(57)【要約】  【課題】  絶縁層の械的な強度を高く確保しながら、絶縁層の比誘電率を低減することが可能な、セラミック配線基板およびその製造方法を提供すること。  【解決手段】  セラミック焼結体からなる絶縁層１と、絶縁層１の上面に設けられた配線導体２とを備えるセラミック配線基板３であって、絶縁層１は、セラミック粒子４と中空のセラミック粒子５とがガラス成分６を介して焼結してなるセラミック焼結体からなり、中空のセラミック粒子５は、絶縁層１の上部分において下部分よりも多く含まれているセラミック配線基板３である。中空のセラミック粒子５によって絶縁層１の比誘電率が低減される。また、セラミック粒子４を含み、かつセラミック粒子４間に空隙を設ける必要がないため、絶縁層１の機械的な強度が高く確保できる。【選択図】  図１
2013229379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック焼結体からなる絶縁層と、
該絶縁層の上面に設けられた配線導体とを備えるセラミック配線基板であって、
前記絶縁層は、セラミック粒子と中空のセラミック粒子とがガラス成分を介して焼結してなるセラミック焼結体からなり、
前記中空のセラミック粒子は、前記絶縁層の上部分において下部分よりも多く含まれていることを特徴とするセラミック配線基板。
【請求項２】
前記中空のセラミック粒子が、前記絶縁層の前記上面近くに偏在していることを特徴とする請求項１記載のセラミック配線基板。
【請求項３】
前記配線導体は、厚み方向の少なくとも一部が前記絶縁層に埋まっていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のセラミック配線基板。
【請求項４】
セラミック粉末、中空のセラミック粉末およびガラス粉末を有機溶剤および有機バインダとともに混練してスラリーを作製する工程と、
該スラリーをシート状に成形した後、前記セラミック粉末を前記中空のセラミック粉末よりも下側に沈降させながら前記有機溶剤を除去して、セラミックグリーンシートを作製する工程と、
該セラミックグリーンシートの上面に金属ペーストを印刷した後、前記セラミックグリーンシートおよび前記金属ペーストを同時焼成する工程を含むことを特徴とするセラミック配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層と、絶縁層の上面に設けられた配線導体とを含むセラミック配線基板、およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として、セラミック焼結体からなる絶縁層と、絶縁層の上面に設けられた配線導体とを備えるセラミック配線基板が多用されている。絶縁層を形成しているセラミック焼結体は、酸化アルミニウム等のセラミック粒子が、ガラス相を介して焼結して形成されている。
【０００３】
配線導体は、タングステン、モリブデンまたは銅等の金属材料が、メタライズ法によって絶縁層の上面に被着されて形成されている。通常、配線導体と絶縁層とは、同時焼成されている。
【０００４】
このようなセラミック配線基板は、次のようにして製作されている。
【０００５】
すなわち、まず、セラミック粉末を有機溶剤およびバインダ等とともにシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製する。また、タングステン等の金属材料の粉末を有機溶剤およびバインダ等とともに混練して金属ペーストを作製する。次に、セラミックグリーンシートの上面に金属ペーストを所定の配線導体のパターンで印刷する。その後、金属ペーストを印刷したセラミックグリーンシートを所定の温度で焼成することによって、セラミックグリーンシートと金属ペーストとを同時に焼成する。これにより、絶縁層の上面に配線導体が設けられたセラミック配線基板を製作することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平５−063371号公報
【特許文献２】特表平７−502245号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、配線導体を伝送される電気信号の高周波化が進んでいる。配線導体における電気信号の遅延を抑制するために、絶縁基板の比誘電率をより小さく抑えることが求められている。これに対しては、例えば絶縁層を形成しているセラミック焼結体において、セラミック粒子（結晶粒）間に空隙を生じさせることが考えられる。空隙内、つまり絶縁層内に、比誘電率がほぼ１と低い空気等の気体が存在していることによって、絶縁層の比誘電率が低減され得る。
【０００８】
しかしながら、この場合、セラミック粒子間に空隙が存在しているため、セラミック粒子同士の間で亀裂等が生じやすくなる可能性がある。そのため、絶縁層の機械的な強度が低くなる可能性がある。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するために完成されたものであり、その目的は、絶縁層の機械的な強度を高く確保しながら、絶縁層の比誘電率を低減することが可能な、セラミック配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一つの態様のセラミック配線基板は、セラミック焼結体からなる絶縁層と、該絶縁層の上面に設けられた配線導体とを備えるセラミック配線基板であって、前記絶縁層は、セラミック粒子と中空のセラミック粒子とがガラス成分を介して焼結してなるセラミック焼結体からなり、前記中空のセラミック粒子は、前記絶縁層の上部分において下部分よりも多く含まれていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の一つの態様のセラミック配線基板の製造方法は、セラミック粉末、中空のセラミック粉末およびガラス粉末を有機溶剤および有機バインダとともに混練してスラリーを作製する工程と、該スラリーをシート状に成形した後、前記セラミック粉末を前記中空のセラミック粉末よりも下側に沈降させながら前記有機溶剤を除去して、セラミックグリーンシートを作製する工程と、該セラミックグリーンシートの上面に金属ペーストを印刷した後、前記セラミックグリーンシートおよび前記金属ペーストを同時焼成する工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一つの態様のセラミック配線基板によれば、絶縁層が中空のセラミック粒子を含むことから、比誘電率が小さい空気等の気体が絶縁層内に存在する。また、この中空のセラミック粒子は、絶縁層のうち配線導体に近い上部分において、下部分よりも多く含まれている。そのため、絶縁層について、特に配線導体が設けられた上面に近い部分における比誘電率が小さく抑えられ得る。
【００１３】
また、絶縁層の比誘電率を低減する空気等の気体が中空のセラミック粒子内に存在しているため、中空のセラミック粒子間の亀裂の発生が抑制され得る。また、絶縁層を形成しているセラミック焼結体には、中空のセラミック粒子よりも機械的な強度が大きい（中空ではない）セラミック粒子が含まれている。そのため、絶縁層の機械的な強度が高い。
【００１４】
本発明の一つの態様のセラミック配線基板の製造方法によれば、上記各工程を有していることから、機械的な強度が高く、かつ比誘電率が小さい絶縁層を含む、セラミック配線基板を製作することができる。すなわち、中空のセラミック粒子よりも下側に沈降させたセラミック粒子によって絶縁層の機械的な強度を高く確保しながら、中空のセラミック粒子によって絶縁層の比誘電率を低く抑えることができる。
【００１５】
したがって、絶縁層の械的な強度を高く確保しながら、絶縁層の比誘電率を低減することが可能な、セラミック配線基板およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施形態のセラミック配線基板における要部を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に要部を示すセラミック配線基板の一例を示す斜視図である。
【図３】図１に示すセラミック配線基板の変形例を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態のセラミック配線基板を示す分解斜視図である。
【図５】図４に示すセラミック配線基板における要部を模式的に示す断面図である。
【図６】図４に示すセラミック配線基板の変形例における要部を模式的に示す断面図である。
【図７】図４に示すセラミック配線基板の他の変形例における要部を模式的に示す断面図である。
【図８】本発明のセラミック配線基板の製造方法を示す。
【図９】本発明の実施形態のセラミック配線基板の製造方法を工程順に模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の実施の形態におけるセラミック配線基板について、添付の図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は、本発明の第１の実施形態のセラミック配線基板における要部を示す断面図である。また、図２は、図１に要部を示すセラミック配線基板の一例を示す斜視図である。絶縁層１上に配線導体２が設けられて、セラミック配線基板３が基本的に形成されている。セラミック配線基板３は、例えば半導体集積回路素子等の半導体素子、および容量素子、圧電素子等の電子部品を搭載するための配線基板として用いられる。
【００１９】
絶縁層１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミック焼結体によって形成されている。配線導体２は、例えばタングステン、モリブデン、銅または銀等の金属材料によって形成されている。また、配線導体２は、これらの金属材料の二つ以上を含んでいてもよく、これらの金属材料の合金材料であってもよい。絶縁層１と配線導体２とは、同時焼成によって一体化されている。
【００２０】
絶縁層１は、例えば、半導体素子、センサ素子、容量素子、圧電振動素子等の電子部品（図示せず）を搭載するための基体として機能する。図１に示す例において、絶縁層１は、上面に、電子部品が搭載される搭載部１ａを有している。
【００２１】
絶縁層１に設けられた配線導体２は、例えば絶縁層１の搭載部１ａに搭載される電子部品と外部の電気回路とを電気的に接続するための導電路として機能する。外部の電気回路としては、例えば、携帯電話や無線ＬＡＮ（Local Area network）等の電子機器に使用されるマザーボード等の電気回路が挙げられる。
【００２２】
配線導体２は、例えばタングステン、モリブデン、銅または銀等の金属材料によって形成されている。また、配線導体２は、これらの金属材料の二つ以上を含んでいてもよく、これらの金属材料の合金材料であってもよい。
【００２３】
第１の実施形態のセラミック配線基板３においては、配線導体２は、電子部品または外部の電気回路と電気的に接続される部分を有している。配線導体２のうち電子部品または外部の電気回路と電気的に接続される部分は、例えば図１における円形状の端子部分（符号なし）である。この端子部分に、例えば電子部品の電極が、ボンディングワイヤ、はんだまたは導電性接着剤等の導電性接続材を介して電気的に接続される。
【００２４】
搭載部１ａに電子部品が搭載され、電子部品と配線導体２とが電気的に接続されて電子装置（図示せず）が形成される。電子装置は、配線導体２の一部が外部の電気回路と電気的に接続される。これにより、電子装置と外部の電気回路とが配線導体２を介して電気的に接続され、電子装置に搭載された電子部品と外部の電気回路との間で電気信号の送受が行なわれる。電気信号は、配線導体２によって伝送される。
【００２５】
配線導体２によって伝送される電気信号は、高周波信号領域では、絶縁層１の比誘電率の影響が大きくなる。すなわち、絶縁層１の比誘電率が大きいほど、伝送される信号の遅延が顕著になる。そのため、絶縁層１は比誘電率が小さいほど好ましい。
【００２６】
絶縁層１は、セラミック粒子４と中空のセラミック粒子５とがガラス成分６を介して焼結（液相焼結）してなるセラミック焼結体からなる。この中空のセラミック粒子５は、絶縁層１の上部分において下部分よりも多く含まれている。なお、絶縁層１の上部分とは、絶縁層１の厚み方向の中央部分よりも上側を意味し、下部分とは、絶縁層１の厚み方向の中央部分よりも下側を意味する。
【００２７】
絶縁層１の上部における中空のセラミック粒子５の含有量は、例えば絶縁層１の下部における中空のセラミック粒子５の含有量の約２倍以上であることが好ましい。図１に示す例では、絶縁層１の上部における中空のセラミック粒子５の含有量は、下部における含有量の約３〜４倍程度に設定されている。また、中空のセラミック粒子５が絶縁層１の下部に含まれていなくても構わない。
【００２８】
なお、中空のセラミック粒子５について、絶縁層１における含有の多少は、例えば、絶縁層１の断面において単位面積あたりに含まれる中空のセラミック粒子５の個数をカウントすることによって検知することができる。この場合の単位面積は、絶縁層１の断面の大きさに応じて適宜設定すればよい。例えば、絶縁層１の厚みが50〜250μｍ程度の場合で
あれば、単位面積は50〜900μｍ程度（１辺の長さが10〜30μｍ程度の正方形状のエリア
）に設定すればよい。
【００２９】
絶縁層１が中空のセラミック粒子５を含むことから、比誘電率が小さい空気等の気体が絶縁層１内に存在する。また、この中空のセラミック粒子５は、絶縁層１のうち配線導体２に近い上部分において、下部分よりも多く含まれている。そのため、絶縁層１について、特に配線導体２が設けられた上面に近い部分における比誘電率が小さく抑えられている。つまり、中空のセラミック粒子５の中空部分によって、絶縁層１の比誘電率を低く抑えるための部分が絶縁層１内に設けられている。
【００３０】
また、絶縁層１の比誘電率を低減する空気等の気体が中空のセラミック粒子５内に存在しているため、例えば従来技術における絶縁層（図示せず）のようにセラミック粒子（図示せず）間に空隙があるような場合に比べて、絶縁層１内（中空のセラミック粒子５間）に亀裂が生じる可能性が低減されている。
【００３１】
また、絶縁層１を形成しているセラミック焼結体には、中空のセラミック粒子５よりも機械的な強度が大きい（中空ではない）セラミック粒子４が含まれている。そのため、絶縁層１の機械的な強度が高い。
【００３２】
言い換えれば、絶縁層１は、主として絶縁層１の機械的な強度を確保する下部分と、上面に設けられた配線導体２を伝送される信号の遅延を抑制し得る上部分とを含んでいる。
【００３３】
中空のセラミック粒子５およびセラミック粒子４は、上記のように、例えば酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミック焼結体からなる。中空のセラミック粒子５は、これらの焼結体からなる殻部分（符号なし）と、この殻部分の内側の中空部分（符号なし）とからなる。中空の部分は、空気等の気体が存在している。中空の部分における気体の圧力は、外気の圧力（大気圧）より小さくてもよく、真空に近い圧力（ＪＩＳ規格における高真空程度）でもよい。
【００３４】
ガラス成分６は、例えば酸化ケイ素や酸化カルシウム、酸化マグネシウム等を含む。ガラス成分６は、セラミック粒子４および中空のセラミック粒子５と同時焼成されている。
【００３５】
セラミック粒子４は、例えば、破砕状，棒状，球状等の様々な形状である。セラミック粒子４は、例えば球状の場合であれば、その直径は、0.1〜10μｍ程度の大きさの粒子が
好ましい。
【００３６】
中空のセラミック粒子５は、例えば球状であり、直径が0.1〜1.0μｍ程度の大きさの粒子が好ましい。
【００３７】
この形状の中空のセラミック粒子５の内部が、例えば中空のセラミック粒子５の外形とほぼ同じ形状で寸法が小さい中空部分になっている。
【００３８】
ガラス成分６は、焼成前において、破砕状，棒状，球状の形状であり、直径が１〜20μｍ程度の大きさの粒子が好ましい。ガラス成分６は、焼成時には溶融するため、焼成後の絶縁層１においてマトリクス状に存在している。
【００３９】
ガラス成分６は、セラミック粒子４同士、中空のセラミック粒子５同士およびセラミック粒子４と中空のセラミック粒子とを互いに接合させる機能を有している。ガラス成分６を介して、セラミック粒子４および中空のセラミック粒子５が互いに接合されている。
【００４０】
絶縁層１において、セラミック粒子４、中空のセラミック粒子５およびガラス成分６それぞれの割合は、体積比で、セラミック粒子４／中空のセラミック粒子５／ガラス成分６が30／50／20〜50／10／40の範囲であることが好ましい。
【００４１】
セラミック粒子４の密度は、例えば酸化アルミニウム質焼結体の場合であれば、約3.9
ｇ／ｃｍ３である。中空のセラミック粒子５の密度は、例えば殻部分が酸化アルミニウ質焼結体からなる場合であれば、約0.8ｇ／ｃｍ３である。また、ガラス成分６の密度は、
例えば酸化ケイ素を主成分とする場合であれば、約2.6ｇ／ｃｍ３である。したがって、
この密度差により、セラミック粒子４と中空のセラミック粒子５とを分離させることができる。
【００４２】
中空のセラミック粒子５は、例えば図３に示すように、絶縁層１の上面近くに偏在していてもよい。この場合には、配線導体２に対する絶縁層１の比誘電率の影響をさらに小さくすることができるため、配線導体２を伝送される高周波信号の遅延を低減す得る上では、より有利である。
【００４３】
中空のセラミック粒子５が絶縁層１の上面近くに偏在しているという形態は、例えば、絶縁層１に含まれる中空のセラミック粒子５のうち90％以上が絶縁層１の上部分に含まれている形態である。なお、図３は、図１に示すセラミック配線基板３の変形例における要部を拡大して示す断面図である。図３において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００４４】
また、配線導体２は、例えば図１および図３に示すように、厚み方向の少なくとも一部が絶縁層１内に埋まっていてもよい。この場合、配線導体２の絶縁層１に対する接合面積がより大きくなり、配線導体２の絶縁層１に対する接合強度が高められる。
【００４５】
図４は、本発明の第２の実施形態のセラミック配線基板３ａを示す分解斜視図であり、図５は図４に示すセラミック配線基板における要部を示す断面図である。図４および図５において、図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。また、図５においては、わかりやすくするために、上下の絶縁層１を互いに離して示している。
【００４６】
セラミック配線基板３ａは、例えば図４および図５に示すように、複数の絶縁層１が積層されて形成されていてもよい。第２の実施形態のセラミック配線基板３ａは、複数の絶縁層１が積層されてなり、この点において上記第１の実施形態のセラミック配線基板と異なる。これ以外の点において、第２の実施形態のセラミック配線基板３ａは第１の実施形態のセラミック配線基板３と同様である。第１の実施形態のセラミック配線基板３と同様の点についての説明は省略する。
【００４７】
複数の絶縁層１が積層される場合、最上層の絶縁層１の上面に設けられた配線導体２の
上面および側面といった部分は、比誘電率がほぼ１と低い空気等の外気（気体）に接する。そのため、最上層の絶縁層１の上面に設けられた配線導体２においては、信号の遅延を抑制する効果がより高く得られる。
【００４８】
これに対して、配線導体２のうち上下の絶縁層１の層間に位置するものは、上面および側面に、比誘電率が比較的大きい、上側の絶縁層１の下部分が接する。この場合、上記のように、層間に位置する配線導体２の厚み方向の一部が、その配線導体２が設けられた絶縁層１の上面から絶縁層１の内側に入り込んでいれば（埋まっていれば）、配線導体２の側面に、比誘電率が比較的低い、絶縁層１の上部分が接する。したがって、複数の絶縁層１が積層されて、層間に配線導体２が位置するような場合でも、配線導体２における信号の遅延を抑制する効果をより高く得ることができる。
【００４９】
図６は、図４および図５に示すセラミック配線基板３ａの変形例における要部を示す断面図である。図６において図４および図５と同様の部位には同様の符号を付している。
【００５０】
図６に示す例においては、配線導体２の全体が絶縁層１内に入り込んでいる。つまり、配線導体２は、上面のみが層間に露出して、その全体が絶縁層１内に埋まっている。この場合には、配線導体２の側面の全体が、比誘電率が比較的低い、絶縁層１の上部分に接する。そのため、例えば上下の絶縁層１の層間に位置する配線導体２について、伝送される高周波の信号の遅延がより効果的に抑制される。
【００５１】
図７は、図４および図５に示すセラミック配線基板３ａの他の変形例における要部を示す断面図である。図７において図４および図５と同様の部位には同様の符号を付している。
【００５２】
図７に示す例においては、上下の絶縁層１の間に、配線導体２を設けられていない絶縁層１（11）が介在している。介在している絶縁層１（11）は、上下の絶縁層１に対して上下逆にされている。つまり、介在している絶縁層１（11）は、上部が下側に位置し、下部が上側に位置するように、ひっくり返されて積層されている。この場合には、下側の絶縁層１の上面に設けられた配線導体２の周囲が、比誘電率が低い、絶縁層１の上部分で囲まれる。そのため、複数の絶縁層１の層間に位置する配線導体２における信号の遅延を低減する上では、より適した形態のセラミック配線基板３ａとされている。
【００５３】
次に、本発明の実施形態のセラミック配線基板の製造方法を説明する。以下の説明において、前述した第１および第２のセラミック配線基板３、３ａについての説明と同様の事項については説明を省略する。
【００５４】
図８に、本発明のセラミック配線基板の製造方法を示している。また、図９（ａ）〜（ｃ）に、本発明の実施形態のセラミック配線基板の製造方法における要部を工程順に示している。図９において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００５５】
まず、図９（ａ）に示すように、セラミック粉末４ａ、中空のセラミック粉末４ｂおよびガラス粉末６ａを、有機溶剤および有機バインダとともに混練してスラリー（セラミックスラリー）を作製する。
【００５６】
セラミック粉末４ａは、例えば酸化アルミニウムを原料として、バイヤー法、アトマイズ法等の方法で、原料の酸化アルミニウムを破砕状，棒状，球状等の形状に成形することによって作製することができる。
【００５７】
中空のセラミック粉末５ａは、例えば、硝酸アルミニウム水溶液を超音波噴霧熱分解し
た後、焼成することより、直径が0.1〜10μｍ程度の粒子状に成形することによって得る
ことができる。超音波噴霧の際に、粒子が中空状になる。
【００５８】
ガラス粉末６ａは、例えば酸化ケイ素、酸化カルシウム等の原料のガラスを、粉砕または溶融噴霧等の方法で粉末状とすることによって作製することができる。
【００５９】
有機溶剤としては、例えば、トルエン，酢酸エチル，イソプロピルアルコール，エタノール等の有機溶剤を用いることができる。
【００６０】
有機バインダとしては、例えば、アクリル系バインダ，ブチラール系バインダ，ポリビニルアルコール系バインダ，ポリウレタン系バインダ，ポリエーテル系バインダ等を用いることができる。
【００６１】
セラミック粉末４ａ、中空のセラミック粉末５ａおよびガラス粉末６ａと、有機溶剤および有機バインダとの混練は、例えば、ボールミル，ジェットミル，ビーズミル等によって行なうことができる。
【００６２】
次に、図９（ｂ）に示すように、このスラリーをシート状に成形する。スラリーの成形は、例えばドクターブレード法によって行なう。ドクターブレードを介してシート状に成形したスラリーについて、送風および加熱等の手段で有機溶剤成分を除去（いわゆる乾燥）することによって、図９（ｃ）に示すようなセラミックグリーンシート21を作製する。
【００６３】
この乾燥は、セラミック粉末４ａを中空のセラミック粉末５ａよりも下側に沈降させながら行なう。前述したように、セラミック粉末４ａは、中空のセラミック粉末５ａに比べて密度が大きい。そのため、例えば、水酸基含有のアクリル系バインダ及び、ポリビニルアルコール系バインダを用い、スラリー粘度を0.5〜５ポイズ（0.05〜0.5Ｐａ・ｓ）に調整し、30℃〜40℃の低温で20〜40分間かけてゆっくり乾燥することによって、セラミック粉末４ａを中空のセラミック粉末５ａよりも下側に沈降させることができる。
【００６４】
例えば、スラリーの粘度が低いほど、より多くのセラミック粉末４ａを中空のセラミック粉末５ａよりも下側に沈降させることができる。なお、スラリーの粘度が低くなり過ぎると、シート状に成形することが難しくなる傾向がある。そのため、スラリーの粘度は、約0.5〜５ポイズ（0.05〜0.5Ｐａ・ｓ）が好ましい。
【００６５】
また、乾燥の速度が遅い（乾燥に要する時間が長い）ほど、より多くのセラミック粉末４ａを中空のセラミック粉末５ａよりも下側に沈降させることができる。
【００６６】
また、有機バインダとして、ガラス粉末６ａをより分散させる水酸基含有のアクリル系バインダ，ポリビニルアルコール系バインダ等の水酸基含有バインダを用いれば、より多くのセラミック粉末４ａを中空のセラミック粉末５ａよりも下側に沈降させることができる。
【００６７】
なお、セラミック粉末４ａは、その全部を中空のセラミック粉末５ａよりも下側に沈降させる必要はない。すなわち、作製したセラミックグリーンシート21の上部分１Ａにおける中空のセラミック粉末５ａの含有量が、下部分１Ｂにおける含有量よりも多くなっていればよい。
【００６８】
次に、セラミックグリーンシート21の上面に金属ペースト22を印刷した後、これらのセラミックグリーンシート21および金属ペースト22を同時焼成する。これにより、例えば図１に要部を示すようなセラミック配線基板３を製作することができる。
【００６９】
金属ペースト22は、焼成によって配線導体２となるものである。金属ペースト22は、例えば、前述した配線導体２を形成するタングステン、モリブデン、銅または銀等の金属材料を用いて作製する。このような金属材料の粉末を、有機溶剤およびバインダとともに混練することによって、金属ペースト22を作製することができる。
【００７０】
金属ペースト22のセラミックグリーンシート21上への印刷は、例えばスクリーン印刷法によって行なう。
【００７１】
これらのセラミックグリーンシート21および金属ペースト22の同時焼成により、セラミックグリーンシート21が絶縁層１になり、金属ペースト22が配線導体２になる。セラミックグリーンシート21中のセラミック粉末４ａ、中空のセラミック粉末５ａおよびガラス粉末６ａは、それぞれ、絶縁層１におけるセラミック粒子４、中空のセラミック粒子５およびガラス成分６になる。
【００７２】
なお、配線導体２となる金属ペースト22をセラミックグリーンシート21の上面に印刷した後、金属ペースト22およびセラミックグリーンシート21を上側から下方に加圧するようにしてもよい。この加圧により、金属ペースト22の厚み方向の少なくとも一部がセラミックグリーンシート21内に埋まる。この、加圧した金属ペースト22およびセラミックグリーンシート21を焼成すれば、配線導体２の厚み方向の少なくとも一部が絶縁層１内に埋まったセラミック配線基板を製作することができる。
【００７３】
上記セラミック配線基板３、３ａおよびその製造方法においては、電子部品搭載用に用いられる場合を例として説明したが、他の用途で用いられるセラミック配線基板（図示せず）およびその製造方法でも構わない。例えば、配線導体（図示せず）がフィルタ回路を構成するようなセラミック配線基板でもよい。また、配線導体と電気的に接続されたアンテナ等（図示せず）を有するセラミック配線基板（いわゆるＲＦ基板等）でもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１・・・・絶縁層
１ａ・・・搭載部
２・・・・配線導体
３・・・・セラミック配線基板（第１の実施形態）
３ａ・・・セラミック配線基板（第２の実施形態）
４・・・・セラミック粒子
４ａ・・・セラミック粉末
５・・・・中空のセラミック粒子
５ａ・・・中空のセラミック粉末
６・・・・ガラス成分
６ａ・・・ガラス粉末
11・・・・絶縁層
21・・・・セラミックグリーンシート
22・・・・金属ペースト
【図１】
2013229379.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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