(57)【要約】【課題】簡易な装置で、多数の基板を均一に加熱することができるインライン型プラズマＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】インライン型プラズマＣＶＤ装置の成膜チャンバ３内に、グラファイトカーボン製のプレート１１上に載置された複数個のＳｉ基板１２が装入され、プレート１１の下方に配置されたヒータ３１により、プレート１１を介して基板１２が加熱される。ヒータ３１は、上板３１０と下板３１０との間に平面内で蛇行するように抵抗発熱線３１１が配置されており、抵抗発熱線３１１の相互間には、絶縁性のスペーサ３１２が配置されている。抵抗発熱線３１１は、プレートの中央部に対応する第１部分３１ｂが疎に、プレートの両側部に対応する第２部分３１ａ及び第３部分３１ｃが密になるように配置されている。【選択図】図４
2013187315.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部の大気開放及び真空吸引が可能なロードチャンバ及びアンロードチャンバと、内部の装入物を真空状態で加熱する予備加熱チャンバと、内部の装入物に対し真空状態でプラズマＣＶＤにより成膜する成膜チャンバと、を有し、
複数個の基板を載置したプレートが、前記ロードチャンバで真空雰囲気にされた後、この真空状態を保持したまま、前記予備加熱チャンバに装入されて前記プレート上の基板が加熱され、次いで、真空状態を保持したまま、前記成膜チャンバに装入されて前記プレート上の基板にプラズマＣＶＤにより成膜され、前記アンロードチャンバで真空状態から大気に開放されて、前記プレート上の成膜後の基板が取り出されるインライン型プラズマＣＶＤ装置において、
前記成膜チャンバ内に、前記プレート上の前記基板を前記プレートの下方から加熱するヒータが設けられており、
前記ヒータは、上板と、下板と、前記上板及び下板の間に平面内で蛇行するように配置された抵抗発熱線と、この抵抗発熱線の相互間に配置された絶縁性のスペーサと、
を有し、前記抵抗発熱線は、前記プレートの中央部に対応する第１部分が疎に、前記プレートの両側部に対応する第２部分及び第３部分が密になるように配置されていることを特徴とするインライン型プラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記第１部分と前記第２部分及び前記第３部分とは異なる電源回路に接続されており、前記第１部分と、前記第２部分及び前記第３部分とは、夫々独立して電流制御されることを特徴とする請求項１に記載のインライン型プラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記抵抗発熱線は、シーズヒータであることを特徴とする請求項１又は２に記載のインライン型プラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記ヒータは、前記第１部分、第２部分及び第３部分が配列された方向に垂直の方向に、３基設置されており、３基の各ヒータは夫々別個の電源回路に接続されていて、計６個の電源回路により、個別に電流制御されることを特徴とする請求項２に記載のインライン型プラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記ヒータは、上下動可能に前記成膜チャンバに設置されており、ヒータの上昇により、前記プレートの下面に接触し、更にヒータが上昇して前記プレートを所定の位置まで持上げ、このプレートと前記プレートの上方に配置された放電電極との間に放電を生起させて、前記基板上にプラズマＣＶＤ膜を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインライン型プラズマＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プレート上の多数の基板をプレートと共にロードチャンバに装入し、真空引きした後、予備加熱チャンバ、成膜チャンバ及びアンロードチャンバに順次移動させ、アンロードチャンバで大気雰囲気にした後、成膜後の基板を回収するインライン型プラズマＣＶＤ装置に関し、特に、成膜チャンバにおける成膜時の加熱の均一性を高めたインライン型プラズマＣＶＤ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマＣＶＤ（化学気相成長）装置は、Ｓｉ基板上にシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）を形成して太陽電池用セルを製造する際、及びＳｉ基板上に種々の半導体層を形成して半導体装置を製造する際等において、多用されている。このプラズマＣＶＤ装置は、真空中において、基板を例えば５００℃に加熱した状態で、基板雰囲気に原料ガスを供給すると共に、電極と基板を載置したプレートとの間にプラズマ放電を生起して、前記原料ガスを電離した後、所定の成分を基板上に堆積させることにより、所望の膜を成膜する。このプラズマＣＶＤ装置として、基板を大気中から、ロードチャンバ内に装入し、このロードチャンバ内を真空吸引することにより、基板を真空雰囲気下にし、その後、真空を破ることなく、基板を、予備加熱チャンバから成膜チャンバに移動させ、成膜後の基板をアンロードチャンバに移してこのアンロードチャンバ内を大気下にすることにより、成膜後の基板を取り出すインライン型のプラズマＣＶＤ装置が提案されている（特許文献１）。このように、真空を破ることなく、基板の加熱と成膜とを一連の工程で実施できるので、インライン型のプラズマＣＶＤ装置は、スループットが高いという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１５９４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に開示されたインライン型プラズマＣＶＤ装置は、以下に示す問題点がある。プラズマＣＶＤ膜の成膜品質は、成膜時の基板温度の均一性に強く依存する。例えば、太陽電池のセルを製造する際には、プレート上に多数のＳｉ基板（以下、基板という）を載置し、このプレートを予備加熱チャンバに装入して、基板を加熱する際に、プレート上の全ての基板の温度が一定になり、しかも各基板においても温度が均一になるように加熱することが必要である。そこで、上記特許文献１においては、成膜チャンバ内の基板の下方に平板状のヒータを上下動可能に配置し、効率よく基板を加熱するために、基板トレー（プレート）の裏面面積と略同一の面積を有する抵抗加熱式の平板状ヒータを使用し、この抵抗加熱式の平板状ヒータを上昇させて基板の裏面に接触させた状態で基板を加熱するようになっている。
【０００５】
特許文献１のような平板状ヒータは、一般的に、プレートへの接触面内における発熱密度が均一である。しかし、加熱されるプレートの大きさが、例えば１５００ｍｍ×１１００ｍｍ程度と広く、１５６ｍｍ×１５６ｍｍの基板を例えば５４枚程度まで多数載置できる場合においては、平板状ヒータの発熱密度を均一にしても、実際には、基板への伝熱量が、プレートに載置される場所により、大きく異なり、製造される例えば太陽電池用セルの品質にばらつきが生じるという問題点がある。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、簡易な装置で、多数の基板を均一に加熱することができるインライン型プラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るインライン型プラズマＣＶＤ装置は、内部の大気開放及び真空吸引が可能なロードチャンバ及びアンロードチャンバと、内部の装入物を真空状態で加熱する予備加熱チャンバと、内部の装入物に対し真空状態でプラズマＣＶＤにより成膜する成膜チャンバと、を有し、
複数個の基板を載置したプレートが、前記ロードチャンバで真空雰囲気にされた後、この真空状態を保持したまま、前記予備加熱チャンバに装入されて前記プレート上の基板が加熱され、次いで、真空状態を保持したまま、前記成膜チャンバに装入されて前記プレート上の基板にプラズマＣＶＤにより成膜され、前記アンロードチャンバで真空状態から大気に開放されて、前記プレート上の成膜後の基板が取り出されるインライン型プラズマＣＶＤ装置において、
前記成膜チャンバ内に、前記プレート上の前記基板を前記プレートの下方から加熱するヒータが設けられており、
前記ヒータは、上板と、下板と、前記上板及び下板の間に平面内で蛇行するように配置された抵抗発熱線と、この抵抗発熱線の相互間に配置された絶縁性のスペーサと、
を有し、前記抵抗発熱線は、前記プレートの中央部に対応する第１部分が疎に、前記プレートの両側部に対応する第２部分及び第３部分が密になるように配置されていることを特徴とする。
【０００８】
上記インライン型プラズマＣＶＤ装置において、前記第１部分と前記第２部分及び前記第３部分とは異なる電源回路に接続されており、前記第１部分と、前記第２部分及び前記第３部分とは、夫々独立して電流制御されることが好ましい。
【０００９】
本発明において、例えば前記抵抗発熱線は、シーズヒータである。
【００１０】
また、前記ヒータは、前記第１部分、第２部分及び第３部分が配列された方向に垂直の方向に、３基設置されており、３基の各ヒータは夫々別個の電源回路に接続されていて、計６個の電源回路により、個別に電流制御されることが好ましい。
【００１１】
例えば、前記ヒータは、上下動可能に前記成膜チャンバに設置されており、ヒータの上昇により、前記プレートの下面に接触し、更にヒータが上昇して前記プレートを所定の位置まで持上げ、このプレートと前記プレートの上方に配置された放電電極との間に放電を生起させて、前記基板上にプラズマＣＶＤ膜を形成するように構成することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、成膜チャンバ内に、プレート上の基板をプレートの下方から加熱するヒータが設けられており、各ヒータは、上板、下板、上板と下板との間に蛇行するように配置された抵抗発熱線、並びにスペーサにより構成されており、抵抗発熱線は、プレートの中央部に対応する第１部分が疎に、プレートの両側部に対応する第２部分及び第３部分が密になるように配置されている。このように、ヒータに、プレートの両側部に対応する部分とプレートの中央部に対応する部分とが設けられていることにより、プレートを、３分割し、基板を、載置されるプレートの部位により個別に加熱できるため、成膜時の基板の加熱を均一に行うことができる。即ち、抵抗発熱線は、第１部分が疎に、第２部分及び第３部分が密になるように配置されているため、電熱線の単位長さあたりの発熱量を第１部分と第２部分及び第３部分とで同等にした場合には、放熱が大きく、基板への伝熱量が小さくなりやすいプレートの両側部を加熱する熱量を大きくできる。
【００１３】
よって、本発明によれば、製造される太陽電池セル等の品質にばらつきが生じることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態のインライン型プラズマＣＶＤ装置を示すブロック図である。
【図２】成膜チャンバの内部構成を示す図である。
【図３】ヒータに給電するリード及び昇降装置を示す図である。
【図４】（ａ），（ｃ）は、ヒータを示す平面図、（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図５】予備加熱チャンバの内部構成を示す図である。
【図６】ランプヒータの配置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１に示すように、インライン型プラズマＣＶＤ装置は、成膜対象物を、大気下でロードチャンバ１内に装入し、内部を密閉した後、ロードチャンバ１内を真空吸引して、成膜対象物を真空状態にする。その後、この成膜対象物を真空状態を破壊せずにそのまま予備加熱チャンバ２に移動させて装入し、予備加熱チャンバ２内で、成膜対象物を加熱し、Ｓｉ基板上にＳｉＮ膜を成膜する場合は、予備加熱チャンバ２内で基板を５００℃程度に加熱する。
【００１６】
その後、真空状態を保持したまま、成膜対象物を予備加熱チャンバ２から成膜チャンバ３内に移動させて装入し、この成膜チャンバ３内で、チャンバ内に成膜ガスを供給すると共に、成膜対象物を加熱しつつ、成膜対象物と電極との間にプラズマ放電を生起して、成膜ガスを電離させる。これにより、所望の膜が基板等の成膜対象物上に堆積する。その後、真空状態を保持したまま、成膜後の成膜対象物を成膜チャンバ３からアンロードチャンバ４に移動させて装入し、アンロードチャンバ４と成膜チャンバ３との間を遮断した後、アンロードチャンバ４を大気圧に開放し、成膜後の成膜対象物を取り出す。このようにして、インライン型のプラズマＣＶＤ装置においては、真空を破ることなく、基板の加熱と成膜とを一連の工程で実施する。
【００１７】
予備加熱チャンバ２内において、図５に示すように、例えば、グラファイトカーボン製のプレート１１上に、例えば、太陽電池のセルを構成する複数個のＳｉ基板１２が載置されている。このプレート１１は、例えば、１５００ｍｍ×１１００ｍｍ程度の大きさを有し、このプレート１１の上に、例えば、１５６ｍｍ×１５６ｍｍの大きさのＳｉ基板１２が例えば６行９列等の行列位置に等間隔等の一定の規則の下に載置されている。
【００１８】
プレート１１はプーリ１３上で予備加熱チャンバ２内に搬送されてくる。そして、予備加熱チャンバ２内の所定の位置に停止したプレート１１の上方には、その長手方向が紙面に垂直の方向になるように配列された複数本の上部ランプヒータ１４が配置されており、プレート１１の下方には、その長手方向が紙面に平行の方向になるように配列された複数本の下部ランプヒータ１５が配置されている。これらの上部ランプヒータ１４と下部ランプヒータ１５と、プレート１１上の基板１２との間の距離は、例えば、４０乃至５０ｍｍである。また、ランプヒータ１４，１５は例えば赤外線ランプヒータであり、その直径は例えば１５ｍｍである。ランプヒータ１４，１５の長さは、予備加熱チャンバ２の内部の大きさ又はプレート１１の大きさにより決まるが、その配置密度は、上部ランプヒータ１４の方が、下部ランプヒータ１５よりも密である。上部ランプヒータ１４及び下部ランプヒータ１５の本数は、加熱の到達温度及びその温度分布の均一性のレベルにより異なり、適宜設定することができる。
【００１９】
図６には、上部ランプヒータ１４を実線で示し、下部ランプヒータ１５を破線にて示す。この図６に示すように、上部ランプヒータ１４は例えば３個の群（２点鎖線にて示す）に分かれて、各群毎に端子１６に並列に接続され、端子１６からリード１７により電源装置に接続されている。これにより、上部ランプヒータ１４は、３群に分かれて、各群毎に、電流を調節して温度制御される。また、下部ランプヒータ１５も、例えば３個の群（２点鎖線似て示す）に分かれて、各群毎に端子１８に並列に接続され、端子１８からリード１９により電源装置に接続されている。これにより、下部ランプヒータ１５は、３群に分かれて、各群毎に、電流を調節して温度制御される。これらの上部ランプヒータ１４及び下部ランプヒータ１５の温度制御は、プレート１１上で均一な温度分布が得られるように、各群ごとに電流を調節、設定して行われる。
【００２０】
予備加熱チャンバ２内で予備加熱されたプレート１１は、プーリ１３上で各チャンバ間を搬送されてくる。そして、成膜チャンバ３内の所定の位置に停止したプレート１１の上方には、プラズマＣＶＤ用の電極ブロック３４が配置されており、プレート１１の下方には、基板１２が載置されたプレート１１を加熱するヒータ３１が配置されている。
【００２１】
図２に示すように、ヒータ３１に電力を供給する電源は、成膜チャンバ３の外部に設けられており、電源からヒータ３１に電力を供給するリード３２が、所定の気密部材を介して、成膜チャンバ３内に引き込まれて、ヒータ３１に接続されている。また、ヒータ３１は、その下方に設けられた昇降装置３８により、上下動可能に構成されている。即ち、図３に示すように、ヒータ３１は、成膜チャンバ３の下壁を気密的に挿通する支持部材３８ａの上端部に支持されており、支持部材３８ａを上下動することにより、ヒータ３１は成膜チャンバ３内で上下動することができる。なお、図２，３に示す符号４２は、支持部材３８ａの上下動を気密下で行うためのジャバラである。成膜チャンバ３を挿通する支持部材３８は成膜チャンバ３の下面に設けられたジャバラ４２により、成膜チャンバ３内の真空が破壊されないようにして、上下動することができる。
【００２２】
ヒータ３１の上下動に伴い、成膜チャンバ３内におけるリード３２の長さが変化する。本実施形態においては、図３に示すように、成膜チャンバ３の下壁を挿通するようにして、筒部材４０が上下動可能に設置されており、この筒部材４０は、成膜チャンバ３内に設けられたベローズ３９に取り囲まれていて、成膜チャンバ３内の空間の真空状態が、この筒部材４０の外面と成膜チャンバ３との間で破壊されることがないようになっている。そして、筒部材４０の内部には、封止部材４１が気密的に嵌入されており、この封止部材４１内を外部に接続されたリード３２が挿通するようになっている。これにより、成膜チャンバ３内の真空状態は、ベローズ３９及び封止部材４１により保持されており、ヒータ３１の上下動に伴って、ベローズ３９が伸縮する。また、リード３２はヒータ３１に接続されている。
【００２３】
図２（ａ）に示すように、プレート１１及び基板１２が成膜チャンバ３内に搬送されてきた時点では、プレート１１とヒータ３１とは離隔しているが、ヒータ３１が昇降装置３８により上昇されることにより、ヒータ３１の上面は、プレート１１に近づき、やがて、プレート１１に接触する。そして、図２（ｂ）に示すように、ヒータ３１の上面でプレート１１の下面を支持し、プレート１１上の基板１２を電極ブロック３４へと近づける。このように、ヒータ３１がプレート１１の下面に直接接触していることにより、ヒータ３１とプレート１１との間に空気が介在しなくなり、ヒータ３１による伝熱効率を高めることができる。
【００２４】
本実施形態においては、図２に示すように、電極ブロック３４の各電極板は、成膜チャンバ３の外部に設けられた電源３６にリード３７により接続されており、電源３６の逆側の電極は、成膜チャンバ３内に引き込まれて、プレート１１の上方に配置されている。そして、昇降装置３８により、ヒータ３１が上昇され、ヒータ３１の上面がプレート１１の下面を支持した状態で、プレート１１上の基板１２を電極ブロック３４へと近づけていくことにより、プレート１１が成膜チャンバ３内に設置された対向電極に接触し、プレート１１に給電され、電極ブロック３４とプレート１１との間に放電が生起されて、基板１２上に所定のプラズマＣＶＤ膜を形成するように構成されている。このとき、電極ブロック３４とプレート１１との間の距離は、例えば４０ｍｍである。
【００２５】
図４は、ヒータを示す図であり、図４（ａ）及び図４（ｃ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、ヒータ３１は、抵抗発熱線が平面上で蛇行するように配置されたものであり、本実施形態においては、図４（ｂ）に示すように、所謂インコネルシーズヒータ３１１が２枚のＮｉ板３１０により挟持されたものである。そして、インコネルシーズヒータ３１１の隣接する配線同士は、Ｎｉ板３１０同士を接続する絶縁性のスペーサ３１２により仕切られている。インコネルシーズヒータ３１１は、上下の各Ｎｉ板３１０に直接接触しており、これにより、熱量の損失を低減すると共に、インコネルシーズヒータ３１１が配置された部分からの局所的な伝熱を、平板状のＮｉ板３１０により均一化することができる。
【００２６】
本実施形態においては、図４（ａ）に示すように、ヒータ３１は、その両側部の第１シーズヒータ部３１ａ及び第３シーズヒータ部３１ｃ、並びに中央部の第２シーズヒータ部３１ｂを有している。そして、各シーズヒータ部３１ａ，３１ｂ，３１ｃがリード３２（３２ａ，３２ｂ）により、電源３３（３３ａ，３３ｂ）に接続されている。なお、第１シーズヒータ部３１ａと第３シーズヒータ部３１ｃとは、同一の電源回路に接続されており、１基のヒータ３１に対し、２個の電源系統が設けられている。そして、第１シーズヒータ部３１ａ及び第３シーズヒータ部３１ｃは、その上方に配置されたプレート１１の夫々両側部に対応し、第２シーズヒータ部３１ｂは、プレート１１の中央部に対応している。このように、ヒータ３１に２個の電源系統を設け、両側部と中央部とに供給する電流を個別に制御することにより、プレート１１上に載置された基板１２を、載置されるプレート１１の部位により個別に加熱できるため、成膜時の基板の加熱を均一に行うことができる。例えば、各電源系統に流す電流を同等とし、電熱線の単位長さあたりの発熱量を第２シーズヒータ部３１ｂと第１及び第３シーズヒータ部３１ａ，３１ｃとで同等にした場合には、放熱が大きく、基板への伝熱量が小さくなりやすいプレートの両側部を加熱する熱量を大きくできる。また、上記の場合によってもプレートの両側部における放熱量の大きさが解消できない場合には、第１及び第３シーズヒータ部３１ａ，３１ｃの電源系統に流す電流を第２シーズヒータ部３１ｂの電源系統に流す電流よりも大きくすることにより、基板１２が載置される部位による伝熱の不均一性を解消できる。
【００２７】
通常、ヒータの抵抗発熱線は、部位によらず、均一な密度で配置され、電力系統も１つである。この場合、ヒータの両側部においては、外気への放熱量が大きく、中央部よりも伝熱効率が低下する。しかし、本発明においては、ヒータ３１が両側部と中央部とに分割され、両側部に配置された第１シーズヒータ部３１ａは、中央部の第２シーズヒータ部３１ｂよりも抵抗発熱線が密に配置されている。よって、抵抗発熱線の単位長さあたりの発熱量を例えば同等にした場合においても、単位面積あたりの発熱量を、放熱量が大きい第１シーズヒータ部３１ａ及び第３シーズヒータ部３１ｃの方が第２シーズヒータ部３１ｂよりも大きくできる。
【００２８】
本実施形態においては、図４（ｃ）に示すように、上記ヒータ３１が、第１シーズヒータ部３１ａ、第２シーズヒータ部３１ｂ及び第３シーズヒータ部３１ｃが配列された方向に垂直の方向に、３基設置されており、３基の各ヒータ３１は夫々別個の電源回路に接続されていて、計６個の電源回路により、個別に電流制御される。このように、複数個のヒータ３１により、プレート１１を分割して加熱できることにより、プレート１１の搬送方向に直交する方向の伝熱量のばらつきだけではなく、プレートの搬送方向における伝熱量のばらつきも解消できる。即ち、プレートの搬送方向において、端部の２個のヒータは、中央部の１個のヒータに比して、外気への放熱量が大きくなるが、端部のヒータへの供給電力を中央部のヒータへの供給電力よりも大きくする。
【００２９】
以上のように構成された加熱プレート３１により、プレート１１上の基板１２は、例えば、３５０乃至５００℃の所定の設定温度に均一に加熱され、その温度を所定温度に保持しつつ、電極との間でプラズマ放電を生起して、成膜チャンバ３内に供給された原料ガスの電離により、基板上に例えばＳｉＮ膜が形成される。
【００３０】
次に、上述の如く構成されたインライン型プラズマＣＶＤ装置の動作について説明する。プラズマＣＶＤ装置において、成膜品質の向上は、基板温度の均一性によるところが大きい。本実施形態においては、予備加熱チャンバ２内で、プレート１１上の基板１２は、その上方から上部ランプヒータ１４により加熱され、その下方から下部ランプヒータ１５により加熱されるが、適長間隔をおいて配置されたランプヒータによる加熱は、プレートの表面に平行な方向に波状に変動することは回避できないものの、本発明においては、上部ランプヒータ１４による波状温度分布と、下部ランプヒータ１５により波状温度分布とは、その変化の方向が直交しているので、相互に、温度分布の変動を打ち消し合う。これにより、プレート１１上の基板１２は、プレート１１上の載置位置に拘わらず、均一な加熱を受け、基板１２間の温度変化は極めて小さい。また、各基板１２内における温度分布も極めて小さい。
【００３１】
予備加熱チャンバ内で、例えば４００乃至５００℃の所定の設定温度に均一に加熱されたプレート１１上の基板１２は、成膜チャンバ３に移送されてくる。そして、図２（ａ）に示すように、基板１２は電極ブロック３４の下方に搬送される。そして、ヒータ３１により、プレート１１上の基板１２は、プレート１１を介して下方から加熱される。本実施形態においては、ヒータ３１は、その両側部に夫々配置された第１シーズヒータ部３１ａ及び第３シーズヒータ部３１ｃ、並びに中央部に配置された第２シーズヒータ部３１ｂを有し、第１及び第３シーズヒータ部３１ａ，３１ｃと第２シーズヒータ部３１ｂとは、異なる電源系統に接続されている。そして、両側部の第１及び第３シーズヒータ部３１ａ，３１ｃは、中央部の第２シーズヒータ部３１ｂよりも抵抗発熱線が密に配置されている。よって、プレート１１の搬送方向に直交する方向において、プレート１１上の基板を均一に加熱することができる。また、ヒータ３１が第１シーズヒータ部３１ａ、第２シーズヒータ部３１ｂ及び第３シーズヒータ部３１ｃが配列された方向に垂直の方向に３基設置されており、プレート１１を搬送方向に分割して加熱するため、プレートの搬送方向においてもプレート１１上の基板を均一に加熱することができる。よって、昇降装置３８によりヒータ３１が上昇され、電極ブロック３４から原料ガスを供給しながら電極ブロック３４のＮｉ板電極とプレート１１との間にプラズマ放電を生起し、原料ガスを電離した後、所定の成分を基板１２上に堆積させたとき、ＳｉＮ膜等の所望の膜を均一に形成することができると共に、その成膜品質を向上させることができる。
【符号の説明】
【００３２】
１：ロードチャンバ、２：予備加熱チャンバ、３：成膜チャンバ、４：アンロードチャンバ、１１：プレート（グラファイトカーボン製）、１２：基板（Ｓｉ基板）、１３：プーリ、１４：上部ランプヒータ、１５：下部ランプヒータ、１６，１８：端子、１７，１９：リード、３１：ヒータ、３１ａ：第１シーズヒータ部、３１ｂ：第２シーズヒータ部、３１０：Ｎｉ板、３１１：インコネルシーズヒータ、３１２：スペーサ、３２：リード、３３：電源、３４：電極ブロック、３５：供給管、３６：電源、３７：リード、３８：昇降装置、３８ａ：支持部材、３９：ベローズ、４０：筒部材、４１：封止部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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