(57)【要約】【課題】電極を支持する支持体の帯電状態の変動を抑制でき、電極の開口を通過する荷電粒子のビーム軌道に与える影響を抑制することができる荷電粒子線レンズを提供する。【解決手段】荷電粒子線レンズは、１以上の開口４を有する面を含む第１の電極１と、１以上の開口４を有する面を含む第２の電極２を備え、第１の電極と第２の電極との間に、これらの電極を電気的に絶縁して支持する支持体３を有する。第１の電極と第２の電極との間で伸びる支持体３の面は、少なくとも１以上の凸部又は凹部を有する非平坦部３Ａとテーパ状に構成されたテーパ部３Ｂを含み、テーパ部３Ｂと第２の電極２の開口４を有する面とのなす角度が０°より大きく９０°より小さい。【選択図】  図１−１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の開口を有する面を含む第１の電極と、１以上の開口を有する面を含む第２の電極と、を備える荷電粒子線レンズであって、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に介在して、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に絶縁して所定の位置関係で支持する支持体を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に介在する前記支持体の側面は、少なくとも１以上の凸部又は凹部を有する非平坦部とテーパ状に構成されたテーパ部を含み、
前記テーパ部と前記第２の電極の前記開口を有する面とのなすテーパ角が０°より大きく９０°より小さいことを特徴とする荷電粒子線レンズ。
【請求項２】
前記非平坦部は前記第１の電極側に形成され、前記テーパ部は前記第２の電極側に形成されて、前記非平坦部と前記テーパ部は分離して形成されているか、少なくとも一部重複して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項３】
前記非平坦部が凸部と凹部とを有し、該凸部の頂面と該凹部の底面との差が２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項４】
前記テーパ部と前記第２の電極の前記開口を有する面とのなすテーパ角は４５°以上で７５°以下であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項５】
前記第２の電極に接した前記テーパ部の先端位置と前記非平坦部の頂面位置は前記開口の中心軸に沿った光軸の方向において同一直線上にあることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項６】
荷電粒子源と、
前記荷電粒子源から放射される荷電粒子線を照射する照射荷電粒子光学系と、
前記照射荷電粒子光学系からの荷電粒子線が照射される、１以上の開口を備えた基板と、
前記基板の複数の開口からの荷電粒子線を個別に偏向してブランキングを制御する１以上の偏向器と、
前記基板の荷電粒子線の下流側の少なくとも１個所に設けられた請求項１から５の何れか１項に記載の荷電粒子線レンズと、
を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム等の荷電粒子線を用いた装置に使用される荷電粒子光学系の分野の技術に関し、特に露光装置に用いられる荷電粒子レンズに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの生産において、電子ビーム露光技術は、０．１μｍ以下の微細パターンの露光を可能とするリソグラフィの有力候補である。この露光装置では、電子ビームの光学特性を制御するための電子光学素子が用いられる。電子レンズには電磁型と静電型があり、特に静電型は、電磁型に比べ、コイルコアを設ける必要がなく構成が簡易であり小型化に有利である。また、電子ビーム露光技術のうち、マスクを用いずに複数本の電子ビームで同時にパターンを描画するマルチビームシステムの提案もなされている。
【０００３】
一方、静電型の荷電粒子線レンズは、電極が絶縁体を介して積層された構造である。その電極間に電界を印加した際、絶縁体表面と電極表面と空間の接触部は３重点となる。その３重点では、電界集中効果により陰極となる電極表面より電子を放出する。その放出された電子は、直接絶縁体に衝突したり、陽極に到達した電子が反射して絶縁体に入射したりすることで、絶縁体表面が帯電する。その結果、絶縁体表面に生じる電荷により電界が発生し、この電界によって電子ビーム軌道が偏向することがある。
【０００４】
こうした点に関する対処策として、絶縁体表面に凹凸を形成することにより絶縁体表面の帯電を抑制する方法が提案されている（特許文献１参照）。また、絶縁体表面をテ―パにして、テ―パ角度で３重点辺りの電界の様子を変える提案もある（非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−４９７０２号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】“真空中の複合絶縁におけるスペーサ効率とフラッシオーバ機構”  山本修，他、T. IEE Japan, Vol. 110-A, No.12,‘90
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記各提案の方法の適用だけでは、３重点から放出される電子の軌道を充分に制御することが容易とは言い難い。そのため、放出電子の初期軌道がばらついたり、絶縁体への衝突位置がばらついたりすることがあり、その結果、絶縁体表面の帯電状態が充分に安定しなくて、電子ビーム軌道に影響を与えることがある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題に鑑み、本発明の荷電粒子線レンズは、１以上の開口を有する面を含む第１の電極と１以上の開口を有する面を含む第２の電極を備え、第１の電極と第２の電極との間に介在して、第１の電極と第２の電極とを電気的に絶縁して支持する支持体を有する。そして、第１の電極と第２の電極との間に介在する支持体の側面は、少なくとも１以上の凸部又は凹部を有する非平坦部とテーパ状に構成されたテーパ部を含み、テーパ部と第２の電極の前記開口を有する面とのなす角度が０°より大きく９０°より小さい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の荷電粒子線レンズによれば、非平坦部が形成されることで支持体表面の帯電量が抑制できる。また、テーパ部が形成されることで、テーパ部周辺には、３重点から放出された荷電粒子が支持体から離れる方向に力を受ける電場を形成することができる。そのため、３重点より放出された荷電粒子は支持体から離れる軌道をとり、さらに非平坦部では帯電量が低下するので帯電による荷電粒子を引きつける力が抑制される。よって、飛翔荷電粒子は、支持体に衝突する前に他方の電極に到達するか、衝突しても弱いので２次の荷電粒子を発生しにくくそこに止まる傾向にある。こうして、３重点からの放出荷電粒子の衝突による支持体の帯電状態の変動を抑制することができ、電極の開口を通過する荷電粒子のビーム軌道に与える影響を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１−１】本発明の実施の形態に係る荷電粒子線レンズを説明する断面図。
【図１−２】本発明の実施の形態に係る荷電粒子線レンズを説明する断面図。
【図２】本発明の荷電粒子線レンズの支持体の帯電状態変動抑制原理を説明する断面図。
【図３】荷電粒子線レンズの支持体の非平坦部とテーパ部の機能を説明する断面図。
【図４】支持体の非平坦部とテーパ部の効果を説明するグラフ。
【図５】本発明の実施の形態に係る荷電粒子線露光装置を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の荷電粒子線レンズの特徴は、電極間に介在する支持体の側面（電極間で伸びる支持体の面）が非平坦部とテーパ部を含み、テーパ部と電極の開口を有する面とのなすテーパ角が０°より大きく９０°より小さいことである。ここで、非平坦部は一方の電極側に形成され、テーパ部は他方の電極側に形成されて、非平坦部とテーパ部が完全に分離して形成されてもよいし、少なくとも一部重複して形成されてもよい。非平坦部は、主に、凹部内に侵入した荷電粒子を凸部で閉じ込めて支持体の帯電状態の変動を抑制し、テーパ部は、主に、荷電粒子を支持体より離して支持体の帯電状態の変動を抑制するが、何れにせよ、両者が協働して支持体の帯電状態の変動を抑制する。テーパ部からの荷電粒子を支持体より離し非平坦部で荷電粒子を閉じ込めて支持体の帯電状態の変動を抑制するという機能の充分な発揮、加工容易性、構造のコンパクト性等の観点からは、非平坦部とテーパ部を分離するのが好ましい。しかし、全体の設計や材料などによっては、一部または全部重複して形成しても充分に上記機能が発揮される場合があるので、こうした構成も可能である。
【００１２】
（実施形態１）
図１−１、図１−２、図２を用いて、本発明の実施形態１を説明する。図１−１（ａ）は、細部を省略した本実施形態の荷電粒子線レンズの断面図、図１−１（ｂ）は、（ａ）の点線で囲むエリアＡの細部を示した拡大図である。図１−１（ａ）に示すように、本実施形態の荷電粒子線レンズは第１の電極１と第２の電極２の２枚の電極を有している。２枚の電極は、その間に介在した支持体３で互いに電気的に絶縁されて分離され、所定の位置関係で支持されている。また、電極１と電極２の開口４は、図示しない光源から射出された荷電粒子線を通過させる。開口４は、その中心軸５が電極１と電極２とで実質的に共通するように各電極の開口が配置されており、レンズの光軸を規定している。図１−１（ｂ）に示すように、電極１、２間に介在する支持体３の側面（電極１、２間で伸びる支持体３の表面）は、第１の電極側が、凸部又は凹部を有する非平坦部３Ａとなり、第２の電極側が、テーパ状であるテーパ部３Ｂとなっている。そして、テーパ部３Ｂと電極２の開口４を有する面とのなすテーパ部のテーパ角６は０度より大きく９０度より小さい角度で構成される。また、テーパ部３Ｂの表面は、必要に応じて、湾曲させることも、階段状とすることもできる。さらに、必要に応じて、電極２に接したテーパ部３Ｂの先端位置と非平坦部３Ａの凸部の先端位置（頂面位置）は電極２の法線（開口４の中心軸５に沿った光軸の方向）と実質的に平行に配置することができる。こうすれば、コンパクトな構造で、非平坦部とテーパ部の機能を効果的に発揮させることができる。もちろん、前記頂面位置を、各凸部毎に異なる位置（高さ）とすることもできる。また、本実施形態では、非平坦部３Ａとテーパ部３Ｂは完全に分離して形成されている。また、非平坦部３Ａの凸部は電極１、２の面と実質的に平行に伸びている。本発明において「実質的に平行」とは、完全に平行な場合だけでなく、本発明の効果を奏する範囲で非平行である場合、及び複数の凸部が互いに非平行で突出している場合を含む。従って、設計上、意図的に非平行とする場合、加工誤差により非平行となる場合であっても、本発明の効果を奏する限り、許容され得る。本発明者の知見によれば、±３°の傾斜を有する場合であっても、他に悪影響を与えない場合には、実質的に平行とみなすことができる。好ましくは±１°以内の傾斜とすることである。
【００１３】
上記構成の電極を静電型の荷電粒子線レンズとして使用する場合は図１−２のような構成とした。ただし、図１−２でも、細部を省略している。図１−２の荷電粒子線レンズは、図１−１（ａ）の電極２を軸として電極１と支持体３を対称に配置したアインツェル型の静電レンズである。そして、例えば上下２つの電極１にはグランド電位、中央の電極２には負の電位を印加することで静電レンズとして機能させる。
【００１４】
次に上記構成の支持体３が帯電を安定させるメカニズムについて説明する。
まず、図２（ａ）を用いて支持体３の表面（ここでは単純な平坦面である）が帯電する過程について説明する。図２（ａ）は、図１−１（ａ）の開口４の中心軸５について対称である荷電粒子線レンズの片面部分を示したものである。電極１にグランド電位、電極２に負の電位を印加すると、支持体３と電極２と真空領域８が交わる点は３重点７となり電界集中を起こす。特に、陰極側の３重点７からはトンネル効果により電子が真空領域８へ放出される。放出された電子は、例えば軌道９のように飛翔しで支持体３へ衝突する、または、グランド電位の電極１へ到達した電子は或る確率で反射し、支持体３へ衝突する。そして支持体３は表面から２次電子を放出する。その結果、支持体３の表面は正に帯電される。正に帯電された支持体３は電子を引き付け易くなる。引き付けられ易くなった２次電子は除々に飛翔距離が短くなるため、支持体３への衝突時のエネルギーが除々に小さくなる。そして、支持体３の２次電子放出係数が１となる衝突エネルギーのところで帯電は平衡状態となる。
【００１５】
しかし、３重点７より放出される電子は放出角度やエネルギーに幅があるため、支持体３へ衝突する位置や角度、エネルギーにばらつきが生じ、支持体３の帯電状態は微小に変動している。また支持体３への電子の衝突で生成された２次電子は、陽極（電極１）に到達するまで支持体３への衝突を繰り返し、衝突位置のばらつきによって帯電状態の変動は拡大する。したがって、帯電状態の安定には３重点７から放出された電子をできるだけ遠方で支持体３に衝突させることと、電子が陽極（電極１）まで飛翔する際に支持体３へ衝突する回数を軽減することが必要となる。
【００１６】
本実施形態の支持体３が帯電状態を安定させる機構について図２（ｂ）、（ｃ）を用いて説明する。まず、凸部を有する非平坦部の機能について説明する。図２（ｂ）は図１−１（ｂ）の非平坦部３Ａの拡大図で、３Ｃ、３Ｄはそれぞれ図示した凸部の各面を示す。また、１０は印加する電界を表し、９は電子軌道を表す。ここで、電子が例えば面３Ｃに衝突した場合、その衝突位置で２次電子を放出し、２次電子は例えば電子軌道９のように振る舞う。その際、面３Ｃの衝突位置は正に帯電し、放出された２次電子は面３Ｄに衝突する。そのとき、衝突までの飛翔距離が短いため２次電子は加速されず衝突エネルギーは小さい。そのため面３Ｄの衝突位置は負に帯電する。結果として、凸部全体としては正と負の帯電電荷の作る電界が打ち消し合い、見かけ上、帯電を小さくする効果が発生する。さらに、２次電子は面３Ｄで衝突を繰り返し、除々にエネルギーを失い停止するため、陽極（電極１）まで電子が運動することがあまりない。そのため、エネルギーをもった電子が支持体３で再び衝突する回数は軽減され、帯電の変動は抑制される。また凹部の場合については、凸部の場合の山と谷の位置が半周期ずれたものとして扱えるため、凸部の場合と同様のことが起こる。
【００１７】
次に図２（ｃ）のテーパ部分の機能について説明する。電極１、２はそれぞれ電極を表し、その電極１、２の間にテーパ部３Ｂを挿入し、電極１、２間に電位差を与える。１０は電極１、２間で真空領域８のみを通過する電界成分、１１はテーパ部３Ｂと真空領域８を通過する電界成分を表している。ここで電極１または２から等距離にある点線１２の位置での電位を考える。電界成分１１は、テーパ部３Ｂの比誘電率が１以上であるため、真空領域８のみを通過する電界成分１０とは電界強度が異なっている。したがって、電界成分１１と点線１２が交差する位置の電位と電界成分１０と点線１２が交差する位置での電位は異なり、電位差が発生する。特に、比誘電率が１以上の場合、電界成分１１と点線１２が交差する位置の電位は、電界成分１０と点線１２が交差する位置での電位より低くなるため、３重点７から放出された電子は点線１２と平行方向の力を受けテーパ部分３Ｂから遠ざかる効果が発現する。ここで、テーパ角６が０度の場合と９０度の場合は、電界成分１１の経路上で電界成分１２と同様に誘電率が均一となるため、上記のような電位差は発生しない。一方、テーパ角６が４５度の場合、電界成分１１の経路上で誘電率の変化領域が大きいと上記の電位差が大きくなり、テーパ部分３Ｂから電子を遠ざける効果が最も高くなる。
【００１８】
以上のように、本実施形態では、陰極側でテーパ部を設け放出電子を支持体３から遠ざけることと、陽極側で凸部又は凹部を設け帯電量を軽減し電子を引きつけないことで、陰極側と陽極側で支持体３への衝突回数は軽減され帯電状態は安定する。
【００１９】
（実施例）
次に、上記実施形態１について具体的な材料・寸法例を適用した実施例を説明する。本実施例では、電極１、２とも単結晶シリコンで形成され、厚さはどちらも１００μｍである。開口４の直径は３０μｍである。また支持体３は絶縁性材料のガラスで形成され、厚さは４００μｍである。支持体３の材料は、ガラスに替えてセラミックなども使用できる。電極１、２で支持体３を挟み、電極１、２は、開口４の中心軸５を法線とする平面に平行に設置される。支持体３の電極１の側の非平坦部の表面は凸部を３つ有し、それぞれ凸部の段差（凹部の底面と凸部の頂面の差）は２０μｍである。さらに電極２の側の支持体３はテーパ形状のテ―パ部を有し、電極２と７５度で接している。電極１にはグランド電位を、電極２には−３.７ｋＶの電位を印加した。開口４を通る電子ビームの偏向量のゆらぎを測定したところ、平滑面の支持体３と比較して、本実施例は８０％ゆらぎを軽減した。
【００２０】
次に支持体３の表面形状の望ましい範囲について説明する。検討には、境界要素法で静電界計算し、モンテカルロ法で電子軌道を計算するシミュレーションを実施した。図３（ａ）は、図１−１（ｂ）の支持体３のテ―パ部３Ｂが無い構成である。図３（ａ）のｄは、凸部と凹部の段差[μｍ]を示し、Ｐは凸部間の間隔[μｍ]を示している。ここで、Ｐは８０μｍとして凸部と凹部の長さの比率は１：１とした。はじめに、図３（ａ）で示すような凸部の望ましい範囲について説明する。凸部又は凹部の機能は、電子の運動方向に障壁を作ることで、陰極側（電極２側）から飛翔してくる電子が陽極に到達するまで衝突を繰り返すことを回避することである。しかし、電子の運動方向にある障壁の高さが低い場合、電子は障壁を飛び越えてしまう。その結果、飛び越えた電子は、陽極（電極１側）に到達するまで衝突を繰り返してしまう。そこで図３（ａ）に示す支持体１３の段差ｄ[μｍ]を変えて、凸部を電子が飛び越える割合を計算した。図４（ａ）にその結果を示す。図４（ａ）の横軸は段差ｄ[μｍ]、縦軸は電子が段差ｄを飛び越える割合を示している。ｄ＝２０μｍの時、凸部の脱出割合がほぼゼロとなることが分かった。よって、ｄは２０μｍ以上であることが好ましい。
【００２１】
図３（ｂ）は図１−１（ｂ）の支持体３の非平坦部３Ａが無い構成である。図３（ｂ）のθはテーパ角を示している。また、支持体１４のテーパ部を設ける領域ｈは８０μｍとした。テ―パ部の機能は、電子を支持体より離して、帯電状態の変動を抑制することである。図３（ｂ）に示すθ[deg]を変えて、帯電変動量を計算した。図４（ｂ）にその結果を示す。図４（ｂ）の横軸はテーパ角[deg]を示し、縦軸は、テーパ角が９０°の場合の帯電変動量を１としたときの相対値を示している。テーパ角θは４５°以上で７５°以下であることで効果が安定して得られることを示している。 
【００２２】
（実施形態２）
図５を用いて、本発明の実施形態２を説明する。本実施形態は、複数の荷電粒子線を用いた荷電粒子線露光装置である。上記実施形態１と同じ機能を有する箇所には同じ記号を付し、重複する部分は説明を省略する。
【００２３】
図５（ａ）は、本実施形態に係わるマルチ荷電粒子ビーム露光装置の構成を示す図である。本実施形態は個別に投影系をもつ所謂マルチカラム式である。荷電粒子源である電子源１０８からアノード電極１０９、１１０によって引き出された放射電子ビームは、クロスオーバー調整光学系１１１によって照射光学系クロスオーバー１１２を形成する。ここで、電子源１０８としてはLaB6やBaO/W（ディスペンサーカソード）などのいわゆる熱電子型の電子源が用いられる。クロスオーバー調整光学系１１１は２段の静電レンズで構成されており、１段目・２段目共に静電レンズは３枚の電極からなり、中間電極に負の電圧を印加し上下電極は接地するアインツェル型の静電レンズである。
【００２４】
照射光学系クロスオーバー１１２から広域に放射された電子ビーム１１３、１１４は、コリメータレンズ１１５によって平行ビーム１１６となり、アパーチャアレイ１１７へと照射される。アパーチャアレイ１１７によって分割されたマルチ電子ビーム１１８は、収束レンズアレイ１１９によって個別に収束され、ブランカーアレイ１２２上に結像される。アパーチャアレイ１１７と収束レンズアレイ１１９とブランカーアレイ１２２を符号１５０で示す。ここで、収束レンズアレイ１１９は３枚の多孔（複数の開口を持つ）電極からなる静電レンズで、レンズ制御回路１０５で制御され、３枚の電極のうち中間の電極にのみ負の電圧を印加し上下電極は接地するアインツェル型の静電レンズアレイである。またアパーチャアレイ１１７は、NA（収束半角）を規定する役割も持たせるため、収束レンズアレイ１１９の瞳面位置（収束レンズアレイの前側焦点面位置）に置かれている。ブランカーアレイ１２２は個別の偏向電極を持ったデバイスで、描画パターン発生回路１０２、ビットマップ変換回路１０３、ブランキング指令回路１０６によって生成されるブランキング信号に基づき、描画パターンに応じて個別にビームのon/offを行う。ビームがonの状態のときには、ブランカーアレイ１２２の偏向電極には電圧を印加せず、ビームがoffの状態のときには、ブランカーアレイ１２２の偏向電極に電圧を印加してマルチ電子ビームを偏向する。ブランカーアレイ１２２によって偏向されたマルチ電子ビーム１２５は後段（下流側）にあるストップアパーチャアレイ１２３によって遮断され、ビームがoffの状態となる。複数のアライナー１２０は、アライナー制御回路１０７で制御されて、電子ビームの入射角度と入射位置を調整する。また、コントローラー１０１は全体の回路を制御する。
【００２５】
本実施形態においてブランカーアレイは２段で構成されており、ブランカーアレイ１２２及びストップアパーチャアレイ１２３と同じ構造の、第二ブランカーアレイ１２７及び第二ストップアパーチャアレイ１２８が後段に配置されている。ブランカーアレイ１２２を通ったマルチ電子ビームは第二収束レンズアレイ１２６によって第二ブランカーアレイ１２７上に結像される。さらにマルチ電子ビームは第三、第四収束レンズ１３０、１３２によって収束されてウエハ１３３上に結像される。ここで、第二収束レンズアレイ１２６、第三収束レンズアレイ１３０、第四収束レンズアレイ１３２は収束レンズアレイ１１９同様に、アインツェル型の静電レンズアレイである。
【００２６】
特に第四収束レンズアレイ１３２は対物レンズとなっており、その縮小率は１００倍程度に設定される。これにより、ブランカーアレイ１２２の中間結像面上の電子ビーム１２１（スポット径がFWHMで２μｍ）が、ウエハ１３３面上で１００分の１に縮小され、FWHMで２０nm程度のマルチ電子ビームがウエハ上に結像される。ウエハ１３３上のマルチ電子ビームのスキャンは偏向器１３１で行うことができる。偏向器１３１は対向電極によって形成されており、x、y方向について２段の偏向を行うために４段の対向電極で構成される（図中では簡単のため２段偏向器を１ユニットとして表記している）。偏向器１３１は偏向信号発生回路１０４の信号に従って駆動される。
【００２７】
パターン描画中はウエハ１３３はX方向にステージ１３４によって連続的に移動させられる。そして、レーザー測長機による実時間での測長結果を基準として、ウエハ面上の電子ビーム１３５が偏向器１３１でY方向に偏向され、かつブランカーアレイ１２２及び第二ブランカーアレイ１２７で描画パターンに応じてビームのon/offが個別になされる。ビーム１２４はonのビームを示し、ビーム１２５、１２９はoffのビームを示す。これにより、ウエハ１３３面上に所望のパターンを高速に短い描画時間で描画することができる。
【００２８】
以上に説明した様に、本実施形態の荷電粒子線露光装置は、荷電粒子源と、荷電粒子源から放射される荷電粒子線を照射する照射荷電粒子光学系と、照射荷電粒子光学系からの荷電粒子線が照射される、１以上の開口を備えた基板を備える。そして、基板の複数の開口からの荷電粒子線を個別に偏向してブランキングを制御する１以上の偏向器と、基板の荷電粒子線の下流側の少なくとも１個所に設けられた本発明の荷電粒子線レンズと、を有し、高精度な描画を可能としている。
【００２９】
図５（ｂ）は、上記実施形態１の図１−２で説明した荷電粒子線レンズであり、開口４が複数あること以外は同様のものを示している。この静電レンズを上述したマルチ荷電粒子ビーム露光装置内の第一から第四の収束レンズアレイ１１９、１２６、１３０、１３２として設置することにより、描画エラーが少ない露光装置を実現できる。
【符号の説明】
【００３０】
１・・・第１の電極、２・・・第２の電極、３・・・支持体、３Ａ・・・非平坦部、３Ｂ・・・テーパ部、４・・・開口、６・・・テーパ角
【図１−１】
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【図１−２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図２】
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