(57)【要約】【課題】狭ピッチな配線パターンの短絡を防止することが可能な回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】回路基板１の製造方法は、絶縁性基板２に撥水層２２を形成する第１の工程Ｓ１１と、撥水層２２を介して紫外線照射処理を絶縁性基板２の所定領域２０１に行う第２の工程Ｓ１２と、絶縁性基板２の所定領域２０１に触媒を付与する第３の工程Ｓ１３と、無電解めっき処理によって絶縁性基板２の所定領域２０１に配線パターン３を形成する第４の工程Ｓ１４と、を備えている。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンを有する回路基板の製造方法であって、
樹脂基材に撥水層を形成する第１の工程と、
前記撥水層を介して紫外線照射処理、プラズマ処理、又はコロナ放電処理を前記樹脂基材の所定領域に行う第２の工程と、
前記樹脂基材の前記所定領域に触媒を付与する第３の工程と、
無電解めっき処理によって前記樹脂基材の前記所定領域に前記配線パターンを形成する第４の工程と、を備えたことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板の製造方法であって、
前記樹脂基材は、凹部を有しており、
前記第２の工程は、前記凹部の少なくとも一部に対して紫外線照射処理、プラズマ処理、又はコロナ放電処理を行うことを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法であって、
前記撥水層は、シランカップリング剤を用いて形成されていることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかに記載の回路基板の製造方法であって、
前記紫外線は、１８５［ｎｍ］、又は、２５４［ｎｍ］の波長を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載の回路基板の製造方法であって、
前記配線パターンを形成した後に、前記樹脂基材に残っている前記撥水層を除去する第５の工程を備えたことを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無電解めっき処理によって配線パターンを形成する回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ポリイミド樹脂基板に紫外線を照射して基板表面を改質した後に、触媒付与処理、触媒活性化処理、及び無電解めっき処理を行うことで、基板表面に無電解ニッケルめっき層を形成する技術が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１７３９９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
紫外線を配線パターンに対応するように照射することで、上記技術によって配線パターンを形成することができる。しかしながら、紫外線が照射されていない領域にも僅かに触媒が付着して導体が析出してしまうので、特に配線パターン間のピッチが狭い場合には、配線パターンが短絡してしまう場合があるという問題がある。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、狭ピッチな配線パターンの短絡を防止することが可能な回路基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］本発明に係る回路基板の製造方法は、配線パターンを有する回路基板の製造方法であって、樹脂基材に撥水層を形成する第１の工程と、前記撥水層を介して紫外線照射処理、プラズマ処理、又はコロナ放電処理を前記樹脂基材の所定領域に行う第２の工程と、前記樹脂基材の前記所定領域に触媒を付与する第３の工程と、無電解めっき処理によって前記樹脂基材の前記所定領域に前記配線パターンを形成する第４の工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
［２］上記発明において、前記樹脂基材は、凹部を有しており、前記第２の工程は、前記凹部の少なくとも一部に対して紫外線照射処理、プラズマ処理、又はコロナ放電処理を行うことを含んでもよい。
【０００８】
［３］上記発明において、前記撥水層は、シランカップリング剤を用いて形成されていてもよい。
【０００９】
［４］上記発明において、前記紫外線は、１８５［ｎｍ］、又は、２５４［ｎｍ］の波長を含んでもよい。
【００１０】
［５］上記発明において、前記回路基板の製造方法は、前記配線パターンを形成した後に、前記樹脂基材に残っている前記撥水層を除去する第５の工程を備えてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、樹脂基材の表面において、紫外線照射処理、プラズマ処理、又はコロナ放電処理が行われた領域では、撥水層が破壊されると共に、樹脂基材の表面が改質されて親水性となる。または、撥水層が変質して親水性となる。一方、樹脂基材の表面においては、それ以外の非処理領域には撥水層が残留し、撥水性が維持される。
【００１２】
このため、触媒を含有した溶液に当該樹脂基材を浸漬しても、撥水層に覆われた非処理領域には触媒が付与されることはなく、無電解めっき処理において不要な領域に導体が析出することがないので、狭ピッチな配線パターンの短絡を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態における回路基板の部分断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｄ）は、図２の各工程における絶縁性基板の部分断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｄ）は、図２の各工程における絶縁性基板の変形例を示す部分断面図である。
【図５】図５は、本発明の第２実施形態における回路基板の部分断面図である。
【図６】図６は、本発明の第２実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｄ）は、図６の各工程における絶縁性基板の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
<<第１実施形態>>
図１は本実施形態における回路基板の部分断面図である。
【００１６】
本実施形態における回路基板１は、図１に示すように、絶縁性基板２と、配線パターン３と、を備えている。この回路基板１は、例えば、フレキシブルプリント配線板、リジッドプリント配線板、インタポーザ等として使用することができる。
【００１７】
絶縁性基板２は、電気絶縁性を有する樹脂材料から構成されたフレキシブルな樹脂基材である。この絶縁性基板２を構成する具体的な樹脂材料としては、例えば、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等を例示することができる。なお、絶縁性基板２をガラスエポキシ樹脂等のリジッドな樹脂基材で構成してもよい。本実施形態における絶縁性基板２が、本発明における樹脂基材の一例に相当する。
【００１８】
本実施形態では、この絶縁性基板２の表面に、配線パターン３に対応するように、改質層２１が形成されている。この改質層２１には、紫外線照射処理、プラズマ処理、又はコロナ放電処理によって、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボキシル基等の親水性を有する極性基が生成されている。この改質層２１は、数十ｎｍ〜数百ｎｍの厚さを有している。
【００１９】
配線パターン３は、銅（Ｃｕ）から構成されており、無電解銅めっき処理によって形成されている。なお、無電解めっき処理によって配線パターンを形成するのであれば、当該配線パターンを構成する金属材料は、銅に特に限定されず、例えばニッケル（Ｎｉ）等であってもよい。
【００２０】
本実施形態では、絶縁性基板２の片面２ａのみに配線パターン３を形成する例について説明したが、特にこれに限定されず、配線パターン３を絶縁性基板２の両面２ａ，２ｂに形成してもよいし、絶縁性基板２にスルーホールやバイアホールを形成してもよい。さらに、上述した回路基板１を積層して多層プリント配線板を形成してもよい。
【００２１】
次に、本実施形態における回路基板１の製造方法について、図２及び図３（ａ）〜図３（ｄ）を参照しながら説明する。
【００２２】
図２は本実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャート、図３（ａ）〜図３（ｄ）は図２の各ステップにおける絶縁性基板の部分断面図である。
【００２３】
本実施形態では、先ず、図２のステップＳ１１において、図３（ａ）に示すように、絶縁性基板２の表面２ａ，２ｂにシランカップリング剤をディッピング法や、大気中または真空中での気相成膜法によって付着させて、１〜数分子の厚さを有する撥水層２２を絶縁性基板２の表面２ａ，２ｂに形成する。
【００２４】
上記のシランカップリング剤は、疎水性の官能基が末端に修飾されており、このため撥水性を発現する。シランカップリング剤として、アルコキシオリゴマー、シラン、シリル化剤がある。中でも、シランの具体例としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ、Ｃ６Ｈ１９ＮＳｉ２）等の撥水処理剤を例示することができる。
【００２５】
なお、このステップＳ１１において、撥水層２２を絶縁性基板２の両面２ａ，２ｂに形成することが好ましい。後述する触媒付与処理Ｓ１３や無電解めっき処理Ｓ１４において絶縁性基板２を液体に浸漬した際に、絶縁性基板２内に水分が浸入すると配線パターン３の密着性が低下する。これに対し、本実施形態では、絶縁性基板２の両面２ａ，２ｂが撥水層２２で覆われているので、絶縁性基板２内への水分の浸入を防止することができる。
【００２６】
次いで、図２のステップＳ１２において、図３（ｂ）に示すように、先ず、配線パターン３に対応した開口４１を有するマスク４を、絶縁性基板２の上に配置する。このマスク４の具体例としては、例えば、紫外線を照射する場合は、フォトリソグラフィで用いられるフォトマスクを例示することができる。プラズマ処理、コロナ放電処理を適用する場合は、メタルマスクを用いることができる。
【００２７】
次いで、マスク４の上方から絶縁性基板２に向かって紫外線を照射することで、絶縁性基板２の表面２ａを改質して改質層２１を形成する。これと同時に、本実施形態では、有機化合物が光エネルギーを吸収すると、そのエネルギーよりも弱い分子結合が切れる可能性があることを利用して、紫外線照射によって撥水層２２を破壊し、これにより撥水層２２は絶縁性基板２の表面２ａから消失する。なお、撥水層２２が完全に消失する必要はなく、触媒が付着可能な程度に撥水性が弱まる、あるいは撥水層２２が一部エリアに僅かに残留していてもよい。
【００２８】
具体的には、このステップＳ１２では、撥水層２２を構成するシランカップリング剤が有する一部の分子結合のエネルギーよりも強い光エネルギーを有する紫外線を照射する。
【００２９】
例えば、撥水層２２をＨＭＤＳで形成した場合に、光源として低圧水銀灯を用いることで、撥水層２２を破壊することができる。ここで、ＨＭＤＳが有するＣ−Ｈ結合の結合エネルギーは４５７［ｋＪ／ｍｏｌ］であり、Ｓｉ−Ｃ結合の結合エネルギーは３０１［ｋＪ／ｍｏｌ］である。一方、低圧水銀灯は、波長が１８５［ｎｍ］の紫外線と、波長が２５４［ｎｍ］の紫外線と、を主に発生するが、前者の光エネルギーは６４７［ｋＪ／ｍｏｌ］であり、後者の光エネルギーは４７２［ｋＪ／ｍｏｌ］であり、何れの紫外線の光エネルギーも上述のＣ−Ｈ結合やＳｉ−Ｃ結合の結合エネルギーよりも強いので、当該紫外線によってＣ−Ｈ結合やＳｉ−Ｃ結合を断ち切って撥水層２２を破壊することができる。
【００３０】
なお、撥水層２２をＨＭＤＳで形成した場合に、波長が１７２［ｎｍ］の紫外線を発生するＸｅエキシマランプを光源として用いてもよい。因みに、波長が１７２［ｎｍ］の紫外線の光エネルギーは、６９６［ｋＪ／ｍｏｌ］である。
【００３１】
光源で発生した紫外線は、撥水層２２を介して絶縁性基板２にも照射されて、絶縁性基板２の表面２ａに改質層２１が形成される。
【００３２】
この際、絶縁性基板２の表面２ａにおいて、マスク４の開口４１に対応する領域（すなわち配線パターン３に対応する領域。以下単に「処理領域２０１」とも称する。）のみに紫外線が照射され、それ以外の領域（以下単に「非処理領域２０２」とも称する。）には紫外線が照射されることはない。そのため、絶縁性基板２の表面２ａにおいて、処理領域２０１のみに改質層２１が形成されるのに対し、非処理領域２０２には改質層２１は形成されない。本実施形態における絶縁性基材２の処理領域２０１が、本発明における樹脂基材の所定領域の一例に相当する。
【００３３】
同様に、撥水層２２についても、処理領域２０１の撥水層２２のみに紫外線が照射されて当該撥水層２２が破壊される。一方、非処理領域２０２の撥水層２２には紫外線が照射されないため、当該撥水層２２が絶縁性基板２上に残留する。
【００３４】
絶縁性基板２の表面に形成された改質層２１は、上述のように親水性の極性基を有している。そのため、絶縁性基板２の表面２ａにおいて改質層２１が形成された処理領域２０１では、めっき用の触媒を含有した溶液がぬれ易く触媒を吸着させ易くなっており、銅が析出し易くなっている。
【００３５】
一方、絶縁性基板２の表面２ａにおける非処理領域２０２では、撥水層２２の撥水作用によってめっき用の触媒が吸着しないため、銅が析出しないようになっている。
【００３６】
また、紫外線照射によって形成された改質層２１は、表面に微細な孔が形成された多孔質の構造を有している。このため、めっき用の触媒を含有した溶液に絶縁性基板２を浸漬すると、当該溶液が改質層２１の微細な孔に浸透し、この孔の内部から銅を析出させることができるので、アンカー効果によって配線パターン３の密着性を向上させることができる。
【００３７】
なお、このステップＳ１２において、紫外線照射処理に代えて、プラズマ処理やコロナ放電処理によって、撥水層２２を破壊すると共に改質層２１を形成してもよい。
【００３８】
例えば、コロナ放電処理によって形成された改質層は、上述のような親水性の極性基を有すると共に、当該コロナ放電の放電ストリークによる熱的衝撃によって粗面化されているので、アンカー効果によって配線パターン３の密着性を向上させることができる。
【００３９】
なお、このステップＳ１２において、図４（ａ）〜図４（ｄ）に示すように、紫外線照射によって撥水層２２の一部２２１が親水性に変化する場合もある。この場合には、紫外線照射された撥水層２２の一部２２１は、絶縁性基板２の表面２ａ上に残留する。図４（ａ）〜図４（ｄ）は、図２の各工程における絶縁性基板の変形例を示す部分断面図である。
【００４０】
次いで、図２のステップＳ１３において、特に図示しないが、絶縁性基板２の表面２ａにおいて改質層２１が形成されている処理領域２０１に、無電解銅めっき処理用の触媒（例えば、パラジウムなど）を付与する。
【００４１】
本実施形態における触媒付与処理（触媒化処理）Ｓ１３は、例えば、キャタライジング工程と、アクセラレイティング工程と、から構成されている。
【００４２】
キャタライジング工程では、絶縁性基板２をキャタリスト（パラジウムコロイド溶液）に浸漬することで、絶縁性基板２の表面２ａにおける処理領域２０１にパラジウムコロイド（Ｐｎ−Ｓｎ化合物）を吸着させる。なお、絶縁性基板２の表面２ａにおける非処理領域２０２には、撥水層２２の撥水作用によってパラジウムコロイドは吸着しない。
【００４３】
次いで、アクセラレイティング工程では、絶縁性基板２をアクセラレータ（例えば、硫酸とホウフッ酸を主成分とする溶液）に浸漬することで、パラジウムコロイドの保護コロイド成分（Ｓｎ化合物）を除去して、パラジウム触媒を活性化させる。
【００４４】
なお、触媒付与処理Ｓ１３における処理内容は、上記のキャタライジング工程やアクセラレイティング工程に限定されない。
【００４５】
次いで、図２のステップＳ１４において、絶縁性基板２を無電解銅めっき液に浸漬する。これにより、図３（ｃ）に示すように、絶縁性基板２の表面２ａにおける処理領域２０１に銅が析出して配線パターン３が形成される。
【００４６】
次いで、図２のステップＳ１５において、図３（ｄ）に示すように、絶縁性基板２の両面２ａ，２ｂに対して紫外線を照射することで、撥水層２２を絶縁性基板２の表面２ａ，２ｂから除去する。これにより、回路基板１の表面にカバーレイを貼り付ける場合や、回路基板１を多層化する場合に、密着性の向上を図ることができる。なお、カバーレイの貼付や多層化を行わない場合には、このステップＳ１５を省略してもよい。
【００４７】
以上のように、本実施形態では、絶縁性基板２の表面２ａにおいて、紫外線照射処理、プラズマ処理、又はコロナ放電処理が行われた領域２０１では、撥水層２２が破壊されると共に改質層２１が形成されるのに対し、それ以外の非処理領域２０２には撥水層２２が残留する。
【００４８】
このため、触媒付与処理Ｓ１３において絶縁性基板２をキャタリストに浸漬しても、撥水層２２に覆われた非処理領域２０２には触媒が付与されることはなく、無電解めっき処理Ｓ１４において不要な領域２０２に銅が析出することがないので、狭ピッチな配線パターン３の短絡を防止することができる。
【００４９】
本実施形態における撥水処理Ｓ１１が本発明における第１の工程の一例に相当し、本実施形態における改質処理Ｓ１２が本発明における第２の工程の一例に相当し、本実施形態における触媒付与処理Ｓ１３が本発明における第３の工程の一例に相当し、本実施形態における無電解めっき処理Ｓ１４が本発明における第４の工程の一例に相当し、本実施形態における除去処理Ｓ１５が本発明における第５の工程の一例に相当する。
【００５０】
<<第２実施形態>>
図５は本実施形態における回路基板の部分断面図である。
【００５１】
本実施形態における回路基板５は、図５に示すように、絶縁性基材６と、配線パターン７と、を備えている。この回路基板５は、第１実施形態の回路基板１と同様に、例えば、フレキシブルプリント配線板、リジッドプリント配線板、インタポーザ等として使用することができる。
【００５２】
絶縁性基板６は、電気絶縁性を有する樹脂材料から構成されたフレキシブルな樹脂基材である。この絶縁性基板６を構成する具体的な樹脂材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を例示することができる。なお、絶縁性基板６をガラスエポキシ樹脂などのリジッドな樹脂基材で構成してもよい。本実施形態における絶縁性基板６が、本発明における樹脂基材の一例に相当する。
【００５３】
本実施形態では、この絶縁性基板６の上面６ａに、インプリント法によって凹部６３が形成されている。この凹部６３は、平面視において配線パターン７に対応する形状を有している。
【００５４】
この絶縁性基板６の凹部６３の内面には、改質層６１が形成されている。この改質層６１には、第１実施形態の改質層２１と同様に、紫外線照射処理、プラズマ処理、又はコロナ放電処理によって、親水性を有する極性基が生成されている。なお、改質層６１は、凹部６３の内面の少なくとも一部に形成されていればよく、例えば、凹部６３の底面６３１のみに改質層６１が形成されていてもよい。
【００５５】
配線パターン７は、第１実施形態の配線パターン３と同様に、銅（Ｃｕ）から構成されており、無電解銅めっき処理によって形成されている。
【００５６】
次に、本実施形態における回路基板５の製造方法について、図６及び図７（ａ）〜図７（ｄ）を参照しながら説明する。
【００５７】
図６は本実施形態における回路基板の製造方法を示すフローチャート、図７（ａ）〜図７（ｄ）は図６の各工程における絶縁性基板の部分断面図である。
【００５８】
本実施形態では、先ず、図６のステップＳ２０において、特に図示しないが、例えば熱インプリント法によって、絶縁性基板６の表面６ａに凹部６３を形成する。なお、凹部６３の形成方法については、インプリント法に特に限定されず、例えば、絶縁性基板６にレーザ加工を施すことで凹部６３を形成してもよい。
【００５９】
次いで、図６のステップＳ２１において、図７（ａ）に示すように、絶縁性基板６の両面６ａ，６ｂにシランカップリング剤をディッピング法や気相成膜法によって付着させて、１〜数分子の厚さを有する撥水層６２を絶縁性基板６の両面６ａ，６ｂに形成する。本実施形態では、これにより、絶縁性基板６の凹部６３の内面にも撥水層６２が形成される。
【００６０】
シランカップリング剤の具体例としては、第１実施形態と同様に、ＨＭＤＳ等の撥水処理剤等を例示することができる。
【００６１】
本実施形態では、絶縁性基板６の両面２ａ，２ｂに撥水層６２を形成することで、第１実施形態と同様に、触媒付与処理Ｓ２３や無電解めっき処理Ｓ２４における絶縁性基板６内への水分の浸入を防止して、配線パターン７の密着性を維持することができる。
【００６２】
次いで、図６のステップＳ２２において、図７（ｂ）に示すように、先ず、配線パターン７に対応した開口８１を有するマスク８を準備して、開口８１が絶縁性基板６の凹部６３に対向するように、このマスク８を絶縁性基板６の上に配置する。このマスク８の具体例としては、第１実施形態と同様に、フォトマスクやメタルマスクを例示することができる。
【００６３】
次いで、マスク８の上方から絶縁性基板６に向かって紫外線を照射することで、撥水層６２を破壊すると共に、絶縁性基板６の凹部６３の内面を改質して改質層６１を形成する。この際、第１実施形態と同様に、例えば、撥水層６２をＨＭＤＳで形成した場合に、光源として低圧水銀灯やＸｅエキシマランプを使用することで、紫外線照射によって撥水層６２を破壊することができる。
【００６４】
この紫外線照射処理によって、絶縁性基板６の表面６ａにおいて、マスク８の開口８１に対応する領域（すなわち配線パターン７に対応する領域。以下単に「処理領域６０１」とも称する。）のみに紫外線が照射され、それ以外の領域（以下単に「非処理領域６０２」とも称する。）には紫外線が照射されることはない。そのため、絶縁性基板６の凹部６３の内面のみに改質層６１が形成され、絶縁性基板６の表面６ａにおける非処理領域６０２には改質層６１は形成されない。本実施形態における絶縁性基板６の処理領域６０１が、本発明の樹脂基材の所定領域の一例に相当する。
【００６５】
同様に、撥水層６２についても、絶縁性基板６の凹部６３の内面に形成された撥水層６２のみに紫外線が照射されて、当該撥水層６２が破壊される。一方、非処理領域６０２の撥水層６２には紫外線が照射されないため、当該撥水層６２が絶縁性基板６上に残留する。
【００６６】
なお、このステップＳ２２において、紫外線照射処理に代えて、プラズマ処理やコロナ放電処理によって、撥水層６２を破壊すると共に改質層６１を形成してもよい。
【００６７】
また、このステップＳ２２において、特に図示しないが、上述の第１実施形態と同様に、紫外線照射によって撥水層６２の一部が親水性に変化する場合もある。この場合には、紫外線照射された撥水層６２の一部は、絶縁性基板６の凹部６３の内面に残留する。
【００６８】
次いで、図６のステップＳ２３において、特に図示しないが、第１実施形態のステップＳ１３と同様の要領で、絶縁性基板６の凹部６３の内面に形成された改質層６１に、無電解銅めっき処理用の触媒を付与する。
【００６９】
次いで、図６のステップＳ２４において、絶縁性基板６を無電解銅めっき液に浸漬する。これにより、図７（ｃ）に示すように、絶縁性基板６の凹部６３内に銅が析出して配線パターン７が形成される。
【００７０】
次いで、図６のステップＳ２５において、図７（ｄ）に示すように、絶縁性基板６の両面６ａ，６ｂに対して紫外線を照射することで、撥水層６２を絶縁性基板６の表面６ａ，６ｂから除去する。なお、カバーレイの貼付や多層化を行わない場合には、このステップＳ２５を省略してもよい。
【００７１】
以上のように、本実施形態では、第１実施形態と同様に、絶縁性基板６の表面６ａにおいて、紫外線照射処理、プラズマ処理、又はコロナ放電処理が行われた領域６０１では、撥水層６２が破壊されると共に改質層６１が形成されるのに対し、それ以外の非処理領域６０２には撥水層６２が残留する。
【００７２】
このため、触媒付与処理Ｓ２３において絶縁性基板６をキャタリストに浸漬しても、撥水層６２に覆われた非処理領域６０２には触媒が付与されることはなく、無電解めっき処理Ｓ２４において不要な領域６０２に銅が析出することがないので、狭ピッチな配線パターン７の短絡を防止することができる。
【００７３】
また、インプリント法によって回路基板を製造する場合には、無電解めっき処理の後に研磨やエッチングによって余分な導体を除去する必要がある。これに対し、本実施形態では、無電解メッキ処理Ｓ２４が完了した時点で、配線パターン７の間に撥水層６２が介在しているので、研磨やエッチングが不要となる。
【００７４】
本実施形態における撥水処理Ｓ２１が本発明における第１の工程の一例に相当し、本実施形態における改質処理Ｓ２２が本発明における第２の工程の一例に相当し、本実施形態における触媒付与処理Ｓ２３が本発明における第３の工程の一例に相当し、本実施形態における無電解めっき処理Ｓ２４が本発明における第４の工程の一例に相当し、本実施形態における除去処理Ｓ２５が本発明における第５の工程の一例に相当する。
【００７５】
なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００７６】
１，５…回路基板
２，６…絶縁性基板
２ａ，２ｂ…表面
２０１…処理領域
２０２…非処理領域
２１，６１…改質層
２２，６２…撥水層
３，７…配線パターン
【図１】
2013187283.tif 000003
【図２】
2013187283.tif 000004
【図３】
2013187283.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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