(57)【要約】【課題】アイランドの表面に対して平行に半導体チップを固着して、半導体チップとリードのショートの回避を図ると共に、熱膨張による応力を起因としたクラック等の損傷の防止を図る。【解決手段】アイランド１１の表面に複数の第１の導電突起体１４が配置されている。このアイランド１１上には、アイランド１１よりも大きな第１の半導体チップ２０が、第１の導電突起体１４に支持されて導電性ペースト１５を介して固着されている。アイランド１１上に固着された第１の半導体チップ２０は、ボンディングワイヤ１３及びリード１２の一部を覆う封止材１６により封止されている。この構成により、第１の半導体チップ２０は、第１の導電突起体１４の高さに応じて、アイランド１１の表面に対して平行に離間距離を保ち、また、リード１２の端との間でも、ショートを回避するのに十分な離間距離を保つ。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイランドと、
前記アイランドに向かって延在する複数のリードと、
前記アイランドの表面上に配置された複数の第１の導電突起体と、
表面に複数のパッド電極を有し、裏面が前記複数の第１の導電突起体と対向するように、導電性ペーストを介して前記アイランドの表面上に固着された第１の半導体チップと、
前記各リードと前記各パッド電極をそれぞれ接続する複数のボンディングワイヤと、
前記アイランドの表面上に固着された前記第１の半導体チップ、前記複数のボンディングワイヤ、及び前記複数のリードの一部を覆って封止する封止材と、を備え、
前記第１の半導体チップの周端部の少なくとも一部は、前記アイランドの周端部を越えて前記リード側に向かって延在し、
前記複数の第１の導電突起体は、前記第１の半導体チップを前記アイランドの表面に対して平行に離間して支持する高さを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の半導体チップの裏面には、裏面電極が配置され、前記複数の第１の導電突起体は、前記裏面電極と直接接していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の半導体チップの裏面と対向する前記複数の第１の導電突起体の各上端は、前記第１の半導体チップを前記アイランドの表面に対して平行に支持する平坦面を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の導電突起体は、前記ボンディングワイヤと同一の金属材料からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数の第１の導電突起体の少なくとも一部は、前記第１の半導体チップと前記アイランドとの重畳領域の周端部に沿って配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の半導体チップの集積回路はトランジスタを含み、
前記複数の第１の導電突起体の少なくとも一部は、前記トランジスタの形成領域と重畳する領域に配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記アイランド上の前記第１の半導体チップと離間した領域に、第２の半導体チップが前記第１の導電突起体を介することなく固着され、
前記第１の半導体チップの前記パッド電極から延びる前記ボンディングワイヤは、前記第２の半導体チップと接触せずに該第２の半導体チップ上を跨って前記リードと接続されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の半導体チップの表面において、前記パッド電極の形成領域よりも内側に、複数のダミーパッド電極が配置され、各ダミーパッド電極上に第２の導電突起体が配置され、前記第１の半導体チップの表面上には、前記第２の導電突起体によって支持されて、絶縁性ペーストを介して第３の半導体チップが固着されており、
前記第３の半導体チップの周端部は、前記ボンディングワイヤと接触しない間隔を保持して、前記第１の半導体チップの表面から離間していることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２の導電突起体は、前記ボンディングワイヤと同一の金属材料からなることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
外枠に繋がれたアイランド及び前記外枠から前記アイランドに向かって延在する複数のリードを含むリードフレームと、表面に複数のパッド電極を有した半導体チップと、を準備し、
前記アイランドの表面上に複数の導電突起体を形成する工程と、
前記導電突起体の形成工程の後、前記アイランドの表面上に導電性ペーストを塗布する工程と、
前記導電性ペーストの塗布工程の後、前記半導体チップを、その裏面が前記複数の導電突起体と対向して直接接すると共に、周端部の少なくとも一部が前記アイランドの周端部を越えて前記リード側に向かって延在するように、前記アイランドの表面上に圧着し、前記導電性ペーストを介して固着する工程と、
ワイヤボンダーによって形成される複数のボンディングワイヤを介して、前記各リードと前記各パッド電極を接続する工程と、
前記アイランド上に固着された前記半導体チップ、前記複数のボンディングワイヤ、及び前記複数のリードの一部を、封止材で覆って封止する工程と、
前記アイランド及び前記リードを、前記外枠から切り離す工程と、を備え、
前記複数の導電突起体は、前記半導体チップを前記アイランドの表面に対して平行に離間して支持する高さを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記導電突起体を形成する工程は、前記ワイヤボンダーにより、溶融した金属材料を前記アイランドの表面上に点状に溶着する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、アイランド上に半導体チップが搭載され封止材により封止されてなる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの半導体チップをエポキシ樹脂等の封止材で封止した半導体装置が開発されている。この半導体装置においては、半導体チップは、封止材により封止される前に、外部接続媒体であるリードフレームのアイランドに載置され、リードフレームのリードと接続される。
【０００３】
図９（Ａ）は、樹脂封止された半導体装置の構造の一例を簡略して示す断面図であり、リードフレームのアイランドの周辺を図示したものである。ＩＣ等の半導体チップ１２０は、その表面にパッド電極１２１を有し、その裏面には接地電位または電源電位と接続するための裏面電極１２２を有している。半導体チップ１２０は、導電性ペースト１１５（例えば銀粒子を含む銀ペースト）を介して、アイランド１１１（接地電位や電源電位の供給を受ける）上に固着（即ちダイボンド）されている。こうして半導体チップ１２０は、裏面電極１２２、導電性ペースト１１５、アイランド１１１を介して、接地電位または電源電位の供給を受ける。なお、導電性ペースト１１５には、導電性粒子（例えば銀粒子）と、導電性ペースト１１５に若干の厚さを与えるためのフィラー粒子（例えばシリカ粒子）が含まれている。
【０００４】
一方、半導体チップ１２０の表面のパッド電極１２１とリードフレームのリード１１２は、ボンディングワイヤ１１３（例えば金を含む材料からなる金属細線）を介して電気的に接続（即ちワイヤボンディング）されている。そして封止材（例えば樹脂パッケージ）１１６がアイランド１１１上とリード１１２の一部上を覆って、半導体チップ１２０とボンディングワイヤ１１３を封止している。
【０００５】
リードフレームのアイランドで半導体チップが封止材により封止されてなる半導体装置については、例えば特許文献１、２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２２８１６７号公報
【特許文献２】特開２００５−２６４１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図９（Ｂ）に示すように、半導体チップ１２０の少なくとも一辺（周端部）が、アイランド１１１の表面と平行な方向において、アイランド１１１の周端部を越えてリード１１２に向かって広がって延在する場合、半導体チップ１２０の裏面側の周端部（半導体基板または裏面電極）とリード１２２の端が近接あるいは接触し、電気的にショートするおそれがあった。
【０００８】
また、導電性ペースト１１５は、例えば５μｍ程度の厚さを目標に形成されるが、それに含まれるフィラー粒子（導電性ペースト１１５に厚さを与えるための粒子）の粒径のばらつきや、フィラー粒子の分布のばらつきによって、一様な厚さに形成することは極めて困難であった。そのため、図９（Ｂ）に示すように、半導体チップ１２０はアイランド１１１の表面に対して平行に載置されず（即ち一定の離間距離が保たれず）、傾いた状態で固着されるため、半導体チップ１２０の裏面側の周端部とリード１１２の端がさらに近接して電気的にショートしやすくなっていた。
【０００９】
また、半導体装置の使用時等においてジュール熱が生じると、半導体チップ１２０の基板（例えばシリコン基板）とアイランド１１１（例えば銅）は、それぞれの異なる熱膨張係数に応じて熱膨張し、その熱膨張の差異によって機械的応力が生じる。そして上述した半導体チップ１２０の傾きや導電性ペースト１１５の厚さの違いの影響によって、上記機械的な応力が局所的に集中しやすくなり、当該箇所にクラック等の損傷が生じるおそれもあった。
【００１０】
そこで本発明は、アイランドの表面に対して平行に半導体チップを固着して、半導体チップとリードのショートの回避を図ると共に、熱膨張による応力を起因としたクラック等の損傷の防止を図る。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の半導体装置は、アイランドと、前記アイランドに向かって延在する複数のリードと、前記アイランドの表面上に配置された複数の第１の導電突起体と、表面に複数のパッド電極を有し、裏面が前記複数の第１の導電突起体と対向するように、導電性ペーストを介して前記アイランドの表面上に固着された第１の半導体チップと、前記各リードと前記各パッド電極をそれぞれ接続する複数のボンディングワイヤと、前記アイランドの表面上に固着された前記第１の半導体チップ、前記複数のボンディングワイヤ、及び前記複数のリードの一部を覆って封止する封止材と、を備え、前記第１の半導体チップの周端部の少なくとも一部は、前記アイランドの周端部を越えて前記リード側に向かって延在し、前記複数の第１の導電突起体は、前記第１の半導体チップを前記アイランドの表面に対して平行に離間して支持する高さを有していることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の半導体装置は、上記構成に加えて、前記アイランド上の前記第１の半導体チップと離間した領域に、第２の半導体チップが前記第１の導電突起体を介することなく固着され、前記第１の半導体チップの前記パッド電極から延びる前記ボンディングワイヤは、前記第２の半導体チップと接触せずに該第２の半導体チップ上を跨って前記リードと接続されることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の半導体装置は、上記構成に加えて、前記第１の半導体チップの表面において、前記パッド電極の形成領域よりも内側に、複数のダミーパッド電極が配置され、各ダミーパッド電極上に第２の導電突起体が配置され、前記第１の半導体チップの表面上には、前記第２の導電突起体によって支持されて、絶縁性ペーストを介して第３の半導体チップが固着されており、前記第３の半導体チップの周端部は、前記ボンディングワイヤと接触しない間隔を保持して、前記第１の半導体チップの表面から離間していることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、外枠に繋がれたアイランド及び前記外枠から前記アイランドに向かって延在する複数のリードを含むリードフレームと、表面に複数のパッド電極を有した半導体チップと、を準備し、前記アイランドの表面上に複数の導電突起体を形成する工程と、前記導電突起体の形成工程の後、前記アイランドの表面上に導電性ペーストを塗布する工程と、前記導電性ペーストの塗布工程の後、前記半導体チップを、その裏面が前記複数の導電突起体と対向して直接接すると共に、周端部の少なくとも一部が前記アイランドの周端部を越えて前記リード側に向かって延在するように、前記アイランドの表面上に圧着し、前記導電性ペーストを介して固着する工程と、ワイヤボンダーによって形成される複数のボンディングワイヤを介して、前記各リードと前記各パッド電極を接続する工程と、前記アイランド上に固着された前記半導体チップ、前記複数のボンディングワイヤ、及び前記複数のリードの一部を、封止材で覆って封止する工程と、前記アイランド及び前記リードを、前記外枠から切り離す工程と、を備え、前記複数の導電突起体は、前記半導体チップを前記アイランドの表面に対して平行に離間して支持する高さを有していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、アイランドの表面に複数の導電突起体を形成することで、アイランドの表面に対して平行に半導体チップを固着することができる。これにより、半導体チップとリードのショートを回避できると共に、熱膨張による応力を起因としたクラック等の損傷を防止することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体装置を説明する平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による半導体装置を説明する断面図である。
【図３】第１の導電突起体の断面形状を説明する図である。
【図４】第１の導電突起体の断面形状を説明する図である。
【図５】アイランド上における第１の導電突起体の配置を示す平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態による半導体装置を説明する平面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態による半導体装置を説明する断面図ある。
【図８】本発明の第３の実施形態による半導体装置を示す断面図である。
【図９】従来例による半導体装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態による半導体装置について、図面を参照して説明する。図１は、この半導体装置の平面図であり、リードフレームの外枠（不図示）から、アイランド１１及びリード１２が切り離された状態を図示している。なお、図１は、主要な構成要素のみを図示し、リードフレームの外枠とアイランド１１を接続する吊りリード（半導体装置の完成後は外枠から切り離されている）等の図示は省略されている。図２は、図１のＸ−Ｘ線における断面図である。
【００１８】
最初に、半導体装置の概略構成について説明する。図１及び図２に示すように、アイランド１１の周囲では、複数のリード１２がアイランド１１に向かって延在している。なお、アイランド１１とリード１２は、例えば銅を含む金属からなる。アイランド１１は、例えば吊りリード（不図示）を端子として用いることで、その端子から接地電位または電源電位の供給を受ける。
【００１９】
アイランド１１の表面上には、互いに同一あるいは略同一の高さを有した複数の第１の導電突起体１４が形成されている。複数の第１の導電突起体１４は、それらの形状についても同一あるいは略同一であることが好ましい。このアイランド１１上で、ＩＣ等の半導体チップ２０が、第１の導電突起体１４に支持されると共に、導電性ペースト１５（例えば導電性粒子として銀粒子を含む）を介して固着（即ちダイボンド）されている。導電性ペースト１５は、導電性ペースト１５に厚さを与えるためのフィラー粒子（例えばシリカ粒子）を含む必要はない。
【００２０】
第１の半導体チップ２０は、その内部に、例えばトランジスタ等を含む集積回路を有し、周端部２０Ｅに沿った表面に複数のパッド電極２１を有している。各パッド電極２１は、ボンディングワイヤ１３（例えば金を含む金属材料からなる金属細線）を介して、リード１２と接続される。
【００２１】
他方、第１の半導体チップ２０の裏面には、裏面電極２２（例えば銅を含む金属層からなる）が配置されている。ただし、第１の半導体チップ２０の裏面は平坦か略平坦であるものとし、その裏面で裏面電極２２が平坦か略平坦に形成されているものとする。裏面電極２２は、第１の半導体チップ２０の裏面の全面あるいは略全面に形成されることが好ましい。この裏面電極２２の表面（下面）と、第１の導電突起体１４の上端は、直接接している。第１の半導体チップ２０、あるいはその集積回路は、裏面電極２２、第１の導電突起体１４、導電性ペースト１５、及びアイランド１１を介することで、接地電位または電源電位の供給を受ける。
【００２２】
アイランド１１上に固着された第１の半導体チップ２０、ボンディングワイヤ１３、及びリード１２の一部は、絶縁性の封止材１６（例えば樹脂パッケージ）によって封止されている。
【００２３】
さらに、第１の半導体チップ２０は、その周端部２０Ｅの少なくとも一部がアイランド１１の周端部１１Ｅを越えてリード１２側に向かって広がっている。本実施形態では、一例として、第１の半導体チップ２０は平面的に矩形状であるものとし、その周端部２０Ｅの全て、つまり全ての辺がアイランド１１よりも大きくなるようなサイズを有する場合について説明する。
【００２４】
また、複数の第１の導電突起体１４の少なくとも一部は、第１の半導体チップ２０とアイランド１１が重畳する領域の周端部に沿って、あるいはその周端部の近傍に沿って配置されることが好ましい。図１及び図２では、第１の半導体チップ２０とアイランド１１が重畳する領域の四隅に第１の導電突起体１４が配置され、さらに、第１の半導体チップ２０とアイランド１１が重畳する領域の中央にも、第１の導電突起体１４が配置された場合を示す。アイランド１１の表面に配置される第１の導電突起体１４の個数は、３個以上である。
【００２５】
上記構成によれば、第１の半導体チップ２０は、同一あるいは略同一の高さを有した複数の第１の導電突起体１４によって支持されることで、アイランド１１の表面に対して平行あるいは略平行に、即ちアイランド１１の表面と一定の離間距離Ｄ１を保って固着される。そして、離間距離Ｄ１に応じて、第１の半導体チップ２０とリード１２の端との間隔も大きく確保することができる。また、第１の導電突起体１４を介在させない従来例のように、導電性ペーストの厚さが均一にならずに第１の半導体チップ２０がアイランド１１上で傾いて、第１の半導体チップ２０とリード１２の端との間隔が小さくなるおそれもない。
【００２６】
従って、半導体チップ２０の裏面側の周端部２０Ｅ（半導体基板または裏面電極２２）とリード１２が近接あるいは接触して電気的にショートすることを回避することができる。
【００２７】
また、このような半導体チップ２０とリード１２のショートの回避によれば、汎用性のある通常のリードフレーム（リードの薄さを調整するエッチング加工等が施されていないもの）を、そのままの状態（アイランド１１とリード１２が同一の厚さのままの状態）で用いて実現できるという利点もある。
【００２８】
また、裏面電極２２とアイランド１１は、導電性ペースト１５に加えて、複数の第１の導電突起体１４を介して接続されるので、第１の導電突起体１４を配置しない場合に比して、裏面電極２２とアイランド１１の間の導電性を向上させることができ、接続抵抗を低く抑えることができる。
【００２９】
さらに、封止された半導体装置の使用時等においてジュール熱が生じた場合、第１の半導体チップ２０の基板（例えばシリコン基板）とアイランド１１（例えば銅）は、それぞれの異なる熱膨張係数に応じて熱膨張し、その熱膨張の差異によって機械的応力が生じても、第１の半導体チップ２０は、複数の第１の導電突起体１４に支持されアイランド１１に対して平行あるいは略平行に固着されているため、上記機械的応力は、局所的に集中することなく、均等に分散しやすくなる。つまり、半導体装置において上記機械的応力を起因とするクラック等の損傷を防止することができる。
【００３０】
また、第１の半導体チップ２０に生じたジュール熱は、第１の導電突起体１４を通して効率よくアイランド１１に伝わって放出されるため、ジュール熱の影響を極力小さくすることができる。特に、第１の半導体チップ２０の発熱しやすい領域、例えばトランジスタの形成領域と重畳するアイランド１１上の領域に、複数の第１の導電突起体１４のうちの少なくとも一部を配置すれば、上述した熱放出効果をより確実に高めることができる。
【００３１】
以下に、上述した第１の導電突起体１４の詳細について説明する。第１の導電突起体１４の形状は、図３（Ａ）の断面図の示すように、その下端部１４Ａ（アイランド１１の表面と接する側の端）は平坦面となっている。さらに、第１の導電突起体１４の上端部１４Ｂも、アイランド１１の表面に対して平行あるいは略平行な平坦面を有することが好ましい。この上端部１４Ｂの平坦面が第１の半導体チップ２０の裏面側（即ち裏面電極２２）と接することで、第１の半導体チップ２０は、より確実に、アイランド１１上で安定的に支持されると共に、アイランド１１の表面に対する平行性が高められる。
【００３２】
また、この構成によれば、第１の導電突起体１４と第１の半導体チップ２０の接触面積、及び第１の導電突起体１４とアイランド１１の接触面積が広がることから、第１の半導体チップ２０に生じたジュール熱を、第１の導電突起体１４を通して、より効率よくアイランド１１に放出することができる。
【００３３】
第１の導電突起体１４は、好ましくは、ボンディングワイヤ１３の形成装置、つまりワイヤボンダーを用いて形成される。即ち、第１の導電突起体１４は、基本的には、ワイヤボンダーが溶融した金属材料を球状体としてアイランド１１の表面上に点状に溶着し、所定の圧力で押し付けることで形成される。
【００３４】
第１の導電突起体１４の金属材料は、ワイヤボンダーで使用できるものであれば特に限定されないが、良好な導電性と熱伝導性を得るためには、例えば金を含むもの、あるいは銅を含むものであることが好ましい。製造プロセスの簡略化が要求される場合、第１の導電突起体１４の金属材料は、ボンディングワイヤ１３と同一の金属材料を用いることができる。
【００３５】
第１の導電突起体１４の上端部１４Ｂの平坦面は、溶融した金属材料を球状体としてアイランド１１の表面上に点状に溶着して所定の圧力で押し付けた後に、ワイヤボンダーの金属材料の吐出口をアイランド１１の表面と平行な方向に高速でスライドさせるという、ワイヤボンダーの動作モードによって形成することができる。
【００３６】
各第１の導電突起体１４のアイランド１１からの高さＨ１は、ワイヤボンダーが金属材料の吐出量、押し付け時の圧力、吐出口の動作等のパラメータを制御することで、例えば約２０μｍ〜１５０μｍの範囲で設定することができる。この第１の導電突起体１４の高さＨ１が、アイランド１１と第１の半導体チップ２０の間の一定の離間距離Ｄ１を決定する。
【００３７】
なお、各第１の導電突起体１４のアイランド１１からの高さＨ１は、理想的には全て同一であることが好ましいが、実際のプロセスで形成される各第１の導電突起体１４の高さＨ１は、加工精度による僅かな誤差を含む。この誤差は、ワイヤボンダーを形成装置として用いることによって極めて小さくできる。例えば高さＨ１が約２０μｍで設定された場合の誤差は約２μｍ以下、高さＨ１が約１５０μｍで設定された場合の誤差は約１５μｍ以下とすることができる。つまり、高さＨ１の誤差を設定値の約１０％以下に抑えることができる。この程度の高さＨ１の誤差は、本発明が奏する効果について影響を与えるものではない。
【００３８】
下端部１４Ａの径Ｒ１と上端部１４Ｂの径Ｒ２は、ワイヤボンダーが金属材料の吐出量、押し付け時の圧力、吐出口の動作等のパラメータを制御することで、例えば約１５μｍ〜１００μｍの範囲で設定することができる。このとき、下端部１４Ａの径Ｒ１を、上端部１４Ｂの径Ｒ２よりも大きく設定することで、下端部１４Ａとアイランド１１の密着性を高めることができ、また、その下端部１４Ａの高い密着性により、アイランド１１の表面に対する平行性を劣化させることなく、上端部１４Ｂの平坦面を形成しやすくなる。
【００３９】
さらに上記構成の変形例として、第１の導電突起体１４は、図３（Ｂ）に示すように、ワイヤボンダーによって２段に積層して形成することもできる。このような第１の導電突起体１４の積層構造によれば、その高さＨ１を大きくすることができるため、アイランド１１と第１の半導体チップ２０の離間距離Ｄ１も大きくすることができる。
【００４０】
なお、第１の導電突起体１４は、全て同一あるいは略同一の高さＨ１を有していれば、上記以外の形状で形成されてもよい。例えば、図４（Ａ）に示すように上端部１４Ｂが上方に突出し、その先端が尖っていてもよく、また、図４（Ｂ）に示すように上端部１４Ｂが上方に突出し、その先端が平坦面となるものであってもよい。これらの形状は、ワイヤボンダーの動作モードに応じて適宜選択することができる。
【００４１】
また、アイランド１１の表面上における第１の導電突起体１４の配置位置は、図１及び図２の例に限定されない。第１の導電突起体１４の配置位置は、第１の半導体チップ２０の大きさに対応して適宜変更されてもよい。例えば図５（Ａ）に示すように、第１の半導体チップ２０の４辺（即ち周端部２０Ｅ）のうち、対向する２辺のみがアイランド１１の周端部１１Ｅを越えてリード１２に向かって延在する場合、複数の第１の導電突起体１４の少なくとも一部は、第１の半導体チップ２０とアイランド１１の重畳領域の周端部に沿って、あるいはその周端部近傍に沿って配置される。
【００４２】
また、第１の導電突起体１４は、アイランド１１の表面に塗布された導電性ペースト１５の流動性に対して摩擦抵抗を有する。この性質を利用して、例えば図５（Ｂ）、図５（Ｃ）に示すように、アイランド１１の表面上で、導電性ペースト１５のはみ出しを防止したい位置に、第１の導電突起体１４を配置すれば、その位置で導電性ペースト１５の流動を鈍くさせることができる。つまり、所望の位置で、導電性ペースト１５がアイランド１１の外側にはみ出してリード１２等の導電体と電気的にショートすることを回避できる。なお、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）は、第１の半導体チップ２０がアイランド１１に圧着された状態における導電性ペースト１５を模式的に示すものである。
【００４３】
以下に、上述した半導体装置の製造方法について説明する。最初の状態では、アイランド１１が、吊りリード（不図示）を介してリードフレームの外枠に繋がれ、複数のリード１２も外枠に繋がれているものとする。この状態で、上述したように、好ましくはワイヤボンダーにより、アイランド１１の表面上に複数の第１の導電突起体１４を形成する。
【００４４】
この第１の導電突起体１４の形成工程の後、アイランド１１の表面上に導電性ペースト１５を塗布する。導電性ペースト１５は、例えばマルチニードルによって、点状に塗布されてもよいし、ライン状に塗布されてもよい。
【００４５】
その後、第１の半導体チップ２０を、その裏面が第１の導電突起体１４と対向して直接接するように、アイランド１１の表面上に圧着し、導電性ペースト１５を介して固着する。
【００４６】
次に、ワイヤボンダーによって、各リード１２と各パッド電極２１を接続する複数のボンディングワイヤを形成し、さらに、アイランド１１上に固着された半導体チップ２０、複数のボンディングワイヤ１３、及び複数のリード１２の一部を、封止材１６で覆って封止する。
【００４７】
その後、吊りリード（不図示）とリード１２を切断して、リードフレームの外枠からアイランド１１及びリード１２を切り離す。封止材１６の外側に延びるリード１２の一部は、外部接続用の端子として適した形状に折り曲げられる（不図示）。
【００４８】
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態による半導体装置について、図面を参照して説明する。図６は、この半導体装置の平面図であり、図７（Ａ）は、図５のＹ−Ｙ線における断面図である。図７（Ｂ）は、本実施形態の半導体装置に対する比較例を示す断面図である。なお、図６及び図７（Ａ）では、第１の実施形態に示したものと同一の構成要素については同一の参照番号を付して、その説明を省略する。
【００４９】
図６及び図７（Ａ）に示すように、アイランド１１の表面上であって、第１の導電突起体１４が配置された領域には、導電性ペースト１５を介して、第１の導電突起体１４に支持された第１の半導体チップ２０が固着されている。ただし本実施形態では、一例として、第１の半導体チップ２０の４辺（即ち周端部）のうち、３辺のみがアイランド１１の周端部１１Ｅを越えてリード１２に向かって延在するものとする。
【００５０】
さらにアイランド１１の表面上には、第１の半導体チップ２０と離間した領域に、第２の半導体チップ４０が固着されている。第２の半導体チップ４０は、アイランド１１の周端部１１Ｅを越えないサイズを有し、その表面にはボンディングワイヤ１３を介してリード１２と接続されるパッド電極４１を有している。また、第２の半導体チップ４０の裏面は裏面電極２２を有してもよい。
【００５１】
この第２の半導体チップ４０は、第１の導電突起体１４を介することなく、導電性ペースト１７（例えば銀粒子を含む）のみを介してアイランド１１に固着される。これにより、アイランド１１の表面に対する第２の半導体チップ４０の離間距離は、アイランド１１の表面に対する第１の半導体チップ２０の離間距離Ｄ１よりも小さくなる。
【００５２】
つまり、第１の半導体チップ２０と第２の半導体チップ４０の厚さが同じか略同じである場合、アイランド１１の表面に対して、第２の半導体チップ４０の表面（上面）を、第１の半導体チップの表面（上面）よりも低い位置にすることができる。その結果、第１の半導体チップ２０のパッド電極２１から延びるボンディングワイヤ１３の少なくとも１つを、第２の半導体チップ４０上を跨ってリード１２と接続する場合、そのボンディングワイヤ１３と第２の半導体チップ４０の端部４０Ｅとの離間距離が大きく確保され、ショートが回避される（図７（Ａ）参照）。
【００５３】
この構成に対する比較例として、仮に第１の導電突起体１４が無い場合を考えると、図７（Ｂ）に示すように、第１の半導体チップ２０と第２の半導体チップ４０の厚さが同じか略同じであるとすれば、第２の半導体チップ４０の表面（上面）と、第１の半導体チップの表面（上面）は、アイランド１１の表面に対して同じか略同じ高さになるため、ボンディングワイヤ１３が第２の半導体チップ４０の端部４０Ｅと接触してしまうことになる。
【００５４】
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態による半導体装置について、図面を参照して説明する。図８は、この半導体装置の断面図であり、第１の実施形態の図１のＸ−Ｘ線における断面に対応している。なお、図８では、第１の実施形態の図１及び図２に示したものと同一の構成要素については同一の参照番号を付して、その説明を省略する。
【００５５】
本実施形態は、第１の実施形態の第１の半導体チップ２０の表面上に、第１の半導体チップ２０と同じか略同じ形状とサイズを有した第３の半導体チップ６０が積層され、固着されるものである。
【００５６】
具体的には、第１の半導体チップ２０の表面において、パッド電極２１の形成領域よりも内側に、複数のダミーパッド電極２３が配置され、各ダミーパッド電極２３上に、互いに同一あるいは略同一の高さを有した複数の第２の導電突起体２４が配置されている。第２の導電突起体２４は、第１の導電突起体１４と同様にワイヤボンダーによって形成することができる。製造プロセスの簡略化が要求される場合、第２の導電突起体２４は、ボンディングワイヤ１３と同一の金属材料を用いて形成することができ、また、同一の工程で形成することもできる。
【００５７】
第１の半導体チップ２０の表面上には、第２の導電突起体２４によって支持され、かつ絶縁性ペースト２５を介して固着された第３の半導体チップ６０が固着されている。第３の半導体チップ６０の表面には、ボンディングワイヤ１３を介して不図示のリードと接続されるパッド電極６１が形成されている。
【００５８】
この構成により、第３の半導体チップ６０は、同一あるいは略同一の高さを有した複数の第２の導電突起体２４によって支持されることで、第１の半導体チップ２０の表面に対して平行あるいは略平行に、一定の離間距離Ｄ２を保って固着される。
【００５９】
この構成によれば、第１の半導体チップ２０の表面と第３の半導体チップ６０の裏面の間において、第３の半導体チップ６０の周端部６０Ｅの裏面側が、第１の半導体チップ２０のパッド電極２１から延びるボンディングワイヤ１３と接触しなくなる十分な離間距離Ｄ２を確保することができる。
【００６０】
なお、本発明は上記いずれの実施形態にも限定されず、要旨を逸脱しない範囲で変更が可能なことは言うまでもない。例えば、各実施形態における第１の半導体チップ２０の裏面には、裏面電極２２が形成されるものとしたが、この裏面電極２２は必ずしも形成されなくてもよい。この場合、第１の導電突起体１４と直接接する第１の半導体チップ２０の裏面、あるいは他の構成物は平坦面を有していればよい。
【００６１】
また、各実施形態では、第１の導電突起体１４は、ワイヤボンダーを用いて形成されるものとしたが、これ以外の方法で形成されてもよい。
【００６２】
また、第３の実施形態で示した第３の半導体チップ６０に係る構成は、第２の実施形態の構成に組み合わされるものであってもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１１  アイランド                    １２  リード
１３  ボンディングワイヤ            １４  第１の導電突起体
１５，１７  導電性ペースト          １６  封止材
２０  第１の半導体チップ            ２１，４１，６１  パッド電極
２２，４２  裏面電極                ２３  ダミーパッド電極
２４  第２の導電突起体              ２５  絶縁性ペースト
４０  第２の半導体チップ            ６０  第３の半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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