(57)【要約】【課題】  半導体ウェハとシリコーン系接着材層の間に気泡を有することなく、表面に均一な厚さのシリコーン系接着材層を有する半導体ウェハの製造方法を提供する。【解決手段】  シリコーン系接着材層を有する半導体ウェハの製造方法であって、次の工程から少なくともなる半導体ウェハの製造方法。１）半導体ウェハの片面に液状シリコーン系接着剤を塗布する工程、および２）該接着剤の表面に非フッ素系剥離性フィルムを被覆する工程、あるいは、前記１）と前記２）を同時に行う工程、次いで、３）該剥離性フィルムを貼着した状態で前記接着剤を一定の厚さで硬化させる工程【選択図】  図１
2013251430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコーン系接着材層を有する半導体ウェハの製造方法であって、次の工程から少なくともなる半導体ウェハの製造方法。
１）半導体ウェハの片面に液状シリコーン系接着剤を塗布する工程、および
２）該接着剤の表面に非フッ素系剥離性フィルムを被覆する工程、
あるいは、前記１）と前記２）を同時に行う工程、
次いで、
３）該剥離性フィルムを貼着した状態で前記接着剤を一定の厚さで硬化させる工程
【請求項２】
液状シリコーン系接着剤がヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物である、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物が、
(Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子水素原子を有するオルガノポリシロキサン、
(Ｃ)接着促進剤、および
(Ｄ)ヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなる、請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
非フッ素系剥離性フィルムが、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリオキシメチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、酢酸セルロース樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、およびポリフェニレンサルファイド樹脂からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項１記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコーン系接着材層を有する半導体ウェハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを基板やリードフレーム等の支持体にダイボンディングする、あるいは半導体チップと他の半導体チップを積層する際、液状ダイボンディング剤が使用されている。しかし、液状ダイボンディング剤では、ダイボンディングの際、半導体チップから液状ダイボンディング剤がはみ出したり、液状ダイボンディング剤の厚さのコントロールが難しいという課題がある。
【０００３】
一方、半導体チップを支持体にダイボンディングする際、シート状ダイボンディング材も使用されている（特許文献１，２参照）。予め半導体チップの大きさに調整されシート状ダイボンディング材を使用するため、半導体チップからのダイボンディング材のはみ出しがなく、また、ダイボンディング材の厚さのコントロールが容易であるという利点がある。
【０００４】
さらに、半導体ウェハにシート状ダイボンディング材を貼着するウェハラミネート工程、ダイシングテープにダイボンディング材を介して半導体ウェハを貼着し、該ウェハを切断して半導体チップとするダイシング工程、ダイボンディング材を有する半導体チップをピックアップして基板に搭載するピックアップ工程、次いで、半導体チップと基板をダイボンディング材で接着するダイボンディング工程を経て、半導体チップを支持体にダイボンディングする方法も知られている（特許文献３参照）。
【０００５】
しかし、半導体チップあるいは半導体ウェハにシート状ダイボンディング材を貼着する際、前記半導体チップあるいは前記半導体ウェハとシート状ダイボンディング材の間に気泡を巻きこんだりするという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１２５４６号公報
【特許文献２】特開２０００−３３６２７１号公報
【特許文献３】特開２００５−１８３８５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、半導体ウェハとシリコーン系接着材層の間に気泡を有することなく、表面に均一な厚さのシリコーン系接着材層を有する半導体ウェハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
シリコーン系接着材層を有する半導体ウェハの製造方法であって、次の工程から少なくともなる半導体ウェハの製造方法。
１）半導体ウェハの片面に液状シリコーン系接着剤を塗布する工程、および
２）該接着剤の表面に非フッ素系剥離性フィルムを被覆する工程、
あるいは、前記１）と前記２）を同時に行う工程、
次いで、
３）該剥離性フィルムを貼着した状態で前記接着剤を一定の厚さで硬化させる工程
【発明の効果】
【０００９】
本発明の製造方法は、半導体ウェハとシリコーン系接着材層の間に気泡を有することなく、表面に均一な厚さのシリコーン系接着材層を有する半導体ウェハを製造することができるという特徴がある。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の製造方法における第１の工程では、半導体ウェハの片面に液状シリコーン系接着剤を塗布する。この半導体ウェハとしては、シリコンウェハ、ＳｉＣ半導体ウェハ等が挙げられる。
【００１１】
また、この液状シリコーン系接着剤としては、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物からなるものが好ましく、特に、
(Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子水素原子を有するオルガノポリシロキサン、
(Ｃ)接着促進剤、および
(Ｄ)ヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなるものが好ましい。
【００１２】
(Ａ)成分は上記組成物の主剤であり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。(Ａ)成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、網状が例示される。また、(Ａ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。また、(Ａ)成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等のハロゲン置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、フェニル基であることが好ましい。また、(Ａ)成分の粘度は限定されないが、２５℃における粘度が１００〜１,０００,０００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。
【００１３】
このような(Ａ)成分のオルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、式：Ｒ１３ＳｉＯ１/２で示されるシロキサン単位と式：Ｒ１２Ｒ２ＳｉＯ１/２で示されるシロキサン単位と式：ＳｉＯ４/２で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、Ｒ１２Ｒ２ＳｉＯ１/２で示されるシロキサン単位と式：ＳｉＯ４/２で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、式：Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ２/２で示されるシロキサン単位と式：Ｒ１ＳｉＯ３/２で示されるシロキサン単位または式：Ｒ２ＳｉＯ３/２で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、およびこれらのオルガノポリシロキサンの二種以上の混合物が例示される。上式中、Ｒ１はアルケニル基以外のハロゲン置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、前記と同様の基が例示される。また、上式中、Ｒ２はアルケニル基であり、前記と同様の基が例示される。
【００１４】
(Ｂ)成分は上記組成物の架橋剤であり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンである。(Ｂ)成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示される。また、(Ｂ)成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等のハロゲン置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、フェニル基であることが好ましい。また、(Ｂ)成分の粘度は限定されないが、２５℃における粘度が１〜１００,０００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。
【００１５】
このような(Ｂ)成分のオルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン、式：Ｒ１３ＳｉＯ１/２で示されるシロキサン単位と式：Ｒ１２ＨＳｉＯ１/２で示されるシロキサン単位と式：ＳｉＯ４/２で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、式：Ｒ１２ＨＳｉＯ１/２で示されるシロキサン単位と式：ＳｉＯ４/２で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、式：Ｒ１ＨＳｉＯ２/２で示されるシロキサン単位と式：Ｒ１ＳｉＯ３/２で示されるシロキサン単位または式：ＨＳｉＯ３/２で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、およびこれらのオルガノポリシロキサンの二種以上の混合物が例示される。上式中、Ｒ１はアルケニル基以外のハロゲン置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、前記と同様の基が例示される。
【００１６】
(Ｂ)成分の含有量は、上記(Ａ)成分を架橋させるに十分な量であり、具体的には、上記(Ａ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.５〜１０モルの範囲内となる量であることが好ましく、特に、１〜３モルの範囲内となる量であることが好ましい。これは、上記組成物において、(Ｂ)成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる組成物が十分に架橋するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる架橋物の耐熱性が向上するからである。
【００１７】
(Ｃ)成分は、上記組成物の架橋物に良好な接着性を付与するための接着促進剤であり、ケイ素原子結合アルコキシ基を有するシラン化合物およびシロキサン化合物等が挙げられる。このような(Ｃ)成分としては、(ｉ)エポキシ基含有アルコキシシランもしくはその部分加水分解縮合物、(ii)一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子とケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個ずつ有するシロキサン、(iii)一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子とケイ素原子結合アルコキシ基とケイ素原子結合エポキシ含有一価有機基を少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサン、(iv)一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するシランもしくはシロキサンと、一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基を少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物もしくは反応混合物、および(ｖ)一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基とケイ素原子結合エポキシ基含有一価有機基を少なくとも１個ずつ有するオルガノシランもしくはオルガノシロキサンと、一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基を少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物もしくは反応混合物からなる群より選択される少なくとも一種であることが好ましい。
【００１８】
上記(ｉ)成分としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、およびこれらの部分加水分解縮合物が例示される。
【００１９】
上記(ii)成分としては、式：
【化１】
2013251430.tif 000003
で表されるような、分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がビニル基で封鎖されたジメチルシロキサンオリゴマー、分子鎖片末端がトリメトキシシリルエチル基で封鎖され、他の分子鎖片末端がビニル基で封鎖されたジメチルシロキサンオリゴマー、式：
【化２】
2013251430.tif 000004
で表されるような分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がジメチルハイドロジェンシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサンオリゴマー、分子鎖片末端がトリメトキシシリルエチル基で封鎖され、他の分子鎖片末端がジメチルハイドロジェンシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサンオリゴマー、メチル(トリメトキシシリルエチル)シロキサン・メチルビニルシロキサン環状重合体、式：
【化３】
2013251430.tif 000005
で表されるようなメチル(トリメトキシシリルエチル)シロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン環状重合体が例示される。
【００２０】
上記(iii)成分としては、一般式：
【化４】
2013251430.tif 000006
（式中、ａは１以上の整数であり、ｂは１以上の整数である。）
で表されるオルガノシロキサン、式：
【化５】
2013251430.tif 000007
で表される環状シロキサン、一般式：
【化６】
2013251430.tif 000008
（式中、ａは１以上の整数であり、ｂは１以上の整数である。）
で表されるオルガノシロキサンが例示される。
【００２１】
(Ｃ)成分の含有量は上記組成物の架橋物に良好な接着性を付与するに十分な量であり、具体的には、(Ａ)成分１００質量部に対して０.０１〜２０質量部の範囲内となる量であることが好ましく、特に、０.１〜１０質量部の範囲内となる量であることが好ましい。これは、(Ｃ)成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる架橋物の接着性が向上するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる架橋物の安定性が向上するからである。
【００２２】
(Ｄ)成分は上記組成物のヒドロシリル化反応による架橋を促進するための触媒であり、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒等の周知のヒドロシリル化反応用触媒が例示され、特に、ヒドロシリル化反応速度が良好であることから、白金微粉末、白金黒、白金担持シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体等の白金系触媒が好ましい。
【００２３】
(Ｄ)成分の含有量は上記組成物のヒドロシリル化反応を促進するに十分な量であり、具体的には、(Ｄ)成分として白金系触媒を用いる場合には、上記組成物において、この触媒中の白金金属が質量単位で０.０１〜１,０００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、特に、０.１〜５００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。これは、(Ｄ)成分の含有量が、上記範囲の下限以上であると、得られる組成物の架橋速度が向上するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる架橋物に着色等の問題を生じ難くなるからである。
【００２４】
上記組成物のヒドロシリル化反応速度を調整するために、上記組成物にヒドロシリル化反応抑制剤を含有してもよい。この反応抑制剤としては、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３,５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−フェニル−３−ブチン−２−オール等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３,５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾールが例示される。この反応抑制剤の含有量は、上記組成物の硬化条件により異なるが、(Ａ)成分１００質量部に対して、５質量部以下であることが好ましく、特に、０.００００１〜５質量部の範囲内であることが好ましい。
【００２５】
また、上記組成物には、沈降シリカ、湿式シリカ、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、およびこれらをオルガノハロシラン、オルガノアルコキシシラン、オルガノシラザン等の有機ケイ素化合物により処理した補強性充填剤を含有してもよい。この補強性充填剤の含有量は、上記(Ａ)成分１００質量部に対して２０質量部以下であることが好ましく、特に、１〜１５質量部の範囲内であることが好ましい。
【００２６】
また、上記組成物には、その他任意の成分として、酸化チタン、アルミナ、ガラス、石英、アルミノケイ酸、酸化鉄、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、カーボンブラック、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素等の無機質充填剤、これらの充填剤をオルガノハロシラン、オルガノアルコキシシラン、オルガノシラザン等の有機ケイ素化合物により処理した無機質充填剤；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂等の有機樹脂微粉末；銀、銅等の導電性金属粉末等の充填剤、染料、顔料、難燃材、溶剤等を含有してもよい。さらに、本発明の目的を損なわない限り、硬化性エポキシ樹脂、硬化性エポキシ変性シリコーン樹脂、硬化性シリコーン変性エポキシ樹脂、硬化性ポリイミド樹脂、硬化性ポリイミド変性シリコーン樹脂、硬化性シリコーン変性ポリイミド樹脂等を含有してもよい。
【００２７】
このような液状シリコーン系接着剤の２５℃における粘度は限定されないが、好ましくは、１〜２００Ｐａ・ｓの範囲内である。これは、上記範囲の下限以上であると、得られる接着剤を半導体ウェハに塗布しやすくなるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、塗布作業性が良好となるからである。
【００２８】
第１の工程において、上記の液状シリコーン系接着剤を半導体ウェハに塗布する方法としては、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーター等が挙げられる。
【００２９】
次に、本発明の製造方法における第２の工程では、前記シリコーン系接着剤の表面に非フッ素系剥離性フィルムを被覆する。この剥離性フィルムは、硬化後のシリコーン系接着材に対して適当な剥離性を有するものであり、硬化後のシリコーン系接着材層が良好な接着性を有することから、シリコーン系接着剤に接する表面に、酸素原子及び／又は硫黄原子が存在するフィルムであることが好ましい。この酸素原子は、カルボニル基、アルコキシ基、エステル基、およびエーテル基からなる群より選択される基を構成する原子であることが好ましく、また、この硫黄原子は、スルホン基、およびチオエーテル基からなる群より選択される基を構成する原子であることが好ましい。このような剥離性フィルムとしては、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリオキシメチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、酢酸セルロース樹脂（二酢酸セルロース樹脂、三酢酸セルロース樹脂等）、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂が例示される。この剥離性フィルムの厚みは特に制限されないが、通常は１〜１００μｍ程度であり、好ましくは５〜１００μｍ程度である。
【００３０】
また、本発明の製造方法では、上記の第１工程と上記の第２工程を同時に行ってもよい。すなわち、半導体ウェハの片面に液状シリコーン系接着剤を載せ、非フッ素系剥離性フィルムを被覆しながら、前記接着剤を押し広げて、前記半導体ウェハを塗布することもできる。この際、上記非フッ素系剥離性フィルムをローラー等で押しながらシリコーン系接着剤を半導体ウェハ上に押し広げることにより、半導体ウェハと液状シリコーン系接着剤の間に気泡を生じることがなくなる。
【００３１】
次いで、本発明の製造方法における第３の工程では、該剥離性フィルムを貼着した状態で前記接着剤を一定の厚さで硬化させる。液状シリコーン系接着剤層の厚さは２５〜３００μｍの範囲であることが好ましい。これは、硬化して得られるシリコーン系接着材層がダイボンディング後、十分な応力緩和性を有するようになるからである。
【００３２】
液状シリコーン系接着剤を一定の厚さで硬化させる方法としては、プレス加熱、ヒートロール加熱等が挙げられる。また、加熱温度は限定されないが、５０〜２００℃の範囲内であることが好ましい。
【００３３】
このようにして本発明の製造方法により得られる半導体ウェハを図１により説明する。半導体ウェハ１は、その片面にシリコーン系接着材層２を有し、該接着材層２の表面に剥離性フィルム３を有するものである。この半導体ウェハは、その後、ダイシングにより半導体チップに切断されるが、この半導体チップはシリコーン系接着材層を有するので、表面の剥離性フィルムを剥がして、基板やリードフレーム等の支持体、あるいは他の半導体チップにダイボンディングすることができる。
【実施例】
【００３４】
本発明の半導体ウェハの製造方法を実施例により詳細に説明する。なお、実施例中、粘度は２５℃における値である。また、シリコーン系接着材層を有する半導体ウェハについて、次の評価を行った。
【００３５】
［剥離性フィルムの剥離性］
シリコーン系接着材層を有する半導体ウェハを作製後、２５℃で１時間静置した後、シリコーン系接着材層からの剥離性フィルムの剥離性を評価した。
【００３６】
［シリコーン系接着材層の接着性］
シリコーン系接着材層を有する半導体ウェハを作製後、２５℃で１時間静置した後、シリコーン系接着材層から剥離性フィルムを取り除いた。次いで、このシリコーン系接着材層の表面に１ｃｍ×１ｃｍのシリコンチップを貼り付け、１５０℃で１時間加熱した。その後、室温まで冷却し、シリコーン系接着材層のシリコンチップへの接着性を評価した。
【００３７】
［貯蔵後のシリコーン系接着材層の接着性］
シリコーン系接着材層を有する半導体ウェハを作製後、２５℃で１週間静置した後、シリコーン系接着材層から剥離性フィルムを取り除いた。次いで、このシリコーン系接着材層の表面に１ｃｍ×１ｃｍのシリコンチップを貼り付け、１５０℃で１時間加熱した。その後、室温まで冷却し、シリコーン系接着材層のシリコンチップへの接着性を評価した。
【００３８】
［実施例１］
粘度４０,０００ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.０８質量％）６８.５質量部、式：(ＣＨ３)３ＳiＯ１/２で示されるシロキサン単位と式：(ＣＨ３)２(ＣＨ２＝ＣＨ)ＳiＯ１/２で示されるシロキサン単位と式：ＳiＯ４/２で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサンレジン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝２.０１質量％）４０質量％と粘度２,０００ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２３質量％）６０質量％からなる、粘度６,０００ｍＰａ・sのオルガノポリシロキサン混合物１９.２質量部、粘度５ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端トメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.７５質量％）１.５質量部（上記ジメチルポリシロキサンと上記オルガノポリシロキサン混合物中の合計のケイ素原子結合ビニル基に対する本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.２６となる量）、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１.０質量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（上記ジメチルポリシロキサン、ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体の合計量に対して、本錯体中の白金金属が質量単位で５ｐｐｍとなる量）、２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.００５質量部、およびＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであるヒュームドシリカ（日本アエロジル社製のアエロジル２００）１０質量部を均一に混合して、粘度２４Ｐａ・ｓの液状シリコーン系接着剤を調製した。
【００３９】
次に、上記の液状シリコーン系接着剤を４インチのシリコンウェハと厚さ５０μｍのポリエーテルサルフォン樹脂フィルムフィルム（住友ベークライト社製の商品名：スミライトＦＳ１３００）で挟み、ゴム製のローラーでフィルムの上から押し延ばし、上記接着剤の厚みが１００μｍになるよう調整した。次いで、これを１００℃で３分間加熱して、シリコーン系接着材層を有するシリコンウェハを作製した。このシリコンウェハを評価し、その結果を表１に示した。
【００４０】
［実施例２］
粘度４０,０００ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.０８質量％）６８.５質量部、式：(ＣＨ３)３ＳiＯ１/２で示されるシロキサン単位と式：(ＣＨ３)２(ＣＨ２＝ＣＨ)ＳiＯ１/２で示されるシロキサン単位と式：ＳiＯ４/２で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサンレジン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝２.０１質量％）４０質量％と粘度２,０００ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２３質量％）６０質量％からなる、粘度６,０００ｍＰａ・ｓのオルガノポリシロキサン混合物１９.２質量部、粘度５ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端トメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.７５質量％）２.７質量部（上記ジメチルポリシロキサンと上記オルガノポリシロキサン混合物中の合計のケイ素原子結合ビニル基に対する本成分中のケイ素原子結合水素原子が２.２６となる量）、粘度２０ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの質量比１：２の縮合反応物（ビニル基の含有量＝５.０質量％）１.３質量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（上記ジメチルポリシロキサン、ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体の合計量に対して、本錯体中の白金金属が質量単位で５ｐｐｍとなる量）、２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.００５質量部、およびＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであるヒュームドシリカ（日本アエロジル社製のアエロジル２００）１０質量部を均一に混合して、粘度２５Ｐａ・ｓの液状シリコーン系接着剤を調製した。
【００４１】
次に、上記の液状シリコーン系接着剤を４インチのシリコンウェハと厚さ５０μｍのポリエーテルサルフォン樹脂フィルムフィルム（住友ベークライト社製の商品名：スミライトＦＳ１３００）で挟み、ゴム製のローラーでフィルムの上から押し延ばし、上記接着剤の厚みが１００μｍになるよう調整した。次いで、これを１００℃で３分間加熱して、シリコーン系接着材層を有するシリコンウェハを作製した。このシリコンウェハを評価し、その結果を表１に示した。
【００４２】
［実施例３］
粘度４０,０００ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.０８質量％）６８.５質量部、式：(ＣＨ３)３ＳiＯ１/２で示されるシロキサン単位と式：(ＣＨ３)２(ＣＨ２＝ＣＨ)ＳiＯ１/２で示されるシロキサン単位と式：ＳiＯ４/２で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサンレジン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝２.０１質量％）４０質量％と粘度２,０００ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２３質量％）６０質量％からなる、粘度６,０００ｍＰａ・ｓのオルガノポリシロキサン混合物１９.２質量部、粘度５ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端トメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.７５質量％）２.０質量部（上記ジメチルポリシロキサンと上記オルガノポリシロキサン混合物中の合計のケイ素原子結合ビニル基に対する本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.６８となる量）、平均式：
【化７】
2013251430.tif 000009
で表される環状シロキサン１.０質量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（上記ジメチルポリシロキサン、ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体の合計量に対して、本錯体中の白金金属が質量単位で５ｐｐｍとなる量）、２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.００５質量部、およびＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであるヒュームドシリカ（日本アエロジル社製のアエロジル２００）１０質量部を均一に混合して、粘度２３Ｐａ・ｓの液状シリコーン系接着剤を調製した。
【００４３】
次に、上記の液状シリコーン系接着剤を４インチのシリコンウェハと厚さ５０μｍのポリエーテルサルフォン樹脂フィルムフィルム（住友ベークライト社製の商品名：スミライトＦＳ１３００）で挟み、ゴム製のローラーでフィルムの上から押し延ばし、上記接着剤の厚みが１００μｍになるよう調整した。次いで、これを１００℃で３分間加熱して、シリコーン系接着材層を有するシリコンウェハを作製した。このシリコンウェハを評価し、その結果を表１に示した。
【００４４】
［実施例４］
実施例１において、ポリエーテルサルフォン樹脂フィルムの代わりに、厚さ５０μｍの酢酸セルロース樹脂フィルム（パナック社製の商品名：ロンザタック）を使用した以外は実施例１と同様にして、シリコーン系接着材層を有するシリコンウェハを作製した。このシリコンウェハを評価し、その結果を表１に示した。
【００４５】
［実施例５］
実施例１において、ポリエーテルサルフォン樹脂フィルムの代わりに、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム社製の商品名：メリネックス）を使用した以外は実施例１と同様にして、シリコーン系接着材層を有するシリコンウェハを作製した。このシリコンウェハを評価し、その結果を表１に示した。
【００４６】
［比較例１］
実施例１において、ポリエーテルサルフォン樹脂フィルムの代わりに、厚さ５０μｍのフッ素樹脂フィルム（旭硝子社製の商品名：アフレックス）を使用した以外は実施例１と同様にして、シリコーン系接着材層を有するシリコンウェハを作製した。このシリコンウェハを評価し、その結果を表１に示した。
【００４７】
［比較例２］
実施例１において、ポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを使用しない以外は実施例１と同様にして、シリコーン系接着材層を有するシリコンウェハを作製した。このシリコンウェハを評価し、その結果を表１に示した。
【００４８】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明の製造方法により得られる半導体ウェハは、半導体ウェハとシリコーン系接着材層の間に気泡を有することなく、表面に均一な厚さのシリコーン系接着材層を有しているので、耐熱性の要求される半導体デバイス用の半導体ウェハとして好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の製造方法で調製される半導体ウェハの断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１：半導体ウェハ
２：シリコーン系接着材層
３：非フッ素系剥離性フィルム
【図１】
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