(57)【要約】【課題】ダイシングフィルムとダイボンドフィルムとの間の成分移行が抑制され、かつ、ダイシング時の半導体ウエハ保持力およびピックアップ時の剥離性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。【解決手段】本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、第１の粘着剤層と、第２の粘着剤層とを備え、該第１の粘着剤層がポリオレフィン系樹脂を含み、該第２の粘着剤層がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂およびフェノール系樹脂から選択される少なくとも１つを含む。【選択図】図１
2013187377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の粘着剤層と、第２の粘着剤層とを備え、
該第１の粘着剤層がポリオレフィン系樹脂を含み、
該第２の粘着剤層がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂およびフェノール系樹脂から選択される少なくとも１つを含む、
ダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項２】
前記第１の粘着剤層が、感圧型である、請求項１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項３】
前記第１の粘着剤層が、非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体を含む、請求項１または２に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項４】
前記第１の粘着剤層が、アクリル系樹脂を含まない、請求項１から３のいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項５】
前記第１の粘着剤層が、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、ＮＯ２−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋およびＮＨ４＋を実質的に含まない、請求項１から４のいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルム。  
【請求項６】
測定温度２３℃、引張速度３００ｍｍ／分、剥離角度１８０度の条件下における、前記第１の粘着剤層から前記第２の粘着剤層を剥離する際の剥離力が、０．０２Ｎ／２０ｍｍ〜０．４Ｎ／２０ｍｍである、請求項１から５のいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項７】
前記第１の粘着剤層の前記第２の粘着剤層とは反対側に、基材層をさらに備える、請求項１から６のいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項８】
前記基材層と前記第１の粘着剤層とを含む積層体が、共押し出し成形して得られる、請求項７に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造される、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシング・ダイボンドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン、ガリウム、砒素などからなる半導体ウエハは、大径の状態で製造され、表面にパターンを形成した後、裏面を研削して、通常、半導体ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くし、さらに、粘着フィルム上に保持して半導体チップに切断分離される（ダイシング工程）。次いで、半導体チップはリードフレームなどの被着体に固着された（マウント工程）後、ボンディング工程に移される。近年では、工程の簡略化、半導体チップへのダメージ低減等を目的として、ダイシング工程において半導体ウエハを保持する粘着フィルム（ダイシングフィルム）と、マウント工程において半導体チップを固着する粘着フィルム（ダイボンドフィルム）とを一体化したダイシング・ダイボンドフィルムが用いられるようになっている（例えば、特許文献１）。このようなダイシング・ダイボンドフィルムは、一般的に、基材フィルム上にアクリル系粘着剤層を有するダイシングフィルムと、当該アクリル系粘着剤層上に配置されたダイボンドフィルムとを備える。
【０００３】
一方、ダイシング工程におけるダイシングおよびダイシング工程後のピックアップにおいて、半導体チップの損傷を防ぐため、ダイシング・ダイボンドフィルムには適度な粘着力、すなわち、粘着性（ダイシング可能な粘着性）と剥離性（ピックアップ可能な剥離性）とを両立する粘着力が求められる。そして、近年の半導体チップの薄型化にともない、粘着力はより厳密に制御することが必要となっている。また、メモリ系半導体装置では、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）等のより高品質・高信頼性を求められるパッケージにおいては、ダイボンドフィルムは構造材としての信頼性およびクリーン性の向上が必要となっている。
【０００４】
上記ダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシングフィルムのアクリル系粘着剤層により、ダイシングフィルムとダイボンドフィルムとの粘着力を制御することができ、ダイシング工程においては半導体ウエハの保持を可能とし、ダイシング工程後には半導体チップのピックアップを可能とする。しかし、その一方で、一般的にダイボンドフィルムの材料としてアクリル系樹脂が含まれるため、ダイシングフィルムの粘着剤層とダイボンドフィルムとは、形成材料の相溶性が高く、種々の問題が生じる。そのひとつとして、ダイシングフィルム／ダイボンドフィルム間で成分移行が生じ得、ダイボンドフィルムの構造材としての特性を悪化させるという問題がある。また、ダイシングフィルムの粘着剤層に不純物イオンが含まれる場合、それがダイボンドフィルムへ移行して、最終的に半導体装置の信頼性を悪化させる。さらに、ダイボンドフィルムのダイシングフィルムに対する剥離性が十分ではないという問題がある。
【０００５】
このような問題を解決する方法として、ダイシングフィルムの粘着剤層にアクリル系樹脂と相溶性の低い粘着剤を用いることが挙げられる。しかし、このような粘着剤は粘着力を制御することが難しい。上記成分移行の問題を解決し、かつ、ダイシングフィルム／ダイボンドフィルム間に適度な粘着力を有するダイシング・ダイボンドフィルムは実現されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１２４１４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、ダイシングフィルムとダイボンドフィルムとの間の成分移行が抑制され、かつ、ダイシング時の半導体ウエハ保持力およびピックアップ時の剥離性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、第１の粘着剤層と、第２の粘着剤層とを備え、該第１の粘着剤層がポリオレフィン系樹脂を含み、該第２の粘着剤層がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂およびフェノール系樹脂から選択される少なくとも１つを含む。
好ましい実施形態においては、上記第１の粘着剤層が、感圧型である。
好ましい実施形態においては、上記第１の粘着剤層が、非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体を含む。
好ましい実施形態においては、上記第１の粘着剤層が、アクリル系樹脂を含まない。
好ましい実施形態においては、上記第１の粘着剤層が、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、ＮＯ２−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋およびＮＨ４＋を実質的に含まない。
好ましい実施形態においては、測定温度２３℃、引張速度３００ｍｍ／分、剥離角度１８０度の条件下における、上記第１の粘着剤層から上記第２の粘着剤層を剥離する際の剥離力が、０．０２Ｎ／２０ｍｍ〜０．４Ｎ／２０ｍｍである。
好ましい実施形態においては、ダイシング・ダイボンドフィルムは、上記第１の粘着剤層の第２の粘着剤層とは反対側に、基材層をさらに備える。
好ましい実施形態においては、上記基材層と上記第１の粘着剤層とを含む積層体が、共押し出し成形して得られる。
本発明の別の局面においては、半導体装置が提供される。この半導体装置は、上記ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ダイシングフィルム（第１の粘着剤層）がポリオレフィン系樹脂を含むことにより、ダイシングフィルムとダイボンドフィルムとの間の成分移行が抑制され、かつ、ダイシング時の半導体ウエハ保持力およびピックアップ時の剥離性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の好ましい実施形態によるダイシング・ダイボンドフィルムの概略断面図である。
【図２】本発明の別の好ましい実施形態におけるダイシング・ダイボンドフィルムの概略断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施形態による半導体装置の概略断面図である。
【図４】半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
Ａ．ダイシング・ダイボンドフィルムの全体構成
図１は、本発明の好ましい実施形態によるダイシング・ダイボンドフィルムの概略断面図である。ダイシング・ダイボンドフィルム１００は、第１の粘着剤層１と第２の粘着剤層２とを備える。第１の粘着剤層はポリオレフィン系樹脂を含み、第２の粘着剤層はアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂およびフェノール系樹脂から選択される少なくとも１つを含む。第１の粘着剤層１は、ダイシング工程において、ダイシング・ダイボンドフィルム１００上に載置された半導体ウエハを保持する機能を有する。第２の粘着剤層２は、ダイシング工程後、半導体チップと共にピックアップされ、マウント工程において、半導体チップを被着体に固着させる機能を有する。言い換えれば、第１の粘着剤層がダイシングフィルムを構成し、第２の粘着剤層がダイボンドフィルムを構成する。
【００１２】
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材層を備えていなくてもよく（図１）、基材層を備えていてもよい（図２）。図２の実施形態においては、ダイシング・ダイボンドフィルム２００は、第１の粘着剤層１の第２の粘着剤層２とは反対側に基材層３をさらに備える。ダイシング・ダイボンドフィルム２００においては、第１の粘着剤層１と基材層３とがダイシングフィルム１０を構成する。
【００１３】
上記第１の粘着剤層の厚みは、好ましくは１０μｍ〜３００μｍであり、さらに好ましくは１５μｍ〜１５０μｍである。ダイシング・ダイボンドフィルムが基材層を備えない場合、第１の粘着剤層の厚みは、好ましくは５０μｍ〜３００μｍであり、さらに好ましくは７５μｍ〜２００μｍであり、特に好ましくは７５μｍ〜１２５μｍである。ダイシング・ダイボンドフィルムが基材層を備える場合、第１の粘着剤層の厚みは、好ましくは１０μｍ〜１５０μｍであり、さらに好ましくは１５μｍ〜１００μｍであり、特に好ましくは１５μｍ〜５０μｍである。
【００１４】
上記第２の粘着剤層の厚みは、好ましくは３μｍ〜２００μｍであり、さらに好ましくは４μｍ〜１００μｍであり、特に好ましくは５μｍ〜８０μｍである。
【００１５】
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、セパレータにより保護されて提供され得る。本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、セパレータにより保護された状態で、ロール状に巻き取ることができる。セパレータは、実用に供するまでダイシング・ダイボンドフィルムを保護する保護材としての機能を有する。セパレータとしては、例えば、シリコン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチック（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレン）フィルム、不織布または紙などが挙げられる。
【００１６】
測定温度２３℃、引張速度３００ｍｍ／分、剥離角度１８０度の条件下における、上記第１の粘着剤層から上記第２の粘着剤層を剥離する際の剥離力は、好ましくは０．０２Ｎ／２０ｍｍ〜０．４Ｎ／２０ｍｍであり、さらに好ましくは０．０３Ｎ／２０ｍｍ〜０．３５Ｎ／２０ｍｍであり、より好ましくは０．０３Ｎ／２０ｍｍ〜０．２Ｎ／２０ｍｍである。このような範囲であれば、ダイシング工程において、ダイシングフィルムとダイボンドフィルムとが剥離することを防止することができ、一方、ダイシング工程後に半導体チップをピックアップする際には、ダイシングフィルムとダイボンドフィルムとが容易に剥離し、また、糊残りの発生も防止することができる。
【００１７】
Ｂ．ダイシングフィルム
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムにおけるダイシングフィルムは、第１の粘着剤層を備える。上記のとおり、当該ダイシングフィルムは、基材層を備えていてもよく、備えていなくてもよい。
【００１８】
Ｂ−１．第１の粘着剤層
上記第１の粘着剤層は、ポリオレフィン系樹脂を含む。ポリオレフィン系樹脂から形成される第１の粘着剤層を備えていれば、第１の粘着剤層と第２の粘着剤層（ダイボンドフィルム）との間の成分移行が抑制される。その結果、ダイボンドフィルムの構造材としての特性の悪化を防止することができる。また、ポリオレフィン系樹脂を用いれば、強度の高い第１の粘着剤層が得られ得るため、基材層を備えずともハンドリング性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを得ることができる。第１の粘着剤層は、好ましくは、感圧型である。感圧型であれば、半導体装置の製造工程を簡略化し得るダイシング・ダイボンドフィルムを得ることができる。
【００１９】
上記ポリオレフィン系樹脂としては、粘着性を発揮するポリオレフィン系樹脂であれば、任意の適切なポリオレフィン系樹脂が用いられ得る。粘着性を発揮するポリオレフィン系樹脂としては、例えば、非晶質ポリプロピレン、非晶質プロピレン−エチレン共重合体、非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体、非晶質プロピレン−エチレン−ブテン共重合等が挙げられる。なかでも好ましくは、非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体である。なお、本明細書において、「非晶質」とは、結晶質のように明確な融点を有さない性質をいう。
【００２０】
上記非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体は、好ましくは、メタロセン触媒を用いて、プロピレンと１−ブテンとを重合することにより得られる。このような非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体は、例えば、メタロセン触媒を用いてプロピレンと１−ブテンとを重合させる重合工程を行い、当該重合工程の後、触媒残さ除去工程、異物除去工程等の後処理工程を行うことにより、得ることができる。当該非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体は、このような工程を経て、例えば、パウダー状、ペレット状等の形状で得られる。メタロセン触媒としては、例えば、メタロセン化合物とアルミノキサンとを含むメタロセン均一混合触媒、微粒子状の担体上にメタロセン化合物が担持されたメタロセン担持型触媒等が挙げられる。
【００２１】
上記非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体における、プロピレン由来の構成単位の含有割合は、好ましくは８０モル％〜９９モル％、さらに好ましくは８５モル％〜９９モル％であり、特に好ましくは９０モル％〜９９モル％である。
【００２２】
上記非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体における、１−ブテン由来の構成単位の含有割合は、好ましくは１モル％〜１５モル％、さらに好ましくは１モル％〜１０モル％である。このような範囲であれば、ダイボンドフィルム（第２の粘着剤層）に対する適度な粘着力を有し、ダイシング工程時の保持力およびピックアップ時の剥離性に優れるダイシングフィルムを得ることができる。
【００２３】
上記非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体は、ブロック共重合体であってもよく、ランダム共重合体であってもよい。
【００２４】
上記非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体は、本発明の効果を損なわない範囲で、さらにその他のモノマー由来の構成単位を含んでいてもよい。その他のモノマーとしては、例えば、エチレン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン等のα−オレフィンが挙げられる。
【００２５】
上記のようにメタロセン触媒を用いて重合された非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体は、狭い分子量分布を示す。具体的には、上記非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２以下であり、好ましくは１．１〜２であり、さらに好ましくは１．２〜１．９である。このような狭い分子量分布を示す非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体を用いれば、低分子量成分のブリードを防止し得る。
【００２６】
上記非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は２００，０００以上であり、好ましくは２００，０００〜５００，０００であり、さらに好ましくは２００，０００〜３００，０００である。非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）がこのような範囲であれば、適切な粘着力を得ることができ、また、低分子量成分のブリードを防止し得る。また、第１の粘着剤層と基材層とを共押し出し成形する場合、加工不良なく第１の粘着剤層を成形することができる。
【００２７】
上記非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体の２３０℃、２．１６ｋｇｆにおけるメルトフローレートは、好ましくは１ｇ／１０ｍｉｎ〜５０ｇ／１０ｍｉｎであり、さらに好ましくは５ｇ／１０ｍｉｎ〜３０ｇ／１０ｍｉｎであり、特に好ましくは５ｇ／１０ｍｉｎ〜２０ｇ／１０ｍｉｎである。非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体のメルトフローレートがこのような範囲であれば、第１の粘着剤層と基材層とを共押し出し成形する場合、加工不良なく厚みの均一な第１の粘着剤層を成形することができる。メルトフローレートは、ＪＩＳＫ７２１０に準じた方法により測定することができる。
【００２８】
上記ポリオレフィン系樹脂として、上記粘着性を発揮するポリオレフィン系樹脂と、結晶性ポリプロピレン系樹脂とを併用してもよい。第１の粘着剤層に結晶性ポリプロピレン系樹脂を含ませることにより、第１の粘着剤層の粘着力を低下させて、ダイシング工程時の保持力およびピックアップ時の剥離性に優れるダイシングフィルムを得ることができる。また、結晶性ポリプロピレン系樹脂を含ませることにより、第１の粘着剤層の貯蔵弾性率を増加させることができ、ハンドリング性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを得ることができる。このようなダイシング・ダイボンドフィルムは、基材層を備えなくともハンドリング性に優れる。結晶性ポリプロピレン系樹脂の含有割合は、好ましくは、上記粘着性を発揮するポリオレフィン系樹脂と当該結晶性ポリプロピレン系樹脂との合計重量に対して、好ましくは０重量％〜９０重量％であり、さらに好ましくは２０重量％〜９０重量％であり、特に好ましくは４０重量％〜９０重量％である。
【００２９】
上記結晶性ポリプロピレン系樹脂は、ホモポリプロピレンであってもよく、プロピレンとプロピレンと共重合可能なモノマーとにより得られる共重合体であってもよい。プロピレンと共重合可能なモノマーとしては、例えば、例えば、エチレン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン等のα−オレフィン等が挙げられる。
【００３０】
上記結晶性ポリプロピレン系樹脂は、好ましくは、上記非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体同様、メタロセン触媒を用いて重合することにより得られる。このようにして得られた結晶性ポリプロピレン系樹脂を用いれば、低分子量成分のブリードを防止し得る。
【００３１】
上記結晶性ポリプロピレン系樹脂の結晶化度は、好ましくは１０％以上、さらに好ましくは２０％以上である。結晶化度は、代表的には、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）またはＸ線回折により求められる。
【００３２】
上記第１の粘着剤層は、本発明の効果を損なわない範囲で、さらにその他の成分を含んでいてもよい。当該その他の成分としては、例えば、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、耐熱安定剤、帯電防止剤等が挙げられる。その他の成分の種類および使用量は、目的に応じて適切に選択され得る。
【００３３】
上記第１の粘着剤層は、アクリル系樹脂を含まないことが好ましく、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂およびフェノール系樹脂を含まないことがさらに好ましく、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂をおよびこれらの樹脂と相溶性の高い化合物を含まないことが特に好ましい。第１の粘着剤層（ダイシングフィルム）／第２の粘着剤層（ダイボンドフィルム）間の成分移行が抑制されるからである。本発明によれば、これらの化合物を含まずとも、適度な粘着力を有するダイシングフィルムを得ることができる。
【００３４】
好ましくは、上記第１の粘着剤層は、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、ＮＯ２−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋およびＮＨ４＋を実質的に含まない。上記イオンを実質的に含まない第１の粘着剤層は、例えば、当該第１の粘着剤層を構成するポリオレフィン系樹脂として、メタロセン触媒を用いた溶液重合により得られたポリオレフィン系樹脂（例えば、上記非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体、上記結晶性ポリプロピレン系樹脂）を用いることにより、形成することができる。当該メタロセン触媒を用いた溶液重合においては、ポリオレフィン系樹脂は、重合溶媒とは異なる貧溶媒を用いて析出単離（再沈殿法）を繰り返して、精製することができるので、上記イオンを含まない第１の粘着剤層を得ることができる。なお、本明細書において、「Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、ＮＯ２−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、ＮＨ４＋を実質的に含まない」とは、標準的なイオンクロマトグラフ分析（例えば、ダイオネクス社製、商品名「ＤＸ−３２０」、「ＤＸ−５００」を用いたイオンクロマトグラフ分析）において検出限界未満であることをいう。具体的には、第１の粘着剤層１ｇに対して、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、ＮＯ２−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−およびＫ＋がそれぞれ０．４９μｇ以下、Ｌｉ＋およびＮａ＋がそれぞれ０．２０μｇ以下、Ｍｇ２＋およびＣａ２＋がそれぞれ０．９７μｇ以下、ＮＨ４＋が０．５μｇ以下である場合をいう。
【００３５】
上記第１の粘着剤層の２０℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）は、好ましくは０．５×１０６Ｐａ〜１．０×１０８Ｐａであり、さらに好ましくは０．８×１０６Ｐａ〜３．０×１０７Ｐａである。本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、このような範囲の貯蔵弾性率（Ｇ’）を有しながらも、ダイボンドフィルム（第２の粘着剤層）に対する適度な粘着力を有し、ダイシング工程時の保持力およびピックアップ時の剥離性に優れるダイシングフィルムを得ることができる。上記第１の粘着剤層の貯蔵弾性率（Ｇ’）が上記範囲であれば、耐チッピング性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを得ることができる。また、ハンドリング性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを得ることができる。さらに、半導体ウエハが表面に凹凸を有する場合でも、当該凹凸に追従し得るダイシング・ダイボンドフィルムを得ることができる。このようなダイシング・ダイボンドフィルムを用いれば、ダイシング工程において、切削水による半導体チップの汚染を防止することができる。なお、貯蔵弾性率（Ｇ’）は、動的粘弾性スペクトル測定により、測定することができる。
【００３６】
Ｂ−２．基材層
上記基材層を構成する材料としては、任意の適切な材料が採用され得る。基材層を構成する材料としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。基材層を備えるダイシングフィルムが共押し出し成形により製造される場合は、基材層を構成する材料として熱可塑性樹脂が選択される。なかでも好ましくは、エチレン−酢酸ビニル共重合体である。
【００３７】
上記エチレン−酢酸ビニル共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１０，０００〜２００，０００であり、さらに好ましくは３０，０００〜１９０，０００である。エチレン−酢酸ビニル共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）がこのような範囲であれば、共押し出し成形により、加工不良なく基材層を形成することができる。
【００３８】
上記エチレン−酢酸ビニル共重合体の１９０℃、２．１６ｋｇｆにおけるメルトフローレートは、好ましくは２ｇ／１０ｍｉｎ〜２０ｇ／１０ｍｉｎであり、さらに好ましくは５ｇ／１０ｍｉｎ〜１５ｇ／１０ｍｉｎであり、特に好ましくは７ｇ／１０ｍｉｎ〜１２ｇ／１０ｍｉｎである。エチレン−酢酸ビニル共重合体のメルトフローレートがこのような範囲であれば、共押し出し成形により、加工不良なく基材層を形成することができる。
【００３９】
上記基材層は、本発明の効果を損なわない範囲で、さらにその他の成分を含んでいてもよい。当該その他の成分としては、例えば、上記Ｂ−１項で説明した第１の粘着剤層に含まれ得るその他の成分と同様の成分が用いられ得る。
【００４０】
Ｂ−３．ダイシングフィルムの製造方法
上記ダイシングフィルムは、任意の適切な成形方法により成形される。好ましくは、上記ダイシングフィルムは、押し出し成形により成形される。上記ダイシングフィルムが上記基材層を備える場合、上記ダイシングフィルムは、好ましくは、共押し出し成形により成形される。共押し出し成形によれば、層間の接着性が良好なダイシング用粘着シートを、少ない工程数で、かつ、有機溶剤を使用することなく製造することができる。
【００４１】
上記共押し出し成形において、上記第１の粘着剤層および上記基材層の形成材料は、上記の各層の成分を任意の適切な方法で混合した材料が用いられ得る。
【００４２】
上記共押し出し成形の具体的方法としては、例えば、ダイスに連結した少なくとも２台の押出し機のうち、１台に第１の粘着剤層形成材料を、別の１台に基材層形成材料を、それぞれ供給し、溶融後、押出し、タッチロール成形法により引き取り、積層体を成形する方法が挙げられる。押し出しの際、各形成材料が合流する部分は、ダイス出口（ダイスリップ）に近いほど好ましい。ダイス内で各形成材料の合流不良が生じ難いからである。したがって、上記ダイスとしては、マルチマニホールド形式のダイスが好ましく用いられる。なお、合流不良が生じた場合、合流ムラ等の外観不良、具体的には押し出された第１の粘着剤層と基材層との間で波状の外観ムラが発生して好ましくない。また、合流不良は、例えば、異種形成材料のダイス内における流動性（溶融粘度）の差が大きいこと、および各層の形成材料のせん断速度の差が大きいことを原因として生じるので、マルチマニホールド形式のダイスを用いれば、流動性の差がある異種形成材料について、他の形式（例えば、フィードブロック形式）よりも、材料選択の範囲が拡がる。各形成材料の溶融に用いる押出し機のスクリュータイプは単軸または２軸であってもよい。押し出し機は、３台以上であってもよい。押し出し機が３台以上の場合、さらにその他の層の形成材料を供給することができる。また、３台以上の押し出し機を用いて、２層構造（基材層＋第１の粘着剤層）の粘着テープを製造する場合、同一の形成材料を隣り合う２台以上の押し出し機に供給すればよく、例えば、３台の押し出し機を用いる場合は、隣り合う２台の押し出し機に同一の形成材料が供給され得る。
【００４３】
上記共押し出し成形における成形温度は、好ましくは１６０℃〜２２０℃であり、さらに好ましくは１７０℃〜２００℃である。このような範囲であれば、成形安定性に優れる。
【００４４】
上記第１の粘着剤層形成材料と上記基材層形成材料との、温度１８０℃、せん断速度１００ｓｅｃ−１におけるせん断粘度の差（粘着剤形成材料−基材層形成材料）は、好ましくは−１５０Ｐａ・ｓ〜６００Ｐａ・ｓであり、さらに好ましくは−１００Ｐａ・ｓ〜５５０Ｐａ・ｓであり、特に好ましくは−５０Ｐａ・ｓ〜５００Ｐａ・ｓである。このような範囲であれば、上記粘着剤形成材料および基材層形成材料のダイス内での流動性が近く、合流不良の発生を防止することができる。なお、せん断粘度は、ツインキャピラリー型の伸長粘度計により測定することができる。
【００４５】
Ｃ．ダイボンドフィルム
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムにおけるダイボンドフィルムは、第２の粘着剤層を備える。当該ダイボンドフィルムは、例えば、粘着剤層（第２の粘着剤層）の単層のみからなる構成としてもよく、コア材料の両面に第２の粘着剤層を形成した多層構造としても良い。上記コア材料としては、例えば、フィルム（例えば、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板、ガラス基板等が挙げられる。
【００４６】
上記第２の粘着剤層は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはフェノール系樹脂を含む。これらの樹脂は、不純物イオンの含有量が少なく、また、耐熱性に優れる。これらの樹脂は、単独で、または２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００４７】
上記アクリル系樹脂としては、任意の適切なアクリル系樹脂を採用し得る。アクリル系樹脂としては、例えば、炭素数が、好ましくは３０個以下、さらに好ましくは４個〜１８個である、直鎖または分岐のアルキル基を有するアクリル酸またはメタクリル酸のエステルの１種または２種以上を含むモノマー成分を重合して得られる重合体が挙げられる。
【００４８】
上記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、ドデシル基等が挙げられる。
【００４９】
上記アクリル系樹脂を形成する上記モノマー成分中には、任意の適切な他のモノマーを含んでいてもよい。上記他のモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー等が挙げられる。
【００５０】
上記アクリル系樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−３０℃〜３０℃であり、さらに好ましくは−２０℃〜１５℃である。
【００５１】
上記第２の粘着剤層中のアクリル系樹脂の含有割合は、好ましくは３０重量％〜９５重量％であり、さらに好ましくは５０重量％〜９０重量％である。
【００５２】
上記エポキシ系樹脂としては、粘着剤組成物として一般に用いられるものであれば、任意の適切なエポキシ系樹脂を採用し得る。エポキシ系樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ系樹脂や多官能エポキシ系樹脂；ヒダントイン型エポキシ系樹脂；トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ系樹脂；グリシジルアミン型エポキシ系樹脂等が挙げられる。なかでも好ましくは、ノボラック型エポキシ系樹脂、ビフェニル型エポキシ系樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ系樹脂またはテトラフェニロールエタン型エポキシ系樹脂である。硬化性、および耐熱性に優れるからである。これらの樹脂は、単独で、または２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００５３】
上記フェノール系樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール系樹脂；レゾール型フェノール系樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。なかでも好ましくは、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂である。本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造された半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。フェノール系樹脂は、エポキシ系樹脂の硬化剤として作用し得る。
【００５４】
上記エポキシ系樹脂とフェノール系樹脂を併用する場合、エポキシ系樹脂とフェノール系樹脂の配合割合は、エポキシ系樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりのフェノール系樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量となるように配合することが好ましく、０．８当量〜１．２当量となるように配合することがより好ましい。エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合が上記範囲から外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ系樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるおそれがある。上記第２の粘着剤層中のエポキシ系樹脂およびフェノール系樹脂の合計含有割合は、好ましくは５重量％〜８０重量％であり、さらに好ましくは１０重量％〜７０重量％である。
【００５５】
上記第２の粘着剤層は、その他の熱可塑性樹脂および／または熱硬化性樹脂を含んでいてもよい。その他の熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。その他の熱硬化性樹脂としては、例えば、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で、または２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００５６】
上記第２の粘着剤層は、作製に際し、第２の粘着剤層中に含まれる樹脂の分子鎖末端の官能基等と反応し得る多官能性化合物を架橋剤として添加させておいてもよい。このような多官能性化合物を添加することにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。多官能性化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート等が挙げられる。多官能性化合物の含有割合は、樹脂の全量に対して、好ましくは、０．０５重量％〜０．７重量％である。これらの多官能性化合物は、単独で、または２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００５７】
上記第２の粘着剤層は、無機充填剤を含んでいてもよい。無機充填剤としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ、クレー、石膏等が挙げられる。また、導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として、第２の粘着剤層は導電性の無機充填剤を含んでいてもよい。導電性の無機充填剤としては、例えば、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。無機充填剤の含有割合は、樹脂全量に対して、好ましくは８０重量％以下であり、さらに好ましくは７０重量％以下である。無機重炭剤の平均粒径は、好ましくは０．１μｍ〜８０μｍである。
【００５８】
上記第２の粘着剤層は、必要に応じて、任意の適切な他の添加剤を含んでいてもよい。他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤等が挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。
【００５９】
後述のようにダイボンドフィルムをダイシングフィルムの第１の粘着剤層上に貼り合わせる前のダイボンドフィルムのＢＧＡ基板に対する１７５℃下でのせん断接着力は、好ましくは０．０５ＭＰａ以上であり、さらに好ましくは０．０７ＭＰａ以上であり、特に好ましくは０．１ＭＰａ〜１ＭＰａである。なお、上記せん断接着力は、後述の方法によって測定される。
【００６０】
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムから剥離したダイボンドフィルムのダイシングフィルムと接していた面をＢＧＡ基板に貼り付けた際の、当該ダイボンドフィルムのＢＧＡ基板に対する１７５℃下でのせん断接着力は、ダイボンドフィルムをダイシングフィルムの第１の粘着剤層上に貼り合わせる前のダイボンドフィルムのＢＧＡ基板に対するせん断接着力に対して、好ましくは８０％以上であり、さらに好ましくは９５％以上であり、特に好ましくは１００％以上であり、最も好ましくは１００％〜１２０％である。本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシングフィルムとダイボンドフィルムとの間の成分移行が抑制されているので、ダイボンドフィルムの接着力の低下を防止することができる。なお、上記せん断接着力は、後述の方法によって測定される。
【００６１】
Ｄ．ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、第１の粘着剤層と任意の基材層とを備えるダイシングフィルムの第１の粘着剤層上に、ダイボンドフィルムを設けることにより得られる。
【００６２】
ダイシングフィルムは、上記Ｂ−３項で説明した方法により得ることができる。一方、ダイボンドフィルムは、ダイボンドフィルム形成材料（第２の粘着剤層形成材料）を剥離紙上に塗布した後、乾燥して得ることができる。このようにして得られたダイボンドフィルムをダイシングフィルムの第１の粘着剤層上に転写することによりダイシング・ダイボンドフィルムを得ることができる。また、ダイシングボンドフィルムは、第２の粘着剤層形成材料を上記Ｃ項で説明したコア材に塗布した後、乾燥して得ることもできる。この場合、第２の粘着剤層およびコア材によりダイボンドフィルムが構成され、ダイボンドフィルムの第２の粘着剤層とダイシングフィルムの第１の粘着剤層とを貼り合わせることによりダイシング・ダイボンドフィルムを得ることができる。
【００６３】
あるいは、ダイボンドフィルム形成材料（第２の粘着剤層形成材料）をダイシングフィルムの第１の粘着剤層上に直接塗布した後、乾燥することによっても、ダイシング・ダイボンドフィルムを得ることができる。
【００６４】
Ｅ．半導体装置
図３は、本発明の好ましい実施形態による半導体装置の概略断面図である。半導体装置３００は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造される。半導体装置３００においては、基板またはリードフレーム（以下、これらを総称して被着体３０ともいう）上に、半導体チップ４１がダイボンドフィルム２（ダイシング・ダイボンドフィルムの第２の粘着剤層２）を介して接着固定されている。さらに、被着体３０の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ４１の電極パッドとがボンディングワイヤー５０で電気的に接続されている。半導体チップ４１は、封止樹脂６０により封止されている。本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造される半導体装置３００は、ダイボンドフィルム２中に、ダイフィルム（第１の粘着剤層）から移行した樹脂成分および不純物イオンが少ないので、クリーン性、信頼性および耐久性に優れる。
【００６５】
図４は、半導体装置３００の製造方法を説明するための図である。半導体装置３００の製造においては、まず、ダイシング・ダイボンドフィルム１００のダイボンドフィルム２（第２の粘着剤層２）上に厚み調整された半導体ウエハ４０を圧着し、これを接着保持させて固定する。次いで、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハ４０のダイシングを行い、半導体ウエハを切断して個別化し半導体チップ４１とする（ダイシング工程）。次いで、図４（ｂ）に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１００に接着固定された半導体チップ４１のピックアップを行う。このとき、半導体チップ４１は、ダイボンドフィルム（第２の粘着剤層２）と共にピックアップされる。ピックアップの方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。ピックアップの方法としては、例えば、個々の半導体チップ４１をダイシング・ダイボンドフィルム１００側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ４１をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。次いで、図４（ｃ）に示すように、ピックアップした半導体チップ４１を、ダイボンドフィルム（第２の粘着剤層２）を介して被着体３０に接着固定する（ダイボンド工程）。次いで、図４（ｄ）に示すように、被着体３０の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ４１上の電極パッドとをボンディングワイヤー５０で電気的に接続するワイヤーボンディングを行う（ボンディング工程）。その後、半導体チップを封止樹脂６０で封止し、該封止樹脂６０をアフターキュアする。以上により、半導体装置３００が製造される。
【００６６】
上記基板としては、任意の適切な基板を採用し得る。上記リードフレームとしては、例えば、Ｃｕリードフレームや４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレーム、ガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板などが挙げられる。
【００６７】
上記ボンディングワイヤー５０としては、例えば、金線、アルミニウム線、銅線等が挙げられる。
【００６８】
上記封止樹脂６０としては、例えば、エポキシ系樹脂が挙げられる。
【００６９】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例になんら限定されるものではない。なお、実施例において、特に明記しない限り、「部」および「％」は重量基準である。
【００７０】
［製造例１］  ダイボンドフィルムの作製
アクリル系樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ−Ｐ３」、固形分：１５％）６６７部（固形分１００部）、エポキシ系樹脂（ＪＥＲ社製、商品名「エピコート１００４」）１０．８部、フェノール系樹脂（三井化学社製、商品名「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」）１４．２部、およびシリカフィラー（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ−２５Ｒ」）６７．３部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％のダイボンドフィルム形成材料を調製した。
このダイボンドフィルム形成材料を、シリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み：５０μｍ）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させて、厚み２５μｍのダイボンドフィルムを得た。
【００７１】
［実施例１］
第１の粘着剤層形成材料として、メタロセン触媒により重合した結晶性ポリプロピレン系樹脂（日本ポリプロピレン社製、商品名「ＷＩＮＴＥＣ  ＷＦＸ４」、Ｍｗ＝３６３，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．８７）８０部と、メタロセン触媒により重合した非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体（住友化学社製、商品名「タフセレンＨ５００２」：プロピレン由来の構成単位９０モル％／１−ブテン由来の構成単位１０モル％、Ｍｗ＝２３０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８）２０部との混合物を用いた。
基材層形成材料として、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）（三井デュポン社製、商品名「エバフレックスＰ−１００７」）を用いた。
上記粘着剤形成材料と、基材層形成材料とをそれぞれ、押し出し機に投入し、Ｔダイ溶融共押し出し（押し出し機：ジー・エム・エンジニアリング社製、商品名「ＧＭ３０−２８」／Ｔダイ：フィードブロック方式；押出温度１８０℃）を行い、第１の粘着剤層の厚みが４５μｍ、基材層の厚みが８５μｍのダイシングフイルムを得た。なお、各層の厚みは、Ｔダイ出口の形状により制御した。
得られたダイシングフィルムの第１の粘着剤層側に、製造例１で得られたダイボンドフィルムを室温で貼り合わせ、ダイシング・ダイボンドフィルム（基材層／第１の粘着剤層／第２の粘着剤層（ダイボンドフィルム））を作製した。
【００７２】
［実施例２］
第１の粘着剤層形成材料として、メタロセン触媒により重合した結晶性ポリプロピレン系樹脂（日本ポリプロピレン社製、商品名「ＷＩＮＴＥＣ  ＷＦＸ４」、Ｍｗ＝３６３，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．８７）４０部と、メタロセン触媒により重合した非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体（住友化学社製、商品名「タフセレンＨ５００２」：プロピレン由来の構成単位９０モル％／１−ブテン由来の構成単位１０モル％、Ｍｗ＝２３０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８）６０部との混合物を用いた以外は、実施例１と同様にしてダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
【００７３】
［実施例３］
第１の粘着剤層形成材料として、メタロセン触媒により重合した結晶性ポリプロピレン系樹脂（日本ポリプロピレン社製、商品名「ＷＩＮＴＥＣ  ＷＦＸ４」、Ｍｗ＝３６３，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．８７）２０部と、メタロセン触媒により重合した非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体（住友化学社製、商品名「タフセレンＨ５００２」：プロピレン由来の構成単位９０モル％／１−ブテン由来の構成単位１０モル％、Ｍｗ＝２３０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８）８０部との混合物を用いた以外は、実施例１と同様にしてダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
【００７４】
［比較例１］
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル１００部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル２０部、過酸化ベンゾイル０．２部およびトルエン６０部を入れ、窒素気流中で６２℃にて８時間重合処理をし、重量平均分子量８０万のアクリル系樹脂（Ｍｗ＝８０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝６．７）を得た。
次に、得られたアクリル系樹脂１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン社製、商品名「コロネートＬ」）５部を加えて酢酸エチルで希釈しながら撹拌し、均一な樹脂溶液を作製した。
得られた樹脂溶液を、シリコーン処理ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱架橋して、厚さ４５μｍの粘着剤層を形成した。
得られた粘着剤層を、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルムに転写して、第１の粘着剤層（アクリル系樹脂、厚み：４５μｍ）および基材層（ＥＶＡ、厚み：８５μｍ）からなるダイシングフィルムを得た。なお、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルムは、三井デュポン社製の商品名「エバフレックスＰ−１００７」を押し出し成形して得た。
得られたダイシングフィルムの第１の粘着剤層側に、製造例１で得られたダイボンドフィルムを室温で貼り合わせ、ダイシング・ダイボンドフィルム（基材層／第１の粘着剤層／第２の粘着剤層（ダイボンドフィルム））を作製した。
【００７５】
［比較例２］
第１の粘着剤層形成材料として、熱可塑性アクリル系樹脂（クラレ社製、商品名「ＬＡ２１４０ｅ」：Ｍｗ＝７４，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３）を用いた以外は、実施例１と同様にしてダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
【００７６】
［評価］
実施例および比較例で作製したダイシング・ダイボンドフィルムを以下の評価に供した。結果を表１に示す。
【００７７】
（１）ダイボンドフィルム−ダイシングフィルム間（第１の粘着剤層−第２の粘着剤層間）の粘着力
作製したダイシング・ダイボンドフィルムを１００ｍｍ×１００ｍｍに切断した。その後、第２の粘着剤層面にテープ（日東電工（株）製、商品名「ＢＴ−３１５」）を常温で貼り合わせし、第２の粘着剤層を補強した。その後、第１の粘着剤層および第２の粘着剤層をチャッキングし、引張試験機（（株）島津製作所製、商品名「ＡＧＳ−Ｊ」）を用いて、測定温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０°の条件下、第１の粘着剤層から第２の粘着剤層を剥離する際の剥離力を測定した。そして、得られた値を５で除することにより、２０ｍｍ幅での剥離力を算出した。これをダイボンドフィルム−ダイシングフィルム間の粘着力とした。
【００７８】
（２）ダイシング時のチップフライ
Ｓｉミラーウエハ（直径１２ｃｍ）に、作製したダイシング・ダイボンドフィルムを、４０℃（ステージ温度）でロール圧着して貼り合わせた。その後、ダイシングを行った。ダイシングは、１０ｍｍ角のチップサイズとなるように、上記Ｓｉミラーウエハをフルカットした。ダイシング中に飛んでしまったチップの個数の、ダイシング後のチップの全数に対する割合により、ダイシング時のチップフライを評価した。チップが全く飛ばない場合は○、１個以上のチップが飛んだ場合を×とした。
なお、ダイシングに供したＳｉミラーウエハとしては、厚み０．６ｍｍのウエハをディスコ社製の商品名「ＤＧＰ８７６０」を用いて裏面研削して、厚み３００μｍとしたＳｉミラーウエハを用いた。また、貼り合わせ条件およびダイシング条件の詳細は以下のとおりである。
（貼り合わせ条件）
貼り付け装置：日東精機株式会社製、商品名「ＭＡ−３０００II」
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：４０℃
（ダイシング条件）
ダイシング装置：ディスコ社製「ＤＦＤ−６３６１」
カット方式：ステップカット
ダイシングリング：ディスコ社製、商品名「２−１２−１」
ダイシング速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレードＺ１：ディスコ社製、商品名「ＮＢＣ−ＺＨ２０３Ｏ−ＳＥ２７ＨＣＤＤ」
ダイシングブレードＺ１回転数：４０，０００ｒｐｍ
ブレードＺ１高さ：Ｓｉミラーウエハの高さ（厚さ）の半分
ダイシングブレードＺ２：ディスコ社製、商品名「ＮＢＣ−ＺＨ１０３Ｏ−ＳＥ２７ＨＣＢＢ」
ダイシングブレードＺ２回転数：４５，０００ｒｐｍ
ブレードＺ２高さ：第１の粘着剤層の厚み方向中央
ウェハチップサイズ：１０．０ｍｍ角
【００７９】
（３）ピックアップ性
上記（２）の評価のようにダイシングを行った後、ダイシングフィルム（第１の粘着剤層）から、ダイボンドフィルム（第２の粘着剤層）およびチップの積層体を、下記の条件でピックアップした。
なお、Ｓｉミラーウエハ（直径１２ｃｍ）として、厚み３００μｍのＳｉミラーウエハに加えて、厚み５０μｍのＳｉミラーウエハも用い、チップ厚３００μｍおよび５０μｍの２種類のチップについてのピックアップ性を、以下の基準で評価した。
◎・・・チップ厚３００μｍのチップおよび５０μｍのチップ共に、ピックアップ高さが６００μｍ未満
○・・・チップ厚３００μｍのチップのピックアップ高さが６００μｍ未満であり、チップ厚５０μｍのチップについては、ピックアップ高さが６００μｍ以上またはピックアップできない
×・・・チップ厚３００μｍのチップおよび５０μｍのチップ共に、ピックアップ高さが６００μｍ以上またはピックアップできない
（ピックアップ条件）
ピックアップ装置：新川社製、商品名「ＳＰＡ―３００」
ニードル本数：５本
ニードル種類：Ｆ０．７、１５°、１０ｌ、３５０μｍ
ピックアップ速度：５ｍｍ／ｓｅｃ
ピックアップ時間：１０００ｍｓｅｃ
【００８０】
（４）ダイボンドフィルム（第２の粘着剤層）−基板間の接着力
作製したダイシング・ダイボンドフィルムからダイボンドフィルム（第２の粘着剤層）を剥離した。当該ダイボンドフィルムのダイシングフィルム（第１の粘着剤層）と接触していなかった面を半導体素子（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍ、材質：Ｓｉ）に、４０℃雰囲気下で貼り付けた。さらに、当該ダイボンドフィルムを介して、半導体素子をＢＧＡ基板（日本サーキット社製、商品名「ＣＡ  ＢＧＡ  ４」）上にマウントした（貼り付け条件；温度：１２０℃、圧力：０．１ＭＰａ、時間：１秒）。次いで、ボンドテスター（デイジ社製、商品名「ｄａｇｙ４０００」）にて、１７５℃、５００μｍ／ｓｅｃにおける、ダイボンドフィルム（第２の粘着剤層）−基板間のせん断接着力を測定した。
一方、製造例１で作製したダイボンドフィルム（すなわち、ダイシングフィルムと接触履歴のないダイボンドフィルム）を用いて、上記と同様にせん断接着力を測定した。この製造例１で作製したダイボンドフィルムのせん断接着力は、０．０７ＭＰａであった。
製造例１で作製したダイボンドフィルムのせん断接着力０．０７ＭＰａを基準として、実施例および比較例で作製したダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルム−基板間の接着力を評価した。すなわち、ダイボンドフィルム−基板間の接着力が、０．０７ＭＰａ以上である場合を○、０．０７ＭＰａ未満である場合を×とした。
【００８１】
（５）ダイボンドフィルム（第２の粘着剤層）中のボイド
上記（３）で得られたダイボンドフィルム付きチップを、ダイボンダー（新川社製、商品名「ＳＰＡ−３００」）を用いて、ＢＧＡ基板上にマウントした（貼り付け条件；温度：１６０℃、圧力：０．２ＭＰａ、時間：２秒）。その後、１７５℃で１時間加熱し、さらに、封止材（日東電工（株）製、商品名「ＧＥ−１００」）でパッケージングし、半導体装置を製造した（ＴＦＢＧＡパッケージ１６ｍｍ×１６ｍｍ×０．７ｍｍ、チップサイズ５×５ｍｍ）。
この半導体装置をガラスカッターで厚み方向に切断し、切断面を顕微鏡で観察してボイドの面積を測定した。ボイド面積の測定は、無作為で選んだ５箇所の切断面について行った。切断面に対するボイド面積の割合の当該５箇所の平均が、３面積％未満の場合を○、３面積％以上の場合を×とした。
【００８２】
【表１】
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【００８３】
表１から明らかなように、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイボンドフィルム−ダイシングフィルム間の粘着力が適切に制御され、ダイシング時の半導体ウエハ保持力、およびピックアップ時の剥離性に優れる。さらに、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムから剥離されたダイボンドフィルムは、基板に対する接着力に優れ、半導体チップをパッケージングした際の信頼性に優れる。また、パッケージングした際の、ダイボンドフィルム中でのボイドの発生が抑制され、その後のリフロー工程での不具合を防止し得る。
【００８４】
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシングフィルム（第１の粘着剤層）がポリオレフィン系樹脂を含むことにより、ダイシングフィルムとダイボンドフィルムとの間の成分移行が抑制されているため、上記のように、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムから剥離されたダイボンドフィルムは、接着力に優れ、また、ボイドの発生も抑制される。
【符号の説明】
【００８５】
１                  第１の粘着剤層
２                  第２の粘着剤層
３                  基材層
１００、２００      ダイシング・ダイボンドフィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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