(57)【要約】      （修正有）【課題】汎用性のある鉛フリーはんだの使用を可能とし、かつ、はんだフラッシュの発生を確実に防止することができる電子回路パッケージを提供する。【解決手段】電子部品１１０の電極１１０ａと配線部１３０とがはんだ１２０によって接合された状態で樹脂封止されている電子回路パッケージ１００であって、配線部１３０には、電子部品１１０の電極１１０ａと配線部１３０とをはんだによって接合する際に、電子部品１１０の電極１１０ａと配線部１３０との接合部において溶融したはんだの一部を流れ込ませるための空隙部１５０が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の電極と配線部とがはんだによって接合された状態で樹脂封止されている電子回路パッケージであって、
前記配線部には、前記電子部品の電極と前記配線部とをはんだによって接合する際に、前記電子部品の電極と前記配線部との接合部において溶融したはんだの一部を流れ込ませるための空隙部が形成されていることを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の電子回路パッケージにおいて、
前記溶融したはんだの一部は、前記はんだが固体の状態から液体の状態となったときの当該はんだの体積の増加分であって、
前記空隙部は、前記はんだの体積の増加分に対応する容積以上の容積を有していることを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子回路パッケージにおいて、
前記空隙部には、はんだが付着しないような加工が施されていることを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項４】
請求項３に記載の電子回路パッケージにおいて、
前記はんだが付着しないような加工は、前記空隙部の表面に酸化膜を形成する加工であることを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の電子回路パッケージにおいて、
前記空隙部は、前記電子部品の電極と前記配線部との接合部において前記電子部品の電極に対向する領域内に形成されていることを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の電子回路パッケージにおいて、
前記空隙部は、前記電子部品の電極と前記配線部との接合部において前記電子部品の電極に対向する領域から外れた領域で、かつ、前記電子部品の電極と前記配線部とをはんだによって接合する際に溶融したはんだが存在する領域内に形成されていることを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の電子回路パッケージにおいて、
前記電子部品は、半導体素子であることを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項８】
請求項７に記載の電子回路パッケージにおいて、
前記半導体素子は２つ以上の電極を有するとともに、前記配線部は前記半導体素子の前記２つ以上の電極の各電極を接続するための２つ以上のリード端子を有し、
前記配線部の前記２つ以上のリード端子の各リード端子には、前記空隙部が形成されていることを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項９】
請求項８に記載の電子回路パッケージにおいて、
前記半導体素子の２つ以上の電極のうちの少なくとも１つの電極と前記配線部の２つ以上のリード端子のうちの少なくとも１つのリード端子とは、はんだで接合される板状の接続子を介して電気的に接続され、
前記接続子と当該接続子が接続されるリード端子との接合部には、前記接続子及び前記接続子が接続されるリード端子の少なくとも一方に前記空隙部が形成されていることを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項１０】
請求項８〜９のいずれかに記載の電子回路パッケージにおいて、
前記接続子と当該接続子が接続される電極との接合部には、前記接続子に前記空隙部が形成されていることを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の電子回路パッケージにおいて、
前記空隙部は、窪みであることを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の電子回路パッケージにおいて、
前記はんだは、鉛を含有しないはんだであることを特徴とする電子回路パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を樹脂封止した電子回路パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境保全の観点から鉛を含有していないはんだ（鉛フリーはんだという。）を使用することが要望されてきている。電子部品がはんだによって配線部に接合された状態で樹脂封止されている電子回路パッケージにおいて、使用するはんだとしては、融点が高い高温はんだが望ましい。ただし、高温はんだの主成分は鉛であり、鉛フリーはんだには属さない。そこで、低融点ではあるが、鉛フリーはんだの使用が試みられている。ちなみに、高温はんだ（例えば、９５Ｐｂ−５Ｓｎはんだ）の融点は３１０度程度であり、鉛フリーはんだ（例えば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ）の融点は２２０℃程度である。
【０００３】
このように、融点の低い鉛フリーはんだを内部に使用している電子回路パッケージを、例えば、プリント基板などに実装する際に、２６０℃程度のリフロー炉に通すと、電子回路パッケージ内部の鉛フリーはんだが再溶融してしまい、はんだフラッシュが発生するおそれがある。
【０００４】
図７は、はんだフラッシュが発生する様子を示す図である。図７（ａ）はリフロー炉に通す前の電子回路パッケージ９００内部の状態を示し、図７（ｂ）はリフロー炉に通したあとの電子回路パッケージ９００内部の状態を示している。なお、電子回路パッケージ９００は、電子部品９１０の電極９１０ａが鉛フリーはんだ９２０（以下、「はんだ９２０」と略記する場合もある。）によって配線部９３０に接合された状態で樹脂９４０によって封止されている。
【０００５】
このような電子回路パッケージ９００を、２６０℃のリフロー炉を通した場合に、図７（ｂ）に示すようなはんだフラッシュが発生する場合がある。はんだフラッシュが発生する原因は、はんだ９２０が固体から液体となったときのはんだの体積の増加によって、配線部９３０と樹脂９４０との間に応力が生じて、配線部９３０と樹脂９４０との間に、破線枠Ａ内のような剥離が生じることによるものである。はんだフラッシュが発生すると、樹脂９４０の外側にはんだボール９５０が発生したり、図示は省略するが、はんだ９２０にボイドが発生したり、電子部品９１０の電極９１０ａと配線部９３０との接合部におけるはんだ量が減少したり、流れ出たはんだによって短絡が発生したりといった種々の不具合が発生するおそれがある。
【０００６】
はんだフラッシュの発生を防止する技術は、従来から種々提案されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１に開示されている技術（従来技術という。）は、Ｎｉ電極を有する半導体素子を、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ系鉛フリーはんだを用いてＮｉ系メッキを施したフレームに接合し、その周囲を樹脂封止するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−１４７０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来技術においては、上記したような組成を有するはんだを用いることにより、リフロー炉に通したときに、はんだフラッシュの発生を抑止できるとしている。特に、Ｓｎ−３７〜６０質量％Ｂｉ−２〜７質量％Ｃｕとすることによって、溶融時におけるはんだの体積の増加を抑制することができ、それによってはんだフラッシュの発生を抑制することができるとしている。
【０００９】
しかしながら、従来技術においては、鉛フリーはんだの組成を上記したように細かく限定することによって、はんだフラッシュの発生を抑制するようにしいているため、使用するはんだが限定されてしまうこととなり、汎用的でないという問題がある。
【００１０】
そこで本発明は、汎用性のある鉛フリーはんだの使用を可能とし、かつ、はんだフラッシュの発生を確実に防止することができる電子回路パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
［１］本発明の電子回路パッケージは、電子部品の電極と配線部とがはんだによって接合された状態で樹脂封止されている電子回路パッケージであって、前記配線部には、前記電子部品の電極と前記配線部とをはんだによって接合する際に、前記電子部品の電極と前記配線部との接合部において溶融したはんだの一部を流れ込ませるための空隙部が形成されていることを特徴とする。
【００１２】
［２］本発明の電子回路パッケージにおいては、前記溶融したはんだの一部は、前記はんだが固体の状態から液体の状態となったときの当該はんだの体積の増加分であって、前記空隙部は、前記はんだの体積の増加分に対応する容積以上の容積を有していることが好ましい。
【００１３】
［３］本発明の電子回路パッケージにおいては、前記空隙部には、はんだが付着しないような加工が施されていることが好ましい。
【００１４】
［４］本発明の電子回路パッケージにおいては、前記はんだが付着しないような加工は、前記空隙部の表面に酸化膜を形成する加工であることが好ましい。
【００１５】
［５］本発明の電子回路パッケージにおいては、前記空隙部は、前記電子部品の電極と前記配線部との接合部において前記電子部品の電極に対向する領域内に形成されていることが好ましい。
【００１６】
［６］本発明の電子回路パッケージにおいては、前記空隙部は、前記電子部品の電極と前記配線部との接合部において前記電子部品の電極に対向する領域から外れた領域で、かつ、前記電子部品の電極と前記配線部とをはんだによって接合する際に溶融したはんだが存在する領域内に形成されていることが好ましい。
【００１７】
［７］本発明の電子回路パッケージにおいては、前記電子部品は、半導体素子であることが好ましい。
【００１８】
［８］本発明の電子回路パッケージにおいては、前記半導体素子は２つ以上の電極を有するとともに、前記配線部は前記半導体素子の前記２つ以上の電極の各電極を接続するための２つ以上のリード端子を有し、前記配線部の前記２つ以上のリード端子の各リード端子には、前記空隙部が形成されていることが好ましい。
【００１９】
［９］本発明の電子回路パッケージにおいては、前記半導体素子の２つ以上の電極のうちの少なくとも１つの電極と前記配線部の２つ以上のリード端子のうちの少なくとも１つのリード端子とは、はんだで接合される板状の接続子を介して電気的に接続され、前記接続子と当該接続子が接続されるリード端子との接合部には、前記接続子及び前記接続子が接続されるリード端子の少なくとも一方に前記空隙部が形成されていることが好ましい。
【００２０】
［１０］本発明の電子回路パッケージにおいては、前記接続子と当該接続子が接続される電極との接合部には、前記接続子に前記空隙部が形成されていることが好ましい。
【００２１】
［１１］本発明の電子回路パッケージにおいては、前記空隙部は、窪みであることが好ましい。
【００２２】
［１２］本発明の電子回路パッケージにおいては、前記はんだは、鉛を含有しないはんだであることが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の電子回路パッケージによれば、電子部品の電極と配線部とをはんだによって接合する際に、電子部品の電極と配線部との接合部において溶融したはんだの一部を流れ込ませるための空隙部が配線部に形成されているため、本発明の電子回路パッケージをリフロー炉に通したときに、内部のはんだが再溶融しても、再溶融により体積が増加した分のはんだを空隙部に流れ込ませることができる。すなわち、再溶融によるはんだの体積の増加分は空隙部で吸収されることとなる。これにより、配線部と樹脂との間に働く応力を抑制することができ、はんだフラッシュの発生を防止できる。
本発明の電子回路パッケージがこのような構成を有することにより、汎用性のある鉛フリーはんだの使用を可能とし、かつ、はんだフラッシュの発生を確実に防止することができる。
【００２４】
また、本発明によれば、空隙部の表面に、はんだが付着しないような処理を施すことで、空隙部に流れ込んだはんだを接合部の側へ戻すことができる。これは、溶融したはんだが凝固すると、はんだが収縮するためである。これにより、例えば、リフロー後において再溶融したはんだが凝固すると、空隙部に流れ込んだはんだは接合部の側へ戻るため、接合部におけるはんだの量などが元の状態に保たれ、接合部の電気的な特性が適切な状態に保たれる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施形態１に係る電子回路パッケージ１００の断面図である。
【図２】実施形態１に係る電子回路パッケージ１００をリフロー炉に通したときのはんだ１２０の様子を説明するために示す図である。
【図３】実施形態２に係る電子回路パッケージ２００の断面図である。
【図４】空隙部１５０を形成する位置の変形例について説明する図である。
【図５】電子回路パッケージ２００の第１変形例を説明するために示す図である。
【図６】電子回路パッケージ２００の第２変形例を説明するために示す図である。
【図７】はんだフラッシュが発生する様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００２７】
［実施形態１］
図１は、実施形態１に係る電子回路パッケージ１００の断面図である。実施形態１に係る電子回路パッケージ１００は、図１に示すように、電子部品１１０の電極１１０ａと配線部１３０との接合部が鉛フリーはんだ１２０（以下、「はんだ１２０」と略記する場合もある。）によって接合された状態で樹脂１４０により封止されている。なお、配線部１３０はリードフレームから形成され、図１においては、リードフレームから切り離された状態が示されている。
【００２８】
このような電子回路パッケージ１００において、配線部１３０には、空隙部１５０が形成されている。具体的には、空隙部１５０は、配線部１３０における電子部品接合面１３０ａに形成されている。また、当該空隙部１５０は、実施形態１に係る電子回路パッケージ１００においては、電子部品１１０の電極１１０ａと配線部１３０との接合部において電子部品１１０の電極１１０ａに対向する領域Ｗ１内に形成されている。なお、領域Ｗ１は図１においてはｘ軸に沿った領域が示されているが、ｙ軸に沿った方向においても電子部品１１０の電極１１０ａに対向する領域Ｗ１（図示せず。）内に形成されている。
【００２９】
空隙部１５０は、実施形態１に係る電子回路パッケージ１００においては、平面形状が円形の窪み（有底の穴）としている。空隙部１５０をこのような単純な形状とすることにより空隙部１５０の形成が容易なものとなる。
【００３０】
空隙部１５０は、はんだ１２０が固体の状態から液体の状態となったとき、すなわち、はんだ１２０が溶融したときに、溶融したはんだ１２０の一部を流れ込ませるためのものである。なお、「溶融したはんだ１２０の一部」というのは、はんだ１２０が溶融したときの当該はんだ１２０の体積の増加分である。このため、空隙部１５０は、はんだ１２０が溶融したときのはんだ１２０の体積の増加分に対応する容積以上の容積を有するように設定されるが、はんだ１２０の体積の増加分に対応する容積と同じかわずかに大きい程度の容積とすることが好ましい。空隙部１５０の容積をこのように設定する理由は、はんだが溶融したときの体積の増加分を空隙部１５０で吸収できるようにするためである。
【００３１】
すなわち、はんだは温度の上昇とともに固体の状態から徐々に液体の状態となって行くが、その間、はんだの体積は温度の上昇とともに、ほぼリニアに増加して行き、液体の状態となったとき（溶融したとき）に、体積が一気に数％上昇する。実施形態１に係る電子回路パッケージ１００において用いている鉛フリーはんだ１２０（溶融温度を２２０℃とする。）の場合は、温度が２２０℃となったとき、すなわち、はんだ１２０が溶融したときに体積が一気に３％程度上昇することが実験により確かめられている。
【００３２】
このため、はんだ１２０が溶融したときにおける体積の増加分と同じかわずかに大きい容積を有する空隙部１５０を形成しておくことによって、はんだ１２０が溶融したときに、体積が増加した分を空隙部１５０に流れ込ませることができる。すなわち、はんだ１２０が溶融したときの体積の増加分は空隙部１５０で吸収されることとなり、それによって、図７（ｂ）に示すようなはんだフラッシュの発生を防止することができる。
【００３３】
ところで、空隙部１５０の表面には、はんだ１２０が付着しないような加工が施されている。はんだ１２０が付着しないような加工としては、例えば、空隙部１５０の０表面に酸化膜を形成する加工がある。
【００３４】
このような加工が施されていることにより、当該電子回路パッケージ１００を製造する際に、電子部品１１０の電極１１０ａと配線部１３０との接合部をはんだ１２０によって接合したときに、溶融したはんだ１２０は、一旦は、空隙部１５０に流れ込むが、空隙部１５０の表面には酸化膜が形成されているため、空隙部１５０に流れ込んだはんだは、空隙部１５０に付着することがない。
【００３５】
そして、その後、溶融したはんだ１２０が凝固すると、はんだ１２０が収縮するため、空隙部１５０に流れ込んだはんだは接合部の側へ戻る。このため、電子回路パッケージ１００としての製造が終了した状態においては、空隙部１５０はそのまま残存することとなる。
【００３６】
図２は、実施形態１に係る電子回路パッケージ１００をリフロー炉に通したときのはんだ１２０の様子を説明するために示す図である。図２（ａ）ははんだ１２０が再溶融した状態を示す図であり、図２（ｂ）ははんだ１２０が再溶融したあとに凝固した状態を示す図である。
【００３７】
図２（ａ）に示すように、実施形態１に係る電子回路パッケージ１００は、配線部１３０の電子部品接合面１３０ａに空隙部１５０が形成されているため、当該電子回路パッケージ１００をプリント基板などに実装する際に、はんだ１２０の溶融温度よりも高い温度（例えば２６０度）のリフロー炉に通すと、電子回路パッケージ１００内部のはんだ１２０は再溶融する。このとき、当該はんだ１２０は体積が増加するが、はんだ１２０の体積が増加したとしても、体積が増加した分のはんだは空隙部１５０に流れ込む。なお、空隙部１５０に流れ込んだ状態となっているはんだを、図２（ａ）においては、「はんだ１２０ａ」として示している。
【００３８】
このように、溶融したはんだ１２０のうち、体積の増加分は空隙部１５０で吸収されるため、はんだ１２０の体積が増加することによる配線部１３０と樹脂１４０との間に働く応力を抑制することができ、それによって、はんだフラッシュの発生を防止できる。
【００３９】
なお、前述したように、空隙部１５０の表面には、はんだ１２０が付着しないような加工が施されている。このため、当該電子回路パッケージ１００をリフロー炉に通したときに、溶融したはんだ１２０は、一旦は、空隙部１５０に流れ込むが、空隙部１５０に流れ込んだはんだ１２０ａは、空隙部１５０に付着することがない。
【００４０】
そして、リフロー後において、再溶融したはんだ１２０が凝固すると、はんだ１２０が収縮するため、空隙部１５０に流れ込んだはんだ１２０ａは接合部の側へ戻り、空隙部１５０はそのまま残存することとなる（図２（ｂ）参照。）。このように、再溶融したはんだ１２０が凝固すると、空隙部１５０に流れ込んだはんだは接合部の側へ戻るため、当該接合部におけるはんだの量などが元の状態に保たれ、接合部の電気的な特性が適切な状態に保たれる。
【００４１】
以上説明したように、実施形態１に係る電子回路パッケージ１００によれば、当該電子回路パッケージ１００をリフロー炉に通したときに、鉛フリーはんだ１２０が再溶融しても、再溶融により体積が増加した分のはんだを空隙部に流れ込ませることができる。すなわち、再溶融によるはんだの体積の増加分は空隙部で吸収されることとなる。これによって、配線部１３０と樹脂１４０との間に働く応力を抑制することができ、はんだフラッシュの発生を防止できる。
【００４２】
［実施形態２］
上記実施形態１においては、電子回路パッケージ内に設けられている電子部品の種類などについては言及しなかったが、実施形態２においては、電子部品として、半導体素子（ダイオードとする。）を設けた電子回路パッケージを例にとって説明する。
【００４３】
図３は、実施形態２に係る電子回路パッケージ２００の断面図である。実施形態２に係る電子回路パッケージ２００は、図３に示すように、電子部品としての半導体素子（ダイオード）２１０と、配線部としての第１リード端子２２０及び第２リード端子２３０と、第２リード端子２３０と半導体素子２１０とを接続するための板状の接続子２４０とを備えている。
【００４４】
そして、半導体素子２１０の一方の電極（第１電極２１０ａという。）は第１リード端子２２０に接続され、半導体素子２１０の他方の電極（第２電極２１０ｂという。）は接続子２４０を介して第２リード端子２３０に接続されている。これら半導体素子２１０、第１リード端子２２０、第２リード端子２３０及び接続子２４０は、樹脂２５０によって封止されている。なお、第１リード端子２２０及び第２リード端子２３０は一部が樹脂２５０から外方に突出している。
【００４５】
このように構成されている電子回路パッケージ２００において、半導体素子２１０の第１電極２１０ａと第１リード端子２２０との接合部、半導体素子２１０の第２電極２１０ｂと接続子２４０との接合部、接続子２４０と第２リード端子２３０との接合部は、それぞれ鉛フリーはんだ２６０によって接合されている。なお、実施形態２に係る電子回路パッケージ２００においても、「鉛フリーはんだ２６０」を「はんだ２６０」と略記する場合もある。
【００４６】
また、このように構成されている電子回路パッケージ２００において、配線部としての第１リード端子２２０及び第２リード端子２３０には、溶融したはんだの一部を流れ込ませるための空隙部２７１，２７２が形成されている。具体的には、第１リード端子２２０においては、当該第１リード端子２２０の電子部品接合面２２０ａに空隙部２７１（第１空隙部２７１という。）が形成されており、第２リード端子２３０においては、当該第２リード端子２３０の接続子接合面２３０ａに空隙部２７２（第２空隙部２７２という。）が形成されている。
【００４７】
第１空隙部２７１は、図３に示すように、半導体素子２１０の第１電極２１０ａと第１リード端子２２０との接合部において半導体素子２１０の第１電極２１０ａに対向する領域Ｗ２内に形成されている。なお、領域Ｗ２は図３においてはｘ軸に沿った領域が示されているが、ｙ軸に沿った方向においても、半導体素子２１０の第１電極２１０ａと第１リード端子２２０との接合部において半導体素子２１０の第１電極２１０ａに対向する領域Ｗ２（図示せず。）内に形成されている。
【００４８】
第２空隙部２７２は、図３に示すように、半導体素子２１０の第１電極２１０ａと第１リード端子２２０との接合部において接続子２４０に対向する領域Ｗ３内に形成されている。なお、領域Ｗ３は図３においてはｘ軸に沿った領域が示されているが、ｙ軸に沿った方向においても、導体素子２１０の第１電極２１０ａと第１リード端子２２０との接合部において接続子２４０に対向する領域Ｗ３（図示せず。）内に形成されている。
【００４９】
また、第１空隙部２７１及び第２空隙部２７２は、実施形態１に係る電子回路パッケージ１００の場合と同様に、はんだ２６０が溶融したときのはんだ２６０の体積の増加分に対応する容積と同じかわずかに大きい容積を有するように設定されている。また、第１空隙部２７１及び第２空隙部２７２のそれぞれの表面には、実施形態１に係る電子回路パッケージの場合と同様に、はんだの付着を防止するための酸化膜が形成されている。
【００５０】
実施形態２に係る電子回路パッケージ２００がこのような構成を有することにより、当該電子回路パッケージ２００をリフロー炉に通した場合にも、半導体素子２１０と第１リード端子２２０との接合部及び接続子２４０と第２リード端子２３０との接合部において、はんだ２６０は再溶融する。このとき、当該はんだ２６０の体積が増加するが、はんだ２６０の体積が増加したとしても、溶融したはんだ２６０のうち、体積が増加した分のはんだはそれぞれ第１空隙部２７１及び第２空隙部２７２に流れ込む。なお、実施形態２に係る電子回路パッケージ２００においては、溶融したはんだが流れ込んだ状態の図示は省略する。
【００５１】
このように、溶融したはんだ２６０のうち、体積が増加した分のはんだは第１空隙部２７１及び第２空隙部２７２に流れ込むことによって、はんだ２６０の体積の増加による第１リード端子２２０及び第２リード端子２３０と樹脂２５０との間に働く応力を抑制することができ、実施形態１に係る電子回路パッケージ１００と同様に、はんだフラッシュの発生を防止できる。
【００５２】
また、第１空隙部２７１及び第２空隙部２７２のそれぞれの表面には、実施形態１に係る電子回路パッケージ１００の場合と同様に、はんだ１２０が付着しないような加工が施されている。このため、リフロー後において、再溶融したはんだ１２０が凝固すると、はんだ１２０が収縮するため、第１空隙部２７１及び第２空隙部２７２に流れ込んだはんだは、それぞれの接合部の側へ戻り、第１空隙部２７１及び第２空隙部２７２はそのまま残存することとなる。このように、再溶融したはんだ１２０が凝固すると、第１空隙部２７１及び第２空隙部２７２に流れ込んだはんだはそれぞれの接合部の側へ戻るため、当該接合部におけるはんだの量などが元の状態に保たれ、接合部の電気的な特性が適切な状態に保たれる。
【００５３】
以上説明したように、実施形態２に係る電子回路パッケージ２００によれば、当該電子回路パッケージ２００をリフロー炉に通したときに、はんだ２６０が再溶融しても、再溶融したはんだ２６０のうち、体積の増加分は、第１空隙部２７１及び第２空隙部２７２で吸収されるため、はんだ２６０の体積の増加による第１リード端子２２０及び第２リード端子２３０と樹脂２５０との間に働く応力を抑制することができる。これにより、はんだフラッシュの発生を防止できる。
【００５４】
実施形態２に係る電子回路パッケージ２００においては、接続子２４０と第２リード端子２３０との接合部において、第２リード端子２３０の側に空隙部（第２空隙部２７２）を形成するようにしたが、接続子２４０の側に空隙部を形成するようにしてもよく、また、接続子２４０と第２リード端子２３０との両方に空隙部を形成するようにしてもよい。接続子２４０と第２リード端子２３０との両方に空隙部を形成する場合には、両者の空隙部の合計の容積が、はんだ２６０が溶融したときの当該はんだの体積の増加分に対応する容積と同じかわずかに大きい程度の容積となるように設定すればよい。
【００５５】
なお、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、下記に示すような変形実施も可能である
【００５６】
（１）上記実施形態１においては、空隙部１５０の形成位置は、電子部品１１０の電極１１０ａに対向する領域内としたが、空隙部１５０を形成する位置は、必ずしも、電子部品１１０の電極１１０ａに対向する領域内とする必要はなく、溶融したはんだが存在する領域内であれば、電子部品１１０の電極１１０ａに対向する領域から外れた位置であってもよい。
【００５７】
図４は、空隙部１５０を形成する位置の変形例について説明する図である。空隙部１５０を形成する位置は、図４に示すように、電子部品１１０の電極１１０ａに対向する領域から外れた位置であってもよく、このような位置に空隙部１５０を形成しても実施形態１に係る電子回路パッケージ１００と同様の効果を得ることができる。このことは、実施形態２に係る電子回路パッケージ２００についても同様のことがいえる。実施形態２に係る電子回路パッケージ２００においては、接続子２４０と第２リード端子２３０との接合部においても空隙部（第２空隙部２７２）が形成されているが、この第２空隙部２７２も、溶融したはんだが存在する領域内であれば、接続子２４０と第２リード端子２３０との接合部において接続子２４０に対向する領域（図３における領域Ｗ３）から外れた位置であってもよい。
【００５８】
（２）上記実施形態２において、半導体素子２１０と接続子２４０との接合部においても空隙部を形成するようにしてもよい。
図５は、電子回路パッケージ２００の第１変形例を説明するために示す図である。図５に示すように、半導体素子２１０と接続子２４０との接合部において、接続子２４０に、第１空隙部２７１及び第２空隙部２７２と同様の空隙部（第３空隙部２７３とする。）を形成する。具体的には、接続子２４０において、半導体素子２１０の第２電極２１０ａが接続される接合面（電子部品接合面２４０ａという。）に、第３空隙部２７３を形成する。
【００５９】
このような第３空隙部２７３を接続子２４０に形成することによって、当該電子回路パッケージ２００をリフロー炉に通した場合に、半導体素子２１０の第１電極２１０ａと接続子２４０との接合部において、はんだ２６０が再溶融することによる体積の増加分は、第３空隙部２７３によって吸収される。それによって、半導体素子２１０と接続子２４０との接合部において、はんだフラッシュの発生を防止することができる。
【００６０】
（３）上記実施形態２においては、半導体素子２１０の他方の電極（第２電極２１０ｂという。）は接続子２４０を介して第２リード端子２３０に接続されているような構成であったが、接続子を介さず、第２リード端子２３０が直接、半導体素子２１０の第２電極２１０ｂに接続されているような構成であってもよい。
【００６１】
図６は、電子回路パッケージ２００の第２変形例を説明するために示す図である。なお、図６において、図３と同一構成部分には同一符号が付されている。図６に示す電子回路パッケージ２００においては、半導体素子２１０の第１電極２１０ａと第１リード端子２２０との接合部には第２空隙部２７１が形成され、半導体素子２１０の第２電極２１０ｂと第２リード端子２３０との接合部には第２空隙部２７２が形成されているている。
【００６２】
このような構成の電子回路パッケージ２００をリフロー炉に通したときに、はんだ２６０が再溶融しても、再溶融したはんだ２６０のうち、体積の増加分は、第１空隙部２７１及び第２空隙部２７２で吸収されるため、はんだ２６０の体積の増加による第１リード端子２２０及び第２リード端子２３０と樹脂２５０との間に働く応力を抑制することができる。これにより、はんだフラッシュの発生を防止できる。  
【００６３】
（４）上記各実施形態においては、空隙部（実施形態１においては空隙部１５０、実施形態２においては第１空隙部２７１及び第２空隙部２７２）は、個々の接合部において１箇所とした場合を例示したが、個々の接合部において、それぞれ複数箇所形成するようにしてもよい。この場合、複数の空隙部の合計の容積が、はんだが溶融したときの当該はんだの体積の増加分に対応する容積と同じかわずかに大きい程度の容積となるように設定すればよい。
【００６４】
（５）上記各実施形態においては、空隙部（実施形態１においては空隙部１５０、実施形態２においては第１空隙部２７１及び第２空隙部２７２）は、平面形状が円形の窪みとしたが、これに限られるものではなく、例えば、平面形状が楕円形や四角形であってよく、また、スリット状としてもよく、種々変形実施が可能である。
【００６５】
（６）上記実施形態２においては、電子部品として半導体素子（ダイオード）を例示したが、電子部品は半導体素子に限られるものではなく、図示は省略するが、例えば、コイルを内包した磁性体部が配線部の一方の面に配設された構造を有する電子回路パッケージにおいても適用することができる。すなわち、このような構造の電子回路パッケージにおいて、コイルと配線部との接合部に鉛フリーはんだが用いられている場合には、当該電子回路パッケージをリフロー炉に通すと、はんだフラッシュが発生する可能性がある。そこで、このような電子回路パッケージにおいても、配線部に上記各実施形態において説明した空隙部と同様の空隙部を形成しておくことにより、はんだフラッシュの発生を防止することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１００，２００・・・電子回路パッケージ、１１０・・・電子部品、１１０ａ・・・電極、１２０，２６０・・・鉛フリーはんだ、１３０・・・配線部、１３０ａ・・・電子部品接合面、１４０，２５０・・・樹脂、１５０・・・空隙部、２１０・・・電子部品（半導体素子）、２１０ａ・・・第１電極、２１０ｂ・・・第２電極、２２０・・・第１リード端子、２２０ａ，２４０ａ・・・電子部品接合面、２３０・・・第２リード端子、２３０ａ・・・接続子接合面、２４０・・・接続子、２７１・・・第１空隙部、２７２・・・第２空隙部、２７３・・・第３空隙部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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