(57)【要約】【課題】入力または出力インピーダンスを低下させることなく、また元々トランジスタの入力または出力インピーダンスが低い場合でも、不要な周波数帯の利得を減衰し、安定化指数を向上させることのできる高周波増幅器を得る。【解決手段】ソース端子１ａが接地された電界効果トランジスタ１と、電界効果トランジスタ１のゲート端子１ｂに第１の端子２１が接続された安定化回路２を備える。安定化回路２は、Ｔ型アッテネータ回路５の第２の端子５２と第３の端子５３との間に接続された第２のコンデンサ７を備える。Ｔ型アッテネータ回路５の第２の端子５２と第３の端子５３は、電界効果トランジスタ１のゲート端子１ｂと入力端子３とにそれぞれ接続される。【選択図】図１
2013229660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース端子が接地されたトランジスタと、
前記トランジスタのゲート端子に第１の端子が接続された安定化回路とを備え、
前記安定化回路の第２の端子は入力端子であり、
前記トランジスタのドレイン端子は出力端子であり、
前記安定化回路は、
抵抗で構成されたＴ型アッテネータ回路と、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第１の端子とグランドとの間に接続された第１の容量素子と、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に接続された第２の容量素子とを備え、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、前記トランジスタのゲート端子と前記入力端子とにそれぞれ接続されたことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項２】
ソース端子が接地されたトランジスタと、
前記トランジスタのドレイン端子に第１の端子が接続された安定化回路とを備え、
前記安定化回路の第２の端子は出力端子であり、
前記トランジスタのゲート端子は入力端子であり、
前記安定化回路は、
抵抗で構成されたＴ型アッテネータ回路と、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第１の端子とグランドとの間に接続された第１の容量素子と、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に接続された第２の容量素子とを備え、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、前記トランジスタのドレイン端子と前記出力端子とにそれぞれ接続されたことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項３】
ソース端子が接地されたトランジスタと、
前記トランジスタのゲート端子に第１の端子が接続された第１の安定化回路と、
前記トランジスタのドレイン端子に第１の端子が接続された第２の安定化回路とを備え、
前記第１の安定化回路の第２の端子は入力端子であり、
前記第２の安定化回路の第２の端子は出力端子であり、
前記第１、第２の安定化回路は、それぞれ、
抵抗で構成されたＴ型アッテネータ回路と、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第１の端子とグランドとの間に接続された第１の容量素子と、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に接続された第２の容量素子とを備え、
前記第１の安定化回路におけるＴ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、前記トランジスタのゲート端子と前記入力端子とにそれぞれ接続され、
前記第２の安定化回路におけるＴ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、前記トランジスタのドレイン端子と前記出力端子とにそれぞれ接続されたことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項４】
エミッタ端子が接地されたトランジスタと、
前記トランジスタのベース端子に第１の端子が接続された安定化回路とを備え、
前記安定化回路の第２の端子は入力端子であり、
前記トランジスタのコレクタ端子は出力端子であり、
前記安定化回路は、
抵抗で構成されたＴ型アッテネータ回路と、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第１の端子とグランドとの間に接続された第１の容量素子と、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に接続された第２の容量素子とを備え、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、前記トランジスタのベース端子と前記入力端子とにそれぞれ接続されたことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項５】
エミッタ端子が接地されたトランジスタと、
前記トランジスタのコレクタ端子に第１の端子が接続された安定化回路とを備え、
前記安定化回路の第２の端子は出力端子であり、
前記トランジスタのベース端子は入力端子であり、
前記安定化回路は、
抵抗で構成されたＴ型アッテネータ回路と、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第１の端子とグランドとの間に接続された第１の容量素子と、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に接続された第２の容量素子とを備え、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、前記トランジスタのコレクタ端子と前記出力端子とにそれぞれ接続されたことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項６】
エミッタ端子が接地されたトランジスタと、
前記トランジスタのベース端子に第１の端子が接続された第１の安定化回路と、
前記トランジスタのコレクタ端子に第１の端子が接続された第２の安定化回路とを備え、
前記第１の安定化回路の第２の端子は入力端子であり、
前記第２の安定化回路の第２の端子は出力端子であり、
前記第１、第２の安定化回路は、それぞれ、
抵抗で構成されたＴ型アッテネータ回路と、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第１の端子とグランドとの間に接続された第１の容量素子と、
前記Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に接続された第２の容量素子とを備え、
前記第１の安定化回路におけるＴ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、前記トランジスタのベース端子と前記入力端子とにそれぞれ接続され、
前記第２の安定化回路におけるＴ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、前記トランジスタのコレクタ端子と前記出力端子とにそれぞれ接続されたことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項７】
トランジスタと安定化回路からなる回路を複数備え、かつ、当該複数の回路の入力端子同士と出力端子同士とを接続したことを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれか１項記載の高周波増幅器。
【請求項８】
第１の容量素子および第２の容量素子のうち少なくとも一方が可変容量であることを特徴とする請求項１から請求項７のうちのいずれか１項記載の高周波増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高周波増幅器に関し、特に電界効果トランジスタ等の高周波出力トランジスタを使用した高周波増幅器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、増幅器は所望の周波数帯域で最適な利得特性や出力電力特性が得られるよう設計を行う。その上で、全周波数帯域において、安定化指数が１以上となるように設計を行う。従来の増幅器はトランジスタのゲート端子側、またはドレイン端子側に安定化回路を接続し、全周波数帯域で安定化指数が１以上となるようにしている（例えば、非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】電子情報通信学会「知識ベース」電子情報通信学会  2010
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般的に、増幅器に用いる安定化回路は、直列抵抗とグランドとの間の並列抵抗で構成されており、安定化回路の直列抵抗を大きくし、並列抵抗を小さくすることで不要な利得を減衰させ安定化指数を向上させる。
直列抵抗に関しては、並列に所望周波数が通過する容量を接続することで、所望の周波数の利得の低下を抑え、低周波数帯の利得を減衰させる。しかしながら低周波数帯の利得は大きいために、十分に利得を減衰させるためには直列抵抗を大きくする必要がある。しかし、直列抵抗が大きくなると低周波数帯の利得の減衰効果が小さくなる。
一方、並列抵抗に関しては、全周波数帯の利得を減衰させるが、入力インピーダンスまたは出力インピーダンスが低くなり、整合が取りづらくなる問題が生じる。また、元々トランジスタの入力インピーダンが低い場合は、並列抵抗による利得の減衰効果は小さく、安定化指数の向上には寄与しない。
【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、入力または出力インピーダンスを低下させることなく、また元々トランジスタの入力または出力インピーダンスが低い場合でも、不要な周波数帯の利得を減衰させ、安定化指数を向上させることのできる高周波増幅器を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る高周波増幅器は、ソース端子が接地されたトランジスタと、トランジスタのゲート端子に第１の端子が接続された安定化回路とを備え、安定化回路の第２の端子は入力端子であり、トランジスタのドレイン端子は出力端子であり、安定化回路は、抵抗で構成されたＴ型アッテネータ回路と、Ｔ型アッテネータ回路の第１の端子とグランドとの間に接続された第１の容量素子と、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に接続された第２の容量素子とを備え、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、トランジスタのゲート端子と入力端子とにそれぞれ接続されたものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明の高周波増幅器は、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に第２の容量素子を接続したので、入力または出力インピーダンスを低下させることなく、また元々トランジスタの入力または出力インピーダンスが低い場合でも、不要な周波数帯の利得を減衰させ、安定化指数を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の実施の形態１に係る高周波増幅器を示す回路図である。
【図２】図１に示す安定化回路による減衰量の周波数特性を示す説明図である。
【図３】この発明の実施の形態２に係る高周波増幅器を示す回路図である。
【図４】この発明の実施の形態３に係る高周波増幅器を示す回路図である。
【図５】この発明の実施の形態４に係る高周波増幅器を示す回路図である。
【図６】この発明の実施の形態５に係る高周波増幅器を示す回路図である。
【図７】この発明の実施の形態６に係る高周波増幅器を示す回路図である。
【図８】この発明の実施の形態７に係る高周波増幅器を示す回路図である。
【図９】この発明の実施の形態８に係る高周波増幅器を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１に係る高周波増幅器を示す回路図である。図１に示される高周波増幅器は、電界効果トランジスタ１と、安定化回路２と、入力端子３と、出力端子４を備えている。
電界効果トランジスタ１は、ソース端子１ａとゲート端子１ｂとドレイン端子１ｃを備えており、安定化回路２は、第１の端子２１と第２の端子２２と、抵抗で構成されたＴ型アッテネータ回路５と、第１のコンデンサ（容量素子）６と第２のコンデンサ（容量素子）７を備えている。
電界効果トランジスタ１のソース端子１ａは接地されており、ゲート端子１ｂは安定化回路２の第１の端子２１と接続されている。また、ドレイン端子１ｃは出力端子４と接続されており、安定化回路２の第２の端子２２は入力端子３と接続されている。
【００１０】
Ｔ型アッテネータ回路５は、第１の端子５１と第２の端子５２と第３の端子５３とを備えている。また、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子５２は安定化回路２の第１の端子２１に接続されており、第３の端子５３は安定化回路２の第２の端子２２に接続されている。
第１のコンデンサ６はＴ型アッテネータ回路５の第１の端子５１とグランドとの間に接続されており、第２のコンデンサ７はＴ型アッテネータ回路５の第２の端子５２と第３の端子５３に接続されている。
【００１１】
次に、実施の形態１の高周波増幅器の動作について説明する。
Ｔ型アッテネータ回路５と並列に接続した第２のコンデンサ７の容量値としては、所望の周波数でＴ型アッテネータ回路５のインピーダンスよりも小さなインピーダンスとなるようにする。
【００１２】
所望の周波数では、Ｔ型アッテネータ回路５よりインピーダンスの低い第２のコンデンサ７を通るため、Ｔ型アッテネータ回路５で減衰することなく通過できる。一方、所望の周波数より低い周波数に対しては、第２のコンデンサ７のインピーダンスが高いため、Ｔ型アッテネータ回路５側を通り減衰する。
【００１３】
安定化回路２内の減衰回路に直列抵抗を用いた場合は抵抗を大きくして減衰量を増やすと、入力インピーダンスが高くなり、オープンに近づくため反射特性が悪くなる。しかし、本発明は減衰回路にＴ型アッテネータ回路５を使用したことにより、減衰量を大きくしてもインピーダンスを一定に保てるため、反射特性を維持できる。
また、Ｔ型アッテネータ回路５は、グランド側に接続される並列抵抗と入力側とトランジスタ側に接続された直列抵抗で構成されており、トランジスタの入力インピーダンスが低い場合でも、トランジスタ側に接続された直列抵抗により、並列抵抗から見たトランジスタ側のインピーダンスは高くなる。そのため減衰回路に並列抵抗を使用したときに比べて、Ｔ型アッテネータ回路５の並列抵抗による利得の減衰効果は大きくなる。
【００１４】
図２に安定化回路２による周波数特性を示す。曲線Ｘ１は安定化回路２の減衰量の周波数特性である。Ｘ２はＴ型アッテネータ回路５と第１のコンデンサ６の減衰量の周波数特性である。Ｘ３はＴ型アッテネータ回路５と第２のコンデンサ７の減衰量の周波数特性である。曲線Ｘ２と曲線Ｘ３の減衰量が等しくなる周波数ｆ１で曲線Ｘ１の減衰量がもっとも大きくなる。第１のコンデンサ６の容量値を変更することで曲線Ｘ２の減衰量の周波数特性が変化する。それに従い、曲線Ｘ１のもっとも減衰する周波数も変化する。したがって第１のコンデンサ６の容量値によって安定化回路２のもっとも減衰させたい周波数ｆ１を調整することが出来る。
【００１５】
このように、実施の形態１では、Ｔ型アッテネータ回路５と第１のコンデンサ６と第２のコンデンサ７で構成された安定化回路２を備えることで、所望の周波数で入力インピーダンスを変化させることなく、また、電界効果トランジスタ１の入力インピーダンスが低い場合においても、不要な低周波の利得を減衰させ、安定化指数を改善する効果を奏する。
【００１６】
以上説明したように、実施の形態１に係る高周波増幅器によれば、ソース端子が接地されたトランジスタと、トランジスタのゲート端子に第１の端子が接続された安定化回路とを備え、安定化回路の第２の端子は入力端子であり、トランジスタのドレイン端子は出力端子であり、安定化回路は、抵抗で構成されたＴ型アッテネータ回路と、Ｔ型アッテネータ回路の第１の端子とグランドとの間に接続された第１の容量素子と、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に接続された第２の容量素子とを備え、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、トランジスタのゲート端子と入力端子とにそれぞれ接続されるようにしたので、入力インピーダンスを低下させることなく、またトランジスタの入力インピーダンスが低い場合でも、不要な周波数帯の利得を減衰させ、安定化指数を向上させることができる。
【００１７】
実施の形態２．
図３は、この発明の実施の形態２に係る高周波増幅器を示す回路図である。図３において、図１に示す実施の形態１と同一部分は同一符号を付してその説明は省略する。図３に示す実施の形態２に係る高周波増幅器の構成が、図１に示す実施の形態１と異なる点は、実施の形態１では電界効果トランジスタ１の入力側に接続されていた安定化回路２が、電界効果トランジスタ１の出力側に接続されたことである。
【００１８】
実施の形態２では、電界効果トランジスタ１のゲート端子１ｂが入力端子３に接続されており、安定化回路２の第１の端子２１が電界効果トランジスタ１のドレイン端子１ｃに、また、安定化回路２の第２の端子２２が出力端子４に接続されている。安定化回路２の内部構成は実施の形態１と同様である。
【００１９】
このように、実施の形態２では、Ｔ型アッテネータ回路５と第１のコンデンサ６と第２のコンデンサ７で構成された安定化回路２を備えることで、所望の周波数で出力インピーダンスを変化させることなく、また、電界効果トランジスタ１の出力インピーダンスが低い場合においても、不要な低周波の利得を減衰させ、安定化指数を改善する効果を奏することができる。
【００２０】
以上説明したように、実施の形態２の高周波増幅器によれば、ソース端子が接地されたトランジスタと、トランジスタのドレイン端子に第１の端子が接続された安定化回路とを備え、安定化回路の第２の端子は出力端子であり、トランジスタのゲート端子は入力端子であり、安定化回路は、抵抗で構成されたＴ型アッテネータ回路と、Ｔ型アッテネータ回路の第１の端子とグランドとの間に接続された第１の容量と、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に接続された第２の容量とを備え、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、トランジスタのドレイン端子と出力端子とにそれぞれ接続されるようにしたので、出力インピーダンスを低下させることなく、またトランジスタの出力インピーダンスが低い場合でも、不要な周波数帯の利得を減衰させ、安定化指数を向上させることができる。
【００２１】
実施の形態３．
図４は、この発明の実施の形態３に係る高周波増幅器を示す回路図である。図４において、図１に示す実施の形態１と同一部分は同一符号を付してその説明は省略する。図４に示す実施の形態３に係る高周波増幅器の構成が、図１に示す実施の形態１と異なる点は、実施の形態１と同様に電界効果トランジスタ１の入力側に第１の安定化回路２ａを接続すると共に、電界効果トランジスタ１の出力側にも第２の安定化回路２ｂを接続したことである。
【００２２】
実施の形態３では、電界効果トランジスタ１のゲート端子１ｂが第１の安定化回路２ａの第１の端子２１に接続されており、第１の安定化回路２ａの第２の端子２２が入力端子３に接続されており、電界効果トランジスタ１のドレイン端子１ｃに第２の安定化回路２ｂの第１の端子２１が接続されており、第２の安定化回路２ｂの第２の端子２２が出力端子４に接続されている。また、これら第１、第２の安定化回路２ａ、２ｂの内部構成については、実施の形態１、２における安定化回路２と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００２３】
このように実施の形態３では、電界効果トランジスタ１と入力端子３との間に第１の安定化回路２ａを備えることで、所望の周波数で入力インピーダンスを変化させることなく、また、電界効果トランジスタ１の入力インピーダンスが低い場合においても、不要な低周波の利得を減衰させ、安定化指数を改善する効果を奏することができる。また、電界効果トランジスタ１と出力端子４との間に第２の安定化回路２ｂを備えることで、所望の周波数で出力インピーダンスを変化させることなく、また、電界効果トランジスタ１の出力インピーダンスが低い場合においても、不要な低周波の利得を減衰させ、安定化指数を改善する効果を奏することができる。
【００２４】
以上説明したように、実施の形態３の高周波増幅器によれば、ソース端子が接地されたトランジスタと、トランジスタのゲート端子に第１の端子が接続された第１の安定化回路と、トランジスタのドレイン端子に第１の端子が接続された第２の安定化回路とを備え、第１の安定化回路の第２の端子は入力端子であり、第２の安定化回路の第２の端子は出力端子であり、第１、第２の安定化回路は、それぞれ、抵抗で構成されたＴ型アッテネータ回路と、Ｔ型アッテネータ回路の第１の端子とグランドとの間に接続された第１の容量素子と、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に接続された第２の容量素子とを備え、第１の安定化回路におけるＴ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、トランジスタのゲート端子と入力端子とにそれぞれ接続され、第２の安定化回路におけるＴ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、トランジスタのドレイン端子と出力端子とにそれぞれ接続されるようにしたので、入力インピーダンスおよび出力インピーダンスを低下させることなく、また、元々トランジスタの入力または出力インピーダンスが低い場合でも、不要な利得を減衰し、安定化指数を向上させることができる。
【００２５】
実施の形態４．
図５は、この発明の実施の形態４に係る高周波増幅器を示す回路図である。上述した実施の形態１においては、ドランジスタとして電界効果トランジスタ１を用いていたが、実施の形態４では、バイポーラトランジスタ１０を用いた構成としている。この場合、電界効果トランジスタ１のソース端子１ａ、ゲート端子１ｂ、ドレイン端子１ｃは、それぞれバイポーラトランジスタ１０のエミッタ端子１１ａ、ベース端子１１ｂ、コレクタ端子１１ｃに置き換える。安定化回路２については実施の形態１と同様である。
【００２６】
以上説明したように、実施の形態４の高周波増幅器によれば、エミッタ端子が接地されたトランジスタと、トランジスタのベース端子に第１の端子が接続された安定化回路とを備え、安定化回路の第２の端子は入力端子であり、トランジスタのコレクタ端子は出力端子であり、安定化回路は、抵抗で構成されたＴ型アッテネータ回路と、Ｔ型アッテネータ回路の第１の端子とグランドとの間に接続された第１の容量素子と、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に接続された第２の容量素子とを備え、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、トランジスタのベース端子と入力端子とにそれぞれ接続されるようにしたので、実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００２７】
実施の形態５．
図６は、この発明の実施の形態５に係る高周波増幅器を示す回路図である。上述した実施の形態２においては、ドランジスタとして電界効果トランジスタ１を用いたが、これに代わり、実施の形態６では、バイポーラトランジスタ１０を用いた構成としている。この場合、電界効果トランジスタ１のソース端子１ａ、ゲート端子１ｂ、ドレイン端子１ｃはそれぞれバイポーラトランジスタ１０のエミッタ端子１１ａ、ベース端子１１ｂ、コレクタ端子１１ｃに置き換える。安定化回路２については実施の形態２と同様である。
【００２８】
以上説明したように、実施の形態５の高周波増幅器によれば、エミッタ端子が接地されたトランジスタと、トランジスタのコレクタ端子に第１の端子が接続された安定化回路とを備え、安定化回路の第２の端子は出力端子であり、トランジスタのベース端子は入力端子であり、安定化回路は、抵抗で構成されたＴ型アッテネータ回路と、Ｔ型アッテネータ回路の第１の端子とグランドとの間に接続された第１の容量素子と、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に接続された第２の容量素子とを備え、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、トランジスタのコレクタ端子と出力端子とにそれぞれ接続されるようにしたので、実施の形態２と同様の効果が得られる。
【００２９】
実施の形態６．
図７は、この発明の実施の形態６に係る高周波増幅器を示す回路図である。上述した実施の形態３においては、トランジスタとして電界効果トランジスタ１を用いたが、これに代わり、実施の形態７では、バイポーラトランジスタ１０を用いた構成としている。この場合、電界効果トランジスタ１のソース端子１ａ、ゲート端子１ｂ、ドレイン端子１ｃはそれぞれバイポーラトランジスタ１０のエミッタ端子１１ａ、ベース端子１１ｂ、コレクタ端子１１ｃに置き換える。第１の安定化回路２ａおよび第２の安定化回路２ｂについては実施の形態３と同様である。
【００３０】
以上説明したように、実施の形態６の高周波増幅器によれば、エミッタ端子が接地されたトランジスタと、トランジスタのベース端子に第１の端子が接続された第１の安定化回路と、トランジスタのコレクタ端子に第１の端子が接続された第２の安定化回路とを備え、第１の安定化回路の第２の端子は入力端子であり、第２の安定化回路の第２の端子は出力端子であり、第１、第２の安定化回路は、それぞれ、抵抗で構成された第１のＴ型アッテネータ回路と、Ｔ型アッテネータ回路の第１の端子とグランドとの間に接続された第１の容量素子と、Ｔ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子との間に接続された第２の容量素子とを備え、第１の安定化回路におけるＴ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、トランジスタのベース端子と入力端子とにそれぞれ接続され、第２の安定化回路におけるＴ型アッテネータ回路の第２の端子と第３の端子は、トランジスタのコレクタ端子と出力端子とにそれぞれ接続されるようにしたので、実施の形態３と同様の効果が得られる。
【００３１】
実施の形態７．
図８は、この発明の実施の形態７に係る高周波増幅器を示す回路図である。実施の形態７では実施の形態１における安定化回路２と電界効果トランジスタ１の接続回路が複数（安定化回路２−１〜２−ｎと電界効果トランジスタ１−１〜１−ｎ）入力端子３と出力端子４との間に接続されている。このような構成においても、所望の周波数で入力インピーダンスを低下させることなく、安定化指数を改善することができ、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００３２】
また、実施の形態２における電界効果トランジスタ１と安定化回路２の接続回路を複数個備えた構成であっても同様に適用可能であり、更に、実施の形態４や実施の形態５におけるバイポーラトランジスタ１０を備えた構成や、実施の形態３や実施の形態６における第１の安定化回路２ａと第２の安定化回路２ｂを備えた構成についても同様に適用可能であり、それぞれの実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３３】
以上説明したように、実施の形態７の高周波増幅器によれば、トランジスタと安定化回路からなる回路を複数備え、かつ、複数の回路の入力端子同士と出力端子同士とを接続したので、実施の形態１から実施の形態６のうちのいずれかと同様の効果を得ることができる。
【００３４】
実施の形態８．
図９は、この発明の実施の形態８に係る高周波増幅器を示す回路図である。上述した実施の形態１から実施の形態７においては、安定化回路２や第１の安定化回路２ａ、第２の安定化回路２ｂにおいて、第１のコンデンサ６と第２のコンデンサ７を固定の容量としたが、これらの少なくとも一方を可変の容量としてもよく、図９の構成では安定化回路２０として、第１のコンデンサ６に代わって可変容量素子８を用いている。安定化回路２０内の他の構成や電界効果トランジスタ１の構成は図１に示した実施の形態１と同様であるため、対応する部分に同一符号を付してその説明を省略する。
【００３５】
実施の形態８では、第１のコンデンサ６の代わりに可変容量素子８とし、その容量値を可変とすることで、図２における曲線Ｘ２の周波数特性を変化させ、最も減衰させたい周波数を制御することが可能となる。なお、実施の形態１だけでなく、実施の形態２〜実施の形態７に対しても同様に適用可能である。
【００３６】
以上説明したように、実施の形態８の高周波増幅器によれば、第１の容量素子および第２の容量素子のうち少なくとも一方が可変容量であるようにしたので、最も減衰させたい周波数を制御することが可能となる。
【００３７】
上述した実施の形態１〜８において、入力および出力において整合を取ることは周知のことである。
【００３８】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１，１−１〜１−ｎ  電界効果トランジスタ、１ａ  ソース端子、１ｂ  ゲート端子、１ｃ  ドレイン端子、２，２−１〜２−ｎ  安定化回路、２ａ  第１の安定化回路、２ｂ  第２の安定化回路、２１  第１の端子、２２  第２の端子、３  入力端子、４  出力端子、５  Ｔ型アッテネータ回路、５１  第１の端子、５２  第２の端子、５３  第３の端子、６  第１のコンデンサ、７  第２のコンデンサ、８  可変容量素子、１０  バイポーラトランジスタ、１１ａ  エミッタ端子、１１ｂ  ベース端子、１１ｃ  コレクタ端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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