(57)【要約】【課題】界面活性剤を用いつつも、仕上がりにバラツキが少なく、処理液面に浮遊するパーティクルによる汚染を防止できる。【解決手段】制御部４５は、内槽３に処理液を供給させ、基板Ｗを処理位置に位置させて基板Ｗに処理液による処理を行わせる。制御部４５は、リフタ２７を引き上げ位置に上昇させる際に、滴下ノズル３５から界面活性剤を処理液面に滴下させる。界面活性剤の表面拡散作用によりパーティクルは表面張力が大きな領域に引き寄せられて外部へ排出される。その後、リフタ２７を引き上げ位置に上昇させることにより、パーティクルがほぼ除去された処理液面を基板Ｗが引き上げられるので、処理液面に浮遊するパーティクルによる基板Ｗの汚染を防止できる。また、界面活性剤は、基板Ｗの引き上げ前に滴下されるだけなので、処理液による処理に影響を与えにくく、仕上がりのバラツキを少なくできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液に基板を浸漬させて基板に対する処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
複数枚の基板を支持可能であって、前記処理槽の上方にあたる引き上げ位置と、前記処理槽の内部にあたる処理位置とにわたって昇降するリフタと、
前記処理槽に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理槽に貯留している処理液の液面に界面活性剤を滴下する滴下手段と、
前記処理液供給手段から前記処理槽に処理液を供給させ、前記リフタにより基板を処理位置に位置させ、基板に対して処理液による処理を行わせた後、前記リフタを引き上げ位置に上昇させる際に、前記滴下手段から界面活性剤を滴下させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記リフタを処理位置から上昇させ始めた後、基板の上縁が処理液面から所定高さだけ露出した時点で上昇を停止させ、その状態で前記滴下手段から界面活性剤を滴下させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、界面活性剤を滴下させた後、前記リフタを下降させて、処理液面から露出した基板の上縁を処理液面下に再び浸漬させてから引き上げ位置まで上昇させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記リフタを上昇させて基板の上縁が処理液面から露出するまでに、前記滴下手段から界面活性剤を滴下させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記滴下手段は、前記リフタに支持された複数枚の基板の整列方向であって、整列方向と直交する方向における基板の中央部に位置するノズル本体と、前記ノズル本体の下面であって、前記複数枚の基板の間に界面活性剤を滴下する吐出口と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記滴下手段は、前記処理槽に貯留している処理液の液面全体における中央部に吐出口が位置するノズル本体を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理液を加熱する加熱手段をさらに備え、
前記滴下手段は、前記加熱手段で加熱された処理液の温度より低い沸点を有する界面活性剤を滴下することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記滴下手段は、直鎖型アルコールの界面活性剤を滴下することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
処理液に基板を浸漬させて基板に対する処理を行う基板処理方法において、
複数枚の基板を支持しているリフタを、処理液を貯留している処理槽の上方にあたる引き上げ位置から、処理槽の内部にあたる処理位置に複数枚の基板を位置させて、基板を処理液に浸漬させる処理過程と、
リフタを処理位置から引き上げ位置に上昇させる際に、処理槽に貯留している処理液の液面に界面活性剤を滴下する滴下過程と、
を実施することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理方法において、
前記滴下過程は、リフタで上昇されてゆく基板の上縁が、処理液面から所定高さだけ露出した時点でリフタの上昇を停止させる過程と、その状態で界面活性剤を滴下する過程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理方法において、
前記界面活性剤を滴下する過程の後、リフタを下降させて、処理液面から露出した基板の上縁を処理液面下に再び浸漬させてから引き上げ位置まで上昇させる上昇過程を実施することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の基板処理方法において、
前記滴下過程は、リフタを上昇させて基板の上縁が処理液面から露出するまでに実施されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
請求項９から１２のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記滴下過程は、複数枚の基板の整列方向と直交する方向における基板の中央部であって、各基板の間に界面活性剤を滴下することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
請求項９から１２のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記滴下過程は、処理槽に貯留している処理液の液面全体における中央部に界面活性剤を滴下することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１５】
請求項９から１４のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記処理過程の前に処理液を加熱する加熱過程をさらに備え、
前記界面活性剤は、処理液の温度より低い沸点を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１６】
請求項９から１５のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記界面活性剤は、直鎖型アルコールであることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板（以下、単に基板と称する）に対して、処理液によって処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に係り、特に、処理液に対して基板を浸漬させて処理する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、内槽と、外槽と、純水供給管と、添加剤供給管とを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。内槽は、純水供給管から純水を供給されるとともに、添加剤供給管から界面活性剤が供給される。内槽から溢れた純水は、外槽で回収される。
【０００３】
このように構成された基板処理装置は、界面活性剤が添加された純水を内槽に貯留した状態で、純水中に基板を浸漬させることにより、基板に対する洗浄処理を行っている。純水には界面活性剤が添加されるので、基板の濡れ性が向上し、基板から離脱したパーティクルが基板に再付着することを低減できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２６５８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、処理液に界面活性剤を添加して基板を処理するので、界面活性剤が蓄積して処理液の濃度管理が困難になる。したがって、基板の仕上がりに大きなバラツキが生じることがあるという問題がある。
【０００６】
また、基板から離脱したパーティクル等は、内槽から外槽への液流によって排出されるが、完全に排出されずに液面に浮遊して滞留するパーティクルが存在する。したがって、基板を内槽から引き上げる際に、液面のパーティクルにより基板が汚染されることがある問題もある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、界面活性剤を用いつつも、仕上がりにバラツキが少なく、処理液面に浮遊するパーティクルによる汚染を防止できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、処理液に基板を浸漬させて基板に対する処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、複数枚の基板を支持可能であって、前記処理槽の上方にあたる引き上げ位置と、前記処理槽の内部にあたる処理位置とにわたって昇降するリフタと、前記処理槽に処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理槽に貯留している処理液の液面に界面活性剤を滴下する滴下手段と、前記処理液供給手段から前記処理槽に処理液を供給させ、前記リフタにより基板を処理位置に位置させ、基板に対して処理液による処理を行わせた後、前記リフタを引き上げ位置に上昇させる際に、前記滴下手段から界面活性剤を滴下させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００９】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、制御手段は、処理液供給手段から処理槽に処理液を供給させ、リフタにより基板を処理位置に位置させて基板に対して処理液による処理を行わせる。これにより基板から離脱したパーティクルは、処理槽から大半が排出されるが、処理液面に浮遊するものも存在する。その後、制御手段は、リフタを引き上げ位置に上昇させる際に、滴下手段から界面活性剤を処理液面に滴下させる。これにより処理液面には、界面活性剤が滴下されて表面張力が小さくなる領域と、それ以外の表面張力が大きなままの領域とが存在することになるので、表面拡散作用によりパーティクルは表面張力が大きな領域に引き寄せられて処理槽の外部へ排出される。その後、リフタを引き上げ位置に上昇させることにより、パーティクルがほぼ除去された処理液面を基板が引き上げられるので、処理液面に浮遊するパーティクルによる基板の汚染を防止できる。また、界面活性剤は、基板の引き上げ前に滴下されるだけなので、処理液による処理に影響を与えにくく、仕上がりのバラツキを少なくできる。
【００１０】
本発明において、前記制御手段は、前記リフタを処理位置から上昇させ始めた後、基板の上縁が処理液面から所定高さだけ露出した時点で上昇を停止させ、その状態で前記滴下手段から界面活性剤を滴下させることが好ましい（請求項２）。
【００１１】
基板の上縁が整流作用を生じるので、滴下された界面活性剤が拡がる方向を所定の方向に合わせることができる。したがって、表面拡散作用によるパーティクルの排出を効率的にできる。
【００１２】
本発明において、前記制御手段は、界面活性剤を滴下させた後、前記リフタを下降させて、処理液面から露出した基板の上縁を処理液面下に再び浸漬させてから引き上げ位置まで上昇させることが好ましい（請求項３）。
【００１３】
基板の上縁にはパーティクルや界面活性剤が付着している恐れがあるので、処理液面下に一旦下降させることにより、そのパーティクルや界面活性剤を除去することができる。なお、液面下で上昇と下降とを複数回繰り返し行うようにしてもよい。
【００１４】
また、本発明において、前記制御手段は、前記リフタを上昇させて基板の上縁が処理液面から露出するまでに、前記滴下手段から界面活性剤を滴下させることが好ましい（請求項４）。
【００１５】
基板が処理液面から露出し始める前に界面活性剤を滴下するので、処理液面に表面拡散作用を生じさせて、処理液面に浮遊するパーティクルを排出させることができる。
【００１６】
また、本発明において、前記滴下手段は、前記リフタに支持された複数枚の基板の整列方向であって、整列方向と直交する方向における基板の中央部に位置するノズル本体と、前記ノズル本体の下面であって、前記複数枚の基板の間に界面活性剤を滴下する吐出口と、を備えていることが好ましい（請求項５）。
【００１７】
ノズル本体の各吐出口から界面活性剤を滴下することで、各基板の間であって、基板面の中央部に界面活性剤を滴下できる。したがって、各基板が位置する領域において均等に表面拡散作用を生じさせることができる。その結果、各基板の領域にから均等にパーティクルを排出させることができる。
【００１８】
また、本発明において、前記滴下手段は、前記処理槽に貯留している処理液の液面全体における中央部に吐出口が位置するノズル本体を備えていることが好ましい（請求項６）。
【００１９】
処理液の液面全体における中央部に界面活性剤を滴下するので、中央部から処理液の排出方向へ同心円状に表面拡散作用を生じさせて、処理液面に浮遊するパーティクルを排出させることができる。
【００２０】
また、本発明において、前記処理液を加熱する加熱手段をさらに備え、前記滴下手段は、前記加熱手段で加熱された処理液の温度より低い沸点を有する界面活性剤を滴下することが好ましい（請求項７）。
【００２１】
加熱手段で加熱された処理液の温度により界面活性剤は、表面拡散作用を生じさせた後、短時間で蒸発する。したがって、処理液の濃度に影響を与えることがない。
【００２２】
また、本発明において、前記滴下手段は、直鎖型アルコールの界面活性剤を滴下することが好ましい（請求項８）。
【００２３】
本発明における界面活性剤としては、処理に悪影響を与えないために、処理液と反応しないこと、処理液に蓄積しないために、処理液の温度よりやや低い沸点を有すること、パーティクルに対する作用速度と直進性に有利なように、処理液の表面張力との差が大きいことが好ましい。これらの条件を満たすには、水素原子以外の原子が枝分かれせずに連なっている直鎖型アルコールが界面活性剤として好適である。
【００２４】
また、請求項９に記載の発明は、処理液に基板を浸漬させて基板に対する処理を行う基板処理方法において、複数枚の基板を支持しているリフタを、処理液を貯留している処理槽の上方にあたる引き上げ位置から、処理槽の内部にあたる処理位置に複数枚の基板を位置させて、基板を処理液に浸漬させる処理過程と、リフタを処理位置から引き上げ位置に上昇させる際に、処理槽に貯留している処理液の液面に界面活性剤を滴下する滴下過程と、を実施することを特徴とするものである。
【００２５】
［作用・効果］請求項９に記載の発明によれば、処理過程では、処理液を貯留している処理槽の処理位置にリフタを移動させて基板に対する処理を行わせる。次に、滴下過程では、リフタを引き上げ位置に上昇させる際に、界面活性剤を処理液面に滴下させる。これにより処理液面には、界面活性剤が滴下されて表面張力が小さくなる領域と、それ以外の表面張力が大きなままの領域とが存在することになるので、表面拡散作用によりパーティクルは表面張力が大きな領域に引き寄せられて処理槽の外部へ排出される。その後、リフタを引き上げ位置に上昇させることにより、パーティクルがほぼ除去された処理液面を基板が引き上げられるので、処理液面に浮遊するパーティクルによる基板の汚染を防止できる。また、界面活性剤は、基板の引き上げ前に滴下されるだけなので、処理液による処理に影響を与えにくく、仕上がりのバラツキを少なくできる。
【００２６】
また、本発明において、前記滴下過程は、リフタで上昇されてゆく基板の上縁が、処理液面から所定高さだけ露出した時点でリフタの上昇を停止させる過程と、その状態で界面活性剤を滴下する過程とを含むことが好ましい（請求項１０）。
【００２７】
また、本発明において、前記界面活性剤を滴下する過程の後、リフタを下降させて、処理液面から露出した基板の上縁を処理液面下に再び浸漬させてから引き上げ位置まで上昇させる上昇過程を実施することが好ましい（請求項１１）。
【００２８】
また、本発明において、前記滴下過程は、リフタを上昇させて基板の上縁が処理液面から露出するまでに実施されることが好ましい（請求項１２）。
【００２９】
また、本発明において、前記滴下過程は、複数枚の基板の整列方向と直交する方向における基板の中央部であって、各基板の間に界面活性剤を滴下することが好ましい（請求項１３）。
【００３０】
また、本発明において、前記滴下過程は、処理槽に貯留している処理液の液面全体における中央部に界面活性剤を滴下することが好ましい（請求項１４）。
【００３１】
また、本発明において、前記処理過程の前に処理液を加熱する加熱過程をさらに備え、
前記界面活性剤は、処理液の温度より低い沸点を有することが好ましい（請求項１５）。
【００３２】
また、本発明において、前記界面活性剤は、直鎖型アルコールであることが好ましい（請求項１６）。
【発明の効果】
【００３３】
本発明に係る基板処理装置によれば、制御手段は、処理液供給手段から処理槽に処理液を供給させ、リフタにより基板を処理位置に位置させて基板に対して処理液による処理を行わせる。その後、制御手段は、リフタを引き上げ位置に上昇させる際に、滴下手段から界面活性剤を処理液面に滴下させる。これにより処理液面には、界面活性剤が滴下されて表面張力が小さくなる領域と、それ以外の表面張力が大きなままの領域とが存在することになるので、表面拡散作用によりパーティクルは表面張力が大きな領域に引き寄せられて処理槽の外部へ排出される。その後、リフタを引き上げ位置に上昇させることにより、パーティクルがほぼ除去された処理液面を基板が引き上げられるので、処理液面に浮遊するパーティクルによる基板の汚染を防止できる。また、界面活性剤は、基板の引き上げ前に滴下されるだけなので、処理液による処理に影響を与えにくく、仕上がりのバラツキを少なくできる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】滴下ノズルの平面図である。
【図３】基板処理装置の動作を示すタイムチャートである。
【図４】処理前の状態を示す模式図である。
【図５】処理中の状態を示す模式図である。
【図６】微小突出位置への引き上げ状態を示す模式図である。
【図７】微小突出位置の説明に供する図である。
【図８】滴下状態を示す模式図である。
【図９】表面拡散作用の説明に供する模式図である。
【図１０】引き上げ状態を示す模式図である。
【図１１】動作の変形例を示すタイムチャートである。
【図１２】滴下ノズルの変形例を示す平面図である。
【図１３】変形例に係る滴下ノズルを用いた倍の動作を示すタイムチャートである。
【図１４】表面拡散作用の説明に供する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図２は、滴下ノズルの平面図である。
【００３６】
実施例に係る基板処理装置は、処理槽１を備えている。この処理槽１は、複数枚の基板Ｗを収容して、これらに対する処理を行うための処理液を貯留する。また、処理槽１は、内槽３と外槽５とを備えている。内槽３は、紙面の奥手前方向に整列された複数枚の基板Ｗを収容する。外槽５は、内槽３の上縁の外側に設けられ、内槽３から溢れた処理液を回収する。内槽３は、底部の両側に噴出管７を各々設けられている。一対の噴出管７は、循環配管９の一端側が連通接続されている。循環配管９の他端側は、外槽５の排出口に連通接続されている。
【００３７】
なお、上述した噴出管７が本発明における「処理液供給手段」に相当する。
【００３８】
循環配管９は、制御弁１１と、循環ポンプ１３と、インラインヒータ１５と、フィルタ１７と、流量制御弁１９とを上流側から設けられている。開閉弁１１は、循環配管９における処理液の流通を制御する。循環ポンプ１３は、循環配管９に貯留する処理液を圧送する。インラインヒータ１５は、循環配管９を流通する処理液を所定の処理温度に加熱する。フィルタ１７は、循環配管９を流通する処理液に含まれるパーティクル等を除去する。流量制御弁１９は、循環配管９を流通する処理液の流量を調整する。
【００３９】
外槽５の側方には、処理液供給ノズル２１が設けられている。処理液供給ノズル２１の吐出側は、外槽５の内部に向けられている。処理液供給ノズル２１の供給側は、処理液供給源２３に連通接続されている。処理槽1に処理液を供給するには、外槽５に処理液を供給させ、循環配管９に処理液を流通させつつ処理温度に温調し、内槽３に処理液を供給する。内槽３から溢れた処理液は外槽５で回収され、再び循環配管９に流通する。処理液としては、例えば、燐酸（Ｈ３ＰO４）やＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）が挙げられる。燐酸は、例えば、１６０℃の処理温度で用いられ、ＳＰＭは、例えば、１００〜１５０℃の処理温度で用いられる。
【００４０】
内槽５は、その上縁より上方にオートカバー２５を設けられている。オートカバー２５は、内槽５の上方を周囲の雰囲気と分離する。オートカバー２５は、内槽３の上縁側に水平周りの軸芯を備え、図１における左右方向に開閉可能に構成されている。
【００４１】
内槽３の上方には、リフタ２７が設けられている。このリフタ２７は、内槽３の内壁に沿って延出された背板２９と、背板２９の下部から水平方向に延出された支持部３１とを備えている。支持部３１は、基板Ｗの下縁を当接して起立姿勢で支持する。リフタ２７は、内槽３の上方にあたる「引き上げ位置」（図１に二点鎖線で示す）と、内槽３の内部にあたる「処理位置」（図１に実線で示す）との間にわたって昇降可能に構成されている。その昇降は、昇降駆動部３３によって行われる。
【００４２】
外槽５の側方には、滴下ノズル３５が設けられている。滴下ノズル３５は、ノズル本体３７と、複数個の吐出口３９とを備えている。図２に示すように、ノズル本体３７は筒状を呈し、滴下位置では、基板Ｗの整列方向であって、整列方向と直交する方向における基板Ｗの中央部に長軸を向けられている。また、各吐出口３９は、ノズル本体３７の下面に離間して形成され、各位置は滴下位置における基板Ｗの間に設定されている。
【００４３】
滴下ノズル３５は、ノズル駆動部４１により移動される。その移動は、図１に実線で示す「待機位置」と、図１に二点鎖線で示す「滴下位置」との間にわたって行われる。
【００４４】
滴下ノズル３５は、界面活性剤供給源４３から界面活性剤が供給される。ここいう界面活性剤は、処理液の温度より若干低い沸点を有することが好ましい。さらに、界面活性剤は、処理に悪影響を与えないために、処理液と反応しないこと、処理液に蓄積しないために、処理液の温度よりやや低い沸点を有すること、パーティクルに対する作用速度と直進性に有利なように、処理液の表面張力との差が大きいという条件を満たすことが好ましい。
【００４５】
上述したような処理液が燐酸（１６０℃）やＳＰＭ（１５０℃）である場合には、以下の直鎖型アルコールが界面活性剤として好適である。直鎖型アルコールとは、水素原子以外の原子が枝分かれせずに連なっているものである。なお、以下の表記において、界面活性剤に続く括弧内は、その界面活性剤の沸点を表す。
【００４６】
エチルベンゼン（１３６．１９℃）、オクタン（１２５．６７℃）、o−キシレン（１４４．４１℃）、ｍ−キシレン（１３９．１０℃）、ｐ−キシレン（１３８．３５℃）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（１５９．８０℃）、シクロヘキサン（１５５．６０℃）、ジクロロ酢酸エチル（１５６．５０℃）、２，３−ジメチル−２−ブタノール（１１８．５９℃）、３，３−ジメチル−２−ブタノール（１２０．００℃）、２，２−ジメチル−１−プロパノール（１１３．００℃）、２，５ジメチルヘキサン（１０９．１０℃）、トルエン（１１０．６３℃）、１−ブタノール（１１７．７３℃）、１−ヘキサノール（１５７．０８℃）、２−ヘキサノール（１３９．８９℃）、３−ヘキサノール（１３５．４２℃）、２−ヘキサノン（１２７．５０℃）３−ヘキサノン（１２３．２０℃）
【００４７】
上述した制御弁１１、循環ポンプ１３、インラインヒータ１５、流量制御弁１９、処理液供給源２３からの供給、昇降駆動部３３、ノズル駆動部４１、界面活性剤供給源４３からの供給は、制御部４５によって統括的に制御される。制御部４５は、ＣＰＵやメモリを内蔵し、処理手順や処理条件を規定したレシピに基づいて各部を操作する。
【００４８】
なお、上記の滴下ノズル３５が本発明における「滴下手段」に相当し、制御部４５が本発明における「制御手段」に相当する。
【００４９】
次に、図３〜図１０を参照して、上述した構成の基板処理装置による動作について説明する。なお、図３は、基板処理装置の動作を示すタイムチャートである。また、図４は、処理前の状態を示す模式図であり、図５は、処理中の状態を示す模式図であり、図６は、微小突出位置への引き上げ状態を示す模式図であり、図７は、微小突出位置の説明に供する図であり、図８は、滴下状態を示す模式図であり、図９は、表面拡散作用の説明に供する模式図であり、図１０は、引き上げ状態を示す模式図である。
【００５０】
ここでは、初期状態として、複数枚の基板Ｗがリフタ２７に支持されて引き上げ位置にあり、既に処理温度に加熱された処理液が処理槽１に満たされて循環配管９を循環されているものとする。この状態は、図４に示すようになる。
【００５１】
まず、制御部４５は、ｔ１時点において、リフタ２７を引き上げ位置から処理位置にまで下降させる。その後、ｔ２時点において、オートカバー２５を閉止させる。この状態を所定時間だけ維持することにより、基板Ｗに対する処理を行う。この状態は、図５に示すようになる。
【００５２】
なお、上記の処理が本発明における「処理過程」に相当する。
【００５３】
これにより、例えば、基板Ｗに付着していたパーティクルが基板Ｗから離脱し、処理液の流れにのって外槽５へ排出される。しかし、全てが排出されるのではなく、内槽３における処理液の流れの淀みに滞留するパーティクルが存在する。この状態を図９に示す。つまり、図５に示すように、噴出管７から供給された処理液は、内槽３の底面の中央部で上方に向かい、基板Ｗの中央部を通って内槽３の上縁から排出される。この処理液の流れにおいて、中央部から内槽３の上縁に向かう処理液面付近に淀みが生じることが原因であると考えられ、この領域にパーティクルが滞留することが発明者等の実験によって判明している。
【００５４】
ｔ１０時点で処理時間が経過すると、制御部４５は、昇降駆動部３３を操作して、リフタ２７を処理位置から微小突出位置まで上昇させる。さらに、制御部４５は、ノズル駆動部４１を操作して、待機位置にある滴下ノズル３５を滴下位置に移動させる。これらとともに、制御部４５は、循環ポンプ１３を停止させて、処理液の循環を停止させる。この状態は、図６に示すようになる。
【００５５】
なお、上記のリフタ２７を停止させることが本発明における「リフタの上昇を停止させる過程」に相当する。
【００５６】
ここでいう微小突出位置は、図７に示す位置である。つまり、処理液の液面から突出した基板Ｗの上縁までの高さがｈとなる位置である。この微小高さｈは、例えば、０．１〜１ｍｍ程度である。微小高さｈは、後述する整流作用が生じればよいので、基板Ｗの直径、処理液の種類、界面活性剤の種類に応じて適宜に決定すればよい。
【００５７】
次に、制御部４５は、ｔ１１時点においてオートカバー２５を開放させる。次いで、ｔ１２〜ｔ１３において、制御部３５は、滴下ノズル３５から界面活性剤を滴下させる。この状態を示すのが図８である。滴下量は、例えば、１ｃｃ〜５００ｃｃであり、内槽３の開口面積や、処理液の種類、パーティクルの滞留量に応じて決定すればよい。
【００５８】
なお、上記の滴下が本発明における「滴下過程」及び「滴下する過程」に相当する。
【００５９】
界面活性剤が滴下された際の挙動は、図９に示すようになる。つまり、パーティクルが存在する、表面張力が大きな処理液面に対して、表面張力が小さな界面活性剤が滴下されると、界面活性剤が表面拡散作用によって処理液面を短時間のうちに外槽５側に拡がってゆく。その際には、パーティクルが表面張力の大きな方へ向かうので、パーティクルが外槽５へ排出される。また、微小突出位置ｈに基板Ｗの上縁が位置しているので、各基板Ｗが整流作用を生じ、界面活性剤は基板Ｗの面方向に移動する。したがって、効率液にパーティクルの排出を行うことができる。また、上述した特性の界面活性剤を滴下しているので、処理液の熱により界面活性剤が表面拡散作用を生じさせた後に短時間で蒸発する。したがって、処理液の濃度に影響を与えない。
【００６０】
次に、制御部４５は、ｔ１４時点において滴下ノズ３５を待機位置に移動させるとともに、循環ポンプ１３を作動させて循環配管９における処理液の循環を再開させる。これより、外槽５に排出されたパーティクルがフィルタ１７にて除去される。制御部４５は、ｔ１５においてリフタ２７を引き上げ位置へ上昇させる。これにより複数枚の基板Ｗに対する処理が完了する。この状態は、図１０に示すようになる。
【００６１】
上述したように、本実施例装置によると、制御部４５は、内槽３に処理液を供給させ、リフタ２７により基板Ｗを処理位置に位置させて基板Ｗに対して処理液による処理を行わせる。これにより基板Ｗから離脱したパーティクルは、内槽３から大半が排出されるが、処理液面に浮遊するものも存在する。その後、制御部４５は、リフタ２７を引き上げ位置に上昇させる際に、滴下ノズル３５から界面活性剤を処理液面に滴下させる。これにより界面活性剤の表面拡散作用によりパーティクルは表面張力が大きな領域に引き寄せられて内槽３の外部へ排出される。その後、リフタ２７を引き上げ位置に上昇させることにより、パーティクルがほぼ除去された処理液面を基板Ｗが引き上げられるので、処理液面に浮遊するパーティクルによる基板Ｗの汚染を防止できる。また、界面活性剤は、基板Ｗの引き上げ前に滴下されるだけなので、処理液による処理に影響を与えにくく、仕上がりのバラツキを少なくできる。
【００６２】
また、滴下ノズル３５は、各吐出口３９がノズル本体３７の下面に離間して形成され、各位置は滴下位置における基板Ｗの間に設定されているので、各基板Ｗの間であって、基板Ｗ面の中央部に界面活性剤を滴下できる。したがって、各基板Ｗが位置する領域において均等に表面拡散作用を生じさせることができる。その結果、各基板Ｗの領域にから均等にパーティクルを排出させることができる。
【００６３】
なお、本実施例装置は、次のように動作させてもよい。ここで、図１１を参照する。なお、図１１は、動作の変形例を示すタイムチャートである。
【００６４】
上述した実施例装置は、微小突出高さｈとなる位置にリフタ２７を位置させた状態で界面活性剤を滴下し、その後、リフタ２７を引き上げ位置にまで上昇させた。しかし、図１１のｔ１５〜ｔ１６時点のように、微小突出位置から一旦リフタ２７を処理位置にまで下降させた後、引き上げ位置にまで上昇させるようにしてもよい。このとき既に液面にあったパーティクルが排出されているので、上述した動作と同様の効果を奏する。また、微小突出位置において界面活性剤を滴下するので、その一部が基板Ｗの上縁に付着していたり、突出時に基板Ｗの上縁にわずかにパーティクルが付着していたりする恐れがある。一旦微小突出位置から処理位置に戻すことにより、これらの付着物を除去することができ、より清浄に基板Ｗを処理することができる。
【００６５】
なお、微小突出位置と処理位置とへの移動を一回だけでなく、複数回行うようにしてもよい。これにより、昇降移動に伴う液流により付着物をより除去することができる。
【００６６】
また、上述した滴下ノズル３５に代えて、次のようなものを採用してもよい。ここで、図１２を参照する。なお、図１２は、滴下ノズルの変形例を示す平面図である。
【００６７】
この滴下ノズル３５Ａは、基板Ｗの整列方向であって、整列方向と直交する方向における中央部に延出され、かつ基板Ｗの整列方向における中央部に延出された筒状のノズル本体３７Ａと、基板Ｗの整列方向における中央部であってノズル本体３７Ａの下面に形成された吐出口３９Ａとを備えている。
【００６８】
このような滴下ノズル３５Ａを備えている基板処理装置では、次のように処理を行うのが好ましい。ここで、図１３及び図１４を参照する。なお、図１３は、変形例に係る滴下ノズルを用いた倍の動作を示すタイムチャートである。また、図１４は、表面拡散作用の説明に供する図である。
【００６９】
制御部４５は、ｔ１５時点においてリフタ２７を処理位置から引き上げ位置にまで上昇させるが、その前のｔ１２〜ｔ１３時点において、滴下ノズル３５Ａから界面活性剤を滴下させる。すると、複数枚の基板Ｗが処理液面下にある状態で、内槽３の中央部付近に界面活性剤が滴下されることになる。
【００７０】
すると、界面活性剤は、図１４に示すように、内槽３の中央部から処理液の排出方向へ同心円状に表面拡散作用を生じさせて、処理液面に浮遊するパーティクルを排出させることができる。したがって、上述した実施例装置と同様の効果を奏する。
【００７１】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００７２】
（１）上述した実施例では、基板Ｗを処理位置から引き上げ位置に上昇させる際に、界面活性剤を処理液面に滴下するようにしたが、滴下ノズル３５，３５Ａから滴下する界面活性剤とは異なる特性の他の界面活性剤を処理液に混合させるようにしてもよい。具体的には、基板Ｗを処理位置に移動させる直前に外槽５にその界面活性剤（第１の界面活性剤）を滴下し、引き上げの際に上述した界面活性剤（第２の界面活性剤）を滴下する。これによると、第１の界面活性剤により処理液中における基板Ｗに対する処理においてパーティクルの離脱が円滑に行われるとともに再付着を防止でき、引き上げ時のパーティクルの付着も防止できる。
【００７３】
（２）上述した実施例では、内槽３の側方の待機位置と、内槽３の上方の滴下位置とにわたって滴下ノズル３５，３５Ａが移動するように構成した。本発明はこのような構成に限定されるものではなく、例えば、上述した位置に界面活性剤を滴下できる固定の滴下ノズルを用いてもよい。
【００７４】
（３）上述した実施例では、円形状を呈する基板Ｗを処理する場合を例に採って説明したが、本発明は他の形状の基板Ｗを処理する場合であっても適用することができる。
【００７５】
（４）上述した実施例では、処理槽１が内槽３と外槽５からなる構成であったが、処理槽１が内槽３だけの構成であってもよい。
【００７６】
（５）上述した実施例では、循環配管９による処理液の循環を行いつつ処理する場合を示したが、循環配管９を備えず内槽３から溢れた処理液が外槽５を通して、あるいは直接廃液される場合にも本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００７７】
Ｗ  …  基板
１  …  処理槽
３  …  内槽
５  …  外槽
７  …  噴出管
９  …  循環配管
２７  …  リフタ
３５  …  滴下ノズル
３７  …  ノズル本体
３９  …  吐出口
４５  …  制御部
ｈ  …  微小高さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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