(57)【要約】【課題】保護テープの切断に際し、保護テープのはみ出しを無くすると共に、半導体ウェハのエッジにチッピングを生じさせにくい方法及び装置を提供する。【解決手段】保護テープ貼付け方法は、半導体ウェハ１をステージ１１１上に置く工程と、ステージ１１１上の半導体ウェハ１の上面１aを保護テープ２で覆い、上面１aに保護テープ２を貼付ける工程と、保護テープ２の融点以上の温度に加熱された熱カッタ１３１を、半導体ウェハ１の上面１ａ側のエッジ１ｃ上又はエッジ１ｃ近傍の上面１ａ上の保護テープ２に接触させながら、熱カッタ１３１を支持する支持部１４１又はステージ１１１の少なくとも一方を回転させて、保護テープ２の熱カッタ１３１と接触した箇所を切断する工程とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハをステージ上に置く工程と、
前記ステージ上の前記半導体ウェハの上面を保護テープで覆い、前記上面に前記保護テープを貼付ける工程と、
前記保護テープの融点以上の温度に加熱された熱カッタを、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上又は該エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触させながら、前記熱カッタを支持する支持部又は前記ステージの少なくとも一方を回転させて、前記保護テープの前記熱カッタと接触した箇所を切断する工程と
を有することを特徴とする保護テープ貼付け方法。
【請求項２】
前記熱カッタは、前記保護テープに接触する球面状の先端部を含むことを特徴とする請求項１に記載の保護テープ貼付け方法。
【請求項３】
前記保護テープを切断する工程において、前記球面状の先端部は、前記半導体ウェハの前記エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触することを特徴とする請求項２に記載の保護テープ貼付け方法。
【請求項４】
前記熱カッタは、前記保護テープに接触する円筒体を含むことを特徴とする請求項１に記載の保護テープ貼付け方法。
【請求項５】
前記保護テープを切断する工程において、前記円筒体の側面は、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上の前記保護テープに接触することを特徴とする請求項４に記載の保護テープ貼付け方法。
【請求項６】
前記保護テープを切断する工程において、前記円筒体の側面を、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上の前記保護テープに接触させるように、前記円筒体に連結されたバネによって前記円筒体に前記半導体ウェハの径方向内向きの力を付与することを特徴とする請求項５に記載の保護テープ貼付け方法。
【請求項７】
前記円筒体は、その中心軸を通る支軸によって前記支持部に回動可能に支持されており、
前記保護テープを切断する工程において、記支持部又は前記ステージの少なくとも一方の回転に伴い、前記円筒体は前記支軸を中心に回動する
ことを特徴とする請求項４から６までのいずれか１項に記載の保護テープ貼付け方法。
【請求項８】
半導体ウェハが置かれるステージと、
前記ステージ上の前記半導体ウェハの上面を保護テープで覆い、前記上面に前記保護テープを貼付ける保護テープ貼付け部と、
前記保護テープの融点以上の温度に加熱される熱カッタと、
前記熱カッタを前記保護テープの融点以上の温度に加熱する熱カッタ加熱部と、
前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上又は該エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触させながら、前記熱カッタを支持する熱カッタ支持部と、
前記支持部又は前記ステージの少なくとも一方を回転させて、前記保護テープの前記熱カッタと接触した箇所を移動させる熱カッタ移動部と
を有することを特徴とする保護テープ貼付け装置。
【請求項９】
前記熱カッタは、前記保護テープに接触する球面状の先端部を含むことを特徴とする請求項８に記載の保護テープ貼付け装置。
【請求項１０】
前記球面状の先端部は、前記半導体ウェハのエッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触することを特徴とする請求項９に記載の保護テープ貼付け装置。
【請求項１１】
前記熱カッタは、前記保護テープに接触する円筒体を含むことを特徴とする請求項８に記載の保護テープ貼付け装置。
【請求項１２】
前記円筒体の側面は、前記半導体ウェハのエッジ上の前記保護テープに接触することを特徴とする請求項１１に記載の保護テープ貼付け装置。
【請求項１３】
前記円筒体の側面を、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上の前記保護テープに接触させるように、前記円筒体に連結されたバネによって前記円筒体に前記半導体ウェハの径方向内向きの力を付与することを特徴とする請求項１２に記載の保護テープ貼付け装置。
【請求項１４】
前記熱カッタの円筒体は前記支持部に対して回動可能に支持されており、前記保護テープを切断する工程において、前記支持部又は前記ステージの少なくとも一方の回転に伴い、前記熱カッタの円筒体は回動することを特徴とする請求項１１から１３までのいずれか１項に記載の保護テープ貼付け装置。
【請求項１５】
請求項１から７までのいずれか１項に記載の保護テープの貼付け方法を用いて、半導体素子が形成された半導体ウェハの表面上に保護テープを貼付ける工程と、
前記半導体ウェハの裏面に機械的又は化学的処理を施す工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハへの保護テープ貼付け方法、保護テープ貼付け装置、及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造において、半導体ウェハの厚みの調節は、半導体ウェハの表（おもて）面の全域に保護テープを貼付けた状態で、半導体ウェハの裏面を機械的及び化学的に切削及び加工することによって行われる。しかし、保護テープが半導体ウェハのエッジより外側にはみ出していると、その後の工程で半導体ウェハを回転させたときに、保護テープのはみ出し部分のバタツキにより、半導体ウェハの回転が不安定になる。また、ウエット系プロセスによって半導体ウェハの裏面の加工を行うと、保護テープのはみ出し部分によって、保護テープと半導体ウェハとの間への処理液の染み込みが誘発され易い。これらの理由から、保護テープは、半導体ウェハのエッジからはみ出さないように、貼付けられることが望ましい。
【０００３】
従来、半導体ウェハの保護テープの貼付けに際しては、半導体ウェハの表面全域を覆うように保護テープを貼付け、半導体ウェハのエッジにカッタ刃を沿わせながら、カッタ刃又はステージを回動させて保護テープを切断することによって、半導体ウェハのエッジからの保護テープのはみ出しを防止していた（例えば、特許文献１〜３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１−１４３２１１号公報
【特許文献２】特開２００５−３４７６４４号公報
【特許文献３】特開２００２−５７２０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記各特許文献に記載の方法では、半導体ウェハのエッジにカッタ刃を接触させた状態で保護テープを切断するので、エッジの微小段差などにカッタ刃が食い込み、チッピング（ウェハ欠け）が生じることがある。シリコンウェハにチッピングが生じると、チッピング部分を起点とした劈開によるウェハ割れが起こり易くなり、特に、薄加工ウェハやＴＡＩＫＯプロセス加工ウェハにおいて、この傾向は顕著である。
【０００６】
そこで、本発明は、保護テープの切断に際し、保護テープのはみ出しを無くすると共に、半導体ウェハのエッジにチッピングを生じさせにくい保護テープ貼付け方法、保護テープ貼付け装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る保護テープ貼付け方法は、半導体ウェハをステージ上に置く工程と、前記ステージ上の前記半導体ウェハの上面を保護テープで覆い、前記上面に前記保護テープを貼付ける工程と、前記保護テープの融点以上の温度に加熱された熱カッタを、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上又は該エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触させながら、前記熱カッタを支持する支持部又は前記ステージの少なくとも一方を回転させて、前記保護テープの前記熱カッタと接触した箇所を切断する工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の他の態様に係る保護テープ貼付け装置は、半導体ウェハが置かれるステージと、前記ステージ上の前記半導体ウェハの上面を保護テープで覆い、前記上面に前記保護テープを貼付ける保護テープ貼付け部と、前記保護テープの融点以上の温度に加熱される熱カッタと、前記熱カッタを前記保護テープの融点以上の温度に加熱する熱カッタ加熱部と、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上又は該エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触させながら、前記熱カッタを支持する熱カッタ支持部と、前記支持部又は前記ステージの少なくとも一方を回転させて、前記保護テープの前記熱カッタと接触した箇所を移動させる熱カッタ移動部とを有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、前記保護テープの貼付け方法を用いて、半導体素子が形成された半導体ウェハの表面上に保護テープを貼付ける工程と、前記半導体ウェハの裏面に機械的又は化学的処理を施す工程と
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、保護テープの切り取りに際し、保護テープのはみ出しを無くすると共に、半導体ウェハのエッジにチッピングを生じさせにくいという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る保護テープ貼付け装置の概略構成を示す側面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における半導体ウェハの設置ステップを示す側面図及び平面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの貼付けステップを示す側面図及び平面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの切断ステップを示す側面図及び平面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの不要箇所除去後を示す側面図及び平面図である。
【図６】第１及び第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る保護テープ貼付け装置の概略構成を示す側面図である。
【図８】図７の要部拡大図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における半導体ウェハの設置ステップを示す側面図及び平面図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの貼付けステップを示す側面図及び平面図である。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの切断ステップを示す側面図及び平面図である。
【図１２】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの不要箇所除去後を示す側面図及び平面図である。
【図１３】第２の実施形態の変形例に係る熱カッタを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
《１》第１の実施形態
《１−１》第１の実施形態の構成
図１は、本発明の第１実施形態に係る保護テープ貼付け装置の概略構成を示す側面図である。第１の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、第１の実施形態に係る保護テープ貼付け方法を実施することができる装置である。
【００１３】
第１の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、ステージ１１１上に置かれた半導体ウェハ１の上面１ａを保護テープ２で覆い、この上面１ａに保護テープ２を貼付ける保護テープ貼付け部（図３（ａ）及び（ｂ）におけるローラ１２１）と、保護テープ２の融点以上の温度に加熱される熱カッタ（ホットカッタ）１３１と、熱カッタ１３１を保護テープ２の融点以上の温度に加熱する熱カッタ加熱部としてのヒータ１３２とを有する。熱カッタ１３１は、ヒータ１３２によって加熱することによって熱を蓄える材質及び構造とすることが望ましい。熱カッタ１３１は、保護テープ２に接触する球面状の先端部を有する。熱カッタ１３１の先端部は、滑らかな形状の部品（例えば、金属）であることが望ましい。図１には、球面状の先端部は、半導体ウェハ１のエッジ１ｃ近傍の上面１ａ上の保護テープに接触する場合が示されている。また、熱カッタ１３１の内部にヒータ１３２を備える構造であってもよい。なお、半導体ウェハ１の最上層は、通常、ポリイミド等の耐熱性材料（ポリイミドの耐熱温度は約４００度程度）でコーティングされており、この耐熱温度は保護テープ２が溶融する温度（約１００℃）より十分高い。
【００１４】
また、第１の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、半導体ウェハ１の上面１ａ側のエッジ１ｃ上又はこのエッジ１ｃ近傍の上面１ａ上の保護テープ２に接触させながら、熱カッタ１３１を支持する熱カッタ支持部１４１を有する。図１及び図４（ａ）、（ｂ）に示されるように、熱カッタ支持部１４１は、熱カッタ１３１を支持するアーム部である。ただし、熱カッタ支持部１４１は、例えば、装置本体構造の一部１５１に軸線Ａ１を中心にして回動可能に固定されている。ただし、熱カッタ支持部１４１の構造は、図示の例に限定されない。
【００１５】
また、第１の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、熱カッタ支持部１４１又はステージ１１１の少なくとも一方を回転させて、保護テープ２と熱カッタ１３１との接触箇所を移動させる熱カッタ移動部１４０を有する。第１の実施形態においては、熱カッタ移動部１４０は、熱カッタ支持部１４１をＤ１４１方向に回転させる。図１及び図４（ａ）、（ｂ）に示されるように、熱カッタ移動部１４０は、例えば、モータ１４４と、モータ１４４の回転駆動力を受けて回転するギヤ１４３と、熱カッタ支持部１４１の垂直方向のアームに連結され且つギヤ１４３に噛み合うギヤ１４２と、熱カッタ支持部１４１の垂直方向のアームを回転可能に支持する装置本体構造１５１とを有する。ただし、熱カッタ移動部１４０は、ステージ１１１を回転させるものなど、他の構造であってもよい。
【００１６】
《１−２》第１の実施形態の動作
図２（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における半導体ウェハの設置ステップを示す側面図及び平面図である。図３（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの貼付けステップを示す側面図及び平面図である。図４（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの切断ステップを示す側面図及び平面図である。図５（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの不要箇所除去後を示す側面図及び平面図である。
【００１７】
第１の実施形態に係る保護テープ貼付け方法においては、先ず、図２（ａ）及び（ｂ）に示されるように、半導体ウェハ１を保持して移動させるウェハ移動部１１２によって半導体ウェハ１をステージ１１１上の所定位置に置く。このとき、半導体ウェハの素子が形成された面を上面１ａとし、その反対側の裏面１ｂをステージ１１１の載置面に向けて、半導体ウェハ１を置く。
【００１８】
次に、図３（ａ）及び（ｂ）に示されるように、ステージ１１１上の半導体ウェハ１の上面１ａを保護テープ２で覆い、上面１ａに保護テープ２を貼付ける。保護テープ２の貼付けは、例えば、保護テープ２を半導体ウェハ１の上面１ａの上方に１対のロール（図示せず）で広げ、回転可能に支持された保護テープ貼付けローラ１２１で保護テープ２を上から半導体ウェハ１の上面１ａに向けて押し付けることによって行われる。
【００１９】
次に、図４（ａ）及び（ｂ）に示されるように、保護テープ２の融点以上の温度に加熱された熱カッタ１３１を、半導体ウェハ１のエッジ１ｃ近傍の上面１ａ上の保護テープ２に接触させながら、熱カッタ１３１を支持する支持部１４１をＤ１４１方向に回転させて、保護テープ２の熱カッタ１３１と接触した箇所を切断する。なお、熱カッタ１３１を半導体ウェハ１の上面側のエッジ１ｃ上の保護テープ２上に接触させることもできる。熱カッタ１３１又はステージ１１１の少なくとも一方の回転によって、保護テープ２が半導体ウェハ１のエッジ１ｃに沿って１周、切断される。
【００２０】
次に、保護テープ２の不要部分、すなわち、半導体ウェハ１の上面１ａ上以外の部分の保護テープ２を剥がして取り除く。この結果、図５（ａ）及び（ｂ）に示されるように、半導体ウェハ１の上面１ａに保護テープ２が貼付けられている。
【００２１】
図６は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図１〜図５を用いて説明した半導体ウェハ１の上面１ａに保護テープ２を貼付ける工程（ステップＳ１〜Ｓ５）の後に、半導体ウェハ１の裏面１ｂに、機械的又は化学的な処理（例えば、切削又は研削加工など）を施す工程（ステップＳ６）と、その後、半導体ウェハ１の上面１ａ上の保護テープ２を剥がして取り除く工程（ステップＳ７）とを有する。
【００２２】
《１−３》第１の実施形態の効果
以上に説明したように、第１の実施形態に係る保護テープの貼付け方法、保護テープの貼付け装置、又は半導体装置の製造方法を用いれば、先端が鋭い刃物を用いることなく、半導体ウェハ１の外側にはみ出しの無い保護テープ２を、半導体ウェハ１にチッピングを生じさせることなく、貼付けることができる。
【００２３】
また、保護テープ２の溶融温度は、半導体ウェハ１の表面のポリイミドの耐熱温度に比べて低いので、熱カッタ１３１の温度を、半導体ウェハ１にダメージを与えない温度に設定することができ、半導体装置の品質を良好に維持できる。
【００２４】
《２》第２の実施形態
《２−１》第２の実施形態の構成
図７は、本発明の第２実施形態に係る保護テープ貼付け装置の概略構成を示す側面図である。図８は、図７の要部拡大図である。第２の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、第２の実施形態に係る保護テープ貼付け方法を実施することができる装置である。
【００２５】
第２の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、ステージ１１３上に置かれた半導体ウェハ３の上面３ａを保護テープ４で覆い、この上面３ａに保護テープ４を貼付ける保護テープ貼付け部（図１０（ａ）及び（ｂ）におけるローラ１２１）と、保護テープ４の融点以上の温度に加熱される熱カッタ（ホットカッタ）１３３と、熱カッタ１３３を保護テープ４の融点以上の温度に加熱する熱カッタ加熱部としてのヒータ１３４とを有する。熱カッタ１３３は、ヒータ１３４によって加熱することによって熱を蓄える材質及び構造とすることが望ましい。熱カッタ１３３は、保護テープ４に側面を接触させる円筒状の部材（例えば、金属）である。熱カッタ１３３の円筒状の側面は、滑らかな形状の部品であることが望ましい。図７及び図８には、円筒状の熱カッタ１３３が、半導体ウェハ３のエッジ３ｃ上の保護テープ４に接触する場合が示されている。また、熱カッタ１３３の内部にヒータ１３４を備える構造を示しているが、ヒータ１３４は、他の場所に設けてもよい。なお、半導体ウェハ３の最上層は、通常、ポリイミド等の耐熱性材料（ポリイミドの耐熱温度は約４００度程度）でコーティングされており、この耐熱温度は保護テープ４の溶融温度（約１００℃）より十分高い。図８に示されるように、熱カッタ１３３は、熱カッタ支持部１４１の先端付近に、支軸１４８を中心にして矢印Ｄ１４８方向に回動可能に支持されている。また、熱カッタ１３３は、バネなどの弾性部材１４５によって、半導体ウェハ３の径方向中心向きＤ１４５方向に引き寄せる力が付与されている。
【００２６】
また、第２の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、半導体ウェハ３の上面３ａ側のエッジ３ｃ上の保護テープ４に接触させながら、熱カッタ１３３を支持する熱カッタ支持部１４１を有する。図７及び図８に示されるように、熱カッタ支持部１４１は、熱カッタ１３３を支持するアーム部である。ただし、熱カッタ支持部１４１の構造は、図示の例に限定されない。
【００２７】
また、第２の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、熱カッタ支持部１４１又はステージ１１３の少なくとも一方を回転させて、保護テープ４の熱カッタ１３３と接触した箇所を移動させる熱カッタ移動部１４０を有する。第２の実施形態においては、熱カッタ移動部１４０は、熱カッタ支持部１４１を支軸Ａ１を中心にしてＤ１４１方向に回転させる。図７及び図１１（ａ）、（ｂ）に示されるように、熱カッタ移動部１４０の構造は、第１の実施形態の場合と同様である。
【００２８】
《２−２》第２の実施形態の動作
図９（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における半導体ウェハの設置ステップを示す側面図及び平面図である。図１０（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの貼付けステップを示す側面図及び平面図である。図１１（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの切断ステップを示す側面図及び平面図である。図１２（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの不要箇所除去後を示す側面図及び平面図である。
【００２９】
第２の実施形態に係る保護テープ貼付け方法においては、先ず、図９（ａ）及び（ｂ）に示されるように、半導体ウェハ３を移動させるウェハ移動部１１２によって半導体ウェハ３をステージ１１３上に置く。このとき、半導体ウェハ３の素子が形成された面を上面３ａとし、その反対側の裏面３ｂをステージ１１３の載置面に向けて、半導体ウェハ３を置く。なお、ステージ１１３は、円筒状の熱カッタ１３３の先端がステージ１１３に当たらないようにする円環状の溝１１３ａを有してもよい。
【００３０】
次に、図１０（ａ）及び（ｂ）に示されるように、ステージ１１３上の半導体ウェハ３の上面３ａを保護テープ４で覆い、上面３ａに保護テープ４を貼付ける。保護テープ４の貼付けは、例えば、保護テープ４を１対のロール（図示せず）を用いて半導体ウェハ３の上面３ａの上方にて広げ、保護テープ貼付けローラ１２１で保護テープ４を上から半導体ウェハ３の上面３ａに向けて押し付けることによって行われる。
【００３１】
次に、図１１（ａ）及び（ｂ）に示されるように、保護テープ４の融点以上の温度に加熱された熱カッタ１３３を、半導体ウェハ３のエッジ３ｃの上の保護テープ４に接触させながら、熱カッタ１３３を支持する支持部１４１をＤ１４１方向に回転させて、保護テープ４の熱カッタ１３３と接触した箇所を半導体ウェハ３の１周に相当する範囲で切断する。
【００３２】
次に、保護テープ４の不要部分、すなわち、半導体ウェハ３の上面３ａ以外の部分を、剥がして取り除く。この結果、図１２（ａ）及び（ｂ）に示されるように、半導体ウェハ３の上面３ａに保護テープ４が貼付けられている。
【００３３】
図６には、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートが示されている。第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図１〜図５を用いて説明した半導体ウェハ３の上面３ａに保護テープ４を貼付ける工程（ステップＳ１〜Ｓ５）の後に、半導体ウェハ３の裏面３ｂに、機械的又は化学的な処理（例えば、切削又は研削加工など）を施す工程（ステップＳ６）と、その後、半導体ウェハ３の上面３ａ上の保護テープ４を剥がして取り除く工程（ステップＳ７）とを有する。
【００３４】
《２−３》第２の実施形態の効果
以上に説明したように、第２の実施形態に係る保護テープの貼付け方法、保護テープの貼付け装置、又は半導体装置の製造方法を用いれば、先端が鋭い刃物を用いることなく、半導体ウェハ３の外側にはみ出しの無い保護テープ４を、半導体ウェハ３にチッピングを生じさせることなく、貼付けることができる。
【００３５】
また、保護テープ４の溶融温度は、半導体ウェハ３の表面のポリイミドの耐熱温度に比べて低いので、熱カッタ１３３の温度を、半導体ウェハ３にダメージを与えない温度に設定することができ、半導体装置の品質を良好に維持できる。
【００３６】
《２−４》第２の実施形態の効果
以上のように、第２の実施形態によれば、ウェハ表面のエッジ端ギリギリの範囲でテープをくり抜くことができ、尚且つウェハエッジと接するカッタが鋭利ではないためチッピングが起こりにくい。
【００３７】
《３》変形例
図１３は、第２の実施形態の変形例に係る熱カッタを示す図である。図１３においては、熱カッタ１３３は、軸体１４６を中心に矢印Ｄ１４６方向に回動可能であり、且つ、軸体１４６及び熱カッタ１３３は、軸１４７を中心に矢印Ｄ１４７方向に回動可能である。したがって、熱カッタ１３３を、半導体ウェハ３のエッジ３ｃ上の保護テープ４に当てながら、接触箇所を移動させる際に、熱カッタ１３３は、矢印Ｄ１４６方向に回動するので、保護テープ４に対する滑りが少なく、熱カッタ１３３の全周で保護テープ４に接触するので、モータ１４４の負荷も小さくなり、且つ、熱伝導効率もよい。
【符号の説明】
【００３８】
１，３  半導体ウェハ、  １ａ，３ａ  上面、  １ｂ，３ｂ  裏面、  １ｃ，３ｃ  エッジ、  ２，４  保護テープ、  １１１，１１３  ステージ、  １２１  ローラ、  １３１，１３３  熱カッタ、  １３２  ヒータ（熱カッタ加熱部）、  １４０  熱カッタ移動部、  １４１  熱カッタ支持部、  １４２，１４３  ギヤ、  １４４  モータ、  １４５  バネ、  １５１  アーム支持構造。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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