(57)【要約】【課題】半導体チップと、実装基体上のダイボンド材との接着強度をより高めた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ１と、半導体チップ１をダイボンド材３により固定する実装基体２とを備えた半導体装置１０であって、半導体チップ１は、半導体チップ１の側面１ｃに、ダイボンド材３に埋設してダイボンド材３を引掛ける引掛部１ａを有する。【選択図】図１
2013004528.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、該半導体チップをダイボンド材により固定する実装基体とを備えた半導体装置であって、前記半導体チップは、該半導体チップの側面に、前記ダイボンド材に埋設して前記ダイボンド材を引掛ける引掛部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記引掛部は、前記半導体チップの前記側面における前記実装基体側の端部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記引掛部は、前記半導体チップの前記側面から外方に突出する突部であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
円盤状のダイシングブレードを回転させてウエハを切断することにより個片化した前記半導体チップを形成するダイシング工程と、前記半導体チップを前記ダイボンド材により前記実装基体に固定するダイボンド工程とを備え、
前記ダイシング工程において、前記ウエハから前記半導体チップの個片化を行う際に、第１のブレード幅を有する第１のダイシングブレードにより前記ウエハの厚みを一部残して切り込みを行うことでダイシング溝を形成するハーフカット工程と、前記第１のブレード幅よりも幅の狭い第２のブレード幅の第２のダイシングブレードを用いて前記ダイシング溝から前記ウエハを切断するフルカット工程とを行うことで、前記引掛部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
円盤状のダイシングブレードを回転させて前記ウエハを切断することにより個片化した前記半導体チップを形成するダイシング工程と、前記半導体チップを前記ダイボンド材により前記実装基体に固定するダイボンド工程とを備え、
前記ダイシング工程において、断面が凸状の刃先部を備えた前記ダイシングブレードを用いて前記刃先部の先端が前記ウエハの一表面から他表面まで切断するにあたり、前記刃先部の一部を前記ウエハ側に残した状態で前記ウエハをフルカットすることにより、前記一部が前記引掛部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種の電子機器の小型化にともない、電子機器に使用される半導体装置の更なる小型化が進んでいる。半導体装置には、ダイボンド材により半導体チップを実装基体に固定するものがある。半導体装置は、小型化にともない、より少ないダイボンド材で半導体チップを実装基体上に固定できるように、半導体チップと実装基体側との接着強度を高めることが求められている。さらに、環境負荷の軽減のため、近年、鉛を含むはんだ材を使用せず、鉛を代替する融点の高い金属が含まれた鉛フリーはんだ材が使用される傾向にある。そのため、半導体装置の配線基板への実装工程時において、半導体装置が曝される、はんだリフローの温度も高温化する傾向にある。半導体装置は、半導体装置を配線基板上に実装する場合、半導体装置における半導体チップと実装基体との固定も、はんだリフローの熱ストレスに耐えられるより接着強度の高いものが必要となる場合もある。
【０００３】
そのため、この種の半導体装置として、たとえば、半導体チップの裏面に複数の凹部を形成して、ダイボンド材により半導体チップを実装基体に固定することで、半導体チップとダイボンド材との接着効果の向上を図るものが知られている（たとえば、特許文献１）。
【０００４】
半導体装置は、半導体チップの裏面に複数の凹部を形成することで、凹部内にダイボンド材が入り込んで機械的に結合するアンカー効果により接着強度が高められていると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１６８６９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、半導体チップの裏面に凹部を形成するためには、サンドペーパーやサンドブラストなどにより、半導体チップの元になるウエハの裏面側を凹凸加工することが考えられる。
【０００７】
しかしながら、半導体装置は、半導体装置の製造工程において、ダイボンド材との接着強度を向上させるために、ウエハの裏面に凹凸加工をする作業が別途に必要となる。また、半導体装置は、ウエハの裏面に凹凸加工させるに伴い、削りカスが発生するため、ウエハや半導体チップの洗浄工程も必要になる。さらに、ウエハは、裏面に凹凸加工した凹凸の粗さが大きすぎる場合、ウエハの抗折強度が低下し、凹部がクラックの起点になりやすい傾向にある。そのため、半導体装置は、半導体チップの裏面に所定の粗さの凹部を形成することは手間がかかり、半導体装置の製造工程が複雑化するという問題がある。
【０００８】
さらに、半導体装置は、ダイボンド材により、裏面に凹部を有する半導体チップを実装基体上に固定させた場合、ダイボンド材のせん断方向への応力に対する接着強度と比較して、ダイボンド材の伸張方向への応力に対する接着強度が十分でない場合がある。
【０００９】
そのため、半導体装置は、半導体チップの実装基体側への接着強度がより高いものが求めれている現在においては、上述の半導体チップの裏面に凹部を備えた半導体チップをダイボンド材で固定させた構成だけでは十分ではなく、更なる改良が求められている。
【００１０】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、半導体チップと、実装基体上のダイボンド材との接着強度をより高めた半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の半導体装置は、半導体チップと、該半導体チップをダイボンド材により固定する実装基体とを備えた半導体装置であって、上記半導体チップは、該半導体チップの側面に、上記ダイボンド材に埋設して上記ダイボンド材を引掛ける引掛部を有することを特徴とする。
【００１２】
この半導体装置において、上記引掛部は、上記半導体チップの上記側面における上記実装基体側の端部に設けられていることが好ましい。
【００１３】
この半導体装置において、上記引掛部は、上記半導体チップの上記側面から外方に突出する突部であることが好ましい。
【００１４】
この半導体装置の製造方法において、円盤状のダイシングブレードを回転させてウエハを切断することにより個片化した上記半導体チップを形成するダイシング工程と、上記半導体チップを上記ダイボンド材により上記実装基体に固定するダイボンド工程とを備え、上記ダイシング工程において、上記ウエハから上記半導体チップの個片化を行う際に、第１のブレード幅を有する第１のダイシングブレードにより上記ウエハの厚みを一部残して切り込みを行うことでダイシング溝を形成するハーフカット工程と、上記第１のブレード幅よりも幅の狭い第２のブレード幅の第２のダイシングブレードを用いて上記ダイシング溝から上記ウエハを切断するフルカット工程とを行うことで、上記引掛部を形成することが好ましい。
【００１５】
この半導体装置の製造方法において、円盤状のダイシングブレードを回転させて上記ウエハを切断することにより個片化した上記半導体チップを形成するダイシング工程と、上記半導体チップを上記ダイボンド材により上記実装基体に固定するダイボンド工程とを備え、上記ダイシング工程において、断面が凸状の刃先部を備えた上記ダイシングブレードを用いて上記刃先部の先端が上記ウエハの一表面から他表面まで切断するにあたり、上記刃先部の一部を上記ウエハ側に残した状態で上記ウエハをフルカットすることにより、上記一部が上記引掛部を形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の半導体装置は、半導体チップと、実装基体上のダイボンド材との接着強度をより高めることが可能となる。
【００１７】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップと、実装基体上のダイボンド材との接着強度をより高めた半導体装置を比較的簡単に製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態１の半導体装置を示し、（ａ）は側面説明図、（ｂ）は上面説明図、（ｃ）は要部の拡大図である。
【図２】同上の半導体装置における半導体チップの製造工程を示す斜視説明図である。
【図３】同上の半導体装置の半導体チップの形成工程を示す要部断面説明図である。
【図４】実施形態２の半導体装置を示し、（ａ）は側面説明図、（ｂ）は上面説明図である。
【図５】同上の半導体装置における半導体チップの形成工程を示す要部断面説明図である。
【図６】同上の半導体装置における別の半導体チップの形成工程を示す要部断面説明図である。
【図７】実施形態３の半導体装置を示し、（ａ）は上面説明図、（ｂ）は（ａ）のＸＸ概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（実施形態１）
本実施形態の半導体装置１０を図１を用いて説明し、半導体装置１０の製造方法における半導体チップ１の形成工程について、図２および図３を参照して説明する。
【００２０】
本実施形態の半導体装置１０は、半導体チップ１と、半導体チップ１をダイボンド材３により固定する実装基体２とを備えている。特に、本実施形態の半導体装置１０における半導体チップ１は、半導体チップ１の側面１ｃに、ダイボンド材３に埋設してダイボンド材３を引掛ける引掛部１ａを有している。ここで、引掛部１ａは、半導体チップ１の側面１ｃにおける実装基体２側の端部に設けられている。
【００２１】
より具体的には、本実施形態の半導体装置１０の半導体チップ１は、図１に示すように、たとえば、直方体状に形成されている本体部１ｂと、半導体チップ１の側面１ｃにおける実装基体２側の端部で半導体チップ１の側面１ｃから外方に突出する突部１ａａとを備えている。すなわち、本実施形態の半導体装置１０の引掛部１ａは、半導体チップ１の側面１ｃから外方に突出する突部１ａａとなっている。
【００２２】
半導体チップ１の突部１ａａは、平面視において、半導体チップ１の矩形状の本体部１ｂから本体部１ｂにおける側面１ｃの全周にわたって矩形枠状に突出している（図１（ｂ）を参照）。突部１ａａは、半導体チップ１の厚み方向において半導体チップ１の底面側に向かうにつれ、半導体チップ１の側面１ｃから突出する突出量が徐々に大きくなる傾斜部１ａｂを備えている（図１（ｃ）を参照）。また、突部１ａａは、半導体チップ１の厚み方向に所定の厚みを備えており、突部１ａａにおける実装基体２側となる底面が、本体部１ｂの底面と同一平面となっている。
【００２３】
半導体装置１０は、半導体チップ１が実装基板２上のダイボンド材３と接着して固定されている。また、半導体チップ１は、引掛部１ａたる突部１ａａがダイボンド材３に埋設されてダイボンド材３を引掛けている。これにより、半導体装置１０は、半導体チップ１とダイボンド材３との接触界面における接着だけでなく、ダイボンド材３に埋設された突部１ａａにより半導体チップ１をダイボンド材３と機械的に固定させることもできる。
【００２４】
本実施形態の半導体装置１０は、突部１ａａを備えていない半導体チップ１をダイボンド材３により固定する場合と比較して、半導体チップ１が突部１ａａを備えていことにより半導体チップ１とダイボンド材３との接着強度をより高めることが可能となる。すなわち、半導体装置１０は、半導体チップ１の突部１ａａがダイボンド材３と機械的に固定されているため、ダイボンド材３の伸張方向への応力に対する接着強度を高めることが可能となる。
【００２５】
以下、本実施形態の半導体装置１０に用いられる各構成について詳述する。
【００２６】
本実施形態の半導体装置１０に用いられる半導体チップ１としては、たとえば、加速度センサ、赤外線センサ、レーザダイオードや発光ダイオードに用いられる半導体素子などが挙げられる。したがって、半導体チップ１は、種々の機能を備えたものが挙げられ、上述の機能を備えた素子だけに限られない。図示しないが、赤外線センサに用いられる赤外線センサ素子たる半導体チップ１は、たとえば、シリコン基板を用いたベース基板と、ベース基板の一表面側でベース基板に支持され直下にベース基板に設けられた空洞部により空間が設けられる薄膜構造部と、ベース基板と薄膜構造部とに亘って設けられ赤外線の吸収による温度変化を検知するサーモパイルとを有する構造とするものが挙げられる。また、発光ダイオードに用いられるＬＥＤチップたる半導体チップ１は、たとえば、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板やＧａＮ基板などの化合物半導体基板上に、ＣＶＤ技術を用いてｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層などを成膜させた構造とすることができる。なお、半導体チップ１のｎ型半導体層には、蒸着技術やスパッタ技術を用いて、金属材料などにより所定の形状のｎ型電極を形成させている。同様に、ｐ型半導体層には、ｐ型電極を形成させていればよい。
【００２７】
半導体チップ１の引掛部１ａは、ダイボンド材３に埋設されて半導体チップ１と実装基体２との距離が離れる方向、すなわち、ダイボンド材３が伸張される方向への応力に対する抗力を高めることが可能なものであれば良い。したがって、半導体チップ１の引掛部１ａは、半導体チップ１の側面１ｃにおける厚み方向の中央部、実装基体２側の端部や実装基体２側と反対側の端部に設けることができる。さらに、半導体チップ１の引掛部１ａは、後述するように、半導体チップ１の側面１ｃから外方に突出する突部１ａａだけに限られない。また、引掛部１ａたる突部１ａａは、半導体チップ１の側面１ｃの全周にわたって設けられる矩形枠状ものに限られない。
【００２８】
半導体チップ１は、図示しないが、たとえば、平面視において、ダイボンド材３に埋設される引掛部１ａを矩形状の半導体チップ１における側面１ｃの各辺から突出させた複数個の突部を矩形状の各辺に均等に配置することで、ダイボンド材３の基礎となる材料に埋め込み易くさせた構成とすることもできる（図示していない）。なお、引掛部１ａは、たとえば、エッチング加工やサンドブラスト加工などにより引掛部１ａの表面に凹凸を形成することにより、半導体チップ１とダイボンド材３との接着界面での接着性をより高めてもよい。
【００２９】
また、半導体チップ１の引掛部１ａとして突部１ａａを備える場合、突部１ａａは、半導体チップ１の一部を用いて形成させてもよいし、半導体チップ１と別途に形成させたものを半導体チップ１に設けたものでもよい。突部１ａａは、本体部１ｂ側から外方へ突出する長さや突部１ａａの厚みは、ダイボンド材３の硬化前の基礎となる材料の材質や粘度、突部１ａａの強度に応じて種々に調整すればよい。ここで、半導体チップ１は、たとえば、本体部１ｂが全て半導体材料からなるものであってもよいし、絶縁基体や導電性基体上に半導体層が形成されたものであってもよい。
【００３０】
また、引掛部１ａたる突部１ａａは、半導体チップ１の厚み方向において半導体チップ１の底面側に向かうにつれ、半導体チップ１の側面１ｃから徐々に突出量が大きくなる傾斜部１ａｂを備えていることにより、ダイボンド材３の基礎となる材料への埋設時に材料への気泡の混入を抑制することも可能となる。
【００３１】
本実施形態の半導体装置１０に用いられる実装基体２は、半導体チップ１をダイボンド材３により実装して固定させることができるものであればよく、種々のものを用いることができる。実装基体２は、たとえば、金属材料からなるリード電極を用いることができる。また、実装基体２は、半導体装置１０の一部を構成する集積回路を備えた半導体基板を用いることもできる。また、実装基体２は、金属材料や半導体材料により構成するものだけでなく、樹脂材料やセラミック材料を用いてもよい。実装基体２は、半導体チップ１を実装できればよく、平面視が矩形状だけでなく、多角形や円形など所望に応じて種々の形状のものを用いることができる。実装基体２として金属材料を用いた場合、半導体チップ１への電気的導通を行うリード電極として利用することができる。
【００３２】
また、半導体チップ１を実装基体２に実装して固定させるダイボンド材３としては、たとえば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの有機材料やガラスなどの無機材料を用いることができる。また、ダイボン材３として、半田を用いてもよい。ダイボンド材３は、ダイボンド実装する半導体チップ１によって種々のものが用いられる。ダイボンド材３は、たとえば、赤外線センサなどに用いられる半導体チップ１を固定する場合、実装基体２側との断熱性に優れた材料を用いることが好ましく、低融点ガラスなどを用いることができる。また、ダイボンド材３は、発光ダイオードに用いられるＬＥＤチップたる半導体チップ１を固定する場合、半導体チップ１から放射された光をダイボンド材３を透過させて光利用効率を高めるため、透光性の樹脂材料を用いることできる。また、ダイボンド材３は、半導体チップ１と実装基体２側との電気的接続を行う場合、導電性フィラーを含有する導電性ペースト（たとえば、銀ペーストやカーボンペースト）などを用いてもよい。さらに、ダイボンド材３は、半導体装置１０にヒートサイクルが生ずるような場合、半導体チップ１や実装基体２との熱膨張率差が小さい方が好ましい。ダイボンド材３の材料として樹脂材料を用いた場合、ダイボンド材３は、一般に、半導体チップ１やセラミック材料などからなる実装基体２との熱膨張率差が大きくヒートサイクルに対して接着性が低下する傾向にある。そのため、ダイボンド材３は、ダイボンド材３の材料として樹脂材料を利用した場合、たとえば、ＳｉＯ２などの熱膨張率が樹脂材料よりも小さなフィラーを樹脂材料中に含有させ、半導体チップ１やセラミック材料などからなる実装基体２との熱膨張率差を小さくさせてもよい。
【００３３】
以下、本実施形態の半導体装置１０の製造方法について図２および図３を用いて説明する。
【００３４】
本実施形態の半導体装置１０を製造するため、最初に、たとえば、外形が円柱状の単結晶インゴットを板状にスライスする。次に、板状のものに、製造する半導体チップ１の材料や機能に合わせイオン打ち込み技術、各種ＣＶＤ法、蒸着法やスパッタ法などの成膜技術、イオン打ち込み技術、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術などを利用して、半導体チップ１の基礎となる複数個の機能部を備えたウエハ１１を形成するウエハ形成工程を行う（図示していない）。なお、ウエハ１１には、結晶軸がわかるようにオリエンテーションフラットＯＦが予め端部に形成されている。また、ウエハ１１は、所望に応じて、ウエハ１１の裏面のポリッシング処理を行うことにより薄膜化を行ってもよい。
【００３５】
続いて、複数個の機能部が形成されたウエハ１１は、図２に示すように、円環状のシート保持冶具であるステンレス製のフラットリング２２の中央部に配置する。ウエハ１１は、機能部が形成されている一表面１１ｄ側とは反対の他表面１１ｅ（図３を参照）側とダイシングシート２４とをフラットリング２２ごとダイシングシート２４に貼り付ける。ダイシングシート２４は、フラットリング２２の外周に沿って切断される。その後、ウエハ１１は、ウエハ１１の機能部が形成された一表面１１ｄ側を露出するようにダイシングシート２４側をフラットリング２２ごと図示していないダイシング装置のダイシングステージ上に真空吸引して固定する。
【００３６】
なお、ウエハ１１の一表面１１ｄ側に機能部を形成させた例で示しているが、他表面１１ｅ側に形成させたものでもよい。また、ウエハ１１は、機能部をウエハ１１の一表面１１ｄおよび他表面１１ｅの両面に形成させてもよい。
【００３７】
ダイシングシート２４は、たとえば、塩化ビニルを主成分とするテープ基材の表面にアクリル系粘着剤を主成分とする粘着剤が塗布されたものを利用することができる。また、ダイシングシート２４には、ウエハ１１のダイシング後に紫外線が照射されることにより、ダイシングシート２４の粘着力を低下させることができる粘着剤を使用している。
【００３８】
次に、ダイシング工程として、ウエハ１１における機能部が形成されている一表面１１ｄ側から回転させた円盤状のダイシングブレード２３をウエハ１１に押し当ててウエハ１１を切断する。ダイシングブレード２３による切断に先立って、ウエハ１１上にスクライバーで予めストリートを形成させておき、ストリートに沿ってダイシングブレード２３によりウエハ１１を切断させてもよい。ダイシング装置は、個片化した所定の大きさの半導体チップ１が形成できるように、ダイシング装置の制御部により円盤状のダイシングブレード２３の回転やダイシングステージの移動を制御する。ダイシング工程により、ウエハ１１をダイシングして個片化した複数個の半導体チップ１を形成することができる。
【００３９】
ダイシング装置は、ダイシング工程において、たとえば、厚さ数十μｍのダイシングブレード２３を３０００〜４０００ｒｐｍ程度に高速回転させる。また、ダイシング工程では、ダイシングブレード２３の冷却並びに切削屑を除去する目的で洗浄用の純水をウエハ１１側に吹き付けてもよい。
【００４０】
すなわち、ダイシング工程は、円盤状のダイシングブレード２３を回転させてウエハ１１を切断することにより個片化した複数個の半導体チップ１を形成する。
【００４１】
ここで、本実施形態の半導体装置１０の製造方法では、ダイシング工程において、２種類のダイシングブレードを用いてウエハ１１をダイシングしている。本実施形態の半導体装置１０の製造方法では、ウエハ１１から半導体チップ１ａの個片化を行う際に、まず、第１のブレード幅ｄ１を有する第１のダイシングブレード２３ａによりウエハ１１の厚みを一部残して切り込みを行うことでダイシング溝１１ａを形成するハーフカット工程を行う（図３（ａ）を参照）。
【００４２】
次に、第１のダイシングブレード２３ａの第１のブレード幅ｄ１よりも幅の狭い第２のブレード幅ｄ２の第２のダイシングブレード２３ｂを用いてダイシング溝１１ａの内底面の中央部からウエハ１１を完全に切断するフルカット工程を行う（図３（ｂ）を参照）。これにより、半導体チップ１は、ウエハ１１から個片化されると同時に、引掛部１ａを備えた構成となる。
【００４３】
ここで、半導体チップ１の引掛部１ａは、第１のダイシングブレード２３ａの第１のブレード幅ｄ１と、第２のダイシングブレード２３ｂの第２のブレード幅ｄ２との差を利用して、半導体チップ１の側面１ｃから突出する突部１ａａとして形成される。また、突部１ａａでは、断面が凸状の刃先部２３ａａを備えた第１のダイシングブレード２３ａにより、半導体チップ１の底面側に向かうにつれ、半導体チップ１の側面１ｃから徐々に突出量が大きくなる傾斜部１ａｂが形成される。
【００４４】
ウエハ１１の切断後、ダイシング装置から個片化した複数個の半導体チップ１が粘着されているフラットリング２２を取り出す。次に、個片化した半導体チップ１をダイシングシート２４から剥離させ易いように、紫外線を照射してダイシングシート２４の粘着剤の粘着力を低下させる。続いて、図示しないダイボンド装置のＸＹステージ上に個片化した複数個の半導体チップ１が粘着されているフラットリング２２を固定する。ダイボンド装置は、円柱状のピンにより個片化された半導体チップ１と反対面側からダイシングシート２４ごと半導体チップ１をピックアップさせる。また、ダイボンド装置は、ダイボンド装置の吸着コレットによりピックアップさせた半導体チップ１を吸着させる。ダイボンド装置は、半導体チップ１を吸着した吸着コレットを移動させ、ダイシングシート２４から半導体チップ１を剥離させて別途に配置した実装基体２側に各半導体チップを配置させる。
【００４５】
すなわち、ダイシングシート２４に紫外線を照射して粘着力を低下させた後、チップボンダー等を用いて個片化された半導体チップ１をダイシングシート２４から剥離して個々の半導体チップ１として利用する。
【００４６】
ここで、実装基体２上には、図示していないが、ダイボンド装置の転写ピンにより、予めダイボンド材３の基礎となる硬化前の材料（たとえば、熱硬化性樹脂など）が転写されている。また、吸着コレットは、吸着している半導体チップ１をダイボンド材３の基礎となる材料に押し付ける。ダイボンド装置は、半導体チップ１の引掛部１ａを材料の内部に埋設するように押し込むことで、実装基体２上に塗布された硬化前のダイボンド材３の基礎となる材料中に引掛部１ａである突部１ａａを埋設させる。
【００４７】
続いて、半導体チップ１は、ダイボンド材３の基礎となる材料により半導体チップ１が実装された実装基体２ごと加熱処理される。半導体チップ１は、半導体チップ１の引掛部１ａを材料に埋設した状態で材料を熱硬化させることにより、実装基体２側と半導体チップ１側とをダイボンド材３で接着することができる。これにより、半導体チップ１は、実装基体２に固定するダイボンド工程を行うことが可能となる。その後、半導体装置１０の製造方法において、半導体チップ１の電極と実装基体２に設けられた配線とは、必要に応じて、ボンディングワイヤー（たとえば、金線やアルミニウム線など）などにより電気的に接続される。
【００４８】
なお、半導体チップ１は、ダイシングブレード２３によるウエハ１１の一表面から他表面へ一方向への切断だけでなく、ウエハ１１の一表面および他表面の両面側から切断を行うことで、個々の半導体チップ１への個片化を行ってもよい。これにより、引掛部１ａは、半導体チップ１の側面１ｃの任意の位置に設けることも可能となる。また、半導体チップ１は、ダイシングブレード２３によるウエハ１１の切断による個片化だけでなく、レーザ照射やエッチングを行うことによりウエハ１１から半導体チップ１を個片化することもできる。したがって、半導体チップ１に引掛部１ａを形成させる場合、レーザ照射やエッチングを利用して形成することもできる。ダイシングブレード２３を用いてウエハ１１から個片化した半導体チップ１を形成する方法は、レーザ照射やエッチングを行うことによりウエハ１１から半導体チップ１を個片化するものと比較して、比較的簡単な構造のダイシング装置で、引掛部１ａを備えた半導体チップ１を製造することが可能となる。
【００４９】
（実施形態２）
図４に示す本実施形態の半導体装置１０は、図１に示す実施形態１の半導体装置１０のように、引掛部１ａを半導体チップ１の側面１ｃから外方に突出する突部１ａａにより構成する代わりに、角錐台状の半導体チップ１の側面１ｃにおける実装基体２側の端部を引掛部１ａとして用いた点が相違する。なお、図中において実施形態１と同じ部材に対しては、同じ番号を付して説明を省略している。
【００５０】
以下、本実施形態の半導体装置１０を、図４ないし図６を用いて説明する。
【００５１】
本実施形態の半導体装置１０は、図４に示すように、半導体チップ１と、半導体チップ１をダイボンド材３により固定する実装基体２とを備えている。また、本実施形態の半導体装置１０は、角錐台状の半導体チップ１を用いており、角錐台状の半導体チップ１の側面１ｃにおける実装基体２側の端部をダイボンド材３に埋設してダイボンド材３に引掛ける引掛部１ａとして機能させている。
【００５２】
すなわち、半導体チップ１は、角錐台状の半導体チップ１の底面側を硬化前のダイボンド材３の基礎となる材料に埋設するように押し込み、材料を硬化させることにより、半導体チップ１をダイボンド材３に埋設して固定している。
【００５３】
これにより、半導体装置１０の半導体チップ１は、半導体チップ１とダイボンド材３との界面における接着だけでなく、ダイボンド材３に埋設された引掛部１ａにより半導体チップ１を、ダイボンド材３に機械的に固定することができる。したがって、本実施形態の半導体装置１０は、比較的簡単な構成で、実装基体２上のダイボンド材３に実装された半導体チップ１とダイボンド材３との接着強度をより向上させることが可能となる。
【００５４】
ここで、半導体チップ１は、たとえば、図５に示すように断面がＶ字状であってテーパ面２３ｄを備えたダイシングブレード２３ｃを用いて、ウエハ１１をダイシングすることにより角錐台状に形成することができる。ダイシング装置は、図５に示すように、ダイシングブレード２３ｃの刃先部２３ｃａがウエハ１１の一表面１１ｄから他表面１１ｅを越えるように押し込んでウエハ１１を完全に切断するフルカットを行う。これにより、ダイシングブレード２３ｃで個片化された半導体チップ１は、切断面となる側面１ｃが傾斜した傾斜面１ｅを備えた角錐台状とすることができる（図４を参照）。なお、ダイシングブレード２３ｃは、たとえば、厚みが５０μｍから７０μｍのブレードを研磨してテーパ面２３ｄのテーパ角を調整すればよい。言い換えれば、ダイシングブレード２３ｃは、円盤状のダイシングブレード２３ｃの径方向の外側に向かうほど厚みが薄くなるように傾斜したテーパ面２３ｄを備えている。
【００５５】
また、本実施形態の別の半導体装置１０に用いられる半導体チップ１を形成するために、ダイシング装置は、図６に示すように、ウエハ１１に対するダイシングブレード２３ｃの切り込み深さを、上述した図５に示すダイシングブレード２３ｃの切り込み深さよりも浅くしてウエハ１１を完全に切断してもよい。ダイシング装置は、ウエハ１１の切断とともに個片化された角錐台状の半導体チップ１の側面１ｃから外方に突出する突部１ａａを比較的簡単に形成することもできる。
【００５６】
言い換えれば、半導体装置１０は、ダイシング工程において、断面が凸状の刃先部２３ｃａを備えたダイシングブレード２３ｃを用いて刃先部２３ｃａの先端がウエハ１１の一表面１１ｄから他表面１１ｅまで切断するにあたり、刃先部２３ｃａの一部をウエハ１１側に残した状態でウエハ１１をフルカットする。これにより、ダイシング装置は、ダイシングブレード２３ｃの上記一部が引掛部１ａたる突部１ａａを形成することができる。
【００５７】
こうして形成された半導体チップ１は、外形形状を角錐台状として半導体チップ１の側面１ｃにおける実装基体２側の端部を引掛部１ａとして利用するものだけの半導体チップ１と比較して、半導体チップ１の側面１ｃから突出する突部１ａａを備えることにより、半導体チップ１の側面形状を用いた引っ掛かりを持たせることで、伸張方向への接着強度をより高めることが可能となる。
【００５８】
本実施形態の半導体装置１０の製造方法では、図５や図６に示すように、いずれも引掛部１ａを半導体チップ１の個片化の工程とは別途に形成する工程が必要となることもなく、半導体チップ１の個片化と同時に引掛部１ａを形成することが可能となる。
【００５９】
（実施形態３）
本実施形態の半導体装置１０は、図１に示す実施形態１の直方体状の半導体チップ１の側面１ｃから突出する突出部１ａａの形状を、図７に示すように、フック形状とした点が相違する。なお、図中において実施形態１と同じ部材に対しては、同じ番号を付して説明を省略している。
【００６０】
以下、本実施形態の半導体装置１０を、図７を用いて説明する。
【００６１】
本実施形態の半導体装置１０は、図７に示すように、半導体チップ１と、半導体チップ１をダイボンド材３により固定する実装基体２とを備えている。半導体装置１０の半導体チップ１は、半導体チップ１の側面１ｃにおける実装基体２側の端部に、ダイボンド材３に埋設してダイボンド材３を引掛ける引掛部１ａを有している。
【００６２】
本実施形態の半導体装置１０の半導体チップ１は、たとえば、直方体状に形成されている本体部１ｂと、半導体チップ１の側面１ｃにおける実装基体２側の端部で半導体チップ１の側面１ｃから外方に突出する突部１ａａとを備えている。本実施形態の半導体装置１０における半導体チップ１の突部１ａａは、断面視において、半導体チップ１の突部１ａａがダイボンド材３を引き掛けるフック形状としている（図７（ｂ）を参照）。フック形状の突部１ａａは、半導体チップ１の側面１ｃから外方に突出してダイボンド材３を保持する保持部１ｂａと、実装基体２とは反対側に向かって延設されダイボンド材３を係止する係止部１ｂｂとを備えている。
【００６３】
ここで、突部１ａａの保持部１ｂａは、平面視において、半導体チップ１の矩形状の本体部１ｂにおける側面１ｃの全周にわたって矩形枠状に突出している（図７（ａ）を参照）。保持部１ｂａは、半導体チップ１における実装基体２側の底面が、本体部１ｂの底面と同一平面となっており、半導体チップ１の厚み方向に所定の厚みを備えている。
【００６４】
半導体装置１０は、半導体チップ１の突部１ａａを、実装基体２上に塗布された硬化前のダイボンド材３の基礎となる材料に埋設するように押し込み、材料を硬化させることにより、ダイボンド材３に埋設して固定している。
【００６５】
これにより、半導体装置１０の半導体チップ１は、半導体チップ１とダイボンド材３との界面における接着だけでなく、ダイボンド材３に埋設された引掛部１ａたる突部１ａａにより半導体チップ１がダイボンド材３に機械的に固定することができる。したがって、本実施形態の半導体装置１０は、比較的簡単な構成で、実装基体２上のダイボンド材３に固定された半導体チップ１とダイボンド材３との接着強度をより向上させることが可能となる。特に、本実施形態の半導体装置１０は、半導体チップ１の突部１ａａが係止部１ｂｂを備えていることにより、半導体チップ１とダイボンド材３とを、より強固に固着させることが可能となる。
【００６６】
なお、本実施形態の別の半導体装置１０における半導体チップ１は、図示していないが、矩形状の本体部１ｂから突出した突部１ａａの係止部１ｂｂにおける四隅を切欠いた切欠部を有したものでもよい。半導体装置１０は、ダイボンド工程において、半導体チップ１をダイボンド材３の基礎となる材料中に押圧したときに、材料が切欠部から保持部１ｂａに這いやがり易くさせることが可能となる。そのため、本実施形態の半導体装置１０は、ダイボンド工程におけるダイボンド実装時間を短縮させて、量産性を向上させることもできる。
【符号の説明】
【００６７】
１  半導体チップ
１ａ  引掛部
１ａａ  突部
１ｃ  側面
２  実装基体
３  ダイボンド材
１０  半導体装置
１１  ウエハ
１１ａ，１１ｂ  ダイシング溝
１１ｄ  一表面
１１ｅ  他表面
２３，２３ａ，２３ｂ，２３ｃ  ダイシングブレード
２３ａａ，２３ｃａ  刃先部
【図１】
2013004528.tif 000003
【図２】
2013004528.tif 000004
【図３】
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【図４】
2013004528.tif 000006
【図５】
2013004528.tif 000007
【図６】
2013004528.tif 000008
【図７】
2013004528.tif 000009