(57)【要約】【課題】方向による色度のバラツキの少ない半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置１０では、第１および第２リードフレーム１２、１３は、同一平面上に、離間して配置されている。半導体発光素子１１は、第1および第２端子１１ａ、１１ｂを有している。第1端子１１ａは第1リードフレーム１２に電気的に接続され、第２端子１１ｂは第２リードフレーム１３に電気的に接続されている。樹脂体１５は第１および第２リードフレーム１２、１３上に半導体発光素子１１を埋め込むように設けられている。樹脂体１５は第１および第２リードフレーム１２、１３と反対側である上側のサイズが第１および第２リードフレーム１２、１３側である下側のサイズより小さい。樹脂体１５は、半導体発光素子１１から放出される光を吸収し、吸収した光の波長より長い波長の光を放出する蛍光体１４を含有している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一平面上に、離間して配置された第１および第２リードフレームと、
第1および第２端子を有し、前記第1端子が前記第1リードフレームに電気的に接続され、前記第２端子が前記第２リードフレームに電気的に接続された半導体発光素子と、
前記第１および第２リードフレーム上に前記半導体発光素子を埋め込むように設けられ、前記第１および第２リードフレームと反対側である上側のサイズが前記第１および第２リードフレーム側である下側のサイズより小さく、前記半導体発光素子から放出される光を吸収して前記光の波長より長い波長の光を放出する蛍光体を含有する樹脂体と、
を具備することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記同一平面に略平行な上面を有し、前記樹脂体の前記同一平面に略垂直な側面を露出して前記樹脂体を覆い、前記第１および第２リードフレームの下面の一部および端面の一部を覆い、前記下面の残部および前記端面の残部を露出させた透光性樹脂体を具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記樹脂体は、ドーム状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記樹脂体は、下側が直方体状であり、上側が四角錐台状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記樹脂体は、下側が第１の直方体状であり、上側が前記第１の直方体より小さい第２の直方体状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
同一平面上に、離間して配置された第１および第２リードフレームと、
第1および第２端子を有し、前記第1端子が前記第1リードフレームに電気的に接続され、前記第２端子が前記第２リードフレームに電気的に接続された半導体発光素子と、
前記第１および第２リードフレーム上に前記半導体発光素子を埋め込むように設けられ、前記半導体発光素子から放出される光を吸収して前記光の波長より長い波長の光を放出する蛍光体を含有するドーム状の樹脂体と、
を具備することを特徴とする半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体発光装置のパッケージとして、配光性を制御し、パッケージからの光取り出しを高めるために封止樹脂を囲む外囲器にポリアミド系熱可塑性樹脂を用いているものが多かった。
【０００３】
然し、ポリアミド系熱可塑性樹脂は熱と光による劣化が封止樹脂に用いられるシリコーン樹脂等に比べ大きく、長期間の信頼性に難があった。そこで、大きな劣化要因であるポリアミド系熱可塑性樹脂を排除したパッケージも知られている。
【０００４】
この外囲器を排除した半導体発光装置として、窒化物半導体発光素子がリードフレームにマウント・ボンディングされ、リードフレーム上に窒化物半導体発光素子を埋め込むように蛍光体を含有する直方体状の透明樹脂体が設けられているものがある。
【０００５】
青色光を放出する窒化物半導体発光素子と、青色光を吸収して黄色光を放出する蛍光体を含有する透明樹脂体を用いることにより、白色光を放出する半導体発光装置が得られる。
【０００６】
然しながら、この半導体発光装置では、見る方向により青色光の強度と黄色光の強度の比率が異なってくる。その結果、方向による色度のバラツキが大きくなるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−９４３５１号公報
【特許文献２】特開２００９−２６０２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
方向による色度のバラツキの少ない半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一つの実施形態によれば、半導体発光装置では、第１および第２リードフレームは、同一平面上に、離間して配置されている。半導体発光素子は、第1および第２端子を有している。前記第1端子が前記第1リードフレームに電気的に接続され、前記第２端子が前記第２リードフレームに電気的に接続されている。樹脂体は、前記第１および第２リードフレーム上に前記半導体発光素子を埋め込むように設けられている。前記樹脂体は、前記第１および第２リードフレームと反対側である上側のサイズが前記第１および第２リードフレーム側である下側のサイズより小さい。前記樹脂体は、前記半導体発光素子から放出される光を吸収して前記光の波長より長い波長の光を放出する蛍光体を含有している。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図。
【図２】実施形態に係る半導体発光装置を示す斜視図。
【図３】実施形態に係る比較例の半導体発光装置を示す断面図。
【図４】実施形態に係る半導体発光装置の製造工程を示すフローチャート。
【図５】実施形態に係る半導体発光装置の製造工程の要部を順に示す断面図。
【図６】実施形態に係る別の半導体発光装置の要部を示す断面図。
【図７】実施形態に係る別の半導体発光装置を示す断面図。
【図８】実施形態に係る別の半導体発光装置を示す斜視図。
【図９】実施形態に係る別の半導体発光装置の製造工程の要部を示す断面図。
【図１０】実施形態に係る別の半導体発光装置を示す断面図。
【図１１】実施形態に係る別の半導体発光装置を示す斜視図。
【図１２】実施形態に係る別の半導体発光装置の製造工程の要部を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１２】
（実施形態）
本実施形態に係る半導体発光装置について図１および図２を用いて説明する。図１は本実施形態の半導体発光装置を示す断面図、図２は本実施形態の半導体発光装置を示す斜視図である。
【００１３】
本実施形態の半導体発光装置は、青色光を放出する窒化物半導体発光素子を、青色光を吸収して黄色光を放出する蛍光体を含有する透光性樹脂でモールドした半導体発光装置である。
【００１４】
図１および図２に示すように、本実施形態の半導体発光装置１０では、半導体発光素子１１は、第１および第２リードフレーム１２、１３に電気的に接続されている。半導体発光素子１１を覆うように蛍光体１４を含有するドーム状の樹脂体１５が設けられている。更に、樹脂体１５を覆うように直方体状の透光性樹脂体１６が設けられている。
【００１５】
半導体発光素子１１は、例えば波長約４５０ｎｍの青色光を放出する窒化物半導体発光素子である。半導体発光素子１１では、サファイア基板にＮ型ＧａＮクラッド層と、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造を含む半導体発光層と、Ｐ型ＧａＮクラッド層と、Ｐ型ＧａＮコンタクト層が順に積層されている。
【００１６】
Ｐ型ＧａＮコンタクト層上に第１端子（Ｐ側電極）１１ａが設けられている。Ｎ型ＧａＮクラッド層を露出する切り欠き部（図示せず）に第２端子（Ｎ側電極）１１ｂが設けられている。
【００１７】
第１および第２リードフレーム１２、１３は平板状である。第１および第２リードフレーム１２、１３は、同一平面上にあり、紙面のＸ方向に離間して配置されている。
【００１８】
第１リードフレーム１２は、Ｚ軸方向から見て矩形のベース部１２ａが１つ設けられており、このベース部１２ａから４本の吊りピン１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇが延出している。第２リードフレーム１３は、Ｚ軸方向から見て矩形のベース部１３ａが１つ設けられており、このベース部１３ａから４本の吊りピン１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ、１３ｇが延出している。第１リードフレーム１２と比較してＸ方向の長さが短く、Ｙ方向の長さは同じである。
【００１９】
第１リードフレーム１２の下面１２ｃにおけるベース部１２ａのＸ方向の中央部には凸部１２ｂが形成されている。第２リードフレーム１３の下面１２ｃにおけるベース部１２ａのＸ方向の中央部には凸部１３ｂが形成されている。
【００２０】
第１リードフレーム１２のベース部１２ａ上に、ダイマウント材１７、例えば接着剤を介して半導体発光素子１１がマウントされている。第１端子１１ａは、ワイヤ１８を介して第１リードフレーム１２のベース部１２ａに電気的に接続されている。第２端子１１ｂは、ワイヤ１９を介して第２リードフレーム１３のベース部１３ａに電気的に接続されている。
【００２１】
蛍光体１４は、例えば青色光を吸収して黄色光を放出するＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）蛍光体である。ＹＡＧ蛍光体は下記の一般式で表わすことができる。
【００２２】
（ＲＥ１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧａ１−ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ
但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、ＲＥはＹおよびＧｄから選択される少なくとも１種の元素である。
【００２３】
樹脂体１５は、例えば青色光および黄色光に対して透光性を有するシリコーン樹脂である。樹脂体１５は蛍光体１４を、例えば４０ｗｔ％乃至５０ｗｔ％程度含んでいる。樹脂体１５は、半導体発光素子１１およびワイヤ１８、１９を覆っている。
【００２４】
樹脂体１５はドーム状なので、サイズは第１および第２リードフレーム１２、１３側の下方から第１および第２リードフレーム１２、１３と反対側の上方に向かって連続的に小さくなっている。即ち、第１および第２リードフレーム１２、１３側である下側のサイズより、第１および第２リードフレーム１２、１３と反対側である上側のサイズが小さい。
【００２５】
樹脂体１５はドーム状で、第１および第２リードフレーム１２、１３に略垂直な側面を有していないので、樹脂体１５は透光性樹脂体１６から露出していない。
【００２６】
透光性樹脂体１６は直方体状で、その上面１６ａは、第１および第２リードフレーム１２、１３のある同一平面に略平行である。透光性樹脂体１６は、樹脂体１５を覆い、第１および第２リードフレーム１２、１３の下面１２ｃ、１３ｃを露出して、第１および第２リードフレーム１２、１３を覆っている。透光性樹脂体１６は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂である。
【００２７】
透光性樹脂体１６は、樹脂体１５を保護するとともに、半導体発光装置１０を基板に搭載する時のピックアップ等のハンドリング性を向上させるために設けられている。
【００２８】
上述した半導体発光装置１０は、蛍光体１４を含有する樹脂体１５の配光特性を半導体発光素子１１の配光特性に近づけることにより、方向による色度のバラツキが低減されるように構成されている。
【００２９】
次に、本実施形態の半導体発光装置１０の配光特性について、比較例の半導体発光装置の配光特性と対比して説明する。
【００３０】
図３は比較例の半導体発光装置を示す図である。図３に示すように、比較例の半導体発光装置３０では、半導体発光素子１１は蛍光体１４を含有する直方体状の樹脂体３１でモールドされている。
【００３１】
比較例の半導体発光装置３０では、樹脂体３１は直方体状なので、半導体発光素子１１から見て斜め上方に蛍光体１４が多く分布している。その結果、半導体発光素子１１から斜め上方向に放射される青色光は蛍光体に当たる確率が高いので、青色光として樹脂体３１の外部に抜け出にくくなっている。
【００３２】
従って、見る方向により青色光と黄色光の強度比率が異なり、見る方向による色度ばらつき（色割れ）が発生する。色度ばらつき（色割れ）とは、青色光と黄色光を混色化した際、見る方向により白色度が変わってしまうことである。
【００３３】
一方、  本実施例の半導体発光装置１０では、樹脂体１５はドーム状なので、半導体発光素子１１から見て蛍光体１４は全体的に分布している。その結果、比較例の樹脂体３１に比べて半導体発光素子１１から斜め上方向に放射される青色光は蛍光体と当たる確率が減少するので、青色光として樹脂体１５の外部に出やすくなっている。
【００３４】
従って、見る方向により青色光と黄色光の強度比率が異なっていてもその差が少なくなり、見る方向による色度ばらつきが低減される。
【００３５】
即ち、青色光と黄色光の強度に違いがあっても、青色光と黄色光の強度比率が同じであれば良い。青色光の配光特性と黄色光の配光特性を類似させることにより、方向による色度ばらつきを低減することが可能である。
【００３６】
次に、半導体発光装置１０の製造方法について図４および図５を用いて説明する。図４は半導体発光装置１０の製造工程を示すフローチャート、図５は半導体発光装置１０の製造工程の要部を順に示す断面図である。
【００３７】
図５（ａ）に示すように、リードフレーム１２、１３を用意する。リードフレーム１２、１３は、リードフレーム１２、１３を１ユニットとしてＹ方向に繰り返し形成されているリードフレームの一部である。
【００３８】
半導体発光素子１１をリードフレーム１２のベース部１２ａにダイマウント材１７を用いてマウントする。ワイヤ１８を半導体発光素子１１の第１端子１１ａとリードフレーム１２のベース部１２ａにボンディングする。ワイヤ１９を半導体発光素子１１の第２端子１１ｂとリードフレーム１３のベース部１３ａにボンディングする（ステップＳ０１）。
【００３９】
図５（ｂ）に示すように、例えば半導体発光素子１１を収納可能なドーム状の凹部を有する金型５１に、ディスペンサー（図示せず）を用いて蛍光体１４を含有する液状のシリコーン樹脂５２を注入する。次に、リードフレーム１２、１３を反転して、半導体発光素子１１を金型５１の凹部に収納し、シリコ−ン樹脂５２を所定の温度でキュアする。キュアされたシリコ−ン樹脂５２を金型５１から引き抜く（ステップＳ０２）。
【００４０】
これにより、リードフレーム１２、１３にマウント・ボンディングされた半導体発光素子１１およびワイヤ１８、１９を覆い、蛍光体１４を含有するドーム状の樹脂体１５が得られる。
【００４１】
図５（ｃ）に示すように、例えば樹脂体１５を収納可能な直方体状の凹部を有する金型５３に、ディスペンサー（図示せず）を用いて液状のエポキシ樹脂５４を注入する。次に、リードフレーム１２、１３を反転して、樹脂体１５を金型５３の凹部に収納し、エポキシ樹脂５４を所定の温度でキュアする。キュアされたエポキシ樹脂５４を金型から引き抜く（ステップＳ０３）。
【００４２】
これにより、ドーム状の樹脂体１５を覆う直方体状の透光性樹脂体１６が得られる。透光性樹脂体１６は、リードフレーム１２、１３が配置された平面に略平行な上面１６ａを有する。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態の半導体発光装置１０では、同一平面上に離間して配置されたリードフレーム１２、１３上に、半導体発光素子１１を埋め込むように蛍光体１４を含有するドーム状の樹脂体１５が設けられている。
【００４４】
その結果、蛍光体１４を含有する直方体状の樹脂体に比べて、斜め上方から下方に向かう青色光の強度が増加し、黄色光の比率が正面方向との比率に近くなる。従って、方向による色度のバラツキの少ない半導体発光装置が得られる。
【００４５】
尚、樹脂体１５のドームの形状は特に限定されず、方向による色度のバラツキが改善されるように半導体発光素子の青色光配光特性に併せて適宜設定することができる。
【００４６】
半導体発光素子１１の上面に第１および第２端子１１ａ、１１ｂが設けられている場合について説明したが、第１および第２端子１１ａ、１１ｂが設けられる面は特に限定されない。
【００４７】
図６は別の半導体発光装置の要部を示す断面図である。図６（ａ）に示すように、半導体発光素子５５が上下通電型の場合、第１端子が半導体発光素子５５の下面に設けられ、第２端子が半導体発光素子５５の上面に設けられる。半導体発光素子５５は導電性のダイマウント材５６によりリードフレーム１２にマウントされる。ワイヤ１８は不要である。
【００４８】
図６（ｂ）に示すように、半導体発光素子５７がフリップチップの場合、半導体発光素子５７の上面にバンプ５８ａ、５８ｂが設けられる。バンプ５８ａ、５８ｂをリードフレーム１２、１３に熱圧着することにより、半導体発光素子５７は、リードフレーム１２、１３にフリップチップ実装される。ワイヤ１８、１９は不要である。
【００４９】
蛍光体１４がＹＡＧ蛍光体である場合について説明したが、蛍光体の種類は特に限定されない。例えばサイアロン系の赤色蛍光体、またはサイアロン系の緑色蛍光体等でも構わない。青色光と、赤色光または緑色光が混合され、色度バラツキの少ない光を放出する半導体発光装置が得られる。
【００５０】
蛍光体１４を含有する樹脂体がドーム状である場合について説明したが、これに限定されるものではなく、半導体発光素子の青色光配光特性に併せて、方向による色度のバラツキが改善されるような形状で有ればよい。例えば、下側が直方体状、上側が四角錐台状でも構わない、下側が第１の直方体状、上側が第１の直方体より小さい第２の直方体状でも構わない。蛍光体１４を含有する樹脂体の上側のサイズが下側のサイズより小さくなる形状が好ましい。
【００５１】
図７および図８は、別の半導体装置を示す図で、図７はその断面図、図８はその斜視図である。
【００５２】
図７および図８に示すように、別の半導体発光装置６０では、蛍光体１４を含有する樹脂体６１は、下部６１ａ（下側）が直方体状で、上部６１ｂ（上側）が四角錐台状である。上部６１ｂのサイズは、下部６１ａのサイズより小さい。
【００５３】
直方体状の透光性樹脂体６２が、リードフレーム１２、１３に略垂直な樹脂体６１の側面（下部６１ａの側面）を露出して樹脂体６１を覆っている。
【００５４】
樹脂体６１は、図３に示す比較例の樹脂体３１に比べて斜め上方の蛍光体１４の含有量が低減されている。従って、図１に示す実施形態の樹脂体１５と同様に下部６１ａへ行くほど相対的に青色光が増加し、黄色光が少なくなり、青色光と黄色光の比が増加する。半導体発光装置６０の下部から放出される光は、黄ばみが減少する。方向による色度のバラツキを改善することが可能である。
【００５５】
図９は半導体発光装置６０の製造工程の要部を示す断面図である。図９（ａ）に示すように、例えば半導体発光素子１１を収納可能な直方体状の凹部を有する金型６４に、ディスペンサー（図示せず）を用いて蛍光体１４を含有する液状のシリコーン樹脂５２を注入する。次に、リードフレーム１２、１３を反転して、半導体発光素子１１を金型６４の凹部に収納し、シリコ−ン樹脂５２を所定の温度でキュアする。キュアされたシリコ−ン樹脂５２を金型６４から引き抜く（ステップＳ０２）。
【００５６】
これにより、リードフレーム１２、１３にマウント・ボンディングされた半導体発光素子１１およびワイヤ１８、１９を覆い、蛍光体１４を含有する直方体状の樹脂体６５が得られる。
【００５７】
図９（ｂ）に示すように、Ｖ字状の断面を有するブレード６６を用い、所定のダイシングラインに沿って樹脂体６５をハーフカットする。これにより、直方体状の樹脂体６５が、直方体状の下部６１ａと、四角錐台状の上部６１ｂを有する樹脂体６１になる。
【００５８】
尚、樹脂体６１は、直方体状の下部と四角錐台状の上部からなる凹部を有する金型に半導体発光素子１１を収納し、蛍光体１４を含有する液状のシリコーン樹脂５２でモールドすることにより形成することもできる。
【００５９】
下部６１ａの高さと上部６１ｂの高さの比、および下部６１ａの幅と上部６１ｂの幅の比等は特に限定されず、方向による色度のバラツキが改善されるように適宜設定することができる。
【００６０】
図１０および図１１は、更に別の半導体装置を示す図で、図１０はその断面図、図１１はその斜視図である。
【００６１】
図１０および図１１に示すように、更に別の半導体発光装置８０では、蛍光体１４を含有する樹脂体８１は、下部８１ａ（下側）が第１の直方体状で、上部８１ｂ（上側）が第１の直方体より小さい第２の直方体状である。上部８１ｂのサイズは、下部８１ａのサイズより小さい。
【００６２】
直方体状の透光性樹脂体８２が、リードフレーム１２、１３に略垂直な樹脂体８１の側面（下部８１ａの側面）を露出して樹脂体８１を覆っている。
【００６３】
樹脂体８１は、図３に示す比較例の樹脂体３１に比べて斜め上方の蛍光体１４の含有量が低減されている。従って、図１に示す実施形態の樹脂体１５と同様に下部８１ａへ行くほど相対的に青色光が増加し、黄色光が少なくなり、青色光と黄色光の比が増加する。半導体発光装置８０の下部から放出される光は、黄ばみが減少する。方向による色度のバラツキを改善することが可能である。
【００６４】
図１２は半導体発光装置８０の製造工程の要部を示す断面図である。図１２に示すように、矩形状の断面を有するブレード８５を用い、所定のダイシングラインに沿って樹脂体６５をハーフカットする。これにより、直方体状の樹脂体６５が、第１の直方体状の下部８１ａと、第１の直方体より小さい第２の直方体状の上部８１ｂを有する樹脂体８１になる。
【００６５】
尚、樹脂体８１は、第１の直方体状の下部と第１の直方体より小さい第２の直方体状の上部からなる凹部を有する金型に半導体発光素子１１を収納し、蛍光体１４を含有する液状のシリコーン樹脂５２でモールドすることにより形成することもできる。
【００６６】
下部８１ａの高さと上部８１ｂの高さの比、および下部８１ａの幅と上部８１ｂの幅の比等は特に限定されず、方向による色度のバラツキが改善されるように適宜設定することができる。
【００６７】
また、第１の直方体の辺と第２の直方体の辺が平行に配置されている場合について説明したが、第１の直方体の辺と第２の直方体の辺が交差するように配置されていてもよい。
【００６８】
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００６９】
なお、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。  
（付記１）  前記半導体発光素子は、窒化物半導体発光素子である請求項１に記載の半導体発光装置。
【００７０】
（付記２）  前記樹脂体はシリコーン樹脂で、前記透光性樹脂体はエポキシ樹脂である請求項１に記載の半導体発光装置。
【００７１】
（付記３）  前記蛍光体は、ＹＡＧ蛍光体である請求項１に記載の半導体発光装置。
【００７２】
（付記４）  前記半導体発光素子から前記同一平面に垂直な方向の前記樹脂体の高さと、前記半導体発光素子から前記同一平面に平行な方向の前記樹脂体の幅が、略等しい請求項１に記載の半導体発光装置。
【符号の説明】
【００７３】
１０、３０、６０、８０  半導体発光装置
１１、５５、５７  半導体発光素子
１１ａ  第１端子
１１ｂ  第２端子
１２、１３  リードフレーム
１４  蛍光体
１５、３１、６１、６５、８１  樹脂体
１６、６２、８２  透光性樹脂体
１７、５６  ダイマウント材
１８、１９  ワイヤ
４０、４１、４２  配光特性
５１、５３、６４  金型
５２  シリコーン樹脂
５４  エポキシ樹脂
５８ａ、５８ｂ  バンプ
６１ａ、８１ａ  下部
６１ｂ、８１ｂ  上部
６６、８５  ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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