混合体であってもよい。中でも、マイクロカプセル型イミダゾール系潜在性硬化剤が好適である。
【００５０】
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ系、アミノ系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。シランカップリング剤を添加することにより、有機材料と無機材料との界面における接着性が向上される。
【００５１】
剥離基材２３は、例えば、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）、ＯＰＰ（Oriented Polypropylene）、ＰＭＰ（Poly-4-methlpentene−1）、ＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene）等にシリコーン等の剥離剤を塗布してなり、第１の絶縁性接着剤層２１及び第２の絶縁性接着剤層２２の形状を維持することができる。
【００５２】
［３  フィルム付ＩＣチップの製造方法］
次に、フィルム付ＩＣチップ１の製造方法の一例について説明する。図６は、ＩＣチップを製造するためのウェハの一例を概略的に示す断面図である。ウェハ１００は、シリコンウェハ等の半導体ウェハである。ウェハ１００の一方の表面には、バンプ１２が形成されている。また、図７は、分割装置の一例であるダイシング装置３００の概略的な構成を示す図である。
【００５３】
本実施の形態では、ウェハ１００のバンプ形成面１００ａに、ロールラミネータ（図示せず）により、第１の絶縁性接着剤層２１がウェハ１００のバンプ形成面１００ａと対峙するように絶縁性接着フィルム２０を貼付する（貼付工程）。
【００５４】
貼付工程の後、バックグラインド装置（図示せず）により、ウェハ１００のバンプ形成面１００ａとは反対側の面（裏面１００ｂ）を研摩する（バックグラインド工程）。これにより、ウェハ１００の厚さを薄くし、更にはウェハ１００の裏面１００ｂを平滑な面とすることができる。
【００５５】
そして、絶縁性接着フィルム２０が貼付されたウェハ１００の裏面１００ｂをダイシングテープ１５０に貼着する（貼着工程）。ダイシング装置３００によって、このウェハ１００をスクライブライン４１に沿って分割することで、複数のＩＣチップ１０に個片化することができる。
【００５６】
ダイシング装置３００は、テーブル３０１と、アライメントステージ３０２と、撮像部３０３と、切削部３０４と、制御部３０５とを備える。絶縁性接着フィルム２０が貼付されたウェハ１００は、ダイシングテープ１５０に貼着された状態で、ダイシング装置３００のテーブル３０１上に載置される。テーブル３０１は、例えば減圧装置（図示せず）の吸引によって、テーブル３０１上の、ウェハ１００を保持したダイシングテープ１５０を固定することができる。
【００５７】
アライメントステージ３０２は、制御部３０５の制御に基づいて、テーブル３０１をｘ方向及びｙ方向に移動させる。
【００５８】
撮像部３０３は、ウェハ１００の表面１００ａで反射して絶縁性接着フィルム２０を透過した光を受光することにより、ウェハ１００の表面１００ａの画像を撮像する。撮像部３０３は、例えば、ウェハ１００を照明する照明部材と、ウェハ１００の表面１００ａで反射した光を受光する光学系と、光学系が捉えた像を撮像する撮像素子とを有する。撮像部３０３は、撮像した画像の情報を制御部３０５に送信する。撮像部３０３の構成は、特に限定されず、例えば可視光画像を撮像することができる。
【００５９】
切削部３０４は、制御部３０５の制御に基づいて、ウェハ１００を切削することができる。切削部３０４は、ウェハ１００を切削するブレード３０４ａを有する。切削部３０４は、回転するブレード３０４ａをウェハ１００に押圧し、ウェハ１００を切削する。
【００６０】
制御部３０５は、画像処理部３０５ａと、駆動部３０５ｂとを有する。画像処理部３０５ａは、撮像部３０３から、ウェハ１００表面の画像の情報を受け取る。画像処理部３０５ａは、受け取った画像の情報に基づいて、スクライブライン４１の位置を判断する。画像処理部３０５ａは、スクライブライン４１の位置でウェハ１００を分割することを決定する。画像処理部３０５ａは、ウェハ１００を分割する位置についての情報を駆動部３０５ｂに送信する。
【００６１】
駆動部３０５ｂは、画像処理部３０５ａから、ウェハ１００を分割する位置についての情報を受け取る。駆動部３０５ｂは、ウェハ１００を分割する位置についての情報に基づいて、アライメントステージ３０２及び切削部３０４を駆動する。これにより、駆動部３０５ｂは、絶縁性接着フィルム２０が貼付されたウェハ１００を分割してフィルム付ＩＣチップ１に個片化することができる。
【００６２】
例えば、画像処理部３０５ａがスクライブライン４１に沿って、ウェハ１００をｘ方向に分割することを決定した場合、駆動部３０５ｂは、アライメントステージ３０２を駆動し、スクライブライン４１の一端がブレード３０４ａの下方に位置するようにテーブル３０１を移動させる。
【００６３】
次に、駆動部３０５ｂは、切削部３０４を駆動して、ブレード３０４ａを回転させた状態で切削部３０４を下方に移動させて、ブレード３０４ａをウェハ１００に接触させる。その後、駆動部３０５ｂは、アライメントステージ３０２を駆動し、ウェハ１００をｘ方向に移動させる。これにより、切削部３０４のスクライブライン４１に沿った切削処理により、ウェハ１００をｘ方向に分割することができる。
【００６４】
図８は、ウェハ１００の表面１００ａの画像を撮像する段階における概略断面図である。本実施の形態においては、まず、ダイシング装置３００の撮像部３０３が、ウェハ１００の表面１００ａで反射して剥離基材２３、第２の絶縁性接着剤層２２、第１の絶縁性接着剤層２１を透過した光を受光することにより、ウェハ１００の表面１００ａの画像を撮像する。
【００６５】
絶縁性接着フィルム２０の４４０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率が７４％以上である場合には、撮像部３０３として、可視光領域の画像を撮像する安価な機器を使用することができる。また、ウェハ１００の表面１００ａに絶縁性接着フィルム２０を貼付した状態のまま、スクライブライン４１、バンプ１２、回路パターン、アライメントマーク等の画像を撮像することができる。これにより、ウェハ１００の表面１００ａに絶縁性接着フィルム２０を貼付した状態のまま、ウェハ１００を分割することができる。
【００６６】
次に、ダイシング装置３００の画像処理部３０５ａが、撮像部３０３が撮像した画像の情報を受け取る。画像処理部３０５ａは、撮影した画像の情報に基づいて、ウェハ１００を分割する位置を決定する。画像処理部３０５ａは、ウェハ１００の画像からスクライブライン４１の位置を認識し、スクライブライン４１に沿ってウェハ１００を分割することを決定する。画像処理部３０５ａは、ウェハ１００の画像からバンプ１２又はアライメントマークの位置を認識し、スクライブライン４１の位置を認識する。
【００６７】
画像処理部３０５ａがウェハ１００を分割する位置を決定すると、駆動部３０５ｂは、この決定に基づいてアライメントステージ３０２及び切削部３０４を駆動し、ウェハ１００を分割し、フィルム付チップ１を個片化する。ダイシング装置３００は、ウェハ１００の裏面に周囲をフレーム１５１で固定されたダイシングテープ１５０が貼付された状態で分割し、フィルム付ＩＣチップ１を個片化する。
【００６８】
このように、フィルム付ＩＣチップ１の製造方法では、このようなダイシング処理により、フィルム付ＩＣチップ１を製造することができる。
【００６９】
［４  ＩＣチップとプリント配線基板との接続方法］
図９、１０は、本実施の形態における接続方法を説明するための図である。本実施の形態では、熱加圧により、ダイシング処理によって得られたフィルム付ＩＣチップ１をプリント配線基板６０に接続する。
【００７０】
具体的には、先ず、フィルム付ＩＣチップ１から剥離基材２３を剥離する。そして、図９に示すように、テーブル５００上に載置されたプリント配線基板６０の電極パット６１とＩＣチップ１０のバンプ１２とを対峙させる。すなわち、第２の絶縁性接着剤層２２とプリント配線基板６０の電極パット６１が形成された面（電極形成面６０ａ）とを対峙させる。この状態で、プリント配線基板６０の電極形成面６０ａ上に、剥離基材２３を剥離した状態のフィルム付チップ１を配置する（配置工程）。
【００７１】
次に、図１０に示すように、ＩＣチップ１０上面を熱加圧ヘッド５０１を矢印方向に降下させ、例えば圧力３０Ｎ／ｍ２〜７０Ｎ／ｍ２程度の圧力で加圧しながら、絶縁性接着フィルム２０の熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度（熱硬化性樹脂の種類によっても異なるが、例えば温度１８０〜２７０℃程度で、１５〜２５秒程度加熱する。この熱加圧により、絶縁性接着剤組成物２１ａ，２２ａが溶融してバンプ１２と電極パッド６１とが接続され、その状態で絶縁性接着剤組成物２１ａ，２２ａが硬化する。これにより、ＩＣチップ１０とプリント配線基板６０とが接続されてなる接続構造体を得ることができる（接続工程）。
【００７２】
この接続工程では、熱加圧により、バンプ１２と電極パッド６１との間において、第２の絶縁性接着剤層２２を構成するフィラーを含有しない絶縁性接着剤組成物２２ａが容易に排除される。そのような第２の絶縁性接着剤層２２内において、バンプ１２と電極パッド６１とが対峙される。絶縁性接着フィルム２０の絶縁性接着剤組成物２１ａ、２２ａが熱加圧によって溶融し、バンプ１２と電極パッド６１とが接続しても、バンプ１２と電極パッド６１との間においては、フィラーが噛み込まれることがない。これにより、バンプ１２と電極パッド６１とが完全に接続される。その結果、ＩＣチップ１０とプリント配線基板６０との接続構造体において、優れた導通信頼性を発揮することができる。
【００７３】
なお、本実施の形態における基板は、電極を設けた基板であれば特に限定されず、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、銅箔が貼着されたガラスエポキシ樹脂積層体からなるプリント配線基板、その他の何れの基板であってもよい。
【００７４】
また、本実施の形態における電子部品は、ＩＣチップ１０に替えて他の電子部品であってもよい。例えば、ＬＳＩ（Large Scale Integration）チップ等のＩＣチップ以外の半導体チップやチップコンデンサ等の半導体素子、プリント配線基板、液晶駆動用半導体実装材料ＣＯＦ（Chip On Film）等を挙げることができる。
【００７５】
また、電子部品の電極は、バンプ１２に限定されない。また、基板の電極は、電極パット６１に限定されない。何れの電極も、互いに電気的に接続できればよく、何れの端子電極、配線電極等であってもよい。
【００７６】
また、絶縁性接着部材は、上述のような絶縁性接着フィルム（ＮＣＦ）に限定されない。絶縁性接着部材としては、例えばフィラーを含有する絶縁性接着剤組成物ペーストと、フィラーを含有しない絶縁性接着剤組成物ペーストとを、それぞれバンプの厚さＨとの関係において（式１）を満たすような厚さＴｆ、Ｔｎで塗布、乾燥させて得られる２層の絶縁性接着剤ペースト（ＮＣＰ）であってもよい。
【実施例】
【００７７】
［５  実施例］
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００７８】
（実施例１）
フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ−５０、新日鐵化学株式会社製）５０質量部、ビスフェノールＡエポキシ樹脂（商品名：ＥＰ−８２８、三菱化学株式会社製）２５質量部、固形エポキシ樹脂（商品名：ＨＰ−７２００Ｈ、ＤＩＣ株式会社製）２５質量部に、粒径２μｍのシリカフィラー（商品名：ＳＯ−Ｅ６、株式会社アドマテックス製）５０質量部のフィラーを分散させてなる厚さ（Ｔｆ）２５μｍの第１の絶縁性接着剤層を第１の剥離基材上に作成した。
【００７９】
また、同じくフェノキシ樹脂５０質量部、ビスフェノールＡエポキシ樹脂２５質量部、固形エポキシ樹脂２５質量部（何れの商品名、メーカも第１の絶縁性接着剤と同じ）に、フィラーを含有しない厚さ（Ｔｎ）８μｍの第２の絶縁性接着剤層を第２の剥離基材上に作成した。そして、第１、第２の絶縁性接着剤層を互いに貼り合わせて２層構造の絶縁性接着フィルムを作成した。
【００８０】
第１の剥離基材を剥離した状態の絶縁性接着フィルムを、ロールラミネータでのラミネート処理により、第１の絶縁性接着剤層がウェハに接着するように貼付した。次に、バックグラウンド装置により、ウェハを薄化した。そして、この絶縁性接着フィルムが貼付されたウェハを、ダイシングテープに転写し、ブレードダイシングにて個片化した。これにより、得られたフィルム付ＩＣチップをフリップチップボンダにより、プリント配線基板に、２５０℃、５０Ｎ／ｍ２、２０秒の熱加圧条件で接続した。得られた接続構造体をダイシングにより個片化して実施例１のテストピースとした。
【００８１】
ここで、ＩＣチップは、径３３μｍ、高さ２０μｍの銅ピラーの先端に、高さ１０μｍのハンダキャップ（Ｓｎ２．５Ａｇ）を設けてなる高さ（Ｈ）３０μｍのバンプを備えたＩＣチップ（６．３ｎｍ×６．３ｎｍ×０．２ｍｍ厚）である。
【００８２】
また、プリント配線基板は、２０μｍ厚のハンダ表面層が形成された電極パット（Ａｕ／ＮｉメッキＣｕベース）を有するガラスエポキシ基板（商品名：６７９Ｆ、日立化成工業株式会社製、３８ｍｍ×３８ｍｍ×０．６ｍｍ厚）である。
【００８３】
（実施例２）
実施例２では、高さ３０μｍの銅ピラーの先端に、高さ１０μｍのハンダキャップ（Ｓｎ２．５Ａｇ）を設け、ＩＣチップのバンプの高さ（Ｈ）を４０μｍとし、第１の絶縁性接着剤層の厚さ（Ｔｆ）を３０μｍとし、第２の絶縁性接着剤層の厚さ（Ｔｎ）を１５μｍとした以外は、実施例１と同様にして接続構造体のテストピースを作成した。
【００８４】
（実施例３）
実施例３では、高さ５０μｍの銅ピラーの先端に、高さ２０μｍのハンダキャップ（Ｓｎ２．５Ａｇ）を設け、ＩＣチップのバンプの高さ（Ｈ）を７０μｍとし、第１の絶縁性接着剤層の厚さ（Ｔｆ）を５０μｍとし、第２の絶縁性接着剤層の厚さ（Ｔｎ）を２５μｍとした以外は、実施例１と同様にして接続構造体のテストピースを作成した。
【００８５】
（比較例１）
比較例１では、ＩＣチップのバンプの高さ（Ｈ）を３０μｍとし、第１の絶縁性接着剤層の厚さ（Ｔｆ）を２０μｍとし、第２の絶縁性接着剤層の厚さ（Ｔｎ）を５μｍとした以外は、実施例１と同様にして接続構造体のテストピースを作成した。
【００８６】
（比較例２）
比較例２では、ＩＣチップのバンプの高さ（Ｈ）を３０μｍとし、第１の絶縁性接着剤層の厚さ（Ｔｆ）を１３μｍとし、第２の絶縁性接着剤層の厚さ（Ｔｎ）を２０μｍとした以外は、実施例１と同様にして接続構造体のテストピースを作成した。
【００８７】
（比較例３）
比較例３では、ＩＣチップのバンプの高さ（Ｈ）を３０μｍとし、第１の絶縁性接着剤層の厚さ（Ｔｆ）を３５μｍとし、第２の絶縁性接着剤層の厚さ（Ｔｎ）を５μｍとした以外は、実施例１と同様にして接続構造体のテストピースを作成した。
【００８８】
（比較例４）
絶縁性接着フィルムをロールラミネータにより、フィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層がウェハに接着するように貼付した以外は、実施例２と同様にして接続構造体のテストピースを作成した。
【００８９】
（比較例５）
絶縁性接着フィルムが、厚さ（Ｔｆ）４５μｍの、フィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層のみからなる以外は、実施例２と同様にして接続構造体のテストピースを作成した。
【００９０】
（比較例６）
絶縁性接着フィルムが、厚さ（Ｔｎ）４５μｍの、フィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層のみからなる以外は、実施例２と同様にして接続構造体のテストピースを作成した。
【００９１】
［断面観察（初期）］
実施例１〜３、比較例１〜６の接続構造体のテストピースの断面を研磨し、断面の状態を超音波映像装置（ＳＡＴ）にて観察した。ボイドが発生しているか否か、バンプと電極パットとの間にフィラーの噛み込みがあるか否かを評価した。評価結果を［表１］に示す。なお、［表１］において、ボイドの発生、バンプと電極パットとの間におけるフィラーの噛み込みの何れも発生していないものを「良好」として示している。
【００９２】
［断面観察（信頼性試験（ＰＣＴ）後）］
実施例１〜３、比較例１〜６の接続構造体について、６０℃／６０％ＲＨの環境で１２０時間吸湿した後、２６５℃をピーク湿度とするリフローを３回行い、−４０℃〜１２５℃の温度サイクルを１０００サイクル行う信頼性試験を行った。この信頼性試験後、超音波映像装置（ＳＡＴ）にて観察を行い、ボイドが発生しているか否かを評価した。評価結果を［表１］に示す。なお、［表１］において、ボイドが発生していないものを「良好」として示している。
【００９３】
［導通抵抗］
実施例１〜３、比較例１〜６の接続構造体について、初期の導通抵抗を測定した。また、６０℃／６０％ＲＨの環境で１２０時間吸湿した後、２６５℃をピーク湿度とするリフローを３回行い、−４０℃〜１２５℃の温度サイクルを１０００サイクル行う信頼性試験を行い、この信頼性試験後に導通抵抗を測定した。初期の導通抵抗値に対する信頼性試験後の導通抵抗値の上昇率が１０％未満であるものを良好（○）として評価し、１０％以上であるものを不良（×）として評価した。評価結果を［表１］に示す。
【００９４】
【表１】
2013122957.tif 000003
【００９５】
実施例１〜３では、フィルム付ＩＣチップにおける絶縁性接着フィルムが、ＩＣチップのバンプの高さＨ、第１の絶縁性接着剤層２１の厚さＴｆ、第２の絶縁性接着剤層の厚さＴｎにおいて、Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎ    （式１）を満たしている。これにより、バンプと電極パットとの間にフィラーが噛み込まれることなく、初期、信頼性試験後の断面観察、導通抵抗において良好な結果が得られたと考えられる。
【００９６】
一方、比較例１では、絶縁性接着フィルムの厚さ（Ｔｆ＋Ｔｎ）がバンプの高さ（Ｈ）よりも小さい（Ｔｆ＋Ｔｎ＜Ｈ）ため、第２の接着剤層とプリント配線基板の電極形成面との間においてボイドを発生させ、機械的な接続信頼性が悪化し、その結果、導通抵抗値が大きく上昇したと考えられる。
【００９７】
また、比較例２は、バンプの高さの半分（Ｈ／２）がフィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層の厚さ（Ｔｆ）以上である（Ｔｆ≦Ｈ／２）ため、第１の絶縁性接着剤層の充填量が少ないためフィラーの含有量が少なく、それにより、フィラーによる熱膨張率抑制等の効果を得ることができず、導通抵抗値が上昇したと考えられる。
【００９８】
また、比較例３は、第１の絶縁性接着剤層２１の厚さ（Ｔｆ）がバンプの高さ（Ｈ）以上（Ｈ≦Ｔｆ）であることから、バンプと電極パッドとの間にフィラーが噛み込まれ、バンプと電極パッドとを良好な状態で接続することができず、結果として導通抵抗値が上昇したと考えられる。
【００９９】
比較例４では、フィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層がＩＣチップのバンプ形成面に配置され、フィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層がバンプの先端上を覆うため、バンプと電極パッドとの間にフィラーが噛み込まれ、導通抵抗値が上昇したと考えられる。
【０１００】
比較例５では、フィラーを含有する第１の絶縁性接着剤層がバンプの先端上を覆うため、バンプと電極パッドとの間にフィラーが噛み込まれ、導通抵抗値が上昇したと考えられる。
【０１０１】
比較例６では、フィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層のみにより接続されることから、フィラーによる熱膨張率抑制等の効果を得ることができず、導通抵抗値が上昇したと考えられる。
【符号の説明】
【０１０２】
１  フィルム付ＩＣチップ、１０  ＩＣチップ、１２  バンプ、２０  絶縁性接着フィルム、２１  第１の絶縁性接着剤層、２２  第２の絶縁性接着剤層、２３  剥離基材
【図１】
2013122957.tif 000004
【図２】
2013122957.tif 000005
【図３】
2013122957.tif 000006
【図４】
2013122957.tif 000007
【図５】
2013122957.tif 000008
【図６】
2013122957.tif 000009
【図７】
2013122957.tif 000010
【図８】
2013122957.tif 000011
【図９】
2013122957.tif 000012
【図１０】
2013122957.tif 000013