(57)【要約】【課題】半導体レーザの発振線幅の増大を抑制する。【解決手段】光集積素子１００は、単一モードＬＤ１が出力した光である出力光９を増幅する光増幅領域２を備える。光増幅領域２は、該光増幅領域２を通過する出力光９に付加する損失を制御可能な損失制御領域６を含む。【選択図】図１
2013251424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光集積素子であって、
光を出力する、単一モードの半導体レーザと、
前記半導体レーザが出力した光である出力光を増幅する光増幅領域とを備え、
前記光増幅領域は、前記半導体レーザと前記光集積素子に存在する、前記出力光を反射する反射点とを結ぶ、前記出力光が通過する導波路に設けられ、
前記光増幅領域は、
該光増幅領域を通過する前記出力光に付加する損失を制御可能な損失制御領域を含む
光集積素子。
【請求項２】
前記光増幅領域は、さらに、
前記出力光を増幅する半導体光増幅器を含み、
前記損失制御領域は、前記半導体光増幅器に隣接する位置であって、かつ、該半導体光増幅器が増幅した前記出力光が通過する位置に設けられる
請求項１に記載の光集積素子。
【請求項３】
前記損失制御領域は、前記出力光が前記反射点で反射した光であって、かつ、前記半導体光増幅器へ戻る光である反射光の強度を、前記半導体光増幅器が駆動することにより出射する光である自然放出光の強度と同程度までに低減させる
請求項１または２に記載の光集積素子。
【請求項４】
前記損失制御領域は、前記半導体光増幅器の利得を増大する場合、増大した利得の１／２程度を打ち消すための前記損失を、前記出力光に付加する
請求項３に記載の光集積素子。
【請求項５】
前記損失制御領域は、外部から電界が印加されることにより、前記光増幅領域を通過する前記出力光に付加する損失の大きさを制御する
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光集積素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単一モードの半導体レーザを利用した光集積素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の通信需要の飛躍的な増大に伴い、波長の異なる複数の信号光を多重化して、１本の光ファイバで大容量伝送を可能とする波長分割多重通信システムが実用化されている。上記システム用の光源としては、少なくとも３０〜４０ｄＢ以上の高いサイドモード抑圧比（Side Mode Suppression Ratio：ＳＭＳＲ）が得られる単一モードＬＤ（Laser Diode）が好適である。当該単一モードＬＤは、例えば、分布帰還型ＬＤ（Distributed Feedback Laser Diode：ＤＦＢ−ＬＤ）や分布ブラッグ反射型ＬＤ（Distributed Bragg Reflector Laser Diode：ＤＢＲ−ＬＤ）等である。
【０００３】
また、近年では、単一モードＬＤをアレイ化し、素子温度調整や電流注入による屈折率制御を併用して、全波長帯域をカバーできる波長可変ＬＤの開発が進められている。さらに、波長可変ＬＤに、電界吸収（Electro absorption：ＥＡ）型光変調器やマッハツェンダ（Mach Zehnder：ＭＺ）型光変調器などの外部変調器を同一基板上に集積した光集積素子についても、開発が行われている。
【０００４】
上記光集積素子のアレイＬＤ部やＭＺ変調器部においては、波長依存性の比較的少ない多モード干渉（Multi Mode Interference：ＭＭＩ）型の光合分波素子（以下「ＭＭＩ素子」と称す）が広く用いられている。また、チップ内に半導体光増幅素子（Semiconductor Optical Amplifier：ＳＯＡ）を集積し、当該チップを、出力増大や導波路の分岐損失や接続損失、散乱損失の補償に用いる事がしばしば行われている。ＳＯＡはＬＤと同様のエピタキシャル層から構成されている。ＳＯＡは、電流注入を行うと入射光に対する増幅器として働くが、単独ではレーザ発振が生じないように設計されている。
【０００５】
さて、上記の波長可変ＬＤとＳＯＡを集積した素子の出力側に、導波光に対する微小な反射点が存在する場合を考える。反射点とは、光が反射する位置である。反射点からの戻り光は、ＳＯＡで増幅されると無視できないレベルとなる。その結果、ＬＤの動作が不安定化し、発振線幅が増大するなどの問題が生じる。
【０００６】
そこで、例えば、非特許文献１には、反射戻り光を低減するために、ＳＯＡの出射側に曲がり導波路を設け、無反射（Anti-Reflection：ＡＲ）コートを併用する技術（以下、従来技術Ａともいう）が開示されている。非特許文献１では、従来技術Ａにより、端面付近からの光の反射を−５０ｄＢ程度以下まで低減する事に成功し、ＤＦＢ−ＬＤの発振線幅への影響を除去できるようになった事が報告されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】“IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics”， Vol.11， No.5， 2005， pp919-923
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の技術では、以下のような問題があった。具体的には、ＳＯＡを含む従来技術Ａの光集積素子においては、曲がり導波路を設けて出射端面からの光の反射を低減している。これにより、ＤＦＢ−ＬＤの発振線幅の増大を防止している。
【０００９】
しかしながら、光集積素子においては出射端面以外にも、屈折率のわずかに異なる導波路同士の接合界面や、変調器との接合部など、反射点となる可能性のある箇所がチップ（光集積素子）内に多数存在している。
【００１０】
特に、ＭＭＩ素子においては、多モード導波路部とポート導波路部との境界付近で、モード不整合に起因する微小な反射光の発生が避けられない。これらの箇所での反射光は、中間にＳＯＡを介してＬＤへの戻り光になると、出射端面の場合と同様に発振線幅の増大を引き起こす問題が生じる。
【００１１】
しかし、従来技術Ａの曲がり導波路は、出射端面以外の反射点に対しては有効でない。そのため、従来技術Ａの曲がり導波路は、出射端面以外の反射点に適用できない。例えば４０Ｇｂｐｓ以上の高速変調を用いた光通信システムには、少なくとも１ＭＨｚ程度以下の狭発振線幅が必要とされており、発振線幅の増大を抑制する必要がある。
【００１２】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、半導体レーザの発振線幅の増大を抑制することが可能な光集積素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る光集積素子は、光を出力する、単一モードの半導体レーザと、前記半導体レーザが出力した光である出力光を増幅する光増幅領域とを備え、前記光増幅領域は、前記半導体レーザと前記光集積素子に存在する、前記出力光を反射する反射点とを結ぶ、前記出力光が通過する導波路に設けられ、前記光増幅領域は、該光増幅領域を通過する前記出力光に付加する損失を制御可能な損失制御領域を含む。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、光集積素子は、半導体レーザが出力した光である出力光を増幅する光増幅領域を備える。前記光増幅領域は、該光増幅領域を通過する前記出力光に付加する損失を制御可能な損失制御領域を含む。
【００１５】
これにより、増幅される出力光の強度を制御できる。そのため、反射点で反射した反射光が、仮に、光増幅領域に入ったとしても、当該反射光の強度が大きくなることを抑制できる。すなわち、半導体レーザへ戻る反射光の強度が大きくなることを抑制できる。そのため、半導体レーザへ戻る反射光による半導体レーザの発振線幅の増大を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光集積素子の構成を示す平面図である。
【図２】基板上に形成された光集積素子の断面図である。
【図３】基板上に形成された光集積素子の断面図である。
【図４】出力光とＬＤ戻り光との関係を示す模式図である。
【図５】利得がＡｄＢであるＳＯＡにおける入力光と出力光との関係を示す模式図である。
【図６】ＳＯＡ入力信号光とＳＯＡ自然放出光の周波数スペクトルを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の構成要素には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。また、本明細書では、光損失を、単に、損失と表記する。
【００１８】
なお、実施の形態において例示される各構成要素の寸法、材質、形状、それらの相対配置などは、本発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるものであり、本発明はそれらの例示に限定されるものではない。また、各図における各構成要素の寸法は、実際の寸法と異なる場合がある。
【００１９】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る光集積素子１００の構成を示す平面図である。光集積素子１００は、光集積回路である。図１（ａ）は、反射部（反射点）が、光集積素子１００（チップ）内部にある当該光集積素子１００の構成を示す図である。反射点とは、光が反射する位置である。図１（ｂ）は、図１（ａ）と異なる構成を有する光集積素子１００の構成を示す図である。具体的には、図１（ｂ）は、反射部（反射点）が、光の出射端面にある光集積素子１００の構成を示す図である。
【００２０】
実施の形態１に係る光集積素子１００は、図１（ａ）の光集積素子１００および図１（ｂ）の光集積素子１００のいずれであってもよい。
【００２１】
図１（ａ）の光集積素子１００は、単一モードＬＤ１と、光増幅領域２と、ＭＺ変調器３と、出射端面１１とを備える。単一モードＬＤ１、光増幅領域２およびＭＺ変調器３の各々は、接続導波路４によって接続されている。
【００２２】
単一モードＬＤ１は、光を出力する、単一モードの半導体レーザである。単一モードＬＤ１は、例えば、光ファイバに使用される。単一モードＬＤ１は、ＤＦＢ−ＬＤ、ＤＢＲ−ＬＤなどの単体ＬＤ、または、当該単体ＬＤに波長可変機能を持たせた波長可変ＬＤである。
【００２３】
以下においては、単一モードＬＤ１が出力する光を、出力光９とも表記する。出力光９は、単一モードＬＤ１が出力するＬＤ出力光である。出力光９は、光増幅領域２を通過する。
【００２４】
光増幅領域２は、出力光９を増幅する。光増幅領域２は、ＳＯＡ５と、損失制御領域６とを含む。ＳＯＡ５は、該ＳＯＡ５を通過する光（出力光９）を増幅する半導体光増幅器である。ＳＯＡ５は、接続導波路４により、損失制御領域６と接続される。
【００２５】
損失制御領域６は、ＳＯＡ５（半導体光増幅器）に隣接する位置であって、かつ、ＳＯＡ５が増幅した出力光が通過する位置に設けられる。また、損失制御領域６は、詳細は後述するが、外部から印加される電圧に応じて、該損失制御領域６を通過する光に損失を付加する。損失制御領域６は、少し具体的には、該光増幅領域２を通過する出力光に付加する損失を制御可能な構成を有する。すなわち、損失制御領域６は、外部から印加される電圧（電界）に応じて、光に付加する損失を制御する。言い換えれば、損失制御領域６は、該損失制御領域６を通過する光の挿入損失を制御する。
【００２６】
ＭＺ変調器３は、光を変調する。ＭＺ変調器３は、ＭＭＩ７ａ，７ｂと、屈折率制御部８ａ，８ｂとを含む。
【００２７】
ＭＭＩ７ａは、光を分波する素子である。ＭＭＩ７ｂは、分波された光を合成する素子である。すなわち、ＭＭＩ７ａ，７ｂは、光合分波用の素子である。ＭＭＩ７ａは、接続導波路４により損失制御領域６および屈折率制御部８ａ，８ｂと接続される。屈折率制御部８ａ，８ｂの各々は、接続導波路４によりＭＭＩ７ｂと接続される。ＭＭＩ７ｂは、接続導波路４により出射端面１１と接続される。
【００２８】
出射端面１１は、光集積素子１００が、外部へ光を出射する面である。
【００２９】
接続導波路４、ＳＯＡ５、損失制御領域６、ＭＭＩ７ａ，７ｂ、屈折率制御部８ａ，８ｂの各々は、光導波路である。
【００３０】
次に、光集積素子１００における動作について説明する。
【００３１】
まず、出力光９は、光増幅領域２を通過する間に増幅され、ＭＺ変調器３に入る手前で反射される。具体的には、出力光９は、該出力光９の一部がＭＭＩ７ａによって反射されて、反射光１０になる。すなわち、ＭＭＩ７ａは、出力光９を反射する反射点を有する反射部である。反射光１０は、反射によりＳＯＡ５（単一モードＬＤ１）へ戻ってくる反射戻り光である。なお、出力光９の大半は、ＭＺ変調器３により変調された後に、出射端面１１から外部に出射して、出射光１２となる。
【００３２】
図１（ｂ）の光集積素子１００は、図１（ａ）の光集積素子１００と比較して、光増幅領域２およびＭＺ変調器３の配置位置が異なる。それ以外の構成は、図１（ａ）の光集積素子１００と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
【００３３】
図１（ｂ）において、出力光９は、ＭＺ変調器３で変調された後に、光増幅領域２に入り増幅される。そして、増幅された出力光９の一部が、出射端面１１によって反射されて、反射光１０になる。すなわち、図１（ｂ）において、出射端面１１は、出力光９を反射する反射点を有する反射部である。なお、出力光９の大半は、出射光１２となる。
【００３４】
図２および図３は、ＩｎＰ基板１４上に形成された光集積素子１００の断面図である。図２は、図１のＡ１−Ａ２線に沿ったＳＯＡ５（埋め込み導波路）の断面図である。図３は、図１のＢ１−Ｂ２線に沿ったＭＭＩ７ａ（ハイメサ導波路）の断面図である。
【００３５】
図２に示すように、光集積素子１００は、ＩｎＰ下部クラッド層１５、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１６およびＩｎＰ上部クラッド層１７がこの順に積層した積層構造を有する。すなわち、光集積素子１００のＳＯＡ５は、ダブルヘテロ型の導波路を構成している。
【００３６】
なお、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１６に隣接する領域には、ＩｎＰ電流ブロック層１９が設けられている。
【００３７】
図３に示すように、    光集積素子１００のＭＭＩ７ａは、ＩｎＰ下部クラッド層１５、ＩｎＧａＡｓＰコア層１８およびＩｎＰ上部クラッド層１７がこの順に積層した積層構造を有する。すなわち、光集積素子１００は、ダブルヘテロ型の導波路を構成している。ＭＭＩ７ｂも、ＭＭＩ７ａと同様な構成を有する。
【００３８】
なお、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１６およびＩｎＧａＡｓＰコア層１８の各々は、バルク結晶でもよいし、多重量子井戸（Multiple Quantum Well：ＭＱＷ）でもよい。
【００３９】
なお、図２および図３では、それぞれＳＯＡ５およびＭＭＩ７ａの断面を示しているが、単一モードＬＤ１、接続導波路４および損失制御領域６も同様の積層構造である。
【００４０】
次に、光集積素子１００において発生する、反射戻り光（反射光）について説明する。
【００４１】
図４は、出力光９とＬＤ戻り光２０との関係を示す模式図である。なお、図４では、本実施の形態に係る光集積素子１００における光増幅領域２および反射部２１の近傍のみを示している。ＬＤ戻り光２０とは、反射部２１が有する反射点で反射して、単一モードＬＤ１へ戻る光である。反射部２１は、図１（ａ）のＭＭＩ７ａまたは図１（ｂ）の出射端面１１である。
【００４２】
図４に示すように、出力光９は、光増幅領域２に含まれるＳＯＡ５および損失制御領域６を通過し、反射部２１が有する反射点で反射して、反射光１０になる。すなわち、光増幅領域２は、単一モードＬＤ１と反射部２１が有する反射点とを結ぶ、出力光９が通過する導波路（経路）に設けられる。
【００４３】
反射光１０は、再び、損失制御領域６を通過することにより、損失制御領域６により損失が付加される。すなわち、反射光１０の強度は低下する。損失制御領域６を通過した反射光１０は、ＳＯＡ５を通過することにより、ＬＤ戻り光２０になる。
【００４４】
ここで、出力光９の強度を基準（０ｄＢ）として、ＳＯＡ５の利得を＋ＡｄＢとする。また、反射部２１が有する反射点で反射された光に付加される損失（以下、反射損失ともいう）を−ＣｄＢとする。損失制御領域６により付加される損失が、仮に０ｄＢである場合、反射光１０（反射戻り光）の強度は、（Ａ−Ｃ）ｄＢで表現される。
【００４５】
一方、損失制御領域６により付加される損失が−ＢｄＢである場合は、光の反射量は微小であるため無視できる。そのため、光増幅領域２からの出射光２２の強度は、ほぼ（Ａ−Ｂ）ｄＢとなる。
【００４６】
図５は、利得がＡｄＢであるＳＯＡ５における入力光と出力光との関係を示す模式図である。図５において、ＳＯＡ出力光とは、ＳＯＡ５から出射される出力光である。ＳＯＡ入力光とは、ＳＯＡ５に入力する入力光である。
【００４７】
ＳＯＡ入力光は、例えば、図４の損失制御領域６側からＳＯＡ５に入る反射光１０である。ＳＯＡ出力光は、例えば、図４のＬＤ戻り光２０である。
【００４８】
図５に示すように、例えば、強度０ｄＢの入力光（出力光９）はＳＯＡ５により増幅され、強度＋ＡｄＢの出力光９になる。ここで、損失制御領域６により付加される損失Ｂを、仮に、０ｄＢとする。この場合、ＳＯＡ入力光（反射光１０）の強度は、（Ａ−Ｃ）ｄＢとなる。また、ＳＯＡ５により増幅されたＳＯＡ出力光（ＬＤ戻り光２０）の強度は、（２Ａ−Ｃ）ｄＢとなる。したがって、反射損失−ＣｄＢが、仮に、十分に低減できていない場合、ＳＯＡ出力光（ＬＤ戻り光２０）が入射される単一モードＬＤ１の線幅に影響を及ぼす。
【００４９】
図６は、ＳＯＡ入力信号光２３とＳＯＡ自然放出光２４の周波数スペクトルを示す模式図である。ＳＯＡ入力信号光２３は、ＳＯＡ５に入る光である。ＳＯＡ自然放出光２４とは、ＳＯＡ５に電流注入を行って利得を生じさせる場合にＳＯＡ５が自然に放出（出力）する光である。言い換えれば、ＳＯＡ自然放出光２４は、ＳＯＡ５（半導体光増幅器）が駆動することにより出射する光である。
【００５０】
図６に示すように、ＳＯＡ自然放出光２４のスペクトルは広い波長範囲（５０ｎｍ程度以上）を有する。一方、ＳＯＡ入力信号光２３が、単一モードＬＤ１が出力する出力光９である場合、ＳＯＡ入力信号光２３のスペクトルは、単峰性の形状を有する。
【００５１】
ＳＯＡ入力信号光２３が、ＳＯＡ５で増幅されるためには、ＳＯＡ入力信号光２３が、少なくともＳＯＡ自然放出光２４よりも強い強度を有する必要がある。逆に、ＳＯＡ入力信号光２３の強度が弱く、ＳＯＡ自然放出光２４の強度と同程度の強度である場合、有効な利得が得られないか、又はＳＯＡ５内部での吸収による減衰が発生する。
【００５２】
ここで、図４において、損失が−ＢｄＢである損失制御領域６を光が往復した場合、当該光には、−２ＢｄＢの損失が付加される。以下においては、光が損失制御領域６を往復することにより発生する損失を、往復損失ともいう。そのため、図５に示すように、ＳＯＡ入力光の強度は、（Ａ−Ｃ−２Ｂ）ｄＢとなる。なお、ＳＯＡ入力信号光２３の強度がＳＯＡ自然放出光２４の強度よりも小さくなると、ＳＯＡ５での増幅がほとんど生じない。
【００５３】
したがって、ＳＯＡ５での増幅をほとんど生じさせないために、本実施の形態に係る損失制御領域６は、反射光１０に損失を付加することにより、該損失制御領域６を通過する反射光１０の強度を、ＳＯＡ自然放出光２４の強度と同程度までに低減させる。ここで、当該損失制御領域６を通過する反射光１０は、出力光９が反射部２１が有する反射点で反射した光であって、かつ、ＳＯＡ５（半導体光増幅器）へ戻る光である。具体的には、損失制御領域６は、該損失制御領域６を通過する反射光１０の強度を、ＳＯＡ自然放出光２４の強度未満であって、かつ、ＳＯＡ自然放出光２４の近傍付近の強度にまで低減させる。
【００５４】
すなわち、損失制御領域６は、単一モードＬＤ１へ向かう、反射戻り光である反射光１０（ＬＤ戻り光２０）の強度（光量）を、単一モードＬＤ１の線幅に影響を与えない強度にまで低減する。これにより、単一モードＬＤ１の発振線幅の増大を防止することができる。
【００５５】
この場合、ＬＤ戻り光２０の強度は（Ａ−Ｃ−２Ｂ）ｄＢのままである。したがって、損失制御領域６により損失が付加されない場合より、ＬＤ戻り光２０の強度は（Ａ＋２Ｂ）ｄＢ改善される。
【００５６】
次に、上記の状態において、ＳＯＡ５の利得を（Ａ＋ｘ）ｄＢに増大させるとする。当該ｘｄＢは、ＳＯＡ５の利得の増大分である。また、ｘｄＢに応じて損失制御領域６で付加される損失を、−ｘ／２だけ増やし、（−Ｂ−ｘ／２）ｄＢとする制御を行う。すなわち、損失制御領域６は、ＳＯＡ５（半導体光増幅器）の利得を増大する場合、増大した利得の１／２程度を打ち消すための損失を、該損失制御領域６を通過する出力光９に付加する。これにより、利得を増大しつつ、反射部２１（反射点）からのＬＤ戻り光を抑制でき、ＬＤ発振線幅の増大を防止することが可能となる。
【００５７】
この場合、損失制御領域６からの出力光の強度は、ｘ−ｘ／２よりｘ／２ｄＢ増大する。しかしながら、損失制御領域６での往復損失の増大分（−ｘ／２×２＝−ｘｄＢ）がＳＯＡ５での利得増大分（ｘｄＢ）を打ち消す。そのため、ＬＤ戻り光２０の強度は、上記と同様に（Ａ−Ｃ−２Ｂ）ｄＢに保たれる。
【００５８】
なお、本実施の形態では、損失制御領域６において、外部からの電圧の印加に応じて、吸収（損失）が生じるように、損失制御領域６を構成する。当該吸収とは光の吸収である。言い換えれば、損失制御領域６は、外部から、電圧印加により生じる電界が印加されることにより、光増幅領域２を通過する出力光に付加する損失の大きさを制御するよう、損失制御領域６を構成する。
【００５９】
具体的には、損失制御領域６の導波路（例えばＭＱＷ導波路）の上下に電極が設けられる。そして、当該電極に電圧をかけない場合にはほとんど吸収がなく、当該電極に逆バイアス電圧をかけると吸収が生じるように損失制御領域６を構成する。当該吸収は、量子閉じ込めシュタルクシフトにより吸収ピークの波長位置がシフトすることにより生じる。この構成により、損失制御領域６を含む光増幅領域２の利得制御を行うことができる。
【００６０】
なお、損失制御領域６は上記構成に限定されない。損失制御領域６は、例えば、ＳＯＡ５の一部の電極を分割し、順方向の注入電流を減少させて吸収量を増やす事により構成してもよい。
【００６１】
以上説明したように、光集積素子１００は、単一モードＬＤ１が出力した出力光９を増幅する光増幅領域２とを備える。光増幅領域２は、該光増幅領域２を通過する出力光９に付加する損失を制御可能な損失制御領域６を含む。これにより、増幅される出力光９の強度を制御できる。そのため、反射部２１が有する反射点で反射した反射光が、仮に、光増幅領域２に入ったとしても、当該反射光の強度が大きくなることを抑制できる。すなわち、単一モードＬＤ１へ戻る反射光の強度が大きくなることを抑制できる。そのため、単一モードＬＤ１（半導体レーザ）へ戻る反射光による単一モードＬＤ１（半導体レーザ）の発振線幅の増大を抑制することができる。
【００６２】
また、本実施の形態に係る光集積素子１００（損失制御領域６）は、反射部２１（反射点）からのＬＤ戻り光２０の強度（光量）を、ＳＯＡ５での増幅がほとんど生じない程度まで抑制する。これにより、単一モードＬＤ１（ＬＤ）の発振線幅の増大を防止することが可能となる。以上により、光集積素子１００は、狭発振線幅と高い光出力を両立することができる。
【００６３】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は、半導体レーザの発振線幅の増大を抑制することが可能な光集積素子として、利用することができる。
【符号の説明】
【００６５】
１  単一モードＬＤ、２  光増幅領域、３  ＭＺ変調器、５  ＳＯＡ、６  損失制御領域、７ａ，７ｂ  ＭＭＩ、８ａ，８ｂ  屈折率制御部、２１  反射部、１００  光集積素子。
【図１】
2013251424.tif 000003
【図２】
2013251424.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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