(57)【要約】【課題】半導体装置の検査する際の各種データを一時的に保存しておくためのデバイスを用いることなく、半導体装置の検査を行うことのできる半導体装置検査方法を提供する。【解決手段】測定部１２は、異なる設定条件によって、互いの測定結果データを用いることなく独立した第１の測定結果データ（例えば、第１の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ１と、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ１等。）と、第２の測定結果データ（例えば、第２の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ２と、出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ２等。）とを得る。その後で、制御部１３は、第１の測定結果データと第２の測定結果データとを用いて、予め定められた計算式によって得られた計算結果（ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３）を、その上限値ＴＰ３Ｈ（℃）および下限値ＴＰ３Ｌ（℃）と比較することによって、デバイスの良否判定を行う。【選択図】図１
2013089856.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定部が、半導体ウェハーに形成された半導体装置の複数のチップの特性データを、ｎ（ｎは、２以上の整数とする。）個の設定条件のうちの第ｍ（ｍは、１〜ｎの整数とする。）の設定条件に基づいて測定することによって、第ｍの測定値を得る測定ステップ、
制御部が、前記測定ステップによって得られた前記第ｍの測定値に基づいて良否を判定し、その判定結果および前記第ｍの測定値が書き込まれた第ｍの結果ファイルを前記半導体装置の外部に設けられた記憶部に保存する判定ステップ、
前記測定ステップと前記判定ステップとを、ｎ個の全ての設定条件が終了するまで繰り返す再測定判定ステップと、
前記制御部が、前記記憶部に保存されている前記第１〜第ｎの結果ファイルから前記第１〜第ｎの測定値をそれぞれ読み出し、当該第１〜第ｎの測定値に基づいて良否を判定するための判定計算を行う判定計算ステップ、
前記制御部が、前記判定計算ステップによって計算された計算結果に基づいて良否を判定し、その判定結果が書き込まれた最終結果ファイルを生成し、当該最終結果ファイルを前記記憶部に保存する最終判定ステップ
を有することを特徴とする半導体装置検査方法。
【請求項２】
前記最終判定ステップが行われる時に、
前記制御部が、前記判定計算を行うための判定計算式と、前記判定計算式の計算結果に基づいて良否を判定する際の計算結果の上限値および下限値とが複数組書き込まれているレシピファイルから、任意の判定計算式と当該計算結果の上限値および下限値を少なくとも１組読み出すレシピファイル読出ステップを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置検査方法。
【請求項３】
前記再測定判定ステップによって前記第ｎの測定値が前記第ｎの結果ファイルに書き込む処理が完了した時に、
前記制御部が、ウェハーソートに対する処理内容が書き込まれたトリガーファイルを生成するトリガーファイル生成ステップ、
前記判定計算ステップを行う前に、
前記制御部が、前記トリガーファイルから前記ウェハーソートに対する処理内容を読み込むトリガーファイル読込ステップ
を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置検査方法。
【請求項４】
前記再測定判定ステップによって前記半導体装置の複数のチップの前記特性データが、第ｍの設定条件に基づいて測定される時に、
前記測定部が、前記測定ステップまたは前記再測定判定ステップによって前記特性データが、第（ｍ−１）の設定条件に基づいて測定された半導体装置のチップのうち、前記判定ステップまたは前記再測定判定ステップによって良品と判定された半導体装置のチップの前記特性データを測定することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置検査方法。
【請求項５】
前記再測定判定ステップまでの各ステップが終了した後、
前記制御部が、前記最終結果ファイルから判定結果を読み出し、前記半導体ウェハーに対するインクドマップを作成するインクドマップ作成ステップを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置検査方法。
【請求項６】
コンピュータを、
半導体ウェハーに形成された半導体装置の複数のチップの特性データを、ｎ（ｎは、２以上の整数とする。）個の設定条件のうちの第ｍ（ｍは、１〜ｎの整数とする。）の設定条件に基づいて測定することによって、第ｍの測定値を得る測定手段、
前記測定手段によって得られた前記第ｍの測定値に基づいて良否を判定し、その判定結果および前記第ｍの測定値が書き込まれた第ｍの結果ファイルを前記半導体装置の外部に設けられた記憶部に保存する判定手段、
前記測定手段によって前記第ｍの測定値を得る処理と、前記判定手段によって前記第ｍの測定値に基づいて良否を判定し、前記第ｍの結果ファイルを前記記憶部に保存する処理とを、ｎ個の全ての設定条件が終了するまで繰り返す再測定判定手段と、
前記記憶部に保存されている前記第１〜第ｎの結果ファイルから前記第１〜第ｎの測定値をそれぞれ読み出し、当該第１〜第ｎの測定値に基づいて良否を判定するための判定計算を行う判定計算手段、
前記判定計算手段によって計算された計算結果に基づいて良否を判定し、その判定結果が書き込まれた最終結果ファイルを生成し、当該最終結果ファイルを前記記憶部に保存する最終判定手段
として機能させるための半導体装置検査プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置検査方法および半導体装置検査プログラムに関し、特にウェハーソートで半導体集積回路の良否を検査する半導体装置検査方法および半導体装置検査プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な電子機器に搭載される半導体集積回路であるが、その製造過程のウェハーソートといわれる工程で、ウェハー上のチップが良品であるか、不良品であるかを検査する必要が有る。このような検査工程における半導体装置検査方法として、例えば下記の特許文献１のような各種テストの測定結果データを一時的に保存しておくことのできる不揮発性メモリー（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ；ＥＥＰＲＯＭ）などのデバイスを使用する方法が有る。
【０００３】
図７Ａおよび図７Ｂは、従来技術における半導体装置の検査処理の流れ説明するフローチャートである。
従来技術では、まず、図７Ａに示すように、第１の設定条件によりウェハーソートを実施する。第１の設定条件による各種テストにて、ウェハーの特性データを測定結果データとして得る（ステップＳ１００１）。ここで得られた測定結果データを、第１の測定結果データとして、デバイス上のＥＥＰＲＯＭに保存しておく（ステップＳ１００２）。この段階で、測定結果データと予め定めておいた上限値および下限値と比較して、それぞれのウェハーが良品（ＰＡＳＳ）であるか、または不良品（ＦＡＩＬ）であるかを判定する処理として第１のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行う（ステップＳ１００３）。その測定値データおよびＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の判定結果データが書き込まれた結果ファイルＡを生成する（ステップＳ１００４）。
【０００４】
続いて、第２の設定条件でウェハーソートを実施する。第１の設定条件によるウェハーソートと同様に、第２の設定条件による各種テストにて、ウェハーの特性データを測定結果データとして得る（ステップＳ１００５）。ここで得られた測定結果データを、第２の測定結果データとする。
ここで、デバイス上のＥＥＰＲＯＭに保存されている第１の測定結果データを読み出し（ステップＳ１００６）、第１の測定結果データと第２の測定結果データとを用いて、それぞれのウェハーが良品であるか、または不良品であるかを判定する処理として第２のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行うための判定計算を行う（ステップＳ１００７）。そして、その計算値を予め定めてあった範囲のリミット値（上限値および下限値）と比較して、それぞれのチップが良品であるか、または不良品であるかを判定する処理として第２のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行う（ステップＳ１００８）。その測定値データおよびＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の判定結果データを格納した結果ファイルＢを生成する（ステップＳ１００９）。
【０００５】
最後に、図７Ｂに示すように、インクドマップを作成する。まず、結果ファイルＢから第２のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の判定結果データを読み出す（ステップＳ１０１０）。そして、第２のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の判定結果データからインクドマップを作成し（ステップＳ１０１１）、作成されたインクドマップＩを保存したり、出力したりする（ステップＳ１０１２）。
【０００６】
従来技術における半導体装置の検査処理においては、最初の第１の設定条件でウェハーソートを実施した時に、半導体装置の内部のＥＥＰＲＯＭに必要なデータに保存しておく。そして、第１の設定条件でウェハーソートに続いて、第２の設定条件でウェハーソートを実施する時に、そのＥＥＰＲＯＭデータから第１の測定結果データを読み出して、その第１の測定結果データを各種テストの測定に使用していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】特開平７−１４７３０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記で説明したようなＥＥＰＲＯＭなどのデバイスを使用して半導体装置を検査する方法は、図８に示すように、第１，２の設定条件でウェハーソートを独立して実施するものではなく、第２の設定条件でウェハーソートを実施する際に、第１の設定条件でウェハーソートを実施した時の第１の測定結果データを参酌するものであった。つまり、この半導体装置検査方法は、第１，２の設定条件で独立してウェハーソートを実施したことで得られた結果ファイルＡの第１の測定結果データと、結果ファイルＢの第２の測定結果データとを活用して、半導体装置の検査を行うものではなかった。このため、第１の測定結果データを一時的に存しておくために、半導体装置の内部に設けられたＥＥＰＲＯＭなどのデバイスを使用する必要が有る。従って、ＥＥＰＲＯＭなどのデバイスを使用して半導体装置を検査する方法は、当然ＥＥＰＲＯＭなどを搭載することができないプロセスの場合には用いることができなかった。
【０００９】
また、ＥＥＰＲＯＭなどのデバイスを搭載することができるプロセスの場合であっても、ＥＥＰＲＯＭを搭載することでマスク枚数が増加する。このため、半導体装置を検査するためだけに、ＥＥＰＲＯＭを搭載することは非効率であるとともに、コスト的にも問題が有った。
このため、ＥＥＰＲＯＭなどのデータを保存することのできるデバイスを用いて検査を行うとする場合には、検査以外の目的で予めＥＥＰＲＯＭが搭載されている場合に、それを転用するような形でしか検査を実施することができなかった。但し、このようにＥＥＰＲＯＭを使用することができた場合であっても、ＥＥＰＲＯＭをテストするためのリテンションベークなどの処理で書き込んだデータを保持するのが難しい場合が有った。
【００１０】
そこで、本発明は、上記の課題に鑑み、半導体装置の検査する際の各種データを一時的に保存しておくためのデバイスを用いることなく、半導体装置の検査を行うことのできる半導体装置検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による半導体装置検査方法は、上記の目的を達成するために、次のように構成される。
本発明のある態様による第１の半導体装置検査方法は、測定部が、半導体ウェハーに形成された半導体装置の複数のチップの特性データを、ｎ（ｎは、２以上の整数とする。）個の設定条件のうちの第ｍ（ｍは、１〜ｎの整数とする。）の設定条件に基づいて測定することによって、第ｍの測定値を得る測定ステップ、制御部が、前記測定ステップによって得られた前記第ｍの測定値に基づいて良否を判定し、その判定結果および前記第ｍの測定値が書き込まれた第ｍの結果ファイルを前記半導体装置の外部に設けられた記憶部に保存する判定ステップ、前記測定ステップと前記判定ステップとを、ｎ個の全ての設定条件が終了するまで繰り返す再測定判定ステップと、前記制御部が、前記記憶部に保存されている前記第１〜第ｎの結果ファイルから前記第１〜第ｎの測定値をそれぞれ読み出し、当該第１〜第ｎの測定値に基づいて良否を判定するための判定計算を行う判定計算ステップ、前記制御部が、前記判定計算ステップによって計算された計算結果に基づいて良否を判定し、その判定結果が書き込まれた最終結果ファイルを生成し、当該最終結果ファイルを前記記憶部に保存する最終判定ステップを有することを特徴とする。
【００１２】
上記の第１の半導体装置検査方法によれば、測定ステップおよび再測定判定ステップによって、例えば、低温検査と高温検査とで異なる条件を設定して、互いの検査結果を用いることなく半導体装置の複数のチップについて、複数の独立した検査情報を得る。そして、それらの検査情報を、半導体装置の内部に設けられたＥＥＰＲＯＭなどに保存しておくのではなく、半導体装置の外部に設けられた記憶部に保存しておく。その後、判定計算ステップにおいて、異なる条件を設定して実施した複数の独立した検査情報から特定の検査値を抽出し、予め定めておいた判定計算式で計算した値とその値を良否判定するために定められた上限値または下限値と比較する。最後に、最終判定ステップにより、チップの良否判定を行う。
【００１３】
これにより、低温検査時の設定温度とそのテストで得られた値と、高温検査時の設定温度とそのテストで得られた値を関連付けて計算して、それをテスト選別の新たなパラメータとして使用することができる。このため、各種テストの測定結果データを一時的に保存しておくための半導体装置の内部に設けられたＥＥＰＲＯＭなどのデバイスを用いることなく、半導体装置の検査を行うことが可能となる。
【００１４】
本発明のある態様による第２の半導体装置検査方法は、前記最終判定ステップが行われる時に、前記制御部が、前記判定計算を行うための判定計算式と、前記判定計算式の計算結果に基づいて良否を判定する際の計算結果の上限値および下限値とが複数組書き込まれているレシピファイルから、任意の判定計算式と当該計算結果の上限値および下限値を少なくとも１組読み出すレシピファイル読出ステップを有することを特徴とする。
【００１５】
上記の第２の半導体装置検査方法によれば、レシピファイル読出ステップによって、判定計算を行うための判定計算式と、判定計算式の計算結果に基づいて良否を判定する際の計算結果の上限値および下限値とをレシピファイルから読み出す。なお、レシピファイルには、判定計算式と計算結果の上限値および下限値とが複数組書き込まれている。このため、レシピファイル読出ステップによって任意の判定計算式と計算結果の上限値および下限値を、少なくとも１組読み出す。
【００１６】
例えば、特性値が温度に対してリニアに変化する（特性値が温度に対して一定の特性で変化する）点に着目すれば、２点の測定値を基にして所望の値を求めることができる。これを応用して、判定計算式によりサーマルシャットダウン（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｓｈｕｔｄｏｗｎ  Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ；ＴＳＤ）機能の機能動作温度を求めることができる。
また、その機能動作温度に対する上限値と下限値とを予め決めておけば、上記の判定計算式により得られた機能動作温度として要求される仕様上の温度を中心温度して、その中心温度の範囲を考慮することが可能となる。
【００１７】
本発明のある態様による第３の半導体装置検査方法は、前記再測定判定ステップによって前記第ｎの測定値が前記第ｎの結果ファイルに書き込む処理が完了した時に、前記制御部が、ウェハーソートに対する処理内容が書き込まれたトリガーファイルを生成するトリガーファイル生成ステップ、前記判定計算ステップを行う前に、前記制御部が、前記トリガーファイルから前記ウェハーソートに対する処理内容を読み込むトリガーファイル読込ステップを有することを特徴とする。
【００１８】
上記の第３の半導体装置検査方法によれば、トリガーファイル生成ステップによってトリガーファイルＴを生成しておけば、最終ＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行う際に、各ウェハーソートに対して、具体的にどのように処理を行えば良いかを指定しておくことが可能となる。
本発明のある態様による第４の半導体装置検査方法は、前記再測定判定ステップによって前記半導体装置の複数のチップの前記特性データが、第ｍの設定条件に基づいて測定される時に、前記測定部が、前記測定ステップまたは前記再測定判定ステップによって前記特性データが、第（ｍ−１）の設定条件に基づいて測定された半導体装置のチップのうち、前記判定ステップまたは前記再測定判定ステップによって良品と判定された半導体装置のチップの前記特性データを測定することを特徴とする。
【００１９】
上記の第４の半導体装置検査方法によれば、例えば、第２の設定条件にてウェハーのウェハーソートを実施する際に、その直前の第１の設定条件にてウェハーソートを実施した全てのウェハー（チップ）を検査対象としない。具体的に、第１の設定条件にてウェハーソートを実施したウェハーのうち、良品と判定されたウェハーのみを検査対象とする。
これにより、第１の設定条件にてウェハーソートを実施した全てのウェハー（チップ）を検査対象とする場合よりも、第１の設定条件にてウェハーソートを実施したウェハーのうち、不良品と判定されたウェハーについては検査対象としない方が、検査自体の効率を高めることが可能となる。
【００２０】
本発明のある態様による第５の半導体装置検査方法は、前記再測定判定ステップまでの各ステップが終了した後、前記制御部が、前記最終結果ファイルから判定結果を読み出し、前記半導体ウェハーに対するインクドマップを作成するインクドマップ作成ステップを有することを特徴とする。
上記の第５の半導体装置検査方法によれば、インクドマップ作成ステップによって、インクドマップを作成する際にも、例えば、低温検査時の設定温度とそのテストで得られた値に、高温検査時の設定温度とそのテストで得られた値とを関連付けて計算された、チップの良否を選別する際の新たなパラメータとして使用して作成することが可能となる。
【００２１】
本発明のある態様による半導体装置検査プログラムは、コンピュータを、半導体ウェハーに形成された半導体装置の複数のチップの特性データを、ｎ（ｎは、２以上の整数とする。）個の設定条件のうちの第ｍ（ｍは、１〜ｎの整数とする。）の設定条件に基づいて測定することによって、第ｍの測定値を得る測定手段、前記測定手段によって得られた前記第ｍの測定値に基づいて良否を判定し、その判定結果および前記第ｍの測定値が書き込まれた第ｍの結果ファイルを前記半導体装置の外部に設けられた記憶部に保存する判定手段、前記測定手段によって前記第ｍの測定値を得る処理と、前記判定手段によって前記第ｍの測定値に基づいて良否を判定し、前記第ｍの結果ファイルを前記記憶部に保存する処理とを、ｎ個の全ての設定条件が終了するまで繰り返す再測定判定手段と、前記記憶部に保存されている前記第１〜第ｎの結果ファイルから前記第１〜第ｎの測定値をそれぞれ読み出し、当該第１〜第ｎの測定値に基づいて良否を判定するための判定計算を行う判定計算手段、前記判定計算手段によって計算された計算結果に基づいて良否を判定し、その判定結果が書き込まれた最終結果ファイルを生成し、当該最終結果ファイルを前記記憶部に保存する最終判定手段として機能させるためのプログラムである。
【００２２】
上記の半導体装置検査プログラムによれば、当該プログラムをコンピュータで実行することにより、上記の第１の半導体装置検査方法と同じような作用が得ることができる。これにより、各種テストの測定結果データを一時的に保存しておくためのＥＥＰＲＯＭなどのデバイスを用いることなく、半導体装置の検査を行うことが可能となる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の半導体装置検査方法および半導体装置検査プログラムによれば、各種テストの測定結果データを保存するために、半導体装置の内部に設けられたＥＥＰＲＯＭなどのデバイスを用いることなく、半導体装置の検査を行うことができる。各種テストの測定結果データは、半導体装置の外部に設けられた記憶部に保存しておけば、半導体装置の良否を判定するとき等、測定結果データを必要なときに読み出すことができる。
また、半導体装置の内部に設けられたＥＥＰＲＯＭ等のデバイスを用いることがないため、製造時の効率を高めるとともに、コストを抑えることができる。同時に、ＥＥＰＲＯＭをテストするためのリテンションベークなどの処理を行う必要もない。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施形態に係る半導体装置検査システム１０の構成を示すブロック図である。
【図２】本実施形態に係る半導体装置検査プログラム２０を用いた検査処理の流れを示す模式図である。
【図３】レシピファイルＲに書き込まれている複数の判定計算式や、その計算結果に対する上限値および下限値等を説明するための図である。
【図４】出力電圧ＶＴＰＡＴ（Ｖ）および比較電圧ＶＲＥＦ（Ｖ）の各温度特性と、高温検査時温度ＴＰ１、低温検査時温度ＴＰ２およびＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３とを示すグラフである。
【図５Ａ】半導体装置検査システム１０による検査処理の流れを示すフローチャートである。
【図５Ｂ】半導体装置検査システム１０による検査処理の流れを示すフローチャートである。
【図５Ｃ】半導体装置検査システム１０による検査処理の流れを示すフローチャートである。
【図６】出力電圧ＶＴＰＡＴ（Ｖ）および比較電圧ＶＲＥＦ（Ｖ）の各温度特性と、高温検査時温度ＴＰ１、低温検査時温度ＴＰ２、常温検査時温度ＴＰ２´およびＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３とを示すグラフである。
【図７Ａ】従来技術における半導体装置の検査処理の流れ説明するフローチャートである。
【図７Ｂ】従来技術における半導体装置の検査処理の流れ説明するフローチャートである。
【図８】従来技術における従来技術における半導体装置の検査処理の概念を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に、添付した図面を参照しながら、本発明の半導体装置検査方法および半導体装置検査プログラムの好適な実施の形態を詳細に説明にする。
（本実施形態に係る半導体装置検査システム１０の構成）
まず、図１を参照して、本実施形態に係る半導体装置検査システム１０の構成を説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体装置検査システム１０の構成を示すブロック図である。図１に示す半導体装置検査システム１０は、入力部１１と、測定部１２と、記憶部１３と、制御部１４と、出力部１５とを備えて構成される。
入力部１１は、半導体装置検査システム１０を操作するエンジニアからの測定の指示を制御部１４に与える。また、制御部１４は、その指示に従って、測定部１２に測定の命令を与える。
【００２６】
測定部１２は、半導体装置（集積回路）が形成されたウェハーＷに対してウェハーソートを実施し、各種テストの測定結果を得る。
記憶部１３は、半導体装置の内部に設けられたＥＥＰＲＯＭなどではなく、半導体装置の外部に設けられている。この記憶部１３には、後述する測定値データ等を書き込むための結果ファイルＡ〜Ｃを記憶される。つまり、測定値データ等は、半導体装置の内部に設けられたＥＥＰＲＯＭなどに保存されるのではなく、半導体装置の外部に設けられた記憶部１３に保存される。また、記憶部１３には、これに加えて、トリガーファイルＴやレシピファイルＲ、インクドファイルＩが記憶される。なお、これらのファイル内に書き込まれるデータ等については、この後の説明する処理の流れの中で説明する。
【００２７】
制御部１４は、半導体装置検査プログラム２０がインストールされている。この半導体装置検査プログラム２０は、半導体装置検査システム１０の各部を統括して制御する。そして、半導体装置検査プログラム２０は、測定部１２からの測定値を取り込み、それぞれのチップが良品であるか、または不良品であるかを判定する処理としてＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行うとともに、その測定値データやＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の判定結果データを結果ファイルＡ〜Ｃに格納する。
【００２８】
また、制御部１４は、記憶部１３から結果ファイルＡ，Ｂから測定値データを読み出し、後述する半導体装置検査プログラム２０によって、その測定値データを用いて所定の判定計算を行い、最終ＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行う。そして、制御部１４は、測定値データやＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の判定結果データを、結果ファイル（最終結果ファイル）Ｃに格納する。
出力部１５は、測定値データやＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の判定結果データを出力し、例えば次の工程へ出力したり、表示画面を用いて表示したりする。
【００２９】
（半導体装置検査プログラム２０を用いた検査処理の流れ）
続いて、図２および図３は、本実施形態に係る半導体装置検査プログラム２０を用いた検査処理の流れを説明する。
図２は、本実施形態に係る半導体装置検査プログラム２０を用いた検査処理の流れを示す模式図である。図２に示すように、半導体装置検査プログラム２０は、第２の設定条件によるウェハーソートが終了すると、トリガーファイルＴに書き込まれている各ウェハーソートに対する処理内容を読み込む。その後、半導体装置検査プログラム２０は、レシピファイルＲから、この後具体的に説明する判定計算式（チップが良品か、不良品かを判定するためのＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理で用いる計算式）や、その計算結果に対する上限値および下限値（チップが良品である判定することのできる範囲のリミット値）などを読み込み、結果ファイルＡ，Ｂからそれぞれの結果の値を読み込み、後述するようなＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行うために必要な判定計算を行う。
【００３０】
また、図３は、レシピファイルＲに書き込まれている複数の判定計算式や、その計算結果に対する上限値および下限値等を説明するための図である。図３に示すように、レシピファイルＲには、複数の判定計算式や、その計算結果に対する複数の上限値および下限値などを書き込んでおくことができる。
そして、半導体装置検査プログラム２０は、図３に示したように、レシピファイルＲに書き込まれている複数組の判定計算式や、その計算結果に対する上限値および下限値等から、検査内容に合わせて、任意の計算式や上限値および下限値を読み出すことができる。また、レシピファイルＲから一度に読み出すことのできる計算式や上限値および下限値は１組に限らず、必要に応じて複数組の計算式や上限値および下限値を読み出すこともできる。
【００３１】
そして、半導体装置検査プログラム２０は、その計算結果と上限値および下限値を比較することによって、ＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定を行い、その測定値データとＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の判定結果データを書き込んだ結果ファイルＣを生成する。
この半導体装置検査プログラム２０は、常に常駐しているプログラムであり、第２の設定条件によるウェハーソートが終了した時にトリガーファイルＴが生成されたことを確認すると、第１および第２の測定結果データを読み込むとともに、判定計算式や上限値および下限値とする値を指示したレシピファイルＲを読み込む。そして、半導体装置検査プログラム２０は、ＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行うために必要な判定計算を行って、測定結果を生成する。
【００３２】
（半導体装置検査プログラム２０によるＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理）
続いて、図４は、本実施形態に係る半導体装置検査プログラム２０によるＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の一判定例を説明する。
図４は、出力電圧ＶＴＰＡＴ（Ｖ）および比較電圧ＶＲＥＦ（Ｖ）の各温度特性と、高温検査時温度ＴＰ１、低温検査時温度ＴＰ２およびＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３とを示すグラフである。
デバイスの保護機能として、デバイスの温度が予め決められた温度になったら、制御部から各部に命令を出力して、システムをシャットダウンするＴＳＤ機能がある。一般的に、このＴＳＤ機能を有するデバイスをテストする場合には、通常のウェハーソートでは、温度は一定のまま実施されるため、ウェハーソート中に温度を変更することが難しい。そのため、温度を変えつつデータを測定して、サーマルシャットダウンが起こる温度を測定するということができない。
【００３３】
また、実際にサーマルシャットダウンが起こる温度は、ウェハーソートで実現することができる温度よりも高い場合も有る。従って、図４に示すように、例えば、特性値が温度に対してリニアに変化する（特性値が温度に対して一定の特性で変化する）点に着目すれば、２点の測定値を基にして所望の値を求めることができる。
ここでいうＴＳＤ機能とは、具体的に言うと、検査時、温度特性を持つ出力電圧ＶＴＰＡＴ（Ｖ）が、基準となる電圧である比較電圧ＶＲＥＦ（Ｖ）を超えた時に、過熱保護を行うものである。
【００３４】
図４に示すように、任意の温度である高温検査時温度ＴＰ１（例えば、１０５℃とする。）での検査における比較電圧ＶＲＥＦ（Ｖ）の測定値をＶＲ１とし、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴ（Ｖ）の測定値をＶＰ１とする。また、高温検査時温度ＴＰ１よりも低温である低温検査時温度ＴＰ２（例えば、−４０℃とする。）での検査における比較電圧ＶＲＥＦ（Ｖ）の測定値をＶＲ２とし、出力電圧ＶＰＴＡＴ（Ｖ）の測定値をＶＰ２とする。なお、図４に示すように、比較電圧ＶＲＥＦ（Ｖ）は一定である。このため、比較電圧ＶＲＥＦ（Ｖ）の測定値ＶＲ１と比較電圧ＶＲＥＦ（Ｖ）の測定値ＶＲ２との関係は、ＶＲ１＝ＶＲ２である。
【００３５】
出力電圧ＶＴＰＡＴ（Ｖ）の温度特性と比較電圧ＶＲＥＦ（Ｖ）の温度特性とがいずれも直線である場合には、それら２つの直線の交点Ｘで表されるＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３が、ＴＳＤ機能の命令を出力する温度である。上述したように、ＶＲ１＝ＶＲ２であるため、このＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３の値を、
ＴＰ３＝（（ＴＰ１−ＴＰ２）×ＶＲ１−ＴＰ２×ＶＰ１−ＴＰ１×ＶＰ２）／（ＶＰ１−ＶＰ２）  ……式（１）
のように表すことができる。
【００３６】
本実施形態の説明においては、図４のグラフからわかるように、上記の式（１）で表されたＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３は、１３０℃である。但し、ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３は、ＴＳＤ機能動作温度として要求される仕様上の１３０℃を中心温度して、その中心温度の±２０℃の範囲に入れば良い。つまり、ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３の下限値ＴＰ３Ｌ（℃）は１１０℃になり、ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３の上限値ＴＰ３Ｈ（℃）は１５０℃になる。従って、チップが良品であると判定するためのＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３の範囲を、
１１０≦ＴＰ３≦１５０  ……式（２）
のように表すことができる。
【００３７】
ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３が、上記の式（２）で表された範囲内に有る場合には、チップが良品であると判定とすることができる。一方で、ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３が、その範囲内に無い場合には、チップが不良品であると判定とすることができる。
なお、図３に示したように、制御部１４の半導体装置検査プログラム２０は、レシピファイルＲに書き込まれている複数の判定計算式や、その計算結果に対する上限値および下限値等の中から、検査内容に合わせて、任意の計算式や上限値および下限値を読み出すことができる。このため、上記の式（１）で表すことのできる計算式や、式（２）で表すことのできる計算結果に対する上限値および下限値等については、これらに限定されない。
【００３８】
また、必要に応じて複数組の計算式や上限値および下限値を読み出すこともできる。これにより、複数の計算式や、その計算結果に対する上限値および下限値を用いて、チップが良品であるか、不良品であるかを判定することもできる。
また、上記の式（１）で示した判定計算式については、図４を参照してわかるように、出力電圧ＶＴＰＡＴ（Ｖ）の温度特性と比較電圧ＶＲＥＦ（Ｖ）の温度特性に勾配を有している。しかしながら、判定計算式は、温度特性に勾配を有しているものに限定されない。判定計算式は、各設定条件における各測定値を基にして所望の値を求めることで、ＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行えるものであれば良い。
【００３９】
（半導体装置検査システム１０による検査処理の流れ）
続いて、図５Ａ〜図５Ｃを参照して、半導体装置検査システム１０による検査処理の流れを説明する。
図５Ａ〜図５Ｃは、半導体装置検査システム１０による検査処理の流れを示すフローチャートである。
まず、図５Ａに示すように、はじめに、入力部１１から制御部１４に対して、検査を開始するための指示が与えられる。
すると、測定部１２が、第１の設定条件（高温検査時温度ＴＰ１＝１０５℃）にてウェハーソートを実施して、半導体装置の複数のチップの特性データを測定する。これにより、測定部１２は、各種テストの測定結果を得る。なお、特性データを測定するチップについては、全部のチップであっても良いし、予め事前に決めておいた検査が不要なチップを除いた検査が必要なチップだけであっても良い。
【００４０】
具体的に、測定部１２は、この第１の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ１と、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ１を得る（ステップＳ１０１）。なお、ここで得られた測定結果データを、第１の測定結果データとする。この第１の測定結果データとは、あるウェハー上のチップに対するテスト実施結果の測定データではなく、複数のウェハー上のチップに対する複数個のテスト実施結果の測定値データ郡である。なお、ここでは、比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ１と、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ１とを第１の測定結果データのパラメータとしているが、これらのパラメータは第１の測定結果データのパラメータの一例である。このため、パラメータは、測定値ＶＲ１，ＶＰ１に限らず、この他のパラメータであっても良い。
【００４１】
背景技術で説明した従来の半導体装置検査方法においては、この段階で、第１の測定データをＥＥＰＲＯＭ等のデバイスに保存していたが、本実施形態における半導体装置検査方法においては、測定データをＥＥＰＲＯＭ等のデバイスに保存しない。
制御部１４は、この各測定値ＶＲ１，ＶＰ１を、予め定めてあった上限値および下限値と比較して、それぞれのチップの第１のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行う（ステップＳ１０２）。各測定値ＶＲ１，ＶＰ１が、上限値および下限値の範囲内に有る場合には、第１のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の上ではチップを良品として判定とすることができる。一方で、各測定値ＶＲ１，ＶＰ１が、その範囲内に無い場合には、第１のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の上ではチップを不良品として判定とすることができる。
【００４２】
制御部１４は、その測定値データと第１のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の判定結果データを格納した結果ファイルＡを生成し、その結果ファイルＡを記憶部１３に保存する（ステップＳ１０３）。上述したように、記憶部１３は、半導体装置の内部に設けられたＥＥＰＲＯＭなどではなく、半導体装置の外部に設けられている。従って、結果ファイルＡは、半導体装置の内部に設けられたＥＥＰＲＯＭなどに保存されることがない。
【００４３】
続いて、測定部１２が、第２の設定条件（低温検査時温度ＴＰ２＝−４０℃）にてウェハーソートを実施して、半導体装置の複数のチップの特性データを測定する。これにより、測定部１２は、各種テストの測定結果データを得る。具体的に、測定部１２は、この第２の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ２と、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ２を得る（ステップＳ１０４）。なお、ここで得られた測定結果データを、第２の測定結果データとする。この第２の測定結果データについても、第１の測定結果データと同様に、複数のウェハー上のチップに対する複数個のテスト実施結果の測定値データ郡である。なお、ここでは、比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ２と、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ２とを第２の測定結果データのパラメータとしているが、これらのパラメータは第２の測定結果データのパラメータの一例である。このため、パラメータは、測定値ＶＲ２，ＶＰ２に限らず、この他のパラメータであっても良い。
【００４４】
また、第２の設定条件にてウェハー（チップ）Ｗ２のウェハーソートを実施する際に、第１の設定条件にてウェハーソートを実施した全てのウェハー（チップ）Ｗ１を検査対象とするケースも有るが、通常では検査自体の効率を高めるため、第１の設定条件にてウェハーソートを実施したウェハーＷ１のうち、不良品と判定されたウェハーについては検査対象としない。つまり、ウェハーＷ２は、第１の設定条件にてウェハーソートを実施して、良品と判定されたものである。
【００４５】
制御部１４は、この各測定値ＶＲ２，ＶＰ２を、予め定めておいたその上限値および下限値と比較して、それぞれのチップの第２のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行う（ステップＳ１０５）。各測定値ＶＲ２，ＶＰ２が、上限値および下限値の範囲内に有る場合には、第２のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の上ではチップを良品として判定とすることができる。一方で、各測定値ＶＲ２，ＶＰ２が、その範囲内に無い場合には、第２のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の上ではチップを不良品として判定とすることができる。
【００４６】
制御部１４は、その測定値データとＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の判定結果データを格納した結果ファイルＢを生成して、その結果ファイルＢを記憶部１３に保存する（ステップＳ１０６）。結果ファイルＢについても、結果ファイルＡと同様に、半導体装置の内部に設けられたＥＥＰＲＯＭなどに保存されることがない。
そして、第１の設定条件によるウェハーソートの検査と、第２の設定条件によるウェハーソートの検査との両方の検査が終了すると、制御部１４は、データがそれぞれ格納された旨を知らせるトリガーファイルＴを生成される（ステップＳ１０７）。例えば、結果ファイルＢに第２の測定結果データ等を書き込む処理が完了した時に、トリガーファイルＴを生成すれば良い。
【００４７】
続いて、結果ファイルＡ，Ｂに書き込まれている測定結果データを用いた計算による最終ＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を開始する。
背景技術で説明した従来の半導体装置検査方法においては、第２のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の段階で、ＥＥＰＲＯＭ等のデバイスに保存しておいて第１の測定データと第２の測定データとからチップの第２のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理が終了し、全ての処理が終了していた。しかしながら、本実施形態における半導体装置検査方法においては、第１の測定データをＥＥＰＲＯＭ等のデバイスに保存しておかず、第２の設定条件にてウェハーソートを実施する時に、第１の測定データを用いてチップの第２のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行わない。その代わりに、この最終ＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理において、第１の測定データと第２の測定データとからチップの第２のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行う。この処理が、制御部１４にて動作する半導体装置検査プログラム２０の主要な機能である。
【００４８】
図５Ｂに示すように、まず、半導体装置検査プログラム２０が、トリガーファイルＴの存在を確認して、トリガーファイルＴに書き込まれている各ウェハーソートに対する処理内容を読み込む（ステップＳ１０８）。第２のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理が終わった段階でトリガーファイルＴを生成しておけば、最終ＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行う際に、各ウェハーソートに対して、具体的にどのように処理を行えば良いかを指定しておくことができる。
【００４９】
また、記憶部１３には、予めレシピファイルＲを保存しておく。このレシピファイルＲには、上記の式（１）で示されたこのＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３の値は、第１の測定結果データおよび第２の測定結果データを用いてＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３を得るための上記の式（１）の判定計算式を書き込んでおく必要が有る。さらに、レシピファイルＲには、その計算結果、つまりＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３の上限値ＴＰ３Ｈ（℃）として１５０℃と、ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３の下限値ＴＰ３Ｌ（℃）として１１０℃とを予め書き込んでおく。
【００５０】
制御部１４は、記憶部１３に保存されているレシピファイルＲから、上記の式（１）の判定計算式と、その計算結果に対する上限値ＴＰ３Ｈ（℃）および下限値ＴＰ３Ｌ（℃）などを読み出す（ステップＳ１０９）。
続いて、図５Ｃに示すように、制御部１４は、半導体装置の外部に設けられている記憶部１３に保存されている結果ファイルＡから、第１の測定結果データを読み出す（ステップＳ１１０）。制御部１４は、第１の測定結果データのパラメータの一つとして、例えば、第１の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ１と、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ１とを読み出す。上述した通り、第１の測定結果データのパラメータは、測定値ＶＲ１，ＶＰ１に限らず、この他のパラメータであっても良い。
【００５１】
さらに、制御部１４は、記憶部１３に保存されている結果ファイルＢから、第２の測定結果データを読み出す（ステップＳ１１１）。制御部１４は、第２の測定結果データのパラメータの一つとして、例えば、第２の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ２と、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ２とを読み出す。上述した通り、第１の測定結果データのパラメータについても、測定値ＶＲ２，ＶＰ２に限らず、この他のパラメータであっても良い。
【００５２】
そして、制御部１４は、ステップＳ１１０，Ｓ１１１で読み出した各測定値を用いて、レシピファイルＲに書き込まれている判定計算式による判定計算を行う（ステップＳ１１２）。ここでは、具体的な判定計算式として、上記（１）の判定計算式を用いて判定計算を行うものとして説明する。勿論、判定計算式は、上述した式（１）に限定されるものではなく、上記で説明したように、レシピファイルＲに書き込まれている複数の判定計算式の中の任意の判定計算式を用いることができる。
【００５３】
そして、制御部１４は、判定計算を行った後、その計算結果（ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３＝１３０℃）とＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３の下限値ＴＰ３Ｌ（１１０℃）とを比較するとともに、計算結果（ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３）とＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３の上限値ＴＰ３Ｈ（１５０℃）とを比較することによって、ＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行う（ステップＳ１１３）。
【００５４】
ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３が、上記の式（２）で表された範囲内に有る場合には、チップを良品として判定とすることができる。一方で、ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３が、その範囲内に無い場合には、チップを不良品として判定とすることができる。その測定値データと最終ＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の判定結果データを格納した結果ファイルＣを生成し、その結果ファイルＣを記憶部１３に保存する（ステップＳ１１４）。この結果ファイルＣについても、結果ファイルＡ，Ｂと同様に、半導体装置の内部に設けられたＥＥＰＲＯＭなどに保存されることがない。
【００５５】
最後に、図５Ｃに示すように、インクドマップＩを作成する。
まず、半導体装置検査プログラム２０は、記憶部１３に保存されている結果ファイルＣからデータを読み出す（ステップＳ１１５）。そして、半導体装置検査プログラム２０は、最終ＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の判定結果データからインクドマップＩを作成し（ステップＳ１１６）、その作成したインクドマップＩを記憶部１３に保存する（ステップＳ１１７）。
【００５６】
上記で説明したように、本実施形態に係る半導体装置検査方法においては、上記の各設定条件によるウェハーソート、判定計算による判定、およびインクドマップの作成を、一連の検査処理の流れの中で実現できるようになっている。このため、本実施形態に係る半導体装置検査方法においては、ウェハーを管理・製造するエンジニアが検査を開始する初期段階で一度設定を行っておけば良い。そして、半導体装置検査方法に用いる半導体装置検査プログラムが、通常のテスタのみによるウェハーソートと実質同じ要領で、ウェハーソートの一連の検査処理の全ての自動的に行うようになっている。
【００５７】
（変形例）
なお、本実施形態では、例えば、第１の設定条件として高温検査時温度ＴＰ１を１０５℃とし、第２の設定条件として低温検査時温度ＴＰ２を−４０℃として説明したが、説明中の各設定や測定値については、説明上の一例に過ぎない。これらの各値は、例えばウェハーの検査内容等に応じて異なるものである。
また、本実施形態において、温度の設定条件は、高温検査時温度ＴＰ１と低温検査時温度ＴＰ２との２つであったが、これに限定されない。その一例として、温度の設定条件に常温（室温）検査時温度を追加して、温度の設定条件を３つにしても良い。
【００５８】
図６は、出力電圧ＶＴＰＡＴ（Ｖ）および比較電圧ＶＲＥＦ（Ｖ）の各温度特性と、高温検査時温度ＴＰ１、低温検査時温度ＴＰ２、常温検査時温度ＴＰ２´およびＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３とを示すグラフである。
図６に示すように、常温検査時温度ＴＰ２´（例えば、検査室の室温の２５℃とする。）での検査における比較電圧ＶＲＥＦ（Ｖ）の測定値をＶＲ２´とし、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴ（Ｖ）の測定値をＶＰ２´とする。このとき、半導体装置検査プログラム２０の変形例に係る半導体装置検査プログラムによるＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理の流れは、温度の設定条件が２つであった場合と変わらない。但し、温度の設定条件に常温検査時温度ＴＰ２´が追加されている。このため、上記の式（１）で示した判定計算式とは別の判定計算式や上下限値等を用いて、同様に半導体装置検査プログラム２０によるＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行う。
【００５９】
また、上記で説明した判定計算式についても一例である。上記で既に説明したが、上記の式（１）で示した判定計算式については、図４や図６を参照してわかるように、出力電圧ＶＴＰＡＴ（Ｖ）の温度特性に勾配を有する場合の判定式であった。しかしながら、判定計算式は、温度特性に勾配を有しているものに限定されず、各設定条件における各測定値を基にして所望の値を求めることで、ＰＡＳＳ／ＦＡＩＬ判定処理を行えるものであれば良い。また、上述した通り、レシピファイルＲに書き込まむことのできる判定計算式や、その計算結果に対する上限値および下限値等の数、検査内容に合わせて読み出される任意の計算式や上限値および下限値の数にあっても１組に限定されず、複数組でも良い。
さらには、本実施形態の説明では、異なる測定条件が異なる設定温度であったが、温度以外のものを測定条件としたり、温度以外のものが測定条件に含まれていたりしても良い。
【００６０】
（実施形態に係る検査システム１０のまとめ）
本実施形態に係る半導体装置検査方法においては、ウェハーソートの検査工程において、異なる条件を設定して、互いの検査結果を用いることなく複数の独立した検査情報を得る。そして、それらの検査情報を、半導体装置の内部に設けられたＥＥＰＲＯＭなどに保存しておくのではなく、半導体装置の外部に設けられた記憶部に保存しておく。その後で、ウェハーソートの検査工程において、異なる条件を設定して実施した複数の独立した検査情報から特定の検査値を抽出し、予め定めておいた判定計算式で計算した値とその値を良否判定するために定められた上限値または下限値と比較することにより良否判定を行う。
【００６１】
これにより、例えば従来では難しかった温度係数を持つパラメータを評価対象にしたい場合に、低温検査時の設定温度とそのテストで得られた値に、高温検査時の設定温度とそのテストで得られた値とを関連付けて計算して、それを良品と不良品とを選別する際の新たなパラメータとして使用することができる。このため、本実施形態に係る半導体装置検査方法においては、各種テストの測定結果データを一時的に保存しておくために、半導体装置の外部に設けられたＥＥＰＲＯＭなどのデバイスを用いずに、半導体装置の検査を行うことができる。
また、インクドマップＩを作成する際にも、低温検査時の設定温度とそのテストで得られた値に、高温検査時の設定温度とそのテストで得られた値とを関連付けて計算して、それを良品と不良品とを選別する際の新たなパラメータとして使用して作成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明の半導体装置検査方法は、半導体装置検査システム等にインストールされた半導体装置検査プログラムを実行することによって、半導体装置の検査する際の各種データを保存するためのデバイスを用いずに半導体装置の検査を行うことのできる半導体装置検査方法として、各種の半導体装置の検査を行う際に利用することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１０……半導体装置検査システム
１１……入力部
１２……測定部
１３……記憶部
１４……制御部
１５……出力部
２０……半導体装置検査プログラム
Ａ〜Ｃ……結果ファイル
Ｔ……トリガーファイル
Ｒ……レシピファイル
Ｉ……インクドマップ
【図１】
2013089856.tif 000003
【図２】
2013089856.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
2013089856.tif 000009
【図６】
2013089856.tif 000010
【図７Ａ】
2013089856.tif 000011
【図７Ｂ】
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【図８】
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