(57)【要約】【課題】簡単な構成で、レーザ光の光強度分布を容易に調節できる照射装置を提供する。【解決手段】照射装置が、レーザ光を出射する出射部１と、出射部１から出射されたレーザ光の偏光状態を調整する偏光調整部２１と、偏光調整部２１により偏光方向を調整されたレーザ光を、偏光方向の成分に応じて複数に分割する偏光分割部２２と、偏光分割部２２により分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、互いにずらして照射する照射部３とを備える。【選択図】図１
2013248659.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出射する出射部と、
前記出射部から出射されたレーザ光の偏光状態を調整する偏光調整部、前記偏光調整部により偏光方向を調整されたレーザ光を、偏光方向の成分に応じて複数に分割する偏光分割部を備える分布制御部と、
前記分布制御部において分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、互いにずらして照射する照射部と
を備えることを特徴とする照射装置。
【請求項２】
前記偏光調整部は、前記出射部から出射されたレーザ光の偏光方向を回転させることにより、前記出射部から出射されたレーザ光のｐ波成分とｓ波成分との比率を調整する偏光回転素子を備えることを特徴とする請求項１に記載の照射装置。
【請求項３】
前記偏光回転素子は、１／２波長板からなることを特徴とする請求項２に記載の照射装置。
【請求項４】
複数の前記分布制御部を備え、
前記照射部は、前記複数の分布制御部においてそれぞれ分割されたレーザ光を、前記照射領域内の複数の小領域において、それぞれ、互いにずらして照射することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の照射装置。
【請求項５】
光強度分布の設定を入力する入力部と、
前記入力部により入力された光強度分布の設定に応じて、前記照射部が照射するレーザ光が、前記照射領域において、所定の光強度分布となるように前記分布制御部を制御する処理部と
を更に備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の照射装置。
【請求項６】
光強度分布の設定を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された光強度分布の設定に応じて、前記照射部が照射するレーザ光が、前記照射領域において、所定の光強度分布となるように前記分布制御部を制御する処理部と
を更に備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の照射装置。
【請求項７】
前記照射部は、接合対象にレーザ光を照射することにより、接合対象を接合する請求項１〜６のいずれか１項に記載の照射装置。
【請求項８】
前記接合対象の形状に応じて、前記照射部が照射するレーザ光が、前記照射領域において、所定の光強度分布となるように前記分布制御部を制御する処理部を更に備えることを特徴とする請求項７に記載の照射装置。
【請求項９】
レーザ光を出射する出射ステップと、
前記出射ステップにおいて出射されたレーザ光の偏光状態を調整する偏光調整ステップと、
前記偏光調整ステップにおいて偏光方向を調整されたレーザ光を、偏光方向の成分に応じて複数に分割する偏光分割ステップと、
前記偏光分割ステップにおいて分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、互いにずらして照射する照射ステップと
を含むことを特徴とする照射方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の光強度分布でレーザ光を照射する照射装置及び照射方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハに形成された複数の半導体集積回路等の被試験体（ＤＵＴ：Device Under Test）は、一般に、プローブ装置（プローバ）等を備える半導体試験装置により電気的に試験される。このような半導体試験装置は、テスタからの電気信号を、プローブ装置を介してＤＵＴに供給することにより、ＤＵＴの良否を判定することができる。プローブ装置は、ＤＵＴ毎に異なる配置のプローブを有するプローブ組立体（プローブカード）を用いて、ＤＵＴの各端子にプローブを接触させる。
【０００３】
プローブ組立体は、プローブ基板に設けられた複数の接合パッドに、それぞれプローブが接合されている。接合パッド及びプローブは、ＤＵＴの微細化に伴い、サイズがより微小になると、一列に配置されることが困難になり、多列の千鳥配置とされる。この場合、ＤＵＴの各端子は、通常一列に配置されているため、接合パッド及びプローブは、千鳥配置の列数に応じて複数種類の形状となる（特許文献１参照）。
【０００４】
接合パッド及びプローブは、一般に、レーザを熱源とした半田付けや溶接により接合される。プローブは、その形状毎に熱伝導特性が異なるため、複数種類の形状の接合パッド及びプローブを接合する場合、プローブの形状毎に異なる出力のレーザ光を照射する必要がある（特許文献２参照）。
【０００５】
また、プローブと接合パッドとの接合部は、プローブの形状により、１つの接合部内においても熱伝導特性が異なる。例えば、接合部から前方に延伸するプローブの場合、接合部は、前方側の熱移動量が大きくなるため、前方側の半田濡れ性が悪化する恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００７／０８６１４７号
【特許文献２】特開２００５−２９４４０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のレーザ光照射装置は、照射領域の光強度分布を任意に調節するために、多大な製造コストが必要であり、また、光強度分布の調節方法が煩雑である。
本発明は、上記問題点を鑑み、簡単な構成で、レーザ光の光強度分布を容易に調節できる照射装置及び照射方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、レーザ光を出射する出射部と、前記出射部から出射されたレーザ光の偏光状態を調整する偏光調整部、前記偏光調整部により偏光方向を調整されたレーザ光を、偏光方向の成分に応じて複数に分割する偏光分割部を備える分布制御部と、前記分布制御部において分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、互いにずらして照射する照射部を備える照射装置であることを要旨とする。
【０００９】
また、本発明の第１の態様に係る照射装置においては、前記偏光調整部は、前記出射部から出射されたレーザ光の偏光方向を回転させることにより、前記出射部から出射されたレーザ光のｐ波成分とｓ波成分との比率を調整する偏光回転素子を備えることができる。
また、本発明の第１の態様に係る照射装置においては、前記偏光回転素子は、１／２波長板からなることができる。
【００１０】
また、本発明の第１の態様に係る照射装置においては、複数の前記分布制御部を備え、前記照射部は、前記複数の分布制御部においてそれぞれ分割されたレーザ光を、前記照射領域内の複数の小領域において、それぞれ、互いにずらして照射することができる。
【００１１】
また、本発明の第１の態様に係る照射装置においては、光強度分布の設定を入力する入力部と、前記入力部により入力された光強度分布の設定に応じて、前記照射部が照射するレーザ光が、前記照射領域において、所定の光強度分布となるように前記分布制御部を制御する処理部とを更に備えることができる。
【００１２】
また、本発明の第１の態様に係る照射装置においては、光強度分布の設定を記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶された光強度分布の設定に応じて、前記照射部が照射するレーザ光が、前記照射領域において、所定の光強度分布となるように前記分布制御部を制御する処理部とを更に備えることができる。
また、本発明の第１の態様に係る照射装置においては、前記照射部は、接合対象にレーザ光を照射することにより、接合対象を接合することができる。
【００１３】
また、本発明の第１の態様に係る照射装置においては、前記接合対象の形状に応じて、前記照射部が照射するレーザ光が、前記照射領域において、所定の光強度分布となるように前記分布制御部を制御する処理部を更に備えることができる。
【００１４】
本発明の第２の態様は、レーザ光を出射する出射ステップと、前記出射ステップにおいて出射されたレーザ光の偏光状態を調整する偏光調整ステップと、前記偏光調整ステップにおいて偏光方向を調整されたレーザ光を、偏光方向の成分に応じて複数に分割する偏光分割ステップと、前記偏光分割ステップにおいて分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、互いにずらして照射する照射ステップを含む照射方法であることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、簡単な構成で、レーザ光の光強度分布を容易に調節できる照射装置及び照射方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態に係る照射装置の基本的な構成を説明する模式的なブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る照射装置が備える出射部及び照射部を説明する模式的なブロック図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る照射装置が、複数の出射部及び分布制御部を備える場合の一例を説明する模式的なブロック図である。
【図４】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る照射装置が備える出射部及び分布制御部の動作を説明する模式的なブロック図である。（ｂ）は、（ａ）に示す出射部及び分布制御部により形成されたレーザ光の光強度分布を説明する図である。
【図５】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る照射装置が備える出射部及び分布制御部の動作を説明する模式的なブロック図である。（ｂ）は、（ａ）に示す出射部及び分布制御部により形成されたレーザ光の光強度分布を説明する図である。
【図６】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る照射装置が備える出射部及び分布制御部の動作を説明する模式的なブロック図である。（ｂ）は、（ａ）に示す出射部及び分布制御部により形成されたレーザ光の光強度分布を説明する図である。
【図７】図４〜図６に示す出射部及び分布制御部により形成されたレーザ光の、照射領域における光強度分布を説明する図である。
【図８】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る照射装置が備える出射部及び分布制御部の動作を説明する模式的なブロック図である。（ｂ）は、（ａ）に示す出射部及び分布制御部により形成されたレーザ光の光強度分布を説明する図である。
【図９】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る照射装置が備える出射部及び分布制御部の動作を説明する模式的なブロック図である。（ｂ）は、（ａ）に示す出射部及び分布制御部により形成されたレーザ光の光強度分布を説明する図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る照射装置により接合される、接合パッド及びプローブを備えるプローブ組立体を説明する模式的な拡大上面図である。（ｂ）は、（ａ）の側面図である。（ｃ）は、（ａ）の正面図である。
【図１１】図１０に示す接合パッド及びプローブに、レーザ光を照射する様子を説明する拡大正面図である。
【図１２】（ａ）は、図１１に示す接合パッド及びプローブを説明する拡大上面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す接合パッド及びプローブに、レーザ光が照射される様子を説明する拡大上面図である。
【図１３】（ａ）は、図１０に示す接合パッド及びプローブに、レーザ光を照射する様子を説明する拡大正面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す接合パッド及びプローブに照射されるレーザ光の、照射領域における光強度分布を説明する図である。
【図１４】（ａ）は、図１０に示す接合パッド及びプローブに、レーザ光を照射する様子を説明する拡大正面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す接合パッド及びプローブに照射されるレーザ光の、照射領域における光強度分布を説明する図である。
【図１５】（ａ）は、図１０に示す接合パッド及びプローブに、レーザ光を照射する様子を説明する拡大正面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す接合パッド及びプローブに照射されるレーザ光の、照射領域における光強度分布を説明する図である。
【図１６】（ａ）は、複数のプローブに、レーザ光を順に照射する様子を説明する拡大正面図である。（ｂ）は、（ａ）に示すプローブに照射されるレーザ光の、照射領域における光強度分布を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、断面図と平面寸法の関係、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１８】
また、以下に示す実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【００１９】
（照射装置）
本発明の実施の形態に係る照射装置は、図１に示すように、レーザ光を出射する出射部１と、出射部１から出射されたレーザ光を複数に分割する分布制御部２と、分布制御部２により分割されたレーザ光を照射領域に照射する照射部３と、入力部４１と、本発明の実施の形態に係る照射装置に必要な種々の演算を処理する処理部４２と、記憶部４３とを備える。
【００２０】
分布制御部２は、出射部１から出射されたレーザ光の偏光状態を調整する偏光調整部２１と、偏光調整部２１により偏光状態を調整されたレーザ光を、互いに異なる２つの偏光方向の成分に分割する偏光分割部２２と、反射ミラー２３とを備える。
【００２１】
偏光調整部２１は、例えば１／２波長板やファラデー素子（ファラデーローテータ）等からなる偏光回転素子と、偏光回転素子を駆動する駆動機構とを備える。偏光回転素子として１／２波長板を採用することにより、製造コストを低くすることができる。偏光調整部２１は、出射部１から出射された直線偏光のレーザ光を入射し、処理部４２の制御に応じて、入射したレーザ光の偏光方向を、光軸を回転軸として回転させて出射する。偏光調整部２１は、レーザ光を、処理部４２の制御に応じて、偏光方向を回転させて通過させることにより、レーザ光に含まれるｐ波成分とｓ波成分との比率を調整する。
【００２２】
偏光分割部２２は、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）等の偏光分割素子と、偏光分割素子を駆動する駆動機構とを備える。偏光分割素子は、例えば、偏光調整部２１により偏光状態を調整されたレーザ光を、ｐ波成分とｓ波成分とに分割するＰＢＳからなる。偏光分割部２２は、例えば、入射したレーザ光のｐ波成分を透過し、ｓ波成分を入射光に対して直交する方向に反射させる。偏光分割部２２は、偏光調整部２１により偏光状態が調整されることにより、分割するレーザ光の比率を調整することができる。また、偏光分割部２２は、処理部４２の制御に応じて、偏光分割素子を入射するレーザ光の光軸を回転軸として回転することにより、分割するレーザ光の強度を調整することができる。
【００２３】
偏光分割部２２により分割されたレーザ光のうち一方は、偏光調整部２４に入射する。偏光調整部２４に入射されたレーザ光は、偏光分割部２５において分割される、偏光分割部２５により分割されたレーザ光のうち一方は、照射部３に入射し、他方は、反射ミラー２６において反射した後、照射部３に入射する。
【００２４】
偏光分割部２２により分割されたレーザ光のうち他方は、反射ミラー２３において反射した後、偏光調整部２７に入射する。偏光調整部２７に入射されたレーザ光は、偏光分割部２８において分割される、偏光分割部２８により分割されたレーザ光のうち一方は、照射部３に入射し、他方は、反射ミラー２９において反射した後、照射部３に入射する。
【００２５】
偏光調整部２４，２７、偏光分割部２５，２８、反射ミラー２６，２７は、それぞれ、偏光調整部２１、偏光分割部２２、反射ミラー２３と実質的に同様の構成であるので、重複する説明を省略する。偏光調整部２１，２４，２７は、それぞれ、処理部４２の制御に応じて、入射するレーザ光の偏光状態を調整して、偏光分割部２２，２５，２８に出射する。分布制御部２は、偏光調整部２１及び偏光分割部２２を１組の分割部とする場合に、３組の分割部を備えるが、例示であり、他の組数の分割部を備えるようにしてもよい。
【００２６】
照射部３は、偏光分割部２２，２５，２８により複数に分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、所定の光強度分布となるように、互いにずらして照射する。照射領域の光強度分布は、分布制御部２の偏光調整部２１，２４，２７により制御される。
【００２７】
入力部４１は、ユーザの操作に応じて、照射領域の光強度分布の設定を処理部４２に入力する。処理部４２は、照射領域の光強度分布の設定に応じて、分布制御部２の動作を制御する。記憶部４３は、照射領域の光強度分布の設定を記憶する。
【００２８】
図２に示すように、出射部１は、レーザ光源及び光ファイバを備えるファイバユニット１１と、ファイバユニットから出射されたレーザ光をコリメートして出射するコリメートレンズ１２とを備える。出射部１は、処理部４２の制御により駆動され、出射するレーザ光の強度を調節される。コリメートレンズ１２によりコリメートされたレーザ光は、分布制御部２において複数に分割され、照射部３に入射される。照射部３は、分布制御部２により分割されたレーザ光を、照射領域に集光して照射する集光レンズ３１を備える。
【００２９】
本発明の実施の形態に係る照射装置は、光強度分布の設定が入力部４１から処理部４２に入力され、処理部４２が、入力された光強度分布の設定に応じて分布制御部２の動作を制御することにより、容易にレーザ光の光強度分布を調節することができる。処理部４２は、予め記憶部４３に記憶された時系列の光強度分布の設定を、順次読み出すことにより分布制御部２の動作を自動的に制御するようにしてもよい。
【００３０】
本発明の実施の形態に係る照射装置は、図３に示すように、それぞれ、複数の出射部１Ａ，１Ｂ，１Ｃ、分布制御部２Ａ，２Ｂ，２Ｃを備えるにしてもよい。以下、それぞれ、複数の出射部１Ａ，１Ｂ，１Ｃ、分布制御部２Ａ，２Ｂ，２Ｃを備える照射装置について説明する。出射部１Ａ，１Ｂ，１Ｃ、分布制御部２Ａ，２Ｂ，２Ｃの構成は、それぞれ、出射部１、分布制御部２と実質的に同様の構成であるので、重複する説明を省略する。
【００３１】
分布制御部２Ａ，２Ｂ，２Ｃにおいてそれぞれ分割されたレーザ光は、照射部３の結合光学系３２に入射される。結合光学系３２は、分布制御部２Ａ，２Ｂ，２Ｃによりそれぞれ分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、所定の光強度分布となるように形成する。集光レンズ３１は、結合光学系３２において形成されたレーザ光を照射領域に集光して照射する。
【００３２】
例えば、分布制御部２Ａは、図４（ａ）に示すように、照射領域内の小領域ＲＡ（図７参照）の光強度分布を制御する。小領域は、例えば、照射領域が複数に分割された互いに隣接する領域である。偏光調整部２１Ａが、出射部１Ａから出射されたレーザ光のｐ波成分とｓ波成分との比率を１：１に調整する場合、出射部１Ａから出射されたレーザ光のエネルギーを１００とすると、偏光分割部２２Ａに分割された２本のレーザ光のエネルギーは、それぞれ５０となる。
【００３３】
偏光分割部２２Ａにより分割されたレーザ光のうちｐ波成分（白抜きの丸「○」でｐ波を示す）は、偏光調整部２４Ａに入射する。偏光分割部２２Ａにより分割されたレーザ光のうちｓ波成分（白抜きの菱形「◇」でｓ波を示す）は、反射ミラー２３Ａにおいて反射した後、偏光調整部２７Ａに入射する。
【００３４】
偏光調整部２４Ａがレーザ光のｐ波成分とｓ波成分との比率を１：０に調整する場合、偏光分割部２５Ａを透過するレーザ光のエネルギーは５０、反射するレーザ光のエネルギーは０となる。偏光分割部２５Ａにより分割されたレーザ光のうちｐ波成分は、小領域ＲＡの地点ａに向けて照射される光として、照射部３に入射する。
【００３５】
偏光調整部２７Ａがレーザ光のｐ波成分とｓ波成分との比率を０：１に調整する場合、偏光分割部２８Ａを透過するレーザ光のエネルギーは０、反射するレーザ光のエネルギーは５０となる。偏光分割部２８Ａにより分割されたレーザ光のうちｓ波成分は、小領域ＲＡの地点ｄに向けて照射される光として、反射ミラー２９Ａにおいて反射した後、照射部３に入射する。
【００３６】
分布制御部２Ａにより分割されたレーザ光は、照射部３の光学結合系３２に入射され、小領域ＲＡ内の異なる地点ａ，ｂ，ｃ，ｄにそれぞれ向けて照射されるように形成される。小領域ＲＡは、例えば帯状の領域であり、小領域ＲＡの長手方向に、順に地点ａ，ｂ，ｃ，ｄが一列に位置する。小領域ＲＡの長手方向における光強度分布は、例えば図４（ｂ）に示すように、小領域ＲＡの両端側の地点ａ，ｄの強度が高く、中央側の地点ｂ，ｃの強度が低くなる。なお、破線はシミュレーションによる分布、実線は実際の分布を示している。
【００３７】
分布制御部２Ｂは、図５（ａ）に示すように、照射領域内の小領域ＲＢ（図７参照）の光強度分布を制御する。偏光調整部２１Ｂがレーザ光のｐ波成分とｓ波成分との比率を１：０に調整する場合、出射部１Ｂから出射されたレーザ光のエネルギーを１００とすると、偏光分割部２２Ｂを透過するレーザ光のエネルギーは１００、反射するレーザ光のエネルギーは０となる。偏光分割部２２Ｂにより分割されたレーザ光のうちｐ波成分は、偏光調整部２４Ｂに入射する。
【００３８】
偏光調整部２４Ｂがレーザ光のｐ波成分とｓ波成分との比率を１：１に調整する場合、偏光分割部２５Ｂに分割された２本のレーザ光のエネルギーは、それぞれ５０となる。
【００３９】
偏光分割部２５Ｂにより分割されたレーザ光のうちｐ波成分は、小領域ＲＢの地点ａに向けて照射される光として、照射部３に入射する。偏光分割部２５Ｂにより分割されたレーザ光のうちｓ波成分は、小領域ＲＢの地点ｂに向けて照射される光として、反射ミラー２６Ｂにおいて反射した後、照射部３に入射する。
【００４０】
分布制御部２Ｂにより分割されたレーザ光は、照射部３の光学結合系３２に入射され、小領域ＲＢ内の地点ａ，ｂ，ｃ，ｄにそれぞれ向けて照射されるように形成される。小領域ＲＢは、小領域ＲＡと隣接する帯状の領域であり、小領域ＲＡと同様に地点ａ，ｂ，ｃ，ｄが位置する。小領域ＲＢの長手方向における光強度分布は、図５（ｂ）に示すように、小領域ＲＢの一端側の地点ａ，ｂの強度が高く、他端側の地点ｃ，ｄの強度が低くなる。
【００４１】
分布制御部２Ｃは、図６（ａ）に示すように、照射領域内の小領域ＲＣ（図７参照）の光強度分布を、分布制御部２Ａと同様に制御する。
【００４２】
分布制御部２Ｃにより分割されたレーザ光は、照射部３の光学結合系３２に入射され、小領域ＲＣ内の地点ａ，ｂ，ｃ，ｄにそれぞれ向けて照射されるように形成される。小領域ＲＣは、小領域ＲＢと隣接する帯状の領域であり、小領域ＲＡ，ＲＢと同様に地点ａ，ｂ，ｃ，ｄが位置する。小領域ＲＣの長手方向における光強度分布は、図６（ｂ）に示すように、小領域ＲＡの両端側の地点ａ，ｄの強度が高く、中央側の地点ｂ，ｃの強度が低くなる。
【００４３】
図７に示すように、照射部３によりレーザ光を照射される照射領域Ｒは、物理的に連続する領域であり、複数の小領域ＲＡ，ＲＢ，ＲＣからなる。結合光学系３２は、分布制御部２Ａ，２Ｂ，２Ｃによりそれぞれ分割されたレーザ光を、それぞれ小領域ＲＡ，ＲＢ，ＲＣにおいて、所定の光強度分布となるように互いにずらして形成し、集光レンズ３１により、照射領域Ｒに集光して照射する。
【００４４】
以上のように、分布制御部２Ａ，２Ｂ，２Ｃは、それぞれ、偏光調整部２１，２４，２７の駆動が制御されることにより、容易に、照射領域Ｒの小領域ＲＡ，ＲＢ，ＲＣの光強度分布をそれぞれ任意に調節することができる。
【００４５】
上記の他、例えば、図８（ａ）に示すように、１つの分布制御部２の偏光調整部２１，２４，２７は、それぞれ、レーザ光のｐ波成分とｓ波成分との比率が、３：２、１：１、１：１となるように制御される。この場合、出射部１から出射されるレーザ光のエネルギーを１００とすると、帯状の照射領域内の地点ａ，ｂ，ｃ，ｄに向けて照射されるエネルギーは、図８（ｂ）に示すように、それぞれ、３０、３０、２０、２０となる。
【００４６】
また、例えば、図９（ａ）に示すように、分布制御部２の偏光調整部２１，２４，２７は、それぞれ、レーザ光のｐ波成分とｓ波成分との比率が、３：２、２：３、３：２となるように制御される。この場合、出射部１から出射されるレーザ光のエネルギーを１００とすると、帯状の照射領域内の地点ａ，ｂ，ｃ，ｄに向けて照射されるエネルギーは、図８（ｂ）に示すように、それぞれ、２０、３０、３０、２０となる。
【００４７】
本発明の実施の形態に係る照射装置によれば、偏光調整部２１，２４，２７の駆動を制御して、偏光分割部２２，２５，２８において分割されるレーザ光の比率を制御することにより、簡単な構成で、照射領域の光強度分布を容易に調節することができる。
【００４８】
（適用例）
本発明の実施の形態に係る照射装置は、例えば、半導体集積回路等の被試験体（ＤＵＴ）の電気的な試験を行う半導体試験装置のプローブ装置（プローバ）に使用されるプローブ組立体（プローブカード）の製造に用いることができる。プローブ組立体は、例えば、図１０に示すように、配線基板７と、配線基板の上面に形成されたそれぞれ複数の接合パッド６１，６２，６３と、接合パッド６１，６２，６３にそれぞれ接合された複数のプローブ５１，５２，５３とを備える。
【００４９】
本発明の実施の形態に係る照射装置は、接合パッド６１，６２，６３及びプローブ５１，５２，５３を接合対象として、接合パッド６１，６２，６３に向けてレーザ光を照射し、レーザ光の熱エネルギによって接合対象を接合する。
【００５０】
プローブ５１，５２，５３の各先端部Ｐは、図１０（ａ）、図１０（ｂ）に示すように、ＤＵＴの各端子に対応して一列に配置される。接合パッド６１，６２，６３及びプローブ５１，５２，５３が、多列の千鳥配置とされることにより、プローブ５１，５２，５３の各先端部Ｐは微小なピッチで配置されることができる。プローブ５１，５２，５３は、図１０（ｃ）に示すように、それぞれ、互いに異なる形状を有する。
【００５１】
例えば、プローブ５２を接合パッド６２に接合する場合、本発明の実施の形態に係る照射装置は、図１１に示すように、接合パッド６２の上面にプローブ５２を配置し、プローブ５２の後方（図１１において右方）から、接合パッド６２の上面を照射領域Ｒとして、接合パッド６２の上面に向けて、照射部３からレーザ光を照射する。照射部３から照射されるレーザ光の視射角は、レーザ光がプローブ５２の先端部Ｐに照射されないように、例えば、３５〜４０°程度である。照射領域Ｒは、図１２に示すように、接合パッド６２のみが照射される小領域ＲＡ，ＲＣと、プローブ５２を含む領域が照射される小領域ＲＢとからなる。
【００５２】
プローブ５１，５２，５３は、それぞれ接合パッド６１，６２，６３の上面に配置され、処理部４２の制御により形成されたレーザ光を、照射部３から照射されて半田付けされることにより、プローブ５１，５２，５３の接合部（下部）が、それぞれ接合パッド６１，６２，６３に接合される。
【００５３】
プローブ５１は、図１３（ａ）に示すように、後方（図１３において右方）に延伸しており、後方への熱移動量が他のプローブ５２，５３より大きい。この為、照射部３から照射されるレーザ光は、図１３（ｂ）に示すように、照射領域Ｒの小領域ＲＢにおいて、前方の強度が低く、後方の強度が高く設定されている。また、照射部３から照射されるレーザ光は、プローブ５１に干渉する。この為、照射部３から照射されるレーザ光は、図１３（ｂ）に示すように、プローブ５１への干渉を考慮して、照射領域Ｒの小領域ＲＡ，ＲＣにおいて、前方の強度が低く、後方の強度が高く設定されている。
【００５４】
プローブ５２は、図１４（ａ）に示すように、後方（図１４において右方）への熱移動量が大きい。この為、照射部３から照射されるレーザ光は、図１４（ｂ）に示すように、照射領域Ｒの小領域ＲＢにおいて、前方の強度が低く、後方の強度が高く設定されている。また、照射部３から照射されるレーザ光は、図１４（ｂ）に示すように、プローブ５２への干渉を考慮して、照射領域Ｒの小領域ＲＡ，ＲＣにおいて、前方の強度が高く、後方の強度が低く設定されている。
【００５５】
プローブ５３は、図１５（ａ）に示すように、前方（図１５において左方）に延伸しており、前方への熱移動量が他のプローブ５１，５２より大きい。また、接合パッド６２の前方は、照射部３から離れた距離に位置している。この為、照射部３から照射されるレーザ光は、図１５（ｂ）に示すように、照射領域Ｒの小領域ＲＡ，ＲＢ，ＲＣにおいて、前方の強度が高く、後方の強度が低く設定されている。
【００５６】
以上のように、本発明の実施の形態に係る照射装置によれば、プローブ５１，５２，５３の形状に応じて、照射するレーザ光の光強度分布を調節することにより、適切な半田濡れ性を確保でき、接合パッド６１，６２，６３に安定した品質で接合することができる。処理部４２は、プローブ５１，５２，５３の形状の他、プローブ５１，５２，５３及び接合パッド６１，６２，６３の材質、組み合わせ等に応じて、照射するレーザ光の出力、光強度分布を調節することができる。
【００５７】
また、本発明の実施の形態に係る照射装置によれば、プローブ５１，５２，５３への干渉を考慮して、照射するレーザ光の光強度分布を調節することにより、プローブ５１，５２，５３の負担を低減することができる。
【００５８】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明を上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００５９】
例えば、複数のプローブ５１が、図１６（ａ）に示すように、方向Ｄの順に、照射部３からレーザ光を照射されることにより、それぞれ接合パッド６１に接合される場合、処理部４２は、方向Ｄに応じて、光強度分布を制御するようにしてもよい。分布制御部２は、例えば、図１６（ｂ）に示すように、既に接合済みのプローブ５１側の小領域ＲＡの強度が、未だ接合されないプローブ５１側の小領域ＲＣの強度より低くなるように、照射領域Ｒの光強度分布を調節することができる。
【００６０】
また、既に述べた実施の形態においては、照射装置は、記憶部４３が、プローブ５１，５２，５３の形状に応じた光強度分布の設定を記憶し、処理部４２が、記憶部４３に記憶された光強度分布の設定を順次読み出すことにより、プローブ５１，５２，５３の形状に応じた光強度分布となるように、レーザ光を照射するようにしてもよい。
【００６１】
その他、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【００６２】
１  出射部
２  分布制御部
３  照射部
７  配線基板
１１  ファイバユニット
１２  コリメートレンズ
２１，２４，２７  偏光調整部
２２，２５，２８  偏光分割部
２３，２６，２７  反射ミラー
３１  集光レンズ
３２  光学結合系
３２  結合光学系
４１  入力部
４２  処理部
４３  記憶部
５１，５２，５３  プローブ
６１，６２，６３  接合パッド
【図１】
2013248659.tif 000003
【図２】
2013248659.tif 000004
【図３】
2013248659.tif 000005
【図４】
2013248659.tif 000006
【図５】
2013248659.tif 000007
【図６】
2013248659.tif 000008
【図７】
2013248659.tif 000009
【図８】
2013248659.tif 000010
【図９】
2013248659.tif 000011
【図１０】
2013248659.tif 000012
【図１１】
2013248659.tif 000013
【図１２】
2013248659.tif 000014
【図１３】
2013248659.tif 000015
【図１４】
2013248659.tif 000016
【図１５】
2013248659.tif 000017
【図１６】
2013248659.tif 000018