(57)【要約】【課題】交流抵抗の小さい高周波伝送線路を提供すること。【解決手段】本発明の一態様は、絶縁性基体の表面に沿って設けられた高周波伝送線路であって、高周波伝送線路によって伝送される交流電気信号の周波数がＦ［Ｈｚ］であり、高周波伝送線路の単位面積当たりの飽和磁化がＭｓ［Ｗｂ／ｍ］であるとき、周波数の数値Ｆと、単位面積当たりの飽和磁化の数値Ｍｓとが、下記数式（１）を満たす。Ｍｓ≦（１．５×１０２）／Ｆ＋５．７×１０−８      （１）【選択図】図４
2013229851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基体の表面に沿って設けられた高周波伝送線路であって、
前記高周波伝送線路によって伝送される交流電気信号の周波数がＦ［Ｈｚ］であり、
前記高周波伝送線路の単位面積当たりの飽和磁化がＭｓ［Ｗｂ／ｍ］であるとき、
前記周波数の数値Ｆと、前記単位面積当たりの飽和磁化の数値Ｍｓとが、下記数式（１）を満たす、
高周波伝送線路。
Ｍｓ≦（１．５×１０２）／Ｆ＋５．７×１０−８      （１）
【請求項２】
前記絶縁性基体の表面上に設けられた導体層と、
前記導体層の表面を被覆する被覆層と、
を備える、
請求項１に記載の高周波伝送線路。
【請求項３】
前記被覆層がニッケル又はパラジウムのうち少なくともいずれか一つを含有する、
請求項２に記載の高周波伝送線路。
【請求項４】
前記被覆層がニッケルを含有し、
前記被覆層が、無電解めっきにより形成され、
前記無電解めっきに用いるめっき液が、カルボン酸、ジカルボン酸、ヒドロキシ酸及びアミノ酸からなる群より選ばれる少なくとも一種の錯化剤と、ニッケル元素と、を含有する、
請求項３に記載の高周波伝送線路。
【請求項５】
前記被覆層がリンを含有する、
請求項３に記載の高周波伝送線路。
【請求項６】
前記めっき液がリンを含有する、
請求項４に記載の高周波伝送線路。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の高周波伝送線路を備えるアンテナ。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の高周波伝送線路を備える電子回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波伝送線路、アンテナ（放射導体及び吸収導体）及び電子回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品には、電気信号の伝送のための伝送線路が設けられている。近年の高度情報化時代を迎え、伝送線路が伝達する交流電気信号の周波数帯域は高周波数帯域へとシフトしている。例えば、携帯情報端末における通信周波数帯域は、数百[ＭＨｚ]から数[ＧＨｚ]に及ぶ。このような高周波数帯域の交流電気信号を伝送する高周波伝送線路では、表皮効果が発生する。表皮効果では、高周波電気信号が伝送線路を流れるとき、電流密度が伝送線路の表面において高くなり、表面から離れるほど低くなる。そして、交流電気信号の周波数が高くなるにつれて、電流が伝送線路表面に集中するので、伝送線路の交流抵抗は高くなる。したがって、高周波伝送線路の交流抵抗を低減するためには、伝送線路表面での電気伝導度を高くすることが求められる。
【０００３】
高周波伝送線路の交流抵抗を低減する方法の一例として、下記特許文献１には、高周波用配線層（伝送線路）の誘電体基板との界面における表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が０．３μｍ以下である高周波用配線基板が開示されている。この高周波用配線基板では、高周波用配線層の誘電体基板と接する表面の凹凸を抑えることで、界面での反応性が低減し、伝送線路の長さが短くなるため、伝送損失が小さくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−０１５８７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示された技術では、伝送線路と誘電体基板との界面の面積が小さいため、伝送線路が誘電体基板に十分に密着せず、伝送線路が誘電体基板から剥離しやすいことが問題となる。
【０００６】
また、上記特許文献１にも開示されているように、伝送線路には高い電気伝導度が要求されるため、伝送線路の基材（導体層）としては、銅又は銅系合金が汎用されている。しかし、銅又は銅系合金は、空気中の酸素、水及び腐食性ガス等によって劣化しやすい。したがって、上記特許文献１に記載の高周波用配線層は十分な耐食性を有しない。導体層の防錆、耐湿及び防食を目的として、導体層の表面をニッケルめっき膜や金めっき膜等で被覆することが検討されている。しかし、従来知られているニッケルめっきで導体層を被覆すると、伝送損失が大きくなることを本発明者らは見出した。
【０００７】
さらに、上記特許文献１に開示された技術では、交流電気信号の周波数が１０[ＧＨｚ]以上である場合には、伝送損失を低減する効果が得られるが、交流電気信号の周波数が１０[ＧＨｚ]を下回った場合、伝送損失を低減する効果が必ずしも十分に達成されないことを本発明者らは見出した。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、交流抵抗の小さい高周波伝送線路、当該高周波伝送線路を備えるアンテナ（放射導体及び吸収導体）及び電子回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る高周波伝送線路の一態様は、絶縁性基体の表面に沿って設けられた高周波伝送線路であって、高周波伝送線路によって伝送される交流電気信号の周波数がＦ［Ｈｚ］であり、高周波伝送線路の単位面積当たりの飽和磁化（面積飽和磁化）がＭｓ［Ｗｂ／ｍ］であるとき、周波数の数値Ｆと、面積飽和磁化の数値Ｍｓとが、下記数式（１）を満たす。下記数式（１）における周波数の数値Ｆの単位は[Ｈｚ]であるが、以下では、便宜上、Ｆ等の周波数の数値を[ＭＨｚ]又は[ＧＨｚ]の単位を用いて表記する場合がある。[Ｈｚ]、[ＭＨｚ]及び[ＧＨｚ]は、それぞれの桁の表記法が異なるが、同義である。
Ｍｓ≦（１．５×１０２）／Ｆ＋５．７×１０−８      （１）
【００１０】
本発明に係る高周波伝送線路の一態様は、絶縁性基体の表面上に設けられた導体層と、導体層の表面を被覆する被覆層と、を備えることが好ましい。
【００１１】
本発明に係る高周波伝送線路の一態様では、被覆層がニッケル又はパラジウムのうち少なくともいずれか一つを含有することが好ましい。
【００１２】
本発明に係る高周波伝送線路の一態様では、被覆層がニッケルを含有し、被覆層が無電解めっきにより形成され、無電解めっきに用いるめっき液が、カルボン酸、ジカルボン酸、ヒドロキシ酸及びアミノ酸からなる群より選ばれる少なくとも一種の錯化剤と、ニッケル元素と、を含有することが好ましい。
【００１３】
本発明に係る高周波伝送線路の一態様では、被覆層がリン元素を含有してもよい。
【００１４】
本発明に係る高周波伝送線路の一態様では、めっき液がリン元素を含有してもよい。
【００１５】
本発明に係るアンテナ（放射導体及び吸収導体）の一態様は、上記の高周波伝送線路を備える。
【００１６】
本発明に係る電子回路基板の一態様は、上記の高周波伝送線路を備える。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、交流抵抗の小さい高周波伝送線路、当該高周波伝送線路を備えるアンテナ（放射導体及び吸収導体）及び電子回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１ａは、本発明の一実施形態に係る高周波伝送線路の表面の模式図であり、図１ｂは、図１ａの高周波伝送線路の、その表面に垂直な断面の一部の模式図である。
【図２】図２は、高周波伝送線路によって伝送される交流電気信号の周波数Ｆと、各周波数Ｆにおける各高周波伝送線路のｒ（Ｆ）との関係を示すグラフである。
【図３】図３は、図２の拡大図である。
【図４】図４は、高周波伝送線路の面積飽和磁化Ｍｓと、ｒ（Ｆ）が１．２であるときの交流電気信号の周波数の逆数（１／ｆ）との関係を示す図である。
【図５】図５ａは、高周波伝送線路（試料１０〜１２）で伝送される交流電気信号の周波数Ｆと高周波伝送線路の交流抵抗Ｒｓとの関係を示す図であり、図５ｂは、試料１１の高周波伝送線路の絶縁性基板に垂直な断面の写真である。
【図６】図６ａは、高周波伝送線路（試料１、７及び９）で伝送される交流電気信号の周波数Ｆと高周波伝送線路の交流抵抗Ｒｓとの関係を示す図であり、図６ｂは、試料７の高周波伝送線路の絶縁性基板に垂直な断面の写真である。
【図７】図７ａは、本発明の実施例に係るアンテナ装置の表面の模式図であり、図７ｂは、図７ａのアンテナ装置が備える高周波伝送線路の、その表面に垂直な断面の一部の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、場合により図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。ただし、本発明は下記実施形態に何ら限定されるものではない。なお、各図面において、同一又は同等の要素には同一の符号を付与し、重複する説明を省略する。
【００２０】
図１ａ及び図１ｂに示すように、本実施形態に係る高周波伝送線路２は、絶縁性基体４の表面に沿って設けられている。高周波伝送線路２の両端部にはそれぞれ端子１０が電気的に接続されている。高周波伝送線路２の形状は、ミアンダパターン（Ｍｅａｎｄｅｒ  ｐａｔｔｅｒｎ）であり、高周波伝送線路２はアンテナ（放射導体及び吸収導体）として機能する。
【００２１】
高周波伝送線路２は、絶縁性基体４（絶縁性基板）の表面上に設けられた導体層６と、導体層６の表面を被覆する被覆層８と、を備えることが好ましい。被覆層８によって、導体層６が保護されるため、空気中の酸素、水、腐食性ガスによる導体層６の劣化を抑制することできる。導体層６の劣化を確実に抑制するためには、導体層６の表面全体が被覆層８によって被覆されていることが好ましい。なお、高周波伝送線路２の最表面（被覆層８）の接触抵抗を低減したり、最表面にはんだ濡れ性を付与したりするために、高周波伝送線路２の最表面上に錫、パラジウム、金、銀等を含む別の層を更に設けてもよい。
【００２２】
高周波伝送線路２によって伝送される交流電気信号の周波数がＦ［Ｈｚ］であり、高周波伝送線路２の面積飽和磁化がＭｓ［Ｗｂ／ｍ］であるとき、周波数の数値Ｆと、面積飽和磁化の数値Ｍｓとが、下記数式（１）を満たす。
Ｍｓ≦（１．５×１０２）／Ｆ＋５．７×１０−８      （１）
【００２３】
高周波伝送線路２の面積飽和磁化Ｍｓ［Ｗｂ／ｍ］は、高周波伝送線路２及び絶縁性基体４の全体が有する飽和磁化（全飽和磁化）［単位：Ｗｂ・ｍ］を、高周波伝送線路２の表面積の合計［単位：ｍ２］で除することによって、算出される。なお、絶縁性基体４は磁性を有しないので、上記の全飽和磁化とは高周波伝送線路２自体の飽和磁化とほぼ同義である。高周波伝送線路２の表面積とは、高周波伝送線路２内を伝播する交流電気信号（電流）の方向と平行な高周波伝送線路２の表面の面積である。換言すれば、高周波伝送線路２の表面積とは、絶縁性基体４の表面に略平行な高周波伝送線路２の表面の面積である。なお、高周波伝送線路２の表面にはんだ接合が形成された場合、高周波伝送線路２の厚さ方向（導体層６及び被覆層８の積層方向）に電流が流れるが、伝送線路２の厚さ方向は上記の「交流電気信号（電流）の方向」に含意されない。
【００２４】
一般的には、表皮効果によって、交流電気信号の周波数Ｆが高くなるほど、高周波伝送線路２の交流抵抗が増加する。そして、導体層６の表面が被覆層８で被覆されることにより、高周波伝送線路２の交流抵抗の増加が顕著になる。特に被覆層８がニッケルめっき等の磁性体である場合、交流抵抗の増加がより顕著になる。しかし、本実施形態では、周波数の数値Ｆと、面積飽和磁化の数値Ｍｓとが、上記数式（１）を満たすことにより、被覆層８による導体層６の被覆に伴う交流抵抗の増加を抑制することが可能となる。つまり、本実施形態では、高周波伝送線路２の設計上の交流電気信号の周波数Ｆに応じて、高周波伝送線路２（特に被覆層８）の組成又は厚さ等を適宜調整することにより、面積飽和磁化Ｍｓを［（１．５×１０２）／Ｆ＋５．７×１０−８］以下に制御する。これにより、交流抵抗が低減し、交流電気信号の伝送損失が低減する。同様の理由から、本実施形態に係る高周波伝送線路２を備えるアンテナ装置では、被覆層８による導体層６の被覆に伴う放射効率及び吸収効率の低下が抑制される。なお放射効率とは、例えば、アンテナ装置が放射する全電力の、アンテナ装置に供給される全電力に対する比と定義される。さらに、吸収効率とは、例えば、アンテナ装置が吸収する全電力の、アンテナ装置に照射される全電力に対する比として定義される。Ｍｓが［（１．５×１０２）／Ｆ＋５．７×１０−８］よりも大きい高周波伝送線路では、表皮効果によって交流電気信号が高周波伝送線路の表面（被覆層８）に集中してしまい、交流抵抗が顕著に増加してしまう。なお、上記数式（１）は本発明者らの研究によってはじめて見出された経験式であり、その理論的な導出方法は必ずしも明らかではない。
【００２５】
特に、被覆層８がニッケルめっき等の磁性体である場合、被覆層８の組成又は厚さを調整して被覆層８の磁気特性を制御することにより、面積飽和磁化Ｍｓを低減し、交流抵抗を低減することが可能となる。例えば、被覆層８がリンを含有する無電解ニッケルめっき層であり、導体層６が銅からなる場合、上記数式（１）が満たされることにより、高周波伝送線路２の交流抵抗が、導体層６だけからなる伝送線路（被覆層８がない高周波伝送線路）の交流抵抗の１．２倍以下の値に低減される。
【００２６】
面積飽和磁化Ｍｓの値は、例えば、１．０×１０−７〜１．０×１０−６程度である。面積飽和磁化Ｍｓの値は小さいほど好ましく、その下限値は面積飽和磁化Ｍｓの測定限界に近い値である。面積飽和磁化Ｍｓの上限値は、被覆層８がニッケル単体からなる場合の値に相当する。
【００２７】
交流電気信号の周波数Ｆは、１００［ＭＨｚ］〜３．０［ＧＨｚ］であることが好ましく、２００［ＭＨｚ］〜３．０［ＧＨｚ］であることがより好ましい。高周波伝送線路２又は絶縁性基体４の表面粗さの低減により交流抵抗を低減する方法は、５．０〜２０［ＧＨｚ］程度の周波数帯域内の伝送損失を低減することは可能であるが、５．０［ＧＨｚ］未満である周波数帯域での伝送損失を充分に低減することは困難である。一方、本実施形態によれば、上記の周波数帯域においても、交流抵抗を低減し、交流電気信号の伝送損失を低減することが可能になる。
【００２８】
本発明者らは、周波数の数値Ｆと、面積飽和磁化の数値Ｍｓとの間に成立する上記数式（１）で表される関係は、高周波伝送線路２及び絶縁性基体４の表面粗さに影響されないことを見出した。したがって、本実施形態では、上記特許文献１に記載の技術とは異なり、高周波伝送線路２の絶縁性基体４との界面の粗さを低減しなくとも、交流抵抗を低減することができる。したがって、本実施形態では、上記特許文献１に記載の技術に比べて、高周波伝送線路２と絶縁性基体４との界面の面積を増加させ、高周波伝送線路２を絶縁性基体４に十分に密着させることが可能になる。
【００２９】
以上のように、本実施形態によれば、導体層６の劣化、交流抵抗の増加、及び高周波伝送線路２の剥離の全てを抑制することが可能である。
【００３０】
絶縁性基体４を構成する物質としては、エポキシ樹脂が含浸したガラス繊維、ポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂等の誘電性樹脂材料、ガラスセラミック等の誘電性無機材料等が挙げられる。絶縁性基体４の平均厚さは、特に限定されないが、５０μｍ〜２ｍｍ程度である。高周波伝送線路２の幅は、特に限定されないが、１０μｍ〜３０ｍｍ程度である。
【００３１】
導体層６を構成する組成物としては、銅、銀、金、白金、パラジウム及びこれらの元素を含む合金等が挙げられる。これらの中でも、高い電気伝導性を有し、比較的な安価な銅又は銅を含む合金が好ましい。導体層６の平均厚さは、特に限定されないが、５〜５０μｍ程度である。
【００３２】
面積飽和磁化Ｍｓが上記数式（１）を満たすためには、面積飽和磁化Ｍｓが小さいことが好ましい。面積飽和磁化Ｍｓを低減するためには、被覆層８の有する磁性は弱いことが好ましい。交流抵抗を低減するためは、被覆層８が高い電気伝導性を有することが好ましい。被覆層８によって導体層６を保護するためには、被覆層８に耐食性や硬度（耐傷性）が要求される。被覆層８を構成する組成物としては、これらの条件のうち少なくもいずれか一つを満たすものであれば、特に限定されない。被覆層８を構成する組成物の具体例としてはニッケル、亜鉛、錫、金、銀、パラジウム及びこれらの元素を含む合金等が挙げられる。ただし、亜鉛、錫、金及び銀は他の金属に比べて柔らかい。これらの元素に比べて、耐食性と耐傷性を有する点において、ニッケル及びパラジウムが好ましい。さらに比較的安価である点において、ニッケルがより好ましい。被覆層８の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３．０μｍ程度である。被覆層８が薄いほど、面積飽和磁化Ｍｓが低減する傾向があり、被覆層８が厚いほど、導体層６の劣化を抑制し易くなる傾向がある。
【００３３】
被覆層８が後述の無電解ニッケルめっき法によって形成される場合、被覆層８は主成分である金属ニッケルだけではなく、ニッケルと共析したリンを不可避的に含む。この場合、被覆層８中のニッケルの含有率は、被覆層８全体に対して８３〜９９質量％程度である。被覆層８中のリンの含有率は、１〜１７質量％程度である。ニッケルめっき層中のリンの含有率が高いほど、ニッケルめっき層の磁性が弱まり、Ｍｓが低減する傾向がある。ニッケルめっき層中のリンの含有率が低いほど、ニッケルめっき層の硬度が上昇する傾向がある。なお、被覆層８は、ニッケル及びリン以外に、ホウ素又は硫黄を含有してもよい。
【００３４】
次に、本実施形態の高周波伝送線路の製造方法の一例を、以下に説明する。
【００３５】
まず、市販の絶縁性基体４（絶縁性基板）又は公知の方法によって作製された絶縁性基体４を準備する。この絶縁性基体４の表面にミアンダパターン状の導体層６を形成する。例えば、銅箔が積層されたガラスエポキシ基板（市販の汎用品）に、公知の方法でレジストを塗布する。そして、ミアンダパターンの露光、現像、銅のエッチング及びレジスト剥離を行う。これら一連の工程によって、銅からなるミアンダパターン状の導体層６が絶縁性基体４の表面に沿って形成される。または、ミアンダパターン状の導体層６を、絶縁性基体４の表面に転写したり、印刷したりしてもよい。この場合、転写又は印刷の前に、絶縁性基体４の表面に対向する導体層６の表面、又は導体層６に対向する絶縁性基体４の表面を研磨して、各表面の表面粗さを低減してもよい。これにより、完成後の伝送線路の長さが短縮され、伝送損失が小さくなる。
【００３６】
絶縁性基体４上に形成された導体層６の表面の脱脂を行う。脱脂には市販の脱脂液を用いればよい。導体層６を脱脂液に浸漬した後、導体層６表面を水洗いすればよい。さらに硫酸等のエッチング液を用いて、導体層６表面のエッチングを行うことが好ましい。
【００３７】
エッチング後、導体層６を活性化処理液に浸漬する活性化工程を行う。活性化処理液としては、市販の活性化処理液を用いることができる。活性化工程後、導体層６をポストディップ液に浸漬するポストディップ工程を行う。活性化工程で導体層６の表面に付着した活性剤（パラジウム系触媒等）のうち余剰な活性剤がポストディップ工程で除去される。ポストディップ液としては、市販のポストディップ液を用いることができる。
【００３８】
ポストディップ工程後、導体層６の表面に被覆層８を形成する。ニッケル金属を主成分とする被覆層８を形成する場合、導体層６を無電解ニッケルめっきによって形成することが好ましい。つまり、導体層６を無電解ニッケルめっき液（めっき浴）に浸漬することにより、ニッケルめっき層を導体層６の表面に形成する。無電解ニッケルめっきによれば、被覆層８の組成及び厚さ等を容易に制御することができる。
【００３９】
無電解ニッケルめっき液には、還元剤として次亜リン酸塩等のリン化合物が添加されていることが好ましい。無電解ニッケルめっき液中のリン化合物（例えば、次亜リン酸ナトリウム１水和物）の濃度を調整することにより、被覆層８（無電解ニッケルめっき層）中のリン元素の含有率を調整して、被覆層８の磁性を制御することができる。
【００４０】
無電解ニッケルめっき液は、カルボン酸、ジカルボン酸、ヒドロキシ酸、アミン類及びアミノ酸からなる群より選ばれる少なくとも一種の錯化剤を含有することが好ましい。より好ましくは、無電解ニッケルめっき液が、アミノ酸およびジカルボン酸のいずれか又は両方を含有することが好ましい。これにより、無電解ニッケルめっき層の磁性が低減され、面積飽和磁化Ｍｓが［（１．５×１０２）／Ｆ＋５．７×１０−８］以下である高周波伝送線路２を確実に形成することが可能となる。錯化剤の含有率は、無電解ニッケルめっき液全量に対して１０〜１００ｇ／Ｌ程度であればよい。錯化剤の含有率が低すぎると、無電解ニッケルめっき液の安定性が低下する傾向がある。錯化剤の含有率が高すぎると、被覆層８に共析するリンの含有率が不安定となり、その結果被覆層８の磁性を制御しにくくなる傾向がある。
【００４１】
無電解ニッケルめっき液の温度（浴温）は、例えば、５０〜９５℃程度である。浴温が低すぎると、無電解ニッケルめっきの析出速度が極端に遅くなったり、または析出が止まったりする恐れがある。浴温が高すぎると、水分蒸発により無電解ニッケルめっき液の濃度が大きく変動し、得られる無電解ニッケルめっき層の組成の安定性が低下する恐れがある。無電解ニッケルめっき液のｐＨは、例えば希硫酸やアンモニアを用いて、４．０〜７．０程度に調整される。
【００４２】
以上の工程によって、絶縁性基体４の表面に沿って設けられた高周波伝送線路２が完成する。
【００４３】
以上、アンテナ（放射導体及び吸収導体）として機能する高周波伝送線路の一態様について説明したが、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではない。上記の高周波伝送線路を備える他の電子回路基板においても、上記実施形態の同様の作用効果が達成される。例えば、上記の高周波伝送線路を備えるトランジスタ，ＩＣ、コンデンサ、インダクタ、フィルタ及び電磁シールド等においても、上記実施形態の同様の作用効果が達成される。また、被覆層はニッケルのみから構成されていてよく、ニッケル及びパラジウムから構成されていてよく、パラジウムのみから構成されていてよい。被覆層がパラジウムを含有する場合、無電解パラジウムめっき液を用いためっき工程によって、被覆層を形成すればよい。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明の内容を実施例及び比較例を用いてより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４５】
［試料１］
（導体層６の形成工程）
ガラスエポキシ基板に積層された銅箔の表面全体に、公知の方法でレジストを塗布した。そして、ミアンダパターンの露光、現像、銅のエッチング及びレジスト剥離を行った。これら一連の工程によって、銅からなるミアンダパターン（導体層６）及びその両端部に接続された測定用端子をガラスエポキシ基板（絶縁性基体４）の表面に沿って形成した（図１ａ、図１ｂ参照。）。ガラスエポキシ基板の寸法は、横４．５ｍｍ×縦３．２ｍｍ×厚さ０．８ｍｍであった。ミアンダパターンの線幅は２００μｍであった。ミアンダパターンの線路長は１９．７ｍｍであった。ミアンダパターンの面積Ｓは０．０３９４ｃｍ２であった。銅からなるミアンダパターン（導体層６）の厚さは、１５μｍであった。ミアンダパターンとの界面におけるガラスエポキシ基板の表面の算術平均粗さＲａは１．０μｍであり、十点平均粗さＲｚが６．２μｍであった。
【００４６】
（脱脂工程）
ミアンダパターン及び測定用端子が形成されたガラスエポキシ基板を、４０℃の脱脂液に３分間浸漬した後、基板を取り出して、１分間水洗した。脱脂液としては、奥野製薬工業株式会社製のエースクリーン８５０（商品名）を使用した。
【００４７】
温度３０℃のエッチング液に、脱脂後のガラスエポキシ基板を１分間浸漬して、ミアンダパターン表面のエッチングを行った。エッチング後、ミアンダパターンの水洗を行った。エッチング液の成分及びその含有量は以下のように調整した。
過硫酸ナトリウム：  １００ｇ／Ｌ。
硫酸（９８質量％）：  ３０ｍＬ／Ｌ。
水：  残部。
【００４８】
（活性化工程）
エッチング後、ガラスエポキシ基板を、３５℃のめっき活性化処理液に、５分間浸漬した。その後、基板をめっき活性化処理液から取り出して、１分間水洗した。めっき活性化処理液としては、奥野製薬工業株式会社製のＮＮＰアクセラ（商品名）を用いた。
【００４９】
（ポストディップ工程）
活性化工程後、ガラスエポキシ基板を、２５℃のポストディップ液に２分間浸漬して、ミアンダパターン（導体層６）の表面に付着した余分なパラジウム成分を除去した。ポストディップ液としては、奥野製薬工業株式会社製のＮＮＰポストディップ４０１（商品名）を用いた。
【００５０】
（無電解ニッケルめっき工程）
水、硫酸ニッケル６水和物（ニッケル源）、次亜リン酸ナトリウム１水和物（還元剤）、カルボン酸及びヒドロキシ酸（錯化剤）、界面活性剤（潤滑剤）及びビスマス化合物（めっき液の安定化剤）を混合して、無電解ニッケルめっき液を調製した。水酸化ナトリウム水溶液を用いて無電解ニッケルめっき液のｐＨを６．０に調整した。めっき液中のニッケル源の含有率は、２５ｇ／Ｌに調整した。めっき液中の還元剤の含有率は、２０ｇ／Ｌに調整した。めっき液中の安定化剤の含有率は、１ｍｇ／Ｌに調整した。
【００５１】
ポストディップ工程後、ガラスエポキシ基板を８５℃の上記めっき液に浸漬して、ミアンダパターン（導体層６）の表面全体に、厚さの平均値が約２μｍである無電解ニッケルめっき層（被覆層８）を形成した。その後、無電解ニッケルめっき液からガラスエポキシ基板を取り出して１分間水洗した。なお、電子線プローブマイクロアナライザ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｒｏｂｅ  ＭｉｃｒｏＡｎａｌｙｚｅｒ：ＥＰＭＡ）によりを測定した無電解ニッケルめっき層のリンの濃度は、被覆層全体に対して２．１質量％であった。
【００５２】
以上の工程を経て、銅からなる導体層６と、導体層６を被覆する無電解ニッケルめっき層（被覆層８）とを備え、ガラスエポキシ基板（絶縁性基体４）の表面に沿って設けられたミアンダパターン状の高周波伝送線路（試料１）を得た（図１ａ及び図１ｂ参照。）。
【００５３】
[試料２〜７]
試料２〜７の作製では、無電解ニッケルめっき液のｐＨ及び温度、ニッケル源の含有率、及び還元剤の各含有率を表１に示す値に調整した。試料２〜７では、表１に示す錯化剤及び安定化剤を用いた。試料２〜７の被覆層８の厚さ及び被覆層８中のリン（Ｐ）の濃度は、表１に示す値に調整した。これら事項以外は試料１と同様の方法及び原料を用いて、試料２〜７の高周波伝送線路を作製した。なお、試料１〜７の作製に用いた無電解ニッケルめっき液中の錯化剤の含有率の合計値は、１０〜１００ｇ／Ｌの範囲で適宜調整した。
【００５４】
[試料８]
試料８の作製では、活性化工程から無電解ニッケルめっき工程までの工程を行わず、無電解錫めっき液を用いためっき工程を行った。つまり、試料８の作製では、導体層６を、無電解ニッケルめっき層ではなく、無電解錫めっき層（被覆層８）で被覆した。無電解錫めっき液は、水、メタンスルホン酸錫、メタンスルホン酸、チオ尿素及び諸添加剤を混合することにより調製した。無電解錫めっき液中のメタンスルホン酸錫の含有率は３０ｇ／Ｌに調整した。無電解錫めっき液中のメタンスルホン酸の含有率は、１００ｇ／Ｌに調整した。無電解錫めっき液中のチオ尿素の含有率は７０ｇ／Ｌに調整した。無電解錫めっき液のｐＨは１．５に調整した。無電解錫めっき液の温度は３０℃に調整した。めっき工程では、ガラスエポキシ基板を無電解錫めっき液に３０分間浸漬した。試料８の無電解錫めっき層の厚さは１μｍに調整した。以上の事項以外は試料１と同様の方法及び原料を用いて、試料８の高周波伝送線路を作製した。
【００５５】
[試料９]
脱脂工程から無電解ニッケルめっき工程までの一連の工程を実施しなかったこと以外は、試料１の同様方法及び原料を用いて、被覆層８を備えない試料９を作製した。つまり、試料９は、ガラスエポキシ基板（絶縁性基体４）の表面に沿って設けられた、銅（Ｃｕ）のみからなるミアンダパターン（高周波伝送線路）である。
【００５６】
［試料１３］
試料１３の作製では、無電解ニッケルめっき工程の代わりに、無電解パラジウムめっき液を用いためっき工程を行った。つまり、試料１３の作製では、導体層６を、無電解ニッケルめっき層ではなく、無電解パラジウムめっき層（被覆層８）で被覆した。無電解パラジウムめっき液は、水、パラジウム塩（１ｇ/Ｌ）、次亜リン酸ナトリウム１水和物（１ｇ/Ｌ）、エチレンジアミン（１５ｇ/Ｌ）及び諸添加剤を混合することにより調製した。無電解パラジウムめっき液のｐＨは６．０に調整した。無電解パラジウムめっき工程では、ポストディップ工程後のガラスエポキシ基板を無電解パラジウムめっき液に２０分間浸漬した。この無電解パラジウムめっき工程では、無電解パラジウムめっき液の温度を６０℃に調整した。試料１３の無電解パラジウムめっき層の厚さは０．１μｍに調整した。以上の事項以外は試料１と同様の方法及び原料を用いて、試料１３の高周波伝送線路を作製した。
【００５７】
＜磁気特性の評価＞
振動試料型磁気計（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ  Ｓａｍｐｌｅ  Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ: ＶＳＭ)による測定に基づき、各試料の高周波伝送線路の面積飽和磁化Ｍｓ［Ｗｂ／ｍ］を求めた。この各試料の面積飽和磁化Ｍｓは、高周波伝送線路で伝送される交流電気信号の周波数Ｆに依存しない物性値である。各試料のＭｓを表２に示す。ただし、試料８、９及び１３のＭｓは測定限界（５．７×１０−８）未満であった。なお、ＶＳＭでは全飽和磁化［Ｗｂ・ｍ］を測定した。この測定値をミアンダパターンの面積Ｓ［ｍ２］で除して面積飽和磁化Ｍｓ［Ｗｂ／ｍ］を求めた。
【００５８】
＜交流抵抗の測定＞
周波数Ｆ［ＧＨｚ］が下記表２に示す値である交流電気信号を試料１〜８及び１３の高周波伝送線路に流し、各周波数Ｆ［ＧＨｚ］における各高周波伝送線路の交流抵抗Ｒｓ（Ｆ）[Ω]を、インピーダンスアナライザで計測した。なお、交流抵抗Ｒｓ（Ｆ）とは、高周波伝送線路（ミアンダパターン）の一方の端部と、他方の端部との間の抵抗である。同様の方法で、各周波数Ｆにおける試料９の高周波伝送線路の交流抵抗Ｒｓ‐ｃｕ（Ｆ）[Ω]を計測した。そして、各試料の各周波数ＦにおけるＲｓ（Ｆ）のＲｓ‐ｃｕ（Ｆ）に対する比ｒ（Ｆ）を求めた。ｒ（Ｆ）は、下記数式（Ａ）で表されるように、周波数Ｆに依存する。各試料の各周波数Ｆにおけるｒ（Ｆ）を、下記表２の二重線で囲まれた領域内に示す。ｒ（Ｆ）が小さい高周波伝送線路（ミアンダパターン）ほど、被覆層８による導体層６の被覆に伴う交流抵抗の増加を抑制する効果に優れている。
ｒ（Ｆ）＝Ｒｓ（Ｆ）／Ｒｓ‐ｃｕ（Ｆ）      （Ａ）
【００５９】
表２に記載の各周波数Ｆと、各周波数Ｆにおける各試料のｒ（Ｆ）とをプロットすることにより、図２及び図３に示すグラフを描いた。図３は、図２の拡大図である。図２及び図３に示された各近似線は、表２のＦ及びｒ（Ｆ）に対応する点を結んだものであり、関数ｒ（Ｆ）に相当する。なお、表２に示すように、各周波数Ｆにおいて試料８のｒ（Ｆ）と試料１３のｒ（Ｆ）とは一致する。よって、図２及び図３中の試料８の近似曲線と試料１３の近似曲線とは重なる。図３に示すように、ｒ（Ｆ）＝１．２０を表す直線と、各試料の近似線との交点における周波数ｆ［ＧＨｚ］を求めた。つまり、各試料においてｒ（Ｆ）が１．２０であるときの周波数ｆをそれぞれ求めた。この１．２０との値は、被覆層による導体層の被覆に伴う交流抵抗の増加（表皮効果）の程度を判別するための閾値である。そして、ｒ（Ｆ）が１．２０以下であることは、交流抵抗の増加が十分に抑制されることを意味する。なお、図３に示すように、周波数Ｆが３．００[ＧＨｚ]以下である範囲では、試料７、８及び１３それぞれのｒ（Ｆ）はいずれも１．２未満であった。各試料の周波数ｆとその逆数１／ｆを表３に示す。表３に記載の各試料のｆの単位は[Ｈｚ]である。そして、表３に記載の各試料のＭｓの実測値と各試料の周波数の逆数（１／ｆ）とをプロットすることにより、図４に示すグラフを描いた。図４に示された破線は、各試料のＭｓ及び１／ｆに対応する複数の点から得られた線形近似直線であり、下記数式（Ｂ）で表される。つまり、Ｍｓは、１／ｆの関数として近似される。下記数式（Ｂ）におけるｆの単位は[Ｈｚ]である。
Ｍｓ（１／ｆ）＝１．５×１０２×（１／ｆ）＋５．７×１０−８      （Ｂ）
【００６０】
上記数式（Ｂ）は、下記数式（Ｃ）のように一般化される。つまり、ＭｓはＦの関数として近似される。表２に記載の周波数Ｆを下記数式Ｃに代入することにより、各周波数Ｆに対応する面積飽和磁化の計算値Ｍｓ（Ｆ）［Ｗｂ／ｍ］を求めた。ただし、下記数式Ｃに代入される周波数Ｆの単位は[Ｈｚ]である。各周波数Ｆに対応するＭｓ（Ｆ）を表２に示す。
Ｍｓ（Ｆ）＝（１．５×１０２）／Ｆ＋５．７×１０−８      （Ｃ）
【００６１】
なお、下記の各表中における「Ｅ−０ｎ」（ただし、ｎは任意の自然数である。）との表記は、「×１０−ｎ」を意味する。「Ｅ−１０」との表記は、「×１０−１０」を意味する。「Ｅ＋０ｎ」との表記は、「×１０ｎ」を意味する。
【００６２】
【表１】
2013229851.tif 000003
【００６３】
【表２】
2013229851.tif 000004
【００６４】
【表３】
2013229851.tif 000005
【００６５】
表２によれば、無電解ニッケルめっき層を備える試料１〜７のいずれにおいても、周波数の増加に伴い、ｒ（Ｆ）も増加することが確認された。つまり、被覆層８による導体層６の被覆に伴って交流抵抗が増加する現象は、周波数Ｆが高いほど顕著になることが確認された。
【００６６】
表２によれば、各試料の面積飽和磁化の実測値Ｍｓが計算値Ｍｓ（Ｆ）以下である場合、いずれの周波数Ｆにおいてもｒ（Ｆ）が１．２以下であることが確認された。また、各試料の面積飽和磁化の実測値Ｍｓが計算値Ｍｓ（Ｆ）よりも大きい場合、いずれも周波数Ｆにおいてもｒ（Ｆ）が１．２より大きいことが確認された。つまり、表２において＊印が付されたｒ（Ｆ）の全ては１．２以下であり、かつ１．２以下であるｒ（Ｆ）に対応する各試料の面積飽和磁化の実測値Ｍｓ及び周波数Ｆの全ては、下記数式（１）を満足する。
Ｍｓ≦（１．５×１０２）／Ｆ＋５．７×１０−８      （１）
【００６７】
以上のように、周波数Ｆと、各試料の面積飽和磁化の実測値Ｍｓとの間に、上記数式（１）が成立するとき、上記数式（１）が成立しない場合に比べて、被覆層８による導体層６の被覆に伴う交流抵抗の増加が抑制されることが確認された。
【００６８】
＜ガラスエポキシ基板の表面粗さと交流抵抗との関係＞
［試料１０］
表面の算術平均粗さＲａが０．２[μｍ]であり、十点平均粗さＲｚが１．３[μｍ]であるガラスエポキシ基板を用いたこと以外は、試料１と同様の方法で、試料１０を作製した。試料１０のＭｓの測定値は、試料１と同様に８．０×１０−７であった。
【００６９】
［試料１１］
表面の算術平均粗さＲａが０．２[μｍ]であり、十点平均粗さＲｚが１．３[μｍ]であるガラスエポキシ基板を用いたこと以外は、試料７と同様の方法で、試料１１を作製した。試料１１のＭｓの測定値は、試料７と同様に１．０×１０−７であった。
【００７０】
［試料１２］
表面の算術平均粗さＲａが０．２[μｍ]であり、十点平均粗さＲｚが１．３[μｍ]であるガラスエポキシ基板を用いたこと以外は、試料９と同様の方法で、試料１２（Ｃｕからなるミアンダパターン）を作製した。試料１２のＭｓの測定値は、試料９と同様に測定限界（５．７×１０−８）未満であった。
【００７１】
試料１０に流す交流電気信号の周波数Ｆを１００［ＭＨｚ］〜３．０［ＧＨｚ］の範囲で掃引しながら、各周波数Ｆ［ＧＨｚ］における試料１０の交流抵抗Ｒｓ[Ω]を、インピーダンスアナライザで計測した。試料１１及び１２についても同様の測定を測定した。各周波数Ｆにおける試料１０、１１及び１２の各交流抵抗Ｒの値を図５ａに示す。なお、図５ａの縦軸及び横軸には対数目盛を付した。また、ガラスエポキシ基板の表面に垂直な試料１１の断面の写真を図５ｂに示す。写真は、走査型電子顕微鏡で撮影した。
【００７２】
試料１０と同様の方法で測定した、各周波数Ｆにおける試料１、７及び９の交流抵抗Ｒｓの値を図６ａに示す。なお、図６ａの縦軸及び横軸には対数目盛を付した。また、ガラスエポキシ基板の表面に垂直な試料７の断面の写真を図６ｂに示す。写真は、走査型電子顕微鏡で撮影した。
【００７３】
図５ａに基づいて、試料１０及び試料１２を比較すると、周波数Ｆが約１００[ＭＨｚ]以上である領域では、面積飽和磁化が高い試料１０の交流抵抗が、周波数Ｆの増加に伴って急激に増加することが確認された。つまり、周波数Ｆが約１００[ＭＨｚ]以上である場合、高い磁性を有する被覆層による導体層の被覆によって、交流抵抗の増加（表皮効果）が顕著になることが確認された。
【００７４】
図６ａに示すように、周波数Ｆが約１００[ＭＨｚ]以上である場合、面積飽和磁化が高い試料１の交流抵抗は、試料９に比べて、周波数Ｆの増加に伴って急激に増加することが確認された。つまり、周波数Ｆが約１００[ＭＨｚ]以上である場合、高い磁性を有する被覆層による導体層の被覆によって、交流抵抗の増加（表皮効果）が顕著になることが確認された。しかし、上記のように、試料７及び１１では、上記数式（１）が満たされることにより交流抵抗の増加を抑制することができる。
【００７５】
図５ａ及び図６ａの比較によれば、ガラスエポキシ基板の表面粗さを低減するだけでは、１００［ＭＨｚ］以上の高周波数帯における交流抵抗の増加（表皮効果）を十分に抑制することは困難であることが確認された。
【００７６】
[試料１ａ]
試料１ａの導体層の形成工程では、銅からなるミアンダパターン（導体層６）とその一方の端部に接続された給電端子とを、ガラスエポキシ基板（絶縁性基体４）の表面に沿って形成した。導体層６の形成工程以外は、試料１と同様の方法及び原料を用いて、試料１ａの高周波伝送線路２を作製した。試料１ａの高周波伝送線路２は、その一方の端部のみに給電端子が接続されていること以外は、試料１の高周波伝送線路２と同様の構造及び組成を有するものである。試料１ａの高周波伝送線路に接続された給電端子に高周波給電回路を電気的に接続して、高周波給電回路を接地することにより、試料１ａのアンテナ装置を作製した。
【００７７】
すなわち、図７（ａ）に示すように、試料１ａのアンテナ装置１６は、ガラスエポキシ基板（絶縁体基材４）と、ガラスエポキシ基板の表面に沿って設けられた高周波伝送線路２（アンテナ）と、ガラスエポキシ基板の表面に設けられた給電端子１０ａと、高周波給電回路１２と、を備える。高周波伝送線路２の一方の端部に給電端子１０ａが電気的に接続されている。給電端子１０ａに高周波給電回路１２が電気的に接続されている。高周波給電回路１２は接地されている。図７（ｂ）に示すように、アンテナ装置１６が備える高周波伝送線路２は、ガラスエポキシ基板（絶縁体基材４）の表面上に設けられた銅からなる導体層６と、導体層６を被覆する無電解ニッケルめっき層（被覆層８）とを有する。
【００７８】
[試料４ａ]
試料４ａの導体層６の形成工程では、銅からなるミアンダパターン（導体層６）とその一方の端部に接続された給電端子とを、ガラスエポキシ基板（絶縁性基体４）の表面に沿って形成した。導体層６の形成工程以外は、試料４と同様の方法及び原料を用いて、試料４ａの高周波伝送線路２を作製した。試料４ａの高周波伝送線路２は、その一方の端部のみに給電端子１０ａが接続されていること以外は、試料４の高周波伝送線路２と同様の構造及び組成を有するものである。試料４ａの高周波伝送線路２に接続された給電端子１０ａに高周波給電回路１２を電気的に接続して、高周波給電回路１２を接地することにより、試料４ａのアンテナ装置１６を作製した。
【００７９】
[試料５ａ]
試料５ａの導体層６の形成工程では、銅からなるミアンダパターン（導体層６）とその一方の端部に接続された給電端子とを、ガラスエポキシ基板（絶縁性基体４）の表面に沿って形成した。導体層６の形成工程以外は、試料５と同様の方法及び原料を用いて、試料５ａの高周波伝送線路２を作製した。試料５ａの高周波伝送線路２は、その一方の端部のみに給電端子１０ａが接続されていること以外は、試料５の高周波伝送線路２と同様の構造及び組成を有するものである。試料５ａの高周波伝送線路２に接続された給電端子１０ａに高周波給電回路１２を電気的に接続して、高周波給電回路１２を接地することにより、試料５ａのアンテナ装置１６を作製した。
【００８０】
[試料７ａ]
試料７ａの導体層６の形成工程では、銅からなるミアンダパターン（導体層６）とその一方の端部に接続された給電端子とを、ガラスエポキシ基板（絶縁性基体４）の表面に沿って形成した。導体層６の形成工程以外は、試料７と同様の方法及び原料を用いて、試料７ａの高周波伝送線路２を作製した。試料７ａの高周波伝送線路２は、その一方の端部のみに給電端子１０ａが接続されていること以外は、試料７の高周波伝送線路２と同様の構造及び組成を有するものである。試料７ａの高周波伝送線路２に接続された給電端子１０ａに高周波給電回路１２を電気的に接続して、高周波給電回路１２を接地することにより、試料７ａのアンテナ装置１６を作製した。
【００８１】
[試料９ａ]
試料９ａの導体層６の形成工程では、銅からなるミアンダパターン（導体層６）とその一方の端部に接続された給電端子とを、ガラスエポキシ基板（絶縁性基体４）の表面に沿って形成した。導体層６の形成工程以外は、試料９と同様の方法及び原料を用いて、試料９ａの高周波伝送線路を作製した。試料９ａの高周波伝送線路は、その一方の端部のみに給電端子１０ａが接続されていること以外は、試料９の高周波伝送線路と同様の構造及び組成を有するものである。試料９ａの高周波伝送線路に接続された給電端子１０ａに高周波給電回路１２を電気的に接続して、高周波給電回路１２を接地することにより、試料９ａのアンテナ装置を作製した。
【００８２】
[試料１３ａ]
試料１３ａの導体層６の形成工程では、銅からなるミアンダパターン（導体層６）とその一方の端部に接続された給電端子とを、ガラスエポキシ基板（絶縁性基体４）の表面に沿って形成した。導体層６の形成工程以外は、試料１３と同様の方法及び原料を用いて、試料１３ａの高周波伝送線路２を作製した。試料１３ａの高周波伝送線路２は、その一方の端部のみに給電端子１０ａが接続されていること以外は、試料１３の高周波伝送線路２と同様の構造及び組成を有するものである。試料１３ａの高周波伝送線路２に接続された給電端子１０ａに高周波給電回路１２を電気的に接続して、高周波給電回路１２を接地することにより、試料１３ａのアンテナ装置１６を作製した。
【００８３】
＜磁気特性の評価＞
試料１の場合と同様の方法で、各アンテナ装置１６（試料１ａ、４ａ、５ａ，７ａ及び１３ａ）が備える高周波伝送線路２の面積飽和磁化Ｍｓ［Ｗｂ／ｍ］を求めた。その結果を表４に示す。表４に記載の周波数Ｆを上記数式Ｃに代入することにより、各周波数Ｆに対応する面積飽和磁化の計算値Ｍｓ（Ｆ）［Ｗｂ／ｍ］を求めた。各周波数Ｆに対応するＭｓ（Ｆ）を表４に示す。
【００８４】
＜アンテナ装置の特性の評価＞
電波暗室において、各アンテナ装置１６（試料１ａ、４ａ、５ａ，７ａ及び１３ａ）を発信機としたときの、既知の受信機による受信電力を測定した。これらの測定に基づき、表４に記載の各周波数Ｆにおける各アンテナ装置１６の放射効率Ｇｓ（Ｆ）［ｄＢ］を求めた。同様の方法で、各周波数Ｆにおける試料９ａのアンテナ装置の放射効率Ｇｓ‐ｃｕ（Ｆ）［ｄＢ］を求めた。そして、下記数式（Ｄ）に基づき、各周波数Ｆにおける各アンテナ装置１６のＧ（Ｆ）のＧｓ‐ｃｕ（Ｆ）に対する差分ｇ（Ｆ）［ｄＢ］を求めた。各試料のアンテナ装置１６の各周波数Ｆにおけるｇ（Ｆ）を、下記表４の二重線で囲まれた領域内に示す。なお、下記数式（Ｄ）で表されるように、ｇ（Ｆ）は周波数Ｆに依存する。ｇ（Ｆ）が大きいほど放射効率が高い。
ｇ（Ｆ）＝Ｇｓ（Ｆ）−Ｇｓ‐ｃｕ（Ｆ）      （Ｄ）
【００８５】
【表４】
2013229851.tif 000006
【００８６】
表４によれば、各アンテナ装置１６の高周波伝送線路２の面積飽和磁化の実測値Ｍｓが計算値Ｍｓ（Ｆ）以下である場合、いずれの周波数Ｆにおいてもｇ（Ｆ）が−０．１［ｄＢ］以上であり、各アンテナ装置１６の放射効率が高いことが確認された。換言すれば、各アンテナ装置１６の高周波伝送線路の面積飽和磁化の実測値Ｍｓが計算値Ｍｓ（Ｆ）以下である場合、被覆層８を備える各アンテナ装置１６の放射効率Ｇｓ（Ｆ）と、被覆層８を備えないアンテナ装置（試料９ａ）の放射効率Ｇｓ‐ｃｕ（Ｆ）との差異が、いずれの周波数Ｆにおいても僅少であることが確認された。また、各アンテナ装置１６の高周波伝送線路２の面積飽和磁化の実測値Ｍｓが計算値Ｍｓ（Ｆ）より大きい場合、いずれの周波数Fにおいてもｇ（Ｆ）が−０．３［ｄＢ］以下であり、各アンテナ装置１６の放射効率が低いことが確認された。換言すれば、各アンテナ装置１６の高周波伝送線路２の面積飽和磁化の実測値Ｍｓが計算値Ｍｓ（Ｆ）より大きい場合、いずれの周波数Ｆにおいても、被覆層８を備える各アンテナ装置１６の放射効率Ｇｓ（Ｆ）と、被覆層８を備えないアンテナ装置（試料９ａ）の放射効率Ｇｓ‐ｃｕ（Ｆ）との間に優位な差異があることが確認された。つまり、表４において＊印が付されたｇ（Ｆ）の全ては−０．１以下であり、かつ−０．１以下であるｇ（Ｆ）に対応する各試料の面積飽和磁化の実測値Ｍｓ及び周波数Ｆの全ては、下記数式（１）を満足する。
Ｍｓ≦（１．５×１０２）／Ｆ＋５．７×１０−８      （１）
【００８７】
以上のように、周波数Ｆと、各アンテナ装置１６が備える高周波伝送線路２の面積飽和磁化の実測値Ｍｓとの間に、上記数式（１）が成立するとき、上記数式（１）が成立しない場合に比べて、被覆層８による導体層６の被覆に伴う放射効率の低下が抑制されることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明によれば、交流抵抗の小さい高周波伝送線路、当該高周波伝送線路を備えるアンテナ（放射導体及び吸収導体）及び電子回路基板が提供される。本発明では、上記数式（１）を用いることにより、必要な周波数に対して低い交流抵抗を達成するための好適なめっき種又はめっき厚を選定することが可能である。よって、本発明では、高周波数帯で使用される電子部品の信頼性及び性能の向上並びにコストダウン等の効果が期待できる。
【符号の説明】
【００８９】
２・・・高周波伝送線路、４・・・絶縁性基体、６・・・導体層、８・・・被覆層、１０・・・端子（測定端子）、１０ａ・・・給電端子、１２・・・高周波給電回路、１４・・・接地（ｅａｒｔｈ）、１６・・・アンテナ装置。
【図１】
2013229851.tif 000007
【図２】
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【図３】
2013229851.tif 000009
【図４】
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【図７】
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【図５】
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【図６】
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