(57)【要約】【課題】反応室内に複数枚の基板を収容して処理する縦型の基板処理装置において、反応室内にガス供給ノズルを設置する場合に、ガス供給ノズルの傾きを低減する。【解決手段】基板を処理する反応室を形成するとともに、反応室内に確保された反応空間１６に複数枚のウエハ２３を縦方向に積載した状態で収容する反応管と、反応空間１６に縦方向に沿って設置されるガス供給ノズル２１，２２と、ガス供給ノズルの傾きを抑制する傾き抑制手段と、を備える。傾き抑制手段は、ガス供給ノズル２１，２２の下端部を受け面で受けるノズル受け部６３が形成されたノズル固定部材６１を備える構成とした。【選択図】図４
2013187459.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する反応室を形成するとともに、前記反応室内に確保された反応空間に複数枚の基板を縦方向に積載した状態で収容する反応管と、
前記反応空間に前記縦方向に沿って設置されるガス供給ノズルと、
前記反応空間に設置される前記ガス供給ノズルの傾きを抑制する傾き抑制手段と、
を備え、
前記傾き抑制手段は、前記ガス供給ノズルの下端部を受け面で受けるノズル受け部と、前記受け面で前記ガス供給ノズルの下端部を受けた状態で当該ガス供給ノズルを前記ノズル受け部に固定可能な固定部とが形成されたノズル固定部材を備える
基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する反応室を形成するとともに、前記反応室内に確保された反応空間に複数枚の基板を縦方向に積載した状態で収容する反応管と、
前記反応空間に前記縦方向に沿って設置されるガス供給ノズルと、
前記反応空間に設置される前記ガス供給ノズルの傾きを抑制する傾き抑制手段と、
を備え、
前記傾き抑制手段は、前記ガス供給ノズルの上端部に嵌合して当該ガス供給ノズルを位置決めする嵌合部が形成されたノズル支持部材を備える
基板処理装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、複数枚の基板を縦方向に積載した状態で一括処理する縦型の基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（以下、「ＳｉＣ」又は「シリコンカーバイド」ともいう）は、珪素（以下、「Ｓｉ」又は「シリコン」ともいう）に比べエネルギーバンドギャップが広いこと、絶縁耐圧が高いこと、熱伝導性が高いことなどから、特にパワーデバイス用素子材料として注目されている。一方でＳｉＣは、常圧下での液相を持たないこと、不純物拡散係数が小さいことなどから、Ｓｉに比べて結晶基板や半導体装置の作製が難しいことが知られている。たとえば、Ｓｉのエピタキシャル成膜温度が９００℃〜１２００℃であるのに比べ、ＳｉＣのエピタキシャル成膜温度は１５００℃〜１８００℃程度と高い。このため、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する基板処理装置では、耐熱構造や原料の分解抑制に技術的な工夫が必要である。また、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する基板処理装置では、ＳｉとＣ（以下、「炭素」ともいう）との２元素を用いた成膜を行うため、膜厚や組成の均一性の確保やドーピングレベルの制御にも、Ｓｉ膜を成膜する基板処理装置には無い工夫が必要となる。
【０００３】
ＳｉＣ膜の成膜に用いられている基板処理装置として、縦型の基板処理装置（たとえば、特許文献１を参照）が知られている。縦型の基板処理装置では、複数枚の基板を縦方向に積載した状態で一括処理する。このため、縦型の基板処理装置は、複数枚の基板を平面的に並べた状態で一括処理する基板処理装置に比べて、基板処理装置の設置面積を大型化させずに生産効率を高められるという利点がある。
【０００４】
上述した縦型の基板処理装置においては、複数枚の基板を反応室に搬入して成膜処理するため、成膜処理に必要なガスを供給するガス供給ノズルを反応室内に設けている。また、反応室内に配置した各々の基板に均一にガスを供給するため、基板の並び方向（縦方向）に沿うようにガス供給ノズルを設けるとともに、一つのガス供給ノズルに複数のガス供給口を設けている。これにより、縦方向に積載された複数枚の基板に効率良くガスを供給することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２８５９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述した縦型の基板処理装置において、装置の設置面積を大型化させずに生産効率を高めるには、一括処理できる基板の枚数（以下、「一括処理枚数」ともいう）を増やすことが有効である。ただし、一括処理枚数を増やすと、複数枚の基板を縦方向に積載したときの高さ寸法が大きくなる。このため、反応室に設置されるガス供給ノズルの長さも長くなる。そうした場合、設置状態におけるガス供給ノズルの傾きが、成膜処理に悪影響を及ぼすおそれがある。その理由は、次のとおりである。
【０００７】
すなわち、反応室内において、ガス供給ノズルは、複数枚の基板を積載して一括処理できる領域（以下、「基板積載領域」ともいう）に沿うように設置される。その際、ガス供給ノズルが傾いていると、ノズルのガス供給口とウエハとの距離に差が生じてしまい、高
さ方向に積み上げられた各々の基板（特に、上側に配置された基板と下側に配置された基板）に供給されるガスの流れ方に差が生じる。このため、たとえば、原料ガスの混合比が所望の比率からずれたり、複数枚の基板間で原料ガスの混合比がばらついたりして、基板間及び基板面内の膜厚均一性が悪化するおそれがある。特に、生産効率を向上させるために一括処理枚数を多くすると、それにあわせて長いガス供給ノズルが必要になるため、ノズルの下端側と上端側での傾きの差が拡大し、問題が顕在化する可能性がある。
【０００８】
本発明の主な目的は、反応室内に複数枚の基板を縦方向に積載した状態で処理する縦型の基板処理装置において、反応室内にガス供給ノズルを設置する場合に、ガス供給ノズルの傾きを低減することができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様は、
基板を処理する反応室を形成するとともに、前記反応室内に確保された反応空間に複数枚の基板を縦方向に積載した状態で収容する反応管と、
前記反応空間に前記縦方向に沿って設置されるガス供給ノズルと、
前記反応空間に設置される前記ガス供給ノズルの傾きを抑制する傾き抑制手段と、
を備え、
前記傾き抑制手段は、前記ガス供給ノズルの下端部を受け面で受けるノズル受け部と、前記受け面で前記ガス供給ノズルの下端部を受けた状態で当該ガス供給ノズルを前記ノズル受け部に固定可能な固定部とが形成されたノズル固定部材を備える
基板処理装置である。
【００１０】
本発明の第２の態様は、
基板を処理する反応室を形成するとともに、前記反応室内に確保された反応空間に複数枚の基板を縦方向に積載した状態で収容する反応管と、
前記反応空間に前記縦方向に沿って設置されるガス供給ノズルと、
前記反応空間に設置される前記ガス供給ノズルの傾きを抑制する傾き抑制手段と、
を備え、
前記傾き抑制手段は、前記ガス供給ノズルの上端部に嵌合して当該ガス供給ノズルを位置決めする嵌合部が形成されたノズル支持部材を備える
基板処理装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、反応室内に複数枚の基板を縦方向に積載した状態で処理する縦型の基板処理装置において、反応室内にガス供給ノズルを設置する場合に、ガス供給ノズルの傾きを低減することができる。これにより、ガス供給ノズルの傾きに起因した基板処理の不具合を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明が適用される基板処理装置の一例を示す側断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置が備えるノズル固定部材の構成を上側から見た斜視図である。
【図３】ガス供給ノズルの配置例を示す平面図である。
【図４】ガス供給ノズルの傾きを説明するための図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置が備えるノズル支持部材の構成を下側から見た斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態におけるノズル支持部材の装着状態を示す平面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態におけるノズル支持部材の装着状態を示す側断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態におけるノズル支持部材の装着前後の状態を示す斜視図である。
【図９】ノズル交換の作業手順の一例を説明する図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置が備えるノズル支持部材の構成を示す平面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態に係るノズル支持部材の装着状態を示す側断面図である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態に係るノズル着脱治具を説明する図である。
【図１３】本発明の第４の実施の形態に係るノズル着脱治具を用いたノズル交換の作業手順を説明する図である。
【図１４】本発明の第４の実施の形態に係るノズル着脱治具を用いたノズル取り外し作業を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
ここでは、はじめに基板処理装置とこれを用いた基板処理工程を説明し、その後で本発明の実施の形態を説明する。
【００１４】
＜基板処理装置＞
図１は本発明が適用される基板処理装置の一例を示す側断面図である。
図示した基板処理装置１０は、たとえば、ウエハ等の基板の主面に炭化珪素膜を形成する縦型気相成長装置（エピタキシャル成長装置を含む）として構成されている。
【００１５】
基板処理装置１０は、反応炉１１を備えている。反応炉１１は、反応室１２を形成する反応管１３と、誘導コイルからなる磁気コイル１４とを備えている。反応管１３は、たとえば、石英等の耐熱性材料によって構成されている。反応管１３は、上端を閉塞し下端を開口した円筒状に形成されている。そして、反応管１３の内側の空間が反応室１２になっている。反応管１３の内部には、被加熱体としてのサセプタ１５が配置されている。サセプタ１５は、磁気コイル１４が発生する磁場の電磁誘導作用により発熱するものである。サセプタ１５の内側の空間は反応空間１６になっている。反応空間１６は、上述した反応室１２内に確保されている。反応空間１６はサセプタ１５が発熱したときの輻射熱によって加熱される。サセプタ１５は、上端を閉塞し下端を開口した円筒状に形成されている。また、反応管１３とサセプタ１５との間の空間には、断熱材１７が設けられている。断熱材１７は、サセプタ１５を囲むように配置されている。断熱材１７は、サセプタ１５が発熱したときの熱を反応管１３の外側に逃がさないように熱の移動を抑制するものである。
【００１６】
サセプタ１５の内部には、複数本（図例では２本のみ表記）のガス供給ノズル２１，２２が配置されている。これらのガス供給ノズル２１，２２は、石英よりも耐熱温度が高い材料、たとえば、グラファイトなどのカーボン系の耐熱性材料によって構成されている。ガス供給ノズル２１，２２は、基板としてのウエハ２３の成膜処理に必要なガスを供給するものである。各々のガス供給ノズル２１，２２は、反応管１３の高さ方向に延在するかたちで、サセプタ１５の内壁面に沿って立ち上がっている。各々のガス供給ノズル２１，２２には、それぞれ複数のガス供給口２１ａ，２２ａが設けられている。
【００１７】
ガス供給口２１ａは、ガス供給ノズル２１の側面部に開口している。また、ガス供給口２１ａは、ガス供給ノズル２１の長さ方向において、複数枚のウエハ２３が配置される基板積載領域と対向するように、ノズル側面部に複数並設されている。ガス供給口２１ａの間隔は、ウエハ２３の配列に対応した間隔に設定されている。こうした点は、ガス供給ノズル２２のガス供給口２２ａについても同様である。これにより、ガス供給ノズル２１に
設けられた各々のガス供給口２１ａから水平方向にガスが供給（放出）され、これと同様にガス供給ノズル２２に設けられた各々のガス供給口２２ａからも水平方向にガスが供給される構成となっている。このため、図示のように各々のウエハ２３を水平な姿勢で配置した場合、各々のガス供給口２１ａ，２２ａから供給されたガスは、ウエハ２３の主面と平行な方向に流れる。
【００１８】
複数本のガス供給ノズル２１，２２のうち、一方のガス供給ノズル２１は、中継配管２４を介して第１のガス供給系２５に接続され、他方のガス供給ノズル２２は、中継配管２６を介して第２のガス供給系２７に接続されている。中継配管２４，２６は、たとえば、石英等の耐熱性材料によってＬ字形に形成されている。中継配管２４の一端側は、サセプタ１５の内面に沿って立ち上がっており、その上端部にガス供給ノズル２１がつながっている。また、中継配管２４の他端側はマニホールド２０の外側に引き出されており、その引き出し端に第１のガス供給系２５がつながっている。これと同様に、中継配管２６の一端側は、サセプタ１５の内面に沿って立ち上がっており、その上端部にガス供給ノズル２２がつながっている。また、中継配管２６の他端側はマニホールド２０の外側に引き出されており、その引き出し端に第２のガス供給系２７がつながっている。
【００１９】
さらに、第１のガス供給系２５は、２つの系統に分かれており、第２のガス供給系２７も、２つの系統に分かれている。図１においては、一例として、第１のガス供給系２５が、Ｈ２ガスの供給源につながる分岐配管３１と、Ｃ３Ｈ８ガスの供給源につながる分岐配管３２に分かれている。また、第２のガス供給系２７は、Ａｒガスの供給源につながる分岐配管３３と、ＳｉＣｌ４ガスの供給源につながる分岐配管３４に分かれている。
【００２０】
このうち、分岐配管３１の途中には、流量調節器３５とバルブ３６が設けられている。流量調節器３５は、分岐配管３１を流れるガスの流量を調節し、バルブ３６は、分岐配管３１の管路を開閉することによりガスの流れを許容または停止するものである。これと同様に、分岐配管３２の途中には、流量調節器３７とバルブ３８が設けられている。また、分岐配管３３の途中には、流量調節器３９とバルブ４０が設けられ、分岐配管３４の途中には、流量調節器４１とバルブ４２が設けられている。
このようにガス供給ノズル２１，２２に対して、Ｓｉ系のガスとＣ系のガスを分けて供給する理由は、それらを混合してガス供給ノズル２１，２２に供給した場合に、ガス供給ノズル２１，２２内にＳｉＣが生成され、たとえば、以下の（１），（２）のような問題を引き起こすおそれがあるためである。
（１）ガス供給ノズル２１，２２内にＳｉＣが堆積し、ノズル詰まり等を引き起こす。
（２）ガス供給ノズル２１，２２に生成した生成物がパーティクルとなって反応空間１６に放出され、処理品質を低下させる。
【００２１】
反応管１３の下方にはマニホールド２０が設けられている。マニホールド２０は、たとえばステンレス等の金属で構成されている。マニホールド２０は、上端と下端をそれぞれ開口した円筒状に形成されている。マニホールド２０は、反応管１３を下方から支持するように設けられている。マニホールド２０の上端部と反応管１３の下端部とは、気密状態で連結されている。
【００２２】
マニホールド２０には排気配管４５が接続されている。排気配管４５の一端部は、反応空間１６に連通するように開口している。排気配管４５の途中には、上流側から順に圧力調整バルブ４６とポンプ４７が取り付けられている。圧力調整バルブ４６は、たとえば、図示しない圧力センサによって検出された反応空間１６の圧力が所望の圧力となるように、バルブ自身の開度を調整するものである。ポンプ４７は、真空ポンプ等を用いて構成されるものである。
【００２３】
また、マニホールド２０の下端部にはシール体５１が取り付けられている。シール体５１は、反応管１３とマニホールド２０によって形成される反応空間１６の下端部を閉塞している。マニホールド２０の下端部に対して、シール体５１は気密状態で連結されている。シール体５１には回転軸５２および回転機構５３が連結されている。回転軸５２はシール体５１を貫通している。ただし、当該貫通部分は気密状態に維持されている。
【００２４】
回転軸５２の上には断熱台５４が実装されている。断熱台５４は、サセプタ１５からの熱が反応炉１１の下方側に伝わりにくくなるように、反応空間１６の下部に配置される。断熱台５４は、回転軸５２とほぼ同軸状の配置で柱状に形成されている。
【００２５】
ボート５５は、たとえば、石英、グラファイト等の耐熱性材料によって構成されている。ボート５５には、図示しない複数のウエハホルダが設けられている。このウエハホルダは、ボート５５にセットされるウエハ２３を支持するものである。ウエハホルダは、一つのボート５５に収容可能なウエハ２３の最大枚数に応じて設けられている。実際にボート５５に複数枚のウエハ２３をセットして反応空間１６に配置すると、各々のウエハ２３は、縦方向に積載した状態で反応空間１６に収容された状態になる。さらに詳述すると、各々のウエハ２３は、水平な姿勢で縦方向に一列に積み上げた状態で配列される。また、ボート５５は、反応管１３の直径方向において、反応空間１６のほぼ中央部に配置される。
【００２６】
一方、反応管１３の外側には、上述した磁気コイル１４を支持するコイル支持体５６が設けられている。コイル支持体５６は、たとえば石英等の耐熱性材料からなるもので、反応管１３の外径よりも大きい内径で円筒状に形成されている。コイル支持体５６の上端と下端はそれぞれ開口している。磁気コイル１４は、反応管１３の外周面に対向するように、コイル支持体５６の内側の面に取り付けられている。
【００２７】
コイル支持体５６の外側には水冷壁５７が設けられている。水冷壁５７には水冷パイプ５８が取り付けられている。水冷パイプ５８は、水冷壁５７の内側および外側のうち、コイル支持体５６と対向しない外側の面に取り付けられている。さらに、水冷壁５７の外側には、筐体カバー５９が設けられている。筐体カバー５９は、上端を閉塞し下端を開口した筒状に形成されている。また、筐体カバー５９の下端部は、水冷壁５７およびコイル支持体５６の各下端部とともに、共通の基台６０に連結されている。基台６０の下端部は、反応管１３を自在に出し入れできるように、反応管１３の外径よりも大きい口径で開口している。
【００２８】
＜基板処理工程＞
次に、基板処理装置１０を用いた基板処理方法の一例として、シリコンや炭化珪素で構成されたウエハ上に炭化珪素膜を形成する際に適用可能な基板処理工程を説明する。ここでは、一連の基板処理工程を複数の工程に分けて説明する。
【００２９】
（搬入準備工程）
まず、シール体５１の下降により反応室１２の下方に引き出した断熱台５４の上にボート５５を載せる。このとき、ボート５５に複数枚のウエハ２３をセットしておく。
【００３０】
（搬入工程）
次に、シール体５１を上昇させることにより、ボート５５と一緒に複数枚のウエハ２３を反応室１２内に搬入する。
【００３１】
（成膜工程）
次に、反応室１２内の反応空間１６を所望の雰囲気とし、反応空間１６に配置された複数のウエハ２３上に所望の膜（本例では炭化珪素膜）を成膜させる。この成膜処理に適用
する処理条件の一例を以下に示す。
【００３２】
［処理条件］
処理温度：１５００〜１７００℃、
処理圧力：１０〜２００Ｔｏｒｒ、
ＳｉＣｌ４ガス供給量（合計）：０．１〜１．０ＳＬＭ、
Ｃ３Ｈ８ガス供給量（合計）：０．１〜１．０ＳＬＭ、
Ａｒガス供給量（合計）：１０〜２０ＳＬＭ、
Ｈ２ガス供給量（合計）：１００〜２００ＳＬＭ
ここで記述する「ガス供給量（合計）」とは、同じガスを供給するガス供給ノズルが反応空間に複数本設置されていた場合に、複数本のガス供給ノズルによって反応空間に供給されるガス供給量の合計を意味する。
【００３３】
基板処理装置１０においては、上記の処理条件が得られるように各部の駆動を制御する。たとえば、反応室１２内が所望の処理圧力（真空度）となるようにポンプ４７を駆動する。その際、反応室１２内の圧力を圧力センサで測定し、この測定結果に基づいて圧力調整バルブ４６をフィードバック制御する。また、図示しない交流電源から磁気コイル１４に交流電力を供給することにより、サセプタ１５に誘導電流を流して発熱させる。このとき、サセプタ１５から発せられる輻射熱により、反応空間１６内の温度が所望の温度となるように、磁気コイル１４に交流電力を供給する。具体的には、たとえば、反応室１２内の温度を図示しない温度センサで測定し、この測定結果に基づいて磁気コイル１４に供給する交流電力をフィードバック制御する。また、回転機構５３の回転軸５２を回転させることにより、断熱台５４と一緒にボート５５およびウエハ２３を回転させる。この回転動作は、後述するウエハ２３の搬送まで継続される。なお、磁気コイル１４に交流電流を供給したときに、ボート５５に収容されている各々のウエハ２３を電磁誘導により直接加熱してもよい。
【００３４】
また、成膜処理に用いるガスに関しても、上記の処理条件が得られるように、第１のガス供給系２５および第２のガス供給系２７によって、反応室１２内にガスを導入する。さらに詳述すると、第１のガス供給系２５に関しては、バルブ３６，３８を開いて、流量調節器３５により流量制御されたＨ２ガスと、流量調節器３７により流量制御されたＣ３Ｈ８ガスを、それぞれに対応する分岐配管３１，３２および中継配管２４を介して反応空間１６内に導入する。また、第２のガス供給系２７に関しては、バルブ４０，４２を開いて、流量調節器３９により流量制御されたＡｒガスと、流量調節器４１により流量制御されたＳｉＣｌ４ガスを、それぞれに対応する分岐配管３３，３４および中継配管２６を介して反応空間１６内に導入する。
【００３５】
これにより、反応空間１６内においては、ガス供給ノズル２１に設けられた複数のガス供給口２１ａから、それぞれＨ２ガスとＣ３Ｈ８ガスの混合ガスが供給される。また、ガス供給ノズル２２に設けられた複数のガス供給口２２ａから、それぞれＡｒガスとＳｉＣｌ４ガスの混合ガスが供給される。こうして供給された成膜用のガスは、反応空間１６の内部を一方（図１の左側）から他方（図１の右側）に向かって移動する際に、ボート５５に収容されている各々のウエハ２３の主面と接触する。これにより、各々のウエハ２３の主面上にエピタキシャル成長によって炭化珪素膜が形成される。
【００３６】
（搬出準備工程）
その後、予め決められた処理時間が経過すると、磁気コイル１４に対する交流電力の供給を停止する。これにより、反応空間１６内におけるボート５５およびウエハ２３の温度を所定の温度（たとえば、６００℃程度）まで下降させる。また、バルブ４０を開いてＡｒガスの供給を継続しつつ、バルブ３６，３８，４２を閉じて他のガスの供給を停止する
。これにより、反応空間１６内をＡｒガスに置換する。さらに、ポンプ４７の駆動を停止することにより、反応空間１６の圧力を常圧に戻す。
【００３７】
（搬出工程）
続いて、シール体５１を下降させることにより、ボート５５と一緒に複数枚のウエハ２３を反応室１２外に搬出する。以上で、一連の基板処理工程が終了となる。
【００３８】
＜本発明の実施の形態＞
ここで、本発明に係る基板処理装置は、反応空間に設置されるガス供給ノズルの傾きを抑制する傾き抑制手段を備えるものである。たとえば、上記図１に示す基板処理装置１０に本発明を適用した場合、傾き抑制手段は、反応空間１６に設置されるガス供給ノズル２１，２２の傾きを抑制するものとなる。以下、傾き抑制手段の構成を含めて、本発明の具体的な実施の形態について説明する。
【００３９】
なお、反応空間１６に設置されるガス供給ノズル２１，２２の本数は、反応空間１６の大きさや、ウエハ２３の直径などに応じて適宜変更可能である。そこで、以下の実施の形態においては、一つの反応空間１６にガス供給ノズル２１，２２を合計５本設置する場合を例に挙げて説明する。
【００４０】
［第１の実施の形態］
図２は本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置が備えるノズル固定部材の構成を上側から見た斜視図である。図示したノズル固定部材６１は、上述した傾き抑制手段として機能するものである。このノズル固定部材６１は、たとえば石英等の耐熱性材料からなるもので、全体に扇形状に形成されている。ノズル固定部材６１は、反応空間１６にガス供給ノズル２１，２２を設置するにあたって、各々のガス供給ノズル２１，２２を下側で支持するものである。このため、ノズル固定部材６１は、反応空間１６の下部に据え付けられる。また、上述した中継配管２４，２６とガス供給ノズル２１，２２との間の管路空間相互の接続は、ノズル固定部材６１を介して行われる。
【００４１】
ノズル固定部材６１は、たとえば、サセプタ１５に取り付けて固定される。その場合、ノズル固定部材６１の外側の円弧部分の径は、サセプタ１５の内周径に対応して設定される。また、ノズル固定部材６１を反応空間１６に取り付けた状態では、ノズル固定部材６１を通してウエハ２３の搬入および搬出を行う。このため、ノズル固定部材６１の内側の円弧部分の径は、上述した断熱台５４やその上に載せられるボート５５の搬入および搬出に支障のない寸法に設定されている。
【００４２】
ノズル固定部材６１には、反応空間１６に設置されるガス供給ノズル２１，２２の本数に応じて５つのノズル受け部６３が設けられている。各々のノズル受け部６３は、所定の深さと幅をもって断面凹形状にへこんだ状態で形成されている。ノズル受け部６３は、対向する２つの側面６３ａ，６３ｂと、これらの側面６３ａ，６３ｂと直角をなす底面６３ｃと、この底面６３ａから側面６３ａ，６３ｂとともに垂直に立ち上がる後面６３ｄとによって形成されている。このうち、ノズル受け部６３の底面６３ｃは、ガス供給ノズル２１，２２の下端部を受ける「受け面」として形成されている。ノズル受け部６３の幅は、ガス供給ノズル２１，２２の外径に対応して設定されている。ノズル受け部６３は、上方と内方を開放した構造になっている。
【００４３】
各々のノズル受け部６３は、ノズル固定部材６１の中心から放射状に延びる仮想線（不図示）を中心として、この仮想線に沿う向きで形成されている。このため、円周方向で隣り合う２つのノズル受け部６３を仕切る仕切り壁６８ａの厚さは、内周側から外周側に向かって徐々に厚くなっている。また、各々のノズル受け部６３は、ノズル固定部材６１の
円周方向において、所定の角度範囲（たとえば、８０〜１２０度）内に、所定の角度ピッチ（たとえば、２０度ピッチ程度）で並設されている。
【００４４】
さらに、ノズル固定部材６１には、ガス受け入れ孔６４と、ノズル倒れ抑制用の窪み部６６とが設けられている。ガス受け入れ孔６４は、一つのノズル受け部６３につき一つ設けられている。同様に、窪み部６６も、一つのノズル受け部６３につき一つずつ設けられている。
【００４５】
ガス受け入れ孔６４は、前述した中継配管２４又は中継配管２６を通して供給されるガスを受け入れる孔である。ノズル受け部６３にガス供給ノズル２１又は２２を挿入した場合は、このガス受け入れ孔６４を通してガス供給ノズル２１または２２にガスが流入する。ガス受け入れ孔６４は、たとえば、図示のように円形の開口形状でノズル受け部６３の底面６３ｃに形成されている。
【００４６】
窪み部６６は、ガス供給ノズル２１，２２に設けられる倒れ抑制ピン（不図示）に対応してノズル受け部６３に設けられている。また、窪み部６６は、ノズル固定部材６１のノズル受け部６３に対して図中下向きの矢印で示すＺ１方向からガス供給ノズル２１または２２を差し込んだ場合に、図示しない倒れ抑制ピンと嵌合し得るように、ノズル受け部６３の上側の開口縁に設けられている。
【００４７】
（ガス供給ノズルの取り付け手順）
次に、上記構成からなるノズル固定部材６１を用いてガス供給ノズル２１，２２を取り付ける場合の手順について説明する。まず、各々のガス供給ノズル２１，２２を、それぞれに対応するノズル受け部６３にＺ１方向から差し込む。このとき、ガス供給ノズル２１，２２の下端面をノズル受け部６３の底面６３ｃに突き当てることにより、ガス供給ノズル２１，２２の下端部をノズル受け部６３の底面６３ｃで受ける。また、その状態でガス供給ノズル２１，２２をノズル受け部６３の２つの側面６３ａ，６３ｂによって挟持する。これにより、ガス供給ノズル２１，２２の傾きが抑制される。また、ガス供給ノズル２１，２２の倒れ抑制ピン（不図示）を窪み部６６に嵌合させる。これにより、ガス供給ノズル２１，２２の倒れ込みが抑制されるとともに、ガス供給ノズル２１，２２の向きが決まる。具体的には、たとえば図３に示すように、各々のガス供給ノズル２１，２２に設けられているガス供給口２１ａ，２２ａが、サセプタ１５の中心Ｏに向かって開口するように、ガス供給ノズル２１，２２の向きが決まる。また、ガス供給ノズル２１，２２は、ノズル受け部６３を形成する２つの側面６３ａ，６３ｂ（図２を参照）に挟まれるかたちで支持される。
【００４８】
以上の取り付け作業をガス供給ノズル２１，２２ごとに行うことにより、サセプタ１５内の反応空間１６に５本のガス供給ノズル２１，２２を設置する。具体的な設置の形態としては、上記図３に例示するように、反応空間１６に取り付けられる整流部材６９と干渉しない位置に５本のガス供給ノズル２１，２２を並設する。整流部材６９は、各々のガス供給ノズル２１，２２から供給されるガスの流れを整えるために、反応空間１６に配置されるものである。５本のガス供給ノズル２１，２２は、各々のガス供給ノズル２１，２２から反応空間１６内に供給されるガスの混合を促すように、円周方向に交互に配置される。これにより、異なる種類のガスを供給するガス供給ノズル２１，２２同士が円周方向で隣り合うように配置される。図例では、５本のうち、３本がＨ２ガスとＣ３Ｈ８ガスの混合ガスを供給するガス供給ノズル２１となっており、残り２本がＡｒガスとＳｉＣｌ４ガスの混合ガスを供給するガス供給ノズル２２となっている。そして、円周方向において、両端に配置された２本と中央に配置された１本がそれぞれガス供給ノズル２１となっており、それらの間に挟まれる位置にガス供給ノズル２２が１本ずつ配置されている。
【００４９】
（第１の実施の形態の効果）
本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置によれば、次のような効果が得られる。
すなわち、反応空間１６に設置されるガス供給ノズル２１，２２の傾きを抑制する傾き抑制手段を、ノズル固定部材６１を用いて構成している。具体的には、ノズル固定部材６１にノズル受け部６３と固定用孔６５を設け、ノズル受け部６３に差し込んだガス供給ノズル２１，２２の下端部を底面６３ｃで受けた状態で、ガス供給ノズル２１，２２を固定する構成を採用している。このため、ガス供給ノズル２１，２２の下端面とこれが突き当たるノズル受け部６３の底面６３ｃとの面精度をもってガス供給ノズル２１，２２の傾きを抑制することができる。また、ノズル固定ネジ７３による締結力は、ガス供給ノズル２１，２２の下端面とこれに接触するノズル受け部６３の底面６３ｃとを密着させる方向に働く。このため、それらの面精度をガス供給ノズル２１，２２の傾き抑制効果に確実に反映させることができる。また、ノズル受け部６３の相対向する２つの側面６３ａ，６３ｂでガス供給ノズル２１，２２を挟むように支持するとともに、倒れ抑制ピン（不図示）と窪み部６６の嵌合によってガス供給ノズル２１，２２の倒れ込みを抑制している。このため、ガス供給ノズル２１，２２の下端面とノズル受け部６３の底面６３ｃとの面精度だけでガス供給ノズル２１，２２の傾きを抑制する場合に比べて、ガス供給ノズル２１，２２の傾きをより効果的に抑制することができる。このようにガス供給ノズル２１，２２の傾きを抑制することにより、高さ方向でボート５５の異なる位置にセットされたウエハ２３に対して、それぞれ所望の混合比で原料ガス等を均一に供給することが可能となる。したがって、ウエハ２３に炭化珪素膜を形成する場合の基板面内の膜厚均一性等を向上させることができる。
【００５０】
次に、第２の実施の形態の説明に入る前に、ガス供給ノズル２１，２２の傾きについて説明する。まず、反応空間１６に設置されるガス供給ノズル２１，２２は、ウエハ等の基板の成膜温度に対して十分な耐熱性を備える必要がある。特に、ＳｉＣのエピタキシャル成膜温度は１５００℃〜１８００℃程度と高い。このため、ＳｉＣのエピタキシャル成膜に用いられる基板処理装置１０のガス供給ノズル２１，２２は、基板の成膜温度よりも高い耐熱性を有する材料、一般的にはカーボンで構成される場合が多い。ただし、カーボン製の部材の平坦度は、０．１ｍｍ程度とあまりよくない。このため、上述のようにガス供給ノズル２１，２２の下端面をノズル受け部６３の底面６３ｃに接触等させて、反応空間１６にガス供給ノズル２１，２２を設置した場合、図４に示すようにガス供給ノズル２１，２２に傾きが生じることがある。ガス供給ノズル２１，２２は、たとえば全長が１０００ｍｍ程度の長尺の中空管となっている。したがって、実際にノズル固定部材６１を用いてガス供給ノズル２１，２２を設置すると、ガス供給ノズル２１，２２の下端側での傾きに比べて、ガス供給ノズル２１，２２の上端側での傾きが、たとえば寸法換算で３〜４ｍｍ程度に大きくなる場合がある。また、ガス供給ノズル２１，２２の傾きは、図４の上側に模式的に示すように、任意の方向に生じる可能性がある。そうした場合、ガス供給ノズル２１とガス供給ノズル２２の間に相対的な傾きが生じると、以下のような現象が起こるおそれがある。たとえば、Ｃ系のガスを供給するガス供給ノズル２１が、Ｓｉ系のガスを供給するガス供給ノズル２２よりもウエハ２３側に近づく状態で傾くと、基板積載領域の上側でＣ系のガス混合比が相対的に大きくなってしまう。また、これと反対に、Ｓｉ系のガスを供給するガス供給ノズル２２が、Ｃ系のガスを供給するガス供給ノズル２１よりもウエハ２３側に近づく状態で傾くと、基板積載領域の上側でＳｉ系のガス混合比が相対的に大きくなってしまう。さらに、ガス供給ノズル２１，２２全体が一様に傾いた場合は、ウエハ２３に供給される混合ガスの流量が基板積載領域の上側と下側で変わってしまう。
【００５１】
そこで、ガス供給ノズルの傾きを抑制するにあたって、より効果的な実施の形態を以下に記述する。ちなみに、ガス供給ノズル２１，２２の傾きは、予め決められた（設計上想定された）基準軸に対してガス供給ノズル２１，２２の中心軸がなす傾きによって定義される。このため、ガス供給ノズル２１，２２の傾き角度＝０度のときが理想状態となる。
上記の基準軸は、一般に鉛直軸と平行に設定される。ただし、本発明は、当該基準軸が鉛直軸と平行に設定される場合に限らず、何らかの理由で鉛直軸に対して少し傾いた状態に基準軸が設定される場合でも適用可能である。
【００５２】
［第２の実施の形態］
図５は本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置が備えるノズル支持部材の構成を下側から見た斜視図である。図示したノズル支持部材７１は、上述した傾き抑制手段として機能するものである。このノズル支持部材７１は、たとえば石英等の耐熱性材料からなるもので、全体に円弧状に形成されている。また、ノズル支持部材７１は、適度な厚みで板状に形成されている。ノズル支持部材７１には、複数の嵌合部７２が形成されている。各々の嵌合部７２は、上述したノズル固定部材６１のノズル受け部６３の配列ピッチと同じピッチで形成されている。また、各々の嵌合部７２は、ガス供給ノズル２１，２２の上端部の形状にあわせて凹状にへこんだ状態で形成され、この凹み部分にガス供給ノズル２１，２２の上端部を嵌合し得る構成になっている。
【００５３】
（ガス供給ノズルの取り付け手順）
次に、上記構成からなるノズル支持部材７１を用いてガス供給ノズル２１，２２を取り付ける場合の手順について説明する。まず、前述の第１の実施の形態で説明した手順でノズル固定部材６１に５本のガス供給ノズル２１，２２を取り付ける。次に、これらのガス供給ノズル２１，２２の上端部にノズル支持部材７１を装着する。具体的には、ノズル支持部材７１に設けられた各々の嵌合部７２に、それぞれに対応するガス供給ノズル２１，２２の上端部を嵌合させるように、ノズル支持部材７１を装着する（図６、図７を参照）。これにより、ガス供給ノズル２１，２２は、嵌合部７２との嵌合によって位置決めされる。また、各々のガス供給ノズル２１，２２の位置関係は、ノズル支持部材７１に形成された各々の嵌合部７２の位置関係に依存して設定される。図８（Ａ）はノズル支持部材７１を装着する前の反応室１２の状態を示す斜視図であり、図８（Ｂ）はノズル支持部材７１を装着した後の反応室１２の状態を示す斜視図である。図から分かるように、ノズル支持部材７１は、前述した整流部材６９と干渉しない位置に装着される。この場合、図６に示すように、整流部材６９に形成された２つの翼部６９ａに対して、ノズル支持部材７１の両端部がそれぞれ接触または近接した状態に配置される構成とすれば、整流部材６９を基準にガス供給ノズル２１，２２全体の位置を精度よく決めることができる。
【００５４】
（第２の実施の形態の効果）
本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置によれば、次のような効果が得られる。
すなわち、反応空間１６に設置されるガス供給ノズル２１，２２の傾きを抑制する傾き抑制手段を、ノズル支持部材７１を用いて構成している。具体的には、ノズル支持部材７１に嵌合部７２を設け、この嵌合部７２にガス供給ノズル２１，２２の上端部を嵌合させることにより、ガス供給ノズル２１，２２を位置決めする構成を採用している。このため、ガス供給ノズル２１，２２の傾き、特にノズル上端側での傾きを有効に抑制することができる。したがって、上述したノズル固定部材６１を用いてガス供給ノズル２１，２２を取り付けた場合に、仮にガス供給ノズル２１，２２の上端側に寸法換算で３〜４ｍｍ程度の傾きが生じていても、ノズル支持部材７１の装着によって当該傾きをたとえば１ｍｍ以下に低減することができる。さらに、整流部材６９を利用してノズル支持部材７１の装着位置を決めることにより、整流部材６９を基準にガス供給ノズル２１，２２の反応室１２内における取付位置を決めることができる。
【００５５】
なお、本実施の形態においては、ノズル固定部材６１を使用してガス供給ノズル２１，２２を取り付けることとしたが、本発明はこれに限らず、ノズル固定部材６１の代わりに、他の固定手段（不図示）を使用してもよい。ただし、ノズル固定部材６１との組合せでノズル支持部材７１を用いた場合は、これらの部材によって、各々のガス供給ノズル２１
，２２の傾きを抑制し、かつノズル相互の位置関係、さらには反応室１２内でのノズルの配置が決まるため、より好ましいものとなる。
【００５６】
続いて、第３の実施の形態の説明に入る前に、基板処理装置で行われる一般的なメンテナンス作業の一つである、ガス供給ノズルの交換作業について説明する。
ガス供給ノズルの交換は、たとえば、ノズル自身の消耗によって必要になる。従来においては、反応空間内の限られたスペースに所望の本数のガス供給ノズルを設置しようとすると、隣り合うガス供給ノズルの間隔が狭くなり、ノズル単体で取り外すことができなかった。このため、ガス供給ノズルの交換に際しては、大掛かりな取り外し作業を要していた。
【００５７】
（ノズル交換の作業手順）
以下、従来におけるノズル交換の作業手順の一例について図９（Ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する。
まず、図９（Ａ）に示すように、シール体５１を下降させることにより、断熱台５４に載せたボート５５を反応室１２の外に取り出す。次に、図９（Ｂ）に示すように、反応管１３、サセプタ１５、断熱材１７、マニホールド２０等と一緒に、ガス供給ノズル２１，２２を、筐体カバー５９の外に取り出す。次に、図９（Ｃ）に示すように、反応管１３、サセプタ１５、断熱材１７を取り外した後、ガス供給ノズル２１，２２を新しいノズルに交換する。その後は、これまでの作業と逆の手順をたどって元の状態に復旧させた後、シール部のリークチェック等を行う。
【００５８】
以上のように、従来においては、ガス供給ノズルの交換には大掛かりな作業が必要であるため、ノズルの交換作業に長い時間がかかっている。さらに、復旧後のリークチェック等の確認作業も必要になるため、ノズル交換に伴う基板処理装置の実質的な稼働停止時間が長く、このことが生産性に大きな影響を及ぼしている。そこで、ガス供給ノズルの交換を大掛かりな作業を必要とせずに行える技術として、以下に本発明の第３の実施の形態と第４の実施の形態を順に説明する。
【００５９】
［第３の実施の形態］
図１０は本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置が備えるノズル支持部材の構成を示す平面図であり、図１１はその断面図である。
ノズル支持部材７１は、たとえば石英等の耐熱性材料からなるもので、全体に円弧状に形成されている。また、ノズル支持部材７１は、適度な厚みで板状に形成されている。ノズル支持部材７１には、複数の嵌合部７２が形成されている。各々の嵌合部７２は、上述したノズル固定部材６１のノズル受け部６３の配列ピッチと同じピッチで形成されている。以上の点は、前述した第２の実施の形態に係るノズル支持部材７１と同様である。ただし、次の点は異なる。すなわち、各々の嵌合部７２は、ガス供給ノズル２１，２２の外径に対応した寸法で平面視Ｕ字形に形成されている。また、各々の嵌合部７２は、ノズル支持部材７１の上側、下側および内周側に向かって、それぞれ開放された構造になっている。
【００６０】
（ガス供給ノズルの取り付け手順）
次に、上記構成からなるノズル支持部材７１を用いてガス供給ノズル２１，２２を取り付ける場合の手順について説明する。まず、前述の第１の実施の形態で説明した手順でノズル固定部材６１にガス供給ノズル２１，２２を取り付ける。次に、これらのガス供給ノズル２１，２２にノズル支持部材７１を装着する。具体的には、ノズル支持部材７１に設けられた各々の嵌合部７２に、それぞれに対応するガス供給ノズル２１，２２の上端部を嵌合させるように、ノズル支持部材７１を装着する。このとき、平面視Ｕ字形をなす嵌合部７２の奥側の曲面にガス供給ノズル２１，２２の外周面を密着または近接させた状態で
嵌合させる。これにより、ガス供給ノズル２１，２２は、嵌合部７２との嵌合によって位置決めされる。また、各々のガス供給ノズル２１，２２の位置関係は、ノズル支持部材７１に形成された各々の嵌合部７２の位置関係に依存して設定される。ただし、嵌合部７２に嵌合されたガス供給ノズル２１，２２は、反応空間１６の中心Ｏに向かう方向と縦方向とに移動可能な状態に位置決めされる。
【００６１】
上述のようにノズル支持部材７１を装着したら、たとえば、整流部材６９にノズル支持部材７１を位置決めして固定する。具体的な固定の手段としては、たとえば、ネジ止めによる固定手段などを採用することが可能である。また、ガス供給ノズル２１，２２の取り付けに先立って、あらかじめノズル支持部材７１を整流部材６９に固定しておき、その後、ノズル固定部材６１とノズル支持部材７１とを用いてガス供給ノズル２１，２２を取り付けるようにしてもよい。その場合、図１０に示すように、整流部材６９に形成された２つの翼部６９ａに対して、ノズル支持部材７１の両端部がそれぞれ接触または近接した状態に配置される構成とすれば、整流部材６９を基準にガス供給ノズル２１，２２全体の位置を精度よく決めることができる。
【００６２】
（第３の実施の形態の効果）
本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置によれば、上記第２の実施の形態と同様の効果に加えて、次のような効果が得られる。
すなわち、ノズル支持部材７１に設けられた嵌合部７２は、反応空間１６の中心Ｏに向かう方向と縦方向とにガス供給ノズル２１，２２を移動可能な状態に位置決めする構成を採用している。このため、ガス供給ノズル２１，２２を交換する場合に、ガス供給ノズル２１，２２を単体で取り外したり取り付けたりすることが可能となる。具体的には、ガス供給ノズル２１，２２を所定量（たとえば、５ｍｍ程度）だけ上方に持ち上げ、その状態でガス供給ノズル２１，２２を反応空間１６の中心側に移動させることだけで、ノズル固定部材６１およびノズル支持部材７１からガス供給ノズル２１，２２を取り外すことができる。また、新しいガス供給ノズル２１，２２を取り付ける場合は、これと逆の手順で作業を行うことにより、ノズル固定部材６１およびノズル支持部材７１にガス供給ノズル２１，２２を取り付けることができる。このため、ガス供給ノズル２１，２２の交換に伴うメンテナンス作業を簡単かつ短時間で終えることができる。その結果、ノズル交換に伴う基板処理装置の実質的な稼働停止時間を短縮し、生産性の向上を図ることができる。
【００６３】
続いて、上記第３の実施の形態に係る基板処理装置に用いて好適なノズル着脱治具の発明を、本発明の第４の実施の形態として説明する。
【００６４】
［第４の実施の形態］
（ノズル着脱治具の構成）
図１２は本発明の第４の実施の形態に係るノズル着脱治具を説明する図である。
まず、図１２（Ａ）を用いてノズル着脱治具の構成を説明する。図示したノズル着脱治具８０は、大きくは、治具本体８１と、一対のアーム部８２と、ハンドル部８３と、を備えた構成となっている。治具本体８１は、長尺の板状に形成されている。一対のアーム部８２は、治具本体８１にネジ止め等によって一体的に固定されている。各々のアーム部８２は、それぞれ板状をなして、治具本体８１の長さ方向Ｌと直角をなす方向（治具本体８１の厚み方向の一方）に突出している。また、一対のアーム部８２は、治具本体８１の幅方向Ｗで相対向する状態に配置されている。治具本体８１の幅方向における一対のアーム部８２間の離間寸法は、ガス供給ノズル２１，２２の径にあわせて設定されている。機能的には、一対のアーム部８２の離間寸法は、一対のアーム部８２によってガス供給ノズル２１，２２を両側から挟み込んで支持し得る寸法に設定されている。ハンドル部８３は、略Ｕ字形に形成されている。ハンドル部８３の両端部は、それぞれネジ８４によって治具本体８１に固定されている。ハンドル部８３は、治具本体８１の２つの主面（最も面積が
大きい面）のうち、アーム部８２が突出する方向と反対側の主面に取り付けられている。また、ハンドル部８３は、治具本体８１の長さ方向でアーム部８２を跨ぐ位置に取り付けられている。
【００６５】
（ノズル着脱治具を用いたノズル交換の作業手順）
次に、ノズル着脱治具８０を用いたノズル交換の作業手順について、図１３を用いて説明する。
まず、図１３（Ａ）に示すように、シール体５１を下降させることにより、断熱台５４に載せたボート５５を反応室１２の外に取り出す。次に、各々のガス供給ノズル２１，２２を固定している固定ネジを取り外した後、図１３（Ｂ）に示すように、反応管１３の下側の開口部分から、作業者の手作業でノズル着脱治具８０を反応空間１６内に挿入する。次に、上記図１２（Ａ）に示す矢印方向からノズル着脱治具８０をガス供給ノズル２１，２２に近づけることにより、ガス供給ノズル２１，２２にノズル着脱治具８０を装着する。
【００６６】
ここで、ガス供給ノズル２１，２２の構成について図１２を参照して記述する。ガス供給ノズル２１，２２は、ノズル本体２１ｂ，２２ｂと、カバー部２１ｃ，２２ｃと、突起部としての倒れ抑制ピン２１ｄ，２２ｄと、を有している。カバー部２１ｃ，２２ｃは、ノズル本体２１ｂ，２２ｂの長さ方向の一部にノズル本体２１ｂ，２２ｂを覆う状態で装着されている。倒れ抑制ピン２１ｄ，２２ｄは、カバー部２１ｃ，２２ｃの装着位置よりも下方に設けられている。
【００６７】
上記構成のガス供給ノズル２１，２２に対して、ノズル着脱治具８０は、次のような状態で装着される。まず、治具本体８１の一方の主面は、上記図１２（Ｂ）に示すように、ガス供給ノズル２１，２２のカバー部２１ｃ，２２ｃの一面に密着または近接した状態で配置される。また、一対のアーム部８２は、カバー部２１ｃ，２２ｃと倒れ抑制ピン２１ｄ，２２ｄとの間に挿入されることで、ノズル本体２１ｂ，２２ｂを両側から挟み込むように配置される。このとき、各アーム部８２の上辺部は、カバー部材２１ｃ，２２ｃの下辺部に当接または近接した状態で配置される。また、一方のアーム部８２の下辺部は、倒れ抑制ピン２１ｄ，２２ｄに当接または近接した状態で配置される。これにより、一対のアーム部８２は、カバー部２１ｃ，２２ｃと倒れ抑制ピン２１ｄ，２２ｄとの間に係止された状態となる。また、互いに隣り合う３本のガス供給ノズル（不図示）のうち、中央のガス供給ノズルにノズル着脱治具８０を装着する場合は、一対のアーム部８２が、それぞれに隣り合うガス供給ノズルとの間（隙間部分）に挿入される。
【００６８】
このようにガス供給ノズル２１，２２にノズル着脱治具８０を装着したら、その状態でハンドル部８３を握りながら、ノズル着脱治具８０と一緒にガス供給ノズル２１，２２を持ち上げる。このとき、一方のアーム部８２と倒れ抑制ピン２１ｄ，２２ｄとの引っ掛かりにより、ノズル着脱治具８０上でのガス供給ノズル２１，２２の振れが抑制される。次に、たとえば図１４に示すように、上記のとおりノズル着脱治具８０をガス供給ノズル２２に装着して、ガス供給ノズル２２をノズル着脱治具８０で持ち上げた状態から、反応空間１６の中心側にそれらを水平方向に移動させる。これにより、ガス供給ノズル２２の下端部がノズル固定部材６１から離脱する。また、図示はしないが、ガス供給ノズル２２の上端部がノズル支持部材７１（図１０、図１１を参照）から離脱する。さらに、その状態からノズル着脱治具８０と一緒にガス供給ノズル２２を引き下ろすことにより、ガス供給ノズル２２を反応空間１６の外に取り出す。これにより、反応空間１６からガス供給ノズル２２が単体で取り外される。その後、新しいガス供給ノズル２２を反応空間１６に設置する場合は、ノズル着脱治具８０を新しいガス供給ノズル２２に付け替えて、取り外しと逆の手順で反応空間１６内に取り付ければよい。また、ガス供給ノズル２１に関しても、同様の取り付け作業および取り外し作業を行えばよい。
【００６９】
（第４の実施の形態の効果）
本発明の第４の実施の形態に係るノズル着脱治具８０によれば、ガス供給ノズル２１，２２が狭い間隔で反応空間１６に設置されている場合でも、上記図９に示すように筐体カバー５９の外側で反応管１３等を取り外すことなく、ノズル着脱治具８０を用いてガス供給ノズル２１，２２を単体で交換することができる。このため、ガス供給ノズル２１，２２の交換に要する時間を大幅に短縮することができる。また、ガス供給ノズル２１，２２を単体で交換可能となるため、反応管１３等を元通りに組み付けた後のリークチェック等も不要になる。したがって、ノズル交換に伴うメンテナンス時間の短縮に大きく貢献することができる。さらに、ガス供給ノズル２１，２２の着脱に際して、上述のようにガス供給ノズル２１，２２にノズル着脱治具８０を装着するときに、一対のアーム部８２でガス供給ノズル２１，２２を挟持するとともに、一方のアーム部８２をカバー部２１ｃ，２２ｃと倒れ抑制ピン２１ｄ，２２ｄとの間に係止することにより、ノズルの倒れ込みを抑制することができる。このため、ノズル交換の作業の安全性を確保することができる。
【００７０】
なお、ここでは上記第３の実施の形態に係る基板処理装置との組合せで、第４の実施の形態に係るノズル着脱治具８０を用いるものとしたが、これに限らず、上記第１または第２の実施の形態に係る基板処理装置との組合せ、あるいは公知の基板処理装置との組合せで、ノズル着脱治具８０を用いてもよい。また、ノズル着脱治具のアーム部は第４の実施の形態に記載したものに限らず、ノズルの形状に応じて、一定の条件の下に適宜追加してもよい。また、ノズル固定部材６１は、上述した扇形状に限らず、たとえば、円環形状であってもよい。
【００７１】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様を付記する。
【００７２】
［付記１］
基板を処理する反応室を形成するとともに、前記反応室内に確保された反応空間に複数枚の基板を縦方向に積載した状態で収容する反応管と、
前記反応空間に前記縦方向に沿って設置されるガス供給ノズルと、
前記反応空間に設置される前記ガス供給ノズルの傾きを抑制する傾き抑制手段と、
を備え、
前記傾き抑制手段は、前記ガス供給ノズルの下端部を受け面で受けるノズル受け部と、前記受け面で前記ガス供給ノズルの下端部を受けた状態で当該ガス供給ノズルを前記ノズル受け部に固定可能な固定部とが形成されたノズル固定部材を備える
基板処理装置。
【００７３】
［付記２］
前記ノズル固定部材の前記ノズル受け部は、前記ガス供給ノズルを挟持する２つの側面を有する
付記１に記載の基板処理装置。
【００７４】
［付記３］
基板を処理する反応室を形成するとともに、前記反応室内に確保された反応空間に複数枚の基板を縦方向に積載した状態で収容する反応管と、
前記反応空間に前記縦方向に沿って設置されるガス供給ノズルと、
前記反応空間に設置される前記ガス供給ノズルの傾きを抑制する傾き抑制手段と、
を備え、
前記傾き抑制手段は、前記ガス供給ノズルの上端部に嵌合して当該ガス供給ノズルを位置決めする嵌合部が形成されたノズル支持部材を備える
基板処理装置。
【００７５】
［付記４］
前記反応空間に前記ガス供給ノズルとともに設置される整流部材を備え、
前記ノズル支持部材は、前記嵌合部を前記ガス供給ノズルに嵌合させた状態で、当該ノズル支持部材の両端部が前記整流部材に接触または近接した状態に配置されるものである
付記３記載の基板処理装置。
【００７６】
［付記５］
前記嵌合部は、前記反応空間の中心に向かう方向と前記縦方向とに前記ガス供給ノズルを移動可能な状態に位置決めするものである
付記３または付記４に記載の基板処理装置。
【００７７】
［付記６］
前記嵌合部は、平面視Ｕ字形に形成されている
付記５に記載の基板処理装置。
【００７８】
［付記７］
基板を処理する反応室を形成するとともに、前記反応室内の反応空間に複数枚の基板が縦方向に積み上げられた状態で収容される反応管と、
前記反応空間に前記縦方向に沿って設置されるガス供給ノズルと、
を備える基板処理装置において、
前記ガス供給ノズルの着脱に用いられるノズル着脱治具であって、
前記ガス供給ノズルを着脱するときに前記ガス供給ノズルに密着または近接して配置される治具本体と、
前記治具本体から突出する状態で当該治具本体に設けられ、前記ガス供給ノズルを挟むように支持する一対のアーム部と、
前記治具本体に設けられたハンドル部と、
を有するノズル着脱治具。
【００７９】
［付記８］
前記ガス供給ノズルは、ノズル本体と、前記ノズル本体の長さ方向の一部に当該ノズル本体を覆う状態で装着されたカバー部と、前記カバー部の装着位置よりも下方に位置して前記ノズル本体に設けられた突起部とを有するものであり、
前記アーム部は、前記カバー部と前記突起部との間に係止状態で挿入されるものである
付記７に記載のノズル着脱治具。
【００８０】
［付記９］
付記７に記載のノズル着脱治具を用いて前記ガス供給ノズルを着脱するノズル着脱方法であって、
前記反応空間に設置されたガス供給ノズルを取り外す場合に、
前記ガス供給ノズルに対して前記治具本体を密着または近接させるように前記ノズル着脱治具を装着する第１のステップと、
前記第１のステップで装着した前記ノズル着脱治具を、前記ハンドル部を握りながら前記ガス供給ノズルとともに持ち上げた後、これらを前記反応空間の中心側に移動させてから引き下ろすことにより、前記ガス供給ノズルを前記反応空間の外に取り出す第２のステップと、
を含むノズル着脱方法。
【００８１】
［付記１０］
付記８に記載のノズル着脱治具を用いて前記ガス供給ノズルを着脱するノズル着脱方法であって、
前記反応空間に設置されたガス供給ノズルを取り外す場合に、
前記ガス供給ノズルに対して前記治具本体を密着または近接させるように前記ノズル着脱治具を装着することにより、前記一対のアーム部で前記ガス供給ノズルを挟持するとともに、当該アーム部を前記カバー部と前記突起部との間に係止させる第１のステップと、
前記第１のステップで装着した前記ノズル着脱治具を、前記ハンドル部を握りながら前記ガス供給ノズルとともに持ち上げた後、これらを前記反応空間の中心側に移動させてから引き下ろすことにより、前記ガス供給ノズルを前記反応空間の外に取り出す第２のステップと、
を含むノズル着脱方法。
【符号の説明】
【００８２】
１０…基板処理装置
１２…反応室
１３…反応管
１６…反応空間
２１，２２…ガス供給ノズル
６１…ノズル固定部材
６３…ノズル受け部
６９…整流部材
７１…ノズル支持部材
７２…嵌合部
８０…ノズル着脱治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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