(57)【要約】      （修正有）【課題】チップ部品とリードフレームとの間で、安定して絶縁距離が確保可能となる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】リードフレームとチップ部品と半導体素子とを備え、樹脂封止される半導体装置であって、リードフレームは、チップ部品の非電極部２０ｂに対向してリードフレームから突出する突出部１１０を有し、この突出部はチップ部品の電極部２０ａ高さｈを超える突出高さを有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属からなるリードフレームと、
電極部及び非電極部を有し、上記リードフレームの第１面に絶縁体を介して固定される表面実装タイプのチップ部品と、
上記リードフレームの第１面に固定される半導体素子と、を備え、上記チップ部品及び上記半導体素子が樹脂材にて樹脂封止されて成形される半導体装置であって、
上記リードフレームは、上記チップ部品の非電極部に対向して第１面から突出する突出部を有し、この突出部は、上記非電極部に対する上記電極部の高さを超える突出高さを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記突出部は、チップ部品の重心部分に位置する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記突出部は、一つのチップ部品の軸方向に沿って上記非電極部と接触し当該チップ部品を支持する複数の支持端を有する、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記支持端間の距離は、チップ部品を吸着する吸着ノズルの先端幅よりも大きい、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
少なくとも２つの上記支持端は、チップ部品の重心位置を間に挟んで位置する、請求項３又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記突出部は、上記チップ部品の非電極部と接触し当該チップ部品を支持する支持端を有し、この支持端は、折り曲げられている、請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
上記折り曲げられた支持端は、チップ部品に対して面接触する平面を有する、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
リードフレームは、打ち抜きプレス加工により作製され、リードフレームの第１面に有する突出部は、リードフレームの打ち抜きプレス加工のときにコイニングによって形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特にリードフレーム上にチップ部品を搭載した半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力用半導体装置では、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどの電力用半導体素子を基板等に搭載し、装置信頼性を高めるため、これら全体を、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いてトランスファーモールドにて封止することが多い。また近年では、電力用半導体装置の機能性をさらに高めるために、電力用半導体素子とともに、制御素子やチップ抵抗、チップコンデンサなどを搭載するものも増えている。一方、市場での競争激化により低コスト化が必要とされるため、ダイパッド、電気回路及び端子を一体化できるリードフレームを用いることが多くなっている。
これらの要因を両立させるため、リードフレームに複数の部品を搭載する構成となるが、フレーム配線の自由度は基板の場合に比べて低いため、効率良く部品を配置する必要がある。特に電力用半導体装置は、電力用半導体素子に高電圧を印加するため、他の低耐圧素子に影響しない配置が必要となる。
【０００３】
そこで、効率よく配線及び部品配置を行うために、例えば特許文献１では、電力用半導体素子と、フィルム状の絶縁フィルムをチップ裏面に貼り付けたチップ部品とを、同電位上に載置する旨が開示されている。即ち、チップ裏面の絶縁フィルムによって、チップ部品とフレームとを絶縁することで、同電位上に異種の素子を搭載可能としている。
【０００４】
また特許文献２では、チップ部品とフレームとの間の絶縁フィルムの厚さを調整するために、絶縁フィルムに無機物の充填材粒（絶縁フィラー）を混合することで、この充填材粒をスペーサとし、チップ部品とフレームとの間において粒径分だけ絶縁距離を確保する旨が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２６７０７１号公報
【特許文献２】特開２００８−４５１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、チップ抵抗やチップコンデンサなどの表面実装用部品は、その電極に接合用のめっきを形成している。例えばチップコンデンサでは、めっき部分は、その厚さ分だけ母体のセラミックから突出している。このため、上記特許文献１に開示された方法で部品を搭載すると、電極の突出しためっき部分が絶縁フィルム内へ埋没する。その結果、実質的にチップコンデンサとフレームとの間の絶縁耐圧が低下する可能性がある。
【０００７】
また、上記特許文献２の技術においても、チップコンデンサを用いる場合では、実装時に電極の突出しためっき部分が絶縁フィラーを排斥してしまい、所定の絶縁距離を確保できず耐圧が不十分になってしまう。
【０００８】
本発明は、上述したような問題点を解決するためになされたものであり、表面実装用の電極を有したチップ部品とリードフレームとの間で、安定して絶縁距離が確保可能となる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。
即ち、本発明の一態様における半導体装置は、金属からなるリードフレームと、電極部及び非電極部を有し、上記リードフレームの第１面に絶縁体を介して固定される表面実装タイプのチップ部品と、上記リードフレームの第１面に固定される半導体素子と、を備え、上記チップ部品及び上記半導体素子が樹脂材にて樹脂封止されて成形される半導体装置であって、上記リードフレームは、上記チップ部品の非電極部に対向して第１面から突出する突出部を有し、この突出部は、上記非電極部に対する上記電極部の高さを超える突出高さを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様における半導体装置によれば、チップ部品に対向してリードフレームの第１面には突出部を設けたことにより、突出部の突出高さによってチップ部品の電極部とリードフレームとの間に絶縁距離を安定して確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の各実施の形態における半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図２ａ】図１に示す半導体装置の平面図である。
【図２ｂ】図２ａに示す半導体装置におけるパワーリード側の側面図である。
【図２ｃ】図２ａに示す半導体装置における制御用リード側の側面図である。
【図３】本発明の実施の形態１における半導体装置の制御用リード部分の平面図である。
【図４】図３に示す制御用リードに形成された突出部を説明するための平面図である。
【図５】図３に示す半導体装置の制御用リードのＡ−Ｂ部の断面であり制御用リードに形成された突出部を示す断面図である。
【図６】図３に示す半導体装置の制御用リードの突出部に絶縁フィルムを介してＢＳＣが固定された状態を示す断面図である。
【図７】図３に示す半導体装置の制御用リードの突出部に絶縁フィルムを介してＢＳＣを実装するときの状態を示す断面図である。
【図８】図３に示す半導体装置の制御用リードに突出部を形成する方法を説明するための図である。
【図９】本発明の実施の形態２における半導体装置の制御用リード部分の平面図である。
【図１０】図９に示す半導体装置の制御用リードの突出部に絶縁フィルムを介してＢＳＣが固定された状態を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態３における半導体装置の制御用リードに形成された突出部を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す制御用リードに形成された突出部を説明するための平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態４における半導体装置の制御用リードに形成された突出部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施形態である半導体装置及びその製造方法について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。
【００１３】
実施の形態１．
図１から図８を参照して、本発明の実施の形態１における半導体装置１０１について、以下に説明する。
実施の形態１における半導体装置１０１は、図１に示すように、トランスファーモールド型のモジュールであり、基本的構成部分として、金属製のリードフレーム１０と、チップ部品２０と、半導体素子３０とを備える。また、リードフレーム１０に固定されているチップ部品２０及び半導体素子３０は、リードフレーム１０の一部分を除いて封止樹脂材５０にて樹脂封止され、これによって半導体装置１０１が成型されている。
【００１４】
リードフレーム１０は、本実施形態では銅にてなり、打ち抜きプレス加工によって成型され、パワーリード１１と制御用リード１２とを有する。パワーリード１１及び制御用リード１２は、図２ａから図２ｃに示すように、半導体装置１０１の長手方向の各側面からそれぞれ突出し配列されている。
チップ部品２０は、表面実装タイプの電子部品であり、本実施形態ではＢＳＤ（ブートストラップダイオード）２１と、ＢＳＣ（ブートストラップコンデンサ）２２とが相当する。  半導体素子３０は、本実施形態では電力用半導体素子のＭＯＳＦＥＴ３１と制御用半導体素子のＩＣ３２とを有する。
本実施形態では、ＢＳＤ２１、ＢＳＣ２２、電力用半導体素子のＭＯＳＦＥＴ３１、及び制御用半導体素子のＩＣ３２で、３相インバータ回路を構成している。
【００１５】
さらに、図１に示すように、電力用半導体素子のＭＯＳＦＥＴ３１がパワーリード１１の第１面１１ａに、はんだ６１によって接合されている。また、制御用半導体素子のＩＣ３２及びＢＳＤ２１は、制御用リード１２の第１面１２ａに導電性接着剤６２で固定されており、ＢＳＣ２２は、制御用リード１２の第１面１２ａに、絶縁体の一例に相当する絶縁フィルム６３を介して固定されている。ここでＢＳＣ２２は、表面実装タイプのチップ部品に相当し、図６に示すように、電極部２０ａ及び非電極部に相当するセラミックス部２０ｂ（非電極部２０ｂと記す場合もある）から構成されるチップコンデンサに相当する。
【００１６】
また、図１に示すように、電力用半導体素子のＭＯＳＦＥＴ３１は、Ａｌからなる第１金属細線６４でパワーリード１１と電気的に接続され、ＭＯＳＦＥＴ３１のゲートと制御用リード１２とは、Ａｌからなる第２金属細線６５で電気的に接続されている。ＩＣ３２、ＢＳＤ２１、及びＢＳＣ２２と、制御用リード１２とは、Ａｕからなる第３金属細線６６で電気的に接続されている。
また、絶縁フィルム６３は、熱硬化性で絶縁性を有する有機成分から構成されており、封止樹脂材５０は、無機物の充填剤と熱硬化性のエポキシ樹脂とを主成分とした有機成分から構成される。
【００１７】
上述したＢＳＤ２１やＢＳＣ２２のような表面実装タイプのチップ部品２０が実装されるリードフレーム１０（本実施形態では制御用リード１２）は、以下のように構成されている。
図３及び図４は、制御用リード１２の一部分を平面図にて示している。ここで、ＢＳＣ２２が実装される制御用リード１２の第１面１２ａには、ＢＳＣ２２の非電極部２０ｂつまりセラミックス部２０ｂに対向する場所に、突出部１１０が形成されている。
【００１８】
突出部１１０は、図５に示すように、制御用リード１２の第１面１２ａに形成され、二つの支持端１１１が溝１１２を挟む形で構成されている。このような突出部１１０は、図３及び図４に示すように、チップ部品２０の非電極部２０ｂつまりセラミックス部２０ｂに対応する位置に、セラミックス部２０ｂを横断するように線状に形成される。制御用リード１２の第１面１２ａには、このように形成された突出部１１０上に絶縁フィルム６３が設けられ、その上にチップ部品２０が載置される。このとき突出部１１０は、チップ部品２０の各電極２０ａ間の中心部分、つまりチップ部品２０の重心部分に位置している。また、本実施形態における突出部１１０を構成する２つの支持端１１１は、ＢＳＣ２２の軸方向２０ｄに沿って配列されている。このとき、チップ部品２０の重心部分は、２つの支持端１１１の間に位置する。
【００１９】
さらに、このような突出部１１０は、図５に示す突出高さＨを有する。この突出高さ「Ｈ」は、制御用リード１２の板厚方向１２ｂにおいて、制御用リード１２の第１面１２ａから支持端１１１の頂点までの長さである。
一方、チップ部品２０ここではＢＳＣ２２は、図６に示すように、一般にセラミックス部２０ｂの両端に電極部２０ａを有しており、電極部２０ａは、めっきによって形成されている。よって、チップ部品２０の厚み方向２０ｃにおいて、セラミックス部２０ｂに対してめっきの厚み分だけ、電極部２０ａは突出することになる。この突出量は、チップ部品２０のセラミックス部２０ｂである非電極部２０ｂに対する電極部高さに相当する。ここで、この電極部高さを「ｈ」とする。
【００２０】
これら突出部１１０の突出高さ「Ｈ」と、チップ部品２０の電極部高さを「ｈ」との関係は、以下の理由から、突出高さ「Ｈ」＞電極部高さ「ｈ」の関係を有する。
即ち、上述したように、例えばＢＳＣ２２は、制御用リード１２の第１面１２ａに、絶縁フィルム６３を介して固定される。このとき絶縁フィルム６３は、予め熱していた制御用リード１２からの加熱によって軟化し、制御用リード１２に形成した突出部１１０は、絶縁フィルム６３に埋め込まれる。その後、ＢＳＣ２２は絶縁フィルム６３上に熱圧着されるが、このとき、ＢＳＣ２２のセラミック部２０ｂは、突出部１１０の支持端１１１に接触する。その結果、ＢＳＣ２２と制御用リード１２との間に、突出部１１０の突出高さＨに相当する間隔が確保できる。
よって、突出高さ「Ｈ」＞電極部高さ「ｈ」の関係を満足させることで、ＢＳＣ２２が絶縁フィルム６３上に熱圧着され、ＢＳＣ２２の電極部２０ａが絶縁フィルム６３内へ進入したときでも、電極部２０ａが制御用リード１２に接触することはない。よって、ＢＳＣ２２と制御用リード１２との間で必要な安定した絶縁耐圧を確保することが可能となる。
【００２１】
また図７に示すように、例えばＢＳＣ２２であるチップ部品２０の軸方向２０ｄにおいて、突出部１１０における２つの支持端１１１の間の距離１１３は、例えばＢＳＣ２２であるチップ部品２０を制御用リード１２へ実装する際の吸着ノズル７５の先端幅７５ａよりも大きいことが好ましい。このように構成することで、チップ部品２０を制御用リード１２へより安定して実装することができる。
【００２２】
次に、以上のように構成される半導体装置１０１の製造方法について、以下に説明する。
リードフレーム１０は、打ち抜きプレス加工にて、パワーリード１１と制御用リード１２とが一体で成型される。このとき制御用リード１２には、プレス加工と同時にコイニングすることで突出部１１０が形成される。
即ち、図８に示すように、プレス金型７０には、突出部１１０における溝１１２を形成する凸部７１と、支持端１１１を形成する凹部７２とが設けられている。このようなプレス金型７０をリードフレーム１０の制御用リード１２へ押圧することで、凸部７１が制御用リード１２へ進入し溝１１２を形成していくときに、溝１１２の部分にあった銅が外側に排斥され、排斥された銅が凹部７２に進入して支持端１１１を形成する。このとき、突出部１１０の突出高さＨは、プレス金型７０の、ニガシ部分に相当する凹部７２の深さによって制御する。
【００２３】
このような打ち抜きプレス加工によって、パワーリード１１と制御用リード１２とが一体となり形成されたリードフレーム１０には、ＩＣ３２及びＢＳＤ２１が導電性接着剤６２にて制御用リード１２の第１面１２ａに固着される。
次に、予め加熱しておいた制御用リード１２の突出部１１０を含む第１面１２ａに絶縁フィルム６３を熱接着し、その上にＢＳＣ２２を一定の荷重を加えて熱圧着する。
【００２４】
次に、導電性接着剤６２及び絶縁フィルム６３を熱キュアした後、パワーリード１１に対してＭＯＳＦＥＴ３１をはんだ６１によって接合し、さらにＭＯＳＦＥＴ３１と、パワーリード１１及び制御用リード１２とを、各金属細線を用いてワイヤボンディングによって電気的に接続する。
次に、上述のようにＩＣ３２、ＢＳＤ２１、ＢＳＣ２２、及びＭＯＳＦＥＴ３１が固定されたリードフレーム１０を高温の成型用金型にのせて、トランスファーモールド技術を用いて、ＩＣ３２、ＭＯＳＦＥＴ３１、ボンディングワイヤ等を含めた全体が封止樹脂材５０にて封止される。
最後にパワーリード１１及び制御用リード１２が所定の形にリード加工されて、半導体装置１０１が製造される。
【００２５】
尚、既に説明したが、上述の製造工程において、絶縁フィルム６３は、予め熱していた制御用リード１２に置かれて軟化し、突出部１１０は、絶縁フィルム６３に埋め込まれる。そして絶縁フィルム６３上にＢＳＣ２２が熱圧着されるが、突出部１１０を設けたことで、ＢＳＣ２２の電極部２０ａと制御用リード１２との間には、隙間を確保することができ、必要な絶縁耐圧を得ることができる。
【００２６】
以上説明しように、本実施形態の半導体装置１０１によれば、制御用リード１２に突出部１１０を設けたことで、チップ部品２０の電極部２０ａと制御用リード１２との間隔を調整することができる。即ち、チップ部品２０と制御用リード１２との絶縁耐圧に必要な高さを突出部１１０に設定することで、チップ部品２０と制御用リード１２との間で安定して絶縁耐圧を確保でき、製品の歩留まり及び信頼性を向上させるという効果が得られる。
【００２７】
また本実施形態の半導体装置１０１によれば、突出部１１０を設けたことで、電極部２０ａ直下の絶縁フィルム６３の膜厚を増やすことができる。これにより温度サイクルが半導体装置１０１に作用したときに発生する、絶縁フィルム６３へのひずみを緩和することができる。この点からも、製品の信頼性を向上することが可能となる。
【００２８】
さらにまた、突出部１１０を設けたことで、ＢＳＣ２２等のチップ部品２０を搭載するときに、その押し込み荷重を増しても絶縁耐圧が低下する問題は生じないことから、チップ部品２０のマウント荷重を制御せずにストローク制御でチップ部品２０を搭載可能となる。つまり、一般的にはリードフレーム１０の歪みに起因してマウント荷重の制御が必要となるが、突出部１１０を設けたことで、マウント荷重を制御しなくても、安定して実装が可能となり、生産性の向上を図ることができる。
【００２９】
尚、実施の形態１では、ＢＳＣ２２としてチップコンデンサを用いたが、ゲート抵抗としてのチップ抵抗など、他の表面実装用のチップ部品を用いても良い。
【００３０】
実施の形態２．
図９及び図１０を参照して、本発明の実施の形態２における半導体装置１０２について説明する。
実施の形態２における半導体装置１０２は、上述した半導体装置１０１と比較して突出部１１０の形態のみで相違する。よって以下では、この相違点のみについて説明を行う。
【００３１】
実施の形態１では、突出部１１０は、平面において線状に形成した。これに対して実施の形態２における半導体装置１０２では、図９に示すように、突出部１２０は、点もしくはそれに近い線状で形成している。平面上の投影面において、突出部１２０の面積は、チップ部品２０のセラミックス部２０ｂつまり非電極部２０ｂの面積よりも小さい。このように構成することで、突出部１２０は、画像認識用の認識点して利用することができ、チップ部品２０の搭載位置精度を向上させることができ、安定してチップ部品２０を実装可能となり、生産性の向上を図ることができる。
【００３２】
このような突出部１２０は、リードフレーム１０の加工時に形成するのではなく、制御用リード１２を打ち抜きプレス加工した後、制御用リード１２上に、リードフレーム１０とは別の部材にて形成される。例えば図１０に示すように、リードフレーム１０の制御用リード１２にワイヤバンプにて形成する方法や、樹脂材を塗布することで、突出部１１０と同様の効果を奏する突出部１２０を形成することができる。
【００３３】
図９、図１０では、支持端１１１に対応する、突出部１２０における支持端１２１は、一つの突出部１２０あたり一つとなる。よって、一つのチップ部品２０に対する支持端１２１の数は、本実施形態では一つとなる。このとき、一つの突出部１２０は、チップ部品２０の重心部分に位置させるのが好ましい。
尚、一つのチップ部品２０に対する突出部１２０の支持端１２１の数は、一つに限定するものではなく、複数の支持端１２１を設けても良い。
【００３４】
尚、突出部１２０におけるその他の構成は、上述した突出部１１０に同じである。よって、突出部１２０においても、上述の突出部１１０が奏する効果を得ることができる。
【００３５】
実施の形態３．
図１１及び図１２を参照して、本発明の実施の形態３における半導体装置１０３について説明する。
実施の形態３における半導体装置１０３は、上述した半導体装置１０１と比較して突出部１１０の形態のみで相違する。よって以下では、この相違点のみについて説明を行う。
【００３６】
実施の形態１では、一つのチップ部品２０に対して一つの突出部１１０を設ける形態であるが、実施の形態３における半導体装置１０３では、一つのＢＳＣ２２のようなチップ部品２０に対して、二つの突出部１１０を設けている。これら二つの突出部１１０は、一つのＢＳＣ２２のようなチップ部品２０を加圧する際の荷重中心を挟んで配置する。
図１２に示すチップ部品２０のＢＳＣ２２Ａでは、図１１に示すように二つの突出部１１０を設けた構成を図示している。
【００３７】
このように構成することで、実施の形態３における半導体装置１０３は、制御用リード１２の第１面１２ａに対するＢＳＣ２２の平面度を安定させて、制御用リード１２にＢＳＣ２２を載置することができる。よって、ＢＳＣ２２の両側の電極部２０ａについて、よりばらつき無く絶縁距離を確保することができる。したがって、さらに製品の歩留まりを向上させることができるという効果を得ることができる。
【００３８】
また、制御用リード１２に対するＢＳＣ２２の平行度が向上することにより、電極部２０ａへのワイヤボンディングを安定して行うことができ、ワイヤボンディング時の不良発生を低減することができるという効果も得られる。
【００３９】
尚、一つのＢＳＣ２２などのチップ部品２０に対して、３つ以上の突出部１１０を設けても良い。この構成でも上述と同様の効果を得ることができる。図１２に示すチップ部品２０のＢＳＣ２２Ｂでは、３つの突出部１１０を設けた構成を図示している。
また、図１２に示すように、チップ部品２０を横断する方向２０ｅにおいて、各突出部１１０は、連続して無くても良い。図１２に示すチップ部品２０のＢＳＣ２２Ｃでは、突出部１１０が断続的に並び、一つのチップ部品２０について、結果的に４つの突出部１１０を配置した構成を図示している。
さらにまた、上述の実施の形態２と組み合わせて、点もしくはそれに近い線状にて突出部１１０を形成してもよく、ワイヤバンプや樹脂材で形成しても良い。
【００４０】
実施の形態４．
図１３を参照して、本発明の実施の形態４における半導体装置１０４について説明する。
実施の形態４における半導体装置１０４は、上述した半導体装置１０１と比較して突出部１１０の形態のみで相違する。よって以下では、この相違点のみについて説明を行う。
【００４１】
実施の形態１では、突出部１１０の支持端１１１は、折り曲げられることなく直立している。これに対して、実施の形態４における半導体装置１０４の突出部１４０の支持端１４１は、図示するように、チップ部品２０のＢＳＣ２２の例えば電極部２０ａの方へ折り曲げられている。
【００４２】
このように折り曲げることで、突出部１４０は、チップ部品２０であるＢＳＣ２２における厚み方向２０ｃ（図６）の荷重に対してバネ性を有する構造となる。この構造により、ＢＳＣ２２を熱圧着する際の荷重を突出部１４０におけるバネ性によって緩和することができる。その結果、熱圧着時におけるＢＳＣ２２へのダメージを軽減することができ、製品寿命を増加させることができる。
【００４３】
また、このように突出部１４０の支持端１４１を折り曲げることで、突出部１４０と、チップ部品２０である例えばＢＳＣ２２の非電極部２０ｂとを面接触させることができる。換言すると、突出部１４０は、チップ部品２０と面接触する平面１４３を有する。平面１４３を有することで、半導体装置１０４に温度サイクルが作用したとき、突出部１４０からチップ部品２０との接点部分への応力集中を軽減することができる。よって、チップ部品２０の製品寿命をさらに延ばすことができるという効果が得られる。
【００４４】
尚、突出部１４０において、折り曲げられた支持端１４１は、弾性域であるバネ変形で無く塑性変形でもよく、この場合でも、チップ部品２０である例えばＢＳＣ２２に対する搭載荷重によるＢＳＣ２２へのダメージを防止することが可能である。
【００４５】
上述した各実施形態を組み合わせた構成を採ることも可能である。この場合、組み合わせた各実施形態が奏する効果の組み合わせ効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００４６】
１０  リードフレーム、１２  制御用リード、１２ａ  第１面、
２０  チップ部品、２０ａ  電極部、２０ｂ  非電極部、
２１  ＢＳＤ、２２  ＢＳＣ、３０  半導体素子、３１  ＭＯＳＦＥＴ３１、
３２  制御用半導体素子のＩＣ、５０  樹脂材、６３  絶縁フィルム、
１０１〜１０４  半導体装置、１１０  突出部、１１１  支持端、
１１３  距離、１２０  突出部、
１４０  突出部、１４１  支持端、１４３  平面。
【図１】
2013229358.tif 000003
【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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