(57)【要約】      （修正有）【課題】導体層が絶縁基板の片面にパターン形成された片面プリント配線板で、導体層のうちの端子部導体層の表面に保護用金属被覆層を形成した場合、端子部導体層間スペースを狭小化しても、保護用金属の異常析出、ブリッジ現象により端子部導体層間が導通することを防止して、従来よりも高精細化したプリント配線板を提供する。【解決手段】絶縁基材１０の片面（第１面）側に導体層１２が埋め込まれ、その導体層のうちの端子部導体層１２ａの表面に、保護用金属被覆層１４が形成された片面プリント配線板において、端子部導体層は、その表面が絶縁基材の第１面１０Ａから窪んだ状態で形成され、その窪んだ導体層の表面が被覆層によって覆われ、しかもその被覆層の表面が、絶縁基材の第１面と実質的に同一面以下に位置するように形成され、かつ絶縁基材の反対側の面（第２面）１０Ｂから絶縁基材内の導体層に達する開口穴１３Ａ，１３Ｂが形成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材の平行な二つの面を第１面および第２面とし、そのうちの第１面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層が埋め込まれており、かつその導体層のうちの端子部の導体層の表面に、導体層の金属とは異なる保護用金属からなる１層以上の被覆層が形成されてなる片面プリント配線板において、
前記端子部の導体層は、その表面が絶縁基材の第１面から窪んだ状態で形成されており、かつその窪んだ導体層の表面が前記１層以上の被覆層によって覆われており、しかもその１層以上の被覆層は、その表面が、前記絶縁基材の前記第１面と実質的に同一面以下に位置するように形成されており、さらに前記絶縁基材の前記第２面から、絶縁基材内の導体層のうち少なくとも１以上の導体層に達する１以上の開口穴が形成されていることを特徴とする片面プリント配線板。
【請求項２】
請求項１に記載された片面プリント配線板において、
前記開口穴底部の導体層の表面に、前記保護用金属と同種の金属からなる１以上の被覆層が形成されていることを特徴とする片面プリント配線板。
【請求項３】
請求項１、請求項２のいずれかの請求項に記載された片面プリント配線板において、
前記第１面の側の保護用金属の被覆層の表面が、前記絶縁基材の前記第１面より２μｍ高い位置以下に位置するように形成されていることを特徴とする片面プリント配線板。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかの請求項に記載された片面プリント配線板において、
前記導体層のうちの配線回路の導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面と実質的に面一に形成されていて、その配線回路の導体層の表面に前記保護用金属被覆層が形成されていないことを特徴とする片面プリント配線板。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかの請求項に記載された片面プリント配線板において、
前記被覆層で覆われた端子部の導体層における、隣り合う導体層間の最小間隔が２５μｍ以下であることを特徴とする片面プリント配線板。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれかの請求項に記載された片面プリント配線板において、
前記第１面の側において被覆層で覆われた端子部の導体層は、その被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の第１面との間の距離が、１〜７μｍの範囲内となるように形成されていることを特徴とする片面プリント配線板。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかの請求項に記載された片面プリント配線板において、
前記被覆層で覆われた端子部の導体層は、被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離が、導体層の幅方向の中央部で小さく、幅方向両端部で大きくなるように形成されていることを特徴とする片面プリント配線板。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれかの請求項に記載された片面プリント配線板において、
前記導体層が、銅もしくは銅合金によって形成されており、かつ前記保護用金属の材料が、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｇ、はんだ合金のうちから選ばれた１種以上のものであることを特徴とする片面プリント配線板。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれかの請求項に記載された片面プリント配線板を製造する方法であって：
絶縁基材の平行な二つの面を第１面および第２面とし、そのうちの第１面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層を埋め込む埋め込み基板形成工程と、
絶縁基材の前記第２面から、前記絶縁基材内の導体層のうち少なくとも１以上の導体層に達する１以上の開口穴を形成する開口穴形成工程と、
前記開口穴形成工程の後、もしくはその前に、前記導体層のうちの端子部の導体層の前記絶縁基材第１面の側の表面をエッチングして、その表面を絶縁基材の第１面から凹状に窪ませるエッチング工程と、
前記エッチングされた端子部の導体層の表面を、導体層の金属とは異なる保護用金属によって、１層以上に被覆して保護用被覆層を形成する被覆工程と、
を有し、
かつ前記被覆工程では、保護用被覆層を、その表面が絶縁基材の第１面と実質的に同一面以下に位置するように形成することを特徴とする片面プリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載された片面プリント配線板の製造方法において、
前記開口穴形成工程で形成された開口穴の底部の導体層表面にも、前記被覆工程において保護用金属の被覆層を形成することを特徴とする片面プリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
請求項９、請求項１０のいずれかの請求項に記載された片面プリント配線板の製造方法において、
前記エッチング工程で、端子部の導体層の前記絶縁基材第１面側の表面をエッチングし、その後の被覆工程で、そのエッチングされた端子部の導体層の表面に保護用金属の被覆層を形成することを特徴とする片面プリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
請求項９〜請求項１１のいずれかの請求項に記載された片面プリント配線板の製造方法において、
前記被覆工程で、保護用金属の被覆層を、その表面が前記絶縁基材第１面から２μｍ高い位置以下となるように形成することを特徴とする片面プリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜請求項１２のいずれかの請求項に記載された片面プリント配線板の製造方法において、
前記エッチング工程で、端子部の導体層を、その絶縁基材第１面の側の表面の最上部が、絶縁基材第１面から１〜７μｍだけ窪むまでエッチングすることを特徴とする片面プリント配線板の製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜請求項１３のいずれかの請求項に記載された片面プリント配線板の製造方法において、
前記被覆工程が、無電解めっきもしくは電解めっきにより保護用金属を被覆する工程であることを特徴とする片面プリント配線板の製造方法。
【請求項１５】
請求項９〜請求項１４のうちのいずれかの請求項に記載された片面プリント配線板の製造方法において、
前記埋め込み基板形成工程が、支持体の表面上に導体層をパターンめっきにより形成した後、前記絶縁基材第１面に前記導体層を押し込み、その後、支持体を除去する工程であることを特徴とする片面プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子・電気機器に使用されるプリント配線板、特に片面プリント配線板として、その端子部の導体パターンの高精細化を図ったプリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
片面プリント配線板（片面基板ともいう）は、板状もしくはシート状、フィルム状の絶縁基材の片面のみに、回路配線や端子部を構成するパターンで導体層を形成したものであり、両面に導体層パターンを形成した両面プリント配線板や、多層プリント配線板と比べて低コストで製造することができるため、回路パターンが比較的簡単なプリント配線板として広く使用されている。なお、片面プリント配線板における導体パターンを形成した面（パターン面）に対して反対側の面は、半導体チップや抵抗などの電子部品を搭載する実装面として使用されるのが通常であるが、マザーボード上に接続するための接続面として使用されることもある。一方、前述のパターン面にも、フリップチップ接続などによって半導体チップなどを直接的に接続、搭載することもある。
【０００３】
このような片面プリント配線板は、導体パターンが片面のみに形成されるため、本来は、両面プリント配線板と比較して高密度化することが困難ではあるが、微細なパターンを形成することができれば、両面プリント配線板と同程度近くまで高密度化が可能となることから、片面プリント配線板についても、従来より一層の導体パターン微細化が求められるようになっている。
【０００４】
ところで従来のプリント配線板の製造方法、特に回路配線および端子部を構成するパターンの導体層を絶縁基材上に形成するための方法は、サブトラクティブ法、アディティブ法（フルアディティブ法、セミアディティブ法）に大別される。片面プリント配線板の場合は、コスト面などから、従来はサブトラクティブ法を適用することが多かったが、セミアディティブ法が、他の方法と比較して微細な導体パターンを精度良く形成することができるため、最近では、片面プリント配線板についても、微細なパターンが求められる場合にはセミアディティブ法が多用されるようになっている。
【０００５】
セミアディティブ法は、基本的には、例えば特許文献１に示されているように、絶縁材料からなる基材上に、無電解めっきによって銅などの薄質な金属層（シード層）を形成し、その上に導体パターンを反転したパターンでめっきレジスト層を形成した後、電解めっきによってレジスト層非形成部分に銅などの導体層を形成し、その後にめっきレジスト層を剥離除去し、さらに電解めっきによる導体層が形成されていない部分のシード層をフラッシュエッチングによって除去するものである。
【０００６】
このようなセミアディティブ法によって作製された片面プリント配線板における導体パターン形成部分の断面構造を、図１４（Ａ）に模式的に示す。導体層１２は、絶縁基材１０の上面のシード層１１に載った状態、すなわち絶縁基材１０の上面から突出した状態で形成されている。
【０００７】
ここで、セミアディティブ法を適用した場合、電解めっきにより導体層が形成されていない部分（隣り合う導体層１２の間のスペース）のシード層を、前述のようにフラッシュエッチングによって除去する必要がある。ここでフラッシュエッチングでは、実際には、導体層の間のシード層が除去されるだけではなく、図１４（Ｂ）に示しているように、導体層１２も若干エッチングされてしまう。そのため、導体層１２の幅、特に端子部における他の電子部品との接合のために有効な平坦部分の幅ＷＡが狭くなってしまう。したがってセミアディティブ法を適用した場合でも、ある程度以上は高密度、高精度の導体パターンを形成することが困難である。
【０００８】
そこで最近では、回路配線や端子部の導体パターンを構成する導体層をプリプレグなどからなる絶縁基材の表面に埋め込んで、導体パターンの側の表面を平滑にしたプリント配線板が実用化されるようになっている。このようなプリント配線板は、例えば特許文献２あるいは特許文献３などに示されており、その断面構造の一例を図１５（Ａ）に示す。図１５（Ａ）において、導体パターンを構成する導体層１２は、絶縁基材１０の表面層に埋め込まれて、導体層１２の表面１２Ａは、絶縁基材１０の上面１０Ａとほぼ同一面とされている。
【０００９】
図１５（Ａ）に示すような基板の製造方法は種々考えられているが、基本的にはサブトラクティブ法やセミアディティブ法などの任意の手法によって、支持体表面上に所定のパターンでその表面から突出する導体層を形成しておき、それを反転させて、導体層の側をプリプレグなどの比較的軟質な絶縁基材の表面に押し付ける（積層圧着する）ことによって、絶縁基材の表面層に導体層を押し込み、その後、支持体を任意の手法で除去するのが一般的である。このような工法について、以下この明細書では、平埋め法と称することとし、またこのようにして得られる基板を埋め込み基板と称することとする。
【００１０】
ところで、一般にプリント配線板におけるその表面上の導体層（導体パターン）のうち、ある部分の導体層は、他の電子部品を、ワイヤボンディングやフリップチップボンディングなどにより接合するための端子部として使用されるのが通常である。このような端子部において、導体層の銅がそのまま露出していれば、その導体層は容易に酸化し得る。このように導体層の銅表面が酸化した端子部と電子部品とを接続すれば、両者の間の金属結合が不十分になることがあり、接続信頼性が劣るおそれがある。
【００１１】
そこで端子部については、銅からなる導体層の表面に、無電解めっきもしくは電解めっきにより金（Ａｕ）めっきを施すことが行なわれている。またその場合、金(Ａｕ)めっきだけでは、導体層中の銅（Ｃｕ）が金（Ａｕ）の中に拡散してしまって接合強度が低下する。その拡散防止のためには、Ａｕめっきの下地としてニッケル（Ｎｉ）が最適であるところから、実際上は、銅からなる導体層上に、先ず無電解めっきもしくは電解めっきによりＮｉめっきを施してから、その上にＡｕめっきを施すのが通常である。また場合によっては、先ずＮｉめっきを施し、次いでその上にパラジウム（Ｐｄ）めっきを施し、そのＰｄめっき層上にＡｕめっきを施すこともある。このような、Ｎｉ／ＡｕめっきやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきで代表される導体層保護のためのめっき層を、ここでは保護用金属の被覆層と称することとする。なお上記のＮｉ／Ａｕめっきや、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきとしては、最近では無電解めっきを用いることが多くなっている。
【００１２】
上述のような保護用金属の被覆層を導体層上に形成する場合、従来の方法では、次のような問題があった。
すなわち、図１４（Ｂ）に示すようなセミアディティブ法によって導体層１２を形成したプリント配線板について、その導体層１２を覆うための保護用金属被覆層１４として、例えばＮｉ／Ａｕめっきを施した場合、導体層１２の側面にもめっき金属が析出するから、隣り合う導体層１２の間のスペースが小さい場合には、図１４（Ｃ）に示すように、保護用金属被覆層１４が、隣り合う導体層間でブリッジ状に繋がってしまう現象（ブリッジ現象）が生じてしまうことがある。このブリッジ現象が生じれば、隣り合う導体層間で保護用金属被覆層１４が連続してしまい、電気的にも導通してしまうため、プリント配線板としては不良品となってしまう。またこのブリッジ現象は、電解めっき、無電解めっきのいずれでも生じるが、無電解めっきの場合は、隣り合う導体層間のスペースにおける絶縁基材１０表面へのめっき金属の異常析出も問題となる。すなわち、無電解めっきでは、原理的には銅などの金属のみならず絶縁材料にもめっき金属を析出させることができるから、銅からなる導体層上にだけめっき金属を析出させるためには、導体層の表面のみに触媒を担持させたり、めっき処理液に選択性を付与させたりする方策が採られている。
【００１３】
しかしながらこのような方策を講じても、隣り合う導体層間のスペースにおける絶縁基材１０表面に、わずかながらもめっき金属が析出してしまう現象、すなわち異常析出が生じてしまうことがある。そしてこのような異常析出が生じれば、前述のブリッジ現象が助長されて、隣り合う導体層間で保護用金属被覆層１４が連続し、電気的導通が生じてしまうことがある。
【００１４】
そしてセミアディティブ法によって導体層１２を形成したプリント配線板では、隣り合う導体層間のスペースが４０μｍ程度以下となれば、ブリッジ現象が頻発するようになり、そのため従来のセミアディティブ法によるプリント配線板では、端子部の導体層上に保護用金属被覆層を形成する場合の端子部導体層間のスペースの狭小化は、４０μｍ程度が限界とされていた。
【００１５】
一方、図１５（Ａ）に示した、平埋め法によるプリント配線板（埋め込み基板）の場合は、導体層１２が絶縁基材１０上に突出していないため、保護用金属めっき時、例えばＮｉ／Ａｕめっき時において、導体層１２の側面へのめっき金属の析出はなく、そのためセミアディティブ法によるプリント配線板の場合よりはブリッジ現象が生じにくい。しかしながら、めっき金属は、図１５（Ｂ）に示すように、絶縁基材１０表面に露出する導体層１２の表面を覆うように丘陵状に隆起しながら析出するから、その隆起した保護用金属被覆層１４が、絶縁基材１０の表面に沿ってその水平方向にある程度延出することを避け得ない。また特に無電解めっきの場合には、隣り合う導体層間において絶縁基材１０の表面に異常析出が生じやすく、そのためブリッジ現象を助長しやすい。
【００１６】
したがって、平埋め法を適用した場合におけるブリッジ現象が発生し始めるスペース幅は、セミアディティブ法で発生し始めるスペース幅より小さいといえども、導体間のスペースを、より小さくしたい場合には、このような現象が問題となる。
【００１７】
特に、導体層１２のうちでも、端子部となる部分は、配線回路部となる部分と比較して、その幅（プリント配線板の板面側から見たときのパターン幅）が広くなるように形成されるのが通常であり、その場合、隣り合う端子部導体層間のスペースは、隣り合う配線回路導体層間のスペースよりも小さくなるのが一般的である。したがって、前述のような導体間のスペースを、より狭小化したい場合の問題は、導体層１２のうちでも、端子部となる部分において顕著となる。また一般に酸化防止などのために保護用金属被覆層を導体層上に形成しておくことが望まれるのは、端子部であり、したがってこの点からも、前述の問題は、端子部の導体において発生しやすいのである。
【００１８】
上述のような問題について詳細に検討した結果、平埋め法を適用した場合、隣り合う導体層間のスペースが３０μｍ程度以下であってしかも保護用金属のめっきによって形成される保護金属被覆層１４の表面１４Ａと絶縁基材表面１０Ａとの段差ｄｓが２μｍを越えれば、異常析出が発生しやすくなり、導体層間で保護用金属が部分的に連続してしまって、隣り合う導体層間で電気的導通が生じやすくなることが判明した。そのため、埋め込み基板を用いた場合の最小スペース幅は、３０μｍ程度が限界であった。
【００１９】
以上のように、平埋め法によって導体パターンを形成した埋め込み基板を用いた場合は、従来の一般的なセミアディティブ法による場合と比較すれば、導体パターンの隣り合う導体間のスペースを狭くすることが可能ではあったが、より高精細な回路パターンを形成することが望まれる場合には、未だ不充分と言わざるを得なかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】特開２００４−３３５７５１号公報
【特許文献２】特開平５−２９９８１６号公報
【特許文献３】特開２０１０−８０５６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明は以上の事情を背景としてなされたもので、片面プリント配線板としてその片面に形成された配線回路および端子部となる導体パターンを構成する導体層のうち、端子部となる端子部導体層の表面に、Ｎｉ／Ａｕめっきなどの保護用金属被覆層を形成する場合において、隣り合う端子部導体層の間のスペースを３０μｍ以下、さらには２５μｍ以下まで狭小化しても、端子部導体層の間での導体保護用金属のブリッジ現象、異常析出現象によって、隣り合う端子部導体層間が導通してしまうような事態が発生することを未然に防止し、これによって従来よりも一層高精細化することを可能とした片面プリント配線板を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明では、基本的には、平埋め法によって、絶縁基材の２面のうちの一方の面（第１面）に所定のパターンで導体層を埋め込んだ構成とすることを前提とし、その場合に端子部となる導体層上に被覆される保護用金属の被覆層が絶縁基材表面から突出しないようにし、これによって、隣り合う端子部の導体層間のスペースでの保護用金属被覆層のブリッジ現象、異常析出により導体層間が電気的に導通してしまうことがないようにし、同時に絶縁基材の他方の面（第２面）から絶縁基材内の導体層に達する開口穴を形成して、片面プリント配線板として有効に使用し得るようにした。
【００２３】
したがって本発明の基本的な態様（第１の態様）による片面プリント配線板は、
絶縁基材の平行な二つの面を第１面および第２面とし、そのうちの第１面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層が埋め込まれており、かつその導体層のうちの端子部の導体層の表面に、導体層の金属とは異なる保護用金属からなる１層以上の被覆層が形成されてなる片面プリント配線板において、
前記端子部の導体層は、その表面が絶縁基材の第１面から窪んだ状態で形成されており、かつその窪んだ導体層の表面が前記１層以上の被覆層によって覆われており、しかもその１層以上の被覆層は、その表面が、前記絶縁基材の前記第１面と実質的に同一面以下に位置するように形成されており、さらに前記絶縁基材の前記第２面から、絶縁基材内の導体層のうち少なくとも１以上の導体層に達する１以上の開口穴が形成されていることを特徴とするものである。
【００２４】
このような本発明の基本的な態様によれば、絶縁基材に埋め込まれた導体層のうち、端子部を構成する導体層は、絶縁基材の第１面から窪んだ状態で形成されており、その端子部導体層における絶縁基材第１面の側の面に被覆された保護用金属の被覆層は、その表面が絶縁基材の第１面と実質的に同一面（同一レベル）以下とされているため、隣り合う導体層の間での被覆金属（保護用金属）のブリッジ現象の発生が回避される。したがって、隣り合う端子部の導体層間のスペース（最小間隔）を従来よりも狭小化しても、隣り合う導体層の間が保護用金属によって連続して、その間が電気的に導通してしまうことが防止できる。その結果、端子部の導体パターンのスペース（最小間隔）を従来より小さくして、より高精細なパターンを有する片面プリント配線板とすることができる。また絶縁基材の第２面の側から形成された開口穴は、絶縁基材内の導体層に達しているから、第２面の側に実装される電子部品の接続のために使用することができる。
【００２５】
また本発明の第２の態様による片面プリント配線板は、
前記第１の態様による片面プリント配線板において、
前記開口穴底部の導体層の表面に、前記保護用金属と同種の金属からなる１以上の被覆層が形成されていることを特徴とするものである。
【００２６】
このような態様では、開口穴底部の導体層に、その開口部の側からはんだ接続などを行なうに当たって、接続の信頼性を高めることができる。
【００２７】
また本発明の第３の態様による片面プリント配線板は、前記第１もしくは第２の態様によるプリント配線板において、
前記第１面の側の保護用金属の被覆層の表面が、前記絶縁基材の前記第１面より２μｍ高い位置以下に位置するように形成されていることを特徴とするものである。
【００２８】
前述の第１の態様で記載したように、端子部を構成する導体層の表面に被覆された保護用金属の被覆層は、その表面が絶縁基材の第１面と実質的に同一面（実質的に同一レベル）以下とされていれば良く、保護用金属の被覆層が絶縁基材の第１面の位置からわずかに突出している場合も許容されるが、その許容範囲は、第２の態様で、前記絶縁基材の第１面より２μｍ高い位置までとしている。本発明者等の詳細な実験、検討によれば、保護用金属の被覆層が絶縁基材の第１面の位置からわずかに突出していても、その範囲が２μｍ以下であれば、保護用金属被覆層形成時において、隣り合う導体層の間で絶縁基材の第１面に保護用金属の異常析出がほとんど生じないことが確認されている。すなわち、保護用金属被覆層表面と絶縁基材第１面との段差が２μｍ以下であれば、保護用金属被覆層表面と絶縁基材第１面とが実質的に平坦となっているとみなすことができるのである。
【００２９】
また本発明の第４の態様による片面プリント配線板は、前記第１〜第３のいずれかの態様による片面プリント配線板において、
前記導体層のうちの配線回路の導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面と実質的に面一に形成されていて、その配線回路の導体層の表面に前記保護用金属被覆層が形成されていないことを特徴とするものである。
【００３０】
導体パターンのうちでも、他の電子部品との接合のために使用される端子部は、Ｎｉ／ＡｕめっきあるいはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきで代表される保護用金属の被覆層を形成しておく必要性が高い部分である。一方、保護用金属の被覆層は、導体層（通常は銅）よりも電気抵抗が格段に大きいため、端子部以外の配線回路を構成する導体層についても絶縁基材の表面から窪ませて保護用金属被覆層を形成すれば、配線抵抗が高くなってしまう。この場合、近年の駆動電圧が低い半導体用のプリント配線板では、配線抵抗の増大により正常に機能しなくなってしまうおそれがある。しかるに第４の態様のプリント配線板では、配線回路の導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面と実質的に面一に形成されていて、保護用金属の被覆層が形成されていないため、配線回路の電気抵抗の低下は回避され、低電圧駆動でも正常に機能させることができる。
【００３１】
また第４の態様の片面プリント配線板では、配線回路および端子部を構成するパターンで形成された導体層のうち、端子部を構成する導体層の表面のみに保護用金属の被覆層が形成されるため、導体層を構成する銅などに比較して高価なＡｕやＮｉなどの使用量を抑えて、コスト上昇を防止することができる。
なお、配線回路を構成する導体層の表面に保護用金属の被覆層を形成した場合には、その配線回路を構成する導体層に関しても、隣り合う導体層の間での被覆金属（保護用金属）のブリッジ現象の発生が懸念されるが、第３の態様のプリント配線板では、配線回路を構成する導体層の表面には保護用金属の被覆層を形成していないから、このような懸念は生じない。
【００３２】
さらに本発明の第５の態様による片面プリント配線板は、前記第１〜第４のいずれかの態様による片面プリント配線板において、
前記被覆層で覆われた端子部の導体層における、隣り合う導体層間の最小間隔が２５μｍ以下であることを特徴とするものである。
【００３３】
従来は、平埋め法でも、前述のような保護用金属の被覆時におけるブリッジ現象、異常析出の発生により、隣り合う端子部導体層間の最小間隔（スペース）を３０μｍ程度以下まで小さくすることは困難であったが、本発明によれば、第４の態様として記載したように、２５μｍ以下の狭小なスペースでも、隣り合う端子部導体層の間での保護用金属による電気的導通の発生を防止し、より高精細な片面プリント配線板を得ることができる。
【００３４】
そしてまた本発明の第６の態様による片面プリント配線基板は、前記第１〜第５の態様のうちのいずれかの態様による片面プリント配線板において、
前記第１面の側において被覆層で覆われた端子部の導体層は、その被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の第１面との間の距離が、１〜７μｍの範囲内となるように形成されていることを特徴とするものである。
【００３５】
ここで、端子部の導体層における被覆層で覆われた面と絶縁基材の第１面との間の距離は、導体層の窪み深さと言い換えることができるが、その距離（導体層窪み深さ）が１μｍ未満では、導体層上の保護用金属被覆層を絶縁基材第１面から突出しないように形成するためには、被覆層の厚みが薄くなりすぎ、そのため保護用金属としての保護機能を充分に発揮できなくなる。一方、前記距離（導体層窪み深さ）が７μｍを越える厚さに形成するためには、無電解めっきなどによる保護用金属被覆処理時間が長くなって、生産性が悪くなる。そこで、第６の態様として記載したように、前記距離は１〜７μｍの範囲内とすることが望ましい。なお、より好ましくは、前記距離を２〜５μｍの範囲内とする。
【００３６】
また本発明の第７の態様による片面プリント配線板は、前記第１〜第６の態様のうちのいずれかの態様による片面プリント配線板において、前記被覆層で覆われた端子部の導体層は、被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離が、導体層の幅方向の中央部で小さく、幅方向両端部で大きくなるように形成されていることを特徴とするものである。
【００３７】
このように端子部の導体層における被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離が、幅方向中央部で小さく、幅方向両端部で大きくなるように形成されていることは、端子部導体層の幅方向両端近くの表面に傾斜面が形成されていることを意味する。そしてこのような傾斜面によって、端子部導体層と被覆金属層との間の接触面積を大きく確保することができる。その結果、被覆金属層の端子部導体層に対する被覆金属層の密着強度を高めることができ、被覆金属層を端子部導体層から剥離しにくくすることができる。
【００３８】
さらに本発明の第８の態様による片面プリント配線板は、前記第１〜第７の態様のうちのいずれかの態様による片面プリント配線板において、前記導体層が、銅もしくは銅合金によって形成されており、かつ前記保護用金属の材料が、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｇ、はんだ合金のうちから選ばれた１種以上のものであることを特徴とするものである。
【００３９】
さらに第９〜第１５の態様では、片面プリント配線板の製造方法を規定している。
すなわち本発明の第９の態様による片面プリント配線板の製造方法は、第１〜第７の態様のうちのいずれかの態様の片面プリント配線板を製造する方法であって：
絶縁基材の平行な二つの面を第１面および第２面とし、そのうちの第１面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層を埋め込む埋め込み基板形成工程と、
絶縁基材の前記第２面から、前記絶縁基材内の導体層のうち少なくとも１以上の導体層に達する１以上の開口穴を形成する開口穴形成工程と、
前記開口穴形成工程の後、もしくはその前に、前記導体層のうちの端子部の導体層の前記絶縁基材第１面の側の表面をエッチングして、その表面を絶縁基材の第１面から凹状に窪ませるエッチング工程と、
前記エッチングされた端子部の導体層の表面を、導体層の金属とは異なる保護用金属によって、１層以上に被覆して保護用被覆層を形成する被覆工程と、
を有し、かつ前記被覆工程では、保護用被覆層を、その表面が絶縁基材の第１面と実質的に同一面以下に位置するように形成することを特徴とするものである。
【００４０】
このような第９の態様の製造方法においては、埋め込み基板形成工程によって絶縁基材の第１面の側に埋め込まれた導体層のうち、端子部を構成する導体層は、エッチング工程によってその表面が絶縁基材の第１面から窪んだ状態となる。そしてその窪んだ端子部導体層の表面を、被覆工程においてＮｉ／ＡｕあるいはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの保護用金属により被覆するにあたっては、被覆層の表面が絶縁基材の第１面と実質的に同一面（同一レベル）となるようにする。ここで、保護用金属の被覆時には、端子部導体層は絶縁基材第１面から窪んだ状態となっているから、保護用金属被覆のための無電解めっきや電解めっきなどにおいて、保護用金属の析出が導体層の側方（水平方向）に進行することがなく、そのためブリッジ現象も生じない。また仮に隣り合う端子部導体層の間の絶縁基材第１面に保護用金属の異常析出が若干生じたとしても、上述のようにブリッジ現象そのものが生じないため、異常析出によりブリッジ現象が助長されることもない。そのため、隣り合う端子部導体層間の最小間隔（スペース）を従来よりも狭小化しても、隣り合う導体層が連続して、その間が電気的に導通してしまうことが防止できる。その結果、端子部の導体パターンの間隔を従来より小さくして、より高精細なパターンを有する片面プリント配線板とすることができる。
【００４１】
また本発明の第１０の態様の片面プリント配線板の製造方法は、第９の態様の片面プリント配線板の製造方法において、
前記開口穴形成工程で形成された開口穴の底部の導体層表面にも、前記被覆工程において保護用金属の被覆層を形成することを特徴とするものである。
【００４２】
また本発明の第１１の態様の片面プリント配線板の製造方法は、第９もしくは第１０の態様の片面プリント配線板の製造方法において、
前記エッチング工程で、端子部の導体層の前記絶縁基材第１面側の表面をエッチングし、その後の被覆工程で、そのエッチングされた端子部の導体層の表面に保護用金属の被覆層を形成することを特徴とするものである。
【００４３】
また本発明の第１２の態様の片面プリント配線板の製造方法は、第９〜第１１のいずれかの態様の片面プリント配線板の製造方法において、
前記被覆工程で、保護用金属の被覆層を、その表面が前記絶縁基材第１面から２μｍ高い位置以下となるように形成するものである。
【００４４】
既に第２の態様に関して説明したように、保護用金属の被覆層が絶縁基材の第１面の位置からわずかに突出している場合も許容され、その突出高さが２μｍ以下であれば、保護用金属被覆層形成時において、隣り合う端子部導体層の間で絶縁基材の第１面に保護用金属の異常析出がほとんど生じないが確認されている。したがって、プリント配線板の製造時においても、保護用金属被覆層表面と絶縁基材表面との段差が２μｍ以下となるように保護用金属被覆層を形成すれば、隣り合う端子部導体層の間での保護用金属異常析出の発生を回避することができる。
【００４５】
また本発明の第１３の態様の片面プリント配線板の製造方法は、第９〜第１２のいずれかの態様の片面プリント配線板の製造方法において、
前記エッチング工程で、端子部の導体層を、その絶縁基材第１面の側の表面の最上部が、絶縁基材第１面から１〜７μｍだけ窪むまでエッチングすることを特徴とするものである。
【００４６】
さらに本発明の第１４の態様の片面プリント配線板の製造方法は、第９〜第１３のいずれかの態様の片面プリント配線板の製造方法において、前記被覆工程が、無電解めっきもしくは電解めっきにより保護用金属を被覆する工程であることを特徴とするものである。
【００４７】
また本発明の第１５の態様の片面プリント配線板の製造方法は、第９〜第１４のいずれかの態様の片面プリント配線板の製造方法において、
前記埋め込み基板形成工程が、支持体の表面上に導体層をパターンめっきにより形成した後、前記絶縁基材第１面に前記導体層を押し込み、その後、支持体を除去する工程であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００４８】
本発明の片面プリント配線基板においては、パターン形成された導体層のうちの端子部となる導体層が、絶縁基材の第１面から窪んだ状態で形成されており、その端子部導体層の表面に被覆された保護用金属の被覆層が絶縁基材の第１面と実質的に同一面（同一レベル）とされているため、隣り合う端子部導体層の間において被覆金属（保護用金属）が異常析出やブリッジ現象により連続してしまうことが容易に回避される。そのため、隣り合う端子部導体間の最小間隔（スペース）を従来よりも狭小化しても、隣り合う端子部導体が電気的に導通してしまうことが防止でき、その結果、導体パターン、特に端子部の導体パターンの間隔を従来より小さくして、より高精細なパターンを有する片面プリント配線板とすることができる。さらに、絶縁基材の第２面の側から絶縁基材内の導体層に達する開口穴が形成されているため、その開口穴を、第２面の側に実装する電子部品の接続や、マザーボードへの搭載・接続のために使用することができ、したがって片面プリント配線板として有効活用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１の実施形態のプリント配線基板の原理的な平面構造を、略解的に示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態のプリント配線基板の原理的な断面構造を、図１におけるＩＩ−ＩＩ線で切断して示す縦断面である。
【図３】本発明の第１の実施形態の片面プリント配線基板の原理的な断面構造を、図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断して示す略解的に示す縦断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の片面プリント配線基板の原理的な断面構造を、図３と同様な位置で略解的に示す縦断面図である。
【図５】本発明の片面プリント配線基板の製造方法の一実施形態の工程の前半を段階的にかつ原理的に示す略解図である。
【図６】図５に示される工程の続きを、段階的にかつ原理的に示す略解図である。
【図７】本発明の片面プリント配線基板の製造方法の別の実施形態の工程の前半を、段階的にかつ原理的に示す略解図である。
【図８】図７に示される工程の続きを、段階的にかつ原理的に示す略解図である。
【図９】本発明の片面プリント配線基板の製造方法の準備工程として、埋め込み基板を製造する方法の一例の工程の前半を段階的かつ原理的に示す略解的図である。
【図１０】図９に示される工程の続きを、段階的にかつ原理的に示す略解図である。
【図１１】本発明の片面プリント配線基板の製造方法の一実施形態のうちの初期の工程を、より具体的かつ段階的に示す略解図である。
【図１２】図１１に続く工程を、具体的かつ段階的に示す略解図である。
【図１３】図１２に続く工程を、具体的かつ段階的に示す略解図である。
【図１４】従来のプリント配線板の一例の導体層付近の状況を示す略解的な断面図である。
【図１５】従来のプリント配線板の他の例の導体層付近の状況を示す略解的な断面図である。
【図１６】本発明実験例１〜３および比較実験例１、２によるプリント配線板の導体層付近の断面の光学顕微鏡で観察した写真である。
【図１７】本発明実験例１によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である。
【図１８】本発明実験例２によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である。
【図１９】本発明実験例３によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である。
【図２０】比較実験例１によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である。
【図２１】比較実験例２によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１〜図３には、本発明の第１の実施形態の片面プリント配線板の要部を原理的に示し、図４には、本発明の第２の実施形態の片面プリント配線板の要部を原理的に示す。
【００５１】
図１〜図３、および図４において、絶縁基材１０はプリプレグ、あるいは液晶ポリマー（ＬＣＰ）で代表される高耐熱性熱可塑性樹脂などの絶縁性材料からなる薄板状もしくはシート状のものであり、その絶縁基材１０の２面１０Ａ、１０Ｂのうち、一方の面（以下、第１面と記す）１０Ａの側には、プリント配線板としての配線回路および端子部を構成する金属銅（Ｃｕ）もしくはＣｕ合金などの良導電材料からなる複数の導体層１２が、所定のパターン（絶縁基材１０の板面と平行な方向に伸びるパターン）、所定の幅Ｗ１もしくはＷ２、所定の間隔（スペース）Ｓで埋め込まれている。
ここで、導体層１２のうち、符号１２ａの領域は、導体パターンのうちの端子部に相当する部分であり、以下これを端子部導体層１２ａと称する。また導体層１２のうち、符号１２ｂの領域は、導体パターンのうちの配線回路に相当する部分であり、以下これを配線回路導体層１２ｂと称する。
【００５２】
端子部導体層１２ａは、図１〜図３に示す例では、幅Ｗ１の幅広な領域１２ａ０と、その領域１２ａ０から配線回路導体層１２ｂに向かって連続する幅Ｗ１´の相対的に幅狭の領域１２ａ１とによって構成されている。そして配線回路導体層１２ｂは、前記端子部導体層１２ａにおける幅狭の領域１２ａ１に、同じ幅Ｗ１´をもって連続している。そして隣り合う導体層１２は、所定の間隔（スペース）を置いて互いに平行となっている。ここで隣り合う端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の相互間の間隔（スペース）を、符号Ｓで示す。この間隔Ｓは、隣り合う導体層１２の間における最も小さい間隔と言うことができる。
なお場合によっては、端子部導体層１２ａを、その全長にわたって同じ幅とし、かつその端子部導体層１２ａに連続する配線回路導体層１２ｂも同じ幅とすることもある。
【００５３】
端子部導体層１２ａおよび配線回路導体層１２ｂを含め、導体層１２の厚みは特に限定しないが、通常は１０〜２０μｍ程度とされる。導体層１２の厚みが１０μｍ未満では、導体層による配線や端子部の電気抵抗が過大となるおそれがあり、一方２０μを越える厚さとすることは、性能的に無駄で、コストアップを招くばかりでなく、埋め込み基板製造に困難を伴うおそれがある。なお図１〜図４では、導体層１２は、パターンの長さ方向に対して直交する方向、すなわちパターンの幅方向の断面で示している。またこれらの図では、導体層１２として三つのもの（１２―１、１２―２、１２―３）を示しているが、これらの導体層１２―１〜１２―３のうち、図面上で最も左側のもの１２―１は、ワイヤボンディングなどを行なう端子部（端子部導体層１２ａ）を想定し、中央の導体層１２―２は、配線の導体層（配線回路導体層１２ｂ）を想定し、さらに右側の幅の広い導体層１２―３は、部品実装を行うためのランドを想定している（本明細書においては、ランドも一種の端子部とし、その導体層１２―３を端子部導体層１２ａとしている）。但し、これらの導体層１２―１〜１２―３の使用態様は、あくまで例示に過ぎず、上記の記載に限定されないことはもちろんである。
【００５４】
前記端子部導体層１２ａは、絶縁基材１０の第１面１０Ａから凹状に窪んだ状態で形成されている。すなわち端子部導体層１２ａは、その表面１２Ａが、絶縁基材１０の第１面１０Ａの位置から所定の深さＤの位置に位置している。その深さＤは、１〜７μｍの範囲内とすることが望ましく、より好ましくは２〜５μｍの範囲内とする。
【００５５】
端子部導体層１２ａの表面１２Ａ上には、保護用金属の被覆層１４として、例えばＮｉめっき層（第１層）１４−１とＡｕめっき層（第２層）１４−２との２層構造の被覆層が形成されている。この被覆層１４の厚みＴは、実質的に導体層表面の窪み深さＤと同等とされている。したがって被覆層１４は、その表面１４Ａの位置が、絶縁基材１０の第１面１０Ａと実質的に同一の面もしくはそれ以下の位置となっていて、絶縁基材の第１面１０Ａから実質的に突出しない状態となっている。
【００５６】
さらに、絶縁基材１０の２面１０Ａ、１０Ｂのうち、他方の面（以下、第２面と記す）１０Ｂには、前記導体層のうち、図面上の中央の導体層１２−２を除く左右の導体層１２−１、１２−３（端子部導体層１２ａ）に向かって開口穴１３Ａ、１３Ｂが形成されている。そしてこれらの開口穴１３Ａ、１３Ｂにおける底面には、導体層１２−１、１２−３（端子部導体層１２ａ）における絶縁基材第２面１０Ｂ側の表面１２Ｂを覆うように、前記被覆層１４と同種の保護用金属からなる被覆層１５が形成されている。すなわちこの被覆層１５も、例えばＮｉめっき層（第１層）１５−１とＡｕめっき層（第２層）１５−２との２層構造とされている。
【００５７】
ここで、図２、図３では、端子部導体層１２ａにおける絶縁基材第１面１０Ａ側の表面１２Ａが平坦な場合について示しているが、端子部導体層１２ａに対するエッチングをある程度以上進行させた場合には、図４に示すように、幅方向中央部１２１よりも幅方向両端部１２２で窪み深さが大きくなることが分かった。すなわち、幅方向中央部１２１の窪み深さＤ１よりも幅方向両端部１２２の窪み深さＤ２が大きくなるような断面凸形状に形成されることが分かった。このように端子部導体層１２ａの幅方向断面形状が凸形状となった場合でも、後に製造方法に関して説明するように、端子部導体層表面に被覆される保護用金属の被覆層１４は、その上面１４Ａを平坦面（絶縁基材１０の第１面１０Ａと実質的に面一の平坦面、もしくはそれよりも下方の位置での平坦面）とすることができる。特に無電解めっきを適用した場合は、より平坦とすることができる。
【００５８】
なお以上の説明においては、保護用金属の被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材第１面１０Ａから実質的に突出しない、あるいは保護用金属の被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材第１面１０Ａと実質的に同一の面以下となると記載したが、ここで“実質的に”とは、保護用金属の被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材第１面１０Ａと完全に同一な面もしくはその下方に位置している場合のみならず、保護用金属の被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材第１面１０Ａからわずかに突出する場合を許容していることを意味する。そのわずかな突出許容寸法は、通常は＋２μｍまでは許容される。すなわち、絶縁基材第１面１０Ａからの保護用金属被覆層１４の上面１４Ａの最大突出寸法が２μｍを越えれば、図１２（Ｂ）に示したと同様に、保護用金属が隣り合う端子部導体層１２ａ間で部分的に連続してしまうおそれがあるが、その突出寸法が２μｍ以下であれば、隣り合う端子部導体層１２ａ間で、部分的にも連続してしまうおそれが少ない。そこで、保護用金属被覆層１４の上面１４Ａの位置は、絶縁基材第１面１０Ａの位置から上方へ２μｍまでは許容され、その許容範囲を含めて、本明細書では、保護用金属被覆層１４の上面１４Ａの位置について、絶縁基材第１面１０Ａの位置と実質的に同一の面以下と表現しているのである。
【００５９】
なお、保護用金属被覆層１４自体の厚みは特に限定しないが、通常は端子部導体層１２ａの表面１２Ａの絶縁基材第１面１０Ａからの窪み深さ（好ましくは１〜７μｍ）および保護用金属被覆層１４の絶縁基材表面１０Ａからの突出許容高さ（好ましくは２μｍ以下）との関係からは、１〜９μｍの範囲内とすることが望ましい。
【００６０】
さらに、保護用金属被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材第１面１０Ａから窪んでいる場合には、隣り合う端子部導体層１２ａ間での保護用金属の連続は原理的に生じ得ず、従ってその窪み寸法については特に限定しない。但し、保護用金属被覆層１４の上面１４Ａの絶縁基材第１面１０Ａからの窪み深さが１０μｍを越えれば、端子部導体層１２ａの厚みを１０μｍ程度以上に確保することが困難となって、端子部の抵抗が過大となってしまうおそれがあるから、通常は１０μｍ以下とすることが望ましく、より好ましくは７μｍ以下とする。
【００６１】
また上記の例では、絶縁基材第１面１０Ａ側の保護用金属被覆層１４を、Ｎｉめっき層（第１層）１４−１とＡｕめっき層（第２層）１４−２との２層構造とし、同時に開口部底面の保護用金属被覆層１５も、同様な２層構造として説明したが、これらの保護用金属被覆層は、Ｎｉめっき層（第１層）、Ｐｄめっき層（第２層）、およびＡｕめっき層（第３層）の３層構造とすることもでき、さらに場合によっては単層構造としても良い。また保護用金属の種類も特に限定されず、端子部導体層を構成する金属、および端子部として接合される相手側の金属の種類に応じて適切な１種又は２種以上の金属を保護用金属として選択すればよい。具体的には、例えばＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｇ、はんだ合金のうちから選ばれた１種以上のものを、保護用金属として用いることができる。
【００６２】
なお、上述のように導体層のうちの端子部導体層１２ａは、絶縁基材表面１０Ａから窪ませて、その上面に保護用金属被覆層１４を形成しているが、導体層のうちの配線回路導体層１２ｂは、絶縁基材表面１０Ａから窪ませず、その上面を絶縁基材表面１０Ａと実質的に面一のままとしている。そしてその配線回路導体層１２ｂの表面には、保護用金属被覆層１４を形成していない。
【００６３】
さらに上記の実施形態において、開口穴１３Ａ、１３Ｂは、片面プリント配線板として、第２面１０Ｂの側に半導体チップその他の電子部品を搭載するにあたり、それらの電子部品の端子からのリードワイヤを挿入して半田接合などによりボンディング（ワイヤボンディング）したり、またプリント配線板自体をマザーボード上に搭載・接続するためのはんだボールを挿入したりするために使用される。ここで、開口穴１３Ａ、１３Ｂの底面の保護金属被覆層１５は必ずしも必要ではなく、導体層１２−１，１２−３（端子部導体層１２ａ）の絶縁基材第２面１０Ｂの側の表面１２Ｂが、開口穴１３Ａ、１３Ｂの底部に露出したままとしても良いが、はんだとの接合性を良好にし、かつ導体層の銅の酸化を防止して接続信頼性を向上させるためには、絶縁基材第１面１０Ａの側の表面と同様に、保護用金属被覆層１５を形成しておくことが望ましい。
【００６４】
次に図１〜図３、または図４に示される第１、第２実施形態の片面プリント配線板を製造する方法について、図５の（Ａ）〜（Ｃ）および図６の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して原理的に説明する。なお図５（Ａ）〜（Ｃ）から図６（Ａ）〜（Ｃ）は、連続する工程を示している。また図５、図６においては、導体層のうち端子部導体層１２ａについては、その幅広な領域１２ａ0（図１参照）が現れている断面について示している。
【００６５】
図５（Ａ）は、埋め込み基板形成工程によって、プリプレグ、あるいは液晶ポリマー（ＬＣＰ）で代表される高耐熱性熱可塑性樹脂などの絶縁性材料からなる絶縁基材１０に、既に複数の導体層１２−１、１２−２、１２−３（端子部導体層１２ａ、配線回路導体層１２ｂ）が埋め込まれている状態の基板（埋め込み基板）１８を示す。なおこの状態では、各導体層の絶縁基材第１面１０Ａの側の表面１２Ａは、絶縁基材１０の第１面１０Ａのレベルと同一のレベルとなっている。すなわち導体層によるパターン形成面は平坦な面となっている。
このような状態のもの（埋め込み基板１８）を得るまでの埋め込み基板形成工程の具体的なプロセスは従来の平埋め法と同様であれば良く、その具体例については後に改めて説明する。
【００６６】
本実施形態では、図５（Ａ）に示す段階の埋め込み基板１８について、先ず開口穴形成工程を実施する。すなわち、図５（Ｂ）に示すように、絶縁基材１０の第２面１０Ｂの側から、絶縁基材１０内部の導体層１２−１、１２−３（端子部導体層１２ａ）に達する開口穴１５Ａ，１５Ｂを形成する。この開口穴形成手段としては、レーザ加工を適用することが望ましいが、機械的穿孔加工によって形成してもよい。
【００６７】
次いで、導体層１２に対して、エッチング工程を施す。すなわち、導体層１２を構成しているＣｕもしくはＣｕ合金を溶解させるエッチング液、例えば過硫酸ナトリウムと硫酸とからなるエッチング液を用いて、導体層のうちの端子部導体層１２ａをエッチングする。そのエッチングの初期段階の状況を図５（Ｃ）に示す。この段階では、端子部導体層１２ａは、絶縁基材第１面１０Ａに対しほぼ均一な深さで窪んでいる。さらにエッチングを進行させれば、端子部導体層１２ａは、絶縁基材第１面１０Ａ側の幅方向両端部付近で大きくエッチングされ、図６（Ａ）に示すような、中央部１２１よりも両端部１２２付近の窪み深さが大きい状態となる。すなわち、幅方向の断面が凸状をなす状態となる。
【００６８】
なお上記のエッチング工程では、導体層のうち、配線回路導体層１２ｂは、適宜エッチングマスクなどでカバーして、エッチングされることを防止する。したがってエッチング工程終了後の段階では、導体層は、端子部導体層１２ａのみが窪んだ状態となっており、配線回路導体層１２ｂは、その表面が絶縁基材表面１０Ａと実質的に面一のままとなっている。
【００６９】
次いで、保護用金属被覆工程として、図６の（Ｂ）〜（Ｃ）に示すように、端子部導体層１２ａにおける絶縁基材第１面１０Ａの側の表面１２Ａ上を、保護用金属で被覆し、被覆層１４を形成する。本実施形態では、先ず無電解めっきもしくは電解めっきにより端子部導体層１２ａの表面１２Ａに第１層１４−１としてＮｉめっきを施し、続いて無電解めっきもしくは電解めっきにより第２層１４−２としてＡｕめっきを施して、２層構造の被覆層１４としている。
またこの保護用金属被覆工程では、端子部導体層１２ａにおける絶縁基材第２面１０Ｂの側の表面１２Ｂ、すなわち開口穴１３の底部の導体層露呈面１２Ｂも、保護用金属で被覆され、導体層露呈面１２Ｂに上記と同様な２層構造の被覆層１５が形成される。
【００７０】
ここで、絶縁基材第１面１０Ａ側の被覆層１４はその表面１４Ａが、絶縁基材１０の第１面１０Ａとほぼ面一となるように、めっき条件（特にめっき速度）に応じてめっき処理時間を適切に調整する。なお本実施形態においては、保護用金属めっき前の段階（図６（Ａ））では、端子部導体層１２ａが、幅方向の断面が凸状をなす状態となっているが、被覆層第１層１４−１のＮｉめっきを施すに当たっては、無電解めっき、電解めっきのいずれによる場合も、Ｎｉをある程度以上の厚みでめっきすることにより、そのＮｉめっき層（第１層）１４−１の表面１４−１Ａをほぼ平坦な面とすることができる（図６（Ｂ）参照）。したがって、その後に第２層１４−２としてＡｕめっきを施すにあたっては、均一な厚みでめっきすることにより、容易にその表面１４−２Ａ（図４の被覆層表面１４Ａに相当）を平坦な面とすることができる。その結果、図４に示した第２の実施形態のプリント配線板と同様なプリント配線板を得ることができる。
【００７１】
ここで、上述の保護用金属被覆工程においては、無電解めっき、電解めっきのいずれの場合も、絶縁基材第１面１０Ａ側のめっき金属（Ｎｉ、Ａｕ）は、絶縁基材第１面１０Ａから窪んだ凹部（端子部導体層１２ａの表面１２Ａ上でかつ絶縁基材第１面１０Ａの面より低い空間）の内側に析出されるから、隣り合う端子部導体層間で保護用金属のブリッジ現象が生じてしまうことはない。また無電解めっきを適用した場合において、保護金属被覆層１４の表面１４Ａが絶縁基材第１面１０Ａからわずかに突出したとしても、その保護金属被覆層１４の表面１４Ａ（１４−２Ａ）と絶縁基材第１面１０Ａとの段差が２μｍ以下であれば、異常析出の発生がほとんどなく、そのため電気的に導通してしまうことを防止できる。そして、隣り合う端子部導体層１２ａの間のスペース（例えば図１、図３、図４に示す端子部導体層１２ａの幅広な領域１２ａ０についての隣り合う導体層間の間隔Ｓ；すなわち導体層間の最小間隔）が２５μｍ以下と、極めて小さい場合でも、そのスペースで保護用金属が連続して電気的導通が生じてしまうことを回避できるため、端子部導体層１２ａ間の最小間隔を２５μｍ以下として、高精細な導体パターンを有するプリント配線板を作製することができる。なお本発明者らが鋭意検討した結果、上記の最小間隔は十数μｍまで狭小化しても特に問題はないことを確認している。
【００７２】
なお、図５の（Ｃ）に示す段階、すなわちエッチング工程の比較的初期の、端子部導体層１２ａが未だ断面凸状となっていない段階で、次の被覆工程としてＮｉ／Ａｕめっきを施すこともあり、その場合には図３に示したような断面形状を有する第１の実施形態のプリント配線板と同様なプリント配線板を得ることができる。
【００７３】
ここで、図５、図６に示す製造方法の実施形態では、開口穴形成工程の後にエッチング工程を実施しているが、場合によっては、先にエッチング工程を実施した後、開口穴形成工程を実施しても良い。その場合の工程例を、図７の（Ａ）〜（Ｃ）および図８の（Ａ）〜（Ｃ）に示す。なお図７の（Ａ）〜（Ｃ）から図８の（Ａ）〜（Ｃ）は、連続する工程を示している。
この場合においても、エッチング工程における端子部導体層１２ａの絶縁基材第１面１０Ａの側のエッチング深さは、図５、図６の実施形態と同様に調整することが望ましい。なお、開口穴形成工程の後の保護用金属被覆工程（図８の（Ｂ）〜（Ｃ））は、図５、図６の実施形態と同様に行なえばよい。
【００７４】
次に、図５（Ａ）あるいは図７（Ａ）に示した埋め込み基板１８を製造する工程、すなわち埋め込み基板形成工程の原理的な一例について、図９の（Ａ）〜（Ｄ）および図１０の（Ａ）〜（Ｄ）を参照して説明する。なお図９の（Ａ）〜（Ｄ）から図１０の（Ａ）〜（Ｄ）は、連続する工程を示している。
先ず図９の（Ａ）に示すような支持体２０を用意する。この支持体２０は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、銅箔２０Ａの片面上にニッケル膜２０Ｂをめっきなどにより形成したものが用いられている。
【００７５】
次いで、図９の（Ｂ）に示すように、支持体２０におけるニッケル膜２０Ｂの側の面に、めっきレジスト層２２を形成する。このめっきレジスト層２２は、レジストパターン形成のためにフォトリソグラフィ技術を適用する場合は、感光性レジストフィルムを用いればよい。続いて公知のフォトリソグラフィ技術などにより、図９の（Ｃ）に示すように、めっきレジスト層２２にパターンを形成する。その後、図９の（Ｄ）に示すように、例えば電解めっきにより、支持体２０上のめっきレジスト非形成部分に、Ｃｕなどの導体層１２ａ、１２ｂを形成する。その後、めっきレジスト層２２を、剥離あるいは溶解などによって除去し、図１０の（Ａ）の状態とする。この状態では、支持体２０の表面に導体層１２ａ、１２ｂが所定のパターンで突出形成されている。
【００７６】
その後、図１０の（Ｂ）に示すように、プリプレグなどの比較的軟質な絶縁基材１０を用意して、その絶縁基材１０の表面１０Ａを、支持体２０上の導体層１２ａ、１２ｂに対向させ、必要に応じて加熱しながら加圧して、積層圧着させる。これによって、図１０の（Ｃ）に示すように、導体層１２ａ、１２ｂが絶縁基材１０に押し込まれる。その後、支持体２０をエッチングなどの適宜の手段によって除去すれば、図１０の（Ｄ）に示すような埋め込み基板１８が得られる。
【００７７】
さらに本発明の片面プリント配線板の製造方法を、より具体化した実施形態を、図１１〜図１３に示す。なお図１１の（Ａ）〜（Ｆ）から図１２の（Ａ）〜（Ｄ）、さらに図１３の（Ａ）〜（Ｃ）までは、埋め込み基板１８を作成するための埋め込み基板形成工程に相当し、図１３の（Ｄ）〜（Ｇ）は、その後の工程を示している。また図１１〜図１３の各図においても、図７、図８と同様に、導体層のうち端子部導体層１２ａについては、その幅広な領域１２ａ０（図１参照）が現れている断面について示している。
【００７８】
本実施形態においては、先ず図１１の（Ａ）に示すように、第１の支持体としての片面銅張積層板３０と、第２の支持体としての比較的軟質な絶縁材、例えばプリプレグ３２と、小サイズの銅箔３４と、大サイズの銅箔３６とを用意する。そしてこれらを上記の順序で積層して加圧し、図１１の（Ｂ）に示すような積層体３８を得る。この積層加圧によって、小サイズの銅箔３４は、第２支持体３２の表面層に埋め込まれた状態となる。なお小サイズ銅箔３４と大サイズ銅箔３６との間は接着されていないが、小サイズ銅箔３４の端部よりも外側の領域では大サイズ銅箔３６がプリプレグ３２に直接接して、その間で接合力が作用している。
【００７９】
次いで図１１の（Ｃ）に示すように、大サイズの銅箔３６の表面に、電解めっきなどによって、Ｎｉ層４０を形成する。その後、図１１の（Ｄ）に示すように、Ｎｉ層４０の表面に、めっきレジスト４２として、例えば感光性レジストフィルムを積層する。そしてフォトリソグラフィなどの公知の手法によって、図１１の（Ｅ）に示すように、めっきレジスト４２にパターンを形成する。
【００８０】
その後、導体金属としてのＣｕの電解めっきを行なって、めっきレジスト４２の非形成部分に導体層を形成し、続いてめっきレジスト４２を剥離もしくは溶解によって除去し、図１１の（Ｆ）に示すように、積層体３８におけるＮｉ層４０上に導体層１２ａ、１２ｂのパターンを形成する。
【００８１】
次いで、図１２の（Ａ）に示すように、プリプレグや液晶ポリマーなどの絶縁基材１０と、銅箔４４とを、積層体３８のＮｉ層４０上における導体層１２ａ、１２ｂの側に配置し、図１２の（Ｂ）に示すように、積層、加圧する。これによって導体層１２ａ、１２ｂは、絶縁基材１０に埋め込まれた状態となる。
【００８２】
その後、図１２の（Ｃ）に示すように、小サイズ銅箔３４の端部よりも内側の部分で、パターン幅方向に平行な垂直方向に切断し、両端側の部分を中央部側の部分から切り離す。その切断位置を２点鎖線４６で示す。ここで、小サイズ銅箔３４と大サイズ銅箔３６との間は特に接合されていないため、上述のように切り離した後の中央部側の部分は、小サイズ銅箔３４と大サイズ銅箔３６との間で容易に剥離することが可能な状態となる。そこで、図１２の（Ｄ）に示すように、小サイズ銅箔３４と大サイズ銅箔３６との間を剥離させる。このようにして剥離した上側の部分を図１３の（Ａ）に示す。
【００８３】
この後、図１３の（Ａ）〜（Ｂ）に示すように、エッチング液として、Ｃｕは溶解するがＮｉは溶解しにくいエッチング選択性を有する第１の選択エッチング液、例えばメルテックス製エープロセスを用いて、大サイズ銅箔３６をエッチング除去する。これによって、図１３の（Ｂ）に示すように、Ｎｉ層４０が露呈した状態となる。なお、この第１の選択エッチングによって、大サイズ銅箔３６とは反対側の銅箔４４も、その全体がエッチング除去される。
【００８４】
上述のようにして大サイズ銅箔３６が除去されてＮｉ層４０が露呈した後には、図１３の（Ｂ）〜（Ｃ）に示すように、Ｎｉは溶解するがＣｕは溶解しにくいエッチング選択性を有する第２の選択エッチング液、例えばメルテックス製メルストリップＮ−９５０を用いて、Ｎｉ層４０をエッチング除去する。これによって、図１３の（Ｃ）に示すように、絶縁基材１０の第１面１０Ａに所定のパターンで埋め込まれた導体層１２ａ、１２ｂの表面が露呈した状態となる。すなわち、図１０の（Ｄ）で示したものと同様な埋め込み基板（但し図面上では上下が反転している）が得られる。
【００８５】
その後の工程は、図５の（Ａ）〜（Ｃ）および図６の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して説明したプロセス、あるいは図７の（Ａ）〜（Ｃ）および図８の（Ａ）〜（Ｃ）のプロセスと実質的に同様であれば良いが、ここでは、図５（Ａ）〜（Ｃ）および図６の（Ａ）〜（Ｃ）のプロセスに従った例を示す。
すなわち、図１３の（Ｄ）に示すように、絶縁基材１０における導体層１２ａ、１２ｂに対して反対側の面（第２面）１０Ｂから、レーザ加工や機械加工によって、絶縁基材１０に開口穴１３Ａ、１３Ｂを、導体層１２ａに届くように形成する。さらに、必要に応じて、図１３の（Ｅ）に示すように、ソルダレジスト層４８を所定のパターンで形成する。
【００８６】
その後、導体層のうちの端子部導体層１２ａを、絶縁基材１０の第１面１０Ａの側から所定の深さＤまでエッチングして、図１３の（Ｆ）に示す状態とする。その後、図１３の（Ｇ）に示すように、端子部導体層１２ａの表面に、保護用金属被覆層１４、１５として、Ｎｉめっき層（第１層）１４−１、１５−１およびＡｕめっき層（第２層）１４−２、１５−２を、無電解めっきもしくは電解めっきにより形成する。このとき、絶縁基材第１面１０Ａ側の保護用金属被覆層１４の表面が絶縁基材１０の第１面１０Ａと実質的に同一の面以下となるようにめっき厚を調整することは、既に述べたとおりである。
【００８７】
以下に本発明の実験例を、比較実験例とともに説明する。ここで、以下の本発明実験例、比較実験例は、端子部導体層における絶縁基材第１面からの高さが、異常析出現象、ブリッジ現象の発生に及ぼす影響を調べるために行なったものであり、そこで、いずれの実験例でも、絶縁基材の第２面の側に開口穴を形成していない状態で実験を行なった。なお以下の各実験例は、本発明の作用効果を確認するためのものであって、実験例に記載された条件が本発明の技術的範囲を限定しないことはもちろんである。
【００８８】
本発明実験例１：
図５の（Ａ）に準じて、プリプレグからなる絶縁基材１０の第１面１０Ａに所定のパターンでＣｕからなる導体層１２ａ、１２ｂが埋め込み形成された埋め込み基板１８を準備した。ここで、導体層間の幅（パターンの幅）は２０μｍ、隣り合う導体層間の間隔、とりわけ端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の間隔（パターン間の最小間隔）Ｓは、１４μｍとした。このような埋め込み基板１８の導体層のうち、端子部導体層１２ａの表面を、過硫酸ナトリウムと硫酸からなるエッチング液によって、１μｍの深さまでエッチングし、絶縁基材１０の第１面１０Ａから端子部導体層１２ａの表面が窪んでいる状態とした（図５（Ｃ））。次いで、上記の端子部導体層１２ａについて、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、脱スマット処理、プリディップ処理、さらに無電解めっきのためのＰｄ触媒の付与処理、ポストディップ処理をその順に行った後、約２μｍの無電解Ｎｉめっき、０．３μｍの無電解Ｐｄめっき、０．１μｍの置換無電解Ａｕめっきを行ない、端子部導体層１２ａ上においてＡｕめっき層表面が絶縁基材第１面１０Ａから１．０μｍ突出しているプリント配線板を得た。
【００８９】
本発明実験例１により得られたプリント配線板の端子部導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１６の（Ａ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図１７に示す。なお、図１６の（Ａ）〜（Ｅ）、及び図１７〜図２１（Ｂ）において、符号ＡはＣｕからなる導体層を示し、符号Ｂは、Ｎｉ／Ａｕめっき層を示す。
【００９０】
本発明実験例２：
図５の（Ａ）に準じて、プリプレグからなる絶縁基材１０の第１面１０Ａに所定のパターンでＣｕからなる導体層１２ａ、１２ｂが埋め込み形成された埋め込み基板１８を準備した。ここで、導体層の幅（パターンの幅）は２０μｍ、隣り合う導体層間の間隔、とりわけ端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の間隔（パターン間の最小間隔）Ｓは、１５μｍとした。このような埋め込み基板１８の導体層のうち、端子部導体層１２ａの表面を、過硫酸ナトリウムと硫酸からなるエッチング液によって、１μｍの深さまでエッチングし、絶縁基材１０の第１面１０Ａから端子部導体層１２ａの表面が窪んでいる状態（図５（Ｃ）参照）とし、さらにエッチングを継続させて、幅方向の断面が凸状をなす端子部導体層１２ａとした（図６（Ａ）参照）。ここで、上記のエッチングは、断面凸状の端子部導体層の幅方向中央部の表面（凸状の頂面）が、絶縁基材第１面１０Ａの位置から４．５μｍの深さに位置するまで行なった。なおこの状態では、断面凸状の端子部導体層の両端部は、絶縁基材第１面の位置から７．５μｍの深さに位置していた。次いで、上記の端子部導体層について、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、脱スマット処理、プリディップ処理、さらに無電解めっきのためのＰｄ触媒の付与処理、ポストディップ処理をその順に行った後、無電解Ｎｉめっきを行なった（図６（Ｂ）参照）。この無電解Ｎｉめっきは、凸状端子部導体層の頂部が絶縁基材第１面の位置から０．３μｍの深さの位置に達するまで行なったが、この状態では、Ｎｉめっき層は、全体として平坦となっていることが確認された。さらにＮｉめっき層上に、０．２μｍの無電解Ｐｄめっき、および０．１μｍの置換無電解Ａｕめっきを行ない、Ａｕめっき層表面が絶縁基材第１面１０Ａとほぼ同じ位置となっている平坦なプリント配線板を得た（図６（Ｃ）、図４参照）。
【００９１】
以上の本発明実験例２により得られたプリント配線板の端子部導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１６の（Ｂ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図１８に示す。
【００９２】
本発明実験例３：
図５の（Ａ）に準じて、プリプレグからなる絶縁基材１０の第１面１0に所定のパターンでＣｕからなる導体層１２ａ、１２ｂが埋め込み形成された埋め込み基板１８を準備した。ここで、導体層の幅（パターンの幅）は１３μｍ、隣り合う導体層間の間隔、とりわけ端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の間隔（パターン間の最小間隔）Ｓは、２２μｍとした。このような埋め込み基板１８の導体層１２における端子部導体層１２ａの表面を、硫酸と過酸化水素水からなるエッチング液によって、１μｍの深さまでエッチングし、絶縁基材１０の第１面１０Ａから端子部導体層１２ａの表面が窪んでいる状態（図５（Ｃ））とし、さらにエッチングを継続させて、幅方向の断面が凸状をなす導体層とした（図６（Ａ））。ここで、上記のエッチングは、断面凸状の端子部導体層の幅方向中央部の表面（凸状の頂面）が、絶縁基材第１面１０Ａの位置から２．５μｍの深さに位置に達するまで行なった。なおこの状態では、断面凸状の端子部導体層の両端部は、絶縁基材第１面の位置から５．３μｍの深さに位置していた。次いで、上記の端子部導体層について、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、電解Ｎｉめっきを行なった（図６（Ｂ）参照）。この電解Ｎｉめっきは、凸状の端子部導体層の頂部が絶縁基材第１面１０Ａの位置から１．４μｍの高さの位置に達するまで行なったが、この状態では、Ｎｉめっき層は、全体として平坦となっていることが確認された。さらにＮｉめっき層上に、０．１μｍの電解Ａｕめっきを行ない、端子部導体層１２ａ上のＡｕめっき層表面が絶縁基材第１面１０Ａから１．５μｍ突出しているプリント配線板を得た。
【００９３】
本発明実験例３により得られたプリント配線板の端子部導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１６の（Ｃ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図１９に示す。
【００９４】
比較実験例１：
図１５（Ａ）に示すように、プリプレグからなる絶縁基材１０の第１面１０Ａに所定のパターンでＣｕからなる導体層１２が埋め込み形成された埋め込み基板１８を準備した。ここで、導体層の幅（パターンの幅）は２０μｍ、隣り合う導体層間の間隔、とりわけ端子部導体層における幅広な領域の間隔（パターン間の最小間隔）は、１５μｍとした。このような埋め込み基板１８の端子部導体層の表面について、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、脱スマット処理、プリディップ処理、さらに無電解めっきのためのＰｄ触媒の付与処理、ポストディップ処理をその順に行った後、約３．５μｍの無電解Ｎｉめっき、０．２μｍの無電解Ｐｄめっき、０．１μｍの置換無電解Ａｕめっきを行ない、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの保護用金属被覆層（無電解めっき層）１４の表面が絶縁基材１０の第１面１０Ａから３．５μｍ突出しているプリント配線板を得た（図１５（Ｂ））。
【００９５】
比較実験例１により得られたプリント配線板の導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１６の（Ｄ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図２０に示す。
【００９６】
比較実験例２：
図１４（Ａ）に示すように、プリプレグからなる絶縁基材１０上に所定のパターンでＣｕからなる導体層１２が突出形成された基板をセミアディティブ工法により準備した。ここで、導体層１２の幅（パターンの幅）は２１μｍ、隣り合う導体層間の間隔、とりわけ端子部導体層における幅広な領域の間隔（パターン間の最小間隔）は、３０μｍとした。このような絶縁基材１０上の導体層１２の表面について、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、脱スマット処理、プリディップ処理、さらに無電解めっきのためのＰｄ触媒の付与処理、ポストディップ処理をその順に行った後、約２μｍの無電解Ｎｉめっき、０．２μｍの無電解Ｐｄめっき、０．１μｍの置換無電解Ａｕめっきを行ない、絶縁基材１０上に突出する導体層１２がＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの保護用金属被覆層（無電解めっき層）１４で覆われたプリント配線板を得た（図１４（Ｃ）参照）。
【００９７】
比較実験例２により得られたプリント配線板の導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１６（Ｅ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図２１に示す。
【００９８】
以上の本発明実験例および比較実験例によるプリント配線板についての観察結果（図１６の（Ａ）〜（Ｅ）、図１７〜図２１）から、次のような事実が確認された。
すなわち、本発明実験例１〜３の場合は、いずれも、隣り合う端子部導体層の間の絶縁基材表面（第１面１０Ａ）に、保護用金属の異常析出が生じておらず、またとそれに伴うブリッジ現象も生じておらず、隣り合う端子部導体層の間が完全に分離していることが確認された。
これに対して、埋め込み基板を適用したが、導体層をエッチングにより窪ませずに保護用金属のめっきを行なった比較実験例１では、走査型電子顕微鏡での観察の結果、隣り合う導体層の間の絶縁基材表面に保護用金属の異常析出が生じて、ブリッジ現象が発生したことが確認された。
さらに、導体層を絶縁基材上に突出した状態で形成した比較実験例２の場合は、導体層の上面のみならず側面を覆う保護用金属が隣り合う導体層の間で連続してしまって、明確なブリッジ現象が発生していることが確認された。
【００９９】
ここで、比較実験例２は、従来の一般的なセミアディティブ法を適用した例であり、この場合には、隣り合う導体層間の最小間隔Ｓが３０μｍで、保護用金属のブリッジ現象により隣り合う導体層の間が連続してしまっていた。
これに対して、本発明実験例１〜３では、隣り合う端子部導体層間の最小間隔Ｓを２５μｍ以下に狭小化し、特に本発明実験例１、２では１５μｍ以下に著しく狭小化しているが、これらの場合でも、隣り合う端子部導体層の間で保護用金属の異常析出やブリッジが認められなかった。したがって本発明によれば、端子部導体層間の最小間隔を２５μｍ以下、さらには１５μｍ以下まで狭小化しうることが明らかである。
なお比較実験例１では、導体層間の最小間隔が１５μｍであるが、異常析出していることから、２５μｍ以下まで狭小化することは実際上困難と解され、特に１５μｍ以下まで狭小化することは不可能であることが明らかである。
【符号の説明】
【０１００】
１０    絶縁基材
１０Ａ  第１面
１０Ｂ  第２面
１２    導体層
１２ａ  端子部導体層
１２ｂ  配線回路導体層
１３Ａ、１３Ｂ    開口穴
１４    保護用金属の被覆層
１５    保護用金属の被覆層
１８    平埋め基板
２０    支持体
１２１  幅方向中央部
１２２  幅方向両端部
Ｓ      最小間隔（スペース）
Ｗ１、Ｗ２      幅
【図１】
2013070043.tif 000003
【図２】
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【図３】
2013070043.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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