(57)【要約】【課題】周波数変動の少ないアンテナ付きメモリカードを提供する。【解決手段】電子機器に接続されるメモリカードであって、回路基板と、前記回路基板を覆う筐体と、前記回路基板の一方の面、又は、前記回路基板の一方の面に搭載される基板の一方の面に形成されるアンテナエレメントと、前記回路基板の一方の面に形成される地板と、前記回路基板の他方の面、又は、前記基板の他方の面に形成され、前記地板に接続されるグランドエレメントとを含み、前記アンテナエレメント及び前記グランドエレメントの一部又は全部は、前記電子機器に前記メモリカードを接続した際、前記電子機器よりも外側になるように形成されている。【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器に接続されるメモリカードであって、
回路基板と、
前記回路基板を覆う筐体と、
前記回路基板の一方の面、又は、前記回路基板の一方の面に搭載される基板の一方の面に形成されるアンテナエレメントと、
前記回路基板の一方の面に形成される地板と、
前記回路基板の他方の面、又は、前記基板の他方の面に形成され、前記地板に接続されるグランドエレメントと
を含み、
前記アンテナエレメント及び前記グランドエレメントの一部又は全部は、前記電子機器に前記メモリカードを接続した際、前記電子機器よりも外側になるように形成されている、メモリカード。
【請求項２】
前記アンテナエレメント及び前記グランドエレメントは、逆Ｆ形状又は逆Ｌ形状で形成されており、前記アンテナエレメントは、前記逆Ｆ形状又は前記逆Ｌ形状の一部となるアンテナエレメント直線部を有しており、
前記電子機器に前記メモリカードを接続した際、前記アンテナエレメント直線部が前記電子機器よりも外側になる、請求項１に記載のメモリカード。
【請求項３】
電子機器に接続されるメモリカードであって、
回路基板と、
前記回路基板を覆う筐体と、
前記回路基板の一方の面、又は、前記回路基板の一方の面に搭載される基板の一方の面に形成されるアンテナエレメントと、
前記回路基板の一方の面に形成される地板と、
前記回路基板の他方の面、又は、前記基板の他方の面に形成され、前記地板に接続されるグランドエレメントと
を含み、
前記アンテナエレメント及び前記グランドエレメントの幅Ａは、１ｍｍ未満で形成されている、メモリカード。
【請求項４】
電子機器に接続されるメモリカードであって、
回路基板と、
前記回路基板を覆う筐体と、
前記回路基板の一方の面、又は、前記回路基板の一方の面に搭載される基板の一方の面に形成されるアンテナエレメントと、
前記回路基板の一方の面に形成される地板と、
前記回路基板の他方の面、又は、前記基板の他方の面に形成され、前記地板に接続されるグランドエレメントと
を含み、
前記電子機器に接続する際に押される側の前記回路基板の端部から前記アンテナエレメント及び前記グランドエレメントまでの距離Ｂは、０．５ｍｍ以下である、メモリカード。
【請求項５】
前記アンテナエレメント及び前記グランドエレメントは、逆Ｆ形状又は逆Ｌ形状で形成されている、請求項３又は４に記載のメモリカード。
【請求項６】
前記アンテナエレメントと前記地板との間隔Ｃは、０．０５λ以下である、請求項１から５のいずれかに記載のメモリカード。
【請求項７】
前記アンテナエレメントの形状と前記グランドエレメントの形状とは、前記回路基板又は前記基板を介し、略対称となる形状で形成されている、請求項１から６のいずれかに記載のメモリカード。
【請求項８】
前記回路基板又は前記基板はプリント基板である、請求項１から７のいずれかに記載のメモリカード。
【請求項９】
前記プリント基板は多層配線基板であって、前記アンテナエレメントは複数の層に形成されており、前記グランドエレメントは複数の層に形成されている、請求項８に記載のメモリカード。
【請求項１０】
前記回路基板には、電子部品が搭載されている、請求項１から９のいずれかに記載のメモリカード。
【請求項１１】
２．４ＧＨｚから２．５ＧＨｚの周波数帯域に用いられるものである、請求項１から１０のいずれかに記載のメモリカード。
【請求項１２】
無線ＬＡＮ、ＢＴ用の通信に用いられるものである、請求項１から１０のいずれかに記載のメモリカード。
【請求項１３】
電子機器に接続されるメモリカードであって、
回路基板と、
前記回路基板を覆う筐体と、
前記回路基板の一方の面に形成されるアンテナエレメントと、
前記回路基板の一方の面に形成される地板と、
前記筐体の一方の面に配設される導電体製の薄膜と
を含み、
前記アンテナエレメントの一部又は全部は、前記電子機器に前記メモリカードを接続した際、前記電子機器よりも外側になるように形成されている、メモリカード。
【請求項１４】
前記薄膜は、平面視で一部が切り欠かれる切り欠き部、又は、平面視で一部が開口された開口部を有する、請求項１３記載のメモリカード。
【請求項１５】
前記切り欠き部又は前記開口部は、スロット状、ミアンダ状、又はドット状である、請求項１４記載のメモリカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、画像や映像等の撮影にはカメラ等が用いられ、カメラ等により撮影された画像は、カメラ本体に納められた記憶媒体に記憶される。しかしながら、このような記憶媒体は、カメラ本体の内部に納められるものであるため、記憶媒体の記憶容量には上限があり、一定時間以上の画像や映像を記憶することができない。
【０００３】
このため撮影した画像や映像等をカメラ本体に内蔵した記憶媒体に記憶するのではなく、カメラ本体より無線でカメラ本体の外部にある容量の大きな記憶媒体に情報を伝送し、容量の大きな記憶媒体に撮影した画像や映像等を記憶する方法が開発されている。これによりカメラ本体に内蔵された記憶媒体の容量に依存することなく、撮影した大量の画像や映像等を記憶することが可能となる。
【０００４】
このようにカメラ本体から無線により容量の大きな記憶媒体に情報を伝送するためには、カメラ本体の内部に無線通信用のアンテナを搭載する必要があり、例えば、無線通信用のアンテナが搭載されたメモリカード等が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２６６０９８号公報
【特許文献２】特開２００６−１８６２４号公報
【特許文献３】特開２００７−２９９３３８号公報
【特許文献４】特開２００８−８３８６８号公報
【特許文献５】特開２０１１−２２６４０号公報
【特許文献６】国際公開第２００７／１２５９４８号パンフレット
【特許文献７】国際公開第２００８／０３８７５６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、カメラ等においてメモリカードを装着する場合、通常、メモリカードはカメラ等の本体より殆ど突出することなく装着される。カメラ本体は、金属等の筐体により覆われており、また、メモリカードは導体部分が存在する電池や電子回路基板等にも囲まれていることから、アンテナが搭載されたメモリカードをカメラ本体に装着した場合、カメラ本体の内部から外部に無線で情報を伝送することは困難であり、正確に情報を伝送することができない場合や、情報の伝送される領域が極めて限定される場合等がある。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、カメラ等の情報機器装置の筐体内部に装着されるものであって、無線における通信性能が高いアンテナが内蔵されているメモリカードを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の実施の形態のメモリカードは、電子機器に接続されるメモリカードであって、回路基板と、前記回路基板を覆う筐体と、前記回路基板の一方の面、又は、前記回路基板の一方の面に搭載される基板の一方の面に形成されるアンテナエレメントと、前記回路基板の一方の面に形成される地板と、前記回路基板の他方の面、又は、前記基板の他方の面に形成され、前記地板に接続されるグランドエレメントとを含み、前記アンテナエレメント及び前記グランドエレメントの一部又は全部は、前記電子機器に前記メモリカードを接続した際、前記電子機器よりも外側になるように形成されている。
【０００９】
また、前記アンテナエレメント及び前記グランドエレメントは、逆Ｆ形状又は逆Ｌ形状で形成されており、前記アンテナエレメントは、前記逆Ｆ形状又は前記逆Ｌ形状の一部となるアンテナエレメント直線部を有しており、前記電子機器に前記メモリカードを接続した際、前記アンテナエレメント直線部が前記電子機器よりも外側になってもよい。
【００１０】
本発明の他の実施の形態のメモリカードは、電子機器に接続されるメモリカードであって、回路基板と、前記回路基板を覆う筐体と、前記回路基板の一方の面、又は、前記回路基板の一方の面に搭載される基板の一方の面に形成されるアンテナエレメントと、前記回路基板の一方の面に形成される地板と、前記回路基板の他方の面、又は、前記基板の他方の面に形成され、前記地板に接続されるグランドエレメントとを含み、前記アンテナエレメント及び前記グランドエレメントの幅Ａは、１ｍｍ未満で形成されている。
【００１１】
本発明の他の実施の形態のメモリカードは、電子機器に接続されるメモリカードであって、回路基板と、前記回路基板を覆う筐体と、前記回路基板の一方の面、又は、前記回路基板の一方の面に搭載される基板の一方の面に形成されるアンテナエレメントと、前記回路基板の一方の面に形成される地板と、前記回路基板の他方の面、又は、前記基板の他方の面に形成され、前記地板に接続されるグランドエレメントとを含み、前記電子機器に接続する際に押される側の前記回路基板の端部から前記アンテナエレメント及び前記グランドエレメントまでの距離Ｂは、０．５ｍｍ以下である。
【００１２】
また、前記アンテナエレメント及び前記グランドエレメントは、逆Ｆ形状又は逆Ｌ形状で形成されていてもよい。
【００１３】
また、前記アンテナエレメントと前記地板との間隔Ｃは、０．０５λ以下であってもよい。
【００１４】
また、前記アンテナエレメントの形状と前記グランドエレメントの形状とは、前記回路基板又は前記基板を介し、略対称となる形状で形成されていてもよい。
【００１５】
また、前記回路基板又は前記基板はプリント基板であってもよい。
【００１６】
また、前記プリント基板は多層配線基板であって、前記アンテナエレメントは複数の層に形成されており、前記グランドエレメントは複数の層に形成されていてもよい。
【００１７】
また、前記回路基板には、電子部品が搭載されていてもよい。
【００１８】
また、２．４ＧＨｚから２．５ＧＨｚの周波数帯域に用いられてもよい。
【００１９】
また、無線ＬＡＮ、ＢＴ用の通信に用いられるものであってもよい。
【００２０】
本発明の実施の形態のメモリカードは、電子機器に接続されるメモリカードであって、回路基板と、前記回路基板を覆う筐体と、前記回路基板の一方の面に形成されるアンテナエレメントと、前記回路基板の一方の面に形成される地板と、前記筐体の一方の面に配設される導電体製の薄膜とを含み、前記アンテナエレメントの一部又は全部は、前記電子機器に前記メモリカードを接続した際、前記電子機器よりも外側になるように形成されている。
【００２１】
また、前記薄膜は、平面視で一部が切り欠かれる切り欠き部、又は、平面視で一部が開口された開口部を有していてもよい。
【００２２】
また、前記切り欠き部又は前記開口部は、スロット状、ミアンダ状、又はドット状であってもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、カメラ等の情報機器装置の筐体内部に装着されるものであって、無線における通信性能が高いアンテナが内蔵されているメモリカードを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施の形態１におけるアンテナ装置の構造図
【図２】実施の形態１における回路基板の構造図
【図３】実施の形態１におけるアンテナ装置の説明図
【図４】実施の形態１におけるメモリカードの構造図
【図５】メモリカードが装着される部分を拡大したデジタルカメラの説明図
【図６】メモリカードを装着した場合の内部の筐体部分、電池との位置関係の説明図
【図７】デジタルカメラにおけるメモリカードと電池との位置関係の説明図
【図８】実施の形態１におけるアンテナエレメント直線部の説明図
【図９】実施の形態１におけるアンテナエレメント直線部の位置の説明図（１）
【図１０】アンテナエレメント直線部の幅を変えた場合のＶＳＷＲ特性
【図１１】実施の形態１におけるアンテナエレメント直線部の位置の説明図（２）
【図１２】実施の形態１におけるアンテナ装置とメモリカードのＶＳＷＲ特性
【図１３】実施の形態１におけるメモリカードのＶＳＷＲ特性
【図１４】他のメモリカードのＶＳＷＲ特性
【図１５】従来からあるアンテナ付きメモリカードのＶＳＷＲ特性
【図１６】実施の形態１における回路基板の製造方法の説明図（１）
【図１７】実施の形態１における回路基板の製造方法の説明図（２）
【図１８】実施の形態１の変形例によるアンテナ装置の構造図
【図１９】図１８に示すアンテナ装置のＶＳＷＲ特性のシミュレーション結果を示す図
【図２０】抵抗器を挿入したアンテナ装置を示す図
【図２１】アンテナ装置に抵抗器を挿入した場合のＶＳＲＷ特性のシミュレーション結果を示す図
【図２２】４層基板構成にしたアンテナ装置を示す分解図
【図２３】４層基板構成にしたアンテナ装置のＶＳＲＷ特性のシミュレーション結果を示す図
【図２４】実施の形態２におけるアンテナ装置の構造図
【図２５】実施の形態２におけるアンテナ装置の説明図
【図２６】実施の形態２における他のアンテナ装置の構造図
【図２７】実施の形態２における他のアンテナ装置の説明図
【図２８】実施の形態３のメモリカードを示す分解図
【図２９】ラベルに形成するアルミ層のパターンを示す図
【図３０】ラベルの有無、切り欠きの有無、及び、切り欠きのサイズによるＶＳＷＲ特性のシミュレーション結果を示す図
【図３１】実施の形態３の変形例のメモリカードの断面構成を示す分解図
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明を実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００２６】
＜実施の形態１＞
（アンテナ装置及び回路基板）
実施の形態１におけるアンテナ装置及び回路基板について説明する。図１に示すように、実施の形態１におけるアンテナ装置１００は、プリント基板１１０の一方の面にアンテナエレメント１２０が形成され、他方の面にグランドエレメント１３０が形成されているものである。アンテナ装置１００は、地板２１０も含んでもよい。
【００２７】
アンテナエレメント１２０の端部１２１とグランドエレメント１３０の端部１３１とはプリント基板１１０の側壁に形成された接続パターン１４０で接続されている。
【００２８】
アンテナエレメント１２０、グランドエレメント１３０、接続パターン１４０は銅等の金属材料により形成されており、プリント基板１１０を介して略対称な位置に、略対称となる形状により形成されている。実施の形態１におけるアンテナ装置１００では、グランドエレメント１３０は端部１３１で接地されており、端部１３２は開放されている。このため、グランドエレメント１３０の直線部１３０ａと端部１３２との間は、スタブ１３３となっている。直線部１３０ａは後述するアンテナエレメント１２０の直線部１２０ａと平面視で重なる部分である。
【００２９】
アンテナエレメント１２０は、給電部１２２において、所定の周波数、例えば、２．４ＧＨｚ〜２．５ＧＨｚの高周波電圧が印加される。
【００３０】
実施の形態１におけるアンテナ装置は、２．４ＧＨｚ〜２．５ＧＨｚの周波数帯域の通信、無線ＬＡＮ、ＢＴ用の通信に用いられるものである。また、実施の形態１におけるアンテナ装置では、共振周波数を調整するため、アンテナエレメント１２０及びグランドエレメント１３０に各々所定のインダクタンスを有するインダクタを接続する場合がある。
【００３１】
実施の形態１では、プリント基板１１０は厚さが約０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂により形成されている。例えば、プリント基板１１０にはＦＲ４基板が用いられており、比誘電率εｒの値は約４．７である。アンテナエレメント１２０及びグランドエレメント１３０は略対称となるように、略同一の逆Ｆ形状（逆Ｆ型と記載する場合がある）に形成されている。具体的には、プリント基板１１０に銅等からなる配線パターンを形成する場合と同様に、アンテナエレメント１２０及びグランドエレメント１３０のパターンを形成することにより形成されている。尚、実施の形態１では、プリント基板１１０を用いた場合について説明するが、他の誘電体材料により形成された基板、例えば、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３等により形成されたセラミックス基板等、又はプラスチック基板等を用いることも可能である。
【００３２】
図２に示すように、実施の形態１における回路基板２００には、実施の形態１におけるアンテナ装置１００が搭載されている。具体的には、回路基板２００を形成するプリント基板２１１の表面には、地板２１０が形成されており、この地板２１０は接地されている。また、地板２１０はアンテナ装置１００のグランドエレメント１３０の端部１３１と接続されている。グランドエレメント１３０の端部１３２は、開放されている。尚、実施の形態１では、アンテナ装置１００が搭載された回路基板２００について回路基板と記載する。
【００３３】
次に、実施の形態１におけるアンテナ装置１００におけるアンテナエレメント１２０とグランドエレメント１３０との位置関係について説明する。図３は、図１における一点鎖線１Ａ−１Ｂにおいて切断した断面の一部を示す。図３に示されるものは、アンテナエレメント１２０とグランドエレメント１３０とが、プリント基板１１０の両面において、プリント基板１１０を介し対称となるように形成されているものである。この場合、アンテナエレメント１２０に高周波電圧を印加することにより、アンテナエレメント１２０とグランドエレメント１３０との間に矢印に示す方向に電界が生じる。即ち、プリント基板１１０の厚さ方向に電界が生じる。
【００３４】
（メモリカード）
次に、実施の形態１におけるメモリカードについて説明する。実施の形態１におけるメモリカードとして、ＳＤ（Secure Digital）カードについて説明するが、他の規格や種類のメモリカードにおいても同様に適用することができる。
【００３５】
実施の形態１におけるメモリカード２５０は、図４に示すように、アンテナ装置１００が搭載された回路基板２００と、プラスチック等の樹脂材料により形成された第１のケース２６０及び第２のケース２７０を有しており、回路基板２００は、第１のケース２６０と第２のケース２７０により覆われた空間内に納められている。回路基板２００には、デジタルカメラ等の内部に設けられたメモリカードソケットと接続するための外部接続端子２１２が設けられており、メモリや電子回路等を有する電子部品２１４が搭載されている。第１のケース２６０には、外部接続端子２１２が露出するように開口部２６２が設けられており、回路基板２００を覆うように、第１のケース２６０と第２のケース２７０とを接合等することによりメモリカードが形成される。
【００３６】
実施の形態１におけるメモリカード２５０において、アンテナ装置１００は、回路基板２００における外部接続端子２１２が設けられる端部とは反対側の端部に設けられている。外部接続端子２１２は、メモリカードソケットと接続されるものであるため、デジタルカメラ等の内部まで入り込む。このため、アンテナ装置１００は、外部接続端子２１２が設けられている側と反対側となるメモリカード２５０の挿入口の近傍となる位置に形成されている。
【００３７】
通常、図５に示すように、デジタルカメラ３００の内部にメモリカード２５０を装着した場合、メモリカード２５０の挿入口は、デジタルカメラ３００に設けられた蓋３１０等が閉じられる。
【００３８】
（メモリカードの装着）
ところで、ＳＤカード等のメモリカード２５０は、デジタルカメラ３００を装着する際、メモリカード２５０をデジタルカメラ３００側に押すことにより装着され、再度押すことにより、デジタルカメラ３００から取り外すことができるように形成されている。即ち、図６に示すように、メモリカード２５０を装着したり取り外したりする際に、デジタルカメラ３００側に押すことができるよう周囲より少々出っ張って形成されている。例えば、メモリカード２５０を挿入する部分の周辺には、電池３２０や内部の筐体部分３０１があるが、これらの部分より、約１ｍｍ前後出っ張っている。実施の形態１では、図７に示すように、メモリカード２５０が電池３２０や内部の筐体部分３０１より出っ張っている部分にアンテナエレメント１２０を形成した構造のものである。特に、通常のデジタルカメラ等においては、レイアウトの関係上、メモリカード２５０の近傍に電池３２０が設けられており、電池３２０は導電性材料の塊であることから、アンテナエレメント１２０からの電波等に影響を及ぼしやすい。また、内部の筐体部分３０１は厚く形成されており、電波を遮りやすい。よって、実施の形態１は、電池３２０や内部の筐体部分３０１よりも出っ張っている部分にアンテナエレメント１２０を形成したものである。尚、デジタルカメラ３００にメモリカード２５０を装着することにより、メモリカード２５０とデジタルカメラ３００とが接続される。
【００３９】
（アンテナエレメントの幅及び位置）
次に、図８及び図９に基づき、アンテナエレメント１２０の幅及び形成される位置についてより詳しく説明する。前述したように、メモリカード２５０は、内部の筐体部分３０１や電池３２０等から約１ｍｍ出っ張って形成されている。実施の形態１においては、アンテナ装置１００におけるアンテナエレメント１２０のアンテナエレメント直線部１２０ａが、内部の筐体部分３０１や電池３２０等の外側に形成されている。この際形成されるアンテナエレメント直線部１２０ａの幅Ａは、０．０５ｍｍ以上、１ｍｍ未満の範囲で形成されている。メモリカード２５０は、内部の筐体部分３０１や電池３２０等から約１ｍｍ出っ張っているため、アンテナエレメント直線部１２０ａの幅Ａが１ｍｍを超えると、アンテナエレメント直線部１２０ａが、内部の筐体部分３０１や電池３２０等の内側に入ってしまうため、アンテナエレメント直線部１２０ａが、内部の筐体部分３０１や電池３２０等の外側となるようにするためには、アンテナエレメント直線部１２０ａの幅Ａが１ｍｍ未満で形成する必要がある。また、アンテナエレメント直線部１２０ａの幅Ａがあまりにも狭くなると抵抗値が高くなり、アンテナとして良好な特性が得られなくなる可能性があるが、アンテナエレメント直線部１２０ａの幅Ａが０．０５ｍｍ以上であれば、このような問題は生じないものと考えられる。
【００４０】
図１０は、アンテナエレメント直線部１２０ａの幅Ａを変化させた場合のＶＳＷＲ（Voltage Standing Wave Ratio：電圧定在波比）特性を示すシミュレーション結果である。図１０に示すシミュレーション結果は、アンテナエレメント１２０とグランドエレメント１３０をＬ字形状にした場合に得たものであるが、逆Ｆ形状にしても同様の傾向があると考えられる。
【００４１】
図１０に示されるように、アンテナエレメント直線部１２０ａの幅Ａを１ｍｍ未満で形成した場合には、ＶＳＷＲ特性は殆ど変わらない。尚、アンテナエレメント直線部１２０ａの幅Ａは０．５ｍｍ以下で形成すると、ＶＳＷＲ特性はより一層よくなるためより好ましい。実施の形態１においては、ＶＳＷＲの値が低いことは反射が少ないことを意味するものである。
【００４２】
また、アンテナ装置１００の端部からアンテナエレメント直線部１２０ａまでの距離Ｂは、幅Ａと距離Ｂとの和が１ｍｍ以下となるように形成されていることが好ましく、更には、距離Ｂが０．５ｍｍ以下となるように形成されていることが好ましい。尚、アンテナエレメント直線部１２０ａは、厚さが０．０３５ｍｍ〜０．０４ｍｍの銅等の金属材料により形成されている。
【００４３】
また、図１１に示すように、実施の形態１におけるアンテナ装置１００は、アンテナエレメント直線部１２０ａと地板２１０との間隔Ｃは、０．０５λｍｍ以下となるように形成されている。実施の形態１におけるアンテナ装置１００では、２．４〜２．５ＧＨｚの周波数の電波が用いられるため、間隔Ｃは、約５ｍｍ以下で形成されている。尚、アンテナエレメント直線部１２０ａと地板２１０との間隔Ｃが、あまりに近いと特性上好ましくない。また、地板２１０は、内部の筐体部分３０１や電池３２０等内に入っていても特性が低下することはない。よって、アンテナエレメント直線部１２０ａ等の特性や製造しやすさ等を考慮した場合、アンテナエレメント直線部１２０ａは、内部の筐体部分３０１や電池３２０等よりも外側に形成されており、地板２１０は、内部の筐体部分３０１や電池３２０等よりも内側に形成されていることが好ましい。
【００４４】
（アンテナ装置の特性）
次に、実施の形態１におけるアンテナ装置１００及びメモリカード２５０のＶＳＷＲ特性について説明する。尚、デジタルカメラにメモリカードを装着した場合や、デジタルカメラの種類によって、ＶＳＷＲの値が低くなる周波数が変化しないことが好ましい。
【００４５】
ところで、図１２に示すように、アンテナ装置１００のみ（ケースなし）の場合（ケースなし）と、アンテナ装置１００を第１のケース２６０と第２のケース２７０により覆いメモリカード２５０（ケース入り）とした場合では、ＶＳＷＲ特性が変化し、ＶＳＷＲの値が低くなる周波数が低周波側にシフトする。これは、第１のケース２６０及び第２のケース２７０を形成する材料の影響によるものと考えられる。このため、メモリカード２５０を作製する場合には、低周波側への周波数のシフト量を考慮してアンテナ装置１００を作製する。図１２に示すシミュレーション結果は、アンテナエレメント１２０とグランドエレメント１３０をＬ字形状にした場合に得たものであるが、逆Ｆ形状にしても同様の傾向があると考えられる。
【００４６】
次に、メモリカード単体の場合と、デジタルカメラ３００にメモリカードを装着した場合におけるＶＳＷＲ特性について説明する。図１３は、アンテナエレメント直線部１２０ａの幅Ａが０．５ｍｍである実施の形態１におけるメモリカード２５０の場合であり、デジタルカメラに入れる前（メモリカード単体）と、２種類のデジタルカメラＡ及びデジタルカメラＢにメモリカード２５０を入れた場合のＶＳＷＲ特性を示す。図１４は、アンテナエレメント直線部の幅Ａが１ｍｍであるメモリカードの場合であり、デジタルカメラに入れる前（メモリカード単体）と、２種類のデジタルカメラＡ及びデジタルカメラＢにメモリカードを入れた場合のＶＳＷＲ特性を示す。図１５は、従来からあるアンテナ付きのメモリカードの場合であり、デジタルカメラに入れる前（メモリカード単体）と、２種類のデジタルカメラＡ及びデジタルカメラＢにメモリカードを入れた場合のＶＳＷＲ特性を示す。
【００４７】
図１４や図１５に示されるように、メモリカードをデジタルカメラに入れた場合や、異なる種類のデジタルカメラに入れた場合では、ＶＳＷＲの値が低くなる周波数が変化してしまうが、図１３に示されるように、実施の形態１におけるメモリカードでは、メモリカードをデジタルカメラに入れた場合や、異なる種類のデジタルカメラに入れた場合においても、ＶＳＷＲの値が低くなる周波数が殆ど変化することはない。
【００４８】
（アンテナ装置及び回路基板の製造方法）
次に、実施の形態１におけるアンテナ装置及び回路基板の製造方法について説明する。
【００４９】
実施の形態１における回路基板は、図１６に示すように、プリント基板１１０の両面にアンテナエレメント１２０とグランドエレメント１３０が形成されたアンテナ装置１００を地板２１０の形成されているプリント基板２１１の所定の位置に貼り付け、グランドエレメント１３０と地板２１０とを接続することにより形成することができる。
【００５０】
また、実施の形態１における回路基板は、図１７に示すように、プリント基板２１１の地板２１０が形成される面に、地板２１０と接続されるグランドエレメント部２３０を地板２１０とともに形成し、一方の面にアンテナエレメント１２０が形成されているプリント基板１１０の他方の面をプリント基板２１１のグランドエレメント部２３０が形成されている部分に貼り付けることにより形成することができる。
【００５１】
また、実施の形態１における回路基板は、図１８に示すように、プリント基板２１１の一方の面にアンテナエレメント部２２０及び地板２１０Ａを形成し、他方の面にグランドエレメント部２３０及び地板２１０Ｂを形成したものであってもよい。このような場合、プリント基板２１１、アンテナエレメント部２２０、地板２１０Ａ、グランドエレメント部２３０、及びグランドエレメント部２３０は、アンテナ装置２００を構成する。地板２１０Ａ、２１０Ｂには、回路が形成され、メモリ等の素子が実装される。
【００５２】
図１８に示すように、プリント基板２１１の表面には、アンテナエレメント２２０と地板２１０Ａが形成されている。アンテナエレメント２２０の端部２２１は、地板２１０Ａに接続されている。また、アンテナエレメント２２０は、給電部２２２において給電される。
【００５３】
プリント基板２１１の裏面には、グランドエレメント２３０と地板２１０Ｂが形成されている。グランドエレメント２３０の端部２３１は地板２１０Ｂに接続され、端部２３２は開放されている。
【００５４】
これにより、プリント基板を１枚にすることができ、より低コストでアンテナ装置の形成された回路基板を得ることができる。
【００５５】
尚、機能的には、アンテナエレメント部２２０は、アンテナエレメント１２０に相当するものであり、グランドエレメント部２３０は、グランドエレメント１３０に相当するものである。
【００５６】
次に、図１９を用いて、図１８に示すアンテナ装置２００のＶＳＷＲ特性とゲインのシミュレーション結果について説明する。
【００５７】
図１９には、図１８に示すアンテナ装置２００と、比較用にアンテナ装置２００からグランドエレメント２３０及び地板２１０Ｂを取り除いたアンテナ装置のＶＳＷＲ特性を示す。すなわち、比較用のアンテナ装置は、プリント基板２１１、アンテナエレメント２２０、及び地板２１０Ａを含む。
【００５８】
シミュレーションは、プリント基板２１１の幅（Ｘ軸方向の長さ）を３０ｍｍ、プリント基板２１１の長さ（Ｙ軸方向の長さ）を３５ｍｍ、プリント基板２１１の表面のうち、地板２１０Ａが形成されていない部分のＹ軸方向の長さを５ｍｍ、アンテナエレメント２２０及びグランドエレメント２３０の線幅を１ｍｍ、アンテナエレメント２２０及びグランドエレメント２３０の直線部２２０ａ、２３０ａの（Ｘ軸方向の）長さを２４ｍｍに設定して行った。
【００５９】
図１９に示すように、比較用のアンテナ装置に比べて、アンテナ装置２００は、ＶＳＲＷ特性の２．４５ＧＨｚ近辺にある極小値が低下し、ＶＳＷＲ特性が改善されていることが分かる。なお、アンテナ装置２００と、比較用のアンテナ装置のゲインの最大値は、ともに＋２．３ｄＢｉである。
【００６０】
以上より、アンテナ装置２００によれば、グランドエレメント２３０及び地板２１０Ｂを形成することにより、ＶＳＷＲ特性が改善されることが分かった。
【００６１】
次に、図２０及び図２１を用いて、アンテナ装置２００に抵抗器を挿入した場合のシミュレーション結果について説明する。
【００６２】
図２０（Ａ）〜（Ｃ）では、プリント基板２１１を省略する。図２０（Ａ）は、アンテナエレメント２２０及び地板２１０Ａを示す。図２０（Ｂ）及び図２０（Ｃ）は、グランドエレメント２３０及び地板２１０Ｂを示す。
【００６３】
図２０（Ｂ）では、端部２３１の部分において、グランドエレメント２３０に抵抗器２８０が挿入されている。図２０（Ｃ）では、端部２３２の部分において、グランドエレメント２３０に抵抗器２８０が挿入されている。図２０（Ｃ）では、端部２３２は、地板２１０Ｂに接続されている。
【００６４】
なお、図２０（Ｄ）に示すように、プリント基板２１１の幅（Ｘ軸方向の長さ）を３０ｍｍ、プリント基板２１１の長さ（Ｙ軸方向の長さ）を３５ｍｍ、プリント基板２１１の表面のうち、地板２１０Ａが形成されていない部分のＹ軸方向の長さを５ｍｍ、アンテナエレメント２２０及びグランドエレメント２３０の線幅を１ｍｍ、アンテナエレメント２２０及びグランドエレメント２３０の直線部２２０ａ、２３０ａの（Ｘ軸方向の）長さを２４ｍｍに設定してシミュレーションを行った。
【００６５】
プリント基板２１１の表面側に図２０（Ａ）に示すようにアンテナエレメント２２０及び地板２１０Ａを形成し、かつ、プリント基板２１１の裏面に図２０（Ｂ）に示すように、グランドエレメント２３０、及び地板２１０Ｂを形成するとともに、抵抗器２８０を挿入した場合を図２１に（Ａ）＋（Ｂ）の特性として示す。
【００６６】
また、プリント基板２１１の表面側に図２０（Ａ）に示すようにアンテナエレメント２２０及び地板２１０Ａを形成し、かつ、プリント基板２１１の裏面に図２０（Ｃ）に示すように、グランドエレメント２３０、及び地板２１０Ｂを形成するとともに、抵抗器２８０を挿入した場合を図２１に（Ａ）＋（Ｃ）の特性として示す。
【００６７】
（Ａ）＋（Ｂ）の場合と、（Ａ）＋（Ｃ）の場合を（Ａ）だけの場合と比べたところ、図２１に示すように、（Ａ）だけの場合に比べて、（Ａ）＋（Ｂ）の場合と、（Ａ）＋（Ｃ）の場合は、ＶＳＷＲ特性が改善された。（Ａ）＋（Ｂ）の場合と、（Ａ）＋（Ｃ）の場合とでは、（Ａ）＋（Ｂ）の場合の方がＶＳＷＲ特性の極小値が低かった。
【００６８】
（Ａ）＋（Ｂ）の場合は、図１９に示すアンテナ装置２００よりもさらにＶＳＷＲ特性が改善されている。
【００６９】
以上より、抵抗器２８０を挿入することで、ＶＳＷＲ特性が改善された。
【００７０】
次に、図２２及び図２３を用いて、４層基板にした場合のシミュレーション結果について説明する。
【００７１】
図２２（Ａ）に示すように、表面に地板３１０Ａを形成したプリント基板３１１Ａと、表面にアンテナエレメント２２０及び地板２１０Ａを形成したプリント基板２１１と、表面にグランドエレメント２３０及び地板２１０Ｂを形成したプリント基板３１１Ｂとを積層し、プリント基板３１１Ｂの裏面に地板３１０Ｂを形成した。これをアンテナ装置３００とする。アンテナ装置３００は、４層の導電層を有する４層基板である。なお、プリント基板３１１Ａ、２１１、３１１Ｂは、プリプレグ又はコア層で構成される。
【００７２】
図２２（Ｂ）は、４層の導電層と３層のプリント基板の位置関係を平面視で示す図である。プリント基板３１１Ａ、２１１、３１１Ｂは位置あわせが行われた状態で積層される。
【００７３】
アンテナ装置３００は、図１８に示すアンテナ装置２００の上下にプリント基板３１１Ａ及びプリント基板３１１Ｂを貼り合わせ、プリント基板３１１Ａの表面に地板３１０Ａを形成し、プリント基板３１１Ｂの裏面に地板３１０Ｂを形成した構成を有する。
【００７４】
図２３には、アンテナ装置３００のＶＳＷＲ特性を比較用のアンテナ装置のＶＳＷＲ特性とともに示す。比較用のアンテナ装置は、プリント基板２１１の表面にアンテナエレメント２２０と地板２１０Ａを形成したアンテナ装置である。
【００７５】
図２３に示すように、アンテナ装置３００のＶＳＷＲ特性は、比較用のアンテナ装置に比べて改善された。
【００７６】
また、ゲインの最大値は、比較用のアンテナ装置で＋２．３ｄＢｉ、アンテナ装置３００で＋１．７ｄＢｉ、図２０に示した（Ａ）＋（Ｂ）の場合で＋０．９ｄＢｉ、（Ａ）＋（Ｃ）の場合で−０．５ｄＢｉであった。
【００７７】
以上より、実施の形態１の変形例によるアンテナ装置２００、３００によれば、比較用のアンテナ装置と同等のゲインの最大値を確保しつつ、ＶＳＷＲ特性を改善できるとともに、広帯域化を図ることができることが分かった。
【００７８】
尚、実施の形態１においては、プリント基板２１１には電子回路等が形成されている場合があるが、図面においては、この電子回路等は省略されている。具体的には、プリント基板２１１において地板２１０の形成されていない領域に、電子回路等が形成されている場合や、プリント基板２１１が多層基板であって、この多層基板の内部に電子回路等が形成されている場合がある。
【００７９】
＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２について説明する。実施の形態２におけるアンテナ装置は、アンテナエレメント等が形成される面積を広げることなく、インダクタンスを大きくして、周波数帯域を低くすることにより、所定の周波数帯域となるように形成したものである。
【００８０】
実施の形態２におけるアンテナ装置の構造を図２４に示す。このアンテナ装置では、多層配線のプリント基板１１６が用いられており、多層に形成されたアンテナエレメント１２６とグランドエレメント１３６を有している。アンテナエレメント１２６は、プリント基板１１６の内部に形成された第１のアンテナエレメント１２６ａとプリント基板１１６の一方の面の表面に形成された第２のアンテナエレメント１２６ｂを有しており、第１のアンテナエレメント１２６ａと第２のアンテナエレメント１２６ｂは、これらを接続するためのスルーホール内に形成されたアンテナエレメント接続部１２６ｃにより接続されている。
【００８１】
また、グランドエレメント１３６は、プリント基板１１６の内部に形成された第１のグランドエレメント１３６ａとプリント基板１１６の他方の面の表面に形成された第２のグランドエレメント１３６ｂを有しており、第１のグランドエレメント１３６ａと第２のグランドエレメント１３６ｂは、これらを接続するためのスルーホール内に形成されたグランドエレメント接続部１３６ｃにより接続されている。
【００８２】
実施の形態２では、プリント基板１１６において、アンテナエレメント１２６等が形成される領域を広げることなく、アンテナエレメント１２６及びグランドエレメント１３６におけるインダクタンスをより大きくすることができる。
【００８３】
図２５は、図２４に示すアンテナ装置のアンテナエレメント１２６とグランドエレメント１３６の断面における配置を概念的に示すものである。第１のアンテナエレメント１２６ａ、第２のアンテナエレメント１２６ｂ、第１のグランドエレメント１３６ａ及び第２のグランドエレメント１３６ｂは、プリント基板１１６の厚さ方向において、各々の領域が全て重なるように形成されている。これにより、アンテナエレメント１２６に高周波を印加した場合、より一層プリント基板１１６の厚さ方向に揃った状態で励振させることができる。
【００８４】
また、図２６に示すように、第１のアンテナエレメント１２６ａと第２のアンテナエレメント１２６ｂとの位置及び第１のグランドエレメント１３６ａと第２のグランドエレメント１３６ｂとの位置がずれており、重複しない領域を有するように形成してもよい。この場合、ずれた領域より漏れ電界が生じて電磁波が発生する。尚、図２７は、図２６に示すアンテナ装置のアンテナエレメント１２６とグランドエレメント１３６の断面の配置を概念的に示すものである。
【００８５】
尚、上記以外の内容については、実施の形態１と同様である。
【００８６】
＜実施の形態３＞
実施の形態３は、金属層を含むラベルがメモリカードに貼付される場合において、アンテナ装置の放射特性を最適化することを目的とする。
【００８７】
図２８は、実施の形態３のメモリカードを示す分解図である。図２８は、図４に示すメモリカードを天地逆にして分解した状態を示す。
【００８８】
図２８に示すメモリカード５００は、図４に示すメモリカードの第２のケース２７０の表面（図２８における下側の面）に、ラベル５１０を貼付したものである。
【００８９】
ラベル５１０は、例えば、メモリカードの商品名やメモリ容量等が記載されている。ラベル５１０は、樹脂フィルム５１１の一方の面（第２のケース２７０に貼り付けられる側の面）に、アルミ層５１２を形成したものである。
【００９０】
樹脂フィルムは、例えば、透明なフィルムである。樹脂フィルム５１１にアルミ層５１２を形成する前に、樹脂フィルム５１１に文字等を印刷しておき、文字等を印刷した上からアルミ層５１２を形成している。アルミ層５１２は、例えば、蒸着法によって形成される。
【００９１】
このようなラベル５１０をメモリカード５００に貼付すると、ラベル５１０がアルミ層５１２を有するため、メモリカード５００に内蔵されるアンテナ装置１００の放射特性が変化する。
【００９２】
図２９は、ラベルに形成するアルミ層のパターンを示す図である。図２９（Ａ）に示すアルミ層５１２Ａは、切り欠き５１３Ａを有する。図２９（Ｂ）に示すアルミ層５１２Ｂは、スロット５１３Ｂを有する。図２９（Ｃ）に示すアルミ層５１２Ｃは、ミアンダ状のスロット５１３Ｃを有する。図２９（Ｄ）に示すアルミ層５１２Ｄは、複数の円形のスロット５１３Ｄを有する。スロット５１３Ｄは、ドット状に配設されている。
【００９３】
なお、アルミ層５１２Ａ〜５１２Ｄは、縦２５ｍｍ、幅２０ｍｍとした。また、スロット５１３Ｂの長さは２６ｍｍ、スロット５１３Ｃの長さは６０ｍｍ、スロット５１３Ｄの直径は１．５ｍｍとした。なお、スロット５１３Ｃの長さは６０ｍｍは、周波数が２．４５ＧＨｚの場合の波長λの半波長（λ／２）の長さに相当する。
【００９４】
スロット５１３Ｂを形成したラベル５１０をメモリカード５００に貼り付けたところ、ゲインの最大値は０．３７ｄＢｉであった。スロット５１３Ｃを形成したラベル５１０をメモリカード５００に貼り付けたところ、ゲインの最大値は０．３８ｄＢｉであった。スロット５１３Ｄを形成したラベル５１０をメモリカード５００に貼り付けたところ、ゲインの最大値は０．３４ｄＢｉであった。なお、切り欠き５１３Ａを形成しないラベル５１０をメモリカード５００に貼り付けたところ、ゲインの最大値は０．３４ｄＢｉであった。
【００９５】
これより、スロット５１３Ｂ〜５１３Ｄを形成することにより、ゲインの最大値は向上する傾向があることが分かった。
【００９６】
ここで、図３０を用いて、ラベルの有無、切り欠き５１３Ａの有無、及び、切り欠き５１３ＡのサイズによるＶＳＷＲ特性のシミュレーション結果について説明する。
【００９７】
切り欠き５１３Ａのサイズは、縦８ｍｍ×横８ｍｍ（８×８）、縦５ｍｍ×横８ｍｍ（５×８）の２種類を準備した。
【００９８】
図３０に示すように、ラベル５１０を貼付しない「ラベル無し」の場合には、ＶＳＷＲ特性の極小値は約１．４であり、周波数は約２．４２ＧＨｚであった。ラベル５１０を貼付けた「ラベル有り」（切り欠き５１３Ａ無し）の場合には、ＶＳＷＲ特性の極小値は約２．２であり、周波数は約２．４８ＧＨｚであった。ラベル５１０を貼付け、切り欠き５１３Ａを縦５ｍｍ×横８ｍｍとした「切り欠き（５×８）」の場合には、ＶＳＷＲ特性の極小値は約１．７であり、周波数は約２．３６ＧＨｚであった。ラベル５１０を貼付け、切り欠き５１３Ａを縦８ｍｍ×横８ｍｍとした「切り欠き（８×８）」の場合には、ＶＳＷＲ特性の極小値は約１．８であり、周波数は約２．２５ＧＨｚであった。
【００９９】
このように、ラベル５１０を貼り付けることにより、メモリカード５００に内蔵されるアンテナ装置１００の特性が変化することが分かった。そして、ラベル５１０のアルミ層５１２Ａの切り欠き５１３Ａを設けることにより、ＶＳＷＲ特性が改善されることが分かった。なお、ＶＳＷＲ特性の極小値を与える周波数は、例えば、アンテナ装置１００のアンテナエレメント１２０に、キャパシタ、インダクタ、又は抵抗器を挿入することによって調整できるため、ラベル５１０の切り欠き５１３Ａの形状及びサイズ等との関係で、所望の周波数（例えば、２．４５ＧＨｚ）において、極小値が得られるように調整すればよい。
【０１００】
また、切り欠き５１３Ａの代わりに、スロット５１３Ｂ、５１３Ｃ、又はスロット５１３Ｄ（図２９（Ｂ）〜（Ｄ）参照）を形成してもよい。
【０１０１】
次に、図３１を用いて、実施の形態３の変形例について説明する。
【０１０２】
実施の形態３の変形例のメモリカード５００Ａは、第１のケース２６０の下面に凸部２６１を有する。凸部２６１は、第１のケース２６０の第２のケース２７０と張り合わされる側の面（図３１中の下面）に形成されており、アンテナエレメント１２０に当接するように突出している部分である。突出部２６１は、アンテナエレメント１２０と同等の長さにわたって（紙面を貫通する方向に）形成されている。なお、図３１では図示を省くが回路基板２００にはアンテナ装置１００が実装されている。
【０１０３】
突出部２６１は、第１のケース２６０と一体的に形成されているが、突出部２６１は、第１のケース２６１とは別体であって第１のケース２６０に貼り付けられていてもよい。
【０１０４】
このような突出部２６１を有する第１のケース２６０と第２のケース２７０との間の空間に回路基板２００を組み込んだ状態で第１のケース２６０と第２のケース２７０とを封じると、突出部２６１は、アンテナエレメント１２０に当接する。
【０１０５】
突出部２６１は、第１のケース２６０と同様にプラスチック等の樹脂材料により形成されており、誘電率は約３．０程度である。突出部２６１を有しない場合には、アンテナエレメント１２０の上面は、第１のケース２６０との間に空間がある。
【０１０６】
従って、第１のケース２６０が突出部２６１を有することにより、突出部２６１を有しない場合に比べて、アンテナエレメント１２０の上面側の誘電率を高くすることができる。このため、アンテナエレメント１２０の上面側で波長が短縮される効果を得ることができ、この結果、アンテナエレメント１２０の長さを短くすることができる。
【０１０７】
以上、実施の形態３の変形例によれば、アンテナエレメント１２０を短くすることにより、より小型のメモリカード５００Ａに対応することができる。
【０１０８】
なお、以上では、ラベル５１０の樹脂フィルム５１１にアルミ層５１２、５１２Ａ〜５１２Ｄが形成される形態について説明したが、アルミ層５１２、５１２Ａ〜５１２Ｄの代わりに、他の金属材料で構成される金属層を形成してもよい。金属材料によってアンテナ装置１００の放射特性も変わるため、所望の放射特性を得るために金属材料を選択してもよい。
【０１０９】
以上、本発明の例示的な実施の形態のメモリカードについて説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【０１１０】
１００      アンテナ装置
１１０      プリント基板
１２０      アンテナエレメント
１２０ａ    アンテナエレメント直線部
１２１      端部
１２２      給電部
１３０      グランドエレメント
１３１      端部
１３２      端部
１３３      スタブ
１４０      接続パターン
２００      回路基板
２１０      地板
２１１      プリント基板
２１２      外部接続端子
２１４      電子部品
２５０      メモリカード
２６０      第１のケース
２６２      開口部
２７０      第２のケース
３００      デジタルカメラ
３０１      内部の筐体部分
３２０      電池
５００      メモリカード
５１０      ラベル
５１１      樹脂フィルム
５１２      アルミ層
５１２Ａ      アルミ層
５１３Ａ      切り欠き
５１２Ｂ      アルミ層
５１３Ｂ      スロット
５１２Ｃ      アルミ層
５１３Ｃ      スロット
５１２Ｄ      アルミ層
５１３Ｄ      スロット
【図１】
2013089050.tif 000003
【図２】
2013089050.tif 000004
【図３】
2013089050.tif 000005
【図４】
2013089050.tif 000006
【図５】
2013089050.tif 000007
【図６】
2013089050.tif 000008
【図７】
2013089050.tif 000009
【図８】
2013089050.tif 000010
【図９】
2013089050.tif 000011
【図１０】
2013089050.tif 000012
【図１１】
2013089050.tif 000013
【図１２】
2013089050.tif 000014
【図１３】
2013089050.tif 000015
【図１４】
2013089050.tif 000016
【図１５】
2013089050.tif 000017
【図１６】
2013089050.tif 000018
【図１７】
2013089050.tif 000019
【図１８】
2013089050.tif 000020
【図１９】
2013089050.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
2013089050.tif 000023
【図２２】
2013089050.tif 000024
【図２３】
2013089050.tif 000025
【図２４】
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【図２５】
2013089050.tif 000027
【図２６】
2013089050.tif 000028
【図２７】
2013089050.tif 000029
【図２８】
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【図２９】
2013089050.tif 000031
【図３０】
2013089050.tif 000032
【図３１】
2013089050.tif 000033