(57)【要約】【課題】ＥＵＶ光生成装置のＣＥを向上させる。【解決手段】極紫外光生成装置は、ターゲット物質からドロップレットを所定の進行方向へ生成するドロップレット生成装置と、第１のレーザビームを発生させて、前記第１のレーザビームを前記ドロップレットに照射し、前記ドロップレットを拡散させる、第１のレーザ装置と、第２のレーザビームを発生させて、前記第２のレーザビームを前記第１のレーザの照射により拡散したターゲット物質に照射することにより、前記拡散したターゲット物質をプラズマ化させ、前記プラズマ化したターゲット物質から極紫外光を発生させる、第２のレーザ装置と、前記第１のレーザビームのビームスポットを、前記ドロップレット生成装置により生成されるドロップレットの進行方向に伸張する、ビーム整形部と、を備えてもよい。【選択図】図１
2013251100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質からドロップレットを所定の進行方向へ生成するドロップレット生成装置と、
第１のレーザビームを発生させて、前記第１のレーザビームを前記ドロップレットに照射し、前記ドロップレットを拡散させる、第１のレーザ装置と、
第２のレーザビームを発生させて、前記第２のレーザビームを前記第１のレーザの照射により拡散したターゲット物質に照射することにより、前記拡散したターゲット物質をプラズマ化させ、前記プラズマ化したターゲット物質から極紫外光を発生させる、第２のレーザ装置と、
前記第１のレーザビームのビームスポットを、前記ドロップレット生成装置により生成されるドロップレットの進行方向に伸張する、ビーム整形部と、
を備える極紫外光生成装置。
【請求項２】
前記第１のレーザビームのビームスポット内には複数のドロップレットが存在する、請求項１に記載の極紫外光生成装置。
【請求項３】
前記第１のレーザ装置により放出される第１のレーザビームの偏光を調整する偏光調整機構をさらに備える、請求項１に記載の極紫外光生成装置。
【請求項４】
前記偏光調整機構により調整されるレーザビームの偏光が直線偏光であり、
その偏光方向は、前記ドロップレットの進行方向に対して略平行である、
請求項３に記載の極紫外光生成装置。
【請求項５】
前記偏光調整機構により調整されるレーザビームの偏光が楕円偏光であり、
その楕円の長軸は、前記ドロップレットの進行方向に対して略平行である、
請求項３に記載の極紫外光生成装置。
【請求項６】
前記第２のレーザビームのビームスポットを、前記ドロップレットの進行方向に伸張する他のビーム整形部をさらに備える、請求項１に記載の極紫外光生成装置。
【請求項７】
前記ビーム整形部が、前記第２のレーザビームのビームスポットをも、前記ドロップレットの進行方向に伸張する、請求項１に記載の極紫外光生成装置。
【請求項８】
前記第２のレーザビームのビームスポットを矩形に整形するビーム整形部をさらに備える、請求項３に記載の極紫外光生成装置。
【請求項９】
ターゲット物質からドロップレットを所定の進行方向へ生成するドロップレット生成装置と、
複数の第１のレーザビームを発生させて、前記第１のレーザビームを前記ドロップレットに照射し、前記ドロップレットを拡散させる、第１のレーザ装置と、
第２のレーザビームを発生させて、前記第２のレーザビームを前記第１のレーザの照射により拡散したターゲット物質に照射することにより、前記ターゲット物質をプラズマ化し、前記プラズマ化したターゲット物質から極紫外光を発生させる、第２のレーザ装置と、
を備え、
前記複数の第１のレーザビームのビームスポットは、前記ドロップレットの進行方向に沿って位置する、
極紫外光生成装置。
【請求項１０】
前記第１のレーザビームのひとつのビームスポット内には複数のドロップレットが存在する、請求項９に記載の極紫外光生成装置。
【請求項１１】
前記第１のレーザビームがドロップレットに照射されるビームスポットの位置は、前記ドロップレットの進行方向に対して、前記第２のレーザビームがドロップレットに照射されるビームスポットの位置の上流に位置する、請求項９に記載の極紫外光生成装置。
【請求項１２】
ターゲット物質からドロップレットを所定の進行方向へ生成する工程と、
第１のレーザビームを発生させて、前記第１のレーザビームのビームスポットを前記ドロップレットの進行方向に伸張するように整形して、前記ドロップレットへ照射することで、前記ドロップレットを拡散させる工程と、
第２のレーザビームを発生させて、前記第２のレーザビームを前記第１のレーザの照射により拡散したターゲット物質に照射することにより、前記拡散したターゲット物質をプラズマ化し、前記プラズマ化したターゲット物質から極紫外光を発生させる工程と、
を含む極紫外光生成方法。
【請求項１３】
前記第１のレーザビームのビームスポット内には複数のドロップレットが存在する、請求項１２に記載の極紫外光生成方法。
【請求項１４】
前記第１のレーザビームの偏光を調整する工程をさらに含む、請求項１２に記載の極紫外光生成方法。
【請求項１５】
前記偏光を調整する工程により調整される第１レーザビームの偏光が直線偏光であり、
その偏光方向は、前記ドロップレットの進行方向に対して略平行である、
請求項１４に記載の極紫外光生成方法。
【請求項１６】
前記偏光を調整する工程により調整されるレーザビームの偏光が楕円偏光であり、
その楕円の長軸は、前記ドロップレットの進行方向に対して略平行である、
請求項１４に記載の極紫外光生成方法。
【請求項１７】
前記第２のレーザビームのビームスポットを、前記ドロップレットの進行方向に伸張する工程をさらに含む、請求項１２に記載の極紫外光生成方法。
【請求項１８】
前記第２のレーザビームのビームスポットを矩形に整形する工程をさらに含む、請求項１４に記載の極紫外光生成方法。
【請求項１９】
ターゲット物質からドロップレットを所定の進行方向へ生成する工程と、
複数の第１のレーザビームを照射する工程であって、前記複数の第１のレーザビームのビームスポットの各々は、前記ドロップレットの進行方向に沿って位置する、工程と、
第２のレーザビームを発生させて、前記第２のレーザビームを前記第１のレーザの照射により拡散したターゲット物質に照射することにより、前記拡散したターゲット物質をプラズマ化し、前記プラズマ化したターゲット物質から極紫外光を発生させる工程と、
を含む極紫外光生成方法。
【請求項２０】
前記複数の第１のレーザビームのビームスポット内には複数のドロップレットが存在する、請求項１９に記載の極紫外光生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置、及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の製造等に用いるリソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に転写する装置である。基板上に回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを用いる。基板上へのそのパターンの転写は、基板（例えばシリコンウェーハ基板）上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。
【０００３】
パターン転写の理論推定限界値ＣＤ（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）は、以下の式（１）によって与えられる。
【０００４】
ＣＤ＝Ｋ１・λ／ＮＡ                （１）
ここで、λは、パターン転写に用いられる露光用光の波長であり、ＮＡは、パターン転写に用いられる投影システムの開口数であり、Ｋ１は、レイリー定数と呼ばれる、プロセス依存係数である。ＣＤは、プリントされたクリティカルディメンションである。式（１）から分かる通り、転写可能サイズを縮小するためには、露光用光の波長λを短くすること、開口数ＮＡを大きくすること、又はＫ１の値を小さくすることの３つのいずれかによって達成することができる。
【０００５】
露光用光の波長を短くして、これにより転写可能サイズを縮小するためには、１０ｎｍから２０ｎｍの範囲内、望ましくは１３ｎｍから１４ｎｍの範囲内の波長のＥＵＶ光を生成する装置を用いることが提案されている。代表的なＥＵＶ光生成装置は、レーザ生成プラズマ式ＥＵＶ光生成装置、放電プラズマ式ＥＵＶ光生成装置、及び電子蓄積リングからのシンクロトロン放射式ＥＵＶ光生成装置などが挙げられる。
【０００６】
通常、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）式ＥＵＶ光生成装置では、スズ（Ｓｎ）のドロップレットがレーザビーム照射を受けてプラズマ化され、ＥＵＶ波長範囲における光が生成される。このレーザビームは、例えばＣＯ２レーザ装置によって供給されてもよい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２７６６７１号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１０／２９４９５３号明細書
【特許文献３】米国特許第７８９７９４７号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００８／１４９８６２号明細書
【概要】
【０００８】
極紫外光生成装置は、ターゲット物質からドロップレットを生成するドロップレット生成装置と、第１のレーザビームを発生させて、前記第１のレーザビームを前記ドロップレットに照射し、前記ターゲット物質を拡散させる、第１のレーザ装置と、第２のレーザビームを発生させて、前記第２のレーザビームを前記第１のレーザの照射により拡散したターゲット物質に照射することにより、前記ターゲット物質をプラズマ化させ、前記ターゲット物質から極紫外光を発生させる、第２のレーザ装置と、前記第１のレーザビームのビームスポットを、前記ドロップレット生成装置により生成されるドロップレットの進行方向に伸張する、ビーム整形部と、を備えてもよい。
【０００９】
極紫外光生成装置は、ターゲット物質からドロップレットを生成するドロップレット生成装置と、複数の第１のレーザビームを発生させて、前記第１のレーザビームを前記ドロップレットに照射し、前記ターゲット物質を拡散させる、第１のレーザ装置と、第２のレーザビームを発生させて、前記第２のレーザビームを前記第１のレーザの照射により拡散したターゲット物質に照射することにより、前記ターゲット物質をプラズマ化し、前記ターゲット物質から極紫外光を発生させる、第２のレーザ装置と、を備えてもよく、前記複数の第１のレーザビームのビームスポットは、前記ドロップレットの進行方向に沿って位置してもよい。
【００１０】
極紫外光生成方法は、ターゲット物質からドロップレットを生成する工程と、第１のレーザビームを発生させて、前記第１のレーザビームのビームスポットを前記ドロップレットの進行方向に伸張するように整形して、前記ターゲット物質へ照射することで、前記ターゲット物質を拡散させる工程と、第２のレーザビームを発生させて、前記第２のレーザビームを前記第１のレーザの照射により拡散したターゲット物質に照射することにより、前記ターゲット物質をプラズマ化し、前記ターゲット物質から極紫外光を発生させる工程と、を含んでもよい。
【００１１】
極紫外光生成方法は、ターゲット物質からドロップレットを生成する工程と、複数の第１のレーザビームを照射する工程であって、前記複数の第１のレーザビームのビームスポットの各々は、前記ドロップレットの進行方向に沿って位置する、工程と、第２のレーザビームを発生させて、前記第２のレーザビームを前記第１のレーザの照射により拡散したターゲット物質に照射することにより、前記ターゲット物質をプラズマ化し、前記ターゲット物質から極紫外光を発生させる工程と、を含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、本開示の一態様による例示的なレーザ生成プラズマ式ＥＵＶ光生成装置を示す。
【図２】図２は、本開示に係るプリパルスレーザ光を含むＥＵＶ光生成装置を概略的に表している。
【図３】図３は、本開示に係るコンティニュアスジェット法によってドロップレットの列を生成するターゲット生成装置を表している。
【図４】図４は、ＣＪ法の場合でのドロップレット直径とドロップレット中心間の間隔との関係を示す。
【図５】図５は、プリパルスレーザ光集光ビームとメインパルスレーザ光集光ビームが照射されたドロップレットの一部を示している。
【図６】図６は、ドロップレットの一部がプリパルスレーザ光集光ビームとメインパルスレーザ光集光ビームが照射された結果を示している。
【図７】図７は、ビームスポットが細長い円状にビーム整形されたプリパルスレーザ光の集光ビームを示している。
【図８】図８は、ビームスポットが細長い円状にビーム整形されたプリパルスレーザ光の集光ビームをドロップレットに照射した結果を示している。
【図９】図９は、プリパルスレーザ光の照射ビームのビームスポットを長円にビーム整形して、メインパルスレーザ光の照射ビームのビームスポットを円形にビーム整形するための光学システムを示す。
【図１０】図１０は、複数のスポットを構成するようにビーム整形されたプリパルスレーザ光の集光ビームを示している。
【図１１】図１１は、プリパルスレーザ光の照射ビームを、複数のスポットを構成するようにビーム整形して、メインパルスレーザ光の照射ビームのビームスポットを円形にビーム整形するための光学システムを示す。
【図１２】図１２は、プリパルスレーザ光を複数のスポットに集光した場合の第２の実施形態を示している。
【図１３】図１３は、シート状のビームにビーム整形されたプリパルスレーザ光の集光ビームを示している。
【図１４】図１４は、プリパルスレーザ光の照射ビームスポットをシート状にビーム整形し、メインパルスレーザ光の照射ビームのビームスポットを円形にビーム整形するための光学システムを示す。
【図１５】図１５は、ドロップレットへのプリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光の照射を示している。
【図１６】図１６は、ドロップレットにプリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光を照射した所定期間後の状態を示している。
【図１７】図１７は、ドロップレットにプリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光を照射した所定期間後の状態を示している。
【図１８】図１８は、ドロップレットにプリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光を照射した所定期間後の状態を示している。
【図１９】図１９は、プリパルスレーザ光の照射ビームスポットを長円にビーム整形して、メインパルスレーザ光の照射ビームスポットを円形にビーム整形するための他の光学システムを示す。
【図２０】図２０は、偏光調節部と追加のビーム整形部を含むＥＵＶ光生成装置を図示している。
【図２１】図２１は、ドロップレットの進行方向と偏光方向が略一致する楕円偏光プリパルスレーザ光の集光ビームを示す。
【図２２】図２２は、複数のドロップレットに対してプリパルスレーザ光を照射した結果拡散したターゲット物質を示す。
【図２３】図２３は、図２１に図示されたプリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光をドロップレットに照射するための光学システムを示す。
【図２４】図２４は、複数のドロップレットの進行方向を長軸とする長円形状であるプリパルスレーザ光の集光ビームとメインパルスレーザ光の集光ビームを示す。
【図２５】図２５は、複数のドロップレットにプリパルスレーザ光が照射された後に拡散したターゲット物質を示す。
【図２６】図２６は、図２４に図示されたプリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光をドロップレットに照射するための光学システムを示す。
【図２７】図２７は、複数のドロップレットの進行方向を長軸とする長円状のビームスポットを有する直線偏光のプリパルスレーザ光の集光ビームと、矩形の集光ビームのビームスポットを有するメインパルスレーザ光の集光ビームを示す。
【図２８】図２８は、複数のドロップレットにプリパルスレーザ光が照射された後に拡散したターゲット物質を示す。
【図２９】図２９は、図２７に図示されたプリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光をドロップレットに照射するための光学システムを示す。
【実施形態】
【００１３】
＜内容＞
＜１．ＥＵＶ光生成装置の全体説明＞
＜１．１  構成＞
＜１．２  動作＞
＜２．プリパルスレーザ装置を含むＥＵＶ光生成装置＞
＜２．１  構成＞
＜２．２  動作＞
＜２．３  作用＞
＜２．４  コンティニュアスジェット法によるターゲット生成装置＞
＜２．５  プリパルスレーザ光のビーム整形部＞
＜３．プリパルスレーザ光のビーム整形部の他の実施形態＞
＜３．１  複数ビームを生成するビーム整形部＞
＜３．２  シートビームを生成するビーム整形部＞
＜４．複数のプリパルスレーザ光を照射する実施形態＞
＜５．偏光調節部を含むＥＵＶ光生成装置＞
＜６．メインパルスレーザ光のビーム整形部の実施形態＞
【００１４】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示の一例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１５】
＜１．ＥＵＶ光生成装置の全体説明＞
＜１．１  構成＞
図１に本開示の一態様による例示的なレーザ生成プラズマ式ＥＵＶ光生成装置（以下、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置と称する）１の概略構成を示す。ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いることができる（ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システムと称する）。図１に示し、かつ以下に詳細に説明するように、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含むことができる。チャンバ２内は好ましくは真空である。あるいは、チャンバ２の内部にＥＵＶ光の透過率が高いガスが存在していてもよい。また、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給システム（例えばドロップレット生成器２６）を更に含むことができる。ターゲット供給システムは、例えばチャンバ２の壁に取り付けられていてもよい。ターゲット供給システムは、ターゲットの材料となるスズ、リチウム、キセノン、又はそのいずれかの組合せを含むことができるが、ターゲットの材料はこれらに限定されない。
【００１６】
チャンバ２には、その壁を貫通する少なくとも１つの貫通孔２４が設けられている。その貫通孔２４はウィンド２１によって塞がれていてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ光集光ミラー２３が配置されてもよい。回転楕円面形状のミラーは、第１の焦点、及び第２の焦点を有してもよい。ＥＵＶ光集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ発生位置（プラズマ生成サイト２５）又はその近傍に位置し、その第２の焦点がＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されるＥＵＶ光の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するよう配置されるのが好ましい。ＥＵＶ光集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、その貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
【００１７】
さらに図１を参照するに、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでもよい。また、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット撮像装置４を含んでもよい。
【００１８】
更に、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通する連通管２９を含んでもよい。連通管２９内部にはアパーチャを備えた壁２９１を含んでもよく、そのアパーチャが第２の焦点位置にあるように壁２９１を設置してもよい。
【００１９】
更に、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御アクチュエータ３４、レーザ光集光ミラー２２、ドロップレット２７のターゲット回収器２８なども含んでもよい。
【００２０】
＜１．２  動作＞
図１を参照するに、レーザ装置３から出射されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御アクチュエータ３４を経てパルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、レーザ装置３から少なくとも１つのレーザビーム経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射して少なくとも１つのターゲットに照射されてもよい。
【００２１】
ドロップレット生成器２６は、ドロップレットターゲットをチャンバ２内部のプラズマ生成サイト２５に向けて出射してもよい。ドロップレットターゲットには、少なくとも１つのパルスレーザ光３３が照射されてもよい。レーザ光に照射されたドロップレットターゲットはプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光が発生してもよい。なお、１つのドロップレットターゲットに、複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００２２】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５はドロップレット撮像装置によって撮像されたドロップレット２７のイメージ情報等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５はまた、例えばドロップレットターゲット２７を射出するタイミングの制御、及びドロップレットターゲット２７の射出方向の制御の少なくとも１つを行ってもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は更に、例えばレーザ装置３のレーザ発振タイミングの制御、パルスレーザ光３１の進行方向の制御、及び集光位置変更の制御の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。
【００２３】
＜２．プリパルスレーザ装置を含むＥＵＶ光生成装置＞
＜２．１  構成＞
図２は、本開示に係るプリパルスレーザ光を含むＥＵＶ光生成装置を概略的に表している。
【００２４】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５と、ドロップレット生成器２６と、メインパルスレーザ装置３ａと、プリパルスレーザ装置３ｂと、ＥＵＶチャンバ２と、高反射ミラー７ａ及び７ｂと、ビームコンバイナ３５と、ビーム整形部４４とを含んでもよい。
【００２５】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成装置コントローラ５ａと、トリガ生成器５ｂと、遅延回路５ｃを含んでもよい。ドロップレット生成器２６は、ドロップレット生成器コントローラ２６ａを含んでもよい。
【００２６】
ビームコンバイナ３５は、高反射ミラー７ｃとダイクロイックミラー７ｄを含んでもよい。ビームコンバイナ３５は、ＥＵＶチャンバ２に固定されていてもよい。ダイクロイックミラー７ｄは、ダイヤモンド基板にプリパルスレーザ光を高反射し、メインパルスレーザ光を透過する膜をコーティングしたものでもよい。
【００２７】
ビーム整形部４４は、ドロップレット２７に照射される位置２５でのプリパルスレーザ光ビームのビームスポットを、所望のビームスポット形状にビーム整形する光学系であってもよい。詳しくは後述する。
【００２８】
たとえば、ビーム整形部４４には、プリパルスレーザ光ビームを、ドロップレット列に沿った方向に細長いビームスポットで集光するように、凹レンズが配置されてもよい。
【００２９】
ＥＵＶチャンバ２は、ウインド３６ｃと、レーザ集光光学系３６と、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ３７と、プレート４１と、ドロップレット生成装置２６ｂと、ＥＵＶ光センサ３８と、ダンパ３９とダンパ支持部材４０とを含んでいてもよい。
【００３０】
ドロップレット生成装置２６ｂは、プラズマ生成領域２５に複数のドロップレット２７を供給するように配置されてもよい。
【００３１】
ドロップレット生成装置２６は、コンティニュアスジェット（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｊｅｔ）法（以降、ＣＪ法と略記する）によって、ドロップレット２７を生成するターゲット生成装置であってもよい。詳しくは後述する。
【００３２】
レーザ集光光学系３６は、軸外放物面ミラー３６ａと、平面ミラー３６ｂと、プレート４２と、ＸＹＺ方向に移動するステージ４３を含んでいてもよい。レーザ集光光学系３６は、ＥＵＶチャンバ２の内部に配置されてもよい。レーザ集光光学系３６の集光位置がプラズマ生成領域２５と略一致するように、各光学素子が配置されてもよい。
【００３３】
高反射ミラー７ａと高反射ミラー７ｃは、メインパルスレーザ光がダイクロイックミラー７ｄ及びウインド３６ｃを透過して、レーザ集光光学系３６に入射するように配置されてもよい。
【００３４】
高反射ミラー７ｂとダイクロイックミラー７ｄは、プリパルスレーザ光がダイクロイックミラー７ｄを反射して、ウインド３６ｃ透過して、レーザ集光光学系３６に入射するように配置されてもよい。
【００３５】
ここで、ダイクロイックミラー７ｄと高反射ミラー７ｃは、ダイクロイックミラー７ｄによって反射されたプリパルスレーザ光の光路と、ダイクロイックミラー７ｄを透過したメインパルスレーザ光の光路とが略一致するように、配置されてもよい。
【００３６】
プリパルスレーザ装置３ｂは、波長１．０６μｍのパルスレーザ光を出力するＹＡＧレーザ装置であってもよい。
【００３７】
メインパルスレーザ装置３ａは、波長１０．６μｍのパルスレーザ光を出力するＣＯ２レーザ装置であってもよい。
【００３８】
＜２．２  動作＞
ＥＵＶ光生成装置コントローラ５ａは、露光装置コントローラ６ａからＥＵＶ光生成信号を受信してもよい。それに続いてＥＵＶ光生成装置コントローラ５ａは、ドロップレット生成器コントローラ２６ａを介して、ＣＪ法によりドロップレット生成装置２６ｂからドロップレット状のターゲット列を生成してもよい。係るドロップレット状のターゲット列は、プラズマ生成領域２５にドロップレット列として供給されてもよい。
【００３９】
ＥＵＶ光生成装置コントローラ５ａは、トリガ生成器５ｂから出力されたトリガを第１のトリガとして、遅延回路５ｃを介して、プリパルスレーザ装置３ｂに入力してもよい。それによって、プリパルスレーザ装置３ｂからプリパルスレーザ光が出力されてよい。プリパルスレーザ光は、高反射ミラー７ｂと、ビーム整形部４４と、ダイクロイックミラー７ｄを介して、ウインド３６ｃに入力されてもよい。プリパルスレーザ光は、レーザ集光光学系３６によって、縦長のビームスポット形状で集光され、プラズマ生成領域２５においてドロップレット２７の軌道上に配列した複数のドロップレット２７に、それらの配列方向に沿って照射されてもよい。このとき、ドロップレット２７の軌道上に配列した複数のドロップレット２７は破壊されて、微粒子（マイクロドロップレット）やクラスタを含むターゲット物質となって拡散してもよい。
【００４０】
一方、遅延回路５ｃによって所定の遅延時間だけ遅延された第２のトリガ信号は、メインパルスレーザ装置３ａに入力されてもよい。メインパルスレーザ光は、第２のトリガ信号によって、メインパルスレーザ装置から出力されてよい。メインパルスレーザ光は、高反射ミラー７ａと、高反射ミラー７ｃと、ダイクロイックミラー７ｄを介して、ウインド３６ｃに入力されてもよい。メインパルスレーザ光は、レーザ集光光学系３６によって、所定のスポット直径で集光され、プリパルスレーザ光の照射から所定の時間後に拡散したターゲットに照射されてもよい。この照射により、前記拡散したターゲットは、プラズマ化し、ＥＵＶ光を生成してもよい。
【００４１】
＜２．３  作用＞
プラズマ生成領域２５に到達した軌道上の複数ドロップレット２７に、プリパルスレーザ光が照射されてもよい。その結果、プリパルスレーザ光が照射された複数のドロップレット２７は、破壊されて、拡散してもよい。この拡散したターゲットは光吸収率が高く、これにメインパルスレーザ光を照射してもよいので、ＣＥが改善し、デブリの生成が抑制されてもよい。
【００４２】
＜２．４  ＣＪ法によるターゲット生成装置＞
図３は、ＣＪ法によってドロップレット２７の列を生成するターゲット生成装置を表している。ＣＪ法では、ピエゾ素子２６ｆが、ノズル２６ｇを振動させることによって、ノズル２６ｇから出たジェット２７ａを分離する。
【００４３】
ドロップレット生成器２６は、ドロップレット生成装置２６ｂと圧力調節器２６ｉと、不活性ガスボンベ２６ｄと、電源２６ｃと、ピエゾ素子２６ｆとを含んでもよい。
【００４４】
圧力調節器２６ｉの入力側は配管を介して不活性ガスボンベ２６ｄに接続し、圧力調節器２６ｉの出力側は配管を介してドロップレット生成装置２６ｂに接続してもよい。
【００４５】
ピエゾ素子２６ｆは、ノズル２６ｇに固定されており、ピエゾ素子２６ｆへ電圧を印加するための電源２６ｃと接続してもよい。
【００４６】
電源２６ｃはドロップレット生成器コントローラ２６ａに接続してもよい。
【００４７】
ドロップレット生成器コントローラ２６ａは、ＥＵＶ光生成装置コントローラ５ａからドロップレット生成信号が入力されると、圧力調節器２６ｉに信号を送ってもよい。それにより圧力調節器２６ｉは、ドロップレット生成装置２６ｂの内部が所定の圧力となるように、不活性ガスを介して、ドロップレット生成装置２６ｂの内部にあるターゲット物質に圧力を印加してもよい。
【００４８】
ターゲット物質に圧力が印加されると、ノズル２６ｇの孔からターゲット物質のジェット２７ａが出力されてもよい。
【００４９】
一方、ドロップレット生成器コントローラ２６ａから所定の周波数のパルス信号が電源２６ｃに入力されてもよい。
【００５０】
電源２６ｃは、電流導入端子を介して、パルス信号の周期と同じ周期で所定の電圧をピエゾ素子２６ｆに印加することにより、ノズル２６ｇを振動させてもよい。
【００５１】
ジェット２７ａは、ノズル２６ｇの振動によって分離し、ドロップレット列を形成してもよい。
【００５２】
図４は、ＣＪ法の場合でのドロップレット直径とドロップレット中心間の間隔との関係の例を示す。
【００５３】
ＣＪ法では、ドロップレットを生成する条件が制限される。レイリーの微小擾乱の安定性理論によれば、速度ｖで流れる直径ｄのターゲット噴流を、周波数ｆで振動させることにより擾乱させる。その場合、ターゲットの流れに生じた振動の波長λ（λ＝ｖ／ｆ）が所定の条件（３＜λ／ｄ＜８）を満たす場合に、ほぼ均一な大きさのドロップレットが、周波数ｆで繰り返して形成される。そのときの周波数ｆは、レイリー周波数と呼ばれる。
【００５４】
λ／ｄ＝４．５を満足し、かつノズル直径ｄが１０μｍと３μｍの場合における、ドロップレット直径Ｄ、ドロップレット中心の間隔λ、及び、メインパルスレーザ光のスポット直径が３００μｍのときのドロップレットの数を図４に示す。
【００５５】
メインパルスレーザ光の集光ビーム直径が３００μｍの場合において、ドロップレット径Ｄが２０μｍと５．７μｍのときには、それぞれ７個と２３個のドロップレットがメインパルスの照射エリア内に存在することになる。
【００５６】
このように、メインパルスレーザ光の集光ビーム直径エリア内に一列に複数個のドロップレットが存在した場合に、すべてのドロップレットにプリパルスレーザ光を照射することが好ましい。
【００５７】
図４に示したように、ＣＪ法によるドロップレット生成は、ドロップレットの間隔とドロップレット径を独立に制御することが困難である。
【００５８】
ドロップレット径をより小さくするためには、ドロップレットの間隔が短くなり得る。
【００５９】
一方、プリパルスレーザ光の集光スポット径Ｄｐは１個のドロップレット径よりも多少大きく調節し、メインパルスレーザ光のスポット径Ｄｍはプリパルスレーザ光によってターゲットが拡散した径と同等に設定してもよい。４Ｄｐ〜５Ｄｐ＞Ｄｍとしてもよい（図５）。図５にはプリパルスレーザ光集光スポット５１とメインパルスレーザ光集光スポット５０とが記載されている。これらは、両スポット径を比較するために記載されたものである。実際にはドロップレット２７へプリパルスレーザ光が照射された後にメインパルスレーザ光が照射される。
【００６０】
ドロップレットの間隔が短い場合、メインパルスレーザ光のスポット径Ｄｍの中に複数個のドロップレットが存在した状態で、例えば１個のドロップレットにのみプリパルスレーザ光が照射されるような状況が想定され得る。
【００６１】
図６において、矢印５２はドロップレット進行方向である。１個のドロップレットにプリパルスレーザ光を照射されると、そのドロップレットターゲットが拡散し得る。所定時間後に、拡散ターゲット２７ｂがメインパルスレーザ光のスポット５０の径Ｄｍと同等になったとき（図６）にメインパルスレーザ光を照射してもよい。この場合、図６の２つの長円３０内にあるその他の複数のドロップレットにはプリパルスレーザ光は照射されておらず、メインパルスレーザ光が直接ドロップレットに照射されるという現象が起こり得る。拡散していないドロップレットは光吸収率が低く、その結果、ＣＥの低下やデブリが増加し得る。
【００６２】
＜２．５  プリパルスレーザ光のビーム整形部＞
図７乃至９はプリパルスレーザ光を長円状に集光した場合の実施形態である。図中の５１ａはプリパルスレーザ光集光ビームである。
【００６３】
図８は、プリパルスレーザ光が照射された後、所定時間経過後に複数個のドロップレットが拡散した状態２７ｃを示す図である。この拡散したターゲットに、メインパルスレーザ光が照射されてもよい。また、図８に示すように、プリパルスレーザ光照射を受けた複数のドロップレット２７ｃがメインパルスレーザ光の集光ビーム５０内に入るように、メインパルスレーザ光がビーム整形されてもよい。
【００６４】
図９は、プリパルスレーザ光の照射ビームを長円にして、メインパルスレーザ光の照射ビームを円形にするための光学システムを示す。
【００６５】
この光学システムは、レーザ集光光学系３６と、ダイクロイックミラー７ｄと、ビーム整形部４４を含んでいてもよい。
【００６６】
レーザ集光光学系３６は、図２のように、軸外放物面ミラー３６ａと平面ミラー３６ｂで構成してもよい。プリパルスレーザ光の波長とメインパルスレーザ光の波長が略一致する場合は、レーザ集光光学系３６をレンズで構成してもよい。
【００６７】
レーザ集光光学系３６は、該レーザ集光光学系３６の焦点面とドロップレット列の進行方向の軸とが一致し、レーザビームが所望のプラズマ生成領域２５で集光されるように配置されてもよい。
【００６８】
ダイクロイックミラー７ｄは、基板がメインパルスレーザ光を高透過する素材であってもよい。ダイクロイックミラー７ｄには、プリパルスレーザ光を高反射し、かつメインパルスレーザ光を高透過する膜がコートされてもよい。
【００６９】
ビーム整形部４４は、ダイクロイックミラー７ｄとプリパルスレーザ３ｂとの間の光路上に設置されてもよい。
【００７０】
ビーム整形部４４は凹面のシリンドリカルレンズ４４ａを含んでいてもよい。
【００７１】
シリンドリカルレンズ４４ａは、該シリンドリカル凹レンズ４４ａの焦点軸とドロップレット列の進行方向の軸とが略直交し、かつ、プリパルスの集光ビームが複数のドロップレットに照射されるように配置されてもよい。
【００７２】
図９に示されているように、プリパルスレーザ光のビームは、シリンドリカル凹レンズ４４ａによって、紙面と平行な方向に広げられてもよい。その後プリパルスレーザ光のビームは、ダイクロイックミラー７ｄに入射し、高反射され、その後レーザ集光光学系３６によって、一列の複数のドロップレット上に細長い円形状のビームスポットで集光されてもよい。
【００７３】
一方、メインパルスレーザ光は、ダイクロイックミラー７ｄを高透過し、その後レーザ集光光学系３６によって、焦点位置に集光されてもよい。この時のメインパルスレーザ光の集光スポット直径は、波長とＮＡによって調節されてもよい。具体的には、メインパルスレーザ光の集光スポット直径は、波長に比例して、ＮＡに反比例することを利用して調節されてもよい。例えば、両レーザ光が同じＮＡで同じＭ２であれば、波長が１０．６μｍのメインパルスレーザ光と波長１．０６μｍのプリパルスレーザ光のスポット径は約１０倍となり得る。
【００７４】
メインパルスレーザ光の集光スポットは、円形であって、プリパルスレーザ光の長円状の集光ビームが照射された領域をすべて含むようにしてもよい。
【００７５】
図７に示されているように、プラズマ生成領域にある複数のドロップレットに長円状のプリパルスレーザ光のビームが照射されてもよい。そして、複数のドロップレットにプリパルスレーザ光を照射することによって、拡散したターゲットにメインパルスレーザ光が照射されてもよい。その結果、照射された拡散したターゲットは、プラズマ化し、ＥＵＶ光を生成してもよい。
【００７６】
メインパルスレーザ光を照射する範囲（スポット径）にある複数のドロップレットは、プリパルスレーザ光によって照射され、拡散ターゲットを形成済みであり得る。この広がった拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射するので、ＣＥが向上し、デブリの生成を抑制することができるものであってもよい。
【００７７】
＜３．プリパルスレーザ光のビーム整形部の他の実施形態＞
図１０，１１はプリパルスレーザ光を複数のスポットに集光した場合の実施形態である。図１０にはプリパルスレーザ光集光ビーム５０ｂ、メインパルスレーザ光集光ビーム５０の両方が記載されている。しかし、実際にはドロップレット２７へプリパルスレーザ光が照射された後にメインパルスレーザ光が照射される。両方を記載した目的は、プリパルスレーザ光集光ビーム５０ｂとメインパルスレーザ光集光ビーム５０の径と集光位置の関係を示すことである。
【００７８】
図７の場合と同様に、プリパルスレーザ光の照射を受けた複数のドロップレットがメインパルスレーザ光の集光ビーム内に入ってもよい。図１０に示されているように、複数のドロップレットがメインパルスレーザ光の集光ビーム５０内に入るように、プリパルスレーザ光の集光ビームが、複数のスポット５１ｂを構成するようにビーム整形されてもよい。この実施形態では複数のスポットの数は３個である。
【００７９】
図１１は、プリパルスレーザ光の照射ビームを複数のスポットにして、メインパルスレーザ光の照射ビームを円形にするための光学システムを示す。
【００８０】
図１１に図示された構成は図９に図示された構成と略同一である。ただし図１１に図示された構成と図９に図示された構成とは、ビーム整形部４４に２つのプリズム４４ｂと４４ｃが配置された点で異なる。
【００８１】
第１プリズム４４ｂと第２プリズム４４ｃは、所定の間隔で設置され、１つのプリパルスレーザ光の照射ビームを３つのビームに分割してもよい。第１プリズム４４ｂと第２プリズム４４ｃを透過した際に分割された２つのビームは、それぞれ所定の角度で屈折されてもよい。
【００８２】
図１１に示されているように、プリパルスレーザ光のビームは、第１プリズム４４ｂと第２プリズム４４ｃによって、３つのビームに分割され得る。そのようにして分割された３つのビームは、ダイクロイックミラー７ｄに入射し、高反射されて、その後レーザ集光光学系３６によって、３つのスポットに集光されてもよい。
【００８３】
＜３．１  複数ビームを生成するビーム整形部＞
図１２はプリパルスレーザ光を複数のスポットに集光した場合の第２の実施形態である。図１２に図示された構成は図９に図示された構成と略同一である。ただし図１２に図示された構成は、複数台のプリパルスレーザ装置３ｃ,３ｄ,３ｅを含み、それぞれのプリパルスレーザ光の出射方向がそれぞれ異なる所定の方向となるようにしている点で図９の構成とは異なる。
【００８４】
あるいは、設置角度の異なる複数のミラーが、各々のプリパルスレーザ装置３ｃ,３ｄ,３ｅとダイクロイックミラー７ｄとの間に配置されてもよい
＜３．２  シートビームを生成するビーム整形部＞
図１３，１４はプリパルスレーザ光をシート状のビームスポットに集光した場合の実施形態である。図１３にはプリパルスレーザ光集光ビーム５１ｃ、メインパルスレーザ光集光ビーム５０の両方が記載されている。しかし、実際にはドロップレット２７へプリパルスレーザ光が照射された後にメインパルスレーザ光が照射される。両方を記載した目的は、プリパルスレーザ光集光ビーム５１ｃとメインパルスレーザ光集光ビーム５０の径と集光位置の関係を示すことである。
【００８５】
本実施形態でも、プリパルスレーザ光の照射を受けた複数のドロップレットがメインパルスレーザ光の集光ビーム内に入ってもよい。図１３に示されているように、複数のドロップレット２７がメインパルスレーザ光の集光ビーム内に入るように、プリパルスレーザ光の集光ビームがシート状のビーム５１ｃにビーム整形されてもよい。
【００８６】
図１４は、プリパルスレーザ光の照射ビームをシート状にビーム整形し、メインパルスレーザ光の照射ビームを円形にするための光学システムを示す。
【００８７】
図１４に図示された構成は図９に図示された構成と略同一である。ただし図１４に図示された構成は、ビーム整形部４４にマイクロフライアイレンズ４４ｄを配置した点で図９に図示された構成とは異なる。
【００８８】
マイクロフライアイレンズ４４ｄは、プリパルスレーザ光がシート状の集光ビームに集光されるように、典型的には数百個以上である複数個の、図１３のプリパルスレーザ光集光ビーム５１ｃと相似形である長方形の凹レンズが基板に加工された光学素子であってもよい。
【００８９】
プリパルスレーザ光のビームは、マイクロフライアイレンズ４４ｄによって複数のビームに分割され、分割された複数のビームは、それぞれのレンズによって広げられ得る。そしてそれぞれのレンズによって広げられた複数のビームは、ダイクロイックミラー７ｄに入射し、高反射されて、その後、レーザ集光光学系３６によって、焦点位置で重ね合わせられることで、シート状のビームとなってもよい（ケーラ照明）。
【００９０】
プリパルスレーザ光が、長方形のトップハット形状でドロップレット列に照射されるので、複数個のドロップレット２７の位置が、プリパルスレーザ光が均一となる範囲内に存在するのであれば、生成される拡散ターゲットの状態が安定化し得る。
【００９１】
本実施形態では、マイクロフライアイレンズを用いたが、プリパルスレーザ光をシート状のトップハット形状のビームスポットで集光するような、回折光学素子が用いられてもよい。
【００９２】
＜４．複数のプリパルスレーザ光を照射する実施形態＞
図１５乃至１９は、プリパルスレーザ光の照射を受けた複数のドロップレットがメインパルスレーザ光の集光ビーム内に入るための他の実施形態である。時間差をおいて複数プリパルスレーザ光をドロップレット２７に照射した場合の実施形態である。図１５乃至図１８にはプリパルスレーザ光集光ビーム５１ｄ、メインパルスレーザ光集光ビーム５０の両方が記載されている。しかし、実際にはドロップレット２７へプリパルスレーザ光が例えば３回照射された後にメインパルスレーザ光が照射される。各図へ両方を記載した目的は、プリパルスレーザ光集光ビーム５１ｄとメインパルスレーザ光集光ビーム５０の径と集光位置の関係を示すことである。
【００９３】
図１５は、メインパルスレーザ光の集光スポット５０とプリパルスレーザ光の集光スポット５１ｄの関係を示す。
【００９４】
プリパルスレーザ光の集光スポット５１ｄは、メインパルスレーザ光の集光スポット５０に対して、ドロップレット列の進行方向５２の上流側に位置してもよい。
【００９５】
図１６は、第１のプリパルスレーザ光が照射されて所定期間Ｔ１後のドロップレット２７と拡散したターゲット２７ｄの状態を示す。
【００９６】
その時刻には、拡散ターゲット２７ｄとドロップレット２７が矢印５２で示される進行方向に移動済みであり、プリパルスレーザ光の集光スポット上には、ドロップレット２７が存在し、第２のプリパルスレーザ光照射を受け得る。
【００９７】
図１７は、第２のプリパルスレーザ光が照射されて所定時間Ｔ１後のドロップレット２７と拡散したターゲット２７ｅの状態を示す。その時刻には、拡散ターゲット２７ｅとドロップレット２７が矢印５２で示される進行方向に移動済みであり、プリパルスレーザ光の集光スポット上には、ドロップレット２７が存在し、第３のプリパルスレーザ光照射を受け得る。
【００９８】
図１８は、ドロップレット２７に第３のプリパルスレーザ光が照射されて所定時間後Ｔ１のドロップレット２７と拡散したターゲット２７ｆの状態を示す。
【００９９】
図１９に図示された構成は、図９に図示された構成と略同一である。ただし図１９に図示された構成は、ビーム整形部４４に１個のプリズム４４ｅが配置されている点で、図９と異なる構成とは異なる。
【０１００】
プリパルスレーザ光の光路が、プリズム４４ｅによって、所定の角度で曲げられてもよい。
【０１０１】
プリパルスレーザ光の集光スポット５１ｄは、メインパルスレーザ光の集光スポット５０に対して、ドロップレット列の上流側に位置してもよい。
【０１０２】
図１５乃至１９のＥＵＶ光生成装置の実施形態と、図２のＥＵＶ光生成装置の実施形態との異なる点は、遅延回路５ｃであってもよい。
【０１０３】
遅延回路５ｃにプリパルスレーザ装置への３つのトリガ信号とメインパルスレーザ装置への１つのトリガの出力タイミングが、ＥＵＶ光生成装置コントローラ５ａから設定されてもよい。
【０１０４】
図１５に示されている場合、トリガ生成器５ｂから出力された最初のトリガ信号は、そのまま遅延せずに、プリパルスレーザ装置に入力されてもよい。その結果、第１のプリパルスレーザ光が複数のドロップレット２７に照射されてもよい。
【０１０５】
図１６に示されている場合、遅延回路５ｃから同期して、最初のトリガに対してＴ１遅れた第２のトリガ信号が、プリパルスレーザ装置へ出力されてもよい。その結果、第２のプリパルスレーザ光が、複数のドロップレットに照射されてもよい。
【０１０６】
図１７に示されている場合、最初のトリガのタイミングに対してＴ２（＝２＊Ｔ１）遅れた第３のトリガ信号が、プリパルスレーザ装置に出力されてもよい。その結果、第３のプリパルスレーザ光が、複数のドロップレットに照射されてもよい。
【０１０７】
図１８に示されているように、最初のタイミングに対してＴ３（＝３＊Ｔ１）遅れた第４のトリガ信号が、メインパルスレーザ装置に出力されてもよい。その結果、複数のプリパルスレーザ光によって照射された拡散したターゲット２７ｆにメインパルスが照射され得る。その結果、拡散したターゲット２７ｆは、プラズマ化し、ＥＵＶ光を生成し得る。
【０１０８】
以上の通り、時間差を置いて複数のプリパルスレーザ光を複数のドロップレットに照射することによって、ターゲット物質を拡散させてもよい。
【０１０９】
＜５．偏光調節部を含むＥＵＶ光生成装置＞
図２０は、偏光調節部を含むＥＵＶ光生成装置を図示している。
【０１１０】
図２０に図示されているように、偏光調節部４５がプリパルスレーザ装置３ｂとダイクロイックミラー７ｄの間の光路上に設置されてもよく、ビーム整形部４６がメインパルスレーザ装置３ａとダイクロイックミラー７ｄの間の光路上に設置されてもよい。
【０１１１】
次に各構成の作用について説明する。偏光調節部４５は、プリパルスレーザ光の偏光方向を調節してもよい。ビーム整形部４６は、メインパルスレーザ光のビーム形状を調節してもよい。
【０１１２】
図２１は、ドロップレットの進行方向５２とプリパルスレーザ光の偏光方向５３が略一致するように、長円形状の集光形状で照射する例を示す。図２１にはプリパルスレーザ光集光ビーム５１ｅ、メインパルスレーザ光集光ビーム５０の両方が記載されている。しかし、実際にはドロップレット２７へプリパルスレーザ光が照射された後にメインパルスレーザ光が照射される。両方を記載した目的は、プリパルスレーザ光集光ビーム５１ｅとメインパルスレーザ光集光ビーム５０の径と集光位置の関係を示すことである。
【０１１３】
図２２は、複数のドロップレット２７に対してプリパルスレーザ光を照射した場合の拡散状態のターゲット２７ｇを示す。本願発明者等は、図２２に図示されているように、ドロップレットに直線偏光のパルスレーザ光を照射すると、偏光方向５３に対して、主に垂直方向にターゲットが拡散することを発見している。
【０１１４】
図２３は、図２１の照射を行うための光学システムを示す。
【０１１５】
図２３に図示された実施形態は図９に図示された実施形態と略同一である。ただし図２３に図示された実施形態は、ダイクロイックミラー７ｄとプリパルスレーザ装置（図示されていない）の間の光路上にλ／２板４５ａが設置されている点で図９の実施形態と異なる。
【０１１６】
プリパルスレーザ装置は、直線偏光のパルスレーザ光を出力するレーザ装置であってもよい。
【０１１７】
偏光調節部４５は、λ／２板４５ａであってもよい。
【０１１８】
プリパルスレーザ光は、紙面に対して垂直な偏光方向を有する直線偏光で、λ／２板４５ａに入射してもよい。
【０１１９】
プリパルスレーザ光の偏光方向は、λ／２板を透過することによって、９０°偏光方向（紙面を含む方向）に回転されてもよい。複数のドロップレット２７に直線偏光のプリパルスレーザ光を照射することによって、直線偏光のプリパルスレーザ光が照射されたターゲットは、偏光方向に対して直交する方向に拡散してもよい。
【０１２０】
この拡散ターゲット２７ｇは、メインパルスレーザ光の照射によってプラズマ化し、ＥＵＶ光を生成してもよい。
【０１２１】
ドロップレットの進行方向５２とプリパルスレーザ光の偏光方向５３は、λ／２板４５ａの設置角度（光学軸と偏光方向のなす角度）θ（図では４５°）を調節することによって、略一致されてもよい。
【０１２２】
拡散したターゲット２７ｇは、図２２に示すように、メインパルスレーザ光の集光スポットの領域を略充填しうるので、ＣＥが向上し得る。
【０１２３】
この実施形態は、λ／２板４５ａの設置角度を調節することによってドロップレットの進行方向にプリパルスレーザ光の偏光方向を略一致させたが、この実施形態に限定されることなく、例えば、プリパルスレーザ光の光路軸を中心に回転させるように調節設置してもよい。要するに偏光方向が調節できる機構があればよい。
【０１２４】
さらに、この実施形態は、ドロップレットに照射されるプリパルスレーザ光が直線偏光の場合の実施形態を示したが、この例に限定されることなく、ドロップレットに照射されるプリパルスレーザ光は楕円偏光でもよい。ドロップレットに照射されるプリパルスレーザ光が楕円偏光の場合は、楕円の長軸方向とドロップレットの進行方向が略一致すればよい。
【０１２５】
＜６．メインパルスレーザ光のビーム整形部の実施形態＞
図２４乃至２６に、メインパルスレーザ光の集光ビームスポット形状が長円である場合の実施形態を示す。図２４にはプリパルスレーザ光集光ビーム５１ｆ、メインパルスレーザ光集光ビーム５０ａの両方が記載されている。しかし、実際にはドロップレット２７へプリパルスレーザ光が照射された後にメインパルスレーザ光が照射される。両方を記載した目的は、プリパルスレーザ光集光ビーム５１ｆとメインパルスレーザ光集光ビーム５０ａの径と集光位置の関係を示すことである。
【０１２６】
図２４は、プリパルスレーザ光の集光ビーム５１ｆとメインパルスレーザ光の集光ビーム５０ａが、複数のドロップレット２７の進行方向５２を長軸とする長円形状である場合を示す。
【０１２７】
図２５は、複数のドロップレットにプリパルスレーザ光が照射された後のターゲットが拡散した状態の模式図を示す。
【０１２８】
図２６は、図２４の照射を行うための光学システムを示す。
【０１２９】
図２６に図示された光学システムは図９に図示された光学システムと略同一である。ただし図２６に図示された光学システムは、メインパルスレーザ装置（図示されていない）とダイクロイックミラー７ｄの間の光路上にビーム整形部４６が設置されている点で図９の実施形態と異なる。
【０１３０】
ビーム整形部４６はシリンドリカル状の凸面ミラー４６ａであってもよい。好ましくは、軸外放物面のシリンドリカル状の凸面ミラー４６ａであってもよい。
【０１３１】
メインパルスレーザ光はビーム整形部４６のシリンドリカル凸面ミラー４６ａによって、ドロップレット２７の進行方向５２に対して略同じ方向にビームを広げてもよい。
【０１３２】
メインパルスレーザ光は、レーザ集光光学系３６の焦点面において長円状のビームスポットで集光されてもよい。
【０１３３】
図２５に示すように、縦長に拡散したターゲット２７ｈに合わせて長円のビームでメインパルスレーザ光を照射でき得るので、ＣＥが向上し得る。
【０１３４】
図２７乃至２９に、メインパルスレーザ光の集光ビームが略矩形である場合の実施形態を示す。
【０１３５】
図２７は、複数のドロップレット２７の進行方向を長軸とする長円状の集光ビーム５１ｅである直線偏光のプリパルスレーザ光を示す。図２７にはプリパルスレーザ光集光ビーム５１ｅ、メインパルスレーザ光集光ビーム５０ｂの両方が記載されている。しかし、実際にはドロップレット２７へプリパルスレーザ光が照射された後にメインパルスレーザ光が照射される。両方を記載した目的は、プリパルスレーザ光集光ビーム５１ｅとメインパルスレーザ光集光ビーム５０ｂの径と集光位置の関係を示すことである。
【０１３６】
図２８は、複数のドロップレット２７にプリパルスレーザ光が照射された後のターゲットが拡散した状態２７ｇと、それに照射される略矩形の集光ビームであるメインパルスレーザ光５０ｂの模式図を示す。
【０１３７】
図２９は、図２７、図２８の照射を行うための光学システムを示す。
【０１３８】
図２９に図示された光学システムは図２３に図示された光学システムと略同一である。ただし図２９に図示された光学システムは、メインパルスレーザ装置とダイクロイックミラーの間の光路上にビーム整形部４６（マイクロフライアイレンズ４６ｂ）を設置している点で図２３の実施形態とは異なる。
【０１３９】
このマイクロフライアイレンズは矩形の集光ビームに集光するように、複数個（数百個以上）の長方形（図２８のメインパルスレーザ光集光ビームと相似形）の凹レンズが基板に加工がされた光学素子であってもよい。
【０１４０】
プリパルスレーザ光のビームは、マイクロフライアイレンズによって複数のビームに分割され、分割された複数のビームは、それぞれのレンズによって広げられてもよい。そして、それぞれのレンズによって広げられた複数のビームは、ダイクロイックミラー７ｄに入射、高透過され、その後レーザ集光光学系３６によって、焦点位置で重ね合わせられることで、矩形のビームとなり得る（ケーラ照明）。
【０１４１】
プリパルスレーザ光の偏光方向は、λ／２板４５ａを透過することによって、偏光方向が９０°回転して、偏光方向が紙面に平行な方向になってもよい。複数のドロップレット２７の形態をとるターゲットは、直線偏光のプリパルスレーザ光の照射によって、主に偏光方向に対して直交する方向に拡散し得る。
【０１４２】
この拡散したターゲットは、矩形のメインパルスレーザ光５０ｂの照射によって、プラズマ化し、ＥＵＶ光を生成し得る。
【０１４３】
図２８に示すように、拡散したターゲットには、該拡散したターゲットに合わせられた矩形の集光ビームであるメインパルスレーザ光が照射され得るので、ＣＥが向上し得る。
【０１４４】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１４５】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１４６】
１  ＥＵＶ光生成制御システム
２  ＥＵＶチャンバ
３  レーザ装置
３ａ  メインパルスレーザ装置
３ｂ  プリパルスレーザ装置
３ｃ  プリパルスレーザ装置
３ｄ  プリパルスレーザ装置
３ｅ  プリパルスレーザ装置
４  ターゲット撮像装置
５  ＥＵＶ光生成制御システム
６  露光装置
５ａ  ＥＵＶ光生成装置コントローラ
５ｂ  トリガ生成器
５ｃ  遅延回路
６ａ  露光装置コントローラ
７ａ  高反射ミラー
７ｂ  高反射ミラー
７ｃ  高反射ミラー
７ｄ  ダイクロイックミラー
２１  ウインド
２２  レーザ集光ミラー
２３  ＥＵＶ集光ミラー
２４  貫通孔
２５  プラズマ発生位置
２６  ドロップレット生成器
２６ａ  ドロップレット生成器コントローラ
２６ｂ  ドロップレット生成装置
２６ｃ  電源
２６ｄ  不活性ガスボンベ
２６ｅ  電流導入端子
２６ｆ  ピエゾ素子
２６ｇ  ノズル
２６ｈ  チャンバ壁
２６ｉ  圧力調節器
２６ｊ  タンク
２７  ドロップレット
２７ａ  ジェット
２７ｂ  拡散ターゲット
２７ｃ  拡散ターゲット
２７ｄ  拡散ターゲット
２７ｅ  拡散ターゲット
２７ｆ  拡散ターゲット
２７ｇ  拡散ターゲット
２７ｈ  拡散ターゲット
２８  ターゲット回収器
２９  連通管
３１  パルスレーザ光
３２  パルスレーザ光
３３  パルスレーザ光
３４  アクチュエータ
３５  ビームコンバイナ
３６  レーザ集光光学系
３６ａ  軸外放物面ミラー
３６ｂ  平面ミラー
３７  ＥＵＶ集光ミラーホルダ
３８  ＥＵＶ光センサ
３９  ダンパ
４０  ダンパ支持部材
４１  プレート
４２  プレート
４３  移動ステージ
４４  ビーム整形部
４４ａ  シリンドリカル凹レンズ
４４ｂ  プリズム
４４ｃ  プリズム
４４ｄ  マイクロフライアイレンズ
４４ｅ  プリズム
４５  偏光調節部
４５ａ  λ/２板
４６  ビーム整形部
４６ａ  シリンドリカル凸面ミラー
４６ｂ  マイクロフライアイレンズ
５０  メインパルスレーザ光集光ビーム
５０ａ  メインパルスレーザ光集光ビーム
５０ｂ  メインパルスレーザ光集光ビーム
５１  プリパルスレーザ光集光ビーム
５１ａ  プリパルスレーザ光集光ビーム
５１ｂ  プリパルスレーザ光集光ビーム
５１ｃ  プリパルスレーザ光集光ビーム
５１ｄ  プリパルスレーザ光集光ビーム
５１ｅ  プリパルスレーザ光集光ビーム
５１ｆ  プリパルスレーザ光集光ビーム
５２  ドロップレット進行方向
５３  プリパルスレーザ光の偏光方向
２９１  壁
２９２  中間焦点(ＩＦ)
【図１】
2013251100.tif 000003
【図２】
2013251100.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2013251100.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
2013251100.tif 000031