(57)【要約】【課題】低コストで、変形等の応力に強くて耐候性が高く、しかも信頼性の良い電子デバイス及び当該電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】電子デバイス１を、ガラス基板１０と、ガラス基板１０の上面に設けられた内部配線３０と、ガラス基板１０上に実装され、内部配線３０と導通された電子部品５０と、一端が内部配線３０と連接された貫通電極２０と、ガラス基板１０の下面において、貫通電極２０の他端と離間する位置に形成された均一の厚みの絶縁樹脂層７０と、絶縁樹脂層７０と貫通電極２０の他端と連接するように積層された導電樹脂層８０と、を備えて構成した。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
脆性材料により形成された基板に、当該基板を上下に貫通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
前記貫通電極の一端と連接するように前記基板の一方の面に内部電極を配置する工程と、
前記内部電極と導通するように前記基板へ電子部品を実装する実装工程と、
前記基板の前記内部電極が配置された面と対向する面において、前記貫通電極の他端近傍に絶縁樹脂材を塗布して均一の厚さからなる絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程と、
前記絶縁樹脂層の上面及び前記貫通電極の他端の上面に導電樹脂材を塗布して導電樹脂層を形成する導電樹脂層形成工程と、
を備え、
前記導電樹脂層形成工程において、前記導電樹脂材は、前記絶縁樹脂層と当該絶縁樹脂層の上面に形成される導電樹脂層との厚みの和が、前記貫通電極の他端の上面に形成される導電樹脂層の厚みと等しくなるように塗布されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記絶縁樹脂層形成工程における絶縁樹脂層と前記導電樹脂層形成工程における導電樹脂層とは、スクリーン印刷法により形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記導電樹脂層を、導電性のめっき層で覆うめっき工程を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記めっき層は金めっきの層であることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
１つの前記基板上に複数の電子デバイスを一括形成した後、前記電子デバイスを個片化する個片化工程を備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記実装工程の後、前記基板との接合面に前記電子部品を内部に収納するための凹部を有するカバー部を前記基板に接合する接合工程を備えることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
脆性材料により形成された基板と、
前記基板の一方の面に設けられた内部電極と、
前記基板上に実装され、前記内部電極と導通された電子部品と、
前記基板を上下に貫通し、一端が前記内部電極と連接された貫通電極と、
前記基板の前記内部電極の設けられた面と対抗する面において、前記貫通電極の他端近傍に形成された均一の厚さの絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の上面及び前記貫通電極の他端の上面に形成された導電樹脂層と、
を備え、
前記絶縁樹脂層と当該絶縁樹脂層の上面に形成される導電樹脂層との厚みの和が、前記貫通電極の他端の上面に形成される導電樹脂層の厚みと等しいことを特徴とする電子デバイス。
【請求項８】
前記導電樹脂層は、導電性のめっき層で覆われてなることを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記めっき層は金めっきの層であることを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記基板に接合され、当該基板との接合面に前記電子部品を内部に収納するための凹部を有するカバー部を備えることを特徴とする請求項７〜９の何れか一項に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動子や圧電素子に代表される電子デバイス及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子は周波数特性に優れているため、デバイス、具体的にプリント基板実装部品の一つとして多用されている。ここで、上記水晶振動子の特性を安定させるには、外気の影響を遮断する必要があるので、密封容器に入れることが望ましい。このようなパッケージ構造の例としては、後述の「ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型圧電部品」などが知られている（特許文献１）。
【０００３】
この特許文献１に記載のパッケージは、ベースに水晶振動子片を納め、キャップを被せてなる電子デバイスにおいて、水晶振動子片とほぼ同じ熱膨張率の材料であるセラミックとガラス粉末とを混合したものを用いて、パッケージが構成されることを特徴とする。しかし、このパッケージは、ガラス−セラミック複合体であるため、１個のベースに水晶振動子片を載せ、キャップを被せることによる単品生産によってなるため、生産性が著しく低い。加えて、このパッケージは、ガラス−セラミック複合体の加工が難しいため、生産コストが嵩む。
【０００４】
これらの欠点を解消するべく、パッケージを加工容易なガラスで製造する方法が提案されており、一例として、後述の「電子部品パッケージ」などが知られている（特許文献２）。
【０００５】
図１２〜図１５を用いて特許文献２記載の電子部品パッケージ及びその製造工程の概要を説明する。図１２及び図１３によれば、本電子部品パッケージは、ガラス基板１００に貫通電極２００が形成され、貫通電極２００の周囲に開口部３００を有した絶縁樹脂層４００が形成される。さらに、本電子部品パッケージは、図１４、図１５に示すように、絶縁樹脂層４００及び貫通電極２００の上部に導電樹脂層５００が積層され、その導電樹脂層５００の外面に外部電極６００が積層された構造を備えるというものである。これにより、低コストであるガラス材を用いた基板で電子部品パッケージが構成されるので、電子回路基板に実装しても変形等の応力に強い電子部品を実現することができる。そのため、電子部品パッケージは、柔軟性があり優れた応力緩和特性をもつことができ、また、応力を緩和することによって、電子回路基板にはんだ付けした状態でも、ガラス基板に亀裂等が発生することを防止できるため、信頼性が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−３０２０３４号公報
【特許文献２】特開２０１０−１０３４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記文献において、絶縁樹脂層４００（及び導電樹脂層５００）の厚み形状については、具体的記載が一切ない。仮に従来知られた手法の下、図１２〜図１５で図示した絶縁樹脂層４００の形状に対応するマスクを用いて当該絶縁樹脂層４００を形成して、電子部品パッケージを作製した場合、図１５に示すＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面は、それぞれ図１６、図１７のように、絶縁樹脂層４００の厚みが均一でなくなる。また、絶縁樹脂層４００と同様の手法で、当該絶縁樹脂層４００及び貫通電極２００の上部に導電樹脂層５００を形成すると、絶縁樹脂層４００及び導電樹脂層５００から形成される樹脂層の厚みが均一でない場合や、その樹脂層の厚みと貫通電極２００の上部に形成される導電樹脂層５００の厚みとが均一にならない場合が生じ得る。その結果、電子部品パッケージには、基板実装時にガラス基板１００をひねるような力がかかり、信頼性が著しく悪化するという課題がある。
【０００８】
本発明の課題は、低コストで、変形等の応力に強くて耐候性が高く、しかも信頼性の良い電子デバイス及び当該電子デバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
請求項１に記載の発明は、電子デバイスの製造方法であって、脆性材料により形成された基板に、当該基板を上下に貫通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記貫通電極の一端と連接するように前記基板の一方の面に内部電極を配置する工程と、前記内部電極と導通するように前記基板へ電子部品を実装する実装工程と、前記基板の前記内部電極が配置された面と対向する面において、前記貫通電極の他端近傍に絶縁樹脂材を塗布して均一の厚さからなる絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程と、前記絶縁樹脂層の上面及び前記貫通電極の他端の上面に導電樹脂材を塗布して導電樹脂層を形成する導電樹脂層形成工程と、を備え、前記導電樹脂層形成工程において、前記導電樹脂材は、前記絶縁樹脂層と当該絶縁樹脂層の上面に形成される導電樹脂層との厚みの和が、前記貫通電極の他端の上面に形成される導電樹脂層の厚みと等しくなるように塗布されることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、前記絶縁樹脂層形成工程における絶縁樹脂層と前記導電樹脂層形成工程における導電樹脂層とは、スクリーン印刷法により形成されることを特徴とする。
また、請求項３に記載の発明は、前記導電樹脂層を、導電性のめっき層で覆うめっき工程を備えることを特徴とする。
また、請求項４に記載の発明は、前記めっき層は金めっきの層であることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項５に記載の発明は、１つの前記基板上に複数の電子デバイスを一括形成した後、前記電子デバイスを個片化する個片化工程を備えることを特徴とする。
また、請求項６に記載の発明は、前記実装工程の後、前記基板との接合面に前記電子部品を内部に収納するための凹部を有するカバー部を前記基板に接合する接合工程を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項７に記載の発明は、脆性材料により形成された基板と、前記基板の一方の面に設けられた内部電極と、前記基板上に実装され、前記内部電極と導通された電子部品と、前記基板を上下に貫通し、一端が前記内部電極と連接された貫通電極と、前記基板の前記内部電極の設けられた面と対抗する面において、前記貫通電極の他端近傍に形成された均一の厚さの絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の上面及び前記貫通電極の他端の上面に形成された導電樹脂層と、を備え、前記絶縁樹脂層と当該絶縁樹脂層の上面に形成される導電樹脂層との厚みの和が、前記貫通電極の他端の上面に形成される導電樹脂層の厚みと等しいことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項８に記載の発明は、前記導電樹脂層は、導電性のめっき層で覆われてなることを特徴とする。
また、請求項９に記載の発明は、前記めっき層は金めっきの層であることを特徴とする。
また、請求項１０に記載の発明は、前記基板に接合され、当該基板との接合面に前記電子部品を内部に収納するための凹部を有するカバー部を備えることを特徴とする。
【００１４】
ここで、脆性材料としてはシリコン、ガラスが挙げられる。これらは、セラミックス、特にパッケージとして頻繁に使用されるアルミナ、プラスチック、金属に比べて、低コストであるという利点がある。また、絶縁樹脂層と導電樹脂層とはスクリーン印刷法で形成される。また、基板に多数の電子部品と多数の外部電極とを一括に形成して、形成された電子デバイスを個片に分割することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電子デバイスは、低コストな脆性材料で基板が形成され、当該基板面において、貫通電極の他端側に絶縁樹脂層が形成される。つまり、本発明に係る電子デバイスは、柔軟性があり応力緩和特性を有するという絶縁樹脂の特性により、基板へ作用する応力に対して当該基板の破壊を抑制することができる。さらに、本発明に係る電子デバイスは、絶縁樹脂層が均一の厚さで形成される。更に、本発明に係る電子デバイスでは、絶縁樹脂層と当該絶縁樹脂層の上面に形成される導電樹脂層との厚みの和が、貫通電極の他端の上面に形成される導電樹脂層の厚みと等しいので、外部電極の高さを均一にできる。そのため、基板実装時に、本発明に係る電子デバイスには、基板をひねるような力が掛かることがなくなる。
【００１６】
したがって、本発明は、低コストで、変形等の応力に強くて耐候性が高く、しかも信頼性の良い電子デバイス及び当該電子デバイスの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る電子デバイスの断面図である。
【図２】本発明に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
【図３】本発明に係る絶縁樹脂の塗布パターンを例示した図である。
【図４】本発明に係る絶縁樹脂の塗布パターンを例示した図である。
【図５】本発明に係る絶縁樹脂の塗布パターンを例示した図である。
【図６】本発明に係る絶縁樹脂の塗布パターンを例示した図である。
【図７】本発明に係る電子デバイスの絶縁樹脂層を説明するための図である。
【図８】本発明に係る電子デバイスの導電樹脂層を説明するための図である。
【図９】本発明に係る電子デバイスの導電樹脂層を説明するための図である。
【図１０】図９に示すＣ−Ｃ断面線に沿った電子デバイスの縦断面図である。
【図１１】図９に示すＤ−Ｄ断面線に沿った電子デバイスの縦断面図である。
【図１２】従来例の電子部品パッケージの断面図である。
【図１３】従来例の電子部品パッケージの絶縁樹脂形成工程の詳細図である。
【図１４】従来例の電子部品パッケージの導電樹脂形成工程の詳細図である。
【図１５】従来例の電子部品パッケージの導電樹脂形成工程の詳細図である。
【図１６】図１５に示すＡ−Ａ断面線に沿った電子部品パッケージの縦断面図である。
【図１７】図１５に示すＢ−Ｂ断面線に沿った電子部品パッケージの縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて詳細に説明する。
図１は本発明に係る電子デバイスの断面図である。電子デバイス１は、ガラス基板１０（基板）及びカバー６０（カバー部）で囲まれた、外気と遮断された空洞部９０に電子部品５０が搭載されている。そして、電子部品５０は、実装部４０、内部配線３０（内部電極）、貫通電極２０を介して、均一の厚みの絶縁樹脂層７０に積層するように形成された導電樹脂層８０と電気的に接続されている。
【００１９】
電子デバイス１は、例えば、電子部品５０として音叉型の水晶振動子片を搭載した水晶振動子である。なお、電子デバイス１は、水晶振動子に限らず、ＡＴカット水晶振動子、半導体回路、ＬＥＤ、各種センサなど、ガラス基板１０上に各種の電子部品５０を搭載可能な電子デバイスを含む。また、電子デバイス１は、電子部品５０としてＬＥＤなどを搭載する場合、カバー６０を有しなくてもよい。
ガラス基板１０は、ガラス材等の脆性材料で形成された板状の部材である。なお、脆性材料は、ガラス材に限らず、例えば、コンクリート、セラミックス、等であってよい。
【００２０】
カバー６０は、ガラス基板１０との対向面に凹部が形成されたガラス材である。そして、カバー６０の凹部とガラス基板１０の上面とは、カバー６０がガラス基板１０と接合された状態で、空洞部９０を形成する。ここで、カバー６０としては、ガラス製に限らず、例えば、電子デバイス１が圧力センサなどのＭＥＭＳデバイスの場合はシリコン製のもの等を用いることができる。また、カバー６０はアルミ製のものを用いることもできる。
【００２１】
内部配線３０は、金属膜で形成された空洞部９０内に配設された配線部材であり、金、銀、白金等の貴金属を使用して表面層が形成される。ここで、貴金属は、イオン化傾向が小さく、耐腐食性があるため、長期的劣化を抑えることができるので、電子デバイス１の信頼性を向上させることができる。また、内部配線３０は、金属拡散を防ぐための拡散防止層として、貴金属で形成された表面層の下地にニッケル等の金属層を形成しても良い。内部配線３０の形成方法には、スパッタ法が一般的な方法である。また、内部配線３０の形成方法にはめっき法を用いることもできる。
【００２２】
実装部４０は、内部配線３０と電子部品５０とを電気的に接続して、電子部品５０を支持する部材である。当該実装部４０は、例えば銀ペースト等の導電接着剤を用いることができる。ここで、内部配線３０と電子部品５０とは、実装部４０である銀ペースト等の導電接着剤を焼成して接合される。ただし、電子部品５０の構成によっては、実装部４０として導電接着剤を用いなくても良い。例えば、内部配線３０の最表面に金を使用した場合、電子部品５０上に形成した金バンプ（図示省略）を実装部４０として用いることができる。この場合、導電接着剤による接合の替わりに、電子部品５０上に形成した金バンプ（実装部４０）と内部配線３０の金膜とを熱圧着によって接合する金−金接合などを用いることができる。
【００２３】
貫通電極２０は、ガラス基板１０を上下にわたって貫通する貫通孔に形成された電極である。当該貫通電極２０は、Ａｇや、Ａｇ−Ｐｄ系の金属合金、ガラス・フリットで形成した厚膜ペーストを充填して焼成した厚膜電極、Ｆｅ−Ｎｉ合金、コバール合金、ジュメット線などの金属リードをガラス・フリットで封止した気密封止電極、あるいは、はんだやめっきなどにより金属封止したものなどで構成される。
絶縁樹脂層７０は、ガラス基板１０の表面（ガラス基板１０の内部配線３０の設けられた面と対抗する面）において、貫通電極２０の端部近傍に形成された絶縁樹脂の層である。
【００２４】
導電樹脂層８０は、絶縁樹脂層７０と貫通電極２０の端部とに連接するように積層された導電樹脂の層である。また、導電樹脂層８０の表面に積層される金めっきなどのめっき層（金属膜）は、ガラス基板１０に実装される端子としての外部電極９５として機能する。なお、絶縁樹脂層７０の絶縁樹脂と導電樹脂層８０の導電樹脂とは、ともにエポキシ樹脂を含んでいる。
【００２５】
ここで、絶縁樹脂は、柔軟性があり応力緩和特性を有するので、各種応力に対して、ガラス基板１０の破壊を抑制する利点がある。一方、導電樹脂は、めっきで外部電極が形成できる利点をもつ。ただし、導電樹脂は、絶縁樹脂より堅くて応力緩和特性が劣るという欠点を持つ。また、導電樹脂は、絶縁樹脂に比べて樹脂含有量が少ないため、ガラスとの密着性も劣る。
【００２６】
そこで、上記の通り、ガラス基板１０上に絶縁樹脂層７０を形成することで、絶縁樹脂層７０が、絶縁樹脂の高い応力緩和効果とガラス基板１０への密着性を発揮する。さらに、当該絶縁樹脂層７０を覆う導電樹脂層８０上に外部電極９５を形成しているので、導電樹脂のめっきで外部電極９５を容易に形成できる。また、絶縁樹脂層７０と導電樹脂層８０とは、上述の通りエポキシ樹脂を含んでいるため、強固に密着することができる。
以上により、絶縁樹脂と導電樹脂の密着性も利用できて、かつ、応力緩和効果と密着性にも優れた電極形成構造が得られる。
【００２７】
ここで、絶縁樹脂層７０と導電樹脂層８０の層の厚さは、各樹脂層をスクリーン印刷で形成する場合、各々１０〜３０μｍ程度が望ましい。例えば、層の厚さが１０μｍ以下では、ガラス基板１０の応力を緩和することが難しくなる。また、各樹脂の層の厚さを３０μｍ以上に形成することは容易ではないので、生産コストが増加してしまう。以上示したように、絶縁樹脂層７０と導電樹脂層８０の層の厚さを各々１０μｍ〜３０μｍ程度にすることで、それぞれの樹脂層を安価に製造でき、かつ、応力緩和の効果の高い構造が得られる。
【００２８】
以上説明したように、本実施形態に示す絶縁樹脂層と導電樹脂層との２層構造を有する構成は、絶縁樹脂単層、または、導電樹脂単層の構成に比べて、応力緩和特性が優れ、しかもガラス基板との密着性が非常に高い。特に、一般的には、ガラスとの接着や温度サイクルなどを考慮した場合、導電樹脂に採用できる樹脂には制約がある。しかし、本実施形態の絶縁樹脂と導電樹脂の２層構造を採用することにより、さまざまな導電樹脂が使用できるようになる。
【００２９】
（電子デバイスの製造方法）
次に、電子デバイス１の製造方法について、図２から図１１を用いて説明する。図２は、ウェハーレベルで作製され、最後にダイシング等で切断されて得られる電子デバイスの製造方法を示す。なお、本願発明は、これに限定されず、はじめから個別パッケージで形成されてもよい。
【００３０】
図２は、本発明に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
図２（ａ）は、ガラス基板１０に貫通孔を形成する工程を説明するための図である。ここで、貫通孔は、サンドブラスト、レーザー加工、ドリル加工、熱プレス加工等で製造する。
【００３１】
図２（ｂ）は、先の工程で形成した貫通孔へ貫通電極２０を形成する工程（貫通電極形成工程）を説明するための図である。貫通電極２０には、Ａｇや、Ａｇ−Ｐｄ系の金属合金、ガラス・フリットで形成した厚膜ペーストを充填して焼成した厚膜電極、Ｆｅ−Ｎｉ合金、コバール合金、ジュメット線などの金属リードをガラス・フリットで封止した気密封止電極、あるいは、はんだやめっきなどにより金属封止したものなどが利用できる。
【００３２】
図２（ｃ）は、ベース基板１０の上下一方の面（図２（ｃ）の上面）に、貫通電極２０と電気的に導通するように内部配線３０を形成する工程を説明するための図である。ここで、内部配線３０は、スパッタ法、めっき法等を用いて形成する。
【００３３】
図２（ｄ）は、内部配線３０と電子部品５０とを実装部４０を介して、接続する電子部品接続工程（実装工程）を説明するための図である。ここで、内部配線３０と電子部品５０とを接続する実装部４０は、例えば銀ペースト等の導電接着剤を用いることができる。その場合、内部配線３０と電子部品５０とは、接続部である銀ペースト等の導電接着剤を焼成して接合される。また、電子部品５０の構成によっては、接続部として導電接着剤を用いなくても良い。例えば、内部配線３０の最表面に金を使用した場合、電子部品５０上に形成した金バンプを実装部４０として用いることができる。その場合、電子部品４０上に形成した金バンプと内部配線３０の金膜とを熱圧着によって接合する金−金接合などを導電接着剤の代わりに用いて接合することができる。
【００３４】
図２（ｅ）は、ガラス基板１０に搭載された電子部品５０を保護するため、凹部を設けたカバー６０をガラス基板１０と接合するキャップ接合工程（接合工程）を説明するための図である。この工程において、ガラス基板１０のカバーの凹部と対抗する面（上面）とカバー６０の凹部とで空洞部９０を形成する。これにより、空洞部９０に電子部品が設けられる。また、カバー６０の材質は、例えばシリコン、ガラス、アルミニウム等を用いることができ、接合方法や、真空度やコスト等などの電子部品５０に要求される仕様を考慮して選択すればよい。例えば、電子部品５０が水晶振動子片であり、ガラス基板１０とカバー６０との接合後に周波数調整をする場合には、カバー６０にはガラス製の部材を選択することが望ましい。また、接合方法として、例えば接着や陽極接合、金−金接合等を用いることができる。なお、ガラス基板１０側に凹部が形成されている場合、カバー６０に凹部を形成する必要はない。この場合、ガラス基板１０の凹部とカバー６０の当該凹部と対向する面とで空洞部が形成されるので、電子部品５０を当該空洞部に設ければよい。
【００３５】
図２（ｆ）は、ガラス基板１０の表面（内部配線３０を形成した面と対向する面）に絶縁樹脂層７０を形成する工程（絶縁樹脂層形成工程）を説明するための図である。絶縁樹脂層７０は、スクリーン印刷によって形成する。このとき、絶縁樹脂層７０は、貫通電極２０の端部を蓋うと電気的に導通しなくなるため、貫通電極２０の端部上は開口するように（端部から間隔を隔てて）形成する。このとき、図３から図６に示すように、硬化前の絶縁樹脂７１をガラス基板１０の表面に各種のパターンで塗布することによって、図７に示される均一な絶縁樹脂層７０を得ることかできる。ここで、図３〜図５の塗布パターンは、絶縁樹脂層７０を形成すべき箇所全体に亘って絶縁樹脂７１を緊密に塗布するとともに、一部に矩形又は円形状の絶縁樹脂７１を塗布しない箇所を設けたパターンを示唆する。一方、図６の塗布パターンは、絶縁樹脂層７０を形成すべき箇所全体に亘って、ドット状の絶縁樹脂７１を塗布したパターンを示唆する。
【００３６】
図２（ｇ）は、絶縁樹脂層７０を覆うように導電樹脂層８０を形成し、導電樹脂層８０にめっきする工程（導電樹脂層形成工程、めっき工程）を説明するための図である。ここで、導電樹脂層８０は、スクリーン印刷によって形成する。そして、導電樹脂層８０を加熱して固化させた後、無電解めっきにより、ガラス基板１０との実装部となる外部電極９５を形成する。無電解めっきによる金属膜の最表面は金、銀、白金等の貴金属を使用する。このとき図８及び図９に示すように、硬化前の導電樹脂８１を絶縁樹脂層７０及び貫通電極２０の上部に塗布することにより、貫通電極２０上の導電樹脂８０を絶縁樹脂７０上の導電樹脂８０より厚く形成できる。その結果、図９から図１１に示すように、同一の外部電極内での樹脂層（絶縁樹脂層７０及び導電樹脂８０）の厚みが位置に依らずに均一化されるとともに、複数の外部電極間での樹脂層の厚みが均一化される。ここで、図１０は、図９に示すＣ−Ｃ断面線に沿った電子デバイスの縦断面図であり、図１１は、図９に示すＤ−Ｄ断面線に沿った電子デバイスの縦断面図である。なお、図８では、導電樹脂８１の塗布パターンとして丸抜きのパターンを例示したが、これに限定されるものでなく、例えば図４で示したようなスリット抜きのパターンでも同様の効果を得られる。したがって、図１０や図１１に示されるような、実装時に電子デバイスへのひねりのような力を発生させず、信頼性の高い構造が得られる。
【００３７】
図２（ｈ）は、パッケージを個片化する工程（個片化工程）を説明するための図である。すなわち、１つのガラス基板１０上に複数の電子デバイス１を一括形成した後、電子デバイス１を個片化する工程である。この工程において、カバー６０の材質によって個片化する方法は異なるが、例えば、ダイシング、またはレーザーカット法を用いることができる。
【００３８】
本発明の電子デバイスは、例えば、本発明の電子デバイスを発振子として用いた発振器又は時計、本発明の電子デバイスを計時部に備えた携帯情報機器、本発明の電子デバイスを時刻情報などの電波を受信部に備えた電波時計等の電子機器に用いることができる。
【符号の説明】
【００３９】
１      電子デバイス
１０    ガラス基板
２０    貫通電極
３０    内部配線
４０    実装部
５０    電子部品
６０    カバー
７０    絶縁樹脂層
７１    硬化前の絶縁樹脂
８０    導電樹脂層
８１    硬化前の導電樹脂
９０    空洞部
９５    外部電極
１００  ガラス基板
２００  貫通電極
３００  開口部
４００  絶縁樹脂層
５００  導電樹脂層
６００  外部電極
【図１】
2013187253.tif 000003
【図２】
2013187253.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2013187253.tif 000008
【図７】
2013187253.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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