(57)【要約】【課題】信頼性が向上した電子デバイス等を提供する。【解決手段】本発明に係る電子デバイスは、基体と、前記基体に載置されている蓋体と、前記基体と前記蓋体とで囲まれている第１キャビティーに設けられる第１機能素子と、前記基体と前記蓋体とで囲まれている第２キャビティーに設けられる第２機能素子と、を含み、前記第１キャビティー内は第１気圧雰囲気で封止され、前記第２キャビティー内は前記第１気圧雰囲気と気圧差を有する第２気圧雰囲気で封止され、前記基体及び前記蓋体の少なくとも一方には、前記第１キャビティーに連通し、封止部材で塞がれている第１貫通孔が設けられ、前記第１キャビティー及び前記第２キャビティーは、前記蓋体又は前記基体に一体的に設けられた隔壁部によって隔離されている。【選択図】図１
2013232626.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体に載置されている蓋体と、
前記基体と前記蓋体とで囲まれている第１キャビティーに設けられる第１機能素子と、
前記基体と前記蓋体とで囲まれている第２キャビティーに設けられる第２機能素子と、を含み、
前記第１キャビティー内は第１気圧雰囲気で封止され、前記第２キャビティー内は前記第１気圧雰囲気と気圧差を有する第２気圧雰囲気で封止され、
前記基体及び前記蓋体の少なくとも一方には、前記第１キャビティーに連通し、封止部材で塞がれている第１貫通孔が設けられ、
前記第１キャビティー及び前記第２キャビティーは、前記蓋体又は前記基体に一体的に設けられた隔壁部によって隔離されている電子デバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記基体及び前記蓋体の少なくとも一方には、前記第２キャビティーに連通し、封止部材で塞がれている第２貫通孔が設けられている電子デバイス。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１貫通孔は、電子デバイスの平面視において、前記第１機能素子及び前記第２機能素子と重ならない電子デバイス。
【請求項４】
請求項２において
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔は、電子デバイスの平面視において、前記第１機能素子及び前記第２機能素子と重ならない電子デバイス。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、
前記基体の材質はガラスであり、前記蓋体の材質はシリコンである電子デバイス。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記第１機能素子は、前記第２機能素子と異なる物理量を検出する電子デバイス。
【請求項７】
基体に第１機能素子と第２機能素子を載置する工程と、
前記基体に蓋体を載置し、前記基体と前記蓋体とで囲まれる第１キャビティーに前記第１機能素子を収容し、前記基体と前記蓋体とで囲まれる第２キャビティーに前記第２機能素子を収容する収容工程と、
前記第１キャビティーを第１気圧雰囲気で封止し、前記第２キャビティーを前記第１気圧雰囲気と気圧差を有する第２気圧雰囲気で封止する封止工程と、
を含み、
前記第１キャビティー及び前記第２キャビティーは、前記蓋体又は前記基体に一体的に設けられた隔壁部によって隔離される電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記基体及び前記蓋体の少なくとも一方には、前記第１キャビティーに連通する第１貫通孔と、前記第２キャビティーに連通する第２貫通孔が設けられ、
前記封止工程は、前記第１気圧雰囲気において前記第１貫通孔を封止部材で塞ぎ、前記第１キャビティーを封止する第１封止工程と、前記第１封止工程後、前記第２気圧雰囲気において前記第２貫通孔を封止部材で塞ぎ、前記第２キャビティーを封止する第２封止工程と、を含み、
前記第１気圧雰囲気は、前記第２気圧雰囲気よりも低い気圧である電子デバイスの製造
方法。
【請求項９】
請求項７において、
前記基体及び前記蓋体の少なくとも一方には、前記第１キャビティーに連通する貫通孔が設けられ、
前記封止工程は、前記収容工程を前記第２気圧雰囲気で行うことにより、前記第２キャビティーを前記第２気圧雰囲気で封止する第１封止工程と、前記第１封止工程後、前記第１気圧雰囲気において前記貫通孔を封止部材で塞ぎ、前記第１キャビティーを封止する第２封止工程と、を含む電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第２気圧雰囲気は、前記第１気圧雰囲気よりも低い気圧である電子デバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項９において、
前記第２気圧雰囲気は、前記第１気圧雰囲気よりも高い気圧である電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項７ないし１１のいずれか１項において、
前記基体の材質はガラスであり、前記蓋体の材質はシリコンである電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項７ないし１２のいずれか１項において、
前記第１機能素子は、前記第２機能素子と異なる物理量を検出する電子デバイスの製造方法。
【請求項１４】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電子デバイスを備えた電子機器。
【請求項１５】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電子デバイスを備えた移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス及びその製造方法、電子機器、並びに移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばシリコンＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｓｙｓｔｅｍ）技術を用いて物理量を検出する慣性センサーなどの電子デバイスが開発されている。特許文献１には、例えば角速度センサー及び加速度センサーを備えた電子デバイス（複合素子センサー）が開示されている。このような電子デバイスは、例えば、デジタルスチルカメラ（ＤＳＣ）の手ブレ補正機能、自動車のナビゲーションシステム、ゲーム機器での動作入力装置等に用いられる。
【０００３】
このように、複数の物理量検出センサーが同一パッケージ内（同一基板）に実装された電子デバイスによれば、小型化・省スペース化の要求に対応することができる。また、センサーが実装された基板同士を積層等により電気的に接続する工程を省略できるため、生産工程の簡略化や生産コストの低減に寄与することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−５９５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような電子デバイスにおいて、加速度センサーは、慣性質量と大気圧との間で発生する粘性（ダンピング）を考慮して設計されるため、大気圧雰囲気で封止される。一方、角速度センサーは、空気（或いはその他のガス等）が存在した場合、気体粘性が振動を減衰させる要因となるため、真空雰囲気等の減圧雰囲気で封止される。これによれば、同一パッケージ内において、互いに内圧が異なるキャビティーが形成されるため、部材間の接合信頼性が低い場合、キャビティーの気密性が低下し、電子デバイスに不具合が発生する。特許文献１で開示された複合センサー素子では、基台と区分壁部、区分壁部と蓋部材とを接合してキャビティーの気密性を確保している。この場合、接合部位が複数存在するため、第１の接合を実施した後に第２の接合を実施すると、第１の接合状態が不安定になる恐れがあり、各部材間での接合信頼性を確保することが困難である。以上から、このような電子デバイスにおいて、信頼性が向上した電子デバイス及びその製造方法が望まれている。
【０００６】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、信頼性が向上した電子デバイスを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記の電子デバイスの製造方法を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記の電子デバイスを有する電子機器及び移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様又は適用例として実現することができる。
【０００８】
［適用例１］
本適用例に係る電子デバイスは、
基体と、
前記基体に載置されている蓋体と、
前記基体と前記蓋体とで囲まれている第１キャビティーに設けられる第１機能素子と、
前記基体と前記蓋体とで囲まれている第２キャビティーに設けられる第２機能素子と、を含み、
前記第１キャビティー内は第１気圧雰囲気で封止され、前記第２キャビティー内は前記第１気圧雰囲気と気圧差を有する第２気圧雰囲気で封止され、
前記基体及び前記蓋体の少なくとも一方には、前記第１キャビティーに連通し、封止部材で塞がれている第１貫通孔が設けられ、
前記第１キャビティー及び前記第２キャビティーは、前記蓋体又は前記基体に一体的に設けられた隔壁部によって隔離されている。
【０００９】
同一パッケージ内において、互いに内圧が異なるキャビティーが形成される電子デバイスでは、キャビティーの気密性が低下した場合、キャビティー内に収容される機能素子に不具合が発生し、電子デバイス自体の信頼性が低下する恐れがあるため、それぞれのキャビティーを確実に隔離し、キャビティーの高い気密性を確保する必要がある。
【００１０】
本適用例に係る電子デバイスによれば、第１キャビティー及び第２キャビティーは、蓋体又は基体に一体的に設けられた隔壁部によって隔離される。これによれば、第１キャビティー及び第２キャビティーが、封止部材を除き、基体と蓋体の２つの部材のみから構成される。換言すれば、同一パッケージ内において２つのキャビティーを構成するために必要となる部材間の接合界面は、基体と蓋体との接合面のみとなる。したがって、互いに内圧が異なるキャビティー間を基体及び蓋体とは別の隔壁部材によって隔離する電子デバイスと比べて、信頼性が向上した電子デバイスを提供することができる。
【００１１】
［適用例２］
上記本適用例に係る電子デバイスは、
前記基体及び前記蓋体の少なくとも一方には、前記第２キャビティーに連通し、封止部材で塞がれている第２貫通孔が設けられていてもよい。
【００１２】
本適用例に係る電子デバイスによれば、前記基体及び前記蓋体の少なくとも一方には、第１キャビティー及び第２キャビティーに貫通孔が設けられているため、それぞれのキャビティーの気圧雰囲気を、蓋体と基体とを接合する気圧雰囲気とは異なる気圧雰囲気に設定することができる。
【００１３】
［適用例３］
上記本適用例に係る電子デバイスは、
前記第１貫通孔は、電子デバイスの平面視において、前記第１機能素子及び前記第２機能素子と重ならなくてもよい。
【００１４】
本適用例に係る電子デバイスによれば、封止部材が封止工程にて一時溶融する際に発生するスプラッシュ（飛沫）が、第１機能素子に影響しにくくすることができ、電子デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００１５】
［適用例４］
上記本適用例に係る電子デバイスは、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔は、電子デバイスの平面視において、前記第１機能素子及び前記第２機能素子と重ならなくてもよい。
【００１６】
本適用例に係る電子デバイスによれば、封止部材が封止工程にて一時溶融する際に発生するスプラッシュ（飛沫）が、第１及び第２機能素子に影響しにくくすることができ、電
子デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００１７】
［適用例５］
上記本適用例に係る電子デバイスは、
前記基体の材質はガラスであり、前記蓋体の材質はシリコンであってもよい。
【００１８】
［適用例６］
上記本適用例に係る電子デバイスは、
前記第１機能素子は、前記第２機能素子と異なる物理量を検出してもよい。
【００１９】
［適用例７］
本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、
基体に第１機能素子と第２機能素子を載置する工程と、
前記基体に蓋体を載置し、前記基体と前記蓋体とで囲まれる第１キャビティーに前記第１機能素子を収容し、前記基体と前記蓋体とで囲まれる第２キャビティーに前記第２機能素子を収容する収容工程と、
前記第１キャビティーを第１気圧雰囲気で封止し、前記第２キャビティーを前記第１気圧雰囲気と気圧差を有する第２気圧雰囲気で封止する封止工程と、
を含み、
前記第１キャビティー及び前記第２キャビティーは、前記蓋体又は前記基体に一体的に設けられた隔壁部によって隔離される。
【００２０】
本適用例に係る電子デバイスの製造方法によれば、第１キャビティーと第２キャビティーが、蓋体又は基体に一体的に設けられた隔壁部によって隔離される。これによれば、キャビティーを隔離するための隔壁部材を別途用意し、蓋体及び基体に接合する必要がない。したがって、製造工程をより簡略化し、かつ信頼性がより向上した電子デバイスを製造することができる製造方法を提供することができる。
【００２１】
［適用例８］
上記本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、
前記基体及び前記蓋体の少なくとも一方には、前記第１キャビティーに連通する第１貫通孔と、前記第２キャビティーに連通する第２貫通孔が設けられ、
前記封止工程は、前記第１気圧雰囲気において前記第１貫通孔を封止部材で塞ぎ、前記第１キャビティーを封止する第１封止工程と、前記第１封止工程後、前記第２気圧雰囲気において前記第２貫通孔を封止部材で塞ぎ、前記第２キャビティーを封止する第２封止工程と、を含み、
前記第１気圧雰囲気は、前記第２気圧雰囲気よりも低い気圧であってもよい。
【００２２】
本適用例に係る電子デバイスの製造方法によれば、第１気圧雰囲気下で第１キャビティーを封止した後、第１気圧雰囲気よりも高い気圧である第２気圧雰囲気下で第２キャビティーが封止される。これによれば、第２気圧雰囲気下において、第１キャビティー内側方向の圧力を電子デバイスのパッケージに対して印加することができる。これにより、第１貫通孔を塞ぐ封止部材の密着性、及び蓋体と基体の密着性が向上し、より信頼性が向上した電子デバイスを提供することができる。
【００２３】
［適用例９］
上記本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、
前記基体及び前記蓋体の少なくとも一方には、前記第１キャビティーに連通する貫通孔が設けられ、
前記封止工程は、前記収容工程を前記第２気圧雰囲気で行うことにより、前記第２キャ
ビティーを前記第２気圧雰囲気で封止する第１封止工程と、前記第１封止工程後、前記第１気圧雰囲気において前記貫通孔を封止部材で塞ぎ、前記第１キャビティーを封止する第２封止工程と、を含んでいてもよい。
【００２４】
本適用例に係る電子デバイスの製造方法によれば、収容工程において貫通孔が連通しないキャビティーの封止を行うことができる。これによれば、ＡｕＧｅなどの合金からなる封止部材の材料コストを削減し、かつ高い精度の温度制御が必要とされる貫通孔の封止工程を簡略化ことができる。したがって、生産コストの低減、及び生産工程の簡略化に寄与することができる電子デバイスの製造方法を提供することができる。
【００２５】
また、本適用例に係る電子デバイスの製造方法によれば、２つのキャビティーを封止する封止工程において、貫通孔を封止部材で封止する工程は１回であり、パッケージを複数回加熱する必要がない。これによれば、複数回の封止工程により封止部材が再溶融して気密性が低下することを防ぐことができる。したがって、同一パッケージに複数回の封止工程を行う電子デバイスの製造方法と比べて、より信頼性が高い電子デバイスを製造することができる製造方法を提供することができる。
【００２６】
［適用例１０］
上記本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、
前記第２気圧雰囲気は、前記第１気圧雰囲気よりも低い気圧であってもよい。
【００２７】
本適用例に係る電子デバイスの製造方法によれば、第２気圧雰囲気下で第２キャビティーを封止した後、第２気圧雰囲気よりも高い気圧である第１気圧雰囲気下で第１キャビティーが封止される。これによれば、第１気圧雰囲気下において、第２キャビティー内側方向の圧力を電子デバイスのパッケージに対して印加することができる。これにより、蓋体と基体の密着性が向上し、より信頼性が向上した電子デバイスを提供することができる。
【００２８】
［適用例１１］
上記本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、
前記第２気圧雰囲気は、前記第１気圧雰囲気よりも高い気圧であってもよい。
【００２９】
［適用例１２］
上記本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、
前記基体の材質はガラスであり、前記蓋体の材質はシリコン又であってもよい。
【００３０】
［適用例１３］
上記本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、
前記第１機能素子は、前記第２機能素子と異なる物理量を検出してもよい。
【００３１】
［適用例１４］
本適用例に係る電子機器は、上記のいずれかの電子デバイスを備える。
【００３２】
［適用例１５］
本適用例に係る移動体は、上記のいずれかの電子デバイスを備える。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。
【図２】第２実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。
【図３】第２実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。
【図４】第１及び第２実施形態に係る電子デバイスの変形例を模式的に示す断面図。
【図５】本実施形態に係る電子デバイスに載置される第１機能素子の一例を模式的に示す平面図。
【図６】本実施形態に係る電子デバイスに載置される第１機能素子の動作を説明する平面図。
【図７】本実施形態に係る電子デバイスに載置される第１機能素子の動作を説明する平面図。
【図８】本実施形態に係る電子デバイスに載置される第１機能素子の動作を説明する平面図。
【図９】本実施形態に係る電子デバイスに載置される第１機能素子の動作を説明する平面図。
【図１０】本実施形態に係る電子デバイスに載置される第２機能素子の一例を模式的に示す平面図。
【図１１】第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示すフローチャート。
【図１２】第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を模式的に示す断面図。
【図１３】第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を模式的に示す断面図。
【図１４】第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を模式的に示す断面図。
【図１５】第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を模式的に示す断面図。
【図１６】第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示すフローチャート。
【図１７】電子機器を模式的に示す斜視図。
【図１８】電子機器を模式的に示す斜視図。
【図１９】電子機器を模式的に示す斜視図。
【図２０】移動体を模式的に示す上視図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３５】
１．電子デバイス
１−１．電子デバイスの構成
［第１実施形態］
まず、第１実施形態に係る電子デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る電子デバイス１００を模式的に示す断面図である。便宜上、図では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。
【００３６】
電子デバイス１００は、図１に示すように、基体１０及び蓋体２０を有するパッケージ３０と、パッケージ３０に設けられた貫通孔４０（４１、４２）と、貫通孔４０を封止する封止部材５０と、パッケージ３０に収容された第１及び第２機能素子２００、３００と、を含む。なお、便宜上、図１では第１及び第２機能素子２００、３００を簡略化して図示している。
【００３７】
電子デバイス１００が収容する第１及び第２機能素子２００、３００は、それぞれ異なる物理量を検出するセンサー素子である。つまり、第１機能素子２００は、第２機能素子と異なる。したがって、電子デバイス１００は、複数の物理量検出センサーが同一パッケージ内（同一基板）に実装された複合素子センサーである。なお、機能素子の詳細は後述される。
【００３８】
基体１０としては、例えば、ガラス基板、シリコン基板、水晶基板を用いることができる。基体１０は、蓋体２０が接合される側の面である第１面１１と、第１面１１と反対側
の第２面１２と、を有する。基体１０は、第１及び第２機能素子２００、３００を支持している。より具体的には、基体１０の第１面１１には、第１凹部１４と第２凹部１５が形成されており、第１凹部１４の上方に第１機能素子２００が載置され、第２凹部１５の上方に第２機能素子３００が載置されている。ここで、図１に示すように、第１機能素子２００と第２機能素子３００は、Ｘ軸方向に沿って隣り合うように配置されていてもよい。第１凹部１４及び第２凹部１５によって、第１及び第２機能素子２００、３００は、基体１０に妨害されることなく、所望の方向にのみ可動することができる。
【００３９】
蓋体２０は、基体１０上に載置され、基体１０に接合される。場合によっては、第１及び第２機能素子２００、３００の一部に接合されていてもよい。蓋体２０は、図示されるように、基体１０側の面であって、一部が接合面となる第１面２１と、第１面２１とは反対側の面であって、パッケージ３０の表面（外面）を規定する第２面２２と、を有する。
【００４０】
蓋体２０の第１面２１には、第１凹部２３と、第２凹部２４とが形成されてもよい。第１凹部２３と基体１０の第１面１１により、第１機能素子２００を収容する第１キャビティー３１を形成してもよい。したがって、第１凹部２３は第１キャビティー３１の内壁を構成する。また、第２凹部２４と基体１０の第１面１１により、第２機能素子３００を収容する第２キャビティー３２を形成してもよい。したがって、第２凹部２４は第２キャビティー３２の内壁を構成する。
【００４１】
図１に示すように、第１凹部２３と第２凹２４の間には、第１面２１の凸部からなる隔壁部２５が形成される。これにより、第１キャビティー３１と第２キャビティー３２とを、空間的に隔離することができる。また、蓋体２０と一体的に設けられている隔壁部２５の先端面は、基体１０との接合面となる。したがって、複数のキャビティーを隔離するための部材を別途設ける必要がない。第１キャビティー３１及び第２キャビティー３２は、少ない接合面にて接合されるため隔離性を高くする事ができる。
【００４２】
ここで蓋体２０としてシリコン基板を用いた場合、基体１０としてはガラス基板を好適に用いれば、基体１０の第１面１１と蓋体２０の第１面２１とは、陽極接合による接合方法を用いることができる。蓋体２０としてシリコン基板を用いた場合は、例えば、水酸化カリウム（ＫＯＨ）による異方性エッチングを利用することで、貫通孔４０や蓋体２０と一体的に設けられている隔壁部２５を精度良く形成することができる。これはシリコンの結晶面である（１１１）面のエッチングレートが遅いためであり、結晶面によるエッチングレートの違いを利用することで高精度な寸法制御ができる。一方、蓋体２０としてガラス基板を用いた場合、基体１０としてはガラス基板を好適に用いれば、基体１０の第１面１１と蓋体２０の第１面２１とは、ガラス接合による接合方法を用いることができる。
【００４３】
なお、基体１０と蓋体２０との接合方法は、特に限定されず、例えば、陽極接合による接合や低融点ガラス（ガラスペースト）による接合でもよいし、半田による接合でもよい。又は、基体１０及び蓋体２０の各々の接合部分に金属薄膜（図示せず）を形成し、該金属薄膜同士を共晶接合させることにより、基体１０と蓋体２０とを接合させてもよい。
【００４４】
基体１０及び蓋体２０からなるパッケージ３０の平面形状（Ｚ軸方向から見た形状）は、第１及び第２機能素子２００、３００を収容できれば特に限定されず、例えば、矩形（より具体的には長方形）であってもよい。
【００４５】
基体１０及び蓋体２０の少なくとも一方には、第１キャビティー３１に連通している第１貫通孔４１と、第２キャビティー３２に連通している第２貫通孔４２と、が形成される。図示の例では、蓋体２０において、第１及び第２貫通孔４１、４２が形成されている。図示の例では、第１及び第２貫通孔４１、４２は、蓋体２０をＺ軸方向に貫通している。
【００４６】
ここで、図１に示すように、第１貫通孔４１及び第２貫通孔４２は、蓋体２０において同じ位置関係となるように配置されてもよい。第１貫通孔４１及び第２貫通孔４２を等間隔に配置することで、レーザー照射のピッチを等間隔に設定できるので生産性の向上を図ることができる。
【００４７】
また、貫通孔４０は、図１に示すように、第１及び第２機能素子２００、３００と重ならない位置に配置されていてもよい。すなわち、貫通孔４０は、第１及び第２機能素子２００、３００の外縁の外側に配置されていてもよい。これによれば、封止部材５０が封止工程にて一時溶融する際に発生するスプラッシュ（飛沫）が、第１及び第２機能素子２００、３００に影響しにくくすることができ、電子デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００４８】
貫通孔４０（第１貫通孔４１及び第２貫通孔４２）の内壁面は、図示されるように、テーパー状であってもよい。具体的には、貫通孔４０は、キャビティー側の開口面積が、外側の開口面積よりも小さい形状を有することができる。貫通孔４０の開口部の平面形状（Ｚ軸方向から見た形状）は、特に限定されず、円形又は、矩形（例えば、正方形）であることができる。例えば、蓋体２０としてシリコン基板を用いた場合は、シリコン基板を水酸化カリウム（ＫＯＨ）による異方性ウェットエッチングで、貫通孔４０の開口部をより正確に矩形にすることができる。例えば、蓋体にガラス基板を用いた場合、貫通孔を形成する手段として、フッ酸（ＨＦ）を用いた等方性ウェットエッチング法、粉体を吹き付けるブラスト法などがある。等方性ウェットエッチング法では、形状を緻密に制御できないばかりでなく端面で粗さが発生してしまう。また、ブラスト法では端部が欠け易い。即ち、等方性ウェットエッチング法もブラスト法もキャビティーの気密性を確保する手段としては困難性がある。しかし、蓋体としてシリコンを用いることで上記の困難性を解消することができる。一方で、蓋体２０としてガラス基板を用いた場合は、ガラス基板をフッ酸（ＨＦ）による等方性ウェットエッチングで、貫通孔４０の開口部を円形にすることができる。
【００４９】
貫通孔４０の内壁面には、導電層４３が形成されていてもよい。導電層４３としては、例えば、貫通孔４０の側面側から、クロム層及び金層をこの順で積層されたものを用いることができる。導電層４３によって、貫通孔４０の内壁面と封止部材５０との密着性を向上させることができる。導電層４３の厚みは、特に限定されないが、例えば、３０ｎｍ〜２００ｎｍ程度である。
【００５０】
なお、導電層４３の材質は、封止部材５０の材質によって、適宜変更されることができる。また、図示はしないが、導電層４３は、蓋体２０の表面全面に形成されていてもよい。
【００５１】
封止部材５０は、第１貫通孔４１及び第２貫通孔４２にそれぞれ配置され、貫通孔４０を塞いでいる。封止部材５０によって、第１キャビティー３１及び第２キャビティー３２をそれぞれ密閉することができる。封止部材５０の材質は、例えば、ＡｕＧｅ、ＡｕＳｉ、ＡｕＳｎ、ＳｎＰｂ、ＰｂＡｇ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＺｎＢｉなどの合金である。
【００５２】
封止部材５０によって封止された第１キャビティー３１及び第２キャビティー内の密閉状態は、収容する機能素子の種類に応じて適宜選択される。第１機能素子２００が、例えば振動型ジャイロセンサーである場合、第１キャビティー３１は、減圧状態（より好ましくは真空状態）であることが望ましい。これにより、ジャイロセンサーの振動現象が空気粘性によって減衰することを抑制できる。また、第２機能素子３００が、例えば加速度センサーである場合、第２キャビティー３２は、大気圧状態であって、不活性ガス雰囲気（
例えば、窒素ガス）であることが望ましい。これにより、加速度センサーの慣性質量と大気圧との間で所望のダンピング（粘性）が発生し、所定の検出感度を有する加速度センサーとすることができる。
【００５３】
なお、図示の例では、第１キャビティー３１及び第２キャビティー３２となる第１凹部２３及び第２凹部２４は、蓋体２０に形成されているが、基体１０に形成されていてもよく、基体１０に形成された２つの凹部に第１機能素子２００及び第２機能素子３００をそれぞれ収容し、該凹部を蓋体２０によって封止することによって、これらの機能素子を収容してもよい。しかしながら、基体１０の材質がガラスであり、蓋体２０の材質がシリコンである場合、蓋体２０の方が基体１０よりもＭＥＭＳの加工性が高い。換言すれば、蓋体２０の方が基体１０よりも加工しやすい。したがって、基体１０側に機能素子を収容する凹部が設けられた場合に比べて、さらに加工性が向上した電子デバイスを提供することができる。
【００５４】
また、以上の例では、第１実施形態に係る電子デバイス１００が、２つの機能素子を収容できる形態を説明した。しかしながら、同一パッケージ３０内に収容される機能素子の数は特に限定されず、第３キャビティーが更に設けられ、第３機能素子が収容されていてもよい。
【００５５】
［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る電子デバイスを、図面を参照しながら説明する。図２及び図３は、第２実施形態に係る電子デバイス１０１、１０２を模式的に示す断面図である。第２実施形態に係る電子デバイス１０１、１０２は、貫通孔４０（第１貫通孔４１及び第２貫通孔４２）の構成においてのみ、第１実施形態に係る電子デバイス１００と異なる。以下の説明では、第２実施形態に係る電子デバイス１０１、１０２が第１実施形態に係るデバイス１００と異なる点についてのみ説明する。既に説明した構成については、同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００５６】
第２実施形態においては、第１貫通孔４１及び第２貫通孔４２のいずれか一方のみが設けられる。したがって、第２実施形態では、第１キャビティー３１若しくは第２キャビティー３２のいずれか一方において連通する貫通孔が設けられず、キャビティーの内面が、基体１０と蓋体２０のみから構成される。
【００５７】
例えば、第２実施形態に係る電子デバイス１０１では、図２に示すように、第１キャビティー３１に連通する第１貫通孔４１のみ設けられ、第２キャビティー３２に連通する第２貫通孔４２は設けられていない。また、第２実施形態に係る電子デバイス１０２では、図３に示すように、第２キャビティー３２に連通する第２貫通孔４２のみ設けられ、第１キャビティー３１に連通する第１貫通孔４１は設けられていない。
【００５８】
第２実施形態においては、基体１０に蓋体２０を載置する工程を、所望の気圧雰囲気下において行うことにより、貫通孔４０が連通していないキャビティーを所望の気圧雰囲気で封止した後、別の気圧雰囲気下で貫通孔を封止部材で塞ぐことにより貫通孔４０が連通しているキャビティーを封止する。したがって、第２実施形態においては、貫通孔４０が連通していないキャビティー内の所望の気圧雰囲気下において、基体１０に蓋体２０が載置される。
【００５９】
以下において、第１キャビティー３１に収容される第１機能素子２００に後述されるジャイロセンサーを採用し、第２キャビティー３２に収容される第２機能素子３００に後述される加速度センサー（静電容量型ＭＥＭＳ加速度センサー素子）を採用した場合の基体１０と蓋体２０の接合方法について説明する。上記の場合、第１キャビティー３１の所望
の気圧雰囲気は減圧雰囲気（例えば１０Ｐａ以下、より好ましくは１Ｐａ以下の真空雰囲気）となり、第２キャビティー３２の所望の気圧雰囲気は大気圧雰囲気となる。
【００６０】
図２に示されるように、第２キャビティーに連通する第２貫通孔４２が設けられない電子デバイス１０１においては、蓋体２０と基体１０の接合は第２キャビティー３２の第２気圧雰囲気（大気圧雰囲気）で行われる。これにより、第２キャビティー３２を大気圧雰囲気で封止することができる。
【００６１】
図２に示される電子デバイス１０１の場合、蓋体２０と基体１０の接合には、大気中での接合を行うことで陽極接合による接合より強固である低融点ガラス（図示されず）が好適に採用される。低融点ガラス材料として例えば鉛ガラス材を用いた場合、大気中での接合を低温（例えば３２０℃から３６０℃程度）で行うことができるために、接合プロセス中の配線等の周辺部材に対する酸化ダメージを低減することができる。
【００６２】
電子デバイス１０１の第１キャビティー３１の封止工程は、封止工程の雰囲気を例えば１０Ｐａ以下の減圧状態（好ましくは真空状態）とし、封止部材５０を用いて封止する。封止部材５０の加熱溶融は、レーザー照射によって行う。この場合、第２キャビティー３２を大気圧に保ったまま第１キャビティー３１を減圧雰囲気下で封止を行うが、低融点ガラスによる接合は陽極接合による接合より強固であるため接合強度が低下する問題が起こらない。
【００６３】
次に、図３に示されるように第１キャビティーに連通する第１貫通孔４１が設けられない電子デバイス１０２においては、蓋体２０と基体１０の接合は第１キャビティー３１の第１気圧雰囲気（減圧雰囲気で、より好ましくは真空雰囲気）で行われる。これにより、第１キャビティー３１を減圧雰囲気で封止することができる。
【００６４】
図３に示される電子デバイス１０２の場合、蓋体２０と基体１０の接合には、減圧雰囲気下（例えば１０Ｐａ以下）でも強固な接合が可能な陽極接合（図示されず）が好適に採用される。鉛ガラス材などの低融点ガラスによる接合を減圧雰囲気下で行った場合、接着反応に必要な酸素が十分に供給されないため、接着反応に時間を要したり、不十分な接着反応により接合強度が低下したりする恐れがある。しかしながら、共有結合を利用する陽極接合は減圧雰囲気に影響を受けずに接合を行うことができるため、減圧雰囲気下での低融点ガラスよりも接合信頼性が高くなる。また、第１機能素子及び第２機能素子の材料に酸化を嫌う材料を用いている場合であっても、減圧雰囲気下で接合処理を行うためにプロセス中の酸化ダメージが発生しにくい。
【００６５】
電子デバイス１０２の第２キャビティー３２の封止工程は、封止工程の雰囲気を大気圧状態とし、封止部材５０を用いて封止する。封止部材５０の加熱溶融は、レーザー照射によって行う。この場合、減圧雰囲気で封止されている第１キャビティー３１には外側から内側へ向かう応力が発生するために、基体１０と蓋体２０の接合強度をより高めることができる。
【００６６】
図３に示される電子デバイス１０２の場合、基体１０と蓋体２０との接合には、陽極接合の他に、鉛レスの低融点ガラスを用いてもよい。
【００６７】
［変形例］
次に、第１及び第２実施形態に係る電子デバイスの変形例を、図面を参照しながら説明する。図４は、変形例に係る電子デバイス１０３を模式的に示す断面図である。変形例に係る電子デバイス１０３は、貫通孔４０（第１貫通孔４１及び第２貫通孔４２）の構成においてのみ、第１及び第２実施形態に係る電子デバイスと異なる。以下の説明では、第１
及び第２実施形態に係るデバイスと異なる点についてのみ説明する。既に説明した構成については、同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００６８】
変形例に係る電子デバイス１０３おいて、貫通孔４０は、底面４４を備え、底面４４に設けられた連通孔４６によってキャビティーに連通する。
【００６９】
図４に示すように、貫通孔４０は、蓋体２０の第１面２２に設けられた第１開口４５を有している。蓋体２０の第１面２２は、蓋体２０の表面であり、パッケージ３０の外形を形成する面である。蓋体２０の第１面２２は、蓋体２０の第２面２４の反対側の面である。蓋体２０の第２面２４は、キャビティー３２（キャビティーとなる凹部の底）を規定する面である。
【００７０】
貫通孔４０は、底面４４から第１開口４５に向かうに従って、徐々に断面積（ＸＹ平面における面積）が大きくなる形状を有している。すなわち、第１開口４５の面積は、底面４４の面積よりも大きい。貫通孔４０の底面４４は、貫通孔４０の底を規定する蓋体２０の面ともいえる。貫通孔４０の底面４４は、例えば、平坦である。図示の例では、貫通孔４０の底面４４は、蓋体２０の第１面２２に平行である。
【００７１】
貫通孔４０は、底面４４に形成された連通孔４６を介して、キャビティーと連通している。連通孔４６は、底面４４の一部に設けられた第２開口４６ａと、キャビティー側の第３開口４６ｂと、を有している。第３開口４６ｂは、蓋体２０の第２面２４に設けられている。また、第３開口４６ｂは、図４に示すように平面視において、機能素子１０２と重なる位置に配置されていない。すなわち、第３開口４６ｂは、機能素子２００，３００の外縁の外側に配置されている。連通孔４６は、第２開口４６ａから第３開口４６ｂに向かうに従って、徐々に断面積（ＸＹ平面における面積）が大きくなる形状を有している。すなわち、第３開口４６ｂの面積は、第２開口４６ａの面積よりも大きい。
【００７２】
封止工程においてレーザー照射により半田ボール等の封止部材を貫通孔４０内で一時溶融させる場合、スプラッシュと呼ばれる飛沫がキャビティー内に拡散してしまう恐れがある。これは電子デバイスに収容される機能素子の共振周波数や感度を劣化させる場合がある。
【００７３】
これに対し、貫通孔４０が底面４１を備え、底面４１に設けられた連通孔４６によってキャビティーに連通する電子デバイス１０３によれば、貫通孔に配置された封止部材を溶融させてキャビティーを封止する際に、封止部材の一部がキャビティー内に飛散して機能素子に付着することを抑制できる。その結果、電子デバイス１０３は、良好な特性を有することができる。よって、変形例に係る電子デバイス１０３を第１及び第２実施形態に係る電子デバイス１００、１０１、１０２の貫通孔４０に適用することで、より信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。
【００７４】
１−２．機能素子の構成
第１及び第２機能素子２００、３００は、基体１０上に搭載され、基体１０及び蓋体２０によって形成される（基体１０及び蓋体２０に囲まれる）第１キャビティー３１及び第２キャビティー３２にそれぞれ載置（収容）されている。パッケージ３０に収容される第１及び第２機能素子２００、３００は、例えば、陽極接合や直接接合によって、基体１０に接合されていてもよいし、接着剤によって接合されていてもよい。
【００７５】
第１及び第２機能素子２００、３００の形態としては、互いに異なる物理量を検出し、減圧状態や不活性ガス雰囲気で密閉されたキャビティー内で動作するものであれば、特に限定されず、例えば、ジャイロセンサー、加速度センサー、振動子、ＳＡＷ（弾性表面波
）素子、マイクロアクチュエーターなどの各種の機能素子を挙げることができる。
【００７６】
第１及び第２機能素子２００、３００の材質は、例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされることにより導電性が付与されたシリコンである。
【００７７】
以下では、本実施形態に係る電子デバイス１００の一例として、第１機能素子２００にジャイロセンサーを採用し、第２機能素子３００に加速度センサー（静電容量型ＭＥＭＳ加速度センサー素子）を採用した形態を説明する。図５は、本実施形態に係る電子デバイス１００に載置された第１機能素子２００を模式的に示す平面図である。また、図１０は、本実施形態に係る電子デバイス１００に載置された第２機能素子３００を模式的に示す平面図である。しかしながら、第１及び第２機能素子２００、３００の形態は以下の形態に限定されるものはなく、公知の機能素子の形態であることができる。なお、便宜上、図５では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。このことは、後述する図６〜図１０でも同様である。
【００７８】
［ジャイロセンサーの構成］
第１機能素子２００は、図５に示すように、振動系構造体１０４と、駆動用固定電極１３０と、検出用固定電極１４０と、固定部１５０と、を有することができる。
【００７９】
振動系構造体１０４は、例えば、基体１０に接合されたシリコン基板を加工することにより、一体的に形成されている。これにより、シリコン半導体デバイスの製造に用いられる微細な加工技術の適用が可能となり、振動系構造体１０４の小型化を図ることができる。
【００８０】
振動系構造体１０４は、基体１０に固定された固定部１５０によって、支持されており、基体１０と離間して配置されている。振動系構造体１０４は、第１振動体１０６と、第２振動体１０８と、を有することができる。第１振動体１０６及び第２振動体１０８は、Ｘ軸に沿って互いに連結されている。
【００８１】
第１振動体１０６及び第２振動体１０８は、両者の境界線Ｂ（Ｙ軸に沿った直線）に対して、対称となる形状を有することができる。したがって、以下では、第１振動体１０６の構成について説明し、第２振動体１０８の構成の説明については、省略する。
【００８２】
第１振動体１０６は、駆動部１１０と、検出部１２０と、を有する。駆動部１１０は、駆動用支持部１１２と、駆動用バネ部１１４と、駆動用可動電極１１６と、を有することができる。
【００８３】
駆動用支持部１１２は、例えば、フレーム状の形状を有し、駆動用支持部１１２の内側には、検出部１２０が配置されている。図示の例では、駆動用支持部１１２は、Ｘ軸に沿って延在する第１延在部１１２ａと、Ｙ軸に沿って延在する第２延在部１１２ｂと、によって構成されている。
【００８４】
駆動用バネ部１１４は、駆動用支持部１１２の外側に配置されている。図示の例では、駆動用バネ部１１４の一端は、駆動用支持部１１２の角部（第１延在部１１２ａと第２延在部１１２ｂとの接続部）近傍に接続されている。駆動用バネ部１１４の他端は、固定部１５０に接続されている。
【００８５】
図示の例では、駆動用バネ部１１４は、第１振動体１０６において、４つ設けられている。そのため、第１振動体１０６は、４つの固定部１５０によって、支持されている。なお、第１振動体１０６と第２振動体１０８との境界線Ｂ上の固定部１５０は、設けられて
いなくてもよい。
【００８６】
駆動用バネ部１１４は、Ｙ軸に沿って往復しながらＸ軸に沿って延在する形状を有している。複数の駆動用バネ部１１４は、駆動用支持部１１２の中心を通るＸ軸に沿った仮想線（図示せず）、及び駆動用支持部１１２の中心を通るＹ軸に沿った仮想線（図示せず）に対して、対称に設けられている。駆動用バネ部１１４を上記のような形状とすることにより、駆動用バネ部１１４が、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に変形することを抑制し、駆動用バネ部１１４を、駆動部１１０の振動方向であるＸ軸方向にスムーズに伸縮させることができる。そして、駆動用バネ部１１４の伸縮に伴い、駆動用支持部１１２を（駆動部１１０を）、Ｘ軸に沿って振動させることができる。なお、駆動用バネ部１１４は、駆動用支持部１１２をＸ軸に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。
【００８７】
駆動用可動電極１１６は、駆動用支持部１１２の外側に、駆動用支持部１１２に接続されて配置されている。より具体的には、駆動用可動電極１１６は、駆動用支持部１１２の第１延在部１１２ａに接続されている。
【００８８】
駆動用固定電極１３０は、駆動用支持部１１２の外側に配置されている。駆動用固定電極１３０は、基体１０上に固定されている。図示の例では、駆動用固定電極１３０は、複数設けられ、駆動用可動電極１１６を介して、対向配置されている。図示の例では、駆動用固定電極１３０は、櫛歯状の形状を有しており、駆動用可動電極１１６は、駆動用固定電極１３０の櫛歯の間に挿入可能な突出部１１６ａを有している。駆動用固定電極１３０と突出部１１６aとの間の距離（ギャップ）を小さくすることにより、駆動用固定電極１３０と駆動用可動電極１１６との間に作用する静電力を、大きくすることができる。
【００８９】
駆動用固定電極１３０及び駆動用可動電極１１６に、電圧を印加すると、駆動用固定電極１３０と駆動用可動電極１１６との間に静電力を発生させることができる。これにより、駆動用バネ部１１４をＸ軸に沿って伸縮させつつ、駆動用支持部１１２（駆動部１１０）を、Ｘ軸に沿って振動させることができる。このとき、振動系構造体１０４は減圧雰囲気、特に１０Ｐａ以下にすることで振動の効率は高くなる。
【００９０】
なお、図示の例では、駆動用可動電極１１６は、第１振動体１０６において、４つ設けられているが、駆動用支持部１１６をＸ軸に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。また、図示の例では、駆動用固定電極１３０は、駆動用可動電極１１６を介して、対向配置されているが、駆動用支持部１１２をＸ軸に沿って振動させることができれば、駆動用固定電極１３０は、駆動用可動電極１１６の一方側にのみ配置されていてもよい。
【００９１】
検出部１２０は、駆動部１１０に連結されている。図示の例では、検出部１２０は、駆動用支持部１１２の内側に配置されている。検出部１２０は、検出用支持部１２２と、検出用バネ部１２４と、検出用可動電極１２６と、を有することができる。なお、図示はしないが、検出部１２０は、駆動部１１０に連結されていれば、駆動用支持部１１２の外側に配置されていてもよい。
【００９２】
検出用支持部１２２は、例えば、フレーム状の形状を有している。図示の例では、検出用支持部１２２は、Ｘ軸に沿って延在する第３延在部１２２ａと、Ｙ軸に沿って延在する第４延在部１２２ｂと、によって構成されている。
【００９３】
検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２の外側に配置されている。検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２と駆動用支持部１１２とを接続している。より具体的には、検出用バネ部１２４の一端は、検出用支持部１２２の角部（第３延在部１２２ａと第４延
在部１２２ｂとの接続部）近傍に接続されている。検出用バネ部１２４の他端は、駆動用支持部１１２の第１延在部１１２ａに接続されている。
【００９４】
検出用バネ部１２４は、Ｘ軸に沿って往復しながらＹ軸に沿って延在する形状を有している。図示の例では、検出用バネ部１２４は、第１振動体１０６において、４つ設けられている。複数の検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２の中心を通るＸ軸に沿った仮想線（図示せず）、及び検出用支持部１２２の中心を通るＹ軸に沿った仮想線（図示せず）に対して、対称に設けられている。検出用バネ部１２４を上記のような形状とすることにより、検出用バネ部１２４が、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に変形することを抑制し、検出用バネ部１２４を、検出部１２０の振動方向であるＹ軸方向にスムーズに伸縮させることができる。そして、検出用バネ部１２４の伸縮に伴い、検出用支持部１２２を（検出部１２０を）、Ｙ軸に沿って変位させることができる。なお、検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２をＹ軸に沿って変位させることができれば、その数は特に限定されない。
【００９５】
検出用可動電極１２６は、検出用支持部１２２の内側に、検出用支持部１２２に接続されて配置されている。図示の例では、検出用可動電極１２６は、Ｘ軸に沿って延在しており、検出用支持部１２２の２つの第４延在部１２２ｂに、接続されている。
【００９６】
検出用固定電極１４０は、検出用支持部１２２の内側に配置されている。検出用固定電極１４０は、基体１０上に固定されている。図示の例では、検出用固定電極１４０は、複数設けられ、検出用可動電極１２６を介して、対向配置されている。
【００９７】
検出用可動電極１２６及び検出用固定電極１４０の数及び形状は、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の静電容量の変化を検出することができれば、特に限定されない。
【００９８】
次に、第１機能素子２００の動作について説明する。図６〜図９は、本実施形態に係る電子デバイスに収容される第１機能素子２００の動作を説明するための図である。なお、便宜上、図６〜図９では、第１機能素子２００の各部分を、簡略化して図示している。
【００９９】
駆動用固定電極１３０及び駆動用可動電極１１６に、図示しない電源によって、電圧を印加すると、駆動用固定電極１３０と駆動用可動電極１１６との間に静電力を発生させることができる。これにより、図６及び図７に示すように、駆動用バネ部１１４をＸ軸に沿って伸縮させることができ、駆動部１１０をＸ軸に沿って振動させることができる。
【０１００】
より具体的には、第１振動体１０６の駆動用可動電極１１６と固定電極１３０との間に第１交番電圧を印加し、第２振動体１０８の駆動用可動電極１１６と固定電極１３０との間に第１交番電圧と位相が１８０度ずれた第２交番電圧を印加する。これにより、第１振動体１０６の第１駆動部１１０ａ、及び第２振動体１０８の第２駆動部１１０ｂを、互いに逆位相でかつ所定の周波数で、Ｘ軸に沿って振動させることができる。すなわち、Ｘ軸に沿って互いに連結された第１駆動部１１０ａ及び第２駆動部１１０ｂは、Ｘ軸に沿って、互いに逆位相で振動する。図６に示す例では、第１駆動部１１０ａは、α１方向に変位し、第２駆動部１１０ｂは、α１方向と反対方向のα２方向に変位している。図７に示す例では、第１駆動部１１０ａは、α２方向に変位し、第２駆動部１１０ｂは、α１方向に変位している。
【０１０１】
なお、検出部１２０は、駆動部１１０に連結されているため、検出部１２０も駆動部１１０の振動に伴い、Ｘ軸に沿って振動する。すなわち、第１振動体１０６及び第２振動体１０８は、Ｘ軸に沿って、互いに反対方向に変位する。
【０１０２】
図８及び図９に示すように、駆動部１１０ａ、１１０ｂが第１振動を行っている状態で、機能素子２００にＺ軸回りの角速度ωが加わると、コリオリの力が働き、検出部１２０は、Ｙ軸に沿って変位する。すなわち、第１駆動部１１０ａに連結された第１検出部１２０ａ、及び第２駆動部１１０ｂに連結された第２検出部１２０ｂは、第１振動及びコリオリ力によって、Ｙ軸に沿って、互いに反対方向に変位する。図８に示す例では、第１検出部１２０ａは、β１方向に変位し、第２検出部１２０ｂは、β１方向と反対方向のβ２方向に変位している。図９に示す例では、第１検出１２０ａは、β２方向に変位し、第２検出部１２０ｂは、β１方向に変位している。
【０１０３】
検出部１２０ａ、１２０ｂがＹ軸に沿って変位することにより、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の距離Ｌは、変化する。そのため、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の静電容量は、変化する。第１機能素子２００では、検出用可動電極１２６及び検出用固定電極１４０に電圧を印加することにより、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の静電容量の変化量を検出し、Ｚ軸回りの角速度ωを求めることができる。
【０１０４】
なお、上記では、静電力によって、駆動部１１０を駆動させる形態（静電駆動方式）について説明したが、駆動部１１０を駆動させる方法は、特に限定されず、圧電駆動方式や、磁場のローレンツ力を利用した電磁駆動方式等を適用することができる。尚、ジャイロセンサーの構成では、雰囲気を減圧下とすることで良好な振動特性及び検出特性を得ることができる。
【０１０５】
［加速度センサーの構成］
第２機能素子３００は、基体１０の第１面１１に（基体１０上に）支持されている。第２機能素子３００は、図１０に示すように、固定部２８１、２８２と、連結部２８４、２８５と、可動部２８６と、可動電極部２８７と、固定電極部２８８、２８９と、を含むことができる。
【０１０６】
可動部２８６は、Ｘ軸方向の加速度の変化に応じて、連結部２８４、２８５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向又はＸ方向）に変位する。このような変位に伴って、可動電極部２８７と固定電極部２８８との間の隙間、及び可動電極部２８７と固定電極部２８９との間の隙間の大きさが変化する。すなわち、このような変位に伴って、可動電極部２８７と固定電極部２８８との間の静電容量、及び可動電極部２８７と固定電極部２８９との間の静電容量の大きさが変化する。これらの静電容量の変化に基づいて、第２機能素子３００は、Ｘ軸方向の加速度を検出することができる。
【０１０７】
固定部２８１、２８２は、基体１０の第１面１１に接合されている。図示の例では、固定部２８１、２８２は、平面視において、第２凹部１５の外周縁を跨ぐように設けられている。
【０１０８】
可動部２８６は、固定部２８１と固定部２８２との間に設けられている。図１０に示す例では、可動部２８６の平面形状は、Ｘ軸に沿った長辺を有する長方形である。
【０１０９】
連結部２８４、２８５は、可動部２８６を固定部２８１、２８２に連結している。連結部２８４、２８５は、所望のばね定数を持ち、Ｘ軸方向に可動部２８６を変位し得るように構成されている。図１０に示す例では、連結部２８４は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁２８４ａ、２８４ｂによって構成されている。同様に、連結部２８５は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁２８５ａ、２８５ｂによって構成されている。
【０１１０】
可動電極部２８７は、可動部２８６に接続されている。可動電極部２８７は、複数設けられている。可動電極部２８７は、可動部２８６から＋Ｙ方向及びＹ方向に突出し、櫛歯状をなすようにＸ軸方向に並んでいる。
【０１１１】
固定電極部２８８、２８９は、一方の端部が固定端として基体１０の第１面１１に接合され、他方の端部が自由端として可動部２８６側へ延出している。固定電極部２８８、２８９の各々は、複数設けられている。固定電極部２８８は、図示されない配線と電気的に接続され、固定電極部２８９は、図示されない配線と電気的に接続されている。固定電極部２８８、２８９は、櫛歯状をなすようにＸ軸方向に交互に並んでいる。固定電極部２８８、２８９は、可動電極部２８７に対して間隔を隔てて対向して設けられ、可動電極部２８７の一方側（−Ｘ方向側）に固定電極部２８８が配置され、他方側（＋Ｘ方向側）に固定電極部２８９が配置されている。
【０１１２】
固定部２８１、２８２、連結部２８４、２８５、可動部２８６、及び可動電極部２８７は、一体的に形成されている。
【０１１３】
固定部２８１は、図示されない配線と接続するコンタクト部２４０を有する。これにより、固定部２８１は、外部接続端子と電気的に接続している。また、固定電極部２８８は、図示されない配線と接続するコンタクト部２４２を有する。これにより、固定電極部２８８は、外部接続端子と電気的に接続している。また、固定電極部２８９は、図示されない配線と接続するコンタクト部２４４を有する。これにより、固定電極部２８９は、外部接続端子と電気的に接続している。
【０１１４】
第２機能素子３００では、電気的に接続された外部接続端子を用いることにより、可動電極部２８７と固定電極部２８８との間の静電容量を測定することができる。さらに、第２機能素子３００では、電気的に接続された外部接続端子を用いることにより、可動電極部２８７と固定電極部２８９との間の静電容量を測定することができる。このように第２機能素子３００では、可動電極部２８７と固定電極部２８８との間の静電容量、及び可動電極部２８７と固定電極部２８９との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量（加速度）を検出することができる。尚、加速度センサーの構成では、雰囲気を大気圧下とし、空気粘性を利用することで良好な検出特性を得ることができる。
【０１１５】
本実施形態に係る電子デバイス１００、１０１、１０２、１０３は、例えば、以下の特徴を有する。
【０１１６】
電子デバイス１００、１０１、１０２によれば、第１キャビティー３１及び第２キャビティー３２は、蓋体２０又は基体１０に一体的に設けられた隔壁部２５によって隔離される。
【０１１７】
上述のように、電子デバイス１００、１０１、１０２、１０３は、複数の物理量検出センサー（第１機能素子２００及び第２機能素子３００）が同一パッケージ３０内（同一基板）に実装された電子デバイスであるため、小型化・省スペース化の要求に対応することができる。また、センサーが実装された基板同士を積層等により電気的に接続する工程を省略できるため、生産工程の簡略化や生産コストの低減に寄与することができる。
【０１１８】
ここで、同一パッケージ内において、互いに内圧が異なるキャビティーが形成される電子デバイスでは、キャビティーの気密性が低下した場合、キャビティー内に収容される機能素子に不具合が発生し、電子デバイス自体の信頼性が低下する恐れがあるため、それぞれのキャビティーを確実に隔離し、キャビティーの高い気密性を確保する必要がある。
【０１１９】
電子デバイス１００、１０１、１０２、１０３によれば、第１キャビティー３１及び第２キャビティー３２は、蓋体２０又は基体１０に一体的に設けられた隔壁部２５によって隔離される。これによれば、第１キャビティー３１及び第２キャビティー３２が、封止部材を除き、基体１０と蓋体２０の２つの部材のみから構成される。換言すれば、同一パッケージ内において２つのキャビティーを構成するために必要となる部材間の接合界面は、基体１０と蓋体２０との接合面のみとなる。したがって、互いに内圧が異なるキャビティー間を基体及び蓋体とは別の隔壁部材によって隔離する電子デバイスと比べて、信頼性が向上した電子デバイスを提供することができる。
【０１２０】
以上から、小型化・省スペース化及び生産コスト低減の要求に対応する電子デバイスであって、かつ、信頼性が向上した電子デバイスを提供することができる。
【０１２１】
また、電子デバイス１０１、１０２によれば、第１貫通孔４１及び第２貫通孔４２のいずれか一方のみが形成される。つまりは、第１キャビティー３１若しくは第２キャビティー３２のいずれか一方において連通する貫通孔が設けられず、キャビティーの内面が、基体１０と蓋体２０のみから構成される。
【０１２２】
一般に、貫通孔を用いた封止工程では、例えば、ＡｕＧｅなどの合金からなる封止部材を貫通孔内に配置し、レーザー等によって３００℃程度の高温まで加熱し、封止部材を一時溶融させることで貫通孔を塞ぎ、キャビティーを所望の雰囲気で封止する。
【０１２３】
同一パッケージにおいて各キャビティーにそれぞれ貫通孔が設けられている場合、レーザー照射をそれぞれ行い、例えば３００℃程度まで封止部材を加熱溶融することで貫通孔を封止する。このような封止工程では、２箇所目以降の貫通孔内の封止部材の加熱温度は、加熱処理済の封止部材の再溶融を防ぐために、１箇所目での加熱温度よりも低い温度に制御する必要がある。
【０１２４】
電子デバイス１０１、１０２によれば、同一パッケージ内に２つのキャビティーを備える電子デバイスに、封止用の貫通孔が１つしか形成されないため、ＡｕＧｅなどの合金からなる封止部材の材料コストを削減し、かつ高い精度の温度制御が必要とされる貫通孔の封止工程を減らすことができる。したがって、生産コストの低減、及び生産工程の簡略化に寄与することができる電子デバイスを提供することができる。
【０１２５】
また、電子デバイス１０１、１０２によれば、複数の貫通孔が設けられないために、貫通孔を封止するためにパッケージを複数回加熱する必要がない。これによれば、複数回の封止工程により封止部材が再溶融して気密性が低下することを防ぐことができる。したがって、製造プロセス上の理由から、同一パッケージ内に複数の貫通孔が設けられた電子デバイスと比べて、より気密信頼性が高い電子デバイスを提供することができる。
【０１２６】
また、電子デバイス１０３によれば、貫通孔４０が底面４１を備え、底面４１に設けられた連通孔４６によってキャビティーに連通する。これにより貫通孔４０に配置された封止部材を溶融させてキャビティーを封止する際に、封止部材の一部がキャビティー内に飛散して機能素子に付着することを抑制できる。その結果、より信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。
【０１２７】
２．電子デバイスの製造方法
次に、本発明に係る電子デバイスの製造方法について説明する。本発明に係る電子デバイスの製造方法は、基体１０に第１機能素子２００と第２機能素子３００を載置する工程と、基体１０に蓋体２０を載置し、基体１０及び蓋体２０に囲まれる第１キャビティー３
１に第１機能素子２００を収容し、基体１０及び蓋体２０に囲まれる第２キャビティー３２に第２機能素子３００を収容する収容工程と、第１キャビティー３１を第１気圧雰囲気で封止し、第２キャビティー３２を第１気圧雰囲気と気圧差を有する第２気圧雰囲気で封止する封止工程と、を含み、第１キャビティー及び前記第２キャビティーは、前記蓋体又は前記基体に一体的に設けられた隔壁部によって隔離されることを特徴とする。
【０１２８】
本発明に係る電子デバイスの製造方法によれば、第１キャビティー３１と第２キャビティー３２が、蓋体２０又は基体１０に一体的に設けられた隔壁部２５によって隔離される。これによれば、キャビティーを隔離するための部材を別途用意し、蓋体及び基体に接合する必要がない。したがって、製造工程をより簡略化し、かつ信頼性がより向上した電子デバイスを製造することができる製造方法を提供することができる。
【０１２９】
以下において、第１実施形態に係る電子デバイス１００の製造方法、及び第２実施形態に係る電子デバイス１０１、１０２の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【０１３０】
［第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法］
図１１は、第１実施形態に係る電子デバイス１００の製造工程のフローチャートである。図１２〜図１４は、第１実施形態に係る電子デバイス１００の製造工程を模式的に示す断面図であって、図１に対応している。
【０１３１】
図１１に示すように、第１実施形態に係る電子デバイス１００の製造工程は、基体１０に第１機能素子２００と第２機能素子３００を載置する工程（Ｓ１）と、基体１０に蓋体２０を載置して、基体１０及び蓋体２０に囲まれる第１キャビティー３１に第１機能素子２００を収容し、基体１０及び蓋体２０に囲まれる第２キャビティー３２に第２機能素子３００を収容する工程（Ｓ２）と、第１の気圧雰囲気において、第１キャビティー３１を封止する第１封止工程（Ｓ３）と、第１封止工程後、第２の気圧雰囲気において、第２キャビティー３２を封止する第２封止工程（Ｓ４）と、を含む。
【０１３２】
まず、基体１０を準備する。図１２に示すように、基板１０の第１面１１に、第１凹部１４及び第２凹部１５を形成する。このとき、第１凹部１４及び第２凹部１５の周囲に溝部（図示せず）を形成してもよい。第１凹部１４及び第２凹部１５は、例えば、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術により形成される。これにより、第１面１１に第１凹部１４及び第２凹部１５が設けられている基板１０を用意することができる。
【０１３３】
ここで、図示はされないが、第１凹部１４及び第２凹部１５内を含む基板１０上に第１及び第２機能素子２００、３００と電気的に接続する配線を形成することができる。配線は、例えば、スパッタ法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって成膜された後、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によってパターニングされることによって形成される。
【０１３４】
次に、図１３に示すように、基体１０に第１機能素子２００と第２機能素子３００を載置する（Ｓ１）。具体的には、シリコン基板（図示せず）を基板１０の第１面１１に載置（接合）し、該シリコン基板を薄膜化させた後にパターニングすることにより、第１機能素子２００及び第２機能素子３００が形成される。パターニングは、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によって行われる。シリコン基板と基板１０の接合は、例えば、陽極接合によって行われる。
【０１３５】
次に、図１４に示すように、蓋体２０を用意する。蓋体２０は、シリコン基板を準備し、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術により、第１面２２に第１凹部１４及び第２凹部１５を形成することで形成される。また、第１凹部１４及び第２凹部１５に連通
する第１貫通孔４１及び第２貫通孔４２も同様の工程で形成される。ここで、第１貫通孔４１及び第２貫通孔４２を異方性ウェットエッチングによって形成することで、第１貫通孔４１及び第２貫通孔４２の内壁面をテーパー状に形成することができる。
【０１３６】
また、図示はされないが、第１貫通孔４１及び第２貫通孔４２の内壁面を覆う導電層４３を形成してもよい。導電層４３は、例えば、スパッタ法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって成膜された後、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によってパターニングされることによって形成される。
【０１３７】
次に、図１５に示すように、基板１０及び蓋体２０を接合して、基板１０及び蓋体２０によって囲まれる第１キャビティー３１と第２キャビティー３２に第１機能素子２００と第２機能素子３００をそれぞれ収容する（Ｓ２）。基板１０と蓋体２０との接合は、例えば、陽極接合によって行われる。
【０１３８】
次に、第１気圧雰囲気において、第１キャビティー３１を封止する（第１封止工程：Ｓ３）。本工程では、例えば、減圧雰囲気において、図１５に示すように、第１貫通孔４１内に、封止部材５０を形成する。より具体的には、封止部材５０は、第１貫通孔４１内に球状の半田ボール（図示せず）を配置し、該半田ボールをレーザー照射によって溶融させることにより形成される。本工程により、封止部材５０によって、第１キャビティー３１を密閉することができる。
【０１３９】
次に、第２気圧雰囲気において、第２キャビティー３２を封止する（第２封止工程：Ｓ４）。本工程では、例えば、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気において、第２貫通孔４２内に、封止部材５０を形成する（図１参照）。より具体的には、封止部材５０は、第２貫通孔４２内に球状の半田ボール（図示せず）を配置し、該半田ボールをレーザー照射によって溶融させることにより形成される。本工程により、封止部材５０によって、第２キャビティー３２を密閉することができる（図１参照）。
【０１４０】
以上の工程により、電子デバイス１００を製造することができる。
【０１４１】
電子デバイス１００の製造方法によれば、例えば、以下の特徴を有する。
【０１４２】
電子デバイス１００の製造方法によれば、信頼性が向上した電子デバイスを提供することができる。電子デバイス１００の製造方法によれば、第１キャビティー３１と第２キャビティー３２とが、蓋体２０に一体的に設けられた隔壁部２５によって隔離される。これによれば、キャビティーを隔離するための部材を別途設ける必要がないため、より簡便な方法で、信頼性がより向上した電子デバイスを製造することができる。
【０１４３】
また、電子デバイス１００の製造方法によれば、第１気圧雰囲気下の第１封止工程（Ｓ３）の後に、第２気圧雰囲気下の第２封止工程（Ｓ４）が行われる。このとき、第２気圧雰囲気は第１気圧雰囲気より高い気圧下にて封止工程を行う。ここで、仮に、第２気圧雰囲気を第１気圧雰囲気より低くして封止工程を行うと、第１キャビティー３１を封止する基体１２、蓋体２０、隔壁部２５、封止部材５０などに対して、第１キャビティー３１の内側から外側に向かう方向で圧力が加えられてしまう。即ち、第１キャビティー３１が膨張する方向に圧力が働く。これは、基体１０と蓋体２０の接合面、基体１０と隔壁部２５の接合面、蓋体２０と封止部材５０の接合面などにリークパスができる要因となりうる。したがって、第１キャビティー３１の気密性が低下する可能性がある。これに対し、電子デバイス１００の製造方法によれば、第２封止工程（Ｓ４）において、第１封止工程（Ｓ３）で第１キャビティー３１を封止する封止部材５０に対し、第１キャビティー３１の外側から内側に向かう方向で圧力を加えることができる。そのため、第１キャビティー３１
を取り囲む基体１０、蓋体２０、封止部材５０の接合信頼性の低下を招くことがない。加えて、第２キャビティー３２を封止する封止部材５０の接合信頼性をより高めることができる。これにより、より信頼性が向上した電子デバイスを提供することができる。
【０１４４】
例えば、第１キャビティー３１内にジャイロセンサーである第１機能素子２００を配置し、第１気圧雰囲気である減圧雰囲気、例えば１０Ｐａ以下にて封止する。次に、第２キャビティー３２内に加速度センサーである第２機能素子３００を配置し、第２気圧雰囲気である大気圧雰囲気、例えば１０１３ｈＰａ程度にて封止する。このとき第１キャビティー３１は減圧雰囲気から大気圧状態に戻されるので、基体や蓋体は外部から圧力が掛かりその接合面の信頼性を高めることができる。
【０１４５】
また、電子デバイス１００の製造方法によれば、基体１０の材質はガラスであり、蓋体２０の材質はシリコンであってもよい。これによれば、蓋体２０のほうが、基体１０よりも加工性がよい材質からなる。したがって、基体１０側に機能素子を収容する凹部が設けられた場合に比べて、より簡便は方法で、電子デバイスを製造することができる。
【０１４６】
［第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法］
次に、第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１１は、第２実施形態に係る電子デバイス１０１、１０２の製造工程のフローチャートである。図１１に示すように、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法では、蓋体２０の載置工程（Ｓ２）と同時に第１封止工程（Ｓ３）が行われる点で第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法と異なる。以下の説明では、第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法が第１実施形態に係るデバイスの製造方法と異なる点についてのみ説明する。既に説明した工程については、その詳細な説明を省略する。
【０１４７】
まず、第１実施形態と同様に、基体１０を準備し、基体１０に第１機能素子２００と第２機能素子３００を載置する（Ｓ１、図１２、１３参照）。次に、蓋体２０を用意する。本実施形態に係る製造方法では、図２又は図３に示される蓋体２０を準備する。ここでは第１キャビティー３１若しくは第２キャビティー３２のいずれか一方において連通する貫通孔が設けられない蓋体２０を準備される。
【０１４８】
次に、図１１に示すように、蓋体２０の載置工程（Ｓ２）と第１封止工程（Ｓ３）を同時に行う。第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法においては、貫通孔が連通していないキャビティー内に収容される機能素子の適した気圧雰囲気下において、基体１０に蓋体２０が載置することで（Ｓ２）、これにより貫通孔が連通していないキャビティーが封止される（第１封止工程：Ｓ３）。したがって、本実施形態にかかる製造方法においては、貫通孔４０が連通していないキャビティー内の気圧雰囲気下において、基体１０に蓋体２０が載置される。例えば、図２に示される第２キャビティーに連通する第２貫通孔４２が設けられない電子デバイス１０１を製造する場合、蓋体２０と基体１０の接合は第２キャビティー３２の第２気圧雰囲気で行われる。これにより、第２キャビティー３２を第２気圧雰囲気で封止することができる。また、図３に示される第１キャビティーに連通する第１貫通孔４１が設けられない電子デバイス１０２を製造する場合、蓋体２０と基体１０の接合は第１キャビティー３１の第１気圧雰囲気で行われる。これにより、第１キャビティー３１を第１気圧雰囲気で封止することができる。
【０１４９】
載置工程（Ｓ２）と同時に行われる第１封止工程（Ｓ３）の封止雰囲気は、貫通孔４０が連通していないキャビティー内に収容される機能素子タイプにより適宜選択される。第１キャビティー３１に収容される第１機能素子２００に後述されるジャイロセンサーを採用し、第２キャビティー３２に収容される第２機能素子３００に後述される加速度センサー（静電容量型ＭＥＭＳ加速度センサー素子）を採用した場合、第１キャビティー３１内
の所望の封止雰囲気である第１気圧雰囲気は減圧雰囲気（より好ましくは真空雰囲気）となり、第２キャビティー３２内の所望の封止雰囲気である第２気圧雰囲気は大気圧雰囲気となる。
【０１５０】
電子デバイス１０１を製造する場合、蓋体２０と基体１０の接合には、大気中での接合を行うことで陽極接合による接合より強固である低融点ガラス（図示されず）が好適に採用される。低融点ガラス材料として例えば鉛ガラス材を用いた場合、大気中での接合を低温（例えば３２０℃から３６０℃程度）で行うことができるために、接合プロセス中の配線等の周辺部材に対する酸化ダメージを低減することができる。
【０１５１】
第１封止工程（Ｓ３）の後、製造工程の雰囲気を例えば１０Ｐａ以下の減圧状態（好ましくは真空状態）とし、封止部材５０を用いて第１貫通孔４１が連通する第１キャビティー３１を封止する（第２封止工程：Ｓ４）。封止部材５０の加熱溶融は、レーザー照射によって行う。この場合、第２キャビティー３２を大気圧に保ったまま第１キャビティー３１を減圧雰囲気下で封止を行うが、低融点ガラスによる接合は陽極接合による接合より強固であるため接合強度が低下する問題が起こらない。
【０１５２】
電子デバイス１０２の場合、蓋体２０と基体１０の接合には、減圧雰囲気下（例えば１０Ｐａ以下）でも強固な接合が可能な陽極接合（図示されず）が好適に採用される。鉛ガラス材などの低融点ガラスによる接合を減圧雰囲気下で行った場合、接着反応に必要な酸素が十分に供給されないため、接着反応に時間を要したり、不十分な接着反応により接合強度が低下したりする恐れがある。しかしながら、共有結合を利用する陽極接合は減圧雰囲気に影響を受けずに接合を行うことができるため、減圧雰囲気下での低融点ガラスよりも接合信頼性が高くなる。また、第１機能素子及び第２機能素子の材料に酸化を嫌う材料を用いている場合であっても、減圧雰囲気下で接合処理を行うためにプロセス中の酸化ダメージが発生しにくい。
【０１５３】
第１封止工程（Ｓ３）の後、製造工程の雰囲気を大気圧状態とし、封止部材５０を用いて第２貫通孔４２が連通する第２キャビティー３２を封止する（第２封止工程：Ｓ４）。封止部材５０の加熱溶融は、レーザー照射によって行う。この場合、減圧雰囲気で封止されている第１キャビティー３１には外側から内側へ向かう応力が発生するために、基体１０と蓋体２０の接合強度をより高めることができる。
【０１５４】
また、図３に示される電子デバイス１０２の製造方法においては、基体１０と蓋体２０との接合には、陽極接合の他に、鉛レスの低融点ガラスを用いてもよい。
【０１５５】
以上の工程により、電子デバイス１０１、１０２を製造することができる。
【０１５６】
電子デバイス１０１、１０２の製造方法によれば、例えば、以下の特徴を有する。
【０１５７】
電子デバイス１０１、１０２の製造方法によれば、収容工程において貫通孔が連通しないキャビティーの第１封止工程を行うことができる。これによれば、ＡｕＧｅなどの合金からなる封止部材の材料コストを削減し、かつ高い精度の温度制御が必要とされる貫通孔の封止工程を簡略化ことができる。したがって、生産コストの低減、及び生産工程の簡略化に寄与することができる電子デバイスの製造方法を提供することができる。
【０１５８】
また、電子デバイス１０１、１０２の製造方法によれば、２つのキャビティーを封止する封止工程において、貫通孔を封止部材で封止する工程は１回（第２封止工程）であり、パッケージを複数回加熱する必要がない。これによれば、複数回の封止工程により封止部材が再溶融して気密性が低下することを防ぐことができる。したがって、同一パッケージ
に複数回の封止工程を行う電子デバイスの製造方法と比べて、より気密信頼性が高い電子デバイスが製造される電子デバイスの製造方法を提供することができる。
【０１５９】
また、電子デバイス１０２（図３）の製造方法によれば、第２気圧雰囲気下で第２キャビティー３２を封止した後、第２気圧雰囲気よりも高い気圧である第１気圧雰囲気下で第１キャビティー３１が封止される。これによれば、第１気圧雰囲気下において、第２キャビティー内側方向の圧力を電子デバイスのパッケージに対して印加することができる。これにより、蓋体と基体の密着性が向上し、より信頼性が向上した電子デバイスを提供することができる。
【０１６０】
３．電子機器
次に、本実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る電子機器は、本発明に係る電子デバイス１００（又は１０１、１０２、１０３のいずれか）を含む。
【０１６１】
図１７は、本実施形態に係る電子機器として、モバイル型（又はノート型）のパーソナルコンピューター１１００を模式的に示す斜視図である。
【０１６２】
図１７に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を有する表示ユニット１１０６と、により構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【０１６３】
このようなパーソナルコンピューター１１００には、電子デバイス１００が内蔵されている。
【０１６４】
図１８は、本実施形態に係る電子機器として、携帯電話機（ＰＨＳも含む）１２００を模式的に示す斜視図である。
【０１６５】
図１８に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。
【０１６６】
このような携帯電話機１２００には、電子デバイス１００（又は１０１、１０２、１０３のいずれか）が内蔵されている。
【０１６７】
図１９は、本実施形態に係る電子機器として、デジタルスチルカメラ１３００を模式的に示す斜視図である。なお、図１９には、外部機器との接続についても簡易的に示している。
【０１６８】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１６９】
デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
【０１７０】
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣ
Ｄなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１７１】
撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
【０１７２】
また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
【０１７３】
このようなデジタルスチルカメラ１３００には、電子デバイス１００が内蔵されている。
【０１７４】
以上のような電子機器１１００、１２００、１３００は、信頼性が向上した電子デバイス１００を有することができる。
【０１７５】
なお、上記電子デバイス１００（又は１０１、１０２、１０３のいずれか）を備えた電子機器は、図１７に示すパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１８に示す携帯電話機、図１９に示すデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ヘッドマウントディスプレイ、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、ロケット、船舶の計器類）、ロボットや人体などの姿勢制御、フライトシミュレーターなどに適用することができる。
【０１７６】
４．移動体
図２０は、本実施形態の移動体の一例を示す図（上面図）である。図２０に示す移動体４００は、本発明に係る電子デバイス１００（又は１０１、１０２、１０３のいずれか）を含んで構成されている。なお、本実施形態の移動体は、図２０の構成要素（各部）の一部を省略又は変更してもよいし、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
【０１７７】
このような移動体４００には、ナビゲーションシステム等においてジャイロセンサーや加速度センサーなどの複数の物理量センサーが搭載されるが、移動体の移動に必要な制御を行うため高い信頼性が要求される。
【０１７８】
移動体用の電子デバイスとして、上述の各実施形態の電子デバイス１００（又は１０１、１０２、１０３のいずれか）を適用することにより、高い信頼性を確保することができる。
【０１７９】
このような移動体４００としては種々の移動体が考えられ、例えば、自動車（電気自動車も含む）、ジェット機やヘリコプター等の航空機、船舶、ロケット、人工衛星等が挙げられる。
【０１８０】
上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態及び各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１８１】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１８２】
１０…基体、１１…第１面、１２…第２面、１４…第１凹部、１５…第２凹部、２０…蓋体、２１…第１面、２２…第２面、２３…第１凹部、２４…第２凹部、２５…隔壁部、３０…パッケージ、３１…第１キャビティー、３２…第２キャビティー、４０…貫通孔、４１…第１貫通孔、４２…第２貫通孔、４３…導電層、４４…底面、４５…第１開口、４６…連通孔、４６ａ…第２開口、４６ｂ…第３開口、５０…封止部材、１００、１０１、１０２、１０３…電子デバイス、１０４…振動系構造体、１０６…第１振動体、１０８…第２振動体、１１０…駆動部、１１２…駆動用支持部、１１２ａ…第１延在部、１１２ｂ…第２延在部、１１４…駆動用バネ部、１１６…駆動用可動電極、１１６ａ…突出部、１２０…検出部、１２２…検出用支持部、１２２ａ…第３延在部、１２２ｂ…第４延在部、１２４…検出用バネ部、１２６…検出用可動電極、１３０…駆動用固定電極、１４０…検出用固定電極、１５０…固定部、２００…第１機能素子、２８１、２８２…固定部、２８４…連結部、２８４ａ、２８４ｂ…梁、２８５…連結部、２８５ａ、２８５ｂ…梁、２８６…可動部、２８７…可動電極部、２８８、２８９…固定電極部、３００…第２機能素子、４００…移動体、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチルカメラ、１３０２…ケース、１３０４…ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニター、１４４０…パーソナルコンピューター。
【図１】
2013232626.tif 000003
【図２】
2013232626.tif 000004
【図３】
2013232626.tif 000005
【図４】
2013232626.tif 000006
【図１１】
2013232626.tif 000007
【図１２】
2013232626.tif 000008
【図１３】
2013232626.tif 000009
【図１４】
2013232626.tif 000010
【図１５】
2013232626.tif 000011
【図１６】
2013232626.tif 000012
【図１７】
2013232626.tif 000013
【図１８】
2013232626.tif 000014
【図１９】
2013232626.tif 000015
【図２０】
2013232626.tif 000016
【図５】
2013232626.tif 000017
【図６】
2013232626.tif 000018
【図７】
2013232626.tif 000019
【図８】
2013232626.tif 000020
【図９】
2013232626.tif 000021
【図１０】
2013232626.tif 000022
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月8日(2013.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
電子デバイス１００が収容する第１及び第２機能素子２００、３００は、それぞれ異なる物理量を検出するセンサー素子である。つまり、第１機能素子２００は、第２機能素子３００と異なる。したがって、電子デバイス１００は、複数の物理量検出センサーが同一パッケージ内（同一基板）に実装された複合素子センサーである。なお、機能素子の詳細は後述される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図１に示すように、第１凹部２３と第２凹部２４の間には、第１面２１の凸部からなる隔壁部２５が形成される。これにより、第１キャビティー３１と第２キャビティー３２とを、空間的に隔離することができる。また、蓋体２０と一体的に設けられている隔壁部２５の先端面は、基体１０との接合面となる。したがって、複数のキャビティーを隔離するための部材を別途設ける必要がない。第１キャビティー３１及び第２キャビティー３２は、少ない接合面にて接合されるため隔離性を高くする事ができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
封止部材５０によって封止された第１キャビティー３１及び第２キャビティー３２内の密閉状態は、収容する機能素子の種類に応じて適宜選択される。第１機能素子２００が、例えば振動型ジャイロセンサーである場合、第１キャビティー３１は、減圧状態（より好ましくは真空状態）であることが望ましい。これにより、ジャイロセンサーの振動現象が空気粘性によって減衰することを抑制できる。また、第２機能素子３００が、例えば加速度センサーである場合、第２キャビティー３２は、大気圧状態であって、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス）であることが望ましい。これにより、加速度センサーの慣性質量
と大気圧との間で所望のダンピング（粘性）が発生し、所定の検出感度を有する加速度センサーとすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
図２に示されるように、第２キャビティー３２に連通する第２貫通孔４２が設けられない電子デバイス１０１においては、蓋体２０と基体１０の接合は第２キャビティー３２の第２気圧雰囲気（大気圧雰囲気）で行われる。これにより、第２キャビティー３２を大気圧雰囲気で封止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
貫通孔４０は、底面４４に形成された連通孔４６を介して、キャビティーと連通している。連通孔４６は、底面４４の一部に設けられた第２開口４６ａと、キャビティー側の第３開口４６ｂと、を有している。第３開口４６ｂは、蓋体２０の第２面２４に設けられている。また、第３開口４６ｂは、図４に示すように平面視において、機能素子２００，３００と重なる位置に配置されていない。すなわち、第３開口４６ｂは、機能素子２００，３００の外縁の外側に配置されている。連通孔４６は、第２開口４６ａから第３開口４６ｂに向かうに従って、徐々に断面積（ＸＹ平面における面積）が大きくなる形状を有している。すなわち、第３開口４６ｂの面積は、第２開口４６ａの面積よりも大きい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
これに対し、貫通孔４０が底面４１を備え、底面４１に設けられた連通孔４６によってキャビティーに連通する電子デバイス１０３によれば、貫通孔に配置された封止部材を溶融させてキャビティーを封止する際に、封止部材の一部がキャビティー内に飛散して機能素子に付着することを抑制できる。その結果、電子デバイス１０３は、良好な特性を有することができる。よって、変形例に係る電子デバイス１０３の貫通孔４０を第１及び第２実施形態に係る電子デバイス１００、１０１、１０２の貫通孔４０に適用することで、より信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
なお、図示の例では、駆動用可動電極１１６は、第１振動体１０６において、４つ設けられているが、駆動用支持部１１２をＸ軸に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。また、図示の例では、駆動用固定電極１３０は、駆動用可動電極１１６を介して、対向配置されているが、駆動用支持部１１２をＸ軸に沿って振動させることができれば、駆動用固定電極１３０は、駆動用可動電極１１６の一方側にのみ配置されて
いてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
図８及び図９に示すように、駆動部１１０ａ、１１０ｂが第１振動を行っている状態で、機能素子２００にＺ軸回りの角速度ωが加わると、コリオリの力が働き、検出部１２０は、Ｙ軸に沿って変位する。すなわち、第１駆動部１１０ａに連結された第１検出部１２０ａ、及び第２駆動部１１０ｂに連結された第２検出部１２０ｂは、第１振動及びコリオリ力によって、Ｙ軸に沿って、互いに反対方向に変位する。図８に示す例では、第１検出部１２０ａは、β１方向に変位し、第２検出部１２０ｂは、β１方向と反対方向のβ２方向に変位している。図９に示す例では、第１検出部１２０ａは、β２方向に変位し、第２検出部１２０ｂは、β１方向に変位している。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
可動部２８６は、Ｘ軸方向の加速度の変化に応じて、連結部２８４、２８５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ軸方向又は−Ｘ軸方向）に変位する。このような変位に伴って、可動電極部２８７と固定電極部２８８との間の隙間、及び可動電極部２８７と固定電極部２８９との間の隙間の大きさが変化する。すなわち、このような変位に伴って、可動電極部２８７と固定電極部２８８との間の静電容量、及び可動電極部２８７と固定電極部２８９との間の静電容量の大きさが変化する。これらの静電容量の変化に基づいて、第２機能素子３００は、Ｘ軸方向の加速度を検出することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
可動電極部２８７は、可動部２８６に接続されている。可動電極部２８７は、複数設けられている。可動電極部２８７は、可動部２８６から＋Ｙ軸方向及び−Ｙ軸方向に突出し、櫛歯状をなすようにＸ軸方向に並んでいる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
固定電極部２８８、２８９は、一方の端部が固定端として基体１０の第１面１１に接合され、他方の端部が自由端として可動部２８６側へ延出している。固定電極部２８８、２８９の各々は、複数設けられている。固定電極部２８８は、図示されない配線と電気的に接続され、固定電極部２８９は、図示されない配線と電気的に接続されている。固定電極部２８８、２８９は、櫛歯状をなすようにＸ軸方向に交互に並んでいる。固定電極部２８８、２８９は、可動電極部２８７に対して間隔を隔てて対向して設けられ、可動電極部２８７の一方側（−Ｘ軸方向側）に固定電極部２８８が配置され、他方側（＋Ｘ軸方向側）
に固定電極部２８９が配置されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
また、電子デバイス１００の製造方法によれば、第１気圧雰囲気下の第１封止工程（Ｓ３）の後に、第２気圧雰囲気下の第２封止工程（Ｓ４）が行われる。このとき、第２気圧雰囲気は第１気圧雰囲気より高い気圧下にて封止工程を行う。ここで、仮に、第２気圧雰囲気を第１気圧雰囲気より低くして封止工程を行うと、第１キャビティー３１を封止する基体１０、蓋体２０、隔壁部２５、封止部材５０などに対して、第１キャビティー３１の内側から外側に向かう方向で圧力が加えられてしまう。即ち、第１キャビティー３１が膨張する方向に圧力が働く。これは、基体１０と蓋体２０の接合面、基体１０と隔壁部２５の接合面、蓋体２０と封止部材５０の接合面などにリークパスができる要因となりうる。したがって、第１キャビティー３１の気密性が低下する可能性がある。これに対し、電子デバイス１００の製造方法によれば、第２封止工程（Ｓ４）において、第１封止工程（Ｓ３）で第１キャビティー３１を封止する封止部材５０に対し、第１キャビティー３１の外側から内側に向かう方向で圧力を加えることができる。そのため、第１キャビティー３１を取り囲む基体１０、蓋体２０、封止部材５０の接合信頼性の低下を招くことがない。加えて、第２キャビティー３２を封止する封止部材５０の接合信頼性をより高めることができる。これにより、より信頼性が向上した電子デバイスを提供することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
［第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法］
次に、第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１６は、第２実施形態に係る電子デバイス１０１、１０２の製造工程のフローチャートである。図１６に示すように、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法では、蓋体２０の載置工程（Ｓ２）と同時に第１封止工程（Ｓ３）が行われる点で第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法と異なる。以下の説明では、第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法が第１実施形態に係るデバイスの製造方法と異なる点についてのみ説明する。既に説明した工程については、その詳細な説明を省略する。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
次に、図１６に示すように、蓋体２０の載置工程（Ｓ２）と第１封止工程（Ｓ３）を同時に行う。第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法においては、貫通孔が連通していないキャビティー内に収容される機能素子の適した気圧雰囲気下において、基体１０に蓋体２０が載置することで（Ｓ２）、これにより貫通孔が連通していないキャビティーが封止される（第１封止工程：Ｓ３）。したがって、本実施形態にかかる製造方法においては、貫通孔４０が連通していないキャビティー内の気圧雰囲気下において、基体１０に蓋体２０が載置される。例えば、図２に示される第２キャビティーに連通する第２貫通孔４２が設けられない電子デバイス１０１を製造する場合、蓋体２０と基体１０の接合は第２キ
ャビティー３２の第２気圧雰囲気で行われる。これにより、第２キャビティー３２を第２気圧雰囲気で封止することができる。また、図３に示される第１キャビティーに連通する第１貫通孔４１が設けられない電子デバイス１０２を製造する場合、蓋体２０と基体１０の接合は第１キャビティー３１の第１気圧雰囲気で行われる。これにより、第１キャビティー３１を第１気圧雰囲気で封止することができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４９】
載置工程（Ｓ２）と同時に行われる第１封止工程（Ｓ３）の封止雰囲気は、貫通孔４０が連通していないキャビティー内に収容される機能素子タイプにより適宜選択される。第１キャビティー３１に収容される第１機能素子２００に後述されるジャイロセンサーを採用し、第２キャビティー３２に収容される第２機能素子３００に上記した加速度センサー（静電容量型ＭＥＭＳ加速度センサー素子）を採用した場合、第１キャビティー３１内
の所望の封止雰囲気である第１気圧雰囲気は減圧雰囲気（より好ましくは真空雰囲気）となり、第２キャビティー３２内の所望の封止雰囲気である第２気圧雰囲気は大気圧雰囲気となる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８２】
１０…基体、１１…第１面、１２…第２面、１４…第１凹部、１５…第２凹部、２０…蓋体、２１…第１面、２２…第２面、２３…第１凹部、２４…第２凹部、２５…隔壁部、３０…パッケージ、３１…第１キャビティー、３２…第２キャビティー、４０…貫通孔、４１…第１貫通孔、４２…第２貫通孔、４３…導電層、４４…底面、４５…第１開口、４６…連通孔、４６ａ…第２開口、４６ｂ…第３開口、５０…封止部材、１００、１０１、１０２、１０３…電子デバイス、１０４…振動系構造体、１０６…第１振動体、１０８…第２振動体、１１０…駆動部、１１２…駆動用支持部、１１２ａ…第１延在部、１１２ｂ…第２延在部、１１４…駆動用バネ部、１１６…駆動用可動電極、１１６ａ…突出部、１２０…検出部、１２２…検出用支持部、１２２ａ…第３延在部、１２２ｂ…第４延在部、１２４…検出用バネ部、１２６…検出用可動電極、１３０…駆動用固定電極、１４０…検出用固定電極、１５０…固定部、２００…第１機能素子、２８１、２８２…固定部、２８４…連結部、２８４ａ、２８４ｂ…梁、２８５…連結部、２８５ａ、２８５ｂ…梁、２８６…可動部、２８７…可動電極部、２８８、２８９…固定電極部、３００…第２機能素子、４００…移動体、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチルカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニター、１４４０…パーソナルコンピューター。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013232626.tif 000023