(57)【要約】【課題】樹脂封入時のワイヤ流れを防止し、不具合の発生をさらに抑制することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置１０Ｂは、ダイパッド１２に搭載された半導体チップ１３と、半導体チップ１３とワイヤ１６を介して接続されるインナーリード１４と、ダイパッド１２上において、半導体チップ１３とインナーリード１４間に設けられたワイヤ１６を支持するダムと、ダムの下部に設けられ、ダイパッド１２を貫通するとともに、ダムを半導体チップ１３の搭載面に沿った方向に貫通する穴１８ｂとを備える。【選択図】図８
2013187199.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドに搭載された半導体チップと、
前記半導体チップとワイヤを介して接続されるインナーリードと、
前記ダイパッド上において、前記半導体チップと前記インナーリード間に設けられた前記ワイヤを支持するダムと、
前記ダムの下部に設けられ、前記ダイパッドを貫通するとともに、前記ダムを前記半導体チップの搭載面に沿った方向に貫通する穴と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記ダムは、前記ダイパッドの一部から形成される土台と、前記土台上に設けられ前記ワイヤと接触する絶縁樹脂プレートを有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記土台は、半円筒状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップ、前記ワイヤを封止するモールド樹脂の流れ方向は、前記半円筒状の土台の長手方向に垂直であり、
前記モールド樹脂の流れ方向の上流側に設けられ、前記ダイパッドから前記土台側に突出する第１整流板と、
前記モールド樹脂の流れ方向の下流側に設けられ、前記ダイパッドから前記土台と反対側に突出する第２整流板と、を有し、
前記第１整流板と前記第２整流板との間に間隙が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記土台の上部において、当該土台の長手方向に沿って設けられた穴をさらに備える請求項３又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ダムの前記ワイヤを支持する面の高さは、前記半導体チップの前記ワイヤが接続される面よりも高いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ダムは、前記半導体チップ、前記ワイヤを封止するモールド樹脂の流れ方向対して垂直に形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
サイズが異なる複数の半導体チップを備え、
前記ダムは、前記複数の半導体チップのうち、最も小さいサイズの半導体チップと前記インナーリードとの間に設けられる請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールドパッケージ構造の半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＳＯＰ（Shrink small-outline package）、ＱＦＮ（Quad Flatpack No Lead）等のモールドパッケージにおいて、同じリードフレームに、チップサイズやチップパッド数が異なる半導体チップが搭載されることがある。図１Ａのようにダイパッド２上のチップ３ａのサイズが大きい場合よりも、図１Ｂのようにチップ３ｂのサイズが小さい場合のほうが、チップパッド６とインナーリード１間のワイヤ４の長さが長くなる。図１Ｂのようにワイヤ４の長さが長くなると、モールド樹脂７で封入する際に、ワイヤ流れによるワイヤショート等の不具合が懸念される。
【０００３】
特許文献１には、ワイヤ流れを防止するダムを設置した半導体装置が開示されている。図２は、特許文献１に記載の半導体装置の構造を示す図である。図２に示すように、半導体チップ３とインナーリード１との間において、ダイパッド２上に絶縁樹脂性のダム５が設けられている。このダム５を跨ぐように、ワイヤ４がインナーリード１と半導体チップ３との間に架け渡されている。ワイヤ４がダム５によって支持されるため、モールド樹脂封入の際にワイヤ流れによるワイヤショート等の不具合が低減できる。
【０００４】
しかし、ダム５があることにより、モールド樹脂の流れが阻害され、図３Ａ、３Ｂに示すようにダム５近傍において、流入するモールド樹脂７がぶつかる面の反対の面側にボイド８が発生するおそれがある。特許文献２では、ボイドの発生を抑制するために、ダムに、当該ダムを貫通する溝が形成されている。
【０００５】
一方、特許文献３では、インナーリードの先端と半導体チップを搭載するアイランドとの間に、半導体チップが搭載される面およびこれに対向する面を貫通する複数の貫通孔を有する樹脂流動制御板が設けられている。これにより、半導体チップとインナーリード−アイランド間の樹脂の充填差を抑制するとともに、ワイヤの上下の樹脂の充填差を小さくし、ワイヤの上下の樹脂移動を少なくすることができ、ワイヤ流れが低減される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平３−１５６９６３号公報
【特許文献２】特開昭５８−９１６４７号公報
【特許文献３】特開２００３−２５８１８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のように、樹脂封入時のワイヤ流れを防止し、ワイヤショート等の不具合の発生をさらに抑制することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る半導体装置は、ダイパッドに搭載された半導体チップと、前記半導体チップとワイヤを介して接続されるインナーリードと、前記ダイパッド上において、前記半導体チップと前記インナーリード間に設けられた前記ワイヤを支持するダムと、前記ダムの下部に設けられ、前記ダイパッドを貫通するとともに、前記ダムを前記半導体チップの搭載面に沿った方向に貫通する穴とを備える。
【０００９】
これにより、モールド樹脂の封入の際に、穴からモールド樹脂がダムの反対側に流れ込むとともに、穴を介して、ダイパッドの裏面側から半導体チップ搭載面側に流れるため、さらにボイドの発生を低減できる。また、ワイヤ上下のモールド樹脂の充填差を抑制することができ、ワイヤ近傍の樹脂移動を少なくすることができる。これにより、ワイヤ流れをより低減することが可能となる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、樹脂封入時のワイヤ流れを防止し、不具合の発生をさらに抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】モールドパッケージの構成の一例を示す図である。
【図１Ｂ】モールドパッケージの構成の一例を示す図である。
【図２】特許文献１に記載の半導体装置の構成を示す図である。
【図３Ａ】特許文献１に記載の半導体装置の問題点を説明するための図である。
【図３Ｂ】特許文献１に記載の半導体装置の問題点を説明するための図である。
【図４】本発明に関連する半導体装置の構成を示す図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ断面図である。
【図６】図４のＶＩ−ＶＩ断面図である。
【図７Ａ】本発明に関連する半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７Ｂ】本発明に関連する半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７Ｃ】本発明に関連する半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７Ｄ】本発明に関連する半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図８】実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ断面図である。
【図１０】図８のＸ−Ｘ断面図である。
【図１１Ａ】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１１Ｂ】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１１Ｃ】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１１Ｄ】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１２Ａ】実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図１２Ｂ】実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図１３Ａ】実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図１３Ｂ】実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図１４Ａ】実施の形態４に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図１４Ｂ】実施の形態４に係る半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図１５Ａ】実施の形態５に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図１５Ｂ】実施の形態５に係る半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図１５Ｃ】実施の形態５に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１６】実施の形態６に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図１７】実施の形態７に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図１８】実施の形態７に係る半導体装置の他の構成を示す図である。
【図１９】実施の形態８に係る半導体装置の他の構成を示す図である。
【図２０】実施の形態９に係る半導体装置の他の構成を示す図である。
【図２１】実施の形態１０に係る半導体装置の他の構成を示す図である。
【図２２】実施の形態１１に係る半導体装置の他の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する。また、以下では、複数の実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１３】
本発明は、モールド樹脂で封止されたモールドパッケージ構造の半導体装置に関する。本発明に係る半導体装置は、半導体チップとインナーリードとの間に設けられた、モールド樹脂封入時のワイヤ流れを防止する絶縁樹脂性のダムを有する。また、ダム近傍のモールド樹脂中のボイドの発生を抑制するため、ダムには溝が形成されている。このような半導体装置の一例を、図４〜６を参照して説明する。
【００１４】
図４〜６は、本発明をなすに当たり、前提となる半導体装置１０Ａの構成を説明する図である。図４は、半導体装置１０Ａを上方向から見た透視図である。半導体装置１０Ａは、モールド樹脂１１により封止されているため、実際は半導体チップ１３等は上方向からは見えない。図５は、図４のＶ−Ｖ断面図であり、図６は、図４のＶＩ−ＶＩ断面図である。
【００１５】
図４に示すように、半導体装置１０Ａは、モールド樹脂１１、ダイパッド１２、半導体チップ１３、インナーリード１４、絶縁樹脂プレート１５ａ、ワイヤ１６、チップパッド１７を有している。ダイパッド１２の中央部には、半導体チップ１３が搭載されている。また、ダイパッド１２上には、半導体チップ１３の四方を囲むように、４つの絶縁樹脂プレート１５ａが配置されている。
【００１６】
半導体チップ１３上のチップパッド１７からインナーリード１４へ絶縁樹脂プレート１５ａを跨ぐようにワイヤ１６が架け渡されている。ワイヤ１６は、絶縁樹脂プレート１５ａ上で支持されている。図６に示すように、絶縁樹脂プレート１５ａには、穴１８ａが設けられている。穴１８ａは、モールド樹脂１１を封入する際に樹脂が流れ込みやすくするために設けられている。
【００１７】
図７Ａ−７Ｄは、図４に示す半導体装置１０Ａの組み立てフロー図である。図７Ａに示すように、予め穴１８ａが設けられた構造の絶縁樹脂プレート１５ａが形成されたダイパッド１２及びインナーリード１４を準備する。図７Ｂに示すように、ダイパッド１２上に、半導体チップ１３を、チップパッド１７が形成された面が上になるように搭載する。
【００１８】
そして、図７Ｃに示すように、絶縁樹脂プレート１５ａを跨ぐように、チップパッド１７からインナーリード１４へワイヤ１６を架け渡す。その後、図７Ｄに示すように、モールド樹脂１１を封入する。図７Ｄにおいて、モールド樹脂１１の封入方向を矢印で示している。図７Ｄに示すように、モールド樹脂１１は、絶縁樹脂プレート１５ａの上側及びダイパッド１２の下側に流れ込むとともに、絶縁樹脂プレート１５ａに設けられた穴１８ａからも流れ込む。
【００１９】
図４、５で示すように、ワイヤ１６は、穴１８ａが設けられた絶縁樹脂プレート１５ａによって支持されているため、モールド樹脂１１封入の際にワイヤ流れによるワイヤショート等の不具合を低減することができる。また、モールド樹脂１１の封入の際に、穴１８ａからモールド樹脂１１が絶縁樹脂プレート１５ａの反対側に流れ込むため、ボイドの発生を低減できる。
【００２０】
本発明者は、上記のような穴１８ａを有する絶縁樹脂プレート１５ａを備える半導体装置において、さらにワイヤ流れに起因する不具合を低減させるため、以下のような半導体装置を考案した。
【００２１】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る半導体装置１０Ｂについて、図を参照して説明する。図８〜１０は、半導体装置１０Ｂの構成を説明する図である。図８は、半導体装置１０Ｂを上方向から見た透視図である。半導体装置１０Ｂは、モールド樹脂１１により封止されているため、実際は半導体チップ１３等は上方向からは見えない。図９は、図８のＩＸ−ＩＸ断面図であり、図１０は、図８のＸ−Ｘ断面図である。図８〜１０において、図４〜６と同一の構成要素には同一の符号を付している。
【００２２】
図８に示すように、半導体装置１０Ｂは、モールド樹脂１１、ダイパッド１２、半導体チップ１３、インナーリード１４、絶縁樹脂プレート１５ｂ、ワイヤ１６、チップパッド１７、土台１９を有している。ダイパッド１２の中央部には、半導体チップ１３が搭載されている。ダイパッド１２には、半導体チップ１３の四方を囲むように、４つの土台１９が設けられている。
【００２３】
土台１９は、ダイパッド１２の一部が半導体チップ１３の搭載面側に突出した枠体である。従って、土台１９が形成された部分において、ダイパッド１２には、半導体チップ１３の搭載面とその裏面に貫通する穴１８ｂが設けられている。また、穴１８ｂは、土台１９を、ダイパッド１２の半導体チップ１３搭載面に平行な方向、すなわち、モールド樹脂１１の封入方向に沿って貫通している。土台１９上には、それぞれ絶縁樹脂プレート１５ｂが配置されている。土台１９及び絶縁樹脂プレート１５が、ワイヤ１６を支持するダムとなる。絶縁樹脂プレート１５ｂのワイヤ１６を支持する面は、半導体チップ１３のチップパッド１７が設けられた上面よりも高くなっている。
【００２４】
半導体チップ１３上のチップパッド１７からインナーリード１４へ絶縁樹脂プレート１５ｂを跨ぐようにワイヤ１６が架け渡されている。図１０に示すように、絶縁樹脂プレート１５ｂには、ワイヤ１６を保持するための複数の溝が設けられている。ワイヤ１６は、それぞれの溝に嵌めこまれ、絶縁樹脂プレート１５ｂ上に支持されている。
【００２５】
図１１Ａ−１１Ｄは、図８に示す半導体装置１０Ｂの組み立てフロー図である。図１１Ａに示すように、予め土台１９及び穴１８ｂが設けられた構造のダイパッド１２及びインナーリード１４を準備する。穴１８ｂは、ダイパッド１２の半導体チップ１３搭載面とその裏面を貫通するとともに、土台１９をダイパッド１２の半導体チップ１３搭載面に平行な方向に貫通する。穴１８ｂは、土台１９の直下に形成されている。
【００２６】
図１１Ｂに示すように、ダイパッド１２上に、半導体チップ１３を、チップパッド１７が形成された面が上になるように搭載する。また、土台１９上に絶縁樹脂プレート１５ｂを配置する。
【００２７】
そして、図１１Ｃに示すように、絶縁樹脂プレート１５ｂを跨ぐように、チップパッド１７からインナーリード１４へワイヤ１６を架け渡す。その後、図１１Ｄに示すように、モールド樹脂１１を封入する。図１１Ｄにおいて、モールド樹脂１１の封入方向を矢印で示している。図１１Ｄに示すように、モールド樹脂１１は、絶縁樹脂プレート１５ｂの上側及びダイパッド１２の下側に流れ込むとともに、絶縁樹脂プレート１５ｂに設けられた穴１８ｂからも流れ込む。
【００２８】
本実施の形態では、穴１８ｂにおいて、モールド樹脂１１は、土台１９の下側をダイパッド１２の半導体チップ１３搭載面に沿って流れる。また、モールド樹脂１１は、穴１８ｂを介して、ダイパッド１２の裏面側から半導体チップ１３搭載面側に流れる。
【００２９】
このように、モールド樹脂１１の封入の際に、穴１８ｂからモールド樹脂１１が絶縁樹脂プレート１５ｂの反対側に流れ込むとともに、穴１８ｂを介して、ダイパッド１２の裏面側から半導体チップ１３搭載面側に流れるため、さらにボイドの発生を低減できる。
【００３０】
また、モールド樹脂１１が、穴１８ｂを介して、ダイパッド１２の裏面側から半導体チップ１３搭載面側に流れるため、ワイヤ１６上下のモールド樹脂１１の充填差を抑制することができ、ワイヤ１６近傍の樹脂移動を少なくすることができる。これにより、ワイヤ流れをより低減することが可能となる。
【００３１】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る半導体装置１０Ｃの構成について、図１２Ａ、１２Ｂを参照して説明する。図１２Ａ、１２Ｂは、実施の形態２に係る半導体装置１０Ｃの構成を示す図である。図１２Ａは、半導体装置１０Ｃの斜視図であり、図１２Ｂは、図１２Ａの断面図である。
【００３２】
図１２Ａ、１２Ｂに示すように、本実施の形態では、絶縁樹脂プレート１５の下部のダイパッド１２に、予め半円筒形の土台１９が形成されている。半円筒状の土台１９の上部に、土台１９を覆うように絶縁性樹脂からなる絶縁樹脂プレート１５が形成されている。半円筒状の土台１９上の絶縁樹脂プレート１５により、ワイヤ１６が支持される。なお、本実施の形態においても、実施の形態１に示すように、土台１９の下部に、ダイパッドを貫通する穴を設けることができる。また、土台１９には、半導体チップ１３の搭載面に沿って穴が設けられる。
【００３３】
図１２Ｂにおいて、モールド樹脂１１の流れを矢印で示す。モールド樹脂１１を封入する際、モールド樹脂１１は、土台１９の形状に沿って流れる。これにより、土台１９のモールド樹脂１１がぶつかる面の反対側の面におけるボイドの発生を抑制することが可能となる。
【００３４】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る半導体装置１０Ｄの構成について、図１３Ａ、１３Ｂを参照して説明する。図１３Ａ、１３Ｂは、実施の形態３に係る半導体装置１０Ｄの構成を示す図である。図１３Ａは、半導体装置１０Ｄの斜視図であり、図１３Ｂは、図１３Ａの断面図である。
【００３５】
図１３Ａ、１３Ｂに示すように、本実施の形態では、絶縁樹脂プレート１５の下部のダイパッド１２に、予め半円筒形の土台１９が形成されている。半円筒状の土台１９には、２つの切り込み部２０が設けられている。図１３Ｂに示すように、土台１９のモールド樹脂１１がぶつかる側の面では、ダイパッド１２の一部が土台１９に向かって上方向に折り曲げられている。ダイパッド１２の上方向に折り曲げられた部分を第１整流部２１ａとする。土台１９のモールド樹脂１１がぶつかる面と反対側の面では、ダイパッド１２の一部が土台１９と反対側に向かって下方向に折り曲げられている。ダイパッド１２の下方向に折り曲げられた部分を第２整流部２１ｂとする。
【００３６】
第１整流部２１ａと第２整流部２１ｂとの間には、間隙が設けられている。従って、絶縁樹脂プレート１５の下側において、ダイパッド１２には貫通孔が設けられている。土台１９の上部には、土台１９を覆うように絶縁性樹脂からなる絶縁樹脂プレート１５が形成されている。半円筒状の土台１９上の絶縁樹脂プレート１５により、ワイヤ１６が支持される。
【００３７】
図１２Ｂにおいて、モールド樹脂１１の流れを矢印で示す。モールド樹脂１１を封入する際、モールド樹脂１１は、折り曲げたダイパッド１２に沿って流れるため、ボイドの発生を抑制することができる。また、第１整流板２１ａと第２整流板２１ｂとの間には、間隙が形成されているため、ダイパッド１２の下側から上側にモールド樹脂１１が流れる。これにより、ワイヤ１６の移動量を少なくすることが可能となる。
【００３８】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４に係る半導体装置１０Ｅの構成について、図１４Ａ、１４Ｂを参照して説明する。図１４Ａ、１４Ｂは、実施の形態４に係る半導体装置１０Ｅの構成を示す図である。図１４Ａは、半導体装置１０Ｅの斜視図であり、図１４Ｂは、図１４Ａの断面図である。
【００３９】
図１４Ａ、１４Ｂに示すように、本実施の形態では、絶縁樹脂プレート１５の下部のダイパッド１２に、予め半円筒形の土台１９が形成されている。土台１９の中央部には、土台１９の長手方向に沿って直線上の穴２２が形成されている。土台１９の上部には、穴２２が形成された個所を除いて、絶縁樹脂プレート１５が設けられている。なお、ここでは図示してないが、土台１９には、半導体チップ１３の搭載面に沿って穴が設けられる。
【００４０】
図１２Ｂにおいて、モールド樹脂１１の流れを矢印で示す。モールド樹脂１１を封入する際、モールド樹脂１１は、土台１９に沿って流れるとともに、土台１９の中央部の穴２２からもモールド樹脂１１が流れる。これにより、ボイドの発生を抑制することができるとともに、ワイヤ１６の移動量を少なくすることができ、ボイド発生の懸念を少なくすることができる。
【００４１】
実施の形態５．
本発明の実施の形態４に係る半導体装置１０Ｆの構成について、図１５Ａ−１５Ｃを参照して説明する。図１５Ａは、半導体装置１０Ｅの斜視図であり、図１５Ｂは、図１５Ａの絶縁樹脂プレート１５の側面から見た図であり、図１５Ｃは、図１５Ａの断面図である。
【００４２】
図１５Ａ−１５Ｃに示すように、絶縁樹脂プレート１５の下部のダイパッド１２には、予め半円筒状の土台１９が設けられている。土台１９のモールド樹脂１１がぶつかる面及びその反対側の面には、それぞれ穴２２が設けられている。土台１９の上面には、絶縁樹脂プレート１５が形成されている。
【００４３】
図１５Ｂに示すように、絶縁樹脂プレート１５は凹凸形状となっている。すなわち、絶縁樹脂プレート１５は、交互に高さの異なる部分が形成されている。図１５Ａに示すように、隣り合ったワイヤ１６はクロスされ、インナーリード１４に接続されている。ワイヤ１６は、異なる高さの絶縁樹脂プレート１５に夫々保持される。
【００４４】
このように、ワイヤ１６をクロスすることにより、モールド樹脂１１を封入する際に、ワイヤ１６が流れるのを抑制することができる。これにより、さらにワイヤ流れによる不具合を低減することが可能となる。
【００４５】
ここで、モールド樹脂１１の流れ方向に対する絶縁樹脂プレート１５の設置方向について、図１６を参照して説明する。図１６において、モールド樹脂１１の封入方向を矢印で示す。モールド樹脂１１の封入方向と平行に絶縁樹脂プレート１５を設置した場合、モールド樹脂１１の流れ方向の変化は少なく、ボイドは発生しにくい。
【００４６】
一方、モールド樹脂１１の封入方向と垂直に絶縁樹脂プレート１５を設置した場合、モールド樹脂１１が絶縁樹脂プレート１５に接触してその流れ方向が変化する。この場合、絶縁樹脂プレート１５の影になった部分にボイド３０の発生が懸念される。これは、モールド樹脂１１の粘度が高い場合、さらに顕著となる。
【００４７】
従って、モールド樹脂１１の封入方向と垂直に設置された絶縁樹脂プレート１５に、例えば、実施の形態１で示したように、穴１８ｂが形成された土台１９を設け、土台１９上に絶縁樹脂プレート１５を形成する。封入時には、モールド樹脂１１は穴１８ｂを通過するため、モールド樹脂１１の流れ方向の変化が少なくなり、ボイド３０の発生を抑制することができる。
【００４８】
また、サイズが大きい半導体チップ１３を搭載した場合に比べ、サイズが小さい半導体チップ１３を搭載した場合、ワイヤ１６の長さが長くなる。図１７は、サイズが小さい２つの半導体チップ１３を搭載した例である。図１７において、上下方向に架け渡されたワイヤ１６の長さは、半導体チップ１３を並べた左右方向のワイヤ１６の長さよりも長い。図１７に示す例では、ワイヤ１６の長さが長くなる、半導体チップ１３上辺とインナーリード１４との間、及び、半導体チップ１３下辺とインナーリード１４との間にそれぞれ絶縁樹脂プレート１５が配置されている。
【００４９】
図１８は、サイズが異なる２つの半導体チップ１３が搭載された例を示す。図１８に示すように、ワイヤ１６の長さが長くなる、サイズが小さい半導体チップ１３とインナーリード１４との間に絶縁樹脂プレート１５を設置する。これにより、モールド樹脂１１封入時のワイヤ流れを有効に防止することができる。
【００５０】
図１９はＱＦＰパッケージ、図２０はＱＦＮパッケージ、図２１はＳＳＯＰパッケージの構造の半導体装置をそれぞれ示す図である。このようなパッケージにおいて、小型の半導体チップを搭載する場合にも、ワイヤ１６の長さが長くなる。この場合、半導体チップ１３とインナーリード１４との間にそれぞれ絶縁樹脂プレート１５を設けることにより、モールド樹脂１１封入時のワイヤ流れを防止することができる。
【００５１】
図２２は、ダイパッド１２上に、サイズが大きい半導体チップ１３ａを搭載し、その上に、半導体チップ１３ａよりも小さい半導体チップ１３ｂを搭載したスタック構造の半導体装置の構成を示す図である。図２２に示すように、上部の半導体チップ１３ｂとインナーリード１４間のワイヤ１６が長くなる。この上部の半導体チップ１３ｂとインナーリード１４間に絶縁樹脂プレート１５を設置することで、モールド樹脂１１封入時のワイヤ流れを防止することが可能となる。
【００５２】
以上、本発明について実施の形態をもとに説明したが、上記の実施の形態は例示であり、本発明の主旨から逸脱しない限り、さまざまな変更、増減を加えてもよい。これらの変更、増減が加えられた変形例も本発明の範囲にある事は当業者に理解されるところである。
【符号の説明】
【００５３】
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ  半導体装置
１１  モールド樹脂
１２  ダイパッド
１３、１３ａ、１３ｂ  半導体チップ
１４  インナーリード
１５、１５ａ、１５ｂ  絶縁樹脂プレート
１６  ワイヤ
１７  チップパッド
１８ａ、１８ｂ  穴
１９  土台
２０  切り込み部
２１ａ  第１整流板
２１ｂ  第２整流板
２２  穴
３０  ボイド
【図１Ａ】
2013187199.tif 000003
【図１Ｂ】
2013187199.tif 000004
【図２】
2013187199.tif 000005
【図３Ａ】
2013187199.tif 000006
【図３Ｂ】
2013187199.tif 000007
【図４】
2013187199.tif 000008
【図５】
2013187199.tif 000009
【図６】
2013187199.tif 000010
【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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