(57)【要約】【課題】金属箔張基板を製造するのに用いられる仮基板であって、金属箔のシワの発生が抑制された高品質な金属箔張基板を製造可能な金属箔張基板製造用仮基板、および高品質な金属箔張基板を効率よく製造する方法を提供すること。【解決手段】金属箔張基板製造用仮基板１は、樹脂シート１０を硬化させてなる仮基板本体１１と、仮基板本体１１上に配置された下地層１２と、下地層１２を介して仮基板本体１１上に設けられ、下地層１２の平面視の大きさより大きな金属箔１３と、を有し、金属箔１３の一部をビルドアップ配線層９等の他の基板に移転させて配線基板（金属箔張基板）５を製造するのに用いられる仮基板であって、前記樹脂シートが５０体積％〜７０体積％の無機充填剤を含んでいる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂シートを硬化させてなる仮基板本体と、前記仮基板本体上に配置された下地層と、前記下地層を介して前記仮基板本体上に設けられ、前記下地層の平面視の大きさより大きな金属箔と、を有し、前記金属箔の一部を他の基板に移転させ金属箔張基板を製造するのに用いられる仮基板であって、
前記樹脂シートが５０体積％〜７０体積％の無機充填剤を含んでいることを特徴とする金属箔張基板製造用仮基板。
【請求項２】
前記樹脂シートは、前記硬化時における寸法変化率の絶対値が０．２％以下のものである請求項１に記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【請求項３】
前記樹脂シートは、前記硬化後における線膨張係数が２０ｐｐｍ／℃未満のものである請求項１または２のいずれかに記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の金属箔張基板製造用仮基板の前記金属箔に接するように前記他の基板を接着して積層体を得る工程と、
前記積層体のうち、前記金属箔の外周部に対応する部分を切断して除去することにより、前記金属箔の一部を前記他の基板側に移転させ金属箔張基板を得る工程と、を有することを特徴とする金属箔張基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属箔張基板製造用仮基板および金属箔張基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、配線基板のような金属箔張基板の製造において仮基板を用いた方法が開示されている。具体的には、まず、樹脂シート上の配線形成領域に下地層を配置するとともに、この下地層の平面視の大きさより一回り大きな金属箔を、前記配線形成領域の外側に位置する外周部に接するように、下地層を介して樹脂シート上に配置する。そして、加熱・加圧によって樹脂シートを硬化させることにより、樹脂シートの前記外周部に対して金属箔の外周部が接着され、仮基板が得られる。この仮基板において、下地層とその上の金属箔との間は、単に接しているだけで接着されていない状態になっている。
【０００３】
次いで、仮基板の金属箔上にビルドアップ配線層を形成して構造体を得た後、この構造体のうち、金属箔の外周部に対応する部分を切断することにより、金属箔の外周部以外の部分、すなわち下地層と接していた部分をビルドアップ配線層側に移転させることができる。これにより、金属箔の上にビルドアップ配線層が形成された配線部材が得られる。
【０００４】
このような方法によれば、接着機能を有する樹脂シートを備えた仮基板を用いることにより、特別な接着層を設けることなく、配線部材を簡単に製造することができる。このため、特にコア基板をもたない配線部材の製造コストの低減を図ることができる。
【０００５】
しかしながら、上記の配線部材の製造方法では、それに用いる仮基板を製造する際に、樹脂シートに対して金属箔を仮固定した状態で樹脂シートを硬化させる工程を経る。硬化に伴って樹脂シートは収縮するが、一方、金属箔はほとんど収縮しない。このため、硬化後の樹脂シートに対して余分な金属箔が発生することとなり、この部分が仮基板において金属箔にシワを発生させる要因になっている。このような金属箔に発生するシワは、そのままビルドアップ配線層に移転され、配線部材（金属箔張基板）の不良原因となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１５８１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、金属箔張基板を製造するのに用いられる仮基板であって、金属箔のシワの発生が抑制された高品質な金属箔張基板を製造可能な金属箔張基板製造用仮基板、および高品質な金属箔張基板を効率よく製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記（１）〜（４）の本発明により達成される。
（１）樹脂シートを硬化させてなる仮基板本体と、前記仮基板本体上に配置された下地層と、前記下地層を介して前記仮基板本体上に設けられ、前記下地層の平面視の大きさより大きな金属箔と、を有し、前記金属箔の一部を他の基板に移転させ金属箔張基板を製造するのに用いられる仮基板であって、前記樹脂シートが５０体積％〜７０体積％の無機充填剤を含んでいることを特徴とする金属箔張基板製造用仮基板。
【０００９】
（２）  前記樹脂シートは、前記硬化時における寸法変化率の絶対値が０．２％以下のものである上記（１）に記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【００１０】
（３）  前記樹脂シートは、前記硬化後における線膨張係数が２０ｐｐｍ／℃未満のものである上記（１）または（２）のいずれかに記載の金属箔張基板製造用仮基板。
【００１１】
（４）  上記（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の金属箔張基板製造用仮基板の前記金属箔に接するように前記他の基板を接着して積層体を得る工程と、
前記積層体のうち、前記金属箔の外周部に対応する部分を切断して除去することにより、前記金属箔の一部を前記他の基板側に移転させ金属箔張基板を得る工程と、を有することを特徴とする金属箔張基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、金属箔のシワの発生が抑制された高品質な金属箔張基板を製造可能な金属箔張基板製造用仮基板を製造することができる。
また、本発明によれば、高品質な金属箔張基板を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の金属箔張基板の製造方法の実施形態を示す断面図（一部、平面図を含む。）である。
【図２】本発明の金属箔張基板の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の金属箔張基板の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の金属箔張基板製造用仮基板および金属箔張基板の製造方法について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１５】
本発明の金属箔張基板製造用仮基板（以下、省略して「仮基板」ともいう。）は、仮基板本体とその上に配置された下地層とさらにその上に配置された下地層より一回り大きい金属箔とを有するものであり、金属箔の一部を他の基板等に移転させて金属箔張基板を製造するのに用いられるものである。ここで、仮基板本体は、樹脂シートを硬化させてなるものである。そして、樹脂シートを硬化させる際に、樹脂シートに対して下地層と金属箔とを接触させておくことにより、これらを接着させつつ樹脂シートを硬化させることができるので、特別な接着層を用いることなく、仮基板本体と下地層および金属箔とを接着し、仮基板を製造することができる。
【００１６】
このようにして得られた仮基板では、下地層とその上の金属箔との間は接着されていない。すなわち、金属箔は、下地層からはみ出た部分（外周部）のみが仮基板本体と接着されることによって固定されている。このため、金属箔上に絶縁層等の他の基板を形成した後、金属箔の外周部に対応した部分を一括して切断することにより、絶縁層等に金属箔が移転され、金属箔張基板が製造される。
【００１７】
このような本発明の仮基板における仮基板本体は、樹脂シートが５０体積％〜７０体積％の無機充填剤を含んでいることを特徴とする。これにより、仮基板本体は、樹脂シートの硬化時の収縮が及ぼす影響を最小限に抑え得るものとなり、かつ金属箔との密着力が十分なものとなる。そして、このような仮基板を用いることにより、金属箔におけるシワの発生が確実に抑制された金属箔張基板を製造することができる。
【００１８】
＜金属箔張基板の製造方法＞
まず、本発明の金属箔張基板の製造方法の実施形態について説明する。
【００１９】
図１〜３は、本発明の金属箔張基板の製造方法の実施形態を示す断面図（一部、平面図を含む。）である。
【００２０】
図１〜３に示す金属箔張基板の製造方法は、［１］仮基板１の金属箔１３に接するようにビルドアップ配線層９を形成して積層体２を得る積層工程と、［２］積層体２のうち、金属箔１３の外周部１３２に対応する部分を切断して除去することにより、金属箔１３の内周部１３１をビルドアップ配線層９側に移転させ、配線基板（金属箔張基板）５を得る切断工程と、を有する。以下、各工程について順次説明する。
【００２１】
［１］積層工程
［１−１］まず、積層工程に用いる仮基板１を製造する。仮基板１は、樹脂シート１０を硬化させてなる仮基板本体１１と、仮基板本体１１上に配置された下地層１２と、下地層１２を介して仮基板本体１１上に配置され、下地層１２よりも平面視で一回り大きい金属箔１３と、を有するものである。このような仮基板１は、樹脂シート１０上に下地層１２および金属箔１３を配置した状態で樹脂シート１０を硬化させることにより製造される。
【００２２】
樹脂シート１０は、熱硬化性樹脂を溶液キャスト成形、押出成形、カレンダー成形、溶融キャスト成形、アプリケーター、コーターによるフィルム成形など成形加工して作製した平板状の熱硬化性樹脂シートである。なお、この樹脂シート１０および仮基板１については、後に詳述する。
【００２３】
樹脂シート１０上に下地層１２および金属箔１３を配置する際には、樹脂シート１０の一方の面上に配置してもよいが、図１（ａ）に示すように双方の面上に配置してもよい。これにより、１枚の仮基板１から２枚の配線基板５を製造することができるので、製造効率を高めることができる。
【００２４】
また、金属箔１３を配置する際には、図１（ｃ）に示すように、下地層１２より一回り大きい金属箔１３の外周部１３２が下地層１２の外縁から確実にはみ出るように配置する。
【００２５】
このようにして樹脂シート１０、下地層１２および金属箔１３を重ねた後、これらを厚さ方向に加圧しつつ加熱する。これにより、樹脂シート１０が硬化して仮基板本体１１に転化するとともに、仮基板本体１１に対して下地層１２および金属箔１３が接着される。なお、金属箔１３については、図１（ｂ）に示すように、樹脂シート１０と接していた外周部１３２のみが仮基板本体１１と接着される。一方、金属箔１３の内周部１３１は、下地層１２と接しているものの、下地層１２には樹脂シート１０のような接着機能はないため、樹脂シート１０硬化後も下地層１２と単に接している状態を維持する。
【００２６】
加熱条件としては、好ましくは加熱温度が５０〜３００℃程度、加熱時間が０．５〜１０時間程度とされ、より好ましくは加熱温度が１７０〜２７０℃程度、加熱時間が１〜５時間程度とされる。
【００２７】
また、加熱温度は途中で変更するようにしてもよい。例えば、当初は５０〜１００℃程度で０．５〜３時間程度加熱し、その後、２００〜３００℃程度で０．５〜３時間程度加熱するようにしてもよい。
【００２８】
また、加圧条件としては、好ましくは加圧力が０．１〜５ＭＰａ程度、より好ましくは加圧力が１〜４ＭＰａ程度とされる。
【００２９】
なお、樹脂シート１０中の樹脂が光硬化性を有する場合には、波長２００〜４００ｎｍ程度の紫外線等を照射することにより樹脂を硬化させることができる。
【００３０】
付与される光エネルギー量（積算光量）は、５ｍＪ／ｃｍ２以上１０００ｍＪ／ｃｍ２以下であるのが好ましく、１０ｍＪ／ｃｍ２以上８００ｍＪ／ｃｍ２以下であるのがより好ましい。積算光量が前記範囲内であれば、ムラなく均一に、かつ確実に硬化させることができる。
以上のようにして図１（ｂ）、（ｃ）に示す仮基板１が得られる。
【００３１】
［１−２］次に、仮基板１の金属箔１３上にビルドアップ配線層９を形成する。これにより、積層体２を得る。
【００３２】
ビルドアップ配線層９は、例えばビルドアップ法により絶縁層を形成しつつ、セミアディティブ法により配線層を形成するプロセスを繰り返し行うことにより形成される。以下、このプロセスについて説明するが、ビルドアップ配線層９の形成には、その他にサブトラクティブ法等を用いるようにしてもよい。
【００３３】
まず、金属箔１３上にレジスト膜を形成する。レジスト膜には、フォトリソグラフィー技術等により、所定の開口部を形成しておく。次いで、電解めっき処理等を施すことにより、開口部に導電層が形成する。その後、レジスト膜を除去する。これにより、金属箔１３と導通する配線が形成される。導電層の構成材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、スズ等が挙げられる。
【００３４】
次に、ポスト部等を覆うように絶縁層を形成する。絶縁層の形成には、樹脂フィルムの貼り付け、液状樹脂材料の塗布等の方法が用いられる。絶縁層の構成材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等が挙げられる。また、絶縁層には、レーザー加工法、フォトリソグラフィー法等により開口部が形成される。次いで、無電解めっき処理またはスパッタリング処理等を施すことにより、開口部内および絶縁層上にシード層を形成する。シード層には、前述した導電層と同様の材料が用いられる。シード層上に所定の開口部を備えたレジスト膜を形成した後、電解めっき処理等を施すことにより、レジスト膜の開口部およびその周囲に導電層を形成する。その後、レジスト膜を除去するとともに、導電層をマスクにしてシード層を除去する。これにより、絶縁層上に配線を形成するとともに、絶縁層を貫通して配線同士を接続するポストを形成する。
【００３５】
以上のようなプロセスを仮基板１の両面においてそれぞれ繰り返すことにより、図２に示すように、各面にそれぞれ複数の絶縁層が積層されてなるビルドアップ配線層９を形成することができる。すなわち、ビルドアップ配線層９、仮基板１およびビルドアップ配線層９の３つが積層されてなる積層体２が得られる。
【００３６】
なお、ビルドアップ配線層９の形成にあたっては、特開２００７−１５８１７４号公報に記載されたプロセスを適宜採用するようにしてもよい。
【００３７】
［２］切断工程
次に、積層体２のうち、金属箔１３の外周部１３２に対応する部分を切断して除去する。切断にあたっては、外周部１３２が内周部１３１から分離するような位置において切断すればよく、切断線Ｃが図３（ａ）に示すように金属箔１３の内周部１３１側に入り込んでいても差し支えない。切断には、各種ダイサー、各種レーザー加工機等を用いることができる。
【００３８】
切断線Ｃにおいて積層体２を切断すると、外周部１３２が切り落とされることとなり、下地層１２と金属箔１３との間には、図３（ｂ）に示すように、単に接しているだけの界面が残る。
【００３９】
そして、この界面は、図３（ｃ）に示すように分離することとなる。その結果、金属箔１３とその上に形成されたビルドアップ配線層９とが積層された配線基板５が得られる。
【００４０】
その後、必要に応じて、配線基板５が含む金属箔１３に対してパターニング処理を施し、所定の部分を除去するようにしてもよい。
【００４１】
以上のような方法によれば、特別な接着層を設けることなく配線基板５を効率よく製造することができるので、配線基板５の製造工程の簡略化および製造コストの削減を図ることができる。特に、コア基板を含まない配線基板５の製造において、本発明は有効に用いられる。その結果、薄型で軽量の配線基板５を短期間かつ低コストで製造することができる。
【００４２】
なお、ビルドアップ配線層９は、配線を含まない単なる絶縁層等で代替してもよい。すなわち、配線基板５は、絶縁層と銅箔とを接着してなる銅張基板（金属箔張基板）であってもよい。
【００４３】
＜金属箔張基板製造用仮基板＞
次に、上記製造方法に用いられる本発明の金属箔張基板製造用仮基板の実施形態について説明する。
【００４４】
前述したように、本発明の仮基板１は、樹脂シート１０を硬化させてなる仮基板本体１１と、仮基板本体１１上に配置された下地層１２と、下地層１２を介して仮基板本体１１上に配置され、下地層１２よりも平面視で一回り大きい金属箔１３と、を有するものである。このうち、仮基板本体１１は、樹脂シートが５０体積％〜７０体積％の無機充填剤を含んでいるものである。このような樹脂シート１０を用いた仮基板１は、樹脂シート１０の硬化時の収縮に及ぼす影響が最小限に抑え得るものとなり、かつ金属箔との密着力が十分なものとなる。したがって、このような樹脂シート１０を用いることで、仮基板１において金属箔１３にシワが発生するのを抑制することができる。そして、この金属箔１３のシワがビルドアップ配線層９に移転されるのを抑制することができる。
【００４５】
ここで、仮基板１は、樹脂シート１０上に下地層１２と金属箔１３とを配置した状態で樹脂シート１０を硬化させることにより製造される。硬化に伴って樹脂シート１０は収縮するが、一方、金属箔１３はほとんど収縮しない。このため、従来の仮基板では、硬化後に得られる仮基板本体に対して金属箔には余分が発生し、この余分が金属箔にシワを発生させていた。そしてこのシワは、そのままビルドアップ配線層に移転されることとなり、配線基板に不良を発生させる要因になっていた。
【００４６】
このような課題に対し、本発明者は鋭意検討を重ね、仮基板本体１１のうち、樹脂シート１０の無機充填剤の含有量がシワの発生に大きく関与しているという知見を得た。本発明者は、樹脂シート１０の無機充填剤の含有量を最適化することにより、硬化収縮を最小化し、かつ金属箔との密着力が十分なものとなることで、シワの発生を大幅に低減し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００４７】
（樹脂シート用樹脂組成物）
本発明の樹脂シート用樹脂組成物に用いられる樹脂材料には、例えば、ポリイミド系樹脂、フェノ−ル系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂のような熱硬化性樹
脂、シリコーン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリブチレンテレフタレート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、フッ素系樹脂のような熱可塑性樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を用いることができる。これらの中でも、特に熱硬化性樹脂が好ましく用いられる。
【００４８】
熱硬化性樹脂としては、具体的には、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂のようなノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂のようなレゾール型フェノール樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂のようなビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂のようなノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂（ＢＴ樹脂）、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。これらのうちの１種または２種以上を用いることができる。
【００４９】
なお、樹脂シート用樹脂組成物には、樹脂材料の未硬化物の他、無機充填剤、硬化剤、酸化防止剤、難燃剤、紫外線吸収剤、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、発泡剤、イオン捕捉剤等を含んでいてもよい。
【００５０】
このうち、無機充填剤としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスのようなケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカのような酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトのような炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムのような水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムのような硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムのようなホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素のような窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムのようなチタン酸塩等が用いられる。
【００５１】
無機充填剤の添加量は、樹脂シート用樹脂組成物の５０体積％〜７０体積％であるのが好ましい。
【００５２】
無機充填剤の添加量が上記下限値未満であると、樹脂シートの硬化収縮量が大きくなり、シワ発生の原因となる。また、無機充填剤の添加量が上記上限値を超えると、金属箔との密着性が悪化し、シワ発生の原因となる。
【００５３】
また、硬化剤としては、酸無水物、脂肪族アミン等の架橋剤、カチオン系硬化剤、アニオン系硬化剤等が挙げられ、これらの１種または２種以上の混合物が用いられる。
【００５４】
また、酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤等が用いられるが、特にヒンダードフェノール系酸化防止剤が好ましく用いられる。
【００５５】
（樹脂シート）
フィルムに樹脂シート用樹脂組成物をアプリケーター、コーター等を用いて塗工し、半硬化させた後、フィルムを剥離することにより樹脂シート１０が得られる。半硬化とは、樹脂材料中の硬化に寄与する官能基のうち、相当部分が未反応のままである状態のことをいい、Ｂステージとも呼ばれる。得られた樹脂シート１０は、樹脂シート１０に下地層１２および金属箔１３を重ねた後、これらを厚さ方向に加圧しつつ加熱することにより本硬化するが、その際の寸法変化率の絶対値が０．２％以下であるのが好ましく、０．１８％以下であるのがより好ましい。このような樹脂シート１０は、金属箔１３におけるシワの発生を確実に抑え得る仮基板１の実現に寄与する。
【００５６】
（金属箔）
金属箔１３は、ビルドアップ配線層９（他の基板）側に移転されるものであるので、移転後の用途に応じてその組成が適宜選択される。
【００５７】
金属箔１３の構成材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、スズ等の金属またはこれらを含む合金等が挙げられる。
【００５８】
また、金属箔１３の平均厚さは、特に限定されないが８〜７０μｍ程度であるのが好ましく、１２〜３５μｍ程度であるのがより好ましい。本発明によれば、このような薄い金属箔１３を備えた仮基板１を実現することができる。すなわち、薄い金属箔１３を移転可能な仮基板１が得られる。
【００５９】
（下地層）
仮基板本体１１の両面には、それぞれ図１に示すように下地層１２が配置されている。下地層１２は、仮基板本体１１と接着されている一方、金属箔１３とは接着していない。すなわち、下地層１２は、金属材料に対して剥離性を有する材料で構成される。下地層１２の構成材料としては、例えば、金属箔１３を構成する金属材料の他、ポリエチレン、ポリプロピレンのようなポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステルといった樹脂材料、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素材料等が挙げられる。
【００６０】
また、下地層１２は、樹脂材料からなる層に離型処理を施したものであってもよい。離型処理としては、例えば、フッ素樹脂を付与する処理、シリコーン樹脂を付与する処理等が挙げられる。
【００６１】
ところで、下地層１２の平面視の大きさは、図１に示すように、仮基板本体１１より一回り小さくなるよう設定されている。一方、金属箔１３の平面視の大きさは、下地層１２より一回り大きく、かつ、仮基板本体１１と同等かそれより小さくなるよう設定されている。このような大小関係を満たすことにより、下地層１２はその全面が仮基板本体１１と接着され、金属箔１３はその外周部１３２のみが仮基板本体１１と接着されることとなる。
【００６２】
なお、下地層１２と金属箔１３とを重ねたとき、金属箔１３の外周部１３２は、図１に示すような枠状となる。この枠状の外周部１３２の幅は、特に限定されないものの２〜５０ｍｍ程度であるのが好ましく、３〜３０ｍｍ程度であるのがより好ましい。外周部１３２の幅を前記範囲内に設定することで、仮基板本体１１に対して金属箔１３を確実に固定しつつ、切断され除去される金属箔１３の割合を最小化して金属箔１３を有効利用することができる。
【００６３】
また、仮基板１は、硬化後の３０℃〜１５０℃における平均線膨張係数が２５ｐｐｍ／℃未満であることが好ましく、より好ましくは２２ｐｐｍ／℃未満、さらに好ましくは２０ｐｐｍ／℃未満である。このような仮基板１は、硬化後においても金属箔１３のシワの
発生を確実に抑制し得るものとなる。
【００６４】
以上、本発明について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば金属箔張基板製造用仮基板には任意の構成物が付加されていてもよく、金属箔張基板の製造方法には任意の工程が追加されてもよい。
【実施例】
【００６５】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．金属箔張基板の製造
（実施例１）
（１）樹脂シートの製造
まず、以下のようにして樹脂ワニスを調製した。
【００６６】
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（三菱化学製、１２５６、分子量５５０００）８．４質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ製、８５０Ｓ、エポキシ当量１９０）９．８質量部、２−フェニルイミダゾール（四国化成製、２ＰＺ）０．３質量部、γ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越シリコーン製、ＫＢＭ−４０３）１．５質量部、アルミナ（電気化学工業製、ＡＳ−５０）８０．０質量部をシクロヘキサノンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、樹脂組成物が固形分基準で７０質量％の樹脂ワニスを得た。
【００６７】
次に、フィルムとして、厚さ３５μｍのポリエステルフィルム（帝人デュポンフィルム製、ＮＲＡ−０２）を用い、ポリエステルフィルムに樹脂ワニスをコンマコーターにて塗布し、１００℃で３分、１５０℃で３分加熱乾燥し、樹脂付きフィルムを得た。この樹脂付きフィルムよりポリエステルフィルムを剥離し、樹脂厚１００μｍの樹脂シートを得た。この樹脂シートの無機充填剤含有率は、５４．７質量％であった。
【００６８】
（２）金属箔張基板製造用仮基板の製造
次に、樹脂シートの両面に、それぞれ、平均厚さ１８μｍの銅箔で構成された下地層と、それより一回り大きい金属箔として平均厚さ３５μｍの銅箔と、を重ねた。そして、これらを圧力４ＭＰａで加圧しつつ、温度２００℃で２時間加熱した。これにより、下地層および銅箔が仮基板本体の両面にそれぞれ接着されてなる仮基板を得た。なお、仮基板の形状は、５００ｍｍ四方の正方形とした。
【００６９】
（３）ビルドアップ配線層の製造
次に、製造した仮基板の各銅箔上にそれぞれ３層の絶縁層を積層したビルドアップ配線層を形成した。これにより、２つのビルドアップ配線層とその間にある仮基板とからなる積層体を得た。ビルドアップ配線層は、ビルドアップ法による絶縁層の形成とセミアディティブ法による配線の形成とを交互に繰り返すことにより形成した。
【００７０】
（４）積層体の切断
次に、積層体のうち、金属箔と仮基板本体とが接着されている部分が切り落とされるように、金属箔の外周部に対応する部分を切断した。その結果、ビルドアップ配線層と仮基板とは、金属箔と下地層との間で分離し、金属箔は各ビルドアップ配線層側に移転された。以上のようにしてビルドアップ配線層に金属箔が接着されてなる配線基板（金属箔張基板）を製造した。
【００７１】
（実施例２〜８）
樹脂ワニスとして表１に示すものを用いるようにした以外は、実施例１と同様にして仮基板を得るとともに、この仮基板を用いて配線基板（金属箔張基板）を製造した。
尚、溶融シリカと水酸化アルミニウムには下記のものを使用した。
溶融シリカ（アドマテックス製、ＳＯ−２５Ｒ）
水酸化アルミニウム（住友化学製、ＣＬ−３１０）
【００７２】
（比較例１〜７）
樹脂ワニスとして表１に示すものを用いるようにした以外は、実施例１と同様にして仮基板を得るとともに、この仮基板を用いて配線基板（金属箔張基板）を製造した。
【００７３】
２．金属箔張基板製造用仮基板の評価
２．１  寸法変化の評価
各実施例および各比較例で得られた仮基板中の仮基板本体について、樹脂シートを硬化したことに伴って寸法が変化した際の変化率を算出した。変化率は、樹脂シートにおける規定の長さに対する、硬化に伴う寸法変化の割合とした。そして、樹脂シートの硬化に伴って寸法が小さくなった場合は変化率を負の値とし、寸法が大きくなった場合は変化率を正の値とした。
【００７４】
なお、規定の長さは４００ｍｍとし、サンプル１枚当たり４か所について行い、これを１０枚のサンプルについて行った。これにより、４０個の測定値を得た。
【００７５】
２．２  線膨張係数の測定
各実施例および各比較例で得られた仮基板中の仮基板本体について、全面エッチングし、５ｍｍ×２０ｍｍの試験片を作製し、ＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて５℃／分の条件で、ガラス転移温度以下の領域の線膨張係数を測定した。
【００７６】
２．３  銅箔引きはがし強さの測定
各実施例および各比較例で得られた仮基板中の仮基板本体について、３５μｍ銅箔と樹脂シートが直接接している部分から１００ｍｍ×２０ｍｍの試験片を作製し、２３℃におけるピール強度を測定した。なお、ピール強度測定は、ＪＩＳ  Ｃ  ６４８１に準拠して行った。
【００７７】
２．３  外観の評価
各実施例および各比較例で得られた仮基板について、金属箔の外観を以下の評価基準にしたがって評価した。
【００７８】
＜仮基板の外観評価基準＞
◎：シワが全く認められない
○：外周部にわずかなシワが認められる
△：内周部にもわずかなシワが認められる
×：内周部に大きなシワが認められる
【００７９】
３．金属箔張基板の評価
各実施例および各比較例で得られた配線基板（金属箔張基板）について、金属箔の外観を以下の評価基準にしたがって評価した。
【００８０】
＜仮基板の外観評価基準＞
○：シワが全く認められない
△：わずかなシワが認められる
×：大きなシワが認められる
以上の評価結果を表１に示す。
【００８１】
【表１】
2013187460.tif 000003
【００８２】
表１から明らかなように、各実施例で得られた仮基板には、金属箔の内周部においてシワが認められなかった。そして、このような仮基板を用いて製造された配線基板（金属箔張基板）にも金属箔のシワは認められなかった。
【００８３】
一方、各比較例で得られた仮基板には、金属箔の内周部においてシワが認められた。そして、このような仮基板を用いて製造された配線基板にも金属箔のシワが認められた。比較例１，３，４，６は無機充填剤含有率が低く、樹脂シートの寸法変化が大きいためシワが発生したものと考えられる。比較例２，５，７は無機充填剤含有率が高く、樹脂シートと銅箔との密着力が小さいためシワが発生したものと考えられる。
【符号の説明】
【００８４】
１                      金属箔張基板製造用仮基板
１０                    樹脂シート
１１                    仮基板本体
１２                    下地層
１３                    金属箔
１３１                  内周部
１３２                  外周部
２                      積層体
５                      配線基板（金属箔張基板）
９                      ビルドアップ配線層（他の基板）
Ｃ                      切断線
【図１】
2013187460.tif 000004
【図２】
2013187460.tif 000005
【図３】
2013187460.tif 000006