(57)【要約】【課題】板状ガラスの端面及び裏面の表面処理を簡便に実施すると共に、その際の処理液の使用量を極力少なくすることで、一連の表面処理を低コストに実施する。【解決手段】板状ガラスＧの端面Ｇａに処理液を供給することで端面Ｇａに処理液による表面処理を施すに際し、端面Ｇａに処理液を供給する際に発生する処理液の気化ガスを板状ガラスＧの裏面Ｇｂ側に誘導することで、裏面Ｇｂに気化ガスによる表面処理を施すようにした。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状ガラスの端面に処理液を供給する処理液供給部を備えた板状ガラスの表面処理装置において、
前記処理液供給部の周囲を覆うと共に、前記板状ガラスの裏面を覆うケーシング部と、
前記処理液供給部から前記端面に供給される前記処理液の気化により発生した前記処理液の気化ガスを前記ケーシング部と前記裏面との隙間に誘導する誘導手段とをさらに具備することを特徴とする板状ガラスの表面処理装置。
【請求項２】
前記誘導手段は、前記隙間と前記ケーシング部の外側空間とを連通する連通路と、該連通路に接続され、前記隙間に誘導された前記気化ガスを前記ケーシング部の外側空間に排出する排気装置とを有する請求項１に記載の板状ガラスの表面処理装置。
【請求項３】
前記ケーシング部は、前記板状ガラスの表面と対向する箇所に第一の開口部を有する請求項１又は２に記載の板状ガラスの表面処理装置。
【請求項４】
前記板状ガラスは所定方向に搬送され、
前記処理液供給部は、前記板状ガラスの幅方向両側に配設され、
前記ケーシング部は、前記双方の処理液供給部の周囲及び前記板状ガラスの裏面を覆うと共に、前記板状ガラスを搬送方向に通過可能な第二の開口部を有する請求項１〜３の何れかに記載の板状ガラスの表面処理装置。
【請求項５】
前記隙間の幅寸法を可変可能に構成されている請求項１〜４の何れかに記載の板状ガラスの表面処理装置。
【請求項６】
前記排気装置は、前記気化ガスの単位時間当りの排気量を調整可能に構成されている請求項２に記載の板状ガラスの表面処理装置。
【請求項７】
板状ガラスの端面に処理液を供給することで前記端面に前記処理液による表面処理を施す板状ガラスの表面処理方法において、
前記端面に前記処理液を供給する際に発生する前記処理液の気化ガスを前記板状ガラスの裏面側に誘導することで、前記裏面に前記気化ガスによる表面処理を施すことを特徴とする板状ガラスの表面処理方法。
【請求項８】
前記表面処理の前後で、前記裏面の表面粗さＲａ［ｎｍ］が０．１ｎｍ以上でかつ１．８ｎｍ以下の範囲で向上するように、前記気化ガスによる前記裏面への表面処理条件を設定する請求項７に記載の板状ガラスの表面処理方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の表面処理方法により、前記端面及び前記裏面に表面処理が施されたガラス基板であって、
板厚Ｔ［ｍｍ］が０．５ｍｍ以下、
前記裏面の表面粗さＲａ［ｎｍ］が０．３ｎｍ以上でかつ２．０ｎｍ以下、及び
前記端面に沿った曲げ変形を生じた際の破壊時曲げ応力σ［ＭＰａ］が、５０×（０．７／Ｔ）2ＭＰａを超えかつ２００×（０．７／Ｔ）2ＭＰａ未満であることを特徴とするガラス基板。
【請求項１０】
請求項７又は８に記載の表面処理方法により、前記端面及び前記裏面に表面処理が施された帯状板ガラスであって、
板厚Ｔ［ｍｍ］が０．２ｍｍ以下、
前記裏面の表面粗さＲａ［ｎｍ］が０．３ｎｍ以上でかつ２．０ｎｍ以下、及び
前記板状ガラスのヤング率をＥ［ＭＰａ］とした場合において前記端面に沿った曲げ変形を生じた際の破壊時曲げ応力σ［ＭＰａ］が、２．５×（Ｅ×Ｔ）／１５２．４［ＭＰａ］を超えかつ２．５×（Ｅ×Ｔ）／２５．４ＭＰａ未満であることを特徴とする帯状板ガラス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状ガラスの表面処理装置及び表面処理方法に関し、特に、板状ガラスの端面並びに裏面に対して表面処理を施すための装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、近年における画像表示装置は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）などに代表されるフラットパネルディスプレイ（以下、単にＦＰＤという）が主流となっている。これらのＦＰＤについては軽量化が推進されていることから、ＦＰＤに使用されるガラス基板についても薄板化に対する要求が高まっている。
【０００３】
上述したガラス基板は、例えば各種ダウンドロー法に代表される板状ガラスの成形方法により帯状に成形した板状ガラス（帯状板ガラス）を所定の寸法に切断し、切断した板状ガラスの幅方向（帯状板ガラスの表裏面に平行で、かつ長手方向に直交する向きをいう。以下、同じ。）両端部分をさらに切断した後、必要に応じて、各切断面に研磨加工を施す等により得られる。
【０００４】
ところで、この種のガラス基板を製造するに際しては、その製造過程における静電気の帯電が問題となることがある。すなわち、絶縁体であるガラスは非常に帯電し易い性質を有しており、ガラス基板の製造工程において、例えば金属や絶縁体からなる載置台にガラス基板を載置し所定の加工を施す際、ガラス基板と載置台との接触剥離により剥離したガラス基板が帯電することがある（これを、剥離帯電と呼ぶことがある。）。帯電したガラス基板に導電性の物体が近づくと放電が生じ、この放電によって、ガラス基板の表面上に形成された各種素子や電子回路を構成する電極線の破損、あるいはガラス基板自体の破損を招くおそれがある（これらを、絶縁破壊又は静電破壊と呼ぶことがある。）。また、帯電したガラス基板は載置台に貼り付き易く、これを無理やり引き剥がすことでガラス基板の破損を招くおそれもある。これらは当然に表示不良の原因となるため、極力回避すべき事項である。
【０００５】
この点、例えば下記特許文献１には、ガラス基板の裏面に薬液を供給することで裏面に化学処理を施し、これにより上記裏面を粗面化する方法が提案されている。ガラス基板と載置台との接触面積が大きいほど剥離した際の帯電量が増大する傾向にあることから、載置台の載置面と接触するガラス基板の裏面を粗面化することで、ガラス基板と載置台との接触面積を減少させて、剥離時の帯電抑制を図っている。また、接触面（裏面）が平滑なガラス基板ほど載置面の如き平滑面に貼り付き易い点に鑑み、上述のように、ガラス基板の裏面を粗面化することで、載置面に貼り付き難くして、これにより剥離時のガラス基板の破損防止を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２７５１６７号公報
【特許文献２】特開２００７−５１０１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一方で、この種のガラス基板においては、製造過程における変形の影響が問題となる。すなわち、ガラス基板がその製造工程において局所的に撓む等の変形を生じることで、ガラス基板の破損が懸念される。この種の破損は、ガラス基板の端面部に存在する微小な凹凸をはじめ、キズやカケ、マイクロクラックなどの微小な欠陥を起点として生じる可能性が高いことから、例えば上記端面を平滑化することで、これら微小な凹凸や欠陥を除去して、端面部の曲げ強度を向上させることが可能と考えられる。
【０００８】
ここで、上記特許文献２には、ガラス基板の端面に薬液を塗布することで端面に化学処理を施す方法であって、この処理により上記端面の微小凹部内に存在するガラス粉や研磨粉などの異物を薬液で溶かし又は洗い流して、端面及び表裏面の清浄度を向上させる技術が記載されている。よって、例えば上記特許文献２に記載の処理方法を用い、使用する薬液の種類や濃度を調整することで、ガラス粉等の溶解のみならず、端面の最表層部も溶解して当該端面を平滑化することも可能と考えられる。
【０００９】
従って、上述した帯電抑制と変形による破損防止を共に図りたい場合には、上記特許文献１に記載の方法と特許文献２に記載の方法とを組み合せて、ガラス基板の裏面と端面とにそれぞれ薬液等による化学処理を施すようにすればよいようにも思われる。しかしながら、これでは、端面に薬液を塗布するための設備に加えて、裏面を薬液に供給するための設備を別に設ける必要があり、設備コストの高騰を招く。また、別々の設備を用いて表面処理を施す結果、作業スペースや工数の増加を招くため、必ずしも生産性の面で適切とは言えない。
【００１０】
また、この種の表面処理に使用される処理液（薬液）は、一般に、非常に極性が高く（強酸性など）毒劇物に指定される類の成分を含む処理液が使用されることも少なくない。そのため、安全面や衛生面の観点からも、又加工コストの観点からも、薬液の使用量を極力少なくしつつ、上記端面の平滑化と上記裏面の粗面化を適切に図るための手法が望まれる。
【００１１】
以上の事情に鑑み、表面処理による板状ガラスの端面及び裏面に対する表面処理を簡便に実施すると共に、その際の処理液の使用量を極力少なくすることで、上述の表面処理を低コストに実施することを、本発明により解決すべき技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題の解決は、本発明に係る板状ガラスの表面処理方法により達成される。すなわち、この表面処理方法は、板状ガラスの端面に処理液を供給することで端面に処理液による表面処理を施す板状ガラスの表面処理方法において、端面に処理液を供給する際に発生する処理液の気化ガスを板状ガラスの裏面側に誘導することで、裏面に気化ガスによる表面処理を施す点をもって特徴付けられる（請求項７）。
【００１３】
このように、本発明は、板状ガラスの端面に対して処理液を供給した際に発生する処理液の気化ガスに着目し、これを用いて板状ガラスの裏面に表面処理を施すようにしたことを特徴とするものである。すなわち、本発明では、端面に供給される処理液の気化ガスにより、板状ガラスの表面処理を施すようにしたので、端面に処理液を供給する際に発生する処理液の気化ガスを有効に利用して裏面の表面処理を施すことができる。よって、裏面に処理液を供給する手段を別途設ける必要がなく、またそのための工程を新たに設けずに済む。もちろん、裏面に処理液を供給して表面処理を施す場合と比べて、格段に処理液の使用量を減らすことができるので、経済的である。また、本発明では、端面に供給した処理液の気化ガスを裏面側に誘導することで裏面に表面処理を施すようにしたので、端面と裏面に表面処理を施しつつも、板状ガラスの表面が、実質的な表面処理となる程度に処理液の気化ガスに曝される事態を防ぐことができる。従って、裏面を適度に粗面化して帯電を抑制または防止することができると共に、表面においては表面処理直前（例えば成形時）の面粗さを維持して、高い表面精度を確保することが可能となる。
【００１４】
さらに、本発明によれば、板状ガラスの端面に対しては処理液による表面処理を施すと共に、板状ガラスの裏面に対しては処理液の気化ガスによる表面処理を施すようにした。これにより、端面においては、処理液供給部から供給された処理液で微小な凹凸や異物が溶解し、また、微小凹部内に保持されていたガラス粉などの異物が洗い流される。よって、端面を平滑化することができる。また、裏面においては、処理液の気化ガスに裏面が曝されることで当該裏面の表面処理が施されるので、供給面積が比較的大きな裏面であっても万遍なく気化状態の処理液を供給することができ、均一な表面処理を施すことができる。従って、要求される表面性状が互いに異なる端面と裏面とに、それぞれ適正な表面処理を施すことができ、１度の表面処理でもって端面の平滑化と裏面の粗面化とを同時に達成することが可能となる。
【００１５】
また、本発明に係る表面処理方法は、表面処理の前後で、裏面の表面粗さＲａ［ｎｍ］が０．１ｎｍ以上でかつ１．８ｎｍ以下の範囲で向上するように、気化ガスによる裏面への表面処理条件を設定するものであってもよい（請求項８）。
【００１６】
本発明に係る表面処理方法は、板状ガラスの裏面を粗面化することで製造工程における帯電、特に剥離帯電を防止するものであり、仮に帯電したとしてもその際の帯電量が実質的に問題ないレベル（言い換えると、帯電後にイオナイザ等で除電する必要がないレベル）に留めることを図ったものである。この場合、帯電量が実質的に問題ないレベルに留まり得る程度を、この種の板状ガラスにおける標準的な表面処理前の裏面の表面粗さＲａの大きさを踏まえて、表面処理の前後における裏面の表面粗さＲａの向上度合いで表すと、Ｒａ≧０．１ｎｍとなる。よって、表面処理の前後で、裏面の表面粗さＲａ［ｎｍ］が０．１ｎｍ以上でかつ１．８ｎｍ以下の範囲で向上するように、気化ガスによる裏面への表面処理条件を定めることで、表面処理以後の製造工程において、板状ガラスが実質的に問題となるレベルの帯電を生じる事態を回避することが可能となる。気化ガスによる裏面の表面処理条件としては、例えば処理液の濃度や温度、雰囲気温度、又は後述する板状ガラスの搬送速度や排気量などが影響因子として挙げられる。従って、これらの影響因子を適切な値に調整することで、表面処理の前後における板状ガラスの裏面の表面粗さＲａの向上度合いを上記範囲に制御することが可能となる。
【００１７】
また、前記課題の解決は、本発明に係る板状ガラスの表面処理装置によっても達成される。すなわち、この表面処理装置は、板状ガラスの端面に処理液を供給する処理液供給部を備えた板状ガラスの表面処理装置において、処理液供給部の周囲を覆うと共に、板状ガラスの裏面を覆うケーシング部と、処理液供給部から端面に供給される処理液の気化により発生した処理液の気化ガスをケーシング部と裏面との隙間に誘導する誘導手段とをさらに具備する点をもって特徴付けられる（請求項１）。
【００１８】
この表面処理装置によれば、既に述べた本発明に係る表面処理方法と同様に、板状ガラスの端面に供給される処理液の気化ガスにより、板状ガラスの裏面に表面処理が施されるので、端面に処理液を供給する際に発生する処理液の気化ガスを有効に利用して裏面に表面処理を施すことができる。よって、裏面に処理液を供給する手段を別途設ける必要がなく、またそのための工程を新たに設けずに済む。もちろん、裏面に処理液を供給して表面処理を施す場合と比べて、格段に処理液の使用量を減らすことができるので、経済的である。さらに、本発明では、端面に供給した処理液の気化ガスをケーシング部と裏面との隙間に誘導することで裏面に表面処理を施すようにしたので、板状ガラスの端面と裏面に表面処理を施しつつも、板状ガラスの表面が、実質的な表面処理となる程度に処理液の気化ガスに曝される事態を防ぐことができる。従って、裏面を適度に粗面化して帯電を抑制または防止することができると共に、表面においては表面処理直前の面粗さを維持して、高い表面精度を確保することが可能となる。
【００１９】
さらに、本発明に係る表面処理装置によれば、板状ガラスの端面に対しては処理液による表面処理を施すと共に、板状ガラスの裏面に対しては処理液の気化ガスによる表面処理を施すようにした。これにより、端面においては、処理液供給部から供給された処理液で微小な凹凸や異物が溶解し、また、微小凹部内に保持されていたガラス粉などの異物が洗い流される。よって、端面を平滑化することができる。また、裏面においては、処理液の気化ガスに裏面が曝されることで当該裏面の表面処理が施されるので、供給面積が比較的大きな裏面であっても万遍なく気化状態の処理液を供給することができ、均一な表面処理を施すことができる。従って、要求される表面性状が互いに異なる端面と裏面とに、それぞれ適正な表面処理を施すことができ、１度の表面処理でもって端面の平滑化と裏面の粗面化とを同時に達成することが可能となる。また、ケーシング部と裏面との間に隙間を形成し、この隙間に気化ガスを誘導するようにしたので、処理液の気化ガスが拡散することなく裏面に供給される。よって、表面処理可能なガス濃度を確保して、適切な表面処理を裏面に施すことができる。
【００２０】
また、本発明に係る表面処理装置は、誘導手段が、上記隙間とケーシング部の外側空間とを連通する連通路と、連通路に接続され、隙間に誘導された気化ガスをケーシング部の外側空間に排出する排気装置とを有するものであってもよい（請求項２）。
【００２１】
この構成によれば、処理液の気化ガスをケーシング部と板状ガラスの裏面との隙間に誘導しつつ、当該誘導して裏面に表面処理を施した後の気化ガスをケーシング部の外側空間に排出（排気）することができる。このように排気を行うことで、処理液の気化ガスがケーシング部と裏面との隙間に留まることなく流動し、途切れることなく上記隙間に誘導されることになるので、気化ガスによる裏面の表面処理を一定の条件で連続的に実施することが可能となる。
【００２２】
また、本発明に係る表面処理装置は、ケーシング部が、板状ガラスの表面と対向する箇所に第一の開口部を有するものであってもよい（請求項３）。
【００２３】
この構成によれば、誘導手段により処理液の気化ガスをケーシング部と裏面との隙間に誘導した際、板状ガラスの表面と対向する箇所に設けた第一の開口部を介して外気（ケーシング部の外側空間に存在する気体）をケーシング部と裏面との隙間に引き込む向きの流れを発生させることができる。よって、この流れにより、端面に供給した際に発生する処理液の気化ガスが板状ガラスの表面側に流動する事態を効果的に抑制することができる。
【００２４】
また、本発明に係る表面処理装置は、ケーシング部と板状ガラスの裏面との隙間の幅寸法を可変可能に構成したものであってもよい（請求項５）。
【００２５】
上記構成によれば、裏面が処理液の気化ガスに曝される空間となるケーシング部と裏面との隙間の容積を調整することができる。上記隙間の容積があまりに大きいと、この隙間に誘導されて流れ込んだ気化ガスが拡散し、その濃度が低下するおそれがあるが、上述のように、上記隙間の幅寸法を可変可能とすることで、この隙間の容積を所望の表面処理レベルに見合った適切な大きさに調整することができる。よって、裏面に対する表面処理のレベルを調節して、処理後の裏面の表面粗さを制御することができる。特に、上記隙間の幅寸法は、端面の表面処理レベルにはあまり影響せず、主として裏面の表面処理レベルに影響を及ぼす。よって、上述のように隙間容積を調整することで、端面の表面処理とは切り離して裏面の表面処理レベルを制御することが可能となる。
【００２６】
また、上記と同様の観点から、本発明に係る表面処理装置に係る誘導手段が上記排気装置を有する場合、排気装置は、気化ガスの単位時間当りの排気量を調整可能に構成したものであってもよい（請求項６）。
【００２７】
上記構成によれば、板状ガラスの裏面が処理液の気化ガスに曝される時間、すなわち気化ガスにより表面処理が施される時間を調整することができるので、裏面に対する表面処理のレベルを制御することができる。特に、裏面が気化ガスに曝される時間は、上記隙間幅寸法と同様、端面の表面処理レベルにはあまり影響せず、主として裏面の表面処理レベルに影響を及ぼす。よって、この手段によっても端面の表面処理とは切り離して裏面の表面処理レベルを制御することが可能となる。
【００２８】
また、本発明に係る表面処理装置は、板状ガラスが所定方向に搬送される場合において、処理液供給部が、板状ガラスの幅方向両側に配設され、ケーシング部が、双方の処理液供給部の周囲及び板状ガラスの裏面を覆うと共に、板状ガラスとその搬送方向で対向する箇所に第二の開口部を有するものであってもよい（請求項４）。なお、ここでいう「幅方向」とは、板状ガラスの搬送方向に直交し、かつ表裏面に沿った向きをいうものとする。
【００２９】
この構成によれば、処理液による端面の表面処理と共に、処理液の気化ガスによる裏面の表面処理を、インライン（搬送ライン）上で同時に実施することができる。また、板状ガラスの搬送速度を調整することで、端面が処理液供給部から処理液の供給を受ける時間及び上記供給時に発生する処理液の気化ガスに裏面が曝される時間を調節することができる。よって、端面及び裏面に対する表面処理レベルを容易に制御することが可能となる。
【００３０】
また、以上の説明に係る表面処理方法により得られる板状ガラスとして、例えば端面及び裏面に表面処理が施されたガラス基板であって、板厚Ｔ［ｍｍ］が０．５ｍｍ以下、裏面の表面粗さＲａ［ｎｍ］が０．３ｎｍ以上でかつ２．０ｎｍ以下、及び端面に沿った曲げ変形を生じた際の破壊時曲げ応力σ［ＭＰａ］が、５０×（０．７／Ｔ）2ＭＰａを超えかつ２００×（０．７／Ｔ）2ＭＰａ未満であるガラス基板を提供することができる（請求項９）。
【００３１】
あるいは、以上の説明に係る表面処理方法により得られる板状ガラスとして、例えば端面及び裏面に表面処理が施された帯状板ガラスであって、板厚Ｔ［ｍｍ］が０．２ｍｍ以下、裏面の表面粗さＲａ［ｎｍ］が０．３ｎｍ以上でかつ２．０ｎｍ以下、及び板状ガラスのヤング率をＥ［ＭＰａ］とした場合において端面に沿った曲げ変形を生じた際の破壊時曲げ応力σ［ＭＰａ］が、２．５×（Ｅ×Ｔ）／１５２．４［ＭＰａ］を超えかつ２．５×（Ｅ×Ｔ）／２５．４ＭＰａ未満である帯状板ガラスを提供することができる（請求項１０）。
【発明の効果】
【００３２】
以上に述べたように、本発明によれば、表面処理による板状ガラスの端面及び裏面に対する表面処理を簡便に実施すると共に、その際の処理液の使用量を極力少なくすることで、上述の表面処理を低コストに実施することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態に係る板状ガラスの表面処理装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示す表面処理装置の正面図である。
【図３】図１に示す表面処理装置を図２と同方向から見た要部断面図である。
【図４】図１に示す表面処理装置の平面図である。
【図５】図１に示す表面処理装置の側面図である。
【図６】本発明に係る表面処理装置を用いた表面処理の一例を説明するための要部断面図であって、端面に処理液を供給した際に発生する処理液の気化ガスの流れを説明するための要部断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る板状ガラスの表面処理装置の平面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る板状ガラスの表面処理装置の正面図である。
【図９】帯状板ガラスの端面及び裏面に対して本発明に係る表面処理を施す場合の一例を示す表面処理装置の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図６を参照して説明する。なお、本実施形態では、板状ガラスとして、成形した帯状板ガラスから所定の寸法に切り出したガラス基板の端面並びに裏面に表面処理を施す場合を例にとって説明する。
【００３５】
図１は、本発明の一実施形態に係る板状ガラスの表面処理装置１０の斜視図を示している。図１に示すように、この表面処理装置１０は、ガラス基板Ｇの端面Ｇａに処理液を供給する処理液供給部１１と、処理液供給部１１の周囲を覆うと共にガラス基板Ｇの裏面Ｇｂを覆うケーシング部１２と、処理液供給部１１から端面Ｇａに供給された処理液の気化により発生した処理液の気化ガスをケーシング部１２と裏面Ｇｂとの隙間１３（後述する図３を参照）に誘導する誘導手段１４とを具備する。この実施形態では、表面処理装置１０は、例えば図２以下に示すチャンバー１５内に収容された状態で、搬送ローラ１６を含むインライン上に配置される。
【００３６】
ここで、表面処理の対象となるガラス基板Ｇには、例えばオーバーフローダウンドロー法に代表されるダウンドロー法や、フロート法などの公知の手段により帯状に成形することができ、帯状に成形した板状ガラス（帯状板ガラス）を所定の長手方向寸法に切断した後、必要に応じて二辺もしくは四辺の研磨加工を施したものが用いられる。
【００３７】
また、ガラス基板Ｇの組成面についても特に限定されないが、例えば実質的にアルカリ金属酸化物を含有しないもの（いわゆる「無アルカリガラス基板」）が好適に使用される。ここで、「実質的にアルカリ金属酸化物を含有しない」とは、ガラス組成中のアルカリ金属酸化物の含有量が１０００ｐｐｍ以下のことをいうものとする。
【００３８】
処理液供給部１１は、この実施形態では、図１に示すように、搬送されるガラス基板Ｇの幅方向両側に配設される。ここで、処理液供給部１１は、例えば処理液を含浸させたスポンジゴム製のローラ１７と、ローラ１７に処理液を供給可能な処理液の貯溜タンク１８（図２を参照）と、貯溜タンク１８から処理液を吸上げてローラ１７に供給するポンプ（図示は省略）とで構成することができる。この場合、各ローラ１７は、ガラス基板Ｇの搬送に伴い、表面処理の対象となる幅方向の各端面Ｇａと接触することで、含浸させた処理液を端面Ｇａに塗布可能な幅方向位置に配置される。なお、ローラ１７としては、スポンジゴム製の他、発泡ポリウレタンや発泡ポリエチレンなどの発泡樹脂で形成したもの等、処理液を含浸可能な構造を採り得る材料で形成することが可能である。もちろん、端面Ｇａに処理液を塗布可能な限りにおいて、例えばブラシ、ハケなどの他の塗布手段を採用することも可能である。あるいは、ガラス基板Ｇの表面Ｇｃへの処理液の飛散を抑制可能な手段を併設可能であるならば、ノズルを設けたスプレー手段などを採用することも可能である。
【００３９】
また、処理液供給部１１から端面Ｇａに供給可能な処理液としては、酸性、アルカリ性の別なく適当な薬液を使用でき、例えばより短時間でのガラス粉等の溶解や除去を図る場合には、アルカリ性溶液よりもエッチング能力が高い酸性溶液を使用することが可能である。具体的には、ＨＦ（フッ酸）、ＨＮ4Ｆ（フッ化アンモニウム）、ＨＮＯ4、Ｈ2ＳＯ4、ＨＣｌ、Ｈ2Ｏ2を１種又は複数種混合したものを使用可能な酸性溶液の例として挙げることができる。また、これらフッ化物溶液の濃度は、３重量％以上でかつ４０重量％以下の範囲にあることが好ましい。上述した処理液は、例えばその濃度や温度を調整された状態で、貯溜タンク１８からローラ１７に吸上げられて、又はローラ１７に滴下されてその内部に含浸された状態で、ガラス基板Ｇの端面Ｇａに供給される。
【００４０】
ケーシング部１２は、この実施形態では、処理液供給部１１を構成するローラ１７の周囲（端面及び外周面）を覆う一対のローラケーシング部１９と、これら一対のローラケーシング部１９と連続し、ローラ１７と端面Ｇａとが接触した状態でガラス基板Ｇの裏面Ｇｂとの間に所定寸法の隙間１３を形成する板状の底部２０とで構成される。ここで、ローラ１７は駆動可能に構成されている。また、ケーシング部１２は、図４に示すように、ローラ１７がガラス基板Ｇの端面Ｇａに接触した状態においてガラス基板Ｇの表面Ｇｃと対向する箇所に第一の開口部２１を有しており、この際、ガラス基板Ｇの端面Ｇａを含む端部がローラケーシング部１９で覆われるようになっている。また、このケーシング部１２は、図２に示すように、搬送ローラ１６上を搬送されるガラス基板Ｇとその搬送方向で対向する箇所に第二の開口部２２を有しており、これにより、インライン上における表面処理装置１０へのガラス基板Ｇの円滑な搬入及び搬出を可能としている。
【００４１】
また、この実施形態では、図１〜図３に示すように、底部２０の搬送方向両端に側部２３が立設されており、ローラ１７がガラス基板Ｇの端面Ｇａに接触した状態では、これら一対の側部２３と底部２０、及びガラス基板Ｇの裏面Ｇｂとで、概ね周囲を覆った状態の隙間１３が形成されるようになっている。この側部２３は、隙間１３の幅寸法によっては省略することも可能である。なお、この際、例えば底部２０をローラケーシング部１９に対して上下方向に相対移動可能に構成することで、あるいは、底部２０を含むケーシング部１２全体をローラ１７に対して上下方向に相対移動可能に構成することで、隙間１３の幅寸法を可変可能に構成してもよい。
【００４２】
誘導手段１４は、隙間１３とケーシング部１２の外側空間とを連通する連通路２４と、連通路２４に接続され、隙間１３に誘導された処理液の気化ガスをケーシング部１２の外側空間に排出する排気装置２５とを有する。この実施形態では、連通路２４は、ケーシング部１２の底部２０の幅方向中央に開口形成されており、これにより、排気装置２５による排気作用で、隙間１３にその幅方向両側から誘導（流入）される気化ガスの流量を隙間１３全域にわたって極力均一化している。また、排気装置２５は、この実施形態では、チャンバー１５の側壁部に設けられ、隙間１３に誘導された処理液の気化ガスを連通路２４を介してチャンバー１５の外側空間に排出するようになっている。また、チャンバー１５の天部には吸気部２６が設けられており、排気装置２５によりケーシング部１２内の気体（処理液の気化ガスなど）がチャンバー１５の外側空間に排出された際、チャンバー１５内部へ外気を取り込むことで、負圧の発生を抑制するようにしている。また、この実施形態では、ケーシング部１２のうち、ガラス基板Ｇの表面Ｇｃと対向する箇所に第一の開口部２１を設けているので、排気装置２５により隙間１３の気体をチャンバー１５外に排出することで、吸気部２６を介してチャンバー１５内に取り込まれた外気が第一の開口部２１を介して隙間１３へと流れ込む気体の流れが形成される。よって、例えば排気装置２５を、気化ガスの単位時間当りの排気量を調整可能に構成することで、隙間１３における処理液の気化ガスの流量を制御可能となる。また、上述のように第一の開口部２１を介して隙間１３へと流れ込む気体の流れを形成することで、処理液の気化ガスがガラス基板Ｇの表面Ｇｃと接触する事態を防止している。
【００４３】
以下、上記構成の表面処理装置１０を用いたガラス基板Ｇの表面処理方法について説明する。
【００４４】
まず、図４及び図５に示すように、搬送ローラ１６によりガラス基板Ｇをチャンバー１５内に搬送し、チャンバー１５内に配設した処理液供給部１１のローラ１７を回転駆動させながらガラス基板Ｇの端面Ｇａと接触させることで、ローラ１７に含浸させた処理液を端面Ｇａに塗布する。これにより、端面Ｇａに対してその搬送方向前方端から連続的に処理液が塗布され、当該処理液による端面Ｇａの表面処理が施される。また、この際、ローラ１７から端面Ｇａに供給された処理液の一部が気化することで、端面Ｇａの周囲に処理液の気化ガスが発生する。この気化ガスを、排気装置２５によりケーシング部１２の底部２０とガラス基板Ｇの裏面Ｇｂとの隙間１３に誘導することで、裏面Ｇｂを上記処理液の気化ガスに曝す。これにより、裏面Ｇｂがその搬送方向前方端から連続的に処理液の気化ガスに曝され、当該気化ガスによる裏面Ｇｂの表面処理が施される。
【００４５】
なお、この際、上記表面処理の前後で、裏面Ｇｂの表面粗さＲａ［ｎｍ］が０．１ｎｍ以上でかつ１．８ｎｍ以下の範囲で向上（ここでは粗面化）するように、より好ましくは０．１ｎｍ以上でかつ０．８ｎｍ以下の範囲で向上するように、気化ガスによる裏面Ｇｂへの表面処理条件が設定される。あるいは、上記表面処理後のガラス基板Ｇにおいて、端面Ｇａに沿った曲げ変形を生じた際の破壊時曲げ応力σ［ＭＰａ］が、５０×（０．７／Ｔ）2ＭＰａを超えかつ２００×（０．７／Ｔ）2ＭＰａ未満となるように、処理液による端面Ｇａへの表面処理条件が設定される。ここで、例えば端面Ｇａ及び裏面Ｇｂに対する表面処理条件は、上述した処理液の濃度や温度を調整する他、雰囲気温度（チャンバー１５内の温度）やガラス基板Ｇの搬送速度を調整することによって適宜設定される。また、主に裏面Ｇｂに対する表面処理条件は、上述した隙間１３の幅寸法や排気装置２５による気化ガスの単位時間当りの排気量を調整することによって適宜設定される。
【００４６】
上述のようにして一連の表面処理が施されたガラス基板Ｇは、例えば板厚Ｔ［ｍｍ］が０．５ｍｍ以下、裏面Ｇｂの表面粗さＲａ［ｎｍ］が０．３ｎｍ以上でかつ２．０ｎｍ以下、及び端面Ｇａに沿った曲げ変形を生じた際の破壊時曲げ応力σ［ＭＰａ］が、５０×（０．７／Ｔ）2ＭＰａを超えかつ２００×（０．７／Ｔ）2ＭＰａ未満を示す。
【００４７】
このように、本発明では、ガラス基板Ｇの端面Ｇａに対しては処理液を供給するようにしたので、ガラス基板Ｇの端面Ｇａにおいては、ローラ１７から供給された処理液で微小な凹凸や異物が溶解し、また微小凹部内に保持されていたガラス粉などの異物が洗い流される。従って、端面Ｇａを平滑化することができる。また、ケーシング部１２でローラ１７の周囲とガラス基板Ｇの裏面Ｇｂとを覆うようにし、かつ誘導手段１４により、ローラ１７から端面Ｇａに供給される処理液の気化により発生した処理液の気化ガスをケーシング部１２と裏面Ｇｂとの隙間１３に誘導するようにした。これにより、処理液の気化ガスに裏面Ｇｂが曝されることで当該裏面Ｇｂの表面処理が施される。よって、裏面Ｇｂの全域にわたって万遍なく気化状態の処理液を供給することができ、均一な表面処理を施すことができる。また、ケーシング部１２と裏面Ｇｂとの間に隙間１３を形成し、この隙間１３に気化ガスを誘導するようにしたので、処理液の気化ガスが拡散することなく裏面Ｇｂに供給される。よって、表面処理可能なガス濃度を確保して、適切な表面処理を裏面Ｇｂに施すことができる。加えて、本発明では、端面Ｇａに処理液を供給する際に発生する処理液の気化ガスを有効に利用して裏面Ｇｂに表面処理を施すようにしたので、裏面Ｇｂに処理液を供給する手段を別途設ける必要がなく、またそのための工程を新たに設けずに済む。もちろん、裏面Ｇｂに処理液を供給して表面処理を施す場合と比べて、格段に処理液の使用量を減らすことができるので、経済的である。
【００４８】
さらに、本発明では、端面Ｇａに供給した処理液の気化ガスをケーシング部１２と裏面Ｇｂとの隙間１３に誘導することで裏面Ｇｂに表面処理を施すようにしたので、ガラス基板Ｇの端面Ｇａと裏面Ｇｂに表面処理を施しつつも、ガラス基板Ｇの表面Ｇｃが、実質的な表面処理となる程度に処理液の気化ガスに曝される事態を防ぐことができる。従って、裏面Ｇｂを適度に粗面化して帯電を抑制または防止することができると共に、表面Ｇｃにおいては表面処理直前の面粗さを維持して、高い表面精度を確保することが可能となる。
【００４９】
特に、この実施形態では、ローラ１７及びローラ１７と接する端面Ｇａを含むガラス基板Ｇの幅方向端部をローラケーシング部１９で覆うようにしたので、ローラ１７と端面Ｇａとの接触部で発生した処理液の気化ガスを漏れなく隙間１３に誘導することができる。また、ケーシング部１２のうち、ガラス基板Ｇの表面Ｇｃと対向する箇所に第一の開口部２１を設けることで、排気装置２５により処理液の気化ガスを隙間１３に誘導した際、第一の開口部２１及びローラ１７と端面Ｇａとの接触部を介して外気を隙間１３に引き込む向きの流れを発生させることができる。よって、この流れにより、端面Ｇａに供給した際に発生する処理液の気化ガスがガラス基板Ｇの表面Ｇｃ側に流動する事態を効果的に抑制することができる。
【００５０】
また、この実施形態では、処理液を含浸させたローラ１７の周囲（端面及び外周面）をローラケーシング部１９で覆うと共に、このローラケーシング部１９と連続する底部２０でもってガラス基板Ｇの裏面Ｇｂとの間に所定幅寸法の隙間１３を形成するようにしたので、ローラ１７と端面Ｇａとの接触部だけでなく、ローラ１７に含浸させた処理液がローラ１７の表面（端面及び外周面）で気化することで生じる処理液の気化ガスについても漏れなく有効に利用して、底部２０と裏面Ｇｂとの隙間１３に誘導することができる。よって、気化ガスによる裏面Ｇｂの表面処理をより効果的に行うことができる。また、このことによっても気化ガスの表面Ｇｃ側への流動をより効果的に抑制することができる。
【００５１】
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明に係る表面処理装置又は表面処理方法は、当然に本発明の範囲内において任意の形態を採ることができる。
【００５２】
例えば上記実施形態では、チャンバー１５の内部に、一対の処理液供給部１１（ローラ１７）を具備した板状ガラスの表面処理装置１０を配設した場合を例示したが、もちろんこれ以外の構成を採ることも可能である。図７はその一例を示すもので、同図に係る板状ガラスの表面処理装置１０は、一対の処理液供給部１１とケーシング部１２、及び誘導手段１４を、ガラス基板Ｇの搬送方向に沿って複数列に配設してなる。この場合、まず搬送ラインの上流側（図７でいえば右側）に配設した一対の処理液供給部１１と一対の処理液供給部１１とケーシング部１２、及び誘導手段１４とによって、上述の如く、ガラス基板Ｇの端面Ｇａに処理液による表面処理が施されると共に、裏面Ｇｂに処理液の気化ガスによる表面処理が施される。このようにして端面Ｇａと裏面Ｇｂとに表面処理が施されたガラス基板Ｇはさらに下流側（図７でいえば左側）に配設した一対の処理液供給部１１と一対の処理液供給部１１とケーシング部１２、及び誘導手段１４とによって、上述の如く、処理液による端面Ｇａへの表面処理を受けると共に、処理液の気化ガスによる裏面Ｇｂへの表面処理を受ける。従って、１個のチャンバー１５内において、端面Ｇａと裏面Ｇｂ共に複数回の表面処理を施すことができるので、ガラス基板Ｇの搬送速度を落とさずとも必要十分な表面処理を端面Ｇａ及び裏面Ｇｂに施すことが可能となる。
【００５３】
また、上記実施形態では、板状ガラスの表面処理方法として、処理液供給部１１の周囲を覆うと共にガラス基板Ｇの裏面Ｇｂを覆うケーシング部１２を設けて、このケーシング部１２と裏面Ｇｂとの間に所定幅寸法の隙間１３を設け、この隙間１３に処理液の気化ガスを誘導する場合を説明したが、もちろんケーシング部１２以外で裏面Ｇｂとの間に隙間１３を形成するようにしても構わない。図８はその一例を示すもので、同図に係る表面処理装置１０は主に、板状の隙間形成部２７をガラス基板Ｇの裏面Ｇｂと対向する箇所に配置してなるもので、一対の処理液供給部１１（ローラ１７）とガラス基板Ｇの端面Ｇａとが接触した状態において、隙間形成部２７と裏面Ｇｂとの間に所定幅寸法の隙間１３を形成可能に構成される。また、幅方向端部を除くガラス基板Ｇの表面Ｇｃと一対の処理液供給部１１（ローラ１７）との間には一対の仕切り２８が配設されており、ローラ１７と端面Ｇａとの接触部ないしローラ１７の周囲に生じた処理液の気化ガスがガラス基板Ｇの表面Ｇｃ（の品質保証面）側に流れ込む事態を抑制可能としている。また、この図示例では、隙間形成部２７の幅方向中央に搬送方向に延びるスリット２９が形成されると共に、このスリット２９の下方に排気装置２５が配設されている。これにより、ローラ１７から端面Ｇａに処理液を供給する際に生じる処理液の気化ガスを隙間形成部２７と裏面Ｇｂとの隙間１３に誘導して、誘導した気化ガスによる裏面Ｇｂの表面処理を実施可能としている。
【００５４】
なお、上記実施形態では、ガラス基板Ｇの長辺となる端面Ｇａに対して処理液による表面処理を施した場合を説明したが、もちろんこれに限る必要はない。例えば、長辺側の端面Ｇａに対して処理液による表面処理を施した後、ガラス基板Ｇを９０度反転させて、ガラス基板Ｇの短辺側の端面Ｇｄ（図１等を参照）に対して上述した処理液による表面処理を施すようにしてもよい。また、この際、長辺側の端面Ｇａと短辺側の端面Ｇｄの何れか一方の表面処理のときのみ本発明に係る表面処理（処理液の気化ガスによる表面処理）を裏面Ｇｂに施すようにしてもよいし、双方の端面Ｇａ，Ｇｄの表面処理の際に上記気化ガスによる表面処理を裏面Ｇｂに施すようにしてもよい。
【００５５】
また、以上の説明では、帯状板ガラスから切り出したガラス基板Ｇの端面Ｇａ及び裏面Ｇｂに対して所定の表面処理を施す場合を説明したが、もちろん帯状板ガラスの端面及び裏面に本発明を適用することも可能である。図９はその一例を示すもので、同図に示す表面処理装置１０は、帯状に成形して幅方向に切断した後、その長手方向一端又は両端を巻き取ったガラスフィルムＧＦ（図９では両端を巻き取る場合（ロール・ツー・ロールの場合）を例示している）の端面Ｇａ及び裏面Ｇｂに対して本発明に係る表面処理を実施可能な位置に配設されている。よって、例えばこの状態から一方のガラスフィルムロールＧＲにガラスフィルムＧＦを巻き取る動作を行い、その際に搬送ローラ１６上を巻き取り方向に移動するガラスフィルムＧＦの端面Ｇａに対して、一対の処理液供給部１１とケーシング部１２、及び誘導手段１４とによる表面処理を施す。これにより、巻き取り動作中のガラスフィルムＧＦの端面Ｇａに処理液による表面処理を施すと共に、裏面Ｇｂに処理液の気化ガスによる表面処理を施すことができる。
【００５６】
なお、この際、上記表面処理の前後で、ガラスフィルムＧＦの裏面Ｇｂの表面粗さＲａ［ｎｍ］が０．１ｎｍ以上でかつ１．８ｎｍ以下の範囲で向上（粗面化）するように、より好ましくは０．１ｎｍ以上でかつ０．８ｎｍ以下の範囲で向上するように、気化ガスによる裏面Ｇｂへの表面処理条件が設定される。あるいは、上記表面処理後のガラスフィルムＧＦにおいて、ガラスフィルムＧＦのヤング率をＥ［ＭＰａ］とした場合において端面Ｇａに沿った曲げ変形を生じた際の破壊時曲げ応力σ［ＭＰａ］が、２．５×（Ｅ×Ｔ）／１５２．４［ＭＰａ］を超えかつ２．５×（Ｅ×Ｔ）／２５．４ＭＰａ未満となるように、処理液による端面Ｇａへの表面処理条件が設定される。
【００５７】
また、上述のようにして一連の表面処理が施されたガラスフィルムＧＦは、例えば板厚Ｔ［ｍｍ］が０．２ｍｍ以下、裏面Ｇｂの表面粗さＲａ［ｎｍ］が０．３ｎｍ以上でかつ２．０ｎｍ以下、及びガラスフィルムＧＦのヤング率をＥ［ＭＰａ］とした場合において端面Ｇａに沿った曲げ変形を生じた際の破壊時曲げ応力σ［ＭＰａ］が、２．５×（Ｅ×Ｔ）／１５２．４［ＭＰａ］を超えかつ２．５×（Ｅ×Ｔ）／２５．４ＭＰａ未満を示す。
【実施例】
【００５８】
形態（ガラス基板、ガラスフィルム）及び厚みの異なる５種類の板状ガラス（実施例１〜５）を用意し、本発明の図１に示す表面処理装置を用いて端面及び裏面に表面処理を施した後、裏面の表面粗さと、端面に沿った曲げ変形を生じた際の破壊時曲げ応力を測定した。また、比較例として、本発明に係る表面処理を施していない、あるいは端面のみに表面処理を施した６種類の板状ガラスを用意し、実施例と同様、裏面の表面粗さと端面に沿った曲げ変形による破壊を生じた際の曲げ応力を測定した。以下、各実施例及び比較例の詳細を説明する。
（実施例１）
帯状に成形し、所定のサイズ（７３０×９２０×０．５ｔ  単位：ｍｍ）に切り出した後、端面に研削面取りを施した無アルカリガラス基板の端面に、後述する処理液を含浸したスポンジ状のローラ（ウレタンゴム製）に接触させながら、ガラス基板を搬送させることで、端面に処理液による表面処理を施した。また、連通路としての排気ダクトの一端をケーシング部に開口接続すると共に他端を排気装置に接続してなる誘導手段を設けることで、ケーシング部内の気体（処理液の気化ガス）をチャンバー外部に排気可能とし、これにより処理液を端面に供給する際に発生する処理液の気化ガスを裏面とケーシング部との隙間に誘導して、裏面に処理液の気化ガスによる表面処理を施した。この際、処理液には、液温３０℃、濃度１０ｗｔ％に調整したフッ酸（ＨＦ）水溶液を使用した。また、この処理液をローラに１ｍｌ／１ｍｉｎの速度で滴下供給することで、ローラに接触した端面に常に処理液が塗布可能とした。また、ガラス基板の裏面とケーシング部との隙間に関し、その幅寸法を１０ｍｍ、その搬送方向寸法（図１で言えば側部２３の対向間隔）を１００ｍｍとして、処理液の気化ガスによる裏面の表面処理を実施した。以上の作業（表面処理）を、雰囲気温度２５℃、排気量０．５ｍ3／ｍｉｎ、及びガラス基板の搬送速度１ｍ／ｍｉｎの条件下で実施した。
（実施例２）
実施例１と比べて厚みのみ異なる（０．３ｔ）無アルカリガラス基板の端面に処理液による表面処理を施すと共に、裏面に処理液の気化ガスによる表面処理を施した。表面処理条件は、ガラス基板の搬送速度を０．５ｍ／ｍｉｎとした以外は、実施例１と同じである。
（実施例３）
帯状に成形し、炭酸ガスレーザーにて切断した後、ロール状に巻き取った無アルカリガラスフィルム（５００×０．０５ｔ  単位：ｍｍ）の端面に処理液による表面処理を施すと共に、裏面に処理液の気化ガスによる表面処理を施した。表面処理条件は実施例１と同じである。
（実施例４）
実施例３と比べて厚みのみ異なる（０．２ｔ）無アルカリガラスフィルムの端面に処理液による表面処理を施すと共に、裏面に処理液の気化ガスによる表面処理を施した。表面処理条件は、ガラスフィルムの搬送速度（巻き取り速度）を０．５ｍ／ｍｉｎとした以外は、実施例１と同じである。
（実施例５）
実施例４と同一の無アルカリガラスフィルムの端面に処理液による表面処理を施すと共に、裏面に処理液の気化ガスによる表面処理を施した。表面処理条件は、ガラスフィルムの搬送速度を１．５ｍ／ｍｉｎとした以外は、実施例１と同じである。
（比較例１）
実施例１と比べて厚みのみ異なる（０．７ｔ）無アルカリガラス基板を形成し、端面及び裏面に表面処理を施すことなしに、上述の表面粗さ及び破壊時曲げ応力の測定を行った。
（比較例２）
実施例１と同一の無アルカリガラス基板を形成し、端面及び裏面に表面処理を施すことなしに、上述の表面粗さ及び破壊時曲げ応力の測定を行った。
（比較例３）
実施例１と同一の無アルカリガラス基板を形成し、ケーシング部と誘導手段とを設けないこと以外は実施例１と同一構成の表面処理装置を用いて、端面のみに処理液による表面処理を施した。表面処理条件は、排気量を１．０ｍ3／ｍｉｎとした以外は、実施例１と同じである。
（比較例４）
実施例３と同一の無アルカリガラスフィルムを形成し、端面及び裏面に表面処理を施すことなしに、上述の表面粗さ及び破壊時曲げ応力の測定を行った。
（比較例５）
実施例４と同一の無アルカリガラスフィルムを形成し、端面及び裏面に表面処理を施すことなしに、上述の表面粗さ及び破壊時曲げ応力の測定を行った。
（比較例６）
実施例３と同一の無アルカリガラスフィルムを形成し、比較例３と同一の設備を用いて、端面のみに処理液による表面処理を施した。表面処理条件は比較例３と同じである。
【００５９】
また、上述のようにして得られた各試験片（実施例１〜５、比較例１〜６）に対する、端面に沿った曲げ変形を生じた際の破壊時曲げ応力の測定試験を以下の条件で実施した。各試験片についてＮ＝２０（回）の測定試験を実施した。
（ガラス基板の場合）
処理液による表面処理を施した端面を長辺とする１５×６０の短冊状試験片を切り出し、この短冊状試験片の裏面をスパン４５ｍｍで支持した状態で、表面の長手方向中央に０．５ｍｍ／ｍｉｎのストローク荷重を負荷し（３点曲げ）、破壊（破断）を生じた時点の荷重を測定することで、破壊時の曲げ応力を算出した。この際の破壊時曲げ応力σ［ＭＰａ］は、試験片の幅寸法をＢ［ｍｍ］、破壊時の測定荷重をＰ［Ｎ］、試験片の厚み寸法をｈ［ｍｍ］、試験片の支持スパンをＬ［ｍｍ］としたとき、以下の数式：σ＝３×Ｐ×Ｌ／２×Ｂ×ｈ2  から算出される。
（ガラスフィルムの場合）
一対の板状治具で、折り返した状態のガラスフィルムを挟み込んだ状態で、当該一対の板状治具の対向面間隔を５０ｍｍ／ｍｉｎの割合で狭めていき、破壊を生じた時点の対向面間隔を測定することで、破壊時の曲げ応力を算出した。この際の破壊時曲げ応力σ［ＭＰａ］は、試験片のヤング率をＥ［ＭＰａ］、試験片の厚み寸法をＴ［ｍｍ］、破壊時の対向面間隔をＤ［ｍｍ］としたとき、以下の数式：σ＝１．１９８×（Ｅ×Ｔ）／（Ｄ−Ｔ）  から算出される。
【００６０】
ガラス基板の場合の試験結果を表１に、ガラスフィルムの場合の試験結果を表２にそれぞれ示す。
【表１】
2013212965.tif 000003
【表２】
2013212965.tif 000004
【００６１】
まず、ガラス基板の場合において、端面に何らの表面処理を施さなかった場合（比較例１，２）、十分な破壊時曲げ応力が得られないことがわかる。また、この曲げ応力が、厚み寸法の２乗に比例して低下することもわかる。また、端面に処理液による表面処理を施した場合であっても、処理液を供給する際に発生する処理液の気化ガスをガラス基板の裏面側に誘導していない場合（比較例３）には、気化ガスがチャンバー内に充満して、裏面だけでなく表面についても粗面化されることがわかる。これに対して、本発明に係る表面処理を施した場合（実施例１，２）、端面が平滑化されることで所要の破壊時曲げ応力が得られることがわかる。また、表面の表面粗さを維持しつつも裏面を粗面化できることがわかる。
【００６２】
また、ガラスフィルムの場合において、端面に何らの表面処理を施さなかった場合（比較例４，５）、十分な破壊時曲げ応力（この場合は、アプリケーション適用時に要求される長期的な強度）が得られないことがわかる。また、端面に処理液による表面処理を施した場合であっても、処理液を供給する際に発生する処理液の気化ガスをガラスフィルムの裏面側に誘導していない場合（比較例６）には、気化ガスがチャンバー内に充満して、裏面だけでなく表面についても粗面化されることがわかる。これに対して、本発明に係る表面処理を施した場合（実施例３，４）においては、端面が平滑化されることで所要の破壊時曲げ応力が得られることがわかる。また、表面の表面粗さを維持しつつも裏面を粗面化できることがわかる。また、ガラス基板の搬送速度、言い換えると端面及び裏面の表面処理速度を高めた場合（実施例５）であっても、必要最小限の破壊時曲げ応力が得られることがわかる。よって、この場合、使用する処理液の量を大幅に減らしつつも、適切な表面処理を施し得ることがわかる。
【符号の説明】
【００６３】
１０    表面処理装置
１１    処理液供給部
１２    ケーシング部
１３    隙間
１４    誘導手段
１５    チャンバー
１６    搬送ローラ
１７    ローラ
１８    貯溜タンク
１９    ローラケーシング部
２０    底部
２１，２２  開口部
２３    側部
２４    連通路
２５    排気装置
２６    吸気部
２７    隙間形成部
２８    仕切り
２９    スリット
Ｇ      ガラス基板
Ｇａ，Ｇｄ  端面
Ｇｂ    裏面
Ｇｃ    表面
ＧＦ    ガラスフィルム
ＧＲ    ガラスフィルムロール
【図１】
2013212965.tif 000005
【図２】
2013212965.tif 000006
【図３】
2013212965.tif 000007
【図４】
2013212965.tif 000008
【図５】
2013212965.tif 000009
【図６】
2013212965.tif 000010
【図７】
2013212965.tif 000011
【図８】
2013212965.tif 000012
【図９】
2013212965.tif 000013