(57)【要約】      （修正有）【課題】膜厚が厚い場合でも、結晶性に優れ、機能性薄膜としての特性を十分に発揮させることができる機能性薄膜を得ることができる機能性薄膜の成膜方法および成膜装置を提供する。【解決手段】気相薄膜合成法を用いて、基材上に機能性薄膜を成膜する機能性薄膜の成膜方法であって、基材の成膜面側から加熱して機能性薄膜の成膜を行う機能性薄膜の成膜方法。気相薄膜合成法を用いて、基材上に機能性薄膜を成膜する機能性薄膜の成膜装置１であって、基材を基材の成膜面側から加熱する加熱手段を備えている機能性薄膜の成膜装置。気相薄膜合成法は、レーザ堆積法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相薄膜合成法を用いて、基材上に機能性薄膜を成膜する機能性薄膜の成膜方法であって、
前記基材の成膜面側から加熱して機能性薄膜の成膜を行う
ことを特徴とする機能性薄膜の成膜方法。
【請求項２】
さらに、前記基材の成膜面と反対側の面からも加熱して機能性薄膜の成膜を行うことを特徴とする請求項１に記載の機能性薄膜の成膜方法。
【請求項３】
前記気相薄膜合成法が、レーザ堆積法であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の機能性薄膜の成膜方法。
【請求項４】
前記機能性薄膜が、酸化物薄膜であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の機能性薄膜の成膜方法。
【請求項５】
前記酸化物薄膜が、酸化物超電導薄膜であることを特徴とする請求項４に記載の機能性薄膜の成膜方法。
【請求項６】
気相薄膜合成法を用いて、基材上に機能性薄膜を成膜する機能性薄膜の成膜装置であって、
前記基材の成膜面側から前記基材を加熱する加熱手段を備えている
ことを特徴とする機能性薄膜の成膜装置。
【請求項７】
さらに、前記基材の成膜面と反対側の面から前記基材を加熱する加熱手段を備えていることを特徴とする請求項６に記載の機能性薄膜の成膜装置。
【請求項８】
前記気相薄膜合成法が、レーザ堆積法であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の機能性薄膜の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜厚が厚い場合でも、結晶性に優れた機能性薄膜を得ることができる機能性薄膜の成膜方法および成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
酸化物超電導薄膜、磁性薄膜、圧電薄膜などの機能性薄膜の成膜に際しては、スパッタ法、ＭＯ−ＣＶＤ法、ＭＢ法、レーザ堆積法（パルスレーザデポジッション：ＰＬＤ法）などの気相薄膜合成法が広く用いられている（例えば非特許文献１、非特許文献２）。
【０００３】
しかしながら、これらの気相薄膜合成法を用いて機能性薄膜を形成した場合、膜厚が薄い場合には十分にその特性を発揮させることができるが、膜厚が厚い場合には、その特性を十分に発揮させることができない場合があった。例えば、臨界電流値Ｉｃを向上させるために酸化物超電導薄膜の膜厚を厚くした場合、膜厚の増加と超電導特性の向上が必ずしも一致しなかった。
【０００４】
具体的な一例として、ＰＬＤ法を用いてＧｄＢＣＯ（ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ）酸化物超電導薄膜の形成を行った場合、図４に示すように、膜厚１．３μｍ程度までは膜厚に対して直線的だったＩｃの伸びが、その後は徐々に鈍化している。これは、膜厚が厚くなるにつれて臨界電流密度Ｊｃが低下して、膜厚の増加がＩｃの向上に寄与しなくなっていることを示している。
【０００５】
このような現象は、膜厚が厚くなるにつれて膜表面の温度が低下して、膜の表面側での結晶性を低下させていることにより発生していることが、膜の断面観察から分かっている。
【０００６】
ＰＬＤ法では、通常、成膜される面とは反対側の面（成膜反対面）（裏面）から基材を加熱しながら成膜材料の蒸着を行い成膜している。
【０００７】
しかし、このように成膜反対面から基材を加熱する方法の場合、膜厚が厚くなると加熱効率が低下するため、膜厚が厚くなるにつれて膜表面の温度が低下して、膜表面での結晶性が低下して、異相の析出や配向の不十分な結晶が生じ、Ｊｃの低下を招いてしまう。
【０００８】
そこで、厚膜の酸化物超電導薄膜を作製する際には、ヒータの温度を順次上昇させて、複数回に分けて成膜して厚膜化することが行われているが、ヒータの温度が高くなりすぎると、テープ線材（基材）の成膜反対面側における負荷が大きくなって、テープ線材の変形を引き起こしたり、テープ線材を構成する金属材料が拡散して、Ｊｃなどを低下させたりする等の不具合が発生していた。
【０００９】
具体的な一例として、ＳＵＳ基板、Ｃｕ箔、Ｎｉめっきで構成されるクラッド基板の場合には、加熱により、融点の低い銅がＮｉめっき層に拡散してしまう恐れがある。
【００１０】
このように、従来の酸化物超電導薄膜の作製においては、複数回の成膜により厚膜化しようとしても、ヒータの温度を十分に上げることができないため、結晶性に優れ、十分に超電導特性を発揮させることができる酸化物超電導薄膜を得ることが困難であった。
【００１１】
このような問題は、上記した酸化物超電導薄膜以外の機能性薄膜においても同様に生じており、結晶性に優れ、機能性薄膜としての特性を十分に発揮させることができる厚膜の機能性薄膜を得ることが困難であった。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Ｓ．Ｒ．Ｆｏｌｔｙｎ他「Ｌａｒｇｅ−ａｒｅａ，ｔｗｏ−ｓｉｄｅｄ  ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ  ｆｉｌｍｓ  ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ  ｂｙ  ｐｕｌｓｅｄ  ｌａｓｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ」、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５９（１１），９  Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  １９９１、１３７４−１３７６
【非特許文献２】Ｈ．Ｋｕｔａｍｉ他「Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  ｒｅｓｅａｒｃｈ  ａｎｄ  ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｎ  ｌｏｎｇ  ｌｅｎｇｔｈ  ｃｏａｔｅｄ  ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ  ｉｎ  Ｆｕｊｉｋｕｒａ」、Ｐｈｙｓｉｃａ  Ｃ  ４６９  （２００９）、１２９０−１２９３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
以上のため、本発明は、膜厚が厚い場合でも、結晶性に優れ、機能性薄膜としての特性を十分に発揮させることができる機能性薄膜を得ることができる機能性薄膜の成膜方法および成膜装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者は、鋭意検討の結果、以下に記載する発明により、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。以下、各請求項毎に説明する。
【００１５】
請求項１に記載の発明は、
気相薄膜合成法を用いて、基材上に機能性薄膜を成膜する機能性薄膜の成膜方法であって、
前記基材の成膜面側から加熱して機能性薄膜の成膜を行う
ことを特徴とする機能性薄膜の成膜方法である。
【００１６】
本発明者は、成膜に際しての基材（テープ線材）への加熱を、従来のように基材の成膜反対面側（裏面側）から行うのではなく、基材の成膜面側にヒータを配置して行うことに思い至った。
【００１７】
基材の成膜面側から加熱することにより、厚膜の場合であっても、成膜面を十分に加熱することができる。この結果、基材上に、表面まで結晶性に優れた機能性薄膜を作製することができ、機能性薄膜としての特性を十分に発揮させることができる。
【００１８】
また、基材の成膜反対面側における熱負荷が大きくなることがないため、上記した基材の変形や基材を構成する金属材料の拡散を防止することができる。
【００１９】
なお、本請求項の発明にいう「機能性薄膜」とは、薄膜化した機能性材料である。機能性材料は、材料の持つ電気的性質、誘電体特性、磁性、光学特性などの機能を発現させることを目的として製品に組み込まれるタイプの材料を称する。具体的には、酸化物超電導薄膜、ハードディスク等に適用される磁性アモルファス薄膜、薄膜太陽電池等に用いられるアモルファス半導体薄膜、圧電デバイスに用いられる圧電薄膜などの薄膜が挙げられる。
【００２０】
請求項２に記載の発明は、
さらに、前記基材の成膜面と反対側の面からも加熱して機能性薄膜の成膜を行うことを特徴とする請求項１に記載の機能性薄膜の成膜方法である。
【００２１】
基材の成膜面側から加熱すると共に、基材の成膜反対面側からも加熱することにより、機能性薄膜内における熱のばらつきを一層抑制することができ好ましい。また、基材の両面にヒータを配置して加熱するため、各ヒータにおける負荷を低減することができる。
【００２２】
請求項３に記載の発明は、
前記気相薄膜合成法が、レーザ堆積法であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の機能性薄膜の成膜方法である。
【００２３】
レーザ堆積法は、スパッタ法などの他の気相薄膜合成法と比べて、成膜速度が速いため、より効率的に加熱する必要があるが、本発明においては基材の成膜面側から加熱しているため、より効率的な加熱が可能となり、本発明の効果を顕著に発揮させることができる。
【００２４】
請求項４に記載の発明は、
前記機能性薄膜が、酸化物薄膜であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の機能性薄膜の成膜方法である。
【００２５】
機能性薄膜の内でも、酸化物からなる薄膜は、形成時における成長温度が高温であるため、本発明に係る成膜方法を採用することによる効果が顕著に発揮される。
【００２６】
請求項５に記載の発明は、
前記酸化物薄膜が、酸化物超電導薄膜であることを特徴とする請求項４に記載の機能性薄膜の成膜方法である。
【００２７】
酸化物薄膜の内でも、酸化物超電導薄膜は特に高温での成長が必要である。また、酸化物超電導薄膜は黒色である。これらのため、基材の成膜反対面側からのみ加熱する従来の方法の場合には、成膜面を十分に高温とするために、大きな熱負荷を基材に加える必要があり、基材の変形や金属材料の拡散を招く恐れが高かった。
【００２８】
しかし、本発明においては、基材の成膜面側から加熱する方法を採用しているため、基材の成膜反対面側から大きな熱負荷を加える必要がなく、上記の問題の発生を回避しながら高い加熱効率で成膜を行うことができる。
【００２９】
請求項６に記載の発明は、
気相薄膜合成法を用いて、基材上に機能性薄膜を成膜する機能性薄膜の成膜装置であって、
前記基材の成膜面側から前記基材を加熱する加熱手段を備えている
ことを特徴とする機能性薄膜の成膜装置である。
【００３０】
前記したように、基材の成膜面側から加熱することにより、厚膜の場合であっても、基材上に、表面まで結晶性に優れた機能性薄膜を作製することができ、優れた特性の機能性薄膜を提供することができる。
【００３１】
請求項７に記載の発明は、
さらに、前記基材の成膜面と反対側の面から前記基材を加熱する加熱手段を備えていることを特徴とする請求項６に記載の機能性薄膜の成膜装置である。
【００３２】
前記したように、基材の成膜面側から加熱すると共に、基材の成膜反対面側からも加熱することにより、機能性薄膜内における熱のばらつきを一層抑制することができる。また、基材両側の各ヒータにおける負荷を低減することができる。
【００３３】
請求項８に記載の発明は、
前記気相薄膜合成法が、レーザ堆積法であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の機能性薄膜の成膜装置である。
【００３４】
前記したように、レーザ堆積法は、成膜速度が速いため、本発明の装置の効果を顕著に発揮させることができる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、膜厚が厚い場合でも、結晶性に優れ、機能性薄膜としての特性を十分に発揮させることができる機能性薄膜を得ることができる機能性薄膜の成膜方法および成膜装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施の形態の気相薄膜合成法を用いた機能性薄膜の成膜装置を説明する図である。
【図２】実施例および比較例で作製した酸化物超電導線材の構成を示す図である。
【図３】実施例および比較例の酸化物超電導薄膜のＩｃ値と膜厚との関係を示す図である。
【図４】従来技術によって成膜したＲＥＢＣＯ酸化物超電導薄膜のＩｃ値と膜厚の関係を示す図である。
【図５】従来の気相薄膜合成法を用いた機能性薄膜の成膜装置を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、酸化物超電導薄膜を作製する場合を例に挙げて、本発明の実施の形態について説明する。
【００３８】
１．成膜装置
はじめに、本実施の形態の成膜装置について説明する。図１は本実施の形態の気相薄膜合成法を用いた機能性薄膜（酸化物超電導薄膜）の成膜装置を説明する図である。図１において、１は真空チャンバ（図示省略）内に設けられた成膜装置であり、ヒータ１１、ヒータ１３、スリット１２を備えている。また、成膜装置１は、原料ターゲットＴにレーザを照射するレーザ照射装置、テープ線材Ｗ（基材）をｒｅｅｌ  ｔｏ  ｒｅｅｌで搬送する搬送手段、円盤状の原料ターゲットＴを保持し回転させる機構を備えている（いずれも図示省略）。なお、Ｐは、レーザ光の照射により原料ターゲットＴから放出（昇華）された成膜材料が酸素ガスと衝突して発光したレーザプルームである。
【００３９】
レーザ照射装置は、エキシマレーザなどを用いて、回転している円盤状の原料ターゲットＴの円盤の中心の外側にレーザ光を照射する。これにより、成膜原料が放出（昇華）され、テープ線材Ｗの成膜面側（表面）に成膜される。レーザエネルギー（単位：Ｊ／パルス）および照射面積（単位：ｃｍ２）を調整することにより、成膜に適切な照射エネルギー密度（単位：Ｊ／ｃｍ２）が決定される。
【００４０】
原料ターゲットＴとテープ線材Ｗとの間隔は、通常７０ｍｍ程度が好ましい。
【００４１】
原料ターゲットＴのレーザ照射位置から離れた場所では、昇華されてテープ線材Ｗに付着する際の元素組成比がずれてしまい、良好な超電導特性が得られなくなる恐れがある。このため、原料ターゲットＴとテープ線材Ｗの間には、開口部を有するスリット１２が設けられて、成膜領域が制限されるようになっている。
【００４２】
テープ線材Ｗの長手方向におけるスリット１２の開口部の長さＬ１は、レーザの原料ターゲットＴ上の照射形状に応じて、３０〜８０ｍｍで適宜設定される。なお、スリット１２の開口部両端では、図１に示すように、テープ線材Ｗ側に壁を設けて、昇華した成膜原料がヒータ１１に付着しないようにすることが好ましい。
【００４３】
また、レーザプルームＰの位置における加熱が、機能性薄膜の成長を左右するため、前記した壁とヒータ１１の端部との間隔ｄ２はできる限り小さい方が好ましく、具体的には１ｍｍ程度が好ましい。
【００４４】
テープ線材Ｗとスリット１２の間には、テープ線材Ｗの搬送経路の成膜ゾーンの前後にテープ線材Ｗ表面を加熱するヒータ１１が、テープ線材Ｗから３〜１０ｍｍの間隔ｄ１を隔てて設けられている。ヒータ１１としては、テープ線材Ｗと原料ターゲットＴとの距離を短縮可能であるという観点から薄いヒータが好ましく、例えば、厚みｔを１０ｍｍ程度とすることが可能な抵抗線加熱ヒータなどを用いることが好ましい。
【００４５】
ヒータ１１を成膜ゾーンの前後に設けて、成膜直前に基材の表面を有効に加熱するとともに、成膜直後にも加熱を行うことにより、結晶化における加熱処理を、より効率よく行うことができ好ましい。
【００４６】
なお、ヒータ１１の大きさは、幅としてはテープ線材Ｗの幅方向の均熱を得るためにテープ線材Ｗの幅よりも両側が１０ｍｍ以上広いことが好ましく、長さ（テープ線材Ｗの長手方向の長さ）Ｌ２としてはテープ線材Ｗの移動を考慮すると５０〜１００ｍｍ程度であることが好ましい。
【００４７】
また、本実施の形態においては、テープ線材Ｗの成膜反対面側（裏面）にも、ヒータ１３が設けられている。ヒータ１３としては、ランプヒータなどが好ましく使用される。
【００４８】
２．機能性薄膜の成膜方法
次に、上記の構成の成膜装置を用いた機能性薄膜の成膜方法について説明する。
【００４９】
まず、１０〜６０Ｐａ程度の酸素ガス雰囲気に設定された真空チャンバ内に、ｒｅｅｌ  ｔｏ  ｒｅｅｌで数十メートルから数百メートルの長さのテープ線材Ｗを、成膜面を下側にして所定のスピードで導入する。真空チャンバ内には、予め、原料ターゲットＴが、テープ線材Ｗの成膜面に対向して設置されている。
【００５０】
次に、テープ線材Ｗを表面からはヒータ１１、裏面からはヒータ１３により加熱し、酸化物超電導薄膜の成膜に適した所定の温度（約６５０〜７５０℃程度）になるように各ヒータの投入パワーを調整する。
【００５１】
そして、テープ線材Ｗを所定の速度で移動させながら、原料ターゲットＴにレーザを照射して成膜材料を昇華させ、テープ線材Ｗの成膜面上に所定の厚さの酸化物超電導薄膜を成膜する。
【００５２】
本実施の形態においては、テープ線材Ｗを成膜面側から加熱しているため、膜厚が厚い場合でも、成膜面を十分に加熱することができ、基材上に、表面まで結晶性に優れた機能性薄膜を作製することができ、機能性薄膜としての特性を十分に発揮させることができる。
【００５３】
また、基材の成膜反対面側からも加熱しているため、薄膜内における熱のばらつきを一層抑制することができ、より安定した成膜が可能となる。また、表面、裏面の各ヒータにおける負荷をより低減することができる。
【００５４】
以上のように本実施の形態を採用することにより、厚膜であっても、基材上に、表面まで結晶性に優れた機能性薄膜（酸化物超電導薄膜）を作製することができる。
【実施例】
【００５５】
以下、実施例により、本発明をより具体的に説明する。本実施例は、ＰＬＤ法を用いてＧｄＢＣＯ（ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ）酸化物超電導薄膜を成膜し、酸化物超電導線材を作製した例である。
【００５６】
（実施例）
図２に示す構成の酸化物超電導線材を以下の手順により作製した。
【００５７】
（１）下地基材（テープ線材）の作製
まず、１００μｍ厚のステンレス基板に配向銅（Ｃｕ）を貼り合わせた後、ニッケル（Ｎｉ）めっきを施し、１２０μｍ厚の配向金属基板を作製した。次に、配向金属基板にＲＦスパッタ法を用いて、中間層を形成した。具体的には、シード層として０．１４μｍ厚のＣｅＯ２膜、Ｎｉ拡散防止層として０．３μｍ厚のＹＳＺ膜、超電導層との整合層として０．０７μｍ厚のＣｅＯ２膜を形成し、幅３０ｍｍ、長さ１５０ｍのテープ線材（基材）を作製した。
【００５８】
（２）酸化物超電導薄膜の成膜
図１に示した成膜装置１を用いてＧｄＢＣＯ酸化物超電導薄膜を成膜した。レーザには２４８ｎｍの波長のエキシマレーザを使用し、レーザエネルギーを原料ターゲットＴ上で０．７５Ｊ／パルスとし、照射面積を０．２５ｃｍ２にすることで、３Ｊ／ｃｍ２程度の照射エネルギー密度とした。なお、原料ターゲットＴにはＧｄＢＣＯの焼結体を使用した。
【００５９】
ヒータ１１には厚みが１０ｍｍの抵抗線加熱ヒータを用いた。ヒータ１１とテープ線材Ｗ（基材）との距離ｄ１は１０ｍｍとした。スリット１２の開口部の長さＬ１は６５ｍｍとした。スリット１２のテープ線材Ｗ側に設けた壁からヒータ１１の端部までの距離ｄ２は１ｍｍとした。ヒータ１１の大きさは、幅方向を５０ｍｍとし、テープ線材の長手方向の長さＬ２はテープ線材が移動するために９０ｍｍとした。また、真空チャンバ内は２０Ｐａの酸素ガスで保持した。
【００６０】
テープ線材Ｗをｒｅｅｌ  ｔｏ  ｒｅｅｌで原料ターゲットＴが設置された真空チャンバに導入し、ヒータ１１の投入パワーを３ｋＷ、ヒータ１３の投入パワーを０．４ｋＷとして、テープ線材Ｗの表裏両面から加熱することにより、酸化物超電導薄膜を成膜する表面（成膜面）側の温度が７００℃程度になるように調整した。
【００６１】
テープ線材Ｗを１０ｍ／時の速度で移動させながら、エキシマレーザを原料ターゲットＴに照射してターゲット材料を昇華させ、テープ線材Ｗの表面上にＧｄＢＣＯ酸化物超電導薄膜を成膜した。
【００６２】
（３）安定化層および保護層の形成
所定の方法を用いて、ＧｄＢＣＯ酸化物超電導薄膜上に２μｍ厚の銀（Ａｇ）安定化層を形成した後、スリッターを用いて線幅４ｍｍで６条の線材にスリットした。その後、得られた各条線材の外周に２０μｍ厚のＣｕ保護層を形成し、実施例の酸化物超電導線材を得た。
【００６３】
（比較例）
図５に示したテープ線材Ｗの裏面側から加熱する従来の成膜装置２を用い、ヒータ２３の投入パワーを膜厚に応じて３．５〜４ｋＷと変化させながら、テープ線材Ｗの裏面側から加熱したこと以外は実施例と同様にしてＧｄＢＣＯ酸化物超電導薄膜を成膜し、さらに、安定化層および保護層を形成し、比較例の酸化物超電導線材を得た。
【００６４】
上記より、実施例の場合、比較例に比べて小さなヒータの投入パワーであるにも拘わらず、テープ線材表面を成膜に適した約７００℃程度に加熱できることが確認できた。
【００６５】
（酸化物超電導線材の評価）
（１）評価方法
実施例および比較例の酸化物超電導線材について、７７．３Ｋの温度下、通電法によりＩｃ値を測定した。
【００６６】
（２）評価結果
評価結果を図３に示す。図３において、縦軸はＩｃ値（Ａ／ｃｍ：線材幅４ｍｍでの実測値を１ｃｍ幅に換算）であり、横軸は酸化物超電導薄膜の膜厚（μｍ）である。また、実線が実施例の評価結果であり、破線が比較例の評価結果（図４と同一のデータ）である。
【００６７】
図３より、比較例の場合、酸化物超電導薄膜の膜厚が約１．３ｍｍ以上ではＩｃ値が膜厚に比例して増加せず、Ｊｃが低下していることが分かる。これに対して、実施例の場合、Ｉｃ値が膜厚に比例して増大しており、Ｊｃが低下していないことが分かる。
【００６８】
そして、５００Ａ／ｃｍのＩｃを得るためには、比較例の場合には２．８μｍの膜厚を必要とするのに対して、実施例の場合には１．８μｍの膜厚で同等のＩｃ値が得られることが分かる。また、実施例の場合には、２．２μｍの膜厚で６００Ａ／ｃｍのＩｃ値を得ることができることも分かる。
【００６９】
以上の結果より、本発明を採用することにより、膜厚が厚い場合でも、結晶性に優れた酸化物超電導薄膜が得られ、Ｊｃが低下せず、厚膜化により高Ｉｃ値化が可能となることが確認できた。また、同等のＩｃ値を得るために必要な膜厚を低減することができるため、成膜コストの低減が可能となることが確認できた。
【００７０】
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることができる。
【符号の説明】
【００７１】
１、２              成膜装置
１１、１３、２３    ヒータ
１２、２２          スリット
Ｐ                  レーザプルーム
Ｔ                  原料ターゲット
Ｗ                  テープ線材
ｄ１                ヒータとテープ線材との間隔
ｄ２                壁とヒータの端部との間隔
Ｌ１                スリットの開口部の長さ
Ｌ２                ヒータの長さ
【図１】
2013122065.tif 000003
【図２】
2013122065.tif 000004
【図３】
2013122065.tif 000005
【図４】
2013122065.tif 000006
【図５】
2013122065.tif 000007