(57)【要約】      （修正有）【課題】接続端子間の短絡を防止するとともに、接続端子の狭ピッチ化に対応できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】配線基板１００は、第１の主面１１ａと第１の主面１１ａに対向する第２の主面１１ｂとを有し、第１の主面１１ａから第２の主面１１ｂに貫通する貫通孔１１ｃが形成された金属板１１からなるコア材と、第１の主面１１ａ側又は第２の主面１１ｂ側の少なくとも一方に、層間樹脂層１４を介して積層された配線層１９ａと、を備え、コア材は、第１，第２の主面１１ａ，１１ｂと貫通孔１１ｃの内周面との境界に形成される角が除去されている境界部１１ｄを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と前記第１の主面に対向する第２の主面とを有し、前記第１の主面から前記第２の主面に貫通する貫通孔が形成されたコア材と、
前記第１の主面側又は前記第２の主面側の少なくとも一方に、層間樹脂層を介して積層された配線層と、を備え、
前記コア材は、前記第１，第２の主面と前記貫通孔の内周面との境界に形成される角が除去されている境界部を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記貫通孔の開口径は、前記第１，第２の主面付近において、前記第１，第２の主面に近づくにつれて拡がることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記境界部の表面は、Ｒ面であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記境界部の表面は、粗化されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記コア材は、鉄とニッケルとの合金を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
第１の主面と前記第１の主面に対向する第２の主面とを有するコア材に、前記第１の主面から前記第２の主面に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記第１，第２の主面と前記貫通孔の内周面との境界に形成される角を除去する工程と、
前記貫通孔に樹脂を充填する工程と、
前記第１の主面側又は前記第２の主面側の少なくとも一方に、層間樹脂層を積層する工程と、
前記層間樹脂層上に、配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放熱性を高めるために金属板をコア基板として使用した配線基板が従来から用いられている。コア基板は、通常、次のように形成される。初めに、金属板にスルーホール形成用の貫通穴を形成した後、金属板の表面及び裏面に絶縁層となるプリプレグをラミネートする。次に、プリプレグを加熱しながらプレス成形し、加熱により硬化したプリプレグにスルーホールを形成する。最後に、金属板の表面及び裏面にプリプレグに配線パターンを形成して、コア基板とする。
【０００３】
コア基板には、その機能を高めるために種々のものが提案されている。例えば、金属板とプリプレグとの密着性を高めるために、金属板の表面に、表面に粗面を有する銅層を形成したコア基板（例えば、特許文献１参照）や、金属板に形成する貫通孔の内周面に存在する先鋭部に丸みを持たせたコア基板（例えば、特許文献２参照）等が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３１７３０号公報
【特許文献２】特開２００５−５０９８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のコア基板は、表面及び裏面と貫通孔の内周面との境界に角が形成されている。しかしながら、従来のコア基板では、この角を除去していない。このため、この角を起点にして、絶縁層となるプリプレグにクラックが発生したり、電圧印可時にイオンマイグレーションが発生するなどの不具合が配線基板に生じる虞がある
【０００６】
本発明は、上記の事情に対処してなされたものであり、コア材の表面及び裏面と貫通孔の内周面との境界に形成される角に起因する不具合を抑制できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成すべく、本発明は、
第１の主面と第１の主面に対向する第２の主面とを有し、第１の主面から第２の主面に貫通する貫通孔が形成されたコア材と、第１の主面側又は第２の主面側の少なくとも一方に、層間樹脂層を介して積層された配線層と、を備え、コア材は、第１，第２の主面と貫通孔の内周面との境界に形成される角が除去されている境界部を有している。
【０００８】
本発明によれば、第１，第２の主面と貫通孔の内周面との境界に形成される角が除去された境界部を有しているので、該角に起因するクラックやイオンマイグレーションの発生を抑制して、配線基板に不具合が生じる虞を防止することができる。また、角が除去されているので、貫通孔内に層間樹脂層となるプリプレグが充填されやすくなる。
【０００９】
なお、本発明の一態様においては、貫通孔の開口径は、第１，第２の主面付近において、第１，第２の主面に近づくにつれて拡がる形状とすることができる。貫通孔の開口径を、第１，第２の主面付近において、第１，第２の主面に近づくにつれて拡がる形状とすることで、クラックやイオンマイグレーションの発生をより効果的に抑制することができる。また、貫通孔内に層間樹脂層となるプリプレグがより充填されやすくなる。
【００１０】
また、本発明の他の態様においては、境界部の表面をＲ面とすることができる。境界部の表面をＲ面とすることで、クラックやイオンマイグレーションの発生をより効果的に抑制することができる。また、貫通孔内に層間樹脂層となるプリプレグがより充填されやすくなる。
【００１１】
また、本発明の他の態様においては、境界部の表面を粗化することができる。境界部の表面を粗化することで、コア材の第１の主面及び第２の主面にそれぞれ積層される層間樹脂層との密着性が向上する。
【００１２】
また、本発明の他の態様においては、コア材を、鉄とニッケルとの合金を主成分とすることができる。コア材を、鉄とニッケルとの合金を主成分とすることで、配線基板の熱膨張を低減できる。また、鉄とニッケルとの合金は、好適な熱伝導性を有しているため、配線基板の放熱性が向上する。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、本発明によれば、コア材の表面及び裏面と貫通孔の内周面との境界に形成される角に起因する不具合を抑制できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態に係る配線基板の平面図。
【図２】第１の実施形態に係る配線基板の断面図。
【図３】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図４】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図５】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図６】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図７】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図８】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図９】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１０】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１１】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１２】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１３】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１４】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１５】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１６】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１７】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図１８】第２の実施形態に係る配線基板の平面図。
【図１９】第２の実施形態に係る配線基板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の説明では、コア基板上にビルドアップ層を形成した配線基板を例に、本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、半導体チップが接続される側を表面側とし、マザーボードやソケット等（以下、マザーボード等と称する）が接続される側を裏面側とする。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る配線基板１００の平面（上面）図である。図２は、図１の一点鎖I−Iにおける線配基板１００の断面図である。
【００１７】
（配線基板の構成）
図１及び図２に示すように、配線基板１００は、コア基板１０、ビルドアップ層２０、ソルダーレジスト層３１及びソルダーレジスト層４１を備える。
【００１８】
（コア基板の構成）
コア基板１０は、金属板１１（コア材）と、層間絶縁層１４と、スルーホールＨ内に形成されたスルーホール導体１９ｃと、スルーホール導体１９ｃの中空部に充填された充填樹脂１６と、層間絶縁層１４の表面及び裏面に形成された表面配線層１９ａ及び裏面配線層１９ｂと、充填樹脂１６の両端に形成された蓋めっき層１７，１８とを備える。
【００１９】
金属板１１は、鉄（Ｆｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金を主成分とする。金属板１１は、第１の主面１１ａ（表面）と、この第１の主面１１ａに対向する第２の主面１１ｂ（裏面）とを有する。金属板１１には、第１の主面１１ａから第２の主面１１ｂに貫通する複数の貫通孔１１ｃが形成されている。金属板１１は、第１，第２の主面１１ａ，１１ｂと貫通孔１１ｃの内周面との境界に形成される角が除去されている境界部１１ｄを有する。なお、この実施形態では、金属板１１として、鉄（Ｆｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金を使用しているが、銅など、他の金属（合金を含む）を使用してもよい。
【００２０】
金属板１１の境界部１１ｄは、貫通孔１１ｃの開口径が、第１，第２の主面１１ａ，１１ｂ付近において、第１，第２の主面１１ａ，１１ｂに近づくにつれて拡がるＲ面となっている。また、金属板１１の第１，第２の主面１１ａ，１１ｂ及び境界部１１ｄは、表面が粗化されている。
【００２１】
層間絶縁層１４の貫通孔１１ｃに対応する位置には、スルーホールＨが形成され、このスルーホールＨの内周面には、表面配線層１９ａと裏面配線層１９ｂとを互いに導通させるスルーホール導体１９ｃが形成されている。また、スルーホール導体１９ｃの中空部は、エポキシ樹脂等の充填樹脂１６により充填されている。さらに、充填樹脂１６の両端は、蓋めっき層１７，１８により封止されている。なお、この実施形態では、スルーホール導体１９ｃ内に充填樹脂１６を充填しているが、スルーホールＨ内をスルーホール導体１９ｃで充填するようにしてもよい。この場合、スルーホールＨ内がスルーホール導体１９ｃで満たされるため、充填樹脂１６は必要としない。
【００２２】
（ビルドアップ層の構成）
ビルドアップ層２０は、コア基板１０の表面側に積層された絶縁層２１，２４（層間樹脂層）と、配線層２３，２６と、ビア導体２２，２５とを備える。なお、この第１の実施形態では、ビア導体２２，２５をフィルドビアとしているが、コンフォーマルビアとしてもよい。
【００２３】
絶縁層２１は、熱硬化性樹脂組成物からなり、コア基板１０の表面に積層される。絶縁層２１の表面には、配線層２３が形成されている。また、絶縁層２１には、コア基板１０の表面配線層１９ａと配線層２３とを電気的に接続するビア導体２２が形成されている。
【００２４】
絶縁層２４は、熱硬化性樹脂組成物からなり、配線層２３上に積層される。絶縁層２４の表面には、配線層２６が形成されている。また、絶縁層２４には、配線層２３と配線層２６とを電気的に接続するビア導体２５が形成されている。
【００２５】
（ソルダーレジスト層の構成）
ソルダーレジスト層３１は、熱硬化性又は／及び光硬化性の樹脂組成物からなるフィルム状のソルダーレジストをビルドアップ層２０の配線層２６上に積層して形成される。ソルダーレジスト層３１には、複数の開口３１ａが形成されている。ソルダーレジスト層３１の開口３１ａ内には、半田バンプ３３が形成されており、その上端は、ソルダーレジスト層３１の上面３１ｂから突出している。なお、この実施形態では、ソルダーレジスト層３１として、フィルム状のソルダーレジストを使用しているが、ワニス状のソルダーレジストを塗布して、ソルダーレジスト層３１を形成してもよい
【００２６】
半田バンプ３３は、図示しない半導体チップの電極との接続端子であり、Ｎｉ層及びＡｕ層からなるメタル層３２を介して、配線層２６と電気的に接続されている。半田バンプ３３は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系などの低融点合金からなる。なお、この実施形態では、半田バンプ３３は、Ｎｉ層及びＡｕ層からなるメタル層３２を介して配線層２６と電気的に接続されているが、例えば、メタル層３２を、Ｎｉ、Ｐｄ及びＡｕから構成してもよいし、Ｓｎ、Ｎｉ又はＡｕから選択される金属で構成してもよい。さらに、半田バンプ３３を、メタル層３２を介さずに配線層２６と電気的に接続してもよい。
【００２７】
ソルダーレジスト層４１は、熱硬化性又は／及び光硬化性の樹脂組成物からなるフィルム状のソルダーレジストをコア基板の裏面配線層１９ｂ上に積層して形成される。ソルダーレジスト層４１には、複数の開口４１ａが形成されている。ソルダーレジスト層４１の開口４１ａの底部には、裏面配線層１９ｂが位置する。開口４１ａから露出した裏面配線層１９ｂの表面には、Ｎｉ層及びＡｕ層からなるメタル層４２が被覆されている。該メタル層４２は、図示しないマザーボード等との接続端子として使用される。なお、この実施形態では、ソルダーレジスト層４１として、フィルム状のソルダーレジストを使用しているが、ワニス状のソルダーレジストを塗布して、ソルダーレジスト層４１を形成してもよい。また、メタル層４２を、Ｎｉ、Ｐｄ及びＡｕから構成してもよいし、Ｓｎ、Ｎｉ又はＡｕから選択される金属で構成してもよい。
【００２８】
（配線基板の製造方法）
図３〜図１７は、第１の実施形態に係る配線基板１００の製造工程を示す図である。以下、図３〜図１７を参照して、配線基板１００の製造方法について説明する。
【００２９】
（コア基板形成工程）
鉄（Ｆｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金を主成分とする金属板１１の所定の位置に貫通孔１１ｃを形成する。貫通孔１１ｃは、レーザー加工、ドリル加工、エッチング加工等により形成する（図３参照）。
【００３０】
貫通孔１１ｃが形成された金属板１１をエッチング液（例えば、硫酸銅水溶液や過硫酸）に浸して、金属板１１をウェットエッチングし、その後、既存の鉄―ニッケル合金用マイクロエッチング液（例えば、硫酸、硫化鉄、塩化アンモニウムを含むエッチング剤）で金属板１１表面を粗化する。ウェットエッチングにより、金属板１１の第１，第２の主面１１ａ，１１ｂと貫通孔１１ｃの内周面との境界に形成される角が除去された境界部１１ｄが形成される（図４参照）。
【００３１】
また、金属板１１の境界部１１ｄの形状は、貫通孔１１ｃの開口径が、第１，第２の主面１１ａ，１１ｂ付近において、第１，第２の主面１１ａ，１１ｂに近づくにつれて拡がるＲ面となる。さらに、上述の鉄―ニッケル合金用マイクロエッチング液で金属板１１表面を粗化することにより、金属板１１の第１，第２の主面１１ａ，１１ｂ及び境界部１１ｄの表面が粗化される。
【００３２】
金属板１１の第１の主面１１ａ及び第２の主面１１ｂに、厚みが約２０〜８０μｍでエポキシ樹脂からなるドライタイプの樹脂フィルム１２，１３（プリプレグ）を積層（ラミネート）する（図５参照）。なお、この実施形態では、樹脂フィルム１２，１３として、エポキシ樹脂からなるドライタイプの樹脂フィルムを使用しているが、例えば、ポリイミド系など、他の樹脂系からなる樹脂フィルムを使用するようにしてもよい。
【００３３】
次に、金属板１１及び樹脂フィルム１２，１３の積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着し、表面が層間絶縁層１４で被覆された金属板１１を得る（図６参照）。なお、押圧の際に、樹脂フィルム１２，１３の一部は貫通孔１１ｃ内に進入する。金属板１１は、第１，第２の主面１１ａ，１１ｂと貫通孔１１ｃの内周面との境界に形成される角が除去された境界部１１ｄを有し、該境界部１１ｄがＲ面となっているので、貫通孔１１ｃ内に層間絶縁層１４となる樹脂フィルム１２，１３が充填されやすい。また、金属板１１の第１，第２の主面１１ａ，１１ｂ及び境界部１１ｄは、表面が粗化されている。このため、金属板１１と、この金属板１１を被覆する層間絶縁層１４とは、良好な密着性を有している。
【００３４】
金属板１１の貫通孔１１ｃの略中心をとおるように、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いた孔あけ加工によりスルーホールＨを形成する（図７参照）。スルーホールＨの内径は、例えば、約１５０μｍである。なお、スルーホールＨ形成工程の後、加工部分のスミアを除去するデスミア処理を行うことが好ましい。なお、スルーホールＨは、ドリル加工により形成してもよい。
【００３５】
スルーホールＨの内周面を含む層間絶縁層１４の表面に、Ｐｄを含むメッキ触媒を被覆した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきを行い、銅めっき層１５を形成する（図８参照）。この銅めっき層１５は、図１及び図２を参照して説明した表面配線層１９ａ、裏面配線層１９ｂ及びスルーホール導体１９ｃとなる。
【００３６】
その後、スルーホール導体１９ｃ内をエポキシ樹脂等の充填樹脂１６で充填する。なお、充填樹脂１６を充填後、充填樹脂１６の両端を研磨する（図９参照）。
【００３７】
充填樹脂１６の両端及び銅めっき層１５上に、Ｐｄを含むメッキ触媒を被覆した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきを行い、蓋めっき層１７，１８を形成する（図１０参照）。
【００３８】
蓋めっき層１７，１８上に、感光性樹脂からなる樹脂フィルムを貼り付け、当該フィルムに対して露光および現像（フォトグラフィ技術）を施して、所定のパターンを有するエッチングレジストを形成する。次に、上記所定のパターン間から露出する蓋めっき層１７，１８及び銅めっき層１５をエッチングする。その結果、表面配線層１９ａと裏面配線層１９ｂとが形成される（図１１参照）。
【００３９】
（ビルドアップ層形成工程）
次に、コア基板１０の表面にビルドアップ層２０を形成する。このビルドアップ層２０は、セミアディティブ法により形成される。
【００４０】
初めに、コア基板１０の表面を粗化した後、コア基板１０の表面に絶縁層２１となるエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料を積層し、この積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着する。次に、従来周知のレーザー加工装置を用いてレーザー照射を行い、絶縁層２１にビアホール２１ａを形成する（図１２参照）。
【００４１】
続いて、絶縁層２１の表面を粗化した後、無電解めっきを行い、ビアホール２１ａの内壁を含む絶縁層２１上に無電解銅めっき層を形成する。次にフォトレジストを絶縁層２１上に形成された無電解銅めっき層上にラミネートして、露光・現像を行い、所望の形状にめっきレジストを形成した後、このめっきレジストをマスクとして、電解めっきにより、銅をめっきして、所望の銅めっきパターンを得る。次に、めっきレジストを剥離して、めっきレジスト下に存在していた無電解銅めっき層を除去して、配線層２３を得る。また、この際に、ビアホール２１ａ内にビア導体２２も形成される（図１３参照）。
【００４２】
次に、絶縁層２１、配線層２３及びビア導体２２を形成した時と同様にして、絶縁層２４、配線層２６及びビア導体２５を形成する（図１４参照）。
【００４３】
（ソルダーレジスト層形成工程）
ビルドアップ層２０の表面及びコア基板１０の裏面に、それぞれフィルム状のソルダーレジストをプレスして積層する。積層したフィルム状のソルダーレジストを露光・現像して、開口３１ａが形成されたソルダーレジスト層３１と、開口４１ａが形成されたソルダーレジスト層４１とを得る（図１５参照）。
【００４４】
（めっき工程）
次に、ソルダーレジスト層３１，４１のそれぞれ開口３１ａ，４１ａから露出した配線層２３、ビア導体２２及び裏面配線層１９ｂを過硫酸ナトリウム等によりエッチングして、表面の酸化膜等の不純物を除去した後、無電解還元めっきにより、Ｎｉ層及びＡｕ層からなるメタル層３２，４２を形成する（図１６参照）。
【００４５】
（バックエンド工程）
半田印刷により、メタル層３２上に半田ペーストを塗布した後、所定の温度と時間でリフローを行い、半田バンプ３３を形成する（図１７参照）。なお、この実施形態では、半田ペーストの塗布により半田バンプ３３を形成しているが、半田ボールをメタル層３２上に搭載するいわゆるマイクロボールマウント法や、半田をメタル層３２上にめっきするめっき法により半田バンプ３３を形成してもよい。
【００４６】
以上のように、この第１の実施形態に係る配線基板１００では、金属板１１が、第１，第２の主面１１ａ，１１ｂと貫通孔１１ｃの内周面との境界に形成される角が除去されている境界部１１ｄを有するので、第１，第２の主面１１ａ，１１ｂと貫通孔１１ｃの内周面との境界に形成される角に起因する不具合、例えば、クラックやイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。
【００４７】
また、金属板１１の境界部１１ｄは、貫通孔１１ｃの開口径が、第１，第２の主面１１ａ，１１ｂ付近において、第１，第２の主面１１ａ，１１ｂに近づくにつれて拡がるＲ面となっている。このため、上記クラックやイオンマイグレーションの発生をより効果的に抑制することができる。
【００４８】
第１，第２の主面１１ａ，１１ｂと貫通孔１１ｃの内周面との境界に形成される角が除去された境界部１１ｄを有し、該境界部１１ｄがＲ面となっているので、貫通孔１１ｃ内に層間絶縁層１４となるプリプレグが充填されやすくなる。金属板１１の第１，第２の主面１１ａ，１１ｂ及び境界部１１ｄは、表面が粗化されているので、金属板１１を被覆する層間絶縁層１４との密着性が向上する。
【００４９】
さらに、金属板１１は、鉄（Ｆｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金を主成分とする。鉄とニッケルとの合金を主成分とすることで、配線基板１００の熱膨張を低減することができる。また、鉄とニッケルとの合金は、好適な導電性を有しているため、配線基板１００の放熱性が向上する。
【００５０】
なお、この実施形態では、コア基板１０の表面側及び裏面側に、それぞれビルドアップ層が２層ずつ形成されているが、ビルドアップ層は、２層に限られず、何層であってもよい。また、コア基板１０の表面側及び裏面側で、形成されるビルドアップ層の数異なっていても構わない。
【００５１】
（第２の実施形態）
図１８は、第２の実施形態に係る配線基板２００の平面（上面）図である。図１９は、図１８の一点鎖I−Iにおける線配基板２００の断面図である。以下、図１８及び図１９を参照して、第２の実施形態に係る配線基板２００の構成図を説明するが、図１を参照して説明した配線基板１００と同じ構成には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００５２】
図１８及び図１９に示すように、第２の実施形態に係る配線基板２００は、コア基板１０の裏面側にビルドアップ層５０が形成されている点が、図１及び図２を参照して説明した配線基板１００とは異なる。ビルドアップ層５０は、コア基板１０の裏面側に積層された絶縁層５１，５４（層間樹脂層）と、配線層５３，５６と、ビア導体５２，５５とを備える。なお、この実施形態では、ビア導体５２，５５をフィルドビアとしているが、コンフォーマルビアとしてもよい。
【００５３】
絶縁層５１は、熱硬化性樹脂組成物からなり、コア基板１０の裏面に積層される。絶縁層５１の表面には、配線層５３が形成されている。また、絶縁層５１には、コア基板１０の裏面配線層１９ｂと配線層５３とを電気的に接続するビア導体５２が形成されている。絶縁層５４は、熱硬化性樹脂組成物からなり、配線層５３上に積層される。絶縁層５４の表面には、配線層５６が形成されている。また、絶縁層５４には、配線層５３と配線層５６とを電気的に接続するビア導体５５が形成されている。
【００５４】
以上のように、コア基板１０の裏面側にビルドアップ層５０を形成しても、図１及び図２を参照して説明した第１の実施形態に係る配線基板１００と同様の効果を得ることができる。
【００５５】
（その他の実施形態）
以上、本発明を、具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。例えば、上記具体例では、配線基板１００が半田ボールを介してマザーボード等と接続するＢＧＡ基板である形態について説明しているが、半田ボールの代わりにピンもしくはランドを設けた、いわゆるＰＧＡ（Pin Grid Array）基板もしくはＬＧＡ（Land Grid Array）基板として配線基板１００をマザーボード等と接続するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１０…コア基板、１１…金属板（コア材）、１１ａ…第１の主面、１１ｂ…第２の主面、１１ｃ…貫通孔、１１ｄ…境界部、１２，１３…樹脂フィルム、１４…層間絶縁層、１５…銅めっき層、１６…充填樹脂、１７，１８…蓋めっき層、１９ａ…表面配線層、１９ｂ…裏面配線層、１９ｃ…スルーホール導体、２０…ビルドアップ層、２１，２４…絶縁層（層間樹脂層）、２２，２５…ビア導体、２３，２６…配線層、３１，４１…ソルダーレジスト層、３２…メタル層、３２，４２…メタル層、３３…半田バンプ、５０…ビルドアップ層、５１，５４…絶縁層（層間樹脂層）、５２，５５…ビア導体、５３，５６…配線層、１００，２００…配線基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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