(57)【要約】【課題】金属回路板が厚くなったり、動作温度が高くなったりしても、絶縁基板にクラックの生じる可能性が低減されており、高い温度サイクル信頼性をもつ回路基板および電子装置を提供すること。【解決手段】絶縁基板１ａと、絶縁基板１ａの上面に接合された金属回路板３と、平面視において金属回路板３を囲んで絶縁基板１ａの上面に接合された金属枠体４と、絶縁基板１ａの下面に接合された放熱板５とを備えており、金属枠体４の外側端部および放熱板５の端部は、絶縁基板１ａの端部に対して外側に位置していることから、絶縁基板１に上下両面の外周端から内側に向かって圧縮応力が加わるので、絶縁基板１が反り難くなり、絶縁基板１の側面への引っ張り応力が発生し難くなるので、クラックが生じる可能性の低減された温度サイクル信頼性の高い回路基板１となる。【選択図】図１
2013229377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
該絶縁基板の上面に接合された金属回路板と、
平面視において該金属回路板を囲んで前記絶縁基板の前記上面に接合された金属枠体と、前記絶縁基板の前記下面に接合された放熱板とを備えており、
前記金属枠体の外側端部および前記放熱板の端部は、前記絶縁基板の端部に対して外側に位置していることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記絶縁基板の側面に、前記絶縁基板と前記金属枠体または前記放熱板とを接合しているろう材層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
請求項１記載の回路基板と、該回路基板の前記金属回路板に搭載された電子部品とを備えていることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板に金属板からなる回路が形成された回路基板およびそれを用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パワーモジュールまたはスイッチングモジュール等の例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate
Bipolar Transistor）などの電子部品が搭載された電子装置に用いられる回路基板とし
て、絶縁基板の上面に例えば銅またはアルミニウム等から成る金属板および金属回路板が接合された回路基板が用いられる。回路基板において、電子部品は、金属板に搭載され、例えばボンディングワイヤによって金属回路板に電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平9-69672号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
パワーモジュールまたはスイッチングモジュール等の電子装置においては、例えばＳｉＣ（シリコンカーバイド）半導体素子、ＧａＮ（窒化ガリウム）半導体素子を用いた半導体装置が使われること等によって装置の大出力化が進もうとしている。そしてＳｉＣ半導体素子、ＧａＮ半導体素子を用いた半導体装置では、より多くの電流が流れ、より高温となっても安定に動作するため、このような用途で使用される回路基板は、より大電流を流すことを要求されると共に、より高い温度で動作した場合の温度サイクル信頼性が高いことを要求されることになる。
【０００５】
回路基板において、大電流を流すために、また放熱しやすくするためには、例えば回路基板に設けられる金属回路板および放熱板を厚くする必要がある。金属回路板および放熱板を厚くすると、絶縁基板と金属回路板の熱膨張係数の違いから、金属回路板および放熱板の外周部が接合されている絶縁基板の表面部により大きな引っ張り応力が加わりやすくなるので、絶縁基板にクラックが発生しやすく、温度サイクル信頼性が低下しやすい問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの態様による回路基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に接合された金属回路板と、平面視において該金属回路板を囲んで前記絶縁基板の前記上面に接合された金属枠体と、前記絶縁基板の前記下面に接合された放熱板とを備えており、前記金属枠体の外側端部および前記放熱板の端部は、前記絶縁基板の端部に対して外側に位置していることを特徴とする。
【０００７】
本発明の他の態様による回路基板は、上記構成において、前記絶縁基板の側面に、前記絶縁基板と前記金属枠体または前記放熱板とを接合しているろう材層が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の回路基板と、該回路基板の前記金属回路板に搭載された電子部品とを備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一つの態様による回路基板は、絶縁基板と、絶縁基板の上面に接合された金属回路板と、平面視において金属回路板を囲んで絶縁基板の上面に接合された金属枠体と、絶縁基板の下面に接合された放熱板とを備えており、金属枠体の外側端部および放熱板の端部は、絶縁基板の端部に対して外側に位置している。本発明の一つの態様による回路基板は、このような構成を含んでいることによって、絶縁基板に対し、金属枠体および放熱板によって上下両面の外周端から内側に向かって圧縮応力が加わるので、絶縁基板が反り難いものとなり、絶縁基板の側面に引っ張り応力が加わり難くなるので、クラックが生じる可能性の低減された温度サイクル信頼性の高い回路基板となる。
【００１０】
本発明の他の態様による回路基板は、絶縁基板の側面に、絶縁基板と金属枠体または放熱板とを接合しているろう材層が形成されている。本発明の一つの態様による回路基板は、このような構成を含んでいることによって、絶縁基板に反りが発生したとしても、反りによって絶縁基板の側面に加わる引っ張り応力はろう材層によって緩和されるために、より温度サイクル信頼性の高い回路基板となる。
【００１１】
本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の回路基板と、回路基板の金属回路板に搭載された電子部品とを備えていることによって、より温度サイクル信頼性の高い電子装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は本発明の電子装置の実施形態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図２】（ａ）は図１（ｂ）のＢ部の拡大図であり、（ｂ）は他の実施形態の拡大図である。
【図３】（ａ）は本発明の電子装置の実施形態の他の例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図４】（ａ）は図３（ｂ）の要部の他の実施形態の拡大図であり、（ｂ）は別の他の実施形態の拡大図である。
【図５】（ａ）は本発明の電子装置の実施形態の他の例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｃ）は裏面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１４】
図１（ａ）、（ｂ）に示されているように、本発明の実施形態における電子装置は、回路基板１と、回路基板１に搭載された電子部品２とを有している。
【００１５】
回路基板１は、絶縁基板１ａと、絶縁基板１ａの上面に接合された金属回路板３と、平面視において金属回路板３を囲んで絶縁基板１ａの上面に接合された金属枠体４と、絶縁基板１ａの下面に接合された放熱板５とを含んでいる。
【００１６】
絶縁基板１ａは絶縁性のセラミック材料からなり、例えば、酸化アルミニウム質セラミックス，ムライト質セラミックス，炭化ケイ素質セラミックス，窒化アルミニウム質セラミックス，窒化ケイ素質セラミックス等のセラミックスからなる。これらの中では熱伝導性（放熱性）の点からは炭化ケイ素質セラミックス，窒化アルミニウム質セラミックス，窒化ケイ素質セラミックスが好ましく、強度の点からは窒化ケイ素質セラミックス、炭化ケイ素質セラミックスが好ましい。また、絶縁基板１ａが窒化ケイ素質セラミックスのように強度の高いセラミックスであると、より厚みの厚い金属回路板３および放熱板５を使用しても絶縁基板１ａにクラックが入り難くなるので、より大電流を流すことができる回路基板１となるので好ましい。
【００１７】
絶縁基板１ａは、例えば窒化ケイ素質セラミックスから成る場合であれば、窒化ケイ素，酸化アルミニウム，酸化マグネシウム，酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダー，可塑剤，溶剤を添加混合して泥漿物に従来周知のドクターブレード法、カレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、次にこのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施して所定形状となすとともに、必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しかる後、これを窒化雰囲気等の非酸化性雰囲気にて1600〜2000℃の温度で焼成することによって製作される。
【００１８】
絶縁基板１ａの厚みは、薄い方が熱伝導性の点ではよいが、回路基板１の大きさ、用いる材料の熱伝導率、強度に応じて選択すればよく、0.1ｍｍ〜１ｍｍ程度である。
【００１９】
金属回路板３、金属枠体４および放熱板５は、銅、アルミニウム等の金属から成り、例えば銅のインゴット（塊）に圧延加工法、打ち抜き加工法等の機械的加工、エッチング等の化学的加工のような従来周知の金属加工法を施すことによって、例えば厚さが0.05〜１ｍｍの平板状で、所定パターンに形成される。このとき、金属回路板３および金属枠体４は、予め所定パターン形状に形成したものを用いてもよいし、後述するように、絶縁基板１ａと同程度の大きさおよび形状の金属板を絶縁基板１ａに接合した後にエッチングで所定パターン形状に加工してもよい。
【００２０】
金属回路板３、金属枠体４および放熱板５が銅から成る場合は、無酸素銅で形成するのが好ましい。無酸素銅で形成すると、絶縁基板１ａと金属回路板３、金属枠体４または放熱板５との接合を行なう際に、銅の表面が銅中に存在する酸素により酸化されることなく、ろう材層６との濡れ性が良好となるので、接合が強固となる。
【００２１】
上記各部材をろう材層６で接続するには、各部材の接合面の少なくとも一方にスクリーン印刷等でろう材ペーストを例えば30〜50μｍの厚さで所定パターンに印刷塗布するとともに、所定の構造となるように挟んで載置した後、金属板に５〜10ｋＰａの荷重をかけながら真空中または水素ガス雰囲気、水素または窒素ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気中で780℃〜900℃、10〜120分間加熱し、ろう材ペーストの有機溶剤、溶媒、分散剤を気体に変
えて発散させるとともにろう材を溶融させることによって行なわれる。
【００２２】
金属回路板３、金属枠体４および放熱板５が銅から成る場合、ろう材ペーストは、銀および銅粉末，銀−銅合金粉末，またはこれらの混合粉末から成る銀ろう材（例えば、銀：72質量％−銅：28質量％）粉末に対してチタン，ハフニウム，ジルコニウムまたはその水素化物等の活性金属を銀ろう材に対して２〜５質量％添加混合し、適当なバインダーと有機溶剤、溶媒とを添加混合し、混練することによって製作される。
【００２３】
金属回路板３、金属枠体４および放熱板５がアルミニウムから成る場合は、銀ろう材に換えてアルミニウムろう材（例えば、アルミニウム：88質量％−シリコン：12質量％）を用いればよい。この場合も同様にしてろう材ペーストを作製して、同様にして接合すればよい。アルミニウムろう材を使用した場合には、銅より低温の約600℃で接合することが
できる。
【００２４】
活性金属を含まない、通常のろう材ペーストで金属回路板３または金属枠体４、あるいは放熱板５を絶縁基板１ａに接合するには、絶縁基板１ａ上にメタライズ層を形成しておき、メタライズ層と金属回路板３または金属枠体４、あるいは放熱板５との間にろう材ペーストを配置すればよい。絶縁基板１ａ上のメタライズ層は、絶縁基板１ａを作製する際に、セラミックグリーンシート上にメタライズペーストを所定パターン形状に印刷塗布しておき、焼成することによって形成しておくか、絶縁基板１ａを作製した後に、絶縁基板
１ａ上にメタライズペーストを所定パターン形状に印刷塗布して焼き付けることによって形成すればよい。メタライズペーストは、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）またはこれらの混合粉末から成る金属粉末と、適当なバインダーと有機溶剤、溶媒とを添加混合し、混練することによって製作される。
【００２５】
また、金属回路板３は、絶縁基板１ａに接合した後に、その表面にニッケルから成る、良導電性で、かつ耐蝕性およびろう材との濡れ性が良好な金属をめっき法により被着させておくと、金属回路板３に半導体素子等の電子部品２を半田を介して強固に接着させることができるとともに、金属回路板３と外部電気回路との電気的接続を良好なものとすることができる。この場合は、内部に燐を８〜15質量％含有させてニッケル−燐のアモルファス合金としておくと、ニッケルから成るめっき層の表面酸化を良好に防止してろう材との濡れ性等を長く維持することができるので好ましい。ニッケルに対する燐の含有量が８質量％未満となると、あるいは15質量％を超えると、ニッケル−燐のアモルファス合金を形成するのが困難となってめっき層に半田を強固に接着させることが困難となりやすい。このニッケルから成るめっき層は、その厚みが1.5μｍ未満の場合には、表層金属回路板３
の表面を完全に被覆することができず、表層金属回路板３の酸化腐蝕を有効に防止することができなくなる傾向がある。また、10μｍを超えると、特に絶縁基板の厚さが300μｍ
未満の薄いものになった場合には、めっき層の内部に内在する内在応力が大きくなって絶縁基板に反り、割れ等が発生しやすくなってしまう。また、放熱板５にも同様のニッケル金属層を形成しておくと、外部回路基板、冷却体への接合が良好になるのでよい。
【００２６】
金属枠体４の外側端部および放熱板５の端部は、絶縁基板１ａの端部に対して外側に位置している。
【００２７】
絶縁基板１ａの上面および下面に金属回路板３、金属枠体４および放熱板５をあらかじめ所定パターンに形成して接合する場合は、以下のようにすればよい。まず、絶縁基板１ａを準備する。また、金属板をプレス加工、エッチング加工等を用い、金属回路板３、金属枠体４および放熱板５を所定パターン形状に加工する。次に絶縁基板１ａと金属回路板３、金属枠体４および放熱板５が相対する接合部の少なくとも一方に、接合後にろう材層６となる活性金属入りのろう材ペーストを所定形状にスクリーン印刷等で塗布する。各部材を所定の位置に配置し、位置がずれないように治具等を用いて荷重をかけながら真空中でろう材層６が溶融する温度まで昇温し各部材を接合することで、回路基板１となる。
【００２８】
なお、絶縁基板１ａより一回り大きい金属板を絶縁基板１ａの上面および下面に接合した後に、金属板をエッチングで金属回路板３、金属枠体４および放熱板５の所定パターン形状に加工する場合は、例えば以下のようにする。絶縁基板１ａの上に位置合わせして接合された金属板の表面にエッチングレジストインクをスクリーン印刷法等の技術を採用して所定パターン形状に印刷塗布してレジスト膜を形成した後、例えば金属板が銅板である場合であれば、塩化第２鉄，塩化第２銅溶液等のエッチング液に浸漬したり、エッチング液を吹き付けたりして金属回路板３、金属枠体４および放熱板５の所定パターン以外の部分を除去し、レジスト膜を除去すればよい。
【００２９】
絶縁基板１ａより大きい金属板を位置合わせして接合するための組み立て工程では、上下の金属板が絶縁基板１ａより大きいので、下側の金属板を固定する冶具の上に絶縁基板１ａを乗せ、分解できる位置合わせ部材で絶縁基板１ａを固定し、その上に上側の金属板を乗せ冶具で固定して、ろう材層６が溶融する温度まで昇温し各部材を接合し、室温まで冷却後冶具を分解すれば良い。
【００３０】
または、図５に示す例のように、金属枠体４、放熱板５となる金属板に予め位置合わせ用のスリット４ａ、５ａを形成しておくことで、ピン等によってスリット４ａ、５ａ部分
で金属板より小さい絶縁基板１ａを、平面視で金属板の中央に位置合わせすることができるようになるために、組み立て冶具の構造を簡易化することが出来る。なお、金属枠体４、放熱板５にこのようなスリット４ａ、５ａを形成して組み立てた回路基板１では、部分的に絶縁基板１ａの外周端に比べ金属枠体４もしくは放熱板５の外周端が外側となっていない部分が形成されることになるが、この部分をコーナー部等の引っ張り応力が集中する部分を避けて形成すれば、回路基板１に大きな信頼性の低下は発生しない。なおスリットは、上面だけに形成したり、下面だけに形成するよりも、上面と下面の両方に形成させることで、回路基板１に反りが発生し難くすることができるので好ましい。また、位置合わせ用に金属板を抜く形状はスリットに限る必要はなく、絶縁基板を固定することができればよいので穴でも構わない。
【００３１】
なお、金属枠体４は、金属回路板３よりヤング率の大きな材料を用いたり、厚みが厚い材料を用いたりした場合でも、金属枠体４の外側端部および放熱板５の端部は、絶縁基板１ａの端部に対して外側に位置しているため、金属枠体４の外周部で絶縁基板１ａにクラックが生じる可能性が低減されており、金属回路板３の外周部付近の絶縁基板１ａへ加わる引っ張り応力より金属枠体４の金属回路板３を囲んでいる開口付近の絶縁基板１ａへ加わる圧縮応力のほうが大きくなることで、金属回路板３による絶縁基板１ａにクラックが生じる可能性が低減されるので回路基板の温度サイクル信頼性が高くなり好ましい。また、金属枠体４の開口の角部分には丸みが付けられていることによって、角部分に丸みが付けられていない構造に比べて絶縁基板１ａに生じる応力が低減されている。
【００３２】
図１、図２（ａ）に示す例のように、絶縁基板１ａの上面に金属回路板３、金属枠体４を、絶縁基板１ａの下面に放熱板５を、絶縁基板１ａの上下両面に形成したろう材層６により接合しており、金属枠体４の外側端部および放熱板５の端部は、絶縁基板１ａの端部に対して外側に位置していることから、金属枠体３および放熱板５によって絶縁基板１に上下両面の外周端から内側に向かって圧縮応力が加わる様になるので、絶縁基板１が反り難くなり、反ることで発生する絶縁基板１の側面への引っ張り応力が発生し難くなるので、クラックが生じる可能性が減り、より温度サイクル信頼性の高い回路基板となる。
【００３３】
また、図２（ｂ）、図４のように、絶縁基板１ａの側面に、絶縁基板１ａと金属枠体４または放熱板５とを接合しているろう材層６が形成されていると、絶縁基板１に反りが発生したとしても、反りによって絶縁基板１の側面に加わる引っ張り応力はろう材層によって緩和されるために、より温度サイクル信頼性の高い回路基板となる。また、絶縁基板１ａの側面に形成されたろう材層６は、メニスカス形状であると絶縁基板１ａと金属枠体４または放熱板５との接合強度が高くなり、好ましい。
【００３４】
また、図４（ｂ）のように、絶縁基板１ａの側面に形成されたろう材層６が、絶縁基板１ａの側面を覆うように形成されていると、絶縁基板１ａに反りが発生しても、ろう材層６により絶縁基板１ａの側面全体が覆われているので側面全体で応力が緩和されるとともに、絶縁基板１ａの側面の欠陥がろう材層６で覆われてクラックの基点となり難くなるため、より温度サイクル信頼性が向上する。
【００３５】
なお、回路基板の絶縁基板１ａの側面にろう材層６を形成するには、絶縁基板１ａの側面にろう材ペーストを形成してから上下の金属板に金属回路板３となる形状、金属枠体４となる形状、もしくは放熱板５となる形状にろう材ペーストを形成してから絶縁基板１ａの上下面に金属板を接合すれば、金属板に形成されたろう材ペーストと絶縁基板の側面に形成されたろう材ペーストが溶融時に接続されることで絶縁基板１ａの側面にろう材層６が形成される。
【００３６】
また、回路基板に用いられる絶縁基板は、一般的にシート状に形成した絶縁基板を焼成
後にレーザー切断やダイシング切断して使用されることが多い。その場合に絶縁基板の側面に切断による欠陥が多く発生し易いので、欠陥を小さくしたり、欠陥数を減少させるために絶縁基板の側面を研摩することが行われることがあるが、欠陥部分をろう材層６で覆うことで欠陥の露出が減るために絶縁基板の側面を研摩しなくとも欠陥部分を発生源とするクラックが発生し難くなるので工程を短縮することができ、温度サイクル信頼性も向上する。
【００３７】
また、金属板の表面には印刷等で容易にレジストを形成できるが、絶縁基板１ａ側には印刷ではレジストを形成できないため、絶縁基板１ａの外周端から外側にある金属板と絶縁基板１ａの側面で形成された凹部の内側の金属板がエッチングされて除去されないように、凹部内にレジストを埋め込むことで覆ってからエッチングしても良いが、金属板にろう材ペーストを形成するときに、絶縁基板１ａの外周端から外側の金属板部分に予めろう材ペーストを形成しておくと、ろう材ペーストは金属板よりエッチングされ難いのでレジストを凹部に形成する必要がなく、工程が増えないので好ましい。
【００３８】
図２に要部拡大図で示すように、金属回路板３と金属枠体４の間の隙間10は0.3〜２ｍ
ｍであることが好ましい。隙間10が0.3ｍｍ未満であると、絶縁性が低下しやすい傾向が
ある。また、隙間10が２ｍｍより大きいと金属回路板３の外周部が接合されている絶縁基板１ａ表面に加わる引っ張り応力を緩和する効果が小さくなると共に、無駄に基板が大きくなることになる。
【００３９】
また、図３に示した構成では、平面視において複数の金属回路板３を、複数の金属回路板３に対応する複数の開口部が形成された金属枠体４で囲むように形成されていることから、電気伝導率の高い銅やアルミニウム等の金属でできている金属回路板３の熱膨張係数は絶縁基板１ａの熱膨張係数より大きく、絶縁基板１ａに対し金属回路板３は縮むように応力が加わるので、金属回路板３の外周部が接合されている絶縁基板１ａの表面には内側に引っ張る応力が働く。それに対し、金属枠体４は開口部が縮まるように絶縁基板１ａに内側への圧縮応力を加えるので、結果として金属回路板３の外周部が接合されている絶縁基板１ａの表面に加わっている引っ張り応力が緩和されることとなり、絶縁基板１ａにクラックが発生し難くなり温度サイクル信頼性の高い回路基板となる。また、絶縁基板１ａの上面に接合される金属回路板３および金属枠体４の面積と、絶縁基板１ａの下面に接合される放熱板５の面積が近くなることによって絶縁基板１ａの上下面に加わる応力差が小さくなるので、より絶縁基板１ａの側面に加わる引っ張り応力が発生し難くなりより温度サイクル信頼性の高い回路基板となる。
【００４０】
図３に示す例では、回路基板１は絶縁基板１ａの上面には外部回路と接続するための６つの金属回路板３と電子部品２を搭載するための１つの金属回路板がろう材層６で接合され、それらの金属回路板３を取り囲むように金属枠体４がろう材層６で接合されている。金属枠体４は、金属回路板３よりもひと回り大きい開口部を有しており、この開口部に金属回路板３が配置されている。絶縁基板１ａの下面には、電子部品２で発生した熱を外部回路基板や冷却体へ伝導するための放熱板５がろう材層６で接合されている。
【００４１】
図３（ａ）に平面図で示すように、金属回路板３と金属枠体４間の隙間が回路基板１内でほぼ同じ寸法となっている場合は、金属回路板３の外周端部付近の絶縁基板１ａに加わる引っ張り応力の値が金属枠体４で各部位で同程度緩和されるために、どの部分でも大きくは異ならない値となるので、特定部分でクラックが発生することが減少し、回路基板１の温度サイクル信頼性がより向上するので好ましい。
【００４２】
また、図５に示した構成では、放熱板５に溝11を設けて、絶縁基板１ａの上面に接合される金属回路板３および金属枠体４の面積と、絶縁基板１ａの下面に接合される放熱板５
の面積との差を図３の構成より更に小さくすることによって、絶縁基板１の側面に加わる応力を小さくする構造で、温度サイクル信頼性を更に向上させる構造となる。
【００４３】
なお、本実施形態の回路基板は、例えば、金属回路板３間を電気的に接続するように抵抗、コンデンサーのような第２の電子部品を配置する場合に金属枠体４は２つ以上の金属回路板３を含む開口部を有した構造であってもかまわない。なお、金属回路板３同士を第２の電子部品を介して電気的に接続する部分には金属回路板３間には部分的に金属枠体４を形成しない構造とすると、金属回路板３の設計の自由度が狭まらないので好ましい。
【００４４】
また、図４に示す例のように、金属回路板３と金属枠体４の間の隙間に、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂等の絶縁体７を充填すると、隙間が狭くなったとしても、絶縁性が低下し難いので好ましい。また、シリコーン樹脂やポリアミド樹脂は耐熱性があり、柔軟性があるため、温度サイクルが加わっても樹脂にクラック等が発生しにくいため絶縁信頼性も高いものとなる。また、絶縁体７を金属回路板３、金属枠体４より高くすると、より絶縁耐圧を高めることが出来る。
【００４５】
なお、絶縁体７の熱膨張係数は絶縁基板１ａより大で且つ金属回路板３より大であることが好ましい。この様な構成とすることで、絶縁体７を充填後に室温より高い例えば150
℃程度の温度で硬化させたとすれば、絶縁体７によっても隙間10の部分の絶縁基板１ａに圧縮応力が加わるので、絶縁基板１ａに加わる引っ張り応力を緩和させることができるようになるからである。
【００４６】
上記のような本実施形態の回路基板に電子部品２を搭載し、電気的に接続することで本実施形態の電子装置となる。本実施形態の電子装置によれば、上記各構成の本実施形態の回路基板と、回路基板の複数の金属回路板１に実装された電子部品２とを備えていることから、より温度サイクル信頼性の高い電子装置となる。
【００４７】
電子部品２としては、トランジスタ，ＣＰＵ（Central Processing Unit）用のＬＳＩ
（Large Scale Integrated circuit），ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor
）やＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor）等の半
導体素子が挙げられる。
【００４８】
電子部品２は、半田やＡｕ−Ｓｉ合金等の金属接合材あるいは導電性樹脂で固定されて回路基板に搭載され、ボンディングワイヤ８により電気的に接続される。
【００４９】
なお、上述の例では活性金属接合法等によって得られる基板について説明しているが、本発明はＤＢＣ基板にも適用され得る。
【符号の説明】
【００５０】
１・・・・・回路基板
１ａ・・・・絶縁基板
２・・・・・電子部品
３・・・・・金属回路板
４・・・・・金属枠体
５・・・・・放熱板
６・・・・・ろう材層
７・・・・・絶縁体
８・・・・・ボンディングワイヤ
【図１】
2013229377.tif 000003
【図２】
2013229377.tif 000004
【図３】
2013229377.tif 000005
【図４】
2013229377.tif 000006
【図５】
2013229377.tif 000007