(57)【要約】【課題】コア材と、このコア材に積層して形成される絶縁層との密着性を向上させた配線基板を提供すること。【解決手段】本発明に係る配線基板は、第１の主面と第１の主面に対向する第２の主面とを有し、第１の主面から第２の主面に貫通する複数の貫通孔が形成されたコア材と、複数の貫通孔に充填された複数の樹脂部材と、複数の樹脂部材に形成された複数のスルーホールと、複数のスルーホールの内周面に形成された複数のスルーホール導体と、複数のスルーホール導体と電気的に接続され、複数のスルーホールの端面を覆う複数の蓋めっきと、第１の主面側又は第２の主面側の少なくとも一方に位置する配線層と、を備え、複数の蓋めっきのうち一部の蓋めっきは、配線層の配線と電気的に接続されていないことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と前記第１の主面に対向する第２の主面とを有し、前記第１の主面から前記第２の主面に貫通する複数の貫通孔が形成されたコア材と、
前記複数の貫通孔に充填された複数の樹脂部材と、
前記複数の樹脂部材に形成された複数のスルーホールと、
前記複数のスルーホールの内周面に形成された複数のスルーホール導体と、
前記複数のスルーホール導体と電気的に接続され、前記複数のスルーホールの端面を覆う複数の蓋めっきと、
前記第１の主面側又は前記第２の主面側の少なくとも一方に位置する配線層と、
を備え、
前記複数の蓋めっきのうち一部の蓋めっきは、前記配線層の配線と電気的に接続されていないことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記コア材は、前記複数の貫通孔が等間隔で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記コア材は、端部近傍により多くの貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記コア材は、金属を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板を備えた配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
放熱性を高めるために金属板をコア基板として使用した配線基板が従来から用いられている。コア基板は、通常、次のように形成される。初めに、金属板に貫通穴を形成した後、金属板の表面及び裏面に絶縁層となるプリプレグをラミネートする。次に、プリプレグを加熱しながらプレス成形し、加熱により硬化したプリプレグにスルーホールを形成する。最後に、配線パターンを形成し、コア基板とする。
【０００３】
上記形成方法では、金属板に形成された貫通孔にプリプレグが充填される。このため、貫通孔が密に形成された領域は、貫通孔が密に形成されていない領域に比べ、プリプレグを加熱硬化後に形成される絶縁層の厚みが薄くなる問題が生じていた。そこで、従来の配線基板には、スルーホールを形成する位置以外にダミーの貫通孔を金属板に形成し、金属板に形成する貫通孔の密度が金属板の全領域において略同一となるようにした配線基板ある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３１８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上のように、金属板をコア基板として使用した配線基板では、金属板にプリプレグをラミネートしている。しかしながら、金属板とプリプレグとの密着性が弱いため、プリプレグを加熱硬化後に形成される絶縁層が金属板から容易に剥がれてしまうという問題があった。そこで、従来は、金属板とプリプレグとの間に接着層を設けるなどしていたが、工程数や材料費が増えるため、配線基板の製造コストが増加するという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の事情に対処してなされたものであり、コア材と、このコア材に積層して形成される絶縁層との密着性を向上させた配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成すべく、本発明の配線基板は、
第１の主面と第１の主面に対向する第２の主面とを有し、第１の主面から第２の主面に貫通する複数の貫通孔が形成されたコア材と、複数の貫通孔に充填された複数の樹脂部材と、複数の樹脂部材に形成された複数のスルーホールと、複数のスルーホールの内周面に形成された複数のスルーホール導体と、複数のスルーホール導体と電気的に接続され、複数のスルーホールの端面を覆う複数の蓋めっきと、第１の主面側又は第２の主面側の少なくとも一方に位置する配線層と、を備え、複数の蓋めっきのうち一部の蓋めっきは、配線層の配線と電気的に接続されていないことを特徴とする。
【０００８】
上記配線基板では、第１の主面側又は第２の主面側の少なくとも一方に位置する配線層と電気的に接続されていないダミーの蓋めっきが形成されている。また、このダミーの蓋めっきは、スルーホールの内周面に形成されたスルーホール導体の端面を覆うようにして形成されている。このため、コア材の第１，第２の主面に積層して形成される絶縁層は、このスルーホール導体及び蓋めっきにより互いに締結された状態となるので、コア材と、このコア材に積層して形成される絶縁層との密着性がさらに向上する。
【０００９】
また、本発明の他の態様において、配線基板のコア材は、ダミーを含む貫通孔が等間隔で形成されている。このため、他の領域比べて貫通孔の密度が低い領域、つまり、絶縁層が剥がれやすい領域がなく、コア材に積層して形成される絶縁層が剥がれにくい配線基板を得ることができる。
【００１０】
また、本発明の他の態様において、配線基板のコア材は、端部近傍により多くの貫通孔が形成されている。コア材に積層された絶縁層は、通常、端部から剥がれ易いので、端部近傍により多くの貫通孔を形成することにより、コア材に積層して形成される絶縁層が剥がれにくい配線基板を得ることができる。
【００１１】
さらに、本発明の他の態様において、配線基板のコア材は、金属を主成分とする。コア材を金属を主成分とすることで、配線基板の放熱性が向上する。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、本発明によれば、コア材と、このコア材に積層して形成される絶縁層との密着性を向上させた配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態に係る配線基板の平面図。
【図２】第１の実施形態に係る配線基板の断面図。
【図３】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図４】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図５】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図６】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図７】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図８】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図９】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１０】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１１】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１２】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１３】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１４】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１５】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１６】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１７】第１の実施形態の変形例に係る金属板の平面図。
【図１８】第２の実施形態に係る配線基板の構成図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の説明では、コア基板上にビルドアップ層を形成した配線基板を例に、本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、半導体チップが接続される側を表面側とし、マザーボードやソケット等（以下、マザーボード等と称する）が接続される側を裏面側とする。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１は、配線基板１００の平面図である。図１には、金属板１１に形成された貫通孔１１ｃ及び貫通孔１１ｄを破線で図示した。図２は、図１の一点鎖I−Iにおける線配基板２００の断面図である。以下、図１及び図２を参照して、配線基板１００の構成について説明する。
【００１６】
（配線基板の構成）
図２に示すように、配線基板１００は、コア基板１０、ビルドアップ層２０、ソルダーレジスト層３１及びソルダーレジスト層４１を備える。
【００１７】
（コア基板の構成）
コア基板１０は、金属板１１（コア材）と、層間絶縁層１４と、スルーホールＨ内に形成されたスルーホール導体１９ｃと、スルーホール導体１９ｃの中空部に充填された充填樹脂１６と、層間絶縁層１４の表面及び裏面に形成された表面配線層１９ａ及び裏面配線層１９ｂと、充填樹脂１６の両端に形成された蓋めっき層１７，１８とを備える。
【００１８】
金属板１１は、鉄（Ｆｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金を主成分とする。金属板１１は、第１の主面１１ａ（表面）と、この第１の主面１１ａに対向する第２の主面１１ｂ（裏面）とを有する。図３に示すように、金属板１１には、第１の主面１１ａから第２の主面１１ｂに貫通する複数の貫通孔１１ｃ，１１ｄが等間隔で形成されている。なお、この実施形態では、金属板１１として、鉄（Ｆｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金を使用しているが、銅など、他の金属（合金を含む）を使用してもよい。
【００１９】
貫通孔１１ｃは、内部に形成されたスルーホール導体１９ｃの両端に形成されている蓋めっき層１７，１８が配線層２３，２６と電気的に接続される正規の貫通孔である。一方、貫通孔１１ｄは、内部に形成されたスルーホール導体１９ｃの両端に形成されている蓋めっき層１７，１８が配線層２３，２６と電気的に接続されないダミーの貫通孔である。
【００２０】
層間絶縁層１４の貫通孔１１ｃ，１１ｄに対応する位置には、スルーホールＨが形成され、このスルーホールＨの内周面には、表面配線層１９ａと裏面配線層１９ｂとを互いに導通させるスルーホール導体１９ｃが形成されている。また、スルーホール導体１９ｃの中空部は、エポキシ樹脂等の充填樹脂１６により充填されている。さらに、充填樹脂１６の両端は、蓋めっき層１７，１８により封止されている。
【００２１】
図２に示すように、金属板の貫通孔１１ｃ，１１ｄに対応する位置には、スルーホールＨ、スルーホール導体１９ｃ及び蓋めっき層１７，１８（蓋めっき）が形成されているが、貫通孔１１ｃに対応する位置に形成された蓋めっき層１７，１８は、配線層２３，２６と電気的に接続された正規の蓋めっきとなっているのに対し、貫通孔１１ｄに対応する位置に形成された蓋めっき層１７，１８は、配線層２３，２６と電気的に接続されていないダミーの蓋めっきとなっている。
【００２２】
ここで、蓋めっき層１７，１８は、スルーホールＨの内周面に形成されたスルーホール導体１９ｃの端面を覆うようにして形成されているので、金属板１１の第１，第２の主面１１ａ，１１ｂに積層して形成される層間絶縁層１４は、このスルーホール導体１９ｃ及び蓋めっき層１７，１８により締結された状態となる。
【００２３】
すなわち、この実施形態に係る配線基板１００は、ダミーの貫通孔１１ｄにも、スルーホールＨ、スルーホール導体１９ｃ及び蓋めっき層１７，１８を形成しているので、金属板１１と、この金属板１１に積層して形成される層間絶縁層１４との密着性が向上する。
【００２４】
なお、この実施形態では、スルーホール導体１９ｃ内に充填樹脂１６を充填しているが、スルーホールＨ内をスルーホール導体１９ｃで充填するようにしてもよい。この場合、スルーホールＨ内がスルーホール導体１９ｃで満たされるため、充填樹脂１６は必要としない。
【００２５】
（ビルドアップ層の構成）
ビルドアップ層２０は、コア基板１０の表面側に積層された絶縁層２１，２４（層間樹脂層）と、配線層２３，２６と、ビア導体２２，２５とを備える。なお、この第１の実施形態では、ビア導体２２，２５をフィルドビアとしているが、コンフォーマルビアとしてもよい。
【００２６】
絶縁層２１は、熱硬化性樹脂組成物からなり、コア基板１０の表面に積層される。絶縁層２１の表面には、配線層２３が形成されている。また、絶縁層２１には、コア基板１０の表面配線層１９ａと配線層２３とを電気的に接続するビア導体２２が形成されている。
【００２７】
絶縁層２４は、熱硬化性樹脂組成物からなり、配線層２３上に積層される。絶縁層２４の表面には、配線層２６が形成されている。また、絶縁層２４には、配線層２３と配線層２６とを電気的に接続するビア導体２５が形成されている。
【００２８】
（ソルダーレジスト層の構成）
ソルダーレジスト層３１は、熱硬化性又は／及び光硬化性の樹脂組成物からなるフィルム状のソルダーレジストをビルドアップ層２０の配線層２６上に積層して形成される。ソルダーレジスト層３１には、複数の開口３１ａが形成されている。ソルダーレジスト層３１の開口３１ａ内には、半田バンプ３３が形成されており、その上端は、ソルダーレジスト層３１の上面３１ｂから突出している。なお、この実施形態では、ソルダーレジスト層３１として、フィルム状のソルダーレジストを使用しているが、ワニス状のソルダーレジストを塗布して、ソルダーレジスト層３１を形成してもよい。
【００２９】
半田バンプ３３は、図示しない半導体チップの電極との接続端子であり、Ｎｉ層及びＡｕ層からなるメタル層３２を介して、配線層２６と電気的に接続されている。半田バンプ３３は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系などの低融点合金からなる。なお、この実施形態では、半田バンプ３３は、Ｎｉ層及びＡｕ層からなるメタル層３２を介して配線層２６と電気的に接続されているが、例えば、メタル層３２を、Ｎｉ、Ｐｄ及びＡｕから構成してもよいし、Ｓｎ、Ｎｉ又はＡｕから選択される金属で構成してもよい。さらに、半田バンプ３３を、メタル層３２を介さずに配線層２６と電気的に接続してもよい。
【００３０】
ソルダーレジスト層４１は、熱硬化性又は／及び光硬化性の樹脂組成物からなるフィルム状のソルダーレジストをコア基板の裏面配線層１９ｂ上に積層して形成される。ソルダーレジスト層４１には、複数の開口４１ａが形成されている。ソルダーレジスト層４１の開口４１ａの底部には、裏面配線層１９ｂが位置する。開口４１ａから露出した裏面配線層１９ｂの表面には、Ｎｉ層及びＡｕ層からなるメタル層４２が被覆されている。該メタル層４２は、図示しないマザーボード等との接続端子として使用される。なお、この実施形態では、ソルダーレジスト層４１として、フィルム状のソルダーレジストを使用しているが、ワニス状のソルダーレジストを塗布して、ソルダーレジスト層４１を形成してもよい。また、メタル層４２を、Ｎｉ、Ｐｄ及びＡｕから構成してもよいし、Ｓｎ、Ｎｉ又はＡｕから選択される金属で構成してもよい。
【００３１】
（配線基板の製造方法）
図３〜図１６は、第１の実施形態に係る配線基板１００の製造工程を示す図である。以下、図３〜図１６を参照して、配線基板１００の製造方法について説明する。
【００３２】
（コア基板形成工程）
鉄（Ｆｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金を主成分とする金属板１１に等間隔に正規の貫通孔１１ｃ及びダミーの貫通孔１１ｄを形成する。貫通孔１１ｃ及び貫通孔１１ｄは、レーザー加工、ドリル加工、エッチング加工等により形成する（図３参照）。
【００３３】
金属板１１の第１の主面１１ａ及び第２の主面１１ｂに、厚みが約２０〜８０μｍでエポキシ樹脂からなるドライタイプの樹脂フィルム１２，１３（プリプレグ）をラミネートする（図４参照）。なお、樹脂フィルム１２，１３をラミネートする前に、既存の鉄―ニッケル合金用マイクロエッチング液（例えば、硫酸、硫化鉄、塩化アンモニウムを含むエッチング剤）で金属板１１の表面を粗化しておくことが好ましい。なお、この実施形態では、樹脂フィルム１２，１３として、エポキシ樹脂からなるドライタイプの樹脂フィルムを使用しているが、例えば、ポリイミド系など、他の樹脂系からなる樹脂フィルムを使用するようにしてもよい。
【００３４】
次に、金属板１１及び樹脂フィルム１２，１３の積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、樹脂フィルム１２，１３を熱硬化させながら圧着して、表面が層間絶縁層１４で被覆された金属板１１を得る（図５参照）。また、押圧の際に、樹脂フィルム１２，１３の一部が貫通孔１１ｃ及び貫通孔１１ｄ内に進入するため、貫通孔１１ｃ及び貫通孔１１ｄ内が樹脂フィルム１２，１３が硬化した層間絶縁層１４で充填された状態となる。
【００３５】
次に、金属板１１の貫通孔１１ｃ及び貫通孔１１ｄの略中心をとおるように、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いた孔あけ加工によりスルーホールＨを形成する（図６参照）。スルーホールＨの内径は、例えば、約１５０μｍである。なお、スルーホールＨ形成工程の後、加工部分のスミアを除去するデスミア処理を行うことが好ましい。なお、スルーホールＨは、ドリル加工により形成してもよい。
【００３６】
スルーホールＨの内周面を含む層間絶縁層１４の表面に、Ｐｄを含むメッキ触媒を被覆した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきを行い、銅めっき層１５を形成する（図７参照）。この銅めっき層１５は、図２に示した表面配線層１９ａ、裏面配線層１９ｂ及びスルーホール導体１９ｃとなる。
【００３７】
その後、スルーホール導体１９ｃ内をエポキシ樹脂等の充填樹脂１６で充填する。なお、充填樹脂１６を充填後、充填樹脂１６の両端を研磨する（図８参照）。
【００３８】
充填樹脂１６の両端及び銅めっき層１５上に、Ｐｄを含むメッキ触媒を被覆した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきを行い、蓋めっき層１７，１８を形成する（図９参照）。
【００３９】
蓋めっき層１７，１８上に、感光性樹脂からなる樹脂フィルムを貼り付け、当該フィルムに対して露光および現像（フォトグラフィ技術）を施して、所定のパターンを有するエッチングレジストを形成する。この際、ダミーの貫通孔１１ｄに充填された層間絶縁層１４内に形成されたスルーホール導体１９ｃと電気的に接続された蓋めっき層１７，１８が、配線層２３，２６と電気的に接続しないようにエッチングレジストを形成しておく。
【００４０】
次に、上記所定のパターン間から露出する蓋めっき層１７，１８及び銅めっき層１５をエッチングする。その結果、表面配線層１９ａと裏面配線層１９ｂとが形成される（図１０参照）。
【００４１】
（ビルドアップ層形成工程）
次に、コア基板１０の表面にビルドアップ層２０を形成する。このビルドアップ層２０は、セミアディティブ法により形成される。
【００４２】
初めに、コア基板１０の表面を粗化した後、コア基板１０の表面に絶縁層２１となるエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料を積層し、この積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着する。次に、従来周知のレーザー加工装置を用いてレーザー照射を行い、絶縁層２１にビアホール２１ａを形成する（図１１参照）。
【００４３】
続いて、絶縁層２１の表面を粗化した後、無電解めっきを行い、ビアホール２１ａの内壁を含む絶縁層２１上に無電解銅めっき層を形成する。次にフォトレジストを絶縁層２１上に形成された無電解銅めっき層上にラミネートして、露光・現像を行い、所望の形状にめっきレジストを形成した後、このめっきレジストをマスクとして、電解めっきにより、銅をめっきして、所望の銅めっきパターンを得る。次に、めっきレジストを剥離して、めっきレジスト下に存在していた無電解銅めっき層を除去して、配線層２３を得る。また、この際に、ビアホール２１ａ内にビア導体２２も形成される（図１２参照）。
【００４４】
次に、絶縁層２１、配線層２３及びビア導体２２を形成した時と同様にして、絶縁層２４、配線層２６及びビア導体２５を形成する（図１３参照）。
【００４５】
（ソルダーレジスト層形成工程）
ビルドアップ層２０の表面及びコア基板１０の裏面に、それぞれフィルム状のソルダーレジストをプレスして積層する。積層したフィルム状のソルダーレジストを露光・現像して、開口３１ａが形成されたソルダーレジスト層３１と、開口４１ａが形成されたソルダーレジスト層４１とを得る（図１４参照）
【００４６】
（めっき工程）
次に、ソルダーレジスト層３１，４１のそれぞれ開口３１ａ，４１ａから露出した配線層２６、ビア導体２５及び裏面配線層１９ｂを過硫酸ナトリウム等によりエッチングして、表面の酸化膜等の不純物を除去した後、無電解還元めっきにより、Ｎｉ層及びＡｕ層からなるメタル層３２，４２を形成する（図１５参照）。
【００４７】
（バックエンド工程）
半田印刷により、メタル層３２上に半田ペーストを塗布した後、所定の温度と時間でリフローを行い、半田バンプ３３を形成する（図１６参照）。なお、この実施形態では、半田ペーストの塗布により半田バンプ３３を形成しているが、半田ボールをメタル層３２上に搭載するいわゆるマイクロボールマウント法や、半田をメタル層３２上にめっきするめっき法により半田バンプ３３を形成してもよい。
【００４８】
以上のように、この第１の実施形態に係る配線基板１００は、蓋めっき層１７，１８は、スルーホールＨの内周面に形成されたスルーホール導体１９ｃの端面を覆うようにして形成されているので、金属板１１の第１，第２の主面１１ａ，１１ｂに積層して形成される層間絶縁層１４は、このスルーホール導体１９ｃ及び蓋めっき層１７，１８により互いに締結された状態となっている。
【００４９】
また、ダミーの貫通孔１１ｄにも、スルーホールＨ、スルーホール導体１９ｃ及び蓋めっき層１７，１８を形成しているので、金属板１１と、この金属板１１に積層して形成される層間絶縁層１４との密着性が向上する。このため、金属板１１に積層して形成される層間絶縁層１４が剥がれにくい配線基板１００を得ることができる。
【００５０】
また、この実施形態に係る配線基板１００は、金属板１１に貫通孔１１ｃ及び貫通孔１１ｄが等間隔で形成されており層間絶縁層１４が剥がれやすい領域がないため、金属板１１に積層して形成された層間絶縁層１４が剥がれにくくなる。
【００５１】
また、この実施形態に係る配線基板１００は、金属板１１と層間絶縁層１４との間に接着層を設ける必要がなく、かつ、正規の貫通孔１１ｃとダミーの貫通孔１１ｄにそれぞれ形成されるスルーホール導体１９ｃ及び蓋めっき層１７，１８は、同じ工程で形成することができる。このため、工程数や材料費が増加することがない。この結果、配線基板１００の製造コストを抑制することができる。
【００５２】
さらに、金属板１１は、鉄（Ｆｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金を主成分とする。鉄とニッケルとの合金を主成分とすることで、配線基板１００の熱膨張を低減することができる。また、鉄とニッケルとの合金は、好適な熱伝導性を有しているため、配線基板１００の放熱性が向上する。
【００５３】
（第１の実施形態の変形例）
上記第１の実施形態に係る配線基板１００では、図１に示すように、金属板１１に等間隔で貫通孔１１ｃ，１１ｄを形成しているが、図１７に示すように、金属板１１の端部近傍にダミーの貫通孔１１ｄを形成するようにしてもよい。
【００５４】
金属板１１に積層された層間絶縁層１４は、通常、端部から剥がれ易いので、端部近傍によりダミーの貫通孔１１ｄを形成して、金属板１１の端部近傍により多くの貫通孔を形成することで、金属板１１に積層して形成される層間絶縁層１４が剥がれにくい配線基板を得ることができる。
【００５５】
（第２の実施形態）
図１８は、第１の実施形態に係る配線基板１００の裏面側にビルドアップ層５０を設けた配線基板２００の断面図である。以下、図１８を参照して、第２の実施形態に係る配線基板２００の構成を説明するが、図１〜図１６を参照して説明した配線基板１００と同じ構成には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００５６】
図１８に示すように、第２の実施形態に係る配線基板２００は、コア基板１０の裏面側にビルドアップ層５０が形成されている点が、図１〜図１６を参照して説明した配線基板１００と異なる。ビルドアップ層５０は、コア基板１０の裏面側に積層された絶縁層５１，５４（層間樹脂層）と、配線層５３，５６と、ビア導体５２，５５とを備える。なお、この実施形態では、ビア導体５２，５５をフィルドビアとしているが、コンフォーマルビアとしてもよい。
【００５７】
絶縁層５１は、熱硬化性樹脂組成物からなり、コア基板１０の裏面に積層される。絶縁層５１の表面には、配線層５３が形成されている。また、絶縁層５１には、コア基板１０の裏面配線層１９ｂと配線層５３とを電気的に接続するビア導体５２が形成されている。絶縁層５４は、熱硬化性樹脂組成物からなり、配線層５３上に積層される。絶縁層５４の表面には、配線層５６が形成されている。また、絶縁層５４には、配線層５３と配線層５６とを電気的に接続するビア導体５５が形成されている。
【００５８】
以上のように、コア基板１０の裏面側にビルドアップ層５０を形成しても、図１〜図１６を参照して説明した配線基板１００配線基板１００と同じ効果を得ることができる。また、この第２の実施形態に係る配線基板２００Ａでも、図１７を参照して説明したように、金属板１１の端部近傍にダミーの貫通孔１１ｄを形成するようにしてもよい。金属板１１の端部近傍により多くの貫通孔を形成することで、金属板１１に積層して形成される層間絶縁層１４が剥がれにくい配線基板を得ることができる。
【００５９】
上記実施形態では、コア基板１０の表面側及び裏面側に、それぞれビルドアップ層が２層ずつ形成されているが、ビルドアップ層は、２層に限られず、何層であってもよい。また、コア基板１０の表面側及び裏面側で、形成されるビルドアップ層の数異なっていても構わない。
【００６０】
（その他の実施形態）
以上、本発明を、具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。例えば、上記具体例では、配線基板１００，２００，３００Ａ，３００Ｂが半田ボールを介してマザーボード等と接続するＢＧＡ基板である形態について説明しているが、半田ボールＢの代わりにピンもしくはランドを設けた、いわゆるＰＧＡ（Pin Grid Array）基板もしくはＬＧＡ（Land Grid Array）基板として配線基板１００，２００，３００Ａ，３００Ｂをマザーボード等と接続するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００６１】
１０…コア基板、１１…金属板（コア材）、１１ａ…第１の主面、１１ｂ…第２の主面、１１ｃ…貫通孔、１１ｄ…貫通孔、１２，１３…樹脂フィルム、１４…層間絶縁層、１５…銅めっき層、１６…充填樹脂、１７，１８…蓋めっき層（蓋めっき）、１９ａ…表面配線層、１９ｂ…裏面配線層、１９ｃ…スルーホール導体、２０…ビルドアップ層、２１，２４…絶縁層（層間樹脂層）、２２，２５…ビア導体、２３，２６…配線層、３１，４１…ソルダーレジスト層、３２…メタル層、３２，４２…メタル層、３３…半田バンプ、５０…ビルドアップ層、５１，５４…絶縁層（層間樹脂層）、５２，５５…ビア導体、５３，５６…配線層、１００，２００…配線基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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