(57)【要約】      （修正有）【課題】より小さい磁場で磁性層の磁化方向を所定の方向に設定する。【解決手段】磁気メモリ２１の磁場印加装置３０は、磁気メモリ２１の磁性層に磁場を印加し、磁性層の磁化方向を初期化する磁石３２Ａ及び３２Ｂと、磁性層に磁場が印加されている間に、磁気メモリ２１の温度を上昇させる温度上昇機構３３と、制御回路３４とを含む。磁石３２Ａ及び３２Ｂはそれぞれ、設定する磁化方向に応じて、磁場を発生し、磁気メモリ２１の上から下へ向かう磁場、又は下から上へ向かう磁場が印加される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気メモリの製造装置であって、
前記磁気メモリの磁性層に磁場を印加し、前記磁性層の磁化方向を初期化する磁石と、
前記磁性層に磁場が印加されている間に、前記磁気メモリの温度を上昇させる温度上昇機構と、
を具備することを特徴とする磁気メモリの製造装置。
【請求項２】
前記温度上昇機構は、通電により発熱する抵抗体であることを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリの製造装置。
【請求項３】
前記温度上昇機構は、レーザーを前記磁気メモリに照射するレーザー発生装置であることを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリの製造装置。
【請求項４】
前記温度上昇機構は、電磁波を前記磁気メモリに印加する電磁波発生装置であることを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリの製造装置。
【請求項５】
前記磁気メモリは、磁化方向が可変である第１の磁性層と、磁化方向が不変である第２の磁性層と、前記第２の磁性層の漏れ磁場を低減する第３の磁性層とを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の磁気メモリの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気メモリの製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ：Magnetic Random Access Memory）は、磁化の方向により抵抗値が変化する磁気抵抗（magnetoresistive)効果を利用したＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction）素子を記憶素子として用いている。ＭＴＪ素子は、参照層と、記憶層と、参照層及び記憶層に挟まれ、トンネル障壁を作る絶縁層との３層構造を持つ。参照層の磁化は一方向に固着されており、書き込み動作を行っても反転しない。一方、記憶層の磁化は書き込み動作によって外部から与えられるトルクによって磁化が反転する。
【０００３】
ＭＲＡＭの製造工程において、参照層の磁化方向を所定の方向に設定する着磁工程が必要である。ＭＴＪ素子を微細化していくと、参照層の磁化を反転させるのに必要な反転磁場が大きくなる。参照層の反転磁場が大きくなり過ぎると、一般的に使用される電磁石で発生できる磁場では、参照層の磁化方向を所定の方向に設定することができなくなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１１１８２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
実施形態は、より小さい磁場で磁性層の磁化方向を所定の方向に設定することが可能な磁気メモリの製造装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る磁気メモリの製造装置は、前記磁気メモリの磁性層に磁場を印加し、前記磁性層の磁化方向を初期化する磁石と、前記磁性層に磁場が印加されている間に、前記磁気メモリの温度を上昇させる温度上昇機構とを具備する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態に係るＭＴＪ素子の構成を示す断面図。
【図２】参照層の他の構成を示す断面図。
【図３】ＭＲＡＭウエハの構成を示す平面図。
【図４】磁性層のサイズと反転磁場との関係を示すグラフ。
【図５】本実施形態に係る磁場印加装置の構成を示す側面図。
【図６】磁性層の反転磁場と温度との関係を示すグラフ。
【図７】着磁工程における磁石と温度上昇機構との動作を説明する図。
【図８】磁場印加装置の他の構成を示す側面図。
【図９】ステージ及び温度上昇機構の構成を示すレイアウト図。
【図１０】磁場印加装置の他の構成を示す側面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率などは必ずしも現実のものと同一とは限らないことに留意すべきである。また、図面の相互間で同じ部分を表す場合においても、互いの寸法の関係や比率が異なって表される場合もある。特に、以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置などによって、本発明の技術思想が特定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
【０００９】
図１は、本実施形態に係るＭＴＪ素子（磁気抵抗素子）１０の構成を示す断面図である。ＭＴＪ素子１０は、下から順に、記憶層１１、非磁性層（トンネルバリア層）１２、参照層１３、非磁性層（スペーサ層）１４、調整層１５が積層されて構成されている。なお、図１の積層順序は、逆転していても構わない。図中の矢印は、磁化の様子を表している。ＭＴＪ素子１０の平面形状は、例えば円である。
【００１０】
記憶層１１及び参照層１３はそれぞれ、強磁性材料からなり、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、それらの容易磁化方向は膜面に対して垂直である。すなわち、ＭＴＪ素子１０は、記憶層１１及び参照層１３の磁化方向がそれぞれ膜面に対して垂直方向を向く、垂直磁化型ＭＴＪ素子である。
【００１１】
記憶層１１は、磁化方向が可変である（反転する）。参照層１３は、磁化方向が不変である（固着している）。参照層１３は、記憶層１１よりも十分大きな垂直磁気異方性エネルギーを持つように設計される。磁気異方性の設定は、材料構成や膜厚を調整することで可能である。このようにして、記憶層１１の磁化反転電流を小さくし、参照層１３の磁化反転電流を記憶層１１のそれよりも大きくする。これにより、所定の書き込み電流に対して、磁化方向が可変の記憶層１１と磁化方向が不変の参照層１３とを備えたＭＴＪ素子１０を実現できる。
【００１２】
非磁性層１２は、非磁性金属、非磁性半導体、又は絶縁体などを用いることができる。非磁性層１２として絶縁体を用いた場合はトンネルバリア層と呼ばれる。トンネルバリア層１２としては、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などが用いられる。
【００１３】
調整層１５は、参照層１３からの漏れ磁場を低減し、この漏れ磁場が記憶層１１に印加されて記憶層１１の保磁力がシフトするのを抑制する機能を有する。ＭＴＪ素子１０を構成する記憶層１１及び参照層１３は磁性材料から構成されているため、外部に対して磁場を発生している。一般に、垂直磁化型ＭＴＪ素子では、参照層１３から発生する漏れ磁場が面内磁化型ＭＴＪ素子のそれに比べて大きい。また、参照層１３に比べて保磁力の小さい記憶層１１は、参照層１３からの漏れ磁場の影響を強く受ける。具体的には、参照層１３からの漏れ磁場の影響により、記憶層１１の保磁力がシフトし、磁化反転電流の増加や、熱安定性の低下を引き起こす。このため、本実施形態のＭＴＪ素子１０は、参照層１３から記憶層１１に印加される漏れ磁場を低減する調整層１５を備えている。
【００１４】
調整層１５は、強磁性材料からなり、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、その容易磁化方向は膜面に対して垂直である。調整層１５は、参照層１３と同様に、磁化方向が不変である。調整層１５は、参照層１３と反強磁性結合しており、調整層１５と参照層１３との磁化方向は反平行に設定される。
【００１５】
スペーサ層１４は、調整層１５と参照層１３とが強磁性的に結合しないために設けられている。スペーサ層１４は、調整層１５と参照層１３とが熱工程によって混ざらないための耐熱性を有し、かつ調整層１５を形成する際の結晶配向を制御する機能も有している。スペーサ層１４としては、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、又は銅（Ｃｕ）などの非磁性金属を用いることができる。
【００１６】
参照層１３は、例えば、トンネルバリア層側に配置された界面磁性層１３Ａと、磁性層１３Ｂとが積層されて構成されている。磁性層１３Ｂは、参照層１３に垂直磁化を付与する機能を有し、界面磁性層１３Ａは、ＭＴＪ素子１０の磁気抵抗比（ＭＲ比）を向上させる機能を有する。磁性層１３Ｂは、例えば、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）の群から選択される少なくとも１つの元素を含む合金と、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）の群から選択される少なくとも１つの元素を含む合金とが交互に積層されて構成される。界面磁性層１３Ａは、スピン偏極率が高い磁性材料が用いられ、例えば、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ＣｏＦｅ、或いはＣｏＦｅＢなどが用いられる。なお、参照層１３は、磁性層１３Ｂと同じ材料からなる単層で構成してもよい。記憶層１１及び調整層１５はそれぞれ、例えば、磁性層１３Ｂと同じ材料が用いられる。
【００１７】
図２は、参照層１３の他の構成を示す断面図である。参照層１３は、ＳＡＦ（Synthetic Anti-Ferromagnet）構造を有している。具体的には、参照層１３は、磁性層１３Ｃ、非磁性層１３Ｄ、磁性層１３Ｅが積層されて構成されている。磁性層１３Ｃと磁性層１３Ｅとは反強磁性結合している。参照層１３をＳＡＦ構造とした場合、調整層１５は、磁性層１３Ｃと反強磁性結合するように磁化方向を設定する。磁性層１３Ｃ及び磁性層１３Ｅはそれぞれ、例えば、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）の群から選択される少なくとも１つの元素を含む合金と、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）の群から選択される少なくとも１つの元素を含む合金とが交互に積層されて構成される。非磁性層１３Ｄは、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、或いは銅（Ｃｕ）などの非磁性金属を用いることができる。
【００１８】
本実施形態では、ＭＴＪ素子１０に直接に書き込み電流を流し、この書き込み電流によってＭＴＪ素子１０の磁化状態を制御するスピン注入書き込み方式を採用する。ＭＴＪ素子１０は、記憶層１１と参照層１３との磁化の相対関係が平行か反平行かによって、低抵抗状態と高抵抗状態とのいずれかをとることができる。
【００１９】
ＭＴＪ素子１０に対して、記憶層１１から参照層１３へ向かう書き込み電流を流すと、記憶層１１と参照層１３との磁化の相対関係が平行になる。この平行状態の場合、ＭＴＪ素子１０の抵抗値は最も低くなり、ＭＴＪ素子１０は低抵抗状態に設定される。ＭＴＪ素子１０の低抵抗状態を、例えばデータ“０”と規定する。
【００２０】
一方、ＭＴＪ素子１０に対して、参照層１３から記憶層１１へ向かう書き込み電流を流すと、記憶層１１と参照層１３との磁化の相対関係が反平行になる。この反平行状態の場合、ＭＴＪ素子１０の抵抗値は最も高くなり、ＭＴＪ素子１０は高抵抗状態に設定される。ＭＴＪ素子１０の高抵抗状態を、例えばデータ“１”と規定する。
【００２１】
これにより、ＭＴＪ素子１０を１ビットデータを記憶可能な記憶素子として使用することができる。ＭＴＪ素子１０の抵抗状態とデータとの割り当ては任意に設定可能である。ＭＴＪ素子１０からデータを読み出す場合は、ＭＴＪ素子１０に読み出し電圧を印加し、この時にＭＴＪ素子１０に流れる読み出し電流に基づいてＭＴＪ素子１０の抵抗値を検知する。この読み出し電圧は、スピン注入によって磁化反転する閾値よりも十分小さい値に設定される。
【００２２】
複数のＭＴＪ素子１０を含むＭＲＡＭ（磁気メモリ）２１の製造方法では、図３に示すように、まず、複数のＭＲＡＭ２１を備えたＭＲＡＭウエハ２０を形成する。各ＭＲＡＭ２１は、複数のメモリセルＭＣからなるメモリセルアレイ２２、及びメモリセルアレイ２２を制御する周辺回路（図示せず）を備えている。各メモリセルＭＣは、ＭＴＪ素子１０と、例えばｎチャネルＭＯＳＦＥＴからなる選択トランジスタ２３とから構成される。ＭＴＪ素子１０の一端はビット線ＢＬに電気的に接続され、ＭＴＪ素子１０の他端は選択トランジスタ２３の電流経路の一端に電気的に接続されている。選択トランジスタ２３の電流経路の他端はビット線／ＢＬに電気的に接続され、選択トランジスタ２３のゲートはワード線ＷＬに電気的に接続されている。ＭＲＡＭウエハ２０は、最終的には、複数のＭＲＡＭ（ＭＲＡＭチップ）２１にダイシングされる。
【００２３】
ＭＴＪ素子１０を作製した段階では、ＭＴＪ素子１０を構成する複数の磁性層は、磁化方向がランダムになっている。このため、図１のような磁化配列を有するＭＴＪ素子１０を得るためには、ＭＴＪ素子１０を構成する複数の磁性層の各々の磁化方向を所望の方向に設定する、すなわち複数の磁性層の各々の磁化方向を初期化する製造工程が必要である。
【００２４】
一般的に、ＭＴＪ素子１０を微細化すると、ＭＴＪ素子１０を構成する各磁性層を磁化反転させるのに必要な磁場（反転磁場）が大きくなる。図４は、ＭＴＪ素子を構成する磁性層のサイズと反転磁場との関係を示すグラフである。図４の横軸はＭＴＪ素子を構成する磁性層の直径（ｎｍ）、図４の縦軸は保磁力（反転磁場）Ｈｃ（Ｏｅ）を表している。図４から理解できるように、ＭＴＪ素子を微細化（すなわち、ＭＴＪ素子を構成する各磁性層を微細化）すると、磁性層の反転磁場が大きくなる。従って、ＭＴＪ素子を構成する磁性層の磁化方向を初期化するには、大きな磁場が発生できる磁石が必要である。
【００２５】
そこで、本実施形態では、ＭＴＪ素子１０を構成する磁性層の磁化方向を設定する製造工程において、ＭＴＪ素子１０の温度を上昇させながら、磁性層に磁場を印加するようにしている。図５は、本実施形態に係る磁場印加装置（製造装置）３０の構成を示す側面図である。磁場印加装置３０は、ＭＲＡＭウエハ２０が載置されるステージ３１、ＭＲＡＭウエハ２０に磁場を印加する磁石３２Ａ及び３２Ｂ、ＭＲＡＭウエハ２０の温度を上昇させる温度上昇機構３３、及び制御回路３４を備えている。
【００２６】
磁石３２Ａ及び３２Ｂとしては、例えば、電磁石、又は超伝導磁石が用いられる。磁石３２Ａ及び３２Ｂの平面形状は例えば円である。磁石３２Ａ及び３２Ｂは、ステージ３１及びＭＲＡＭウエハ２０と所定の距離を空けつつ、ステージ３１に載置されたＭＲＡＭウエハ２０を上下から挟むように配置される。磁石３２Ａ及び３２Ｂはそれぞれ、設定する磁化方向に応じて、図面の下方向又は上方向に磁場を発生する。これにより、ＭＲＡＭウエハ２０には、図面の上から下へ向かう磁場、又は下から上へ向かう磁場が印加される。
【００２７】
温度上昇機構３３は、ヒーター、レーザー発生装置、又は電磁波発生装置を用いることができる。ヒーターは、例えば通電されることで発熱する抵抗体が用いられ、この抵抗体が発生する熱によって、ＭＲＡＭウエハ２０の温度を上昇させる。レーザー発生装置は、ＭＲＡＭウエハ２０にレーザーを照射することで、ＭＲＡＭウエハ２０の温度を上昇させる。電磁波発生装置は、ＭＲＡＭウエハ２０に電磁波を印加することで、ＭＲＡＭウエハ２０の温度を上昇させる。この電磁波発生装置は、高い周波数を有する電磁波（マイクロ波）を発生し、例えば電子レンジなどで使用される２．４５ＧＨｚの周波数を有する電磁波を発生する。すなわち、本実施形態の温度上昇機構３３は、抵抗加熱方式、レーザー加熱方式、又は電磁波加熱方式を用いることができる。温度上昇機構３３は、例えば磁石３２Ｂに取り付けられており、例えば磁石３２Ｂの先端に埋め込まれている。
【００２８】
制御回路３４は、磁石３２Ａ及び３２Ｂの動作、及び温度上昇機構３３の動作を制御する。ステージ３１は、二次元に移動可能なように構成されている。ステージ３１は、ＭＲＡＭウエハ２０のうち磁場を印加する領域が磁石３２Ａ及び３２Ｂ間に配置されるように、ＭＲＡＭウエハ２０を移動する。
【００２９】
図６は、磁性層の反転磁場と温度との関係を示すグラフである。図６の横軸は磁性層の温度を表しており、図６の縦軸は磁性層の保磁力（反転磁場）Ｈｃを表している。図６に示すように、磁性層の温度が上昇するにつれて、磁性層の反転磁場が小さくなるのが分かる。磁性層の温度をキュリー温度まで上昇させると、磁性層は、常磁性体へと遷移する。
【００３０】
そこで、本実施形態では、磁性層の磁化方向を所望の方向に設定する、すなわち磁性層の磁化方向を初期化する着磁工程において、ＭＴＪ素子１０に含まれる磁性層のうち着磁を行う磁性層の温度を温度上昇機構３３によって室温より高い温度まで上昇させる。その後、室温時の反転磁場より低い磁場を用いて、磁性層の磁化方向を設定する。磁性層の温度を上昇させる大きさ、すなわち室温からの磁性層の上昇温度ΔＴは、磁石３２Ａ及び３２Ｂが発生できる磁場の大きさに応じて設定される。図６に示すように、磁石３２Ａ及び３２Ｂの磁場Ｈｓｗであるとすると、反転磁場がＨｓｗになる磁性層の温度Ｔｈ以上になるまで磁性層の温度を上昇させる。磁石３２Ａ及び３２Ｂの磁場Ｈｓｗは、例えば１〜１．５Ｔ程度に設定するのが望ましい。温度Ｔｈは、室温より高く、かつＭＲＡＭウエハ２０が熔解する温度より低い範囲で任意に設定することができる。
【００３１】
図７は、着磁工程における磁石３２Ａ及び３２Ｂと温度上昇機構３３との動作を説明する図である。まず、制御回路３４が磁石３２Ａ及び３２Ｂを起動させることで、磁石３２Ａ及び３２Ｂは、定常磁場をＭＲＡＭウエハ２０に印加する。ＭＲＡＭウエハ２０に定常磁場が印加された後、制御回路３４が温度上昇機構３３を起動させることで、温度上昇機構３３は、ＭＲＡＭウエハ２０を所定温度まで加熱する。続いて、所定時間が経過した後、制御回路３４は、温度上昇機構３３の動作を停止する。
【００３２】
続いて、温度上昇機構３３の動作停止から所定時間が経過した後（例えば、ＭＲＡＭウエハ２０の温度が所定温度まで降下した後）、制御回路３４は、磁石３２Ａ及び３２Ｂの動作を停止する。これにより、ＭＲＡＭウエハ２０への定常磁場の印加が停止される。このようにして、ＭＴＪ素子１０に含まれる磁性層のうち１つの磁性層の磁化方向が設定される。
【００３３】
例えば、図１のＭＴＪ素子１０の着磁工程では、参照層１３と調整層１５との磁化方向が逆方向であるため、２回の着磁工程が行われる。本実施形態では、調整層１５の垂直磁気異方性エネルギーは、参照層１３の垂直磁気異方性エネルギーより大きい。よって、まず、１回目の着磁工程で、参照層１３及び調整層１５の磁化方向を図１の調整層１５の磁化方向と同じ方向に設定する。続いて、２回目の着磁工程で、参照層１３の磁化方向を図１の方向に設定する。この時、２回目の着磁工程における磁石３２Ａ及び３２Ｂの磁場Ｈｓｗ２は、１回目の着磁工程における磁石３２Ａ及び３２Ｂの磁場Ｈｓｗ１より小さく設定される。
【００３４】
（磁場印加装置３０の構成例）
以下に、磁場印加装置３０の他の構成例について説明する。図８は、磁場印加装置３０の他の構成を示す側面図である。磁石３２Ａ及び３２Ｂの磁場発生領域は、ＭＲＡＭウエハ２０の面積以上である。すなわち、磁石３２Ａ及び３２Ｂは、ＭＲＡＭウエハ２０の全面に一度に磁場を印加できるサイズを有している。
【００３５】
ステージ３１は、ＭＲＡＭウエハ２０全体を載置できるサイズを有している。ステージ３１には、温度上昇機構３３が取り付けられている。図９は、ステージ３１及び温度上昇機構３３の構成を示すレイアウト図である。
【００３６】
温度上昇機構３３としては、例えば、通電により発熱する抵抗体が用いられる。抵抗体３３は、ステージ３１内に埋め込まれており、ステージ３１全体の温度が上昇するようにステージ３１全体に配置されている。
【００３７】
図８の磁場印加装置３０を用いて着磁工程を行った場合、ＭＲＡＭウエハ２０全体を一度に着磁することが可能となる。なお、図８の磁石３２Ａのサイズが大きくなる場合は、複数の磁石３２Ａを用意し、この複数の磁石３２Ａが全体としてＭＲＡＭウエハ２０全面に一度に磁場を印加できるように構成してもよい。同様に、図８の磁石３２Ｂについても、複数の磁石３２Ｂから構成されるようにしてもよい。
【００３８】
図１０は、磁場印加装置３０の他の構成を示す側面図である。磁場印加装置３０は、１個の磁石３２を備えている。磁石３２は、ＭＲＡＭウエハ２０が載置されたステージ３１の上方に配置される。磁石３２には、温度上昇機構３３が取り付けられている。図１０のように単極の磁石３２を用いて、ＭＲＡＭウエハ２０に磁場を印加するようにしてもよい。
【００３９】
なお、図８の磁場印加装置３０を図１０のように単極の磁石を用いて構成するようにしてもよい。また、図５及び図１０の磁場印加装置３０に図９の温度上昇機構３３を適用してもよい。
【００４０】
（効果）
以上詳述したように本実施形態では、磁場印加装置（ＭＲＡＭ製造装置）３０は、ＭＴＪ素子１０を構成する磁性層（参照層１３及び調整層１５を含む）に磁場を印加し、磁性層の磁化方向を所定の方向に設定する（磁化方向を初期化する）磁石３２Ａ及び３２Ｂと、磁性層に磁場が印加されている間に、ＭＴＪ素子１０の温度を上昇させる温度上昇機構３３とを備えている。
【００４１】
従って本実施形態によれば、参照層１３及び調整層１５の磁化方向を所定の方向に設定する着磁工程において、参照層１３及び調整層１５の温度を上昇させることができる。これにより、参照層１３及び調整層１５の保磁力（反転磁場）を小さくすることができるため、より小さい磁場で参照層１３及び調整層１５の着磁を行うことが可能となる。この結果、着磁工程において、大きな磁場を発生する磁石を用いる必要がないため、磁場印加装置３０のコスト及びサイズを低減することができる。
【００４２】
また、ＭＴＪ素子１０を微細化することで、参照層１３及び調整層１５の反転磁場が大きくなった場合でも、参照層１３及び調整層１５の磁化方向を所望の方向に設定することができる。
【００４３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４４】
１０…ＭＴＪ素子、１１…記憶層、１２…トンネルバリア層、１３…参照層、１４…スペーサ層、１５…調整層、２０…ＭＲＡＭウエハ、２１…ＭＲＡＭ、２２…メモリセルアレイ、２３…選択トランジスタ、３０…磁場印加装置、３２…磁石、３３…温度上昇機構、３４…制御回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2013105769.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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