(57)【要約】【課題】基材の一面上にアルミニウムよりなるバンプを形成してなるバンプ構造体の製造方法において、バンプ高さを確保しつつ、短時間で錐体形状をなすアルミニウムバンプを形成する。【解決手段】ワイヤ２００を用いたウェッジボンディング法によるワイヤボンディングを行うツールであって、さらにワイヤ押さえ面１０１に、空間形状がバンプ２０の外形に対応した錐体形状をなす凹部１０２を有するボンディングツール１００を用意し、基材１０の一面１１上にバンプ２０の素材となるワイヤ２００を接触させ、ツール１００のワイヤ押さえ面１０２にてワイヤ２００を基材１０の一面１１側に押し付けた状態で、ウェッジボンディングを行うことで、ワイヤ２００を凹部１０２に食い込ませて錐体形状に整形しつつ、基材１０の一面１１上に接合し、この整形されたワイヤ２００をバンプ２０とする。【選択図】図７
2013187383.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１１）を接合面とする基材（１０）と、
前記基材の一面上に設けられ当該一面側を底面（２１ａ）とする錐体形状をなすアルミニウムよりなるバンプ（２０）と、を備えるバンプ構造体の製造方法であって、
前記基材、および前記バンプの素材となるアルミニウムよりなるワイヤ（２００）を用意する部品用意工程と、
前記ワイヤを用いたウェッジボンディング法によるワイヤボンディングを行うツールであって、さらに前記ワイヤの押し付けを行うワイヤ押さえ面（１０１）に、空間形状が前記バンプの外形に対応した錐体形状をなす凹部（１０２）を有するボンディングツール（１００）を用意するツール用意工程と、
前記基材の一面上に前記ワイヤを接触させ、前記ボンディングツールのワイヤ押さえ面にて前記ワイヤを前記基材の一面側に押し付けた状態で、超音波振動および荷重を印加するウェッジボンディングを行って前記ワイヤを前記凹部に食い込ませることにより、前記ワイヤを前記凹部に対応した錐体形状に整形しつつ前記基材の一面上に接合し、この整形された前記ワイヤを前記バンプとするバンプ形成工程と、
前記バンプから前記ワイヤを切り離すカット工程と、
を備えることを特徴とするバンプ構造体の製造方法。
【請求項２】
前記部品用意工程では、前記基材として、前記基材の一面のうち前記バンプが設けられる部位に、アルミニウムを含みアルミニウムを最大成分とする材料よりなる電極（３０）が形成されたものを用意し、
前記バンプ形成工程では、前記電極上に前記ワイヤを押し付けて接合することにより前記バンプの形成を行うことを特徴とする請求項１に記載のバンプ構造体の製造方法。
【請求項３】
前記バンプ形成工程では、前記バンプは、前記基材の一面側を底面（２１ｂ）とする錐体部（２１）と、前記基材の一面側にて前記錐体部の底面の外側に張り出した張り出し部（２２）と、よりなるものとして形成されることを特徴とする請求項１または２に記載のバンプ構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の一面上にアルミニウムよりなる錐体形状のバンプを形成してなるバンプ構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、この種のバンプ構造体は、一面を接合面とする基材と、この基材の一面上に設けられ当該一面側を底面とする錐体形状をなすアルミニウムよりなるバンプと、を備える。ここで、基材としては、たとえば半導体チップや基板等が挙げられる。
【０００３】
ここで、バンプは、接続されるべき相手側部材に対して押し付けられることで、当該バンプの先端側が潰れた状態で相手側部材に接続されるものである。そのため、バンプの先端側には潰し代が必要であるが、バンプを円錐または角錐等の錐体形状とすることで、バンプ高さを確保するようにしている。
【０００４】
ところで、このような錐体形状のバンプをアルミニウムではなく金で形成する場合、従来では、ボールボンディング用のボンディングツールを用いて、放電により形成されたボールを基材の一面に押し付けて錐体形状に整形する方法が一般に挙げられる。
【０００５】
しかしながら、このボールボンディング法によるバンプ形成方法を、アルミニウムに適用してバンプを形成するようにした場合、放電によってボール形状とするときに、当該ボール表面に酸化膜が形成されることで歪んだボール形状となってしまい、狙いの錐体形状を形成することが困難である。つまり、従来では、ボールボンディング法によるバンプ形成方法をアルミニウムに適用することはできなかった。
【０００６】
一方、錐体形状をなすアルミニウムバンプを形成する方法として、従来では、基材の一面上にアルミニウムの堆積膜を形成し、これをエッチングして錐体形状のバンプを形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−５１４２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１の方法の場合、バンプ高さの確保のために上記堆積膜を厚く形成する必要があり、この堆積膜の製造やこれのエッチングのための製造等に時間がかかってしまう。
【０００９】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、基材の一面上にアルミニウムよりなるバンプを形成してなるバンプ構造体の製造方法において、バンプ高さを確保しつつ、短時間で錐体形状をなすアルミニウムバンプを形成することのできる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明者は、ワイヤの放電を行うことなく、超音波振動および荷重を印加することによって短時間で複数個のワイヤボンディングが可能なウェッジボンディングによって、アルミニウムバンプを形成することについて、鋭意検討を行った、本発明は、この検討に基づいて創出されたものである。
【００１１】
すなわち、請求項１に記載の発明では、一面（１１）を接合面とする基材（１０）と、基材の一面上に設けられ当該一面側を底面（２１ａ）とする錐体形状をなすアルミニウムよりなるバンプ（２０）と、を備えるバンプ構造体の製造方法であって、
基材、およびバンプの素材となるアルミニウムよりなるワイヤ（２００）を用意する部品用意工程と、ワイヤを用いたウェッジボンディング法によるワイヤボンディングを行うツールであって、さらにワイヤの押し付けを行うワイヤ押さえ面（１０１）に、空間形状がバンプの外形に対応した錐体形状をなす凹部（１０２）を有するボンディングツール（１００）を用意するツール用意工程と、基材の一面上にワイヤを接触させ、ボンディングツールのワイヤ押さえ面にてワイヤを基材の一面側に押し付けた状態で、超音波振動および荷重を印加するウェッジボンディングを行ってワイヤを凹部に食い込ませることにより、ワイヤを凹部に対応した錐体形状に整形しつつ基材の一面上に接合し、この整形されたワイヤをバンプとするバンプ形成工程と、バンプから前記ワイヤを切り離すカット工程と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
この製造方法によれば、超音波振動させながら荷重印加することによって短時間で複数個のワイヤの接合動作が可能なウェッジボンディング用のボンディングツールを用い、さらにこのボンディングツールに錐体形状の凹部を設けることで、当該ワイヤを錐体形状に整形しつつ、基材に接合できるから、錐体形状のアルミニウムバンプを迅速に形成することができる。
【００１３】
よって、本発明によれば、基材の一面上にアルミニウムよりなるバンプを形成してなるバンプ構造体の製造方法において、バンプ高さを確保しつつ、短時間で錐体形状をなすアルミニウムバンプを形成できる製造方法を提供することができる。
【００１４】
さらに、請求項２に記載の発明のように、部品用意工程では、基材として、基材の一面のうちバンプが設けられる部位に、アルミニウムを含みアルミニウムを最大成分とする材料よりなる電極（３０）が形成されたものを用意し、バンプ形成工程では、電極上にワイヤを押し付けて接合することによりバンプの形成を行うことが好ましい。
【００１５】
それによれば、アルミニウムよりなるバンプが、アルミニウムを主成分とする電極を介して、基材に接合されることによって、主としてアルミニウム同士の接合が実現されるから、バンプと基材との接合強度を強固なものにできる。
【００１６】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるバンプ構造体を示す概略断面図である。
【図２】図１に示されるバンプ構造体を相手側部材に接合してなる半導体装置を示す概略断面図である。
【図３】図１中のバンプの詳細構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略断面図、（ｃ）は（ａ）中の一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った概略断面図である。
【図４】上記第１実施形態にかかるバンプ構造体の製造方法のバンプ形成工程におけるワークを示す概略断面図である。
【図５】図４中のボンディングツールの詳細構成を示す図であり、（ａ）は図４中の矢印Ｃ方向から視たボンディングツールの先端面側の概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のボンディングツールを矢印Ｄ方向から視た概略側面図である。
【図６】図４中の一点鎖線Ｅ−Ｅに沿った断面にて上記バンプ形成工程における初期状態を示す概略断面図である。
【図７】上記バンプ形成工程において図６に続く、ボンディングツールによるワイヤの押し付け状態を示す概略断面図である。
【図８】図７に続く工程であって上記バンプ形成工程後のワイヤのカット工程を示す概略断面図である。
【図９】上記図１に示されるバンプ構造体を相手側部材に接合する工程を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態にかかるバンプ構造体を相手側部材に接合する工程を示す概略断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態にかかるバンプの種々の形状を示す概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１９】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかるバンプ構造体１について、図１、図２を参照して述べる。このバンプ構造体１は、大きくは、基材１０の一面１１上にアルミニウムよりなるバンプ２０を形成してなる。
【００２０】
そして、このバンプ構造体１は、図２に示されるように、バンプ２０を介して相手側部材２に接合されることで、半導体装置を構成する。この半導体装置は、バンプ構造体１とこれに対向して設けられた相手側部材２と、これら両部材１、２の間に介在しこれら両部材１、２を接合するバンプ２０とを備えた構成とされている。そして、このような半導体装置は、たとえば自動車に搭載されるＥＣＵ（電子制御ユニット）等の電子装置として適用される。
【００２１】
基材１０は、一面１１を接合面とするものである。具体的には、基材１０は、この一面１１を接合面として、相手側部材との接合において相手側部材に対向させるものである。このような基材１０としては、たとえば半導体チップ、銅等よりなるリードフレーム、プリント基板、セラミック基板等が挙げられる。
【００２２】
バンプ２０は、基材１０の一面１１上に設けられており、当該一面１１側を底面側とし当該一面１１から離れる方向つまり先端側に向かって窄まる錐体形状をなす。このバンプ２０はアルミニウムよりなるものであり、具体的には、アルミニウム、または、ＡｌＳｉ等のアルミワイヤボンディングに用いられるワイヤと同様の材質よりなる。
【００２３】
ここで、このバンプ２０の錐体形状とは、円錐や角錐でもよい。さらには、バンプ２０としては、先端側が尖った典型的な錐体であってもよいし、先端側の一部を錐体の軸直交方向に切断することによって先端面２１ａが底面２１ｂよりも狭い平坦面とされた形状（図３参照）も含むものである。
【００２４】
ここで、基材１０の種類によっては、基材１０の一面１１に直接バンプ２０が形成されていてもよいが、ここでは、基板１０の一面１１のうちバンプ２０が設けられる部位に電極３０が設けられ、この電極３０に対して固相接合により、バンプ２０が直接接合されている。つまり、ここでは、バンプ２０は、電極３０を介して基材１０の一面１１上に形成されている。
【００２５】
この電極３０は、特に限定するものではないが、アルミニウムを含みアルミニウムを最大成分とする材料よりなることが望ましい。この場合、電極３０は純アルミニウムよりなるものでもよいし、アルミニウムを最大重量成分とするＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ等のアルミニウムの混合物、あるいは、アルミニウム合金等でもよい。このような電極３０は、蒸着やスパッタリング等の成膜法により形成される。
【００２６】
なお、基材１０がたとえばプリント基板の場合は、当該プリント基板１０の一面１１上には銅などの金属により導体パターンが設けられるが、この導体パターン上に、蒸着やスパッタリング等の成膜法によって上記電極３０を形成すればよい。
【００２７】
また、基材１０がたとえばセラミック基板の場合は、当該セラミック基板１０の一面１１上には、タングステンやモリブデンなどの金属導体ペーストを用いて導体パターンが形成されるが、この導体パターン上に、蒸着やスパッタリング等の成膜法により上記電極３０を形成すればよい。
【００２８】
ここで、バンプ２０の形状について、図３を参照して、より具体的に述べる。図３に示されるように、本実施形態のバンプ２０は、先端面２１ａが底面２１ｂよりも狭い平坦面として構成された円錐体としての錐体部２１と、基材１０の一面１１側にて錐体部２１の底面２１ｂの外側に張り出した張り出し部２２と、よりなる。
【００２９】
後述するが、この錐体部２１は、バンプ２０形成時にワイヤ２００がボンディングツール１００の凹部１０２内に食い込むことで整形された部位であり、張り出し部２２は、ボンディングツール１００のワイヤ押さえ面１０１における凹部１０２の開口縁部で押し付けられて整形された部位である（図４、図７等参照）。
【００３０】
さらに言えば、本実施形態の錐体部２１は、典型的なプリンカップ状をなし、底面２１ｂは円形面、先端面２１ａは底面２１よりも小さい円形面として構成されている。一方、張り出し部２２は、この錐体部２１の底面２１ｂの外郭の外側に向かって当該底面２１ｂと同一平面方向に張り出す鍔（つば）形状をなしている。そして、錐体部２１と張り出し部２２とは一体に成形されている。
【００３１】
そして、上記図２に示される半導体装置においては、このバンプ構造体１のバンプ２０における錐体部２１の先端面２１ａが、相手側部材２の電極５０に押し付けられることで、バンプ２０は先端側が潰れた状態で相手側部材２の電極５０に接合されている。
【００３２】
なお、相手側部材２は、特に限定するものではないが、ここでは、基材４０の一面４１上に電極５０を有するものである。この相手側部材２の基材４０としては、たとえば半導体チップ、銅等よりなるリードフレーム、プリント基板、セラミック基板等が挙げられる。また、相手側部材２の電極５０としては、たとえば蒸着やスパッタリング等の成膜法により形成されたアルミニウム膜等が挙げられる。
【００３３】
次に、本実施形態のバンプ構造体１の製造方法について、図４〜図８を参照して述べる。ここで、図４はバンプ形成工程におけるワイヤ２００の整形直後の状態を示しており、ワイヤ２００は、長手方向が紙面垂直方向に沿って位置している。また、図６は、図４中のＥ−Ｅ断面にて、図６と同じくバンプ形成工程におけるワイヤ２００の整形直後の状態を示している。
【００３４】
まず、本製造方法では、部品用意工程を行う。この工程では、一面１１に電極３０を有する基材１０、および、バンプ２０の素材となるアルミニウムよりなるワイヤ２００を用意する。ここでは、電極３０は、上記したようにアルミニウムを含みアルミニウムを最大成分とする材料よりなるものとし、蒸着やスパッタ等により形成する。また、ワイヤ２００としては、典型的なウェッジボンディング用のアルミワイヤを用いる。
【００３５】
一方で、ツール用意工程にて、ワイヤを用いたウェッジボンディング法によるワイヤボンディングを行うボンディングツール１００を用意する。このボンディングツール１００は、典型的なウェッジボンディング装置のものと同様の動作機構を有するものであり、ワイヤ２００に対して超音波振動の印加および荷重の印加を行うことで、ワイヤ２００を被接合部材に接合するものである。
【００３６】
具体的には、ボンディングツール１００は、図５に示されるように、ワイヤ２００の押し付けを行うワイヤ押さえ面１０１を有する。なお、図５には、参考のためにワイヤ２００を破線にて示してある。このワイヤ押さえ面１０１は、ワイヤ２００に接触して、ワイヤ２００を被接合部材へ押し付ける面であり、ここでは、ボンディングツール１００の先端側に位置している。
【００３７】
さらに、本実施形態のボンディングツール１００は、図５に示されるように、さらにワイヤ押さえ面１０１に、凹部１０２を有するものとする。この凹部１０２は、空間形状がバンプ２０の外形に対応した錐体形状をなす。
【００３８】
ここでは、凹部１０２は、バンプ２０の錐体部２１に対応した円錐形の空間形状を有する。具体的には、凹部１０２は、底面が錐体部２１の先端面２１ａに対応し、開口部側に向かって拡がる空間形状とされている。
【００３９】
このようなボンディングツール１００は、セラミックや金属等よりなり、型加工や切削等により形成される。また、このボンディングツール１００には、ワイヤ２００を送るための図示しないワイヤ送り機構や、ワイヤ２００をカットするための図示しないカッター等が備えられている。
【００４０】
こうして、部品用意工程およびツール用意工程を行った後、図４、図６、図７に示されるように、バンプ形成工程を行う。この工程では、まず、図６に示されるように、基材１０の一面１１上、ここでは電極３０上にワイヤ２００を接触させ、ボンディングツール１００のワイヤ押さえ面１０１にてワイヤ２００を基材１０の一面１１側、ここでは電極３０に押し付けるようにする。
【００４１】
この図６に示されるバンプ形成工程の初期状態では、ワイヤ２００は、ワイヤ押さえ面１０１に接しているが、凹部１０２には食い込んでいない。続いて、この状態から、ボンディングツール１００を介して超音波振動および荷重を印加するウェッジボンディングを行って、ワイヤ２００を凹部に食い込ませる。
【００４２】
これにより、図４および図７に示されるように、ワイヤ２００は塑性変形し、凹部１０２に対応した錐体形状に整形されつつ、基材１０の一面１１、ここでは電極３０上に接合される。そして、この整形されたワイヤ２００がバンプ２０とされるのである。
【００４３】
このとき、ワイヤ２００のうち凹部１０２内部に入り込んだ部分が錐体部２１となり、凹部１０２よりはみ出す部分は、ワイヤ押さえ面１０１に押しつぶされて上記張り出し部２２となる。ここまでが、バンプ形成工程である。
【００４４】
このバンプ形成工程の後、図８に示されるように、バンプ２０からワイヤ２００を切り離すカット工程を行う。この工程では、ボンディングツール１００でバンプ２０を押さえつつ、上記図示しないカッターによりワイヤ２００を切断する。こうして、本実施形態のバンプ構造体１ができあがる。なお、バンプ２０が複数個ある場合は、上記バンプ形成工程、カット工程を順に繰り返せばよい。以上が、本実施形態のバンプ構造体１の製造方法である。
【００４５】
さらに、本実施形態において、図２に示される上記半導体装置を形成するためには、図９に示されるように、このバンプ構造体１を、バンプ２０を介して相手側部材２に接合する。
【００４６】
この場合、バンプ構造体１における基材１０の一面１１と相手側部材２における基材４０の一面４１とを対向させ、バンプ２０の先端面２１ａを相手側部材２の電極５０に接触させた状態で、当該両部材１、２に超音波振動および荷重を印加してバンプ２０の先端側を押し潰す。これにより、バンプ２０を介して当該両部材１、２が接合され、上記半導体装置ができあがる。
【００４７】
ところで、上記バンプ構造体１の製造方法では、ウェッジボンディング用のボンディングツール１００を用い、さらにこのボンディングツール１００に錐体形状の凹部１０２を設けたうえで、超音波振動させながら荷重印加することで短時間にて複数個のワイヤ２００の接合動作が可能なウェッジボンディング法を行うようにしている。それによって、ワイヤ２００を錐体形状に整形しつつ、基材１０に接合できるから、錐体形状のアルミニウムバンプ２０を迅速に形成することができる。
【００４８】
よって、本実施形態によれば、基材１０の一面１１上にアルミニウムよりなるバンプ２０を形成してなるバンプ構造体１の製造方法において、バンプ２０高さを確保しつつ、短時間で錐体形状をなすアルミニウムバンプ２０を形成できる製造方法を提供することができる。
【００４９】
また、上記バンプ構造体１の製造方法では、基材１０として、基材１０の一面１１のうちバンプ２０が設けられる部位に、アルミニウムを最大成分として含む材料よりなる電極３０が形成されたものを用意し、バンプ形成工程では、この電極３０上にワイヤ２００を押し付けてウェッジボンディングで接合することによりバンプ２０の形成を行うようにしている。
【００５０】
それによれば、アルミニウムよりなるバンプ２０が、アルミニウムを主成分とする電極３０に接合されることによって、主としてアルミニウム同士によるウェッジボンディングの接合が実現されることになるため、バンプ２０と基材１０との接合強度が強固なものとなりやすい。
【００５１】
また、本実施形態によれば、バンプ形成工程において、ワイヤ２００のうちボンディングツール１００の凹部１０２内に食い込んだ部位が錐体部２１、ボンディングツール１００のワイヤ押さえ面１０１における凹部１０２の開口縁部によって基材１０の一面１１側に押し付けられた部位が張り出し部２２とされることで、上記した錐体部２１と張り出し部２２とを兼ね備えた特徴的なバンプ２０形状が実現される。
【００５２】
また、本実施形態では、バンプ２０は、先端側の一部を錐体の軸直交方向に切断することによって先端面２１ａが底面よりも狭い平坦面とされた形状であるから、相手側部材２との接合において、相手側部材２との接触面積を確保しやすいという利点がある。
【００５３】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる半導体装置について、図１０を参照して述べる。ここでは、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００５４】
本実施形態では、上記第１実施形態の半導体装置において、さらに、相手側部材２にもバンプ２０を形成し、バンプ構造体１のバンプ２０と相手側部材２のバンプ２０とを接合するようにしたものである。
【００５５】
この半導体装置を製造する場合、相手側部材２に対しても、バンプ構造体１と同様に、上記バンプ形成工程を行う。すなわち、相手側部材２の基材４０の一面４１上、ここでは相手部材２の電極５０上にワイヤ２００を接触させ、ボンディングツール１００のワイヤ押さえ面１０１にてワイヤ２００を電極３０に押し付けた状態で、ウェッジボンディングを行う。
【００５６】
これにより、相手側部材２においても、ワイヤ２００が凹部１０２に対応した錐体形状に整形されつつ電極５０に接合され、この整形されたワイヤ２００がバンプ２０となる。その後は、上記同様カット工程を行う。これによりバンプ２０を有する相手側部材２、つまり、バンプ構造体としての相手側部材２ができあがる。
【００５７】
その後は、図１０に示されるように、バンプ構造体１のバンプ２０の先端面２１ａと相手側部材２のバンプ２０の先端面２１ａとを接触させた状態で、超音波振動および荷重の印加を行い、これらバンプ構造体１のバンプ２０の先端側および相手側部材２のバンプ２０の先端側を押し潰すようにすることで、当該両バンプ２０、２０同士を接合する。これにより、本実施形態の半導体装置ができあがる。
【００５８】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態は、バンプ２０の形状のバリエーションを示すものである。上記第１実施形態では、先端面２１ａが平坦面とされた円錐状のバンプ２０であったが、上記第１実施形態および第２実施形態における各バンプ２０としては、これに限定されるものではなく、錐体形状であればよい。
【００５９】
具体的には、図１１（ａ）に示されるように、先端が尖った円錐形状のバンプ２０でもよいし、図１１（ｂ）に示されるように、先端がとがった三角錐形状のバンプ２０でもよいし、図１１（ｃ）に示されるように、先端面２１ａが平坦面である四角錐形状のバンプ２０でもよいし、図１１（ｄ）に示されるように、先端が尖った四角錐形状のバンプ２０でもよい。
【００６０】
また、この図１１に示される例以外にも、種々の錐体形状が可能である。ここで、先端は尖った形状でも平坦面でもよいが、上述のように、平坦な先端面である場合は、相手側部材２との接触面積を確保するという点で有効である。一方、尖った形状の場合は、バンプ２０の先端を相手側部材２に位置合わせしやすいという点で有効である。これら種々のバンプ２０は、ボンディングツール１００の凹部１０２の空間形状を種々変更することで形成される。
【００６１】
（他の実施形態）
なお、バンプ構造体１において基材１０の一面１１上に複数個のバンプ２０を設ける場合には、すべてのバンプ２０形状を同一の錐体形状とすることが、共通のボンディングツール１００によって全てのバンプ２０を形成できるという点で好ましいが、用途等に応じて各バンプ２０が異なる錐体形状でもよい。この場合、たとえば、凹部１０２の空間形状を異ならせたボンディングツール１００を用いればよい。
【００６２】
また、基材１０として、一面１１のうちバンプ２０が設けられる部位に電極３０が設けられたものを用いる場合、この電極３０としては、アルミニウムを含みアルミニウムを最大成分とする材料よりなるもの以外にも、ウェッジボンディングによるバンプ２０と接合性が確保されるものならばよい。もちろん、当該接合性が確保されるならば、上述のように、基材１０の一面１１に直接、バンプ２０を接合するものであってもよく、その場合も、基材１０の一面１１の材質は適宜選択すればよい。
【００６３】
また、上記各実施形態では、バンプ２０は、基材１０の一面１１側を底面２１ｂとする錐体部２１と、当該底面２１ａの外側に張り出した張り出し部２２とよりなるものとして形成されたが、バンプ２０は、錐体形状であればよく、たとえば張り出し部２２は無いものであってもよい。
【００６４】
ただし、張り出し部２２を備えることにより、その分、錐体部２１の底面２１ｂだけの場合に比べて、基材１０の一面１１との接合面積が大きくなるから、バンプ２０の接合性の向上が期待できる。
【００６５】
また、上記図３では、張り出し部２２の張り出し幅については、ワイヤ２００の長手方向の幅の方が、当該長手方向と直交する方向の幅よりも大きいが、この幅の関係については特に限定されるものではない。張り出し部２２の形状は、ボンディングツール１００のワイヤ押さえ面１０１の形状によって適宜制御できるものであり、当該ワイヤ押さえ面１０１の形状変更等により、張り出し部２２の形状、さらには張り出し部２２の有無は、制御される。
【００６６】
また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１０    基材
１１    基材の一面
２０    バンプ
２１ａ  バンプの底面
１００  ボンディングツール
１０１  ワイヤ押さえ面
１０２  凹部
２００  ワイヤ
【図１】
2013187383.tif 000003
【図２】
2013187383.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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