(57)【要約】【課題】  小型化と高輝度化とを図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供すること。【解決手段】  ＬＥＤモジュール１０１は、ＬＥＤチップ２００と、ＬＥＤチップ２００が搭載されており、ＬＥＤチップ２００を囲む反射面６０１を有する支持部材８００と、反射面に６０１よって囲まれた空間に充填されており、ＬＥＤチップ２００からの光を透過させる封止樹脂７００と、を備えており、反射面６０１は、ＬＥＤチップ２００からの光を散乱させる凹凸面とされている。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上のＬＥＤチップと、
上記ＬＥＤチップが搭載されており、上記ＬＥＤチップを囲む反射面を有する支持部材と、
上記反射面によって囲まれた空間に充填されており、上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂と、を備えており、
上記反射面は、上記ＬＥＤチップからの光を散乱させる凹凸面とされていることを特徴とする、ＬＥＤモジュール。
【請求項２】
上記基材のうち上記反射面を構成する部位は、樹脂によって形成されている、請求項１に記載のＬＥＤモジュール
【請求項３】
上記樹脂は、白色である、請求項２に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項４】
上記反射面の粗さは、Ｒｙ（最大高さ）が１〜１０μｍである、請求項１ないし３のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
【請求項５】
上記支持部材は、基材および配線パターンを有し、上記ＬＥＤチップが搭載された基板と、この基板上に形成されており上記反射面を有するリフレクタと、からなる、請求項１ないし４のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
【請求項６】
上記支持部材は、いずれかに上記ＬＥＤチップが搭載された複数のリードと、これらのリードの一部ずつを覆い、上記反射面を有するリフレクタと、からなる、請求項１ないし４のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
【請求項７】
上記ＬＥＤチップは、Ｓｉからなるサブマウント基板、および上記サブマウント基板上に積層された半導体層を有している、請求項１ないし６のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
【請求項８】
上記サブマウント基板と上記支持部材とを接続する２つのワイヤを備えている、請求項７に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項９】
上記サブマウント基板と上記支持部材とを接続する１つのワイヤを備えている、請求項７に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１０】
上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面には、２つの電極パッドが形成されているとともに、これらの電極パッドが上記支持部材と導通接合されている、請求項７に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１１】
上記ＬＥＤチップは、半導体層および上記支持部材に接合された２つの電極パッドからなる、請求項１ないし６のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１２】
上記半導体層のうち上記支持部材とは反対側の面が、凹凸面とされている、請求項１０または１１に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１３】
上記半導体層の上記凹凸面の粗さは、Ｒｙ（最大高さ）が１〜１０μｍである、請求項１２に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１４】
上記半導体層は、青色光または緑色光を発する、請求項７ないし１３のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１５】
上記封止樹脂には、上記ＬＥＤチップからの光によって励起されることにより、上記ＬＥＤチップからの光とは異なる波長の光を発する蛍光体材料が混入されている、請求項１４に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１６】
上記蛍光体材料は、黄色光を発する、請求項１５に記載のＬＥＤモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源としてＬＥＤチップを備えるＬＥＤモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
図２４は、従来のＬＥＤモジュールの一例を示している（たとえば、特許文献１参照）。同図に示されたＬＥＤモジュール９００は、基板９０１にＬＥＤチップ９０２が搭載されている。基板９０１上には、枠状のリフレクタ９０５が形成されている。リフレクタ９０５は、ＬＥＤチップ９０２を囲む反射面９０６を有している。反射面９０６によって囲まれた空間には、封止樹脂９０７が充填されている。ＬＥＤチップ９０２は、Ｓｉからなるサブマウント基板９０３とサブマウント基板９０３上に積層された半導体層９０４を有する。半導体層９０４は、サブマウント基板９０３を介して基板９０１に導通している。
【０００３】
ＬＥＤモジュール９００に対しては、小型化の要請が強い。小型化を促進するには、反射面９０６の角度を図中上下方向に沿うように起立させる必要がある。反射面９０６が上下方向に沿うほど、ＬＥＤチップ９０２から反射面９０６へと向かう光は、反射された後に水平方向により近い角度で封止樹脂９０７内を進行する。このような光は、封止樹脂９０７の上面において全反射されやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１１９７４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、小型化と高輝度化とを図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によって提供されるＬＥＤモジュールは、１以上のＬＥＤチップと、上記ＬＥＤチップが搭載されており、上記ＬＥＤチップを囲む反射面を有する支持部材と、上記反射面によって囲まれた空間に充填されており、上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂と、を備えており、上記反射面は、上記ＬＥＤチップからの光を散乱させる凹凸面とされていることを特徴としている。
【０００７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材のうち上記反射面を構成する部位は、樹脂によって形成されている。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記樹脂は、白色である。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記反射面の粗さは、Ｒｙ（最大高さ）が１〜１０μｍである。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記支持部材は、基材および配線パターンを有し、上記ＬＥＤチップが搭載された基板と、この基板上に形成されており上記反射面を有するリフレクタと、からなる。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記支持部材は、いずれかに上記ＬＥＤチップが搭載された複数のリードと、これらのリードの一部ずつを覆い、上記反射面を有するリフレクタと、からなる。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ＬＥＤチップは、Ｓｉからなるサブマウント基板、および上記サブマウント基板上に積層された半導体層を有している。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板と上記支持部材とを接続する２つのワイヤを備えている。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板と上記支持部材とを接続する１つのワイヤを備えている。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面には、２つの電極パッドが形成されているとともに、これらの電極パッドが上記支持部材と導通接合されている。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ＬＥＤチップは、半導体層および上記支持部材に接合された２つの電極パッドからなる。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体層のうち上記支持部材とは反対側の面が、凹凸面とされている。
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体層の上記凹凸面の粗さは、Ｒｙ（最大高さ）が１〜１０μｍである。
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体層は、青色光または緑色光を発する。
【００２０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記封止樹脂には、上記ＬＥＤチップからの光によって励起されることにより、上記ＬＥＤチップからの光とは異なる波長の光を発する蛍光体材料が混入されている。
【００２１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記蛍光体材料は、黄色光を発する。
【００２２】
このような構成によれば、上記ＬＥＤチップから上記反射面へと進行した光は、上記反射面によって散乱される。この散乱された光は、上記封止樹脂の表面に対する入射角が臨界角よりも小さく、全反射されない光を含む。これにより、上記反射面に向かってきた光の一部を上記封止樹脂から確実に出射することが可能である。したがって、上記ＬＥＤモジュールの小型化を図りつつ、高輝度化を実現することができる。
【００２３】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す斜視図である。
【図２】図１のＬＥＤモジュールを示す平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】図１のＬＥＤモジュールを示す要部拡大断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。
【図７】図５のＬＥＤモジュールを示す要部拡大断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す平面図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。
【図１０】図８のＬＥＤモジュールを示す要部拡大断面図である。
【図１１】図８のＬＥＤモジュールのＬＥＤチップの変形例を示す要部拡大断面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す斜視図である。
【図１３】図１２のＬＥＤモジュールを示す平面図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う断面図である。
【図１５】本発明の第５実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す断面図である。
【図１６】本発明の第６実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す断面図である。
【図１７】本発明の第７実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す平面図である。
【図１８】図１７のＬＥＤモジュールを示す底面図である。
【図１９】図１７のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う断面図である。
【図２０】図１７のＸＸ−ＸＸ線に沿う断面図である。
【図２１】本発明の第８実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す平面図である。
【図２２】図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図２３】図２１のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図２４】従来のＬＥＤモジュールの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００２６】
図１〜図４は、本発明の第１実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０１は、基板３００、ＬＥＤチップ２００、２つのワイヤ５００、リフレクタ６００、および封止樹脂７００を備えている。なお、理解の便宜上、図１および図２においては、封止樹脂７００を省略している。
【００２７】
基板３００は、基材３１０および基材３１０に形成された配線パターン３２０からなる。基材３１０は、矩形状であり、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。配線パターン３２０は、たとえばＣｕまたはＡｇなどの金属からなり、ボンディング部３２１，３２２、迂回部３２３，３２４、および実装端子３２５，３２６を有する。ボンディング部３２１，３２２は、基材３１０の上面に形成されている。迂回部３２３，３２４は、ボンディング部３２１，３２２につながっており、基材３１０の両側面に形成されている。実装端子３２５，３２６は、基材３１０の下面に形成されており、迂回部３２３，３２４につながっている。実装端子３２５，３２６は、ＬＥＤモジュール１０１をたとえば回路基板に実装するために用いられる。
【００２８】
ＬＥＤチップ２００は、Ｓｉからなるサブマウント基板２１０とたとえばＧａＮからなるｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層が積層された半導体層２２０とを有する構造とされており、たとえば青色光を発する。図４に示すように、半導体層２２０には、サブマウント基板２１０側に２つの電極パッド２３０が形成されている。これらの電極パッド２３０は、サブマウント基板２１０に形成された配線パターン（図示略）に導電性ペースト２３１によって接合されている。サブマウント基板２１０は、絶縁性ペースト２５１によってボンディング部３２１に接合されている。サブマウント基板２１０には２つの電極（図示略）が形成されている。これらの電極には、２つのワイヤ５００それぞれの一端がボンディングされており、ＬＥＤチップ２００は、いわゆる２ワイヤタイプとして構成されている。一方のワイヤ５００の他端は、ボンディング部３２１にボンディングされており、他方のワイヤ５００の他端は、ボンディング部３２２にボンディングされている。また、サブマウント基板２１０には、半導体層２２０に過大な逆電圧が印加されることを防止するためのツェナーダイオード（図示略）が作りこまれている。
【００２９】
リフレクタ６００は、たとえば白色のエポキシ樹脂または液晶ポリマ（ＬＣＰ）樹脂からなり、ＬＥＤチップ２００を囲む枠状である。リフレクタ６００には、反射面６０１が形成されている。反射面６０１は、ＬＥＤチップ２００を囲んでいる。本実施形態においては、反射面６０１は、基板３００の厚さ方向において基板３００から離間するほど、基板３００の厚さ方向に対して直角である方向においてＬＥＤチップ２００から遠ざかるように傾斜している。反射面６０１は、ＬＥＤチップ２００からの光を散乱させる凹凸面とされている。この凹凸面の粗さは、たとえばＲｙ（最大高さ）が１〜１０μｍである。好ましくは、この凹凸面の粗さは、Ｒｙ（最大高さ）が１〜６μｍである。基板３００とリフレクタ６００とは、支持部材８００を構成している。なお、Ｒｙ（最大高さ）とは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１、ＪＩＳ  Ｂ  ００３１に定められており、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜き取り部分の山頂線と谷底線との間隔を粗さ曲線の縦倍率の方向に測定し、この値をマイクロメートル（μｍ）で表したものをいう。
【００３０】
封止樹脂７００は、ＬＥＤチップ２００を覆っており、反射面６０１によって囲まれた空間を埋めている。封止樹脂７００は、たとえば透明なエポキシ樹脂に蛍光体材料が混入された材質からなる。この蛍光体材料は、たとえばＬＥＤチップ２００の半導体層２２０から発せられる青色光によって励起されることにより黄色光を発する。これらの青色光と黄色光とを混色することにより、ＬＥＤモジュール１０１は、白色光を発する。なお、上記蛍光体材料としては、青色光によって励起されることにより赤色光を発するものと、緑色光を発するものを用いてもよい。
【００３１】
ＬＥＤモジュール１０１の製造方法の一例を挙げる。まず、サブマウント基板２１０に半導体層２２０を接合する。ついで、基板３００にリフレクタ６００を金型を用いて形成する。この金型のうち、反射面６０１を形成するための面は、凹凸面とされている。この凹凸面の粗さは、たとえば（最大高さ）が１〜１０μｍである。好ましくは、この凹凸面の粗さは、Ｒｙ（最大高さ）が１〜６μｍである。ついで、基板３００にＬＥＤチップ２００を搭載する。ついで、ＬＥＤチップ２００にワイヤ５００をボンディングする。そして、封止樹脂７００を形成することにより、ＬＥＤモジュール１０１が完成する。
【００３２】
次に、ＬＥＤモジュール１０１の作用について説明する。
【００３３】
本実施形態によれば、図３に示すように、ＬＥＤチップ２００から側方に進行した光は、反射面６０１によって散乱される。この散乱された光は、封止樹脂７００の上面に対する入射角が臨界角よりも小さく、全反射されない光を含む。これにより、反射面６０１に向かってきた光の一部を封止樹脂７００から確実に出射することが可能である。したがって、ＬＥＤモジュール１０１の小型化を図りつつ、高輝度化を実現することができる。
【００３４】
リフレクタを白色樹脂によって形成することにより、封止樹脂７００から出射する光量を多くすることができる。発明者らの研究によれば、反射面６０１の粗さがＲｙ（最大高さ）が１〜１０μｍである場合に、高輝度化の効果が顕著に高められることができるという知見が得られた。さらに高輝度化の効果を高めるためには、反射面６０１の粗さがＲｙ（最大高さ）が１〜６μｍであることが好ましい。
【００３５】
図５〜図２３は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【００３６】
図５〜図７は、本発明の第２実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０２は、ＬＥＤチップ２００の構成、および凹凸面とされている範囲が、上述したＬＥＤモジュール１０１と異なっている。
【００３７】
図７に示すように、本実施形態においては、ＬＥＤチップ２００のサブマウント基板２１０には、１つのワイヤ５００のみがボンディングされており、ＬＥＤチップ２００は、いわゆる１ワイヤタイプとして構成されている。このワイヤ５００は、ボンディング部３２２に接続されている。サブマウント基板２１０の下面には、図示しない電極が形成されている。この電極は、導電性ペースト２５２によって、ボンディング部３２１に導通接合されている。
【００３８】
本実施形態においては、図６および図７に示すように、反射面６０１だけでなく、リフレクタ６００の外面、基板３００の外面および反射面６０１に囲まれた領域が、凹凸面とされている。このような構成のＬＥＤモジュール１０２の製造方法の一例を説明する。まず、サブマウント基板２１０に半導体層２２０を接合する。ついで、基板３００にリフレクタ６００を金型を用いて形成する。ついで、リフレクタ６００の反射面６０１に対してショットブラスト処理を施す。このとき、ショットブラスト処理においては、粒状の投射材が、反射面６０１だけでなくリフレクタ６００や基板３００の露出面に回り込むように衝突する。このため、リフレクタ６００および基板３００の露出している面のほとんどがショットブラスト処理を受ける格好となる。ついで、基板３００にＬＥＤチップ２００を搭載する。ついで、ＬＥＤチップ２００にワイヤ５００をボンディングする。そして、封止樹脂７００を形成することにより、ＬＥＤモジュール１０２が完成する。
【００３９】
このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０２の小型化と高輝度化とを図ることができる。
【００４０】
図８〜図１０は、本発明の第３実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０３は、ＬＥＤチップ２００の構成、および凹凸面とされている範囲が、上述したＬＥＤモジュール１０１，１０２と異なっている。
【００４１】
図１０に示すように、本実施形態においては、ＬＥＤチップ２００のサブマウント基板２１０の下面には、２つの電極パッド２３２が形成されている。これらの電極パッド２３２は、サブマウント基板２１０内に形成された導通経路（図示略）を介して、２つの電極パッド２３０と導通している。２つの電極パッド２３２は、導電性ペースト２５２を介してボンディング部３２１，３２２に導通接続されている。このような構成のＬＥＤチップ２００は、いわゆるフリップチップタイプと称される。
【００４２】
本実施形態においては、ＬＥＤモジュール１０２と同様に、リフレクタ６００および基板３００の大部分が凹凸面とされている。さらに、図１０に示すように、ＬＥＤチップ２００の上面をはじめとする露出面も、凹凸面とされている。このような構成のＬＥＤモジュール１０３の製造方法の一例を説明する。まず、サブマウント基板２１０に半導体層２２０を接合する。ついで、基板３００にリフレクタ６００を金型を用いて形成する。ついで、基板３００にＬＥＤチップ２００を搭載する。ついで、リフレクタ６００の反射面６０１に対してショットブラスト処理を施す。このとき、ショットブラスト処理においては、粒状の投射材が、反射面６０１だけでなくリフレクタ６００や基板３００の露出面、さらにＬＥＤチップ２００に対して衝突する。このため、リフレクタ６００、基板３００、およびＬＥＤチップ２００の露出している面のほとんどがショットブラスト処理を受ける格好となる。そして、封止樹脂７００を形成することにより、ＬＥＤモジュール１０３が完成する。ＬＥＤチップ２００の上面の粗さは、Ｒｙ（最大高さ）が１〜１０μｍである。好ましくは、ＬＥＤチップ２００の上面の粗さは、Ｒｙ（最大高さ）が１〜６μｍである。
【００４３】
このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０３の小型化と高輝度化とを図ることができる。また、図１０に示すように、ＬＥＤチップ２００の半導体層２２０内で発した光の一部は、半導体層２２０内を進行した後に半導体層２２０の上面に入射する。この上面が凹凸状であることにより、上面が平滑面である場合に入射角が大きいために全反射される光が、半導体層２２０から出射されうる。したがって、ＬＥＤモジュール１０３の高輝度化をさらに促進することができる。
【００４４】
図１１は、ＬＥＤモジュール１０３の変形例を示している。本変形例においては、ＬＥＤチップ２００は、半導体層２２０によって構成されており、サブマウント基板２１０を備えていない。ＬＥＤチップ２００は、フリップチップタイプとして構成されており、ワイヤを介することなく基板３００に搭載されている。上述したＬＥＤモジュール１０３の製造工程を経ることにより、本変形例においても、ＬＥＤチップ２００の上面をはじめとする露出面のほとんどが凹凸面とされている。
【００４５】
このような変形例によっても、ＬＥＤモジュール１０３の小型化と高輝度化とを促進することができる。
【００４６】
なお、ＬＥＤモジュール１０１において、ＬＥＤモジュール１０２，１０３のＬＥＤチップ２００を用いてもよい。また、ＬＥＤモジュール１０２においてＬＥＤモジュール１０１，１０３のＬＥＤチップを用いてもよい。
【００４７】
図１２〜図１４は、本発明の第４実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０４は、リード４１０，４２０を備える点、およびリフレクタ６００の構成が、上述したＬＥＤモジュール１０１〜１０３と異なる。
【００４８】
リード４１０，４２０は、たとえばＣｕまたはＣｕ合金からなるプレートに対して打ち抜き加工および曲げ加工を施すことによって形成されている。リード４１０は、ボンディング部４１１、迂回部４１２、実装端子４１３を有している。リード４２０は、ボンディング部４２１、迂回部４２２、実装端子４２３を有している。ボンディング部４１１には、ＬＥＤチップ２００がボンディングされている。ボンディング部４１１と実装端子４１３とは互いに略平行であり、迂回部４１２によって互いに連結されている。ボンディング部４２１と実装端子４２３とは互いに略平行であり、迂回部４２２によって互いに連結されている。本実施形態のＬＥＤチップ２００は、図４に示された２ワイヤタイプとして構成されている。２つのワイヤ５００の一方はボンディング部４１１にボンディングされており、他方はボンディング部４２１にボンディングされている。
【００４９】
リフレクタ６００は、枠状部６０２と土台部６０３とを有している。枠状部６０２は、反射面６０１が形成された部分であり、ＬＥＤチップ２００を囲んでいる。土台部６０３は、枠状部６０２の下方につながっており、リード４１０，４２０によって抱え込まれた格好となっている。本実施形態においては、リフレクタ６００のみによって支持部材８００が構成されている。また、反射面６０１のみが凹凸面とされている点は、ＬＥＤモジュール１０１と同様であり、ＬＥＤモジュール１０４の製造方法は、ＬＥＤモジュール１０１の製造方法と類似している。
【００５０】
このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０４の高輝度化と高輝度化とを図ることができる。また、金属プレートからなるリード４１０，４２０は、比較的熱伝導に優れる。このため、ＬＥＤチップ２００から発せられた熱をより効率よくＬＥＤモジュール１０４外へと放散することができる。
【００５１】
図１５は、本発明の第５実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０５は、ＬＥＤチップ２００の構成、および凹凸面とされている範囲が、上述したＬＥＤモジュール１０４と異なっている。本実施形態においては、ＬＥＤチップ２００は、図７に示された１ワイヤタイプとして構成されている。また、本実施形態においては、ＬＥＤモジュール１０２と同様に、リフレクタ６００の外面および封止樹脂７００によって覆われている領域のほとんどが凹凸面とされている。ＬＥＤモジュール１０５の製造方法は、ＬＥＤモジュール１０２の製造方法と類似している。このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０５の小型化と高輝度化とを図ることができる。
【００５２】
図１６は、本発明の第６実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０６は、ＬＥＤチップ２００の構成、および凹凸面とされている範囲が、上述したＬＥＤモジュール１０４，１０５と異なっている。本実施形態においては、ＬＥＤチップ２００は、図１０に示されたいわゆるフリップチップタイプとして構成されている。また、本実施形態においては、リフレクタ６００およびＬＥＤチップ２００のほとんどの領域が凹凸面とされている。ＬＥＤモジュール１０６の製造方法は、ＬＥＤモジュール１０３の製造方法と類似している。また、図１１に示されたＬＥＤチップ２００を用いてもよい。このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０６の小型化と高輝度化とを図ることができる。
【００５３】
図１７〜図２０は、本発明の第７実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０７は、３つのＬＥＤチップ２００，２０１を備えている点が、上述したＬＥＤモジュール１０１〜１０６と異なっている。ＬＥＤモジュール１０７は、リード４３０，４３１，４３２，４３３，４３４，４３５、３つのＬＥＤチップ２００，２０１、リフレクタ６００、および封止樹脂７００を備えている。なお、図１７においては、理解の便宜上封止樹脂７００を省略している。
【００５４】
リード４３０，４３１，４３２，４３３，４３４，４３５は、たとえばＣｕまたはＣｕ合金からなり、その一部ずつがリフレクタ６００に覆われている。本実施形態においては、リード４３０，４３１，４３２，４３３，４３４，４３５およびリフレクタ６００によって、支持部材８００が構成されている。
【００５５】
２つのＬＥＤチップ２００は、図４に示した２ワイヤタイプのものであり、一方が青色光を発し、他方が緑色光を発する。ＬＥＤチップ２０１は、本発明で言う追加のＬＥＤチップの一例であり、赤色光を発する。３つのＬＥＤチップ２００，２０１は、リード４３０に一列に搭載されている。
【００５６】
図１７中上方のＬＥＤチップ２００にボンディングされた２つのワイヤ５００は、リード４３１，４３２にボンディングされている。図１７中下方のＬＥＤチップ２００にボンディングされた２つのワイヤ５００は、リード４３３，４３４にボンディングされている。
【００５７】
ＬＥＤチップ２０１は、下面が電極が形成された電極面とされており、リード４３０と導通接合されている。ＬＥＤチップ２０１の上面には、ワイヤ５００の一端がボンディングされている。このワイヤ５００の他端は、リード４３５にボンディングされている。
【００５８】
封止樹脂７００は、たとえば透明なエポキシ樹脂からなる。本実施形態においては、封止樹脂７００には、蛍光体材料は混入されていない。
【００５９】
本実施形態においては、リフレクタ６００の反射面６０１のみが凹凸面とされている。ＬＥＤモジュール１０７の製造方法は、ＬＥＤモジュール１０１と類似している。
【００６０】
このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０７の小型化と高輝度化とを図ることができる。また、３つのＬＥＤチップ２００，２０１からの赤色光、緑色光、青色光を混色させることにより、白色光を出射することができる。また、３つのＬＥＤチップ２００，２０１に流れる電流の大きさを個別に調整することにより、さまざまな色調の光を出射することができる。
【００６１】
図２１〜図２３は、本発明の第８実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０８は、支持部材８００が基板３００およびリフレクタ６００によって構成されており、基板３００に、ボンディングパッド４５１，４５２，４５３，４５４，４５５，４５６，４５７，４５８と、貫通導体部４６１，４６２，４６３，４６４，４６５，４６６，４６７，４６８（貫通導体部４６４，４６５，４６６は図示略）と、実装端子４７１，４７２とが形成されている点が、上述したＬＥＤモジュール１０７と異なる。
【００６２】
基板３００は、たとえば積層された複数のセラミック材料シートを焼成することによって形成される、セラミック基板である。本実施形態においては、リフレクタ６００の反射面６０１のみが凹凸面とされている。
【００６３】
ボンディングパッド４５１，４５２，４５３，４５４，４５５，４５６，４５７，４５８は、たとえばＡｇまたはＣｕからなる。ボンディングパッド４５１，４５４には、２つのＬＥＤチップ２００が各別に搭載されている。ボンディングパッド４５２，４５３には、一方のＬＥＤチップ２００につながる２つのワイヤ５００がボンディングされている。ボンディングパッド４５５，４５６には、他方のＬＥＤチップ２００につながる２つのワイヤ５００がボンディングされている。ボンディングパッド４５７には、ＬＥＤチップ２００が搭載されており、ボンディングパッド４５８には、ＬＥＤチップ２００につながるワイヤ５００がボンディングされている。
【００６４】
このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０８の小型化と高輝度化とを図ることができる。また、３つのＬＥＤチップ２００，２０１からの赤色光、緑色光、青色光を混色させることにより、白色光を出射することができる。
【００６５】
本発明に係るＬＥＤモジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るＬＥＤモジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【００６６】
１０１〜１０８  ＬＥＤモジュール
２００  ＬＥＤチップ
２０１  追加のＬＥＤチップ
２１０  サブマウント基板
２２０  半導体層
２３０  電極パッド
２３１  導電性ペースト
２３２  電極パッド
２５１  絶縁性ペースト
２５２  導電性ペースト
３００  基板
３１０  基材
３２０  配線パターン
３２１，３２２  ボンディング部
３２３，３２４  迂回部
３２５，２３６  実装端子
４１０，４２０，４３０，４３１，４３２，４３３，４３４，４３５  リード
４１１，４２１  ボンディング部
４１２，４２２  迂回部
４１３，４２３  実装端子
４１５，４２５  延出部
４１８，４２８  Ａｇ層
４４１，４４２  リード
４４３  カップ部
４４４，４４５  ボンディング部
４５１，４５２，４５３，４５４，４５５，４５６，４５７，４５８  ボンディングパッド
４６１，４６２，４６３，４６４，４６５，４６６，４６７，４６８  貫通導体部
４７１，４７２，４７３，４７４，４７５，４７６，４７７，４７８  実装端子
５００  ワイヤ
６００  リフレクタ
６０１  反射面
６０２  枠状部
６０３  土台部
７００  封止樹脂
７０１  ベース樹脂
７０２  レンズ
８００  支持部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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