(57)【要約】【課題】温度による分圧比の変化を抑制し、信頼性を向上でき、組立性を向上できる容量分圧器を提供する。【解決手段】高電圧導体と中間電極とを同じ金属材料で形成する。そして、第１のコンデンサにおいて高電圧導体および中間電極を構成する金属材料の線膨張係数β［Ｋ−１］と、第２のコンデンサにおいて静電容量が温度に対して変化する割合である温度係数γ［Ｋ−１］とが、式（Ａ）を満たす。  【数１】2013187215.tif 000016【選択図】図１
2013187215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ガスが内部に封入され、接地された導電性容器と、
前記導電性容器の内部に設けられた高電圧導体と、
前記導電性容器の内部において、前記高電圧導体との間に第１のコンデンサを形成するように設けられた中間電極と、
前記導電性容器の外部において、前記中間電極に一端が接続され、接地電位に他端が接続された第２のコンデンサと
を備え、
前記高電圧導体と前記中間電極とが同じ金属材料で形成されており、
前記第１のコンデンサにおいて前記高電圧導体および前記中間電極を構成する金属材料の線膨張係数β［Ｋ−１］と、第２のコンデンサにおいて静電容量が温度に対して変化する割合である温度係数γ［Ｋ−１］とが、下記の式（Ａ）を満たすことを特徴とする、
容量分圧器。
【数１】
2013187215.tif 000015
【請求項２】
前記導電性容器の内部において、前記中間電極を支持する絶縁棒
を備え、
前記絶縁棒は、前記高電圧導体が延びた軸方向に対して平行に延在するように設けられていることを特徴とする、
請求項１に記載の容量分圧器。
【請求項３】
前記第２のコンデンサは、マイカコンデンサであることを特徴とする、
請求項１または２のいずれかに記載の容量分圧器。
【請求項４】
前記導電性容器の外部に設置された密閉容器
を備え、
前記第２のコンデンサは、前記密閉容器に収容されていることを特徴とする、
請求項１から３のいずれか一項に記載の容量分圧器。
【請求項５】
前記密閉容器は、水分を吸収する乾燥剤を収容していることを特徴とする
請求項４に記載の容量分圧器。
【請求項６】
前記絶縁棒は、アルミナが充填されたエポキシ樹脂を用いて形成されていることを特徴とする、
請求項２に記載の容量分圧器。
【請求項７】
前記絶縁棒が設置される絶縁棒支持部材
を備え、
前記導電性容器は、第１の容器部材と第２の容器部材とを有し、
前記絶縁棒支持部材は、前記第１の容器部材と前記第２の容器部材の間に設けられていることを特徴とする、
請求項１から６のいずれか一項に記載の容量分圧器。
【請求項８】
前記絶縁棒が設置される絶縁棒支持部材
を備え、
前記絶縁棒支持部材は、前記導電性容器の端部に設置されていることを特徴とする、
請求項１から６のいずれか一項に記載の容量分圧器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、容量分圧器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガス絶縁開閉装置においては、高電圧導体の電圧値を計測するために計器用変圧器が用いられている。計器用変圧器としては、巻線式のガス絶縁電圧変成器（ＶＴ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ））の他に、容量分圧器（コンデンサ型電圧変成器（ＣＶＴ））などの機器が使用されている。
【０００３】
容量分圧器は、直列に接続された複数のコンデンサを用いて高電圧を分圧する。（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
たとえば、容量分圧器は、絶縁ガスが封入された導電性容器の内部において第１コンデンサが高電圧導体と中間電極との間に形成される他に、導電性容器の外部において、静電容量が大きい第２コンデンサが、第１コンデンサに直列に接続して設けられている。このように構成することで、容量分圧器について小型軽量化が図られている。上記のような容量分圧器は、たとえば、増幅器形計器用変圧器（アンプＰＤ（Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ  Ｄｅｖｉｃｅ））、光応用計器用変圧器（光ＰＤ）において利用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１２８３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、容量分圧器においては、温度の変化に伴って分圧比が変化する場合がある。このため、容量分圧器の信頼性が低下する場合がある。また、これを克服するためには、容量分圧器を複雑な構成にする必要が生じ、組立性が低下する場合がある。
【０００７】
したがって、本発明が解決しようとする課題は、温度による分圧比の変化を抑制し、信頼性を高めると共に、組立が容易な容量分圧器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施形態の容量分圧器は、接地された導電性容器の内部に絶縁ガスが封入されている。導電性容器の内部に、高電圧導体が設けられている。導電性容器の内部において、高電圧導体との間に第１のコンデンサを形成するように、中間電極が設けられている。導電性容器の外部において、中間電極に一端が接続され、接地電位に他端が接続されるように、第２のコンデンサが設けられている。ここでは、高電圧導体と中間電極とが同じ金属材料で形成されている。そして、第１のコンデンサにおいて高電圧導体および中間電極を構成する金属材料の線膨張係数β［Ｋ−１］と、第２のコンデンサにおいて静電容量が温度に対して変化する割合である温度係数γ［Ｋ−１］とが、下記の式（Ａ）を満たす。
【０００９】
【数１】
2013187215.tif 000003
【００１０】
本発明によれば、温度による分圧比の変化を抑制し、信頼性を高めると共に、組立が容易な容量分圧器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、第１実施形態に係る容量分圧器について、側方から見た断面図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る容量分圧器について正面から見た断面図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係る容量分圧器の回路図である。
【図４】図４は、第１実施形態に係る容量分圧器において、第２のコンデンサ４２Ｃの静電容量と、温度との関係を示す図である。
【図５】図５は、第１実施形態に係る容量分圧器の等価回路である。
【図６】図６は、第１実施形態に係る容量分圧器において、位相角誤差を示す図である。
【図７】図７は、第２実施形態に係る容量分圧器について、側方から見た断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１３】
＜第１実施形態＞
［Ａ］構成
図１，図２，図３は、第１実施形態に係る容量分圧器を示す図である。ここで、図１は、第１実施形態に係る容量分圧器について、側方から見た断面図である。図２は、第１実施形態に係る容量分圧器について正面から見た断面図である。図３は、第１実施形態に係る容量分圧器の回路図である。
【００１４】
容量分圧器１は、図１，図２に示すように、導電性容器１１、高電圧導体２１、および、中間電極３１を有する。容量分圧器１は、高電圧導体２１と中間電極３１とを含んだ第１のコンデンサ４１Ｃ（主コンデンサ）が形成される共に、第２のコンデンサ４２Ｃ（分圧コンデンサ）が設けられている。図３に示すように、容量分圧器１は、第１のコンデンサ４１Ｃと第２のコンデンサ４２Ｃとが直列に接続されており、その第１のコンデンサ４１Ｃと第２のコンデンサ４２Ｃとによって、高電圧導体２１の電圧Ｖ１を分圧電圧Ｖ２として出力する。
【００１５】
以下より、容量分圧器１を構成する各部について順次説明する。
【００１６】
導電性容器１１は、図１，図２に示すように、円筒形状である。導電性容器１１は、軸方向（ここでは、水平方向）に延在した収容空間を内部に有し、その収容空間には、絶縁ガスが封入される。絶縁ガスとしては、たとえば、ＳＦ６などのガスが封入される。導電性容器１１は、金属などの導電性材料によって形成されており、接地されている。導電性容器１１は、第１の容器部材１１Ａと第２の容器部材１１Ｂとを含む。
【００１７】
図１に示すように、導電性容器１１において、第１の容器部材１１Ａと第２の容器部材１１Ｂとのそれぞれは、管状体であり、軸方向において互いの中心軸が一致するように並んでいる。第１の容器部材１１Ａと第２の容器部材１１Ｂとのそれぞれは、端部において、フランジ１１Ｆａ，１１Ｆｂが外側へ突き出るように設けられている。第１の容器部材１１Ａと第２の容器部材１１Ｂとそれぞれは、フランジ１１Ｆａ，１１Ｆｂのそれぞれが互いに対向しており、フランジ１１Ｆａ，１１Ｆｂにおいて、ボルトなどの締結部材を用いて互いが連結されている。また、その対向する一対のフランジ１１Ｆａ，１１Ｆｂの間には、リング状のフランジ６１（絶縁棒支持部材）が介在している。ここでは、第１の容器部材１１Ａは、リング状のフランジ６１よりも内径が大きく、第２の容器部材１１Ｂは、リング状のフランジ６１と内径が同じである。
【００１８】
高電圧導体２１は、図１，図２に示すように、円柱形状である。高電圧導体２１は、棒状体の線路導体であって、導電性容器１１の収容空間において導電性容器１１の軸方向に延在するように配置されている。ここでは、高電圧導体２１の中心軸が、導電性容器１１の中心軸と一致するように設けられている。高電圧導体２１は、金属材料を用いて形成されている。
【００１９】
中間電極３１は、図１，図２に示すように、円筒形状であって、軸方向の端部において外側に突き出るようにフランジ３１Ｆが形成されている。中間電極３１は、管状体であり、導電性容器１１の収容空間において、高電圧導体２１の周りを囲うように配置されている。ここでは、中間電極３１の中心軸が、導電性容器１１の中心軸と一致するように設けられている。
【００２０】
図１〜図３に示すように、中間電極３１は、高電圧導体２１と共に、第１のコンデンサ４１Ｃを構成する。つまり、第１のコンデンサ４１Ｃは、中間電極３１と高電圧導体２１とを一対の電極とし、中間電極３１と高電圧導体２１との間に介在する絶縁ガスを誘電体として構成されている。
【００２１】
本実施形態においては、中間電極３１は、高電圧導体２１と同じ金属材料を用いて形成されている。
【００２２】
また、本実施形態では、中間電極３１は、図１，図２に示すように、複数の絶縁棒５１によって、導電性容器１１の収容空間内に固定されている。複数の絶縁棒５１は、図１に示すように、棒状体であって、導電性容器１１の収容空間において軸方向に延在するように、一方の端部がリング状のフランジ６１に支持されている。そして、複数の絶縁棒５１は、他方の端部においてボルトなどの締結部材を用いて中間電極３１のフランジ３１Ｆが固定されている。
【００２３】
本実施形態では、絶縁棒５１は、たとえば、アルミナを充填したエポキシ樹脂を用いて形成されている。
【００２４】
第２のコンデンサ４２Ｃは、図１，図２に示すように、導電性容器１１の外部に設置されている。第２のコンデンサ４２Ｃは、一方の端子が密封端子９１を介して、中間電極３１に電気的に接続されている。そして、第２のコンデンサ４２Ｃは、他方の端子が接地電位に電気的に接続されている。
【００２５】
詳細については後述するが、本実施形態では、第２のコンデンサ４２Ｃは、静電容量が温度に対して変化する割合である温度係数γ［Ｋ−１］が、高電圧導体２１および中間電極３１を構成する金属材料の線膨張係数β［Ｋ−１］と、ほぼ同一である。具体的には、高電圧導体２１および中間電極３１を構成する金属材料の線膨張係数β［Ｋ−１］と、第２のコンデンサ４２Ｃの温度係数γ［Ｋ−１］とが下記の式（Ａ）の関係を満たすように構成されている
【００２６】
【数２】
2013187215.tif 000004
【００２７】
第２のコンデンサ４２Ｃとしては、たとえば、誘電体としてマイカ（雲母）を用いたマイカコンデンサが、複数、設置されている。
【００２８】
また、本実施形態では、第２のコンデンサ４２Ｃと密封端子９１とのそれぞれは、導電性容器１１の外側に配置された密閉容器７１の収容空間に収納されている。そして、その密閉容器７１の収容空間には、さらに、水分を吸収する乾燥剤８１が収容されている。たとえば、シリカゲルが乾燥剤８１として用いられている。
【００２９】
［Ｂ］まとめ
以上のように、本実施形態の容量分圧器１は、高電圧導体２１および中間電極３１を構成する金属材料の線膨張係数β［Ｋ−１］と、第２のコンデンサ４２Ｃの温度係数γ［Ｋ−１］とが、ほぼ同一であり、上述した式（Ａ）の関係を満たす。このため、本実施形態は、温度による分圧比の変化を抑制し、信頼性を高めることができる。
【００３０】
以下より、本実施形態において温度による分圧比の変化を抑制可能な理由について説明する。
【００３１】
容量分圧器１において、高電圧導体２１の電圧Ｖ１と分圧電圧Ｖ２との間には、式（１）の関係が成立する（図１，図３参照）。ここで、Ｃ１は、第１のコンデンサ４１Ｃの静電容量であり、Ｃ２は、第２のコンデンサ４２Ｃの静電容量である。第１のコンデンサ４１Ｃの静電容量Ｃ１が、第２のコンデンサ４２Ｃの静電容量Ｃ２に対して無視できる程度に小さい場合（Ｃ１＜＜Ｃ２）には、式（１ａ）に近似することができる。
【００３２】
【数３】
2013187215.tif 000005
【００３３】
【数４】
2013187215.tif 000006
【００３４】
第１のコンデンサ４１Ｃの静電容量Ｃ１は、基準温度から変化した温度差Δｔ［Ｋ］を考慮すると下記の式（２）で示される。
【００３５】
【数５】
2013187215.tif 000007
【００３６】
上記の式中の各パラメータは、下記の通りである（以下、同じ。）。
ε：絶縁ガスの誘電率
ａ：高電圧導体２１の半径［ｍ］（図１参照）
ｂ：中間電極３１の半径［ｍ］（図１参照）
Ｌ：中間電極３１の軸方向の長さ［ｍ］（図１参照）
α：高電圧導体２１を構成する材料の線膨張係数［Ｋ−１］
β：中間電極３１を構成する材料の線膨張係数［Ｋ−１］
ａ０：基準温度における高電圧導体２１の半径［ｍ］
ｂ０：基準温度における中間電極３１の半径［ｍ］
Ｌ０：基準温度における中間電極３１の軸方向の長さ［ｍ］
Δｔ：基準温度との温度差[Ｋ］
【００３７】
本実施形態では、高電圧導体２１と中間電極３１とを同一の金属材料で形成しており、高電圧導体２１と中間電極３１との線膨張係数が等しい。このため。α＝βが成立するので、式（２）は、下記の式（２ａ）となる。これからわかるように、第１のコンデンサ４１Ｃの静電容量Ｃ１の温度特性は、高電圧導体２１および中間電極３１を構成する金属材料の線膨張係数βで決定される。なお、金属材料がアルミニウムのとき、β＝２３．１×１０−６［Ｋ−１］であり、銅のとき、β＝１６．５×１０−６［Ｋ−１］である（理科年表から引用）。
【００３８】
【数６】
2013187215.tif 000008
【００３９】
一方で、第２のコンデンサ４２Ｃ（マイカコンデンサ）の静電容量Ｃ２は、下記の式（３）で示される。
【００４０】
【数７】
2013187215.tif 000009
【００４１】
上記の式中の各因子は、下記のように示される。
Ｃ２０：基準温度における静電容量
γ：第２のコンデンサ４２Ｃ（マイカコンデンサ）の温度係数（静電容量が温度に対して変化する割合）
【００４２】
このため、分圧比Ｖ２／Ｖ１は、上記の式（１ａ）、（２ａ）、（３）より、下記の式（４）で示される。
【００４３】
【数８】
2013187215.tif 000010
【００４４】
そして、１／（１＋ｘ）≒１−ｘの関係がｘ＜＜１の場合に成立するため、下記の式（４ａ）が導かれる。
【００４５】
【数９】
2013187215.tif 000011
【００４６】
このため、上記の関係から判るように、高電圧導体２１および中間電極３１を構成する金属材料の線膨張係数β［Ｋ−１］と、第２のコンデンサ４２Ｃの温度係数γ［Ｋ−１］とが、ほぼ同一である場合には、分圧比の温度変化が小さい。つまり、第１のコンデンサ４１Ｃの静電容量が温度変化に伴って変化することによって分圧比（Ｖ２／Ｖ１）が変化することを、第２のコンデンサ４２Ｃの静電容量が同様に温度変化に伴って変化することで抑制できる。
【００４７】
上述したように、高電圧導体２１および中間電極３１を構成する金属材料の線膨張係数β［Ｋ−１］と、第２のコンデンサ４２Ｃの温度係数γ［Ｋ−１］とについて、下記の式（Ａ）の関係を満たすことが好適である。容量分圧器において規定されている電圧誤差は１％（０．０１）であるので、その１／２０の値（０．０１÷２０＝０．００５）まで温度変化による誤差を許容すれば十分であると考えられる。そして、基準温度から５０Ｋ程度まで温度が変化すると仮定できる。このため、下記の式のように、βとγとの差分値が１０−５未満であるとすることが好適である（０．００５÷５０＝１０−５）。
【００４８】
【数１０】
2013187215.tif 000012
【００４９】
図４は、第１実施形態に係る容量分圧器において、第２のコンデンサ４２Ｃの静電容量と、温度との関係を示す図である。図４において、縦軸は、静電容量の変化率Ｈ（％）であり、基準温度（２０℃）での静電容量を基準にしたときの割合を示している。横軸は、温度Ｔ（℃）である。ここでは、第２のコンデンサ４２Ｃが、マイカコンデンサである場合について実測した値を示している。
【００５０】
図４に示すように、第２のコンデンサ４２Ｃがマイカコンデンサの場合、温度係数γは、１８．７×１０−６［Ｋ−１］である。高電圧導体２１および中間電極３１を構成する金属材料の線膨張係数βは、その金属材料がアルミニウムのとき、β＝２３．１×１０−６［１／ｋ］である。このため、βとγとの差分値は、４．４×１０−６［Ｋ−１］である。
【００５１】
したがって、上述した式（Ａ）を満たすため、分圧比の温度変化を十分に小さくすることができる。
【００５２】
本実施形態では、第２のコンデンサ４２Ｃは、導電性容器１１の外側に配置された密閉容器７１の収容空間に収納されている。また、その密閉容器７１の収容空間には、乾燥剤８１が収容されている。したがって、本実施形態では、位相角誤差を減少できる。
【００５３】
以下より、本実施形態において位相角誤差の減少が可能な理由について説明する。
【００５４】
高電圧導体２１に印加される電圧Ｖ１と分圧電圧Ｖ２との位相差（位相角誤差）の影響は、下記の式（５）によって表わされる。本式における各因子は、下記の通りであり、角周波数ωは、下記の式（６）で示される。
【００５５】
【数１１】
2013187215.tif 000013
【００５６】
【数１２】
2013187215.tif 000014
【００５７】
Ｒ２：第２のコンデンサ４２Ｃの絶縁抵抗値
ω：角周波数
ｆ：周波数
【００５８】
図５は、第１実施形態に係る容量分圧器の等価回路である。図５に示すように、第２のコンデンサ４２Ｃの絶縁抵抗値Ｒ２が図３の回路図に対して加わっている。第１のコンデンサ４１Ｃの絶縁抵抗値Ｒ１（図示なし）は、絶縁ガス中のため、影響を及ぼさないので、等価回路では、省略できる。
【００５９】
図６は、第１実施形態に係る容量分圧器において、位相角誤差を示す図である。図６において、縦軸は、位相差誤差を示し、横軸は、第２のコンデンサ４２Ｃ（マイカコンデンサ）の絶縁抵抗値Ｒ２を示している。ここでは、分圧比（Ｖ２／Ｖ１）＝１／２５００、Ｃ１＝２０ｐＦ、Ｃ２＝５００００ｐＦ、ｆ＝５０Ｈｚの場合の結果を太い実線で示している。また、図６には、ＩＥＣ，ＪＩＳ，ＪＥＣで定められた、階級ごとの位相角誤差の上限値を合わせて示している。
【００６０】
図６に示すように、第２のコンデンサ４２Ｃの絶縁抵抗値Ｒ２が低下すると、位相角誤差が増加する。第２のコンデンサ４２Ｃの絶縁抵抗値Ｒ２は、水分、塵埃によって、急激に低下するため、位相角誤差が増加してしまう。
【００６１】
しかしながら、本実施形態では、第２のコンデンサ４２Ｃを密閉容器７１の収容空間に収納しているので、密閉容器７１によって第２のコンデンサ４２Ｃに周囲から塵埃が侵入することを防止できる。また、その密閉容器７１の収容空間には、乾燥剤８１が収容されているので、乾燥剤８１が第２のコンデンサ４２Ｃから水分を吸収できる。したがって、本実施形態では、位相角誤差の発生を抑制でき、長期間にわたり信頼性を確保できる。
【００６２】
本実施形態では、絶縁棒５１が、高電圧導体２１の軸方向と平行になるようにリング状のフランジ６１（絶縁棒支持部材）に取り付けられている。このため、導電性容器１１の外において、絶縁棒５１をリング状のフランジ６１に高精度に組み立てた後に、その絶縁棒５１を導電性容器１１の中に挿入し、そのフランジ６１に固定できる。したがって、取付作業が容易にすることができる。
【００６３】
さらに、本実施形態では、絶縁棒５１は、アルミナ充填のエポキシ樹脂を用いて形成されている。このため、信頼性を向上できる。この理由について説明する。絶縁ガスとして絶縁性に優れたＳＦ６ガスを用いた場合、例えば、接地された導電性容器１１と高電圧導体２１の間で電気的な短絡が発生すると、分解ガスとしてＨＦなどの腐食性ガスが発生する。しかし、アルミナを充填したエポキシ樹脂は、他の材料よりも腐食性ガスで腐食されにくい。したがって、本実施形態は、上述したように、長期的な使用が可能であって、信頼性を向上できる。
【００６４】
＜第２実施形態＞
［Ａ］構成
図７は、第２実施形態に係る容量分圧器について、側方から見た断面図である。
【００６５】
本実施形態は、図７に示すように、導電性容器１１の形態が、第１実施形態と異なる。本実施形態は、この点、および、これに関連する点を除き、第１実施形態の場合と同様である。このため、本実施形態において、この実施形態と重複する個所については、適宜、記載を省略する。
【００６６】
図７に示すように、本実施形態は、円板状のフランジ１１Ｂｂ（絶縁棒支持部材）を含み、導電性容器１１の端部に設けられたフランジ１１Ｆａに、その円板状のフランジ１１Ｂｂが設置されている。その円板状のフランジ１１Ｂｂに絶縁棒５１が取り付けられている。この部分においては、高電圧導体２１の端部が位置している。そして、第１実施形態の場合と同様に、第１のコンデンサ４１Ｃが形成され、第２のコンデンサ４２Ｃが設けられている。
【００６７】
［Ｂ］まとめ
以上のように、本実施形態の容量分圧器１ｂは、高電圧導体２１の端部において、第１のコンデンサ４１Ｃを形成し、第２のコンデンサ４２Ｃを設けることができる。ここでは、第１実施形態の場合と同様に、高電圧導体２１および中間電極３１を構成する金属材料の線膨張係数βと、第２のコンデンサ４２Ｃの温度係数γとが、ほぼ同一である。また、円板状のフランジ１１Ｂｂ（絶縁棒支持部材）に絶縁棒５１が取り付けられ、その円板状のフランジ１１Ｂｂ（絶縁棒支持部材）は、導電性容器１１の端部に設置されている。
【００６８】
したがって、本実施形態は、第１実施形態の場合と同様に、温度による分圧比の変化を抑制し、信頼性を向上でき、組立性を向上できる。
【００６９】
＜その他＞
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７０】
１…容量分圧器、１ｂ…容量分圧器、１１…導電性容器、１１Ａ…第１の容器部材、１１Ｂ…第２の容器部材、１１Ｂｂ…フランジ、１１Ｆａ，１１Ｆｂ…フランジ、２１…高電圧導体、３１…中間電極、３１Ｆ…フランジ、４１Ｃ…第１のコンデンサ、４２Ｃ…第２のコンデンサ、５１…絶縁棒、６１…フランジ、７１…密閉容器、８１…乾燥剤、９１…密封端子
【図１】
2013187215.tif 000017
【図２】
2013187215.tif 000018
【図３】
2013187215.tif 000019
【図４】
2013187215.tif 000020
【図５】
2013187215.tif 000021
【図６】
2013187215.tif 000022
【図７】
2013187215.tif 000023