(57)【要約】【課題】成膜チャンバ内で、プラズマＣＶＤ膜を均質に形成することができ、成膜物質によるプレートの汚染を、成膜チャンバ内で行い、清掃処理を簡略化及び迅速化することができるインライン型プラズマＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】インライン型プラズマＣＶＤ装置の成膜チャンバ３内に、平面視で成膜チャンバ３の中央に配置された電極１０とヒータ７との間に、プレート１１上に載置された基板１２を位置させる。支持部材８によりヒータ７を上昇させて、プレート１１を対向電極に接触させて接続し、電極１０の細孔１０ｂから原料ガスを噴出させ、電極１０とプレート１１との間に放電を生起して、基板１２上に所定の膜を成膜する。このとき、成膜チャンバ３の底壁に、その中心の回りの４等配の位置に設けた排気口３０から排気ガスを排出する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部の大気開放及び真空吸引が可能なロードチャンバ及びアンロードチャンバと、内部の装入物を真空状態で加熱する予備加熱チャンバと、内部の装入物に対し真空状態でプラズマＣＶＤにより成膜する成膜チャンバと、を有し、
複数個の基板を載置したプレートが、前記ロードチャンバで真空雰囲気にされた後、この真空状態を保持したまま、前記予備加熱チャンバに装入されて前記プレート上の基板が加熱され、次いで、真空状態を保持したまま、前記成膜チャンバに装入されて前記プレート上の基板にプラズマＣＶＤにより成膜され、前記アンロードチャンバで真空状態から大気に開放されて、前記プレート上の成膜後の基板が取り出されるインライン型プラズマＣＶＤ装置において、
前記成膜チャンバ内の平面視で中央部に設定された放電位置に放電対象物を供給する供給部と、
前記成膜チャンバ内における前記放電位置の上方に配置された電極と、
前記成膜チャンバ内における前記放電位置の下方に配置されたヒータと、
前記成膜チャンバ内の上面における前記放電位置の直上の位置から前記成膜チャンバ内に原料ガス又は清掃ガスを導入する導入部材と、
前記電極と前記放電対象物との間にプラズマ放電電圧を印加してプラズマ放電を生起させる電源と、
前記成膜チャンバの下面における前記放電位置の直下の位置を中心とする等配の複数の位置に設置された複数個のガス排気口と、
を有することを特徴とするインライン型プラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記放電対象物を前記成膜チャンバ内で上下動させる駆動部材を有することを特徴とする請求項１に記載のインライン型プラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
内部の大気開放及び真空吸引が可能なロードチャンバ及びアンロードチャンバと、内部の装入物を真空状態で加熱する予備加熱チャンバと、内部の装入物に対し真空状態でプラズマＣＶＤにより成膜する成膜チャンバと、を有し、
複数個の基板を載置したプレートが、前記ロードチャンバで真空雰囲気にされた後、この真空状態を保持したまま、前記予備加熱チャンバに装入されて前記プレート上の基板が加熱され、次いで、真空状態を保持したまま、前記成膜チャンバに装入されて前記プレート上の基板にプラズマＣＶＤにより成膜され、前記アンロードチャンバで真空状態から大気に開放されて、前記プレート上の成膜後の基板が取り出されるインライン型プラズマＣＶＤ装置において、
前記成膜チャンバ内の放電位置に放電対象物を供給する供給部と、
前記成膜チャンバ内における前記放電位置の上方に配置された電極と、
前記成膜チャンバ内における前記放電位置の下方に配置されたヒータと、
前記放電対象物を前記成膜チャンバで上下動させる駆動部材と、
前記成膜チャンバ内に原料ガス又は清掃ガスを導入する導入部材と、
前記電極と前記放電対象物との間にプラズマ放電電圧を印加してプラズマ放電を生起させる電源と、
を有することを特徴とするインライン型プラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記放電対象物は、前記成膜チャンバ内で載置部に載置されており、前記駆動部材は、前記ヒータを上昇させて前記放電対象物に当接させ、更にヒータを上昇させることにより、前記放電対象物を持ち上げてこれを上昇させ、前記ヒータを下降させることにより、前記放電対象物を前記載置部上に下降させることを特徴とする請求項２又は３に記載のインライン型プラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記駆動部材は、成膜チャンバの下壁を気密的に挿通する支持部材を有し、この支持部材の上端部で前記ヒータが支持されており、この支持部材を上下動することにより、前記ヒータを上下動させることを特徴とする請求項４に記載のインライン型プラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記成膜チャンバは、２基が直列に配置されており、各成膜チャンバにて異なる種類の膜が成膜されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインライン型プラズマＣＶＤ装置。
【請求項７】
前記請求項２乃至５のいずれか１項に記載のインライン型プラズマＣＶＤ装置を使用し、
前記成膜チャンバ内に、放電対象物として、基板が載置されたプレートを供給した場合は、前記原料ガスと前記プラズマ放電により前記基板上に成膜し、
放電対象物として、放電処理後のプレートを供給した場合は、前記清掃ガスと前記プラズマ放電により前記プレート上の堆積物を除去し、
前記プレート上の堆積物を除去する場合は、前記基板上に成膜する場合よりも、前記駆動部材により前記プレートを上昇させて前記プレートを前記電極に近づけることを特徴とするインライン型プラズマＣＶＤ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プレート上の多数の基板をプレートと共にロードチャンバに装入し、真空引きした後、予備加熱チャンバ、成膜チャンバ及びアンロードチャンバに順次移動させ、アンロードチャンバで大気雰囲気にした後、成膜後の基板を回収するインライン型プラズマＣＶＤ装置に関し、成膜に使用したプレートをガスクリーニングすることができるインライン型プラズマＣＶＤ装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマＣＶＤ（化学気相成長）装置は、Ｓｉ基板上にシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）を形成して太陽電池用セルを製造する際、及びＳｉ基板上に種々の半導体層を形成して半導体装置を製造する際等において、多用されている。このプラズマＣＶＤ装置は、真空中において、プレート上に載置された基板を例えば５００℃に加熱した状態で、基板雰囲気に原料ガスを供給すると共に、電極と基板との間にプラズマ放電を生起して、前記原料ガスを電離した後、所定の成分を基板上に堆積させることにより、所望の膜を成膜する。このプラズマＣＶＤ装置として、基板が載置されたプレートを、大気中からロードチャンバ内に装入し、このロードチャンバ内を真空吸引することにより、基板を真空雰囲気下にし、その後、真空を破ることなく、基板を、予備加熱チャンバから成膜チャンバに移動させ、成膜後の基板をアンロードチャンバに移してこのアンロードチャンバ内を大気下にすることにより、成膜後の基板を取り出すインライン型のプラズマＣＶＤ装置が提案されている（特許文献１）。このように、真空を破ることなく、基板の加熱と成膜とを一連の工程で実施できるので、インライン型のプラズマＣＶＤ装置は、スループットが高いという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１５９４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のインライン型プラズマＣＶＤ装置は、プレート上に載置された多数の基板に均質にプラズマＣＶＤ膜を形成することが困難であるという問題点がある、また、プラズマＣＶＤにより成膜チャンバ内が成膜物質で汚染された場合に、成膜チャンバの内面及びプレートを湿式洗浄により清掃しており、この清掃処理に時間がかかるという問題点がある。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、成膜チャンバ内で、プラズマＣＶＤ膜を均質に形成することができるインライン型プラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とする。更に、本発明は、成膜物質によるプレートの汚染を、成膜チャンバ内で行い、清掃処理を簡略化及び迅速化することができるインライン型プラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願第１発明に係るインライン型プラズマＣＶＤ装置は、内部の大気開放及び真空吸引が可能なロードチャンバ及びアンロードチャンバと、内部の装入物を真空状態で加熱する予備加熱チャンバと、内部の装入物に対し真空状態でプラズマＣＶＤにより成膜する成膜チャンバと、を有し、
複数個の基板を載置したプレートが、前記ロードチャンバで真空雰囲気にされた後、この真空状態を保持したまま、前記予備加熱チャンバに装入されて前記プレート上の基板が加熱され、次いで、真空状態を保持したまま、前記成膜チャンバに装入されて前記プレート上の基板にプラズマＣＶＤにより成膜され、前記アンロードチャンバで真空状態から大気に開放されて、前記プレート上の成膜後の基板が取り出されるインライン型プラズマＣＶＤ装置において、
前記成膜チャンバ内の平面視で中央部に設定された放電位置に放電対象物を供給する供給部と、
前記成膜チャンバ内における前記放電位置の上方に配置された電極と、
前記成膜チャンバ内における前記放電位置の下方に配置されたヒータと、
前記成膜チャンバ内の上面における前記放電位置の直上の位置から前記成膜チャンバ内に原料ガス又は清掃ガスを導入する導入部材と、
前記電極と前記放電対象物との間にプラズマ放電電圧を印加してプラズマ放電を生起させる電源と、
前記成膜チャンバの下面における前記放電位置の直下の位置を中心とする等配の複数の位置に設置された複数個のガス排気口と、
を有することを特徴とする。
【０００７】
本発明において、前記放電対象物を前記成膜チャンバ内で上下動させる駆動部材を有することが好ましい。
【０００８】
本願第２発明に係るインライン型プラズマＣＶＤ装置は、
内部の大気開放及び真空吸引が可能なロードチャンバ及びアンロードチャンバと、内部の装入物を真空状態で加熱する予備加熱チャンバと、内部の装入物に対し真空状態でプラズマＣＶＤにより成膜する成膜チャンバと、を有し、
複数個の基板を載置したプレートが、前記ロードチャンバで真空雰囲気にされた後、この真空状態を保持したまま、前記予備加熱チャンバに装入されて前記プレート上の基板が加熱され、次いで、真空状態を保持したまま、前記成膜チャンバに装入されて前記プレート上の基板にプラズマＣＶＤにより成膜され、前記アンロードチャンバで真空状態から大気に開放されて、前記プレート上の成膜後の基板が取り出されるインライン型プラズマＣＶＤ装置において、
前記成膜チャンバ内の放電位置に放電対象物を供給する供給部と、
前記成膜チャンバ内における前記放電位置の上方に配置された電極と、
前記成膜チャンバ内における前記放電位置の下方に配置されたヒータと、
前記放電対象物を前記成膜チャンバで上下動させる駆動部材と、
前記成膜チャンバ内に原料ガス又は清掃ガスを導入する導入部材と、
前記電極と前記放電対象物との間にプラズマ放電電圧を印加してプラズマ放電を生起させる電源と、
を有することを特徴とする。
【０００９】
前記放電対象物は、前記成膜チャンバ内で載置部に載置されており、前記駆動部材は、前記ヒータを上昇させて前記放電対象物に当接させ、更にヒータを上昇させることにより、前記放電対象物を持ち上げてこれを上昇させ、前記ヒータを下降させることにより、前記放電対象物を前記載置部上に下降させるように構成することができる。この場合に、前記駆動部材は、成膜チャンバの下壁を気密的に挿通する支持部材を有し、この支持部材の上端部で前記ヒータが支持されており、この支持部材を上下動することにより、前記ヒータを上下動させるように構成することができる。
【００１０】
また、前記成膜チャンバは、２基が直列に配置されており、各成膜チャンバにて異なる種類の膜が成膜されるように構成することができる。
【００１１】
本発明に係るインライン型プラズマＣＶＤ方法は、
上述のいずれかのインライン型プラズマＣＶＤ装置を使用し、
前記成膜チャンバ内に、放電対象物として、基板が載置されたプレートを供給した場合は、前記原料ガスと前記プラズマ放電により前記基板上に成膜し、
放電対象物として、放電処理後のプレートを供給した場合は、前記清掃ガスと前記プラズマ放電により前記プレート上の堆積物を除去し、
前記プレート上の堆積物を除去する場合は、前記基板上に成膜する場合よりも、前記駆動部材により前記プレートを上昇させて前記プレートを前記電極に近づけることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本願第１発明によれば、プラズマＣＶＤにより、プレート上の基板に成膜する成膜チャンバ内において、基板を載置したプレート（放電対象物）を成膜チャンバ内の平面視で中央部に設定された放電位置に設置し、この放電位置の直上の位置から成膜チャンバ内に原料ガスを導入し、成膜チャンバ内のガスを前記放電位置の直下の位置を中心とする等配の複数の位置に設置された複数個のガス排気口から排気する。このため、成膜チャンバ内で原料ガスの流れが均一化され、電極に通電して放電を生起したときは、プレート上の基板に均一に成膜することができる。
【００１３】
また、本願第２発明においては、基板を載置していない空の成膜処理後のプレートを設置し、例えば、成膜時のプレート位置よりも、プレートの高さを高くして、電極とプレートとの間の距離を短くした状態で、成膜チャンバ内に清掃ガスを供給してこの清掃ガスをプラズマ放電させることにより、使用済みのプレート上の付着物（汚染物質）を除去する。これにより、使用済みのプレートをインラインチャンバ内で容易に清掃することができる。
【００１４】
そして、本発明によれば、プレートをチャンバ内でガスクリーニングし、成膜チャンバ内面の付着物は、数回のガスクリーニング毎に１回、湿式クリーニングにより除去すればよいから、従来のように、プレートも湿式クリーニングしていた場合よりも、清掃処理を簡略化及び迅速化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態のインライン型プラズマＣＶＤ装置を示すブロック図である。
【図２】成膜チャンバの内部構成（成膜時）を示す図である。
【図３】ヒータを上下動させる駆動部材を示す図である。
【図４】成膜チャンバ３の底面外部に設けられた排気手段を示す底面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、貼付の図面を参照して具体的に説明する。図１及び図２に示すように、インライン型プラズマＣＶＤ装置は、成膜対象物、即ちプラズマ放電を受ける放電対象物として、複数個のＳｉ基板１２が載置されたプレート１１を、大気下でロードチャンバ１内に装入し、内部を密閉した後、ロードチャンバ１内を真空吸引して、基板１２及びプレート１１を真空雰囲気にする。その後、この基板１２を載置したプレート１１を真空状態を破壊せずにそのまま予備加熱チャンバ２に移動させて装入し、予備加熱チャンバ２内で、基板１２及びプレート１１を加熱する。Ｓｉ基板１２上にＳｉＮ膜を成膜する場合は、予備加熱チャンバ２内で基板１２を例えば５００℃程度に加熱する。
【００１７】
その後、真空状態を保持したまま、基板１２及びプレート１１を予備加熱チャンバ２から成膜チャンバ３内に移動させて装入し、この成膜チャンバ３内で、チャンバ内に原料ガスを供給すると共に、成膜対象物の基板１２及びプレート１１を加熱しつつ、プレート１１と電極１０との間にプラズマ放電を生起して、成膜ガスを電離させる。これにより、所望の膜が基板等の放電対象物上に堆積する。その後、真空状態を保持したまま、成膜後の放電対象物を成膜チャンバ３からアンロードチャンバ４に移動させて装入し、アンロードチャンバ４と成膜チャンバ３との間を遮断した後、アンロードチャンバ４を大気圧に開放し、成膜後の成膜対象物を取り出す。このようにして、インライン型のプラズマＣＶＤ装置においては、真空を破ることなく、基板の加熱と成膜とを一連の工程で実施する。
【００１８】
基板１２はプレート１１上に載置されて、各チャンバに順次装入される。即ち、図２に示すように、例えば、グラファイトカーボン製のプレート１１上に、例えば、太陽電池のセルを構成する複数個のＳｉ基板１２が載置されている。このプレート１１は、例えば、１５００ｍｍ×１１００ｍｍ程度の大きさを有し、このプレート１１の上に、例えば、１５６ｍｍ×１５６ｍｍの大きさのＳｉ基板１２が例えば６行９列等の行列位置に等間隔等の一定の規則の下に載置されている。
【００１９】
プレート１１はプーリ１３上に載置され、プーリ１３の回転により、ロードチャンバ１、予備加熱チャンバ２、成膜チャンバ３及びアンロードチャンバ４内に順次移載される。なお、予備加熱及び成膜は、プレート１１が各チャンバ内に停止して行われる。
【００２０】
成膜チャンバ３は、図４にその底面図を示すように、底面が若干横長の矩形をなし、全体として箱形をなしている。そして、成膜チャンバ３内の上部には、内部空間を有する箱状の電極１０が設置されており、成膜チャンバ３の天壁を挿通して、原料ガス又は清掃ガスの導入管６が設置されていて、このガス導入管６は電極１０の内部に連通している。この電極１０は、平面視で成膜チャンバ３の中央に配置されている。そして、成膜チャンバ３の外部に、原料ガス又は清掃ガスの供給部５が設置されており、この供給部５から原料ガス又は清掃ガスが導入管６を介して電極１０内に供給されるようになっている。この電極１０は、その下壁１０ａが水平になるように配置されており、下壁１０ａには、多数の細孔１０ｂが形成されていて、この細孔１０ｂから電極１０内のガスが電極１０の下方に向けて噴出するようになっている。
【００２１】
成膜チャンバ３の下部には、ヒータ７が電極１０に対向するようにして設置されている。このヒータ７も、平面視で、成膜チャンバ３の中央に配置されている。ヒータ７は、成膜チャンバ３の下壁を気密的に挿通する支持部材８の上端部に支持されており、支持部材８を上下動することにより、ヒータ７は成膜チャンバ３内で上下動することができる。なお、図２，３に示す符号９は、支持部材８の上下動を気密下で行うためのベローズである。
【００２２】
ヒータ７は、例えば、Ｎｉ又はＮｉ合金製の上板及び下板の間に、例えばインコネルシーズヒータ等の抵抗発熱線を張り巡らし、この抵抗発熱線の相互間を絶縁性のスペーサで絶縁し、このスペーサを前記上板及び下板に例えばネジ止めにより固定して構成されたものである。図３はこのヒータ７の上下機構と外部からの給電方法を示す図である。成膜チャンバ３を挿通する支持部材８は成膜チャンバ３の下面に設けられたジャバラ９により、成膜チャンバ３内の真空が破壊されないようにして、上下動することができる。また、成膜チャンバ３の下壁を挿通するようにして、筒部材２１が上下動可能に設置されており、この筒部材２１は、成膜チャンバ３内に設けられたベローズ２２に取り囲まれていて、成膜チャンバ３内の空間の真空状態が、この筒部材２１の外面と成膜チャンバ３との間で破壊されることがないようになっている。そして、筒部材２１の内部には、封止部材２３が気密的に嵌入されており、この封止部材２３内を外部に接続されたリード線２４が挿通するようになっている。これにより、成膜チャンバ３内の真空状態は、ベローズ２２及び封止部材２３により保持されている。また、リード線２４はヒータ７に接続されている。
【００２３】
予備加熱チャンバ２から成膜チャンバ３内に移送されたプレート１１は、プーリ１３上に載置された状態で、成膜チャンバ３内の電極１０とヒータ７との間に、プーリ１１の回転により供給される。このプレート１１の上には、複数個の基板１２が載置されており、予備加熱チャンバ２で基板１２は、例えば、４００乃至５００℃の所定の設定温度に加熱されており、この基板１２は成膜チャンバ３内でも、チャンバ外部からリード線２４を介して給電されたヒータ７により、この設定温度になるように加熱されて、保持される。なお、基板１２を載置したプレート１１は、放電の際に、電極１０とヒータ７との間に設置されるので、このプレート１１も、放電時に、成膜チャンバ３の平面視での中央に位置し、放電位置は成膜チャンバ３の中央になる。
【００２４】
成膜チャンバ３の下壁には、図４に示すように、平面視で成膜チャンバ３の中央に位置する集合部３１を中心として、４等配の位置に、４個の排気口３０が設置されている。即ち、成膜チャンバ３の底壁を貫通する各排気口３０は、集合部３１と排気管３２を介して連通しており、集合部３１は外部の排気ポンプに配管３３を介して接続されている。これらの排気管３２は等長であり、各排気口３０から排出された成膜チャンバ３内のガスは、等寸の排気管３２を介して集合部３１に集まり、配管３３を介して吸引されるので、各排気口３０からの排気ガスは、同寸の経路を経て排気される。
【００２５】
また、各排気口３０は、成膜チャンバ３の長寸の側面である１対の長側壁との間の距離が全て同一であり、また、成膜チャンバ３の短寸の側面である１対の短側壁との間の距離が全て同一である。従って、４本の排気管３２は、その２個の長側壁に向けて開く開角度は、相互に同一であり、２個の短側壁に向けて開く開角度は相互に同一である。従って、成膜チャンバ３の中央に設定された放電位置（中央に設置されたプレート１）に対し、電極１０から供給される原料ガスの気流は、全ての排気口３０に関して等価な条件で排出され、排気ガスの気流が均一である。
【００２６】
更に、各排気口３０には、整流板３４が設置されており、成膜チャンバ３からの排気ガスは、全てこの整流板３４を通過して排出される。これにより、成膜チャンバ３の排気口３０の近傍で、成膜チャンバ３内にガスの気流が乱れることが防止されている。
【００２７】
次に、上述のごとく構成されたインライン型プラズマＣＶＤ装置の動作について説明する。成膜時には、図２に示すように、成膜チャンバ３内に、基板１２を載置したプレート１１が供給され、電極３とヒータ７との間の放電位置に、基板１２及びプレート１１を位置させる。そして、支持部材８を上昇させてヒータ７を上昇させ、ヒータ７をプレート１１に直接接触させるか、又は適宜の緩衝物を介して、プレート１１に接触させる。その後、ヒータ７を更に上昇させてプレート１１を持上げ、成膜チャンバ３内に設置した放電電極１０の対向電極（図示せず）にプレート１１を接触させ、プレート１１を対向電極に接続する。そして、ガス供給部５から成膜しようとする膜の原料ガス、例えば、アンモニアガスとモノシランガスの混合ガスを、導入管６を介して電極１０内に導入し、電極１０の細孔１０ｂから基板１２に向けて原料ガスを噴出する。また、プレート１１上の基板１２は、ヒータ７により加熱して、所定の成膜温度に保持する。そして、この原料ガスの供給と共に、電極１０と対向電極に接続されたプレート１１との間に放電電圧を印加して、成膜チャンバ３内で原料ガスをプラズマ放電させ、基板１２上に膜の原料物質を堆積させる。このとき、成膜品質は、電極１０とプレート１１上の基板１２との間隔に依存し、この間隔をある程度確保する必要があるため、プレート１１は、電極１０にあまり接近しない位置に位置させて、放電を生じさせる必要がある。
【００２８】
而して、本発明においては、ガス供給部５から成膜チャンバ３に導入された原料ガスは、成膜チャンバ３の中央部に配置された電極１０から成膜チャンバ３内に噴出され、成膜チャンバ３の底部に、底部中心から等配の位置に設けられた排気口３０から外部に排出され、しかも、外部の排気手段に接続された配管３３を介して、排気ガスが吸引されるが、この配管３３の先端の集合部３１まで、各排気口３０から等寸の排気管３２を介して排気ガスが吸引されるので、各排気口３０から排出される排気ガスの流速は各排気口３０について一定である。このため、成膜チャンバ３内のガス流は、成膜チャンバ３内で均一である。また、排気口３０には整流板３４が設置されているので、各排気口３０から排気ガスが排出される際のガス流の乱れもない。
【００２９】
このように、成膜チャンバ３内で原料ガスの流れは均一であり、また、乱れる箇所がないので、プラズマ放電により、プレート１１上の各基板１２には、極めて均一な膜が成膜され、均質な膜（例えば、ＳｉＮｘ膜）を形成することができる、
【００３０】
一方、清掃時には、図３に示すように、成膜処理に使用されて、放電物質が付着したプレート１１のみを、成膜チャンバ３内の放電位置に位置させる。そして、ヒータ７に通電してプレート１１を所定の温度に加熱しつつ、支持部材８を上昇させて、ヒータ７をプレート１１に直接接触させるか、又は適宜の緩衝物を介して、プレート１１に接触させ、更に、支持部材８を上昇させて、ヒータ７によりプレート１１を持ち上げ、プレート１１を成膜チャンバ３内の対向電極に接触させる。そして、更に、プレート１１を上昇させて、電極１０に近づける。その後又はプレート１１の上昇中に、電極１０内に清掃ガスとして、例えば、ＮＦ３ガスを導入し、この清掃ガスを電極１０の細孔１０ｂからプレート１１に向けて噴出させる。そして、電極１０と対向電極との間に放電電圧を印加して、電極１０とプレート１１との間に清掃ガスの放電を生起し、プレート１１上の付着物又は汚染物質を清掃ガスの放電により除去する。なお、この清掃に必要な放電期間は、電極１０とプレート１１との間隔を成膜時の間隔より短くすることにより、成膜時の放電期間より大幅に短縮できる。
【００３１】
この場合に、成膜時には、プレート１１を、電極１０から例えば４０ｍｍ離隔した位置に設置するが、清掃時には、成膜の均一性及び成膜品質を考慮する必要がないため、プレート１１を、電極１０から例えば２０ｍｍの位置まで近づける。これにより、強力な放電を生起させて、迅速にプレート１１上及び電極１０上の付着物又は汚染物質を除去することができる。
【００３２】
この清掃時にも、成膜チャンバ３内の清掃ガスの流れは均一であるので、成膜処理に使用したプレート１１から、成膜時の不要な付着物質を、均一に除去することができる。
【００３３】
本発明においては、成膜処理後のプレート１１を、成膜チャンバ３内で、真空を落とすことなく、真空中で清掃することができるため、迅速に、プレート１１から付着物又は汚染物質を除去することができる。このように、プレート１１はガスクリーニングするので、このガスクリーニングを複数回実施する都度、成膜チャンバ３内を１回湿式クリーニングすればよいので、クリーニング全体の処理時間を著しく短縮することができ、簡略化することができる。
【００３４】
なお、上記実施形態においては、成膜チャンバ内で，プラズマＣＶＤ膜を均質に形成することができると共に、成膜物質によるプレートの汚染を、成膜チャンバ内で行って清掃処理を簡略化及び迅速化することができるが、プラズマＣＶＤ膜の均質化がそれほど問題にならない場合には、放電位置を、成膜チャンバ内の平面視で中央部に設定する必要はなく、また、複数個のガス排気口を、前記成膜チャンバの下面における前記放電位置の直下の位置を中心とする等配の複数の位置に設置する必要もない。
【符号の説明】
【００３５】
１：ロードチャンバ
２：予備加熱チャンバ
３：成膜チャンバ
４：アンロードチャンバ
８：支持部材
９、２２：ベローズ
１０：電極
１１：プレート（グラファイトカーボン製）
１２：基板（Ｓｉ基板）
１３：ローラ
２１：筒部材
２３：封止部材
２４：リード線
３０：排気口
３１：集合部
３２：排気管
３３：配管
３４：整流板
【図１】
2013187320.tif 000003
【図２】
2013187320.tif 000004
【図３】
2013187320.tif 000005
【図４】
2013187320.tif 000006