(57)【要約】【課題】マザー積層体のカットに要する時間を短縮できるマザー積層体のカット方法に関する。【解決手段】内部導体を内蔵しているマザー積層体を複数の積層体にカットするカット方法。第１のステップでは、マザー積層体に対してｘｙ座標を定義する。第２のステップでは、マザー積層体においてマトリクス状に配置された複数の第１の座標に対して、Ｘ線を照射して、複数の重なり部の内の一部の重なり部の第２の座標を認識する。第３のステップでは、第２の座標のｙ座標に基づいて、一部の重なり部を含む積層体の第１のカット位置のｙ座標を算出する。第４のステップでは、第１のカット位置のｙ座標に基づいて、該第１のカット位置の間に位置する第２のカット位置のｙ座標を算出する。第５のステップでは、第１のカット位置のｙ座標及び第２のカット位置のｙ座標においてマザー積層体をカットする。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部導体を内蔵しているマザー積層体であって、複数の内部導体が積層方向に重なった重なり部がマトリクス状に配列されたマザー積層体を複数の積層体にカットするカット方法であって、
前記マザー積層体に対してｘｙ座標を定義する第１のステップと、
前記マザー積層体においてマトリクス状に配置された複数の第１の座標に対して、該マザー積層体を構成している絶縁体層を透過し、かつ、該絶縁体層よりも前記内部導体を透過しにくい電磁波を照射して、複数の前記重なり部の内の一部の前記重なり部の第２の座標を認識する第２のステップと、
前記第２の座標のｙ座標に基づいて、前記一部の重なり部を含む前記積層体の第１のカット位置のｙ座標を算出する第３のステップと、
前記第１のカット位置のｙ座標に基づいて、該第１のカット位置の間に位置する第２のカット位置のｙ座標を算出する第４のステップと、
前記第１のカット位置のｙ座標及び前記第２のカット位置のｙ座標において前記マザー積層体をカットする第５のステップと、
を備えていること、
を特徴とするカット方法。
【請求項２】
複数の基準カット位置のｙ座標を記憶する第６のステップを、
更に備えており、
前記第３のステップは、
ｙ軸方向において第１の所定範囲内に収まっている複数の前記第２の座標が同じグループに属するように該第２の座標をグループ分けする第７のステップと、
同一のグループに属する前記重なり部の前記第２の座標に基づいて、該グループに対応する前記基準カット位置のｙ座標に対する第１の補正量を算出する第８のステップと、
を含んでおり、
前記第３のステップでは、前記第１の補正量及び前記基準カット位置に基づいて、前記第１のカット位置のｙ座標を算出すること、
を特徴とする請求項１に記載のカット方法。
【請求項３】
前記第８のステップでは、同一のグループにおいて、ｘ軸方向の両端に位置する前記第２の座標を結んで得られる直線からｙ軸方向に最も離れている前記第２の座標までの距離の半分を、前記第１の補正量とすること、
を特徴とする請求項２に記載のカット方法。
【請求項４】
前記第８のステップでは、同一のグループにおいて、ｘ軸方向の両端に位置する前記第２の座標を結んで得られる直線からｙ軸方向の正方向側に最も離れている前記第２の座標と、該直線からｙ軸方向の負方向側に最も離れている前記第２の座標とのｙ軸方向における距離の平均を、前記第１の補正量とすること、
を特徴とする請求項２に記載のカット方法。
【請求項５】
前記第８のステップでは、同一のグループにおいて、ｘ軸方向の両端に位置する前記第２の座標を結んで得られる直線からｘ軸方向の両端に位置する第２の座標以外の前記第２の座標までの距離の平均を、前記第１の補正量とすること、
を特徴とする請求項２に記載のカット方法。
【請求項６】
前記第４のステップでは、ｙ軸方向において前記第１のカット位置から第２の所定範囲に収まっている前記基準カット位置に対応する第２の補正量として該第１のカット位置に対応する前記第１の補正量を用い、該基準カット位置及び該第２の補正量に基づいて、前記第２のカット位置のｙ座標を算出すること、
を特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれかに記載のカット方法。
【請求項７】
前記第４のステップは、
ｙ軸方向において前記第１のカット位置から前記第２の所定範囲に収まっている前記基準カット位置に対応する第２の補正量として該第１のカット位置に対応する前記第１の補正量を用いる第９のステップと、
前記第１の補正量及び前記第２の補正量のｙ軸方向における単純移動平均を算出する第１０のステップと、
前記基準カット位置のｙ座標に前記単純移動平均を加算することによって、前記第２のカット位置のｙ座標を算出する第１１のステップと、
を含んでいること、
を特徴とする請求項６に記載のカット方法。
【請求項８】
前記マザー積層体は、基準導体を内蔵しており、
前記第１のステップでは、前記マザー積層体に対して、前記電磁波を照射して、前記基準導体の位置を認識すると共に、該基準導体の位置に基づいて該マザー積層体に対して前記ｘｙ座標を定義すること、
を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のカット方法。
【請求項９】
前記電磁波はＸ線であること、
を特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のカット方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カット方法に関し、より特定的には、マザー積層体のカット方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のカット方法としては、例えば、特許文献１に記載のシート積層体の切断方法が知られている。該シート積層体の切断方法では、シート積層体をＸ線で撮像することにより、内部電極の位置と、位置決めマークの位置とを検出する。次に、内部電極の位置と、位置決めマークの位置とを関連付けた参照データを作成する。次に、位置決めマークの位置を参照データと照合した結果に基づいてシート積層体を切断する。特許文献１に記載のシート積層体によれば、Ｘ線により内部電極の位置を検出しているので、シート積層体の圧着時に内部電極の位置にずれが発生したとしても、適切なカット位置を決定することができる。
【０００３】
しかしながら、特許文献１に記載のシート積層体の切断方法では、シート積層体のカットに長時間を要するという問題がある。より詳細には、該シート積層体の切断方法では、カット位置を決定するために、全ての内部電極の位置をＸ線の照射によって検出している。ただし、Ｘ線の照射には、比較的に長い時間を要する。そのため、Ｘ線の照射回数が多くなれば、内部電極の位置の検出に長時間を要するようになる。よって、特許文献１に記載のシート積層体の切断方法では、シート積層体のカットに長時間を要する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２３５７４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、マザー積層体のカットに要する時間を短縮できるマザー積層体のカット方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態に係るカット方法は、内部導体を内蔵しているマザー積層体であって、複数の内部導体が積層方向に重なった重なり部がマトリクス状に配列されたマザー積層体を複数の積層体にカットするカット方法であって、前記マザー積層体に対してｘｙ座標を定義する第１のステップと、前記マザー積層体においてマトリクス状に配置された複数の第１の座標に対して、該マザー積層体を構成している絶縁体層を透過し、かつ、該絶縁体層よりも前記内部導体を透過しにくい電磁波を照射して、複数の前記重なり部の内の一部の前記重なり部の第２の座標を認識する第２のステップと、前記第２の座標のｙ座標に基づいて、前記一部の重なり部を含む前記積層体の第１のカット位置のｙ座標を算出する第３のステップと、前記第１のカット位置のｙ座標に基づいて、該第１のカット位置の間に位置する第２のカット位置のｙ座標を算出する第４のステップと、前記第１のカット位置のｙ座標及び前記第２のカット位置のｙ座標において前記マザー積層体をカットする第５のステップと、を備えていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、マザー積層体のカットに要する時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】カット装置の構成図である。
【図２】マザー積層体の断面構造図である。
【図３】図３（ａ）は、マザー積層体を上方から平面視した図である。図３（ｂ）は、マザー積層体をＸ線により撮像した図である。
【図４】カット装置がマザー積層体をカットする際に、制御部が行う動作を示したフローチャートである。
【図５】図４の各ステップにおいてマザー積層体を平面視した図である。
【図６】図４の各ステップにおいてマザー積層体を平面視した図である。
【図７】図４の各ステップにおいてマザー積層体を平面視した図である。
【図８】図４のステップＳ６の補正量算出の説明図である。
【図９】図４の各ステップにおいてマザー積層体を平面視した図である。
【図１０】各カット位置ＣＬと補正量ｈとの関係を示したグラフである。
【図１１】第１の変形例に係る補正量算出の説明図である。
【図１２】第２の変形例に係る補正量算出の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の実施形態に係るカット方法について図面を参照しながら説明する。
【００１０】
（カット装置の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係るカット方法が適用されたカット装置について図面を参照しながら説明する。図１は、カット装置１０の構成図である。
【００１１】
カット装置１０は、内部導体を内蔵しているマザー積層体１００を複数の積層体にカットし、図１に示すように、検出装置１２、カット装置１４及び制御装置１６を備えている。
【００１２】
検出装置１２は、マザー積層体１００に対してＸ線を照射して、マザー積層体１００内の内部導体を撮像し、図１に示すように、テーブル２０、放射線源２２及び撮像機構２４を備えている。テーブル２０上には、マザー積層体１００が載置される。放射線源２２は、テーブル２０の下方に配置され、マザー積層体１００に対してＸ線を照射する。Ｘ線は、マザー積層体１００を構成している絶縁体層を透過し、かつ、内部導体を透過しない。撮像機構２４は、テーブル２０の上方に配置され、マザー積層体１００を透過してきたＸ線により、マザー積層体１００内の内部導体を撮像する。
【００１３】
制御装置１６は、検出装置１２が撮像したマザー積層体１００内の内部導体の画像に基づいて、マザー積層体１００のカット位置を決定し、図１に示すように、制御部４０及び記憶部４２を備えている。制御部４０は、カット装置１０全体を制御し、例えば、ＣＰＵにより構成されている。記憶部４２は、後述するように、内部電極に変形が生じていないときのカット位置（以下、基準カット位置）の座標を記憶している。
【００１４】
カット装置１４は、制御装置１６が決定したカット位置において、マザー積層体１００をカットし、テーブル３０、駆動部３２，３４，３８及びカット刃３６を備えている。テーブル３０上には、マザー積層体１００が載置される。駆動部３２は、図１の左右方向にテーブル３０をスライドさせる。駆動部３４は、テーブル３０の底面に取り付けられており、テーブル３０を鉛直方向を中心軸として回転させる。カット刃３６は、図１の前後方向に延在しており、上下方向にスライドすることによって、マザー積層体１００をカットする。駆動部３８は、カット刃３６を上下方向にスライドさせる。
【００１５】
次に、マザー積層体１００の構成について図面を参照しながら説明する。図２は、マザー積層体１００の断面構造図である。図３（ａ）は、マザー積層体１００を上方から平面視した図である。図３（ｂ）は、マザー積層体１００をＸ線により撮像した図である。
【００１６】
マザー積層体１００は、図２及び図３に示すように、マトリクス状に配列されたコンデンサ導体となる長方形状の内部導体１０１が形成された複数の絶縁体層が積層されて構成され、四角形状をなしている。マザー積層体１００は、チップコンデンサとして用いられる複数のチップ状の積層体に分割される。
【００１７】
また、図２に示すように、積層方向の１層目及び３層目に位置する内部導体１０１は、一致した状態で積層方向に互いに重なっている。一方、２層目に位置する内部導体１０１は、半ピッチだけ積層方向に直交する方向にずらされて配置されている。これにより、図２に示すように、１層目〜３層目の内部導体１０１が積層方向に重なっている重なり部１０２が形成されている。重なり部１０２は、積層方向から平面視したときに、図３（ｂ）に示すように、マトリクス状に配列されており、コンデンサの容量形成部である。本実施形態では、重なり部１０２は、図３（ｂ）の上下方向において、２１個並んでおり、図３（ｂ）の左右方向において、２１個並んでいる。そして、重なり部１０２ではＸ線が透過しにくく、重なり部１０２以外の部分ではＸ線が透過しやすい。また、マザー積層体１００は、図２（ｂ）に示すように、複数の内部導体１０２及び基準導体１０４ａ，１０４ｂを内蔵している。
【００１８】
基準導体１０４ａは、マザー積層体１００の左側の辺の中央近傍に設けられている。基準導体１０４ｂは、マザー積層体１００の右側の辺の中央近傍に設けられている。
【００１９】
以上のように構成されたマザー積層体１００は、図３の上下方向が図１の左右方向と一致するように、テーブル２０上に載置される。
【００２０】
（カット装置の動作）
以下に、カット装置１０の動作について図面を参照しながら説明する。図４は、カット装置１０がマザー積層体１００をカットする際に、制御部４０が行う動作を示したフローチャートである。図５、図６、図７及び図９は、図４の各ステップにおいてマザー積層体１００を平面視した図である。図５、図６、図７及び図９において、重なり部１０２及び基準導体１０４ａ，１０４ｂが点線で示されているのは、これらがマザー積層体１００に内蔵されて見えないためである。図８は、図４のステップＳ６の補正量算出の説明図である。
【００２１】
マザー積層体１００をテーブル２０上に載置する。制御部４０は、放射線源２２及び撮像機構２４にマザー積層体１００の基準導体１０４ａ，１０４ｂを撮像させ、マザー積層体１００内の基準導体１０４ａ，１０４ｂの対角線の交点である中心点の位置を認識する（ステップＳ１）。なお、基準導体は１０４ａ、１０４ｂは円状であってもよく、その場合、円の中心の位置を認識することになる。
【００２２】
次に、制御部４０は、図５（ａ）に示すように、基準導体１０４ａ，１０４ｂの位置に基づいて、マザー積層体１００に対してｘｙ座標を定義する（ステップＳ２）。具体的には、制御部４０は、基準導体１０４ａの中心点と基準導体１０４ｂの中心点とを繋ぐ直線をｘ軸と定義する。基準導体１０４ａから基準導体１０４ｂへと向かう方向がｘ軸方向の正方向である。また、制御部４０は、基準導体１０４ａの中心点と基準導体１０４ｂの中心点とを繋ぐ直線の垂直二等分線をｙ軸と定義する。図５（ａ）に示すように、下から上へと向かう方向がｙ軸方向の正方向である。
【００２３】
次に、制御部４０は、図５（ｂ）に示すように、マザー積層体１００に対して目標点Ｐｍｎ（ｍ，ｎは、１〜５の整数）を設定する（ステップＳ３）。目標点Ｐｍｎは、５×５のマトリクス状に等間隔に配置された点であり、変形が発生していない状態の特定の重なり部１０２の中心（対角線の交点）を意味している。目標点Ｐｍｎのピッチは、ｘ軸方向及びｙ軸方向共に重なり部１０２のピッチの５倍である。
【００２４】
次に、制御部４０は、図５（ｂ）の目標点Ｐｍｎのそれぞれに対して放射線源２２にＸ線を照射させて、目標点Ｐｍｎと重なっている重なり部１０２を撮像機構２４により撮像し、図６に示すように、該重なり部１０２の中心点Ｃｍｎ（ｍ，ｎは、１〜５の整数）の座標（ｘ１，ｙ１）を認識する（ステップＳ４）。なお、制御部４０が座標を認識している重なり部１０２は、全ての重なり部１０２の内の一部である。
【００２５】
次に、制御部４０は、図７に示すように、ｘ軸に沿って並んでいる中心点Ｃｍｎのうち、ｙ軸方向において、所定範囲内に収まっている中心点Ｃｍｎが同じグループＧｎ（ｎは、１〜５の整数）に属するように、中心点Ｃｍｎをグループ分けする（ステップＳ５）。より詳細には、マザー積層体１００の圧着工程において、重なり部１０２の位置がずれている。そのため、目標点Ｐｍｎと重なっている重なり部１０２の中心点Ｃｍｎは、図７に示すように、目標点Ｐｍｎからずれている。そこで、ｘ軸に沿って並ぶ目標点Ｐｍｎのｙ軸方向において互いに近接するｙ座標ｙ１を有する中心点Ｃｍｎは、同一のグループを構成しているとみなす。したがって、ステップＳ５により、中心点Ｃ１１〜Ｃ５１は、グループＧ１に属するようになる。中心点Ｃ１２〜Ｃ５２は、グループＧ２に属するようになる。中心点Ｃ１３〜Ｃ５３は、グループＧ３に属するようになる。中心点Ｃ１４〜Ｃ５４は、グループＧ４に属するようになる。中心点Ｃ１５〜Ｃ５５は、グループＧ５に属するようになる。なお、制御部４０は、ｙ軸方向のみならずｘ軸方向のずれも考慮して、目標点Ｐｍｎから中心点Ｃｍｎが所定範囲以上にずれている場合は、その中心点ＣｍｎをグループＧｎから除外する。
【００２６】
次に、制御部４０は、同一のグループＧｎに属する中心点Ｃｍｎのｙ座標ｙ１に基づいて、該グループＧｎに対応する基準カット位置のｙ座標ｙ２に対する補正量を算出する（ステップＳ６）。基準カット位置とは、ｘ軸方向に沿って、最も離れた内部導体の重なり部１０２を結ぶ線に平行であり、該重なり部１０２とｙ軸方向において隣り合う内部導体重なり部１０２との中間を通る線になる。本実施形態では、基準カット位置のｙ座標ｙ２は、互いに隣り合う重なり部１０２の中間をｘ軸方向に延在する直線のｙ座標である。また、補正量とは、実際のカット位置と基準カット位置とのｙ軸方向における差である。すなわち、補正量とは、基準カット位置からどれだけｙ軸方向に補正すればよいかを意味している。以下では、グループＧｎに対応する補正量を補正量ｈｎ（ｎは、１〜５の整数）とする。そして、補正量ｈ５を例にとって、補正量ｈ５の算出方法について説明する。
【００２７】
図８は、中心点Ｃ１５〜Ｃ５５を示した図である。図８に示すように、制御部４０は、同一のグループＧ５において、直線Ｌ５から中心点Ｃ３５までの距離ａの半分を、補正量ｈ５とする。直線Ｌ５は、ｘ軸方向の両端に位置する中心点Ｃ１５，Ｃ５５を結んで得られる直線である。中心点Ｃ３５は、直線Ｌ５からｙ軸方向に最も離れている中心点である。なお、距離ａは、中心点Ｃｍｎが直線Ｌｎよりもｙ軸方向の正方向側にある場合には正であり、中心点Ｃｍｎが直線Ｌｎよりもｙ軸方向の負方向側にある場合には負である。
【００２８】
次に、制御部４０は、補正量ｈｎ及びグループＧｎに属する基準カット位置のｙ座標ｙ２に基づいて、グループＧｎに属するカット位置のｙ座標ｙ３を算出する（ステップＳ７）。具体的には、制御部４０は、グループＧｎに属する基準カット位置のｙ座標ｙ２に対して補正量ｈｎを加算して、グループＧｎに属するカット位置のｙ座標ｙ３を得る。ステップＳ７でｙ座標ｙ３が算出されるカット位置は、図９に示すカット位置ＣＬ２，ＣＬ７，ＣＬ１２，ＣＬ１７，ＣＬ２２である。カット位置ＣＬ２，ＣＬ７，ＣＬ１２，ＣＬ１７，ＣＬ２２はそれぞれ、グループＧ１〜Ｇ５に属している。以上のステップＳ５ないしステップＳ７において、制御部４０は、重なり部１０２の中心点Ｃｍｎのｙ座標ｙ１に基づいて、積層体のカット位置ＣＬ２，ＣＬ７，ＣＬ１２，ＣＬ１７，ＣＬ２２のｙ座標ｙ３を算出する。積層体のカット位置ＣＬ２，ＣＬ７，ＣＬ１２，ＣＬ１７，ＣＬ２２とは、目標点Ｐｍｎと重なる積層体のｙ軸方向の正方向側に位置するカット位置（図９の一点鎖線）である。
【００２９】
次に、制御部４０は、図９に示すように、各グループＧｎに補正量ｈｎを適用する。ここでは、カット位置ＣＬ２，ＣＬ７，ＣＬ１２，ＣＬ１７，ＣＬ２２を決定するのに用いる補正量である補正量ｈ１〜ｈ５をグループ１〜５での補正量とみなす（ステップＳ８）。より詳細には、制御部４０は、カット位置ＣＬ１，ＣＬ３，ＣＬ４については、カット位置ＣＬ２に対応する補正量ｈ１を適用する。制御部４０は、カット位置ＣＬ５，ＣＬ６，ＣＬ８，ＣＬ９については、カット位置ＣＬ７に対応する補正量ｈ２を適用する。制御部４０は、カット位置ＣＬ１０，ＣＬ１１，ＣＬ１３，ＣＬ１４については、カット位置ＣＬ１２に対応する補正量ｈ３を適用する。制御部４０は、カット位置ＣＬ１５，ＣＬ１６，ＣＬ１８，ＣＬ１９については、カット位置ＣＬ１７に対応する補正量ｈ４を適用する。制御部４０は、カット位置ＣＬ２０，ＣＬ２１については、カット位置ＣＬ２２に対応する補正量ｈ５を適用する。図１０は、各カット位置ＣＬと補正量ｈとの関係を示したグラフである。横軸はカット位置を示し、縦軸は補正量を示している。図１０（ａ）は、ステップＳ８の段階における各カット位置ＣＬの補正量を示しており、図１０（ｂ）は、ステップＳ９の平均化処理後における各カット位置ＣＬの補正量を示している。図１０（ａ）に示すように、ステップＳ８の段階では、各カット位置ＣＬの補正量は、不連続に変化していることが分かる。
【００３０】
次に、制御部４０は、各カット位置ＣＬ１〜ＣＬ２２の補正量のｙ軸方向における単純移動平均を算出する（ステップＳ９）。より詳細には、制御部４０は、連続する３つのカット位置ＣＬｎ−１，ＣＬｎ，ＣＬｎ＋１の３つの補正量を足して３で割ることによって、カット位置ＣＬｎの補正量とする。これにより、図１０（ｂ）に示すように、各カット位置ＣＬの補正量は、連続的に変化するようになる。なお、単純移動平均が算出される回数は、１回に限らず、複数回であってもよい。単純移動平均を複数回行う場合、より滑らかな曲線になる。また、制御部４０は、連続する３つのカット位置ＣＬｎ−１，ＣＬｎ，ＣＬｎ＋１の３つの補正量を用いて、単純移動平均を算出しているが、用いる補正量の数は３つに限らない。
【００３１】
次に、制御部４０は、ステップＳ９において算出した補正量を基準カット位置のｙ座標ｙ２に加算することによって、カット位置ＣＬ１〜ＣＬ２２のｙ座標を算出する（ステップＳ１０）。これにより、制御部４０は、全てのカット位置ＣＬ１〜ＣＬ２２のカット位置のｙ座標を得る。
【００３２】
次に、制御部４０は、ステップＳ５〜ステップＳ１０と同様の処理を行って、ｘ軸方向に延在するカット位置のｘ座標を算出する（ステップＳ１１）。
【００３３】
次に、マザー積層体１００は、テーブル２０からテーブル３０へと移される。これにより、マザー積層体１００は、検出装置１２からカット装置１４へと移動させられる。ただし、マザー積層体１００は、テーブル２０からテーブル３０に移動させられるのではなく、テーブル２０ごと検出装置１２からカット装置１４へと移動させられてもよい。この場合、予め全補正量のみ計算しておき、カット装置１４にて、マザー積層体１００の４辺の端部を切り落とすことで、内部導体の重なり部１０２もしくは、それに準じるカットのための目安となるマークを露出させることで、対向する両辺、それぞれにおいて、露出した内部導体の重なり部１０２のうち隣り合うもの同士の中間を求め、ｘ軸に沿って、各辺の中間を結ぶことで基準カット位置とし、該カット基準位置に補正量を加算することで、カット位置を得てもよい。
【００３４】
次に、制御部４０は、駆動部３２，３４，３８を駆動させて、ステップＳ１〜Ｓ１１にて算出したカット位置のｘ座標及びｙ座標においてマザー積層体１００をカット装置１４にカットさせる（ステップＳ１２）。なお、カット装置１４の動作は、一般的な動作であるので説明を省略する。以上の工程により、マザー積層体１００が個別の積層体にカットされる。
【００３５】
（効果）
本実施形態に係るカット方法によれば、マザー積層体１００のカットに要する時間を短縮できる。より詳細には、特許文献１に記載のシート積層体の切断方法では、カット位置を決定するために、全ての内部電極の位置をＸ線の照射によって検出している。ただし、Ｘ線の照射には、比較的に長い時間を要する。そのため、Ｘ線の照射回数が多くなれば、内部電極の位置の検出に長時間を要するようになる。よって、特許文献１に記載のシート積層体の切断方法では、シート積層体のカットに長時間を要する。
【００３６】
一方、本実施形態に係るカット方法では、全ての重なり部１０２に対してＸ線を照射しているのではなく、目標点Ｐｍｎと重なっている重なり部１０２にのみＸ線を照射している。これにより、カット位置ＣＬ１〜ＣＬ２２の内の一部のカット位置ＣＬ２，ＣＬ７，ＣＬ１２，ＣＬ１７，ＣＬ２２のｙ座標を算出している。そして、カット位置ＣＬ２，ＣＬ７，ＣＬ１２，ＣＬ１７，ＣＬ２２のｙ座標に基づいて、カット位置ＣＬ１，ＣＬ３〜ＣＬ６，ＣＬ８〜ＣＬ１１，ＣＬ１３〜ＣＬ１６，ＣＬ１８〜ＣＬ２１のｙ座標を算出している。よって、本実施形態に係るカット装置では、特許文献１に記載のシート積層体の切断方法に比べて、Ｘ線を照射する回数が少なくて済む。その結果、本実施形態に係るカット方法では、特許文献１に記載のシート積層体の切断方法に比べて、短時間でマザー積層体１００をカットできる。
【００３７】
また、本実施形態に係るカット方法によれば、補正量に対して平均化処理が施されている。そのため、図１０（ｂ）に示すように、補正量は連続的に変化するようになる。特にマザー積層体内の内部導体の圧着時の位置のずれは、連続的に変化することが多い。したがって、位置のずれが連続的に変化している場合、本実施形態のように補正値を連続的に変化させるカット方法では、補正値を不連続に変化させる場合より精度よくカット位置を決定することが可能となる。
【００３８】
（第１の変形例）
以下に第１の変形例に係る補正量の算出方法について図面を参照しながら説明する。図１１は、第１の変形例に係る補正量算出の説明図である。
【００３９】
第１の変形例に係る補正量の算出方法では、図１１に示すように、制御部４０は、同一のグループＧ５において、直線Ｌ５から中心点Ｃ３５までの距離ａと直線Ｌ５から中心点Ｃ２５までの距離ｂとの平均を、補正量ｈ５とする。直線Ｌ５は、ｘ軸方向の両端に位置する中心点Ｃ１５，Ｃ５５のｙ座標ｙ１を結んで得られる直線である。中心点Ｃ２５は、直線Ｌ５からｙ軸方向の正方向側に最も離れている中心点である。中心点Ｃ３５は、直線Ｌ５からｙ軸方向の負方向側に最も離れている中心点である。
【００４０】
（第２の変形例）
以下に第２の変形例に係る補正量の算出方法について図面を参照しながら説明する。図１２は、第２の変形例に係る補正量算出の説明図である。
【００４１】
第２の変形例に係る補正量の算出方法では、図１２に示すように、制御部４０は、同一のグループＧ５において、直線Ｌ５から中心点Ｃ３５までの距離ａと直線Ｌ５から中心点Ｃ２５までの距離ｂと直線Ｌ５から中心点Ｃ４５までの距離ｃとの平均を、補正量ｈ５とする。直線Ｌ５は、ｘ軸方向の両端に位置する中心点Ｃ１５，Ｃ５５を結んで得られる直線である。中心点Ｃ２５，Ｃ３５，Ｃ４５は、同一のグループＧ５において、ｘ軸方向の両端に位置する中心点Ｃ１５，Ｃ５５を除く点である。
【００４２】
（その他の実施形態）
本発明に係るカット方法は、前記実施形態に係るカット方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。例えば、ステップＳ９の平均化処理は行われなくてもよい。
【００４３】
なお、マザー積層体１００が薄い場合には、Ｘ線の代わりに可視光や紫外線等の電磁波が照射されてもよい。この場合、電磁波は、絶縁体層を透過し、内部導体１０２を透過しなければよい。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
以上のように、本発明は、カット方法に有用であり、特に、マザー積層体のカットに要する時間を短縮できる点で優れている。
【符号の説明】
【００４５】
１０  カット装置
１２  検出装置
１４  カット装置
１６  制御装置
２０，３０  テーブル
２２  放射線源
２４  撮像機構
３２，３４，３８  駆動部
３６  カット刃
４０  制御部
４２  記憶部
１００  マザー積層体
１０１  内部導体
１０２  重なり部
１０４ａ，１０４ｂ  基準導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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