(57)【要約】【課題】マイクロ波アシスト方式の磁気記録において、記録をアシストするマイクロ波磁界の周波数を低減した磁気記録媒体、およびその製造方法、また、その記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】Ｌ１０型規則合金からなる強磁性粒子と非磁性粒界層とを有するグラニュラ構造を有する記録層の表面からイオンを照射することにより、強磁性粒子の、基板に近い側は高磁気異方性のＬ１０型規則合金であり、媒体表面に近い側は低磁気異方性のＡ１型不規則合金に変態させた構造であることを特徴とする磁気記録媒体およびその製造方法。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層、非磁性下地層、磁気記録層、保護層を有する磁気記録媒体であって、前記磁気記録層は強磁性結晶粒子と非磁性粒界層とを有するグラニュラ構造であり、前記強磁性結晶粒子は、前記磁気記録層の厚み方向において基板に近い側はＬ１０型結晶構造を有する規則合金であり、表面に近い側はＡ１型結晶構造を有する不規則合金であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記強磁性結晶粒子は、Ｆｅ、Ｃｏのうちの少なくとも1種の元素とＰｔ、Ｐｄのうちの少なくとも１種の元素を主成分とすることを特徴とする、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁気記録層中にＢ、Ｎ、Ａｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｇａのうちの少なくとも1種以上の元素を含み、その濃度が表面に近い側が高く、基板に近い側は低いことを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
磁気記録層が少なくとも１層の非磁性層で分離されていることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記磁気記録媒体の製造方法であって、前記Ａ１型結晶構造を有する不規則合金を、イオン照射により形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記イオン照射にて照射するイオン種がＢ、Ｎ、Ａｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｇａのうちの少なくとも1種以上であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれかに記載の磁気記録媒体を組み込んだことを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項８】
記録ヘッドから発生する信号記録磁界にマイクロ波磁界発生素子から発生するマイクロ波磁界を畳重して記録媒体に印加して信号を記録することを特徴とする請求項７に記載の磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波アシスト方式で記録を行う磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法並びにその磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブに代表される磁気記録再生装置の高記録密度化が求められている。高密度化に対応するため、磁気記録媒体は記録層を構成する磁性粒子の寸法を小さくする必要があるが、熱による磁化の消失を防ぐために、磁気異方性エネルギーＫｕの大きな材料を用いなければならない。しかしながらヘッド磁極の狭小化により、記録に必要なヘッド磁界強度を得ることが困難となりつつある。
【０００３】
近年、高密度記録用の高Ｋｕ媒体への信号記録方法として、例えば特開２００９−０８０８６９号公報（特許文献１）に示されているような、マイクロ波アシスト方式が注目されている。
【０００４】
マイクロ波アシスト方式は、記録ヘッドの近傍に設置されたマイクロ波磁界発生素子から、磁気記録媒体の記録層を構成する磁性粒子のヘッド磁界印加状態における強磁性共鳴周波数に近いマイクロ波磁界を記録層に印加し、磁性粒子のスピンの歳差運動を励起することにより、信号記録（磁性粒子の磁化反転）に必要なヘッド磁界を大幅に低減させ、記録を容易にするものである。
【０００５】
磁性粒子の強磁性共鳴周波数Ｆｒｅｓは、（１）式で表される。
Ｆｒｅｓ＝（γ／２π）（Ｈｋ−Ｈｅｘｔ）    （１）
γは磁気回転比、Ｈｋは異方性磁界、Ｈｅｘｔは記録ヘッドが発生する記録磁界である。Ｈｋは、前述のＫｕと飽和磁化量Ｍｓを用いて、（２）式で表される。
Ｈｋ＝２Ｋｕ／Ｍｓ    （２）
【０００６】
（２）式から、高密度記録に対応するために高Ｋｕ磁性材料を用いた記録媒体の異方性磁界Ｈｋは大きくなり、（１）式から、その強磁性共鳴周波数Ｆｒｅｓが高くなることが分かる。例えば、２Ｔｂｐｓiの記録密度を実現するためには、約１×１０７ｅｒｇ／ｃｃのＫｕが必要であり、この場合、
飽和磁化Ｍｓ＝８００ｅｍｕ／ｃｃでは、Ｈｋ＝２５ｋＯｅ
飽和磁化Ｍｓ＝５００ｅｍｕ／ｃｃでは、Ｈｋ＝４０ｋＯｅ
となる。
【０００７】
記録磁界Ｈｅｘｔが１０ｋＯｅの場合、Ｈｋ＝２５ｋＯｅでは、Ｆｒｅｓは約４５ＧＨｚ、Ｈｋ＝４０ｋＯｅでは、Ｆｒｅｓは約９０ＧＨｚとなり、このような高い周波数を扱うことは困難であり、２０ＧＨｚ以下とすることが望まれている。
【０００８】
記録媒体の実効的なＨｋを低減させる方法として、例えば、特開２００７−２７２９５０号公報（特許公報２）に垂直磁気記録媒体の記録層を、厚み方向にＨｋの異なる領域に分けて、記録性能の向上を図る方法（ＥＣＣ媒体）が開示されている。この方法では、高Ｈｋの磁性膜（ハード層）に低Ｈｋの磁性膜（ソフト層）を積層することにより、記録層の実効的なＨｋを低減させることが可能となる。
【０００９】
この方法では、磁気特性の異なる薄膜を積層することにより、垂直磁気記録媒体を作製するが、ＥＣＣ媒体の実質的な磁気異方性エネルギーは、磁気記録層を構成する各層の磁気異方性エネルギーの和になるため、ハード層の一部をソフト層に置き換える場合、ハード層の磁気異方性エネルギーは、単層の場合よりも大きくする必要がある。例えばソフト層のＨｋがゼロの場合は、ソフト層の磁気異方性エネルギーもゼロとなる。
【００１０】
したがって磁気記録層の半分をソフト層に置き換えるのであれば、ハード層の磁気異方性エネルギーを２倍にする必要があり、前述の２Ｔｂｐｓｉの記録密度の場合は、ハード層は、Ｋｕ＝約２×１０７ｅｒｇ／ｃｃの磁気異方性エネルギーを有する磁性材料を使用する必要がある。
【００１１】
このような高い磁気異方性エネルギーを有する磁性材料としては、ＦｅＰｔ合金に代表されるＬ１０型規則合金がある。  
【００１２】
Ｌ１０型規則合金は、高い磁気異方性エネルギーを有するが、規則化のためには成膜後に５００℃程度の高温の熱処理が必要である。さらに記録分解能を高めるためには、磁化反転の最小単位であるクラスター寸法を小さくする必要があり、磁性粒子間の交換相互作用を低減するために、非磁性の材料で磁性粒子を分離したグラニュラ構造とする必要がある。
【００１３】
ＥＣＣ媒体の特性を十分に発揮させるためには、積層する低異方性材料が高異方性材料と一体化したグラニュラ構造であることが望ましいが、高温で熱処理を行ったＬ１０型規則合金に格子整合した低異方性材料を積層する技術は確立していない。
【００１４】
特開２００９−３０１６８６号公報（特許文献３）に記録媒体の表面層を改質したＥＣＣ型の記録媒体が開示されているが、Ｌ１０型規則合金の具体的な改質方法は、明らかにされていない。
【００１５】
また、特開２００５−２２８９１２号公報（特許文献４）にＬ１０型記録合金に局所的にイオンを照射することにより、照射部の磁気特性を改質する方法が開示されているが、Ｌ１０型規則合金の厚み方向に磁気特性を変化させる方法は開示されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００９−０８０８６９
【特許文献２】特開２００７−２７２９５０
【特許文献３】特開２００９−３０１６８６
【特許文献４】特開２００５−２２８９１２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
マイクロ波アシスト方式に対応した磁気記録媒体を実現するためには、記録層に高い磁気異方性を有するＬ１０型の規則合金を用いて、マイクロ波磁界の周波数を実現可能な領域（例えば２０ＧＨｚ以下）に低下させることが必要であるが、その特性を備えた磁気記録媒体の具体的な作成方法は確立していない。
【００１８】
本発明は、前記問題点を鑑みてなされたものであり、記録層に高い磁気異方性を有するＬ１０型の規則合金を用い、その表面側を低異方性のＡ１型の不規則合金に変態させることにより、マイクロ波磁界の周波数を実現可能な領域に低下させた、マイクロ波アシスト方式に適した磁気記録媒体、及び磁気記録媒体の作製方法、並びに、前記磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記目的は以下の手段により達成される。
【００２０】
即ち、前記目的を達成する本発明は、基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層、非磁性下地層、磁気記録層、保護層を有する磁気記録媒体であって、前記磁気記録層は強磁性結晶粒子と非磁性粒界層とを有するグラニュラ構造であり、前記強磁性結晶粒子は、表面に近い側はＬ１０型結晶構造を有する規則合金であり、基板に近い側はＡ１型結晶構造を有する不規則合金であることを特徴とする磁気記録媒体である。
【００２１】
前記目的を達成する前記磁気記録媒体において、前記強磁性結晶粒子は、Ｆｅ、Ｃｏのうちの少なくとも1種の元素とＰｔ、Ｐｄのうちの少なくとも１種の元素を主成分とすることを特徴とする。
【００２２】
前記目的を達成する前記磁気記録媒体において、前記磁気記録層中にＢ、Ｎ、Ａｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｇａのうちの少なくとも1種以上の元素を含み、その濃度が表面に近い側が高く、基板に近い側は低いことを特徴とする。
【００２３】
前記目的を達成する前記磁気記録媒体において、磁気記録層が少なくとも１層の非磁性層で分離されていることを特徴とする。
【００２４】
また、前記目的を達成する本発明は、前記磁気記録媒体の製造方法であって、前記Ａ１型結晶構造を有する不規則合金を、イオン照射により形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
【００２５】
前記目的を達成する前記磁気記録媒体の製造方法において、前記イオン照射にて照射するイオン種がＢ、Ｎ、Ａｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｇａのうちの少なくとも1種以上であることを特徴とする。
【００２６】
また、前記目的を達成する本発明は、前記磁気記録媒体を組み込んだことを特徴とする磁気記録再生装置である。
【００２７】
前記目的を達成する前記磁気記録再生装置において、記録ヘッドから発生する信号記録磁界にマイクロ波磁界発生素子から発生するマイクロ波磁界を畳重して記録媒体に印加して信号を記録することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、記録層に高密度化に適した高い磁気異方性を有するＬ１０型の規則合金を用いても、マイクロ波アシスト方式においてアシスト効果を発生するマイクロ波磁界の周波数を実用的な領域に低下させることが可能な磁気記録媒体、および磁気記録媒体の作製方法、また、前記磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明による磁気記録媒体の一実施形態における構成を示す図。
【図２】本発明による磁気記録媒体の別の実施形態における構成を示す図。
【図３】本実施形態に関するイオン照射の方法を示すための説明図。
【図４】別の実施形態に関するイオン照射の方法を示すための説明図。
【図５】ＦｅＰｔ規則合金にＢイオンを照射した場合の加速電圧とイオン侵入深さの関係を示す図。
【図６】ＦｅＰｔ規則合金にＢイオンを照射することによる磁気特性の変化を示す図。a：イオン照射前、b：イオン照射後
【図７】ＦｅＰｔ規則合金にＢイオンを照射した場合の、照射量と保磁力の関係を示す図。
【図８】ＦｅＰｔ規則合金にＢイオンを照射した場合の、照射量と表面粗さの関係を示す図。
【図９】ＦｅＰｔ規則合金にＢイオンを照射した場合の、照射量と結晶構造の関係を示す図。
【図１０】マイクロ波アシスト記録方式を示すための説明図。
【図１１】記録再生特性にマイクロ波磁界が与える影響を示した図。（ＬＬＧシミュレーションによるＳ／Ｎとマイクロ波周波数の関係を示す図）
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら説明する。
【００３１】
図１は、本発明の第一の実施形態に係る磁気記録媒体の断面図である。この磁気記録媒体は非磁性基板上１０１に、軟磁性裏打ち層１０２、シード層１０３、非磁性下地層１０４、磁気記録層１０５、および保護層１０６が積層された構造を有する。
【００３２】
基板１０１は、ガラス、ＮｉＰで被覆したＡｌ合金、セラミック、酸化表面を有するＳｉ等の非磁性材料から形成することができる。
【００３３】
軟磁性裏打ち層１０２は、記録ヘッドからの記録磁界を磁気記録媒体１００の表面から内部に導き、水平方向に通して磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの一部を担っており、磁気記録層に急峻で十分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる役目を果たしている。
【００３４】
軟磁性裏打ち層１０２は、例えば、Ｆｅ合金、Ｃｏアモルファス合金、フェライト等を用いることができる。軟磁性裏打ち層２は軟磁性を有する層と非磁性層との積層構造であっても良い。
【００３５】
シード層１０３は、軟磁性裏打ち層１０２と非磁性下地層１０４との間に設けられ、非磁性下地層１０４を通して、磁気記録層１０５の結晶粒径や結晶配向を改善することができる。シード層は必須ではないが、設ける場合好適な材料は、例えばＣｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、及びその合金からなる群から選択される少なくとも１種を含むことができる。さらに特性を改善するために、これらの材料を混ぜ合わせても良いし、別の元素を混ぜても良く、またそれらを積層しても良い。
【００３６】
非磁性下地層１０４は、例えばＭｇＯを使用することができる。
【００３７】
磁気記録層１０５は、例えば、ＦｅＰｔを主成分とする合金、ＣｏＰｔを主成分とする合金、ＦｅＰｄを主成分とする合金、及びＣｏＰｄを主成分とする合金であり、スパッタ法などで、非磁性下地層１０４上に成膜される。これらの合金は成膜直後の結晶構造はｆｃｃのＡ１型不規則合金であり、磁気異方性は低い。この不規則合金は高温で熱処理することにより、磁気異方性の高いＬ１０型の結晶構造を有する規則合金に相変化させることができる。
【００３８】
図２は、本発明の第二の実施形態に係る磁気記録媒体の断面図である。この磁気記録媒体は非磁性基板上１０１に、軟磁性裏打ち層１０２、シード層１０３、非磁性下地層１０４、磁気記録層１０５a、非磁性層１０７、磁気記録層１０５ｂおよび保護層１０６が積層された構造を有する。
非磁性層１０７は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔのうちの少なくとも1種以上の元素を含む薄膜である。
【００３９】
図３に、本発明の第一の実施形態でのイオン照射の方法を示す。熱処理を行い、Ｌ１０型規則合金となった記録層に、イオン照射装置を用いて、Ｂ、Ｎ、Ａｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｇａのうちの少なくとも１種のイオンを照射する。イオン照射のエネルギーは、後述のイオン照射シミュレーションで示すように、イオンが記録層の表面側に到達し、記録層の基板側には到達しない範囲の値に設定される。このイオン照射により、記録層の表面側はＬ１０型の規則合金からＡ１型の不規則合金に変態する。
【００４０】
図４は、本発明の第二の実施形態でのイオン照射の方法を示す。熱処理によりＬ１０型規則合金となった記録層に、イオン照射装置を用いて、Ｂ、Ｎ、Ａｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｇａのうちの少なくとも１種のイオンを照射する。イオン照射のエネルギーは、後述のイオン照射シミュレーションで示すように、イオンが非磁性層で分離された記録層の表面側に到達し、非磁性層の基板側の記録層の基板側には到達しない値に設定される。このイオン照射により、記録層の非磁性層で分離された表面側はＬ１０型の規則合金からＡ１型の不規則合金に変態する。この非磁性層の厚みを調整することにより、イオン照射によって低異方性となった領域と高異方性領域の交換結合の状態を変化させることが可能となり、記録層の実効的な磁気異方性Ｈｋを更に精密に制御することが可能となる。
【００４１】
図５は、Ｌ１０型規則合金へのイオン照射をモンテカルロ法でシミュレーションした結果の一例であり、ＦｅＰｔ合金にＢ（ボロン）イオンを照射した場合の、イオンの加速電圧とイオンの侵入深さの関係を示している。横軸はイオンの加速電圧であり、縦軸は照射されたイオンが侵入する深さを表している。照射されたイオンは、Ｌ１０型規則合金の表面から侵入し、合金を構成する原子と衝突を繰り返してそのエネルギーを失い、合金内で停止する。イオンの衝突によるエネルギーは、規則合金を構成する原子の相互拡散を生じさせ、規則合金は不規則合金に変態する。このシミュレーションを用いて、任意のイオンの侵入深さに必要な加速電圧を算出することができる。
【実施例】
【００４２】
以下に、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
【００４３】
基板１０１として、厚さ０．６３５ｍｍのガラス基板を用い、その上に軟磁性裏打ち層１０２を厚さ１００ｎｍとなるようにスパッタリング法でＮｉＦｅＮｂを成膜し、さらにその上に非磁性下地層１０４として厚さ３ｎｍになるようにスパッタリング法でＭｇＯを成膜した。成膜された非磁性下地層１０４の上に、磁気記録層１０５としてＦｅＰｔ合金を厚さ１０ｎｍになるようにスパッタリング法で成膜した。続いて保護層１０６を厚さ５ｎｍとなるようにＣ膜をスパッタリング法で成膜し磁気記録媒体を得た。なお、磁化曲線の測定用として、軟磁性裏打ち層の磁化の影響を避けるために、軟磁性裏打ち層のない試料も作製した。
【００４４】
次に、得られた磁気記録媒体の磁気記録層を規則化するために、５×１０−７Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中で６００℃、３６００秒の条件で熱処理を行った。
【００４５】
図６に、ＳＱＵＩＤ磁力計を用いて測定したイオンの照射によるＬ１０型規則合金の磁化曲線の変化を示す。厚さ１０ｎｍのＦｅＰｔ規則合金に加速電圧３ｋｅＶで１ａｔ％のＢイオンを照射し、イオン照射による磁化曲線の変化を検討した。図６ａが照射前の磁化曲線、図６ｂが照射後の磁化曲線である。Ｂイオンの照射により保磁力Ｈｃはほぼゼロになっているが、飽和磁化Ｍｓはほとんど変化していないことが分かる。イオン照射はＦｅ原子とＰｔ原子を相互拡散させ、高異方性のＬ１０構造の規則合金が等方的なＡ１構造の不規則合金に変態した結果、飽和磁化の変化はなく、磁気異方性のみを大きく低減できていることが分かる。
【００４６】
図７は、Ｂイオンの照射量と規則合金の保磁力の関係を示したものである。ＳＱＵＩＤ磁力計を用いて、イオン照射量に対する保磁力の変化を調べた。加速電圧３ｋｅＶでＢイオンを照射したところ、照射前は約１６ｋＯｅであった保磁力が、０．１ａｔ％の照射で約６ｋＯｅに低下し、０．５ａｔ％の照射では約１ｋＯｅに１ａｔ％以上の照射ではほぼゼロになることが分かる。Ｂ以外にもＮ、Ａｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｇａについて前述のモンテカルロ法のシミュレーションでそれぞれの加速電圧を最適化し、同様の評価を行なったところ、同等の保磁力の変化が得られることが確認できた。
【００４７】
図８は、Ｂイオンの照射量と媒体表面の粗さの関係を示したものである。イオン照射量を１〜１０ａｔ％の範囲で変化させ、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、表面性の変化の関係を調べた。照射量に対する表面性の変化はわずかであり、１０ａｔ％の照射でも表面性は照射前とほとんど差がないことが分かった。
【００４８】
図９は、イオン照射によるＬ１０型ＦｅＰｔ規則合金の結晶構造の変化を、Ｘ線回折法を用いて測定した結果である。ｆｃｔ（００１）の超格子ピークが規則合金相を示すが、１ａｔ％以上のＢイオンの照射でピークは完全に消失しており、イオン照射で結晶構造が正方晶系のｆｃｔから立法晶系のｆｃｃに変態していることが分かる。他の基本格子ピークは、１０ａｔ％のイオン照射でも消失していないことより、イオン照射により、合金の非晶質化は生じず、等方的なＡ１構造に変態により、磁気異方性が大きく低下したと考えられる。
【００４９】
図１０はマイクロ波アシスト磁気記録方法の原理を説明するための断面図である。磁気記録媒体１００は基板１０１上に軟磁性裏打ち層１０２、非磁性下地層１０４、磁気記録層１０５、保護層１０６を積層した構造を有する。磁気記録層１０５は垂直磁気異方性を有するので、磁気記録層１０５には上向きまたは下向きの磁化データが記録される。
【００５０】
磁気記録媒体１００上には磁気ヘッドが配置される。この磁気ヘッドは記録ヘッド４００と図示されない再生ヘッドとを含む。
【００５１】
記録ヘッド４００は、主磁極４０１と、リターン磁極であるトレーリングシールド４０２で形成され、主磁極４０１とトレーリングシールド４０２の間にマイクロ波磁界発生素子４０３が配置される。
【００５２】
マイクロ波磁界発生素子４０３にマイクロ波励振電流を流すことによって、マイクロ波磁界発生素子４０３周囲にマイクロ波磁界が発生する。マイクロ磁界波発生素子は磁気ディスク媒体に近接しているため、媒体内において磁気ディスクの略面内方向にマイクロ波磁界５０１が印加される。記録ヘッド素子４００の主磁極４０１より磁気記録層に印加される垂直記録磁界５００に、マイクロ波磁界５０１を重畳印加することによって、磁気記録層１０５の保磁力を効率良く低減させることができ、その結果、書込みに必要となる垂直方向の書込み磁界強度を低減することができる。
【００５３】
図１１は、本発明の実施例を含めた各種記録媒体にマイクロ波磁界を畳重した場合の記録再生特性をＬＬＧ方程式でシミュレーションした結果である。シミュレーションの条件は、線記録密度は１０５０ｋＦＣＩ、記録トラック幅は６０ｎｍ、マイクロ波磁界は１０００Ｏｅの直線偏光であり、ヘッド磁界の最大強度は１１ｋＯｅとした。
【００５４】
６０１は、異方性磁界Ｈｋが４０ｋＯｅ、飽和磁化Ｍｓが８００ｅｍｕ／ｃｃ、厚みｔが１２ｎｍの規則合金の表面側６ｎｍをイオン照射によって、異方性磁界Ｈｋが０Ｏｅ、飽和磁化Ｍｓが８００ｅｍｕ／ｃｃのＡ１型の不規則合金に変態させた媒体モデルである。６０２は、異方性磁界Ｈｋが４０ｋＯｅ、飽和磁化Ｍｓが８００ｅｍｕ／ｃｃ、厚みｔが６ｎｍの規則合金に異方性磁界Ｈｋが２ｋＯｅ、飽和磁化Ｍｓが５００ｅｍｕ／ｃｃ、厚みｔが６ｎｍのＣｏＣｒＰｔ合金系の低異方性磁性膜を積層した媒体モデルである。６０３は異方性磁界Ｈｋが２０ｋＯｅ、飽和磁化Ｍｓが８００ｅｍｕ／ｃｃ、厚みｔが６ｎｍの単層媒体モデルである。
【００５５】
Ｈｋが２０ｋＯｅの単層媒体６０３では、マイクロ波磁界の印加により最大約４ｄＢのＳ／Ｎの改善効果が得られるが、効果の得られるマイクロ波磁界の周波数は４０〜５５ＧＨｚと高く実用上問題である。Ｈｋが４０ｋＯｅのＦｅＰｔ合金にＨｋが２ｋＯｅのＣｏＣｒＰｔ合金を積層した６０２は、マイクロ波磁界の印加により、最大約４ｄＢのＳ／Ｎの改善効果があるが、効果の得られるマイクロ波磁界の周波数は、３０〜４５ＧＨｚであり、やはり実用上問題となる。また１１ｋＯｅのヘッド磁界強度では記録が不十分であり、絶対的なＳ／Ｎが低い。Ｈｋが４０ｋＯｅのＦｅＰｔ規則合金をイオン照射で表面層の異方性磁界Ｈｋをゼロに低下させた６０１は、２０ＧＨｚ以下の実用的なマイクロ波磁界周波数で、約７ｄＢのＳ／Ｎの改善効果が得られており、マイクロ波アシスト方式に適した媒体であることが確認できた。また、高Ｈｋの規則合金を用いたマイクロ波アシストに適した媒体の作製方法としてイオン照射法が非常に有効であることが確認できた。
【００５６】
本発明のいくつかの好ましい実施形態を詳細に説明したが、添付された請求項の趣旨または範囲から逸脱せずに様々な変更及び修正が可能であることを理解されたい。
【符号の説明】
【００５７】
１００・・・記録媒体
１０１・・・基板
１０２・・・軟磁性裏打ち層
１０３・・・シード層
１０４・・・非磁性下地層
１０５・・・磁気記録層
１０５ａ・・第一の磁気記録層
１０５ｂ・・第二の磁気記録層
１０６・・・保護層
１０７・・・磁気分離層
３００・・・加速されたイオン
４０１・・・主磁極
４０２・・・トレーリングシールド
４０３・・・マイクロ波磁界発生素子
５００・・・ヘッド記録磁界
５０１・・・マイクロ波磁界
６０１・・・イオン照射したＦｅＰｔ規則合金
６０２・・・ＦｅＰｔ規則合金にＣｏＣｒＰｔ系合金を積層
６０３・・・単層媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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