(57)【要約】【課題】切断部の品質に優れ、切断に必要なシリコン基板上の領域を最小限にし、かつダイシングによる切断を行う際に使用される切削水が半導体素子に浸入することがない半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板１０上に、半導体素子部を相互に隣接するように複数配置する工程と、シリコン基板１０とガラス基板１３とを樹脂１４を用いて貼り合わせる工程と、樹脂１４が設けられている領域において、シリコン基板１０とガラス基板１３とをそれぞれ切断する工程と、を有し、シリコン基板１０とガラス基板１３とをそれぞれ切断する工程が、ダイシングによってシリコン基板１０をハーフカットする工程と、スクライブによってガラス基板１３をカットする工程と、シリコン基板１０と、ガラス基板１３と、樹脂１４と、を分断する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図４
2013122984.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に設けられる半導体素子部と、
前記半導体素子部を封止する封止部材と、から構成され、
前記封止部材が、前記シリコン基板であって前記半導体素子が設けられる面において前記シリコン基板と対向するように設けられるガラス基板と、前記シリコン基板と前記ガラス基板とを接着する樹脂と、を含む半導体素子の製造方法であって、
シリコン基板上に、半導体素子部を相互に隣接するように複数配置する工程と、
前記シリコン基板とガラス基板とを樹脂を用いて貼り合わせる工程と、
前記樹脂が設けられている領域において、前記シリコン基板と前記ガラス基板とをそれぞれ切断する工程と、を有し、
前記シリコン基板と前記ガラス基板とをそれぞれ切断する工程が、ダイシングによって前記シリコン基板をハーフカットする工程と、
スクライブによって前記ガラス基板をカットする工程と、
前記ダイシング及び前記スクライブを行った後、前記シリコン基板と、前記ガラス基板と、前記樹脂と、を分断する工程と、を含むことを特徴とする、半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン基板をハーフカットする工程の後、前記シリコン基板を分断してから、前記ガラス基板をカットする工程を行うことを特徴とする、請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ディスプレイ等の表示装置に搭載する表示素子として、反射型液晶表示素子（ＬＣＯＳ）、有機発光素子（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子）等が現在盛んに研究開発されている。ここでＬＣＯＳや有機発光素子を製造する際に、素子が設けられている基板（例えば、シリコン基板）を、接着剤になる樹脂を用いてガラス基板等の封止基板と貼り合わせる工程、即ち、封止工程が含まれることがある。
【０００３】
ＬＣＯＳであれば上記封止工程において、シリコン基板とガラス基板とを貼り合わせるだけでなくシリコン基板とガラス基板との間に液晶材料を充填することになる。つまり、シリコン基板とガラス基板とを、各基板の周縁部に配される樹脂シール材によって貼り合わせ、この両基板間のうち前記樹脂シール材より内側の部分について液晶材料が充填される。また、有機ＥＬ素子であれば有機ＥＬ素子を外気から遮断する目的で上記封止工程が行われる。つまり、シリコン基板（基板）とガラス基板（封止基板）とを少なくとも発光領域の全面を覆うように充填樹脂によって貼り合わせて、有機発光素子をシリコン基板とガラス基板と充填樹脂とで囲い込んで大気中の酸素や水分から有機発光素子を保護している。
【０００４】
ところで、半導体素子を製造する際には、生産効率の観点から半導体素子が複数配置されているマザー基板が使用されている。このマザー基板を使用して半導体素子を製造する際には、具体的には、下記（ａ）乃至（ｃ）に示されるプロセスを経て半導体素子が作製される。
（ａ）マザー基板上に半導体素子を複数作製する工程
（ｂ）樹脂を用いて上記マザー基板と上記マザー基板とほぼ同じ大きさのガラス基板（封止基板）とを貼り合わせて一体化させることでマザー基板上に設けられている半導体素子の全てを封止する工程
（ｃ）上記マザー基板及び上記ガラス基板を切断することで半導体素子を素子１個単位で分断する工程
【０００５】
ところで、マザー基板であるシリコン基板と封止基板であるガラス基板とが樹脂によって貼り合わされたものを分断する方法としては、例えば、ダイシングによるシリコン基板、ガラス基板及び樹脂の一括切断が知られている。
【０００６】
ここでダイシングによってシリコン基板、ガラス基板及び樹脂を同時に切断する場合、使用されるダイシングブレードが樹脂に当たることによって目詰まりが生じる。この目詰まりによって、ダイシング品質の低下（特に、チッピングの増加）が顕著になる。このためダイシング品質を一定のレベルに維持するためにはダイシングブレードの交換頻度を増加させる必要がある。また、シリコンとガラスとの双方を切断することが可能なダイシングブレードは、一般に、シリコン専用として使用されるダイシングブレードよりもブレードの厚みが大きいという性質がある。このため、シリコン基板を切断するのに必要なシリコン基板上の領域（切断ストリート）が大きくなり半導体素子の取り個数の減少につながる。
【０００７】
さらに、シリコン基板とガラス基板との間に樹脂がない部分にダイシングを行うと、ダイシング時に使用される切削水が切削粉と共に浸入し、シリコン基板上に設けられている素子が切削粉で汚染されるという問題も生じ得る。
【０００８】
以上に説明した基板の切断の際に生じる課題を解決する方法として、特許文献１では、樹脂がある部分についてシリコン基板とガラス基板とを切断する際に、その切断方法を換えて行う方法が提案されている。具体的には、ガラス基板と樹脂とを全てダイシングで切断する一方で、シリコン基板をダイシングでハーフカットする方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−１６４９８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、特許文献１にて提案された方法でも樹脂自体をダイシングで切断することには変わりなく、従来技術と同様に上記ダイシング品質の低下は避けられない。また、ガラス基板と樹脂とを全てダイシングで切断するためには、シリコン基板の樹脂との界面もある程度ダイシングする必要があり、上述したシリコンとガラスとの双方を切断できるダイシングブレードを用いなければならない。さらに、切断部の一部に樹脂が存在しない部分があった場合では樹脂が存在しない部分に切削水が浸入することになる。
【００１１】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものである。本発明の目的は、切断部の品質に優れ、切断に必要なシリコン基板上の領域を最小限にし、かつダイシングによる切断を行う際に使用される切削水が半導体素子に浸入することがない半導体素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の半導体素子の製造方法は、シリコン基板と、
前記シリコン基板上に設けられる半導体素子部と、
前記半導体素子部を封止する封止部材と、から構成され、
前記封止部材が、前記シリコン基板であって前記半導体素子が設けられる面において前記シリコン基板と対向するように設けられるガラス基板と、前記シリコン基板と前記ガラス基板とを接着する樹脂と、を含む半導体素子の製造方法であって、
シリコン基板上に、半導体素子部を相互に隣接するように複数配置する工程と、
前記シリコン基板とガラス基板とを樹脂を用いて貼り合わせる工程と、
前記樹脂が設けられている領域において、前記シリコン基板と前記ガラス基板とをそれぞれ切断する工程と、を有し、
前記シリコン基板と前記ガラス基板とをそれぞれ切断する工程が、ダイシングによって前記シリコン基板をハーフカットする工程と、
スクライブによって前記ガラス基板をカットする工程と、
前記ダイシング及び前記スクライブを行った後、前記シリコン基板と、前記ガラス基板と、前記樹脂と、を分断する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、切断部の品質に優れ、切断に必要なシリコン基板上の領域を最小限にし、かつダイシングによる切断を行う際に使用される切削水が半導体素子に浸入することがない半導体素子の製造方法を提供することができる。
【００１４】
つまり本発明の半導体素子の製造方法は、樹脂をダイシングすることがないため、ダイシングブレードへの樹脂の目詰まりがなく、切断部の品質、特に、シリコン基板のチッピングを少なくすることができる。
【００１５】
また本発明の半導体素子の製造方法は、ダイシングの際に、シリコン基板専用のダイシングブレードを用いることができるため薄いブレードを用いることができる。従って、切断に必要なシリコン基板上の領域を最小限にすることができる。
【００１６】
さらに、ダイシングの際に、樹脂がない領域についてシリコン基板を切断しても、ダイシングの際に使用される切削水がシリコン基板とガラス基板との間に浸入することがないので、樹脂のある部分とない部分で切断方法を変える必要がない。このため工程を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の半導体素子の製造方法によって製造される半導体素子の例を示す斜視図である。
【図２】図１の半導体素子を製造する際に使用される貼付基板の具体例を示す平面模式図である。
【図３】図２中の囲み領域を示す部分拡大図である。
【図４】（ａ）は、図３中のＸ−Ｘ’断面を示す断面模式図であり、（ｂ）は、切断後の様子を示す断面模式図である。
【図５】（ａ）は、図３中のＹ−Ｙ’断面を示す断面模式図であり、（ｂ）は、切断後の様子を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の製造方法は、シリコン基板と、このシリコン基板上に設けられる半導体素子部と、当該半導体素子部を封止する封止部材と、から構成される半導体素子を製造する方法である。
【００１９】
また本発明において、封止部材は、前記シリコン基板であって前記半導体素子が設けられる面において上記シリコン基板と対向するように設けられるガラス基板と、上記シリコン基板と上記ガラス基板とを接着する樹脂と、を含んでいる。
【００２０】
ここで本発明の半導体素子の製造方法は、下記（１）乃至（３）の工程を有している。
（１）シリコン基板上に、半導体素子部を相互に隣接するように複数配置する工程（半導体素子部の形成工程）
（２）シリコン基板とガラス基板とを樹脂を用いて貼り合わせる工程（貼付工程）
（３）上記樹脂が設けられている領域において、シリコン基板とガラス基板とをそれぞれ切断する工程（基板切断工程）
【００２１】
また本発明においては、上記（３）の工程である基板切断工程が、下記工程（３−１）乃至（３−３）を含んでいる。
（３−１）ダイシングによって上記シリコン基板をハーフカットする工程
（３−２）スクライブによって上記ガラス基板をカットする工程
（３−３）上記ダイシング及び上記スクライブを行った後、上記シリコン基板と、上記ガラス基板と、上記樹脂と、を分断する工程
【００２２】
尚、本発明においては、上記工程（３−１）を行った後、上記シリコン基板を分断してから、上記工程（３−２）を行うのが好ましい。
【００２３】
ところで本発明の製造方法によって製造される半導体素子とは、無機半導体又は有機半導体から構成される部材を有する電子素子をいうものである。またこの半導体素子には、無機半導体から構成される部材及び有機半導体から構成される部材を有する電子素子、並びに無機半導体と有機半導体とを組み合わせてなる部材を有する電子素子も当然に含まれる。具体的には、有機発光素子、ＬＣＯＳ等が挙げられる。
【００２４】
以下、適宜図面を参照しながら、本発明の半導体素子の製造方法の実施形態について説明する。尚、本発明は上述した趣旨を逸脱しない限り、以下に説明する実施形態はあくまでも本発明の実施形態の一例であり、本発明はこれら実施形態に限られることはなく、種々の応用・変形が可能である。
【実施例１】
【００２５】
図１は、本発明の半導体素子の製造方法によって製造される半導体素子の例を示す斜視図である。尚、図１に示される半導体素子１として、例えば、有機発光素子が挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２６】
図１の半導体素子１は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上であってシリコン基板１０の中央部に設けられている表示部１１と、シリコン基板１０上であってシリコン基板１０のある一辺の縁部に設けられている電極パッド１２を有している。
【００２７】
また図１の半導体素子１において、表示部１１は、ガラス基板１３と、樹脂１４とによって封止されている。尚、本発明において、封止とは、例えば図１に示されるように、表示部１１上及びこの表示部１１の周辺のシリコン基板１０上に樹脂１４を塗布した上でシリコン基板１０とガラス基板１３とを貼り合わせることをいう。ただし本発明において、封止の具体的態様は図１に示される態様に限定されるものではない。例えば、窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気下で、表示部１１の周辺のシリコン基板１０上にのみ選択的に樹脂１４を塗布した上でシリコン基板１０とガラス基板１３とを貼り合わせる態様であってもよい。つまり、封止の際に使用される樹脂１４は、必ずしも表示部１１上に塗布される必要はない。
【００２８】
一方、図１の半導体素子１において、電極パッド１２には、ワイヤーボンディング等を利用して外部からの配線が接続される。このため、電極パッド１２上には封止部材となるガラス基板１３はなるべく除去する必要があるので、電極パッド１２上に樹脂１４が設けられないようにする必要がある。
【００２９】
ところで、図１の半導体素子１を複数製造する際には、生産効率の観点から、大きいサイズのシリコン基板（マザー基板）に表示部を複数形成し、ガラス基板と樹脂とを用いて各表示部をそれぞれ封止してから素子１個単位で切断する方法が採用される。
【００３０】
図２は、図１の半導体素子を製造する際に使用される貼付基板の具体例を示す平面模式図である。尚、図２において、図１の半導体素子と同一の部材については同一の符号が付けられている。図２に示される貼付基板１５は、円形状のシリコン基板１０と、このシリコン基板１０と同じ形状のガラス基板１３と、シリコン基板１０とガラス基板１３とを貼り合わせるための樹脂１４と、が含まれている。また図２中のシリコン基板１０上には、図１の半導体素子を構成する表示部（不図示）と、電極パッド（不図示）と、がそれぞれ所定の領域に複数設けられている。ところで、図２の貼付基板１５において、樹脂１４は、シリコン基板１０上の全面にわたって塗布されているわけではなく、図１の半導体素子を構成する電極パッド（不図示）及びその周辺の領域、具体的には、符号１６の領域を避けて塗布されている。このように樹脂１４の塗布領域を制限することによって、図１の半導体素子１を構成する電極パッド１２上に樹脂１４が塗布されることはない。
【００３１】
次に、図２の貼付基板１５の作製を経て図１の半導体素子１を製造するプロセスについて説明する。
【００３２】
（１）半導体素子部の形成工程
まずシリコン基板１０上に、半導体素子部を、相互に隣接するように複数配置する。ここで半導体素子部というのは、図１の半導体素子を構成し、シリコン基板１０上に形成される表示部１１や電極パッド１２等の部材の集合体を言うものである。また後述する切断線ＬA、ＬBを境界線として、構成部材やその部材の配置態様が同じである半導体素子部を複数設けることにより、シリコン基板１０上に設けられている複数の半導体素子部が相互に隣接するように配置されることになる。
【００３３】
（２）貼付工程
次に、シリコン基板１０とガラス基板１３とを樹脂１４を用いて貼り合わせる。貼り合わせの方法としては、特に限定されないが、上述したように、半導体素子を構成する電極パッド（不図示）及びその周辺の領域を避けて樹脂１４を塗布した上でシリコン基板１０とガラス基板１３とを貼り合わせる。
【００３４】
この工程にて使用される樹脂は、シリコン基板１０とガラス基板１３との貼り合わせを行った後で硬化する樹脂の方が、次の工程で行われる基板の分断が容易に行えるので好ましい。本工程（貼付工程）で使用される好適な樹脂としては、熱硬化型エポキシ樹脂、熱硬化型アクリル樹脂、紫外線硬化型エポキシ樹脂、紫外線硬化型アクリル樹脂等が挙げられる。
【００３５】
（３）基板切断工程
次に、樹脂が設けられている領域において、シリコン基板とガラス基板とをそれぞれ切断する。ここでシリコン基板とガラス基板とをそれぞれ切断する際には、例えば、図２に示されている三種類の切断線、即ち、ＬA、ＬB、ＬCに沿ってシリコン基板１０、ガラス基板１３又は樹脂１４を切断する。具体的には、切断線ＬAにおいてシリコン基板１０、ガラス基板１３及び樹脂１４をそれぞれ切断する。また切断線ＬBにおいてシリコン基板１０及びガラス基板１３をそれぞれ切断する。さらに切断線ＬCにおいてガラス基板１３のみを切断する。これにより、図２に示される貼付基板１５から少なくとも５４個の半導体素子１が得られる。また樹脂１４が設けられている領域にてシリコン基板とガラス基板とをそれぞれ切断するため、シリコン基板又はガラス基板の切断の際に、ガラス基板１３と樹脂１４とで封止されている半導体素子に含まれている表示部（図２では不図示）が露出する可能性が低減される。
【００３６】
ここで図面を適宜参照しながらシリコン基板及びガラス基板の切断の具体的な方法を詳細に説明する。図３は、図２中の囲み領域（符号２）を示す部分拡大図である。また図４（ａ）は、図３中のＸ−Ｘ’断面を示す断面模式図であり、図４（ｂ）は、切断後の様子を示す断面模式図である。さらに図５（ａ）は、図３中のＹ−Ｙ’断面を示す断面模式図であり、図５（ｂ）は、切断後の様子を示す断面模式図である。
【００３７】
ところで本発明においては、上記（３）の工程である基板切断工程が、下記工程（３−１）乃至（３−３）を含んでいる。
（３−１）ダイシングによってシリコン基板をハーフカットする工程
（３−２）スクライブによってガラス基板をカットする工程
（３−３）上記ダイシング及び上記スクライブを行った後、貼付基板に含まれるシリコン基板と、ガラス基板と、樹脂と、を分断する工程
【００３８】
本実施例において、ダイシングによるシリコン基板のハーフカットが行われるのは、図３で示される切断線ＬA及びＬBである。尚、ダイシングが行われるのは、２面あるシリコン基板１０の面のうちガラス基板１３と対向する側の面とは反対側の面である。
【００３９】
ダイシングによるシリコン基板１０のハーフカットを行う場合、シリコン基板１０に付与するハーフカットの深さは、応力をかければシリコン基板１０を分断できる深さであれば特に制限はない。ただ分断の位置精度を高めるために、シリコン基板１０に付与するハーフカットの深さはなるべく深いほうが好適である。例えば、シリコン基板１０の厚さからシリコン基板１０に付与するハーフカット深さを引いたハーフカット残し量は、２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上７５μｍ以下であることがより好ましい。尚、ハーフカット残し量が１００μｍを超えると、シリコン基板１０の分断が困難になると同時に分断位置のばらつきが大きくなることがある。これにより、切断ストリートの増加につながる可能性がある。一方、ハーフカット残し量が２０μｍ未満の場合は、ダイシング時や基板のハンドリング時にシリコン基板１０が容易に割れてしまうことがある。
【００４０】
図４（ａ）及び図５（ａ）に示されるようにダイシングによるシリコン基板１０のハーフカットを行う場合、使用するダイシングブレード２１の厚みは、チッピングを抑制して切断に必要なシリコン基板１０の領域を最小限にするために薄いほうが望ましい。ただしダイシングブレード２１の厚みがあまりにも薄いと、ブレード自体の耐久性が不足してダイシングを行う際にブレードが破損する原因になる。本発明において使用されるダイシングブレード２１の厚みは、好ましくは、１５μｍ以上６０μｍ以下であり、より好ましくは、２５μｍ以上５０μｍ以下である。
【００４１】
例えば、厚さ３４μｍのダイシングブレード２１を用いた場合、チッピングを含めたシリコン基板１０の切断領域の幅を７０μｍ以下にすることは可能である。
【００４２】
本実施例において、図４（ａ）及び図５（ａ）に示されるスクライブ２２によるガラス基板１３のカットが行われるのは、図３で示される切断線ＬA、ＬB及びＬCである。ここでガラス基板をスクライブ２２によってカットする際に、スクライブ２２によって生ずる垂直クラックをなるべく深く進行させることが望ましい。例えば、三星ダイヤモンド工業社製のスクライビングホイールＰｅｎｅｔｔ（登録商標）を使用することで垂直クラックをなるべく深く進行させることができる。尚、切断線ＬCにおけるガラス基板１３のスクライブは、切断線ＬA、ＬBでガラス基板１３を分断する前に行ってもよいし、分断後に行ってもよい。
【００４３】
シリコン基板１０のハーフカット及びガラス基板１３のカットが終わった後、ハーフカットを入れた箇所（２１ａ、２１ｂ）又はカットを入れた箇所（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）においてシリコン基板１０、ガラス基板１３及び樹脂１４をそれぞれ分断する。具体的には図４（ｂ）や図５（ｂ）に示されるように、切断線（ＬA、ＬB）において、ガラス基板１３側から（シリコン基板１０へ向けて）押圧してシリコン基板１０のハーフカット溝が広がる方向に応力を与える。これにより、シリコン基板１０のチッピングを抑制しながらシリコン基板１０、ガラス基板１３及び樹脂１４をそれぞれ分断することが可能である。
【００４４】
本実施例においては、各切断線（ＬA、ＬB、ＬC）において下記表１に示される加工が施されており、各切断線において、シリコン基板１０、ガラス基板１３及び樹脂１４のいずれかが分断されることになる。
【００４５】
【表１】
2013122984.tif 000003
【００４６】
以上の工程を経て、図１に示される切断部の品質に優れた半導体素子を作製することができる。
【実施例２】
【００４７】
本実施例は、実施例１において、ダイシングによってシリコン基板をハーフカットした後、シリコン基板１０を分断してからスクライブによるガラス基板のカットを行ったことを除いては、実施例１と同様の方法で半導体素子を作製している。具体的には、シリコン基板をダイシングによりハーフカットした後、ハーフカット溝が広がる方向に応力を与えてシリコン基板１０のうち上記ハーフカットの処理が施されなかった部分について厚み方向に亀裂を生じさせてシリコン基板１０を分断する。その後、ガラス基板１３をスクライブする。これ以外は第一の実施形態（実施例１）と同様である。
【００４８】
以上説明したように、スクライブを行う前にシリコン基板１０を分断することによって、シリコン基板１０のチッピングをさらに抑制することが可能となる。このため、切断部の品質がより高い半導体素子を得ることができる。
【００４９】
［比較例１］
実施例１において、切断線ＬA及びＬBにてダイシングを行う際に、貼付基板１５をフルカットした。即ち、シリコン基板１０と樹脂１４とガラス基板１３とを含む貼付基板１５の全体の厚さよりもやや深くダイシングブレードをガラス基板側から入れてシリコン基板１０と樹脂１４とガラス基板１３とがそれぞれ完全に分断されるようにダイシングした。その後、切断線ＬCにおいてスクライブを行いガラス基板１３の切断を行った。以上を除いては、実施例１と同様の方法で半導体素子を作製している。
【００５０】
得られた半導体素子を評価したところ、ダイシング時の切削水の一部がシリコン基板１０とガラス基板１３との間に浸入していたために、電極パッド１２上に切削粉の付着が認められた。その結果、基板切断工程後に行われるパッドワイヤーボンディングによる電極パッド１２への実装工程において、ボンディング不良（接触不良）が発生した。
【００５１】
また、シリコン基板とガラス基板とを同時にダイシングするためのブレードの厚みが１００μｍであるためチッピングが大きくなり、切断に必要なシリコン基板の領域の幅は１５０μｍであった。
【００５２】
［比較例２］
実施例１において、切断線ＬA及びＬBにてガラス基板１３を切断する際に、ダイシングを利用した。即ち、ダイシングによってシリコン基板１０をハーフカットした後、切断線ＬA及びＬBにおいて、ダイシングによってガラス基板をハーフカットした。以上を除いては、実施例１と同様の方法で半導体素子を作製している。
【００５３】
得られた半導体素子を評価したところ、ガラス基板が所望の位置（切断線ＬA、ＬB）で分断されない場合があることが判明した。これは、シリコン基板１０とガラス基板１３とを同時に分断する際、シリコン基板１０に施されたハーフカット溝が広がる方向に応力を与えると、ガラス基板１３に施されたハーフカット溝が狭くなる方向に応力が加わることになる。このようにハーフカット溝が狭くなるように応力が働いた状態で分断する場合、ガラス基板１３の分断の際に生じたクラックがハーフカット溝よりも外側に向かって進行する場合があり、これが分断位置のばらつきの原因と考えられる。
【００５４】
以上より、本発明によれば、従来と比べて切断部の品質に優れる有機ＥＬ表示素子等の半導体素子を作製することができる。ここで切断部の品質に優れるとは、具体的には、シリコン基板のチッピング抑制、切断に必要なシリコン基板上の領域削減、シリコン基板とガラス基板の間へのダイシング時切削水の浸入防止、ガラス基板の分断位置精度向上が挙げられる。
【符号の説明】
【００５５】
１：半導体素子、１０：シリコン基板、１１：表示部、１２：電極パッド、１３：ガラス基板、１４：樹脂、１５：貼付基板、２１：ダイシングブレード、２２：スクライビングホイール
【図１】
2013122984.tif 000004
【図２】
2013122984.tif 000005
【図３】
2013122984.tif 000006
【図４】
2013122984.tif 000007
【図５】
2013122984.tif 000008