(57)【要約】【課題】スミア低減効果を得る。【解決手段】  半導体基板内に行列状に形成された複数のフォトダイオード７と、半導体基板内における各列のフォトダイオードの間に形成された垂直転送領域９と、半導体基板内における各列のフォトダイオード７とそれに隣接する垂直転送領域９との間に形成されたチャネルストップ領域５と、を含む固体撮像装置において、各チャネルストップ領域は、不純物を含有し、各列のフォトダイオード７とそれに隣接する垂直転送領域９との間の中央よりも垂直転送領域寄りに不純物濃度の最大値をとり、前記不純物濃度の最大値の位置から各列のフォトダイオードに向かって不純物濃度が単調減少する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板内に行列状に形成された複数のフォトダイオードと、
前記半導体基板内における各列のフォトダイオードの間に形成された垂直転送領域と、
前記半導体基板内における各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間に形成されたチャネルストップ領域と、を含む固体撮像装置において、
各チャネルストップ領域は、不純物を含有し、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の中央よりも垂直転送領域寄りに不純物濃度の最大値をとり、前記不純物濃度の最大値の位置から各列のフォトダイオードに向かって前記不純物濃度が単調減少する固体撮像装置。
【請求項２】
前記不純物濃度の最大値は、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の距離を１としたとき、フォトダイオード側から０．６〜０．９の範囲に位置する請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記不純物濃度の最大値の位置から垂直転送領域に向かう前記不純物濃度の勾配が、前記不純物濃度の最大値の位置からフォトダイオードに向かう前記不純物濃度の勾配よりも大きい請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記不純物濃度の最大値は２Ｅ１７〜４Ｅ１７／ｃｍ３である請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
半導体基板内に行列状に形成された複数のフォトダイオードと、
前記半導体基板内における各列のフォトダイオードの間に形成された垂直転送領域と、
前記半導体基板内における各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間に形成されたチャネルストップ領域と、を備え、
各チャネルストップ領域は、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の中央よりも垂直転送領域寄りにポテンシャルバリアの最大値をとり、前記ポテンシャルバリアの最大値の位置から各列のフォトダイオードに向かって前記ポテンシャルバリアが単調減少する固体撮像装置。
【請求項６】
前記ポテンシャルバリアの最大値は、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の距離を１としたとき、フォトダイオード側から０．６〜０．９の範囲に位置する請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記ポテンシャルバリアの最大値の位置から垂直転送領域に向かうポテンシャルの勾配が、前記ポテンシャルバリアの最大値の位置からフォトダイオードに向かうポテンシャルの勾配よりも大きい請求項５又は６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記半導体基板はｎ型半導体基板であり、各フォトダイオードはｐ型拡散層とｎ型拡散層とで形成され、各垂直転送領域はｎ型拡散層で形成され、各チャネルストップ領域はｐ型拡散層で形成されている請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
半導体基板上に、チャネルストップ領域形成領域上を開口したマスクを形成する工程（ａ）と、
前記開口部から前記半導体基板内に不純物イオンを注入して、前記チャネルストップ領域を形成する工程（ｂ）と、
前記半導体基板内に、前記チャネルストップ領域を挟むようにフォトダイオードと垂直転送領域を形成する工程（ｃ）と、を含む固体撮像装置の製造方法において、
前記工程（ｂ）では、前記不純物イオンを、前記半導体基板の厚み方向に対して前記垂直転送領域向きに５°〜２５°の角度だけ傾斜させて注入する固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記不純物イオンの注入は、加速エネルギーが５〜２０ＫｅＶと４５〜６５ＫｅＶの２ステップ注入で行う請求項９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置およびその製造方法、特に、イメージセンサ等に用いられ、スミア低減効果のあるＣＣＤ固体撮像装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の固体撮像装置は、半導体基板上に光電変換素子であるフォトダイオードと、フォトダイオードで発生した信号電荷を垂直方向に転送するための垂直転送領域（ＶＣＣＤ）と、垂直方向に転送された信号電荷を水平方向に転送するための水平転送領域と、水平方向に転送された信号電荷を外部に出力する増幅器を備えている。
図１４に、従来の固体撮像装置の画素部の水平方向の断面を示す（例えば、特許文献１参照）。図１４に示すように、ｎ型半導体基板１に低濃度ｐ型拡散層２が形成され、低濃度ｐ型拡散層２内にフォトダイオード７とＶＣＣＤ９とが形成されている。フォトダイオード７およびＶＣＣＤ９は、低濃度ｐ型拡散層２に高濃度ｎ型不純物をイオン注入することにより形成されている。また、低濃度ｐ型拡散層２内のフォトダイオード７よりも表面側にポテンシャルバリア形成用の高濃度ｐ型拡散層８が形成されている。さらに、フォトダイオード７の周囲には、フォトダイオード７を包含するフォトダイオード７より広い幅のスミア防止用ｐ型不純物拡散層（チャネルストップ領域）１４が形成されている。
【０００３】
半導体基板１上には、ゲート絶縁膜３が形成され、ゲート絶縁膜３上にはポリシリコンゲート電極１０が形成され、ポリシリコンゲート電極１０を覆うように層間絶縁膜１１が形成されている。さらに、フォトダイオード７以外の領域に光が入射するのを防止する金属遮光膜１２が層間絶縁膜１１上に形成されている。金属遮光膜１２はフォトダイオード７上に開口を有している。
【０００４】
次に、一般的なＣＣＤ固体撮像装置の動作について説明する。
まず、光がフォトダイオード７に照射されると光電変換によりフォトダイオード７内で電荷が発生し、フォトダイオード７内に蓄積される。蓄積された電荷は、ポリシリコンゲート電極１０に加えられた転送信号により、ＶＣＣＤ９に転送される。
しかしながら、このとき、光の乱反射によりフォトダイオード７以外の領域でも電荷が生成され、この電荷がＶＣＣＤ９に流入することで、映像が滲むスミア現象が生じることがある。スミア現象は、特に太陽光などの非常に強い光が入射したときに画像上に白い縦筋となって現れる。これは、通常８０ｄＢ程度、電子数換算で１／１０００程度の非常に微小なノイズ成分であるが、これが固体撮像装置の性能を大きく左右する。
【０００５】
上記に説明した従来の固体撮像装置においては、このスミア現象を防ぐため、フォトダイオード７を包含するフォトダイオード７より広い幅のスミア防止用ｐ型不純物拡散層１４を形成することで、フォトダイオード７の周囲にポテンシャルバリアを形成し、フォトダイオード７以外の領域で生成された電荷がＶＣＣＤ９に流入することを防止してスミア現象を低減している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−５５９７６号公報（第４項、図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の固体撮像装置の構成を用いても、スミア低減の効果が不十分であることが判明した。従来のスミア防止用ｐ型不純物拡散層には、不純物の濃度勾配が小さい領域（ポテンシャルバリア頂上の平坦領域）が存在する。不純物の濃度勾配が小さい領域では、電荷が等方的に拡散しやすく、一部がＶＣＣＤ側に向かうことがある。そうすると、一部の電荷がＶＣＣＤに流入し、スミア現象が残留してしまうことがある。
【０００８】
そこで、本発明は、上記課題に鑑みて、従来の固体撮像装置を凌ぐスミア低減効果のある固体撮像装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明の固体撮像装置およびその製造方法は、スミア防止用ｐ型不純物拡散層（チャネルストップ領域）の不純物の濃度分布が、フォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域（ＶＣＣＤ）との間において、フォトダイオードとＶＣＣＤとの中央よりもＶＣＣＤ寄りにその最大値を有しており、不純物濃度が最大値の位置からフォトダイオードにかけて不純物濃度が減少する範囲を、不純物濃度が最大値の位置からＶＣＣＤにかけて不純物濃度が減少する範囲よりも広くとることを特徴とする。
【００１０】
具体的に、本発明の第１の固体撮像装置は、半導体基板内に行列状に形成された複数のフォトダイオードと、前記半導体基板内における各列のフォトダイオードの間に形成された垂直転送領域と、前記半導体基板内における各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間に形成されたチャネルストップ領域と、を含む固体撮像装置において、各チャネルストップ領域は、不純物を含有し、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の中央よりも垂直転送領域寄りに不純物濃度の最大値をとり、前記不純物濃度の最大値の位置から各列のフォトダイオードに向かって前記不純物濃度が単調減少する。
【００１１】
また、本発明の第１の固体撮像装置において、前記不純物濃度の最大値は、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の距離を１としたとき、フォトダイオード側から０．６〜０．９の範囲に位置する。
また、本発明の第１の固体撮像装置において、  前記不純物濃度の最大値の位置から垂直転送領域に向かう前記不純物濃度の勾配が、前記不純物濃度の最大値の位置からフォトダイオードに向かう前記不純物濃度の勾配よりも大きい。
【００１２】
また、本発明の第１の固体撮像装置において、前記不純物濃度の最大値は２Ｅ１７〜４Ｅ１７／ｃｍ３である。
また、本発明の第２の固体撮像装置は、半導体基板内に行列状に形成された複数のフォトダイオードと、前記半導体基板内における各列のフォトダイオードの間に形成された垂直転送領域と、前記半導体基板内における各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間に形成されたチャネルストップ領域と、を備え、各チャネルストップ領域は、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の中央よりも垂直転送領域寄りにポテンシャルバリアの最大値をとり、前記ポテンシャルバリアの最大値の位置から各列のフォトダイオードに向かって前記ポテンシャルバリアが単調減少する。
【００１３】
また、本発明の第２の固体撮像装置において、前記ポテンシャルバリアの最大値は、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の距離を１としたとき、フォトダイオード側から０．６〜０．９の範囲に位置する。
また、本発明の第２の固体撮像装置において、前記ポテンシャルバリアの最大値の位置から垂直転送領域に向かうポテンシャルの勾配が、前記ポテンシャルバリアの最大値の位置からフォトダイオードに向かうポテンシャルの勾配よりも大きい。
【００１４】
また、本発明の第１および第２の固体撮像装置において、前記半導体基板はｎ型半導体基板であり、各フォトダイオードはｐ型拡散層とｎ型拡散層とで形成され、各垂直転送領域はｎ型拡散層で形成され、各チャネルストップ領域はｐ型拡散層で形成されている。
また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板上に、チャネルストップ領域形成領域上を開口したマスクを形成する工程（ａ）と、前記開口部から前記半導体基板内に不純物イオンを注入して、前記チャネルストップ領域を形成する工程（ｂ）と、前記半導体基板内に、前記チャネルストップ領域を挟むようにフォトダイオードと垂直転送領域を形成する工程（ｃ）と、を含む固体撮像装置の製造方法において、前記工程（ｂ）では、前記不純物イオンを、前記半導体基板の厚み方向に対して前記垂直転送領域向きに５°〜２５°の角度だけ傾斜させて注入する。
【００１５】
また、本発明の固体撮像装置の製造方法において、前記不純物イオンの注入は、加速エネルギーが５〜１５ＫｅＶと４５〜５５ＫｅＶの２ステップ注入で行う。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、本発明の固体撮像装置およびその製造方法によれば、フォトダイオードとこれに隣接する垂直転送領域（ＶＣＣＤ）との間で発生した電荷を効率的にフォトダイオード側に流入させることができ、従来の固体撮像装置を凌ぐスミア低減効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態の固体撮像装置における各構成のレイアウトを示す図
【図２】本実施形態の固体撮像装置における画素部の水平方向の断面図
【図３】本実施形態の固体撮像装置におけるチャネルストップ領域の不純物プロファイルを等高線で示した図
【図４】点Ｐを含む１次元断面プロファイル（図３のｙ−ｙ’断面）を示す図
【図５】本実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明するための工程断面図
【図６】本実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明するための工程断面図
【図７】本実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明するための工程断面図
【図８】従来の固体撮像装置におけるチャネルストップ領域の不純物プロファイルを等高線で示した図
【図９】従来の固体撮像装置における１次元断面プロファイル（図８のｙ−ｙ’断面：破線）と本実施形態の固体撮像装置における１次元断面プロファイル（図３のｙ−ｙ’断面：実線）を示す図
【図１０】従来の固体撮像装置におけるチャネルストップ領域のポテンシャル分布を示す図
【図１１】本実施形態の固体撮像装置におけるチャネルストップ領域のポテンシャル分布を示す図
【図１２】図１０に示す従来のポテンシャル分布と図１１に示す本実施形態のポテンシャル分布の各ｙ−ｙ’断面（図１０：破線、図１１：実線）を示す図
【図１３】チャネルストップ領域におけるポテンシャルバリアが最大値となる位置を水平方向にシフトさせた際のスミア量の変動を示す図
【図１４】従来の固体撮像装置の画素部の水平方向の断面を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の固体撮像装置およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施形態の固体撮像装置における各構成のレイアウトを示す図である。
フォトダイオード７が行列状に形成され、各列のフォトダイオード７の間に垂直転送領域９が１本ずつ形成されている。垂直転送領域９は、フォトダイオード７で発生した映像信号電荷を垂直方向に転送するものである。水平転送領域１５は、垂直方向に転送された映像信号電荷を水平方向に転送するものである。増幅器１６は、水平方向に転送された映像信号電荷を外部に出力するものである。
【００１９】
図２は、本実施形態の固体撮像装置における画素部の水平方向の断面を示し、図１のｘ−ｘ’に沿った断面図である。本実施形態では、フォトダイオード７と垂直転送領域９（９ａ）との間に、フォトダイオード７に蓄積された信号電荷を垂直転送領域９（９ａ）に読み出すための読み出しチャネル１３が形成されている。一方、フォトダイオード７と垂直転送領域９（９ｂ）との間に、フォトダイオード７に蓄積された信号電荷が垂直転送領域９（９ｂ）に流入するのを防止するためのチャネルストップ領域５が形成されている。これ以外の構成は、図１４と同様である。
【００２０】
図３は、本実施形態の固体撮像装置におけるチャネルストップ領域５の不純物プロファイルを等高線で示したものであり、図２の破線で囲んだ領域に該当する。図中の数値は不純物濃度（単位：／ｃｍ３）を示し、ドナー濃度をプラスで表示し、アクセプタ濃度をマイナスで表示している。また、不純物濃度の最大値は例えば２Ｅ１７〜４Ｅ１７／ｃｍ３であり、また、チャネルストップ領域５の幅、即ち、チャネルストップ領域５とフォトダイオード７との接合部からチャネルストップ領域５と垂直転送領域９（９ｂ）との接合部までの距離（ａ−ａ’）は例えば０．１２μｍである。ただし、この寸法に限定するものではない。
【００２１】
ここで、図３中の点Ｐは、半導体基板の表面から０．１μｍの深さ（ｙ−ｙ’）においてチャネルストップ領域５の不純物濃度が最大値となる位置である。フォトダイオード７と点Ｐとの間の距離（Ｐ−ａ）の方が、垂直転送領域９（９ｂ）と点Ｐとの間の距離（Ｐ−ａ’）よりも長い。即ち、不純物濃度が最大値となる位置は、フォトダイオード７と垂直転送領域９（９ｂ）との中央よりも垂直転送領域９（９ｂ）寄りにある。そして、例えば、距離（Ｐ−ａ）と距離（Ｐ−ａ’）との比は６：４であり、距離（ａ−ａ’）を１とすると、距離（Ｐ−ａ）は０．６である。ただし、この比に限定するものではなく、距離（ａ−ａ’）を１としたとき、距離（Ｐ−ａ）が０．６〜０．９の範囲であればよい。
【００２２】
更に、点Ｐを含む１次元断面プロファイル（図３のｙ−ｙ’断面）を図４に示す。ここで、ａ−ａ’間には不純物濃度が一定で平坦な部分が実質的に存在しない。即ち、不純物濃度が最大値となる位置からフォトダイオード７に向かって不純物濃度が単調に減少する。また、不純物濃度が最大となる位置から垂直転送領域９（９ｂ）に向かって不純物濃度が単調に減少する。不純物濃度の勾配を対比すると、Ｐ−ａ間における不純物濃度の勾配よりもＰ−ａ’間における不純物濃度の勾配の方が大きい。
【００２３】
図５から図７に、本実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明するための工程断面図を示す。
まず、図５（ａ）に示すように、ｎ型半導体基板１の上部に低濃度ｐ型拡散層２を形成し、低濃度ｐ型拡散層２上にゲート絶縁膜３を形成する。さらに、ゲート絶縁膜３上にフォトレジスト４を形成し、フォトレジスト４をパターンニングして、後にチャネルストップ領域５となる領域を開口する。ここで、例えば、フォトレジスト４の膜厚は０．７μｍ、レジスト開口幅は０．２μｍである。次に、ｐ型不純物であるボロンをイオン注入する。ここで、イオン注入は、半導体基板の厚み方向に対して傾斜させる。このときの不純物のプロファイルを図５（ｂ）に示す。ここで、フォトレジスト４の膜厚が０．７μｍ、レジスト開口幅が０．２μｍの場合には、例えば、イオン注入は２ステップで行い、その際の加速エネルギーは１０ＫｅＶおよび５０ＫｅＶとし、注入角度は半導体基板の厚み方向に対して５〜２５°の角度をつければよい。ただし、加速エネルギーはこれに限らず、５〜２０ＫｅＶおよび４５〜６５ＫｅＶであればよい。これにより、図５（ｃ）に示すように、チャネルストップ領域５が形成される。
【００２４】
次に、図６（ａ）に示すように、低濃度ｐ型拡散層２へのイオン注入により、フォトダイオード７、垂直転送領域９、読み出しチャネル１３を形成する。このとき、既にチャネルストップ領域５を角度注入で形成しているため、フォトダイオード７と垂直転送領域９とで挟まれた領域において、フォトダイオード７から遠い、すなわち、垂直転送領域９に近いところにチャネルストップ領域５の不純物濃度の最大値が位置することになる。
【００２５】
次に、図６（ｂ）に示すように、ポリシリコンゲート電極１０を形成し、さらに、図６（ｃ）に示すように、絶縁膜２１を成膜する。次に、図７（ａ）に示すように、絶縁膜２１を選択的にエッチングしてフォトダイオード７上を開口する。これにより、絶縁膜２１はポリシリコンゲート電極１０を覆う層間絶縁膜１１となる。次に、図７（ｂ）に示すように、例えばタングステン膜２２を成膜する。次に、図７（ｃ）に示すように、タングステン膜２２を選択的にエッチングしてフォトダイオード７上を開口する。これにより、タングステン膜２２はフォトダイオード７以外の領域に光が入らないように遮光する金属遮光膜１２となる。
【００２６】
本実施形態によれば、チャネルストップ領域５は、フォトダイオード７と垂直転送領域９（９ｂ）との間において、フォトダイオード７側から６割以上離れた垂直転送領域９（９ｂ）寄りに不純物濃度の最大値をとる。そのため、不純物濃度が最大値の位置からフォトダイオード７にかけての不純物濃度が単調減少する領域が幅広く確保できる。したがって、フォトダイオード７と垂直転送領域９との間で発生した電荷が、フォトダイオード７に流入しやすくなり、従来の固体撮像装置を凌ぐスミア低減効果を得ることができる。
【００２７】
図８は、従来の固体撮像装置におけるチャネルストップ領域の不純物プロファイルを等高線で示したものである。図９に、従来の固体撮像装置における１次元断面プロファイル（図８のｙ−ｙ’断面：破線）と本実施形態の固体撮像装置における１次元断面プロファイル（図３のｙ−ｙ’断面：実線）を示す。
従来（破線）では、フォトダイオード７と垂直転送領域９（９ｂ）と間において不純物濃度が平坦な部分を有するのに対し、本実施形態（実線）では、フォトダイオード７と垂直転送領域９（９ｂ）と間において不純物濃度が平坦な部分を有しない。また、本実施形態では、フォトダイオード７と点Ｐとの間の距離（Ｐ−ａ）の方が、垂直転送領域９（９ｂ）と点Ｐとの間の距離（Ｐ−ａ’）より長く、フォトダイオード７へ効率的に電子が流入しやすいことがわかる。具体的な一例として、距離（Ｐ−ａ）と距離（Ｐ−ａ’）との比は６：４である。
【００２８】
図１０は、従来の固体撮像装置におけるチャネルストップ領域のポテンシャル分布を示し、図１１は、本実施形態の固体撮像装置におけるチャネルストップ領域のポテンシャル分布を示す。図１０中および図１１中の数値は、静電ポテンシャル値（単位：Ｖ）である。また、図１０中および図１１中の破線は、ポテンシャルバリアが最大となる分水嶺を示している。ここで、点Ｐ’はポテンシャルバリアの最大値を示す。図１２は、図１０に示す従来のポテンシャル分布と図１１に示す本実施形態のポテンシャル分布の各ｙ−ｙ’断面（図１０：破線、図１１：実線）を示す。
【００２９】
従来のポテンシャル（破線）に比べて本実施形態のポテンシャル（実線）のほうがポテンシャルバリアの最大値である分水嶺が垂直転送領域９（９ｂ）側に寄ったところにある。即ち、ポテンシャルバリアの最大値となる位置は、フォトダイオード７と垂直転送領域９（９ｂ）との中央よりも垂直転送領域９（９ｂ）寄りにある。そして、例えば、フォトダイオード７と点Ｐ’との間の距離Ａと垂直転送領域９（９ｂ）と点Ｐ’との間の距離Ｂとの比は６：４である。つまり、フォトダイオード７と垂直転送領域９（９ｂ）との距離を１とすると、距離Ａは０．６である。ただし、この比に限定するものではなく、距離Ａが０．６〜０．９の範囲であればよい。このように、ポテンシャルバリアの最大値となる位置が垂直転送領域９（９ｂ）寄りにあるため、フォトダイオード７と垂直転送領域９（９ｂ）と間に発生した電荷はフォトダイオード７に流入しやすくなり、効率的なスミアの低減を達成できる。
【００３０】
図１３は、チャネルストップ領域５におけるポテンシャルバリアが最大値となる位置を水平方向にシフトさせた際のスミア量の変動を示す。ここで、中央からの変位０ｎｍとは、ポテンシャルバリアの最大値がフォトダイオード７と垂直転送領域９（９ｂ）との中央の位置にある場合を示す。
図１３から明らかなように、例えば、ポテンシャルバリアが最大値となる位置を垂直転送領域９（９ｂ）側に２０ｎｍシフトさせると、スミア量は−１．０から−１．０１２（１．５ｄＢ程度）まで改善することがわかる。即ち、チャネルストップ領域５のポテンシャルバリアが最大値となる位置を垂直転送領域９（９ｂ）側に寄らせることで、スミアが低減することがわかる。
【００３１】
なお、本実施形態において説明した半導体の導電型はそれに限定されるものではなく、各構成を逆導電型にしても同様に成立する。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明の固体撮像装置およびその製造方法は、従来の固体撮像装置を凌ぐスミア低減効果をもたらすものであり、特に、イメージセンサに代表されるＣＣＤ固体撮像装置とその製造方法において有用である。
【符号の説明】
【００３３】
１    半導体基板
２    低濃度ｐ型拡散層
３    ゲート絶縁膜
４    フォトレジスト
５    チャネルストップ領域
７    フォトダイオード
８    高濃度ｐ型拡散層
９    垂直転送領域（ＶＣＣＤ）
１０    ポリシリコンゲート電極
１１    層間絶縁膜
１２    金属遮光膜
１３    読み出しチャネル
１４    スミア防止用ｐ型不純物拡散層
１５    水平転送領域
１６    増幅器
２１    絶縁膜
２２    タングステン膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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